(57)【要約】【課題】  リードフレーム表面に用いられる難接着金属材料である、金、銀、銅、ニッケル／パラジウムなどに対する接着力と接着フィルムの保存性が両立した、半導体素子と支持部材を接着するための接着フィルムおよびその接着フィルムを用いた半導体装置を提供することにある。【解決手段】半導体素子と支持部材を接着するために用いる接着フィルムは、熱可塑性樹脂とポリスルフィド系シランカップリング剤を含む樹脂組成物から構成されるものである。【選択図】  図１
2008177377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と支持部材を接着するために用いる接着フィルムであって、前記接着フィルムが、熱可塑性樹脂、ポリスルフィド系シランカップリング剤を含む樹脂組成物で構成されることを特徴とする接着フィルム。
【請求項２】
前記樹脂組成物がさらにシリカを含む、請求項１に記載の接着フィルム。
【請求項３】
前記シリカの平均粒子径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項２に記載の接着フィルム。
【請求項４】
前記シリカの含有量が前記樹脂組成物全体に対して２０〜５０重量％である、請求項２または３に記載の接着フィルム
【請求項５】
前記ポリスルフィド系シランカップリング剤が、一般式（１）で示されるものである、請求項１ないし４のいずれかに記載の接着フィルム。
【化１】
2008177377.tif 000005
（Ｒ1は炭素数１〜１０のアルコキシ基、または、炭素数１〜１０のアルキル基であり、
少なくともＲ１の１つはアルコキシル基である。ｍは１〜５の整数、ｎは２〜１０の整数）
【請求項６】
前記ポリスルフィド系シランカップリング剤の含有量が前記樹脂組成物全体に対して０．１〜５重量％である、請求項１ないし５のいずれかに記載の接着フィルム
【請求項７】
前記ポリスルフィド系シランカップリング剤の沸点が２５０℃以上である、請求項１ないし６のいずれかに記載の接着フィルム。
【請求項８】
前記樹脂組成物全体に対して、前記熱可塑性樹脂である（メタ）アクリル系樹脂の含有量が４０〜８０重量％であり、ポリスルフィド系シランカップリング剤の含有量が０．５〜３．５重量％である、請求項１ないし７のいずれかに記載の接着フィルム。
【請求項９】
前記樹脂組成物全体に対して、エポキシ樹脂の含有量が０．１〜３重量％であり、硬化剤の含有量が０．１〜１重量％である、請求項８に記載の接着フィルム。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の接着フィルムを、１７５℃で２時間熱処理した後の硬化物の１７５℃での弾性率が３０ＭＰａ以上である、請求項１ないし９のいずれかに記載の接着フィルム。
【請求項１１】
前記接着フィルムがダイシングシート機能を有するものである、請求項１ないし１０のいずれかに記載の接着フィルム。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の接着フィルムを用いて、半導体素子と支持部材とが接着されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高集積化、処理速度の高速化に伴い、半導体パッケージには、放熱性や電気特性の向上が求められている。従来、リードフフレームには鉄―ニッケル系合金である４２アロイが使用されてきたが、現在では電気特性、熱伝導性に優れた銅系リードフレームが多用されてきており、その他にも金、銀、ニッケル／パラジウムなどの材料を用いたリードフレームの使用が主流となってきている。
【０００３】
一方、リードフレーム表面に用いられている金、銀、銅、ニッケル／パラジウムなどの材料は酸化や汚染の影響を受けやすく、従来の接着フィルムではリードフレーム表面に対する接着性、及び接着フィルムの保存性が両立しない場合があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２６６１８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、リードフレーム表面に用いられる金、銀、銅、ニッケル／パラジウムなどの金属材料に対する接着力と接着フィルムの保存性が両立した接着フィルムおよびその接着フィルムを用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような課題は、下記（１）〜（１０）に記載の本発明により達成される。
（１）半導体素子と支持部材を接着するために用いる接着フィルムであって、前記接着フィルムが、ポリスルフィド系シランカップリング剤、熱可塑性樹脂を含むことを特徴とする接着フィルム。
（２）前記接着フィルムがさらにシリカを含む、上記（１）に記載のダイアタチフィルム。
（３）前記シリカの平均粒子径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、上記（１）または（２）に記載の接着フィルム
