(57)【要約】【課題】基板に形成されているパターンの倒壊を防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】処理槽１内にて純水で処理された基板Ｗは、純水の沸点よりも高い温度に温調された第１の低表面張力溶液に浸漬された状態となっており、基板Ｗの表面のパターン細部に入り込んで残留する純水が、高温の第１の低表面張力溶液の熱エネルギーで気化し、その気泡が処理槽１から出て行くので、基板Ｗの表面のパターン細部に入り込んで残留していた純水を完全に第１の低表面張力溶液に置換することができ、処理槽１から基板Ｗを搬出する際には、表面張力が大きな純水の界面を通過することがなく、表面張力が純水よりも小さな第２の低表面張力溶液の界面ＩＦを通過するだけであるので、第２の低表面張力溶液の界面ＩＦを通過する際に基板Ｗの表面に作用する表面張力は小さく、基板Ｗに形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。【選択図】図２
2008235813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液で処理する基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
基板を保持した状態で前記処理槽内における処理位置に位置させる保持機構と、
前記処理槽内に第１処理液を供給する第１処理液供給手段と、
第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第１処理液よりも沸点の高い第２処理液を前記処理槽内に供給する第２処理液供給手段と、
前記処理槽での第２処理液を、第１処理液の沸点以上で第２処理液の沸点以下となる温度範囲内に温調する温調手段と、
前記第１処理液供給手段から供給されて前記処理槽内に貯留された第１処理液を、第２処理液に置換させるように前記第２処理液供給手段を制御するとともに、第２処理液を前記温度範囲内で維持するように前記温調手段を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第２処理液よりも沸点の低い第３処理液を前記処理槽内に供給する第３処理液供給手段を備え、
前記保持機構は、基板を保持した状態で、前記処理槽内における処理位置と前記処理槽の上方位置における待機位置とにわたって昇降自在なものであり、
前記制御手段は、前記温度範囲内で維持された第２処理液での基板処理後に、前記処理槽内に貯留された第２処理液を、第３処理液に置換させるように前記第３処理液供給手段を制御するとともに、前記処理槽内での第３処理液の置換後に基板を待機位置に上昇させるように前記保持機構を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
第２処理液による処理を受けた基板を高温雰囲気中で乾燥させる熱乾燥手段を備え、
前記制御手段は、前記温度範囲内で維持された第２処理液での処理後に、基板を高温雰囲気中で乾燥させるように前記熱乾燥手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置において、
第２処理液による処理を受けた基板を空気接触により乾燥させる空気乾燥手段を備え、
前記制御手段は、前記温度範囲内で維持された第２処理液での処理後に、基板を空気接触により乾燥させるように前記空気乾燥手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板を処理液で処理する基板処理装置において、
基板を水平姿勢で回転可能に保持する回転保持機構を内部に備え、前記回転保持機構で保持された基板を処理液で処理する処理部と、
前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に第１処理液を供給する第１処理液供給手段と、
第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第１処理液よりも沸点の高い第２処理液を前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に供給する第２処理液供給手段と、
前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に供給する第２処理液を、第１処理液の沸点以上で第２処理液の沸点以下となる温度範囲内に温調する温調手段と、
基板の第１処理液での処理後に、前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に前記温度範囲内とした第２処理液を供給するように前記温調手段および前記第２処理液供給手段を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第２処理液よりも沸点の低い第３処理液を前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に供給する第３処理液供給手段を備え、
前記制御手段は、前記温度範囲内とした第２処理液での基板処理後に、前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に第３処理液を供給するように前記第３処理液供給手段を制御し、第３処理液の基板への供給終了後に、前記回転保持機構を制御して基板を回転させて乾燥させる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
第１処理液は純水であり、
第２処理液は、その表面張力が０．０２〔Ｎ／ｍ〕以下であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
第１処理液は純水であり、
第２処理液は、フッ素系不活性液体であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項２または請求項６に記載の基板処理装置において、
第１処理液は純水であり、
第２処理液および第３処理液は、その表面張力が０．０２〔Ｎ／ｍ〕以下のフッ素系不活性液体であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板を薬液、純水等の処理液によって洗浄等の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、例えば、処理液を貯留し、基板を収容する処理槽と、処理槽の上部空間にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）ガスを供給するノズルとを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。この装置では、処理槽に純水を供給して基板を洗浄した後、処理槽の上部空間にＩＰＡガスを供給してＩＰＡ雰囲気を形成する。そして、基板を処理槽の上部へと引き上げることで、基板に対して純水による洗浄処理を行う。このとき基板をＩＰＡ雰囲気に引き上げて移動することで、基板に付着している純水がＩＰＡで置換されて乾燥が促される。
