(57)【要約】【課題】位相差層のテーパ領域を小さくし、表示品質を向上することのできる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置の製造方法は、基板２０Ａ上に位相差層の形成材料２３Ａを塗布する工程と、前記位相差層の形成材料２３Ａに紫外線を照射し、前記位相差層の形成材料２３Ａを硬化して所定のパターンの位相差層を形成する工程と、を含み、前記紫外線の照射工程は、前記基板の第１面２０ａ側から所定のマスクパターンを有する光学マスク６４を用いて前記位相差層の形成材料２３Ａに紫外線Ｌ１を照射する工程と、前記第１面２０ａとは反対側の第２面２０ｂ側から前記光学マスク６４と同一のマスクパターンを有する光学マスク６６を用いて前記位相差層の形成材料２３Ａに紫外線Ｌ２を照射する工程と、を含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持し、１つのサブ画素領域内に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とを有し、前記一対の基板のうちの一方の基板の前記反射表示領域に対応する領域に位相差層を有してなる液晶装置であって、
前記位相差層の端面に、前記一方の基板に近い側に設けられた順テーパ領域と前記一方の基板から遠い側に設けられた逆テーパ領域とを含む断面「く」の字型の屈曲部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記順テーパ領域と前記逆テーパ領域とは前記位相差層の膜厚方向中央部で交差していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記屈曲部は前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界部に位置する位相差層の端面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
一対の基板間に液晶層を挟持し、１つのサブ画素領域内に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とを有し、前記反射表示領域に対応する領域に位相差層を有してなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板上に前記位相差層の形成材料を塗布する工程と、
前記位相差層の形成材料に紫外線を照射し、前記反射表示領域に対応する領域の位相差層の形成材料を硬化して位相差層を形成する工程と、を含み、
前記紫外線の照射工程は、
前記一方の基板の第１面側から第１光学マスクを用いて前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する工程と、
前記第１面とは反対側の第２面側から前記第１光学マスクと同一のマスクパターンを有する第２光学マスクを用いて前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する工程と、を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１光学マスクを介して照射される紫外線の最外周部の光路と前記第２光学マスクを介して照射される紫外線の最外周部の光路とが前記位相差層の形成材料の膜厚方向中央部で交差することを特徴とする請求項４に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記紫外線の照射工程は、
前記一方の基板の第１面上に光学マスクを配置し、前記光学マスクを介して前記第１面側から前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する第１照射工程と、
前記一方の基板を反転させ、前記光学マスクを介して前記第１面とは反対側の第２面側から前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する第２照射工程と、を含むことを特徴とする請求項５に液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２照射工程は、前記一方の基板を前記位相差層の形成材料が塗布された領域に対応する領域に凹部又は開口部を有する支持部材上に載せて行うことを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記紫外線の照射工程は、
前記一方の基板の第１面上に第１光学マスクを配置し、前記第１光学マスクを介して前記第１面側から前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する第１照射工程と、
前記一方の基板の第１面とは反対側の第２面に前記第１光学マスクと同一のマスクパターンを有する第２光学マスクを配置し、前記第２光学マスクを介して前記第２面側から前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する第２照射工程と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２光学マスクは前記一方の基板の第２面上に一体に設けられており、前記第２光学マスクは前記第２照射工程が終了した後に前記一方の基板から除去されることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１光学マスク及び前記第２光学マスクは前記一方の基板とは別体の部材として設けられていることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
紫外線の光路上に光路変換手段が設けられ、前記光路変換手段により前記紫外線が前記第１光学マスク又は前記第２光学マスクに対して選択的に照射されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
基板の第１面上に塗布された位相差層の形成材料に紫外線を照射し、前記位相差層の形成材料を硬化して所定のパターンの位相差層を形成する露光装置であって、
前記紫外線を射出する光源と、
前記基板の第１面上に第１光学マスクを保持する第１光学マスク保持部と、
前記基板の第１面とは反対側の第２面上に前記第１光学マスクと同じマスクパターンの第２光学マスクを保持する第２光学マスク保持部と、
前記光源から射出された紫外線の光路上に設けられ、前記紫外線を前記第１光学マスク又は前記第２光学マスクに対して選択的に供給する光路変換手段と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
前記光路変換手段は所定の回転軸を有する回転ミラーであり、前記回転ミラーの回転位置に応じて前記紫外線が前記第１光学マスク又は前記第２光学マスクに対して選択的に照射されることを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記基板を支持する支持部材を備え、
