(57)【要約】【課題】複数枚のウエハや支持基板等の基板を洗浄槽から引上げて乾燥させる際に表面張力により基板同士が貼り付いて乾燥不良を起こすことがなく、また、乾燥を効率的に行なえる基板の乾燥方法及び乾燥装置を提供すること。【解決手段】洗浄槽に満たした洗浄液に複数枚の基板を浸漬させておき、前記洗浄槽から基板を引上げて乾燥させる基板の乾燥装置において、前記洗浄槽の底部中央に基板面に対して垂直方向に気泡発生手段を敷設し、前記複数枚の基板を引上げる際に、前記気泡発生手段から気泡を発生させ、この発生させた気泡を各基板間に通すことによって乾燥させるようにした基板の乾燥装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄槽に満たした洗浄液に複数枚の基板を浸漬させておき、前記洗浄槽から基板を引上げて乾燥させる基板の乾燥方法において、前記複数枚の基板を引上げる際に、前記洗浄槽の底部に設けられた気泡発生手段から気泡を発生させ、この発生させた気泡を各基板間に通すことによって乾燥させるようにしたことを特徴とする基板の乾燥方法。
【請求項２】
洗浄槽に満たした洗浄液に複数枚の基板を浸漬させておき、前記洗浄槽から基板を引上げて乾燥させる基板の乾燥装置において、前記洗浄槽の底部中央に基板面に対して垂直方向に気泡発生手段を敷設し、前記複数枚の基板を引上げる際に、前記気泡発生手段から気泡を発生させ、この発生させた気泡を各基板間に通すことによって乾燥させるようにしたことを特徴とする基板の乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、洗浄された基板等を乾燥させる乾燥方法と乾燥装置に関する。さらに詳しくは、洗浄槽に満たした洗浄液に浸漬された複数枚の基板等を洗浄槽から引上げて乾燥させる乾燥方法と乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、各種基板を洗浄し、乾燥させることが各種行なわれている。例えば、ウエハ等の基板類は薄型化のために裏面研削が行われ、その後に研削時の汚れ等を除去するためにウエハを洗浄し、乾燥させて次の工程に送られる。
【０００３】
これらの洗浄は、洗浄装置に各種の洗浄槽を設け、洗浄液での洗浄の後、純水等ですすぎ、洗浄槽から基板を引上げて乾燥させる引上げ乾燥処理が行なわれている。
【０００４】
ここで、引上げ乾燥処理とは、液中から洗浄されたウエハを低速で引上げ、ウエハに付着した液滴を表面張力で液面に引き戻すことにより乾燥させることをいう（例えば特許文献１）。
【０００５】
このウエハの乾燥は例えば図８、図９のようにウエハカセット２９の仕切り板３２間にウエハ３７を挿通し、そのウエハカセット２９を洗浄槽３６の加温した純水２６（約８０〜９０℃）に浸漬しておき、図中二点鎖線の位置から実線の位置までウエハカセット２９とウエハ３７を一体に低速で引上げて乾燥処理をしている。  
【０００６】
しかし、ウエハカセット２９内の仕切り溝には吸着ハンドが進入してウエハを取り出せるよう若干の遊びが設けられており、図８のように特に薄厚化されたウエハ３７ではカセットの仕切り板３２間の遊びによりウエハが倒れ込み、隣り合うウエハの間隔が狭くなって、その部分に表面張力により水３８が吸い上げられウエハ同士が貼り付くことになる。
【０００７】
また、上記ウエハカセット２９は、ウエハ３７の外周部分の大半が両側壁３３で覆われているため、ウエハカセット２９内に水滴が残り易く、引上げ乾燥時に両側壁３３の内面に残った水滴がウエハ３７に再付着して乾燥不良が発生する問題がある。
【０００８】
そこで、上記ウエハの引上げ乾燥処理は、水滴による汚れの再付着防止や洗浄時の液の液流阻害による洗浄不良防止のため、ウエハカセット２９を使用せずに行なわれており、代わりに複数枚のウエハを接触部が少ない支持部材で一定の間隔で支持しておきながら、低速で前記ウエハ等を引上げて乾燥処理させている。このため、引上げ時にウエハ同士の隙間に表面張力で持ち上げられた水が広がり、特に薄厚化されたウエハではウエハが撓みながらウエハ同士が貼り付いて乾燥不良が生じる問題がある（例えば特許文献２）。
