(57)【要約】【課題】統計遅延時間を短縮して、応答速度を改善することによって、放電安定性を向上させたプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】第１基板上に形成されるアドレス電極、アドレス電極に交差して第２基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極、第１表示電極および第２表示電極を覆って第２基板上に形成される誘電体層、誘電体層を覆って第２基板上に形成されるＭｇＯ保護層、並びに、第１基板および第２基板の間に封入される放電ガスを含むプラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部と、駆動部を制御して維持期間の維持放電パルス幅を１〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部と、を含み、ＭｇＯ保護層のＭｇＯの粒子の大きさは、１００〜３００ｎｍのプラズマディスプレイ装置を提供する。【選択図】図４Ｂ
2008235273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極、
第１表示電極および第２表示電極を覆って基板上に形成される誘電体層、並びに、
前記誘電体層を覆って基板上に形成されるＭｇＯ保護層、
を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部と、
前記駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部と、を含み、
前記ＭｇＯ保護層は、粒子の大きさが１００〜３００ｎｍであるＭｇＯを含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記ＭｇＯの粒子の大きさは、１００〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記維持放電パルス幅は、１〜３．０μｓであることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記維持期間は、９〜２５μｓであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記維持期間は、１０〜２５μｓであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記維持期間における最初の維持放電パルス幅は、２〜７．５μｓであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記維持期間における最初の維持放電パルス幅は、２〜７μｓであることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記プラズマディスプレイパネルは放電ガスを含み、前記放電ガスは、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅとを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記放電ガスはさらに、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、およびＮ２からなる群より選択される少なくとも一種のガスを０〜７０体積部含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
ＭｇＯの蒸着によってＭｇＯ保護層を形成する段階を含み、
前記蒸着時の蒸着雰囲気は、Ｈ２／Ｏ２体積分率が０．１１〜０．１９の範囲であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置およびその製造方法に関し、より詳しくは統計遅延時間を短縮して応答速度を改善することによって、放電安定性を向上させたプラズマディスプレイ装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、放電セル内の気体放電で起こる真空紫外線によって蛍光体を励起させて画像を表示する表示装置であって、高解像度の大画面構成が可能であり、次世代薄型表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは、気体放電させるときに発生するプラズマが放出する光を用いて、文字またはグラフィックを表示する装置である。プラズマディスプレイパネルの放電空間に設けられた二つの電極に所定の電圧を印加して、電極間でプラズマ放電が起こると、このプラズマ放電で発生する紫外線によって、所定のパターンに形成された蛍光体層を励起して画像を形成する。
【０００４】
一般に、プラズマディスプレイパネルは、誘電体層を保護するために、誘電体層の上部に保護層を有する。前記保護層としては、可視光線がよく透過できるように透明であり、かつ誘電体層保護性能および２次電子放出性能に優れたＭｇＯで主に構成される。しかし、最近はＭｇＯの代替材料の研究も行われている。
【０００５】
ここで、ＭｇＯ保護層は、プラズマディスプレイ装置動作中の放電時に放電ガスのイオン衝撃を緩和し、誘電体層を保護する、耐スパッタリング特性を有する。さらに、２次電子の放出により放電電圧を下げる役割を果たす透明保護薄膜である。ＭｇＯ保護層は、５００〜９００ｎｍ（５０００〜９０００Å）の厚さで誘電体層を覆っている。
