(57)【要約】【課題】電気光学装置において高品質な画像表示を行う。【解決手段】基板（１０）と、基板上に引き回され、画素部や周辺回路部に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する少なくとも一本のクロック信号配線（８０１ｂ）と、基板上に引き回され、画素部や周辺回路部に電気的に接続されると共に、複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線（８０１ａ）とを備える。基板上で平面的に見て、複数の他の信号配線のうち少なくとも一本のクロック信号配線と隣接する一の信号配線と、少なくとも一本のクロック信号配線との間の距離は、相隣接する複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。【選択図】図３
2008026537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、
前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素部を駆動する周辺回路部と、
前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子と、
該複数の外部回路接続端子のうち第１端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する少なくとも一本のクロック信号配線と、
前記複数の外部回路接続端子のうち第２端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、前記クロック信号とは異なる複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線と
を備え、
前記複数の他の信号配線のうち前記少なくとも一本のクロック信号配線と前記基板上で平面的に見て隣接する一の信号配線と、前記少なくとも一本のクロック信号配線との間の距離は、前記基板上で平面的に見て相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記少なくとも一本のクロック信号配線は、前記基板上で平面的に見て相隣接する二本のクロック信号配線を含み、
前記二本のクロック信号配線同士間の距離は、前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
基板と、
該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、
前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素部を駆動する周辺回路部と、
前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子と、
該複数の外部回路接続端子のうち第１端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する複数のクロック信号配線と、
前記複数の外部回路接続端子のうち第２端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、前記クロック信号とは異なる複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線と
を備え、
前記複数のクロック信号配線は、前記基板上で平面的に見て相隣接する二本のクロック信号配線を含み、
前記二本のクロック信号配線同士間の距離は、前記基板上で平面的に見て相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記二本のクロック信号配線は、前記複数のクロック信号として、正転クロック信号及び該正転クロック信号に対して位相が反転している反転クロック信号の電気的経路を夫々構成すること
を特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記二本のクロック信号配線の一方は、少なくとも前記距離が大きい部分において、前記画素部を構成する複数の導電膜のうち、前記基板上において下層側から順に相互間に層間絶縁膜を介して積層される、第１の導電膜、第２の導電膜及び第３の導電膜のうち、前記第１の導電膜と同一膜により形成され、
前記二本のクロック信号配線の他方は、少なくとも前記距離が大きい部分において、前記第３の導電膜と同一膜により形成されること
を特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数の他の信号配線のうち前記二本のクロック信号配線の一方又は他方と前記基板上で平面的に見て隣接する一の信号配線は、前記第２の導電膜と同一膜により形成されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記一の信号配線は、前記他の信号として、所定電位の信号の電気的経路を構成しており、
前記複数の他の信号配線は、前記基板上で平面的に見て前記一の信号配線を基準にして前記二本のクロック信号配線の一方又は他方と反対側に、前記他の信号としての前記画素部に供給される画像信号の電気的経路となる画像信号配線を含むことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１から第３の導電膜は夫々、アルミニウムを含む導電材料により形成されること
を特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１端子部分のうち前記少なくとも一本のクロック信号配線の先端が接続されたクロック端子と、前記第２端子部分のうち前記クロック端子と隣接する信号端子との間の距離は、前記第２端子部分のうち相隣接する二つの信号端子同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記クロック端子と隣接する信号端子は、前記クロック信号配線を介して前記クロック端子と短絡されていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１端子部分のうち前記二本のクロック信号配線の先端が接続された二本のクロック端子間の距離は、前記第２端子部分のうち相隣接する二つの端子同士間の距離と比べて大きいことを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第２端子部分のうち前記クロック端子と隣接する信号端子は、前記クロック信号配線を介して前記クロック端子と短絡されていることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、基板上に、複数の画素部が所定パターンで配列される画素領域が形成されると共に、画素領域の周辺に位置する周辺領域には、各画素部を選択して駆動させる周辺回路部が配置される。そして、基板上には、複数の画素部及び周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されて引き回され、画素部又は周辺回路部を駆動するための、画像信号、クロック信号、制御信号、電源信号等の各種信号の電気的経路を構成する各種配線が設けられる。
【０００３】
