(57)【要約】      （修正有）【課題】バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置において、積層方向の処理特性差、あるいは基板面内の処理特性差を低減する基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。【解決手段】処理ガスを処理室３２内に供給して基板表面に処理を施す際に、少なくとも２箇所以上の異なる位置から処理室内に供給するガス供給工程と、処理室内で基板載置部を基板の積層方向に移動させる垂直移動工程と、基板の表面と平行方向に移動させる平行移動工程とを含む。【選択図】図２
2008235865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を積層載置した基板載置部を収容する処理室と、
前記基板載置部を前記基板の積層方向において移動させる垂直方向移動ユニットと、
前記基板の表面に処理を施すための処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給ユニットであって、前記基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給ユニットと、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、前記垂直方向移動ユニット及び前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、を備えており、
前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の積層方向に移動させるように前記垂直方向移動ユニットを制御する基板処理装置。
【請求項２】
複数枚の基板を積層載置した基板載置部を収容する処理室と、
前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向において移動させる平行方向移動ユニットと、
前記基板の表面に処理を施すための処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給ユニットであって、前記基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給ユニットと、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、前記平行方向移動ユニット及び前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、を備えており、
前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の表面の平行方向に移動させるように前記平行方向移動ユニットを制御する基板処理装置。
【請求項３】
複数枚の基板を積層載置した基板載置部を収容する処理室と、
前記基板載置部を前記基板の積層方向において移動させる垂直方向移動ユニットと、
前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向において移動させる平行方向移動ユニットと、
前記基板の表面に処理を施すための処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給ユニットであって、前記基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給ユニットと、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、前記垂直方向移動ユニット、前記平行方向移動ユニット、及び前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、を備えており、
前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の積層方向に移動させるように前記垂直方向移動ユニットを制御するとともに、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の表面の平行方向に移動させるように前記並行方向移動ユニットを制御する基板処理装置。
【請求項４】
前記複数の基板を積層載置した基板載置部を前記処理室内に搬入する基板搬入工程と、
前記基板の表面に処理を施すためのガスを前記基板の積層方向において少なくとも２箇所以上の異なる位置から前記処理室内に供給するガス供給工程と、
前記処理室内で前記基板載置部を前記基板の積層方向に移動させる垂直移動工程と、
前記複数の基板を積層載置した前記基板載置部を前記処理室外に搬出する基板搬出工程と、
を含む基板処理方法。
【請求項５】
前記複数の基板を積層載置した基板載置部を前記処理室内に搬入する基板搬入工程と、
前記基板の表面に処理を施すためのガスを、前記基板の積層方向において少なくとも２
箇所以上の異なる位置から前記処理室内に供給するガス供給工程と、
前記処理室内で前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向に移動させる平行移動工程と、
前記複数の基板を積層載置した前記基板載置部を前記処理室外に搬出する基板搬出工程と、
を含む基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）や拡散や酸化およびアニール等の熱処理（ｔｈｅｒｍａｌ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を施す熱処理装置（ｆｕｒｎａｃｅ）に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法における成膜工程においては、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）が広く使用されている。一般に、ＣＶＤ装置は、複数枚のウエハをボートに保持した状態で熱処理を施す処理室が形成されたプロセスチューブと、このプロセスチューブの真下に形成されてボートが処理室に対する搬入搬出を待機する待機室と、ボートを昇降させて処理室に搬入搬出するボートエレベータと、処理ガスを処理室に供給するノズルと、処理室を排気する排気管と、を備えている。
【０００３】
従来のこの種のＣＶＤ装置としては、ボートの上段に配置されたウエハと中段に配置されたウエハと下段に配置されたウエハとの相互間の成膜特性差を小さく抑制するために、高さの異なる３本のノズルを処理室内に敷設したものがある（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２３１６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、高さの異なる３本のノズルを敷設したＣＶＤ装置においては、各ノズルの噴出口付近に配置されたウエハと、噴出口から離れた位置に配置されたウエハとの相互間で成膜特性差が発生する場合があった。
【０００５】
成膜特性差の発生を抑制するには、ガス流量等を微調整することにより、成膜特性差を極力小さく抑制することが考えられるが、プロセスウインドー（処理条件範囲）が小さくなる場合がある。すなわち、噴出口付近に配置されたウエハと、噴出口から離れた位置に配置されたウエハとの成膜特性差を小さくしようとした場合、ガス流量や圧力を調整して差を小さくすることが考えられるが、特性差を最小限に調整した場合、成膜速度が遅くなったり他の現象が発生したりするケースが往々にしてある。そこで、これらの折り合い点を見つけてプロセス条件を決定する必要があり、場合によっては非常に狭いプロセス条件範囲となる。つまり、プロセスウインドーが小さくなる場合がある。また、通常は上部から見てプロセスチューブの中心にウエハを配列し、ウエハとプロセスチューブ内壁との距離が一定になるようにしている。このため、一般的に、ウエハ面内の成膜特性は円形状の分布となる。
