(57)【要約】【課題】ナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置において、電極形成工程の困難さを回避する。【解決手段】ナノコラム２を、ｎ型ＧａＮから成るコア部２１を、それよりバンドギャップエネルギーが大きいｎ型ＡｌＧａＮから成る筒状のシェル部２２で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、コア部２１自体を活性層とする。そして、成長基板から分離して、ｎ型電極となるＡｌ基板５上に多数散布し、その上にｐ型電極となる透明な有機金属から成る封止部材４をスピンコートで被せる。ただし、スピンコートの前に窒素ラジカルを照射し、任意の位置に散布されたナノコラム２に対して、その自己整合によって、Ａｌ基板５の表層部において、ナノコラム２の影になっていない部分５ａを絶縁性の窒化アルミニウム層として前記有機金属との短絡を回避する。こうして、電極を容易に形成できる。【選択図】図５
2008235443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置において、
前記柱状結晶構造体は、化合物半導体から成る柱状のコア部を、前記コア部よりもバンドギャップエネルギーが大きい化合物半導体から成る筒状のシェル部で囲んだ同軸形状に形成されて支持基板に平行な状態で搭載されており、
前記支持基板は第１の導電型を有する導電性基板から成り、その表層部の前記柱状結晶構造体の陰となる部分が深層部を通して第１の電極となり、それ以外の部分が絶縁性となり、
前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板上を覆い、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有し、前記柱状結晶構造体で発生する光に対して透明な有機金属から成る第２の電極とを含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記支持基板は、アルミから成ることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記柱状結晶構造体は、少なくとも前記コア部が異なる組成から成るものを複数種類有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置を用いることを特徴とする照明装置。
【請求項５】
柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置の製造方法において、
成長基板上に、化合物半導体から成る柱状のコア部を成長させ、そのコア部を該コア部よりもバンドギャップエネルギーが大きい化合物半導体から成る筒状のシェル部で囲んだ同軸形状に前記柱状結晶構造体を形成した後、前記成長基板を剥離して該柱状結晶構造体を取出す工程と、
第１の導電型を有する導電性の支持基板上に前記柱状結晶構造体を散布する工程と、
前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板を、自己整合によって、その表層部の前記柱状結晶構造体の陰となる部分を深層部を通して第１の電極に、前記陰となる部分以外を絶縁性に処理する工程と、
前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板を、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有し、前記柱状結晶構造体で発生する光に対して透明な有機金属で覆い、第２の電極とする工程とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記成長基板上に前記コア部を形成する工程は、
前記成長基板上に、化合物半導体材料に対するカタリスト材料層を成膜する工程と、
前記カタリスト材料層を、前記コア部を成長させるべき柱径に対応した形状にパターニングする工程と、
