(57)【要約】【課題】発光素子と一体化（１チップ化）され、構造上、化合物半導体層の再成長工程が不要であり、しかも、順・逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊に対して有効な防護手段を有する発光素子組立体を提供する。【解決手段】発光素子組立体は、基板１０上に形成されたバイパス・ダイオード２０、その上に形成された発光素子３０、及び、基板１０の上方に発光素子３０と分離して形成された逆方向ダイオード４０を備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｂ）バイパス・ダイオード上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、並びに、
（Ｃ）基板の上方に、発光素子と分離して形成され、それぞれが化合物半導体から成り、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から少なくとも構成された逆方向ダイオード、
を備えていることを特徴とする発光素子組立体。
【請求項２】
発光素子は、発光素子を構成する第２層を介して光を出射する面発光レーザ素子から成ることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項３】
発光素子は、端面から光を出射する端面発光レーザ素子から成ることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項４】
逆方向ダイオードと基板との間には、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部及び第２層の延在部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項５】
発光素子を構成する第１層と逆方向ダイオードを構成する第１層とは、同一の層から成り、
発光素子を構成する第２層と逆方向ダイオードを構成する第２層とは、同一の層から成ることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項６】
バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
バイパス・ダイオードを構成する第２層、及び、発光素子を構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項７】
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、活性層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された発光素子、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする発光素子組立体。
【請求項８】
発光素子を構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、逆方向ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成ることを特徴とする請求項７に記載の発光素子組立体。
【請求項９】
バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第２層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第１層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の発光素子組立体。
【請求項１０】
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする発光素子組立体。
【請求項１１】
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
発光素子を構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、逆方向ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成ることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子組立体。
【請求項１２】
バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第１層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子組立体。
【請求項１３】
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、
が順次積層されて成ることを特徴とする発光素子組立体。
【請求項１４】
逆方向ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成ることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子組立体。
【請求項１５】
バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第１層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子組立体。
【請求項１６】
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、活性層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された発光素子、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする発光素子組立体。
【請求項１７】
逆方向ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
発光素子を構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成ることを特徴とする請求項１６に記載の発光素子組立体。
【請求項１８】
バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第２層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第１層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子組立体。
【請求項１９】
発光素子は、発光ダイオードから成ることを特徴とする請求項７，請求項１０、請求項１３、又は、請求項１６に記載の発光素子組立体。
【請求項２０】
バイパス・ダイオード、発光素子、及び、逆方向ダイオードが１チップ化されて成る発光素子組立体であって、
バイパス・ダイオードの一端、発光素子の一端、及び、逆方向ダイオードの一端は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
発光素子の他端、及び、逆方向ダイオードの他端は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする発光素子組立体。
【請求項２１】
バイパス・ダイオード及び発光素子は積層されており、逆方向ダイオードは発光素子と分離されていることを特徴とする請求項２０に記載の発光素子組立体。
【請求項２２】
発光素子、バイパス・ダイオード、及び、逆方向ダイオードは積層されていることを特徴とする請求項２０に記載の発光素子組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子組立体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ素子等の発光素子においては、ｐ型導電型を有する化合物半導体層と、ｎ型導電型を有する化合物半導体層との間に活性層を設け、ｐｎ接合に対して順方向に通電することで、発光（例えばレーザ発振）を得ている。しかしながら、過剰な電流が順方向に流れると、端面破壊や欠陥形成によって発光素子が破損する虞がある。また、逆方向に過電流が流れても、欠陥形成等によって発光素子が破損する虞がある。このような過電流は、機器の製造工程や機器の使用中において、静電気によって、屡々、生成する。そのため、静電気による破壊（ＥＳＤと呼ばれる）から発光素子を防護するために、従来から、ＥＳＤ対策素子を発光素子と電気的に並列に接続して過電流を迂回させている。ここで、ＥＳＤ対策素子として、バリスタ、ツェナダイオード、逆方向ダイオード、コンデンサを挙げることができる。そして、一定以上の電圧が発光素子に印加された場合や、発光素子に印加される電圧が短時間に大きく変化した場合、これらのＥＳＤ対策素子には大きな電流が流れるので、発光素子の負荷を軽減することができる。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−９７５７４号公報
【特許文献２】特開平９−２７６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、これらのＥＳＤ対策素子を、個別の部品として発光素子と並列に組み込むことは、実装作業量の増加、製造コストの増加を招くので、発光素子自体にＥＳＤ対策素子の役割を組み込むことが望ましい。
【０００５】
例えば、特開平６−９７５７４号公報に開示された半導体レーザ装置にあっては、結晶成長を複数回行って、半導体レーザ活性層と並列に逆方向ｐｎ接合部を設け、逆方向の過電流がこの逆方向ｐｎ接合部を迂回する構造としている。しかしながら、化合物半導体層の再成長が必要とされるので、製造工程の複雑化を招く。ここで、化合物半導体層の再成長とは、複数の化合物半導体層の結晶成長を一連の工程として行い、次いで、得られた複数の化合物半導体層に別の処理（例えば、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程）を行い、その後、再び、複数の化合物半導体層の結晶成長を一連の工程として行うことを意味する。しかも、順方向の過電流が流れることによって生じる破壊（順方向ＥＳＤと呼ばれる）に対する有効な対策は取られていない。
【０００６】
