(57)【要約】【課題】ヒロック発生を防止し、密着性とバリア性に優れた配線膜を形成する。【解決手段】成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。バリア膜２４は銅を主成分とするため、アルミニウム膜２３と同じエッチング液でエッチング可能であり、添加元素と酸素を含むため、アルミニウム膜２３にヒロックが発生しない。また、配線膜２５の表面にＩＴＯを密着させた場合には、アルミニウム膜２３は直接ＩＴＯに接触しないからコンタクト抵抗も高くならない。【選択図】図１
2008306043.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気中でアルミニウムを主成分とするアルミニウム膜を、成膜対象物の表面上に形成した後、
前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気に、化学構造中に酸素又は窒素のいずれか一方又は両方を含む添加ガスを導入し、
前記添加ガスを含む前記真空雰囲気中で、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類以上の添加元素が含有されたスパッタリングターゲットをスパッタリングし、前記アルミニウム膜の表面にバリア膜を形成した後、
前記アルミニウム膜と前記バリア膜をエッチングして配線膜を形成する配線膜の形成方法。
【請求項２】
成膜対象物が置かれた真空雰囲気に、化学構造中に酸素又は窒素のいずれか一方又は両方を含む添加ガスを導入し、
前記添加ガスを含む前記真空雰囲気中で、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類以上の添加元素が含有されたスパッタリングターゲットをスパッタリングし、シリコン又は二酸化ケイ素が露出する前記成膜対象物の表面に、密着膜を密着形成し、
前記真空雰囲気中で、前記密着膜の表面に、アルミニウムを主成分とするアルミニウム膜を形成した後、
前記アルミニウム膜と前記密着膜をエッチングして配線膜を形成する配線膜の形成方法。
【請求項３】
前記添加ガスとして酸素ガスを用い、
前記真空雰囲気の全圧に対する前記酸素ガス分圧の割合が、０．１％以上２０．０％以下になるように前記酸素ガスを導入して、
Ｚｒが０．１原子％以上２０．０原子％以上含有された前記スパッタリングターゲットをスパッタリングする請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の配線膜の形成方法。
【請求項４】
ゲート電極と、
それぞれ半導体からなるドレイン半導体層及びソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層のいずれか一方又は両方には、アルミニウムを主成分とするアルミニウム膜が接続され、
前記アルミニウム膜の表面上には、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有されたバリア膜が配置されたトランジスタ。
【請求項５】
ゲート電極と、
それぞれ半導体からなるドレイン半導体層及びソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層のいずれか一方又は両方の表面には、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有された密着膜が配置され、
前記密着膜の表面にはアルミニウムを主成分とするアルミニウム膜が配置されたトランジスタ。
【請求項６】
ゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成されたトランジスタであって、
前記ゲート電極は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム膜と、
前記アルミニウム膜の表面に配置され、
銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有されたバリア膜とを有するトランジスタ。
【請求項７】
ガラス基板に接触するゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成されたトランジスタであって、
前記ゲート電極は、前記ガラス基板と接触する密着膜と、
アルミニウムを主成分とし、前記密着膜の表面に配置されたアルミニウム膜とを有し、
前記密着膜は、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有されたトランジスタ。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか１項記載の前記トランジスタを有する電子装置。
【請求項９】
ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された透明な画素電極と、前記画素電極上に配置された液晶と、前記液晶上に配置された透明な共通電極と、前記ガラス基板に密着された蓄積電極を有し、
前記画素電極と前記蓄積電極との間に形成される液晶容量に、前記蓄積電極を片側の電極とする蓄積容量が接続され、
