(57)【要約】【課題】メモリアレイに周囲から及ぶ不要な磁場を遮断して、安定した情報の書き込みと読み出しが出来、長期間の記録保持の信頼性が高い磁気メモリを提供する。【解決手段】磁気記憶素子を含むメモリアレイを誘電体層で被覆し、この誘電体層の内部に、メモリアレイのウェハ表面に平行な側面方向を囲むように強磁性体を配置する。そして、メモリアレイの上面に強磁性体を配置する。この構造によって磁気記憶素子の動作の外部磁場の影響を防止できる。【選択図】      図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記憶素子を含むメモリアレイと、前記メモリアレイを被覆する誘電体層を有し、前記誘電体層の前記メモリアレイの周囲に、前記メモリアレイを囲む強磁性体が配置されていることを特徴とする磁気メモリ。
【請求項２】
前記メモリアレイを囲む前記強磁性体が、前記メモリアレイを囲む経路で連続であることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項３】
前記メモリアレイを囲む前記強磁性体が、前記メモリアレイを囲む経路で不連続であることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項４】
前記メモリアレイと前記メモリアレイを囲む前記強磁性体で囲まれた領域の外側を、前記メモリアレイの表面と平行な任意の直線で結ぶとき、前記直線が前記メモリアレイを囲む強磁性体と交差することを特徴とする請求項３に記載の磁気メモリ。
【請求項５】
前記メモリアレイと前記メモリアレイを囲む前記強磁性体で囲まれた領域の外側を、前記メモリアレイの表面と平行な任意の直線で結ぶとき、前記直線と垂直でない角度で交差する強磁性体を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の磁気メモリ。
【請求項６】
前記メモリアレイを被覆する前記誘電体層の前記メモリアレイの上方の領域に、第二の強磁性体が配置されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の磁気メモリ。
【請求項７】
前記メモリアレイの上方の領域に配置されている前記第二の強磁性体が、前記メモリアレイを囲む前記強磁性体と連続であることを特徴とする請求項６に記載の磁気メモリ。
【請求項８】
磁気記憶素子を含むメモリアレイを誘電体層で被覆する工程と、前記誘電体層に前記メモリアレイを囲む溝を形成する工程と、前記誘電体層に形成した溝の内部に強磁性体を形成する工程を含むことを特徴とする磁気メモリの製造方法。
【請求項９】
磁気記憶素子を含むメモリアレイを誘電体層で被覆する工程と、前記誘電体層の前記メモリアレイ上方の領域に表面が周囲よりも低い領域を形成する工程と、前記メモリアレイを囲む溝を前記誘電体に形成する工程と、前記誘電体の前記メモリアレイ上方に形成した前記表面が周囲よりも低い領域と前記誘電体層に形成した前記溝の内部に強磁性体を形成する工程を含むことを特徴とする磁気メモリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気メモリに関し、より詳細には強磁性トンネル接合や巨大磁気抵抗効果素子などの磁気抵抗効果素子を有するセルを集積したメモリにおいて、記録の書き込み動作や保持に影響を与える外部からの磁場を防ぐ磁気シールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）は高速書き込みが可能であり、かつ原理上無限の書き換え可能回数を持つ不揮発性メモリである。図１は、ＭＲＡＭに用いられる強磁性トンネル接合の模式図である。強磁性トンネル接合は、トンネルバリア層５とそれを挟む２層の強磁性体層、すなわち、外部からの磁場によって磁化方向が変化するフリー層６と反強磁性体層によって磁化方向が固定された磁化固定層４、磁化固定層４の磁化を固定している反強磁性体層３、および下地層２、電極層７などから構成されている。なお、図１の符号１はウェハを示す。
【０００３】
