(57)【要約】【課題】受光領域の面積を容易に広げることを可能にし、感度を向上させる。【解決手段】転送電極３０２が形成された部分において表面が凸状に半導体基板１０から突き出るように第１金属膜５１１を被覆後、転送電極３０２が形成された部分にて、第２金属膜５２１の表面が半導体基板１０から凸状に突き出るように、第２金属膜５２１を第１金属膜５１１に被覆する。被覆膜Ｒ１１を第２金属膜５２１に被覆後、第２金属膜５２１において半導体基板１０から凸状に突き出た領域に対応する表面の部分を露出させるように被覆膜Ｒ１１をエッチングする。第２金属膜５２１において露出された露出表面領域ＲＳを、第１金属膜５１１に対してエッチング選択比が異なる材料に変質させてハードマスク層ＨＭを形成する。ハードマスク層ＨＭをマスクとして用いて第１金属膜５１１と第２金属膜５２１とをエッチングし、遮光膜５０１を形成する。【選択図】図６
2008235334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像による光を受光し、当該受光した光を信号電荷へ光電変換する光電変換部を半導体基板に形成する光電変換部形成工程と、
前記光電変換部にて生成される信号電荷を転送する転送部を、前記半導体基板に形成する転送部形成工程と、
前記転送部へ入射される光を遮光する遮光膜を、前記転送部を被覆するように前記半導体基板に形成する遮光膜形成工程と
を有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記転送部形成工程は、
前記半導体基板から表面が凸状に突出するように、転送電極を形成する工程
を含み、
前記遮光膜形成工程は、
前記転送電極が形成された部分において表面が凸状に前記半導体基板から突出しているように、第１金属膜を前記転送電極と前記光電変換部とに被覆する第１工程と、
前記転送電極が形成された部分において表面が凸状に前記半導体基板から突出しているように、前記第１金属膜と異なる第２金属膜を、前記第１金属膜に被覆する第２工程と、
前記第２金属膜を被覆する被覆膜を、前記第２金属膜とエッチング選択比が異なる材料を用いて前記半導体基板に形成する第３工程と、
前記第２金属膜において前記転送電極の表面が前記半導体基板から凸状に突出された領域に対応する部分が露出するように、前記被覆膜をエッチングする第４工程と、
前記被覆膜がエッチングされることによって前記第２金属膜において露出された露出表面領域を、前記第１金属膜とエッチング選択比が異なる材料に変質させることによって、ハードマスク層を形成する第５工程と、
前記ハードマスク層をマスクとして用いることにより前記第１金属膜と前記第２金属膜とをエッチングすることによって、前記遮光膜を形成する第６工程と
を含む、
固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第６工程においては、異方性エッチング処理の実施によって自己整合的に前記第２金属膜を除去してパターン加工した後に、異方性エッチング処理の実施によって前記第１金属膜を除去してパターン加工することにより、前記遮光膜を形成する、
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第５工程においては、酸素ガスあるいは窒素ガスを用いたプラズマ処理を実施することによって、前記第２金属膜を変質させることにより、前記ハードマスク層を形成する、
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程においては、Ｔｉ，Ｔａ，Ａｌ，Ｗ，Ｍｏのいずれかを主成分とするように、前記第２金属膜を形成し、
前記第５工程においては、前記第２金属膜を酸化させることによって変質させることにより、前記ハードマスク層を形成する、
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第５工程においては、陽極酸化法によって、前記第２金属膜を酸化させる、
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程においては、Ｉｒ，Ｎｉ，Ｒｕのいずれかを主成分とするように、前記第１金属膜を形成し、
前記第２工程においては、Ｔａ，Ｔｉのいずれかを主成分とするように、前記第２金属膜を形成する、
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第６工程においては、ＣＯガスを主成分とするプラズマエッチング処理の実施によって、前記第１金属膜を除去しパターン加工する、
請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記遮光膜へ入射される光が反射することを防止する反射防止膜になるように、前記ハードマスク層を形成する、
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成されており、被写体像による光を受光し、当該受光した光を信号電荷へ光電変換する光電変換部と、
前記半導体基板に形成されており、前記光電変換部にて生成される信号電荷を転送する転送部と、
前記転送部を被覆するように前記半導体基板に形成されており、前記転送部へ入射される光を遮光する遮光膜と
を有し、
前記遮光膜は、当該遮光膜へ入射される光が反射することを防止する反射防止膜が表面に形成されており、
前記反射防止膜は、金属酸化膜を含むように形成されている
固体撮像装置。
【請求項１０】
前記転送部は、前記半導体基板から凸状に表面が突出するように形成された転送電極を含み、
前記反射防止膜は、前記転送電極において前記半導体基板から凸状に突出した表面に対応する前記遮光膜の表面を被覆するように、前記金属酸化膜が形成されている、
請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記反射防止膜は、絶縁膜を含むように形成されており、前記転送電極において前記半導体基板から凸状に突出した表面において前記遮光膜の表面の側面部分に対応するように、当該絶縁膜が形成されている、
請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成されており、被写体像による光を受光し、当該受光した光を信号電荷へ光電変換する光電変換部と、
前記半導体基板に形成されており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を転送する転送部と、
