(57)【要約】【課題】  被加工物のダイシング時には十分な粘着性を示し、被加工物小片のピックアップ時には軽剥離性を示す、耐熱性に優れたダイシング用粘着シートを用いた被加工物の加工方法を提供する。【解決手段】  熱剥離型又は放射線硬化型の粘着層を有する両面粘着シートを介して支持板に固定された被加工物をダイシング用粘着シート１０に貼り合わせる工程と、両面粘着シートに加熱又は放射線を照射して被加工物から両面粘着シート及び支持板を剥離する工程と、ダイシング用粘着シート１０が貼り合わされた被加工物をダイシングして被加工物小片を形成する工程と、被加工物小片をピックアップする工程とを有し、ダイシング用粘着シートとして、基材フィルム１１上に少なくとも粘着剤層１２を設けて構成され、粘着剤層１２がアルコキシル基を側鎖に有するモノマーを５重量％以上含み構成されるアクリルポリマーを有し、かつ厚みが１〜５０μｍのものを使用する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱剥離型又は放射線硬化型の粘着層を有する両面粘着シートを介して支持板に固定された被加工物を、ダイシング用粘着シートに貼り合わせる工程と、
前記両面粘着シートを加熱し又は放射線を照射して、前記被加工物から該両面粘着シートを剥離する工程と、
前記ダイシング用粘着シートが貼り合わされた前記被加工物をダイシングして被加工物小片を形成する工程と、
前記被加工物小片をピックアップする工程とを有し、
前記ダイシング用粘着シートとして、
基材フィルム上に少なくとも粘着剤層を設けて構成され、
前記粘着剤層がアルコキシル基を側鎖に有するモノマーを５重量％以上含み構成されるアクリルポリマーを含有し、かつ、粘着剤層の厚みが１〜５０μｍのものを使用することを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項２】
請求項１に記載の被加工物の加工方法であって、
前記粘着剤層は、窒素を側鎖に有するモノマーを５重量％以上含むことを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の被加工物の加工方法であって、
前記粘着剤層表面の水に対する接触角は、９０度以下であることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の被加工物の加工方法であって、
前記粘着剤層の２５℃に於ける損失正接ｔａｎδが０．５以下であり、かつ５０℃に於ける損失正接ｔａｎδが０．１５以下であることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の被加工物の加工方法であって、
前記ダイシング用粘着シートとして、前記アクリルポリマーが分子内の全側鎖の内１／１００以上の側鎖それぞれに炭素−炭素二重結合を１個有するものを使用し、
前記被加工物小片のピックアップの際に、前記粘着剤層に放射線を照射することを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の被加工物の加工方法であって、
前記粘着剤層は、炭素−炭素の二重結合を一分子中に平均６個以上有する放射線硬化型粘着剤を含み構成され、
かつ、ダイシング用粘着シートをシリコンミラーウエハに貼り付け、１５０℃で１分間加熱し、更に照射強度２３ｍＪ／ｃｍ２で２０秒間放射線を照射した後、測定温度２３±３℃、粘着剤層の表面とシリコンミラーウエハの表面とのなす角１８０°、引張り速度３００ｍｍ／分の条件で引き剥がしを行なったときの粘着力が０．５Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下であることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の被加工物の加工方法であって、
前記アクリルポリマーの重量平均分子量が５０万以上であることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の被加工物の加工方法であって、
前記ダイシング用粘着シートに於ける粘着剤層は、被加工物から剥離した後の該被加工物に於ける貼着面での表面有機物汚染増加量ΔＣが５％以下となる剥離性を有することを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の被加工物の加工方法であって、
前記両面粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ前記粘着層を有し、少なくとも何れか一方が熱剥離型の粘着層であるものを使用することを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項１０】
請求項１〜９に記載の被加工物の加工方法により得られたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の加工方法に関する。更には当該方法により得られる半導体装置に関する。本発明の被加工物の加工方法は、シリコン半導体、化合物半導体ウエハ、半導体パッケージ、ガラス等の被加工物に特に有用である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法に於いては、先ず、半導体ウエハの回路形成面に保護シートを貼り合わせた後、半導体ウエハの裏面に対し研削等の加工を行う工程がある。その工程の後、ダイシング用粘着シートに半導体ウエハを転写し、半導体ウエハのダイシングが行われる。半導体ウエハのダイシング用粘着シートへの貼り合わせは、保護シートを剥離して半導体ウエハ単独で、或いは半導体ウエハが保護シートにより支持された状態で行われる。前記ダイシング用粘着シートとしては、例えば下記特許文献１に開示されている。
【０００３】