【０００６】
したがって、ＭｇＯ保護層を構成する成分および膜の特性は、放電特性に大きく影響をおよぼす。ＭｇＯ保護層の特性は、その成分と蒸着時の成膜条件とに大きく依存する。そのため、膜特性を向上させるために、最適な成分を開発することが望まれている。
【０００７】
一方、応答速度の改善による高精細プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の放電安定性の向上が重要な課題となっている。高精細プラズマディスプレイパネルにおいては、アドレシングが漏れなく実行され、安定な放電を実現するために、高速のスキャン速度に応答する必要がある。応答速度は放電遅延時間に影響される。スキャン時間に対応する応答速度は、形成遅延時間（Ｔｆ）と、統計遅延時間（Ｔｓ）とに区分できるが、これらの遅延時間の遅延程度により全体の応答速度が決定される。
【特許文献１】大韓民国特許出願公開第１０−２００５−００３９２４０号
【特許文献２】特開第平０７−１３４５６５号
【特許文献３】特開第平１１−３１２４６９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、統計遅延時間を短縮して応答速度を改善することによって、放電安定性を向上させたプラズマディスプレイ装置を提供することである。
【０００９】
本発明の他の目的は、プラズマディスプレイ装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明が提供するのは、第１基板上に形成されるアドレス電極、前記アドレス電極に交差して第２基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極、第１表示電極および第２表示電極を覆って第２基板上に形成される誘電体層、前記誘電体層を覆って第２基板上に形成されるＭｇＯ保護層、並びに、第１基板および第２基板の間に封入される放電ガスを含むプラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部と、前記駆動部を制御して維持期間の維持放電パルス幅を○○○〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部と、を含むプラズマディスプレイ装置である。前記ＭｇＯ保護層は、粒子の大きさが１００〜３００ｎｍのＭｇＯを含む。
【００１１】
前記維持放電パルス幅は、１〜３．５μｓであり、１〜３．０μｓであることがさらに望ましい。
【００１２】
また、前記維持期間は、９〜２５μｓであることが望ましく、１０〜２５μｓであることがさらに望ましい。
【００１３】
前記維持期間の最初の維持放電パルス幅は、２〜７．５μｓであることが望ましく、２〜７μｓであることがさらに望ましい。
【００１４】
前記放電ガスは、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅとを含むことが望ましく、Ｎｅ１００体積部に対して、０〜７０体積部のＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、およびＮ２からなる群より選択される少なくとも一種のガスを含むことがさらに望ましい。
【００１５】
本発明はまた、蒸着法によってＭｇＯ保護層を形成する段階を含むプラズマディスプレイ装置の製造方法を提供する。ＭｇＯ保護層形成の蒸着時の蒸着雰囲気は、Ｈ２／Ｏ２体積分率は、０．１１〜０．１９に調節される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれは、ＭｇＯ保護層形成時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を制御し、所定の大きさを有するＭｇＯ粒子を含むＭｇＯ保護層を形成することによって、統計遅延時間を短縮し、応答速度が改善され、放電安定性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１８】
本発明は、放電安定性を改善させることによって画面の表示品質を向上できるＭｇＯ保護層を備えたプラズマディスプレイ装置に関する。
【００１９】
本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、第１基板上に形成されるアドレス電極、アドレス電極に交差して第２基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極、第１表示電極および第２表示電極を覆って第２基板上に形成される誘電体層、誘電体層を覆って第２基板上に形成されるＭｇＯ保護層、並びに、第１基板および第２基板の間に封入する放電ガスを含むプラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部と、駆動部を制御し維持期間の維持放電パルス幅を１〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部と、を含む。ＭｇＯ保護層は、粒子の大きさが１００〜３００ｎｍのＭｇＯを含む。ＭｇＯの粒子の大きさは、１００〜２００ｎｍがさらに好ましい。
【００２０】
