(57)【要約】【課題】同じセンサチップを使用して必要な調整を行うことができるようにする。【解決手段】磁気検出素子１１，１２からロータ５０に向かうバイアス磁界の生成領域には、センサチップ１０側からロータ５０側に向かって延びる集磁板３１が、ロータ５０の歯５０ａの移動方向Ｘに沿う方向に複数並設されている。ロータ５０の歯５０ａの間隔Ｌの変更に伴い集磁板３１の間隔Ｐを変更する。【選択図】図２
2008039632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面に一定間隔（Ｌ）をおいて歯（５０ａ）を有するロータ（５０）に対し離間して配置され、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に一定間隔（ｄ）をおいて形成された一対の磁気検出素子（１１，１２）を有するセンサチップ（１０）と、
前記センサチップ（１０）での一対の磁気検出素子（１１，１２）を通りロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（２０）と、
を備えた回転センサ装置であって、
前記磁気検出素子（１１，１２）からロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）の生成領域に、センサチップ（１０）側からロータ（５０）側に向かって延びる集磁板（３１）を、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に複数並設したことを特徴とする回転センサ装置。
【請求項２】
前記集磁板（３１）は、センサチップ（１０）側に比べてロータ（５０）側が幅広となる形状であることを特徴とする請求項１に記載の回転センサ装置。
【請求項３】
前記センサチップ（１０）の外周側において全周またはその一部領域に磁気シールド材（６０，６１，６２，６３）を配置したことを特徴とする請求項１または２に記載の回転センサ装置。
【請求項４】
基板（７０）にセンサチップ（１０）を搭載するとともに前記基板（７０）に集磁板（３１）を連結支持したことを特徴とする請求項１または２に記載の回転センサ装置。
【請求項５】
センサチップ（１０）と集磁板（３１）とを樹脂（８０）にてモールドしてなることを特徴とする請求項１または２に記載の回転センサ装置。
【請求項６】
外周面に一定間隔（Ｌ）をおいて歯（５０ａ）を有するロータ（５０）に対し離間して配置され、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に一定間隔（ｄ）をおいて形成された一対の磁気検出素子（１１，１２）を有するセンサチップ（１０）と、
前記センサチップ（１０）での一対の磁気検出素子（１１，１２）を通りロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（２０）と、
を備えた回転センサ装置の調整方法であって、
前記磁気検出素子（１１，１２）からロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）の生成領域に、センサチップ（１０）側からロータ（５０）側に向かって延びる集磁板（３１）を、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に複数並設した構成とし、
ロータ（５０）の歯（５０ａ）の間隔（Ｌ）の変更、または、ロータ（３０）とセンサチップ（１０）との距離の変更に伴い、前記集磁板（３１）の間隔（Ｐ）または形状を変更するようにしたことを特徴とする回転センサ装置の調整方法。
【請求項７】
外周面に一定間隔（Ｌ）をおいて歯（５０ａ）を有するロータ（５０）に対し離間して配置され、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に一定間隔（ｄ）をおいて形成された一対の磁気検出素子（１１，１２）を有するセンサチップ（１０）と、
前記センサチップ（１０）での一対の磁気検出素子（１１，１２）を通りロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（２０）と、
を備えた回転センサ装置の調整方法であって、
前記磁気検出素子（１１，１２）からロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）の生成領域に、センサチップ（１０）側からロータ（５０）側に向かって延びる集磁板（３１）を、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に複数並設した構成としておき、
