(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気記録層の薄層化と垂直磁気異方性の確保とを両立し、高密度記録が可能で大容量で高性能な磁気記録媒体及びその効率的な製造方法、並びに該磁気記録媒体を用いた磁気記録装置の提供。【解決手段】基板上に、該基板面に対し略直交する方向にナノホールが複数形成されたナノホール構造体を有し、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブが形成されてなり、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を有してなる。本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板上に金属層を形成した後、該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該基板面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成する工程、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成する工程、及び、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を充填する工程を含む。【選択図】図３
2008097783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、該基板面に対し略直交する方向にナノホールが複数形成されたナノホール構造体を有し、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブが形成されてなり、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を有してなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
カーボンナノチューブの長さが、５〜５０ｎｍであり、該カーボンナノチューブの内径が、１〜１０ｎｍである請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
カーボンナノチューブの深さと内径とのアスペクト比（深さ／内径）が、５以上である請求項１から２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体を製造する方法であって、
基板上に金属層を形成した後、該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該基板面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程、及び、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を充填する磁性材料充填工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体と、垂直磁気記録用ヘッドとを少なくとも有することを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置に好適であり、大容量で高速記録が可能な磁気記録媒体及びその効率的な製造方法、並びに該磁気記録媒体を用いた垂直記録方式の磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代の超高密度垂直磁気記録媒体として、個々の信号（磁気ビット）を担う磁性体を分離配置することにより、互いの磁気的相互作用を減少させてビット密度の向上を図る、所謂パターンドメディアが注目されている。該パターンドメディアにおいては、各磁性体のサイズを、ナノメートルスケールにすることが必要であり、所望のサイズと磁気特性とを有するナノ構造磁性体の製造方法の開発が実現に向けての鍵となる。
ナノサイズの構造体の作製方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法、電子線露光法等の微細パターン形成技術を用いて直接的に製造する方法がある。しかし、これらの方法では、加工精度に限界があり、スループットに劣る。
一方で、自己組織化構造をベースにした新規ナノ構造体の作製方法も検討されている。この方法の場合、従来よりも極めて微細な構造を、より広範囲に、より速く、しかも安価に作製することができる可能性があり、該方法に関する多くの研究がなされている。
【０００３】
前記自己組織化を利用した方法の一つとして、ナノホールを有する構造体を制御性よく安価に作製可能な陽極酸化法が挙げられる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）及びその合金を、酸溶液中で陽極酸化すると、多孔質酸化皮膜が得られ、該多孔質酸化皮膜には、アスペクト比が極めて高く、直径約１０〜数百ｎｍの均一な開口径を有するナノホールが、約２０〜数百ｎｍの間隔で、規則的に配列する特徴的な構造の作製が実現される。このとき、ナノホールの間隔、直径及び高さは、陽極酸化時の印加電圧、陽極酸化時間等により制御することができる。
また、所謂インプリント法によりナノホールが規則配列した構造を作製することも可能である。更には、各ナノホールの内部に、磁性体を充填することにより、磁気記録媒体を製造することができ、この場合、ナノホールの高アスペクト比に起因して、形状異方性が発現することが知られている。このため、磁性体を充填してなるナノホールアレーは、垂直パターンドメディアに極めて有用である。
【０００４】
前記形状異方性に起因した磁気異方性を得るためには、磁性体ナノピラー径に対する長さ（高さ）の比（アスペクト比）を、５以上と充分大きく設けることが必要であることが知られている（非特許文献１参照）。しかし、陽極酸化後のナノホールの開口径は、一般に、ナノホール間隔（ピッチ）の１／３程度となることが知られており、これよりも大幅に大きくすることは困難である。また、例えば、コバルト（Ｃｏ）が充填された、高さ１５０ｎｍのナノホールアレーにおける、面直方向の保磁力（Ｈｃ）及び角形比（Ｓ）のナノホール開口径に対する依存性は、図１に示すように、狭ピッチ化によるナノホールの小径化に伴い、充分なアスペクト比を取っても、磁気異方性が減少する傾向があることが知られている（非特許文献２参照）。この原因としては、磁性体の充填及び結晶構造における欠陥等の影響が、ナノホールが小径になるほど顕著に現れてくるためであると考えられている。
