(57)【要約】【課題】フィルムの使用効率の向上が図れるステッピングロール方式の成膜装置を提供する。【解決手段】本発明に係る成膜装置（巻取式プラズマＣＶＤ装置）２０は、成膜部２１（２１Ａ，２１Ｂ）と、巻出しローラ２２と、巻取りローラ２３とを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、成膜部２１は、成膜室２４と、成膜室２４のフィルム導入側およびフィルム導出側に各々設けられフィルムＦを挟んで開閉する一対のシール機構３１Ａ，３２Ａ（３１Ｂ，３２Ｂ）とを備え、これら一対のシール機構の間の距離を、成膜室２４で成膜されるフィルム長の（Ｎ＋２）倍（Ｎは自然数）とする。これにより、上記シール機構によって挟持される領域（シール領域）を除くほぼすべてのフィルム領域を成膜領域とすることが可能となり、フィルムの使用効率の向上が図れるようになる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜部と、前記成膜部にフィルムを供給する巻出しローラと、前記成膜部で成膜したフィルムを巻き取る巻取りローラとを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、
前記成膜部は、成膜室と、前記成膜室のフィルム導入側およびフィルム導出側に各々設けられ前記フィルムを挟んで開閉する一対のシール機構とを備え、
前記一対のシール機構の間の距離は、前記成膜室で成膜されるフィルム長の（Ｎ＋２）倍（Ｎは自然数）であることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記一対のシール機構の各々は、前記成膜室に関して対称な位置に設置されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記成膜部は、フィルム走行方向に関して直列的に複数配置されており、隣接する前記成膜部の間には、前記成膜室で成膜されるフィルム長の自然数倍に相当する長さのフィルムを待機させるフィルム待機領域が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記フィルム待機領域には、前記フィルムの走行をガイドするガイドローラと、前記フィルムの張力を制御するテンションローラとを備えた予備室が設置されていることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記成膜部は、真空チャンバと、前記フィルムの成膜面側に配置された高周波電極と、前記フィルムの非成膜面側に配置された対向電極と、前記高周波電極と前記成膜面との間に原料ガス又はクリーニングガスを導入するガス導入手段と、前記高周波電極と前記成膜面との間を遮断可能な遮蔽部材とを有していることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステッピングロール方式でフィルムの成膜を行う成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、長尺のフィルムに成膜を行うのに、例えば下記特許文献１に記載されているようなステッピングロール方式の成膜装置が知られている。これは、図５に概略的に示すように、真空チャンバ１の内部にフィルム３の巻出しローラ２と巻取りローラ４が設置されており、これら巻出しローラ２と巻取りローラ４の間に成膜部５が設置されている。成膜部５は、フィルム３の走行方向に沿って配置された複数の成膜室８からなる。各々の成膜室８は、上壁部６と下壁部７とによって区画され、上壁部６と下壁部７の間の相対移動によって成膜室８が図示する密封状態と開放状態とがとられるようになっている。なお図示せずとも、成膜室８には、高周波電極、対向電極、ガス導入手段などが設けられている。
【０００３】
図５に示した従来の成膜装置は、成膜部５においてフィルム３に対する成膜処理を行う。各々の成膜室８においてフィルム３の成膜が終了すると、上壁部６が下壁部７と離間した位置に移動し成膜室８を開放する。そして、巻取りローラ４によってフィルム３を所定長巻き取った後、上壁部６を下壁部７に密着させて成膜室８を密封し、成膜処理を行う。
【０００４】