センシング信号の出力が低下したときに前記集磁板（３１）を集磁力の強いものに替えるようにしたことを特徴とする回転センサ装置の調整方法。
【請求項８】
集磁板（３１）の少なくともロータ（５０）側の先端部の板厚が厚いものに替えることにより、集磁板（３１）を集磁力の強いものに替えるようにしたことを特徴とする請求項７に記載の回転センサ装置の調整方法。
【請求項９】
前記集磁板（３１）は、センサチップ（１０）側に比べてロータ（５０）側が幅広となる形状であることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の回転センサ装置の調整方法。
【請求項１０】
前記センサチップ（１０）の外周側において全周またはその一部領域に磁気シールド材（６０，６１，６２，６３）を配置したことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の回転センサ装置の調整方法。
【請求項１１】
外周面に一定間隔（Ｌ）をおいて歯（５０ａ）を有するロータ（５０）に対し離間して配置され、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に一定間隔（ｄ）をおいて形成された一対の磁気検出素子（１１，１２）を有するセンサチップ（１０）と、
前記センサチップ（１０）での一対の磁気検出素子（１１，１２）を通りロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（２０）と、
を備えた回転センサ装置の調整方法であって、
前記磁気検出素子（１１，１２）からロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）の生成領域に、センサチップ（１０）側からロータ（５０）側に向かって延びる集磁板を、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に複数並設した構成とし、
前記ロータ（５０）と前記センサチップ（１０）と前記バイアス磁石（２０）とが一直線上に配置されている状態から、配置されていない状態にするときに、前記集磁板（４０）の形状を変更するようにしたことを特徴とする回転センサ装置の調整方法。
【請求項１２】
外周面に一定間隔（Ｌ）をおいて歯（５０ａ）を有するロータ（５０）に対し離間して配置され、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に一定間隔（ｄ）をおいて形成された一対の磁気検出素子（１１，１２）を有するセンサチップ（１０）と、
前記センサチップ（１０）での一対の磁気検出素子（１１，１２）を通りロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（２０）と、
を備えた回転センサ装置の調整方法であって、
前記センサチップ（１０）を複数用い、かつ、各センサチップ（１０）について前記磁気検出素子（１１，１２）からロータ（５０）に向かうバイアス磁界（Ｂ）の生成領域に、センサチップ（１０）側からロータ（５０）側に向かって延びる集磁板を、ロータ（５０）の歯（５０ａ）の移動方向（Ｘ）に沿う方向に複数並設した構成とし、
前記ロータ（５０）の径が変わったときに、各センサチップ（１０）に対応する集磁板（４５，４６，４７）として、ロータ（５０）の径が変わる前とは異なる部位にバイアス磁界を向かわせる形状のものに変更するようにしたことを特徴とする回転センサ装置の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転センサ装置および回転センサ装置の調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気抵抗素子等を用いた半導体センサにおいては、例えば、図２５に示すように、センサチップ１００には一対の磁気抵抗素子１０１，１０２が形成され、このセンサチップ１００を、歯１１０ａを有するロータ１１０と離間して配置すると共にバイアス磁石１２０により磁気抵抗素子１０１，１０２を通りロータ１１０に向かうバイアス磁界を付与し、特許文献１，２，３のように磁気抵抗素子１０１，１０２の抵抗値変化量をブリッジ回路にて検出することで回転方向を検出することは周知である。また、感度向上のため、磁気抵抗素子１０１，１０２の感度を上げたり、抵抗検出のブリッジを２つにして回路で感度を上げるようにしている。
【特許文献１】特許第２６６３４６０号公報
【特許文献２】特公平７−７８５２９号公報
