(57)【要約】【課題】  特に、部材間に設けられた機能部の部分にまで樹脂が入り込まないように出来、さらに、低圧下において、キャビティ内の空気を外部へ効率よく逃がすことができ、その結果、適切且つ容易に樹脂封止を行うことが出来、気密性の高い電子部品の製造方法、及び、前記電子部品を形成するための金型を提供することを目的としている。【解決手段】  押圧部３３にて軟化状態にある樹脂４２を押圧し、この際、ベース基板１２と実装基板４１間の隙間Ｂに設けられた櫛歯状電極の領域にまで前記樹脂４２が入り込まないように、前記押圧部３３の樹脂４２に対する押圧力を規制する。さらにキャビティ３３ａ内の空気を効率良く外部へ逃がすために外枠部３４の下面３４ａ全域を空気逃げ部（エアベント）５０とする。【選択図】図２
2008021741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部材間に密閉された空間が形成されるように樹脂封止を行う電子部品の製造方法であって、
少なくとも一方の対向面に機能部を有する前記部材間に隙間が設けられ、板状あるいはシート状の樹脂が前記部材に重ねられた樹脂封止前の電子部品をキャビティを有する金型内に設置し、
前記樹脂を加熱により軟化させた状態で、前記金型の押圧部により前記樹脂を押圧し前記樹脂を流動させて、前記部材間に密閉された空間を形成し、このとき、前記機能部が前記空間内に位置するように、前記樹脂に対する押圧力を、前記樹脂が前記部材間の前記機能部の領域まで入り込まない圧力に設定することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
以下の工程を有する請求項１記載の電子部品の製造方法。
（ａ）  下型と、前記下型上にて対向する上型とを有し、前記上型あるいは下型の少なくとも一方には上下方向に移動可能な押圧部が設けられ、また、前記上型あるいは下型の少なくとも一方の周囲には、他方の相手型と対向する外枠部が設られ、前記外枠部には、前記相手型との対向面積の半分以上に、前記キャビティから外部へ抜ける空気逃げ部が形成された金型を用意し、
前記樹脂封止前の電子部品を前記金型内に設置する工程と、
（ｂ）  前記押圧部により前記樹脂を前記押圧力にて押圧し、このとき、前記キャビティ内の空気を、前記外枠部の空気逃げ部から外部へ逃がす工程。
【請求項３】
前記（ａ）工程にて、前記空気逃げ部が複数に分割して形成された前記外枠部を有する前記金型を用意し、前記（ｂ）工程にて、前記キャビティ内の空気を、前記外枠部に設けられた各空気逃げ部から外部へ逃がす請求項２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
各空気逃げ部は、等間隔で配置されている請求項３記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記（ａ）工程にて、前記相手型との対向面の全域が空気逃げ部とされた前記外枠部を有する前記金型を用意し、前記（ｂ）工程にて、前記キャビティ内の空気を、前記外枠部の全周から外部へ逃がす請求項２記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂封止前の電子部品が複数設けられた集合体に、板状あるいはシート状の樹脂が一枚だけ重ねられており、前記金型により一度に複数の電子部品に対し樹脂封止を行う請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記電子部品は弾性表面波デバイスであり、前記機能部は櫛歯状電極である請求項１ないし６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
少なくとも一方の対向面に機能部を有する部材間に隙間が設けられ、板状あるいはシート状の樹脂が前記部材に重ねられた樹脂封止前の電子部品を、樹脂封止して前記部材間に密閉された空間を形成するための金型であって、
下型と、前記下型上にて対向する上型と、前記下型と前記上型の少なくとも一方に設けられた上下方向に移動可能な押圧部と、前記樹脂を加熱する加熱機構と、を有し、
前記樹脂を前記加熱機構により軟化させた状態で、前記押圧部により前記樹脂を押圧し前記樹脂を流動させて、前記部材間に密閉された空間を形成するとき、前記機能部が前記空間内に位置するように、前記樹脂に対する押圧力を、前記樹脂が前記部材間の前記機能部の領域まで入り込まない圧力に設定可能とされ、
前記下型あるいは上型の少なくとも一方の周囲には、他方の相手型と対向する外枠部が形成され、前記押圧部の移動に伴うキャビティ内の空気を外部に逃がすための空気逃げ部が、前記外枠部の前記相手型との対向面の半分以上の面積に形成されていることを特徴とする金型。
【請求項９】
前記空気逃げ部は前記相手型との対向面に複数に分割して形成されている請求項８記載の金型。
【請求項１０】
各空気逃げ部は、前記外枠部の前記相手型との対向面に等間隔で配置されている請求項９記載の金型。
