(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザー光により捺印加工された硬化樹脂面に対して貼合した場合において、捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離することなく、捺印加工の視認性悪化を生じることのない半導体デバイス加工用粘着テープを提供する。【解決手段】レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層１４に対して貼着されてダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム１１上に粘着剤層１２を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記粘着剤層１２が非粘着化された部分３と粘着性を有する部分２とからなり、前記非粘着化された部分３が半導体デバイスの捺印加工部分５に貼着される部分であり、前記粘着性を有する部分２が半導体デバイスの捺印加工部分以外に貼着される部分である半導体デバイス加工用粘着テープ。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着されてダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記粘着剤層が非粘着化された部分と粘着性を有する部分とからなり、前記非粘着化された部分が半導体デバイスの捺印部分に貼着される部分であり、前記粘着性を有する部分が半導体デバイスの捺印加工部分以外に貼着される部分であることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記粘着剤層の非粘着化された部分のみが表面に離型剤が塗布されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記粘着剤層が放射線硬化性樹脂で構成され、かつ、半導体デバイスへ貼着される前に、前記粘着剤層において半導体デバイスの捺印部分に貼着される部分のみが放射線硬化処理され非粘着化されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスを製造する工程において使用する粘着テープに関する。さらに詳しくいえば、例えば、レーザー光による捺印加工が施された硬化樹脂層を有する半導体デバイスを一つ一つの素子に個片化し、素子として分割するに際し、半導体デバイスを支持・固定するのに使用する半導体デバイス固定用の粘着テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
回路パターンの形成された半導体ウエハをチップ状に分離する、いわゆるダイシング加工を行う際は、ウエハの固定に放射線硬化性粘着テープを用いるピックアップ方式が提案されている。半導体チップはマウント工程に移されるまでに径状の半導体ウエハを粘着テープに貼着、固定した状態でチップ状にダイシングされ、洗浄、乾燥後、ピックアップの工程を経た後、硬化樹脂による封止によりパッケージ化される。
【０００３】
従来、レジン封止に際しては個々の半導体チップを別個に封止する方法が用いられてきたが、近年、一枚の基板上にボンディングされた複数の半導体チップを硬化樹脂で一括封止したものを更にダイシングして個々の半導体素子を得る方式も盛んに行われている。
また、近年、半導体素子の小型化の一形態としてパターン回路面側にバンプと呼ばれる電極を有するフリップチップ方式のパッケージの製造が各社で行われている。このようなフリップチップ方式の場合、半導体素子を保護することを目的として裏面側に硬化樹脂層からなる保護膜を設けるという方式がしばしば用いられている。
【０００４】
前記の一括封止方式における硬化樹脂からなる封止樹脂層およびフリップチップ方式の裏面側に設けられる硬化樹脂からなる保護膜に対して、製品ロット番号やメーカーのロゴマーク等の捺印加工が為されることが一般的となっているが、近年、捺印加工の方式としてレーザー光による加工が多く用いられている。この方法は封止樹脂層の表面にレーザー光によりわずかな溝を形成し、さらにその溝の表面に、レーザー光のエネルギーによって変性・発色した封止樹脂からなる微量の灰もしくは屑（以後、レーザーアッシュと呼ぶ）を堆積させることにより印字する方式である。ところが、従来のダイシング用粘着テープは、一般に前記樹脂面に貼着される為、ダイシング後、半導体デバイスをピックアップする際、該捺印加工部における微量のレーザーアッシュがダイシングテープの粘着剤層に付着することにより封止樹脂表面より剥がれ、その結果、封止樹脂上の捺印加工の視認性が悪化するという問題があった。
【０００５】
レーザー光による捺印加工を施された硬化樹脂面に貼着されるダイシングテープに関する技術としては、ダイシングテープの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤を用い、且つ該粘着剤層のエネルギー線硬化前の温度２５℃における貯蔵弾性率が、１．０×１０５Ｐａ以上であることを特徴とするダイシングテープ（例えば特許文献１参照）が開示されている。しかしながら、前記ダイシングテープは、硬化樹脂面の捺印加工部への糊残りを抑制するものであって、レーザーアッシュのダイシングテープ粘着剤層への付着によるレーザーアッシュの半導体デバイス表面からの剥離に起因する捺印加工部の視認性悪化の改善を目的とするものでない。
