(57)【要約】【課題】短波長レーザー光照射による情報記録における記録特性および耐光性に優れる光情報記録媒体、および前記光情報記録媒体の記録層用色素として好適な新規化合物を提供すること。【解決手段】基板上に記録層を有する光情報記録媒体。前記記録層は、下記一般式（１）で表される金属錯体化合物を含有する。一般式（１）中、Q1およびQ2は、各々独立に、1,3-チアゾール、1,3,4-チアジアゾールおよび1,3,4-トリアゾールを除く５員単環ヘテロ環を形成する原子群を表し、Mは金属イオンもしくは金属酸化物イオンを表し、Rは置換基を表し、nは0〜4の範囲の整数を表す。nが2以上の整数であるとき、複数存在するRは互いに同じであっても異なっていてもよい。2008188867.tif 000030【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に記録層を有する光情報記録媒体であって、前記記録層は、下記一般式（１）で表される金属錯体化合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
【化１】
2008188867.tif 000025
[一般式（１）中、Q1およびQ2は、各々独立に、1,3-チアゾール、1,3,4-チアジアゾールおよび1,3,4-トリアゾールを除く５員単環ヘテロ環を形成する原子群を表し、Mは金属イオンもしくは金属酸化物イオンを表し、Rは置換基を表し、nは0〜4の範囲の整数を表す。nが2以上の整数であるとき、複数存在するRは互いに同じであっても異なっていてもよい。]
【請求項２】
一般式（１）で表される金属錯体化合物は、下記一般式（２）で表される金属錯体化合物である請求項１に記載の光情報記録媒体。
【化２】
2008188867.tif 000026
[一般式（２）中、Q3およびQ4は、各々独立に、下記部分構造（A-1）または(A-2)で表される環を形成する原子群を表し、R、Mおよびnは、それぞれ一般式（１）における定義と同義である。]
【化３】
2008188867.tif 000027
[上記式中、＊は結合するN原子との結合位置を表し、R1およびR2は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。]
【請求項３】
前記Mは鉄イオンである請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
前記基板上に、光反射層、前記記録層、バリア層、接着層または粘着層、およびカバー層をこの順に有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
前記基板は、少なくとも一方の面にトラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有し、前記記録層を、前記プリグルーブが形成された面上に有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
前記記録層は、波長４４０ｎｍ以下のレーザー光により情報の記録が可能な層である請求項１〜５のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
基板上に記録層を有する光情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、
前記光情報記録媒体は、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体であり、
前記情報を、前記光情報記録媒体に対してレーザー光を照射することにより、該記録層に記録する情報記録方法。
【請求項８】
前記レーザー光の波長は４４０ｎｍ以下である請求項７に記載の情報記録方法。
【請求項９】
下記一般式（３）で表される金属錯体化合物。
【化４】
2008188867.tif 000028
[一般式（３）中、Q3およびQ4は、各々独立に、下記部分構造（A-1）で表される環を形成する原子群を表し、R、Mおよびnは、それぞれ一般式（１）における定義と同義である。]
【化５】
2008188867.tif 000029
[上記式中、＊は結合するN原子との結合位置を表し、R1およびR2は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。]
【請求項１０】
請求項９に記載の金属錯体化合物を、色素含有記録層を有する光情報記録媒体において、前記記録層用色素として使用する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光照射による情報記録が可能な光情報記録媒体およびレーザー光照射により光情報記録媒体へ情報を記録する方法に関する。より詳しくは、本発明は、波長４４０ｎｍ以下の短波長レーザー光照射による情報記録に好適なヒートモード型の光情報記録媒体に関する。更に、本発明は、光情報記録媒体の記録層用色素として好適な金属錯体化合物およびその使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザー光により１回限りの情報記録が可能な光情報記録媒体として、追記型ＣＤ（ＣＤ−Ｒ）および追記型ＤＶＤ（ＤＶＤ−Ｒ）が知られている。ＣＤ−Ｒへの情報の記録は、近赤外域のレーザー光（通常、波長７８０ｎｍ程度）により行われるのに対し、ＤＶＤ−Ｒへの情報の記録は可視レーザー光（約６３０〜６８０ｎｍ）によって行われる。ＤＶＤ−Ｒは、記録用レーザー光としてＣＤ−Ｒより短波長のレーザー光を使用するため、ＣＤ−Ｒと比べて高密度記録可能であるという利点を有する。そのため、近年、ＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体としての地位をある程度まで確保している。
【０００３】
最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映を間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の要求が高まっている。しかし、ＣＤ−ＲおよびＤＶＤ−Ｒは、将来の要求に対応できる程の充分に大きな記録容量を有しているとはいえない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりも更に短波長のレーザー光を用いることによって記録密度を向上させるため、短波長レーザー（例えば波長４４０ｎｍ以下）による記録が可能な大容量光ディスクの開発が進められている。そのような光ディスクとして、例えば４０５ｎｍの青色レーザーを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称される光記録ディスクが提案されている。
【０００４】
特許文献１および２には、前記Ｂｌｕ−ｒａｙ方式の光記録ディスクのように短波長レーザー光を照射することにより情報を記録するための光情報記録媒体が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−２４６１４１号公報
【特許文献２】ＷＯ２００５−０６８４５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光情報記録において良好な記録特性を得るためには、記録用レーザー光の波長付近に吸収を有する色素を記録層用色素として使用することが好ましい。本発明者らの検討の結果、特許文献１および２に記載の光情報記録媒体において記録層に使用される色素は、短波長領域に吸収を有するものの、必ずしも十分な記録特性を得ることができないことが判明した。更に、本発明者らの検討の結果、上記色素は耐光性が不十分であるため、この色素を含む記録層は耐光保存性に劣ることも判明した。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、短波長レーザー光照射による情報記録における記録特性および耐光性に優れる光情報記録媒体、および前記光情報記録媒体の記録層用色素として好適な新規化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らが上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、特許文献１および２に記載の光情報記録媒体の記録特性が低い理由は、記録層用色素の熱分解性が低い（熱分解温度が高い）ことに起因することが判明した。そこで、本発明者らは上記知見に基づき更に検討を重ね、優れた熱分解性と耐光性を兼ね備えた所定の金属錯体化合物を記録層用色素として使用することにより、短波長レーザー光照射による記録において優れた記録特性を示すとともに、優れた耐光性を有する光情報記録媒体が得られること、および優れた耐光性と熱分解性を兼ね備えた新規金属錯体化合物を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち、上記目的を達成する手段は、以下の通りである。
