(57)【要約】【課題】放電安定性が改善され、画面の表示特性が向上されるプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極と、前記第１表示電極および前記第２表示電極を覆って、前記基板上に形成される誘電体層と、前記誘電体層を覆って、前記基板上に形成されるＭｇＯ保護層と、を含むプラズマディスプレイパネル、前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部、ならびに前記駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１〜３．５μｓ以下にする駆動制御信号を出力する制御部を含み、前記ＭｇＯ保護層は、Ｍｇに対するＯの原子比が１．０〜０．９８であることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置である。【選択図】図１
2008235268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極と、
前記第１表示電極および前記第２表示電極を覆って、前記基板上に形成される誘電体層と、
前記誘電体層を覆って、前記基板上に形成されるＭｇＯ保護層と、
を含むプラズマディスプレイパネル、
前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部、ならびに
前記駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部を含み、
前記ＭｇＯ保護層は、Ｍｇに対するＯの原子比が１．０〜０．９８であることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記維持放電パルス幅は１〜３．０μｓであることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記維持期間は９〜２５μｓであることを特徴とする、請求項１または２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記維持期間は１０〜２５μｓであることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記維持期間における最初の維持放電パルス幅は２〜７．５μｓであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記維持期間における最初の維持放電パルス幅は２〜７μｓであることを特徴とする、請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記プラズマディスプレイパネルは、放電ガスを含み、前記放電ガスは、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅとを含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、およびＮ２からなる群より選択される少なくとも１種のガスを０〜７０体積部さらに含むことを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイ装置に関し、より詳しくは、放電時の統計遅延時間を短縮することによって、放電安定性が改善され、画面の表示特性が向上されるプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは、放電セル内の気体放電によって発生する真空紫外線によって蛍光体を励起させて画像を表現する表示装置である。プラズマディスプレイパネルは、高解像度の大画面形成が可能であるため、次世代薄型表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは、気体放電によって発生するプラズマの発光によって、文字および／または画像を表示する装置である。プラズマディスプレイパネルは、プラズマディスプレイパネルの放電空間に設けられた２つの電極に所定の電圧を印加して、電極間でプラズマ放電を発生させ、このプラズマ放電時に発生する紫外線によって、所定のパターンで形成された蛍光体層を励起させて画像を形成する。
【０００４】
一般に、プラズマディスプレイパネルは、誘電体層を保護するために誘電体層の上部に保護層を有する。保護層としては、可視光線がよく透過できるように透明であるだけでなく、誘電体層の保護および２次電子放出性能に優れる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から主に形成される。しかしながら、最近は、ＭｇＯ以外の材料の研究も行われている。
【０００５】
ここで、ＭｇＯを含む保護層（以下、ＭｇＯ保護層とも称す）は、プラズマディスプレイパネル動作中の放電時に放電ガスのイオン衝撃を緩和させることができる耐スパッタリング特性を有し、イオン衝突から誘電体層を保護する。さらに、ＭｇＯ保護層は、２次電子の放出により放電電圧を下げる役割を果たす。通常、ＭｇＯ保護層は、透明保護薄膜であって、５００〜９００ｎｍ（５０００〜９０００Å）の厚さで誘電体層を覆って形成される。
【０００６】
