(57)【要約】【課題】反射領域と透過領域を備えた液晶表示装置において、セルギャップの差に起因した両領域の階調差を同一基板上で補正することを課題とする。【解決手段】透過領域Ａｔの蓄積容量Ｃｓｔの容量を反射領域Ａｒの蓄積容量Ｃｓｒの容量よりも小さくすることで（Ｃｓｒ＞Ｃｓｔ）、容量結合駆動によりスイッチング素子Ｔｒをオンさせている期間に信号線ＳＬを通じて画素電極に信号電圧を書き込んだ後、スイッチング素子Ｔｒをオフさせている期間では蓄積容量線ＣｓｒＬ，ＣｓｔＬに補償電圧を印加した際に、透過領域Ａｔと反射領域Ａｒにおいて異なるセルギャップに起因した画素電極電位Ｖｐｉｘの変動量ΔＶｔ、ΔＶｒを等しくすることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差して配線された複数の信号線及び複数の走査線と、
前記複数の信号線及び複数の走査線の各交差部に配置されたスイッチング素子と、
前記走査線毎に配線された複数の蓄積容量線と、
前記スイッチング素子に反射表示可能な画素電極が接続された第１領域と、
前記スイッチング素子に透過表示可能な画素電極が接続された第２領域と、
前記第１領域において一端が前記スイッチング素子に接続され、他端が前記蓄積容量線に接続された第１蓄積容量と、
前記第２領域において一端が前記スイッチング素子に接続され、他端が前記蓄積容量線に接続され、前記第１蓄積容量よりも容量が小さい第２蓄積容量と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
互いに交差して配線された複数の信号線及び複数の走査線と、
前記複数の信号線及び複数の走査線の各交差部に配置されたスイッチング素子と、
前記走査線毎に配線された複数の蓄積容量線と、
前記スイッチング素子に反射表示可能な画素電極が接続された第１領域と、
前記スイッチング素子に透過表示可能な画素電極が接続された第２領域と、
一端が前記スイッチング素子に接続され、他端が前記蓄積容量線に接続された蓄積容量と、
前記第１領域における前記蓄積容量線に補償電圧を印加して容量結合駆動を行う第１駆動回路と、
前記第２領域における前記蓄積容量線に前記第１駆動回路が印加する前記補償電圧の変動量よりも小さな変動量の補償電圧を印加して容量結合駆動を行う第２駆動回路と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１領域において前記反射表示可能であると共に透過表示も可能である半透過型の画素電極であることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２領域において前記透過表示可能であると共に反射表示も可能である半透過型の画素電極であることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子がオンしている期間では前記信号線に信号電圧を印加し、
その後、前記スイッチング素子がオフしている期間では前記蓄積容量線の電位を変動させる容量結合駆動を行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に反射表示を行うための反射領域と透過表示を行うための透過領域を備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
反射表示を行うための反射領域と透過表示を行うための透過領域の双方を備えた液晶表示装置は、明るい場所でも暗い場所でも良好な視認性を確保できることから携帯電話などの情報端末に広く利用されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。この液晶表示装置では液晶層を通過する光の距離を等しくするために、反射領域のセルギャップ（液晶層の厚さ）を透過領域のセルギャップよりも小さくした、いわゆるマルチギャップ方式が一般的である（特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００２−３０３８６３号公報
