(57)【要約】【課題】膜厚方向に弾力性があり、低圧縮荷重で膜厚方向の導通が可能で、さらに、弾性回復が可能で、頻回の使用に適している異方性導電膜を提供すること。【解決手段】合成樹脂から形成された電気絶縁性の多孔質膜を基膜とし、該基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面に貫通する、多孔質膜の膜厚方向に貫通孔を形成する工程により形成された貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に付着した導電性金属により形成され、膜厚方向にのみ導電性を付与することが可能な導通部がそれぞれ独立して設けられ、かつ、各導通部が、多孔質膜の多孔質構造を保持した状態で、各貫通孔の壁面における多孔質構造の樹脂部に付着した導電性金属により形成されていることを特徴とする異方性導電膜、及びその製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成樹脂から形成された電気絶縁性の多孔質膜を基膜とし、該基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面に貫通する、多孔質膜の膜厚方向に貫通孔を形成する工程により形成された貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に付着した導電性金属により形成され、膜厚方向にのみ導電性を付与することが可能な導通部がそれぞれ独立して設けられ、かつ、各導通部が、多孔質膜の多孔質構造を保持した状態で、各貫通孔の壁面における多孔質構造の樹脂部に付着した導電性金属により形成されていることを特徴とする異方性導電膜。
【請求項２】
各導通部が、各貫通孔の壁面における多孔質構造の樹脂部に付着した導電性金属の粒子により形成されている請求項１記載の異方性導電膜。
【請求項３】
導電性金属の粒子が、導電性金属の無電解めっき粒子である請求項２記載の異方性導電膜。
【請求項４】
多孔質膜が、多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の異方性導電膜。
【請求項５】
多孔質構造の樹脂部が、それぞれポリテトラフルオロエチレンからなるフィブリルと該フィブリルによって互に連結されたノードとから形成された多孔質構造の該フィブリルとノードである請求項４記載の異方性導電膜。
【請求項６】
膜厚方向に圧力を加えることにより、各導通部において膜厚方向にのみ導電性が付与される請求項１乃至５のいずれか１項に記載の異方性導電膜。
【請求項７】
合成樹脂から形成された電気絶縁性の多孔質膜からなる基膜の複数箇所に、多孔質膜の膜厚方向に貫通孔を形成する工程により、第一表面から第二表面に貫通する貫通孔を形成し、次いで、該貫通孔の壁面における多孔質構造の樹脂部に導電性金属を多孔質構造を保持するように付着させて、膜厚方向にのみ導電性を付与することが可能な導通部をそれぞれ独立して設けることを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
【請求項８】
該基膜の複数箇所に、シンクロトロン放射光もしくは波長２５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して、第一表面から第二表面に貫通する貫通孔を形成する請求項７記載の製造方法。
【請求項９】
該基膜の複数箇所に、超音波加工により、第一表面から第二表面に貫通する貫通孔を形成する請求項７記載の製造方法。
【請求項１０】
各貫通孔の壁面における多孔質構造の樹脂部に導電性金属の粒子を付着させることにより、導通部を設ける請求項７乃至９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
各貫通孔の壁面における多孔質構造の樹脂部に、無電解めっきにより導電性金属を付着させる請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
各貫通孔の壁面における多孔質構造の樹脂部に、化学還元反応を促進する触媒粒子を付着させた後、化学還元反応による無電解めっきにより導電性金属を付着させる請求項１１記載の製造方法。
【請求項１３】
多孔質膜が、多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜である請求項７乃至１２のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させるに際し、粒子径０．００１〜５μｍの導電性金属粒子を付着量０．００１〜４．０ｇ／ｍｌで付着させる請求項７乃至１３のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電膜とその製造方法に関し、さらに詳しくは、半導体デバイスのバーンイン試験などに好適に使用することができる異方性導電膜とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ディバイスの初期故障を取り除くスクリーニング手法の一つとして、バーンイン試験が行われている。バーンイン試験では、半導体ディバイスの動作条件よりも高温かつ高圧の加速ストレスを印加し、故障発生を加速して短時間で不良品を取り除いている。例えば、パッケージングされた半導体ディバイスをバーンインボードに多数個配置し、高温槽中にて、外部から加速ストレストなる電源電圧及び入力信号を一定時間印加する。その後、半導体ディバイスを外部に取り出して、良品と不良品との判定試験を行う。判定試験では、半導体ディバイスの欠陥によるリーク電流の増加、多層配線の欠陥による不良品、コンタクトの欠陥などを判定する。バーンイン試験は、半導体ウェハの状態でも行われている。
【０００３】
例えば、半導体ウェハのバーンイン試験を行う場合、半導体ウェハ表面のアルミニウムなどからなる電極パッドを介して試験を行う。その際、半導体ウェハの電極パッドと測定装置のヘッド電極との間の電極高さのバラツキによる接触不良を補うため、通常、これらの電極間に、膜厚方向のみに導電性を有するコンタクトシートを挟んで試験を行う。このコンタクトシートは、表面電極に対応するパターンに従って配置された導通部（「導電路」または「電極部」ともいう）において、膜厚方向のみに導電性を示すという特性により、異方性導電膜（「異方性導電シート」ともいう）と呼ばれる。
【０００４】
従来、エレクトロニクス技術分野において、パッケージされた集積回路をプリント配線板に接続するなどの目的で、図６に示すように、平坦な多孔質可撓性材料６３を非導電性の絶縁部とし、少なくとも１つの鉛直方向（Ｚ軸方向）に画定された断面内に導電性金属を充填し、かつ、エポキシ樹脂などの接着剤を充填して固定した導通部６２を形成した異方性導電部材６１が知られている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、この異方性導電部材６１は、バーンイン試験用の異方性導電膜として使用すると、検査時の押圧によって導通部６２が座屈して、弾性回復しないため、検査毎に使い捨てにせざるを得ない。そのため、検査にコストがかかりすぎることになる。したがって、この異方性導電部材６１は、頻回の使用が求められるバーンイン試験用の異方性導電膜には適していない。