上述した構成の従来の成膜装置においては、フィルム３の巻取り長を調整することによって、フィルム３に対する薄膜の単層成膜のほか、複数の成膜室８によって薄膜を順次積層成膜する場合にも用いることができる。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−６９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ステッピングロール方式の成膜装置においては、フィルムの使用効率の向上が望まれている。
【０００７】
しかしながら、ステッピングロール方式の成膜装置においては、成膜室のシール領域（図５の成膜装置における上壁部６と下壁部７の密着領域）に対応するフィルム領域は、成膜品質確保の点で成膜の対象外とされるため、成膜室のシール領域の設定次第では、フィルムの使用効率の向上が図れないという問題がある。また、成膜室を直列に複数配置した場合も同様であり、成膜室の設置間隔の設定次第では、フィルムの使用効率が大幅に変動する。
【０００８】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、フィルムの使用効率の向上が図れるステッピングロール方式の成膜装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上の課題を解決するに当たり、本発明の成膜装置は、成膜部と、前記成膜部にフィルムを供給する巻出しローラと、前記成膜部で成膜したフィルムを巻き取る巻取りローラとを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、前記成膜部は、成膜室と、前記成膜室のフィルム導入側およびフィルム導出側に各々設けられ前記フィルムを挟んで開閉する一対のシール機構とを備え、前記一対のシール機構の間の距離は、前記成膜室で成膜されるフィルム長の（Ｎ＋２）倍（Ｎは自然数）であることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る成膜装置においては、上記シール機構の間の距離が、成膜室で成膜されるフィルム長（以下「単位成膜長さ」ともいう）の（Ｎ＋２）倍となるように設定されているので、上記シール機構によって挟持される領域（シール領域）を除くほぼすべてのフィルム領域を成膜領域とすることが可能となり、フィルムの使用効率の向上が図れるようになる。
【００１１】
また、本発明の成膜装置においては、フィルム走行方向に関して直列的に成膜部が複数配置されており、隣接する成膜部の間には、単位成膜長さの自然数倍に相当する長さのフィルムを待機させるフィルム待機領域が設けられている。この構成により、成膜部が複数配置される場合にあっても、フィルムの使用効率を損なわずに生産性を高めることが可能となる。
【００１２】
なお、フィルム待機領域に、フィルムの走行をガイドするガイドローラとフィルムの張力を制御するテンションローラとを備えた予備室を設置することにより、成膜部間で待機するフィルムの弛みを防止して安定したフィルム搬送性を確保することができる。
【００１３】
ここで、成膜室を構成する成膜部は、真空チャンバと、フィルムの成膜面側に配置された高周波電極と、フィルムの非成膜面側に配置された対向電極と、高周波電極と成膜面との間に原料ガス又はクリーニングガスを導入するガス導入手段と、高周波電極と成膜面との間を遮断可能な遮蔽部材とを有する構造とすることができる。遮蔽部材は、成膜室内のセルフクリーニング時において高周波電極とフィルム成膜面との間を遮蔽し、クリーニングガスのプラズマからフィルムを保護する機能を果たす。
【００１４】
なお、成膜室は、上述したプラズマＣＶＤ室に限られず、熱ＣＶＤ室やスパッタ室、真空蒸着室などの他の成膜処理室で構成されていても構わない。
【発明の効果】
【００１５】
以上述べたように、本発明の成膜装置によれば、ステッピングロール方式においてフィルムの使用効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施形態による成膜装置としての巻取式プラズマＣＶＤ装置２０の概略構成を示す側断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態の巻取式プラズマＣＶＤ装置２０は、成膜部２１と、成膜部２１にフィルムＦを供給する巻出しローラ２２と、成膜部２１で成膜したフィルムＦを巻き取る巻取りローラ２３とを備えたステッピングロール方式の成膜装置である。そして、成膜部２１は、フィルム走行方向に関して直列的に配置された第１成膜部２１Ａ及び第２成膜部２１Ｂで構成されている。そして、第１成膜部２１Ａと第２成膜部２１Ｂの間には、フィルムＦを所定長さにわたって待機させる予備室２５が設けられている。
