(57)【要約】【課題】  反射電子を効率良く検出でき、これにより観察試料の組成情報が十分に反映された試料像を取得することができるビーム装置を提供する。【解決手段】  ビーム源１と、一次ビーム２を試料５上に集束して照射する対物レンズ４と、ビーム源１と対物レンズ４との間に配置された絞り７とを有するビーム装置において、一次ビーム２の照射に応じて試料５から発生した反射電子１０が絞り７に到達し、これにより絞り７から生じる被検出粒子を検出する検出器１５と、一次ビーム２の光軸上に中心軸が位置し、検出器１５と対向する側面に開口が設けられた中空形状の電極１４とを備え、電極１４により形成された電界の作用により、絞り７からの被検出粒子が該開口を介して検出器１５側へ移動し、これにより移動した被検出粒子が検出器１５によって検出される。【選択図】図４
2008257914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次ビームを放出するビーム源と、ビーム源から放出された一次ビームを試料上に集束して照射する対物レンズと、ビーム源と対物レンズとの間に配置された絞りとを有するビーム装置において、一次ビームの照射に応じて試料から二次的に発生した二次粒子が絞りに到達し、これにより絞りから生じる被検出粒子を検出する検出器と、ビーム源からの一次ビームの光軸上に中心軸が位置し、検出器と対向する側面に開口が設けられた中空形状の電極とを備え、該電極により形成された電界の作用により、絞りからの被検出粒子が該開口を介して検出器側へ移動し、これにより移動した被検出粒子が検出器によって検出されることを特徴とするビーム装置。
【請求項２】
前記絞りは、前記光軸に対して直交する方向に移動可能となっており、前記電極には、前記絞りが通るスリットが形成されていることを特徴とする請求項１記載のビーム装置。
【請求項３】
前記電極の試料側に位置する端部には、フランジが設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載のビーム装置。
【請求項４】
前記検出器による前記被検出粒子の検出の際に、前記電極には、前記絞りの電位に対して、−１０Ｖ以上０Ｖ未満の間の範囲で設定された電位が印加されること特徴とする請求項１乃至３何れか記載のビーム装置。
【請求項５】
前記電極は、燐青銅又はアルミニウムから構成されることを特徴とする請求項１乃至４何れか記載のビーム装置。
【請求項６】
前記二次粒子は、反射電子であることを特徴する請求項１乃至５何れか記載のビーム装置。
【請求項７】
前記被検出粒子は、二次電子であることを特徴とする請求項１乃至６何れか記載のビーム装置。
【請求項８】
前記絞りと試料との間には、エネルギーフィルタが設けられており、該エネルギーフィルタにより抽出された特定の二次粒子が前記絞りに到達することを特徴とする請求項１乃至７何れか記載のビーム装置。
【請求項９】
前記対物レンズと試料との間には減速レンズが設けられているとともに、前記絞りと前記対物レンズとの間には加速レンズが設けられており、これら減速レンズ及び加速レンズからなるレンズ対によって抽出された特定の二次粒子が前記絞りに到達することを特徴とする請求項１乃至７何れか記載のビーム装置。
【請求項１０】
抽出される特定の二次粒子は、弾性後方散乱電子であることを特徴とする請求項８又は９記載のビーム装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査形電子顕微鏡等のビームを利用したビーム装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、走査形電子顕微鏡における電子光学系の構成を示す図である。ここで、同図においては、走査偏向器は省略されている。
【０００３】
電子源１から放出された一次電子ビーム２は、所定の加速電圧に加速された後、ビーム整形絞り７によって真円形に整形される。そして、対物レンズ４により電子ビーム２を集束し、電子ビーム２の合焦点が観察試料５の試料面に位置するようにする。この状態で、図示しない走査偏向器により、電子ビーム２を観察試料５の試料面上で走査し、これにより試料面から発生する二次的信号（二次電子，反射電子等）の検出を行う。この検出結果に基づいて、試料面の走査像（試料像）が作成される。
【０００４】