【０００５】
また、図７に示すように、エポキシ系樹脂材料など熱硬化性樹脂から形成された封止用絶縁シート７４の膜厚方向に複数の貫通孔を設け、これらの貫通孔の中に、エラストマーに導電性粒子７３を分散させた導電路形成用材料を充填して、導電路７２を形成した構造の半導体素子実装用シート７１が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。導電性粒子としては、例えば、金属や合金の粒子、あるいはポリマー粒子の表面を導電性金属でめっきした構造のカプセル型導電性粒子などが使用されている。
【０００６】
半導体素子実装用シート７１を膜厚方向に押圧すると、導電路７２のエラストマーが圧縮されて導電性粒子７３が連結することにより、導電路の膜厚方向のみに電気的導通が得られる。しかし、この半導体素子実装用シート７１は、バーンイン試験用の異方性導電膜として使用すると、膜厚方向に導通を得るのに高圧縮荷重を必要とし、しかもエラストマーの劣化により弾性が低下するため、頻回の使用ができない。したがって、このような構造の半導体素子実装用シートは、半導体ウェハなどのバーンイン試験用の異方性導電膜としては適していない。
【０００７】
他方、半導体ウェハなどのバーンイン試験用インターポーザ(interposer)などとして用いられる異方性導電膜には、半導体ウェハの表面電極を測定装置のヘッド電極に接続したり、半導体ウェハからの配線を半導体パッケージの端子と接続することなどに加えて、応力緩和の作用も求められている。そのため、異方性導電膜には、膜厚方向に弾力性があり、低圧縮荷重で膜厚方向の導通が可能であること、さらには、弾性回復が可能で、頻回の使用に適していることが求められている。また、高密度実装などに伴って、検査に使用する異方性導電膜の各導通部の大きさやピッチなどのパターンをファイン化することが要求されている。しかし、従来技術では、これらの要求に充分に応えることができる異方性導電膜を開発することができなかった。
【０００８】
【特許文献１】特表平１０−５０３３２０号公報  （第１−３頁、図４）
【特許文献２】特開平１０−１２６７３号公報  （第１−２頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、主として半導体ウェハなどの検査に用いられる異方性導電膜であって、膜厚方向に弾力性があり、低圧縮荷重で膜厚方向の導通が可能で、さらには、弾性回復が可能で、頻回の使用に適している異方性導電膜を提供することにある。また、本発明の目的は、各導通部の大きさやピッチなどをファイン化することができる異方性導電膜を提供することにある。
【００１０】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究する過程で、合成樹脂から形成された電気絶縁性の多孔質膜が適度の弾性を有し、弾性回復が可能なため、異方導電性膜の基膜として適していることに着目した。しかし、多孔質膜の特定部位の多孔質構造内に導電性金属を充填して、導電性金属塊からなる導通部を形成する方法では、圧縮荷重時に導電性金属塊が座屈して弾性回復しないため、繰り返し使用することができない。
【００１１】
そこで、さらに研究を続けた結果、多孔質膜の複数箇所に、膜厚方向に貫通する状態で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させる方法により、導通部を形成すると、導通部での多孔質構造を保持することができることを見出した。もちろん、導通部においては、多孔質構造の樹脂部には導電性金属が付着しているため、多孔質膜が本来有している多孔質構造を完全には保持することができないものの、ある程度の範囲で多孔質構造を保持させることができる。すなわち、本発明の異方性導電膜は、導通部が多孔質状となっている。
【００１２】
したがって、本発明の異方性導電膜は、基膜だけではなく、導通部も弾性と弾性回復性を有しており、頻回の使用が可能である。また、本発明の異方性導電膜は、低圧縮荷重で膜厚方向の導通が可能である。さらに、本発明の異方性導電膜は、導通部や導通部間のピッチなどをファイン化することもできる。本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によれば、合成樹脂から形成された電気絶縁性の多孔質膜を基膜とし、該基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面に貫通する、多孔質膜の膜厚方向に貫通孔を形成する工程により形成された貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に付着した導電性金属により形成され、膜厚方向にのみ導電性を付与することが可能な導通部がそれぞれ独立して設けられ、かつ、各導通部が、多孔質膜の多孔質構造を保持した状態で、各貫通孔の壁面における多孔質構造の樹脂部に付着した導電性金属により形成されていることを特徴とする異方性導電膜が提供される。
【００１４】
また、本発明によれば、合成樹脂から形成された電気絶縁性の多孔質膜からなる基膜の複数箇所に、多孔質膜の膜厚方向に貫通孔を形成する工程により、第一表面から第二表面に貫通する貫通孔を形成し、次いで、該貫通孔の壁面における多孔質構造の樹脂部に導電性金属を多孔質構造を保持するように付着させて、膜厚方向にのみ導電性を付与することが可能な導通部をそれぞれ独立して設けることを特徴とする異方性導電膜の製造方法が提供される。
【００１５】
さらに、実施態様として、下記１〜３に示される異方性導電膜の製造方法が提供される。
【００１６】
１．（１）多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜(A)からなる基膜の両面に、マスク層としてポリテトラフルオロエチレン膜(B)及び(C)を融着させて３層構成の積層体を形成する工程、
（２）一方のマスク層の表面から、所定のパターン状にそれぞれ独立した複数の光透過部を有する光遮蔽シートを介して、シンクロトロン放射光または波長２５０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより、積層体にパターン状の貫通孔を形成する工程、
（３）貫通孔の壁面を含む積層体の全表面に化学還元反応を促進する触媒粒子を付着させる工程、
（４）両面のマスク層を剥離する工程、及び
（５）無電解めっきにより貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させる工程
