(57)【要約】【課題】比較的低温下で安価に、生産性よく結晶性シリコン薄膜を形成できるシリコン薄膜形成方法を提供する。リーク電流が低く抑制された薄膜トランジスタ用の基板を得ることができるシリコン薄膜形成方法を提供する。【解決手段】基板Ｓを水素を含む水素結合処理用ガスのプラズマに曝してのち、該基板に結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成方法。基板Ｓとして膜形成対象面が基板本体上に形成された窒素含有ゲート絶縁膜である基板を採用して、電子移動が高く、オフ電流が小さい薄膜トランジスタを提供できる基板を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室内に配置した基板上にプラズマＣＶＤ法により結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成方法であり、
該基板上に結晶性シリコン薄膜を形成するに先立ち該成膜室内に水素を含む水素結合処理用ガスのプラズマを形成し、該プラズマに該基板の膜形成対象面を曝して該基板面に水素を結合させる水素結合工程と、
該水素結合工程後に前記成膜室内にシラン系ガスを含む結晶性シリコン薄膜形成用ガスのプラズマを形成し、該プラズマのもとで前記水素結合処理された基板面に結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成工程と
を含むことを特徴とするシリコン薄膜形成方法。
【請求項２】
前記基板として前記膜形成対象面が基板本体上に形成された薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜の面である基板を採用する請求項１記載のシリコン薄膜形成方法。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜が窒素含有ゲート絶縁膜である請求項２記載のシリコン薄膜形成方法。
【請求項４】
前記水素結合工程は６０秒以下の時間内で実施する請求項２又は３記載のシリコン薄膜形成方法。
【請求項５】
前記シリコン薄膜形成工程では多結晶シリコン薄膜を形成する請求項１から４のいずれかに記載のシリコン薄膜形成方法。
【請求項６】
前記シラン系ガスはモノシラン（ＳｉＨ4 ）ガスである請求項１から５のいずれかに記載のシリコン薄膜形成方法。
【請求項７】
前記水素結合工程はプラズマポテンシャル３０Ｖ以下で実施する請求項１から６のいずれかに記載のシリコン薄膜形成方法。
【請求項８】
前記水素結合工程は前記水素結合処理用ガスプラズマにおける電子密度を１×１０10個／ｃｍ3 以上として実施する請求項１から７のいずれかに記載のシリコン薄膜形成方法。
【請求項９】
前記水素結合工程は前記水素結合処理用ガスプラズマの電子温度を２．５ｅＶ以下として実施する請求項１から８のいずれかに記載のシリコン薄膜形成方法。
【請求項１０】
前記水素結合工程及び前記シリコン薄膜形成工程におけるプラズマは前記成膜室内に設置した誘導結合型アンテナに高周波電力を印加して形成する請求項１から９のいずれかに記載のシリコン薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマＣＶＤ法によるシリコン薄膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置における画素に設けられるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）スイッチの材料として、或いは各種集積回路、太陽電池等の作製にシリコン薄膜が採用されている。      
【０００３】
シリコン薄膜は、多くの場合、シラン系反応ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成され、その場合、該膜のほとんどはアモルファスシリコン薄膜である。
【０００４】
アモルファスシリコン薄膜は、被成膜基板の温度を比較的低くして形成することができ、平行平板型の電極を用いた高周波放電（周波数  １３．５６ＭＨｚ）による材料ガスのプラズマのもとに容易に大面積に形成できる。それ故アモルファスシリコン薄膜は、これまで液晶表示装置の画素用スイッチングデバイス、太陽電池等に広く利用されている。
【０００５】
