(57)【要約】【課題】平滑な薄膜を基板上に形成するためのイオンプレーティング装置及び薄膜形成方法と、得られる表面平滑基板を提供する。【解決手段】イオンプレーティング装置１において、プラズマ発生器１１により発生し、真空チャンバ３内へ流出したプラズマビーム１７は、磁石２３の磁力により、蒸着材料２１表面へ誘導され、蒸着材料２１を照射する。蒸着材料２１は、プラズマビーム１７の照射により蒸発するとともにイオン化し、対向する位置にある基板２５上へ蒸着し薄膜を形成する。磁石２３は、ハース１９近傍で昇降運動が可能であり、磁石２３の昇降運動に伴い、蒸着材料２１表面の磁束密度が変化する。蒸着材料２１表面の磁束密度を変化させることで、プラズマビーム１７の形態が変化する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に設置された蒸着材料にプラズマビームを照射し、基板に蒸着を行うイオンプレーティング装置であって、
前記蒸着材料にプラズマビームを照射するプラズマ発生器と、
前記蒸着材料の近傍に設置された磁石と、
前記磁石による前記蒸着材料表面の磁束密度を変化させる磁束密度変更手段と、
を具備することを特徴とするイオンプレーティング装置。
【請求項２】
前記磁束密度変更手段は、
蒸着材料表面の磁束密度を３〜６０ｍＴの範囲内で変化させることを特徴とする請求項１記載のイオンプレーティング装置。
【請求項３】
前記磁石は永久磁石であり、
前記磁束密度変更手段は、前記永久磁石を昇降させることを特徴とする請求項１に記載のイオンプレーティング装置。
【請求項４】
前記磁石は電磁石であり、
前記磁束密度変更手段は、前記電磁石の磁力を変化させるものであることを特徴とする請求項１に記載のイオンプレーティング装置。
【請求項５】
蒸着材料にプラズマビームを照射する工程（ａ）と、
前記蒸着材料の近傍に設置された磁石による、前記蒸着材料表面の磁束密度を変化させる工程（ｂ）と
前記蒸着材料からの材料を基板上に蒸着させる工程（ｃ）と、
を具備することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）は、
蒸着材料表面の磁束密度を３〜６０ｍＴの範囲内で変化させることを特徴とする請求項５記載の薄膜形成方法。
【請求項７】
請求項５に記載の薄膜形成方法によって製造されたことを特徴とする、表面平滑基板。
【請求項８】
基板上に蒸着膜が形成された表面平滑基板であって、前記蒸着膜の最大高低差が２０ｎｍ以下であることを特徴とする表面平滑基板。
【請求項９】
前記基板が透明プラスチックフィルムであることを特徴とする、請求項８に記載の表面平滑基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面の平滑な薄膜を形成可能なイオンプレーティング装置及び薄膜形成方法と、表面平滑基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、薄膜を形成する手段として、スパッタリングや、真空蒸着などが知られているが、イオンプレーティング法によれば、得られた薄膜の密着性が優れ、高品質な薄膜を得ることができることが知られている。
【０００３】
イオンプレーティングによる成膜手段は、真空チャンバ内において、プラズマ発生源より生成されたプラズマビームを蒸着材料に照射し、蒸着材料を蒸発及びイオン化して基板上に蒸着させ、薄膜を得る方法である（例えば、特許文献１参照）。このようなイオンプレーティング装置については、装置メーカーにて検討がなされているが、その多くはプラズマ発生機構、真空度の維持機構、蒸着の安定性に関するものであり、膜の平滑性についての検討は少ない。
【０００４】
イオンプレーティングにより平滑な水蒸気透過防止膜を得るための方法として、基板上に金属薄膜を蒸着させることで、基板の凹凸の影響を無くす方法がある（例えば、特許文献２参照）。また、予めＣＶＤ等にて形成されたダイヤモンド皮膜に負のバイアスをかけてイオンプレーティング成膜を行い、イオン化させた金属粒子をダイヤモンド皮膜に衝突させることで、ダイヤモンド皮膜表面を平滑にする方法がある（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２０００−１７４３１号公報
【特許文献２】特開２００４−５０８２１号公報