【請求項１１】
前記外枠部の前記相手型との対向面の全域が空気逃げ部とされている請求項８記載の金型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば弾性表面波デバイス等の電子部品の製造方法に係わり、特に、樹脂封止を適切且つ容易に行うことが出来、気密性の高い空間を有する電子部品を製造することが可能な電子部品の製造方法、及び、前記電子部品を形成するための金型に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下の特許文献１には、弾性表面波デバイスの製造方法が開示されている。この特許文献にも記載されているように前記弾性表面波デバイスは、実装基板上に設けられた圧電基板と、前記圧電基板の前記実装基板との対向面に設けられた櫛歯状電極等を有して構成される。前記実装基板と前記圧電基板は樹脂封止され、前記基板間には前記櫛歯状電極を有する密閉された空間が形成されている。
【０００３】
例えば特許文献１では、前記櫛歯状電極の部分に空間が形成されるように空間保持部材（包囲体５０６）を設けている。
【特許文献１】特開２００１−３３２６５４号公報
【特許文献２】特開平７−１５３８７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
樹脂封止は、特許文献２に記載されているトランスファモールドが一般的であった。
しかし、トランスファモールドでは圧力が大きすぎて、弾性表面波デバイスの前記櫛歯状電極の部分に適切に空間を形成できないといった問題があった。トランスファモールドでは例えば圧力は２０〜５０ｋｇ／ｃｍ２程度であった。
【０００５】
例えば特許文献１のように空間保持部材（包囲体５０６）等を設けて、樹脂封止によっても空間が形成されやすいような形態にすることも一つの方法として考えられる。特許文献１に記載されている特開平１０−２７０９７５号公報を参照すると、この文献には、櫛歯状電極の周囲を囲む支台層と、前記支台層上を覆う蓋体とを有する空間保持部材が設けられている。この文献の形態では、前記櫛歯状電極が完全に空間保持部材で囲まれているので、封止樹脂が前記櫛歯状電極の領域にまで入り込む余地はない。
【０００６】
しかし、前記空間保持部材を設けないような場合にでも、適切に、櫛歯状電極の部分に空間が形成されるようにしたい。
【０００７】
また、溶融樹脂を金型内に流し込みながら樹脂成形するのではなく、シート状あるいは板状の樹脂を予め金型内に装着し、前記樹脂を加熱し軟化させて樹脂封止する方法を用いる場合での、最適な金型の形態やその際の圧力等は特許文献１及び２に特に記載されていない。
【０００８】
またその際にキャビティ内の空気をいかに効率よく外部へ逃がすかについて特許文献１及び２は記載していない。軟化した樹脂はしばらくすれば硬化するため、短い時間内に効率よく空気を外部へ逃がさないと適切な樹脂封止を行えない。特にトランスファモールドのように高圧下でなく、低圧下で効率良くキャビティ内の空気を外部へ逃がすことが必要であった。
【０００９】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、部材間に設けられた機能部の部分にまで樹脂が入り込まないように出来、さらに、低圧下において、キャビティ内の空気を外部へ効率よく逃がすことができ、その結果、適切且つ容易に樹脂封止を行うことが出来、気密性の高い電子部品の製造方法、及び、前記電子部品を形成するための金型を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、部材間に密閉された空間が形成されるように樹脂封止を行う電子部品の製造方法であって、
少なくとも一方の対向面に機能部を有する前記部材間に隙間が設けられ、板状あるいはシート状の樹脂が前記部材に重ねられた樹脂封止前の電子部品をキャビティを有する金型内に設置し、
前記樹脂を加熱により軟化させた状態で、前記金型の押圧部により前記樹脂を押圧し前記樹脂を流動させて、前記部材間に密閉された空間を形成し、このとき、前記機能部が前記空間内に位置するように、前記樹脂に対する押圧力を、前記樹脂が前記部材間の前記機能部の領域まで入り込まない圧力に設定することを特徴とするものである。
【００１１】
本発明では上記したように、板状あるいはシート状の樹脂を金型内に設置し、この樹脂を軟化し前記金型の押圧部により前記樹脂を流動させて樹脂封止を行うものである。本発明の製造方法によれば、前記機能部の部分に適切に空間を形成でき、前記機能部の機能が阻害されない電子部品を適切且つ容易に製造することが出来る。
【００１２】
本発明では、以下の工程を有することが好ましい。
（ａ）  下型と、前記下型上にて対向する上型とを有し、前記上型あるいは下型の少なくとも一方には上下方向に移動可能な押圧部が設けられ、また、前記上型あるいは下型の少なくとも一方の周囲には、他方の相手型と対向する外枠部が設られ、前記外枠部には、前記相手型との対向面積の半分以上に、前記キャビティから外部へ抜ける空気逃げ部が形成された金型を用意し、
