(57)【要約】      （修正有）【課題】収縮性フォトレジスト膜を使用した、パッド電極間の距離を最小必須間隔とすることの出来るパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板ＨＳ１０上の絶縁膜ＺＬ１０に収縮幅を考慮したパッド電極形状の開口寸法を有する第１の収縮性フォトレジストを形成し焼成する。これをマスクとしてエッチングすることにより絶縁膜にパッド電極形成用の凹部を形成する。フォトレジストを除去後、この絶縁膜上に電極膜を堆積し、不要部をエッチング除去しパッド電極ＤＰ１０，ＤＰ２０とする。この絶縁膜と電極膜上に保護膜を堆積し、第２の収縮性フォトレジストを形成し焼成する。これをマスクとして保護膜をエッチング除去することにより中間保護膜ＴＨ１０とし、フォトレジストを除去する。【選択図】図１５
2008235305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の絶縁膜上に設けるべき第１、第２のパッド電極が並ぶ並び方向に収縮をする第１、第２の収縮性フォトレジスト膜を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記第１、第２のパッド電極間に形成すべき、前記絶縁膜の一部である中間絶縁膜上に前記第１の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程と、
前記第１の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程と、
前記第１の収縮性フォトレジスト膜をマスクとして、前記絶縁膜をエッチングすることにより、前記第１の収縮性フォトレジスト膜の前記並び方向に隣接する前記第１、第２のパッド電極を形成するための第１、第２の凹部、及び、前記中間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記第１、第２の凹部中に電極膜を設けることにより、前記第１、第２のパッド電極を形成する工程と、
前記中間絶縁膜上及び前記第１、第２パッド電極の上面上に保護膜を堆積する工程と、
前記上面上に設けるべき第１、第２の接合部の両接合部間に形成すべき前記保護膜の一部である中間保護膜上に、前記第２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程と、
前記第２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程と、
前記第２の収縮性フォトレジスト膜をマスクとして、前記保護膜をエッチングすることにより、前記第１、第２の接合部、及び、前記中間保護膜を形成する工程と、
前記第２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上の絶縁膜上に設けるべき第１、第２のパッド電極が並ぶ並び方向に収縮をする前記並び方向に直交する第１、第２の辺を有する第１の収縮性フォトレジスト膜、及び前記並び方向に直交する第９、第１０の辺を有する第２の収縮性フォトレジスト膜を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記第１、第２のパッド電極間に形成すべき、前記絶縁膜の一部である中間絶縁膜上に、前記第１の収縮性フォトレジスト膜の第１、第２の辺間の長さが、前記第１、第２のパッド電極間の絶縁性の確保に必須の間隔である必須間隔と、前記第１、第２の辺の中間点である第１、第２の中間点間における前記収縮で生じる収縮幅である第１、第２の収縮幅との合計値となるように、前記第１の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程と、
前記第１、第２の辺が、第３、第４の辺であって、前記第３、第４の辺の中間点である第３、第４の中間点間の長さが、前記第１、第２の中間点間の長さより前記第１、第２の収縮幅の分だけ小さい略円弧形の前記第３、第４の辺になるようにすべく、前記第１の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程と、
前記第１の収縮性フォトレジスト膜をマスクとして、前記絶縁膜をエッチングすることにより、前記第１の収縮性フォトレジスト膜の前記並び方向に隣接する前記第１、第２のパッド電極を形成するための第１、第２の凹部が、前記第３、第４の辺に対応する略円弧形の第５、第６の辺を有し、前記中間絶縁膜が、前記第１、第２の凹部と前記第５、第６の辺を共有するように、前記第１、第２の凹部、及び、前記中間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記第１、第２の凹部中に電極膜を設けることにより、前記第５、第６の辺に対応する略円弧形の第７、第８の辺を有し、前記第７、第８の辺の中間点である第７、第８の中間点間の長さが、前記必須間隔に実質的に等しい前記第１、第２のパッド電極を形成する工程と、
前記中間絶縁膜上及び前記第１、第２パッド電極の上面上に保護膜を堆積する工程と、
前記上面上に設けるべき第１、第２の接合部の両接合部間に形成すべき前記保護膜の一部である中間保護膜上に、並び方向に略直交する前記第２の収縮性フォトレジスト膜の前記第９、第１０の辺間の長さが、前記必須間隔と、前記中間保護膜で前記第１、第２パッド電極の側面を覆うために必須となる前記第９、第１０の辺の中間点である第９、第１０の中間点間における前記上面と前記中間保護膜とが重なり合う幅である第１、第２の必須幅と、前記第９、第１０の中間点間における前記収縮で生じる収縮幅である第３、第４の収縮幅との合計値になるように前記第２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程と、
