(57)【要約】【課題】ポーリング処理により、電気光学効果を発現させる光導波路素子を有する光導波路モジュールの製造方法において、モジュール化に際しての熱による非線形性の消失を抑えることができる光導波路モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、下部クラッド層を形成する工程と、該下部クラッド層上に導波路層を形成する工程と、該導波路層の上部に上部クラッド層を形成する工程と、を少なくとも含む光導波路素子作製工程と、前記光導波路素子作製工程により作製した光導波路素子をモジュール筐体に固定する工程と、を含み、前記光導波路素子をモジュール筐体に固定した後に  該光導波路素子にポーリング処理により分子の配向を揃える工程を有することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下部クラッド層を形成する工程と、該下部クラッド層上に導波路層を形成する工程と、該導波路層の上部に上部クラッド層を形成する工程と、を少なくとも含む光導波路素子作製工程と、
前記光導波路素子作製工程により作製した光導波路素子をモジュール筐体に固定した後、前記光導波路素子の分子の配向を揃えるポーリング処理を施す工程と、を含むことを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記光導波路素子作製工程において、さらに、基板上に下部電極を形成する工程、及び／又は、上部クラッド層上に上部電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の光導波路モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記導波路層が、電気光学効果を有する導波路層であることを特徴とする請求項１または２に記載の光導波路モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記光導波路素子作製工程において、導波路層を形成した後、パターンニングを行い、リッジ型の構造に加工することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光導波路モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記光導波路素子作製工程において、下部クラッド層を形成した後、パターンニングを行い、該下部クラッド層を加工してトレンチを形成する工程と、該下部クラッド層上に、導波路層を形成することにより、逆リッジ型の構造を得ることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光導波路モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記ポーリング処理を施す工程において、ポーリング電圧を印加する側の電極と、該電極に対向する電極に結線された配線間を短絡させたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光導波路モジュールの製造方法。
【請求項７】
基板上に、下部クラッド層と、導波路層と、上部クラッド層とを少なくとも形成してなる光導波路素子をモジュール筐体に固定する手段と、前記光導波路素子のポーリング電圧を印加する側の電極と、該電極に対向する電極とを結線し短絡させる手段と、前記モジュール筐体に固定された光導波路素子に対してポーリング電圧を印加するポーリング処理手段と、を有することを特徴とするポーリング処理装置。
【請求項８】
前記ポーリング電圧が、コロナポーリングにより印加されることを特徴とする請求項７に記載のポーリング処理装置。
【請求項９】
前記ポーリング電圧が、電極ポーリングにより印加されることを特徴とする請求項７に記載のポーリング処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路モジュールの製造方法、及びポーリング処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展は著しく、特に最近では動画をはじめとする大容量の情報が企業間だけでなく個人の間でも頻繁にやり取りされるようになり、更なる大容量の高速通信手段が求められている。
大容量高速通信を支える技術の一つに、光通信技術がある。光通信に用いられる素子としては、光ファイバをはじめとして、光スイッチ素子、光変調器やルーターなどの様々な光導波路素子がある。
【０００３】
近年、電気光学（Electro-optic、以下「ＥＯ」と略す）効果で導波光を制御する導波路型光素子の開発が盛んに行われるようになってきた。光導波路素子では、様々なタイプの導波路構造が検討されており、それと同様に様々な導波路形成の方法が報告されている。