一般に、ＭＲＡＭの書込みは、フリー層の磁化を、書き込み配線の電流が発生する書き込み磁場によって、磁化固定層の磁化と平行あるいは反平行とすることで行われる。強磁性トンネル接合の接合抵抗は、二つの強磁性体層の自発磁化が平行ときに最小、反平行のときに最大となるので、接合抵抗の高低が書き込まれた情報に対応する。フリー層と磁化固定層の磁化方向の関係は、書き込み磁場を取り除いた後も保持されるので、強磁性トンネル接合を不揮発メモリとして用いることができる。
【０００４】
また、最近では、スピン偏極した電流をフリー層に流すことによってフリー層の磁化を反転させるスピン注入型や、フリー層内に形成した磁壁をスピン偏極した電流によって駆動することで磁化の方向を変える磁壁移動型の記憶素子が提案されている。
【０００５】
いずれの方式のＭＲＡＭにおいても、情報は強磁性体の磁化状態によって記録されている。したがって、記録の保持中に外部から不要な磁場すなわち擾乱磁場が加わると、フリー層の磁化状態が変わって記録を失う恐れがある。また、外部磁場の存在は、強磁性体の磁化状態の熱による擾乱に対する耐性を下げる。そのため、長期間の記録保持中にフリー層の磁化状態が変わり記録が失われる恐れもある。また、書き込み動作中に不要な磁場が加わると、フリー層の磁化が正常に反転せず、誤った情報が書き込まれる恐れもある。
【０００６】
ＭＲＡＭは単体のメモリとしてだけでなく、システムＬＳＩの混載メモリとしても使用できる。混載メモリとして使用する場合、同じチップ上にロジック回路やアナログ回路が搭載されているため、これらの回路からの磁場、例えば電源ラインが発生する磁場を受ける可能性がある。また、ＩＣカードやＲＦタグのように高周波を送受信するチップに混載する用途では、高周波の影響を受ける。
【０００７】
外部磁場の影響を防ぐためには、磁気シールドを用いることが有効である。磁気シールドは、強磁性体で構成され、直流または低周波数の磁場に対しては、シールドの内に磁場を通すことでメモリアレイから逸らす働きをもつ。また、高周波数の磁場に対しては、熱エネルギーとして吸収することで遮蔽効果を示す。
【０００８】
磁気シールドの例として、特許文献１では、図２に示すようにリードフレーム８上に形成されたＭＲＡＭチップ９を、軟磁性材料で形成された磁気的に連続した磁気シールド部材１１で囲む技術が開示されている。なお、図２において、符号１０はＭＲＡＭチップ９とリードフレーム８を接続するワイヤーである。特許文献２では、図３に示すようにダイパッド１２上に形成されたＭＲＡＭチップ１３と他の素子１４を封止剤１６で封止して構成されるパッケージの上面および下面に、磁気シールド膜１７を設け、浮遊磁場をこの磁気シールド膜１７の内部に導くことで浮遊磁場のＭＲＡＭチップ１３への影響を抑制する技術が開示されている。なお、図３で符号１５は外部リード１５を示す。特許文献３では、図４に示すようにリードフレーム８のダイパッド１２上に形成した半導体チップ１８をモール材料で封止して構成されるパッケージ１９の内部に磁性体粒子２０を混合することで、外部磁場の影響を抑制する技術が開示されている。特許文献４では、図５に示すように、メモリアレイブロック２１を誘電体層２２で覆い、この上に補助シールド層２３パターニングし、さらにその上層に主シールド層２４を設ける技術が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】特許第３８７９５７６号
【特許文献２】特開２００４−２００１８５号公報
【特許文献３】特開２００４−３４９４７６号公報
【特許文献４】特開２００７−２７７５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１や特許文献２のように、個々のチップを、磁気シールド効果を持つ構造体の中に収めることや、個々のパッケージごとにシールドとなる強磁性体板を設ける方法は、作業コストが高くなる。また、特許文献２の技術では、シールドとＭＲＡＭの距離が離れるため、十分な磁気遮蔽効果を得るためには、シールドに使う強磁性体を厚く、かつ大きくすることが必要である。
【００１１】
特許文献３の、モールド材料の中に磁性体粒子を混合する技術では、磁性体の密度が低いので、十分な磁気シールド効果を得ることは困難である。また、高密度に磁性体を含ませるとモールド材料自体の性質が変わってしまう。
【００１２】