【特許文献３】特表平８−５１１３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、必要なセンシング信号を得るためには異なるセンサチップを用いる必要があった。具体的には、例えば上述の場合、回転方向を検出するためにはロータ１１０の歯１１０ａの間隔Ｌによって磁気抵抗素子１０１，１０２の間隔ｄを変更しなければならず、センサチップ１００のサイズを小さくできないという問題が生じている。詳しく説明すると、２つの磁気抵抗素子１０１，１０２を使用して抵抗値変化の位相差により方向を検出する場合、磁気抵抗素子１０１，１０２の片側にバイアス磁石１２０を配置するとともに、その反対側に回転検出したいロータ１１０を置くことで、歯１１０ａの通過により磁気抵抗素子１０１，１０２を横切る磁気方向が変化し、抵抗値変化が生じる。従って、歯１１０ａの間隔Ｌにより磁気抵抗素子１０１，１０２を配置する間隔ｄが決まり、図２５，２６に示すように、歯１１０ａの間隔Ｌ毎にチップサイズを変更する必要がある。
【０００４】
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、同じセンサチップを使用して必要な調整を行うことができるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、回転センサ装置として、磁気検出素子からロータに向かうバイアス磁界の生成領域に、センサチップ側からロータ側に向かって延びる集磁板を、ロータの歯の移動方向に沿う方向に複数並設したことを要旨とする。
【０００６】
この回転センサ装置の集磁板の間隔または形状を変更することによりロータの歯の間隔の変更、または、ロータとセンサチップとの距離の変更に対処することができる。つまり、請求項６に記載の発明では、回転センサ装置の調整方法として、磁気検出素子からロータに向かうバイアス磁界の生成領域に、センサチップ側からロータ側に向かって延びる集磁板を、ロータの歯の移動方向に沿う方向に複数並設した構成とし、ロータの歯の間隔の変更、または、ロータとセンサチップとの距離の変更に伴い、集磁板の間隔または形状を変更することを要旨とする。
【０００７】
請求項１，６に記載の発明によれば、ロータの歯の間隔の変更、または、ロータとセンサチップとの距離の変更に伴い、集磁板の間隔または形状を変更することにより、同じセンサチップを使用して必要な調整を行うことができる。
【０００８】
請求項２に記載のように、請求項１に記載の回転センサ装置において集磁板は、センサチップ側に比べてロータ側が幅広となる形状であるとよい。
請求項３に記載のように、請求項１または２に記載の回転センサ装置においてセンサチップの外周側において全周またはその一部領域に磁気シールド材を配置すると、外部からのノイズの影響を受けにくくなる。
【０００９】
請求項４に記載のように、請求項１または２に記載の回転センサ装置において基板にセンサチップを搭載するとともに前記基板に集磁板を連結支持すると、位置合わせを容易に行うことができる。
【００１０】
請求項５に記載のように、請求項１または２に記載の回転センサ装置においてセンサチップと集磁板とを樹脂にてモールドすると、位置合わせを容易に行うことができる。
請求項７に記載の発明では、回転センサ装置の調整方法として、磁気検出素子からロータに向かうバイアス磁界の生成領域に、センサチップ側からロータ側に向かって延びる集磁板を、ロータの歯の移動方向に沿う方向に複数並設した構成としておき、センシング信号の出力が低下したときに前記集磁板を集磁力の強いものに替えるようにしたことを要旨とする。
【００１１】
請求項７に記載の発明によれば、センシング信号の出力が低下したときに集磁板を集磁力の強いものに替えることによりセンシング信号の出力を増大させることができる。よって、同じセンサチップを使用して必要な調整を行うことができる。
【００１２】
請求項８に記載のように、請求項７に記載の回転センサ装置の調整方法において、集磁板の少なくともロータ側の先端部の板厚が厚いものに替えることにより、集磁板を集磁力の強いものに替えることができる。
【００１３】
請求項９に記載のように、請求項６〜８のいずれか１項に記載の回転センサ装置の調整方法において、前記集磁板は、センサチップ側に比べてロータ側が幅広となる形状であるとよい。
【００１４】
請求項１０に記載のように、請求項６〜８のいずれか１項に記載の回転センサ装置の調整方法においてセンサチップの外周側において全周またはその一部領域に磁気シールド材を配置すると、外部からのノイズの影響を受けにくくなる。
【００１５】
請求項１１に記載の発明では、回転センサ装置の調整方法として、磁気検出素子からロータに向かうバイアス磁界の生成領域に、センサチップ側からロータ側に向かって延びる集磁板を、ロータの歯の移動方向に沿う方向に複数並設した構成とし、ロータとセンサチップとバイアス磁石とが一直線上に配置されている状態から、配置されていない状態にするときに、集磁板の形状を変更することを要旨とする。
