(57)【要約】【課題】本発明は、コイルとビアとを有する電子部品の製造方法において、それにより製造された電子部品のインダクタンス値を向上させることを目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、レジスト層における少なくともコイル形成部２６を除く部分を露光して絶縁層２７を形成すると同時に、レジスト層を透過した光により仮ビア形成部の一部を露光して絶縁層２８を形成し、次に仮ビア形成部から絶縁層２８を除いた本ビア形成部２９とコイル形成部２６とを現像により取り除く製造方法としたものである。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
まず第１の絶縁層からその上面が露出された第１のコイルを形成し、
次に前記第１の絶縁層の上面に第１のレジスト層を形成し、
その後この第１のレジスト層における少なくとも仮ビア形成部を除く部分を露光して第２の絶縁層を形成し、
次にこの第２の絶縁層上面に第２のレジスト層を形成し、
その後この第２のレジスト層における少なくとも第２のコイル形成部を除く部分を露光して第３の絶縁層を形成すると同時に、
前記第２のレジスト層を透過した光により仮ビア形成部の一部を露光して第４の絶縁層を形成し、
次に前記仮ビア形成部から前記第４の絶縁層を除いた本ビア形成部と前記第２のコイル形成部とを現像により取り除き、
その後前記第２の絶縁層、前記第３の絶縁層及び第４の絶縁層の露出する表面に下地層を形成し、
次にこの下地層を電極として導体を形成することによりビア及び第２のコイルを形成する
電子部品の製造方法。
【請求項２】
仮ビア形成部におけるコイル巻回平面上の面積は
第２のコイルのビア接続部分におけるコイル巻回平面上の面積よりも大きい構成とした
請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等に用いられる電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の電子部品の製造方法は、まず、図１７に示すごとく絶縁層１の上面からその上面が露出されたコイル２を形成する。次に、絶縁層１の上面にレジスト層を形成し、その後、図１８に示すごとくレジスト層におけるビア形成部３を除く部分を露光して絶縁層４を形成する。ここで、ビア形成部３は、その上方に形成するコイルの形成位置の露光ずれを考慮し、このコイルとの接続信頼性を向上させるため、その径を必要以上に太く形成している。その後、このビア形成部３に図１９に示すごとく下地層５、ビア６を形成する。次に、図２０に示すごとくビア６に接続されるビア接続部７Ａを有するコイル７を形成し、電子部品を製造していた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００４―１９３４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来の製造方法では、それにより製造された電子部品のインダクタンス値の低さが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の構成においては、コイルとビアとの接続信頼性を向上させることを目的として、ビア形成部の径を必要以上に太く形成していたために、コイル内周側における磁束の通過可能な断面積が小さくなってしまい、その結果としてインダクタンス値が低くなってしまうことが問題となっていた。
【０００６】
そこで本発明は、インダクタンス値を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、第２のレジスト層における少なくとも第２のコイル形成部を除く部分を露光して第３の絶縁層を形成すると同時に、第２のレジスト層を透過した光により仮ビア形成部の一部を露光して第４の絶縁層を形成し、次に仮ビア形成部から第４の絶縁層を除いた本ビア形成部と第２のコイル形成部とを現像により取り除く製造方法としたものである。
【発明の効果】
【０００８】
この製造方法により、仮ビア形成部において、第２のコイル形成部におけるビア接続部と露光方向から見て同一でない場所には、第２のレジスト層を透過した光が入り込み、第４の絶縁層を形成することとなるため、本ビア形成部の径を必要以上に太くすることがなく、インダクタンス値を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１０】
まず、図１に示すごとく、シリコン等からなる基板８の上面にレジストを形成し、下面電極形成部９を除く部分を露光して絶縁層１０を形成するとともに、下面電極形成部９内のレジストを現像により取り除く。
【００１１】
次に、基板８及び絶縁層１０の露出する表面に、図２に示すごとく、スパッタあるいは無電解めっき法により、下地電極層１１を形成する。
【００１２】
その後、下地電極層１１を電極として、図３に示すごとく、電解めっき法により下面電極１２を形成し、さらに、上方から研磨して絶縁層１０の上表面を露出させる。
【００１３】
次に、絶縁層１０、下面電極１２の上面にレジストを形成し、図４に示すごとく、電極形成部１３を除く部分を露光して絶縁層１４を形成するとともに、電極形成部１３内のレジストを現像により取り除く。