【特許文献１】特開平１０−２２２５７号公報（段落番号「００２４」、「００２５」、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、純水による洗浄を終えた基板を純水から引き上げ、ＩＰＡ雰囲気中に移動することにより、乾燥を促進することができるが、基板の表面に形成されているパターンに倒壊が生じるという問題がある。つまり、引き上げた基板表面上の純水の表面張力によって、基板表面のパターンが倒壊している。
【０００４】
特に、最近の半導体デバイスのうち、メモリ分野においては、集積度を従来よりも大幅に高める技術として、キャパシタの構造をシリンダ形状としたものが採用され始めている。このようなシリンダ構造のものは、縦横比が極めて大きく、製造過程においてシリンダ構造のキャパシタ部分が倒壊し易くなっている。当然のことながら、キャパシタ部分が倒壊すると、デバイスとしては不良となるので歩留まりが低下することになる。
【０００５】
そこで、前述した処理槽の純水による基板洗浄後に、処理槽内の純水を表面張力の小さい液に置換してから、基板を処理槽から引き上げて乾燥させることで、パターンの倒壊を低減させることが考えられるが、基板表面のパターンの細部に入り込んだ純水が十分置換できず残存したままとなり、基板に形成されているパターンの倒壊を完全に無くすことができない。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板に形成されているパターンの倒壊を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、
基板を処理液で処理する基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
基板を保持した状態で前記処理槽内における処理位置に位置させる保持機構と、
前記処理槽内に第１処理液を供給する第１処理液供給手段と、
第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第１処理液よりも沸点の高い第２処理液を前記処理槽内に供給する第２処理液供給手段と、
前記処理槽での第２処理液を、第１処理液の沸点以上で第２処理液の沸点以下となる温度範囲内に温調する温調手段と、
前記第１処理液供給手段から供給されて前記処理槽内に貯留された第１処理液を、第２処理液に置換させるように前記第２処理液供給手段を制御するとともに、第２処理液を前記温度範囲内で維持するように前記温調手段を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、保持機構によって基板が処理槽内の処理位置に位置され、第１処理液によって処理槽内の基板が処理される。そして、制御手段は、処理槽内に貯留された第１処理液を第２処理液に置換させるように第２処理液供給手段を制御するとともに、第２処理液を、第１処理液の沸点以上で第２処理液の沸点以下となる温度範囲内で維持するように温調手段を制御する。したがって、処理槽内にて第１処理液で処理された基板は、第１処理液の沸点よりも高い温度に温調された第２処理液に浸漬された状態となっており、基板表面に残留する第１処理液（基板表面のパターン細部に入り込んで残留する第１処理液も含む）が、高温の第２処理液の熱エネルギーで気化し、その気泡が処理槽の第２処理液面の方に上昇していき、処理槽から蒸気となって出て行くため、基板表面のパターン細部に入り込んで残留していた第１処理液を完全に第２処理液に置換することができる。そして、処理槽から基板を搬出する際には、表面張力が大きな第１処理液の界面を通過することがなく、表面張力が第１処理液よりも小さな第２処理液の界面を通過するだけであるので、第２処理液の界面を通過する際に基板の表面に作用する表面張力は小さく、基板に形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。また、引き上げた後の基板の表面には表面張力の低い第２処理液が残っているだけであり、この第２処理液を乾燥させる際における基板の表面に作用する表面張力は小さいので、基板に形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【０００９】
また、本発明において、第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第２処理液よりも沸点の低い第３処理液を前記処理槽内に供給する第３処理液供給手段を備え、前記保持機構は、基板を保持した状態で、前記処理槽内における処理位置と前記処理槽の上方位置における待機位置とにわたって昇降自在なものであり、前記制御手段は、前記温度範囲内で維持された第２処理液での基板処理後に、前記処理槽内に貯留された第２処理液を、第３処理液に置換させるように前記第３処理液供給手段を制御するとともに、前記処理槽内での第３処理液の置換後に基板を待機位置に上昇させるように前記保持機構を制御することが好ましい（請求項２）。処理槽に貯留されている第２処理液を、第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第２処理液よりも沸点の低い第３処理液に置換して引き上げ乾燥させているので、第２処理液のままで引き上げ乾燥させる場合に比して、乾燥処理時間を短縮できる。つまり、第３処理液は第２処理液よりも沸点が低いため第２処理液よりも乾燥し易い。
【００１０】
また、本発明において、第２処理液による処理を受けた基板を高温雰囲気中で乾燥させる熱乾燥手段を備え、前記制御手段は、前記温度範囲内で維持された第２処理液での処理後に、基板を高温雰囲気中で乾燥させるように前記熱乾燥手段を制御することが好ましい（請求項３）。温調された第２処理液での処理によって、基板表面のパターン細部に入り込んで残留していた第１処理液が気化して除去されているので、基板表面上の低表面張力の第２処理液を高温雰囲気中で乾燥させることができ、基板に形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【００１１】
また、本発明において、第２処理液による処理を受けた基板を空気接触により乾燥させる空気乾燥手段を備え、前記制御手段は、前記温度範囲内で維持された第２処理液での処理後に、基板を空気接触により乾燥させるように前記空気乾燥手段を制御することが好ましい（請求項４）。温調された第２処理液での処理によって、基板表面のパターン細部に入り込んで残留していた第１処理液が気化して除去されているので、基板表面上の低表面張力の第２処理液を空気接触により乾燥させることができ、基板に形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【００１２】
