(57)【要約】【課題】透過率が向上した液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明は液晶表示装置に関する。本発明による液晶表示装置は、互いに絶縁交差するゲート線及びデータ線と、ゲート線及びデータ線に電気的に接続され、画素電極切開パターンが形成された画素電極と、を含む第１基板と、第１基板に対向し、共通電極切開パターンが形成された共通電極を含む第２基板と、第１基板と第２基板との間に位置する液晶層とを含み、画素電極は、データ線の延長方向に沿って隣接し、互いに異なる方向に延長された第１領域と第２領域とを含み、画素電極及び共通電極のうちの少なくともいずれか一つには、第１領域と第２領域との間の境界領域から第１領域及び第２領域のうちのいずれか一つに延長された補助切開パターンが形成されることを特徴とする。【選択図】図７
2008257163.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに絶縁交差するゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及びデータ線に電気的に接続され、画素電極切開パターンが形成された画素電極と、を含む第１基板と、
前記第１基板に対向し、共通電極切開パターンが形成された共通電極を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
を含み、
前記画素電極は、前記データ線の延長方向に沿って隣接し、互いに異なる方向に延長された第１領域と第２領域とを含み、
前記画素電極及び前記共通電極のうちの少なくともいずれか一つには、前記第１領域と前記第２領域との間の境界領域から前記第１領域及び前記第２領域のうちのいずれか一つに延長された補助切開パターンが形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記補助切開パターンは、
前記第１領域に延長された第１部分と、
前記第２領域に延長された第２部分と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１部分の延長方向と前記第１領域の延長方向とは実質的に平行であり、
前記第２部分の延長方向と前記第２領域の延長方向とは実質的に平行であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１領域の延長方向と前記ゲート線との間の夾角は、前記第１部分の延長方向と前記ゲート線との間の夾角より大きく、
前記第２領域の延長方向と前記ゲート線との間の夾角は、前記第２部分の延長方向と前記ゲート線との間の夾角より大きいことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記補助切開パターンは、楔状であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１領域の延長方向と前記ゲート線との間の夾角は約４５度であり、
前記第１領域の延長方向と前記第２領域の延長方向とは実質的に垂直をなすことを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記補助切開パターンのうちの少なくとも一部は、前記画素電極切開パターンに接続されることを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記補助切開パターンのうちの少なくとも一部は、前記共通電極切開パターンに接続されることを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記補助切開パターンの前記データ線の延長方向への長さは、５〜１５μｍであることを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記補助切開パターンは、前記ゲート線の延長方向に沿って複数個備えられることを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記液晶層は、垂直配向モードであることを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記画素電極は、前記データ線の延長方向に沿って１回折曲されることを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記画素電極は、前記データ線の延長方向に沿って３回折曲されることを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
互いに絶縁交差するゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及びデータ線に電気的に接続され、切開パターンが形成された画素電極と、を含む第１基板と、
前記第１基板に対向し、共通電極切開パターンが形成された共通電極を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
