(57)【要約】【課題】本発明は、搬送されてきた基板ホルダーを移動させることなく、基板を受け取り、その場で基板を回転することが可能な基板支持回転装置及び基板支持機構を提供することを目的とする。【解決手段】中空の円柱状部材と、その中空部に第１のバネにより軸方向の一方に付勢して取り付けられ、一端部にテーパー部が形成された中心軸と、円柱状部材の一端面に設けられた径方向に移動する複数の移動部材であって、その外周側には基板の内周端面を支持するツメが設けられ、第２のバネにより中心軸方向に付勢された径方向移動部材と、からなり、中心軸の軸方向運動を径方向移動部材の径方向運動に変換して基板の支持、解放を行う基板支持機構を用いることを特徴とし、さらに、基板支持機構を軸方向移動及び回転させる機構及び中心軸を軸方向に移動させる機構を設けたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気の混入を防止した処理室内で、中心に開口を有する円板状基板の外周端面をツメにより支持する基板ホルダーから基板を受け取り、回転させる基板支持回転装置であって、
中空の円柱状部材と、該円柱状部材の中空部に第１のバネにより軸方向の一方に付勢して取り付けられた軸であって、その一端部には先端側ほど径が増大するテーパー部が形成された中心軸と、前記円柱状部材の前記一端部側の一端面に設けられた径方向に移動する複数の移動部材であって、その外周側には基板の内周端面を支持するツメが設けられ、第２のバネにより前記中心軸方向に付勢された径方向移動部材と、からなり、前記中心軸の軸方向運動を前記径方向移動部材の径方向運動に変換して基板の支持、解放を行う基板支持機構部と、
前記円柱状部材を軸方向に移動させる機構であって、基板の開口内に前記複数の径方向移動部材を前記ツメが少なくとも基板の位置と略同一の位置となるまで進入させる機構と、
前記中心軸を軸方向に移動させる機構と、
前記円柱状部材を、前記ツメが基板を支持した状態で回転させる機構と、
を有し、
前記円柱状部材の他端面を第２の中空円柱状部材の一端面に連結して、処理室の壁に設けられた開口内に配置し、前記第２の円柱状部材の外周面に回転シールを設けるとともに、該回転シールと前記壁とを第１のベローズにより連結し、中空部には前記中心軸を軸方向に移動させる駆動軸が第２の円柱状部材の他端面を突出するように配置され、前記第２の円柱状部材の他端面と前記駆動軸の突出した端面とを第２のベローズで連結したことを特徴とする基板支持回転装置。
【請求項２】
前記第２の中空円柱状部材と、前記基板支持機構部を軸方向に移動させる機構及び回転させる機構並びに前記回転シールとの間に絶縁体を設け、前記第２の中空円柱状部材を介して、回転中に基板にバイアスを印加できる構成としたことを特徴とする請求項１に記載の基板支持回転装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は中心部に開口を有する基板の支持機構及び基板支持回転装置に係り、特に、基板に薄膜形成等の処理を行う真空処理装置に好適に用いられる基板支持機構及び基板支持回転装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクや光ディスク等に代表される記録媒体は、近年記録密度の増加にめざましいものがあるが、さらなる高記録密度化、信頼性向上を目的とした高性能記録媒体の開発並びにその量産化の検討も盛んに行われている。
【０００３】
磁気ディスクは、開口を有するアルミニウム又はガラス製の円板状基板の上に、Ｃｒ等の下地膜、ＣｏＣｒＴａ等の多元系磁性記録膜及びカーボン膜等の保護膜からなる積層構造のものが一般に用いられている。このような積層構造の磁気ディスクは、基板の外周端面をツメ等で支持した基板ホルダーを、加熱室、Ｃｒ用スパッタ室、磁性記録膜用スパッタ室及びプラズマＣＶＤ室へと順次搬送し各成膜室でそれぞれの薄膜を形成することにより、作製される。
【０００４】