前記転送部を被覆するように前記半導体基板に形成されており、前記転送部へ入射される光を遮光する遮光膜と
を有し、
前記転送部によって転送された信号電荷に基づいて、画像を生成するカメラであって、
前記遮光膜は、当該遮光膜へ入射される光が反射することを防止する反射防止膜が表面に形成されており、
前記反射防止膜は、金属酸化膜を含むように形成されている
カメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および、カメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
ビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのカメラは、たとえば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型の固体撮像装置を含む。この固体撮像装置は、受光した光を信号電荷へ光電変換するフォトダイオードを含む光電変換部と、その光電変換部にて生成された信号電荷を転送するＣＣＤ構造の転送部とが半導体基板に形成されている。この固体撮像装置においては、光電変換部が被写体像を受光し、その受光した光を信号電荷へ光電変換する。そして、その光電変換部にて生成された信号電荷を転送部が転送する。その後、固体撮像装置の転送部によって転送された信号電荷をローデータとして、カメラに含まれるデータ処理部がデータ処理を実施することによって、被写体についての画像を生成する。
【０００３】
この固体撮像装置に強い光が照射された際には、カメラにおいて撮像した画像に、スミアが生じて、画像品質が低下することが知られている。つまり、固体撮像装置に強い光が照射された際には、その信号電荷を転送する転送部にも、その光が到達し、そこで電荷が発生する場合があるために、生成した画像に、スミアと呼ばれる欠陥が現れる場合がある。
【０００４】
このスミアの発生を低減するために、遮光膜を全面に形成した後に、リソグラフィー技術とエッチング技術によって、転送電極を覆うように遮光膜をパターン加工する方法が実施されている（たとえば、特許文献１，特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２５３２９９号公報
【特許文献２】特開２００４−１４０３０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図７と図８とのそれぞれは、固体撮像装置の製造方法において、各工程にて製造される装置の要部の断面を示す断面図である。図７と図８とにおいては、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の順にて、順次、各工程にて製造される装置の要部の断面を示している。
【０００７】
まず、図７（ａ）に示すように、たとえば、ｎ型の不純物を含むシリコン半導体からなる半導体基板１０に、イオン注入法により、ｐ型ウェル１１と、ｎ型半導体層２０１と、ｐ型半導体層２０２と、高濃度ｐ型ウェル４０１と、ｎ型埋め込みチャネル層４０２と、チャネルストップ層４０３とを形成する。具体的には、半導体基板１０の全面にｐ型ウェル１１を形成後、その半導体基板１０において光電変換部２ａを形成する領域に、ｎ型半導体層２０１と、ｐ型半導体層２０２とを順次形成する。そして、半導体基板１０において、読み出しゲート部２ｂを介して、光電変換部２ａに隣接するように垂直転送部２ｃを形成する領域に、高濃度ｐ型ウェル４０１と、ｎ型埋め込みチャネル層４０２と、チャネルストップ層４０３とを順次形成する。その後、半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜３０１を形成した後に、読み出しゲート部２ｂと垂直転送部２ｃとのそれぞれを形成する領域に対応するように、転送電極３０２を形成する。ここでは、半導体基板１０から表面が凸状に突出するように、この転送電極３０２を形成する。たとえば、２００ｎｍ厚のポリシリコン膜と１００ｎｍ厚のシリコン酸化膜とが順次積層し、そのシリコン酸化膜をハードマスクとして絶縁膜３０３にパターン加工した後に、その絶縁膜をマスクとしてポリシリコン膜についてエッチング処理を実施することによって、この転送電極３０２を形成する。
【０００８】
つぎに、図７（ｂ）に示すように、転送電極３０２を被覆するように、金属膜５１１ａを形成する。ここでは、絶縁膜３０４で転送電極３０２を被覆後、その転送電極３０２が形成された部分において表面が半導体基板１０の表面から凸状に突出するような厚みになるように、この金属膜５１１ａを、全面に被覆させて形成する。すなわち、転送電極３０２が形成された部分が凸状に突き出ており、転送電極３０２が形成されていない部分が凹状になる状態になるように、金属膜５１１ａを、全面に被覆させる。たとえば、２０ｎｍ厚程度のタングステン（Ｗ）膜と、１００ｎｍ厚程度のイリジウム（Ｉｒ）膜との積層体になるように、この金属膜５１１ａを形成する。
【０００９】
つぎに、図８（ｃ）に示すように、金属膜５１１ａ上に、レジストマスクＲ１を形成する。ここでは、光電変換部２ａに対応する部分に開口部Ｃ１を有するように、レジスト膜をリソグラフィ技術によってパターン加工することにより、このレジストマスクＲ１を形成する。
【００１０】
つぎに、図８（ｄ）に示すように、このレジストマスクＲ１をマスクとして用いて、金属膜５１１ａについて異方性エッチング処理を実施し、パターン加工することによって、遮光膜５０１ａを形成する。すなわち、金属膜５１１ａに光電変換部２ａの表面を露出させる開口部Ｃ２を形成することによって、この遮光膜５０１ａを形成する。
【００１１】
上記のようにして、固体撮像装置を製造する。しかし、上記にてレジストマスクＲ１をパターン加工する際には、光電変換部２ａに対応する部分に形成する開口部Ｃ１の位置が、基準位置から外れて、位置ズレを生ずる場合がある。その位置ズレが生じたレジストマスクＲ１を用いて金属膜５１１ａをエッチングした場合には、遮光膜５０１ａが形成される位置が基準位置から異なることになる。このため、垂直転送部２ｃへ入射される光を遮光することが十分にされず、スミアの発生を効果的に防止することが困難になる場合がある。
【００１２】
このような不具合の発生を防止するため、図８（ｃ）に示すように、転送電極３０２の側面部分についても被覆するように、レジストマスクＲ１をパターン加工することによって、上記のような位置ズレに対応するように、マージンを設けている。
【００１３】