を含み、
前記画素電極は、前記画素電極切開パターン及び前記共通電極切開パターンによって区切られる複数のサブドメインを含み、
前記複数のサブドメインは、
第１方向に位置する液晶方向子を有する第１サブドメインと、
前記データ線の延長方向に沿って前記第１サブドメインと隣接し、前記第１方向と異なる第２方向に位置する液晶方向子を有する第２サブドメインと、
をそれぞれ含み、
前記画素電極及び前記共通電極のうちの少なくともいずれか一つには、前記第１サブドメインと前記第２サブドメインとの間の境界領域から前記第１サブドメイン及び前記第２サブドメインのうちのいずれか一つに延長された補助切開パターンが形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
前記補助切開パターンは、
前記第１サブドメインに延長された第１部分と、
前記第２サブドメインに延長された第２部分と、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１部分の延長方向と前記第１方向とは実質的に平行であり、
前記第２部分の延長方向と前記第２方向とは実質的に平行であることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１サブドメインの延長方向と前記ゲート線との間の夾角は、前記第１部分の延長方向と前記ゲート線との間の夾角より大きく、
前記第２サブドメインの延長方向と前記ゲート線と間の夾角は、前記第２部分の延長方向と前記ゲート線と間の夾角より大きいことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
互いに絶縁交差するゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及びデータ線に電気的に接続され、画素電極切開パターンが形成された画素電極と、を含む第１基板と、
前記第１基板に対向し、共通電極切開パターンが形成された共通電極を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
を含み、
前記画素電極は、第１領域と、前記第１領域から折曲延長されている第２領域と、を含み、
前記画素電極及び前記共通電極のうちの少なくともいずれか一つには補助切開パターンが形成されており、
前記補助切開パターンは、
前記第１領域と前記第２領域との間の境界領域から前記第１領域に延長された第１部分と、
前記境界領域から前記第２領域に延長された第２部分と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
互いに絶縁交差するゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及びデータ線に電気的に接続された画素電極と、を含む第１基板と、
前記第１基板に対向し、共通電極を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
を含み、
前記画素電極は、
第１方向に位置する液晶方向子を有する第１サブドメインと、  
前記データ線の延長方向に沿って前記第１サブドメインと隣接し、前記第１方向と異なる第２方向に位置する液晶方向子を有する第２サブドメインと、
を含み、
前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくともいずれか一つは、前記第１サブドメインと前記第２サブドメインとの境界領域から前記第１サブドメイン及び前記第２サブドメインのうちのいずれか一つに延長された補助ドメイン分割手段をさらに含むことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に透過率が向上した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に液晶表示装置は、薄膜トランジスタが形成されている第１基板と、第１基板に対向して配置されている第２基板と、これらの間に位置する液晶層とを含む。液晶表示装置において、ＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ）モード及びＭＶＡ（ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ）モードは、視野角を改善するためのモードであって、ＶＡモードの中で画素電極と共通電極とに切開パターンまたは突起が形成されたものを示す。これら切開パターンまたは突起によって形成される電界を利用して、液晶分子が傾く方向を調節することによって視野角が向上する。
【０００３】
