(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイシングテープからデバイスをピックアップする際に髭状の塵埃が発生しても、髭状の塵埃がダイシングテープに残存してデバイスの裏面に装着された接着フィルムに付着しないデバイスのピックアップ方法を提供する。【解決手段】ダイシング後のデバイス２が搭載された環状のフレーム４を保持した状態でダイシングテープにおける環状のフレーム４の内径とウエーハとの間の領域を拡張部材７０によって押圧することによりダイシングテープを拡張してデバイスおよび接着フィルム間の間隔を広げるテープ拡張工程と、デバイスおよび接着フィルムをダイシングテープからピックアップするピックアップ工程とを含み、テープ拡張工程においては拡張部材とダイシングテープとが当接するときの拡張部材とフレーム保持手段との相対移動速度が１００mm／秒以上に設定され、デバイスおよび接着フィルム間を広げる間隔が１００μm以上に設定される。【選択図】図６
2008177260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面が接着フィルムを介在して環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着され、該ウエーハおよび該接着フィルムが該複数のストリートに沿って該デバイス毎に分割されており、該ダイシングテープから該デバイスを該接着フィルムが装着された状態でピックアップする接着フィルムが貼着されたデバイスのピックアップ方法であって、
該環状のフレームを保持した状態で該ダイシングテープにおける該環状のフレームの内径とウエーハとの間の領域を拡張部材によって押圧することにより該ダイシングテープを拡張して該デバイスおよび該接着フィルム間の間隔を広げるテープ拡張工程と、
該テープ拡張工程によって該ダイシングテープに貼着された該デバイスおよび該接着フィルム間の間隔が広げられた状態で、該デバイスおよび該接着フィルムを該ダイシングテープからピックアップするピックアップ工程と、を含み、
該テープ拡張工程においては、該拡張部材と該ダイシングテープとが当接するときの該拡張部材と該フレーム保持手段との相対移動速度が１００mm／秒以上に設定され、該デバイスおよび該接着フィルム間を広げる間隔が１００μm以上に設定されている、
ことを特徴とする接着フィルムが貼着されたデバイスのピックアップ方法。
【請求項２】
該テープ拡張工程においては、該接着フィルムが１０℃以下に冷却される、請求項１記載の接着フィルムが貼着されたデバイスのピックアップ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されダイシングテープに貼着されたウエーハがストリートに沿って分割されているデバイスをピックアップするデバイスのピックアップ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（切断予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
個々に分割された半導体チップは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体チップを支持するダイボンディングフレームに加熱圧着することによりボンディングされる。半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切削することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体チップを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【０００４】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄い半導体チップが要求されている。より薄く半導体チップを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する技術であり、半導体チップの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。
【０００５】
しかるに、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する場合には、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって分割された半導体チップをダイボンディングフレームにボンディングする際には、半導体チップとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
【０００６】
このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、各半導体チップ間の間隙に露出された接着フィルムの部分に、半導体チップの表面側から上記間隙を通してレーザー光線を照射し、接着フィルムの上記間隙に露出された部分を除去するようにした半導体チップの製造方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００２−１１８０８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、接着フィルムがストリートに沿って分割されたデバイスに沿って切削ブレードやレーザー光線によって切断されと、接着フィルムの外周部がダイシングテープの粘着糊と絡まって癒着し、ダイシングテープからデバイスをピックアップする際に髭状の塵埃が発生してデバイスの裏面に装着された接着フィルムに付着し、ダイボンディング不良やワイヤディング不良を発生させる原因となる。