(57)【要約】【課題】ヒータを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータに対し過剰通電になると、ヒータの抵抗線と絶縁体との間にエレクトロマイグレーションが発生し、ヒータ抵抗値が変化する、ヒータ通電寿命が低下する、抵抗線が断線するという問題が発生する。【解決手段】薄膜磁気ヘッド１は下部磁気シールド層５に近接してヒータ４を備えている。ヒータ４は、抵抗線４０を蛇行させたものである。抵抗線４０は、NiCr薄膜４１とTa薄膜４２との積層膜であり、Ta薄膜４２がNiCr薄膜４１の上下に配置されて、NiCr薄膜４１を挟み込むように構成されている。TaとNiCrの電流耐性、いわゆるエレクトロマイグレーション耐性を比較した場合、高融点金属であるTaの方が大幅に優れており、このようなTa薄膜４２でNiCr薄膜４２を挟み込む構造とすることにより、抵抗線４０自体のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上する。【選択図】図４Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、前記再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ヒータを構成する抵抗線がNiCr、Nb、Ta、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属の薄膜と、該金属薄膜の上下に設けられた高融点の金属薄膜を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記高融点の金属薄膜がTa、Nb、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属で構成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記金属薄膜がNiCr膜であり、前記高融点の金属薄膜がTa膜であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記ヒータの抵抗線が、NiCr、Nb、Ta、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属の薄膜を２層以上有し、該２層以上の金属薄膜それぞれの上下に設けられた高融点の金属薄膜を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記高融点の金属薄膜がTa、Nb、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属で構成されていることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記金属薄膜がNiCr膜であり、前記高融点の金属薄膜がTa膜であることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、前記再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ヒータの上部で、前記下部磁気シールド層の近傍に、非磁性金属層が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記ヒータの抵抗線がNiCr、Nb、Ta、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属の薄膜で構成され、前記非磁性金属層がCuで構成されていることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記非磁性金属層が前記下部磁気シールド層の後部に設けられていることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記非磁性金属層が前記下部磁気シールド層の後部に接して設けられていることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、前記再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ヒータは、コの字状にパターン化された抵抗線を有し、該抵抗線の角部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で覆われているか、または前記抵抗線の角部が円弧状を成しているか、または前記抵抗線の角部同士を接続するクロスパターン部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で構成