(57)【要約】【課題】内槽の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱を中心線に対して対称的に行わせることにより、内槽内で処理される被処理基板について、当該内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、液体を貯留する外槽１０と、外槽１０に貯留された液体に超音波を照射する超音波発生器１５と、外槽１０の内部に設けられた内槽２０と、外槽１０に液体を供給する純水供給部３０とを備えている。内槽２０の底面が幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽２０の中心線に対して対称形となっている。また、純水供給部３０は、外槽１０内における液体の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において内槽２０の中心線に対して対称となるよう、外槽１０内に液体を供給する。【選択図】図１
2008160012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を貯留する外槽と、
前記外槽に設けられ、当該外槽に貯留された液体に超音波を照射する超音波発生器と、
前記外槽の内部に設けられ超音波を透過させる部材を有する内槽であって、処理液を貯留しこの処理液中に被処理基板を浸漬させるような内槽と、
前記外槽に液体を供給する液体供給部と、
を備え、
前記内槽の底面は、幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽の中心線に対して対称形となっており、
前記液体供給部は、前記外槽内における液体の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において前記内槽の中心線に対して対称となるよう、前記外槽内に液体を供給するようになっていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記内槽の底面は、当該内槽に収容された処理されるべき被処理基板の板面に沿った縦断面において中央部が両端部よりも低い位置にあることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記内槽の底面は、当該内槽に収容された処理されるべき被処理基板の板面に沿った縦断面がＶ字形状となっていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記液体供給部は、前記外槽内部において、前記超音波発生器が当該外槽内の液体に超音波を照射する範囲の外側の位置に設置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記液体供給部は、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような位置に複数設けられており、各液体供給部からの液体の吐出方向が、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記液体供給部は、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような位置に設けられた一対の筒状部材からなり、各筒状部材には吐出口が設けられており、各筒状部材における当該吐出口の位置は、各筒状部材の吐出口から吐出された液体の吐出方向が幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような箇所となっていることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板を内槽内の処理液中に浸漬させることにより当該被処理基板の処理を行う基板処理装置に関し、とりわけ内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、純水を貯留する外槽と、この外槽の内部に設けられ、純水や薬液等の処理液を貯留しこの処理液中に被処理基板としての半導体ウエハ（以下、ウエハという）を浸漬させるような内槽とを備え、外槽に貯留された純水に超音波を照射する超音波発生器が当該外槽の底部に設けられたような間接照射型超音波洗浄槽が知られている（例えば、特許文献１、２等参照）。このような間接照射型超音波洗浄槽においては、内槽の底部は石英等の超音波を透過させる材料から形成されており、外槽内の純水に照射された超音波は内槽の底部を透過して内槽内の処理液に伝播し、この内槽内の処理液に伝播された超音波の振動によりウエハに対するエッチング処理や洗浄処理等の処理性能を向上させるようになっている。
