(57)【要約】【課題】チップ端子間隔が縮小化されたときのボンディングワイヤの接続強度を向上させる。【解決手段】半導体チップ１１には、半導体基板１上に層間絶縁膜２が設けられ、層間絶縁膜２上に配線層２１ａが設けられる。層間絶縁膜２及び配線層２１ａ上には半導体チップ１１表面を保護する保護膜３が設けられ、保護膜３が開口され、配線層２１ａのチップ端子（ボンディングパッド）１２ａが露出される。チップ端子（ボンディングパッド）１２ａの接続部１５ａとチップ端子（ボンディングパッド）１２ａの間には、バンプ４が設けられる。バンプ４は、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａ上に、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａと略同じ大きさに設けられ、ボンディングワイヤ１４ａとチップ端子（ボンディングパッド）１２ａを電気的に接続する。【選択図】図２
2008160007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード端子と、
半導体チップの第１主面上に設けられたボンディングパッドと、
前記ボンディングパッドを覆うように設けられ、前記ボンディングパッドに接続されるバンプと、
前記リード端子と前記バンプをワイヤボンディングし、前記リード端子と前記ボンディングパッドを電気的に接続するボンディングワイヤと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記バンプは、前記ボンディングパッドと略同じ大きさに設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体チップのボンディングパッド上に、前記ボンディングパッドと接続されるスタッドバンプを形成する工程と、
ボンディングワイヤと前記スタッドバンプを金属溶融させ、前記ボンディングワイヤと前記ボンディングパッドを電気的に接続する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体チップのボンディングパッド上に、前記ボンディングパッドと接続されるスタッドバンプを形成する工程と、
リード端子をワイヤボンディングする工程と、
前記リードに接続されるボンディングワイヤを超音波振動及び加熱して前記ボンディングワイヤと前記スタッドバンプを金属溶融させ、前記リード端子と前記ボンディングパッドを前記ボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記スタッドバンプの径は、前記ボンディングパッドの前記半導体チップ端と平行方向の寸法と略同一であることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リード端子と半導体チップのチップ端子がボンディングワイヤで接続される半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップのチップ端子（ボンディングパッドとも呼称される）とリード端は、通常、Ａｕ（金）或いはＡＬ（アルミニウム）などのボンディングワイヤを用いて接続している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
近年、半導体装置が搭載される機器の小型化、高性能化、システム化要求に伴い、半導体素子の微細化、低電圧動作化が進行している。これに伴い、半導体装置のチップ端子間隔の狭小化及びチップ端子の縮小化が進行し、ボンディングワイヤのチップ端子と接合する接合部の径が小さくなっている。チップ端子とボンディングワイヤの接続強度は、接合部の半径の２乗で弱くなるので、チップ端子間隔の狭小化及びチップ端子の縮小化した場合、所定の接続強度を満足することができない可能性がある。
【特許文献１】特開２００５−２６８７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、チップ端子間隔が縮小化されたときのボンディングワイヤの接続強度を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様の半導体装置は、リード端子と、半導体チップの第１主面上に設けられたボンディングパッドと、前記ボンディングパッドを覆うように設けられ、前記ボンディングパッドに接続されるバンプと、前記リード端子と前記バンプをワイヤボンディングし、前記リード端子と前記ボンディングパッドを電気的に接続するボンディングワイヤとを具備することを特徴とする。
【０００６】
