(57)【要約】【課題】封止樹脂を用いて配線基板上に封止する必要がある複数の半導体素子と、封止樹脂を用いて配線基板上に封止する必要がない電子部品との双方が、配線基板上に平面的に配置されて成る半導体装置であって、配線基板に封止樹脂を形成する際に配線基板に発生し得る反り及びうねりを低減することができる構造を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】複数の半導体素子２２ａ、２２ｂと、少なくとも一つの電子部品３０ａ、３０ｂとが、略矩形形状を有する配線基板２１に搭載され、前記配線基板２１の主面において、前記半導体素子２２ａ、２２ｂが封止樹脂２６により封止されてなる半導体装置２０は、前記複数の半導体素子２２ａ、２２ｂは、前記配線基板２１の四隅近傍において、対角状に位置する２つの隅部近傍に互いに所定長さ離間して搭載されることを特徴とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子と、少なくとも一つの電子部品とが、略矩形形状を有する配線基板に搭載され、
前記配線基板の主面において、前記半導体素子が封止樹脂により封止されてなる半導体装置であって、
前記複数の半導体素子は、前記配線基板の四隅近傍において、対角状に位置する２つの隅部近傍に互いに所定長さ離間して搭載されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記配線基板の主面において前記複数の半導体素子が搭載されている箇所を橋絡するように前記封止樹脂が一体形成されて、前記複数の半導体素子は共通に封止されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の半導体素子と、少なくとも一つの電子部品とが、略矩形形状を有する配線基板に搭載され、
前記配線基板の主面において、前記半導体素子が封止樹脂により封止されてなる半導体装置であって、
前記配線基板において、前記封止樹脂により封止される前記半導体素子が搭載される箇所と、前記電子部品が搭載され前記封止樹脂により封止されない箇所とが、略市松模様を形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記配線基板における前記封止樹脂の形成高さは、前記配線基板における前記電子部品の搭載高さよりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記封止樹脂の上面と前記電子部品の上面とに、放熱部材が固着されることを特徴する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、より具体的には、複数の半導体素子と少なくとも１つの電子部品を搭載して成る半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
システム化、多機能化、メモリの大容量化、又は装置全体の薄型化等、半導体装置の機能を向上させるべく、半導体素子又は受動部品等の電子部品を複数搭載して成る半導体装置が提案されている。特に、配線基板上に複数の半導体素子等の電子部品を平面的に配置又は搭載して成る半導体装置は、半導体素子を垂直方向に積層して成る半導体装置に比し、装置全体の高さ（厚さ）を薄型にすることができる。
【０００３】
また、配線基板に搭載する電子部品によっては、封止が必要な場合があり、かかる場合には、前記電子部品を封止樹脂を用いて配線基板の電子部品搭載面に直接封止する。例えば、前記電子部品が半導体素子であり、当該半導体素子を所謂フェイスアップ状態で配線基板に搭載し、ボンディングワイヤによって当該半導体素子と配線基板とを接続する場合には、前記ボンディングワイヤ及び当該半導体素子を保護すべく、前記ボンディングワイヤ及び当該半導体素子は封止樹脂によって配線基板上に封止される。
【０００４】
一方、配線基板に搭載する電子部品が、例えばパッケージングされたＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型又はＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置である場合、当該半導体装置は配線基板上に半田付けによって搭載される。当該半導体装置は、配線基板への搭載前に既にパッケージングされているため、配線基板への搭載後に、封止樹脂を用いて配線基板上に封止されない。仮に、このようなパッケージングされた半導体装置を配線基板上に封止樹脂で封止すると、封止樹脂を厚く形成する必要がある。従って、このような半導体装置を配線基板上に搭載して成る所謂マルチチチップ型半導体装置の全体の高さ（厚さ）が大きくなってしまい、装置全体の薄型化の要請に応じることが出来なくなる場合がある。
【０００５】
なお、コンデンサモジュールと信号通過モジュールとが、略同一平面となるように組合せ配置されて一体構成としたコンデンサユニットが構成され、電子回路と、電子回路同士の接続を行う配線基板との間にコンデンサユニットを配設し、電子回路と配線基板との接続を行うと共に、電源系の雑音をバイパスする構成を有する電子回路装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
また、３個以上の半導体チップが基板の一方の面上に平面的に並べて配置され当該基板の導体層と電気的に接続され、前記導体層を外部と電気的に接続するための複数の電極からなるボールグリッドアレイが基板の他の面上に形成され、半導体チップが基板の対辺の中点を結ぶ２つの中心線のそれぞれに少なくとも１つの半導体チップが跨がるようにして配置された構造が提案されている（特許文献２参照）。この構造では、半導体チップ、基板、及び細線は、外部環境による化学的な劣化又は傷等の物理的な劣化から半導体チップの回路形成面を保護するために、封止樹脂により保護されている。
【０００７】
更に、半導体素子が固着される金属板の表面における半導体素子搭載領域以外の部分に複数の方形凹部を略等間隔で縦横に配置して成る樹脂封止型半導体装置が提案されている（特許文献３参照）。
【０００８】
また、リードフレームの半導体素子搭載領域に複数個に分割したダイパッドを形成し、半導体素子を放熱板との間にダイパッドを介して固着することにより、半導体素子と放熱板との間の空間を拡げ、封止樹脂が流れ込むようにした構造が提案されている（特許文献４参照）。
【特許文献１】特開平７−２３５６３２号公報
【特許文献２】特開２０００−１９６００８号公報
【特許文献３】特開２００４−１８６６２２号公報
【特許文献４】特開２００６−１４０２０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、封止樹脂を用いて配線基板上に樹脂封止する必要がある複数の半導体素子と、封止樹脂を用いて配線基板上に封止する必要がない電子部品との双方を、配線基板上に平面的に配置して成る半導体装置にあっては、当該半導体装置の製造工程に於いて配線基板上に封止樹脂を形成する際に配線基板に反り又はうねりが発生するおそれがある。これについて、図１を参照して説明する。
【００１０】
なお、図１（ａ）は、このような半導体装置の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の線Ｘ−Ｘにおける断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）の線Ｙ１−Ｙ１における断面図であり、図１（ｄ）は図１（ａ）の線Ｙ２−Ｙ２における断面図である。
【００１１】
図１に示す半導体装置１０においては、略矩形状の平面形状を有する配線基板１の一方の主面に、２つの半導体素子２ａ及び２ｂと、２つの半導体素子２ｃ及び２ｄが搭載されている。配線基板１の前記主面の左上隅近傍に半導体素子２ａ（図１（ａ）においては点線で示している）が、配線基板１の前記主面の左下隅近傍に半導体素子２ｂ（図１（ａ）においては点線で示している）が、配線基板１の前記主面の右上隅近傍に半導体装置３ａが、配線基板１の前記主面の右下隅近傍に半導体装置３ｂが、それぞれ設けられている。
【００１２】
配線基板１の他方の主面、即ち、半導体素子２ａ及び２ｂ、半導体装置３ａ及び３ｂが搭載される面と反対側の面には、図示を省略する導電層が設けられ、当該導電層には、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子３がグリッド状に複数配設されている。
【００１３】
半導体素子２ａ及び２ｂは、それぞれ、ボンディングワイヤ４ａ及び４ｂ（図１（ａ）においては点線で示している）を介して、配線基板１の主面に形成された図示を省略する電極にワイヤボンディング接続されている。半導体素子２ａ及び２ｂの上面（回路形成面）と、ボンディングワイヤ４ａ及び４ｂと、配線基板１に於いて当該ボンディングワイヤ４ａ及び４ｂが接続されている箇所には、外部環境に因る劣化から保護するために封止樹脂５が一体連続的に被覆されている。
【００１４】
一方、半導体装置３ａ及び３ｂは、共に同様のパッケージ化された構造を有し、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置の構造を有する。半導体装置３ａ及び３ｂにおいては略矩形形状の平面形状を有する配線基板６ａ（６ｂ）の一方の主面に、半導体素子７ａ（７ｂ）が搭載され、半導体素子７ａ（７ｂ）が搭載される面とは反対側の面には、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子９がグリッド状に複数配設されている。
【００１５】
半導体素子７ａ（７ｂ）は、それぞれ、ボンディングワイヤ４ｃ及び４ｄを介して、配線基板６ａ（６ｂ）の主面に形成された省略する電極にワイヤボンディング接続され、半導体素子７ａ（７ｂ）と、ボンディングワイヤ４ｃ（４ｄ）とは、配線基板６ａ（６ｂ）上に於いて封止樹脂８ａ（８ｂ）により一体封止されている。
【００１６】
半導体装置３ａ及び３ｂは、外部接続端子９を介して配線基板１上に搭載されるが、予めパッケージ化されているため、配線基板１上では封止樹脂５により封止されない。
【００１７】
このように、図１に示す半導体装置１０は、封止樹脂５を用いて配線基板１上に一体連続的に封止される複数の半導体素子２ａ及び２ｂと、封止樹脂５を用いて配線基板１上に封止されない半導体装置３ａ及び３ｂとの双方が、配線基板１上に平面的に配置して成る。
【００１８】