【００１６】
請求項１１に記載の発明によれば、ロータとセンサチップとバイアス磁石とが一直線上に配置されている状態から、配置されていない状態にするときに、集磁板の形状を変更することにより、同じセンサチップを使用して必要な調整を行うことができる。
【００１７】
請求項１２に記載の発明では、回転センサ装置の調整方法として、センサチップを複数用い、かつ、各センサチップについて磁気検出素子からロータに向かうバイアス磁界の生成領域に、センサチップ側からロータ側に向かって延びる集磁板を、ロータの歯の移動方向に沿う方向に複数並設した構成とし、ロータの径が変わったときに、各センサチップに対応する集磁板として、ロータの径が変わる前とは異なる部位にバイアス磁界を向かわせる形状のものに変更することを要旨とする。
【００１８】
請求項１２に記載の発明によれば、ロータの径が変わったときに、各センサチップに対応する集磁板として、ロータの径が変わる前とは異なる部位にバイアス磁界を向かわせる形状のものに変更することにより、同じセンサチップを使用して必要な調整を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施の形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施形態における回転センサ装置１の斜視図である。図２（ａ）は回転センサ装置１の平面図、図２（ｂ）は側面図である。
【００２０】
回転センサ装置１は、センサチップ１０とバイアス磁石２０を具備している。回転センサ装置１は、ロータ５０の回転を検出する。即ち、ロータ５０が被検出体（センシング対象）である。ロータ５０は外周面に一定間隔Ｌをおいて歯５０ａを有している。ロータ５０は図２（ａ）中のＸ方向に正逆回転する。
【００２１】
センサチップ１０は、一対の磁気検出素子としての一対の磁気抵抗素子１１，１２を有している。センサチップ１０（一対の磁気抵抗素子１１，１２）の前方にはロータ５０が離間して配置されている。ここで、一対の磁気抵抗素子１１，１２はロータ５０の歯５０ａの移動方向Ｘに沿う方向に一定間隔ｄをおいて形成されている。
【００２２】
センサチップ１０におけるロータ５０とは反対側にバイアス磁石２０が配置されている。バイアス磁石２０は、板状をなし、センサチップ１０での一対の磁気抵抗素子１１，１２を通りロータ５０に向かうバイアス磁界Ｂを付与する。
【００２３】
図２において、歯５０ａを有するロータ５０に対し回転センサ装置１が接近する位置に配置されている。そして、ロータ５０の回転に伴いベクトル（磁界Ｂ）の向きが変わるがそのベクトルの向きの変化を磁気抵抗素子１１，１２において抵抗値変化として検出する。この抵抗値変化は電気信号に変換して外部に送られる。このようにして、磁気抵抗素子１１，１２の近傍にて検出対象とするロータ（磁性体）５０が回転するときにバイアス磁石２０から付与されるバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を磁気抵抗素子１１，１２の抵抗値変化として感知してロータ５０の回転方向と回転量を検出する。回転方向については磁気抵抗素子１１，１２の抵抗値変化の位相差により検出する。
【００２４】
さらに、本実施形態においては、ロータ５０とセンサチップ１０との間の同じ高さで（図２（ｂ）の軸Ｓ１上に）集磁板ユニット３０が配置されている。即ち、磁気抵抗素子１１，１２からロータ５０に向かうバイアス磁界（Ｂ）の生成領域に、集磁板ユニット３０が配置されている。集磁板ユニット３０は集磁板（磁束を集める板）３１と集磁板保持部材３２とからなり、集磁板保持部材３２に複数の集磁板３１が保持されている。詳しくは、集磁板保持部材３２にスリット（溝）３２ａが形成され、このスリット３２ａに集磁板３１が嵌入されている。集磁板３１は、センサチップ１０側からロータ５０側に向かって延びている。集磁板３１は、図２（ａ）に示すごとくセンサチップ１０側に比べてロータ５０側が幅広となる形状である。また、集磁板３１は、ロータ５０の歯５０ａの移動方向Ｘに沿う方向に一定間隔Ｐをおいて配置されている。集磁板３１の材料は鉄製や他の金属材料または磁気抵抗素子（ＭＲＥ）などに使用されている磁化材料を挙げることができる。また、集磁板保持部材３２の材料は、磁気を帯びにくい樹脂材料やセラミック等を挙げることができ、磁束を通さない、あるいは通しにくい材料を用いる。
【００２５】
次に、回転センサ装置１の調整方法について説明する。
今、図２に示すように、ロータ５０の形態として、歯５０ａの間の間隔Ｌが大きいロータ５０と、図３に示すように、歯５０ａの間の間隔Ｌが小さいロータ５０が在ったものとする。
【００２６】
