(57)【要約】【課題】基板の縁部に沿って比較的正確なレベリングを実行できる方法およびシステムを提供することである。【解決手段】投影システムの焦点面に対して基板の少なくとも１つのターゲット部分を位置合わせする方法が提供される。方法は、基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して高さデータを生成し、所定の補正高さを使用して高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む。方法はさらに、少なくとも部分的に補正済み高さデータに基づいて、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせすることを含む。【選択図】図２
2008160110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影システムの焦点面に対して基板の少なくとも１つのターゲット部分を位置合わせする方法であって、
前記基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して高さデータを生成すること、
所定の補正高さを使用して前記高さデータについて補正済み高さデータを計算すること、および、
前記補正済み高さデータに少なくとも部分的に基づいて、前記投影システムの前記焦点面に対して前記基板の前記ターゲット部分を位置合わせすること、
を含む、方法。
【請求項２】
前記基板の前記少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の外側にあり、前記方法がさらに、
所定の補正高さを使用して前記ターゲット部分の外側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板の前記少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の内側にあり、前記方法がさらに、
所定の補正高さを使用して前記ターゲット部分の内側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
幾つかのグリッド線について高さ測定が実行され、
前記グリッド線の第一部分では、前記基板の少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の外側にあり、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して前記ターゲットの外側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含み、
前記グリッド線の第二部分では、前記基板の少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の内側にあり、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して前記ターゲットの内側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記高さ測定が、レベルセンサでスキャン方向に前記基板の前記少なくとも一部をスキャンすることによって実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記レベルセンサが光学センサ、空気圧センサ、静電容量センサ、エアゲージ、またはスキャンニードルプロファイラである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムの焦点面に対して前記基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用するために、前記基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して、高さデータを生成するように構成されたレベルセンサと、
を備え、
所定の補正高さを使用して前記高さデータについて補正済み高さデータを計算する、リソグラフィ装置。
【請求項８】
前記レベルセンサが、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の外側にある前記基板の少なくとも一部に関して、高さデータを生成するように構成され、さらに、前記ターゲット部分の外側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて前記補正データを計算するように構成される、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記レベルセンサが、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の内側にある前記基板の少なくとも一部に関して、高さデータを生成するように構成され、さらに、前記ターゲット部分の内側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて前記補正データを計算するように構成される、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記レベルセンサが、幾つかのグリッド線の高さ測定を実行するように構成され、
前記第一グリッド線の第一部分では、前記レベルセンサが、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の外側にある前記基板の少なくとも一部に関して、高さデータを生成するように構成され、さらに、前記ターゲット部分の外側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の前記少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて前記補正済み高さデータを計算するように構成され、
前記第一グリッド線の第二部分では、前記レベルセンサが、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の内側にある前記基板の少なくとも一部に関して、高さデータを生成するように構成され、さらに、前記ターゲット部分の内側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の前記少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて前記補正済み高さデータを計算するように構成される、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
基板を測定するレベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを生成する方法であって、
前記基板の少なくとも１つのターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、および、
前記レベルプロファイルと前記高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すこと、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記高さプロファイルが、少なくとも２つのターゲット部分に関して得られた高さデータを平均することによって得られる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記レベルプロファイルが、前記高さプロファイルによる当てはめを計算することによって得られる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
基板を測定するレベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを生成する方法であって、
前記基板の少なくとも１つのターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
前記基板の前記少なくとも１つのターゲット部分の外側の領域で高さ測定を実行して追加の高さプロファイルを生成すること、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、
前記追加の高さプロファイルに対応する前記少なくとも１つのターゲット部分の外側の前記領域に前記レベルプロファイルを外挿して、外挿したレベルプロファイルを提供すること、および、
前記外挿済みレベルプロファイルと前記追加の高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すこと、
を含む、方法。
【請求項１５】
前記高さプロファイルが、少なくとも２つのターゲット部分に関して得られた高さデータを平均することによって得られる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記追加の高さプロファイルが、少なくとも２つのターゲット部分に関して得られた高さデータを平均することによって得られる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記レベルプロファイルが、前記高さプロファイルによる当てはめを計算することによって得られる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、前記投影システムの焦点面に対して前記基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成されたレベルセンサと、
を備え、
前記基板の少なくとも１つのターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成し、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算し、
前記レベルプロファイルと前記高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項１９】
パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、前記投影システムの焦点面に対して前記基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成されたレベルセンサと、
を備え、
前記基板の少なくとも１つのターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成し、
前記基板の前記少なくとも１つのターゲット部分の外側の領域で高さ測定を実行して追加の高さプロファイルを生成し、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算し、
前記追加の高さプロファイルに対応する前記少なくとも１つのターゲット部分の外側の前記領域に前記レベルプロファイルを外挿して、外挿したレベルプロファイルを提供し、
前記外挿済みレベルプロファイルと前記追加の高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項２０】
パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、前記投影システムの焦点面に対して前記基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成されたレベルセンサと、
を備え、
さらに、プロセッサと、前記投影システムの前記焦点面に対して前記基板の前記ターゲット部分を位置合わせする方法を実行する前記プロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されているメモリとを備え、前記方法が、
前記基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して高さデータを生成すること、
所定の補正高さを使用して前記高さデータについて補正された高さデータを計算すること、および、
少なくとも部分的に前記補正済み高さデータに基づいて、前記投影システムの前記焦点面に対して前記基板の前記ターゲット部分を位置合わせすることを含む、リソグラフィ装置。
【請求項２１】
前記基板の前記少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の外側にあり、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して前記ターゲット部分の外側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の前記少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記基板の前記少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の内側にあり、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して前記ターゲット部分の内側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の前記少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２３】