また、特許文献１から特許文献３に示すような技術は、チップ単位でチップの外側に磁気シールドを設けるので、ＭＲＡＭをその他の回路を同じチップに混載する混載メモリの用途には効果が無い。
【００１３】
特許文献４の技術では、ウェハにＭＲＡＭを形成した状態で、ＭＲＡＭを被覆する誘電体の上に磁気シールドを形成するため、パッケージング毎に磁性体を設ける技術よりもコストが低くなる。また、ＭＲＡＭを混載メモリとした場合にもＭＲＡＭにシールドを付加することができる。しかし、アレイの側面方向にはシールドが存在しないため、磁場の到達方向によっては十分な磁気遮蔽効果が得られない。特に近距離、例えば同じチップに搭載されている素子が発生する磁場の遮蔽には不十分である。
【００１４】
本発明の目的は、従来のＭＲＡＭの磁気シールドに関わるこれらの問題を解決し、ＭＲＡＭアレイに加わる不要な磁場を十分に遮蔽し、情報の安定した書き込みと、長期間の記録保持が可能なＭＲＡＭおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によるＭＲＡＭは、複数の磁気記憶セルからなる磁気メモリアレイの側面方向に、強磁性体を設けた構造を有する。この強磁性体は、メモリアレイを囲むように設けられる。外部からの磁場は、強磁性体の中に誘導されて、メモリアレイから逸れる。
【００１６】
メモリアレイを囲む強磁性体は、メモリアレイに平行な面内で連続した構造、あるいは、独立した複数の強磁性体で形成される不連続な構造のいずれでも良いが、不連続の構造では、磁性体に遮蔽されずに磁場が内部領域に侵入する経路を作らないように、一重でなく、二重、あるいはそれ以上の層をずらしながら重ねた構造にすると良い。連続した構造の磁気シールドにおいても、厚い一重の構造を形成することが困難な場合には、誘電体で隔てた薄い強磁性体による構造を、複数重ね合わせたものにすることができる。例えば、電磁界シミュレーションを行ったところ、厚さ１００ｎｍのＮｉ−Ｆｅ合金の磁気シールド板に、シールド板と平行な成分が７９６Ａ／ｍ（１０Ｏｅ）の磁場印加したとき、磁気シールドの裏側ではシールドに平行な磁場の成分が３２０Ａ／ｍ（４Ｏｅ）以下に減衰した。
【００１７】
これは、シールドの中に磁場が誘導されて進行方向が変わったためである。さらにシールドを厚くする、あるいは枚数を増やすことで高い磁場遮蔽効果が得られる。例えば１００ｎｍ厚のＮｉ−Ｆｅを、三重にした構造では、シールドの外部で７９６Ａ／ｍ（１０Ｏｅ）のシールドに平行な磁場成分は、約４０Ａ／ｍ（０．５Ｏｅ）にまで減衰する。
【００１８】
磁気シールドである強磁性体の側面に対して垂直に磁場が入射する場合には、強磁性体の内部に磁場を誘導してメモリアレイから逸らす効果は期待できない。どの方向からの磁場に対しても強磁性体が垂直にならないように配置することで、どの方向からの磁場に対しても、磁気遮蔽効果を得ることができる。例えば、ウェハの上面から見たときに互いに平行でない複数の磁性体の層によってメモリアレイを囲うことで、ウェハに平行な任意の方向から入射した磁場に対して、垂直でない磁性体が存在することになる。
【００１９】
メモリアレイの周囲に設ける強磁性体は、磁気記録セルを形成する磁性体層よりもウェハに垂直な方向の寸法が大きいことが、磁気を有効に遮蔽するために好ましい。さらにこの強磁性体は、メモリアレイを囲む経路に沿った寸法が、ウェハ表面に平行かつメモリアレイを囲む経路に垂直な方向の寸法よりも大きいと、磁気的な形状異方性が外部磁場をメモリアレイから逸らすのに適したものとなる。
【００２０】
また、メモリアレイの側面方向だけでなく、メモリアレイの上方にも強磁性体を設けることで、磁場遮蔽効果が向上する。メモリアレイ上方に配置された強磁性体は、メモリアレイ側面からの磁場に対しては、磁場を引き寄せて自らの内部に通すことで、メモリアレイに到達する磁場を減らす。また、メモリアレイ上方からの磁場に対しても、磁場を内部に通して逸らすので、メモリアレイに到達する磁場を減らす。
【００２１】