【特許文献３】特開２００２−１８７７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このようにして蒸着された薄膜も、例えば有機ＥＬのような電子機器等に使用するにあたっては、十分な平滑性は得られていない。前述の通り、イオンプレーティングは、プラズマビームを蒸着材料へ誘導し、蒸着材料を照射し、蒸発及びイオン化した蒸着材料を蒸着し、薄膜を形成する。しかし、例えば、プラズマビームを蒸着材料に強く誘導すれば、蒸発材料は強いエネルギーで効率よく蒸発粒子を蒸発させることができる反面、蒸着材料から蒸着粒子がクラスター状に飛び出すスプラッシュ現象により、薄膜の平滑度が悪くなるという問題がある。一方で、プラズマビームの蒸発材料への誘導が弱いと、プラズマビームが上方に膨らむため、蒸発粒子とプラズマとの作用機会が増加し、プラズマ上方におけるイオン化、ラジカル化が促進される反面、プラズマビームにより蒸着材料が与えられるエネルギーが小さくなるため、蒸発の進行が妨げられると言う問題がある。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、平滑な薄膜を基板上に形成するためのイオンプレーティング装置等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した目的を達成するため、第１の発明は、チャンバ内に設置された蒸着材料にプラズマビームを照射し、基板に蒸着を行うイオンプレーティング装置であって、前記蒸着材料にプラズマビームを照射するプラズマ発生器と、前記蒸着材料の近傍に設置された磁石と、前記磁石による前記蒸着材料表面の磁束密度を変化させる磁束密度変更手段と、を具備することを特徴とするイオンプレーティング装置である。
【０００８】
前記磁束密度変更手段は、蒸着材料表面の磁束密度を３〜６０ｍＴの範囲内で変化させることを特徴とするイオンプレーティング装置である。
【０００９】
前記磁石は永久磁石であり、前記磁束密度変更手段は、前記永久磁石を昇降させることを特徴とするイオンプレーティング装置である。
【００１０】
前記磁石は電磁石であり、前記磁束密度変更手段は、前記電磁石の磁力を変化させるものであることを特徴とするイオンプレーティング装置である。
【００１１】
第１の発明によれば、蒸着材料表面の磁束密度を周期的に変化させることで、蒸着材料に照射するプラズマビームの形態を変化させることができるため、薄膜の平滑性に悪影響を及ぼすスプラッシュを防止するとともに、効率よく基板上に平滑な薄膜を得ることが可能なイオンプレーティング装置を提供することができる。
【００１２】
第２の発明は、蒸着材料にプラズマビームを照射する工程（ａ）と、前記蒸着材料の近傍に設置された磁石による、前記蒸着材料表面の磁束密度を変化させる工程（ｂ）と、前記蒸着材料からの材料を基板上に蒸着させる工程（ｃ）と、を具備することを特徴とする薄膜形成方法である。
【００１３】
蒸着材料表面の磁束密度を３〜６０ｍＴの範囲内で変化させることを特徴とする薄膜形成方法である。
【００１４】
第２の発明によれば、蒸着材料表面の磁束密度を周期的に変化させることで、蒸着材料に照射するプラズマビームの形態を変化させることができるため、薄膜の平滑性に悪影響を及ぼすスプラッシュを防止するとともに、効率よく基板上に平滑な薄膜を得ることができる。
【００１５】
第３の発明は、第２の発明により得られた表面平滑基板である。
【００１６】
第４の発明は、基板上に形成された前記蒸着膜の最大高低差が２０ｎｍ以下であることを特徴とする表面平滑基板である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、平滑な薄膜を基板上に形成するためのイオンプレーティング装置及び薄膜形成方法と、得られる表面平滑基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は本実施の形態に係るイオンプレーティング装置１を示す図である。イオンプレーティング装置1は、真空チャンバ３とプラズマ発生器１１とからなり、短管部１０にて接続されている。プラズマ発生器１１内には、陰極５と、陰極５よりも真空チャンバ側に、第一中間電極７と第二中間電極９が設置されている。更に、プラズマ発生器１１と真空チャンバ３との間に位置する短管部１０の外側には収束コイル１５が設置されている。
【００１９】