前記基板の前記少なくとも一部が、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の一部は外側に、一部は内側にあり、
前記レベルセンサが、幾つかのグリッド線について高さ測定を実行するように構成され、
前記グリッド線の第一部分では、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して前記ターゲット部分の外側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含み、
前記グリッド線の第二部分では、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して前記ターゲット部分の内側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２４】
パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、前記投影システムの焦点面に対して前記基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成されたレベルセンサと、
を備え、
さらに、プロセッサと、前記レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを計算する方法を実行する前記プロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されているメモリとを備え、前記方法が、
前記基板の前記ターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、および、
前記レベルプロファイルと前記高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む、リソグラフィ装置。
【請求項２５】
パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、前記投影システムの焦点面に対して前記基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成されたレベルセンサと、
を備え、
さらに、プロセッサと、前記レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを計算する方法を実行する前記プロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されているメモリとを備え、前記方法が、
前記基板の前記ターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
前記基板の前記ターゲット部分の外側の領域で高さ測定を実行して追加の高さプロファイルを生成すること、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、
前記追加の高さプロファイルに対応する前記ターゲット部分の外側の前記領域に前記レベルプロファイルを外挿して、外挿したレベルプロファイルを提供すること、および、
前記外挿済みレベルプロファイルと前記追加の高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む、リソグラフィ装置。
【請求項２６】
基板の位置を制御するシステムであって、プロセッサと、メモリとを備え、前記メモリは、高さデータを使用して、投影システムの焦点面に対して前記基板のターゲット部分を位置合わせする方法を実行するためにプロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されており、前記方法が、
前記基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して前記高さデータを生成すること、
所定の補正高さを使用して前記高さデータについて補正された高さデータを計算すること、および、
少なくとも部分的に前記補正済み高さデータに基づいて、前記投影システムの前記焦点面に対して前記基板の前記ターゲット部分を位置合わせすることを含む、システム。
【請求項２７】
前記基板の前記少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の外側にあり、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して前記ターゲット部分の外側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記基板の前記少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の内側にあり、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して前記ターゲット部分の内側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２９】
前記基板の前記少なくとも一部が、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の一部は内側に、一部は外側にあり、
前記システムが、幾つかのグリッド線についてレベルセンサからの高さ測定値を処理するような構成であり、
前記グリッド線の第一部分では、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して、前記ターゲット部分の外側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含み、
前記グリッド線の第二部分では、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して、前記ターゲット部分の内側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項２６に記載のシステム。
【請求項３０】
前記プロセッサが、少なくとも間接的に位置センサと通信するような構成であり、少なくとも間接的に前記基板の位置を制御するような構成である、請求項２６に記載のシステム。
【請求項３１】
基板の位置を制御するシステムであって、プロセッサと、メモリとを備え、前記メモリは、レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを計算する方法を実行する前記プロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されており、前記方法が、
前記基板のターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、および、
前記レベルプロファイルと前記高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む、システム。
【請求項３２】
前記プロセッサが、少なくとも間接的にアラインメントセンサと通信するような構成であり、少なくとも間接的に前記基板の位置を制御するような構成である、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
基板の位置を制御するシステムであって、プロセッサと、メモリとを備え、前記メモリは、レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを計算する方法を実行する前記プロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されており、前記方法が、
前記基板のターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
前記基板の前記ターゲット部分の外側の領域で高さ測定を実行して追加の高さプロファイルを生成すること、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、
前記追加の高さプロファイルに対応する前記ターゲット部分の外側の前記領域に前記レベルプロファイルを外挿して、外挿したレベルプロファイルを提供すること、および、
前記外挿済みレベルプロファイルと前記追加の高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む、システム。
【請求項３４】
前記プロセッサが、少なくとも間接的にアラインメントセンサと通信するような構成であり、少なくとも間接的に前記基板の位置を制御するような構成である、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３５】
高さデータを使用して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする方法を実行するために、プロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されるコンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
前記基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して前記高さデータを生成すること、
所定の補正高さを使用して前記高さデータについて補正済み高さデータを計算すること、
少なくとも部分的に前記補正済み高さデータに基づいて、前記投影システムの前記焦点面に対して前記基板の前記ターゲット部分を位置合わせすることを含む、コンピュータ可読媒体。
【請求項３６】
前記基板の前記少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の外側にあり、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して、前記ターゲット部分の外側に位置合わせされた前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項３５に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項３７】
前記基板の前記少なくとも一部が、少なくとも部分的に、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の内側にあり、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して、前記ターゲット部分の内側に位置合わせされた前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項３５に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項３８】
前記基板の前記少なくとも一部が、前記投影システムに対して位置合わせすべき前記ターゲット部分の一部は内側に、一部は外側にあり、
前記コンピュータプログラムが、幾つかのグリッド線についてレベルセンサからの高さ測定値を処理するような構成であり、
前記グリッド線の第一部分では、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して、前記ターゲット部分の外側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含み、
前記グリッド線の第二部分では、前記方法がさらに、所定の補正高さを使用して、前記ターゲット部分の内側に位置する前記基板の前記少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する前記高さデータについて補正済み高さデータを計算することを含む、請求項３５に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項３９】
レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために、補正高さを計算する方法を実行するプロセッサによって実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化されたコンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
前記基板のターゲット部分の高さ測定を実行して、高さプロファイルを生成すること、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、
前記レベルプロファイルと前記高さプロファイルとの間の差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む、コンピュータ可読媒体。
【請求項４０】
レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために、補正高さを計算する方法を実行するプロセッサによって実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化されたコンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