また、特開平９−２７６５１号公報に開示された半導体レーザにあっては、結晶成長を複数回行って、半導体レーザ活性層と並列にレーザ活性層よりもバンドギャップの大きい材料でｐｎ接合部を設け、順方向の過電流がこのｐｎ部を迂回する構造としている。しかしながら、やはり、化合物半導体層の再成長が必要とされ、しかも、逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊（逆方向ＥＳＤと呼ばれる）に対する有効な対策は取られていない。
【０００７】
従って、本発明の目的は、発光素子と一体化（１チップ化）され、構造上、化合物半導体層の再成長工程が不要であり、しかも、逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊、及び、順方向の過電流が流れることによって生じる破壊に対して有効な防護手段を有する発光素子組立体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｂ）バイパス・ダイオード上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、並びに、
（Ｃ）基板の上方に、発光素子と分離して形成され、それぞれが化合物半導体から成り、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から少なくとも構成された逆方向ダイオード、
を備えていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第１の態様に係る発光素子組立体において、発光素子は、発光素子を構成する第２層を介して光を出射する面発光レーザ素子（垂直共振器レーザ、ＶＣＳＥＬ）から成る形態とすることができ、あるいは又、端面から光を出射する端面発光レーザ素子から成る形態とすることができる。
【００１０】
上記の好ましい形態を含む本発明の第１の態様に係る発光素子組立体にあっては、逆方向ダイオードと基板との間には、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部及び第２層の延在部が設けられている構成とすることができる。このように、逆方向ダイオードと基板との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されているが、係るダミーダイオードは、本発明の第１の態様に係る発光素子組立体において、逆方向ダイオードを一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。
【００１１】
更には、以上に説明した好ましい形態を含む本発明の第１の態様に係る発光素子組立体にあっては、発光素子を構成する第１層と逆方向ダイオードを構成する第１層とは、同一の層から成り、発光素子を構成する第２層と逆方向ダイオードを構成する第２層とは、同一の層から成る構成とすることが好ましい。
【００１２】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
バイパス・ダイオードを構成する第２層、及び、発光素子を構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、活性層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された発光素子、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第２の態様に係る発光素子組立体にあっては、
発光素子を構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、逆方向ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成る構成とすることができる。
【００１５】
上記の好ましい構成を含む本発明の第２の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第２層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第１層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。
【００１６】
上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第３の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
発光素子を構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、逆方向ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成る構成とすることができる。
【００１８】
上記の好ましい構成を含む本発明の第３の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第１層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。
【００１９】
上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、活性層、及び、第１導電型を有する第２層から構成された発光素子、
が順次積層されて成ることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第４の態様に係る発光素子組立体にあっては、
逆方向ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
バイパス・ダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成る構成とすることができる。
【００２１】
上記の好ましい構成を含む本発明の第４の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第１層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第２層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。
【００２２】
上記の目的を達成するための本発明の第５の態様に係る発光素子組立体は、
（Ａ）基板上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された逆方向ダイオード、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたダミーダイオード、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型を有する第１層、活性層、及び、第２導電型を有する第２層から構成された発光素子、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型を有する第１層、及び、第１導電型を有する第２層から構成されたバイパス・ダイオード、
が順次積層されて成ることを特徴とする。
【００２３】
本発明の第５の態様に係る発光素子組立体にあっては、
逆方向ダイオードを構成する第２層と、ダミーダイオードを構成する第１層は、共通の第１化合物半導体層から成り、
ダミーダイオードを構成する第２層と、発光素子を構成する第１層は、共通の第２化合物半導体層から成り、
発光素子を構成する第２層と、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、共通の第３化合物半導体層から成る構成とすることができる。
【００２４】
上記の好ましい構成を含む本発明の第５の態様に係る発光素子組立体にあっては、
バイパス・ダイオードを構成する第２層は、第１電極に接続され、
発光素子を構成する第２層、及び、バイパス・ダイオードを構成する第１層は、第２電極に接続され、
発光素子を構成する第１層は、第３電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第２層は、第４電極に接続され、
逆方向ダイオードを構成する第１層は、第５電極に接続され、
第１電極、第３電極及び第４電極は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
第２電極及び第５電極は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている構成とすることができる。
【００２５】
本発明の第２の態様に係る発光素子組立体においては、バイパス・ダイオードと逆方向ダイオードとの間に、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されている。また、本発明の第３の態様に係る発光素子組立体においては、発光素子と逆方向ダイオードとの間に、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されている。係るダミーダイオードは、本発明の第２の態様あるいは第３の態様に係る発光素子組立体において、逆方向ダイオードを一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。本発明の第４の態様に係る発光素子組立体においては、逆方向ダイオードとバイパス・ダイオードとの間に、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されている。また、本発明の第５の態様に係る発光素子組立体においては、逆方向ダイオードと発光素子との間に、本来、機能的には必要とされないダミーダイオードが形成されている。係るダミーダイオードは、本発明の第４の態様あるいは第５の態様に係る発光素子組立体において、発光素子、バイパス・ダイオードを一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。
【００２６】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第２の態様〜第５の態様に係る発光素子組立体において、発光素子は発光ダイオードから成る形態とすることができる。
【００２７】
