(57)【要約】【課題】樹脂成形体の１つ当たりのパッケージ数が多くても、樹脂成形体が変形し難く、不良が発生し難い樹脂成形体を提供する。【解決手段】各パッケージ１１ａの境界に沿って、樹脂成形体１１の厚みの途中までスリット１３を形成しているので、樹脂成形体１１の硬化収縮や、樹脂成形体１１とリードフレーム１２との間の線膨張係数の差により、樹脂成形体１１に応力が生じても、この応力が各パッケージ１１ａ間のスリット１３により緩和され、樹脂成形体１１の反りが発生しない。ダイボンドやワイヤボンド等の工程では、樹脂成形体１１の反りや変形がないため、樹脂成形体１１を定位置に容易に位置決めすることができ、また大きな光透過板を樹脂成形体１１全体に貼り付けても、樹脂成形体１１と光透過板間に隙間が形成されない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリードフレーム又は複数の回路基板を包含する合成樹脂のインサート成形により、リードフレーム又は回路基板をそれぞれ含む複数のパッケージの集合として形成された樹脂成形体であって、
前記各パッケージの境界に沿って、前記樹脂成形体の厚みの途中までスリットを形成したことを特徴とする樹脂成形体。
【請求項２】
前記スリットの幅は、前記樹脂成形体を切断して前記各パッケージに分割するために使用されるブレードの幅よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載の樹脂成形体。
【請求項３】
複数のリードフレーム又は複数の回路基板を包含する合成樹脂のインサート成形により、リードフレーム又は回路基板をそれぞれ含む複数のパッケージの集合である樹脂成形体を形成する工程と、
前記各パッケージの境界に沿って、前記樹脂成形体の厚みの途中までスリットを形成する工程と、
前記各パッケージにそれぞれの半導体チップを収容して、該各パッケージのリードフレーム又は回路基板にそれぞれの半導体チップを搭載し接続する工程と、
前記各パッケージの開口部に光透過板を貼り付けて、該各パッケージの半導体チップを封止する工程と、
前記各パッケージの境界に沿って前記樹脂成形体を切断して、該各パッケージを分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項４】
複数のリードフレーム又は複数の回路基板を包含する合成樹脂のインサート成形により、リードフレーム又は回路基板をそれぞれ含む複数のパッケージの集合である樹脂成形体を形成する工程と、
前記各パッケージの境界に沿って、前記樹脂成形体の厚みの途中までスリットを形成する工程と、
前記各パッケージにそれぞれの半導体チップを収容して、該各パッケージのリードフレーム又は回路基板にそれぞれの半導体チップを搭載し接続する工程と、
前記各パッケージに樹脂をそれぞれ滴下して、該各パッケージの半導体チップを樹脂封止する工程と、
前記各パッケージの境界に沿って前記樹脂成形体を切断して、該各パッケージを分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項５】
前記スリットの幅は、前記樹脂成形体を切断して前記各パッケージに分割するために使用されるブレードの幅よりも狭いことを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、それぞれの半導体チップが搭載される複数のリードフレーム又は複数の回路基板を包含する合成樹脂のインサート成形により形成された樹脂成形体及び半導体装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光センサや光ピックアップなどの半導体チップは、パッケージに封止され、半導体装置として提供される。
【０００３】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、光透過板を用いて、半導体チップをパッケージに封止した半導体装置を例示する断面図、平面図、底面図である。尚、図４（ｂ）においては、光透過板を取り去った状態を示している。
【０００４】
この半導体装置４０は、リードフレーム４１を包含する合成樹脂のインサート成形により形成された矩形枠状のパッケージ４２に半導体チップ４４を収容し、リードフレーム４１のチップ搭載箇所４１ａに半導体チップ４４を搭載して固着し（ダイボンド）、半導体チップ４４とリードフレーム４１の内部端子４１ｂとをボンディングワイヤ４５を介して接続し（ワイヤボンド）、パッケージ４２の開口部４２ａに光透過板４３を接着して、パッケージ４２に半導体チップ４４を封止したものである。
【０００５】
