(57)【要約】【課題】多層配線回路基板の加工工程における破断や変形の発生を十分に抑制しつつ、薄肉化による高密度化を図ることが可能な多層配線回路基板を提供すること。【解決手段】少なくとも２層以上のポリイミド基材層と、前記ポリイミド基材層の少なくとも片面にそれぞれ形成された配線回路層とを有する多層配線回路基板であって、前記ポリイミド基材層のうちの少なくとも１層が、引裂き伝播抵抗が１００〜４００ｍＮの範囲であり、かつ熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下のポリイミド樹脂層であることを特徴とする多層配線回路基板。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２層以上のポリイミド基材層と、前記ポリイミド基材層の少なくとも片面にそれぞれ形成された配線回路層とを有する多層配線回路基板であって、前記ポリイミド基材層のうちの少なくとも１層が、引裂き伝播抵抗が１００〜４００ｍＮの範囲であり、かつ熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下のポリイミド樹脂層であることを特徴とする多層配線回路基板。
【請求項２】
前記ポリイミド基材層が、引裂き伝播抵抗が１００〜４００ｍＮの範囲であり、かつ熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下のポリイミド樹脂層であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線回路基板。
【請求項３】
前記ポリイミド樹脂層の厚さが１０〜３０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層配線回路基板。
【請求項４】
前記ポリイミド樹脂層と、前記ポリイミド樹脂層の少なくとも片面に積層された導体層とを有するフレキシブル積層板を用いて得られたものであることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の多層配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線回路基板に関し、詳しくは、小型化、軽量化、高機能化等が要求されている電子情報機器に使用される多層配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子情報機器の小型化、軽量化、高機能化等に伴い、基板配線の高密度化が要求されている。また、このように基板配線の高密度化する実用的手段の一つとして配線回路が多層に形成された多層配線回路基板が知られている。そして、例えば、特開平９−９２９８０号公報（特許文献１）には、フレキシブル部分を有する多層配線回路基板が開示されており、このような多層配線回路基板には、ポリイミド樹脂層の片面又は両面に銅箔等の金属箔を設けた銅張積層板が使用されている。
【０００３】
しかしながら、現在、一般的に使用されている銅張積層板を用いて多層配線回路基板を作製した場合には、基材層であるポリイミド樹脂層を薄くすると搬送時や多層配線回路基板の加工時にポリイミド樹脂層の強度が不足するため、ポリイミド樹脂層を十分に薄くすることが困難であるという問題があり、多層配線回路基板の薄肉化の阻害要因の１つとなっていた。
【０００４】
すなわち、従来の多層配線回路基板においては、上記のような銅張積層板を複数層積層することとなるので、多層配線回路基板の合計厚みが厚くなり、そのため、多層配線回路基板の加工工程における破断等の発生を十分に抑制しつつ、多層配線回路基板の薄肉化を図ることは困難であった。
【特許文献１】特開平９−９２９８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、多層配線回路基板の加工工程における破断や変形の発生を十分に抑制しつつ、薄肉化による高密度化を図ることが可能な多層配線回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、少なくとも２層以上のポリイミド基材層と、前記ポリイミド基材層の少なくとも片面にそれぞれ形成された配線回路層とを有する多層配線回路基板において、前記ポリイミド基材層を特定の条件を満たすポリイミド樹脂層とすることにより、多層配線回路基板の加工工程における破断や変形の発生を十分に抑制しつつ、薄肉化による高密度化を図ることが可能な多層配線回路基板を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明の多層配線回路基板は、少なくとも２層以