更に、本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体チップのボンディングパッド上に、前記ボンディングパッドと接続されるスタッドバンプを形成する工程と、ボンディングワイヤと前記スタッドバンプを金属溶融させ、前記ボンディングワイヤと前記ボンディングパッドを電気的に接続する工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、チップ端子間隔が縮小化されたときのボンディングワイヤの接続強度を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供するができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【０００９】
まず、本発明の実施例１に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照して説明する。図１は、半導体装置を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う半導体装置の断面図である。本実施例では、ボンディングワイヤの接続部と半導体チップのチップ端子の間にスタッドバンプを設けている。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置３０には、半導体チップ１１、接続端子１３ａ乃至１３ｅ、及びボンディングワイヤ１４ａ乃至１４ｅが設けられる。半導体装置３０は、複数のチップ端子（ボンディングパッド）を有するシステムＬＳＩとしての半導体チップ１１が搭載される。
【００１１】
システムＬＳＩとしての半導体チップ１１には、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａ乃至１２ｅが設けられる。チップ端子（ボンディングパッド）１２ａ乃至１２ｅは、チップ端子のピッチ方向に対して、チップ端部と平行にチップ端と離間してそれぞれ配置され、チップ端に対してチップ端子幅Ｗ１、チップ端と垂直な方向であるチップ中央方向に対してチップ端子長Ｌ１を有する。チップ端子（ボンディングパッド）１２ａ乃至１２ｅは、チップ端子間距離Ｗ２でそれぞれ離間され、チップ端子間隔はＷ１＋Ｗ２で配置される。ここでは、チップ端子長Ｌ１は、チップ端子幅Ｗ１の２倍に設定される。
【００１２】
チップ端子（ボンディングパッド）１２ａとリード端子としての接続端子１３ａは、ボンディングワイヤ１４ａで接続される。ボンディングワイヤ１４ａは、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ａ、及び接続端子１３ａ側が円形状の接続部１６ａを有する。
【００１３】
チップ端子（ボンディングパッド）１２ｂと接続端子１３ｂは、ボンディングワイヤ１４ｂで接続される。ボンディングワイヤ１４ｂは、チップ端子（ボンディングパッド）１２ｂ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ｂ、及び接続端子１３ｂ側が円形状の接続部１６ｂを有する。
【００１４】
チップ端子（ボンディングパッド）１２ｃと接続端子１３ｃは、ボンディングワイヤ１４ｃで接続される。ボンディングワイヤ１４ｃは、チップ端子（ボンディングパッド）１２ｃ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ｃ、及び接続端子１３ｃ側が円形状の接続部１６ｃを有する。
【００１５】
チップ端子（ボンディングパッド）１２ｄと接続端子１３ｄは、ボンディングワイヤ１４ｄで接続される。ボンディングワイヤ１４ｄは、チップ端子（ボンディングパッド）１２ｄ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ｄ、及び接続端子１３ｄ側が円形状の接続部１６ｄを有する。
【００１６】
チップ端子（ボンディングパッド）１２ｅと接続端子１３ｅは、ボンディングワイヤ１４ｅで接続される。ボンディングワイヤ１４ｅは、チップ端子（ボンディングパッド）１２ｅ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ｅ、及び接続端子１３ｅ側が円形状の接続部１６ｅを有する。
【００１７】
ここで、ボンディングワイヤ１４ａ乃至１４ｅにはＡｕ（金）を用いているが、ＡＬ（アルミニウム）などを用いてもよい。なお、チップ端子（ボンディングパッド）、接続端子、及びボンディングワイヤは、それぞれ５つ図示しているが、実際にはそれ以上設けられているが、ここでは図示及び説明を省略している。
【００１８】
