(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品の樹脂封止にあたり、ボンディングワイヤ等に封止用樹脂が接触する際に前記封止用樹脂が溶融して粘度が低くなっている状態を、形成することができる樹脂封止方法を提供する。【解決手段】電子部品１０６が搭載された基板１０５を上金型１０１に装着し、下金型１０２のキャビティ部に収容された樹脂１１４を溶融し、上金型１０１に保持された電子部品１０６を溶融された樹脂１１４に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法において、樹脂１１４を加熱により溶融させる工程の前に、樹脂１１４を下金型１０２のキャビティに収容する工程と、下金型１０２を上金型１０１に接触させるために下金型１０２を上昇させる工程と、下金型１０２と上金型１０１とが接触した後に型内を所定の圧力まで真空引きする工程と、を完了させることを特徴とする。【選択図】  図４
2008235366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が搭載された基板を上金型に装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂を溶融し、前記上金型に保持された前記電子部品を溶融された前記樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、
前記樹脂を加熱により溶融させる工程の前に、
前記樹脂を前記下金型の前記キャビティに収容する工程と、前記下金型を前記上金型に接触させるために前記下金型を上昇させる工程と、前記下金型と前記上金型とが接触した後に型内を所定の圧力まで真空引きする工程と、を完了させることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
前記樹脂を前記下金型の前記キャビティに収容する工程において、前記キャビティに収容された前記樹脂に型を押付けて、前記電子部品及び前記電子部品と前記基板とを接続する配線の体積に対応する体積を有する樹脂逃げとなる凹部を形成し、
前記電子部品と前記配線を前記樹脂の凹部内に位置させて樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
前記下金型を前記上金型に接触させるために前記下金型を上昇させる工程において、
前記下金型を上昇させるタイミングは、前記樹脂の粘度に応じて設定されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
【請求項４】
電子部品が搭載された基板を上金型に装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂を溶融して、前記上金型に保持された前記電子部品を溶融された前記樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止装置であって、
前記下金型の下方に、前記下金型と独立して昇降することができる熱源体を設けたことを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項５】
電子部品が搭載された基板を上金型に装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂を溶融して、前記上金型に保持された電子部品を溶融された前記樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止装置であって、
前記下金型に、前記下金型のキャビティ部を加熱するパルスヒータを設けたことを特徴とする樹脂封止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の樹脂封止方法及び樹脂封止装置に関し、より具体的には、半導体素子及び当該半導体素子の外部接続端子等の電極に接続されたボンディングワイヤを樹脂封止する樹脂封止工程を有する電子部品の樹脂封止方法及び当該方法に用いられる樹脂封止装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化並びに小型化に伴い、この電子機器に搭載される半導体装置に対してより高機能化、高集積化が要求されている。
【０００３】
この為、当該半導体装置に於ける半導体素子、特に大規模半導体集積回路素子（ＬＳＩ）に於いては、複数の機能回路ブロックを収容し、且つ当該機能回路ブロックを構成するトランジスタ等の能動素子、抵抗素子等の受動素子並びに配線などの微細化・高集積化がなされつつある。
【０００４】
当該半導体素子は、複数の機能ブロックを含むことから、多数の外部接続端子を必要とする。従って、当該外部接続端子は、その相互間隔並びにピッチについて更なる縮小化が図られている。この為、当該半導体素子の外部接続用端子に接続されるボンディングワイヤも、より小さな直径のものが適用される。
【０００５】
更に、前記配線基板などの支持体上の電極端子にあっても、より小形化、高密度化が求められている。しかしながら、小形化、高密度化には限度があり、半導体素子に対してより近い位置に配設することが困難となりつつある。この為、前記半導体素子の外部接続端子と支持体上の電極端子とを接続する前記ボンディングワイヤの長さが長くなる傾向にある。
【０００６】
一方、前記半導体素子をボンディングワイヤ等と共に気密封止して半導体装置を形成する際には、封止方法の一つとして樹脂封止法が採られているが、その樹脂封止法としては従来所謂トランスファーモールド法が用いられている。
【０００７】
当該トランスファーモールド法は、配線基板或いはリードフレーム等の支持体、当該支持体上に搭載された半導体素子、及び当該半導体素子の外部接続端子と前記配線基板上の電極端子或いはリードフレームとを接続するボンディングワイヤ等を金型内に配置し、当該金型内に封止用樹脂を圧入（注入）して樹脂封止を行うものである。
【０００８】
しかしながら、かかるトランスファーモールド法では、金型内へ封止用樹脂を高圧をもって注入するため、ボンディングワイヤの径が小である場合或いはボンディングワイヤ長が長い場合、封止用樹脂の流れに因り当該ボンディングワイヤの変形及び／或いは断線を生じ、更に他のボンディングワイヤとの短絡を生じてしまう恐れが大である。
【０００９】
このため、トランスファーモールド法に代えて、コンプレッションモールド（圧縮成型）法が注目されている。
【００１０】
かかるコンプレッションモールド法にあっては、配線基板或いはリードフレーム等の支持体、当該支持体上に搭載された半導体素子、及び当該半導体素子の外部接続端子と前記配線体上の電極端子或いはリードフレームとを接続するボンディングワイヤ等を含む被樹脂封止体を上金型に装着し、一方下金型に設けられたキャビティ内に粉末又は顆粒状の封止用樹脂を収容し、当該封止用樹脂を加熱溶融した状態に於いて、上金型及び下金型を型閉めすることにより、被樹脂封止物を溶融樹脂に浸漬して樹脂封止する。
【００１１】
図１は、従来のコンプレッションモールド法に用いられる樹脂封止装置の概略構成を示す図である。
【００１２】
図１を参照するに、従来のコンプレッションモールド法に用いられる樹脂封止装置１０は、上金型１と下金型２とから大略構成される。上金型１は、筐体３の上部に固定され、下型部２は、当該下金型２を昇降させるためのボールネジ４が両端に取り付けられている。
【００１３】
上金型１には、配線基板５、当該配線基板５上に搭載された半導体素子６、及び当該半導体素子６の外部接続端子と前記配線基板５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ７等を含む被樹脂封止体が装着される。また、上金型１において、配線基板５が装着される箇所には真空吸着穴８が形成されており、配線基板５を上金型１に装着すると、図示を省略する真空源によって、配線基板５は上金型１に吸着固定される。
【００１４】
上金型１には、ヒータ９が挿入されており、配線基板５はかかるヒータ９により所定の温度に加熱される。
【００１５】
また、上金型１と当該上金型１が固定された筐体３の上部には、型内真空穴１１が貫通形成されており、上金型１の最下面上、即ち、下金型２に対向する面上にはパッキン１２が取り付けられている。下金型２がボールネジ４により上昇して上金型１に接触すると、上述の図示を省略する真空源、型内真空穴１１、及びパッキン１２等により、型内を真空状態にすることができる。
【００１６】
下金型２には、リリースフィルム１３を介して封止用樹脂１４が設けられる。下金型２は、モータ駆動機構によって昇降する。具体的には、筐体３の上方に設けられた下金型用モータ１５が回動すると、当該下金型用モータ１５に回動自在に取り付けられたベルト１６を介して、下金型２の両端に配置されたボールネジ４が回動し、それによって、下金型２は昇降する。
【００１７】
下金型２の上面上、即ち、上金型１に対向する面上であって、上金型１のパッキン１２に対応する箇所には、パッキン１７が取り付けられている。下金型２がボールネジ４により上昇して上金型１に接触すると、上述の図示を省略する真空源、型内真空穴１１、及びパッキン１２と相俟って、パッキン１７等により、型内を真空状態にすることができる。
【００１８】
当該パッキン１２が位置している箇所より内側には、クランパ１８、更にその内側にはキャビティ底面形成部材１９が設けられている。
【００１９】
クランパ１８の下部には圧縮バネ２０が配設されており、下金型２がボールネジ４により上昇すると、上金型１に装着された配線基板５を圧縮バネ２０のバネ圧でクランプする。
【００２０】
下金型２の下部には、キャビティ底面形成部材モータ２１が設けられており、キャビティ底面形成部材モータ２１が回動すると、当該キャビティ底面形成部材モータ２１に接続されたボールネジ２２を介して、キャビティ底面形成部材１９は、下金型２とは独立して昇降することが出来る。
【００２１】
リリースフィルム１３を介して下金型２に設けられた封止用樹脂１４を加熱するためのヒータ２３がキャビティ底面形成部材１９内に挿入されており、封止用樹脂１４はかかるヒータ２３により所定の温度に加熱される。
【００２２】
また、下金型２の底面にはリリーフィルム１３を固定するための真空穴２４が設けられ、図示しない真空源によって、クランパ１８とキャビティ底面形成部材１９とのギャップ、及びクランパ１８とその外側に設けられたブロック部材２５とのギャップから、リリースフィルム１３を吸着固定する。
【００２３】
次に、上述の構造を備えた樹脂封止装置１０を用いた樹脂封止の工程について、図２も参照して説明する。ここで、図２は、図１に示す樹脂封止装置１０を用いた樹脂封止の工程を示すフローチャートである。