陰極５は、放電電源１３のマイナス側へ接続され、第一中間電極７と第二中間電極９は、放電電源１３のプラス側へ抵抗を介して接続され、真空チャンバ３は接地されている。陰極５側のガス導入管４から放電ガス（例えばＡｒガス）を供給すると、陰極５は、放電ガスをプラズマ状態とする。第１中間電極７及び第二中間電極９はプラズマビーム１７を真空チャンバ３内へ誘導する。また、収束コイル１５は、磁場により、プラズマビーム１７の軌道や形状等を制御する。
【００２０】
真空チャンバ３内には、蒸着材料２１を保持するハース１９が設置される。ハース１９の下方には、プラズマビーム１７を蒸着材料２１へ誘導するための磁石２３が設置され、ハース１９の上部には、薄膜を蒸着させる基板２５が設置される。また、基板２５に形成される薄膜の成膜速度を測定するための成膜速度計３１と、真空チャンバ内の真空度を測定する真空計３３が真空チャンバ３に設置され、さらに、反応ガスである酸素を供給する酸素供給管３５が設置される。
【００２１】
プラズマ発生器１１により発生し、真空チャンバ３内へ流出したプラズマビーム１７は、磁石２３の磁力により、蒸着材料２１表面へ誘導され、蒸着材料２１を照射する。蒸着材料２１は、プラズマビーム１７の照射により蒸発するとともにイオン化し、対向する位置にある基板２５上へ蒸着し薄膜を形成する。
【００２２】
磁石２３は、連結アーム３９によって回転プレート４１に連結されるが、その詳細は後述する。なお、磁石２３は、真空チャンバ３の外側に設置されても、プラズマビーム１７を蒸着材料２１へ誘導できれば構わない。
【００２３】
短管部１０内には、プラズマビーム１７の流出部を取り囲む絶縁管２９が設置され、絶縁管２９の周囲には、電子帰還電極２７が設置される。電子帰還電極２７は放電電源１３のプラス側に接続され、第二中間電極９よりも高い電位状態に保持される。
【００２４】
前述したプラズマビーム１７が蒸着材料２１を照射した際に発生する反射電子流（図示しない）が電子帰還電極２７へ入射することで、プラズマビーム１７は安定する。また、絶縁管２９は、電子帰還電極２７とプラズマ流出部とを電気的に遮っているため、プラズマビーム１７が電子帰還電極２７との間で異常放電することを防止している。
【００２５】
磁石２３の材料としては、異方性フェライト焼結磁石、等方性フェライト焼結磁石、サマリウムコバルト磁石（サマコバＳｍ−Ｃｏ）やネオジウム磁石（ネオジＮｄ−Ｆｅ−Ｂ）のような希土類焼結磁石、希土類ボンド磁石、フェライトラバー磁石等利用できる。サマリウムコバルト磁石は磁力が強力で使用しやすい。
【００２６】
磁力としては、６０ｍＴ以下ではプラズマビーム１７をハース１９へ収束することができなくなるため、６０ｍＴ以上であるものが良い。磁石２３を真空チャンバ３の外側へ設置する場合は、より強力な３００ｍＴ以上、好ましくは５００ｍＴ以上の磁力を有するものが良い。
【００２７】
蒸着材料２１としては特に規定しないが、好ましくは、平衡蒸気圧が５×１０−４Ｐａとなるときの昇華温度が５００〜２０００℃の範囲である材料が成膜する上で使用しやすい。また、表面平滑基材に対して透明性が必要とされる場合は、その材料として透明性を有する材料又は、金属材料を蒸着中に酸素等のガスを導入し反応させることにより、透明な膜を形成することも可能である。具体的には、珪素、アルミニウム、チタン、錫、インジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、マグネシウム、カルシウム、鉄、銅、銀、金、白金、またはこれらの酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、これらの混合物等、を使用することができる。特に高い平滑性が得られるのは、非晶質系材料であり、例えば酸化珪素が適している。
【００２８】
基板２５は、特に制限無く用いることができる。従って、基板２５は具体的用途や目的に応じて、ガラス基板や硬質樹脂基板、好ましくは例えばウェハー、プリント基板、また様々なカードやボトル等成形された樹脂からなるフレキシブル基板、あるいはフレキシビリティを有する樹脂基板、好ましくは例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＮ）やポリアミド、ポリオレフィン、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリウレタンアクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリイミド、ポリシルセスキオキサン、ポリノルボルネン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、環状ポリオレフィン等によって形成することができる。樹脂基板である場合、好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１５０℃以上の耐熱性を有するものが適当である。