図２に示すように、半導体チップ１１には、半導体基板１上に層間絶縁膜２が設けられ、層間絶縁膜２上に配線層２１ａが設けられる。層間絶縁膜２及び配線層２１ａ上には半導体チップ１１表面を保護する保護膜３が設けられ、保護膜３が開口され、開口された配線層２１ａ部分がチップ端子（ボンディングパッド）１２ａとなる。ここでは、ボンディングパッド開口部分をチップ端子（ボンディングパッド）とし、保護膜３に覆われた配線層２１ａ部分をチップ端子に含めていない。
【００１９】
ボンディングワイヤ１４ａの接続部１５ａとチップ端子（ボンディングパッド）１２ａの間には、バンプ４が設けられる。バンプ４は、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａ上に、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａと略同じ大きさに設けられ、ボンディングワイヤ１４ａとチップ端子（ボンディングパッド）１２ａを電気的に接続する。なお、チップ端子（ボンディングパッド）１２ｂ乃至１２ｅにもバンプ４が形成されるが、図示及び説明を省略する。
【００２０】
ここで、バンプ４を用いない場合のチップ端子（ボンディングパッド）とボンディングワイヤの接続部との接触面積Ｓａは、
Ｓａ＝π×（Ｗ１／２）2・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式（１）
で表される。バンプ４を用いた場合のチップ端子（ボンディングパッド）とボンディングワイヤの接続部との接触面積Ｓｂは、
Ｓｂ＝（２×Ｗ１）×（Ｗ１）・・・・・・・・・・・・・・・・式（２）
で表される。接触面積Ｓａと接触面積Ｓｂの関係は、
Ｓｂ／Ｓａ＝２（Ｗ１）２／｛π（Ｗ１／２）２｝≒２．５・・・・式（３）
と表され、バンプ４を用いると接触面積が増大するので、ボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）との接続強度が向上する。
【００２１】
次に、半導体装置の製造方法について図３及び４を参照して説明する。図３は半導体装置の製造方法を示すフローチャート、図４はスタッドバンプ形成を示す断面図である。
【００２２】
まず、図３に示すように、半導体チップ１１を図示しない基板上にマウントし、チップ端子（ボンディングパッド）上にスタッドバンプを２つずつ形成する。具体的には、例えばチップ端子（ボンディングパッド）１２ａ部では、図４に示すように、ワイヤボンダを使用して、ボンディングキャピラリーの先端部のＡｕ（金）ワイヤを、例えば超音波振動させて、ボール状のスタッドバンプ５ａ及び５ｂをチップ端子（ボンディングパッド）１２ａ上に設け、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａと金属融合させる。スタッドバンプ５ａ及び５ｂは、上部がレベリングされ、その径が略チップ端子幅Ｗ１の大きさに形成される。
【００２３】
ここで、スタッドバンプの形状は、略均一に形成できる条件を用いている。スタッドバンプ５ａ及び５ｂはシェア強度が大きく、且つバラツキの少ない条件を用いて形成するのが好ましい（ステップＳ１）。
【００２４】
次に、ワイヤボンダを用いて、１‘ｓｔワイヤボンディングを行う。具体的には、接続端子１３ａ乃至１３ｅ上に、例えばＡｕ（金）ワイヤを超音波振動させてそれぞれ接続部１６ａ乃至１６ｅを形成し、ボンディングワイヤ１４ａ乃至１４ｅと接続端子１３ａ乃至１３ｅをそれぞれ接続する（ステップＳ２）。
【００２５】
続いて、ワイヤボンダを用いて、２‘ｎｄワイヤボンディングを行う。具体的には、チップ端子（ボンディングパッド）上に設けられた２つのスタッドバンプ上に、接続部１６ａ乃至１６ｅにそれぞれ接続されるボンディングワイヤを超音波振動及び加熱させてそれぞれ接続部１５ａ乃至１５ｅとバンプ４を形成し、接続部１５ａ乃至１５ｅ、バンプ４、及びチップ端子（ボンディングパッド）１２ａ乃至１２ｅを金属溶融させて、ボンディングワイヤ１４ａ乃至１４ｅとチップ端子（ボンディングパッド）１２ａ乃至１２ｅをそれぞれ電気的に接続する（ステップＳ３）。
【００２６】
上述したように、本実施例の半導体装置及びその製造方法では、半導体チップ１１には、半導体基板１上に層間絶縁膜２が設けられ、層間絶縁膜２上に配線層２１ａが設けられる。層間絶縁膜２及び配線層２１ａ上には半導体チップ１１表面を保護する保護膜３が設けられ、保護膜３が開口され、配線層２１ａのチップ端子（ボンディングパッド）１２ａが設けられる。ボンディングワイヤ１４ａの接続部１５ａとチップ端子（ボンディングパッド）１２ａの間には、バンプ４が設けられる。バンプ４は、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａ上に、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａと略同じ大きさに設けられ、ボンディングワイヤ１４ａとチップ端子（ボンディングパッド）１２ａを電気的に接続する。バンプ４は、ワイヤボンダを使用して、Ａｕ（金）ワイヤを超音波振動させてチップ端子（ボンディングパッド）１２ａ上に形成されたスタッドバンプ５ａ及び５ｂをボンディング時に金属溶融されたものである。