しかし、切開パターンまたは突起の配置によっては、互いに異なる方向にばらばらに電界が形成される場合がある。この場合、ばらばらな方向に形成された電界の部分に位置した液晶は円滑に制御されないため、液晶層を通過する光の透過率を低下させるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明の目的は、透過率が向上した液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記本発明の目的は、互いに絶縁されて交差するゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及びデータ線に電気的に接続され、画素電極切開パターンが形成された画素電極とを含む第１基板と、第１基板に対向し、共通電極切開パターンが形成された共通電極を含む第２基板と、第１基板と第２基板との間に位置する液晶層とを含み、画素電極は、データ線の延長方向に沿って隣接し、互いに異なる方向に延長された第１領域と第２領域とを含み、画素電極及び共通電極のうちの少なくともいずれか一つには、第１領域と第２領域との間の境界領域から第１領域と第２領域のうちのいずれか一つに延長された補助切開パターンが形成された液晶表示装置によって達成される。
【０００６】
補助切開パターンは、第１領域に延長された第１部分と、第２領域に延長された第２部分とを含んでもよい。
【０００７】
第１部分の延長方向と第１領域の延長方向とは実質的に平行であり、第２部分の延長方向と第２領域の延長方向とは実質的に平行であってもよい。
【０００８】
第１領域の延長方向とゲート線と間の夾角は、第１部分の延長方向とゲート線との間の夾角より大きく、第２領域の延長方向とゲート線との間の夾角は、第２部分の延長方向とゲート線との間の夾角より大きくてもよい。
【０００９】
補助切開パターンは、楔状であってもよい。
【００１０】
第１領域の延長方向とゲート線との間の夾角は約４５度であり、第１領域の延長方向と第２領域の延長方向とは実質的に垂直であってもよい。
【００１１】
補助切開パターンのうちの少なくとも一部は、画素電極切開パターンに接続されていてもよい。
【００１２】
補助切開パターンのうちの少なくとも一部は、共通電極切開パターンに接続されていてもよい。
【００１３】
補助切開パターンのデータ線の延長方向への長さは、５〜１５μｍであってもよい。
【００１４】
補助切開パターンは、ゲート線の延長方向に沿って複数個備えられていてもよい。
【００１５】
液晶は、垂直配向モードであってもよい。
【００１６】
画素電極は、データ線の延長方向に沿って１回折曲されていてもよい。
【００１７】
画素電極は、データ線の延長方向に沿って３回折曲されていてもよい。
【００１８】
上記本発明の目的は、互いに絶縁交差するゲート線及びデータ線と、ゲート線及びデータ線に電気的に接続され、切開パターンが形成された画素電極とを含む第１基板と、第１基板に対向し、共通電極切開パターンが形成された共通電極を含む第２基板と、第１基板と第２基板との間に位置する液晶層とを含み、画素電極は、画素電極切開パターン及び共通電極切開パターンによって区切られた複数のサブドメインを含み、複数のサブドメインは、第１方向に位置する液晶方向子を有する第１サブドメインと、データ線の延長方向に沿って第１サブドメインと隣接し、第１方向と異なる第２方向に位置する液晶方向子を有する第２サブドメインとを含み、画素電極及び共通電極のうちの少なくともいずれか一つには、第１サブドメインと第２サブドメインとの間の境界領域から第１サブドメインと第２サブドメインのうちのいずれか一つに延長された補助切開パターンが形成された液晶表示装置によっても達成される。
【００１９】
補助切開パターンは、第１サブドメインに延長された第１部分と、第２サブドメインに延長された第２部分とを含んでもよい。
【００２０】
第１部分の延長方向と第１方向とは実質的に平行であり、第２部分の延長方向と第２方向とは実質的に平行であってもよい。
【００２１】
第１サブドメインの延長方向とゲート線と間の夾角は、第１部分の延長方向とゲート線との間の夾角より大きく、第２サブドメインの延長方向とゲート線との間の夾角は、第２部分の延長方向とゲート線との間の夾角より大きくてもよい。
【００２２】
上記本発明の目的は、互いに絶縁交差するゲート線及びデータ線と、ゲート線及びデータ線に電気的に接続され、画素電極切開パターンが形成された画素電極を含む第１基板と、第１基板に対向し、共通電極切開パターンが形成された共通電極を含む第２基板と、第１基板と第２基板との間に位置する液晶層とを含み、画素電極は、第１領域と、第１領域から折曲延長された第２領域とを含み、画素電極及び共通電極のうちの少なくともいずれか一つには補助切開パターンが形成されており、補助切開パターンは、第１領域と第２領域との間の境界領域から第１領域に延長された第１部分と、境界領域から第２領域に延長された第２部分とを含む液晶表示装置によっても達成される。
【００２３】
