(57)【要約】【課題】基板に対して高温処理および回転処理を実施することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】約２００℃のＳＰＭが用いられるＳＰＭ処理時には、基板下保持部２にウエハＷが保持される。基板下保持部２は、ウエハＷの下面を支持するので、ウエハＷの重量以上の力を受けない。ＳＣ１処理時およびスピンドライ時には、基板上保持部３にウエハＷが保持される。ＳＣ１処理およびスピンドライは、ＳＰＭ処理時よりも低温な環境下で実行されるので、基板上保持部３によってウエハＷを強固に保持しても、基板上保持部３の変形を生じない。【選択図】図１
2008235342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
常温よりも高温の流体を用いて基板を処理する高温処理および前記高温処理時よりも低温環境下で基板を回転させて処理する回転処理を実施するための基板処理装置であって、
前記高温処理時に、基板の下面を支持して、基板を保持する高温処理用基板保持手段と、
前記回転処理時に、基板を保持しつつ回転させる回転処理用基板保持手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記回転処理用基板保持手段は、前記高温処理用基板保持手段の上方に対向して配置され、前記高温処理用基板保持手段から上方に離間した離間位置と、前記高温処理用基板保持手段との間で基板を受渡し可能な近接位置とに昇降可能に設けられていることを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記回転処理用基板保持手段は、基板の上面に対向する基板対向面を有した板状のベースと、前記ベースの基板対向面に配設され、基板の周縁と当接して当該基板を挟持するための複数の挟持部材とを備えることを特徴とする、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記高温処理は、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて、基板の上面からレジストを除去する処理であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記高温処理用基板保持手段によって保持される基板の上面に向けて、硫酸を吐出する硫酸ノズルと、
前記高温処理用基板保持手段によって保持される基板の上面に向けて、過酸化水素水を吐出する過水ノズルと、をさらに含むことを特徴とする、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記過水ノズルから吐出される過酸化水素水の吐出方向は、前記硫酸ノズルから吐出される硫酸の吐出方向よりも、鉛直方向に対する傾斜角度が大きいことを特徴とする、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記硫酸ノズルからの硫酸の吐出および吐出停止を切り換えるための硫酸バルブと、
前記過水ノズルからの過酸化水素水の吐出および吐出停止を切り換えるための過水バルブと、
前記硫酸バルブおよび前記過水バルブを制御して、硫酸と過酸化水素水とを、交互に、繰り返し吐出させる制御手段とを、さらに含むことを特徴とする、請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板の下面を支持して、基板を保持する高温処理用基板保持手段と基板を保持しつつ回転させる回転処理用基板保持手段とを備える基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記高温処理用基板保持手段によって保持される基板に対して、常温よりも高温の流体を用いた高温処理を施す高温処理工程と、
前記高温処理用基板保持手段と前記回転処理用基板保持手段との間で基板を受け渡す工程と、
前記高温処理工程時よりも低温な環境下において、前記回転処理用基板保持手段によって基板を回転させて処理する回転処理を実行する回転処理工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記高温処理工程は、基板の上面に向けて硫酸を吐出する硫酸吐出工程と、基板の上面に向けて過酸化水素水を吐出する過水吐出工程とを含み、
前記硫酸吐出工程と前記過水吐出工程とは、交互に、繰り返し実行されることを特徴とする請求項８記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の表面から不要になったレジストを除去するために用いられる基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不所望な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入を所望しない部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを除去するためのレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
この処理の方式としては、複数枚のウエハを一括して処理するバッチ式と、ウエハを１枚ずつ処理する枚葉式とがある。従来は、バッチ式が主流であったが、バッチ式は複数枚のウエハを収容することのできる大きな処理槽を必要とするため、最近では、処理対象のウエハが大型化してきていることもあって、そのような大きな処理槽を必要としない枚葉式が注目されている。
【０００４】
レジスト除去処理を実施するための枚葉式の基板処理装置は、たとえば、ウエハをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャックを備えている。このスピンチャックの代表的なものとして、樹脂製のチャックピンを基板の端面に当接させて、ウエハを挟持する端面挟持型のスピンチャックを挙げることができる。