かかる構造を有する半導体装置１０の製造工程において、配線基板１上に封止樹脂５を形成する際に発生する残留応力、又は封止樹脂、当該封止樹脂により封止される半導体素子２ａ及び２ｂ及び配線基板１等の半導体装置１０を構成する各部材の熱膨張係数の相違に起因して、配線基板１に局所的に大きな反りが発生したり、或いは、部分的に上方に凸状となる反り及び下方に凸状となる反りが混在して発生するうねりが大きくなり、その結果半導体装置１０の全体の反りが大きくなる場合がある。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、図１（ａ）の線Ｘ−Ｘにおける箇所ではうねりが発生し、図１（ｃ）に示すように、図１（ａ）の線Ｙ１−Ｙ１における箇所では下方に凸状の反りが発生し、図１（ｄ）に示すように、図１（ａ）の線Ｙ２−Ｙ２における箇所では上方に凸状の反りが発生している。
【００２０】
このような配線基板１の反り又はうねりが発生すると、半導体装置１０を図示を省略するマザーボード等に実装する際に接続不良等の不具合が発生したり、配線基板１上に封止樹脂５を形成する工程以降の半導体装置１０の製造工程に於いて製造歩留が低下する等の問題が生じるおそれがある。
【００２１】
即ち、封止樹脂５部を形成しない配線基板１の箇所に半導体装置３ａ及び３ｂ等の電子部品を搭載する工程、本例のように半導体装置１０が、配線基板１の他方の主面に、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子３がグリッド状に複数配設されてなるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置である場合に、前記外部接続端子３を形成する工程、及び配線基板１が所謂多面取り基板である場合に当該配線基板１をダイシングブレード等を用いて切断し個片化する工程等において、配線基板１の反り又はうねりに因り、適切な処理を施すことができず、その結果、製造歩留の低下を招くおそれがある。このことは、外部接続端子３がランド状の形状を有するＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置においても同様である。
【００２２】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、封止樹脂を用いて配線基板上に封止する必要がある複数の半導体素子と、封止樹脂を用いて配線基板上に封止する必要がない電子部品との双方が、配線基板上に平面的に配置されて成る半導体装置であって、配線基板に封止樹脂を形成する際に配線基板に発生し得る反り及びうねりを低減することができる構造を備えた半導体装置を提供することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の一観点によれば、複数の半導体素子と、少なくとも一つの電子部品とが、略矩形形状を有する配線基板に搭載され、前記配線基板の主面において、前記半導体素子が封止樹脂により封止されてなる半導体装置であって、前記複数の半導体素子は、前記配線基板の四隅近傍において、対角状に位置する２つの隅部近傍に互いに所定長さ離間して搭載されることを特徴とする半導体装置が提供される。前記配線基板の主面において前記複数の半導体素子が搭載されている箇所を橋絡するように前記封止樹脂が一体形成されて、前記複数の半導体素子は共通に封止されることとしてもよい。
【００２４】
本発明の別の観点によれば、複数の半導体素子と、少なくとも一つの電子部品とが、略矩形形状を有する配線基板に搭載され、前記配線基板の主面において、前記半導体素子が封止樹脂により封止されてなる半導体装置であって、前記配線基板において、前記封止樹脂により封止される前記半導体素子が搭載される箇所と、前記電子部品が搭載され前記封止樹脂により封止されない箇所とが、略市松模様を形成することを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２５】
前記配線基板における前記封止樹脂の形成高さは、前記配線基板における前記電子部品の搭載高さよりも高く設定してもよい。また、前記封止樹脂の上面と前記電子部品の上面とに、放熱部材が固着されることとしてもよい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、封止樹脂を用いて配線基板上に封止する必要がある複数の半導体素子と、封止樹脂を用いて配線基板上に封止する必要がない電子部品との双方が、配線基板上に平面的に配置されて成る半導体装置であって、配線基板に封止樹脂を形成する際に配線基板に発生し得る反り及びうねりを低減することができる構造を備えた半導体装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について説明する。まず、本発明の実施の形態に係る半導体装置について説明し、次いで、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００２８】
１．本発明の実施の形態に係る半導体装置
［第１の実施の形態］
図２及び図３に本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置２０の構造を示す。図２（ａ）は半導体装置２０の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の線Ｘ−Ｘにおける断面図であり、図３（ｃ）は図２（ａ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図であり、図３（ｄ）は半導体装置２０の底面図である。
【００２９】
図２及び図３に示す本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置２０においては、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の一方の主面に、２つの半導体素子２２ａ及び２２ｂが配線基板２１の一方の対角線上に、更に、配線基板２１の他方の対角線上には、電子部品として２つの半導体装置３０ａ及び３０ｂが、それぞれ所定長さ離間して搭載されている。
【００３０】
即ち、配線基板２１の前記主面の左上隅近傍に半導体素子２２ａ（図２（ａ）においては点線で示している）が、配線基板２１の前記主面の右下隅近傍に半導体素子２２ｂ（図２（ａ）においては点線で示している）が、配線基板２１の前記主面の右上隅近傍に半導体装置３０ａが、配線基板２１の前記主面の左下隅近傍に半導体装置３０ｂが、それぞれ設けられている
配線基板２１は、回路基板、支持基板、又はインタポーザとも称されるプリント配線板である。配線基板２１は、例えば、ガラス−エポキシ、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、或いはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、又はセラミック又はガラス等の無機材料から成る。
【００３１】
必要に応じ、配線基板２１の片面或いは両面に、又は多層配線層構造をもって銅（Ｃｕ）等からなる配線層（図示を省略する）が選択的に配設される。配線基板２１の一方の主面（上面）には前記配線層につながる電極（図示を省略する）が配設され、当該電極に、半導体素子２２ａ及び２２ｂのボンディングワイヤ２５ａ及び２５ｂと、２つの半導体装置３０ａ及び３０ｂの外部接続端子３３ａ及び３３ｂが接続される。当該電極は、前記配線層の一部として形成されてもよく、また、当該電極の表面は下層よりＮｉ（ニッケル）／金（Ａｕ）めっきが形成されてもよい。
【００３２】
配線基板２１の他方の主面、即ち、半導体素子２２ａ及び２２ｂ及び半導体装置３０ａ及び３０ｂが搭載される面と反対側の面には、図示を省略する配線層が設けられ、当該配線層には、錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）半田、或いは錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）半田等、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子２３がグリッド状に複数配設されている。即ち、本例の半導体装置２０は、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置である。
【００３３】
なお、外部接続端子２３は、銅（Ｃｕ）から成り、その表面に下層よりニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっきが形成されたランド状の形状を有していてもよい。即ち、本発明は、所謂ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置に対しても適用され得る。
【００３４】
また、外部接続端子２３は、前記配線層の一部として形成されていてもよい。更に、外部接続端子２３は、半導体素子２２ａ及び２２ｂ及び半導体装置３０ａ及び３０ｂが搭載される面と同一面上に形成されていてもよい。また、外部接続端子２３は、配線基板２１に接続された鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金、銅（Ｃｕ）、又は銅（Ｃｕ）合金等の導体から成るリードであってもよい。
【００３５】
半導体素子２２ａ及び２２ｂ（図２（ａ）においては点線で示している）は、所謂ウェーハプロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）又はガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、コンデンサ等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路を含み、それぞれの表面にアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主体とする金属から形成されてなる電極パッド（図示を省略する）が形成されている。
【００３６】
半導体素子２２ａ及び２２ｂは、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はアクリル樹脂等から成る熱硬化性又は熱可塑性接着剤であるダイボンディング材２４を介して配線基板２１上に設けられている。なお、ダイボンディング材２４は、配線基板２１上又は半導体素子２２ａ又は２２ｂの前記配線基板２１と対向する主面上に供給される際には、ペースト状又はフィルム状の何れの状態であってもよい。
【００３７】