上記の目的を達成するための本発明の第６の態様に係る発光素子組立体は、バイパス・ダイオード、発光素子、及び、逆方向ダイオードが１チップ化されて成る発光素子組立体であって、
バイパス・ダイオードの一端、発光素子の一端、及び、逆方向ダイオードの一端は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、
発光素子の他端、及び、逆方向ダイオードの他端は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されていることを特徴とする。
【００２８】
本発明の第６の態様に係る発光素子組立体において、バイパス・ダイオード及び発光素子は積層されており、逆方向ダイオードは発光素子と分離されている構成とすることができ、あるいは又、発光素子、バイパス・ダイオード、及び、逆方向ダイオードは積層されている構成とすることができる。
【００２９】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様〜第６の態様に係る発光素子組立体（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）にあっては、バイパス・ダイオードの動作開始電圧（ターン・オン電圧）は、発光素子の動作開始電圧（ターン・オン電圧）よりも高いことが要求される。また、逆方向ダイオードの動作開始電圧（ターン・オン電圧）は、発光素子の動作開始電圧（ターン・オン電圧）よりも低いことが望ましい。尚、発光素子、バイパス・ダイオード、逆方向ダイオードの動作開始電圧（ターン・オン電圧）は、これらを構成する各層の組成（物性）を適切に選択することで、適宜、決定することができる。
【００３０】
本発明にあっては、発光素子、バイパス・ダイオード、逆方向ダイオード、ダミーダイオードにおける種々の層を構成する化合物半導体として、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＩｎＧａＮ混晶、ＩｎＧａＮ混晶を含む）、ＩｎＮ系化合物半導体、ＡｌＮ系化合物半導体、ＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体を例示することができる。これらの層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法を挙げることができる。
【００３１】
本発明において、基板として、サファイア基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＯ基板、ＡｌＮ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、ＩｎＰ基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。
【００３２】
第１導電型がｎ型である場合には、第２導電型はｐ型であり、第１導電型がｐ型である場合には、第２導電型はｎ型である。
【００３３】
本発明の第１の態様に係る発光素子組立体あるいは、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の好ましい構成において、逆方向ダイオードと発光素子とを分離させるには、逆方向ダイオードを構成する層と発光素子を構成する層との間の領域を、例えば、リソグラフィ技術と、ウェットエッチング法あるいはドライエッチング法との組合せによって除去すればよい。ここで、逆方向ダイオードと発光素子とは、上述したように、同じ層構成とすることが、製造の簡素化といった観点から好ましい。
【００３４】
第１電極〜第５電極を構成する材料は、第１電極〜第５電極を形成するための下地層の導電型によって決定すればよく、あるいは又、光の出射方向によって決定すればよく、例えば、下地層の導電型がｐ型である場合、銀（Ｉｎ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔを含有する銀合金を包含する）、Ｔｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ等から構成することができるし、下地層の導電型がｎ型である場合、チタン（Ｔｉ）、ＴｉＷやＴｉＭｏといったチタン合金から成る電極（例えば、ＴｉＷ層、Ｔｉ層／Ｎｉ層／Ａｕ層等）、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金、ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ等から構成することができる。また、電極を透明にする必要がある場合には、電極をＩＴＯから構成すればよい。尚、電極が積層構造を有する場合、「／」の前の材料が基板側に位置する。また、電極に対して、必要に応じて、例えば、Ｔｉ層／Ｐｔ層／Ａｕ層等といった［接着層（Ｔｉ層やＣｒ層等）］／［バリアメタル層（Ｐｔ層、Ｎｉ層、ＴｉＷ層やＭｏ層等）］／［実装に対して融和性の良い金属層（例えばＡｕ層）］のような積層構成とした多層メタル層から成るコンタクト部（パッド部）を設けてもよい。電極、コンタクト部（パッド部）は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といった各種のＰＶＤ法、各種のＣＶＤ法、メッキ法によって形成することができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明においては、発光素子、並びに、ＥＳＤ対策素子としてのバイパス・ダイオード及び逆方向ダイオードが、１チップ化され、一体化されている。即ち、順方向及び逆方向の両方向の過電流に対する迂回経路が設られている。従って、順・逆両方向のサージ耐圧を向上させることができ、順方向の過電流が流れることによって生じる破壊（順方向ＥＳＤ）、及び、逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊（逆方向ＥＳＤ）、即ち、活性層のサージ破壊に対して、極めて有効である。また、ＥＳＤ対策素子を、個別の部品として発光素子と並列に組み込むといった煩雑な実装作業が不要である。更には、化合物半導体層の再成長を必要としない。そして、以上の結果として、ＥＳＤ耐性の高い発光素子組立体を低いコストにて製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００３７】
実施例１は、本発明の第１の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例１の発光素子組立体の等価回路図を図１の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図１の（Ｂ）に示す。また、模式的な部分的平面図を図２に示す。尚、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例５において、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする。
【００３８】
実施例１の発光素子組立体は、本発明の第１の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）第１導電型（ｎ型）を有する基板１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層２１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層２２から構成されたバイパス・ダイオード２０、
（Ｂ）バイパス・ダイオード２０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層３１、活性層３３、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層３２から構成された発光素子３０、並びに、
（Ｃ）基板１０の上方に、発光素子３０と分離して形成され、それぞれが化合物半導体から成り、実施例１にあっては、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層４１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層４２から少なくとも構成された逆方向ダイオード４０、
を備えている。
【００３９】
あるいは又、実施例１の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード２０、発光素子３０、及び、逆方向ダイオード４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード２０の一端（具体的には、第１層２１）、発光素子３０の一端（具体的には、第２層３２）、及び、逆方向ダイオード４０の一端（具体的には、第１層４１）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子３０の他端（具体的には、第１層３１）、及び、逆方向ダイオード４０の他端（具体的には、第２層４２）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、バイパス・ダイオード２０及び発光素子３０は積層されており、逆方向ダイオード４０は発光素子３０と分離されている。即ち、実施例１にあっては、発光素子３０は、所謂メサ構造を有する。
【００４０】
尚、逆方向ダイオード４０と基板１０との間には、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部及び第２層の延在部が設けられている。このように、逆方向ダイオード４０と基板１０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード５０が形成されているが、係るダミーダイオード５０は、実施例１の発光素子組立体において、逆方向ダイオード４０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。尚、以下、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部をダミーダイオード５０の第１層５１と呼び、バイパス・ダイオードを構成する第２層の延在部をダミーダイオード５０の第２層５２と呼ぶ。