前記液晶容量の充放電で前記液晶の配向が制御される電子装置であって、
前記蓄積電極は、前記ガラス基板上に配置されたアルミニウム膜と、前記アルミニウム膜の表面に配置されたバリア膜とを有し、
前記アルミニウム膜はアルミニウムを主成分とし、
前記バリア膜は、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有された電子装置。
【請求項１０】
ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された透明な画素電極と、前記画素電極上に配置された液晶と、前記液晶上に配置された透明な共通電極と、前記ガラス基板に密着された蓄積電極を有し、
前記画素電極と前記蓄積電極との間に形成される液晶容量に、前記蓄積電極を片側の電極とする蓄積容量が接続され、
前記液晶容量の充放電で前記液晶の配向が制御される電子装置であって、
前記蓄積電極は、前記ガラス基板に密着する密着膜と、前記密着膜の表面に配置されたアルミニウム膜とを有し、
前記アルミニウム膜はアルミニウムを主成分とし、
前記密着膜は、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有された電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線膜の分野に関し、特にトランジスタ用の配線膜と、その配線膜を成膜する成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品用の金属配線膜には、ＡｌやＣｕなどの低抵抗材料やＭｏ，Ｃｒ等が使用されている。たとえばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、薄膜トランジスタ）液晶ディスプレイではパネルの大型化とともに、配線電極の低抵抗化の要求が大きくなってきており、低抵抗配線としてＡｌやＣｕを用いる必要性が高まっている。
【０００３】
ＴＦＴで用いられているＡｌ配線では後工程でのヒロック発生や、ソースドレイン電極として用いた場合の下地Ｓｉ層との拡散の問題、ＩＴＯからなる透明電極とのコンタクト抵抗の劣化などの問題があり、それらを回避するため、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ及びそれらを主成分とする合金膜を前後に積層するバリア層が必要となる。
【０００４】
Ｍｏに関しては、近年市場需要が伸びており価格高騰が続いている。そのため、Ｍｏに代わる低コスト材料が求められている。Ｃｒに関しては，塩化や硫化により有害性の高い物質が生成される（六価クロム化合物等）ため、電子部品においてＣｒフリーの材料が求められている。
Ｔｉに関しては、弱酸でのウェットエッチングが困難である問題がある。半導体のＣｕメッキの下地Ｃｕシード層にはＴｉＮやＴａＮ等のバリア層を用いているがドライエッチングが主流である。
【０００５】
ＴＦＴにおけるゲート電極では、後工程でＳｉＮｘ、ａ−Ｓｉ等を積層させるため、金属配線膜はテーパ角のある形状が必要となる。ドライエッチングではテーパ角制御が不可能なため、ウェットエッチングが要求される。これよりバリア層には、低コスト、無害物質、弱酸でウェットエッチング可能である材料が求められている。
【特許文献１】特開平６−１５１４３２号公報
【特許文献２】特開平２００５−３３１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、ヒロック発生や、下地Ｓｉ層との拡散の問題、透明電極とのコンタクト抵抗の劣化等、Ａｌ配線を用いた場合の問題を、低コストで、環境にも影響を与えずに回避し、しかも、Ａｌ配線をウェットエッチング可能な技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、真空雰囲気中でアルミニウムを主成分とするアルミニウム膜を、成膜対象物の表面上に形成した後、前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気に、化学構造中に酸素又は窒素のいずれか一方又は両方を含む添加ガスを導入し、前記添加ガスを含む前記真空雰囲気中で、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類以上の添加元素が含有されたスパッタリングターゲットをスパッタリングし、前記アルミニウム膜の表面にバリア膜を形成した後、前記アルミニウム膜と前記バリア膜をエッチングして配線膜を形成する配線膜の形成方法である。
本発明は、成膜対象物が置かれた真空雰囲気に、化学構造中に酸素又は窒素のいずれか一方又は両方を含む添加ガスを導入し、前記添加ガスを含む前記真空雰囲気中で、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類以上の添加元素が含有されたスパッタリングターゲットをスパッタリングし、シリコン又は二酸化ケイ素が露出する前記成膜対象物の表面に、密着膜を密着形成し、前記真空雰囲気中で、前記密着膜の表面に、アルミニウムを主成分とするアルミニウム膜を形成した後、前記アルミニウム膜と前記密着膜をエッチングして配線膜を形成する配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記添加ガスとして酸素ガスを用い、前記真空雰囲気の全圧に対する前記酸素ガス分圧の割合が、０．１％以上２０．０％以下になるように前記酸素ガスを導入して、Ｚｒが０．１原子％以上２０．０原子％以上含有された前記スパッタリングターゲットをスパッタリングする配線膜の形成方法である。