一方、超高密度垂直パターンドメディアとして用いる場合、ナノホールのピッチ及び開口径の微細化が必要であり、かつナノホールの高さ（長さ）も、記録ヘッドによる記録磁界勾配が充分に急唆となる高さよりも短いことが必要である。このように、磁気異方性の実現には、より困難な条件が要求されている。特に、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２程度の記録密度を実現する場合には、磁気記録層の厚みは、５０ｎｍ以下であることが必要であると考えられる。
【０００５】
しかし、本発明者等が検討を行ったところ、ナノホールが平均間隔（ピッチ）２０ｎｍで配列した陽極酸化アルミナナノホールを用いた場合、その開口径は約１０ｎｍとなるが、該ナノホールにコバルト（Ｃｏ）を充填させ、明瞭な垂直磁気異方性を発現させるためには、図２に示すように、ナノホールの高さ（長さ）が、約１００ｎｍ必要であることが判った。
したがって、磁気記録層の更なる薄層化と垂直磁気異方性の確保との両立を図るためには、従来の技術に代わる新たな技術の開発が要求されている。
【０００６】
【非特許文献１】Kikuchi  et  al.,  IEEE  Trans.  Magn.  41,  3226(2005)
【非特許文献２】Oshima  et  al.,  Jpn.  J.  Appl.  Phys.  44,  L1355(2005)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、磁気記録層の薄層化と垂直磁気異方性の確保とを両立し、高密度記録が可能で大容量で高性能な磁気記録媒体及びその効率的な製造方法、並びに該磁気記録媒体を用いた垂直記録方式により、高密度記録可能な磁気記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、鋭意検討を行った結果、以下の知見を得た。即ち、陽極酸化アルミナナノホールを鋳型とし、ナノホールの内部に、カーボンチューブを気相炭化法（ＣＶＤ法）にて成長させ、更に該カーボンナノチューブ内に磁性材料を充填させることにより、カーボンナノチューブの厚み分だけ、ナノホールの開口径よりも径が小さい磁性体ナノピラーを有する磁気記録媒体を得ることができるという知見である。これにより、同一高さ（長さ）のナノホールにおいて、前記磁性体ナノピラーの高さ（長さ）と径とのアスペクト比を大きく設けることができ、逆に、高アスペクト比を維持したまま、磁気記録層の薄層化を図ることもできる。
なお、前記ナノホールの内部に、カーボンチューブを気相炭化法（ＣＶＤ法）にて成長させると、該ナノホールの均一性を反映して、該カーボンナノチューブが均一に形成され、しかも該カーボンナノチューブの内部には、磁性材料が充填可能であることが、本発明者等により提案されている（特開２００５−３５０３３９号公報参照）。
また、前記ナノホールの内部に、前記カーボンナノチューブを形成すると、前記磁性材料の充填性が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
本発明は、本発明者等の前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、後述する付記に列挙した通りである。即ち、
本発明の磁気記録媒体は、基板上に、該基板面に対し略直交する方向にナノホールが複数形成されたナノホール構造体を有し、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブが形成されてなり、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を有してなることを特徴とする。
該磁気記録媒体においては、前記ナノホールの内部に形成された前記カーボンナノチューブの管内に、前記磁性材料を有しているので、前記カーボンナノチューブの厚みの分、前記ナノホールの内径が小径化され、磁気記録層の薄層化と垂直磁気異方性の確保との両立が実現される。また、前記ナノホールの内部が、前記カーボンナノチューブで被覆されているので、前記磁性材料の充填性が良好である。このため、該磁気記録媒体は、高密度記録が可能で大容量で高性能であり、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置等に好適である。
【００１０】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明の前記磁気記録媒体を製造する方法であって、
基板上に金属層を形成した後、該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該基板面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程、及び、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を充填する磁性材料充填工程を含むことを特徴とする。
該磁気記録媒体の製造方法では、前記ナノホール構造体形成工程において、前記基板上に前記金属層が形成された後、該金属層に対しナノホール形成処理が行われることにより、該基板面に対し略直交する方向にナノホールが複数形成されて前記ナノホール構造体が形成される。前記カーボンナノチューブ形成工程において、該ナノホールの内部に前記カーボンナノチューブが形成される。前記磁性材料充填工程において、該カーボンナノチューブの管内に前記磁性材料が充填される。その結果、本発明の前記磁気記録媒体が効率よく製造される。
【００１１】
本発明の磁気記録装置は、本発明の前記磁気記録媒体と、垂直磁気記録用ヘッドとを少なくとも有することを特徴とする。該磁気記録装置においては、前記磁気記録媒体に対し、前記垂直磁気記録用磁気ヘッドが記録を行ので、該磁気記録媒体に対して高密度に記録することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、磁気記録層の薄層化と垂直磁気異方性の確保とを両立し、高密度記録が可能で大容量で高性能な磁気記録媒体及びその効率的な製造方法、並びに該磁気記録媒体を用いた垂直記録方式により、高密度記録可能な磁気記録装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（磁気記録媒体）
本発明の磁気記録媒体は、基板上に、該基板面に対し略直交する方向にナノホールが複数形成されたナノホール構造体を有し、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブが形成されてなり、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の部材（層）を有してなる。
【００１４】
−ナノホール構造体−