また、請求項５に記載の発明は、基板を処理液で処理する基板処理装置において、基板を水平姿勢で回転可能に保持する回転保持機構を内部に備え、前記回転保持機構で保持された基板を処理液で処理する処理部と、前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に第１処理液を供給する第１処理液供給手段と、第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第１処理液よりも沸点の高い第２処理液を前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に供給する第２処理液供給手段と、前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に供給する第２処理液を、第１処理液の沸点以上で第２処理液の沸点以下となる温度範囲内に温調する温調手段と、基板の第１処理液での処理後に、前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に前記温度範囲内とした第２処理液を供給するように前記温調手段および前記第２処理液供給手段を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とする。
【００１３】
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、処理部内で回転保持機構によって回転可能に保持された基板に第１処理液が供給されて第１処理液による処理が行われる。そして、制御手段は、基板の第１処理液での処理後に、処理部内の回転保持機構で回転される基板に、第１処理液の沸点以上で第２処理液の沸点以下となる温度範囲内とした第２処理液を供給するように温調手段および第２処理液供給手段を制御する。したがって、処理部内にて第１処理液で処理された基板は、第１処理液の沸点よりも高い温度に温調された第２処理液が供給されており、基板表面に残留する第１処理液（基板表面のパターン細部に入り込んで残留する第１処理液も含む）が、高温の第２処理液の熱エネルギーで気化して基板表面から離れ、処理部から蒸気となって出て行くため、基板表面のパターン細部に入り込んで残留していた第１処理液を完全に第２処理液に置換することができ、基板表面には表面張力の低い第２処理液が残っているだけであり、この第２処理液を乾燥させる際における基板の表面に作用する表面張力は小さいので、基板に形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【００１４】
また、本発明において、第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第２処理液よりも沸点の低い第３処理液を前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に供給する第３処理液供給手段を備え、前記制御手段は、前記温度範囲内とした第２処理液での基板処理後に、前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に第３処理液を供給するように前記第３処理液供給手段を制御し、第３処理液の基板への供給終了後に、前記回転保持機構を制御して基板を回転させて乾燥させることが好ましい（請求項６）。基板表面の第２処理液を、第１処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第２処理液よりも沸点の低い第３処理液に置換して回転乾燥させているので、第２処理液のままで回転乾燥させる場合に比して、乾燥処理時間を短縮できる。つまり、第３処理液は第２処理液よりも沸点が低いため第２処理液よりも乾燥し易い。
【００１５】
また、本発明において、第１処理液は純水であり、前述した第２処理液は、さらに、表面張力が０．０２〔Ｎ／ｍ〕以下であることが好ましい（請求項７）。
【００１６】
また、本発明において、第１処理液は純水であり、前述した第２処理液は、さらに、フッ素系不活性液体であることが好ましい（請求項８）。第１処理液は純水であり、沸点は１００℃である。第２処理液はフッ素系不活性液体であり、低表面張力で、かつ、沸点が純水よりも十分に高い。つまり、純水との蒸留選択比がとれ、純水を好適に気化させることができる。
【００１７】
また、本発明において、第２処理液および第３処理液は、その表面張力が０．０２〔Ｎ／ｍ〕以下のフッ素系不活性液体であることが好ましい（請求項９）。第２処理液および第３処理液が共にフッ素系不活性液体であるので、第２処理液を容易に第３処理液に置換でき、第３処理液への置換時間を短縮でき、乾燥処理を短縮できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る基板処理装置によれば、処理槽内にて第１処理液で処理された基板は、第１処理液の沸点よりも高い温度に温調された第２処理液に浸漬された状態となっており、基板表面に残留する第１処理液（基板表面のパターン細部に入り込んで残留する第１処理液も含む）が、高温の第２処理液の熱エネルギーで気化し、その気泡が処理槽の第２処理液面の方に上昇していき、処理槽から蒸気となって出て行くため、基板表面のパターン細部に入り込んで残留していた第１処理液を完全に第２処理液に置換することができる。そして、処理槽から基板を搬出する際には、表面張力が大きな第１処理液の界面を通過することがなく、表面張力が第１処理液よりも小さな第２処理液の界面を通過するだけであるので、第２処理液の界面を通過する際に基板の表面に作用する表面張力は小さく、基板に形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。また、引き上げた後の基板の表面には表面張力の低い第２処理液が残っているだけであり、この第２処理液を乾燥させる際における基板の表面に作用する表面張力は小さいので、基板に形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【実施例１】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成図である。
【００２０】
