(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体レーザより発生する熱を効率よく放熱し、かつ、半導体レーザ素子をヒートシンクに融着する際に発生する内部ストレスを低減する半導体レーザを提供する。【解決手段】第１伝導型半導体基板１上に、少なくとも第１伝導型クラッド層２と、活性層３と、第２伝導型クラッド層４と電極層７を有する半導体レーザ素子において、電極層７上に形成したＡｕメッキ層８と、前記Ａｕメッキ層８上に形成した半田と合金化しない非合金化電極層９と、合金化電極層１０を有する。この半導体レーザ素子を、合金半田を用いて合金化電極層１０の上面をヒートシンクに融着した場合、非合金化電極層９は溶融せず、合金化電極層１０のみが合金半田と溶融して合金化し接合されるため、Ａｕメッキ層８が合金半田と溶融することがなく、合金半田の組成ずれ、及びＡｕメッキ層８の溶融による層厚の薄膜化を防ぐ。【選択図】  図１
2008021762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられた、活性層を含む多層膜と、
前記多層膜の上部に設けられた電極層と、
該電極層上に設けられたＡｕ層と、
前記Ａｕ層の上部に設けられた、半田と合金化しない非合金化電極層と、
前記非合金化電極層上に設けられた、半田と合金化する合金化電極層と、
を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
第１伝導型半導体基板上に、少なくとも第１伝導型クラッド層と、活性層と、第２伝導型クラッド層とを備え、
前記第１伝導型半導体基板に電気的に接続された電極と、前記第２伝導型クラッド層と電気的に接続された電極層を有する半導体レーザ素子において、前記電極層上に形成したＡｕ層と、前記Ａｕ層上に形成した半田と合金化しない非合金化電極層と、前記非合金化電極層上に形成した半田と合金化する合金化電極層とを有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体レーザ素子において、
前記Ａｕ層の膜厚が１μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体レーザ素子において、
前記第２伝導型クラッド層が凸状のリッジストライプを備え、
前記第２伝導型クラッド層の前記リッジストライプの側面を覆うとともに、該リッジストライプの上面において開口する開口部を有する絶縁膜を有し、
前記電極層は、前記開口部を介して前記第２伝導型クラッド層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項５】
請求項２乃至４いずれかに記載の半導体レーザ素子において、
前記非合金化電極層が、ＴｉまたはＰｔ、ＭｏおよびＷからなる群から選択される一または二以上の金属を含むことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体レーザ素子において、
前記合金化電極層がＡｕを含むことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載の半導体レーザ素子において、
前記電極層が、Ａｕ層を含む多層膜からなることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項８】
請求項２乃至７いずれかに記載の半導体レーザ素子において、
前記活性層が、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＰ系またはＧａＮ系の半導体材料のいずれかからなることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれかに記載の半導体レーザ素子とヒートシンクとを備え、
前記ヒートシンク上面に形成された半田層と、前記半導体レーザ素子の前記合金化電極層とが、合金化することにより接合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ストレージ、及び光通信等に用いられる半導体レーザ素子および半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の発光領域周辺の発熱による発光効率の低下、動作電流の上昇等を防止するため、Ａｕ−Ｓｎ系等の合金半田層を介してヒートシンクに融着し、半導体レーザ素子の温度上昇を抑制する手法が用いられている。特に、光ストレージ用等に用いられるＡｌＧａＩｎＰ系材料、及びＡｌＧａＡｓ系材料の半導体レーザ装置や、高出力動作が必要な場合には、発生した熱を効率よく放熱するためにジャンクションダウンと呼ばれる半導体レーザ素子の活性層に近い面をヒートシンクに接合する構造がとられている。
【０００３】