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ダイシングテープからデバイスをピックアップする際に髭状の塵埃が発生しても、髭状の塵埃がダイシングテープに残存してデバイスの裏面に装着された接着フィルムに付着しないデバイスのピックアップ方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面が接着フィルムを介在して環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着され、該ウエーハおよび該接着フィルムが該複数のストリートに沿って該デバイス毎に分割されており、該ダイシングテープから該デバイスを該接着フィルムが装着された状態でピックアップする接着フィルムが貼着されたデバイスのピックアップ方法であって、
該環状のフレームを保持した状態で該ダイシングテープにおける該環状のフレームの内径とウエーハとの間の領域を拡張部材によって押圧することにより該ダイシングテープを拡張して該デバイスおよび該接着フィルム間の間隔を広げるテープ拡張工程と、
該テープ拡張工程によって該ダイシングテープに貼着された該デバイスおよび該接着フィルム間の間隔が広げられた状態で、該デバイスおよび該接着フィルムを該ダイシングテープからピックアップするピックアップ工程と、を含み、
該テープ拡張工程においては、該拡張部材と該ダイシングテープとが当接するときの該拡張部材と該フレーム保持手段との相対移動速度が１００mm／秒以上に設定され、該デバイスおよび該接着フィルム間を広げる間隔が１００μm以上に設定されている、
ことを特徴とする接着フィルムが貼着されたデバイスのピックアップ方法が提供される。
【００１０】
上記テープ拡張工程においては、接着フィルムが１０℃以下に冷却されることが望ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、テープ拡張工程においては、拡張部材とダイシングテープとが当接するときの拡張部材とフレーム保持手段との相対移動速度が１００mm／秒以上に設定され、デバイスおよび該接着フィルムの間隔が１００μm以上に設定されているので、ダイシングテープからデバイスをピックアップする際に髭状の塵埃が発生するが、髭状の塵埃はダイシングテープに残存し、接着フィルムには付着しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明による接着フィルムが貼着されたデバイスのピックアップ方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
ここで、裏面に接着フィルムが装着されたウエーハの形態について説明する。
図１には、半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着され、該接着フィルム３側が環状のフレーム４に装着されたダイシングテープ４０の表面に貼着された状態が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にデバイス２２が形成されている。接着フィルム３は厚さ２０〜４０μｍのエポキシ樹脂フィルムからなり、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着される。上記環状のフレーム４は、厚さが１mmのステンレス鋼によって環状に形成されている。上記ダイシングテープ４０は、図示の実施形態においては厚さが７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さが５μｍ程度塗布されている。
【００１４】
上述したように環状のフレーム４に装着されたダイシングテープ４０の表面に貼着された半導体ウエーハ２は、切削ブレードを備えた切削装置によって複数のストリート２１に沿って切断され図２に示すように個々のデバイス２２に分割される。このとき、半導体ウエーハ２の裏面に装着されたダイボンディング用の接着フィルム３も同時に切断される。
また、半導体ウエーハ２を所謂先ダイシング法によって個々のデバイスに分割するには、切削装置を用いて半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたストリート２１に沿って所定深さ（各半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成する（分割溝形成工程）。次に、分割溝が形成された半導体ウエーハ２の表面に保護部材を装着し、半導体ウエーハ２の裏面を研削して、分割溝を裏面に表出させることにより個々のデバイス２２に分割する（分割溝表出工程）。このようにして個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３を装着する。そして、裏面に接着フィルム３が装着された半導体ウエーハ２の（個々のデバイス２２に分割されている）接着フィルム３を上述した環状のフレーム４に装着されたダイシングテープ４０の表面に貼着し、接着フィルム３に分割溝に沿ってレーザー光線を照射することにより、接着フィルム３を分割溝に沿って切断する。従って、半導体ウエーハ２が複数のストリート２１に沿って分割された個々のデバイス２２および分割溝に沿って切断された接着フィルム３は、図２に示すように環状のフレーム４に装着されたダイシングテープ４０の表面に貼着された状態となる。
【００１５】
上述したようにダイシングテープ４０の表面に接着フィルム３を介して貼着された個々のデバイス２２は、ピックアップ装置に搬送されダイシングテープ４０からピックアップされる。ここで、ピックアップ装置の一例について図３乃至図５を参照して説明する。
