(57)【要約】【課題】厚膜にも利用可能であり、彫刻感度が高く、低レーザーエネルギーで効率的に彫刻が可能であるレーザー分解性樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成材料を提供すること。【解決手段】（Ａ）カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造を有するとともに、該構造以外に分子内にＮ、ＳおよびＯ原子から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を有する化合物、および、（Ｂ）バインダーポリマー、を含有するレーザー分解性樹脂組成物。支持体上に、該組成物からなる層を有することを特徴とするパターン形成材料。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造を有するとともに、該構造以外に分子内にＮ、ＳおよびＯ原子から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を有する化合物、および、（Ｂ）バインダーポリマー、を含有するレーザー分解性樹脂組成物。
【請求項２】
前記カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造が、置換されていてもよいメチレン基を介して前記へテロ原子に結合していることを特徴とする請求項１に記載のレーザー分解性樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）の化合物が、下記一般式（Ｉ）で示される基を少なくとも１つ有することを特徴とする請求項１に記載のレーザー分解性樹脂組成物。
【化１】
2008063553.tif 000051
前記一般式（Ｉ）中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−および−ＣＯ−から選択される２価の連結基を表し、Ｒ３は水素原子または一価の置換基を表す。Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素原子または一価の置換基を表す。なお、Ｒ１とＲ２、Ｒ１およびＲ２のいずれかとＲ３とは、互いに結合して環構造を形成していてもよい。
【請求項４】
前記（Ａ）の化合物が、下記一般式（Ｉ−２）で示される化合物であることを特徴とする請求項１に記載のレーザー分解性樹脂組成物。
【化２】
2008063553.tif 000052
一般式（Ｉ−２）中、Ａは芳香族基または複素環基を表す。Ｘ1は、−Ｏ−、−Ｓ−、
−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−および−ＣＯ−から選択される２価の連結基を表し、Ｒ3は、水素原子または一価の置換基を表す。Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素
原子または一価の置換基を表す。なお、Ｒ1とＲ2、Ｒ1およびＲ2のいずれかとＸ1、Ｒ1およびＲ2のいずれかとＡ、ＡとＸ1は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。
【請求項５】
前記（Ａ）の化合物が、下記一般式（ＰＣ−１）および（ＰＣ−２）から選択された少なくとも１種の化合物であることを特徴とする、請求項１に記載のレーザー分解性樹脂組成物。
【化３】
2008063553.tif 000053
一般式（ＰＣ−１）中、Ａｒは、モノ-、ポリ-または未置換のアリール基を表し、ｐは１から５の整数である
【化４】
2008063553.tif 000054
一般式（ＰＣ−２）中、Ｒ4は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｋ
及びｍは、それぞれ１〜５の整数である。
【請求項６】
さらに、（Ｃ）重合性化合物を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のレーザー分解性樹脂組成物。
【請求項７】
請求項６に記載のレーザー分解性樹脂組成物を硬化させてなることを特徴とするレーザー分解性樹脂組成物。
【請求項８】
支持体上に、（Ａ）カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造を有するとともに、該構造以外に分子内にＮ、ＳおよびＯ原子から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を有する化合物、および、（Ｂ）バインダーポリマー、を含有するレーザー分解性樹脂組成物からなる層を有することを特徴とするパターン形成材料。
【請求項９】
レーザー分解性樹脂組成物が、さらに、（Ｃ）重合性化合物を含有することを特徴とする請求項８に記載のパターン形成材料。
【請求項１０】
前記支持体上に、前記レーザー分解性樹脂組成物を硬化させてなる層を有することを特徴とする請求項９に記載のパターン形成材料。
【請求項１１】
前記パターン形成材料が、レーザー彫刻用フレキソ印刷版原版であることを特徴とする請求項９又は１０に記載のパターン形成材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザー分解性樹脂組成物に関し、特にレーザー処理に対して高い分解性を有するレーザー分解性樹脂組成物およびそれを用いるパターン形成材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
分解性樹脂、分解性樹脂組成物とは、例えば熱的因子、機械的因子、光化学的因子、放射線化学的因子、化学薬品的因子などの外部因子に応答して樹脂が分解するものであり、広く公知である。この樹脂の分解によって引き起こされる、樹脂または組成物の分解前後での形態の変化（液化、気化）、分子量、硬度、粘弾性、ガラス転移点（Ｔｇ）、溶解性、接着性などの性状や特性の変化を利用するものであり、各種の分野で使用されている。
【０００３】
このような分解性樹脂、分解性樹脂組成物の例としては例えばプラスチック材料の環境影響を低減させるための生分解性プラスチック（ポリ乳酸など）、医療・化粧品・ライフサイエンス分野などにおいて薬剤、香料などの成分を徐々に放出させるための徐放性材料などが挙げられる。但しこれらは自然環境下で酸素、光、酵素、生体内、土壌中などで徐々に分解するものであり、初期状態を安定に保ち、かつ外部刺激で一気に大きな性状の変化を引き起こすものではない。
【０００４】
またリサイクル性や廃棄処理の簡便化のために光や熱によって分解する樹脂や、接着性が低下する接着剤なども開発されている。更にセラミックス、炭素繊維などと分解性樹脂を混合し、焼成などによって分解性樹脂を除去することで多孔性材料を形成することも知られている。しかしながらこれらは材料全体を処理・加工するもので、必要な部分のみに必要なパターンを形成するものではない。また分解処理には大きなエネルギーが必要とされる。
【０００５】
画像形成への利用としては、例えば熱分解性樹脂を含むトナーを用いて、加熱定着時の熱による性状変化を利用して、トナーとしての保存安定性と画像定着性を両立させる例も知られている。しかしながら樹脂そのものがパターン状の刺激に対して十分な応答性を有しているものではない。
【０００６】
一方、パターン形成材料としては例えばフォトレジストとして、光酸発生剤と酸分解性樹脂とを含む組成物に対してパターン状に露光、必要に応じて加熱処理によって、パターン状に樹脂を分解し、現像処理でパターン形成を行うものが、所謂化学増幅型レジストとして広く知られている。この組成物は保存安定性とパターン形成性が実用レベルとして両立しているが、パターン形成には十分に処理条件が制御された現像過程が必須であり、また薄膜には適用可能であるが、例えば数十μｍ以上の厚膜でのパターン形成は困難である。
【０００７】
またレーザー光を画像様に照射して薄膜の一部を除去（アブレーション）する工程を利用することで画像を形成する方法も知られている（特許文献１）。しかしながら、熱分解性樹脂として取り上げられているの化合物はポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタンなど通常の汎用樹脂が例示されているにすぎず、また膜厚も１〜２μｍ程度に留まっている。また熱分解性を規定した化合物を用いる例も知られている（特許文献２）。しかしながら、この場合でも膜厚は１〜２μｍ程度に留まっている。
【０００８】
またプリント配線板へのペースト印刷などのためのマスク材料として、光分解性樹脂シートを利用して１００〜２００μｍ程度のパターンを形成するマスク、およびその製造方法が開示されている（特許文献３）。しかしながら、該公報には具体的な化合物については開示されておらず、露光、現像の度合いを調整してパターンを形成するために制御された現像処理が必須となる。
【０００９】
一方で厚膜に対して簡便な処理でパターンを形成するものとしては、例えばレーザー加工によるパターン形成が知られており、レーザー光を画像様に照射することで基材そのものを除去したり変形、変色させたりするものである。例えばレーザマーカーとして、各種基材からなる製品（例えばビデオテープ、家電製品）にロット番号等の情報を記入するなどの利用がなされている。但しこの場合は、基材自体は通常の樹脂などをそのまま用いているものである。
レーザー加工によるパターン形成においては、レーザー彫刻部（凹部）が速やかに形成されることが望まれる。このためには、高感度なレーザー分解性パターン形成材料が必要となる。
特に、レーザーにより直接描画するタイプのフレキソ印刷版原版（いわゆるレーザー彫刻用フレキソ印刷版）においては、レーザー光による彫り易さ（彫刻感度）が製版スピードを左右する為、高感度なレーザー分解性樹脂組成物を用いたレーザー彫刻用フレキソ印刷版が望まれている。
【００１０】
一方、熱により脱炭酸する化合物を使用して、重合性組成物の硬化感度を向上させる手段が開示されている（特許文献４〜６）。なお、特許文献４〜６に開示された重合性組成物は、レーザー露光部が硬化して（重合して）画像部を形成するネガ型の組成物である。
その他、特許文献７には、カルボン酸を有するポリマーを熱もしくはレーザにより脱水閉環して画像形成する方法が開示されている。この技術も、親水性の膜を露光により疎水性に変換する、いわゆる極性変換ネガ型刷版の例である。
一方、下記で説明する本発明のように、レーザー露光部が硬化するのではなく逆に分解する組成物において、熱による脱炭酸する化合物が組成物の熱分解性を向上させるという報告例はこれまでになされていない。
【特許文献１】特開平１０−１１９４３６号公報
【特許文献２】特開平１０−２４４７５１号公報
【特許文献３】特開平８−２５８４４２号公報
【特許文献４】特開２００４−３１００００号公報
【特許文献５】特表２００２−５３７４１９号公報
【特許文献６】特開２０００−１２２２７２号公報
【特許文献７】米国特許第４，０８１，５７２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、厚膜にも利用可能であり、彫刻感度が高く、低レーザーエネルギーで効率的に彫刻が可能であるレーザー分解性樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は鋭意検討を重ねた結果、熱により脱炭酸する化合物を組成物中に添加することにより、通常加熱やレーザー露光では簡単に分解しないバインダーポリマーが容易に分解され、この性質を利用することにより、レーザー露光でのパターン形成が従来よりも容易化されることを見出した。
すなわち、上記課題は下記の構成により達成される。
【００１３】
（１）（Ａ）カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造を有するとともに、該構造以外に分子内にＮ、ＳおよびＯ原子から選択される少な
くとも１つのヘテロ原子を有する化合物、および、（Ｂ）バインダーポリマー、を含有するレーザー分解性樹脂組成物。
（２）前記カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造が、置換されていてもよいメチレン基を介して前記へテロ原子に結合していることを特徴とする前記（１）に記載のレーザー分解性樹脂組成物。
（３）前記（Ａ）の化合物が、下記一般式（Ｉ）で示される基を少なくとも１つ有することを特徴とする前記（１）に記載のレーザー分解性樹脂組成物。
【００１４】
【化１】
2008063553.tif 000002
【００１５】