そして、歯５０ａの間隔Ｌによりロータ５０の歯５０ａの移動方向Ｘに沿う方向での間隔Ｐを調整した集磁板３１を設置する。つまり、図２のように、歯５０ａの間隔Ｌが大きいとロータ５０の歯５０ａの移動方向Ｘに沿う方向での間隔Ｐが大きい集磁板３１を設置する。また、図３のように、歯５０ａの間隔Ｌが小さいとロータ５０の歯５０ａの移動方向Ｘに沿う方向での間隔Ｐが小さい集磁板３１を設置する。
【００２７】
よって、センシング対象のロータ５０の歯５０ａの間隔Ｌが変更になっても集磁板３１の間隔Ｐを変更したものを用いることでセンサチップ１０を変更する必要がない。
このようにして、ロータ５０の形態（歯５０ａの間隔Ｌ）に応じて、ロータ５０の歯５０ａの移動方向Ｘに沿う方向での間隔Ｐを調整した集磁板３１を設置することにより調整する（必要なセンシング信号を得る）。
【００２８】
以上のごとく、磁気抵抗素子１１，１２による磁気式回転センサ装置１において、磁気抵抗素子１１，１２からロータ５０に向かうバイアス磁界（Ｂ）の生成領域に集磁板ユニット３０を配置し、この集磁板ユニット３０において、集磁性のない（または低い）材料よりなる集磁板保持部材３２でのスリット３２ａに、集磁性の高い材料よりなり、かつ、ロータ５０側には広く、センサチップ１０側には狭くした集磁板３１を嵌入する構成とすることにより、ロータ５０に応じてセンサチップ１０を変更することなく必要なセンシング信号を得ることができる。つまり、ロータ５０の歯５０ａの間隔Ｌが変更になったときに、上記スリット３２ａの間隔Ｐを変更して集磁板３１の間隔Ｐを変更することで、同じセンサチップ１０を使用できる。
【００２９】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）磁気抵抗素子１１，１２からロータ５０に向かうバイアス磁界（Ｂ）の生成領域に、センサチップ１０側からロータ５０側に向かって延びる集磁板３１を、ロータ５０の歯５０ａの移動方向Ｘに沿う方向に複数並設したので、集磁板３１の間隔Ｐを変更することによりロータ５０の歯５０ａの間隔Ｌの変更に対処することができる。つまり、ロータ５０の歯５０ａの間隔Ｌの変更の変更に伴い、集磁板３１の間隔Ｐを変更することにより、同じセンサチップ１０を使用して必要な調整を行うことができる。詳しくは、図２５，２６の場合においてロータの歯１１０ａの間隔Ｌが大きいと磁気抵抗素子１０１，１０２の間隔ｄを変更しなければならないが（そうしないと磁気変化の低下を招き、必要なセンシング信号が得られない）、本実施形態ではそれを回避することができる。
【００３０】
なお、集磁板３１の間隔（スリット３２ａの間隔）Ｐを変更する代わりに集磁板３１の形状を変更してもよく、例えば図２において符号Ｍで示すように集磁板３１の形状を縦長にすることで、集磁する面積を大きく変更したりすることで、同じセンサチップ１０を使用できる。あるいは、ロータ５０の歯５０ａの間隔Ｌが変更になったときに集磁板３１の間隔Ｐを変更したり集磁板の形状を変更する代わりに、ロータ５０とセンサチップ１０（磁気抵抗素子１１，１２）との距離が変更になったときに集磁板３１の間隔Ｐを変更したり集磁板３１の形状を変更するようにしてもよい。詳しくは、図２５，２６の場合においてはセンサチップ１００とロータ１１０との距離により信号量が変化してしまい、センサチップ１００の大型化または、センシング方法を再検討する必要があるが、これを回避することができる。
【００３１】
このようにして、集磁板３１の間隔Ｐまたは集磁板３１の形状を変更することによりロータ５０の歯５０ａの間隔Ｌの変更、または、ロータ５０とセンサチップ１０との距離の変更に対処することができる。つまり、ロータ５０の歯５０ａの間隔Ｌの変更、または、ロータ５０とセンサチップ１０との距離の変更に伴い、集磁板３１の間隔Ｐまたは形状を変更することによって、同じセンサチップ１０を使用して必要な調整を行うことができる。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３２】
図４は本実施の形態の回転センサ装置１の斜視図である。図５（ａ）には平面図を、図５（ｂ）には（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図を示す。本実施形態においては、センサチップ１０の外側に磁気シールド材６０を配置している。
【００３３】
このシールド材６０は円筒状をなしている。なお、シールド材６０の形状は円筒形状でなくてもよく、センサチップからロータに向かって磁力を与えられればよい。円筒状の磁気シールド材６０の内部にセンサチップ１０が配置されている。磁気シールド材６０として集磁板を用い、かつ、この集磁板（６０）は最外郭の集磁板３１と連結されている。これにより、センサチップ１０の外側を覆うように集磁板（６０）を配置することで外部からセンサチップ１０に与えられるノイズ対策になる。