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、透光性樹脂を滴下して、半導体チップをパッケージに封止した半導体装置を例示する断面図、平面図、底面図である。
【０００６】
この半導体装置５０は、リードフレーム５１を包含する合成樹脂のインサート成形により形成された矩形枠状のパッケージ５２に半導体チップ５４を収容し、リードフレーム５１のチップ搭載箇所５１ａに半導体チップ５４を搭載して固着し（ダイボンド）、半導体チップ５４とリードフレーム５１の内部端子５１ｂとをボンディングワイヤ５５を介して接続し（ワイヤボンド）、パッケージ５２の開口部５２ａにエポキシ樹脂などの液状樹脂を滴下（ポッティング）し、オーブン等により液状樹脂を加熱硬化させて、パッケージ５２に半導体チップ５４を樹脂封止したものである。
【０００７】
この様な半導体装置は、その量産工程で複数のものが一括して生産される。具体的には、複数のリードフレーム又は複数の回路基板を包含する合成樹脂のインサート成形により、リードフレーム又は回路基板をそれぞれ含む複数のパッケージの集合である樹脂成形体を形成し、各パッケージにそれぞれの半導体チップを収容し、各パッケージのリードフレーム又は回路基板にそれぞれの半導体チップを搭載して接続し、各パッケージの開口部に光透過板を貼り付けて、該各パッケージの半導体チップを封止する。従って、複数のパッケージの集合である樹脂成形体の状態で、各パッケージのリードフレーム又は回路基板にそれぞれの半導体チップを搭載して封止する（特許文献１、２等を参照）。
【０００８】
あるいは、各パッケージの開口部に光透過板を貼り付ける代わりに、各パッケージに透光性樹脂を滴下して、それぞれの半導体チップを封止する。
【０００９】
こうして複数のパッケージの集合である樹脂成形体の状態で、各パッケージにそれぞれの半導体チップを封止した後に、樹脂成形体をダイシングにより切断して各パッケージに分割する。
【特許文献１】特開２００２−１１８１９１号公報
【特許文献２】特許第３８３８５７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記従来の様に複数のパッケージの集合である樹脂成形体の状態で、複数の半導体装置を量産する場合は、樹脂成形体の硬化収縮や、樹脂成形体とリードフレーム又は回路基板との間の線膨張係数の差により、樹脂成形体に反りなどの変形が発生し易かった。また、樹脂成形体の１つ当たりのパッケージ数が多くなって、樹脂成形体の面積が広くなる程、反りによる樹脂成形体の変形量が大きくなった。
【００１１】
そして、この様に樹脂成形体が変形すると、ダイボンドやワイヤボンド等の工程で樹脂成形体を定位置に位置決めすることが困難になり、ダイボンドやワイヤボンド等の不良が発生した。あるいは、図４に示す様に光透過板を用いて、半導体チップを封止する場合は、大きな光透過板を樹脂成形体全体に貼り付けて、該樹脂成形体の各パッケージの開口部を封止することから、樹脂成形体が少しでも変形すると、樹脂成形体と光透過板間に隙間が形成され、封止不良が発生した。
【００１２】
このため、例えば量産工程の初期の段階で、樹脂成形体を切断して複数のパッケージに分割してしまい、この後に、それぞれのパッケージにダイボンドやワイヤボンド等の工程を施すことが考えられる。
【００１３】
しかしながら、このように樹脂成形体を複数のパッケージに分割してから、それぞれのパッケージにダイボンドやワイヤボンド等の工程を施す場合は、多数のパッケージを専用の位置決め冶具などに並び替えて固定する必要があり、この作業に要する時間が増大して、製品のコストが高くなる。また、多数のパッケージの位置精度を同時に出すのが困難であり、パッケージの自動認識が難しくなるなどの問題が発生して、製品の歩留りが悪化する。
【００１４】
あるいは、樹脂成形体の１つ当たりのパッケージ数を少なくして、樹脂成形体の面積を狭くし、反りによる樹脂成形体の変形量を小さくすることが考えられる。
【００１５】
ところが、樹脂成形体の１つ当たりのパッケージ数を少なくすると、材料費が高くなり、製品のコストが高くなる。また、光透過板を一括で貼り付けするときに、一度に処理されるパケットの数が減り、やはりコストが高くなる。
【００１６】