従来、上記光導波路素子の光導波路の材料としては、大きなＥＯ効果を示すニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、ランタン添加のチタン酸ジルコン酸鉛（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、「ＰＬＺＴ」と略す）などの無機系材料が広く用いられている。しかしながら、これらの材料は、高誘電率のため応答速度が遅く、そのため適用できる周波数帯域が限定されていた。また、作製方法が複雑であり、かつ高温の処理が必要であるなど、素子のコストが高く、適用できる範囲が限られていた。
【０００４】
一方、ポリマーは無機系材料に比べ誘電率が低く、マイクロ波との速度不整合の問題を大幅に改善できることに加えて、スピンコート法などにより容易に薄膜形成が可能であり、サイズの制限も受けない。また、微細加工、成型加工等の加工性にも優れることから、極めて安価に素子化ができるという大きな利点を有するため、光導波路材料として注目を集めている。
【０００５】
このような高分子光導波路素子は、下部クラッド層、導波路層、上部クラッド層となる高分子材料あるいは高分子前駆体化合物を、シリコン等からなる基板上に溶融または溶解させた状態で順次塗布、硬化させた後に、切断や研磨によって導波路端面を鏡面化することで作製される。また、導波路の形成は、フォトリソグラフィやエッチング等、周知の技術を組み合わせて行われる。特に、電気光学効果を始めとする非線形光学効果を利用するデバイスを作製する場合には、基板上や上部クラッド層の上に電極を配する。クラッド材料としては光あるいは熱硬化性の接着剤が、導波路層材料としては高分子化合物を有機溶剤に溶かした溶液が一般に用いられている。
【０００６】
このような有機材料がもつ電気光学効果を利用するデバイスにおいては、充分な効果を発現させるために、塗布直後にランダムに分散された非線形性の有機分子を、一定の方向に分極を揃えることが必要である。このため、高分子のガラス転移点以上の温度に素子を保持した後、電界を印加して一定時間保持し、電界を印加した状態で冷却して、有機分子の配向状態を固定化する工程が必須である。この処理をポーリングと言う。
【０００７】
近年、有機材料の有する高い非線形性と、高分子の低い誘電率による、駆動用のマイクロ波との速度整合性の高さから、高速、低電圧駆動の導波路素子の実現する材料として、活発に検討されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００８】
しかし、近年の活発な研究活動にもかかわらず、実用に供するために充分な素子は実現されていないのが実状である。従来の研究開発においては、有機導波路素子を実現するための材料や構成については検討がなされてきたものの、実際に素子を使用する上で不可欠なパッケージング、すなわちモジュール化については、ほとんど検討がなされていないのが現状である。特に、モジュール化に際して、素子をモジュール筐体に固定する工程、あるいは電気配線を行う上で行われるワイヤボンディングにおいては、ある程度の加熱を必要とされることから、ポーリング処理により一度固定化された分子の配向状態が、再び乱れてしまうという問題があった。このため、素子としては、低電圧による駆動が可能なポテンシャルを有しているにもかかわらず、モジュールとしては、実用に耐えうる充分な性能を有するものを提供することができなかった。
【非特許文献１】Hua Zhang et al.,Appl.Phys.Lett.,Vol.78,p.3136(2001)Vol.78,p.3136(2001)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記従来の問題点に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。すなわち、
本発明の目的は、ポーリング処理により電気光学効果を発現させる光導波路素子を有する光導波路モジュールの製造方法において、モジュール化に際しての熱による非線形性の消失を抑えることができる光導波路モジュールの製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、ポーリング処理時において、高電圧によりモジュール筐体が静電破壊することのないポーリング処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するために、鋭意研究を進めた結果、光導波路素子のモジュール化に当り、加熱を必要とする、光導波路素子をモジュール筐体に固定する工程を行った後、ポーリング処理を行うことにより、有機分子の配向緩和を回避して光導波路モジュールの製造が可能であることを見出し、本発明に至った。すなわち本発明は、
