(57)【要約】【課題】ノイズ障害となる不具合を低減できるコンデンサを提供すること。【解決手段】コンデンサ１０１のコンデンサ本体１０４は、誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有する。電源用ビア導体１３１は電源用内部電極層１４１同士を導通させ、グランド用ビア導体１３２はグランド用内部電極層１４２同士を導通させる。電源用電極１１１，１２１は電源用ビア導体１３１の端部に接続され、グランド用電極１１２，１２２はグランド用ビア導体１３２の端部に接続される。また、コンデンサ本体１０４のコンデンサ側面１０６上には、コンデンサ側面１０６の略全体を覆うシールド導体層１６１が設けられる。【選択図】図２
2008021980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して電源用内部電極層とグランド用内部電極層とが交互に積層配置された構造を有するコンデンサ本体と、
前記電源用内部電極層同士を導通させる複数の電源用ビア導体と、
前記グランド用内部電極層同士を導通させる複数のグランド用ビア導体と、
前記複数の電源用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続する電源用電極と、
前記複数のグランド用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続するグランド用電極と
を備え、前記複数の電源用ビア導体及び前記複数のグランド用ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたコンデンサであって、
前記コンデンサ側面上に、前記コンデンサ側面の略全体を覆うシールド導体層を備えることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
前記シールド導体層は、前記複数のグランド用ビア導体及び前記グランド用電極の少なくとも一方に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記シールド導体層は外表面にて前記グランド用電極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項４】
前記シールド導体層は、前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ裏面の外周部も覆っていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項５】
前記シールド導体層は、前記コンデンサ裏面の全体を覆っていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項６】
前記シールド導体層の表面が粗化されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のコンデンサが内蔵され、
前記シールド導体層が、配線基板側グランド接続用導体に電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
コア主面及びコア裏面を有するコア基板と、
層間絶縁層及び導体層を前記コア主面の上にて積層した構造を有する配線積層部と
を備え、
前記コンデンサが、前記コア主面と前記コンデンサ主面とを同じ側に向けた状態で前記コア基板内に収容されていることを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
コア主面及びコア裏面を有するコア基板と、
層間絶縁層及び導体層を前記コア主面の上にて積層した構造を有する配線積層部と
を備え、
前記コンデンサが、前記配線積層部内に収容されていることを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板の表面に配線積層部を形成した構造であって、内部にコンデンサが収容されている配線基板、及び、その配線基板に用いられるコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板内にチップ状のコンデンサを埋め込んでコア部を構成し、そのコア部の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
ところで、上記の配線基板に収容するコンデンサとしては、誘電体層を介して内部電極層（電源用内部電極層、グランド用内部電極層）が積層配置された構造を有し、内部電極層同士を導通させる複数のビア導体（電源用ビア導体、グランド用ビア導体）と、各ビア導体の端部に接続される表層電極（電源用電極、グランド用電極）とが設けられ、各ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサなどがある。
【特許文献１】特開２００５−３９２１７号公報（図３など）
【特許文献２】特開２００５−３９２４３号公報（図４など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、コンデンサを配線基板のコア基板内に収容すると、コア基板に形成されるスルーホール導体を通過する配線（シグナル配線）と、コンデンサとが互いに接近して配置（例えば１．５ｍｍ程度の間隔で配置）される。この場合、シグナル配線から発生する電磁波がノイズとしてコンデンサの導体（内部電極層、ビア導体、表層電極）に取り込まれ、ノイズ障害が発生する可能性がある。その結果、適切な電源供給の妨げとなることが懸念される。また、コンデンサの導体から発生する電磁波がノイズとしてシグナル配線に取り込まれることにより、ノイズ障害が発生する可能性もある。
【０００５】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ノイズ障害となる不具合を低減できるコンデンサを提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記のコンデンサが内蔵された好適な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して電源用内部電極層とグランド用内部電極層とが交互に積層配置された構造を有するコンデンサ本体と、前記電源用内部電極層同士を導通させる複数の電源用ビア導体と、前記グランド用内部電極層同士を導通させる複数のグランド用ビア導体と、前記複数の電源用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続する電源用電極と、前記複数のグランド用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続するグランド用電極とを備え、前記複数の電源用ビア導体及び前記複数のグランド用ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたコンデンサであって、前記コンデンサ側面上に、前記コンデンサ側面の略全体を覆うシールド導体層を備えることを特徴とするコンデンサがある。
【０００７】
従って、手段１のコンデンサによると、ノイズを発生するノイズ源がコンデンサに接近していたとしても、シールド導体層を配置することにより、ノイズ源からの電磁波を遮蔽できる。また、コンデンサからの電磁波がコンデンサの外部に影響を与えることも防止できる。ゆえに、ノイズ障害となる不具合を低減できる。また、シールド導体層がコンデンサ側面の略全体を覆うため、電磁波をより確実に遮蔽できる。なお、前記シールド導体層は、コンデンサ側面だけでなく、前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ裏面の外周部も覆っていることが好ましい。このようにすれば、電磁波をよりいっそう確実に遮蔽できる。
【０００８】