【００４１】
そして、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１は、第１電極６１に接続されている。具体的には、第１電極６１は、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１の露出した一部分の上に形成されている。また、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２、及び、発光素子３０を構成する第１層３１は、第２電極６２に接続されている。具体的には、第２電極６２は、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２の露出した一部分の上に形成されており、発光素子３０を構成する第１層３１は、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２を介して、第２電極６２に接続されている。更には、発光素子３０を構成する第２層３２は、第３電極６３に接続されている。具体的には、第３電極６３は、発光素子３０を構成する第２層３２上、より具体的には、第２層３２の外周部にリング状に形成されている。また、逆方向ダイオード４０を構成する第１層４１は、第４電極６４に接続されている。具体的には、第４電極６４は、ダミーダイオード５０の第２層５２の露出した一部分の上に形成されており、逆方向ダイオード４０を構成する第１層４１は、ダミーダイオード５０の第２層５２を介して、第４電極６４に接続されている。更には、逆方向ダイオード４０を構成する第２層４２は、第５電極６５に接続されている。具体的には、第５電極６５は、逆方向ダイオード４０を構成する第２層４２上に形成されている。尚、発光素子組立体の頂面は、発光素子３０を構成する第２層３２、第３電極６３、第５電極から構成されている。
【００４２】
ここで、第１電極６１と第３電極６３、及び、第１電極６１と第４電極６４とは、絶縁層７０上を延びる配線層６６によって電気的に接続されており、第２電極６２と第５電極６５とは、絶縁層７０上を延びる配線層６７によって電気的に接続されている。また、基板１０の裏面には取出し電極６８が設けられている。そして、第１電極６１、第３電極６３及び第４電極６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、第２電極６２及び第５電極６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。具体的には、第１電極６１は、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１及び基板１０を介して取出し電極６８に電気的に接続され、取出し電極６８は、図示しない配線によって、発光素子駆動電源の第１出力部に接続されている。また、第５電極６５は、図示しない配線によって、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。
【００４３】
実施例１にあっては、発光素子３０は、発光素子３０を構成する第２層３２を介して光を出射する面発光レーザ素子（垂直共振器レーザ、ＶＣＳＥＬ）から成る。
【００４４】
基板１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板から構成されている。また、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１及びダミーダイオード５０の第１層５１、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２及びダミーダイオード５０の第２層５２は、以下の組成を有する。更には、第１層２１，５１と第２層２２，５２との間には、以下の組成を有する接合層２３，５３が形成されている。このような構造にすることで、バイパス・ダイオード２０の電気抵抗値は、低い値、即ち、５Ω程度である。また、バイパス・ダイオード２０のターン・オン電圧は２．０ボルト程度である。
【００４５】
一般に、ＤＢＲ層を構成する層の光学的厚さは、λ／４（λは発振波長）である。また、ｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）を挙げることができ、ｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）や、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）を挙ることができる。
【００４６】
一方、発光素子３０の第１層３１、及び、逆方向ダイオード４０の第１層４１は、同一の層から構成されており、基板側から、以下の組成を有する酸化狭窄層３１Ａ，４１Ａ、及び、第１クラッド層３１Ｂ，４１Ｂの積層構造から構成されている。また、発光素子３０の活性層３３、及び、逆方向ダイオード４０の第１層４１と第２層４２との間に形成された接合層４３も、同一の層から構成されており、以下の組成を有する。更には、発光素子３０の第２層３２、及び、逆方向ダイオード４０の第２層４２も、同一の層から構成されており、基板側から、以下の組成を有する第２クラッド層３２Ａ，４２Ａ、及び、ＤＢＲ層３２Ｂ，４２Ｂの積層構造から構成されている。尚、このような酸化狭窄層３１Ａを有する構造とすることで、発光素子３０の電気抵抗値は、比較的高い値、例えば５０Ω程度である。一方、逆方向ダイオード４０の電気抵抗値は、例えば５Ω程度である。また、発光素子３０のターン・オン電圧は１．４ボルト程度であり、逆方向ダイオード４０のターン・オン電圧も１．４ボルト程度である。
【００４７】
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【００４８】
また、第１電極６１、第３電極６３、及び、第４電極６４はＡｕＧｅ合金層から構成されており、第２電極６２及び第５電極６５はＴｉ層／Ａｕ層の積層構造から構成されており、取出し電極６８はＡｕＧｅ合金層から構成されており、配線層６６，６７は金（Ａｕ）から構成されており、絶縁層７０は、例えば、ＳｉＯ2から構成されている。尚、絶縁層を構成する材料として、その他、ＳｉＯX系材料、ＳｉＮY系材料、ＳｉＯXＮY系材料、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3を例示することができる。絶縁層の形成方法として、例えば真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、あるいは、ＣＶＤ法を挙げることができる。発光素子駆動電源は、周知の発光素子駆動電源から構成すればよい。
【００４９】
例えば、第５電極６５から取出し電極６８に向かって、即ち、発光素子３０に第２電極６２から第３電極６３に向かって、２０ミリアンペアの電流が流れたとする。もしも、バイパス・ダイオード２０が存在しない場合、２０ミリアンペアの電流の全てが発光素子３０を流れることになる。一方、ターン・オン電圧が２．０ボルトのバイパス・ダイオード２０が存在する場合、以下の示す式のとおり、約１２．７ミリアンペアの電流が発光素子３０に流れるだけであり、残りの電流はバイパス・ダイオード２０を流れる。一方、取出し電極６８から第５電極６５に向かって、電流が流れるときには、係る電流は逆方向ダイオード４０を流れ、発光素子３０を流れることはない。この状態を、図３に示す。尚、図３において、実線は、発光素子３０を流れる電流の値を示し、点線は、バイパス・ダイオード２０を流れる電流の値を示し、一点鎖線は、逆方向ダイオード４０を流れる電流の値を示す。
【００５０】
即ち、発光素子３０とバイパス・ダイオード２０に合わせて２０ミリアンペアの電流が流れる場合、発光素子３０に流れる電流をｉ（Ａ）とすると、バイパス・ダイオード２０を流れる電流（Ａ）は、
２０×１０-3−ｉ
である。発光素子３０の両端の電圧とバイパス・ダイオード２０の両端の電圧は等しいから、以下の等式が成立する。
５０（Ω）×ｉ（Ａ）＋１．４（Ｖ）
＝５（Ω）×｛２０×１０-3（Ａ）−ｉ（Ａ）｝＋２．０（Ｖ）
これを解いて、
ｉ（Ａ）≒０．７／５５（Ａ）≒１２．７×１０-3（Ａ）
【００５１】
このように、発光素子３０に過剰な順方向電流が流れたときには、一定の電流値が発光素子３０に順方向として流れ、発光素子３０は発光状態を保持し、しかも、一定の電流値を越える電流の大部分はバイパス・ダイオード２０を流れるので、発光素子３０に損傷が発生し難い。また、発光素子３０に逆方向の電流が流れようとしても、係る電流は、発光素子３０を迂回し、逆方向ダイオード４０を流れるので、発光素子３０に損傷が発生することはない。
【００５２】
以下、図４の（Ａ）、（Ｂ）、図５の（Ａ）、（Ｂ）、図６の（Ａ）、（Ｂ）、図７の（Ａ）、（Ｂ）を参照して、実施例１の発光素子組立体の製造方法の概要を説明する。尚、各層は、例えば、ＭＯＣＶＤ法により形成することができる。この際、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ3）を用い、ドナー不純物の原料としては、例えば、Ｈ2Ｓｅを用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えば、ジメチルジンク（ＤＭＺ）を用いる。また、例えば、塩素系ガスによるドライエッチング技術によって各層のエッチングを行うことができる。
【００５３】
［工程−１００］
先ず、ｎ−ＧａＡｓから成る基板１０の主面上に、周知のＭＯＣＶＤ技術を用いて、バイパス・ダイオード２０の第１層２１を形成するための化合物半導体層１２１、バイパス・ダイオード２０の接合層２３を形成するための化合物半導体層１２３、バイパス・ダイオード２０の第２層２２を形成するための化合物半導体層１２２、発光素子３０及び逆方向ダイオード４０の第１層３１，４１を形成するための酸化狭窄形成層１３１Ａ及び化合物半導体層１３１Ｂ、発光素子３０の活性層３３及び逆方向ダイオード４０の接合層４３を形成するための化合物半導体層１３３、発光素子３０及び逆方向ダイオード４０の第２層３２，４２を形成するための化合物半導体層１３２Ａ，１３２Ｂを、順次、成膜する（図４の（Ａ）参照）。
【００５４】
［工程−１１０］
