(57)【要約】【課題】フリップチップ接続部のパッド−樹脂間における剥がれ等の発生を効果的に抑制することができ、信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ１１上に第１の樹脂層１２を形成し、この第１の樹脂層１２上に配線１３を形成し半導体チップ１１の電極と電気的に接続する。このうち、高純度の銅層である第１の配線層１３ａはスパッタリングにより第１の樹脂層１２上に異種金属を介在させることなく形成し、第２の配線層１３ｂは銅の電気めっきにより形成する。配線１３を形成後、２００℃以上の温度で熱処理を行う。フリップチップ接続のバンプとなるはんだボール１５は、配線１３に含まれるフリップチップパッド１４上に形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、この半導体チップ上に形成された第１の樹脂層と、少なくとも一部が前記第１の樹脂層上に形成され前記半導体チップに設けられた第１の電極と電気的に接続されている複数層の配線と、前記第１の樹脂層上に形成されている前記配線の表面上に直接又はパッドを介して形成され外部とフリップチップ接続されている第２の電極と、を有し、前記複数層の配線のうち前記第１の樹脂層と接する側から順に第１及び第２の配線層は共に銅を主成分とし、前記第１の配線層は、前記第１の樹脂層との間に銅以外の金属を主成分とする層を介在させることなく形成され、銅の純度が前記第２の配線層の銅の純度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の配線層はスパッタリング法により形成され、前記第２の配線層はめっき法により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の樹脂層及び前記第１の配線層は、この第１の配線層の形成後に２００℃以上の温度で熱処理されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の樹脂層は、ポリイミド系樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
更に、前記配線の少なくとも一部を覆うように形成された第２の樹脂層を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の樹脂層は、ポリイミド系樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体チップ上に第１の樹脂層を形成する工程と、この第１の樹脂層と接する側から順に銅を主成分とする第１及び第２の配線層を含む複数層の配線を、その一部が前記第１の樹脂層上に形成され前記半導体チップに設けられた第１の電極と電気的に接続されるように形成する工程と、前記第１の樹脂層上に形成されている前記配線の表面上に直接又はパッドを介して第２の電極を形成する工程と、を有し、前記第１の配線層を、前記第１の樹脂層との間に銅以外の金属を主成分とする層を介在させることなく、銅の純度が前記第２の配線層の銅の純度よりも高くなるように形成し、前記第１の樹脂層及び前記第１の配線層を形成後に２００℃以上の温度で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の配線層をスパッタリング法により形成し、前記第２の配線層をめっき法により形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の樹脂層は、ポリイミド系樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
更に、前記配線の一部を覆うように第２の樹脂層を形成する工程と、前記第２の樹脂層に対するキュア工程と、を有することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記熱処理を、前記第２の樹脂層に対するキュア工程により行うことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の樹脂層は、ポリイミド系樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、信頼性に優れたフリップチップ接続部が得られる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit：大規模集積回路）等の半導体素子は、シリコン等からなる半導体チップ又はウエハの表面に形成される。これらの半導体チップ等は、例えばフリップチップ接続におけるはんだの溶融、熱サイクル試験、及び半導体素子からの発熱等により加熱・冷却の熱サイクルが印加される。
【０００３】
このとき、半導体チップと実装基板との接続部に、夫々に使用される異種材料間の熱膨張係数の差に起因する熱応力が発生する。例えば、半導体素子を搭載する基板の多くは、樹脂等の有機材料又は樹脂等を構成材料とするＦＲ−４等のコンポジット材料からなる。その熱膨張係数（線膨張係数）は、１０乃至数十ｐｐｍ／Ｋであり、シリコンの約４ｐｐｍ／Ｋよりもかなり大きい。この熱応力は、例えばフリップチップ接続部のパッド−樹脂間の界面に働き、熱応力が大きくなると界面における剥がれを引き起こすこととなる。