【００２４】
当該樹脂封止の工程においては、下金型２のキャビティ底面形成部材１９内に挿入されているヒータ２３により、キャビティ底面形成部材１９は、常時所定の温度に加熱される。
【００２５】
まず、上金型１に、配線基板５、当該配線基板５上に搭載された半導体素子６、及び当該半導体素子６の外部接続端子と前記配線基板５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ７等を含む被樹脂封止体を装着する（ステップＳ１）。
【００２６】
具体的には、上金型１に形成された真空吸着穴８を介して、図２において図示を省略する真空源によって、かかる被樹脂封止体は、上金型１に吸着固定される。このとき、配線基板５は、上金型１に挿入されているヒータ９により所定の温度に加熱される。
【００２７】
一方、下金型２には、リリーフィルム１３を設ける（ステップＳ２）。
【００２８】
具体的には、下金型２の底面に設けられた真空穴２４を介して、図示しない真空源によって、リリースフィルム１３を下金型２に吸着固定する。この時点では、下金型２は最下点（原点）に位置している。
【００２９】
次いで、キャビティ底面形成部材１９上に位置するリリースフィルム１３の上方に形成されたキャビティに封止用樹脂１４を収容する（ステップＳ３）。
【００３０】
具体的には、図示を省略する樹脂計量装置にて計量された粉末又は顆粒状の封止用樹脂１４をキャビティに収容する。
【００３１】
上述のように、キャビティ底面形成部材１９は、ヒータ２３により常時所定の温度に加熱されているため、キャビティ底面形成部材１９上に位置するリリースフィルム１３の上方に形成されたキャビティに封止用樹脂１４を収容した同時に、封止用樹脂１４の溶融が開始する。キャビティにおける封止用樹脂１４の収容にあっては、当該キャビティに封止用樹脂１４が不均一に収容されたり、キャビティ１４外部への漏れ等の不良の発生を防止するために、封止用樹脂１４をキャビティ内に均一に収容する必要がある。
【００３２】
次に下金型２のパッキン１７と、上金型１のパッキン１２とが接触する高さまで、即ち、上金型１と下金型２とが接触して真空引きができる高さまで、下金型用モータ１５を駆動して、ベルト１６及びボールネジ４を介して下金型２を上昇させる（ステップＳ４）。
【００３３】
下金型２のパッキン１７と、上金型１のパッキン１２とが接触すると、型内は密閉されるが、更に、上述の図示を省略する真空源により、型内真空穴１１を介意して、型内を所定の圧力まで真空引きをし、圧力を低下させる（ステップＳ５）。
【００３４】
次に、下金型用モータ１５を駆動して、下金型２を更に上昇させる（ステップＳ６）。
【００３５】
具体的には、下金型２のクランパ１８が配線基板５に接触してから更に、下金型２を約０．２乃至１ｍｍ上昇させる。
【００３６】
クランパ１８の下部には圧縮バネ２０が配設されており、下金型２が上昇すると、上金型１に装着された配線基板５を圧縮バネ２０のバネ圧（反力）でクランプする。これにより、その後の工程（型締工程）において、封止用樹脂１４がキャビティから漏れ出ることを防止することができる。なお、この時点で、上金型１に装着された配線基板５上に搭載された半導体素子６及び当該半導体素子６の外部接続端子と前記配線基板５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ７等に封止用樹脂１４が接触するが、溶融が始まり封止用樹脂１４の粘度が低くなっている必要がある。
【００３７】
次に、下金型２をロックし下金型２の配設位置を維持したままの状態で、キャビティ底面形成部材モータ２１を回動し、最下点（原点）にあるキャビティ底面形成部材１９を、ボールネジ２２を介して上昇させる（ステップＳ７）。
【００３８】
かかるキャビティ底面形成部材１９の内部には、リリースフィルム１３を介して下金型２に設けられた樹脂１４を加熱するためのヒータ２３が挿入されており、型締状態の下、封止用樹脂１４はかかるヒータ２３により所定の温度に加熱され、成形が開始する。
【００３９】
キャビティ底面形成部材１９が所定の高さまで上昇すると、当該上昇は停止され、溶融された封止用樹脂１４が固化されるまでこの状態が保持される（ステップＳ８）。封止用樹脂１４の固化が終了すると、成形は完了する。なお、成形時間は、封止用樹脂１４の種類によって定まる。
【００４０】
次に、型内の真空を開放して（ステップＳ９）、キャビティ底面形成部材モータ２１を回動し、キャビティ底面形成部材１９を、ボールネジ２２を介して最下点（原点）まで下降する（ステップＳ１０）。
【００４１】
しかる後、下金型２全体を最下点（原点）位置まで下降させる（ステップＳ１１）。
【００４２】
上金型１には、成形が完了した配線基板５、当該配線基板５上に搭載された半導体素子６、及び当該半導体素子６の外部接続端子と前記配線基板５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ７等を含む被樹脂封止体が残っており、かかる被樹脂封止体を上金型１に吸着固定するために形成した真空状態を解き、前記配線基板５を上金型１から取り出すことにより、一連の樹脂封止工程が終了する。
【００４３】
このようなコンプレッションモールド法によれば、金型内への封止用樹脂の圧入が行われないため、封止用樹脂１４の流れに因るボンディングワイヤ７の変形及び／或いは断線等を生ずる恐れが少ない。
【００４４】
そのほか、上下型の型締め時に、キャビティ形成部に嵌装された複数のチップとワイヤとのほぼ直下部から摺動部材が上動して、摺動部材の天面上にある所要量の溶融樹脂も上昇し、複数のチップとワイヤとを浸漬内包して所要圧力で圧縮成形する態様が提案されている（特許文献１参照）。
【００４５】
また、半導体装置を金型中に載置して、金型と半導体装置との間に供給した硬化性液状シリコーン組成物を所定の成形温度で圧縮成形することによりシリコーン硬化物で封止した半導体装置を製造する方法であって、硬化性液状シリコーン組成物が、室温で９０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有し、キュラストメーターで測定した、前記成形温度における測定直後から１ｋｇｆ・ｃｍのトルクに達するまでの時間が１分以上であり、かつ１ｋｇｆ・ｃｍのトルクから５ｋｇｆ・ｃｍのトルクに達するまでの時間が１分以内であることを特徴とする方法も提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−２３０７０７号公報
【特許文献２】特開２００５−２６８５６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４６】
このようなコンプレッションモールド法では、封止用樹脂１４がキャビティ底面形成部材１９上に位置するリリースフィルム１３の上方に形成されたキャビティに収容されて、キャビティ底面形成部材１９内に設けられたヒータ２３による封止用樹脂１４の加熱が開始されて（ステップＳ３）から、キャビティ底面形成部材１９を上昇させて行われる型締めまでの時間が重要である。
【００４７】
キャビティ底面形成部材１９内に設けられたヒータ２３により、キャビティ底面形成部材１９は常時所定の温度に加熱されており、かかる加熱により、キャビティに収容された封止用樹脂１４の溶融及び凝固（固化）が進行し、封止用樹脂１４の粘度が時間の経過と共に、刻々と変化するからである。これについて、図３を参照して説明する。
【００４８】
ここで、図３は、図２に示す樹脂封止工程における、時間の変化と、下金型２が位置する高さ及び封止用樹脂１４がリリースフィルム１３を介して設けられるキャビティ底面形成部材１９の温度と、の関係を表したグラフである。図３に示すグラフにおいて、横軸は時間を、左縦軸は下金型２が位置する高さを、右縦軸はキャビティ底面形成部材１９の温度示し、実線部は時間の変化と下金型２が位置する高さとの関係を、点線部は時間の変化と封止用樹脂１４がリリースフィルム１３を介して設けられるキャビティ底面形成部材１９の温度との関係を示す。
【００４９】
下金型２が最下点（原点）に位置している状態で、下金型２のキャビティ底面形成部材１９上に位置するリリースフィルム１３の上方に形成されたキャビティに、封止用樹脂１４を収容する。キャビティ底面形成部材１９内に挿入されているヒータ２３により、キャビティ底面形成部材１９は、常時所定の温度に加熱されているため、前記キャビティに封止用樹脂１４を収容すると同時に、封止用樹脂１４の溶融が開始する。従って、前記キャビティへの封止用樹脂１４の収容は、短時間で行う必要がある。
【００５０】
前記キャビティに封止用樹脂１４を収容すると、加熱されているキャビティ底面形成部材１９の温度は、当該温度よりも低い常温の封止用樹脂１７がキャビティに収容されることにより、一旦低下するものの、直ぐに再度上昇し、以後、所定の加熱温度（本例では、約１７５℃）が維持される。
【００５１】
キャビティに封止用樹脂１４が収容された後、下金型２のパッキン１７と上金型１のパッキン１２とが接触する高さまで、即ち、上金型１と下金型２とが接触して真空引きができる高さまで、下金型２は高速上昇する。型内の真空引きは短時間で行われるが、真空圧が所定の圧力に達するまで、下金型２はその高さ位置を維持する。
【００５２】
その後、クランパ１８が配線基板５をクランプする高さまで、下金型２を高速上昇させ、型締可能な高さ位置まで下金型２を更に上昇させる。その後一定時間、当該高さ位置を保持し、成形が完了すると下金型２は最下点（原点）位置まで下降する。
【００５３】
上述したように、成形時間は、封止用樹脂１４の種類によって定まり、使用する樹脂によっては、上金型１に装着してから溶融が開始する迄の時間が短く、時間が更に経過すると凝固（固化）が開始される。即ち、時間の経過と共に、凝固（固化）が進行し粘度が上昇してしまった封止用樹脂１４とボンディングワイヤ７とが接触して、ボンディングワイヤ７の変形を招来してしまうおそれがある。そのため、封止用樹脂１４の凝固（固化）が開始する前に、以下に説明する工程を完了している必要がある。
【００５４】
第１に、キャビティ底面形成部材１９上に位置するリリースフィルム１３の上方に形成されたキャビティに、封止用樹脂１４を収容する工程である。
【００５５】
キャビティ底面形成部材１９内に挿入されているヒータ２３により、キャビティ底面形成部材１９は、常時所定の温度に加熱されているため、前記キャビティに封止用樹脂１４を収容すると同時に、封止用樹脂１４の溶融が開始する。
【００５６】
一方、キャビティにおける封止用樹脂１４の収容にあっては、当該キャビティに封止用樹脂１４が不均一に収容されたり、キャビティ１４外部への漏れ等の不良の発生を防止するために、封止用樹脂１４をキャビティ内に均一に収容する必要がある。