前記支持部材は、前記基板の前記位相差層の形成材料が塗布された領域に対応する部分に開口部を備えていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルの内面側に位相差層を備えた位相差層内蔵型の液晶装置及びその製造方法並びに該製造方法に好適に採用可能な露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半透過反射型の液晶装置は、携帯電話や携帯情報端末等の表示デバイスとして広く用いられている。半透過反射型の液晶装置では、反射表示と透過表示とを単一の液晶層を用いて実現するために表示モード間での位相差の調整が必要である。そこで、下記特許文献１では、透過表示領域と反射表示領域とで異なった位相差を有する位相差層を設けることで、適切な反射表示及び透過表示を得られるようにしている。
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載の液晶装置によれば、液晶パネルに位相差層を内蔵しているため、液晶パネルの外側に上記位相差の調整のためのλ／４位相差板等を設ける必要がなく、液晶装置の薄型化や低コスト化を実現できる。しかしながら、液晶パネルの内面側に設けられる位相差層は、高分子液晶をベースとした材料であり、配向処理した配向膜上に液晶モノマーを塗布し、ＵＶ硬化処理及び現像処理を経て形成されるため、位相差層のパターニング精度が悪いと、設計どおりの位相差が付与できなくなり、表示品質に影響を与える場合がある。
【０００４】
例えば、反射表示領域のみに位相差層を形成する場合、透過表示領域と反射表示領域との境界部では位相差層の端面は基板に対して垂直に形成されることが望ましいが、実際には、光学マスクの裏面側へ回り込む回折光によって位相差層の端面がテーパ状に形成されてしまう。このテーパ領域の大きさは、回折光の入射角をθ、位相差層の膜厚をｄとしたときに、ｄｓｉｎθとして計算することができる。回折光の入射角θは光学マスクのマスクパターンのピッチが小さくなるに従って大きくなるため、１サブ画素領域の大きさが小さくなると、位相差層のテーパ領域も大きくなる。例えば、携帯情報端末等の小型の表示デバイスにおいては、テーパ領域の大きさが１サブ画素領域内で５％程度の面積を占めることがあり、表示品質上無視できない影響を与える場合がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、位相差層のテーパ領域を小さくし、表示品質を向上することのできる液晶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、このような液晶装置の製造方法に好適に採用可能な露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶層を挟持し、１つのサブ画素領域内に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とを有し、前記一対の基板のうちの一方の基板の前記反射表示領域に対応する領域に位相差層を有してなる液晶装置であって、前記位相差層の端面に、前記一方の基板に近い側に設けられた順テーパ領域と前記一方の基板から遠い側に設けられた逆テーパ領域とを含む断面「く」の字型の屈曲部が設けられていることを特徴とする。この構成によれば、位相差層の端面が膜厚方向中央部で「く」の字型に屈曲しているので、テーパ領域の大きさが従来の位相差層に比べて小さくなる。そのため、位相差が設計値と異なる領域が小さくなり、従来に比べて表示品質に優れた液晶装置が提供できる。
【０００７】
本発明においては、前記順テーパ領域と前記逆テーパ領域とは前記位相差層の膜厚方向中央部で交差していることが望ましい。この構成によれば、位相差層の端面が膜厚方向中央部で「く」の字型に屈曲した形状となるため、テーパ領域の大きさも従来の位相差層の半分程度にまで小さくすることができる。
【０００８】
本発明においては、前記屈曲部は前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界部に位置する位相差層の端面に設けられていることが望ましい。位相差層は反射表示領域に形成されるため、位相差層の端面は反射表示領域と透過表示領域との境界部に必ず形成される。そのため、位相差層のテーパ領域が大きいと、その部分の全てが表示に寄与しなくなり（若しくは表示に悪影響を与えることになり）、開口率の低下が大きくなる。一方、反射表示領域と透過表示領域との境界部以外のテーパ領域は、もともとサブ画素領域の境界部若しくは周辺部に配置され、ブラックマトリクスで遮光されるため、その部分の面積が大きくなったとしても表示への影響は小さい。したがって、反射表示領域と透過表示領域との境界部のテーパ領域を小さくすることが表示品質を向上する上で重要となる。そこで、本発明では反射表示領域と透過表示領域との境界部の端面に前記屈曲部を形成し、前記テーパ領域の面積を小さくしている。この構成によれば、特に表示品質への影響が大きい反射表示領域と透過表示領域との境界部のテーパ領域が小さくなるため、表示品質に優れた液晶装置が提供できる。
【０００９】
本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持し、１つのサブ画素領域内に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とを有し、前記反射表示領域に対応する領域に位相差層を有してなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の基板上に前記位相差層の形成材料を塗布する工程と、前記位相差層の形成材料に紫外線を照射し、前記反射表示領域に対応する領域の位相差層の形成材料を硬化して位相差層を形成する工程と、を含み、前記紫外線の照射工程は、前記一方の基板の第１面側から第１光学マスクを用いて前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する工程と、前記第１面とは反対側の第２面側から前記第１光学マスクと同一のマスクパターンを有する第２光学マスクを用いて前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する工程と、を含むことを特徴とする。この方法によれば、第１面側から入射する回折光（紫外線）と第２面側から入射する回折光（紫外線）とを位相差層の膜厚方向において交差させることができる。そのため、位相差層の端面が「く」の字型に屈曲した形状となり、テーパ領域の大きさも従来の位相差層に比べて小さくすることができる。
【００１０】
本発明においては、前記第１光学マスクを介して照射される紫外線の最外周部の光路と前記第２光学マスクを介して照射される紫外線の最外周部の光路とが前記位相差層の形成材料の膜厚方向中央部で交差することが望ましい。この方法によれば、第１面側から入射する回折光（紫外線）と第２面側から入射する回折光（紫外線）とを位相差層の膜厚方向中央部で交差させることができる。そのため、位相差層の端面が膜厚方向中央部で「く」の字型に屈曲した形状となり、テーパ領域の大きさも従来の位相差層の半分程度にまで小さくすることができる。
