(57)【要約】【課題】ＯＰＣ処理に要する時間を低減すること。【解決手段】本発明に係るマスク製造方法は、（ａ）半導体集積回路のレイアウト１０を複数の単位領域２０に分割するステップと、（ｂ）各単位領域２０を包含する処理領域４０を規定するステップと、（ｃ）各単位領域２０に対し光学的に影響を及ぼす光学的影響領域３０を処理領域４０から抽出するステップと、（ｄ）処理領域４０中の図形に対してＯＰＣ処理を実行し、ＯＰＣレイアウトを作成するステップと、（ｅ）ＯＰＣレイアウトに基づきマスクを製造するステップとを有する。上記（ｄ）ステップにおいて、処理領域４０中の図形Ｐ４が光学的影響領域３０に重なり、且つ、設計基準に違反する異常部分Ｐｂを含む場合、当該図形Ｐ４から異常部分Ｐｂを除去した後にＯＰＣ処理が実行される。【選択図】図７
2008145600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路のマスク製造方法であって、
（ａ）前記半導体集積回路のレイアウトを複数の単位領域に分割するステップと、
（ｂ）前記複数の単位領域の各々に関して、前記各々の単位領域を包含する処理領域を規定するステップと、
（ｃ）前記各々の単位領域に対し光学的に影響を及ぼす光学的影響領域を、前記処理領域から抽出するステップと、
（ｄ）前記処理領域中の図形に対してＯＰＣ処理を実行することによって、ＯＰＣレイアウトを作成するステップと、
（ｅ）前記ＯＰＣレイアウトに基づいて、前記半導体集積回路のマスクを製造するステップと
を有し、
前記（ｄ）ステップは、（ｄ１）前記処理領域中のある図形が少なくとも前記光学的影響領域に重なっており、且つ、設計基準に違反する異常部分を含んでいる場合、前記ある図形から前記異常部分を除去した後に前記ＯＰＣ処理を実行するステップを含む
マスク製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のマスク製造方法であって、
前記（ｄ）ステップは、更に、（ｄ２）前記光学的影響領域に重なっていない図形を、前記ＯＰＣ処理の対象から除外し、且つ、他の図形に対する前記ＯＰＣ処理時に参照するステップを含む
マスク製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のマスク製造方法であって、
（ｘ）前記複数の単位領域のそれぞれに関して、前記（ｃ）及び（ｄ）ステップを並列的に実行することにより、複数のＯＰＣレイアウトを並列的に作成するステップを有する
マスク製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のマスク製造方法であって、
前記（ｅ）ステップは、
（ｅ１）前記複数のＯＰＣレイアウトに対しフラクチャリング処理を並列的に実行し、前記複数のＯＰＣレイアウトのそれぞれを複数の単位マスクデータに変換するステップと、
（ｅ２）前記複数の単位マスクデータを統合することによって、前記半導体集積回路のマスクデータを作成するステップと、
（ｅ３）前記マスクデータを用いて前記マスクを製造するステップと
を含む
マスク製造方法。
【請求項５】
分散処理により半導体集積回路のマスクデータを作成するマスクデータ作成システムであって、
複数の分散マシンと、
前記複数の分散マシンによる分散処理を管理する管理マシンと
を具備し、
前記管理マシンは、前記半導体集積回路のレイアウトを複数の単位領域に分割し、前記複数の単位領域の各々に関して前記各々の単位領域を包含する処理領域を規定し、前記規定されたそれぞれの処理領域を示す複数の処理領域データを前記複数の分散マシンのそれぞれに配布し、
前記複数の分散マシンの各々は、前記各々の単位領域に対し光学的に影響を及ぼす光学的影響領域を前記処理領域から抽出し、また、前記処理領域中の図形に対してＯＰＣ処理を実行することにより、ＯＰＣレイアウトを示すＯＰＣ処理後データを作成し、
ここで、前記処理領域中のある図形が少なくとも前記光学的影響領域に重なっており、且つ、設計基準に違反する異常部分を含んでいる場合、前記各々の分散マシンは、前記ある図形から前記異常部分を除去した後に前記ＯＰＣ処理を実行し、
前記管理マシンは、前記複数の分散マシンのそれぞれによって作成された前記ＯＰＣ処理後データに基づいて、前記半導体集積回路のマスクデータを作成する