上記本発明の目的は、互いに絶縁交差するゲート線及びデータ線と、ゲート線及びデータ線に電気的に接続された画素電極とを含む第１基板と、第１基板に対向し、共通電極を含む第２基板と、第１基板と第２基板との間に位置する液晶層とを含み、画素電極は、第１方向に位置する液晶方向子を有する第１サブドメインと、データ線の延長方向に沿って第１サブドメインと隣接し、第１方向と異なる第２方向に位置する液晶方向子を有する第２サブドメインとを含み、第１基板及び第２基板のうちの少なくともいずれか一つは、第１サブドメインと第２サブドメインとの境界領域から第１サブドメインと第２サブドメインのうちのいずれか一つに延長された補助ドメイン分割手段をさらに含む液晶表示装置によっても達成される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、透過率が向上した液晶表示装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら、本発明についてさらに詳細に説明する。以下において、ある膜(層)が他の膜(層)の「上部に」形成されて(位置して)いるということは、二つの膜(層)が接している場合だけでなく、二つの膜(層)の間に他の膜(層)が存在する場合も含む。
【００２６】
図１は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１の一つの画素の等価回路図である。一つの画素は、二つのデータ線ＤＬ１、ＤＬ２に接続されており、二つの薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２が備えられている。
【００２７】
第１薄膜トランジスタＴ１は、第１データ線ＤＬ１とゲート線ＧＬとに接続され、第２薄膜トランジスタＴ２は、第２データ線ＤＬ２とゲート線ＧＬとに接続される。
【００２８】
薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２は、同一のゲート線ＧＬに接続され、同時に駆動される。また、薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２は、互いに異なるデータ線ＤＬ１、ＤＬ２に接続され、互いに異なるデータ電圧が印加される。
【００２９】
各薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２には、液晶キャパシタＣＬＣ１、ＣＬＣ２と蓄積キャパシタＣｓｔ１、Ｃｓｔ２とがそれぞれ接続される。液晶キャパシタＣＬＣ１、ＣＬＣ２は、画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとの間及び画素電極ＰＥ２と共通電極ＣＥとの間にそれぞれ形成され、蓄積キャパシタＣｓｔ１、Ｃｓｔ２は、画素電極ＰＥ１と蓄積電極線ＳＬとの間及び画素電極ＰＥ２と蓄積電極線ＳＬとの間にそれぞれ形成される。ここで、第１画素電極ＰＥ１と第２画素電極ＰＥ２とは、互いに分離される。
【００３０】
本発明による液晶表示装置においては、視認性が向上する。以下、その理由について説明する。
【００３１】
第１画素電極ＰＥ１には、第１薄膜トランジスタＴ１を通じて第１データ線ＤＬ１から第１データ電圧が印加され、第２画素電極ＰＥ２には、第２薄膜トランジスタＴ２を通じて第２データ線ＤＬ２から第１データ電圧とは異なる第２データ電圧が印加される。つまり、一つの画素内に互いに異なるデータ電圧が印加される二つのドメインが形成される。これによって、図２に示すように、第１画素電極ＰＥ１に対応し、輝度の高いハイドメインと、第２画素電極ＰＥ２に対応し、輝度の低いロードメインが形成される。このように一つの画素内にガンマカーブの異なる二つのドメインが存在する。これによって液晶表示装置の正面と側面との輝度及びカラーが互いに補償されて側面視認性が向上する。
【００３２】
図３乃至図６を参照しながら、第１実施形態による液晶表示装置について説明する。図５を参照すると、液晶表示装置１は、第１基板１００、第１基板１００に対向する第２基板２００、及び両基板の間に位置する液晶層３００を含む。
【００３３】
図４は、第１基板１００の画素電極１６１と、第２基板２００の共通電極切開パターン２５２との配置関係を示すものである。
【００３４】
まず、図３及び図５を参照しながら、第１基板１００について説明する。第１絶縁基板１１１の上にゲート配線が形成される。ゲート配線は、金属を含み単一層または多重層であってもよい。ゲート配線は、横方向に伸びるゲート線１２１、ゲート線１２１に接続されたゲート電極１２２ａ、１２２ｂ、及びゲート線１２１と平行して延長され、画素の中心部を通る蓄積容量線１２３を含む。
【００３５】
第１絶縁基板１１１上において、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの絶縁物からなるゲート絶縁膜１３１が形成され、ゲート配線を覆っている。ゲート電極１２２ａ、１２２ｂに対応するゲート絶縁膜１３１上には、アモルファスシリコン又はポリシリコンなどの半導体からなる半導体層１３２が形成されており、半導体層１３２上には、シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドープされたｎ＋水素化アモルファスシリコンなどの物質で作られたオーミックコンタクト層１３３が形成される。第１ソース電極１４２ａと第１ドレイン電極１４３ａとの間のチャネル部ではオーミックコンタクト層１３３が除去される。
【００３６】