【００５７】
しかし、前記キャビティへの封止用樹脂１４の均一な収容を短時間で行うことは困難であり、また、前記キャビティへの封止用樹脂１４の均一な収容を短時間で行うために、特別な封止用樹脂収容機能が必要となる。
【００５８】
第２に、下金型２を上昇させる工程である。
【００５９】
図１に示す樹脂封止装置１０のように、一般に樹脂封止装置は安全面を考慮し、上金型１を固定して、下金型２が上昇する構造となっている。封止用樹脂１４を下金型２の前記キャビティに収容するにあたり、下金型２の高さ位置はある程度低い位置である必要があり、かかる位置から上金型１までの距離が下金型２のストロークになる。
【００６０】
キャビティに封止用樹脂１４が収容された後、下金型２のパッキン１７と、上金型１のパッキン１２とが接触する高さまで、即ち、上金型１と下金型２とが接触して真空引きができる高さまで、下金型２を上昇させなければならないが、これを短時間で行うためには、下金型２を高速上昇させなければならない。
【００６１】
下金型２には、キャビティ底面形成部材モータ２１等が設けられており重量物であるため、下金型２を高速上昇させるためには、大規模な機械的機構が必要となる。また、コンプレッションモールド法の場合、精密な位置制御を要し、サーボ機能も必要になるため、更に大規模な構造となってしまう。
【００６２】
第３に、下金型２と上金型１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程である。
【００６３】
上述のように、キャビティに封止用樹脂１４を収容し、下金型２のパッキン１７と、上金型１のパッキン１２とが接触する高さまで下金型２を上昇させ、下金型２のパッキン１７と上金型１のパッキン１２とが接触した後、型内を所定の圧力まで真空引きをしてから、型締工程に進むが、前記真空引きが不十分であると、成形品にボイドが発生してしまう。よって、型内を所定の圧力まで真空引きをし、圧力を低下させる必要がある。これを短時間で行うためには、大規模な真空ユニットが必要となる。
【００６４】
上述したように、成形時間は、封止用樹脂１４の種類によって定まり、使用する樹脂によっては、上金型１に装着してから溶融が開始する迄の時間が短く、時間が更に経過すると凝固（固化）が開始されるため、これら３つの工程を、封止用樹脂１４の凝固（固化）が開始する前に短時間で完了させている必要がある。
【００６５】
しかしながら、これら３つの工程を短時間で行うためには、特別な機能が必要であり、
樹脂封止装置の大規模化や複雑化を招く。その結果、高価な装置が必要となり、電子部品の製造のコストの上昇を招くおそれがある。
【００６６】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、電子部品の樹脂封止方法であって、当該樹脂封止にあたり、ボンディングワイヤ等に封止用樹脂が接触する際に前記封止用樹脂が溶融して粘度が低くなっている状態を、特別な機能や装置を要することなく形成することができる方法、及び当該樹脂封止方法に用いられる安価で構造の複雑化を招来することのない樹脂封止装置を提供することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００６７】
本発明の一観点によれば、電子部品が搭載された基板を上金型に装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂を溶融し、前記上金型に保持された前記電子部品を溶融された前記樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、前記樹脂を加熱により溶融させる工程の前に、前記樹脂を前記下金型の前記キャビティに収容する工程と、前記下金型を前記上金型に接触させるために前記下金型を上昇させる工程と、前記下金型と前記上金型とが接触した後に型内を所定の圧力まで真空引きする工程と、を完了させることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法が提供される。
【００６８】
前記樹脂を前記下金型の前記キャビティに収容する工程において、前記キャビティに収容された前記樹脂に型を押し付けて、前記電子部品及び前記電子部品と前記基板とを接続する配線の体積に対応する体積を有する樹脂逃げとなる凹部を形成し、前記電子部品と前記配線を前記樹脂の凹部内に位置させて樹脂封止することとしてもよい。また、前記下金型を前記上金型に接触させるために前記下金型を上昇させる工程において、前記下金型を上昇させるタイミングは、前記樹脂の粘度に応じて設定されることとしてもよい。
【００６９】
本発明の別の観点によれば、電子部品が搭載された基板を上金型に装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂を溶融して、前記上金型に保持された前記電子部品を溶融された前記樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止装置であって、前記下金型の下方に、前記下金型と独立して昇降することができる熱源体を設けたことを特徴とする樹脂封止装置が提供される。
【００７０】
本発明の別の観点によれば、電子部品が搭載された基板を上金型に装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂を溶融して、前記上金型に保持された電子部品を溶融された前記樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止装置であって、前記下金型に、前記下金型のキャビティ部を加熱するパルスヒータを設けたことを特徴とする樹脂封止装置が提供される。
【発明の効果】
【００７１】
本発明によれば、電子部品の樹脂封止方法であって、当該樹脂封止にあたり、ボンディングワイヤ等に封止用樹脂が接触する際に前記封止用樹脂が溶融して粘度が低くなっている状態を、特別な機能や装置を要することなく形成することができる方法、及び当該樹脂封止方法に用いられる安価で構造の複雑化を招来することのない樹脂封止装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００７３】
［本発明の第１の実施の形態］
まず、図４を参照して本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置の構造について説明し、次いで、図５乃至図１０を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止方法について説明する。
【００７４】
１．本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置の構造
図４は、本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置の概略構成を示す図である。
【００７５】
図４を参照するに、本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置１００は、上金型１０１と下金型１０２とから大略構成される。上金型１０１は、筐体１０３の上部に固定され、下型部１０２は、当該下金型１０２を昇降させるためのボールネジ１０４が両端に取り付けられている。
【００７６】
上金型１０１には、配線基板１０５、当該配線基板１０５上に搭載された半導体素子１０６、及び当該半導体素子１０６の外部接続端子と前記配線基板１０５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１０７等を含む被樹脂封止体が装着される。また、上金型１０１において、配線基板１０５が装着される箇所には真空吸着穴１０８が形成されており、配線基板１０５を上金型１０１に装着すると、図示を省略する真空源によって、配線基板１０５は上金型１０１に吸着固定される。
【００７７】
上金型１０１には、ヒータ１０９が挿入されており、配線基板１０５はかかるヒータ１０９により所定の温度に加熱される。なお、当該ヒータ１０９として、図４に示す例では複数の円柱状のカートリッジヒーターが用いられているが、形状はこれに限られず、また、ヒータの種類も問わない。
【００７８】
また、上金型１０１と当該上金型１０１が固定された筐体１０３の上部には、型内真空穴１１１が貫通形成されており、上金型１０１の最下面上、即ち、下金型１０２に対向する面上にはパッキン１１２が取り付けられている。下金型１０２がボールネジ１０４により上昇して上金型１０１に接触すると、上述の図示を省略する真空源、型内真空穴１１１、及びパッキン１１２等により、型内を真空状態にすることができる。
【００７９】
下金型１０２には、ポリウレタン等から成るリリースフィルム１１３を介して封止用樹脂１１４が設けられる。下金型１０２は、モータ駆動機構によって昇降する。具体的には、筐体１０３の上方に設けられた下金型用モータ１１５が回動すると、当該下金型用モータ１１５に回動自在に取り付けられたベルト１１６を介して、下金型２の両端に配置されたボールネジ１０４が回動し、それによって、下金型１０２は昇降する。
【００８０】
下金型１０２の上面上、即ち、上金型１０１に対向する面上であって、上金型１０１のパッキン１１２に対応する箇所には、パッキン１１７が取り付けられている。下金型１０２がボールネジ１０４により上昇して上金型１０１に接触すると、上述の図示を省略する真空源、型内真空穴１１１、及びパッキン１１２と相俟って、パッキン１１７等により、型内を真空状態にすることができる。
【００８１】
当該パッキン１１２が位置している箇所より内側には、クランパ１１８、更にその内側にはキャビティ底面形成部材１１９が設けられている。
【００８２】
クランパ１１８の下部には圧縮バネ１２０が配設されており、下金型１０２がボールネジ１０４により上昇すると、上金型１０１に装着された配線基板１０５を圧縮バネ１２０のバネ圧でクランプする。
【００８３】
下金型１０２の下部には、キャビティ底面形成部材モータ１２１が設けられており、キャビティ底面形成部材モータ１２１が回動すると、当該キャビティ底面形成部材モータ１２１に接続されたボールネジ１２２を介して、キャビティ底面形成部材１１９は、下金型１０２とは独立して昇降することが出来る。
【００８４】
キャビティ底面形成部材１１９の下方には、熱源体であるヒータブロック１３０が、キャビティ底面形成部材１１９と独立して配置されている。ヒータブロック１３０は、下金型１０２の底面に設けられたエアシリンダ１３１によって上下に移動することができる。ヒータブロック１３０は、例えば、コンスタントヒータ等と称され、ヒータブロック１３０の内部には、カートリッジタイプ等のヒータ１３０ａが挿入されており、任意の温度に設定出来るようになっている。