しかしながら、このようにした場合、レジストマスクＲ１において設けられた開口部Ｃ１の面積が小さくなるために、金属膜５１１ａにおいて光電変換部２ａの表面を露出させるように形成される開口部Ｃ２の面積についても、小さくなってしまう。すなわち、位置ズレを考慮して、レジストマスクＲ１の開口部Ｃ１を、遮光機能を実現させるために必要な寸法よりも大きな寸法で形成するため、光電変換部２ａにおいて光が入射する受光領域の面積が小さくなる。このため、被写体像を受光する感度が低下する不具合が生ずる場合がある。
【００１４】
このような不具合を解消するために、平坦化処理を用いて、自己整合的に遮光膜を形成する方法が提案されている。しかし、この方法においては、予め形成された溝に、遮光膜を埋め込むために、効率的に製造を実施することが困難な場合があった。特に、高精細なＣＣＤ型の固体撮像装置においては、この溝のアスペクト比を、たとえば、２．４程度にする必要があるために、遮光膜へパターン加工される金属膜を、ボイドを発生させずに、その溝に埋め込むことが、困難であるため、上記の不具合が顕在化する場合があった。
【００１５】
以上のように、光電変換部２ａが受光する開口部Ｃ２の面積を広げることが容易でないために、受光領域が狭く、受光感度を向上させることが困難な場合があった。そして、受光感度を向上させるために受光領域の面積を広げるように製造する場合には、製造を効率的に実施することが容易ではなく、これに伴って、スミアを効果的に防止することが困難になる場合があった。このように、固体撮像装置においては、受光感度の向上とスミアの防止とを両立させることが困難であった。
【００１６】
したがって、本発明は、光電変換部が受光する受光領域の面積を容易に広げることを可能にし、感度を向上させることができ、スミアの発生を効果的に防止可能な、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および、カメラを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、被写体像による光を受光し、当該受光した光を信号電荷へ光電変換する光電変換部を半導体基板に形成する光電変換部形成工程と、前記光電変換部にて生成される信号電荷を転送する転送部を、前記半導体基板に形成する転送部形成工程と、前記転送部へ入射される光を遮光する遮光膜を、前記転送部を被覆するように前記半導体基板に形成する遮光膜形成工程とを有する固体撮像装置の製造方法であって、前記転送部形成工程は、前記半導体基板から表面が凸状に突出するように、転送電極を形成する工程を含み、前記遮光膜形成工程は、前記転送電極が形成された部分において表面が凸状に前記半導体基板から突出しているように、第１金属膜を前記転送電極と前記光電変換部とに被覆する第１工程と、前記転送電極が形成された部分において表面が凸状に前記半導体基板から突出しているように、前記第１金属膜と異なる第２金属膜を、前記第１金属膜に被覆する第２工程と、前記第２金属膜を被覆する被覆膜を、前記第２金属膜とエッチング選択比が異なる材料を用いて前記半導体基板に形成する第３工程と、前記第２金属膜において前記転送電極の表面が前記半導体基板から凸状に突出された領域に対応する部分が露出するように、前記被覆膜をエッチングする第４工程と、前記被覆膜がエッチングされることによって前記第２金属膜において露出された露出表面領域を、前記第１金属膜とエッチング選択比が異なる材料に変質させることによって、ハードマスク層を形成する第５工程と、前記ハードマスク層をマスクとして用いることにより前記第１金属膜と前記第２金属膜とをエッチングすることによって、前記遮光膜を形成する第６工程とを含む。
【００１８】
本発明においては、転送部を形成する際には、半導体基板から表面が凸状に突出するように、転送電極を形成する。そして、遮光膜を形成する際には、まず、転送電極が形成された部分において表面が凸状に半導体基板から突出しているように、第１金属膜を転送電極と光電変換部とに被覆する。つぎに、転送電極が形成された部分において表面が凸状に半導体基板から突出しているように、第１金属膜と異なる第２金属膜を、第１金属膜に被覆する。つぎに、第２金属膜を被覆する被覆膜を、第２金属膜とエッチング選択比が異なる材料を用いて半導体基板に形成する。つぎに、第２金属膜において転送電極の表面が半導体基板から凸状に突出された領域に対応する部分が露出するように、被覆膜をエッチングする。つぎに、被覆膜がエッチングされることによって、第２金属膜において露出された露出表面領域を、第１金属膜とエッチング選択比が異なる材料に変質させることによって、ハードマスク層を形成する。つぎに、ハードマスク層をマスクとして用いることにより第１金属膜と第２金属膜とをエッチングすることによって、遮光膜を形成する。このように、上記のハードマスク層を用いて自己整合的に第１金属膜をエッチングすることによって、遮光膜を形成する。
【００１９】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成されており、被写体像による光を受光し、当該受光した光を信号電荷へ光電変換する光電変換部と、前記半導体基板に形成されており、前記光電変換部にて生成される信号電荷を転送する転送部と、前記転送部を被覆するように前記半導体基板に形成されており、前記転送部へ入射される光を遮光する遮光膜とを有し、前記遮光膜は、当該遮光膜へ入射される光が反射することを防止する反射防止膜が表面に形成されており、前記反射防止膜は、金属酸化膜を含むように形成されている。
【００２０】
本発明のカメラは、半導体基板と、前記半導体基板に形成されており、被写体像による光を受光し、当該受光した光を信号電荷へ光電変換する光電変換部と、前記半導体基板に形成されており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を転送する転送部と、前記転送部を被覆するように前記半導体基板に形成されており、前記転送部へ入射される光を遮光する遮光膜とを有し、前記転送部によって転送された信号電荷に基づいて、画像を生成するカメラであって、前記遮光膜は、当該遮光膜へ入射される光が反射することを防止する反射防止膜が表面に形成されており、前記反射防止膜は、金属酸化膜を含むように形成されている。
【００２１】