オーミックコンタクト層１３３及びゲート絶縁膜１３１の上にはデータ配線が形成される。データ配線は、金属で形成された単一層または多重層であってもよい。データ配線は、縦方向に形成され、ゲート線１２１と交差して画素を形成する第１のデータ線１４１ａ、データ線１４１ａの分岐でありオーミックコンタクト層１３３の上部まで延長される第１ソース電極１４２ａ、及び第１ソース電極１４２ａと分離され、第１ソース電極１４２ａの反対側のオーミックコンタクト層１３３の上部に形成される第１ドレイン電極１４３ａを含む。第２ソース電極１４２ｂは、第２のデータ線１４１ｂから延び、オーミックコンタクト層（図示せず）の上部まで延長され、第２ドレイン電極１４３ｂは、第２ソース電極１４２ｂから分離され、第２ソース電極１４２ｂの反対側のオーミックコンタクト層（図示せず）上に形成される。
【００３７】
ゲート電極１２２ａ、ソース電極１４２ａ、及びドレイン電極１４３ａは第１薄膜トランジスタＴ１の構成要素であり、ゲート電極１２２ｂ、ソース電極１４２ｂ、及びドレイン電極１４３ｂは第２薄膜トランジスタＴ２の構成要素である。
【００３８】
データ線１４１は、第１データ線１４１ａと第２データ線１４１ｂとを含む。第１薄膜トランジスタＴ１は、画素の右側を通る第１データ線１４１ａに接続され、第２薄膜トランジスタＴ２は、画素の左側を通る第２データ線１４１ｂに接続される。
【００３９】
データ配線及びデータ線に覆われない半導体層１３２の上には、シリコン窒化物などの絶縁物からなる保護膜１５１が形成される。
【００４０】
保護膜１５１の上には、有機膜１５２が形成される。有機膜１５２は、厚さがゲート絶縁膜１３１及び保護膜１５１に比べて大きく、スピンコーティング、スリットコーティング、スクリーンプリンティングなどの方法によって形成されてもよい。有機膜１５２は、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｕｂｕｔｅｎｅ）系列、オレフィン系列、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）系列、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系列、フッ素樹脂のうちのいずれか一つであってもよい。
【００４１】
有機膜１５２には、第１ドレイン電極１４３ａ及び第２ドレイン電極１４３ｂを露出させる第１コンタクトホール１７１ａ及び第２コンタクトホール１７１ｂと、蓄積容量線１２３に対応し、保護膜１５１を露出させる開口部１７２、（図６参照）とが形成される。第１及び第２コンタクトホール１７１ａ、１７１ｂでは保護膜１５１も共に除去される。
【００４２】
図６に示すように、画素電極１６１は、開口部１７２を通じて蓄積容量線１２３と近く位置し、画素電極１６１と蓄積容量線１２３との間には有機膜１５２が存在しない。画素電圧が伝達される画素電極１６１と共通電圧が印加される蓄積容量線１２３との間で蓄積容量Ｃｓｔが形成される。
【００４３】
蓄積容量線１２３の上に開口部１７２を形成し、有機膜１５２を除去する理由は、有機膜１５２は、厚さが大きく、誘電率が小さいため、画素電極１６１と蓄積容量線１２３との間に蓄積容量を形成し難いためである。
【００４４】
再び図３及び図５を参照すれば、有機膜１５２の上には画素電極１６１が形成される。画素電極１６１は、通常、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。
【００４５】
画素電極１６１は、第１及び第２データ線１４１ａ、１４１ｂの延長方向に沿って延長され、３回折曲される。画素電極１６１は、全体的に上下対称の形状であってもよい。蓄積電極線１２３は、中間に位置した画素電極１６１の折曲部分を通る。
【００４６】
画素電極１６１は、第１画素電極切開パターン１６２によって互いに分離された第１画素電極１６１ａと第２画素電極１６１ｂとを含む。第２画素電極１６１ｂは、楔状であり、画素の中央に位置する。第１画素電極１６１ａは、第１画素電極１６１ｂを取り囲んでおり、第１画素電極１６１ａは第２画素電極１６１ｂより広い面積を有する。
【００４７】
図３に示すように、蓄積容量線１２３は、第２画素電極１６１ｂより第１画素電極１６１ａとさらに広い部分でオーバーラップ（重畳）する。これは、面積の大きい第１画素電極１６１ａに該当するドメインが、大きい蓄積容量Ｃｓｔを要するためである。
【００４８】
再び図３及び図５を参照すれば、第１画素電極１６１ａと第２画素電極１６１ｂとには第２画素電極切開パターン１６３が形成される。第２画素電極切開パターン１６３のうちの一部は、第１画素電極切開パターン１６２と平行に配置され、他の一部はゲート線１２１と平行に配置される。
【００４９】
第１画素電極１６１ａは、第１コンタクトホール１７１ａを通じて第１薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極１４３ａと接続され、第２画素電極１６１ｂは、第２コンタクトホール１７１ｂを通じて第２薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極１４３ｂと接続される。