前記第９、第１０の辺が第１１、第１２の辺であって、前記第１１、第１２の辺の中間点である第１１、第１２の中間点間の長さが、前記第９、第１０の中間点間の長さより前期第３、第４の収縮分だけ小さい略円弧形の前記第１１、第１２の辺になるようにすべく、前記第２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程と、
前記第２の収縮性フォトレジスト膜をマスクとして、前記保護膜をエッチングすることにより、前記第１、第２の接合部が、前記第１１、１２の辺に対応する略円弧形の第１３、１４の辺を有し、前記第１１、第１２の中間点に対応する第１３、第１４の中間点及び前記第７、第８の中間点間の前記中間保護膜の長さが、前記必須幅と実質的に等しくなるように、前記第１、第２の接合部、及び、前記中間保護膜を形成する工程と、
前記第２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッド電極に係る半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２０は、従来の半導体装置の製造方法を示す工程図である。この製造方法では、後述の第１、第２のパッド電極が並ぶ並び方向ＸＸに収縮をする第１の１、第１の２及び第２の収縮性フォトレジスト膜を用いる。そして図２０に示すように、この製造方法は、第１の１及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程にあたるステップＳ２０１と、第１の１及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程にあたるステップＳ２０２と、第１、第２のパッド電極、及び、中間絶縁空間を形成する工程にあたるステップＳ２０３と、第１の１及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程にあたるステップＳ２０４と、保護膜を堆積する工程にあたるステップＳ２０５と、第２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程にあたるステップＳ２０６と、第２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程にあたるステップＳ２０７と、第１、第２の接合部を形成する工程にあたるステップＳ２０８と、第２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程にあたるステップＳ２０９とを含む。図２１（ａ）〜図２９（ａ）のそれぞれは、図２０に示すステップＳ２０１〜Ｓ２０９のそれぞれに対応する半導体装置の部分平面図である。また、図２１（ｂ）〜図２９（ｂ）のそれぞれは、前記部分平面図のそれぞれのＢ１−Ｂ１線〜Ｂ９−Ｂ９線断面図である。図２１〜図２９中の矢印が示す方向は、並び方向ＸＸである。以下、主要な工程（ステップＳ２０１〜Ｓ２０３及びステップＳ２０６〜Ｓ２０９）に沿って、従来の半導体装置の製造方法を説明する。
【０００３】
図２１に示すようにステップＳ２０１では、絶縁膜ＺＬ１００が堆積された半導体基板ＨＳ１００上に堆積された電極膜ＤＬ１００上に、並び方向ＸＸに略直交する第１の辺ＬＬ１００及び第２の辺ＬＬ２００を有する第１の１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１００及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２００を、第１の辺ＬＬ１００及び第２の辺ＬＬ２００間の並び方向ＸＸの長さが、第１のパッド電極ＤＰ１００及び第２のパッド電極ＤＰ２００間の絶縁性の確保に必須の間隔である必須間隔Ｓ１００と実質的に等しくなるように形成する。
【０００４】
図２２に示すように次のステップＳ２０２では、形成した第１の１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１００及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２００を焼成することで、第１の１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１００及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２００中の溶媒を揮発する。溶媒の揮発時の第１の１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１００及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２００の収縮により、第１の辺ＬＬ１００及び第２の辺ＬＬ２００間の中間点である第１の中間点ＣＰ１００及び第２の中間点ＣＰ２００は、最大となる収縮幅である第１の収縮幅Ｔ１００及び第２の収縮幅Ｔ２００の分だけ遠ざかる第３の中間点ＣＰ１１０及び第４の中間点ＣＰ２１０となる。第１の辺ＬＬ１００及び第２の辺ＬＬ２００間の両端である第１の両端ＲＰ１００及び第２の両端ＲＰ２００は、実用上無視できる極小の収縮幅であることを受け、第１の両端ＲＰ１００及び第２の両端ＲＰ２００に対応する第３の両端ＲＰ１１０及び第４の両端ＲＰ２１０となる。そして、第１の辺ＬＬ１００及び第２の辺ＬＬ２００は、それぞれに対応する略円弧形の第３の辺ＬＬ１１０及び第４の辺ＬＬ２１０となる。ここで、上記収縮幅の大小は、揮発性を左右する因子である第１の１のフォトレジスト膜ＰＬ１００及び第１の２のフォトレジスト膜ＰＬ２００の単位体積当たりの表面積の大小に反比例して生じていると考えられる。