の各工程により、多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜からなる基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面に貫通する貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させて、膜厚方向にのみ導電性を付与することが可能な導通部をそれぞれ独立して設けることを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
【００１７】
２．（I）多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜(A)からなる基膜の両面に、マスク層としてポリテトラフルオロエチレン膜(B)及び(C)を融着させて３層構成の積層体を形成する工程、
（II）先端部に少なくとも１本のロッドを有する超音波ヘッドを用いて、該ロッドの先端を積層体の表面に押付けて超音波エネルギーを加えることにより、積層体にパターン状の貫通孔を形成する工程、
（III）貫通孔の壁面を含む積層体の全表面に化学還元反応を促進する触媒粒子を付着させる工程、
（IV）両面のマスク層を剥離する工程、及び
（V）無電解めっきにより貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させる工程
の各工程により、多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜からなる基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面に貫通する貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させて、膜厚方向にのみ導電性を付与することが可能な導通部をそれぞれ独立して設けることを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
【００１８】
３．（i）多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜(A)からなる基膜の両面に、マスク層として多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜(B)及び(C)を融着させて３層構成の積層体を形成する工程、
（ii）積層体の多孔質内に液体を染み込ませて、該液体を凍結させる工程、
（iii）先端部に少なくとも１本のロッドを有する超音波ヘッドを用いて、該ロッドの先端を積層体の表面に押付けて超音波エネルギーを加えることにより、積層体にパターン状の貫通孔を形成する工程、
（iv）積層体を昇温して、多孔質内の凍結体を液体に戻して除去する工程、
（V）貫通孔の壁面を含む積層体の全表面に化学還元反応を促進する触媒粒子を付着させる工程、
（vi）両面のマスク層を剥離する工程、及び
（vii）無電解めっきにより貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させる工程
の各工程により、多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜からなる基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面に貫通する貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させて、膜厚方向にのみ導電性を付与することが可能な導通部をそれぞれ独立して設けることを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、膜厚方向に弾力性があり、低圧縮荷重で膜厚方向の導通が可能で、さらには、弾性回復が可能で、頻回の使用に適している異方性導電膜が提供される。また、本発明によれば、各導通部の大きさやピッチなどをファイン化することができる異方性導電膜が提供される。本発明の異方性導電膜は、主に半導体ウェハなどの検査用異方性導電膜として、低圧縮荷重で膜厚方向の電気的導通が得られ、かつ、繰り返し荷重負荷でも、弾性により膜厚が復帰し、検査に繰り返し使用が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
１．多孔質膜（基膜）；
半導体ウェハなどのバーンイン試験用異方性導電膜は、基膜の耐熱性に優れていることが好ましい。異方性導電膜は、横方向（膜厚方向とは垂直方向）に電気絶縁性であることが必要である。したがって、多孔質膜を形成する合成樹脂は、電気絶縁性であることが必要である。
【００２１】
基膜として使用する多孔質膜を形成する合成樹脂材料としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリふっ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリふっ化ビニリデン共重合体、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ樹脂）などのフッ素樹脂；ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍＰＰＥ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などのエンジニアリングプラスチック；などが挙げられる。これらの中でも、耐熱性、加工性、機械的特性、誘電特性などの観点から、ＰＴＦＥが好ましい。
【００２２】
合成樹脂からなる多孔質膜を作製する方法としては、造孔法、相分離法、溶媒抽出法、延伸法、レーザ照射法などが挙げられる。合成樹脂を用いて多孔質膜を形成することにより、膜厚方向に弾性を持たせることができるとともに、誘電率を更に下げることができる。
【００２３】
異方性導電膜の基膜として使用する多孔質膜は、気孔率が２０〜８０％程度であることが好ましい。多孔質膜は、平均孔径が１０μｍ以下あるいはバブルポイントが２ｋＰａ以上であることが好ましく、導通部のファインピッチ化の観点からは、平均孔径が１μｍ以下あるいはバブルポイントが１０ｋＰａ以上であることがより好ましい。多孔質膜の膜厚は、使用目的や使用箇所に応じて適宜選択することができるが、通常、３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下である。特にバーンイン試験用の異方性導電膜では、多孔質膜の膜厚は、多くの場合、好ましくは５〜５００μｍ、より好ましくは１０〜２００μｍ、特に好ましくは１５〜１００μｍ程度である。
【００２４】
多孔質膜の中でも、延伸法により得られた多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜（以下、「多孔質ＰＴＦＥ膜」と略記）は、耐熱性、加工性、機械的特性、誘電特性などに優れ、しかも均一な孔径分布を有する多孔質膜が得られ易いため、異方性導電膜の基膜として最も優れた材料である。