したがって、ＭｇＯの保護層を構成する成分と膜特性とは、放電特性に大きく影響をおよぼしうる。ＭｇＯの保護層の特性は、その成分と蒸着時の成膜条件とに大きく依存する。そのため、膜特性を向上させるために最適な成分を開発することが特に要求される。
【０００７】
また、応答速度の改善による高精細プラズマディスプレイパネルの放電安定性の向上が重要な課題となっている。高精細プラズマディスプレイパネルにおいては、高速のスキャン速度に対応して、アドレシングが漏れなく進行し、安定な放電を実現するために、より速い応答速度が要求される。スキャン時間に対応する応答速度は、遅延時間により影響を受ける。前記遅延時間は、形成遅延時間（Ｔｆ）と統計遅延時間（Ｔｓ）とに区分される。
【特許文献１】大韓民国特許出願公開第１０−２００５−００１２４７２号明細書
【特許文献２】大韓民国特許出願公開第１０−２００４−００２１１９０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、放電時の統計遅延時間を短縮することによって、放電安定性が改善され、画面の表示特性が向上されるプラズマディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極と、前記第１表示電極および前記第２表示電極を覆って、前記第２基板上に形成される誘電体層と、前記誘電体層を覆って、前記基板上に形成されるＭｇＯ保護層と、を含むプラズマディスプレイパネル、前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部、ならびに前記駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部を含み、前記ＭｇＯ保護層は、Ｍｇに対するＯの原子比が１．０〜０．９８であることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置を提供する。
【００１０】
前記維持放電パルス幅は１〜３．０μｓであることが好ましい。
【００１１】
前記維持期間は９〜２５μｓであることが好ましく、１０〜２５μｓであることがより好ましい。
【００１２】
前記維持期間における最初の維持放電パルス幅は２〜７．５μｓであることが好ましく、２〜７μｓであることがより好ましい。
【００１３】
前記放電ガスは、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅとを含むことが好ましい。
【００１４】
前記放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、およびＮ２からなる群より選択される少なくとも１種のガスを０〜７０体積部さらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、放電時の統計遅延時間を短縮することによって、放電安定性が改善され、画面の表示特性が向上されるプラズマディスプレイ装置が提供されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置について詳細に説明する。
【００１７】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極と、前記第１表示電極および前記第２表示電極を覆って、前記基板上に形成される誘電体層と、前記誘電体層を覆って、前記第２基板上に形成されるＭｇＯ保護層と、を含むプラズマディスプレイパネル、前記プラズマディスプレイパネルを駆動させる駆動部、ならびに前記駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部を含み、前記ＭｇＯ保護層はＭｇに対するＯの原子比が１．０〜０．９８である。
【００１８】
前記維持期間の維持放電パルス幅は、１〜３．５μｓであり、１〜３．０μｓであることが好ましい。前記維持期間の維持放電パルス幅が１〜３．５μｓであるプラズマディスプレイ装置は、放電安定性が向上して、画面の均一性が改善されうる。
【００１９】
また、前記維持期間は９〜２５μｓであることが好ましく、１０〜２５μｓであることがより好ましい。維持期間が９〜２５μｓであるプラズマディスプレイ装置は、放電安定性が向上して、画面の均一性が改善されうる。
【００２０】
また、前記維持期間における最初の維持放電パルス幅は、２〜７．５μｓであることが好ましく、２〜７μｓであることがより好ましい。前記維持期間における最初の維持放電パルス幅が２〜７．５μｓであるプラズマディスプレイ装置は、放電安定性が向上して、画面の均一性が改善されうる。
【００２１】
放電ガスは、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅとを含むことが好ましく、Ｘｅを７〜２５体積部含むことがより好ましい。
【００２２】
放電ガスとして、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅとを含む放電ガスを用いた場合、放電ガスのイオン化率が高まりうる。したがって、このような放電ガスを高精細プラズマディスプレイ装置に適用すると、放電開始電圧を下げることができる。放電開始電圧が下がれば、高精細プラズマディスプレイ装置の消費電力は低減され、輝度は向上しうる。
【００２３】