＜１＞  基板上に、下部クラッド層を形成する工程と、該下部クラッド層上に導波路層を形成する工程と、該導波路層の上部に上部クラッド層を形成する工程と、を少なくとも含む光導波路素子作製工程と、
前記光導波路素子作製工程により作製した光導波路素子をモジュール筐体に固定した後、前記光導波路素子の分子の配向を揃えるポーリング処理を施す工程と、を含むことを特徴とする光導波路モジュールの製造方法である。
【００１１】
＜２＞  前記光導波路素子作製工程において、さらに、基板上に下部電極を形成する工程、及び／又は、上部クラッド層上に上部電極を形成する工程を含むことを特徴とする前記＜１＞に記載の光導波路モジュールの製造方法である。
【００１２】
＜３＞  前記導波路層が、電気光学効果を有する導波路層であることを特徴とする前記＜１＞または＜２＞に記載の光導波路モジュールの製造方法である。
【００１３】
＜４＞  前記光導波路素子作製工程において、導波路層を形成した後、パターンニングを行い、リッジ型の構造に加工することを特徴とする前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法である。
【００１４】
＜５＞  前記光導波路素子作製工程において、下部クラッド層を形成した後、パターンニングを行い、該下部クラッド層を加工してトレンチを形成する工程と、該下部クラッド層上に、導波路層を形成することにより、逆リッジ型の構造を得ることを特徴とする前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法である。
【００１５】
＜６＞  前記ポーリング処理を施す工程において、ポーリング電圧を印加する側の電極と、該電極に対向する電極に結線された配線間を短絡させたことを特徴とする前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法である。
【００１６】
＜７＞  基板上に、下部クラッド層と、導波路層と、上部クラッド層とを少なくとも形成してなる光導波路素子をモジュール筐体に固定する手段と、前記光導波路素子のポーリング電圧を印加する側の電極と、該電極に対向する電極とを結線し短絡させる手段と、前記モジュール筐体に固定された光導波路素子に対してポーリング電圧を印加するポーリング処理手段と、を有することを特徴とするポーリング処理装置である。
【００１７】
＜８＞  前記ポーリング電圧が、コロナポーリングにより印加されることを特徴とする前記＜７＞に記載のポーリング処理装置である。
【００１８】
＜９＞  前記ポーリング電圧が、電極ポーリングにより印加されることを特徴とする前記＜７＞に記載のポーリング処理装置である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ポーリング処理により、電気光学効果を発現させる光導波路素子を有する光導波路モジュールの製造方法において、モジュール化に際しての熱による非線形性の消失を抑えることができる光導波路モジュールの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、ポーリング処理を行う際にモジュール筐体が、ポーリング時の高電圧により静電破壊することなくポーリング処理を行うことができるポーリング処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の光導波路モジュールの製造方法、及びポーリング処理装置について説明する。
＜光導波路モジュールの製造方法＞
本発明の光導波路モジュールの製造方法は、基板上に、下部クラッド層を形成する工程と、該下部クラッド層上に導波路層を形成する工程と、該導波路層の上部に上部クラッド層を形成する工程と、を少なくとも含む光導波路素子作製工程と、前記光導波路素子作製工程により作製した光導波路素子をモジュール筐体に固定した後、前記光導波路素子の分子の配向を揃えるポーリング処理を施す工程と、を含むことを特徴としている。
【００２１】
まず、本発明に係る光導波路素子の基本構成を図１に示す。図１は、本発明に係る光導波路素子の一例を光の入出力端面から見た概略断面図である。図１に示す光導波路素子１０は、基板１２上に、下部クラッド層１４、導波路層１６、及び上部クラッド層１８を有する。
以下に、本発明の光導波路モジュールの製造方法について、順を追って説明する。
【００２２】
［光導波路素子作製工程］
まず、光導波路素子を作製する工程である光導波路素子作製工程について説明する。
初めに、基板の表面に、必要に応じて下部電極として金属材料を堆積する。上記基板としては、各種金属基板（アルミニウム、金、鉄、ニッケル、クロム、ステンレスなど）、各種半導体基板（シリコン、酸化シリコン、酸化チタン、酸化亜鉛、ガリウム−ヒ素など）、ガラス基板、プラスチック基板（ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセテート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリアミドなど）、等を用いることができる。これらの基板は厚く剛直でもよいし、薄く柔軟でもよい。半導体基板、ガラス基板、プラスチック基板の表面には、前記のように下部電極が形成される。