各成膜室では、ターゲット又は放電電極に対向する位置に基板ホルダーを設置し、基板を静止した状態で成膜が行われる。また、多元系磁性記録膜の形成には、所定の組成比の合金ターゲットが用いられ、磁気特性の高い薄膜を得る目的で、スパッタ中は、基板にバイアスが印加される。バイアス印加は、保護膜として用いられるダイアモンドライクカーボン膜の場合も不可欠である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上に述べたように、記録密度、信頼性のより優れた磁気ディスクを作製するには、磁性記録膜の磁気特性をさらに向上させるとともに、ディスク面内の膜厚、組成均一性を高めて、保持力等の面内均一性を向上させる必要があるが、上記した従来のスパッタ装置では膜厚、組成均一性をさらに向上させるのは困難である。例えば、膜厚均一性を向上させる方法として、ターゲット裏面に配置するマグネットの配置、形状を調整し、ターゲット表面磁界を適正化する方法等が用いられる。しかしながら、この方法では、膜厚均一性は改善されるものの手間やコストがかかるという問題がある。
【０００６】
また、高特性磁性記録膜を得るには、種々の材料及び構成元素の組成比の検討が必要であるが、これらを従来のスパッタ装置で行うのは実際上容易でない。例えば、組成によってはターゲットの合金化が困難な場合があり、また、合金化が可能な場合であっても、スパッタ装置ごとに、種々の材料、組成のターゲットを作製し、それを用いて成膜条件を最適化して所望の特性が得られるターゲットを決定するという手順を経る必要があるため、これに要する時間及び費用は多大なものとなってしまう。また、膜厚方向に組成比を変化させることにより、保持力の長期的な低下率を抑制する磁性記録膜等も提案されているが、膜組成を厚さ方向に変化させることは、以上の装置構成では不可能である。
【０００７】
そこで、ディスク基板を円盤状の大型基板ホルダーの同一径上に複数個とりつけ、スパッタ装置側も同一径上にターゲットを配置し、基板ホルダーを回転させて各基板がターゲット上を公転して通過するようにして成膜する方法が検討されている。この構成の装置は、構成元素単体のターゲットを用いることができ、各ターゲットに供給するＲＦ電力を調整することにより種々の組成の薄膜が得られるという利点はあるが、各構成元素の層が積層した構造となるため均質な膜を得るには基板ホルダーを極めて高い回転数で回転しなければならないという問題がある。さらに、Ｃｒ下地膜、磁性記録膜、保護膜の一連の成膜を連続して行う場合、同一の基板ホルダーを用いる以上各成膜装置も大型基板ホルダーを回転可能な構造とする必要があるため、ハードディスク製造システム全体としては極めて大型化してしまい、高価格なものとなってしまう。また、基板ホルダーは、付着膜除去のための定期的なブラスト処理を行う必要上、できるだけ簡単な構造で、安価なものが望ましいが、このような構成では構造が複雑、高価な基板ホルダーとなってしまう。
【０００８】
さらに、磁性記録膜、カーボン膜形成時は、上述のように、バイアス印加が不可欠であるが、ガラス基板の場合、基板を把持するツメとガラス基板の接触抵抗は大きく、たとえＣｒ膜が形成されても、ツメとＣｒ膜とは電気的に分離している場合が多いため、磁性記録膜、カーボン膜成膜時に膜形成面に均一なバイアスが印加されず、高性能膜を再現性よく安定して得ることはできないという問題があった。
【０００９】
本発明者は、以上の従来技術の問題点を解決すべく、成膜装置及び基板ホルダーの構造を検討したところ、例えば、磁性記録膜形成用スパッタ装置の場合、図５に示すように、各構成元素のターゲット５５，５５’，５５”を基板１００の周辺に配置し、場合によっては径方向の膜厚分布をさらに改善するための分布修正板をターゲットと基板間に配置し、基板を自転させて成膜することにより、ディスク面内で均一な膜厚及び磁気特性の磁性記録膜が得られることが分かった。また、種々の組成比の磁性薄膜を得ることができ、さらには膜厚方向に組成を変化させた構成の膜を容易に得ることができることが分かった。かかる成膜を行うには、成膜室に搬送された基板ホルダーから基板を受け取り、図５に示すようにターゲットに対向させて基板を回転可能な基板支持回転装置が必須となる。また、成膜装置の大型化を防ぐためには、基板ホルダーから基板支持回転装置への基板の移動のための空間は極力小さくする必要があるため、基板ホルダーを移動させずに基板を移しかえる機構が必要となる。さらには、生産性を高めるため、両面成膜を可能とする支持回転装置が求められる。