【００２９】
基板２５の厚さについても特に制限は無い。基板２５の厚さは可とう性及び形態保持性の観点から例えば６〜４００μｍの範囲とすることが望ましい。また、導電性の基板２５に透明性が必要とされる場合は、この基板２５は高度の透明性を有する材料、例えば４００ｎｍ〜７００ｎｍの光透過度が８０％以上のものによって形成することが望ましい。
【００３０】
図２は、磁石２３近傍の構成を示した図である。磁石２３は、磁石ガイド３７内に保持され、連結ピン４３により連結アーム３９に接続される。連結アーム３９の他端は連結ピン４５により回転プレート４１の中心から半径方向へシフトした位置に接続される。
【００３１】
回転プレート４１を図示しないモーターによって、回転プレート４１の中心を軸として回転させると、磁石２３は、連結アーム３９を介して、磁石ガイド３７内で上下方向に昇降運動をする。ここで、図２（ａ）は磁石２３が最上点にある状態、図２（ｃ）は最下点にある状態、図２（ｂ）はその中間の状態を示す。
【００３２】
次に、イオンプレーティング装置１の動作について説明する。図３、図４は、磁石２３の位置によるプラズマビーム４７と蒸着材料２１への照射の状態変化を示す図である。図３（ａ）は、磁石２３が最上点（図２（ａ））の状態を表し、図３（ｂ）は、磁石２３が最下点（図２（ｃ））の状態を表す。なお、磁石ガイド３７、連結アーム３９等は図示を省略している。
【００３３】
プラズマビーム４７が、磁石２３により誘導され、ハース１９内の蒸着材料２１を照射すると、蒸発粒子５３が飛び出す。ここで、磁石２３が発生する磁力線４９の、蒸着材料２１表面での磁束密度は、磁石２３が最上点（以下単に「最上点」とする）の状態で最も強い。よって、磁石２３はプラズマビーム４７Ａを蒸着材料２１へ強く誘導し、プラズマビーム４７Ａは蒸着材料２１表面の中心を細く集中して照射する（図４（ａ））。このため、蒸発材料２１は強いエネルギーで効率よく蒸発粒子５３を蒸発させることができる。
【００３４】
ここで、蒸着材料２１表面の磁束密度は変化するので、この状態は長く続かず、スプラッシュの発生を防止することができる。
【００３５】
また、磁石２３が最下点（以下単に「最下点」とする）の状態においては、蒸着材料２１表面の磁束密度は、最上点の状態と比較して弱くなるため、プラズマビーム４７Ｂを蒸着材料へ誘導する力が弱まる。このため、最下点の状態では、プラズマビーム４７Ｂは、上方へ膨らんだ形態となり、蒸着材料２１表面の広範囲を照射する（図４（ｂ））。
【００３６】
これにより、蒸着材料２１表面全体を蒸発させることができ、蒸着速度の向上が図れる。また、プラズマビーム４７Ｂが上方に膨らむため、蒸発粒子５３とプラズマとの作用機会が増加し、プラズマ上方における蒸発粒子５３のイオン化、ラジカル化が促進される。さらに、上方へ膨らんだプラズマにより、基板のクリーニング効果が期待できる。
【００３７】
ここで、蒸着材料２１表面の磁束密度は変化するので、この状態は長く続かず、プラズマビーム１７が蒸着材料２１へ与えるエネルギーが不足することによる問題は生じない。
【００３８】
図５は、蒸発材料２１表面の磁束密度の変化を示す図である。イオンプレーティング装置１では、磁束密度は正弦波で周期的に変化する。ここで蒸着材料２１表面の磁束密度が３ｍＴ以下では、プラズマビーム１７を蒸着材料２１表面へ誘導することができず、蒸発が進行しない。また６０ｍＴ以上では、スプラッシュ現象が促進する可能性がある。よって、蒸着材料２１表面の磁束密度は、３〜６０ｍＴの範囲内で変化させることが望ましい。
【００３９】
また、磁束密度の変動周期は形成する膜厚によっても異なるため、特に規定はしない。しかし変動周期が３０秒／サイクル以上では、深さ方向に連続的な膜の形成が困難となるため、変動周期は、３０秒／サイクル以下が望ましい。
【００４０】