特許文献１によれば、各種配線のうち、画像信号に対して、複数種類のクロック信号のうち他のクロック信号と比較して高周波数のクロック信号がノイズ源として影響を与えるのを防止するために、画像信号が供給される画像信号線に対して、高周波数のクロック信号が供給されるクロック信号配線を、これら画像信号線及びクロック信号配線間に配置された固定電位の配線（例えば電源配線）であるシールド線を挟んで、基板面に沿う方向（以下「横方向」と称して説明することもある）で配列させ、電磁的にシールドする構成が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２９２８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら特許文献１に開示された構成によれば、基板上において、横方向で、クロック信号配線に対してシールド線が隣接するため、これら両配線間で寄生容量が生じる。そして、この寄生容量に起因して、先ず、クロック信号配線におけるクロック信号の信号遅延が生じるという不具合が発生するおそれがあり、これと共にクロック信号の波形が乱れたり、なまったりという不具合が発生するおそれもある。特に、このような信号遅延等の不具合が高周波数のクロック信号について生じると、電気光学装置において画像表示を行う場合に、画像表示において視認される程度の顕著な表示不良を発生させ、画像表示の品質が劣化する、という問題が起こり得る。
【０００６】
また、一般的な要請として電気光学装置の動作の高速化があり、このような高速化に伴い、各種クロック信号が高周波数化されると、前述したような問題の顕著化を招くこととなる。
【０００７】
本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、高品質な画像を表示可能な電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素部を駆動する周辺回路部と、前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子と、該複数の外部回路接続端子のうち第１端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する少なくとも一本のクロック信号配線と、前記複数の外部回路接続端子のうち第２端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、前記クロック信号とは異なる複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線とを備え、前記複数の他の信号配線のうち前記少なくとも一本のクロック信号配線と前記基板上で平面的に見て隣接する一の信号配線と、前記少なくとも一本のクロック信号配線との間の距離は、前記基板上で平面的に見て相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。
【０００９】
本発明に係る第１電気光学装置によれば、その動作時には、例えば周辺駆動回路部のうちデータ線駆動回路用の正転クロック信号や反転クロック信号或いは走査線駆動回路用の正転クロック信号や反転クロック信号などの、一又は複数のクロック信号は、複数の外部回路接続端子のうち第１端子部分から、基板上に引き回される少なくとも一本のクロック信号配線を介して、周辺回路部や画素部に供給される。尚、一又は複数のクロック信号は、典型的には、複数種類のクロック信号を意味するが、同一種類のクロック信号ものが複数ある場合を意味してもよい。このようなクロック信号の供給と並行して又は相前後して、例えば画像信号、制御信号、電源信号などの、クロック信号とは異なる他の信号は、複数の外部回路接続端子のうち第２端子部分から、基板上に引き回される複数の他の信号配線を介して、周辺回路部や画素部に供給される。これらのクロック信号及び他の信号の供給に応じて、例えばデータ線駆動回路、走査線駆動回路などを含む周辺回路部によって、例えば走査線やデータ線を介して画素部が駆動され、画素領域における画像表示動作がアクティブマトリクス駆動方式で行われる。
【００１０】
ここで本発明では特に、複数の他の信号配線のうち少なくとも一本のクロック信号配線と隣接する一の信号配線と、該少なくとも一本のクロック信号配線との間の距離は、相隣接する複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。ここで一般に、並んで延びる配線間における寄生容量は、概ね該配線間の距離に反比例する。よって、クロック信号配線と、これに隣接する他の信号配線との間に生じる寄生容量を、相隣接する他の信号配線同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。
【００１１】
従って、少なくとも一本のクロック信号配線について、これと隣接する他の信号配線との間に生じる寄生容量に起因する、クロック信号の遅延や信号波形の乱れを低減することができる。よって、電気光学装置の動作を高速化しても、例えば電気光学装置における画像表示で視認されるほどの顕著な表示不良が発生するのを防止することができる。
【００１２】
特に、クロック信号について上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、他の信号について上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じる場合と比較して、信号自身に対する該不具合の程度が強くなり、顕著な表示不良が生じ易くなる。しかるに、本発明によれば、例えば、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号が供給されるクロック信号配線について、これと隣接する他の信号配線との間における寄生容量を低減させることで、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。
【００１３】
更に、複数種類のクロック信号のうち、他のクロック信号（例えば、比較的低周波で駆動される走査線駆動回路用のクロック信号）と比較して高周波数であるクロック信号（例えば、比較的高周波で駆動されるデータ線駆動回路用のクロック信号）について、上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、他の低周波数のクロック信号の場合と比較して、顕著な表示不良が生じ易くなる。しかるに、本発明によれば、例えば、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号が供給されるクロック信号配線について、これと隣接する他の信号配線との間における寄生容量を低減させることで、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。この際、複数のクロック信号配線や他の信号配線に対する部分的な設計変更のみ或いは配線レイアウト変更のみで足りるため、大幅な設計変更を加えることにより電気光学装置が大型化するのを防止することが可能となる。
【００１４】
尚、本発明に係る、配線間の「距離が大きい」という条件については、外部回路接続端子から基板上に引き回されるクロック信号配線の全部又は大部分に関して「距離が大きい」という関係が成立することが好ましい。だが、クロック信号線の一部に関して「距離が大きい」という関係が崩れていても、上述した寄生容量を低減する効果は、相応に得られる。従って、少なくとも部分的に並んで延びるクロック信号配線や他の信号配線に関して、上述した寄生容量を低減する効果が顕在化する程度にそれらの少なくとも一部において、本発明に係る「距離が大きい」という関係が、成立していればよいことになる。要すれば、本発明に係る「一の信号配線とクロック信号配線との間の距離は、他の信号配線同士間の距離と比べて大きい」とは、広義には、上述した寄生容量を低減する効果が顕在化する程度の、クロック信号配線部分や他の信号配線部分において成立していれば足り、狭義には、クロック信号配線や他の信号配線各々の主要部について、言い換えれば該各々の半分以上の長さに亘って成立していれば足りる。そして好ましくは、配線が交差する箇所或いは中継箇所や、回路部との接続箇所、先端や終端などの特殊箇所を除く、クロック信号配線や他の信号配線の全部或いは大部分について「一の信号配線とクロック信号配線との間の距離は、他の信号配線同士間の距離と比べて大きい」ことが望ましい。
