(57)【要約】【課題】静電偏向器に対する同軸ケーブルの接続本数を増やすことなく、静電偏向器の高速動作を可能にする。【解決手段】電子源から放出された電子ビームを試料上に照射することでパターンを形成する電子ビーム描画装置であって、電子源よりも下流側に設けられ接地電位に保たれた外筒２１と、外筒２１内に配置され偏向電圧が印加される複数の偏向電極２２とを有し、電子ビームを電場によって偏向する静電偏向器２０と、中心導体３１と筒状の外部導体３２からなり、中心導体３１の一端が外筒２１を貫通して偏向電極２２に接続され、外部導体３２の一端が外筒２１に接続された同軸ケーブル３０と、中心導体３１と偏向電極２２との接続部近傍で、中心導体３１と外部導体３２又は外筒２１との間に接続され、同軸ケーブル３０とインピーダンス整合を取るための抵抗体４１とを備えた。【選択図】      図２
2008235464.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源から放出された電子ビームを試料上に選択的に照射することでパターンを形成する電子ビーム描画装置であって、
前記電子源よりも下流側に設けられ接地電位に保たれた外筒と、この外筒内に配置されそれぞれ偏向電圧が印加される複数の偏向電極とを有し、前記電子ビームを電場によって偏向する静電偏向器と、
中心導体とこれを同軸的に囲む筒状の外部導体からなり、中心導体の一端部が前記外筒を貫通して前記偏向電極に接続され、外部導体の一端部が前記外筒に接続された同軸ケーブルと、
前記中心導体と前記偏向電極との接続部近傍で、前記中心導体と前記外部導体又は前記外筒との間に接続され、前記同軸ケーブルとインピーダンス整合を取るための抵抗値に設定された抵抗体と、
を具備したことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
電子源から放出された電子ビームを試料上に選択的に照射することでパターンを形成する電子ビーム描画装置であって、
前記電子源よりも下流側に設けられ接地電位に保たれた外筒と、この外筒内に配置されそれぞれ偏向電圧が印加される複数の偏向電極とを有し、前記電子ビームを電場によって偏向する静電偏向器と、
中心導体とこれを同軸的に囲む筒状の外部導体からなり、中心導体の一端部が前記外筒を貫通して前記偏向電極に接続され、外部導体の一端部が前記外筒に接続された同軸ケーブルと、
前記外部導体とほぼ同じ径の筒状に形成され、前記中心導体と前記偏向電極との接続部近傍で、前記偏向電極と前記外部導体又は前記外筒との間に接続され、前記同軸ケーブルとインピーダンス整合を取るための抵抗値に設定された抵抗体と、
を具備したことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記抵抗体の抵抗値は、前記同軸ケーブルの特性インピーダンスとほぼ等しいことを特徴とする請求項１又は２記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記抵抗体は、中心部に前記中心導体が貫通され、外周面が前記外部導体又は前記外筒に接触するリング状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記抵抗体は、該抵抗体を流れる電流が前記中心導体を軸として対称になるように抵抗分布が決められていることを特徴とする請求項４記載の電子ビーム描画装置。
【請求項６】
前記外筒の外部導体との接続部近傍に、前記外筒を冷却する冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子ビーム描画装置。
【請求項７】
前記同軸ケーブルの前記静電偏向器側に、前記中心導体と前記外部導体との間の空間に冷却流体を流す冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子ビーム描画装置。
【請求項８】
前記中心導体の前記偏向電極との接続部は、可撓性の部材で形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子ビーム描画装置。
【請求項９】
前記偏向電極は、絶縁体からなる偏向電極固定部材により前記外筒に固定されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子ビーム描画装置。