【０００３】
上述のような間接照射型超音波洗浄槽を構成する従来の基板処理装置の一例について図３および図４を用いて説明する。図３は、従来の基板処理装置を正面から見たときの概略構成図であり、図４は、図３における基板処理装置のＢ−Ｂ矢視縦断面図である。
【０００４】
従来の基板処理装置は、図３および図４に示すように、純水を貯留する外槽６０と、この外槽６０の内部に設けられた内槽７０と、ウエハＷを保持する保持機構（図示せず）とを備えている。外槽６０には、当該外槽６０に貯留された純水に超音波を照射する超音波発生器６５が設けられている。さらに、外槽６０内に純水を供給するための純水供給部８０が設置されている。
【０００５】
外槽６０は、図３および図４に示すように略直方体形状のものであり、塩化ビニルや金属から構成されている。この外槽６０の上部にはオーバーフロー槽６１が取り付けられており、外槽６０からオーバーフローした純水はオーバーフロー槽６１に送られるようになっている。このオーバーフロー槽６１は、オーバーフロー管６２を介して後述する純水貯留槽８５に接続されており、外槽６０からオーバーフロー槽６１にオーバーフローした純水は後述する純水貯留槽８５に戻されるようになっている。
【０００６】
内槽７０は、図３および図４に示すように外槽６０の内部に設けられている。この内槽７０は、純水や薬液等の処理液を貯留するようになっており、この処理液中にウエハＷを浸漬させることにより当該ウエハＷのエッチング処理や洗浄処理等の様々な処理を行うようになっている。内槽７０は、石英等の超音波を透過させる材料から形成されている。内槽７０の底面の形状については後述する。
【０００７】
超音波発生器６５は、外槽６０の底面外方に取り付けられた超音波振動板から構成されている。この超音波振動板は外槽６０の底面を部分的に占めるような大きさの矩形形状のものとなっており、図示しない駆動機構により振動させられるようになっている。超音波振動板が振動すると、外槽６０の底部を介し、外槽６０内に貯留された純水に超音波が伝播するとともに、内槽７０の底部を介して内槽７０内の処理液にも超音波が伝播するようになっている。
【０００８】
内槽７０の内部において、複数枚のウエハＷが図示しない保持機構により保持されている。この保持機構は内槽７０から自在に取り出すことができるようになっており、当該保持機構によって、内槽７０に貯留された処理液に対する複数のウエハＷの浸漬およびこの処理液からのウエハＷの取り出しをまとめて行うことができるようになっている。
【０００９】
外槽６０内に純水を供給するための純水供給部８０は、外槽６０内に純水を吐出する吐出部材８１と、純水を貯留するための純水貯留槽８５と、吐出部材８１と純水貯留槽８５とを接続し、純水貯留槽８５から吐出部材８１に純水を送るための純水供給管８２とを備えている。純水供給管８２には、純水貯留槽８５から純水を引き抜いて吐出部材８１に搬送するためのポンプ８３が介設されている。ここで、図４に示すように、吐出部材８１は外槽６０の奥行き方向（前後方向）における後部に取り付けられており、外槽６０の奥側（図４の右方）から手前側（図４の左方）に向かって純水を吐出するようになっている。この吐出部材８１により吐出された純水の流れ方向を図４の矢印で示す。
【００１０】
ここで、外槽６０内の純水に超音波が照射されると、超音波振動によるキャビテーションによってこの純水中に気泡が多数発生する。これらの気泡は純水中を上昇して内槽７０の底面に付着する。内槽７０の底面に付着した気泡は、次々と上昇してくる気泡と合体して徐々に大きくなっていくが、このような気泡は超音波の伝播の妨げとなる。
【００１１】
このため、図４に示すように内槽７０の底面を奥側（図４の右方）から手前側（図４の左方）に向かって斜め上方に傾斜させている。このことにより、内槽７０の底面に付着した気泡は浮力により内槽７０の底面の奥側から手前側に移動し、最終的には内槽７０の底面から離脱する。さらに、外槽６０内における純水の流れが内槽７０の奥側から手前側への流れとなっているので、この純水の流れにより内槽７０の底面における気泡の移動が促進されることとなる。このようにして、内槽７０の底面に付着した気泡を当該底面から離脱させることができる。
【００１２】
【特許文献１】実開平７−３１１８２号公報
【特許文献２】特開２００１−３３２５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、図３および図４に示すような従来の基板処理装置には以下の問題がある。すなわち、内槽７０の底面を奥側から手前側に向かって斜め上方に傾斜させているので、内槽７０の内部において当該内槽７０の奥行き方向（図４の左右方向）における均一な処理液の流れを形成することができず、また各ウエハＷと内槽７０の底面との間の距離が当該内槽７０の奥行き方向の位置によって異なることとなり、このため、奥行き方向における位置によってウエハＷに対する処理にばらつきが生じる場合がある。
