(57)【要約】【課題】観察方向にかかわらずカラーシフトの少ない表示品位の良好な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】散乱能を有し、凹凸面６０Ｓを備えた第１電極６０と、  第１電極の凹凸面上に配置された有機活性層６２と、  前記有機活性層上に配置された第２電極６４と、を備え、  前記有機活性層６２は、  発光層６２Ｂと、  発光層と凹凸面との間に配置され、凹凸面を平坦化するような膜厚に形成された導電性有機層６２Ａと、を含むことを特徴とする。【選択図】      図２
2008235605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
散乱能を有し、凹凸面を備えた第１電極と、
前記第１電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第２電極と、を備え、
前記有機活性層は、
発光層と、
発光層と凹凸面との間に配置され、凹凸面を平坦化するような膜厚に形成された導電性有機層と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
散乱能を有し、凹凸面を備えた第１電極と、
前記第１電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第２電極と、を備え、
前記有機活性層は、
凹凸面を平坦化するような膜厚に形成された発光層と、
発光層と凹凸面との間に配置され、凹凸面に沿う膜厚に形成された導電性有機層と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
散乱能を有し、凹凸面を備えた第１電極と、
前記第１電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第２電極と、を備え、
前記有機活性層は、発光層を含み、凹凸面から発光層までの膜厚について、凹凸面の凸部に対応して第１膜厚を有するとともに、凹凸面の凹部に対応して第１膜厚よりも厚い第２膜厚を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記凹凸面の底部から頂部までの長さは、０．３μｍ以上３．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記凹凸面の隣接する凸部間のピッチは、２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記導電性有機層の膜厚は、前記凹凸面の底部から頂部までの長さより大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記発光層の膜厚は、前記導電性有機層の膜厚より小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記発光層の膜厚は、前記凹凸面の底部から頂部までの長さより大きいことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光層の膜厚は、前記導電性有機層の膜厚より大きいことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
散乱能を有し、凹凸面を備えた第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の凹凸面上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に第２電極を形成する工程と、を備え、
前記有機活性層を形成する工程は、
前記第１電極の凹凸面上において、選択塗布法により凹凸面を平坦化するような膜厚の導電性有機層を成膜する工程と、
選択塗布法または蒸着法により前記導電性有機層上に発光層を成膜する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
散乱能を有し、凹凸面を備えた第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の凹凸面上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に第２電極を形成する工程と、を備え、
前記有機活性層を形成する工程は、
蒸着法により前記第１電極の凹凸面上に導電性有機層を成膜する工程と、
選択塗布法により前記導電性有機層上に凹凸面を平坦化するような膜厚の発光層を成膜する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、自発光性素子を含んで構成される表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、一対の電極の間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子を備えている。このような有機ＥＬ素子のうち、一方の電極としてアルミニウムなどの光反射性を有する反射電極を適用し、他方の電極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの光透過性を有する透明電極を適用した構成の有機ＥＬ素子が提案されている。このような構成においては、有機活性層に含まれる発光層から出力された光は、透明電極側から直接出力されるものもあるが、反射電極側に出力された光は、反射電極で反射された後に透明電極側に出力される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３７３７７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実質的に平坦な反射電極上に発光層を含む有機活性層を積層した構造においては、発光層内の発光点から直接出力された光と反射電極によって反射された後に出力された光とが干渉し、表示装置を観察する方向によって色味が変化するいわゆるカラーシフトを生じてしまい、表示品位の低下を招くおそれがある。