前記基板のターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
前記基板の前記ターゲット部分の外側の領域で高さ測定を実行して追加の高さプロファイルを生成すること、
前記高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、
前記追加の高さプロファイルに対応する前記ターゲット部分の外側の前記領域に、前記レベルプロファイルを外挿すること、および、
前記外挿したレベルプロファイルと前記追加の高さプロファイルの間の差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む、コンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本出願は、２００６年１２月２１日出願で係属中の米国特許出願第１１／６４２，９８５号の一部継続であり、その全内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする方法、レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを生成する方法、リソグラフィ装置、コンピュータアレンジメント、コンピュータプログラム製品およびこのようなコンピュータプログラム製品を含むデータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  結像によりパターンをターゲット部分に転写する場合、これは通常、以下でさらに詳細に検討する投影システムを使用して実行される。高品質の投影を得るには、基板の局所形状を考慮に入れて、基板を投影システムに対して正確に、つまり投影システムの焦点面に位置合わせしなければならない。基板の形状を測定し、投影システムに対して基板を位置合わせすることを、レベリングと呼ぶ。
【０００５】
[0005]  正確にレベリングするには、レベルセンサを使用して基板の形状を測定し、露光中にそれに基づいて基板の位置および方法を調節し、最適な結像結果を達成することができる。レベルセンサの測定は、露光の開始前に、例えばマルチステージリソグラフィ装置で実行することができる。レベルセンサ測定は、露光中に（実行中に）、例えば単一ステージのリソグラフィ装置で実行することもできる。
【０００６】
[0006]  レベルセンサは、高さデータを生成する高さ測定を実行することができる。
【０００７】
[0007]  しかし、レベルセンサ測定は、基板の縁部付近を測定する場合に失敗することがある。なぜなら、例えばレベルセンサの測定ビームの全部または一部が基板の外側に出てしまうか、有効測定値が得られない基板の縁領域に入ってしまうからである。
【０００８】
[0008]  先行技術によれば、有効レベルセンサ測定値を得られない領域でのレベリングは、付近の領域からのレベルセンサ測定値からの高さデータを使用することにより、例えば付近の領域からのレベルセンサ測定値を補間することによって実行することができる。しかし、付近の領域（通常は基板の縁部に沿った領域ではない）からの情報を使用することは、それほど信頼性がない。なぜなら、基板の形状が、縁部では内部領域に対して外れることがあるからである。
【０００９】
[0009]  米国特許出願第２００５−０１３４８６５Ａ１号に記載された代替解決法によれば、基板の縁部付近の基板の全体的形状を、縁部付近の基板の平均的「形状」を描くいわゆるグローバルレベル輪郭（global level contour）に基づいて割り出す。このようなグローバルレベル輪郭（ＧＬＣ）は、レベルセンサが、基板の縁部に沿ったスキャンに使用され、通常は３つのパラメータ、つまりＲｘ、Ｒｙ（それぞれｘ軸およびｙ軸を中心に回転）およびＺ（パターンが付与される基板の表面に対して実質的に直角であるｚ軸、ならびにｚ軸に対して、および相互に実質的に直角であるｘ軸およびｙ軸）を含む特殊な測定を実行することによって割り出すことができる。これは、縁部フィールドのデフォーカスを引き起こす。なぜなら、ＧＬＣに基づく高さおよび傾斜が往々にして、実際の局所的高さおよび傾斜から離れすぎるからである。デフォーカスは、フィールド内の全ダイが歩留まりなしになり、したがって使用不能になるほど大きい（最大数百ｎｍ）ことが多い。また、結像が不良なダイのラインは失敗することがあり、次のプロセスステップの汚染源になることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
[0010]  基板の縁部に沿って比較的正確なレベリングを実行できる方法およびシステムを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
[0011]  実施形態によれば、投影システムの焦点面に対して基板の少なくとも１つのターゲット部分を位置合わせする方法が提供され、方法は、
・基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して高さデータを生成すること、
・所定の補正高さを使用して高さデータについて補正済み高さデータを計算すること、および、
・補正済み高さデータに少なくとも部分的に基づいて、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせすることを含む。
補正済み高さデータは、ターゲット部分の内側または外側に位置合わせされた基板の少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応することができる。また、１つのターゲット部分に、これら２つの方法の混合を使用することができる。
【００１２】
[0012]  実施形態によれば、
・パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる支持体と、
・基板を保持するように構成された基板テーブルと、
・パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
・投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用するために、基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して、高さデータを生成するように構成されたレベルセンサと、を備え、レベルセンサが、所定の補正高さを使用して高さデータについて補正済み高さデータを計算する、リソグラフィ装置が提供される。
補正済み高さデータは、ターゲット部分の内側または外側に位置合わせされた基板の少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応することができる。また、１つのターゲット部分に、これら２つの方法の混合を使用することができる。
【００１３】
[0013]  実施形態によれば、基板を測定するレベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを生成する方法が提供され、方法は、
・基板の少なくとも１つのターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
・高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、
・レベルプロファイルと高さプロファイルの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む。
【００１４】
[0014]  実施形態によれば、基板を測定するレベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを生成する方法が提供され、方法は、
・基板の少なくとも１つのターゲット部分の高さ測定を実行して、高さプロファイルを生成すること、
・基板の少なくとも１つのターゲット部分の外側の領域で高さ測定を実行して追加の高さプロファイルを生成すること、
・高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、
・追加の高さプロファイルに対応する少なくとも１つのターゲット部分の外側の領域にレベルプロファイルを外挿して、外挿したレベルプロファイルを提供すること、
・外挿済みレベルプロファイルと追加の高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む。
【００１５】
[0015]  実施形態によれば、支持体、基板テーブル、投影システム、およびレベルセンサを備えるリソグラフィ装置が提供される。支持体は、パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる。基板テーブルは、基板を保持するように構成される。投影システムは、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。レベルセンサは、基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成される。リソグラフィ装置は、
・基板の少なくとも１つのターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成し、
・高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算し、
・レベルプロファイルと高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すように構成される。
【００１６】
[0016]  実施形態によれば、支持体、基板テーブル、投影システム、およびレベルセンサを備えるリソグラフィ装置が提供される。支持体は、パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる。基板テーブルは、基板を保持するように構成される。投影システムは、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。レベルセンサは、基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成される。リソグラフィ装置は、
・基板の少なくとも１つのターゲット部分の高さ測定を実行して、高さプロファイルを生成し、
・基板の少なくとも１つのターゲット部分の外側の領域で高さ測定を実行して、追加の高さプロファイルを生成し、
・高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算し、
・追加の高さプロファイルに対応する少なくとも１つのターゲット部分の外側の領域にレベルプロファイルを外挿して、外挿したレベルプロファイルを提供し、
・外挿済みレベルプロファイルと追加の高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すように構成されている。
【００１７】
[0017]  実施形態によれば、支持体、基板テーブル、投影システム、レベルセンサ、プロセッサおよびメモリを備えるリソグラフィ装置が提供される。支持体は、パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる。基板テーブルは、基板を保持するように構成される。投影システムは、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。レベルセンサは、基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成される。メモリは、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする方法を実行するプロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化され、方法は、
・基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して高さデータを生成すること、
・所定の補正高さを使用して高さデータについて補正された高さデータを計算すること、および、
・少なくとも部分的に補正済み高さデータに基づいて、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせすることを含む。
【００１８】
[0018]  実施形態によれば、支持体、基板テーブル、投影システム、レベルセンサ、プロセッサおよびメモリを備えるリソグラフィ装置が提供される。支持体は、パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる。基板テーブルは、基板を保持するように構成される。投影システムは、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。レベルセンサは、基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成される。メモリは、レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを計算する方法を実行するプロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化され、方法は、