【００２５】
本発明で使用する多孔質ＰＴＦＥ膜は、例えば、特公昭４２−１３５６０号公報に記載の方法により製造することができる。まず、ＰＴＦＥの未焼結粉末に液体潤滑剤を混合し、ラム押し出しによってチューブ状または板状に押し出す。厚みの薄いシートが所望な場合は、圧延ロールによって板状体の圧延を行う。押出圧延工程の後、必要に応じて、押出品または圧延品から液体潤滑剤を除去する。こうして得られた押出品または圧延品を少なくとも一軸方向に延伸すると、未焼結の多孔質ＰＴＦＥが膜状で得られる。未焼結の多孔質ＰＴＦＥ膜は、収縮が起こらないように固定しながら、ＰＴＦＥの融点である３２７℃以上の温度に加熱して、延伸した構造を焼結・固定すると、強度の高い多孔質ＰＴＦＥ膜が得られる。多孔質ＰＴＦＥ膜がチューブ状である場合には、チューブを切り開くことにより、平らな膜にすることができる。
【００２６】
延伸法により得られた多孔質ＰＴＦＥ膜は、それぞれＰＴＦＥにより形成された非常に細い繊維（フィブリル）と該繊維によって互いに連結された結節（ノード）とからなる微細繊維状組織を有している。多孔質ＰＴＦＥ膜は、この微細繊維状組織が多孔質構造を形成している。
【００２７】
２．導通部（電極部）の形成：
本発明では、合成樹脂から形成された電気絶縁性の多孔質膜からなる基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面に貫通する状態で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させて、膜厚方向に導電性を付与することが可能な導通部をそれぞれ独立して設ける。
【００２８】
基膜の複数箇所に導通部を形成するには、先ず、導電性金属を付着する位置を特定する必要がある。導電性金属を付着させる位置を特定する方法としては、例えば、多孔質膜に液体レジストを含浸させて、パターン状に露光し、現像して、レジスト除去部を導電性金属の付着位置とする方法がある。本発明では、多孔質膜の特定位置の膜厚方向に微細な貫通孔を形成して、該貫通孔の壁面を導電性金属の付着位置とする方法を好適に採用することができる。多孔質膜に多数の貫通孔を形成する本発明の方法は、フォトリソグラフィ技術を用いる前者の方法に比べて、ファインピッチで導電性金属を付着させる場合に適している。また、多孔質膜に多数の貫通孔を形成する方法は、例えば、３０μｍ以下、さらには２５μｍ以下の微細な直径の導通部を形成するのに適している。
【００２９】
本発明では、多孔質膜からなる基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面に貫通する状態で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させて導通部を形成する。フォトリソグラフィ技術を用いる方法では、無電解めっき法などによりレジスト除去部に導電性金属粒子を析出させて、多孔質構造の樹脂部に導電性金属を連続して付着させる。この場合、レジスト除去部の第一表面から第二表面に貫通する状態となるように、多孔質構造の樹脂部に導電性金属を連続して付着させる。貫通孔を形成する本発明に特有の方法では、貫通孔の壁面に露出している多孔質構造の樹脂部に、無電解めっき法などにより導電性金属粒子を析出させる方法により付着させる。
【００３０】
多孔質構造の樹脂部とは、多孔質膜の多孔質構造を形成している骨格部を意味している。多孔質構造の樹脂部の形状は、多孔質膜の種類や多孔質膜の形成方法によって異なっている。例えば、延伸法による多孔質ＰＴＦＥ膜の場合には、多孔質構造は、それぞれＰＴＦＥからなる多数のフィブリルと該フィブリルによって互に連結された多数のノードとから形成されているので、その樹脂部は、これらのフィブリルとノードである。
【００３１】
多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させて導通部を形成する。この際、導電性金属の付着量を適度に制御することによって、導通部での多孔質構造を保持することができる。本発明の異方性導電膜では、導電性金属が多孔質構造の樹脂部の表面に沿って付着しているため、導電性金属層が多孔質構造と一体となって多孔質状構造となっており、その結果、導通部が多孔質状となっているということができる。
【００３２】
無電解めっき法などを採用すると、導電性金属粒子が多孔質構造の樹脂部に付着する。本発明の異方性導電膜では、多孔質膜を構成する多孔質構造（多孔性）をある程度維持したまま、導電性金属粒子が付着した状態が得られる。多孔質構造の樹脂部の太さ（例えば、フィブリルの太さ）は、５０μｍ以下であることが好ましい。導電性金属粒子の粒子径は、０．００１〜５μｍ程度であることが好ましい。導電性金属粒子の付着量は、多孔性と弾性を維持するために、０．０１〜４．０ｇ／ｍｌ程度とすることが好ましい。基膜となる多孔質膜の気孔率にもよるが、導電性金属粒子の付着量が多すぎると、異方性導電膜の弾性が大きくなりすぎて、通常の使用圧縮荷重では、異方性導電膜の弾性回復性能が著しく低下する。導電性金属粒子の付着量が少なすぎると、圧縮荷重を加えても膜厚方向への導通を得ることが困難になる。
【００３３】
貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させる方法について、図面を参照しながら説明する。図１は、貫通孔が形成された多孔質膜の斜視図である。多孔質膜（基膜）１には、第一表面２から第二表面３にかけて貫通する貫通孔４が複数箇所に形成されている。これらの貫通孔は、一般に、所定のパターンで多孔質膜に形成される。図２は、図１のＡ−Ａ′線に沿った断面図であり、貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属粒子が付着して導通部を形成している状態を示している。図２において、多孔質膜６は、基膜となっており、所定の複数箇所に貫通孔４が設けられており、貫通孔壁面の多孔質構造の樹脂部には導電性金属粒子が付着して導通部５が形成されている。この導通部は、多孔質構造の樹脂部の表面に付着して形成されているため、多孔質としての特性を有しており、膜厚方向に圧力（圧縮荷重）を加えることにより、膜厚方向のみに導電性が付与される。圧力を除去すると、導通部を含む異方性導電膜全体が弾性回復するので、本発明の異方性導電膜は、繰り返して使用することができる。
【００３４】
図３は、図２の１つの導通部の拡大断面図であり、ａは、貫通孔の直径を表わし、ｂは、導電性金属粒子が付着して形成された導通部（電極）の直径（外径）を表わす。導電性金属粒子は、貫通孔の壁面において、多孔質構造の中に若干浸透した状態で付着するため、導通部の直径ｂは、貫通孔の直径ａより大きい。
【００３５】