【０００９】
上記のように、ウエハ同士が貼り付いて乾燥不良が起こった場合、その引き剥がしは再度液中に浸漬するか、強制的に引き剥がさなければならず、前者の場合、再度乾燥処理が必要となり、後者の場合、ウエハの破損や水滴による汚れが残る問題がある。
【００１０】
このため、温水層の内側側面に櫛歯部材を温水に浸漬するように取り付け、各ウエハをそれぞれ該櫛歯部材の間に挿通させた状態で引上げることにより、表面張力によってウエハ同士が貼り付くことを防止することが開示されている（例えば特許文献２）。
【００１１】
また、最近では、半導体チップの小型化の要請からウエハを５０μｍ程度の厚さまで裏面研削するようになってきている。このウエハは、従来の保護テープに代えてウエハのパターン形成面上に紫外線や熱等で粘着力が低減できる両面粘着テープを貼り付け、その後、前記ウエハに前記両面粘着テープを介してガラスや樹脂等の支持基板を貼り付けて裏面研削により薄厚化される。
【００１２】
前記薄厚化されたウエハは、ダイシングテープにマウントされ、前記両面粘着テープの粘着力を紫外線等により低減させた後、ウエハ表面から支持基板が両面粘着テープと一体に剥離される。その後、両面粘着テープが付着した支持基板から別途剥離装置等で両面粘着テープが剥離される。
【００１３】
上記両面粘着テープが剥離された支持基板には、両面粘着テープの粘着剤の一部が付着した状態となっており、再利用するには、この粘着剤を洗浄除去する必要がある。そこで、粘着剤が付着した支持基板を洗浄液で洗浄し、乾燥処理が行なわれている。
【特許文献１】特開平１１−３１７３９０号公報（段落０００２）
【特許文献２】特開２００１−２８４３１１号公報（図２、図５、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、上記特許文献２の発明は、櫛歯部材の間隔を小さくしておかないと櫛歯部材の間隔の遊びによりウエハが倒れ込み、支持されていないウエハの頂上部同士が貼り付いて乾燥不良となる問題がある。
【００１５】
さらに櫛歯部材はウエハ両側面部分の大半を覆う大きさに形成されており、乾燥処理時に櫛歯部材の溝部分に水滴が残り易く、残った水滴がウエハに再付着して、乾燥不良の原因となる。
【００１６】
また、特許文献２の発明は、乾燥時にのみウエハを一定間隔の支持溝が切られた支持部材で部分保持しながら引上げるものであるため、乾燥後のウエハを次の工程に供する前にカセット部材に収納する必要があり、特に薄型化されたウエハではその収納時にウエハを破損する問題がある。
【００１７】
また、櫛歯部材は引上げ乾燥処理時にのみ使用するものであり、洗浄が終わったウエハを洗浄槽に投入する毎に櫛歯部材に挿通させなければならず、挿通時に櫛歯部材に引っ掛かったウエハが破損する問題がある。
【００１８】
そこで、本発明はウエハや支持基板等の基板を引上げ乾燥させる際に表面張力により基板同士が貼り付いて乾燥不良を起こすことがなく、また、引上げ乾燥を効率的に行なう乾燥方法及び乾燥装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
請求項１の発明は、洗浄槽に満たした洗浄液に複数枚の基板を浸漬させておき、前記洗浄槽から基板を引上げて乾燥させる基板の乾燥方法において、前記複数枚の基板を引上げる際に、前記洗浄槽の底部に設けられた気泡発生手段から気泡を発生させ、この発生させた気泡を各基板間に通すことによって乾燥させるようにしたことを特徴とする基板の乾燥方法である。
【００２０】