【請求項１０】
前記同軸ケーブルの先端部は前記静電偏向器と着脱可能になっており、前記同軸ケーブルの装着時に前記中心導体が前記偏向電極に接触し、前記外部導体が前記外筒に接触することを特徴とする請求項１又は２記載の電子ビーム描画装置。
【請求項１１】
前記抵抗体は、前記外筒の前記同軸ケーブルの中心導体が貫通される部分に固定され、前記同軸ケーブルの装着時に前記同軸ケーブルの中心導体と接触することを特徴とする請求項８記載の電子ビーム描画装置。
【請求項１２】
電子源から放出された電子ビームを試料上に選択的に照射することでパターンを形成する電子ビーム描画装置であって、
前記電子源よりも下流側に前記電子ビームの軸と同軸的に設けられ、接地電位に保たれた外筒と、この外筒内に前記電子ビームの軸を中心として対称に配置され、それぞれ偏向電圧が印加される複数の偏向電極とを有し、前記電子ビームを電場によって偏向する静電偏向器と、
中心導体とこれを同軸的に囲む筒状の外部導体からなり、中心導体の一端部が前記外筒を貫通して前記偏向電極に接続され、外部導体の一端部の外周面が前記外筒に接続された同軸ケーブルと、
中心部に前記中心導体が貫通され、外周面が前記外部導体に接触するリング状に形成され、前記外部導体の一端部の内周面と前記中心導体との間に挿入され、前記同軸ケーブルの特性インピーダンスとほぼ等しい抵抗値に設定された抵抗体と、
を具備したことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビームを用いて試料上にＬＳＩパターンを描画する電子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビーム描画装置においては、電子ビームを偏向するために、複数の偏向電極から構成された静電偏向器が用いられている。この静電偏向器は、偏向電極に偏向アンプで発生させた電位を与えて、偏向電極間に生ずる電場により電子ビームを偏向するものである。
【０００３】
偏向アンプの出力端には同軸ケーブルの一端が接続され、同軸ケーブルの他端は偏向電極に接続されている。通常、偏向電極は電気的には同軸ケーブルとのみ接続されているから、等価回路的には同軸ケーブルの先に容量負荷が付いたものと考えられる。このため、偏向アンプから入力した信号は偏向電極でほぼ全反射し、入力信号が同軸ケーブルの長さに応じた一定時間遅れて、偏向アンプに戻ってくることになる。従って、同軸ケーブル内に定在波が生じてしまい、偏向アンプの高速での動作は難しくなる。
【０００４】
そこで、偏向電極に、偏向アンプに接続された同軸ケーブルとは別に、終端抵抗に接続された同軸ケーブルを接続し、偏向電極での信号の反射を抑え、高速動作を行う方式が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、偏向アンプに接続された同軸ケーブルと終端抵抗に接続された同軸ケーブルとを接続し、これらの接続部で同軸ケーブルの中心導体と偏向電極とをつなぐ方式が提案されている（例えば、特許文献２）。しかしながら、何れの方式においても、一つの偏向電極に対して２本の同軸ケーブルを接続する必要があり、構成が複雑化するという問題があった。
【特許文献１】特開平１１−２７３６０３号公報
【特許文献２】特開平  ９−３４０２８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、同軸ケーブルの接続本数を増やすことなく静電偏向器の高速動作を可能にする電子ビーム描画装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
【０００７】
即ち、本発明の一態様は、電子源から放出された電子ビームを試料上に選択的に照射することでパターンを形成する電子ビーム描画装置であって、前記電子源よりも下流側に設けられ接地電位に保たれた外筒と、この外筒内に配置されそれぞれ偏向電圧が印加される複数の偏向電極とを有し、前記電子ビームを電場によって偏向する静電偏向器と、中心導体とこれを同軸的に囲む筒状の外部導体からなり、中心導体の一端部が前記外筒を貫通して前記偏向電極に接続され、外部導体の一端部が前記外筒に接続された同軸ケーブルと、前記中心導体と前記偏向電極との接続部近傍で、前記中心導体と前記外部導体又は前記外筒との間に接続され、前記同軸ケーブルとインピーダンス整合を取るための