本発明においては、転送部を被覆するように半導体基板に遮光膜が形成されており、その遮光膜が転送部へ入射される光を遮光する。ここでは、金属酸化膜を含むように反射防止膜を遮光膜へ形成し、遮光膜へ入射される光が反射することを、この反射防止膜が防止する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、光電変換部が受光する受光領域の面積を容易に広げることを可能にし、感度を向上させることができ、スミアの発生を効果的に防止可能な、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および、カメラを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２４】
（装置構成）
図１は、本発明にかかる実施形態において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【００２５】
図１に示すように、カメラ４０は、固体撮像装置１と、光学系４２と、駆動回路４３と、信号処理回路４４とを有する。各部について順次説明する。
【００２６】
固体撮像装置１は、光学系４２を介して、被写体像を撮像面で受け、その被写体像による光を電荷に光電変換し、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置１は、駆動回路４３から出力される駆動信号に基づいて駆動する。具体的には、信号電荷の読み出し、垂直転送、水平転送などの各種の動作を実施し、アナログ信号をローデータとして出力する。この固体撮像装置１の詳細内容については、後述する。
【００２７】
光学系４２は、たとえば、光学レンズを含み、被写体像を固体撮像装置１の撮像面上に結像させる。
【００２８】
駆動回路４３は、固体撮像装置１を駆動させるために、各種駆動信号を固体撮像装置１に出力する。たとえば、４相のクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４および２相のクロック信号φＨ１，φＨ２などの各種のタイミング信号を、固体撮像装置１に与える。
【００２９】
信号処理回路４４は、固体撮像装置１から出力されたアナログ信号をローデータとして、信号処理を実施し、被検体についての画像をデジタル信号として生成する。
【００３０】
固体撮像装置１の詳細内容について説明する。
【００３１】
図２は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置１の構成の概略を示す平面図である。
【００３２】
図２に示すように、固体撮像装置１は、撮像部２と、水平転送部３と、出力部４とを有する。各部について順次説明する。
【００３３】
撮像部２は、図２に示すように、光電変換部２ａと、読み出しゲート部２ｂと、垂直転送部２ｃと、を有する。
【００３４】
この撮像部２において、光電変換部２ａは、図２に示すように、水平方向ｘと垂直方向ｙとにおいてマトリクス状に並ぶように複数が基板の表面に配置されている。本実施形態においては、光電変換部２ａは、たとえば、フォトダイオードからなり、被写体像による光を受光して、信号電荷に光電変換して蓄積する。
【００３５】
読み出しゲート部２ｂは、図２に示すように、光電変換部２ａと垂直転送部２ｃとの間に配置されている。そして、読み出しゲート部２ｂは、光電変換部２ａに蓄積された信号電荷を、垂直転送部２ｃへ読み出す。
【００３６】
垂直転送部２ｃは、図２に示すように、垂直方向ｙに並ぶように配置されている複数の光電変換部２ａのそれぞれに接続するように形成されている。また、垂直転送部２ｃは、水平方向ｘに並ぶように配置されている複数の光電変換部２ａのそれぞれに対応するように複数が配置されている。本実施形態においては、垂直転送部２ｃは、たとえば、４相のクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４が外部から入力されて駆動する。これにより、垂直転送部２ｃは、光電変換部２ａのそれぞれにおいて読み出された信号電荷を垂直方向ｙへ順次転送する。なお、クロック信号としては、４相の場合に限定されるものではない。
【００３７】
水平転送部３は、図２に示すように、垂直方向ｙにおける撮像部２の端部に配置されている。水平転送部３は、たとえば、２相のクロック信号φＨ１，φＨ２が外部から入力されて駆動する。これにより、水平転送部３は、垂直転送部２ｃのそれぞれにおいて垂直方向ｙへ転送された信号電荷を、水平方向ｘへ転送する。
【００３８】
出力部４は、図２に示すように、水平方向ｘにおける水平転送部３の端部に配置されている。本実施形態においては、出力部４は、たとえば、フローティングディフュージョンにて構成された電荷−電圧変換部４ａを有している。そして、出力部４においては、水平転送部３によって水平転送された信号電荷を、電荷−電圧変換部４ａが電気信号に変換する。その後、その変換した信号をアナログ画像信号として出力する。
【００３９】
撮像部２の詳細内容について説明する。
【００４０】
図３は、本発明にかかる実施形態において、撮像部２の要部を示す断面図である。図３は、図２におけるＡ１−Ａ２部分の断面である。
【００４１】
図３に示すように、撮像部２は、半導体基板１０を含む。半導体基板１０は、たとえば、ｎ型のシリコンからなり、図３に示すように、ｐ型ウェル１１が表面に形成されている。そして、前述したように、この半導体基板１０には、光電変換部２ａと、読み出しゲート部２ｂと、垂直転送部２ｃとが形成されている。そして、さらに、本実施形態においては、遮光膜５０１が形成されている。
【００４２】
光電変換部２ａは、図３に示すように、読み出しゲート部２ｂに隣接するように形成されている。この光電変換部２ａに対応する領域においては、図３に示すように、ｐ型ウェル１１と、ｎ型半導体層２０１と、高濃度のｐ型半導体層２０２とが形成されており、フォトダイオードを埋め込み構造としている。具体的には、ｐ型ウェル１１は、上記のように、ｎ型シリコン半導体の半導体基板１０に形成されており、ｎ型半導体層２０１は、そのｐ型ウェル１１の中に形成されている。そして、ｐ型半導体層２０２は、高濃度のｐ型不純物を含むように、ｎ型半導体層２０１が形成された半導体基板１０の表面に形成されている。本実施形態においては、光電変換部２ａは、ｐ型ウェル１１とｎ型半導体層２０１とのｐｎ接合によって、フォトダイオードが形成されており、このフォトダイオードによって、受光した光を光電変換して信号電荷を生成した後に、その生成した電荷を一定期間蓄積する。そして、光電変換部２ａは、このフォトダイオードの界面が空乏化して暗電流が発生することを、ｐ型半導体層２０２が抑制する。
【００４３】