しかし、シリコン膜利用の太陽電池における発電効率のさらなる向上、シリコン膜利用の半導体デバイスにおける応答速度等の特性のさらなる向上はかかるアモルファスシリコン膜に求めることはできない。そのため結晶性シリコン薄膜（例えば多結晶シリコン薄膜）の利用が検討されている（例えば特開２００１−３１３２５７号公報参照）。
【０００６】
多結晶シリコン薄膜のような結晶性シリコン薄膜の形成方法としては、被成膜基板の温度を６００℃〜７００℃以上の温度に維持して低圧プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ等のＣＶＤ法や、真空蒸着法、スパッタ蒸着法等のＰＶＤ法により膜形成する方法（例えば特開平５−２３４９１９号公報、特開平１１−５４４３２号公報参照）、各種ＣＶＤ法やＰＶＤ法により比較的低温下でアモルファスシリコン薄膜を形成した後、後処理として、８００℃程度以上の熱処理若しくは６００℃程度で長時間にわたる熱処理を施す方法（例えば特開平５−２１８３６８号公報参照）が知られている。
【０００７】
アモルファスシリコン膜にレーザアニール処理を施して該膜を結晶化させる方法も知られている（例えば特開平８−１２４８５２号公報、特開２００５−１９７６５６号公報、特開２００４−２５３６４６号公報参照）。
。
【０００８】
以上のほか、触媒ＣＶＤ法による比較的低温下での多結晶シリコン薄膜の形成も提案されている（Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37（1998）pp.3175-3187 Part 1, No.6A, June 1998 ）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−３１３２５７号公報
【特許文献２】特開平５−２３４９１９号公報
【特許文献３】特開平１１−５４４３２号公報
【特許文献４】特開平５−２１８３６８号公報
【特許文献５】特開平８−１２４８５２号公報
【特許文献６】特開２００５−１９７６５６号公報
【特許文献７】特開２００４−２５３６４６号公報
【非特許文献１】Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37（1998）pp.3175-3187 Part 1, No.6A, June 1998
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、結晶性シリコン薄膜の形成において、基板を高温に曝す方法では、基板として高温に耐え得る高価な基板を採用しなけれならず、例えば安価な低融点ガラス基板（耐熱温度５００℃以下）への結晶性シリコン薄膜の形成は困難であり、そのため、多結晶シリコン薄膜のような結晶性シリコン薄膜の製造コストが高くなるという問題がある。      
【００１１】
レーザアニール法によるときには、低温下で結晶性シリコン薄膜を得ることができるものの、レーザ照射工程を必要とすることや、非常に高いエネルギー密度のレーザ光を照射しなければならないこと等から、この場合も結晶性シリコン薄膜の製造コストが高くなってしまう。
【００１２】
触媒ＣＶＤ法によると比較的低温下で多結晶シリコン薄膜を形成することができる。
ところで、ＣＶＤ法等による被成膜基板への膜形成においては、成膜室壁にも形成されることがある膜を次の基板への膜形成に先立って、或いは定期的にクリーニング用ガスプラズマで簡易にエッチングクリーニングして、成膜室壁上の膜の影響が抑制された良質の膜を被成膜基板に形成することが好ましい。そのため、触媒ＣＶＤ法による多結晶性シリコン薄膜の形成においても、成膜室壁上の膜をプラズマエッチングによるクリーニング（代表例としてＮＦ3 ガスプラズマによるエッチングクリーニング）により簡易に除去することが好ましい。
しかし、触媒ＣＶＤ法による多結晶性シリコン薄膜の形成においては、成膜室壁上の膜をプラズマクリーニングすることは、該クリーニング用ガスプラズマによる触媒のダメージを招くので難しい。そのため、触媒ＣＶＤ装置のメインテナンス費用がそれだけ高価となり、ひいては多結晶性シリコン薄膜の製造コストが高くなってしまう。
【００１３】
また、例えば薄膜トランジスタの製造に供するために、この触媒ＣＶＤ法によりゲート絶縁膜上に半導体層として多結晶シリコン膜を形成すると、ゲート絶縁膜と多結晶シリコン膜との界面にシリコンの未結合手（ダングリングボンド）のような多数の欠陥が生じ、その欠陥のためにリーク電流が高くなる。