マスクデータ作成システム。
【請求項６】
請求項５に記載のマスクデータ作成システムであって、
前記各々の分散マシンは、前記光学的影響領域に重なっていない図形を、前記ＯＰＣ処理の対象から除外し、且つ、他の図形に対する前記ＯＰＣ処理時に参照する
マスクデータ作成システム。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のマスクデータ作成システムであって、
前記複数の分散マシンは、前記複数のＯＰＣ処理後データに対しフラクチャリング処理を並列的に実行することによって、前記複数のＯＰＣ処理後データのそれぞれを複数の単位マスクデータに変換し、
前記管理マシンは、前記複数の単位マスクデータを統合することによって、前記マスクデータを作成する
マスクデータ作成システム。
【請求項８】
半導体集積回路のマスクデータの作成処理をコンピュータに実行させるマスクデータ作成プログラムであって、
前記作成処理は、
（Ａ）前記半導体集積回路のレイアウトを複数の単位領域に分割するステップと、
（Ｂ）前記複数の単位領域の各々に関して、前記各々の単位領域を包含する処理領域を規定するステップと、
（Ｃ）前記各々の単位領域に対し光学的に影響を及ぼす光学的影響領域を、前記処理領域から抽出するステップと、
（Ｄ）前記処理領域中の図形に対してＯＰＣ処理を実行することによって、ＯＰＣレイアウトを作成するステップと、
（Ｅ）前記ＯＰＣレイアウトに基づいて、前記マスクデータを作成するステップと
を有し、
前記（Ｄ）ステップは、（Ｄ１）前記処理領域中のある図形が少なくとも前記光学的影響領域に重なっており、且つ、設計基準に違反する異常部分を含んでいる場合、前記ある図形から前記異常部分を除去した後に前記ＯＰＣ処理を実行するステップを含む
マスクデータ作成プログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のマスクデータ作成プログラムであって、
前記（Ｄ）ステップは、更に、（Ｄ２）前記光学的影響領域に重なっていない図形を、前記ＯＰＣ処理の対象から除外し、且つ、他の図形に対する前記ＯＰＣ処理時に参照するステップを含む
マスクデータ作成プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路のマスクデータ及びマスクの作成技術に関する。特に、本発明は、光近接効果補正を利用した、マスクデータ及びマスクの作成技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造工程において、フォトリソグラフィ技術が一般的に用いられている。フォトリソグラフィ技術においては、レジストコーティングされたウエハに対して露光処理が行なわれ、回路の設計パターンが転写される。この時、回路の設計パターンが形成された「マスク（レチクル）」が用いられ、そのマスクを通して光がウエハに照射される。
【０００３】
光がマスクを通過する際、屈折や散乱が多少なりとも発生する。特に、回路パターンの微細化に伴い、ウエハ上に形成されるパターンと所望の設計パターンとの間の誤差は、顕著になってくる（光近接効果）。そのため、そのような誤差を予め考慮し、マスク（レチクル）に微細な補正パターンを追加する「光近接効果補正（OPC: Optical Proximity Correction）」が一般的に行われる。
【０００４】
具体的には、実際にマスクが製造される前の段階で、コンピュータにより、設計回路のレイアウトデータに対してＯＰＣ処理が行なわれる。その結果、補正後のレイアウトデータが作成される。その補正後のレイアウトデータが、電子ビーム描画装置（以下、「ＥＢ（Electron Beam）描画装置」と参照される）用のフォーマットを有するマスクデータ（ＥＢデータ）に変換される。そして、ＥＢ描画装置が、マスクデータを読み込み、そのマスクデータに応じたマスク（レチクル）を作成する。作成されたマスクはＯＰＣに基づく補正パターンを有しており、そのマスクを用いることによって、設計回路を精度良く製造することが可能となる。
【０００５】
ＯＰＣ処理に関連する従来技術として、次のものが知られている。
【０００６】