【００８５】
ヒータブロック１３０は、電源を入れて所定時間経過すると加熱するものであり、本例では、常時加熱されている。ヒータブロック１３０がキャビティ底面形成部材１１９に接触すると、熱はキャビティ底面形成部材１１９に伝導し、封止用樹脂１１４は所定の温度に加熱される。また、ヒータブロック１３０とキャビティ底面形成部材１１９との接触を解くことにより、キャビティ底面形成部材１１９への熱の伝導は遮断される。
【００８６】
また、下金型１０２の底面にはリリーフィルム１１３を固定するための真空穴１２４が設けられ、図示しない真空源によって、リリースフィルム１１３を吸着固定する。
【００８７】
なお、図４に示す樹脂封止装置１００では、配線基板１０５の装着、封止用樹脂１０４の収容、リリースフィルム１１３の配設は手動で行うように設定されているが、これらを全て自動で行うことができる装置であれば、量産効率の向上を図ることができる。
【００８８】
２．本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置を用いた樹脂封止の方法
次に、上述の構造を備えた樹脂封止装置１００を用いた樹脂封止の工程について、図５乃至図１０も参照して説明する。
【００８９】
ここで、図５は、図４に示す樹脂封止装置１００を用いた樹脂封止の工程を示すフローチャートである。図６乃至図９は、図５に示す樹脂封止の工程における樹脂封止装置１００の動作を説明するための図（その１）乃至（その４）である。図１０は、キャビティへの封止用樹脂１１４の収容の仕方を説明するための図である。なお、説明を分かりやすくするために、図６乃至図９では、上金型１０１及び下金型１０２の主要部を図示し、下金型１０２の駆動機構等の図示は省略し、また、図１０では、上金型１０１の図示を省略し、下金型１０２については、クランパ１１８及びキャビティ底面形成部材１１９のみ図示している。
【００９０】
樹脂封止工程においては、まず、下金型１０２、キャビティ底面形成部材１１９及びヒータブロック１３０が原点に位置に配設される（図６（ａ）参照）。キャビティ底面形成部材１１９の上方にはキャビティが形成され、当該キャビティに後の工程で封止用樹脂１１４が収容される。なお、ヒータブロック１３０は、常時所定の温度に加熱されている。
【００９１】
まず、上金型１０１に、配線基板１０５、当該配線基板１０５上に搭載された半導体素子１０６、及び当該半導体素子１０６の外部接続端子と前記配線基板１０５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１０７等を含む被樹脂封止体を装着する（図５のステップＳ１０１、図６（ｂ）参照）。
【００９２】
具体的には、上金型１０１に形成された真空吸着穴１０８を介して、図４において図示を省略する真空源によって、かかる被樹脂封止体は、上金型１０１に吸着固定される。このとき、配線基板１０５は、上金型１０１に挿入されているヒータ１０９により所定の温度、例えば、約１５０乃至２００℃に加熱される。なお、リリースフィルム１１３として、例えば、ポリウレタン系等から成り、約２０乃至１００μｍの厚さを有するフィルムを用いてもよい。
【００９３】
一方、下金型１０２には、リリーフィルム１１３を設ける（図５のステップＳ１０２、図６（ｂ）参照）。
【００９４】
具体的には、下金型１０２の底面に設けられた真空穴１２４を介して、図４において図示しない真空源によって、リリースフィルム１１３を下金型１０２に吸着固定する。この時点では、下金型１０２及びヒータブロック１３０は最下点（原点）に位置している。
【００９５】
次いで、キャビティ底面形成部材１１９上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに封止用樹脂１１４を収容する（図５のステップＳ１０３、図７（ｃ）参照）。
【００９６】
具体的には、図示を省略する樹脂計量装置にて計量された粉末又は顆粒状の封止用樹脂１１４をキャビティに収容する。なお、当該封止用樹脂１１４を、樹脂封止装置１００内で自動計量して、キャビティに収容することとしてもよい。
【００９７】
封止用樹脂１１４をキャビティに収容する際には、ヒータブロック１３０は最下点（原点）に位置し、ヒータブロック１３０はキャビティ底面形成部材１１９に接触していない。従って、この時点では、キャビティ底面形成部材１１９上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに収容された封止用樹脂１１４は常温であり、封止用樹脂１１４の溶融は開始していない。
【００９８】
よって、封止用樹脂１１４をキャビティへの収容を短時間ではなく、所定の時間をかけることができ、キャビティに封止用樹脂１１４が不均一に収容されたり、キャビティの外部への漏れ等の不良の発生を防止すべく、封止用樹脂１１４をキャビティ内に均一に収容することができる。仮に、キャビティに封止用樹脂１１４が不均一に収容されたとしても、封止用樹脂１１４の溶融は未だ開始されていないため、スキージ等で容易に均すことが可能である。
【００９９】
また、例えば、図１０に示すように、キャビティに均一に収容した封止用樹脂１１４に逃げ型１４０を押付けて、半導体素子１０６とボンディングワイヤ１０７の樹脂逃げを形成することにより、後の工程で溶融した封止用樹脂１１４によるフローに因り、ボンディングワイヤ１０７が変形してしまうことを防止することができる。
【０１００】
図１に示す樹脂封止装置１０では、キャビティ底面形成部材１９は、ヒータ２３により常時所定の温度に加熱されているため、キャビティ底面形成部材１９上に位置するリリースフィルム１３の上方に形成されたキャビティに封止用樹脂１４を収容した同時に、封止用樹脂１４の溶融が開始する。従って、封止用樹脂１４がキャビティ内に不均一に収容されてしまうと、これを修正することはできず、また、図１０に示すような半導体素子１０６とボンディングワイヤ１０７の樹脂逃げを形成することは出来ない。よって、キャビティへの封止用樹脂１４の収容の失敗は許されないため、キャビティに封止用樹脂１４を確実に収容するための特別な手段・設備が必要である。
【０１０１】
一方、図４に示す樹脂封止装置１００では、キャビティに均一に収容した封止用樹脂１１４に、半導体素子１０５とボンディングワイヤの体積に対応する体積を有する逃げ型１４０を押付けて、略同一体積を有する凹状の樹脂逃げを形成し、当該樹脂逃げに、半導体素子１０６とボンディングワイヤ１０７が入り込むため、溶融した封止用樹脂１１４によるフローに因り、ボンディングワイヤ１０７が変形してしまうことを防止することができる。
【０１０２】
次に、下金型１０２のパッキン１１７と、上金型１０１のパッキン１１２とが接触する高さまで、即ち、上金型１０１と下金型１０２とが接触して真空引きができる高さまで、下金型用モータ１１５（図４参照）を駆動して、ベルト１１６及びボールネジ４を介して下金型１０２を上昇させる（図５のステップＳ１０４、図７（ｄ）参照）。
【０１０３】
この時点では、キャビティ底面形成部材１１９上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに収容された封止用樹脂１１４は常温であり、封止用樹脂１１４の溶融は未だ開始していない。従って、下金型１０２を上昇を、図１に示す例のように高速で行う必要はない。よって、下金型用モータ１１５（図４参照）として、大トルクの高出力モータを使用する必要はない。低出力のモータに減速機を組み合わせることにより、ギア比を高くすることにより、必要トルクを得ることができるため、低出力のモータであっても、重量のある下金型１０２を容易に上昇させることができる。
【０１０４】
下金型１０２のパッキン１１７と、上金型１０１のパッキン１１２とが接触すると、型内は密閉されるが、更に、上述の図示を省略する真空源により、型内真空穴１１１を介意して、型内を所定の圧力まで真空引きをし、絶対圧で１乃至１０ＫＰａ程度まで圧力を低下させる（図５のステップＳ１０５）。
【０１０５】
上述のように、この時点では、キャビティ底面形成部材１１９上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに収容された封止用樹脂１１４は常温であり、封止用樹脂１１４の溶融は未だ開始していないため、真空引き工程を短時間で行う必要はない。所望の圧力に達することができる限り、小型の真空ポンプにより、真空引きを行うことができる。
【０１０６】
このように、本例によれば、図１に示す樹脂封止装置１０では短時間で行う必要があるキャビティに封止用樹脂１１４を収容する工程、下金型１０２を上昇させる工程、及び下金型１０２と上金型１０１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程を、封止用樹脂１１４の溶融が開始される前に完了している。
【０１０７】
次に、当該樹脂封止の工程において常時所定の温度に加熱されているヒータブロック１３０を、下金型１０２の底面に設けられたエアシリンダ１３１によって上昇させて、キャビティ底面形成部材１１９に接触させ、キャビティ底面形成部材１１９への加熱を開始する（図５のステップＳ１０６、図８（ｅ）参照）。
【０１０８】
ヒータブロック１３０がキャビティ底面形成部材１１９に接触すると、熱伝導により、キャビティ底面形成部材１１９の表面の温度が、例えば、約１５０乃至２００℃にまで上昇し、キャビティ底面形成部材１１９上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに収容された封止用樹脂１１４の溶融が開始される。
【０１０９】
キャビティ底面形成部材１１９は、図１に示すヒータ２３が挿入されたキャビティ底面形成部材１９よりも薄肉構造となっており、熱容量が小さいため、短時間でキャビティ底面形成部材１１９の加熱を行うことができる。
【０１１０】
次に、下金型用モータ１１５を駆動して、下金型１０２を更に上昇させる（図５のステップＳ１０７、図８（ｆ）参照）。
【０１１１】
具体的には、下金型１０２のクランパ１１８が配線基板１０５に接触してから更に、下金型１０２を約０．２乃至１ｍｍ上昇させる。
【０１１２】
クランパ１１８の下部には圧縮バネ１２０が配設されており、下金型１０２が上昇すると、上金型１０１に装着された配線基板１０５を圧縮バネ１２０のバネ圧（反力）でクランプする。これにより、その後の工程（型締工程）において、封止用樹脂１１４がキャビティから漏れ出ることを防止することができる。
【０１１３】