また、請求項２の発明は、洗浄槽に満たした洗浄液に複数枚の基板を浸漬させておき、前記洗浄槽から基板を引上げて乾燥させる基板の乾燥装置において、前記洗浄槽の底部中央に基板面に対して垂直方向に気泡発生手段を敷設し、前記複数枚の基板を引上げる際に、前記気泡発生手段から気泡を発生させ、この発生させた気泡を各基板間に通すことによって乾燥させるようにしたことを特徴とする基板の乾燥装置である。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明によれば、洗浄槽の底部中央に敷設された気泡発生手段により発生させた気泡を複数枚の基板間の隙間に通すことにより液面の表面張力を低減させることができ、また、上昇する液流によってカセット等支持部材の収納溝間に遊びがあっても基板同士の間隔を保つことができるので基板同士の貼り付きによる乾燥不良を防止できる。
【００２２】
また、気泡発生による液面の表面張力低減と上昇する液流を利用しているので基板同士の貼り付きによる乾燥不良や汚れを防止でき、基板等を傷付けることなく乾燥できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の第１の実施形態について図１乃至図５に従って説明する。
【００２４】
図１は本発明の引上げ乾燥装置を適用した支持基板洗浄装置の正面図である。
【００２５】
機台３上には機枠４が支持基板洗浄装置２を囲むように設けられ、機台３の左から、洗浄前の支持基板１を収納した収納カセット１２を載置するカセット投入部ａ、投入されたカセット１２を第１洗浄槽１５に搬送するカセット取上げ部ｂが設けられ、カセット投入部ａに載置されたカセット１２はコンベア１３の駆動によりカセット取上げ部ｂに搬送されるようになっている。
【００２６】
カセット取上げ部ｂの右側には洗浄前の支持基板１から粘着剤を洗浄除去する第１洗浄部ｃが設けられ、第１洗浄部ｃには強アルカリ性等の洗浄液３４が満たされた第１洗浄槽１５が設けられている。前記第１洗浄槽１５内には、カセット１２を載置する支持台１８と洗浄液３４を適宜な温度（例えば６０℃）に加温するヒータ１６及び適宜な超音波発信機（図示しない）が設けられている。
【００２７】
また、上記第１洗浄部ｃの右側には洗浄液３４で洗浄した支持基板１をすすぐ第２洗浄槽１７が設けられ、純水２６が満たされると共に、第２洗浄槽１７下方には上記同様にカセット１２を載置する支持台１８と適宜な超音波発信機（図示しない）が設けられている。
【００２８】
上記第２洗浄部ｃの右側には、本発明の引上げ乾燥装置を適用した引上げ乾燥部ｅが設けられ、支持基板１が収納されたカセット１２を水洗すると共に引上げて乾燥させるようになっている。
【００２９】
上記引上げ乾燥部ｅには、加温された純水２６を満たした第３洗浄槽１９が設けられ、槽の底部にはカセット１２を載置する支持台１８と、純水２６を加温するヒータ２０、さらに支持基板１を引上げ乾燥させる際に気泡２８により純水２６に上昇液流を与えて表面張力を低減させる気泡発生手段２１が設けられている。
【００３０】
上記引上げ乾燥部ｅの右側には引上げ乾燥が終了したカセット１２を引上げ乾燥部ｅから取り出し、載置するカセット排出部ｆが設けられ、載置されたカセット１２は下方に設けられたコンベア１４の駆動によりカセット取出し部ｇに搬送されるようになっている。
【００３１】
機台３の中央上方にはカセット取上げ部ｂ、第１洗浄部ｃ、第２洗浄部ｄ、引上げ乾燥部ｅから各工程毎のカセット１２を持ち上げ、次の工程に搬送するカセット搬送機構５が設けられている。
【００３２】
前記カセット搬送機構５は、水平方向に設けられた２本の支持枠３５に４本のレール６が上下方向に延設され、４本のレール６の中央２本にはガイド８が設けられており、前記ガイド８はレール７と摺動可能に嵌合し、適宜な駆動源（図示しない）により、４本のレール６は支持枠３５と一体にレール７上を水平動自在になっている。
【００３３】
また、前記４本のレール６にはそれぞれガイド９が設けられ、ガイド９には下方に向けて牽引アーム１０が設けられ、前記牽引アーム１０の先端にはカセット１２を吊り上げる牽引フック１１が設けられている。
【００３４】
前記各ガイド９には適宜の駆動源（図示しない）が設けられ、牽引フック１１をそれぞれ独立に上下動できるようになっている。
【００３５】
次に、本発明の引上げ乾燥装置について以下に説明する。
【００３６】