【００１５】
以上の結果、本発明の第１電気光学装置によれば、動作を高速化且つ小型化しつつ、高品質な画像表示を行うことができる。
【００１６】
本発明に係る第１電気光学装置の一態様では、前記少なくとも一本のクロック信号配線は、前記基板上で平面的に見て相隣接する二本のクロック信号配線を含み、前記二本のクロック信号配線同士間の距離は、前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。
【００１７】
この態様によれば、相隣接する二本のクロック信号配線間に生じる寄生容量を、相隣接する他の信号配線同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。従って、これら二本のクロック信号配線について、寄生容量に起因する、クロック信号の遅延や信号波形の乱れを低減することができる。特に正転クロック信号と反転クロック信号となどの異なる種類のクロック信号に、これらに係るクロック信号配線間の寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、顕著な表示不良が生じ易くなるので、本態様は、極めて効率的に表示品質を向上させることにつながる。
【００１８】
本発明の第２電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素部を駆動する周辺回路部と、前記周辺領域に配列された複数の外部回路接続端子と、該複数の外部回路接続端子のうち第１端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、一又は複数のクロック信号の電気的経路を構成する複数のクロック信号配線と、前記複数の外部回路接続端子のうち第２端子部分から、前記基板上に引き回され、前記画素部及び前記周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続されると共に、前記クロック信号とは異なる複数の他の信号の電気的経路を夫々構成する複数の他の信号配線とを備え、前記複数のクロック信号配線は、前記基板上で平面的に見て相隣接する二本のクロック信号配線を含み、前記二本のクロック信号配線同士間の距離は、前記基板上で平面的に見て相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。
【００１９】
本発明に係る第２電気光学装置によれば、その動作時には、例えば正転クロック信号や反転クロック信号などの複数のクロック信号が複数のクロック信号配線を介して供給されつつ、上述した本発明に係る第１電気光学装置の場合と概ね同様に、画素領域における画像表示動作がアクティブマトリクス駆動方式で行われる。
【００２０】
ここで本発明では特に、相隣接する二本のクロック信号配線同士間の距離は、相隣接する前記複数の他の信号配線同士間の距離と比べて大きい。よって、相隣接する二本のクロック信号配線同士間に生じる寄生容量を、相隣接する他の信号配線同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。
【００２１】
従って、二本のクロック信号配線について、寄生容量に起因する、クロック信号の遅延や信号波形の乱れを低減することができる。よって、電気光学装置の動作を高速化しても、例えば電気光学装置における画像表示で視認されるほどの顕著な表示不良が発生するのを防止することができる。
【００２２】
特に、クロック信号について上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、他の信号について上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じる場合と比較して、信号自身に対する該不具合の程度が強くなり、顕著な表示不良が生じ易くなる。特に正転クロック信号と反転クロック信号となどの異なる種類のクロック信号に、これらに係るクロック信号配線同士間の寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、顕著な表示不良が生じ易くなる。しかるに、本発明によれば、例えば、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号が供給されるクロック信号配線について、寄生容量を低減させることで、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。
【００２３】
更に、複数種類のクロック信号のうち、他のクロック信号と比較して高周波数であるクロック信号について、上述したような寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、他の低周波数のクロック信号の場合と比較して、顕著な表示不良が生じ易くなる。しかるに、本発明によれば、例えば、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号が供給されるクロック信号配線について寄生容量を低減させることで、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。この際、複数のクロック信号配線や他の信号配線に対する部分的な設計変更のみ或いは配線レイアウト変更のみで足りるため、大幅な設計変更を加えることにより電気光学装置が大型化するのを防止することが可能となる。
【００２４】
加えて、複数種類のクロック信号が供給される２本のクロック信号配線について夫々、別々に他の信号配線との距離を大きくしようとする場合と比較して、距離を離す箇所を少なくとすることができ、全体として当該距離を離すために必要な設計変更を少なくすることが可能となる。
【００２５】
以上の結果、本発明の第２電気光学装置によれば、動作を高速化且つ小型化しつつ、高品質な画像表示を行うことができる。
【００２６】
本発明に係る第２電気光学装置の一態様では、前記二本のクロック信号配線は、前記複数のクロック信号として、正転クロック信号及び該正転クロック信号に対して位相が反転している反転クロック信号の電気的経路を夫々構成する。
【００２７】
この態様によれば、クロック信号配線同士間の寄生容量に起因する信号遅延等の不具合が生じると、顕著な表示不良が生じ易くなる正転クロック信号と反転クロック信号とについて、かかる不具合の元となる寄生容量に起因する信号遅延等を防止或いは低減できるので、極めて効率的に表示品質を向上できる。
【００２８】
本発明に係る第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記二本のクロック信号配線の一方は、少なくとも前記距離が大きい部分において、前記画素部を構成する複数の導電膜のうち、前記基板上において下層側から順に相互間に層間絶縁膜を介して積層される、第１の導電膜、第２の導電膜及び第３の導電膜のうち、前記第１の導電膜と同一膜により形成され、前記二本のクロック信号配線の他方は、少なくとも前記距離が大きい部分において、前記第３の導電膜と同一膜により形成される。
【００２９】
この態様によれば、二本のクロック信号配線について、画素部における第１から第３の導電膜により構成される３層の積層構造と同一の積層構造内に、最下層の第１層と最上層の第３層とで、更に基板面に垂直な方向（以下「縦方向」と称して説明することもある）で距離をおいて配置させることができる。尚、本発明において「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜を意味する。
【００３０】