半導体レーザ素子をヒートシンクに接合する場合、合金系の半田、例えば、Ａｕ−Ｓｎ系の半田（Ａｕ：Ｓｎ＝８０％：２０％）を用いる場合では、ヒートシンク上面に半田層を積層し、この半田層の上面に半導体レーザ素子の電極面を圧接した状態で半田が溶ける約３００℃程度まで昇温する。半田層と半導体レーザ素子の電極層が合金化し、その後温度を下げ、半田が凝固する約２８０℃で完全に接合、さらに室温まで温度を下げる。この時、半導体レーザ素子とヒートシンクの熱膨張係数の違いに起因する内部ストレスが発生し、半導体レーザ素子にはこの内部ストレスが蓄積される。特にジャンクションダウン構造では、半導体レーザ素子の活性層に近い面をヒートシンクに接合するためこの内部ストレスの影響を受けやすく、半導体結晶の歪に伴う屈折率変化等の光学特性への影響、また、半導体の結晶劣化による半導体レーザの特性劣化、信頼性の低下を招く恐れがある。
【０００４】
上記の内部ストレスを軽減する手段として、半導体レーザ素子のヒートシンクと接合する面にＡｕメッキを施し、このＡｕメッキを厚くすることでヒートシンクとの接合面から半導体レーザ素子が受けるストレスを緩和する手法がとられている。特に、光導波路を形成するために半導体層表面にストライプ状の凸部を有するリッジ型の半導体レーザでは、このリッジストライプ部がストレスの影響を受けやすく、ジャンクションダウン構造をとる場合にはＡｕメッキを使用する例が多い。
【０００５】
以下に、従来の半導体レーザ素子の構成例について説明する。図５は従来の半導体レーザ素子の断面図である。この半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に順次積層されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２、アンドープ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＡｓキャップ層５、絶縁膜６、ｐ電極７、Ａｕメッキ層８、及び、ｎ型ＧａＡｓ基板１下面に形成されたｎ電極１１より構成されている。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＡｓキャップ層５には、光導波路を構成するための凸部を有するリッジストライプが形成されている。さらに、絶縁膜６は、凸部のリッジストライプ上面のみ開口を開き、この部分でｐ電極７がｐ型ＧａＡｓキャップ層５とオーミック接合され、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４を通してアンドープ活性層３に電流注入される構造となっている。Ａｕメッキ層８はヒートシンクへの融着時の内部ストレスを低減するため、層厚は１μｍ以上とされている。
【０００６】
図６は、さらに、この半導体レーザ素子をヒートシンクに融着した半導体レーザ装置の断面図である。図５の前記半導体レーザ素子をヒートシンク２１上にジャンクションダウン構造にて接合して構成されている。ヒートシンク２１と半導体レーザ素子の接合には半田層２２にて融着して接合され、半導体レーザ素子のＡｕメッキ層８と半田層２２とが溶融して合金化し、接合されている。Ａｕメッキ層８を厚くすることにより、ヒートシンク２１との接合面よりアンドープ活性層３近傍に受ける内部ストレスの影響を低減している。
【０００７】
また、ヒートシンクへの接合による内部ストレスを回避するために、特許文献１のように、半導体レーザ素子の活性層から遠い面を接合する、いわゆるジャンクションアップとすることも行われている。図７はジャンクションアップ構造にてヒートシンクに接合した半導体レーザ装置の断面図である。ヒートシンク２１の上面に半田層２２を介して、半導体レーザ素子のｎ電極１１の面を接合する。このとき、半田層２２とｎ電極１１が溶融して合金化し、融着されている。半導体レーザ素子のアンドープ活性層３がヒートシンク２１との接合面より遠い側となるため、融着時に発生する内部ストレスをｎ型ＧａＡｓ基板１にて緩和し、活性層近傍への内部ストレスの影響を低減する構造としている。
また、特許文献２には、融着歪を緩和するために、ヒートシンク側に厚いＡｕメッキ層が形成された半導体レーザ装置が記載されている。
【特許文献１】特開２００４−７１８０８号公報
【特許文献２】特開２００１−１２７３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ジャンクションダウン構造にて半導体レーザ素子表面にＡｕメッキを施し、このＡｕメッキの施された面を例えばＡｕ−Ｓｎ系（Ａｕ：Ｓｎ＝８０％：２０％）の合金半田に直接接合する場合には、Ａｕメッキ層のＡｕが半田層中に溶け出し、Ａｕ−Ｓｎ半田のＡｕ組成が高くなり、この組成ずれにより凝固点温度が上昇して熱応力を受けやすくなるという問題があった。さらに、場合によっては、Ａｕメッキ層のほとんど全てのＡｕが溶融してしまい、Ａｕメッキ層の機能であるヒートシンクとの接合面から半導体レーザ素子が受ける内部ストレスを緩和する効果を失い、凝固時に半導体レーザ素子のリッジストライブ部に直接大きなストレスが発生することがあった。
【０００９】
また、特許文献１のように、上記のようなジャンクションダウン構造での融着ストレスを回避するために用いられているジャンクションアップの構造では、半導体レーザ装置を駆動した時に発生する熱を放熱する効果が十分に得られず、発光効率の低下、動作電流の上昇を招くという問題があった。
【００１０】