【００１９】
第１成膜部２１Ａ及び第２成膜部２１Ｂはそれぞれ同一の構成を有している。個別に説明する場合を除き、以下の説明では成膜部２１と総称する。成膜部２１は、真空チャンバ３０を有し、この真空チャンバ３０の内部には成膜室２４が設けられている。巻出しローラ２２は、第１成膜部２１Ａの連結槽３３Ａに連結された補助真空槽２６の内部に配置されている。また、巻取りローラ２３は、第２成膜部２１Ｂの連結槽３４Ｂに連結された補助真空槽２７の内部に配置されている。そして、予備室２５は、第１成膜部２１Ａの連結槽３４Ａと第２成膜部２１Ｂの連結槽３３Ｂに連結された予備真空槽２８の内部に形成されている。
【００２０】
連結槽３３Ａ，３４Ａは、第１成膜部２１Ａの成膜室２４のフィルム導入側およびフィルム導出側にそれぞれ連通可能に接続されている。連結槽３３Ｂ，３４Ｂは、第２成膜部２１Ｂの成膜室２４のフィルム導入側およびフィルム導出側にそれぞれ連通可能に接続されている。予備真空槽２８は、第１成膜部２１Ａの連結槽３４Ａと第２成膜部２１Ｂの連結槽３３Ｂの間に各々に連通可能に接続されている。なお、真空チャンバ３０，３０、補助真空槽２６，２７の内部および予備室２５は、各々独立した真空ポンプで所定の減圧雰囲気に真空排気されるが、共通の真空排気ポンプを用いてそれぞれ排気されるようにしてもよい。
【００２１】
第１成膜部２１Ａの連結槽３３Ａ，３４Ａには、フィルムＦを挟んで開閉する一対のシール機構３１Ａ，３２Ａがそれぞれ設けられている。同様に、第２成膜部２１Ｂの連結槽３３Ｂ，３４Ｂには、フィルムＦを挟んで開閉する一対のシール機構３１Ｂ，３２Ｂがそれぞれ設けられている。これらのシール機構３１Ａ，３２Ａ，３１Ｂ，３２Ｂは、フィルムＦの搬送時は開放され、成膜室２４で成膜処理あるいはクリーニング処理をする際には閉塞して成膜室２４を密封するドアバルブとして構成されている。
【００２２】
本実施形態では、第１成膜部２１Ａにおいて、一対のシール機構３１Ａ，３２Ａの距離は、当該第１成膜部２１Ａの成膜室２４で成膜されるフィルム長さ（単位成膜長さ）の３倍に設定されている。また、第２成膜部２１Ｂにおいても同様に、一対のシール機構３１Ｂ，３２Ｂの距離は、当該第２成膜部２１Ｂの成膜室２４で成膜されるフィルム長さ（単位成膜長さ）の３倍に設定されている。一対のシール機構３１Ａ，３２Ａ（３１Ｂ，３２Ｂ）の各々は、成膜室２４に関して対称な位置に設置されている。なお本実施形態では、第１成膜部２１Ａにおける単位成膜長さと第２成膜部２１Ｂにおける単位成膜長さは、それぞれ同一に設定されている。
【００２３】
予備室２５には、フィルムＦの走行をガイドするガイドローラ３５，３５と、フィルムＦの張力を制御するテンションローラ３６が設置されている。テンションローラ３６は、第１，第２成膜部２１Ａ，２１Ｂの間に位置するフィルムＦの弛みを防止して、フィルムＦの安定した走行性を確保するためのものである。
【００２４】
ここで、第１成膜部２１Ａのフィルム導出側に位置するシール機構３２Ａと、第２成膜部２１Ｂのフィルム導入側に位置するシール機構３１Ｂとの間は、単位成膜長さの自然数倍に相当する長さのフィルムＦを待機させるフィルム待機領域とされている。具体的に本実施形態では、このフィルム待機領域に待機されるフィルムＦの長さが単位成膜長さの奇数倍（例えば３倍）となるように、ガイドローラ３５，３５及びテンションローラ３６間の位置が設定されている。
【００２５】
フィルムＦは、所定幅に裁断された長尺の可撓性フィルムからなり、巻出しローラ２２から巻き出され、成膜部２１において一方の面（成膜面）にプラズマＣＶＤにより成膜処理が施された後、巻取りローラ２３によって巻き取られる。フィルムＦの構成材料としては、例えば樹脂フィルムが用いられ、この場合、特に、ポリイミド、ポリアミド、アラミドなど耐熱温度２００℃以上の樹脂フィルムが好適である。
【００２６】
次に、成膜部２１（２１Ａ，２１Ｂ）の構成について図２及び図３を参照して説明する。図２は、図１に示した成膜部２１の拡大図であり、非成膜処理時の状態を示している。図３は、図２における［３］−［３］線方向断面図である。