しかし、半導体ウエハの薄化、脆弱化が進んだ近年に於いては、該半導体ウエハが破損し易くなっている。このため、前記の方法では、ダイシング用粘着シートに貼り合わされた半導体ウエハに反りが生じても、これを矯正することが困難になっている。反りの矯正が困難であると、半導体ウエハを吸着テーブルに吸着させる際に該吸着テーブルに密着させることができず吸着エラーが起こる場合がある。また、搬送中の僅かな衝撃で半導体ウエハが破損する場合も顕著になってきている。そこで、半導体ウエハ保護の観点から、半導体ウエハに両面粘着シートを介して支持ウエハ等の機械的強度の大きい支持板を貼り合わせ、半導体ウエハの機械的強度を補強しながらダイシング用粘着シートへの転写を行う、いわゆる台座方式が検討されている。台座方式では、半導体ウエハから両面粘着シートを低応力で剥離する必要があるので、通常、両面粘着シートとしては熱剥離型又は放射線硬化型のものが用いられる。
【０００４】
熱剥離型又は放射線硬化型の両面粘着シートを用いた場合、該両面粘着シートの剥離の際には、両面粘着シートに対し加熱又は放射線の照射を行い、両面粘着シートの粘着力を低下させて剥離を容易にする。
【０００５】
しかし、従来のダイシング用粘着シートは耐熱性に劣る為、熱（放射線照射の場合は、放射線幅射熱）によりダイシング用粘着シートの粘着力が増大する。この為、ダイシング後、半導体チップのピックアップが困難になり、また糊残りが発生するという問題点がある。
【特許文献１】特開２００１−２３４１３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記従来の課題を解決するものであり、その目的は、半導体ウエハ等の被加工物の転写・ダイシングの際には十分な粘着性を示し、半導体チップ等の被加工物小片のピックアップの際には軽剥離性を示す、耐熱性に優れたダイシング用粘着シートを用いた被加工物の加工方法及び当該方法により得られる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、被加工物の加工方法及び当該方法により得られる半導体装置について検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
即ち、本発明に係る被加工物の加工方法は、前記の課題を解決する為に、熱剥離型又は放射線硬化型の粘着層を有する両面粘着シートを介して支持板に固定された被加工物を、ダイシング用粘着シートに貼り合わせる工程と、前記両面粘着シートを加熱し又は放射線を照射して、前記被加工物から該両面粘着シートを剥離する工程と、前記ダイシング用粘着シートが貼り合わされた前記被加工物をダイシングして被加工物小片を形成する工程と、前記被加工物小片をピックアップする工程とを有し、前記ダイシング用粘着シートとして、基材フィルム上に少なくとも粘着剤層を設けて構成され、前記粘着剤層がアルコキシル基を側鎖に有するモノマーを５重量％以上含み構成されるアクリルポリマーを含有し、かつ、粘着剤層の厚みが１〜５０μｍのものを使用することを特徴とする。
【０００９】
前記の方法で使用するダイシング用粘着シートは、アルコキシル基を側鎖に有するモノマーを５重量％以上含み構成されるアクリルポリマーを含む粘着剤層を有する。この様な構成の粘着剤層であると、被加工物から両面粘着シートを剥離する際に加熱又は放射線照射されることにより加熱（放射線照射の場合は放射線輻射熱）されても、粘着力が増大するのを抑制する。そのメカニズムは必ずしも明らかでないが、アクリルポリマー及び僅かに表面偏析する低分子量成分のガラス転移点が高温シフトすることにより、凝集力が向上すること等がその理由と考えられる。この為、被加工物小片のピックアップの際には良好な剥離性を示し、ピックアップ不良の発生を低減するので、歩留まり良く半導体装置の製造が可能になる。
【００１０】
また、ダイシング用粘着シートの粘着剤層の厚みが１〜５０μｍであるので、被加工物をダイシングする際に発生する振動の振動幅が大きくなるのを抑制し、被加工物小片に欠け（チッピング）が発生するのを低減することができる。その一方、粘着剤層の厚みを１μｍ以上にすることにより、ダイシングの際に被加工物が容易に剥離しない様にこれを確実に保持することができる。
【００１１】
前記粘着剤層は、窒素を側鎖に有するモノマーを５重量％以上含むことが好ましい。
【００１２】
前記粘着剤層表面の水に対する接触角は、９０度以下であることが好ましい。
【００１３】
前記方法で使用するダイシング用粘着シートの粘着剤層は、水に対する接触角が前記範囲内となる物性を備えているので、ダイシングの際に被加工物を確実に固定できる粘着力と、ピックアップの際に容易に剥離可能な剥離性とを有する。従って、その様なダイシング用粘着シートを使用する前記方法であると、歩留まりの一層の向上が図れる。
【００１４】
前記粘着剤層の２５℃に於ける損失正接ｔａｎδが０．５以下であり、かつ５０℃に於ける損失正接ｔａｎδが０．１５以下であることが好ましい。
【００１５】
前記方法で使用するダイシング用粘着シートの粘着剤層は、２５℃でのｔａｎδが０．５以下であり、５０℃でのｔａｎδが０．１５以下である物性を備えるので、ピックアップの際に容易に剥離可能な剥離性を示す。従って、その様なダイシング用粘着シートを使用する前記方法であると、歩留まりの一層の向上が図れる。
【００１６】
前記方法に於いては、前記ダイシング用粘着シートとして、前記アクリルポリマーが分子内の全側鎖の内１／１００以上の側鎖それぞれに炭素−炭素二重結合を１個有するものを使用し、前記被加工物小片のピックアップの際に、前記粘着剤層に放射線を照射することができる。
【００１７】
前記の粘着剤層が、全側鎖の１／１００以上で炭素−炭素二重結合を１個有する放射線硬化型のアクリルポリマーを含む構成であると、放射線照射により粘着剤層を硬化させて粘着性を低下させることができる。従って、被加工物小片のピックアップの際に粘着剤層に放射線を照射することにより、被加工物小片の剥離を一層容易に行うことができ、生産性の向上が図れる。