なお、この時点で、上金型１０１に装着された配線基板１０５上に搭載された半導体素子１０６及び当該半導体素子１０６の外部接続端子と前記配線基板１０５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１０７等に封止用樹脂１１４が接触するが、溶融が始まり封止用樹脂１１４の粘度が低くなっているため、ボンディングワイヤ１０７が変形することはない。
【０１１４】
次に、下金型１０２をロックし下金型１０２の配設位置を維持したままの状態で、キャビティ底面形成部材モータ１２１（図４参照）を回動し、最下点（原点）にあるキャビティ底面形成部材１１９を、ボールネジ１２２を介して上昇させ、溶融された封止樹脂１１４に半導体素子１０６と半導体素子１０６と配線基板１０５とを接続するボンディングワイヤ１０７とを浸漬する（図５のステップＳ１０８、図９（ｇ）参照）。
【０１１５】
ここでは、上昇するキャビティ底面形成部材１１９の位置が所定の位置に達すると、当該キャビティ底面形成部材１１９の上昇を停止する位置制御、又はキャビティ底面形成部材１１９の下方に配置され、図４では図示を省略する荷重計をモニタリングしながら、所定の荷重に達すると、当該キャビティ底面形成部材１１９の上昇を停止する圧力制御のいずれの制御方法を採用することができる。
【０１１６】
キャビティ底面形成部材１１９が所定の高さまで上昇すると、当該上昇は停止され、溶融された封止用樹脂１１４が固化されるまでこの状態が保持される（図５のステップＳ１０９）。当該保持時間は、封止用樹脂１１４の樹脂の特性に因るが、例えば、約６０乃至１８０秒程度としてもよく、封止用樹脂１１４の固化が終了すると、成形は完了する。
【０１１７】
次に、ヒータブロック１３０を、下金型１０２の底面に設けられたエアシリンダ１３１によって下降させて、ヒータブロック１３０とキャビティ底面形成部材１１９との接触を解き、キャビティ底面形成部材１１９への熱伝導を遮断してキャビティ底面形成部材１１９への加熱を停止する（図５のステップＳ１１０）。
【０１１８】
同時に、型内の真空を開放して（図５のステップＳ１１１）、キャビティ底面形成部材モータ１２１（図４参照）を回動し、キャビティ底面形成部材１１９を最下点（原点）まで下降する（図５のステップＳ１１２）。
【０１１９】
しかる後、下金型１０２全体を最下点（原点）位置まで下降させる（図５のステップＳ１１３）。
【０１２０】
上金型１０１には、成形が完了した配線基板１０５、当該配線基板１０５上に搭載された半導体素子１０６、及び当該半導体素子１０６の外部接続端子と前記配線基板１０５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１０７等を含む被樹脂封止体が残っており、かかる被樹脂封止体を上金型１０１に吸着固定するために形成した真空状態を解き、前記配線基板１０５を上金型１０１から取り出すことにより、一連の樹脂封止工程が終了し、図９（ｈ）に示す状態となる。
【０１２１】
しかる後、キャビティ底面形成部材１１９を冷却する（図５のステップＳ１１４）。具体的には、例えば、キャビティ底面形成部材１１９に、クリーンエアーをブローする等の空冷方式によってキャビティ底面形成部材１１９を冷却する。キャビティ底面形成部材１１９は、図１に示すヒータ２３が挿入されたキャビティ底面形成部材１９よりも薄肉構造となっており、熱容量が小さいため、短時間でキャビティ底面形成部材１１９の冷却を行うことができる。これによって、次の樹脂封止工程に備えることができる。
【０１２２】
図１に示す態様では、封止用樹脂１４が短時間で溶融し固化することに鑑み、封止用樹脂１４を短時間でキャビティに収容し、更に、下金型２を上昇させる工程及び下金型２と上金型１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程を短時間で行う必要があり、そのため、特別な機能を必要とし、樹脂封止装置の大規模化や複雑化を招いていた。
【０１２３】
一方、本例によれば、図１に示す樹脂封止装置１０では短時間で行う必要があるキャビティに封止用樹脂１１４を収容する工程、下金型１０２を上昇させる工程、及び下金型１０２と上金型１０１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程を、封止用樹脂１４の溶融が開始される前に完了させ、次いで、ヒータブロック１３０とキャビティ底面形成部材１１９とを接触させて、キャビティ底面形成部材１１９を加熱して封止用樹脂１１４を溶融して型締成形をしている。
【０１２４】
更に、ヒータブロック１３０とキャビティ底面形成部材１１９の接触又は非接触により、ヒータブロック１３０のキャビティ底面形成部材１１９への熱の伝導を許容又は遮断する構造を簡易に形成することができる。
【０１２５】
［本発明の第２の実施の形態］
まず、図１１を参照して本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止装置の構造について説明し、次いで、図１２乃至図１６を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止方法について説明する。
【０１２６】
１．本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止装置の構造
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止装置の概略構成を示す図である。なお、図１１において、図４を参照して説明した箇所と同じ箇所には同じ符合を付し、その説明を省略する。
【０１２７】
図４を参照して説明した本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置１００では、キャビティ底面形成部材１１９の下方に、ヒータブロック１３０が、キャビティ底面形成部材１１９と独立して配置されている。ヒータブロック１３０は、下金型１０２の底面に設けられたエアシリンダ１３１によって上下に移動することができる構造となっている。
【０１２８】
これに対し、図１１に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止装置２００では、リリースフィルム１１３を介して下金型１０２に設けられた封止用樹脂１１４を加熱するためのパルスヒータ２６３がキャビティ底面形成部材２５９内に挿入されており、封止用樹脂１１４はかかるパルスヒータ２６３により所定の温度に加熱される。
【０１２９】
パルスヒータ２６３は、電源を入れると短時間で温度が上昇するものであり、ヒータブロック１３０に比し、薄肉構造となっている。
【０１３０】
パルスヒータ２６３の電源を入れて温度が上昇すると、パルスヒータ２６３の熱はキャビティ底面形成部材２５９に伝導し、封止用樹脂１１４は所定の温度に加熱される。また、パルスヒータ２６３の電源を切ることにより、パルスヒータ２６３からキャビティ底面形成部材２５９への熱の伝導は遮断される。
【０１３１】
このように、本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止装置２００によれば、キャビティ底面形成部材２５９の熱源であるパルスヒータ２６３がキャビティ底面形成部材２５９の内部に設けられている。従って、本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置１００のように、キャビティ底面形成部材１１９の熱源であるヒータブロック１３０を上下動させる機構を設ける必要はなく、樹脂封止装置２００をシンプルな構成にすることが出来る。また、かかる樹脂封止装置２００では、配線基板１０５全体の成形処理ではなく、パルスピートが可能なサイズに沿ってキャビティ底面形成部材２５９させることができる。
【０１３２】
２．本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置を用いた樹脂封止の方法
次に、上述の構造を備えた樹脂封止装置２００を用いた樹脂封止の工程について、図１３乃至図１６も参照して説明する。ここで、図１２は、図１１に示す樹脂封止装置を用いた樹脂封止の工程を示すフローチャートである。図１３乃至図１６は、図１２に示す樹脂封止の工程において、図１１に示す樹脂封止装置２００の動作を説明するための図（その１）乃至（その４）である。なお、説明を分かりやすくするために、図１３乃至図１６では、上金型１０１及び下金型２０２の主要部を図示し、下金型２０２の駆動機構等の図示は省略している。
【０１３３】
本発明の第２の実施の形態の樹脂封止工程においても、本発明の第１の実施の形態の樹脂封止工程と同様に、まず、下金型１０２及びキャビティ底面形成部材２５９が原点に位置に配設される（図１３（ａ）参照）。キャビティ底面形成部材２５９の上方にはキャビティが形成され、当該キャビティに後の工程で封止用樹脂１１４が収容される。
【０１３４】
まず、上金型１０１に、配線基板１０５、当該配線基板１０５上に搭載された半導体素子１０６、及び当該半導体素子１０６の外部接続端子と前記配線基板１０５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１０７等を含む被樹脂封止体を装着する（図１２のステップＳ２０１、図１３（ｂ）参照）。
【０１３５】
具体的には、上金型１０１に形成された真空吸着穴１０８を介して、図１１において図示を省略する真空源によって、かかる被樹脂封止体は、上金型１０１に吸着固定される。このとき、配線基板１０５は、上金型１０１に挿入されているヒータ１０９により所定の温度、例えば、約１５０乃至２００℃に加熱される。
【０１３６】
一方、下金型２０２には、リリーフィルム１１３を設ける（図１２のステップＳ２０２、図１３（ｂ）参照）。なお、リリースフィルム１１３として、例えば、ポリウレタン系等から成り、約２０乃至１００μｍの厚さを有するフィルムを用いてもよい。
【０１３７】
具体的には、下金型２０２の底面に設けられた真空穴１２４を介して、図１１において図示しない真空源によって、リリースフィルム１１３を下金型２０２に吸着固定する。この時点では、下金型２０２及パルスヒータブロック２６３は最下点（原点）に位置している。
【０１３８】
次いで、キャビティ底面形成部材２５９上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに封止用樹脂１１４を収容する（図１２のステップＳ２０３、図１４（ｃ）参照）。
【０１３９】
具体的には、図示を省略する樹脂計量装置にて計量された粉末又は顆粒状の封止用樹脂１１４をキャビティに収容する。なお、当該封止用樹脂１１４を、樹脂封止装置２００内で自動計量して、キャビティに収容することとしてもよい。
【０１４０】