上のポリイミド基材層と、前記ポリイミド基材層の少なくとも片面にそれぞれ形成された配線回路層とを有する多層配線回路基板であって、前記ポリイミド基材層のうちの少なくとも１層が、引裂き伝播抵抗が１００〜４００ｍＮの範囲であり、かつ熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下のポリイミド樹脂層であることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の多層配線回路基板においては、前記ポリイミド基材層が、引裂き伝播抵抗が１００〜４００ｍＮの範囲であり、かつ熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下のポリイミド樹脂層であることが好ましい。
【０００９】
さらに、本発明の多層配線回路基板においては、前記ポリイミド樹脂層の厚さが１０〜３０μｍの範囲であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の多層配線回路基板は、前記ポリイミド樹脂層と、前記ポリイミド樹脂層の少なくとも片面に積層された導体層とを有するフレキシブル積層板を用いて得られたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、多層配線回路基板の加工工程における破断や変形の発生を十分に抑制しつつ、薄肉化による高密度化を図ることが可能な多層配線回路基板を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
【００１３】
先ず、本発明の多層配線回路基板について説明する。すなわち、本発明の多層配線回路基板は、少なくとも２層以上のポリイミド基材層と、前記ポリイミド基材層の少なくとも片面にそれぞれ形成された配線回路層とを有するものである。
【００１４】
そして、本発明においては、このようなポリイミド基材層のうちの少なくとも１層が、引裂き伝播抵抗が１００〜４００ｍＮの範囲であり、かつ熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下のポリイミド樹脂層であることが必要である。このようにポリイミド基材層のうちの少なくとも１層を、上記の条件を満たすような本発明にかかるポリイミド樹脂層とすることにより、多層配線回路基板の加工工程における破断や変形の発生を十分に抑制しつつ、薄肉化による高密度化を図ることが可能となる。すなわち、ポリイミド基材層の引裂き伝播抵抗を１００〜４００ｍＮの範囲にすることにより、ポリイミド基材層の厚みが薄い場合でも、多層配線回路基板の加工工程等での破断や変形を十分に抑制することが可能となる。また、ポリイミド基材層の熱膨張係数を３０×１０−６／Ｋ以下にすることにより、多層配線回路基板のカール等の変形を制御することが可能となり、また、寸法安定性を向上させることが可能となる。さらに、本発明においては、多層配線回路基板の加工工程における破断や変形の発生を十分に抑制しつつ、更なる薄肉化を図るという観点から、ポリイミド基材層の引裂き伝播抵抗を１３０〜３５０ｍＮの範囲とすることが好ましく、また、熱膨張係数を２５×１０−６／Ｋ以下とすることが好ましい。なお、引裂き伝播抵抗及び熱膨張係数は後述する実施例で説明する通りの方法で測定することができる。
【００１５】
また、本発明においては、このようなポリイミド基材層が、引裂き伝播抵抗が１００〜４００ｍＮの範囲であり、かつ熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下のポリイミド樹脂層であることが好ましい。このように、本発明の多層配線回路基板を構成するすべてのポリイミド基材層が、本発明にかかるポリイミド樹脂層であれば多層配線回路基板の更なる薄肉化を図ることができる。また、本発明の多層配線回路基板を構成するポリイミド基材層の数が多いほど、多層配線回路基板の薄肉化を図るという本発明による効果は高くなる傾向にある。
【００１６】
本発明にかかるポリイミド樹脂層は、上記のような特定の条件を満たすものであることが必要であるが、このようなポリイミド樹脂層としては、以下説明するようなポリイミド樹脂層（Ａ）を主たるポリイミド層として有するものが挙げられる。なお、本明細書において、主たるポリイミド層とは、ポリイミド樹脂層の全厚みの６０％以上の厚みを有する層をいい、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上の厚みを有する層をいう。
【００１７】
ここで、ポリイミド樹脂層（Ａ）は、下記一般式（１）で表される構造単位を５０モル％以上の割合で有するものであることが好ましい。