【００２３】
下部電極の材料としては、Ａｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏなどの各種金属、各種酸化物（ＮＥＳＡ（酸化スズ）、酸化インジウム、ＩＴＯ（酸化スズ−酸化インジウム複合酸化物）や、各種有機導電体（ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリアセチレン）などが用いられる。これらの導電膜は、蒸着、スパッタリング、塗布や電解析出法などにより形成され、必要に応じてパターンが形成されていてもよい。
【００２４】
なお、基板が金属基板の場合には下部電極を設ける必要はなく、このような導電性の基板、及び前記下部電極は、後述する非線形光学ポリマーに電界を印加する場合の電極として使用することができる。また、前記上部クラッド層の表面に必要により形成される上部電極も、同様の材料により構成される。
【００２５】
基板あるいは下部電極と後述する下部クラッド層との間、および上部クラッド層と上部電極との間には、必要に応じて他の層が形成されていてもよく、接着性を向上させるための接着層、表面の凹凸を平滑化するための下引層、あるいはこれらの機能を一括して提供する何らかの中間層、が形成されていてもよい。
【００２６】
このような層を形成する材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル、メタクリル、ポリアミド、塩化ビニル、酢酸ビニル、フェノール、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、塩化ビニリデン、ポリビニルアセタール、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ニトロセルロース、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレート化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコキシド化合物、有機チタニル化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いることができる。
【００２７】
前記導波路層と上下クラッド層の間には余計な層はなるべく形成しない方がよいが、素子の特性に影響のでない程度に、前記のような層をごく薄く形成してもよい。あるいは、下部クラッド層表面、導波路層表面に、市販の界面活性剤などを処理することにより、上層との接着性、コーティング時のぬれ性、成膜性などを改善できる場合がある。
本発明に係る光導波路素子においては、本来有する電気光学特性の機能に加えて、導波路である導波路層としての機能を兼有させるため、図１に示す層構成のように、導波路層と基板との間に下部クラッド層が形成される。
【００２８】
前記下部クラッド層としては、導波路層よりも屈折率の低い材料を堆積する。下部クラッド層に用いられる材料としては、導波路層の形成時にインターミキシングを起こさない材料が好ましく、一般的に知られている熱硬化型の架橋樹脂、紫外線硬化型の架橋樹脂、無機材料、導電性高分子、フッ素化ポリマーなどを用いることができる。
前記熱硬化型の架橋樹脂としては、例えばポリイミド、ポリウレタン、ポリベンゾシクロロブテン、ポリアミドなどが挙げられ、前記紫外線硬化型の架橋樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。
【００２９】
下部クラッド層を形成する手段としては、高分子材料であれば、スピンコート法、ディップ法などの一般的な溶液塗布方法が用いられる。また、無機材料であれば、電子ビーム蒸着法、フラッシュ蒸着法、イオン・プレーティング法、ＲＦ（高周波）−マグネトロン・スパッタリング法、ＤＣ（直流）−マグネトロン・スパッタリング法、イオン・ビーム・スパッタリング法、レーザー・アブレーション法、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル法）、ＣＶＤ（気相成長法）、プラズマＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ（有機気相成長法）などより選ばれる気相成長法、またはゾルゲル法、ＭＯＤ法などのウエット・プロセスによって作製が可能であるが、これらに限られるわけではない。