【００１１】
本発明においては、前記紫外線の照射工程は、前記一方の基板の第１面上に光学マスクを配置し、前記光学マスクを介して前記第１面側から前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する第１照射工程と、前記一方の基板を反転させ、前記光学マスクを介して前記第１面とは反対側の第２面側から前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する第２照射工程と、を含むことが望ましい。この方法によれば、１枚の光学マスクで基板の両面から露光を行うことができる。
【００１２】
本発明においては、前記第２照射工程は、前記一方の基板を前記位相差層の形成材料が塗布された領域に対応する領域に凹部又は開口部を有する支持部材上に載せて行うことが望ましい。この方法によれば、位相差層の形成された部分が支持部材に接触しないので、位相差層の表面に傷等が発生しにくくなる。
【００１３】
本発明においては、前記紫外線の照射工程は、前記一方の基板の第１面上に第１光学マスクを配置し、前記第１光学マスクを介して前記第１面側から前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する第１照射工程と、前記一方の基板の第１面とは反対側の第２面に前記第１光学マスクと同一のマスクパターンを有する第２光学マスクを配置し、前記第２光学マスクを介して前記第２面側から前記位相差層の形成材料に紫外線を照射する第２照射工程と、を含むことが望ましい。
【００１４】
この場合、前記第２光学マスクは前記一方の基板の第２面上に一体に設けられており、前記第２光学マスクは前記第２照射工程が終了した後に前記一方の基板から除去されるものとすることができる。また、前記第１光学マスク及び前記第２光学マスクは前記一方の基板とは別体の部材として設けられているものとすることができる。前者の方法によれば、第２光学マスクを基板上に形成する過程で、第２光学マスクのマスクパターンと位相差層の形成領域とを正確に位置決めすることができる。後者の方法によれば、基板の製造プロセスを変更する必要がないので、共通のプロセスで安定した表示品質を実現することができる。また、第２光学マスクを基板上に一体に形成する場合に比べて、第２照射工程が終了した後の第２光学マスクの除去工程が不要になり、プロセスが簡略化される。
【００１５】
本発明においては、紫外線の光路上に光路変換手段が設けられ、前記光路変換手段により前記紫外線が前記第１光学マスク又は前記第２光学マスクに対して選択的に照射されることが望ましい。この方法によれば、紫外線の光源を第１光学マスクと第２光学マスクについて共通化することができる。
【００１６】
本発明の露光装置は、基板の第１面上に塗布された位相差層の形成材料に紫外線を照射し、前記位相差層の形成材料を硬化して所定のパターンの位相差層を形成する露光装置であって、前記紫外線を射出する光源と、前記基板の第１面上に第１光学マスクを保持する第１光学マスク保持部と、前記基板の第１面とは反対側の第２面上に前記第１光学マスクと同じマスクパターンの第２光学マスクを保持する第２光学マスク保持部と、前記光源から射出された紫外線の光路上に設けられ、前記紫外線を前記第１光学マスク又は前記第２光学マスクに対して選択的に供給する光路変換手段と、を備えたことを特徴とする。この構成によれば、第１面側から入射する回折光（紫外線）と第２面側から入射する回折光（紫外線）とを位相差層の膜厚方向において交差させることができる。そのため、位相差層の端面が「く」の字型に屈曲した形状となり、テーパ領域の大きさも従来の位相差層に比べて小さくすることができる。
【００１７】
本発明においては、前記光路変換手段は所定の回転軸を有する回転ミラーであり、前記回転ミラーの回転位置に応じて前記紫外線が前記第１光学マスク又は前記第２光学マスクに対して選択的に照射されることが望ましい。この構成によれば、簡単な構成で確実に紫外線の光路を変換することができる。
【００１８】
本発明においては、前記基板を支持する支持部材を備え、前記支持部材は、前記基板の前記位相差層の形成材料が塗布された領域に対応する部分に開口部を備えていることが望ましい。この構成によれば、基板の第２面側から紫外線を照射する場合に、支持部材による紫外線の吸収がないため、少ない光量で確実に位相差層を硬化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではない。下記の実施形態において、各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２０】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の液晶装置の第１実施形態を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素の回路構成図である。本実施形態の液晶装置１００は、液晶に対して基板面方向の電界（横電界）を作用させ、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。また、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出射する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称し、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される表示領域を「画素領域」と称する。
【００２１】
図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と、画素電極９と電気的に接続されてサブ画素をスイッチング制御するＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路１０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各画素に供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２２】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
そして、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。
【００２３】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、液晶を介して画素電極９と対向する共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が接続されている。蓄積容量７０はＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００２４】
