(57)【要約】【課題】磁気抵抗素子とギア歯との距離を極力短くすることを可能にして、磁気抵抗素子からなる磁気センサによる回転体の回転検出精度を向上すること。【解決手段】基板３０の厚さ方向において所定の長さを有するように磁気抵抗素子（ＭＲＥ）３１を配置することにより、ＭＲＥ３１の検知軸を、基板３０の表面に沿う方向ではなく、基板３０の厚さ方向に設定した。これにより、基板３０を、その表面がギア歯２１に対面するように配置することができる。このため、ＭＲＥ３１とギア歯２１との距離を短くすることが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に形成された溝内部において、前記基板の厚さ方向に所定の長さを有するように配置された磁気抵抗素子と、
外周面にギア歯が形成された回転体と、を備え、
前記基板の表面が、前記回転体の外周面に形成されたギア歯に対面するように、前記基板を配置したことを特徴とする回転検出装置。
【請求項２】
前記回転体のギア歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石をさらに備え、前記基板は、前記回転体と前記バイアス磁石との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項３】
前記磁気抵抗素子に電気的に接続されるとともに、前記基板の裏面に達する貫通電極を設け、当該貫通電極を介することにより、前記磁気抵抗素子への接続配線の取り出しを前記基板の裏面から行うことを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項４】
前記基板の表面に形成された溝内部が、前記磁気抵抗素子によって充填されるように、前記磁気抵抗素子は、前記溝内部に埋め込まれることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回転検出装置。
【請求項５】
前記基板の表面に形成された溝内部の中心に空洞が残るように、前記磁気抵抗素子は、少なくとも前記溝の側面に堆積されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回転検出装置。
【請求項６】
前記磁気抵抗素子は、前記溝の底面にも堆積されることを特徴とする請求項５に記載の回転検出装置。
【請求項７】
前記基板の裏面には、キャビティ部が形成され、前記溝は、前記キャビティによって薄膜化されたメンブレン部において、当該メンブレン部を貫通するように形成されており、前記磁気抵抗素子は、前記溝部内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項８】
前記基板は、半導体基板と、当該半導体基板上に形成された絶縁膜とからなり、前記溝は、前記絶縁膜に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の回転検出装置。
【請求項９】
前記溝は、前記基板の表面における開口幅よりも、溝底面の幅が狭くなっていて、それにより、前記基板の表面から溝底面までの溝側面が傾斜しており、前記磁気抵抗素子は、前記溝において、相反する傾斜角度を有する側面にそれぞれ形成されるとともに、それぞれの側面に形成された磁気抵抗素子がブリッジ回路を構成するように接続されることを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項１０】
前記溝は、前記基板の表面に対して、第１の傾斜角度を有するように形成された第１の溝と、前記第１の傾斜角度と交差する角度である第２の傾斜角度を有するように形成された第２の溝とを有し、前記磁気抵抗素子は、前記第１の溝内部及び第２の溝内部に配置されるとともに、ブリッジ回路を構成するように接続されることを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗素子からなる磁気センサを用いて、ギア歯が形成された回転体の回転を検出する回転検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗素子（ＭＲＥ）を磁気センサとして用いた従来の回転検出装置が、例えば特許文献１に記載されている。この特許文献１の回転検出装置は、図８に示すように、バイアス磁石２からギア歯１ａが形成された回転体１ｂに向かうバイアス磁界の方向が、回転体（ギア歯）１ｂの回転に伴って変化するため、このバイアス磁界の方向の変化をＭＲＥ４，５で検出することにより、回転体の回転状態を検出するものである。
【０００３】