前記ナノホール構造体としては、基板上に、該基板面に対し略直交する方向にナノホールが複数形成されている以外には特に制限はなく、その材料、形状、構造、大きさ等については、目的に応じて適宜選択することができる。
【００１５】
前記基板としては、その形状、構造、大きさ、材質等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記形状としては、前記磁気記録媒体がハードディスク等の磁気ディスクである場合には、円板状であり、また、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、前記材質としては、磁気記録媒体の基材材料として公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、シリコン表面に熱酸化膜を形成してなるＳｉＯ２／Ｓｉ、等が挙げられる。これらの基板材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、前記基板は、適宜製造したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
【００１６】
前記材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、金属単体、その酸化物、窒化物等、合金などのいずれであってもよく、その中でも、例えば、アルミナ（酸化アルミニウム）、アルミニウムなどが特に好ましい。
【００１７】
前記形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記磁気記録媒体がハードディスク等の磁気ディスクである場合には、円板状（ディスク状）であるのが好ましい。
なお、前記形状が、前記円板状である場合には、前記ナノホール（細孔）は、該円板の一の露出面（板面）に対し、略直交する方向に形成される。
前記ナノホールとしては、前記ナノホール構造体を貫通する貫通孔として形成されているのが好ましい。
【００１８】
前記構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
前記大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記磁気記録媒体が、ハードディスク等の磁気ディスクである場合には、既存のハードディスク等の大きさに対応した大きさが好ましい。
【００１９】
前記ナノホールの配列としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記ナノホールが略等間隔で均一に規則的に配列しているのが好ましい。この場合、磁気ヘッドの書込み電流を増やすことなく高密度記録、高速記録が可能で大容量であり、オーバーライト特性に優れ、均一な特性を有し、特にクロスリードやクロスライト等の発生を抑制することができる。
また、前記ナノホールは、同心円状及び螺旋状の少なくともいずれかに配列していているのが好ましい。前記ナノホール構造体をハードディスクに適用する場合には、アクセスの容易性の観点から同心円状が好ましく、ビデオディスクに適用する場合には、連続再生の容易性の観点から螺旋状が好ましい。
【００２０】
前記ナノホールの深さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、該深さと磁性体ナノピラーの高さ（長さ）とが対応することを考慮すると、例えば、５０ｎｍ以下が好ましい。
前記ナノホールの深さが、５０ｎｍを超えると、垂直磁気異方性に劣り、高密度記録を図ることができないことがある。
前記ナノホールにおける開口径としては、特に制限はなく、該ナノホールの内部に形成するカーボンナノチューブの厚みに応じて適宜選択することができる。
【００２１】
前記ナノホール構造体の形成は、特に制限はなく公知の方法に従って行うことができるが、例えば、スパッタ法、蒸着法等により金属材料の層を形成した後で、陽極酸化処理により前記ナノホールを形成することにより行うのが好ましい。
【００２２】
−カーボンナノチューブ−
前記カーボンナノチューブは、前記ナノホール構造体における前記ナノホールの内部に形成されてなる。
前記カーボンナノチューブの形成は、例えば、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により好適に行うことができる。
【００２３】
前記カーボンナノチューブの長さ（高さ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、該長さと磁性体ナノピラーの高さ（長さ）とが対応することを考慮すると、５０ｎｍ以下が好ましい。
また、前記カーボンナノチューブの内径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ以上が好ましい。該カーボンナノチューブの内径が、１ｎｍ未満であると、前記磁性材料を充填し難くなることがある。
更に、前記カーボンナノチューブの深さと内径とのアスペクト比（深さ／内径）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、垂直磁気異方性をに優れる点で、５以上が好ましい。
以上より、前記カーボンナノチューブの長さ（高さ）と内径との関係の特に好適な範囲は、図３に示すグラフで表され、前記カーボンナノチューブの長さ（高さ）としては、５〜５０ｎｍが、前記カーボンナノチューブの内径としては、１〜１０ｎｍが、それぞれ特に好ましい。
【００２４】
−磁性材料−
前記磁性材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、強磁性材料であってもよいし、軟磁性材料であってもよい。
前記強磁性材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔ、その他の元素を含むもの、などが好適に挙げられる。
前記軟磁性材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、ＦｅＣｏ、ＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＣ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＣｏＺｒＮｂ、その他の元素を含むもの、などが挙げられる。
前記磁性材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、パーマロイ（ＮｉＦｅ，Ｎｉ：Ｆｅ＝２０：８０）などが好適に挙げられる。
【００２５】
−その他の層−