図２は、液晶装置１００の任意の１サブ画素における平面構成図である。液晶装置１００のサブ画素領域には、平面視略梯子状を成すＹ軸方向に長手の画素電極（第１電極）９と、画素電極９と平面的に重なって配置された平面略ベタ状の共通電極（第２電極）１９とが設けられている。サブ画素領域の図示左上の端部の角部（或いは各サブ画素領域の間隙）には、第１基板１０と第２基板２０とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ４０が立設されている。
【００２５】
画素電極９は、概略Ｘ軸方向に延びる複数本（図示では１５本）の帯状電極９ｃと、これらの帯状電極９ｃの図示左右方向の両端部と接続された平面視略矩形枠状の枠体部９ａとを備えて構成されており、複数の帯状電極９ｃは、互いに平行に均等な間隔でＹ軸方向に配列されている。
【００２６】
共通電極１９は、サブ画素領域内に部分的に設けられた反射層２９を覆うように形成されている。本実施形態の場合、共通電極１９はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる導電膜であり、反射層２９は、アルミニウムや銀等の光反射性の金属膜や、屈折率の異なる誘電体膜（ＳｉＯ２とＴｉＯ２等）を積層した誘電体積層膜（誘電体ミラー）からなるものである。液晶装置１００は、上記反射層２９での反射光を散乱させる機能を具備していることが好ましく、かかる構成により反射表示の視認性を向上させることができる。
【００２７】
なお、共通電極１９は、本実施形態のように反射層２９を覆うように形成されている構成のほか、透明導電材料からなる透明電極と、光反射性の金属材料からなる反射電極とが平面的に区画されている構成、即ち、反射表示領域に対応して配置された透明電極と、反射表示領域に対応して配置された反射電極とを備え、両電極が透過表示領域と反射表示領域との間（境界部）で互いに電気的に接続されているものも採用することができる。この場合、透明電極と反射電極とが画素電極９との間に電界を生じさせる共通電極を構成する一方、反射電極は当該サブ画素領域の反射層としても機能する。
【００２８】
サブ画素領域には、Ｙ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｘ軸方向に延びる走査線３ａと、走査線３ａに隣接して走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂとが形成されている。データ線６ａと走査線３ａとの交差部に対応してその近傍にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は走査線３ａの平面領域内に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース電極６ｂ、及びドレイン電極３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００２９】
ＴＦＴ３０のソース電極６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略Ｌ形を成しており、ドレイン電極３２は、半導体層３５上から画素電極側に延びて平面視略矩形状の容量電極３１と電気的に接続されている。容量電極３１上には、画素電極９のコンタクト部が配置されており、両者が平面的に重なる位置に設けられた画素コンタクトホール４５を介して容量電極３１と画素電極９とが電気的に接続されている。また容量電極３１は容量線３ｂの平面領域内に配置されており、当該位置に厚さ方向で対向する容量電極３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量７０が形成されている。
【００３０】
図３は、図２のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図である。液晶装置１００は、互いに対向して配置された第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層５０を挟持した構成を備えており、液晶層５０は第１基板１０と第２基板２０とが対向する領域の縁端に沿って設けられたシール材（図示略）によって両基板１０，２０間に封止されている。第１基板１０の外面側（液晶層と反対側）には、偏光板１４が設けられ、第２基板２０の外面側には偏光板２４が設けられている。第１基板１０の背面側（図示下面側）には、光源と導光板９１と反射板９２とを具備したバックライト（照明装置）９０が設けられている。
【００３１】
第１基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１１が形成されている。ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極３２とが形成されている。ドレイン電極３２の図示右側には容量電極３１が一体に形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向配置されており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成するようになっている。容量電極３１はゲート絶縁膜１１を介して容量線３ｂと対向配置されており、容量電極３１と容量線３ｂとが対向する領域に、ゲート絶縁膜１１を誘電体膜とする蓄積容量７０が形成されている。
【００３２】
半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極３２、及び容量電極３１を覆って、第１層間絶縁膜１２が形成されている。第１層間絶縁膜１２上の一部にはアクリル樹脂等の樹脂層３９が形成されており、樹脂層３９上には反射層２９が形成されている。樹脂層３９は透過表示領域Ｔを除く領域に設けられている。反射層２９と第１層間絶縁膜１２とを覆って、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極１９が形成されている。上記樹脂層３９はその表面に凹凸形状を有しており、かかる凹凸形状に倣う凹凸面を有して形成された反射層２９が光散乱性の反射手段を構成している。
【００３３】
このようにサブ画素領域に部分的に反射層２９が形成された本実施形態の液晶装置１００では、図２に示した１サブ画素領域内のうち、反射層２９の形成領域が、第２基板２０の外側から入射して液晶層５０を透過する光を反射、変調して表示を行う反射表示領域Ｒとなっている。また、反射層２９が形成されていない領域が、バックライト９０から入射して液晶層５０を透過する光を変調して表示を行う透過表示領域Ｔとなっている。
【００３４】
共通電極１９を覆ってシリコン酸化物等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されている。第２層間絶縁膜１３の液晶層側の表面にＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９が形成されている。また、画素電極９、第２層間絶縁膜１３を覆ってポリイミド等からなる配向膜１８が形成されている。
【００３５】