一方、レジスト除去処理では、スピンチャックに保持されて回転されるウエハの表面に、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸と過酸化水素水の混合液）が供給される。ウエハの表面に供給されたＳＰＭは、ウエハの遠心力を受けて表面の全域に行き渡る。ＳＰＭに含まれるペルオキソー硫酸（Ｈ2ＳＯ5）の強酸化力によって、ウエハの表面からレジストが剥離して除去される。ＳＰＭの供給の終了後は、回転中のウエハの表面に対して、リンス液が供給されて、ウエハの表面に付着したＳＰＭが洗い流される。その後、ウエハの表面のリンス液の液滴が振り切られる回転速度でウエハを回転させるスピンドライが行われる。
【特許文献１】特開２００５−３２８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＳＰＭのレジスト剥離能力を十分に発揮させるためには、ウエハの表面に供給されるＳＰＭが高温（約１７０℃以上）であることが望ましい。
しかしながら、高温のＳＰＭがウエハの表面に供給されると、その高温のために、ウエハを強固に挟持するチャックピンに変形を生じるおそれがある。チャックピンが変形すると、基板を安定して保持することができないため、スピンドライなど、ウエハを比較的高速で回転させて処理する回転処理を実行することはできない。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、基板に対して高温処理および回転処理を実施することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、常温よりも高温の流体を用いて基板（Ｗ）を処理する高温処理および前記高温処理時よりも低温環境下で基板を回転させて処理する回転処理を実施するための基板処理装置であって、前記高温処理時に、基板の下面を支持して、基板を保持する高温処理用基板保持手段（２）と、前記回転処理時に、基板を保持しつつ回転させる回転処理用基板保持手段（３）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
【０００８】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、高温処理時には、高温処理用基板保持手段に基板が保持される。高温処理用基板保持手段は、基板の下面を支持するので、基板の重量以上の力を受けない。そのため、高温処理が実行されても、高温処理用基板保持手段は、変形を生じず、基板を安定して保持し続けることができる。一方、回転処理時には、回転処理用基板保持手段に基板が保持される。回転処理は高温処理時よりも低温な環境下で実行されるので、回転処理用基板保持手段によって基板を強固に保持しても、回転処理用基板保持手段の変形を生じない。したがって、回転処理用基板保持手段では、基板を強固に保持しつつ、その基板を比較的高速で回転させることができる。よって、基板に対して高温処理および回転処理を実施することができる。
【０００９】
請求項２記載の発明は、前記回転処理用基板保持手段は、前記高温処理用基板保持手段の上方に対向して配置され、前記高温処理用基板保持手段から上方に離間した離間位置と、前記高温処理用基板保持手段との間で基板を受渡し可能な近接位置とに昇降可能に設けられていることを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、回転処理用基板保持手段は、高温処理用基板保持手段から上方に離間した離間位置と、高温処理用基板保持手段との間で基板を受渡し可能な近接位置とに昇降可能に設けられている。これにより、高温処理時には、回転処理用基板保持手段を離間位置に配置して、回転処理用基板保持手段が処理動作の邪魔になったり回転処理用基板保持手段が高温の流体の影響を受けたりすることを防止することができる。また、回転処理用基板保持手段を近接位置に配置して、高温処理用基板保持手段と回転処理用基板保持手段との間で基板を受け渡すことができる。
【００１０】
請求項３記載の発明は、前記回転処理用基板保持手段は、基板の上面に対向する基板対向面（３９）を有した板状のベース（４０）と、前記ベースの基板対向面に配設され、基板の周縁と当接して当該基板を挟持するための複数の挟持部材（３７）とを備えることを特徴とする、請求項２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、回転処理用基板保持手段は、複数の挟持部材が基板を挟持することにより、基板を強固に保持することができる。したがって、回転処理用基板保持手段は、回転処理時に基板を比較的高速で回転させることができる。たとえば、基板の表面の液滴が振り切られる回転速度で基板を回転させるスピンドライを実行することもできる。
【００１１】
請求項４記載の発明は、前記高温処理は、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて、基板の上面からレジストを除去する処理であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成では、硫酸と過酸化水素水の混合液（以下、硫酸過酸化水素水）を用いて、基板の上面からレジストが除去される。硫酸過酸化水素水は、その液温が高くなるにつれてレジスト剥離能力が向上する。このため、高温（約１７０℃以上）の硫酸過酸化水素水を基板の上面に供給することにより、その上面に形成されているレジストを良好に除去することができる。
【００１２】
請求項５記載の発明は、前記高温処理用基板保持手段によって保持される基板の上面に向けて、硫酸を吐出する硫酸ノズル（１６）と、前記高温処理用基板保持手段によって保持される基板の上面に向けて、過酸化水素水を吐出する過水ノズル（１７）と、をさらに含むことを特徴とする、請求項４記載の基板処理装置である。
この構成によれば、硫酸ノズルから吐出される硫酸と、過水ノズルから吐出された過酸化水素水とが基板の上面上において混合されて硫酸過酸化水素水が生成される。硫酸過酸化水素水は、液温が高くなるにつれてレジスト剥離能力が向上する。その反面、硫酸過酸化水素水は、液温が高くなるにつれて、硫酸過酸化水素水に含まれるペルオキソー硫酸の減衰による劣化の速度が速くなる。このため、たとえば、ノズルの上流側で硫酸と過酸化水素水とが混合されて硫酸過酸化水素水が生成され、ノズルから約２００℃の高温の硫酸過酸化水素水が吐出される構成では、硫酸過酸化水素水が基板の表面上に達した時点で、硫酸過酸化水素水が十分なペルオキソー硫酸を含まない状態まで劣化しているおそれがある。この場合、基板の上面に形成されたレジストを良好に除去することができない。