前記パターニングによって残された前記カタリスト材料層から前記化合物半導体材料を取込ませ、該カタリスト材料層内で結合させて前記成長基板上に前記コア部を結晶成長させる工程とを含むことを特徴とする請求項５記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III−Ｖ族化合物半導体などの化合物半導体発光素子を用いて構成される半導体発光装置に、さらにそれを用いて構成される照明装置ならびに半導体発光装置の製造方法に関し、特に化合物半導体発光素子としては、ナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体から成るものに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、窒化物半導体もしくは酸化物半導体で構成された発光層を有する化合物半導体発光素子が注目されている。この発光素子の構造は、一例として、サファイア基板を用い、発光層の下部にシリコン（Ｓｉ）がドーピングされたｎ＋−ＧａＮ層から成るｎ−クラッド層およびコンタクト層、発光層の上部にマグネシウム（Ｍｇ）がドーピングされたｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＮから成る電子ブロック層、電子ブロック層の上部にｐ−ＧａＮのコンタクト層がそれぞれ形成されて構成されている。これらのいわゆるバルク結晶を用いる発光素子は、基板のサファイアと、窒化物や酸化物の半導体層との格子定数が大きく異なり、かつ基板上に薄膜として形成されるので、結晶内に非常に多くの貫通転位を含んでおり、発光素子の効率を増加させるのは困難であった。
【０００３】
そこで、このような問題を解決する手法の従来例として、特許文献１が知られている。この従来例では、サファイア基板上に、ｎ型ＧａＮバッファ層を形成した後、アレイ状に配列された多数の前記柱状結晶構造体（ナノコラム）を形成しており、そのＧａＮナノコラム間に、柱状結晶構造の保護等のために透明絶縁物層を埋め込んだ後、透明電極および電極パッドが成膜されて構成されている。特にＧａＮナノコラムは、ｎ型ＧａＮナノコラム、ＩｎＧａＮ量子井戸、ｐ型ＧａＮナノコラムから構成されている。このナノコラムを用いれば、前述のバルク結晶が有する貫通転位をほとんど無くすまでに低減することができ、前記貫通転位による非発光再結合が減少して、発光効率を向上することができる。
【０００４】
また、前記の従来技術とは別に、特許文献２のように柱状結晶構造体を従来の蛍光体の代替として用いるものもある。
【特許文献１】特開２００５−２２８９３６号公報
【特許文献２】特開２００６−１０４４１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
先ず特許文献１の従来技術では、基板上にナノコラムを形成した後、ｐ型ＧａＮナノコラム上に電極を形成しようとして、材料を蒸着すると、ＩｎＧａＮ量子井戸を挟んで、前記ｐ型ＧａＮナノコラムとｎ型ＧａＮナノコラムとが短絡してしまう可能性がある。このため、電極形成の前に、ＳＯＧ、ＳｉＯ２、もしくはエポキシ樹脂などから成る前記透明絶縁物がナノコラムの間に埋め込まれている。しかしながら、それらの絶縁物を、１００ｎｍ程度というごく僅かなナノコラムアレイの間隙に、均一かつ所望の深さまで埋め込むのは極めて困難である。具体的に特許文献１では、直径７０ｎｍ、高さ１μｍ程度のナノコラムを作製しているが、間隙のアスペクト比（深さ／直径）は１０を超える値になる。これをＣＶＤなどを用いて完全に埋めるのは極めて困難であり、特許文献１では液体状にしたものをスピンコーティングして透明絶縁層を形成しているが、表面張力が働いて上手く間隙中に入れ込むことは困難である。
【０００６】
一方、特許文献２の従来技術は、柱状結晶の直径が３ｎｍ以下、発光領域の長さが３ｎｍ以下という構成であり、形状は柱状結晶構造体を用いているものの、本質的には量子ドットと呼ぶべきものである。すなわちこの従来技術の意味するところは、本来は直径３ｎｍ、長さ３ｎｍの量子サイズ効果を有する量子ドットのみを発光素子として作製したいのだが、それそのものだけを作製できないために柱状結晶構造体を利用してその中に量子ドットを実現したものである。しかしながら、それでも直径３ｎｍの柱状結晶構造を作製するのは非常に困難であり、製造コストも高価にならざるを得ず、たとえ量産したとしても非常に高価で、一般照明に用いることはできない。
【０００７】
また、発光メカニズムについても、この従来技術では、相互に隣接した光吸収領域で励起したキャリアを発光領域で再結合させて発光させており、すなわち光励起によって発光させている。
【０００８】