（４）前記シリカの含有量が前記接着フィルム樹脂組成物全体に対して２０〜５０重量％である、上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の接着フィルム
（５）前記ポリスルフィド系シランカップリング剤が、一般式（１）で示される、上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の接着フィルム。
【化１】
2008177377.tif 000003
（Ｒ1は炭素数１〜１０のアルコキシ基、または、炭素数１〜１０のアルキル基であり、
少なくともＲ１の１つはアルコキシル基である。ｍは１〜５の整数、ｎは２〜１０の整数）
（６）前記ポリスルフィド系シランカップリング剤の含有量が前記接着フィルム樹脂組成物全体に対して０．１〜５重量％である、上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の接着フィルム
（７）前記ポリスルフィド系シランカップリング剤の沸点が２５０℃以上である、上記  
（１）ないし（６）のいずれかに記載の接着フィルム。
（８）前記樹脂組成物全体に対して、前記熱可塑性樹脂である（メタ）アクリル系樹脂の含有量が４０〜８０重量％であり、ポリスルフィド系シランカップリング剤の含有量が０．５〜３．５重量％である、（１）ないし（７）のいずれかに記載の接着フィルム。
（９）前記樹脂組成物全体に対して、エポキシ樹脂の含有量が０．１〜３重量％であり、硬化剤の含有量が０．１〜１重量％である、（８）に記載の接着フィルム。
（１０）上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の接着フィルムを、１７５℃で２時間熱処理した後の硬化物の１７５℃での弾性率が３０ＭＰａ以上である、上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の接着フィルム。
（１１）前記接着フィルムがダイシングシート機能付きである、上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の接着フィルム。
（１２）上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の接着フィルムを用いて、半導体素子と支持部材とが接着されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、リードフレーム表面に用いられる金、銀、銅、ニッケル／パラジウムなどの金属材料に対する接着力と接着フィルムの保存性が両立した接着フィルムを作製することができ、またその接着フィルムを用いた半導体装置は信頼性に優れたものになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明は、特に、半導体素子と支持部材を接着するために用いる接着フィルムであって、前記接着フィルムが熱可塑性樹脂とポリスルフィド系シランカップリング剤を含むものである。
【０００９】
以下、本発明の樹脂組成物および半導体装置について詳細に説明する。
前記樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含む。これにより、前記樹脂組成物を接着フィルムとした場合のフィルム形成能を向上することができる。
前記熱可塑性樹脂としては、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレートポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂等が挙げられるが、前記樹脂組成物を接着フィルムとした場合のフィルム形成能と接着フィルムの硬化後の機械的特性（ガラス転移点、弾性率、線膨張係数）のバランスの観点から、これらの中でも（メタ）アクリル系樹脂が好ましい。
（メタ）アクリル系樹脂の含有量は、前記樹脂組成物全体の３０〜９８重量％であることが好ましく、特に、４０〜８０重量％であることが好ましい。アクリル系樹脂の含有量が上記範囲であると、フィルム形成能と接着フィルム硬化後の機械的特性（ガラス転移点、弾性率、線膨張係数）が両立する。
【００１０】
前記（メタ）アクリル系樹脂は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。
また、前記（メタ）アクリル系樹脂は、半導体素子等の被着体への接着性の観点から、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等の官能基を有することが好ましい。前記官能基を有するアクリル系樹脂は特に制限されるものではないが、（メタ）アクリル酸エステルや（メタ）アクリルアミド等の単量体と、水酸基を含有する２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシル基を含有する（メタ）アクリル酸、ニトリル基を含有する（メタ）アクリロニトリル等が挙げられる。