一方、特許文献２のような構造では、ヒートシンク側に厚いＡｕメッキ層が形成されているため、ヒートシンクと半導体レーザ素子とを高温（例えば、Ａｕ−Ｓｎ半田の場合は２８０℃以上）で融着する場合、ヒートシンクと半導体レーザ素子との熱膨張差に起因する熱応力はこのＡｕメッキ層で緩和されるものの、Ａｕメッキ層と半導体レーザ素子との間や、半田と半導体レーザ素子との間に熱応力が発生することになり、半導体レーザ素子に融着歪みが生じることとなる。
【００１１】
本発明は、半導体レーザを駆動した時に発生する熱を効率よく放熱し、かつ、半導体レーザ素子をヒートシンクに融着する時に発生する内部ストレスを低減して、低動作電流でかつ良好な光学特性、高信頼性を有する半導体レーザを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体レーザ素子は、基板と、該基板上に設けられた、活性層を含む多層膜と、前記多層膜の上部に設けられた電極層と、該電極層上に設けられたＡｕ層と、前記Ａｕ層の上部に設けられた、半田と合金化しない非合金化電極層と、前記非合金化電極層上に設けられた、半田と合金化する合金化電極層と、を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の半導体レーザ素子は、第１伝導型半導体基板上に、少なくとも第１伝導型クラッド層と、活性層と、第２伝導型クラッド層とを備え、前記第１伝導型半導体基板に電気的に接続された電極と、前記第２伝導型クラッド層と電気的に接続された電極層とを有する半導体レーザ素子において、前記電極層上に形成したＡｕ層と、前記Ａｕ層上に形成した半田と合金化しない非合金化電極層と、前記非合金化電極層上に形成した半田と合金化する合金化電極層とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体レーザ素子は、前記第２伝導型クラッド層が凸状のリッジストライプを備え、前記第２伝導型クラッド層のリッジストライプの上面において開口する開口部を有する絶縁膜と、前記第２伝導型クラッド層のリッジストライプの上面で電気的に接続された電極層を有することを特徴とする。
【００１５】
さらにまた、本発明の半導体レーザ装置は、前記の半導体レーザ素子とヒートシンクとを備え、ヒートシンク上面に形成された半田層と、前記半導体レーザ素子の合金化電極層とを合金化することにより接合されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ジャンクションダウン構造にて駆動時に発生する熱を効率よく放熱し、かつ、半導体レーザ素子をヒートシンクに融着する際に発生する内部ストレスを低減することができるため、良好な光学特性、高信頼性を有する半導体レーザ装置を提供することができる。
【００１７】
本発明の半導体レーザ素子をジャンクションダウン構造にてヒートシンクに融着する場合、Ａｕメッキ層上に形成した非合金化電極層が高融点金属であるＴｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗのいずれか、またはいずれかの組み合わせからなる複数層からなるため、この非合金化電極層は溶融することがなくいわゆるバリアメタルの役割を果たし、合金化電極層のみが半田層と溶融して合金化し、半導体レーザ素子とヒートシンクが接合される。この時、Ａｕメッキ層は非合金化電極層を挟んで半田層と対峙する位置にあり、Ａｕメッキ層中のＡｕが半田層中に溶け出すことはなく、通常、合金化電極層のわずかなＡｕのみが半田層と溶融するため、半田層の組成はほとんどずれることなく、凝固点温度の上昇による熱応力の増大を抑制することができる。また、Ａｕメッキ層のＡｕが溶融することなくＡｕメッキをしたそのままの層厚が保持されるため、内部ストレスを緩和する効果が低減されることなく、ヒートシンクとの接合面から半導体レーザ素子が受ける内部ストレスを低減することができる。これらにより、半導体レーザ素子、特に内部ストレスの影響を受けやすいストライプ状の凸部を有するリッジ型半導体レーザでは、リッジストライプ部にかかる内部ストレスを低減でき、歪にともなう屈折率変化によってもたらされる光学的な影響を受けることなく、良好な光学特性を得ることができる。また、内部ストレスによる結晶劣化を防ぐことができるため、高信頼性を有する半導体レーザ装置を得ることができる。
【００１８】
さらに、上記のように本発明の半導体レーザ素子ではヒートシンクへの融着による内部ストレスを低減することができるためジャンクションダウン構造とすることができ、駆動時に発生する熱を効率よく放熱することが可能であり、発熱による発光効率の低下、動作電流の上昇を防ぐことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施の形態について図を用いて説明する。
図１は本発明の第１の実施の形態である半導体レーザ素子の断面図であり、ＡｌＧａＩｎＰ赤色半導体レーザの場合を示す。
【００２０】