ここで、上記コンデンサは、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して電源用内部電極層とグランド用内部電極層とが交互に積層配置された構造を有している。ここで、「コンデンサ側面」とは、コンデンサの外表面においてコンデンサ主面及びコンデンサ裏面以外の面をいう。コンデンサ側面は、通常、コンデンサ主面及びコンデンサ裏面に対して直交している。なお、上記コンデンサは、ビアアレイタイプのコンデンサである。即ち、コンデンサは、前記電源用内部電極層同士を導通させる複数の電源用ビア導体と、前記グランド用内部電極層同士を導通させる複数のグランド用ビア導体と、前記複数の電源用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続する電源用電極と、前記複数のグランド用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続するグランド用電極とを備え、前記複数の電源用ビア導体及び前記複数のグランド用ビア導体が全体としてアレイ状に配置されている。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。
【０００９】
前記誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。前記セラミック誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。また、前記樹脂誘電体層としては、エポキシ樹脂、接着剤を含んだ四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）などの樹脂が好適に使用される。さらに、前記セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層としては、セラミックとして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどが好適に使用され、樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール、ウレタン、シリコン、ポリイミド、不飽和ポリエステルなどの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート、アクリル、ポリアセタール、ポリプロピレンなどの熱可塑性樹脂、及び、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴムなどのラテックスが好適に使用される。
【００１０】
前記電源用内部電極層、前記グランド用内部電極層、前記電源用ビア導体、前記グランド用ビア導体、前記電源用電極、前記グランド用電極としては特に限定されないが、例えば誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。
【００１１】
また、前記シールド導体層は、前記コンデンサ側面の略全体を覆っている。コンデンサ側面が複数存在する場合、「コンデンサの側面の略全体を覆う」とは、１つのコンデンサ側面の略全体を覆うことをいうのではなく、全てのコンデンサ側面の略全体を覆うことをいう。なお、シールド導体層の一部または全部の層は、導電性の金属材料などによって形成することが可能である。シールド導体層を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、シールド導体層を構成する金属材料としては、できれば銅や銀などの良導体を用いることが好ましい。また、前記シールド導体層も、例えば誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。
【００１２】
なお、シールド導体層は、前記電源用電極及び前記グランド用電極と同じ金属材料によって形成されていることが好ましい。このようにすれば、シールド導体層を形成する際に電源用電極及び前記グランド用電極の材料とは別の材料を準備しなくても済む。また、シールド導体層を電源用電極及び前記グランド用電極と同じ工程で同時に形成することが可能となるため、工数が減る。従って、コンデンサを容易にかつ低コストで形成できる。
【００１３】
シールド導体層の厚さは特に限定されないが、例えば２μｍ以上５０μｍ以下に設定されることがよい。即ち、この厚さが２μｍ未満であると、シールド導体層を配置したとしても上記の電磁波を十分に遮蔽することができない。また、この厚さが５０μｍを超えるような場合には、シールド導体層を形成しにくくなるおそれがある。さらに、前記シールド導体層の表面は粗化されていることがよく、結果として得られるシールド導体層の表面の算術平均粗さは、例えば０．２μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。このようにすれば、シールド導体層の表面に凹凸が形成されて表面積が大きくなるため、コンデンサを配線基板に内蔵した際に、シールド導体層と、配線基板を構成する絶縁樹脂との接触面積が増大し、コンデンサと配線基板との密着性が向上する。
【００１４】
なお、本明細書で述べられている「算術平均粗さ」とは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。なお、算術平均粗さＲａの測定方法はＪＩＳ  Ｂ０６５１に準じるものとする。
【００１５】
また、シールド導体層の表面が粗化されている場合、前記シールド導体層は、前記コンデンサ裏面の全体を覆っていることが好ましい。このようにすれば、粗化面であるシールド導体層の表面積がさらに大きくなるため、コンデンサを配線基板に内蔵した際に、シールド導体層と上記の絶縁樹脂との接触面積がさらに増大し、コンデンサと配線基板との密着性がよりいっそう向上する。しかも、シールド導体層によって電磁波をよりいっそう確実に遮蔽できる。
【００１６】
なお、シールド導体層が例えば金属材料からなる場合、シールド導体層の形成方法としては、コンデンサ本体のコンデンサ側面上に金属ペーストを印刷してシールド導体層を形成する方法などが挙げられる。しかし、上記の方法以外にも、シールド導体層と同じ大きさの金属箔を貼付してシールド導体層を形成する方法や、シールド導体層よりも大きい金属箔を貼付した後、金属箔に対するエッチングを行ってシールド導体層を形成する方法や、めっきによってシールド導体層を形成するなどの方法を採用することも可能である。さらに、シールド導体層の形成方法としては、シールド導体層の焼成を、前記誘電体層やコンデンサの導体（前記電源用内部電極層、前記グランド用内部電極層、前記電源用ビア導体、前記グランド用ビア導体、前記電源用電極、前記グランド用電極）の焼成と同時に行う同時焼成法などが挙げられる。また、誘電体層や上記のコンデンサの導体の焼成を行った後で、シールド導体層の焼成を行う後焼成法などを採用することもできる。同時焼成法によってシールド導体層を形成すれば、コンデンサの製造に必要な工数が減るため、コンデンサを容易にかつ低コストで形成できる。一方、後焼成法によってシールド導体層を形成すれば、シールド導体層の機能を電磁波を遮蔽する機能に特化できるとともに、上記のコンデンサの導体の機能を電流を流す機能に特化できるため、コンデンサの高性能化を図ることができる。また、焼成によって硬化した誘電体層にシールド導体層を形成するため、シールド導体層の形成が容易になる。
【００１７】
さらに、シールド導体層は、電流が流れるようになってもよいし、そうでなくてもよい。特に、シールド導体層に電流が流れる場合、前記シールド導体層は、前記複数のグランド用ビア導体及び前記グランド用電極の少なくとも一方に接続されていてもよい。このようにしても、シールド導体層によって上記の電磁波を遮蔽でき、ノイズ障害となる不具合を低減できる。さらに、前記シールド導体層は外表面にて前記グランド用電極に接続されていることが好ましい。このようにすれば、コンデンサ本体内にあるグランド用ビア導体にシールド導体層を接続する場合に比べて、接続が容易となる。また、シールド導体層とグランド用ビア導体との接続部分が電源用内部電極層及びグランド用内部電極層の邪魔にならない。さらに、コンデンサ本体の外表面にあるグランド用の導体部（シールド導体層及びグランド用電極からなる導体部）の面積が大きくなって低抵抗化が図られる。従って、シールド導体層をグランド用電極と同時に形成できる。ゆえに、シールド導体層をグランド用電極と別々に形成しなくても済むため、コンデンサを容易に形成できる。
【００１８】
また、本発明の課題を解決するための別の手段（手段２）としては、手段１に記載のコンデンサが内蔵され、前記シールド導体層が、配線基板側グランド接続用導体に電気的に接続されていることを特徴とする配線基板がある。
