(57)【要約】【課題】基板処理用の装置を提供する。【解決手段】基板処理用の装置は、チャンバ、高周波電源及び低周波電源を有する。チャンバは、その中に配置した第１の電極と第２の電極を有する。高周波電源を第１の電極又は第２の電極のいずれかと電気的に連結して、第１のＲＦ信号を供給する。低周波電源を第１の電極又は第２の電極のいずれかと電気的に連結して、第２のＲＦ信号を供給する。第１のＲＦ信号をチャンバ内での電子損失を増進するようにパルス化をオンオフする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための装置であって、
その中に配置した第１の電極と第２の電極を有するチャンバと、
第１のＲＦ信号を供給する第１の電極又は第２の電極のいずれかと電気的に連結した高周波電源と、
第２のＲＦ信号を供給する第１の電極又は第２の電極のいずれかと電気的に連結した低周波電源とを含み、
前記第１のＲＦ信号が可変振幅を有する装置。
【請求項２】
可変振幅がパルス形である請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記高周波電源が約２７ＭＨｚから約２００ＭＨｚの範囲である請求項１記載の装置。
【請求項４】
パルス周期が約１マイクロ秒から１０００マイクロ秒の範囲である請求項２記載の装置。
【請求項５】
パルスの負荷サイクルが約１％から約１００％の範囲である請求項２記載の装置。
【請求項６】
前記第１のＲＦ信号がチャンバ内の電子損失を増進するようにパルス化をオンオフし、チャンバ内での定在波効果を実質的に防ぐ請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記チャンバに連結したガス供給チャンバを含み、前記ガス供給チャンバが更に電子損失を増進するために電気陰性なガス添加物を含む請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記第１の電極が前記第２の電極に平行で、前記第２の電極が基板を支える請求項１記載の装置。
【請求項９】
容量結合型プロセスチャンバでプラズマを制御する方法であって、
その中に配置した第１の電極と第２の電極を有するチャンバを提供し、
高周波電源を前記第１の電極又は前記第２の電極のいずれかに連結し、
低周波電源を前記第１の電極又は前記第２の電極のいずれかに連結し、且つ
前記高周波電源の振幅を変えて、前記プラズマのイオン密度と電子密度を制御することを含む方法。
【請求項１０】
前記振幅の変化が、高周波電源のパルス化をオンオフすることを含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記高周波電源が、約２７ＭＨｚから約２００ＭＨｚの範囲である請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記パルス周期が、約１マイクロ秒から１０００マイクロ秒の範囲である請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記パルスの負荷サイクルが、約１％から約１００％の範囲である請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記パルス化により前記チャンバ内の空間プラズマ密度を制御することを含む請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
前記パルス化により前記チャンバ内のプラズマ種を制御することを含む請求項１０記載の方法。
【請求項１６】
前記パルス化により前記チャンバ内に低いエネルギー電子を生成することを含む請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
前記パルス化により前記チャンバ内のプラズマ電位を低下することを含む請求項１０記載の方法。
【請求項１８】
前記パルス化に加えて、連続波を前記第１の電極又は前記第２の電極に印加することを含む請求項１０記載の方法。
【請求項１９】
