(57)【要約】【課題】高周波領域において高いシールド効果を有し、機械特性が優れ、軽量かつフレキシブルで安価なシールド材料を提供する。【解決手段】本発明の複合電磁波シールド材は、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Ａｌを主成分とする金属箔から成る導電性芯体、乾式Ｎｉ合金めっき層、乾式Ｃｕめっき層、金属めっき層から成り、伸びが５％以上であることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Ａｌを主成分とする金属箔から成る導電性芯体、乾式Ｎｉ合金めっき層、乾式Ｃｕめっき層、金属めっき層から成り、伸びが５％以上であることを特徴とする複合電磁波シールド材。
【請求項２】
前記乾式Ｎｉ合金めっき層の厚みが１０〜２００Å、乾式Ｃｕめっき層の厚みが５〜５００Å、金属めっき層の厚みが０．３〜１５μｍの範囲にある請求項１に記載の複合電磁波シールド材。
【請求項３】
前記金属めっき層が、電解Ｃｕめっき層又は電解Ｎｉめっき層である請求項１又は２記載の複合電磁波シールド材。
【請求項４】
有機樹脂フィルムの片面に、Ａｌを主成分とする金属箔からなる導電性芯体を積層し、該導電性芯体の表面に乾式Ｎｉ合金めっき、乾式Ｃｕめっきを順次行い、更に電解めっきを行うことを特徴とする複合電磁波シールド材の製造方法。
【請求項５】
前記導電性芯体表面に乾式Ｎｉ合金めっきを施す前に、導電性芯体表面にプラズマ処理を行う請求項４記載の複合電磁波シールド材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合電磁波シールド材及びその製造方法に関するものであり、より詳細には、機械的特性に優れ、軽量かつ電磁波シールド性に優れた複合電磁波シールド材及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、パーソナルコンピューター、電子レンジ等の各種電子機器の普及や高性能化に伴い、電子機器のノイズ防止や電磁波の人体に対する影響防止等の見地から、電磁波シールド材が使用されている。更に近年、著しい情報通信技術の発展が、大容量の情報通信を実現すると共に、使用周波数帯の高周波化をもたらし、その結果、高周波領域帯におけるシールド特性の向上ならびに軽量なシールド材料が求められるようになった。公知の電磁波シールド材としては、金属箔や金属メッシュなど、金属材料を種々の形で樹脂基板中に埋設したものなどが知られている（例えば特許文献１参照）。また、熱可塑性或いは熱硬化性樹脂に、繊維状金属フイラーを配合して導電性を付与した導電性複合樹脂組成物などもある（例えば特許文献２参照）。更に、Ａｌ箔とフィルムを複合した熱収縮性シールド材や、Ａｌ箔の表面に炭素材料を含む導電性樹脂を設けたシールド材もある（例えば特許文献３及び４参照）。金属箔や銅編組などを巻いて、シールド性を高めているものもある。
【０００３】
本出願に関する先行技術文献として次のものがある。
【特許文献１】特開平２−３０２０９８号公報
【特許文献２】特開昭６１−２８７９６２号公報
【特許文献３】特開昭６３−１０４８３２号公報
【特許文献４】特開平７−１０５７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のシールド材は比較的高価であり、これが電線自体のコストを上昇させる大きな要因となっている。例えば、フイラーを用いた複合シールド材は、マスターチップ化した複合材を再び樹脂と混練して作製するため、膜厚が安定した製品を製造することが困難であり、その結果、歩留まりが悪く、コストアップの要因となる。また、Ａｌ箔とフィルムを複合した材料では、そのシールド性は、３０〜３００ＭＨｚ帯領域で効果があるが、現在必要とされている１ＧＨｚ帯以上の高周波に対するシールド領域においては、その効果が乏しい。更にこのＡｌ箔上に炭素材料を含む導電性樹脂複合材を設けたシールド材においては、炭素材料に黒鉛を用いているため、これが水分を吸収するとＡｌ箔と炭素材料との間で局部電池が形成され、その結果Ａｌ箔の腐食が進行してしまう問題がある。