本発明は、ゲート電極と、それぞれ半導体からなるドレイン半導体層及びソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層のいずれか一方又は両方には、アルミニウムを主成分とするアルミニウム膜が接続され、前記アルミニウム膜の表面上には、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有されたバリア膜が配置されたトランジスタである。
本発明は、ゲート電極と、それぞれ半導体からなるドレイン半導体層及びソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層のいずれか一方又は両方の表面には、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有された密着膜が配置され、前記密着膜の表面にはアルミニウムを主成分とするアルミニウム膜が配置されたトランジスタである。
本発明は、ゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成されたトランジスタであって、前記ゲート電極は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム膜と、前記アルミニウム膜の表面に配置され、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有されたバリア膜とを有するトランジスタである。
本発明は、ガラス基板に接触するゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成されたトランジスタであって、前記ゲート電極は、前記ガラス基板と接触する密着膜と、アルミニウムを主成分とし、前記密着膜の表面に配置されたアルミニウム膜とを有し、前記密着膜は、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有されたトランジスタである。
本発明は、前記トランジスタを有する電子装置である。
本発明は、ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された透明な画素電極と、前記画素電極上に配置された液晶と、前記液晶上に配置された透明な共通電極と、前記ガラス基板に密着された蓄積電極を有し、前記画素電極と前記蓄積電極との間に形成される液晶容量に、前記蓄積電極を片側の電極とする蓄積容量が接続され、前記液晶容量の充放電で前記液晶の配向が制御される電子装置であって、前記蓄積電極は、前記ガラス基板上に配置されたアルミニウム膜と、前記アルミニウム膜の表面に配置されたバリア膜とを有し、前記アルミニウム膜はアルミニウムを主成分とし、前記バリア膜は、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有された電子装置である。
本発明は、ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された透明な画素電極と、前記画素電極上に配置された液晶と、前記液晶上に配置された透明な共通電極と、前記ガラス基板に密着された蓄積電極を有し、前記画素電極と前記蓄積電極との間に形成される液晶容量に、前記蓄積電極を片側の電極とする蓄積容量が接続され、前記液晶容量の充放電で前記液晶の配向が制御される電子装置であって、前記蓄積電極は、前記ガラス基板に密着する密着膜と、前記密着膜の表面に配置されたアルミニウム膜とを有し、前記アルミニウム膜はアルミニウムを主成分とし、前記密着膜は、銅、もしくは、銅を主成分とし、Ｔｉと、Ｚｒと、Ｈｆと、Ｖと、Ｎｂと、Ｔａと、Ｃｒと、Ｍｏと、Ｗと、Ｍｎと、Ｆｅと、Ｒｕと、Ｏｓと、Ｃｏと、Ｎｉと、Ｂｉと、Ａｇと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｂと、Ｃと、Ａｌと、Ｓｉと、Ｌａと、Ｃｅと、Ｐｒと、Ｎｄと、Ｍｇとからなる添加元素群より選択されるいずれか１種類の添加元素と、酸素又は窒素のいずれか一方又は両方が含有された電子装置である。
【０００８】
本発明はスパッタリングターゲットとして、銅からなる純銅ターゲット、又は銅を主成分とし、上記添加元素が添加された銅ターゲットを用いる。本発明で、主成分とは、銅を５０質量％以上含有することである。
純銅ターゲットには銅以外の元素が不純物元素として混入することがある。また、銅ターゲットには、添加元素以外の元素が不純物元素として混入することがある。
純銅ターゲットと、銅ターゲットのいずれの場合も、不純物元素の含有量は０．１原子％未満、通常は１０-4原子％未満である。
【０００９】