[１]基板上に記録層を有する光情報記録媒体であって、前記記録層は、下記一般式（１）で表される金属錯体化合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
【化１】
2008188867.tif 000002
一般式（１）中、Q1およびQ2は、各々独立に、1,3-チアゾール、1,3,4-チアジアゾールおよび1,3,4-トリアゾールを除く５員単環ヘテロ環を形成する原子群を表し、Mは金属イオンもしくは金属酸化物イオンまたはそれらの塩を表し、Rは置換基を表し、nは0〜4の範囲の整数を表す。nが2以上の整数であるとき、複数存在するRは互いに同じであっても異なっていてもよい。]
[２]一般式（１）で表される金属錯体化合物は、下記一般式（２）で表される金属錯体化合物である[１]に記載の光情報記録媒体。
【化２】
2008188867.tif 000003
[一般式（２）中、Q3およびQ4は、各々独立に、下記部分構造（A-1）または(A-2)で表される環を形成する原子群を表し、R、Mおよびnは、それぞれ一般式（１）における定義と同義である。]
【化３】
2008188867.tif 000004
[上記式中、＊は結合するN原子との結合位置を表し、R1およびR2は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。]
[３]前記Mは鉄イオンである[１]または[２]に記載の光情報記録媒体。
[４]前記基板上に、光反射層、前記記録層、バリア層、接着層または粘着層、およびカバー層をこの順に有する[１]〜[３]のいずれかに記載の光情報記録媒体。
[５]前記基板は、少なくとも一方の面にトラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有し、前記記録層を、前記プリグルーブが形成された面上に有する[１]〜[４]のいずれかに記載の光情報記録媒体。
[６]前記記録層は、波長４４０ｎｍ以下のレーザー光により情報の記録が可能な層である[１]〜[５]のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［７］基板上に記録層を有する光情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、
前記光情報記録媒体は、［１］〜［６］のいずれかに記載の光情報記録媒体であり、
前記情報を、前記光情報記録媒体に対してレーザー光を照射することにより、該記録層に記録する情報記録方法。
［８］前記レーザー光の波長は４４０ｎｍ以下である［７］に記載の情報記録方法。
[９]下記一般式（３）で表される金属錯体化合物。
【化４】
2008188867.tif 000005
[一般式（３）中、Q3およびQ4は、各々独立に、下記部分構造（A-1）で表される環を形成する原子群を表し、R、Mおよびnは、それぞれ一般式（１）における定義と同義である。]
【化５】
2008188867.tif 000006
[上記式中、＊は結合するN原子との結合位置を表し、R1およびR2は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。]
[１０][９]に記載の金属錯体化合物を、色素含有記録層を有する光情報記録媒体において、前記記録層用色素として使用する方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、優れた記録特性を有し、更に記録後においても高い耐光性を有する光情報記録媒体（特に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な光情報記録媒体）を提供することができる。
更に、本発明によれば、優れた記録特性および耐光性を有する光情報記録媒体を提供し得る新規金属錯体化合物を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明について更に詳細に説明する。
【００１１】
本発明は、基板上に記録層を有する光情報記録媒体に関する。本発明の光情報記録媒体は、記録層に下記一般式（１）で表される金属錯体化合物を含有する。
【００１２】
【化６】
2008188867.tif 000007
【００１３】
以下に、一般式（１）について説明する。
一般式（１）中、Q1およびQ2は、各々独立に、1,3-チアゾール、1,3,4-チアジアゾールおよび1,3,4-トリアゾールを除く５員単環ヘテロ環を形成する原子群を表す。1,3-チアゾール、1,3,4-チアジアゾールおよび1,3,4-トリアゾールを除く５員単環ヘテロ環としては、特に限定されないが、後述する部分構造（A-1）〜（A-４）で表される５員単環ヘテロ環、ピラゾール、イミダゾールなどが挙げられる。Q1が形成する５員単環へテロ環とQ2が形成する５員単環へテロ環は同じであっても異なっていてもよい。
【００１４】
前記５員単環ヘテロ環としては、部分構造（A-1）または（A-2）で表される５員単環ヘテロ環が好ましく、部分構造（A-1）で表される５員単環ヘテロ環がより好ましい。
【００１５】
Rは置換基を表す。置換基としては特に限定されないが、例えば、ハロゲン（例えばF、Cl、Br、I）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ピリジル基、チアゾール基、オキサゾール基、トリアゾール基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基などが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基、トリフルオロメチルカルボニル基などが挙げられる。）、アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基などが挙げられる。）、アリールスルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばフェニルスルホニル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アミノカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばN,N-ジメチルアミノカルボニル基、N,N-ジエチルカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アルコキシスルホニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基などが挙げられる。）、アミノスルホニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばN,N-ジメチルアミノスルホニル基、N,Nスルホニル基などが挙げられる。）、芳香族ではないヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。具体的には、例えば、ピペリジル基、モルホリノ基などが挙げられる。）、シアノ基、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００１６】
Rは、ハロゲン、アルキル基、アリール基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノスルホニル基、アミノ基であることが好ましく、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノスルホニル基、アミノ基であることがより好ましく、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アミノ基であることがさらに好ましく、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基であることが特に好ましい。
【００１７】
nは0〜4の範囲の整数を表し、0〜3の範囲の整数であることが好ましく、0〜2の範囲の整数であることがより好ましく、1または2であることが更に好ましい。nが2以上の整数であるとき、複数存在するRは互いに同じであっても異なっていてもよい。溶解性、膜安定性（結晶化のしにくさ）などの観点からは、nが1であることが特に好ましい。
【００１８】
Mは、金属イオンもしくは金属酸化物イオンを表す。金属イオンとしては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｈ等の金属のイオンが挙げられ、中でも、遷移金属イオンが好ましい。遷移金属とは、不完全ｄ電子殻を持つ元素であり、周期表のIIIa族〜VIII族の元素およびＩｂ族の元素が含まれる。遷移金属イオンとしては、特に限定されるものではないが、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎのイオンが好ましく、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎのイオンがより好ましく、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｕのイオンがさらに好ましく、Ｆｅのイオンが特に好ましい。