【００１４】
また、特許文献２に開示されるような基板処理装置によれば、内槽の奥行き方向における当該内槽の内部の均一な処理液の流れを形成することができるが、外槽内における純水の流れはウエハの板面に沿った縦断面において左右対称となっていない。このため、内槽の底面に付着した気泡に対して外槽内の純水の流れにより作用する力が左右対称とならず、当該底面からの気泡の離脱もウエハの板面に沿った縦断面において左右対称とはならないので、ウエハの板面の左右における処理の度合いにばらつきが生じる場合がある。具体的には、引用文献２に開示されるような基板処理装置においては、当該引用文献２の図２の内槽の底面において左側の部分に付着した気泡に対しては、外槽内における純水の流れにより十分な離脱力を作用させることができるが、図２の右側の部分に付着した気泡に対しては純水の流れによる離脱力はほとんど作用しない。
【００１５】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、内槽の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱を中心線に対して対称的に行わせることにより、内槽内で処理される被処理基板について、当該内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の基板処理装置は、液体を貯留する外槽と、前記外槽に設けられ、当該外槽に貯留された液体に超音波を照射する超音波発生器と、前記外槽の内部に設けられ超音波を透過させる部材を有する内槽であって、処理液を貯留しこの処理液中に被処理基板を浸漬させるような内槽と、前記外槽に液体を供給する液体供給部と、を備え、前記内槽の底面は、幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽の中心線に対して対称形となっており、前記液体供給部は、前記外槽内における液体の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において前記内槽の中心線に対して対称となるよう、前記外槽内に液体を供給するようになっていることを特徴とする。
【００１７】
このような基板処理装置によれば、超音波発生器により照射された超音波により外槽内の液体中に多数の気泡が発生しこれらの気泡が内槽の底面に付着した場合であっても、内槽の底面が幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽の中心線に対して対称形となっているので、この底面からの気泡の離脱も左右対称におよび前後対称に行われるようになり、この気泡の離脱は均一に行われるようになる。さらに、液体供給部は、外槽内における液体の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において内槽の中心線に対して対称となるよう、外槽内に液体を供給するようになっている。このため、外槽内の液体の流れによる内槽の底面からの気泡の離脱の促進力も、内槽の底面において左右対称および前後対称となり、液体の流れによる気泡の離脱の促進も均一に行われるようになる。このように、内槽の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱が中心線に対して対称的に行われるので、内槽内で処理される被処理基板について、当該内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる。このため、被処理基板の板面の左右における処理の度合いが異なったり、あるいは一度に処理される複数の被処理基板について各被処理基板間における処理の度合いが異なったりするようなトラブルの発生を抑止することができる。
【００１８】
本発明の基板処理装置においては、前記内槽の底面は、当該内槽に収容された処理されるべき被処理基板の板面に沿った縦断面において中央部が両端部よりも低い位置にあることが好ましい。この場合、内槽の底面に付着した気泡は浮力により当該底面の中央部から左右両側に移動し、最終的には内槽の底面から離脱するので、内槽の底面からの気泡の離脱を促進させることができる。さらに、内槽の底面は、幅方向において当該内槽の中心線に対して対称形となっているので、内槽の底面からの気泡の離脱も被処理基板に対して左右対称に行われるようになる。このことにより、被処理基板に対する処理について左右の対称性を得ることができるようになる。
【００１９】