【００１８】
前記粘着剤層は、炭素−炭素の二重結合を一分子中に平均６個以上有する放射線硬化型粘着剤を含み構成され、かつ、ダイシング用粘着シートをシリコンミラーウエハに貼り付け、１５０℃で１分間加熱し、更に照射強度２３ｍＪ／ｃｍ２で２０秒間放射線を照射した後、測定温度２３±３℃、粘着剤層の表面とシリコンミラーウエハの表面とのなす角１８０°、引張り速度３００ｍｍ／分の条件で引き剥がしを行なったときの粘着力が０．５Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下であることが好ましい。
【００１９】
粘着剤層が炭素−炭素の二重結合を一分子中に平均６個以上有する放射線硬化型粘着剤を含み構成され、かつ、前記条件下に於ける粘着剤層の粘着力が０．５Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下のダイシング用粘着シートを使用することで、被加工物小片をピックアップする際のピックアップ不良を防止することができる。
【００２０】
前記アクリルポリマーの重量平均分子量が５０万以上であることが好ましい。
【００２１】
前記ダイシング用粘着シートに於ける粘着剤層は、被加工物から剥離した後の該被加工物に於ける貼着面での表面有機物汚染増加量ΔＣが５％以下となる剥離性を有することが好ましい。
【００２２】
粘着剤層が前記の様な剥離性を有する構成であると、いわゆる糊残りを低減し被加工物の加工方法の歩留まりを一層向上させることが可能になる。
【００２３】
前記両面粘着シートとして、基材の両面にそれぞれ前記粘着層を有し、少なくとも何れか一方が熱剥離型の粘着層であるものを使用することが好ましい。
【００２４】
本発明に係る半導体装置は、前記の課題を解決する為に、前記に記載の被加工物の加工方法により得られたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。  
即ち、本発明の被加工物の加工方法では、ダイシング用粘着シートとして、アルコキシル基を側鎖に有するモノマーを５重量％以上含み構成されるアクリルポリマーを含む粘着剤層を有したものを用いるので、熱剥離型又は放射線硬化型の粘着層を有する両面粘着シートに対し加熱又は放射線を照射して粘着層の粘着力を低下させる場合に、ダイシング用粘着シートの粘着剤層の粘着力が増大するのを抑制する。これにより、被加工物のダイシングの際には、該被加工物を確実に固定できる粘着力を有する一方で、被加工物小片のピックアップの際にも、良好な剥離性を維持している。その結果、ダイシング不良やピックアップ不良の発生を低減し、歩留まり良く被加工物の加工が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の実施の形態について、被加工物として半導体ウエハを用いた場合を例にして以下に説明する。
【００２７】
先ず、本実施の形態に係るダイシング用粘着シート（以下、単に「粘着シート」と言う）について述べる。図１は、前記粘着シートを概略的に示す断面模式図である。
【００２８】
図１に示すように、粘着シート１０は、基材フィルム１１上に粘着剤層１２及びセパレーター１３が積層された構成を有する。粘着シート１０は、シート状、ロール状等、用途に応じて適宜な形状をとり得る。例えば半導体ウエハダイシング用途の場合、予め所定の形状に切断加工されたものが好適に用いられる。尚、本実施の形態に於いては、基材フィルム１１の片面にのみ粘着剤層１２を設けた態様を例にして説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、基材フィルム１１の両面に粘着剤層１２を設けた態様であってもよい。
【００２９】
基材フィルム１１は、粘着シート１０の強度母体となるものである。基材フィルム１１としては特に限定されないが、プラスチックフィルムが特に好適に用いられる。プラスチックフィルムの構成材料として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレナフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂及びこれらの架橋体等のポリマーが挙げられる。尚、前記の構成材料は、必要に応じて官能基、機能性モノマーや改質性モノマーをグラフトして用いてもよい。
【００３０】
基材フィルム１１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００３１】
基材フィルム１１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができる。また、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることもできる。更に、基材フィルム１１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材フィルム１１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材フィルム１１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。尚、粘着剤層１２が放射線硬化型の場合にはＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。
【００３２】
基材フィルム１１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には１０〜３００μｍ、好ましくは２５〜２００μｍ、より好ましくは３０〜２００μｍ程度である。
【００３３】