【００１８】
【化１】
2008177244.tif 000002
【００１９】
一般式（１）において、Ｒは炭素数１〜６の低級アルキル基、フェニル基又はハロゲンを示す。また、ｌはポリイミド樹脂層（Ａ）中の一般式（１）で表される構造単位の存在モル比を示す。さらに、一般式（１）で表される構造単位のより好ましい例としては、下記一般式（２）で表される構造単位が例示される。
【００２０】
【化２】
2008177244.tif 000003
【００２１】
また、このようなポリイミド樹脂層（Ａ）は、前記一般式（１）で表される構造単位と共に、下記一般式（３）及び（４）で表される構造単位のうちの少なくとも一つの構造単位を一定範囲で含有するものであることがより好ましい。
【００２２】
【化３】
2008177244.tif 000004
【００２３】
一般式（３）において、Ａｒ１は下記一般式（ａ）及び／又は（ｂ）で表される２価の芳香族基を示す。さらに、下記一般式（ａ）及び（ｂ）において、Ａｒ３は下記構造式（ｃ）及び／又は（ｄ）で表される２価の芳香族基を示す。そして、Ａｒ１の好ましい例としては、下記構造式（ｅ）、（ｆ）及び（ｇ）で表される２価の芳香族基が例示される。また、一般式（４）において、Ａｒ２は３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの２価の残基からなる群から選択される少なくとも１種の基を示す。さらに、一般式（３）及び（４）において、ｍ及びｎはそれぞれポリイミド樹脂層（Ａ）中の一般式（３）及び（４）で表される構造単位の存在モル比を示す。
【００２４】
【化４】
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【００２５】
【化５】
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【００２６】
【化６】
2008177244.tif 000007
【００２７】
そして、このようなポリイミド樹脂層（Ａ）が前記一般式（１）及び（３）で表される構成単位を含有する場合には、ｌが０．６〜０．９の範囲、ｍが０．１〜０．４の範囲であることが好ましい。また、このようなポリイミド樹脂層（Ａ）が前記一般式（１）、（３）及び（４）で表される構成単位を含有する場合には、ｌが０．６〜０．９の範囲、ｍが０．１〜０．３の範囲、ｎが０．０１〜０．２の範囲であることが好ましい。
【００２８】
前記一般式（１）で表される構造単位は主に低熱膨張性と高耐熱性等の性質を向上させ、前記一般式（３）で表される構造単位は主に強靭性や接着性等の性質を向上させるものと推察されるが、相乗効果や分子量の影響があるため必ずしも定かではない。また、前記一般式（３）の構造単位の存在モル比ｍを増やすことにより、ポリイミド樹脂層の強靭性等が向上する傾向にある。さらに、一般式（４）の構造単位は、ポリイミド樹脂層の低熱膨張性と強靭性のバランスを調整するために有効である。
【００２９】
このようなポリイミド樹脂層（Ａ）を構成するポリイミド樹脂は、好ましくは重量平均分子量が１５万〜８０万、より好ましくは２０万〜８０万の範囲にあるポリイミド前駆体樹脂をイミド化して得られるものである。重量平均分子量の値が１５万未満では、ポリイミド樹脂層（フィルム）の引き裂き伝播抵抗が弱くなる傾向があり、他方、８０万を超えると均一なポリイミド樹脂層の形成が困難となる恐れがある。なお、重量平均分子量はＧＰＣ法によってポリスチレン換算の値を求めることができる。また、ポリイミド前駆体樹脂をイミド化して得られるポリイミド樹脂の重量平均分子量も、ポリイミド前駆体樹脂状態で測定されるものとほぼ等しいため、ポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量をもってポリイミド樹脂の重量平均分子量とみなすことができる。
【００３０】
本発明にかかるポリイミド樹脂層は、１層からなるものであってもよいが、ポリイミド樹脂層（Ａ）を主たる層として、配線回路層や導体層との接着性等を改良するための他のポリイミド樹脂層を有してもよい。このようなポリイミド樹脂層の合計の厚さは、好ましくは５〜４０μｍ、より好ましくは５〜３５μｍ、更により好ましくは１０〜３０μｍ、特に好ましくは１０〜２５μｍの範囲である。また、ポリイミド樹脂層の全体厚みに対するポリイミド樹脂層（Ａ）の厚み比率は上記の通りであり、このような範囲にすることで、特に引裂き強さと屈曲性のバランスに優れたフレキシブル積層板とすることができる。
【００３１】