上述のように、高精細のプラズマディスプレイパネルは、その放電安定性を向上させることが重要な課題である。そして、プラズマディスプレイパネルの放電特性は、ＭｇＯ保護膜の構成材料や膜特性に大きく影響される。本発明者らは、放電安定性を向上させるために、ＭｇＯ保護層の構造や構造を制御するための製法に注目し、放電特性に影響を及ぼす統計遅延時間を改善することに取り組み、鋭意研究を行った。放電安定性は、環境温度の変化に大きく影響され、統計遅延時間は温度によって変動する。本発明者らは、ＭｇＯ保護層を、粒子の大きさ１００〜３００ｎｍ、より好ましくは１００〜２００ｎｍのＭｇＯを含んで構成することにより、統計遅延時間の温度による変動を低減し、放電安定性を向上できること、すなわち本発明の目的が達成されることを明らかにした。後述する実施例では、実際に、ＭｇＯの粒径を制御してプラズマディスプレイパネルを作製することにより、統計遅延時間の温度変化が大きく改善されることが示された。
【００２１】
ＭｇＯの粒子の大きさが上記の範囲であれば放電安定性が確保できるため、上記範囲の大きさを有するＭｇＯ粒子で構成されるＭｇＯ保護層を備えるプラズマディスプレイ装置は、高精細のものでも良好に画像が表示でき、ブラックノイズ、アドレス抜けなどの不具合が低減される。しかし、ＭｇＯの粒子の大きさが上記の範囲を外れると、特に環境温度が変わったときにそのような不具合が起こり易くなる。
【００２２】
また、維持放電パルス幅は、１〜３．５μｓが好ましく、１〜３．０μｓであることがさらに望ましい。維持放電パルス幅が１〜３．５μｓの場合、高精細プラズマディスプレイ装置に適用したとき、放電安定性が向上して、画面の均一性が改善される。
【００２３】
また、維持期間は９〜２５μｓであることが望ましく、１０〜２５μｓであることがさらに望ましい。維持期間を９〜２５μｓとすると、高精細プラズマディスプレイ装置に適用した場合に、放電安定性が向上して、画像の均一性が改善される。
【００２４】
また、維持期間における最初の維持放電パルス幅は、２〜７．５μｓであることが望ましく、２〜７μｓであることがさらに望ましい。
【００２５】
維持期間における最初の維持放電パルス幅が２〜７．５μｓであると、高精細プラズマディスプレイ装置に適用したとき、放電安定性が向上して、画像の均一性が改善される。最初の維持放電パルス幅については、図３を参照して後述する。
【００２６】
放電ガスは、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して、５〜３０体積部のＸｅとを含むことが望ましく、Ｘｅを７〜２５体積部含むことがさらに望ましい。放電ガスが上記範囲でＮｅとＸｅとを含む場合、放電ガスのイオン化率が高まるので、放電開始電圧を下げることができる。放電開始電圧が下がると、高精細プラズマディスプレイ装置では、消費電力が低減すると共に、輝度が向上する。
【００２７】
また、放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、Ｎ２、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも一種のガスを０〜７０体積部含むことが望ましく、さらに望ましくは１４〜６５体積部である。放電ガスが、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、およびＮ２からなる群より選択される少なくとも一種のガス０〜７０体積部さらに含む場合、放電ガスのイオン化率が高まるために放電開始電圧を下げることができる。放電開始電圧が下がると、高精細プラズマディスプレイ装置の消費電力は低減し、輝度は向上する。
【００２８】
以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置について当業者が実施できる程度に詳しく説明する。しかし、当業者ならば分かるように、本発明は、以下で説明する実施形態に限定されるものではなく、相違なる多様な形態によって実施できる。
【００２９】
図１は本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルの構造を示す部分分解斜視図である。図１を参照すると、プラズマディスプレイパネルは、第１基板３、第１基板３上の一方向（図面のｙ軸方向）に沿って形成された複数のアドレス電極１３、および、アドレス電極１３を覆って第１基板３の表面に形成される第１誘電体層１５を有する。第１誘電体層１５上には各アドレス電極１３の間に配置されるように隔壁５が形成され、各々の隔壁５の間には複数の放電セル７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成される。放電セル７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの内部には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍光体層８Ｒ、８Ｇ、８Ｂが形成される。
【００３０】
隔壁５は放電空間を画することができれば、いかなる形状をも有することが可能であり、多様なパターンの隔壁であり得る。例えば、隔壁５は帯状などの開放型、又は、ワッフル状、マトリックス状、デルタ状などの閉鎖型に形成されうる。また、閉鎖型の隔壁は、放電空間の水平方向の断面が四角形、三角形、五角形などの多角形、または円形、楕円形などとなる形状に形成できる。
【００３１】
