(57)【要約】【課題】ランドパッドとエピウエハの間の付着力を確実にし、ランドパッド表面粗度過大の問題を改善するＬＥＤエピウエハに用いるランドパッドの製造工程及び構造を提供する。【解決手段】ＬＥＤエピウエハに用いるランドパッドの製造工程及び構造は、先ずエピウエハ表面に対して界面結合力を高める手段、次にエピウエハ表面に金属沈殿手段、先ずエピウエハの表面にプラズマ処理を行い、ランドパッドとエピウエハの間の付着力を確実にする。この他、更に電気メッキ条件を制御して、電気メッキ沈殿の粒を極粒にし、ランドパッド表面粗度過大の問題を改善し、ランドパッドと電線接合の接着強度を高める。また第一金属層及び第二金属層の間に導電粘着層を沈殿させ、第一金属層及び第二金属層の界面結合力を高める。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程において、少なくとも、
（Ａ）エピウエハを提供し、そのエピウエハは少なくとも基板及び第一金属層を含み、
（Ｂ）第一金属層の第一表面に対して界面結合力を高める手段を施し、
（Ｃ）第一表面に対して金属沈殿手段で第二金属層を形成し、
（Ｄ）リソグラフィーエッチング製造工程でエピウエハ上にランドパッドを形成する；
ステップを含むことを特徴とするＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項２】
一種のＬＥＤエピウエハのランドパッドを用いた製造工程において、少なくとも
（１）エピウエハを提供し、そのエピウエハは少なくとも基板及び第一金属層を含み、
（２）その第一金属層の第一表面に第一フォトレジスト遮蔽カバーを形成し、その第一表面の露出表面を形成し、
（３）露出表面に界面結合力を高める手段を施し、
（４）露出表面に金属沈殿手段で第二金属層を形成し、
（５）第一フォトレジスト遮蔽カバーを除去し，第一表面にランドパッドを形成し、
（６）ランドパッド上に第二フォトレジスト遮蔽カバーを形成し、
（７）エッチング製造工程で第二フォトレジスト遮蔽カバー及びランドパッド遮蔽を受けていない第一金属層を除去する；
ステップを含むことを特徴とするＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項３】
前記界面結合力を高める手段は、プラズマ処理とすることを特徴とする請求項１もしくは２記載のＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項４】
前記界面結合力を高める手段は、超極細繊維糸もしくは織布拭きとすることを特徴とする請求項１もしくは２記載のＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項５】
前記界面結合力を高める手段は、溶剤もしくは溶液で浸す、もしくは拭くことを特徴とする請求項１もしくは２記載のＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項６】
前記金属沈殿手段は、蒸気被覆(Evaporation)とすることを特徴とする請求項１もしくは２記載のＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項７】
前記金属沈殿手段は、スパッタリング(sputtering)とすることを特徴とする請求項１もしくは２記載のＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項８】
前記金属沈殿手段は、電気メッキ沈殿とすることを特徴とする請求項１もしくは２記載のＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項９】
ＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程において、少なくとも 
（Ａ）エピウエハを提供し，そのエピウエハ少なくとも基板及び第一金属層を含み、
（Ｂ）その第一金属層の第一表面にプラズマ処理を施し、 
（Ｃ）その第一表面には電気メッキ沈殿で一第二金属層を形成し、
（Ｄ）リソグラフィーエッチング製造工程でエピウエハ上にランドパッドを形成する；
ステップを含むことを特徴とするＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項１０】
ＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程において、少なくとも 
（１）エピウエハを提供し，そのエピウエハ少なくとも基板及び第一金属層を含み；
（２）その第一金属層の第一表面に第一フォトレジスト遮蔽カバーを形成し、その第一表面の露出表面を形成し、
（３）露出表面にプラズマ処理を施し、 
（４）その露出表面に電気メッキ沈殿で第二金属層を形成し、
（５）その第一フォトレジスト遮蔽カバーを除去し、第一表面にランドパッドを形成し、
（６）そのランドパッド上に第二フォトレジスト遮蔽カバーに形成し、
（７）エッチング製造工程で第二フォトレジスト遮蔽カバー及びランドパッドを遮蔽していない該第一金属層を除去する；
ステップを含むことを特徴とするＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程。
【請求項１１】
前記電気メッキ沈殿は、金電気メッキ沈殿で、且つその金電気メッキ沈殿の操作温度は４０〜５０℃の間で、且つ金電気メッキ沈殿の操作電流密度は０．２〜０．５Ａｍｐ／ｄｍ２とすることを特徴とする請求項９もしくは１０記載のＬＥＤエピウエハに用いるランドパッドの製造工程。
【請求項１２】
ＬＥＤエピウエハ及びランドパッド構造は、少なくとも基板及び第一金属層を含むエピウエハと、 金属層上に被せる粘着層と、粘着層上に被せるランドパッドを少なくとも含むことを特徴とするＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの構造。
【請求項１３】
一種ＬＥＤエピウエハ及びランドパッド構造は、少なくとも基板及び第一金属層を含むエピウエハと、第一金属層上に被せる粘着層と、粘着層上に被せる電気メッキ核種層と電気メッキ核種層上に被せるランドパッドを少なくとも含むことを特徴とするＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの構造。
【請求項１４】
前記電気メッキ核種層及びランドパッドは、すべて金とすることを特徴とする請求項１３記載のＬＥＤエピウエハ及びランドパッドの構造。
【請求項１５】
前記粘着層は、導電性金属もしくは合金とすることを特徴とする請求項１２もしくは１３記載のＬＥＤエピウエハ及びランドパッドの構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の製造工程及び構造に関し、特に一種のＬＥＤエピウエハに用いるランドパッドの製造工程及び構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示すとおり、公知のＬＥＤエピウエハ１０は、電極となる金属層１１上に、半導体製造工程によって、一定の厚みを具えたランドパッド１２を作り、ワイヤーボンディング(wire bonding)の過程の電線１３をランドパッド１２上に接合する時，エピウエハ１０に対して過大な衝撃を与え、構造破壊及び影電性に影響するのを防止する。
【０００３】
現在の産業分業に於いて、一方からエピウエハ１０上に金属層１１となる金属底材を沈殿した後，続いて別方向から金属底材上にランドパッド１２製造工程を行う。しかしながら、エピウエハ１０は運送、入庫保存し、更に取出し等の過程を経ると、その金属底材の表面は必ずと言って良いほど、多かれ少なかれ、有機汚染物が付着し、その後の金属底材上のランドパッド１２付着力に影響を与える。
【０００４】
次はランドパッド１２表面と電線１３の接合箇所は、ランドパッド１２表面の粗度が大きすぎるために、その間の接合接着強度に影響が出やすい。公知において電気メッキ製造工程で製造したランドパッド１２は表面の粗度が大きすぎる問題があり、接合時に電線１３をしっかり接続できず、電線１３との間の接合強度に影響を与え易かった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