【００２７】
成膜部２１は、フィルムＦの成膜面（下面）側に配置された高周波電極４０と、フィルムＦの成膜面の非成膜面（上面）側に配置された対向電極４１とを備え、これら高周波電極４０と対向電極４１との間にフィルムＦ、及び後述するクリーニング用マスク（遮蔽部材４９）の搬送空間が形成されている。
【００２８】
高周波電極４０には、シールドボックス４２が取り付けられている。高周波電極４０には、プロセスガス（原料ガス、クリーニングガス）のガス導入ライン（ガス導入手段）４３が設けられている。プロセスガスは、フィルムＦと対向するように高周波電極４０に支持されたシャワープレート４４を介して、フィルムＦの成膜面とシャワープレート４４との間の空間領域（成膜室２４）に導入される。なお、参照符号４５は、高周波電源に接続されたマッチングボックスである。
【００２９】
対向電極４１は、接地電位に接続されたアノード電極として構成され、高周波電極４０と協働して成膜室２４にプラズマを形成する。また、この対向電極４１には、ヒーターを内蔵した加熱源としての機能をも有しており、フィルムＦを所定温度に加熱する。対向電極４１は昇降機構４６によって所定距離昇降自在に構成されており、成膜時及びプラズマクリーニング時、図２に示す上昇位置から所定距離だけ下降してフィルムＦの上面に接触する。
【００３０】
なお、対向電極４１の外周部には、絶縁性材料からなる環状の摺動部材４７が取り付けられており、対向電極４１は、この摺動部材４７を介して真空チャンバ３０の内壁面に沿って昇降移動する。
【００３１】
ここで、プロセスガスとして導入される原料ガスは、フィルムＦに成膜する材料の種類によって適宜選択される。本実施形態では、プラズマＣＶＤ法により、フィルムＦに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）や太陽電池用の各種機能層が形成される。例えば、フィルムＦにアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の薄膜を成膜する場合には、原料ガスとして、例えば、シラン（ＳｉＨ4）と水素（Ｈ2）の混合ガスが用いられる。また、Ｐ+アモルファスシリコン層やＮ+アモルファスシリコン層を形成する場合には、原料ガスとして、ホウ素（Ｂ）やリン（Ｐ）を含むガス（例えばＢ2Ｈ6、ＰＨ3）が用いられる。
【００３２】
クリーニングガスとしては、成膜室２４の周囲に付着した原料ガスの分解生成物を分解除去できる種類のガスが適宜選択され、上記原料ガスの例では、ＮＦ3やＣＦ4等のフッ素系ガスが用いられる。
【００３３】
シャワープレート４４とフィルムＦの成膜面との間には、マスク部材４８が配置されている。マスク部材４８は、例えば、セラミックス等の絶縁性材料からなり、フィルムＦの成膜面の面内において成膜領域を画定する開口部を備えた枠状に形成されている。このマスク部材４８のフィルム走行方向に関しての開口幅は、成膜室２４において成膜されるフィルム長さ、即ち単位成膜長さを規定する。
【００３４】
一方、フィルムＦの成膜面とマスク部材４８との間には、クリーニング用マスクとしての遮蔽部材４９が配置されている。遮蔽部材４９は、マスク部材４８の開口部に臨むフィルムＦの成膜面を遮蔽可能な板状体で構成されている。
【００３５】
遮蔽部材４９は、成膜室２４のクリーニング処理時以外は、真空チャンバ３０に隣接して設けられた収納室５０（図３）に収納されている。収納室５０の内部には、搬送機構５１が設けられている。搬送機構５１は、例えばシリンダ装置やボールネジユニットなどで構成され、図３に示すように遮蔽部材４９をフィルムＦの成膜面とマスク部材４８との間に位置させる遮蔽位置と、遮蔽部材４９を収納室５０の内部に収納する待機位置との間にわたって遮蔽部材４９を搬送する機能を有する。
【００３６】
遮蔽部材４９には、上記遮蔽位置において真空チャンバ３０の内壁面の一部に接触するシール部５２が設けられている。また、図３に示すように、真空チャンバ３０の側壁部の所定位置には、遮蔽位置に搬送された遮蔽部材４９をフィルムＦ側に押圧するためのプッシャ５３，５３がそれぞれ設置されている。
【００３７】