【００１９】
従って、手段２の配線基板によると、上記手段１に記載のコンデンサが内蔵された好適な配線基板を提供することができる。また、シールド導体層は、配線基板側グランド用導体に接続されて一定のグランド電位に保持されているため、上記のノイズ源の電位の変動や上記のコンデンサの導体の電位の変動を吸収できる。
【００２０】
なお、配線基板は、コア主面及びコア裏面を有するコア基板と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面の上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記コンデンサが、前記コア主面と前記コンデンサ主面とを同じ側に向けた状態で前記コア基板内に収容されているものであってもよい。このようにすれば、配線積層部においてコンデンサに邪魔されることなく電気回路を形成できるため、配線基板の機能を維持することができる。また、コア基板にコア主面及びコア裏面を貫通するスルーホール導体が設けられている場合、スルーホール導体を通過する配線から電磁波が発生するが、シールド導体層によって上記配線からの電磁波や上記コンデンサの導体からの電磁波を遮蔽できる。これにより、ノイズ障害となる不具合を低減できる。また、スルーホール導体を通過する配線とコンデンサとを互いに接近させて配置できるため、配線基板内の配線を密集させて配線基板の小型化を図ることができる。この場合、コンデンサは、コア基板内に収容された状態で、例えば高分子材料製の樹脂充填部により固定される。また、配線基板は、コア主面及びコア裏面を有するコア基板と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面の上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記コンデンサが、前記配線積層部内に収容されているものであってもよい。このようにすれば、配線積層部上に半導体集積回路素子を搭載した場合に半導体集積回路素子とコンデンサとをつなぐ配線が短くなる。これにより、配線のインダクタンス成分の増加が防止されるため、コンデンサによる半導体集積回路素子のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。
【００２１】
上記配線基板を構成するコア基板は、配線基板におけるコア部の一部分をなすものであって、例えばコア主面及びその反対側に位置するコア裏面を有する板状に形成される。前記コンデンサが前記コア基板内に収容されている場合、かかるコア基板は、コンデンサを収容するための収容穴部を１つまたは２つ以上有していてもよい。この収容穴部は、コア主面のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいはコア主面及びコア裏面の両方にて開口する貫通穴であってもよい。また、コンデンサは、完全に埋設された状態で収容穴部に収容されていてもよいし、一部分が収容穴部の開口部から突出した状態で収容穴部に収容されていてもよい。
【００２２】
コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。
【００２３】
上記配線基板を構成する配線積層部は、高分子材料を主体とする層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。配線積層部はコア主面の上にのみ形成されるが、さらにコア裏面の上にも配線積層部と同じ構造の積層部が形成されていてもよい。このように構成すれば、コア主面の上に形成された配線積層部のみではなく、コア裏面の上に形成された積層部にも電気回路を形成できるため、配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
［第１実施形態］
【００２５】
以下、本発明の配線基板を具体化した第１実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２６】
図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板であって、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２とからなる。
【００２７】
コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、エポキシ樹脂からなる層間絶縁層（樹脂絶縁層３３，３５）と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。また、樹脂絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、ＩＣチップ２１（半導体集積回路素子）の面接続端子２２に電気的に接続されている。ＩＣチップ２１は、矩形平板状をなし、シリコンからなっている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５は、第１ビルドアップ層３１においてセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しており、この領域がＩＣチップ搭載領域２３となる。ＩＣチップ搭載領域２３は、第１ビルドアップ層３１の表面３９上に設定されている。また、樹脂絶縁層３３，３５内には、それぞれビア導体４３，４７が設けられている。これらのビア導体４３，４７のほとんどは同軸上に配置されるとともに、それらを介して導体層４２及び端子パッド４４が相互に電気的に接続されている。
【００２８】
図１に示されるように、コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、エポキシ樹脂からなる層間絶縁層（樹脂絶縁層３４，３６）と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂絶縁層３６の下面上における複数箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、樹脂絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００２９】
また、コア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材２０１と、基材２０１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材２０４と、同じく基材２０１の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層２０３とによって構成されている。また、コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２、コア裏面１３及び導体層２０３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通するとともに、導体層２０３に電気的に接続している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。スルーホール導体１６の上端は、樹脂絶縁層３３の表面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、樹脂絶縁層３４の下面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されている。また、コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴部である。
【００３０】
図１に示される収容穴部９０内には、図２，図３等に示すセラミックコンデンサ１０１が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア基板１１のコア主面１２と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１０．０ｍｍ×横１０．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１においてＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。