通常、ビーム整形絞り７は、ビーム電流制限機能を有しており、ビーム整形絞り７と電子源１との間にあるコンデンサレンズ（図示せず）の励磁強度を変えることで、ビーム電流を増減させることが可能である。このようなビーム電流を増減させる制御をすると、対物レンズ４から見た仮想光源位置が変化してしまい、対物レンズ４で適切な集束角（電子ビーム２の開き角）の制御ができなくなる。ここで、走査像の分解能は、観察試料５上でのビーム径に依存し、またビーム径は、集束角に大きく依存する。
【０００５】
そして、最適な集束角のときに最も小さいビーム径が得られ、走査像の分解能が最高となる。そこで、集束レンズ３を用いることにより、仮想光源位置の変化を補正し、これにより適切な集束角で電子ビーム２を試料面に合焦させることができる。
【０００６】
従来技術における二次的信号の検出方法を、図２及び図３に示す。図２は、観察試料５から発生した二次電子の軌道を示す図である。また、図３は、観察試料５から発生した反射電子の軌道を示す図である。図２及び図３において、集束レンズ３と対物レンズ４との間には、荷電粒子検出器８が設けられている。
【０００７】
観察試料５から放射された二次電子１０は、さまざまな方向とエネルギーを持つが、対物レンズ４の場や周辺構造物の場に従って、ある軌道を描いて飛行する。ここで、対物レンズ４や周辺構造物を適切に設計することにより、二次電子１０を荷電粒子検出器８の方向に飛行させることが可能である。
【０００８】
図２において、二次電子１０は、一次電子ビーム２よりエネルギーが低いので、対物レンズ４の磁場で大きな集束作用を受け、０回ないし１回以上のクロスオーバーを作る。磁場を抜けるときの二次電子１０の軌道が発散する方向であれば、荷電粒子検出器８に到達する。荷電粒子検出器８により検出される二次電子１０の検出結果に基づいて、走査像が形成される。通常、電子光学シミュレーションや実験により、二次電子の検出効率が最良となる位置を決定し、当該位置に荷電粒子検出器８を配置する。
【０００９】
図３において、反射電子９は一次電子ビーム２とほぼ同じエネルギーを持つ成分が多いので、対物レンズ４の磁場による反射電子９への集束作用は大きくない。従って、反射電子９はクロスオーバーを作らずに荷電粒子検出器８に到達する。荷電粒子検出器８には、一次電子ビーム２を通すための穴が開いている。この穴の径よりも反射電子９の軌道範囲の径が大きい場合には、反射電子９は荷電粒子検出器８で検出することができる。そして、当該検出結果も加えられて、走査像が形成される。
【００１０】
しかしながら、この穴径よりも反射電子９の軌道範囲の径が小さい場合には、反射電子９は荷電粒子検出器８で検出することができない。
【００１１】
ここで、二次電子と反射電子との相違点について説明する。二次電子はエネルギーが低く、観察試料の極表面で生成されたものだけが観察試料外に放出されるので、観察試料の表面の像をとらえることに適している。一方、反射電子は、二次電子に比べてエネルギーが高いので、観察試料の奥側からの情報を持っており、観察試料の組成をとらえることに適している。
【００１２】
従来のこの種の装置としては、光軸上に発生源側検知器と試料側検知器とを有し、これら検知器により、試料から放射される二次電子のほとんど全てを検出するようにした技術が知られている（特許文献１参照）。
【００１３】
また、一次電子ビームと試料との相互作用に基づいて生じる二次電子又は反射電子を検出するために、第１の検出器及び第２の検出器を有する装置が知られている。（特許文献２参照）。
【００１４】
さらに、簡易な構造の装置で、試料からの二次電子と反射電子とを分離検出できるようにした装置が知られている（特許文献３参照）。
【００１５】
そして、試料から放出された二次電子を検出する第１の検出器と、該第１の検出器の穴を通過した二次電子を検出する第２の検出器とを設け、これら検出器の出力を合成したり、分離したりして二次電子を検出することができるようにした装置が知られている（特許文献４参照）。
【００１６】
【特許文献１】特開２０００−３０６５４号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１０８９号公報
【特許文献３】特開２０００−２９９０７８号公報
【特許文献４】特開平９−２１９１７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従来技術では、荷電粒子検出器８の一次電子ビーム２の通路となる穴の径が、反射電子９の軌道範囲の径に対して大きく設定されていた。そのため、観察試料５から放射された反射電子９を検出することが困難であった。
