(57)【要約】      （修正有）【課題】液晶表示装置の電圧保全率が低下することを防止して残像を改善した液晶組成物及びこれを含む液晶表示装置を提供する。【解決手段】式（Ｉ）（ｎ＝１、２又は３）で示されるフッ素含有液晶化合物を含む第１部類と、式（ＩＩＩ）などで表される中性液晶化合物を含む第２部類とを含み、Ｗ１及びＷ２は、−Ｆなど、一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）などで表される液晶化合物は、Ｈ、Ｃ１〜１２アルキル基などを末端基として有し、ｎ＝１の第１部類の液晶化合物を第１サブ部類、ｎ＝２又はｎ＝３の第１部類の液晶化合物を第２サブ部類とするとき、第１サブ部類を第１部類及び第２部類の総含量に対して６重量％以下含有する液晶組成物。2008144135.tif 0000272008144135.tif 000028【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（Ｉ）で示されるフッ素含有液晶化合物を含む第１部類と、
下記の一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で各々示される中性液晶化合物のうちの少なくとも一つを含む第２部類と、
を含み、
前記Ｗ１及びＷ２は、−Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ３及び−ＯＣＦ２Ｈより各々独立的に一つ選択され、
前記一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で表される液晶化合物は、水素原子、炭素数１乃至１２個のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基のうちの一つであるＲ１、Ｒ２、Ｒ５乃至Ｒ１０を各々末端基として有し、
前記ｎ＝の第１部類の液晶化合物を第１サブ部類とし、前記ｎ＝２またはｎ＝３の第１部類の液晶化合物を第２サブ部類とするとき、前記第１サブ部類を前記第１部類及び前記第２部類の総含量に対して６重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物。
【化１】
2008144135.tif 000017
（ｎ＝１、２または３）
【化２】
2008144135.tif 000018
2008144135.tif 000019
2008144135.tif 000020
【請求項２】
前記第２部類の中で、前記末端基にアルケニル基を含まない中性液晶化合物を第３サブ部類とし、前記末端基にアルケニル基を含む中性液晶化合物を第４サブ部類とするとき、
前記第４サブ部類を前記第１部類及び前記第２部類の総含量に対して７重量％以下含有することを特徴とする請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
前記第４サブ部類を含まないことを特徴とする請求項２に記載の液晶組成物。
【請求項４】
前記第１サブ部類を含まないことを特徴とする請求項２に記載の液晶組成物。
【請求項５】
前記第１部類は、下記の一般式（ＩＩ）で示されるフッ素含有液晶化合物をさらに含み、
前記Ｗ３、Ｗ４及びＷ５は、−Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ３及び−ＯＣＦ２Ｈより各々独立的に一つ選択され、
前記一般式（ＩＩ）で示される液晶化合物は、水素原子、炭素数１乃至１２個のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基のうちの一つであるＲ３及びＲ４を末端基として有することを特徴とする請求項２に記載の液晶組成物。
【化３】
2008144135.tif 000021
（ｎ＝１、２または３）
【請求項６】
前記一般式（ＩＩ）で示されるフッ素含有液晶化合物において、
前記ｎ＝１の液晶化合物を第５サブ部類とし、前記ｎ＝２またはｎ＝３の液晶化合物を第６サブ部類とするとき、
前記第５サブ部類を前記第１部類及び前記第２部類の総含量に対して８重量％以下含有することを特徴とする請求項５に記載の液晶組成物。
【請求項７】
前記液晶組成物は、前記第５サブ部類を含まないことを特徴とする請求項６に記載の液晶組成物。
【請求項８】
前記第２サブ部類及び前記第６サブ部類を前記液晶組成物の総含量に対して各々１０乃至２５重量％含有することを特徴とする請求項６に記載の液晶組成物。
【請求項９】
前記第１部類及び前記第２部類を液晶組成物の総含量に対して各々２０乃至８０重量％含有することを特徴とする請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項１０】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくとも一つの上に形成された一対の電界生成電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介入された液晶層と、
を含み、
前記液晶層は、
下記の一般式（Ｉ）で示されるフッ素含有液晶化合物を含む第１部類と、
下記の一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で各々示される中性液晶化合物のうちの少なくとも一つを含む第２部類と、
を含み、
前記Ｗ１及びＷ２は、−Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ３及び−ＯＣＦ２Ｈより各々独立的に一つ選択され、
前記一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で示される液晶化合物は、水素原子、炭素数１乃至１２個のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基のうちの一つであるＲ１、Ｒ２、Ｒ５乃至Ｒ１０を各々末端基として有し、
前記ｎ＝１の第１部類の液晶化合物を第１サブ部類とし、前記ｎ＝２またはｎ＝３の第１部類の液晶化合物を第２サブ部類とするとき、前記第１サブ部類を前記第１部類及び前記第２部類の総含量に対して６重量％以下含有する液晶組成物を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【化４】
2008144135.tif 000022
（ｎ＝１、２または３）
【化５】
2008144135.tif 000023
2008144135.tif 000024
2008144135.tif 000025
【請求項１１】
前記第２部類の中で、前記末端基にアルケニル基を含まない中性液晶化合物を第３サブ部類とし、前記末端基にアルケニル基を含む中性液晶化合物を第４サブ部類とするとき、