磁気シールドとして用いる強磁性体は、透磁率と飽和磁束密度が高い軟磁性材料が好ましい。例えば、Ｎｉ−Ｆｅ合金などの金属磁性体や、ソフトフェライトを用いる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、磁気記憶素子の動作に有害な磁場がセルアレイに及ぶことを防止し、誤動作のない、長期間の記録保持が可能なＭＲＡＭを提供できる。また、ウェハの状態で多数のチップに一括してシールドを形成するので、コストも低く抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明するプロセスは、ウェハで実施される。すなわち、ウェハに同一のチップが多数形成されている状態で、それぞれのチップに対して以下の実施の形態は行われる。ウェハは、本発明によるプロセスと、その他の所定のプロセスが終了した後、チップに切断される。
（第一の実施の形態）
図６、図７は、本発明の第一の実施の形態を説明するための模式図である。図６は、上面から見た図であり、図７は、断面図である。なお、説明の都合上、図面におけるメモリアレイや磁気シールドなどの寸法や大きさの比は、実際の装置とは異なる。
【００２４】
誘電体層１０３、例えば酸化シリコンや、窒化シリコンと酸化シリコンの積層膜によってウェハ１００上のメモリアレイ１０１とその他の素子１０２が被覆されている。この誘電体層１０３に磁気シールドとして、連続した強磁性体１０５が、メモリアレイ１０１の周囲を囲むように設けられている。
【００２５】
図６では、磁気シールドの上方から見た形は矩形だが、一部あるいは全てを曲面になるように構成しても良い。
【００２６】
第一の実施の形態に示す構造は、以下の工程で形成される。まず、図８（ａ）に示すように、ウェハ１００上に形成したメモリアレイ１０１とその他の素子１０２を酸化シリコンなどの誘電体層１０３で被覆する。誘電体層１０３は、例えば化学気相成長法（ＣＶＤ法）によって形成される。次に、図８（ｃ）に示すように、磁気シールドとなる強磁性体を形成するための溝１０６を、誘電体層１０３に形成する。溝１０６の形成は、例えばフォトレジストをマスクとした反応性エッチングで行う。
【００２７】
そして、次に、図８（ｃ）に示すように、前の工程で形成した溝１０６に磁気シールドとなる強磁性体１０５を埋め込む。強磁性体１０５の埋め込みは、例えば、スパッタ法などで行うことができる。Ｎｉ−Ｆｅ合金などの金属磁性体を用いる場合には、溝の埋め込みは、めっきによって行うことができる。溝の内部を埋め込まずに、溝の内壁表面に強磁性体の膜を形成することでも磁気遮蔽効果を得ることができるが、埋め込んだ方が強磁性体の体積が大きくなるので、溝の内壁表面に強磁性体膜を形成した場合と比べて、より大きな効果が期待できる。
【００２８】
次に、図８（ｄ）に示すように、誘電体層１０３の表面に付着した不要な強磁性体１０５を除去する。このとき、誘電体層１０３の表面を除去して平坦化することができる。表面の不要な強磁性体と誘電体は、ＣＭＰ（化学機械研磨）で除去する。あるいは、エッチングやイオンミリングによって除去することができる。続いて、図８（ｅ）に示すように、シールドとして金属磁性体を用いる場合には、表面に露出したシールドとなる強磁性体を保護するために、保護膜１０４を形成してもよい。保護膜１０４は、強磁性体との反応性が低い材料、例えば窒化シリコンを成膜する。あるいは、まず窒化シリコンを成膜し、その後に酸化シリコンを成膜する。
【００２９】
図６、図７に示す構造では、磁気シールドは一重であるが、図９のようにメモリアレイ１０１を二重あるいはそれ以上の強磁性体１０５の層で囲む構造にしても良い。磁気シールドは厚みが大きいほうが高い磁気遮蔽効果が期待できる。しかし、厚いシールドを一重で形成する場合、幅が広くて深い溝の埋め込みが不十分になることや、表面をＣＭＰで研磨するときに溝の中央部が凹むことがある。これらの問題は、シールドを二重以上にして、各シールド層の厚さを小さくすることで解決できる。プロセスは、図８（Ｂ）で形成する溝を多層にすることで対応できる。
（第二の実施の形態）
図１０は第二の実施の形態を説明する模式図で、上方から見た図である。磁気シールドは、独立した複数の強磁性体１０５Ａから構成されている。磁気シールドを構成する強磁性体１０５Ａの各々は、上方から見たとき、メモリアレイを囲む方向の長さがメモリアレイを囲む方向と直交する方向よりも長い。
【００３０】