本発明の基板処理装置においては、前記内槽の底面は、当該内槽に収容された処理されるべき被処理基板の板面に沿った縦断面がＶ字形状となっていることが好ましい。この場合、内槽の底面は被処理基板の板面に沿った断面において中央部から左右両側に向かって斜め上方に傾斜することとなり、内槽の底面からの気泡の離脱をより一層促進させることができる。
【００２０】
本発明の基板処理装置においては、前記液体供給部は、前記外槽内部において、前記超音波発生器が当該外槽内の液体に超音波を照射する範囲の外側の位置に設置されていることが好ましい。このことにより、超音波発生器により外槽内の液体に照射され内槽の底面を介して処理液中に送られる超音波の伝播が、液体供給部により妨げられることを防止することができ、内槽内の処理液に対して超音波を均一に伝播することができるようになる。
【００２１】
本発明の基板処理装置においては、前記液体供給部は、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような位置に複数設けられており、各液体供給部からの液体の吐出方向が、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となっていることが好ましい。さらに、前記液体供給部は、幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような位置に設けられた一対の筒状部材からなり、各筒状部材には吐出口が設けられており、各筒状部材における当該吐出口の位置は、各筒状部材の吐出口から吐出された液体の吐出方向が幅方向または奥行き方向において前記内槽の中心線に対して対称となるような箇所となっていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の基板処理装置によれば、内槽の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱を中心線に対して対称的に行わせることにより、内槽内で処理される被処理基板について、当該内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。図１および図２は、本発明による基板処理装置の一の実施の形態を示す図である。
このうち、図１は、本発明の一の実施の形態における基板処理装置を正面から見たときの概略構成図であり、図２は、図１における基板処理装置のＡ−Ａ矢視縦断面図である。
【００２４】
本実施の形態の基板処理装置は、被処理基板、具体的には例えば半導体ウエハ（以下、ウエハＷという）を処理液中に浸漬させることにより当該ウエハＷのエッチング処理や洗浄処理等の様々な処理を行うものである。図１および図２に示すように、本実施の形態の基板処理装置は、液体、具体的には例えば純水を貯留する外槽１０と、この外槽１０の内部に設けられた内槽２０と、ウエハＷを保持する保持機構（ウエハボートとも呼ぶ）４０とを備えている。外槽１０には、当該外槽１０に貯留された純水に超音波を照射する超音波発生器１５が設けられている。さらに、外槽１０に純水を供給するための純水供給部３０が設置されている。
【００２５】
以下に、このような基板処理装置の各構成要素について詳述する。なお、以下の記載において、基板処理装置における内槽２０の幅方向とは図１の左右方向のことを指し、内槽２０の奥行き方向とは図２の左右方向のことを指している。
【００２６】
外槽１０は、図１および図２に示すように略直方体形状のものであり、塩化ビニルや金属から構成されている。この外槽１０の上部にはオーバーフロー槽１１が取り付けられており、外槽１０からオーバーフローした純水はオーバーフロー槽１１に送られるようになっている。このオーバーフロー槽１１は、オーバーフロー管１２を介して後述する純水貯留槽３５に接続されており、外槽１０からオーバーフロー槽１１にオーバーフローした純水は純水貯留槽３５に戻されるようになっている。
【００２７】
内槽２０は、図１および図２に示すように外槽１０の内部に設けられている。この内槽２０は、純水や薬液等の処理液を貯留するようになっており、この処理液中にウエハＷを浸漬させることにより当該ウエハＷのエッチング処理や洗浄処理等の様々な処理を行うようになっている。内槽２０は、超音波を透過させる材料、具体的には例えば耐薬品性に富んだ石英等から形成される。また、内槽２０の底部の厚みは、後述する超音波発生器１５からの超音波を透過させることができるよう、内槽２０をなす材料の種類および超音波発生器１５により発生した超音波の周波数等を考慮して決定される。
【００２８】
この内槽２０の底面は、当該内槽２０の幅方向に沿った縦断面（図１に示すような断面）がＶ字形状となっており、一方、内槽２０の奥行き方向に沿った縦断面（図２に示すような断面）は水平方向に延びるような直線形状となっている。このように、内槽２０の底面は、幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽２０の中心線に対して対称形となっている。