前記第４サブ部類を前記第１部類及び前記第２部類の総含量に対して７重量％以下含有する液晶組成物を含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記液晶組成物は、前記第４サブ部類を含まないことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記液晶組成物は、前記第１サブ部類を含まないことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１部類は、下記の一般式（ＩＩ）で示されるフッ素含有液晶化合物をさらに含み、
前記Ｗ３、Ｗ４及びＷ５は、−Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ３及び−ＯＣＦ２Ｈより各々独立的に一つ選択され、
前記一般式（ＩＩ）で示される液晶化合物は、水素原子、炭素数１乃至１２個のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基のうちの一つであるＲ３及びＲ４を末端基として有する液晶組成物を含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【化６】
2008144135.tif 000026
（ｎ＝１、２または３）
【請求項１５】
前記一般式（ＩＩ）で示されるフッ素含有液晶化合物において、
前記ｎ＝１の液晶化合物を第５サブ部類とし、前記ｎ＝２またはｎ＝３の液晶化合物を第６サブ部類とするとき、
前記第５サブ部類を前記第１部類及び前記第２部類の総含量に対して８重量％以下含有する液晶組成物を含むことを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記液晶組成物は、前記第５サブ部類を含まないことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第２サブ部類及び前記第６サブ部類を前記液晶組成物の総含量に対して各々１０乃至２５重量％含有する液晶組成物を含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１部類及び前記第２部類を液晶組成物の総含量に対して各々２０乃至８０重量％含有する液晶組成物を含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記液晶層の液晶化合物の傾き方向を決定する傾斜方向決定部材をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記傾斜方向決定部材は、前記電界生成電極に形成された切開部または前記電界生成電極上に形成された突起を含むことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶組成物及びこれを含む液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）は、現在最も広く使用されているフラットパネル表示装置のうちの一つである。液晶表示装置は、電界生成電極が形成された二枚の表示板と、その間に挿入された液晶層を含み、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成することによって、液晶層の液晶分子の方向を決定して液晶層を通過する光の透過率を調節する。液晶表示装置における液晶は、光の透過率を調節して所望の画像を得るために非常に重要な役割を果たす。特に、液晶表示装置の用途が多様化されて、低電圧駆動、高い電圧保持率（ｖｏｌｔａｇｅ  ｈｏｌｄｉｎｇ  ｒａｔｉｏ、ＶＨＲ）、広視野角特性、広い動作温度範囲及び高速応答性などの多様な特性が要求される。
【０００３】
液晶層はこのような多様な特性を満たすため、多様な液晶成分を混合した液晶組成物を含む。
【０００４】
しかし、液晶層には液晶組成物の他に、多量のイオン不純物（ｉｏｎ  ｉｍｐｕｒｉｔｙ）が含まれる。このようなイオン不純物は、液晶表示装置の電圧保持率（ｖｏｌｔａｇｅ  ｈｏｌｄｉｎｇ  ｒａｔｉｏ、ＶＨＲ）を低下させるだけなく、液晶層に生成された電界に沿って平面移動（横方向移動）（ｌａｔｅｒａｌ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）して、電界生成電極の境界のような特定部分に集中し易い。この場合、イオン不純物が集中している部分は、外部から残像（ｒｅｓｉｄｕａｌ  ｉｍａｇｅ）として視認される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決すべき技術的課題は、前記の問題を解決するため、液晶表示装置の電圧保持率が低下することを防止して残像現象を改善することである。
【０００６】
本発明の実施形態１による液晶組成物は、下記の一般式（Ｉ）で示されるフッ素含有液晶化合物を含む第１部類、そして下記の一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で各々示される中性液晶化合物のうちの少なくとも一つを含む第２部類を有し、ここでＷ１及びＷ２は、−Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ３及び−ＯＣＦ２Ｈより各々独立的に一つ選択され、一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で示される液晶化合物は、水素原子、炭素数１乃至１２個のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基のうちの一つであるＲ１、Ｒ２、Ｒ５乃至Ｒ１０を各々末端基として有し、ｎ＝１の第１部類の液晶化合物を第１サブ部類とし、ｎ＝２またはｎ＝３の第１部類の液晶化合物を第２サブ部類とするとき、第１サブ部類を第１部類及び前記第２部類の総含量に対して６重量％以下含有する。
【化１】
2008144135.tif 000002
（ｎ＝１、２または３）
【化２】
2008144135.tif 000003
2008144135.tif 000004
2008144135.tif 000005
【０００７】
液晶組成物は、第２部類の中で末端基にアルケニル基が含まない中性液晶化合物を第３サブ部類とし、末端基にアルケニル基を含む中性液晶化合物を第４サブ部類とするとき、第４サブ部類を第１部類及び第２部類の総含量に対して７重量％以下含有してもよい。
【０００８】
液晶組成物は、第４サブ部類を含まなくてもよい。
【０００９】
液晶組成物は、第１サブ部類を含まなくてもよい。
【００１０】
第１部類は、下記の一般式（ＩＩ）で示されるフッ素含有液晶化合物をさらに含んでもよく、ここでＷ３、Ｗ４及びＷ５は、−Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ３及び−ＯＣＦ２Ｈより各々独立的に一つ選択され、一般式（ＩＩ）で示される液晶化合物は、水素原子、炭素数１乃至１２個のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基のうちの一つであるＲ３及びＲ４を末端基として有してもよい。
【化３】
2008144135.tif 000006
（ｎ＝１、２または３）
【００１１】