また、本発明にかかるポリイミド樹脂層は、上述したように複数層によって形成することもできる。ポリイミド樹脂層（Ａ）及びポリイミド樹脂層（Ａ）以外の他のポリイミド樹脂層を構成するポリイミド樹脂は、原料のジアミンと酸無水物とを溶媒の存在下で重合し、ポリイミド前駆体樹脂とした後、熱処理によりイミド化することによって製造することができる。溶媒は、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ｎ-メチルピロリジノン、2-ブタノン、ジグライム、キシレン等が挙げられ、１種若しくは２種以上併用して使用することもできる。
【００３２】
他のポリイミド樹脂層を構成するポリイミド樹脂原料となるジアミンとしては、一般式：Ｈ２Ｎ−Ａｒ４−ＮＨ２によって表される化合物が挙げられ、Ａｒ４としては下記式（５）に列挙されている構造式で表される芳香族ジアミン残基が例示される。
【００３３】
【化７】
2008177244.tif 000008
【００３４】
これらのジアミンの中でも、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（４，４’−ＤＡＰＥ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）が好適なものとして例示される。
【００３５】
また、他のポリイミド樹脂層を構成するポリイミド樹脂原料となる酸無水物としては、一般式：Ｏ(ＯＣ)２Ａｒ５(ＣＯ)２Ｏによって表される化合物が挙げられ、Ａｒ５としては下記式（６）に列挙されている構造式で表される芳香族酸二無水物残基が例示される。
【００３６】
【化８】
2008177244.tif 000009
【００３７】
これらの酸無水物の中でも、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）が好適なものとして例示される。
【００３８】
なお、前記ジアミンと前記酸無水物との組合せによっては、前記一般式（１）、（３）又は（４）で表される構造単位を与える場合があるが、この場合は、他のポリイミド樹脂層を構成するポリイミド樹脂原料とはしない。
【００３９】
また、前記ポリイミド樹脂層（Ａ）を構成するポリイミド樹脂原料となるジアミン及び酸無水物の組合せとしては、前記一般式（１）、（３）及び（４）の説明から理解されるが、ジアミンとしてはＴＰＥ−Ｒ、ＡＰＢ、４，４’−ＤＡＰＥ等があり、酸無水物としてはＰＭＤＡがある。そして、ポリイミド樹脂層（Ａ）を構成するポリイミド樹脂原料となるジアミン及び酸無水物としては、前記一般式（１）で表される構造単位を５０モル％以上の割合で有するものが得られる限り、２以上のジアミン及び酸無水物を使用してもよく、他のジアミンを使用してもよい。
【００４０】
さらに、ポリイミド樹脂の分子量は、原料のジアミンと酸無水物のモル比を変化させることで主に制御可能である。また、モル比は通常１：１である。なお、ポリイミド樹脂層（Ａ）を構成するポリイミド樹脂は、その前駆体（溶液）を、イミド化することにより得られる。そして、他のポリイミド樹脂層として良接着性のポリイミド樹脂層を使用する場合には、このような他のポリイミド樹脂層を、配線回路層となる銅箔等の導体層と接するように設け、ポリイミド樹脂層（Ａ）は他のポリイミド樹脂層と接するように設けることが好ましい。
【００４１】
本発明にかかるポリイミド樹脂層は、任意の支持基材上に上記ポリイミドの前駆体樹脂溶液を塗工し、乾燥、熱処理して、その後、ポリイミドフィルムを支持基材から剥離してポリイミド樹脂層としてもよく、また、フレキシブル積層板の配線回路層となる銅箔等の導体層上に直接上記ポリイミドの前駆体樹脂溶液を塗工し、乾燥、熱処理してフレキシブル積層板としてもよい。本発明の多層配線回路基板への適用のしやすさを考慮すると、本発明では後者が有利である。なお、ポリイミドフィルムのみを予め製造した場合には、後に、ポリイミドフィルムに銅箔等の導体層を設ける必要があるが、この方法としては公知の方法を適用することができる。例えば、ポリイミドフィルムと銅箔等の金属箔とを加熱圧着するいわゆるラミネート法が一般的であるが、この場合には、エポキシ樹脂等の接着層を用いずにポリイミド系の接着性樹脂を介在させることがよい。
【００４２】
本発明にかかる配線回路層は、以上説明したようなポリイミド基材層の少なくとも片面にそれぞれ形成されたものである。そして、このような配線回路層は、金属箔等の導体層に公知の回路形成処理を施すことにより形成される。
【００４３】