特許文献１に記載された技術は、ＯＰＣ処理の負担を軽減することを目的としている。そのために、レイアウトパターンの中から繰り返し現れる“合同な部分”が探索される。具体的には、レイアウトパターンが複数の局所タスク領域に分割され、互いに一致する局所タスク領域が、合同部分として識別される。識別された合同部分に関しては、ＯＰＣ処理が１回だけ実行される。多数の合同部分のそれぞれに対してＯＰＣ処理を繰り返す必要がなくなるため、計算時間が低減される。
【０００７】
特許文献２には、ＯＰＣ手法が記載されている。そのＯＰＣ手法によれば、まず、ＯＰＣ不適合パターン及びその対策が、ライブラリ記憶装置に格納される。次に、レイアウト設計、ＯＰＣ、リソグラフィ・ルール・チェック、危険箇所の登録のうちの少なくとも１の段階において、得られた設計パターンと、ライブラリ記憶装置に格納されているＯＰＣ不適合パターンとのパターンマッチングが行なわれる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２２６９６５号公報
【特許文献２】特開２００３−１６２０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、半導体集積回路の微細化、高集積化が更に進み、そのレイアウトパターンはより複雑に、より多様になってきている。それに伴い、ＯＰＣ処理に要する時間もますます増大する傾向にある。これは、半導体集積回路の設計から製造までの時間の増加を招き、製造コストの増大の原因となる。従って、ＯＰＣ処理に要する時間を削減することができる技術が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号・符号を用いて、［課題を解決するための手段］を説明する。これらの番号・符号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１１】
本発明の第１の観点において、半導体集積回路のマスク製造方法が提供される。そのマスク製造方法は、（ａ）半導体集積回路のレイアウト（１０）を複数の単位領域（２０）に分割するステップと、（ｂ）各々の単位領域（２０）を包含する処理領域（４０）を規定するステップと、（ｃ）各々の単位領域（２０）に対し光学的に影響を及ぼす光学的影響領域（３０）を、処理領域（４０）から抽出するステップと、（ｄ）処理領域（４０）中の図形に対してＯＰＣ処理を実行することによって、ＯＰＣレイアウトを作成するステップと、（ｅ）ＯＰＣレイアウトに基づいて、半導体集積回路のマスクを製造するステップと、を有する。上記（ｄ）ステップは、処理領域（４０）中のある図形（Ｐ４）が少なくとも光学的影響領域（３０）に重なっており、且つ、設計基準に違反する異常部分（Ｐｂ）を含んでいる場合、当該図形（Ｐ４）から異常部分（Ｐｂ）を除去した後にＯＰＣ処理を実行するステップを含む。
【００１２】
本発明の第２の観点において、分散処理により半導体集積回路のマスクデータ（ＭＳＫ）を作成するマスクデータ作成システム（１）が提供される。そのマスクデータ作成システム（１）は、複数の分散マシン（３）と、複数の分散マシン（３）による分散処理を管理する管理マシン（２）とを備える。管理マシン（２）は、半導体集積回路のレイアウト（１０）を複数の単位領域（２０）に分割し、各々の単位領域（２０）を包含する処理領域（４０）を規定し、規定されたそれぞれの処理領域（４０）を示す複数の処理領域データ（ＤＬ）を複数の分散マシン（３）のそれぞれに配布する。各分散マシン（３）は、各々の単位領域（２０）に対し光学的に影響を及ぼす光学的影響領域（３０）を処理領域（４０）から抽出し、また、処理領域（４０）中の図形に対してＯＰＣ処理を実行することにより、ＯＰＣレイアウトを示すＯＰＣ処理後データを作成する。この時、処理領域（４０）中のある図形（Ｐ４）が少なくとも光学的影響領域（３０）に重なっており、且つ、設計基準に違反する異常部分（Ｐｂ）を含んでいる場合、各分散マシン（３）は、当該図形（Ｐ４）から異常部分（Ｐｂ）を除去した後にＯＰＣ処理を実行する。管理マシン（２）は、複数の分散マシン（３）のそれぞれによって作成されたＯＰＣ処理後データに基づいて、半導体集積回路のマスクデータ（ＭＳＫ）を作成する。
【００１３】