一般式（ＩＩ）で示されるフッ素含有液晶化合物において、ｎ＝１の液晶化合物を第５サブ部類とし、ｎ＝２またはｎ＝３の液晶化合物を第６サブ部類とするとき、液晶組成物は、第５サブ部類を第１部類及び第２部類の総含量に対して８重量％以下含有してもよい。
【００１２】
液晶組成物は、第５サブ部類を含まなくてもよい。
【００１３】
液晶組成物は、第２サブ部類及び第６サブ部類を液晶組成物の総含量に対して各々１０乃至２５重量％含有してもよい。
【００１４】
液晶組成物は、第１部類及び第２部類を液晶組成物の総含量に対して各々２０乃至８０重量％含有してもよい。
【００１５】
本発明の実施形態１による液晶表示装置は、第１基板、第１基板と対向する第２基板、第１基板及び第２基板のうちの少なくとも一つの上に形成された一対の電界生成電極、及び第１基板と第２基板の間に介入された液晶層を含み、液晶層は、下記の一般式（Ｉ）で示されるフッ素含有液晶化合物を含む第１部類、そして下記の一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で各々示される中性液晶化合物のうちの少なくとも一つを含む第２部類を含み、ここでＷ１及びＷ２は、−Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ３及び−ＯＣＦ２Ｈより各々独立的に一つ選択され、一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で示される液晶化合物は、水素原子、炭素数１乃至１２個のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基のうちの一つであるＲ１、Ｒ２、Ｒ５乃至Ｒ１０を各々末端基として有し、ｎ＝１の第１部類の液晶化合物を第１サブ部類とし、ｎ＝２またはｎ＝３の第１部類の液晶化合物を第２サブ部類とするとき、第１サブ部類を第１部類及び第２部類の総含量に対して６重量％以下含有する液晶組成物を含む。
【化４】
2008144135.tif 000007
（ｎ＝１、２または３）
【化５】
2008144135.tif 000008
2008144135.tif 000009
2008144135.tif 000010
【００１６】
液晶表示装置は、液晶層の液晶化合物の傾き方向を決定する傾斜方向決定部材をさらに含んでもよい。
【００１７】
傾斜方向決定部材は、電界生成電極に形成された切開部または電界生成電極上に形成された突起を含んでもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、フッ素含有化合物のうちのシクロヘキシル基を一個含む化合物の含量を制限し、または末端基にアルケニル基を有する中性化合物の含量を制限することによって、液晶組成物とイオン不純物との反応を減らすことができる。これにより、液晶表示装置の電圧保持率の低下を防止し、さらに液晶組成物の屈折率異方性がイオン不純物によって変わることを防止し、線残像特性を改善できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態１による液晶組成物について説明する。
【００２０】
液晶組成物は、物理的特性が異なる多様な種類の液晶化合物を含む。液晶は、中心を成す中心部（ｃｏｒｅ  ｇｒｏｕｐ）及びこれに接続される末端基（ｔｅｒｍｉｎａｌ  ｇｒｏｕｐ）及び／または側鎖基（ｌａｔｅｒａｌ  ｇｒｏｕｐ）を含む。
【００２１】
中心部は、フェニル基（ｐｈｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、シクロヘキシル基（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ  ｇｒｏｕｐ）及び複素環式化合物（ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ）より選択された環状化合物（ｃｙｃｌｉｃ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含んでもよい。
【００２２】
末端基及び／または側鎖基は、アルキル基（ａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アルコキシ基（ａｌｋｏｘｙ  ｇｒｏｕｐ）、アルケニル基（ａｌｋｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）などのような無極性基（ｎｏｎ‐ｐｏｌａｒ  ｇｒｏｕｐ）及び／またはフッ素原子など含む極性基（ｐｏｌａｒ  ｇｒｏｕｐ）を含んでもよく、末端基及び／または側鎖基によって液晶の物理的特性が変わる。
【００２３】
本発明の実施形態１による液晶組成物は、誘電率異方性を示すフッ素含有化合物（ｆｌｕｏｒｉｎｅ‐ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と誘電率異方性を示さない中性化合物（ｎｅｕｔｒａｌ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含む。
【００２４】
フッ素含有化合物は、下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含む。
【化６】
2008144135.tif 000011
【００２５】
ここで、Ｗ１及びＷ２のうちの少なくとも一つは、フッ素原子を含み、例えば−Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ３及び−ＯＣＦ２Ｈより一つ選択されてもよい。Ｒ１及びＲ２は、各々独立的に水素原子、炭素原子１個乃至１２個を有するアルキル基、アルコキシ基またはアルケニル基であってもよい。
【００２６】
ここでシクロヘキシル基の個数であるｎは、１、２または３の値を有してもよいが、ｎ＝１の液晶化合物が含まれないことが最も望ましく、ｎ＝１の液晶化合物が含まれる場合でも、液晶組成物の総含量に対して約６重量％以下含有されることが望ましい。
【００２７】
ｎ＝１の液晶化合物は、電圧保持率（ｖｏｌｔａｇｅ  ｈｏｌｄｉｎｇ  ｒａｔｉｏ、ＶＨＲ）及び線残像と関連があり、これについては後述する。
【００２８】
フッ素含有化合物は、また、下記の一般式（ＩＩ）で示される化合物を含む。
【化７】
2008144135.tif 000012
【００２９】
ここで、Ｗ３、Ｗ４及びＷ５のうち、少なくとも一つはフッ素原子を含み、例えば−Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ３及び−ＯＣＦ２Ｈより一つ選択されてもよい。Ｒ３及びＲ４は、各々独立的に水素原子、炭素原子１個乃至１２個を有するアルキル基、アルコキシ基またはアルケニル基であってもよい。
【００３０】
ここでシクロヘキシル基の個数であるｎは、１、２または３の値を有してもよいが、ｎ＝１の液晶化合物が含まれないことが最も望ましく、ｎ＝１の液晶化合物が含まれる場合でも、液晶組成物の総含量に対して約８重量％以下含有されることが望ましい。
【００３１】
ｎ＝１の液晶化合物は、電圧保持率及び線残像と関連があり、これについては後述する。