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記抵抗線がNiCr膜であり、該抵抗線の角部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で覆われている場合、該高融点の金属薄膜はTa膜であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記抵抗線のパターン幅をａ、パターンの間隔をｂとした場合、ｂ／ａが１以上であり、前記抵抗線の素子高さ方向のパターンの長さをＣ、クロスパターンの長さをＤとした場合、Ｃ／Ｄが１〜２であることを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記抵抗線がNiCr膜であり、該抵抗線の角部同士を接続するクロスパターン部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で構成されている場合、該高融点の金属薄膜はTa膜であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記抵抗線のパターン幅をａ、パターンの間隔をｂとした場合、ｂ／ａが１以上であり、前記抵抗線の素子高さ方向のパターンの長さをＣ、クロスパターンの長さをＤとした場合、Ｃ／Ｄが１〜２であることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記抵抗線の角部が円弧状を成しており、前記抵抗線のパターン幅をａ、パターンの間隔をｂとした場合、ｂ／ａが１以上であり、前記抵抗線の素子高さ方向のパターンの長さをＣ、クロスパターンの長さをＤとした場合、Ｃ／Ｄが１〜２であることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドに係り、特に、磁気記録媒体上の浮上量を制御するためのヒータを備えた薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録装置における記録密度は飛躍的に高められており、これは、それを実現するための主要技術の一つである磁気記録媒体と磁気ヘッド間の隙間、すなわち磁気ヘッド浮上量が極めて小さくなったことによるところが大きい。しかし、浮上量が小さくなることにより媒体とヘッドとの衝突確率が増大し、サーマルアスペリティの発生、ヘッド出力の減衰、ヘッドノイズの増大等、色々な問題も顕在化しつつある。このため、媒体とヘッド間の浮上量は上記のような問題が発生しない程度に制御しつつ、媒体に信号を記録する、あるいは媒体の信号を再生する時にのみこの隙間を小さくする技術を用いた磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置が提案されている。
【０００３】
このような従来技術として、例えば特許文献１には、薄膜抵抗体（ヒータ）をヘッド内に埋め込み、これを発熱させて浮上量を可変する電磁誘導型磁気ヘッドと磁気ディスク装置とが開示されている。また、特許文献２には、信号記録部と、磁気記録媒体に記録された信号を磁気抵抗効果を利用して検出する信号再生部とが分離され、かつ磁気記録媒体とヘッド間の浮上量を制御するためのヒータが設けられた、磁気抵抗効果ヘッドと磁気ディスク装置が開示されている。さらに、特許文献３には、磁気抵抗効果素子の温度を上昇させないような位置にヒータを設けて、浮上量を制御する磁気ヘッドスライダと磁気ディスク装置とが記載されている。
【０００４】
上記の従来技術においては、薄膜抵抗体を発熱させるために必要な最適な通電量の制御について、ヘッドと媒体との接触時を検知する、ヘッドの出力レベルを検知する、ヘッドと媒体とを点接触または線接触させる、あるいはヘッド近傍の温度を検知しこれを浮上量の情報に変換する、というように各種色々な方法が採用されている。
【０００５】
一方、ヒータの構造に関して、特許文献４には、ヒータ部材の発熱部を、比抵抗の低いヒータ層と比抵抗の高いキャップ層の上下２層構造にすることにより、ヒータ部材全体の抵抗値のばらつきを低減する技術が開示されており、特許文献５には、ヒータ近傍に、ヒータとヒータの周辺を満たす物質（アルミナ）よりも熱伝導率の高い温度勾配緩和材を形成し、ヒータ抵抗線のマイグレーションによる断線を少なくする技術が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２０６３５号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２３３５号公報
【特許文献３】特開２００４−２４１０９２号公報
【特許文献４】特開２００４−２８０８８７号公報