【００３１】
図１等に示されるように、収容穴部９０の内面とセラミックコンデンサ１０１の側面との隙間は、高分子材料（本実施形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂）からなる樹脂充填部９２によって埋められている。この樹脂充填部９２は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定するとともに、セラミックコンデンサ１０１及びコア基板１１の面方向や厚さ方向への変形を自身の弾性変形により吸収する機能を有している。なお、セラミックコンデンサ１０１は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。これにより、温度変化に伴う樹脂充填部９２の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填部９２のクラックの発生を防止できる。
【００３２】
図１〜図３等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（コンデンサ本体）は、コンデンサ主面１０２（図１では上面）、コンデンサ裏面１０３（図１では下面）及びコンデンサ側面１０６（図１では左面、右面）を有する板状物である。なお、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には前記樹脂絶縁層３３が形成され、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には前記樹脂絶縁層３４が形成されている。セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック焼結体１０４の外周部分は、セラミック誘電体層１０５と内層ダミー電極１６３とを交互に積層配置した構造を有している。このため、コンデンサ主面１０２の外周部分及びコンデンサ裏面１０３の外周部分が凹みにくくなる。その結果、コンデンサ主面１０２に対する樹脂絶縁層３３の追従性の低下が防止されるため、セラミックコンデンサ１０１と前記第１ビルドアップ層３１との間の密着強度の低下を防止できる。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。内層ダミー電極１６３は、ニッケルを主成分として形成された層であって、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２とは独立している。
【００３３】
図１〜図３に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、全面にわたってアレイ状（例えば格子状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用ビア導体１３１及び各グランド用ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、ビア導体１３１，１３２を７列×７列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。
【００３４】
そして図２，図３等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の上面側電源用電極１１１（電源用電極）と、上面側グランド用電極１１２（グランド用電極）とが突設されている。上面側電源用電極１１１は、複数の電源用ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、上面側グランド用電極１１２は、複数のグランド用ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。また、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用電極１２１（電源用電極）と、裏面側グランド用電極１２２（グランド用電極）とが突設されている。裏面側電源用電極１２１は、複数の電源用ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用電極１２２は、複数のグランド用ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極１１１，１２１は電源用ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用電極１１２，１２２はグランド用ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。
【００３５】
なお図３に示されるように、上面側グランド用電極１１２は、コンデンサ主面１０２の略全体を覆うプレーン状導体であり、上面側電源用電極１１１を避けるための孔を複数有している。各上面側電源用電極１１１は、コンデンサ主面１０２において互いに平行に配置された帯状パターンである。同様に、裏面側グランド用電極１２２は、コンデンサ裏面１０３の略全体を覆うプレーン状導体であり、裏面側電源用電極１２１を避けるための孔を有している。また、各裏面側電源用電極１２１は、コンデンサ裏面１０３において互いに平行に配置された帯状パターンである。
【００３６】
そして図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にある電極１１１，１１２は、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にある電極１２１，１２２は、図示しないマザーボードが有する電極（接触子）に対して、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して電気的に接続される。
【００３７】
図２等に示されるように、電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって被覆されている。これら電極１１１，１１２，１２１，１２２及びビア導体１３１，１３２は、ＩＣチップ２１の略中心部の直下に配置されている。
【００３８】
例えば、マザーボード側から電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミック焼結体１０４では、電源用ビア導体１３１及びグランド用ビア導体１３２がそれぞれ隣接して配置されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００３９】
図２，図３等に示されるように、セラミック焼結体１０４の４つのコンデンサ側面１０６（図３参照）上には、各コンデンサ側面１０６の全体を覆うシールド導体層１６１が配置されている。即ち、シールド導体層１６１は、セラミック焼結体１０４を包囲するように形成された導体層である（図３参照）。シールド導体層１６１は、前記電極１１１，１１２，１２１，１２２と同じニッケルを主成分として形成された層であり、表面が図示しない銅めっき層によって被覆されている。また、シールド導体層１６１の厚さは、２μｍ以上５０μｍ以下に設定されており、電極１１１，１１２，１２１，１２２の厚さと等しくなっている。
【００４０】
さらに、シールド導体層１６１は、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の外周部も覆っている。詳述すると、シールド導体層１６１の上端部がコンデンサ主面１０２の外周部を覆うとともに、シールド導体層１６１の下端部がコンデンサ裏面１０３の外周部を覆っている。即ち、シールド導体層１６１は断面略コ字状をなしている（図２参照）。なお本実施形態のように、コンデンサ側面１０６とコンデンサ主面１０２との接続部分、及び、コンデンサ側面１０６とコンデンサ裏面１０３との接続部分は、半径０．１ｍｍ程度のアールを有していてもよい。これにより、温度変化に伴うシールド導体層１６１の変形時において、上記各接続部分への応力集中を緩和できるため、シールド導体層１６１のクラックの発生を防止する効果が期待できる。そして、シールド導体層１６１の上端部は、外表面であるコンデンサ主面１０２上（図３の一点鎖線参照）において上面側グランド用電極１１２に接続されており、シールド導体層１６１の下端部は、外表面であるコンデンサ裏面１０３上において裏面側グランド用電極１２２に接続されている。これにより、シールド導体層１６１はグランド用導体層としても機能する。また、シールド導体層１６１は、コンデンサ側面１０６において前記内層ダミー電極１６３の端部に接続されている。その結果、シールド導体層１６１とセラミック焼結体１０４との密着強度が向上するため、シールド導体層１６１の剥れを防止できる。さらに、シールド導体層１６１は、裏面側グランド用電極１２２を介して、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９からなる配線基板側グランド接続用導体１６２（図１参照）に電気的に接続される。