【００２９】
超音波発生器１５は、外槽１０の底面外方に取り付けられた超音波振動板から構成されている。この超音波振動板は外槽１０の底面を部分的に占めるような大きさの矩形形状のものとなっており、図示しない駆動機構により振動させられるようになっている。超音波振動板が振動すると、外槽１０の底部を介し、外槽１０内に貯留された純水に超音波が伝播するとともに、内槽２０の底部を介して内槽２０内の処理液にも超音波が伝播するようになっている。
【００３０】
ウエハＷを保持する保持機構４０は、図１および図２に示すように、内槽２０の奥行き方向に沿って略水平に延びる４本の棒状部材４１と、４本の棒状部材４１を片側から片持支持する基部４２とを有している。棒状部材４１は、一度に処理される複数のウエハＷ、例えば５０枚のウエハＷを下方から支持するようになっている。このため、各棒状部材４１には、その長手方向に沿って一定間隔を空けて配列された溝（図示せず）が形成されている。ウエハＷは、この溝に係合し、各ウエハＷの板面が棒状部材の延びる方向と略直交するようにして、すなわち、各ウエハＷの板面が上下方向に沿うようにして、保持機構４０によって保持されるようになる。
保持機構４０の基部４２は、図示しない昇降機構に連結されている。この昇降機構によってウエハＷを保持した保持機構４０を降下させることにより、内槽２０に貯留された処理液中にウエハＷを浸漬することが可能となる。
【００３１】
外槽１０内に純水を供給するための純水供給部３０は、外槽１０内に純水を吐出する左右一対の吐出部材３１と、純水を貯留するための純水貯留槽３５と、各吐出部材３１と純水貯留槽３５とを接続し、純水貯留槽３５から各吐出部材３１に純水を送る純水供給管３２とを備えている。純水供給管３２には、純水貯留槽３５から純水を引き抜いて各吐出部材３１に搬送するためのポンプ３３が介設されている。
【００３２】
純水供給部３０の左右一対の吐出部材３１は、各々細長状の筒状部材から構成されており、各吐出部材３１は内槽２０の奥行き方向（図２の左右方向）に沿って略水平に延びるよう外槽１０内に設置されている。各吐出部材３１は、内槽２０の幅方向（図１の左右方向）における中心線に対して対称となるような位置に配置されている。また、各吐出部材３１は、外槽１０の内部において、超音波発生器１５が外槽１０内の純水に超音波を照射する範囲、すなわち超音波発生器１５の真上の領域よりも外側の位置に設置されている（図１参照）。各吐出部材３１をなす筒状部材の一方の端部は閉鎖され、他方の端部は純水供給管３２と連結されている。
【００３３】
図１および図２に示すように、各吐出部材３１には、その長手方向に沿って一定の間隔を空けて配置された多数の吐出口３１ａが設けられている。図１に示すように、各吐出口３１ａは、外槽１０の底部中央に向かって純水を吐出するような位置に設けられている。このことにより、左右の異なる吐出部材３１から吐出された純水は外槽１０内において内槽２０の幅方向における中心線に対して対称的な流れを形成する。したがって、一方の吐出部材３１、具体的には図１における左方の吐出部材３１から吐出された純水と、他方の吐出部材３１、具体的には図１における右方の吐出部材３１から吐出された純水とが、外槽１０の中央底部において互いに衝突し、各吐出部材３１からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。その後、純水は、内槽２０の幅方向における中心線に対して対称となるような対流を形成するように、具体的には図１の矢印に示すような方向に流れる。
【００３４】
次に、このような構成からなる基板処理装置の動作について説明する。
【００３５】
まず、内槽２０内に薬液あるいは純水等の処理液を貯留する。また、純水供給部３０のポンプ３３を駆動させることにより純水貯留槽３５から外槽１０内に純水を供給する。具体的には、純水貯留槽３５から搬送される純水は純水供給管３２を介して左右一対の吐出部材３１に送られ、各吐出部材３１にある多数の吐出口３１ａから外槽１０内に純水が吐出される。ここで、図１における左方の吐出部材３１から吐出された純水と、右方の吐出部材３１から吐出された純水とが、外槽１０の中央底部において互いに衝突し、各吐出部材３１からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。その後、純水の流れは、内槽２０の幅方向における中心線に対して対称となるような、外槽１０の中央部で上昇し側縁部で下降する対流となる（図１参照）。なお、外槽１０からオーバーフローした純水はオーバーフロー槽１１で受け止められ、オーバーフロー管１２を介して純水貯留槽３５に戻される。