【０００５】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、観察方向にかかわらずカラーシフトの少ない表示品位の良好な表示装置及びこの表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の態様による表示装置は、
散乱能を有し、凹凸面を備えた第１電極と、
前記第１電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第２電極と、を備え、
前記有機活性層は、
発光層と、
発光層と凹凸面との間に配置され、凹凸面を平坦化するような膜厚に形成された導電性有機層と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
また、
散乱能を有し、凹凸面を備えた第１電極と、
前記第１電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第２電極と、を備え、
前記有機活性層は、
凹凸面を平坦化するような膜厚に形成された発光層と、
発光層と凹凸面との間に配置され、凹凸面に沿う膜厚に形成された導電性有機層と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
この発明の態様による表示装置の製造方法は、
散乱能を有し、凹凸面を備えた第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の凹凸面上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に第２電極を形成する工程と、を備え、
前記有機活性層を形成する工程は、
前記第１電極の凹凸面上において、選択塗布法により凹凸面を平坦化するような膜厚の導電性有機層を成膜する工程と、
選択塗布法または蒸着法により前記導電性有機層上に発光層を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、
散乱能を有し、凹凸面を備えた第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の凹凸面上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に第２電極を形成する工程と、を備え、
前記有機活性層を形成する工程は、
蒸着法により前記第１電極の凹凸面上に導電性有機層を成膜する工程と、
選択塗布法により前記導電性有機層上に凹凸面を平坦化するような膜厚の発光層を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、観察方向にかかわらずカラーシフトの少ない表示品位の良好な表示装置及びこの表示装置の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１２】
有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。アレイ基板１００の少なくとも表示エリア１０２は、封止体２００によって封止されている。
【００１３】
また、アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する列方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。
【００１４】
さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７として機能する少なくとも一部と、信号線Ｘｎのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８として機能する少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。
【００１５】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路及びこの画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。図１に示した画素回路は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。図１に示した例では、画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを有している。これらの画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、ポリシリコンからなる半導体層を備えた薄膜トランジスタを適用している。
【００１６】
駆動トランジスタ２０のゲートは、画素スイッチ１０のドレイン及び蓄積容量素子３０の一端に接続されている。駆動トランジスタ２０のソースは、電源供給線Ｐ及び蓄積容量素子３０の他端に接続されている。
【００１７】
表示素子は、自発光素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１８】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成である。
【００１９】
（第１実施形態）