【００３４】
なお、図４に示したごとく円筒状の磁気シールド材６０を用いてセンサチップ１０全体を囲うのではなく、これに代わり図６，７に示すようにセンサチップ１０の側面だけを囲う構成としてもよく、例えば、対向する一対のシールド材（四角板）６１にて磁気シールド材を構成してもよい。あるいは、図８，９に示すようにセンサチップ１０の上下に磁気シールド材６２を配置してもよい。
【００３５】
以上のごとく、センサチップ１０の外周側において全周またはその一部領域に磁気シールド材６０，６１，６２を配置すると、外部からのノイズの影響を受けにくくなる。磁気シールド材６０，６１，６２として集磁板を用いることができる。
【００３６】
あるいは、磁気シールド材として磁石を用いてもよい。具体的構成を図１０に示す。図１０（ａ）に示すように、磁石によるシールド材６３でセンサチップ１０を囲う。特に、集磁板３１の周囲も磁石３１ａでシールドする。あるいは、図１０（ｂ）に示すように、磁石によるシールド材６３を集磁板３１ｂに接触させる。あるいは、図１０（ｃ）に示すように、磁石によるシールド材６３を集磁板３１に接触させないようにする（図１０（ｃ）では空隙３４としている）。
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態を、第２の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３７】
本実施形態ではバイアス磁石の劣化等によりセンシング信号が弱くなったときの対応が可能となっている。
図１１には本実施の形態の回転センサ装置の平面図を示す。図１２（ａ）には平面図、図１２（ｂ）には側面図を示す。本実施形態においても、センサチップ１０の外側に磁気シールド材６１を配置している。
【００３８】
今、図１２においてセンシング信号の大きさが問題が無い状態から、センシング信号が弱くなった場合、図１３（ｂ）に示すように、集磁板３１の厚みを厚くする。即ち、図１２（ｂ）での集磁板３１の厚さｔ１に比べて図１３（ｂ）での集磁板３１の厚さｔ２を大きくする（ｔ２＞ｔ１）。あるいは、図１３（ｃ）のように、ロータ５０側を厚くしてテーパ状にする。即ち、図１２（ｂ）での集磁板３１の厚さｔ１に比べて図１３（ｃ）での集磁板３１のロータ５０側の厚さｔ３を大きくする（ｔ３＞ｔ１）。
【００３９】
以上のように、センシング信号の出力が低下したときに集磁板３１を集磁力の強いものに替えることによりセンシング信号の出力を増大させて同じセンサチップ１０を使用して必要な調整を行うことができる。ここで、集磁板３１の少なくともロータ５０側の先端部の板厚が厚いものに替えることにより、集磁板３１を集磁力の強いものに替えることができる。
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態を、第２の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４０】
本実施形態では集磁板３１の配置に工夫している。
図１４に示すように、基板７０としてセラミックや樹脂等を用いて、集磁しにくい（又はしない）材料にて構成する。この基板７０の上にセンサチップ１０とリードフレーム（図示略）を載せ、この基板７０と集磁板３１（集磁板ユニット３０）を連結支持するとともに磁気シールド材６１を集磁板３１（集磁板ユニット３０）と連結支持して、センサチップ１０と、リードフレームと、チップ・ロータ間に配する集磁板３１と、磁気シールド材（集磁板）６１とを一体化している。その結果、位置合わせを容易に行うことができる。このとき、リードフレームの一部または全部を集磁性の材料を使用してもよい。
【００４１】
このようにして、少なくとも、基板７０にセンサチップ１０を搭載するとともに基板７０に集磁板３１を連結支持すると、位置合わせを容易に行うことができる。
これに代わり、図１５に示すように、センサチップ１０とバイアス磁石２０と集磁板３１（集磁板ユニット３０）と磁気シールド材６１とを樹脂８０にてモールドしてもよい。特に、応力等の影響を受けやすい場合にもセンサチップ１０の外側の磁気シールド材６１により応力等の影響を無くすことができる。
【００４２】
このようにして、少なくとも、センサチップ１０と集磁板３１とを樹脂８０にてモールドすると、位置合わせを容易に行うことができる。
さらに、集磁板３１の配置（センサチップ１０と集磁板３１との関係）について言及する。
【００４３】
図１６（ａ）に示すように、センサチップ１０の近傍に集磁板３１を配置してよい。このとき、センサチップ１０と集磁板３１は接触していない。
あるいは、図１６（ｂ）に示すように、センサチップ１０と集磁板３１を接触させてもよい。
【００４４】