【特許文献２】特開２００３−２１６１１６号公報
【特許文献３】特開２００５−１８９５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の液晶表示装置は反射領域と透過領域とでセルギャップが異なるため印加電圧−透過率特性が異なる。その結果、同一電圧を印加した場合でも階調が同じにならないという問題がある。この反射表示と透過表示の階調差を補正するためにはＤＡＣ回路の出力の階調設定を変更すれば良い。しかし単一のＩＣ等を用いた場合は階調設定変更用の抵抗を複数実装するための基板が新たに必要となってしまうという問題がある。
【０００４】
特許文献３においては、階調差を補正するために、透過領域の蓄積容量の容量を反射領域の蓄積容量の容量より大きくしている。しかし、画素電位の変動量を求める式において、透過領域と反射領域それぞれにおける液晶容量を等しいものとして扱っているため、上記の構成では、印加電圧−透過率特性を同じにすることはできない。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、反射領域と透過領域を備えた液晶表示装置において、セルギャップの差に起因した両領域の階調差を同一基板上で補正することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の本発明に係る液晶表示装置は、互いに交差して配線された複数の信号線及び複数の走査線と、複数の信号線及び複数の走査線の各交差部に配置されたスイッチング素子と、走査線毎に配線された複数の蓄積容量線と、スイッチング素子に反射表示可能な画素電極が接続された第１領域と、スイッチング素子に透過表示可能な画素電極が接続された第２領域と、第１領域において一端がスイッチング素子に接続され、他端が蓄積容量線に接続された第１蓄積容量と、第２領域において一端がスイッチング素子に接続され、他端が蓄積容量線に接続され、第１蓄積容量よりも容量が小さい第２蓄積容量と、を有することを特徴とする。
【０００７】
本発明にあっては、透過表示可能な第２領域の第２蓄積容量の容量を反射表示可能な第１領域の第１蓄積容量の容量よりも小さくすることで、容量結合駆動によりスイッチング素子がオンしている期間に信号線を通じて画素電極に信号電圧を書き込んだ後、スイッチング素子がオフしている期間では蓄積容量線に補償電圧を印加した際に第１領域と第２領域において異なるセルギャップに起因した画素電極電位の変動量のばらつきを抑制することができる。
【０００８】
第２の本発明に係る液晶表示装置は、互いに交差して配線された複数の信号線及び複数の走査線と、複数の信号線及び複数の走査線の各交差部に配置されたスイッチング素子と、走査線毎に配線された複数の蓄積容量線と、スイッチング素子に反射表示可能な画素電極が接続された第１領域と、スイッチング素子に透過表示可能な画素電極が接続された第２領域と、一端がスイッチング素子に接続され、他端が蓄積容量線に接続された蓄積容量と、第１領域における蓄積容量線に補償電圧を印加して容量結合駆動を行う第１駆動回路と、第２領域における蓄積容量線に第１駆動回路が印加する補償電圧の変動量よりも小さな変動量の補償電圧を印加して容量結合駆動を行う第２駆動回路と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明にあっては、反射表示可能な第１領域の蓄積容量に印加する補償電圧の変動量よりも、透過表示可能な第２領域の蓄積容量に印加する補償電圧の変動量を小さくすることにより、第１領域と第２領域において異なるセルギャップに起因した画素電極電位の変動量のばらつきを抑制することができる。