半導体素子２２ａ及び２２ｂの前記電極パッドと配線基板２１の電極とは、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金等から成るボンディングワイヤ２５ａ及び２５ｂ（図２（ａ）においては点線で示している）により接続されている。
【００３８】
半導体素子２２ａの上面（回路形成面）と、ボンディングワイヤ２５ａと、配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ａが接続されている箇所、及び半導体素子２２ｂの上面（回路形成面）と、ボンディングワイヤ２５ｂと、配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｂが接続されている箇所には、それぞれ、外部環境に因る劣化から保護するために封止樹脂２６が被覆されている。なお、封止樹脂２６として、例えば、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂或いはエポキシ系樹脂等を用いることができるが、これらに限定されない。
【００３９】
半導体装置３０ａ及び３０ｂは、共に同様のパッケージ化された構造を有し、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置の構造を有する。
【００４０】
半導体装置３０ａ（３０ｂ）においては、略矩形状の平面形状を有する配線基板３１ａ（３１ｂ）の一方の主面に、半導体素子３２ａ（３２ｂ）が搭載されている。
【００４１】
配線基板３１ａ（３１ｂ）は、上述の配線基板２１を構成する材料と同様の材料から成り、配線基板２１と同様の構造を有する。
【００４２】
配線基板３１ａ（３１ｂ）の一方の主面（上面）には、配線基板２１の電極と同様の電極（図示を省略する）が配設され、当該電極に、半導体素子３２ａ（３２ｂ）と配線基板３１ａ（３１ｂ）とを接続するボンディングワイヤ３５ａ（３５ｂ）が接続されている。
【００４３】
配線基板３１ａ（３１ｂ）の他方の主面、即ち、半導体素子３２ａ（３２ｂ）が搭載される面と反対側の面には、外部接続端子２３と同様の半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子３３ａ（３３ｂ）がグリッド状に複数配設されている。即ち、本例の半導体装置３０ａ（３０ｂ）は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置である。
【００４４】
半導体素子２２ａ及び２２ｂを構成する材料と同様の材料から成り、半導体素子２２ａ及び２２ｂと同様の構造を有する半導体素子３２ａ（３２ｂ）は、ダイボンディング材２４と同様の材料から成るダイボンディング材３４ａ（３４ｂ）を介して配線基板３１ａ（３１ｂ）上に設けられている。
【００４５】
半導体素子３２ａ（３２ｂ）の回路形成面には、半導体素子２２ａ及び２２ｂの電極パッドと同様の電極パッドが形成されており、半導体素子３２ａ（３２ｂ）の電極パッドと配線基板３１ａ（３１ｂ）の電極とは、ボンディングワイヤ２５ａ及び２５ｂを構成する材料と同様の材料から成るボンディングワイヤ３５ａ（３５ｂ）により接続されている。
【００４６】
半導体素子３２ａ（３２ｂ）の上面（回路形成面）と、ボンディングワイヤ３５ａ（３５ｂ）と、配線基板３１ａ（３１ｂ）に於いて当該ボンディングワイヤ３５ａ（３５ｂ）が接続されている箇所には、外部環境に因る劣化から保護するために、封止樹脂２６を構成する材料と同様の材料から成る封止樹脂３６ａ（３６ｂ）が被覆されている。
【００４７】
このように、本例の半導体装置２０においては、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の一方の主面に、封止樹脂２６によって配線基板２１の上面と共に個別に被覆された（樹脂封止された）半導体素子２２ａ及び２２ｂが配線基板２１の一方の対角線上に平面的に所定長さ離間して搭載され、他方の対角線上には、封止樹脂２６によって配線基板２１の上面と共に被覆されない（樹脂封止されない）半導体装置３０ａ及び３０ｂが搭載されている。
【００４８】
即ち、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の四隅近傍において、対角状に位置する２個の隅部近傍に封止樹脂２６によって配線基板２１の上面と共に個別に被覆された（樹脂封止された）半導体素子２２ａ及び２２ｂが設けられており、封止樹脂２６によって被覆された（樹脂封止された）箇所が、配線基板２１の主面において略対角状に分散して形成されている。
【００４９】
そして、かかる箇所以外の配線基板２１の主面の箇所に、封止樹脂２６による被覆（樹脂封止）が必要とされない半導体装置３０ａ及び３０ｂが搭載されている。
【００５０】
従って、かかる半導体装置２０の製造工程において、配線基板２１上に封止樹脂２６を形成する際に、図１に示すような配線基板２１における局所的な大きな反り、或いは、部分的に上方に凸状となる反り及び下方に凸状となる反りが混在して発生するうねりの発生を低減することができる。
【００５１】
よって、半導体装置２０を図示を省略するマザーボード等に実装する際に接続不良等の不具合が発生したり、配線基板２１上に封止樹脂２６を形成する工程以降の半導体装置２０の製造工程に於いて適切な処理が施せない等の不具合の発生を防止することができる。
【００５２】
従って、外形サイズが所定の規格に管理された半導体装置２０を製造することができ、当該半導体装置２０を図示を省略するマザーボード等に実装する際の製造歩留を向上させることができる。
【００５３】
本例の半導体装置２０は、配線基板２１の他方の主面に球状電極端子等の外部接続端子２３がグリッド状に複数配設された所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置である。しかしながら、図１に示す例と異なり、配線基板２１の反り又はうねりを、より抑制することができるため、当該半導体装置２０の製造工程中、外部接続端子２３を形成する工程、及び配線基板２１が所謂多面取り基板である場合に当該配線基板２１をダイシングブレード等を用いて切断し個片化する工程等において、適切な処理を施すことができ、その結果、製造歩留を向上させることができる。
【００５４】
また、上述したように、本例では、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の一方の主面に、封止樹脂２６によって配線基板２１の上面と共に個別に被覆された（樹脂封止された）半導体素子２２ａ及び２２ｂが配線基板２１の一方の対角線上に平面的に所定長さ離間して搭載されている。即ち、封止樹脂２６が形成される配線基板２１の箇所は、配線基板２１の平面に於いて略点対称に位置している。従って、封止樹脂２６が形成される配線基板２１の箇所が非対象に位置している場合に比し、配線基板２１の反り又はうねりの発生を、より抑制することができる。
【００５５】
更に、封止樹脂２６による被覆（樹脂封止）された箇所以外の配線基板２１の主面の箇所に、封止樹脂２６による被覆（樹脂封止）が必要とされない電子部品として半導体装置３０ａ及び３０ｂが搭載されている。
【００５６】
従って、予め個別に試験を行い良品保証された半導体装置を配線基板２１に搭載することができ、完成体である半導体装置２０の試験歩留を向上させることができる。
【００５７】
また、半導体装置３０ａ及び３０ｂとして、メモリ等の汎用の半導体装置を用いることができるため、半導体装置２０の製造コストを低減することができる。更に、封止樹脂２６による被覆（樹脂封止）された箇所以外の配線基板２１の主面の箇所をも、電子部品の搭載領域として利用しているため、配線基板２１の主面の有効利用を図ることができる。
【００５８】
また、本例においては、封止樹脂２６により樹脂封止された半導体素子２２ａ及び２２ｂを配線基板２１上に離間分布して配置しているため、半導体素子２２ａ及び２２ｂからの発熱を効率的に配線基板２１内に分散させることができ、半導体装置２０の放熱性を向上させることができる。即ち、一の半導体素子２２ａ又は２２ｂからの発熱の影響を他の半導体素子２２ｂ又は２２ａは受け難いため、温度上昇に起因する半導体素子２２ａ及び２２ｂの動作特性の異常の発生を抑制することができる。
【００５９】
ところで、本発明では、配線基板２１上において半導体素子２２ａ及び２２ｂを樹脂封止する封止樹脂２６の形成高さ、即ち、当該封止樹脂２６の上面の位置と、封止樹脂２６により樹脂封止されない半導体装置３０ａ及び３０ｂの配線基板２１上における搭載高さとの関係につき、特に制限はなく、図４に示すように、配線基板２１上において半導体素子２２ａ及び２２ｂを樹脂封止する封止樹脂２６の形成高さが、封止樹脂２６により樹脂封止されない半導体装置３０ａ及び３０ｂの搭載高さより高くなるように、封止樹脂２６を配線基板２１上に設けてもよい。
【００６０】
図４に示すように、配線基板２１上において半導体素子２２ａ及び２２ｂを樹脂封止する封止樹脂２６'の形成高さが、封止樹脂２６'により樹脂封止されない半導体装置３０ａ及び３０ｂの搭載高さより高くなるように設定される場合、半導体装置２０'の外形高さが封止樹脂２６'によって定められる。即ち、封止樹脂２６'が形成された部分の高さが最も高くなるため、半導体装置２０'の製造工程においてハンドラー又はピックアップツール等による半導体装置２０'の操作を容易に行うことができる。
【００６１】
封止樹脂２６'により樹脂封止されない半導体装置３０ａ及び３０ｂの搭載高さが、半導体素子２２ａ及び２２ｂを樹脂封止する封止樹脂２６'の形成高さより高くなるように設定される態様では、半導体装置３０ａ及び３０ｂの上面を吸着してハンドリングすることとなり、半導体素子２２ａ及び２２ｂと半導体装置３０ａ及び３０ｂとが配線基板２１に搭載されて成る半導体装置をハンドリングする際又は出荷トレーに収納して輸送する際等に、不用意に半導体装置３０ａ及び３０ｂに応力が作用して、半導体装置３０ａ及び３０ｂと配線基板２１との接続信頼性が劣化してしまうおそれがある。
【００６２】
これに対し、図４に示すように、配線基板２１上において半導体素子２２ａ及び２２ｂを樹脂封止する封止樹脂２６'の形成高さが、封止樹脂２６'により樹脂封止されない半導体装置３０ａ及び３０ｂの搭載高さより高くなるように設定される場合、樹脂封止２６'の上面を吸着してハンドリングすることとなる。
【００６３】