前記チャンバに連結したガス供給チャンバに、電気陰性なガス添加物を導入して、電子損失を増進して、定在波効果を実質的に防ぐこと含む請求項９記載の方法。
【請求項２０】
容量結合型プロセスチャンバにおいてプラズマを制御するシステムであって、
その中に第１の電極と第２の電極を有するチャンバと、
超高周波を前記第１の電極又は前記第２の電極に印加した結果、前記チャンバ内の定在波効果を実質的に除去できるように前記チャンバ内で電子損失を発生する手段を含み、前記手段が、チャンバと連結したシステム。
【請求項２１】
電子損失の発生手段が、
前記チャンバ内の前記第１の電極又は前記第２の電極と連結した超高周波パルス化源を含む請求項２０記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理チャンバに関する。特に、本発明は、パルス化ＶＨＦによるプラズマ種と均一性の制御に関する。
【背景】
【０００２】
プラズマエッチングと反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）は、半導体デバイス製造における基板のような特定ワークピースの正確なエッチングで重要なプロセスになってきた。プラズマエッチングと反応性イオンエッチングは、通常、同一装置内で実施されるが、その差は概ね使用圧力範囲の違いと、その結果、処理チャンバ内での励起反応物質種の平均自由行程の違いで起こる。この２つのプロセスをここではまとめてプラズマエッチングと呼ぶ。プラズマエッチングは「ドライエッチング」技術であり、通常、ワークピースを液体エッチング剤容器に浸漬する従来のウエットエッチングに比べ多くの利点を有する。その利点の幾つかとしては、コスト削減、公害問題の低減、危険薬品との接触の減少、寸法管理の向上、均一性の増加、エッチング選択性の向上及びプロセスの柔軟性の増加が挙げられる。
【０００３】
集積回路の密度が増加すると、デバイスフィーチャー寸法が０．２５ミクロンより小さくなるが、デバイスフィーチャーのアスペクト比（即ち、フィーチャー幅に対するフィーチャー高さの比）は１０：１より高くなる。高アスペクト比を有するこれらの小さいデバイスを形成するには、エッチングプロセスの精度の向上が必要である。更に集積回路生産の処理量を向上し、コストを軽減するために、エッチング速度の増加が望まれる。
【０００４】
あるタイプのプラズマエッチングチャンバは、２つの平行プレート電極を用いてプレート電極間にプロセスガスのプラズマを発生し維持する。通常、平行プレート型プラズマエッチングチャンバは、上部電極と下部電極を含む。下部電極は、通常、基板ホルダーの役割を果たし、基板（又はウエハー）をこの下部電極上に配置する。エッチングプロセスをこの基板の表面で実施し、プラズマに暴露する。
【０００５】
通常、１つ以上の電極を電源と連結する。特定の平行プレート型反応装置では、これら電極は高周波電源と連結する。上部電極に連結した電源は、通常、下部電極に連結した電源より高い周波数で動作する。この構成だと、基板上のイオンエネルギーとイオンフラックスを切り離して、基板の損傷が避けられるものと考えられる。
【０００６】
他の平行プレート型反応装置は、下部電極に連結した２つの電源を有する。これら電源は被処理基板で生ずるエッチング特性を制御するために、それぞれ異なる周波数で動作する。
【０００７】
更に他の平行プレート型反応装置は、３つの電極を有する。第１の電極を用いて基板を支え、低周波ＡＣ電源と連結する。第２の電極を第１の電極と平行な関係に配置し、接地する。第１の電極と第２の電極の間に配置した第３の電極（即ち、チャンバ本体）は、高周波ＡＣ電源で作動する。
【０００８】
他の従来装置では、単一動力源電極型反応装置が提供される。プロセスの柔軟性、制御及び残留物の除去を向上する目的で、高周波パワーサプライと低周波パワーサプライを単一電極と連結する。単一電極型反応装置は、多段型受動フィルタネットワークを含む。このネットワークは、両パワーサプライを電極に連結し、高周波パワーサプライから低周波パワーサプライを分離し、反応装置が示す非線形負荷の２つの周波数が混合して生ずる望ましくない周波数を低減する働きを行うためのものである。