本発明の第３の観点において、半導体集積回路のマスクデータ（ＭＳＫ）の作成処理をコンピュータ（１）に実行させるマスクデータ作成プログラムが提供される。その作成処理は、（Ａ）半導体集積回路のレイアウト（１０）を複数の単位領域（２０）に分割するステップと、（Ｂ）各々の単位領域（２０）を包含する処理領域（４０）を規定するステップと、（Ｃ）各々の単位領域（２０）に対し光学的に影響を及ぼす光学的影響領域（３０）を、処理領域（４０）から抽出するステップと、（Ｄ）処理領域（４０）中の図形に対してＯＰＣ処理を実行することによって、ＯＰＣレイアウトを作成するステップと、（Ｅ）ＯＰＣレイアウトに基づいて、マスクデータ（ＭＳＫ）を作成するステップと、を有する。上記（Ｄ）ステップは、（Ｄ１）処理領域（４０）中のある図形（Ｐ４）が少なくとも光学的影響領域（３０）に重なっており、且つ、設計基準に違反する異常部分（Ｐｂ）を含んでいる場合、当該図形（Ｐ４）から異常部分（Ｐｂ）を除去した後にＯＰＣ処理を実行するステップを含む。
【００１４】
以上に示されたように、本発明によれば、半導体集積回路のレイアウト（１０）から複数の処理領域（４０）が生成される。従って、複数の処理領域（４０）のそれぞれに対するＯＰＣ処理を、分散処理システム（１）を利用して並列的に実行することが可能となる。その結果、ＯＰＣ処理に要する時間が全体として削減される。
【００１５】
更に、本発明によれば、各処理領域（４０）において、異常部分（Ｐｂ）を含む異常図形（Ｐ４）からその異常部分（Ｐｂ）が除去される。異常部分（Ｐｂ）とは、領域分割の際に図形が分断されることにより発生する、設計基準に違反する部分である。例えば、異常部分（Ｐｂ）は、設計基準よりも幅の小さい細配線である。もし、そのような細い配線が除去されなければ、その細い配線が正常な配線として形成されるように、ＯＰＣ処理において大きな補正が行われるはずである。これは、ＯＰＣ処理の収束性の悪化を意味し、ＯＰＣ処理時間の増大を招く。しかしながら、本発明によれば、そのような異常部分（Ｐｂ）が予め除去された後に、ＯＰＣ処理が実行される。収束性の悪い部分が予め削除されるため、ＯＰＣ処理時間が削減される。
【００１６】
このように、本発明によれば、分散処理を実現するために半導体集積回路のレイアウト（１０）が分割され、更に、各処理領域（４０）において異常図形（Ｐ４）がＯＰＣ処理に適した形状に最適化される。その結果、ＯＰＣ処理の効率が全体として向上する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＯＰＣ処理の効率が向上し、ＯＰＣ処理に要する時間を削減することが可能となる。その結果、半導体集積回路の微細化・高集積化が進んでも、設計から製造までの時間の増加が抑制され、製造コストの増大が抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係るＯＰＣ処理、マスクデータの作成方法、及びマスクの製造方法を説明する。
【００１９】
１．システム構成
図１は、本実施の形態に係るマスクデータ作成システム１の構成を概略的に示している。マスクデータ作成システム１は、レイアウトデータＬＡＹを読み込み、ＯＰＣ処理を実行し、マスクデータＭＳＫを作成する。レイアウトデータＬＡＹは、半導体集積回路（設計回路）のレイアウトを示しており、周知の自動レイアウトツールによって作成される。マスクデータＭＳＫは、電子ビーム描画装置（ＥＢ描画装置）１００が認識可能なフォーマットを有するＥＢデータである。
【００２０】
より詳細には、本実施の形態に係るマスクデータ作成システム１は、分散処理システム（DPS: Distributed Processing System）であり、ＯＰＣ処理を分散並列的に実行することが可能である。図１に示されるように、マスクデータ作成システム１は、管理マシン２と複数の分散マシン３を備えている。管理マシン２と複数の分散マシン３は、ネットワークを介して互いに接続されている。複数の分散マシン３は、ＯＰＣ処理を分散並列的に実行し、管理マシン２は、その分散処理を管理する。
【００２１】
各マシンは、プロセッサ、記憶装置、入出力インタフェース等を備えている。各マシンの記憶装置には、マスクデータ作成プログラムやデザインルールファイルが格納されている。デザインルールファイルは、プロセスの設計基準（Design Rule）を示すファイルである。マスクデータ作成プログラムは、各マシンのプロセッサによって実行されるソフトウエアである。マスクデータ作成プログラムは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されていてもよい。その場合、各マシンは、マスクデータ作成プログラムを記録媒体から読み込む。各マシンがマスクデータ作成プログラムを実行することにより、次に示される「マスクデータ作成処理」が実現される。