従って、半導体素子２２ａ及び２２ｂに封止樹脂２６'による封止樹脂がなされ、半導体装置３０ａ及び３０ｂが配線基板２１に搭載されたものの、未だ完全に完成されていない半導体装置をハンドリングする際又は半導体装置２０'を出荷トレーに収納して輸送する際等に、不用意に半導体装置３０ａ及び３０ｂに応力が作用して、半導体装置３０ａ及び３０ｂと配線基板２１との接続信頼性が劣化してしまうことを防止することができる。
【００６４】
ところで、図２乃至図４に示す例では、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の一方の主面に、半導体素子２２ａ及び２２ｂが配線基板２１の一方の対角線上に平面的に所定長さ離間して搭載され、半導体素子２２ａ及び２２ｂはそれぞれ個別に、封止樹脂２６（２６'）によって配線基板２１の上面と共に被覆（樹脂封止）されていたが、本発明の半導体装置はかかる例に限定されず、図５及び図６に示す構造を有していてもよい。
【００６５】
なお、図５（ａ）は半導体装置２０−１の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の線Ｘ−Ｘにおける断面図であり、図６（ｃ）は図５（ａ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図であり、図６（ｄ）は半導体装置２０−１の底面図である。また、図５（ｂ）'は図５（ｂ）に示す例の変形例を示す図である。また、図５及び図６において、図２乃至図４に示す箇所と同じ箇所には同じ番号を付し、その説明を省略する。
【００６６】
図５及び図６に示す例では、図２乃至図４に示す例と同様に、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の一方の主面に、半導体素子２２ａ及び２２ｂが配線基板２１の一方の対角線上に平面的に所定長さ離間して搭載され、半導体素子２２ａが配設されている箇所と半導体素子２２ｂが配設されている箇所とを橋絡するように封止樹脂２６−１が一体形成されている。一方、配線基板２１の他方の対角線上には、封止樹脂２６によって配線基板２１の上面と共に被覆されていない（樹脂封止されていない）半導体装置３０ａ及び３０ｂが搭載されている。
【００６７】
半導体素子２２ａが配設されている箇所と半導体素子２２ｂが配設されている箇所とを橋絡するように封止樹脂２６−１が一体形成されて、半導体素子２２ａ及び２２は共通に封止されている。
【００６８】
従って、封止樹脂２６−１を形成する際に、トランスファー成形法を用いて、金型内の１つのキャビティに１箇所から樹脂を充填することにより、一括して半導体素子２２ａ及び２２を共通に封止する封止樹脂２６−１を形成することができる。よって、金型の構造の複雑化を回避でき、更に金型を構成する部品点数を削減することができると共に、封止樹脂２６−１による樹脂封止効率の向上を図ることができる。
【００６９】
なお、本例においても、図２及び図３に示す例と同様の効果を奏することができることは言うまでもない。即ち、本例においても、封止樹脂２６、２６−１によって被覆される（樹脂封止される）半導体素子２２ａ及び２２ｂの配設箇所が、配線基板２１の主面において略対角状に分散して形成されているため、半導体装置２０−１の製造工程において、配線基板２１上に封止樹脂２６−１を形成する際に、配線基板２１における反り又はうねりが発生することを防止することができる等の効果を奏することができる。
【００７０】
また、図５（ｂ）'に示すように、図４に示す例と同様に、配線基板２１上において半導体素子２２ａ及び２２ｂを共通に樹脂封止する封止樹脂２６−１'の形成高さを、封止樹脂２６−１'により樹脂封止されない半導体装置３０ａ及び３０ｂの搭載高さより高くなるように設定してもよい。この場合、図４に示す例と同様に、半導体装置２０−１'の外形高さは封止樹脂２６−１'によって定められ、封止樹脂２６−１'が形成された部分の高さが最も高くなるため、半導体装置２０−１'の製造工程においてハンドラー又はピックアップツール等による半導体装置２０−１'の操作を容易に行うことができる。
【００７１】
ところで、図２乃至図６に示す例において、封止樹脂２６、２６'、２６−１、２６−１'によって配線基板２１の上面と共に被覆されていない（樹脂封止されていない）電子部品として半導体装置３０ａ及び３０ｂが用いられているが、本発明はかかる例に限定されず、チップコンデンサ或いはチップ抵抗等の受動素子部品、又は図７及び図８に示すように、所謂フェイスダウン状態で配線基板２１に搭載される半導体素子であってもよい。
【００７２】
なお、図７（ａ）は半導体装置２０−２の平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の線Ｘ−Ｘにおける断面図であり、図８（ｃ）は図７（ａ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図であり、図７（ｂ）'及び図８（ｃ）'は図７（ｂ）及び図８（ｃ）に示す例の変形例を示す図である。なお、図７及び図８において、図５及び図６に示す箇所と同じ箇所には同じ番号を付し、その説明を省略する。
【００７３】
図７及び図８に示す例では、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の一方の主面に、半導体素子２２ａ及び２２ｂが配線基板２１の一方の対角線上に平面的に所定長さ離間して搭載され、半導体素子２２ａが配設されている箇所と半導体素子２２ｂが配設されている箇所とを橋絡するように封止樹脂２６−１が一体形成されている。一方、配線基板２１の他方の対角線上には、封止樹脂２６−１によって配線基板２１の上面と共に被覆されていない（樹脂封止されていない）半導体素子４０と半導体装置３０ｂが搭載されている。
【００７４】
より具体的には、配線基板２１の前記主面の左上隅近傍に半導体素子２２ａ（図７（ａ）においては点線で示している）が、配線基板２１の前記主面の右下隅近傍に半導体素子２２ｂ（図７（ａ）においては点線で示している）が、配線基板２１の前記主面の右上隅近傍に半導体素子４０が、配線基板２１の前記主面の左下隅近傍に半導体装置３０ｂが、それぞれ設けられている。
【００７５】
半導体素子４０は、半導体素子２２ａ及び２２ｂを構成する材料と同様の材料から成り、半導体素子４０の主面には、図示を省略する電極パッドが複数列状に形成されている。当該電極パッドには、バンプと称される凸状（突起状）外部接続端子４２が接続されている。
【００７６】
凸状（突起状）外部接続端子４２は、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）或いはこれらの合金、半田、又はポリイミド等の樹脂を金属コートしたもの等から成る。凸状（突起状）外部接続端子４２は、前記電極パッド上に、例えば、めっき法、転写法、印刷法、又はボールボンディング法等により形成され、配線基板２１への実装の工法に応じて前記形成方法は適宜選択される。
【００７７】
かかる構造を有する半導体素子４０は所謂フェイスダウン状態で配線基板２１に搭載され、半導体素子４０の凸状（突起状）外部接続端子４２と配線基板２１の上面に形成された電極とが接続されている。即ち、半導体素子４０は、配線基板２１にフリップチップ接続されている。
【００７８】
半導体素子４０の凸状（突起状）外部接続端子４２が形成されている面と配線基板２１との間には、アンダーフィル材４３が接続補強材として配設されている。アンダーフィル材４３として、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はアクリル樹脂等から成る熱硬化性接着剤を用いてもよい。また、アンダーフィル材４３は、半導体素子４０の凸状（突起状）外部接続端子４２が形成されている面と配線基板２１との間に供給される際には、ペースト状又はフィルム状の何れの状態であってもよい。
【００７９】
このように、半導体素子４０は所謂フェイスダウン状態で配線基板２１に搭載されるため、封止樹脂２６−１に被覆されない電子部品としての配線基板２１における搭載高さを低くすることができる。
【００８０】
よって、図７（ｂ）'及び図８（ｃ）'に示すように、配線基板２１上において半導体素子２２ａ及び２２ｂを樹脂封止する封止樹脂２６−１'の形成高さを、封止樹脂２６−１'により樹脂封止されない半導体素子４０及び半導体装置３０ｂの搭載高さより高くなるように設定することと相俟って、半導体装置２０−２'の外形高さを封止樹脂２６−１'によって定めることができ、封止樹脂２６−２'が形成された部分の高さが最も高くなるため、半導体装置２０−２'の製造工程においてハンドラー又はピックアップツール等による半導体装置２０−２'の操作を容易に行うことができる。
【００８１】
また、このように、半導体素子４０は所謂フェイスダウン状態で配線基板２１に搭載されるため、当該半導体素子４０の背面は露出している。従って、半導体素子４０の放熱性を向上させることができる。なお、詳細は後述するが、図１１に示すように、半導体装置２０−２'の上部に容易にヒートスプレッダ（放熱部材）８０を取り付けることができ、さらに放熱性を向上させることができる。
【００８２】
なお、本例においても、図２及び図３に示す例と同様の効果を奏することができることは言うまでもない。即ち、本例においても、封止樹脂２６−１、２６−１'によって被覆される（樹脂封止される）半導体素子２２ａ及び２２ｂの配設箇所が、配線基板２１の主面において略対角状に分散して形成されているため、半導体装置２０−２の製造工程において、配線基板２１上に封止樹脂２６−１、２６−１'を形成する際に、配線基板２１における反り又はうねりが発生することを防止することができる等の効果を奏することができる。
【００８３】
また、図５及び図６に示す例と同様に、半導体素子２２ａが配設されている箇所と半導体素子２２ｂが配設されている箇所とを橋絡するように封止樹脂２６−１、２６−１'が一体形成されて、半導体素子２２ａ及び２２を共通に封止する構造となっているため、封止樹脂２６−１、２６−１'を形成する際に、トランスファー成形法を用いて、金型内の１つのキャビティに１箇所から樹脂を充填することにより一括して半導体素子２２ａ及び２２を共通に封止する封止樹脂２６−１、２６−１'を形成することができる。よって、金型の構造の複雑化を回避でき、更に金型を構成する部品点数を削減することができると共に、封止樹脂２６−１、２６−１'による樹脂封止効率の向上を図ることができる。
【００８４】