【００５０】
画素電極切開パターン１６２、１６３は、後述する共通電極切開パターン２５２と共に、液晶層３００を多数のサブドメインに分割する。本発明におけるサブドメインは、画素電極１６１の周縁と切開パターン１６２、１６３、２５２によって取り囲まれた領域であって、大部分が斜め方向に延長される。図４には、複数のサブドメインのうちの第１サブドメイン（斜線を引いた領域）と第２サブドメイン（点で表示した領域）とが示される。第１サブドメインと第２サブドメインとは第１及び第２データ線１４１ａ、１４１ｂの延長方向に互いに隣接し、延長方向は約９０度をなす。
【００５１】
再び図３を参照すれば、画素電極１６１の折曲部分のうちの上部と下部に位置する折曲部分に第１補助切開パターン１６４が形成される。第１補助切開パターン１６４は切開パターン１６２、１６３に接続され、第１及び第２データ線１４１ａ、１４１ｂの延長方向に沿って配置される。
【００５２】
次に、図４及び図５を参照しながら、第２基板２００について説明する。第２絶縁基板２１１の上にブラックマトリックス２２１が形成される。ブラックマトリックス２２１は、通常、黒色顔料が添加された感光性有機物質からなる。前記黒色顔料としては、カーボンブラックやチタンオキサイドなどを用いる。
【００５３】
第２絶縁層２１１とブラックマトリックス２２１との上部には、カラーフィルタ２３１が形成される。カラーフィルタ２３１は、互いに異なる色相、例えば、赤色、緑色及び青色のサブ層を含んでもよい。
【００５４】
カラーフィルタ２３１の上には、オーバーコート膜２４１が形成される。オーバーコート膜２４１は、第２基板２００を平坦化する。オーバーコート膜２４１は省略してもよい。
【００５５】
オーバーコート膜２４１の上部には、共通電極２５１が形成される。共通電極２５１は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。共通電極２５１は、第１基板１００の画素電極１６１と共に液晶層３００に直接電圧を印加し、電界を生成する。
【００５６】
共通電極２５１には、共通電極切開パターン２５２と第２補助切開パターン２５３とが形成される。図４に示すように、共通電極切開パターン２５２の一部は、第１画素電極切開パターン１６２と平行に延長されており、他の部分はゲート線１２１と平行に延長される。
【００５７】
第２補助切開パターン２５３は、共通電極切開パターン２５２に接続されており、画素電極１６１の折曲部分の上部領域と下部領域とに対応して形成される。第２補助切開パターン２５３は、データ線１４１の延長方向に沿って配置される。上記パターン１６２、１６３、２５２は、上述の実施形態に限定されず、多様な形状に形成できる。
【００５８】
図５に示すように、第１基板１００と第２基板２００との間に液晶層３００が位置する。液晶層３００はＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ）モードであって、液晶分子は、電圧の加えられない状態では長手方向が垂直になるように配置される。電圧が加えられると、液晶分子は誘電率異方性が負であるので、電界に対して垂直方向に傾く。ところが、上記切開パターン１６２、１６３、２５２が形成されていなければ、電界がばらばらな方向に形成されるところでは、液晶分子は傾く方向が決定されないため、多くの方向に無秩序に配列されるようになり、液晶分子の配向方向の異なる境界面で回位線（ｄｉｓｃｌｉｎａｔｉｏｎ  ｌｉｎｅ）が生じる。
【００５９】
以上のパターン１６２、１６３、２５２は、液晶層３００に電界は形成されるとき、フリンジエレクトリックフィールド（ｆｒｉｎｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）を作って液晶配向の方向を決定する。
【００６０】
以上、説明した液晶表示装置１においては、補助切開パターン１６４、２５３によって開口率が向上する。開口率の向上について図７を参照しながら説明し、共通電極２５１に形成された第２補助切開パターン２５３を例に挙げて説明する。
【００６１】
第１サブドメインは第１方向に延長され、第２サブドメインは第２方向に延長される。実施形態において、第１方向と第２方向とは直角をなし、第１方向とゲート線１２１との夾角θ１は約４５度である。両サブドメインの間には折曲領域（境界領域）が位置する。
【００６２】
第２補助切開パターン２５３は、折曲領域（境界領域）から第１サブドメインに延長された第１部分２５３ａと、折曲領域から第２サブドメインに延長された第２部分２５３ｂとを含む。第１部分２５３ａは、第１方向と平行に延長され、第２部分２５３ｂは第２方向と平行に延長される。つまり、第１部分２５３ａとゲート線１２１との夾角θ２も約４５度であり、第１部分２５３ａと第２部分２５３ｂとの延長方向は垂直をなす。
【００６３】
第１サブドメインに位置する液晶層３００の液晶方向子は、大部分が第１方向と平行になるように配列し、第２サブドメインに位置する液晶層３００の液晶方向子は、大部分が第２方向と平行になるように配列する。