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板と前記ナノホール構造体との間に配置し、平坦性や密着性を向上させるバッファ層、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＢ等からなる軟磁性裏打ち層、前記ナノホール構造体の表面乃至上方に配置され、該ナノホール構造体を保護する保護層などが挙げられる。
これらの層は、１層のみ設けられてもよいし、２層以上設けられていてもよく、また、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
また、各層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができる。
【００２６】
本発明の磁気記録媒体は、磁気ヘッドを用いた各種の磁気記録に使用することができるが、後述する本発明の磁気記録装置に好適に使用することができる。
本発明の磁気記録媒体は、磁気記録層の更なる薄層化と垂直磁気異方性の確保とを両立し、高密度記録が可能で大容量であり、高品質である。このため、該磁気記録媒体は、各種の磁気記録媒体として設計し使用することができ、例えば、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置、などに設計し使用することができ、ハードディスク等の磁気ディスクに特に好適に設計し使用することができる。
【００２７】
本発明の磁気記録媒体の製造は、特に制限はなく、公知の方法に従って製造することができるが、以下に説明する本発明の磁気記録媒体の製造方法により好適に製造することができる。
【００２８】
（磁気記録媒体の製造方法）
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、ナノホール構造体形成工程、カーボンナノチューブ形成工程、及び磁性材料充填工程を少なくとも含み、好ましくは、プラズマ処理工程、親水化処理工程、表面処理工程などを含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
【００２９】
＜ナノホール構造体形成工程＞
前記ナノホール構造体形成工程は、金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該金属層面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成する工程である。
【００３０】
前記金属層の材料、形状、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記材料としては、前記ナノホール形成処理によりナノホールを形成可能な材料であればよく、例えば、金属単体、その酸化物、窒化物等、合金などのいずれであってもよく、その中でも、例えば、アルミナ（酸化アルミニウム）、アルミニウム、などが特に好ましい。
前記金属層は、基板上に形成してもよく、該基板の詳細については、上述した通りである。
【００３１】
また、前記ナノホール形成処理を陽極酸化処理にて行う場合、その際の電極として機能する電極層を前記基板とは別に、該基板と前記金属層との間に配置させることができる。
前記電極層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、これらの合金、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。該電極層を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、蒸着法、スパッタリング法、などが挙げられる。
【００３２】
なお、前記金属層を前記基板上に形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法、などが好適に挙げられる。これらの中でも、前記スパッタリング法は、前記金属層の厚みの制御を正確かつ容易に行うことができる点で有利である。
前記スパッタリング法の場合、前記金属層の材料である金属で形成されたスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、好適に実施することができる。前記スパッタリングターゲットの純度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、高純度であるのが好ましく、前記金属層がアルミニウムである場合には、該金属層を形成するのに用いるスパッタリングターゲットとしてのアルミニウムの純度は９９．９９０％以上であるのが好ましい。
【００３３】
前記ナノホール形成処理としては、前記金属層に前記ナノホールを形成することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、陽極酸化処理、エッチング処理、などが好適に挙げられる。
これらの中でも、前記金属層面に対し略直交する方向に多数のナノホールを略等間隔にかつ均等に配列形成することができる等の点で、陽極酸化処理が特に好ましい。
【００３４】
前記陽極酸化処理の条件（電解液の種類・濃度、温度、時間など）としては、特に制限はなく、形成するナノホールの数、大きさ、アスペクト比等に応じて適宜選択することができるが、電流の流れる方向は前記金属層の厚み方向に一致される。前記陽極酸化処理に用いる電解液の種類としては、例えば、希釈リン酸溶液、希釈蓚酸溶液、希釈硫酸溶液、などが好適に挙げられる。前記ナノホールのアスペクト比の調整は、例えば、前記陽極酸化処理の後に、リン酸溶液に浸漬させて前記ナノホール（アルミナポア）の直径を増加させることにより行うことができる。
【００３５】
前記陽極酸化処理により前記ナノホール構造体形成工程を行った場合、前記金属層に多数形成した前記ナノホールの下部にバリア層が形成されてしまうことがあるが、該バリア層は、リン酸等の公知のエッチング液を用いて公知のエッチング処理を行うことにより、容易に除去することができる。
【００３６】
前記陽極酸化処理により前記金属層に形成される前記ナノホールの位置、配向（配列）等は、ランダムであるが、例えば、以下の手法により、これを制御することができる。即ち、前記陽極酸化処理の前に、前記金属層上に凹状の窪みあるいは凹状ラインを予め形成しておき、その後に前記陽極酸化処理を行うと、該凹状の窪みあるいは凹状ライン上にのみ、規則的に配列した前記ナノホールを形成することができる。
【００３７】
前記ナノホール構造体形成工程により、前記金属層に該金属層の厚み方向に配向したナノホールが複数形成されたナノホール構造体が形成される。
前記ナノホール構造体における前記ナノホールとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、貫通孔として形成されているのが好ましい。
【００３８】