【０００５】
図２３に示すように次のステップＳ２０３では、第１の１収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１００及び第１の２のフォトレジスト膜ＰＬ２００をマスクとして電極膜ＤＬ１００をエッチングする。それによって、（１）第３の辺ＬＬ１１０及び第４の辺ＬＬ２１０に対応する略円弧形の第７の辺ＬＬ１３０及び第８の辺ＬＬ２３０を有し、第３の中間点ＣＰ１１０及び第４の中間点ＣＰ２１０に対応する第７の中間点ＣＰ１３０及び第８の中間点ＣＰ２３０を有する第１のパッド電極ＤＰ１００及び第２のパッド電極ＤＰ２００、及び、（２）第１のパッド電極ＤＰ１００及び第２のパッド電極ＤＰ２００の間を絶縁する中間絶縁空間ＺＥ１００を形成する。
【０００６】
図２６に示すようにステップＳ２０６では、前のステップＳ２０５で堆積した保護膜ＨＬ１００上に、並び方向ＸＸに略直交する第２のフォトレジスト膜ＰＬ３００の第９の辺ＬＬ３００及び第１０の辺ＬＬ４００の間の長さが、後述の合計値となるように第２のフォトレジスト膜ＰＬ３００を形成する。合計値は、必須間隔Ｓ１００と、第１の収縮幅Ｔ１００及び第２の収縮幅Ｔ２００と、第１の必須幅Ｕ１００及び第２の必須幅Ｕ２００と、後述の第３の収縮幅Ｔ３００及び第４の収縮幅Ｔ４００との合計値である。ここで第１の必須幅Ｕ１００及び第２の必須幅Ｕ２００とは、保護膜ＨＬ１００で第１のパッド電極ＤＰ１００及び第２のパッド電極ＤＰ２００の側面ＤＰ１２０及び側面ＤＰ２２０を覆うために必須となる並び方向ＸＸの第１のパッド電極ＤＰ１００及び第２のパッド電極ＤＰ２００の上面ＤＰ１１０及び上面ＤＰ２１０と保護膜ＨＬ１００とが重なり合う幅である。第３の収縮幅Ｔ３００及び第４の収縮幅Ｔ４００とは、後述の第９の辺ＬＬ３００の中間点である第９の中間点ＣＰ３００及び第１０の辺ＬＬ４００の中間点である第１０の中間点ＣＰ４００間の第２のフォトレジスト膜の収縮幅である。
【０００７】
図２７に示すように次のステップＳ２０７では、形成された第２のフォトレジスト膜ＰＬ３００を焼成することで、第２のフォトレジスト膜ＰＬ３００中の溶媒を揮発する。前記溶媒の揮発時の第２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ３００の収縮により、第９の中間点ＣＰ３００及び第１０の中間点ＣＰ４００は、最大となる収縮幅である第３の収縮幅Ｔ３００及び第４の収縮幅Ｔ４００の分だけ近づき合う第１１の中間点ＣＰ３１０及び第１２の中間点ＣＰ４１０となる。第９の辺ＬＬ３００及び第１０の辺ＬＬ４００間の両端である第５の両端ＲＰ３００及び第６の両端ＲＰ４００は、実用上無視できる極小の収縮幅であることを受け、第５の両端ＲＰ３００及び第６の両端ＲＰ４００に対応する第７の両端３１０及び第８の両端４１０となる。そして、第９の辺ＬＬ３００及び第１０の辺ＬＬ４００は、それぞれに対応する略円弧形の第１１の辺ＬＬ３１０及び第１２の辺ＬＬ４１０となる。
【０００８】
図２８に示すように次のステップＳ２０８では、第２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ３００をマスクとして保護膜ＨＬ１００をエッチングする。それによって、第１１の辺ＬＬ３１０及び第１２の辺ＬＬ４１０に対応する略円弧形の第１３の辺ＬＬ３２０及び第１４の辺ＬＬ４２０を有し、第１１の中間点ＣＰ３１０及び第１２の中間点ＣＰ４１０に対応する第１３の中間点ＣＰ３２０及び第１４の中間点ＣＰ４２０を有する第１の接合部ＳＣ１００及び第２の接合部ＳＣ２００を形成する。
【０００９】
図２９に示すように次のステップＳ２０９で、第２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ３００を除去することによって、第１のパッド電極ＤＰ１００及び第２のパッド電極ＤＰ２００を有する半導体装置の製造を完了する。
【００１０】
このようにして製造する半導体装置において、第１のパッド電極ＤＰ１００及び第２のパッド電極ＤＰ２００間の必須間隔Ｓ１００と同等になる間隔の両端は、第１の中間点ＣＰ１００及び第２の中間点ＣＰ２００である。そして第１の中間点ＣＰ１００及び第１３の中間点ＣＰ３２０間の並び方向ＸＸの長さが、第１の収縮幅Ｔ１００と第１の必須幅Ｕ１００との合計値となる。また第２の中間点ＣＰ２００及び第１４の中間点ＣＰ４２０間の並び方向ＸＸの長さが、第２の収縮幅Ｔ２００と第２の必須幅Ｕ２００との合計値となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら上記のような半導体装置の製造方法では、第１、第２の中間点及び第１３、第１４の中間点間の長さを第１、第２の収縮幅と第１、第２の必須幅との合計値としていることから、第１、第２の中間点及び第１３、第１４の中間点間の長さが大きくならざるを得ないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法では、半導体基板上の絶縁膜上に設けるべき第１、第２のパッド電極が並ぶ並び方向に収縮をする第１、第２の収縮性フォトレジスト膜を用いる半導体装置の製造方法であって、前記第１、第２のパッド電極間に形成すべき、前記絶縁膜の一部である中間絶縁膜上に前記第１の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