(57)【要約】【課題】本発明の目的は、光センサをパネル基板に組み込む際に、光センサから導出される出力が周辺回路の影響を受けないようにしてセンサ感度をよくした液晶表示装置を提供すること。【解決手段】ＴＦＴ基板２と共通電極１２及びカラーフィルタ並びにブラックマトリクス１１を有するＣＦ基板１０との間に液晶層が形成された液晶表示パネルと、ＴＦＴ光センサを有する光検知部ＬＳとを備え、ＴＦＴ基板２上に、光検知部ＬＳ、この光検知部ＬＳへ電源を供給する電源線Ｌ及び光検知部ＬＳからの出力を導出する出力線Ｌ０を設け、ＣＦ基板１０は、アクティブマトリクス基板２に配設した出力線Ｌ０の真上部分に共通電極１２及びブラックマトリクス１１を除去した除去領域Ｓが形成されている。【選択図】図１
2008039953.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各種配線が形成されたアクティブマトリクス基板と共通電極及びカラーフィルタ並びに
ブラックマトリクスを有するカラーフィルタ基板との間に液晶層が形成された液晶表示パ
ネルと、光センサを有する光検知部と、前記光検知部の出力により制御される照光手段と
を備え、前記アクティブマトリクス基板上に、前記光検知部、該光検知部へ電源を供給す
る電源線及び該光検知部からの出力を導出する出力線が設けられた液晶表示装置において
、
前記カラーフィルタ基板は、前記アクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の
真上部分に前記共通電極及び前記ブラックマトリクスが除去された除去領域が形成されて
いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
各種配線が形成されたアクティブマトリクス基板と共通電極及びカラーフィルタ並びに
ブラックマトリクスを有するカラーフィルタ基板との間に液晶層が形成された液晶表示パ
ネルと、光センサを有する光検知部と、前記光検知部の出力により制御される照光手段と
を備え、前記アクティブマトリクス基板上に、前記光検知部、該光検知部へ電源を供給す
る電源線及び該光検知部からの出力を導出する出力線が設けられた液晶表示装置において
、
前記カラーフィルタ基板は、前記ブラックマトリクスが非導電性の樹脂材料で形成され
、前記アクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の真上部分に前記共通電極が除
去された除去領域が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記除去領域は、前記出力線の真上に位置する１個又は複数個の窓開口で形成されてい
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記光センサは薄膜トランジスタからなり、前記液晶表示パネルの製造工程においてス
イッチング素子としての薄膜トランジスタと同時に形成されていることを特徴とする請求
項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記出力線及び電源線は、前記光センサとしての薄膜トランジスタのソース電極又はド
レイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置
。
【請求項６】
前記電源線には一定の直流電圧が印加され、前記共通電極には所定の矩形波電圧が印加
されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、さらに詳しくは、外光を検知するための光センサを液晶
表示パネルに組み込んだ液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器のみならず一般の電子機器においてもフラット型表示パネルが使用
され、この中でも特に液晶表示パネルが最も多く使用されている。この液晶表示パネルは
、液晶が非発光体であるため暗所において表示画像が見え難くなることから、バックライ
トないしはサイドライト（以下、両者を纏めて「バックライト等」という）を設け、この
バックライト等を外光が暗いときに点灯させて表示画像を照射するようにしている。とこ
ろが、手動による操作は、外光の明暗に応じてその都度バックライト等のオン／オフ操作
をしなければならないので、その操作が面倒になり、また、明るい時にもバックライト等
を点灯してしまうことがあるので、このような場合は、無駄な電力を消費することになる