【００１８】
具体的には、反射電子９のビーム径が数１００μｍ程度であるのに対して、荷電粒子検出器８における一次電子ビーム２の通路（穴）は、少なくとも５００μｍ〜１ｍｍ程度開けなければ一次電子ビーム２に散乱等の影響を与えてしまう。
【００１９】
ここで、電子源１と集束レンズ３との間に配置されているビーム整形絞り７において、一次電子ビーム２が通過する穴の径（絞り径）は、３０μｍ程度である。よって、ビーム整形絞り７に到達した反射電子に基づく信号を効率的に検出することができれば、結果として当該反射電子を効率良く検出することが可能となる。
【００２０】
本発明は、このような点に鑑みて成されたものであり、反射電子を効率良く検出でき、これにより観察試料の組成情報が十分に反映された試料像を取得することができるビーム装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明に基づくビーム装置は、一次ビームを放出するビーム源と、ビーム源から放出された一次ビームを試料上に集束して照射する対物レンズと、ビーム源と対物レンズとの間に配置された絞りとを有するビーム装置において、一次ビームの照射に応じて試料から二次的に発生した二次粒子が絞りに到達し、これにより絞りから生じる被検出粒子を検出する検出器と、ビーム源からの一次ビームの光軸上に中心軸が位置し、検出器と対向する側面に開口が設けられた中空形状の電極とを備え、該電極により形成された電界の作用により、絞りからの被検出粒子が該開口を介して検出器側へ移動し、これにより移動した被検出粒子が検出器によって検出されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明においては、一次ビームの照射に応じて試料から二次的に発生した二次粒子が絞りに到達し、これにより絞りから生じる被検出粒子を検出する検出器を設けるとともに、ビーム源からの一次ビームの光軸上に中心軸が位置し、検出器と対向する側面に開口が設けられた中空形状の電極を設け、該電極により形成された電界の作用により、絞りからの被検出粒子が該開口を介して検出器側へ移動し、これにより移動した被検出粒子が検出器によって検出される。
【００２３】
これにより、上記電極により形成された電界の作用によって、上記被検出粒子を検出器側へ引き付けることができる。従って、試料から絞りに到達した二次粒子に基づく信号（当該被検出粒子）を効率良く検出することができ、結果として当該二次粒子を効率良く検出することが可能となる。
【００２４】
よって、上記二次粒子が、反射電子の場合には、当該反射電子に基づく信号を効率的に検出することができ、この結果、当該反射電子を効率良く検出できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図４は、本発明におけるビーム装置を示す概略構成図である。
【００２６】
このビーム装置は、電子源（ビーム源）１と、電子源１から発生した一次電子ビーム（一次ビーム）２を観察試料５上に集束して照射させる対物レンズ４と、電子源１と対物レンズ４との間に配置された集束レンズ３と、電子源１と集束レンズ３との間に配置されたビーム整形絞り（絞り）７と、図示しない走査偏向器とを有し、走査形電子顕微鏡の構成を備えている。
【００２７】
ビーム整形絞り７には、一次電子ビーム２が通過するための穴が設けられている。当該穴の径は、３０μｍ程度に設定されており、観察試料５から発生する反射電子の軌道範囲の径よりも十分に小さくなっている。
【００２８】
ビーム整形絞り７の観察試料５側であって、当該ビーム整形絞り７の近傍には、電子検出器（検出器）１５が配置されている。この電子検出器１５は、一次電子ビーム２の照射に応じて観察試料５から二次的に発生した反射電子（二次粒子）１０がビーム整形絞り７に到達して、これによりビーム整形絞り７から生じた被検出電子を検出するためのものである。ここで、当該被検出電子は、二次電子である。なお、集束レンズ３と対物レンズ４との間に配置され、一次電子ビーム２の照射に応じて観察試料５から発生する二次電子を検出するための荷電粒子検出器の図示は省略されている。
【００２９】
