(57)【要約】【課題】線幅が狭く、かつ高さが高いガスケットを効率的にディスペンシング法により製造する方法を提供すること。【解決手段】電離放射線硬化型樹脂及びチクソ性付与剤を含有するガスケット材を、三次元自動塗布制御装置の押し出し口から押し出して一段目のガスケットを形成した後、該一段目のガスケットの上に、さらに同ガスケット材を押し出して多段構造のガスケットを形成し、その後に電離放射線を照射して硬化させるガスケットの製造方法であって、チクソ性付与剤の配合量が電離放射線硬化型樹脂１００質量部に対して、２．５〜５質量部であるハードディスク装置用ガスケットの製造方法である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電離放射線硬化型樹脂及びチクソ性付与剤を含有するガスケット材を、三次元自動塗布制御装置の押し出し口から押し出して一段目のガスケットを形成した後、該一段目のガスケットの上に、さらに同ガスケット材を押し出して多段構造のガスケットを形成し、その後に電離放射線を照射して硬化させるガスケットの製造方法であって、チクソ性付与剤の配合量が電離放射線硬化型樹脂１００質量部に対して、２．５〜５質量部であるハードディスク装置用ガスケットの製造方法。
【請求項２】
前記電離放射線硬化型樹脂が、ウレタン、エポキシ系重合体、シリコーン、ポリイソプレン、水添ポリイソプレン、ポリブタジエン、水添ポリブタジエン、ポリイソブチレン、フッ素含有ゴム、及びこれらを変性したものから選ばれる少なくとも１種を主成分とする請求項１に記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法。
【請求項３】
前記電離放射線硬化型樹脂がアクリル変性ウレタンである請求項２に記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法。
【請求項４】
前記チクソ性付与剤が無機充填剤又は有機増粘剤である請求項１〜３のいずれかに記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法。
【請求項５】
前記チクソ性付与剤が有機増粘剤である請求項４に記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法。
【請求項６】
有機増粘剤が、水添ひまし油である請求項５に記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法。
【請求項７】
前記三次元自動塗布制御装置が空圧式押し出し装置、機械的なラムプレス押し出し装置及びプランジャー式押し出し装置から選ばれる押し出し装置を有し、かつ、ガスケット材の押し出し圧が５０ｋＰａ〜１ＭＰａである請求項１〜６のいずれかに記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置用ガスケットの製造方法に関し、さらに詳しくは、コンピュータのハードディスク装置におけるカバー体と本体との接合面を密封するハードディスク装置用ガスケットを、金型を用いることなく、シートの打ち抜きや接着工程を必要とすることなく製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータのハードディスク装置（以下「ＨＤＤ」という場合がある。）においては、高性能化、小型化が進み、現在では２．５インチ（６３.５ｍｍ）のＨＤＤが主流となりつつあり、さらには１．８インチ（４５．７ｍｍ）、１インチ（２５．４ｍｍ）の小型ＨＤＤも製品化されてきている。このような小型のＨＤＤでは、複雑な回路構成を有するようになっており、わずかな塵によっても障害が起こるため、ガスケットを使って塵の侵入を防ぐことが一般に行われている。そして、これらの小型ＨＤＤに用いるＨＤＤガスケットには、線幅がより狭く、かつ高さが高い、壁のようなガスケットが必要とされている。
【０００３】
ところで、ハードディスク装置用ガスケットの製造法としては、ディスペンサーを用いて溶融樹脂又は溶液状樹脂を押し出し、カバー体に一筆書きによりガスケット形状に押出し、一体化するディスペンシング法が、貼り付け工程などの工程が不要などのメリットがあることから、工業的に広く使用されている。
当該ディスペンシング法は、溶融樹脂等を押し出してガスケット形状を得るため、溶融された樹脂等の粘度を高くしたとしても、線幅に対する高さの比（ｈ／ｗ）を０．８以上とすることは困難である。
【０００４】