【００３２】
前述したフッ素含有化合物は、液晶組成物の総含量に対して約２０乃至８０重量％含有される。
【００３３】
その中で、一般式（Ｉ）で示される化合物は、液晶組成物の総含量に対して約５乃至４０重量％含有されることが望ましい。約５重量％未満含有される場合、誘電率異方性が低下し、約４０重量％を超えて含有される場合、相転移温度（Ｔｎｉ）が変わり、結晶化（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）が発生し易い。
【００３４】
また、一般式（Ｉ）で示される化合物の中で、ｎ＝２またはｎ＝３の化合物は、液晶組成物の総含量に対して約１０乃至２５重量％含有されることが望ましい。一般式（ＩＩ）で示される化合物は、液晶組成物の総含量に対して約４０重量％以下含有されることが望ましい。約４０重量％を超えて含有される場合、相転移温度が変化して結晶化が発生し易い。
【００３５】
また、一般式（ＩＩ）で示される化合物の中で、ｎ＝２またはｎ＝３の化合物は、液晶組成物の総含量に対して約１０乃至２５重量％含有されることが望ましい。
【００３６】
中性化合物は、以下の一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）より選択された一つ以上の化合物を含んでもよい。
【化８】
2008144135.tif 000013
2008144135.tif 000014
2008144135.tif 000015
【００３７】
ここで、上記のＲ５乃至Ｒ１０は互いに同一であっても異なってもよく、各々炭素原子１乃至１２個を有するアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基より選択されてもよい。
【００３８】
このとき、Ｒ５乃至Ｒ１０は、各々アルケニル基（ａｌｋｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）を含まないことが最も望ましく、Ｒ５乃至Ｒ１０のうちのいずれかがアルケニル基を含む場合には、アルケニル基を含む化合物が液晶組成物の総含量に対して約７重量％以下含有されることが望ましい。
【００３９】
中性化合物は、液晶組成物の粘度を調節することができ、液晶組成物の総含量に対して約２０乃至８０重量％含有されることが望ましい。
【００４０】
その中で、一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で示される液晶化合物は、液晶組成物の総含量に対して各々約１０乃至４５重量％、約１０乃至４５重量％及び約０乃至２０重量％含有されることが望ましい。
【００４１】
本発明の実施形態１による液晶組成物は、フッ素含有液晶化合物のうち、シクロヘキシル基の個数が一つ（ｎ＝１）の化合物の含量を制限し、さらに中性化合物のうち、末端基にアルケニル基を有する化合物の含量を制限することによって、電圧保持率を高め、線残像を改善できる。
【００４２】
まず、電圧保持率を評価する。電界生成電極が形成された二枚の基板とその間に挿入された液晶層とを含む９個の試験用表示板を用意する。試験用表示板は、各々異なる液晶組成物を含み、各液晶組成物の約８０乃至９０重量％は互いに同じ成分を含み、約１０乃至２０重量％は各々他の成分を含む。
【００４３】
９個の試験用表示板のうち、試験用表示板１乃至５は、末端基にアルケニル基を有する中性化合物を含む場合の電圧保持率を試験するためのものであって、約８０乃至９０重量％の共通成分の他に、下記の化学式１乃至５で示される中性化合物を各々含む。また、９個の試験用表示板のうち、試験用表示板６乃至９は、一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で示されるフッ素含有化合物であるシクロヘキシル基の個数（ｎ）による電圧保持率を試験するためのものであって、共通成分の他に、下記の化学式６乃至９で示されるフッ素含有化合物を各々含む。
【化９】
2008144135.tif 000016
【００４４】
各試験用表示板を約１２０℃で約４８時間エイジング（ａｇｉｎｇ）（老化試験）した後に電圧保持率が低下する程度を測定した。その結果を図６を参照して説明する。
【００４５】
図６は、本発明の実施形態１及び比較例による液晶組成物を含んだ液晶表示装置の電圧保持率を示した棒グラフである。図６の左側の棒グラフは、エイジング前の電圧保持率であり、右側の棒グラフはエイジング後の電圧保持率である。
【００４６】
図６を参照すると、末端基にアルケニル基を有する中性化合物を含む試験用表示板１は、エイジング後に電圧保持率が顕著に低下するが、末端基にアルケニル基を含まない中性化合物を含む試験用表示板２、３、４、５は、エイジング後に電圧保持率がわずかにしか低下しないことが分かる。
【００４７】
また、一般式（Ｉ）で示されるフッ素含有化合物において、シクロヘキシル基が一つ（ｎ＝１）の試験用表示板６と、シクロヘキシル基が二つ（ｎ＝２）の試験用表示板７を比較すると、エイジング後に電圧保持率が低下する程度において大きな差が生じることが分かる。
【００４８】
また、一般式（ＩＩ）で示されるフッ素含有化合物において、シクロヘキシル基が一つ（ｎ＝１）の試験用表示板８と、シクロヘキシル基が二つ（ｎ＝２）の試験用表示板９を比較すると、エイジング後に電圧保持率が低下する程度において大きな差が生じることが分かる。
【００４９】
このように、一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で示され、シクロヘキシル基の個数が一つ（ｎ＝１）であるフッ素含有化合物の含量及び末端基にアルケニル基を有する中性化合物の含量を制限することによって、駆動後に電圧保持率が大幅に低下することを防止できる。
【００５０】
次に、線残像を評価する。電界生成電極が形成された二枚の基板とその間に介入された液晶層とを含む試験用表示板を用意する。試験用表示板には、複数の画素が配置される。複数の画素のうちの縦横に交互に配置された画素の一部にはブラック（ｂｌａｃｋ）を表示し、残りの画素にはホワイト（ｗｈｉｔｅ）を表示して、格子状のブラック／ホワイトパターンを浮かばせる。その後、所定時間後に、ブラック／ホワイト表示を除去して、試験用表示板全体を観察して、試験用表示板の色がブラックからホワイトに均一的な階調に変わる間、各画素の境界に発生する線（ｌｉｎｅ）状のムラが視認されるかの可否を確認する。このような線状のムラが視認されるまでにかかった時間（以下、「線残像発現時間」という）を測定する。線残像発現時間は、どの位の時間、線残像が視認されることなく液晶表示装置を駆動できるかを示す基準であり、線残像発現時間が長いほど線残像特性が優れていることになる。
【００５１】
本発明者は、化学式１で示される中性化合物が液晶組成物の総含量に対して各々０重量％、７重量％及び４５重量％含有されている試験用表示板を用意して、上記のような方法で線残像評価を実施した。
【００５２】