【０００６】
本発明の目的は、積層方向の処理特性差を低減することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、基板面内の処理特性差の発生を低減することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第一の態様によれば、複数枚の基板を積層載置した基板載置部を収容する処理室と、前記基板載置部を前記基板の積層方向において移動させる垂直方向移動ユニットと、前記基板の表面に処理を施すための処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給ユニットであって、前記基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給ユニットと
、前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、前記垂直方向移動ユニット及び前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、を備えており、前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の積層方向に移動させるように前記垂直方向移動ユニットを制御する基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、複数枚の基板を積層載置した基板載置部を収容する処理室と、前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向において移動させる平行方向移動ユニットと、前記基板の表面に処理を施すための処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給ユニットであって、前記基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給ユニットと、前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、前記平行方向移動ユニット及び前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、を備えており、前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の表面の平行方向に移動させるように前記平行方向移動ユニットを制御する基板処理装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、複数枚の基板を積層載置した基板載置部を収容する処理室と、前記基板載置部を前記基板の積層方向において移動させる垂直方向移動ユニットと、前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向において移動させる平行方向移動ユニットと、前記基板の表面に処理を施すための処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給ユニットであって、前記基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給ユニットと、前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、前記垂直方向移動ユニット、前記平行方向移動ユニット、及び前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、を備えており、前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の積層方向に移動させるように前記垂直方向移動ユニットを制御するとともに、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の表面の平行方向に移動させるように前記並行方向移動ユニットを制御する基板処理装置が提供される。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、前記複数の基板を積層載置した基板載置部を前記処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板の表面に処理を施すためのガスを前記基板の積層方向において少なくとも２箇所以上の異なる位置から前記処理室内に供給するガス供給工程と、前記処理室内で前記基板載置部を前記基板の積層方向に移動させる垂直移動工程と、前記複数の基板を積層載置した前記基板載置部を前記処理室外に搬出する基板搬出工程と、を含む基板処理方法が提供される。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、前記複数の基板を積層載置した基板載置部を前記処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板の表面に処理を施すためのガスを、前記基板の積層方向において少なくとも２箇所以上の異なる位置から前記処理室内に供給するガス供給工程と、前記処理室内で前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向に移動させる平行移動工程と、前記複数の基板を積層載置した前記基板載置部を前記処理室外に搬出する基板搬出工程と、を含む基板処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明にかかる基板処理装置、及び基板処理方法によれば、積層方向の処理特性差を低減すること、または基板面内の処理特性差の発生を低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１４】
本実施の形態に係る基板処理装置は、例えば、ＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置）１０として構成されている。
【００１５】
図１に示されているように、ＣＶＤ装置１０は筐体１１を備えており、筐体１１の前面にはカセット授受ユニット１２が設備されている。カセット授受ユニット１２は、基板としてのウエハ１を収容して搬送するキャリアであるカセット２を、例えば二台載置することができるカセットステージ１３を備えている。カセットステージ１３には、カセット２が外部搬送装置（図示せず）によって搬送されて来るように構成されており、搬送されて来たカセット２が垂直姿勢（カセット２に収納されたウエハ１が垂直になる状態）で載置されるように構成されている。さらに、カセットステージ１３は、載置されたカセット２を９０度回転させることにより、カセット２を水平姿勢にさせるように構成されている。
【００１６】
カセットステージ１３の後側にはカセットエレベータ１４が設置されており、カセットエレベータ１４はカセット移載装置１５を昇降させるように構成されている。カセットエレベータ１４の後側には、スライドステージ１６によって横行されるカセット棚１７が設置されている。カセット棚１７の上方にはバッファカセット棚１８が設置されている。バッファカセット棚１８の後側には、クリーンエアを筐体１１の内部に流通させるクリーンユニット１９が設置されている。また、カセット棚１７の後側にはウエハ１を複数枚一括して、または、一枚宛移載することができるウエハ移載装置（ｗａｆｅｒ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）２０が回転および昇降可能に設備されている。