【００１１】
前記（メタ）アクリル系樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が上記範囲内であると、フィルム形成能が良く、接着の際の流動性も良好となる。  前記重量平均分子量は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィー（装置：東ソー（株）製、高速ＧＰＣ  ＳＣ−８０２０、カラム：ＴＳＫ−ＧＥＬ  ＧＭＨＸＬ−Ｌ、溶媒：テトラヒドロフラン、測定温度：４０℃）で測定することができる。
【００１２】
前記樹脂組成物はポリスルフィド系シランカップリング剤を含む。
前記ポリスルフィド系シランカップリング剤としては、一般式（１）式で示されるものが好ましい。
（Ｒ1は炭素数１〜１０のアルコキシ基、または、炭素数１〜１０のアルキル基であり、
少なくともＲ１の１つはアルコキシル基である。ｍは１〜５の整数、ｎは２〜１０の整数）
【００１３】
前記ポリスルフィド系シランカップ剤は、熱によりＳ−Ｓ結合が解裂し、発生したＳラジカルが金、銀、銅、ニッケル／パラジウム金属界面に作用し、また一般式（１）で表されるＲ１のアルコキシ基が、樹脂組成物と作用するカップリング効果を示すため接着力が向上すると考えられる。また、樹脂組成物の保存環境である冷蔵下や室温下ではＳ−Ｓ結合が解裂しないために、保存性も良好であると考えられる。
【００１４】
前記ポリスルフィド系シランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．１〜５重量％であることが好ましく、特に０．５〜３．５重量％であることが好ましい。上記範囲とすることで、リードフレーム表面に用いられる金、銀、銅、ニッケル／パラジウムなどの金属材料に対する接着力と接着フィルムとした場合の保存性を両立することができる。
【００１５】
前記ポリスルフィド系シランカップリング剤は沸点が２５０℃以上であることが好ましく、さらに好ましくは、２８０℃以上である。沸点が前記範囲以上であると、ダイボンド、ワイヤーボンディングおよびリフロー工程でカップリング剤の揮発によるリードフレームの汚染を抑制することができる。
【００１６】
前記樹脂組成物は、シリカを含んでいてもよい。シリカとしては、沈降シリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、その中でもコロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは金属汚染レベルが沈降シリカ、ヒュームドシリカと比べて低いため、接着フィルムのイオン性不純物を低減することが可能となる。また、コロイダルシリカは、シリカが溶媒中で単分散に近い状態で分散されているため、樹脂組成物中に配合した場合、シリカの凝集を抑制することが可能となる。
【００１７】
前記シリカの平均粒子径は１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、特に１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下が好ましい。上記範囲内とすることで、接着フィルムの機械強度が向上し、半導体装置の信頼性が良好となる。また、適度な接着フィルムの流動性が得られるため、半導体素子と支持部材との接着性が向上する。前記シリカの平均粒子径は、ＢＥＴ１点式比表面積法（装置：フローソーブ２３００、マイクロメリテクス社製、窒素ガス吸着）を用いて測定することができる。
【００１８】
前記シリカの含有量は、前記樹脂組成物全体の２０〜５０重量％であることが好ましく、特に、２５〜３５重量%が好ましい。含有量が上記範囲内であると、フィルム形成能を
失うことなく、接着フィルムの機械強度を増大させることができる
【００１９】
前記接着フィルムは、エポキシ樹脂を含んでもよい。これにより、樹脂組成物に耐熱性
と接着性を付与することができる。
前記エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性および接着性をより向上することができる。
【００２０】
前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．０１〜５重量％であることが好ましく、特に、０．１〜３重量％であることが好ましい。含有量が上記範囲内であると、耐熱性および接着性をより向上することができる。
【００２１】
前記樹脂組成物がエポキシ樹脂を含む場合、前記樹脂組成物は硬化剤を含むことが好ましい。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。
これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンおよびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物、またノボラック型あるいはレゾール型のフェノール樹脂が挙げられる。