【００１９】
金属イオンとしては、２価または３価の金属イオンが好ましく、２価の金属イオンがより好ましい。２価または３価の金属イオンとしては、例えば、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｆｅ3+、Ｃｏ2+、Ｃｏ3+、Ｎｉ2+、Ｎｉ3+、Ｃｕ2+、Ｚｎ2+、Ｃｒ3+、Ｒｕ2+、Ｒｈ3+、Ｐｄ2+、Ｉｒ3+、Ｐｔ2+、Ｒｅ+等が挙げられ、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｆｅ3+、Ｃｏ2+、Ｃｏ3+、Ｎｉ2+、Ｎｉ3+、Ｃｕ2+、Ｚｎ2+が好ましく、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｃｏ2+、Ｃｏ3+、Ｎｉ2+、Ｃｕ2+、Ｚｎ2+がより好ましく、Ｆｅ2+、Ｆｅ3+、Ｃｏ2+、Ｃｏ3+、Ｎｉ2+、Ｎｉ3+、Ｍｎ2+がさらに好ましい。環境有害性や人体への影響の観点から、特に、Ｆｅ2+、Ｆｅ3+が好ましい。金属イオンの価数が３＋の場合、配位子によって電荷が中和されないため、対アニオンが存在する。対アニオンは、特に限定されない。
【００２０】
一般式（１）で表される金属錯体化合物は、好ましくは下記一般式（２）で表される金属錯体化合物である。
【００２１】
【化７】
2008188867.tif 000008
【００２２】
以下に、一般式（２）について説明する。
一般式（２）中、Q3およびQ4は、各々独立に、下記部分構造（A-1）または（A-2）で表される環を形成する原子群を表す。
【００２３】
【化８】
2008188867.tif 000009
【００２４】
上記式中、＊は、上記環が結合するN原子との結合位置を表す。Q3およびQ4が形成する５員単環へテロ環は、部分構造（A-1）で表される５員単環ヘテロ環であることが好ましい。
【００２５】
R1およびR2は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。R1は水素原子であることが好ましく、R2は置換基であることが好ましい。置換基としては一般式（１）中のRで挙げられた置換基が挙げられる。
【００２６】
R2は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アミノ基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルキルチオ基であることがさらに好ましく、アルキル基であることがより一層好ましい。アルキル基の中でも特に３級アルキル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
【００２７】
一般式（２）中、R、Mおよびnは、それぞれ一般式（１）における定義と同義であり、具体例および好ましい例も同様である。
【００２８】
一般式（１）および一般式（２）中、MとN原子を結ぶ点線は配位結合を表すが、仮に分子全体としてこの配位結合数が１つまたは２つ欠け、その結果配位結合数が２つまたは３つの状態であったとしても、一般式（１）および一般式（２）で表される化合物に含まれるものとする。
【００２９】
以下に、一般式（１）および一般式（２）で表される金属錯体化合物の具体例を示す。但し、本発明は下記具体例に限定されるものではない。
【００３０】
【化９】
2008188867.tif 000010
【００３１】
【化１０】
2008188867.tif 000011
【００３２】
【化１１】
2008188867.tif 000012
【００３３】
一般式（１）で表される金属錯体化合物および一般式（２）で表される金属錯体化合物の配位子の一般的合成法としては、J.Org.Chem.,Vol.42, No.11,(1977)およびＷＯ２００５−０６８４５９号公報に記載の方法が挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。得られた配位子と金属化合物を反応させて金属錯体化合物を得る方法としては、特開平１１−１３０９７０号公報、特開平１１−３１０７２８号公報、および特開２００１−１５８８６２号公報に記載の金属アゾキレート色素の合成法と同様の方法等が挙げられる。ただし、これに限定されるものではなく、他の金属塩を用いてもよく、他の反応溶媒を用いても良い。また、目的の金属錯体化合物が合成されたことは、ＮＭＲ、質量分析法等の公知の方法で確認することができる。
【００３４】
以下に、一般式（２）で表される化合物の合成方法の一例を示す。但し、一般式（２）で表される金属錯体化合物の合成方法は、以下に示す方法に限定されるものではない。
【００３５】
【化１２】
2008188867.tif 000013
【００３６】
一般式（１）で表される金属錯体化合物は、優れた熱分解性を示すことができ、これにより良好な記録特性を有する光情報記録媒体を提供することができる。熱分解性の指標としては、熱分解温度を用いることができる。一般式（１）で表される金属錯体化合物は、例えば２００〜４００℃の熱分解温度を有し得る。更に、一般式（２）で表される金属錯体化合物は、好ましくは２３０〜３７０℃、より好ましくは２５０〜３５０℃の熱分解温度を有することができる。なお、本発明における熱分解温度は、ＴＧ／ＤＴＡ測定によって求められる値をいうものとする。具体的には、例えばSeiko Instruments Inc.製EXSTAR6000を用い、N2気流下(流量200ml/min)、30℃〜550℃の範囲において10℃/minで昇温を行い、質量減少率が10％に達した時点の温度として熱分解温度を求めることができる。
【００３７】
本発明の光情報記録媒体は、一般式（１）で表される金属錯体化合物を含む記録層を基板上に有するものである。前記記録層は、一般式（１）で表される色素を１種含むこともでき、２種以上含むこともできる。前記記録層中の一般式（１）で表される金属錯体化合物の含有率は、記録層の全質量に対して、例えば１〜１００質量％の範囲であり、好ましくは７０〜１００質量％の範囲であり、より好ましくは８０〜１００質量％の範囲であり、最も好ましくは９０〜１００質量％の範囲である。
【００３８】
本発明の光情報記録媒体は、一般式（１）で表される金属錯体化合物を含む記録層を基板上に少なくとも一層有するものであればよく、前記記録層を二層以上有することもできる。または、一般式（１）で表される金属錯体化合物を含む記録層以外の記録層を有することも可能である。一般式（１）で表される金属錯体化合物を含む記録層において、記録用色素として他の色素を併用する場合、全色素成分に対する一般式（１）で表される金属錯体化合物の割合が、７０〜１００質量％であることが好ましく、８０〜１００質量％であることが更に好ましい。
【００３９】
本発明において、色素成分として、一般式（１）で表される金属錯体化合物以外の色素を使用する場合、該色素としては、例えば波長４４０ｎｍ以下の短波長領域において吸収を有するものが好ましい。そのような色素としては、特に限定されないが、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、フタロシアニン色素、オキソノール色素、シアニン色素等が挙げられる。
【００４０】
本発明の光情報記録媒体において、一般式（１）で表される金属錯体化合物を含む記録層は、レーザー光の照射により情報の記録が可能な層である。ここで、レーザー光の照射により情報の記録が可能とは、記録層のレーザー光が照射された部分がその光学的特性を変えることをいう。光学的特性の変化は、記録層のレーザー光が照射された部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えば、ピットの生成）を生じすることによってもたらされると考えられる。記録層に記録された情報の読み取り（再生）は、例えば記録用のレーザー光と同様の波長のレーザー光を照射することにより、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率等の光学的特性の違いを検出することにより行うことができる。一般式（１）で表される金属錯体化合物は、例えば４４０ｎｍ以下のレーザー光に対して吸収性を有するものである。このように短波長領域に吸収性を有する金属錯体化合物を含む記録層を有する本発明の光情報記録媒体は、４０５ｎｍの青色レーザーを用いるＢｌｕ−ｒａｙ方式の光ディスクなどの短波長レーザーによる記録が可能な大容量光ディスクとして好適である。本発明の光情報記録媒体への情報の記録方法については後述する。
【００４１】
本発明の光情報記録媒体は、少なくとも一般式（１）で表される金属錯体化合物を含む記録層を基板上に有するものであり、更に、前記記録層に加えて光反射層、保護層などを有することもできる。
【００４２】
本発明に用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。