【００４１】
ところで本実施形態では、スルーホール導体１６を通過する配線（シグナル配線）と、セラミックコンデンサ１０１とが互いに接近して配置（例えば、１．５ｍｍ程度の間隔）されている。この場合、シグナル配線から発生する電磁波がノイズとしてセラミックコンデンサ１０１の導体（内部電極層１４１，１４２、ビア導体１３１，１３２、電極１１１，１１２，１２１，１２２）に取り込まれやすくなるため、ノイズ障害が発生して適切な電源供給の妨げとなる可能性がある。しかし本実施形態では、スルーホール導体１６とセラミックコンデンサ１０１の導体との間に位置するコンデンサ側面１０６上にシールド導体層１６１を配置することにより、上記のノイズの遮断が図られている。なお、シールド導体層１６１は、上面側グランド用電極１１２及び裏面側グランド用電極１２２に接続されて一定のグランド電位に保持されている。このため、スルーホール導体１６を通過するシグナル配線の電位の変動を吸収することができる。また、上面側電源用電極１１１、電源用ビア導体１３１及び裏面側電源用電極１２１を流れる電流の電位の変動や、上面側グランド用電極１１２、グランド用ビア導体１３２及び裏面側グランド用電極１２２を流れる電流の電位の変動を吸収できる。
【００４２】
次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について述べる。
【００４３】
準備工程では、コア基板１１とセラミックコンデンサ１０１とを、それぞれ従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
【００４４】
コア基板１１は以下のように作製される。まず、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚み０．８ｍｍの基材２０１の両面に銅箔２０２が貼付された銅張積層板（図４参照）を準備する。なお、基材２０１の厚みは、０．２ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましい。次に、銅張積層板の両面の銅箔２０２のエッチングを行って導体層２０３を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする（図５参照）。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔２０２をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材２０１の上面及び下面と導体層２０３とを粗化した後、基材２０１の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ６００μｍ）を熱圧着により貼付し、サブ基材２０４を形成する（図６参照）。
【００４５】
次に、基材２０１及びサブ基材２０４からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、コア基板１１を得る（図７参照）。なお、収容穴部９０となる貫通孔は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍで、四隅に半径０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下（本実施形態では半径１．５ｍｍ）のアールまたはテーパを有する断面略正方形状の孔である。
【００４６】
また、セラミックコンデンサ１０１は以下のように作製される。まず、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等の長尺状のキャリアフィルム（図示略）上にチタン酸バリウム等からなるセラミックスラリーを均一に薄く塗布して乾燥させる。これにより、キャリアフィルム上にセラミックのグリーンシートが形成される。この後、グリーンシートを一定形状で切り出す作業が行われる。
【００４７】
次に、グリーンシートに図示しないメッシュマスクを配置して、内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させることにより、後に電源用内部電極層１４１及び内層ダミー電極１６３となる第１内部電極部と、グランド用内部電極層１４２及び内層ダミー電極１６３となる第２内部電極部とを形成する。次に、第１内部電極部が形成されたグリーンシートと第２内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に配置する。そして、従来周知のラミネート装置を用いて、所定温度条件下でシート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化したグリーンシート積層体を形成する。
【００４８】
さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、上面を上側に向けた状態でグリーンシート積層体を配置し、グリーンシート積層体の上面上にペーストを印刷する。これにより、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように上面側電源用電極１１１及び上面側グランド用電極１１２が形成される。また、下面を上側に向けた状態でグリーンシート積層体を配置し、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷する。これにより、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２が形成される。
【００４９】
次に、グリーンシート積層体にブレーク用の溝を格子状に入れた後、前記溝に沿ってグリーンシート積層体をブレークし、複数の積層体を得る。そして、複数の積層体を重ね合わせ、いずれか１つの側面を上側に向けた状態で各積層体を配置し、上側に向いている積層体の側面上、上面の外周部上及び下面の外周部上にペーストを印刷する。なお、他の側面へのペーストの印刷も、同様にして行われる。これにより、４つの側面全てについてシールド導体層１６１が形成される。この後、重ね合わせた積層体を再び個片化して積層体の乾燥を行い、各電極１１１，１１２，１２１，１２２及びシールド導体層１６１をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。
【００５０】
次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２，１２１，１２２及びシールド導体層１６１に対して無電解銅めっき（厚さ１０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２，１２１，１２２の上やシールド導体層１６１の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。そして、各電極１１１，１１２，１２１，１２２やシールド導体層１６１の銅めっき層を粗化しておく。なお本実施形態では、積層体の焼成前にシールド導体層１６１を形成したが、グリーンシート積層体の焼成、電極１１１，１１２，１２１，１２２に対するめっき、焼成したグリーンシート積層体のブレークを順番に行った後に、シールド導体層１６１を形成するようにしてもよい。
【００５１】
続く固定工程では、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する（図８参照）。このとき、収容穴部９０のコア裏面１３側開口は、剥離可能な粘着テープ２１０でシールされている。この粘着テープ２１０は、支持台（図示略）によって支持されている。かかる粘着テープ２１０の粘着面には、セラミックコンデンサ１０１が貼り付けられて仮固定されている。