解決しようとする問題点は、ランドパッドの表面に有機汚染物が付着することにより、金属材との付着力が弱くなること、及び粗度が過大であるため、電線接合の接着強度に問題がある点である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、先ずエピウエハ表面に対して界面結合力を高める手段，例としてプラズマ処理を施す。次にエピウエハ表面に金属沈殿手段、例として電気メッキ沈殿でランドパッドを形成する。先ずエピウエハの表面にプラズマ処理を行い、ランドパッドとエピウエハの間の付着力を確実にする。この他、更に電気メッキ条件を制御して、電気メッキ沈殿の粒を極粒にし、ランドパッド表面粗度過大の問題を改善し、ランドパッドと電線接合の接着強度を高める。また第一金属層及び第二金属層の間に導電粘着層を沈殿させ、第一金属層及び第二金属層の界面結合力を高め、新しいエピウエハ及びランドパッド構造を形成することを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のＬＥＤエピウエハに用いるランドパッドの製造工程及び構造は、ランドパッドとエピウエハの間の付着力を確実にする。この他、更に電気メッキ条件を制御して、電気メッキ沈殿の粒を極粒にし、ランドパッド表面粗度過大の問題を改善するという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の目的は、ＬＥＤエピウエハに用いるランドパッド製造工程を提供する。
【０００９】
本発明のＬＥＤエピウエハに用いるランドパッド製造工程は、主に以下のステップを含む。
（Ａ）エピウエハを提供し、そのエピウエハ表面上に第一金属層を形成する。
（Ｂ）その第一金属層表面に界面結合力を高める手段を行う。 
（Ｃ）第一金属層表面には、金属沈殿手段によって第二金属層を形成する。
（Ｄ）リソグラフィーエッチング製造工程でエピウエハの表面にランドパッドを形成する。
【００１０】
そのうち、界面結合力を高める手段は、
（１）表面清浄手段：物理方式(例として：プラズマ処理、糸もしくは織布で拭く、超極細繊維糸、もしくは織布で拭く)、化学方式(例として高純度高揮発性溶剤：イソプロパノール、アセトン等で浸す、もしくは拭く，溶液：エッチング液ＨＣ１／ＨＮ０３等で浸す、もしくは拭く)。
（２）表面粗化手段：物理方式(例として：プラズマ、磨砂、噴砂、研磨処理)、もしくは化学方式(例として：腐蝕性気体、もしくは腐蝕性液体に置き、低濃度エッチング液ＨＣ１／ＨＮ０３等で浸す、もしくは拭く)。
（３）粘着層塗布：界面間に導電粘着層を増やす。例としてクロム、チタン、ニッケル導電性金属、もしくは合金、例としてチタン・タングステン合金で塗布もしくは沈殿する。
【００１１】
この金属沈殿手段は、物理ガスクリマトグラフ沈殿（例として蒸気被覆（Evaporation）もしくはスパッタリング(sputtering)）、化学ガスクリマトグラフ沈殿、電気メッキ、もしくは無電解電気メッキ沈殿方式でもよい。
【００１２】
プラズマを例とすると、本発明は、先ずエピウエハの第一金属層表面にプラズマ処理を施した後、続いて第一金属層の表面に第二金属層を沈殿させ、リソグラフィーエッチング製造工程で成型した後、ランドパッドを形成する。このため、ランドパッドとエピウエハの間の付着力を確実に改善する。
【００１３】
本発明は、導電粘着層を第一金属層及び第二金属層の間に挟み、第一金属層及び第二金属層の界面結合力を高め、更に新しいエピウエハ及びランドパッド構造を形成する。
【００１４】
この他、電気メッキ条件を制御して、ランドパッド表面の粗度過大の問題を改善し、電気メッキ沈殿で極小平坦にし、ランドパッド表面の粗度過大によって接合時に電線が密着しない問題を改善する。 
【実施例１】
【００１５】
本発明に関する前述及びその他技術内容、特徴と効果は、以下の参考図式の六 実施例において詳細な説明を行う。本発明詳細説明において、類似する部品は同じ番号で表示するものとする。
【００１６】
本発明は、ＬＥＤエピウエハで使用するランドパッドの製造工程の第一実施例である。先ず、図２に示すとおり，エピウエハ２を提供する。このエピウエハ２は、基板２０、基板２０上に形成するエピウエハ層２１、及びエピウエハ層２１の表面Ｓ上に形成する第一金属層２２を含む。
【００１７】
