(57)【要約】【課題】ノズルから基板に供給される処理液の温度低下に起因する基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】処理チャンバＣＨｃの内部には、洗浄処理部５ｃが設けられ、処理チャンバＣＨｃの上部には、ファンフィルタユニットＦＦＵが設けられている。ファンフィルタユニットＦＦＵは、ファンＦＡ、フィルタＦＩおよびヒータＨＥが積層された構造を有する。ファンフィルタユニットＦＦＵの動作時には、電流供給装置６からヒータＨＥに電流が供給されるとともに、ファンＦＡが回転する。これにより、ファンフィルタユニットＦＦＵの上部空間の雰囲気がフィルタＦＩにより清浄にされるとともに、ヒータＨＥにより加熱される。それにより、加熱された清浄な空気が処理チャンバＣＨｃの上方から下方に流れる。【選択図】図４
2008235302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持される基板に常温よりも高い温度の処理液を吐出する処理ノズルと、
前記処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気温度を常温よりも高い温度に調整する雰囲気温度調整手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液は、基板上に残留する硫酸を洗い流すためのリンス液を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液は、硫酸と過酸化水素水との混合液を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記雰囲気温度調整手段は、前記処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気温度を６０度よりも高い温度に調整することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板保持手段および前記処理ノズルを収容する処理室をさらに備え、
前記雰囲気温度調整手段は、前記処理室内に加熱された下降流を発生させることにより、前記処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気の温度を常温よりも高い温度に調整することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに基板処理装置。
【請求項６】
前記基板保持手段および前記処理ノズルを収容する処理室をさらに備え、
前記雰囲気温度調整手段は、前記処理室の少なくとも一部に設けられ、前記処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気を加熱する加熱手段を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記雰囲気温度調整手段は、
前記処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間に常温よりも高い温度の気体を供給する気体供給手段を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記気体供給手段は、前記処理ノズルから吐出される処理液を取り囲むように前記常温よりも高い温度の気体を噴出することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理ノズルは、前記処理液を吐出する処理液吐出口を有し、
前記気体供給手段は、前記処理液吐出口を取り囲むように形成された気体噴出口を有することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記気体供給手段は、前記基板保持手段に保持された基板の上面に対向しかつ前記気体噴出口から外方に広がるように設けられた遮断板をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記気体供給手段は、前記処理ノズルを取り囲むように形成された気体供給管を有することを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板に処理を行う基板処理方法であって、
基板保持手段により基板を保持するステップと、
処理ノズルから前記基板保持手段により保持された基板に常温よりも高い温度の処理液を吐出するステップと、
前記処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気温度を常温よりも高い温度に調整するステップとを備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置には、半導体ウェハ、ガラス基板等の基板上に形成されたレジスト膜を除去するためのレジスト剥離装置が含まれる。例えば、特許文献１のレジスト剥離装置においては、水平姿勢で緩やかに回転される基板上に、ノズルからレジスト剥離液が供給される。これにより、基板上に形成されたレジスト膜が剥離される（以下、レジスト剥離処理と呼ぶ）。
【０００４】
レジスト剥離液としては、例えば硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）との混合液（以下、ＳＰＭと略記する）が用いられる。この場合、高温（８０度以上）のＳＰＭを用いることによりレジストの分解反応が促進される。
【０００５】
ＳＰＭによるレジスト剥離処理が終了すると、回転する基板上に純水等のリンス液が供給される。これにより、基板上に残留するＳＰＭが洗い流される（以下、リンス処理と呼ぶ）。
【特許文献１】特開２００５−１７５２２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記のＳＰＭに含まれる硫酸は過酸化水素水に比べて高い粘度を有する。このため、ＳＰＭを基板から取り除くためのリンス処理後の基板に硫酸の成分が残留する場合がある。以下、基板上の硫酸の残留物を硫酸残留物と呼ぶ。
【０００７】
また、硫酸は強い吸湿性を有する。したがって、硫酸残留物は時間の経過とともに大気中の水分を吸収する。これにより、レジスト剥離装置から搬出されるレジスト剥離後の基板に硫酸残留物が存在すると、その硫酸残留物はパーティクルとして検出される。
【０００８】
このような硫酸残留物の発生を抑制するために、例えばリンス処理に用いるリンス液の温度を高く設定する方法が考えられる。この方法によれば、基板上の硫酸の温度を上昇させることにより、硫酸の粘度を低くすることができる。
【０００９】
しかしながら、上記のレジスト剥離装置では、温度管理されたリンス液中に基板を浸漬するバッチ式の処理とは異なり、リンス液がノズルから基板に吐出されるので、リンス液の温度がノズルから基板に到達するまでの間に低下する。