【００１０】
また、上記液晶表示装置における第１領域の画素電極は、反射表示だけでなく透過表示も可能な半透過型の画素電極であることを特徴とする。
【００１１】
また、上記液晶表示装置における第２領域の画素電極は、透過表示だけでなく反射表示も可能な半透過型の画素電極であることを特徴とする。
【００１２】
上記液晶表示装置では、上記スイッチング素子がオンしている期間では上記信号線に信号電圧を印加し、その後、上記スイッチング素子がオフしている期間では上記蓄積容量線の電位を変動させる容量結合駆動を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の液晶表示装置によれば、セルギャップの差に起因した両領域の階調差を同一基板上で補正することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
【００１５】
［第１の実施の形態］
図１のブロック図に示すように、本液晶表示装置は、アレイ基板上の表示領域Ａにおいて、複数の信号線ＳＬ及び複数の走査線ＧＬが互いに交差して配線されている。複数の信号線ＳＬ及び複数の走査線ＧＬの各交差部にはスイッチング素子Ｔｒが配置される。走査線ＧＬ毎に複数の蓄積容量線ＣＬが配線される。表示領域Ａは反射領域Ａｒ（第１領域）と透過領域Ａｔ（第２領域）を有する。
【００１６】
反射領域Ａｒでは、スイッチング素子Ｔｒに反射表示可能な図示しない画素電極と、蓄積容量Ｃｓｒを接続し、外光を利用して反射表示を行う。透過領域Ａｔでは、スイッチング素子Ｔｒに透過表示可能な図示しない画素電極と、蓄積容量Ｃｓｔを接続し、バックライトの光を利用して透過表示を行う。反射領域Ａｒの蓄積容量Ｃｓｒの容量は、透過領域Ａｔの蓄積容量Ｃｓｔの容量よりも大きい。ここでは液晶層を通過する光の距離を等しくするために、反射領域Ａｒのセルギャップを透過領域Ａｔのセルギャップよりも小さくしている（マルチギャップ方式）。
【００１７】
更に、本液晶表示装置は、信号線ＳＬに接続された信号線駆動回路１１と、走査線ＧＬに接続された走査線駆動回路１２と、蓄積容量線ＣＬに接続された蓄積容量線駆動回路１３と、上記各回路に接続されたコントローラ１５とをアレイ基板上に備える。信号線駆動回路１１は信号線ＳＬに信号電圧を印加する。走査線駆動回路１２は走査線ＧＬに制御信号を印加する。蓄積容量線駆動回路１３は蓄積容量線ＣＬに補償電圧を印加する。また高解像度な液晶表示装置を実現するために上記駆動回路にはｐ−ＳｉＴＦＴを使用することが望ましい。
【００１８】
本液晶表示装置を例えば携帯電話の表示装置に適用する場合には、電池残量や時計、電波状況などが表示される領域では反射表示、写真等を表示するためのメインの領域では透過表示する。これにより待ち受け時（バックライト消灯時）でも時計表示などが見やすくなるので、通常時（バックライト点灯時）の表示画質が向上する。
【００１９】
次に、画素の構成について図２を用いて説明する。図２の回路図は、反射領域Ａｒと透過領域Ａｔの境界付近に配置された画素の構成を示す。信号線ＳＬと走査線ＧＬはほぼ直交して配線され、蓄積容量線ＣＬは走査線ＧＬにほぼ平行して配線される。
【００２０】
反射領域Ａｒにおいて蓄積容量Ｃｓｒ（第１蓄積容量）は、一端がスイッチング素子Ｔｒに接続され他端が蓄積容量線ＣＬに接続される。スイッチング素子Ｔｒには、多結晶シリコンで形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を使用する。具体的には、ＴＦＴのゲート端子が走査線ＧＬに接続され、ドレイン端子が信号線ＳＬに接続され、ソース端子が蓄積容量Ｃｓｒ及び画素電極に並列に接続される。ここでは図示しないが画素電極に対向して液晶層を挟んで対向電極が対向基板上に配置され、画素毎に液晶容量Ｃｌｃｒが形成される。画素電極は導電性光反射膜を所定形状にパターニングすることによって形成される。