【０００４】
このような熱応力を緩和する方法として、従来から半導体装置に応力を緩和するような構造を設けることが種々検討されている。例えば、特許文献１には、半導体チップとバンプ等の電極との間に樹脂層を設ける構造が開示されている。図３は、特許文献１の従来の半導体装置を示す断面図である。
【０００５】
図３に示すように、半導体素子１０１上にパッシベーション膜１０３が形成され、更に第１の樹脂層１０４が形成されている。配線１０６は、一部が第１の樹脂層１０４上になるように形成され、パッシベーション膜１０３及び第１の樹脂層１０４に設けられた開口部１０８を介して半導体素子電極部１０２と電気的に接続されている。また、配線１０６は、開口部１０８の形状に合わせて複数の平面部が相互に所定の角度１０９をなすように形成されている。パッケージ電極１０７は、第１の樹脂層１０４上に形成された配線１０６の平面部の上に形成されている。第２の樹脂層１０５は、パッケージ電極１０７の一部を除き配線１０６等を覆うように形成されている。このように構成された従来の半導体装置は、半導体装置に印加される熱サイクルに対して第１の樹脂層１０４、第２の樹脂層１０５及び配線１０６が適度に変形することにより、主に樹脂層と半導体チップとの熱膨張係数差に起因して発生する熱応力を緩和しようとするものである。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３２３６２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した従来の半導体装置には以下に示すような問題点がある。加熱・冷却による半導体装置の熱歪みは、半導体チップの中心からの距離に比例して大きくなる。このため、半導体チップが大型である場合、半導体チップと樹脂層等とは半導体チップの端部において相対的に計算上数十乃至１００μｍ程度の大きな変位を生じることになる。このように変位、換言すれば応力が大きくなると、上述したような応力緩和構造だけでは応力を緩和しきれなくなるため、パッド−樹脂間（図３における配線１０６と第１の樹脂層１０４との間）に剥がれ等が生じるという問題点がある。
【０００８】
このパッド−樹脂間の剥がれは直接電気的な断線をもたらすものではないが、アンダーフィル樹脂の充填後等にパッド−樹脂間で剥がれが生じると、そこには閉空間が形成される。この閉空間は、その後の例えば半導体チップを基板にはんだ付けする際の加熱処理時に、樹脂層等にクラックが生じる原因となる。特に、湿度の高い状態ではこの閉空間に水分が溜まることになり、この水分がその後の加熱処理によって気化することにより発生する応力等のため、基板等にクラックが生じることもある。更に、発生した剥がれは、熱サイクルが印加されることにより経時的に進展するため、半導体素子の信頼性を低下させる原因となる。なお、これらの剥がれ・閉空間はＳＡＴ（Scan Acoustic Tomograph：走査型超音波トモグラフ）により観察される。
【０００９】
一方、ポリイミド等の樹脂上に配線又はパッドを形成する場合は、樹脂と配線又はパッドとの剥がれを防ぐため、配線又はパッドと樹脂層との間にクロム（Ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）等の接着金属を介在させる方法が知られている。しかしながら、例えばクロムは環境負荷等の面から好ましくなく、チタン等は配線又はパッドの上層に設ける樹脂層のキュア工程又ははんだ付け等の加熱工程により接着強度が低下してしまうという問題点がある。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、フリップチップ接続部の配線又はパッドと樹脂との間における剥がれの発生を効果的に抑制することができ、信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップ上に形成された第１の樹脂層と、少なくとも一部が前記第１の樹脂層上に形成され前記半導体チップに設けられた第１の電極と電気的に接続されている複数層の配線と、前記第１の樹脂層上に形成されている前記配線の表面上に直接又はパッドを介して形成され外部とフリップチップ接続されている第２の電極と、を有し、前記複数層の配線のうち前記第１の樹脂層と接する側から順に第１及び第２の配線層は共に銅を主成分とし、前記第１の配線層は、前記第１の樹脂層との間に銅以外の金属を主成分とする層を介在させることなく形成され、銅の純度が前記第２の配線層の銅の純度より高いことを特徴とする。
【００１２】
本発明においては、半導体チップ上に形成された第１の樹脂層上に形成する配線を、銅を主成分とする第１及び第２の配線層を含む複数層で構成する。また、銅の純度が高い第１の配線層を、異種金属が主成分である層を介することなく第１の樹脂層上に形成する。これにより、半導体装置の製造プロセス中の加熱処理により例えばシード層に用いられる異種金属層と第１の樹脂層との接着強度が低下するということがない。このため、配線（パッドを含む）と第１の樹脂層との剥がれの発生を防止することができ、信頼性の高いフリップチップ接続部を有する半導体装置を得ることができる。また、第１の配線層と第１の樹脂層とで熱応力等を緩和する構造を構成することで、より効果的に剥がれの発生を防止することができる。更に、第１の樹脂層よりも銅の純度が低い第２の配線層を設けることにより、上記の接着強度についての効果を得ながら、より効率的に配線層を形成することができる。なお、本明細書において「銅を主成分とする」とは、材料中の銅元素の比率（純度）が５０質量％以上であることをいい、銅の電気めっき又は無電解めっき等により形成することができる材料を含む。