【０００９】
電極に印加する周波数はＶＨＦである。しかし、基板寸法が大きくなると、プラズマ反応装置も又、この反応装置の寸法が最早無視できない点まで大きくなる。電磁波の波長はプラズマ環境で、自由空間波長の約１／５に減少し、電磁波の四分の一波長はプラズマチャンバの大きさに近くなる。その結果、反応装置全体のプラズマ密度は、最早均一ではない。この定在波現象は、自由空間励起周波数が増加し、その波長が減少するとともにより顕著になる。更に、高プラズマ密度で生じる高周波数は表皮厚さを減じ、反応装置ギャップの大きさに比べて小さくなり得る。その結果、表皮効果が起こり、放電部端末で最大のプラズマ加熱が見られる。
【００１０】
チャンバ内でのプラズマ密度の不均衡により、チャンバ内の処理パラメーターの変動が起り、基板処理の一貫性に欠けるか又は不均一な結果をもたらす。それ故高周波数で起こる電磁効果を考慮した、プロセスの均一性を実質的に維持できる平行プレート型プラズマエッチングシステムが必要性とされている。
【詳細な説明】
【００１１】
本発明の幾つかの実施形態を良く理解するために、以下の説明で特定のシステム、構成部品、方法等の例により、多くの具体的な詳細を示す。しかし、少なくとも本発明の幾つかの実施形態が、これらの具体的な詳細なしに実施できることは当業者には明らかである。他の例では、本発明が不必要に不明確になるのを避けるために、周知の構成部品又は方法は詳述しないか、又は簡単なブロック図を示す。このように、具体的な詳細は典型例にすぎない。特定の実施態様はこれらの典型的な詳細と異なっても良く、本発明の精神と範囲内にあるものと考えられる。
【００１２】
基板を処理する方法と装置について説明する。容量結合型処理チャンバは、第１の電極と第２の電極を有する。第２の電極を用いて基板を支えても良い。第１の電極は第２の電極に平行な基板上に配置できる。高周波電源を第１の電極又は第２の電極のいずれかに電気的に連結し、第１のＲＦ信号を供給する。低周波電源を第１の電極又は第２の電極のいずれかに電気的に連結し、第２のＲＦ信号を供給する。第１の高周波信号は、チャンバ内で電子損失が発生できるようにパルス化をオンオフし、チャンバ内のプラズマの空間均一性を制御できる。
【００１３】
図１は、平行プレート型処理システム１００の一実施形態の略図である。処理システム１００は、処理システムの土台に取り付け、エッチングプロセスのような特定のプロセスを実施するように設定した多目的チャンバを含んでも良い。本発明は特定の配置に関して説明するが、本発明は種々の配置とデザインに応用できるものと認識される。更に、このシステムは概略図で、処理システム１００の一部である幾つかの態様は示していないものと認識される。例えば、アクチュエーター、弁、密閉組み立て部品等は示していない。これらと他の態様が処理システム１００に組み入れられることは、当業者であれば容易に分かるであろう。
【００１４】
処理システム１００は、通常、少なくとも処理領域の一部である空洞１０３を有するチャンバ１０２を含む。開口部（図示せず）をチャンバ１０２壁に形成して、処理システム１００内外への基板の移動を容易にする。チャンバ１０２の底は、チャンバからガスを排気するための排気口１３０を含んでいても良い。排気システム１３２は、チャンバ１０２底の排気口１３０に取り付ける。排気システム１３２は、絞り弁と真空ポンプのような部品を含んでも良い。一旦チャンバ１０２を密閉すれば、排気システム１３２を動作させると、空洞１０３内に真空を吸引し維持できる。
【００１５】
上部プレート電極１０４をチャンバ１０２の上端に配置する。一実施形態において、プレート電極１０４は保護皮膜を含んでも良く、チャンバ内のプラズマに起因するプレート電極１０４材の腐食を防止又は低減できる。保護皮膜としては、石英、サファイア、アルミナ、ＳｉＣ、ＳｉＮ及びＳｉのような材料を含む。
【００１６】