程と、前記第１の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程と、前記第１の収縮性フォトレジスト膜をマスクとして、前記絶縁膜をエッチングすることにより、前記第１の収縮性フォトレジスト膜の前記並び方向に隣接する前記第１、第２のパッド電極を形成するための第１、第２の凹部、及び、前記中間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程と、前記第１、第２の凹部中に電極膜を設けることにより、前記第１、第２のパッド電極を形成する工程と、前記中間絶縁膜上及び前記第１、第２パッド電極の上面上に保護膜を堆積する工程と、前記上面上に設けるべき第１、第２の接合部の両接合部間に形成すべき前記保護膜の一部である中間保護膜上に、前記第２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程と、前記第２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程と、前記第２の収縮性フォトレジスト膜をマスクとして、前記保護膜をエッチングすることにより、前記第１、第２の接合部、及び、前記中間保護膜を形成する工程と、前記第２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法では、半導体基板上の絶縁膜上に設けるべき第１、第２のパッド電極が並ぶ並び方向に収縮をする前記並び方向に直交する第１、第２の辺を有する第１の収縮性フォトレジスト膜、及び前記並び方向に直交する第９、第１０の辺を有する第２の収縮性フォトレジスト膜を用いる半導体装置の製造方法であって、前記第１、第２のパッド電極間に形成すべき、前記絶縁膜の一部である中間絶縁膜上に、前記第１の収縮性フォトレジスト膜の第１、第２の辺間の長さが、前記第１、第２のパッド電極間の絶縁性の確保に必須の間隔である必須間隔と、前記第１、第２の辺の中間点である第１、第２の中間点間における前記収縮で生じる収縮幅である第１、第２の収縮幅との合計値となるように、前記第１の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程と、前記第１、第２の辺が、第３、第４の辺であって、前記第３、第４の辺の中間点である第３、第４の中間点間の長さが、前記第１、第２の中間点間の長さより前記第１、第２の収縮幅の分だけ小さい略円弧形の前記第３、第４の辺になるようにすべく、前記第１の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程と、前記第１の収縮性フォトレジスト膜をマスクとして、前記絶縁膜をエッチングすることにより、前記第１の収縮性フォトレジスト膜の前記並び方向に隣接する前記第１、第２のパッド電極を形成するための第１、第２の凹部が、前記第３、第４の辺に対応する略円弧形の第５、第６の辺を有し、前記中間絶縁膜が、前記第１、第２の凹部と前記第５、第６の辺を共有するように、前記第１、第２の凹部、及び、前記中間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程と、前記第１、第２の凹部中に電極膜を設けることにより、前記第５、第６の辺に対応する略円弧形の第７、第８の辺を有し、前記第７、第８の辺の中間点である第７、第８の中間点間の長さが、前記必須間隔に実質的に等しい前記第１、第２のパッド電極を形成する工程と、前記中間絶縁膜上及び前記第１、第２パッド電極の上面上に保護膜を堆積する工程と、前記上面上に設けるべき第１、第２の接合部の両接合部間に形成すべき前記保護膜の一部である中間保護膜上に、並び方向に略直交する前記第２の収縮性フォトレジスト膜の前記第９、第１０の辺間の長さが、前記必須間隔と、前記中間保護膜で前記第１、第２パッド電極の側面を覆うために必須となる前記第９、第１０の辺の中間点である第９、第１０の中間点間における前記上面と前記中間保護膜とが重なり合う幅である第１、第２の必須幅と、前記第９、第１０の中間点間における前記収縮で生じる収縮幅である第３、第４の収縮幅との合計値になるように前記第２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程と、前記第９、第１０の辺が第１１、第１２の辺であって、前記第１１、第１２の辺の中間点である第１１、第１２の中間点間の長さが、前記第９、第１０の中間点間の長さより前期第３、第４の収縮分だけ小さい略円弧形の前記第１１、第１２の辺になるようにすべく、前記第２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程と、前記第２の収縮性フォトレジスト膜をマスクとして、前記保護膜をエッチングすることにより、前記第１、第２の接合部が、前記第１１、１２の辺に対応する略円弧形の第１３、１４の辺を有し、前記第１１、第１２の中間点に対応する第１３、第１４の中間点及び前記第７、第８の中間点間の前記中間保護膜の長さが、前記必須幅と実質的に等しくなるように、前記第１、第２の接合部、及び、前記中間保護膜を形成する工程と、前記第２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、第１の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程で、第１、第２の辺の中間点である第１、第２の中間点間の並び方向の長さを、必須間隔と第１、第２の収縮幅との合計値となるように第１の収縮性フォトレジスト膜を形成する。