【００２１】
透過領域Ａｔにおいて蓄積容量Ｃｓｔ（第２蓄積容量）は、一端がスイッチング素子Ｔｒに接続され他端が蓄積容量線ＣＬに接続される。ここで蓄積容量Ｃｓｔの容量は蓄積容量Ｃｓｒの容量よりも小さい。具体的には、ここでもスイッチング素子Ｔｒとして使用されるＴＦＴのゲート端子が走査線ＧＬに接続され、ドレイン端子が信号線ＳＬに接続され、ソース端子が蓄積容量Ｃｓｔ及び画素電極に並列に接続される。画素電極には酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）などの光透過性導電部材が使用される。ここでも画素電極に対向して対向電極が配置され液晶容量Ｃｌｃｔが形成される。反射領域Ａｒにおけるセルギャップのほうが透過領域Ａｔにおけるセルギャップよりも小さいため、液晶容量Ｃｌｃｒは液晶容量Ｃｌｃｔよりも大きくなる。
【００２２】
図３は、信号線電位Ｖｓ、走査線電位Ｖｇ、対向電極電位Ｖｃｏｍ、蓄積容量電位Ｖｃｓの関係を示す電圧波形図である。ここでは信号線ＳＬには信号線駆動回路１１からハイレベル信号電圧ＶｓＨ，ローレベル信号電圧ＶｓＬが印加されるものとする。走査線ＧＬには走査線駆動回路１２からハイレベル制御信号ＶｇＨ，ローレベル制御信号ＶｇＬが印加される。対向電極には一定の電圧が印加される。蓄積容量線ＣＬには蓄積容量線駆動回路１３からハイレベル補償電圧ＶｃｓＨ，ローレベル補償電圧ＶｃｓＬが印加される。ΔＶｃｓは蓄積容量線の電位の変化を示している。
【００２３】
第ｎフレームでは、信号線電位ＶｓはＶｓＨ、蓄積容量電位ＶｃｓはＶｃｓＬ、走査線電位ＶｇはＶｇＬの状態である。第（ｎ＋１）フレームでは、走査線電位ＶｇがＶｇＬからＶｇＨに変化したときにスイッチング素子Ｔｒがオンする。スイッチング素子Ｔｒがオンしている期間では信号線ＳＬに信号電圧が印加されて画素電極に信号電圧を書き込まれる。その後走査線電位ＶｇがＶｇＨからＶｇＬへ変化したときにスイッチング素子Ｔｒがオフする。スイッチング素子Ｔｒがオフしている期間では蓄積容量線ＣＬに補償電圧が印加され、蓄積容量電位ＶｃｓはＶｃｓＬからＶｃｓＨへ変化する。その後、信号線電位ＶｓはＶｓＨからＶｓＬへ変化する。
【００２４】
第（ｎ＋２）フレームでは、走査線電位ＶｇがＶｇＬからＶｇＨに変化したときにスイッチング素子Ｔｒがオンする。スイッチング素子Ｔｒがオンしている期間では信号線ＳＬに信号電圧が印加されて画素電極に信号電圧を書き込まれる。その後走査線電位ＶｇがＶｇＨからＶｇＬへ変化したときにスイッチング素子Ｔｒがオフする。スイッチング素子Ｔｒがオフしている期間では蓄積容量線ＣＬに補償電圧が印加され、蓄積容量電位ＶｃｓはＶｃｓＨからＶｃｓＬへ変化する。その後、信号線電位ＶｓはＶｓＬからＶｓＨへ変化する。上記のような電位変化がフレーム毎に繰り返される。
【００２５】
このように本実施の形態では、容量結合駆動により、スイッチング素子Ｔｒがオンしている期間では信号線ＳＬに信号電圧を印加して画素電極に信号電圧を書き込み、その後、スイッチング素子Ｔｒがオフしている期間では蓄積容量線ＣＬに補償電圧を印加する。容量結合駆動では、蓄積容量Ｃｓｒ、Ｃｓｔに接続されている蓄積容量線ＣＬの電位を変動させることによって画素電極電位Ｖｐｉｘを変化させ、液晶印加電圧ΔＶｓｉｇを決定する。
【００２６】