一実施形態において、上部プレート電極１０４は、ガス供給システムのシャワーヘッドを含んでも良い。この構成では、上部プレート電極１０４は蓋アセンブリの一部であり、空洞１０３へのガスの分配に用いる。従って、図１に上部プレート電極１０４に連結したガス源１２４を示す。ガス源１２４は、チャンバ１０２内で基板１０８を処理するのに用いる前駆物質又はプロセスガスを含んでも良い。ガス源１２４としては、１つ以上の液体前駆物質含有の１つ以上の液体用アンプルと、液体前駆物質をガス状態に気化する１つ以上の気化器が挙げられる。一実施形態によれば、上部プレート電極１０４とチャンバ１０２は接地できる。
【００１７】
上部プレート電極１０４は、平行プレート電極型プラズマ反応装置の上部電極として作用するが、基板支持部１０６は、下部電極として働く。基板支持部１０６は空洞１０３内に配置し、静電チャック又はバキュームチャックのような基板１０８（例えば、ウエハー又はマスク）の支えに適した任意の構造でも良い。基板支持部１０６は、基板支持表面を規定する支持台（図示せず）を含んでも良く、通常、その上に支えられる基板１０８の形状に合うように、成型される。具体的には、基板支持表面は、通常、円形で、実質的に円形の基板を支える。一実施形態において、基板支持表面は、抵抗加熱コイル及び／又は流体加熱システム又は流体冷却システムに連結した流体通路のような基板温度制御システムと熱的に連結する。
【００１８】
基板支持部１０６を低周波ＲＦ電源１１８と高周波ＲＦ電源１１６に連結すると、チャンバ１０２内にプラズマ１２８を発生維持できる。他の実施形態によれば、低周波（ＬＦ）、中波（ＭＦ）及び超短波ＶＨＦの三つの異なる周波数をカソードと連結できる。低周波ＲＦ電源１１６は、低周波整合ネットワーク１２２により支持基板１０６と連結し、基板１０８でのイオン支援エッチングを増進できる。高周波ＲＦ電源１１６又はＶＨＦ電源を、高周波整合ネットワーク１２０又はＶＨＦ整合ネットワークにより支持基板１０６と連結し、プロセスガスの解離とプラズマ密度を増進できる。整合ネットワーク１２０と１２２のそれぞれで、当業者であれば１つ以上のコンデンサー類、インダクタ類及び他の回路部品を含めて良いことが分かるであろう。低周波ＲＦ電源１１８は、約２０ＭＨｚ以下の周波数で支持基板１０６に高周波電力を送るが、高周波ＲＦ電源１１６は、１３．５６ＭＨｚ以上の周波数で高周波電力を支持基板１０６に送ることができる。一実施形態において、低周波ＲＦ電源１２２は、約１００ｋＨｚと約２０ＭＨｚの間の周波数で、ＲＦ電力を支持基板１０６に送るが、高周波ＲＦ電源１０６又はＶＨＦ電源は、約２７ＭＨｚと約２００ＭＨｚの間の周波数で、ＲＦ電力を支持基板１０６に送る。好ましくは、高周波と低周波が動作時に重複しない。即ち、低周波ＲＦ電源１１８を、高周波ＲＦ電源１１６又はＶＨＦ電源の周波数より低い周波数で動作する。
【００１９】
周期的高周波パルス源１１２により、高周波ＲＦ電源１１６のＲＦ出力を周期的にオンオフする。周期的高周波パルス源１１２が、高周波ＲＦ電源１１６をオンにすると、基板支持部１０６に印加した高周波電圧の振幅は十分に高く、電磁場を発生してガス源１２４のガスをプラズマ状態１２８に励起する。周期的高周波パルス源１１２が高周波ＲＦ電源１１６をオフにすると、基板支持部１０６に印加したＲＦ電圧の振幅は、ガス源１２４のガスをプラズマ状態１２８に励起するには不十分である。
【００２０】
制御装置１１０を高周波パルス源１１２と連結する。制御装置１１０は高周波パルス源１１２に信号を送り、高周波ＲＦ源１１６の負荷信号を制御する。更に、制御装置１１０を用いて、パルス発生の時間周期とパルス不発生の時間周期を制御できる。
【００２１】
他の実施形態によれば、低周波ＲＦ電源１１８と低周波整合ネットワーク１２２を、上部電極又は下部電極のいずれかと連結できる。図１に、低周波ＲＦ電源１１８と低周波整合ネットワーク１２２を、下部電極、例えば、基板支持部１０６に連結した一実施形態を示す。
【００２２】
他の実施形態によれば、高周波パルス源１１２、高周波ＲＦ電源１１６、高周波整合ネットワーク１２０を、上部電極又は下部電極のいずれかと連結できる。図１は、高周波パルス源１１２、高周波ＲＦ電源１１６と、高周波整合ネットワーク１２０を、下部電極、例えは基板支持部１１６と連結した一実施形態を示す。
【００２３】