図２に示すように、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子４０は、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板上に、アンダーコート層やゲート絶縁膜などの各種絶縁層を備える他に、上述した画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。
【００２０】
この有機ＥＬ素子４０は、画素毎ＰＸに独立島状に配置された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され複数の画素ＰＸに共通の第２電極６４と、これらの第１電極６０と第２電極６４との間に保持された有機活性層６２と、によって構成されている。
【００２１】
第１電極６０は、配線基板１２０上に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、駆動トランジスタ２０のドレインに接続されている。この第１電極６０は、散乱能を有するように構成されている。
【００２２】
すなわち、図２に示した例では、第１電極６０は、光反射性を有する反射電極６０Ｒに光透過性を有する透明電極６０Ｔを積層した積層体によって構成されている。反射電極６０Ｒは、例えばアルミニウムによって形成されている。この反射電極６０Ｒの表面は、複数の凹部と凸部とからなる散乱面を構成している。透明電極６０Ｔは、例えばＩＴＯによって形成されている。この透明電極６０Ｔは、反射電極６０Ｒの散乱面に沿う膜厚（すなわち略一定の膜厚）に形成されており、透明電極６０Ｔの表面つまり第１電極６０の表面は、散乱面の凹凸形状に追随するような凹凸面６０Ｓを構成している。
【００２３】
このような第１電極６０としては、散乱能を有し、しかも、その表面が凹凸面であるような構成であれば良く、図２に示した構造に限定されない。この実施の形態では、反射電極６０Ｒの膜厚は０．１μｍに設定され、また、透明電極６０Ｔの膜厚は０．０５μｍに設定されている。
【００２４】
なお、第１電極６０の凹凸面６０Ｓについては、隣接する凸部ＣＶ間のピッチ（もしくは隣接する凹部ＣＣ間のピッチ）Ｐは、十分な散乱性能を得るためには、例えば５μｍ乃至２０μｍ、より好ましくは５μｍ乃至１０μｍの範囲内で分布していることが望ましい。
【００２５】
また、凹凸面６０Ｓにおいて、凹部ＣＣの底部から凸部ＣＶの頂部までの基板の法線方向に沿った長さ（あるいは、単に凹部ＣＣの深さ、あるいは、単に凸部ＣＶの高さ）Ｌは、十分な散乱性能を得るためには凹凸面内の最大値として０．３μｍ以上であることが望ましい。この長さＬは、大きいほど高い拡散性能が得られるが、大きすぎると第２電極６４とのショートや、発光層での発光効率の低下など、表示に悪影響を及ぼすおそれがあり、３．０μｍ以下であることが望ましい。この実施の形態では、長さＬは、０．５μｍに設定されている。
【００２６】
有機活性層６２は、第１電極６０の凹凸面６０Ｓ上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の層として、例えば、ホール輸送層、ホール注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などを含んでも良いし、またこれらを機能的に複合した層を含んでもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。このような有機活性層６２のうち、高分子系材料によって形成された有機層は、インクジェット法等の選択塗布法により液状材料を塗布した後に乾燥することによって成膜可能であり、また、低分子系材料によって形成された有機層は、蒸着法により成膜可能である。
【００２７】
この実施の形態において、有機活性層６２は、発光層６２Ｂと、この発光層６２Ｂと凹凸面６０Ｓとの間に配置されホール輸送機能を有した導電性有機層６２Ａと、を有している。導電性有機層６２Ａは、例えばＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）などの導電性高分子によって形成されている。このような導電性高分子は、比較的高い屈折率（ｎ≒２）を有しているため、たとえ厚膜化したとしても、発光層６２Ｂから出力される光への影響は極めて小さい。
【００２８】
この導電性有機層６２Ａは、凹凸面６０Ｓ上に配置され、凹凸面６０Ｓを平坦化するような膜厚Ｔ６２Ａに形成されている。ここでの膜厚Ｔ６２Ａとは、凹凸面６０Ｓの凹部ＣＣにおける底部からの基板の法線方向に沿った長さである。この導電性有機層６２Ａは、凹部ＣＣの深さＬを埋めるのに十分な膜厚Ｔ６２Ａを有しており、深さＬが０．５μｍに設定されているのに対して、例えば０．５μｍ乃至２．０μｍの範囲の膜厚Ｔ６２Ａを有するように形成されている。第１実施形態では、膜厚Ｔ６２Ａは、０．７μｍに設定されている。
【００２９】
なお、凹凸面６０Ｓを平坦化するような膜厚Ｔ６２Ａとは、導電性有機層６２Ａの表面が実質的に平坦である場合に限らず、凹凸面６０Ｓの凸部ＣＶに対応した膜厚Ｔｖが凹部ＣＣに対応した膜厚Ｔｃより小さく（Ｔｖ＜Ｔｃ）、且つ、これらの膜厚差が凹部ＣＣの深さＬと同等もしくはそれ以下（Ｔｃ−Ｔｖ≦Ｌ）となるような分布を持った膜厚であれば良い。つまり、導電性有機層６２Ａの表面に、凹凸面６０Ｓの起伏よりも小さい僅かな起伏が残っていても良い。
【００３０】
発光層６２Ｂは、導電性有機層６２Ａ上に配置されている。この発光層６２Ｂは、略一定の膜厚Ｔ６２Ｂを有しており、例えば０．１μｍ乃至０．５μｍの範囲の膜厚Ｔ６２Ｂを有するように形成されている。第１実施形態では、膜厚Ｔ６２Ｂは、０．２μｍに設定されている。