第２基板１の第１基板３に対向する面には、透明電極９ａまたは１１ａ、と、バス電極９ｂまたは１１ｂ、との対をそれぞれ含む表示電極、すなわち第１表示電極９および第２表示電極１１が、アドレス電極１３と交差する方向（図面のｘ軸方向）に沿って形成される。そして、これらの表示電極を覆うように、第２基板１表面全体に第２誘電体層１７とＭｇＯ保護層１９とが形成される。
【００３２】
ＭｇＯ保護層１９は、粒子の大きさが１００〜３００ｎｍのＭｇＯを含む。ＭｇＯの粒子の大きさはさらに１００〜２００ｎｍであることが望ましい。
【００３３】
また、ＭｇＯ保護層は、希土類元素、および希土類元素の組み合わせからなる群より選択される元素をさらに含むことができる。
【００３４】
第１基板３上のアドレス電極１３と第２基板１上の表示電極９、１１とが交差する位置に放電セル７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成される。
【００３５】
第１基板３と第２基板１との間の放電セルには放電ガスが封入される。放電ガスは、ＮｅおよびＸｅを含むことが望ましく、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｘｅを５〜３０体積部含むことが望ましい。Ｎｅ１００体積部に対してＸｅを７〜２５体積部含むことがさらに望ましい。また、放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２およびＮ２からなる群より選択される少なくとも一種のガスを０〜７０体積部さらに含むことが望ましく、Ｎｅ１００体積部に対して、１４〜６５体積部含むことがさらに望ましい。
【００３６】
図２は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の概略図である。
【００３７】
図２に示したように、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル１００と、制御部２００と、アドレス電極駆動部３００と、維持電極（第２表示電極、Ｘ）駆動部４００と、走査電極（第１表示電極、Ｙ）駆動部５００と、を含む。
【００３８】
プラズマディスプレイパネル１００は、図１で説明したプラズマディスプレイパネルと同様の構造を有する。
【００３９】
制御部２００は、外部から映像信号を受信して、アドレス電極Ａ駆動制御信号、維持電極Ｘ駆動制御信号および走査電極Ｙ駆動制御信号を出力する。そして、制御部２００は１フレームを複数のサブフィールドに分割して駆動し、各サブフィールドは時間的な動作変化で表すと、リセット期間、アドレス期間、および維持期間で構成される。
【００４０】
アドレス電極駆動部３００は、制御部２００からアドレス電極Ａ駆動制御信号を受信して、表示しようとする放電セルを選択するための表示データ信号を各アドレス電極Ａ１、Ａ２、Ａ３、…Ａｎに印加する。  維持電極駆動部４００は、制御部２００から維持電極Ｘ駆動制御信号を受信して、各維持電極Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…Ｘｎに駆動電圧を印加する。  走査電極駆動部５００は、制御部２００から走査電極Ｙ駆動制御信号を受信して、各走査電極Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…Ｙｎに駆動電圧を印加する。
【００４１】
図３は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の維持期間の駆動波形を示す図である。
【００４２】
図３を参照すると、維持期間Ｔ１において、走査電極Ｙと維持電極Ｘとに、順次に、電圧Ｖｓの最初の維持放電パルスが印加される。アドレス期間において、走査電極Ｙと維持電極Ｘとの間に壁電圧が発生していれば、壁電圧と電圧Ｖｓとによって、走査電極Ｙと維持電極Ｘとの間でアドレス放電が起こる。以降、走査電極Ｙに電圧Ｖｓの維持放電パルスを印加する工程と、維持電極Ｘに電圧Ｖｓの維持放電パルスを印加する工程とをサブフィールドが表示する加重値に対応する回数だけ繰り返す。
【００４３】
このとき、走査電極Ｙの最初の維持放電パルス幅Ｔ２の維持電極Ｘの最初の維持放電パルス幅Ｔ４の少なくとも一方は、２〜７．５μｓであることが望ましく、２〜７μｓであることがさらに望ましい。また、走査電極Ｙの維持放電パルス幅Ｔ３および維持電極Ｘの維持放電パルス幅Ｔ５の少なくとも一方は、１〜３．５μｓであることが望ましく、１〜３．０μｓであることがさらに望ましい。また、維持期間Ｔ１は９〜２５μｓであることが望ましく、１０〜２５μｓであることがさらに望ましい。
【００４４】
本発明は、駆動制御信号と放電ガスとを用いるプラズマディスプレイ装置の動作安定性を与える。動作安定性を向上するためには、ＭｇＯ保護層のＭｇＯの粒子の大きさは１００〜３００ｎｍであり、１００〜２００ｎｍであることが望ましい。
【００４５】
ＭｇＯ粒子の大きさが１００ｎｍ未満の場合、低温での応答速度が遅いため、ブラックノイズ、アドレス抜けなどの問題が発生して望ましくなく、一方、ＭｇＯの粒子の大きさが３００ｎｍを超える場合、高温での応答速度が速いため、高温低放電が発生して望ましくない。
【００４６】
ＭｇＯ粒子の大きさは、ＭｇＯ蒸着の際、蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を制御することによって調節できる。蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率は０．１１〜０．１９に調節されることが望ましい。 