【００２２】
２．処理フロー
２−１．概略
図２は、本実施の形態に係るマスクデータ作成処理及びマスク製造方法を示すフローチャートである。図１及び図２を参照して、本実施の形態に係るマスクデータ作成処理及びマスク製造方法の概略を説明する。
【００２３】
ステップＳ１０：ＯＰＣ前処理
ＯＰＣ処理の前に、まず、管理マシン２によってＯＰＣ前処理が実行される。まず、管理マシン２は、設計回路のレイアウトデータＬＡＹを受け取る。そして、複数の分散マシン３による分散処理を実現するために、管理マシン２は、レイアウトデータＬＡＹが示すレイアウト（レイアウト領域）を複数の単位領域に分割する（ステップＳ１１）。
【００２４】
図３は、レイアウト領域の分割の一例を示している。図３において、レイアウトデータＬＡＹで示される設計回路のある層のレイアウト領域１０が示されている。そのレイアウト領域１０が、複数の単位領域２０に分割されている。各単位領域２０は、同じ形状を有している。例えば、各単位領域２０は、一辺の長さが実デバイスの長さ５００μｍに相当する正方形である。図１に示されたある１つの分散マシン３−１が、１つの単位領域２０−１のＯＰＣ処理を担当する。同様に、分散マシン３−２、３−３のそれぞれが、単位領域２０−２、２０−３のＯＰＣ処理を担当する。
【００２５】
但し実際には、各分散マシン３は、１つの単位領域２０よりも大きい領域に対してＯＰＣ処理を実行する。その理由の１つは、隣接する単位領域２０間で、ＯＰＣ処理の結果を互いに整合させるためである。つまり、本実施の形態では分散処理が行なわれるため、隣接する単位領域２０間で整合性が保たれるように、余白も含めてＯＰＣ処理を行なうことが好適である。他の理由は、フォトリソグラフィ時に単位領域２０に対して光学的に影響を与え得る領域は、その単位領域２０よりも大きいことである。フォトリソグラフィ時、光の屈折や散乱のため、ある単位領域２０の周囲の領域に対する露光は、その単位領域２０にも影響を及ぼす。従って、光学的な影響が及ぶ全ての範囲を考慮して、ＯＰＣ補正を行うことが好適である。
【００２６】
図４は、１つの分散マシン３がＯＰＣ処理を行なう対象である「処理領域４０」を示している。図４において、単位領域２０に対して光学的に影響を与え得る領域は、光学的影響領域３０として示されている。光学的影響領域３０は、単位領域２０を包含する領域である。例えば、光学的影響領域３０は、単位領域２０よりも幅２λ（λはフォトリソグラフィ時に用いられる光の波長）だけ大きい。本実施の形態において、処理領域４０は、少なくともこの光学的影響領域３０よりも大きくなうように設定される。例えば、処理領域４０は、単位領域２０よりも幅５λだけ大きい。このように、処理領域４０は、単位領域２０を包含し、更に、光学的影響領域３０をも包含する。
【００２７】
管理マシン２は、複数の単位領域２０の各々に関して処理領域４０を規定する（ステップＳ１２）。その結果、複数の単位領域２０のそれぞれに対応する複数の処理領域４０が規定される。隣接する単位領域２０に関して、処理領域４０同士はオーバラップすることになる。それぞれの処理領域４０に対するＯＰＣ処理結果を統合することにより、隣接する単位領域２０間で整合性が保たれる。規定された処理領域４０を示すデータは、以下、「処理領域データＤＬ」と参照される。管理マシン２は、レイアウトデータＬＡＹから、複数の単位領域２０のそれぞれに対応する複数の処理領域データＤＬを作成すると言える。複数の処理領域データＤＬのそれぞれは、複数の分散マシン３のそれぞれが処理する処理領域４０を示している。
【００２８】
ステップＳ２０：処理領域データの分配
分散マシン３は、少なくとも単位領域２０の数だけ確保される。管理マシン２は、作成された複数の処理領域データＤＬを、複数の分散マシン３のそれぞれに配布する。図１において、処理領域データＤＬ１〜ＤＬ３が、分散マシン３−１〜３−３のそれぞれに配布されている。
【００２９】
ステップＳ３０：分散ＯＰＣ処理