このような金属箔の種類としては、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛及びそれらの合金等の導電性金属を挙げることができ、これらの中でもステンレス、銅箔又は銅を９０％以上含む合金銅箔が好ましい。金属箔の厚みは、１０〜１８μｍの範囲にあることが好ましい。金属箔の厚みが１０μｍ未満では、原料となる金属の入手が困難な他、積層体製造時のハンドリング性が悪化し、積層体製造時にしわなどが生じやすくなり好ましくない。一方、金属箔の厚みが１８μｍを超えると、回路加工において良好な微細配線が形成しにくく、また必要に応じて行う後の化学エッチングを考慮すると生産性も劣るものとなる。
【００４４】
なお、近年ファインパターン等に対する要求から、更に銅箔の厚みを薄くすることが望まれているが、このような要求を満たすために、一旦、フレキシブル銅張積層板とした後、銅箔面を均一にエッチング液により化学研磨して薄肉化することもでき、また、銅箔の代わりに、キャリア、剥離層、極薄銅箔からなるいわゆるキャリア付極薄銅箔を使用し、その極薄銅箔上へ前記ポリイミド樹脂を形成し、キャリアを除去して薄肉銅箔層を形成してもよい。
【００４５】
本発明の多層配線回路基板は、以上説明したようなポリイミド基材層及び配線回路層をそれぞれ複数有するものであるが、前記ポリイミド樹脂層と、前記ポリイミド樹脂層の少なくとも片面に積層された導体層とを有するフレキシブル積層板を用いて得られたものであることが好ましい。
【００４６】
このようなフレキシブル積層板は、前記ポリイミド樹脂層の片面のみに金属箔を有している片面フレキシブル積層板であってもよく、前記ポリイミド樹脂層の両面に金属箔を有している両面フレキシブル積層板であってもよい。また、両面フレキシブル積層板とするためには、片面フレキシブル積層板を製造した後に、新たな銅箔やキャリア付極薄銅箔を準備し、加熱圧着することで製造することができる。なお、キャリア付極薄銅箔を用いることで、絶縁層の両面に極薄銅箔を有するフレキシブル積層板を製造することができる。
【００４７】
次に、前記フレキシブル積層板を使用して本発明の多層配線回路基板を製造する方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４８】
図１は、本発明の多層配線回路基板を製造する方法の好適な一実施形態を示す工程概略図である。そして、本発明の多層配線回路基板は、例えば、両面フレキシブル積層板を用いて配線基板を作製する工程（配線基板作製工程）と、前記配線基板に片面フレキシブル積層板を積層する工程（積層工程）と、前記配線基板の配線回路と前記片面フレキシブル積層板の銅箔とを導通させる工程（導通工程）と、前記片面フレキシブル積層板の銅箔に回路形成処理を施して配線回路とした後に前記配線回路上に保護層を形成する工程（外層形成工程）とを含む方法により作製することができる。なお、図１（ａ）は配線基板作製工程に対応し、図１（ｂ）は積層工程に対応し、図１（ｃ）は導通工程に対応し、図１（ｄ）は外層形成工程に対応する。
【００４９】
配線基板作製工程においては、先ず、前記ポリイミド樹脂層（ポリイミド基材層１）の両面に銅箔を有する両面フレキシブル積層板を準備する。その後、両面フレキシブル積層板の所定の位置にビアホール３を形成する。ビアホールの形成する方法は公知の手法を適用することができるが、レーザーにより開口する方法が好ましい。そして、ビアホール３の形成部に両面フレキシブル積層板の銅箔同士を導通させるため、導電性物質を充填する。このように導電性物質を充填する方法としては、ビアホール形成後、無電解メッキ及び電解メッキを行い、メッキ銅でビアホール内を充填する方法を適用できる。また、公知の導電性ペーストを適用してもよい。
【００５０】
配線基板作製工程においては、次に、前記両面フレキシブル積層板の銅箔に回路形成処理を施して配線基板１０を作製する。回路形成処理の方法としては、公知の方法を適宜採用することができる。このようにして、図１（ａ）に示すような、ポリイミド基材層１と、ポリイミド基材層１の両面に形成された配線回路２’とを有する配線基板１０を作製することができる。なお、図１（ａ）に示す配線基板１０においては、ポリイミド基材層１の両面に形成された配線回路２’同士がビアホール３内を充填されたメッキ銅により導通している。
【００５１】
積層工程においては、先ず、前記ポリイミド樹脂層（ポリイミド基材層５）の片面に銅箔６を有する片面フレキシブル積層板１１を準備する。このような片面フレキシブル積層板１１は、配線基板１０の両側に設けられるため、少なくとも２つ準備する。そして、図１（ｂ）に示すように、フレキシブル積層板１１の銅箔６がそれぞれ外側になるように、配線基板１０と２つの片面フレキシブル積層板１１とを対向させ、接着剤４を介して積層する。
【００５２】