そこで、線幅が狭く、かつ高さが高いガスケットを得る方法として、ディスペンサーにて一段目のガスケットを形成した後、該一段目のガスケットの上に、さらに同ガスケット材をディスペンサーで押し出して多段構造のガスケットを形成することが提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、この多段構造のガスケットを得るに際し、一段目のガスケットを形成した後に、該ガスケットを硬化し、その後に二段目以降のガスケット材を押し出し、硬化してガスケットを得る方法（以下、「方法Ａ」という。）、多段にガスケット材を押し出した後、複数段のガスケット材を同時に硬化する方法（以下、「方法Ｂ」という。）が例示されている。
【０００５】
方法Ａでは、ガスケット材を押し出してガスケット形状を得た後、例えば紫外線等を照射して硬化させ、一段目のガスケットを形成する。一段目のガスケットは硬化されているため、二段目以降のガスケット材を重ねても一段目のガスケットは形状を保持し、線幅が狭く、かつ高さが高いガスケットが確実に得られるという利点がある。
しかしながら、ガスケット材の押し出し工程の間に紫外線照射等の硬化工程があるため、一段目のガスケットと二段目以降のガスケットの位置合わせが困難な場合がある。一段目のガスケットと二段目以降のガスケットの位置づれが起こると、ガスケットに圧力がかかった際に、例えば、一段目のガスケットと二段目のガスケットの界面にひび割れが生じたり、二段目以降のガスケットがずれ落ちたりすることも懸念される。特に、最近のさらなるハードディスク装置の小型化に伴い、ガスケットによりシールされる部分の上下が平行でない場合があるが、この場合には、ガスケットに斜め方向の力が加わるため、上記ひび割れ等が起こりやすい状況にある。
【０００６】
一方、上記方法Ｂでは、ガスケット材を押し出して一段目のガスケットを形成するのに続いて、該一段目のガスケット上に二段目以降のガスケット材を押し出すため、これらの間での位置づれが生じないという利点がある。また、途中に、硬化工程が入らないため、ガスケットを形成するための制御が一つのプログラムで容易にすることができ、かつ、硬化工程が一回でよいために生産効率が高いという利点がある。
しかしながら、一段目のガスケットを硬化させる前に二段目以降のガスケット材を押し出すために、一段目のガスケットの形状を維持させることが難しく、線幅が狭く、かつ高さが高いガスケットが得られない場合があった。
【０００７】
【特許文献１】国際公開第０３／０８６７３６号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑み、線幅が狭く、かつ高さが高いガスケットを効率的にディスペンシング法により製造する方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、電離放射線硬化型樹脂に特定量のチクソ性付与剤を配合したガスケット材を用い、三次元自動塗布制御装置の押し出し口から押し出して一段目のガスケットを形成し、該一段目のガスケットの上に、さらに同ガスケット材を押し出して多段構造のガスケットを形成し、その後に電離放射線を照射して硬化させることにより、上記問題を解決し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、
（１）電離放射線硬化型樹脂及びチクソ性付与剤を含有するガスケット材を、三次元自動塗布制御装置の押し出し口から押し出して一段目のガスケットを形成した後、該一段目のガスケットの上に、さらに同ガスケット材を押し出して多段構造のガスケットを形成し、その後に電離放射線を照射して硬化させるガスケットの製造方法であって、チクソ性付与剤の配合量が電離放射線硬化型樹脂１００質量部に対して、２．５〜５質量部であるハードディスク装置用ガスケットの製造方法、
（２）前記電離放射線硬化型樹脂が、ウレタン、エポキシ系重合体、シリコーン、ポリイソプレン、水添ポリイソプレン、ポリブタジエン、水添ポリブタジエン、ポリイソブチレン、フッ素含有ゴム、及びこれらを変性したものから選ばれる少なくとも１種を主成分とする上記（１）に記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法、
（３）前記電離放射線硬化型樹脂がアクリル変性ウレタンである上記（２）に記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法、
（４）前記チクソ性付与剤が無機充填剤又は有機増粘剤である上記（１）〜（３）のいずれかに記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法、
（５）前記チクソ性付与剤が有機増粘剤である上記（４）に記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法、