【００１０】
通常、基板の処理空間には基板へのパーティクルの付着を防止するために清浄な下降流（ダウンフロー）が形成されている。したがって、ノズルに供給するリンス液の温度を高く設定しても、下降流によりリンス液の温度が低下しやすく、設定された高温のリンス液を基板に供給することは困難である。
【００１１】
また、レジスト剥離液としてのＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水との混合時における反応熱により８０〜１５０℃程度に昇温されて基板処理に用いられるが、このＳＰＭが上述の下降流に曝されると、ＳＰＭの温度が低下してしまい、基板に対するレジスト剥離処理が効率的に行われないという問題もあった。
【００１２】
本発明の目的は、ノズルから基板に供給される処理液の温度低下に起因する基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持される基板に常温よりも高い温度の処理液を吐出する処理ノズルと、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気温度を常温よりも高い温度に調整する雰囲気温度調整手段とを備えるものである。
【００１４】
この基板処理装置においては、基板保持手段により保持された基板に、処理ノズルから常温よりも高い温度の処理液が吐出される。これにより、基板に処理が行われる。
【００１５】
ここで、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気温度が雰囲気温度調整手段により常温よりも高い温度に調整される。これにより、処理ノズルから基板に到達するまでの間の処理液の温度低下が十分に抑制される。
【００１６】
その結果、処理ノズルから基板に供給される処理液の温度低下に起因する基板の処理不良が十分に防止される。
【００１７】
（２）処理液は、基板上に残留する硫酸を洗い流すためのリンス液を含んでもよい。
【００１８】
この場合、処理ノズルから基板に到達するまでの間のリンス液の温度低下が十分に抑制されるので、基板上に残留する高粘度の硫酸が十分に洗い流される。
【００１９】
（３）処理液は、硫酸と過酸化水素水との混合液を含んでもよい。この場合、反応熱を得て高温化した硫酸と過酸化水素水との混合液の温度低下が十分に抑制されるので、混合液による基板への処理が十分に行われる。
【００２０】
（４）雰囲気温度調整手段は、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気温度を６０度よりも高い温度に調整してもよい。
【００２１】
この場合、基板に供給される処理液の温度を６０度以上に維持することができる。その結果、処理ノズルから基板に供給される処理液の温度低下に起因する基板の処理不良が確実に防止される。
【００２２】
（５）基板処理装置は、基板保持手段および処理ノズルを収容する処理室をさらに備え、雰囲気温度調整手段は、処理室内に加熱された下降流を発生させることにより、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気の温度を常温よりも高い温度に調整してもよい。
【００２３】
この場合、処理室内に加熱された下降流が発生することにより、処理室の内部の雰囲気温度が常温よりも高い温度に調整される。それにより、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気の温度が確実に調整される。
【００２４】
（６）基板処理装置は、基板保持手段および処理ノズルを収容する処理室をさらに備え、雰囲気温度調整手段は、処理室の少なくとも一部に設けられ、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気を加熱する加熱手段を含んでもよい。
【００２５】
この場合、処理室の一部に加熱手段を設けることにより、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気の温度が簡単に調整される。したがって、既存の基板処理装置に容易に雰囲気温度調整手段を設けることができる。
【００２６】
（７）雰囲気温度調整手段は、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間に常温よりも高い温度の気体を供給する気体供給手段を含んでもよい。
【００２７】
この場合、気体供給ノズルから供給される常温よりも高い温度の気体により、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気温度が局部的に調整される。これにより、雰囲気温度調整手段の構成が単純になるとともに、雰囲気温度調整手段の小型化が実現される。
【００２８】
（８）気体供給手段は、処理ノズルから吐出される処理液を取り囲むように常温よりも高い温度の気体を噴出してもよい。
【００２９】
この場合、処理ノズルから吐出される処理液が、基板に到達するまでの間に常温よりも低い温度の雰囲気と接触することが防止される。それにより、ノズルから基板に供給される処理液の温度低下に起因する基板の処理不良が確実に防止される。
【００３０】
（９）処理ノズルは、処理液を吐出する処理液吐出口を有し、気体供給手段は、処理液吐出口を取り囲むように形成された気体噴出口を有してもよい。
【００３１】
この場合、処理液が処理液吐出口から吐出され、常温よりも高い温度の気体が処理液吐出口を取り囲むように形成された気体噴出口から噴出される。これにより、常温よりも高い温度の気体が、処理ノズルから吐出される処理液を確実に取り囲んだ状態で噴出される。
【００３２】
（１０）気体供給手段は、基板保持手段に保持された基板の上面に対向しかつ気体噴出口から外方に広がるように設けられた遮断板をさらに含んでもよい。
【００３３】
この場合、気体噴出口から噴出された気体が、基板と遮断板との間の空間内で、基板の上面に沿って外方に広がる。それにより、基板の上面を流れる処理液の温度低下が抑制される。
【００３４】
（１１）気体供給手段は、処理ノズルを取り囲むように形成された気体供給管を有してもよい。この場合、気体供給管に常温よりも高い温度の気体が供給されることにより、処理ノズルを取り囲む雰囲気温度が常温よりも高く維持される。それにより、処理ノズル内における処理液の温度低下が抑制される。
【００３５】
（１２）第２の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、基板保持手段により基板を保持するステップと、処理ノズルから基板保持手段により保持された基板に常温よりも高い温度の処理液を吐出するステップと、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気温度を常温よりも高い温度に調整するステップとを備えるものである。