従って、純銅ターゲットをスパッタリングして成膜される配線膜は、Ｃｕと酸素又は／及び窒素以外の不純物元素の含有量が、０．１原子％未満、通常は１０-4原子％未満となり、銅ターゲットをスパッタリングして成膜される配線膜は、Ｃｕと、酸素又は／及び窒素と、添加元素以外の不純物元素の含有量が０．１原子％未満、通常は１０-4原子％未満となる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により成膜された配線膜は、シリコンやガラスに対する密着性が高く、シリコンへの銅拡散が起こらない上、低抵抗である。バリア膜と、アルミニウム膜と、密着膜のパターニングは、同一のエッチャントで一度に行えるので、製造工程が簡易である。弱酸でウエットエッチング可能なので、配線膜にテーパ角形状を持たせることが可能である。バリア膜と密着膜は銅を主成分とするので、低コストである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の密着膜とバリア膜を形成するスパッタリング装置は、同じ構造の装置であり、同じ部材には同じ符号を付して説明する。
【００１２】
図１を参照し、密着膜用のスパッタリング装置１と、バリア膜用のスパッタリング装置２は、真空槽１３を有している。
ここでは、真空槽１３内には、銅を主成分とし、添加元素が含有された銅ターゲット１１が配置されているが、該銅ターゲット１１と、純銅ターゲットのいずれか一方又は両方を配置してもよい。
添加元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｍｇの添加元素群中の一又は二以上の添加元素である。
【００１３】
真空槽１３には、真空排気系９とガス導入系８が接続されており、真空排気系９によって真空槽１３内を真空排気し、真空雰囲気にした状態で成膜対象物２１を搬入し、真空槽１３内に配置された基板ホルダ７に保持させる。
ガス導入系８には、スパッタリングガス源と酸素ガス源が接続されており、真空槽１３内に、スパッタリングガスと酸素ガスを流量制御しながら導入できるように構成されている。
【００１４】
銅ターゲット１１にはスパッタ電源５が接続されており、真空槽１３内を真空排気した後、ガス導入系８からスパッタリングガス、又はスパッタリングガスと酸素ガスを導入し、スパッタ電源５によって銅ターゲット１１に電圧を印加すると、銅ターゲット１１表面近傍に導入したガスのプラズマが形成される。
プラズマによって銅ターゲット１１がスパッタリングされると、銅ターゲット１１を構成する物質の粒子が成膜対象物２１方向に放出され、成膜対象物２１の表面に到達すると、成膜対象物２１の表面に薄膜が形成される。
【００１５】
このスパッタリング装置１、２を用い、密着膜と、Ａｌ膜と、バリア膜が積層された本発明の液晶表示装置を製造する工程を説明する。
先ず、密着膜用のスパッタリング装置１の真空槽１３内部を真空雰囲気にし、成膜対象物２１を搬入し、スパッタリングガスと酸素ガスを導入しながら、銅ターゲット１１をスパッタすると、成膜対象物２１表面に、銅を主成分とし、酸素及び添加元素が含有された金属膜から成る密着膜２２が形成される（図２（ａ））。
【００１６】
密着膜２２が所定膜厚に形成されたところで、密着膜用のスパッタリング装置１から搬出し、純Ａｌから成るＡｌターゲット、又はＡｌを主成分とし、Ｓｉ等の他の元素が添加されたＡｌターゲットが配置されたＡｌ膜用のスパッタリング装置内に搬入し、スパッタリングガスを導入し、Ａｌターゲットをスパッタリングすると、図２(ｂ)に示すように、密着膜２２の表面に、純Ａｌ金属、又はＡｌを主成分とし、Ｓｉ等の他の元素が添加されたＡｌ合金から成るアルミニウム膜２３が形成される。
【００１７】
アルミニウム膜２３が所定膜厚に形成された後、成膜対象物２１をＡｌ膜用スパッタリング装置から搬出し、バリア膜用のスパッタリング装置内２に搬入する。
バリア膜用のスパッタリング装置２の真空槽１３内にスパッタリングガスと酸素ガスを導入し、銅ターゲット１１をスパッタリングすると、図２(ｃ)に示すように、アルミニウム膜２３の表面に、銅を主成分とし、酸素及び添加元素が含有された金属膜から成るバリア膜２４が形成される。
【００１８】
バリア膜２４が所定膜厚に形成されたところで、成膜対象物２１をバリア膜用のスパッタリング装置２から搬出する。
バリア膜用のスパッタリング装置２と密着膜用のスパッタリング装置１とを共通にし、密着膜２２を形成したのと同じスパッタリング装置１内でバリア膜２４を形成してもよいし、密着膜２２とバリア膜２４を別のスパッタリング装置１、２で形成してもよい。
【００１９】
次に、図２(ｄ)に示すように、バリア膜２４の表面にパターニングしたレジスト膜２６を配置し、レジスト膜２６底面に露出するバリア膜２４をエッチング液やエッチングガスに曝す。
密着膜２２とバリア膜２４は、銅を主成分とするため、弱酸でエッチングが可能であり、アルミニウム膜２３をエッチングするのと同じエッチング液(又はエッチングガス)を使用して、密着膜２２とアルミニウム膜２３とバリア膜２４が積層された金属膜をエッチングすることができる。
【００２０】
従って、一回のエッチングで、図２(ｅ)に示すように、密着膜２２とアルミニウム膜２３とバリア膜２４が同じレジスト膜２６によってパターニングされ、配線膜２５が得られる。配線膜２５は、密着膜２２と、アルミニウム膜２３と、バリア膜２４の三層構造である。