複数の分散マシン３によって、ＯＰＣ処理が並列的に実行される。各分散マシン３は、受け取った１つの処理領域データＤＬが示す１つの処理領域４０に対して、ＯＰＣ処理やフラクチャリング処理を実行する。詳しい処理内容は、後述される。結果として、各分散マシン３は、１つの処理領域４０のマスクデータである「単位マスクデータＤＭ」を作成する。例えば、分散マシン３−１は、単位マスクデータＤＭ１を作成する。同様に、分散マシン３−２、３−３は、単位マスクデータＤＭ２、ＤＭ３を作成する。各分散マシン３は、作成した単位マスクデータＤＭを管理マシン２に送信する。
【００３０】
ステップＳ４０：統合処理
管理マシン２は、複数の分散マシン３のそれぞれによって分散並列的に作成された複数の単位マスクデータＤＭを受け取る。そして、管理マシン２は、それら複数の単位マスクデータＤＭを統合することにより、設計回路のマスクデータＭＳＫを作成する。
【００３１】
ステップＳ５０：マスク製造
マスクデータＭＳＫは、ＥＢ描画装置１００に転送される。ＥＢ描画装置１００は、そのマスクデータＭＳＫを参照して、設計回路のマスク（レチクル）を製造する。そのマスクを用いることにより、設計回路が製造される。
【００３２】
２−２．ＯＰＣ処理
次に、図５及び図６を参照して、各分散マシン３によって実行されるＯＰＣ処理、すなわち、上記ステップＳ３０を詳細に説明する。図５は、１つの分散マシン３によって実行される１回のＯＰＣ処理を示すフローチャートである。図６は、１つの分散マシン３が扱う１つの処理領域４０の例である。上述の通り、処理領域４０は、単位領域２０や光学的影響領域３０を包含している。例えば、処理領域４０は、単位領域２０よりも幅５λだけ大きく、光学的影響領域３０は、単位領域２０よりも幅２λだけ大きい（図４参照）。
【００３３】
まず、分散マシン３は、受け取った処理領域データＤＬで示される処理領域４０から、光学的影響領域３０を抽出する（ステップＳ３１）。波長λは、分散マシン３の記憶装置に格納された所定のファイルに示されている。波長λは、デザインルールファイルに示されていてもよい。分散マシン３は、波長λに基づいて、処理領域４０に含まれる光学的影響領域３０を認識（特定）することができる。図６において、処理領域４０と光学的影響領域３０との差分は、「境界領域５０」として示されている。境界領域５０は、光学的影響領域３０の周囲に存在する領域であり、単位領域２０に対して光学的に影響を及ぼさない。このように、分散マシン３は、処理領域４０を、光学的影響領域３０と境界領域５０とに区分けする。
【００３４】
次に、分散マシン３は、処理領域４０に含まれる図形（パターン）の各々を解析する（ステップＳ３２）。図６においては、例として、４つの図形Ｐ１〜Ｐ４が示されている。図形Ｐ１は、光学的影響領域３０に完全に含まれており、境界領域５０には重なっていない。図形Ｐ２は、光学的影響領域３０にも境界領域５０にも重なっている。図形Ｐ３は、境界領域５０にだけ含まれており、光学的影響領域３０には重なっていない。このような図形は、以下「境界図形」と参照される。図形Ｐ４は、処理領域４０の境界によって分断されており、その一部の幅が細くなっている。従って、その細い部分は、設計基準を満たしていない。このような設計基準に違反する部分を含む図形は、以下「異常図形」と参照される。
【００３５】
分散マシン３は、処理領域４０に含まれる図形を１つずつ解析していく。図形Ｐ１は、光学的影響領域３０に重なっており、境界図形ではない（ステップＳ３３；Ｎｏ）。また、図形Ｐ１は、異常図形ではない（ステップＳ３４；Ｎｏ）。この場合、分散マシン３は、図形Ｐ１に対して、ＯＰＣ処理を実行する（ステップＳ３６）。同様に、図形Ｐ２も、光学的影響領域３０に一部重なっており、境界図形ではない（ステップＳ３３；Ｎｏ）。また、図形Ｐ２は、異常図形ではない（ステップＳ３４；Ｎｏ）。従って、分散マシン３は、図形Ｐ２に対して、ＯＰＣ処理を実行する（ステップＳ３６）。尚、各図形のＯＰＣ処理時においては、周辺に存在する図形も参照される。
【００３６】