あるいは、図１６（ｃ）に示すように、センサチップ１０の下において集磁板３１を近傍に接触させずに配置してもよい。
あるいは、図１６（ｄ）に示すように、センサチップ１０の下に集磁板３１を接触させ、かつ、磁気抵抗素子１１，１２の下に重ならないようにして配置してもよい。
【００４５】
あるいは、図１６（ｅ）に示すように、センサチップ１０の下に集磁板３１を接触させ、かつ、磁気抵抗素子１１，１２の下に重なるようにして配置してもよい。
また、図１７（ａ）に示すように、センサチップ１０の上においてセンサチップ１０の近傍に集磁板３１を接触させずに配置してもよい。
【００４６】
あるいは、図１７（ｂ）に示すように、センサチップ１０の上に集磁板３１を接触させずに、かつ、磁気抵抗素子１１，１２の上に重ならないようにして配置してもよい。
あるいは、図１７（ｃ）に示すように、センサチップ１０の上の全体に集磁板３１がくるようにして接触させずに、かつ、磁気抵抗素子１１，１２の上に重なるようにして配置してもよい。
【００４７】
また、図１７（ｄ）に示すように、センサチップ１０と同じ高さでの近傍に同チップ１０よりも厚い集磁板３１を接触させずに配置してもよい。
あるいは、図１７（ｅ）に示すように、センサチップ１０と同じ高さにおいて集磁板３１の空洞部３５にセンサチップ１０の一部が入るようにし、かつ、接触させずに、かつ、磁気抵抗素子１１，１２の上下に重ならないようにして配置してもよい。図１７（ｆ）に示すように、センサチップ１０と同じ高さにおいて集磁板３１の空洞部３５にセンサチップ１０全体が入るようにし、かつ、接触させずに配置してもよい。
【００４８】
あるいは、図１７（ｇ）に示すように、集磁板３１はＬ字状でもよい。
次に、集磁板３１の配置（保持部材と集磁板との関係）について言及する。
図１８（ａ）に示すように、板状の保持部材９０の上に集磁板３１を短冊状に配置してもよい。図１８（ｂ）に示すように、保持部材９１の内部に集磁板３１を短冊状に埋設してもよい。図１８（ｃ）に示すように、保持部材９２の間に集磁板３１を短冊状に配置してもよい。
【００４９】
次に、さらなる集磁板の配置（保持部材と集磁板との関係）について言及する。
図１９（ａ）に示すように、センサチップ１０のバイアス磁石２０側にも、集磁板ユニット９５を配置し、集磁板ユニット９５において複数の集磁板９６を集磁板保持部材９７によって保持する構成としてもよい。つまり、バイアス磁石２０とセンサチップ１０との間に集磁板９６を複数並設してもよい。
【００５０】
ここで、図１９（ｂ）に示すように、センサチップ１０のバイアス磁石２０側の集磁板９８は三角形にせずに棒状にして平行に並設してもよい。
また、図１９（ｃ）に示すように、センサチップ１０とロータ間の集磁板３１に関して、各集磁板３１の大きさは変えずに、各集磁板ごとに磁力の変化があるようにして、場所による感度が一様になるようにしてバイアス磁石２０とセンサチップ１０（磁気抵抗素子１２）とロータ５０との間において最短距離を通るのを防止する。
【００５１】
また、回転センサ装置は、回転方向のみ検出する装置に適用しても、回転量のみ検出する装置に適用しても、回転方向と回転量を検出する装置に適用してもよい。
図２０に示すように、ロータ５０とセンサチップ１０とバイアス磁石２０とが一直線上に配置されていない構造においては、センサチップ１０とロータ５０との間にＬ字状に折り曲げた集磁板４０を配置するようにしてもよい。つまり、図２８に示すように、通常、ロータ１１０に対しセンサチップ１００とバイアス磁石１２０が垂直方向になければ検出できない。また、図２７に示すように、実施状態によってはロータ１１０に対しセンサチップ１００とバイアス磁石１２０が垂直方向だけでなく傾きが発生する場合にも検出が難しかった。図２０の構成においては、集磁板（４０）の形状を変更することによりロータ５０とセンサチップ１０とバイアス磁石２０が一直線上に無くてもセンシング可能となる。
【００５２】
このようにして、従来ではセンサチップ（素子）の配置はロータと同じ高さにしか（ロータに対して垂直方向にしか）配置できなかったが、図２０を用いて説明してきたように、集磁板４０により磁力が引っ張られるので、各種の配置が可能となる。つまり、図２７，２８の場合においては、配置にも注意が必要であり、回転方向を検出する場合には、ロータ１１０に対して垂直方向に配置する必要があり設置場所が限定されている。これに対し、図２０に示した構成とすることにより、これを回避して各種の配置が可能となる。
【００５３】
以上のごとく、ロータ５０とセンサチップ１０とバイアス磁石２０とが一直線上に配置されている状態から、配置されていない状態にするときに、集磁板４０の形状を変更することにより、同じセンサチップを使用して必要な調整を行うことができる。