第一金属層２２の表面は、通常運送、入庫保存，取出等過程において、その上に有機汚染物が付着してしまう。本発明は、先ず界面結合力を高める手段によって、第一金属層２２の第一表面Ｓ１を処理し、以後の界面間の結合力を高める。この界面結合力を高める手段は、表面清浄手段の物理方式(例：プラズマ処理、糸もしくは織布で拭く、超極細繊維糸もしくは織布で拭く)、化学方式(例として高純度高揮発性溶剤：イソプロパノール、アセトン等に浸す、もしくは拭く，もしくは溶液、例としてエッチング液のＨＣ０１／ＨＮ０３等に浸す、もしくは拭く)とし、第一金属層２２の第一表面Ｓ１を清浄する。または表面粗化手段の物理方式(例として：プラズマ、磨砂、噴砂、研磨による処理)、もしくは化学方式(例として：腐蝕性気体もしくは腐蝕性液体に置いて、低濃度エッチング液ＨＣ１／ＨＮ０３等に浸す、もしくは拭く)で 、第一金属層２２の第一表面Ｓ１を粗化する。または粘着層３１を塗布もしくは沈殿する。例として界面間に一導電粘着層を増やし、クロム、チタン、ニッケルの導電性金属、もしくは合金、例としてチタン・タングステン合金で塗布し、第一金属層２２の第一表面Ｓ１を先ず粘着層で覆う。その部分は第三実施例において詳しく説明する。そのうち、プラズマ、もしくはエッチング液は、同時に第一表面Ｓ１を清浄及び粗化する効果を具える。酸素プラズマを例とすると、プラズマ処理過程において、エピウエハ２を、酸素を含むプラズマ環境内に置き、酸素でプラズマ環境から酸素自由基を取り出し、有機汚染物と反応させ、気体にして金属層２２の該第一表面Ｓ１から取り出し、きれいにする。
【００１８】
アルゴンプラズマを使用した時、マイナス偏圧の作用によってプラズマ環境中のアルゴンプラスイオンが第一金属層２２の第一表面Ｓ１にイオン衝撃(ion bombardment)の作用を発生させ、第一金属層２２の第一表面Ｓ１を清浄する他に、第一金属層２２の第一表面Ｓ１を粗化する。
【００１９】
プラズマ処理過程で第一表面Ｓ１上の有機汚染物を除去し、第一表面Ｓ１を粗化した後，続いて図３に示すとおり、第一表面Ｓ１上で電気メッキ沈殿を行い、ランドパッド材質となる第二金属層２３を形成する。
【００２０】
そのうち、電気メッキがランドパッドの第二金属層２３の第二表面Ｓ２粗度を過大にする問題を改善するため、電気メッキ条件を制御して公知例の金電気メッキ温度を４０〜５０℃の間に下げ、更に公知の金電気メッキ電流密度を０．２〜０．５Ａｍｐ／ｄｍ２に下げ、電気メッキ沈殿で公知より極小の粒を取り出し、第二金属層２３の第二表面Ｓ２中心線平均粗度Ｒａを１５００Åより小さくする。
【００２１】
更に図４に示すとおり，リソグラフィー製造工程において、第二金属層２３の第二表面Ｓ２上にフォトレジスト遮蔽カバー２４を形成し、更にエッチング製造工程でフォトレジスト遮蔽カバー２４に遮蔽されていない第二金属層２３及びその下の第一金属層２２を取り除き、最後にフォトレジスト遮蔽カバー２４を移動し、図５に示すとおりのランドパッド２５を形成する。
【実施例２】
【００２２】
本発明ＬＥＤエピウエハで使用するランドパッド製造工程の第二実施例は、第一実施例と同じ箇所として、図２に示すとおり、エピウエハ２を提供し、そのエピウエハ２は、基板２０、エピウエハ層２１，及びエピウエハ層２１の表面Ｓ上に形成する第一金属層２２を含む。
【００２３】
この時、図６に示すとおり，第一金属層２２上に第一フォトレジスト遮蔽カバー２６を形成し、第一フォトレジスト遮蔽カバー２６は、第一金属層２２上に於いて露出表面Ｅ１を形成し、その露出表面Ｅ１内の第一金属層２２表面は、運送、入庫保存，取出等の過程に於いてその上に有機汚染物が付着する。本発明では、先ず界面結合力を高める手段として、第一金属層２２の表面を処理し、以後の界面間の結合力を高める。その界面結合力を高める手段は、表面清浄手段の物理方式(例として：プラズマ処理、糸もしくは織布で拭く、超極細繊維糸もしくは織布で拭く)、化学方式(例として化学化学相容性を具えたフォトレジストの溶液、例として希釈したＨＣ１／ＨＮ０３エッチング液等に浸す、もしくは拭く)により、露出表面Ｅ１を清浄する。または表面粗化手段の物理方式(例として：プラズマ、磨砂、噴砂、研磨で処理する)、もしくは化学方式(例として：腐蝕性気体もしくは化学相容性を具えたフォトレジストと腐蝕性液体を低濃度エッチング液ＨＣ１／ＨＮ０３等に浸す、もしくは拭く)を用い、露出表面Ｅ１を粗化する。または粘着層３１を塗布もしくは沈殿すると、界面間に導電粘着層が増し、クロム、チタン、ニッケル導電性金属もしくは合金、例としてチタン・タングステン合金で塗布し、露出表面Ｅ１を粘着層で覆う。この部分は第四実施例で詳細説明する。そのうち、プラズマもしくはエッチング液は、露出表面Ｅ１を同時に清浄及び粗化する効果を具える。酸素プラズマを例にとると、プラズマ処理過程では露出表面Ｅ１のエピウエハを、酸素を含むプラズマ環境内に置き、酸素でプラズマ環境から酸素自由基を取り出して有機汚染物と反応させ、気体を生成して該露出表面Ｅ１から取り出し、きれいにする。