図３にはピックアップ装置の斜視図が示されており、図４には図３に示すピックアップ装置の要部を分解して示す斜視図が示されている。図示の実施形態におけるピックアップ装置５は、基台５１と、該基台５１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第１のテーブル５２と、該第１のテーブル５２上に矢印Ｙと直交する矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第２のテーブル５３を具備している。基台５１は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Ｙで示す方向に２本の案内レール５１１、５１２が互いに平行に配設されている。なお、２本の案内レールのうち一方の案内レール５１１には、その上面に断面がＶ字状の案内溝５１１aが形成されている。
【００１６】
上記第１のテーブル５２は、図４に示すように中央部に矩形状の開口５２１を備えた窓枠状に形成されている。この第１のテーブル５２の一方の側部下面には、上記基台５１に設けられた一方の案内レール５１１に形成されている案内溝５１１aに摺動可能に嵌合する被案内レール５２２が設けられている。また第１のテーブル５２の両側部上面には上記被案内レール５２２と直交する方向に２本の案内レール５２３、５２４が互いに平行に配設されている。なお、２本の案内レールのうち一方案内レール５２３には、その上面に断面がＶ字状の案内溝５２３aが形成されている。このように構成された第１のテーブル５２は、図３に示すように被案内レール５２２を基台５１に設けられた一方の案内レール５１１に形成された案内溝５１１aに嵌合するとともに、他方の側部下面を基台５１に設けられた他方の案内レール５１２上に載置される。図示の実施形態におけるピックアップ装置５は、第１のテーブル５２を基台５１に設けられた案内レール５１１、５１２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動する第１の移動手段５４を具備している。この第１の移動手段５４は、図４に示すように基台５１に設けられた他方の案内レール５１２に平行に配設された雄ネジロッド５４１と、基台５１に配設され雄ネジロッド５４１の一端部を回転可能に支持する軸受５４２と、雄ネジロッド５４１の他端に連結され雄ネジロッド５４１を回転駆動するためのパルスモータ５４３と、上記第１のテーブル５２の下面に設けられ雄ネジロッド５４１に螺合する雌ネジブロック５４４とからなっている。このように構成された第１の移動手段５４は、パルスモータ５４３を駆動して雄ネジロッド５４１を回動することにより、第１のテーブル５２を矢印Ｙで示す方向に移動せしめる。
【００１７】
上記第２のテーブル５３は、図４に示すように矩形状に形成され、中央部に円形の穴５３１を備えている。この第２のテーブル５３の一方の側部下面には、上記第１のテーブル５２に設けられた一方の案内レール５２３に形成されている案内溝５２３aに摺動可能に嵌合する被案内レール５３２が設けられている。このように構成された第２のテーブル５３は、図３に示すように被案内レール５３２を第１のテーブル５２に設けられた一方の案内レール５２３に形成されている案内溝５２３aに嵌合するとともに、他方の側部下面を第１のテーブル５２に設けられた他方の案内レール５２４上に載置される。図示の実施形態におけるピックアップ装置５は、第２のテーブル５３を第１のテーブル５２に設けられた案内レール５２３、５２４に沿って矢印Ｘで示す方向に移動する第２の移動手段５５を具備している。この第２の移動手段５５は、図４に示すように第１のテーブル５２に設けられた他方の案内レール５２４に平行に配設された雄ネジロッド５５１と、第１のテーブル５２に配設され雄ネジロッド５５１の一端部を回転可能に支持する軸受５５２と、雄ネジロッド５５１の他端に連結され雄ネジロッド５５１を回転駆動するためのパルスモータ５５３と、上記第２のテーブル５３の下面に設けられ雄ネジロッド５５１に螺合する雌ネジブロック５５４とからなっている。このように構成された第２の移動手段５５は、パルスモータ５５３を駆動して雄ネジロッド５５１を回動することにより、第２のテーブル５３を矢印Ｘで示す方向に移動せしめる。
【００１８】
図示の実施形態におけるピックアップ装置５は、上記環状のフレーム４を保持するフレーム保持手段６と、該フレーム保持手段６に保持された環状のフレーム４に装着されたダイシングテープ４０を拡張するテープ拡張手段７を具備している。フレーム保持手段６は、図３および図５に示すように上記第２のテーブル５３に設けられた穴５３１の径より大きい内径を有する環状のフレーム保持部材６１と、該フレーム保持部材６１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６２とからなっている。フレーム保持部材６１の上面は環状のフレーム４を載置する載置面６１１を形成しており、この載置面６１１上に環状のフレーム４が載置される。そして、載置面６１１上に載置された環状のフレーム４は、クランプ６２によってフレーム保持部材６１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６は、第２のテーブル５３の穴５３１の上方に配設され、後述するテープ拡張手段７によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００１９】