前記ナノホールの深さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、該深さと、磁性体ナノピラーの高さとが略等しいことを考慮すると、所望の磁気記録層の厚みと一致させるのが好ましく、例えば、５０μｍ以下であるのが好ましい。
前記ナノホールの深さが、５０μｍを超えると、垂直磁気異方性に劣り、高密度記録を図ることができないことがある。
前記ナノホールにおける開口径としては、特に制限はなく、該ナノホールの内部に形成するカーボンナノチューブの厚みに応じて適宜選択することができる。
【００３９】
＜カーボンナノチューブ形成工程＞
前記カーボンナノチューブ形成工程は、前記ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成する工程である。
前記カーボンナノチューブの形成の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）が好適に挙げられる。
前記ＣＶＤ法（化学的気相成長法）としては、例えば、熱ＣＶＤ（単にＣＶＤとも呼ばれる）、ホットフィラメントＣＶＤ、プラズマエンハンストＣＶＤ（プラズマアシステッドＣＶＤ、プラズマＣＶＤとも呼ばれる）、プラズマエンハンストホットフィラメントＣＶＤ、レーザーエンハンストＣＶＤ（レーザーＣＶＤとも呼ばれる）、などが挙げられる。これらの中でも、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤが好ましい。
【００４０】
前記熱ＣＶＤにおいては、４００〜２，０００℃程度に加熱して炭素を蒸着させる。
前記プラズマＣＶＤにおいては、０．１〜１，０００Ｗ／ｃｍ３程度の高周波（ＲＦ）で励起したプラズマにより原料ガスを分解して炭素を蒸着させる。なお、前記高周波（ＲＦ）で励起したプラズマ以外に、低周波、マイクロ波（ＭＷ）、直流（ＤＣ）等で励起したプラズマを使用することもできる。
【００４１】
前記ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブの形成条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、原料ガスの流量を制御し、該原料ガスとして、炭素供給ガスと導入ガスとの混合ガスを用いるのが好ましい。
前記炭素供給ガスとしては、例えば、メタン、エチレン、プロピレン、アセチレン、ベンゼン、ブタン、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、Ｃ１０Ｈ１６、ＣＳ２、Ｃ６０、などが挙げられる。また、前記導入ガスとしては、窒素、アルゴン、水素、ＮＨ３、などが挙げられる。
この場合、前記混合ガスにおける混合割合としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記炭素供給ガスとしてアセチレンガスを用い、前記導入ガスとして窒素ガスを用いた場合には、常圧にて、体積比でアセチレンガス：窒素ガス＝１０〜３０：９０〜７０程度が好ましく、アセチレンガス：窒素ガス＝２０：８０が特に好ましい。全流量としては、３００〜７００ｃｍ３／ｍｉｎが好ましく、５００ｃｍ３／ｍｉｎが特に好ましい。また、温度としては、５００〜８００℃が好ましく、６００℃付近が特に好ましい。
【００４２】
前記カーボンナノチューブ形成工程においては、前記ＣＶＤ法等により前記カーボンナノチューブを形成する際に、前記金属層の材料が該カーボンナノチューブの形成触媒として作用するため、前記カーボンナノチューブの形成のための触媒を別途使用しなくてもよい。例えば、前記金属層がアルミナで形成されている場合には、該金属層の露出表面に存在するアルミナがそのまま前記カーボンナノチューブの形成のための触媒として作用する。
【００４３】
なお、前記金属層の露出表面又は該金属層に形成した前記ナノホールの内表面に、前記カーボンナノチューブを形成するための触媒を、塗布、蒸着等の手法により存在させておいてもよい。
前記触媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、遷移金属が好適に挙げられる。該遷移金属としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｌｕ、これら金属元素を含む合金、などが挙げられる。
【００４４】
なお、前記カーボンナノチューブ形成工程を行う前に、前記金属層の露出表面を清浄化してもよく、該清浄化の方法としては、溶剤洗浄、コロナ処理、プラズマ処理、プラズマ灰化などの放電処理、などが挙げられる。
前記カーボンナノチューブ形成工程により形成されるカーボンナノチューブは、内径、長さ、層数等が略均一であり、前記ナノホールの深さと略同一の長さであり、その一端が閉鎖された構造を有している。
前記カーボンナノチューブの内径は、前記ナノホールの開口径に対して、前記層数を適宜調整することにより所望の大きさに制御することができ、例えば、前記ナノホールの開口径が、１０〜１５ｎｍである場合、前記層数を１０とすると、該ナノホールの内部を、内径６〜８ｎｍのカーボンナノチューブで被覆させることができ、該カーボンナノチューブの形成により、磁性体ナノピラー径の縮小化を図ることができる。
【００４５】
＜プラズマ処理工程＞
前記プラズマ処理工程は、プラズマを用いてエッチング処理を行う工程である。
前記プラズマ処理工程を行うと、前記ナノホール構造体（前記金属層）の表面に堆積したカーボン層を除去することができ、また、前記カーボンナノチューブの内表面の親水性を向上させることができる。この場合、その後に行う磁性材料充填工程において、めっき法を用いると、めっき液との濡れ性が向上し、前記めっき液が前記カーボンナノチューブの管内に染み込み易くなり、その結果、前記磁性材料の充填を効率よく充分におこなうことができる。
なお、前記プラズマ処理の条件等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００４６】
＜親水化処理工程＞
前記親水化処理工程は、前記カーボンナノチューブの管内を、酸化剤により親水化させる工程であり、前記プラズマ処理工程の代わりに行うことができる。
前記酸化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、過酸化水素、オゾン、次亜塩素酸ナトリウム、塩素、二酸化塩素、臭素、二酸化マンガン、硝酸、過マンガン酸カリウム、及びこれらの水溶液などが挙げられる。これらの中でも、過酸化水素水が特に好ましい。この場合、めっき液が前記カーボンナノチューブの管内にも浸入し、電気めっきによる磁性材料の充填を効率的に行うことが可能となる。
【００４７】