【００２４】
アルゴンプラズマを使用する時、マイナス偏圧作用により、プラズマ環境中のアルゴンプラスイオンを露出表面Ｅ１に対してイオン衝撃作用を発生させ、露出表面Ｅ１を清潔にする他、露出表面Ｅ１を粗化する。
【００２５】
プラズマによる処理によって、露出表面Ｅ１上の有機汚染物を清浄し、更に露出表面Ｅ１を粗化した後、第六図と第七図に示すとおり，露出表面Ｅ１を電気メッキ沈殿でランドパッド２７を形成し、更にフォトレジスト遮蔽カバー２６を除去する。
【００２６】
そのうち、電気メッキ形成のランドパッド２７の第三表面Ｓ３粗度が過大となる問題を改善するため、電気メッキ条件を制御して公知例の金電気メッキ温度を４０〜５０℃の間に下げ、更に公知の金電気メッキ電流密度を０．２〜０．５Ａｍｐ／ｄｍ２に下げ、電気メッキ沈殿で以前より極小の粒を取り出し、ランドパッド２７の第三表面Ｓ３中心線平均粗度Ｒａを１５００Åより小さくする。
【００２７】
その後、図８に示すとおり、第三表面Ｓ３上に第一フォトレジスト遮蔽カバー２６と反相する(inverse tone)第二フォトレジスト遮蔽カバー２８を形成し、続いてエッチング製造工程で第二フォトレジスト遮蔽カバー２８及びランドパッド２７の遮蔽を受けていない第一金属層２２を除去し、第二フォトレジスト遮蔽カバー２８を除去する。第九図に示すのは、本実施例のランドパッド製造工程が完了したものである。
【実施例３】
【００２８】
本発明のＬＥＤエピウエハを使用したランドパッド製造工程の第三実施例は、沈殿粘着層３１の塗布もしくは沈殿に関し、図１０に製造工程順序を示す。図１０に示す製造工程は、前述第一実施例と比較し、第一金属層２２の第一表面Ｓ１に粘着層３１を塗布もしくは沈殿し、その粘着層３１上方は電気メッキ沈殿でランドパッド材質を作る第二金属層２３を形成し、リソグラフィー製造工程で第二金属層２３の第二表面Ｓ２上にフォトレジスト遮蔽カバー２４を形成する。そしてエッチング製造工程でフォトレジスト遮蔽カバー２４に被さっていない第二金属層及びその下の粘着層３１、第一金属層２２を除去し、最後にフォトレジスト遮蔽カバー２４を移動し、本実施例のランドパッド製造工程を完成する。
【実施例４】
【００２９】
本発明のＬＥＤエピウエハを使用したランドパッド製造工程の第四実施例は、粘着層３１を塗布もしくは沈殿することに関し、図１１で製造工程順序を示す。図１１に示す製造工程において、前述の第二実施例との差は第一金属層２２上において、第一フォトレジスト遮蔽カバー２６を形成し、第一フォトレジスト遮蔽カバー２６は、第一金属層２２上に露出表面Ｅ１を形成し、この露出表面Ｅ１に粘着層３１を塗布（例として網版印刷）もしくは沈殿する（例として無電解電気メッキ）。粘着層３１上では電気メッキ沈殿でランドパッド２７を形成し、第一フォトレジスト遮蔽カバー２６を除去し、また第三表面Ｓ３上では第一フォトレジスト遮蔽カバー２６と反相(inverse tone)する第二フォトレジスト遮蔽カバー２８を形成し、続いてエッチング製造工程で第二フォトレジスト遮蔽カバー２８及びランドパッド２７の遮蔽を受けていない第一金属層２２を除去し、第二フォトレジスト遮蔽カバー２８を除去して本実施例のランドパッド製造工程を完成する。
【００３０】
第三実施例もしくは第四実施例に基づいて形成する新しいエピウエハ及びランドパッド構造は、図１２に示すとおりで、エピウエハ２に基づく。このエピウエハ２は、基板２０、エピウエハ層２１及びエピウエハ層２１上に被せる第一金属層２２、第一金属層２２上に被せる粘着層３１、及び粘着層３１上に被せるランドパッド２５もしくは２７を含む。
【実施例５】
【００３１】
第五実施例は、第三実施例と近似しており、粘着層３１を形成した後、先ず、粘着層３１上に電気メッキ核種層３２を沈殿させるステップを施し、次に第二金属層２３を沈殿し、その後の製造工程ステップは第三較佳実施と同じで、最終構造は図１３に示すとおりである。
【実施例６】
【００３２】
第六実施例は第四実施例と近似しており、粘着層３１を形成した後、先ず粘着層３１上に電気メッキ核種層３２を沈殿するステップを施し、続いて沈殿でランドパッド２７を形成し、その後の製造工程ステップは第四較佳実施と同じで、最終構造は図１４に示すとおりである。
【００３３】