前記樹脂封止前の電子部品を前記金型内に設置する工程と、
（ｂ）  前記押圧部により前記樹脂を前記押圧力にて押圧し、このとき、前記キャビティ内の空気を、前記外枠部の空気逃げ部から外部へ逃がす工程。
【００１３】
上記（ａ）工程で示した金型を用いることで、本発明のように前記押圧部の圧力を低圧としたときに、適切にキャビティ内の空気を外部へ逃がすことが可能であり、前記樹脂が硬化する前に適切に樹脂封止を行うことが可能であり、ボイドの発生を抑制でき気密性の高い電子部品を製造できる。
【００１４】
本発明では、前記（ａ）工程にて、前記空気逃げ部が複数に分割して形成された前記外枠部を有する前記金型を用意し、前記（ｂ）工程にて、前記キャビティ内の空気を、前記外枠部に設けられた各空気逃げ部から外部へ逃がすことが好ましい。このとき、各空気逃げ部は、等間隔で配置されていることが、前記キャビティ内の空気を、四方から均等に、効率良く外部へ逃がすことができ、樹脂封止を適切に行うことができて好ましい。
【００１５】
また本発明では、前記（ａ）工程にて、前記相手型との対向面の全域が空気逃げ部とされた前記外枠部を有する前記金型を用意し、前記（ｂ）工程にて、前記キャビティ内の空気を、前記外枠部の全周から外部へ逃がすことがより好ましい。これにより、最も効果的に、前記キャビティ内の空気を、効率良く外部へ逃がすことができ、樹脂封止をより適切に行うことができる。
【００１６】
また本発明では、前記樹脂封止前の電子部品が複数設けられた集合体に、板状あるいはシート状の樹脂が一枚だけ重ねられており、前記金型により一度に複数の電子部品に対し樹脂封止を行うことが、複数の電子部品に対し簡単且つ適切に樹脂封止を行うことが出来、また金型の構造も簡単に出来て好ましい。
【００１７】
また本発明では、前記電子部品は弾性表面波デバイスであり、前記機能部は櫛歯状電極であることが好ましい。
【００１８】
また本発明は、少なくとも一方の対向面に機能部を有する部材間に隙間が設けられ、板状あるいはシート状の樹脂が前記部材に重ねられた樹脂封止前の電子部品を、樹脂封止して前記部材間に密閉された空間を形成するための金型であって、
下型と、前記下型上にて対向する上型と、前記下型と前記上型の少なくとも一方に設けられた上下方向に移動可能な押圧部と、前記樹脂を加熱する加熱機構と、を有し、
前記樹脂を前記加熱機構により軟化させた状態で、前記押圧部により前記樹脂を押圧し前記樹脂を流動させて、前記部材間に密閉された空間を形成するとき、前記機能部が前記空間内に位置するように、前記樹脂に対する押圧力を、前記樹脂が前記部材間の前記機能部の領域まで入り込まない圧力に設定可能とされ、
前記下型あるいは上型の少なくとも一方の周囲には、他方の相手型と対向する外枠部が形成され、前記押圧部の移動に伴うキャビティ内の空気を外部に逃がすための空気逃げ部が、前記外枠部の前記相手型との対向面の半分以上の面積に形成されていることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明では上記したように、板状あるいはシート状の樹脂を金型内に入れ、この樹脂を軟化し前記金型の押圧部により前記樹脂を流動させて樹脂封止を行うものである。本発明の金型によれば、前記機能部の部分に適切に空間を形成でき、前記機能部の機能が阻害されない電子部品を適切且つ容易に製造することが出来る。さらに前記外枠部に前記空気逃げ部を広い面積に形成しているので、本発明のように前記押圧部の圧力が低圧でも、適切にキャビティ内の空気を外部へ逃がすことが可能であり、前記樹脂が硬化する前に適切に樹脂封止を行うことが可能であり、ボイドの発生を抑制でき気密性の高い電子部品を製造できる。
【００２０】
本発明では、前記空気逃げ部は前記相手型との対向面に複数に分割して形成されていることが好ましい。このとき、各空気逃げ部は、前記外枠部の前記相手型との対向面に等間隔で配置されていることが好ましい。これにより、前記キャビティ内の空気を、四方から均等に、効率良く外部へ逃がすことができ、樹脂封止を適切に行うことができて好ましい。
【００２１】
また本発明では、前記外枠部の前記相手型との対向面の全域が空気逃げ部とされていることがより好ましい。これにより、最も効果的に、前記キャビティ内の空気を、効率良く外部へ逃がすことができ、樹脂封止をより適切に行うことができる。
【発明の効果】
【００２２】
部材間に設けられた機能部の部分にまで樹脂が入り込まないように出来、さらに、低圧下において、キャビティ内の空気を外部へ効率よく逃がすことができ、その結果、適切且つ容易に樹脂封止を行うことが出来、前記機能部の機能が阻害されず気密性の高い電子部品を製造することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は後述する製造方法によって製造された弾性表面波デバイスを厚さ方向から切断した部分断面図である。