これらに対して、Ｃｕ箔をシールド材に用いた場合においては、Ｃｕ箔の厚みを増やすことにより高いシールド効果は得られるが、シールド材自体が重くなる問題が生じる。またこれを電線に組み込んだ場合、電線自体のフレキシブルな屈曲が困難となり、扱いにくいものとなる。
一方、Ａｌ箔のみを用いた場合、軽量かつフレキシブルなシールド材となるが、Ａｌ箔だけではシールド効果が乏しいため、Ａｌ箔の外側に銅からなる編組を巻き付けることで、軽量な電線用シールド材を構成している。しかし、この銅編組が電線のコストを上昇させる要因の一つでもあり、更に銅編組を用いることで、電線のフレキシビリティーを束縛し、使い勝手も悪くなる。
【０００５】
従って本発明の目的は、高周波に対する電磁波シールド効果を向上した複合電磁波シールド材及びその製造方法を提供すると共に、軽量で機械的特性が優れた複合電磁波シールド材及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Ａｌ（アルミニウム）を主成分とする金属箔からなる導電性芯体、乾式Ｎｉ（ニッケル）合金めっき層、乾式Ｃｕ（銅）めっき層、金属めっき層から成り、伸びが５％以上であることを特徴とする複合電磁波シールド材が提供される。
本発明の複合電磁波シールド材においては、
１．乾式Ｎｉ合金めっき層の厚みが１０〜２００Å、乾式Ｃｕめっき層の厚みが５〜５００Å、金属めっき層の厚みが０．３〜１５μｍの範囲にあること、
２．金属めっき層が、電解Ｃｕめっき層又は電解Ｎｉめっき層であること、
が好適である。
【０００７】
本発明によればまた、有機樹脂フィルムの片面に、Ａｌを主成分とする金属箔から成る導電性芯体を積層し、該導電性芯体の表面に乾式Ｎｉ合金めっき、乾式Ｃｕめっきを順次行い、更に電解めっきを行うことを特徴とする複合電磁波シールド材の製造方法が提供される。
本発明の複合電磁波シールド材の製造方法においては、導電性芯体表面に乾式Ｎｉ合金めっきを施す前に、導電性芯体表面にプラズマ処理を行うことが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の複合電磁波シールド材は、１ＧＨｚ帯以上の高周波に対する電磁波シールド効果が優れるだけでなく、軽量且つフレキシブルであると共に、シールド材の片面のみに金属層を有するので、機械的特性が優れている。
また乾式Ｎｉ合金めっき層が、Ａｌを主成分とする金属箔と乾式Ｃｕめっき層との間に介在することにより、導電性芯体と乾式Ｃｕめっき層との密着性を向上することができる。また、Ａｌを主成分とする金属箔をプラズマ処理することにより、乾式Ｃｕめっき層の密着性を更に向上することが可能となる。
本発明で製造したシールド材は、特に極細の電線用シールド材に用いた場合、その特徴を生かすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明を、以下詳細に説明する。
本発明の複合シールド材は、Ａｌを主成分とする金属箔から成る導電性芯体の片面に絶縁体である有機樹脂フィルムを貼り合わせ、反対面にシールド効果に優れる成分から構成された金属層が形成されている。
本発明の複合電磁波シールド材は、導電性芯体として比較的軽量なＡｌを主成分とする金属箔を用い、この導電性芯体の一方の表面に絶縁体である有機樹脂フィルムを貼り合わせ、反対側の面にシールド効果に優れる金属から成る層を形成させることにより、機械特性が優れ、軽量かつ高シールドな電磁波シールド材を提供することができる。  
本発明の複合電磁波シールド材においては、導電性芯体の表面に有機樹脂フィルム層、裏面にシールド特性に優れる金属層を形成させているが、この有機樹脂フィルム層を形成させることにより、シールド材の機械特性が向上する。
シールド材を組み込んだ電線を作る場合においては、伸びが５％未満の材料では電線を作製する時にシールド材が破断してしまうため適用することができず、一般に導電性芯体の両面にシールド層として金属を積層した場合はその伸びが極端に低下するため、電線用途のシールド材には不適応となるが、本発明の複合電磁波シールド材は、機械特性として５％以上の伸びを有しているため、電線用途にも使用することができる。
【００１０】
（導電性芯体）