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、化合物半導体層１３２Ｂ、化合物半導体層１３２Ａ、化合物半導体層１３３、化合物半導体層１３１Ｂ、及び、酸化狭窄形成層１３１Ａの一部分を選択的に除去し、発光素子３０を形成するための円筒形の島状の領域１３０を形成する（図４の（Ｂ）参照）。こうして、発光素子３０を構成する第１層３１（３１Ａ，３１Ｂ）、活性層３３、第２層３２（３２Ａ，３２Ｂ）を得ることができ、同時に、逆方向ダイオード４０を構成する第１層４１（４１Ａ，４１Ｂ）、接合層４３、第２層４２（４２Ａ，４２Ｂ）を得ることができる。発光素子３０と逆方向ダイオード４０とは分離されている。
【００５５】
次いで、水蒸気雰囲気中において高温での酸化処理を行い、露出した酸化狭窄形成層１３１Ａの側壁から酸化狭窄形成層１３１Ａの内部に亙り、選択的に酸化することで、酸化狭窄層３１Ａ，４１Ａを得ることができる（図５の（Ａ）参照）。尚、参照番号３１Ｃ，４１Ｃは、酸化された領域を指す。
【００５６】
［工程−１２０］
その後、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、化合物半導体層１２２、化合物半導体層１２３、化合物半導体層１２１の一部分を選択的に除去する（図５の（Ｂ）参照）。こうして、バイパス・ダイオード２０を構成する、第１層２１、接合層２３、第２層２３を得ることができ、同時に、ダミーダイオード５０が形成される。尚、このダミーダイオード５０は、バイパス・ダイオードを構成する第１層の延在部である第１層５１、バイパス・ダイオードを構成する接合層の延在部である接合層５３、及び、バイパス・ダイオードを構成する第２層の延在部である第２層５２から構成されている。
【００５７】
［工程−１３０］
次いで、例えば、所謂リフトオフ法及び真空蒸着法に基づき、バイパス・ダイオード２０を構成する第１層２１の露出した部分に第１電極６１を形成し、発光素子３０を構成する第２層３２（３２Ｂ）の露出した外周部にリング状の第３電極６３を形成し、逆方向ダイオード４０を構成する第２層４２（４２Ｂ）の露出した部分に第５電極６５を形成する（図６の（Ａ）参照）。
【００５８】
［工程−１４０］
その後、例えば、リフトオフ法及び真空蒸着法に基づき、バイパス・ダイオード２０を構成する第２層２２の露出した部分に第２電極６２を形成し、ダミーダイオード５０を構成する第２層５２の露出した部分に第４電極６４を形成する（図６の（Ｂ）参照）。尚、［工程−１３０］と［工程−１４０］の順序を逆にしてもよい。
【００５９】
［工程−１５０］
次に、例えば、ＣＶＤ法及びエッチング技術に基づき、露出した化合物半導体層のそれぞれの側壁、及び、酸化狭窄層３１Ａ，４１Ａの酸化された領域３１Ｃ，４１Ｃのそれぞれの側壁に、例えばＳｉＯ2から成る絶縁層７０を形成する（図７の（Ａ）参照）。
【００６０】
［工程−１６０］
その後、例えば、リフトオフ法及び真空蒸着法に基づき、絶縁層７０上を延びる配線層６６，６７を形成する（図７の（Ｂ）参照）。こうして、第１電極６１と第３電極６３、及び、第１電極６１と第４電極６４とを、絶縁層７０上を延びる配線層６６によって電気的に接続し、第２電極６２と第５電極６５とを、絶縁層７０上を延びる配線層６７によって電気的に接続する。
【００６１】
［工程−１７０］
その後、基板１０の裏面に取出し電極６８を形成した後、合金化処理を行い、次いで、例えば、ダイシング法にて、発光素子組立体を個別化することで、実施例１の発光素子組立体を得ることができる。
【実施例２】
【００６２】
実施例２は、本発明の第２の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例２の発光素子組立体の等価回路図を図８の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図８の（Ｂ）に示す。
【００６３】
実施例２の発光素子組立体は、本発明の第２の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）基板２１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層２３１、活性層２３３、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層２３２から構成された発光素子２３０、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層２２１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層２２２から構成されたバイパス・ダイオード２２０、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層２５１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層２５２から構成されたダミーダイオード２５０、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層２４１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層２４２から構成された逆方向ダイオード２４０、
が順次積層されて成る。
【００６４】
あるいは又、実施例２の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード２２０、発光素子２３０、及び、逆方向ダイオード２４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード２２０の一端（具体的には、第２層２２２）、発光素子２３０の一端（具体的には、第１層２３１）、及び、逆方向ダイオード２４０の一端（具体的には、第１層２４１）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子２３０の他端（具体的には、第２層２３２）、及び、逆方向ダイオード２４０の他端（具体的には、第２層２４２）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、発光素子２３０、バイパス・ダイオード２２０及び逆方向ダイオード２４０は積層されている。
【００６５】
発光素子２３０を構成する第２層２３２と、バイパス・ダイオード２２０を構成する第１層２２１とは、共通の第１化合物半導体層２８１から成る。また、バイパス・ダイオード２２０を構成する第２層２２２と、ダミーダイオード２５０を構成する第１層２５１とは、共通の第２化合物半導体層２８２から成る。更には、ダミーダイオード２５０を構成する第２層２５２と、逆方向ダイオード２４０を構成する第１層２４１とは、共通の第３化合物半導体層２８３から成る。
【００６６】
実施例２の発光素子組立体において、バイパス・ダイオード２２０と逆方向ダイオード２４０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード２５０が形成されているが、このダミーダイオード２５０は、実施例２の発光素子組立体において、逆方向ダイオード２４０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。
【００６７】
そして、バイパス・ダイオード２２０を構成する第２層２２２は、第１電極２６１に接続されている。具体的には、第１電極２６１は、バイパス・ダイオード２２０を構成する第２層２２２の露出した一部分の上に形成されている。また、発光素子２３０を構成する第２層２３２、及び、バイパス・ダイオード２２０を構成する第１層２２１（即ち、第１の化合物半導体層２８１）は、第２電極２６２に接続されている。具体的には、第２電極２６２は、発光素子２３０を構成する第２層２３２と、バイパス・ダイオード２２０を構成する第１層２２１とが共通となった第１化合物半導体層２８１の露出した一部分の上に形成されている。更には、発光素子２３０を構成する第１層２３１は、第３電極２６３に接続されている。具体的には、第３電極２６３は、発光素子２３０を構成する第１層２３１の露出した一部分の上に形成されている。また、逆方向ダイオード２４０を構成する第１層２４１は、第４電極２６４に接続されている。具体的には、第４電極２６４は、逆方向ダイオード２４０を構成する第１層２４１の露出した一部分の上に形成されている。更には、逆方向ダイオード２４０を構成する第２層２４２は、第５電極２６５に接続されている。具体的には、第５電極２６５は、逆方向ダイオード２４０を構成する第２層２４２の露出した一部分の上に形成されている。
【００６８】
ここで、第１電極２６１と第３電極２６３、及び、第１電極２６１と第４電極２６４とは、絶縁層２７０上を延びる配線層２６６によって電気的に接続されており、第２電極２６２と第５電極２６５とは、絶縁層２７０上を延びる配線層２６７によって電気的に接続されている。そして、第１電極２６１、第３電極２６３及び第４電極２６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に図示しない配線を介して接続され、第２電極２６２及び第５電極２６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に図示しない配線を介して接続されている。
【００６９】
実施例２、あるいは、後述する実施例３〜実施例５にあっては、発光素子２３０，３３０，４３０，５３０は、基板側から光を出射する発光ダイオードから成る。実施例２，あるいは、後述する実施例３〜実施例５にあっては、このように、発光素子を発光ダイオードから構成するので、メサ構造を採用するよりも、発光に寄与する接合面をより広くすることが可能な発光素子２３０、バイパス・ダイオード２２０及び逆方向ダイオード２４０の積層構造を採用することが好ましい。基板２１０，３１０，４１０，５１０は、サファイア基板から構成されている。
【００７０】
実施例２における発光素子２３０を構成する第１層２３１、発光素子２３０を構成する活性層２３３、発光素子２３０を構成する第２層２３２及びバイパス・ダイオード２２０を構成する第１層２２１（共通の第１化合物半導体層２８１）は、以下の組成を有する。更には、バイパス・ダイオード２２０を構成する第２層２２２及びダミーダイオード２５０を構成する第１層２５１（共通の第２化合物半導体層２８２）、ダミーダイオード２５０を構成する第２層２５２及び逆方向ダイオード２４０を構成する第１層２４１（共通の第３化合物半導体層２８３）、逆方向ダイオード２４０を構成する第２層２４２は、以下の組成を有する。