次に、画素電極電位Ｖｐｉｘについて図４の電圧波形図を用いて説明する。第（ｎ＋１）フレームでは、走査線電位ＶｇがＶｇＬからＶｇＨへ変化すると画素電極電位ＶｐｉｘはＶｓＨまで上昇する。走査線電位ＶｇがＶｇＨからＶｇＬへ戻った後も画素電極電位ＶｐｉｘはほぼＶｓＨの値を維持する。そして、蓄積容量電位ＶｃｓがＶｃｓＬからＶｃｓＨへ変化すると、画素電極電位Ｖｐｉｘは（ＶｓＨ＋ΔＶ）となる。その後、信号線電位ＶｓがＶｓＨからＶｓＬへ変化しても、画素電極電位Ｖｐｉｘはほぼ（ＶｓＨ＋ΔＶ）の値を維持する。
【００２７】
第（ｎ＋２）フレームでは、走査線電位ＶｇがＶｇＬからＶｇＨへ変化すると画素電極電位ＶｐｉｘはＶｓＬまで下降する。走査線電位ＶｇがＶｇＨからＶｇＬへ戻った後も画素電極電位ＶｐｉｘはほぼＶｓＬの値を維持する。そして、蓄積容量電位ＶｃｓがＶｃｓＨからＶｃｓＬへ変化すると、画素電極電位Ｖｐｉｘは（ＶｓＬ−ΔＶ）となる。その後、信号線電位ＶｓがＶｓＬからＶｓＨへ変化しても、画素電極電位Ｖｐｉｘはほぼ（ＶｓＬ−ΔＶ）の値を維持する。
【００２８】
次に、画素電極電位Ｖｐｉｘの変化量ΔＶについて更に詳しく説明する。ここで蓄積容量の電位の変化ΔＶｃｓによる画素電極電位Ｖｐｉｘの変化量ΔＶは次式（１）で表すことができる。
【００２９】
ΔＶ＝ΔＶｃｓ×（Ｃｓ／（Ｃｓ＋Ｃｌｃ＋寄生容量））・・・（１）
Ｃｓ：蓄積容量、Ｃｌｃ：液晶容量
式（１）より、反射領域Ａｒにおける画素電極電位の変動量ΔＶｒは、蓄積容量電位の変動量をΔＶｃｓ、蓄積容量をＣｓｒ、液晶容量をＣｌｃｒとすると次式（２）で表すことができる。
【００３０】
ΔＶｒ＝ΔＶｃｓ×（Ｃｓｒ／（Ｃｓｒ＋Ｃｌｃｒ＋寄生容量））・・・（２）
式（１）より、同様にして、透過領域Ａｔにおける画素電極電位の変動量ΔＶｔは、蓄積容量電位の変動量をΔＶｃｓ、蓄積容量をＣｓｔ、液晶容量をＣｌｃｔとすると次式（３）となる。
【００３１】
ΔＶｔ＝ΔＶｃｓ×（Ｃｓｔ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃｔ＋寄生容量））・・・（３）
ここで本液晶表示装置は、光が液晶層を通過する距離を等しくするため、反射領域Ａｒのセルギャップを透過領域Ａｔよりも小さくしている。反射領域の液晶容量Ｃｌｃｒと透過領域の液晶容量Ｃｌｃｔとの間には次の関係式が成立する。
【００３２】
Ｃｌｃｒ＞Ｃｌｃｔ・・・（４）
本実施の形態では、液晶容量Ｃｌｃｒの容量は０．１４ｐＦ、液晶容量Ｃｌｃｔの容量は０．１０ｐＦであるので、反射領域の蓄積容量Ｃｓｒの容量を０．３３ｐＦとし、透過領域の蓄積容量Ｃｓｔの容量を０．２５ｐＦとして蓄積容量Ｃｓｔの容量のほうが蓄積容量Ｃｓｒの容量より小さくなるようにする。また、液晶印加電圧ΔＶｓｉｇが３．０Ｖになるように、蓄積容量電位の変動量ΔＶｃｓを４．２Ｖとする。
【００３３】
これにより式（２）、（３）から反射領域Ａｒにおける画素電極電位の変動量ΔＶｒと透過領域Ａｔにおける画素電極電位の変動量ΔＶｔとを近づけることができる。すなわち、反射領域の蓄積容量Ｃｓｒと透過領域の蓄積容量Ｃｓｔを調整することによって、反射領域Ａｒにおける画素電極電位の変動量ΔＶｒと透過領域Ａｔにおける画素電極電位の変動量ΔＶｔを等しくする（ΔＶｒ＝ΔＶｔ）。よって、
ΔＶｃｓ×（Ｃｓｒ／（Ｃｓｒ＋Ｃｌｃｒ＋寄生容量））
＝ΔＶｃｓ×（Ｃｓｔ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃｔ＋寄生容量））
したがって、反射領域Ａｒ及び透過領域Ａｔの蓄積容量Ｃｓｒ、ＣｓｔをＣｓｒ＞Ｃｓｔとなるように調整することによって透過領域Ａｔと反射領域Ａｒにおいて異なるセルギャップに起因した画素電極電位Ｖｐｉｘの変動量ΔＶｔ、ΔＶｒを等しくすることができるので、セルギャップの差に起因した両領域の階調差を同一基板上で補正することが可能となる。
【００３４】