【００４７】
プラズマディスプレイ装置の製造方法は、当該分野における当業者には十分に知られた内容であるため、本明細書において、製造方法についての詳細な説明は省略する。しかしながら、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置におけるＭｇＯ保護層の形成工程については、以下説明する。
【００４８】
ＭｇＯ保護層は、プラズマディスプレイ装置の誘電体層の表面を覆い、放電中に放電ガスのイオン衝撃から誘電体層を保護する役割を果たす。前述のように、ＭｇＯ保護層は、主として耐スパッタリング特性と大きい２次電子放出係数とを有するＭｇＯで構成される。
【００４９】
本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置におけるＭｇＯ保護層は、物理気相蒸着（ＰＶＤ）法により好ましく形成される。
【００５０】
このとき、蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を制御することによって、ＭｇＯ保護層のＭｇＯの粒子の大きさを調節できる。蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率は、０．１１〜０．１９に調節されることが望ましい。
【００５１】
ＭｇＯ保護層を形成する物理気相蒸着法としては、プラズマ蒸着法を使用することが最も望ましい。前記プラズマ蒸着法の具体例としては、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法などが挙げられる。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明の望ましい実施例および比較例を記載する。ただし、下記の実施例は本発明の望ましい一実施例に過ぎず、本発明が下記の実施例に限定されるものではない。  （プラズマディスプレイ装置の製造）
（実施例１）
ソーダ石灰ガラスで製造された基板上に、帯状の表示電極を通常の方法で形成した。
【００５３】
次に、ガラスのペーストを表示電極が形成された基板にコーティングして焼成し、第２誘電体層を形成した。
【００５４】
第２誘電体層上にイオンプレーティング法を用いて、ＭｇＯ保護層を製造し、第２基板を製造した。このとき、ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率は０．１１であった。イオンプレーティング法の条件は、下記の通りであった。
このように製造された第２基板を用いて、プラズマディスプレイ装置（サンプル１）を製造した。封入した放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対してＸｅを１１体積部及びＨｅを３５体積部含んだ。
【００５５】
（実施例２）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．１２としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル２）を製造した。
【００５６】
（実施例３）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．１３としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル３）を製造した。
【００５７】
（実施例４）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．１４としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル４）を製造した。
【００５８】
（実施例５）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．１５としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル５）を製造した。サンプル５と同じ工程を繰り返して、プラズマディスプレイ装置（サンプル６）を製造した。
【００５９】
（実施例６）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．１６としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル７）を製造した。
【００６０】
（実施例７）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．１７としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル８）を製造した。
【００６１】
（実施例８）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．１８としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル９）を製造した。
【００６２】
（実施例９）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．１９としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル１０）を製造した。