【００３１】
このような導電性有機層６２Ａ及び発光層６２Ｂを含む有機活性層６２は、凹凸面６０Ｓから発光層６２Ｂまでの膜厚について、凹凸面６０Ｓの凸部ＣＶに対応して第１膜厚Ｔ１を有するとともに、凹部ＣＣに対応して第１膜厚Ｔ１よりも厚い第２膜厚Ｔ２を有するに構成されている。
【００３２】
第２電極６４は、実質的に平坦な有機活性層６２上に配置され、陰極として機能する。この第２電極６４は、表示エリア１０２の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第２電極電源線に接続されている。
【００３３】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、各画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、第１電極６０の全周縁を覆うように格子状に配置されている。
【００３４】
上述したような第１実施形態においては、第１電極６０が散乱能を有し且つ凹凸面を備えているため、発光層６２Ｂ内の発光点から第１電極６０に向かう光は、散乱面によって反射・散乱された後に第２電極６４側から出力される。また、発光層６２Ｂと第１電極６０との間に不均一な膜厚分布を有する導電性有機層６２Ａが配置されているため、発光点から第１電極６０の散乱面を経由して第２電極６４側に導かれる光の光路長が経路によって異なるとともに、干渉効果を緩和するのに十分に長くなる。このため、発光点から第２電極６４側に直接出力された光との干渉効果が緩和され、観察方向に依存したカラーシフトを抑制することが可能となる。したがって、表示品位を改善することが可能となる。
【００３５】
（第２実施形態）
図３に示すように、第２実施形態に係る有機ＥＬ素子４０は、第１実施形態と同様に配線基板１２０上に配置されている。なお、第１実施形態と同一構成については同一参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３６】
すなわち、有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成である。
【００３７】
第１電極６０は、配線基板１２０上に配置され、散乱能を有し、しかも、複数の凹部ＣＣ及び凸部ＣＶからなる凹凸面６０Ｓを備えている。この凹凸面６０Ｓについては、第１実施形態と同様に構成されており、長さＬは０．５μｍに設定されている。
【００３８】
有機活性層６２は、第１電極６０の凹凸面６０Ｓ上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、第１実施形態と同様に、発光層６２Ｂと、この発光層６２Ｂと凹凸面６０Ｓとの間に配置されホール輸送機能を有した導電性有機層６２Ａと、を有している。
【００３９】
導電性有機層６２Ａは、凹凸面６０Ｓ上に配置され、凹凸面６０Ｓに沿う膜厚（すなわち略一定の膜厚）Ｔ６２Ａに形成されている。この導電性有機層６２Ａは、例えば０．０２μｍ乃至０．２μｍの範囲の膜厚Ｔ６２Ａを有するように形成されている。この第２実施形態では、膜厚Ｔ６２Ａは、０．１μｍに設定されている。
【００４０】
発光層６２Ｂは、導電性有機層６２Ａ上に配置され、凹凸面６０Ｓを平坦化するような膜厚Ｔ６２Ｂに形成されている。ここでの膜厚Ｔ６２Ｂとは、凹凸面６０Ｓの凹部ＣＣにおける底部からの基板の法線方向に沿った長さである。この発光層６２Ｂは、凹部ＣＣの深さＬを埋めるのに十分な膜厚Ｔ６２Ｂを有しており、深さＬが０．５μｍに設定されているのに対して、例えば０．５μｍ乃至２．０μｍの範囲の膜厚Ｔ６２Ｂを有するように形成されている。第２実施形態では、膜厚Ｔ６２Ｂは、０．７μｍに設定されている。
【００４１】
なお、凹凸面６０Ｓを平坦化するような膜厚Ｔ６２Ｂとは、発光層６２Ｂの表面が実質的に平坦である場合に限らず、凹凸面６０Ｓの凸部ＣＶに対応した膜厚Ｔｖが凹部ＣＣに対応した膜厚Ｔｃより小さく（Ｔｖ＜Ｔｃ）、且つ、これらの膜厚差が凹部ＣＣの深さＬと同等もしくはそれ以下（Ｔｃ−Ｔｖ≦Ｌ）となるような分布を持った膜厚であれば良い。つまり、発光層６２Ｂの表面に、凹凸面６０Ｓの起伏よりも小さい僅かな起伏が残っていても良い。
【００４２】
このような導電性有機層６２Ａ及び発光層６２Ｂを含む有機活性層６２は、凹凸面６０Ｓから発光層６２Ｂまでの膜厚について、凹凸面６０Ｓの凸部ＣＶに対応して第１膜厚Ｔ１を有するとともに、凹部ＣＣに対応して第１膜厚Ｔ１よりも厚い第２膜厚Ｔ２を有するに構成されている。
【００４３】
上述したような第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、発光層６２Ｂ内の発光点から第１電極６０を経由して第２電極６４側に導かれる光と、発光点から第２電極６４側に直接出力された光との干渉効果が緩和され、観察方向に依存したカラーシフトを抑制することが可能となる。したがって、表示品位を改善することが可能となる。
【００４４】
また、これらの第１実施形態及び第２実施形態においては、反射層と第１電極との間に絶縁膜、例えば反射層の凹凸を平坦化する目的で配置される平坦化層などの絶縁層が不要となる。このため、表示装置としての薄型化及び低コスト化が可能となる。
【００４５】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００４６】