次に、真空チャンバ３０の周囲には、成膜室２４に導入されたプロセスガスを排気するための排気通路５５が設けられている。この排気通路５５は、成膜室２４の周囲を取り囲むように環状に形成されており、真空チャンバ３０の一部を構成する側壁ブロック５６に複数放射状に形成された排気口５６ａを介して成膜室２４に連通している。排気通路５５は、排気ポートを介して図示しない真空ポンプに接続されている。
【００３８】
また、真空チャンバ３０の上部には、対向電極４１の成膜室２４側とは反対側の空間部に窒素や水素等のパージガスを導入するためのパージガス導入ライン５７が設けられており、成膜時及びクリーニング時において当該空間部をパージガスで充填して成膜室２４よりも高い圧力に維持するように構成されている。これにより、対向電極４１の周縁（摺動部材４７）と真空チャンバ３０の内壁面の隙間を介しての当該空間部へのプロセスガスの流入が防止される。
【００３９】
以上のように構成される本実施形態の巻取式プラズマＣＶＤ装置２０において、フィルムＦは、巻出しローラ２２から巻き出された後、ステッピングロール方式で第１成膜部２１Ａおよび第２成膜部２１Ｂにおいて順に成膜される。フィルムＦの走行時、シール機構３１Ａ，３２Ａ，３１Ｂ，３２Ｂはそれぞれ開放される。そして、フィルムＦの成膜時、フィルムＦの走行が停止された後、シール機構３１Ａ，３２Ａ，３１Ｂ，３２ＢがそれぞれフィルムＦを挟んで閉止され、成膜室２４，２４をそれぞれ密封する。この状態で、フィルムＦの成膜処理が行われる。成膜終了後、シール機構３１Ａ，３２Ａ，３１Ｂ，３２Ｂを開放し、フィルムＦの走行を再開することで、フィルムＦが巻取りローラ２３に巻き取られる。
【００４０】
第１成膜部２１Ａにおいて、フィルムＦは、第２成膜部２１Ｂにおける単位成膜長さに相当する間隔をあけて成膜される。第１成膜部２１Ａ及び第２成膜部２１Ｂにおいては、互いに同一の材料が成膜される。そして、第２成膜部２１Ｂにおいて、フィルムＦは、第１成膜部２１Ａによる成膜領域の間の領域が成膜される。単位成膜長さは、マスク部材４８のフィルム走行方向に沿って延在する開口長に相当するもので、成膜室２４で成膜されるフィルム長を意味する。本実施形態において、第１成膜部２１ＡにおけるフィルムＦの単位成膜長さと第２成膜部２１ＢにおけるフィルムＦの単位成膜長さは互いに同一となるように構成されているので、巻出しローラ２２及び巻取りローラ２３は、上記単位成膜長さの２倍に相当するフィルム長ずつ間欠的にフィルムＦの巻出し及び巻取りを行う。
【００４１】
図４に、フィルムＦの成膜面を示している。第１成膜部２１Ａにおける成膜領域Ａと、第２成膜部２１Ｂにおける成膜領域Ｂは互いに連接しており、フィルムＦの長手方向に沿ってほぼ連続的に成膜されている。第１成膜部２１Ａのシール機構３１Ａ，３１Ｂは、第１成膜部２１Ａの成膜室２４に対して１単位成膜長さに相当する距離だけ離間した位置にそれぞれ設置されている。第２成膜部２１Ｂのシール機構３１Ｂ，３２Ｂも同様に、第２成膜部２１Ｂの成膜室２４に対して１単位成膜長さに相当する距離だけ離間した位置にそれぞれ設置されている。したがって、フィルムＦは、成膜時、シール機構３１Ａ，３２Ａ及びシール機構３１Ｂ，３２Ｂによって、隣接する成膜領域Ａ，Ｂの間が挟持されることになる。
【００４２】
一方、第１成膜部２１Ａと第２成膜部２１Ｂとの間に形成されるフィルム待機領域には、単位成膜長さの自然数倍に相当する長さのフィルムＦが延在している。上述した条件において成膜処理が行われる本実施形態においては、単位成膜長さの（２ｍ＋１）倍に相当する長さのフィルムＦが予備室２５に収容されている。なお、ｍは自然数である。
【００４３】
以上のように、本実施形態によれば、シール機構３１Ａ，３２Ａ，３１Ｂ，３２Ｂによって挟持される領域（シール領域）を除くほぼすべてのフィルム領域を成膜領域とすることが可能となる。これにより、フィルム走行方向に沿ってほぼ連続した成膜処理を行うことが可能となり、フィルムの使用効率の向上を図ることが可能となる。
【００４４】
また、本実施形態によれば、第１成膜部２１Ａと第２成膜部２１Ｂの間のフィルム待機領域において、単位成膜長さの自然数倍（奇数倍）に相当する長さのフィルムを待機させるように構成しているので、成膜部２１が複数配置される場合にあっても、フィルムの使用効率を損なわずに生産性を高めることが可能となる。
【００４５】
ここで、フィルムＦの成膜時、成膜部２１Ａ，２１Ｂは、シール機構３１Ａ，３２Ａ，３１Ｂ，３２Ｂを閉止し成膜室２４，２４を密閉した状態で、成膜室２４内に原料ガスのプラズマを形成し、フィルムＦの成膜を行う。したがって、原料ガスやプラズマ生成物が成膜部２１Ａ，２１Ｂの外部に漏出することが防止される。
