(57)【要約】【課題】「ＣＡＰコータ」などのスリットコータ装置を用いてレジスト剤の塗布を行う場合について、乾燥ムラが発生しないように、塗布されたレジスト剤を乾燥させることのできる工程を有するマスクブランクの製造方法等を提供する。【解決手段】一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、  塗布されたレジスト剤の乾燥は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対して平行な方向から清浄気体を供給し、乾燥させる工程を有することを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
塗布されたレジスト剤の乾燥は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対して平行な方向から清浄気体を供給し、乾燥させる工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
塗布されたレジスト剤の乾燥は、
塗布されたレジスト剤の塗布面に対向して設置された整流板を設け、
前記塗布面と前記整流板との間に清浄気体を供給し、乾燥させる工程を有することを特徴とする請求項１に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
塗布開始側から塗布終了側に向けて清浄気体を供給することを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させ、レジスト剤が基板の被塗布面に接液された状態で、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、この状態で前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク（ＦＰＤ用のマスクブランク）においては、遮光性膜、半透光性膜などの薄膜上に、レジスト膜が形成される。このレジスト膜は、前記薄膜のエッチング時にエッチングマスクとして使用される。しかし、ＦＰＤ用のマスクブランクにおいては、レジスト膜を形成すべき前記薄膜表面の面積が大きいため、例えばＬＳＩ用のマスクブランク等と比べ、レジスト膜の塗布ムラや、面内膜厚均一性の悪化が生じやすい。
また、ＦＰＤ用のフォトマスクなどにおいては、近年において、形成されるパターンが高精度化しているため、大型の基板の全面に亘って均一な厚さのレジスト膜を形成できる技術が望まれていた。
【０００３】
このような実情に鑑み、ＦＰＤ用のマスクブランク及びフォトマスクの製造分野において、例えば、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置の使用が検討されている。この「ＣＡＰコータ」においては、液体状のレジスト剤が溜められた液槽に毛管状隙間を有する塗布ノズルを沈めておき、一方、被塗布面を下方を向けた姿勢で吸着板によって基板を保持しておき、次に、塗布ノズルをレジスト剤中より上昇させてこの塗布ノズルの上端部を基板の被塗布面に近接させる。すると、液槽に溜められた液体状のレジスト剤が塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇され、このレジスト剤が塗布ノズルの上端部を介して基板の被塗布面に接液される。このようにレジスト剤が被塗布面に接液した状態において、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置（塗布ギャップＧの位置）まで下降させる。この状態で、塗布ノズル及び被塗布面を被塗布面の全面に亘って相対的に走査させることにより、被塗布面の全面に亘ってレジスト剤の塗布膜が形成される。
【０００４】
ところで、上記のようなＣＡＰコータを用いた場合であっても、さらなる高精度パターンへの要求等に答えるためには、さらなる膜厚の均一性を追求する必要がある。そのために、塗布後の乾燥に際して面内の乾燥ムラの発生を防止することも、膜厚の均一性を向上させる上で重要な要素となる。
そこで、本願出願人は、  クリーンルーム内のダウンフローの気流による乾燥ムラによるレジスト膜の膜厚ムラを防止するために、基板の被塗布面を下向き保持した状態で、基板を一定速度で移動させながら乾燥するレジスト塗布方法（特許文献１）や、被塗布面の下方からレジスト膜に向かって清浄気体を供給することにより、ダウンフローが被塗布面に回りこむのを抑制するレジスト塗布方法（特許文献２）を開発し、先に出願を行っている。