本発明の異方性導電膜は、圧縮荷重が加えられていない状態では、導通部の抵抗値が大きく、所定の圧縮荷重を加えた時に導通部の抵抗値が０．５Ω以下となることが望ましい。導通部の抵抗値の測定は、図５に示す導通確認装置を用いて行うが、その詳細は、実施例において説明する。
【００３６】
図１に示すように、多孔質膜の複数箇所に貫通孔を設けただけでは、無電解めっき法などで貫通孔の壁面のみに導電性金属を付着させることは困難である。例えば、多孔質膜として多孔質ＰＴＦＥ膜を使用すると、無電解めっきにより、貫通孔の壁面だけではなく、全体の多孔質構造の樹脂部に導電性金属粒子が析出してしまう。そこで、本発明では、例えば、マスク層を用いて、貫通孔の壁面のみに導電性金属を付着させる方法を提案する。具体的には、貫通孔の壁面のみに導電性金属を析出させるため、無電解めっきにおける化学還元反応を促進する触媒粒子が基膜の表面に付着しないよう、基膜の両表面にマスク層を形成する。
【００３７】
例えば、基膜として延伸法による多孔質ＰＴＦＥ膜を使用する場合、マスク層として使用する材料は、基膜との密着性が良好であり、基膜と同時に貫通孔が形成でき、マスク層としての役割を終えたあとには基膜との剥離が容易であることから、基膜と同材料のＰＴＦＥ膜であることが好ましい。また、貫通孔を形成するエッチング速度を高めることができ、マスク層としての役割を終えたあと基膜との剥離をさらに容易にすることができる点から、マスク層は多孔質ＰＴＦＥ膜であることがより好ましい。マスク層の多孔質ＰＴＦＥ膜は、剥離し易さの観点から、気孔率２０〜８０％程度のものが好ましく、その膜厚は、３ｍｍ以下であることが好ましく、１ｍｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることが特に好ましい。また、その平均孔径は、マスク層としての耐水性の観点から、１０μｍ以下（あるいはバブルポイントが２ｋＰａ以上）であることが好ましい。
【００３８】
延伸法により得られた多孔質ＰＴＦＥ膜(A)を基膜として使用し、同じ材質のＰＴＦＥ膜、好ましくは多孔質ＰＴＦＥ膜(B)及び(C)をマスク層として使用する場合について、図４を参照しながら説明する。図４に示すように、多孔質ＰＴＦＥ膜(A)４３からなる基膜の両面に、マスク層として多孔質ＰＴＦＥ膜(B)４４及び(C)４５を融着させて３層構成の積層体を形成する。より具体的に、これらの多孔質ＰＴＦＥ膜を図４に示すように３層に重ね合わせ、その両面を２枚のステンレス板４１，４２で挟む。各ステンレス板は、平行面を有している。各ステンレス板を３２０〜３８０℃の温度で３０分間以上加熱することにより、３層の多孔質ＰＴＦＥ膜を互いに融着させる。多孔質ＰＴＦＥ膜の機械的強度を高めるために、加熱処理後は冷却水などで急冷することが好ましい。このようにして、３層構成の積層体を形成する。
【００３９】
多孔質膜の特定位置の膜厚方向に貫通孔を形成する方法としては、例えば、化学エッチング法、熱分解法、レーザ光や軟Ｘ線照射によるアブレーション法、超音波法などが挙げられる。基膜として延伸法による多孔質ＰＴＦＥ膜を使用する場合には、シンクロトロン放射光または波長２５０ｎｍ以下のレーザ光を照射する方法、及び超音波法が好ましい。
【００４０】
多孔質ＰＴＦＥ膜を基膜として使用し、かつ、シンクロトロン放射光または波長２５０ｎｍ以下のレーザ光の照射により貫通孔を形成する工程を含む異方性導電膜の製造方法は、好ましくは、（１）多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜(A)からなる基膜の両面に、マスク層としてポリテトラフルオロエチレン膜(B)及び(C)を融着させて３層構成の積層体を形成する工程、（２）一方のマスク層の表面から、所定のパターン状にそれぞれ独立した複数の光透過部を有する光遮蔽シートを介して、シンクロトロン放射光または波長２５０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより、積層体にパターン状の貫通孔を形成する工程、（３）貫通孔の壁面を含む積層体の全表面に化学還元反応を促進する触媒粒子を付着させる工程、（４）両面のマスク層を剥離する工程、及び（５）無電解めっきにより貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させる工程を含む製造方法である。
【００４１】
光遮蔽シートとしては、例えば、タングステンシートが好ましい。タングステンシートにパターン状の複数の開口部を形成して、該開口部を光透過部（以下、単に「開口部」ということがある）とする。光遮蔽シートの複数の開口部より光が透過し照射された箇所は、エッチングされて貫通孔が形成される。
【００４２】
光遮断シートの開口部のパターンは、円形、星型、八角形、六角形、四角形、三角形など任意の形状が可能である。開口部の孔径は、一辺もしくは径が０．１μｍ以上で、使用する多孔質ＰＴＦＥ膜の平均孔径より大きければよい。貫通孔の孔径は、作製される異方性導電膜の導通部（電極）のサイズを決定するので、作製したい導通部のサイズに応じて適宜形成すればよいが、異方性導電膜を、例えば半導体ウェハのバーンイン試験用インターポーザとして使用する場合などには、５〜１００μｍが好ましく、５〜３０μｍがより好ましい。導通部（電極）間ピッチは、５〜１００μｍが好ましい。
【００４３】
超音波法により、多孔質膜の特定位置の膜厚方向に貫通孔を形成するには、図１０に示すように、先端部に少なくとも１本のロッド102を取り付けた超音波ヘッド101を用いて、該ロッド102の先端を多孔質膜103の表面に押付けて超音波エネルギーを加える。貫通孔を形成する工程では、多孔質膜103は、例えば、シリコン、セラミックス、ガラス等の硬質材料から形成された板状体104の上に載置する。板状体を用いる代わりに、多孔質膜の上下にロッド同士を対向させてもよい。
【００４４】
ロッドとしては、金属、セラミックス、ガラス等の無機材料で形成された棒状体が好ましい。ロッドの直径は、特に限定されないが、ロッドの強度、作業性、所望とする貫通孔の孔径などの観点から、通常０．０５〜０．５ｍｍの範囲から選択される。ロッドの断面形状は、一般に円形であるが、それ以外に、星型、八角形、六角形、四角形、三角形など任意の形状であってもよい。超音波ヘッド101の先端部には、ロッド102を１本だけ取り付けるのではなく、多数本のロッドを取り付けて、多孔質膜に多数の開口部を一括加工により成形してもよい。
【００４５】
ロッド102の押付け圧力は、ロッド１本当り通常１ｇｆ〜１ｋｇｆ、好ましくは１〜１００ｇｆの範囲内である。超音波の周波数は、通常５〜５００ｋＨｚ、好ましくは１０〜５０ｋＨｚの範囲内である。超音波の出力は、ロッド１本当り通常１〜１００Ｗ、好ましくは５〜５０Ｗの範囲内である。
【００４６】
ロッド102を多孔質膜103の表面に押し付けて超音波ヘッドを稼動させると、ロッドの先端が押し付けられた多孔質膜の付近のみに超音波エネルギーが加えられて、超音波による振動エネルギーによって局所的に温度が上昇し、その部分の樹脂成分が溶融、蒸発等により分解して、多孔質膜に貫通孔が形成される。