本発明の目的は、ナノコラムＬＥＤの電極形成工程の困難さを回避しながら、かつ量子ドットのような製造が困難で高コストな技術を用いることなく、安価で安定的に製造できる半導体発光装置およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体発光装置は、柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置において、前記柱状結晶構造体は、化合物半導体から成る柱状のコア部を、前記コア部よりもバンドギャップエネルギーが大きい化合物半導体から成る筒状のシェル部で囲んだ同軸形状に形成されて支持基板に平行な状態で搭載されており、前記支持基板は第１の導電型を有する導電性基板から成り、その表層部の前記柱状結晶構造体の陰となる部分が深層部を通して第１の電極となり、それ以外の部分が絶縁性となり、前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板上を覆い、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有し、前記柱状結晶構造体で発生する光に対して透明な有機金属から成る第２の電極とを含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体発光装置の製造方法は、柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置の製造方法において、成長基板上に、化合物半導体から成る柱状のコア部を成長させ、そのコア部を該コア部よりもバンドギャップエネルギーが大きい化合物半導体から成る筒状のシェル部で囲んだ同軸形状に前記柱状結晶構造体を形成した後、前記成長基板を剥離して該柱状結晶構造体を取出す工程と、第１の導電型を有する導電性の支持基板上に前記柱状結晶構造体を散布する工程と、前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板を、自己整合によって、その表層部の前記柱状結晶構造体の陰となる部分を深層部を通して第１の電極に、前記陰となる部分以外を絶縁性に処理する工程と、前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板を、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有し、前記柱状結晶構造体で発生する光に対して透明な有機金属で覆い、第２の電極とする工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
上記の構成によれば、ナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体を用いるようにした半導体発光装置およびその製造方法において、前記柱状結晶構造体を、化合物半導体から成る六角柱や四角柱状のコア部を、前記コア部よりもバンドギャップエネルギーが大きい化合物半導体から成る筒状のシェル部で囲んだ同軸形状のヘテロ構造として、前記シェル部を量子井戸の壁とし、コア部を量子井戸の底として、該柱状結晶構造体の全長で量子井戸を形成するとともに、成長後に成長基板から分離して、新たな支持基板に平行な横転状態で搭載し、その外周面に電極を形成して電子および正孔を注入し、前記コア部内でそれらを貯め、発光再結合させる。
【００１２】
そして、支持基板上に散布した際に任意の位置で前記のように横転状態で搭載されることになる前記柱状結晶構造体の１つ１つに電極を形成するのは事実上不可能であるので、先ず支持基板自体を第１の導電型を有する導電性としておき、第１の電極となるようにする。また、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有し、前記柱状結晶構造体で発生する光に対して透明な有機金属をスピンコートなどで塗布して前記柱状結晶構造体を覆わせることで第２の電極とすることができる。
【００１３】
しかしながら、支持基板上に柱状結晶構造体を散布した後に、そのまま有機金属で覆うと、第１の電極と第２の電極とが短絡することになるので、前記柱状結晶構造体を散布した後の支持基板の表層部を、前記柱状結晶構造体による自己整合を用いて、前記第１の電極となる領域とそうでない絶縁性となる領域とに区分する処理を行う。たとえば支持基板がアルミから成るとき、窒化することで、前記柱状結晶構造体の陰となる部分はアルミのままで導電性を有し、深層部を通して外周縁や裏面を電源への端子とすることができる。これに対して、前記陰となる部分以外は窒化アルミとなって絶縁性となり、前記有機金属が被せられても前記短絡が生じることはない。
【００１４】
したがって、電極形成の困難さが無くなるので、極めて安価で安定的に製造できる半導体発光装置およびその製造方法を実現することができる。また、柱状結晶構造体単体で見ても、ｐｎ接合がなく、電子、正孔の注入効率は悪いが、ほぼ全長を量子井戸として使用できるので、発光面積を圧倒的に広くすることができる。
【００１５】