具体的には、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。
前記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。これらの樹脂を用いた場合、射出成型を用いて基板を作製することができる。
また、基板の厚さは、一般に０．７〜２ｍｍの範囲であり、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍとすることがより好ましい。
なお、後述する光反射層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することもできる。
【００４３】
前記基板の記録層が形成される面には、通常、トラッキング用の案内溝またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸（プリグルーブ）が形成されている。本発明の光情報記録媒体は、より高い記録密度を達成するためにＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより狭いトラックピッチを形成した基板を用いることが好ましい。トラックピッチの好ましい範囲等の詳細は後述する。
【００４４】
本発明の光情報記録媒体の好ましい態様としては、下記態様（１）および（２）を挙げることができる。
【００４５】
態様（１）：厚さ０．７〜２ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層とを基板側から順に有する光情報記録媒体
態様（２）：厚さ０．１〜１．０ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．１〜１．０ｍｍの保護基板とを基板側から順に有する光情報記録媒体
【００４６】
態様（１）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが５０〜５００ｎｍ、溝幅が２５〜２５０ｎｍ、溝深さが５〜１５０ｎｍであることが好ましく、態様（２）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが２００〜６００ｎｍ、溝幅が５０〜３００ｎｍ、溝深さが３０〜１５０ｎｍであり、ウォブル振幅が５〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００４７】
［態様（１）の光情報記録媒体］
態様（１）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、カバー層とを有する態様である。態様（１）の光情報記録媒体の具体例を、図１に示す。図１に示す第１光情報記録媒体１０Ａは、第１基板１２上に、第１光反射層１８と、第１追記型記録層１４と、バリア層２０と、第１接着層または第１粘着層２２と、カバー層１６とをこの順に有する。
以下に、これらを構成する材料について順次説明する。
【００４８】
基板
態様（１）の基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、およびウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ（案内溝）が形成されている。このプリグルーブは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザーに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【００４９】
プリグルーブのトラックピッチは、５０〜５００ｎｍの範囲であり、上限値は４２０ｎｍ以下であることが好ましく、３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、３３０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上であることが更に好ましい。トラックピッチが５０ｎｍ以上であれば、プリグルーブを正確に形成することができる上に、クロストークの発生を回避することができ、５００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。
【００５０】
プリグルーブの溝幅（半値幅）は、２５〜２５０ｎｍの範囲であり、上限値は２４０ｎｍ以下であることが好ましく、２３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝幅が２５ｎｍ以上であれば、成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時のエラーレート上昇を抑制することができ、２５０ｎｍ以下であれば、同じく成型時に溝を十分に転写することができ、更に記録時に形成されるピットの広がりによりクロストークが発生することを回避することができる。
【００５１】
プリグルーブの溝深さは、５〜１５０ｎｍの範囲であり、上限値は８５ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以下であることがより好ましく、７５ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２８ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝深さが５ｎｍ以上であれば十分な記録変調度を得ることができ、１５０ｎｍ以下であれば、高い反射率を得ることができる。
【００５２】
また、プリグルーブの溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７５°以下であることがより好ましく、７０°以下であることが更に好ましく、６５°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることが更に好ましい。
プリグルーブの溝傾斜角度が２０°以上であれば、十分なトラッキングエラー信号振幅を得ることができ、８０°以下であれば成型性が良好である。
【００５３】
追記型記録層
態様（１）の追記型記録層は、色素を、結合剤等と共にまたは結合剤を用いないで適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を基板上または後述する光反射層上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成することができる。ここで、追記型記録層は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行なわれることになる。
塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。
【００５４】
塗布液の調製に用いる溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。
溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、結合剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００５５】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。
塗布の際、塗布液の温度は２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２４〜４０℃の範囲であることがより好ましく、中でも、２３〜５０℃の範囲であることが特に好ましい。
【００５６】
追記型記録層の厚さは、ランド（前記基板において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが更に好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることが更に好ましく、７ｎｍ以上であることが特に好ましい。
また、追記型記録層の厚さは、グルーブ上（前記基板において凹部）で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。下限値としては、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２５ｎｍ以上であることが更に好ましい。
更に、ランド上の追記型記録層の厚さ／グルーブ上の追記型記録層の厚さの比は、０．１以上であることが好ましく、０．１３以上であることがより好ましく、０．１５以上であることが更に好ましく、０．１７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることが更に好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。
【００５７】
また、追記型記録層には、追記型記録層の耐光性をさらに向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。
【００５８】