【００６３】
（比較例１）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．１としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル１１）を製造した。サンプル１１と同じ工程を繰り返して、プラズマディスプレイ装置（サンプル１２）を製造した。
【００６４】
（比較例２）
ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率を０．２としたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置（サンプル１３）を製造した。サンプル１３と同じ工程を繰り返して、プラズマディスプレイ装置（サンプル１４）を製造した。  （ＭｇＯ保護層のＭｇＯ粒子の大きさの測定）
サンプル１〜１４のＭｇＯ保護層のＭｇＯの粒子の大きさを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で測定した。サンプル１１の結果を図４Ａに示し、サンプル５の結果を図４Ｂに示し、サンプル１３の結果を図４Ｃに示した。
【００６５】
図４Ａを参照すると、サンプル１１のＭｇＯ保護層の粒子の大きさが１００ｎｍ未満であることが確認でき、図４Ｂを参照すると、サンプル５のＭｇＯ保護層の粒子の大きさが２００ｎｍ程度であることが確認でき、図４Ｃを参照すると、サンプル１３のＭｇＯ保護層の粒子の大きさが３００ｎｍを超えることが確認できる。
【００６６】
（製造されたプラズマディスプレイ装置の応答速度の測定）
前記サンプル１〜１４のプラズマディスプレイ装置を、低温（−５℃）、常温（２５℃）および高温（６０℃）で動作させて、統計遅延時間（応答速度）を測定した。
なお、維持放電パルス幅は２．１μｓ、最初の維持放電パルス幅は２．１μｓ、維持時間は１５μｓとした。サンプル５、６、１１〜１４の統計遅延時間測定の結果を表１および図５に示した。サンプル１〜４、および７〜１０はサンプル５または６と類似の結果を示した。
【００６７】
【表１】
2008235273.tif 000003
【００６８】
表１および図５を参照すると、ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率が０．１の場合、低温応答速度が遅くて、それによってブラックノイズ、アドレス抜けのような現象が生じることが観察された。ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率が０．２の場合、高温での応答速度が速くて、高温低放電現象が生じることが観察された。反面、ＭｇＯ蒸着時の蒸着雰囲気のＨ２／Ｏ２体積分率が０．１５の場合、温度変化による応答速度の変化が減少したために、放電安定性が良好であり、応答速度が適当であった。加えて、ブラックノイズ、アドレス抜け、高温低放電などのような現象は観察されなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルの構造を示す部分分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の概略図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動波形を示す図である。
【図４Ａ】比較例１中のサンプル１１のＭｇＯ保護層の粒子の大きさを示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図４Ｂ】実施例５中のサンプル５のＭｇＯ保護層の粒子の大きさを示す走査電子顕微鏡写真である。
【図４Ｃ】比較例２中のサンプル１３のＭｇＯ保護層の粒子の大きさを示す走査電子顕微鏡写真である。
【図５】サンプル５、６、１１〜１４の温度変化に対する統計遅延時間の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７０】
１    第２基板、
３    第１基板、
５    隔壁、
７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ    放電セル、
８Ｒ、８Ｇ、８Ｂ    蛍光体層、
９    第１表示電極、
９ａ、１１ａ    透明電極、
９ｂ、１１ｂ    バス電極、
１１    第２表示電極、
１３    アドレス電極、
１５    第１誘電体層、
１７    第２誘電体層、
１９    ＭｇＯ保護層、
１００    プラズマディスプレイパネル、
２００    制御部、
３００    アドレス電極駆動部、
４００    維持電極駆動部、
５００    走査電極駆動部、
Ｔ１    維持期間、
Ｔ２    走査電極の最初の維持放電パルス幅、
Ｔ３    走査電極の維持放電パルス幅、
Ｔ４    維持電極の最初の維持放電パルス幅、
Ｔ５    維持電極の維持放電パルス幅、
Ｖｓ    電圧、
Ｘ    維持電極、
Ｙ    走査電極。
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図１】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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