・基板のターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
・高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、および、
・レベルプロファイルと高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む。
【００１９】
[0019]  実施形態によれば、支持体、基板テーブル、投影システム、レベルセンサ、プロセッサおよびメモリを備えるリソグラフィ装置が提供される。支持体は、パターニングデバイスを支持するように構成され、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付放射ビームを形成することができる。基板テーブルは、基板を保持するように構成される。投影システムは、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。レベルセンサは、基板の少なくとも一部で高さ測定を実行して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする際に使用する高さデータを生成するように構成される。メモリは、レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを計算する方法を実行するプロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化され、方法は、
・基板のターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
・基板のターゲット部分の外側の領域で高さ測定を実行して追加の高さプロファイルを生成すること、
・高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、
・追加の高さプロファイルに対応するターゲット部分の外側の領域にレベルプロファイルを外挿して、外挿したレベルプロファイルを提供すること、および、
・外挿済みレベルプロファイルと追加の高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む。
【００２０】
[0020]  実施形態によれば、基板の位置を制御するシステムであって、プロセッサと、メモリとを備え、メモリは、高さデータを使用して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせする方法を実行するためにプロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されており、方法が、
・基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して高さデータを生成すること、
・所定の補正高さを使用して高さデータについて補正された高さデータを計算すること、および、
・少なくとも部分的に補正済み高さデータに基づいて、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を位置合わせすることを含む。
補正済み高さデータは、ターゲット部分の内側または外側に位置合わせされた基板の少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応することができる。また、１つのターゲット部分に、これら２つの方法の混合を使用することができる。
【００２１】
[0021]  実施形態によれば、基板の位置を制御するシステムであって、プロセッサと、メモリとを備え、メモリは、レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを計算する方法を実行するプロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されており、方法が、
・基板のターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
・高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、および、
・レベルプロファイルと高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む。
【００２２】
[0022]  実施形態によれば、基板の位置を制御するシステムであって、プロセッサと、メモリとを備え、メモリは、レベルセンサによって得られた高さデータを補正するために補正高さを計算する方法を実行するプロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されており、方法が、
・基板のターゲット部分の高さ測定を実行して高さプロファイルを生成すること、
・基板のターゲット部分の外側の領域で高さ測定を実行して追加の高さプロファイルを生成すること、
・高さプロファイルに基づいてレベルプロファイルを計算すること、
・追加の高さプロファイルに対応するターゲット部分の外側の領域にレベルプロファイルを外挿して、外挿したレベルプロファイルを提供すること、および、
・外挿済みレベルプロファイルと追加の高さプロファイルとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことを含む。
【００２３】
[0023]  実施形態によれば、以上による方法のいずれか１つを実行するために、プロセッサによって実行可能である命令を含むコンピュータプログラムでコード化されたコンピュータ可読媒体が提供される。
【００２４】
[0024]  実施形態によれば、以上によるコンピュータプログラム製品を含むデータ記憶媒体が提供される。
【００２５】
[0025]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
[0038]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
・放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
・パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
・基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
・パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００２７】
[0039]  照明システムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２８】
[0040]  支持構造体ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、つまりその重量を支えている。該マスク支持構造体は、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造体ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造体ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２９】
[0041]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００３０】
[0042]  パターニングデバイスＭＡは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００３１】
[0043]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００３２】
[0044]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイまたは反射マスクを使用する）。
【００３３】
[0045]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００３４】
[0046]  リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムＰＳの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造体を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体が存在するというほどの意味である。
【００３５】
[0047]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００３６】
[0048]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３７】
[0049]  放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置合わせしてもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に位置合わせしてもよい。
【００３８】
[0050]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３９】
[0051]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００４０】
[0052]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００４１】
[0053]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００４２】
[0054]  上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。
【００４３】
[0055]  上述したように、基板Ｗへのパターンの結像は通常、レンズまたはミラーなどの光学要素で実行される。鮮明な像を生成するために、基板Ｗ上のレジストの層は、光学要素の焦点面に、またはその付近になければならない。したがって、先行技術によれば、露光すべきターゲット部分Ｃの高さを測定する。この測定に基づいて、光学要素に対する基板Ｗの高さを、例えば基板Ｗが位置合わせされている基板テーブルＷＴを移動することによって調節する。基板Ｗは完璧に平坦な物体ではないので、ターゲット部分Ｃの全体で光学系の焦点面に正確にレジストの層を位置合わせすることが不可能なこともあり、したがって基板Ｗは可能な限り良好にしか位置合わせすることができない。
【００４４】
[0056]  基板Ｗを可能な限り良好に焦点面に（例えば焦点面をレジスト厚さの中心に一致させることによって）位置合わせするために、基板Ｗの方向を変更することもできる。レジストの層を可能な限り良好に焦点面に位置合わせするために、基板テーブルＷＴを６自由度全部で平行移動、回転または傾斜させることができる。これは通常、全てのターゲット部分Ｃについて実行されるが、基板の縁部に位置するターゲット部分で実行することが、特に望ましい。なぜなら、これらのターゲット部分Ｃは、縁部が存在するために、通常は斜めになっているからである。
【００４５】
[0057]  光学要素に対する基板Ｗの最善の位置合わせを割り出すために、例えば米国特許第５，１９１，２００号に記載されているように、レベルセンサを使用して基板Ｗの表面を測定することができる。この手順は、露光中（実行中）に、露光中の、または次に露光すべき基板Ｗの部分を測定することによって実行することができるが、基板Ｗの表面を事前に測定することもできる。この後者の方法は、遠隔位置で実行することもできる。後者の場合は、レベルセンサの測定結果を、いわゆる高さマップまたは高さプロファイルの形態で記憶し、露光中に、光学要素の焦点面に対して基板Ｗを位置合わせするために使用することができる。
【００４６】
[0058]  両方の場合で、基板Ｗの上面は、特定の領域の高さを求めるレベルセンサで測定することができる。この領域は、以下で説明する図３ａおよび図３ｂ（領域は点線で示されている）に示すように、ターゲット部分Ｃの幅とほぼ等しい、またはそれより大きい幅を有することができ、ターゲットＣの長さの一部の長さしか有することができない。ターゲット部分Ｃの高さマップは、矢印Ａの方向でターゲット部分Ｃをスキャンすることによって測定することができる。レベルセンサＬＳは、例えば９スポット測定などの複数スポット測定を適用することによって基板Ｗの高さを割り出す。レンズセンサスポットＬＳＳは領域全体に広がり、様々なレベルセンサスポットから得た測定値に基づいて、高さデータを収集することができる。
【００４７】
[0059]  本明細書で使用する「高さ」という用語は、基板Ｗの表面に対して実質的に直角、つまり露光すべき基板Ｗの表面に対して実質的に直角の方向を指す。レベルセンサの測定結果は高さデータになり、基板Ｗの特定位置の相対的高さに関する情報を含む。これは、高さマップと呼ぶこともできる。
【００４８】
[0060]  この高さデータに基づいて、例えば基板の様々な部分からの対応する高さデータ（例えば様々なターゲット部分Ｃ内で同様の相対的位置に対応する高さデータ）を平均することによって、高さプロファイルを計算することができる。このような対応する高さデータが入手できない場合、高さプロファイルは高さデータと等しいとされる。