さらにまた、本発明の半導体発光装置では、前記支持基板は、アルミから成ることを特徴とする。
【００１６】
上記の構成によれば、支持基板がアルミであると、放熱性に優れ、ｎ型層と良好なオーミックコンタクトを形成するとともに、酸化または窒化するだけで、窒化ガリウムなどから成る柱状結晶構造体にダメージを与えることなく、極めて容易に前記表層部を絶縁性にすることができ、前記支持基板の材料として好適である。
【００１７】
また、本発明の半導体発光装置では、前記柱状結晶構造体は、少なくとも前記コア部が異なる組成から成るものを複数種類有することを特徴とする。
【００１８】
上記の構成によれば、コア部の組成が異なることで異なる波長の光を放射することができ、それらを複数種類組合わせることで、白色等の所望とする色の光を発生させることができる。
【００１９】
さらにまた、本発明の照明装置は、前記の半導体発光装置を用いることを特徴とする。
【００２０】
上記の構成によれば、ナノコラムへの電極形成工程の困難さを回避しながら、安価で安定的に製造できる照明装置を実現することができる。
【００２１】
また、本発明の半導体発光装置の製造方法では、前記成長基板上に前記コア部を形成する工程は、前記成長基板上に、化合物半導体材料に対するカタリスト材料層を成膜する工程と、前記カタリスト材料層を、前記コア部を成長させるべき柱径に対応した形状にパターニングする工程と、前記パターニングによって残された前記カタリスト材料層から前記化合物半導体材料を取込ませ、該カタリスト材料層内で結合させて前記成長基板上に前記コア部を結晶成長させる工程とを含むことを特徴とする。
【００２２】
上記の構成によれば、たとえばサファイアなどの成長基板上に、前記の柱状結晶構造体のコア部を成長させるにあたって、Ｇａ，Ｎ，Ｉｎ，Ａｌなどの化合物半導体材料や、Ｍｇ，Ｓｉなどの添加物材料に対して、それらを溶解して取込み、かつ自身とは合成物を作らないＮｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ａｕなどのカタリスト材料層を前記成長基板上に形成しておく。その後、前記カタリスト材料層を、前記コア部を成長させるべき柱径に対応した形状にパターニングして、前記コア部を成長させる。
【００２３】
したがって、所望とする形状のコア部を多量に作成することができる。コア部が所望の長さに成長した後、材料組成や成長温度を変化させて成長させると、コア部の回りに成長が始まり、前記筒状のシェル部となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の半導体発光装置およびその製造方法は、以上のように、ナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体を用いるようにした半導体発光装置およびその製造方法において、前記柱状結晶構造体を、化合物半導体から成る六角柱や四角柱状のコア部を、前記コア部よりもバンドギャップエネルギーが大きい化合物半導体から成る筒状のシェル部で囲んだ同軸形状のヘテロ構造として、前記シェル部を量子井戸の壁とし、コア部を量子井戸の底として、該柱状結晶構造体の全長で量子井戸を形成するとともに、成長後に成長基板から分離して、新たな支持基板に平行な横転状態で搭載し、その外周面に電極を形成して電子および正孔を注入し、前記コア部内でそれらを貯め、発光再結合させるようにする。さらに、第１の導電型を有する支持基板上にそのような柱状結晶構造体を散布した後に、支持基板の表層部を、前記柱状結晶構造体による自己整合を用いて、第１の電極となる領域とそうでない絶縁性となる領域とに区分する処理を行い、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有し、前記柱状結晶構造体で発生する光に対して透明な有機金属をスピンコートなどで塗布して前記柱状結晶構造体を覆わせることで第２の電極とする。
【００２５】
それゆえ、電極形成の困難さが無くなるので、極めて安価で安定的に製造できる半導体発光装置およびその製造方法を実現することができる。また、柱状結晶構造体単体で見ても、ｐｎ接合がなく、電子、正孔の注入効率は悪いが、ほぼ全長を量子井戸として使用できるので、発光面積を圧倒的に広くすることができる。
【００２６】
さらにまた、本発明の半導体発光装置は、以上のように、前記支持基板をアルミとする。
【００２７】
それゆえ、放熱性に優れ、ｎ型層と良好なオーミックコンタクトを形成するとともに、酸化または窒化するだけで、窒化ガリウムなどから成る柱状結晶構造体にダメージを与えることなく、極めて容易に前記表層部を絶縁性にすることができ、前記支持基板の材料として好適である。