カバー層
態様（１）のカバー層は、通常、上述した追記型記録層上に、または図１に示すようにバリア層上に、接着剤や粘着材を介して貼り合わされる。
カバー層としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネートまたは三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
なお、「透明」とは、記録および再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。
【００５９】
また、カバー層は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤および／または５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。
更に、カバー層の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータおよび３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、記録および再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００６０】
カバー層の厚さは、記録および再生のために照射されるレーザー光の波長やＮＡにより、適宜、規定することができるが、本発明においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。
また、カバー層と、接着剤または粘着剤からなる層と、を合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。
なお、カバー層の光入射面には、光情報記録媒体の製造時に、光入射面が傷つくことを防止するための保護層（図１に示す態様ではハードコート層４４）が設けられていてもよい。
【００６１】
カバー層と追記型記録層またはバリア層を貼り合わせるために、両層の間に接着層または粘着層を設けることができる。
接着層に使用される接着剤としては、ＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特にＵＶ硬化樹脂を使用することが好ましい。
接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、またはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体の反りを防止するため、接着層を構成するＵＶ硬化樹脂としては硬化収縮率の小さいものを使用することが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。
【００６２】
接着層の形成方法は特に限定されないが、バリア層または追記型記録層の表面（被貼り合わせ面）上に、接着剤を所定量塗布し、その上にカバー層を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。
接着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【００６３】
粘着層に使用される粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができる。透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となり得るアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどとを共重合したものを用いることが好ましい。主成分、短鎖成分および架橋点を付加するための成分との混合比率およびそれら成分の種類を、適宜調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。
【００６４】
粘着層の形成方法は特に限定されないが、バリア層または追記型記録層の表面（被貼り合わせ面）上に、粘着剤を所定量均一に塗布し、その上にカバー層を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層の片面に、所定量の粘着剤をを均一に塗布して粘着剤塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
また、カバー層に、予め、粘着層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。
粘着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
またカバー層は、ＵＶ硬化樹脂を利用してスピンコーティング法により形成してもよい。
【００６５】
その他の層
態様（１）の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層としては、例えば、基板の裏面（追記型記録層が形成された側と逆側の非形成面側）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板と追記型記録層との間に設けられる光反射層（詳細は後述する）、追記型記録層とカバー層との間に設けられるバリア層（詳細は後述する）、該光反射層と追記型記録層との間に設けられる界面層などが挙げられる。ここで、前記レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、および熱乾燥樹脂などを用いて形成することができる。
なお、上記した必須及び任意の層はいずれも、単層でも、多層構造でもよい。
【００６６】
態様（１）の光情報記録媒体では、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板と追記型記録層との間に、光反射層を形成することが好ましい。
【００６７】
光反射層は、レーザー光に対する反射率が高い光反射性物質を、例えば、真空蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。
光反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。
【００６８】
反射率が高い光反射性物質としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属および半金属またはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、または合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｕ、Ａｇまたはこれらの合金である。
【００６９】
バリア層（中間層）
態様（１）の光情報記録媒体においては、図１に示すように、追記型記録層とカバー層との間にバリア層を形成することが好ましい。
バリア層は、追記型記録層の保存性向上、追記型記録層とカバー層との接着性向上、反射率調整、熱伝導率調整等のために設けることができる。
バリア層に用いられる材料としては、記録および再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。
具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ＭｏＯ2、ＧｅＯ2、ＴｅＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｕＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5が好ましく、ＳｎＯ2、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5がより好ましい。
【００７０】
また、バリア層は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティングなどの真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましい。
バリア層の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲が好ましく、２〜１００ｎｍの範囲がより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００７１】
［態様（２）の光情報記録媒体］
態様（２）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、保護基板とを有し、好ましくは貼り合わせ型の光情報記録媒体である。その代表的な層構成は下記の通りである。
（１）第１の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。
（２）第２の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。