また、前記放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、およびＮ２からなる群より選択される少なくとも１種のガスを好ましくは０〜７０体積部、より好ましくは１４〜６５体積部、さらに含むことが好ましい。前記放電ガスが、Ｎｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、およびＮ２からなる群より選択される少なくとも１種のガスを０〜７０体積部さらに含む場合、放電ガスのイオン化率が高まりうる。したがって、このような放電ガスを高精細プラズマディスプレイ装置に適用すると、放電開始電圧を下げることができる。放電開始電圧が下がれば、高精細プラズマディスプレイ装置の消費電力は低減され、輝度は向上しうる。
【００２４】
以下、添付した図面を参照して、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置について詳細に説明する。しかし、本発明は、以下で説明する実施形態に限定されるものではなく、相違する多様な形態が可能である。
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネル１００を示す部分分解斜視図である。
【００２６】
図１に示すように、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネル１００は、第１基板３上の一方向（図面のｙ軸方向）に沿ってアドレス電極１３が形成され、このアドレス電極１３を覆って、第１基板３の表面に第１誘電体層１５が形成される。第１誘電体層１５上に、各アドレス電極１３の間に配置されるように隔壁５が形成され、それぞれの隔壁５の間に複数の放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）が形成される。放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）内には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および青色（Ｂ）のそれぞれの蛍光体層（８Ｒ、８Ｇ、８Ｂ）が形成される。
【００２７】
隔壁５は、放電空間を区切るいかなる形状をも有することが可能であり、多様なパターンの隔壁が形成されうる。例えば、隔壁５は、帯状などの開放型の形状、またはワッフル状、マトリックス状、もしくはデルタ状などの閉鎖型の形状に形成されうる。また、閉鎖型の隔壁の場合は、放電空間の断面が四角形、三角形、もしくは五角形などの多角形、または円形もしくは楕円形などの形状に形成される。
【００２８】
第２基板１の第１基板３に対向する面には、アドレス電極１３と交差する方向（図面のｘ軸方向）に沿って一対の透明電極（９ａ、１１ａ）とバス電極（９ｂ、１１ｂ）で構成される第１表示電極９および第２表示電極１１が形成される。そして、これらの第１表示電極９および第２表示電極１１を覆って、第２基板１の表面全体に、第２誘電体層１７とＭｇＯ保護層１９とが形成される。
【００２９】
ＭｇＯ保護層１９において、Ｍｇに対するＯの原子比は１．０〜０．９８である。Ｍｇに対するＯの原子比が１．０を越える場合、ＭｇＯ保護層内にＭｇ原子の欠陥が発生し、その欠陥に水が吸着する現象が起こるようになる。
【００３０】
また、ＭｇＯ保護層は、希土類元素およびそれらの組み合わせからなる群より選択される元素をさらに含むことが好ましい。前記希土類元素の具体的な例としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロニウム（Ｄｙ）、ホルミニウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、またはルテチウム（Ｌｕ）が挙げられる。
【００３１】
第１基板３上のアドレス電極１３と第２基板１上の表示電極（９、１１）とが交差する部分が、放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）を構成する部分になる。
【００３２】
第１基板３と第２基板１との間の放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）には、放電ガスが封入される。
【００３３】
前記放電ガスは、ＮｅおよびＸｅを含み、Ｎｅ１００体積部に対してＸｅを５〜３０体積部で含むことが好ましく、７〜２５体積部含むことがより好ましい。
【００３４】
本発明の一実施形態によれば、前記放電ガスは、Ｎｅが１００に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、Ｎ２、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１種のガスを０〜７０体積部さらに含むことが好ましく、Ｎｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、およびＮ２からなる群より選択される少なくとも１種のガスを１４〜６５体積部さらに含むことがより好ましい。
【００３５】
図２は、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置の概略図である。
【００３６】