【００２２】
前記硬化剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．０１〜５重量％であることが好ましく、特に、０．１〜１重量％であることが好ましい。含有量を上記範囲内とすることで、耐熱性と接着フィルムの保存性を両立する効果が得られる。
【００２３】
本発明の接着フィルムを構成する樹脂組成物において、前記樹脂組成物全体に対して、熱可塑性樹脂としてアクリル系樹脂の含有量を４０〜８０重量％、ポリスルフィド系シランカップリング剤の含有量を０．５〜３．５重量％とすることができる。
【００２４】
上記含有量とすることで、接着フィルムの機械的特性（ガラス転移点、弾性率、線膨張係数）と金、銀、銅、ニッケル／パラジウムなど金属に対する接着力を両立することができる。
なお、熱可塑性樹脂としてアクリル系樹脂を上記範囲とすることで、接着フィルムの靭性をさらに好適にすることができる。また、ポリスルフィド系シランカップリング剤を上記範囲とすることで、接着フィルムの保存性を高めることができる。
【００２５】
また、前記樹脂組成物はさらにエポキシ樹脂および硬化剤を含んでいてもよく、前記樹脂組成物全体に対して、エポキシ樹脂の含有量は０．１〜３重量％、硬化剤は０．１〜１重量％とすることができる。
【００２６】
上記含有量とすることで、接着フィルムの耐熱性および接着性を向上することができる。
なお、エポキシ樹脂および硬化剤を上記範囲とすることで、吸水率を低減することができ、半導体素子と支持部材を接着した際の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
前記接着フィルムには、さらに必要に応じて、レベリング剤、消泡剤、ポリスルフィド系以外のシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などを配合しても良い。
【００２８】
このような樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いて基材フィルムに塗工し、乾燥して接着フィルムを得ることができる。
接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍが好ましく、特に５〜７０μｍが好ましい。厚さが上記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
【００２９】
前記接着フィルムは、１７５℃で２時間熱処理した後の１７５℃における弾性率は、３０ＭＰａ以上であることが好ましく、特に４０ＭＰａ以上であることが好ましい。１７５℃、２時間の熱処理は、例えば、半導体の封止工程を想定したのものである、弾性率が上記範囲内であると、後述する封止材の封止工程において封止材の無機充填材等による半導体素子の割れ、欠け等を防止することができる。
前記接着フィルムの１７５℃における弾性率を、上記範囲以上に調整する方法は、特に限定されないが、シリカ等の無機フィラーを適宜添加する方法やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を適宜添加する方法等が挙げられる。
前記弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて、昇温３℃／分、周波数１０Ｈｚの条件で測定することができる。
【００３０】
前記接着フィルムにダイシングシート機能を付与させる１例として、下記の方法などが挙げられる。
接着フィルム層を基材フィルム（Ｉ）上に塗布し、次いで、接着フィルム層に保護フィルムを貼り付け、その後、基材フィルム（Ｉ）および接着フィルム層をハーフカットする。さらに、粘着剤層および基材フィルム（ＩＩ）からなるダイシングシートの粘着剤層と前記接着フィルム層を貼りあわせ、前記保護フィルムを剥がすことにより、基材フィルム（ＩＩ）、粘着剤層、基材フィルム（Ｉ）および接着フィルム層がこの順に構成されてなるダイシングシート機能付き接着フィルムを得た。
【００３１】
次に、半導体装置の一製造方法について説明する。
図２は、半導体装置を製造するフロー図である。
図２に示すように、半導体装置は、接着フィルムを用いてと半導体素子と支持部材とを仮接着する仮接着工程と、半導体素子と支持部材とを電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、半導体素子およびボンディングワイヤーを封止樹脂で封止する封止工程と、封止樹脂と接着フィルムを硬化させる硬化工程とで製造される。
【００３２】
以下、各工程について説明する。
（仮接着工程）
仮接着工程では、具体的には、支持部材、接着フィルム、半導体素子をこの順で積層し、熱圧着にて半導体素子と支持部材の仮接着を行う。ここで、接着フィルムは、予め半導体素子に接着していても良いし、支持部材に接着しても良い。
【００３３】
（ワイヤーボンディング工程）