【００１７】
筐体１１の後端部の下部には、大気圧未満の圧力に耐えるように構築された耐圧筐体２２が設置されている。耐圧筐体２２は、その内部に、複数枚のウエハ１を積層載置した基板載置部としてのボート８７が待機する待機室２３を形成している。ボート８７の構成については後述する。耐圧筐体２２には、待機室２３内を大気圧未満の圧力に排気する排気管２１が接続されている。耐圧筐体２２の前面壁にはウエハ搬入搬出口２４が開設されている。ウエハ搬入搬出口２４は、ロードロックドア２５によって開閉されるようになっている。
【００１８】
図２および図３に示されているように、耐圧筐体２２の上には処理炉３０が設置されている。処理炉３０はプロセスチューブ３１を有する。プロセスチューブ３１は、石英（ＳｉＯ２）または炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ３１の内側の筒中空部には、複数枚のウエハ１を積層載置したボート８７を収容する処理室３２が形成されている。すなわち、処理室３２は、基板としてのウエハ１を、ボート８７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
【００１９】
プロセスチューブ３１の下側にはマニホールド３３が、プロセスチューブ３１と同心円状に配設されている。マニホールド３３は、例えば、ステンレスが用いられて、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド３３はプロセスチューブ３１を支持するように設けられている。マニホールド３３が図示しない支持体に支持されることにより、プロセスチューブ３１は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ３１とマニホールド３３とにより反応容器が形成される。なお、マニホールド３３とプロセスチューブ３１との間には、シール部材としてのＯリングが設けられている。
【００２０】
マニホールド３３には、処理室３２内の雰囲気を排気する排気ユニットとしてのガス排気管３４の一端が接続されている。ガス排気管３４の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ（図示せず）および圧力調整器としてのＡＰＣバルブ３５を介して、真空ポンプ等の真空排気装置３６が接続されている。圧力センサおよびＡＰＣバルブ３５には、圧力
制御部３７が電気配線３８によって電気的に接続されている。圧力制御部３７は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ３５の開度を調節することにより、処理室３２内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように制御する。
【００２１】
図２、図３および図４に示されているように、処理室３２内には、ウエハ１の表面に処理を施すための処理ガスを処理室３２内に供給するガス供給ユニットとしてのガス供給管４１、４２、４３を有している。具体的には、処理室３２内には高さが上中下段と異なる３本のガス供給管４１、４２、４３が敷設されている。ガス供給管４１、４２、４３の下流側端部は処理室３２内に処理ガスを供給するノズルを形成している。すなわち、ガス供給管４１、４２、４３は、ウエハ１の積層方向に、複数の処理ガス供給箇所としての噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａを有している。３本のガス供給管４１、４２、４３のガス供給箇所である噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａは、処理室３２内の上中下段にそれぞれ配置されている。３本のガス供給管４１、４２、４３の上流側端部は、マニホールド３３を貫通して外部に引き出されている。３本のガス供給管４１、４２、４３の上流側端部には、バルブ４４、４５、４６とガス流量制御装置としてのＭＦＣ４７、４８、４９とを介してガス供給源５０、５１、５２がそれぞれ接続されている。ＭＦＣ４７、４８、４９およびバルブ４４、４５、４６には、ガス流量制御部５３が電気配線５４によって電気的に接続されている。ガス流量制御部５３は、処理室３２内に供給するガスの流量が所望の流量となるように、ＭＦＣ４７、４８、４９およびバルブ４４、４５、４６を所望のタイミングにて制御する。なお、図３および図４においては、便宜上、３本のガス供給管４１、４２、４３は上下方向及び径方向にずらされて図示されているが、実際上は上下方向及び周方向にずらされて（処理室３２の内壁の周方向にずらされて）配置されている。また、本実施形態にかかる噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａは上向きとなっているが、水平方向を向いていてもよい。また、ガス供給管４１、４２、４３は下流側端部にのみ噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａを有するように構成されているが、下流側端部にかぎらず、途中箇所に噴出口を有するように構成されていてもよい。
【００２２】
図２および図３に示されているように、処理炉３０は加熱手段としてのヒータ５５を有する。ヒータ５５は、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱部材とにより円筒形状に構築されており、プロセスチューブ３１の外側に同心円状に配置されている。ヒータ５５は、支持体（図示せず）に支持されることにより、耐圧筐体２２の上に垂直に据え付けられている。ヒータ５５の近傍には、処理室３２内の温度を検出する温度検出体としての温度センサ（図示せず）が設けられる。ヒータ５５および温度センサには、温度制御部５６が、電気配線５７によって電気的に接続されている。温度制御部５６は、温度センサによって検出された温度情報に基づきヒータ５５への通電具合を所望のタイミングをもって調節することにより、処理室３２内の温度が所望の温度分布となるように制御する。なお、ヒータ５５は、後述する垂直方向移動ユニットによるボート８７の垂直方向の移動可能領域を覆うように、ボート８７内のウエハ１の支持領域よりも垂直方向に長めに設けられる。
【００２３】
図２に示されているように、耐圧筐体２２の上にはボートエレベータ６０が設置されている。ボートエレベータ６０は下側取付板６１と上側取付板６２とを備えている。下側取付板６１と上側取付板６２との間には、ガイドシャフト６３と螺子シャフト６４とが垂直に敷設されている。螺子シャフト６４は、上側取付板６２に設置された昇降モータ６５によって正回転あるいは逆回転されるようになっている。ガイドシャフト６３および螺子シャフト６４には、昇降台６６が、螺子シャフト６４の回転に伴ってガイドシャフト６３に案内されて昇降するように嵌合されている。
【００２４】
昇降台６６には中空の昇降シャフト６７が垂設されている。昇降シャフト６７は昇降台６６と共に昇降するようになっている。昇降台６６と昇降シャフト６７との連結部は気密となっている。昇降シャフト６７は耐圧筐体２２の天板２２ａを貫通している。昇降シャ
フト６７が貫通する天板２２ａの貫通孔は、昇降シャフト６７に対して接触することがないように充分な余裕を有している。耐圧筐体２２と昇降台６６との間には、伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ６８が、耐圧筐体２２内を気密に保つために昇降シャフト６７の周囲を覆うように設けられている。ベローズ６８は、昇降台６６の昇降量に対応することができる充分な伸縮量を有している。ベローズ６８の内径は、昇降シャフト６７の外形に比べ充分に大きく、ベローズ６８の伸縮で接触することがないように構成されている。
【００２５】