前記一般式（Ｉ）中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−および−ＣＯ−から選択される２価の連結基を表し、Ｒ３は水素原子または一価の置換基を表す。Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素原子または一価の置換基を表す。なお、Ｒ１とＲ２、Ｒ１およびＲ２のいずれかとＲ３とは、互いに結合して環構造を形成していてもよい。
（４）前記（Ａ）の化合物が、下記一般式（Ｉ−２）で示される化合物であることを特徴とする前記（１）に記載のレーザー分解性樹脂組成物。
【００１６】
【化２】
2008063553.tif 000003
【００１７】
一般式（Ｉ−２）中、Ａは芳香族基または複素環基を表す。Ｘ1は、−Ｏ−、−Ｓ−、
−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−および−ＣＯ−から選択される２価の連結基を
表し、Ｒ3は独立に、水素原子または一価の置換基を表す。Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立
に、水素原子または一価の置換基を表す。なお、Ｒ1とＲ2、Ｒ1およびＲ2のいずれかとＸ1、Ｒ1およびＲ2のいずれかとＡ、ＡとＸ1は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。
（５）前記（Ａ）の化合物が、下記一般式（ＰＣ−１）および（ＰＣ−２）から選択された少なくとも１種の化合物であることを特徴とする、前記（１）に記載のレーザー分解性樹脂組成物。
【００１８】
【化３】
2008063553.tif 000004
【００１９】
一般式（ＰＣ−１）中、Ａｒは、モノ-、ポリ-または未置換のアリール基を表し、ｐは
１から５の整数である
【００２０】
【化４】
2008063553.tif 000005
【００２１】
一般式（ＰＣ−２）中、Ｒ4は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｋ
及びｍは、それぞれ１〜５の整数である。
（６）さらに、（Ｃ）重合性化合物を含有することを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれかに記載のレーザー分解性樹脂組成物。
（７）前記（６）に記載のレーザー分解性樹脂組成物を硬化させてなることを特徴とするレーザー分解性樹脂組成物。
（８）支持体上に、（Ａ）カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造を有するとともに、該構造以外に分子内にＮ、ＳおよびＯ原子から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を有する化合物、および、（Ｂ）バインダーポリマー、を含有するレーザー分解性樹脂組成物からなる層を有することを特徴とするパターン形成材料。
（９）レーザー分解性樹脂組成物が、さらに、（Ｃ）重合性化合物を含有することを特徴とする前記（８）に記載のパターン形成材料。
（１０）前記支持体上に、前記レーザー分解性樹脂組成物を硬化させてなる層を有することを特徴とする前記（９）に記載のパターン形成材料。
（１１）前記パターン形成材料が、レーザー彫刻用フレキソ印刷版原版であることを特徴とする前記（９）又は（１０）に記載のパターン形成材料。
【００２２】
本願で言うところのレーザー分解性樹脂組成物からなる層を有することを特徴とするパターン形成材料とは、レーザー露光部が凹凸パターンの凹部となるもの全般を指す。レーザー露光後に加熱処理やアルカリ水溶液等による現像処理を施すことによって凹部を形成してもよいが、本願のパターン形成材料は特にレーザー露光で直接的に（アブレーション的に）凹部を形成する場合に好適に用いられる。
【００２３】
本発明における作用機構は定かではないが以下のように推定される。
前記（Ａ）の化合物は、加熱またはレーザー露光（による瞬間的な超高温状態）の際にカルボキシル基が熱分解して炭酸ガスを発生する。この炭酸ガスは組成物内部から発生するため共存する（Ｂ）バインダーポリマーの熱分解を補助し、結果的に（Ａ）の化合物を含まない場合に比べてレーザー分解性が向上すると推定される。
また、本発明の好ましい態様である（Ｃ）重合性化合物を併用することにより膜物性の調整が可能となる（重合性化合物の量によって、例えば脆性や柔軟性を調整できる）。
また本発明の組成物は、レーザー分解する前に予め架橋をかけた（＝重合した）組成物に変化させる方が、膜の強度を向上させる観点で好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、厚膜にも利用可能であり、彫刻感度が高く、低レーザーエネルギーで効率的に彫刻が可能であるレーザー分解性樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成材料が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明のレーザー分解性樹脂組成物は、熱により脱炭酸する化合物として、（Ａ）カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造を有するとともに、該構造以外に分子内にＮ、ＳおよびＯ原子から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を有する化合物、および、（Ｂ）バインダーポリマーを含有する。
以下に、レーザー分解性樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
【００２６】
（Ａ）カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造を有するとともに、該構造以外に分子内にＮ、ＳおよびＯ原子から選択される少なくとも１つのヘテロ原子を有する化合物
上記（Ａ）の化合物は、熱、好ましくは１００〜３００℃の温度条件において、脱炭酸するカルボキシル基及びカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造を有することが好ましい。すなわち、熱により分解し、脱炭酸する官能基を少なくとも１つ有する化合物であれば本発明の組成物に用いることができる。
【００２７】
中でも好ましくは、カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造が、置換されていてもよいメチレン基を介して前記へテロ原子に結合している化合物である。なお、上記メチレン基の置換基については、さらに好ましい態様である一般式（Ｉ−２）で表される化合物に関する記載において詳細に説明する。
より好ましくは、１００℃以上３００℃以下の温度で、脱炭酸、または、脱水反応により、４〜６員環のラクトン環、４〜６員環のラクタム環、または、４〜６員環の環状酸無水物を形成することできる構造を有する化合物が挙げられる。
このような（Ａ）の化合物の好ましい具体例としては、下記一般式（Ｉ）で示される基を少なくとも１つ有する化合物が挙げられる。
【００２８】
【化５】
2008063553.tif 000006
【００２９】
前記一般式（Ｉ）中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−および−ＣＯ−から選択される２価の連結基を表し、Ｒ３は水素原子または一価の置換基を表す。Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素原子または一価の置換基を表す。なお、Ｒ１とＲ２、Ｒ１およびＲ２のいずれかとＲ３とは、互いに結合して環構造を形成していてもよい。なお、置換基については、さらに好ましい態様である一般式（Ｉ−２）で表される化合物に関する記載において詳細に説明する。
【００３０】
また、（Ａ）の化合物は、１００〜８０００の分子量の化合物であることが好ましい。より好ましくは１２０〜６０００の分子量の化合物であり、さらに好ましくは１４０から２０００の分子量の化合物である。
【００３１】
本発明において（Ａ）の化合物として好適に用いうる、前記一般式（Ｉ）で示される基を少なくとも１つ有する化合物の具体例（１）〜（７２）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３２】
【化６】
2008063553.tif 000007
【００３３】
【化７】
2008063553.tif 000008
【００３４】
【化８】
2008063553.tif 000009
【００３５】
【化９】
2008063553.tif 000010
【００３６】
次に、本発明に係る（Ａ）の化合物の代表的な合成例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜化合物（４６）の合成＞
２００ｍｌナス型フラスコに、３−ヒドロキシ安息香酸メチル９．９ｇ、２−クロロプロピオン酸メチル８．４ｇを入れ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６５ｍｌを加えた。炭酸カリウム５．８ｇ、ヨウ化カリウム２．８ｇを加えた後に、１００℃に加熱した。１０時間反応させた後、反応液を水３００ｍｌに投入し、酢酸エチル３００ｍｌで抽出した。有機溶媒を減圧留去し残渣１４．５ｇを得た。得られた残渣のうち、７．２ｇを１００ｍ
ｌナス型フラスコに入れ、水  ８ｍｌ、メタノール  ８ｍｌを加え、０℃に冷却した。水酸化ナトリウム２．４ｇを加え、室温で１２時間反応させた。反応液を水２００ｍｌに投入し、塩酸でｐＨ２に調整した。析出物を濾取し、化合物（４６）を５．０ｇ得た。化合物（４６）であることは、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、質量分析スペクトルから確認した。
【００３７】
（モノカルボン酸化合物）
また、（Ａ）の化合物の好適な態様として、下記一般式（Ｉ−２）で表されるモノカルボン酸化合物が挙げられる。
このモノカルボン酸は、（Ｂ）バインダーポリマーが比較的疎水的なバインダーポリマーの場合に、相溶性の観点から好ましく用いられる。
【００３８】
【化１０】
2008063553.tif 000011
【００３９】
一般式（Ｉ−２）中、Ａは芳香族基または複素環基を表す。Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素原子または一価の置換基を表し、これらは、前記一般式（Ｉ）で表される基を少なくとも１つ有する化合物におけるＲ1およびＲ2と同義である。なお、Ｒ1とＲ2、Ｒ1
およびＲ2のいずれかとＸ1、Ｒ1およびＲ2のいずれかとＡ、ＡとＸ1は、互いに結合して
環構造を形成していてもよい。
Ｘ1は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−および−ＣＯ−から
選択される２価の連結基を表し、Ｒ3は、水素原子または一価の置換基を表す。
【００４０】
ここで、一般式（Ｉ−２）中、Ａで表される芳香族基としては、ベンゼン環、２個から３個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と５員不飽和環が縮合環を形成したものなどが挙げられる。具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、これらのなかでは、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
また、芳香族基は置換基を有していてもよく、そのような置換基を有する芳香族基としては、後述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子以外の一価の非金属原子団からなる基を有するものが挙げられる。なお、ここで導入される好ましい置換基の例としては後述のアルキル基、置換アルキル基、及び、置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。
【００４１】
Ａで表される複素環基としては、ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、ベンゾピロール環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、イソキサゾール環基、イソチアゾール環基、インダゾール環基、ベンゾイソキサゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンズオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フタラジン環基、キナゾリン環基、キノキサリン環基、アシリジン環基、フェナントリジン環基、カルバゾール環基、プリン環基、ピラン環基、ピペリジン環基、ピペラジン環基、モルホリン環基、インドール環基、インドリジン環基、クロメン環基、シンノリン環基、アクリジン環基、フェノチアジン環基、テトラゾール環基、トリアジン環基、等が挙げられる。