（６）有機増粘剤が、水添ひまし油である上記（５）に記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法、及び
（７）前記三次元自動塗布制御装置が空圧式押し出し装置、機械的なラムプレス押し出し装置及びプランジャー式押し出し装置から選ばれる押し出し装置を有し、かつ、ガスケット材の押し出し圧が５０ｋＰａ〜１ＭＰａである上記（１）〜（６）のいずれかに記載のハードディスク装置用ガスケットの製造方法、
を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、線幅（ｗ）が狭く、かつ高さ（ｈ）が高いガスケットを高い生産性で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のハードディスク装置用ガスケットの製造方法は、電離放射線硬化型樹脂及びチクソ性付与剤を含有するガスケット材を、三次元自動塗布制御装置の押し出し口から押し出して一段目のガスケットを形成した後、該一段目のガスケットの上に、さらに同ガスケット材を押し出して多段構造のガスケットを形成し、その後に電離放射線を照射して硬化させるガスケットの製造方法である。
具体的には一段目のガスケットの上に二段目のガスケットを形成し、必要に応じてさらにその上に三段目のガスケットを形成する。このように、ガスケットを多段構造とすることによって、線幅が狭く、かつ高さが高いガスケットを得るものである。
【００１２】
本発明で用いるガスケット材は電離放射線硬化型樹脂及びチクソ性付与剤を含有することを特徴とする。
電離放射線硬化型樹脂としては特に限定されないが、ウレタン、エポキシ系重合体、シリコーン、ポリイソプレン、水添ポリイソプレン、ポリブタジエン、水添ポリブタジエン、ポリイソブチレン、フッ素含有ゴム、及びこれらを変性したものを主成分とすることが好ましい。これらは１種単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１３】
これらの中で、本発明のガスケット材としては、アクリル変性されたウレタンを主成分とするものが最も好ましい。アクリル変性されたウレタンとしては、ポリエーテルポリオールのウレタンアクリレートオリゴマー、ポリエステルポリオールのウレタンアクリレートオリゴマー、あるいは、エーテル基及びエステル基の両方を分子中に有するウレタンアクリレートオリゴマー及びカーボネート基を有するカーボネートジオールのウレタンアクリレートオリゴマー等を挙げることができる。
【００１４】
ポリエーテルポリオールとしては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリヘキサメチレングリコール及び１, ３−ブチレングリコール、１, ４−ブチレングリコール、１, ６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、シクロヘキサンジメタノール、２, ２−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン、ビスフェノールＡ等に、エチレンオキシド又はプロピレンオキシド等が付加した化合物を用いることができる。
【００１５】
ポリエステルポリオールは、アルコール成分と酸成分とを反応させて得ることができ、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール及び１, ３−ブチレングリコール、１, ４−ブチレングリコール、１, ６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１, ４−シクロヘキサンジメタノール、２, ２−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン、ビスフェノールＡ等にエチレンオキシド又はプロピレンオキシド等が付加した化合物、あるいは、ε−カプロラクトンが付加した化合物等をアルコール成分とし、アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、ドデカンジカルボン酸等の二塩基酸及びその無水物を酸成分として使用することができる。上記のアルコール成分、酸成分及びε−カプロラクトンの三者を同時に反応させることによって得られる化合物も、ポリエステルポリオールとして使用することができる。
【００１６】