図１乃至図２（ａ）、（ｂ）、図３（ｃ）のように引上げ乾燥装置は、洗浄液として純水２６をカセット１２が浸漬するように満たす第３洗浄槽１９と、前記第３洗浄槽１９の底面に純水２６を加温するヒータ２０及びカセット１２を載置する支持台１８が設けられている。
【００３７】
また、前記第３洗浄槽１９の底部中央には支持基板面に対して垂直方向に１本のパイプ状の気泡発生手段２１が設けられ、前記気泡発生手段２１は両端の気体供給部２７から気体が供給されるようになっている。この気体供給部２７には気泡発生のばらつきが少なくなるよう両端から各種気体（空気、窒素等）が導入されるようになっている。なお、清浄度が高く求められる基板では窒素等の不活性ガスを用いることが好ましい。
【００３８】
前記気泡発生手段２１は上面に０．５ｍｍ程度の穴が５〜１５ｍｍの間隔で穿設され、気泡発生手段２１から発生した気泡２８が、上方に位置する複数枚の支持基板１の間を上昇することにより、支持基板１間の純水２６に対して上昇液流を発生させ、純水２６の液面の表面張力を低下させると共に上昇液流により支持基板１の間隔を保つようになっている。
【００３９】
次に第１の実施形態で好適に使用できるカセットについて以下に説明する。
【００４０】
図４、図５のように本カセット１２は収納する基板面と平行に所定の間隔で２枚の支持板２４を立設し、前記支持板２４の両側側方に２枚の支持板２４と垂直方向に内側面に所定の間隔で仕切り溝が設けられた支持桟２２が掛け渡されている。また、両支持板２４間に収納される支持基板１を斜め下方から支持する支持桟２３が掛け渡され、その内側面には仕切り溝が設けられている。また、支持板２４には牽引フック１１でカセット１２の吊り上げが可能なように支持板２４が折り曲げられた牽引部２５が設けられている。
【００４１】
前記支持桟２２、２３は使用する洗浄液３４に対して耐洗浄液性が高い樹脂等の部材を好ましく使用でき、半導体装置の規格に準じた仕切り溝のピッチに加工すればよく、また、支持板２４も同様に規格に準じた形状にしておけば良い。また、上記支持桟２２、２３は、引上げ乾燥時に水溜まりが発生しないよう、支持部の面積が少なくなるように構成することが好ましい。例えば、円柱状、三角柱状等で頂点部分のみが基板と接するようにすれば、水滴付着を最小限にすることができる。
【００４２】
以上が、本発明の第１の実施形態の構成であり、続いて第１の実施形態の洗浄装置の全体工程について以下に説明する。
【００４３】
図１のように複数枚の支持基板１が収納されたカセット１２を支持基板洗浄装置２のカセット投入部ａに載置する。
【００４４】
カセット投入部ａに載置されたカセット１２は、コンベア１３を駆動することでカセット取上げ部ｂに移送された後、カセット１２の牽引部２５を牽引フック１１で引っ掛け、牽引アーム１０の上昇によりカセット１２を上昇させる。
【００４５】
なお、この時、先行して第１洗浄部ｃ、第２洗浄部ｄ、引上げ乾燥部ｅに位置するカセット１２も上記同様に槽内から吊り上げた状態としておく。
【００４６】
続いて、カセット搬送機構５をレール７に沿って右方向に駆動し、カセット取上げ部ｂのカセット１２を第１洗浄部ｃ上に移動させる。この時、第１洗浄部ｃ、第２洗浄部ｄ、引上げ乾燥部ｅに位置するカセット１２はそれぞれ次の工程位置に送られる。
【００４７】
なお、上記のように各ポジションに位置する各カセット１２は一体に水平動するようになっているが、一番時間を要する処理と合わせているため効率が低下することはない。また、カセット搬送機構５は使用態様に合わせて適宜、独立した移動ができるようにすれば良い。
【００４８】
前記第１洗浄部ｃ上に送られたカセット１２は、牽引アーム１０の下降により、第１洗浄槽１５内のヒータ１６で約６０℃で加温された洗浄液３４に浸漬され、前記カセット１２に収納された支持基板１は、上記第１洗浄槽１５内で図示しない超音波機構により超音波洗浄される。
【００４９】
前記第１洗浄部で洗浄された支持基板１は、カセット１２と共にカセット搬送機構５の駆動により、第２洗浄部ｄに搬送され、第２洗浄槽１７の純水２６内に浸漬される。前記第２洗浄槽１７は、液流によってすすぎ洗浄するようになっており、第１洗浄槽１５で洗浄された際の強アルカリ性の洗浄液３４を洗い流すようになっている。