【００３６】
次に、内槽２０内にウエハＷを収容する。具体的には、昇降機構（図示せず）が保持機構４０を降下させる。このとき、保持機構４０は、所定枚（例えば５０枚）のウエハＷを保持している。この結果、複数枚のウエハＷが、内槽２０内に収容されるようになるとともに、内槽２０内に貯留された処理水中に浸漬されるようになる。
【００３７】
ウエハＷが内槽２０内の処理液中に浸漬される間、超音波発生器１５により外槽１０内の純水に超音波が照射される。超音波発生器１５からの超音波の伝播方向は鉛直方向上方（図１および図２における上向き）となっている。超音波発生器１５により照射された超音波は内槽２０の底部を介して内槽２０内の処理液にも伝播する。このため、内槽２０内の処理液に浸漬しているウエハＷに対する処理効率を向上させることができるようになる。
【００３８】
ここで、外槽１０内の純水に超音波が照射されると、超音波振動によるキャビテーションによってこの純水中に気泡が多数発生する。これらの気泡は純水中を上昇して内槽２０の底面に付着する。内槽２０の底面に付着した気泡は、次々と上昇してくる気泡と合体して徐々に大きくなっていくが、このような気泡は超音波の伝播の妨げとなる。
【００３９】
本実施の形態の基板処理装置においては、内槽２０の底面は、幅方向に沿った縦断面（図１に示すような断面）がＶ字形状となっている。このように、内槽２０の底面は図１において中央部から左右両側に向かって傾斜しているので、内槽２０の底面に付着した気泡は浮力により図１の中央部から左右両側に移動し、最終的には内槽２０の底面から離脱する。この際に、内槽２０の底面は、幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽２０の中心線に対して対称形となっているので、内槽２０の底面からの気泡の離脱も左右対称におよび前後対称に行われるようになる。
【００４０】
また、図１に示すように、外槽１０内における純水の流れは、当該外槽１０の中央部で上昇し側縁部で下降するような対流となっている。このため、この純水の流れは内槽２０の底面近傍において中央部から端部への流れとなり、この純水の流れにより内槽２０の底面からの気泡の離脱が促進されることとなる。ここで、前述のように、外槽１０内における純水の流れは、幅方向および奥行き方向の両方向において内槽２０の中心線に対して対称となっているので、外槽１０内の純水の流れによる内槽２０の底面からの気泡の離脱の促進力も内槽２０の底面において左右対称および前後対称となる。このため、純水の流れによる気泡の離脱の促進も対称的に行われるようになる。
【００４１】
このようにして、ウエハＷが内槽２０内の処理液中に浸漬されるとともに、当該処理液に超音波が伝播されることにより、ウエハＷに対するエッチング処理や洗浄処理等の様々な処理が行われる。その後、昇降機構（図示せず）が保持機構４０を上昇させることにより、ウエハＷが内槽２０から取り出される。このようにして、ウエハＷに対する一連の処理が終了する。
【００４２】
以上のように本実施の形態の基板処理装置によれば、超音波発生器１５により照射された超音波により外槽１０内の純水中に多数の気泡が発生しこれらの気泡が内槽２０の底面に付着した場合であっても、内槽２０の底面が幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽２０の中心線に対して対称形となっているので、この底面からの気泡の離脱も左右対称におよび前後対称に行われるようになり、この気泡の離脱は均一に行われるようになる。さらに、純水供給部３０の各吐出部材３１は、外槽１０内における純水の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において内槽２０の中心線に対して対称となるよう、外槽１０内に純水を供給するようになっている。このため、外槽１０内の純水の流れによる内槽２０の底面からの気泡の離脱の促進力も、内槽２０の底面において左右対称および前後対称となり、純水の流れによる気泡の離脱の促進も均一に行われるようになる。このように、内槽２０の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱が中心線に対して対称的に行われるので、内槽２０内で処理される複数のウエハＷについて、当該内槽２０の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる。このため、ウエハＷの板面の左右における処理の度合いが異なったり、あるいは一度に処理される複数のウエハＷについて各ウエハＷ間における処理の度合いが異なったりするようなトラブルの発生を抑止することができる。