そのうち、電気メッキ核種層３２の材質は、ランドパッドと同じ材質，例として：金でもよい。第五及び第六実施例は別に新しいエピウエハ及びランドパッド構造を形成し、図１３、図１４に示すとおり、順序はエピウエハ２とし、エピウエハ２は基板２０、エピウエハ層２１、及びエピウエハ層２１上に被せる第一金属層２２、第一金属層２２上に被せる粘着層３１、粘着層３１上に被せる電気メッキ核種層３２、及び電気メッキ核種層３２上に被せるランドパッド２５もしくは２７を含む。
【００３４】
上述は先ずエピウエハ２の第一金属層２２の第一表面Ｓ１、もしくは露出表面Ｅ１に対して、界面結合力を高める手段を実施した後、次に第一表面Ｓ１、もしくは露出表面Ｅ１にランドパッドを形成してランドパッドとエピウエハ２の間の付着力を確実に改善する。また電気メッキを制御する条件で、電気メッキ沈殿の粒を極粒にしてランドパッド表面（Ｓ２、Ｓ３）粗度過大の問題を改善し、ランドパッドと電線接合の接着強度を高め、本発明の効果を高める。
【００３５】
以上は本発明の実施例に過ぎず、本発明実施の範囲を限定するものではない。即ち、本発明申請特許範囲及び発明説明内容の簡単な同じ効果の変化及び修飾は、すべて本発明特許の範囲内とする。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】公知ＬＥＤエピウエハにランドパッドと電線接合した一指示図である。
【図２】本発明第一実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図３】本発明第一実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図４】本発明の第一実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図５】本発明の第一実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図６】本発明の第二実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図７】本発明の第二実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図８】本発明の第二実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図９】本発明の第二実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図１０】本発明の第三実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図１１】本発明の第四実施例のランドパッド製造工程の側面指示図である。
【図１２】本発明の新エピウエハ及びランドパッド構造側面指示図である。
【図１３】本発明の第五実施例の別の新エピウエハ及びランドパッド構造の側面指示図である。
【図１４】本発明の第六実施例の別の新エピウエハ及びランドパッド構造の側面指示図である。
【符号の説明】
【００３７】
２        エピウエハ
２０        基板
２１        エピウエハ層
２２        第一金属層
２３        第二金属層
２４        フォトレジスト遮蔽カバー
２５        ランドパッド
２６        第一フォトレジスト遮蔽カバー
２７        ランドパッド
２８        第二フォトレジスト遮蔽カバー
３１        粘着層
３２        電気メッキ核種層
Ｅ１        露出表面
Ｓ          表面
Ｓ１        第一表面
Ｓ２        第二表面
Ｓ３        第三表面
１０        エピウエハ
１１        金属層
１２        ランドパッド
１３        電線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008235729.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2008235729.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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