【特許文献１】特開２００４−３１１８８４号公報
【特許文献２】特許第３６５８３５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記のような方法を、以下で説明する具体的な塗布装置に適用した場合に、乾燥ムラが発生することががわかった。
詳しくは、図７に示す塗布装置は、装置前面（ローダー）側で吸着板３に対する基板１０の吸着及び離脱を行うタイプの装置であり、装置前面側（図中Ｃの位置）で吸着板３に基板１０を吸着し、図中右方向に吸着板３及び基板１０を移動させながら、塗布ノズル２２によって基板１０の被塗布面にレジスト剤の塗布を行ってレジスト剤の塗布膜２１ａを形成し（詳細については後述する）、塗布の終了後、図中右方向に吸着板３及び基板１０を少し移動させた位置（塗布終了位置という）で吸着板３及び基板１０の移動を停止させ、次に、図中左方向に吸着板３及び基板１０を移動させ、装置前面側（図中Ｃの位置）で吸着板３から基板１０の離脱を行う機構を有する。
上記図７に示す塗布装置では、塗布が終了した基板１０は図中Ａの位置（塗布終了位置）で一旦停止する。その後ローダー側に移動するが、図中Ｂの位置の下方に設置されたクリーンエアーユニット３１にて、レジスト表面が乾燥されながらローダー側への移動が行われる。
この乾燥方法の問題点は、塗布方向と乾燥方向が逆向きであることと、均一な乾燥時間が、十分に取れないことである。実際に図中Ｂの位置で下方のエアーユニット３１からの風を受けるのは、塗布終了側が先であり、塗布開始側は最後になってしまう。
このため、塗布後Ａ→Ｂ→Ｃへと移動する吸着板３の送り速度（塗布戻り速度）が大きすぎると、位置Ｂでの乾燥が十分でなく、図８に示すような縦方向のモヤムラ（靄（もや）状のムラ）が発生してしまう。逆に塗布戻り速度を小さくすると、縦方向のモヤムラが低減されるものの、塗り始めエリアが、図中Ｂの位置に到達する前に自然乾燥されてしまうため、図９に示すようなランダムなモヤムラ（靄状のムラ）が、塗り始めエリアを中心に発生してしまう。塗布戻り速度、エアーユニットの数、高さ、風量を変えて数々のテストを行ったが、縦方向のモヤムラとランダムなモヤムラを同時に許容レベルに抑え込む事はできなかった。
尚、図中Ｃの位置においてもその下方に設けられたエアーユニット３２での乾燥が行われるが、ここではローダーに基板を置いて、次の工程に繋げられるレベルにレジストが乾燥されるのを促進するためであり、後述する「十分な乾燥状態」に至った後の乾燥であるので、上述した乾燥ムラには影響を与えないことを解明している。
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、上述のような乾燥ムラが発生しないように、塗布されたレジスト剤を乾燥させることのできる工程を有するマスクブランクの製造方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
塗布されたレジスト剤の乾燥は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対して平行な方向から清浄気体を供給し、乾燥させる工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成２）塗布されたレジスト剤の乾燥は、
塗布されたレジスト剤の塗布面に対向して設置された整流板を設け、
前記塗布面と前記整流板との間に清浄気体を供給し、乾燥させる工程を有することを特徴とする構成１に記載のマスクブランクの製造方法。
（構成３）塗布開始側から塗布終了側に向けて清浄気体を供給することを特徴とする構成１又は２に記載のマスクブランクの製造方法。
（構成４）液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させ、レジスト剤が基板の被塗布面に接液された状態で、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、この状態で前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有することを特徴とする構成１〜３のいずれか１に記載のマスクブランクの製造方法。