抵抗値に設定された抵抗体と、を具備したことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の別の一態様は、電子源から放出された電子ビームを試料上に選択的に照射することでパターンを形成する電子ビーム描画装置であって、前記電子源よりも下流側に設けられ接地電位に保たれた外筒と、この外筒内に配置されそれぞれ偏向電圧が印加される複数の偏向電極とを有し、前記電子ビームを電場によって偏向する静電偏向器と、中心導体とこれを同軸的に囲む筒状の外部導体からなり、中心導体の一端部が前記外筒を貫通して前記偏向電極に接続され、外部導体の一端部が前記外筒に接続された同軸ケーブルと、前記外部導体とほぼ同じ径の筒状に形成され、前記中心導体と前記偏向電極との接続部近傍で、前記偏向電極と前記外部導体又は前記外筒との間に接続され、前記同軸ケーブルとインピーダンス整合を取るための抵抗値に設定された抵抗体と、を具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、同軸ケーブルと偏向電極との接続部において、中心導体と外部導体若しくは外筒との間、又は外筒と外部導体との間に抵抗体を接続することにより、外部からみてインピーダンスの整合が取れるようにしている。このため、同軸ケーブルの接続本数を増やすことなく静電偏向器の高速動作が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる電子ビーム描画装置を示す概略構成図である。図中の１１は電子銃、１２ａ〜１２ｅは各種レンズ、１３ａ〜１３ｃは各種偏向器、１４ａ〜１４ｃは各種アパーチャ、１５は試料、１６は試料ステージを示している。
【００１２】
加速電圧５０ｋＶで電子銃１１から放出された電子ビームは、クロスオーバ像が成形偏向器１３ｂの偏向不動点に一致するように励磁されたコンデンサーレンズ１２ａ，１２ｂにより集束され、第１成形アパーチャ１４ａに照射される。第１成形アパーチャ１４ａには矩形の開口が設けてあり、アパーチャ１４ａを透過した第１の成形電子ビームは矩形断面形状を有する。
【００１３】
第１成形アパーチャ１４ａにより成形された第１の成形電子ビームは、第１成形アパーチャ１４ａの像が第２成形アパーチャ１４ｂ上に結像するように励磁された投影レンズ１２ｃにより集束され、第２成形アパーチャ１４ｂに照射される。ここで、成形偏向器１３ｂにより第２成形アパーチ１４ｂャ上の照射位置を変更できるようになっている。第２成形アパーチャ１４ｂ上には、様々な形状の開口が設けてあり、第２成形アパーチャ１４ｂの所望の位置にビームを透過させることにより、所望の断面形状を有する電子ビームを得ることができる。
【００１４】
第２成形アパーチャ１４ｂを透過した電子ビームは、縮小レンズ１２ｄ及び対物レンズ１２ｅにより集束され、試料ステージ１６上に載置された試料１５の表面に達する。このとき、電子ビームは対物偏向器１３ｃにより偏向されて、試料１５上の所望の位置に到達することになる。
【００１５】
図２及び図３は、上記装置に用いた静電偏向器、例えば成形偏向器１３ｂの例を説明するためのもので、図２は縦断面図、図３は横断面図である。
【００１６】
電子ビームの軸と同軸的に配置された外筒２１内に、４つの偏向電極２２がビーム軸を中心として対称に配置されている。これらの偏向電極２２は、絶縁体からなる偏向電極固定部材２３により外筒２２の内面に固定されている。そして、外筒２１，偏向電極２２，及び偏向電極固定部材２３から静電偏向器２０が構成されている。
【００１７】
なお、外筒２１は、基本的には電子ビームの軸と同軸的に配置される筒体であればよいが、本実施形態ではシールドをより確実にするために、筒体の上面及び下面の開口を塞ぐ円板体が設けられている。そして、上下の円板体には、電子ビームが通る穴が設けられている。
【００１８】
静電偏向器２０には、中心導体３１とこれを同軸的に囲む外部導体３２からなり、図示しない偏向アンプからの偏向電圧を供給するための同軸ケーブル３０が接続されている。即ち、静電偏向器２０の外筒２１の側面に貫通穴が設けられており、同軸ケーブル３０の中心導体３１の一端が貫通穴を通して偏向電極２２に接続されている。外筒２１の貫通穴の径が外部導体３２の外径とほぼ等しく形成され、外部導体３２の一端は外筒２１の穴部分に挿入されている。そして、同軸ケーブル３０の外部導体３２の一端側は貫通穴の部分で外筒２１に接続されている。なお、同軸ケーブル３０の中心導体３１と外部導体３２との間は、空洞又は誘電体が充填されている。