図２乃至図８に示す本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置２０、２０'、２０−１、２０−１'、２０−２、２０−２'においては、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の一方の主面に、２つの半導体素子２２ａ及び２２ｂが配線基板２１の一方の対角線上に搭載されて封止樹脂２６により樹脂封止され、電子部品として２つの半導体装置３０ａ及び３０ｂ又は半導体装置３０ｂ及び半導体素子４０が配線基板２１の他方の対角線上に、所定長さ離間して搭載されている。
【００８５】
しかしながら、本発明はかかる例に限定されず、図９及び図１０に示す態様（本発明の第２の実施の形態）であってもよい。
【００８６】
［第２の実施の形態］
図９に本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置５０の構造を示す。図９（ａ）は半導体装置５０の平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の線Ｘ１−Ｘ１における断面図であり、図９（ｃ）は図９（ａ）の線Ｘ２−Ｘ２における断面図であり、図９（ｄ）は図９（ａ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図である。なお、図９において、図２乃至図８に示す箇所と同じ箇所には同じ番号を付し、その説明を省略する。
【００８７】
図９に示す半導体装置５０においては、配線基板２１上において、封止樹脂２６−２により配線基板２１の上面と共に被覆（樹脂封止）される半導体素子が載置される箇所と、封止樹脂２６−２により被覆（樹脂封止）されることなく電子部品が載置される箇所とが、略市松模様状に形成されている。
【００８８】
より具体的には、本例では、前記市松模様は６つの升目から構成されており、図９（ａ）に示すように、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の主面の左上隅近傍に略同一外形サイズの半導体素子２２ａ及び４０ａ（図９（ａ）においては点線で示している）が配設され、配線基板２１の前記主面の右上隅近傍に略同一外形サイズの半導体素子２２ｂ及び４０ｂ（図９（ａ）においては点線で示している）が配設され、半導体素子２２ａと半導体素子２２ｂとの間において半導体素子４０ｃが凸状（突起状）外部接続端子４２を介して配線基板２１にフリップチップ実装され、半導体素子４０ｃと配線基板２１との間隙にはアンダーフィル材４３が配設されている。
【００８９】
半導体素子４０ａ及び４０ｂは、それぞれ凸状（突起状）外部接続端子４２を介して配線基板２１にフリップチップ実装され、半導体素子４０ａ及び４０ｂと配線基板２１との間隙にはそれぞれアンダーフィル材４３が配設されている。半導体素子２２ａ及び半導体素子２２ｂは、それぞれダイボンディング材２４を介して、半導体素子４０ａ及び半導体素子４０ｂ上に積層搭載されている。半導体素子２２ａ及び２２ｂの電極パッド（図示を省略する）と配線基板２１の電極（図示を省略する）とは、ボンディングワイヤ２５ａ及び２５ｂ（図９（ａ）においては点線で示している）が接続されている。このように、半導体素子２２ａ及び半導体素子２２ｂは、半導体素子４０ａ及び半導体素子４０ｂ上に積層搭載されているため、多機能化又はメモリの大容量化等、半導体装置５０の機能を向上させることができる。
【００９０】
配線基板２１の主面の左下隅近傍には半導体装置３０ａがその外部接続端子３３ａを介して配設され、配線基板２１の前記主面の右下隅近傍にはチップコンデンサ或いはチップ抵抗等の４つの受動素子部品５５が半田５６を介して配設されている。半導体装置３０ａと４つの受動素子部品５５との間に、半導体素子２２ａ及び半導体素子２２ｂと同様の材料から形成されてなる半導体素子２２ｃが設けられている。
【００９１】
半導体素子２２ｃはダイボンディング材２４を介して配線基板２１上に設けられ、半導体素子２２ｃの電極パッド（図示を省略する）と配線基板２１の電極（図示を省略する）とは、ボンディングワイヤ２５ｃ（図９（ａ）においては点線で示している）が接続されている。
【００９２】
本例では更に、外部環境に因る劣化から保護するために、半導体素子２２ａの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ａ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ａが接続されている箇所と、半導体素子２２ｃの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｃ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｃが接続されている箇所とを橋絡するように、半導体素子２２ｃの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｃ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｃが接続されている箇所と、半導体素子２２ｂの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｂ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｂが接続されている箇所とを橋絡するように、封止樹脂２６−２が設けられている。
【００９３】
即ち、本例では、配線基板２１上において、封止樹脂２６−２により配線基板２１の上面と共に被覆（樹脂封止）される半導体素子２２ａ乃至２２ｃが載置される箇所と、封止樹脂２６−２により被覆（樹脂封止）されることなく半導体素子４０ｃ、半導体装置３０ａ、及び受動素子部品５５が載置される箇所とが、６つの升目から構成される略市松模様状に形成され、当該市松模様を構成する升目の１升分に相当する封止樹脂部（半導体素子２２ｃが配設される箇所）と、この封止樹脂部と斜めの方向に位置する近接する他の１升分に相当する封止樹脂部（半導体素子２２ａ及び２２ｂが形成される箇所）とが封止樹脂２６−２により橋絡された構造となっている。
【００９４】
よって、本例においても、本発明の第１の実施の形態と同様に、封止樹脂２６−１によって被覆される（樹脂封止される）半導体素子２２ａ、２２ｂ及び２２ｃの配設箇所が、配線基板２１の主面において分散して形成されているため、半導体装置５０の製造工程において、配線基板２１上に封止樹脂２６−２を形成する際に、配線基板２１における反り又はうねりが発生することを防止することができる。
【００９５】
また、上述のように、半導体素子２２ａが配設されている箇所と半導体素子２２ｂが配設されている箇所とを橋絡するように、且つ、半導体素子２２ｂが配設されている箇所と半導体素子２２ｃが配設されている箇所とを橋絡するように、封止樹脂２６−２が形成されて、半導体素子２２ａと、半導体素子２２ｂと、半導体素子２２ｃとを共通に封止する構造となっている。
【００９６】
よって、封止樹脂２６−２を形成する際に、トランスファー成形法を用いて、金型内の１つのキャビティに１箇所から樹脂を充填することにより一括して、半導体素子２２ａと、半導体素子２２ｂと、半導体素子２２ｃとを共通に封止する封止樹脂２６−２を形成することができる。よって、金型の構造の複雑化を回避でき、更に金型を構成する部品点数を削減することができると共に、封止樹脂２６−２による樹脂封止効率の向上を図ることができる。
【００９７】
また、本例では、図９（ｂ）乃至図９（ｄ）に示すように、配線基板２１上において半導体素子２２ａ乃至２２ｃを樹脂封止する封止樹脂２６−２の形成高さは、封止樹脂２６−２により樹脂封止されない半導体装置３０ａ、半導体素子４０ｃ及び受動素子部品５５の搭載高さより高くなるように設定されている。
【００９８】
従って、半導体素子２２ａ乃至２２ｃに封止樹脂２６−２による封止樹脂がなされ、半導体装置３０ａ、半導体素子４０ｃ及び受動素子部品５５が配線基板２１に搭載されたものの、未だ完全に完成されていない半導体装置をハンドリングする際又は半導体装置５０を出荷トレーに収納して輸送する際等には、樹脂封止２６−２の上面を吸着してハンドリングすることができ、不用意に半導体装置３０ａ、半導体素子４０ｃ及び受動素子部品５５に応力が作用して、半導体装置３０ａ、半導体素子４０ｃ及び受動素子部品５５と配線基板２１との接続信頼性が劣化してしまうことを防止することができる。
【００９９】
更に、詳細は後述するが、図１１に示すヒートスプレッダ（放熱部材）８０を半導体装置５０の上部に容易に取り付けることができる。
【０１００】
このように、図９に示す半導体装置５０においては、配線基板２１上において、封止樹脂２６−２により配線基板２１の上面と共に被覆（樹脂封止）される半導体素子が載置される箇所と、封止樹脂２６−２により被覆（樹脂封止）されることなく電子部品が載置される箇所とが、６つの升目から構成される略市松模様状に形成されているが、当該略市松模様を構成する升目の数に制限はなく、例えば、図１０に示す半導体装置７０のように、配線基板２１上において、封止樹脂２６−３により配線基板２１の上面と共に被覆（樹脂封止）される半導体素子が載置される箇所と、封止樹脂２６−３により被覆（樹脂封止）されることなく電子部品が載置される箇所とが、９つの升目から構成される略市松模様状に形成されていてもよい。
【０１０１】
図１０（ａ）は半導体装置７０の平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の線Ｘ−Ｘにおける断面図であり、図１０（ｃ）は図１０（ａ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図である。なお、図１０において、図９に示す箇所と同じ箇所には同じ番号を付し、その説明を省略する。
【０１０２】
本例では、前記市松模様は９つの升目から構成されており、図１０（ａ）に示すように、略矩形状の平面形状を有する配線基板２１の主面の左上隅近傍に半導体素子２２ａ（図１０（ａ）においては点線で示している）が配設され、配線基板２１の前記主面の右上隅近傍に半導体素子２２ｂ（図１０（ａ）においては点線で示している）が配設され、半導体素子２２ａと半導体素子２２ｂとの間にはチップコンデンサ或いはチップ抵抗等の３つの受動素子部品５５が半田５６を介して配設されている。
【０１０３】
半導体素子２２ａ及び半導体素子２２ｂは、ダイボンディング材２４を介して配線基板２１上に設けられている。半導体素子２２ａ及び２２ｂの電極パッド（図示を省略する）と配線基板２１の電極（図示を省略する）とは、ボンディングワイヤ２５ａ及び２５ｂ（図１０（ａ）においては点線で示している）が接続されている。
【０１０４】