また、カーボネートジオールは、例えば、ジフェニルカーボネート、ビス−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート、フェニル−トルイル−カーボネート、フェニル−クロロフェニル−カーボネート、２−トリル−４−トリル−カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のジアリールカーボネート又はジアルキルカーボネートとジオール類、例えば、１, ６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１, ４−ブタンジオール、１, ８−オクタンジオール、１, ４−シクロヘキサンジメタノール、２−メチルプロパンジオール、ジプロピレングリコール、ジブチレングリコール又は上記のジオール化合物とシュウ酸、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、ヘキサヒドロフタル酸等のジカルボン酸の反応生成物、又はε−カプロラクトンの反応生成物であるポリエステルジオール等とのエステル交換反応によって得ることができる。
このようにして得られるカーボネートジオールは分子中にカーボネート構造を一つ有するモノカーボネートジオール又は分子中にカーボネート構造を二つ以上有するポリカーボネートジオールである。
【００１７】
本発明で用いるガスケット材において、特に好ましいアクリル変性されたウレタンは、ポリエーテルポリオール及びポリエステルポリオールのウレタンアクリレートオリゴマーであり、有機ジイソシアネートとしては、特に限定される物ではないが、メチレンジイソシアネート、トリレンジソシアネート、イソホロンジイソシアネート、４, ４' −ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネートが特に好ましい。
【００１８】
本発明で用いるチクソ性付与剤としては、無機充填剤及び有機増粘剤のいずれも用いることができる。
無機充填剤としては、湿式シリカや乾式シリカの表面処理微粉シリカや、有機化ベントナイトなどの天然鉱物系のものが挙げられる。具体的には、乾式法により微粉化したシリカ微粉末［例えば、日本アエロジル（株）製、商品名：アエロジル３００など］、このシリカ微粉末をトリメチルジシラザンで変性した微粉末［例えば、日本アエロジル（株）製、商品名：アエロジルＲＸ３００など］及び上記シリカ微粉末をポリジメチルシロキサンで変性した微粉末［例えば、日本アエロジル（株）製、商品名：アエロジルＲＹ３００など］などが挙げられる。無機充填剤の平均粒径は、増粘性の観点から、５〜５０μmが好ましく、５〜１２μmがより好ましい。
【００１９】
また、有機増粘剤としては、アマイドワックス、水添ひまし油系又はこれらの混合物などが挙げられる。具体的には、ひまし油（主成分がリシノール酸の不乾性油）の水添品である水添ひまし油［例えば、ズードケミー触媒（株）製, 商品名：ＡＤＶＩＴＲＯＬ  １００、楠本化成（株）製, 商品名：ディスパロン３０５など］及びアンモニアの水素をアシル基で置換した化合物である高級アマイドワックス［例えば、楠本化成（株）製, 商品名：ディスパロン６５００など］などが挙げられる。
【００２０】
これらチクソ性付与剤の中で、有機増粘剤が好ましい。天然鉱物系の無機充填剤は重金属等の不純物が避けられず、また、表面処理微粉シリカは、表面の濡れ性が変わり組成物の粘度が変化することがあり、また表面処理剤の種類によっては、使用中に器具に有害なガスを発生することがある。
さらに、有機増粘剤の中でも、アマイドワックスは、原料に由来するアミンの存在により架橋密度を高めて硬度が大きくなることがあるので、特に水添ひまし油が好ましい。
【００２１】
本発明のガスケット材におけるチクソ性付与剤の配合量は、電離放射線硬化型樹脂１００質量部に対して２．５〜５質量部である。チクソ性付与剤の配合量が２．５質量部未満であると、一段目のガスケットの上に二段目以降のガスケット材を押し出した際に、一段目のガスケットの形状を維持させることが難しくなり、ガスケットの十分な高さと幅の比（ｈ／ｗ）を得ることができない。
一方、チクソ性付与剤の配合量が５質量部を超えると、通常の条件では、ディスペンサーのノズルが詰まり、ガスケットが形成できない。また、加温によりガスケット材の粘度を下げてガスケット材を押し出したとしても、形成するガスケットが硬くなりすぎてシール性の点で問題がある。以上の点から、チクソ性付与剤の配合量は、電離放射線硬化型樹脂１００質量部に対して２．９〜４．０質量部の範囲が好ましく、３．０〜３．５の範囲がさらに好ましい。
【００２２】
本発明のガスケット材の粘度については、ガスケット材を塗布することができる範囲で特に限定されないが、通常、５０℃での粘度が５０〜１０００Ｐａ・ｓの範囲であることが好ましい。５０℃での粘度がこの範囲内であると、流動性が適度であるため、ガスケット形状の賦形が行いやすい。
【００２３】