前記親水化処理の条件等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記親水化処理は、具体的には、例えば、前記カーボンナノチューブが前記ナノホール内に形成された前記ナノホール構造体を、前記酸化剤中に浸漬させることにより行うことができる。
ここで、前記酸化剤が、過酸化水素水である場合、過酸化水素の濃度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましい。また、過酸化水素水の温度としては、３０℃以上が好ましく、６０℃以上がより好ましい。前記過酸化水素の濃度が、５質量％未満であったり、前記過酸化水素水の温度が、３０℃以下であると、親水化が不十分となり、電気めっきを行っても磁性材料が充填されないナノホールが生ずることがある。なお、前記過酸化水素水によるめっき前親水化処理の後、残留する過酸化水素を除去するため、温水による洗浄を適宜行うのが好ましい。
【００４８】
＜磁性材料充填工程＞
前記磁性材料充填工程は、前記カーボンナノチューブ形成工程において形成したカーボンナノチューブの管内に磁性材料を充填する工程である。
【００４９】
前記磁性材料の充填は、例えば、電気めっきにより好適に行うことができる。
前記電気めっきの条件等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記電気めっきは、具体的には、例えば、前記カーボンナノチューブが前記ナノホール内に形成された前記ナノホール構造体を、前記めっき液中に浸漬させた後、上述した電極層を電極として電圧を印加させることにより、前記カーボンナノチューブの管内に、前記磁性材料を析出乃至堆積させることにより、行うことができる。
【００５０】
前記めっき液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常のめっき液のほか、アルコールを含むめっき液を用いてもよい。該めっき液がアルコールを含む場合、前記カーボンナノチューブの管内への前記磁性材料の析出量を制御することができる。
前記アルコールとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、脂肪族アルコールが好ましく、炭素数１〜４の脂肪族アルコールがより好ましい。これらの中でも、前記カーボンナノチューブの管内への前記磁性材料の析出を容易に制御することができる点で、メタノールが特に好ましい。
【００５１】
前記めっき液におけるアルコールの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、３０ｖｏｌ％以下が好ましく、２０ｖｏｌ％が特に好ましい。
前記含有量が、３０ｖｏｌ％を超えると、前記磁性材料の充填が遅くなり、前記磁性材料が充填されないナノホールを生じることがある。なお、前記めっき液にメタノールを混ぜることにより、電気めっき中の水素発生が抑制され、この点も前記カーボンナノチューブ内への前記磁性材料の充填を効率よく行うことができる要因と考えられる。
【００５２】
以上により、前記カーボンナノチューブの管内に、前記磁性材料を充填させることができるが、前記磁性材料としては、特に制限はなく、目的に応じて各種元素を少なくとも含むものの中から適宜選択することができるが、強磁性材料であってもよいし、軟磁性材料であってもよい。
前記強磁性材料及び前記軟磁性材料の詳細については、上述した通りである。
【００５３】
前記磁性材料充填工程により、前記カーボンナノチューブの管内に前記磁性材料が充填され、また、前記ナノホール構造体（前記金属層）の表面に堆積したカーボン層の上にも磁性材料が溢れ出ることがあるが、表面の磁性材料層の一端を摘まんで引き剥がすことにより、前記カーボンナノチューブの管内に前記磁性材料を残したまま、表面の前記磁性材料層だけを取り除くことができる。
なお、前記磁性材料層を取り除いた後、前記ナノホール構造体（前記金属層）の表面に堆積したカーボン層を、酸素プラズマを用いたエッチング処理により除去するのが好ましい。
前記エッチング処理の条件等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００５４】
＜表面処理工程＞
前記表面処理工程は、前記磁性材料充填工程を行った後、前記ナノホール構造体の表面を研磨する工程である。
前記表面処理工程により、前記磁気記録媒体（前記ナノホール構造体）の表面が平坦化され、垂直磁気記録ヘッド等の磁気ヘッドの安定浮上が可能となり、低浮上化による高密度記録と信頼性確保の双方を達成することができる点で有利である。
【００５５】
前記表面処理工程における研磨の方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、ＣＭＰ（化学機械的研磨）法により行うことができる。
また、前記ナノホール構造体の表面を平坦化した後、スパッタ法等により成膜したカーボン層等の保護層を更に形成し、該保護層上に潤滑剤を塗布するのが好ましい。なお、前記カーボンナノチューブ形成工程において、前記ナノホール構造体の表面に堆積したカーボン層の厚みや平坦性を適度に調整することにより、該カーボン層を保護層として機能させてもよく、この場合、前記保護層を別途形成することなく、潤滑剤を塗布するだけでよい。
【００５６】
＜その他の工程＞
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、バッファ層形成工程、軟磁性裏打ち層形成工程、保護層形成工程などが挙げられる。
なお、前記バッファ層形成工程、前記軟磁性裏打ち層形成工程、及び前記保護層形成工程は、公知の方法に従って行うことができる。
【００５７】
本発明の磁気記録媒体の製造方法により、本発明の前記磁気記録媒体を効率よく低コストで製造することができる。
【００５８】
（磁気記録装置）
本発明の磁気記録装置は、本発明の前記磁気記録媒体と、垂直磁気記録用ヘッドとを有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の手段乃至部材などを有してなる。
【００５９】
前記垂直磁気記録用ヘッドとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、単磁極ヘッドなどが好適に挙げられる。また、該垂直磁気記録用ヘッドは、書込専用であってもよいし、ＧＭＲヘッド等の読取用ヘッドと一体の書込兼読込用であってもよい。
【００６０】
前記その他の部材としては、例えば、前記垂直磁気記録用ヘッドを搭載するアーム部材などが挙げられ、前記その他の手段としては、該アーム部材を移動（回転）させて前記垂直記録用磁気ヘッドを移動させる手段などが挙げられる。
【００６１】