【００６４】
第１サブドメインと第２サブドメインとが接する境界領域では互いに垂直をなす液晶方向子（ｄｉｒｅｃｔｏｒ）が衝突する。図面において、液晶層３００を、第１方向または第２方向に液晶方向子が配列された正常液晶層３００ａと、液晶方向子が第１方向及び第２方向とは異なる方向に配列された非正常液晶層３００ｂとに分けて表示した。
【００６５】
非正常液晶層３００ｂは、境界領域でゲート線１２１に対してほぼ垂直方向の液晶方向子を有する。非正常液晶層３００ｂはさらにランダムに傾いた液晶を含むので、回位線を誘発して表示品質を低下させる。
【００６６】
また、液晶層３００は、液晶方向子が水平方向と４５度の角度をなすときに最高の透過率を示すが（一対の偏光軸のうちのいずれか一つは水平方向であり、他の一つは垂直方向の場合）、非正常液晶層３００ｂの液晶方向子が４５度より大きい場合、透過率が低下する。
【００６７】
第２補助切開パターン２５３は、境界領域の付近でさらなる電界を形成して、非正常液晶層３００ｂが形成される領域を最小化する。これによって、回位線の発生領域Ｂの幅ｄ１が減少して透過率が向上する。
【００６８】
第２補助切開パターン２５３を形成する場合、回位線の発生領域の幅は約１０μｍになり、第２補助切開パターン２５３の長さｄ２は５μｍ〜１５μｍであってもよい。これに限定されないが、第２補助切開パターン２５３の間の間隔ｄ３は５．５μｍ〜７．６μｍ、第２補助切開パターン２５３の幅ｄ４は３μｍ〜５μｍであってもよい。画素電極１６１に形成された第１補助切開パターン１６４の間隔ｄ５は、第２補助切開パターン２５３の間の間隔ｄ３の１００％〜１３０％、第１補助切開パターン１６４の幅ｄ６は、第２補助切開パターン２５３の幅ｄ４の７０％〜１００％であってもよいが、これに限定されない。
【００６９】
以上、説明した切開パターン１６２、１６３、２５２及び補助切開パターン１６４、２５３は、液晶層３００を複数のドメインに分けるドメイン分割手段である。ドメイン分割手段は第１実施形態の切開パターンに限定されず、これを第２実施形態を通じて説明する。
【００７０】
図８を参照しながら、第２実施形態について説明する。図８は、図３のＶ−Ｖ線による断面図である。
【００７１】
図８に示されるように、共通電極２５１はパターニングされておらず、第１実施形態の共通電極切開パターン２５２に対応する位置には突部２５５が形成される。突部２５５は、有機物からなることができ、共通電極切開パターン２５２と同様に、画素電極切開パターン１６２、１６３と共に液晶層３００を多数のサブドメインに分割する。
【００７２】
図示していないが、第１実施形態において、第２補助切開パターン２５３の代わりに補助突起が共通電極２５１上に形成されてもよい。他の実施形態においては、第１実施形態の第１補助切開パターン１６４に対応する位置に補助突起を形成してもよい。
【００７３】
図９を参照しながら、第３実施形態について説明する。第１補助切開パターン１６４の間には第２補助切開パターン２５３が形成され、第２補助切開パターン２５３の間には第１補助切開パターン１６４が形成される。
【００７４】
第３実施形態によれば、補助切開パターン１６４、２５３が緻密になれば、回位線の誘発領域Ｂの幅をさらに減らすことができる。他の実施形態において、第１補助切開パターン１６４と第２補助切開パターン２５３とは一部又は完全にオーバーラップ（重畳）するように形成してもよい。
【００７５】
図１０を参照しながら、第４実施形態について説明する。第４実施形態によれば、共通電極２５１には、共通電極切開パターン２５２の外に別途の切開パターンは形成されない。代わりに、第１実施形態の第２補助切開パターン２５３に対応する位置には、第１補助切開パターン１６４が備えられる。他の実施形態において、画素電極１６１には第１補助切開パターン１６４が形成されず、共通電極２５１のみに第２補助切開パターン２５３が形成されてもよい。
【００７６】
図１１を参照しながら、本発明の第５実施形態について説明する。第５実施形態においては、第１補助切開パターン１６４は、第２画素電極切開パターン１６３から分離され、第２補助切開パターン２５３は共通電極切開パターン２５２から分離される。
【００７７】
図１２を参照しながら、本発明の第６実施形態について説明する。第６の実施形態においては、補助切開パターン１６４、２５３は、ゲート線１２１との間の夾角が小さく備えられる。つまり、第２補助切開パターン２５３とゲート線１２１との夾角θ３は４５度より小さい。
【００７８】
第６実施形態によれば、補助切開パターン１６４、２５３が形成する電界が非正常液晶層３００ｂの液晶方向子に及ぶ影響が大きくなり、回位線の形成領域Ｂをさらに縮小させることができる。夾角θ３は、２５度〜４０度であってもよい。
【００７９】
図１３を参照しながら、本発明の第７実施形態について説明する。画素電極１６１は全体的に楔状であり、データ線１４１の延長方向に沿って１回折曲される。画素電極１６１は、互いに分離されている第１画素電極１６１ａと第２画素電極１６１ｂとを含む。
【００８０】