接着剤４としては、特に限定されるものではないが、耐熱性が高く、寸法変化のないものが望ましく、エポキシ樹脂系接着剤、ポリイミド樹脂系接着剤、シロキサン変性ポリイミド樹脂系接着剤、及びアクリル系接着剤が例示され、好ましくはフィルム状の接着フィルムが適用される。
【００５３】
また、このように積層する方法は、特に限定されるものではなく、通常のプレスやラミネーター等の積層装置を使用する方法を採用することができる。また、積層条件は、温度１５０〜１８０℃、圧力２〜４ＭＰａ、保持時間６０〜９０分の範囲とすることが望ましい。なお、図１には図示していないが、配線基板１０の両側に必要に応じて、カバーレイフィルムが設けられていてもよい。このようなカバーレイフィルムとしては、ポリイミドフィルムにエポキシ樹脂系接着剤又はアクリル樹脂系接着剤が設けられたカバーレイフィルムが好ましく使用される。
【００５４】
導通工程においては、先ず、配線基板１０に積層された片面フレキシブル積層板１１の所定の位置にビアホール３を形成する。そして、ビアホール３の形成部に配線基板１０の配線回路２’と片面フレキシブル積層板１１の銅箔６とを導通させるため、導電性物質を充填する。ビアホールの形成する方法、及び導電性物質を充填する方法としては、前記説明した通りの方法を採用することができる。このようにして、図１（ｃ）に示すように、ビアホール３により、配線基板１０の配線回路２’と片面フレキシブル積層板１１の銅箔６とを導通させることができる。
【００５５】
外層形成工程においては、図１（ｄ）に示すように、片面フレキシブル積層板１１の銅箔６に回路形成処理を施して配線回路６’とした後に配線回路６’上に保護層としてカバーレイフィルム７を積層する。回路形成処理の方法としては、公知の方法を適宜採用することができる。また、カバーレイフィルム７としては、ポリイミドフィルムにエポキシ樹脂系接着剤又はアクリル樹脂系接着剤が設けられたカバーレイフィルムが好ましく使用される。
【００５６】
以上説明したような配線基板作製工程、積層工程、導通工程、及び外層形成工程を含む方法により、本発明の多層配線回路基板１２を製造することができる。また、このような本発明の多層配線回路基板を製造する方法においては、４層の配線回路層を有する多層配線回路基板の製造する方法を例に挙げて説明したが、更に多層化を行うことで、例えば、６層や８層の配線回路層を有する多層配線回路基板とすることもできる。なお、この場合においては、カバーレイフィルム７は最外層の配線回路層を保護するためだけに使用することが好ましい。
【００５７】
また、上記実施形態では、繰り返し屈曲させることが可能なヒンジ部位を有さない多層配線回路基板を例に挙げて説明したが、多層配線回路基板の一部に単層又は複数層のフレキシブル配線基板からなるヒンジ部位を有する多層配線回路基板（多層ヒンジ基板）としてもよい。
【００５８】
図２は、ヒンジ部位を有する多層配線回路基板（多層ヒンジ基板）のヒンジ部位周辺部を示す模式断面図である。図２に示す多層配線回路基板は、ポリイミド基材層１と、ポリイミド基材層１の片面に形成された配線回路２’と、配線回路２’上に積層されたカバーレイフィルム７とを有する片面フレキシブル配線基板１３、並びにポリイミド基材層１と、ポリイミド基材層１の両面に形成された配線回路２’と、配線回路２’上に積層されたカバーレイフィルム７とを有する両面フレキシブル配線基板１４を有するものである。また、図２に示す多層配線回路基板おいては、ヒンジ部位においてこれらのフレキシブル配線基板同士の間に空間部が形成されるようにして、ヒンジ部位以外の部分においてこれらのフレキシブル配線基板が接着剤４により接合されている。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、ポリイミド樹脂層の引裂き伝播抵抗及び熱膨張係数（ＣＴＥ）はそれぞれ以下の方法により測定した。また、このような測定においては、実施例で用いるフレキシブル積層板から銅箔をエッチング除去して得られるポリイミドフィルムを用いた。
【００６０】
（i）引裂き伝播抵抗の測定
ポリイミドフィルム（６３．５ｍｍ×５０ｍｍ）を準備し、このポリイミドフィルムに長さ１２．７ｍｍの切り込みを入れたものを試験片として、東洋精機製の軽荷重引き裂き試験機を用いて測定した。
【００６１】
（ii）熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定
ポリイミドフィルム（３ｍｍ×１５ｍｍ）を試験片として、熱機械分析（ＴＭＡ）装置を用いて、５ｇの荷重を加えながら一定の昇温速度で３０℃から２６０℃の温度範囲で引張り試験を行った。そして、温度に対するポリイミドフィルムの伸び量から熱膨張係数を算出した。
【００６２】