【００５２】
そして、この状態において、収容穴部９０の内面とセラミックコンデンサ１０１のシールド導体層１６１との隙間に、ディスペンサ装置（Ａｓｙｍｔｅｋ社製）を用いて、熱硬化性樹脂製の樹脂充填部９２（株式会社ナミックス製）を充填する。その後、加熱処理を行うと、樹脂充填部９２が硬化して、セラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０内に固定される（図９参照）。そして、この時点で、粘着テープ２１０を剥離する。
【００５３】
その後、ビルドアップ層形成工程を実施する。ビルドアップ層形成工程では、従来周知の手法に基づいてコア主面１２及びコンデンサ主面１０２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的には、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２に感光性エポキシ樹脂を被着するとともに、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３に感光性エポキシ樹脂を被着し、第１層の樹脂絶縁層３３，３４を形成する（図１０参照）。
【００５４】
さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いて孔あけ加工を行い、コア基板１１及び樹脂絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔２３１を所定位置にあらかじめ形成しておく（図１１参照）。併せて、樹脂絶縁層３３においてビア導体４７が形成されるべき位置に、上面側電源用電極１１１及び上面側グランド用電極１１２を露出させるビア穴２２３をそれぞれ形成する。また、樹脂絶縁層３４においてビア導体４７が形成されるべき位置に、裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２を露出させるビア穴２２４をそれぞれ形成する。そして、樹脂絶縁層３３，３４及び貫通孔２３１の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂絶縁層３３上及び樹脂絶縁層３４上に導体層４２がパターン形成される（図１２参照）。これと同時に、貫通孔２３１内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、各ビア穴２２３，２２４の内部にビア導体４７が形成される。
【００５５】
次に、第１層の樹脂絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３が形成されるべき位置に盲孔２５１，２５２を有する第２層の樹脂絶縁層３５，３６を形成する（図１３参照）。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔２５１，２５２の内部にビア導体４３を形成するとともに、第２層の樹脂絶縁層３５上に端子パッド４４を形成し、第２層の樹脂絶縁層３６上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。
【００５６】
次に、第２層の樹脂絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。その結果、コア基板１１及びビルドアップ層３１，３２からなる配線基板１０が完成する。
【００５７】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５８】
（１）本実施形態の配線基板１０によれば、電磁波を発生するスルーホール導体１６がセラミックコンデンサ１０１に接近していたとしても、セラミックコンデンサ１０１にシールド導体層１６１を配置することにより、スルーホール導体１６からの電磁波を遮蔽できる。ゆえに、ノイズ障害となる不具合を防止できる。従って、ＩＣチップ２１に確実に電源を供給できるため、ＩＣチップ２１を十分に動作させることができ、ＩＣチップ２１の誤動作を防止できる。また、セラミックコンデンサ１０１の導体から発生する電磁波がスルーホール導体１６に取り込まれることに起因したノイズ障害も防止できる。
【００５９】
（２）本実施形態のシールド導体層１６１は、セラミック焼結体１０４の４つのコンデンサ側面１０６の全体を覆う導体である。さらに、シールド導体層１６１は、コンデンサ側面１０６だけでなく、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の外周部も覆っている。これにより、スルーホール導体１６とセラミックコンデンサ１０１との間がより確実にシールドされるため、スルーホール導体１６からの電磁波をより確実に遮蔽できる。即ち、コンデンサ主面１０２やコンデンサ裏面１０３からの電磁波の回り込みが防止される。また、コンデンサ主面１０２やコンデンサ裏面１０３からの樹脂充填部９２の回り込みも防止される。
【００６０】
また、シールド導体層１６１がコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の外周部を覆っているため、コンデンサ主面１０２やコンデンサ裏面１０３に凹凸が生じにくくなる。その結果、セラミックコンデンサ１０１と樹脂絶縁層３３，３４との密着強度が向上するため、熱膨張などに起因した樹脂絶縁層３３，３４の浮きやデラミネーションの発生を防止できる。
【００６１】
（３）本実施形態の配線基板１０では、スルーホール導体１６とセラミックコンデンサ１０１の導体との間で作用するノイズがシールド導体層１６１によって遮断されるため、スルーホール導体１６を通過するシグナル配線と、セラミックコンデンサ１０１とを、互いに接近させて配置することができる。これにより、配線基板１０内の配線が密集するため、配線基板１０の小型化を図ることができる。
【００６２】
（４）ところで、セラミックコンデンサ１０１にシールド導体層１６１を形成する代わりに、収容穴部９０の内面にシールド導体層１６１を形成することが考えられる。この場合、セラミックコンデンサ１０１のセラミック部分（セラミック誘電体層１０５）が樹脂充填部９２に接触するため、両者の密着強度は低い。そこで本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６にシールド導体層１６１を形成し、さらにシールド導体層１６１の銅めっき層を粗化している。これにより、セラミックコンデンサ１０１と樹脂充填部９２との密着強度が高くなるため、接続不良が防止され、高い信頼性を得ることができる。
【００６３】
また、シールド導体層１６１をセラミックコンデンサ１０１に形成することで、セラミックコンデンサ１０１の外表面における金属部分の面積が大きくなるため、セラミックコンデンサ１０１の放熱性を向上させることができる。
【００６４】
（５）本実施形態のシールド導体層１６１は、上面側グランド用電極１１２及び裏面側グランド用電極１２２の両方に接続されている。その結果、グランド用ビア導体１３２を通過する経路だけがグランド用の経路となるのではなく、シールド導体層１６１を通過する経路もグランド用の経路となるため、グランド用の経路の数が増えて低抵抗化が図られる。
【００６５】
（６）本実施形態のＩＣチップ２１はセラミックコンデンサ１０１の真上に配置される。これにより、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１とを電気的に接続する導通経路が最短となる。ゆえに、ＩＣチップ２１に対する電源供給をスムーズに行うことができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００６６】
また本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１がコア基板１１の収容穴部９０内に収容され、ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
［第２実施形態］
【００６７】
次に、第２実施形態の配線基板４０１を図面に基づいて詳細に説明する。ここでは第１実施形態と相違する部分を中心に説明し、共通する部分については同じ部材番号を付す代わりに説明を省略する。