【００２８】
また、本発明の半導体発光装置は、以上のように、前記柱状結晶構造体に、少なくとも前記コア部が異なる組成から成るものを複数種類用いる。
【００２９】
それゆえ、異なる波長の光を放射することができ、それらを複数種類組合わせることで、白色等の所望とする色の光を発生させることができる。
【００３０】
さらにまた、本発明の照明装置は、以上のように、前記の半導体発光装置を用いる。
【００３１】
それゆえ、ナノコラムへの電極形成工程の困難さを回避しながら、安価で安定的に製造できる照明装置を実現することができる。
【００３２】
また、本発明の半導体発光装置の製造方法は、以上のように、たとえばサファイアやＳｉなどの成長基板上に、前記の柱状結晶構造体のコア部を成長させるにあたって、Ｇａ，Ｎ，Ｉｎ，Ａｌなどの化合物半導体材料や、Ｍｇ，Ｓｉなどの添加物材料に対して、それらを溶解して取込み、かつ自身とは合成物を作らないＮｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ａｕなどのカタリスト材料層を前記成長基板上に形成しておき、その後前記カタリスト材料層を、前記コア部を成長させるべき柱径に対応した形状にパターニングして、前記コア部を成長させる。
【００３３】
それゆえ、所望とする形状のコア部を多量に作成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
図１は、本発明の実施の一形態に係る半導体発光装置１の構造を説明するための一部分を透視して示す斜視図である。注目すべきは、この半導体発光装置１では、大略的に、ナノコラム２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ（総称するときは、以下参照符号２で示す）は、図示しない成長基板から分離された後、第１の導電型を有する支持基板３上に多数散布され、その上に第２の導電型を有し、ナノコラム２で発生する光に対して透明な有機金属から成る封止部材４が被せられて構成されることである。また注目すべきは、ナノコラム２は、図２で示すように、化合物半導体から成る柱状のコア部２１を、前記コア部２１よりもバンドギャップエネルギーが大きい化合物半導体から成る筒状のシェル部２２で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成され、コア部２１自体が活性層となることである。
【００３５】
すなわち、たとえば前記コア部２１はｎ型ＧａＮから成り、シェル部２２はｎ型ＡｌＧａＮから成ることで、前記シェル部２２は量子井戸の壁となり、コア部２１は量子井戸の底となって、該ナノコラム２の全長で量子井戸を形成する。したがって、後述するように該ナノコラム２の外周面から注入された電子および正孔は前記コア部２１内で蓄えられ、発光再結合する。これによって発生した光は、バンドギャップエネルギーの大きな前記シェル部２２を活性化することができず、該シェル部２２を通過して、さらに前記透明な有機金属から成る封止部材４を通過して外部に放出される。
【００３６】
図３は、前記ナノコラム２の製造工程を模式的に示す断面図である。本実施の形態では、ナノコラム２の形成にあたっては、フォトリソグラフィが用いられるが、その形成方法は本方法に限定されるものではなく、たとえば電子ビーム露光などの方法を用いてもよいことは言うまでもない。また、本実施の形態では、ナノコラム２の成長は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）によって行うことを前提としているが、ナノコラム２の成長方法はこれに限定されるものではなく、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）やハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法等を用いてもナノコラム２が作製可能である。以下、特に断らない限り、ＭＯＣＶＤ装置を用いるものとする。
【００３７】
先ず、サファイアから成る成長基板３１上に、電子線蒸着によって、カタリスト材料層となるＮｉ薄膜３２が１０ｎｍ程度蒸着され、続いて通常のリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用いて、前記Ｎｉ薄膜３２が、直径１０〜１００ｎｍの島状に適宜間隔を開けてパターニングされ、図３（ａ）で示すようになる。
【００３８】