【００３６】
この基板処理方法においては、基板保持手段により基板が保持され、基板保持手段により保持された基板に、処理ノズルから常温よりも高い温度の処理液が吐出される。これにより、基板に処理が行われる。
【００３７】
ここで、処理ノズルから基板に吐出される処理液が通過する空間の雰囲気温度が常温よりも高い温度に調整される。これにより、処理ノズルから基板に到達するまでの間の処理液の温度低下が十分に抑制される。
【００３８】
その結果、処理ノズルから基板に供給される処理液の温度低下に起因する基板の処理不良が十分に防止される。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、ノズルから基板に供給される処理液の温度低下に起因する基板の処理不良を十分に防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。
【００４１】
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００４２】
また、基板に処理を行う処理液はレジスト剥離液およびリンス液を含む。レジスト剥離液とは、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）との混合液（以下、ＳＰＭと略記する）、硫酸とオゾン水との混合液、硫酸とフッ酸（ＨＦ）との混合液、または硫酸等をいう。リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。
【００４３】
さらに、常温とは、加熱および冷却を行わないときの基板処理装置内の温度をいい、例えば約１５度〜２５度である。
【００４４】
＜１＞  第１の実施の形態
（１）  基板処理装置の構成
図１は第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、クリーンルームＣＬ内に設けられる。基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００４５】
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂ、洗浄処理部５ａ，５ｂが配置されている。洗浄処理部５ａ，５ｂの各々は、複数の側面部（図１の太線部）を備える処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂ内に設けられる。処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂの各々の内部空間は、側面部、底面部および後述するファンフィルタユニットにより外部（例えばクリーンルームＣＬおよび搬送領域Ｃ等）から遮断される。
【００４６】
処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂにおいて、搬送領域Ｃに面する側面部には図示しない開口部ＣＯ（図４参照）およびその開口部ＣＯを開閉可能な搬入搬出用シャッタＣＤが設けられている。
【００４７】
また、処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂにおいて、クリーンルームＣＬ内の空間に面する側面部には図示しない開口部ＭＯ（図４参照）およびその開口部ＭＯを開閉可能なメンテナンス用カバーＭＤが設けられている。
【００４８】
図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部５ａ，５ｂへのレジスト剥離液およびリンス液の供給および洗浄処理部５ａ，５ｂからの廃液および排気等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調整器、処理液貯留タンク、吸引装置等の流体関連機器を収納する。
【００４９】
洗浄処理部５ａ，５ｂでは、基板Ｗの表面上に形成されたレジスト膜がレジスト剥離液により剥離され（以下、レジスト剥離処理と呼ぶ）、レジスト剥離処理後の基板Ｗの表面がリンス液により洗浄される（以下、リンス処理と呼ぶ）。
【００５０】
本実施の形態において、レジスト剥離液としては、ＳＰＭが用いられる。また、リンス液としては、純水が用いられる。
【００５１】
処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、洗浄処理部５ｃ，５ｄは洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。
【００５２】
以下、洗浄処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。
【００５３】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。
【００５４】
（２）  基板処理装置の動作
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００５５】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００５６】
本実施の形態においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗにレジスト剥離処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。
【００５７】
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、基板処理装置１００内の各構成部の動作等を制御する。例えば、制御部４は処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。制御部４により制御される具体的な構成の詳細は後述する。
【００５８】
（３）  基板処理装置の組み立て
図２は、図１の基板処理装置１００を組み立てる様子を示す外観斜視図である。図２に示すように、図１の基板処理装置１００は、金属フレーム等により予め組み立てられた外枠Ｆ（図２太線部）内に複数の処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂ，ＣＨｃ，ＣＨｄを嵌め込むことにより作製される。図２では、外枠Ｆ内に処理チャンバＣＨｃを嵌め込む様子が示されている（一点鎖線矢印参照）。
【００５９】
ここで、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄの上部は開口している。図１には図示しないが、本実施の形態に係る基板処理装置１００には、上記の処理領域Ａ，Ｂおよび搬送領域Ｃ内にダウンフロー（下降流）を形成するためのファンフィルタユニットＦＦＵが設けられる。
【００６０】