本発明で用いるガスケット材は、その硬度がＪＩＳ  Ｋ６２５３に準拠したタイプＡデュロメーターで５０度以下であることが好ましい。この硬度が５０度以下であると、ガスケット付きカバーを本体に組み込む際にガスケットが変形しにくく、密閉性が損なわれない。以上の点から、該硬度は４０度以下であることが好ましい。
【００２４】
また、本発明で用いるガスケット材には、上記チクソ性付与剤の他に、クレー，珪藻土，タルク，硫酸バリウム，炭酸カルシウム，炭酸マグネシウム，金属酸化物，マイカ，グラファイト，水酸化アルミニウムなどのりん片状無機系添加剤、各種の金属粉，ガラス粉，セラミックス粉，粒状あるいは粉末ポリマー等の粒状あるいは粉末状固体充填剤，その他の各種の天然または人工の短繊維，長繊維（例えば、ガラスファイバー，金属ファイバー、その他各種のポリマーファイバー等）などを配合することができる。
【００２５】
さらに、中空フィラー、例えば、ガラスバルーンなどの無機中空フィラー、ポリフッ化ビニリデン，ポリフッ化ビニリデン共重合体などからなる有機中空フィラーを配合することにより、軽量化を図ることができる。また、軽量化などの各種物性の改善のために、各種発泡剤を混入することも可能であり、混合時等に機械的に気体を混ぜ込むことも可能である。
【００２６】
また、本発明で用いるガスケット材には、他の添加剤として、必要に応じて、難燃剤，抗菌剤，ヒンダードアミン系光安定剤，紫外線吸収剤，酸化防止剤，着色剤，クマロン樹脂，クマロン−インデン樹脂，フェノールテルペン樹脂，石油系炭化水素，ロジン誘導体などの各種粘着付与剤（タッキファイヤー）、レオストマーＢ（商品名：理研ビニル社製）などの各種接着剤性エラストマー、ハイブラー（商品名：クラレ社製、ビニル−ポリイソプレンブロックの両末端にポリスチレンブロックが連結したブロック共重合体）、ノーレックス（商品名：日本ゼオン社製、ノルボルネンを開環重合して得られるポリノルボルネン）などの他の熱可塑性エラストマー又は樹脂などを併用することができる。
【００２７】
ガスケット材の押し出しに用いる装置は、カバー体に所望の形状のガスケットを形成することができる装置であれば特に制限はなく、空圧式押し出し装置、機械的なラムプレス押し出し装置、プランジャー式押し出し装置などが挙げられる。また、ノズル形状については特に制限はなく、円形状、楕円形状、多角形状等が挙げられる。また、ノズルの内径については、ガスケットの幅に応じて適宜選定することができるが、通常、０．１〜１．２ｍｍの範囲である。
ガスケット材の押し出し圧は、ガスケット材料の種類及び粘度等によって適宜選択されるが、５０ｋＰａ〜１ＭＰａとすることが好ましい。この範囲内であると、ガスケットの押し出しが効率よく行えるとともに、ガスケットが押しつぶされることがなく、十分に線幅が狭く、かつ高さが高いガスケットが得られる。こうした観点から、ガスケットの押し出し圧は、さらに８０ｋＰａ〜８００ｋＰａ、さらには１００ｋＰａ〜８００ｋＰａ、特には２００ｋＰａ〜８００ｋＰａの範囲がより好ましい。
なお、ガスケットの成形温度は用いるガスケット材によって適宜選定されるが、０℃〜１００℃の範囲であることが好ましく、さらに３０℃〜７０℃の範囲であることが好ましい。
【００２８】
本発明に係るハードディスク装置用ガスケットの製造方法においては、多段構造のガスケットを形成した後に電離放射線を照射して硬化させることが特徴である。多段構造のガスケットを形成するための制御が一つのプログラムで容易にすることができ、かつ、硬化工程が一回でよいために生産効率が高い。
ここで、電離放射線とは、紫外線及び電子線、α線、β線、γ線等をいい、本発明ではこれらのうち、特に紫外線が好ましい。紫外線は、装置が簡便で使い易く良好にガスケットを硬化させることができる。
また、紫外線を用いる場合にはガスケット材に光重合開始剤及び／又は光増感剤を含有させることが好ましい。一方、電子線やγ線のような電離放射線を用いる場合には、光重合開始剤や光増感剤を含有させることなく速やかに硬化を進めることができる。
【００２９】
光重合開始剤としては、公知のものを用いることができ、例えば分子内開裂型の光重合開始剤として、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル系；２, ２−ジエトキシアセトフェノン、４' −フェノキシ−２, ２−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン系；２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４' −イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４' −ドデシル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン等のプロピオフェノン系；ベンジルジメチルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン及び２−エチルアントラキノン、２−クロロアントラキノン等のアントラキノン系；アシルフォスフィンオキサイド系；その他水素引き抜き型の光重合開始剤としてベンゾフェノン／アミン系；ミヒラーケトン／ベンゾフェノン系；チオキサントン系、アミン系光重合開始剤等を挙げることができる。