なお、下部クラッド層の膜厚は、利用する光の波長やモードなど、導波路設計指針に依存するが、１〜２０μｍ程度の範囲が好ましく、１．５〜１０．０μｍ程度の範囲とすることがより好ましい。下部クラッド層の膜厚が厚い場合には、導波路層にかかる実効電圧が低くなるため、充分なＥＯ効果が得られず、また、薄い場合には、下部電極による光吸収が増加するため、光損失が大きくなるという問題が生じる場合がある。
【００３０】
下部クラッド層を形成した後、非線形効果を付与したポリマー（非線形光学ポリマー）を積層し導波路層とする。導波路層は電気光学効果を有することが好ましい。リッジ型とする場合には、ドライエッチング法でリッジを形成する。ここで、非線形光学ポリマーとは、高分子マトリックス中に非線形光学特性を有する有機化合物を添加した有機非線形光学ポリマーや、高分子の主鎖あるいは側鎖に、非線形光学特性を有する構造（以下、「クロモフォア構造」という場合がある）を導入した主鎖型有機非線形光学ポリマーあるいは側鎖型有機非線形光学ポリマーなどをいう。
【００３１】
導波路層の材料としては、光導波路が形成可能なものであり、下部クラッド層よりも屈折率の高い材料であれば、本発明の意図を損なうものではないが、前記非線形光学ポリマーを用いることが好ましく、前記のように、高分子の側鎖または主鎖に、ポリマーに非線形性を付与する目的でクロモフォア構造を導入したものを用いることができる。
【００３２】
上記高分子材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリシラン、ポリベンゾシクロブテンなどを用いることができる。
【００３３】
前記クロモフォア構造は、公知のものであれば特に限定されないが、下記の構造式（１）で表されるものが好ましい。
Ｄ−Ｐ−Ａ    ・・・    構造式（１）
構造式（１）中、Ｄは、電子供与性を有する原子団、Ｐは結合部、Ａは電子吸引性を有する原子団、を表す。構造式（１）において、「Ｄ」で表される電子供与性を有する原子団としては、電子供与性を有するものであれば公知のものを用いることができるが、電子供与性置換基を有する、脂肪族不飽和結合、芳香環、ヘテロ芳香環、及びそれらの組み合わせからなるものであることが好ましい。前記電子供与性置換基としては、電子供与性を有するものであれば特に限定されないが、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、などが望ましい。なお、前記アルキル基の一部がアルコキシ基やフェニル基で置換されてもよく、前記アルコキシ基の一部がアルコキシ基やフェニル基で置換されてもよく、また、前記アミノ基の一部がアルキル基やアルコキシ基、あるいはフェニル基で置換されてもよい。
【００３４】
一方、「Ａ」で表される電子吸引性を有する原子団としては、電子吸引性を有するものであれば公知のものいずれでも良いが、電子吸引性置換基を導入した、脂肪族不飽和結合、芳香環、ヘテロ芳香環、及びそれらの組み合わせ、などの構造が望ましい。
【００３５】
前記電子吸引性置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン置換されたアルキル基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、などが望ましい。
【００３６】
また、「Ｐ」で表される結合部は、「Ｄ」と「Ａ」とを共有結合で結ぶものであれば如何なるものであっても良いが、電子を非局在化しうる共役結合を持つものが望ましく、例えばπ共役系で「Ｄ」と「Ａ」とを結びつけるような構造を有するものが望ましい。具体的には、脂肪族不飽和結合、芳香環、ヘテロ芳香環、及びそれらが互いに結合したものなどが望ましい。
【００３７】
導波路層の形成は、前記クロモフォア構造を有する高分子材料、あるいはクロモフォア構造を有する有機化合物と高分子材料とを混合したものを、これらを溶解する溶剤に溶解しコーティング液を作製し、このコーティング液を前記下部クラッド層等の表面にコートすることにより行う。
【００３８】
導波路層のコーティングは、スピンコート、スプレーコート、ブレードコート、ディップコート、など公知の方法を用いて行うことができる。溶剤の除去は、送風乾燥機などで加熱乾燥しても良いし、減圧（真空）乾燥機などで乾燥してもよい。
【００３９】
導波路層の膜厚としては、ポリマー導波路の作用部に電界を効果的にかけるために、導波路層の膜厚は薄いほうが好ましく、５．０μｍ以下が好ましく、３．５μｍ以下がより好ましい。膜厚が５．０μｍより厚いと、ポリマー導波路の作用部への電界印加が大きくなり、目的の低駆動電圧を達成することが不可能となる場合がある。なお、導波路層の膜厚の下限は１．０μｍ程度である。
【００４０】