本発明の前記磁気記録装置においては、磁気記録層の厚みが薄く、垂直磁気異方性に優れる、本発明の前記磁気記録媒体を用いるので、前記垂直磁気記録用ヘッドからの磁束が集中し、前記磁気記録層の下面でも、集中したままで拡散しないため、小さなビットを書込むことができる。
【実施例】
【００６２】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００６３】
（実施例１）
−磁気記録媒体の作製−
以下のようにして磁気記録媒体を作製した。
＜ナノホール構造体形成工程＞
まず、ガラスディスク基板上に、アルミニウム（Ａｌ）をスパッタ成膜し、前記金属層としてのＡｌ膜を形成した。得られたＡｌ膜を陽極酸化処理（条件：０．３Ｍ硫酸溶液中、１５℃、電圧８Ｖ、３分間）を行って、前記ガラスディスク基板の基板面と略直交方向にナノホール（アルミナナノホール、アルミナポア）が多数形成された前記ナノホール構造体を形成した（図４（ａ）参照）。
なお、開口径が約１０ｎｍのナノホールが、平均間隔３０ｎｍで形成されており、該ナノホールの深さ（高さ）は、５０ｎｍであった。
【００６４】
＜カーボンナノチューブ形成工程＞
次に、カーボンナノチューブを形成するための前記炭素供給ガスとしてアセチレンガスを用い、前記導入ガスとして窒素ガスを用い、ＣＶＤ法により、前記ナノホール構造体（アルミナナノホール）における外表面とナノホール内にカーボンを成長させた。具体的には、ナノホール構造体を有するガラスディスク基板を石英反応管に入れ、窒素気流下で６００℃まで２時間で昇温した後、２０ｖｏｌ％のアセチレンを、窒素をキャリアーガスとして反応管内に流入し、全流量５００ｃｍ３／ｍｉｎで、６００℃にて２時間ＣＶＤを行い、その後、アセチレンを止め、窒素気流下で室温まで冷却した。
その結果、図４（ｂ）に示すように、前記ナノホール構造体の表面にはカーボン層が堆積形成され、該ナノホール構造体におけるナノホール内には、前記カーボンナノチューブが形成された。
ここで、カーボンナノチューブが形成されたナノホールの断面ＴＥＭ写真を図５に示す。図５に示すように、開口径が約１０ｎｍのナノホールの内部に、１層辺り０．３６ｎｍの厚みを有する１０層からなるカーボンナノチューブが形成されており、該カーボンナノチューブの内径は、約６ｎｍであった。
【００６５】
＜親水化処理工程＞
次に、磁性材料充填工程における電気めっきの前処理として、表面にカーボン層が堆積形成され、ナノホール内にカーボンナノチューブが形成された前記ナノホール構造体を、１０質量％の過酸化水素水に、６０℃で２０分間浸漬させた。その後、純水に、６０℃で３０分間浸漬させて洗浄した（図４（ｃ）及び図４（ｄ）参照）。
【００６６】
＜磁性材料充填工程＞
次に、前記親水化処理が施された前記ナノホール構造体を、Ａ液（組成：硫酸ニッケル１４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル４５ｇ／ｌ、硫酸第一鉄５０ｇ／ｌ、ホウ酸３０ｍｇ／ｌ、添加剤（ラウリル硫酸、サッカリン）微量を含有）とＢ液（メタノール）とを、Ａ液：Ｂ液＝４：１の割合で混合して調製した、パーマロイ（Ｆｅ：Ｎｉ＝２０：８０）用のめっき液（２０℃）中に浸漬させた。そして、めっき条件（水浴２０℃、室温、電圧４Ｖで５秒間通電後、電圧１．５Ｖで１０分間通電）にて、ニッケルプレートをアノードとして電気めっきを行い、前記カーボンナノチューブの管内に磁性材料（パーマロイ）を充填させた（図４（ｅ）及び図４（ｆ）参照）。次いで、前記ナノホール構造体の表面に堆積した磁性材料層については、端面を摘まんで引き剥がし、カーボンナノチューブの管内に磁性材料（パーマロイ）を残したまま、除去した（図４（ｇ）及び図４（ｈ）参照）。
【００６７】
＜表面処理工程＞
得られたナノホール構造体の表面を、ＣＭＰ法により研磨した（図４（ｉ）及び図４（ｊ）参照）。  その後、潤滑剤としてパーフルオロポリエーテル（ソルベイソレクシス社製、ＡＭ３００１）を、研磨したナノホール構造体の表面にディップ法により塗布し、前記磁気記録媒体としての特性評価用磁気ディスクサンプルを作製した。
なお、得られた磁気ディスクサンプルにおける、前記パーマロイが充填されたナノホールのアスペクト比は、約８であった。
【００６８】
（比較例１）
−磁気記録媒体の作製−
実施例１において、前記カーボンナノチューブ形成工程及び前記親水化処理工程を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、前記磁気記録媒体としての特性評価用磁気ディスクサンプルを作製した。
なお、得られた磁気ディスクサンプルにおける、前記パーマロイが充填されたナノホールのアスペクト比は、約５であった。
【００６９】
実施例１及び比較例１の特性評価用磁気ディスクサンプルにおける、面直方向及び面内方向の磁化曲線を、それぞれ図６Ａ及び図６Ｂに示す。
実施例１及び比較例１の磁気ディスクサンプルは、いずれもアスペクト比が約５以上であり、理論上、充分に形状磁気異方性を発現するものと考えられる。しかし、図６Ａより、実施例１の磁気ディスクは、明瞭な垂直磁気異方性が得られているのに対し、図６Ｂより、ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成することなく、磁性材料を充填して製造した比較例１の磁気ディスクサンプルでは、磁気異方性が殆ど得られていないことが判った。これは、磁性材料の充填性や構造の欠陥に由来するものと考えられ、実施例１の磁気ディスクサンプルでは、ナノホールの内部にカーボンナノチューブが形成されることにより、前記磁性材料の充填性が向上し、磁気記録層の薄層化と垂直磁気異方性の確保との両立が可能であることが判った。
【００７０】
また、実施例１及び比較例１の磁気ディスクサンプル（前記磁気記録媒体）について、書込用の磁気ヘッドとしての単磁極ヘッド及び読出用の磁気ヘッドとしてのＧＭＲヘッドを備えた磁気記録装置を用いて、該単磁極ヘッドによる書き込み、及び該ＧＭＲヘッドの読み出しによる磁気記録を行い、記録再生特性を評価した。
まず、前記磁気記録ディスクサンプルを永久磁石により、基板面に垂直な一方向に磁化し、その後、前記磁気ディスクを回転させて磁気ヘッドを浮上させて、磁気信号の記録及び再生を行った。その結果、実施例１の磁気ディスクでは、ノイズが少なく、磁気信号の記録及び再生を良好に行うことができた。
【００７１】
本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  基板上に、該基板面に対し略直交する方向にナノホールが複数形成されたナノホール構造体を有し、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブが形成されてなり、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を有してなることを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２）  カーボンナノチューブの長さが、５〜５０ｎｍである付記１に記載の磁気記録媒体。