【００５４】
図２０に代わり図２１に示すようにセンサチップ１０とロータ５０との間に集磁板４０を配置するとともに、さらに、センサチップ１０とバイアス磁石２０との間に集磁板４１を配置してもよい。
【００５５】
また、図２２に示すように、大きな径のロータ５０を用いた場合から、図２３に示すように小さな径のロータ５０に替える場合の調整方法を説明する。図２２に示すように、ロータ５０に対し３つのセンサチップ１０が並設され、各センサチップ１０とロータ５０との間に集磁板４５，４６，４７が配置されている。この状態から、図２３に示すようにロータ５０が小さな径のものを使用するときには、３つのセンサチップ１０はそのままとして図２２とは異なる形状の集磁板４５，４６，４７を配置して、ロータ５０における複数箇所をセンシングするようにする。つまり、ロータ５０の数箇所から集磁板４５，４６，４７で誘導し、一箇所に集めてセンサチップ１０で検出してもよい。
【００５６】
このようにして、センサチップ１０を複数用い、かつ、各センサチップ１０について磁気抵抗素子１１，１２からロータ５０に向かうバイアス磁界の生成領域に、センサチップ１０側からロータ５０側に向かって延びる集磁板を、ロータ５０の歯５０ａの移動方向に沿う方向に複数並設した構成とし、ロータ５０の径が変わったときに、各センサチップ１０に対応する集磁板４５，４６，４７として、ロータ５０の径が変わる前とは異なる部位にバイアス磁界を向かわせる形状のものに変更することにより、同じセンサチップを使用して必要な調整を行うことができる。
【００５７】
図２３に代わり図２４に示すように、バイアス磁石２０を分割して、各々のセンサチップ１０毎にバイアス磁石２０を配置してもよい。
また、図２３で示したようにセンサチップ１０を複数用いて検出するようにしてもよいことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１の実施形態における回転センサ装置の斜視図。
【図２】（ａ）は回転センサ装置の平面図、（ｂ）は回転センサ装置の側面図。
【図３】（ａ）は回転センサ装置の平面図、（ｂ）は回転センサ装置の側面図。
【図４】第２の実施形態における回転センサ装置の斜視図。
【図５】（ａ）は回転センサ装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図６】回転センサ装置の斜視図。
【図７】（ａ）は回転センサ装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図８】回転センサ装置の斜視図。
【図９】（ａ）は回転センサ装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図１０】（ａ），（ｂ），（ｃ）は回転センサ装置の平面図。
【図１１】第３の実施形態における回転センサ装置の平面図。
【図１２】（ａ）は回転センサ装置の平面図、（ｂ）は回転センサ装置の側面図。
【図１３】（ａ）は回転センサ装置の平面図、（ｂ），（ｃ）は回転センサ装置の側面図。
【図１４】第４の実施形態における回転センサ装置の平面図。
【図１５】回転センサ装置の平面図。
【図１６】（ａ）〜（ｅ）は回転センサ装置の側面図。
【図１７】（ａ）〜（ｇ）は回転センサ装置の側面図。
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は回転センサ装置の平面および正面図。
【図１９】（ａ）〜（ｃ）は回転センサ装置の平面図。
【図２０】（ａ）は他の実施形態における回転センサ装置の平面図、（ｂ）は回転センサ装置の側面図。
【図２１】（ａ）は他の実施形態における回転センサ装置の平面図、（ｂ）は回転センサ装置の側面図。
【図２２】他の実施形態における回転センサ装置の平面図。
【図２３】他の実施形態における回転センサ装置の平面図。
【図２４】他の実施形態における回転センサ装置の平面図。
【図２５】背景技術を説明するための回転センサ装置の平面図。
【図２６】背景技術を説明するための回転センサ装置の平面図。
【図２７】（ａ）は従来の回転センサ装置を説明するための平面図、（ｂ）は回転センサ装置の側面図。
【図２８】（ａ）は従来の回転センサ装置を説明するための平面図、（ｂ）は回転センサ装置の側面図。
【符号の説明】
【００５９】
１０…センサチップ、１１，１２…磁気抵抗素子、２０…バイアス磁石、３１…集磁板、４０…集磁板、４５…集磁板、４６…集磁板、４７…集磁板、５０…ロータ、５０ａ…歯、６０…磁気シールド材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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