昇降シャフト６７の下端には、昇降プレート７０が水平に配置されて固定されている。昇降プレート７０の下面には、駆動部カバー７１がＯリング等のシール部材を介して気密に取り付けられている。昇降プレート７０と駆動部カバー７１とによって駆動部収納ケース７２が構成されている。この構成により、駆動部収納ケース７２の内部は耐圧筐体２２内の雰囲気と隔離されている。
【００２６】
昇降プレート７０の上には、耐圧筐体２２の天板２２ａに開設された炉口７３を気密に閉塞するための炉口蓋体としてのシールキャップ７４が設けられている。シールキャップ７４はステンレス等の金属により構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ７４の上面には、炉口７３の開口縁辺部と当接するシール部材としてのＯリングが設けられている。通常、炉口７３はシャッタ２８（図１参照）によって閉塞される。
【００２７】
駆動収納ケース７２内にはリニアアクチュエータ７５が設置されている。リニアアクチュエータ７５は、アーム７６を垂直に昇降させるようになっている。アーム７６には、昇降台７７が水平に支持されている。リニアアクチュエータ７５、アーム７６、及び昇降台７７により、ボート８７をウエハ１の積層方向において移動させる垂直方向移動ユニットが構成される。
【００２８】
垂直方向移動ユニットによるボート８７の移動頻度（移動速度）は、後述するガス供給工程を１回実施する間（処理室３２内への処理ガスの供給開始から供給終了までの間）に、ボート８７が例えば１往復以上するような頻度（速度）、またはボート８７が例えば半往復するような頻度（速度）とすることが好ましい。このような頻度（速度）でボート８７を移動させることにより、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａ付近に配置されたウエハ１と、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａから離れた位置に配置されたウエハ１との相互間で、ガスの供給流量等の処理条件をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。なお、垂直方向移動ユニットによるボート８７の移動頻度（移動速度）は、処理室３２内で行われる処理の内容や、処理室３２内に供給される処理ガスの種類や、処理対象のウエハ１の枚数や、処理室３２の大きさや、各噴出口間の距離等によって個別に調整されることが好ましい。
【００２９】
垂直方向移動ユニットによるボート８７の移動幅（移動距離）は、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａの間の距離の半分とすることが好ましい。ボート８７が移動可能な領域をこのように制限することにより、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａ付近に配置されたウエハ１と、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａから離れた位置に配置されたウエハ１との相互間で、ガスの供給流量等の処理条件をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００３０】
垂直方向移動ユニットによって移動されるボート８７の上限位置（高さ位置）は、複数の処理ガス供給箇所のうち最上部である噴出口４１ａの高さ位置以下とすることが好ましい。すなわち、垂直方向移動ユニットによってボート８７が移動される際に、ボート８７に支持される処理対象のウエハ１のうち最上部のウエハ１の高さ位置が、噴出口４１ａの高さ位置と常に同程度かそれ以下であることが好ましい。ボート８７が移動可能な領域を
このように制限することにより、ボート８７内の上部、中部、下部に支持される各ウエハ１の相互間で、ガスの供給流量等の処理条件をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。すなわち、ボート８７内の上部（ガスの上流部分）に支持されるウエハ１に対するガスの供給量が、ボート８７内の中部、下部（ガスの中流、下流部分）に支持されるウエハ１に対するガスの供給流量をよも少なくなってしまうことを抑制できる。
【００３１】
後述するガス供給工程を開始する時点（処理室３２内への処理ガスの供給開始時点）におけるボート８７の移動方向は、処理ガスの下流方向とすることが好ましい。すなわち、ＣＶＤ膜の形成工程を開始する時点におけるボート８７の位置（ボート８７の初期位置）をボート８７の可動領域の上限位置としておき、ＣＶＤ膜の形成工程の進行に合わせてボート８７を降下させることが好ましい。ボート８７の移動方向をこのように制限することにより、ボート８７内の上部、中部、下部に支持される各ウエハ１の相互間で、ガスの供給流量等の処理条件をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。すなわち、ボート８７内の上部（ガスの上流部分）に支持されるウエハ１に対するガスの供給量が、ボート８７内の中部、下部（ガスの中流、下流部分）に支持されるウエハ１に対するガスの供給流量をよも少なくなってしまうことを抑制できる。
【００３２】
また、垂直方向移動ユニットによって移動されるボート８７の移動距離は、ボート８７によって支持されるウエハ１が、ヒータ５５に常に加熱されるような距離に制限されることが好ましい。すなわち、ボート８７に支持される処理対象のウエハ１のうち最上部のウエハ１の高さ位置と最下部のウエハ１の高さ位置とが、ヒータ５５による被加熱領域内（ヒータ５５が設けられている領域内）にそれぞれ常に収まるように、ボート８７の移動距離が制限されることが好ましい。ボート８７が移動可能な領域をこのように制限することにより、ボート８７内の上部、中部、下部に支持される各ウエハ１の相互間で、温度条件をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００３３】
昇降台７７には、回転機構７８が、回転軸７９が上向きになるように設置されている。駆動収納ケース７２内における回転軸７９の周りには、回転軸の周りを気密に保つためのベローズ８０が設置されている。回転機構７８の周辺には、冷却機構８１が設置されている。冷却機構８１およびシールキャップ７４には、冷却流路８２が形成されている。冷却流路８２には、冷却水を供給する冷却水配管８３が接続されている。冷却水配管８３は、昇降シャフト６７の上端から昇降シャフト６７の中空部を通っている。また、電力供給ケーブル８４が、昇降シャフト６７の上端から昇降シャフト６７の中空部を通って導かれ、回転機構７８に接続されている。
【００３４】
リニアアクチュエータ７５、回転機構７８および昇降モータ６５には、駆動制御部８５が電気配線８６によって電気的に接続されている。駆動制御部８５は、リニアアクチュエータ７５、回転機構７８および昇降モータ６５が所望のタイミングにて所望の動作をするように制御する。昇降モータ６５が駆動されて螺子シャフト６４が回転することにより、昇降台６６および昇降シャフト６７を介して駆動部収納ケース７２が昇降する。駆動部収納ケース７２が上昇することにより、昇降プレート７０に気密に設けられるシールキャップ７４が処理炉３０の開口部である炉口７３を閉塞し、ウエハ処理が可能な状態となる。駆動部収納ケース７２が下降することにより、シールキャップ７４と共にボート８４が降下され、ウエハ１を外部に搬出することができる。
【００３５】
回転機構７８の回転軸７９は、シールキャップ７４を貫通してボート８７に接続されている。ボート８７を回転させることでウエハ１を回転させるように構成されている。基板載置手段としてのボート８７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ１を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように
構成されている。なお、ボート８７の下部には、例えば、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板８８が、水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ５５からの熱がマニホールド３３側に伝わり難くなるように構成されている。
【００３６】
なお、圧力制御部３７、ガス流量制御部５３、温度制御部５６、駆動制御部８５は、操作部、入出力部をも構成し、ＣＶＤ装置１０全体を制御する主制御部８９に電気的に接続されている。これら圧力制御部３７、ガス流量制御部５３、温度制御部５６、駆動制御部８５、主制御部８９は、コントローラ９０として構成されている。
【００３７】
以下に、前記構成に係るＣＶＤ装置１０の作用、すなわち、ＣＶＤ装置１０により実施される基板処理工程としてのＣＶＤ薄膜形成工程を説明する。
【００３８】
本実施形態にかかるＣＶＤ成膜工程は、例えばＩＣ等の半導体装置の製造工程の一工程として実施される。以下の説明において、ＣＶＤ装置１０を構成する各部の動作はコントローラ９０により制御される。
【００３９】
本実施形態にかかるＣＶＤ薄膜形成工程は、複数のウエハ１を積層載置したボート８７を処理室３２内に搬入する基板搬入工程と、ウエハ１の表面に処理を施すためのガスをウエハ１の積層方向において少なくとも２箇所以上の異なる位置から処理室３２内に供給するガス供給工程と、処理室３２内でボート８７をウエハ１の積層方向に移動させる垂直移動工程と、複数のウエハ１を積層載置したボート８７を処理室３２外に搬出する基板搬出工程と、を有する。以下に、これらの各工程について説明する。
【００４０】
（基板搬入工程）
複数枚のウエハ１が収納されたカセット２が、カセット授受ユニット１２のカセットステージ１３上に外部搬送装置によって供給される。カセットステージ１３上に供給されたカセット２は、カセットステージ１３が９０度回転することにより水平姿勢になる。水平姿勢になったカセット２は、カセット棚１７上またはバッファカセット棚１８上へ、カセット移載装置１５によって搬送されて移載される。
【００４１】
カセット２に収納されている処理対象のウエハ１は、ウエハ移載装置２０によって、耐圧筐体２２のウエハ搬入搬出口２４を通して待機室２３内に搬入され、ボート８７に装填（チャージング）される。この際には、図１に示されているように、炉口７３がシャッタ２８によって閉鎖されることにより、処理室３１の高温雰囲気が待機室２３に流入することは抑制されている。このため、ボート８７に装填途中のウエハ１および装填されたウエハ１が高温雰囲気に晒されることが抑制され、ウエハ１が高温雰囲気に晒されることによる自然酸化等の弊害の発生は抑制されることになる。
【００４２】
指定された枚数のウエハ１がボート８７へ装填されると、ウエハ搬入搬出口２４がロードロックドア２５によって閉鎖され、炉口７３がシャッタ２８によって開放される。
【００４３】
次いで、複数枚のウエハ１を保持したボート８７が、昇降モータ６５による昇降台６６および昇降シャフト６７の昇降動作により、図３に示されているように、処理室３２内に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ７４は炉口７３を閉塞した状態となる。
【００４４】
（減圧工程及び昇温工程）
処理室３２内が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置３６によって真空排気される（減圧工程）。この際、処理室３２内の圧力は圧力センサで測定され、この測定
された圧力に基づき圧力調節器３５がフィードバック制御される。また、処理室３２内が所望の温度となるようにヒータ５５により加熱される（昇温工程）。この際、処理室３２内が所望の温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ５５への通電具合がフィードバック制御される。
【００４５】
（垂直移動工程）
続いて、図３と図４とに示されているように、垂直方向移動ユニット（リニアアクチュエータ７５等）によってボート８７が昇降されることにより、ウエハ１が昇降される（垂直移動工程）。なお、垂直移動工程の開始は、後述するガス供給工程の開始と同時としてよく、ガス供給工程の開始よりも先であってもよい。また、垂直移動工程は、少なくとも後述するガス供給工程の完了まで（すなわち処理室３２内への処理ガスの供給停止まで）実施する。この際、回転機構７８によってボート８７を回転させ、ウエハ１を回転させてもよい。
【００４６】
（ガス供給工程）
垂直移動工程の実施とともに、処理ガス供給源５０、５１、５２から処理ガスが供給される。処理ガスの流量が所望の流量となるようにＭＦＣ４７、４８、４９の開度を調節しつつ、バルブ４４、４５、４６が開かれる。処理ガスは、ガス供給管４１、４２、４３を流通して、処理室３２の上部から処理室３２内に導入される。導入された処理ガスは、処理室３２内を通り、ガス排気管３４から排気される。処理ガスは、処理室３２内を通過する際にウエハ１と接触し、ウエハ１の表面上にＣＶＤ膜を形成する。
【００４７】
ところで、３本のガス供給管４１、４２、４３の噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａは、処理室３２内の上中下段にそれぞれ配置されている。そのため、処理ガスの供給箇所は処理室３２内の上中下段に分散されていることになる。したがって、ボート８７全長におけるウエハ相互間のＣＶＤ膜の成膜特性差（膜厚差等）は、処理ガスが最上段の一箇所から処理室３２内に供給する場合に比べて小さく抑制されることになる。しかしながら、３本のガス供給管４１、４２、４３の各噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａ付近にそれぞれ配置されたウエハ１と、各噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａから離れた位置に配置されたウエハ１との相互間では、成膜特性差が発生する場合がある。
【００４８】
本実施の形態においては、図３と図４とに示されているように、リニアアクチュエータ７５によってボート８７が昇降されることによってウエハ１が昇降される。そのため、３本のガス供給管４１、４２、４３の各噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａとウエハ１との相対位置が変化し、各噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａ付近にそれぞれ配置されたウエハ１と、各噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａから離れた位置に配置されたウエハ１との相互間での成膜特性差の発生は抑止ないし抑制される。同時に、回転機構７８によってボート８７が回転されることによりウエハ１が回転されているため、ウエハ１の面内成膜特性差（膜厚分布均一性等）も抑制される。
【００４９】
予め設定された時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室３２内が不活性ガスによって置換されるとともに、処理室３２内の圧力が常圧に復帰される。
【００５０】
（基板搬出工程）
その後、処理室３２内にボート８７を搬入する際と同じ位置にボート８７を移動させて処理室３２内からボート８７を搬出する。すなわち、昇降モータ６５によってシールキャップ７４が下降されて、マニホールド３３の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ１が、ボート８４に保持された状態でマニホールド３３の下端からプロセスチューブ３１の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ１は、ボート