（３）第３の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層を順次形成し、該保護層上に保護基板を設けた構成である。
（４）第４の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。
（５）第５の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。
なお、上記（１）〜（５）の層構成は単なる例示であり、層構成は上述の順番のみでなく、一部を入れ替えてもよいし、一部を省略してもよい。また、追記型記録層は、保護基板側にも形成されていてもよく、その場合、両面からの記録、再生が可能な光情報記録媒体となる。更に、各層は１層で構成されても複数層で構成されてもよい。
【００７２】
上記のうち、態様（２）の光情報記録媒体として、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、保護基板を基板側から順に有する構成を例に以下に詳細に説明をする。前記構成を有する光情報記録媒体の具体例を図２に示す。図２に示す第２光情報記録媒体１０Ｂは、第２基板２４上に、第２追記型記録層２６と、第２光反射層３０と、第２接着層３２と、保護基板２８とをこの順に有する。
【００７３】
基板
態様（２）における基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、およびウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ（案内溝）が形成されている。このプリグルーブは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザーに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【００７４】
プリグルーブのトラックピッチは、２００〜６００ｎｍの範囲であり、上限値は４５０ｎｍ以下であることが好ましく、４３０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、３００ｎｍ以上であることが好ましく、３３０ｎｍ以上であることがより好ましく、３７０ｎｍ以上であることが更に好ましい。トラックピッチが２００ｎｍ以上であればプリグルーブを正確に形成することができ、更にクロストークの発生を回避することができ、６００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。
【００７５】
プリグルーブの溝幅（半値幅）は、５０〜３００ｎｍの範囲であり、上限値は２９０ｎｍ以下であることが好ましく、２８０ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、１２０ｎｍ以上であることがより好ましく、１４０ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝幅が５０ｎｍ以上であれば、成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時のエラーレート上昇を抑制することができ、３００ｎｍ以下であれば、記録時に形成されるピットの広がりによりクロストークが発生することを回避することができ、さらに十分な変調度を得ることができる。
【００７６】
プリグルーブの溝深さは、３０〜１５０ｎｍの範囲であり、上限値は１４０ｎｍ以下であることが好ましく、１３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、４０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、６０ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝深さが３０ｎｍ以上であれば、十分な記録変調度を得ることができ、１５０ｎｍ以下であれば、高い反射率を得ることができる。
【００７７】
基板の厚さは、一般に０．１〜１．０ｍｍの範囲であり、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【００７８】
なお、後述する追記型記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することができる。
下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることができる。
下塗層は、前記材料を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。
下塗層の層厚は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【００７９】
追記型記録層
態様（２）における追記型記録層に関する詳細については、態様（１）の追記型記録層と同様である。
【００８０】
光反射層
態様（２）において、レーザー光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、追記型記録層上に光反射層を形成することができる。態様（２）の光反射層に関する詳細は、態様（１）の光反射層と同様である。
【００８１】
接着層
態様（２）では、前記光反射層と後述の保護基板との密着性を向上させるために、光反射層と保護基板の間に接着層を設けることもできる。
接着層を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、中でもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インク社製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−６６１」等のＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができる。
また、接着層の厚さは、弾力性を持たせるため、１〜１０００μｍの範囲が好ましい。
【００８２】
保護基板
態様（２）における保護基板（ダミー基板）は、上述した基板と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板の厚さは、一般に厚さ０．１〜１．０ｍｍの範囲であり、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【００８３】
保護層
態様（２）の光情報記録媒体は、その層構成によっては、光反射層や追記型記録層などを物理的および化学的に保護する目的で保護層が設けられることある。
保護層に用いられる材料の例としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。
保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層上に貼り合わせることにより形成することができる。また、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
【００８４】
また、保護層として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂を用いて保護層を形成する場合には、ＵＶ硬化性樹脂をそのまままたは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって形成することもできる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。
保護層の層厚は、一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。
【００８５】
その他の層
態様（２）の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層の詳細については、前記態様（１）のその他の層と同様である。
【００８６】
更に、本発明は、基板上に記録層を有する光情報記録媒体に情報を記録する方法に関する。本発明の情報記録方法では、本発明の光情報記録媒体に対してレーザー光を照射することにより、一般式（１）で表される金属錯体化合物を含む記録層へ情報を記録する。
【００８７】
前述の好ましい態様（１）または態様（２）の光情報記録媒体に対する情報の記録は、例えば次のように行われる。
まず、光情報記録媒体を定線速度（例えば０．５〜１０ｍ／秒）または定角速度にて回転させながら、基板側または保護層側から半導体レーザー光などの記録用の光を照射する。この光の照射により、レーザー光照射部分の光学的特性が変化して情報が記録される。図１に示す態様では、カバー層１６側から半導体レーザー光等の記録用のレーザー光４６を、第一対物レンズ４２（例えば開口数ＮＡが０．８５）を介して照射する。このレーザー光４６の照射により、追記型記録層１４がレーザー光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。同様に、図２に示す態様では、第２基板２４側から半導体レーザー光等の記録用のレーザー光４６を、開口数ＮＡが例えば０．６５の第２対物レンズ４８を介して照射する。このレーザー光４６の照射により、第２追記型記録層２６がレーザー光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。