ワイヤーボンディング工程では、半導体素子の電極と、支持部材の電極とをボンディングワイヤーで電気的に接続する。このボンディングワイヤーの接続は、例えば、ワイヤーボンディング装置（ＥＡＧＬＥ６０  ＡＳＭ製）を用いて、１５０℃〜２００℃の温度で実施することができる。
【００３４】
（封止工程）
封止工程では、半導体素子および半導体素子の電極と支持部材の電極とを接合しているボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止する。これにより、絶縁性および防湿性を向上することができる。封止条件は、例えばトランスファー成形機を用いて、１５０〜２００℃、５０〜１００ｋｇ／ｍｍ２の高温、高圧で行われる。
従来の接着フィルムでは、高温、高圧下では接着フィルムが軟化するために、封止工程で封止樹脂に含まれる充填材が、半導体素子と支持部材あるいは半導体素子と半導体素子を接着している接着フィルム中に混入してしまい、半導体素子の割れや欠け等の不良を発生する場合があった。本発明の接着フィルムを適用すると、上記不良を抑制することができる。
【００３５】
（硬化工程）
硬化工程では、封止樹脂を本硬化すると共に、接着フィルムを本硬化する。これにより、最終的な半導体装置を得ることができる。
硬化条件は、封止樹脂及び接着フィルムが硬化する条件であれば特に限定されないが、例えば、温度：１００〜２００℃、時間：５〜３００分の条件が好ましく、特に温度：１２０〜１８０℃、時間：３０〜２４０分の条件が好ましい。
【００３６】
このような工程を経て、最終的に図３に示すような半導体装置６を得ることができる。半導体装置６は、半導体素子２と支持部材３とが接着フィルム１を介して接着されている。半導体素子２と、支持部材３とはボンディングワイヤ−４で電気的に接続されている。半導体素子２およびボンディングワイヤー４は、封止樹脂５で覆われている。
本発明の半導体装置６は、金、銀、銅、ニッケル／パラジウムなどの金属材料に対する接着性に優れる本発明の接着フィルムを用いているので、接続信頼性に特に優れるものである。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
＜接着フィルムの製造＞
熱可塑性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体ＳＧ−７０８−６ＤＲ（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ガラス転移温度：６℃、重量平均分子量：８００，０００）４０ｇ、ポリスルフィド系シランカップリング剤としてビス−（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド／ビス（３−（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド混合物  カブラス４（ダイソー（株）製）０．５ｇ、エポキシ樹脂と
してオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＯＣＮ−１０２０−８０（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）０．５ｇ、硬化剤として固形フェノール樹脂ＰＲ５３６４７（水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）０．３ｇをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分２３％の樹脂ワニスを得た。
得られた樹脂ワニスを、コンマコーターを用いて前記基材フィルム（Ｉ）に相当するポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム社製、品番ＭＲＸ５０、厚さ５０μｍ）に塗布した後、９０℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルムを得た。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、９．８ＭＰａであった。
【００３８】
（ダイシングシートの製造）
押し出し機で、ハイブラー６０重量部、ポリプロピレン４０重量部からなるクリアテックＣＴ−Ｈ７１７（クラレ製）を、厚み１００μｍになるようにフィルム化し表面をコロナ処理して基材フィルム（ＩＩ）を得た。次に、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部とアクリル酸ブチル１０重量部、酢酸ビニル３７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５０００００の共重合体を、剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに、８０℃で５分間乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、粘着剤層を得た。その後、粘着剤層を基材フィルム（ＩＩ）のコロナ処理面にラミネートし、ポリエステルフィルムを剥がして、基材フィルム（ＩＩ）および粘着剤層からなるダイシングシートを得た。