配線基板２１の主面の左下隅近傍に半導体素子２２ｃ（図１０（ａ）においては点線で示している）が配設され、配線基板２１の前記主面の右下隅近傍に半導体素子２２ｄ（図１０（ａ）においては点線で示している）が配設され、半導体素子２２ｃと半導体素子２２ｄとの間にはチップコンデンサ或いはチップ抵抗等の３つの受動素子部品５５が半田５６を介して配設されている。
【０１０５】
半導体素子２２ｃ及び半導体素子２２ｄは、ダイボンディング材２４を介して配線基板２１上に設けられている。半導体素子２２ｃ及び２２ｄの電極パッド（図示を省略する）と配線基板２１の電極（図示を省略する）とは、ボンディングワイヤ２５ｃ及び２５ｄ（図１０（ａ）においては点線で示している）が接続されている。
【０１０６】
更に、半導体素子２２ａと半導体素子２２ｃとの間には半導体装置３０ａがその外部接続端子（図示を省略する）を介して配線基板２１上に配設され、半導体素子２２ｂと半導体素子２２ｄとの間には半導体装置３０ｂが、その外部接続端子３３ｂを介して配線基板２１上に配設されている。
【０１０７】
また、半導体装置３０ａと半導体装置３０ｂとの間には、ダイボンディング材（図示を省略する）を介して半導体素子２２ｅが配線基板２１上に設けられている。半導体素子２２ｅの電極パッド（図示を省略する）と配線基板２１の電極（図示を省略する）とは、ボンディングワイヤ２５ｅ（図１０（ａ）においては点線で示している）が接続されている。
【０１０８】
本例では更に、外部環境に因る劣化から保護するために、半導体素子２２ｅの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｅ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｅが接続されている箇所と、半導体素子２２ａの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ａ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ａが接続されている箇所とを橋絡するように、半導体素子２２ｅの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｅ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｅが接続されている箇所と、半導体素子２２ｂの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｂ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｂが接続されている箇所とを橋絡するように、半導体素子２２ｅの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｅ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｅが接続されている箇所と、半導体素子２２ｃの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｃ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｃが接続されている箇所とを橋絡するように、半導体素子２２ｅの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｅ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｅが接続されている箇所と、半導体素子２２ｄの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｄ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｄが接続されている箇所とを橋絡するように、封止樹脂２６−３が設けられている。
【０１０９】
即ち、本例では、配線基板２１上において、封止樹脂２６−３により配線基板２１の上面と共に被覆（樹脂封止）される半導体素子２２ａ乃至２２ｅが載置される箇所と、封止樹脂２６−３により被覆（樹脂封止）されることなく半導体装置３０ａ、半導体装置３０ｂ、及び受動素子部品５５が載置される箇所とが、９つの升目から構成される略市松模様状に形成され、当該市松模様を構成する升目の１升分に相当する封止樹脂部（半導体素子２２ｅが配設される箇所）と、この封止樹脂部と斜めの方向に位置する近接する他の１升分に相当する封止樹脂部（半導体素子２２ａ乃至半導体素子２２ｄが形成される箇所）とが封止樹脂２６−３により橋絡された構造となっている。
【０１１０】
よって、本例においても、本発明の第１の実施の形態と同様に、封止樹脂２６−３によって被覆される（樹脂封止される）半導体素子２２ａ乃至２２ｅの配設箇所が、配線基板２１の主面において分散して形成されているため、半導体装置５０の製造工程において、配線基板２１上に封止樹脂２６−３を形成する際に、配線基板２１における反り又はうねりが発生することを防止することができる。
【０１１１】
また、上述のように、半導体素子２２ｅが配設されている箇所と半導体素子２２ａが配設されている箇所とを橋絡するように、半導体素子２２ｅが配設されている箇所と半導体素子２２ｂが配設されている箇所とを橋絡するように、半導体素子２２ｅが配設されている箇所と半導体素子２２ｃが配設されている箇所とを橋絡するように、半導体素子２２ｅが配設されている箇所と半導体素子２２ｄが配設されている箇所とを橋絡するように、封止樹脂２６−３が形成されて、半導体素子２２ａ乃至半導体素子２２ｅを共通に封止する構造となっている。
【０１１２】
よって、封止樹脂２６−３を形成する際に、トランスファー成形法を用いて、金型内の１つのキャビティに１箇所から樹脂を充填することにより一括して、半導体素子２２ａ乃至２２ｅを共通に封止する封止樹脂２６−３を形成することができる。従って、金型の構造の複雑化を回避でき、更に金型を構成する部品点数を削減することができると共に、封止樹脂２６−３による樹脂封止効率の向上を図ることができる。
【０１１３】
また、本例では、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示すように、配線基板２１上において半導体素子２２ａ乃至２２ｅを樹脂封止する封止樹脂２６−３の形成高さは、封止樹脂２６−３により樹脂封止されない半導体装置３０ａ、半導体装置３０ｂ及び受動素子部品５５の搭載高さより高くなるように設定されている。
【０１１４】
従って、半導体素子２２ａ乃至２２ｅに封止樹脂２６−３による封止樹脂がなされ、半導体装置３０ａ、半導体装置３０ｂ及び受動素子部品５５が配線基板２１に搭載されたものの、未だ完全に完成されていない半導体装置をハンドリングする際又は半導体装置７０を出荷トレーに収納して輸送する際等には、樹脂封止２６−３の上面を吸着してハンドリングすることができ、不用意に半導体装置３０ａ、半導体装置３０ｂ及び受動素子部品５５に応力が作用して、半導体装置３０ａ、半導体装置３０ｂ及び受動素子部品５５と配線基板２１との接続信頼性が劣化してしまうことを防止することができる。
【０１１５】
［第３の実施の形態］
上述したように、図７（ａ）、図７（ｂ）'、及び図８（ｃ）'に示す半導体装置２０−２'においては、封止樹脂２６−１'によって配線基板２１の上面と共に被覆されていない（樹脂封止されていない）電子部品として、所謂フェイスダウン状態で配線基板２１にフリップチップ実装される半導体素子４０が用いられている。
【０１１６】
本発明においては、フリップチップ実装されている半導体素子４０からの放熱を図るべく、図１１に示すように、ヒートスプレッダ（放熱部材）８０を設けてもよい。
【０１１７】
ここで、図１１（ａ）はヒートスプレッダ８０が設けられた半導体装置２０−３の平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の線Ｘ−Ｘにおける断面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ａ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図である。なお、図１１において、図７（ａ）、図７（ｂ）'、及び図８（ｃ）'に示す箇所と同じ箇所には同じ番号を付し、その説明を省略する。
【０１１８】
図１１に示すように、本例においては、配線基板２１と略同じ平面積を有するヒートスプレッダ８０が半導体装置２０−３の上方に設けられている。
【０１１９】
ヒートスプレッダ８０は、例えば、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、或いはモリブデン（Ｍｏ）等の金属又はこれらの合金、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）系、炭化ケイ素（ＳｉＣ）系、ムライト（Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系等のセラミック、アルミシリコンカーバイド(Ａｌ−ＳｉＣ)系等の金属−セラミック複合材等から成る。
【０１２０】
封止樹脂２６−１'とヒートスプレッダ８０との間には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂或いはアクリル樹脂等から成る熱硬化性接着剤８１が設けられ、これにより、両者が固着されている。なお、熱硬化性接着剤８１は、封止樹脂２６−１とヒートスプレッダ８０との間に供給する際はペースト状又はフィルム状の何れであってもよい。
【０１２１】
配線基板２１にフリップチップ実装されている半導体素子４０の背面とヒートスプレッダ８０との間には、高熱伝導性接着剤８２が設けられている。高熱伝導性接着剤８２として、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属粒子、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）等のセラミック粒子を含んだエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、或いはアクリル樹脂等からなる熱可塑性又は熱硬化性接着剤を用いることができる。
【０１２２】
かかる構造の下、半導体装置２０−３の上方に設けられたヒートスプレッダ８０は封止樹脂２６−１'の上面に熱硬化性接着剤８１を介して固定されるとともに、配線基板２１にフリップチップ実装されている半導体素子４０の背面に、高熱伝導性接着剤８２を介して接続される。