【００２４】
図１に示す前記弾性表面波デバイス１０は、例えば移動体通信端末に実装されるフィルタ、共振器またはデュプレクサを小型化するために非常に適した素子として利用される。
【００２５】
図１に示すように、前記弾性表面波デバイス１０は、実装基板１１と前記実装基板１１上に対向対置された圧電材料で形成されたベース基板１２と、前記前記ベース基板１２の上面１２ｂから側方に向けて形成され前記実装基板１１と前記ベース基板１２との間に密閉された空間Ａを形成するための封止用の樹脂１４とを有して構成される。
【００２６】
前記ベース基板１２の下面（実装基板１１との対向面）１２ａには、導電性の材料で形成された少なくとも一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）１５が形成されている。前記櫛歯状電極１５の端部には端子電極１６，１６が形成される。また図示していないが、前記一対の櫛歯状電極１５の両側には反射電極が設けられている。ここで本実施形態における「機能部」は少なくとも櫛歯状電極１５と定義される。なお、前記「機能部」に、前記櫛歯状電極１５のほか、反射電極、又は、前記反射電極及び端子電極１６の双方を含めることを除外しない。そして前記機能部が前記空間Ａ内に含まれるように形成される。前記空間Ａは、前記櫛歯状電極１５の振動空間である。
【００２７】
前記端子電極１６と前記実装基板１１のランド部（図示しない）とはバンプ状の接続導体部２２を介して電気的に接続されている。前記接続導体部２２は例えば半田で形成される。
【００２８】
前記ベース基板１２は、ＬｉＴａＯ３又は、ＬｉＮｂＯ３等の圧電セラミック材料で形成される。
【００２９】
前記櫛歯状電極１５は、例えばＡｌ層又はＡｌ合金層で形成され、その表面にＡｕ，ＴｉＮ等の保護層が形成された構造である。
【００３０】
図１に示す実装基板１１は、絶縁基板であり、例えば積層セラミック基板である。
前記樹脂１４は熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の別を問わない。例えば前記樹脂１４は、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂である。
【００３１】
図２ないし図７を用いて本実施形態の弾性表面波デバイス１０の製造方法について説明する。特に以下では樹脂封止を行う方法について説明する。
【００３２】
図２に示すように、樹脂封止を行うための金型３０を用意する。前記金型３０は下型３１と上型３２とを有して構成される。
【００３３】
前記下型３１の上面３１ａは平坦化面であり、前記上面３１ａが樹脂封止前の弾性表面波デバイスの設置面となっている。
【００３４】
前記上型３２は、中央部に設けられた押圧部３３と、前記押圧部３３の周囲に設けられた外枠部３４とを有して構成される。前記押圧部３３は上下に移動可能となっており、図２の状態では、前記押圧部３３が上方に上がった状態であり、前記押圧部３３と前記下型３１との間にキャビティ３３ａが形成されている。
【００３５】
このキャビティ３３ａ内に、樹脂封止前の弾性表面波デバイス集合体４０を設置する。
前記樹脂封止前の弾性表面波デバイス集合体４０は、複数のベース基板１２よりも大きい平面面積を有する一枚の実装基板４１と、前記実装基板４１上に接続導体部２２を介して実装（フリップチップ実装）された複数のベース基板１２と、各ベース基板１２上に設置された一枚の板状の樹脂４２とを有して構成されている。
【００３６】
板状の前記樹脂４２は、図２のように各ベース基板１２上に配置しても各ベース基板１２間の空間内に撓むことがないほどの剛体である。前記樹脂４２を軟化した際の粘度は高く、前記押圧部３３で押圧されない限り流動しない。前記樹脂４２の粘度は、ＪＩＳ  Ｋ  ６９１１のスパイラルフロー測定方法でのスパイラルフロー値が、５０〜７０ｃｍ程度の低粘度である。
【００３７】
図２に示すように、前記実装基板４１は、その外周部がちょうど前記外枠部３４下に入り込むほどの大きさで形成されている。板状の前記樹脂４２の平面面積は前記押圧部３３の平面面積と同等か、それよりもやや小さく形成されている。
【００３８】
図２に示すように、前記実装基板４１と前記ベース基板１２との間には隙間（開放空間）Ｂが設けられ、図示していないが図１と同様に前記ベース基板１２の下面に前記櫛歯状電極１５が設けられている。
【００３９】
図２のように、樹脂封止前の弾性表面波デバイス集合体４０を前記下型３１の上面（設置面）３１ａ上に設置する。
【００４０】
そして図２に示すように前記上型３２を前記下型３１上にセットする。このとき、前記外枠部３４の下面３４ａは、前記下型３１の上面３１ａに設けられた突起状の突き当て部材３１ｂによって突き当てられ、前記外枠部３４と前記実装基板４１との間に高さ寸法がｈの空気逃げ部５０が形成される。前記空気逃げ部５０についは後で詳述する。前記高さ寸法ｈは、軟化状態にある樹脂が前記空気逃げ部５０内へ流入しない大きさで形成される。少なくとも図３の工程を経た樹脂４２の表面４２ａよりも低い位置に、前記外枠部３４の下面３４ａが位置する。前記突き当て部材３１ｂは例えば円柱状であり、前記突き当て部材３１ｂは前記下型３１の上面３１ａに複数箇所、点在している。