【００５０】
第２洗浄槽１７ですすぎ洗浄された支持基板１は、カセット１２と共にカセット搬送機構５で引上げ乾燥部ｅに搬送され、ヒータ２０で８０〜９０℃に加温された純水２６の満たされた第３洗浄槽１９内に浸漬される。
【００５１】
引上げ乾燥部ｅで乾燥処理された支持基板１はカセット搬送機構５でカセット１２と共にカセット排出部ｆに搬送、載置される。カセット排出部ｆに載置されたカセット１２は、コンベア１４の駆動によりカセット取出し部ｇに移送され、ウエハと支持基板１を貼り合わせる支持基板貼り合わせ装置に供される。
【００５２】
以後、上記動作を繰り返し連続で行なうことで、各処理工程を並行に行なうことができる。
【００５３】
なお、カセット１２が半導体装置の規格に準じた形状に構成されていることにより、支持基板貼り合わせ装置に供する際にカセットを移し替える必要がなく、効率的に作業が行なえる。
【００５４】
次に本発明の引上げ乾燥装置の詳細について図２（ａ）乃至図３（ｃ）に基づいて説明する。
【００５５】
図２（ａ）は複数枚の支持基板１が収納されたカセット１２が第３洗浄槽１９の洗浄液（純水２６）中に浸漬された状態を表しており、カセット１２は牽引フック１１で牽引部２５を引っ掛けた状態で支持台１８上に載置されている。
【００５６】
純水２６は、第３洗浄槽１９の底部に設けられたヒータ２０で引上げ乾燥性を向上するために約８０〜９０℃に加温されている。
【００５７】
次に図２（ｂ）のように、浸漬されたカセット１２を牽引フック１１の垂直方向の引上げにより、支持基板１の頂上部が水面直前となるまで上昇させる。
【００５８】
上記のように支持基板１の頂上部が水面直前となった時点で、気泡発生手段２１に左右両側の気体供給部２７から空気を供給し、気泡発生手段２１に穿設された穴から気泡２８を発生させる。
【００５９】
この気泡２８の発生により、支持基板１間を上昇する気泡２８に伴った上昇液流が発生し、液面の表面張力の低下と上昇液流により支持基板１同士の間隔が保たれ、支持基板１同士が貼り付くことがない。
【００６０】
なお、上述したようなピッチで気泡発生手段２１に穴を穿設することで、上昇する気泡２８同士が合わさって大きな気泡となることがなく、液面の乱れによる乾燥不良の発生がなく（気泡が大きくなり過ぎると液面で気泡が弾けた際に基板に液滴が再付着し易くなる）、効果的な乾燥効果を得ることができる。
【００６１】
続いて、低速（例えば１ｍｍ／秒）でカセット１２を引上げ、支持基板１の表面に付着した洗浄液を表面張力で液面に引き戻しながら支持基板１を乾燥させる。
【００６２】
図２（ｂ）の状態から図３（ｃ）の状態まで上記の気泡発生手段２１から気泡２８を発生させ、図３（ｃ）のように支持桟２２の基板保持部３０の上端が液面に達する直前に気泡２８の発生を停止させる。
【００６３】
なお、本実施形態においては上記のように支持桟２２の基板保持部３０の上端が液面に達する直前に気泡２８の発生を停止させたが、引き上げ乾燥時に断続的に気泡２８を発生させるようにすることもできる。
【００６４】
但し、基板間隔が維持できるようになった時点で気泡２８の発生を停止又は弱めることが引上げ乾燥に寄与する表面張力を確保する面で好ましい。
【００６５】
以後は、気泡２８の発生を停止した状態で低速で引上げ乾燥し、カセット１２を取り出せる状態まで上昇させる。
【００６６】
このように支持基板１同士の先端が貼り付かない程度まで気泡２８を発生させ、以後は気泡２８の発生を止めることにより、基板の乾燥不良を防止しながら引上げ乾燥に必要な表面張力を確保でき、乾燥効率を下げることなく基板を乾燥できる。
【００６７】
続いて第２の実施形態について図６（ａ）、（ｂ）乃至図７（ｃ）に基づいて説明する。
【００６８】
基本構成は第１の実施形態と同様であり、カセット１２に代えて従来のウエハカセット２９に支持基板１を挿通した場合の実施形態である。
【００６９】