【００７１】
2008177429.tif 000004
【００７２】
そして、このような構造にすることで、バイパス・ダイオード２２０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度であり、発光素子２３０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば１０Ω程度、及び、３．０ボルト程度であり、逆方向ダイオード２４０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度である。
【００７３】
また、第１電極２６１、第３電極２６３、及び、第４電極２６４はＡｕＧｅ合金層から構成されており、第２電極２６２及び第５電極２６５はＴｉ層／Ａｕ層の積層構造から構成されており、配線層２６６，２６７は金（Ａｕ）から構成されており、絶縁層２７０は、例えば、ＳｉＯ2から構成されている。発光素子駆動電源は、周知の発光素子駆動電源から構成すればよい。後述する実施例３〜実施例５においても、同様とすることができる。
【００７４】
実施例２の発光素子組立体は、先ず、サファイア基板から成る基板２１０の主面上に、周知のＭＯＣＶＤ技術を用いて、発光素子２３０の第１層２３１を形成するための化合物半導体層、活性層２３３を形成するための化合物半導体層、第１の化合物半導体層２８１（発光素子２３０の第２層２３２、及び、バイパス・ダイオード２２０の第１層２２１）、第２の化合物半導体層２８２（バイパス・ダイオード２２０の第２層２２２、及び、ダミーダイオード２５０の第１層２５１）、第３の化合物半導体層２８３（ダミーダイオード２５０の第２層２５２、及び、逆方向ダイオード２４０の第１層２４１）、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２を、順次、成膜する。
【００７５】
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２、第３の化合物半導体層２８３、第２の化合物半導体層２８２、第１の化合物半導体層２８１、活性層２３３を選択的に除去して、発光素子２３０の第１層２３１の一部分を露出させ、リフトオフ法に基づき、第３電極２６３を露出した第１層２３１の部分の上に形成する。その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２、第３の化合物半導体層２８３、第２の化合物半導体層２８２を選択的に除去して、第１の化合物半導体層２８１の一部分を露出させ、リフトオフ法に基づき、第２電極２６２を露出した第１の化合物半導体層２８１の部分の上に形成する。更に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２、第３の化合物半導体層２８３を選択的に除去して、第２の化合物半導体層２８２の一部分を露出させ、リフトオフ法に基づき、第１電極２６１を露出した第２の化合物半導体層２８２の部分の上に形成する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、逆方向ダイオード２４０の第２層２４２を選択的に除去して、第３の化合物半導体層２８３の一部分を露出させ、リフトオフ法に基づき、第４電極２６４を露出した第３の化合物半導体層２８３の部分の上に形成する。その後、リフトオフ法に基づき、第５電極２６５を露出した逆方向ダイオード２４０の第２層２４２上に形成する。
【００７６】
次に、例えば、ＣＶＤ法及びエッチング技術に基づき、露出した化合物半導体層のそれぞれの側壁に、例えばＳｉＯ2から成る絶縁層２７０を形成する。その後、例えば、リフトオフ法及び真空蒸着法に基づき、絶縁層２７０上を延びる配線層２６６，２６７を形成する。最後に、例えば、ダイシング法にて、発光素子組立体を個別化することで、実施例２の発光素子組立体を得ることができる。
【実施例３】
【００７７】
実施例３は、本発明の第３の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例３の発光素子組立体の等価回路図を図９の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図９の（Ｂ）に示す。
【００７８】
実施例３の発光素子組立体は、本発明の第３の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）基板３１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層３２１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層３２２から構成されたバイパス・ダイオード３２０、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層３３１、活性層３３３、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層３３２から構成された発光素子３３０、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層３５１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層３５２から構成されたダミーダイオード３５０、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層３４１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層３４２から構成された逆方向ダイオード３４０、
が順次積層されて成る。
【００７９】
あるいは又、実施例３の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード３２０、発光素子３３０、及び、逆方向ダイオード３４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード３２０の一端（具体的には、第１層３２１）、発光素子３３０の一端（具体的には、第２層３３２）、及び、逆方向ダイオード３４０の一端（具体的には、第１層３４１）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子３３０の他端（具体的には、第１層３３１）、及び、逆方向ダイオード３４０の他端（具体的には、第２層３４２）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、発光素子３３０、バイパス・ダイオード３２０及び逆方向ダイオード３４０は積層されている。
【００８０】
バイパス・ダイオード３２０を構成する第２層３２２と、発光素子３３０を構成する第１層３３１は、共通の第１化合物半導体層３８１から成る。また、発光素子３３０を構成する第２層３３２と、ダミーダイオード３５０を構成する第１層３５１は、共通の第２化合物半導体層３８２から成る。更には、ダミーダイオード３５０を構成する第２層３５２と、逆方向ダイオード３４０を構成する第１層３４１は、共通の第３化合物半導体層３８３から成る。
【００８１】
実施例３の発光素子組立体において、発光素子３３０と逆方向ダイオード３４０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード３５０が形成されているが、このダミーダイオード３５０は、実施例３の発光素子組立体において、逆方向ダイオード３４０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。
【００８２】
そして、バイパス・ダイオード３２０を構成する第１層３２１は、第１電極３６１に接続されている。具体的には、第１電極３６１は、バイパス・ダイオード３２０を構成する第１層３２１の露出した一部分の上に形成されている。また、発光素子３３０を構成する第１層３３１、及び、バイパス・ダイオード３２０を構成する第２層３２２（即ち、第１の化合物半導体層３８１）は、第２電極３６２に接続されている。具体的には、第２電極３６２は、発光素子３３０を構成する第１層３３１と、バイパス・ダイオード３２０を構成する第２層３２２とが共通となった第１化合物半導体層３８１の露出した一部分の上に形成されている。更には、発光素子３３０を構成する第２層３３２は、第３電極３６３に接続されている。具体的には、第３電極３６３は、発光素子３３０を構成する第２層３３２の露出した一部分の上に形成されている。また、逆方向ダイオード３４０を構成する第１層３４１は、第４電極３６４に接続されている。具体的には、第４電極３６４は、逆方向ダイオード３４０を構成する第１層３４１の露出した一部分の上に形成されている。更には、逆方向ダイオード３４０を構成する第２層３４２は、第５電極３６５に接続されている。具体的には、第５電極３６５は、逆方向ダイオード３４０を構成する第２層３４２の露出した一部分の上に形成されている。
【００８３】
ここで、第１電極３６１と第３電極３６３、及び、第３電極３６３と第４電極３６４とは、絶縁層３７０上を延びる配線層３６６によって電気的に接続されており、第２電極３６２と第５電極３６５とは、絶縁層３７０上を延びる配線層３６７によって電気的に接続されている。そして、第１電極３６１、第３電極３６３及び第４電極３６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に図示しない配線を介して接続され、第２電極３６２及び第５電極３６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に図示しない配線を介して接続されている。
【００８４】
実施例３におけるバイパス・ダイオード３２０を構成する第１層３２１、発光素子３３０を構成する第１層３３１及びバイパス・ダイオード３２０を構成する第２層３２２（共通の第１化合物半導体層３８１）は、以下の組成を有する。更には、発光素子３３０を構成する活性層３３３、発光素子３３０を構成する第２層３３２及び及びダミーダイオード３５０を構成する第１層３５１（共通の第２化合物半導体層３８２）、ダミーダイオード３５０を構成する第２層３５２及び逆方向ダイオード３４０を構成する第１層３４１（共通の第３化合物半導体層３８３）、逆方向ダイオード３４０を構成する第２層３４２は、以下の組成を有する。