上述のとおり、本実施の形態によれば、透過領域Ａｔの蓄積容量Ｃｓｔの容量を反射領域Ａｒの蓄積容量Ｃｓｒの容量よりも小さくすることで（Ｃｓｒ＞Ｃｓｔ）、容量結合駆動によりスイッチング素子Ｔｒがオンしている期間に信号線ＳＬを通じて画素電極に信号電圧を書き込んだ後、スイッチング素子Ｔｒがオフしている期間では蓄積容量線ＣＬに補償電圧を印加した際に、透過領域Ａｔと反射領域Ａｒにおいて異なるセルギャップに起因した画素電極電位Ｖｐｉｘの変動量ΔＶｔ、ΔＶｒを等しくすることができる。よって、セルギャップの差に起因した両領域の階調差を同一基板上で補正することが可能となる。
【００３５】
［比較例］
次に、本実施の形態の効果をより明確にするために、比較例の液晶表示装置について説明する。比較例の液晶表示装置は、式（２）、（３）において、反射領域と透過領域での蓄積容量が等しい（Ｃｓｒ＝Ｃｓｔ）とき、関係式（４）から（Ｃｌｃｒ＞Ｃｌｃｔ）次の関係式が成り立つ。
【００３６】
（Ｃｓｒ／（Ｃｓｒ＋Ｃｌｃｒ＋寄生容量））＜（Ｃｓｔ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃｔ＋寄生容量））
よって反射領域Ａｒにおける画素電極電位の変動量ΔＶｒと透過領域Ａｔにおける画素電極電位の変動量ΔＶｔとの間には次の関係式が成立する。
【００３７】
ΔＶｒ＜ΔＶｔ
図５は、比較例の液晶表示装置における電圧−透過率特性を示すグラフである。反射表示の電圧−透過率特性は透過表示の電圧−透過率特性よりも緩やかな方向にシフトしている。このことは透過領域Ａｔと反射領域Ａｒにおいて画素電極電位Ｖｐｉｘの変動量ΔＶｔ、ΔＶｒが異なった結果、両領域の表示に階調差が生じていることを示している。
【００３８】
図６は、本液晶表示装置における電圧−透過率特性を示すグラフである。反射表示の電圧−透過率特性と透過表示の電圧−透過率特性とはほぼ等しいものになっている。このことは透過領域Ａｔと反射領域Ａｒにおいて異なるセルギャップに起因した画素電極電位Ｖｐｉｘの変動量ΔＶｔ、ΔＶｒがほぼ等しくなり、両領域の階調差が同一基板上で補正されたことを示している。
【００３９】
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明する。図７は、本実施の形態における液晶表示装置の構成を示すブロック図である。図７に示す液晶表示装置は、図１に示した液晶表示装置に対して、反射領域Ａｒおよび透過領域Ａｔに配置した蓄積容量Ｃｓの容量が同じである点、および、図１の蓄積容量駆動回路１３を、反射領域Ａｒの蓄積容量線ＣｓｒＬを駆動する第１蓄積容量駆動回路１６と、透過領域Ａｔの蓄積容量線ＣｓｔＬを駆動する第２蓄積容量駆動回路１７とに分けた点で異なっている。
【００４０】
反射領域Ａｒと透過領域Ａｔとのセルギャップが異なるため、式（１）における液晶容量Ｃｌｃは、反射領域Ａｒと透過領域Ａｔとで異なるので、蓄積容量Ｃｓの容量が同じ場合、画素電極電位Ｖｐｉｘの変化量ΔＶが異なる。しかし、式（１）より、蓄積容量Ｃｓが同じであっても蓄積容量Ｃｓの電位の変化ΔＶｃｓを反射領域Ａｒと透過領域Ａｔとで異なるように駆動することで、反射領域Ａｒと透過領域Ａｔにおける画素電極電位Ｖｐｉｘの変化量ΔＶを互いに近づけることが可能である。
【００４１】
そこで、反射領域Ａｒの蓄積容量電位の変動量ΔＶｃｓｒよりも透過領域Ａｔの蓄積容量電位の変動量ΔＶｃｓｔが小さくなるように、第１蓄積容量駆動回路１６と第２蓄積容量駆動回路１７とにより蓄積容量線ＣｓｒＬ、ＣｓｔＬとを別々に駆動する。この場合でも上記電圧−透過率特性をほぼ同じにすることができる。
【００４２】
本実施の形態においては、蓄積容量Ｃｓを０．２５ｐＦとし、反射領域Ａｒの蓄積容量電位の変動量ΔＶｃｓｒが４．７Ｖ、透過領域Ａｔの蓄積容量電位の変動量ΔＶｃｓｔが４．２Ｖとなるように、蓄積容量線ＣｓｒＬ、ＣｓｔＬを駆動した。
【００４３】