【特許文献１】特開２００５−２７７２９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂面に対して貼合した場合において、捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離することなく、捺印加工の視認性悪化を生じることのない半導体デバイス加工用粘着テープを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着され、ダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体デバイス加工用テープであって、半導体デバイス加工用テープの粘着剤層上における半導体デバイスの捺印加工部分に貼着される部分において特異的に粘着性を有さず、かつ半導体デバイス加工用テープの粘着剤層上における半導体デバイスの捺印加工部分以外に貼着される部分においてはダイシング中に半導体デバイスの飛散を抑制するのに十分な粘着性を有することにより、捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離することなく、捺印加工の視認性悪化を生じなくさせることができることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
【０００８】
すなわち本発明は、
（１）レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着されてダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記粘着剤層が非粘着化された部分と粘着性を有する部分とからなり、前記非粘着化された部分が半導体デバイスの捺印加工部分に貼着される部分であり、前記粘着性を有する部分が半導体デバイスの捺印部分以外に貼着される部分であることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ、
（２）前記粘着剤層の非粘着化された部分のみが表面に離型剤が塗布されてなることを特徴とする（１）項に記載の半導体デバイス加工用粘着テープ、および、
（３）前記半導体デバイス加工用テープの粘着剤層が放射線硬化性樹脂で構成され、かつ、前記粘着剤層において、半導体デバイスへ貼着される前に前記非粘着化された部分のみが放射線硬化処理されてなることを特徴とする（１）項に記載の半導体デバイス加工用テープ、
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体デバイス加工用粘着テープによれば、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層を有する半導体デバイスをダイシングするに際し、捺印加工された硬化樹脂面に対して貼合した場合において、ダイシング時のチップ飛びを抑制し得ると共に、ダイシング後に個片化された半導体デバイスをピックアップする際、捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離することなく、捺印加工の視認性悪化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施態様を図面を参照して説明する。
図１は本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの一例を示す断面図である。
本発明の半導体デバイス固定用粘着テープは、基材フィルム１と、その上に設けられた粘着性を有する粘着剤層２および少なくとも表面が非粘着性の非粘着性層３を有する構造の粘着テープである。本発明の粘着テープは、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着され、ダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられるものであって、粘着剤層のうち、半導体デバイスの捺印（以下「レーザーマーク」ともいう）部分に貼着される部分が非粘着性層３であり、かつ粘着剤層上における捺印加工部分以外の半導体デバイスに貼着される部分は粘着性を有する粘着剤層２である。
【００１１】
図２は、半導体デバイスに貼合された状態の図１に示すテープの断面図である。ここで、半導体デバイスの表面には硬化樹脂層４が設けられており、かつ、硬化樹脂層４の表面がレーザー光により捺印され、該捺印加工部分にレーザーアッシュ５が堆積されている。
【００１２】
前記基材フィルム１としては、特に制限されるものでなく、従来公知の基材フィルムの中から適宜選択して用いることができるが、粘着剤層２、又は非粘着性層３の調製に用いられる粘着剤として放射線硬化性樹脂を用い、且つ該放射線として紫外線を用いる場合には基材フィルムは光透過性であることが必要とされる。放射線として電子線を用いる場合には基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。使用する基材としてはポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。またこれらの群から選ばれる２種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層との接着性によって任意に選択することができる。基材フィルムの厚さは、特に制限するものではないが、好ましくは１０〜５００μｍであり、より好ましくは４０〜４００μｍ、特に好ましくは７０〜２５０μｍである。
【００１３】
本発明の粘着性を有する粘着剤層２を構成する粘着剤としては特に制限はなく、従来公知の粘着剤の中から適宜選択して用いることができる。例えば天然ゴムや合成ゴム等を用いたゴム系粘着剤、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステルや（メタ）アクリル酸アルキルエステルと他のモノマーとの共重合体等を用いたアクリル系粘着剤、その他ポリウレタン系粘着剤やポリエステル系粘着剤やポリカーボネート系粘着剤などの適宜な粘着剤を用いることができ、紫外線等のエネルギー線で硬化処理するようにしたものなどであってもよい。