続いて、これをＭＯＣＶＤ装置に入れて温度を９５０℃に設定し、この温度を保持しながら、ＧａＮ結晶成長の成長ガスであるＴＭＧ（トリメチルガリウム）およびＮＨ３（アンモニア）に、ｎ型不純物供給用にＳｉＨ４（シラン）を、さらにキャリアガスとして水素を供給すると、従来から公知であるカタリストを用いたＧａＮナノコラム成長により、前記ｎ型ＧａＮナノコラムから成る前記コア部２１が１μｍ、図３（ｂ）で示すように成長する。
【００３９】
その後、キャリアガスを水素から窒素に変えた窒素雰囲気中で、形成温度は９４０℃とし、前記ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＮＨ３（アンモニア）およびＳｉＨ４（シラン）に、成長ガスとしてさらにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加えることで、ｎ型ＡｌＧａＮ層から成る前記シェル部２２が１０ｎｍ以下の厚さで、図３（ｃ）で示すように成長する。こうして、所望とする径および長さのナノコラム２を大量に作成することができる。
【００４０】
こうして作成されたナノコラム２は、図３（ｄ）で示すように、成長基板３１全体を容器３３に満たしたアルコール３４中に浸漬し、超音波を印加することで成長基板３１から剥れ（根元から折れ）アルコール３４中に散在する。その後、前記容器３３からサファイア基板３１を取り去り、代わってｎ型電極となるＡｌ基板５およびｎ型電極端子となるＣｕ基板６を積層したデバイス用支持基板である前記支持基板３を容器３３に入れ、アルコール３４を蒸発させることにより、前記図１で示すように多数のナノコラム２を支持基板３上に搭載することができる。或いは、先に支持基板３を容器３３に入れ、その上方に反転して成長基板３１を入れ、超音波を印加することで、サファイア基板３１から剥れたナノコラム２が支持基板３上に降り注いた後、成長基板３１を取り除き、アルコール３４を蒸発させるようにしてもよい。この状態で炉に入れて４００℃前後でアニールすることで、前記ナノコラム２を支持基板３上にアロイして固着することができる。
【００４１】
その後、図４で示すように支持基板３の上方から窒素ラジカル３５を照射すると、任意の位置に散布されたナノコラム２に対して、その自己整合によって、Ａｌ基板５の表層部において、ナノコラム２の影になっていない部分５ａは窒化され、窒化アルミニウム層を形成する。これは絶縁物層であり、該Ａｌ基板５と将来上部に形成され、ｐ型電極となる前記封止部材４とを分離する役割を果たす。一方、前記ナノコラム２の影になっている部分５ｂは、窒化されず導電性を有し、前記シェル部２２とＡｌ基板５の深層部からＣｕ基板６とを接続する。このようにＡｌ基板５を用いることで、放熱性に優れ、シェル部２２のｎ型層と良好なオーミックコンタクトを形成するとともに、酸化または窒化するだけで、前記ＧａＮから成るナノコラム２にダメージを与えることなく、極めて容易に前記表層部を絶縁性にすることができ、前記支持基板３の材料として好適である。
【００４２】
続いて、支持基板３上の全面に図５で示すように前記透明な有機金属から成る前記封止部材４を、たとえば３００ｎｍスピンコートした後、さらにＩＴＯ７が蒸着され、その上部の一部にＡｕから成るｐ型電極端子８を形成すると半導体発光装置１が完成する。
【００４３】
なお、成長基板１はサファイアに限らず、シリコン（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等が使用されてもよい。また、ナノコラム２の結晶も、ＧａＮに限らず、ＺｎＯなどの酸化物や酸窒化物材料であってもよいことは言うまでもない。さらにまた、ナノコラム２はｎ型に限らず、ｐ型コア部、およびそれを取り巻くｐ型シェル部から成る同軸形状ナノコラムとし、かつｐ型コア部のバンドギャップエネルギー幅がｐ型シェル部のバンドギャップエネルギー幅より小さければ、同様のメカニズムで発光させることができる。
【００４４】
ただし、化合物半導体材料および添加物材料ならびに前記カタリスト材料層は、カタリスト材料層が化合物半導体材料および添加物材料を溶解して取込み、かつそれらが合成物を作らない材料に選ばれる必要がある。たとえば、カタリスト材料層としては、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ａｕなどであり、化合物半導体材料としては、Ｇａ，Ｎ，Ｉｎ，Ａｌなどであり、添加物材料としては、Ｍｇ，Ｓｉなどである。また、カタリスト材料層の薄膜は、材料を取込むカタリスト材料層としての機能を発揮することができる厚さ、たとえば数原子層から、取込んだ材料が拡散することができる厚さ、たとえば２０ｎｍまでに形成され、好ましくは前記１０ｎｍである。