【００１３】
これに対し、硫酸と過酸化水素水とを基板の上面上において混合して硫酸過酸化水素水を生成する構成では、その液温が高くても、硫酸過酸化水素水は、劣化する前に、基板の上面に形成されたレジストに作用する。その結果、その基板の上面に形成されているレジストを良好に除去することができる。
請求項６記載の発明は、前記過水ノズルから吐出される過酸化水素水の吐出方向は、前記硫酸ノズルから吐出される硫酸の吐出方向よりも、鉛直方向に対する傾斜角度が大きいことを特徴とする、請求項５記載の基板処理装置である。
【００１４】
この構成では、基板の上面において、過水ノズルから吐出される過酸化水素水を、硫酸ノズルから吐出される硫酸の下方に潜り込ませることができる。そのため、たとえば、過水ノズルからの過酸化水素水の吐出量が硫酸ノズルからの硫酸の吐出量よりも少ない場合に、少量の過酸化水素水を多量の硫酸と良好に接触させることができ、硫酸過酸化水素水を効率よく生成させることができる。
【００１５】
請求項７記載の発明は、前記硫酸ノズルからの硫酸の吐出および吐出停止を切り換えるための硫酸バルブ（２４）と、前記過水ノズルからの過酸化水素水の吐出および吐出停止を切り換えるための過水バルブ（２６）と、前記硫酸バルブおよび前記過水バルブを制御して、硫酸と過酸化水素水とを、交互に、繰り返し吐出させる制御手段（５３）とを、さらに含むことを特徴とする、請求項５または６記載の基板処理装置である。
【００１６】
この構成によれば、基板の上面に、過酸化水素水と硫酸とが、交互に繰り返し供給される。これにより、基板の上面に過酸化水素水の液膜が形成されている状態で、その液膜に硫酸が供給され、また、基板の上面に硫酸の液膜が形成されている状態で、その液膜に過酸化水素水が供給される。そのため、基板の上面において、過酸化水素水と硫酸とを確実に混合させることができる。その結果、硫酸過酸化水素水を効率よく生成させることができる。
【００１７】
請求項８記載の発明は、基板の下面を支持して、基板を保持する高温処理用基板保持手段（２）と基板を保持しつつ回転させる回転処理用基板保持手段（３）とを備える基板処理装置において実行される基板処理方法であって、前記高温処理用基板保持手段によって保持される基板（Ｗ）に対して、常温よりも高温の流体を用いた高温処理を施す高温処理工程（Ｓ１）と、前記高温処理用基板保持手段と前記回転処理用基板保持手段との間で基板を受け渡す工程（Ｓ４）と、前記高温処理工程時よりも低温な環境下において、前記回転処理用基板保持手段によって基板を回転させて処理する回転処理を実行する回転処理工程（Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７）とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００１８】
この方法によれば、請求項１に関連した効果と同様の効果を奏することができる。
請求項９記載の発明は、前記高温処理工程は、基板の上面に向けて硫酸を吐出する硫酸吐出工程と、基板の上面に向けて過酸化水素水を吐出する過水吐出工程とを含み、前記硫酸吐出工程と前記過水吐出工程とは、交互に、繰り返し実行されることを特徴とする請求項８記載の基板処理方法である。
【００１９】
この方法によれば、請求項７に関連した効果と同様の効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウエハＷの表面に不純物を注入するイオン注入処理後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。
【００２１】
処理室１内には、ウエハＷを下方から保持するための基板下保持部２と、基板下保持部２の上方に配置されて、ウエハＷを上方から保持するための基板上保持部３と、基板下保持部２に保持されたウエハＷの表面に対して硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）とを混合して作成されるＳＰＭを供給するためのＳＰＭ用ノズルユニット５と、ウエハＷの表面に対して超音波振動が付与された硫酸を供給するための超音波硫酸ノズル６と、ウエハＷの中央部に向けてＤＩＷ（脱イオン化された純水）を吐出するためのＤＩＷノズル３４とが収容されている。
【００２２】
基板下保持部２は、ウエハＷの裏面（レジストが形成されている表面と反対側の面）を支持するためのプレート４を備えている。
図２は、プレート４の平面図である。プレート４は、たとえば、ウエハＷよりも大径な円板状に形成され、ほぼ水平に配置されている。このプレート４の上面にウエハＷを載置して、ウエハＷをその表面が上方を向いて保持することができる。このプレート４の上面には、図２に示すように、リング状の当接部材７が、プレート４の周縁よりもやや内方位置に配設されている。当接部材７は、たとえば、樹脂製であり、その表面にフッ素樹脂加工が施されている。プレート４の上面にウエハＷを載置すると、ウエハＷの下面（裏面）が当接部材７の上部と当接し、この当接部材７の上部とウエハＷの下面との間に生じる摩擦力によって、ウエハＷは基板下保持部２に保持される。プレート４の上面の周縁には、ウエハＷの周縁に沿う円弧状の複数（図２では、たとえば６つ）のガイド８が、ほぼ等角度間隔で配置されている。これらのガイド８によって、プレート４の上面に載置されたウエハＷの水平方向の移動が規制される。
【００２３】
図１を参照して、プレート４の下面には、鉛直方向に延びる回転軸１０が結合されている。この回転軸１０には、モータなどを含むプレート回転駆動機構１１から回転力が入力されるようになっている。ウエハＷをプレート４の上面に保持した状態で、回転軸１０にプレート回転駆動機構１１から回転力を入力することにより、ウエハＷをプレート４とともに、鉛直軸線周りに回転させることができる。
【００２４】
このように、ウエハＷの裏面と当接部材７の上部との間に生じる摩擦力によって、ウエハＷがプレート４に保持される。このため、当接部材７は、ウエハＷの重量よりも大きな力を受けない。したがって、たとえば約２００℃の高温環境下でウエハＷを保持しても、当接部材７に変形などの不具合が生じることがない。これにより、基板下保持部２は、高温環境下であっても、ウエハＷを安定して保持することができる。