この配線膜２５の断面形状は、底面側の幅が上部の幅よりも長い台形であり、テーパを有している。
【００２１】
成膜対象物２１が液晶表示装置のパネルである場合、成膜対象物２１の表面の一部又は全部には、ガラス基板の表面、又はシリコン等の半導体層の表面が露出されており、成膜対象物２１が集積回路等の半導体装置の場合、成膜対象物２１の表面の一部又は全部に、シリコン等の半導体基板又は半導体層の表面が露出されている。
【００２２】
アルミニウム膜２３とガラス基板やシリコン層との間の密着性よりも、上記密着膜２２とガラス基板やシリコン層との間の密着性の方が高い。
密着膜２２とアルミニウム膜２３は金属膜であり、その間の密着性は高いから、アルミニウム膜２３は密着膜２２によってガラス基板表面やシリコン層表面に強固に接続され、剥離しにくくなる。
【００２３】
また、アルミニウム膜２３の表面には、添加元素と酸素が含有されたバリア膜２４が配置されており、アルミニウム膜２３のヒロック発生が防止されている。(従来では、アルミニウム膜２３はヒロックが発生し易く、ヒロックを防止するためにアルミニウム膜２３の表面に高融点金属膜が配置されているが、高融点金属膜は弱酸ではエッチングできず、アルミニウム膜２３とは別の工程でエッチングする必要がある。)
本発明では、ＴＦＴの電極に使用される配線膜は、ＩＴＯ等の酸化物透明導電膜と接触され、酸化物透明導電膜と電気的に接続されている。バリア膜には酸素が含有されているため、酸化物透明導電膜中の酸素はバリア膜中に拡散せず、接続不良は発生しない。(ＩＴＯ等の酸化物透明導電膜と金属膜とが接触した状態で通電されると、酸化物透明導電膜の酸素が金属膜中に拡散し、接続不良が発生する場合がある）。
【００２４】
次に、本発明の電子装置について説明する。図３の符号３は、本発明の電子装置の一例である液晶表示装置であり、ＴＦＴ基板３０とカラーフィルタ基板５０を有している。
この液晶表示装置３は能動型であり、ＴＦＴ基板３０はガラス基板３１を有し、ガラス基板３１上にはＴＦＴ４０と、表示画素３５と、蓄積コンデンサ３９が配置されている。
【００２５】
ＴＦＴ４０は、ゲート電極４１と、ソース電極４２と、ドレイン電極４３を有しており、蓄積コンデンサ３９は蓄積電極３８を有しており、表示画素３５は、画素電極３６を有している。
ゲート電極４１、ソース電極４２、ドレイン電極４３、蓄積電極３８いずれか一種又は全部が、上記配線膜２５によって構成されている。
【００２６】
ＴＦＴ４０は、ゲート絶縁膜４４と、チャネル半導体層４６と、ソース半導体層４７と、ドレイン半導体層４８とを有している。
チャネル半導体層４６の片面には、互いに離間してソース半導体層４７とドレイン半導体層４８が接触して配置されており、ゲート電極４１は、チャネル半導体層４６の反対側の面の、ソース半導体層４７とドレイン半導体層４８の間の位置に配置され、ゲート絶縁膜４４はゲート電極４１とチャネル半導体層４６の間に配置されている。
【００２７】
ドレイン電極４３とソース電極４２は、ドレイン半導体層４８とソース半導体層４７の表面にそれぞれ接触して配置されている。ゲート電極４１と、ソース電極４２と、ドレイン電極４３は、ＴＦＴ４０の外部に導出され、外部電源からの電圧が印加可能になっている。
【００２８】
ここでは、チャネル半導体層４６は、ソース及びドレイン半導体層４７、４８と同じ導電型であるが、ソース及びドレイン半導体層４７、４８よりも不純物濃度が低くなっており、ドレイン電極４３とソース電極４２に動作電圧を印加した状態で、ゲート電極４１に電圧を印加すると、チャネル半導体層４６の、ゲート絶縁膜４４を介してゲート電極４１と接触する部分に低抵抗な蓄積層が形成され、該蓄積層を介して、ドレイン半導体層４８とソース半導体層４７が電気的に接続され、ＴＦＴ４０が導通する。
【００２９】
チャネル半導体層４６は、ソース及びドレイン半導体層４７、４８と反対の導電型であってもよい。この場合、ドレイン電極４３とソース電極４２に動作電圧を印加した状態で、ゲート電極４１に電圧を印加すると、チャネル半導体層４６のゲート絶縁膜４４を介してゲート電極４１と接触する部分に、ソース及びドレイン半導体層４７、４８と同じ導電型の反転層が形成され、該反転層によってドレイン半導体層４８とソース半導体層４７が電気的に接続され、ＴＦＴ４０が導通する。
【００３０】
ドレイン電極４３又はソース電極４２の一部表面は露出され、表示画素３５から延設された画素電極３６が接触されている。ここではソース電極４２が画素電極３６と接続されている。
画素電極３６は、蓄積コンデンサ３９が位置する部分まで延設され、ガラス基板３１上に配置された蓄積電極３８と、絶縁膜(ゲート絶縁膜)４４を介して対向して配置されており、対向した部分によって、蓄積容量が形成されている。
【００３１】
ＴＦＴ基板３０とカラーフィルタ基板５０は、一定距離だけ離間して配置され、その間に液晶４が封入されている。
カラーフィルタ基板５０は、ＴＦＴ４０と対向する位置にブラックマトリクス５２が配置され、表示画素３５と対向する位置に、カラーフィルタ５３が配置されている。
カラーフィルタ基板５０の、少なくとも表示画素３５と対向する部分には、共通電極５５が配置されている。