また、ビーム整形絞り７と集束レンズ３との間には、電極１４が配置されている。この電極１４は、図５に示すように、電子源１からの一次電子ビーム２の光軸上にその中心軸が位置し、その側面１４において、電子検出器１５と対向する部分に開口１８が設けられた中空形状の環状電極からなる。
【００３０】
さらに、ビーム整形絞り７は、一次電子ビーム２の光軸に対して直交する方向に移動可能であり、当該移動時にビーム整形絞り７が通ることのできる２つのスリット１７ａ，１７ｂが電極１４の側面１４ａに形成されている。ここで、この２つのスリット１７ａ，１７ｂは、互いに対向するような位置に形成されており。電子検出器１５側に位置するスリット１７ａの中間部は、その下に形成されている開口１８の上端部に繋がっている。
【００３１】
そして、この電極１４の下端部（観察試料５側に位置する端部）には、フランジ１４ｂが設けられている。このフランジ１４ｂは、図示しないライナーチューブのフランジと接続される。
【００３２】
なお、当該電極１４は、燐青銅又はアルミニウムから構成されている。燐青銅及びアルミニウムは、磁性体ではない材料であって導電性を有するからである。仮に、磁性体からなる材料を用いて電極１４を構成すると、一次電子ビーム２に不要な偏向作用を及ぼすこととなり、好ましくない。
【００３３】
また、電源１６により、電極１４には、ビーム整形絞り７に対して所定の負電位となる電位が印加される。この電位は、−１０Ｖ以上ＯＶ未満の間の範囲で設定される。なお、ビーム整形絞り７は、グランド電位（接地電位）となっている。
【００３４】
ここで、参考として、電極１４を、電子検出器１５側から見たときの斜視図（鳥瞰図）を図６に示す。同図においては、電極１４の各部における厚さについての図示は省略している。
【００３５】
このような構成からなる本発明のビーム装置の動作について説明する。
【００３６】
電子源１から放出された一次電子ビーム２は、所定の加速電圧に加速された後、ビーム整形絞り７によって真円形に整形される。そして、対物レンズ４により電子ビーム２は集束され、電子ビーム２の合焦点が観察試料５の試料面に位置するようにされる。この状態で、図示しない偏向走査器により、電子ビーム２を観察試料５の試料面上で走査する。これにより、電子ビーム２が観察試料５の試料面に照射される。
【００３７】
電子ビーム２の照射に応じて観察試料５から発生する反射電子１０は、対物レンズ４と、観察試料５からの二次電子を検出するための図示しない荷電粒子検出器と、集束レンズ３とを通過し、ビーム整形絞り７に到達する。
【００３８】
ここで、上述したように、ビーム整形絞り７に設けられた穴は、反射電子１０の軌道範囲の径よりも十分に小さい径を備えている。よって、ビーム整形絞り７に到達した反射電子１０は、当該穴の周囲部に衝突することとなる。
【００３９】
このようにして反射電子１０が衝突したビーム整形絞り７の部分からは、被検出粒子となる二次電子１８が発生する（図５参照）。
【００４０】
ここで、図５に示した電極１４には、グランド電位とされたビーム整形絞り７に対して、電源１６により上述した負電位が印加されている。このようにして当該負電位が印加された電極１４の内部には、電界が形成される。
【００４１】
そして、電極１４の側面１４ａにおける電子検出器１５と対向する部分には、開口１８が形成されており、この開口１８の存在により、電極１４内での一次電子ビーム２の光軸（ビーム軸）付近の電界は非対称となる。その結果、当該電界は、二次電子１１を、開口１８を介して電子検出器１５側に引き付けるような偏向電界となる。
【００４２】
これにより、ビーム整形絞り７から発生した二次電子１１を、効率良く電子検出器１５により検出することができる。
【００４３】
ここで、電源１６により、ビーム整形絞り７のグランド電位に対して負電位となる電圧を、電極１４に印加した場合のシミュレーションの結果を、図７に示す。
【００４４】
電子検出器１５による二次電子１１の検出効率は、電極１４への印加電圧が０Ｖ（ビーム整形絞り７と同電位）のときには６％程度であった。
【００４５】
これに対して、電極１４への印加電圧を−３Ｖとすると、当該検出効率は８０％を見込めるまでに向上した。
【００４６】
従って、電極１４には、ビーム整形絞り７の電位に対して、負電位を印加することが効果的である。電極１４へ印加される負電位としては、−１０Ｖから０Ｖ（０Ｖ未満）の間の範囲で設定された負電位が好適となる。
【００４７】