この回転検出装置１は、２つのＭＲＥ４，５を直列に接続したＭＲＥブリッジ６を備えている。直列接続される２つのＭＲＥ４，５は、検知軸がバイアス磁界の磁気的中心に対して４５度と−４５度の角度を成すように、すなわち互いに直交するハの字状になるように、基板（ＩＣチップ）３の表面上に形成されている。実際には、２つのＭＲＥ４，５は、磁気抵抗効果を示す強磁性材料（ＮｉＣｏ合金、ＮｉＦｅ合金など）によって、複数の長辺及び短辺を接続した櫛歯状に形成され、その長辺の向きが検知軸となる。このようなＭＲＥ４，５を用いることにより、バイアス磁界の振れ角の変化に対する、直列接続された２つのＭＲＥ４，５の中点電位の変化を大きくすることができる。
【特許文献１】特開平１１−２３７２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板３に形成したＭＲＥ４，５と、ギア歯との距離が長くなるほど、ＭＲＥ４，５が検知するバイアス磁界の触れ角が小さくなる。その結果、ＭＲＥブリッジ６の出力の変化も小さくなり、磁気センサの感度が低下する。換言すれば、ＭＲＥ４，５とギア歯との距離を短くすることができれば、磁気センサの感度を向上することができる。
【０００５】
しかしながら、基板３に形成されたＭＲＥ４，５とギア歯との距離を短くするため、例えばＭＲＥ４，５を小さく形成すると、ＭＲＥ４，５自体の抵抗値の変化が小さくなってしまう。また、磁気センサにおける消費電流を抑制するため、ＭＲＥ４，５は高抵抗値を有することが求められるので、ＭＲＥ４，５は、ある程度の長さを有する必要がある。これらの理由から、ＭＲＥ４，５の体格を小さくすることには限界がある。
【０００６】
さらに、ＭＲＥ４，５は、基板３の表面に形成されるので、ＭＲＥ４，５がバイアス磁界の振れ角を検知するには、基板３は、その表面がバイアス磁界の磁気的中心に沿うように配置される必要がある。このため、ＭＲＥ４，５の形成領域から基板３の端部までの長さなどの影響も受けて、ＭＲＥ４，５とギア歯との距離を小さくすることが困難であった。
【０００７】
本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであり、磁気抵抗素子とギア歯との距離を極力短くすることを可能にして、磁気抵抗素子からなる磁気センサによる回転体の回転検出精度を向上することが可能な回転検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の回転検出装置は、
基板と、
基板の表面に形成された溝内部において、基板の厚さ方向に所定の長さを有するように配置された磁気抵抗素子と、
外周面にギア歯が形成された回転体と、を備え、
基板の表面が、回転体の外周面に形成されたギア歯に対面するように、基板を配置したことを特徴とする。
【０００９】
すなわち、請求項１に記載の回転検出装置では、基板の厚さ方向において所定の長さを有するように磁気抵抗素子を配置することにより、磁気抵抗素子の検知軸を、基板の表面に沿う方向ではなく、基板の厚さ方向に設定した。これにより、基板を、その表面がギア歯に対面するように配置することができる。このため、従来のように、磁気抵抗素子の形成領域から基板端部までの距離を無駄にすることがなく、磁気抵抗素子とギア歯との距離を短くすることが可能になるので、回転体の回転検出精度を向上することができる。
【００１０】
請求項２に記載したように、回転体のギア歯に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石をさらに備え、基板は、回転体とバイアス磁石との間に配置されることが好ましい。バイアス磁石から発生されるバイアス磁界により、磁気抵抗素子の抵抗値の変化を大きくすることが容易となるためである。
【００１１】
請求項３に記載したように、磁気抵抗素子に電気的に接続されるとともに、基板の裏面に達する貫通電極を設け、当該貫通電極を介することにより、磁気抵抗素子への接続配線の取り出しを基板の裏面から行うことが好ましい。これにより、基板の表面側に、磁気抵抗素子への接続配線の取り出しを行うスペースを設ける必要がなくなるので、一層、基板表面、すなわち磁気抵抗素子とギア歯との距離が短くなるように、基板を配置することが可能になる。
【００１２】