（構成５）構成１から４のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、上述のような乾燥ムラが発生しないように、塗布されたレジスト剤を乾燥させることのできる工程を有するマスクブランクの製造方法等を提供できる。
【０００８】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明のマスクブランクの製造方法は、一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
塗布されたレジスト剤の乾燥は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対して平行な方向から清浄気体を供給し、乾燥させる工程を有することを特徴とする（構成１）。
上記構成１に係る発明よれば、塗布されたレジスト剤の乾燥は、塗布されたレジスト剤の塗布面（即ち塗布されたレジスト剤によって形成された塗布膜の表面、つまりレジスト膜の表面、以下同様）に対して平行な方向から清浄気体を供給し、乾燥させる工程を有することによって、レジスト剤の塗布面に対して垂直な方向等から清浄気体を供給する等の場合に比べ、乾燥気流の流れが一方向であり、乾燥ムラが防止される。
尚、上記構成１に係る発明では、塗布されたレジスト剤の塗布面に沿って、前記塗布面と平行に清浄気体を流すことによって、塗布されたレジスト剤の塗布面から揮発し塗布面付近に滞留する溶媒蒸気を塗布面から強制的に遠ざけることが可能となる。
本発明において、清浄気体の供給による強制乾燥は、強制乾燥不足のために強制乾燥後に自然乾燥が起こりこれに起因した乾燥ムラが発生することを防止できる状態（以下、十分な乾燥状態という）まで乾燥させることが好ましい。
本発明においては、後述するように、清浄気体の供給による強制乾燥は、強制乾燥前に自然乾燥に起因した乾燥ムラが発生することを防止でき、しかも十分な乾燥状態に至るまで乾燥させる工程であることが好ましい。
【０００９】
本発明においては、塗布されたレジスト剤の乾燥は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対向して設置された整流板を設け、前記塗布面と前記整流板との間に清浄気体を供給し、乾燥させる工程を有することが好ましい（構成２）。
ここで、塗布されたレジスト剤の塗布面に対向して整流板を設けないと、レジスト剤の塗布面に対して平行な方向から供給された清浄気体は、前記塗布面から遠ざかる方向に発散してしまう。
上記構成２に係る発明よれば、塗布されたレジスト剤の塗布面に対向して整流板を設けているので、レジスト剤の塗布面に対して平行な方向から供給された清浄気体が、前記塗布面から遠ざかる方向に発散してしまうことがない。このため、レジスト剤の塗布面に対する均一な送風が可能となる。
また、上記構成２に係る発明よれば、レジスト剤の塗布面に対して垂直な方向等から清浄気体を供給する等の場合に比べ、乾燥効率が高い。したがって、十分な乾燥状態に至るまでに要する時間が短くできる。これに対し、他の乾燥方法のように、乾燥効率が低く、したがって、十分な乾燥状態に至るまでに要する時間が長いと、送風による強制乾燥によって十分な乾燥状態に至るまでの間に、自然乾燥に起因した乾燥ムラが発生することがある。また、十分な乾燥状態に至るまでに要する時間が長いと、スループットの面で不利である。スループットを優先し送風による強制乾燥時間を短くすると強制乾燥不足のために強制乾燥後に自然乾燥が起こり、乾燥ムラが発生する。
本発明において、レジスト剤の塗布面と整流板表面との間隔は、１〜２ｃｍとすることが、上述した作用の十分な発揮の観点から、好ましい。また、この間隔に適切な形状のエアーノズル等により、均一に清浄気体を送ることが更に好ましい。
本発明において、前記塗布面と整流板との間に供給され通過する清浄気体の流速は、０．２〜１ｍ／ｓｅｃとすることが、上述した作用の十分な発揮の観点から、好ましい。
清浄気体の流速（エアー強度）が高すぎると、図５に示すような、あばら骨状の乾燥ムラが発生する。
清浄気体の流速（エアー強度）が低すぎると、図６に示すように、塗り終わりエリアが十分な乾燥状態に至る前に自然乾燥しこれに起因したランダムなモヤムラ（靄状のムラ）が発生する。