（合成例１）
本発明の多層配線回路基板を製造するために使用するフレキシブル積層板のポリイミド樹脂層を製造するために、以下のようにしてポリイミド前駆体ａを作製した。すなわち、先ず、窒素気流下で、ジアミン成分として４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチルビフェニルジアミン（ｍ−ＴＢ）６９ｇ、１，３-ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）２９ｇ及び３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＤＡＰＥ）１５ｇを５００ｍｌのセパラブルフラスコの中で攪拌しながら溶剤Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）２５０〜３００ｇ程度に溶解させた。次いで、テトラカルボン酸成分として、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）１１０ｇを加えた。その後、溶液を室温で４時間攪拌を続けて重合反応を行い、ポリイミド前駆体樹脂ａの黄褐色の粘稠な溶液を得た。得られたポリイミド前駆体樹脂溶液の２５℃での粘度は４３０００ｍＰａ・ｓであり、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０万であった。なお、粘度は恒温水槽付のコーンプレート式粘度計（トキメック社製）を用いて測定し、重量平均分子量（Ｍｗ）はＧＰＣを用いて測定した。
【００６３】
（合成例２）
本発明の多層配線回路基板を製造するために使用するフレキシブル積層板のポリイミド樹脂層を製造するために、以下のようにしてポリイミド前駆体ｂを作製した。すなわち、先ず、窒素気流下で、ジアミン成分として、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）８７ｇ、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチルビフェニルジアミン（ｍ−ＴＢ）３ｇ、及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（４，４’−ＤＡＰＥ）２ｇを５００ｍｌのセパラブルフラスコの中で攪拌しながら溶剤ＤＭＡｃ２５０〜３００ｇ程度に溶解させた。次いで、テトラカルボン酸成分として、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）４６ｇを加えた。その後、溶液を室温で４時間攪拌を続けて重合反応を行い、ポリイミド前駆体樹脂ｂの黄褐色の粘稠な溶液を得た。得られたポリイミド前駆体樹脂溶液の２５℃での粘度は１５０００ｍＰａ・ｓであり、重量平均分子量（Ｍｗ）は１７万であった。
【００６４】
（製造例１）
先ず、厚さ１２μｍの電解銅箔上に合成例１で得られたポリイミド前駆体樹脂ａの溶液を、硬化後の厚みが２４．４μｍの厚みになるようにアプリケータを用いて均一に塗布し、７０〜１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。その後、乾燥膜上に合成例２で得られたポリイミド前駆体樹脂ｂの溶液を硬化後の厚みが１．６μｍの厚みになるように均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。そして、５０〜１３０℃で２〜６０分間乾燥した後、更に１３０℃、１６０℃、２００℃、２３０℃、２８０℃、３２０℃、３６０℃で各２〜３０分間の段階的な熱処理を行い、銅箔上にポリイミド層を形成し、ポリイミド前駆体樹脂ａを原料とする層（ａ）とポリイミド前駆体樹脂ｂを原料とする層（ｂ）との２層からなる合計厚み２６μｍのポリイミド樹脂層が銅箔上に形成されたフレキシブル積層板用積層体を得た。銅箔上の各ポリイミド樹脂層の厚みは、ａ／ｂの順に、２４．４μｍ／１．６μｍであった。その後、過酸化水素／硫酸系のエッチング液を用いて銅箔をエッチングにて８μｍまで薄くし、片面フレキシブル積層板を得た。なお、得られたフレキシブル積層板から銅箔をエッチング除去して得られるポリイミドフィルムを用いて、ポリイミド樹脂層の引裂き伝播抵抗及び熱膨張係数を測定したところ、引裂き伝播抵抗は１８０ｍＮであり、熱膨張係数は２１×１０−６／Ｋであった。
【００６５】
（製造例２）