【００８８】
本発明においては、波長４４０ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより情報を記録することが好ましい。記録光としては、４４０ｎｍ以下の範囲の発振波長を有する半導体レーザー光が好適に用いられ、好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザー光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザー光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザー光を基板側または保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【００８９】
本発明における記録層への情報の記録は、好ましくは、記録層のレーザー光が照射された部分に空隙（ピット）が形成されることによって行われる。先に説明した態様（１）の光情報記録媒体において、空隙形成により情報を記録する場合、バリア層とカバー層の間に粘着層を有する態様では良好な記録を行うことができるにも関わらず、粘着層を接着層に変えると記録特性が低下する場合があった。これは、以下の理由によるものと考えられる。
通常、レーザー光照射による空隙の形成は記録層の変形を伴うため、記録層の変形が妨げられると空隙が良好に形成されず、これが記録特性の低下を引き起こすと考えられる。基板上に、光反射層、記録層、バリア層、粘着層およびカバー層をこの順に有する光情報記録媒体では、基板および光反射層は、粘着層やバリア層に比べて剛性が高い。よって、空隙が形成されると記録層はバリア層を押し上げ、粘着層に凹状の変形を生じさせる。この場合は空隙の形成が妨げられることなく、ピットの形成を良好に行うことができる。
一方、接着層は、一般に、粘着層と比べて硬く柔軟性に乏しい。そのため、基板上に、光反射層、記録層、接着層、バリア層およびカバー層をこの順に有する光情報記録媒体では、記録層が粘着層側へ変形することができずに空隙の形成が妨げられることがある。そのため接着層を有する態様では、良好な記録特性を得ることが困難となる場合があると考えられる。
それに対し、一般式（１）で表される金属錯体化合物を含む記録層は、比較的剛性の高い接着層を有する光情報記録媒体においてもレーザー光照射による空隙形成を良好に行うことができる。
【００９０】
更に、本発明は、下記一般式（３）で表される金属錯体化合物に関する。
【００９１】
【化１３】
2008188867.tif 000014
【００９２】
一般式（３）中、Q3およびQ4は、各々独立に、下記部分構造（A-1）で表される環を形成する原子群を表し、R、Mおよびnは、それぞれ一般式（１）における定義と同義である。
【００９３】
【化１４】
2008188867.tif 000015
【００９４】
上記式中、＊は結合するN原子との結合位置を表し、R1およびR2は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。
【００９５】
本発明の金属錯体化合物は、先に説明した一般式（２）で表される金属錯体化合物において、Q3およびQ4として上記部分構造(A-1)を有するものである。本発明の金属錯体化合物は、顔料、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー用色素、カラーフィルター用染料、色変換フィルターなどの各種用途に使用することができる。好ましくは、色素含有記録層を有する光情報記録媒体における記録層用色素として使用される。本発明の金属錯体化合物およびその使用方法の詳細は、先に説明した通りである。
【実施例】
【００９６】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００９７】
実施例１：例示化合物（Ｍ−１）の合成
（Ｉ）配位子（１）の合成
【化１５】
2008188867.tif 000016
【００９８】
１００ｍｌナスフラスコに化合物（１）１ｇ、化合物（２）１．４１ｇ、ＣａＣｌ2  ５８ｍｇ、１−ヘキサノール２０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。室温に戻し生成する結晶をろ別し、ろ液の溶媒を減圧留去した。酢酸エチル／ヘキサン＝１／４（体積比）を溶離液としてシリカゲルカラムにて精製を行い、乾燥させることで配位子（１）720mgを得た。
【００９９】
化合物の同定は300MHz1H-NMRにより行った。結果を以下に示す。1H-NMR(CDCl3)[ppm]；δ 8.40(d,1H),8.30(d,1H),6.13(s,1H),6.07(s,1H),4.63-4.53(m,1H),2.16-2.00(m,1H),1.77-1.62(m,1H),1.40(s,18H),1.33(d,3H),1.06(t,3H)
【０１００】
（ＩＩ）例示化合物（Ｍ−１）の合成
【０１０１】
【化１６】
2008188867.tif 000017
【０１０２】
次に、５０ｍｌナスフラスコに配位子（１）５９０ｍｇ、メタノール１０ｍｌを入れ、攪拌しながらＦｅＣｌ2・４Ｈ2Ｏ  １２６ｍｇを加え、３時間加熱還流させた。蒸留水５０ｍｌを加え、室温に戻し、沈殿物をろ過し、蒸留水による洗浄、乾燥を施し（Ｍ−１）４１０ｍｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて行った。結果は［Ｍ−Ｈ+］＝１０７８であった。
【０１０３】
実施例２：例示化合物（Ｍ−２）の合成
５０ｍｌナスフラスコに実施例１と同様の方法で合成した配位子（１）０．４ｇ、メタノール１０ｍｌを入れ、攪拌しながらＮｉ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2Ｏ  ０．１ｇを加え、３時間加熱還流させた。蒸留水５０ｍｌを加え、室温に戻し、沈殿物をろ過し、蒸留水による洗浄、乾燥を施し（Ｍ−２）３００ｍｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて行った。結果は［Ｍ−Ｈ+］＝１０８１であった。
【０１０４】
実施例３：例示化合物（Ｍ−５）の合成
５０ｍｌナスフラスコに実施例１と同様の方法で合成した配位子（１）０．４ｇ、メタノール１０ｍｌを入れ、攪拌しながらＣｏ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2Ｏ  ０．１ｇを加え、３時間加熱還流させた。蒸留水５０ｍｌを加え、室温に戻し、沈殿物をろ過し、蒸留水による洗浄、乾燥を施し（Ｍ−５）３００ｍｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて行った。結果は［Ｍ−Ｈ+］＝１０８１であった。
【０１０５】
実施例４：例示化合物（Ｍ−６）の合成
５０ｍｌナスフラスコに実施例１と同様の方法で合成した配位子（１）０．４ｇ、メタノール１０ｍｌを入れ、攪拌しながらＭｎ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2Ｏ  ０．１ｇを加え、３時間加熱還流させた。蒸留水５０ｍｌを加え、室温に戻し、沈殿物をろ過し、蒸留水による洗浄、乾燥を施し（Ｍ−６）０．３ｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて確認した。結果は［Ｍ−Ｈ+］＝１０７７であった。
【０１０６】
実施例５：例示化合物（Ｍ−９）の合成
（Ｉ）配位子（２）の合成
【化１７】
2008188867.tif 000018
【０１０７】
１００ｍｌナスフラスコに化合物（３）１ｇ、化合物（２）１．５ｇ、ＣａＣｌ2  ５０ｍｇ、１−ヘキサノール２０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。室温に戻し生成する結晶をろ別し、ろ液の溶媒を減圧留去した。酢酸エチル／ヘキサン＝１／４（体積比）を溶離液としてシリカゲルカラムにて精製を行い、乾燥させることで配位子（２）０．６ｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて行った。結果は［Ｍ−Ｈ+］＝507であった。
【０１０８】
（ＩＩ）例示化合物（Ｍ−９）の合成
５０ｍｌナスフラスコに配位子（２）０．４ｇ、メタノール１０ｍｌを入れ、攪拌しながらＦｅＣｌ2・４Ｈ2Ｏ  ０．１ｇを加え、１時間加熱還流させた。蒸留水５０ｍｌを加え、室温に戻し、沈殿物をろ過し、蒸留水による洗浄、乾燥を施し（Ｍ−９）０．３ｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて行った。結果は［Ｍ−Ｈ+］＝１０６６であった。