また、複素環基は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、後述のアリ
ール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては後述のアルキル基、置換アルキル基、ならびに、置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。
【００４２】
そのようなアルキル基としては炭素原子数が１から２０までの直鎖状、分岐状、および環状のアルキル基を挙げることができ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルブチル基、イソヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、２−ノルボルニル基を挙げることができる。これらの中では、炭素原子数１から１２までの直鎖状、炭素原子数３から１２までの分岐状、ならびに炭素原子数５から１０までの環状のアルキル基がより好ましい。
【００４３】
このようなアルキル基が有することのできる置換基としては、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基が用いられ、好ましい例としては、ハロゲン原子（−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｉ）、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、Ｎ’−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキルウレイド基、Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基（−ＳＯ３Ｈ）およびその共役塩基基（スルホナト基と称す）、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、Ｎ−アルキルスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルフィイナモイル基、Ｎ−アリールスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルフィナモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル基、ホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ２）およびその共役塩基基（ホスホナト基と称す）、ジアルキルホスホノ基（−ＰＯ３（ａｌｋｙｌ）２）「ａｌｋｙｌ＝アルキル基、以下同」、ジアリールホスホノ基（−ＰＯ３（ａｒｙｌ）２）「ａｒｙｌ＝アリール基、以下同」、アルキルアリールホスホノ基（−ＰＯ３（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノ基（−ＰＯ３（ａｌｋｙｌ））およびその共役塩基基（アルキルホスホナト基と称す）、モノアリールホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ（ａｒｙｌ））およびその共役塩基基（アリールホスホナト基と称す）、ホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ２）およびその共役塩基基（ホスホナトオキシ基と称す）、ジアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ（ａｌｋｙｌ）２）、ジアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３（ａｒｙｌ）２）、アルキルアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ（ａｌｋｙｌ））およびその共役塩基基（アルキルホスホナトオキシ基と称す）、モノアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ（ａｒｙｌ））およびその共役塩基基（アリールホスホナトオキシ基と称す）、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基等が挙げられる。
【００４４】
これら置換基におけるアルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられ、上記置換基におけるアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、Ｎ−フェニルカルバモイルフェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基等を挙げることができる。
【００４５】
また、アルケニル基の例としては、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、シンナミル基、２−クロロ−１−エテニル基、等が挙げられ、アルキニル基の例としては、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
アシル基（Ｒ０１ＣＯ−）のＲ０１としては、水素原子、ならびに上記のアルキル基、アリール基を挙げることができる。これらの置換基の内、さらにより好ましいものとしてはハロゲン原子（−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｉ）、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル基が挙げられる。ヘテロ環基としてはピリジル基、ピペリジニル基等が挙げられる。シリル基としてはトリメチルシリル基等が挙げられる。
【００４６】
一方、置換アルキル基におけるアルキレン基としては前述の炭素数１から２０までのアルキル基上の水素原子のいずれか１つを除し、２価の有機残基としたものを挙げることができ、好ましくは炭素原子数１から１２までの直鎖状、炭素原子数３から１２までの分岐状ならびに炭素原子数５から１０までの環状のアルキレン基を挙げることができる。この
ような置換基とアルキレン基を組み合わせることで得られる置換アルキル基の、好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、２−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ｓ−ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、Ｎ−アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、Ｎ−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、Ｎ−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、Ｎ−メチルベンゾイルアミノプロピル基、２−オキソエチル基、２−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、Ｎ−メチルカルバモイルエチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルカルバモイルメチル基、Ｎ−（メトキシフェニル）カルバモイルエチル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（スルホフェニル）カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、Ｎ−エチルスルファモイルメチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイルプロピル基、Ｎ−トリルスルファモイルプロピル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（ホスホノフェニル）スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、１−メチル−１−フェニルエチル基、ｐ−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、１−プロペニルメチル基、２−ブテニル基、２−メチルアリル基、２−メチルプロペニルメチル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基等を挙げることができる。
【００４７】
アリール基としては、ベンゼン環、２個から３個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と５員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、これらのなかでは、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
置換アリール基としては、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子以外の一価の非金属原子団からなる基を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびに、先に置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。
【００４８】
このような、置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、Ｎ−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、Ｎ−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、Ｎ−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、Ｎ−メチルカルバモイルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルカルバモイルフェニル基、Ｎ−（メトキシフェニル）カルバモイルフェニル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（スルホフェニル）カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、Ｎ−エチルスルファモイルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイルフェニル基、Ｎ−トリルスルファモイルフェニル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（ホスホノフェニル）スルファモイルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホスホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホスホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリルホスホナトフェニル基、アリルフェニル基、１−プロペニルメチルフェニル基、２−ブテニルフェニル基、２−メチルアリルフェニル基、２−メチルプロペニルフェニル基、２−プロピニルフェニル基、２−ブチニルフェニル基、３−ブチニルフェニル基等を挙げることができる。
【００４９】
アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、ならびに置換アルキニル基（−Ｃ（Ｒ０２）＝Ｃ（Ｒ０３）（Ｒ０４）、ならびに−Ｃ≡Ｃ（Ｒ０５））としては、Ｒ０２、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５が一価の非金属原子団からなる基のものが使用できる。好ましいＲ０２、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５の例としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基ならびに置換アリール基を挙げることができる。これらの具体例としては、前述の例として示したものを挙げることができる。Ｒ０２、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５のより好ましい基としては、水素原子、ハロゲン原子ならびに炭素原子数１から１０までの直鎖状、分岐状、環状のアルキル基を挙げることができる。