【００１４】
そこで本発明は、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶性シリコン薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ法によるシリコン薄膜の形成方法を提供することを第１の課題とする。
【００１５】
また本発明は、上記第１の課題を解決できるとともにリーク電流が低く抑制された薄膜トランジスタ用の基板を得ることができるシリコン薄膜の形成方法を提供することを第２の課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は前記第１の課題を解決するため次の第１のシリコン薄膜形成方法を提供する。（１）第１のシリコン薄膜形成方法
成膜室内に配置した基板上にプラズマＣＶＤ法により結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成方法であり、
該基板上に結晶性シリコン薄膜を形成するに先立ち該成膜室内に水素を含む水素結合処理用ガスのプラズマを形成し、該プラズマに該基板の膜形成対象面を曝して該基板面に水素を結合させる水素結合工程と、
該水素結合工程後に前記成膜室内にシラン系ガスを含む結晶性シリコン薄膜形成用ガスのプラズマを形成し、該プラズマのもとで前記水素結合処理された基板面に結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成工程と
を含むシリコン薄膜形成方法。
【００１７】
本発明は前記第２の課題を解決するため次の第２のシリコン薄膜形成方法を提供する。（２）第２のシリコン薄膜形成方法
前記第１のシリコン薄膜形成方法において、前記基板として前記膜形成対象面が基板本体上に形成された薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜の面である基板を採用するシリコン薄膜形成方法。
【００１８】
本発明に係る第１、第２のシリコン薄膜形成方法によると、基板上に結晶性シリコン薄膜を形成するに先立ち該基板の膜形成対象面に水素を結合させる水素結合工程を実施し、該基板面に水素を存在させるので、その後のシリコン薄膜形成工程では容易に、且つ、結晶性シリコン薄膜と基板との界面における非晶質（アモルファス）シリコンの生成を抑制して結晶性シリコン薄膜を形成することができる。
【００１９】
本発明に係る第１、第２のシリコン薄膜形成方法はプラズマＣＶＤ法によるシリコン薄膜形成方法であり、比較的低温下で膜形成でき、比較的低温下で膜形成できるので比較的安価な基板、例えば低融点ガラス基板（耐熱温度５００℃以下）にも結晶性シリコン薄膜を形成でき、それだけ安価に結晶性シリコン薄膜を形成することができる。
【００２０】
また、高価なレーザ照射装置によるレーザ照射や、触媒とその加熱手段といったものが要求されないので、その点でも安価に結晶性シリコン薄膜を形成することができる。      要すれば、成膜室壁に形成される膜を例えばＮＦ3 ガスプラズマによるエッチングクリーニングにより簡易に除去することができるので、膜形成装置のメインテナンス費用をそれだけ低く抑えて安価に良質の結晶性シリコン薄膜を形成することができる。
【００２１】
これらにより、本発明に係る第１、第２のシリコン薄膜形成方法によると、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶性シリコン薄膜を形成できる。
【００２２】
本発明に係る第２のシリコン薄膜形成方法によると、前記基板として前記膜形成対象面が基板本体上に形成された薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜の面である基板を採用し、結晶性シリコン薄膜を形成するに先立ち該ゲート絶縁膜面に水素を結合させる水素結合工程を実施し、該面に水素を存在させるので、その後のシリコン薄膜形成工程では容易に、且つ、ゲート絶縁膜と結晶性シリコン薄膜との界面のシリコンの未結合手（ダングリングボンド）のような欠陥が抑制され、非晶質（アモルファス）シリコンの生成が抑制された状態で結晶性シリコン薄膜を形成でき、それだけ電子移動度が高く、リーク電流が低く抑えられた薄膜トランジスタを得るに適する薄膜トランジスタ用基板を得ることができる。
【００２３】