本発明において、前記整流板は、レジスト剤の塗布面（従って基板表面や吸着板表面）に対し、平行に配設することが好ましい。つまり、レジスト剤の塗布面と整流板表面との間隔は、レジスト剤の塗布面の面内の何れの箇所においても一定間隔とすることが好ましい。
本発明において、前記整流板の面積は、レジスト剤の塗布面の面積よりも大きいことが好ましく、基板の面積と同じかそれよりも大きい（即ち基板を覆うサイズである）ことが更に好ましく、吸着板表面の面積と同じかそれよりも大きい（即ち吸着板を覆うサイズである）ことが更に好ましい。
【００１０】
本発明においては、塗布開始側から塗布終了側に向けて清浄気体を供給することが好ましい（構成３）。
上記構成３に係る発明よれば、塗布開始側からから塗布終了側に向けて清浄気体を供給することによって、塗り始めエリア側から乾燥を行うことができるので、塗り始めエリアが、清浄気体の供給による強制乾燥前に自然乾燥に起因した乾燥ムラが発生することはない。これは、清浄気体を供給する側に近いエリア（即ち風上側）の方が他のエリア（即ち風下側）よりも早く（先に）乾燥されるからである。
本発明においては、レジスト剤の塗布面における塗布開始側の辺から塗布終了側の辺に向けて均一に清浄気体を供給することが好ましい。
【００１１】
本発明においては、塗布の終了後、その近辺の位置（塗布終了位置）で基板の移動を停止させ、この基板の移動を停止させた状態で、上記本発明に係る乾燥工程を実施することができる（方法１）。
また、本発明においては、基板を一定速度で移動させ塗布を行いつつ、上記本発明に係る乾燥工程を実施することができる（方法２）。例えば、塗布開始前又は塗布開始直後から清浄気体を供給し上記本発明に係る乾燥工程を実施することができる。また、塗布開始から一定面積を塗布した段階から清浄気体を供給し上記本発明に係る乾燥工程を実施することができる。また、塗布終了直後から清浄気体を供給し上記本発明に係る乾燥工程を実施することができる。
尚、塗布開始側は塗布終了側に比べ、塗布されてからの経過時間が長く、清浄気体の供給による強制乾燥前に自然乾燥に起因した乾燥ムラが発生するおそれがあるが、上記方法１又は方法２によれば、清浄気体の供給による強制乾燥開始までの時間を短くできるので、このようなおそれを防止できる。
【００１２】
本発明は、一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するスリットコータ通称される塗布装置を用いる場合に適用できる。スリットコータにおける、塗布ノズルと基板の位置関係は、特に制限されず、床面に対し水平に保持された基板の上方に塗布ノズルが設けられた態様や、塗布ノズルと基板の双方が床面に対し垂直に保持された態様などが含まれる。
【００１３】
本発明は、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いる場合に好適に適用できる（構成４）。
【００１４】
本発明のフォトマスクの製造方法は、上記本発明に係るマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とする（構成５）。
【００１５】
本発明のマスクブランクは、基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクが含まれる。
本発明において、マスクブランクには、フォトマスクブランク、位相シフトマスクブランク、反射型マスクブランク、インプリント用転写プレート基板も含まれる。また、マスクブランクには、レジスト膜付きマスクブランクが含まれる。位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン膜と、遮光性膜とを有する場合を含む。尚、この場合、マスクパターンを形成するための薄膜は、ハーフトーン膜や遮光性膜を指す。また、反射型マスクブランクの場合は、多層反射膜上、又は多層反射膜上に設けられたバッファ層上に、転写パターンとなるタンタル系材料やクロム系材料の吸収体膜が形成される構成、インプリント用転写プレートの場合には、転写プレートとなる基材上にクロム系材料等の転写パターン形成用薄膜が形成される構成を含む。マスクには、フォトマスク、位相シフトマスク、反射型マスク、インプリント用転写プレートが含まれる。マスクにはレチクルが含まれる。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、露光光等を遮断する遮光膜、露光光等の透過量を調整・制御する半透光性膜、露光光等の反射率を調整・制御する反射率制御膜（反射防止膜を含む）、露光光等に対する位相を変化させる位相シフト膜、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜等が含まれる。