図２に示すように、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル１００、制御部２００、アドレス電極（図２中のＡ）駆動部３００、維持電極（第２表示電極、図２中のＸ）駆動部４００、および走査電極（第１表示電極、図２中のＹ）駆動部５００を含む。
【００３７】
図２中のプラズマディスプレイパネル１００は、図１で説明したプラズマディスプレイパネル１００と同様の構成を有する。
【００３８】
制御部２００は、外部から映像信号を受信して、アドレス電極（Ａ）駆動制御信号、維持電極（Ｘ）駆動制御信号、および走査電極（Ｙ）駆動制御信号を出力する。
【００３９】
前記制御部２００は、１つのフレームを複数のサブフィールドに分割して駆動させ、各サブフィールドは、時間的な動作変化で表現すればリセット期間、アドレス期間、および維持期間で構成される。
【００４０】
アドレス電極駆動部３００は、制御部２００からアドレス電極（Ａ）駆動制御信号を受信して、表示しようとする放電セルを選択するための表示データ信号を各アドレス電極（図２中のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４・・・Ａｍ）に印加する。
【００４１】
維持電極駆動部４００は、制御部２００から維持電極（Ｘ）駆動制御信号を受信して、各維持電極（図２中のＸ１、Ｘ２、Ｘ３・・・Ｘｎ）に駆動電圧を印加する。
【００４２】
走査電極駆動部５００は、制御部２００から走査電極（Ｙ）駆動制御信号を受信して、各走査電極（図２中のＹ１、Ｙ２、・・・Ｙｎ）に駆動電圧を印加する。
【００４３】
以下、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイにおける、維持期間および維持放電パルスについて説明する。維持期間の維持放電パルスは、維持電極駆動部４００および走査電極駆動部５００から、それぞれ維持電極（第２表示電極１１）および走査電極（第１表示電極９）に印加される。この維持期間の維持放電パルスは、前記制御部２００が出力する駆動制御信号によって制御される。
【００４４】
図３は本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置の、維持期間の駆動波形を示す図である。
【００４５】
図３に示すように、走査電極Ｙと維持電極Ｘとに、順次に、維持期間Ｔ１における電圧Ｖｓの最初の維持放電パルスが印加される。
【００４６】
アドレス期間において、走査電極Ｙと維持電極Ｘとの間に壁電圧が発生すれば、壁電圧と電圧Ｖｓとによって、走査電極Ｙおよび維持電極Ｘではアドレス放電が起こる。以後、走査電極Ｙに電圧Ｖｓの維持放電パルスを印加する工程と、維持電極Ｘに電圧Ｖｓの維持放電パルスを印加する工程とが、サブフィールドにより示される加重値に対応する回数だけ繰り返される。
【００４７】
ここで、走査電極Ｙの維持期間の維持放電パルス幅Ｔ３および維持電極Ｘの維持期間の維持放電パルス幅Ｔ５の少なくとも一方は、１〜３．５μｓであり、１〜３．０μｓであることが好ましい。
【００４８】
走査電極Ｙの維持期間の維持放電パルス幅Ｔ３および維持電極Ｘの維持期間の維持放電パルス幅Ｔ５の少なくとも一方が前記範囲内にあれば、本発明の目的を達成しうる。しかしながら、プラズマディスプレイの放電安定性および画面の均一性をより向上させるという観点から、走査電極Ｙの維持期間の最初の維持放電パルス幅Ｔ２および維持電極Ｘの維持期間の最初の維持放電パルス幅Ｔ４の少なくとも一方は、２〜７．５μｓであることが好ましく、２〜７μｓであることがより好ましい。
【００４９】
さらに、維持期間Ｔ１は９〜２５μｓであることが好ましく、１０〜２５μｓであることがより好ましい。
【００５０】
本発明は、駆動制御信号と放電ガスとを用いたプラズマディスプレイ装置の動作安定性を与え、それによってプラズマディスプレイ装置の放電特性および画質特性が向上しうる。このプラズマディスプレイ装置の動作安定性を与えるために、ＭｇＯ保護層におけるＭｇに対するＯの原子比を調節する。
【００５１】
本発明の一実施形態によるＭｇＯ保護層は、Ｍｇに対するＯの原子比が１．０〜０．９８である。酸素原子がＭｇＯ保護層内に過剰に存在する場合、すなわち、Ｍｇに対するＯの原子比が１．０を超える場合、ＭｇＯ保護層内にＭｇ原子の欠陥が発生し、その欠陥に水が吸着する現象が起こるようになる。
【００５２】
したがって、Ｍｇに対するＯの原子比が前記範囲内にある場合、ＭｇＯ保護層内にＭｇとＯとが化学量論比で存在し、Ｍｇ原子の欠陥の発生およびＭｇ原子の欠陥への水の吸着を防ぐことができる。それゆえ、プラズマディスプレイ装置の応答速度が改善され、放電安定性が向上されうる。また、特定のグレースケールにおいて低放電が発生する現象が低減されうる。
【００５３】
図４は、Ｍｇ原子に比べてＯ原子が多く存在する場合の、ＭｇＯ保護層の原子結合構造を示す模式図であり、図５はＭｇ原子とＯ原子とが化学量論比で存在する場合の、ＭｇＯ保護層の原子結合構造を示す模式図である。
【００５４】
図４に示すように、ＭｇＯ保護層内でＭｇ原子とＯ原子とは、立方晶系を構成して交互に結合されている。しかしながら、Ｍｇ原子に比べてＯ原子が多く存在する場合、Ｍｇ原子の欠陥が発生し、その欠陥に水が吸着する現象が起こるようになる。
【００５５】