第２のシリコン薄膜形成方法では、水素結合工程を実施し、該基板面に水素を存在させるので、その後のシリコン薄膜形成工程では結晶性シリコン薄膜と基板との界面における非晶質（アモルファス）シリコンの生成が抑制される状態で結晶性シリコン薄膜が形成されるのであるが、前記ゲート絶縁膜として窒素含有ゲート絶縁膜を採用してもよく、そうすることで、最終的に得られる結晶性シリンコン薄膜形成基板を薄膜トランジスタの製造に供した場合、該トランジスタにおけるオフ電流に関する特性を向上させ得る適度の非晶質（アモルファス）シリコンの生成を許しつつ結晶性シリコン薄膜を形成することができる。
【００２４】
前記薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜としては、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜、窒素含有ゲート絶縁膜等を例示できる。
窒素含有ゲート絶縁膜としてはＳｉＯＮ膜、ＳｉＮX 膜を例示できる。
【００２５】
いずれにしても、第２の結晶性シリコン薄膜の形成方法においては、水素結合工程における水素結合処理の時間は６０秒以内であることが望ましい。６０秒を超えてくると、基板面への水素結合量が多くなり、アモルファスシリコン層が薄くなりすぎるか、形成されなくなり、トランジスタにおけるオフ電流に関する特性向上を達成し難くなる。水素結合処理時間があまり短すぎると水素結合処理が不十分となり、アモルファスシリコン層が厚くなりすぎ、トランジスタの電子移動度が低下してくる。水素結合処理時間の下限については、用いるガス等の条件にもよるが、概ね３０秒程度以上とすればよい。
【００２６】
トランジスタにおけるオフ電流に関する特性を向上させるためのアモルファスシリコン層の厚さとしては１ｎｍ〜１０ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍを例示できる。
【００２７】
本発明に係る第１、第２の結晶性シリコン薄膜の形成方法のいずれについても以下のことが言える。
まず、前記結晶性シリコン薄膜としては、代表例として多結晶シリコン薄膜を挙げることができる。
【００２８】
前記水素結合工程において用いる水素結合処理用ガスとしては、水素ガス、水素ガスと不活性ガス（Ａｒガス等）との混合ガス、水素ガスとシラン系ガス〔例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）ガス〕と不活性ガスとの混合ガスなどを例示できる。
【００２９】
水素結合処理用ガスとして水素ガスのほかＳｉＨ4 ガス等のシラン系ガスを含むガスを採用する場合には、該シラン系ガスの水素結合処理用ガス中に占める量を、その後のシリコン薄膜形成工程において結晶性シリコンが成長するための核を形成することができる程度の量とすることができる。しかし、いずれにしても、シラン系ガスを含むガスを採用する場合には、シラン系ガス量は基板上にシリコン膜が形成されない程度の量とする。
【００３０】
シリコン薄膜形成工程は、水素結合工程の後、成膜室内を一旦排気処理してから開始してもよいが、そうすることなく水素結合工程にひき続いて成膜室内へシラン系ガスを含む結晶性シリコン膜形成用のガスを導入して実施してもよい。
シリコン薄膜形成工程で用いるシラン系ガスを含む結晶性シリコン膜形成用のガスとしては、例えばシラン系ガス、シラン系ガスと水素ガスの混合ガスを挙げることができるが、いずれにしても、結晶性シリコン膜形成用のガスに占めるシラン系ガスの量を結晶性シリコン薄膜を形成できる量とする。
水素結合工程で用いてもよいシラン系ガスとして、また、シリコン薄膜形成工程で用いるシラン系ガスには、モノシラン（ＳｉＨ4 ）ガス、ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）ガス等を採用できるが、代表例としてＳｉＨ4 ガスを挙げることができる。
【００３１】
前記水素結合工程はプラズマポテンシャル３０Ｖ以下で実施することが好ましい。水素結合工程におけるプラズマポテンシャルはイオンエネルギーに関係しており、３０Ｖを超えてくると、イオン衝撃によりシリコンの結晶成長が困難になってくる。プラズマポテンシャルの下限については、プラズマ維持の上で概ね１０Ｖ程度以上を例示できる。
【００３２】
前記水素結合工程は前記水素結合処理用ガスプラズマにおける電子密度を１×１０10個／ｃｍ3 以上として実施することが望ましい。