したがって、基板処理装置１００の組み立て時には、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄの上部にファンフィルタユニットＦＦＵが取り付けられる。また、基板処理装置１００におけるインデクサＩＤ（図１）および搬送領域Ｃ（図１）の上部にもファンフィルタユニットＦＦＵが取り付けられる（破線矢印参照）。ファンフィルタユニットＦＦＵの詳細は後述する。
【００６１】
（４）  洗浄処理部の構成
図３は、図１の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【００６２】
図３の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、上述のようにレジスト膜が形成された基板Ｗにレジスト剥離処理を行った後、リンス処理を行う。
【００６３】
図３に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。
【００６４】
基板Ｗは、レジスト剥離処理およびリンス処理を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転される。なお、図３に示すように、本実施の形態では、吸着式のスピンチャック２１を用いているが、基板Ｗの周縁部を保持する機械式のスピンチャックを用いてもよい。
【００６５】
スピンチャック２１の外方に、モータ６０が設けられている。モータ６０には、回動軸６１が接続されている。また、回動軸６１には、アーム６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６２の先端に剥離ノズル５０が設けられている。
【００６６】
モータ６０により回動軸６１が回転するとともにアーム６２が回動し、剥離ノズル５０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００６７】
モータ６０、回動軸６１およびアーム６２の内部を通るように剥離液供給管６３が設けられている。剥離液供給管６３は流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９に接続されている。
【００６８】
洗浄処理部５ａ〜５ｄの剥離ノズル５０には、剥離液供給管６３を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９からレジスト剥離液（ＳＰＭ）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へレジスト剥離液を供給することができる。レジスト剥離液供給部６９から剥離ノズル５０に供給されるレジスト剥離液の温度は、例えば８０度〜１３０度に設定されている。
【００６９】
基板Ｗの表面へレジスト剥離液を供給するときには、剥離ノズル５０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗの表面へレジスト剥離液を供給しないときには、剥離ノズル５０は所定の位置に退避される。
【００７０】
また、スピンチャック２１の外方には、モータ７１が設けられている。モータ７１には、回動軸７２が接続されている。また、回動軸７２には、アーム７３が水平方向に延びるように連結され、アーム７３の先端にリンスノズル７０が設けられている。
【００７１】
モータ７１により回動軸７２が回転するとともにアーム７３が回動し、リンスノズル７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００７２】
モータ７１、回動軸７２およびアーム７３の内部を通るようにリンス液供給管７４が設けられている。リンス液供給管７４は流体ボックス部２ａ〜２ｄのリンス液供給部７９に接続されている。
【００７３】
洗浄処理部５ａ〜５ｄのリンスノズル７０には、リンス液供給管７４を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄのリンス液供給部７９からリンス液（純水）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へリンス液を供給することができる。リンス液供給部７９からリンスノズル７０に供給されるリンス液の温度は、例えば６５度に設定されている。
【００７４】
基板Ｗの表面へリンス液を供給するときには、リンスノズル７０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗの表面へリンス液を供給しないときには、リンスノズル７０は所定の位置に退避される。
【００７５】
スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗのリンス処理に用いられたリンス液を回収して廃棄するための廃棄空間３１が形成されている。廃棄空間３１は、スピンチャック２１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００７６】
さらに、廃棄空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗのレジスト剥離処理に用いられたレジスト剥離液を回収して基板処理装置１００内で循環させるための循環液空間３２が形成されている。循環液空間３２は、廃棄空間３１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００７７】
廃棄空間３１には、図示しない廃棄設備に接続された廃棄系配管へリンス液を導くための廃棄管３４が接続され、循環液空間３２には、図示しない循環装置に接続された循環系配管へレジスト剥離液を導くための回収管３５が接続されている。これらの廃棄系配管、循環装置および循環系配管は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに設けられている。
【００７８】
処理カップ２３の上方には、基板Ｗからのレジスト剥離液またはリンス液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が設けられている。このスプラッシュガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。スプラッシュガード２４の上端部の内面には、断面く字状の廃棄案内溝４１が環状に形成されている。
【００７９】
また、スプラッシュガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００８０】