【００２５】
回転軸１０は中空軸となっていて、回転軸１０の内部には、下面供給管１２が挿通されている。下面供給管１２には、アンモニア過水下バルブ１３およびＤＩＷ下バルブ１４を介して、室温のＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）および室温のＤＩＷ（脱イオン化された純水）が、それぞれ供給されるようになっている。下面供給管１２は、基板下保持部２に保持されたウエハＷに近接する位置まで延びており、その先端には、ウエハＷの下面（裏面）の中央部に向けてＳＣ１およびＤＩＷを選択的に吐出する下面ノズル１５が形成されている。
【００２６】
基板上保持部３は、プレート４の上方で、プレート４と対向するスピンベース４０を備えている。スピンベース４０は、ウエハＷよりも大径の円板状のものである。
スピンベース４０は、プレート４の上面に対向する基板対向面３９を下方に向けて配置されている。スピンベース４０の基板対向面３９の周縁部には、ウエハＷの端面と当接して、ウエハＷを挟持するための複数（たとえば、６つ）の挟持ピン３７が、等角度間隔で配設されている。これらの挟持ピン３７は、スピンベース４０が後述する近接位置で、プレート４の周縁に設けられたガイド８と接触しないように、このガイド８と対向しない位置に設けられている。
【００２７】
複数の挟持ピン３７には、挟持ピン駆動機構３８が結合されている。挟持ピン駆動機構３８は、複数の挟持ピン３７を、ウエハＷの端面と当接してウエハＷを挟持することができる挟持位置と、この挟持位置よりもウエハＷの径方向外方の開放位置とに導くことができるようになっている。スピンベース４０の基板対向面３９がウエハＷの上面に対向しつつ、複数の挟持ピン３７によってウエハＷが挟持されることにより、ウエハＷが基板上保持部３に強固に保持される。このため、基板上保持部３は、ウエハＷを保持しつつ、そのウエハを、最大２５００ｒｐｍの回転速度で回転させることができる。
【００２８】
スピンベース４０の上面には、プレート４に取り付けられた回転軸１０と共通の軸線に沿うスピン軸４１が固定されている。スピン軸４１は、ほぼ水平に延びて設けられたスピンベース用アーム４７の先端付近から垂下した状態に取り付けられている。そして、このスピンベース用アーム４７に関連して、スピンベース４０をプレート４の上方に大きく退避した退避位置と、プレート４との間でウエハＷを受渡し可能な近接位置との間で昇降させるためのスピンベース昇降駆動機構４８が設けられている。また、スピンベース用アーム４７に関連して、スピンベース４０をスピン軸４１周りに回転させるためのスピンベース回転駆動機構４９が設けられている。
【００２９】
スピン軸４１は中空に形成されていて、スピン軸４１の内部には、基板上保持部３に保持されたウエハＷの上面の中央部に向けてＳＣ１およびＤＩＷを選択的に吐出する上面ノズル４２が形成されている。上面ノズル４２には、アンモニア過水上バルブ４３およびＤＩＷ上バルブ４４を介して、室温のＳＣ１および室温のＤＩＷが供給されるようになっている。
【００３０】
また、スピン軸４１の内壁面と上面ノズル４２の外壁面との間は、ウエハＷの中央部に向けて不活性ガスとしてのＮ2ガスを供給するためのＮ2流通路４５を形成している。このＮ2流通路４５には、Ｎ2上バルブ４６を介して、室温のＮ2ガスが供給されるようになっている。
超音波硫酸ノズル６は、プレート４の上方でほぼ水平に延びる超音波硫酸用アーム２７の先端に取り付けられている。この超音波硫酸用アーム２７は、プレート４の側方でほぼ鉛直に延びた超音波硫酸用アーム支持軸２８に支持されている。また、超音波硫酸用アーム支持軸２８には、超音波硫酸ノズル駆動機構２９が結合されており、この超音波硫酸ノズル駆動機構２９の駆動力によって、超音波硫酸用アーム支持軸２８を回動させて、超音波硫酸用アーム２７を揺動させることができるようになっている。
【００３１】
超音波硫酸ノズル６には、硫酸供給源からの高濃度（たとえば９８ｗｔ％）の硫酸が供給される第１硫酸供給管３０が接続されている。第１硫酸供給管３０の途中部には、超音波硫酸ノズル６への硫酸の供給および供給停止を切り換えるための超音波硫酸ノズル用硫酸バルブ３１が介装されている。第１硫酸供給管３０に供給される硫酸は、硫酸供給源において室温（約２５℃）程度の液温を有している。
【００３２】
さらに、超音波硫酸ノズル６には、超音波振動発振器５４（図２参照）からの発振信号を受けて、所定の周波数（たとえば、４０〜７５０ｋＨｚ）で振動する超音波振動子３２が組み込まれている。第１硫酸供給管３０から超音波硫酸ノズル６に硫酸が供給されている状態で、超音波振動子３２を振動させることにより、超音波硫酸ノズル６に供給される硫酸に超音波振動を付与することができる。これにより、超音波硫酸ノズル６から、超音波が付与された硫酸を吐出することができる。
【００３３】
ＤＩＷノズル３４は、プレート４の斜め上方において、吐出口をウエハＷの中央部に向けて配置されている。このＤＩＷノズル３４には、ＤＩＷ供給管３５が接続されており、ＤＩＷ供給源からのリンス液としてのＤＩＷがＤＩＷ供給管３５を通して供給されるようになっている。ＤＩＷ供給管３５の途中部には、ＤＩＷノズル３４へのＤＩＷの供給および供給停止を切り換えるためのＤＩＷノズル用ＤＩＷバルブ３６が介装されている。
【００３４】
ＳＰＭ用ノズルユニット５には、基板下保持部２に保持されたウエハＷの上面に対して硫酸を供給するための硫酸ノズル１６と、基板下保持部２に保持されたウエハＷの上面に対して過酸化水素水を供給するための過水ノズル１７と、過水ノズル１７から吐出される過酸化水素水に対してＮ2を吹き付けるためのＮ2ノズル１８と、これら硫酸ノズル１６、過水ノズル１７およびＮ2ノズル１８を上方から保持するブロック１９とが設けられている。
【００３５】
ＳＰＭ用ノズルユニット５は、プレート４の上方でほぼ水平に延びるＳＰＭ用アーム２０の先端に取り付けられている。このＳＰＭ用アーム２０は、プレート４の側方でほぼ鉛直に延びたＳＰＭ用アーム支持軸２１に支持されている。また、ＳＰＭ用アーム支持軸２１には、ＳＰＭ用ノズルユニット駆動機構２２が結合されており、このＳＰＭ用ノズルユニット駆動機構２２の駆動力によって、ＳＰＭ用アーム支持軸２１を回動させて、ＳＰＭ用アーム２０を揺動させることができるようになっている。
【００３６】