基材フィルム１１の製膜方法としては、従来公知の方法を採用することができる。具体的には、例えば、カレンダー製膜、キャスティング製膜、インフレーション押出し、Ｔダイ押出し等を好適に用いることが出来る。
【００３４】
基材フィルム１１は、単層フィルム又は多層フィルムの何れであってもよい。また、前記２種以上の樹脂をドライブレンドしたブレンド基材であってもよい。多層フィルムは、前記樹脂等を用いて、共押出し法、ドライラミネート法等の慣用のフィルム積層法により製造できる。また、基材フィルム１１は、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施してもよい。この様にして製造された基材フィルム１１の表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理等の慣用の物理的又は化学的処理を施すことが出来る。
【００３５】
粘着剤層１２は、アクリルポリマーを含み構成されている。アクリルポリマーはベースポリマーとしての役割を果たし、アルコキシル基を側鎖に有するモノマーを５重量％以上含み構成されている。アクリルポリマーがアルコキシル基を側鎖に有するモノマーを含み構成されることにより、熱（放射線照射の場合は放射線輻射熱）に起因する粘着力の増大を抑制するメカニズムは必ずしも明らかでない。しかしながら、アクリルポリマー及び僅かに表面偏析する低分子量成分のガラス転移点が高温シフトすることにより、凝集力が向上すること等が考えられる。
【００３６】
また前記粘着剤層１２の構成であると、研削工程の直後など、半導体ウエハの貼着面に活性な原子が存在する場合にも、該原子と粘着剤層１２を構成するアクリルポリマーとの間で化学的な結合が生じるのを抑制する。その結果、長期間にわたる貼り付けの後に於いても粘着剤層１２の粘着力が増大し過ぎるのを防止し、ピックアップ性を良好な状態に維持することができる。
【００３７】
粘着剤層１２の厚みは、１〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。粘着剤層１２の厚みを５０μｍ以下にすることにより、半導体ウエハをダイシングする際に発生する振動の振動幅が大きくなり過ぎるのを抑制する。その結果、半導体チップに欠けが発生する、いわゆるチッピングの低減が図れる。その一方、粘着剤層１２の厚みを１μｍ以上にすることにより、ダイシングの際に半導体ウエハが容易に剥離しない様にこれを確実に保持することができる。粘着剤層１２の厚みは、更に３〜２０μｍの範囲内にすることが好ましい。この範囲内にすることにより、チッピングの低減が一層図れ、かつダイシングの際の半導体ウエハの固定も一層確実にし、ダイシング不良の発生を防止することができる。
【００３８】
粘着剤層１２の表面は、その水に対する接触角が９０度以下であることが好ましく、４０度を超えて８７度以下であることがより好ましい。この範囲内にすることにより、ダイシングの際に半導体ウエハが容易に剥離しない様に確実に保持できる粘着力を維持しつつ、ダイシング後の半導体ウエハ（半導体チップ）の剥離も容易にして良好なピックアップ性を維持することができる。尚、接触角が４０度以下であると、粘着剤層１２を構成するポリマーの重合が不十分になる場合がある。また接触角の値は、例えば、ポリマーを構成するモノマー組成及び／又は組成の比率を調整することにより、前記範囲内で増大又は減少させることが可能である。
【００３９】
粘着剤層１２の２５℃、周波数１Ｈｚに於ける損失正接ｔａｎδは、０．５以下であり、かつ５０℃、周波数１Ｈｚに於ける損失正接ｔａｎδは０．１５以下であることが好ましい。前記範囲内にすることにより、長期にわたる貼り付け後であっても良好なピックアップ性を維持することができる。また、前記範囲内のうち、粘着剤層１２の２５℃、周波数１Ｈｚに於ける損失正接ｔａｎδを０．０１以上、かつ５０℃、周波数１Ｈｚに於ける損失正接ｔａｎδを０．００１以上にすることにより、半導体ウエハに対する濡れ性を良好に維持することができ、ボイドの発生も低減できる。尚、損失正接ｔａｎδは、粘着剤層１２の貯蔵弾性率をＧ’とし損失弾性率をＧ”とした場合に、ｔａｎδ＝Ｇ”／Ｇ’で表される。
【００４０】
粘着剤層１２の粘着力は、０．５Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下であることが好ましく、０．０５〜０．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅であることがより好ましい。粘着力が０．５Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下であると、ピックアップ性を良好にし、糊残りの発生を低減できる。粘着剤層１２の粘着力の値は、例えば、ポリマーを構成するモノマー組成及び／又は組成の比率を調整し、あるいは粘着剤層１２の厚さを調整することにより、前記範囲内で増大又は減少させることが可能である。粘着剤層１２の粘着力は、シリコンミラーウエハに貼り付けて１５０℃で１分間加熱し、更に照射強度２３ｍＪ／ｃｍ２で２０秒間放射線照射した後、測定温度２３±３℃で、粘着剤層１２の表面とシリコンミラーウエハの表面とのなす角を１８０°とし、引張り速度３００ｍｍ／分として粘着シート１０を引き剥がした場合の値である。尚、粘着剤層１２の粘着力をシリコンミラーウエハを用いて規定しているのは、シリコンミラーウエハ表面の粗さの状態が一定程度平滑であること、ダイシング及びピックアップの対象である半導体ウエハとしての半導体ウエハ等と同質材料であることによる。また、測定温度２３±３℃に於ける粘着力を基準としているのは、通常ピックアップが行われるのが室温（２３℃）下であることによる。
【００４１】