読み出しゲート部２ｂは、図３に示すように、光電変換部２ａと垂直転送部２ｃとに挟まれるように配置されており、光電変換部２ａに蓄積された信号電荷を、垂直転送部２ｃへ読み出す。この読み出しゲート部２ｂが形成される領域においては、図３に示すように、ｐ型ウェル１１が含まれており、ゲート絶縁膜３０１と、転送電極３０２とが半導体基板１０において形成されたｐ型ウェル１１の表面に形成されている。具体的には、ゲート絶縁膜３０１は、半導体基板１０の表面を被覆するように形成されている。そして、転送電極３０２は、そのゲート絶縁膜３０１を介して、半導体基板１０から表面が凸状に突出するように形成されている。さらに、この転送電極３０２の上部においては、絶縁膜３０３が形成されている。そして、読み出しゲート部２ｂは、光電変換部２ａにて生成された信号電荷を読み出す際には、転送電極３０２に、正の読み出し電圧が印加され、光電変換部２ａと垂直転送部２ｃとの間のｐ型ウェル１１において形成される電位障壁が消失される。そして、読み出しゲート部２ｂは、光電変換部２ａにて蓄積されている信号電荷を、垂直転送部２ｃへ読み出す。
【００４４】
垂直転送部２ｃは、図３に示すように、読み出しゲート部２ｂを介して、光電変換部２ａに隣接するように配置されており、読み出しゲート部２ｂによって光電変換部２ａから読み出された信号電荷を転送する。この垂直転送部２ｃが形成される領域においては、図３に示すように、高濃度ｐ型ウェル４０１と、ｎ型埋め込みチャネル層４０２と、チャネルストップ層４０３が形成されており、さらに、ゲート絶縁膜３０１と転送電極３０２とが形成されている。具体的には、高濃度ｐ型ウェル４０１は、ｐ型ウェル１１よりもｐ型不純物濃度が高くなるようにｐ型ウェル１１に形成されている。そして、ｎ型埋め込みチャネル層４０２は、高濃度ｐ型ウェル４０１よりも表面側になるように形成されている。すなわち、高濃度ｐ型ウェル４０１は、ｎ型埋め込みチャネル層４０２よりも半導体基板１０の表面から内部の側になるように形成されており、ｎ型埋め込みチャネル層４０２は、半導体基板１０において高濃度ｐ型ウェル４０１よりも外部の側になるように形成されている。そして、チャネルストップ層４０３は、光電変換部２ａにおいて信号電荷が読み出される側に対して反対側に位置する領域において、ｐ型不純物が半導体基板１０の表面から半導体基板１０内へ注入されることによって形成されており、その信号電荷に対して電位障壁を形成して、信号電荷がｎ型埋め込みチャネル層４０２へ流出入することを防止している。
【００４５】
遮光膜５０１は、図３に示すように、絶縁膜３０４を介して、垂直転送部２ｃを被覆するように半導体基板１０に形成されている。遮光膜５０１は、たとえば、２０ｎｍ厚程度のタングステン（Ｗ）と、１００ｎｍ厚程度のイリジウム（Ｉｒ）との各金属膜からなる積層体であって、垂直転送部２ｃへ入射される光を遮光する。
【００４６】
そして、遮光膜５０１においては、反射防止膜５２１ｈが形成されている。すなわち、遮光膜５０１は、遮光膜５０１へ入射される光が反射することを防止するように、反射防止膜５２１ｈが遮光膜５０１の表面の側に形成されている。
【００４７】
本実施形態においては、この反射防止膜５２１ｈは、金属酸化膜５２１ａを含むように形成されている。具体的には、反射防止膜５２１ｈは、転送電極３０２において半導体基板１０から突き出た表面に対応する遮光膜５０１の表面を被覆するように、この金属酸化膜５２１ａが形成されている。具体的には、図３に示すように、半導体基板１０の面に対面するように、この金属酸化膜５２１ａが形成されている。たとえば、タンタル（Ｔａ）を主成分とする金属膜を、たとえば、酸化させて変質させることにより、この金属酸化膜５２１ａが形成される。この他に、チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）のいずれかを主成分とする金属膜を同様に酸化させて変質させることにより、この金属酸化膜５２１ａが形成されていても、好適である。なお、詳細については後述するが、この金属酸化膜５２１ａは、遮光膜５０１をパターン加工する際においては、ハードマスク層として機能する。
【００４８】
さらに、本実施形態においては、この反射防止膜５２１ｈは、絶縁膜５３１を含むように形成されており、転送電極３０２において半導体基板１０から突き出た表面にて遮光膜５０１の表面の側面部分に対応するように、この絶縁膜５３１が形成されている。たとえば、反射防止機能を好適に発現させるために、酸化窒化シリコン膜によって、この絶縁膜５３１が形成される。この他に、酸化シリコン膜などの酸化膜によって、絶縁膜５３１を形成してもよい。
【００４９】
（製造方法）
本発明にかかる実施形態において、上記の固体撮像装置１を製造する製造方法の要部について説明する。
【００５０】
図４と図５と図６は、本発明にかかる実施形態において、各工程にて製造される装置の要部の断面を示す断面図である。図４と図５と図６においては、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ），の順にて、順次、各工程にて製造される装置の要部の断面を示しており、各工程を順次実施することによって、図３に示すように、固体撮像装置１を製造する。
【００５１】
固体撮像装置１を製造する際においては、まず、図４（ａ）に示すように、ｐ型ウェル１１と、ｎ型半導体層２０１と、ｐ型半導体層２０２と、高濃度ｐ型ウェル４０１と、ｎ型埋め込みチャネル層４０２と、チャネルストップ層４０３とを、イオン注入法によって半導体基板１０に形成する。
【００５２】
ここでは、たとえば、ｎ型の不純物を含むシリコン半導体からなる半導体基板１０の全面に、ｐ型ウェル１１を形成する。その後、その半導体基板１０において光電変換部２ａを形成する領域に、ｎ型半導体層２０１と、ｐ型半導体層２０２とを、順次、形成する。そして、半導体基板１０の表面にて読み出しゲート部２ｂを介して光電変換部２ａに隣接するように垂直転送部２ｃを形成する領域に、おいて、高濃度ｐ型ウェル４０１と、ｎ型埋め込みチャネル層４０２と、チャネルストップ層４０３とを順次形成する。
【００５３】
そして、図４（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜３０１を形成する。
【００５４】
ここでは、たとえば、熱酸化法によって半導体基板１０の表面を酸化して、半導体基板１０の表面に酸化シリコン膜を形成することによって、このゲート絶縁膜３０１を形成する。
【００５５】
そして、図４（ａ）に示すように、転送電極３０２を形成する。