８４から取り出されてカセット２に戻される（ウエハディスチャージ）。
【００５１】
前記実施の形態によれば、次のうち１つまたはそれ以上の効果が得られる。
【００５２】
１）  処理室３２内のボート８７を垂直方向移動ユニット（リニアアクチュエータ７５等）によって昇降可能に構成し、成膜中に垂直方向移動ユニット（リニアアクチュエータ７５等）によってボート８７を昇降させることにより、ガス供給管４１、４２、４３の噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａとウエハ１との相対位置を変化させることができるので、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａ付近に配置されたウエハ１と、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａから離れた位置に配置されたウエハ１との相互間で、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。参考までに、従来のＣＶＤ装置の処理炉の断面構成図を図５に示す。従来のＣＶＤ装置は、高さの異なる３本のノズルを有しており、かかるノズルから反応管内に処理ガスを供給している。そして、成膜中（処理ガスを供給している間）は、ウエハを支持するボートの高さ位置は固定されている。この場合、各ノズルの噴出口付近に配置されたウエハと、噴出口から離れた位置に配置されたウエハとの相互間で、処理ガスの供給量が不均一となってしまい、成膜特性差が発生してしまう場合があった。これに対し、本実施形態によれば、ガス供給管４１、４２、４３の噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａとウエハ１との相対位置を変化させることができるので、上述の課題を解決することが可能となる。なお、本実施形態のように、３本のガス供給管４１、４２、４３の各噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａがそれぞれ上向きに開口している場合（処理ガスが上向きに噴出される場合）には、ボート８７をウエハ１の積層方向において移動させる垂直方向移動ユニットを設けることが、積層方向の処理特性差を低減するためには特に有効である。
【００５３】
２）  ウエハ１相互間の成膜特性差を抑制することにより、ＣＶＤ装置１０の性能や品質および信頼性を向上させることができるとともに、当該ウエハ１から取得されるＩＣの品質および信頼性を均一化することができる。
【００５４】
３）  処理室３２内のボート８７を昇降させるとともに、回転させることにより、ボート８７内のウエハ１相互間の成膜特性差およびウエハ１面内の成膜特性差の双方を抑制することができる。
【００５５】
４）  垂直方向移動ユニットによるボート８７の移動頻度（移動速度）は、ＣＶＤ膜の形成工程を１回実施する間に、ボート８７が例えば１往復以上するような頻度（速度）、またはボート８７が例えば半往復するような頻度（速度）とすることができる。このような頻度（速度）でボート８７を移動させることにより、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａ付近に配置されたウエハ１と、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａから離れた位置に配置されたウエハ１との相互間で、ガスの供給流量等の処理条件をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００５６】
５）  垂直方向移動ユニットによるボート８７の移動幅（移動距離）は、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａの間の距離の略半分とすることができる。ボート８７が移動可能な領域をこのように制限することにより、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａ付近に配置されたウエハ１と、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａから離れた位置に配置されたウエハ１との相互間で、ガスの供給流量等の処理条件をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００５７】
６）  垂直方向移動ユニットによって移動されるボート８７の上限位置（上限の高さ位置）は、複数の処理ガス供給箇所のうち最上部である噴出口４１ａの高さ位置以下とすることができる。ボート８７が移動可能な領域をこのように制限することにより、ボート８７内の上部、中部、下部に支持される各ウエハ１の相互間で、ガスの供給流量等の処理条件
をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００５８】
７）  ＣＶＤ膜の形成工程を開始する時点（処理室３２内への処理ガスの供給開始時点）におけるボート８７の移動方向は、処理ガスの下流方向とすることができる。ボート８７の移動方向をこのように制限することにより、ボート８７内の上部、中部、下部に支持される各ウエハ１の相互間で、ガスの供給流量等の処理条件をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００５９】
８）  垂直方向移動ユニットによって移動されるボート８７の移動距離は、ボート８７によって支持されるウエハ１が、ヒータ５５に常に加熱されるような距離に制限することができる。ボート８７が移動可能な領域をこのように制限することにより、ボート８７内の上部、中部、下部に支持される各ウエハ１の相互間で、温度条件をより均一化させることができ、成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００６０】
＜本発明の他の実施形態＞  
本実施形態にかかるＣＶＤ装置１０は、ボート８７をウエハ１の表面と平行方向において移動させる平行方向移動ユニットを備える点が、上述の実施形態とは異なる。その他は、上述の実施形態とほぼ同一である。平行方向移動ユニットは、リニアアクチュエータ７５、アーム７６、及び昇降台７７により構成される。本実施形態にかかるリニアアクチュエータ７５は、ウエハ１の表面と平行方向にアーム７６を移動させるように構成されている。
【００６１】
そして、本実施形態にかかるＣＶＤ装置１０により、処理室３２内でボート８７をウエハ１の表面と平行方向に移動させる平行移動工程が実施されるように構成されている。
【００６２】
平行移動工程においては、まず、ガス供給工程する前（処理室３２内へ処理ガスの供給を開始する前）迄に、処理室３２内に搬入したボート８７を平行方向移動ユニットにより移動して固定するように構成されている。噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａとガス排気管３４とが処理室３２の中心軸を挟んで対称の位置にない場合（すなわち、噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａと、ガス排気管３４と、処理室３２の中心とが一直線上にない場合）には、処理室３２内おける処理ガスの流れは、処理室３２の中心軸に対して対称な流れとならずに、例えば処理ガスの供給量がガス排気管３４側に偏った非対称な流れとなる。このような場合には、平行方向移動ユニットは、処理室３２の中心軸に対して非対称となる所定の位置にボート８７を移動させて固定することが好ましい。例えば、平行方向移動ユニットは、排気管２１の設けられた方向における処理室３２の内壁側に近い所定位置（排気管２１の処理室３２内の開口部を有する処理室３２内壁に近い位置）にボート８７を移動して固定することが好ましい。