【００６８】
図１４に示されるように、この配線基板４０１では、セラミックコンデンサ４０２に設けられたシールド導体層４０３が、各コンデンサ側面１０６の全体に加えて、コンデンサ裏面１０３の全体も覆っている点が、前記第１実施形態と異なっている。また、シールド導体層４０３がコンデンサ主面１０２の外周部を覆っていない点も、前記第１実施形態と異なっている。シールド導体層４０３は、ペーストの印刷によって形成され、シールド導体層４０３の表面を被覆する銅めっき層は粗化されている。ここで、シールド導体層４０３の表面（銅めっき層の表面）の算術平均粗さＲａは、０．５μｍに設定されている。
【００６９】
なお、コンデンサ主面１０２には、全てのビア導体１３１，１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面が露出しているが、コンデンサ裏面１０３には、グランド用ビア導体１３２のコンデンサ裏面１０３側の端面のみが露出しており、電源用ビア導体１３１のコンデンサ裏面１０３側の端面は露出していない。よって、コンデンサ裏面１０３を覆うシールド導体層４０３は、各グランド用ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続される一方、各電源用ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面には接続されていない。また、シールド導体層４０３は、グランド接続用ビア導体４０４を介して、導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９からなる配線基板側グランド接続用導体１６２に電気的に接続される。これにより、シールド導体層４０３はグランド用導体層としても機能する。
【００７０】
従って、本実施形態によれば、シールド導体層４０３の銅めっき層が粗化されているため、シールド導体層４０３の表面に凹凸が形成されて表面積が大きくなり、セラミックコンデンサ４０２と絶縁樹脂との密着性が向上する。また、シールド導体層４０３と、配線基板４０１を構成する絶縁樹脂（樹脂絶縁層３４及び樹脂充填部９２）との接触面積が前記第１実施形態よりも増大するため、セラミックコンデンサ４０２と絶縁樹脂との密着性がよりいっそう向上する。
［第３実施形態］
【００７１】
次に、第３実施形態の配線基板４１１を図面に基づいて詳細に説明する。ここでは第１実施形態と相違する部分を中心に説明し、共通する部分については同じ部材番号を付す代わりに説明を省略する。
【００７２】
図１５に示されるように、この配線基板４１１は、前記第２実施形態の配線基板４０１とほぼ同一の構造を有している。即ち、セラミックコンデンサ４１２に設けられたシールド導体層４１３も、各コンデンサ側面１０６の全体に加えて、コンデンサ裏面１０３の全体も覆っている。
【００７３】
また、セラミックコンデンサ４１２の厚さは、コア基板１１の厚さ（１．０ｍｍ）よりも小さく、本実施形態では０．５ｍｍに設定されている。そして、セラミックコンデンサ４１２は、コンデンサ主面１０２上に形成された各電極１１１，１１２の表面をコア主面１２と面一にした状態で収容穴部９０内に収容されている。よって、本実施形態のグランド接続用ビア導体４１４の高さは、前記第２実施形態のグランド接続用ビア導体４０４の高さよりも高くなっている。また、収容穴部９０の内面と、コンデンサ裏面１０３を覆うシールド導体層４１３の表面（図１５では下面）とによって構成される空間は、コア裏面１３に接する樹脂絶縁層３４の一部によって埋められている。なお、上記の空間を、収容穴部９０の内面とコンデンサ側面１０６との隙間に充填された樹脂充填部９２によって埋めてもよい。
【００７４】
従って、本実施形態においても、シールド導体層４１３と、配線基板４１１を構成する絶縁樹脂（樹脂絶縁層３４及び樹脂充填部９２）との接触面積が前記第１実施形態よりも増大し、セラミックコンデンサ４１２と絶縁樹脂との密着性が向上する。しかも、肉薄のセラミックコンデンサ４１２であっても、シールド導体層４１３によって収容穴部９０内に確実に固定されるため、セラミックコンデンサ４１２の破損を確実に防止できる。
［第４実施形態］
【００７５】
次に、第４実施形態の配線基板４２１を図面に基づいて詳細に説明する。ここでは第１実施形態と相違する部分を中心に説明し、共通する部分については同じ部材番号を付す代わりに説明を省略する。
【００７６】
図１６に示されるように、この配線基板４２１は、前記第２実施形態及び前記第３実施形態の配線基板４０１，４１１とほぼ同一の構造を有している。即ち、セラミックコンデンサ４２２に設けられたシールド導体層４２３も、各コンデンサ側面１０６の全体に加えて、コンデンサ裏面１０３の全体も覆っている。
【００７７】
なお、コンデンサ主面１０２には、全てのビア導体１３１，１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面が露出しているが、コンデンサ裏面１０３に、全てのビア導体１３１，１３２のコンデンサ裏面１０３側の端面は露出していない。よって、コンデンサ裏面１０３を覆うシールド導体層４２３は、各ビア導体１３１，１３２のコンデンサ裏面１０３側の端面に接続されていないため、電源用導体層やグランド用導体層として機能することはない。
【００７８】
従って、本実施形態においても、シールド導体層４２３と、配線基板４２１を構成する絶縁樹脂（樹脂絶縁層３４及び樹脂充填部９２）との接触面積が前記第１実施形態よりも増大し、セラミックコンデンサ４２２と絶縁樹脂との密着性が向上する。しかも、シールド導体層４２３を他の導体（導体層４２やビア導体４３など）に接続する構造が不要であるため、配線基板４２１の製造が容易になる。
【００７９】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００８０】
・上記第１実施形態のシールド導体層１６１は、上面側グランド用電極１１２及び裏面側グランド用電極１２２の両方に接続されていたが、上面側グランド用電極１１２及び裏面側グランド用電極１２２のいずれか一方のみに接続されていてもよい。また、上記実施形態のシールド導体層１６１は、セラミック焼結体１０４の外表面に露出するグランド用電極１１２，１２２ではなく、セラミック焼結体１０４の内部にあるグランド用ビア導体１３２に接続されていてもよい。なお、シールド導体層１６１は、グランド用電極１１２，１２２とは電気的に独立していてもよい。この場合、シールド導体層１６１は、配線基板側グランド接続用導体１６２に直接接続されていてもよい。
【００８１】
・上記第４実施形態の配線基板４２１を製造するにあたり、コンデンサ裏面１０３を覆うシールド導体層４２３を、めっきやペーストの印刷等によってあらかじめ厚く形成しておいてもよい。この場合、配線基板４２１は以下のようにして製造することが好ましい。即ち、コア裏面１３とコンデンサ裏面１０３とを同じ側（図１７では上側）に向け、収容穴部９０のコア主面１２側開口を粘着テープ２１０でシールした状態で、収容穴部９０内にセラミックコンデンサ４２２を収容する収容工程を行う（図１７参照）。次に、シールド導体層４２３において収容穴部９０のコア裏面１３側開口から突出している部分を、研磨するなどしてコア裏面１３と同じ高さに合わせる高さ合わせ工程を行う。
【００８２】
・上記各実施形態のセラミックコンデンサ１０１，４０２，４１２，４２２はコア基板１１内に収容されていた。しかし、上記第１実施形態のセラミックコンデンサ１０１などよりも薄いセラミックコンデンサ３０３を形成し、そのセラミックコンデンサ３０３を第１ビルドアップ層３１０内（例えば図１８参照）に収容してもよい。このようにすれば、セラミックコンデンサ１０１がコア基板１１内に収容される場合に比べて、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサとを電気的に接続する導通経路（コンデンサ接続配線）が短くなる。これにより、配線のインダクタンス成分の増加が防止されるため、セラミックコンデンサ１０１によりＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサとの間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。なお、薄くしたセラミックコンデンサ３０３を用いたとしてもセラミックコンデンサ３０３自体は厚いため、図１８では、ビルドアップ層を、上記各実施形態よりも肉厚の樹脂絶縁層（樹脂絶縁層３０）からなる第１ビルドアップ層３１０に具体化している。なお、上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１を、上記実施形態と同じ第１ビルドアップ層３１内に収容してもよい。