ために携帯電話機等の電池の消耗を速くしてしまうことがある。
【０００３】
そこで、このような不都合をなくするために、液晶表示パネルに光センサを組み込み、
この光センサによって外光の明暗を検出し、その検出結果に基づいてバックライト等のオ
ン／オフを制御する技術が開発されている（例えば、下記特許文献１〜３参照）。
【０００４】
例えば、下記特許文献１に記載された液晶表示装置は、光センサとして薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を用い、このＴＦＴ光センサを液晶表示パネルのス
イッチング素子として使用されるＴＦＴと同時に作成したものであり、また、下記特許文
献２に記載された液晶表示装置は、外光照度検出センサ及びバックライト照度検出センサ
を有し、外光照度検出センサを一対のガラス基板を重ねてできた張出し部に設け、バック
ライト照度検出センサをシール枠の外側に設けたものである。さらに、下記特許文献３に
記載された液晶表示装置は、光センサを液晶の周辺駆動回路部及び外部端子から離れた箇
所に配設して、これらの駆動回路等から発生する高周波ノイズや発熱等によってセンサが
影響を受けないようにしたものである。
【特許文献１】特開２００２−１３１７１９号公報（特許請求の範囲、段落［００１０］〜［００１３］、図１）
【特許文献２】特開２０００−１２２５７５号公報（段落〔００１３〕〜〔００１６〕、図４）
【特許文献３】特開平１１−８４４２６号公報（段落〔００１９〕〜〔００２２〕、図１、図２）
【特許文献４】特開平１−１４３２５７号公報（特許請求の範囲、図３）
【特許文献５】特開平５−９５１００号公報（段落〔００１０〕、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＴＦＴ光センサは、光が照射されないときはゲートオフ領域において僅かな漏れ電流（
暗電流）が流れ、光が照射されるとその光の強さ（明るさ）に応じた大きさの漏れ電流（
リーク電流ともいう）が流れる特性を有している。そして、このＴＦＴ光センサは、この
リーク電流を利用して外光の明るさを検出するものであることから、このリーク電流は極
めて微弱なため光センサからの出力は外部ノイズ等の影響を受け易いものになっている。
【０００６】
このため、上述のような光センサを液晶表示パネルに組み込むと、一方の基板（アクテ
ィブマトリクス基板）には液晶を駆動する周辺駆動回路及び外部端子等が配設されている
ので、これらの回路等からの発熱及び高周波信号等により光センサが影響を受けることが
ある。この点、上記特許文献３の液晶表示装置は、光センサを高周波信号や発熱を発生す
る周辺回路及び端子部から離した箇所に配設して、このようなノイズの影響を受けないよ
うにしている。しかしながら、光センサからは少なくともＴＦＴ光センサのドレイン電極
に接続された電源線及び出力線が引出され、これらの引出し配線が表示部の周辺に引回さ
れるので、この引出し配線のうち、特に出力線が外部ノイズに晒されると光検出感度に影
響を与えることになる。例えば、液晶表示パネルの対向基板のコモン電極に矩形波からな
るＶＣＯＭ電圧が印加されていると、このコモン電極と出力線との間に寄生容量が発生し
、この寄生容量によって出力信号が影響を受ける恐れがある。なお、この種の光センサは
、外部ノイズの影響を受け易いことから、パネル基板に静電遮蔽膜を設けて外部ノイズを
遮蔽する技術が知られている（例えば、上記特許文献４、５参照）。しかし、これらの文
献に記載されているセンサは、基板とゲート配線との間に静電遮蔽用の導電膜及び絶縁膜
を設けるもので、このような導電膜を設けるとなると、特別な製造工程が必要となり、全
体のコストを高騰させることになる。
【０００７】
そこで、本発明は、このような不都合を解消するためになされたものであって、本発明
の目的は、光センサをパネル基板に組み込む際に、光センサから導出される出力が周辺回
路の影響を受けないようにしてセンサ感度をよくした液晶表示装置を提供することにある
。
【０００８】
本発明の他の目的は、液晶表示パネルの製造工程を増やすことなく簡単に上記目的を達
すことができるようにした液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、請求項１に記載の液晶表
示装置の発明は、各種配線が形成されたアクティブマトリクス基板と共通電極及びカラー
フィルタ並びにブラックマトリクスを有するカラーフィルタ基板との間に液晶層が形成さ