第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜１３を貫通して容量電極３１に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極９の一部（コンタクト部）が埋め込まれて、画素電極９と容量電極３１とが電気的に接続されている。上記画素コンタクトホール４５の形成領域に対応して共通電極１９にも開口部が設けられており、この開口部を介して画素電極９と容量電極３１とが電気的に接続されるとともに、共通電極１９と画素電極９とが短絡しないような構成になっている。
【００３６】
一方、第２基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる基板本体２０Ａを基体としてなり、基板本体２０Ａの内面側（液晶層５０側）には、サブ画素毎に異なる色光を透過するカラーフィルタを備えたＣＦ層２２が形成されている。上記カラーフィルタは、サブ画素内で色度の異なる２種類の色材領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体的には、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。また、反射表示領域Ｒの一部に非着色領域を設ける構成としてもよい。このような構成とすることで、カラーフィルタを表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。なお、ＣＦ層２２は、第１基板１０側に形成することもできる。
【００３７】
ＣＦ層２２の液晶層５０側には、反射表示領域Ｒに対応して位相差層２３が形成されており、位相差層２３及びＣＦ層２２を覆ってポリイミド等からなる配向膜２８が形成されている。本実施形態の場合、位相差層２３は、その入射光に対して略１／２波長（λ／２）の位相差を付与するものであり、基板本体２０Ａの内面側に設けられたいわゆる内面位相差層である。位相差層２３は、液晶材料（液晶モノマーあるいは液晶オリゴマー）を含む溶液を配向膜（図示略）上に塗布し、後述のように所定方向に配向させながら紫外線を照射する方法により形成されている。
【００３８】
本実施形態の場合、位相差層２３は、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくするための液晶層厚調整層としても機能するものとなっている。半透過反射型の液晶表示装置では、反射表示領域Ｒへの入射光は液晶層５０を２回透過するが、透過表示領域Ｔへの入射光は液晶層５０を１回しか透過しない。これにより反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層５０のリタデーションが異なると、光透過率に差異を生じて均一な画像表示が得られないことになる。そこで位相差層２３を液晶層５０側に突出させて形成することでいわゆるマルチギャップ構造を実現している。具体的には、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚が透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚の半分程度に設定されて、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の実質的なリタデーションが略同一に設定されている。これにより、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができるようになっている。
【００３９】
本実施形態の場合、液晶層５０は誘電異方性が正の液晶からなり、画素電極９と共通電極１９との間に電界が発生していない初期配向状態において、透過表示領域Ｔの液晶層５０のリタデーションΔｎｄは、略１／２波長の位相差を付与するものであり、反射表示領域Ｒの液晶層５０のリタデーションΔｎｄは、略１／４波長（λ／４）の位相差を付与するものとなっている。このため、液晶層５０と位相差層２３との積層体が広帯域の１／４位相差板として機能し、可視光領域全域にわたって反射率が低下し、低反射率且つ無彩色の反射表示が得られるようになっている。
【００４０】
位相差層２３の端面には第１テーパ領域ＴＰ１と第２テーパ領域ＴＰ２とを含む断面「く」の字型の屈曲部Ｂが形成されている。第１テーパ領域ＴＰ１は基板本体２０Ａに近い側に設けられ、基板本体２０Ａとの距離が大きくなるに従って断面積が小さくなるような順テーパ形状を有する領域（順テーパ領域）である。第２テーパ領域ＴＰ２は基板本体２０Ａから遠い側に設けられ、基板本体２０Ａからの距離が大きくなるに従って断面積が大きくなるような逆テーパ形状の領域（逆テーパ領域）である。第１テーパ領域ＴＰ１と第２テーパ領域ＴＰ２とは位相差層２３の膜厚方向中央部で交差しており、第１テーパ領域ＴＰ１の下端部（ＣＦ層２２と接する部分）の位置と第２テーパ領域ＴＰ２の上端部（ＣＦ層２２から最も遠い部分）の位置は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部の位置と略一致している。
【００４１】
液晶装置１００の各光学部材の光学軸の配置は次の通りである。偏光板１４の透過軸と偏光板２４の透過軸とは直交している。偏光板２４の透過軸は、画素電極９と共通電極１９との間に生じる電界の主方向（帯状電極９ｃの延在方向と直交する方向）と４５°をなす方向に配置されている。位相差層２３の光学軸（遅相軸）は偏光板２４の透過軸と２２．５°をなす方向に配置されている。配向膜１８，２８のラビング方向は偏光板１４の透過軸と平行である。配向膜１８，２８のラビング方向はこれに限定されないが、画素電極９と共通電極１９との間に生じる電界の主方向と交差する方向とする。そして、初期状態ではラビング方向に沿って平行配向している液晶が、画素電極９と共通電極１９との間への電圧印加によって上記電界の主方向側へ回転して配向する。この初期配向状態と電圧印加時の配向状態との差異に基づいて明暗表示が成されるようになっている。
【００４２】
次に、液晶装置１００の製造方法を位相差層２３の形成工程を中心に説明する。図４は、位相差層の形成工程に用いられる露光装置の第１実施形態の概略構成図であり、図５は、該露光装置を用いた位相差層の形成工程の説明図である。なお、基板本体２０Ａ上にはＣＦ層等の他の構成要素が配置されているが、図４及び図５ではそれらの図示は省略している。
【００４３】
図４に示すように、露光装置１は、紫外線Ｌを射出する光源６０と、基板本体２０Ａを支持するステージ６３と、基板本体２０Ａ上に光学マスク６４を保持する光学マスク保持部６５と、光源６０から射出された紫外線Ｌをステージ６３上に設置された基板本体２０Ａに伝達する第１ミラー６１及び第２ミラー６２と、を備えている。
【００４４】