図２に、低周波ＲＦ電源１１８と低周波整合ネットワーク１２２を、下部電極、例えば、基板支持部１０６に連結した他の実施形態を示す。高周波パルス源１１２、高周波ＲＦ電源１１６、高周波整合ネットワーク１２０を、上部電極１０４と連結する。
【００２４】
図３は、一実施形態によるプラズマ密度を制御する方法を示すフロー図である。３０２では、容量結合型処理システムが提供される。チャンバは、上部平面電極と下部平面電極を有する。これらの電極は互いに平行でも良い。下部電極を用いて被処理基板を支える。容量結合型処理システムの例は、上記の図１と図２に関して説明してある。３０４では、高周波ＲＦ電源を上部電極又は下部電極のいずれかと連結する。３０６では、低周波ＲＦ電源を上部電極又は下部電極のいずれかと連結する。３０８では、高周波ＲＦ電源が上部電極又は下部電極に与える高周波信号を、チャンバ内プラズマのイオン密度と電子密度を制御するようにパルス化する。パルス化する負荷サイクルの例は後述する。図６と図７に例示してある。このように、上部電極又は／及び下部電極に供給する高周波電力のパルス化を制御して、プラズマ中の電子の生成と損失を操作することができる。電子損失を促進することにより、チャンバを高周波電源で動作する場合、定在波効果を実質的に防げる。ＲＦ電源のパルス化を制御することにより、更にプラズマエッチングプロセス（例えば、プラズマの空間均一性の制御、プラズマ種の制御、低エネルギー電子の生成、プラズマ電位低下の制御等）を制御することができる。
【００２５】
一実施形態によれば、パルス化高周波電源をチャンバ内の電極に印加することにより、チャンバ内のプラズマ均一性が最適化できる。パルス化する高周波は約２７ＭＨｚから約２００ＭＨｚの範囲である。パルス周期は、約１マイクロ秒から約１０００マイクロ秒である。負荷サイクルは、約１％から約１００％である。負荷サイクルを用いて、チャンバ内のプラズマ密度の均一性を制御できる。パルス化した容量型高周波プラズマにより、従来の連続波使用では得られない新規なプラズマ環境が生成される。
【００２６】
図４は他の実施形態によるプラズマ密度を制御する方法を示すフロー図である。４０２では、容量結合型処理システムが提供される。チャンバは、上部平面電極と下部平面電極を有する。これらの電極は互いに平行でも良い。下部電極を用いて被処理基板を支える。容量結合型処理システムの例は、上記の図１と図２に関して説明してある。４０４では、高周波ＲＦ電源を上部電極又は下部電極のいずれかと連結する。４０６では、低周波ＲＦ電源を上部電極又は下部電極のいずれかと連結する。４０８では、添加物をチャンバ用ガスレシピに添加する。この添加物は、チャンバ内でプラズマの電子損失発生に寄与する任意の成分で良い。例えば、この添加物は、六フッ化硫黄（ＳｉＦ６）又はトリフルオロメタン（ＣＦ４）のような電気陰性ガス添加物でも良い。４１０では、高周波ＲＦ電源が上部電極又は下部電極に与えるＲＦ信号を、チャンバ内プラズマのイオン密度と電子密度を制御するようにパルス化する。パルス化負荷サイクルの例は後述する。図６と図７に例示してある。このように、上部電極又は下部電極に供給する高周波電力のパルス化を制御し、チャンバへのガスの供給を制御して、プラズマ中の電子損失が増進できる。電子損失を促進することにより、チャンバを高周波電源で動作する場合、定在波効果を実質的に防げる。ガス供給の修正とともに高周波ＲＦ電源のパルス化を制御することにより、更にプラズマエッチングプロセス（例えば、プラズマの空間均一性の制御、プラズマ種の制御、低エネルギー電子の生成、プラズマ電位低下の制御等）の制御につながる。
【００２７】
図５は、更に他の実施形態によるプラズマ密度を制御する方法を示すフロー図である。５０２では、容量結合型処理システムが提供される。チャンバは、上部平面電極と下部平面電極を有する。これらの電極は互いに平行でも良い。下部電極を用いて被処理基板を支える。容量結合型処理システムの例は、上記の図１と図２に関して説明してある。５０４では、高周波ＲＦ電源を上部電極又は下部電極のいずれかと連結する。５０６では、低周波ＲＦ電源を上部電極又は下部電極のいずれかと連結する。５０８では、高周波ＲＦ電源と低周波電源により、連続波型ＲＦ信号をチャンバ内の電極に第１の時間周期にわたって供給できる。５１０では、高周波ＲＦ電源が上部電極又は下部電極に与えるＲＦ信号を、チャンバ内のプラズマのイオン密度と電子密度を第２の時間周期にわたって制御するようにパルス化する。図５に示した実施形態に、連続波信号とパルス化高周波ＲＦ信号を同一レシピで用いた組み合わせを示す。例えば、連続波を用いて第１の時間周期に、画期的で主要なエッチングプロセスが達成できる。パルス化高周波ＲＦ信号を用いて、第２の時間周期に、オーバーエッチングプロセスが達成できる。