粘着剤層１２は、シリコンからなる半導体ウエハの貼着面に於ける表面有機物汚染増加量ΔＣが５％以下となる剥離性を有していることが好ましい。粘着剤層１２がその様な剥離性を有することにより、ピックアップ後の半導体チップに糊残りが生じるのを低減することができる。尚、表面有機物汚染増加量ΔＣ（％）は、粘着シート１０を半導体ウエハに２３℃で貼り合わせ、半導体ウエハのダイシング後、ピックアップ直前に於いて２３℃で粘着シート１０を剥離したときの表面有機物汚染量の値Ｃ１（％）から、半導体ウエハの表面有機物汚染量の値Ｃ２（％）を差し引いた値である。また、粘着剤層１２が後述の放射線硬化型粘着剤を含み構成される場合、表面有機物汚染増加量ΔＣは、放射線を照射した後に剥離したときの値を示す。
【００４２】
【数１】
2008021871.tif 000003
【００４３】
前記の側鎖にアルコキシル基を含むモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシ等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタアクリル酸エステルの双方を含む意味である。また、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００４４】
前記アクリルポリマーは、側鎖に窒素を含むモノマーを５重量部以上含んでいることが好ましい。側鎖に窒素を含むモノマーとしては、例えば（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸  Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等）、Ｎ−ビニルピロリドン、アクリロイルモルフォリン、アクリロニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド等が挙げられる。
【００４５】
アクリルポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルのアルキルとしては、例えば、メチルエステル、エチルエステル、ブチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、オクチルエステル等が挙げられる。また、他のモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００４６】
前記アクリルポリマーは、架橋させることを目的に、共重合用モノマー成分としての多官能性モノマー等も必要に応じて含ませることが出来る。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００４７】
前記アクリルポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。粘着剤層１２は半導体ウエハ等に対する汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリルポリマーの重量平均分子量は、好ましくは５０万以上、より好ましくは８０万〜３００万程度である。
【００４８】
また、ベースポリマーであるアクリルポリマー等の重量平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマー等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して０．０１〜１０重量部配合するのが好ましい。更に、必要に応じて、前記成分の他に、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有させることが出来る。
【００４９】
粘着剤層１２は、ダイシングの際のチップの剥離を防止し、かつピックアップ時にチップからの剥離性を向上させる為、放射線硬化型粘着剤により形成することが好ましい。放射線硬化型粘着剤を用い、放射線を照射してその架橋度を増大させることにより、粘着剤層１２の粘着力を容易に低下させることができる。放射線としては、例えば、紫外線、電子線等が例示できる。
【００５０】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。特に炭素−炭素二重結合を一分子中に平均６個以上有する放射線硬化型粘着剤が好ましい。放射線硬化型粘着剤としては、前記のアクリルポリマーに、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。配合する放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオール（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物；エステルアクリレートオリゴマー；２−プロペニル−３−ブテニルシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレート又はイソシアヌレート化合物等が挙げられる。また、炭素−炭素二重結合を一分子中に平均６個以上有する放射線硬化型粘着剤としては、ＤＰＨＡ−４０Ｈ（商品名、日本化薬（株）製）等が挙げられる。
【００５１】
前記放射線硬化性のモノマー成分又はオリゴマー成分の配合量は特に制限されるものではないが、ピックアップ時、つまり放射線照射後の半導体ウエハに対する引き剥がし粘着力を低下させることを考慮すると、粘着剤中に１０〜２００重量％を配合するのが好ましく、より好ましくは２５〜１００重量％である。放射線硬化性のモノマー成分又はオリゴマー成分の粘度は、特に制限されるものではない。また、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分は、１種類又は２種以上を混合したものでもよい。
【００５２】