まず、図４Ａに示すように、配線基板１２０上の画素毎に島状の第１電極６０を形成する。すなわち、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、その表面に複数の凹部及び凸部を有する配線基板１２０を用意する。そして、配線基板１２０の表面に略均一な膜厚の反射電極６０Ｒを形成した後、反射電極６０Ｒ上に略均一な膜厚の透明電極６０Ｔを形成する。この反射電極６０Ｒ及び透明電極６０Ｔについては、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、マスクスパッタ法で形成しても良い。これにより、散乱能を有し、凹凸面６０Ｓを備えた第１電極６０が形成される。
【００４７】
続いて、第１電極６０の凹凸面６０Ｓ上に有機活性層６２を形成する。すなわち、図４Ｂに示す例では、第１電極６０の凹凸面６０Ｓ上において、選択塗布法により凹凸面６０Ｓを平坦化するような膜厚の導電性有機層６２Ａを成膜する。つまり、ホール輸送機能を有する高分子系有機材料からなる液状材料を第１電極６０に向けて噴射して十分な量を塗布した後、乾燥処理を行って液状材料に含まれる溶媒を除去する。これにより、不均一な膜厚分布を有し且つ表面が略平坦な導電性有機層６２Ａが形成される。
【００４８】
その後、図４Ｃに示すように、選択塗布法または蒸着法により導電性有機層６２Ａ上に発光層６２Ｂを成膜する。これにより、略均一な膜厚分布を有する発光層６２Ｂが形成される。
【００４９】
そして、この有機活性層６２の実質的に平坦な表面に第２電極６４を形成する。これにより、図２に示した構造の有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００５０】
一方で、図４Ｄに示す例では、蒸着法により第１電極６０の凹凸面６０Ｓ上に導電性有機層６２Ａを成膜する。これにより、略均一な膜厚分布を有する導電性有機層６２Ａが形成される。つまり、導電性有機層６２Ａの表面は、凹凸面６０と同等の起伏を有している。
【００５１】
その後、図４Ｅに示すように、選択塗布法により導電性有機層６２Ａ上に、凹凸面６０Ｓを平坦化するような膜厚の発光層６２Ｂを成膜する。つまり、発光機能を有する高分子系有機材料からなる液状材料を導電性有機層６２Ａに向けて噴射して十分な量を塗布した後、乾燥処理を行って液状材料に含まれる溶媒を除去する。これにより、不均一な膜厚分布を有し且つ表面が略平坦な発光層６２Ａが形成される。
【００５２】
そして、この有機活性層６２の実質的に平坦な表面に第２電極６４を形成する。これにより、図３に示した構造の有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００５３】
このようにして製造した有機ＥＬ表示装置によれば、観察方向にかかわらず略一定の色で均一に発光することが確認された。
【００５４】
なお、発明者等は、観察方向によるカラーシフトについて検証した。すなわち、白表示状態での視角の増大に伴う色度の変化を測定した。この測定においては、ＣＩＥ  １９７６  ＵＣＳ色度図を用いて色度を表した。画面の法線方向から観察した場合の色度と、法線に対して８０°の視角方向から観察した場合の色度との色度差を｜Δｖ’｜及び｜Δｕ’｜としたとき、図２に示した第１実施形態に係る有機ＥＬ素子については、｜Δｖ’｜が０．０１５であり、また、｜Δｕ’｜が０．０１３であった。また、図３に示した第２実施形態に係る有機ＥＬ素子については、｜Δｖ’｜が０．０１７であり、また、｜Δｕ’｜が０．０１５であった。
【００５５】
カラーシフトが視認されにくいとされる指標は、｜Δｖ’｜が０．０２以下であり、また、｜Δｕ’｜が０．０２以下であるので、本実施の形態によれば、十分にカラーシフトが抑制され、良好な表示品位が得られることを確認できた。
【００５６】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の構造を概略的に示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第１電極を形成する工程を説明するための図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の導電性有機層を成膜する工程を説明するための図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の発光層を成膜する工程を説明するための図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の導電性有機層を成膜する工程を説明するための図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の発光層を成膜する工程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
ＰＸ…画素  Ｙｍ…走査線  Ｘｎ…信号線  Ｐ…電源供給線
１…有機ＥＬ表示装置  １０…画素スイッチ  ２０…駆動トランジスタ  ３０…蓄積容量素子  ４０…有機ＥＬ素子  ６０…第１電極  ６０Ｓ…凹凸面  ６２…有機活性層  ６２Ａ…導電性有機層  ６２Ｂ…発光層  ６４…第２電極
７０…隔壁  １００…アレイ基板  １２０…配線基板  ２００…封止体
【図１】
2008235605.tif 000003
【図２】
2008235605.tif 000004
【図３】
2008235605.tif 000005
【図４Ａ】
2008235605.tif 000006
【図４Ｂ】
2008235605.tif 000007
【図４Ｃ】
2008235605.tif 000008
【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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