【００１０】
そこで、本発明は、搬送されてきた基板ホルダーを移動させることなく、ディスク基板を受け取り、その状態で基板を回転することが可能な基板支持回転装置を提供することを目的とする。また、金属膜の成膜を含む一連の積層膜の形成において、薄膜形成面全体に均一にバイアスを印加することができ、さらには、基板両面への同時成膜を妨害することなく、膜厚均一性の高い薄膜形成が可能なコンパクトな基板支持回転装置を提供することを目的とする。さらにまた、本発明の目的は、かかる基板支持回転装置を実現する上で、強固かつ安全に基板を支持することができるコンパクトな基板支持機構を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の基板支持機構は、中心に開口を有する円板状基板の内周端面を支持する基板支持機構において、中空の円柱状部材と、該円柱状部材の中空部に第１のバネにより軸方向の一方に付勢して取り付けられた軸であって、その一端部には先端側ほど径が増大するテーパー部が形成された中心軸と、前記円柱状部材の前記一端部側の一端面に設けられた径方向に移動する複数の移動部材であって、その外周側には基板の内周端面を支持するツメが設けられ、第２のバネにより前記中心軸方向に付勢された径方向移動部材と、からなり、前記中心軸の軸方向運動を前記径方向移動部材の径方向運動に変換して基板の支持、解放を行うことを特徴とする。このように、所望の強さのバネにより基板の内周端面を外側に押しつけて基板を支持する構成をとっているため、基板を確実に支持することができ、基板を回転する場合にも基板がブレたり、ずれたりすることがない。しかも、中心軸の軸方向運動を径方向に変換して基板の支持、解放を行うため、基板支持機構全体を小型化することが可能となる。
【００１２】
本発明の基板支持回転装置は、大気の混入を防止した処理室内で、中心に開口を有する円板状基板の外周端面をツメにより支持する基板ホルダーから基板を受け取り、回転させる基板支持回転装置であって、中空の円柱状部材と、該円柱状部材の中空部に第１のバネにより軸方向の一方に付勢して取り付けられた軸であって、その一端部には先端側ほど径が増大するテーパー部が形成された中心軸と、前記円柱状部材の前記一端部側の一端面に設けられた径方向に移動する複数の移動部材であって、その外周側には基板の内周端面を支持するツメが設けられ、第２のバネにより前記中心軸方向に付勢された径方向移動部材と、からなり、前記中心軸の軸方向運動を前記径方向移動部材の径方向運動に変換して基板の支持、解放を行う基板支持機構部と、前記円柱状部材を軸方向に移動させる機構であって、基板の開口内に前記複数の径方向移動部材を前記ツメが少なくとも基板の位置と略同一の位置となるまで進入させる機構と、前記中心軸を軸方向に移動させる機構と、前記円柱状部材を、前記ツメが基板を支持した状態で回転させる機構と、を有することを特徴とする。
【００１３】
かかる構成とすることにより、基板ホルダー自体は静止させ、基板のみを回転させるため、回転装置の構造が簡単かつ小型なものとなる。また、基板の開口部に基板支持部を挿入し、基板ホルダーに支持された位置で基板を受け渡し、その位置で基板を回転するため、基板受け渡しに必要なスペースを特に考慮する必要はなく、基板ホルダーやシールド等の処理装置構成物と干渉することがない。この結果、処理装置の小型化も達成することができる。さらに、例えば、基板の表裏側にターゲットを配置する両面同時スパッタ等にも対応することができる。
【００１４】
さらに、前記円柱状部材の他端面を第２の中空円柱状部材の一端面に連結して、処理室の壁に設けられた開口内に配置し、前記第２の円柱状部材の外周面に回転シールを設けるとともに、該回転シールと前記壁とを第１のベローズにより連結し、中空部には前記中心軸を軸方向に移動させる駆動軸が第２の円柱状部材の他端面を突出するように配置され、前記第２の円柱状部材の他端面と前記駆動軸の突出した端面とを第２のベローズで連結したことを特徴とする。このように構成することにより、高真空処理装置等であっても、内部の気密を確実に保たちながら基板の支持、回転を行うことができ、種々の高性能薄膜の作製が可能となる。