【０１２３】
このように、半導体装置２０−３においては、図７（ａ）、図７（ｂ）'、及び図８（ｃ）'に示した半導体装置２０−２'にヒートスプレッダ８０を固着した構成とすることにより、配線基板２１にフリップチップ実装されている半導体素子４０からの発熱を放散させることができる。
【０１２４】
特に、本例では、ヒートスプレッダ８０は、熱硬化性接着剤８１及び高熱伝導性接着剤８２を介して、封止樹脂２６−１'及び半導体素子４０に固着されているため、ヒートスプレッダ８０が発熱源である半導体素子４０のみに取り付けられる場合に比し、ヒートスプレッダ８０と半導体素子４０との固着箇所に集中する応力を分散させることができる。
【０１２５】
また、本例では、封止樹脂２６−１'の形成高さは、封止樹脂２６−１'により樹脂封止されない半導体素子４０及び半導体装置３０ｂの搭載高さより高く設定されているため、半導体装置２０−２'の上部に容易にヒートスプレッダ８０を取り付けることができる。
【０１２６】
なお、本例では、半導体装置３０ｂとヒートスプレッダ８０とは固着されていないが、半導体素子２２ａが配設されている箇所と半導体素子２２ｂが配設されている箇所とを橋絡するように配線基板２１の略対角線上に形成された封止樹脂２６−１'と、半導体素子４０とにヒートスプレッダ８０は固着されているため、ヒートスプレッダ８０が傾斜することなく、精度良く安定して取り付けることができる
２．本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法
以下では、上述の第３の実施の形態として説明した半導体装置２０−３，即ち、ヒートスプレッダ８０が固着された半導体装置２０−２'の製造方法を主として説明し、他の実施の形態の製造方法については、各工程の説明に於いて適宜説明する。図１２（ａ）乃至図１４（ｈ）の各図において、上図は図１１の線Ｘ−Ｘにおける断面図であり、下図は図１１（ａ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図である。
【０１２７】
まず、図１２（ａ）に示すように、配線基板２１上に、後の工程（図１２（ｂ）に示す工程）で配線基板２１の上面と共に封止樹脂２６−１'を用いて樹脂封止する半導体素子２２ａを、ダイボンディング材２４を介して配線基板２１上に設け、当該半導体素子２２ａの電極パッド（図示を省略する）と配線基板２１の電極（図示を省略する）とを、ボンディングワイヤ２５ａで接続する。図１２（ａ）では図示されないが、同様に、半導体素子２２ｂもダイボンディング材２４を介して配線基板２１上に設けられ、当該半導体素子２２ｂの電極パッド（図示を省略する）と配線基板２１の電極（図示を省略する）とをボンディングワイヤ２５ｂで接続される。
【０１２８】
次に、図１２（ｂ）で示すように、トランスファー成形法を用いて、金型内の１つのキャビティに１箇所から樹脂を充填することにより一括して半導体素子２２ａ及び２２ｂを共通に封止する封止樹脂２６−１'を形成する。即ち、半導体素子２２ａの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ａ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ａが接続されている箇所と、半導体素子２２ｂの上面（回路形成面）、ボンディングワイヤ２５ｂ、及び配線基板２１に於いて当該ボンディングワイヤ２５ｂが接続されている箇所とを橋絡するように、封止樹脂２６−１'を一体形成する。
【０１２９】
よって、金型の構造の複雑化を回避でき、更に金型を構成する部品点数を削減することができると共に、封止樹脂２６−１'による樹脂封止効率の向上を図ることができる。よって、製造コストの上昇を招くことなく、生産性を向上させることができる。
【０１３０】
また、封止樹脂２６−１'によって被覆される（樹脂封止される）半導体素子２２ａ及び２２ｂの配設箇所が、配線基板２１の主面において略対角状に分散して形成されているため、封止樹脂２６−１'を配線基板２１上に形成する際に、配線基板２１における反り又はうねりが発生することを防止することができる。
【０１３１】
更に、配線基板２１上において半導体素子２２ａ及び２２ｂを樹脂封止する封止樹脂２６−１'の形成高さは、後の工程（図１２（ｃ）に示す工程）で配線基板２１上に配設される半導体装置３０ｂ及び半導体素子４０の配線基板２１上における搭載高さより高くなるように設定される。従って、封止樹脂２６−１'が形成された部分の高さが最も高くなるため、本半導体装置２０−２'（２０−３）の製造工程等においてハンドラー又はピックアップツール等による半導体装置２０−２'（２０−３）の操作を容易に行うことができる。
【０１３２】
本工程において使用される金型のキャビティの形状を変えることにより、半導体素子２２ａ及び２２ｂを個別に樹脂封止する態様（図２参照）、市松模様を構成する升目の１升分に相当する一の部位（半導体素子２２ｃが配設されている箇所）と、この箇所と斜めの方向に位置する近接する他の２つの１升分に相当する部位（半導体素子２２ａが配設されている箇所及び半導体素子２２ｂが配設されている箇所）とを橋絡するように一括して樹脂封止する態様（図９参照）、又は市松模様を構成する升目の１升分に相当する一の部位（半導体素子２２ｅが配設されている箇所）と、この箇所と斜めの方向に位置する近接する他の４つの１升分に相当する部位（半導体素子２２ａ乃至半導体素子２２ｄが配設されている箇所）とを橋絡するように一括して樹脂封止する態様（図１０参照）を形成することができる。
【０１３３】
なお、本例では、樹脂封止する方法として、トランスファー成形法が用いられているが、コンプレッション成形法又はポッティング法等により樹脂封止してもよい。
【０１３４】
次に、図１２（ｃ）に示すように、配線基板２１の主面であって、封止樹脂２６−１'が形成されていない箇所に、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置である半導体装置３０ｂ及び半導体素子４０を搭載する。
【０１３５】
具体的には、配線基板２１の主面であって、封止樹脂２６−１'が配設されていない箇所に形成された電極（図示を省略）であって、半導体装置３０ｂの半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子３３ａ及び半導体素子４０のバンプと称され半田を主体とする凸状（突起状）外部接続端子４２が接続される電極に、予備半田として半田ペースト６０を形成する。
【０１３６】
半田ペースト６０は、例えば、マスク印刷法、転写法、又はディスペンス法等により配線基板２１の電極に形成することができる。また、半田ペースト６０は、配線基板２１の電極ではなく、半導体装置３０ｂの外部接続端子３３ａ又は半導体素子４０の凸状外部接続端子４２に形成してもよい。
【０１３７】
半田ペースト６０が形成された配線基板２１の電極と半導体装置３０ｂの外部接続端子３３ａとを接続するように半導体装置３０ｂを配線基板２１に搭載し、次いで、半導体素子４０を所謂フェイスダウン状態で配線基板２１に搭載して、半導体素子４０の凸状（突起状）外部接続端子４２と配線基板２１の電極とを接続する。但し、半導体素子４０を配線基板２１にフェイスダウン状態で接続し、次いで、半導体装置３０ｂを配線基板２１に接続してもよい。
【０１３８】
なお、配線基板２１にチップコンデンサ或いはチップ抵抗等の受動素子部品５５を配設する態様（図９又は図１０参照）にあっても、配線基板２１の電極に上述の半田ペースト６０と同様の半田ペースト５６を介して受動素子部品５５は配設される。
【０１３９】
次に、図１３（ｄ）に示すように、リフロー半田付け工程を行い、前記半田ペースト５６を一括して溶融して、半導体装置３０ｂ及び半導体素子４０を配線基板２１に実装する。このとき、リフロー処理における最大到達温度として、２６０℃に設定してもよい。
【０１４０】
次いで、図１３（ｅ）に示すように、半導体素子４０の凸状（突起状）外部接続端子４２が形成されている面と配線基板２１との間に、ペースト状アンダーフィル材４３を接続補強材及び半導体素子４０の回路保護材として供給し、加熱により硬化させ、半導体素子４０のフリップチップ接続が完成する。
【０１４１】
半導体素子４０の配線基板２１へのフリップチップ接続にあっては、半導体素子４０を配線基板２１に搭載・接続する際に、予め配線基板２１の主面上にペースト状又はフィルム状のアンダーフィル材４３を供給しておき、荷重及び熱を印加してアンダーフィル材４３を介しながら半導体素子４０を配線基板２１に搭載することによりアンダーフィル材４３を押し広げて半導体素子４０の全面領域にアンダーフィル材４３を流動させて充填し、同時にアンダーフィル材４３を硬化させる方法を採用してもよい。この場合、上述の予備半田として半田ペースト６０の形成は不要となる。
【０１４２】
また、図１３（ｄ）に示すリフロー半田付け工程により、半導体装置３０ｂの配線基板２１への搭載・固着が完了した後に、半導体素子４０を配線基板２１にフリップチップ接続してもよい。
【０１４３】
しかる後、図１３（ｆ）に示すように、半導体素子２２ａ、２２ｂ及び４０と半導体装置３０ｂとが搭載・固着された配線基板２１の他方の主面（裏面）に対し、錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）半田、或いは錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）半田等、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子２３をグリッド状に複数配設する。このとき、配線基板２１において反り又はうねりは発生していないため、歩留まり良く外部接続端子２３を配線基板２１の主面（裏面）に配設することができる。
【０１４４】
次に、ダイシングブレード等を用いて、配線基板２１を、半導体素子２２ａ、２２ｂ及び４０と半導体装置３０ｂの搭載箇所を単位として切断し、個片化する。これにより、図７（ａ）、図７（ｂ）'及び図８（ｃ）'に示すＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型の半導体装置２０−２'が形成される。この個片化工程においても、配線基板２１において反り又はうねりは発生していないため、歩留まり良く図７（ａ）、図７（ｂ）'及び図８（ｃ）'に示す半導体装置２０−２'を形成することができる。
【０１４５】