スプラッシュガード２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構３７により支持されている。ガード昇降駆動機構３７は、スプラッシュガード２４を、その上端部がスピンチャック２１の上端部とほぼ同じまたはスピンチャック２１の上端部よりも低い搬入搬出位置Ｐ１と、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する循環位置Ｐ２と、廃棄案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する廃棄位置Ｐ３との間で上下動させる。
【００８１】
スピンチャック２１上に基板Ｗが搬入される際、およびスピンチャック２１上から基板Ｗが搬出される際には、スプラッシュガード２４は搬入搬出位置Ｐ１に下降する。
【００８２】
スプラッシュガード２４が循環位置Ｐ２にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したレジスト剥離液が回収液案内部４２により循環液空間３２に導かれ、回収管３５を通して循環系配管に送られる。
【００８３】
一方、スプラッシュガード２４が廃棄位置Ｐ３にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したリンス液が廃棄案内溝４１により廃棄空間３１に導かれ、廃棄管３４を通して廃棄される。
【００８４】
洗浄処理部５ａ〜５ｄの回転駆動機構３６、モータ６０，７１およびガード昇降駆動機構３７の動作、ならびに流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９およびリンス液供給部７９の動作は図１の制御部４により制御される。
【００８５】
（５）  処理チャンバおよびファンフィルタユニットの構成
図４は、図１の基板処理装置１００における洗浄処理部５ｃのＳ−Ｓ線断面図である。
【００８６】
図４に示すように、図１のＳ−Ｓ線断面において、処理チャンバＣＨｃの内部には、図３の構成を有する上述の洗浄処理部５ｃが設けられ、処理チャンバＣＨｃの上部には、ファンフィルタユニットＦＦＵが設けられている。
【００８７】
上述のように、処理チャンバＣＨｃのクリーンルームＣＬ内の空間に面する側面部ＯＷ１には開口部ＭＯおよびその開口部ＭＯを開閉可能なメンテナンス用カバーＭＤが設けられている。また、処理チャンバＣＨｃの搬送領域Ｃに面する側面部ＯＷ２には開口部ＣＯおよびその開口部ＣＯを開閉可能な搬入搬出用シャッタＣＤが設けられている。処理チャンバＣＨｃの底面部ＯＷ３には、処理チャンバＣＨｃ内の雰囲気を排気するための排気管７が取り付けられている。
【００８８】
ファンフィルタユニットＦＦＵは、ファンＦＡ、フィルタＦＩおよびヒータＨＥが積層された構造を有する。ヒータＨＥには電流供給装置６が接続される。
【００８９】
ヒータＨＥは、例えば電熱線等により構成され、電流供給装置６から電流が供給されることにより発熱する。
【００９０】
ファンフィルタユニットＦＦＵの動作時には、電流供給装置６からヒータＨＥに電流が供給されるとともに、ファンＦＡが回転する。これにより、ファンフィルタユニットＦＦＵの上部空間の雰囲気がフィルタＦＩにより清浄にされるとともに、ヒータＨＥにより加熱される。それにより、加熱された清浄な空気が処理チャンバＣＨｃの上方から下方に流れ、処理チャンバＣＨｃ内に下降気流が形成される。
【００９１】
図４に示すように、電流供給装置６およびファンフィルタユニットＦＦＵのファンＦＡの動作は、図１の制御部４により制御される。
【００９２】
上記では、処理チャンバＣＨｃおよびその上部に設けられるファンフィルタユニットＦＦＵの構成について説明したが、処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂ，ＣＨｄおよびそれらに設けられるファンフィルタユニットＦＦＵの構成も上記と同じである。
【００９３】
（６）  効果
（６−ａ）
本実施の形態において、ファンフィルタユニットＦＦＵは、少なくともレジスト剥離処理およびリンス処理時に動作する。この動作時において、ファンフィルタユニットＦＦＵは、図３の剥離ノズル５０およびリンスノズル７０と基板Ｗとの間の空間、すなわち、剥離ノズル５０およびリンスノズル７０から基板Ｗに吐出されるレジスト剥離液およびリンス液が通過する空間（以下、処理液通過空間と呼ぶ）に常温よりも高い温度の気流を供給する。
【００９４】
これにより、処理液通過空間の雰囲気が常温よりも高い温度に調整される。それにより、各ノズル５０，７０から基板Ｗに到達するまでの間のレジスト剥離液およびリンス液の温度低下が十分に抑制される。
【００９５】
その結果、基板Ｗに供給されるレジスト剥離液およびリンス液の温度低下に起因する基板Ｗの処理不良が防止される。
【００９６】
（６−ｂ）
上述のように、ＳＰＭを用いたレジスト剥離処理後に純水を用いたリンス処理を行う場合、基板Ｗの表面に付着する粘度の高い硫酸を取り除くことは困難である。
【００９７】
そこで、リンス処理時に６０度以上の温度の純水を用いて基板Ｗを洗浄する。この場合、基板Ｗの表面に付着する硫酸の粘度が低下する。それにより、基板Ｗ上の硫酸を取り除くことが容易となる。
【００９８】
したがって、上記のように、リンス液供給部７９からリンスノズル７０に供給されるリンス液の温度を６５度に設定している場合、ファンフィルタユニットＦＦＵは処理液通過空間の雰囲気を６０度以上に調整することが好ましい。これにより、リンスノズル７０から基板Ｗに吐出される純水の温度が６０度以上に保たれる。その結果、レジスト剥離処理後の基板Ｗから容易にＳＰＭを洗い流すことが可能となり、基板Ｗに供給される純水の温度低下に起因する基板Ｗの処理不良が十分に防止される。
【００９９】
（６−ｃ）
本発明者は、ＳＰＭが付着した基板Ｗに対して６５度の純水を用いてリンス処理を行った。この場合、基板Ｗに付着したＳＰＭは、基板Ｗに残留することなく良好に洗い流された。
【０１００】
したがって、リンス液供給部７９からリンスノズル７０に供給されるリンス液の温度を６５度に設定している場合、ファンフィルタユニットＦＦＵは処理液通過空間の雰囲気を６５度以上に調整することがより好ましい。
【０１０１】
これにより、リンスノズル７０から基板Ｗに吐出される純水の温度が６５度以上に保たれる。その結果、レジスト剥離処理後の基板Ｗから容易かつ確実にＳＰＭを洗い流すことが可能となり、基板Ｗに供給される純水の温度低下に起因する基板Ｗの処理不良が確実に防止される。
【０１０２】
＜２＞  第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成および動作について第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１０３】
本実施の形態に係る基板処理装置においては、図４のファンフィルタユニットＦＦＵにヒータＨＥが設けられていない。ここでは、洗浄処理部の構成が第１の実施の形態と異なる。
【０１０４】
（１）  洗浄処理部の構成