本発明の複合電磁波シールド材においては、軽量化を図る観点から、導電性芯体として、Ａｌを主成分とする金属箔を用いる。Ａｌを主成分とする金属箔としては、Ａｌ箔、或いはＡｌを主成分とする合金箔（以下、単にＡｌ合金箔という）を挙げることができ、圧延箔や電解箔を使用することができる。
一般に、Ｆｅ箔やＮｉ箔を使用した場合、磁界シールド特性が向上するが、Ｆｅ、ＣｕやＮｉの比重はＡｌよりも２〜３倍程度以上大きくなるため、これらを採用した場合には、本発明のシールド材のように軽量化を図ることができない。
Ａｌを主成分とする金属箔からなる導電性芯体には、公知のもの又は市販品（例えばＪＩＳに規定の１０００系、３０００系など）のＡｌ箔或いはＡｌ合金箔を使用することが可能である。
Ａｌを主成分とする金属箔の厚みは、４〜３５μｍ、特に５〜２０μｍの範囲にあることが好適である。Ａｌ箔またはＡｌ合金箔の厚みが４μｍ未満では、Ａｌを主成分とする金属箔自体の安定生産ならびに生産コストに問題があり、逆に３５μｍを超えると電磁波シールド材自体の重量が大きくなって軽量化を図ることができず、更に電磁波シールド材の伸びが減少する点で好ましくない。
【００１１】
（有機樹脂フィルム）
絶縁体である有機樹脂フィルムとしては、熱可塑性フィルムとして、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、アクリル樹脂、ポリフェニレンオキシド、飽和ポリエステル、酢酸セルロース、ポリ酢酸ビニル、エチレン酢ビ共重合体、フッ素樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アイオノマー樹脂、ポリ−４−メチル−１−ペンテン、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、液晶ポリマー、熱可塑性エラストマー等を使用することができ、また熱硬化性フィルムとして、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアラミド等公知のものを用いることができる。
有機樹脂フィルムの厚みは、１．２〜５０μｍの範囲にあることが好ましい。有機樹脂フィルムの厚みが１．２μｍ未満では、フィルムの安定生産や製造コストの点で満足するものではなく、逆に５０μｍを超えると電磁波シールドのフレキシブル性かつ軽量性を損なうおそれがある。
有機樹脂フィルム自体は延伸でも無延伸でもよいが、均一なフィルム厚みの点からは延伸したフィルムを用いることが好ましい。
導電性芯体への有機樹脂フィルムの貼り合わせは、有機樹脂フィルムを溶融温度直前まで加熱したラミネート方式、接着界面に接着剤を用いた接着方式など、公知の方法で貼り合わせることが可能である。
【００１２】
（プラズマ処理）
本発明においては、Ａｌを主成分とする金属箔の表面酸化皮膜を取り除く目的で、Ａｌを主成分とする金属箔の表面をプラズマに曝すことが望ましい。
すなわち、Ａｌを主成分とする金属箔の表面には強固な酸化皮膜が形成されており、この酸化皮膜が、Ａｌを主成分とする金属箔へのＣｕ成分の密着性を低下させる原因となるが、本願発明においては、Ａｌを主成分とする金属箔表面に、後述する乾式Ｎｉ合金めっき層が形成されているのでＡｌとＣｕとの密着性は改良されているが、プラズマ処理を施すことにより更に密着性を向上することが可能となる。
プラズマに用いるガスには、一般的にＡｒガスが使用されるが、窒素ガス、酸素ガス、へリウムガスでも適用できる。
また、このプラズマはＲＦプラズマ装置を用いて形成させることが可能であり、その出力については、１０〜３００Ｗ、より好ましくは５０〜２００ＷでＡｌを主成分とする金属箔の表面酸化被膜を除去することが可能である。１０Ｗ未満では、プラズマの形成が困難であり、たとえプラズマを形成させたとしても、Ａｌを主成分とする金属箔上の酸化皮膜を除去するには不十分であり、逆に３００Ｗを超えるとフィルムが収縮するなどして、寸法変化が生じるなどの問題を生じるおそれがある。
【００１３】
（乾式Ｎｉ合金めっき層）
Ａｌを主成分とする金属箔の表面に、乾式Ｎｉ合金めっき層を形成することにより、Ｃｕの酸化を抑制すると共にＡｌとＣｕの密着力を向上させることが可能となる。