【００６３】
そして、平行方向移動ユニットは、ＣＶＤ膜の形成工程を１回実施する間（処理室３２内への処理ガスの供給開始から供給終了までの間）に、ボート８７を上記の所定位置に固定するか、あるいはウエハ１の表面と平行方向において１方向に往復運動させるように構成されている。
【００６４】
なお、平行方向移動ユニットによって移動されたボート８７の外縁部（ボート８７に支持されるウエハ１の外縁部）と処理室３２内壁との間の距離は、積層されたウエハ１間の距離（積層ピッチ）以上であることが好ましい。具体的には、ボート８７の外縁部と処理室３２内壁との間の距離は、積層されたウエハ１間の距離（積層ピッチ）と同程度であることが好ましい。なお、ボート８７の支柱と処理室３２内壁とのクリアランスを確保するために、ボート８７の外縁部と処理室３２内壁との間の距離を例えば１０ｍｍ程度としてもよい。なお、ボート８７の外縁部と処理室３２内壁との間の距離は、処理室３２内で行
われる処理の内容や、処理室３２内に供給される処理ガスの種類や、処理対象のウエハ１の枚数や、処理室３２の大きさ等によって個別に調整されることが好ましい。
【００６５】
本実施形態によれば、次のうち１つまたはそれ以上の効果が得られる。
【００６６】
１）  ボート８７の外縁部（ボート８７に支持されるウエハ１の外縁部）と処理室３２内壁との間の距離によっては、ウエハ１の外縁部に対する処理ガスの供給流量が、該ウエハ１の中心部に対する処理ガスの供給流量に対して多くなってしまう場合がある。すなわち、ウエハ１の面内における処理ガスの供給量の分布が円形状となってしまい、処理ガスの供給量が不均一となってしまう場合がある。本実施形態によれば、ボート８７を平行移動させてボート８７の外縁部（ボート８７に支持されるウエハ１の外縁部）と処理室３２内壁との間の距離を調整することにより、ウエハ１上に供給される処理ガスの量を調整することが出来る。例えば、ボート８７の外縁部（ボート８７に支持されるウエハ１の外縁部）と処理室３２内壁との間の距離は、積層されたウエハ１間の距離（積層ピッチ）以上とすることができる。具体的には、ボート８７の外縁部と処理室３２内壁との間の距離を、積層されたウエハ１間の距離（積層ピッチ）と同程度とすることができる。これにより、ウエハ１面内への処理ガスの供給流量をより均一化させ、ウエハ１面内の成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００６７】
２）  噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａとガス排気管３４とは、処理室３２の中心を挟んで対称の位置にない場合（噴出口４１ａ、４２ａ、４３ａと、ガス排気管３４と、処理室３２の中心と、が一直線上にない場合）には、処理室３２内おける処理ガスの流れは、処理室３２の中心軸に対して対称な流れとならずに、ガス排気管３４側に処理ガスの供給量が偏った非対称な流れとなる。このような場合、ウエハ１面内への処理ガスの供給が不均一となってしまう。本実施形態によれば、平行方向移動ユニットは、処理室３２の中心軸に対して非対称となる所定の位置にボート８７を移動させて固定することができる。例えば、平行方向移動ユニットは、排気管２１の設けられた方向における処理室３２の内壁側に近い所定位置にボート８７を移動して固定することができる。これにより、ウエハ１面内への処理ガスの供給流量をより均一化させ、ウエハ１面内の成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００６８】
３）  処理室３２内に搬入されたボート８７に傾きが生じ、ボート８７の外縁部（ボート８７に支持されるウエハ１の外縁部）と処理室３２内壁との間の距離が、処理室３２内の高さ位置に応じてミリオーダで異なってしまう場合がある。そして、ウエハ１上へ供給される処理ガスの量が処理室３２内の高さ位置に応じて異なってしまい、ウエハ１の相互間で成膜特性差が発生してしまう場合がある。本実施形態によれば、ボート８７を平行移動させてボート８７の外縁部（ボート８７に支持されるウエハ１の外縁部）と処理室３２内壁との間の距離を調整することにより、ウエハ１上へ供給される処理ガスの供給流量を、処理室３２内の高さ方向に亘ってより均一化させ、ウエハ１の相互間での成膜特性差の発生を抑止ないし抑制することができる。
【００６９】
＜本発明の更に他の実施形態＞  
上述の実施形態にかかるＣＶＤ装置１０では、ボート８７をウエハ１の積層方向において移動させる垂直方向移動ユニット、あるいはボート８７をウエハ１の表面と平行方向において移動させる平行方向移動ユニットのいずれか一方のみを有していたが、本発明は上述の実施形態に限定されない。すなわち、本発明にかかるＣＶＤ装置１０は、垂直方向移動ユニットと平行方向移動ユニットとの両方を有していてもよい。そして、その場合、リニアアクチュエータ７５が、垂直方向にアーム７６を昇降させるとともにウエハ１の表面と平行方向にアーム７６を移動させるように構成されていてもよいし、図６に示すように、垂直方向及び平行方向のそれぞれに対して個別にリニアアクチュエータ７５ａ、７５ｂ
を設けても良い。
【００７０】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００７１】
例えば、基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給手段は、噴出口がそれぞれ異なる複数本のガス供給管によって構成するに限らず、多数個の噴出口が高さ方向に配列された１本のガス供給管によって構成してもよい。
【００７２】
ボートをウエハの積層方向に移動させる移動手段は、駆動部収納ケース内に設置したリニアアクチュエータによって構成するに限らず、例えば、ボートエレベータを兼用するように構成してもよい。
【００７３】
前記実施の形態においては、ＣＶＤ装置について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することができる。
【００７４】
＜本発明の好ましい態様＞
なお、好ましい実施の形態を付記する。
【００７５】
本発明の一態様によれば、複数枚の基板を積層載置した基板載置部を収容する処理室と、前記基板載置部を前記基板の積層方向において移動させる垂直方向移動ユニットと、前記基板の表面に処理を施すための処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給ユニットであって、前記基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給ユニットと、前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、前記垂直方向移動ユニット及び前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、を備えており、前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の積層方向に移動させるように前記垂直方向移動ユニットを制御する基板処理装置が提供される。
【００７６】