【００１３】
この場合に、前記第１の配線層はスパッタリング法により形成され、前記第２の配線層はめっき法により形成されていてもよい。
【００１４】
また、前記第１の樹脂層及び前記第１の配線層は、この第１の配線層の形成後に２００℃以上の温度で熱処理されていることが好ましい。これにより、第１の配線層と第１の樹脂層との接着強度を更に増すことができるため、半導体装置の信頼性をより向上させることができる。
【００１５】
更に、前記第１の樹脂層は、ポリイミド系樹脂を主成分とすることができる。
【００１６】
更にまた、前記配線の少なくとも一部を覆うように形成された第２の樹脂層を有していてもよい。この場合に、前記第２の樹脂層は、ポリイミド系樹脂を主成分とすることができる。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ上に第１の樹脂層を形成する工程と、この第１の樹脂層と接する側から順に銅を主成分とする第１及び第２の配線層を含む複数層の配線を、その一部が前記第１の樹脂層上に形成され前記半導体チップに設けられた第１の電極と電気的に接続されるように形成する工程と、前記第１の樹脂層上に形成されている前記配線の表面上に直接又はパッドを介して第２の電極を形成する工程と、を有し、前記第１の配線層を、前記第１の樹脂層との間に銅以外の金属を主成分とする層を介在させることなく、銅の純度が前記第２の配線層の銅の純度よりも高くなるように形成し、前記第１の樹脂層及び前記第１の配線層を形成後に２００℃以上の温度で熱処理を行うことを特徴とする。
【００１８】
この場合に、前記第１の配線層をスパッタリング法により形成し、前記第２の配線層をめっき法により形成することとしてもよい。これにより、第１の配線層としてスパッタターゲットの銅純度を反映した高純度の銅層を形成することができる。また、スパッタリングは真空中で行われるため、接着強度低下の原因となる銅酸化膜が形成されることなく第１の配線層を形成することができる。更に、第２の配線層をめっき法により形成することで、接着強度の効果を得ながら効率よく配線層を形成することができる。
【００１９】
また、更に、前記配線の一部を覆うように第２の樹脂層を形成する工程と、前記第２の樹脂層に対するキュア工程と、を有することとしてもよい。この場合に、前記熱処理を、前記第２の樹脂層に対するキュア工程により行うことができる。これにより、第１の半導体層と第１の樹脂層との接着強度を高めるために別の熱処理工程を設けることなく、効率よく接着強度を高めることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、フリップチップ接続部の配線又はパッドと樹脂との間における剥がれの発生を効果的に抑制することができ、信頼性に優れた半導体装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１（ａ）は、本第１実施形態に係る半導体装置を示す断面図であり、図１（ｂ）は、配線１３及びフリップチップパッド１４を示す平面図である。なお、図１は、半導体チップと基板との間に複数形成されるフリップチップ接続部のうちの１つのみを拡大表示したものである。
【００２２】
図１に示すように、半導体チップ１１の表面上に第１の樹脂層１２が形成されている。第１の樹脂層１２としては、例えばポリイミド樹脂が用いられる。第１の樹脂層１２及びその開口部の表面には配線１３が形成されている。配線１３は、第１の樹脂層１２に設けられた開口部の形状に合わせて複数の平面部が相互に所定の角度をなすように形成され、図示しない半導体チップ１１の電極と電気的に接続されている。これらの第１の樹脂層１２と配線１３とは、後述するいわゆる応力緩和構造を構成している。配線１３のうち、第１の樹脂層１２の表面に形成された平面部の一部はフリップチップパッド１４である。このフリップチップパッド１４上には、図示しない基板とフリップチップ接続する際にバンプとなるはんだボール１５が設けられている。
【００２３】
配線１３は、銅を主成分とし、相互に銅の純度が異なる第１の配線層１３ａ及び第２の配線層１３ｂが積層されることにより構成されている。このうち、第１の樹脂層１２に接する第１の配線層１３ａは、その上に形成されている第２の配線層１３ｂよりも高い銅純度を有している。また、第１の樹脂層１２上に配線１３が形成された後、２００℃以上の温度で熱処理が施されている。
【００２４】
半導体装置には、上述したように製造時、試験時及び使用時に種々の理由により加熱・冷却の熱サイクルが印加される。この際に、半導体チップ又はシリコン基板等と樹脂等との熱膨張係数の差に基づく熱応力が発生する。この熱応力が大きくなると、例えば図１に示す配線１３（及びフリップチップパッド１４）と第１の樹脂層１２との間に剥がれが発生し、この剥がれは経時的に進展して半導体装置の信頼性低下の原因となる。
【００２５】