【００４７】
一般に、多孔質ＰＴＦＥ膜は、機械加工により貫通孔を形成することが困難である。例えば、通常のパンチング法により多孔質ＰＴＦＥ膜に貫通孔を形成すると、バリが発生して、綺麗で正確な形状の貫通孔を形成することが困難である。これに対して、前述の超音波法により加工すると、多孔質ＰＴＦＥ膜に容易かつ安価に所望の形状の貫通孔を形成することができる。
【００４８】
貫通孔の断面形状は、円形、星型、八角形、六角形、四角形、三角形など任意である。貫通孔の孔径は、小さな孔径が適した用途分野では、通常５〜１００μｍ、好ましくは５〜３０μｍ程度にすることができ、他方、比較的大きな孔径が適した分野では、通常１００〜１０００μｍ、好ましくは３００〜８００μｍ程度にすることができる。
【００４９】
多孔質ＰＴＦＥ膜を基膜として使用し、かつ、超音波法により多孔質膜の特定位置の膜厚方向に貫通孔を形成する工程を含む異方性導電膜の製造方法は、好ましくは、（I）多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜(A)からなる基膜の両面に、マスク層としてポリテトラフルオロエチレン膜(B)及び(C)を融着させて３層構成の積層体を形成する工程、（II）先端部に少なくとも１本のロッドを有する超音波ヘッドを用いて、該ロッドの先端を積層体の表面に押付けて超音波エネルギーを加えることにより、積層体にパターン状の貫通孔を形成する工程、（III）貫通孔の壁面を含む積層体の全表面に化学還元反応を促進する触媒粒子を付着させる工程、（IV）両面のマスク層を剥離する工程、及び（V）無電解めっきにより貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させる工程を含む製造方法である。
【００５０】
多孔質ＰＴＦＥ膜を基膜として使用し、かつ、超音波法により多孔質膜の特定位置の膜厚方向に貫通孔を形成する工程を含む異方性導電膜の他の好ましい製造方法としては、例えば、（i）多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜(A)からなる基膜の両面に、マスク層として多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜(B)及び(C)を融着させて３層構成の積層体を形成する工程、（ii）積層体の多孔質内に液体を染み込ませて、該液体を凍結させる工程、（iii）先端部に少なくとも１本のロッドを有する超音波ヘッドを用いて、該ロッドの先端を積層体の表面に押付けて超音波エネルギーを加えることにより、積層体にパターン状の貫通孔を形成する工程、（iv）積層体を昇温して、多孔質内の凍結体を液体に戻して除去する工程、（V）貫通孔の壁面を含む積層体の全表面に化学還元反応を促進する触媒粒子を付着させる工程、（vi）両面のマスク層を剥離する工程、及び（vii）無電解めっきにより貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させる工程を含む製造方法が挙げられる。
【００５１】
３層構成の積層体を用いる場合、図１０に示す貫通孔の形成方法では、先端部に少なくとも１本のロッド102を取り付けた超音波ヘッド101を用いて、該ロッド102の先端を積層体（通常、３層構成の多孔質ＰＴＦＥ膜）103の表面に押付けて超音波エネルギーを加える。
【００５２】
積層体の多孔質内に液体を染み込ませて、該液体を凍結させる工程を含む製造方法では、３層構成の多孔質ＰＴＦＥ膜からなる積層体の多孔質内部に水またはアルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの低級アルコール）等の有機溶媒などの液体を染み込ませ、冷却して液体を凍結させる。染み込ませた液体が凍結状態にある間に、先端部に少なくとも１本のロッドを有する超音波ヘッドを用いて、該ロッドの先端を積層体の表面に押付けて超音波エネルギーを加えることにより、加工性が改善され、パターン状の貫通孔を綺麗に形成することができる。冷却温度は、液体として水を使用する場合、零度以下、好ましくは−１０℃以下にまで冷却して凍結させると、加工性が良好となる。アルコール等の有機溶媒の場合には、−５０℃以下、望ましくは液体窒素温度まで冷却すると、加工性が良好となる。有機溶媒は、常温で液体であるものが好ましい。アルコール等の有機溶媒は、２種以上の混合物であってもよく、あるいは水を含有しているものでもよい。
【００５３】
電気絶縁性の多孔質膜を導電化する方法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、無電解めっき法などが挙げられるが、多孔質構造の樹脂部に導電性金属を析出させて付着させるには、無電解めっき法が好ましい。無電解めっき法では、通常、めっきを析出させたい箇所に化学還元反応を促進する触媒を付与する必要がある。多孔質膜の特定の箇所の多孔質構造の樹脂部のみにめっきを行うには、当該箇所のみに触媒を付与する方法が有効である。
【００５４】
例えば、膜厚方向に任意の形の微細な貫通孔が形成された多孔質ＰＴＦＥ膜の壁面（孔壁）のみを無電解銅めっきにて導電性を付与する場合、マスク層を形成した３層融着状態の積層体に貫通孔を形成し、そして、この積層体をパラジウム−スズコロイド触媒付与液に十分撹拌しながら浸漬する。触媒付与液に浸漬後、両表面のマスク層(B)及び(C)を剥離すると、貫通孔の壁面のみに触媒コロイド粒子が付着した多孔質ＰＴＦＥ膜(A)を得ることができる。該多孔質ＰＴＦＥ膜(A)をめっき液に浸漬することにより、貫通孔の壁面のみに銅を析出させることができ、それによって、筒状の導通部（電極）が形成される。銅以外に、ニッケル、銀、金、ニッケル合金などでも、同様の方法により導通部を形成することができるが、特に高導電性が必要な場合は、銅を使用することが好ましい。３層構成の積層体に貫通孔を形成する方法としては、シンクロトロン放射光もしくは２５０ｍｍ以下のレーザ光を照射する方法、及び超音波法が好ましい。
【００５５】
めっき粒子（結晶粒）は、初め多孔質ＰＴＦＥ膜の貫通孔の壁面に露出した微細繊維（フィブリル）に絡むように析出するので、めっき時間をコントロールすることにより、導電性金属の付着状態をコントロールすることができる。無電解めっき時間が短すぎると、膜厚方向への導電性を得ることが困難になる。無電解めっき時間が長すぎると、導電性金属が多孔質状ではなく金属塊になり、通常の使用圧縮荷重では弾性回復が困難になる。適度なめっき量とすることにより、多孔質状の導電性金属層が形成され、弾性とともに膜厚方向への導電性も与えることが可能となる。
【００５６】