本発明のマスクブランクにおいて、前記マスクパターンを形成するための薄膜としては、金属膜が挙げられる。金属膜としては、クロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンや、これらの元素を含む合金、又は上記元素や上記合金を含む材料からなる膜が挙げられる。
また、本発明のマスクブランクにおいて、前記マスクパターンを形成するための薄膜としては、珪素を含む珪素含有膜が挙げられる。珪素含有膜としては、珪素膜や、珪素とクロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンの金属を含む金属シリサイド膜、さらに、珪素膜や金属シリサイド膜に、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含む膜とすることができる。
【００１６】
本発明において、ＦＰＤ用のマスクブランク及びマスクとしては、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクが挙げられる。
ＬＣＤ用マスクには、ＬＣＤの製造に必要なすべてのマスクが含まれ、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、特にＴＦＴチャンネル部やコンタクトホール部、低温ポリシリコンＴＦＴ、カラーフィルタ、反射板（ブラックマトリクス）等を形成するためのマスクが含まれる。他の表示デバイス製造用マスクには、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、プラズマディスプレイ等の製造に必要なすべてのマスクが含まれる。
【００１７】
（発明の実施の形態）
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の実施の形態に係る「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置及び本発明における乾燥工程の一態様を説明するための模式的側面図、図２は図１の要部の平面図である。
図１及び図２に示す塗布装置は、装置前面（ローダー）側で吸着板３に対する基板１０の吸着及び離脱を行うタイプの装置であり、装置前面側（図中Ｃの位置）で吸着板３に基板１０を吸着し、図中右方向に吸着板３及び基板１０を移動させながら、塗布ノズル２２によって基板１０の被塗布面にレジスト剤の塗布を行ってレジスト剤の塗布膜２１ａを形成し（詳細については後述する）、塗布の終了後、図中右方向に吸着板３及び基板１０を少し移動させた位置（塗布終了位置という）で吸着板３及び基板１０の移動を停止させ、次に、図中左方向に吸着板３及び基板１０を移動させ、装置前面側（図中Ｃの位置）で吸着板３から基板１０の離脱を行う機構を有する。
図１及び図２に示す塗布装置では、塗布されたレジスト剤の塗布面（即ちレジスト剤の塗布膜２１ａの表面）に対向して整流板５０を設けている。整流板５０は、塗布されたレジスト剤の塗布面（即ちレジスト剤の塗布膜２１ａの表面）に対して一定間隔で水平に設けている。また、整流板５０は、図２に示すように、基板１０及び吸着板３を覆うサイズにしてある。整流板５０は、塗布ノズル２２と隣接（近接）して設けられている。
図１に示す塗布装置では、塗布開始側から塗布終了側に向けて清浄気体を供給するように、装置背面側（塗布の際の基板の移動方向側）に清浄気体の供給手段であるエアーユニット６０が設置されている。
エアーユニット６０は、塗布されたレジスト剤の塗布面（即ちレジスト剤の塗布膜２１ａの表面）に対して平行な方向から清浄気体を供給する（塗布膜の表面と平行に吹き出す）ように設置され、前記塗布面と整流板との間に、塗布されたレジスト剤の塗布面に沿って、前記塗布面と平行に清浄気体を流す。
エアーユニット６０は、図２に示すように、レジスト剤の塗布面における塗布開始側の辺に沿って複数設置され、これによって、レジスト剤の塗布面における塗布開始側の辺から塗布終了側の辺に向けて均一に清浄気体を供給する。