【００１５】
また、前記第２の中空円柱状部材と、前記基板支持機構部を軸方向に移動させる機構及び回転させる機構並びに前記回転シールとの間に絶縁体を設け、前記第２の中空円柱状部材を介して、回転中に基板にバイアスを印加できる構成とするのが好ましい。上述したように、基板が処理室に搬入された際に、基板内周端面を支持し直すため、前工程で導電性膜が形成されていると、該導電膜と基板支持部のツメとの導通が確保され、基板の薄膜形成面全体に均一なバイアスを印加することができ、より高性能薄膜を安定して作製することが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、基板を確実に支持し、基板を回転する場合にも基板がブレたり、ずれたりすることがなく、しかも、小型化が可能な基板支持機構を実現することが可能となる。また、基板ホルダー自体は静止し基板のみを回転させる構成とした結果、構造が簡単かつ小型な基板回転装置を提供することが可能となり、両面同時成膜にも対応できる基板回転装置を実現することができる。さらに、基板ホルダー自体も簡単な構造となり、その搬送機構も簡略化できる。本発明は、磁気ディスク、光ディスク等の高性能化と製造システム全体の小型化に、特に、貢献するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、本発明の基板支持回転装置の一構成例であり、真空室の側壁２０に基板支持回転装置を取り付けた状態を示す概略断面図である。
【００１８】
基板支持回転装置は、基板を支持する基板支持機構１と、回転及び軸方向に移動可能な円柱状部材（第２の中空円柱状部材）２と、基板の支持、解放を行う軸方向に移動可能な駆動軸３と、からなり、真空室内の気密を保ちながら、円柱状部材２及び駆動軸３の軸方向運動を可能とするために第１のベローズ４及び第２のベローズ５が設けられ、円柱状部材２を回転可能とするために磁性流体シール６が設けられている。なお、１６はｏ−リングである。
【００１９】
円柱状部材２の外周には、ギア１０が取り付けられており、モータ１９の回転がスプライン軸１２、ギア１１、ギア１０を介して、円柱状部材２に伝達される。なお、ギア１０には、樹脂製の絶縁材が用いられ、円柱状部材２とモータ１９との電気的絶縁が確保されている。また、円柱状部材２は、支持板９に固定されたエアシリンダ１７の軸１３により軸方向に移動することができる。図の例では、ギア１０，１１も円柱状部材２に伴って軸方向運動し、円柱状部材２の軸方向運動により、ベローズ４は伸縮する。なお、円柱状部材２と磁性流体シール６の間には、絶縁体（セラミック製）７が配置され、またセラミック製の部材８とともに円柱状部材と磁性流体シール６及びエアシリンダ１７との間の絶縁が確保されている。このように絶縁材を配置することにより、円柱状部材２に電圧を印加することができ、これと導通する基板支持機構を介して基板成膜面に均一にバイアスを印加することが可能となる。バイアス電圧は、例えば、ＲＦ又は直流電源を用い、ベアリング１５を介して印加すればよい。
【００２０】
駆動軸３は、エアシリンダ１８の軸１４の前進により移動し、後述するように、駆動軸３の軸方向運動により、基板の支持、解放が行われる。駆動軸３とシリンダ軸１４は、円柱状部材２の回転時には離間する。また、駆動軸３の軸方向運動に伴い、ベローズ５は伸縮する。以上の各構成部材は、側板２１、２２に接続された支柱、ガイド等（不図示）によっても支持されている。
【００２１】
次に、基板支持機構１を図２を用いて説明する。図２（ａ）は、基板１００を支持している状態を示す概略断面図、（ｂ）はＡ−Ａ矢視図、（ｃ）は基板支持する前（又は後）の状態を示す断面図である。基板支持機構１は、中空の円柱状部材３０と、これを嵌通する中心軸３１と、円柱状部材３０の一端面に設けられた径方向移動部材３４と、からなり、円柱状部材３０の他端面が第２の円柱状部材２の一端面にボルト４３により固定されている。
【００２２】