【００８５】
2008177429.tif 000005
【００８６】
そして、このような構造にすることで、バイパス・ダイオード３２０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度であり、発光素子３３０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば１０Ω程度、及び、３．０ボルト程度であり、逆方向ダイオード３４０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度である。
【００８７】
実施例３、あるいは、後述する実施例４〜実施例５の発光素子組立体は、各層の積層順やパターニング順が異なるものの、実質的に、実施例２において説明した発光素子組立体の製造方法と同様の方法で製造することができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例４】
【００８８】
実施例４は、本発明の第４の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例４の発光素子組立体の等価回路図を図１０の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図１０の（Ｂ）に示す。
【００８９】
実施例４の発光素子組立体は、本発明の第４の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）基板４１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層４４１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層４４２から構成された逆方向ダイオード４４０、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層４５１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層４５２から構成されたダミーダイオード４５０、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層４２１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層４２２から構成されたバイパス・ダイオード４２０、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層４３１、活性層４３３、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層４３２から構成された発光素子４３０、
が順次積層されて成る。
【００９０】
あるいは又、実施例４の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード４２０、発光素子４３０、及び、逆方向ダイオード４４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード４２０の一端（具体的には、第１層４２１）、発光素子４３０の一端（具体的には、第２層４３２）、及び、逆方向ダイオード４４０の一端（具体的には、第２層４４２）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子４３０の他端（具体的には、第１層４３１）、及び、逆方向ダイオード４４０の他端（具体的には、第１層４４１）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、発光素子４３０、バイパス・ダイオード４２０及び逆方向ダイオード４４０は積層されている。
【００９１】
逆方向ダイオード４４０を構成する第２層４４２と、ダミーダイオード４５０を構成する第１層４５１は、共通の第１化合物半導体層４８１から成る。また、ダミーダイオード４５０を構成する第２層４５２と、バイパス・ダイオード４２０を構成する第１層４２１は、共通の第２化合物半導体層４８２から成る。更には、バイパス・ダイオード４２０を構成する第２層４２２と、発光素子４３０を構成する第１層４３１は、共通の第３化合物半導体層４８３から成る。
【００９２】
実施例４の発光素子組立体において、逆方向ダイオード４４０とバイパス・ダイオード４２０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード４５０が形成されているが、このダミーダイオード４５０は、実施例４の発光素子組立体において、バイパス・ダイオード４２０及び発光素子４３０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。
【００９３】
そして、バイパス・ダイオード４２０を構成する第１層４２１は、第１電極４６１に接続されている。具体的には、第１電極４６１は、バイパス・ダイオード４２０を構成する第１層４２１の露出した一部分の上に形成されている。また、発光素子４３０を構成する第１層４３１、及び、バイパス・ダイオード４２０を構成する第２層４２２（即ち、第３の化合物半導体層４８３）は、第２電極４６２に接続されている。具体的には、第２電極４６２は、発光素子４３０を構成する第１層４３１と、バイパス・ダイオード４２０を構成する第２層４２２とが共通となった第３化合物半導体層４８３の露出した一部分の上に形成されている。更には、発光素子４３０を構成する第２層４３２は、第３電極４６３に接続されている。具体的には、第３電極４６３は、発光素子４３０を構成する第２層４３２の露出した一部分の上に形成されている。また、逆方向ダイオード４４０を構成する第２層４４２は、第４電極４６４に接続されている。具体的には、第４電極４６４は、逆方向ダイオード４４０を構成する第２層４４２の露出した一部分の上に形成されている。更には、逆方向ダイオード４４０を構成する第１層４４１は、第５電極４６５に接続されている。具体的には、第５電極４６５は、逆方向ダイオード４４０を構成する第１層４４１の露出した一部分の上に形成されている。
【００９４】
ここで、第１電極４６１と第３電極４６３、及び、第１電極４６１と第４電極４６４とは、絶縁層４７０上を延びる配線層４６６によって電気的に接続されており、第２電極４６２と第５電極４６５とは、絶縁層４７０上を延びる配線層４６７によって電気的に接続されている。そして、第１電極４６１、第３電極４６３及び第４電極４６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に図示しない配線を介して接続され、第２電極４６２及び第５電極４６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に図示しない配線を介して接続されている。
【００９５】
実施例４における逆方向ダイオード４４０を構成する第１層４４１、逆方向ダイオード４４０を構成する第２層４４２及びダミーダイオード４５０を構成する第１層４５１（共通の第１化合物半導体層４８１）は、以下の組成を有する。また、バイパス・ダイオード４２０を構成する第１層４２１及びダミーダイオード４５０を構成する第２層４５２（共通の第２化合物半導体層４８２）は、以下の組成を有する。更には、バイパス・ダイオード４２０を構成する第２層４２２及び発光素子４３０を構成する第１層４３１（共通の第３化合物半導体層４８３）、発光素子４３０を構成する活性層４３３、発光素子４３０を構成する第２層４３２は、以下の組成を有する。
【００９６】
2008177429.tif 000006
【００９７】
そして、このような構造にすることで、バイパス・ダイオード４２０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度であり、発光素子４３０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば１０Ω程度、及び、３．０ボルト程度であり、逆方向ダイオード４４０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度である。
【実施例５】
【００９８】
実施例５は、本発明の第５の態様及び第６の態様に係る発光素子組立体に関する。実施例５の発光素子組立体の等価回路図を図１１の（Ａ）に示し、模式的な一部端面図を図１１の（Ｂ）に示す。
【００９９】
実施例５の発光素子組立体は、本発明の第５の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、
（Ａ）基板５１０上に形成され、それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層５４１、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層５４２から構成された逆方向ダイオード５４０、
（Ｂ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層５５１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層５５２から構成されたダミーダイオード５５０、
（Ｃ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第１導電型（ｎ型）を有する第１層５３１、活性層５３３、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２層５３２から構成された発光素子５３０、並びに、
（Ｄ）それぞれが化合物半導体から成り、基板側から、第２導電型（ｐ型）を有する第１層５２１、及び、第１導電型（ｎ型）を有する第２層５２２から構成されたバイパス・ダイオード５２０、
が順次積層されて成る。
【０１００】