水素結合工程におけるプラズマの電子密度は被成膜基板の膜形成対象面における水素結合量に関係しており、電子密度が１×１０10個／ｃｍ3 より小さくなってくると、シリコンの結晶成長が困難になってくる。
【００３３】
該電子密度の上限については、基板や形成される膜のイオンによるダメージを抑制するうえで、また、一般的に言ってそれ以上電子密度を高くすることは、それ自体困難となってくることから、概ね１×１０12個／ｃｍ3 程度以下を例示できる。
【００３４】
前記水素結合工程は前記水素結合処理用ガスプラズマの電子温度を２．５ｅＶ以下として実施することが好ましい。
水素結合工程におけるプラズマの電子温度はプラズマ中に生成される水素イオン数に関係しており、電子温度が２．５ｅＶを超えてくると、水素イオン量が過剰になってきて、その後形成されるシリコン膜と被成膜基板との界面に於けるダメージが増し、シリコン膜の結晶性が悪くなる。電子温度の下限については、プラズマを維持するうえで概ね１ｅＶ程度以上を例示できる。
【００３５】
水素結合工程において、
前記プラズマポテンシャルは例えば成膜内ガス圧力を調整することで制御可能である。  前記プラズマにおける電子密度は例えばプラズマ生成のために投入する電力の大きさを調整することで制御可能である。
前記プラズマの電子温度は例えば該圧力及び電力の大きさを調整することで制御可能である。
【００３６】
これら調整可能な要素の中で、成膜室内のガス圧については水素結合処理を可能にする範囲になければならず、概ね１ｍＴｏｒｒ〜１０ｍＴｏｒｒ（約０．１３Ｐａ〜１．３３Ｐａ）程度を例示できる。
１０ｍＴｏｒｒ（約１．３３Ｐａ）を超えてくると水素イオンが水素イオンを含むプラズマ中の他の粒子に衝突して基板へ到達し難くなってくる。１ｍＴｏｒｒ（約０．１３Ｐａ）より低くなってくると、プラズマの維持が困難になってくる。
【００３７】
前記シリコン薄膜形成工程おいては、成膜室内のガス圧を結晶性シリコン薄膜の形成を可能にする範囲とすればよく、概ね０．１３Ｐａ〜６．６５Ｐａ程度を例示できる。
６．６５Ｐａを超えてくると、プラズマ密度の低下によりシリコンの結晶性が低下する。
０．１３Ｐａより低くなってくると、プラズマの維持が困難になってくる。
シリコン薄膜形成工程における成膜室内のガス圧は前記水素結合工程における成膜室内ガス圧と同程度でもよい。
【００３８】
水素結合工程、シリコン薄膜形成工程におけるガスプラズマの形成は、平行平板型電極を成膜室内に設置して該電極に高周波電力を印加する、誘導結合型アンテナを成膜室の内又は外に配置して該アンテナに高周波電力を印加する等の各種方法で形成できるが、投入電力を効率よく利用して、比較的大きい面積の基板にも膜形成できる点から、前記水素結合工程及び前記シリコン薄膜形成工程におけるプラズマは前記成膜室内に設置した誘導結合型アンテナに高周波電力を印加して形成してもよい。
【発明の効果】
【００３９】
以上説明したように本発明によると、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶性シリコン薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ法によるシリコン薄膜の形成方法を提供することができる。
【００４０】
また本発明によると、かかる利点を有するシリコン薄膜の形成方法であって、リーク電流が低く抑制された薄膜トランジスタ用の基板を得ることができるシリコン薄膜の形成方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る結晶性シリコン薄膜（本例では多結晶シリコン薄膜）の形成に使用できる薄膜形成装置の１例の構成の概略を示している。
【００４２】
図１の薄膜形成装置は、成膜室１を備えており、成膜室１内の下部には被成膜基板Ｓを保持するホルダ２が設置されている。ホルダ２にはこれに保持される基板Ｓを加熱できるヒータ２１が内蔵されている。
【００４３】
成膜室１内上部の、ホルダ２に対向する領域に誘導結合型アンテナ３が配置されている。アンテナ３は倒立門形状のもので、その両端部３１、３２は成膜室１の天井壁１１に設けた絶縁性部材１１１を貫通して成膜室外まで延びている。
【００４４】