したがって、本実施の形態によれば、反射領域Ａｒの蓄積容量線ＣｓｒＬに印加する補償電圧の変動量ΔＶｃｓｒよりも、透過領域Ａｔの蓄積容量線ＣｓｔＬに印加する補償電圧の変動量ΔＶｃｓｔを小さくすることにより、反射領域Ａｒと透過領域Ａｔで異なるセルギャップに起因した画素電極電位の変動量ΔＶのばらつきを抑制することができる。
【００４４】
［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る液晶表示装置の構成は、第１の実施の形態で説明したものと基本的な構成は同様である。第１の実施の形態と異なる点は、第１領域の画素電極が、反射表示だけでなく透過表示も可能な半透過型の画素電極である点である。
【００４５】
ここで第１領域（半透過領域）の液晶容量をＣｌｃｈとすると、第２領域（透過領域）の液晶容量Ｃｌｃｔとの関係は、Ｃｌｃｈ＞Ｃｌｃｔとなる。よって第１領域の蓄積容量をＣｓｈ、蓄積容量電位の変動量をΔＶｃｓｈとすると、Ｃｓｈ＞Ｃｓｔ又はΔＶｃｓｈ＞ΔＶｃｓｔとすることで、上記第１、第２の実施の形態と同様な効果を奏することができる。
【００４６】
［第４の実施の形態］
次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る液晶表示装置の構成は、第１の実施の形態で説明したものと基本的な構成は同様である。第１の実施の形態と異なる点は、第２領域の画素電極が透過表示だけでなく反射表示も可能な半透過型の画素電極である点である。
【００４７】
ここで第２領域（半透過領域）の液晶容量をＣｌｃｈとすると、第１領域（反射領域）の液晶容量Ｃｌｃｒとの関係は、Ｃｌｃｒ＞Ｃｌｃｈとなる。よって、第２領域の蓄積容量をＣｓｈ、蓄積容量電位の変動量をΔＶｃｓｈとすると、Ｃｓｒ＞Ｃｓｈ又はΔＶｃｓｒ＞ΔＶｃｓｈとすることで、上記第１、第２の実施の形態と同様な効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１の実施の形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す回路ブロック図である。
【図２】上記液晶表示装置の画素の構成を示す回路図である。
【図３】信号線電位、走査線電位、対向電極電位、蓄積容量電位のそれぞれの関係を示す電圧波形図である。
【図４】上記電圧波形図に画素電極の電圧波形を加えた電圧波形図である。
【図５】比較例の液晶表示装置における電圧−透過率特性を示すグラフである。
【図６】第１の実施の形態に係る液晶表示装置における電圧−透過率特性を示すグラフである。
【図７】第２の実施の形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
【００４９】
１１…信号線駆動回路
１２…走査線駆動回路
１３…第１蓄積容量線駆動回路
１４…第２蓄積容量線駆動回路
１５…コントローラ
Ａ…表示領域
Ａｒ…反射領域
Ａｔ…透過領域
ＳＬ…信号線
ＧＬ…走査線
Ｔｒ…スイッチング素子（ＴＦＴ）
Ｃｓ…蓄積容量
Ｃｓｒ…蓄積容量（反射領域）
Ｃｓｔ…蓄積容量（透過領域）
Ｃｌｃｔ…透過領域の液晶容量
Ｃｌｃｒ…反射領域の液晶容量
ＣＬ…蓄積容量線
ＣｓｒＬ…蓄積容量線（反射領域）
ＣｓｔＬ…蓄積容量線（透過領域）
Ｖｓ…信号線電位
Ｖｇ…走査線電位
Ｖｃｏｍ…対向電極電位
Ｖｃｓ…蓄積容量電位
Ｖｐｉｘ…画素電極電位
【図１】
2008281982.tif 000003
【図２】
2008281982.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008281982.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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