封止用樹脂１１４をキャビティに収容する際には、未だパルスヒータ２６３の電源は未だ入っておらず、動作していない。従って、この時点では、キャビティ底面形成部材１１９上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに収容された封止用樹脂１１４は常温であり、封止用樹脂１１４の溶融は未だ開始しない。
【０１４１】
よって、封止用樹脂１１４をキャビティへの収容を短時間ではなく、所定の時間をかけることができ、キャビティに封止用樹脂１１４が不均一に収容されたり、キャビティの外部への漏れ等の不良の発生を防止すべく、封止用樹脂１１４をキャビティ内に均一に収容することができる。仮に、キャビティに封止用樹脂１１４が不均一に収容されたとしても、封止用樹脂１１４の溶融は未だ開始されていないため、スキージ等で容易に均すことが可能である。
【０１４２】
また、本発明の第１の実施の形態と同様に、本実施の形態においても、例えば、図１０に示す態様を適用することができ、キャビティに均一に収容した封止用樹脂１１４に逃げ型１４０を押付けて樹脂逃げを形成し、当該樹脂逃げに、半導体素子１０６とボンディングワイヤ１０７が入り込むため、溶融した封止用樹脂１１４によるフローに因り、ボンディングワイヤ１０７が変形してしまうことを防止することができる。
【０１４３】
次に、下金型２０２のパッキン１１７と、上金型１０１のパッキン１１２とが接触する高さまで、即ち、上金型１０１と下金型２０２とが接触して真空引きができる高さまで、下金型用モータ１１５（図１１参照）を駆動して、ベルト１１６及びボールネジ１０４を介して下金型２０２を上昇させる（図１２のステップＳ２０４、図１４（ｄ）参照）。
【０１４４】
この時点では、キャビティ底面形成部材２５９上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに収容された封止用樹脂１１４は常温であり、封止用樹脂１１４の溶融は未だ開始していない。従って、下金型２０２の上昇を、図１に示す例のように高速で行う必要はない。よって、本発明の第１の実施の形態と同様に、本実施の形態においても、下金型用モータ１１５（図１１参照）として、大トルクの高出力モータを使用する必要はなく、低出力のモータであっても、重量のある下金型２０２を容易に上昇させることができる。
【０１４５】
下金型２０２のパッキン１１７と、上金型１０１のパッキン１１２とが接触すると、型内は密閉されるが、更に、上述の図示を省略する真空源により、型内真空穴１１１を介して、型内を所定の圧力まで真空引きをし、絶対圧で１乃至１０ＫＰａ程度まで圧力を低下させる（図１２のステップＳ２０５）。
【０１４６】
上述のように、この時点では、キャビティ底面形成部材２５９上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに収容された封止用樹脂１１４は常温であり、封止用樹脂１１４の溶融は未だ開始していないため、本発明の第１の実施の形態と同様に、本実施の形態においても、真空引き工程を短時間で行う必要はなく、所望の圧力に達することができる限り、小型の真空ポンプにより、真空引きを行うことができる。
【０１４７】
このように、本実施の形態においても、本発明の第１の実施の形態と同様に、図１に示す樹脂封止装置１０では短時間で行う必要があるキャビティに封止用樹脂１１４を収容する工程、下金型２０２を上昇させる工程、及び下金型２０２と上金型１０１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程を、封止用樹脂１１４の溶融が開始される前に完了している。
【０１４８】
次に、パルスヒータ２６３の電源を入れて動作させて、キャビティ底面形成部材１１９への加熱を開始し、温度を上昇させる（図１２のステップＳ２０６、図１５（ｅ）参照）。パルスヒータ２６３の電源を入れると、キャビティ底面形成部材１１９の温度は短時間で上昇し、キャビティ底面形成部材２５９の表面の温度が、例えば、約１５０乃至２００℃にまで上昇する。キャビティ底面形成部材２５９上に位置するリリースフィルム２６３の上方に形成されたキャビティに収容された封止用樹脂１１４の溶融が開始される。
【０１４９】
キャビティ底面形成部材２５９は、図１に示すキャビティ底面形成部材１９よりも薄肉構造となっており、熱容量が小さいため、短時間でキャビティ底面形成部材２５９の加熱を行うことができる。
【０１５０】
次に、下金型用モータ１１５を駆動して、下金型２０２を更に上昇させる（図１２のステップＳ２０７、図１５（ｆ）参照）。
【０１５１】
具体的には、下金型２０２のクランパ１１８が配線基板１０５に接触してから更に、下金型２０２を約０．２乃至１ｍｍ上昇させる。
【０１５２】
クランパ１１８の下部には圧縮バネ１２０が配設されており、下金型１０２が上昇すると、上金型１０１に装着された配線基板１０５を圧縮バネ１２０のバネ圧（反力）でクランプする。これにより、その後の工程（型締工程）において、封止用樹脂１１４がキャビティから漏れ出ることを防止することができる。
【０１５３】
なお、この時点で、上金型１０１に装着された配線基板１０５上に搭載された半導体素子１０６及び当該半導体素子１０６の外部接続端子と前記配線基板１０５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１０７等に封止用樹脂１１４が接触するが、溶融が始まり封止用樹脂１１４の粘度が低くなっているため、ボンディングワイヤ１０７が変形することはない。
【０１５４】
次に、下金型２０２をロックし下金型２０２の配設位置を維持したままの状態で、キャビティ底面形成部材モータ１２１（図１１参照）を回動し、最下点（原点）にあるキャビティ底面形成部材２５９を、ボールネジ１２２を介して上昇させ、溶融された封止樹脂１１４に半導体素子１０６と半導体素子１０６と配線基板１０５とを接続するボンディングワイヤ１０７とを浸漬する（図１１のステップＳ２０８、図１６（ｇ）参照）。
【０１５５】
キャビティ底面形成部材２５９の位置の上昇の停止にあっては、本発明の第１の実施の形態と同様に、位置制御又は圧力制御のいずれの制御方法を採用することができる。
【０１５６】
キャビティ底面形成部材２５９が所定の高さまで上昇すると、当該上昇は停止され、溶融された封止用樹脂１１４が固化されるまでこの状態が保持される（図１１のステップＳ２０９）。当該保持時間は、封止用樹脂１１４の樹脂の特性に因るが、例えば、約６０乃至１８０秒程度としてもよく、封止用樹脂１１４の固化が終了すると、成形は完了する。
【０１５７】
成形が完了すると、パルスヒータ２６３の電源を切ってキャビティ底面形成部材２５９への加熱を停止する（図１１のステップＳ２１０）。
【０１５８】
同時に、型内の真空を開放して（図１２のステップＳ２１１）、キャビティ底面形成部材モータ１２１（図１１参照）を回動し、キャビティ底面形成部材２５９を最下点（原点）まで下降する（図１２のステップＳ２１２）。
【０１５９】
しかる後、下金型２０２全体を最下点（原点）位置まで下降させる（図１２のステップＳ２１３）。
【０１６０】
上金型１０１には、成形が完了した配線基板１０５、当該配線基板１０５上に搭載された半導体素子１０６、及び当該半導体素子１０６の外部接続端子と前記配線基板１０５上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１０７等を含む被樹脂封止体が残っており、かかる被樹脂封止体を上金型１０１に吸着固定するために形成した真空状態を解き、前記配線基板１０５を上金型１０１から取り出すことにより、一連の樹脂封止工程が終了し、図１６（ｈ）に示す状態となる。
【０１６１】
しかる後、本発明の第１の実施の形態と同様に、キャビティ底面形成部材２５９に、クリーンエアーをブローする等の空冷方式によってキャビティ底面形成部材２５９を冷却し（図１２のステップＳ２１４）、次の樹脂封止工程に備える。
【０１６２】
このように、本発明の第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様に、図１に示す樹脂封止装置１０では短時間で行う必要があるキャビティに封止用樹脂１１４を収容する工程、下金型２０２を上昇させる工程、及び下金型２０２と上金型１０１とが接触した後に型内を所定の圧力まで真空引きする工程を、封止用樹脂１１４の溶融が開始される前に完了させ、次いで、パルスヒータ２６３の電源を入れてキャビティ底面形成部材２５９を加熱して封止用樹脂１１４を溶融して型締成形をしている。
【０１６３】
更に、パルスヒータ２６３の電源の接続又は非接続により、パルスヒータ２６３のキャビティ底面形成部材２５９への熱の伝導を許容又は遮断する構造を簡易に形成することができる。
【０１６４】
また、本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止装置２００では、キャビティ底面形成部材２５９の熱源であるパルスヒータ２６３がキャビティ底面形成部材２５９の内部に設けられているため、本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置１００のように、キャビティ底面形成部材１１９の熱源であるヒータブロック１３０を上下動させる機構を設ける必要はなく、樹脂封止装置２００をシンプルな構成にすることが出来る。
【０１６５】
次に、図１７を参照して、本発明の第１又は第２の実施の形態に係る樹脂封止方法における、時間の変化と、下金型１０２（２０２）が位置する高さ及び封止用樹脂１１４がリリースフィルム１１３を介して設けられるキャビティ底面形成部材１１９（２５９）の温度と、の関係を説明する。図１７に示すグラフにおいて、横軸は時間を、左縦軸は下金型１０２（２０２）が位置する高さを、右縦軸はキャビティ底面形成部材１１９（２５９）の温度示し、実線部は時間の変化と下金型１０２（２０２）が位置する高さとの関係を、点線部は時間の変化と封止用樹脂１１４がリリースフィルム１１３を介して設けられるキャビティ底面形成部材１１９（２５９）の温度との関係を示す。
【０１６６】
下金型１０２（２０２）が最下点（原点）に位置している状態で、下金型１０２（２０２）のキャビティ底面形成部材１１９（２５９）上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに、封止用樹脂１１４を収容する。
【０１６７】
本発明の第１の実施の形態においては、この時点で未だヒータブロック１３０は最下点（原点）に位置し、ヒータブロック１３０はキャビティ底面形成部材１１９に接触していない。また、本発明の第２の実施の形態においては、この時点で未だパルスヒータ２６３の電源は入っておらず、動作していない。
【０１６８】