テープ拡張手段７は、図３および図５に示すように上記環状のフレーム保持部材６１の内側に配設される拡張ドラム７０を具備している。この拡張ドラム７０は、環状のフレーム４の内径より小さく該環状のフレーム４に装着されたダイシングテープ４０に貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム７０は、下端部に上記第２のテーブル５３に設けられた穴５３１の内周面に回動可能に嵌合する装着部７１を備えているとともに、該装着部７１の上側外周面には径方向に突出して形成された支持フランジ７２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段７は、上記環状のフレーム保持部材６１を上下方向に進退可能な支持手段７３を具備している。この支持手段７３は、上記支持フランジ７２上に配設された複数のエアシリンダ７３０からなっており、そのピストンロッド７３１が上記環状のフレーム保持部材６１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ７３０からなる支持手段７３は、図５および図６の(a)に示すように環状のフレーム保持部材６１を載置面６１１が拡張ドラム７０の上端と略同一高さとなる基準位置と、図６の(b)に示すように環状のフレーム保持部材６１を載置面６１１が拡張ドラム７０の上端から図において上方に所定量離隔した離隔位置と、図６の(c)に示すように環状のフレーム保持部材６１を載置面６１１が拡張ドラム７０の上端から図において所定量下方の拡張位置に選択的に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ７３０からなる支持手段７３は、拡張ドラム７０とフレーム保持部材６１とを上下方向（軸方向）に相対移動する拡張移動手段として機能する。
【００２０】
図示の実施形態におけるピックアップ装置５は、図３に示すように上記拡張ドラム７０およびフレーム保持部材６１を回動せしめる回動手段７５を具備している。この回動手段７５は、上記第２のテーブル５３に配設されたパルスモータ７５１と、該パルスモータ７５１の回転軸に装着されたプーリ７５２と、該プーリ７５２と拡張ドラム７０の支持フランジ７２とに捲回された無端ベルト７５３とからなっている。このように構成された回動手段７５は、パルスモータ７５１を駆動することにより、プーリ７５２および無端ベルト７５３を介して拡張ドラム７０を回動せしめる。
【００２１】
図示の実施形態におけるピックアップ装置５は、上記環状のフレーム保持部材６１に保持された環状のフレーム４にダイシングテープ４０を介して支持されている半導体ウエーハ２の個々に分割されたデバイス２２を検出するための検出手段８を具備している。検出手段８は、基台５１に配設されたＬ字状の支持柱８１に取り付けられている。この検出手段８は、光学系および撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、上記環状のフレーム保持部材６１に保持された環状のフレーム４にダイシングテープ４０を介して支持されている半導体ウエーハ１０の個々に分割されたデバイス２２を撮像し、これを電気信号に変換して図示しない制御手段に送る。
【００２２】
また、図示の実施形態におけるピックアップ装置５は、個々に分割されたデバイス２２をダイシングテープ４０からピックアップするピックアップ手段９を具備している。このピックアップ手段９は、基台５１に配設された旋回アーム９１と、該先端に装着されたピックアップコレット９２とからなっており、旋回アーム９１が図示しない駆動手段によって旋回せしめられる。なお、旋回アーム９１は上下動可能に構成されており、先端に装着されたピックアップコレット９２は、ダイシングテープ４０に貼着されている個々に分割されたデバイス２２をピックアップすることができる。
【００２３】
図５を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるピックアップ装置５は、テープ拡張手段７を構成する拡張ドラム７０内に配設された冷却手段１０を具備している。この冷却手段１０は、冷却流体噴射ノズル１０１が上方に向けて配設されており、図示しない冷却流体供給手段に連通されている。
【００２４】
図示の実施形態におけるピックアップ装置５は以上のように構成されており、このピックアップ装置５を用いて、上述したダイシングテープ４０の表面に接着フィルム３を介して貼着された個々のデバイス２２をダイシングテープ４０からピックアップする手順について、主に図６および図７を参照して説明する。
上記図２に示すように裏面に接着フィルム３が装着された個々のデバイス２２をダイシングテープ４０を介して支持した環状のフレーム４を図６の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６を構成するフレーム保持部材６１の載置面６１１上に載置し、クランプ６２によってフレーム保持部材６１に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材６１は図６の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。
【００２５】
図６の（ａ）に示すように基準位置に位置付けられているフレーム保持部材６１に、裏面に接着フィルム３が装着された個々のデバイス２２をダイシングテープ４０を介して支持した環状のフレーム４を固定したならば、テープ拡張手段７を構成する支持手段７３としての複数のエアシリンダ７３０を作動して、環状のフレーム保持部材６１を図６の（ｂ）に示す離隔位置に上昇せしめる（離隔位置位置付け工程）。
【００２６】