【００５０】
このようなアルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基の好ましい具体例としては、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、１−オクテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−１−ブテニル基、２−フェニル−１−エテニル基、２−クロロ−１−エテニル基、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、フェニルエチニル基を挙げることができる。ヘテロ環基としては、置換アルキル基の置換基として例示したピリジル基等が挙げられる。
【００５１】
置換オキシ基（Ｒ０６Ｏ−）としては、Ｒ０６が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基であるものを用いることができる。好ましい置換オキシ基としては、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基を挙げることができる。これらにおけるアルキル基、ならびにアリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基ならびに、アリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。また、アシルオキシ基におけるアシル基（Ｒ０７ＣＯ−）としては、Ｒ０７が、先の例として挙げたアルキル基、置換アルキル基、アリール基ならびに置換アリール基のものを挙げることができる。これらの置換基の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、アリールスルホキシ基がより好ましい。好ましい置換オキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、メシチルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基等が挙げられる。
【００５２】
アミド基も含む置換アミノ基（Ｒ０８ＮＨ−、（Ｒ０９）（Ｒ０１０）Ｎ−）としては、Ｒ０８、Ｒ０９、Ｒ０１０が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基のものを使
用できる。なおＲ０９とＲ０１０とは結合して環を形成してもよい。置換アミノ基の好ましい例としては、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、Ｎ’−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキルウレイド基、Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができ、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基おけるアシル基（Ｒ０７ＣＯ−）のＲ０７は前述のとおりである。これらの内、より好ましいものとしては、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、アシルアミノ基が挙げられる。好ましい置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、フェニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、アセチルアミノ基等が挙げられる。
【００５３】
置換スルホニル基（Ｒ０１１−ＳＯ２−）としては、Ｒ０１１が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。より好ましい例としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基を挙げることができる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。このような、置換スルホニル基の具体例としては、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、クロロフェニルスルホニル基等が挙げられる。
【００５４】
スルホナト基（−ＳＯ３−）は前述のとおり、スルホ基（−ＳＯ３Ｈ）の共役塩基陰イオン基を意味し、通常は対陽イオンとともに使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類（アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等）、ならびに金属イオン類（Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃａ２＋、Ｚｎ２＋等）が挙げられる。
【００５５】
置換カルボニル基（Ｒ０１３−ＣＯ−）としては、Ｒ０１３が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。置換カルボニル基の好ましい例としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ’−アリールカルバモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。これらの内、より好ましい置換カルボニル基としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基が挙げられ、さらにより好ましいものとしては、ホルミル基、アシ
ル基、アルコキシカルボニル基ならびにアリーロキシカルボニル基が挙げられる。好ましい置換カルボニル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ジメチルアミノフェニルエテニルカルボニル基、メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−フェニルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基等が挙げられる。
【００５６】
置換スルフィニル基（Ｒ０１４−ＳＯ−）としてはＲ０１４が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。好ましい例としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフィナモイル基、Ｎ−アルキルスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルフィナモイル基、Ｎ−アリールスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルフィナモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルフィナモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。これらの内、より好ましい例としてはアルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基が挙げられる。このような置換スルフィニル基の具体例としては、ヘキシルスルフィニル基、ベンジルスルフィニル基、トリルスルフィニル基等が挙げられる。
【００５７】
置換ホスホノ基とはホスホノ基上の水酸基の一つもしくは二つが他の有機オキソ基によって置換されたものを意味し、好ましい例としては、前述のジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、アルキルアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、モノアリールホスホノ基が挙げられる。これらの中ではジアルキルホスホノ基、ならびにジアリールホスホノ基がより好ましい。このような具体例としては、ジエチルホスホノ基、ジブチルホスホノ基、ジフェニルホスホノ基等が挙げられる。
【００５８】
ホスホナト基（−ＰＯ３Ｈ２−、−ＰＯ３Ｈ−）とは前述のとおり、ホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ２）の、酸第一解離もしくは、酸第二解離に由来する共役塩基陰イオン基を意味する。通常は対陽イオンと共に使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類（アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類、等）、ならびに金属イオン類（Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃａ２＋、Ｚｎ２＋等）が挙げられる。
【００５９】
置換ホスホナト基とは前述の置換ホスホノ基の内、水酸基を一つ有機オキソ基に置換したものの共役塩基陰イオン基であり、具体例としては、前述のモノアルキルホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ（ａｌｋｙｌ））、モノアリールホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ（ａｒｙｌ））の共役塩基が挙げられる。
【００６０】
次に、前記一般式（Ｉ）におけるＸ、及び一般式（Ｉ−２）におけるＸ１について説明する。Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−および−ＣＯ−から選択される２価の連結基を表し、中でも、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−が好ましく、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ３）−が感度の観点から特に好ましい。
また、Ｘ１は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−および−ＣＯ−から選択される２価の連結基を表し、中でも、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３）−が感度の点から好ましく、−Ｎ（Ｒ３）−であることが感度および保存安定性の観点から最も好ましい。
【００６１】
ここで、上記ＸにおけるＲ３、並びに、上記Ｘ１におけるＲ３はそれぞれ独立に、水素原子または一価の置換基を表し、そのような一価の置換基としては、前記一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｒ２と同義である。
特に、Ｒ３としては、それぞれ置換基を有してもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基であることが好ましい。また、Ｒ３は、その構造内に
、−ＣＯ２−および−ＣＯＮ（Ｒ８）−の少なくともいずれかを１つ以上有することが好ましく、Ｒ３の最も好ましい構造は、下記式（ｉ）で表されるエステル構造を有する構造、または、式（ｉｉ）で表されるアミド構造を有する構造であり、特に、式（ｉｉ）で表されるアミド構造を有するものが好ましい。
【００６２】
【化１１】
2008063553.tif 000012
【００６３】
上記式中、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立に、水素原子または一価の置換基を表し、Ｚは、一価の置換基を表す。そのような一価の置換基は、前記一般式（Ｉ）及び一般式（Ｉ−２）におけるＲ１またはＲ２と同義である。
【００６４】
以下、一般式（Ｉ−２）で表されるモノカルボン酸化合物の具体例（Ａ−１）〜（Ａ−８７）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６５】
【化１２】
2008063553.tif 000013
【００６６】
【化１３】
2008063553.tif 000014
【００６７】
【化１４】
2008063553.tif 000015
【００６８】
【化１５】
2008063553.tif 000016
【００６９】
【化１６】
2008063553.tif 000017
【００７０】
【化１７】
2008063553.tif 000018
【００７１】
【化１８】
2008063553.tif 000019
【００７２】
【化１９】