上記のように作製された筒状の導通部（電極）は、酸化防止及び電気的接触性を高めるため、酸化防止剤を使用するか、貴金属もしくは貴金属の合金で被覆しておくことが好ましい。貴金属としては、電気抵抗の小さい点で、パラジウム、ロジウム、金が好ましい。貴金属等の被覆層の厚さは、０．００５〜０．５μｍが好ましく、０．０１〜０．１μｍがより好ましい。この被覆層の厚みが薄すぎると、電気的接触性の改善効果が小さく、厚すぎると、被覆層が剥離しやすくなるため、いずれも好ましくない。例えば、導通部を金で被覆する場合、８ｎｍ程度のニッケルで導電性金属層を被覆した後、置換金めっきを行う方法が効果的である。
【実施例】
【００５７】
以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。物性の測定法は、以下の通りである。
【００５８】
（１）バブルポイント（ＢＰ）：
延伸法による多孔質ＰＴＦＥ膜のバブルポイントは、イソプロピルアルコールを使用して、ＡＳＴＭ−Ｆ−３１６−７６に従って測定した。
【００５９】
（２）気孔率：
延伸法による多孔質ＰＴＦＥ膜の気孔率は、ＡＳＴＭ  Ｄ−７９２に従って測定した。
【００６０】
（３）導通開始荷重：
図５に示す導通確認装置を用いて、異方性導電膜の導通開始荷重を測定した。図５に示す導通確認装置において、異方性導電膜５１を、金めっきを施した銅板（「Ａｕ板」と呼ぶ）５２上に置く、その全体を重量計５６上に載置する。プローブとして外径３ｍｍφの銅柱５３を使用し、荷重を加える。異方性導電膜の抵抗値を４針法により測定する。抵抗値が０．５Ω以下を示した荷重から押圧荷重圧を算出し、導通開始荷重圧とした。図５において、５４は定電流電源を示し、５５は電圧計を示す。
【００６１】
（４）導通試験回数：
異方性導電膜を５ｍｍ角に切り取り、試料とした。セイコーインスツルメンツ（株）製ＴＭＡ／ＳＳ１２０Ｃを使用し、常温、窒素ガス雰囲気下、３ｍｍφの石英を押し込みプローブとして使用し、針入法により弾性回復性能を検証した。各異方性導電膜が導通するように、膜厚歪みが３８％となる荷重で加重と未加重を１０回繰り返し、その後の膜厚変化と導通開始荷重での再導通試験を行った。
【００６２】
［実施例１］
面積１０ｃｍ角で、気孔率６０％、平均孔径０．１μｍ（ＢＰ＝１５０ｋＰａ）、膜厚３０μｍの延伸法による多孔質ＰＴＦＥ膜３枚を重ね合わせて、厚さ３ｍｍ、縦１５０ｍｍ、横１００ｍｍのステンレス板２枚の間に挟み、ステンレス板の荷重とともに３５０℃で３０分間加熱処理した。加熱後、ステンレス板の上から水にて急冷し、３層に融着された多孔質ＰＴＦＥ膜の積層体を得た。
【００６３】
次いで、開口率９％、開口径１５μｍφ、ピッチ８０μｍで均等配列に開口したタングステンシートを積層体の片面に重ねて、シンクロトロン放射光を照射して、膜厚さ方向へ孔径１５μｍφ、８０μｍピッチで均等に配置された貫通孔を形成した。
【００６４】
１５μｍφの貫通孔を形成した積層体をエタノールに１分間浸漬して親水化した後、１００ｍｌ／Ｌに希釈したメルテックス（株）製メルプレートＰＣ−３２１に、６０℃の温度で４分間浸漬し脱脂処理を行った。さらに、積層体を１０％硫酸に１分間浸漬した後、プレディップとして、０．８％塩酸にメルテックス（株）製エンプレートＰＣ−２３６を１８０ｇ／Ｌの割合で溶解した液に２分間浸漬した。
【００６５】
さらに、積層体を、メルテックス（株）製エンプレートアクチベータ４４４を３％、エンプレートアクチベータアディティブを１％、塩酸を３％溶解した水溶液にメルテックス（株）製エンプレートＰＣ−２３６を１５０ｇ／Ｌの割含で溶解した液に５分間浸漬して、触媒粒子を積層体の表面及び貫通孔の壁面に付着させた。次に、積層体をメルテックス（株）製エンプレートＰＡ−３６０の５％溶液に５分間浸漬し、パラジウム触媒核の活性化を行った。その後、第１層と第３膚のマスク層を剥離して、貫通孔の壁面のみに触媒パラジウム粒子が付着した多孔質ＰＴＦＥ膜（基膜）を得た。
【００６６】
メルテックス（株）製メルプレートＣｕ−３０００Ａ、メルプレートＣｕ−３０００Ｂ、メルプレートＣｕ−３０００Ｃ、メルプレートＣｕ−３０００Ｄをそれぞれ５％、メルプレートＣｕ−３０００スタビライザーを０．１％で建浴した無電解銅めっき液に、十分エアー撹拌を行いながら、上記基膜を２０分間浸漬して、１５μｍφの貫通孔の壁面のみを銅粒子にて導電化した（電極の外径＝２５μｍ）。さらに、５ｍｌ／Ｌで建浴したメルテックス（株）製エンテックＣｕ−５６に３０秒間浸漬して、防錆処理して、多孔質ＰＴＦＥ膜を基膜とする異方性導電膜を得た。
【００６７】
めっき工程において、無電解鋼めっきのプレディップ工程と触媒付与工程の間以外の各液浸漬後は、蒸留水にて３０秒間から１分間程度水洗を行った。各液の温度は、脱脂処理を除いて全て常温（２０〜３０℃）で行った。
【００６８】
上記のようにして得られた多孔質ＰＴＦＥ膜を基膜とする異方性導電膜を１０ｍｍ角に切り取り、図５に示す装置にて導通開始荷重を測定した。プローブは、３ｍｍφの銅柱を使用し、抵抗値を４針法にて測定した。低抗値が０．５Ω以下となった荷重から押圧荷重を算出し、導通開始荷重圧とすることとした。その結果、導通開始荷重圧は６ｋＰａであった。
【００６９】
また、異方性導電膜を５ｍｍ角に切り取り、セイコーインスツルメンツ（株）製ＴＭＡ／ＳＳ１２０Ｃを使用し、常温、窒素ガス雰囲気下、石英３ｍｍφを押し込みプローブとして使用し、針入法により弾性回復性能を検証した。合計１０回の加重と未加重を繰り返し、その各回で膜厚変位と膜厚方向導通試験を行った。抵抗値は、上記同様０．５Ω以下を示せば導通ありとした。その結果、導通開始荷重圧は、６ｋＰａであった。十分な導通が得られ、かつ、膜厚歪みが３８％となる荷重圧の２７．７ｋＰａで１０回の加重と未加重を繰り返した後も、未加重時は試験前の膜厚を実質的に維持し、導通開始荷重圧の６ｋＰａでも導通が確認できた。
【００７０】
［実施例２］
実施例１と同様の方法、同様の条件にて、多孔質ＰＴＦＥ膜３枚を融着して積層体を形成した。この積層体に１０μｍφの貫通孔を形成し、次いで、めっき前処理を行った。マスク層の剥離後、無電解銅めっき液に十分エアー撹拌を行いながら基膜を２０分間浸漬し、１０μｍφの貫通孔の壁面のみに銅粒子を付着させて導電化し（電極の外径＝１７μｍ）、さらに実施例１と同様の防錆処理を施して、延伸法による多孔質ＰＴＦＥ膜を基膜とする異方性導電膜を得た。得られた異方性導電膜を用いて、実施例１と同様の試験を行ったところ、導通開始荷重圧は、６ｋＰａであった。十分な導通が得られ、かつ、膜厚歪みが３８％となる荷重圧の２７．７ｋＰａで１０回の加重と未加重を繰り返した後も、未加重時は試験前の膜厚を実質的に維持し、導通開始荷重圧の６ｋＰａでも導通が確認できた。
【００７１】
［比較例１］
面積１０ｃｍ角で、気孔率６０％、平均孔径０．１μｍ（ＢＰ＝１５０ｋＰａ）、膜厚３０μｍの延伸法による多孔質ＰＴＦＥ膜３枚を積層し、厚さ３ｍｍ、縦１５０ｍｍ、横１００ｍｍのステンレス板２枚の間に挟み、ステンレス板の荷重とともに３５０℃で３０分間加熱処理した。加熱後、ステンレス板の上から水にて急冷し、３枚が融着し積層体を得た。