【００４１】
なお前記高さ寸法ｈは、例えば３０μｍ程度であり、板状の樹脂４２の厚さは、例えば０．４ｍｍ程度である。
【００４２】
前記金型３０には図示しない加熱機構が設けられており、前記樹脂封止前の前記弾性表面波デバイス集合体４０を前記金型３０内に設置した後、前記加熱機構によって板状の前記樹脂４２を軟化させる。加熱温度は前記樹脂４２の軟化点以上であり、例えば前記樹脂４２をエポキシ樹脂とした場合、加熱温度は１２０〜１８０℃程度である。
【００４３】
そして前記押圧部３３を下方向に移動させ、軟化状態にある前記樹脂４２を下方向へ押圧する。
【００４４】
図５は前記押圧部３３によって板状の前記樹脂４２を押圧する前の前記弾性表面波デバイス集合体４０を拡大した断面図である。前記押圧部３３によって軟化状態にある前記樹脂４２が下方向に押圧されると、図６に示すように、前記実装基板４１上において各ベース基板１２間に設けられていた空間Ｃ内に、前記樹脂４２が流動して、前記空間Ｃを塞ぎ、各ベース基板１２と実装基板４１との間に密閉された空間Ａが形成される。
【００４５】
さらに前記押圧部３３が前記樹脂４２を押圧して前記空間Ａの体積が小さく成ると、前記空間Ａ内での圧力が上昇する。このとき、前記押圧部３３の樹脂４２に対する押圧力を、Ｐ１とし、前記空間Ａ内の気圧をＰ２とした場合、ほぼ押圧力Ｐ１＝気圧Ｐ２となった時点で、図７、図３に示すように、前記樹脂４２の前記ベース基板１２と前記実装基板４１間への流動は止まる。
【００４６】
本実施形態の特徴的部分は、前記押圧部３３の押圧力Ｐ１を、前記樹脂４２が前記ベース基板１２と実装基板４１間の密閉された空間Ａ内に設けられた機能部である櫛歯状電極１５の形成領域にまで入り込まない圧力に設定している点にある。
【００４７】
換言すれば、前記樹脂４２が前記櫛歯状電極１５の形成領域にまで入り込む前に、前記押圧力Ｐ１が前記気圧Ｐ２とほぼ同じとなるように、前記押圧力Ｐ１を設定している。
【００４８】
これにより、前記実装基板４１と各ベース基板１２とを適切に樹脂封止できるとともに、適切且つ容易に前記実装基板４１と前記ベース基板１２間に機能部である前記櫛歯状電極１５が設けられた密閉空間Ａを形成することが可能になる。
【００４９】
そして図３に示す金型３０から樹脂封止された前記弾性表面波デバイス集合体４０を取り出し、各弾性表面波デバイス１０毎に、前記実装基板４１及び樹脂４２を切断する。切断方法としては、ダイシング加工、レーザー加工、エンドミルによるミーリング加工、あるいはドライエッチング法、ウエットエッチング法など各種の方法を用いることが可能である。
【００５０】
図７では、前記樹脂４２は、前記ベース基板１２と前記実装基板４１間の一部に入り込んでいるが、図１のように、ベース基板１２と実装基板１１間に全く樹脂１４が入り込まないようにすることも、前記押圧力Ｐ１の調整や樹脂粘度の調整等で行うことが出来る。
【００５１】
本形態では図２のとき、一枚の板状の樹脂４２を複数のベース基板１２上に配置しており、一度に、複数のベース基板１２に対し樹脂封止を行うことが可能であり製造工程を容易化できる。
【００５２】
ところで、前記空間Ａ内の気圧Ｐ２は大気圧より高くなるものの、せいぜい１〜５ｋｇｆ／ｃｍ２程度であるため、前記押圧力Ｐ１もそれに合わせて、１〜５ｋｇｆ／ｃｍ２程度の低圧に設定しなければならない。
【００５３】
このように本形態では、前記押圧部３３の押圧力Ｐ１を低圧にして前記樹脂４２を押圧するが、その際に、図２に示すキャビティ３３ａ内の空気を効率良く外部へ逃がすことが重要である。
【００５４】
図４は前記上型３２の裏面図である。なお先に説明した図２は、図４に示すＨ−Ｈ線から厚さ方向に切断し矢印方向から見た金型３０及び金型３０内に設置された樹脂封止前の弾性表面波デバイス集合体４０の部分断面図である。
【００５５】
本実施形態では、前記外枠部３４の下面３４ａの全域が、図２に示すように、前記実装基板４１に接することなく上方に位置しており、よって前記外枠部３４の下面３４ａの全域が空気逃げ部（エアベント）５０となっている。すなわち前記外枠部３４の下面３４ａと前記実装基板４１との間の全域に高さ寸法ｈの空気逃げ部５０が形成されている。なお前記外枠部３４の下面３４ａにまで前記実装基板４１が入り込んでいない場合は、前記高さ寸法ｈは、前記外枠部３４の下面３４ａから前記下型３１の上面３１ａの間の高さで規定される。
【００５６】