独立した複数の強磁性体１０５Ａの構造からなる磁気シールドでは、図１１のように一重の囲いを形成する構造でも磁気シールド効果が得られるが、図１０のように、シールドで囲まれた領域と外部の領域を直線で結ぶ経路がシールドの強磁性体に遮られるように、強磁性体が重なる領域をもつように配置することで、磁束が直接メモリアレイに到達することを防ぐことができる。
【００３１】
第二の実施の形態の磁気シールドは、第一の実施の形態と同様の方法で作製することができる。プロセス上、長い溝の形成や埋め込み、表面のＣＭＰが困難な場合に、本実施の形態を使用すると良い。
（第三の実施の形態）
図１２は、本発明の第三の実施の形態を説明するための模式図で、上面から見た図である。
【００３２】
磁気シールドが一重ではなく、互いに平行な部分を持たない２層の強磁性体１０５Ｂ，１０５Ｃによって構成されている。このような構造にすると、ウェハ表面に平行などの方向から入射する磁場に対しても表面が垂直ではない磁性体が存在する。したがって、どの方向からの磁場に対しても、効果的に磁気遮蔽効果を発揮する。なお、図１２では、磁気シールドは２重であるが、３重以上にすることでより高い磁気遮蔽効果が得られる。
【００３３】
第二の実施の形態で説明した、不連続な強磁性体からなる磁気シールドを、第三の実施の形態に適用することができる。
【００３４】
第三の実施の形態の磁気シールドは、第一の実施の形態と同様の方法で作製することができる。
（第四の実施の形態）
図１３は、本発明の第四の実施の形態を説明するための模式図で、ウェハ側面から見た図である。また、図１４は、上面から見た図である。磁気シールドとして作用する強磁性体１０５，１０５Ｄが、それぞれメモリアレイの側面方向と上方に形成されている。メモリアレイ側面方向のシールドと上方のシールドが連続しているほうが、不連続な場合よりも高い磁気遮蔽効果が期待される。
【００３５】
このメモリアレイ上方に配置される強磁性体１０５Ｄは、メモリアレイの上方からの磁場を遮蔽する。また、メモリアレイ側面方向からの磁場に対しても、磁場を引き寄せて逸らすことで、磁気シールド効果を示す。
【００３６】
上面に強磁性体を有する磁気シールドは、以下の工程で作製することができる。まず、図１５（ａ）に示すように、ウェハ１００上に形成したメモリアレイ１０１とその他の素子１０２を酸化シリコンなどの誘電体層１０３で被覆する。誘電体層１０３は、例えばＣＶＤ法によって形成する。次に、図１５（ｂ）に示すように、誘電体層１０３の表面をＣＭＰによって平坦にする。続いて、図１５（ｃ）に示すように、上面に強磁性体を有する磁気シールドを形成する領域の、誘電体層の表面をエッチングなどによってくぼませて凹部１０８を形成する。この凹部１０８の底に、ウェハ１００の表面と平行な溝を形成すると、後の工程の図１５（ｅ）、図１５（ｆ）で形成するメモリアレイ上方の強磁性体に、溝の方向に沿った磁気異方性を与えることができる。磁気異方性を与えることは、ある特定の方向からの磁場を優先的に遮蔽することに有効である。
【００３７】
次に、図１５（ｄ）に示すように、メモリアレイ１０１を囲むシールドを形成するための溝１０６を、エッチングで形成する。このとき、図１５（ｃ）で形成した凹部１０８の内側に溝１０６を形成すると、メモリアレイ側面方向の磁気シールドを形成する強磁性体１０５とメモリアレイ上方の強磁性体１０５Ｄが連続となる。
【００３８】
次に、図１５（ｅ）に示すように、溝と、表面に形成した凹部を強磁性体１０９で埋め込む。埋め込みは、スパッタやめっきによって行う。そして、次に、図１５（ｆ）に示すように、誘電体表面の不要な強磁性体１０９をＣＭＰで除去する。このとき、凹部を埋め込んでいる強磁性体１０５ＤはＣＭＰで除去されずに残るので、メモリアレイの上方を覆う構造ができる。次に、図１５（ｇ）に示すように、強磁性体１０５Ｄの表面を保護するために、保護膜１０４を形成する。
【００３９】
上記の、図１５（ｃ）と図１５（ｄ）の工程は、順番を逆にすることが可能である。
【００４０】
上記の図１５（ｂ）以降の工程を、以下のように変更しても第四の実施の形態による磁気シールド構造を形成することができる。
【００４１】
即ち、図１６（ａ）に示すように、誘電体層１０３の表面をＣＭＰによって平坦にする。なお、この工程は省略することもできる。次に、図１６（ｂ）に示すように、メモリアレイを囲むシールドを形成するための溝１０６を、エッチングで形成する。続いて、図１６（ｃ）に示すように、誘電体層１０３の、メモリアレイ上方の領域を除く表面をレジスト１１０で覆う。このとき、前工程で形成した溝１０６は覆わないようにする。