【特許文献５】特開２００６−５３９７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、従来技術では薄膜抵抗体（ヒータ）を発熱させるために必要な通電量を決定する方法として、ヘッドと媒体との接触を検知する、ヘッドの出力レベルを検知する、ヘッドと媒体とを点接触または線接触させる、あるいはヘッド近傍の温度を検知しこれを浮上量の情報に変換する、等の方法が採用されている。しかし、ヘッドと媒体との接触を検知する、あるいはヘッドと媒体とを点接触または線接触させる方法については、接触によるヘッドへのダメージが大きく、その後のヘッドの使用に支障をきたす場合があり、問題がある。また、ヘッドの出力レベルを検知する、あるいはヘッド近傍の温度を検知しこれを浮上量の情報に変換する方法では、ロット間、ウェハ間、ウェハ内、さらには加工工程等に起因する、ヘッド個々の特性にばらつきがあるため、ヘッドによってはヘッドと媒体が接触しない限り所望の出力が得られるまでヒータに通電していくことになる。この場合、磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵抗素子部の温度が大幅に上昇し素子の通電寿命を大幅に低下させる結果になる。さらに、ヒータ自身に対しても過剰通電になり、抵抗線と絶縁体との間にエレクトロマイグレーションが発生し、抵抗線の金属成分が絶縁層との界面で優先的に移動するので、抵抗線の抵抗値が変化（増加）する。抵抗線の抵抗値が増加すると、同じ通電量に対して発熱量が増加するので、ヘッドの浮上量を正確に制御できなくなるし、ヒータの通電寿命も低下する。また、エレクトロマイグレーションにより、抵抗線が予想を越えて劣化する場合があり、その場合には抵抗線が断線することになる。
【０００８】
本発明の目的は、ヒータを内蔵する薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータ抵抗線のエレクトロマイグレーション耐性を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータを構成する抵抗線がNiCr、Nb、Ta、TiおよびWからなる群の中から選択された少なくとも一種の金属の薄膜と、この金属薄膜の上下に設けられた高融点の金属薄膜とで構成されるものである。
【００１０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータの上部で、下部磁気シールド層の近傍に、非磁性金属層が設けられるものである。
【００１１】
さらに、本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子が設けられた再生ヘッドと、下部磁気コアと上部磁気コアの間にコイルが設けられた記録ヘッドと、再生ヘッドの近傍に設けられたヒータとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータは、コの字状にパターン化された抵抗線を有し、抵抗線の角部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で覆われているか、抵抗線の角部が円弧状を成しているか、あるいは抵抗線の角部同士を接続するクロスパターン部が抵抗線よりも高融点の金属薄膜で構成されているものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ヒータ抵抗線のエレクトロマイグレーション耐性を向上することができるので、通電量に対して信頼性的に十分なマージンを持ったヒータを有する、高密度磁気記録再生に最適な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図８及び図９を参照して、本発明に関連する磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッドの概略構成について説明する。図８は磁気ディスク装置の全体構成を示す上面図であり、図９は薄膜磁気ヘッドを浮上面側から見た斜視図である。磁気ディスク装置１００は、スピンドルモータ１０２によって回転される磁気ディスク１０４と、再生ヘッドと記録ヘッドを搭載する薄膜磁気ヘッド１と、薄膜磁気ヘッド１を支持するサスペンション１０６と、サスペンション１０６を回転させるアクチュエータ１１０と、薄膜磁気ヘッド１が退避するランプ機構１１２とを備えている。薄膜磁気ヘッド１は、サスペンション１０６に支持されて、回転する磁気ディスク上を浮上し、磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。アクチュエータ１１０は、ボイスコイルモータにより構成され、薄膜磁気ヘッド１の記録再生動作の終了時、あるいは磁気ディスク装置１００の停止時に、サスペンション先端部のリフトタブ１０８を介して、薄膜磁気ヘッド１をランプ機構１１２に退避させる。