れた液晶表示パネルと、光センサを有する光検知部と、前記光検知部の出力により制御さ
れる照光手段とを備え、前記アクティブマトリクス基板上に、前記光検知部、該光検知部
へ電源を供給する電源線及び該光検知部からの出力を導出する出力線が設けられた液晶表
示装置において、
前記カラーフィルタ基板は、前記アクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の
真上部分に前記共通電極及び前記ブラックマトリクスが除去された除去領域が形成されて
いることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の液晶表示装置の発明は、各種配線が形成されたアクティブマトリクス
基板と共通電極及びカラーフィルタ並びにブラックマトリクスを有するカラーフィルタ基
板との間に液晶層が形成された液晶表示パネルと、光センサを有する光検知部と、前記光
検知部の出力により制御される照光手段とを備え、前記アクティブマトリクス基板上に、
前記光検知部、該光検知部へ電源を供給する電源線及び該光検知部からの出力を導出する
出力線が設けられた液晶表示装置において、
前記カラーフィルタ基板は、前記ブラックマトリクスが非導電性の樹脂材料で形成され
、前記アクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の真上部分に前記共通電極が除
去された除去領域が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、前記
除去領域は、前記出力線の真上に位置する１個又は複数個の窓開口で形成されていること
を特徴とする。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、前記
光センサは薄膜トランジスタからなり、前記液晶表示パネルの製造工程においてスイッチ
ング素子としての薄膜トランジスタと同時に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の液晶表示装置において、前記出力線
は、前記光センサとしての薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同じ材料で
形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、前記
電源線には一定の直流電圧が印加され、前記共通電極には所定の矩形波電圧が印加されて
いることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は上記構成を備えることにより、以下に示すような優れた効果を奏する。すなわ
ち、請求項１の発明によれば、カラーフィルタ基板は、アクティブマトリクス基板に配設
された出力線の真上部分の共通電極及びブラックマトリクスが除去されているので、従来
技術のように出力線の真上に共通電極等が存在するものと比べて、液晶表示パネルの駆動
時に出力線と共通電極との間に形成される寄生容量が低減される。その結果、出力線に流
れる光検知部からの出力信号への悪影響、例えば出力波形の乱れが少なくなり、高感度の
光検出が可能になる。
【００１６】
また、請求項２の発明によれば、カラーフィルタ基板は、ブラックマトリクスが非導電
性材料で形成されているとともにアクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の真
上部分の共通電極が除去されているので、従来技術のように出力線の真上に共通電極等が
存在するものと比べて、液晶表示パネルの駆動時に出力線と共通電極との間に形成される
寄生容量が低減される。その結果、出力線に流れる光検知部からの出力信号への悪影響、
例えば出力波形の乱れが少なくなり、高感度の光検出が可能になる。また、ブラックマト
リクスを非導電性材料で形成することにより、ブラックマトリクスの形成が容易になると
ともに、アクティブマトリクス基板上の配線がブラックマトリクスで隠されて見えなくな
り表示品質が向上する。
【００１７】
また、請求項３の発明によれば、除去領域を１個の窓開口で形成すれば、除去領域が広
くなり共通電極と出力線との間の寄生容量がより低減される、また、窓開口を１個にする
ことにより開口の形成が容易になる。また、除去領域を複数個の窓開口で形成すれば、各
窓開口間に共通電極を除去しないブリッジ（橋渡し）領域が形成されるので、共通電極の