光導波路のリッジパターンとしては、直線型、Ｓ字型、Ｙ分岐型、Ｘ交差型、あるいはそれらの組み合わせの導波路パターンが挙げられる。リッジ幅とリッジ高さは、導波路の屈折率と膜厚との組み合わせにより異なるが、リッジ高さ（段差）は一般的には５０〜３０００ｎｍの範囲が好ましく、５００〜２０００ｎｍの範囲がより好ましい。段差が５０ｎｍに満たないと、十分な屈折率差が得られず光の閉じ込めができなくなる場合がある。３０００ｎｍを越えると、マルチモードとなって目的とする素子の機能を十分に発揮できなくなる場合がある。また、リッジ幅としては、１〜１５μｍの範囲が好ましく、３〜１０μｍの範囲がより好ましい。
【００４１】
さらにまた、予め、下部クラッド層を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、湿式エッチング、フォトリソグラフィー、電子線リソグラフィー等の半導体プロセス技術を用いた公知の方法によりパターニングを行い、該下部クラッド層を加工してトレンチを形成し、その上に導波路層を形成することによって、逆リッジ型導波路を形成することもできる。
【００４２】
以上のようなリッジ型、または逆リッジ型の構造をとることにより、上下クラッド層との屈折率差を大きく取ることが可能となる。従って、電極による吸収損失を抑制し、かつ素子の実効電界を強めることが可能となることから、駆動電圧の低減をはかることが可能となる。
【００４３】
リッジを形成した後、上部クラッド層として、導波路層よりも屈折率の低い材料で、導波路層を覆う。上部クラッド層に用いられる材料としては、上部クラッド層形成時に、導波路層とインターミキシングを起こさない材料が好ましく、前記下部クラッド層に用いた材料等を用いることができる。また、上部クラッド層を形成する手段としても、前記下部クラッド層の形成に用いた手段を同様に使用することができる。なお、上部クラッド層の膜厚としては、１〜２０μｍの範囲が好ましく、１．５〜１０．０μｍの範囲がより好ましい。
【００４４】
光導波路素子においては、通常、前記導波路層の屈折率に比べ、クラッド層の屈折率を小さくする必要がある。本発明において、導波路層とクラッド層との屈折率の差は、どのような素子として用いるかによって異なるが、例えば、シングルモードの導波路として用いる場合には、前記導波路層とクラッド層との屈折率の差は、０．０１〜３％の範囲であることが好ましい。
【００４５】
次いで、上部クラッド層の表面に、上部電極として金属材料を形成し、光導波路素子を形成する。上部電極の材料としては、前述の下部電極に用いた材料が同様に使用できる。
これらの制御用電極（下部電極、上部電極）は、公知の方法、例えば、ＤＣマグネトロン・スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、電解メッキ法、フラッシュ蒸着法、イオン・プレーティング法、ＲＦマグネトロン・スパッタリング法、イオン・ビーム・スパッタリング法、レーザー・アブレーション法、ＭＢＥ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ法などより選ばれる気相成長法、またはゾルゲル法、ＭＯＤ法などのウエット・プロセスによって、オーバークラッド層表面から薄膜成長を行うことができる。
【００４６】
以上の本発明に係る光導波路素子の製造方法を図面を参照して説明する。図２は、本発明に係る光導波路素子の製造方法における工程を模式的に示す図であり、図２では、基板１２上に、下部電極１３、下部クラッド層１４、導波路層１６、上部クラッド層１８、及び上部電極２０をこの順に有する光導波路素子の製造方法を示す。なお、図２において、図１と同じ構成要素には同じ符合を付している（図１と図２は、上下電極の有無において異なる）。
【００４７】
先ず、基板１２を準備し（図２（Ａ））、該基板１２上に、下部電極１３を形成する（図２（Ｂ））。次いで、下部電極１３上に下部クラッド層１４を形成し（図２（Ｃ））、該下部クラッド層１４上に、導波路層材料の溶液を塗布し、導波路層１６を成膜する（図２（Ｄ））。次いで、導波層１６を、ドライエッチングなどにより加工し、リッジ部１６Ａを有するリッジ型の導波路部を形成する（図２（Ｅ））。さらに、導波層１６上に、上部クラッド層１８を形成する（図２（Ｆ））。最後に、上部クラッド層１８上の導波路層１６のリッジ部１６Ａが位置する上方に、上部電極２０を形成する（図２（Ｇ））。
【００４８】
上記の工程により作製された光導波路素子は、切断によりチップ状（素子状）に加工され、素子を完成する。切断にはダイサーなどが用いられる。なお、素子状とは、一般的には矩形状のことを指すが、光入出力端面での戻り光を低減することを目的として、菱形状、あるいは台形状に加工する場合も含まれる。
【００４９】
次いで、以上の光導波路作製工程により作製した光導波路素子を、モジュール筐体に固定し、ワイヤボンディングを施す。ワイヤボンディングは、半導体ICの電気実装に用いられる汎用の装置を用いることが可能であるが、素子に使用される有機材料の破壊および劣化を防止する必要から、ボンディング温度は２００℃以下で行うことが好ましい。