処理槽１は、内槽３と外槽５を備えている。内槽３は、処理液を貯留し、保持アーム７により保持された基板Ｗを収容可能となっている。複数枚の基板Ｗは、保持アーム７上に起立姿勢で整列され、保持アーム７によって搬入・搬出される。保持アーム７は、板状のアーム９と、このアーム９の下部においてアーム９に対して直交する方向に配設され、基板Ｗの下縁に当接して基板Ｗを支持する３本の支持部材１１とを備えている。この保持アーム７は、基板Ｗを保持しつつ内槽３内の処理位置と、内槽３の上方にあたる待機位置とにわたって昇降可能となっている。内槽３は、処理液を貯留し、内槽３から溢れた処理液が内槽３の上部外周を囲うように設けられた外槽５によって回収される。内槽３の底部両側には、処理液を供給する二本の噴出管１３が配設されている。外槽５の底部には、排出口１５が形成されており、内槽３から溢れて外槽５に回収された処理液が排出口１５から排液される。
【００２１】
噴出管１３には、供給管１７の一端側が連通接続され、その他端側には純水供給源１９が連通接続されている。純水供給源１９の下流側には、流量が調整可能な制御弁２１が配設されている。供給管１７の制御弁２１の下流に、ミキシングバルブ２３が配設されている。このミキシングバルブ２３は、供給管１７を流通する純水に対して、他の薬液を注入する機能を備えている。ミキシングバルブ２３には、注入管２５の一端側が連通され、その他端側が薬液供給源２７に連通接続されている。薬液供給源２７の下流側には、流量が調整可能な制御弁２９が配設されている。一般に、ミキシングバルブ２３には、複数種類の薬液が注入可能に構成されているが、この実施例では図示省略してある。この実施例では、例えば、流通している純水に、フッ化水素（ＨＦ）を所定の割合で注入することにより、基板表面の酸化膜除去用の薬液を処理液として生成して供給することが行われる。また、流通している純水に、アンモニアと過酸化水素水とを各々所定の割合で注入することにより、パーティクル除去や有機物除去用の薬液を処理液として生成して供給することも可能である（この処理は「ＳＣ１」と呼ばれる）。
【００２２】
なお、上記保持アーム７が本発明における保持機構に相当する。
【００２３】
また、制御弁２１とミキシングバルブ２３との間には、分岐管３１，３２の一端側が連通接続されている。分岐管３１の他端側には、第１溶液供給源３４が連通接続されている。また、分岐管３２の他端側には、第２溶液供給源３５が連通接続されている。なお、各分岐管３１，３２には、流量が調整可能な制御弁３７，３８が取り付けられている。
【００２４】
なお、第１溶液供給源３４には、例えば、第１の低表面張力溶液が貯留されている。第１の低表面張力溶液とは、純水よりも表面張力が小さく、かつ、純水よりも沸点の高い液をいい、例えば、フロリナート（住友スリーエム株式会社の登録商標）やガルデン（ソルベイソレクシス社の登録商標）などのフッ素系不活性液体が挙げられる。このフロリナート（住友スリーエム株式会社の登録商標）やガルデン（ソルベイソレクシス社の登録商標）は、表面張力が０．０１４〜０．０１６〔Ｎ／ｍ〕程度で、沸点が１３０〜１８０〔℃〕である。
【００２５】
第２溶液供給源３５には、例えば、第２の低表面張力溶液が貯留されている。第２の低表面張力溶液とは、純水よりも表面張力が小さく、かつ、第１の低表面張力溶液よりも沸点の低い液をいい、例えば、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）やＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）などのフッ素系不活性液体が挙げられる。ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）は、表面張力が０．０１３６〔Ｎ／ｍ〕程度で、沸点が６０〜８０〔℃〕である。
【００２６】
なお、上記の噴出管１３、供給管１７および制御弁２１が本発明における第１処理液供給手段に相当し、上記の噴出管１３、供給管１７、分岐管３１および制御弁３７が本発明における第２処理液供給手段に相当し、上記噴出管１３、供給管１７、分岐管３２および制御弁３８が本発明における第３処理液供給手段に相当する。
【００２７】
また、分岐管３１には、処理槽１での第１の低表面張力溶液を、純水の沸点以上で第１の低表面張力溶液の沸点以下となる温度範囲内に温調するインラインヒータ３３が設けられている。インラインヒータ３３は、分岐管３１を流通する第１の低表面張力溶液を例えば、１１５〜２００℃の範囲内となるように加熱する。第１の低表面張力溶液を１１５℃としても純水を蒸発させることができる。さらに、第１の低表面張力溶液を１３０〜２００℃の範囲内となるように加熱することが好ましく、この場合には純水をさらに効果的に蒸発させることができる。この実施例では、インラインヒータ３３は、分岐管３１を流通する第１の低表面張力溶液を１５０〜２００℃の範囲内となるように加熱することとし、この場合には純水をより以上に効果的に蒸発させることができる。
【００２８】
内槽３の内側には、第１の低表面張力溶液の温度を検出する温度検出器３６（温度検出センサなど）が配設されている。内槽３内での第１の低表面張力溶液の検出温度が制御部４７に出力されるようになっており、この検出温度に基づいてインラインヒータ３３の加熱温度を制御し、内槽３での第１の低表面張力溶液の温度が１５０〜２００℃の範囲内で維持されるように制御している。なお、この内槽３内の温度検出器３６を廃して、インラインヒータ３３として温度調整機能を具備したインラインヒータを設けるようにし、１５０〜２００℃の範囲内とした第１の低表面張力溶液を内槽３の純水を十分に置換する分だけ供給するような形態を採用してもよい。
【００２９】
なお、上記のインラインヒータ３３が本発明における温調手段に相当し、純水が本発明における第１処理液に相当し、上記の第１の低表面張力溶液が本発明における第２処理液に相当し、上記の第２の低表面張力溶液が本発明における第３処理液に相当する。
【００３０】
内槽３の底部には、排出口４１が形成されている。ここには、排液管４３の一端側が連通接続され、他端側が図示しない廃液処理部に連通接続されている。排液管４３には、流量が調整可能な流量制御弁４５が取り付けられている。
【００３１】
上述した保持アーム７の昇降、インラインヒータ３３、制御弁２１，２９，３７，３８，４５は、制御部４７によって統括的に制御されている。制御部４７は、処理手順を規定したレシピを記憶するメモリ、マイクロプロセッサ、カウンタ・タイマなどを備えている。
【００３２】
なお、上記の制御部４７が本発明における制御手段に相当する。
【００３３】
次に、上述した構成の装置の動作について説明する。なお、基板Ｗは保持アーム７に保持されたまま内槽１内の処理位置に移動されているものとする。また、以下において参照する図２では、保持アーム７の図示を省略してある。
【００３４】
実施例１での処理動作について、図２を参照しつつ説明する。なお、図２（ａ）〜（ｄ）は、実施例１での処理例を示す模式図である。この実施例１では、例えば、上述したＨＦ用の薬液を処理液として生成しつつ処理を行い、その後、溶液による洗浄処理を行ってから基板Ｗを引き上げる。
【００３５】