また、放射線硬化型粘着剤としては、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマーの側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーを用いることも出来る。この様なベースポリマーとしては、前述のようなアクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。この場合に於いては、放射線硬化性モノマーやオリゴマー成分を特に加えなくてもよく、その使用は任意である。
【００５３】
また、前記アクリルポリマーは、その分子内の全側鎖の内１／１００以上の側鎖それぞれに炭素−炭素二重結合を一個有する二重結合導入型アクリルポリマーであることが好ましい。但し、アクリルポリマーの主鎖中又は主鎖末端にも炭素−炭素二重結合を有していてもよい。炭素−炭素二重結合を有するアクリルポリマーは、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない。この為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層１２を形成することができる。
【００５４】
前記アクリルポリマーに炭素−炭素二重結合を導入する方法としては特に制限されず、様々な方法を採用できる。炭素−炭素二重結合をアクリルポリマーの側鎖に導入することは、分子設計の点からも有利である。前記の方法としては、例えば、予めアクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応し得る官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。導入する炭素−炭素二重結合を全側鎖の１／１００以上に制御する手段としては、例えば、縮合又は付加反応させる前記化合物の添加量を適宜調節することにより行う。
【００５５】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００５６】
放射線硬化型粘着剤に於いては、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリルポリマーを単独で使用することができる。また、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合して使用することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等の配合量は、通常アクリルポリマー１００重量部に対して１０〜１００重量部の範囲内であり、好ましくは２０〜７５重量部の範囲である。
【００５７】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイソプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のべンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン類の芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等が挙げられる。
【００５８】
光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリルポリマー１００重量部に対して、例えば０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜５重量部程度である。
【００５９】
また、粘着剤層１２には、放射線硬化型粘着剤の他に熱剥離型粘着剤を使用してもよい。熱剥離型粘着剤を使用しても半導体ウエハの剥離が容易となり、ピックアップ性を良好なものにできる。
【００６０】
熱剥離型粘着剤としては、アクリルポリマー等に熱膨張性微粒子が配合された熱発泡型粘着剤が挙げられる。半導体ウエハの接着目的を達成したのち熱膨張性微粒子を含有する粘着剤層１２を加熱することで粘着剤層１２が発泡もしくは膨張して粘着剤層１２表面を凹凸状に変化させる。その結果、半導体ウエハとの接着面積を減少させ粘着力を低減し、剥離を容易にする。
【００６１】
前記熱膨張性微粒子については特に限定はなく、種々の無機系又は有機系の熱膨張性微小球を選択使用することができる。また、熱膨張性物質をマイクロカプセル化してなる膨張性微粒子も使用可能である。
【００６２】
本実施の形態に於いては、粘着剤層１２が単層の場合を例にして説明した。しかし、本発明はこれに限定されず、複数の層を積層したものでもよい。
【００６３】
基材フィルム１１上に粘着剤層１２を形成する方法としては、従来公知の方法を採用することができる。例えば、基材フィルム１１に粘着剤層１２の構成材料を直接塗布する方法や、離型剤が塗布されたシート上に前記の構成材料を塗布・乾燥して粘着剤層１２を形成した後、基材フィルム１１上に転写する方法等、適宜な手法が用いられる。
【００６４】
セパレーター１３は、粘着剤層１２の保護、ラベル加工、及び粘着剤層１２の表面を平滑にする機能を有し、またそれらの目的の為に、適宜必要に応じて設けられるものである。
【００６５】
セパレーター１３の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレーター１３の表面には粘着剤層１２からの剥離性を高める為、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていてもよい。また、必要に応じて、粘着剤層１２が環境紫外線によって反応するのを防止する為に、紫外線防止処理が施されていてもよい。セパレーター１３の厚みは、通常１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μｍ程度である。
【００６６】
次に、本実施の形態に係る被加工物の加工方法について説明する。図２（ａ）〜２（ｆ）は、当該加工方法を説明する為の工程図である。