成膜室外まで出たアンテナ端部３１にはマッチングボックス４１を介して出力可変の高周波電源４が接続されている。他方のアンテナ端部３２は接地されている。それには限定されないが、ここでの電源４の高周波電力周波数は１３．５６ＭＨｚである。
【００４５】
また、成膜室１には排気量調整弁（本例ではコンダクタンスバルブ）５１を介して排気ポンプ５が接続されている。さらに、ガス導入管６１を介して水素ガス供給部６が、ガス導入管７１を介してモノシラン（ＳｉＨ4 ）ガス供給部７がそれぞれ接続されている。ガス供給部６、７のそれぞれには成膜室内へのガス導入量を調整するためのマスフローコントローラやガス源等が含まれている。
【００４６】
ホルダ２は成膜室１を介して接地電位とされる。
【００４７】
また、成膜室１に対しラングミューアプローブ利用のプラズマ診断装置１０及び圧力計１００が設けられている。プラズマ診断装置１０は成膜室１内へ挿入されたラングミューアプローブ１０ａを含んでおり、該プローブで得られるプラズマ情報に基づいてプラズマポテンシャル、プラズマ中の電子密度及びプラズマの電子温度を求めることができる。成膜室内圧力は圧力計１００で計測できる。
【００４８】
以上説明した薄膜形成装置によると、例えば次のようにして基板Ｓ上に多結晶シリコン薄膜を形成できる。多結晶シリコン薄膜形成にあたっては基板Ｓの膜形成対象面に水素結合させる水素結合工程を実施、ひき続き水素結合処理された基板面に多結晶シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成工程を実施する。これら工程について以下述べる。
【００４９】
＜水素結合工程＞
成膜室１内のホルダ２上に被成膜基板Ｓを保持させ、必要に応じヒータ２１で該基板を加熱し、排気ポンプ５を運転して成膜室内圧力を水素結合処理時の圧力より低い圧力まで排気する。次いで、成膜室１内へガス供給部６から水素ガスを、ガス供給部７からＳｉＨ4 ガスを所定の割合で導入し、コンダクタンスバルブ５１にて成膜室内圧力を水素結合処理時圧力に調整しつつ出力可変高周波電源４からマッチングボックス４１を介してアンテナ３へ高周波電力を供給する。
【００５０】
すると、該アンテナから成膜室内の水素ガスを含む水素結合処理用ガスに高周波電力が印加され、それにより該ガスが高周波励起されて誘導結合プラズマが発生し、該プラズマ照射により基板Ｓの膜形成対象面に水素が結合する。
【００５１】
この水素結合処理においては、基板温度を１５０℃〜４００℃の範囲から、成膜室内圧を１ｍＴｏｒｒ〜１０ｍＴｏｒｒ（約０．１３Ｐａ〜１．３３Ｐａ）の範囲から、成膜１内へ導入するガスの導入流量の割合を（水素ガス量〔ｓｃｃｍ〕／ＳｉＨ4 ガス量〔ｓｃｃｍ〕）を１〜５００の範囲から、成膜室内の高周波電力密度を５ｍＷ／ｃｍ3 〜５０ｍＷ／ｃｍ3 の範囲からそれぞれ選択決定し、さらに、水素結合処理時のプラズマポテンシャルを３０Ｖ以下１０Ｖ以上に、プラズマ中の電子密度を１×１０10個／ｃｍ3 以上１×１０12個／ｃｍ3 以下の範囲に、プラズマの電子温度を２．５ｅＶ以下１ｅＶ以上にそれぞれ維持して、３０秒以上で、上限については例えば６０秒以下で水素結合処理を実施する。
【００５２】
＜シリコン薄膜形成工程＞
このようにして水素結合処理を終了すると、ひき続き成膜室１内へガス供給部６、７から水素ガス及びＳｉＨ4 ガスを導入し、且つ、それらガスの導入量の割合（水素ガス量〔ｓｃｃｍ〕／ＳｉＨ4 ガス量〔ｓｃｃｍ〕）を１〜１００の範囲から選択して（但し、水素結合処理時よりもＳｉＨ4 ガスの導入量は多くして）水素結合処理された基板面に多結晶シリコン膜を形成する。
水素ガス及びＳｉＨ4 ガスの導入量の割合についてさらに言えば、（水素ガス量〔ｓｃｃｍ〕／ＳｉＨ4 ガス量〔ｓｃｃｍ〕）の数値それ自体は水素結合処理時と同じでもよいが、ＳｉＨ4 ガスの導入量は水素結合処理時よりも多くする。
【００５３】
シリコン薄膜形成工程における基板温度、成膜室内圧力、成膜室内の高周波電力密度の範囲は本例では水素結合工程時のそれらと同程度の範囲から選択する。また、シリコン薄膜形成工程においては、プラズマポテンシャルを５０Ｖ以下１０Ｖ以上に、プラズマ中の電子密度を１×１０9 個／ｃｍ3 以上１×１０12個／ｃｍ3 以下の範囲に、プラズマの電子温を５ｅＶ以下１ｅＶ以上にそれぞれ維持する。
【００５４】
このように基板Ｓに対し水素結合処理を行ったうえで結晶シリコン薄膜形成工程を実施することで、シリコン薄膜形成工程では容易に、且つ、シリコン薄膜と基板との界面における欠陥を抑制し、非晶質（アモルファス）シリコンの生成を抑制して結晶性シリコン薄膜を形成することができる。