具体的には、制御部４７は、制御弁２１，２９を操作して、所定流量で薬液を供給させる（図２（ａ））。そして、所定時間だけその状態を保持させ、基板Ｗに対する薬液処理を行わせる。
【００３６】
次に、制御部４７は、制御弁２９を閉止して薬液の供給を停止し、制御弁２１を開いたままで純水の供給を継続する。これにより純水だけによる洗浄処理が行われる（図２（ｂ））。
【００３７】
なおこのとき、内槽３の底面の排出孔４１に連通接続されている排液管４３の制御弁４５を開いて内槽３内の薬液を一気に排出した後あるいは排出しながら、内槽３内に純水を供給するようにしてもよい。
【００３８】
この純水による洗浄処理を所定時間だけ行った後、制御部４７は、制御弁２１を閉止して純水の供給を停止させるとともに、制御弁３７を開放し、第１溶液供給源３４から第１の低表面張力溶液であるフロリナート（住友スリーエム株式会社の登録商標）をインラインヒータ３３で１５０〜２００℃の範囲内となるように加熱して処理槽１に所定流量で供給させる。これを所定時間だけ継続し、内槽３に貯留している純水を１５０〜２００℃の範囲内とした第１の低表面張力溶液に置換させる（図２（ｃ））。第１の低表面張力溶液の置換が完了し、所定時間この状態を維持する。なお、前述したように、制御部４７は、温度検出器３６からの第１の低表面張力溶液の検出温度に基づいてインラインヒータ３３の加熱制御を行わっている。
【００３９】
図２（ｃ）に示すように、高温（１３０〜２００℃）の第１の低表面張力溶液で満たされた処理槽１内に基板Ｗが所定時間浸漬された状態となっており、基板Ｗの表面に残留していた純水が高温の第１の低表面張力溶液の熱エネルギーで気化し、その気泡が処理槽１の第１の低表面張力溶液の液面の方に上昇していき、処理槽１から蒸気となって出て行くし、基板Ｗの表面上の微細なパターンの細部に入り込んで残留する純水であっても、高温の第１の低表面張力溶液の熱エネルギーで気化し、その気泡が処理槽１の第１の低表面張力溶液の液面の方に上昇していき、処理槽１から蒸気となって出て行く。
【００４０】
なお、処理槽１から出てきた蒸気は、処理槽１の上方箇所に設けられた排気機構３９によって排気されるようになっている。
【００４１】
なお、第１の低表面張力溶液への置換完了時点は、既知である内槽３の容量と、供給する際の第１の低表面張力溶液の流量などから、制御部４７の判断により行われる。
【００４２】
この第１の低表面張力溶液への置換処理後に、制御部４７は、第２の低表面張力溶液としてのハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）を所定流量で供給させる。これを所定時間だけ継続し、内槽３に貯留している第１の低表面張力溶液を第２の低表面張力溶液に置換させる（図２（ｄ））。第２の低表面張力溶液による薬液の置換が完了したら、制御部４７は基板Ｗを内槽３から引き上げて搬出させる（図２（ｄ））。
【００４３】
なおこのとき、内槽３の底面の排出孔４１に連通接続されている排液管４３の制御弁４５を開いて内槽３内の第１の低表面張力溶液を一気に排出した後あるいは排出しながら、内槽３内に第２の低表面張力溶液を供給するようにしてもよい。
【００４４】
なお、第２の低表面張力溶液への置換完了時点は、既知である内槽３の容量と、供給する際の第２の低表面張力溶液の流量などから、制御部４７の判断により行われる。
【００４５】
上述したように、実施例１によれば、制御部４７は、処理槽１内に貯留された純水を第１の低表面張力溶液に置換させるように制御弁３７を制御するとともに、処理槽１内での第１の低表面張力溶液を、純水の沸点以上で第１の低表面張力溶液の沸点以下となる温度範囲内で維持するようにインラインヒータ３３を制御するので、処理槽１内にて純水で処理された基板Ｗは、純水の沸点よりも高い温度に温調された第１の低表面張力溶液に浸漬された状態となっており、基板Ｗの表面に残留する純水（基板表面のパターン細部に入り込んで残留する純水も含む）が、高温の第１の低表面張力溶液の熱エネルギーで気化し、その気泡が処理槽１の第１の低表面張力溶液の液面の方に上昇していき、処理槽１から蒸気となって出て行くため、基板Ｗの表面のパターン細部に入り込んで残留していた純水を完全に第１の低表面張力溶液に置換することができる。そして、処理槽１から基板Ｗを搬出する際には、表面張力が大きな純水の界面を通過することがなく、表面張力が純水よりも小さな第２の低表面張力溶液の界面ＩＦを通過するだけである（図２（ｄ）参照）ので、第２の低表面張力溶液の界面ＩＦを通過する際に基板Ｗの表面に作用する表面張力は小さく、基板Ｗに形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。また、引き上げた後の基板Ｗの表面には表面張力の低い第１の低表面張力溶液が残っているだけであり、この第１の低表面張力溶液を乾燥させる際における基板Ｗの表面に作用する表面張力は小さいので、基板Ｗに形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【００４６】
また、処理槽１に貯留されている第１の低表面張力溶液を、純水よりも小さな表面張力で、かつ、第１の低表面張力溶液よりも沸点の低い第２の低表面張力溶液に置換して引き上げ乾燥させているので、第１の低表面張力溶液のままで引き上げ乾燥させる場合に比して、乾燥処理時間を短縮できる。つまり、第２の低表面張力溶液は第１の低表面張力溶液よりも沸点が低いため第１の低表面張力溶液よりも乾燥し易い。
【００４７】
また、純水は沸点が１００℃であり、第１の低表面張力溶液はフッ素系不活性液体であり、低表面張力で、かつ、沸点が純水よりも十分に高いので、純水との蒸留選択比がとれ、純水を好適に気化させることができる。
【００４８】
また、第１の低表面張力溶液および第２の低表面張力溶液が共にフッ素系不活性液体であるので、第１の低表面張力溶液を容易に第２の低表面張力溶液に置換でき、第２の低表面張力溶液への置換時間を短縮でき、乾燥処理を短縮できる。
【実施例２】
【００４９】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を図３，図４を用いて説明する。
図３は、実施例２に係る基板処理装置での乾燥装置の概略構成図である。図４（ａ）〜（ｄ）は、実施例２での処理例を示す模式図である。なお、上述した実施例１と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
【００５０】
前述した実施例１では、図２に示すように、単一の処理槽１で、薬液処理、純水洗浄処理、第１の低表面張力溶液への置換処理、第２の低表面張力溶液への置換処理、引き上げ乾燥処理を行う構成としているが、この実施例２では、図４に示すように、前述の第２の低表面張力溶液への置換処理を廃するとともに、引き上げ乾燥に替えて、高温雰囲気中でスピンドライを行う構成（ヒータ＋スピンドライ）を採用している点が、前述の実施例１とは異なっている。