補助切開パターン４００は、折曲部に、ゲート線１２１の延長方向に沿って形成される。また、補助切開パターン４００は、データ線１４１の方向に延長されてもよい。補助切開パターン４００は、画素電極１６１および／または共通電極２５１に形成されてもよい。
【００８１】
図１４を参照しながら、本発明の第８実施形態について説明する。画素電極１６１は、全体的に長方形の形状であり、互いに分離されている第１画素電極１６１ａと第２画素電極１６１ｂとを含む。
【００８２】
画素電極１６１は、全体的には長方形の形状であるが、切開パターン１６２、１６３に電界の方向が衝突する領域を有する。補助切開パターン４００は、電界の方向が衝突する領域に形成される。
【００８３】
図１５を参照しながら、第９実施形態について説明する。画素電極１６１は、全体的に楔状であり、データ線１４１の延長方向に沿って１回折曲されている。切開パターンは図示されていないが、画素電極１６１の全体が接続される。補助切開パターン４００は、折曲部に、ゲート線１２１の延長方向に沿って形成される。また、補助切開パターン４００は、データ線１４１の方向に形成されてもよい。
【００８４】
図１６を参照しながら、第１０実施形態について説明する。画素電極１６１は、データ線１４１の延長方向に沿って３回折曲される。切開パターンは図示されていないが、画素電極１６１の全体が接続される。補助切開パターン４００は、折曲部に、ゲート線１２１の延長方向に沿って形成される。また、補助切開パターン４００は、データ線１４１の方向に形成されてもよい。
【００８５】
以上、本発明のいくつかの実施形態が図示されて説明されたが、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から逸脱せずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は、請求項とその均等物によって決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明による液晶表示装置の等価回路図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の視認性の改善原理を示す図面である。
【図３】及び
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線による断面図である。
【図６】図３のＶＩ−ＶＩ線による断面図である。
【図７】図４のＡ部分の拡大図である。
【図８】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図９】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図１０】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図１１】本発明の第５実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図１２】本発明の第６実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図１３】本発明の第７実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図１４】本発明の第８実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図１５】本発明の第９実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図１６】本発明の第１０実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【符号の説明】
【００８７】
１２１  ゲート線
１４１  データ線
１５２  有機膜
１６１  画素電極
１６２  第１画素電極切開パターン
１６３  第２画素電極切開パターン
２５１  共通電極
２５２  共通電極切開パターン
１６４、２５３、４００  補助切開パターン
【図１】
2008257163.tif 000003
【図２】
2008257163.tif 000004
【図３】
2008257163.tif 000005
【図４】
2008257163.tif 000006
【図５】
2008257163.tif 000007
【図６】
2008257163.tif 000008
【図７】
2008257163.tif 000009
【図８】
2008257163.tif 000010
【図９】
2008257163.tif 000011
【図１０】
2008257163.tif 000012
【図１１】
2008257163.tif 000013
【図１２】
2008257163.tif 000014
【図１３】
2008257163.tif 000015
【図１４】
2008257163.tif 000016
【図１５】
2008257163.tif 000017
【図１６】
2008257163.tif 000018