本発明の半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に順次積層されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２、アンドープ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＡｓキャップ層５、絶縁膜６、ｐ電極７、Ａｕメッキ層８、非合金化電極層９、合金化電極層１０、及び、ｎ型ＧａＡｓ基板１下面に形成されたｎ電極１１より構成されている。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、及びｐ型ＧａＡｓキャップ層５には、リソグラフィ法およびドライエッチングまたはウェットエッチングによりストライプ状の凸部を有するリッジストライプが形成されている。さらに、前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＡｓキャップ層５の上部に積層された絶縁膜６は、凸部のリッジストライプ上面のみ開口されており、この部分でｐ電極７がｐ型ＧａＡｓキャップ層５とオーミック接合され、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４を通してアンドープ活性層３に電流注入される構造となっている。
【００２１】
アンドープ活性層３は、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体により構成することができ、たとえば、ＧａＩｎＰウェルとＡｌＧａＩｎＰバリアからなる多重量子井戸活性層とすることができる。
【００２２】
ｐ電極７は、たとえば多層膜とすることができ、基板側からＴｉ，Ｐｔ，Ａｕがこの順で積層した構造や、Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｕがこの順で積層した構造とすることができる。
【００２３】
絶縁膜６の材質はＳｉＮまたはＳｉＯ２が好ましく、ＣＶＤ法により形成する。Ａｕメッキ層８はヒートシンクへの融着時の内部ストレスを低減する効果を得るため、層厚は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１．５μｍ以上とする。膜厚が充分でないと、内部ストレスの低減効果を得ることが困難である。なお、上限については特に限定されないが、たとえば５μｍ以下とすることが好ましい。
【００２４】
非合金化電極層９は高融点金属であり、Ａｕ−Ｓｎ系等の合金半田層を介してヒートシンクに融着した場合、溶融せずに半田層と合金化しない高融点金属より構成され、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗのいずれかより構成される。合金化電極層１０はヒートシンクとの融着時に溶融して半田層と合金化される金属より構成され、材料としてはＡｕより構成している。前記非合金化電極層９、及び合金化電極層１０は真空蒸着法またはスパッタリング法により形成している。
【００２５】
本発明の第１の実施の形態である半導体レーザ素子では、ジャンクションダウン構造となるようにヒートシンクに半田層を介して融着した場合、非合金化電極層９がバリアメタルとして機能し溶融することがなく、Ａｕメッキ層のＡｕが半田層に溶け出すことがない。このため、半田層の組成ずれにともなう凝固点温度上昇により熱応力が不必要に増大することはなく、また、Ａｕメッキ層厚も保持されるため、ヒートシンクとの接合面より受ける内部ストレスを低減することができ、良好な光学特性、高信頼性を得ることができる。さらに、ジャンクションダウン構造であるため、放熱効果も高く、発熱による発光効率の低下、動作電流の上昇を防ぐことができる。
【００２６】
また、本実施形態では、前述の特許文献２に記載された技術と異なり、厚いＡｕ層を、ヒートシンク側ではなく半導体レーザ側に形成している。特許文献２においては、Ａｕメッキ層と半導体レーザ素子との間や、半田と半導体レーザ素子との間に熱応力が発生し、半導体レーザ素子に融着歪みが生じるという問題があったが、本実施形態の半導体レーザでは、かかる問題が有効に解決される。すなわち、Ａｕメッキ層は低温で形成されるため半導体レーザ素子との熱応力はほとんど発生せず、さらに、ヒートシンクと半導体レーザ素子との融着時においては、ヒートシンクおよび半田を含めての熱応力がＡｕメッキ層によって緩和されることとなる。このため、半導体レーザ素子側に生じる融着歪みを効果的に低減することができる。
【００２７】
次に、本発明の第２の実施の形態である半導体レーザ素子について説明する。図２は本発明の半導体レーザ素子の第２の実施の形態の断面図である。第１の実施の形態の半導体レーザ素子と比較すると、非合金化電極層９を２層構造としている。第１層目の非合金化電極層９ａをＴｉとし、第２層目の非合金化電極層９ｂはＰｔまたはＭｏ、Ｗのいずれかより構成される。第１の実施の形態のように非合金化電極層９が１層構造の場合、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗを非合金化電極層９として使用すると、Ａｕメッキ層８との密着性が弱くなる。このため、密着性の高いＴｉを第１層目とし、第２層目をＰｔまたはＭｏ、Ｗのいずれかとすることにより、密着性が高くバリアメタルの効果の高い非合金化電極層９を構成することができる。
【００２８】
第２の実施の形態においても第１の実施の形態と同様に、ジャンクションダウン構造にてヒートシンクとの接合面より受ける内部ストレスを低減することができるため、放熱効果が高く、低動作電流でかつ良好な光学特性、高信頼性を得ることができる。さらに、電極部の密着性を高めることができる。