【００３９】
（ダイシングシート機能付き接着フィルムの製造）
上述の接着フィルム層に保護フィルムを貼り付け、基材フィルム（Ｉ）および接着フィルム層をハーフカットし、上述のダイシングシートの粘着剤層に貼り付け、その後、保護フィルムを剥がすことにより、基材フィルム（ＩＩ）、粘着剤層、基材フィルム（Ｉ）および接着フィルム層がこの順に構成されてなるダイシングシート機能付き接着フィルムを得た。
【００４０】
＜半導体装置の製造＞
このダイシングシート機能付き接着フィルムを、５インチ２００μｍ厚ウエハーの裏面に温度６０℃、圧力０．３ＭＰａの条件で貼り付け、ダイシングシート機能付き接着フィルムが付いたウエハーを得た。
その後、このウエハーを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで、５ｍｍ×５ｍｍ角のサイズにダイシング（切断）した。次に、ダイシング機能付き接着フィルムの裏面から突上げし、基材フィルム（Ｉ）および接着剤層間で剥離し、接着フィルム層付き半導体素子を得た。この接着フィルム層付き半導体素子を、リードフレーム（新光電気製：商品名：ＣＡ−Ｆ３１３（８×８Ｃｕ）Ｒｉｎｇ  Ａｇ、ＣＡ−Ｆ３１３  Ｓｐｏｔ  Ａｇ、ＣＡ−Ｆ３１３  ＰＤ２１＋Ａｕメッキ）に、１３０℃、５Ｎ、２．０秒間の条件で仮接着を行い、ワイヤーボンディングさせた後、封止樹脂ＥＭＥ−Ｇ７７０ＨＣ（住友ベークライト（株）製）で封止し、１７５℃で２時間熱処理を行い、封止樹脂と接着フィルムを硬化させて６の半導体装置を得た。
【００４１】
（実施例２）
シリカとして、コロイダルシリカＰＬ−２Ｌ−ＭＥＫ（扶桑化学工業（株）製、比表面積換算粒子径１６ｎｍ）２４ｇを樹脂ワニスに添加・分散させ樹脂固形分３８．７％の樹脂ワニスを得た以外は、実施例１と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、５３ＭＰａであった。
【００４２】
（実施例３）
シリカとして、コロイダルシリカをＰＬ−５−ＭＥＫ（扶桑化学工業（株）製、比表面積換算粒子径５０ｎｍ）に変更した以外は、実施例２と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、４９ＭＰａであった。
【００４３】
（実施例４）
シリカとして、コロイダルシリカＰＬ−２Ｌ−ＭＥＫ（扶桑化学工業（株）製、比表面積換算粒子径１６ｎｍ）１５ｇを樹脂ワニスに添加・分散させ、樹脂固形分３３．７％の樹脂ワニスを得た以外は、実施例１と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、４３ＭＰａであった。
【００４４】
（実施例５）
シリカとして、コロイダルシリカＰＬ−２Ｌ−ＭＥＫ（扶桑化学工業（株）製、比表面積換算粒子径１６ｎｍ）３０ｇを樹脂ワニスに添加・分散させ、樹脂固形分３３．７％の樹脂ワニスを得た以外は、実施例１と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、５７ＭＰａであった。
【００４５】
（実施例６）
ポリスルフィド系シランカップリング剤を、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン／シランエステル類混合物  Ａ−１２８９（日本ユニカー（株）製）に変更した以外は、実施例２と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、５２ＭＰａであった。
【００４６】
（実施例７）
ビス−（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド／ビス（３−（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド混合物  カブラス４（ダイソー（株）製）の添加量を０．２ｇに変更した以外は、実施例２と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、５６ＭＰａであった。
【００４７】
（実施例８）
ビス−（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド／ビス（３−（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド混合物  カブラス４（ダイソー（株）製）の添加量を２．０ｇに変更した以外は、実施例２と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、５２ＭＰａであった。
【００４８】
（実施例９）