エアーユニット６０は、例えば、気流を発生させるファンと、このファンの前方に配置されたエアフィルタとを備え、エアフィルタを介して清浄気体を供給するものである。ここで、エアフィルタとしては、ＨＥＰＡフィルタ（High Efficiency Particulate Air filter）を用いるのが好ましい。
【００１８】
図３は塗布ノズル２２によって基板１０の被塗布面にレジスト剤の塗布を行っている状態を説明するための断面図、図４は塗布ノズル２２等の動作の詳細を説明するための断面図である。
「ＣＡＰコータ」装置では、まず、基板１０におけるレジスト剤の塗布開始箇所と、塗布手段２の塗布ノズル２２の上端部と、の位置合わせを行う（図示せず）。基板１０におけるレジスト剤の塗布開始箇所は、この基板１０の一側縁部である。
上記の状態において、制御部は、図４に示すように、所定の液面位置までレジスト剤２１が溜められている液槽２０と、このレジスト剤２１中に完全に沈んだ状態の塗布ノズル２２とを、ともに上昇させ、基板１０の被塗布面１０ａに下方側より接近させる。
尚、この「ＣＡＰコータ」装置は、液槽及び塗布ノズルの高さ位置を調整する制御部を有している。
また、塗布ノズル２２は、支持杆２８に支持されて、液槽２０内に収納されている。この塗布ノズル２２及び液槽２０は、基板１０の横方向（図３中において紙面に直交する方向）の一辺の長さに相当する長さを有して構成され、この長手方向に沿って、スリット状の毛管状隙間２３を有している。この塗布ノズル２２は、この毛管状隙間２３を挟んで、上端側の幅が狭くなされて嘴のように尖った断面形状を有して構成されている。毛管状隙間２３の上端部は、塗布ノズル２２の上端部において、この塗布ノズル２２の略全長に亘るスリット状に開口している。また、この毛管状隙間２３は、塗布ノズル２２の下方側に向けても開口されている（図３，４参照）。
【００１９】
次に、制御部は、液槽２０の上昇を停止させ、図３に示すように、塗布ノズル２２の上端側をこの液槽２０内のレジスト剤２１の液面から上方側に突出させる。このとき、塗布ノズル２２は、レジスト剤２１中に完全に沈んでいた状態（図４参照）から、このレジスト剤２１の液面の上方側に突出されるので、毛管状隙間２３内にレジスト剤２１が満たされた状態となっている（図３参照）。
さらに、制御部は、塗布ノズル２２を上昇させ、この塗布ノズル２２の上端部のレジスト剤２１を基板１０の被塗布面１０ａに接液させる（図３参照）。
この接液の際、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させることが好ましい。具体的には、例えば、接液ギャップｇを小さい状態で一瞬保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップｇを広げて接液を完了させることが好ましい。
【００２０】
次に、制御部は、塗布ノズル２２の上端部においてレジスト剤２１が基板１０の被塗布面１０ａに接液された状態で、液槽２０及び塗布ノズル２２を所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、塗布を実施する際の塗布ノズルの先端部と被塗布面との間隔（塗布ギャップＧ）に設定する（図３参照）。
ここで、塗布ギャップＧは、一旦接液したレジスト剤２１が被塗布面１０ａから離液する離液間隔Ｇ´よりも小さい範囲で、なるべく大きくなされる。すなわち、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の少なくとも５０％以上となされ、望ましくは、離液間隔Ｇ´の７０％乃至９５％となされる。
【００２１】
上記の状態において、制御部は、基板１０を塗布ノズル２２の上端部において毛管状隙間２３が形成するスリットに直交する方向（図３中矢印Ｖで示す方向）に移動させ、塗布ノズル２２の上端部を被塗布面１０ａの全面に亘って走査させ、この被塗布面１０ａの全面に亘ってレジスト剤２１の塗布膜２１ａを形成する。
【００２２】
尚、基板１０と塗布ノズル２２との相対走査速度は、予め設定されているノズル間隔、レジスト剤２１の粘度、液面高さ及び塗布ギャップＧを前提として、塗布膜２１ａが所望の膜厚となるように、制御部によって制御される。
【００２３】
以下、実施例に基づき本発明を更に詳細に説明する。
（実施例１）