【００２９】
次に、本発明の第３の実施の形態である半導体レーザ装置について説明する。図３は本発明の半導体レーザ装置の断面図である。第１の実施の形態である半導体レーザ素子をヒートシンク２１上にジャンクションダウン構造にて接合して構成されている。ヒートシンク２１と半導体レーザ素子の接合には半田層２２にて融着して接合され、半田層２２にはＡｕ−Ｓｎ（Ａｕ：Ｓｎ＝８０％：２０％）の合金半田を用いた。半導体レーザ素子をヒートシンク２１に融着する工程について説明する。半導体レーザ素子の合金化電極層１０の面を下向きにし、ヒートシンク２１上に積層された半田層２２上面に半導体レーザ素子を載せ圧接する。この状態で半田層２２が溶ける約３００℃程度まで昇温して、半田層２２と合金化電極層１０のＡｕが溶融して合金化される。このとき、非合金化電極層９は高融点金属のため溶融されることはなく、従って、Ａｕメッキ層８も半田層中に溶け出すこともない。その後、温度を下げ、半田層２２が凝固する約２８０℃で完全に接合、さらに室温まで温度を下げる。
【００３０】
このように、半導体レーザ素子をヒートシンク２１に融着する場合、合金化電極層１０の僅かなＡｕのみが半田層２２と合金化して融着するため、Ａｕ−Ｓｎ半田のＡｕ組成が高くなり凝固点温度が上昇することはなく、熱応力の増大を招くことはない。また、Ａｕメッキ層８の層厚もＡｕが半田層に溶け出して薄くなることはなく保持されるため、ヒートシンク２１と半導体レーザ素子の接合面より受ける内部ストレスを低減することができる。従って、内部ストレスにともなう屈折率変化や結晶劣化を防ぐことができるため、良好な光学特性、高信頼性を得ることができる。さらに、ジャンクションダウン構造であるため、放熱効果も高く、発熱による発光効率の低下、動作電流の上昇を防ぐことができる。
【００３１】
次に、本発明の第４の実施の形態である半導体レーザ装置について説明する。図４は本発明の半導体レーザ装置の断面図である。第２の実施の形態である半導体レーザ素子をヒートシンク２１上にジャンクションダウン構造にて接合して構成されている。第３の実施の形態の半導体レーザ装置と比較すると、非合金化電極層９を２層構造としている。第１層目の非合金化電極層９ａをＴｉとし、第２層目の非合金化電極層９ｂをＰｔまたはＭｏ、Ｗのいずれかより構成される。密着性の高いＴｉを第１層目とすることにより、密着性が高くバリアメタルの効果の高い非合金化電極層９を構成することができる。
【００３２】
第４の実施の形態においても第３の実施の形態と同様に、ジャンクションダウン構造にてヒートシンクとの接合面より受ける内部ストレスを低減することができるため、低動作電流でかつ良好な光学特性、高信頼性を得ることができる。さらに、電極部の密着性を高めることができる。
【００３３】
上述の実施の形態に示した本発明の半導体レーザは、光ディスク書き込み用の高出力半導体レーザとして用いることができる。
【００３４】
また、上述の本発明の実施の形態では、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザについて述べたが、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ、ＩｎＰ系半導体レーザ、ＧａＮ系半導体レーザについても同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ素子の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ素子の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ装置の断面図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態による半導体レーザ装置の断面図である。
【図５】従来の半導体レーザ素子の断面図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置の第１の例の断面図である。
【図７】従来の半導体レーザ装置の第２の例の断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１    ｎ型ＧａＡｓ基板
２    ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３    アンドープ活性層
４    ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
５    ｐ型ＧａＡｓキャップ層
６    絶縁膜
７    ｐ電極
８    Ａｕメッキ層
９    非合金化電極層
９ａ  非合金化電極層
９ｂ  非合金化電極層
１０  合金化電極層
１１  ｎ電極
２１  ヒートシンク
２２  半田層
【図１】
2008021762.tif 000003
【図２】
2008021762.tif 000004
【図３】
2008021762.tif 000005
【図４】
2008021762.tif 000006
【図５】
2008021762.tif 000007
【図６】
2008021762.tif 000008
【図７】
2008021762.tif 000009