次に、テープ拡張手段７を構成する支持手段７３としての複数のエアシリンダ７３０を作動して、環状のフレーム保持部材６１を図６の（c）に示す拡張位置まで一気に下降せしめる。従って、フレーム保持部材６１の載置面６１１上に固定されている環状のフレーム４も下降するため、図６の（c）に示すように環状のフレーム４に装着されたダイシングテープ４０は拡張ドラム７０の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。このとき、環状のフレーム保持部材６１即ち環状のフレーム４に装着されたダイシングテープ４０は図６の（ｂ）に示す離隔位置から下降するので、拡張ドラム７０の上端縁に当接する際には所定の移動速度に達している。なお、ダイシングテープ４０が拡張ドラム７０の上端縁に当接する際の所定の移動速度は、１００mm／秒以上であることが重要である。この結果、ダイシングテープ４０に貼着されている個々のデバイス２２の裏面に貼着された接着フィルム３には放射状に引張力が急激に作用し、個々に分割されているデバイス２２および接着フィルム３間の間隔が急激に広げられる。このように広げられる個々に分割されているデバイス２２および接着フィルム３間を広げる間隔は、１００μm以上にすることが重要である。従って、半導体ウエーハ２をストリート２１に沿って幅が２０μmの切削ブレードによって切断した場合には、テープ拡張工程においてデバイス２２および接着フィルム３間の間隔を１２０μm以上に広げる。なお、上記テープ拡張工程を実施する際には、図６の（ａ）に示すように基準位置に位置付けられているときに冷却手段１０を作動して冷却流体噴射ノズル１０１から冷却流体を噴射し、接着フィルム３を１０℃以下に冷却することが望ましい。
【００２７】
上述したようにテープ拡張工程を実施したならば、第１の移動手段５４および第２の移動手段５５を作動して第１のテーブル５２を矢印Ｙで示す方向（図３参照）に移動するとともに、第２のテーブル５３を矢印Ｘで示す方向（図３参照）に移動し、フレーム保持部材６１に保持された環状のフレーム４に装着されたダイシングテープ４０に貼着されている個々のデバイス２２を検出手段８の直下に位置付ける。そして、検出手段８を作動し個々のデバイス２２間の隙間が矢印Ｙで示す方向または矢印Ｘで示す方向と一致するかを確認する。もし、個々のデバイス２２間の隙間が矢印Ｙで示す方向または矢印Ｘで示す方向とズレているならば、回動手段７５を作動しフレーム保持手段６を回動して一致させる。次に、第１のテーブル５２を矢印Ｙで示す方向（図３参照）に移動するとともに、第２のテーブル５３を矢印Ｘで示す方向（図３参照）に移動しつつ、図７に示すようにピックアップ手段９を作動しピックアップコレット９２によって所定位置に位置付けられたデバイス２２をピックアップ（ピックアップ工程）し、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。
【００２８】
上記ピックアップ工程においては、デバイス２２は裏面に接着フィルム３が装着された状態でダイシングテープ４０から剥離してピックアップされる。このとき、接着フィルム３の外周部がダイシングテープ４０の粘着糊と絡まって癒着しており、ダイシングテープ４０からデバイス２２をピックアップする際に髭状の塵埃が発生するが、上記テープ拡張工程において個々に分割されているデバイス２２および接着フィルム３間の間隔が広げられる際に、１００mm／秒以上の移動速度であるとともにデバイス２２および接着フィルム３間を広げる間隔が１００μm以上になっているので、上記髭状の塵埃はダイシングテープ４０側に残存し、接着フィルム３には付着しない。本発明者の実験によると、上記移動速度が１００mm／秒より遅い程上記髭状の塵埃が接着フィルム３に付着する率が高く、また、デバイス２２および接着フィルム３間を広げる間隔が１００μmより小さい程上記髭状の塵埃が接着フィルム３に付着する率が高いことが判った。なお、上記テープ拡張工程においては、接着フィルム３を１０℃以下に冷却することにより、上記ピックアップ時における上記髭状の塵埃が接着フィルム３に付着する率が更に少なくなることが判った。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハおよび接着フィルムが個々のデバイス毎に分割された状態を示す斜視図。
【図３】本発明による接着フィルムが装着されたデバイスのピックアップ方法を実施するためのピックアップ装置の斜視図。
【図４】図３に示すピックアップ装置の要部を分解して示す斜視図。
【図５】図３に示すピックアップ装置を構成する第２のテーブルとフレーム保持手段およびテープ拡張手段を示す断面図。
【図６】本発明による接着フィルムが装着されたデバイスのピックアップ方法におけるテープ拡張工程を示す説明図。
【図７】本発明による接着フィルムが装着されたデバイスのピックアップ方法におけるピックアップ工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００３０】
２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
３：接着フィルム
４：環状のフレーム
４０：ダイシングテープ
５：ピックアップ装置
６：フレーム保持手段
６１：フレーム保持部材
７：テープ拡張手段
７０：拡張ドラム
７３：支持手段
７３０：エアシリンダ
７３１：ピストンロッド
８：検出手段
９：ピックアップ手段
９２：ピックアップコレット
１０： 冷却手段
１０１：冷却流体噴射ノズル
【図１】
2008177260.tif 000003
【図２】
2008177260.tif 000004
【図３】
2008177260.tif 000005
【図４】
2008177260.tif 000006
【図５】
2008177260.tif 000007
【図６】
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【図７】
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