2008063553.tif 000020
【００７３】
また、その他の好ましい（Ａ）の化合物の例として、前記一般式（Ｉ−２）で表される化合物においてＡで表される環構造に、複数の一般式（Ｉ）で示される基が連結した構造を有する下記一般式（Ｉ−３）で表される化合物が挙げられる。
【００７４】
【化２０】
2008063553.tif 000021
【００７５】
一般式（Ｉ−３）中、Ａ、Ｒ1およびＲ2は一般式（Ｉ）におけるものと同義であるが、Ｒ1およびＲ2の少なくとも１つは、カルボキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、または末端にカルボキシル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基である。また、ｎは２〜６の整数を表す。
【００７６】
次に、本発明に係る一般式（Ｉ−２）で表されるモノカルボン酸化合物の代表的な合成
例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜化合物（Ａ−２４）の合成＞
窒素気流下、２Ｌのナス型フラスコに、Ｎ−フェニルイミノジ酢酸６２．８ｇを入れ、トルエン５００ｍＬで溶解した。無水酢酸３２．０ｇを加え、加熱して還流し、撹拌した。１時間後、室温まで冷却した後、撹拌しながら、ヘキサン３Ｌを加えていき、析出させた。ろ過して、Ｎ−フェニルイミノジ酢酸無水物５２．０ｇを得た。
次に、窒素気流下、２００ｍＬのナス型フラスコに、上記で得られたＮ−フェニルイミノジ酢酸無水物５．１ｇを入れ、メタノール６０ｍＬを加えた。室温で、６時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。残査をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し（流出溶媒  ヘキサン／酢酸エチル）、化合物（Ａ−２４）を５．７ｇ得た。化合物（Ａ−２４）であることは、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、質量分析スペクトルから確認した。
【００７７】
＜化合物（Ａ−５２）の合成＞
窒素気流下、２Ｌのナス型フラスコに、Ｎ−フェニルイミノジ酢酸６２．８ｇを入れ、トルエン５００ｍＬで溶解した。無水酢酸３２．０ｇを加え、加熱して還流し、撹拌した。１時間後、室温まで冷却した後、撹拌しながら、ヘキサン３Ｌを加えていき、析出させた。ろ過して、Ｎ−フェニルイミノジ酢酸無水物５２．０ｇを得た。
窒素気流下、２００ｍＬのナス型フラスコに、上記で得られたＮ−フェニルイミノジ酢酸無水物５．１ｇを入れ、ベンジルアルコール５０ｍＬを加えた。室温で、８時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。残査をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し（流出溶媒  ヘキサン／酢酸エチル）、化合物（Ａ−５２）を７．２ｇ得た。化合物（Ａ−５２）であることは、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、質量分析スペクトルから確認した。
【００７８】
＜化合物（Ａ−５５）の合成＞
窒素気流下、２Ｌのナス型フラスコに、Ｎ−フェニルイミノジ酢酸６２．８ｇを入れ、トルエン５００ｍＬで溶解した。無水酢酸３２．０ｇを加え、加熱して還流し、撹拌した。１時間後、室温まで冷却した後、撹拌しながら、ヘキサン３Ｌを加えていき、析出させた。ろ過して、Ｎ−フェニルイミノジ酢酸無水物５２．０ｇを得た。
窒素気流下、２００ｍＬのナス型フラスコに、上記で得られたＮ−フェニルイミノジ酢酸無水物５．１ｇを入れ、１−メトキシ−２−プロパノール５０ｍＬを加えた。室温で、４時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。残査をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し（流出溶媒  ヘキサン／酢酸エチル）、化合物（Ａ−５５）を６．０ｇ得た。化合物（Ａ−５５）であることは、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、質量分析スペクトルから確認した。
【００７９】
（ポリカルボン酸化合物）
また、（Ａ）の化合物の好ましい態様として、下記で表されるポリカルボン酸化合物が挙げられる。
このポリカルボン酸は、（Ｂ）バインダーポリマーが比較的親水的なバインダーポリマーの場合に、相溶性の観点から好ましく用いられる。
【００８０】
ポリカルボン酸化合物は、カルボキシル基およびカルボン酸無水物構造から選択される少なくとも１つの構造が、置換されていてもよいメチレン基を介してへテロ原子に結合している態様が好ましい。なお、メチレン基の置換基については、前記一般式（Ｉ）及び一般式（Ｉ−２）におけるＲ１またはＲ２と同義である。
【００８１】
こうしたポリカルボン酸の例には、
（ｐ-アセトアミドフェニルイミド）二酢酸、
３-（ビス（カルボキシメチル）アミノ）安息香酸、
４-（ビス（カルボキシメチル）アミノ）安息香酸、
２-[（カルボキシメチル）フェニルアミノ]安息香酸、
２-[（カルボキシメチル）フェニルアミノ]-５-メトキシ安息香酸、
３-[ビス（カルボキシメチル）アミノ]-２-ナフタレンカルボン酸、
Ｎ-（４-アミノフェニル）-Ｎ-（カルボキシメチル）グリシン、
Ｎ，Ｎ’-１，３-フェニレンビスグリシン、
Ｎ，Ｎ’-１，３-フェニレンビス[Ｎ-（カルボキシメチル）]グリシン、
Ｎ，Ｎ’-１，２-フェニレンビス[Ｎ-（カルボキシメチル）]グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（４-メトキシフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（３-メトキシフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（３-ヒドロキシフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（３-クロロフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（４-ブロモフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（４-クロロフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（２-クロロフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（４-エチルフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（２，３-ジメチルフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（３，４-ジメチルフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（３，５-ジメチルフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（２，４-ジメチルフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（２，６-ジメチルフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-（４-ホルミルフェニル）グリシン、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-エチルアントラニル酸、
Ｎ-（カルボキシメチル）-Ｎ-プロピルアントラニル酸、
５-ブロモ-Ｎ-（カルボキシメチル）アントラニル酸、
Ｎ-（２-カルボキシフェニル）グリシン、
ｏ-ジアニシジン-Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’-四酢酸、
Ｎ，Ｎ’-[１，２-エタンジイルビス（オキシ-２，１-フェニレン）]ビス[Ｎ-（カルボキシメチル）グリシン]、
４-カルボキシフェノキシ酢酸、
カテコール-Ｏ，Ｏ’-二酢酸、
４-メチルカテコール-Ｏ，Ｏ’-二酢酸、
レゾルシノール-Ｏ，Ｏ’-二酢酸、
ヒドロキノン-Ｏ，Ｏ’-二酢酸、
α-カルボキシ-ｏ-アニス酸、
４，４’-イソプロピリデンジフェノキシ酢酸、
２，２’-（ジベンゾフラン-２，８-ジイルジオキシ）二酢酸、
２-（カルボキシメチルチオ）安息香酸、
５-アミノ-２-（カルボキシメチルチオ安息香酸、
３-[（カルボキシメチル）チオ]-２-ナフタレンカルボン酸、
が含まれる。
【００８２】
好ましいのは、下記一般式（ＰＣ−１）および（ＰＣ−２）から選択された少なくとも１種の化合物である。
【００８３】
【化２１】
2008063553.tif 000022
【００８４】
一般式（ＰＣ−１）中、Ａｒは、モノ-、ポリ-または未置換のアリール基を表し、ｐは１から５の整数である。
【００８５】
【化２２】
2008063553.tif 000023
【００８６】
一般式（ＰＣ−２）中、Ｒ4は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｋ
及びｍは、それぞれ１から５の整数である。
【００８７】
式（ＰＣ−１）中、Ａｒとしてのモノ−アリール基とは、芳香環一つを含有する基（例えば、フェニル基）であり、ポリ−アリール基とは、２つ以上の芳香環が共有結合で連結した構造を有する基（例えば、ビフェニル基）を意味する。
式（ＰＣ−１）中のアリール基が有してもよい置換基としては、例えば、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜３のチオアルキル基及びハロゲン原子が挙げられる。前記アリール基は、１〜３個の同一または異なる置換基を有するとよい。ｐは好ましくは１であり、Ａｒは好ましくはフェニル基を表す。
【００８８】
式（ＰＣ−２）において、ｍは１であると好ましく、Ｒ4は水素原子を表すことが好ま
しい。最も好ましいポリカルボン酸はアニリノ二酢酸である。
【００８９】
また、本発明における（Ａ）の化合物は、高分子化合物であってもよい。
中でも、側鎖にカルボキシル基を有する高分子化合物が合成の簡便さからより好ましい。
高分子化合物である場合、重量平均分子量は、好ましくは５０００〜１００００００、より好ましくは１００００〜５０００００、特に好ましくは１５０００〜３０００００である。
特に、側鎖がＮ、Ｏ、Ｓを含む官能基で置換された有機基と、さらに少なくとも１つ以上のカルボキシル基とを有し、該カルボキシル基の少なくとも１つはメチレン基を介して前記へテロ原子に結合している化合物が好ましい。
【００９０】
本発明で好適な高分子化合物を下記に示す。なお下記において、組成はすべてモル％で表示されている。
【００９１】
【化２３】
2008063553.tif 000024
【００９２】
高分子化合物におけるカルボン酸基含有モノマー単位の含有量は、ポリマーを構成する全モノマーの総モル数に対して１０〜１００％が好ましく、５０〜１００％がより好ましく、７０〜１００％が特に好ましい。
【００９３】
本発明における（Ａ）の化合物は、カルボン酸無水物構造を有する化合物も好んで用いられる。当該化合物のなかでも環状のカルボン酸無水物構造をもつのものが、構造的に不安定で脱炭酸しやすい傾向にあることからより好ましい。
【００９４】
本発明で好適なカルボン酸無水物構造を有する化合物を下記に示す。
【００９５】
【化２４】
2008063553.tif 000025
【００９６】
以上、説明した本発明に係る（Ａ）の化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これら（Ａ）の化合物の添加量としては、十分な感度向上効果が得られ
るといった観点から、組成物全固形分中、０．１〜７０質量％の範囲であることが好ましく、０．５〜５０質量％であることがさらに好ましく、１〜３０質量％の割合であることがもっとも好ましい。
【００９７】
（Ｂ）バインダーポリマー
本発明のレーザー分解性樹脂組成物が含有するバインダーポリマーは、主鎖および側鎖の少なくともいずれかに炭素-炭素不飽和結合をもつバインダーポリマーが好ましい。主
鎖にオレフィン（炭素-炭素二重結合） および 炭素-炭素三重結合の少なくともいずれかを含むポリマーは、形成される被膜の機械的強度が高い点で更に好ましく、主鎖にオレフィンを含むポリマーが特に好ましい。
【００９８】