【００２７】
このため、半導体装置のチップ端子（ボンディングパッド）間隔の狭小化及びチップ端子（ボンディングパッド）の縮小化が進行し、ボンディングワイヤのチップ端子（ボンディングパッド）との接合部の径が小さくなっても、チップ端子上に設けられ、チップ端子と略同じ大きさを有するバンプを介してボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）が接続され、従来よりもボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）の接触面積を増大できるので、ボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）との接続強度を従来よりも向上させることができる。また、スタッドバンプをワイヤボンダを用いて形成しているので、半導体装置の後工程で１工程を追加するだけで対応でき、コストアップを最小限にすることができる。
【００２８】
なお、本実施例では、スタッドバンプの形成に超音波振動を用いているが、超音波振動中に加熱処理を追加してもよい。また、スタッドバンプとボンディングワイヤを超音波振動及び加熱させているが、超音波振動だけでもよい。
【実施例２】
【００２９】
次に、本発明の実施例２に係る半導体装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。図５は、半導体装置を示す平面図である。本実施例では、チップ端子の形状を変更し、ボンディングワイヤの接続部と半導体チップのチップ端子の間に設けられるスタッドバンプの数を変更している。
【００３０】
図５に示すように、半導体装置３０ａには、半導体チップ１１ａ、接続端子１３ａ乃至１３ｅ、及びボンディングワイヤ１４ａ乃至１４ｅが設けられる。半導体装置３０ａは、複数のチップ端子（ボンディングパッド）を有するシステムＬＳＩとしての半導体チップ１１ａが搭載される。
【００３１】
システムＬＳＩとしての半導体チップ１１ａには、チップ端子（ボンディングパッド）１７ａ乃至１７ｅが設けられる。チップ端子（ボンディングパッド）１７ａ乃至１７ｅは、チップ端子のピッチ方向に対して、チップ端部と平行にチップ端と離間してそれぞれ配置され、チップ端に対してチップ端子幅Ｗ１、チップ端と垂直な方向であるチップ中央方向に対してチップ端子長Ｌ１を有する。チップ端子（ボンディングパッド）１７ａ乃至１７ｅは、チップ端子間距離Ｗ２でそれぞれ離間され、チップ端子間隔はＷ１＋Ｗ２で配置される。ここでは、チップ端子長Ｌ１は、チップ端子幅Ｗ１の３倍に設定される。
【００３２】
チップ端子（ボンディングパッド）１７ａとリード端子としての接続端子１３ａは、ボンディングワイヤ１４ａで接続される。ボンディングワイヤ１４ａは、チップ端子（ボンディングパッド）１７ａ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ａ、及び接続端子１３ａ側が円形状の接続部１６ａを有する。
【００３３】
チップ端子（ボンディングパッド）１７ｂと接続端子１３ｂは、ボンディングワイヤ１４ｂで接続される。ボンディングワイヤ１４ｂは、チップ端子（ボンディングパッド）１７ｂ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ｂ、及び接続端子１３ｂ側が円形状の接続部１６ｂを有する。
【００３４】
チップ端子（ボンディングパッド）１７ｃと接続端子１３ｃは、ボンディングワイヤ１４ｃで接続される。ボンディングワイヤ１４ｃは、チップ端子（ボンディングパッド）１７ｃ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ｃ、及び接続端子１３ｃ側が円形状の接続部１６ｃを有する。
【００３５】
チップ端子（ボンディングパッド）１７ｄと接続端子１３ｄは、ボンディングワイヤ１４ｄで接続される。ボンディングワイヤ１４ｄは、チップ端子（ボンディングパッド）１７ｄ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ｄ、及び接続端子１３ｄ側が円形状の接続部１６ｄを有する。
【００３６】
チップ端子（ボンディングパッド）１７ｅと接続端子１３ｅは、ボンディングワイヤ１４ｅで接続される。ボンディングワイヤ１４ｅは、チップ端子（ボンディングパッド）１７ｅ側が略Ｗ１の寸法を有する円形状の接続部１５ｅ、及び接続端子１３ｅ側が円形状の接続部１６ｅを有する。