図形Ｐ３は、境界図形である（ステップＳ３３；Ｙｅｓ）。つまり、図形Ｐ３は、単位領域２０に対して直接には光学的影響を及ぼさない。従って、図形Ｐ３に対するＯＰＣ処理は不要であり、分散マシン３は、図形Ｐ３をＯＰＣ処理の対象から除外する。その結果、ＯＰＣ処理時間が短縮される。但し、図形Ｐ３は、他の図形に対するＯＰＣ処理時には参照される。すなわち、境界図形Ｐ３は、ＯＰＣ処理の対象とはならないが、参照される対象にはなる。ここで、「参照」とは、ＯＰＣ処理のコードに組み込まれることを意味する。例えば、上記図形Ｐ２に対するＯＰＣ処理時、境界図形Ｐ３が参照される場合と参照されない場合とでは、そのＯＰＣ処理の結果が異なってくる。高精度の補正を実現するためには、境界図形Ｐ３であっても参照されることが好適である。境界図形をＯＰＣ処理の対象から外し、且つ、他の図形に対するＯＰＣ処理時に参照することによって、ＯＰＣ処理時間の短縮とＯＰＣ精度の向上とを両立させることが可能となる。
【００３７】
図形Ｐ４は、少なくとも光学的影響領域３０に重なっており、境界図形ではない（ステップＳ３３；Ｎｏ）。従って、図形Ｐ４は、ＯＰＣ処理の対象となる。しかしながら、図形Ｐ４は、処理領域４０の境界によって分断されており、異常図形となっている（ステップＳ３４；Ｙｅｓ）。その場合、図７に示されるような特殊な処理が実行される。
【００３８】
図７を参照して、図形Ｐ４は、幅Ｗａを有する部分Ｐａと、幅Ｗｂを有する部分Ｐｂに区分され得る。図形が分断されているせいで、幅Ｗｂは、設計基準で規定された配線幅よりも小さくなっている。このように設計基準に違反する部分Ｐｂは、以下「異常部分」と参照される。分散マシン３は、記憶装置に格納されたデザインルールファイルを参照することにより、処理領域４０に含まれる異常図形Ｐ４を検出し、異常部分Ｐｂを抽出することが可能である。その場合、分散マシン３は、異常図形Ｐ４から異常部分Ｐｂを除去する（ステップＳ３５）。結果として、設計基準に適合する図形Ｐ４’が得られる。その後、分散マシン３は、その図形Ｐ４’に対してＯＰＣ処理を実行する（ステップＳ３６）。結果として、ＯＰＣ処理後のレイアウトであるＯＰＣレイアウトＰＣ４が得られる。
【００３９】
もし、異常部分Ｐｂが除去されなければ、その設計基準に違反している細い部分が正常な配線として形成されるように、ＯＰＣ処理において大きな補正が行われるはずである。これは、ＯＰＣ処理の収束性の悪化を意味し、ＯＰＣ処理時間の増大を招く。しかしながら、本実施の形態によれば、異常部分Ｐｂが予め除去された後に、ＯＰＣ処理が実行される。言い換えれば、収束性の悪い部分が予め削除され、異常図形Ｐ４がＯＰＣ処理に適した形状に最適化される。このように、異常図形Ｐ４に関しては最適化の後にＯＰＣ処理が実行されるため、ＯＰＣ処理の効率が向上し、ＯＰＣ処理時間が低減される。
【００４０】
処理領域４０中にまだ処理されていない図形が残っている場合（ステップＳ３７；Ｎｏ）、処理はステップＳ３２に戻り、他の図形が選択される。処理領域４０に含まれる全ての図形に対する処理が完了すると（ステップＳ３７；Ｙｅｓ）、当該処理領域４０のＯＰＣレイアウトを示すＯＰＣ処理後データが完成する（ステップＳ３８）。ＯＰＣレイアウトは、当該処理領域４０に対するＯＰＣ処理の結果得られる、補正後のレイアウトである。
【００４１】
図８は、図６で示されたレイアウトに対応するＯＰＣレイアウトの一例を示している。図６中のパターンＰ１は、補正の結果、パターンＰＣ１となっている。パターンＰ２は、補正の結果、パターンＰＣ２となっている。パターンＰ３は、補正されていない。パターンＰ４は、補正の結果、パターンＰＣ４となっている。尚、除去された異常部分Ｐｂの周辺に関しては、隣接する単位領域２０に対するＯＰＣ処理時に、正常に処理される。
【００４２】
続いて、分散マシン３は、作成されたＯＰＣ処理後データに対してフラクチャリング処理を実行し、ＥＢ描画が可能な矩形データの集合に分解する（ステップＳ３９）。その結果、ＯＰＣ処理後データは、ＥＢ描画装置１００が判読可能なフォーマットを有する単位マスクデータＤＭに変換される。単位マスクデータＤＭは、単一の処理領域４０に関するマスクデータである。このように、本実施の形態によれば、１回の分散処理で、ＯＰＣとマスクデータ変換が連続して実行される。分散マシン３は、作成された単位マスクデータＤＭを、管理マシン２に返送する。
【００４３】