【００１９】
同軸ケーブル３０の先端部において、中心導体３１と外部導体３２との間に、リング状の抵抗体４１が設けられている。即ち、外部導体３２内にリング状の抵抗体４１が挿入され、この抵抗体４１は中心の穴部が中心導体３１に接続され、外周面が外部導体３２に接続されている。抵抗体４１の抵抗値は、同軸ケーブル３０の特性インピーダンス、例えば５０オームとなるように作られている。また、外筒２１と同軸ケーブル３０の外部導体３２との接続部近傍において、外筒２１を囲むように冷却用配管４２が設けられている。
【００２０】
同軸ケーブル３０としては、外部導体３１が金属パイプを用いたものが好ましいが、網線を用いたものでも良い。同軸ケーブル３０の誘電体としては弗素樹脂、中心導体３１としては非磁性の銅材料が使われる。真空中で発ガスが小さく、非磁性材料を用いていないものが好ましい。ここで、同軸ケーブル３０の特性インピーダンスをＺオームとすると、反射係数が１０％以下では実用上反射は無視できる場合が多い。この条件を満たすため、同軸ケーブル３０の特性インピーダンスと抵抗体４１の抵抗値とのずれは±２０％以下とするのが望ましい。
【００２１】
抵抗体４１としては、例えば弗素樹脂のような低誘電率絶縁体表面に金属や炭素等の導体被膜を成膜したものを用いることができる。このときの抵抗率の分布としては、周辺に行くほど抵抗の値が大きくすることで発熱分布を周辺部に偏在させ、冷却を容易にすることもできる。
【００２２】
静電偏向器２０の偏向電極２２は、同軸ケーブル３０の中心導体３１との接続箇所以外の場所においては実質的に外筒２１と絶縁されている。即ち、機械的な支持部としての偏向電極固定部材２３は、５０オームに比べて十分抵抗値の高い絶縁体或いは高抵抗体で作られている。この状態を等価回路図で考えると、図４に示すように特性インピーダンスＺｃの線路にＲＬ＝Ｚｃの抵抗ＲＬと偏向電極２２の外筒２１に対する容量Ｃｄとが並列につながり、更に直列にインダクタンスＬ１が含まれた回路と近似できる。
【００２３】
ここで、ＲＬ<<１／（Ｃｄ２πｆ）が成立するような周波数ｆの領域においては、Ｃｄは無視できて、負荷はＲＬと見做すことができ、信号の反射はない。一方、Ｌ１Ｃｄ>>１／（２πｆ）2 、かつＬ１／Ｒ>>１／（２πｆ）となるような高周波領域でも負荷抵抗はＲ１と見做すことができるが、このような周波数領域は非常に高いので、ここでは考えない。
【００２４】
例えば、１つの偏向電極２２の面のうち接地された外筒２１と対向する部分の寸法を５ｍｍ×２０ｍｍ、外筒２１との間隔を０．２ｍｍとすると、偏向電極２２と外筒２１との間の容量は約５ｐＦである。今、隣り合う偏向電極２２間の容量をこれよりも小さくなるように構造を決めて、偏向電極２２の容量をＣｄ＝５ｐＦと仮定する。また、インダクタンスＬ１＝１０ｐＨとすると、１／（２π（Ｌ１Ｃｄｆ）-0.5 ）＝２２．５ＧＨｚ、Ｒ１／（２πＬ１）＝１．６ＧＨｚとなるので、実用的にはインダクタンスの影響は無視できる。ｆ＝１００ＭＨｚとすると、インダクタンスの影響は無視できて、１／（Ｃｄ２πｆ）＝３１８オームとなる。また、振幅反射率は８％と小さい。
【００２５】
このような近似が成立するためには、抵抗体４１と偏向電極２２とをつなぐ中心導体３１は短い方が良い。これを長くすると、高周波領域でのインピーダンスの周波数依存性が大きくなり、高速応答性が劣化する。本発明者らの解析によれば、偏向アンプからのパルスの立ち上がり時間をＬ１／Ｒｄ及びＣｄＲ１よりも長くとると、偏向電極２２に加わる電圧の立ち上がりはほぼ偏向アンプからのパルスの立ち上がりに一致し、反射も非常に小さくできた。上記の例で考えると、Ｌ１／Ｒ＝０．１ｐｓ、ＣｄＲ１＝２５０ｐｓであるから、偏向アンプの立ち上がりを例えば１ｎｓ程度とすれば良い。この場合でも、１１ｎｓ程度で１．５×１０-5程度の精度で静定する。
【００２６】
また、抵抗体４１は必ずしも中心導体３１と外部導体３２との間に配置する必要はなく、図５に示すように、中心導体３１と外筒２１との間に設置されたものであっても良い。図５では、外筒２１の貫通穴の径が外部導体３２の外径よりも小さく、外部導体３２の一端は外筒２１の外周面に接続されている。外筒２１及び外部導体３２は共に接地状態にあるから、抵抗体４１は何れに接続しても同じであるが、中心導体３１の偏向電極２２との接続部に近い点で抵抗を接続した方が望ましいため、抵抗体４１が外部導体２１に接続されることになる。