そして、その後にポーリング処理により分子の配向を揃える工程を経る。このように、本発明においては、光導波路素子をモジュール筐体に固定した後にポーリング処理を施すため、換言すると、加熱を伴う処理を終えた後にポーリング処理を施すため、ポーリング処理を施して得られた配向状態がその後に再び乱れるなどといった問題を回避することができる。
【００５０】
ここで、ポーリング処理とは、成膜した後に、ガラス転移温度（Ｔｇ）以上に加熱した状態で電場を印加して配向処理することにより、前記非線形光学ポリマーの分極方向、あるいは、前記クロモフォアを有する非線形光学ポリマーのクロモフォア部分の分極方向、に配向させ、これを維持した状態で、Ｔｇ以下に温度を下げた後に電場を取り除く処理をいう。
【００５１】
このようなポーリング処理としては、電場の印加方法として、非線形光学ポリマーを２つ以上の電極で直接挟み込んで電場を印加する方法（電極ポーリング）、非線形光学ポリマーと電極との間に液体などの媒体を介して電場を印加する方法、あるいは、コロナ放電により間接的な方法で非線形光学ポリマーに対して電場を印加する方法（コロナポーリング）などが挙げられる。
【００５２】
ポーリング温度は、ガラス転移温度以上が好ましく、具体的には１００〜２００℃の範囲内に０．５〜１０時間程度保持することが望ましい。ポーリング温度を室温から最終的な温度まで段階的に上昇させる場合、各ステップの上昇温度は５〜５０℃程度の範囲、各ステップの時間は１０〜１２０分間程度が望ましく、それらは終始同じでも異なってもよい。連続的に上昇させる場合の昇温速度は、０．１〜２０℃／分程度とすることが望ましく、前記の段階的に温度を上昇させるステップと組み合わせてもよい。
【００５３】
前記コロナ放電法では、電極、グリッド、サンプル表面の位置関係はこの順であれば任意であるが、電極とサンプル表面との最短距離は５〜１００ｍｍ程度の範囲、グリッドとサンプル表面との最短距離は１〜３０ｍｍ程度の範囲とすることが好ましい。グリッドを使用することにより放電を安定化できる場合があり、さらにサンプル表面に必要以上のイオン流が流れ込むのを防止することができるため、表面へのダメージを低減する効果もあると考えられる。
【００５４】
ポーリングの際に電極やグリッドに印加する電圧は一定でもよいし、連続的あるいは段階的に変化させてもよく、温度上昇や下降のタイミングに合わせても合わせなくてもよい。例えば、コロナ電極に印加する電圧は１〜２０ｋＶ程度の範囲、グリッドを使用する場合のグリッド電圧は０．１〜２ｋＶ程度の範囲とするのが好ましい。
【００５５】
また、電極法の電極に印加する電圧としては、０．１〜２ｋＶ程度の範囲とするのが好ましい。電極の極性は正負どちらでもよいが、コロナ放電法の場合には、正電圧にした方がオゾンや窒素酸化物などの発生量が少なく、サンプルへのダメージを小さくすることが可能である。なお、温度を下げる工程まで含んだポーリングの総時間は、２４時間以内程度とすることが好ましい。
【００５６】
以上のポーリング処理において、ポーリング電圧を印加する側の電極と対向する電極に結線された配線間を短絡させることが好ましい。このように設定すると、各電極間で電位差が生じないため、ポーリング時の高電圧による静電破壊を防止することができる。図３はその形態を概念的に示す図である。図３に示す光導波路素子１０は、基板１２上に、下部電極１３と、下部クラッド層１４と、導波路層１６と、上部クラッド層１８と、上部電極２０とを有してなる。図３に示すように、下部電極１３には接地線が接続されており、下部電極１３は該接地線を介して接地されている。また、上部電極２０には、配線を介して電源２２に接続されおり、電源２２は接地線を介して接地されている。すなわち、ポーリング電圧を印加する電極である上部電極２０と、該上部電極２０に対向する電極である下部電極１２とはいずれも接地されており両者は短絡している。この状態で、光導波路素子に電圧を印加しポーリング処理を施すのである。
【００５７】
＜ポーリング処理装置＞
本発明のポーリング処理装置は、基板上に、下部クラッド層と、導波路層と、上部クラッド層とを少なくとも形成してなる光導波路素子をモジュール筐体に固定する手段と、前記光導波路素子のポーリング電圧を印加する側の電極と、該電極に対向する電極とを結線し短絡させる手段と、前記モジュール筐体に固定された光導波路素子に対してポーリング電圧を印加するポーリング処理手段と、を有することを特徴としている。
【００５８】
本発明のポーリング処理装置は、既述の本発明の光導波路モジュールの製造方法における光導波路素子に対してのポーリング処理を実行することができる。すなわち、本発明のポーリング処理装置は、光導波路素子をモジュール筐体に固定し、図３に示すように光導波路素子においてポーリング電圧を印加する側の電極と対向する電極とを結線し短絡させた状態でポーリング処理を施す装置であり、モジュール化に際しての熱による非線形性の消失を抑えることができるとともに、高電圧によりモジュール筐体が静電破壊することなくポーリング処理を実行することができる。