先ず、厚さ１２μｍの電解銅箔上に、合成例２で得られたポリイミド前駆体樹脂ｂの溶液を硬化後の厚みが１．６μｍの厚みになるように均一に塗布し、７０〜１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、合成例１で得られたポリイミド前駆体樹脂ａの溶液を、硬化後の厚みが２２．８μｍの厚みになるようにアプリケータを用いて均一に塗布し、７０〜１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。更に、合成例２で得られたポリイミド前駆体樹脂ｂの溶液を硬化後の厚みが１．６μｍの厚みになるように均一に塗布し、１３０℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。そして、５０〜１３０℃で２〜６０分間乾燥した後、更に１３０℃、１６０℃、２００℃、２３０℃、２８０℃、３２０℃、３６０℃で各２〜３０分間の段階的な熱処理を行い、銅箔上にポリイミド層を形成し、ポリイミド前駆体樹脂ａを原料とする層（ａ）とポリイミド前駆体樹脂ｂを原料とする層（ｂ）との３層からなる合計厚み２６μｍのポリイミド樹脂層が銅箔上に形成されたフレキシブル積層板用積層体を得た。銅箔上の各ポリイミド樹脂層の厚みは、ｂ／ａ／ｂの順に、１．６μｍ／２２．８μｍ／１．６μｍであった。次に、得られたフレキシブル積層板用積層体のポリイミド樹脂層と厚さ１２μｍの電解銅箔とを、ラミネーターを用いて加熱圧着し、その後、過酸化水素／硫酸系のエッチング液を用いて銅箔をエッチングにて８μｍまで薄くし、両面フレキシブル積層板を得た。なお、得られたフレキシブル積層板から銅箔をエッチング除去して得られるポリイミドフィルムを用いて、ポリイミド樹脂層の引裂き伝播抵抗及び熱膨張係数を測定したところ、引裂き伝播抵抗は１７５ｍＮであり、熱膨張係数は２１×１０−６／Ｋであった。
【００６６】
（実施例１）
製造例２で得られた両面フレキシブル積層板を準備し、所定の位置にビアホール３を形成した後、通常の無電解メッキと電解メッキによりメッキ銅でビアホールを充填し、両面フレキシブル積層板の銅箔同士を導通させた。その後、両面フレキシブル積層板の銅箔に回路形成処理を施して、任意の配線回路２’を形成して図１（ａ）に示すようなポリイミド基材層の両面に配線回路２’を有する配線基板１０を得た。
【００６７】
次に、製造例１で得られた片面フレキシブル積層板１１を２つ準備し、フレキシブル積層板１１の銅箔６がそれぞれ外側になるように、配線基板１０と２つの片面フレキシブル積層板１１とを対向させ、接着剤４を介して積層した（図１（ｂ）参照）。なお、このときの積層条件は、温度を１６０℃、圧力を３ＭＰａ、保持時間を６０分とした。
【００６８】
次に、配線基板１０に積層された片面フレキシブル積層板１１の所定の位置にビアホール３を形成し、上記と同様にしてビアホールを充填し、配線基板１０の配線回路２’と片面フレキシブル積層板１１の銅箔６とを導通させた（図１（ｃ）参照）。
【００６９】
次いで、片面フレキシブル積層板１１の銅箔６に回路形成処理を施して、任意の配線回路６’を形成し、最後に回路保護のためのカバーレイフィルム７を積層し、４層の配線回路層を有する本発明の多層配線回路基板１２を得た（図１（ｄ）参照）。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
以上説明したように、本発明によれば、多層配線回路基板の加工工程における破断や変形の発生を十分に抑制しつつ、薄肉化による高密度化を図ることが可能な多層配線回路基板を提供することが可能となる。
【００７１】
したがって、本発明の多層配線回路基板は、小型化、軽量化、高機能化等が要求されている電子情報機器に使用される多層配線回路基板として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の多層配線回路基板を製造する方法の好適な一実施形態を示す工程概略図である（図１（ａ）は配線基板作製工程に対応し、図１（ｂ）は積層工程に対応し、図１（ｃ）は導通工程に対応し、図１（ｄ）は外層形成工程に対応する。）。
【図２】本発明の多層配線回路基板の好適な一実施形態であるヒンジ部位を有する多層配線回路基板（多層ヒンジ基板）のヒンジ部位周辺部を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１…ポリイミド基材層、２’…配線回路、３…ビアホール、４…接着剤、５…ポリイミド基材層、６…銅箔、６’…配線回路、７…カバーレイフィルム、１０…配線基板、１１…片面フレキシブル積層板、１２…多層配線回路基板、１３…片面フレキシブル配線基板、１４…両面フレキシブル配線基板。
【図１】
2008177244.tif 000010
【図２】
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