【００６７】
図２（ａ）に示すように、両面粘着シート２を介して支持ウエハ（支持板）３に固定された半導体ウエハ１を粘着シート１０に貼り合わせ、これをダイシングフレーム４に固定する（マウント工程）。マウント工程は、半導体ウエハ１と粘着シート１０とを、粘着剤層１２側が貼り合わせ面となる様に重ね合わせ、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。また、加圧可能な容器（例えばオートクレーブ等）中で、半導体ウエハ１と粘着シート１０を前記のように重ね、容器内を加圧することにより貼り付けることもできる。この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい。また、真空チャンバー内で、前記と同様に貼り付けることもできる。貼り付けの際の貼り付け温度は何ら限定されないが、２０〜８０℃であることが好ましい。
【００６８】
両面粘着シート２は半導体ウエハ１を確実に保持し、所望の段階で剥離できることが好ましい。この様な両面粘着シート２としては、少なくとも基材の一方の面に熱剥離性粘着剤層や紫外線硬化型粘着剤層等の低応力剥離型粘着剤層を有するものが適用される。本実施の形態に於いては、基材の両面に熱剥離性粘着剤層を設けたものを用いている。前記低応力剥離型粘着剤層のうち、自然剥離が可能な熱膨張性微小球を含有する熱剥離性の両面粘着シート２の使用が特に好ましい。前記熱膨張性微小球を含有する熱剥離性の両面粘着シートとしては、例えば、日東電工（株）製「リバアルファ」（商品名）が例示できる。
【００６９】
尚、前記基材の他方の面に設けられる粘着層としては、感圧型、紫外線硬化型、熱剥離型、熱硬化型、熱溶融型等の粘着層を目的に応じて任意に設けることができる。両面粘着シートに於いて熱剥離性粘着剤層又は紫外線硬化型粘着剤層は、半導体ウエハ側又は支持ウエハ側の何れに貼り合わせてもよい。
【００７０】
次に、図２（ｂ）に示すように、支持ウエハ３上に吸着式ヒーターブロック５を載置し両面粘着シート２を加熱する。これにより、両面粘着シート２に於ける熱剥離性粘着層中に含まれる熱膨張性微小球が熱膨張し、半導体ウエハ１及び支持ウエハ３との接着面積を低減させて剥離を容易にする。尚、加熱条件は特に限定されず、両面粘着シートに於ける粘着層を構成する構成材料に応じて適宜設定される。具体的には、例えば吸着式ヒーターブロックを用いた場合、温度１００℃で加熱時間１分間とすることができる。
【００７１】
続いて、図２（ｃ）に示すように、支持ウエハ３を両面粘着シート２から剥離する。更に、半導体ウエハ１上に残っている両面粘着シート２を、剥離テープ７を用いて剥離する（図２（ｄ）参照）。剥離に使用する装置としては、例えば日東精機製ＰＭ−８５００ＩＩやＭＡ−３０００ＩＩ等がある。尚、支持ウエハ３と共に両面粘着シート２も半導体ウエハ１から剥離可能である場合は、これらを同時に剥離してもよい。
【００７２】
更に、粘着シート１０から吸着式ヒーターブロック５を取り除き（図２（ｆ））、半導体ウエハのダイシングを行う。ダイシングは、半導体ウエハ１を個片化して半導体チップ（被加工物小片）を製造する為に行う。ダイシングは、例えば半導体ウエハ１の回路面側から常法に従い行われる。ダイシングでは、ブレードダイシング、レーザーダイシング、プラズマダイシング、又はブレーキング等の公知の方法により、半導体ウエハ１を所定のサイズに切断して行われる。また、本工程では、例えば粘着シート１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ１は、粘着シート１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ１の破損も抑制できる。
【００７３】
次に、ダイシングにより形成された半導体チップのピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップを粘着シート１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。粘着シート１０に於ける粘着剤層１２は耐熱性を有しており、加熱又は放射線輻射熱に対して粘着力が増大するのを抑制する。この為、厚さが１００μｍ以下の薄型の半導体ウエハ、機械的強度が脆弱な化合物ウエハ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）ウエハ等からも効率的に半導体チップを得ることができる。
【００７４】
ここで、放射線硬化型粘着剤層又は熱剥離型粘着剤層を有する粘着シート１０を用いる場合には、粘着剤層１２を放射線照射又は加熱処理してもよい。これにより粘着性を低下させ、ピックアップの容易化を図る。放射線硬化型の粘着剤層の場合、放射線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、熱剥離型の粘着剤層の場合、これを加熱すると、熱発泡性又は熱膨張性成分により粘着剤層が膨張して、半導体チップとの接着面積を著しく減少させることができる。これにより、半導体チップに対する粘着シート１０の粘着力が低下し、半導体チップから粘着シート１０の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。加熱処理を行う場合に於ける加熱温度、加熱時間等の加熱条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。
【００７５】
以上の説明に於いては、被加工物として半導体ウエハを用いた場合を例にして説明した。しかし、本発明はこれに限定されず、半導体パッケージ、ガラス、セラミックス等の被加工物に対しても適用可能である。
【実施例】
【００７６】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。