基板本体２０Ａ上には、図３に示したＣＦ層２２が設けられている。基板本体２０Ａ及びＣＦ層２２は、いずれも光源６０から射出される紫外線Ｌを透過する紫外線透過部材によって構成されている。基板本体２０Ａの第１面２０ａ上（より詳しくは、第１面２０ａ上に形成されたＣＦ層上）には、位相差層の形成材料である液晶モノマー又は液晶オリゴマー等の光重合性液晶材料２３Ａが塗布されている。また、基板本体２０Ａの第１面２０ａとは反対側の第２面２０ｂ上には、後述する第１光学マスク６４と同一のマスクパターンを有する第２光学マスク６６がフォトリソグラフィ法又は印刷法によって形成されている。第２光学マスク６６はクロムやカーボン樹脂等の紫外線吸収部材によって形成され、第２光学マスク６６と基板本体２０Ａとの界面には必要に応じて紫外線反射防止処理等が施されている。
【００４５】
光源６０としては光重合性液晶材料２３Ａを重合させることが可能な紫外線Ｌを発生するものが用いられ、ハロゲンランプや超高圧水銀ランプ等の公知の光源装置が適用できる。光源６０から射出された紫外線Ｌは、第１ミラー６１及び第２ミラー６２を含むリレー光学系によってステージ６３上に設置された基板本体２０Ａ上に照射される。リレー光学系には、第１ミラー６１及び第２ミラー６２の他に、コリメータレンズ、波長選択フィルタ、オプティカルインテグレータ、フィールドレンズ、ハーフミラー、リレーレンズ等の光学要素が必要に応じて付設され、紫外線Ｌを光重合性液晶材料２３Ａの塗布領域を均一に照射できるようになっている。
【００４６】
光学マスク保持部６５にはモータ等の公知の駆動機構を備えた図示略の移動機構が設けられている。光学マスク６４は前記移動機構により紫外線Ｌの光路に対して進退自在に構成されており、露光処理を行うときには紫外線Ｌの光路内に挿入されて基板本体２０Ａ上に保持され、露光処理を行わないとき及び露光処理が終了したときには紫外線Ｌの光路外の所定の位置（退避位置）に後退されるようになっている。
【００４７】
ステージ６３の上部（紫外線Ｌの入射側）には平面視略矩形状の支持部材６７が設けられている。支持部材６７の中央部には平面視略矩形状の開口部６７Ｈが設けられており、該開口部６７Ｈがステージ６３上に設置された基板本体２０Ａと対向している。開口部６７Ｈは光重合性液晶材料２３Ａの塗布領域よりも若干大きめに形成されており、基板本体２０Ａをステージ６３上に設置したときに基板本体２０Ａの前記塗布領域が開口部６７Ｈの内側に配置されるようになっている。また、開口部６７Ｈは基板本体２０Ａよりも若干小さめに形成されており、基板本体２０Ａを支持部材６７上に設置したときに光重合性液晶材料２３Ａの非塗布領域である基板本体外周部が支持部材６７上に配置されるようになっている。
【００４８】
次に、上記露光装置を用いた位相差層の形成方法を図５を用いて説明する。本実施形態の位相差層の形成方法では、まず、図５（ａ）に示すように、基板本体２０Ａの第１面２０ａ上に光重合性液晶材料２３Ａを塗布し、第１面２０ａを表側（紫外線Ｌ１の入射側）にして基板本体２０Ａをステージ６３上に設置する。そして、光学マスク保持部に設けられた移動機構（図示略）によって第１光学マスク６４を紫外線Ｌ１の光路上に配置し、基板本体２０Ａの上部に正確に位置決めした後、第１光学マスク６４及び支持部材６７の開口部６７Ｈを介して基板本体２０Ａに紫外線Ｌ１を照射し、光重合性液晶材料２３Ａの所定領域（反射表示領域に対応する領域）を重合硬化させる。
【００４９】
この場合、光重合性液晶材料２３Ａを透過した紫外線Ｌ１の一部は、基板本体２０Ａの第２面２０ｂ上に形成された第２光学マスク６６に入射されるが、第２光学マスク６６は紫外線Ｌ１を吸収する紫外線吸収部材によって構成されているので、第２光学マスク６６で反射して再度光重合性液晶材料２３Ａに入射されることはない。
【００５０】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１光学マスクを紫外線の光路外（退避位置）に後退させ、基板本体２０Ａをステージ６３上から取り外す。そして、第１面２０ａとは反対側の第２面２０ｂを表側にして基板本体２０Ａを支持部材６７上に設置する。この際、光重合性液晶材料２３Ａが支持部材６７と干渉しないように光重合性液晶材料２３Ａの塗布領域を支持部材６７の開口部６７Ｈの内側に配置する。
【００５１】
次に、図５（ｃ）に示すように、基板本体２０Ａの第２面２０ｂ上に設けられた第２光学マスク６６を介して基板本体２０Ａに垂直に紫外線Ｌ２を照射し、光重合性液晶材料２３Ａの所定領域（反射表示領域に対応する領域）を重合硬化させる。前述のように、第２光学マスク６６は基板本体２０Ａの第２面２０ｂ上にフォトリソグラフィ法等を用いて形成されたものであり、第１光学マスク６４と同一のマスクパターンを有するものである。第２光学マスク６６は、その形成過程において、基板本体２０Ａ上に形成された構成要素（ＣＦ層のカラーフィルタ等）と精密に位置決めされており、第２光学マスク６６を介して紫外線Ｌ２を照射することにより、第１光学マスク６４を用いて露光処理した部分が重ねて露光処理されることになる。
【００５２】
露光処理が終了したら、露光によって重合硬化された領域以外の領域の光重合性液晶材料２３Ａを有機溶剤で除去し、位相差層を完成する。位相差層が形成されたら、位相差層の形成領域を保護膜等で保護しつつ、基板本体２０Ａの第２面２０ｂに形成された第２光学マスク６６を除去する。そして、前記保護膜等を除去し、位相差層を覆う配向膜を形成することにより、第２基板を完成する。
【００５３】
図６は、基板本体２０Ａの両面側から露光処理を行った場合の作用を説明する部分断面図である。第１光学マスク６４と第２光学マスク６６には、位相差層のパターンに応じて複数の開口部６４Ｈ、６６Ｈが設けられている。図６の上側に示すように、第１面２０ａ側から紫外線を照射すると、第１光学マスク６４に設けられた複数の開口部のうち１つの開口部６４Ｈから第１光学マスク６４の裏面側に回り込んだ回折光Ｌ１が光重合性材料２３Ａに対して斜めに入射し、断面略台形状の台形領域Ｄ１を重合硬化する。この台形領域Ｄ１は基板本体２０Ａからの距離が大きくなるに従って断面積が小さくなる順テーパ状の台形形状を有し、そのテーパ領域の幅はＷ１である。
【００５４】
一方、図６の下側に示すように、第２面２０ｂ側から紫外線を照射すると、第２光学マスク６６に設けられた複数の開口部のうち開口部６４Ｈに対応する開口部６６Ｈから第２光学マスク６６の裏面側に回り込んだ回折光Ｌ２が光重合性液晶材料２３Ａに対して斜めに入射し、断面略台形形状の台形領域Ｄ２を重合硬化する。この台形領域Ｄ２は基板本体２０Ａからの距離が大きくなるに従って断面積が大きくなる逆テーパ状の台形形状を有し、そのテーパ領域の幅はＷ１である。
【００５５】
台形領域Ｄ１と台形領域Ｄ２は光重合性液晶材料２３Ａの厚み方向中央部で交差し、その交差部分で互いに逆方向に屈曲した断面「く」の字型の屈曲部Ｂを形成する。屈曲部Ｂの幅Ｗ２は、台形領域Ｄ１のテーパ領域と台形領域Ｄ２のテーパ領域とが光重合性液晶材料２３Ａの膜厚方向中央部で交差することから、台形領域Ｄ１のテーパ領域の幅（又は台形領域Ｄ２のテーパ領域の幅）Ｗ１の約１／２となる。したがって、基板本体２０Ａの一方の面のみから紫外線を照射した場合に比べて、位相差層のテーパ領域の幅（本実施形態の場合は屈曲部Ｂの幅）が半分程度に小さくなり、表示品質への影響も最小限に抑えられる。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、位相差層２３のテーパ領域の大きさを従来の位相差層の半分程度に小さくすることができる。このため、従来に比べて表示品質に優れた液晶装置が提供できる。