【００２７】
また、図６に示すように、同軸ケーブル３０の偏向器への接続部近傍において、外部導体３２内に冷却ガスを供給するガス供給管５１と、外部導体３２内のガスを排気するガス排気管５２を設け、外部導体３２内に冷却用の気体を流すようにすることも可能である。このとき、同軸ケーブル３０の外部導体３２の偏向器側の開口は抵抗体４１で塞ぎ、偏光器側からガス供給管５１及びガス排気管５２よりも遠い位置で、中心導体３１と外部導体３２との間に絶縁体４３を埋め込むようにすればよい。また、抵抗体４１を、薄い誘電体の両面に成膜した２層構造として、誘電体内に冷却用の気体を流すようにすることもできる。必要であれば容量は更に小さくすることも可能である。
【００２８】
また、抵抗体４１での電流の流れは、図７（ａ）（ｂ）に示すように中心導体３１について対称になるように抵抗の材質と抵抗分布とを与えておくと、同軸ケーブル外部の磁場の漏れを小さくすることができる。本構成において、抵抗体４１は発熱するので、前記図２に示すように、水冷パイプ４２を外筒２１に設けておいて冷却できるようにする。このとき、抵抗体４１をより効率良く冷却するために、水冷パイプ４２は同軸ケーブル３０の近くに配置した方が望ましい。
【００２９】
また、偏向電極２２の固定箇所を同軸ケーブル３０の接続場所と離した位置に設け、中心導体３１の偏向電極２２との接続部に若干の撓みを持たせておくことで、抵抗体４１の温度変化に伴う中心導体３１の伸縮の影響を吸収して、偏向電極２２の取り付け精度を保つことができる。中心導体３１を可撓性材料で形成すれば、中心導体３１の伸縮を更に効率良く吸収することができる。
【００３０】
このように本実施形態によれば、同軸ケーブル３０の中心導体３１の一端を外筒２１を貫通して静電偏向器２０の偏向電極２２に接続すると共に、同軸ケーブル３０の外部導体３２の一端側を外筒２１に接続し、更に中心導体３１の偏向電極２２との接続部近傍で、中心導体３１と外部導体３２との間に抵抗体４１を設けることにより、偏向電極２２での信号の反射を抑えることができる。このため、静電偏向器の高速動作を実現することができる。そしてこの場合、同軸ケーブル３０の接続本数を増やすことがなく、構成の簡略化をはかることができる。
【００３１】
また、図８に示すように、中心導体３１の偏向電極２２との接続部を抵抗体４７とすることも、高速での電極からの反射を抑制する上で有効である。前記図４で示した等価回路からも分るように、非常に周波数ｆが高くなり、２πＣｄｆが１／ＲＬに比べて無視できないように大きくなると反射が大きくなる。そこで、中心導体３１の偏向電極２２との接続部を抵抗体とすることで、図９に示すように、Ｃｄに直列にダンピング抵抗Ｒａが入ることになり、高周波領域での反射の増加を抑制できる。例えば、図９でＲＬ＝Ｚｃで、Ｌ１の位置にＲａ＝２ＲＬの抵抗があるとすると、反射率は最大で１／３となる。Ｒａを大きくすることで反射を小さくすることができるが、一方で、電極の電圧の応答時間はＲａＣｄに比例して長くなるから、応答時間が目的を満たす範囲で大きくすることが望ましい。Ｒａ＝２Ｚｃ＝１００オーム、Ｃｄ＝５ＰＦとすると、ＲａＣｄは０．５ｎｓであるから、立ち上がり時間１０ｎｓ程度の条件では許容できる。
【００３２】
（第２の実施形態）
図１０は、本発明の第２の実施形態に係わる静電偏向器部分の概略構成を示す断面図である。なお、図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３３】
本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、抵抗体の挿入箇所である。即ち本実施形態では、中心導体３１の偏向電極２２への接続部近傍において、偏向電極２２と外部導体３２との間に抵抗体４５が設けられている。この抵抗体４５は、同軸ケーブル３０の外部導体３２とほぼ同じ径の筒体であり、抵抗体４５の抵抗値は、同軸ケーブル３０の特性インピーダンス、例えば５０オームとなるように作られている。
【００３４】