その結果、末端基にアルケニル基を有する中性化合物を含有しない試験用表示板（０質重量％）の場合、約２４００時間を超えても線残像が発現されなかった。一方、中性化合物が各７重量％及び４５重量％含有されている試験用表示板の線残像発現時間は、各々約２０００時間及び約４２０時間であった。
【００５３】
このように、中性化合物の末端基に含まれたアルケニル基の含量により、線残像発現程度において大きな差が生じることを確認でき、約７重量％以下で含有される場合に約２０００時間以上の線残像発現時間を確保できることが分かる。特に、この中でも末端基にアルケニル基を含む中性化合物を含まない場合、最大の線残像発現時間を確保できることが分かる。
【００５４】
中性化合物の末端基にアルケニル基が含まれている場合、アルケニル基の二重結合位置は、イオン不純物の反応部位（ｒｅａｃｔｉｏｎ  ｓｉｔｅ）になりうるため、中性化合物の末端基にイオン不純物が結合されて、液晶組成物の製造後にもそのまま残ることがある。このようなイオン不純物は、液晶表示装置駆動時の液晶層に生成された電界に沿って、平面移動（横方向に移動）して電界生成電極の境界のような特定部分に位置し、液晶分子にイオン不純物が結合されると、屈折率異方性が変わるため、線残像が誘発される。
【００５５】
また、本発明者は、前記化学式６で表されるフッ素含有化合物が液晶組成物の総含量に対して各々０重量％、６重量％及び２０重量％含有されている試験用表示板を用意して、上記のような方法で線残像評価を実施した。
【００５６】
その結果、化学式６で表されるフッ素含有化合物を含まない場合（０重量％）は、約２４００時間を超えても線残像が現れなかった。一方、化学式６で表されるフッ素含有化合物が６重量％及び２０重量％含有されている試験用表示板の線残像発現時間は、各々約２０００時間及び約６００時間であった。
【００５７】
これと同様に、本発明者は、化学式８で示されるフッ素含有化合物が液晶組成物の総含量に対して各々０重量％、８重量％及び２０重量％含有されている試験用表示板を用意して、上記のような方法で線残像評価を実施した。
【００５８】
その結果、化学式８で示されるフッ素含有化合物を含まない場合（０重量％）は、約２４００時間を超えても線残像が現れなかった。一方、化学式８で表されるフッ素含有化合物が８重量％及び２０重量％含有されている試験用表示板の線残像発現時間は、各々約２０００時間及び約６００時間であった。
【００５９】
このようにフッ素含有化合物中のシクロヘキシル基の個数によって、線残像発現程度において大きな差が生じることが確認でき、化学式６及び８で示される化合物が、液晶組成物の総含量に対して各々６重量％以下及び８重量％以下含有される場合、２０００時間以上の線残像発現時間を確保できることが分かる。特に、この中でも化学式６及び８で示される化合物を含まない場合、最大の線残像発現時間を確保できることが分かる。
【００６０】
本発明の実施形態１による液晶組成物は、前述したように、高い電圧保持率及び所望の線残像発現時間を有すると同時に、誘電率異方性、屈折率異方性及び回転粘度を全て満足することが確認できた。
【００６１】
具体的に、正の誘電率異方性を有する液晶組成物は、＋３乃至＋２０の誘電率異方性（Δε）、０．０６０乃至０．１８０の屈折率異方性（Δｎ）及び５０乃至２５０ｍＰａ・ｓの回転粘度を有し、負の誘電率異方性を有する液晶組成物は、−３．６乃至−２．８の誘電率異方性、０．０８５乃至０．０９５の屈折率異方性、２１乃至１６５ｍＰａ・ｓの回転粘度を有することが確認された。
【００６２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００６３】
図面は、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一の参照符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとするとき、これは他の部分の「直ぐ上」にある場合だけでなく、その間に他の部分がある場合も含む。反対にある部分が他の部分の「直上」にあるとするときには、間に他の部分がないことを意味する。図１乃至図５を参照して本発明の実施形態１による液晶表示装置について詳細に説明する。
【００６４】
図１は、本発明の実施形態１による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は本発明の実施形態１による液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図３は図１の薄膜トランジスタ表示板と図２の共通電極表示板を含む液晶表示装置の配置図であり、図４及び図５は各々図３の液晶表示装置をＩＶ-ＩＶ線及びＶ-Ｖ線に沿って切断して示した断面図である。
【００６５】
図１乃至図５を参照すると、本発明の実施形態１による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００と、これら二つの表示板１００、２００の間に介入された液晶層３と、を含む。
【００６６】
まず、図１、図３、図４及び図５を参照して薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
【００６７】
透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の蓄積電極線１３１が形成される。ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向に延びる。各ゲート線１２１は、上に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９とを有する。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられているフレキシブル印刷回路膜（図示せず）の上に装着されてもよく、基板１１０上に直接装着されてもよく、基板１１０に集積されてもよい。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延びてこれと直接接続される。蓄積電極線１３１は、所定の電圧を印加される。蓄積電極線１３１は、ゲート線１２１とほぼ平行に延びた幹線と、これから分かれた複数の第１、第２、第３及び第４蓄積電極１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ及び複数の接続部１３３ｅとを含む。蓄積電極線１３１各々は、隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は二つのゲート線１２１のうち、上側のゲート線１２１に近い。第１及び第２蓄積電極１３３ａ、１３３ｂは、縦方向に延びて互いに対向する。第１蓄積電極１３３ａは、幹線に接続された固定端とその反対方向の自由端（ｆｒｅｅ  ｅｎｄ）を有し、自由端は突出部を含む。第３及び第４蓄積電極１３３ｃ、１３３ｄは、第１蓄積電極１３３ａの中央から第２蓄積電極１３３ｂの下端及び上端まで斜めに延びる。接続部１３３ｅは、隣接した蓄積電極（１３３ａ〜１３３ｄ）集合の間に接続される。しかし、蓄積電極線１３１の形態及び配置は多様に変更できる。