乾式Ｎｉ合金めっき層としては、Ｎｉ−Ｃｒ（クロム）合金層、Ｎｉ−Ｃｕ合金層、Ｎｉ−Ｔｉ（チタン）合金層、Ｎｉ−Ｖ（バナジウム）合金層、Ｎｉ−Ｐ（リン）合金層，Ｎｉ−Ｂ（ホウ素）合金層或いはＮｉ−Ｍｏ（モリブデン）合金層などが適用でき、中でも、Ｎｉ−Ｃｒ合金層、Ｎｉ−Ｃｕ合金層を好適に使用することができ、Ｎｉ−Ｃｒ合金層が下地の金属箔との密着性に特に優れているので好ましい。
Ｎｉ合金めっき層は、真空蒸着法或いはスパッタリング法等の公知の乾式の方法で形成し、その厚みは１０〜２００Åの範囲にあることが望ましく、１０Å未満では、Ａｌを主成分とする金属箔との密着性が悪く、逆に２００Åを超えると密着性の改善効果は飽和し、不経済である。尚、上記範囲内においては厚みが増加するほど経時後の密着力が向上する（実施例８参照）。
乾式Ｎｉ合金めっき層に含まれるＣｒ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｖ，Ｂ或いはＭｏなどの添加元素は７〜３５％の量で合金中に含まれることが望ましく、７％未満では、乾式めっきが困難であり、逆に３５％を超えると、十分な密着性が得られない点で問題がある。尚、合金成分としてＣｒを用いる場合は上記範囲内においてＣｒ量が増加するほど経時後の密着性を向上できる（実施例９参照）、また合金成分としてＰが含まれる場合には７〜２５％の量で含有することが望ましい。Ｐの場合、上限２５％を超えると十分な密着性を得ることが困難である。
【００１４】
（乾式Ｃｕめっき層）
Ａｌを主成分とする金属箔上に形成された乾式Ｎｉ合金めっき層上にＣｕ層を形成することにより、Ａｌを主成分とする金属箔上の酸化皮膜の再形成を抑制することが可能である。
この乾式Ｃｕめっき層は、真空蒸着法或いはスパッタリング法等の公知の乾式の方法で形成することができるが、特にスパッタリングによる形成が密着性の点から好ましい。
乾式Ｃｕめっき層の厚みは、５Å〜５００Åの範囲、特に１０Å〜１００Åの範囲にあることが好ましい。厚みが５Å未満では、乾式Ｃｕめっき層が不均一となり、次の工程での金属めっきが均一に形成されにくく、かつＡｌが一部露出しているため金属めっき層の密着不良が発生しやすい。
【００１５】
（金属めっき層）
乾式Ｃｕめっき層上に被覆する金属めっき層には、シールド特性の優れるＣｕ，Ｎｉ，Ｃｏ（コバルト），Ｓｎ（スズ），Ｚｎ（亜鉛），Ｆｅ，Ｎｉ−Ｐ合金，Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ−Ｍｏ合金，Ｎｉ−Ｗ（タングステン）合金，Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｎｉ−Ｆｅ合金等を使用することができるが、特にＣｕ、Ｎｉが好ましい。
金属めっき層は、無電解めっき或いは電解めっきにより形成する。金属めっき層の厚みは、０．３〜１５μｍ、特に１〜３μｍの範囲にあることが望ましい。乾式Ｃｕめっき層上の金属めっき層の厚みが、０．３μｍ以下の場合にはシールド効果が乏しく、逆に１５μｍ以上の場合はシールド材料が重くなり、軽量かつフレキシブルな高シールド材料を提供することが難しくなるので好ましくない。
また本発明においては、金属めっき層の表面に、防錆を目的として適当な化成処理などの保護膜を形成することも可能である。
【実施例】
【００１６】
（実施例１)
導電性芯体として、市販のＡｌ箔（９μｍ厚）を用い、これにＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム（６μｍ厚）をラミネートして、１５μｍ厚のＡｌ／ＰＥＴ材を作製した。
次に、Ａｌ／ＰＥＴ材のＡｌ箔上にスパッタリングにより、１０Å厚のＮｉ−７％Ｃｒ合金層を形成した。次に、真空蒸着めっきにより１００Å厚の乾式Ｃｕめっき層を形成した。
このＣｕを真空蒸着めっきしたＡｌ／ＰＥＴ材を真空成膜装置から取り出し、乾式Ｃｕめっき層の上に２μｍ厚のＣｕめっき層を形成することにより複合電磁波シールド材を作製した。