そこで、本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたものであり、樹脂成形体の１つ当たりのパッケージ数が多くても、樹脂成形体が変形し難く、不良が発生し難い樹脂成形体及び半導体装置製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の樹脂成形体は、複数のリードフレーム又は複数の回路基板を包含する合成樹脂のインサート成形により、リードフレーム又は回路基板をそれぞれ含む複数のパッケージの集合として形成された樹脂成形体であって、前記各パッケージの境界に沿って、前記樹脂成形体の厚みの途中までスリットを形成している。
【００１８】
また、前記スリットの幅は、前記樹脂成形体を切断して前記各パッケージに分割するために使用されるブレードの幅よりも狭くされている。
【００１９】
次に、本発明の半導体装置製造方法は、複数のリードフレーム又は複数の回路基板を包含する合成樹脂のインサート成形により、リードフレーム又は回路基板をそれぞれ含む複数のパッケージの集合である樹脂成形体を形成する工程と、前記各パッケージの境界に沿って、前記樹脂成形体の厚みの途中までスリットを形成する工程と、前記各パッケージにそれぞれの半導体チップを収容して、該各パッケージのリードフレーム又は回路基板にそれぞれの半導体チップを搭載し接続する工程と、前記各パッケージの開口部に光透過板を貼り付けて、該各パッケージの半導体チップを封止する工程と、前記各パッケージの境界に沿って前記樹脂成形体を切断して、該各パッケージを分離する工程とを含んでいる。
【００２０】
また、本発明の半導体装置製造方法は、複数のリードフレーム又は複数の回路基板を包含する合成樹脂のインサート成形により、リードフレーム又は回路基板をそれぞれ含む複数のパッケージの集合である樹脂成形体を形成する工程と、前記各パッケージの境界に沿って、前記樹脂成形体の厚みの途中までスリットを形成する工程と、前記各パッケージにそれぞれの半導体チップを収容して、該各パッケージのリードフレーム又は回路基板にそれぞれの半導体チップを搭載し接続する工程と、前記各パッケージに樹脂をそれぞれ滴下して、該各パッケージの半導体チップを樹脂封止する工程と、前記各パッケージの境界に沿って前記樹脂成形体を切断して、該各パッケージを分離する工程とを含んでいる。
【００２１】
更に、前記スリットの幅は、前記樹脂成形体を切断して前記各パッケージに分割するために使用されるブレードの幅よりも狭くされている。
【発明の効果】
【００２２】
この様な本発明の樹脂成形体によれば、各パッケージの境界に沿って、樹脂成形体の厚みの途中までスリットを形成している。樹脂成形体の硬化収縮や、樹脂成形体とリードフレーム又は回路基板との間の線膨張係数の差により、樹脂成形体に応力が生じても、この応力が各パッケージ間のスリットにより緩和されて、樹脂成形体の反りが発生し難くなる。樹脂成形体の１つ当たりのパッケージ数が多くなって、樹脂成形体の面積が広くなっても、反りによる樹脂成形体の変形量が大きくなることはない。このため、樹脂成形体の１つ当たりのパッケージ数を多くすることが可能である。また、ダイボンドやワイヤボンド等の工程で樹脂成形体を定位置に容易に位置決めすることができ、大きな光透過板を樹脂成形体全体に貼り付けても、樹脂成形体と光透過板間に隙間が形成されず、不良の発生を未然に防止することができる。
【００２３】
また、スリットの幅が各パッケージを分離するために使用されるブレードの幅よりも狭いので、各パッケージの端面が一様に切削され、各パッケージの切断端面を平坦滑らかに仕上げることができる。仮に、スリットの幅がブレードの幅と同じか広いと、ブレードの僅かなズレもしくはブレに伴い、ブレードが各パッケージの端面に接触したり離間するので、ブレードによる切削痕が各パッケージの切断端面に残ってしまう。
【００２４】
次に、本発明の半導体装置製造方法によれば、各パッケージの境界に沿って、樹脂成形体の厚みの途中までスリットを形成しているので、先に述べた様に樹脂成形体の反りが発生し難くなる。このため、樹脂成形体を定位置に容易に位置決めすることができ、その上で、各パッケージへのそれぞれの半導体チップの収容、各パッケージのリードフレーム又は回路基板へのそれぞれの半導体チップの搭載並びに接続（ダイボンド、ワイヤボンド）、各パッケージの開口部への光透過板の貼り付けや樹脂の滴下によるそれぞれの半導体チップの封止を行うことになるので、ダイボンド、ワイヤボンド等の不良を未然に防止することができ、また大きな光透過板を樹脂成形体全体に貼り付けても、樹脂成形体と光透過板間に隙間が形成されない。
【００２５】
この様な製造方法においても、スリットの幅を各パッケージを分離するために使用されるブレードの幅よりも狭くして、各パッケージの切断端面を滑らかに仕上げることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２７】