【００３７】
次に、半導体装置の製造方法について図６を参照して説明する。図６はスタッドバンプ形成を示す断面図である。ここで、半導体装置の製造方法ではスタッドバンプの数を変更しているが、その他は実施例１と同様なのでスタッドバンプ形成工程以外の説明を省略する。
【００３８】
図６に示すように、ワイヤボンダを使用して、ボンディングキャピラリーの先端部のＡｕ（金）ワイヤを、例えば超音波振動させて、ボール状のスタッドバンプ５ａ乃至５ｃをチップ端子（ボンディングパッド）１７ａ上にそれぞれ略接するように設け、チップ端子（ボンディングパッド）１７ａと金属融合させる。スタッドバンプ５ａ乃至５ｃは、上部がレベリングされ、その径がそれぞれ略チップ端子幅Ｗ１の大きさに形成される。
【００３９】
なお、スタッドバンプの形状は、略均一に形成できる条件を用いている。スタッドバンプ５ａ乃至５ｃはシェア強度が大きく、且つバラツキの少ない条件を用いて形成するのが好ましい。
【００４０】
ここで、バンプを用いない場合のチップ端子（ボンディングパッド）とボンディングワイヤの接続部との接触面積Ｓｃは、
Ｓｃ＝π（Ｗ１／２）２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式（４）
で表される。バンプを用いた場合のチップ端子（ボンディングパッド）とボンディングワイヤの接続部との接触面積Ｓｄは、
Ｓｄ＝（３×Ｗ１）×（Ｗ１）・・・・・・・・・・・・・・・式（５）
で表される。接触面積Ｓｃと接触面積Ｓｄの関係は、
Ｓｄ／Ｓｃ＝（３×（Ｗ１）２）／｛π（Ｗ１／２）２）｝≒３．８・・式（６）
と表され、バンプを用いると接触面積が増大するので、ボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）との接続強度が向上する。
【００４１】
上述したように、本実施例の半導体装置及びその製造方法では、半導体チップ１１ａには、半導体基板１上に層間絶縁膜２が設けられ、層間絶縁膜２上に配線層２１ａが設けられる。層間絶縁膜２及び配線層２１ａ上には半導体チップ１１ａ表面を保護する保護膜３が設けられ、保護膜３が開口され、配線層２１ａのチップ端子（ボンディングパッド）１７ａが設けられる。ボンディングワイヤ１４ａの接続部１５ａとチップ端子（ボンディングパッド）１７ａの間には、バンプが設けられる。バンプは、チップ端子（ボンディングパッド）１７ａ上に、チップ端子（ボンディングパッド）１７ａと略同じ大きさに設けられ、ボンディングワイヤ１４ａとチップ端子（ボンディングパッド）１７ａを電気的に接続する。バンプは、ワイヤボンダを使用して、Ａｕ（金）ワイヤを超音波振動させてチップ端子（ボンディングパッド）１７ａ上に形成されたスタッドバンプ５ａ乃至５ｃをボンディング時に金属溶融されたものである。
【００４２】
このため、半導体装置のチップ端子（ボンディングパッド）間隔の狭小化及びチップ端子（ボンディングパッド）の縮小化が進行し、ボンディングワイヤのチップ端子（ボンディングパッド）との接合部の径が小さくなっても、チップ端子上に設けられ、チップ端子と略同じ大きさを有するバンプを介してボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）が接続され、実施例１よりもボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）の接触面積を増大できるので、ボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）との接続強度を実施例１よりも向上させることができる。また、スタッドバンプをワイヤボンダを用いて形成しているので、半導体装置の後工程で１工程を追加するだけで対応でき、コストアップを最小限にすることができる。
【実施例３】
【００４３】
次に、本発明の実施例３に係る半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。図７はメッキバンプ形成を示す断面図である。本実施例では、ボンディングワイヤの接続部と半導体チップのチップ端子の間にメッキバンプを設けている。
【００４４】
半導体装置の製造方法では、図７に示すように、保護膜３上に図示しないレジスト膜を形成し、チップ端子（ボンィングパッド）１２ａ上に、例えばメッキ法を用いてメッキバンプ６を形成する。ここでは、メッキバンプにＣｕ（銅）を用いている。次に、レジスト膜を除去し、実施例１と同様に、ワイヤボンダを用いて接続端子とチップ端子（ボンディングパッド）をバンプを介してボンディングワイヤで電気的に接続する。
【００４５】