なお、予め個片化された配線基板２１を用いて上述した外部端子配設工程までの処理を行う場合には、この個片化工程は不要となる。
【０１４６】
次に、フリップチップ実装されている半導体素子４０からの放熱を図るべく、配線基板２１と略同じ平面積を有するヒートスプレッダ８０を、半導体装置２０−２'の上方に設ける。
【０１４７】
まず、図１４（ｇ）に示すように、封止樹脂２６−１'の上面にペースト状又はフィルム状のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂或いはアクリル樹脂等から成る熱硬化性接着剤８１を設ける。また、半導体素子４０の背面に、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属粒子、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）等のセラミック粒子を含んだエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、或いはアクリル樹脂等からなる熱可塑性又は熱硬化性接着剤等の高熱伝導性接着剤８２を設ける。
【０１４８】
封止樹脂２６−１'の上面への熱硬化性接着剤８１の配設及び半導体素子４０の背面への高熱伝導性接着剤８２の配設にあっては、ディスペンス法、貼付法、又は印刷法等を用いることができる。
【０１４９】
なお、熱硬化性接着剤８１及び高熱伝導性接着剤８２を、封止樹脂２６−１'の上面及び半導体素子４０の背面ではなく、ヒートスプレッダ８０の封止樹脂２６−１'の上面及び半導体素子４０の背面に対向する面に予め形成してもよい。
【０１５０】
次に、図１４（ｈ）に示すように、熱硬化性接着剤８１が配設された封止樹脂２６−１'の上面及び高熱伝導性接着剤８２が配設された半導体素子４０の背面に、ヒートスプレッダ８０を搭載し、図示を省略する恒温槽等により、温度１２０℃乃至１８０℃の条件で約３０乃至６０分間加熱して、熱硬化性接着剤８１及び高熱伝導性接着剤８２を硬化（固化）させる。
【０１５１】
これにより、ヒートスプレッダ８０は、熱硬化性接着剤８１及び高熱伝導性接着剤８２を介して、封止樹脂２６−１'及び半導体素子４０のそれぞれに固着される。
【０１５２】
本例では、図１２（ｂ）に示す封止樹脂２６−１'を形成する工程において、当該封止樹脂２６−１'の形成高さは、図１２（ｃ）に示す工程により配線基板２１上に配設される半導体素子４０及び半導体装置３０ｂの配線基板２１上における搭載高さより高く設定されているため、半導体装置２０−２'の上部に容易にヒートスプレッダ８０を取り付けることができる。
【０１５３】
このようにして、ヒートスプレッダ８０が固着された半導体装置２０−２'、即ち、半導体装置２０−３が形成される。
【０１５４】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０１５５】
例えば、上述の各例では、封止樹脂２６、２６'、２６−１、２６−１'、２６−２、又は２６−３により被覆される半導体素子２２は、ボンディングワイヤ２５を介して配線基板２１に接続されていたが、本発明はかかる態様に限定されず、半導体素子を配線基板２１にフリップチップ実装し、かかる半導体素子を封止樹脂２６、２６'、２６−１、２６−１'、２６−２、又は２６−３で配線基板２１の上面の箇所と共に被覆する態様に対しても、本発明を適用することができる。
【０１５６】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
複数の半導体素子と、少なくとも一つの電子部品とが、略矩形形状を有する配線基板に搭載され、
前記配線基板の主面において、前記半導体素子が封止樹脂により封止されてなる半導体装置であって、
前記複数の半導体素子は、前記配線基板の四隅近傍において、対角状に位置する２つの隅部近傍に互いに所定長さ離間して搭載されることを特徴とする半導体装置。
（付記２）
付記１記載の半導体装置であって、
前記複数の半導体素子は、前記封止樹脂により個別に封止されることを特徴とする半導体装置。
（付記３）
付記１記載の半導体装置であって、
前記配線基板の主面において前記複数の半導体素子が搭載されている箇所を橋絡するように前記封止樹脂が一体形成されて、前記複数の半導体素子は共通に封止されることを特徴とする半導体装置。
（付記４）
付記１乃至３いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記電子部品は、前記配線基板の主面において前記封止樹脂が形成されない箇所に搭載されることを特徴とする半導体装置。
（付記５）
付記１乃至４いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記封止樹脂によって封止された前記複数の半導体素子は、互いに、前記配線基板の一方の対角線上に平面的に所定長さ離間して搭載され、
前記配線基板の他方の対角線上に前記電子部品が搭載されることを特徴とする半導体装置。
（付記６）
複数の半導体素子と、少なくとも一つの電子部品とが、略矩形形状を有する配線基板に搭載され、
前記配線基板の主面において、前記半導体素子が封止樹脂により封止されてなる半導体装置であって、
前記配線基板において、前記封止樹脂により封止される前記半導体素子が搭載される箇所と、前記電子部品が搭載され前記封止樹脂により封止されない箇所とが、略市松模様を形成することを特徴とする半導体装置。
（付記７）
付記６記載の半導体装置であって、
前記配線基板において、前記略市松模様を構成する升目の１升分に相当する箇所と、当該箇所と斜めの方向に位置して近接する他の１升分に相当する箇所とを橋絡するように前記封止樹脂が形成されることを特徴とする半導体装置。
（付記８）
付記１乃至７いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記配線基板における前記封止樹脂の形成高さは、前記配線基板における前記電子部品の搭載高さよりも高いことを特徴とする半導体装置。
（付記９）
付記１乃至８いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記電子部品は、パッケージ化された半導体装置であることを特徴とする半導体装置。
（付記１０）
付記１乃至８いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記電子部品は、受動素子部品であることを特徴とする半導体装置。
（付記１１）
付記１乃至８いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記電子部品は、フェイスダウン状態で前記配線基板に搭載される半導体素子であることを特徴とする半導体装置。
（付記１２）
付記１乃至１１いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記配線基板に、外部接続端子がグリッド状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
（付記１３）
付記１乃至１１いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記封止樹脂の上面と前記電子部品の上面とに、放熱部材が固着されることを特徴する半導体装置。
（付記１４）
付記１３記載の半導体装置であって、
前記電子部品は、フェイスダウン状態で前記配線基板に搭載される半導体素子であり、
前記放熱部材は、前記封止樹脂の上面に熱硬化性接着剤を介して固着され、当該半導体素子の背面に熱伝導性接着剤を介して固着されることを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【０１５７】
【図１】従来の半導体装置の問題点を説明するための図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の構造を示す図（その１）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の構造を示す図（その２）である。
【図４】図２及び図３に示す例において封止樹脂の形成高さに関する変形例を示す図である。
【図５】図２乃至図４に示す封止樹脂の配設の仕方に関する変形例を示す図（その１）である。
【図６】図２乃至図４に示す封止樹脂の配設の仕方に関する変形例を示す図（その２）である。
【図７】図５及び図６に示す例において樹脂封止されない電子部品に関する変形例を示す図（その１）である。
【図８】図５及び図６に示す例において樹脂封止されない電子部品に関する変形例を示す図（その２）である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置（その１）の構造を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置（その２）の構造を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の構造（図７及び図８に示す半導体装置にヒートスプレッダを固着した状態）を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図（その１）である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図（その２）である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図（その３）である。
【符号の説明】
【０１５８】
２０、２０'、２０−１、２０−１'、２０−２、２０−２'、３０ａ、３０ｂ、５０、７０  半導体装置
２１        配線基板
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ                    半導体素子
２３        外部接続端子
２６、２６'、２６−１、２６−１'、２６−２、２６−３      封止樹脂
５５        受動素子部品
８０        ヒートスプレッダ
８１        熱硬化性接着剤
８２        熱伝導性接着剤
【図１】
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【図２】
2008235369.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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