【００４９】
[0061]  高さデータまたは高さプロファイルに基づき、投影システムＰＳに対する基板Ｗの最適な位置合わせの指標を提供するために、レベリングプロファイルを割り出すことができる。このようなレベリングプロファイルは、高さデータまたは高さプロファイル（の一部）に線形当てはめを適用することによって、例えば測定領域内の点で最小自乗法当てはめ（３次元）を実行することによって割り出すことができる。
【００５０】
[0062]  以上で説明したように、正確なレベリングには、例えばレベルセンサを使用して、基板の形状および微細構造を測定する必要があり、その結果、基板Ｗ（の少なくとも一部）の高さデータが生成され、それに基づいてレベリングプロファイルを割り出すことができる。このようなレベリングプロファイルは、基板Ｗの局所的形状および高さを考慮に入れて、投影システムＰＳに対する基板Ｗの最適位置を表すことができる。最初に、レベルセンサについてさらに詳細に説明する。
【００５１】
レベリング
[0063]  レベルセンサは、基板Ｗの高さまたは基板テーブルＷＴ上の領域の高さを測定して、高さデータを生成する。高さを測定すべき表面を基準位置へと搬送し、測定放射ビームで照明する。測定放射ビームは、９０°未満である角度で、測定すべき表面に当たる。入射角は反射角に等しいので、測定放射ビームは、同じ角度で表面から反射し、反射放射ビームを形成する。測定放射ビームおよび反射放射ビームが測定面を規定する。レベルセンサは、測定面で反射放射ビームの位置を測定する。
【００５２】
[0064]  表面を測定放射ビームの方向に移動させ、別の測定を実行すると、反射放射ビームは以前と同じ方向に反射する。しかし、反射放射ビームの位置は、表面が移動したのと同じようにずれている。
【００５３】
[0065]  図２では、リソグラフィ装置の測定ステーション領域の一部が図示されている。基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に保持されている。基板テーブルＷＴは、第二ポジショナＰＷ（図２には図示せず）の一部でもよいアクチュエータ２３に接続される。これらのアクチュエータは、プロセッサ８およびメモリ１０がある制御装置６に接続される。プロセッサ８はさらに、電気的（容量性、誘導）または光学的、例えば（図１に示すような）干渉計装置によって基板テーブルＷＴまたは基板テーブルホルダの実際の位置を測定する位置センサ２５から、情報を受信する。プロセッサ８は、投影ビームＰＢが基板表面に当たる基板Ｗのターゲット領域Ｃからの高さおよび／または傾斜情報を測定するレベルセンサＬＳからの入力も受信する。制御装置６は、ＰＣまたはプリンタまたは任意の他の登録または表示装置を備える報告システム９に接続することが好ましい。
【００５４】
[0066]  レベルセンサＬＳは、例えば本明細書で述べるような光学センサでよいが、代替的に（例えば）空気圧または静電容量センサが考えられる。レベルセンサＬＳは、好ましくは基板Ｗの例えば１．５ｍｍ（例えば２．８×２．５ｍｍ）という非常に小さい１つまたは複数の領域（レベルセンサスポットＬＳＳ）の垂直位置を測定し、高さデータを生成できなければならない。図２に示すレベルセンサＬＳは、光ビーム１６を生成する光源２、光ビーム１６を基板Ｗに投影する投影光学系（図示せず）、検出光学系（図示せず）およびセンサまたは検出器１５を備えている。検出器１５は高さに依存する信号を生成し、これはプロセッサ８に供給される。プロセッサ８は、高さ情報を処理し、測定した高さマップを構築するように構成される。このような高さマップは、プロセッサ８によってメモリ１０に記憶されるか、露光中に使用することができる。
【００５５】
[0067]  代替方法によれば、レベルセンサ１５は、米国特許第５，１９１，２００号に記載されているように、基板表面で反射した投影回折格子と固定された検出回折格子との像の間に形成されたモアレ図形を使用する光学センサでよい。レベルセンサ１５は、複数の位置の垂直高さを同時に測定する、かつ／または各位置の小さい領域の平均高さを測定し、高い空間周波数の非平坦度を平均できることが望ましい。
【００５６】
[0068]  本明細書で説明する実施形態は、言うまでもなくエアゲージなどの他のタイプのレベルセンサでも使用することができる。エアゲージは、当業者には知られているように、ガス出口から基板Ｗの表面にガスの流れを供給することによって、基板Ｗの高さを求める。基板Ｗの表面が高い、つまり基板Ｗの表面がガス出口に比較的近い場合、ガスの流れは比較的高い抵抗に遭う。基板Ｗ上のエアゲージの空間位置の関数として流れの抵抗を測定することにより、基板Ｗの高さマップを得ることができる。エアゲージについてのさらなる検討は、欧州特許第０３８０９６７号に見られる。
【００５７】
[0069]  代替方法によると、スキャンニードルプロファイラを使用して、基板Ｗの高さマップを割り出す。このようなスキャンニードルプロファイラは、ニードルで基板Ｗの高さマップをスキャンし、これは高さ情報も提供する。
【００５８】
[0070]  実際、高さデータを生成するために、基板Ｗの高さ測定を実行するように構成されたあらゆるタイプのセンサを使用することができる。
【００５９】
[0071]  レベル感知方法は、少なくとも１つの感知領域を使用し、レベルセンサスポットＬＳＳと呼ばれる小さい領域の平均高さを測定する。実施形態によれば、レベルセンサは、幾つかの測定放射ビームを同時に適用し、基板Ｗの表面に幾つかのレベルセンサスポットＬＳＳを生成することができる。図３ａに示すように、レベルセンサは、例えば列状に９つのレベルセンサスポットＬＳＳを生成することができる。レベルセンサスポットＬＳＳは、基板Ｗとレベルセンサを相互に対して相対的に矢印Ａで示すように（スキャン方向で）移動させることにより、測定すべき基板Ｗの領域（例えばターゲット部分Ｃ）をスキャンする。
【００６０】
[0072]  基板Ｗ上のレベルセンサスポットＬＳＳの位置に応じて、選択機構は、測定したターゲット領域Ｃから高さデータを導出するために適用できる１つまたは複数のレベルセンサスポットＬＳＳを選択する。選択されたレベルセンサスポットＬＳＳに基づいて、レベルプロファイルを計算することができる。これについては、図３ａから図３ｂに関連してさらに説明する。
【００６１】
[0073]  図３ａに見られるように、９つのレベルセンサスポットＬＳＳの全てがターゲット部分Ｃ、つまりパターンを結像すべき領域に入るわけではない。ターゲット部分Ｃの外側になるレベルセンサスポットＬＳＳは、図３ａで「ｘ」のマークが付けられている。これらのレベルセンサスポットＬＳＳは、レベルプロファイルを割り出す場合に考慮されない。ターゲット部分Ｃの外側になるレベルセンサスポットＬＳＳは、その測定値が、結像を実行すべきターゲット部分Ｃの微細構造を表さないスクライブレーン（アラインメントマークなどを備える）の微細構造または隣接するターゲット部分Ｃの微細構造から影響されることがあるので、考慮されない。
【００６２】
[0074]  図３ｂは、基板Ｗの縁部付近の基板Ｗのターゲット部分Ｃを概略的に示している。この場合も、考慮されないレベルセンサスポットＬＳＳは、図３ｂで「ｘ」のマークが付けられている。基板Ｗは円形の形状であり、ターゲット部分Ｃは長方形として形成されるので、縁部付近に位置するターゲット部分Ｃは、完全には基板Ｗ上にない。このような基板Ｗの高さデータをレベルセンサで（例えばターゲット部分Ｃをスキャンすることによって）割り出す場合、高さデータを十分正確に割り出すことはできない。レベルセンサの測定領域を図３ｂの平行な矢印の方向に移動すると、幾つかのレベルセンサスポットＬＳＳが部分的または全体的に基板Ｗの表面の外側になり、正確な測定が不可能になる。これで、レベルセンサスポットＬＳＳでターゲット部分Ｃが適切に覆われないので、ターゲット部分Ｃの基板高さの割り出しは性質が低くなるか、使用可能なレベルセンサスポットの測定値の組合せが必要とされるより少ない場合は、失敗することもある。特に、基板Ｗに投影されるレベルセンサのレベルセンサスポットの組合せが、必要とされるより少ない場合は、ターゲット部分Ｃの傾斜の割り出しが失敗するか、性質が粗悪になることがある。
【００６３】
[0075]  上述したように、一部のレベルセンサスポットＬＳＳは基板Ｗの外側になり、したがって考慮されない。また、一部のレベルセンサスポットＬＳＳは基板Ｗは、基板Ｗの縁部に沿ったいわゆる焦点縁クリアランス領域（ＦＥＣ領域）の内側に入る。これらのレベルセンサスポットＬＳＳも考慮されない。中央のレベルセンサスポットＬＳＳは、スキャンの第一部分、つまりＦＥＣ領域に到達するまでは有効である。中央にあるレベルセンサスポットＬＳＳの右側にある２つのレベルセンサスポットＬＳＳのみが、ターゲット部分Ｃを完全にスキャンするために有用な高さデータを生成する。
【００６４】
[0076]  ＦＥＣ領域は、当業者に知られている用語である。レベルセンサスポットＬＳＳがＦＥＣに接触すると、それがオフに切り換えられ、レベリングには使用されない。ＦＥＣ領域は、レジスト（の一部）が除去される基板の縁部に沿った領域であり、例えばスピンコーティング技術を使用して基板に適用される。その結果、この領域に残されるレジストがなくなるか、少なくなる。直径が１５０ｍｍの基板では、ＦＥＣは通常、基板Ｗの縁部から３ｍｍ以内の領域でよい。
【００６５】
[0077]  図３ａおよび図３ｂの以上の２つの例に基づき、先行技術によれば、レベリングが、
１）全体がターゲット部分Ｃ内にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
レベルセンサスポットＬＳＳのみを使用して実行されることが理解される。
【００６６】
[0078]  ターゲット部分Ｃの外側のレベルセンサスポットＬＳＳが使用されないのは、（このターゲット部分と同じ露光では）露光されない領域に入ることがあり、製品の微細構造のせいで、突然の高さの急変を示すことがあるからである。これは、デュアルステージシステムばかりでなく、実行中式のレベリングシステムにも当てはまる。
【００６７】
[0079]  成功するレベル測定を実行するために、最小量の高さデータが必要である。例えば、特定の品質要件によれば、それぞれに少なくとも２つの有効レベルセンサスポットＬＳＳがある少なくとも３つの隣接する列のレベルセンサスポットＬＳＳが必要である。これは、いわゆる２×３構成である。
【００６８】
[0080]  先行技術の幾つかの実施例によれば、有効なレベルセンサスポットＬＳＳが十分に見られない場合、システムはグローバルレベル輪郭設定点を使用して、既に上述したグローバルレベル輪郭（ＧＬＣ）から割り出した傾斜および／または高さを割り出すことができる。ＧＬＣは局所的情報を提供しないが、縁部のウェッジを描く。
【００６９】
[0081]  これらの先行技術の実施例の幾つかによれば、レベルセンサで正確に測定できない基板Ｗの部分の高さマップは、それでも正確に測定できた隣接領域の高さマップを外挿することによっても構築することができる。これらの隣接領域は、隣接ターゲット部分Ｃでよいが、それでも正確に測定できた同じターゲット部分Ｃの部分でもよい。基板Ｗは通常、基板Ｗの縁部に向かって湾曲を呈し、これは基板Ｗの縁部に沿って位置が異なれば異なることがあるので、グローバルレベル輪郭の情報を使用するか、隣接領域で割り出した高さマップを外挿するだけでは、正確に割り出せない可能性がある。
【００７０】
[0082]  図４ａは、有効なレベルセンサスポットＬＳＳを得ることができないターゲット部分Ｃを概略的に示す。１つのターゲット部分Ｃが複数の製品を含むことがあることを理解されたい。したがって、図４に示すようなターゲット部分Ｃは大部分が基板Ｗの外側にあるが、基板Ｗ内にある少量のターゲット部分Ｃがそれでも、成功する結像が望ましい１つまたは複数の製品を備えることがある。幾つかの先行技術によって提供されるフォールバック戦略を使用すると、比較的不正確で、欠陥製品が比較的多くなることがある。
【００７１】
[0083]  図４ｂは同様の状況を示している。図４ａは、レベルセンサスポットＬＳＳのスキャン方向が実質的に基板Ｗの縁部に沿っている状況を示すが、図４ｂは、レベルセンサスポットＬＳＳのスキャン方向が実質的に基板Ｗの縁部に直角である状況を概略的に示す。この場合も、ターゲット部分Ｃ内にあって、ＦＥＣ領域内に入らないレベルセンサスポットＬＳＳはない。
【００７２】
[0084]  図６は、２つの隣接するターゲット部分、つまり内部ターゲット部分Ｃ１と縁部ターゲット部分Ｃ２の断面図を概略的に示している（縦の点線は内部ターゲット部分Ｃと縁部ターゲット部分Ｃ２の間の境界を示す）。断面図は、ｘ方向で得たものである（したがって見る方向はｙ方向、つまりレベルセンサＬＳのスキャン方向（測定方向）である）。縦線は、縁部ターゲット部分Ｃ２のＦＥＣ領域の縁部を示す。
【００７３】
[0085]  図６は、
１）全体がターゲット部分Ｃ１内にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
内部ターゲット部分Ｃ１の５つのレベルセンサスポットＬＳＳを概略的に示している。
【００７４】