径方向移動部材３４は、上下にくり抜かれた長円柱状空間が形成された直方体状のブロックであり、その一端には基板内周端面を支持するＶ溝形状のツメ３７が設けられている。円柱状部材３０に固定されたピン３５を上記長円柱状空間部にはめ込み、ブロックを中心軸３１方向に付勢するように、バネ３６が該空間内に挿入されている。このようにして、複数個（図の例では３個）の径方向移動部材が取り付けられる。また、該部材３４の回転を防止し、径方向の往復運動のみを行わせるために、ガイド３８が設けられ、ネジ４０により円柱状部材３０に固定されている。さらに、滑らかな往復運動を確保するために、ガイド３８には潤滑性の高い樹脂、部材３４には銅が好適に用いられる。
【００２３】
中心軸３１の一端部には、先端に向かって断面径が増加するテーパー部３３を有するブロック３２がネジ３９により固定され、全体が圧縮バネ４１により円柱状部材２側に付勢されている。ブロック３２が押し込まれた状態では、ブロック３２のテーパー部３３により、径方向移動部材３４は外周方向に押し出されており、先端部のＶ溝ツメ部３７が基板内周端面に当接して基板を支持することになる。逆に、基板を解放する場合は、エアシリンダ１８を駆動し、駆動軸３を前進させ、圧縮バネ４１の力に抗して中心軸３１を押しつける。これにより、図２（ｃ）に示すように、ブロック３２も移動し、テーパー部３３により外周側に押し出されていた径方向移動部材３４はバネ３６の力により中心軸側に移動して、基板内周端面とツメ３７が離間して、基板の支持が解放される。
【００２４】
以上のように構成すると、中心軸３１の軸方向運動は、テーパー部の作用により径方向移動部材３４の往復運動に変換され、これにより基板の支持、解放が行われることになる。
【００２５】
次に、基板ホルダーから基板を受け取り、基板回転させながら所望の処理を行い、その後再び基板ホルダーに戻す一連の動作を図３を用いて説明する。図３（ａ）〜（ｉ）の各図において、右側の図は基板ホルダー５０と基板１００とを示す側面図、左側の図は基板支持機構１と基板との位置関係を示す側面断面図である。基板ホルダー５０は、基板を囲む外枠５１と、これに取り付けられた２本のアーム５２とからなり、アームの先端部には、Ｖ溝形状を有する２つのツメ５３が取り付けられている。アーム５２は例えば板バネ等の弾性部材から構成され、ツメ５３が基板外周端面を押さえる方向に力が加えられている。基板ホルダーは基板外周端面をツメ５３で支持し、この状態で各処理装置間を搬送される。
【００２６】
図３（ａ）は、例えば、Ｃｒ下地膜が形成された後、磁性記録膜用スパッタ室に基板ホルダーが搬入されてきた状態を示すものであり、図５に示すターゲットと基板支持回転装置との間に設けられた基板ホルダー支持台（不図示）に載置されている。この時点では、基板支持装置は、エアシリンダ１８が駆動されて駆動軸３が前進し、中心軸３１及びブロック３２は左方（図１の矢印Ａ方向）に押しつけられた状態、すなわち、径方向移動部材３４が中心軸方向に退避した状態にある。
【００２７】
次に、エアシリンダ１７を駆動すると、円柱状部材２が前進し、基板支持機構１の先端部が基板の開口部に挿入され、ツメ３７のＶ溝中心部と基板１００とが同じ位置となる位置で前進を停止する（ｂ）。続いて、エアシリンダ１８の駆動を停止する。駆動軸３は後退し駆動軸３と中心軸３１端面とが離間すると、圧縮バネ４１の力によりブロック３２は後退し、これに伴い径方向移動部材３４が外側に押し出され、ディスク内周端面を支持することになる（ｃ）。ここで、ツメ３７はＣｒ形成部を把持することになるので、基板面とツメとの導通が確保される。
【００２８】
次に、基板ホルダーの基板支持解放機構５４を動作させ、基板ホルダーの２つのアーム５２を外側に広げて、ツメ５３と基板外周端面とを離間させ、基板ホルダーによる基板支持を解放する（ｄ）。モーター１９を駆動し、円柱状部材２を回転させて、所望の回転数で基板を回転させる。この状態で、ガスを導入し、電力を各カソードに供給してプラズマを発生させ、Ｃｒ下地膜上に磁性記録膜を形成する。成膜中、同時にベアリング１５に直流又はＲＦ電圧を印加し基板にバイアスを印加することにより、基板の薄膜形成面に一様なバイアスを印加することができる（ｅ）。