【００５６】
ここでは、読み出しゲート部２ｂと垂直転送部２ｃとのそれぞれを形成する領域に対応するように、転送電極３０２を形成する。本実施形態においては、半導体基板１０から表面が突き出るように、この転送電極３０２を形成する。すなわち、転送電極３０２が形成された部分が凸状に突き出ており、転送電極３０２が形成されていない部分が凹状になるように、この転送電極３０２を形成する。たとえば、ポリシリコン膜にて、この転送電極３０２を形成する。
【００５７】
具体的には、ゲート絶縁膜３０１上に、たとえば、２００ｎｍ厚程度のポリシリコン膜を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって成膜する。その後、そのポリシリコン膜上に、１００ｎｍ厚程度の酸化シリコン膜からなる絶縁膜を、ＣＶＤ法によって成膜する。そして、リソグラフィ技術およびエッチング技術によって、その絶縁膜をパターン加工し、そのパターン加工した絶縁膜３０３をハードマスク層として形成する。その後、このハードマスク層として形成された絶縁膜３０３をマスクとし、その下層にあるポリシリコン膜についてエッチング処理を実施することによって、そのポリシリコン膜を転送電極３０２にパターン加工する。
【００５８】
そして、図４（ａ）に示すように、絶縁膜３０４を形成する。
【００５９】
ここでは、たとえば、ＣＶＤ法によって、５０ｎｍ程度の膜厚の酸化シリコン膜を、転送電極３０２および絶縁膜３０３を被覆するように半導体基板１０上に堆積させることにより、この絶縁膜３０４を形成する。
【００６０】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、第１金属膜５１１を形成する。
【００６１】
ここでは、図４（ｂ）に示すように、転送電極３０２が形成された部分において表面が半導体基板１０から突き出るように、この第１金属膜５１１を、光電変換部２ａと読み出しゲート部２ｂと垂直転送部２ｃとを含む全面に被覆する。すなわち、半導体基板１０の表面において、転送電極３０２が形成された部分の表面が凸状に突き出ており、かつ、転送電極３０２が形成されていない部分の表面が凹状になっている状態を維持するような厚みになるように、この第１金属膜５１１を全面に被覆させる。
【００６２】
たとえば、タングステン（Ｗ）膜とイリジウム（Ｉｒ）膜との積層体になるように、この第１金属膜５１１を形成する。
【００６３】
具体的には、２０ｎｍ厚程度のタングステン（Ｗ）膜をスパッタリング法によって形成する。その後、１００ｎｍ厚程度のイリジウム（Ｉｒ）膜をスパッタリング法によって形成する。
【００６４】
つぎに、図５（ｃ）に示すように、第２金属膜５２１を形成する。
【００６５】
ここでは、図５（ｃ）に示すように、転送電極３０２が形成された部分において表面が半導体基板１０から突き出るように、この第２金属膜５２１を、光電変換部２ａと読み出しゲート部２ｂと垂直転送部２ｃとを含む全面に被覆する。すなわち、転送電極３０２が形成された部分の表面が凸状に突き出ており、転送電極３０２が形成されていない部分の表面が凹状になっている状態を維持するように、この第２金属膜５２１を全面に被覆させる。
【００６６】
本実施形態においては、第１金属膜５１１と異なる金属材料を用いて、この第２金属膜５２１を形成する。
【００６７】
具体的には、２０ｎｍ厚程度のタンタル（Ｔａ）膜をスパッタリング法によって成膜することによって、この第２金属膜５２１を形成する。
【００６８】
この後、図５（ｃ）に示すように、１０ｎｍ厚程度の酸化窒化シリコンからなる絶縁膜５３１を、ＣＶＤ法によって、第２金属膜５２１を被覆させる。
【００６９】
つぎに、図５（ｄ）に示すように、被覆膜Ｒ１１を形成する。
【００７０】
ここでは、図５（ｄ）に示すように、第２金属膜５２１を被覆するように、この被覆膜Ｒ１１を形成する。本実施形態においては、第２金属膜５２１とエッチング選択比が異なる材料を用いて、この被覆膜Ｒ１１を半導体基板１０に形成する。
【００７１】
具体的には、１０００ｎｍ厚程度の有機絶縁膜を、半導体基板１０の表面に被覆させることによって、この被覆膜Ｒ１１を形成する。たとえば、炭化酸化シリコン（ＳｉＯＣ）を含有する有機化合物からなる低誘電率絶縁材料を、たとえば、スピンコート法によって塗布後、熱処理することによって形成する。なお、ここでは、炭化酸化シリコン（ＳｉＯＣ）のほかに、ポリアリールエーテル（たとえば、ダウケミカル社製  ＳｉＬＫーＪ，ＳｉＬＫ−Ｙ）などの有機化合物からなる低誘電率絶縁材料を用いることが好適である。
【００７２】
つぎに、図６（ｅ）に示すように、被覆膜Ｒ１１をエッチバックする。
【００７３】
ここでは、第２金属膜５２１において、転送電極３０２の表面が半導体基板１０から突き出た領域に対応する部分が露出するように、この被覆膜Ｒ１１をエッチングする。すなわち、半導体基板１０の表面において光電変換部２ａを形成する領域に対応する部分の表面については、その表面が露出せずに、被覆膜Ｒ１１によって被覆された状態を維持すると共に、半導体基板１０の表面において読み出しゲート部２ｂおよび垂直転送部２ｃを形成する領域に対応する部分については、その表面が露出するように、被覆膜Ｒ１１をエッチングする。つまり、半導体基板１０の表面において凸形状に突き出た部分が露出され、凹形状に凹んだ部分に、被覆膜Ｒ１１が埋め込まれた状態になるように、本処理を実施する。
【００７４】
具体的には、第２金属膜５２１の表面に被覆されている絶縁膜５３１の表面が露出するように、異方性エッチング処理の実施によって被覆膜Ｒ１１をエッチングする。ここでは、この表面が被覆膜Ｒ１１の表面から突き出るように被覆膜Ｒ１１をエッチングし、表面が露出された露出表面領域ＲＳを設ける。
【００７５】
つぎに、図６（ｆ）に示すように、ハードマスク層ＨＭを形成する。
【００７６】
ここでは、図６（ｆ）に示すように、被覆膜Ｒ１１がエッチングされることによって露出された露出表面領域ＲＳにおいて、第２金属膜５２１を、第１金属膜５１１とエッチング選択比が異なる材料に変質させることによって、このハードマスク層ＨＭを形成する。
【００７７】
具体的には、まず、露出表面領域ＲＳにおいて第２金属膜５２１の表面に被覆されている絶縁膜５３１を異方性エッチング処理の実施によって除去する。そして、露出表面領域ＲＳにおいて表面が露出されている第２金属膜５２１を酸化する。たとえば、酸素ガスＯ２を用いたＯ２プラズマ処理を実施することによって、第２金属膜５２１を酸化し、金属酸化膜５２１ａへ変質させる。すなわち、タンタル（Ｔａ）膜である第２金属膜５２１を、酸化タンタル膜である金属酸化膜５２１ａへ変質させることによって、この金属酸化膜５２１ａをハードマスク層ＨＭとして形成する。