次に第１の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程で、第１の収縮性フォトレジスト膜を焼成することにより、前記第１、第２の辺が第３、第４の辺になり、第３、第４の辺に対応する第１、第２のパッド電極の辺の第７、第８の辺の中間点である第７、第８の中間点に対し、第１、第２の収縮幅の分だけ、第１、第２の接合部の辺の第１３、第１４の辺の中間点である第１３、第１４の中間点が近づく。これにより、第７の中間点及び第１３の中間点間の長さと、第８の中間点及び第１４の中間点間の長さとが、第１の必須幅と第２の必須幅とに実質的に等しくなる。このことから、従来のような、第１の中間点及び第１３の中間点間の長さを、第１の収縮幅と第１の必須幅との合計値とする、及び、第２の中間点及び第１４の中間点間の長さを、第２の収縮幅と第２の必須幅との合計値とする必要がなくなる。よって第７の中間点及び第１３の中間点間の長さと、第８の中間点及び第１４の中間点間の長さとを、従来に比して小さくすることが可能である。ここで、第１、第２のパッド電極間の必須間隔と同等になる間隔の両端が、第１、第２の中間点である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の製造方法に関する実施形態を図面に沿って説明する。
図１は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程図である。図１に示すように本実施形態の製造方法は、第１の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程にあたるステップＳ１０１と、第１の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程にあたるステップＳ１０２と、第１、第２の凹部、及び、中間絶縁膜を形成する工程にあたるステップＳ１０３と、第１の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程にあたるステップＳ１０４と、第１、第２のパッド電極を形成する工程にあたるステップＳ１０５と、保護膜を堆積する工程にあたるステップＳ１０６と、第２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程にあたるステップＳ１０７と、第２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程にあたるステップＳ１０８と、第１、第２の接合部、及び、中間保護膜を形成する工程にあたるステップＳ１０９と、第２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程にあたるステップＳ１１０とを含む。
【００１６】
図２（ａ）〜図１５（ａ）のそれぞれは、図１に示すステップＳ１０１〜Ｓ１１０のそれぞれに対応する半導体装置の部分平面図である。また、図２（ｂ）〜図１５（ｂ）のそれぞれは、前記部分平面図のそれぞれのＡ１−Ａ１線〜Ａ１４−Ａ１４線断面図である。図２〜図１５中の矢印が示す方向は、並び方向ＸＸである。
【００１７】
図２に示すようにステップＳ１０１では、フォトリソグラフィー法によって、半導体基板ＨＳ１０上に堆積された絶縁膜ＺＬ１０上に、並び方向ＸＸに略直交する第１の辺ＬＬ１０及び第２の辺ＬＬ２０を有する第１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１０を形成する。ここで、第１の辺ＬＬ１０及び第２の辺ＬＬ２０間の並び方向ＸＸの長さが、後述の第１のパッド電極ＤＰ１００及び第２のパッド電極ＤＰ２００間の絶縁性の確保に必須の間隔である必須間隔Ｓ１０と第１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１０の第１の収縮幅Ｔ１０及び第２の収縮幅Ｔ２０との合計値に、実質的に等しくなるようにする。
【００１８】
図３に示すように次のステップＳ１０２では、加熱法によって、形成した第１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１０を焼成することで、第１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１０中の溶媒を揮発する。溶媒の揮発時の第１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１０の収縮により、第１の中間点ＣＰ１０及び第２の中間点ＣＰ２０は、最大となる収縮幅である第１の収縮幅Ｔ１０及び第２の収縮幅Ｔ２０の分だけ近づいている第３の中間点ＣＰ１１及び第４の中間点ＣＰ２１となる。第１の辺ＬＬ１０及び第２の辺ＬＬ２０間の両端である第１の両端ＲＰ１０及び第２の両端ＲＰ２０は、実用上無視できる極小の収縮幅であることを受け、第１の両端ＲＰ１０及び第２の両端ＲＰ２０に対応する第３の両端ＲＰ１１及び第４の両端ＲＰ２１となる。そして、第１の辺ＬＬ１０及び第２の辺ＬＬ２０は、それぞれに対応する略円弧形の第３の辺ＬＬ１１及び第４の辺ＬＬ２１となる。
【００１９】
図４に示すように次のステップＳ１０３では、乾式のエッチング法によって、第１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１０をマスクとして絶縁膜ＺＬ１０を除去する。これによって、（１）第３の辺ＬＬ１１及び第４の辺ＬＬ２１に対応する略円弧形の第５の辺ＬＬ１２及び第６の辺ＬＬ２２を有し、第３の中間点ＣＰ１１及び第４の中間点ＣＰ２１に対応する第５の中間点ＣＰ１２及び第６の中間点ＣＰ２２を有する第１の凹部ＯＰ１０と第２の凹部ＯＰ２０、及び、（２）後述の第１のパッド電極ＤＰ１０及び第２のパッド電極ＤＰ２０の間を絶縁する中間絶縁膜ＴＺ１０を形成する。