よって、２本のクロック信号配線を相隣接して配置する場合に、これら２本のクロック信号配線間の横方向の距離をより大きくすることなしに、縦方向で更に距離をおくことで、基板上で２本のクロック信号配線の配置に要するスペースを大きくしなくても、これら２本のクロック信号配線間の寄生容量をより低減させることが可能となる。従って、基板が大型化するのを防止しつつ、より効果的に顕著な表示不良の発生を防止することができる。
【００３１】
また、この態様では、画素部における３層の積層構造を構成する導電膜と同一膜により、２本のクロック信号配線が少なくとも部分的に形成されることにより、電気光学装置の製造プロセスにおいて、３層の積層構造を構成する導電膜と共に形成することで、工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。
【００３２】
この第１から第３の導電膜に係る態様では、前記複数の他の信号配線のうち前記二本のクロック信号配線の一方又は他方と前記基板上で平面的に見て隣接する一の信号配線は、前記第２の導電膜と同一膜により形成されてもよい。
【００３３】
このように構成すれば、クロック信号配線の横方向に存在する一の信号配線を、他の信号配線に対してクロック信号をシールドする、シールド線として、ある程度機能させつつ、該一の信号配線とクロック信号線との間の距離を、縦方向を利用することで、ある程度大きくとることも可能となる。
【００３４】
この態様では、前記一の信号配線は、前記他の信号として、所定電位の信号の電気的経路を構成しており、前記複数の他の信号配線は、前記基板上で平面的に見て前記一の信号配線を基準にして前記二本のクロック信号配線の一方又は他方と反対側に、前記他の信号としての前記画素部に供給される画像信号の電気的経路となる画像信号配線を含むように構成してもよい。
【００３５】
このように構成すれば、画像信号線とクロック信号配線との間に介在すると共に、固定電位や基準電位に対して反転する反転電位などの所定電位に固定された一の信号配線によって、画像信号線に対してクロック信号をシールドすること即ちクロックノイズが画像信号にのるのを効果的に防止することができ、或いは、クロック信号配線に対して画像信号をシールドすること即ち画像信号に係る高周波ノイズがクロック信号にのるのを効果的に防止することができる。
【００３６】
上述した第１から第３の導電膜に係る態様では、前記第１から第３の導電膜は夫々、アルミニウムを含む導電材料により形成されてもよい。
【００３７】
このように構成すれば、画素部における３層の積層構造と同一の積層構造内に配置される、２本のクロック信号配線の各々の少なくとも一部、更にこれに加えて、２本のクロック信号配線の各々の少なくとも一部と共に配置される他の信号配線の少なくとも一部についても、電気的な抵抗を低抵抗化させることができる。
【００３８】
本発明に係る第１電気光学装置の他の態様では、前記第１端子部分のうち前記少なくとも一本のクロック信号配線の先端が接続されたクロック端子と、前記第２端子部分のうち前記クロック端子と隣接する信号端子との間の距離は、前記第２端子部分のうち相隣接する二つの信号端子同士間の距離と比べて大きい。
【００３９】
この態様によれば、外部回路接続端子の配列において、クロック端子とこれと隣接する信号端子との間に生じる寄生容量を、相隣接する二つの信号端子同士間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。従って、配線部分のみならず端子部分において、クロック信号に係る信号遅延や信号波形の乱れをより低減することができる。
【００４０】
この態様では、前記クロック端子と隣接する信号端子は、前記クロック信号配線を介して前記クロック端子と短絡されているように構成してもよい。
【００４１】
このように構成すれば、クロック端子と隣接する信号端子は、クロック信号配線を介してクロック端子と短絡されているダミー端子或いは冗長端子として機能する。従って、外部回路接続端子における配列ピッチを一定としたまま、クロック端子とこれと隣接する信号端子との間に生じる寄生容量を、低減することが可能となる。外部回路接続端子を等間隔で配列させることにより、電気光学装置の製造プロセスにおいて、外部回路を外部回路接続端子に接続する工程が複雑化する不都合や、係る配列ピッチについて設計変更を要するために製造工程が煩雑となり製造コストの増加を招く等の不具合が生じるのを防止することが可能となる。
【００４２】
本発明に係る第２電気光学装置の他の態様では、前記第１端子部分のうち前記二本のクロック信号配線の先端が接続された二本のクロック端子間の距離は、前記第２端子部分のうち相隣接する二つの端子同士間の距離と比べて大きい。
【００４３】
この態様によれば、外部回路接続端子の配列において、クロック端子間に生じる寄生容量を、相隣接する二つの信号端子同士間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。従って、配線部分のみならず端子部分において、クロック信号に係る信号遅延や信号波形の乱れをより低減することができる。
【００４４】
この態様では、前記第２端子部分のうち前記クロック端子と隣接する信号端子は、前記クロック信号配線を介して前記クロック端子と短絡されているように構成してもよい。
【００４５】
このように構成すれば、クロック端子と隣接する信号端子は、クロック信号配線を介してクロック端子と短絡されているダミー端子或いは冗長端子として機能する。従って、外部回路接続端子における配列ピッチを一定としたまま、クロック端子とこれと隣接する信号端子との間に生じる寄生容量を、低減することが可能となる。
【００４６】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の第１又は第２電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００４７】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る第１又は第２電気光学装置を具備してなるので、動作を高速化し且つ小型化しつつ高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００４８】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５０】
先ず、本実施形態における液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た液晶装置の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【００５１】
図１及び図２において、液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画素領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００５３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画素領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５４】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画素領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、周辺回路部が、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、外部回路接続端子１０２を含んで形成される。
【００５５】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画素領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置される。