あるいは又、実施例５の発光素子組立体は、本発明の第６の態様に係る発光素子組立体の表現に沿って説明すると、バイパス・ダイオード５２０、発光素子５３０、及び、逆方向ダイオード５４０が１チップ化されて成り、バイパス・ダイオード５２０の一端（具体的には、第２層５２２）、発光素子５３０の一端（具体的には、第１層５３１）、及び、逆方向ダイオード５４０の一端（具体的には、第２層５４２）は、発光素子駆動電源の第１出力部に接続され、発光素子５３０の他端（具体的には、第２層５３２）、及び、逆方向ダイオード５４０の他端（具体的には、第１層５２１）は、発光素子駆動電源の第２出力部に接続されている。そして、発光素子５３０、バイパス・ダイオード５２０及び逆方向ダイオード５４０は積層されている。
【０１０１】
逆方向ダイオード５４０を構成する第２層５４２と、ダミーダイオード５５０を構成する第１層５５１は、共通の第１化合物半導体層５８１から成る。また、ダミーダイオード５５０を構成する第２層５５２と、発光素子５３０を構成する第１層５３１は、共通の第２化合物半導体層５８２から成る。更には、発光素子５３０を構成する第２層５３２と、バイパス・ダイオード５２０を構成する第１層５２１は、共通の第３化合物半導体層５８３から成る。
【０１０２】
実施例５の発光素子組立体において、逆方向ダイオード５４０と発光素子５３０との間には、本来、機能的には必要とされないダミーダイオード５５０が形成されているが、このダミーダイオード５５０は、実施例５の発光素子組立体において、発光素子５３０及びバイパス・ダイオード５２０を一連の結晶成長の過程で形成するために必要とされるものであり、それ自体の存在が発光素子組立体の動作に何ら影響を与えるものではない。
【０１０３】
そして、バイパス・ダイオード５２０を構成する第２層５２２は、第１電極５６１に接続されている。具体的には、第１電極５６１は、バイパス・ダイオード５２０を構成する第２層５２２の露出した一部分の上に形成されている。また、発光素子５３０を構成する第２層５３２、及び、バイパス・ダイオード５２０を構成する第１層５２１（即ち、第３の化合物半導体層５８３）は、第２電極５６２に接続されている。具体的には、第２電極５６２は、発光素子５３０を構成する第２層５３２と、バイパス・ダイオード５２０を構成する第１層５２１とが共通となった第３化合物半導体層５８３の露出した一部分の上に形成されている。更には、発光素子５３０を構成する第１層５３１は、第３電極５６３に接続されている。具体的には、第３電極５６３は、発光素子５３０を構成する第１層５３１の露出した一部分の上に形成されている。また、逆方向ダイオード５４０を構成する第２層５４２は、第４電極５６４に接続されている。具体的には、第４電極５６４は、逆方向ダイオード５４０を構成する第２層５４２の露出した一部分の上に形成されている。更には、逆方向ダイオード５４０を構成する第１層５４１は、第５電極５６５に接続されている。具体的には、第５電極５６５は、逆方向ダイオード５４０を構成する第１層５４１の露出した一部分の上に形成されている。
【０１０４】
ここで、第１電極５６１と第３電極５６３、及び、第３電極５６３と第４電極５６４とは、絶縁層５７０上を延びる配線層５６６によって電気的に接続されており、第２電極５６２と第５電極５６５とは、絶縁層５７０上を延びる配線層５６７によって電気的に接続されている。そして、第１電極５６１、第３電極５６３及び第４電極５６４は、発光素子駆動電源の第１出力部に図示しない配線を介して接続され、第２電極５６２及び第５電極５６５は、発光素子駆動電源の第２出力部に図示しない配線を介して接続されている。
【０１０５】
実施例５における逆方向ダイオード５４０を構成する第１層５４１、逆方向ダイオード５４０を構成する第２層５４２及びダミーダイオード５５０を構成する第１層５５１（共通の第１化合物半導体層５８１）は、以下の組成を有する。また、発光素子５３０を構成する第１層５３１及びダミーダイオード５５０を構成する第２層５５２（共通の第２化合物半導体層５８２）、発光素子５３０を構成する活性層５３３、発光素子５３０を構成する第２層５３２及びバイパス・ダイオード５２０を構成する第１層５２１（共通の第３化合物半導体層５８３）、バイパス・ダイオード５２０を構成する第２層５２２以下の組成を有する。
【０１０６】
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【０１０７】
そして、このような構造にすることで、バイパス・ダイオード５２０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度であり、発光素子５３０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば１０Ω程度、及び、３．０ボルト程度であり、逆方向ダイオード５４０の電気抵抗値及びターン・オン電圧は、例えば５Ω程度、及び、３．５ボルト程度である。
【０１０８】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した発光素子組立体の構成、構造、発光素子組立体を構成する材料や組成等は例示であり適宜変更することができる。第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型とすることもできる。更には、基板１０として、絶縁性の基板を用いることもできる。実施例１において説明した発光素子組立体において、場合によっては、基板上に発光素子を形成し、発光素子の上にバイパス・ダイオードを形成してもよい。また、実施例２〜実施例５の発光ダイオードにおいては、基板とは逆の方向（発光素子組立体の頂面）から光を出射する形式とすることもできる。
【０１０９】
実施例１において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。
【０１１０】
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【０１１１】
また、実施例２において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。
【０１１２】
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【０１１３】
更には、実施例３において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。
【０１１４】
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【０１１５】
また、実施例４において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。
【０１１６】
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【０１１７】
更には、実施例５において説明した発光素子組立体の構造を、端面から光を出射する端面発光レーザ素子に適用することもできる。この場合に各層の組成を以下に例示する。
【０１１８】
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【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。
【図２】図２は、実施例１の発光素子組立体の模式的な部分的平面図である。
【図３】図３は、実施例１の発光素子組立体を流れる電流を説明するためのグラフである。
【図４】図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、図４の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図７】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例２の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例４の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例５の発光素子組立体の等価回路図、及び、模式的な一部端面図である。
【符号の説明】
【０１２０】
１０，２１０，３１０，４１０，５１０・・・基板、２０，２２０，３２０，４２０，５２０・・・バイパス・ダイオード、２１，２２１，３２１，４２１，５２１・・・バイパス・ダイオードの第１層、２２，２２２，３２２，４２２，５２２・・・バイパス・ダイオードの第２層、２３・・・バイパス・ダイオードの接合層、３０，２３０，３３０，４３０，５３０・・・発光素子、３１，２３１，３３１，４３１，５３１・・・発光素子の第１層、３１Ａ，４１Ａ・・・酸化狭窄層、３１Ｂ，４１Ｂ・・・第１クラッド層、３１Ｃ，４１Ｃ・・・酸化狭窄層の酸化された領域、３２，２３２，３３２，４３２，５３２・・・発光素子の第２層、３２Ａ，４２Ａ・・・第２クラッド層、３２Ｂ，４２Ｂ・・・ＤＢＲ層、３３，２３３，３３３，４３３，５３３・・・発光素子の活性層、４０，２４０，３４０，４４０，５４０・・・逆方向ダイオード、４１，２４１，３４１，４４１，５４１・・・逆方向ダイオードの第１層、４２，２４２，３４２，４４２，５４２・・・逆方向ダイオードの第２層、４３・・・逆方向ダイオードの接合層、５０，２５０，３５０，４５０，５５０・・・ダミーダイオード、５１，２５１，３５１，４５１，５５１・・・ダミーダイオードの第１層、５２，２５２，３５２，４５２，５５２・・・ダミーダイオードの第２層、５３・・・ダミーダイオードの接合層、６１，２６１，３６１，４６１，５６１・・・第１電極、６２，２６２，３６２，４６２，５６２・・・第２電極、６３，２６３，３６３，４６３，５６３・・・第３電極、６４，２６４，３６４，４６４，５６４・・・第４電極、６５，２６５，３６５，４６５，５６５・・・第５電極、６６，６７，２６６，２６７，３６６，３６７，４６６，４６７，５６６，５６７・・・配線層、６８・・・取出し電極、７０，２７０，３７０，４７０，５７０・・・絶縁層、１２１，１２２，１２３，１３１Ｂ，１３２Ａ，１３２Ｂ，１３３・・・化合物半導体層、１３１Ａ・・・酸化狭窄形成層、２８１，３８１，４８１，５８１・・・第１の化合物半導体層、２８２，３８２，４８２，５８２・・・第２の化合物半導体層、２８３，３８３，４８３，５８３・・・第３の化合物半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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