【００４５】
また、前記ナノコラム２を作成するにあたって、上述の例ではカタリスト材料層を使用したが、シリコン（Ｓｉ）などの成長基板３１上に、前記Ｇａ，Ｎ，Ｉｎ，Ａｌなどの化合物半導体材料や、Ｍｇ，Ｓｉなどの添加物材料に対して、それらの元素を吸着・結合させて前記コア部２１に成長させてゆくＡｌＮなどの化合物種結晶層を用いてもよい。
【００４６】
このようにして、所望とする形状のナノコラム２を多量に作成することができる。そして、カタリスト材料層となるＮｉ薄膜３２を、成長させるべき柱径に対応した形状にパターニングしておくことで、それぞれの発光波長などを調整することができる。また、組成（コア部２１のバンドギャップ幅）が相互に異なるように作成したナノコラム２を、前記容器３３中で複数種類混合することで、たとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色で発光するナノコラムを組合わせて、白色光を発生させることができ、それらの含有率を変えることで、所望とする色の光を発生させることができる。照明分野では色味は重要な仕様の一つであり、このようにして、これを自由にデザインすることが可能になる。
【００４７】
上述のように構成された半導体発光装置１において、たとえばコア部２１の直径は前記１０〜１００ｎｍであり、シェル部２２の厚さは前記１０ｎｍ以下程度である。したがって、外部電源からｐ型電極端子８、ＩＴＯ７および封止部材４を経た電流は、シェル部２２を直ちに厚み方向に抜け、コア部２１を通った後、再び支持基板３１側のシェル部２２を厚み方向に抜け、支持基板３に流れる。これによって、コア部２１に元々電子が溜っているところに、封止部材４から正孔が注入されることになり、発光再結合が生じる。発生した光は、封止部材４およびＩＴＯ７を通して大気中へ効率良く取り出される。
【００４８】
このように構成することで、本実施の形態の半導体発光装置１では、ナノコラム２への電極形成の困難さが無くなるので、極めて安価で安定的に製造することができる。また、ナノコラム２の単体で見ても、ｐｎ接合がなく、電子、正孔の注入効率は悪いが、ほぼ全周に亘って＋または−の何れかの電極を形成し、該ナノコラム２の全長を量子井戸として使用できるので、発光面積を圧倒的に広くすることができる。
【００４９】
なお、図１において、支持基板３上に密着しているナノコラム２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅは発光するが、他のナノコラム２ｂ，２ｅに乗り上げているナノコラム２ｆ，２ｇについては、シェル部２２の接触具合によって、特に乗り上げている先端側で発光しない場合がある。しかしながら、下方のナノコラム２ｂ，２ｅで発生した光がこれらのナノコラム２ｆ，２ｇのコア部２１に吸収されて再発光することもあり、下敷きとなっているナノコラム２ｂ，２ｅは覆い被さっているナノコラム２ｆ，２ｇの陰になるとは必ずしも言えない（覆い被さっているナノコラム２ｆ，２ｇを通して光が放射される）。
【００５０】
ここで、非特許文献（Fang Qian; Silvija Gradcak; Yat Li; Cheng-Yen; Charles M. Lieber; Nano lett. 2005 vol.5 No.11 2287-2291）には、成長基板上でナノコラムを軸方向に成長させた後、径方向にも成長させ、その径方向に量子井戸を形成して、成長後に前記成長基板から分離し、新たな支持基板に平行な横転状態で搭載して電極を貼付けて発光させることが示されている。
【００５１】
図６は、その従来技術におけるナノコラム４１の構造を示す斜視図である。このナノコラム４１は、先ず図示しない前記成長基板上でｎ型ＧａＮコア層４２をノンポーラのａ面で三角柱状に成長させ、その後、成長ガスおよび温度などを変化させることで、ノンドープＩｎＧａＮシェル層４３、ノンドープＧａＮ層４４、ｐ型ＡｌＧａＮ層４５、ｐ型ＧａＮ層４６の順で同軸形状に成長されたヘテロ構造型ナノコラムである。
【００５２】
このナノコラム４１も、前記成長基板から分離され、図７で示すように新たな支持基板４７上に散布された後、参照符号４１ａ，４１ｂで示すように折り重なっているものや、参照符号４１ｃ，４１ｄで示すように周縁部にあるものを除き、参照符号４１ｅで示すように、折り重なっておらずかつ周囲にｐ型電極４８およびｎ型電極４９を形成するスペースのあるものが選び出されて、その上に電子線描画などで、前記電極４８，４９およびパターン５０ならびにパッド５１が形成されている。そしてｐ型電極４８とナノコラム４１ｅとが重なった斜線を施して示す部分が発光領域となっている。なお、表層のｐ型ＧａＮ層４６は高抵抗であり、電極４８，４９間を流れる電流の殆どは参照符号５２で示すように該ｐ型ＧａＮ層４６を直ちに厚み方向に通過して、低抵抗なｎ型ＧａＮコア層４２を流れ、該ｐ型ＧａＮ層４６を短絡して流れる電流は少ないと思われる。