磁気抵抗素子を基板の表面に形成された溝内部に配置する場合、請求項４に記載したように、基板の表面に形成された溝内部が磁気抵抗素子によって充填されるように、磁気抵抗素子が、溝内部に埋め込まれるようにしても良い。その他にも、請求項５に記載したように、基板の表面に形成された溝内部の中心に空洞が残るように、磁気抵抗素子が、少なくとも溝の側面に堆積されるようにしても良いし、さらに、請求項６に記載するように、磁気抵抗素子が、溝の側面に加えて、溝の底面にも堆積されても良い。いずれの場合であっても、磁気抵抗素子が基板の厚さ方向に所定の長さを有するように配置することができ、それによって、磁気抵抗素子による検知軸を基板の厚さ方向に設定することができる。
【００１３】
請求項７に記載したように、基板の裏面には、キャビティ部が形成され、溝は、キャビティによって薄膜化されたメンブレン部において、当該メンブレン部を貫通するように形成され、磁気抵抗素子が、その溝部内に配置されるものであっても良い。半導体基板などの基板に、磁気抵抗素子を配置するための溝を形成する場合、通常、溝を形成しようとする比較的狭い領域にエッチング処理を施す。この場合、溝の深さを深くしようとすればするほど、エッチング処理される領域（開口）が狭いため、エッチング処理に長時間を要することになる。それに対して、請求項７の構成を採用すれば、溝部は薄膜化されたメンブレン部に形成されるので、溝の形成のために長時間を要することがなくなる。また、溝はメンブレン部を貫通するように形成されるので、基板の裏面側において、磁気抵抗素子との電気的接続を行うことができるようになる。
【００１４】
請求項８に記載したように、基板は、半導体基板と、当該半導体基板上に形成された絶縁膜とからなり、溝は、絶縁膜に形成されるようにしても良い。一般的に、基板よりも絶縁膜に溝を形成する方が容易であるためである。
【００１５】
請求項９に記載したように、溝は、基板の表面における開口幅よりも、溝底面の幅が狭くなっていて、それにより、基板の表面から溝底面までの溝側面が傾斜しており、磁気抵抗素子は、溝において、相反する傾斜角度を有する側面にそれぞれ形成されるとともに、それぞれの側面に形成された磁気抵抗素子がブリッジ回路を構成するように接続されることが好ましい。このような構成により、作用する磁界の方向変化に対して、相反する傾斜角度を有する側面にそれぞれ形成された磁気抵抗素子の抵抗値は、相互に逆の変化特性を示す。このため、それら磁気抵抗素子によってブリッジ回路を構成することにより、磁界の方向変化に対応する出力変化の大きさを大きくして、より回転体の回転を高精度に検出できるようになる。
【００１６】
請求項１０に記載したように、溝は、基板の表面に対して、第１の傾斜角度を有するように形成された第１の溝と、第１の傾斜角度と交差する角度である第２の傾斜角度を有するように形成された第２の溝とを有し、磁気抵抗素子は、第１の溝内部及び第２の溝内部に配置されるとともに、ブリッジ回路を構成するように接続されても良い。このような構成によっても、実質的に請求項９の場合と同様の作用効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について、図面に基づいて説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本実施形態による回転検出装置１０の要部の構成を示す図である。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、回転転検出装置１０は、外周面にギア歯２１が形成された略円盤状の回転体（ロータ）２０、磁気センサとしての磁気抵抗素子（ＭＲＥ）３１が形成された基板３０、及びバイアス磁界を発生するバイアス磁石４０によって構成されている。ロータ２０は、その外周面がバイアス磁石４０に対向し、かつ、バイアス磁石４０の磁気的中心軸がロータ２０の回転軸に向くように配置されている。例えば、バイアス磁石４０が中空円筒形状に形成された場合、その円筒形状の中心軸が、バイアス磁石４０の磁気的中心軸となる。そして、中空形状のバイアス磁石４０の端面のうちロータ２０に近い面がＮ極、遠い面がＳ極になるように着磁される。なお、ロータ２０に近い面がＳ極、遠い面がＮ極となるように着磁しても良い。
【００１９】
基板３０は、ロータ２０とバイアス磁石４０との間において、バイアス磁石４０からロータのギア歯２１に向かうバイアス磁界が作用するように配置される。バイアス磁石４０が中空円筒形状である場合には、基板３０（の一部）がその中空部内に配置されても良い。この基板３０は、例えばシリコンなどの半導体基板からなり、ＭＲＥ３１と、そのＭＲＥ３１に電気的に接続された貫通電極３２とが形成されている。なお、図１（ｂ）に示す、基板３０の一部拡大断面図において、３３は電極パッドであり、３４は電極パッド３３にワイヤボンディングされるワイヤである。このように、基板３０に貫通電極３２を形成することにより、基板３０の裏面側、すなわち、ロータ２０との対向面と反対側の面側からＭＲＥ３１への接続配線の取り出しを行うことが可能になる。また、図示していないが、基板３０は、例えば銅からなるリードフレーム上に搭載され、エポキシ等の熱硬化性樹脂によってモールド成形される。