通常のフリップチップ接続においては、フリップチップパッド１４がチップ１１上に直に形成されているため、フリップチップ接続されている基板とチップの熱膨張係数の差に起因する熱応力が直接半導体チップに印加される。しかし、図１に示す応力緩和構造においては、基板側の電極にフリップチップ接続されるバンプ等の電極（はんだボール１５）と半導体チップ１１に設けられた電極との間に配線１３が設けられている。この配線１３は、所定の角度を有する複数の平面部を有しているため、半導体装置に印加された熱サイクルによる熱応力は、配線１３が適度に変形することにより緩和される。また、配線１３を含むフリップチップ接続部と半導体チップ１１との間には第１の樹脂層１２が設けられているため、熱歪みに対してこの第１の樹脂層１２が適度に変形することによっても応力が緩和される。これにより、半導体チップ１１に印加される応力が小さくなるため、半導体チップ１１等の破壊を防止することができる。特に、半導体チップ等に比較的機械的強度の低いｌｏｗ−ｋ（低誘電率）材料が使用されている場合には有効な手段である。なお、第１の樹脂層１２としてはポリイミド樹脂以外にも種々のものを用いることができる。応力により樹脂が容易に変形するという観点からは、弾性率の小さい樹脂が望ましいが、熱歪みを効率よく分散させ、半導体チップ１１への影響を抑制するという観点からは、やや弾性率の大きいものが望ましい。
【００２６】
しかしながら、例えばチップが大型の場合等、熱歪みが大きくなると図１に示す応力緩和構造を有していても配線又はパッドと樹脂層との間に剥がれ等が生じる可能性がある。従来の半導体装置においては、例えばアディティブ法により配線又はパッドを形成する際、先ず樹脂層上にＴｉ等がシード層として形成され、その後めっき等により銅の配線層が形成される。このように、銅と樹脂層との間にＴｉ等が介在すると、その後の工程における加熱によりこのＴｉ等と樹脂層との接着強度が低下してしまう。このため、応力緩和構造の効果を十分に発揮できない場合があったと考えられる。
【００２７】
本実施形態の半導体装置においては、樹脂層の表面にＴｉ等の異種金属層を介在させることなく、スパッタリングにより銅の純度が高い第１の配線層１３ａが形成されている。また、その上に電気めっきにより銅を主成分とする第２の配線層１３ｂが形成されている。これにより、異種金属層を設けた場合のように半導体装置の製造プロセス中の加熱処理により第１の樹脂層１２との接着強度が低下することがない。更に、２００℃以上の温度で熱処理を行うことにより、第１の配線層１３ａと第１の樹脂層１２との接着強度を高くすることができる。これは、２００℃以上の温度で熱処理を行うことにより、銅層と樹脂層との接着強度が高くなるという実験結果に基づくものである。なお、このように高温下で接着強度が向上するメカニズムの詳細は明らかとはなっていない。例えば、第１の樹脂層１２として用いられるようなポリイミド系樹脂（ポリイミド結合を有するポリマーを含む。）については、加熱によりポリイミドの極性基（カルボン酸基及びアミド基等）と銅とが何らかの反応を起こし接着強度が高くなるものと考えられる。また、本実施形態においては、第１の樹脂層１２上に配線１３を形成した後に熱処理を行うために、第１の配線層１３ａと第１の樹脂層１２との界面において銅が酸化されることがない。このことが、熱処理による接着強度の向上に寄与していると考えられる。なお、樹脂層と接していない側の銅が酸化されることも望ましくないため、配線１３形成後の熱処理は窒素雰囲気等の酸化反応が起きにくい条件下で行うのが好適である。
【００２８】
このような接着強度向上の効果は、樹脂層と接する配線層の銅純度が高い方が大きくなると考えられる。このため、スパッタリングにより銅純度が高い第１の配線層１３ａを形成することが好適である。また、熱処理の温度については、接着強度は温度が高い方が向上する傾向にある。より具体的には、熱処理の温度を２００℃より低くすると接着強度は殆ど向上しない。これに対して、熱処理の温度を２００℃以上とすると、接着強度は温度が上昇するに伴って高くなる。熱処理の温度を２５０℃以上、更に３００℃以上とすると、接着強度を更に高くすることができる。
【００２９】
また、後述するように、配線１３をスパッタリングによる第１の配線層１３ａとめっき等による第２の配線層１３ｂの２層構造とすることにより、上記の接着強度向上の効果を得ながら効率よく銅の配線層を形成することができる。以上説明したように、本実施形態によれば、銅の配線層と樹脂層との接着強度を効果的に向上させることができ、応力緩和構造と併用することでより信頼性に優れたフリップチップ接続部を有する半導体装置を得ることができる。
【００３０】
なお、図１に示す本実施形態においては、いわゆる応力緩和構造の一例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、配線形状を曲線又は波型の形状に形成することとしてもよく、それ以外の公知の応力緩和構造を適用することとしてもよい。また、本発明によれば配線層と樹脂層との関係において高い接着強度を有するため、応力緩和構造として構成されていない配線構造に本発明を適用することとしてもよい。
【００３１】
また、図１に示す本実施形態においては、配線１３を第１の配線層１３ａと第２の配線層１３ｂとの２層構造としているが、更に多層構造として配線１３を構成することもできる。