【００５１】
前述の実施例１と同様に高温な第１の低表面張力溶液に基板Ｗが浸漬された後（図４（ｃ）参照）に、基板Ｗが図示省略の基板搬送機構で乾燥室に搬送され（図４（ｄ）参照）、この乾燥室で基板Ｗの乾燥処理が行われるようになっている。
【００５２】
この乾燥室は、第１の低表面張力溶液による処理を受けた基板Ｗを高温雰囲気中で乾燥させる熱乾燥機能を備えるとともに、この基板Ｗを空気接触により乾燥させる空気乾燥機能も備えている。
【００５３】
具体的には、乾燥室は、図３に示すように、基板Ｗを一枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式の乾燥室である。具体的には、基板Ｗを水平姿勢で支持するチャック５１（保持機構）と、このチャック５１の下端部に連結された回転軸５３と、この回転軸５３を回転駆動するモータ５５（駆動部）と、チャック５１の周囲を囲う飛散防止カップ５７とを備えている。飛散防止カップ５７は、基板Ｗから周囲に飛散する第１の低表面張力溶液を回収する。また、飛散防止カップ５７は、チャック５１に対して昇降可能になっている。
【００５４】
乾燥室の所定箇所に設けられた挿入口５９には、気体挿入管６１の一端側が連通接続されており、気体挿入管６１の他端側が気体供給源６３に連通接続されている。また、この気体挿入管６１には、上流側から順に、制御弁６５とインラインヒータ６７とが連通接続されている。
【００５５】
制御部４７は、前述の実施例１での温度範囲内で維持された第１の低表面張力溶液での処理後に、基板Ｗを高温雰囲気中で乾燥させるように乾燥室４９を制御するとともに、この基板Ｗを空気接触により乾燥させるようにチャック５１で回転させるように制御する。
【００５６】
具体的には、制御部４７は、図３，図４（ｄ）に示すように、制御弁６５を開いて気体供給源６３からの気体（例えば、窒素ガスなど）をインラインヒータ６７で加熱して、所定温度の窒素ガスなどを乾燥室４９内に供給するとともに、乾燥室４９内が高温雰囲気となると、チャック５１で基板Ｗを回転させて、基板Ｗの表面に残留する第１の低表面張力溶液を乾燥除去する処理を行う。
【００５７】
上述したように、実施例２によれば、第１の低表面張力溶液による処理を受けた基板Ｗを高温雰囲気中で乾燥させるとともに、この基板Ｗを回転させて乾燥させる乾燥室４９を備え、制御部４７は、第１の低表面張力溶液での処理後に、基板Ｗを高温雰囲気中でかつ基板Ｗを回転させて乾燥させるように乾燥室４９を制御するので、第１の低表面張力溶液での処理によって、基板Ｗの表面のパターン細部に入り込んで残留していた純水が気化して除去されているので、基板Ｗの表面上の低表面張力の第１の低表面張力溶液を高温雰囲気中で基板回転によって、効果的に乾燥させることができ、基板Ｗに形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【００５８】
また、処理槽１から基板Ｗを搬出する際には、表面張力が大きな純水の界面を通過することがなく、表面張力が純水よりも小さな第１の低表面張力溶液の界面ＩＦを通過するだけである（図４（ｃ）参照）ので、第１の低表面張力溶液の界面ＩＦを通過する際に基板Ｗの表面に作用する表面張力は小さく、基板Ｗに形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【実施例３】
【００５９】
次に、図面を参照して本発明の実施例３を図５，図６を用いて説明する。
図５は、実施例３に係る基板処理装置の概略構成図である。図６（ａ）〜（ｅ）は、実施例３での処理例を示す模式図である。なお、上述した実施例１と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
【００６０】
前述した実施例１では、図２に示すように、単一の処理槽１で、薬液処理、純水洗浄処理、第１の低表面張力溶液への置換処理、第２の低表面張力溶液への置換処理、引き上げ乾燥処理を行うバッチ式の構成としているが、この実施例３では、図５，図６に示すように、薬液処理、純水洗浄処理、第１の低表面張力溶液への置換処理、第２の低表面張力溶液への置換処理、乾燥処理を行う枚葉式の構成を採用している点が、前述の実施例１とは異なっている。
【００６１】
実施例３の装置は、図５に示すように、薬液処理室７１と、この薬液処理室７１とは別の洗浄処理室１０１と、薬液処理室７１での薬液処理を終えた基板Ｗを洗浄処理室１０１に搬送する搬送機構９１とを備えている。
【００６２】
薬液処理室７１は、図５に示すように、基板Ｗを一枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式の薬液処理室である。具体的には、薬液処理室７１は、ノズル７３と、このノズル７３に一端側が連通接続された配管７５と、この配管７５の他端側に連通接続された薬液供給源７７と、この配管７５の途中に設けられた制御弁７９とを備えている。
【００６３】
また、薬液処理室７１は、基板Ｗを水平姿勢で支持するチャック（保持機構）８１と、このチャック８１の下端部に連結された回転軸８３と、この回転軸８３を回転駆動するモータ（駆動部）８５と、チャック８１の周囲を囲う飛散防止カップ８７とを備えている。飛散防止カップ８７は、基板Ｗから周囲に飛散する薬液を回収する。また、飛散防止カップ８７は、チャック８１に対して昇降可能になっている。
【００６４】
搬送機構９１は、アーム９３を備えており、薬液処理室７１の飛散防止カップ８７が下降した状態（つまり、待避した状態）でチャック８１に保持されていた基板Ｗをアーム９３上に載置させ、洗浄処理室１０１に向けてアーム９３が水平面内で回転し、洗浄処理室１０１の飛散防止カップ１２７が下降した状態（つまり、待避した状態）でチャック１２１上に基板Ｗを載置させるように、アーム９３が駆動するようになっている。
【００６５】
洗浄処理室１０１は、図５に示すように、基板Ｗを一枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式の洗浄処理室である。具体的には、洗浄処理室１０１は、ノズル１０３と、このノズル１０３に一端側が連通接続された配管１０５と、この配管１０５の他端側に連通接続された純水供給源１０７と、この配管１０５の上流側に設けられた制御弁１０９とを備えている。また、この配管１０５には、分岐管１１１，１１２の一端側が連通接続されている。分岐管１１１の他端側には、第１溶液供給源１１４が連通接続されている。また、分岐管１１２の他端側には、第２溶液供給源１１５が連通接続されている。なお、各分岐管１１１，１１２には、流量が調整可能な制御弁１１７，１１８が取り付けられている。
【００６６】