[0086]  内部ターゲット部分Ｃ１では、特殊な補正方式を適用する必要がないことが理解される。ターゲット部分Ｃ１内に入るレベルセンサスポットＬＳＳによって生成された高さデータに基づいて、図６に図示されたレベリングプロファイルＬＰ１を計算することができる。
【００７５】
[0087]  図６は、
１）全体がターゲット部分Ｃ２内にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
縁部ターゲット部分Ｃ２の１つしかないレベルセンサスポットＬＳＳも概略的に示している。
【００７６】
[0088]  １つしかないレベルセンサスポットＬＳＳの高さデータは、十分に正確ではないことがあるので、
１）ターゲット部分Ｃ２の外側にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
さらなるレベルセンサスポットＬＳＳからの追加の高さデータを使用してもよい。
【００７７】
[0089]  このさらなるレベルセンサスポットＦＬＳＳは、図６の点線で図示されている。これら２つのレベルセンサスポットＬＳＳ、ＦＬＳＳに基づいて第二レベリングプロファイルＬＰ２を計算する場合、この第二レベルプロファイルＬＰ２は基本的に間違っており、ＦＥＣ領域内に入らない縁部ターゲット部分Ｃ２の微細構造を表さないことが分かる。
【００７８】
実施形態
[0090]  本明細書で述べる実施形態によれば、ターゲット部分Ｃの外側にある、つまりこのターゲットが露光されるのとは同じ露光／時では露光されない基板Ｗの領域からの高さデータも使用するレベリング方法が提供される。したがって、レベリングには、少なくともターゲット部分Ｃの外側にある基板Ｗの部分に対応する高さデータを使用する。したがって、
１）ターゲット部分Ｃの外側にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
レベルセンサスポットＬＳＳも考慮する。
【００７９】
[0091]  レベルセンサスポットＬＳＳは、追加の高さプロファイルを割り出せる元となる追加の高さデータを提供する。追加の高さデータは、信頼できないと見なされたことが分かっている。なぜなら、スクライブレーンの存在、または露光されない基板の部品における微細構造の微細構造的不連続性のせいで、この追加の高さデータは高さの急変によって妨害されるからである。実際、この追加の高さデータは、これが、同じ露光で露光されていない基板Ｗの領域に関連するという事実だけで、信頼できないと考えられた。
【００８０】
[0092]  しかし実施形態によれば、この誤差を補正する補正方式が提案される。この誤差は、全ての内部（ターゲット部分Ｃ内に入る）レベルセンサスポットが有効なわけではない場合に生じることに留意されたい。
【００８１】
[0093]  補正方式は、縁部ターゲット部分Ｃに対して得られた追加の高さデータの誤差が、内部ターゲット部分Ｃ、つまりターゲット部分Ｃの内側でＦＥＣ領域の外側からの高さデータが十分にあるターゲット部分ＣにあるレベルセンサＬＳで得た高さデータに基づいて予測することができ、したがってこれらの内部ターゲット部分の正確なレベリングを実行するために、追加の高さデータを使用しないという事実に基づく。したがって、内部ターゲット部分Ｃに基づき、ターゲット部分Ｃの内側からの高さデータに基づくレベルプロファイルに対して、そのオフセットを比較し、記憶することによって、追加の高さデータの補正高さΔｈを割り出すことが可能である。こうすることによって、補正高さを使用して、縁部ターゲット部分Ｃから得た追加の高さデータの誤差を補正することができる。
【００８２】
[0094]  補正方式を適用して、追加の高さデータの誤差を補正することによって、例えば隣接するターゲット部分Ｃのスクライブレーンまたは製品微細構造の存在によって引き起こされるような基板Ｗの固有の微細構造を補正することが可能である。この補正は、補正方式が必要ないターゲット部分Ｃから得た同様のレベルセンサ測定値に基づいて割り出すことができる。
【００８３】
[0095]  合理的なのは、追加の高さデータを、ターゲット部分Ｃの（部分的に）外側にあるレベルセンサ測定値から得ていても、補正方式と組み合わせて追加の高さデータを使用する方が、先行技術の解決法（ＧＬＣなど）よりも信頼性が高い、ということである。図５ａおよび図５ｂに見られるように、追加のレベルセンサスポットＬＳＳからの追加の高さデータを、図４ａおよび図４ｂとの比較として使用する。図５ａおよび図５ｂは、それぞれ図４ａおよび図４ｂに似ているが、追加のレベルセンサスポットＬＳＳからの追加からの追加の高さデータも使用している。高さデータが無視されるレベルセンサスポットＬＳＳが「ｘ」で示されている。追加の高さデータは、通常は３時と９時のフィールドで必要とされるｘ方向（図４ａおよび図５ａ）、および６時と１２時のフィールドで必要とされるｙ方向（図４ｂおよび図５ｂ）で、レベルセンサスポットＬＳＳから得られる。
【００８４】
[00096]  補正方式がない状況が、図６に関して図示され、以上で説明されている。ここでは、割り出されたままの第二レベルプロファイルＬＰ２が、縁部ターゲット部分Ｃでは明らかに間違っている。図７では、補正方式をこの補正に当てはめると、縁部ターゲット部分Ｃについて割り出したままのレベリングプロファイルが改善される（点線は、内部ターゲット部分Ｃ１と縁部ターゲット部分Ｃ２の間の境界を示す）。
【００８５】
補正方式
[0097]  次に、例示により補正方式について説明する。第一に、スキャン方向が基板Ｗの縁部と実質的に平行である状況について説明する（ｘ方向）。第二に、スキャン方向が基板Ｗの縁部に実質的に直角である状況について説明する（ｙ方向）。しかし、この実施形態は、基板Ｗの縁部の全周にある全種類のターゲット部分（Ｃ）で実行することができ、３／６／９／１２時の位置に制限されないことが理解される。
【００８６】
[0098]  言うまでもなく、レベルセンサスポットＬＳＳのレイアウトは、図で示すレイアウトと異なってよいことが理解される。さらに、レベルセンサスポットＬＳＳのレイアウトとは関係なく、レベルセンサスポットＬＳＳを相互に対して任意の方向および構成で、ターゲット部分Ｃの内側および外側に位置合わせすることができる。したがって、レベルセンサスポットＬＳＳは任意の方向にあってよい。また、レベルセンサスポットは、必ずしも相互に対して直線に位置合わせされない。
【００８７】
Ｘ方向
[0099]  図６と同様に、図７は２つの隣接するターゲット部分、つまり内部ターゲット部分Ｃ１および縁部ターゲット部分Ｃ２の断面図を概略的に示している。断面図は、ｘ方向で得たものであり、したがって見る方向はレベルセンサＬＳのスキャン方向（測定方向）である（つまりｙ方向）。縦の実線は、縁部ターゲット部分Ｃ２のＦＥＣ領域の縁部を示す。
【００８８】
[00100]  第一レベルプロファイルＬＰ１は、
１）全体がターゲット部分Ｃ１内にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
内部ターゲット部分Ｃ１の（例示により）５つのレベルセンサから得た高さデータに基づいて、図６に関して述べたのと同じ方法で割り出される。
【００８９】
[00101]  高さデータに基づいて、（例えば様々なターゲット部分の高さおよび傾斜のデータを平均することによって）高さおよび傾斜プロファイルを計算することができ、図６に既に図示されている第一レベリングプロファイルＬＰ１を計算することができる。しかし、それと同時に、追加の高さデータ（または追加の高さプロファイル）を（追加の高さデータを得た領域に外挿される）第一レベルプロファイルＬＰ１と比較することによって、１つまたは複数の補正高さΔｈが計算される。補正高さΔｈを記憶する。このような補正高さΔｈの１つが、図７に概略的に図示されている。
【００９０】
[00102]  図６に関して上述したように、縁部ターゲット部分Ｃ２については、
１）ターゲット部分Ｃ２の外側にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
さらなるレベルセンサスポットＦＬＳＳから、追加の高さデータを使用することができる。
【００９１】
[00103]  このさらなるレベルセンサスポットＦＬＳＳは、図７の点線で図示されている。さらなるレベルセンサスポットＦＬＳＳからは追加のレベルセンサスポットＡＬＳＳに対応することが分かる。次に、レベルプロファイルを計算する前に、補正高さΔｈを使用して、微細構造によって引き起こされた誤差を補正した補正済み高さデータを計算する。補正高さΔｈで追加の高さデータを補正することにより、少なくとも部分的に補正済み高さデータに基づいて、第三レベルプロファイルＬＰ３を計算することができる。このレベルプロファイルＬＰ３は、図６に関して述べた第二レベリングプロファイルＬＰ２より正確である。
【００９２】
[00104]  第三レベルプロファイルＬＰ３は、使用可能な高さデータによる、したがって図７に示す状況では、さらなるレベルセンサスポットＦＬＳＳからの追加の高さデータ、およびレベルセンサスポットＬＳＳからの高さデータによる当てはめでよい。その結果、第三レベルプロファイルＬＰ３は、第一レベルプロファイルＬＰ１と比較すると異なる傾斜を有する。
【００９３】
[00105]  補正高さΔｈを適用してもトポロジによって引き起こされた誤差を補正するだけであり、基板Ｗのその特定の領域における基板Ｗの局所形状を補正しないことを理解されたい。この特定の局所形状は、基板Ｗの縁部付近で比較的重要な役割を果たすことがある。なぜなら、基板Ｗは通常、基板Ｗの縁部に向かって特定の形状を示し、これが基板Ｗの縁部に沿って異なる領域では異なることがあるからである。
【００９４】
[00106]  ターゲット部分Ｃに対して異なる相対位置では、異なる補正高さΔｈを使用できることが理解される。
【００９５】
[00107]  代替方法によれば、補正高さΔｈは単一のターゲット部分Ｃで実行した測定に基づくものではなく、複数のターゲット部分Ｃについて得た測定値を平均することによって計算でき、その結果、高さプロファイルになる。この複数のターゲット部分Ｃは、単一の基板または異なる基板Ｗから、例えば同様のバッチの基板Ｗからのものでよい。
【００９６】
[00108]  さらなる代替方法によれば、ｙ方向の特定のスキャン位置で、（図７に示すように）１つのレベルセンサスポットＬＳＳからの高さデータから１つだけの追加の高さデータを補正するには、１つの補正高さΔｈを適用するだけではない。実施形態によると、ｘ方向の２つ、３つまたはそれより多い追加のレベルセンサ測定値を補正するために、２つ、３つまたはそれより多い補正高さΔｈを使用することもできる（図７参照）。
【００９７】
Ｙ方向
[00109]  既に図４ｂおよび図５ｂについて検討した、レベルセンサＬＳのスキャン方向が基板Ｗの縁部に実質的に直角（６および１２時の位置）である縁部ターゲット部分Ｃの補正方式を適用するために使用することができるさらなる実施形態を、図９について説明する。
【００９８】
[00110]  図９は、ターゲット部分Ｃを示す。露光に使用される露光スリットＳＬの輪郭も（点線で）図示されている。図９はさらに、それぞれが９個のレベルセンサスポットＬＳＳからの高さデータを備えるレベルセンサの６つのｙグリッド線を示す。図９に見られるように、ここで示す例によれば、露光スリットＳＬはレベルセンサＬＳの６つのｙグリッド線の長さを（ｙ方向で）有する。
【００９９】
[00111]  図９は、露光スリットが部分的に（例えば５０％が）ターゲット部分Ｃ内にあり、部分的に（例えば５０％が）ターゲット部分の外側にある状況を、ｙ方向から見て示している。このスリットＳＬの位置は、図４ｂおよび図５に示すような状況で使用できる補正高さΔｈを計算するための開始点として選択することができる。
【０１００】
[00112]  図９は、３つのｙグリッド線（上の３つのグリッド線）がターゲット部分Ｃの内側に入ることを示す。しかし、この実施形態によれば、ターゲット部分Ｃの外側になる３つのｙグリッド線も考慮される。これらのレベルセンサスポットＬＳＳによって生成された高さデータを、追加の高さデータと呼ぶ。
【０１０１】
[00113]  図９に示すように、ターゲット部分Ｃ内の３つのｙグリッド線について、レベルセンサスポットＬＳＳの測定値からの高さデータを使用して、少なくとも１つの内部ターゲット部分Ｃで第一測定を実行する。
【０１０２】
[00114]  「ｘ」の名称で示すように、ｘ方向でターゲット部分Ｃのアウトラインの外側にあるレベルセンサスポットＬＳＳは考慮されない。
【０１０３】
[00115]  レベルセンサスポットＬＳＳの測定値に基づいて、ターゲット部分Ｃの内側からの全レベルセンサスポットＬＳＳ（この場合は、１５のレベルセンサ測定値（３×５））を使用して、高さプロファイルを計算する。高さプロファイルは、複数のターゲット部分Ｃからの対応するレベルセンサスポット測定値を平均することによって計算することができ、その結果、平均高さプロファイルになる。
【０１０４】
[00116]  割り出された高さプロファイルに基づいて、線形焦点当てはめまたは最小自乗法焦点当てはめなどの焦点当てはめを計算することができ、その結果、スリットＳＬのその特定の位置について投影システムＰＳに対する基板Ｗの正確な位置合わせを示すものである第四レベルプロファイルＬＰ４になる。
【０１０５】