電気的接続が良好になる。
【００１８】
また、請求項４の発明によれば、薄膜トランジスタからなる光センサを液晶表示パネル
のスイッチング素子として用いる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の作成と同時に形成できる
ので、光センサを形成するために特に製造工数を増やす必要がなくなる。
【００１９】
また、請求項５の発明によれば、出力線及び電源線を薄膜トランジスタからなる光セン
サと同時に形成できるので、出力線及び電源線を形成するために特に製造工数を増加させ
る必要がなくなる。
【００２０】
また、請求項６の発明によれば、電源線を一定直流電圧源に接続することにより、ＶＣ
ＯＭ電圧の影響を受けない安定した出力電圧を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を用いて詳細に説明するが、以下に述
べる実施例は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものであっ
て、本発明をこの実施例に特定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範
囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るも
のである。
【実施例１】
【００２２】
図１は本発明の実施例１に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した
ＴＦＴ基板を模式的に示した平面図、図２は図１のカラーフィルタ基板を模式的に示した
裏面図である。
液晶表示パネル１は、図１に示すように、互いに対向配置される矩形状の透明材料、例
えばガラス板からなる一対のアクティブマトリクス基板（以下、ＴＦＴ基板という）２及
びカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板という）１０を有し、ＴＦＴ基板２は、ＣＦ基板
１０と対向配置させたときに所定スペースの張出し部２Ａが形成されるようにＣＦ基板１
０よりサイズが大きいものが使用され、これらＴＦＴ基板２及びＣＦ基板１０の外周囲に
シール材（図示省略）が貼付されて、内部に液晶及びスペーサが封入された構成となって
いる。
【００２３】
ＴＦＴ基板２及びＣＦ基板１０の対向面側には種々の配線等が形成されている。このう
ち、ＣＦ基板１０には、ＴＦＴ基板２の表示領域ＤＡ内の画素領域に合わせてマトリクス
状に設けられた金属クロム等からなるブラックマトリクス１１（図５参照）と、このブラ
ックマトリクス１１で囲まれた領域に設けた例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）からな
るカラーフィルタ（図示省略）と、ＴＦＴ基板２側の電極に電気的に接続されＣＦ基板１
０の対向面を覆うように設けられた共通（コモン）電極１２（図５参照）とが設けられて
いる。共通電極１２は、例えば酸化インジウム、酸化スズ等の透明材料で形成されている
。これらカラーフィルタ、ブラックマトリクス１１及び共通電極１２の具体的な構成は図
示しないが、これらはＴＦＴ基板２に形成された光検知部ＬＳ及び光検知部ＬＳから導出
される各種引出し配線Ｌ、Ｌ０と対向する箇所まで延設されている。また、ＴＦＴ基板２
の背面には照光手段としてのバックライト（図示省略）が設けられている。このバックラ
イトは光検知部ＬＳの出力によって制御される。
【００２４】
ＴＦＴ基板２は、それぞれ対向する短辺２ａ、２ｂ及び長辺２ｃ、２ｄを有し、一方の
短辺２ｂ側が張出し部２Ａとなっており、この張出し部２Ａにソースドライバ及びゲート
ドライバ用の半導体チップＤｒが搭載され、他方の短辺２ａ側に光検知部ＬＳが配設され
ている。
【００２５】
このＴＦＴ基板２は、その対向面、すなわち液晶と接触する面に、図１の行方向（横方
向）に所定間隔をあけて配列された複数本のゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎ（ｎ＝２、３、４、
…）と、これらのゲート線と絶縁されて列方向（縦方向）に配列された複数本のソース線
ＳＷ１〜ＳＷｍ（ｍ＝２、３、４、…）とを有し、これらのソース線ＳＷ１〜ＳＷｍとゲ
ート線ＧＷ１〜ＧＷｎとがマトリクス状に配線され、互いに交差するゲート線ＧＷ１〜Ｇ
Ｗｎとソース線ＳＷ１〜ＳＷｍとで囲まれる各領域に、ゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎからの走