本発明の他の態様によれば、複数枚の基板を積層載置した基板載置部を収容する処理室と、前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向において移動させる平行方向移動ユニットと、前記基板の表面に処理を施すための処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給ユニットであって、前記基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給ユニットと、前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、前記平行方向移動ユニット及び前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、を備えており、前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の表面の平行方向に移動させるように前記平行方向移動ユニットを制御する基板処理装置が提供される。
【００７７】
本発明の他の態様によれば、複数枚の基板を積層載置した基板載置部を収容する処理室と、前記基板載置部を前記基板の積層方向において移動させる垂直方向移動ユニットと、前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向において移動させる平行方向移動ユニット、前記基板の表面に処理を施すための処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給ユニットであって、前記基板の積層方向に複数の処理ガス供給箇所を有するガス供給ユニットと、前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、前記垂直方向移動ユニット、前記平行方向移動ユニット、及び前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、を備えており、前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の積層方向に移動させるように前記垂直方向移動ユニットを制御するとともに、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の表面の平行方向に移動させるように前記並行方向移動ユニットを制御
する基板処理装置が提供される。
【００７８】
上述の基板処理装置において、好ましくは、前記ガス供給ユニットは、前記処理ガスを前記処理室内のそれぞれ異なる等間隔の複数箇所へ供給する複数のガス供給ノズルを有し、前記制御部は、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の積層方向に前記複数の処理ガス供給箇所の間の半分の距離を移動させるように前記垂直方向移動ユニットを制御する。
【００７９】
また、好ましくは、前記ガス供給ユニットは、前記処理ガスを前記処理室内のそれぞれ異なる等間隔の複数箇所へ供給する複数のガス供給ノズルを有し、前記制御部は、前記基板を載置した前記基板載置部を前記処理ガスの下流方向に前記複数の処理ガス供給箇所の間の半分の距離を移動させるように前記垂直方向移動ユニットを制御する。
【００８０】
また、好ましくは、前記制御部は、前記基板を載置した前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向に移動させ、前記処理室の中心軸に対して非対称となる所定の位置に固定して前記基板表面に所望の処理を施すように前記平行移動ユニットを制御する。さらに好ましくは、前記所定の位置とは前記排気ユニットの処理室内の開口部を有する処理室内壁に近い位置である。
【００８１】
また、好ましくは、前記基板載置部の外縁部と前記処理室内壁との間の距離は、前記積層された基板間の距離以上である。
【００８２】
また、好ましくは、前記基板載置部を回転させる回転機構を有し、前記制御部は、前記処理ガス供給箇所から前記処理ガスを前記処理室内に供給して前記基板表面に処理を施す際に、前記基板載置部を回転させるように前記回転機構を制御する。
【００８３】
また、好ましくは、前記制御部は、前記処理室内に前記基板載置部を搬入する際と同じ位置に前記基板載置部を移動させて前記処理室内から前記基板載置部を搬出するように前記基板載置部を制御する。
【００８４】
前記制御部は、前記基板載置部を処理条件に応じて移動させる。
【００８５】
本発明の他の態様によれば、前記複数の基板を積層載置した基板載置部を前記処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板の表面に処理を施すためのガスを前記基板の積層方向において少なくとも２箇所以上の異なる位置から前記処理室内に供給するガス供給工程と、前記処理室内で前記基板載置部を前記基板の積層方向に移動させる垂直移動工程と、前記複数の基板を積層載置した前記基板載置部を前記処理室外に搬出する基板搬出工程と、を含む基板処理方法が提供される。
【００８６】
本発明の他の態様によれば、前記複数の基板を積層載置した基板載置部を前記処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板の表面に処理を施すためのガスを、前記基板の積層方向において少なくとも２箇所以上の異なる位置から前記処理室内に供給するガス供給工程と、前記処理室内で前記基板載置部を前記基板の表面と平行方向に移動させる平行移動工程と、前記複数の基板を積層載置した前記基板載置部を前記処理室外に搬出する基板搬出工程と、を含む基板処理方法が提供される。
【００８７】
上述の基板処理方法において、好ましくは、前記基板載置部を上下方向及び左右方向に移動させ、回転させる工程を含む。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】その主要部を示す側面断面図である。
【図３】成膜中のボート上昇時を示す一部省略側面断面図である。
【図４】成膜中のボート下降時を示す一部省略側面断面図である。
【図５】従来のＣＶＤ装置の処理炉の断面構成図である。
【図６】本発明の他の実施形態にかかるＣＶＤ装置の処理炉の断面構成図である。
【符号の説明】
【００８９】
１…ウエハ、２…カセット、１０…ＣＶＤ装置、１１…筐体、１２…カセット授受ユニット、１３…カセットステージ、１４…カセットエレベータ、１５…カセット移載装置、１６…スライドステージ、１７…カセット棚、１８…バッファカセット棚、１９…クリーンユニット、２０…ウエハ移載装置、２１…排気管、２２…耐圧筐体、２２ａ…天板、２３…待機室、２４…ウエハ搬入搬出口、２５…ロードロックドア、２８…シャッタ、３０…処理炉、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…マニホールド、３４…ガス排気管、３５…ＡＰＣバルブ、３６…真空排気装置、３７…圧力制御部、３８…電気配線、４１、４２、４３…ガス供給管、４１ａ、４２ａ、４３ａ…噴出口、４４、４５、４６…バルブ、４７、４８、４９…ＭＦＣ（ガス流量制御装置）、５０、５１、５２…ガス供給源、５３…ガス流量制御部、５４…電気配線、５５…ヒータ、５６…温度制御部、５７…電気配線、６０…ボートエレベータ、６１…下側取付板、６２…上側取付板、６３…ガイドシャフト、６４…螺子シャフト、６５…昇降モータ、６６…昇降台、６７…昇降シャフト、６８…ベローズ、７０…昇降プレート、７１…駆動部カバー、７２…駆動部収納ケース、７３…炉口、７４…シールキャップ、７５…リニアアクチュエータ、７６…アーム、７７…昇降台、７８…回転機構、７９…回転軸、８０…ベローズ、８１…冷却機構、８２…冷却流路、８３…冷却水配管、８４…電力供給ケーブル、８５…駆動制御部、８６…電気配線、８７…ボート、８８…断熱板、８９…主制御部、９０…コントローラ。
【図１】
2008235865.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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