なお、電極１４に当該範囲での負電位が印加された際に電極１４内に形成される偏向電界の大きさは、数１００ｅＶ〜数ｋｅＶのエネルギーを有する一次電子ビーム２の軌道に実質的に影響を与えることのないほど小さくなっている。よって、一次電子ビーム２の偏向収差を増大させることなく、電子検出器１５による二次電子１１の検出効率を向上させることができる。ここで、当該電位が−１０Ｖよりもさらに低くなると、二次電子１１を電子検出器１５に引き付けるために、この電子検出器１５の先端から発生している吸引電界に影響を及ぼすこととなり、二次電子１１の検出効率が悪化してしまう。これより、当該電位の設定範囲としては、−１０Ｖから０Ｖ未満が望ましい。
【００４８】
ここで、図７には、後段側に位置する集束レンズ及び対物レンズ（図示せず）に繋がるライナーチューブ３３が図示されている。電極１４のフランジ１４ｂは、このライナーチューブ３３のフランジ２４にボルト等によって固定されることとなる。
【００４９】
次に、図８を参照して、本発明における第１の変形例について説明する。本変形例においては、基本的構成は、上記実施の形態と同じであるが、集束レンズ３と対物レンズ４との間にエネルギーフィルタ１９を配置した点が異なる。
【００５０】
本変形例の動作は、上記実施の形態と同様である。ここで、観察試料５から発生してビーム整形絞り７にまで到達する二次粒子１０は、実際には弾性後方散乱電子及びそれよりもエネルギーの小さい多重散乱電子を含む反射電子を含んでおり、場合によっては二次電子成分を含むこともある。弾性後方散乱電子は、反射電子のうちで、一次ビームのエネルギーとほぼ同じエネルギーを有する電子である。
【００５１】
このような場合に、反射電子を主成分とする二次粒子１０から、例えば弾性後方散乱電子のみを抽出して検出し、当該弾性後方散乱電子に基づく走査像を形成するには、観察試料５から発生した二次粒子１０をエネルギーフィルタ１９に通すことにより、弾性後方散乱電子１０ａのみを抽出する。
【００５２】
そして、抽出された弾性後方散乱電子１０ａがビーム整形絞り７に到達するようにする。弾性後方散乱電子１０ａが到達したビーム整形絞り７からは二次電子１１が発生し、当該二次電子１１は電子検出器１５により検出される。
【００５３】
これにより、弾性後方散乱電子１０ａに基づく走査像を取得することができる。この弾性後方散乱電子１０ａは、観察試料５の組成コントラスト（組成差）の情報を大きく反映している二次的信号であり、弾性後方散乱電子１０ａに基づいて得られる走査像は、当該組成コントラストが明確に表示される走査像となる。
【００５４】
ここで、弾性後方散乱電子１０ａのエネルギーは、一次電子ビーム２のエネルギーとほぼ同じであるので、エネルギーフィルタ１９の強度は、一次電子ビーム２のエネルギーより低いエネルギーを有する二次粒子１０がビーム整形絞り７に到達しないように偏向できる強度とすればよい。
【００５５】
エネルギーフィルタ１９の構成としては、例えば、ウイーンフィルタの構成を用いることができる。さらに、この構成に代えて、電界偏向器や磁界偏向器を用いることもできる。
【００５６】
次に、図９を参照して、本発明における第２の変形例について説明する。本変形例においては、上記第１の変形例に用いられているエネルギーフィルタの代わりに、減速レンズ３１及び加速レンズ３２からなるレンズ対を備えた構成となっている。
【００５７】
同図において、対物レンズ４と観察試料５との間には減速レンズ３１が設けられている。また、集束レンズ３と対物レンズ４との間には加速レンズ３２が設けられている。
【００５８】
このような構成においては、加速レンズ３２の二次電子集束作用が、エネルギーフィルタと同様の作用を生じることとなる。
【００５９】
よって、この構成においても、二次粒子１０から弾性後方散乱電子１０ａのみ抽出され、弾性後方散乱電子１０ａのみがビーム整形絞り７に到達するようにすることができる。弾性後方散乱電子１０ａが到達したビーム整形絞り７からは二次電子１１が発生し、当該二次電子１１は電子検出器１５により検出されて、弾性後方散乱電子１０ａに基づく走査像を取得することができる。
【００６０】