このように、本実施の形態によれば、蒸着材料２１表面の磁束密度を周期的に変化させることで、蒸着材料２１に照射するプラズマビーム１７の形態を変化させることができるため、薄膜の平滑性に悪影響を及ぼすスプラッシュを防止するとともに、効率よく基板２５上に平滑な薄膜を得ることができる。
【００４１】
図６、図７は、第２の実施の形態に係るイオンプレーティング装置１０１を示す図である。以下の実施の形態において、図１に示すイオンプレーティング装置１と同一の機能を果たす構成要素には、図１と同一の番号を付し、重複した説明を避ける。
【００４２】
イオンプレーティング装置１０１は、磁石２３の動作機構としてアクチュエータ１０５を使用したものである。磁石２３は、アクチュエータ１０５の動作部であるロッド１０３によりアクチュエータ１０５に接合されている。図示しない外部電源から、アクチュエータ駆動ライン１０７を介してアクチュエータ１０５に通電すると、ロッド１０３が通電に応じて伸縮動作し、磁石２３は磁石ガイド３７内を昇降運動する。これにより、前述の通り、蒸着材料２１表面の磁束密度を変化させることができる。
【００４３】
なお、イオンプレーティング装置１０１では、アクチュエータ１０５として電動アクチュエータを使用したが、この動作機構は特に規定しない。即ち、アクチュエータ１０５は電動アクチュエータであっても、ソレノイド型、モータ型、ボールねじ型等、往復動作が可能であり、装置に設置可能なものであれば構わない。また、例えば磁石２３を真空チャンバ３の外側に設置する場合は、空圧、液圧等によるアクチュエータを使用することもできる。
【００４４】
図８は、イオンプレーティング装置１０１における蒸着材料２１表面の磁束密度変化を示す。イオンプレーティング装置１０１では、磁束密度は矩形波で周期的に変化する。このように、蒸着材料２１表面の磁束密度の変化は、正弦波であっても矩形波であっても構わない。また、図８に示した短形波の上限値及び下限値での保持時間（図のプラトー域）を０として、三角波としても構わない。
【００４５】
第２の実施形態によれば、蒸着材料２１表面の磁束密度変化を、外部からの信号により矩形波、三角波等とすることが可能であり、蒸着材料２１表面の磁束密度の変化をより細かく制御することができる。また、磁石２３の上下動ストロークの調整も、アクチュエータ１０５の動作ストローク調整により可能であるため、蒸着材料２１表面の磁束密度の調整が容易となる。
【００４６】
次に第３の実施の形態に係るイオンプレーティング装置２０１について説明する。図９は、イオンプレーティング装置２０１の構成を示す図である。イオンプレーティング装置２０１では、蒸着材料２１表面の磁束密度変更手段として、磁石２３の代わりに電磁石２０３を用いる。電磁石２０３は、ハース１９下方に設置される。
【００４７】
電磁石２０３へ、真空チャンバ３の外部にある図示しない外部電源により通電を行うと、電磁石２０３は電流値に応じた磁力を発生する。発生した磁力は、ハース１９内に保持された蒸着材料２１へプラズマビーム１７を誘導する。
【００４８】
なお、電磁石２０３は、真空チャンバ３の外側に設置されても、プラズマビーム１７を蒸着材料２１へ誘導できれば構わない。電磁石２０３としては一般のもので良く、例えば、鉄心の周囲に銅線等の電導線をコイル状に巻きつけたものでよい。
【００４９】
図１０は、電磁石２０３へ供給する電流変化の一例である。図１０のように電流値を変化させると、電流値の変化に応じて、電磁石２０３の磁力が変化する。電磁石２０３の磁力変化に伴い、蒸着材料２１表面の磁束密度は変化する。なお、前述した各実施の形態では、蒸着材料表面の磁束密度変化は周期的なものであったが、磁束密度変化の態様は問わない。例えば、膜厚によって磁束密度の変化率を変化させても良いし、蒸着開始からの時間経過に伴い、単調に磁束密度を減少させるなど、周期性の有無は問わない。
【００５０】
第３の実施形態によれば、前述した各実施の形態で必要であった、磁石２３の昇降運動機構を有しなくとも、電磁石２０３へ通電する電流を変化させることで、電磁石２０３の磁力が変化し、蒸着材料２３表面の磁束密度を変化させることができる。
【実施例】
【００５１】
次に実施例について説明する。図１１は、成膜条件を変えて基板２５上に膜を形成した際の、各成膜条件により得られた膜の膜厚及び膜の平滑性を示す図である。基板２５としては、厚さ１００μｍのＰＥＮ樹脂（帝人デュポン製Ｑ６５）からなるプラスチックフィルムを用いて、圧力勾配型イオンプレート装置にセットした。蒸着材料としては、平均粒径２μｍの酸化珪素粒（東ソーシリカ製）をハース内に投入した。