図５は、第２の実施の形態に係る基板処理装置に設けられる洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【０１０５】
図５に示すように、スピンチャック２１の外方にモータ８１が設けられている。モータ８１には、回動軸８２が接続されている。また、回動軸８２には、アーム８３が水平方向に延びるように連結され、アーム８３の先端に気体ノズル８０が設けられている。
【０１０６】
ここで、モータ８１および回動軸８２は、他のモータ６０，７１および回転軸６１，７２よりも長い。したがって、気体ノズル８０は、他のノズル５０，７０よりも高い位置で保持される。
【０１０７】
モータ８１により回動軸８２が回転するとともにアーム８３が回動し、気体ノズル８０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【０１０８】
モータ８１、回動軸８２およびアーム８３の内部を通るように気体供給管８４が設けられている。気体供給管８４は流体ボックス部２ａ〜２ｄ（図１）の加熱気体供給部８９に接続されている。
【０１０９】
洗浄処理部５ａ〜５ｄの気体ノズル８０には、気体供給管８４を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄの加熱気体供給部８９から加熱された不活性ガスＩＧが供給される。不活性ガスＩＧとしては、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガス等を用いることができる。
【０１１０】
それにより、基板Ｗ上の空間に加熱された不活性ガスＩＧを供給することができる。加熱気体供給部８９から気体ノズル８０に供給される不活性ガスＩＧの温度は、少なくとも常温より高く設定される。
【０１１１】
基板Ｗ上の空間に不活性ガスＩＧを供給するときには、気体ノズル８０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗ上の空間に不活性ガスＩＧを供給しないときには、気体ノズル８０は所定の位置に退避される。
【０１１２】
本実施の形態において、気体ノズル８０による基板Ｗ上の空間への不活性ガスＩＧの供給はレジスト剥離処理時およびリンス処理時に行われる。
【０１１３】
具体的には、気体ノズル８０は、レジスト剥離処理およびリンス処理時に、基板Ｗの上方に位置する剥離ノズル５０またはリンスノズル７０に近接するように配置される。そして、気体ノズル８０は、剥離ノズル５０またはリンスノズル７０から基板Ｗにレジスト剥離液またはリンス液が吐出される間、各ノズル５０，７０から基板Ｗまでのレジスト剥離液またはリンス液が通過する空間、すなわち処理液通過空間に加熱された不活性ガスＩＧを噴出する。
【０１１４】
図５に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄのモータ８１および流体ボックス部２ａ〜２ｄの加熱気体供給部８９の動作は図１の制御部４により制御される。
【０１１５】
（２）  効果
気体ノズル８０は、レジスト剥離処理およびリンス処理時に処理液通過空間に常温よりも高い温度の不活性ガスＩＧを噴出する。これにより、処理液通過空間の雰囲気が常温よりも高い温度に調整される。それにより、各ノズル５０，７０から基板Ｗに到達するまでのレジスト剥離液およびリンス液の温度低下が十分に抑制される。
【０１１６】
また、気体ノズル８０は、加熱された不活性ガスＩＧを噴出することにより処理液通過空間の雰囲気を局部的に調整する。これにより、処理液通過空間の雰囲気を調整するための構成が単純になるとともに、小型化が実現されている。
【０１１７】
本実施の形態においても、ＳＰＭを用いたレジスト剥離処理後に純水を用いたリンス処理を行う場合、気体ノズル８０から処理液通過空間に噴出される不活性ガスＩＧの温度は、６０度以上であることが好ましく、６５度以上であることがより好ましい。この場合、基板Ｗに供給されるリンス液の温度低下に起因する基板Ｗの処理不良が確実に防止される。
【０１１８】
＜３＞  第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る基板処理装置の構成および動作について第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１１９】
第２の実施の形態と同様に、本実施の形態に係る基板処理装置においても、図４のファンフィルタユニットＦＦＵにヒータＨＥが設けられていない。ここでは、洗浄処理部の構成が第１の実施の形態と異なる。
【０１２０】
（１）  洗浄処理部の構成
図６は、第３の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【０１２１】
図６に示すように、スピンチャック２１の上方には、中心部に開口部を有する円板状の遮断板１１０が設けられている。遮断板１１０は略円筒形状を有する回転支持軸１１１の下端部に略水平に取り付けられ、回転支持軸１１１は水平方向に延びるアーム１２０により基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転可能に保持されている。これにより、遮断板１１０がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面と対向する。
【０１２２】
回転支持軸１１１の上端部には気体供給管８４が取り付けられている。回転支持軸１１１および気体供給管８４の内部空間は連通しており、その内部空間の略中央には処理液供給管９０およびノズル９０Ｎが設けられている。
【０１２３】
アーム１２０には、遮断板昇降駆動機構１３７および遮断板回転駆動機構１３８が接続されている。遮断板昇降駆動機構１３７は、遮断板１１０をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック２１から上方に離れた所定位置との間で上下動作させる。これにより、処理液供給管９０の内部に設けられたノズル９０Ｎも上下動作する。
【０１２４】
遮断板回転駆動機構１３８は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの回転に応じて回転支持軸１１１を基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転させる。これにより、遮断板１１０が基板Ｗと同じ方向に回転される。
【０１２５】
図６に示すように、処理液供給管９０には流体ボックス部２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９またはリンス液供給部７９からレジスト剥離液またはリンス液が供給される。流体ボックス部２ａ〜２ｄにはバルブ９１およびバルブ９２が設けられている。バルブ９１，９２の動作は図１の制御部４により制御される。
【０１２６】