本発明のビーム装置は、一次ビーム２を放出するビーム源１と、ビーム源１から放出された一次ビーム２を試料５上に集束して照射する対物レンズ４と、ビーム源１と対物レンズ４との間に配置された絞り７とを有するビーム装置において、一次ビーム２の照射に応じて試料５から二次的に発生した二次粒子１０が絞り７に到達し、これにより絞り７から生じる被検出粒子１１を検出する検出器１５と、ビーム源１からの一次ビーム２の光軸上に中心軸が位置し、検出器１５と対向する側面１４ａに開口１８が設けられた中空形状の電極１４とを備え、電極１４により形成された電界の作用により、絞り７からの被検出粒子１１が開口１８を介して検出器１５側へ移動し、これにより移動した被検出粒子１１が検出器１５によって検出される。
【００６１】
ここで、絞り７は、前記光軸に対して直交する方向に移動可能となっており、電極１４には、絞り７が通るスリット１７が形成されており、電極１４の試料５側に位置する端部には、フランジ１４ｂが設けられている
さらに、電極１４には、絞り７の電位に対して、−１０Ｖ以上０Ｖ未満の間の範囲で設定された電位が印加される。
【００６２】
また、電極１４は、燐青銅又はアルミニウムから構成されている。
【００６３】
そして、二次粒子１０は、反射電子であり、被検出粒子１１は、二次電子となっている。
【００６４】
さらに、絞り７と試料５との間に、エネルギーフィルタ１９を設け、エネルギーフィルタ１９により抽出された特定の二次粒子が絞り７に到達するようにしてもよい。
【００６５】
また、対物レンズ４と試料５との間に減速レンズ３１を設けるとともに、集束レンズ３と対物レンズ４との間に加速レンズ３２を設け、これら減速レンズ３１及び加速レンズ３２からなるレンズ対によって抽出された特定の二次粒子が絞り７に到達するようにしてもよい。
【００６６】
ここで、抽出される特定の二次粒子は、弾性後方散乱電子とすることができる。
【００６７】
このように、本発明においては、一次ビーム２の照射に応じて試料５から二次的に発生した二次粒子１０が絞り７に到達し、これにより絞り７から生じる被検出粒子１１を検出する検出器１５を設けるとともに、ビーム源１からの一次ビーム２の光軸上に中心軸が位置し、検出器１５と対向する側面１４ａに開口１８が設けられた中空形状の電極１４を設け、電極１４により形成された電界の作用により、絞り７からの被検出粒子１１が開口１８を介して検出器１５側へ移動し、これにより移動した被検出粒子１１が検出器１５によって検出される。
【００６８】
これにより、電極１４により形成された電界の作用によって、被検出粒子１１を検出器１５側へ引き付けることができる。従って、試料５から絞り７に到達した二次粒子１０に基づく信号（被検出粒子１１）を効率良く検出することができ、結果として二次粒子１０を効率良く検出することが可能となる。
【００６９】
よって、二次粒子１０が、反射電子の場合には、当該反射電子に基づく信号を効率的に検出することができ、この結果、当該反射電子を効率良く検出できる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】従来技術における走査電子顕微鏡の構成を示す図である。
【図２】観察試料から発生した二次電子の軌道を示す図である。
【図３】観察試料から発生した反射電子の軌道を示す図である。
【図４】本発明におけるビーム装置を示す概略構成図である。
【図５】本発明における電極の構成を示す断面図である。
【図６】本発明における電極の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明におけるシミュレーションを示す図である。
【図８】本発明における第１の変形例を示す概略構成図である。
【図９】本発明における第２の変形例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００７１】
１…電子源（ビーム源）、２…一次電子ビーム（一次ビーム）、３…集束レンズ、４…対物レンズ、５…観察試料（試料）、７…ビーム整形絞り（絞り）、１０…反射電子（二次粒子）、１１…被検出粒子（二次電子）、１４…電極、１４ａ…側面、１５…電子検出器（検出器）
【図１】
2008257914.tif 000003
【図２】
2008257914.tif 000004
【図３】
2008257914.tif 000005
【図４】
2008257914.tif 000006
【図５】
2008257914.tif 000007
【図６】
2008257914.tif 000008
【図７】
2008257914.tif 000009
【図８】
2008257914.tif 000010
【図９】
2008257914.tif 000011