Ｃｕめっき層は、硫酸銅５水和物が２００ｇ／Ｌ、硫酸：５０ｇ／Ｌ、塩化物イオン：５０ｐｐｍ、銅めっき光沢剤：５ｍｌ／Ｌ（奥野製薬製添加剤ＳＦ−Ｍ）から成るめっき浴を用いて、浴温２５〜３０℃で、電流密度：３〜５Ａ／ｄｍ２でＣｕめっきを行うことにより形成した。
作製した複合電磁波シールドについて、密着性、伸度、シールド性について下記方法により評価を行った。結果を表１に示す。
【００１７】
（実施例２）
実施例１と同様にしてＡｌ／ＰＥＴ材のＡｌ箔上に形成されたＮｉ−７％Ｃｒ合金層上に、スパッタリングして１００Å厚の乾式Ｃｕめっき層を形成した。この乾式Ｃｕめっき層を形成したＡｌ／ＰＥＴ材を真空スパッタ装置から取出し、２μｍ厚のＮｉめっき層を形成することにより、複合電磁波シールド材を作製した。
Ｎｉめっき層は、硫酸ニッケル５水和物が２４０ｇ／Ｌ、ホウ酸：３０ｇ／Ｌ、ピット防止剤；２ｍｌ／（日本化学産業：ピットレス）から成るＮｉめっき浴を用いて、浴温５５〜６０℃、電流密度：５ｍＡ／ｄｍ２でＮｉめっきを行うことにより形成した。
実施例１と同様に、評価結果を表１に示す。
【００１８】
（実施例３）
実施例１と同様にしてＡｌ／ＰＥＴ材のＡｌ箔上に形成されたＮｉ−７％Ｃｒ合金層上に、スパッタリングして５Å厚の乾式Ｃｕめっき層を形成した。この乾式Ｃｕめっき層を形成したＡｌ／ＰＥＴ材を真空スパッタ装置から取出し、実施例１と同様の方法で２μｍ厚のＣｕめっき層を形成し、複合電磁波シールド材を作製した。
実施例１と同様に、評価結果を表１に示す。
【００１９】
（実施例４）
乾式Ｃｕめっき層の厚みを１００Åとした以外は、実施例３と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表１に示す。
【００２０】
（実施例５）
Ｃｕめっき層の厚みを０．３μｍとした以外は、実施例４と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表１に示す。
【００２１】
（実施例６）
Ｃｕめっき層の厚みを１５μｍとした以外は、実施例４と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表１に示す。
【００２２】
（実施例７）
乾式Ｃｕめっき層の厚みを５００Åとした以外は、実施例３と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表１に示す。
【００２３】
（実施例８）
乾式Ｎｉ合金めっき層の厚みを２００Åとした以外は、実施例４と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表１に示す。
【００２４】
（実施例９）
乾式Ｎｉ合金めっき層をＮｉ−３０％Ｃｒ合金層とした以外は、実施例４と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表１に示す。
【００２５】
（実施例１０）
乾式Ｎｉ合金めっき層をＮｉ−３０％Ｃｕ合金層とした以外は、実施例４と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表１に示す。
【００２６】
（実施例１１）
Ａｌ／ＰＥＴ材を真空成膜装置内に装着し、真空引きを３０分間行った後に、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａの気圧に調整したところで，Ｔｉ／ＳＵＳ電極で構成されているＲＦプラズマ電極内に５０Ｗの電圧を加えてＡｒプラズマを形成させる。このＡｒプラズマ内にＡｌ／ＰＥＴ材を通過させながら，Ａｌ箔表面上の酸化皮膜を除去した以外は、実施例４と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。
【００２７】
（比較例１)
Ａｌ／ＰＥＴ材表面にＮｉ−Ｃｒ７％合金層を形成せず、Ａｌ箔表面に直接乾式Ｃｕめっき層を形成した以外は、実施例４と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。
【００２８】
（比較例２)
Ａｌ／ＰＥＴ材表面にＮｉ−Ｃｒ７％合金層を形成せず、Ａｌ箔表面に直接乾式Ｃｕめっき層を形成した以外は、実施例１と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。