図１（ｂ）は本発明の樹脂成形体の第１実施形態を示す平面図であり、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａに沿って破断して示す断面図である。
【００２８】
本実施形態の樹脂成形体１１は、複数のリードフレーム１２を包含する合成樹脂のインサート成形により形成された成形品であって、縦横５個ずつ配列された合計２５個のパッケージ１１ａを含むものである。従って、樹脂成形体１１は、２５個のパッケージ１１ａの集合体であるともいえる。
【００２９】
各パッケージ１１ａは、矩形状であり、それらの上側が開口部１１ｂとなり、それらの底が共通の１枚のベース板１１ｃにより形成されている。
【００３０】
また、パッケージ１１ａ毎に、リードフレーム１２が割振られている。ただし、相互に隣り合う２つのパッケージ１１ａの間には、リードフレーム１２が該各パッケージ１１ａに跨って配置されており、後で述べる様に該各パッケージ１１ａが切断分離されたときに、リードフレーム１２も切断されてそれぞれのパッケージ１１ａに割振られることになる。
【００３１】
更に、各パッケージ１１ａ間の縦横の境界には、スリット１３が形成されている。このスリット１３は、ブレード（図示せず）を用いたダイシングにより形成されたものであって、各パッケージ１１ａの上端面からベース板１１ｃの表面に到達するまでの深さで形成され、よって樹脂成形体１１の途中まで形成されている。また、各パッケージ１１ａの境界を切断して、各パッケージ１１ａを分離するブレード２４の幅ｄ１が０．３ｍｍであるとすると、スリット１３の幅ｄ２をブレード２４の幅ｄ１未満（例えば０．２ｍｍ）に設定している。
【００３２】
この様に各パッケージ１１ａの境界に沿って、樹脂成形体１１の厚みの途中までスリット１３を形成しているので、樹脂成形体１１の硬化収縮や、樹脂成形体１１とリードフレーム１２との間の線膨張係数の差により、樹脂成形体１１に応力が生じても、この応力が各パッケージ１１ａ間のスリット１３により緩和され、樹脂成形体１１の反りが発生しない。
【００３３】
ここでは、スリット１３の深さを各パッケージ１１ａの上端面からベース板１１ｃの表面に到達するまでの深さに設定しているが、樹脂成形体１１の反りをより小さくするために、スリット１３の深さをベース板１１ｃの表面よりも下方に至る深さに設定しても構わない。ただし、樹脂成形体１１全体の強度を保つために、スリット１３が深くなり過ぎないようにするのが好ましい。
【００３４】
各パッケージ１１ａの個数が多くなって、樹脂成形体１１の面積が広くなっても、スリット１１の本数が増え、樹脂成形体１１の単位面積当たりのスリット１１の本数が変わらないので、反りによる樹脂成形体１１の変形量が大きくなることはない。このため、各パッケージ１１ａを２５個以上にすることも可能であり、樹脂成形体１１の１枚当たりの各パッケージ１１ａの個数を増やして、コストダウンを図ることが容易である。
【００３５】
また、スリット１３の幅ｄ２を０．３ｍｍ未満に設定しているので、ブレード２４（幅ｄ１＝０．３ｍｍ）により各パッケージ１１ａの境界を切断して、各パッケージ１１ａを分離するときに、各パッケージ１１ａの端面が一様に切削され、各パッケージ１１ａの切断端面を平坦滑らかに仕上げることができる。
【００３６】
この様な樹脂成形体１１は、そのままダイボンドやワイヤボンド等の工程に搬送されて投入される。ダイボンドやワイヤボンド等の工程では、樹脂成形体１１の反りや変形がないため、樹脂成形体１１を定位置に容易に位置決めすることができ、また後で述べる様に大きな光透過板を樹脂成形体１１全体に貼り付けても、樹脂成形体１１と光透過板間に隙間が形成されず、不良の発生を未然に防止することができ、歩留りの改善やコストダウンを図ることができる。
【００３７】
尚、樹脂成形体１１のスリット１３を形成する方法は、ブレードを用いたダイシングの方法に限らず、他の方法を採用しても構わない。ただし、スリット１３の幅を各パッケージ１１ａを分離するときに用いられるブレードの幅よりも狭くするのが好ましい。例えば、インサート成形用金型の上型キャビティにダムブロックを設け、このダムブロックによりスリットを形成する方法もあるが、ダムブロックの強度を維持するには該ダムブロックの幅を１ｍｍ程度にする必要があって、スリット幅も極めて広くなるので、各パッケージ１１ａを分離するときに、ブレードによる切削痕が各パッケージ１１ａの切断端面に残る。また、スリット幅が広くなると、パッケージ間隔が広がって、樹脂成形体１１の１枚当たりの各パッケージ１１ａの個数が減少する。更に、金型成形に際し、合成樹脂の流れがダムブロックで阻害されて、キャビティ内で気泡の巻き込みなどの不具合が発生し、歩留りが悪化するという欠点がある。