図５に示すように、Ｍｇ原子とＯ原子とが化学量論比で存在する場合、Ｍｇ原子の欠陥が発生することなく、Ｍｇ元素の欠陥への水の吸着を防ぐことができる。
【００５６】
本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は、当業者に広く知られて、当業者には十分に理解されているので、本明細書において、製造方法についての詳細な説明は省略する。ただし、本発明の一実施形態によるプラズマディプレイ装置におけるＭｇＯ保護層の形成工程については、以下で説明する。
【００５７】
ＭｇＯ保護層は、プラズマディスプレイ装置において、誘電体層の表面を覆い、放電中に放電ガスのイオン衝撃から誘電体層を保護する役割を果たす。
【００５８】
本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるＭｇＯ保護層は、Ｍｇに対するＯの原子比が１．０〜０．９８であるＭｇＯから主に構成される。
【００５９】
本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置において、ＭｇＯ保護層は、ペーストを用いた厚膜印刷法により形成されうる。しかしながら、厚膜印刷法はイオンの衝撃によるスパッタリングに相対的に弱いため、２次電子放出による放電維持電圧および放電開始電圧を低減することが難しい。したがって、前記ＭｇＯ保護層は、物理気相蒸着法により形成することが好ましい。
【００６０】
前記物理気相蒸着法は、好ましくはプラズマ蒸着法である。具体的なプラズマ蒸着法の例としては、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、またはマグネトロンスパッタリング法などが挙げられる。
【００６１】
ＭｇＯ保護層を形成するための蒸着物質は、ペレット状に成型した後焼結したものであることが好ましい。ペレットの大きさおよび形状により、ペレットの分解速度が異なり、ＭｇＯ保護層の蒸着速度などの様々な面で大きな差異を生じるので、ペレットの大きさおよび形態を最適化して、ＭｇＯ保護層を製造することが好ましい。
【００６２】
また、ＭｇＯ保護層は放電ガスに接触するので、保護層を構成する成分および膜特性は、放電特性に大きな影響を及ぼしうる。このとき、ＭｇＯ保護層の特性は、その成分と蒸着時の成膜条件に大きく依存する。したがって、目的とする膜特性を得るために、ＭｇＯ保護層の構成成分および蒸着時の成膜条件の最適化を行うことが好ましい。
【００６３】
なお、プラズマディスプレイパネルに用いられる、前記ＭｇＯ保護層以外の部材については、従来公知の技術が適宜参照されうる。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明の好ましい実施例および比較例を示す。ただし、下記の実施例は、本発明をより詳細に説明する目的でのみ示すものであり、本発明が下記の実施例に限定されるものではない。
【００６５】
［プラズマディスプレイ装置の製造］
（実施例１）
ソーダ石灰ガラスで形成された第１基板上に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を用いて、表示電極を通常の方法で帯状に形成した。
【００６６】
次に、ガラスのペーストを、表示電極が形成された基板にコーティングして焼成し、第２誘電体層を形成した。
【００６７】
第２誘電体層上にイオンプレーティング法を用いてＭｇに対するＯの原子比が１であるＭｇＯ保護層を製造し、第２基板を製造した。ＭｇＯ保護層のＭｇに対するＯの原子比は、ＭｇＯ焼結体におけるＭｇに対するＯの原子比を適切に調節することによって調節できる。
【００６８】
製造された第２基板を用いて、通常の方法でプラズマディスプレイ装置を製造した。なお、放電セルに封入した放電ガスの組成は、Ｎｅ１００体積部に対してＸｅが１１体積部およびＨｅが３５体積部であった。
【００６９】
（実施例２）
Ｍｇに対するＯの原子比が０．９９８であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７０】
（実施例３）
Ｍｇに対するＯの原子比が０．９９５であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７１】
（実施例４）
Ｍｇに対するＯの原子比が０．９９であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したことを以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７２】
（実施例５）
Ｍｇに対するＯの原子比が０．９８５であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したことを以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７３】
（実施例６）
Ｍｇに対するＯの原子比が０．９８３であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７４】
（実施例７）
Ｍｇに対するＯの原子比が０．９８であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７５】
（比較例１）