【実施例】
【００５９】
以下、発明の詳細を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。言うまでもなく、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６０】
［実施例１］
導波路層の材料として、下記構造式で表されるポリカーボネート樹脂を、ＴＨＦ１質量部とシクロヘキサノン４質量部とを混合した溶媒中に溶解し、１５質量％の樹脂溶液を調製した。次いで、この樹脂溶液中に、Ｄｉｓｐｅｒｓ Ｒｅｄ  1を固形分比として２０質量％となる量だけ添加して溶解し、導波路層用塗布液とした。
【００６１】
【化１】
2008039908.tif 000002
【００６２】
自然酸化膜を有するシリコン基板（直径：５０．８ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍ）表面に、スパッタ法により下部電極としてＡｕを厚さ０．３μｍ設けたものを、基板として用いた。次いで、この下部電極表面に、フッ素化ポリイミド原料（日立化成製、ＯＰＩ−Ｎ３４０５）を、スピンコート法により塗布した後、加熱によりイミド化しフッ素化ポリイミド膜として下部クラッド層を形成した。該下部クラッド層の膜厚は５．８μｍであった。
【００６３】
次いで、上記下部クラッド層の表面に、先に作製した導波路層用塗布液を滴下し、スピンコートにより製膜し、溶媒を乾燥して導波路層とした。該導波路層の膜厚は、２．４μｍであった。この導波路層に、フォトリソグラフィーを用いて、マッハツェンダー型の導波路パターンを、パターンニングした後、ドライエッチングにより導波路として幅が４．１μｍで、０．８μｍの段差を有するリッジ型のチャネル導波路を作製した。
【００６４】
さらに、導波路を形成した前記導波路層の表面に、エポキシ樹脂をスピンコートにより塗布して上部クラッド層形成した。該上部クラッド層の膜厚は５．０μｍであった。
このようにして上部クラッド層まで形成したシリコンウェハを、ダイサーにより、５ｍｍ×２０ｍｍに切り出して光導波路素子とした。
【００６５】
以上のように作製された光導波路素子を、あらかじめ用意したモジュール筐体上に熱硬化性の接着剤を用いて、１５０℃で３０分間加熱することにより固定を行った。次いで、このモジュール筐体をワイヤボンダーにセットし、２００℃に加熱した上で、モジュール筐体と、導波路素子の電極パッドをワイヤボンディングにより電気的に接続を行った。
【００６６】
このようにして得られた光導波路モジュールに対して、ポーリング電圧を印加する側の電極と対向する電極に結線された各線間で電位差が生じないように、配線間を短絡させて、接地電極に配線した上で、１３０℃に加熱し、＋８００Ｖの電圧をポーリング電極に印加し、６０分間保持した後、モジュールを冷却して、有機分子の配向を固定した。
【００６７】
この導波路型マッハツェンダー光デバイスを用い、波長が１.５５μｍの半導体レーザを光源とする光挿入損失評価装置により、モードフィールド径１０．５μｍのシングルモード光ファイバーに対する挿入損失を評価した結果、挿入損失は９．８ｄＢであった。
次いで、この導波路型マッハツェンダー光デバイスに電圧を印加し、変調特性を評価した。半波長電圧（Ｖπ）は２０Ｖの結果が得られ、光変調素子として機能することが確認された。
【００６８】
［比較例１］
実施例１と同様にして作製した光導波路素子を、モジュール筐体に固定する前に、実施例１と同様にして、ポーリング処理を行った。ついで、実施例１と同様にして、モジュール筐体への固定と、ワイヤボンディングによる電気実装を行って、光導波路モジュールを作製した。
この導波路型マッハツェンダー光デバイスを用い、波長が１.５５μｍの半導体レーザを光源として、導波路型マッハツェンダー光デバイスに電圧を印加し、変調特性を評価した。半波長電圧（Ｖπ）は１００Ｖの以上であり、充分な、光変調素子としての機能を確認することはできなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に係る光導波路素子の基本構成を示す模式断面図である。
【図２】光導波路素子作製工程を模式的に示す図である。
【図３】光導波路素子の上部電極と下部電極とを短絡させた状態を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０  光導波路素子
１２  基板
１３  制御電極パターン
１４  下部クラッド層
１６  導波路層
１８  上部クラッド層
２０  上部電極
【図１】
2008039908.tif 000003
【図２】
2008039908.tif 000004
【図３】
2008039908.tif 000005