【００２０】
この基板３０の詳細な構成を、図１（ｂ）、（ｃ）に基づいて説明する。図１（ｂ）は、上述したように、基板３０の一部拡大断面図であり、図１（ｃ）は、基板３０のロータ側から見た平面図である。
【００２１】
図１（ｂ）に示すように、ＭＲＥ３１は、基板３０に形成された溝内部に埋め込まれることにより、基板３０の内部に配置されている。これにより、ＭＲＥ３１は、基板３０の厚さ方向において、溝の深さ分だけの長さを有する。また、図１（ｃ）に示すように、ＭＲＥ３１は、２個の貫通電極３２の間において、それら貫通電極３２を直線的に結ぶのではなく、左右に複数回折り返されるように設けられている。これにより、ＭＲＥ３１の配線長を長くして、ＭＲＥ３１の抵抗値を高めることができる。
【００２２】
ＭＲＥ３１は、基板３０に図１（ｂ）、（ｃ）に示す形状の溝を形成した後に、スパッタやＣＶＤによって、ＮｉＣｏ合金やＮｉＦｅ合金などの磁気抵抗素子材料を溝内部に堆積させることで形成される。この場合、図２（ａ）に示すように、基板３０に形成した溝内部をＭＲＥ３１が充填するように、磁気抵抗素子材料を溝内部に堆積させても良いが、図２（ｂ）に示すように、溝内部の中心に空洞が残るように、溝内部の側面及び底面に堆積されても良い。これにより、ＭＲＥ３１の形成を、図２（ａ）に示す場合に比較して短い時間で行うことができる。
【００２３】
ただし、図２（ｂ）に示す構成では、溝の底面に堆積される磁気抵抗素子材料は、ほとんど、バイアス磁界の検出に寄与しない。このた、図２（ｃ）に示すように、エッチング領域に関して直進性の高い異方性ドライエッチング処理などによって、溝内部の底面に堆積された磁気抵抗素子材料のみ除去しても良い。
【００２４】
上述したように、本実施形態では、基板３０の厚さ方向において所定の長さを有するようにＭＲＥ３１を配置した。これにより、ＭＲＥ３１によるバイアス磁界の検知軸を、基板３０の表面に沿う方向ではなく、基板３０の厚さ方向に設定することができる。
【００２５】
ここで、ロータ２０の回転に伴ってギア歯２１の位置が変化したとき、バイアス磁石４０からギア歯２１に向かうバイアス磁界の振れ角が変化する。ＭＲＥ３１の検知軸が、その振れ角が変化するバイアス磁界と交差していれば、バイアス磁界の振れ角の変化に応じてＭＲＥ３１の抵抗値も変化する。従って、そのＭＲＥ３１の抵抗値の変化から、ロータ２０の回転を検出することが可能になる。
【００２６】
本実施形態では、上述したように、基板３０の厚さ方向にＭＲＥ３１の検知軸を設定した。このため、図１（ａ）に示すように、基板３０を、その表面がロータ２０の外面（ギア歯２１）形成面に対面するように配置すれば、ＭＲＥ３１の検知軸とバイアス磁石４０によるバイアス磁界とが交差するようになる。従って、基板３０を、ロータ２０に近接させて配置することができ、ＭＲＥ３１とギア歯２１との距離を短くすることが可能になる。その結果、ＭＲＥ３１によるロータ２０の回転検出精度を向上することができる。
【００２７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による回転検出装置について説明する。なお、上述した第１実施形態による回転検出装置１０と異なる点のみ説明し、同様の構成及び作用効果については説明を省略する。
【００２８】
第１実施形態による回転検出装置１０では、基板３０に溝を形成し、その溝の内部にＭＲＥ３１を配置した。それに対して、第２実施形態による回転検出装置では、図３に示すように、基板１３０上に酸化膜や窒化膜などの絶縁膜１３２を形成するとともに、当該絶縁膜に溝を形成して、その溝内部にＭＲＥ１３１を配置するものである。
【００２９】
半導体基板などの基板３０にＭＲＥ３１を配置するための溝を形成する場合、比較的狭い開口幅を有するエッチングマスクを基板上に形成した状態で、基板３０の所定の深さまで達する溝を形成する必要がある。このため、例えばＤｅｅｐＲＩＥなど特殊なエッチング処理によって、エッチングを行うことが求められる場合が生じる。それに対して、第２実施形態のように、絶縁膜１３２にＭＲＥ１３１を配置するための溝を形成するようにすれば、絶縁膜をエッチングするための通常の装置（例えばドライエッチング装置）によってエッチングを行うことが可能になる。
【００３０】