【００７８】
その後、凹形状に凹んだ部分に埋め込まれた被覆膜Ｒ１１を除去する。ここでは、窒素ガスＮ２と酸素ガスＯ２を用いたＮ２／Ｏ２プラズマ処理を実施することによって、被覆膜Ｒ１１をエッチングする。そして、凹形状に凹んだ部分において、第２金属膜５２１の表面に被覆されている絶縁膜５３１を、異方性エッチング処理の実施によって除去する。
【００７９】
なお、本工程にて、ハードマスク層ＨＭを形成する際においては、第２金属膜５２１の露出表面領域ＲＳを、陽極酸化法によって酸化させるように、酸化処理を実行してもよい。
【００８０】
具体的には、陽極酸化法によって酸化させる際においては、まず、たとえば、３〜２０％程度のクエン酸、もしくは、シュウ酸、リン酸、硫酸などの溶液に、試料を浸漬させる。そして、その試料に１０Ｖ程度の電圧を印加する。これにより、タンタル膜である第２金属膜５２１の露出表面領域ＲＳが酸化されて、酸化タンタル（ＴａＯｘ）膜としてハードマスク層ＨＭを形成できる。
【００８１】
つぎに、図３に示すように、遮光膜５０１を形成する。
【００８２】
ここでは、ハードマスク層ＨＭをマスクとして用いて、第１金属膜５１１と第２金属膜５２１とをエッチングすることによって、第１金属膜５１１をパターン加工し、遮光膜５０１を形成する。たとえば、ＩＣＰ型のドライエッチング装置を用いた異方性エッチング処理によって、第１金属膜５１１と第２金属膜５２１とをエッチングする。すなわち、異方性エッチング処理の実施によって自己整合的に、凹形状に凹んだ部分における第２金属膜５２１を除去してパターン加工する。その後、異方性エッチング処理の実施によって、凹形状に凹んだ部分における第１金属膜５１１を除去してパターン加工することにより、この遮光膜５０１を形成する。
【００８３】
具体的には、タンタル膜である第２金属膜５２１については、以下の条件にてエッチングする。
【００８４】
Ｃｌ／Ａｒ＝２０／９０ｓｃｃｍ
Ｓｐ／Ｂｐ＝１０００／１００Ｗ
Ｐ＝１０ｍＴ
Ｔｃ＝４５℃
【００８５】
また、第１金属膜５１１においてイリジウム膜については、以下の条件にてエッチングする。
【００８６】
ＣＯ／ＮＨ３＝５０／７５ｓｃｃｍ
Ｓｐ／Ｂｐ＝１０００／１５０Ｗ
Ｐ＝１０ｍＴ
Ｔｃ＝４５℃
【００８７】
そして、第１金属膜５１１においてタングステン膜については、以下の条件にてエッチングする。
【００８８】
Ｃｌ２／ＳＦ６＝５０／３０ｓｃｃｍ
Ｓｐ／Ｂｐ＝８００／１００Ｗ
Ｐ＝１０ｍＴ
Ｔｃ＝４５℃
【００８９】
なお、上記において、Ｓｐは、ソースパワーであり、Ｂｐは、バイアスパワーである。そして、Ｐは、圧力であって、Ｔｃは、基板温度である。
【００９０】
そして、上記の工程を実施後、パッシベーション膜、平坦化膜、カラーフィルタ、オンチップレンズなどの部材（図示なし）を形成することにより、撮像部２を完成させる。そして、水平転送部３と、出力部４とを、撮像部２に接続させて、固体撮像装置１を完成させる。その後、この固体撮像装置１と、光学系４２と、駆動回路４３と、信号処理回路４４とを組み立てることによって、カメラ４０を製造する。
【００９１】
以上のように、本実施形態において固体撮像装置１を製造する際においては、被写体像による光を受光し、その受光した光を信号電荷へ光電変換する光電変換部２ａを半導体基板１０に形成すると共に、その光電変換部２ａにて生成される信号電荷を、読み出しゲート部２ｂを介して転送する垂直転送部２ｃを、半導体基板１０に形成する。その後、その読み出しゲート部２ｂおよび垂直転送部２ｃへ入射される光を遮光する遮光膜５０１を、その読み出しゲート部２ｂおよび垂直転送部２ｃを被覆するように半導体基板１０に形成する。
【００９２】
ここで、本実施形態において、垂直転送部２ｃを形成する際においては、転送電極３０２を、半導体基板１０から表面が凸状に突出するように形成する。そして、遮光膜５０１を形成する際においては、まず、第１金属膜５１１を形成する。ここでは、その転送電極３０２が形成された部分において表面が凸状に半導体基板１０から突出しているように、この第１金属膜５１１を、光電変換部２ａと読み出しゲート部２ｂと垂直転送部２ｃとに被覆する。たとえば、タングステンとイリジウムとの積層体として、第１金属膜５１１を形成する。そして、第２金属膜５２１を半導体基板１０に形成する。ここでは、転送電極３０２が形成された部分において、第２金属膜５２１の表面が半導体基板１０から凸状に突出しているように、第１金属膜５１１と異なる金属材料を用いて、第２金属膜５２１を第１金属膜５１１に被覆する。たとえば、タンタルを用いて、この第２金属膜５２１を形成する。そして、被覆膜Ｒ１１を半導体基板１０に形成する。ここでは、第２金属膜５２１とエッチング選択比が異なる材料を用いて、被覆膜Ｒ１１を第２金属膜５２１に被覆させる。たとえば、有機絶縁膜を用いて被覆膜Ｒ１１を形成する。そして、被覆膜Ｒ１１をエッチングする。ここでは、第２金属膜５２１において半導体基板１０から凸状に突き出た領域に対応する表面の部分を露出させるように、被覆膜Ｒ１１をエッチングする。そして、ハードマスク層ＨＭを形成する。ここでは、被覆膜Ｒ１１をエッチングすることによって、第２金属膜５２１において露出された露出表面領域ＲＳを、第１金属膜５１１に対して、エッチング選択比が異なる材料に変質させることによって、ハードマスク層ＨＭを形成する。ここでは、タンタル膜からなる第２金属膜５２１を酸化させて、酸化タンタル膜へ変質させることにより、このハードマスク層ＨＭを形成する。そして、遮光膜５０１を形成する。ここでは、ハードマスク層ＨＭをマスクとして用いて、第１金属膜５１１と第２金属膜５２１とをエッチングして、この遮光膜５０１を形成する。
【００９３】
したがって、本実施形態は、上記のように、ハードマスク層ＨＭをマスクとして用いることによって、第１金属膜５１１と第２金属膜５２１とを自己整合的にエッチングし、遮光膜５０１を形成可能であるために、遮光膜５０１を高精度にパターン加工することができるため、図３に示すように、光電変換部２ａが受光するための開口部Ｃを広げることができる。よって、本実施形態は、スミアの発生を効果的に防止することが可能であって、受光領域の面積を容易に広げることを可能にし、感度を向上させることができる。さらに、本実施形態においては、上記のように、ハードマスク層ＨＭを、遮光膜５０１として必要な寸法に対応するように容易に形成可能であるために、製造効率を向上可能である。