【００３２】
画素電極３６と共通電極５５は、ＩＴＯ等の透明な導電膜で構成されている。
ＴＦＴ基板３０とカラーフィルタ基板５０は、それぞれ偏光板４９、５９を有している。ＴＦＴ４０の導通と遮断によって、画素電極３６と共通電極５５の間に電圧が印加されると、表示画素３５上の液晶４の配向が変化し、液晶４を通る光の偏向方向が変更され、表示画素３５に照射される光の、液晶表示装置３の外部への透過と遮断が制御される。
【００３３】
蓄積容量は、画素電極３６と共通電極５５の間に形成される液晶容量に対して並列に接続されており、ＴＦＴ４０が導通し、画素電極３６と共通電極５５の間の容量が、ＴＦＴ４０を介して電源電圧で充電されると、蓄積容量も電源電圧で充電される。
【００３４】
蓄積容量に蓄積された電荷によって、ＴＦＴ４０が遮断に転じ、画素電極３６が電源電圧から遮断されても、画素電極３６にＴＦＴ４０の導通時と同じ電圧が印加され、表示画素３５上の液晶４の偏向状態が維持される。この液晶容量が放電されるときには、液晶４の偏向状態が変化する。
【００３５】
蓄積電極３８とゲート電極４１はガラス基板３１と接触しており、ソース電極４２とドレイン電極４３は半導体層(ソース半導体層４７、ドレイン半導体層４８)と接触している。
ソース電極４２とドレイン電極４３は、同じ薄膜がパターニングされて形成されている。また、ゲート電極４１と蓄積電極３８も、同じ薄膜がパターニングされて形成されている。
【００３６】
蓄積電極３８とゲート電極４１とソース電極４２とドレイン電極４３は、本発明により成膜された配線膜２５で構成されており、密着膜２２が、ガラス基板３１又は半導体層４７、４８と接触している。
従って蓄積電極３８及びゲート電極４１とガラス基板３１の間の密着性や、ソース電極４２及びドレイン電極４３と半導体層４７、４８の間の密着性は高く、また、密着膜２２上に配置されたアルミニウム膜２３には酸素は含有されておらず、低抵抗であるから、各電極膜の拡がり方向(膜厚方向と直角の方向)は低抵抗である。
【００３７】
また、液晶表示装置３のソース電極４２のように、表面にＩＴＯやＺｎＯなどの金属酸化膜（画素電極３６）が密着する場合、ソース電極４２を本発明の配線膜形成方法により成膜し、バリア膜２４の表面に画素電極３６を密着させれば、画素電極３６からソース電極４２への酸素移動が起こらず、アルミニウム膜２３が酸化されないので、ソース電極４２の電気抵抗（コンタクト抵抗）が上昇しない。
本発明の電子装置は液晶表示装置に限定されるものではない。
図４の符号６は、本発明の電子装置の他の例である半導体装置の一部であり、図４では半導体装置６のトランジスタ６０が示されている。
このトランジスタ６０は、ガラス基板上に配置されず、半導体基板（シリコン基板）６１を有する他は、上記図３に示したＴＦＴ４０と同じ部材を有しており、同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
【００３８】
このトランジスタ６０でも、ソース半導体層４７とドレイン半導体層４８の一部表面は露出されている。ソース電極４２とドレイン電極４３は、上記図２（ａ）〜（ｅ）で示した工程で形成され、ソース半導体層４７とドレイン半導体層４８の露出した部分にソース電極４２の密着膜２２と、ドレイン電極４３の密着膜２２がそれぞれ密着している。従って、ドレイン電極４３とソース電極４２のシリコン基板６１に対する密着性は高く、密着膜２２によってシリコン基板６１へのＡｌ拡散も防止される。
【００３９】
尚、図４の符号６４は、ドレイン電極４３及びソース電極４２をゲート電極４１から絶縁するための絶縁膜であり、同図の符号７４は、ドレイン電極４３及びソース電極４２をシリコン基板６１のソース半導体層４７とドレイン半導体層４８以外の場所から絶縁するための絶縁膜である。
【００４０】
以上は、添加元素を含有する銅ターゲット１１をスパッタリングして、ソース電極４２、ドレイン電極４３、ゲート電極４１、及び蓄積電極３８を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ソース電極４２、ドレイン電極４３、ゲート電極４１、及び蓄積電極３８のうち、少なくとも１つの電極を、純銅ターゲットだけをスパッタリングして形成してもよい。
更に、純銅ターゲットと銅ターゲット１１の両方を、同じ真空槽内部で同時にスパッタリングして、電極を形成してもよい。
【００４１】
また、ソース電極４２、ドレイン電極４３、ゲート電極４１、及び蓄積電極３８を本発明の配線膜形成方法で形成したが、ソース電極４２とドレイン電極４３のいずれか一方又は両方を本発明の配線膜形成方法で形成し、ゲート電極４１と蓄積電極３８は、本発明と異なる方法で形成してもよいし、ゲート電極４１と蓄積電極３８のいずれか一方又は両方を本発明の配線膜の形成方法で形成し、ソース電極とドレイン電極を本発明とは異なる方法で形成してもよい。
【００４２】
また、上記は、ガラス基板３１や半導体層４７、４８とアルミニウム膜２３との間に密着膜２２を配置したが、アルミニウム膜２３を直接ガラス基板３１表面に形成しても強度が十分な場合等は、密着膜２２を設けず、図５に示すように、アルミニウム膜２３とバリア膜２４の二層構造の配線膜２７を使用することもできる。二層構造の配線膜２７を成膜する場合も、アルミニウム膜２３とバリア膜２４を同じエッチング液で１回でエッチングし、同じレジスト層によってパターニングすることができる。