硫酸ノズル１６には、硫酸供給源からの高濃度（たとえば９８ｗｔ％）の硫酸が供給される第２硫酸供給管２３が接続されている。第２硫酸供給管２３の途中部には、硫酸ノズル１６への硫酸の供給および供給停止を切り換えるための硫酸ノズル用硫酸バルブ２４が介装されている。第２硫酸供給管２３に供給される硫酸は、硫酸供給源において、その液温が所定の高温（１６０〜１８０℃）に温度調節されている。
【００３７】
過水ノズル１７には、過酸化水素水供給源からの過酸化水素水が供給される過水供給管２５が接続されている。また、過水供給管２５の途中部には、過水ノズル１７への過酸化水素水の供給および供給停止を切り換えるための過水バルブ２６が介装されている。過水供給管２５に供給される過酸化水素水は、室温（約２５℃）程度の液温を有している。
Ｎ2ノズル１８には、Ｎ2供給源からのＮ2ガスが供給されるＮ2供給管５５が接続されている。Ｎ2供給管５５に供給されるＮ2ガスは、室温（約２５℃）程度の温度を有している。また、Ｎ2供給管５５の途中部には、Ｎ2ノズル１８へのＮ2ガスの供給および供給停止を切り換えるためのＮ2ノズル用Ｎ2バルブ５６が介装されている。
【００３８】
図３は、ＳＰＭ用ノズルユニット５の構成を説明するための図である。
硫酸ノズル１６および過水ノズル１７は、ブロック１９の下面から下方に臨むように、並んで配置されている。硫酸ノズル１６および過水ノズル１７は、基板下保持部２に保持されたウエハＷの上面上のほぼ同じ位置に、硫酸ノズル１６から吐出された硫酸と、過水ノズル１７から吐出された過酸化水素水とが着液するように、それぞれ所定の吐出方向に向けてブロック１９に取り付けられている。この実施形態では、硫酸ノズル１６は、その吐出口から吐出される硫酸の吐出方向がほぼ鉛直方向となるように取り付けられている。また、過水ノズル１７は、その吐出口から吐出される過酸化水素水の吐出方向が、鉛直方向からたとえば４５°傾斜するように取り付けられている。したがって、過水ノズル１７から吐出される過酸化水素水の吐出方向は、硫酸ノズル１６から吐出される硫酸の吐出方向よりも、鉛直方向に対する傾斜角度が大きい。
【００３９】
Ｎ2ノズル１８は、過水ノズル１７に対して硫酸ノズル１６と反対側に配置されている。Ｎ2ノズル１８は、その吐出口から吐出されるＮ2ガスの吐出方向が、過水ノズル１７から吐出される過酸化水素水の吐出方向よりも、鉛直方向に対する傾斜角度が大きくなるように、ブロック１９に保持されている。この実施形態では、Ｎ2ノズル１８は、Ｎ2ガスの吐出方向が鉛直方向からたとえば６０°傾斜するように取り付けられている。過水ノズル１７から吐出される過酸化水素水ガスは、Ｎ2ノズル１８からのＮ2ガスを受けて、硫酸ノズル１６から吐出される硫酸に寄せられながらウエハＷの上面に着液する。これらにより、基板下保持部２に保持されたウエハＷの上面において、過水ノズル１７から吐出される過酸化水素水を、硫酸ノズル１６から吐出される硫酸の下方に潜り込ませることができる。
【００４０】
図４は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置はＣＰＵ５０、ＲＯＭ５１およびＲＡＭ５２を含む構成の制御装置５３を備えている。
制御装置５３には、プレート回転駆動機構１１、ＳＰＭ用ノズルユニット駆動機構２２  挟持ピン駆動機構３８、超音波硫酸ノズル駆動機構２９、スピンベース昇降駆動機構４８、スピンベース回転駆動機構４９、超音波振動発振器５４、アンモニア過水下バルブ１３、ＤＩＷ下バルブ１４、硫酸ノズル用硫酸バルブ２４、過水バルブ２６、Ｎ2ノズル用Ｎ2バルブ５６、超音波硫酸ノズル用硫酸バルブ３１、アンモニア過水上バルブ４３、ＤＩＷ上バルブ４４、Ｎ2上バルブ４６およびＤＩＷノズル用ＤＩＷバルブ３６などが制御対象として接続されている。
【００４１】
制御装置５３は、ＣＰＵ５０に格納されているプログラムに従って、プレート回転駆動機構１１、ＳＰＭ用ノズルユニット駆動機構２２  挟持ピン駆動機構３８、超音波硫酸ノズル駆動機構２９、スピンベース昇降駆動機構４８、スピンベース回転駆動機構４９および超音波振動発振器５４の動作を制御する。
制御装置５３は、また、アンモニア過水下バルブ１３、ＤＩＷ下バルブ１４、硫酸ノズル用硫酸バルブ２４、過水バルブ２６、Ｎ2ノズル用Ｎ2バルブ５６、超音波硫酸ノズル用硫酸バルブ３１、アンモニア過水上バルブ４３、ＤＩＷ上バルブ４４、Ｎ2上バルブ４６およびＤＩＷノズル用ＤＩＷバルブ３６の開閉を制御する。
【００４２】
図５は、基板処理装置におけるレジスト除去処理の流れを説明するための工程図である。
以下、図１および図５を参照して、この基板処理装置のレジスト除去処理について説明する。
レジスト除去処理に際しては、図示しない搬送ロボットによって、処理室１にイオン注入処理後のウエハＷが搬入されてくる。このウエハＷは、レジストをアッシング（灰化）するための処理を受けておらず、その表面上のレジストの表面には、イオン注入によって変質した硬化層が存在している。なお、このウエハＷの搬入時においては、基板上保持部３のスピンベース４０は、基板下保持部２のプレート４から上方に離間した離間位置にある。
【００４３】
ウエハＷは、その表面を上方に向けて、プレート４の上面に載置されて、基板下保持部２に保持される。ウエハＷが基板下保持部２に保持されると、プレート回転駆動機構１１が駆動されて、プレート４の回転が開始される。プレート４の回転に伴って、プレート４に保持されたウエハＷも回転される。前述のように、プレート４は、当接部材７の上部とウエハＷの下面（裏面）との間に生じる摩擦力によってウエハＷを保持するため、ウエハＷに対する保持力はそれほど高くない。したがって、このときのプレート４の回転速度は、たとえば１００ｒｐｍ程度に設定されている。
【００４４】
ウエハＷの回転開始後、ＳＰＭ用ノズルユニット駆動機構２２が制御されて、ＳＰＭ用ノズルユニット５が、プレート４の側方に設定された待機位置からプレート４に保持されているウエハＷの上方に移動される。そして、硫酸ノズル用硫酸バルブ２４が開かれて、ＳＰＭ用ノズルユニット５の硫酸ノズル１６から回転中のウエハＷの上面に向けて、所定の高温（１６０〜１８０℃）の硫酸が吐出される。また、過水バルブ２６が開かれて、ＳＰＭ用ノズルユニット５の過水ノズル１７から回転中のウエハＷの上面に向けて、室温の過酸化水素水が吐出される。さらに、Ｎ2ノズル用Ｎ2バルブ５６が開かれて、Ｎ2ノズル１８からＮ2ガスが、過水ノズル１７から吐出される過酸化水素水に向けて吹き付けられる。過水ノズル１７から吐出される過酸化水素水は、Ｎ2ノズル１８からのＮ2ガスを受けて、硫酸ノズル１６から吐出される硫酸の下方に潜り込む。