【００５７】
なお、本実施形態の液晶装置１００では、位相差層の第１テーパ領域ＴＰ１と第２テーパ領域ＴＰ２とを位相差層の膜厚方向中央部で交差させたが、交差領域の位置はこれに限定されない。交差領域が膜厚方向のいずれかの位置に設けられていれば、テーパ領域の大きさは従来の位相差層に比べて小さくなり、その結果、位相差が設計値と異なる領域が小さくなり、従来に比べて表示品質に優れた液晶装置が提供できる。
【００５８】
［第２の実施の形態］
図７は、位相差層の形成工程に用いられる露光装置の第２実施形態の概略構成図である。なお、本実施形態の露光装置２の基本構成は第１実施形態の露光装置１と同じである。異なるのは、支持部材であるステージ６８の構成である。したがって、第１実施形態の露光装置１と共通の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５９】
ステージ６８の基板本体２０Ａを設置する領域には平面視略矩形状の凹部６８Ｈが設けられている。凹部６８Ｈは光重合性液晶材料２３Ａの塗布領域よりも若干大きめに形成されており、基板本体２０Ａを裏返してステージ６８上に設置したときに基板本体２０Ａの前記塗布領域が凹部６８Ｈの内側に配置されるようになっている。また、凹部６８Ｈは基板本体２０Ａよりも若干小さめに形成されており、基板本体２０Ａをステージ６８上に設置したときに光重合性液晶材料２３Ａの非塗布領域である基板本体外周部がステージ６８上に配置されるようになっている。さらに、凹部６８Ｈの深さは、凹部６８Ｈに配置された光重合性液晶材料２３Ａが凹部６８Ｈの底面に接触しないように、光重合性液晶材料２３Ａの厚みよりも大きく形成されている。
【００６０】
本実施形態の位相差層の形成方法では、まず、基板本体２０Ａの第１面２０ａ上に光重合性液晶材料２３Ａを塗布し、第１面２０ａを表側（紫外線Ｌの入射側）にして基板本体２Ａをステージ６８上に設置する。そして、光学マスク保持部６５に設けられた移動機構（図示略）によって光学マスク６４を紫外線Ｌの光路上に配置し、基板本体２０Ａの上部に正確に位置決めした後、光学マスク６４を介して基板本体２０Ａに紫外線Ｌを照射し、光重合性液晶材料２３Ａの所定領域（反射表示領域に対応する領域）を重合硬化させる。
【００６１】
本実施形態の場合、基板本体２０Ａの第２面２０ｂには光学マスクは形成されていない。したがって、光重合性液晶材料２３Ａを透過した光の一部が、基板本体２０Ａの第２面２０ｂ上に形成された光学マスクで反射され、再度光重合性液晶材料２３Ａに入射されることはない。
【００６２】
次に、光学マスク６４を紫外線の光路外に後退させ、基板本体２０Ａをステージ６８上から取り外す。そして、第１面２０ａとは反対側の第２面２０ｂを表側にして基板本体２０Ａをステージ６８上に設置する。この際、光重合性液晶材料２３Ａがステージ６８と干渉しないように光重合性液晶材料２３Ａの塗布領域をステージ６８の凹部６８Ｈの内側に配置する。
【００６３】
次に、光路外に退避させていた前記光学マスク６４を再び紫外線Ｌの光路上に配置し、基板本体２０Ａの上部に正確に位置決めした後、光学マスク６４を介して基板本体２０Ａに紫外線Ｌを照射し、光重合性液晶材料２３Ａの所定領域（反射表示領域に対応する領域）を重合硬化させる。ここで、紫外線Ｌを照射する領域は、先の露光処理により紫外線Ｌを照射された領域と同じ領域である。そのため、先の露光工程で露光処理された部分は重ねて露光処理されることになる。この場合、第１面２０ａ側から入射する回折光Ｌ（紫外線）と第２面２０ｂ側から入射する回折光Ｌ（紫外線）とが光重合性液晶材料２３Ａの膜厚方向中央部で交差するため、得られる位相差層の断面形状は膜厚方向中央部で「く」の字型に屈曲した形状となり、テーパ領域の大きさも従来の位相差層の半分程度にまで小さくすることができる。
【００６４】
本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、１枚の光学マスク６４で基板本体２０Ａの両面から露光が行われるため、基板本体２０Ａの第２面２０ｂ上に光学マスクを形成する必要がない。光学マスクを基板本体２０Ａ上に形成した場合、位相差層を形成した後に保護膜等で位相差層を保護しつつ光学マスクをエッチング等で除去する工程が必要になるが、本実施形態ではそのような工程が不要になるので、工程が大幅に簡略化される。
【００６５】
［第３の実施の形態］
図８は、位相差層の形成工程に用いられる露光装置の第３実施形態の概略構成図である。なお、第１実施形態の露光装置１と共通の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６６】
露光装置３は、紫外線Ｌを射出する光源７０と、基板本体２０Ａを支持する支持部材８１と、基板本体２０Ａの第１面２０ａ側に第１光学マスク７５を保持する第１光学マスク保持部７６と、基板本体２０Ａの第２面２０ｂ側に第２光学マスク７９を保持する第２光学マスク保持部８０と、光源７０から射出された紫外線Ｌの光路上に設けられた回転ミラー７１と、回転ミラー７１で反射された紫外線Ｌを基板本体２０Ａの第１面２０ａ上に伝達する第１ミラー７３及び第２ミラー７４と、回転ミラー７１で反射された紫外線Ｌを基板本体２Ａの第２面２０ｂ上に伝達する第３ミラー７７及び第４ミラー７８と、を備えている。
【００６７】
基板本体２０Ａ上には、図３に示したＣＦ層２２が設けられている。基板本体２０Ａ及びＣＦ層２２は、いずれも光源６０から射出される紫外線Ｌを透過する紫外線透過部材によって構成されている。基板本体２０Ａの第１面２０ａ上（より詳しくは、第１面２０ａ上に形成されたＣＦ層上）には、位相差層の形成材料である液晶モノマー又は液晶オリゴマー等の光重合性液晶材料２３Ａが塗布されている。
【００６８】
光源７０としては光重合性液晶材料２３Ａを重合させることが可能な紫外線Ｌを発生するものが用いられ、ハロゲンランプや超高圧水銀ランプ等の公知の光源装置が適用できる。光源７０から射出された紫外線Ｌの光路上には光路変換手段である回転ミラー７１が配置されている。回転ミラー７１はモータ等の回転手段７２によって図示実線で示した第１回転位置と図示点線で示した第２回転位置とに回転される。第１回転位置に回転された場合、回転ミラー７１で反射された紫外線Ｌ１は、第１ミラー７３及び第２ミラー７４を含む第１リレー光学系によって支持部材８１上に設置された基板本体２０Ａの第１面２０ａ上に照射される。第２回転位置に回転された場合、回転ミラー７１で反射された紫外線Ｌ２は、第３ミラー７７及び第４ミラー７８を含む第２リレー光学系によって支持部材８１上に設置された基板本体２０Ａの第３面２０ｂ上に照射される。
【００６９】