【００５５】
また、プラズマＣＶＤ法によるシリコン薄膜形成方法であり、比較的低温下で膜形成でき、比較的低温下で膜形成できるので比較的安価な基板、例えば低融点ガラス基板（耐熱温度５００℃以下）にも結晶性シリコン薄膜を形成でき、それだけ安価に結晶性シリコン薄膜を形成することができる。
【００５６】
また、高価なレーザ照射装置によるレーザ照射や、触媒とその加熱手段といったものが要求されないので、その点でも安価に結晶性シリコン薄膜を形成することができる。      要すれば、成膜室壁に形成される膜を例えばＮＦ3 ガスプラズマによるエッチングクリーニングにより簡易に除去することができるので、膜形成装置のメインテナンス費用をそれだけ低く抑えて安価に良質の結晶性シリコン薄膜を形成することができる。
これらにより、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶性シリコン薄膜を形成できる。      
【００５７】
次に図１の装置による多結晶シリコン薄膜の形成、換言すれば図１の装置による多結晶シリコン薄膜を有する基板の提供についての実施例を比較実施例ととにも示す。
【００５８】
＜実施例１＞
基板：酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜を形成した無アルカリガラス基板（耐熱温度４５０        ℃以下）
ａ）水素結合工程：
基板温度：４００℃
成膜室内圧：５ｍＴｏｒｒ（０．６７Ｐａ）
成膜室へのガス導入量：Ｈ2 〔sccm〕／ＳｉＨ4 〔sccm〕
＝１５０〔sccm〕／１〔sccm〕
成膜室内高周波電力密度：２０ｍＷ／ｃｍ3 
プラズマポテンシャル：２５Ｖ
電子密度：３×１０10個／ｃｍ3 
電子温度：２．４ｅＶ
処理時間：３０秒
【００５９】
ｂ）シリコン薄膜形成工程
基板温度、成膜室内圧及び成膜室内高周波電力密度は水素結合工程時と同じとした。    成膜室へのガス導入量：Ｈ2 〔sccm〕／ＳｉＨ4 〔sccm〕
＝１５０〔sccm〕／２０〔sccm〕
プラズマポテンシャル：２５Ｖ
電子密度：５×１０10個／ｃｍ3 
電子温度：２．０ｅＶ
【００６０】
＜比較実施例１＞
基板は実験例１と同じである。
水素結合工程は実施しなかった。
【００６１】
シリコン薄膜形成工程
基板温度、成膜室内圧及び成膜室内高周波電力密度は実施例１と同じとした。
成膜室へのガス導入量：Ｈ2 〔sccm〕／ＳｉＨ4 〔sccm〕
＝１５０〔sccm〕／２０〔sccm〕
プラズマポテンシャル：６０Ｖ
電子密度：８×１０9 個／ｃｍ3 
電子温度：２．８ｅＶ
【００６２】
実施例１、比較実施例１のそれぞれで形成された結晶性シリコン薄膜についてＨｅ−Ｎｅレーザによるレーザラマン分光分析を行った。
図２のラインＡに示すように、実施例１の膜ではラマンシフト５２０-1ｃｍ付近にシャープなスペクトルが出現する一方、ラマンシフト４８０-1ｃｍ付近に現れる非晶質シリコンのラマン信号（スペクトル強度）が小さく、全体として該膜が高い結晶性を有していることがわかる。
【００６３】
図２のラインＢに示すように、比較実施例１の膜ではラマンシフト５２０-1ｃｍ付近に出現するスペクトルは実施例１の膜と比べると幅が広く、ラマンシフト４８０-1ｃｍ付近に現れる非晶質シリコンのラマン信号（スペクトル強度）が実施例１の膜より大きく、全体として該膜はアモルファスシリコンが多く、結晶化の程度が実施例１の膜より低いことがわかる。
【００６４】
＜実施例２＞
基板：薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜として窒素含有ゲート絶縁膜（本例では窒化シ        リコン（ＳｉＮ）膜）を有する無アルカリガラス基板（耐熱温度４５０℃以下）ａ）水素結合工程
基板温度：３００℃
成膜室内圧：５ｍＴｏｒｒ（０．６７Ｐａ）
成膜室へのガス導入量：Ｈ2 〔sccm〕／ＳｉＨ4 〔sccm〕
＝１５０〔sccm〕／１〔sccm〕
成膜室内高周波電力密度：２０ｍＷ／ｃｍ3 
プラズマポテンシャル：２５Ｖ
電子密度：２×１０10個／ｃｍ3 
電子温度：２．４ｅＶ
処理時間：３０秒
【００６５】
ｂ）シリコン薄膜形成工程
基板温度、成膜室内圧及び成膜室内高周波電力密度は水素結合工程時と同じとした。    成膜室へのガス導入量：Ｈ2 〔sccm〕／ＳｉＨ4 〔sccm〕