【００１４】
本発明における粘着剤層２は紫外線等のエネルギー線で硬化処理するようにしたものなどであってもよく、放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いる他、一般的な粘着剤に放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の放射線硬化樹脂を配合した放射線硬化性粘着剤を例示できる。粘着剤層２に用いる紫外線硬化型樹脂は特に限定されるものではないが、例として、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、（メタ）アクリル酸オリゴマーおよびイタコン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基などの官能基を有するオリゴマーを挙げることができる。
【００１５】
本発明の粘着テープを紫外線照射によって硬化させる場合には、光重合開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフエノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタノール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン、２−ヒドロキシメチルフエニルプロパン等をあげることができる。これらの内の少なくとも１種を放射線重合性粘着剤中に添加することによって、粘着剤層２の硬化反応を効率良く進行させることができ、それによって素子固定粘着力を適度に低下させることができる。
光重合開始剤の添加量は、前記放射線重合性化合物１００質量部に対して０．５〜１０質量部とするのが良い。
【００１６】
さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００１７】
本発明のテープにおける粘着剤層２の粘着性は、粘着材料の架橋密度を制御することにより適宜制御可能である。粘着材料の架橋密度の制御は、例えば多官能イソシアネート系化合物やエポキシ系化合物、メラミン系化合物や金属塩系化合物、金属キレート系化合物やアミノ樹脂系化合物や過酸化物などの適宜な架橋剤を介して架橋処理する方式、炭素・炭素二重結合を２個以上有する化合物を混合し、エネルギー線の照射等により架橋処理する方式などの適宜な方式で行うことができる。
半導体デバイス加工用テープの粘着剤層上における半導体デバイスの捺印加工部分以外に貼着される部分の粘着剤層２はダイシング中に半導体デバイスの飛散を抑制するのに十分な粘着性を有するものである。粘着剤層２の粘着力は０．１〜１．０Ｎ／ｍｍであることが好ましい。
【００１８】
粘着剤層２の厚さは特に制限されるものではないが、通常３〜８０μｍ、より好ましくは５〜５０μｍ程度である。粘着剤層２の厚さが薄すぎると半導体デバイスの保持に十分な粘着力を得ることができず、また、粘着剤層２の厚さが厚すぎると半導体デバイスの切断面の品質悪化、半導体デバイス側面への糊残りといった問題が生じる。
【００１９】
次に、非粘着性層３について説明する。非粘着性層３を非粘着化させる方法は特に制限されるものではなく、例えば、スプレーガン等によるパターンコーティングによって、非粘着性層３の部分にのみ非粘着性樹脂を用いる方法、上記粘着剤層２を構成する粘着剤と同様な粘着剤の表面に離型剤を塗布する方法、または、粘着剤であって、かつ、放射線硬化性である、樹脂で構成し、半導体デバイスへ貼着される前に非粘着性とする部分のみに放射線硬化処理する方法等が挙げられる。本発明に用いられる非粘着性樹脂としては特に制限はなく、従来公知の樹脂の中から適宜選択し、樹脂の架橋密度を制御することにより粘着性を消失せし得ることができる。前記、従来公知の樹脂としては例えば天然ゴムや合成ゴム等を用いたゴム系粘着剤、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステルや（メタ）アクリル酸アルキルエステルと他のモノマーとの共重合体等を用いたアクリル系樹脂、その他ポリウレタン系樹脂やポリエステル系樹脂やポリカーボネート系樹脂などが挙げられる。本発明に用いられる離型剤としては特に制限されるものではなく、例えばフッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。
非粘着性層３は、アッシュを付着させない程度に粘着性が十分低ければよく、その粘着力は０．０４Ｎ／ｍｍ以下であることが好ましい。
非粘着性層３の厚さは特に制限されるものではないが、上記の粘着剤層２の厚さと同程度であることが好ましく、通常３〜８０μｍ、より好ましくは５〜５０μｍ程度である。
【００２０】
また、硬化樹脂層４に用いられる樹脂については特に限定は無く、従来、半導体デバイスに用いられている樹脂を適宜選択して使用することができる。また、捺印加工に用いるレーザーマーキング装置並びにレーザー光についても特に限定はなく、硬化樹脂層４にレーザーアッシュ５を堆積できるものであれば、従来、半導体の捺印加工に用いられる装置及びレーザー光から適宜選択して用いることができる。
なお、非粘着性層３がテープの表面における範囲は、半導体デバイスにおけるレーザーアッシュ５を有する捺印加工部分の形状と完全に一致する必要はなく、貼合の際、本発明の目的が実現できる範囲で、捺印加工全体を覆うことができればよい。
【００２１】
また、本発明に用いられる半導体デバイスは、表面にレーザー光により捺印加工された硬化樹脂層を有するものであれば特に限定されるものではない。例えば、どちらか一方の面に硬化樹脂層からなる保護膜が設けられており、硬化樹脂層の表面がレーザー光により捺印加工されたウエハ、および、一枚の基板上に設置された複数の半導体チップを硬化樹脂で一括封止されたものであって、硬化樹脂層の表面がレーザー光により捺印加工されたものなどが挙げられる。