【００２８】
図６は、容量結合型プラズマエッチングチャンバ中の電極に対する高周波ＲＦ電源のパルス化を示すグラフである。オンサイクル６０２は、ＲＦ電力を電極に供給しないオフサイクル６０４で分離する。オンサイクル６０２中には高周波ＲＦ電力を、一定限度の時間量ｔ１の間電極に供給する。オフサイクル６０４は、一定限度の時間量ｔ２の間継続できる。負荷サイクルはｔ２に対するｔ１の比と定義できる。
【００２９】
図７は、他の実施形態による電極に対する高周波ＲＦ電源のパルス化を示すグラフである。第１の時間周期Ｔ１の間、連続波信号７０２を容量結合型プラズマエッチングチャンバ中の電極に供給する。第２の時間周期Ｔ２の間、パルス化高周波信号７０４を電極に供給する。
【００３０】
図８は、空間イオン密度に対するパルス化電源の影響を示すグラフである。
【００３１】
図９は、電子温度に対するパルス化電源の影響を示すグラフである。パルス化高周波ＲＦ信号を用いて電子温度を操作し減少して、プラズマ損傷を更に制御できる。
【００３２】
図１０は、プラズマ電位に対するパルス化電源の影響を示すグラフである。ソフトエッチングに必要なパルス化高周波ＲＦ信号を用いて、プラズマ電位を操作し減少できる。これは低−ｋエッチングに重要である。
【００３３】
図１１は、連続波とパルス化電源での電子エネルギー確率関数（ｅｅｐｆ）の比較を示すグラフである。パルス化高周波ＲＦ信号を用いて、電子エネルギー確率関数（ｅｅｐｆ）を操作し、チャンバ内のプラズマの解離レベルを制御できる。
【００３４】
ここで１つ又は複数の方法の動作を特定の順序で示し説明したが、それぞれの方法の動作順を変えることで特定の動作を逆順に実施したり、特定の動作の少なくとも一部を、他の動作と同時に実施できる。他の実施形態においては、異なる動作の指示又はサブオペレーションは、断続的及び／又は交互の形でも良い。
【００３５】
上記明細書で、その具体的な典型的な実施形態に関して本発明を説明した。しかし、添付の特許請求の範囲に示したより広い精神と範囲から逸脱することなしに種々の修正と変更ができることは明らかである。従って、この明細書と図面は、限定的な意味よりはむしろ例示的意味であると見なすべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
添付図面で、本発明を実施例により例示するが、これに限定されるものではない。
【００３７】
【図１】基板処理システムの一実施形態を示す概略図である。
【図２】基板処理システムの他の実施形態を示す概略図である。
【図３】一実施形態によるプラズマ密度を制御する方法を示すフローチャートである。
【図４】他の実施形態によるプラズマ密度を制御する方法を示すフローチャートである。
【図５】更に他の実施形態によるプラズマ密度を制御する方法を示すフローチャートである。
【図６】一実施形態による電極に対するＲＦ電力のパルス化を示すグラフである。
【図７】他の実施形態による電極に対するＲＦ電力のパルス化を示すグラフである。
【図８】空間イオン密度に対するパルス化電源の影響を示すグラフである。
【図９】電子温度に対するパルス化電源の影響を示すグラフである。
【図１０】プラズマ電位に対するパルス化電源の影響を示すグラフである。
【図１１】連続波とパルス化電源に対する電子エネルギー確率関数（ｅｅｐｆ）の比較を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【外国語明細書】
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