【００５６】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画素領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００５７】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられる。
【００５８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素領域１０ａには、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線上に画素電極９ａが、更にその上から配向膜１６が形成されている。尚、本実施形態では、画素スイッチング素子はＴＦＴのほか、各種トランジスタ或いはＴＦＤ等により構成されてもよい。
【００５９】
他方、対向基板２０上の画素領域１０ａには、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成され、この遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、液晶層５０を介して複数の画素電極９ａと対向する対向電極２１が形成され、更に、配向膜２２が形成される。
【００６０】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００６１】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００６２】
次に、液晶装置に係る電気的な構成について、図３及び図４を参照して説明する。ここに、図３は、ＴＦＴアレイ基板上の周辺領域における各種駆動回路の配置関係や電気的な接続関係等の構成を概略的に示すブロック図であり、図４は、複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【００６３】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上における画素領域１０ａには、マトリクス状に配置された複数の画素電極９ａと、互いに交差して配列された複数の走査線１１ａ及びデータ線６ａとが形成され、走査線１１ａ及びデータ線６ａの交差に対応して画素に対応する画素部が構築されている。
【００６４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域には、周辺回路部を構成するデータ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、並びに走査線駆動回路１０４が設けられている。
【００６５】
また、周辺回路部には図１又は図２を参照して説明したように、複数の外部回路接続端子１０２が配置される。本実施形態において、複数の外部回路接続端子１０２には、外部回路（図示省略）より、Ｙクロック信号ＣＬＹ並びにその反転信号ＣＬＹＢ、Ｘクロック信号ＣＬＸ並びにその反転信号ＣＬＸＢ等の複数種類のクロック信号、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６、電源ＶＳＳＸ、ＶＤＤＸ等、その他の各種信号が供給される。尚、本実施形態では、このような複数種類の信号のうち少なくとも一部が周辺回路部内で生成されて供給されるようにしてもよい。この場合、周辺回路部内で生成されて供給される信号については、外部回路接続端子１０２を設けなくてもよい。
【００６６】
そして、複数の外部回路接続端子１０２には、複数種類のクロック信号が供給される複数のクロック信号配線用端子１０２ｂ、クロック信号以外の、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６、電源ＶＳＳＸ、ＶＤＤＸ等の各種信号が供給される複数の引き回し配線用端子１０２ａが含まれる。
【００６７】
また、複数のクロック信号配線用端子１０２ｂには夫々、クロック信号配線８０１ｂの一端側が電気的に接続され、複数の引き回し配線用端子１０２ａには夫々、引き回し配線８０１ａの一端側が電気的に接続される。各クロック信号配線８０１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、一端側から他端側に向かって、データ線駆動回路１０１やサンプリング回路７の周囲に引き回されて、他端側がデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に電気的に接続される。また、各引き回し配線８０１ａも、クロック信号配線８０１ｂと同様に、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において引き回されて、他端側がデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に電気的に接続される。
【００６８】
尚、クロック信号配線８０１ｂ又は引き回し配線８０１ｂは、図３中に示されるように、周辺回路部内でデータ線駆動回路１０１等に電気的に接続される構成に加えて若しくは代えて、クロック信号又はその他各種信号を供給するために、一端側から他端側に引き回されて、各画素部に電気的に接続される場合もあるが、この構成については図示を省略してある。
【００６９】
本実施形態では、走査線駆動回路１０４には、例えば外部回路より、クロック信号配線用端子１０２ｂ及びクロック信号配線８０１ｂを介して、Ｙクロック信号ＣＬＹ並びにその反転信号である反転Ｙクロック信号ＣＬＹＢが供給されると共に、例えば外部回路より引き回し配線用端子１０２ａ及び引き回し配線８０１ａを介して、ＹスタートパルスＤＹ並びに電源ＶＤＤＹ及びＶＳＳＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで走査信号を順次生成して出力する。
【００７０】
本実施形態では、データ線駆動回路１０１には、例えば外部回路よりクロック信号配線用端子１０２ｂ及びクロック信号配線８０１ｂを介して、Ｘクロック信号ＣＬＸ並びにその反転信号である反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給されると共に、例えば外部回路より引き回し配線用端子１０２ａ及び引き回し配線８０１ａを介して、ＸスタートパルスＤＸ、２系列のイネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２、並びに電源ＶＤＤＸ及び電源ＶＳＳＸが夫々供給される。そして、データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢに基づくタイミングで、２系列のイネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２の各々のパルス幅に基づいて整形されたサンプリング回路駆動信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを順次生成して出力する。ここに、電位が所定値に夫々固定される電源ＶＤＤＸ及び電源ＶＳＳＸのうち、例えば低電位電源ＶＳＳＸが供給される引き回し配線は、後述するようなシールド線８０１ｃとして設けられる。また、上述した構成においてイネーブル信号は２系列に限定されず、２系列以上として供給されるようにしてもよい。
【００７１】