これにより、所定のタイミングでレジスト剥離液およびリンス液のいずれか一方を選択的にノズル９０Ｎから吐出させることができる。それにより、基板Ｗの上面へレジスト剥離液およびリンス液を供給することができる。
【０１２７】
また、回転支持軸１１１および気体供給管８４の内部空間には流体ボックス部２ａ〜２ｄの加熱気体供給部８９から加熱された不活性ガスＩＧが供給される。なお、本実施の形態における加熱気体供給部８９は、第２の実施の形態で説明した図５の加熱気体供給部８９と同じ構成および動作を有する。
【０１２８】
これにより、回転支持軸１１１および気体供給管８４の内部空間を通じて遮断板１１０の開口部から基板Ｗ上の空間に加熱された不活性ガスＩＧを供給することができる。
【０１２９】
図６に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄの各構成部の動作は図１の制御部４により制御される。
【０１３０】
（２）  洗浄処理部の動作
図６の洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、レジスト剥離処理が開始される際、アーム１２０は、遮断板昇降駆動機構１３７により所定の高さで保持される。
【０１３１】
この状態で、ノズル９０Ｎに流体ボックス２ａ〜２ｄのレジスト剥離液供給部６９からレジスト剥離液が供給される。これにより、スピンチャック２１により保持された基板Ｗ上にレジスト剥離液が供給される。なお、このときスピンチャック２１は、基板Ｗを緩やかに回転させる。
【０１３２】
その後、レジスト剥離処理が終了すると、スピンチャック２１は基板Ｗの回転速度を向上させる。同時に、遮断板回転駆動機構１３８が、スピンチャック２０１の回転とともに回転支持軸１１１を回転させる。これにより、遮断板１１０が回転する。
【０１３３】
次に、遮断板昇降駆動機構１３７は、遮断板１１０と基板Ｗとが所定の間隔（例えば約１０ｍｍ）で近接して対向するようにアーム１２０を下降させる。
【０１３４】
そして、ノズル９０Ｎに流体ボックス２ａ〜２ｄのリンス液供給部７９からリンス液が供給される。それにより、基板Ｗの表面にリンス液が吐出され、リンス処理が開始される。
【０１３５】
このリンス液の吐出と同時に、回転支持軸１１１には流体ボックス２ａ〜２ｄの加熱気体供給部８９から不活性ガスＩＧが供給される。これにより、基板Ｗ上の空間に加熱された不活性ガスＩＧが吹き付けられる。
【０１３６】
このとき、上述のように、遮断板１１０は基板Ｗの表面と近接している。これにより、遮断板１１０の開口部から噴出された不活性ガスＩＧは、基板Ｗの中心から外方へ向かうように、基板Ｗの表面全体に広がるように流れる。
【０１３７】
リンス処理の終了時には、ノズル９０Ｎへのリンス液の供給が停止され、回転支持軸１１１への不活性ガスＩＧの供給が停止される。また、遮断板昇降駆動機構１３７は、遮断板１１０を上昇させる。
【０１３８】
（３）  効果
（３−ａ）
上記のように、ノズル９０Ｎは回転支持軸１１１の内部空間の略中央に配置されている。したがって、リンス処理時には、常温よりも高い温度の不活性ガスＩＧがノズル９０Ｎを取り囲むように噴出される。すなわち、常温よりも高い温度の不活性ガスＩＧが確実に処理液通過空間に噴出される。
【０１３９】
これにより、処理液通過空間の雰囲気が確実に常温よりも高い温度に調整される。それにより、ノズル９０Ｎから基板Ｗに到達するまでのリンス液の温度低下が十分かつ確実に抑制される。
【０１４０】
（３−ｂ）
また、処理液供給管９０およびノズル９０Ｎは回転支持軸１１１および気体供給管８４の内部空間の略中央に配置されている。これにより、リンス処理時には、処理液供給管９０およびノズル９０Ｎを取り囲む雰囲気が、加熱気体供給部８９から回転支持軸１１１および気体供給管８４に供給される不活性ガスＩＧにより常温よりも高い温度に調整される。その結果、処理液供給管９０およびノズル９０Ｎの内部を流れるリンス液の温度低下が抑制される。
【０１４１】
（３−ｃ）
上記のように、リンス処理時には、遮断板１１０と基板Ｗの表面とが近接する。これにより、処理液通過空間に噴出された不活性ガスＩＧは、基板Ｗの表面に沿って、その回転中心から外方に向かって流れる。
【０１４２】
それにより、リンス処理時に、基板Ｗの表面を流れるリンス液の直上の空間の雰囲気が不活性ガスＩＧにより常温よりも高い温度に調整される。その結果、基板Ｗの表面を流れるリンス液の温度低下が抑制される。
【０１４３】
（３−ｄ）
本実施の形態においても、ＳＰＭを用いたレジスト剥離処理後に純水を用いたリンス処理を行う場合、処理液通過空間に噴出される不活性ガスＩＧの温度は、６０度以上であることが好ましく、６５度以上であることがより好ましい。この場合、基板Ｗに供給されるリンス液の温度低下に起因する基板Ｗの処理不良が確実に防止される。
【０１４４】
（３−ｅ）
本実施の形態では、リンス処理時にのみ遮断板１１０の開口部から不活性ガスＩＧが噴出されるが、レジスト剥離処理時に遮断板１１０の開口部から不活性ガスＩＧが供給されてもよい。これにより、ノズル９０Ｎから基板Ｗに到達するまでの間のレジスト剥離液の温度低下が十分に抑制される。
【０１４５】
＜４＞  第４の実施の形態
第４の実施の形態に係る基板処理装置の構成および動作について第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１４６】
第２および第３の実施の形態と同様に、本実施の形態に係る基板処理装置においても、図４のファンフィルタユニットＦＦＵにヒータＨＥが設けられていない。ここでは、処理チャンバの構成が第１の実施の形態と異なる。
【０１４７】
（１）  洗浄処理部の構成
図７は、第４の実施の形態に係る基板処理装置における処理チャンバの構成を説明するための図である。図７では、図１の基板処理装置１００における洗浄処理部５ｄのＴ−Ｔ線断面図が示されている。
【０１４８】
処理チャンバＣＨｄの内部には図３の構成を有する洗浄処理部５ｄが設けられ、処理チャンバＣＨｄの上部には、ファンフィルタユニットＦＦＵが設けられている。
【０１４９】
洗浄処理部５ｃに隣接する側面部ＯＷ４、および流体ボックス２ｄに隣接する側面部ＯＷ５は、二重構造を有し、それぞれの内部にはヒータＨＥが内蔵されている。処理チャンバＣＨｄの底面部ＯＷ６も、二重構造を有するとともに、その内部にヒータＨＥが内蔵されている。ヒータＨＥには電流供給装置６が接続されている。ヒータＨＥは、電流供給装置６から電流が供給されることにより発熱する。
【０１５０】
基板Ｗのレジスト剥離処理およびリンス処理が行われる際、電流供給装置６は側面部ＯＷ４，ＯＷ５および底面部ＯＷ６のヒータＨＥに電流を供給する。それにより、ヒータＨＥが発熱し、処理チャンバＣＨｄ内の内部全体の雰囲気が加熱される。図７に示すように、電流供給装置６の動作は、図１の制御部４により制御される。
【０１５１】