【００４５】
硫酸ノズル１６から吐出された所定の高温の硫酸と、過水ノズル１７から吐出された室温の過酸化水素水とは、ウエハＷの上面上のほぼ同じ位置に着液する。ウエハＷ上において、硫酸と過酸化水素水とが混合されて反応し、多量のペルオキソー硫酸（Ｈ2ＳＯ5）を含むＳＰＭが生成される。１６０〜１８０℃の硫酸と、室温の過酸化水素水との反応による反応熱のために、ＳＰＭは昇温されて、ＳＰＭの液温はその生成直後に約２００℃に達する。この生成後間もない約２００℃のＳＰＭが、ウエハＷの上面のレジストに作用する（ステップＳ１：ＳＰＭ処理）。
【００４６】
ＳＰＭは、液温が高くなるにつれてレジスト剥離能力が向上する。その反面、ＳＰＭは、液温が高くなるにつれて、ＳＰＭに含まれるペルオキソー硫酸の減衰による劣化の速度が速くなる。
ウエハＷの上面において、硫酸と過酸化水素水とが混合されてＳＰＭが生成されるので、そのＳＰＭは、約２００℃の高温であっても、劣化する前に、ウエハＷの上面に形成されたレジストに作用する。その結果、そのウエハＷの上面に形成されているレジストを良好に除去することができる。
【００４７】
このレジスト剥離処理に用いられるＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水との混合比が２０：１とされている。このため、硫酸ノズル１６から吐出される硫酸の吐出量が１（Ｌ／ｍｉｎ）であるのに対し、過水ノズル１７から吐出される過酸化水素水の吐出量は０．０５（Ｌ／ｍｉｎ）と少量である。
前述のように、ウエハＷの上面において、過水ノズル１７から吐出される過酸化水素水を、硫酸ノズル１６から吐出される硫酸の下方に潜り込ませることができる。そのため、少量の過酸化水素水を多量の硫酸と良好に接触させることができ、ＳＰＭを効率よく生成させることができる。
【００４８】
このＳＰＭ処理では、ＳＰＭ用ノズルユニット駆動機構２２が制御されて、ＳＰＭ用アーム２０が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、ＳＰＭ用ノズルユニット５からの硫酸および過酸化水素水が導かれるウエハＷの上面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。したがって、ウエハＷの上面の全域に、高温で新鮮なＳＰＭが供給される。
【００４９】
ウエハＷの上面上のＳＰＭは、硬化層に形成された多数の微細孔を通って、硬化層の内部に浸透する。その結果、硬化層の内側の生レジスト（未硬化のレジスト）にＳＰＭの強酸化力が作用し、生レジストが除去される。このため、ウエハＷの表面には、空洞化した硬化層だけが残存する。
ＳＰＭ処理では、基板上保持部３は、基板下保持部２のプレート４から上方に離間した離間位置に配置されているので、基板上保持部３がＳＰＭ用アーム２０の揺動の邪魔になったり、基板上保持部３が高温のＳＰＭの影響を受けたりすることを防止することができる。
【００５０】
ＳＰＭ供給位置の往復移動が所定回数行われると、硫酸ノズル用硫酸バルブ２４および過水バルブ２６が閉じられ、ウエハＷへの硫酸および過酸化水素水の供給が停止されて、ＳＰＭ用ノズルユニット５がプレート４の側方の退避位置に戻される。
次に、超音波硫酸ノズル駆動機構２９が制御されて、超音波硫酸ノズル６が、プレート４の側方に設定された待機位置からウエハＷの上方に移動される。そして、超音波硫酸ノズル用硫酸バルブ３１が開かれるとともに、超音波振動発振器５４からの発振信号を受けて超音波振動子３２が振動されて、超音波硫酸ノズル６から超音波振動が付与された硫酸が、回転中のウエハＷの上面に向けて吐出される（Ｓ２：超音波硫酸処理）。
【００５１】
この超音波硫酸処理においては、超音波硫酸ノズル駆動機構２９が制御されて、超音波硫酸用アーム２７が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、超音波硫酸ノズル６からの硫酸が導かれるウエハＷの上面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。したがって、ウエハＷの上面の全域に、超音波が付与された硫酸が供給される。
【００５２】
超音波振動が付与された硫酸がウエハＷの表面に供給されると、超音波振動の物理的なエネルギーによって、ウエハＷの表面上に残存するレジストの硬化層が破壊されて、粉砕される。粉砕された硬化層は、硫酸とともに、ウエハＷの表面から除去されていく。
次に、ウエハＷの回転が継続されたまま、ＤＩＷノズル用ＤＩＷバルブ３６が開かれる。これにより、回転中のウエハＷの上面の中央部に向けてＤＩＷノズル３４からＤＩＷが吐出される（Ｓ３：リンス処理）。ウエハＷの中央部に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの上面上を流れ、ウエハＷの上面に付着している硫酸がＤＩＷによって洗い流される。
【００５３】
ＤＩＷの吐出の開始から所定時間が経過すると、ＤＩＷノズル用ＤＩＷバルブ３６が閉じられて、ウエハＷの上面へのＤＩＷの供給が停止されるとともに、プレート回転駆動機構１１の駆動が停止されて、プレート４およびウエハＷの回転が止められる。
その後、ウエハＷに対してステップＳ５のＳＣ１処理、ステップＳ６のリンス処理およびステップＳ７のスピンドライが施されるが、これらの処理は、基板下保持部２ではなく、基板上保持部３にウエハＷを保持させた状態で実施される。このため、ステップＳ３のリンス処理の終了後は、基板下保持部２から基板上保持部３へのウエハＷの受渡しが行われる（ステップＳ４）。
【００５４】
このウエハＷの受渡しは、スピンベース昇降駆動機構４８が駆動されて、スピンベース４０が、プレート４の上面に載置されたウエハＷの上面に近接する近接位置まで下降される（図６（ａ）参照）。スピンベース昇降駆動機構４８が駆動されて、スピンベース４０がウエハＷの上面に近接する近接位置まで下降される。この近接位置では、複数の挟持ピン３７がウエハＷの周縁の側方に位置する。この近接位置において、挟持ピン駆動機構３８が駆動されて、複数の挟持ピン３７が、開放位置から挟持位置に導かれる。これにより、ウエハＷが基板上保持部３に保持されて、基板下保持部２から基板上保持部３へのウエハＷの受渡しが達成される。