以上に説明されたように、本実施の形態によれば、複数の単位領域２０、すなわち複数の処理領域４０のそれぞれに関して、ＯＰＣ処理が並列的に実行される。その結果、複数の処理領域４０のそれぞれに対応する複数のＯＰＣレイアウトが並列的に作成される。更に、複数のＯＰＣレイアウトのそれぞれに対し、フラクチャリング処理が並列的に実行される。結果として、複数のＯＰＣ処理後データのそれぞれが、複数の単位マスクデータＤＭに並列的に変換される。そして、それら複数の単位マスクデータＤＭが統合され、設計回路のマスクデータＭＳＫが作成される。
【００４４】
３．効果
本実施の形態によれば、半導体集積回路のレイアウトから複数の処理領域４０が生成される。従って、複数の処理領域４０のそれぞれに対するＯＰＣ処理を、分散処理システム１を利用して並列的に実行することが可能となる。その結果、ＯＰＣ処理に要する時間が全体として削減される。
【００４５】
レイアウトが分割される結果、上述の通り、１つの処理領域４０中に異常部分Ｐｂを含む異常図形Ｐ４が発生する可能性がある。そこで、本実施の形態によれば、そのような異常図形Ｐ４から異常部分Ｐｂが除去された後に、ＯＰＣ処理が実行される。言い換えれば、異常図形Ｐ４が最適化された後に、ＯＰＣ処理が実行される。従って、計算の収束性が向上し、ＯＰＣ処理の効率が向上する。これによっても、ＯＰＣ処理時間が削減される。
【００４６】
また、本実施の形態によれば、光学的影響領域３０に重ならない境界図形Ｐ３は、ＯＰＣ処理の対象から外される。但し、そのような境界図形Ｐ３でも、他の図形に対するＯＰＣ処理時には参照される。その結果、ＯＰＣ処理時間の短縮とＯＰＣ精度の向上とを両立させることが可能となる。
【００４７】
更に、本実施の形態によれば、１つの分散マシン３による１回の分散処理で、ＯＰＣとフラクチャリングが連続して実行される。これにより、マスクデータ作成処理が全体として効率化される。比較として、ＯＰＣ処理後データの完成後、そのＯＰＣ処理後データが管理サーバ２に送られる場合を考える。その場合、管理サーバ２は、複数の分散マシン３のそれぞれが作成した複数のＯＰＣ処理後データを統合して、中間レイアウトを一旦作成する。そして、その中間レイアウトが再度分割され、複数の分散マシン３によってフラクチャリング処理が並列的に実行される。しかし、これは冗長であり、処理時間が全体として長くなる。本実施の形態によれば、処理が合理化されており、中間レイアウトを作成する必要がない。従って、マスクデータ作成処理に要する時間が短縮される。
【００４８】
以上に説明されたように、本実施の形態によれば、ＯＰＣ処理及びマスクデータ作成処理の効率が全体として向上する。つまり、ＯＰＣ処理及びマスクデータ作成処理に要する時間が全体として短縮される。例えば９０ｎｍ以降のプロセスで、処理時間は３０％〜４０％短縮されると考えられる。その結果、半導体集積回路の微細化・高集積化が進んでも、設計から製造までの時間の増加が抑制され、製造コストの増大が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るマスクデータ作成システムの構成を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る半導体集積回路のマスク製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図３は、単位領域を説明するための概念図である。
【図４】図４は、処理領域を説明するための概念図である。
【図５】図５は、１回のＯＰＣ処理を示すフローチャートである。
【図６】図６は、ＯＰＣ処理を説明するための概念図である。
【図７】図７は、異常図形に対するＯＰＣ処理を示す概念図である。
【図８】図８は、ＯＰＣ処理の結果作成されるＯＰＣレイアウトを示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１    マスクデータ作成システム
２    管理マシン
３    分散マシン
１０    レイアウト領域
２０    単位領域
３０    光学的影響領域
４０    処理領域
５０    境界領域
１００    ＥＢ描画装置
ＬＡＹ    レイアウトデータ
ＭＳＫ    マスクデータ
ＤＬ    処理領域データ
ＤＭ    単位マスクデータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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