【０１０９】
実施例６：光情報記録媒体の作製
（基板の作製）
厚さ１．１ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状のプリグルーブ（トラックピッチ：３２０ｎｍ、溝幅：オングルーブ幅１４０ｎｍ、溝深さ：４５ｎｍ、溝傾斜角度：６５°、ウォブル振幅：２０ｎｍ）を有する、ポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板を作製した。射出成型時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング（３５１ｎｍ）を用いて行なわれた。
【０１１０】
（光反射層の形成）
基板上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングにより、膜厚１００ｎｍの真空成膜層としてのＡＮＣ光反射層（Ａｇ：９８．１ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）を形成した。光反射層の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。
【０１１１】
（追記型記録層の形成）
実施例１で合成した例示化合物（Ｍ−１）２ｇを、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、光反射層上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数３００〜４０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで１時間保存して、追記型記録層（グルーブ上の厚さ４０ｎｍ、ランド上の厚さ１５ｎｍ）を形成した。
【０１１２】
追記型記録層を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、基板を垂直のスタックポールにスペーサーで間をあけながら支持し、８０℃で１時間保持して行った。
【０１１３】
（バリア層の形成）
その後、追記型記録層上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＲＦスパッタリングによりＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3（ＺｎＯ：Ｇａ2Ｏ3＝３：７（質量比））からなる、厚さ５ｎｍのバリア層を形成した。
【０１１４】
（カバー層の貼り合わせ）
カバー層としては、内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍで、片面に粘着層（ガラス転移温度−３０℃）を有するポリカーボネート製フィルム（帝人ピュアエース、厚さ：８０μｍ）を用い、該粘着層とポリカーボネート製フィルムとの厚さの合計が１００μｍとなるように設定した。
そして、バリア層上に、該バリア層と粘着層とが当接するようにカバー層を載置した後、そのカバー層を押し当て部材にて圧接して、貼り合わせた。以上の工程により、図１に示す層構成を有する光情報記録媒体を作製した。
【０１１５】
比較例１〜５：光情報記録媒体の作製
追記型記録層に使用する色素として例示化合物（Ｍ−１）に代えて表１に示す比較化合物を使用した以外は実施例２と同様の方法で比較例１〜５の光情報記録媒体を作製した。
【０１１６】
＜光情報記録媒体の評価＞
（１）Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）評価
作製した光情報記録媒体を、４０３ｎｍレーザー、ＮＡ０．８５ピックアップを積んだ記録再生評価機（パルステック社製：ＤＤＵ１０００）を用い、クロック周波数６６ＭＨｚ、線速４．９２ｍ／ｓにて、０．１６μｍの信号（２Ｔ）を記録し、スペクトルアナライザー（ローデ＆シュウハ゛ルツ社製ＦＳＰ−３型）にて記録ピットを再生した。記録後の１６ＭＨｚの出力をＣａｒｒｉｅｒ出力、記録前の１６ＭＨｚの出力をＮｏｉｓｅ出力として、記録後の出力−記録前の出力をＣ／Ｎ値とした。記録はグルーブ上に行った。また、記録パワー７ｍＷ、再生パワー０．３ｍＷであった。結果を表１に示す。
【０１１７】
（２）耐光性評価
上記（１）の評価後の光情報記録媒体を、耐光性試験機（ＦＡＬ−２５ＡＸ−ＨＣＢＥＣＬ型、石英＋＃２７５フィルタ使用、スガ試験機社製）を用いてキセノン光を５５時間照射した後、再びスペクトルアナライザー（ローデ＆シュウハ゛ルツ社製ＦＳＰ−３型）にて記録ピットを再生した。記録後の１６ＭＨｚの出力をＣａｒｒｉｅｒ出力、記録前の１６ＭＨｚの出力をＮｏｉｓｅ出力として、記録後の出力−記録前の出力をＣ／Ｎ値とした。結果を表１に示す。
【０１１８】
＜色素膜の耐光性評価＞
実施例２、比較例１〜５と同様の色素含有塗布液を調製し、厚さ１．１ｍｍのガラス板上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数５００〜１０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで２４時間保存した後、メリーゴーランド型耐光試験機（イーグルエンジニアリング社製、セルテスト機III型、Ｓｃｈｏｔｔ製ＷＧ３２０フィルタ付）を用いて耐光性試験を行った。耐光性試験直前の色素膜および耐光性試験４８時間後の色素膜について、ＵＶ−１６００ＰＣ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）を用いて色素膜の吸収スペクトルを測定し、最大吸収波長における吸光度の変化を読み取った。
【０１１９】
＜熱分解温度の測定＞
例示化合物（Ｍ−１）、比較化合物（Ａ）〜（Ｅ）についてＴＧ／ＤＴＡ測定を行った。測定はＳｅｉｋｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｉｎｃ．製ＥＸＳＴＡＲ６０００を用い、Ｎ2気流下（流量２００ｍｌ／ｍｉｎ）、３０℃〜５５０℃の範囲において１０℃／ｍｉｎで昇温を行った。重量減少率が１０％に達した時点の温度を読み取り、結果を表１に示す。
【０１２０】
【表１】
2008188867.tif 000019
＊＊＊Xe光照射４８時間後の色素残存率が９０％以上のときが◎、８０％以上９０％未満のときが○、７０％以上８０％未満のときが△、７０％未満のときは×。
【０１２１】
【化１８】
2008188867.tif 000020
【０１２２】
【化１９】
2008188867.tif 000021
【０１２３】
【化２０】
2008188867.tif 000022
【０１２４】
【化２１】
2008188867.tif 000023
【０１２５】
【化２２】
2008188867.tif 000024
【０１２６】
表１に示すように、例示化合物（Ｍ−１）は、溶解性が良好であり色素膜の成膜を良好に行うことができた。また、例示化合物（Ｍ−１）を用いて形成した色素膜は、比較化合物（Ａ）〜（Ｅ）を用いて形成した色素膜に比べて耐光性が良好であった。更に実施例２の光情報記録媒体はＸｅ光照射前後の記録特性（Ｃ／Ｎ）が良好であった。実施例２の光情報記録媒体の記録特性が高いことは、記録層に含まれる例示化合物（Ｍ−１）の熱分解温度が低い（熱分解性が高い）ことに起因すると考えられる。また、Ｘｅ光照射後のＣ／Ｎが高いことは記録層の耐光性が高いことを示す。
【０１２７】
また、例示化合物（Ｍ−１）に代えて例示化合物（Ｍ−２）、（Ｍ−４）、（Ｍ−５）、（Ｍ−９）、（Ｍ−２２）を使用して同様の評価を行ったところ、いずれも例示化合物（Ｍ−１）と同様に良好な溶解性および耐光性、良好な記録特性が得られた。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
本発明によれば、優れた耐光性と記録特性を兼ね備えた光情報記録媒体を提供することができる。本発明の光情報記録媒体は、４４０ｎｍ以下の青色レーザー光により記録再生を行う情報記録媒体として好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】本発明の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１３０】
１０Ａ…第１光情報記録媒体              １０Ｂ…第２光情報記録媒体
１２…第１基板                          １４…第１追記型記録層
１６…カバー層                          １８…第１光反射層
２０…バリア層                          ２２…第１接着層
２４…第２基板                          ２６…第２追記型記録層
２８…保護基板                          ３０…第２光反射層
３２…第２接着層                        ４４…ハードコート層
【図１】
2008188867.tif 000031
【図２】
2008188867.tif 000032