【００１４】
図９を参照するに、薄膜磁気ヘッド１は、スライダ（基板）２と素子部１５とを有し、素子部１５に再生ヘッドと記録ヘッドが積層されたヘッド素子部１６が形成されている。スライダ２の磁気ディスクと対向する浮上面には、浮上レール１７と、浅溝レール１８と、深溝１９が形成されている。図１０Ａに、薄膜磁気ヘッド１が磁気ディスク１０４上を浮上している様子を示す。薄膜磁気ヘッド１は、磁気ディスク１０４が矢印方向に回転することにより生じる粘性層流に乗り、空気流出端側（ヘッド素子部１６側）よりも空気流入端側を持ち上げて浮上する。磁気ディスク１０４の表面からヘッド素子部１６までの距離が、薄膜磁気ヘッド１の浮上量ｈとして定義される。
【００１５】
図１は、本発明の実施例１による薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の構成を示す図であり、図９のＡ−Ａ線断面図である。本実施例による薄膜磁気ヘッド１は、基板（スライダ）２上にアルミナ絶縁層３を介して、ヘッド/媒体間の浮上量を調整するためのヒータ４が所定の形状に形成され、続いて、再生ヘッドを構成する下部磁気シールド層５、アルミナ絶縁層６、アルミナ絶縁層６の中に磁気抵抗効果素子部７、上部磁気シールド層８が形成され、この上に、アルミナ絶縁層６′を介して記録ヘッドを構成する下部磁気コア９、コイル１０、上部ポール１１、上部磁気コア１２が形成され、これらの上に保護絶縁層１３が形成されてなるものである。
【００１６】
図２は、磁気抵抗効果素子部７を浮上面側から見た拡大図であり、ＧＭＲ(Giant Magnetoresistine)素子の層構造を示す。磁気抵抗効果素子部７は、図示しない絶縁層の上に反強磁性層７１が形成され、続いて強磁性体の固定層７２、Ｃｕ等の非磁性導電層７３、強磁性体の自由層７４が積層された多層膜である。この多層膜の両端には、磁区制御層７５、電極層７６が配置されている。固定層７２は、反強磁性層７１との界面で生じる交換結合磁界により磁化の向きが固定されている。それに対して、自由層７４は、外部磁界の向きに応じて磁化の向きが可変可能となっている。磁気ディスク装置は、固定層７２と自由層７４との成す角度によりＧＭＲ素子7の抵抗が変化する特性を利用して、磁気ディスク上の情報を再生している。具体的には、固定層７２の磁化の向きと自由層７４の磁化の向きが平行の場合、ＧＭＲ素子７の抵抗は最小となり、反平行の場合は、ＧＭＲ素子７の抵抗は最大となる。
【００１７】
図３にヒータ４の平面形状を示す。ヒータ４は、抵抗線４０を蛇行させた構造であり、その両端には電流を供給するためのリード線４３、４４を有する。図４Ａ、図４Ｂに抵抗線４０の構成を断面図で示す。図４Ａに示す抵抗線４０は、NiCr薄膜４１とTa薄膜４２との積層膜で構成されている。この構成の特徴は、Ta薄膜４２がNiCr薄膜４１の上層および下層に配置され、NiCr薄膜４１を挟み込むように形成されていることである。TaとNiCrの電流耐性、いわゆるエレクトロマイグレーション耐性を比較した場合、高融点金属であるTaの方が大幅に優れており、このようなTa薄膜でNiCr薄膜を挟み込む構造とすることにより、抵抗線のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上することになる。また、Ta薄膜４２でNiCr薄膜４１を挟み込むことにより、NiCr薄膜４１のエレクトロマイグレーションの起源となる、NiCr薄膜と絶縁層との界面をなくすことになり、NiCr薄膜自体のエレクトロマイグレーション耐性を向上することができる。図４Ｂに示す抵抗線４０は、NiCr薄膜４１を多層とし、各NiCr薄膜４１の上下にTa薄膜４２を配置したものである。この場合も、各NiCr薄膜４１は、Ta薄膜４２に挟まれているので、抵抗線及びNiCr薄膜のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上する。
【００１８】
図４Ａ、図４Ｂに示す、エレクトロマイグレーション耐性に優れたヒータ４を実装した図１に示す薄膜磁気ヘッド１は、抵抗線４０の抵抗変化が少ないため、通電量に対して予定した発熱量が得られる。したがって、ヒータ４を用いた薄膜磁気ヘッド１の浮上量制御を正確に行うことができる。また、予定した発熱量で安定的に使用できるため、ヒータ４の通電寿命を長くすることができる。さらに、エレクトロマイグレーションによる劣化が少ないので、抵抗線４０の断線を防止することができる。
【００１９】