【００４６】
一方、成膜室２４のクリーニング時においては、図２及び図３に示すように、遮蔽部材４０がフィルムＦの成膜面と高周波電極４０との間に配置される。その後、プッシャ５３によって遮蔽部材４９が真空チャンバ３０の内壁面に密着された後、成膜室２４へクリーニングガスを導入してプラズマクリーニングを行う。この間、シール機構３１Ａ，３２Ａ，３１Ｂ，３２Ｂを閉止させておくことで、腐食性の強いクリーニングガスのチャンバ外部への漏出を確実に防止することが可能となる。また、成膜部２１Ａ，２１Ｂ内のフィルムＦに影響を及ぼすことなく真空チャンバ３０内のプラズマクリーニングが可能となるので、スループットを高めて生産性の向上が図れるようになる。
【００４７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４８】
例えば以上の実施形態では、成膜部２１を複数の成膜部２１Ａ，２１Ｂで構成したが、これに限られず、単一の成膜部で構成してもよいし、３以上の成膜部を直列配置して構成してもよい。そして、成膜部としてプラズマＣＶＤ装置を適用した例について説明したが、これに限らず、例えば熱ＣＶＤ装置やスパッタ装置などの他の成膜装置にも本発明は適用可能である。
【００４９】
また、以上の実施形態では、成膜部２１Ａ（２１Ｂ）において、一対のシール機構３１Ａ，３２Ａ（３１Ｂ，３２Ｂ）間の距離を単位成膜長さの３倍に設定したが、これに限られず、これらシール機構の間の距離が（Ｎ＋２）倍（Ｎは自然数）であれば、上述と同様の効果を得ることができる。
【００５０】
また、第１成膜部２１Ａにおけるフィルム成膜領域と第２成膜部２１Ｂにおけるフィルム成膜領域を共通にすることで、フィルムＦに積層膜を形成することが可能となる。この場合、フィルムの搬送ピッチが単位成膜長さの２倍である条件においては、第１，第２成膜部２１Ａ，２１Ｂ間のフィルム待機領域に、単位成膜長さの偶数倍に相当する長さのフィルムを待機させる設定とすればよい。
【００５１】
なお、予備室２５に設置されるガイドローラ３５及びテンションローラ３６の何れか一方を加熱ローラとして構成することも可能である。この場合、成膜前においてフィルムＦの予熱処理を行うことができる。また、上記加熱ローラは予備室２５に設置される例に限られず、第１成膜部２１Ａの連結槽３３Ａ，３４Ａ及び第２成膜部２１Ｂの連結槽３３Ｂに設けることもできる。
【００５２】
更に、以上の実施形態では、第１成膜部２１Ａにおける単位成膜長さと第２成膜部２１Ｂにおける単位成膜長さを同一としたが、それぞれを異ならせることも可能である。この場合、フィルムＦの搬送ピッチを第１成膜部における単位成膜長さと第２成膜部における単位成膜長さの和とすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態による成膜装置としての巻取式プラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図２】図１に示した成膜部の拡大図である。
【図３】図２における［３］−［３］線方向断面図である。
【図４】フィルムの成膜面を示すフィルム展開図である。
【図５】従来のステッピングロール方式の成膜装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００５４】
２０  巻取式プラズマＣＶＤ装置（成膜装置）
２１  成膜部
２１Ａ  第１成膜部
２１Ｂ  第２成膜部
２２  巻出しローラ
２３  巻取りローラ
２４  成膜室
２５  予備室
３０  真空チャンバ
３１Ａ，３２Ａ，３１Ｂ，３２Ｂ  シール機構
４０  高周波電極
４１  対向電極
４４  シャワープレート
４８  マスク部材
４９  遮蔽部材
【図１】
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【図２】
2008202069.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008202069.tif 000006
【図５】
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