【００２０】
図５に示すように次のステップＳ１０４では、レジスト除去剤を用いて、第１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１０を除去する。
【００２１】
次のステップＳ１０５は、図６に示す電極膜堆積工程、図７に示す平坦化膜堆積工程、図８に示すパッド電極不要部露出工程、図９に示すパッド電極不要部除去工程及び図１０に示す平坦化膜除去工程からなる。
【００２２】
図６に示すように電極膜堆積工程では、乾式の成膜法によって、絶縁膜ＺＬ１０上に電極膜ＤＬ１０を堆積する。
【００２３】
図７に示すように平坦化膜堆積工程では、ＳＯＧなどの湿式の成膜法、またはプラズマＣＶＤ法などの乾式成膜法によって絶縁性の平坦化膜ＦＬ１０を形成する。平坦化膜ＦＬ１０は、平坦化膜ＦＬ１０上を機械的研磨で平坦化しても良い。また、平坦化膜ＦＬ１０と電極膜ＤＬ１０との間に他の絶縁性の膜を形成することで二層以上の絶縁性の積層膜としても良い。
【００２４】
図８に示すようにパッド電極不要部露出工程では、乾式のエッチング法によって図の上方から下方に向かい、電極膜上面ＤＬ１０ａが露出するまで平坦化膜ＦＬ１０を除去する。
【００２５】
図９に示すようにパッド電極不要部除去工程では、乾式のエッチング法によって、平坦化膜ＦＬ１０をマスクとして、絶縁膜上面ＺＬ１１より上方の電極膜ＤＬ１０を除去する。これによって、第５の辺ＬＬ１２及び第６の辺ＬＬ２２に対応する略円弧形の第７の辺ＬＬ１３及び第８の辺ＬＬ２３を有し、第５の中間点ＣＰ１２及び第６の中間点ＣＰ２２に対応する第７の中間点ＣＰ１３及び第８の中間点ＣＰ２３を有する第１のパッド電極ＤＰ１０及び第２のパッド電極ＤＰ２０を形成する。
【００２６】
図１０に示すように平坦化膜除去工程では、乾式、または湿式のエッチング法によって平坦化膜ＦＬ１０を除去する。また、このとき乾式のエッチング法及び湿式のエッチング法の両方を用いて、平坦化膜ＦＬ１０を除去してもよい。
【００２７】
図１１に示すようにステップＳ１０６では、乾式の成膜法によって、絶縁膜ＺＬ１０と第１のパッド電極ＤＰ１０及び第２のパッド電極ＤＰ２０との上に、保護膜ＨＬ１０を堆積する。
【００２８】
図１２に示すようにステップＳ１０７では、フォトリソグラフィー法によって、保護膜ＨＬ１０上に、並び方向ＸＸに略直交する第９の辺ＬＬ１４及び第１０の辺ＬＬ２４を有する第２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ３０を形成する。ここで、第９の辺ＬＬ１４及び第１０の辺ＬＬ２４間の並び方向ＸＸの長さは、必須間隔Ｓ１０と、第１の必須幅Ｕ１０及び第２の必須幅Ｕ２０と、後述の第３の収縮幅Ｔ３０及び第４の収縮幅Ｔ４０との合計値である。また、第１の必須幅Ｕ１０及び第２の必須幅Ｕ２０は、保護膜ＨＬ１０で側面ＤＰ１２及び側面ＤＰ２２を覆うために必須となる並び方向ＸＸの第１のパッド電極ＤＰ１０及び第２のパッド電極ＤＰ２０の上面ＤＰ１１及び上面ＤＰ２１と保護膜ＨＬ１０とが重なり合う幅である。また、第３の収縮幅Ｔ３０及び第４の収縮幅Ｔ４０は、後述の第９の辺ＬＬ１４の中間点である第９の中間点ＣＰ１４及び第１０の辺ＬＬ２４の中間点である第１０の中間点ＣＰ２４間の第２のフォトレジスト膜の収縮幅である。
【００２９】
図１３に示すようにステップＳ１０８では、加熱法によって、形成した第２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ３０を焼成することで、第２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ３０中の溶媒を揮発する。溶媒の揮発時の第２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ３０の収縮により、第９の中間点ＣＰ１４及び第１０の中間点ＣＰ２４は、最大となる収縮幅である第３の収縮幅Ｔ３０及び第４の収縮幅Ｔ４０の分だけ近づいている第１１の中間点ＣＰ１５及び第１２の中間点ＣＰ２５となる。第９の辺ＬＬ１４及び第１０の辺ＬＬ２４間の両端である第５の両端ＲＰ３０及び第６の両端ＲＰ４０は、実用上無視できる極小の収縮幅であることを受け、第５の両端ＲＰ３０及び第６の両端ＲＰ４０に対応する第７の両端ＲＰ３１及び第８の両端ＲＰ４１となる。そして、第９の辺ＬＬ１４及び第１０の辺ＬＬ２４は、それぞれに対応する略円弧形の第１１の辺ＬＬ１５及び第１２の辺ＬＬ２５となる。
【００３０】
図１４に示すようにステップＳ１０９では、乾式のエッチング法によって、第２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ３０をマスクとして保護膜ＨＬ１０を除去する。これによって、（１）第１１の辺ＬＬ１５及び第１２の辺ＬＬ２５に対応する略円弧形の第１３の辺ＬＬ１６及び第１４の辺ＬＬ２６を有し、第１１の中間点ＣＰ１５及び第１２の中間点ＣＰ２５に対応する第１３の中間点ＣＰ１６及び第１４の中間点ＣＰ２６を有する第１の接合部ＳＣ１０と第２の接合部ＳＣ２０、及び、（２）中間保護膜ＴＨ１０を形成する。
【００３１】
図１５に示すように次のステップＳ１１０では、レジスト除去剤を用いて、第２の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ３０を除去する。
【００３２】
上述の実施形態では、以下の効果が得られる。