【００４３】
とりわけ、内槽２０の底面は、当該内槽２０に収容されたウエハＷの板面に沿った縦断面がＶ字形状となっているので、この内槽２０の底面は図１に示すようにウエハＷの板面に沿った断面において中央部から左右両側に向かって斜め上方に傾斜することとなる。このため、内槽２０の底面に付着した気泡は浮力により当該底面の中央部から左右両側に移動し、最終的には内槽２０の底面から離脱する。このように、内槽２０の底面をＶ字形状とすることにより、内槽２０の底面からの気泡の離脱を促進させることができる。さらに、内槽２０の底面は、幅方向において当該内槽２０の中心線に対して対称形となっているので、内槽２０の底面からの気泡の離脱もウエハＷに対して左右対称に行われるようになる。このことにより、ウエハＷに対する処理について左右の対称性を得ることができるようになる。
【００４４】
また、左右一対の吐出部材３１は、外槽１０内部において、超音波発生器１５が当該外槽１０内の純水に超音波を照射する範囲の外側の位置に設置されている。このため、超音波発生器１５により外槽１０内の純水に照射され内槽２０の底面を介して処理液中に送られる超音波の伝播が、各吐出部材３１により妨げられることを防止することができ、内槽２０内の処理液に対して超音波を均一に伝播することができるようになる。
【００４５】
なお、本実施の形態による基板処理装置は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、内槽２０の底面は、当該内槽２０に収容された処理されるべきウエハＷの板面に沿った縦断面がＶ字形状に限定されることはなく、このウエハＷの板面に沿った断面において左右対称でありしかも中央部が両端部よりも低い位置にあるような他の形状となっていてもよい。この場合でも、内槽２０の底面に付着した気泡は浮力により当該底面の中央部から左右両側に移動し、最終的には内槽２０の底面から離脱する。そして、内槽２０の底面が、幅方向において当該内槽２０の中心線に対して対称形となっているので、内槽２０の底面からの気泡の離脱もウエハＷに対して左右対称に行われるようになる。このことにより、ウエハＷに対する処理について左右の対称性を得ることができるようになる。
【００４６】
あるいは、内槽２０の底面の更に他の態様としては、略水平面からなるものが用いられてもよい。この場合でも、純水供給部３０の各吐出部材３１から吐出された純水の流れが内槽２０の底面近傍において中央部から端部への流れとなっているので、この純水の流れにより内槽２０の底面からの気泡の離脱が行われることとなる。ここで、外槽１０内における純水の流れは、幅方向および奥行き方向の両方向において内槽２０の中心線に対して対称となっているので、外槽１０内の純水の流れによる内槽２０の底面からの気泡の離脱の促進力も内槽２０の底面において左右対称および前後対称となる。このため、純水の流れによる気泡の離脱の促進も対称的に行われるようになる。
【００４７】
また、純水供給部３０の各吐出部材３１としては、図１および図２に示すような一対の筒状部材からなるものに限定されることはなく、外槽１０内における純水の流れが幅方向および奥行き方向の両方において内槽２０の中心線に対して対称となるよう外槽１０内に純水を供給することができるものであれば他の機構を用いることができる。
【００４８】
また、外槽１０に貯留された純水に超音波を照射する超音波発生器１５としては、超音波振動板からなるものに限定されることはなく、他の種類のものを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一の実施の形態における基板処理装置を正面から見たときの概略構成図である。
【図２】図１における基板処理装置のＡ−Ａ矢視縦断面図である。
【図３】従来の基板処理装置を正面から見たときの概略構成図である。
【図４】図３における基板処理装置のＢ−Ｂ矢視縦断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  外槽
１１  オーバーフロー槽
１２  オーバーフロー管
１５  超音波発生器
２０  内槽
３０  純水供給部
３１  吐出部材
３１ａ  吐出口
３２  純水供給管
３３  ポンプ
３５  純水貯留槽
４０  保持機構
４１  棒状部材
４２  基部
６０  外槽
６１  オーバーフロー槽
６２  オーバーフロー管
６５  超音波発生器
７０  内槽
８０  純水供給部
８１  吐出部材
８２  純水供給管
８３  ポンプ
８５  純水貯留槽
【図１】
2008160012.tif 000003
【図２】
2008160012.tif 000004
【図３】
2008160012.tif 000005
【図４】
2008160012.tif 000006