【００３２】
更に、図１に示す本実施形態においては、はんだボール１５をフリップチップ接続のバンプとして構成しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、印刷バンプ又は金バンプ等のバンプを用いることとしてもよい。
【００３３】
以下に、図１に示す本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。先ず、図１（ａ）に示すように、半導体チップ１１上に第１の樹脂層１２を形成する。この際、図示しない半導体チップ１１の電極が露出するようにフォトリソグラフィ法等により開口部を形成する。この開口部は、後の工程で形成される配線１３の平面部が相互に例えば所定の鈍角をなすようなテーパ形状とする。
【００３４】
次に、半導体チップ１１の電極と後の工程で形成されるはんだボール１５とを電気的に接続するための配線１３を形成する。ここでは、先ず、銅をスパッタリングすることにより第１の配線層１３ａを形成する。この際、スパッタリングは真空中で行われるため、スパッタターゲットの銅純度を反映した高純度の銅層を形成することができ、樹脂層との接着強度が低下する原因となる銅酸化膜は生成されない。その後、電解めっきにより第２の配線層１３ｂとなる銅層を更に形成し、エッチングにより配線１３を形成する。なお、配線１３は、図１（ｂ）に示すようにフリップチップパッド１４を含むように形成されている。
【００３５】
次に、この配線１３まで形成された半導体装置に対し、例えば２００℃以上の温度で熱処理を行う。これにより、第１の樹脂層１２と高純度の銅層である第１の配線層１３ａとの接着強度が高くなる。なお、熱処理は例えば図示しない樹脂層等に対する熱処理を兼ねるものであってもよい。また、熱処理時の温度は、第１の樹脂層１２と第１の配線層１３ａとの接着強度を高める目的においては２００℃より高い方が好ましく、例えば２５０℃、より好ましくは３００℃以上である。
【００３６】
次に、フリップチップパッド１４上にはんだボール１５を形成する。このはんだボール１５は、実装基板側の電極とフリップチップ接続される際にバンプとなるものである。これにより、図１に示す半導体装置が得られる。
【００３７】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図２は、本第２実施形態の半導体装置を示す構成図である。なお、図２について以下に示す事項以外は第１の実施形態と同様であるので、図２において、図１と同一構成物には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００３８】
図２に示すように、本実施形態の半導体装置においては、第１の樹脂層１２及び配線１３を覆うように第２の樹脂層１６が形成されている。この第２の樹脂層１６に設けられた開口部を介して配線１３上にフリップチップパッド１４が形成されている。はんだボール１５は、このフリップチップパッド１４上に形成されている。なお、第２の樹脂層１６としては、例えばポリイミド樹脂が用いられる。上記以外の構成は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００３９】
上層樹脂層である第２の樹脂層１６は、配線を外部から保護する効果を有しており、また、パッド部の必要な部分以外にはんだが付着するのを防ぐソルダーレジストとしても機能するものである。この第２の樹脂層１６は、スピンコート又はドライフィルムラミネート等の後にキュア（熱硬化）工程を行うことにより成膜するが、このキュア工程が上述した熱処理に該当する。例えば、第２の樹脂層１６のポリイミドの場合は、通常２５０℃以上の温度でキュア工程が行われる。また、ポリイミドの種類によっては３００℃以上の熱処理を必要とする場合もある。これにより、第１の配線層１３ａと第１の樹脂層１２との接着強度を向上させることができ、第１の実施形態と同様に信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、例えば基板上にフリップチップ接続により搭載される半導体チップを有する半導体装置に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図であり、（ｂ）は配線１３及びフリップチップパッド１４を示す平面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図であり、（ｂ）は配線１３及びフリップチップパッド１４を示す平面図である。
【図３】従来の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１１；半導体チップ
１２；第１の樹脂層
１３；配線
１４；フリップチップパッド
１５；はんだボール
１６；第２の樹脂層
１０１；半導体素子
１０２；半導体素子電極部
１０３；パッシベーション膜
１０４；第１の樹脂層
１０５；第２の樹脂層
１０６；配線
１０７；パッケージ電極
１０８；開口部
１０９；所定の角度
【図１】
2008235699.tif 000003
【図２】
2008235699.tif 000004
【図３】
2008235699.tif 000005