（１）第１の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程にあたるステップＳ１０１で、第１の辺ＬＬ１０及び第２の辺ＬＬ２０の中間点である第１の中間点ＣＰ１０及び第２の中間点ＣＰ２０間の並び方向ＸＸの長さを、必須間隔Ｓ１０と、第１の収縮幅Ｔ１０及び第２の収縮幅Ｔ２０との合計値となるように第１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１０を形成する。次に第１の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程にあたるステップＳ１０２で、第１の収縮性フォトレジスト膜ＰＬ１０を焼成する。この焼成により、第１の辺ＬＬ１０及び第２の辺ＬＬ２０が第３の辺ＬＬ１１及び第４の辺ＬＬ２１となる。そして第３の辺ＬＬ１１及び第４の辺ＬＬ２１に対応する第１のパッド電極ＤＰ１０及び第２のパッド電極ＤＰ２０の辺の第７の辺ＬＬ１３及び第８の辺ＬＬ２３の中間点である第７の中間点ＣＰ１３及び第８の中間点ＣＰ２３に対し、第１の収縮幅Ｔ１０及び第２の収縮幅Ｔ２０の分だけ、第１の接合部ＳＣ１０及び第２の接合部ＳＣ２０の辺の第１３の辺ＬＬ１６及び第１４の辺ＬＬ２６の中間点である第１３の中間点ＣＰ１６及び第１４の中間点ＣＰ２６が近づく。これにより、第７の中間点ＣＰ１３及び第１３の中間点ＣＰ１６間の長さと、第８の中間点ＣＰ２３及び第１４の中間点ＣＰ２６間の長さとが、第１の必須幅Ｕ１０と第２の必須幅Ｕ２０とに実質的に等しくなる。このことから、従来のような、第１の中間点ＣＰ１００及び第１３の中間点ＣＰ３２０間の長さを、第１の収縮幅Ｔ１００と第１の必須幅Ｕ１００との合計値とする、及び、第２の中間点ＣＰ２００及び第１４ＣＰ４２０の中間点間の長さを、第２の収縮幅Ｔ２００と第２の必須幅Ｕ２００との合計値とする必要がなくなる。よって第７の中間点ＣＰ１３及び第１３の中間点間ＣＰ１６の長さと、第８の中間点ＣＰ２３及び第１４の中間点ＣＰ２６間の長さとを、従来に比して小さくすることが可能である。
【００３３】
（変形例）
これより変形例について説明するが、実施形態と同じ内容については説明を省き、異なる内容を含むステップＳ１０５について説明する。第１、第２のパッド電極を形成する工程であるステップＳ１０５は、図６に示す電極膜堆積工程、図１６に示す収縮性フォトレジスト膜形成工程、図１７に示す収縮性フォトレジスト膜焼成工程、図１８に示す電極膜エッチング工程及び図１９に示す収縮性フォトレジスト膜除去工程からなる。
【００３４】
図１６に示すように収縮性フォトレジスト膜形成工程では、フォトリソグラフィー法によって、電極膜堆積工程を経た電極膜ＤＬ１０上の後述の第１、第２の電極を形成すべき箇所に、収縮幅Ｔ５０，Ｔ６０の分を加味した並び方向ＸＸの幅で電極用収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２０，ＰＬ２５を形成する。
【００３５】
図１７に示すように収縮性フォトレジスト膜焼成工程では、加熱法によって形成した電極用収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２０，ＰＬ２５を焼成することで、電極用収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２０，ＰＬ２５中の溶媒を揮発する。溶媒の揮発時に電極用収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２０，ＰＬ２５が収縮する。
【００３６】
図１８に示すように電極膜エッチング工程では、乾式、及び湿式のエッチング法によって、電極用収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２０，ＰＬ２５をマスクとして、絶縁膜上面ＺＬ１１より上方の電極膜ＤＬ１０を除去する。これによって、第５の辺ＬＬ１２及び第６の辺ＬＬ２２に対応する略円弧形の第７の辺ＬＬ１３及び第８の辺ＬＬ２３を有し、第５の中間点ＣＰ１２及び第６の中間点ＣＰ２２に対応する第７の中間点ＣＰ１３及び第８の中間点ＣＰ２３を有する第１のパッド電極ＤＰ１０及び第２のパッド電極ＤＰ２０を形成する。
【００３７】
図１９に示すように収縮性フォトレジスト膜除去工程では、レジスト除去剤を用いて、電極用収縮性フォトレジスト膜ＰＬ２０，ＰＬ２５を除去する。
【００３８】
この変形例で述べた半導体装置の製造方法において、実施形態における効果と同様の効果が得られる。
【００３９】
尚、本発明は上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形や改良等は、本発明に含まれるものである。つまり上述の実施形態では、パッド電極を第１、第２のパッド電極として二つのパッド電極を形成しているが、三つ以上のパッド電極を形成しても良い。
【００４０】
また、パッド電極を第１、第２のパッド電極として単層の電極の構成で形成しているが、二層以上の電極の構成で形成しても良い。
【００４１】
また、第１、第２のパッド電極としての平面形状を矩形としたが、３角形、または５角形以上の多角形であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の本実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程図。