【００５５】
ウエハＷが基板上保持部３に保持された後、スピンベース昇降駆動機構４８が駆動されて、スピンベース４０が、ウエハＷごと、近接位置から上方の処理位置まで上昇される。
この処理位置は、近接位置よりも微少距離だけ上方に位置しており、このため、下面ノズル１５から吐出された液は、処理位置にあるウエハＷの下面の中央部に供給される。また、この処理位置では、ウエハＷは、当該ウエハＷを保持するスピンベース４０の基板対向面３９によってその上面の近傍の空間が制限されているだけでなく、プレート４の上面によって当該ウエハＷの下面の近傍の空間が制限されている。スピンベース４０が処理位置まで上昇されると、スピンベース回転駆動機構４９が駆動されて、ウエハＷの回転が開始される。
【００５６】
ウエハＷの回転速度が所定の高速（たとえば８００ｒｐｍ）に達すると、アンモニア過水上バルブ４３が開かれて、上面ノズル４２の開口からウエハＷの上面の中央部に向けて室温のＳＣ１が吐出される。また、アンモニア過水下バルブ１３が開かれて、下面ノズル１５からウエハＷの下面の中央部に向けて室温のＳＣ１が吐出される（Ｓ５：ＳＣ１処理、図６（ｂ）参照）。
【００５７】
ウエハＷの上面に供給されたＳＣ１は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面の中央部から周縁に向けて流れ、ウエハＷの上面全域に拡がる。また、ウエハＷの下面に供給されるＳＣ１は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの下面を伝って中央部から周縁に向けて流れ、ウエハＷの下面全域に拡がる。これにより、ウエハＷの上面に付着したレジスト残渣が除去される。
【００５８】
とくに、ウエハＷの回転速度が所定の高速（たとえば８００ｒｐｍ）であるために、ウエハＷに供給されたＳＣ１が受ける遠心力は比較的大きく、このため、ウエハＷの下面の中央部に供給されたＳＣ１を、ウエハＷの下面の周縁へと行き渡らせることができる。ＤＩＷの吐出の開始から所定時間が経過すると、アンモニア過水上バルブ４３およびアンモニア過水下バルブ１３が閉じられる。
【００５９】
次に、ウエハＷの回転が継続されたまま、ＤＩＷ上バルブ４４が開かれて、上面ノズル４２からウエハＷの上面の中央部に向けて、室温のＤＩＷが吐出される。また、ＤＩＷ下バルブ１４が開かれて、下面ノズル１５からウエハＷの下面の中央部に向けて、室温のＤＩＷが吐出される（Ｓ６：リンス処理、図６（ｃ）参照）。ウエハＷの上面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面を中央部から周縁に向けて流れ、ウエハＷの上面全域に拡がる。また、ウエハＷの下面に供給されるＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの下面を伝って中央部から周縁に向けて流れ、ウエハＷの下面全域に拡がる。これにより、ウエハＷの上面および下面に付着したＳＣ１が洗い流される。
【００６０】
とくに、ウエハＷの回転速度が所定の高速（たとえば８００ｒｐｍ）であるために、ウエハＷに供給されたＤＩＷが受ける遠心力は比較的大きく、このため、ウエハＷの下面の中央部に供給されたＤＩＷを、ウエハＷの下面の周縁へと行き渡らせることができる。
このように、ステップＳ５のＳＣ１処理およびステップＳ６のリンス処理では、第２保持部４０によって所定の高速で回転されるウエハＷに対して、ＳＣ１およびＤＩＷがそれぞれ供給されるので、ウエハＷの上面および下面の全域に対して、ＳＣ１処理およびリンス処理を均一に施すことができる。
【００６１】
リンス処理の開始から所定時間が経過すると、ＤＩＷ上バルブ４４およびＤＩＷ下バルブ１４が閉じられる。その後スピンベース回転駆動機構４９が制御されて、ウエハＷの回転速度が所定の高回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）に上げられる。これにより、ウエハＷに対して、その上面および下面に付着しているＤＩＷの液滴を振り切る回転速度でウエハＷを回転させるスピンドライが施される（ステップＳ７、図６（ｄ）参照）。このスピンドライによって、ウエハＷに付着していたＤＩＷが完全に除去される。
【００６２】
スピンドライの際には、プレート回転駆動機構１１が駆動されて、プレート４がウエハＷの回転方向と同方向に、かつ、ウエハＷと同じ回転速度（３０００ｒｐｍ）で回転される。また、Ｎ2上バルブ４６が開かれて、Ｎ2流通路４５の開口から、スピンベース４０とウエハＷとの間の空間に室温のＮ2ガスが供給される。
ウエハＷの下面に近接しつつ対向しているプレート４がウエハＷの回転方向と同方向に回転するので、ウエハＷとプレート４との間の空間に乱流が発生しない。このため、乾燥の過程でウエハＷの下面にＤＩＷの跡などが残らない。
【００６３】
また、Ｎ2ガスの供給により、スピンベース４０とウエハＷとの間の空間にＮ2ガスの安定した気流が生じる。このため、乾燥後のウエハＷの上面にＤＩＷの跡などを残すことがない。これらにより、ウエハＷを良好に乾燥させることができる。
スピンドライが所定時間にわたって行われると、スピンベース回転駆動機構４９の駆動が停止されて、スピンベース４０およびウエハＷの回転が止められる。スピンベース昇降駆動機構４８が駆動されて、スピンベース４０が、ウエハＷごと、退避位置に退避された後、一連のレジスト除去処理が施されたウエハＷは図示しない搬送ロボットによって搬出されていく。
【００６４】
以上により、この実施形態では、約２００℃のＳＰＭが用いられるＳＰＭ処理時には、基板下保持部２にウエハＷが保持される。基板下保持部２は、ウエハＷの下面を支持するので、ウエハＷの重量以上の力を受けない。そのため、高温環境下でも、基板下保持部２は、変形を生じず、ウエハＷを安定して保持し続けることができる。一方、ＳＣ１処理時およびスピンドライ時には、基板上保持部３にウエハＷが保持される。ＳＣ１処理およびスピンドライは、ＳＰＭ処理時よりも低温な環境下で実行されるので、基板上保持部３によってウエハＷを強固に保持しても、基板上保持部３の変形を生じない。したがって、基板上保持部３では、ウエハＷを強固に保持しつつ、そのウエハＷを比較的高速で回転させることができる。よって、ウエハＷに対してＳＰＭ処理、ＳＣ１処理およびスピンドライを実施することができる。