第１リレー光学系には、第１ミラー７３及び第２ミラー７４の他に、コリメータレンズ、波長選択フィルタ、オプティカルインテグレータ、フィールドレンズ、ハーフミラー、リレーレンズ等の光学要素が必要に応じて付設され、紫外線Ｌ１を光重合性液晶材料２３Ａの塗布領域を均一に照射できるようになっている。同様に、第２リレー光学系には、第３ミラー７７及び第４ミラー７８の他に、コリメータレンズ、波長選択フィルタ、オプティカルインテグレータ、フィールドレンズ、ハーフミラー、リレーレンズ等の光学要素が必要に応じて付設され、紫外線Ｌ２を光重合性液晶材料２３Ａの塗布領域を均一に照射できるようになっている。
【００７０】
第１光学マスク保持部７６にはモータ等の公知の駆動機構を備えた図示略の移動機構が設けられている。第１光学マスク７５は前記移動機構により紫外線Ｌ１の光路に対して進退自在に構成されており、露光処理を行うときには紫外線Ｌ１の光路内に挿入されて基板本体２０Ａの第１面２０ａ上に保持され、露光処理を行わないとき及び露光処理が終了したときには紫外線Ｌ１の光路外の所定の位置（退避位置）に後退されるようになっている。同様に、第２光学マスク保持部８０にはモータ等の公知の駆動機構を備えた図示略の移動機構が設けられている。第２光学マスク７９は前記移動機構により紫外線Ｌ２の光路に対して進退自在に構成されており、露光処理を行うときには紫外線Ｌ２の光路内に挿入されて基板本体２０Ａの第２面２０ｂ上に保持され、露光処理を行わないとき及び露光処理が終了したときには紫外線Ｌ２の光路外の所定の位置（退避位置）に後退されるようになっている。
【００７１】
支持部材８１の中央部には平面視略矩形状の開口部８１Ｈが設けられている。開口部８１Ｈは光重合性液晶材料２３Ａの塗布領域よりも若干大きめに形成されており、基板本体２０Ａを支持部材８１上に設置したときに基板本体２０Ａの前記塗布領域が開口部８１Ｈの内側に配置されるようになっている。また、開口部８１Ｈは基板本体２０Ａよりも若干小さめに形成されており、基板本体２０Ａを支持部材８１上に設置したときに光重合性液晶材料２３Ａの非塗布領域である基板本体外周部が支持部材８１上に配置されるようになっている。
【００７２】
本実施形態の位相差層の形成方法では、まず、基板本体２０Ａの第１面２０ａ上に光重合性液晶材料２３Ａを塗布し、第１面２０ａを表側（紫外線Ｌ１の入射側）にして基板本体２０Ａを支持部材８１上に設置する。この際、光重合性液晶材料２３Ａが支持部材８１と重ならないように光重合性液晶材料２３Ａの塗布領域を支持部材８１７の開口部８１Ｈの内側に配置する。
【００７３】
次に、回転ミラー７１を第１回転位置に回転し、第２光学マスク７９を退避位置に退避させた状態で、第１光学マスク保持部７６に設けられた移動機構（図示略）によって第１光学マスク７５を紫外線Ｌ１の光路上に配置する。そして、第１光学マスク７５を基板本体２０Ａの上部に正確に位置決めした後、第１光学マスク７５を介して基板本体２０Ａに紫外線Ｌ１を照射し、光重合性液晶材料２３Ａの所定領域（反射表示領域に対応する領域）を重合硬化させる。
【００７４】
次に、第１光学マスク７５を紫外線Ｌ１の光路外（退避位置）に後退させ、回転ミラー７１を第２回転位置に回転し、第２光学マスク保持部８０に設けられた移動機構（図示略）によって第２光学マスク７９を紫外線Ｌ２の光路上に配置する。そして、第２光学マスク７９を基板本体２０Ａの下部に正確に位置決めした後、第２光学マスク７９を介して基板本体２０Ａに紫外線Ｌ２を照射し、光重合性液晶材料２３Ａの所定領域（反射表示領域に対応する領域）を重合硬化させる。
【００７５】
ここで、紫外線Ｌ２を照射する領域は、先の露光処理により紫外線Ｌ１を照射された領域と同じ領域である。そのため、先の露光工程で露光処理された部分は重ねて露光処理されることになる。この場合、第１面２０ａ側から入射する回折光Ｌ１（紫外線）と第２面２０ｂ側から入射する回折光Ｌ２（紫外線）とが光重合性液晶材料２３Ａの膜厚方向中央部で交差するため、得られる位相差層の断面形状は膜厚方向中央部で「く」の字型に屈曲した形状となり、テーパ領域の大きさも従来の位相差層の半分程度にまで小さくすることができる。
【００７６】
本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、位相差層２３のテーパ領域の大きさを従来の位相差層の半分程度に小さくすることができる。このため、従来に比べて表示品質に優れた液晶装置が提供できる。
【００７７】
なお、本実施形態では、第１光学マスク７５と第２光学マスク７９とを交互に入れ替えつつ露光処理を行ったが、第１光学マスク７５と第２光学マスク７９を基板本体２０Ａの両面側に同時に配置し、回転ミラー７１の回転位置に応じていずれかの光学マスクを選択的に照射しつつ露光処理を行うこともできる。この場合、光重合性液晶材料２３Ａを透過した紫外線の一部が対向側の光学マスクで反射されて再度光重合性液晶材料２３Ａに入射されないように、第１光学マスク７５及び第２光学マスク７９の基板本体２０Ａと対向する面には、必要に応じて紫外線反射防止処理等を施すことが望ましい。
【００７８】
また、本実施形態では、１つの光源７０から射出された紫外線Ｌを光路変換手段である回転ミラー７１によって第１光学マスク７５又は第２光学マスク７９のいずれかに選択的に供給しているが、第１光学マスク７５用と第２光学マスク７９用の２つの光源を用いて基板本体２０Ａの両面側から同時に露光処理を行っても良い。この場合も、対向側の光学マスクからの紫外線の反射を防止するために、第１光学マスク７５及び第２光学マスク７９の基板本体２０Ａと対向する面に、必要に応じて紫外線反射防止処理等を施すことが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】液晶装置の等価回路図である。
【図２】同液晶装置の１サブ画素の平面構成図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。
【図４】位相差層の形成工程に用いられる露光装置の第１実施形態の概略構成図である。
【図５】同露光装置を用いた位相差層の形成方法の説明図である。
【図６】同方法の作用を説明する部分断面図である。
【図７】位相差層の形成工程に用いられる露光装置の第２実施形態の概略構成図である。
【図８】位相差層の形成工程に用いられる露光装置の第３実施形態の概略構成図である。
【符号の説明】
【００８０】
１，２，３…露光装置、１０…第１基板、２０…第２基板、２０ａ…第１面、２０Ａ…基板本体（基板）、２０ｂ…第２面、２３…位相差層、２３Ａ…光重合性液晶材料（位相差層の形成材料）、６０…光源、６４…光学マスク、６５…光学マスク保持部、６６…第２光学マスク、６７…支持部材、６７Ｈ…開口部、６８…ステージ（支持部材）、６８Ｈ…凹部、７０…光源、７１…回転ミラー（光路変換手段）、７５…第１光学マスク、７６…第１光学マスク保持部、７９…第２光学マスク、８０…第２光学マスク保持部、８１…支持部材、８１Ｈ…開口部、１００…液晶装置、Ｌ，Ｌ１，Ｌ２…紫外線、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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