ビス−（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド／ビス（３−（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド混合物  カブラス４（ダイソー（株）製）の添加量を３．０ｇに変更した以外は、実施例２と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、５１ＭＰａであった。
【００４９】
（比較例１）
ポリスルフィド系シランカップリング剤であるビス−（トリエトキシシリルプロピル）
テトラスルフィド／ビス（３−（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド混合物  カブラス４（ダイソー（株）製）を抜いて、コロイダルシリカＰＬ−２Ｌ−ＭＥＫ（扶桑化学工業（株）製、比表面積換算粒子径１６ｎｍ）２４ｇを樹脂ワニスに添加・分散させた以外は、実施例１と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、５３ＭＰａであった。
【００５０】
（比較例２）
ポリスルフィド系シランカップリング剤であるビス−（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド／ビス（３−（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド混合物  カブラス４（ダイソー（株）製）の替わりに、シランカップリング剤であるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｋ信越化学工業（株）製  ＫＢＭ４０３Ｅ）０．５ｇを添加した以外は、実施例２と同様に行った。
なお、得られた接着フィルムを硬化した後（１７５℃×２時間熱処理後）の１７５℃での弾性率は、５１ＭＰａであった。  
【００５１】
各実施例および比較例で得られた接着フィルムについて、以下の評価を行った。評価項目と内容を示す。得られた結果を表１に示す。
１．接着性
接着フィルムとリードフレームとの接着性は、接着フィルム付き半導体素子と、リードフレーム（Ｒｉｎｇ  Ａｇ、Ｓｐｏｔ  Ａｇ、ＰＤ２１＋Ａｕメッキ）とを１３０℃、５Ｎ、２．０秒間の条件で仮接着、１７５℃、２時間の条件で硬化する。次に、８５℃／８５％ＲＨ／２４時間の条件で吸湿処理を行い、吸湿処理後の半導体素子とリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、３．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、１．５以上、かつ３．０ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、１．０ＭＰａ未満である
【００５２】
２．保存性
接着フィルムの保存性は、接着フィルムの製造直後の硬化発熱量（ｍＪ／ｍｇ）と接着フィルムを５０℃で１日間処理した後の硬化発熱量を測定し、下記式により算出した。この硬化発熱量の比が１００％に近いほど保存性が高いことを示す。硬化発熱量の測定は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用い、昇温速度１０℃／分で行った。
硬化発熱量の比（％）＝｛１−（５０℃１日処理した後の硬化発熱量）／（製造直後の硬化発熱量）｝×１００
◎：硬化発熱量の比の百分率が、９０％以上である
○：硬化発熱量の比の百分率が、７０％以上〜９０％未満である
×：硬化発熱量の比の百分率が、５０％未満である
【００５３】
３．信頼性
実施例および比較例で得られた半導体装置を、８５℃／６０％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い、走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：剥離が全く無し
○：剥離が、３／１０以下
×：剥離が、４／１０以上
【００５４】
【表１】
2008177377.tif 000004
【００５５】
表１から明らかなように、実施例１〜９で得られる接着フィルムは接着性に優れていた。
また、実施例１〜９で得られる接着フィルムは、保存性にも優れ、かつ信頼性性にも優れていた。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、接着フィルムの接着状態を示す模式図である。
【図２】図２は、半導体装置を製造する一方法のフロー図である。
【図３】図３は、半導体装置の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  接着フィルム
２  半導体素子
３  支持部材
４  ボンディングワイヤー
５  封止樹脂
６  半導体装置
【図１】
2008177377.tif 000006
【図２】
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【図３】
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