サンプリング回路７は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ７１を複数備える。サンプリング回路７には、例えば外部回路より引き回し配線用端子１０２ａに供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、引き回し配線である画像信号線６を介して供給される。ここで、画像信号線６は、例えば外部回路において、例えば６相にシリアル−パラレル変換、即ち相展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に対応して６本設けられる。
【００７２】
そして、各サンプリングスイッチ７１は、データ線駆動回路１０１から出力されて供給されるサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）に応じて、６本のデータ線６ａを１群とするデータ線群毎に、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を供給する。従って、本実施形態では、複数のデータ線６ａをデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。
【００７３】
尚、図３において、上下導通端子１０６には、共通電位ＬＣＣの共通電源が供給され、上述した対向電極２１の基準電位は共通電源に基づいて規定される。
【００７４】
図３に示す液晶装置の画素領域１０ａにおいて、走査線１１ａ及びデータ線６ａの各交点に対応してマトリクス状に配列された複数の画素部には、それぞれ、図３又は図４に示すように、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、３、・・・、６）が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、画素電極９ａはＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００７５】
走査線駆動回路１０４から出力される走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍによって、各走査線１１ａは線順次に選択される。選択された走査線１１ａに対応する画素部において、ＴＦＴ３０にゲート電極３ａを介して走査信号Ｇｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｍ）が供給されると、ＴＦＴ３０はオン状態となり、画素電極９ａには、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａより画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７６】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと電気的に並列にＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。
【００７７】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図５を参照して説明する。図５は、画素部の断面部分の構成を示す断面図である。尚、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、図１から図７の各図について同様であり、係る縮尺については各図毎でも互いに異なることもある。
【００７８】
図５において、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築され、このような積層構造が形成された側を対向基板２０に対して対向させて、ＴＦＴアレイ基板１０は配置される。以下、ＴＦＴアレイ基板１０側の積層構造について詳細に説明する。
【００７９】
まず、積層構造における第１層は、走査線１１ａを含み、走査線１１ａより上層側には下地絶縁膜１２が形成される。
【００８０】
そして、下地絶縁膜１２より上層側に、ＴＦＴ３０等を含む第２層が形成される。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。半導体層１ａは、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。
【００８１】
また、ＴＦＴ３０等より上層側には、層間絶縁膜４１が形成されると共に、層間絶縁膜４１より上層側には、本発明に係る「第１の導電膜」の一例であるデータ線６ａ等を含む第３層が形成される。第３層には、データ線６ａ及び中継層６００が含まれる。データ線６ａは、例えばアルミニウムを含む材料により形成されると共に、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。中継層６００は、データ線６ａと例えば同一膜により形成され、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００８２】
更に、データ線６ａ等より上層側には、層間絶縁膜４２が形成されると共に、層間絶縁膜４２より上層側には、蓄積容量７０等を含む第４層が形成される。蓄積容量７０は、夫々例えばアルミニウムを含む材料により形成される、本発明に係る「第３の導電膜」の一例である容量電極３００と本発明に係る「第２の導電膜」の一例である下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。容量電極３００は、容量配線４００の一部として形成されており、容量配線４００と電気的に接続されている。また、下部電極７１の延在部は、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。
【００８３】
また、蓄積容量７０等より上層側には、層間絶縁膜４３が形成されると共に、層間絶縁膜４３より上層側の第５層には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極９ａが形成される。画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、下部電極７１の延在部と電気的に接続されている（図５参照）。即ち、下部電極７１の電位は、画素電位となっている。更に上述したように、下部電極７１の延在部と中継層６００と、及び、中継層６００とＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び下部電極７１の延在部を中継して中継接続されている。
【００８４】
画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。
【００８５】
以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。
【００８６】
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図５では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【００８７】
このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【００８８】
続いて、図６に加えて再び図３を参照して、本実施形態に係るクロック信号配線８０１ｂの構成についてより詳細に説明する。図６は、クロック信号配線及び引き回し配線の断面部分の構成について概略的に示す断面図である。図６においては、クロック信号配線８０１ｂ及びクロック信号配線８０１ｂに近接して配置された引き回し配線８０１ａの構成に着目して、これらの縦方向の配置関係について示してある。
【００８９】
本実施形態では、図３又は図６において、複数のクロック信号配線８０１ｂのうち、少なくとも一のクロック信号配線８０１ｂが、少なくとも部分的に、横方向であって図３中Ｘ０方向で、相隣接する他の配線との間の距離が、より具体的には相隣接する他のクロック信号配線８０１ｂとの間の第１の距離ＷＬ１又は相隣接する引き回し配線８０１ａとの間の第２の距離ＷＬ２が、互いに相隣接する引き回し配線８０１ａ同士の間の第３の距離ＷＬ３より大きくなるように形成される。