【００２９】
（比較例３)
実施例１で用いたと同様のＡｌ／ＰＥＴ材について、破断伸度及びシールド特性を評価した。
【００３０】
（評価方法）
＜密着性評価＞
作製した複合電磁波シールド材の乾式Ｃｕめっき層とＡｌ箔の密着性を調べる目的で、金属めっき直後にテープ剥離試験を行い（表１中「初期」で表示）、更に促進試験として、タバイエスペック製の恒温恒湿器（７５℃−９５％ＲＨ）内にこの複合電磁波シールド材を１か月静置した後にテープ剥離試験を行った（表１中「経時後」で表示）。このテープ剥離試験には、ニチバン株式会社製セロハン粘着テープ２４ｍｍ幅を用いた。
評価の基準は下記の通りであり、Ｃｕ残存部が６０％以上を合格とした。
◎：テープ剥離後のＣｕ残存部が９０％以上
○：テープ剥離後のＣｕ残存部が９０％未満７０％以上
△：テープ剥離後のＣｕ残存部が７０％未満６０％以上
×：テープ剥離後のＣｕ残存部が５０％未満
【００３１】
＜伸びの側定方法＞
テンシロン（ＯＲＩＥＮＴＥＣ社製引っ張り試験器：ＲＴＣ−１２１０Ａ）を用いて、サンプル幅が１５ｍｍでチャック間隔が１００ｍｍ長となるようにサンプルを準備し、１ｍｍ／分の速度でサンプルを引っ張り、破断するまでの伸びをチャック間隔距離に対する百分率で示した。破断伸度５％以上を合格とした。
【００３２】
＜クロストーク法によるシールド性評価方法＞
１)  図１に示すように、中央部に外部導体を剥いた部分（３０ｃｍ長を有す１ｍ長のマイクロ波ケーブル１に３ＧＨｚの高周波を入力し、マイクロ波ケーブル１に近接して置かれた、前記ケーブルと同様のマイクロ波ケーブル２に乗り移った高周波の出力（Ｐ１）を測定する。
２)  次に上記１）と同様にして、マイクロ波ケーブル２に１５ｍｍ幅のサンプルを剥き出し部（但し、左右の外部導体はリード線で電気的に接合されている）を中心に、少なくともＣｕ層を内側に且つ表裏の約１／３の面積が互いに重なるようにスパイラル状に剥き出し部の１５ｃｍ手前から６０ｃｍ長（４０回巻き）巻いたケーブルに乗り移った高周波の出力（Ｐ２)
を測定する。
３）  下記式によりシールド効果を算出し、マイクロ波ケーブル２に巻いたサンプルのシールド性を評価し、シールド効果の価が大きいほど電磁波シールド性は良好であり、４０ｄＢ以上を合格とした。
シールド効果（ｄＢ)＝−１０Ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）
【００３３】
【表１】
2008021977.tif 000002
【００３４】
（評価結果）
（１）樹脂フィルムを支持体にすることで、伸び性を確保することができる。
（２）乾式Ｎi−Ｃrあるいは乾式Ｎi−Ｃｕ合金めっきを行うことで、ＡｌとＣｕの密着力を向上させることができる（実施例１〜１１）。
（３）プラズマ処理をすることで、ＡｌとＣｕの密着力を更に向上させることができ、ベストモードとなる（実施例１１）。
（４）乾式Ｎi−Ｃｕ合金めっきによりＡｌとＣｕの密着力は確保されるが、乾式Ｎｉ−Ｃｒ合金めっきにより、密着力はより向上する（実施例９，１０）。
注）Ｃｕは経時により酸化による劣化が生じやすいため、Ｃｒよりも密着力が劣る。
（５）乾式Ｎｉ−Ｃｒ合金めっきにおいてＣｒの含有量が増えると経時後の密着力が向上する（実施例４，９）。また、乾式Ｎｉ合金めっき層のトータル厚みが増しても経時後の密着力が向上する（実施例８）。
（６）乾式Ｃｕめっきでは、蒸着により十分な密着力が経時後も得られるが、スパッタによりＮｉ合金めっきの表面がＣｕで十分に覆われるため密着力がより向上する（実施例１，２）。
（７）金属めっきではＣｕにより十分なシールド性が得られるが、Ｎｉによりより高いシールド性が得られる（実施例２）。
（８）蒸着よりもスパッタのほうが密着力は良いが、乾式Ｎｉ合金めっきを行わないと十分な密着力が得られない（比較例１，２）。
（９）Ａｌだけでは十分なシールド効果が得られない（比較例３）。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明のクロストーク法によるシールド性測定装置を示す。
【図１】
2008021977.tif 000003