偏向電極２２は中心導体３１と同じ電位であるため、偏向電極２２と外部導体３２との間に抵抗体４５を設けても、等価回路的には第１の実施形態と同じとなる。但し、抵抗体４５の設置部分が中心導体３１の偏向電極２２への接続部と大きく離れると高速応答性が劣化するため、抵抗体４５の偏向電極２２との接続部は中心導体３１の接続部に近い方がよい。
【００３５】
また、図１１に示すように、外筒２１の貫通穴の径が外部導体３２の外径よりも小さく、外部導体３２の一端が外筒２１の外周面に接続されている構成では、偏向電極２２と外筒２１との間に抵抗体４５を設けるようにしても良い。この場合も、抵抗体４５の偏向電極２２との接続部は中心導体３１の接続部に近い方がよい。
【００３６】
このように、抵抗体４５を、中心導体３１と外部導体３２との間に配置するのではなく、偏向電極２２と外部導体３２又は外筒２１との間に配置しても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、抵抗体４５を偏向電極２２の固定部材として用いることも可能であり、偏向電極固定部材２３を省略できる利点もある。
【００３７】
（第３の実施形態）
図１２（ａ）（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係わる静電偏向器部分の概略構成を説明するためのもので、（ａ）は装着前の状態を示す断面図、（ｂ）は装着後の状態を示す断面図である。なお、図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３８】
本実施形態は、同軸ケーブル３０を静電偏向器２０に着脱可能な構成としたものであり、抵抗体４１は同軸ケーブル３０に固定されている。
【００３９】
図１２（ａ）に示すように、偏向電極２２には、同軸ケーブル３０の中心導体３１の先端部が挿入される穴部が設けられ、この穴部に中心導体３１との接触抵抗を低減するための接続部材２５が設けられている。同軸ケーブル３０は内部導体３１が先端よりも突出しており、外部導体３２と中心導体３１との間に抵抗体４１が設けられている。そして、同軸ケーブル３０の外周面にネジ６２が固定され、外筒２１のケーブル接続孔近傍に、ネジ６２と締結可能なネジ６１が回転自在に取り付けられている。
【００４０】
同軸ケーブル３０は、図１２（ｂ）に示すように、外筒２１のケーブル接続穴を通して偏向電極２２側に移動し、ネジ６１，６２の締結により、外筒２１に固定される。このとき、内部導体３１の先端部は偏向電極２２の接続部材２５に接触し、外部導体３２は外筒２１に接触することになる。
【００４１】
従って、図１２（ｂ）に示す状態では、前記図２と実質的に同じ構成となり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、抵抗体４１が同軸ケーブル３０と一体化しているので、静電偏向器側の製作が容易になる利点もある。
【００４２】
（第４の実施形態）
図１３（ａ）（ｂ）は、本発明の第４の実施形態に係わる静電偏向器部分の概略構成を説明するためのもので、（ａ）は装着前の状態を示す断面図、（ｂ）は装着後の状態を示す断面図である。なお、図１２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４３】
本実施形態は、同軸ケーブル３０を静電偏向器２０に着脱可能な構成としたものであり、抵抗体４１は外筒２１に固定されている。
【００４４】
図１３（ａ）に示すように、偏向電極２２には、同軸ケーブル３０の中心導体３１の先端部が挿入される穴部が設けられ、この穴部に中心導体３１との接触抵抗を低減するための接続部材２５が設けられている。外筒２１の同軸ケーブル３０を挿通するケーブル接続穴には、中心部に同軸ケーブルの内部導体３１が挿通される穴を有するリング状の抵抗体４１が固定されている。
【００４５】
同軸ケーブル３０は、図１３（ｂ）に示すように、外筒２１のケーブル接続穴を通して偏向電極２２側に移動し、ネジ６１，６２の締結により、外筒２１に固定される。このとき、内部導体３１の先端部は偏向電極の接続部材２５に接触すると共に、外筒２１の穴部に設けた抵抗体４１と接触することになる。さらに、同軸ケーブル３０の外部導体３２は、抵抗体４１の周縁部及び外筒２１に接触することになる。
【００４６】
従って、図１３（ｂ）に示す状態では、前記図２と実質的に同じ構成となり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、抵抗体４１が外筒２１と一体化しているので、同軸ケーブル３０には何らの細工を施す必要が無く、通常のケーブルをそのまま用いることができる利点がある。