[00117]  次の行動では、図９に示すように、ターゲット部分Ｃの外側であるがスリットＳＬ内からのレベルセンサスポット測定値に基づいて、追加の高さプロファイルを割り出す。
【０１０６】
[00118]  次の行動では、第四レベルプロファイルＬＰ４（平面である）を追加の高さプロファイルの領域に外挿する。次に、外挿した第四レベルプロファイルＬＰ４を、追加の高さプロファイルの高さプロファイルと比較する。その結果、外挿した第四レベルプロファイルＬＰ４を追加の高さプロファイルと比較することによって、１組の補正高さΔｈになる。
【０１０７】
[00119]  １）全体がターゲット部分Ｃ１内にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
レベルセンサスポットが十分にない縁部ターゲット部分Ｃのレベリングを実行すべき場合は、追加のレベルセンサスポットＡＬＳＳの測定値を使用することができる。これらの追加のレベルセンサスポットＡＬＳＳの測定値は、以前に記憶した補正高さΔｈを使用して、これらの測定値を補正することによって使用することができる。したがって、レベルプロファイルを計算する前に、補正高さΔｈを使用して、トポロジによって引き起こされた誤差、または他の誤差、例えばプロセス依存のレベルセンサの誤差などの誤差を補正した、補正済みレベルセンサスポットＣＬＳＳを計算する。追加のレベルセンサスポットＡＬＳＳの測定値を補正高さΔｈで補正することによって、より正確な第五レベルプロファイルＬＰ５を計算することができる。
【０１０８】
[00120]  第五レベルプロファイルＬＰ５は、使用可能な（補正された）高さデータを通した独立した当てはめであり、したがって第四レベルプロファイルＬＰ４の傾斜とは異なることがある。
【０１０９】
[00121]  この場合も、補正高さΔｈを適用しても、トポロジによって引き起こされた誤差を補正するだけであり、基板Ｗのその特定の領域における基板Ｗの局所形状がまだ考慮されないことを理解されたい。この特定の局所形状は、基板Ｗの縁部付近で比較的重要な役割を果たすことがある。なぜなら、基板Ｗは通常、基板Ｗの縁部に向かって特定の形状を示すからである。
【０１１０】
[00122]  代替方法によれば、補正高さΔｈは単一のターゲット部分Ｃで実行した測定に基づくものではなく、単一の基板または異なる基板Ｗから、例えば同様のバッチの基板Ｗからの複数のターゲット部分Ｃから得た測定値を平均することによって計算することができる。
【０１１１】
[00123]  この実施形態は、６時のターゲット部分ばかりでなく、１２時のターゲット部分にも当てはまる。
【０１１２】
制御装置
[00124]  本明細書で述べる実施形態は、図２に関して上記で説明したように、プロセッサ８およびメモリ１０を備える制御装置６によって実行することができる。メモリ１０は、本明細書で述べる実施形態を実行するために、プロセッサ８によって読み取りおよび実行可能なコードを含むコンピュータプログラムを備えてよい。
【０１１３】
[00125]  プロセッサ８は、レベルセンサＬＳおよび第二ポジショナＰＷを制御して、基板Ｗのターゲット部分Ｃのレベリング測定を実行するように構成することができる。また、レベルセンサＬＳから受信した高さ情報を、基板Ｗの特定のｘ、ｙ位置に関連づけるために使用される位置センサ２５からの情報も受信する。
【０１１４】
[00126]  レベルセンサの測定値は、メモリ１０に記憶され、これはターゲット部分Ｃ内にあるが、ＦＥＣ領域の内側ではないレベルセンサスポットの測定値を含むが、ターゲット部分Ｃの外側で、ＦＥＣ領域の外側にあるレベルセンサスポットＬＳＳの少なくとも幾つかを含む
【０１１５】
Ｘ方向のフロー図
[00127]  実施形態によれば、プロセッサ８は、図８および図１０による行動を実行するような方法で、レベルセンサＬＳおよび第二ポジショナＰＷを制御するように構成される。このような行動の例が、図８に概略的に図示されている。行動毎に、その特定の行動に使用されるレベルセンサスポットＬＳＳが示されている。この例によれば、９つ全部のレベルセンサスポットＬＳＳに１から９の番号が付けられ、番号１、２、８、９はターゲット部分ＣおよびＦＥＣ領域の外側にあり、番号３、４、５、６、７はターゲット部分Ｃの内側にあると仮定される。
【０１１６】
[00128]  第一行動１０１では、レベルセンサＬＳで１つまたは複数のターゲット部分Ｃをスキャンすることによって、レベルセンサの測定を実行する。次の行動１０２では、ターゲット部分Ｃ内の全てのレベルセンサスポット（例えばｉ＝３、４、５、６、７）について、高さプロファイルを計算する。次の行動１０３では、ターゲット部分Ｃの外側にある少なくとも１つのレベルセンサスポットＬＳＳについて、追加の高さプロファイルを計算する。
【０１１７】
[00129]  高さプロファイルは、少なくとも１つの内部ターゲット部分Ｃ１に基づいて計算することができ、ｙの連続関数でよいか、ｙの特定の値（つまりｙグリッド線の数）について高さの計数値を含んでよい。
【０１１８】
[00130]  内部ターゲット部分Ｃ１は、ターゲット部分Ｃの内側およびＦＥＣ領域の外側にあり、最大数のｙグリッド線（列）を有する最大数のレベルセンサスポットＬＳＳについてがあるターゲット部分Ｃ１でよい。この高さプロファイルは、ターゲット部分Ｃの内側の各レベルセンサスポットについて計算することができる。追加の高さプロファイルは、ターゲット部分Ｃの外側の少なくとも１つのレベルセンサスポットＬＳＳについて、計算することができる。
【０１１９】
[00131]  高さプロファイルおよび追加の高さプロファイルは、様々なターゲット部分Ｃの対応する測定値を平均することによって得ることができる。
【０１２０】
[00132]  さらなる行動１０４では、プロセッサ８が高さプロファイルに基づいて焦点当てはめ（例えば線形当てはめ）を割り出す。この焦点当てはめは、投影システムＰＳに対する基板Ｗの最適な位置合わせを表す。つまり、投影システムＰＳの焦点面は、その特定のｙグリッド線を露光中に、この焦点当てはめと一致することが理想的である。この焦点当てはめを、追加の高さプロファイルの領域に外挿することができる。
【０１２１】
[00133]  さらなる行動１０５では、プロセッサ８が、内部ターゲット部分Ｃ１の外側になるレベルセンサスポットＬＳＳの補正高さΔｈi（例えばｉ＝１、２、８、９）を割り出す。これは、外挿した高さプロファイルを焦点当てはめと比較することによって実行可能である。個々の値を引くと、縁部ターゲット部分Ｃ２の露光中に使用するためにメモリ１０に記憶できるレベルセンサスポットＬＳＳの補正高さ（例えばｉ＝１、２、８、９）になる。
【０１２２】
[00134]  しかし、ターゲット部分Ｃの内側およびＦＥＣ領域の外側に使用可能なレベルセンサスポットＬＳＳが十分にない縁部ターゲット部分Ｃ２、または縁部ターゲット部分Ｃ２の一部では、プロセッサ８は、縁部ターゲット部分Ｃ２の外側およびＦＥＣ領域の外側になる追加のレベルセンサスポットＬＣＣも使用するか、それを使用するだけで、最初にこれらの追加のレベルセンサスポットＬＳＳに個々の補正高さΔｈi（例えばｉ＝１、２、８、９）を適用することができる。
【０１２３】
Ｙ方向のフロー図
[00135]  例えば図４ｂおよび図５ｂに示すように（６および１２時のターゲット部分Ｃとも呼ばれる図示の実施形態によると）、レベルセンサＬＳのスキャン方向が基板Ｗの縁部に実質的に直角である縁部ターゲット部分Ｃにも、同様の方法が提供される。プロセッサ８が実行できる行動を図１０に示し、以下でさらに詳細に説明する。図１０では、各行動について、その特定の行動に使用されるレベルセンサスポットＬＳＳが示されている。この例によれば、９つ全部のレベルセンサスポットＬＳＳに１から９の番号が付けられ、番号１、２、８、９はターゲット部分ＣおよびＦＥＣ領域の外側にあり、番号３、４、５、６、７はターゲット部分Ｃの内側でＦＥＣ領域の外側にあると仮定される。これも図１０に示すように、レベルセンサの６つのｙグリッド線が図示され、番号ｊ＝１、２、３、４、５、６であり、ここでｊ＝１、２、３はターゲット部分Ｃの外側になり、ｊ＝４、５、６はターゲット部分Ｃの内側になる。
【０１２４】
[00136]  第一の行動２０１では、行動１０１と同様に、プロセッサ８は、内部ターゲット部分Ｃのレベルセンサ測定を実行するように構成される。全てのレベルセンサスポットＬＳＳに個々を使用することができるが、図９に示す状況に従うと、番号ｉ＝３、４、５、６、７のみが使用される（ｘ方向のターゲット部分の幅に対応する）。
【０１２５】
[00137]  次の行動２０２では、プロセッサ８は、ターゲット部分Ｃ内にあるレベルセンサスポット（ｊ＝４、５、６）の高さプロファイルを計算するように構成される。高さプロファイルは、少なくとも１つの内部ターゲット部分Ｃに基づいて計算することができ、ｘ、ｙの連続関数でよいか、ｘおよびｙの特定の値（つまり３つのｙグリッド線）について計数値を含んでよい。高さプロファイルは、様々なターゲット部分Ｃに関連する測定値を平均することによって計算することができる。
【０１２６】
[00138]  次の行動２０３では、プロセッサ８は、ターゲット部分Ｃの外側になるレベルセンサスポット（ｉ＝３，４、５、６、７およびｊ＝１、２、３）の追加の高さプロファイルを計算するように構成される。追加の高さプロファイルは、少なくとも１つの内部ターゲット部分Ｃに基づいて計算することができ、ｘ、ｙの連続関数でよいか、ｘおよびｙの特定の値（つまり３つのｙグリッド線）について計数値を含んでよい。追加の高さプロファイルは、様々なターゲット部分Ｃに関連する測定値を平均することによって計算することができる。
【０１２７】
[00139]  さらなる行動２０４では、高さプロファイルの線形焦点当てはめである第四レベルプロファイルＬＰ４を計算することができる。この第四レベルプロファイルＬＰ４では、ターゲット部分Ｃ内に入る３つのグリッド線のうち高さプロファイルのみを考慮する（ｊ＝４、５、６）。
【０１２８】
[00140]  次の行動２０５では、ターゲット部分Ｃの外側になる３つの他のｙグリッド線（ｊ＝１、２、３）の領域に、第四レベルプロファイルＬＰ４を外挿する。次の行動２０６では、外挿した第四レベルプロファイルＬＰ４を、ターゲット部分Ｃの外側になるこれら３つのグリッド線の追加の高さプロファイルの測定値と比較することにより、１組の補正高さΔｈになる補正高さを計算する。これらの補正高さΔｈはメモリ１０に記憶される。
【０１２９】
[00141]  図９および図１０に関して上述した例は、第一焦点当てはめが、スリットとターゲット部分Ｃが５０％重なる位置に基づいて割り当てられるという仮定に基づくものである。しかし、他のスリと位置および／または他のスリットサイズを使用してもよい。また、平面の形状ではなく放物形など、非線形スリット当てはめを使用してもよい。実際、あらゆる種類の当てはめを使用することができる。
【０１３０】
さらなる実施形態
[00142]  以上で提供した実施形態によれば、ターゲット部分Ｃの外側に位置する基板Ｗの少なくとも一部の少なくとも１つの領域に対応する高さデータについて補正済み高さデータを計算するために、予め決定された補正高さΔｈを使用する。しかし、さらなる実施形態によれば、ターゲット部分Ｃ内から得た高さデータの補正に、同様の補正方式を使用することができる。
【０１３１】
[00143]  図６と同様に、図１１ａおよび図１１ｂは、２つの隣接するターゲット部分、つまり内部ターゲット部分Ｃ１および縁部ターゲット部分Ｃ２の断面図を概略的に示している（縦の点線は内部ターゲット部分Ｃと縁部ターゲット部分Ｃ２の間の境界を示す）。断面図は、ｘ方向で得たものである（したがって見る方向はｙ方向、つまりレベルセンサＬＳの測定方向である）。縦線は、縁部ターゲット部分Ｃ２のＦＥＣ領域の縁部を示す。
【０１３２】
[00144]  図１１ａおよび図１１ｂは、
１）全体がターゲット部分Ｃ１内にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
内部ターゲット部分Ｃ１の５つのレベルセンサスポットＬＳＳを概略的に示している。
【０１３３】
[00145]  内部ターゲット部分Ｃ１では、特殊な補正方式を適用する必要がないことが理解される。ターゲット部分Ｃ１内に入るレベルセンサスポットＬＳＳによって生成された高さデータに基づいて、図１１ａおよび図１１ｂに図示されたレベリングプロファイルＬＰ１を計算することができる。
【０１３４】
[00146]  図１１ａおよび図１１ｂは、
１）全体がターゲット部分Ｃ２内にあり、
２）ＦＥＣ領域内に入らない
縁部ターゲット部分Ｃ２の２つのレベルセンサスポットＬＳＳも概略的に示している。
【０１３５】
[00147]  原則的に、図１１ａおよび図１１ｂに示すように、レベリングプロファイルＬＰ４を計算するには、２つのレベルセンサスポットＬＳＳで十分なこともある。しかし、内部ターゲット部分Ｃ１のレベリングプロファイルＬＰ１は、縁部ターゲット部分Ｃ２のレベリングプロファイルＬＰ４とは異なる。これは望ましくない状況である。なぜなら、リソグラフィ装置の使用者は、製品の一定および信頼できる品質を確保するために、全部のターゲット部分Ｃで同様の、または同一のレベリングの方を好むからである。これは、ターゲット部分Ｃ内に入るレベルセンサスポットＬＳＳの補正高さΔｈを計算し、それを使用して、縁部ターゲット部分Ｃ２で得られる高さデータを補正することによって達成することができる。