ここで、図１０Ａ、図１０Ｂを参照して、上記薄膜磁気ヘッド１の浮上量制御について説明する。図１０Ａは、ヒータ４に通電しない場合であり、図１０Ｂはヒータ４に通電した場合を示す。薄膜磁気ヘッド１のヒータ４は、抵抗線４０がエレクトロマイグレーションを起こさないので、抵抗線４０の抵抗値は所定の値を維持し、通電量に対して所定の発熱量が得られる。したがって、図１０Ｂに示すように、ヘッド素子部１６の突出量ｐを正確に制御することができるので、図１０Ａに示す薄膜磁気ヘッド１の浮上量ｈを、突出量ｐだけ低減した浮上量ｈ′に正確に制御することができる。
【００２０】
以上の説明のとおり、実施例１によるヒータ構造とすることにより、個々のヘッドに対して最適な浮上量を調整、制御するために、ヒータへ設定された最適な通電量に対し、信頼性的に十分な耐電流マージンを持ったヒータを実現することができ、高密度磁気記録再生に最適な薄膜磁気ヘッドとすることができる。
【００２１】
なお、上記実施例１では、ヒータ材料としてNiCｒ薄膜およびTa薄膜を用いたが、NiCr薄膜に変えてTa,Ti,Nb,W等の高融点金属薄膜あるいはその他遷移金属薄膜を使用することができる。また、Ta薄膜４２に変えて、Ti,Nb,W等の高融点金属薄膜を使用することができる。
【００２２】
図５に、実施例２による薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の断面図を示す。図５に示す薄膜磁気ヘッド１′は、下部磁気シールド層５の後部に設置されたヒータ４に対し、同図に示すようにヒータ４の上部を覆うように、かつ下部磁気シールド層５に近接するようにＣｕからなる非磁性金属層４６を積層したものである。その他の構成は、実施例１と同じである。ヒータ４全体をこのようにＣｕからなる非磁性金属層４６で覆い、かつ非磁性金属層４６を下部磁気シールド層５に近接するように形成することにより、ヒータ４で発生する熱を効率よく非磁性金属層４６を通して下部磁気シールド層５側に逃がすことができるので、浮上面を効率的に突出させる効果があると同時に、ヒータ４自体の温度上昇が緩和されるので、抵抗線４０のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上する。
【００２３】
実施例２によるヒータ構成にすることによっても、個々のヘッドに対して設定された最適なヒータ通電量に対し、信頼性的に十分な耐電流マージンを持った加熱ヒータを実現することができ、高密度磁気記録再生に最適な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００２４】
なお、実施例２では、ヒータ４を覆う非磁性金属層４３としてＣｕ層を用いたが、これに変えて、非磁性で熱伝導性の良い他の金属材料を使用することができる。また、非磁性金属層４３は下部磁気シールド層５に接触するように設けられても特に問題はなく、ヒータ４の発熱による浮上面の突出に関しては、むしろ効率が良くなる。
【００２５】
次に、図６Ａ〜図６Ｄを参照して、実施例３による薄膜磁気ヘッドのヒータ構成について説明する。図６Ａに、ヒータ４の基本構成を示すが、ヒータ４はNiCr薄膜の抵抗線４０がコの字状にパターン化されたものである。図６Ｂに、具体的構成例を示すが、この例の特徴は、コの字状のNiCr薄膜の抵抗線４０の角部４０ａにおいて、NiCr薄膜とは異なる金属膜、例えばTa薄膜４０ｂを積層することである。この構成により、角部４０ａに集中する電流によって生じるエレクトロマイグレーションが抑制されるので、抵抗線自体のエレクトロマイグレーション耐性を大幅に向上することができる。
【００２６】
図６Ｃに、他の構成例を示すが、この構成の特徴は、コの字状のNiCr薄膜の抵抗線４０の角部４０ａを円弧状４０ｃあるいは面取りした形状４０ｄにすることである。この構成によっても、角部４０ａに集中する電流によって生じるエレクトロマイグレーションが抑制されるので、抵抗線自体のエレクトロマイグレーション耐性を大幅に向上することができる。
【００２７】
図６Ｄに、さらに他の構成例を示すが、この構成の特徴は、コの字状の抵抗線４０の、ヘッド素子高さ方向に延びるパターン４０ｅをNiCr薄膜で形成し、このパターンの端部同士を接続するクロスパターン４０ｆを、NiCr薄膜とは異なる金属膜、例えばTa薄膜で形成するものである。この構成によっても、コの字状パターンの角部４０ａに集中する電流によって生じるエレクトロマイグレーションが抑制されるので、抵抗線自体のエレクトロマイグレーション耐性を大幅に向上することができる。
【００２８】
さらに、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄに示したパターン化されたヒータ４において、図６Ａに示すように、抵抗線４０のパターン間の間隔ｂを、パターン幅ａの１倍以上とし、コの字状パターンの互いに交わるラインパターン同士の長さＣおよびＤの比Ｃ／Ｄが１〜２以内となるように形成することにより、ヒータ抵抗を１００Ωから１０００Ωに制御することができる。これにより、ヒータ自体の発熱の集中による温度上昇を緩和する効果があり、これによっても抵抗線のエレクトロマイグレーション耐性を向上することができる。