このように前記外枠部３４の下面３４ａの全域を空気逃げ部５０として構成することで、図２に示す状態から図３の樹脂加圧状態に移行するときに、前記キャビティ３３ａ内の空気を、効率良く空気逃げ部５０から外部へ逃がすことが可能である。よって、前記樹脂４２の全体を適切に押圧力Ｐ１で押圧でき、樹脂４２が硬化する前に前記ベース基板１２と実装基板４１との間に櫛歯状電極１５を有する密閉された空間Ａを形成できるとともに、樹脂４２にボイドの発生が無く気密性の高い弾性表面波デバイスを製造できる。また、前記空間Ａ内の気圧Ｐ２は、大気圧よりも高くなるため、樹脂４２中に含まれる水分は前記空間Ａ内よりも外方へ放出されやすく、前記櫛歯状電極１５の劣化を抑制できる。
【００５７】
図４のように、前記外枠部３４の下面３４ａの全域を空気逃部５０して構成すれば、最も効率良く、前記キャビティ３３ａ内の空気を外部へ逃がすことが可能である。
【００５８】
以下、図４とは異なる空気逃げ部の形態について説明する。
図８は、図４とは異なる形態の上型６１の裏面図、図９は、図８に示すＤ−Ｄ線から厚さ方向に切断し矢印方向から見た金型６０及び金型６０内に設置された樹脂封止前の弾性表面波デバイス集合体４０の部分断面図である。なお図８，図９に示す形態では、図１ないし図４に示す形態と外枠部及び下型の形態が異なるだけで他の部分は同じである。
【００５９】
図８，図９に示すように前記外枠部６２の下面６２ａには、前記下型６３の方向に突出する例えば円柱状の突出部６４が形成されている。前記突出部６４は前記実装基板４１上に接して前記実装基板４１を下型６３側に押圧している。よって、前記実装基板４１は、前記突出部６４により前記下型６３の上面（設置面）６３ａの所定位置にクランプされている。図８，図９に示す形態では、前記突出部６４を除く前記外枠部６２の下面６２ａの全域が空気逃げ部（エアベント）６５となっている。
【００６０】
前記突出部６４は複数設けられていることが好ましい。前記突出部６４を等間隔で設けると前記実装基板４１全体を適切にクランプできる。ここで言う「等間隔」とは、例えば、前記外枠部６２の内中心Ｏを頂点としたときの各突出部６４までの距離及び各突出部６４間の成す角度が等しい状態を指す。
【００６１】
図８，図９に示す形態では、数個の前記突出部６４が点在しているだけで、ほぼ領域が空気逃げ部６５として機能するため、図４で説明したのと同様に、非常に効率良く、前記キャビティ３３ａ内の空気を外部へ逃がすことが可能となっている。前記突出部６４は、３つ以上設けられることが好ましい。また、図８のように前記外枠部６２の下面６２ａが、複数本の所定幅で且つ直線的に延びる帯状面で囲まれた枠体であるとき、前記突出部６４は、各帯状面に少なくとも一つづつ設けられることが好ましい。
【００６２】
図８，図９に示す形態では、図２のように前記下型６３の上面６３ａに突き当て部が形成されていない。図８，図９に示す形態では前記突出部６４が形成されているので、特に前記突き当て部の形成は必要ない。
【００６３】
図１０は、図４及び図８とは異なる形態の上型７１の裏面図、図１１は、図１０に示すＥ−Ｅ線から厚さ方向に切断し矢印方向から見た金型７０の部分断面図である。なお図９，図１０に示す形態では、図１ないし図４に示す形態と外枠部及び下型の形態が異なるだけで他の部分は同じである。
【００６４】
図１０に示すように、裏面側から見たときに、前記外枠部７２の下面７２ａには、前記押圧部３３の各側端部３３ｂと対向する位置に、各側端部３３ｂの幅とほぼ同程度の幅寸法で形成された凹み形状の空気逃げ部７３が前記側端部３３ｂ側から外部に向けて形成され、前記空気逃げ部７３以外の前記外枠部７２の下面７２ａが、前記下型７４の上面７４ａ方向に凸形状で形成されたクランプ部７６となっている。なお図１０では空気逃げ部７３の箇所を斜線で示している。
【００６５】
前記クランプ部７６により前記実装基板４１が前記下型７４の上面７４ａの所定位置にクランプされる。
【００６６】
図１０，図１１に示す形態では、図１ないし図９に示す形態に比べて、前記外枠部７２の下面７２ａに占める空気逃げ部（エアベント）７３の面積比率が小さいが、少なくとも前記下面７２ａの半分以上の面積に前記空気逃げ部７３が形成されている。
【００６７】
図１０，図１１に示す形態では、前記空気逃げ部７３が分割形成されており、各空気逃げ部７３は、裏面側から見たときに、前記押圧部３３の側端部３３ｂと対向して形成されている。よって図２の状態から図３の樹脂加圧状態へ移行させたときに前記押圧部３３の前記樹脂４２に対する押圧力Ｐ１が１〜５ｋｇｆ／ｃｍ２程度の低圧であっても、キャビティ内の空気を前記外枠部７２の各側方から均等に前記空気逃げ部７３を介して外部へ逃がすことが可能であり、樹脂４２が硬化する前に前記ベース基板１２と実装基板４１との間に櫛歯状電極１５を有する密閉された空間Ａを形成できるとともに、樹脂４２にボイドの発生が無く気密性の高い弾性表面波デバイスを製造できる。
【００６８】
図１０，図１１に示す形態では、図２のように前記下型７４の上面７４ａに突き当て部が形成されていない。図１０，図１１に示す形態では前記クランプ部７６が形成されているので、特に前記突き当て部の形成は必要ない。
【００６９】