【００９０】
図３において、例えばＸクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給される２本のクロック信号配線８０１ｂについては、２本のクロック信号配線８０１ｂ間の第１の距離ＷＬ１、及びこれら２本のクロック信号配線８０１ｂを挟んでその両側に位置する引き回し配線８０１ａ及び８０１ｃの各々に対する第２の距離ＷＬ２が、第３の距離ＷＬ３より大きくなるように形成される。よって、２本のクロック信号配線８０１ｂの各々において、全体的に、相隣接する他の配線８０１ａ、８０１ｂ若しくは８０１ｃとの間に生じる寄生容量を、互いに相隣接する引き回し配線８０１ａ同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。
【００９１】
従って、本実施形態によれば、複数のクロック信号配線８０１ｂのうち少なくとも一のクロック信号配線８０１ｂにおいて、相隣接する他の配線、即ち他のクロック信号配線８０１ｂや引き回し配線８０１ａとの間に生じる寄生容量に起因する、クロック信号ＣＬＸ等の遅延や信号波形の乱れを低減することができる。
【００９２】
特に、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹＢに基づいて各走査線１１ａが選択されると、選択された一の走査線１１ａに沿う方向（図３又は図４中、Ｘ０方向）で、各データ線６ａがデータ線群毎に駆動されるため、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢは夫々、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹＢより高周波数の信号として供給される。よって、クロック信号配線８０１ｂ及びこれと隣接する他の配線間で生じる寄生容量により、信号遅延等の不具合が生じると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢは、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹＢと比較して、液晶装置における表示画像において視認されるほどの顕著な表示不良が発生し易くなる、即ち表示画像に与える影響は大きい。
【００９３】
また、本実施形態では、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給される２本のクロック信号配線８０１ｂは、好ましくは、図３中Ｘ０方向で互いに相隣接して配置される。この場合、２本のクロック信号配線８０１ｂ間の寄生容量により、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢの一方と他方との間で、互いに信号波形に乱れが生じ、顕著な表示不良を発生させる一因となるおそれがある。
【００９４】
よって、このように表示画像に与える影響の大きいクロック信号ＣＬＸ及びＣＬＸＢが供給される少なくとも２本のクロック信号配線８０１ｂについては、これら２本のクロック信号配線８０１ｂ間の第１の距離ＷＬ１が、第３の距離ＷＬ３に加えて第２の距離ＷＬ２より大きくなるように形成するのが好ましい。このように構成すれば、２本のクロック信号配線８０１ｂ間に生じる寄生容量を、これら２本のクロック信号配線８０１ｂについて夫々クロック信号配線８０１ｂ以外の他の配線８０１ａ及び８０１ｃとの間に生じる寄生容量と比較して、より低減させることが可能となる。その結果、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢの信号遅延や信号波形の乱れを防止して、液晶装置において、より有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。
【００９５】
また、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給される２本のクロック信号配線８０１ｂを相隣接して配置すれば、各々のクロック信号配線８０１ｂについて、相隣接する他の配線８０１ａ、８０１ｂ若しくは８０１ｃとの間の間隔を調整するための設計変更を次のように少なくすることができる。即ち、このような設計変更を２本のクロック信号配線８０１ｂについて夫々、別々に加える場合には、各々のクロック信号配線８０１ｂについて、クロック信号配線８０１ｂを挟んでこれに相隣接して他の配線８０１ａ、８０１ｂ若しくは８０１ｃが２本ずつ配置されることとなるため、合計で４箇所について配線同士の間隔を調整する必要があるが、２本のクロック信号配線８０１ｂを相隣接して配置させることで、これら２本のクロック信号配線８０１ｂを挟んで各々に相隣接して他の配線８０１ａ、８０１ｂ若しくは８０１ｃが２本配置されることとなり、クロック信号配線８０１ｂ同士の間の間隔に加えて、一方のクロック信号配線８０１ｂと他の配線８０１ａとの間隔及び他方のクロック信号配線８０１ｂと他の配線８０１ｃとの間隔について、合計で３箇所で各々の距離を調整すればよい。
【００９６】
また、図６において、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給される２本のクロック信号配線８０１ｂについて、各々における少なくとも互いに第１の距離ＷＬ１をおいて配置される部分は、図５に示す画素部における第３層のデータ線６ａ等と、第４層の蓄積容量７０を構成する下部電極７１及び容量電極３００とにより構成される３層の積層構造と同一の積層構造内に配置される。より具体的には、２本のクロック信号配線８０１ｂについて、各々における少なくとも互いに第１の距離ＷＬ１をおいて配置される部分は、一方のクロック信号配線８０１ｂが画素部におけるデータ線６ａと同層に配置され且つ同一膜により形成されると共に、他方のクロック信号配線８０１ｂが画素部における容量電極３００と同層に配置され且つ同一膜により形成される。
【００９７】
よって、２本のクロック信号配線８０１ｂについて夫々、少なくとも部分的に、横方向（図３中Ｘ０方向）で第１の距離ＷＬ１をおいて互いに相隣接して配置させると共に、更に縦方向で、画素部における３層の積層構造と同一の積層構造内で、最下層の第１層（画素部におけるデータ線６ａと同層）と、最上層の第３層（画素部における容量電極３００と同層）とで、距離をおいて配置させることができる。これにより、横方向で２本のクロック信号配線８０１ｂ間の第１の距離ＷＬ１をより大きくしなくても、縦方向で更に距離をおくことで、ＴＦＴアレイ基板１０上でこれら２本のクロック信号配線８０１ｂの配置に要するスペースを大きくしなくても、これら２本のクロック信号配線８０１ｂ間の寄生容量をより低減させることが可能となる。
【００９８】
更に、本実施形態では、図３又は図６に示すように、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給される２本のクロック信号配線８０１ｂについて、図３中のＸ０方向で、例えば、Ｘクロック信号ＣＬＸが供給される一方のクロック信号配線８０１ｂに対して、シールド線８０１ｃが相隣接して少なくとも部分的に第２の距離ＷＬ２をおいて配置されると共に、シールド線８０１ｃを挟んで６本の画像信号線６が６本のうちの一本がシールド線８０１ｃと相隣接して少なくとも部分的に第３の距離ＷＬ３をおいて配置される。
【００９９】
よって、本実施形態では、画像信号線６における画像信号ＶＩＤｋに対して、この画像信号線６と横方向（図３中Ｘ０方向）で近接して配置されるクロック信号配線８０１ｂにおけるＸクロック信号ＣＬＸを、画像信号線６及びクロック信号配線８０１ｂ間に横方向（図３中Ｘ０方向）で介在するシールド線８０１ｃにより電磁的にシールドする効果を得ることが可能となる。