（付記３）  カーボンナノチューブの内径が、１〜１０ｎｍである付記１から２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（付記４）  カーボンナノチューブの深さと内径とのアスペクト比（深さ／内径）が、５以上である付記１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（付記５）  磁性材料が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔ及びその他の元素から選択される少なくとも１種を含む付記１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（付記６）  ナノホール構造体が、金属層を陽極酸化処理して得られる付記１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（付記７）  付記１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体を製造する方法であって、
基板上に金属層を形成した後、該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該基板面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程、及び、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を充填する磁性材料充填工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（付記８）  磁性材料充填工程を行う前に、プラズマを用いてエッチング処理を行うプラズマ処理工程を更に含む付記７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記９）  磁性材料充填工程を行う前に、カーボンナノチューブの表面及び管内を、酸化剤により親水化させる親水化処理工程を更に含む付記７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１０）  酸化剤が、過酸化水素水である付記９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１１）  金属層がアルミニウムからなる付記７から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１２）  ナノホール形成処理が陽極酸化処理である付記７から１１のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１３）  磁性材料充填工程が、電気めっきにより行われる付記７から１２のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１４）  磁性材料が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔ及びその他の元素から選択される少なくとも１種を含む付記７から１３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１５）  カーボンナノチューブ形成工程が、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により行われる付記７から１４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１６）  ＣＶＤ法（化学的気相成長法）が、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法のいずれかである付記１５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１７）  磁性材料充填工程を行なった後、ナノホール構造体の表面を研磨する表面処理工程を含む付記７から１６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１８）  付記１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体と、垂直磁気記録用ヘッドとを少なくとも有することを特徴とする磁気記録装置。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明の磁気記録媒体は、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置などに好適に使用することができる。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明の前記磁気記録媒体の製造に好適に使用することができる。
本発明の磁気記録装置は、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置などとして好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】図１は、コバルト（Ｃｏ）が充填された、高さ１５０ｎｍのナノホールアレーにおける、面直方向の保磁力（Ｈｃ）及び角形比（Ｓ）のナノホール開口径に対する依存性を示すグラフである。
【図２】図２は、コバルト（Ｃｏ）が充填された、平均間隔（ピッチ）２０ｎｍのナノホールアレーにおける、面直方向の保磁力（Ｈｃ）のナノホール高さに対する依存性を示すグラフである。
【図３】図３は、本発明の磁気記録媒体における、カーボンナノチューブの長さ（高さ）と内径との好適な数値範囲を示すグラフである。
【図４】図４は、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を示す工程図である。
【図５】図５は、ナノホール構造体における、カーボンナノチューブが形成されたナノホールの断面ＴＥＭ写真である。
【図６Ａ】図６Ａは、実施例１で作製した特性評価用磁気ディスクサンプルにおける、面直方向及び面内方向の磁化曲線を表すグラフである。
【図６Ｂ】図６Ｂは、比較例１で作製した特性評価用磁気ディスクサンプルにおける、面直方向及び面内方向の磁化曲線を表すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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