【００２２】
図３は、本発明の粘着テープの別の例を粘着剤層２，非粘着性層３側から見た平面図である。図３では、粘着性を有する粘着剤層２と明瞭に区別するため、非粘着化された非粘着性層３を斜線によって示した。また、硬化樹脂面が貼合される領域６を点線で囲んで示した。この態様では、領域６内に非粘着化された非粘着性層３が３×６箇所設けられ、それがさらに連続して３領域設けられている。
【００２３】
次に、本発明の粘着テープの適用工程を従来のダイシング用粘着テープと比較して説明する。
図４は従来のダイシング用粘着テープの適用工程を断面により示す説明図である。図４（ａ）は、半導体デバイスに貼付前の従来のダイシング用粘着テープを示すもので、ダイシング用粘着テープは基材フィルム１１上に、粘着剤層１２が形成されてなるものである。一方、半導体デバイスの硬化樹脂層１４の表面にはレーザー光により、捺印加工され、レーザーアッシュ１５が堆積されている。次いで、図４（ｂ）に示すように半導体デバイスにダイシング用粘着テープを貼着し、（ｃ）示すようにダイシング用粘着テープを剥離すると、レーザーアッシュ１５は、基材フィルム１１上の粘着剤層１２に付着する。
【００２４】
従来のダイシング用粘着テープ剥離後のレーザーマークの一例を図５に示す。ここでは、硬化樹脂層１４の表面に「ＡＢＣ」の文字のレーザーマーク１８が形成されている平面図を示すものである。上記のようにレーザーアッシュ１５が粘着テープの粘着剤層１２に付着し、硬化樹脂層１４から取り除かれたため、図５に示すように、レーザーマーク１８は視認しにくいものとなっている。
【００２５】
これに対し、図６は本発明のダイシングテープの適用工程を断面で示す説明図であり、図６（ａ）は、半導体デバイスに貼付前の本発明のダイシングテープの一例を示すもので、ダイシングテープは基材フィルム１上に、粘着性を有する粘着剤層２と非粘着化された非粘着性層３が形成されてなるものである。一方、半導体デバイスの硬化樹脂層４の表面にはレーザー光により、捺印加工され、レーザーアッシュ５が堆積されている。これを図６（ｂ）に示すように半導体デバイスにダイシングテープを貼着し、図６（ｃ）示すようにダイシングテープを剥離すると、レーザーアッシュ５は、基材フィルムの非粘着性層３には付着せず、硬化樹脂層４側に残ったままとなる。このため、例えば、図５に示すものと同様なレーザーマークを設けた場合、本発明のテープ剥離後は、図７に示すようにレーザーマーク７は硬化性樹脂層４上で明確に視認できるものとなっている。
【実施例】
【００２６】
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００２７】
使用した粘着剤の種類を以下に示す。
粘着剤組成物（Ａ）
２−エチルヘキシルアクリレート（７５ｍｏｌ％）、メタクリル酸（１ｍｏｌ％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２４ｍｏｌ％）の共重合体に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を得た。この化合物１００質量部に対して、ポリイソシアネートとして日本ポリウレンタン社製：コロネートＬを０．５質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製：イルガキュアー１８４を０．５質量部加えて合し、放射線硬化性粘着剤組成物（Ａ）を調製した。
【００２８】
粘着剤組成物（Ｂ）
上記粘着剤組成物（Ａ）の調製において、ポリイソシアネートとして用いたコロネートＬの配合量を１０．０質量部とした以外は同様にして粘着剤組成物（Ｂ）を調製した。
【００２９】
（実施例１）
粘着剤層中の、半導体デバイスの捺印加工部分の硬化樹脂面に貼着される部分に粘着剤組成物（Ｂ）、前記捺印加工部以外の硬化樹脂面に貼着される部分に粘着剤組成物（Ａ）を、それぞれ厚さ１５０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が２０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥し、半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
【００３０】
（実施例２）
粘着剤組成物（Ａ）を、厚さ１５０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が２０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した後、粘着剤層中の半導体デバイスの捺印加工部分の硬化樹脂面に貼着される部分にカルナバワックスを塗布することにより半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
【００３１】
（実施例３）
粘着剤組成物（Ａ）を、厚さ１５０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が２０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した後、遮光板を利用し、粘着剤層中の半導体デバイスの捺印加工部分の硬化樹脂面に貼着される部分にのみ硬化反応に十分な量の紫外線（５００ｍＪ／ｃｍ２）を照射することにより半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
【００３２】
（比較例１）
粘着剤組成物（Ａ）を、厚さ１５０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が２０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥することにより半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