上述した発明の実施の形態で記載した図１〜図４に示す構成を有する塗布装置を使用し、実施の形態で記載した方法によって、マスクブランクの薄膜上にレジストを塗布し、乾燥して、レジスト膜付マスクブランクを形成した。
その際、塗布の条件は、１μｍのレジスト膜を形成するための、液面高さ、塗布ギャップ、搬送速度等を設定した。
また、乾燥の条件は、図１及び図２に示す塗布終了位置（図中Ａの位置）で基板の移動を停止させ、この基板の移動を停止させた状態で、エアーユニット６０によって塗布されたレジスト剤の塗布面と平行に清浄気体を流した。このときレジスト剤の塗布面と整流板表面との間隔は、１〜２ｃｍとした。また、前記塗布面と整流板との間に供給され通過する清浄気体の流速は、０．５ｍ／ｓｅｃとした。清浄気体の供給時間（乾燥時間）１０分とした。
尚、マスクブランクとしては、大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）上に、マスクパターンを形成するための薄膜を有する基板を使用した。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布・乾燥されたレジスト膜を一定時間経過後検査したところ、図８に示すような縦方向のモヤムラ（靄（もや）状のムラ）や、図９に示すようなランダムなモヤムラ（靄状のムラ）はいずれも見られなかった。
また、上記で得られたレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを作製し、さらにこのフォトマスクを用いてＦＰＤをを作製したが、フォトマスク及びＦＰＤの双方についてレジスト膜の上記の乾燥ムラに起因すると思われる異常は見られなかった。
【００２４】
（比較例１）
図７に示す塗布装置を使用して、レジスト膜付マスクブランクを形成した。尚、塗布の条件等は、実施例１と同様とした。
塗布後Ａ→Ｂ→Ｃへと移動する吸着板の送り速度（塗布戻り速度）が大きすぎると、位置Ｂでの乾燥が十分でなく、図８に示すような縦方向のモヤムラ（靄（もや）状のムラ）が発生した。
逆に塗布戻り速度を小さくすると、縦方向のモヤムラが低減されるものの、塗り始めエリアが、図中Ｂの位置に到達する前に自然乾燥されてしまうため、図９のに示すようなランダムなモヤムラ（靄状のムラ）が、塗り始めエリアを中心に発生してた。
塗布戻り速度、エアーユニット３１の数、高さ、風量を変えて数々のテストを行ったが、縦方向のモヤムラとランダムなモヤムラを同時に許容レベルに抑え込む事はできなかった。
【００２５】
（参考例１）
図７に示す塗布装置において、図中Ｂの位置の下方に設置されたクリーンエアーユニット３１と同様に、図中Ａの位置の下方にクリーンエアーユニット（図示せず）を設置し、塗布が終了した基板を図中Ａの位置（塗布終了位置）で停止させた状態で、下方に設置されたクリーンエアーユニットから、塗布されたレジスト剤の塗布面に向けて清浄気体を供給して乾燥を行った。その結果、図８に示す乾燥ムラが発生した。
【００２６】
尚、本発明は、前述した実施例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明における乾燥工程の一態様を説明するための模式的側面図である。
【図２】図１の要部の平面図である。
【図３】本発明の一態様に係る塗布装置における塗布手段が塗布を行っている状態を示す断面図である。
【図４】前記塗布装置における塗布手段の要部の構成を示す断面図である。
【図５】乾燥条件による乾燥ムラの一態様を説明するための模式図である。
【図６】乾燥条件による乾燥ムラの他の態様を説明するための模式図である。
【図７】従前の乾燥工程の一態様を説明するための模式的側面図である。
【図８】従前の乾燥工程による乾燥ムラの一態様を説明するための模式図である。
【図９】従前の乾燥工程による乾燥ムラの一態様を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００２８】
２ 塗布手段
３ 吸着手段
１０ 基板
１０ａ 被塗布面
２０ 液槽
２１ レジスト剤
２１ａ 塗布膜
２２ 塗布ノズル
２３ 毛管状隙間
５０整流板
６０クリーンエアユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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