図１２は、図４、図８及び図１０とは異なる形態の上型８１の裏面図、図１３は、図１３に示すＦ−Ｆ線から厚さ方向に切断し矢印方向から見た金型８０の部分断面図である。なお図１２，図１３に示す形態では、図１ないし図４に示す形態と外枠部及び下型の形態が異なるだけで他の部分は同じである。
【００７０】
図１２に示す形態では、図１０に示す形態と同様に、外枠部８２の下面８２ａに形成された空気逃げ部８３が分割形成されているが、各空気逃げ部８３の形成位置が図１０とは異なっている。前記空気逃げ部８３は凹み形状で形成され、前記空気逃げ部８３以外の箇所が下型８４の上面８４ａ方向に突出するクランプ部８５であり、前記実装基板４１が前記クランプ部８５により前記下型８４の上面８４ａにクランプされている。なお図１２では空気逃げ部８３の箇所を斜線で示している。
【００７１】
図１２，図１３に示す形態でも、図１ないし図１１に示す形態と同様に、前記空気逃げ部８３は、少なくとも前記外枠部８２の下面８２ａの面積に対して半分以上を占めている。
【００７２】
図１２，図１３に示す形態では、前記空気逃げ部８３が分割形成されている。そして各空気逃げ部８３間には同じ幅寸法で形成されたクランプ部８５が設けられており、各空気逃げ部８３は前記外枠部８２の下面８２ａの周囲に、等間隔で形成されている。このように前記空気逃げ部８３を前記外枠部８２の下面８２ａの半分以上とし、さらに前記空気逃げ部８３を等間隔で形成することで、低圧下においても、キャビティ内の空気を均等に分散して外部へ逃がすことができ、樹脂４２が硬化する前に前記ベース基板１２と実装基板４１との間に櫛歯状電極１５を有する密閉された空間Ａを形成できるとともに、樹脂４２にボイドの発生が無く気密性の高い弾性表面波デバイスを製造できる。
【００７３】
なお空気逃げ部の形態は上記のものに限定されない。例えば図１０では各空気逃げ部７３の幅寸法が内側（押圧部３３側）から外側に向けて一定であるが、違っていてもよい。例えば内側から外側に向けて前記空気逃げ部の幅寸法が広がった形態となっている。また図１０，図１２では分割形成された空気逃げ部は４つであるが、空気逃げ部の数は限定されない。
【００７４】
前記空気逃げ部（エアベント）の幅寸法ｗや空気逃げ部の高さ寸法ｈは、以下の式から求めることが出来る。
【００７５】
【数１】
2008021741.tif 000003
【００７６】
ここでＶは、キャビティ内から排出すべき空気量、μは、空気の粘性係数（０．０１８２×１０−３Ｐａ・ｓ（２５℃））、ｗは、空気逃げ部の幅寸法、ｈは、空気逃げ部と実装基板間の高さ寸法、Δｐは、押圧力Ｐ１−大気圧、ｘは空気逃げ部の長さ、ｔは、樹脂ゲルタイムの１０分の１の時間（樹脂が十分な流動性を保っている時間）、Ｌは、キャビティ全周の長さ、である。
【００７７】
主に図１２を用いて、上記符号について説明する。空気逃げ部の幅寸法ｗとは、外枠部の内周側における各空気逃げ部の幅の合計、例えば、図１２に示す形態では、ｗ＝ｗ１＋ｗ２＋ｗ３＋ｗ４である。高さ寸法ｈは図２で説明したように、空気逃げ部と実装基板間における高さ寸法である。前記外枠部下にまで前記実装基板４１が設けられていない場合には、前記空気逃げ部と前記下型の上面間の高さ寸法で規定される。前記空気逃げ部の長さＸは、前記空気逃げ部が形成された部分での外枠部の内周側から外周側にかけて直線距離で最大となる長さである。前記キャビティの全周長さＬは、前記押圧部３３の側端部の全周長さと同じである。また、Ｖは、成形初期にキャビティ内に残留している空気の体積から、図６のように樹脂４２と実装基板４１との間に閉じ込められた１気圧の空気量を引いた値である。
【００７８】
「樹脂ゲルタイム」とは、樹脂を加熱し始めてからゲル化（硬化）するまでの時間である。
【００７９】
例えば、図１２に示す形態では、前記空気逃げ部の幅寸法ｗが前記キャビティの全周の長さＬよりも小さくなっており、上記した数１の式が成立する。
【００８０】
【数２】
2008021741.tif 000004
【００８１】
上記数２の数式は、前記空気逃げ部の幅寸法ｗと前記キャビティの全周の長さＬが同じ場合、例えば図４に示す形態に成立する。
【００８２】
本形態では、押圧力Ｐ１を１〜５ｋｇｆ／ｃｍ２程度の低圧にするが、かかる場合に、上記数１，２の式を満たすように、前記空気逃げ部（エアベント）の幅寸法ｗや高さ寸法ｈ等を規定すれば、樹脂ゲルタイムの１０分の１以下の時間で、前記キャビティ内の空気を外部へ逃がすことが可能であり、適切に樹脂封止を行うことが出来る。
【００８３】
図１４は、図１とは異なる形態の弾性表面波デバイス９０の形態である。図１４では、前記ベース基板１２の下面１２ａには空間保持部材９１が設けられ、前記空間保持部材９１と前記下面１２ａ間に形成された空間Ｇ内に機能部としての櫛歯状電極１５が設けられている。なお前記空間保持部材９１の紙面手前側と臆側は開放端となっており、この開放端を樹脂９３によって塞いでいる。
【００８４】