【００３８】
また、本実施形態では、リードフレーム１２を包含する樹脂成形体１１を例示しているが、回路基板を包含する樹脂成形体の場合も、樹脂成形体の硬化収縮や、樹脂成形体と回路基板との間の線膨張係数の差により、樹脂成形体の反りが発生することがあるので、この樹脂成形体にスリットを形成すれば、同様の作用効果を得ることができる。
【００３９】
次に、本発明の半導体製造方法を説明する。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の半導体製造方法の第１実施形態を示す図である。
【００４０】
尚、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａに沿って破断して示す断面図、つまり図１（ａ）の断面図に対応する。
【００４１】
本実施形態の半導体製造方法では、図１（ａ）、（ｂ）の樹脂成形体１１を用い、樹脂成形体１１の各パッケージ１１ａにそれぞれの半導体チップを収容し、各パッケージ１１ａの開口部１１ｂに光透過板を貼り付けて、各パッケージ１１ａの半導体チップを封止している。
【００４２】
まず、図２（ａ）に示す様に樹脂成形体１１のパッケージ１１ａ毎に、パッケージ１１ａの開口部１１ｂを通じて、半導体チップ（光センサ等）２１をパッケージ１１ａに収容し、Ａｇペースト等を用いて、半導体チップ２１をリードフレーム１２のチップ搭載箇所１２ａに搭載して固着し（ダイボンド）、Ａｕワイヤ等のボンディングワイヤ２２を用いて、半導体チップ２１をパッケージ１１ａ内のリードフレーム１２の内部端子１２ｂに接続する（ワイヤボンド）。
【００４３】
この様なダイボンド及びワイヤボンドの工程では、先に述べた様に樹脂成形体１１の反りや変形がないため、樹脂成形体１１を定位置に容易に位置決めすることができ、その上で、各パッケージ１１ａへのそれぞれの半導体チップ２１の収容、各パッケージ１１ａのリードフレーム又は回路基板へのそれぞれの半導体チップの搭載並びに接続（ダイボンド、ワイヤボンド）を行うので、ダイボンド、ワイヤボンド等の不良を未然に防止することができる。
【００４４】
次に、図２（ｂ）に示す様に紫外線や熱に反応して硬化する接着剤を用いて、樹脂成形体１１の各パッケージ１１ａの開口部１１ｂ全てにガラスなどの光透過板２３を貼り付けて、各パッケージ１１ａ内の半導体チップ２１及びボンディングワイヤ２２を封止する。
【００４５】
このとき、樹脂成形体１１の反りや変形がないため、樹脂成形体１１と光透過板２３間に隙間が形成されず、封止不良が発生することはない。
【００４６】
最後に、図２（ｃ）に示す様にブレード２４を用いたダイシングにより、各パッケージ１１ａ間の縦横の境界（スリット１３）に沿って樹脂成形体１１を切断して、各パッケージ１１ａを分離し、各パッケージ１１ａをそれぞれの半導体装置として得る。
【００４７】
このブレード２４の幅ｄ１は、例えば０．３ｍｍであり、スリット１３の幅ｄ２よりも広くされている。このため、各パッケージ１１ａの端面が一様に切削され、各パッケージ１１ａの切断端面が平坦滑らかに仕上げられる。仮に、ブレード２４の幅ｄ１がスリット１３の幅ｄ２と同じか狭いと、ブレード２４の僅かなズレもしくはブレに伴い、ブレード２４が各パッケージ１１ａの端面に接触したり離間するので、ブレード２４による切削痕が各パッケージ１１ａの切断端面に残ってしまう。
【００４８】
このブレード２４を用いたダイシングに際しては、樹脂成形体１１の裏側にダイシングシート（図示せず）を貼り付けて、図２（ｃ）に示す様に光透過板２３側からダイシングしても良いし、逆に、光透過板２３の表側にダイシングシートを貼り付けて、樹脂成形体１１側からダイシングしても良い。
【００４９】
尚、本実施形態の半導体製造方法では、リードフレーム１２を包含する樹脂成形体１１を例示しているが、回路基板を包含する樹脂成形体を適用し、同様の手順で半導体装置を製造する場合でも、同様の作用効果を得ることができる。
【００５０】
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の半導体製造方法の第２実施形態を示す図である。
【００５１】
尚、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａに沿って破断して示す断面図、つまり図１（ａ）の断面図に対応する。
【００５２】
本実施形態の半導体製造方法では、図１（ａ）、（ｂ）の樹脂成形体１１を用い、樹脂成形体１１の各パッケージ１１ａにそれぞれの半導体チップを収容し、各パッケージ１１ａに透光性を有する合成樹脂を滴下して、各パッケージ１１ａの半導体チップを樹脂封止している。