【０１００】
また、シールド線８０１ｃは、図６において、２本のクロック信号配線８０１ｂの各々の少なくとも一部が配置される３層の積層構造において、２本のクロック信号配線８０１ｂのうち相隣接する一方のクロック信号配線８０１ｂに対して縦方向で少なくとも部分的に異なる層に配置される。よって、相隣接するクロック信号配線８０１ｂ及びシールド配線８０１ｃ間に生じる寄生容量を低減して、より確実に、このような寄生容量に起因してＸクロック信号ＣＬＸについて、信号遅延や信号波形の乱れが生じるのを防止することが可能となる。
【０１０１】
特に、図６に示すように、画素部における３層の積層構造を構成する導電膜と同一膜により、２本のクロック信号配線８０１ｂ、更にはシールド線８０１ｃや画像信号線６等の引き回し配線８０１ａが夫々少なくとも部分的に形成されることにより、これら各種配線の各々の少なくとも一部における電気的な抵抗を低抵抗化させると共に、液晶装置の製造プロセスにおいて、画素部における３層の積層構造を構成する導電膜と共に形成することで、工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。
【０１０２】
加えて、本実施形態では、図３において、複数のクロック信号配線８０１ｂに対応する複数のクロック信号配線用端子１０２ｂについて、例えば、少なくとも、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給される２個のクロック信号配線用端子１０２ｂについて、夫々、相隣接するクロック信号配線用端子１０２ｂ又は引き回し配線用端子１０２ａとの間の距離ＷＴ１又はＷＴ２が、互いに相隣接する引き回し配線用端子１０２ａ同士の間の距離ＷＴ３より大きくなるように形成されるのが好ましい。これにより、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給されるクロック信号配線用端子１０２ｂの各々について、相隣接する他の端子、即ちクロック信号配線用端子１０２ｂ又は引き回し配線用端子１０２ａとの間に生じる寄生容量を、互いに相隣接する引き回し配線用端子１０２ａ同士の間で生じる寄生容量より低減することが可能となる。よって、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給される２本のクロック信号配線８０１ｂに加えて、これら２本の配線に対応するクロック信号配線用端子１０２ｂにおいても、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢの各々について、信号遅延や信号波形の乱れを低減することが可能となる。
【０１０３】
よって、以上説明したような本実施形態によれば、例えば外部回路より複数種類のクロック信号（Ｘクロック信号ＣＬＸ、Ｙクロック信号ＣＬＹ等）が供給される複数のクロック信号配線８０１ｂの少なくとも一部、例えば、画像表示に与える影響の大きいＸクロック信号ＣＬＸ及びその反転信号ＣＬＸＢが供給される少なくとも２本のクロック信号配線８０１ｂに対して、各々と隣接する他の配線との配置関係を少なくとも部分的に変更することにより、液晶装置の動作を高速化しても、有効に顕著な表示不良の発生を防止することができる。よって、クロック信号配線８０１ｂや引き回し配線８０１ａに対する大幅な設計変更を加えることにより、液晶装置が大型化するのを防止することが可能となる。
【０１０４】
従って、本実施形態によれば、液晶装置において、動作を高速化且つ小型化しつつ、高品質な画像表示を行うことができる。
【０１０５】
次に、図７を参照して、本実施形態に係る変形例について説明する。図７は、変形例に係るダミー端子及びクロック信号配線用端子等のその他の端子の平面的な配置関係を部分的に示す平面図である。
【０１０６】
図７に示すように、複数のクロック信号配線用端子１０２ｂについて、例えば、少なくとも、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢが供給される２個のクロック信号配線用端子１０２ｂについて、夫々、クロック信号配線用端子１０２ｂ又は引き回し配線用端子１０２ａとの間に介在させてダミー端子１０２ｄを配置するようにしてもよい。この場合、ダミー端子１０２ｄは、２個のクロック信号配線用端子１０２ｂのうち対応する一方に対して、このクロック信号配線用端子１０２ｂに電気的に接続されるクロック信号配線８０１ｂの他端側に電気的に接続され、短絡されて設けるようにする。これにより、ダミー端子１０２ｄが電気的に浮遊状態となるのを回避して、クロック信号配線用端子８０１ｂとの間の電位差を小さくして概ね同電位とすることができる。よって、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ダミー端子１０２ｄ及びクロック信号配線用端子１０２ｂ間の寄生容量を小さくし、横方向でクロック信号配線用端子１０２ｂと他の端子１０２ａ若しくは１０２ｂとの間にダミー端子１０２ｄを介在させて、両者間の距離ＷＴ１若しくはＷＴ２を調整することで寄生容量を低減させることが可能となる。
【０１０７】
従って、ＴＦＴアレイ基板１０上において、基板の少なくとも一辺に沿ってクロック信号配線用端子１０２ｂ、引き回し配線用端子１０２ａ、及びダミー端子１０２ｄを夫々、相隣接する端子同士の間隔を所定値ＷＴ３として等間隔で配列させることができる。これにより、液晶装置の製造プロセスにおいて、外部回路をクロック信号配線用端子１０２ｂ及び引き回し配線用端子１０２ａに対して電気的に接続させる工程において、クロック信号配線用端子１０２ｂ及び引き回し配線用端子１０２ａについて、相隣接する端子同士の間隔が、端子の種類により異なることで、電気的に短絡が生じる等の不具合により歩留りが低下したり、係る構成について設計変更を要するために製造工程が煩雑となり製造コストの増加を招いたりするのを防止することが可能となる。
【０１０８】
次に、上述した液晶装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図８は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１０９】
図８において、投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーンにカラー画像として投射される。
【０１１０】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】液晶装置の概略的な平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】ＴＦＴアレイ基板上の周辺領域における各種駆動回路の配置関係や電気的な接続関係等の構成を概略的に示すブロック図である。
【図４】複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図５】画素部の断面部分の構成を示す断面図である。
【図６】クロック信号配線及び引き回し配線の断面部分の構成について概略的に示す断面図である。
【図７】変形例に係るダミー端子及びクロック信号配線用端子等のその他の端子の平面的な配置関係を部分的に示す平面図である。
【図８】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画素領域、８０１ａ…引き回し配線、８０１ｂ…クロック信号配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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