【００６８】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）などの低抵抗性導電体で形成されてもよい。しかし、ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１は、物理的性質が互いに異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。
【００６９】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１の側面は、基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であるのが望ましい。
【００７０】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。
【００７１】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化アモルファスシリコン（ａ-Ｓｉ）または多結晶シリコンなどで構成された複数の線状半導体１５１が形成される。線状半導体１５１は、主に縦方向に延び、ゲート電極１２４に向かって突出した複数の突出部１５４を含む。
【００７２】
半導体１５１上には、複数の線状及び島型オーミックコンタクト部材１６１、１６５が形成される。オーミックコンタクト部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドープされたｎ＋水素化アモルファスシリコンなどの物質または、シリサイドで形成されてもよい。線状オーミックコンタクト部材１６１は、複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島型オーミックコンタクト部材１６５は対を成して半導体１５１の突出部１５４上に配置される。
【００７３】
半導体１５１及びオーミックコンタクト部材１６１、１６５の側面も、基板１１０面に対して傾いており、傾斜角は約３０゜乃至８０゜である。
【００７４】
オーミックコンタクト部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５及び複数の絶縁された金属片（ｉｓｏｌａｔｅｄ  ｍｅｔａｌ  ｐｉｅｃｅ）１７８が形成される。データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延びて、ゲート線１２１、蓄積電極線１３１の幹線及び接続部１３３ｅと交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びる複数のソース電極１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１７９を有する。データ電圧を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されてもよく、基板１１０上に直接装着されてもよく、基板１１０に集積されてもよい。データ駆動回路が基板１１０上に集積される場合、データ線１７１が延びてこれと直接接続されてもよい。
【００７５】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されるように形成されて、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は、広い一側端部と棒状の他側端部を有しており、棒状端部はソース電極１７３で一部囲まれる。
【００７６】
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、線状半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。
【００７７】
絶縁された金属片１７８は、第１蓄積電極１３３ａ付近のゲート線１２１上に配置される。
【００７８】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び絶縁された金属片１７８は、ゲート線１２１と同様に低抵抗性導電体で形成されてもよい。
【００７９】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び絶縁された金属片１７８も、その側面が基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の傾斜角で傾くのが望ましい。
【００８０】
オーミックコンタクト部材１６１、１６５は、オーミックコンタクト部材１６１、１６５の下の半導体１５１とオーミックコンタクト部材１６１、１６５の上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５との間にだけ存在して、これらの間の接触抵抗を低くする。
【００８１】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、絶縁された金属片１７８及び線状半導体１５１の露出部分の上には、保護膜１８０が形成される。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などで形成されて、平坦な表面を有する。無機絶縁物の例としては、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）が挙げられる。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも線状半導体１５４の露出部分にダメージを与えないように、下部無機膜と上部無機膜との二重膜構造を有してもよい。
【００８２】
保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１、複数の連結橋８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはそれらの合金などの反射性のある金属（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｍｅｔａｌ）で形成されてもよい。
【００８３】
画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を通して、ドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。
【００８４】
データ電圧が印加される画素電極１９１は、共通電圧が印加される他の表示板２００の共通電極２７０と共に電界を生成することによって、二つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって、液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０とは、キャパシタ（以下、「液晶キャパシタ」）を構成して、薄膜トランジスタがオフした後にも印加された電圧を維持する。
【００８５】