上述したように、本実施例に半導体装置の製造方法では、半導体チップ１１には、半導体基板１上に層間絶縁膜２が設けられ、層間絶縁膜２上に配線層２１ａが設けられる。層間絶縁膜２及び配線層２１ａ上には半導体チップ１１表面を保護する保護膜３が設けられ、保護膜３が開口され、配線層２１ａのチップ端子（ボンディングパッド）１２ａが設けられる。ボンディングワイヤ１４ａの接続部１５ａとチップ端子（ボンディングパッド）１２ａの間には、メッキバンプ６が設けられる。メッキバンプ６は、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａ上に、チップ端子（ボンディングパッド）１２ａと略同じ大きさに設けられ、ボンディングワイヤ１４ａとチップ端子（ボンディングパッド）１２ａを電気的に接続する。
【００４６】
このため、半導体装置のチップ端子（ボンディングパッド）間隔の狭小化及びチップ端子（ボンディングパッド）の縮小化が進行し、ボンディングワイヤのチップ端子（ボンディングパッド）との接合部の径が小さくなっても、チップ端子上に設けられチップ端子と略同じ大きさを有するメッキバンプを介してボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）が接続され、従来よりもボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）の接触面積を増大できるので、ボンディングワイヤとチップ端子（ボンディングパッド）との接続強度を従来よりも向上させることができる。
【００４７】
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。
【００４８】
例えば、実施例では、チップ端子（ボンディングパッド）にボンディングワイヤを１本ボンディングしているが、複数本ボンディングしてもよい。また、実施例３では、メッキバンプにＣｕ（銅）を用いているが、Ａｕ（金）や半田などを用いてもよい。
【００４９】
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  半導体チップのボンディングパッド上に前記ボンディングパッドを覆うように、前記ボンディングパッドと接続されるメッキバンプを形成する工程と、ボンディングワイヤを超音波振動及び加熱して前記ボンディングワイヤと前記メッキバンプを金属溶融させ、前記ボンディングワイヤと前記ボンディングパッドを電気的に接続する工程とを具備する半導体装置の製造方法。
【００５０】
（付記２）  半導体チップのボンディングパッド上に前記ボンディングパッドを覆うように、前記ボンディングパッドと接続されるメッキバンプを形成する工程と、リード端子をワイヤボンディングする工程と、前記リードに接続されるボンディングワイヤを超音波振動及び加熱して前記ボンディングワイヤと前記メッキバンプを金属溶融させ、前記リード端子と前記ボンディングパッドを前記ボンディングワイヤで電気的に接続する工程とを具備する半導体装置の製造方法。
【００５１】
（付記３）  前記メッキバンプは、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、或いは半田である付記１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う半導体装置の断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図４】本発明の実施例１に係るスタッドバンプ形成を示す断面図。
【図５】本発明の実施例２に係る半導体装置を示す平面図。
【図６】本発明の実施例２に係るスタッドバンプ形成を示す断面図。
【図７】本発明の実施例３に係るメッキバンプ形成を示す断面図。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体基板
２  層間絶縁膜
３  保護膜
４  バンプ
５ａ、５ｂ、５ｃ  スタッドバンプ
６  メッキバンプ
１１、１１ａ  半導体チップ
１２ａ〜１２ｅ、１７ａ〜１７ｅ  チップ端子（ボンディングパッド）
１３ａ〜１３ｅ  接続端子
１４ａ〜１４ｅ  ボンディングワイヤ
１５ａ〜１５ｅ、１６ａ〜１６ｅ  接続部
２１ａ  配線層
３０、３０ａ  半導体装置
Ｌ１  チップ端子長
Ｗ１  チップ端子幅
Ｗ２  チップ端子間距離
【図１】
2008160007.tif 000003
【図２】
2008160007.tif 000004
【図３】
2008160007.tif 000005
【図４】
2008160007.tif 000006
【図５】
2008160007.tif 000007
【図６】
2008160007.tif 000008
【図７】
2008160007.tif 000009