上記では、処理チャンバＣＨｄの構成について説明したが、処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂ，ＣＨｃの構成も上記と同じである。
【０１５２】
（２）  効果
本実施の形態において、基板Ｗのレジスト剥離処理およびリンス処理時には、処理チャンバＣＨｃ〜ＣＨｄの内部全体の雰囲気が加熱される。すなわち、処理液通過空間の雰囲気を常温よりも高い温度となるように加熱することができる。これにより、各ノズル５０，７０から基板Ｗに到達するまでのレジスト剥離液およびリンス液の温度低下が十分に抑制される。
【０１５３】
その結果、基板Ｗに供給されるレジスト剥離液およびリンス液の温度低下に起因する基板Ｗの処理不良が防止される。
【０１５４】
また、上記側面部ＯＷ４，ＯＷ５および底面部ＯＷ６は構造が単純である。したがって、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨＤｄの製造が容易となっている。
【０１５５】
なお、側面部ＯＷ４，ＯＷ５および底面部ＯＷ６のヒータＨＥにより加熱される処理液通過空間の雰囲気の温度は、６０度以上であることが好ましく、６５度以上であることがより好ましい。この場合、基板Ｗに供給されるリンス液の温度低下に起因する基板Ｗの処理不良が確実に防止される。
【０１５６】
したがって、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄ内の処理液通過空間またはその近傍に、例えば図７の点線で示す温度センサＴｃを設けることが好ましい。この場合、図１の制御部４は、処理液通過空間またはその近傍の雰囲気の温度に基づいて、各側面部ＯＷ４，ＯＷ５および底面部ＯＷ６のヒータＨＥに供給する電流をフィードバック制御することができる。
【０１５７】
本実施の形態では、洗浄処理部５ａ〜５ｄを取り囲む３枚の側面部ＯＷ４，ＯＷ５および底面部ＯＷ６にヒータＨＥを内蔵しているが、ヒータＨＥが内蔵される側面部および底面部の数はこれに限定されない。
【０１５８】
例えば、各処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄにおいて、底面部ＯＷ６にのみヒータＨＥが内蔵されてもよいし、４個の側面部のうち１個の側面部にのみヒータＨＥが内蔵されてもよい。
【０１５９】
＜５＞  基板処理装置に用いられる処理液
上記第１〜第４の実施の形態に係る基板処理装置１００において、基板Ｗの処理に用いる処理液としては、基板Ｗの表面上に付着する有機金属等のポリマーを除去するためのポリマー除去液を用いてもよい。
【０１６０】
ポリマー除去処理を行う場合、基板Ｗに供給するポリマー除去液の温度は、例えば３０度〜８０度に設定される。この場合においても、処理液通過空間の雰囲気の温度を常温よりも高く調整することにより、ノズル５０，７０，９０Ｎから基板Ｗに到達するまでのポリマー除去液の温度低下が十分に抑制される。
【０１６１】
レジスト剥離液としては、第１〜第４の実施の形態において説明したＳＰＭの他、硫酸とオゾン水との混合液（以下、硫酸オゾン水と呼ぶ）または硫酸等を用いることができる。レジスト剥離処理時、基板Ｗに供給する硫酸オゾン水および硫酸の温度は、例えば３０度〜１５０度に設定される。この場合においても、処理液通過空間の雰囲気の温度を常温よりも高く調整することにより、ノズル５０，７０，９０Ｎから基板Ｗに到達するまでの硫酸オゾン水および硫酸の温度低下が十分に抑制される。
【０１６２】
なお、上記いずれの処理液を用いる場合でも、処理液通過空間の雰囲気の温度は、３０度以上に調整することがより好ましい。この場合、ポリマー除去液の温度低下がより十分に抑制される。
【０１６３】
＜６＞  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１６４】
上記各実施の形態においては、スピンチャック２１が基板保持手段の例であり、剥離ノズル５０、リンスノズル７０およびノズル９０Ｎが処理ノズルの例であり、図４のファンフィルタユニットＦＦＵ、図７の側面部ＯＷ４，ＯＷ５、図７の底面部ＯＷ６、ヒータＨＥ、電流供給装置６、気体ノズル８０、気体供給管８４、加熱気体供給部８９、および回転支持軸１１１が雰囲気温度調整手段の例である。
【０１６５】
また、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄが処理室の例であり、図７のヒータＨＥが加熱手段の例であり、気体ノズル８０、気体供給管８４、加熱気体供給部８９、および回転支持軸１１１が気体供給手段の例である。
【０１６６】
さらに、遮断板１１０の開口部が気体噴出口の例であり、気体供給管８４および回転支持軸１１１が気体供給管の例である。
【０１６７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１６８】
本発明は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板製造等のために利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を組み立てる様子を示す外観斜視図である。
【図３】図１の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図４】図１の基板処理装置における洗浄処理部のＳ−Ｓ線断面図である。
【図５】第２の実施の形態に係る基板処理装置に設けられる洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図６】第３の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図７】第４の実施の形態に係る基板処理装置における処理チャンバの構成を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１７０】
４  制御部
６  電流供給装置
２１  スピンチャック
５０  剥離ノズル
７０  リンスノズル
９０Ｎ  ノズル
８０  気体ノズル
８４  気体供給管
８９  加熱気体供給部
１００  基板処理装置
１１０  遮断板
１１１  回転支持軸
ＣＨａ〜ＣＨｄ  処理チャンバ
ＦＦＵ  ファンフィルタユニット
ＯＷ１，ＯＷ２，ＯＷ４，ＯＷ５  側面部
ＯＷ３，ＯＷ６  底面部
ＨＥ  ヒータ
Ｗ  基板
【図１】
2008235302.tif 000003
【図２】
2008235302.tif 000004
【図３】
2008235302.tif 000005
【図４】
2008235302.tif 000006
【図５】
2008235302.tif 000007
【図６】
2008235302.tif 000008
【図７】
2008235302.tif 000009