また未反応光重合開始剤のマイグレーションを避けるため非抽出型光重合開始剤を用いることができる。例えばアセトフェノン系開始剤を高分子化したもの、ベンゾフェノンにアクリル基の二重結合を付加したものがある。
これらの光重合開始剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することもできる。光重合開始剤を使用する場合、その配合量は、主成分である熱可塑性エラストマー１００質量部当たり、０．５〜５質量部が好ましく、より好ましくは１〜３質量部である。
さらに、本発明で用いるガスケット材には、光増感剤、熱重合禁止剤、硬化促進剤、顔料等を、本発明の効果を損なわない範囲で配合することができる。
【００３０】
紫外線源としては、有電極方式としてメタルハライドランプ、キセノンランプ、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯等を、無電極方式としてエキシマランプ、メタルハライドランプ等を挙げることができる。紫外線を照射する雰囲気としては、窒素ガス、炭酸ガス等の不活性ガス雰囲気あるいは酸素濃度を低下させた雰囲気が好ましいが、通常の空気雰囲気でも紫外線硬化性ガスケット材を用いた場合には、十分硬化させることができる。照射雰囲気温度は、通常１０〜２００℃とすることができる。
さらに、ガスケット材は、押し出し口からカバー体に押し出されると同時に、紫外線照射装置から照射された紫外線により硬化され、カバー体と一体化する方法を用いることもできる。この場合押し出されてから硬化するまでの時間が短いので、押し出された形状が変形することなく硬化することができる。
【００３１】
ガスケット材を押し出し、硬化させてなるガスケットと一体化されるカバー体は、金属や熱可塑性樹脂等の合成樹脂で形成することができる。カバー体を形成する金属としては、例えばニッケルめっきアルミニウム，ニッケルめっき鋼，冷延鋼，亜鉛めっき鋼，アルミニウム／亜鉛合金めっき鋼，ステンレス鋼，アルミニウム，アルミニウム合金，マグネシウム，マグネシウム合金などの中から、適宜選択して用いることができる。
また、マグネシウムを射出成形したものも用いることができる。耐食性の点から、無電解ニッケルめっき処理を施した金属が好適であり、本発明においては、ニッケルめっきアルミニウム及びニッケルめっき鋼が好ましい。
無電解ニッケルめっき処理方法としては、従来金属素材に適用されている公知の方法、例えば硫酸ニッケル，次亜リン酸ナトリウム，乳酸，プロピオン酸などを適当な割合で含有するｐＨ４．０〜５．０程度で、かつ温度８５〜９５℃程度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴中に、金属板を浸漬する方法などを用いることができる。
【００３２】
カバー体を形成する熱可塑性樹脂としては、例えばアクリロニトリルスチレン（ＡＳ）樹脂，アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）樹脂，ポリスチレン，シンジオタクティックポリスチレンなどのスチレン系樹脂、ポリエチレン，ポリプロピレン，エチレン−プロピレン共重合体等のポリプロピレン複合体などのオレフィン系樹脂、ナイロンなどのポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート，ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル系樹脂、変性ポリフェニレンエーテル、アクリル系樹脂、ポリアセタール，ポリカーボネート、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）などの熱可塑性樹脂が挙げられ、これらの中から、適宜選択すればよい。液晶ポリマーとしてはサーモトロピック液晶ポリマーが好ましく、具体的にはポリカーボネート系液晶ポリマー，ポリウレタン系液晶ポリマー，ポリアミド系液晶ポリマー，ポリエステル系液晶ポリマーなどが挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３３】