【００４２】
次に、図１６（ｄ）に示すように、溝１０６の内部と誘電体層１０３の表面に強磁性体１０９を形成する。強磁性体１０９の形成は、スパッタやめっきによって行う。次に、図１６（ｅ）に示すように、リフトオフによりレジスト１１０とその上に形成された強磁性体１０９を除去した後、図１６（ｆ）に示すように、強磁性体１０５Ｄの表面を保護するために、保護膜１０４を形成する。
【００４３】
第四の実施の形態は、メモリアレイの側面方向と上方に強磁性体を配置する。ここでメモリアレイの側面方向の磁気シールド構造は、既に説明した第一、第二、第三の実施の形態のいずれの磁気シールドとも組み合わせることができる。
【００４４】
図１３、図１４では、メモリアレイの上方に強磁性体を配置し、その他の回路の上方には強磁性体を配置していないが、外部と通信をするなど、磁気シールドを形成することで不都合が生じる場合を除き、メモリアレイ上方以外の領域にも強磁性体を配置しても構わない。この場合には、例えば外部と接続するためのパッド部など、強磁性体を配置することが不都合な領域は、強磁性体を形成する前の工程で強誘電体を凹ませないことで、強磁性体を形成した後のＣＭＰ工程で、強磁性体を除去することができる。あるいは強磁性体を形成する前に強磁性体を形成しない領域をレジストで被覆しておき、強磁性体を形成したあとに、リフトオフにより強磁性体を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】強磁性トンネル接合の断面模式図である。
【図２】従来のＭＲＡＭの磁気シールドの一つを示す断面模式図である。
【図３】従来のＭＲＡＭの磁気シールドの一つを示す断面模式図である。
【図４】従来のＭＲＡＭの磁気シールドの一つを示す断面模式図である。
【図５】従来のＭＲＡＭの磁気シールドの一つを示す断面模式図である。
【図６】本発明の第一の実施の形態による磁気メモリを上面から見た模式図である。
【図７】本発明の第一の実施の形態による磁気メモリの断面模式図である。
【図８】本発明の第一の実施の形態による磁気メモリの製造プロセスを説明する図である。
【図９】本発明の第一の実施の形態による磁気メモリの他の例を上面から見た模式図である。
【図１０】本発明の第二の実施の形態による磁気メモリを上面から見た模式図である。
【図１１】本発明の第二の実施の形態による磁気メモリの他の例を上面から見た模式図である。
【図１２】本発明の第三の実施の形態による磁気メモリを上面から見た模式図である。
【図１３】本発明の第四の実施の形態による磁気メモリを上面から見た模式図である。
【図１４】本発明の第四の実施の形態による磁気メモリの断面模式図である。
【図１５】本発明の第四の実施の形態による磁気メモリの製造プロセスを説明する図である。
【図１６】本発明の第四の実施の形態による磁気メモリの製造プロセスの変更例を説明する図である。
【符号の説明】
【００４６】
１，１００  ウェハ
２  下地層
３  反強磁性体層
４  磁化固定層
５  トンネルバリア層
６  フリー層
７  電極層
８  リードフレーム
９  ＭＲＡＭチップ
１０  ワイヤー
１１  磁気シールド部材
１２  ダイパッド
１３  ＭＲＡＭチップ
１４，１０２  他の素子
１５  外部リード
１６  封止剤
１７  磁気シールド膜
１８  半導体チップ
１９  パッケージ
２０  磁性体粒子
２１  メモリアレイブロック
２２，１０３  誘電体層
２３  補助シールド層
２４  主シールド層
１０１  メモリアレイ
１０４  保護膜
１０５，１０５Ａ，１０５Ｂ，１０５Ｃ，１０５Ｄ，１０９  強磁性体
１０６  溝
１０８  凹部
１１０  レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2008306094.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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