更に、密着膜２２の表面にアルミニウム膜２３を形成した後、バリア膜２４を設けず、アルミニウム膜２３の表面に、絶縁膜（例えばゲート絶縁膜４４）や、画素電極３６を直接接触させてもよい。
【００４３】
以上は、密着膜２２とバリア膜２４を形成する際に、酸素ガス（Ｏ2）を真空槽１３に導入する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＮＯ、ＮＯ2、Ｏ2、Ｎ2、Ｈ2Ｏからなる添加ガス群より選択されるいずれか１種類以上の添加ガスを真空槽１３に導入してスパッタリングを行い、酸素と窒素のいずれか一方又は両方を含有する金属膜で、密着膜２２又はバリア膜２４のいずれか一方又は両方を構成してもよい。
【００４４】
ドレイン半導体層４８と、ソース半導体層４７と、チャネル半導体層４６は、電子装置が半導体装置６の場合には、シリコン基板６１に不純物を拡散させて形成され、電子装置が液晶表示装置の場合には、ガラス基板３１の表面上に、ＣＶＤ法等によってシリコン等の半導体を付着させて形成される。
また、ゲート絶縁膜４４等の絶縁膜は窒化ケイ素等の窒化膜、酸化ケイ素等の酸化膜で構成される。
本発明のＴＦＴ４０は、液晶表示装置３以外にも有機ＥＬディスプレイ等他の電子装置に用いることができる。
【実施例】
【００４５】
＜密着性試験＞
ガラス基板の表面にアルミニウム膜２３を形成した後、銅ターゲット１１の添加元素（Ｚｒ）含有量と、スパッタリング時の酸素ガス分圧の全圧に対する割合と、成膜後のアニール処理の温度の成膜条件を組合せ、各組合せでアルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４（目標膜厚３００ｎｍ）を形成した。
【００４６】
尚、酸素ガス分圧の調整は、酸素ガスの導入量がゼロで、スパッタガス（Ａｒ）だけを導入したときに、真空槽１３内部の全圧が０．４Ｐａになるようスパッタガスの導入量を設定し、スパッタガスの導入量を変えずに、酸素ガスの導入量を変えて行った。即ち、各組合せでスパッタガス（Ａｒ）の分圧は０．４Ｐａであった。
【００４７】
各バリア膜２４に、先端が鋭利なカッタナイフで１ｍｍ角のマスを１０行×１０列、計１００個の刻みを入れ、粘着テープ（型番６１０のスコッチテープ）を貼り付けた後、粘着テープを剥がした時に、ガラス基板上のアルミニウム膜２３表面に残存するバリア膜２４の個数を数えた。その結果を、Ｚｒ含有量と、酸素ガス分圧の割合と、アニール処理温度の成膜条件の組合せと共に、下記表１に記載する。
【００４８】
【表１】
2008306043.tif 000003
【００４９】
バリア膜２４が全部剥離した場合は０／１００、１つも剥離しない場合は１００／１００となり、分子の数が大きい程バリア膜２４の密着性が高い。
上記表１から、Ｚｒの含有量が同じであっても、酸素ガスの割合が大きくなる程密着性が高く、また、酸素ガスの割合が同じであっても、Ｚｒ含有量が多い程密着性が高いことがわかる。
【００５０】
銅ターゲット１１のＺｒ含有量が０．１原子％以上で、酸素割合が３．０％以上であれば金属膜の剥離が起こらないので、銅ターゲット１１のＺｒ含有量は０．１原子％よりも少なくても、スパッタリング時に酸素ガスの導入量が３．０％を超えていれば、金属膜が起こらないと推測される。
また、銅ターゲット１１中のＺｒの含有量がゼロの場合（純銅ターゲット）、酸素割合１０％未満であると密着性が不純分であるが、酸素割合１０％を超えていれば、実用上十分な密着性が得られた。
【００５１】
＜バリア性＞
シリコン基板を洗浄液（ＢＨＦ：バッファフッ酸液）で洗浄後、純水でリンスし、乾燥した（洗浄処理）。
Ｚｒが含有された銅ターゲット１１を、酸素を含有させた真空雰囲気中でスパッタリングして、上記洗浄処理後のシリコン基板表面に膜厚５０ｎｍの密着膜２２を成膜した後、密着膜２２の表面にアルミニウム膜２３を成膜して二層構造の金属膜を形成した。
【００５２】
これとは別に、洗浄処理後の別のシリコン基板の表面に、密着膜２２を設けずに、アルミニウム膜２３を密着形成した。
表面にアルミニウム膜２３が密着形成されたシリコン基板と、表面に密着膜２２とアルミニウム膜２３が積層されたシリコン基板を、それぞれ真空雰囲気中で３００℃、１時間加熱した後、各金属膜をエッチング除去し、露出したシリコン基板表面を電子顕微鏡で観察した。
密着形成されたアルミニウム膜２３を除去した後のシリコン基板表面の電子顕微鏡写真を図６に示し、二層構造の金属膜（Ａｌ膜、Ｃｕ、Ｚｒ膜）を除去した後のシリコン基板表面の電子顕微鏡写真を図７に示す。
【００５３】
図６、７を見ると、図６ではエイチピット（窪み）が見られるが、図７ではエイチピットが見られない。従って、アルミニウム膜２３をシリコン基板に密着させず、アルミニウム膜２３とシリコン基板の間に密着膜２２を設ければ、拡散が防止されることが分かる。
【００５４】
＜ヒロック防止＞
表面にアルミニウム膜２３が形成された基板を成膜対象物として用い、Ｚｒが含有された銅ターゲット１１を、酸素を含有させた真空雰囲気中でスパッタリングして、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を成膜した。