カバー体とガスケットとの密着性を向上させるために、予めカバー体を表面処理することができる。表面処理としては、プラズマ処理、コロナ放電処理などが挙げられる。プラズマ処理には、キーエンス社製のプラズマ照射器などの装置を用いることができる。
【実施例】
【００３４】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
以下の実施例および比較例における評価は下記方法により行った。
【００３５】
（１）ガスケットの形状評価
各実施例及び比較例で得られたガスケット材を用い、三次元自動塗布制御装置を用いて、２．５インチＨＤＤのニッケルメッキした０．４ｍｍ厚のアルミプレート上に一段目のガスケットを形成した。一段目のガスケット上に、同じガスケット材を同装置にて押し出し、二段目のガスケットを形成した後、紫外線照射装置で紫外線を照射して硬化させた。得られたガスケットの形状を高さ（ｈ）と幅（ｗ）の比率（ｈ／ｗ）で評価した。
なお、三次元自動制御装置としてはディスペンサー機を用いた。当該装置はスクリュー式及び空圧式として使用できるが、本実施例では空圧式押し出し装置として使用した。これらの押出し機の押し出し口は交換可能であって、押し出し口の形状は円形であり、ノズル内径０．７２ｍｍのものを使用して押出しを行った。
また、紫外線照射装置としては、センエンジニアリング社製「ＵＶ１５０１ＢＡ−ＬＴ」を使用した。
【００３６】
（２）圧縮力の評価
上記（１）で製造したガスケットに圧力をかけ、圧縮率２５％とした際の圧縮力を評価した。圧縮力が高すぎると、具体的には２０００ｍＮ以上であるとガスケットが硬すぎて、シール性等に問題が生じる可能性がある。なお、圧縮力の評価は荷重−たわみ試験装置（アイコーエンジニアリング（株）製「ＭＯＤＥＬ１６０５Ｎ」）を用い、圧力を加える治具の先端子としては２ｍｍφの円形のものを用いた。
【００３７】
実施例１
２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオールと無水フタル酸とから得られるポリエステルジオール化合物（数平均分子量２０００）４００ｇとノルボナンジイソシアナート８２．４ｇと、酸化防止剤のジ−ｔ−ブチル−ヒドロキシフェノール０．１０ｇとを、攪拌機、冷却管、温度計を備えた１リットル四つ口フラスコに加え、８０℃で２時間反応させた。次いで２−ヒドロキシエチルアクリレート４６．２ｇ、重合禁止剤のｐ-メトキシフェノール０．１０ｇ、付加反応触媒としてのチタンテトラ（２−エチル−１−ヘキサノラート）０．０６ｇとを加え、８５℃で６時間反応させた。反応液の一部を取り出し赤外線吸収スペクトルで２２８０ｃｍ-1のイソシアナート基の吸収ピークが消失したことにより、反応の終点を確認し、目的とするウレタンオリゴマーを得た。得られたウレタンオリゴマーについて数平均分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用い、ポリスチレン換算値で求めたところ１８０００であった。
該ウレタンオリゴマー１００質量部に、モノマー（フェノキシエチルアクリレート）２５質量部と、重合開始剤（４-(２-ヒドロキシエトキシ)フェニル−（２-ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン）２質量部を配合してなる混合物を予め製造した。この混合物に、チクソ性付与剤として水添ひまし油（ズードケミー触媒社製「ＡＤＶＩＴＲＯＬ  １００」（商標））３質量部を配合し、プラネタリーミキサーを用いて、７０℃にて混練りし、ガスケット材を得た。
このガスケット材について、上記の方法によりガスケットの形状評価及び圧縮力の評価を行った。結果を第１表に示す。
【００３８】
実施例２〜７
チクソ性付与剤を第１表に示す配合量としたこと以外は、実施例１と同様にしてガスケット材を得た。評価結果を第１表に示す。
【００３９】
比較例１
チクソ性付与剤を配合しなかったこと以外は、実施例１と同様にしてガスケット材を得た。評価結果を第１表に示す。
【００４０】
比較例２及び３
チクソ性付与剤を第１表に示す配合量としたこと以外は、実施例１と同様にしてガスケット材を得た。評価結果を第１表に示す。
【００４１】
【表１】
2008024765.tif 000002
【００４２】
＊１  ノズルの詰まりが発生し、ガスケットの製造ができなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の製造方法によれば、線幅が狭く、かつ高さが高いガスケットを高い生産性で製造することができる。より具体的には、ｈ／ｗが０．８以上のガスケットを１回の電離放射線の照射により、効率的に製造することができる。