また、ＭＲＥ１３１を絶縁膜１３２に配置する場合には、その下方に位置する基板に、ＭＲＥ１３１の検出信号を処理する処理回路を形成して、センサ部と処理回路部とを集積化することも可能になる。
【００３１】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による回転検出装置について説明する。なお、上述した第１実施形態による回転検出装置１０と異なる点のみ説明し、同様の構成及び作用効果については説明を省略する。
【００３２】
第１実施形態では、基板３０に貫通電極３２を形成することにより、基板３０の裏面側から、ＭＲＥ３１への接続配線を取り出すことを可能にした。しかしながら、基板３０に貫通電極３２を配置するための、高アスペクト比（深さ／開口幅）のスルーホールをエッチングによって形成するには、エッチング処理時間が非常に長くなる。
【００３３】
その点、本実施形態では、図４に示すように、例えばエッチング処理によって、基板２３０の裏面にキャビティを形成するとともに、このキャビティによって薄膜化されたメンブレン部において、当該メンブレン部を貫通するように、ＭＲＥ２３１を配置するための溝を形成した。
【００３４】
キャビティ部は、上述した貫通電極３２を配置するためのスルーホールに比較して大きな開口部を有しているので、エッチング処理によって、相対的に短い時間で形成することができる。
【００３５】
このような構成を採用することにより、溝は薄膜化されたメンブレン部に形成されるので、溝の形成のためのエッチング処理に長時間を要することがなくなる。また、溝はメンブレン部を貫通するように形成されるので、ＭＲＥ２３１の一端は基板２３０の裏面側に露出する。このため、基板２３０の裏面側に設けた配線２３２が、直接ＭＲＥ２３１との電気的接続を行うことができるようになる。
【００３６】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態による回転検出装置について説明する。なお、上述した第１実施形態による回転検出装置１０と異なる点のみ説明し、同様の構成及び作用効果については説明を省略する。
【００３７】
上述した第１実施形態による回転検出装置１０では、基板３０に単一のＭＲＥ３１を形成していた。それに対して、本実施形態による回転検出装置では、基板に、検知軸の方向が異なる複数のＭＲＥを形成するとともに、それら複数のＭＲＥを、ブリッジ回路を構成するように接続するものである。
【００３８】
例えば図５（ａ）に示すように、例えば等方性ウエットエッチング処理により、基板３３０の表面側に略矩形状の開口を有するキャビティを形成する。この場合、エッチングが等方的に進むことから、キャビティの両側面は、キャビティの底面から基板３３０の表面にかけて、相反する傾斜角度を有することになる。このため、ＭＲＥ３３１ａとＭＲＥ３３１ｂとを、両側面にそれぞれ形成することにより、ＭＲＥ３３１ａとＭＲＥ３３１ｂとは、同一のバイアス磁界の振れ角に対して、相互に逆の抵抗値の変化特性を示すようになる。すなわち、ＭＲＥ３３１ａ，３３１ｂの一方が抵抗値を減少させるときには、他方が抵抗値を増加させ、逆に、一方が抵抗値を増加させるときには、他方が抵抗値を減少させるようになる。
【００３９】
このような、抵抗値の変化特性が相互に逆のＭＲＥ３３１ａとＭＲＥ３３１ｂとを、電極３３２ａ，３３２ｂを介して、例えばハーフブリッジ回路を構成するように接続することにより、バイアス磁界の振れ角の変化に対応する出力変化を大きくすることができる。従って、ロータ２０の回転をより高精度に検出することが可能になる。
【００４０】
キャビティの側面にＭＲＥ３３１ａ，３３１ｂを形成する場合、図５（ｂ）に示すように、基板３３０に複数のキャビティを設け、ＭＲＥ３３１ａ，３３１ｂを異なるキャビティの側面に形成しても良い。
【００４１】
さらに、図６に示すように、基板４３０において、基板４３０の表面に対して、第１の傾斜角度を有する第１の溝と、第１の傾斜角度と交差する角度である第２の傾斜角度を有する第２の溝とをそれぞれ形成し、ＭＲＥ４３１ａ，４３１ｂを、それらの第１の溝及び第２の溝内部に配置するとともに、ブリッジ回路を構成するように接続しても良い。このような構成によっても、ＭＲＥ４３１ａとＭＲＥ４３１ｂとは、同一のバイアス磁界の振れ角に対して、相互に逆の抵抗値の変化特性を示すようになる。
【００４２】
なお、基板４３０において、傾斜角度の異なる第１及び第２の溝は、例えば、以下に説明するようにして形成することができる。まず、第１の溝の形成領域に開口を有するマスクを基板４３０に形成する。エッチング装置としては、例えば反応性イオンエッチング装置を用いる。
【００４３】