＝１５０〔sccm〕／２０〔sccm〕
プラズマポテンシャル：２５Ｖ
電子密度：５×１０10個／ｃｍ3 
電子温度：２．０ｅＶ
【００６６】
図３（Ａ）は実施例２で得られたゲート絶縁膜（ＳｉＮ）上のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層及び多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した状態を模式的に示す図であり、図３（Ｂ）は実施例１で得られたゲート絶縁膜（ＳｉＯ2 ）上の多結晶シリコン膜（ｐ−Ｓｉ）の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した状態を模式的に示す図である。
【００６７】
実施例２で得られたゲート絶縁膜（ＳｉＮ）上のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層の厚さは５ｎｍ〜７ｎｍ程度であり、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜の平均的厚さは５０ｎｍ程度である。
実施例１で得られたゲート絶縁膜（ＳｉＯ2 ）上の多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜の平均的厚さは５０ｎｍ程度である。
【００６８】
実施例２で形成された結晶性シリコン薄膜についてＨｅ−Ｎｅレーザによるレーザラマン分光分析を行ったところ、実施例１の膜と同様に全体として高い結晶性を有していることがわかった。
【００６９】
実施例２、実施例１のそれぞれにより提供されるゲート絶縁膜上に結晶性シリコン薄膜を有する基板を用いて薄膜トランジスタを形成し、各薄膜トランジスタについて電子移動度及びオフ電流を測定したところ、以下の結果を得た。
電子移動度            オフ電流
実施例２の基板によるもの：    ５ｃｍ2 ／Ｖ・sec.    １×１０-12 Ａ
実施例１の基板によるもの：    ５ｃｍ2 ／Ｖ・sec.    １×１０-10 Ａ
【００７０】
このように、実施例２、１によるいずれの結晶性シリコン薄膜の形成によっても、半導体層として非晶質シリコン膜を用いた薄膜トランジスタと比べると電子移動度が一桁高い薄膜トランジスタを得ることができる基板を提供することができる。
【００７１】
また、基板として窒素を含有するゲート絶縁膜を有する基板を採用した実施例２では、窒素を含有しないゲート絶縁膜を有する基板を採用した実施例１と比べると、オフ電流が二桁小さく、リーク電流が抑制された薄膜トランジスタを得ることができる基板を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、被成膜基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）スイッチの材料として、或いは各種集積回路、太陽電池等の作製に半導体膜として利用できる多結晶シリコン薄膜を形成することに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】多結晶シリコン薄膜の形成に用いることができる薄膜形成装置の１例を示す図である。
【図２】実施例１、比較実施例１により形成されるシリコン膜のレーザラマン分光分析結果を示す図である。
【図３】図３（Ａ）は実施例２で得られたゲート絶縁膜上のアモルファスシリコン層及び多結晶シリコン膜の断面の模式図であり、図３（Ｂ）は実施例１で得られたゲート絶縁膜上の多結晶シリコン膜の断面の模式図である。
【符号の説明】
【００７４】
１  成膜室
１１  成膜室１の天井壁
１１１  天井壁１１に設けた電気絶縁性部材
２  基板ホルダ
２１  ヒータ
３    誘導結合型アンテナ
３１、３２  アンテナ３の端部
４    高周波電源
４１  マッグボックス
５    排気ポンプ
５１  コンダクタンスバルブ
６    水素ガス供給部
７    モノシランガス供給部
１０  プラズマ診断装置
１０ａ  ラングミューアプローブ
１０ｂ  プラズマ診断部
１００  圧力計
【図１】
2008177419.tif 000003
【図２】
2008177419.tif 000004
【図３】
2008177419.tif 000005