【００２９】
成膜終了後、カソードへの電力の供給を停止するとともに、モータの駆動を停止し、基板回転を停止する（ｆ）。続いて、基板ホルダーの基板支持解放機構５４を後退させて、基板ホルダーのツメ５３により再び基板の外周端面を支持する（ｇ）。その後、シリンダ１８を駆動し、ブロック３２を左方に押しつけて、径方向移動部材３４を中心方向に退避させ、ツメ３７と基板内周を離間させて基板支持を解放する（ｈ）。さらに、円柱状部材２を後退させ、ブロック３２を基板の開口内から退避させる（ｉ）。
【００３０】
以上で、基板支持回転装置にかかる基板支持、解放及び回転の一連の工程を終了し、処理済みの基板を支持する基板ホルダーは次の工程の処理室へ搬出される。一方、未処理基板を支持する基板ホルダーがスパッタ室に搬入され、同様の手順で、処理が行われる。
【００３１】
以上は、片面成膜の場合について述べたが、さらにもう一組のターゲットを円柱状部材２を囲むように側壁２０に配置し、２つの側壁に取り付けられたカソードのそれぞれに電力を供給して、それぞれプラズマを発生させることにより、表裏両面の同時スパッタも可能である。
【００３２】
図１の構成の基板支持回転装置は、中心軸３１を第２の円柱状部材の方向に付勢するように圧縮バネ４１を配置したが、逆方向に付勢するように配置してもよい。この場合は、図４に示すように、基板支持機構側の駆動軸３及びこの軸を軸方向移動させるシリンダ１８は、ブロック３２の中心軸３１とは反対側に配置される。図４（ａ），（ｂ）に示すように、通常、ブロック３２はバネにより外側に押し出され、径方向移動部材３４は中心方向に撤退した状態にある。従って、基板を支持するためには、図４（ｃ）に示すように、駆動軸３によりブロック３２を押しつければよい。この場合は、基板回転とともに駆動軸３も同時に回転する。なお、駆動軸３は、図５に示す３つのカソードの中心位置から進入させればよい。
【００３３】
以上は、基板支持回転装置を水平に配置する構成例であるが、垂直に配置してもよいことはいうまでもない。また、主にスパッタ装置に用いられる基板支持回転装置について説明してきたが、本発明はこれらに限定するものではなく、プラズマＣＶＤ装置やドライエッチング装置等の成膜装置、処理装置に好適に適用でき、さらに、例えば、加熱、冷却プロセス時の基板回転等にも用いられ、これにより基板面内の温度均一性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の基板支持回転装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の基板支持機構の一例を示す概略図である。
【図３】基板支持回転機装置の動作を説明する概略図である。
【図４】本発明の基板支持回転装置の他の例を示す概略図である。
【図５】本発明の基板支持回転装置が好適に適用されるスパッタ装置のターゲット配置例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  基板支持機構、
２  第２の円柱状部材、
３  駆動軸、
４、５  ベローズ、
６  磁性流体シール、
７，８  絶縁体、
１０，１１  ギア、
１２  スプライン軸、
１７，１８  エアシリンダ、
１９  モータ、
３０  円柱状部材、
３１  中心軸、
３２  ブロック、
３３  テーパー部、
３４  径方向移動部材、
３５  ピン、
３６  バネ、
３７  ツメ、
３８  ガイド、
４１  圧縮バネ、
５０  基板ホルダー、
５１  外枠、
５２  アーム、
５３  ツメ、
５４  基板支持解放機構、
５５，５５’，５５”  ターゲット、
５６  カソード、
１００  ディスク基板。
【図１】
2008202145.tif 000003
【図２】
2008202145.tif 000004
【図３】
2008202145.tif 000005
【図４】
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【図５】
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