従って、この時点では、キャビティ底面形成部材１１９（２５９）上に位置するリリースフィルム１１３の上方に形成されたキャビティに収容された封止用樹脂１１４は常温であり、封止用樹脂１１４の溶融は開始していない。
【０１６９】
よって、封止用樹脂１１４をキャビティへの収容を短時間ではなく、所定の時間をかけることができ、キャビティに封止用樹脂１１４が不均一に収容されたり、キャビティの外部への漏れ等の不良の発生を防止すべく、封止用樹脂１１４をキャビティ内に均一に収容することができる。仮に、キャビティに封止用樹脂１１４が不均一に収容されたとしても、封止用樹脂１１４の溶融は未だ開始されていないため、スキージ等で容易に均すことが可能である。
【０１７０】
キャビティに封止用樹脂１１４が収容された後、下金型１０２（２０２）のパッキン１１７と、上金型１０１のパッキン１１２とが接触する高さまで、即ち、上金型１０１と下金型１０２（２０２）とが接触して真空引きができる高さまで、下金型１０２（２０２）を上昇させる。このとき、下金型１０２（２０２）の上昇ストロークは、約２００ｍｍであるが、キャビティに収容された封止用樹脂１１４は常温であり、封止用樹脂１１４の溶融は未だ開始しないため、当該上昇を高速で行う必要はない。型内の真空引きは短時間で行われるが、真空圧が所定の圧力に達するまで、下金型１０２（２０２）はその高さ位置を維持する。
【０１７１】
真空引きが完了すると、本発明の第１の実施の形態においては、常時所定の温度に加熱されているヒータブロック１３０を上昇させて、キャビティ底面形成部材１１９に接触させ、キャビティ底面形成部材１１９への加熱を開始し、封止用樹脂１１４の溶融を開始させる。また、本発明の第２の実施の形態においては、パルスヒータ２６３の電源を入れて動作させて、キャビティ底面形成部材１１９への加熱を開始し、温度を上昇させ、キャビティに収容された封止用樹脂１１４の溶融を開始させる。
【０１７２】
次に、下金型１０２（２０２）を配線基板１０５のクランプ高さまで上昇させる。ボンディングワイヤ１０７等に封止用樹脂１１４が接触する際に、封止用樹脂１１４の粘度が低くなるように、下金型１０２（２０２）の上昇のタイミングを合わせれば良い。
【０１７３】
次に、下金型１０２（２０２）をロックし下金型１０２（２０２）の配設位置を維持したままの状態で、キャビティ底面形成部材１１９（２５９）を上昇させて型締めを行い、成形を進行させる。
【０１７４】
溶融された封止用樹脂１１４が固化されるまで所定時間この状態が保持され、封止用樹脂１１４の固化が終了すると、成形は完了する。
【０１７５】
次いで、本発明の第１の実施の形態では、ヒータブロック１３０を下降させて、キャビティ底面形成部材１１９への熱伝導を遮断してキャビティ底面形成部材１１９への加熱を停止する。同時に、型内の真空を開放して、キャビティ底面形成部材１１９を最下点（原点）まで下降し、しかる後、下金型１０２全体を最下点（原点）位置まで下降させる。
【０１７６】
また、本発明の第２の実施の形態では、成形が完了すると、パルスヒータ２６３の電源を切ってキャビティ底面形成部材２５９への加熱を停止する。同時に、型内の真空を開放して、キャビティ底面形成部材２５９を最下点（原点）まで下降し、しかる後、下金型２０２全体を最下点（原点）位置まで下降させる。
【０１７７】
図３に示すように、図１に示す態様では、封止用樹脂１４が短時間で溶融し固化することに鑑み、封止用樹脂１４を短時間でキャビティに収容し、更に、下金型２を上昇させる工程及び下金型２と上金型１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程を短時間で行う必要があり、そのため、特別な機能を必要とし、樹脂封止装置の大規模化や複雑化を招いていた。
【０１７８】
一方、本発明の実施の形態によれば、図１に示す樹脂封止装置１０では短時間で行う必要があるキャビティに封止用樹脂１１４を収容する工程、下金型２０２を上昇させる工程、及び下金型２０２と上金型１０１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程を、封止用樹脂１１４の溶融が開始される前に完了させ、次いで、本発明の第１の実施の形態では、ヒータブロック１３０をキャビティ底面形成部材１１９に接触させてキャビティ底面形成部材１１９を加熱して、また、本発明の第２の実施の形態では、パルスヒータ２６３の電源を入れてキャビティ底面形成部材２５９を加熱して、封止用樹脂１１４を溶融して型締成形をしている。
【０１７９】
即ち、本発明の実施の形態では、封止用樹脂１１４への加熱から型締成形までの時間によって、キャビティに封止用樹脂１１４を収容する工程、下金型２０２を上昇させる工程、及び下金型２０２と上金型１０１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程の各工程時間が制限されることはない。
【０１８０】
例えば、溶融開始から固化するまでの時間が約１０乃至１５秒である樹脂、即ち、当該樹脂への加熱から型締成形までを約１０乃至１５秒で完了させなければならない樹脂を封止用樹脂として使用する場合、図１に示す樹脂封止装置１０では、キャビティに封止用樹脂を収容する工程、下金型２を上昇させる工程、及び下金型２と上金型１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程の全ての工程を約１０乃至１５秒の間に完了させる必要がある。
【０１８１】
これに対し、本発明の実施の形態では、このような時間の制限なく、キャビティに封止用樹脂を収容する工程、下金型１０２（２０２）を上昇させる工程、及び下金型１０２（２０２）と上金型１０１とが接触した後に型内を所定の圧力まで真空引きする工程の全ての工程を行うことができる。
【０１８２】
また、本発明の実施の形態では、これら３つの工程に左右されずに成形タイミングを設定することができるため、使用することができる封止用樹脂の種類は従来に比し多く、対象品種に最適なコンプレッションモールドを行うことができる。
【０１８３】
更に、本発明の実施の形態によれば、工程の順序を変更することにより、従来、短時間で行わなければならなかったキャビティへの封止用樹脂１１４の収容を丁寧に行うことができるため、当該樹脂の収容を短時間で行うための特別な機構は必要としない。また、仮にキャビティへの封止用樹脂１１４の所望の収容が達成できない場合であっても、当該樹脂は常温であるため、再度収容を試みることが出来る。更に、当該収容の状態の良否検査も行うことが出来るため、当該収容が原因となって不良の被樹脂封止体の形成を回避することができ歩留まりを向上させることができると共に、不良の被樹脂封止体の発生に因り金型を補修しなければならない状態を回避することができる。
【０１８４】
なお、本発明の実施の形態によれば、従来方式に比し、１サイクル処理時間が長くなるおそれがある。しかしながら、これは封止用樹脂をキャビティに収容してから型締めを行うまでの時間が長くなるだけであって、その後の保持時間は従来と変わらない。例えば、封止用樹脂をキャビティに収容してから型締めを行う時間が従来約１５秒であったところ、これが本発明の実施の形態では約３０秒になったとしても、その後の保持時間は従来と本発明の実施の形態とでは変わらない。
【０１８５】
例えば、当該保持時間を約１２０秒とすると、合計で、従来は約１３５（＝１５＋１２０）秒であったところ、これが本発明の実施の形態では約１５０（＝３０＋１２０）秒になっただけであり、約１１％長くなったにすぎない。また、本発明の実施の形態の１サイクル処理時間が従来方式に比し長くなるとは言え、トランスファーモールド方式と比較すると、本発明の実施の形態では約半分の時間で成形することが出来る。
【０１８６】
また、本発明の実施の形態によれば、下金型１０２（２０２）を上昇させる工程において、当該上昇を高速で行う必要はないため、当該上昇のために、高出力のモータを用いた大規模な駆動機構を用いる必要はなく、シンプルな構造の樹脂封止装置１００（２００）で処理することができる。
【０１８７】
よって、樹脂封止装置を小型化することができ、更に、装置の価格を下げることができる。また、樹脂封止装置を小型化により、当該樹脂封止装置を導入する際にその占有スペースを小さくすることができるため、たとえ処理時間が長くなったとしても、コストの総計を低くすることができる。
【０１８８】
更に、下金型１０２（２０２）を上昇させる工程において、当該上昇を高速で行う必要はないため、高速動作のために発生する振動や、停止位置の精度が落ちる等の問題が発生することを回避することができ、定期的なメンテナンスの負担を軽減することができる。また、下金型１０２（２０２）を上昇動作の起動及び停止の際に、無理な力が働かないため、樹脂封止装置１００（２００）の駆動部の寿命を伸ばすことができる。
【０１８９】
また、本発明の実施の形態によれば、下金型１０２（２０２）と上金型１０１とが接触した後に、型内を所定の圧力まで真空引きする工程を短時間で行う必要はないため、安価な真空源でも当該工程に対応することができる。よって、大規模で高価な真空ユニットを設ける必要はなく、当該工程における消費電力や消費空圧を低く抑えることができる。
【０１９０】
[半導体装置の製造]
次に、本発明の実施の形態に係る樹脂封止方法を用いた半導体装置の製造方法の例について、図１８を参照して説明する。
【０１９１】
此処に示す製造工程にあっては、大形の配線基板を適用し、当該配線基板に複数個の半導体装置を搭載し、樹脂封止後、個々の半導体装置に分離する工程を示している。
【０１９２】
図１８にあっては、大形の配線基板に３個の半導体装置を形成する状態を例示している。
【０１９３】
まず、図１８（ａ）に示すように、背面（電子回路素子・電子回路などの非形成面）にダイボンディングフィルム３０１が貼り付けられた半導体素子１０６を、当該ダイボンディングフィルム３０１を介して配線基板１０５上に搭載・固着する。
【０１９４】
次に、図１８（ｂ）に示すように、前記半導体素子１０６の外部接続端子と配線基板１０５上の電極端子（図示せず）とを、ボンディングワイヤ１０７を用いて接続する。
【０１９５】
次いで、図１８（ｃ）に示すように、本発明による樹脂封止方法を適用して、配線基板１０５上に搭載・固着された半導体素子１０６、ボンディングワイヤ１０７を封止用樹脂１１４により一括して樹脂封止する。
【０１９６】
次いで、図１８（ｄ）に示すように、配線基板１０５の他方の主面に、半田ボールからなる外部接続端子３０２を複数個配設する。
【０１９７】
しかる後、図１８（ｅ）に示すように、配線基板１０５、当該配線基板１０５２の一方の主面にあって封止用樹脂１１４により樹脂封止された半導体素子１０６並びに当該半導体素子１０６から導出されたボンディングワイヤ１０７を１つの単位として、ダイシングソーを用いたダイシング等により個片化し、個々の半導体装置３１０を形成する。