【００９４】
また、本実施形態において、第１金属膜５１１を除去して遮光膜５０１へパターン加工する際においては、ＣＯガスを主成分とするプラズマエッチング処理によって、これを実施している。このため、本実施形態は、ＣＯガスによる絶縁膜のエッチングが進行せず、ゲート酸化膜のエッチングロスがほとんどなく、受光部への基板ダメージが生じないの利点がある。
【００９５】
また、上記したように、本実施形態においては、陽極酸化法によって、第２金属膜５２１を酸化させてもよい。このように、陽極酸化法によって、第２金属膜５２１を酸化させた場合には、ＭｏやＡｌなどの金属を使用することができる利点がある。
【００９６】
また、本実施形態においては、遮光膜５０１へ入射される光が反射することを防止する反射防止膜５２１ｈになるように、酸化タンタル膜からなる金属酸化膜５２１ａによって、ハードマスク層ＨＭを形成している。すなわち、ハードマスク層ＨＭが最終的に反射防止膜として機能するように、第２金属膜５２１をタンタル膜とし、そのタンタル膜である第２金属膜５２１を酸化させる。このようにすることによって、ハードマスク層ＨＭのみならず、反射防止膜５２１ｈとしても機能するように、酸化タンタル膜からなる金属酸化膜５２１ａに変質させている。このため、本実施形態は、ハードマスク層ＨＭが反射防止膜５２１ｈとして機能して反射を防止するために、上記の効果に加えて、さらに効果的にスミアの発生を抑制することができる。
【００９７】
また、本実施形態においては、この反射防止膜５２１ｈは、絶縁膜５３１を含むように形成されており、この絶縁膜５３１は、転送電極３０２に対応するように半導体基板１０から突き出た表面において、遮光膜５０１の表面の側面部分に対応するように形成されている。このため、本実施形態は、さらに効果的にスミアの発生を抑制することができる。
【００９８】
なお、上記の実施形態において、固体撮像装置１は、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、光電変換部２ａは、本発明の光電変換部に相当する。また、上記の実施形態において、垂直転送部２ｃは、本発明の垂直転送部に相当する。また、上記の実施形態において、半導体基板１０は、本発明の半導体基板に相当する。また、上記の実施形態において、転送電極３０２は、本発明の転送電極に相当する。また、上記の実施形態において、遮光膜５０１は、本発明の遮光膜に相当する。また、上記の実施形態において、第１金属膜５１１は、本発明の第１金属膜に相当する。また、上記の実施形態において、第２金属膜５２１は、本発明の第２金属膜に相当する。また、上記の実施形態において、被覆膜Ｒ１１は、本発明の被覆膜に相当する。また、上記の実施形態において、ハードマスク層ＨＭは、本発明のハードマスク層に相当する。また、上記の実施形態において、露出表面領域ＲＳは、本発明の露出表面領域に相当する。
【００９９】
また、本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
【０１００】
たとえば、上記においては、酸素ガスを用いたプラズマ処理を実施することによって、タンタル膜からなる第２金属膜５２１を変質させることにより、酸化タンタル膜からなるハードマスク層ＨＭを形成していたが、これに限定されない。たとえば、第２金属膜がＴｉ膜である場合には、窒素ガスを用いたプラズマ処理を実施することによって、第２金属膜を変質させることにより、ＴｉＮ膜からなるハードマスク層ＨＭを形成してもよい。
【０１０１】
また、第２金属膜５２１を形成する場合においては、Ｔａの他、Ｔｉ，Ｔａ，Ａｌ，Ｗ，Ｍｏのいずれかを主成分としてもよい。そして、この第２金属膜５２１を酸化させることによって変質させて、上記のハードマスク層ＨＭを形成する。この場合には、ハードマスクが金属酸化膜となるために、そのハードマスクが反射防止膜として好適に機能する利点がある。
【０１０２】
また、Ｉｒ，Ｎｉ，Ｒｕのいずれかを主成分とするように、第１金属膜５１１を形成した際においては、Ｔａ，Ｔｉのいずれかを主成分とするように、第２金属膜５２１を形成することが好ましい。この場合には、ＣＯガスによる第１金属膜５１１のエッチングが可能であるために、ＣＯガスによるＴａ，Ｔｉの金属酸化膜が容易に形成され、それぞれが反射防止膜として機能するの利点がある。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置１の構成の概略を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態において、撮像部２の要部を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態において、各工程にて製造される装置の要部の断面を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態において、各工程にて製造される装置の要部の断面を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態において、各工程にて製造される装置の要部の断面を示す断面図である。
【図７】図７は、固体撮像装置の製造方法において、各工程にて製造される装置の要部の断面を示す断面図である。
【図８】図８は、固体撮像装置の製造方法において、各工程にて製造される装置の要部の断面を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１…固体撮像装置、２ａ…光電変換部、２ｂ…読み出しゲート部、２ｃ…垂直転送部、１０…半導体基板、１１…ｐ型ウェル、２０１…ｎ型半導体層、２０２…ｐ型半導体層、３０１…ゲート絶縁膜、３０２…転送電極、４０１…高濃度ｐ型ウェル、４０２…ｎ型埋め込みチャネル層、４０３…チャネルストップ層、３０２…転送電極、５０１…遮光膜、５１１…第１金属膜、５２１…第２金属膜、Ｒ１１…被覆膜、ＨＭ…ハードマスク層、ＲＳ…露出表面領域
【図１】
2008235334.tif 000003
【図２】
2008235334.tif 000004
【図３】
2008235334.tif 000005
【図４】
2008235334.tif 000006
【図５】
2008235334.tif 000007
【図６】
2008235334.tif 000008
【図７】
2008235334.tif 000009
【図８】
2008235334.tif 000010