【００５３】
このように構成することで、ａ軸を長手方向に持つことにより、内部ピエゾ電界を無くして内部量子効率を上げるという長所を有している。また、熱源である発光層（前記斜線部分）がヒートシンクとなる支持基板４７の近くに位置するので、放熱性に優れ、高出力でも外部量子効率の低減を抑えられるという長所も有している。
【００５４】
これに対して、本実施の形態では、コア部２１は成長の容易なｃ軸方向に成長されるが、電流の流れる方向が、それとは直交する同軸形状の径方向であるので、上記非特許文献と同様にピエゾ電界を打ち消し、高効率な内部量子効率の実現（発光再結合効率を高めることができる）、高い注入効率の実現が可能になる。また、同様にナノコラム２は支持基板３と平行であるので、放熱性の点でも同等である。
【００５５】
しかしながら、非特許文献では、ａ面の成長には、非常に高価なＳｉＣ基板やＬｉＡｌＯ２基板などが必要になるのに対して、本実施の形態では、安価なサファイアなどを使用することができる。
【００５６】
また、非特許文献では、電極４８，４９の形成の際には、前述のように状態の良好なナノコラム４１ｅをＳＥＭで探し出して、電子線を用いて描画するという途方もない作業が必要になるとともに、ナノコラム４１ｅの周囲に前記電極４８，４９、パターン５０およびパッド５１を貼付ける関係で、大きなスペースを有し、また支持基板上で配線が錯綜するので、前記の作業性の悪さと併せて、支持基板４７上に分散させたナノコラム４１の内、実際に発光させられるのは僅かである。さらに、上述のように実際に発光するのは、ｐ型電極４８とナノコラム４１ｅとが重なった色付けして示す部分になる。このため、出力が小さすぎて、照明応用など、高出力を必要とする用途には使えないという問題がある。これに対して、本実施の形態では、前述のように支持基板３上の総てのナノコラム２に対して一括して、かつ極めて容易に電極を形成することができるとともに、ナノコラム２の周囲に広いスペースは必要とならず、支持基板３上に多くのナノコラム２を収容することができ、かつ発光面積も広く、光量を増加することができる。これによって、照明応用の可能性が極めて高い。
【００５７】
したがって、非特許文献の従来技術は、ヘテロ構造を同軸形状の径方向に形成し、そのナノコラム４１を支持基板４７上で平行な横転状態で使用するという画期的な技術であるが、実験室レベルの技術であり、工業的に量産することはできない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の一形態に係る半導体発光装置の構造を説明するための一部分を透視して示す斜視図である。
【図２】前記半導体発光装置に用いられるナノコラムの斜視図である。
【図３】前記ナノコラムの製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４】前記半導体発光装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図５】前記半導体発光装置の完成状態を模式的に示す断面図である。
【図６】ヘテロ構造を同軸形状の径方向に形成した従来技術のナノコラムの斜視図である。
【図７】そのナノコラムを支持基板上で平行な状態で使用した従来技術の半導体発光装置の構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５９】
１    半導体発光装置
２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ    ナノコラム
３    支持基板
４    封止部材
５    Ａｌ基板
６    Ｃｕ基板
７    ＩＴＯ
８    ｐ型電極端子
２１    コア部
２２    シェル部
３１    成長基板
３２    Ｎｉ薄膜
３３    容器
３４    アルコール
３５    窒素ラジカル
【図１】
2008235443.tif 000003
【図２】
2008235443.tif 000004
【図３】
2008235443.tif 000005
【図４】
2008235443.tif 000006
【図５】
2008235443.tif 000007
【図６】
2008235443.tif 000008
【図７】
2008235443.tif 000009