Ｍｇに対するＯの原子比が０．９７８であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７６】
（比較例２）
Ｍｇに対するＯの原子比が０．９７６であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７７】
（比較例３）
Ｍｇに対するＯの原子比が１．０３０であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７８】
（比較例４）
Ｍｇに対するＯの原子比が１．０９７であるＭｇＯ保護層を製造して、第２基板を製造したこと以外は、実施例１と同様にして、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７９】
［製造されたプラズマディスプレイ装置の応答速度の測定］
実施例１〜７、および比較例１〜４で製造されたプラズマディスプレイ装置の統計遅延時間（応答速度）を測定し、実施例２、３、６、および比較例１〜４の結果を図６に示した。また、維持期間、維持期間における最初の維持期間の維持放電パルス幅、および維持期間における最初の維持放電パルス幅以外の維持放電パルス幅は、それぞれ、１５μｓ、２．１μｓ、および２．１μｓに設定した。
【００８０】
図６を参照すると、実施例２、３、６の場合、比較例１〜４に比べて、統計遅延時間が大きく減少したことが確認できる。
【００８１】
実施例１、４、５、および７のプラズマディスプレイ装置は、実施例２、３、６と同様の結果を示した。
【００８２】
［プラズマディスプレイ装置のブラックノイズ発生の観察］
実施例１〜７、および比較例１〜４で製造されたプラズマディスプレイ装置についてそれぞれ−５℃、５℃、１５℃、２５℃、４０℃、５５℃、および７０℃で３０分間維持し、特定階調でのブラックノイズの発生有無を目で観察した。ブラックノイズとは、発光するように選択されたセルが発光しない現象をいう。また、グレースケールは２５５段階に分けた。
【００８３】
実施例２、３、６、および比較例１〜４のプラズマディスプレイ装置について観察した結果を図７に示した。
【００８４】
実施例１、４、５、および７のプラズマディスプレイ装置は、実施例２、３、６と同様の結果を示した。
【００８５】
図７を参照すると、実施例２、３、６のプラズマディスプレイ装置は、１５℃、２５℃、４０℃、５５℃、および７０℃ではブラックノイズが観察されず、低温においてブラックノイズが観察される場合にも低い階調で観察された。
【００８６】
その反面、比較例１〜４のプラズマディスプレイ装置は、−５℃から４０℃までブラックノイズが観察され、高い階調でブラックノイズが観察された。
【００８７】
また、比較例４のプラズマディスプレイ装置は、高温の７０℃でもブラックノイズが観察された。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルを示す部分分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置の概略図である。
【図３】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置の維持期間の駆動波形図である。
【図４】Ｍｇ原子に比べてＯ原子が多く存在する場合の、ＭｇＯ保護層の原子結合構造を示す模式図である。
【図５】Ｍｇ原子とＯ原子が化学量論比で存在する場合の、ＭｇＯ保護層の原子結合構造を示す模式図である。
【図６】実施例２、３、６、および比較例１〜４で製造したプラズマディスプレイ装置の統計遅延時間を示すグラフである。
【図７】実施例２、３、６、および比較例１〜４で製造したプラズマディスプレイ装置の特定階調でのブラックノイズ発生を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８９】
１    第２基板、
３    第１基板、
５    隔壁、
７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ    放電セル、
８Ｒ、８Ｇ、８Ｂ    蛍光体層、
９    第１表示電極、
９ａ、１１ａ    透明電極、
９ｂ、１１ｂ    バス電極、
１１    第２表示電極、
１３、Ａ    アドレス電極、
１５    第１誘電体層、
１７    第２誘電体層、
１９    ＭｇＯ保護層、
１００    プラズマディスプレイパネル、
２００    制御部、
３００    アドレス電極制御部、
４００    維持電極制御部、
５００    走査電極制御部
Ｔ１    維持期間、
Ｔ２    走査電極の維持期間の最初の維持放電パルス幅、
Ｔ３    走査電極の維持期間の維持放電パルス幅、
Ｔ４    維持電極の維持期間の最初の維持放電パルス幅、
Ｔ５    維持電極の維持期間の維持放電パルス幅、
Ｖｓ    電圧、
Ｘ    維持電極、
Ｙ    走査電極。
【図２】
2008235268.tif 000003
【図３】
2008235268.tif 000004
【図４】
2008235268.tif 000005
【図５】
2008235268.tif 000006
【図６】
2008235268.tif 000007
【図７】
2008235268.tif 000008
【図１】
2008235268.tif 000009