【００４７】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。電子ビーム描画装置の光学系の構成は前記図１に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。実施形態では、本発明をビームを成形するための成形偏向器に適用した例を説明したが、必ずしも成形偏向器に限らず、電場によりビームを偏向する静電偏向器であれば本発明を適用可能である。さらに、偏向電極の数は４個に限定されるものではなく、８個、その他の数であっても良い。
【００４８】
また、抵抗体の形状及び材料も、仕様に応じて適宜変更可能である。さらに、抵抗体の設置位置は、実施形態に示した例に限らず、中心導体と偏向電極との接続部近傍であればよい。さらに、ダンピング抵抗に関しても、等価回路的に抵抗体と並列になるのであれば中心導体接続部近傍の電極の一部であっても良い。例えば図１２及び図１３の例で接続部材２５が抵抗体で作られていても良い。
【００４９】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第１の実施形態に係わる電子ビーム描画装置を示す概略構成図。
【図２】図１の電子ビーム描画装置に用いた静電偏向器の概略構成を示す縦断面図。
【図３】図１の電子ビーム描画装置に用いた静電偏向器の概略構成を示す横断面図。
【図４】図２及び図３に示す構造の等価回路図。
【図５】第１の実施形態の変形例を示す断面図。
【図６】第１の実施形態の別の変形例を示す断面図。
【図７】図２及び図３の静電偏向器に用いた抵抗体の構成を示す断面図と平面図。
【図８】第１の実施形態の更に別の変形例を示す断面図。
【図９】図８に示す構造の等価回路図。
【図１０】第２の実施形態に係わる静電偏向器部分の概略構成を示す断面図。
【図１１】第２の実施形態の変形例を示す断面図。
【図１２】第３の実施形態に係わる静電偏向器部分の概略構成を示す断面図。
【図１３】第４の実施形態に係わる静電偏向器部分の概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１１…電子銃
１２ａ〜１２ｅ…各種レンズ
１３ａ〜１３ｃ…各種偏向器
１４ａ〜１４ｃ…各種アパーチャ
１５…試料
１６…試料ステージ
２０…静電偏向器
２１…外筒
２２…偏向電極
２３…固定部材
２５…接続部材
３０…同軸ケーブル
３１…中心導体
３２…外部導体
４１，４５…抵抗体
４２…冷却用配管
４３…絶縁体
５１…ガス供給管
５２…ガス排気管
６１，６２…ネジ
【図１】
2008235464.tif 000003
【図２】
2008235464.tif 000004
【図３】
2008235464.tif 000005
【図４】
2008235464.tif 000006
【図５】
2008235464.tif 000007
【図６】
2008235464.tif 000008
【図７】
2008235464.tif 000009
【図８】
2008235464.tif 000010
【図９】
2008235464.tif 000011
【図１０】
2008235464.tif 000012
【図１１】
2008235464.tif 000013
【図１２】
2008235464.tif 000014
【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、偏向電極に、偏向アンプに接続された同軸ケーブルとは別に、終端抵抗に接続された同軸ケーブルを接続し、偏向電極での信号の反射を抑え、高速動作を行う方式が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、偏向アンプに接続された同軸ケーブルと終端抵抗に接続された同軸ケーブルとを接続し、これらの接続部で同軸ケーブルの中心導体と偏向電極とをつなぐ方式が提案されている（例えば、特許文献２）。しかしながら、何れの方式においても、一つの偏向電極に対して２本の同軸ケーブルを接続する必要があり、構成が複雑化するという問題があった。
【特許文献１】特開平１１−２７３６０３号公報
【特許文献２】特開平１１−１７６７１９号公報