また、洗浄処理室１０１は、基板Ｗを水平姿勢で支持するチャック（保持機構）１２１と、このチャック１２１の下端部に連結された回転軸１２３と、この回転軸１２３を回転駆動するモータ（駆動部）１２５と、チャック１２１の周囲を囲う飛散防止カップ１２７とを備えている。飛散防止カップ１２７は、基板Ｗから周囲に飛散する純水や第１の低表面張力溶液や第２の低表面張力溶液を回収する。また、飛散防止カップ１２７は、チャック１２１に対して昇降可能になっている。
【００６７】
また、分岐管１１１には、基板Ｗに供給する第１の低表面張力溶液を、純水の沸点以上で第１の低表面張力溶液の沸点以下となる温度範囲内に温調するインラインヒータ１１９が設けられている。インラインヒータ１１９は温度調整機能を具備しており、後述する制御部１２９からの温度指令に基づいて、１５０〜２００℃の範囲内に調整できるようになっている。インラインヒータ１１９は、分岐管１１１を流通する第１の低表面張力溶液を例えば、１１５〜２００℃の範囲内となるように加熱する。第１の低表面張力溶液を１１５℃としても純水を蒸発させることができる。さらに、第１の低表面張力溶液を１３０〜２００℃の範囲内となるように加熱することが好ましく、この場合には純水をさらに効果的に蒸発させることができる。この実施例では、インラインヒータ１１９は、分岐管１１１を流通する第１の低表面張力溶液を１５０〜２００℃の範囲内となるように加熱することとし、この場合には純水をより以上に効果的に蒸発させることができる。
【００６８】
なお、第１の低表面張力溶液および第２の低表面張力溶液については前述の実施例１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略することとする。
【００６９】
上述した薬液処理室７１、搬送機構９１および洗浄処理室１０１は、制御部１２９によって統括的に制御されている。制御部１２９は、処理手順を規定したレシピを記憶するメモリ、マイクロプロセッサ、カウンタ・タイマなどを備えている。具体的には、薬液処理室７１でのチャック８１の回転、飛散防止カップ８７の昇降、制御弁７９や、搬送機構９１のアーム９３や、薬液処理室７１でのチャック１２１の回転、飛散防止カップ１２７の昇降、制御弁１０９、１１７、１１８、インラインヒータ１１９は、制御部１２９によって制御されている。
【００７０】
なお、上記のチャック１２１が本発明における回転保持機構に相当し、上記の洗浄処理室１０１が本発明における処理部に相当し、上記のノズル１０３、配管１０５および制御弁１０９が本発明における第１処理液供給手段に相当し、上記のノズル１０３、分岐管１１１および制御弁１１７が本発明における第２処理液供給手段に相当し、上記ノズル１０３、分岐管１１２および制御弁１１８が本発明における第３処理液供給手段に相当し、上記のインラインヒータ１１９が本発明における温調手段に相当し、上記の制御部１２９が本発明における制御手段に相当する。
【００７１】
次に、上述した実施例３の装置の動作について説明する。なお、基板Ｗはチャック８１に回転保持されているものとする。
【００７２】
実施例３での処理動作について、図６を参照しつつ説明する。この実施例３では、例えば、上述したＨＦ用の薬液を処理液として生成しつつ薬液処理室７１でＨＦ処理を行い、その後、洗浄処理室１０１で溶液による洗浄処理を行ってから基板Ｗをスピン乾燥させる。
【００７３】
具体的には、制御部１２９は、制御弁７９を操作して、低速回転する基板Ｗに所定流量で薬液を供給させる（図６（ａ））。そして、所定時間だけその状態を保持させ、低速回転する基板Ｗに対する薬液処理を行わせる。
【００７４】
次に、制御部１２９は、薬液処理室７１の制御弁７９を閉止して薬液の供給を停止するとともに、基板Ｗの回転を停止し、薬液処理室７１の飛散防止カップ８７が下降した状態（つまり、待避した状態）でチャック８１に保持されていた基板Ｗを搬送機構９１のアーム９３上に載置させ、洗浄処理室１０１に向けてアーム９３が水平面内で回転し、洗浄処理室１０１の飛散防止カップ１２７が下降した状態（つまり、待避した状態）でチャック１２１上に基板Ｗを載置させるように、アーム９３を駆動させる。
【００７５】
洗浄処理室１０１のチャック１２１に基板Ｗが回転可能に保持されると、制御部１２９は、基板Ｗを低速回転させるとともに、制御弁１０９を開いて純水をノズル１０３から基板Ｗの表面に供給する。これにより純水だけによる洗浄処理が行われる（図６（ｂ））。
【００７６】
この純水による洗浄処理を所定時間だけ行った後、制御部１２９は、制御弁１０９を閉止して純水の供給を停止させるとともに、制御弁１１７を開放し、第１溶液供給源１１４から第１の低表面張力溶液であるフロリナート（住友スリーエム株式会社の登録商標）をインラインヒータ１１９で１５０〜２００℃の範囲内となるように加熱して低速回転する基板Ｗに所定流量で供給させる。これを所定時間だけ継続し、基板Ｗ上の純水を１５０〜２００℃の範囲内とした第１の低表面張力溶液に置換させる（図６（ｃ））。第１の低表面張力溶液の置換が完了し、所定時間この状態を維持する。
【００７７】
図６（ｃ）に示すように、基板Ｗは、その表面が、高温（１５０〜２００℃）の第１の低表面張力溶液に置換された状態となっており、基板Ｗの表面に残留していた純水が高温の第１の低表面張力溶液の熱エネルギーで気化し、蒸気となって出て行くし、基板Ｗの表面上の微細なパターンの細部に入り込んで残留する純水であっても、高温の第１の低表面張力溶液の熱エネルギーで気化し、蒸気となって出て行く。
【００７８】
なお、基板Ｗから出てきた蒸気は、洗浄処理室１０１の上方箇所に設けられた図示省略の排気機構によって排気されるようになっている。
【００７９】
なお、第１の低表面張力溶液への置換完了時点は、既知である基板Ｗの液盛り容量および飛散容量と、供給する際の第１の低表面張力溶液の流量などから、制御部１２９の判断により行われる。
【００８０】
この第１の低表面張力溶液への置換処理後に、制御部１２９は、第２の低表面張力溶液としてのハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）を所定流量で低速回転する基板Ｗ上に供給させる。これを所定時間だけ継続し、基板Ｗ上の第１の低表面張力溶液を第２の低表面張力溶液に置換させる（図６（ｄ））。第２の低表面張力溶液による薬液の置換が完了したら、制御部１２９は、ノズル１０３からの第２の低表面張力溶液の供給を停止し、基板Ｗを低速回転させて乾燥させる（図６（ｅ））。
【００８１】
なお、第２の低表面張力溶液への置換完了時点は、既知である基板Ｗの液盛り容量および飛散容量と、供給する際の第２の低表面張力溶液の流量などから、制御部１２９の判断により行われる。
【００８２】