【００１４】
その後、下面電極１２及び絶縁層１４の露出する表面に、図５に示すごとく、スパッタあるいは無電解めっき法により、下地電極層１５を形成する。
【００１５】
次に、下地電極層１５を電極として、図６に示すごとく、電解めっき法により電極部１６を形成し、さらに、上方から研磨して絶縁層１４の上表面を露出させる。
【００１６】
その後、絶縁層１４、電極部１６の上面にレジストを形成し、図７に示すごとく、コイル形成部１７を除く部分を露光して絶縁層１８を形成するとともに、コイル形成部１７内のレジストを現像により取り除く。
【００１７】
次に、電極部１６及び絶縁層１８の露出する表面に、図８に示すごとく、スパッタあるいは無電解めっき法により、下地電極層１９を形成する。
【００１８】
その後、下地電極層１９を電極として、図９に示すごとく、電解めっき法によりコイル２０を形成し、さらに、上方から研磨して絶縁層１８の上表面を露出させる。
【００１９】
次に、絶縁層１８、コイル２０の上面にレジストを形成し、図１０に示すごとく、電極形成部２１及び仮ビア形成部２２を除く部分を露光して絶縁層２３を形成する。
【００２０】
ここで、仮ビア形成部２２におけるコイル巻回平面上の面積は、その上方に形成するコイルの形成位置の露光ずれを考慮し、コイルとビアとの接続信頼性を向上させるため、後述するビア接続部（図示せず）におけるコイル巻回平面上の面積よりも大きくなるよう形成している。
【００２１】
なお、この段階においてはまだ、現像により電極形成部２１、仮ビア形成部２２内のレジスト２４、２５を取り除かないでおく。
【００２２】
その後、絶縁層２３、レジスト２４、２５の上面にレジストを形成し、図１１に示すごとく、コイル形成部２６を除く部分を露光して絶縁層２７を形成する。
【００２３】
ここで、この絶縁層２７の形成と同時に、最上層のレジスト層を透過した光により、図１０に示した仮ビア形成部２２内のレジスト２５の一部を露光して、絶縁層２８を形成する。そして、仮ビア形成部２２から絶縁層２８を除いた部分が、本ビア形成部２９となる。
【００２４】
この時、絶縁層２８は、ビア接続部２６Ａと露光方向から見て同一でない部分のみに形成されるため、本ビア形成部２９とビア接続部２６Ａとの形成位置関係が崩れることがなく、後述するコイルとビアとの接続信頼性を担保することができる。
【００２５】
次に、図１２に示すごとく、電極形成部２１、コイル形成部２６、ビア形成部２９内のレジストを、現像により取り除く。
【００２６】
その後、絶縁層２３、２７、２８、及びコイル２０の露出する表面に、図１３に示すごとく、スパッタあるいは無電解めっき法により、下地電極層３０を形成する。
【００２７】
次に、下地電極層３０を電極として、図１４に示すごとく、電解めっき法によりビア３１、コイル３２、電極３３を形成するとともに、上方から研磨して絶縁層２７の上表面を露出させる。
【００２８】
その後、図１５に示すごとく、絶縁層２７、コイル３２の上面にレジストを形成して露光し、絶縁層３４を形成する。
【００２９】
次に、図１６に示すごとく、フッ酸処理などにより、図１５に示した基板８を除去して電子部品、ここではインダクタンス部品を製造することができる。
【００３０】
この製造方法により、図１１に示した絶縁層２８は、ビア接続部２６Ａと露光方向から見て同一でない部分のみに形成されるため、本ビア形成部２９とビア接続部２６Ａとの形成位置関係が崩れることがなく、後述するコイルとビアとの接続信頼性を担保することができるとともに、図１０に示した仮ビア形成部２２において、図１１に示すコイル形成部２６におけるビア接続部２６Ａと露光方向から見て同一でない場所には、絶縁層２８を形成することができるため、ビア形成部２９の径を必要以上に太くすることがなく、インダクタンス値を向上させることができるのである。
【００３１】
なお、本実施の形態においてはインダクタンス部品を例にとって説明したが、コイルとビアとを有する電子部品であれば、本発明の効果は有効である。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明の電子部品の製造方法は、製造された電子部品のインダクタンス値を向上させることができるという効果を有し、各種電子機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１７】従来の電子部品の製造方法を示す断面図
【図１８】従来の電子部品の製造方法を示す断面図
【図１９】従来の電子部品の製造方法を示す断面図
【図２０】従来の電子部品の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
【００３４】
１８  絶縁層（第１の絶縁層）
２０  コイル（第１のコイル）
２２  仮ビア形成部
２３  絶縁層（第２の絶縁層）
２６  コイル形成部（第２のコイル形成部）
２７  絶縁層（第３の絶縁層）
２８  絶縁層（第４の絶縁層）
２９  ビア形成部
３０  下地層
３１  ビア
３２  コイル（第２のコイル）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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