画素電極１９１は、蓄積電極（１３３ａ〜１３３ｄ）をはじめとする蓄積電極線１３１と重なる（オーバーラップする）。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたドレイン電極１７５が蓄積電極線１３１とオーバーラップして形成されるキャパシタを「蓄積キャパシタ」とし、蓄積キャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
【００８６】
各画素電極１９１は、ゲート線１２１またはデータ線１７１とほぼ平行な四つの主な辺を有し、四つの角は面取りされ（ｃｈａｍｆｅｒｅｄ）、ほぼ長方形状である。画素電極１９１の面取りされた斜辺は、ゲート線１２１に対して約４５°の角度を成す。各画素電極１９１には、中央切開部９１、下部切開部９２ａ及び上部切開部９２ｂが形成されており、画素電極１９１はこれら切開部（９１〜９２ｂ）によって複数の領域に分割される。切開部（９１〜９２ｂ）は、画素電極１９１を二等分する仮想の横中心線に対してほぼ反転対称を成す。
【００８７】
下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは、画素電極１９１の右側辺と左側辺との間を斜めに延び、第３及び第４蓄積電極１３３ｃ、１３３ｄと各々オーバーラップする。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは、画素電極１９１の横中心線に対して下半部と上半部に各々配置されている。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは、ゲート線１２１に対して約４５°の角度を成し、互いに垂直に延びる。
【００８８】
中央切開部９１は、画素電極１９１の横中心線に沿ってのびて右側辺方向に開口を有する。中央切開部９１の開口は、下部切開部９２ａと上部切開部９２ｂとに各々平行な一対の斜辺を有する。中央切開部９１は、横部及びこれと接続された一対の斜線部を含む。横部は、画素電極１９１の横中心線に沿って短く延び、一対の斜線部は、横部から画素電極１９１の右側辺に向かって下部切開部９２ａ及び上部切開部９２ｂと各々ほぼ平行に延びる。
【００８９】
従って、画素電極１９１の下半部は、下部切開部９２ａによって二つの領域に分割され、上半部も、上部切開部９２ｂによって二つの領域に分割される。このとき、領域の個数または切開部の個数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さの比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変更してもよい。
【００９０】
連結橋８３は、ゲート線１２１を横切って、ゲート線１２１を間に置いて反対側に位置するコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを通して、蓄積電極線１３１の露出された部分と第１蓄積電極１３３ａの自由端（ｆｒｅｅ  ｅｎｄ）の露出された端部に接続される。蓄積電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする蓄積電極線１３１は、連結橋８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１、または薄膜トランジスタの欠陥の修理（ｒｅｐａｉｒ）に用いられる。
【００９１】
接触補助部材８１、８２は、各々コンタクトホール１８１、１８２を通して、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補って、これらを保護する。
【００９２】
次に、図２乃至図４を参照して、共通電極表示板２００について説明する。
【００９３】
透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板２１０上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成される。遮光部材２２０は、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）とも呼ばれ、画素電極１９１間の光漏れを防止する。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し、画素電極１９１と殆ど同じ形状の複数の開口部２２５を有する。しかし、遮光部材２２０は、ゲート線１２１及びデータ線１７１に対応する部分と薄膜トランジスタに対応する部分とを有してもよい。
【００９４】
基板２１０上にはまた、複数のカラーフィルタ２３０が形成される。殆どのカラーフィルタ２３０は、遮光部材２２０に囲まれた領域内に配置され、画素電極１９１列に沿って縦方向に長く延びる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色などの三原色のうちの一色を表示できる。
【００９５】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜２５０が形成される。蓋膜２５０は、（有機）絶縁物で形成されてもよく、カラーフィルタ２３０が外部に露出されることを防止し、平坦面を提供する。蓋膜２５０は省略されてもよい。
【００９６】
蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成される。共通電極２７０は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などで形成される。共通電極２７０には複数の切開部７１、７２ａ、７２ｂが形成される。
【００９７】
切開部（７１〜７２ｂ）の一つの集合は、一つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、下部切開部７２ａ及び上部切開部７２ｂを含む。各々の切開部（７１〜７２ｂ）は、画素電極１９１の隣接切開部（９１〜９２ｂ）の間、または切開部９２ａ、９２ｂと画素電極１９１の面取った斜辺の間に配置される。また、各切開部（７１〜７２ｂ）は、画素電極１９１の下部切開部９２ａまたは上部切開部９２ｂとほぼ平行に延びる少なくとも一つの斜線部を有する。切開部（７１〜７２ｂ）は、画素電極１９１の横中心線に対しほぼ反転対称を成す。
【００９８】
下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂは、各々斜線部、横部及び縦部を含む。斜線部は、画素電極１９１の上側または下側辺から左側辺に延びる。横部及び縦部は、斜線部の各端から画素電極１９１の辺に沿って、辺と重なるように延び、斜線部と鈍角を成す。
【００９９】
各中央切開部７１は、中央横部、一対の斜線部及び一対の縦断縦部を含む。各中央横部は、画素電極１９１の左側辺から画素電極１９１の横中心線に沿って右側辺に延びる。一対の斜線部は、中央横部の端から画素電極１９１の右側辺に向かって中央横部と鈍角を成しながら、各々下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂとほぼ平行に延びる。縦断縦部は、対応する斜線部の端から画素電極１９１の右側辺に沿って、右側辺と重なるように延び、斜線部と鈍角を成す。