【００８３】
・上記第１実施形態の内層ダミー電極１６３は、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２とは独立していた。しかし、グランド用内部電極層１４２と同じ層にある内層ダミー電極１６３をグランド用内部電極層１４２に接続してもよい。この場合、電源用内部電極層１４１と同じ層にある内層ダミー電極１６３は省略されていてもよい。また、内層ダミー電極１６３自体が設けられていなくてもよい。
【００８４】
・上記各実施形態の収容穴部９０は、コア基板１１のコア主面１２側及びコア裏面１３側の両方にて開口する貫通穴部であった。しかし、図１９に示す配線基板２０のコア基板４１のように、収容穴部は、コア基板４１のコア主面１２のみにて開口する有底の凹部９１（非貫通穴部）であってもよい。
【００８５】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００８６】
（１）コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、セラミック誘電体層を介して電源用内部電極層とグランド用内部電極層とが交互に積層配置された構造を有するコンデンサ本体と、前記電源用内部電極層同士を導通させる複数の電源用ビア導体と、前記グランド用内部電極層同士を導通させる複数のグランド用ビア導体と、前記複数の電源用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続する電源用電極と、前記複数のグランド用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続するグランド用電極とを備え、前記複数の電源用ビア導体及び前記複数のグランド用ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたコンデンサであって、前記コンデンサ側面上に、前記コンデンサ側面の略全体を覆うシールド導体層を備え、前記電源用内部電極層、前記グランド用内部電極層、前記電源用ビア導体、前記グランド用ビア導体、前記電源用電極、前記グランド用電極及び前記シールド導体層はメタライズ導体であることを特徴とするコンデンサ。
【００８７】
（２）コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して電源用内部電極層とグランド用内部電極層とが交互に積層配置された構造を有するコンデンサ本体と、前記電源用内部電極層同士を導通させる複数の電源用ビア導体と、前記グランド用内部電極層同士を導通させる複数のグランド用ビア導体と、前記複数の電源用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続する電源用電極と、前記複数のグランド用ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続するグランド用電極とを備え、前記複数の電源用ビア導体及び前記複数のグランド用ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたコンデンサであって、前記コンデンサ側面上に、前記コンデンサ側面の略全体を覆うシールド導体層を備え、前記シールド導体層の一部または全部の層は、銅または銀によって形成されることを特徴とするコンデンサ。
【００８８】
（３）１つのコンデンサ主面、１つのコンデンサ裏面及び４つのコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して電源用内部電極層とグランド用内部電極層とが交互に積層配置された構造を有する平面視で略矩形状のコンデンサ本体と、前記電源用内部電極層同士を導通させる複数の電源用ビア導体と、前記グランド用内部電極層同士を導通させる複数のグランド用ビア導体と、前記複数の電源用ビア導体における前記コンデンサ主面側の端部に接続する上面側電源用電極と、前記複数の電源用ビア導体における前記コンデンサ裏面側の端部に接続する裏面側電源用電極と、前記複数のグランド用ビア導体における前記コンデンサ主面側の端部に接続する上面側グランド用電極と、前記複数のグランド用ビア導体における前記コンデンサ裏面側の端部に接続する裏面側グランド用電極とを備え、前記複数の電源用ビア導体及び前記複数のグランド用ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたコンデンサであって、前記４つのコンデンサ側面上に、前記４つのコンデンサ側面の略全体を覆うシールド導体層を備え、前記シールド導体層の上端部が、前記コンデンサ主面の外周部を覆うとともに前記上面側グランド用電極に接続され、前記シール導体層の下端部が、前記コンデンサ裏面の外周部を覆うとともに前記下面側グランド用電極に接続されることを特徴とするコンデンサ。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明を具体化した第１実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】セラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図３】セラミックコンデンサの上面を示す概略平面図。
【図４】配線基板の製造方法の説明図。
【図５】配線基板の製造方法の説明図。
【図６】配線基板の製造方法の説明図。
【図７】配線基板の製造方法の説明図。
【図８】配線基板の製造方法の説明図。
【図９】配線基板の製造方法の説明図。
【図１０】配線基板の製造方法の説明図。
【図１１】配線基板の製造方法の説明図。
【図１２】配線基板の製造方法の説明図。
【図１３】配線基板の製造方法の説明図。
【図１４】第２実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１５】第３実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１６】第４実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１７】他の実施形態における配線基板の製造方法の説明図。
【図１８】他の実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１９】他の実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００９０】
１０，２０，４０１，４１１，４２１…配線基板
１１，４１…コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
３１，３１０…配線積層部としての第１ビルドアップ層
３３，３５…層間絶縁層としての樹脂絶縁層
４２…導体層
１０１，３０３，４０２，４１２，４２２…コンデンサとしてのセラミックコンデンサ
１０２…コンデンサ主面
１０３…コンデンサ裏面
１０４…コンデンサ本体としてのセラミック焼結体
１０５…誘電体層としてのセラミック誘電体層
１０６…コンデンサ側面
１１１…電源用電極としての上面側電源用電極
１１２…グランド用電極としての上面側グランド用電極
１２１…電源用電極としての裏面側電源用電極
１２２…グランド用電極としての裏面側グランド用電極
１３１…電源用ビア導体
１３２…グランド用ビア導体
１４１…電源用内部電極層
１４２…グランド用内部電極層
１６１，４０３，４１３…シールド導体層
１６２…配線基板側グランド接続用導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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