【００７２】
次いで、開口率９％、開口径２５μｍφ、ピッチ６０μｍで均等配列に開口したタングステンシートを積層体の片面に重ねて、シンクロトロン放射光を照射して、膜厚方向へ孔径２５μｍφ、６０μｍピッチで均等に配置された貫通孔を形成した。
【００７３】
２５μｍφの孔を形成した積層体をエタノールに１分間浸漬し親水化した後、１００ｍｌ／Ｌに希釈したメルテックス（株）製メルプレートＰＣ−３２１に、水温６０℃で４分間浸漬し、脱脂処理を行った。さらに、積層体を１０％硫酸に１分間浸漬した後、プレディップとして０．８％塩酸にメルテックス（株）製エンプレートＰＣ−２３６を１８０ｇ／Ｌの割合で溶解した液に２分間浸漬した。
【００７４】
次に、メルテックス（株）製エンプレートアクチベータ４４４を３％、エンプレートアクチベータアディティブを１％、塩酸を３％溶解した水溶液にメルテックス（株）製エンプレートＰＣ−２３６を１５０ｇ／Ｌの割合で溶解した液に、積層体を５分間浸漬して、触媒粒子を積層体の表面及び貫通孔の壁面に付着させた。さらに、積層体をメルテックス（株）製エンプレートＰＡ−３６０の５％溶液に２分間浸漬し、パラジウム触媒核の活性化を行った。
【００７５】
メルテックス（株）製メルプレートＣｕ−３０００Ａ、メルプレートＣｕ−３０００Ｂ、メルプレートＣｕ−３０００Ｃ、メルプレートＣｕ−３０００Ｄをそれぞれ５％、メルプレートＣｕ−３０００スタビライザーを０．１％で建浴した無電解銅めっき液に十分エアー撹拌を行いながら上記積層体を５分間浸漬し、表面及び貫通孔の壁面を銅粒子にて導電化した。
【００７６】
次いで、電気銅めっき液として、メルテックス（株）製カッパークリームＣＬＸを使用し、電流密度２Ａ／ｄｍ２にて３０分間、電気銅めっきにて貫通孔を銅で充填した。マスク表面への過剰めっきを１０％硫酸溶液に目視でマスク層の表面が見えるまで浸漬しエッチングしてから手で裂くようにマスク層を剥離し、膜厚方向に導通する外径２５μｍφの電極によって膜厚方向へのみ導電性を有し、かつ、膜表面に７μｍの突起電極をもった異方性導電膜を得た。
【００７７】
この異方性導電膜を５ｍｌ／Ｌで建浴したメルテックス（株）製エンテックＣｕ−５６に３０秒間浸漬して防錆処理し、延伸法による多孔質ＰＴＦＥ膜を基膜とし、各貫通孔に導電性金属が充填された異方性導電膜を得た。
【００７８】
めっき工程において、無電解銅めっきのプレディップ工程と触媒付与工程の間以外の各液浸漬後は、蒸留水にて３０秒間から１分間程度水洗を行った。各液の温度は、脱脂処理を除いて全て常温（２０〜３０℃）で行った。
【００７９】
このようにして、図８に示すように、多孔質ＰＴＦＥ膜８３を基膜とし、各貫通孔に導電性金属が充填され、かつ、両面に突起がある導通部（電極）８２を有する異方性導電膜８１を得た。この異方性導電膜を用いて、実施例１と同様の試験を行ったところ、導通開始荷重圧は３ｋＰａであった。十分な導通が得られ、かつ、膜厚歪みが３８％となる荷重圧の３７．０ｋＰａで１０回の加重と未加重を繰り返した後は、膜厚が６．１μｍ減少し、導通開始荷重圧の３ｋＰａでは導通が得られなかった。
【００８０】
［比較例２］
所定量の架橋剤を添加したシリコーンゴム〔信越ポリマー（株）製、付加型ＲＴＶゴム  ＫＥ１２０６〕にニッケル粒子〔日本アトマイズ加工（株）製、平均粒径１０μｍ〕が８０ｖｏｌ％となるように室温で配合し混合した。このコンパウンドをガラス板上にギャップ２５μｍのドクターナイフでキャスティング後、８０℃の恒温槽内で１時間硬化させ、厚さ約２２μｍの金属粒子がシリコーンエラストマー中に分散した異方性導電膜を得た。
【００８１】
このようにして、図９に示すように、シリコーンゴムからなる基膜９２の中に導電性粒子９３が分散した構造の異方性導電膜９１を得た。この異方性導電膜を用いて、実施例１と同様の試験を行ったところ、導通開始荷重圧は２５ｋＰａであった。十分な導通が得られ、かつ、膜厚歪みが３８％となる荷重圧の２８．０ｋＰａで１０回の加重と未加重を繰り返した後は、膜厚が０．７μｍ減少し、導通開始荷重圧の２５ｋＰａでは導通が得られなかった。
【００８２】
【表１】
2008021658.tif 000003
【００８３】
（脚注）比較例１の膜厚は、導通部の突起高さを含む。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明の異方性導電膜は、膜厚方向に弾力性があり、低圧縮荷重で膜厚方向の導通が可能で、さらには、弾性回復が可能で、頻回の使用に適している異方性導電膜である。また、本発明の異方性導電膜は、各導通部の大きさやピッチなどをファイン化することができる異方性導電膜である。
【００８５】
このため、本発明の異方性導電膜は、半導体ディバイスの初期故障を取り除くスクリーニング手法の一つとしてのバーンイン試験のためのコンタクトシートなどに使用される。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】図１は、貫通孔が形成された多孔質膜の斜視図である。
【図２】図２は、本発明の異方性導電膜において、各貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属粒子が付着して導通部を形成している状態を示す断面図である。
【図３】図３は、貫通孔の直径ａと導通部（電極）の外径ｂとの関係を示す説明図である。
【図４】図４は、基膜を中心層とする積層体の製造工程を示す断面図である。
【図５】図５は、異方性導電膜の導通確認装置の断面略図である。
【図６】図６は、従来の異方性導電膜の一例を示す断面図である。
【図７】図７は、従来の異方性導電膜の他の一例を示す断面図である。
【図８】比較例１で作製した異方性導電シートの断面図である。
【図９】比較例２で作製した異方性導電シートの断面図である。
【図１０】超音波法により、多孔質膜に貫通孔を形成する方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００８７】
１：多孔質膜（基膜）、２：第一表面、３：第二表面、
４：貫通孔、５：導電性金属が付着した導通部、６：多孔質膜、
４１，４２：ＳＵＳ板、４３：基膜、４４，４５：マスク層、
５１：異方性導電膜、５２：Ａｕ板、５３：銅柱、
５４：定電流電源、５５：電圧計、５６：重量計、
６１：異方性導電膜、６２：導電性金属の塊（導通部）、６３：多孔質膜、
７１：異方性導電膜、７２：導電路形成部、
７３：カプセル型導電性粒子、７４：熱硬化性樹脂からなる絶縁部、
８１：異方性導電膜、８２：導電性金属の塊（導通部）、８３：多孔質膜、
９１：異方性導電膜、９２：シリコーンゴム、９３：導電粒子、
１０１：超音波ヘッド、１０２：ロッド、１０３：多孔質膜、１０４：板状体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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