【００５２】
まず、真空チャンバ３を真空引きし、真空度が５×１０−４Ｐａに到達した後、プラズマ発生器１１にアルゴンガスを１５ｓｃｃｍ導入し、電流１１０Ａ、電圧９０Ｖのプラズマを発生させた。その後、真空チャンバ３内を１×１０−３Ｐａに維持し、プラズマビーム１７を蒸着材料へ導き、照射を開始した。蒸着時間は、すべての条件で５秒間とした。
【００５３】
条件１では、蒸着材料２１表面の磁束密度が３〜６０ｍＴの範囲で変化するように磁石２３をセットし、その周期は２．５秒／サイクルとした。条件２では、蒸着材料２１表面の磁束密度が１０〜５０ｍＴの範囲で変化するように磁石２３をセットし、その周期は２．５秒／サイクルとした。条件３では、蒸着材料２１表面の磁束密度が６０ｍＴ一定となるように磁石２３をセットした。条件４では、蒸着材料２１表面の磁束密度が２ｍＴ一定となるように磁石２３をセットした。
【００５４】
図１２は、蒸着膜の凹凸を示す概念図である。得られた膜の平滑性は、表面形状測定装置（東レエンジニアリング製ＳＰ−５００）を用い、レンズ倍率５０倍、分解能１３７６×１０４０ｐｉｘｅｌの条件で、０．１３ｍｍ×０．１７ｍｍの範囲を測定し、最大値と最小値の差を最大高低差として評価した。
【００５５】
図１１の結果から明らかなように、蒸着材料２１表面の磁束密度を変化させた本発明に係る条件１、２は、条件３と比較して高い平滑性を示した。なお、条件４においては、膜は形成されなかった。また、条件３と比較して、条件１，２の膜厚が厚いことからも明らかなように、蒸着材料２１表面の磁束密度の変化により成膜速度も向上した。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施の形態に係るイオンプレーティング装置１の構成を示す図。
【図２】磁石２３近傍の構成を示す図。
【図３】磁石の位置による、プラズマビームの状態の変化を示した概念図で、（ａ）は磁石が最上点の位置にある状態、（ｂ）は磁石が最下点の位置にある状態を示す図。
【図４】磁石の位置による、蒸着材料へのプラズマビームの照射状態の変化を示した概念図で、（ａ）は磁石が最上点の位置にある状態、（ｂ）は磁石が最下点の位置にある状態を示す図。
【図５】蒸着材料表面の磁束密度変化を示した概念図。
【図６】第２の実施の形態に係るイオンプレーティング装置１０１の構成を示す図。
【図７】磁石２３の動作を示す図で、（ａ）は磁石が最上点の位置にある状態、（ｂ）は磁石が最下点の位置にある状態を示す図。
【図８】蒸着材料表面の磁束密度変化を示した概念図。
【図９】第３の実施の形態に係るイオンプレーティング装置２０１の構成を示す図。
【図１０】電磁石２０３への電流変化を示した概念図。
【図１１】成膜条件を変えて基板２５上に膜を形成した際の、各成膜条件により得られた膜の膜厚及び膜の平滑性を示す図。
【図１２】蒸着膜の凹凸を示した概念図。
【符号の説明】
【００５７】
１、１０１、２０１・・・・イオンプレーティング装置
３・・・・真空チャンバ
４・・・・ガス導入管
５・・・・陰極
７・・・・第一中間電極
９・・・・第二中間電極
１０・・・・短管部
１１・・・・プラズマ発生器
１３・・・・放電電源
１５・・・・収束コイル
１７・・・・プラズマビーム
１９・・・・ハース
２１・・・・蒸着材料
２３・・・・磁石
２５・・・・基板
２７・・・・電子帰還電極
２９・・・・絶縁管
３１・・・・成膜速度計
３３・・・・真空計
３５・・・・酸素供給管
３７・・・・磁石ガイド
３９・・・・連結アーム
４１・・・・回転プレート
４３、４５・・・・連結ピン
４７Ａ、４７Ｂ・・・・プラズマビーム
４９・・・・磁力線
５３・・・・蒸発粒子
５５、５７・・・・プラズマ照射範囲
６１・・・・基板
６３・・・・蒸着膜
１０３・・・・ロッド
１０５・・・・アクチュエータ
１０７・・・・アクチュエータ駆動ライン
２０３・・・・電磁石
【図１】
2008144243.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008144243.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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