【００３３】
（比較例２）
粘着剤組成物（Ｂ）を、厚さ１５０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が２０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥することにより半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
【００３４】
実施例１〜３および比較例１〜２で得られた粘着テープについて、以下の手順に従って試験を行い、性能の評価試験を行った。
【００３５】
（評価試験）
＜試験工程＞
（１）６×６ｃｍの基板上に設置された２５個の半導体チップを、硬化樹脂（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−７７００）で一括封止した半導体デバイスの硬化樹脂表面にレーザーマーキング装置（キーエンス社製レーザーマーカＭＤ−Ｈ９８００）を用いてレーザー光（ＹＡＧレーザー）により印字を行った。印字はレーザー光によって直径５０μｍ×深さ１５μｍのドットを連続で形成することによって行った。
【００３６】
（２）各例で得られた粘着テープを、前記（１）で得られた板状硬化樹脂のレーザー光で印字された面に、粘着剤層を介して貼着すると共に、リングフレームに固定した。この際、実施例１〜３についてはそれぞれ非粘着化処理された部分が、前記板状硬化樹脂の捺印加工部と接するように粘着テープの貼着を行った。
【００３７】
（３）板状硬化樹脂を、ダイシング装置（ディスコ社製ＤＡＤ３４０）を用いることにより設定した分割予定ラインに沿って４×４ｍｍ角にフルカットした。ダイシングの条件は、下記の通りである。
ダイシングブレード：ディスコ社ＮＢＣ−ＺＢ１０１０Ｓ３
ブレード送り速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
粘着テープへの切り込み量：１００μｍ
この際のチップ飛びを下記の要領に従って評価した。
【００３８】
（４）粘着テープの基材フィルム側から、紫外線を５００ｍＪ／ｍｍ２照射して粘着剤層を硬化させた後、個片化した板状硬化樹脂をピックアップした。個片化された硬化樹脂表面の捺印加工部における捺印加工部の視認性を、および該捺印加工部におけるレーザーアッシュの剥離を下記の要領にしたがって評価した。
【００３９】
＜チップ飛び＞
ダイシング時において、実際のチップおよび端材チップ飛びがまったく見られなかったものを○とし、チップ飛びが発生したものを×とした。
＜捺印視認性＞
ピックアップした半導体デバイスにおける捺印の視認性が、ダイシングテープ貼合前のものと比較して目視で悪化しなかったものを○とし、視認性が悪化したものを×とした。
＜レーザーアッシュ剥離＞
半導体デバイスを剥離したダイシングテープの粘着剤表面における、半導体デバイスの捺印加工部分が貼着されていた部分を顕微鏡で観察した際、粘着剤表面にレーザーアッシュが付着していないものを○、付着しているものを×とした。
【００４０】
【表１】
2008021669.tif 000003
【００４１】
表１に示すように、比較例１では、ピックアップした半導体デバイスにおける捺印加工の視認性が悪化し、また、剥離したダイシングテープの粘着剤表面にレーザーアッシュが付着していた。また、比較例２では、チップ飛びが発生した。これに対し、実施例１〜３は、いずれもチップ飛びは発生せず、捺印加工視認性に優れ、さらに剥離したダイシングテープの粘着剤表面にレーザーアッシュが付着していなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの一例の断面図である。
【図２】半導体デバイスに貼着された本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの一例の断面図である。
【図３】本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの一例を粘着剤側から見た平面図である。
【図４】従来のダイシング用粘着テープの適用工程を断面により示す説明図である。
【図５】従来のダイシング用粘着テープ剥離後のレーザーマークの一例を示す平面図である。
【図６】本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの適用工程を断面により示す説明図である。
【図７】本発明の半導体デバイス加工用粘着テープ剥離後のレーザーマークの一例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  基材フィルム
２  粘着剤層（粘着性を有する部分）
３  非粘着性層（非粘着化された部分）
４  硬化樹脂層
５  レーザーアッシュ
７  レーザーマーク
６  硬化樹脂面が貼合される領域
１１  基材フィルム
１２  粘着剤層
１４  硬化樹脂層
１５  レーザーアッシュ
１７  レーザーマーク
【図１】
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【図２】
2008021669.tif 000005
【図３】
2008021669.tif 000006
【図４】
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【図５】
2008021669.tif 000008
【図６】
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【図７】
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