主鎖にオレフィンおよび炭素−炭素三重結合の少なくともいずれかを含むポリマーとしては、例えばＳＢ（ポリスチレン−ポリブタジエン）、ＳＢＳ（ポリスチレン−ポリブタジエン−ポリスチレン）、ＳＩＳ（ポリスチレン−ポリイソプレン−ポリスチレン）、ＳＥＢＳ（ポリスチレン−ポリエチレン／ポリブチレン−ポリスチレン）等が挙げられる。
【００９９】
側鎖に炭素-炭素不飽和結合をもつポリマーとして、メタクリロイル基のような反応性
の高い重合性不飽和基を有するポリマーを用いた場合、極めて機械的強度の高い被膜を作製することができる。特にポリウレタン系、ポリエステル系熱可塑性エラストマーでは、比較的簡単に分子内に反応性の高い重合性不飽和基を導入することが可能である。ここで言う分子内とは高分子主鎖の両末端あるいは片末端、高分子側鎖の末端や高分子主鎖中や側鎖中に直接、重合性不飽和基が付いている場合なども含まれる。例えば直接、重合性の不飽和基をその分子末端に導入したものを用いても良いが、別法として、水酸基、アミノ基、エポキシ基、カルボキシル基、酸無水物基、ケトン基、ヒドラジン残基、イソシアネート基、イソチオシアネート基、環状カーボネート基、エステル基などの反応性基を複数有する数千程度の分子量の化合物と上記反応性基と結合しうる基を複数有する結合剤（例えば水酸基やアミノ基の場合のポリイソシアネートなど）を反応させ、分子量の調節、及び末端の結合性基への変換を行った後、この末端結合性基と反応する基と重合性不飽和基を有する有機化合物と反応させて末端に重合性不飽和基を導入する方法などの方法が好適にあげられる。
【０１００】
本発明のレーザー分解性樹脂組成物が含有するバインダーポリマーは、上記のような炭素-炭素不飽和結合をもつポリマーが好ましいが、炭素-炭素不飽和結合を有さないポリマーであってもよい。炭素-炭素不飽和結合を有さないポリマーとしては、例えば、上記炭素-炭素不飽和結合を有するポリマーのオレフィン部分に水素を付加させる、あるいはオレフィン部分に水素添加を予め施した原料（例えば、ブタジエンやイソプレン等に水素添加した化合物）を用いてポリマー化することにより容易に合成できる樹脂を挙げることができる。
【０１０１】
バインダーポリマーの数平均分子量は、０.１万から１００万の範囲が好ましい。より
好ましい範囲としては、０.５万から５０万である。数平均分子量が０.１万から１００万の範囲であれば、形成される被膜の機械的強度を確保することができる。数平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定し、分子量既知のポリスチレン標品に対して評価したものである。
【０１０２】
本発明の分解性樹脂組成物中での樹脂の総量は、組成物の全固形分中、一般的に１〜９９質量％、好ましくは５〜８０質量％である。
【０１０３】
なお、上記炭素-炭素不飽和結合をもつポリマーと以下の一般的な樹脂を併用してもよ
い。
併用樹脂の添加量は、炭素-炭素不飽和結合をもつポリマーに対して、一般的に１〜９
０質量％、好ましくは５〜８０質量％である。
【０１０４】
併用樹脂の種類としては、エラストマーであっても非エラストマーであっても構わない。
併用樹脂の数平均分子量は、０.１万から１００万の範囲が好ましい。より好ましい範
囲としては、０.５万から５０万である。数平均分子量が０.１万から１００万の範囲であれば、形成される被膜の機械的強度を確保することができる。数平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定し、分子量既知のポリスチレン標品に対して評価したものである。
【０１０５】
樹脂としては、液状化し易い樹脂や分解し易い樹脂が好ましい。分解し易い樹脂としては、分子鎖中に分解し易いモノマー単位としてスチレン、α−メチルスチレン、α−メトキシスチレン、アクリルエステル類、メタクリルエステル類、エステル化合物類、エーテル化合物類、ニトロ化合物類、カーボネート化合物類、カルバモイル化合物類、ヘミアセタールエステル化合物類、オキシエチレン化合物類、脂肪族環状化合物類等が含まれていることが好ましい。特にポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラエチレングリコール等のポリエーテル類、脂肪族ポリカーボネート類、脂肪族カルバメート類、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ニトロセルロース、ポリオキシエチレン、ポリノルボルネン、ポリシクロヘキサジエン水添物、あるいは分岐構造の多いデンドリマー等の分子構造を有するポリマーは、分解し易いものの代表例である。また、分子鎖中に酸素原子を多数含有するポリマーが分解性の観点から好ましい。これらの中でも、カーボネート基、カルバメート基、メタクリル基をポリマー主鎖中に有する化合物は、熱分解性が高く好ましい。例えば、（ポリ）カーボネートジオールや（ポリ）カーボネートジカルボン酸を原料として合成したポリエステルやポリウレタン、（ポリ）カーボネートジアミンを原料として合成したポリアミドなどを熱分解性の良好なポリマーの例として挙げることができる。これらのポリマーは、主鎖、側鎖に重合性不飽和基を含有しているものであっても構わない。特に、水酸基、アミノ基、カルボキシル基等の反応性官能基を有する場合には、重合性不飽和基を導入することも容易である。
【０１０６】
熱可塑性エラストマーとして特に限定するものではないが、ウレタン系熱可塑性エラストマー、エステル系熱可塑性エラストマー、アミド系熱可塑性エラストマー、シリコーン系熱可塑性エラストマー等を挙げることができる。より熱分解性を向上させるために、分解性の高いカルバモイル基、カーボネート基等の易分解性官能基を主鎖に導入したポリマーを用いることもできる。また、より熱分解性の高いポリマーと混合して用いても構わない。熱可塑性エラストマーは加熱することにより流動化するため、本発明で用いる複合体と良好に混合することが可能となる。熱可塑性エラストマーとは、加熱することにより流動化し通常の熱可塑性プラスチック同様成形加工ができ、常温ではゴム弾性を示す材料である。分子構造としては、ポリエーテルあるいはゴム分子のようなソフトセグメントと、常温付近では加硫ゴムと同じく塑性変形を防止するハードセグメントからなり、ハードセグメントとしては凍結相、結晶相、水素結合、イオン架橋など種々のタイプが存在する。
【０１０７】
樹脂組成物の用途により、熱可塑性エラストマーの種類を選択できる。例えば、耐溶剤性が要求される分野では、ウレタン系、エステル系、アミド系、フッ素系熱可塑性エラストマーが好ましく、耐熱性が要求される分野では、ウレタン系、オレフィン系、エステル系、フッ素系熱可塑性エラストマーが好ましい。また、熱可塑性エラストマーの種類により、硬度を大きく変えることができる。
熱可塑性樹脂において非エラストマー性のものとして、特に限定するものではないが、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、不飽和ポリウレタン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン
樹脂、ポリイイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂等を挙げることができる。
【０１０８】
また、併用樹脂として、親水性ポリマーを用いてもよい。親水性ポリマーとしては、例えば、構成単位としてヒドロキシエチレンを含む親水性ポリマーが挙げられる。具体的には、ポリビニルアルコールおよびビニルアルコール／酢酸ビニル共重合体（部分鹸化ポリビニルアルコール）およびこれらの変性体を例示することができる。親水性ポリマーは単独のポリマーを用いても良いし、複数種を混合して用いても良い。変性体の例として、水酸基の少なくとも一部をカルボキシル基に変性したポリマー、水酸基の一部を（メタ）アクロイル基に変性したポリマー、水酸基の少なくとも一部をアミノ基に変性したポリマー、側鎖にエチレングリコールやプロピレングリコールおよびこれらの複量体を導入したポリマーなどが挙げられる。
【０１０９】
水酸基の少なくとも一部をカルボキシル基に変性したポリマーは、ポリビニルアルコールあるいは部分鹸化ポリビニルアルコールと、例えばコハク酸、マレイン酸やアジピン酸のような多官能カルボン酸とでエステル化することによって得ることができる。
【０１１０】
水酸基の少なくとも一部を（メタ）アクロイル基に変性したポリマーは、上記カルボキシル基変性ポリマーにグリシジル基含有エチレン性不飽和モノマーを付加することによって、またはポリビニルアルコールあるいは部分鹸化ポリビニルアルコールと（メタ）アクリル酸とでエステル化することによって得ることができる。
【０１１１】
水酸基の少なくとも一部をアミノ基に変性したポリマーは、ポリビニルアルコールあるいは部分鹸化ポリビニルアルコールと、例えばカルバミン酸のようなアミノ基を含有するカルボン酸とでエステル化することによって得ることができる。
【０１１２】
側鎖にエチレングリコールやプロピレングリコールおよびこれらの複量体を導入したポリマーは、ポリビニルアルコールあるいは部分鹸化ポリビニルアルコールとグリゴール類を硫酸触媒のもと加熱し、副生成物である水を反応系外に取り除くことによって得ることができる。
【０１１３】
これらのポリマーの中でも、水酸基の少なくとも一部を（メタ）アクロイル基に変性したポリマーが特に好ましく用いられる。ポリマー成分に未反応の架橋性官能基を直接導入することで、形成される被膜の強度を高めることができ、形成される被膜の柔軟性と強度とを両立することができるからである。
【０１１４】
親水性ポリマーの重量平均分子量（ＧＰＣ測定によるポリスチレン換算）は１万〜５０万が好ましい。重量平均分子量が１万以上であれば、単体樹脂としての形態保持性に優れ、５０万以下であれば、水など溶媒に溶解しやすく架橋性樹脂組成物を調製するのに好都合である。
【０１１５】
また、併用樹脂としては、溶剤可溶性樹脂であっても構わない。具体的には、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂等を挙げることができる。
【０１１６】
併用樹脂は、通常反応性の高い重合性不飽和基を持たないものであるが、分子鎖の末端あるいは側鎖に反応性の高い重合性不飽和基を有していても構わない。メタクリロイル基のような反応性の高い重合性不飽和基を有するポリマーを用いた場合、極めて機械的強度の高い被膜を作製することができる。特にポリウレタン系、ポリエステル系熱可塑性エラストマーでは、比較的簡単に分子内に反応性の高い重合性不飽和基を導入することが可能
である。ここで言う分子内とは高分子主鎖の両末端あるいは片末端、高分子側鎖の末端や高分子主鎖中や側鎖中に直接、重合性不飽和基が付いている場合なども含まれる。例えば直接、重合性の不飽和基をその分子末端に導入したものを用いても良いが、別法として、水酸基、アミノ基、エポキシ基、カルボキシル基、酸無水物基、ケトン基、ヒドラジン残基、イソシアネート基、イソチオシアネート基、環状カーボネート基、エステル基などの反応性基を複数有する数千程度の分子量の化合物と上記反応性基と結合しうる基を複数有する結合剤（例えば水酸基やアミノ基の場合のポリイソシアネートなど）を反応させ、分子量の調節、および末端の結合性基への変換を行った後、この末端結合性基と反応する基と重合性不飽和基を有する有機化合物と反応させて末端に重合性不飽和基を導入する方法などの方法が好適にあげられる。
【０１１７】
本発明のレーザー分解性樹脂組成物は、前記（Ａ）および（Ｂ）成分以外に、重合性化合物（モノマー）、開始剤、必要に応じてその他各種の成分を含有してもよい。以下、重合性化合物（モノマー）、開始剤、その他の成分について説明する。
【０１１８】
（Ｃ）重合性化合物（モノマー）
以下に、重合性化合物（モノマー）として付加重合性化合物を用いた場合を例に挙げ、より詳しく述べる。
＜付加重合性化合物＞