上述したように、実施例３によれば、基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持するチャック１２１を内部に備え、このチャック１２１で保持された基板Ｗを処理液で処理する洗浄処理室１０１と、この洗浄処理室１０１内のチャック１２１で低速回転される基板Ｗに純水を供給する第１処理液供給手段（ノズル１０３、配管１０５および制御弁１０９）と、純水よりも小さな表面張力で、かつ、純水よりも沸点の高い第１の低表面張力溶液を洗浄処理室１０１内のチャック１２１で低速回転される基板Ｗに供給する第２処理液供給手段（ノズル１０３、分岐管１１１および制御弁１１７）と、洗浄処理室１０１内のチャック１２１で回転される基板Ｗに供給する第２の低表面張力溶液を、純水の沸点以上で第１の低表面張力溶液の沸点以下となる温度範囲内に温調するインラインヒータ１１９と、基板Ｗの純水での処理後に、洗浄処理室１０１内のチャック１２１で低速回転される基板Ｗに前記温度範囲内とした第１の低表面張力溶液を供給するようにインラインヒータ１１９および第２処理液供給手段（ノズル１０３、分岐管１１１および制御弁１１７）を制御する制御部１２９とを備えているので、洗浄処理室１０１内にて純水で処理された基板Ｗは、純水の沸点よりも高い温度に温調された第１の低表面張力溶液が供給されており、基板Ｗの表面に残留する純水（基板表面のパターン細部に入り込んで残留する純水も含む）が、高温の第１の低表面張力溶液の熱エネルギーで気化して基板Ｗの表面から離れ、洗浄処理室１０１から蒸気となって出て行くため、基板Ｗの表面のパターン細部に入り込んで残留していた純水を完全に第１の低表面張力溶液に置換することができ、基板Ｗの表面には表面張力の低い第１の低表面張力溶液が残っているだけであり、この第１の低表面張力溶液を乾燥させる際における基板Ｗの表面に作用する表面張力は小さいので、基板Ｗに形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【００８３】
また、基板Ｗの表面の第１の低表面張力溶液を、純水よりも小さな表面張力で、かつ、第１の低表面張力溶液よりも沸点の低い第２の低表面張力溶液に置換して回転乾燥させているので、第１の低表面張力溶液のままで低速回転乾燥させる場合に比して、乾燥処理時間を短縮できる。つまり、第２の低表面張力溶液は第１の低表面張力溶液よりも沸点が低いため第１の低表面張力溶液よりも乾燥し易い。
【００８４】
また、純水は沸点が１００℃であり、第１の低表面張力溶液はフッ素系不活性液体であり、低表面張力で、かつ、沸点が純水よりも十分に高いので、純水との蒸留選択比がとれ、純水を好適に気化させることができる。
【００８５】
また、第１の低表面張力溶液および第２の低表面張力溶液が共にフッ素系不活性液体であるので、第１の低表面張力溶液を容易に第２の低表面張力溶液に置換でき、第２の低表面張力溶液への置換時間を短縮でき、乾燥処理を短縮できる。
【００８６】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００８７】
（１）上述した各実施例では、処理槽１が開放された状態であるが、処理槽１の周囲をチャンバで囲うとともに、内槽３の上部に開閉自在のカバーを備え、さらにチャンバの上部空間に溶剤ガスを供給するノズルを備えるようにしてもよい。そして、基板Ｗを引き上げる際には、上部空間を溶剤雰囲気にするとともに、カバーを開放して保持アーム７を上昇させる。これにより上昇時において溶剤への置換を行うことができる。
【００８８】
（１）上述した実施例１では、図２に示すように、単一の処理槽１で、薬液処理、純水洗浄処理、第１の低表面張力溶液への置換処理、第２の低表面張力溶液への置換処理、引き上げ乾燥処理を行う構成としているが、薬液処理について別の処理槽あるいは処理室を設け、純水洗浄処理、第１の低表面張力溶液への置換処理、第２の低表面張力溶液への置換処理、引き上げ乾燥処理を単一の処理槽１で行う構成としてもよい。
【００８９】
（２）上述した実施例２では、乾燥室４９は、高温雰囲気中で基板Ｗを回転させるようにしているが、高温雰囲気中に基板Ｗを回転させずに所定時間さらすことで乾燥処理を行ってもよいし、高温雰囲気とせずに基板Ｗの回転のみによって乾燥処理を行ってもよい。
【００９０】
（３）上述した各実施例１，２では、複数種類の処理液を用いているので、排出口１５及び排出口４１から複数本に分岐した分岐管及び開閉弁を備え、排出される処理液に応じて配管を切り換え、回収先を処理液ごとに異なるものにするのが好ましい。これにより、処理液ごとに回収することができ、廃液処理が容易になる。
【００９１】
（４）上述した各実施例３では、図６に示すように、洗浄処理室１０１で、第２の低表面張力溶液への置換処理後にスピン乾燥処理を行う構成としているが、図７（ｅ）に示すように、第２の低表面張力溶液への置換処理後に、窒素ガスなどの高温雰囲気中で基板Ｗの乾燥処理を行う構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は実施例１での処理例を示す模式図である。
【図３】実施例２に係る基板処理装置での乾燥装置の概略構成図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、実施例２での処理例を示す模式図である。
【図５】実施例３に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、実施例３での処理例を示す模式図である。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は、変形例での処理例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００９３】
Ｗ  …  基板
１  …  処理槽
７  …  保持アーム（保持機構）
１３  …  噴出管（第１〜第３処理液供給手段）
１７  …  供給管（第１〜第３処理液供給手段）
２１  …  制御弁（第１処理液供給手段）
３１  …  分岐管（第２処理液供給手段）
３２  …  分岐管（第３処理液供給手段）
３３  …  インラインヒータ（温調手段）
３７  …  制御弁（第２処理液供給手段）
３８  …  制御弁（第３処理液供給手段）
４７  …  制御部（制御手段）
１０１…洗浄処理室（処理部）
１０３…ノズル（第１〜第３処理液供給手段）
１０５…配管（第１処理液供給手段）
１０９…制御弁（第１処理液供給手段）
１１１…分岐管（第２処理液供給手段）
１１２…分岐管（第３処理液供給手段）
１１７…制御弁（第２処理液供給手段）
１１８…制御弁（第３処理液供給手段）
１１９…インラインヒータ（温調手段）
１２１…チャック（回転保持機構）
１２９…制御部（制御手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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