査信号によってオン状態となるスイッチング素子（図示省略）及びソース線ＳＷ１〜ＳＷ
ｍからの映像信号がスイッチング素子を介して供給される画素電極６（図４参照）が形成
されている。
【００２６】
これらのゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎとソース線ＳＷ１〜ＳＷｍとで囲まれる各領域は、い
わゆる画素を構成し、これらの画素が形成されたエリアが表示領域ＤＡ、すなわち画像表
示部となっている。スイッチング素子には例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が使用され
る。
【００２７】
各ゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎ及び各ソース線ＳＷ１〜ＳＷｍは、表示領域ＤＡの外へ延出
されて表示領域外の外周辺の領域に引回されてソースドライバ及びゲートドライバ用半導
体チップＤｒに接続されている。また、ＴＦＴ基板２は、一方の長辺２ｄ側に光検知部Ｌ
Ｓの光センサから導出された引出し配線Ｌ０、Ｌが配線されて外部制御回路が接続される
端子Ｔ１、Ｔ２に接続されている。
【００２８】
次に、図１〜図５を参照して光検知部及び引出し配線の構造を説明する。なお、図３は
光検知部を示し、図３（ａ）は等価回路図、図３（ｂ）は共通電極に印加されるＶＣＯＭ
電圧とセンサ出力との関係を説明する波形図、図４は光検知部の断面図、図５は図１のＡ
−Ａ断面図である。
【００２９】
光検知部ＬＳは、図３に示すように、ＴＦＴ光センサのドレイン電極ＤＬとソース電極
ＳＬとの間にコンデンサＣが並列接続された構成を有している。この光検知部ＬＳは、ソ
ース電極ＳＬとコンデンサＣの一方の端子がスイッチ素子ＳＷを介して基準電圧源ＶＳに
接続され、ドレイン電極ＤＬとコンデンサＣの他方の端子が直流基準電圧源Ｖｒｅｆに接
続されている。この光検知部ＬＳは、図４に示すように、ＴＦＴ基板２上にＴＦＴ光セン
サのゲート電極ＧＬ、コンデンサＣの一方の端子Ｃ１が形成され、これらの表面を覆うよ
うにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜３が積層されている。Ｔ
ＦＴ光センサのゲート電極ＧＬの上にはゲート絶縁膜３を介して非晶質シリコンや多結晶
シリコンなどからなる半導体層４が形成され、次いでゲート絶縁膜３上にアルミニウムや
モリブデン等の金属からなるＴＦＴ光センサのソース電極ＳＬ及びドレイン電極ＤＬが、
その一端部が半導体層４と接触するように設けられている。このうち、ＴＦＴ光センサの
ソース電極ＳＬは延長されてコンデンサＣの他方の端子Ｃ２を形成している。更に、ＴＦ
Ｔ光センサ及びコンデンサＣの表面を覆うようにして例えば無機絶縁材料からなる保護絶
縁膜５が積層されており、さらに、その上に透明材料からなる画素電極６が形成されてい
る。この光検知部ＬＳは、液晶表示パネルの製造工程において液晶駆動用のスイッチング
素子としてのＴＦＴと同時に形成される。これにより、光検知部ＬＳを設けるために特に
製造工数を増加させる必要がなくなる。また、ＴＦＴ光センサは、１個でなく複数個用い
、これらを短辺２ａに沿って一列に設けてもよい。このように複数個のＴＦＴ光センサを
一列に配設することにより、使用者が不注意に指等で一部のＴＦＴ光センサを遮るような
ことがあっても、全てのＴＦＴ光センサが同時に遮られることは少ないことから、遮光さ
れていないＴＦＴ光センサで光検出が可能になる。
【００３０】
この光検知部ＬＳからは、引出し配線としてドレイン電極ＤＬに接続された電源線Ｌ及
びソース電極ＳＬに接続された出力線Ｌ０がそれぞれ引出される（図１参照）。なお、こ
の光検知部ＬＳからはゲート電極ＧＬに接続された引出し線も引出されるが、この引出し
線は液晶表示パネルを駆動する回路に接続されており、図示は省略する。
【００３１】
出力線Ｌ０付近の断面構造は、図５に示すように、ＴＦＴ基板２上に設けたゲート絶縁
膜３の上に出力線Ｌ０が配設され、この出力線Ｌ０が保護絶縁膜５で覆われた構成となっ
ている。また、電源線Ｌも同様の構成を有しており、これらの出力線Ｌ０及び電源線Ｌは
、ＴＦＴ光センサのソース電極材料及びドレイン電極材料を用いて形成されている。これ
により、出力線Ｌ０及び電源線Ｌを設けるために特に製造工数を増加させる必要がなくな
る。
【００３２】