【００６５】
また、基板上保持部３は、基板下保持部２から上方に離間した離間位置と、基板下保持部２との間でウエハＷを受渡し可能な近接位置とに昇降可能に設けられている。これにより、ＳＰＭ処理時には、基板上保持部３を離間位置に配置して、基板上保持部３が処理動作の邪魔になったり基板上保持部３が高温のＳＰＭの影響を受けたりすることを防止することができる。また、基板上保持部３を近接位置に配置して、基板下保持部２と基板上保持部３との間でウエハＷを受け渡すことができる。
【００６６】
さらに、ウエハＷの上面において、硫酸と過酸化水素水とが混合されてＳＰＭが生成されるので、そのＳＰＭは、約２００℃の高温であっても、劣化する前に、ウエハＷの上面に形成されたレジストに作用する。その結果、そのウエハＷの上面に形成されているレジストを良好に除去することができる。
この発明の一実施形態の説明は以上の通りであるが、この発明は他の実施形態で実施することもできる。
【００６７】
図７は、ＳＰＭ処理の他の処理例を説明するための図である。この図７において、前述した各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
図７に示すＳＰＭ処理では、硫酸ノズル１６からの硫酸の吐出と、過水ノズル１７からの過酸化水素水の吐出とが、交互に繰り返し行われる。
【００６８】
具体的には、過水バルブ２６が２秒間だけ開かれる。このとき、過水ノズル１７から過酸化水素水がウエハＷの上面に向けて吐出される。ウエハＷは１００ｒｐｍで回転されており、このため、ウエハＷの表面の吐出された過酸化水素水は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの周縁に向けて移動する。このため、ウエハＷの上面に過酸化水素水の液膜が作成される（図７（ａ）参照）。
【００６９】
過水バルブ２６が閉じられた後に、硫酸ノズル用硫酸バルブ２４が２秒間だけ開かれる。このとき、ウエハＷの上面の過酸化水素水の液膜に向けて、硫酸ノズル１６から、過酸化水素水の液膜に向けて、硫酸が吐出される（図７（ｂ）参照）。これにより、ウエハＷの上面において、硫酸と過酸化水素水化とが混合されてＳＰＭが生成される。ＳＰＭは、ウエハＷの上面の全域に拡がる。その後、ウエハＷの上面に供給された硫酸が、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの周縁に向けて移動する。このため、ウエハＷの上面に硫酸の液膜が作成される（図７（ｃ）参照）。
【００７０】
硫酸ノズル用硫酸バルブ２４が閉じられた後に、再度、過水バルブ２６が２秒間だけ開かれる。このとき、ウエハＷの上面の硫酸の液膜に向けて、過水ノズル１７から過酸化水素水が吐出される（図７（ｄ）参照）。これにより、ウエハＷの上面において、硫酸と過酸化水素水化とが混合されてＳＰＭが生成される。ＳＰＭは、ウエハＷの上面の全域に拡がる。このように、硫酸ノズル１６からの硫酸の吐出と、過水ノズル１７からの過酸化水素水の吐出とが、交互に繰り返し行われる。
【００７１】
このＳＰＭ処理では、ウエハＷの上面に過酸化水素水の液膜が形成されている状態で、その液膜に硫酸が供給され、また、ウエハＷの上面に硫酸の液膜が形成されている状態で、その液膜に過酸化水素水が供給される。そのため、ウエハＷの上面において、過酸化水素水と硫酸とを確実に混合させることができる。その結果、ＳＰＭを効率よく生成させることができる。
【００７２】
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
硫酸ノズル１６には、少量の温水や少量の過酸化水素水が混入され、そのときの反応生成熱や希釈熱を利用して昇温された硫酸が供給される構成であってもよい。この場合、硫酸の劣化を抑制または防止するために、温水や過酸化水素水の硫酸への混入は、第２硫酸供給管２３の途中部で行われることが望ましい。
【００７３】
また、ＳＰＭ用ノズルユニット５は、前述の構成に限られない。たとえば、ＳＰＭ用ノズルユニットが外筒、内筒の２重筒で構成されていて、内筒から過酸化水素水が吐出され、外筒と内筒との間からは硫酸が吐出される構成であってもよい。
前述の実施形態では、ウエハＷにＳＰＭ処理が施された後に、ウエハＷに超音波硫酸処理が施されるとして説明したが、ウエハＷに超音波硫酸処理が施された後に、ウエハＷにＳＰＭ処理が施されてもよい。かかる場合であっても、ウエハＷの表面からレジストを除去することができる。
【００７４】
また、前述の実施形態では、レジスト残渣を除去するレジスト残渣除去処理液としてＳＣ１を用いたが、これに代えて、温水、コリン（ＴＭＩ）を用いてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図２】プレートの平面図である。
【図３】ＳＰＭ用ノズルユニットの構成を説明するための図である。
【図４】この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図５】基板処理装置におけるレジスト除去処理の流れを説明するための工程図である。
【図６】ウエハの受渡し、リンス処理およびスピンドライの各処理の一例を示す図である。
【図７】ＳＰＭ処理の他の処理例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７６】
１  処理室
２  基板下保持部（高温処理用基板保持手段）
３  基板上保持部（回転処理用基板保持手段）
４  プレート
１６  硫酸ノズル
１７  過水ノズル
２４  硫酸ノズル用硫酸バルブ（硫酸バルブ）
２６  過水バルブ
３７  挟持ピン（挟持部材）
３９  基板対向面
４０  スピンベース（ベース）
５３  制御装置
Ｗ  ウエハ（基板）
【図１】
2008235342.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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