反応性イオンエッチング装置では、装置内に導入したガスに高周波電力を印加してプラズマ状態とし、そこで生じたプラスイオンを加速して、エッチングすべき基板に衝突させ、エッチング反応を促進させる。そのため、基板４３０を装置内に設置するときに、上述したプラスイオンが基板４３０に入射する角度が、形成すべき第１の溝の第１の傾斜角度と一致するように、基板４３０を傾ける。これにより、第１の傾斜角度を有する第１の溝を基板４３０に形成することができる。
【００４４】
第２の溝を形成するときには、第２の溝の形成領域のみに開口を有するマスクを基板４３０に形成するとともに、第１の溝を形成したときとは、基板４３０の傾ける向きを変えて、プラスイオンの入射角度が第２の溝の第２の傾斜角度と一致するようにする。これにより、第１の傾斜角度と交差する第２の傾斜角度を有する第２の溝を基板４３０に形成することができる。
【００４５】
なお、図５（ａ），（ｂ）及び図６では、基板に検知軸の角度が異なる２個のＭＲＥを形成する例を示したが、第１の検知軸（第１の傾斜角度）を持つ２個のＭＲＥと第２の検知軸（第２の傾斜角度）を持つ２個のＭＲＥとを形成して、それらがフルブリッジ回路を構成するように接続しても良い。
【００４６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に何ら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
【００４７】
例えば、上述した第１実施形態では、基板３０を貫通するように貫通電極３２を設けたが、図７（ａ）に示すように、電極３５は、基板３０の裏面からＭＲＥ３１の端部に達するように形成しても良い。このようにしても、ＭＲＥ３１との電気的接続を行うことができるので、ＭＲＥ３１の接続配線の取り出しを、電極３５などを介して、基板３０の裏面側から行うことができる。
【００４８】
また、貫通電極３２とＭＲＥ３１とを直接、電気的に接続するのではなく、図７（ｂ）に示すように、基板３０の表面に設けた配線パターン３６を介して、貫通電極３２とＭＲＥ３１とを接続するようにしても良い。
【００４９】
このような配線パターンを介した貫通電極とＭＲＥの電気的接続は、図７（ｃ）に示すように、ＭＲＥ１３１を基板１３０上に形成した絶縁膜１３２に配置する場合にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】（ａ）は、第１実施形態による回転検出装置１０の要部の構成を示す一部断面図、（ｂ）は、基板３０の一部拡大断面図、（ｃ）は、基板３０のロータ側から見た平面図である。
【図２】ＭＲＥの溝内への配置状態を示すものであって、（ａ）は、溝内部を磁気抵抗素子材料で充填したものを示す断面図、（ｂ）は、溝内部の中心に空洞が残るように、溝内部の側面及び底面に磁気抵抗素子を堆積したものを示す断面図、（ｃ）は、溝内部の側面のみに磁気抵抗素子を堆積したものを示す断面図である。
【図３】第２実施形態による回転検出装置の特徴的構成を示す断面図である。
【図４】第３実施形態による回転検出装置の特徴的構成を示す断面図である。
【図５】（ａ）は、第４実施形態による回転検出装置の特徴的構成を示す断面図であり、（ｂ）はその変形例を示す断面図である。
【図６】第４実施形態による回転検出装置のさらに他の変形例を示す断面図である。
【図７】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、各実施形態の変形例を示す断面図である。
【図８】従来の回転検出装置の構成を示す構成図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  回転検出装置
２０  ロータ
２１  ギア歯
３０  基板
３１  磁気抵抗素子（ＭＲＥ）
３２  貫通電極
４０  バイアス磁石
【図１】
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【図２】
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【図３】
2008292419.tif 000005
【図４】
2008292419.tif 000006
【図５】
2008292419.tif 000007
【図６】
2008292419.tif 000008
【図７】
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【図８】
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