図６（ａ）は第１の実施形態同様に純水２６にウエハカセット２９が浸漬された状態であり、図中、一点鎖線間で表される部分はウエハカセット２９の両側壁３３に設けられた仕切り板３２で支持基板１が保持されている基板保持部分３０である。
【００７０】
図６（ｂ）のように支持基板１の頂上部が液面に達する直前から気泡発生手段２１で気泡２８を発生させ、支持基板１間に上昇液流が発生するようにし、液面の表面張力を低下させると共に低速（例えば１ｍｍ／秒）でウエハカセット２９を適宜の牽引機構（図示しない）で引上げる。
【００７１】
なお、上記ウエハカセット２９を用いる場合は、適宜牽引フック１１を変更し、ウエハカセット２９を引上げできる構成にすれば良い。
【００７２】
図７（ｃ）のようにウエハカセット２９の基板保持部３０の上端が液面に達する直前に気泡２８の発生を停止させ、以後、ウエハカセット２９が取り出せる位置まで洗浄槽１９からウエハカセット２９を引上げる。
【００７３】
なお、上記第１の実施形態と同様に気泡２８の発生を断続的に行なうようにしても良い。
【００７４】
乾燥処理が済んだウエハカセット２９は次の工程に供される。
【００７５】
なお、本発明は上記第２の実施形態のように汎用のウエハカセット２９でも適用できるが、カセット内での水滴残留による乾燥不良防止の面から、第１の実施形態で用いたカセット１２のような構成にすることが好ましい。
【００７６】
また、本発明の実施形態においては、カセットに収納した状態での使用を記載したが、本発明の範囲内でカセット以外の適宜な支持部材も用い、基板を上昇させるようにしても良い。また、本発明の実施形態では支持基板を用いたが、各種のウエハ等の基板類に好適に利用できる。
【００７７】
また、上記実施形態では気泡発生手段２１を用い、気泡２８の発生により液面の表面張力を低減及び上昇液流の発生により、基板同士が貼り付かないようにしたが、本発明の範囲内で構成を適宜変更でき、例えば洗浄水自体を噴射して基板間の隙間に上昇液流を発生させるようにしても良い。また、気泡発生手段も１本だけでなく、複数本用い、配置も基板間に気泡を通じ、液面の表面張力を低減できる構成を採用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明を適用した基板洗浄装置の正面図
【図２】（ａ）、（ｂ）  本発明の第１の実施形態を表す説明図
【図３】（ｃ）  本発明の第１の実施形態を表す説明図
【図４】第１の実施形態で使用する乾燥用カセットの一部切欠き正面図
【図５】第１の実施形態で使用する乾燥用カセットの平面図
【図６】（ａ）、（ｂ）  本発明の第２の実施形態を表す説明図
【図７】（ｃ）  本発明の第２の実施形態を表す説明図
【図８】従来の基板乾燥装置の課題を表す説明図
【図９】従来のカセットの一部切欠き正面図
【符号の説明】
【００７９】
ａ    カセット投入部
ｂ    カセット取上げ部
ｃ    第１洗浄部
ｄ    第２洗浄部
ｅ    引上げ乾燥部
ｆ    カセット排出部
ｇ    カセット取出し部
１    支持基板
２    支持基板洗浄装置
３    機台
４    機枠
５    カセット搬送機構
６    レール
７    レール
８    ガイド
９    ガイド
１０  牽引アーム
１１  牽引フック
１２  カセット
１３  コンベア
１４  コンベア
１５  第１洗浄槽
１６  ヒータ
１７  第２洗浄槽
１８  支持台
１９  第３洗浄槽
２０  ヒータ
２１  気泡発生手段
２２  支持桟
２３  支持桟
２４  支持板
２５  牽引部
２６  純水
２７  気体供給部
２８  気泡
２９  ウエハカセット
３０  基板保持部
３１  支持板
３２  仕切り板
３３  両側壁
３４  洗浄液
３５  支持枠
３６  洗浄槽
３７  ウエハ
３８  水
３９  支持台
４０  ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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