【０１００】
切開部（７１〜７２ｂ）の個数も、設計要素によって変更してもよい。遮光部材２２０が切開部（７１〜７２ｂ）と重なって切開部（７１〜７２ｂ）付近の光漏れを遮断してもよい。
【０１０１】
共通電極２７０に共通電圧が印加され、画素電極１９１にデータ電圧が印加されると、表示板１００、２００の表面に対してほぼ垂直な電界が形成される。液晶分子は、電界に応じてその長軸が電界の方向に対して垂直を成すように方向を変える。
【０１０２】
電界生成電極１９１、２７０の切開部（７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂ）及び画素電極１９１の辺は、電界を歪めて液晶分子３１０の傾斜方向を決定する水平成分を生成する。電界の水平成分は、切開部（７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂ）の辺と画素電極１９１の辺とにほぼ垂直である。
【０１０３】
図３を参照すると、一つの切開部集合（７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂ）は、画素電極１９１を複数のサブ領域（ｓｕｂ‐ａｒｅａ）に分割し、各副サブ領域は画素電極１９１の周辺と斜角を成す二つの周辺を有する。各サブ領域の周辺は、偏光子１２、２２の偏光軸と約４５゜を成し、これは光効率を最大にするためである。
【０１０４】
各サブ領域上の液晶分子３１０は、殆ど周辺に対して垂直方向に傾くため、傾く方向を簡単にまとめると、ほぼ四方向である。このように液晶分子３１０の傾く方向を多様にすると、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【０１０５】
切開部（７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂ）の形態及び配置は、多様に変更されてもよい。切開部７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂのうち少なくとも一つの切開部は、突起（図示せず）や陥没部（図示せず）に代替されてもよい。突起は有機物または無機物で形成されてもよく、電界生成電極１９１、２７０の上または下に配置されてもよい。
【０１０６】
表示板１００、２００の内側面には、配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であってもよい。
【０１０７】
表示板１００、２００の外側面には、偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）１２、２２が備えられているが、二つの偏光子１２、２２の偏光軸（Ｘ、Ｙ）は、互いに直交し、斜線切開部（９２ａ、９２ｂ）及び切開部（７１〜７２ｂ）の斜線部と約４５゜の角度を成すのが望ましい。
【０１０８】
反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子１２、２２のうちの一つが省略されてもよい。
【０１０９】
本発明の実施形態１による液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償するための位相差フィルム（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ  ｆｉｌｍ）（図示せず）をさらに含んでもよい。液晶表示装置は、また、偏光子１２、２２、位相差フィルム、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  ｕｎｉｔ）（図示せず）を含んでもよい。
【０１１０】
液晶層３は、負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電界がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対してほぼ垂直に配向される。従って、例えば、偏光子１２を通過した入射光は、偏光子１２に直交する偏光子２２を通過できずに遮断される。
【０１１１】
液晶層３は、複数の液晶化合物を含有する液晶組成物を含む。液晶組成物につてはすでに記述されているので、説明を省略する。
【０１１２】
本実施形態では、垂直配向（ＶＡ）モードの液晶表示装置についてだけ説明したが、ツイストネマチック（ＴＮ）モードまたは水平電界（ＩＰＳ）方式のような水平配向モードの液晶表示装置にも同様に適用できることは明らかである。
【０１１３】
以上、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されることなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の実施形態１による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】本発明の実施形態１による液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。
【図３】図１の薄膜トランジスタ表示板と図２の共通電極表示板を含む液晶表示装置の配置図である。
【図４】図３の液晶表示装置をＩＶ-ＩＶ線に沿って切断した断面図である。
【図５】図３の液晶表示装置をＶ-Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【図６】本発明の実施形態１及び比較例による液晶組成物を含んだ液晶表示装置の電圧保持率を示した棒グラフである。
【符号の説明】
【０１１５】
３  液晶層
３１０  液晶分子
１１、２１  配向膜
１２、２２  偏光子
８１、８２  接触補助部材
８３  連結橋
９１、９２ａ、９２ｂ、７１、７２ａ、７２ｂ  切開部
１００、２００  表示板
１１０、２１０  絶縁基板
１２１  ゲート線
１２４  ゲート電極
１２９  ゲート線の端部
１３１  蓄積電極線
１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ  蓄積電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５１、１５４  半導体
１６１、１６３、１６５  オーミックコンタクト部材
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１７９      データ線の端部
１８０  保護膜
１８３ａ、１８３ｂ、１８５  コンタクトホール
１９１  画素電極
２２０  遮光部材
２３０  カラーフィルタ
２５０  蓋膜
２７０  共通電極
【図１】
2008144135.tif 000029
【図２】
2008144135.tif 000030
【図３】
2008144135.tif 000031
【図４】
2008144135.tif 000032
【図５】
2008144135.tif 000033
【図６】
2008144135.tif 000034