【００５３】
まず、図３（ａ）に示す様に樹脂成形体１１のパッケージ１１ａ毎に、パッケージ１１ａの開口部１１ｂを通じて、半導体チップ２１をパッケージ１１ａに収容し、半導体チップ２１をリードフレーム１２のチップ搭載箇所１２ａに搭載して固着し（ダイボンド）、ボンディングワイヤ２２を用いて、半導体チップ２１をパッケージ１１ａ内のリードフレーム１２の内部端子１２ｂに接続する（ワイヤボンド）。
【００５４】
この様なダイボンド及びワイヤボンドの工程では、先に述べた様に樹脂成形体１１の反りや変形がないため、樹脂成形体１１を定位置に容易に位置決めすることができ、ダイボンド、ワイヤボンド等の不良を未然に防止することができる。
【００５５】
次に、図３（ｂ）に示す様に樹脂成形体１１のパッケージ１１ａ毎に、パッケージ１１ａの開口部１１ｂを通じて、透光性を有するエポキシ樹脂等の液状樹脂をパッケージ１１ａに滴下して、液状樹脂２５によりパッケージ１１ａ内の半導体チップ２１及びボンディングワイヤ２２を被覆する。そして、オーブンキュアにより液状樹脂２５を硬化させて、液状樹脂２５により半導体チップ２１及びボンディングワイヤ２２を樹脂封止する。
【００５６】
最後に、図３（ｃ）に示す様にブレード２４を用いたダイシングにより、各パッケージ１１ａ間の縦横の境界（スリット１３）に沿って樹脂成形体１１を切断して、各パッケージ１１ａを分離し、各パッケージ１１ａをそれぞれの半導体装置として得る。
【００５７】
このブレード２４の幅は、スリット１３の幅ｄ２よりも広くされている。このため、各パッケージ１１ａの端面が一様に切削され、各パッケージ１１ａの切断端面が平坦滑らかに仕上げられる。
【００５８】
このとき、樹脂成形体１１の裏側にダイシングシート（図示せず）を貼り付けて、図３（ｃ）に示す様に光透過板２３側からダイシングしても良いし、逆に、光透過板２３の表側にダイシングシートを貼り付けて、樹脂成形体１１側からダイシングしても良い。
【００５９】
尚、本実施形態の半導体製造方法では、リードフレーム１２を包含する樹脂成形体１１を例示しているが、回路基板を包含する樹脂成形体を適用し、同様の手順で半導体装置を製造する場合でも、同様の作用効果を得ることができる。
【００６０】
また、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、多様に変形することができる。例えば、パッケージの形状、サイズ、材質、個数等を任意に設定しても良い。あるいは、パッケージ内に封止される半導体チップとして、如何なる種類のものを適用しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】（ｂ）は本発明の樹脂成形体の第１実施形態を示す平面図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａに沿って破断して示す断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の半導体製造方法の第１実施形態を説明するために用いた図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の半導体製造方法の第２実施形態を説明するために用いた図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、光透過板を用いて、半導体チップをパッケージに封止した半導体装置を例示する断面図、平面図、底面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、透光性樹脂を滴下して、半導体チップをパッケージに封止した半導体装置を例示する断面図、平面図、底面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１１  樹脂成形体
１１ａ  パッケージ
１１ｂ  開口部
１１ｃ  ベース板
１２  リードフレーム
１２ａ  チップ搭載箇所
１２ｂ  内部端子
１３  スリット
２１  半導体チップ
２２  ボンディングワイヤ
２３  光透過板
２４  ブレード
２５  液状樹脂
【図１】
2008177440.tif 000003
【図２】
2008177440.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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