【０１９８】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０１９９】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
電子部品が搭載された基板を上金型に装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂を溶融し、前記上金型に保持された前記電子部品を溶融された前記樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、
前記樹脂を加熱により溶融させる工程の前に、
前記樹脂を前記下金型の前記キャビティに収容する工程と、前記下金型を前記上金型に接触させるために前記下金型を上昇させる工程と、前記下金型と前記上金型とが接触した後に型内を所定の圧力まで真空引きする工程と、を完了させることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記２）
付記１記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
溶融された前記樹脂が固化して成形が完了すると、前記下金型を冷却することを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記３）
付記１又は２記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
前記樹脂を前記下金型の前記キャビティに収容する工程において、前記キャビティに収容された前記樹脂に、型を押付けて、前記電子部品及び前記電子部品と前記基板とを接続する配線の体積に対応する体積を有する樹脂逃げとなる凹部を形成し、
前記電子部品と前記配線を前記樹脂の凹部内に位置させて樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法。
（付記４）
付記１乃至３いずれか一項記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
前記下金型を前記上金型に接触させるために前記下金型を上昇させる工程において、
前記下金型を上昇させるタイミングは、前記樹脂の粘度に応じて設定されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記５）
付記４記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
前記下金型を前記上金型に接触させるために前記下金型を上昇させる工程において、
前記下金型を上昇させる前記タイミングは、前記電子部品と前記基板とを接続する配線に前記樹脂が接触する際に、前記樹脂の粘度が低く前記配線が変形することがないように設定されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記６）
付記１乃至５いずれか一項記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
前記下金型の下方に設けられ、所定の温度を有する熱源体を前記下金型に接触させることにより、前記下金型のキャビティ部は加熱され、前記キャビティ部に収容された前記樹脂は溶融することを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記７）
付記６記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
溶融された前記樹脂が固化して成形が完了すると、前記熱源体と前記下金型との接触が解かれ、前記熱源体から前記下金型の前記キャビティ部への熱の伝導が遮断されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記８）
付記１乃至５いずれか一項記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
前記下金型に設けられたパルスヒータの電源を入れることにより、前記下金型のキャビティ部は加熱され、前記キャビティ部に収容された前記樹脂は溶融することを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記９）
付記８記載の電子部品の樹脂封止方法であって、
溶融された前記樹脂が固化して成形が完了すると、前記パルスヒータの電源を切り、前記パルスヒータから前記下金型の前記キャビティ部への熱の伝導が遮断されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記１０）
電子部品が搭載された基板を上金型に装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂を溶融して、前記上金型に保持された前記電子部品を溶融された前記樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止装置であって、
前記下金型の下方に、前記下金型と独立して昇降することができる熱源体を設けたことを特徴とする樹脂封止装置。
（付記１１）
付記１０記載の樹脂封止装置であって、
前記熱源体が前記下金型の下方に接触することにより、前記下金型のキャビティ部は加熱され、前記キャビティ部に収容された前記樹脂を溶融は溶融され、
前記熱源体と前記下金型との接触が解かれることにより、前記熱源体から前記下金型のキャビティ部への熱の伝導は遮断されることを特徴とする樹脂封止装置。
（付記１２）
付記１０又は１１記載の樹脂封止装置であって、
前記熱源体の昇降動作は、前記下金型の駆動機構とは別の機構により行われることを特徴とする樹脂封止装置。
（付記１３）
電子部品が搭載された基板を上金型に装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂を溶融して、前記上金型に保持された電子部品を溶融された前記樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止装置であって、
前記下金型に、前記下金型のキャビティ部を加熱するパルスヒータを設けたことを特徴とする樹脂封止装置。
（付記１４）
付記１３記載の樹脂封止装置であって、
前記パルスヒータの電源が入ることにより、前記下金型のキャビティ部は加熱され、前記キャビティ部に収容された前記樹脂を溶融は溶融され、
前記パルスヒータの電源が切られることにより、前記パルスヒータから前記下金型のキャビティ部への熱の伝導は遮断されることを特徴とする樹脂封止装置。
【図面の簡単な説明】
【０２００】
【図１】従来のコンプレッションモールド法に用いられる樹脂封止装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示す樹脂封止装置を用いた樹脂封止の工程を示すフローチャートである。
【図３】図２に示す樹脂封止工程における、時間の変化と下金型が位置する高さ及びキャビティ底面形成部材の温度との関係を表したグラフである。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止装置の概略構成を示す図である。
【図５】図４に示す樹脂封止装置を用いた樹脂封止の工程を示すフローチャートである。
【図６】図５に示す樹脂封止の工程において、図４に示す樹脂封止装置の動作を説明するための図（その１）である。
【図７】図５に示す樹脂封止の工程において、図４に示す樹脂封止装置の動作を説明するための図（その２）である。
【図８】図５に示す樹脂封止の工程において、図４に示す樹脂封止装置の動作を説明するための図（その３）である。
【図９】図５に示す樹脂封止の工程において、図４に示す樹脂封止装置の動作を説明するための図（その４）である。
【図１０】キャビティへの封止用樹脂の収容の仕方を説明するための図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止装置の概略構成を示す図である。
【図１２】図１１に示す樹脂封止装置を用いた樹脂封止の工程を示すフローチャートである。
【図１３】図１２に示す樹脂封止の工程において、図１１に示す樹脂封止装置の動作を説明するための図（その１）である。
【図１４】図１２に示す樹脂封止の工程において、図１１に示す樹脂封止装置の動作を説明するための図（その２）である。
【図１５】図１２に示す樹脂封止の工程において、図１１に示す樹脂封止装置の動作を説明するための図（その３）である。
【図１６】図１２に示す樹脂封止の工程において、図１１に示す樹脂封止装置の動作を説明するための図（その４）である。
【図１７】本発明の第１又は第２の実施の形態に係る樹脂封止方法における、時間の変化と下金型が位置する高さ及びキャビティ底面形成部材の温度との関係を表したグラフである。
【図１８】本発明の実施の形態に係る樹脂封止方法を用いた半導体装置の製造方法の例を示す図である。
【符号の説明】
【０２０１】
１０１              上金型
１０２、２０２      下金型
１０５              配線基板
１０６              半導体素子
１０７              ボンディングワイヤ
１１４              封止用樹脂
１１９、２５９      キャビティ底面形成部材
１２５              エアーシリンダ
１３０              ヒータブロック
１４０              逃げ型
２６３              パルスヒータ
【図１】
2008235366.tif 000003
【図２】
2008235366.tif 000004
【図３】
2008235366.tif 000005
【図４】
2008235366.tif 000006
【図５】
2008235366.tif 000007
【図６】
2008235366.tif 000008
【図７】
2008235366.tif 000009
【図８】
2008235366.tif 000010
【図９】
2008235366.tif 000011
【図１０】
2008235366.tif 000012
【図１１】
2008235366.tif 000013
【図１２】
2008235366.tif 000014
【図１３】
2008235366.tif 000015
【図１４】
2008235366.tif 000016
【図１５】
2008235366.tif 000017
【図１６】
2008235366.tif 000018
【図１７】
2008235366.tif 000019
【図１８】
2008235366.tif 000020