【図２】第１の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図３】第１の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図４】第１、第２の凹部、及び、中間絶縁膜を形成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図５】第１の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程における半導体装置の部分概要図。
【図６】第１、第２のパッド電極を形成する工程の電極膜堆積工程における半導体装置の部分概要図。
【図７】第１、第２のパッド電極を形成する工程の平坦化膜堆積工程における半導体装置の部分概要図。
【図８】第１、第２のパッド電極を形成する工程のパッド電極不要部露出工程における半導体装置の部分概要図。
【図９】第１、第２のパッド電極を形成する工程のパッド電極不要部除去工程における半導体装置の部分概要図。
【図１０】第１、第２のパッド電極を形成する工程の平坦化膜除去工程における半導体装置の部分概要図。
【図１１】保護膜を堆積する工程における半導体装置の部分概要図。
【図１２】第２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図１３】第２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図１４】第１、第２の接合部、及び、中間保護膜を形成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図１５】第２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程における半導体装置の部分概要図。
【図１６】本発明の変形例の第１、第２のパッド電極を形成する工程の収縮性フォトレジスト膜形成工程における半導体装置の部分概要図。
【図１７】収縮性フォトレジスト膜焼成工程における半導体装置の部分概要図。
【図１８】電極膜エッチング工程における半導体装置の部分概要図。
【図１９】収縮性フォトレジスト膜除去工程における半導体装置の部分概要図。
【図２０】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図。
【図２１】第１の１及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図２２】第１の１及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図２３】第１、第２のパッド電極、及び、中間絶縁空間を形成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図２４】第１の１及び第１の２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程における半導体装置の部分概要図。
【図２５】保護膜を堆積する工程における半導体装置の部分概要図。
【図２６】第２の収縮性フォトレジスト膜を形成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図２７】第２の収縮性フォトレジスト膜を焼成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図２８】第１、第２の接合部を形成する工程における半導体装置の部分概要図。
【図２９】第２の収縮性フォトレジスト膜を除去する工程における半導体装置の部分概要図。
【符号の説明】
【００４３】
ＨＳ１０，ＨＳ１００…半導体基板、ＺＬ１０，ＺＬ１００…絶縁膜、ＴＺ１０…中間絶縁膜、ＯＰ１０…第１の凹部、ＯＰ２０…第２の凹部、ＤＬ１０，ＤＬ１００…電極膜、ＤＰ１０，ＤＰ１００…第１のパッド電極、ＤＰ２０，ＤＰ２００…第２のパッド電極、ＤＰ１１，ＤＰ１１０，ＤＰ２１，ＤＰ２１０…上面、ＤＰ１２，ＤＰ１２０，ＤＰ２２，ＤＰ２２０…側面、ＰＬ１０…第１の収縮性フォトレジスト膜、ＰＬ３０，ＰＬ３００…第２の収縮性フォトレジスト膜、ＨＬ１０，ＨＬ１００…保護膜、ＴＨ１０…中間保護膜、ＳＣ１０，ＳＣ１００…第１の接合部、ＳＣ２０，ＳＣ２００…第２の接合部、ＸＸ…並び方向、ＬＬ１０，ＬＬ１００…第１の辺、ＬＬ２０，ＬＬ２００…第２の辺、ＬＬ１１…第３の辺、ＬＬ２１…第４の辺、ＬＬ１２…第５の辺、ＬＬ２２…第６の辺、ＬＬ１３…第７の辺、ＬＬ２３…第８の辺、ＬＬ１４，ＬＬ３００…第９の辺、ＬＬ２４，ＬＬ４００…第１０の辺、ＬＬ１５，ＬＬ３１０…第１１の辺、ＬＬ２５，ＬＬ４１０…第１２の辺、ＬＬ１６，ＬＬ３２０…第１３の辺、ＬＬ２６，ＬＬ４２０…第１４の辺、ＣＰ１０，ＣＰ１００…第１の中間点、ＣＰ２０，ＣＰ２００…第２の中間点、ＣＰ１１，ＣＰ１１０…第３の中間点、ＣＰ２１，ＣＰ２１０…第４の中間点、ＣＰ１３，ＣＰ１３０…第７の中間点、ＣＰ２３，ＣＰ２３０…第８の中間点、ＣＰ１４，ＣＰ３００…第９の中間点、ＣＰ２４，ＣＰ４００…第１０の中間点、ＣＰ１５，ＣＰ３１０…第１１の中間点、ＣＰ２５，ＣＰ４１０…第１２の中間点、ＣＰ１６，ＣＰ３２０…第１３の中間点、ＣＰ２６，ＣＰ４２０…第１４の中間点、Ｓ１０，Ｓ１００…必須間隔、Ｔ１０，Ｔ１００…第１の収縮幅、Ｔ２０，Ｔ２００…第２の収縮幅、Ｔ３０，Ｔ３００…第３の収縮幅、Ｔ４０，Ｔ４００…第４の収縮幅、Ｕ１０，Ｕ１００…第１の必須幅、Ｕ２０，Ｕ２００…第２の必須幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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