【０１３６】
[00148]  ターゲット部分Ｃ内のレベルセンサスポットＬＳＳの補正高さΔｈは、内部ターゲット部分Ｃ１のレベルプロファイルＬＰ１と、レベルセンサスポットＬＳＳによて測定された通りの個々の高さデータとの差を計算することによって得ることができる。これらの補正高さΔｈは、１つの内部ターゲット部分Ｃ１からの高さデータを使用して計算することができるが、高さプロファイルを使用して、複数の内部ターゲット部分Ｃ１からの情報を平均することによっても測定することができる。また、レベルプロファイルＬＰ１は、複数のターゲット部分Ｃから得た高さデータに基づいて平均したレベルプロファイルであることもある。
【０１３７】
[00149]  ターゲット部分Ｃ内のレベルセンサスポットＬＳＳの補正高さΔｈが、図１１ｂに概略的に図示されている。これらの補正高さΔｈは、縁部ターゲット部分Ｃ２の高さデータについて補正済み高さデータを計算するために使用され、それに基づいて、内部ターゲット部分Ｃ１のレベルプロファイルＬＰ１と同様のレベルプロファイルＬＰ５を計算することができる。しかし、レベルプロファイルＬＰ５は、内部ターゲット部分Ｃ１について得られたレベルプロファイルＬＰ１と必ずしも同一でないことが理解される。縁部ターゲット部分Ｃ２は、内部領域に対して縁部付近の基板Ｗの形状に生じ得る偏差を考慮していない。この情報は、レベルセンサスポットＬＳＳによって得られるような高さデータによって考慮される。
【０１３８】
[00150]  補正高さΔｈを、ターゲット部分内からの高さデータに適用するこの実施形態は、上述した実施形態と組み合わせても使用できることが理解される。例えば、縁部ターゲット部分Ｃ２でレベリングを実行するために、ターゲット部分Ｃ２の外側からの高さデータを使用し、補正高さΔｈを使用して補正することができ、ターゲット部分Ｃ２内からの高さデータを使用し、補正高さΔｈを使用して補正することができる。
【０１３９】
[00151]  この実施形態は、（図４ａおよび図５ａに関して上述した）３および９時の位置にあるフィールド、およびｙ方向、通常は（図４ｂおよび図５ｂに関して上述した）６および１２時の位置にあるフィールドで使用できることも理解される。しかし、この実施形態は、基板Ｗの縁部の全周にある全種類のターゲット部分（Ｃ）で実行することができ、３／６／９／１２時の位置に制限されないことが理解される。
【０１４０】
[00152]  さらに、図８および図１０に関して上述したフロー図は、様々な行動でｉおよびｊの適切な値を変更することによって、容易に適応できることが理解される。
【０１４１】
[00153]  言うまでもなく、レベルセンサスポットＬＳＳのレイアウトは、図で示すレイアウトと異なってよいことが理解される。さらに、レベルセンサスポットＬＳＳのレイアウトとは関係なく、レベルセンサスポットＬＳＳを相互に対して任意の方向および構成で、ターゲット部分Ｃの内側および外側に位置合わせすることができる。したがって、レベルセンサスポットＬＳＳは任意の方向にあってよい。また、レベルセンサスポットは、必ずしも相互に対して直線に位置合わせされない。
【０１４２】
さらなる所見
[00154]  以上の実施形態の説明によれば、ターゲット部分Ｃ内またはその外側からのレベルセンサスポットＬＳＳによって測定されたままの高さデータを補正するために、補正高さが使用される。単一のターゲット部分Ｃについては、異なる戦略を使用することができる。例えば、ターゲット部分Ｃの第一部分では、補正高さΔｈを使用しなくてよく、ターゲット部分Ｃの第二部分では、ターゲット部分Ｃの外側からの高さデータを使用し、補正高さΔｈを使用して補正することができる。代替方法によれば、ターゲット部分Ｃの第一部分では、ターゲット部分Ｃ内からの高さデータに、補正高さΔｈを使用することができ、ターゲット部分Ｃの第二部分では、ターゲット部分Ｃの外側および内側からの高さデータを使用し、補正高さΔｈを使用して補正することができる。実際、多くの変形を想定することができる。ターゲット部分Ｃの第一部分については、以下の可能性を挙げることができる。
１．補正なし
２．ターゲット部分の内側の補正高さΔｈを使用した補正
３．ターゲット部分の外側の補正高さΔｈを使用した補正
４．ターゲット部分の内側および外側の補正高さΔｈを使用した補正
【０１４３】
[00155]  ターゲット部分Ｃの第二部分については、同じ可能性を挙げることができる。
１．補正なし
２．ターゲット部分の内側の補正高さΔｈを使用した補正
３．ターゲット部分の外側の補正高さΔｈを使用した補正
４．ターゲット部分の内側および外側の補正高さΔｈを使用した補正
【０１４４】
[00156]  また、ターゲット部分Ｃを３つ以上の部分に分割してもよい。第三、第四などの部分について、同じ選択肢を挙げることができる。実際、レベルセンサＬＳの異なるグリッド線には、異なる選択肢を使用することができる。あらゆる種類の組合せが可能である。
【０１４５】
[00157]  図１２ａおよび図１２ｂは、上述した実施形態の実施例を概略的に示している。図１２ａに示すように、１２時と３時の位置の間の位置にある縁部ターゲット部分Ｃ３が図示されている。斜線の各ドットは、有効なレベルセンサ測定値に対応し、空のドットは無効なレベルセンサ測定値を示す。
【０１４６】
[00158]  図１２ａは、ターゲット部分Ｃ３の第一部分（水平線の下）では、ｙグリッド線毎に２つの有効レベルセンサ測定値が使用可能であり、したがってレベリングに局所情報を使用できることを示す。ターゲット部分Ｃ３の第二部分（水平線の上）では、ｙグリッド線毎に１つの有効レベルセンサ測定値しか使用可能でない。
【０１４７】
[00159]  したがって、以上の実施形態で説明した様々な戦略は、必ずしもターゲット部分に全体としては使用できないことがあり、ターゲット部分Ｃの異なる部分では異なる戦略を使用できることが理解される。
【０１４８】
[00160]  図１２ｂは、ターゲット部分Ｃ３の第一部分では、ターゲット部分Ｃ３内から得た高さデータを使用して、場合によっては図１１ａおよび図１１ｂに関して上述した実施形態で述べたような補正高さΔｈを適用して、レベリングが実行されることを概略的に示す図１２ａと同じターゲット部分を示している。ターゲット部分Ｃ３の第二部分では、追加のレベルセンサスポットＡＬＬＳで概略的に示すように、ターゲット部分Ｃ３の外側からの高さデータを使用し、補正高さΔｈを適用して、レベリングを実行する。
【０１４９】
[00161]  最善の戦略または戦略の組合せは、ケースバイケースで、つまりターゲット部分Ｃ毎に決定することができ、使用可能な高さデータおよび補正高さを評価し、使用可能な情報の最善の使用方法を決定することができる。
【０１５０】
[00162]  追加のレベルセンサスポットＬＳＳの行または列全体を「スイッチオン」する必要はないことが理解される。追加のレベルセンサスポットＬＳＳをスイッチオンするかは、個々のグリッド線毎に決定することができる。グリッド線毎の必要数は、有効レベルセンサスポットＬＳＳの数に基づき、例えば特定のグリッド線に使用可能な有効レベルセンサスポットＬＳＳが１またはゼロの場合、追加のレベルセンサスポットＬＳＳを、場合によっては補正高さΔｈの使用と組み合わせてスイッチオンすることができる。
【０１５１】
[00163]  補正高さΔｈを、縁部ターゲット部分Ｃのレベリングに使用することができる。縁部ターゲット部分Ｃでは、ターゲット部分Ｃの内側に十分な有効レベルセンサスポットＬＳＳが存在しないことがあり、したがってターゲット部分の外側のレベルセンサスポットＬＳＳを使用する。これらのレベルセンサスポットＬＳＳは基本的誤差を有するが、これらの誤差は（幾つかの）内部ターゲット部分Ｃについて以前に割り出してあるので、補正高さΔｈによって補償することができる。言うまでもなく、この技術は、内部ターゲット部分（つまり基板Ｗの縁部ではないターゲット部分）にも使用することができる。
【０１５２】
[00164]  本明細書で述べた実施形態では、「露光する場所を測定する」技術に固執する必要はない。実施形態によれば、ここで露光を実行しない領域でもレベリング測定を実行する。補正方式のせいで、高さおよび傾斜の急変はどこにも発生しない。
【０１５３】
[00165]  上述した実施形態を、以上で説明したような「マルチステージ」機械でも非常に良好に使用できることが理解される。このようなマルチステージ機械では、第一位置で実行した測定に基づいて、補正高さΔｈを計算することができる。
【０１５４】
[00166]  実際、実施形態によれば、レベリング測定中に、同数のレベリング測定値（つまり全部のレベルセンサスポットＬＳＳ）が得られ、以降のレベリング作業中に使用するために記憶される。
【０１５５】
[00167]  記載された実施形態は、単一ステージおよびマルチステージ装置、透過性および反射性（例えばＥＵＶ放射を使用する）リソグラフィ装置を含むあらゆる種類のリソグラフィ装置で使用することができる。
【０１５６】
[00168]  記載の実施形態の結果、リソグラフィ装置のスループットを向上させ、不良製品の数を減少させることができる。
【０１５７】
[00169]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツールおよび／またはインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１５８】
[00170]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【０１５９】
[00171]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【０１６０】
[00172]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、またはその組合せを指す。
【０１６１】
[00173]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態を採ることができる。
【０１６２】
[00174]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図面の簡単な説明】
【０１６３】
【図１】[0026]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示した図である。
【図２】[0027]  レベルセンサを備えるリソグラフィ装置の部分を概略的に示した図である。
【図３ａ】[0028]  図３ａは、幾つかのレベルセンサのスポットと組み合わせた基板のターゲット部分を概略的に示した図である。
【図３ｂ】[0028]  図３ｂは、幾つかのレベルセンサのスポットと組み合わせた基板のターゲット部分を概略的に示した図である。
【図４ａ】[0029]  図４ａは、幾つかのレベルセンサのスポットと組み合わせた基板の縁部ターゲット部分を概略的に示した図である。
【図４ｂ】[0029]  図４ｂは、幾つかのレベルセンサのスポットと組み合わせた基板の縁部ターゲット部分を概略的に示した図である。
【図５ａ】[0030]  図５ａは、実施形態による幾つかのレベルセンサのスポットと組み合わせた基板の縁部ターゲット部分を概略的に示した図である。
【図５ｂ】[0030]  図５ｂは、実施形態による幾つかのレベルセンサのスポットと組み合わせた基板の縁部ターゲット部分を概略的に示した図である。
【図６】[0031]  基板の概略的な断面図である。
【図７】[0032]  実施形態による基板の概略的な断面図である。
【図８】[0033]  実施形態による概略的なフロー図である。
【図９】[0034]  実施形態による基板の縁部ターゲット部分を概略的に示した図である。
【図１０】[0035]  実施形態による概略的なフロー図である。
【図１１ａ】[0036]  図１１ａは、さらなる実施形態を概略的に示した図である。
【図１１ｂ】[0036]  図１１ｂは、さらなる実施形態を概略的に示した図である。
【図１２ａ】[0037]  図１２ａは、さらなる実施形態を概略的に示した図である。
【図１２ｂ】[0037]  図１２ｂは、さらなる実施形態を概略的に示した図である。
【図１】
2008160110.tif 000003
【図２】
2008160110.tif 000004
【図３ａ】
2008160110.tif 000005
【図３ｂ】
2008160110.tif 000006
【図４ａ】
2008160110.tif 000007
【図４ｂ】
2008160110.tif 000008
【図５ａ】
2008160110.tif 000009
【図５ｂ】
2008160110.tif 000010
【図６】
2008160110.tif 000011
【図７】
2008160110.tif 000012
【図８】
2008160110.tif 000013
【図９】
2008160110.tif 000014
【図１０】
2008160110.tif 000015
【図１１ａ】
2008160110.tif 000016
【図１１ｂ】
2008160110.tif 000017
【図１２ａ】
2008160110.tif 000018
【図１２ｂ】
2008160110.tif 000019
【外国語明細書】
2008160110000001.pdf