本発明に使用される好ましい重合性化合物である、少なくとも一個のエチレン性不飽和二重結合を有する付加重合性化合物は、末端エチレン性不飽和結合を少なくとも１個、好ましくは２個以上有する化合物から選ばれる。このような化合物群は当産業分野において広く知られるものであり、本発明においてはこれらを特に制限なく用いることができる。これらは、例えばモノマー、プレポリマー、すなわち２量体、３量体およびオリゴマー、またはそれらの共重合体、ならびにそれらの混合物などの化学的形態をもつ。モノマーの例としては、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など）や、そのエステル類、アミド類が挙げられ、好ましくは、不飽和カルボン酸と脂肪族多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と脂肪族多価アミン化合物とのアミド類が用いられる。また、ヒドロキシル基や、アミノ基、メルカプト基等の求核性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル、アミド類と単官能もしくは多官能イソシアネート類、エポキシ類との付加反応物、単官能もしくは、多官能のカルボン酸との脱水縮合反応物等も好適に使用される。また、イソシアナト基や、エポキシ基、等の親電子性置換基を有する、不飽和カルボン酸エステル、アミド類と単官能もしくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との付加反応物、ハロゲン基や、トシルオキシ基、等の脱離性置換基を有する、不飽和カルボン酸エステル、アミド類と単官能もしくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との置換反応物も好適である。また、別の例として、上記の不飽和カルボン酸の代わりに、不飽和ホスホン酸、スチレン、ビニルエーテル等に置き換えた化合物群を使用することも可能である。
【０１１９】
脂肪族多価アルコール化合物と不飽和カルボン酸とのエステルのモノマーの具体例としては、アクリル酸エステルとして、エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、テトラメチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ（アクリロイルオキシプロピル）エーテル、トリメチロールエタントリアクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ソルビトールトリアクリレート、ソルビトールテトラアクリレート、ソルビトールペンタアクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、トリ（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、ポリエステルアクリレートオリゴマー等がある。
【０１２０】
メタクリル酸エステルとしては、テトラメチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールジメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ソルビトールトリメタクリレート、ソルビトールテトラメタクリレート、ビス〔ｐ−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕ジメチルメタン、ビス−〔ｐ−（メタクリルオキシエトキシ）フェニル〕ジメチルメタン等がある。
【０１２１】
イタコン酸エステルとしては、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、１，３−ブタンジオールジイタコネート、１，４−ブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリスリトールジイタコネート、ソルビトールテトライタコネート等がある。
【０１２２】
クロトン酸エステルとしては、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリスリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネート等がある。
【０１２３】
イソクロトン酸エステルとしては、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリスリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネート等がある。
【０１２４】
マレイン酸エステルとしては、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリスリトールジマレート、ソルビトールテトラマレート等がある。
【０１２５】
その他のエステルの例として、例えば、特公昭４６−２７９２６号、特公昭５１−４７３３４号、特開昭５７−１９６２３１号各公報記載の脂肪族アルコール系エステル類や、特開昭５９−５２４０号、特開昭５９−５２４１号、特開平２−２２６１４９号各公報記載の芳香族系骨格を有するもの、特開平１−１６５６１３号公報記載のアミノ基を含有するもの等も好適に用いられる。
【０１２６】
上記エステルモノマーは混合物としても使用することができる。
【０１２７】
また、脂肪族多価アミン化合物と不飽和カルボン酸とのアミドのモノマーの具体例としては、メチレンビス−アクリルアミド、メチレンビス−メタクリルアミド、１，６−ヘキサメチレンビス−アクリルアミド、１，６−ヘキサメチレンビス−メタクリルアミド、ジエチレントリアミントリスアクリルアミド、キシリレンビスアクリルアミド、キシリレンビスメタクリルアミド等がある。
【０１２８】
その他の好ましいアミド系モノマーの例としては、特公昭５４−２１７２６号公報記載のシクロへキシレン構造を有すものを挙げることができる。
【０１２９】
また、イソシアネートと水酸基の付加反応を用いて製造されるウレタン系付加重合性化合物も好適であり、そのような具体例としては、例えば、特公昭４８−４１７０８号公報中に記載されている１分子に２個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化
合物に、下記一般式（Ｖ）で示される水酸基を含有するビニルモノマーを付加させた１分子中に２個以上の重合性ビニル基を含有するビニルウレタン化合物等が挙げられる。
【０１３０】
ＣＨ2＝Ｃ（Ｒ）ＣＯＯＣＨ2ＣＨ（Ｒ'）ＯＨ                （Ｖ）
（ただし、ＲおよびＲ'は、Ｈ又はＣＨ3を示す。）
また、特開昭５１−３７１９３号、特公平２−３２２９３号、特公平２−１６７６５号各公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭５８−４９８６０号、特公昭５６−１７６５４号、特公昭６２−３９４１７号、特公昭６２−３９４１８号各公報記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。
【０１３１】
さらに、特開昭６３−２７７６５３号、特開昭６３−２６０９０９号、特開平１−１０５２３８号各公報に記載される、分子内にアミノ構造やスルフィド構造を有する付加重合性化合物類を用いることによっては、短時間で硬化組成物を得ることができる。
【０１３２】
その他の例としては、特開昭４８−６４１８３号、特公昭４９−４３１９１号、特公昭５２−３０４９０号各公報に記載されているようなポリエステルアクリレート類、エポキシ樹脂と（メタ）アクリル酸を反応させたエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタクリレートを挙げることができる。また、特公昭４６−４３９４６号、特公平１−４０３３７号、特公平１−４０３３６号各公報記載の特定の不飽和化合物や、特開平２−２５４９３号公報記載のビニルホスホン酸系化合物等も挙げることができる。また、ある場合には、特開昭６１−２２０４８号公報記載のペルフルオロアルキル基を含有する構造が好適に使用される。更に日本接着協会誌ｖｏｌ．２０、Ｎｏ．７、３００〜３０８ページ（１９８４年）に光硬化性モノマーおよびオリゴマーとして紹介されているものも使用することができる。
【０１３３】
感光スピードの点では１分子あたりの不飽和基含量が多い構造が好ましく、多くの場合、２官能以上が好ましい。また、画像部すなわち硬化膜の強度を高くするためには、３官能以上のものがよく、更に、異なる官能数・異なる重合性基（例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、スチレン系化合物、ビニルエーテル系化合物）のものを併用することで、感光性と強度の両方を調節する方法も有効である。付加重合性化合物は、組成物中の全固形分に対して、好ましくは５〜８０質量％、更に好ましくは２５〜７５質量％の範囲で使用される。また、これらは単独で用いても２種以上併用してもよい。
レーザー分解の前および／又は後で、重合性化合物を含有するレーザー分解性樹脂組成物は、光、熱などのエネルギーにより重合、硬化させることができる。
【０１３４】
＜開始剤＞
開始剤は当業者間で公知のものを制限なく使用することができる。具体的には、例えば、Bruce M. Monroeら著、Chemical Revue, 93, 435 (1993) やR.S.Davidson著、Journal of Photochemistry and Biology A:Chemistry,73.81 (1993); J.P.Faussier, "Photoinitiated Polymerization-Theory and Applications":Rapra Review vol.9, Report, Rapra Technology(1998); M.Tsunooka et al., Prog.Polym.Sci., 21, 1 (1996)等に多く記載されている。また、F.D.Saeva, Topics in Current Chemistry, 156, 59 (1990); G.G.Maslak, Topics in Current Chemistry, 168, 1 (1993); H.B.Shuster et al,JACS, 112, 6329 (1990); I.D.F.Eaton et al, JACS, 102, 3298 (1980)等に記載されているような、酸
化的もしくは還元的に結合解裂を生じる化合物群も知られる。
【０１３５】
以下、好ましい開始剤の具体例に関し、光および／または熱のエネルギーによってラジカルを発生し、上述の重合性化合物と重合反応を開始、促進させる化合物であるラジカル開始剤について詳述するが、本発明はこれらの記述により制限を受けるものではない。
【０１３６】
本発明において、好ましいラジカル開始剤としては、（ａ）芳香族ケトン類、（ｂ）オニウム塩化合物、（ｃ）有機過酸化物、（ｄ）チオ化合物、（ｅ）ヘキサアリールビイミダゾール化合物、（ｆ）ケトオキシムエステル化合物、（ｇ）ボレート化合物、（ｈ）アジニウム化合物、（ｉ）メタロセン化合物、（ｊ）活性エステル化合物、（ｋ）炭素ハロゲン結合を有する化合物、（ｌ）アゾ系化合物等が挙げられる。以下に、上記（ａ）〜（ｌ）の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１３７】
（ａ）芳香族ケトン類
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ａ）芳香族ケトン類としては、「ＲＡＤＩＡＴＩＯＮ  ＣＵＲＩＮＧ  ＩＮ  ＰＯＬＹＭＥＲ  ＳＣＩＥＮＣＥ  ＡＮＤ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ」Ｊ．Ｐ．Ｆｏｕａｓｓｉｅｒ，Ｊ．Ｆ．Ｒａｂｅｋ（１９９３），ｐ７７−１１７記載のベンゾフェノン骨格あるいはチオキサントン骨格を有する化合物が挙げられる。例えば、下記の化合物が挙げられる。
【０１３８】
【化２６】
2008063553.tif 000026
【０１３９】
中でも、特に好ましい（ａ）芳香族ケトン類の例としては、例えば、下記化合物が挙げられる。
【０１４０】
【化２７】
2008063553.tif 000027
【０１４１】
（ｂ）オニウム塩化合物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｂ）オニウム塩化合物としては、下記一般式（１）〜（３）で表される化合物が挙げられる。
【０１４２】
【化２８】
2008063553.tif 000028
【０１４３】
式（１）中、Ａｒ1とＡｒ2は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い炭素原子数２０個以下のアリール基を示す。（Ｚ2）-はハロゲンイオン、過塩素酸イオン、カルボン酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、およびスルホン酸イオンからなる群より選択される対イオンを表し、好ましくは、過塩素酸イオ
ン、ヘキサフルオロフォスフェートイオン、およびアリールスルホン酸イオンである。
【０１４４】
式（２）中、Ａｒ3は、置換基を有していても良い炭素原子数２０個以下のアリール基
を示す。（Ｚ3）-は（Ｚ2）-と同義の対イオンを表す。
【０１４５】
式（３）中、Ｒ23、Ｒ24及びＲ25は、それぞれ同じでも異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素原子数２０個以下の炭化水素基を示す。（Ｚ4）-は（Ｚ2）-と同義の対イオンを表す。