また、ＣＦ基板１０は、表示領域ＤＡにブラックマトリクス１１、カラーフィルタ及び
共通（コモン）電極１２が形成され、これらのブラックマトリクス１１、カラーフィルタ
及び共通電極１２のうち、ブラックマトリクス１１及び共通電極１２はＴＦＴ基板２に配
設された光検知部ＬＳ及びこの光検知部ＬＳから導出された引出し配線Ｌ、Ｌ０と対向す
る箇所まで延設されている。そして、この延設されたブラックマトリクス１１及び共通電
極１２は、ＴＦＴ基板２に配設された出力線Ｌ０の真上部分が除去されて除去領域Ｓが形
成されている。すなわち、図５に示すように、ＴＦＴ基板２のゲート絶縁３上に出力線Ｌ
０が配設され、このＴＦＴ基板２と対向するＣＦ基板１０は、出力線Ｌ０の真上部分の共
通電極１２及びブラックマトリクス１１が除去されて隙間１３が形成されている。
【００３３】
この共通電極１２及びブラックマトリクス１１が除去される除去領域Ｓの範囲は、図２
に示すように、横幅をａ、長さをｂとすると、ａ×ｂの面積は出力線Ｌ０を覆う面積と同
じ或いは若干大きくなっている。そして、このように出力線Ｌ０の真上部分の共通電極１
２及びブラックマトリクス１１を除去すると、出力線Ｌ０と共通電極１２との間に形成さ
れる容量が無視できる程度まで極めて小さくなり、共通電極１２に印加されるＶＣＯＭ電
圧によって生じる出力線に流れる出力信号への影響を低減できる。すなわち、本実施例の
液晶表示パネル１はその駆動時に出力線Ｌ０と共通電極１２との間に寄生容量ＣＶＣＯＭ
がほとんど発生しないので、その結果、従来技術のように出力線Ｌ０の真上に共通電極が
存在するものと比べて、出力線Ｌ０を流れる出力信号への悪影響、例えば出力波形の乱れ
が少なくなり、高感度の光検出が可能になる。
【００３４】
次に図３を参照して、この光検知部ＬＳの動作を説明する。
直流基準電圧源Ｖｒｅｆからドレイン電極ＤＬに一定の直流電圧（例えば、０Ｖ）を印
加するとともに、共通電極１２に、図３（ｂ）の（１）に示すような所定の振幅を有する
矩形波からなるＶＣＯＭ電圧を印加しておき、ＴＦＴ光センサのゲート電極ＧＬに一定の
逆バイアス電圧（例えば−１０Ｖ）を印加したのち、スイッチ素子ＳＷを所定時間（例え
ば図３（ｂ）の（２）参照）オン状態として、基準電圧ＶｓをコンデンサＣに印加してコ
ンデンサＣに直流基準電圧源Ｖｒｅｆからの直流電圧と基準電圧Ｖｓとの差電圧Ｖａを充
電する。この状態において、ＴＦＴ光センサに外光が照射されると、ＴＦＴ光センサにリ
ーク電流が流れてコンデンサＣの充電電圧の一部が放電し、この放電量は周囲の明るさに
応じて時間とともに増加するので、この放電した分の電圧を差し引いたコンデンサＣの充
電電圧、すなわち、出力電圧Ｖｓ'は、図３（ｂ）の（３）に示すように（なお、図では
簡易的に直線的に示しているが）放電カーブを描いて低下した後の電圧となる。この出力
電圧Ｖｓ'は、不図示の出力読取部で読み取られて、バックライトの制御がなされる。
【００３５】
この実施例１によると、出力線Ｌ０の真上の共通電極１２及び導電性材料からなるブラ
ックマトリクス１１が除去されることにより、図３（ａ）に示すような共通電極１２（あ
るいはこの共通電極１２に電気的に接続されたブラックマトリクス１１）と出力線Ｌ０と
の間に生じる寄生容量ＣＶＣＯＭが極めて小さくなりコンデンサＣからの出力信号に影響
を与えることがなくなる。
【００３６】
さらに、直流基準電圧源Ｖｒｅｆから供給される電圧を一定の直流電圧（例えば、０Ｖ
）にすることにより、ＶＣＯＭ電圧の影響を受けない安定した出力電圧Ｖｓ'を得ること
ができる。なお、直流基準電圧源Ｖｒｅｆから印加される電圧を一定の直流電圧に代えて
、例えば、矩形波からなるＶＣＯＭ電圧（図３（ｂ）参照）にすると、その出力電圧は、
図３（ｂ）の（４）に示したように、このＶＣＯＭ電圧に同期して低下するものとなり安
定性に欠け、読取部の読み取りが難しくなる。
【実施例２】
【００３７】
図６は本発明の実施例２に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した
ＴＦＴ基板を模式的に示した平面図、図７は図６のカラーフィルタ基板を模式的に示した
裏面図である。この液晶表示装置１Ａは、実施例１の液晶表示装置１に比すると、ＣＦ基
板１０Ａにおける共通電極１２及びブラックマトリクス１１の除去領域（Ｓ１〜Ｓ３）が
異なっている。そこで、実施例１と共通する構成には同じ符号を付して重複説明を省略し
、異なる構成についてのみ説明する。
【００３８】