【００２９】
ところで、ヒータ４の発熱により、浮上面を突出させて、浮上量を最適値に制御するためには、磁気記録装置に薄膜磁気ヘッド１を搭載した際、ヒータ４に通電しない時の浮上量に対して、通電により２〜１０ｎｍ程度の突出が必要であり、そのためにはヒータ４に印加する電力に対する磁気抵抗効果素子部７における浮上面の突出感度は、約１〜２ｎｍ/１０ｍＷ前後に設計するのが望ましい。図７は、実施例３において、抵抗線パターン幅ａを２μｍとして、ヒータ４の抵抗を５００Ωに設計し、浮上面の突出感度を約１ｎｍ/１０ｍＷにした場合における、ヒータ４の自己発熱による抵抗変化率に対する抵抗線パターン間隔ｂとパターン幅aの比ｂ／ａと、ラインパターン同士の長さの比Ｃ／Ｄの関係を示したものである。同図からｂ／ａが大きくなる程、Ｃ／Ｄが１に近い程、抵抗変化率は低下する。すなわち、浮上面の突出感度は一定に保ちながらヒータ４の温度上昇を抑制できる効果があることがわかる。この効果により、上述したように抵抗線自体のエレクトロマイグレーション耐性が向上するものである。なお、本実施例では抵抗線パターン幅ａを２μｍとしたが、パターン幅ａは０．５〜５μｍの範囲で設計するのが望ましい。
【００３０】
以上の説明のとおり、本発明によれば、ヒータのエレクトロマイグレーション耐性を大幅に向上することが可能であり、したがってヒータを用いた薄膜磁気ヘッド個々に対して設定された最適なヒータ通電量に対し、信頼性的に十分な耐電流マージンを持つヒータを実現することができ、高密度磁気記録再生に最適な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施例１による薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の断面図である。
【図２】図１の磁気抵抗効果素子部を浮上面から見た拡大図である。
【図３】図１のヒータの形状を示す平面図である。
【図４Ａ】実施例１におけるヒータの抵抗線を示す断面図である。
【図４Ｂ】実施例１におけるヒータの抵抗線の他の例を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例２による薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の断面図である。
【図６Ａ】本発明の実施例３による薄膜磁気ヘッドの、ヒータの基本構成を示す平面図である。
【図６Ｂ】本発明の実施例３による薄膜磁気ヘッドの、ヒータの具体的構成を示す平面図である。
【図６Ｃ】本発明の実施例３による薄膜磁気ヘッドの、ヒータの具体的構成の他の例を示す平面図である。
【図６Ｄ】本発明の実施例３による薄膜磁気ヘッドの、ヒータの具体的構成のさらに他の例を示す平面図である。
【図７】実施例３におけるヒータの、自己発熱による抵抗変化率に対する抵抗線パターン間隔ｂとパターン幅aの比ｂ／ａと、ラインパターン同士の長さの比Ｃ／Ｄの関係を示す図である。
【図８】本発明に関連する磁気ディスク装置の全体構成を示す平面図である。
【図９】本発明に関連する薄膜磁気ヘッドの浮上面側から見た斜視図である。
【図１０Ａ】薄膜磁気ヘッドが磁気ディスク上を浮上している様子を示す側面図である。
【図１０Ｂ】ヒータに通電することにより、薄膜磁気ヘッドの浮上量を制御している様子を示す側面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１，１′…薄膜磁気ヘッド、２…基板（スライダ）、３，６，６′…：アルミナ絶縁層、４…ヒータ、５…下部磁気シールド層、７…磁気抵抗効果素子部、８…上部磁気シールド層、９…下部磁気コア、１０…コイル、１１…上部ポール、１２…上部磁気コア、１３…保護絶縁層、１５…素子部、１６…ヘッド素子部、１７…浮上レール、１８…浅溝レール、１９…深溝、４０…抵抗線、４０ａ…角部、４０ｂ，４０ｆ…Ta薄膜、４０ｅ…抵抗線パターン、４０ｆ…クロスパターン、４１…NiCr薄膜、４２…Ta薄膜、４３，４４…リード線、４６…非磁性金属層、１００…磁気ディスク装置、１０２…スピンドルモータ、１０４…磁気ディスク、１０６…サスペンション、１０８…リフトタブ、１１０…アクチュエータ、１１２…ランプ機構。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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