バリア膜２４を形成せずに、表面にアルミニウム膜２３が露出したままの基板と、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４が形成された基板を、３５０℃、１時間加熱した後、表面状態を電子顕微鏡で観察した。
【００５５】
図８は表面にアルミニウム膜２３が露出したままの基板を加熱処理した後の、アルミニウム膜２３表面を撮影した電子顕微鏡写真であり、図９はアルミニウム膜２２表面にバリア膜２４が形成された状態の基板を加熱処理した後の金属膜表面（バリア膜２４表面）を撮影した電子顕微鏡写真である。
【００５６】
図８を見ると明らかなように、表面にバリア膜が形成されたいないアルミニウム膜２３は、ヒロック（結晶成長）が見られたが、アルミニウム膜２３の表面をバリア膜２４で覆ったものにはヒロックが見られなかった。
以上のことから、アルミニウム膜２３の表面を、銅を主成分とし、添加元素と、酸素（又は／及び窒素）を含有するバリア膜２４で覆えば、ヒロックが防止されることが分かる。
【００５７】
＜エッチングレート測定＞
Ｚｒを含有する銅ターゲットを、酸素を含む真空雰囲気中でスパッタリングして成膜した金属膜（ＣｕＺｒ膜）と、他の金属膜（Ａｌ膜、Ｍｏ膜、Ｔｉ膜、Ｔａ膜）についてエッチング速度を測定した。
尚、エッチャントとしては、ＦｅＣｌ3：Ｈ2Ｏが１：１０（重量比）の割合で混合されたエッチング液を４０℃に加熱したものを用いた。これはウェットエッチングに広く使用される弱酸エッチング液である。
【００５８】
測定されたエッチング速度を、金属膜の種類毎に棒グラフとして図１０に示す。図１０に示したように、ＴｉとＴａはエッチングされず、Ｍｏはエッチングされたものの、そのエッチング速度とＡｌ膜のエッチング速度との差は、Ａｌ膜のエッチング速度とＣｕＺｒ膜のエッチング速度の差よりも大きく、Ａｌ膜とＭｏ膜は弱酸エッチング液で一緒にエッチングはできないことがわかる。
【００５９】
＜ＩＴＯコンタクト抵抗＞
銅ターゲット１１を酸素ガスを導入しながらスパッタリングし、ガラス基板の表面に密着膜２２を形成し、密着膜２２表面にＩＴＯ膜を密着形成し、アニール処理の前と後で、ＩＴＯ膜と密着膜２２の間の抵抗値を測定した。尚、アニール処理の温度は２５０℃であり、ＩＴＯ膜厚は１５０ｎｍであった。
銅ターゲット１１中の添加元素（Ｚｒ）含有量と抵抗値の関係を下記表２に示す。
【００６０】
【表２】
2008306043.tif 000004
【００６１】
比較例として、銅ターゲットに変えてアルミニウムターゲットをスパッタリングしてアルミニウム膜を形成し、密着膜２２の場合と同様に、アルミニウム膜の表面にＩＴＯ膜を成膜したものについて、アニール処理の前と後でＩＴＯ膜とアルミニウム膜の間の抵抗値を測定し、その測定結果を上記表２に記載した。
【００６２】
上記表２から明らかなように、銅ターゲットをスパッタリングして形成された密着膜２２は、アルミニウム膜に比べ、ＩＴＯ膜との間の抵抗値が低かった。
特に、銅ターゲットに、０．１原子％以上１０．０原子％以下のＺｒを含有させた場合には、アニール後の抵抗値がより小さくなっていた。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明に用いるスパッタリング装置の一例を説明するための断面図
【図２】（ａ）〜（ｅ）：本発明の配線膜の形成工程の一例を説明するための断面図
【図３】本発明の電子装置の一例を説明するための断面図
【図４】本発明の電子装置の他の例を説明するための断面図
【図５】本発明により成膜された配線膜の他の例を説明するための断面図
【図６】Ａｌ膜が密着したシリコン基板表面の電子顕微鏡写真
【図７】ＣｕＺｒ膜が密着したシリコン基板表面を撮影した電子顕微鏡写真
【図８】バリア膜を形成しなかったＡｌ膜表面の電子顕微鏡写真
【図９】バリア膜を形成したＡｌ膜表面の電子顕微鏡写真
【図１０】エッチング速度のグラフ
【符号の説明】
【００６４】
３……液晶表示装置    ６……半導体装置    １１……銅ターゲット    ２２……密着膜    ２３……アルミニウム膜    ２４……バリア膜    ２５、２７……配線膜    ３６……画素電極    ３８……蓄積電極    ４０……トランジスタ（ＴＦＴ）    ４１……ゲート電極    ４２……ソース電極    ４３……ドレイン電極    ４６……チャネル半導体層    ４７……ソース半導体層    ４８……ドレイン半導体層    ５５……共通電極
【図１】
2008306043.tif 000005
【図２】
2008306043.tif 000006
【図３】
2008306043.tif 000007
【図４】
2008306043.tif 000008
【図５】
2008306043.tif 000009
【図１０】
2008306043.tif 000010
【図６】
2008306043.tif 000011
【図７】
2008306043.tif 000012
【図８】
2008306043.tif 000013
【図９】
2008306043.tif 000014