ＣＦ基板１０Ａにおける共通電極１２及びブラックマトリクス１１の除去領域は、図６
、図７に示すように、所定の面積を有する大きさの複数個の窓開口Ｓ１〜Ｓ３で形成され
ている。
【００３９】
この構成により、本実施例２の液晶表示装置１Ａは実施例１の液晶表示装置１で示した
ものと同じ作用効果を奏することができることに加え、除去領域を複数個の窓開口Ｓ１〜
Ｓ３で形成することにより、各窓開口Ｓ１〜Ｓ３間に共通電極１２及びブラックマトリク
ス１１を除去しないブリッジ（橋渡し）領域が形成されるので、共通電極１２の電気的接
続が良好になる。
【実施例３】
【００４０】
図８は本発明の実施例３に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した
ＴＦＴ基板を模式的に示した平面図、図９は図８のＢ−Ｂ線の断面図である。この液晶表
示装置１Ｂは、実施例１、２の液晶表示装置１と比すると、ＣＦ基板１０Ｂにおけるブラ
ックマトリクスの材質等が異なっている。そこで、実施例１、２と共通する構成には同じ
符号を付して重複説明を省略し、異なる構成についてのみ説明する。
【００４１】
実施例３の液晶表示装置１ＢのＣＦ基板の対向面には、非導電性の合成樹脂からなるブ
ラックマトリクス１１ａと、カラーフィルタと、導電性部材からなる共通電極１２が形成
されており、このうち共通電極１２には、実施例１又は実施例２と同様に、出力線Ｌ０の
真上の領域に隙間１３ａからなる除去領域が形成されている。なお、ブラックマトリクス
１１ａには除去領域は形成されていない。そして、ＣＦ基板１０Ｂにおけるブラックマト
リクス１１ａは、非導電性の合成樹脂材で形成され、この非導電性の合成樹脂材としては
、例えばＵＶ硬化型の透明樹脂に少量のカーボンを加えた黒いレジストを使用する。
【００４２】
この構成により、本実施例３の液晶表示装置１Ｂは、実施例１、２の液晶表示装置１、
１Ａと同じ作用効果を奏することができることに加え、ＣＦ基板１０Ｂのブラックマトリ
クス１１ａを非導電性の樹脂材料で形成することにより、実施例１、２のようにブラック
マトリクス１１に隙間を形成する必要がないのでその形成が容易になり、またＴＦＴ基板
２上の各種配線がブラックマトリクス１１ａで全て隠されて見えなくなるので表示品質が
向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は本発明の実施例１に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したＴＦＴ基板を模式的に示した平面図である。
【図２】図２は図１のカラーフィルタ基板を模式的に示した裏面図である。
【図３】図３は光検知部を示し、図３（ａ）は等価回路図、図３（ｂ）は共通電極に印加されるＶＣＯＭ電圧とセンサ出力との関係を説明する波形図である。
【図４】図４は光検知部の断面図である。
【図５】図５は図１のＡ−Ａ断面図である。
【図６】図６は本発明の実施例２に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したＴＦＴ基板を模式的に示した平面図である。
【図７】図７は図６のカラーフィルタ基板を模式的に示した裏面図である。
【図８】図８は本発明の実施例３に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したＴＦＴ基板を模式的に示した平面図である。
【図９】図９は図８のＢ−Ｂ線の断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１、１Ａ、１Ｂ        液晶表示装置
２                    ＴＦＴ基板
２Ａ                  張出し部
３                    ゲート絶縁膜
５                    保護絶縁膜
１０、１０Ａ、１０Ｂ  ＣＦ基板
１１、１１ａ          ブラックマトリクス
１２                  共通電極
ＬＳ                  光検知部
Ｌ                    電源線（引出し配線）
Ｌ０                  出力線（引出し配線）
Ｓ、Ｓ１〜Ｓ３        除去領域（窓開口）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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