【００７７】
（実施例１）
基材フィルムとして、厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートからなるフィルムを使用した。このフィルムの片面にはコロナ処理を施した。
【００７８】
アクリル酸メチル７５重量部、アクリル酸メトキシエチル１０重量部、Ｎ−ビニルピロリドン１０重量部、及びアクリル酸２−ヒドロキシエチル１０重量部を酢酸エチル中で常法により共重合させた。これにより、アクリル酸２−ヒドロキシエチルの側鎖末端ＯＨ基の９０％に２−メタクリロイルオキシエチレンイソシアネートのＮＣＯ基を付加反応させ末端に炭素−炭素二重結合を付与した重量平均分子量５０万のアクリル系共重合体を含有する溶液を得た。
【００７９】
次に、アクリル系共重合体を含有する溶液に、５官能放射線硬化性オリゴマー（２５℃での粘度１０Ｐａ・ｓｅｃ）を７０重量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製）３重量部、及びポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン製）２重量部を加えて、アクリル系の紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。
【００８０】
前記で調整したアクリル系の紫外線硬化型粘着剤溶液を、前記フィルムのコロナ処理面に塗布し、８０℃で１０分間加熱架橋した。これにより、厚さ１０μｍの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次に、この放射線硬化型粘着剤層の表面にセパレーターを貼り合せて紫外線硬化型のダイシング用粘着シートを作製した。
【００８１】
（比較例１）
アクリル酸ブチル８５重量部、アクリル酸３重量部、アクリロニトリル１５重量部を酢酸エチル中で常法により共重合させた。これにより、重量平均分子量８５万のアクリル系共重合体を含有する溶液を得た。
【００８２】
次に、アクリル系共重合体を含有する溶液に、５官能放射線硬化性オリゴマー（２５℃での粘度１０Ｐａ・ｓｅｃ）を２０重量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製）３重量部、及びエポキシ架橋剤（商品名「テトラットＣ」、三菱ガス化学製）０．１重量部を加えて、アクリル系の紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。
【００８３】
次に、前記で調整したアクリル系の紫外線硬化型粘着剤溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にすることにより、本比較例に係る紫外線硬化型のダイシング用粘着シートを作製した。
【００８４】
（比較例２）
アクリル酸メチル７０重量部、アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量部、アクリル酸１０重量部を酢酸エチル中で常法により共重合させた。これにより、重量平均分子量７０万のアクリル系共重合体を含有する溶液を得た。
【００８５】
次に、アクリル系共重合体を含有する溶液に、５官能放射線硬化性オリゴマー（２５℃での粘度１０Ｐａ・ｓｅｃ）１００重量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製）３重量部、及びポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン製）２重量部を加えて、アクリル系の紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。
【００８６】
次に、前記で調整したアクリル系の紫外線硬化型粘着剤溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にすることにより、本比較例に係る紫外線硬化型のダイシング用粘着シートを作製した。
【００８７】
（評価方法）
常態粘着力：
実施例及び比較例より得られたダイシング用粘着シートを長さ２００ｍｍ、幅２５ｍｍに切り出し、室温（２３℃）でシリコンウエハ（商品名「ＣＺＭ＜１００＞２．５−３．５（４インチ）、信越半導体株式会社）のミラー面に貼り付けた。３０分静置後、ダイシング用粘着シートに紫外線を照射（照射時間２０秒間、照射強度２３ｍＪ／ｃｍ２）した。その後、２３℃の恒温室でダイシング用粘着シートの粘着剤層面とシリコンウエハの貼着面との角度が１８０°になるように引き剥がし（引張り速度：３００ｍｍ／分）を行ない、このときの（常態）粘着力を測定した。結果を表１に示す。
【００８８】
加熱後粘着力：
実施例及び比較例より得られたダイシング用粘着シートをシリコンウエハに貼り付けて３０分間放置した後、１５０℃ホットプレート上で１分間加熱、３０分間放冷を行ったこと以外は、前記と同様にして（加熱後）粘着力を測定した。結果を表１に示す。
【００８９】
【表１】
2008021871.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の実施の一形態に係るダイシング用粘着シートを概略的に示す断面模式図である。
【図２】前記ダイシング用粘着シートを用いた半導体ウエハの加工方法を説明する為の工程図である。
【符号の説明】
【００９１】
１    半導体ウエハ（被加工物）
２    両面粘着シート
３    支持ウエハ（支持板）
４    ダイシングフレーム
６    吸着式ヒーターブロック
７    剥離テープ
１０    ダイシング用粘着シート（粘着シート）
１１    基材フィルム
１２    粘着剤層
１３    セパレーター
【図１】
2008021871.tif 000005
【図２】
2008021871.tif 000006