前記櫛歯状電極１５の端部に形成された端子電極１６，１６は、接続導体部２２を介して接点９２に電気的に接続され、前記空間Ｇを除く前記ベース基板１２の上面、側面及び下面が樹脂９３によって封止されている。前記樹脂９３の下面は平坦化面で形成され、前記樹脂９３の下面から前記接点９２の下面（実装面）が露出している。図１４に示す形態では、図１のように実装基板１１が必要なく、弾性表面波デバイス９０の薄型化を促進できる。
【００８５】
図１４に示す樹脂封止も上記で説明した金型を用いることで、前記空間Ｇ内の、前記櫛歯状電極１５の形成領域にまで前記樹脂９３が入り込まない低圧下で、樹脂封止を行うことができ、しかもそのような低圧下においてもキャビティ内の空気を外部へ効率良く逃がすことができ、適切且つ簡単に樹脂封止を行うことが可能である。
【００８６】
本形態では、図２の封止前において、樹脂４２として板状でなく、シート状のものを使用してもよい。樹脂シートでは、図２に示す各ベース基板１２上に前記樹脂シートを設置したとき、各ベース基板間の空間内に前記樹脂シートが撓む可能性があるが、かかる場合であっても本形態の金型を使用すれば、低圧下において、キャビティ内の空気を効率よく外部へ逃がすことができ、適切且つ容易に気密性に優れた樹脂封止を行うことが出来る。
【００８７】
また上記形態では、電子部品の一例として弾性表面波デバイス１０を用いて説明したが、本形態はこれに限られるものではない。すなわち、前記部材間に樹脂封止によって密閉された空間が設けられ、前記空間内では少なくとも一方の対向面側に機能部が設けられる形態であれば、その他どのような電子部品の製造方法にも適用可能である。
【００８８】
また上記では、上型３２に押圧部３３及び空気逃げ部を有する外枠部３４が設けられているが、前記押圧部あるいは、前記外枠部、または、押圧部及び、前記外枠部が下型３１に設けられる構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本実施形態の製造方法によって製造された弾性表面波デバイスを厚さ方向から切断した部分断面図、
【図２】弾性表面波デバイスの製造に使用される金型及び樹脂封止前の弾性表面波デバイス集合体を厚さ方向から切断した部分断面図、
【図３】図２の次に行われる工程を示す金型及び樹脂封止された弾性表面波デバイス集合体を厚さ方向から切断した部分断面図、
【図４】図２に示す金型の上型の裏面図、
【図５】樹脂封止前の弾性表面波デバイス集合体を厚さ方向から切断した部分拡大断面図、
【図６】図５の次の工程を示し、樹脂封止途中の弾性表面波デバイス集合体を示す部分拡大断面図、
【図７】図６の次の工程を示し、樹脂封止された弾性表面波デバイス集合体を示す部分拡大断面図、
【図８】図４とは異なる形態の上型の裏面図、
【図９】図８に示すＤ−Ｄ線から厚さ方向に切断し矢印方向から見た金型及び金型内に設置された樹脂封止前の弾性表面波デバイス集合体の部分断面図、
【図１０】図４及び図８とは異なる形態の上型の裏面図、
【図１１】図１０に示すＥ−Ｅ線から厚さ方向に切断し矢印方向から見た金型の部分断面図、
【図１２】図４、図８及び図１０とは異なる形態の上型の裏面図、
【図１３】図１２に示すＦ−Ｆ線から厚さ方向に切断し矢印方向から見た金型及び金型内に設置された樹脂封止前の弾性表面波デバイス集合体の部分断面図、
【図１４】図１とは異なる形態の弾性表面波デバイスを厚さ方向から切断した部分断面図、
【符号の説明】
【００９０】
１０、９０  弾性表面波デバイス
１１、４１  実装基板
１２  ベース基板
１４、４２、９３  樹脂
１５  櫛歯状電極
２２  接続導体部
３０、６０、７０、８０  金型
３１、６３、７４、８４  下型
３２、６１、７１、８１  上型
３３  押圧部
３３ａ  キャビティ
３４、６２、７２、８２  外枠部
４０  弾性表面波デバイス集合体
５０、６５、７３、８３  空気逃げ部（エアベント）
６４  突出部
７６、８５  クランプ部
９１  空間保持部材
９２  接点
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｇ  空間
Ｐ１  押圧力
Ｐ２  （空間Ａ内の）気圧
【図１】
2008021741.tif 000005
【図２】
2008021741.tif 000006
【図３】
2008021741.tif 000007
【図４】
2008021741.tif 000008
【図５】
2008021741.tif 000009
【図６】
2008021741.tif 000010
【図７】
2008021741.tif 000011
【図８】
2008021741.tif 000012
【図９】
2008021741.tif 000013
【図１０】
2008021741.tif 000014
【図１１】
2008021741.tif 000015
【図１２】
2008021741.tif 000016
【図１３】
2008021741.tif 000017
【図１４】
2008021741.tif 000018