【０１４６】
本発明において、好適に用いることのできるオニウム塩の具体例としては、本出願人が先に提案した特開２００１−１３３９６９号の段落番号［００３０］〜［００３３］に記載されたものや特開２００１−３４３７４２号の段落番号［００１５］〜［００４６］に記載されたもの、また、特開２００２−１４８７９０号、特開２００１−３４３７４２号、特開２００２−６４８２号、特開２００２−１１６５３９号、特開２００４−１０２０３１号記載の特定の芳香族スルホニウム塩化合物などを挙げることができる。
【０１４７】
（ｃ）有機過酸化物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｃ）有機過酸化物としては、分子中に酸素−酸素結合を１個以上有する有機化合物のほとんど全てが含まれるが、その例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、１，１−ビス（ターシャリイブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ターシャリイブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（ターシャリイブチルパーオキシ）ブタン、ターシャリイブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメタンハイドロパーオキサイド、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ジターシャリイブチルパーオキサイド、ターシャリイブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ビス（ターシャリイブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ターシャリイブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−キサノイルパーオキサイド、過酸化こはく酸、過酸化ベンゾイル、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、メタ−トルオイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジメトキシイソプロピルパーオキシカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボネート、ターシャリイブチルパーオキシアセテート、ターシャリイブチルパーオキシピバレート、ターシャリイブチルパーオキシネオデカノエート、ターシャリイブチルパーオキシオクタノエート、ターシャリイブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ターシャリイブチルパーオキシラウレート、ターシャリーカーボネート、３，３′４，４′−テトラ−（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′４，４′−テトラ−（ｔ−アミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′４，４′−テトラ−（ｔ−ヘキシルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′４，４′−テトラ−（ｔ−オクチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′４，４′−テトラ−（クミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′４，４′−テトラ−（ｐ−イソプロピルクミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、カルボニルジ（ｔ−ブチルパーオキシ二水素二フタレート）、カルボニルジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ二水素二フタレート）等がある。
【０１４８】
中でも、３，３′４，４′−テトラ−（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′４，４′−テトラ−（ｔ−アミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン
、３，３′４，４′−テトラ−（ｔ−ヘキシルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′４，４′−テトラ−（ｔ−オクチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′４，４′−テトラ−（クミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′４，４′−テトラ−（ｐ−イソプロピルクミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、ジ−ｔ−ブチルジパーオキシイソフタレートなどの過酸化エステル系が好ましい。
【０１４９】
（ｄ）チオ化合物
本発明で用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｄ）チオ化合物としては、下記一般式（４）で示される構造を有する化合物が挙げられる。
【０１５０】
【化２９】
2008063553.tif 000029
【０１５１】
（ここで、Ｒ26はアルキル基、アリール基または置換アリール基を示し、Ｒ27は水素原子またはアルキル基を示す。また、Ｒ26とＲ27は、互いに結合して酸素、硫黄および窒素原子から選ばれたヘテロ原子を含んでもよい５員ないし７員環を形成するのに必要な非金属原子群を示す。）
上記一般式（４）で示されるチオ化合物の具体例としては、下記に示すような化合物が挙げられる。
【０１５２】
【化３０】
2008063553.tif 000030
【０１５３】
（ｅ）ヘキサアリールビイミダゾール化合物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｅ）ヘキサアリールビイミダゾール化合物としては、特公昭４５−３７３７７号、特公昭４４−８６５１６号記載のロフィンダイマー類、例えば２，２′−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルビイミダゾール、２，２′−ビス（ｏ−ブロモフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルビイミダゾール、２，２′−ビス（ｏ，ｐ−ジクロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルビイミダゾール、２，２′−ビス（ｏ−クロロフェ
ニル）−４，４′，５，５′−テトラ（ｍ−メトキシフェニル）ビイミダゾール、２，２′−ビス（ｏ，ｏ′−ジクロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルビイミダゾール、２，２′−ビス（ｏ−ニトロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルビイミダゾール、２，２′−ビス（ｏ−メチルフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルビイミダゾール、２，２′−ビス（ｏ−トリフルオロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルビイミダゾール等が挙げられる。
【０１５４】
（ｆ）ケトオキシムエステル化合物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｆ）ケトオキシムエステル化合物としては、３−ベンゾイロキシイミノブタン−２−オン、３−アセトキシイミノブタン−２−オン、３−プロピオニルオキシイミノブタン−２−オン、２−アセトキシイミノペンタン−３−オン、２−アセトキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、２−ベンゾイロキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、３−ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノブタン−２−オン、２−エトキシカルボニルオキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン等が挙げられる。
【０１５５】
（ｇ）ボレート化合物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｇ）ボレート化合物の例としては、下記一般式（５）で表される化合物を挙げることができる。
【０１５６】
【化３１】
2008063553.tif 000031
【０１５７】
（ここで、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30およびＲ31は互いに同一でも異なっていてもよく、各々置換もしくは非置換のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基、置換もしくは非置換のアルケニル基、置換もしくは非置換のアルキニル基、又は置換もしくは非置換の複素環基を示し、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30およびＲ31はその２個以上の基が結合して環状構造を形成してもよい。ただし、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30およびＲ31のうち、少なくとも１つは置換もしくは非置換のアルキル基である。（Ｚ5）+はアルカリ金属カチオンまたは第４級アンモニウムカチオンを示す。）
一般式（５）で示される化合物例としては具体的には米国特許３，５６７，４５３号、同４，３４３，８９１号、ヨーロッパ特許１０９，７７２号、同１０９，７７３号に記載されている化合物および以下に示すものが挙げられる。
【０１５８】
【化３２】
2008063553.tif 000032
【０１５９】
（ｈ）アジニウム化合物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｈ）アジニウム塩化合物としては、特開昭６３−１３８３４５号、特開昭６３−１４２３４５号、特開昭６３−１４２３４６号、特開昭６３−１４３５３７号ならびに特公昭４６−４２３６３号記載のＮ−Ｏ結合を有する化合物群をあげることができる。
【０１６０】
（ｉ）メタロセン化合物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｉ）メタロセン化合物としては、特開昭５９−１５２３９６号、特開昭６１−１５１１９７号、特開昭６３−４１４８４号、特開平２−２４９号、特開平２−４７０５号記載のチタノセン化合物ならびに、特開平１−３０４４５３号、特開平１−１５２１０９号記載の鉄−アレーン錯体をあげることができる。
【０１６１】
上記チタノセン化合物の具体例としては、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ジ−クロライド、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−フェニル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４，６−トリフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−２，６−ジフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４−ジフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４−ジフルオロフェニ−１−イル、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（ピリ−１−イル）フェニル）チタニウムビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（メチルスルホンアミド）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−ブチルビアロイル−アミノ）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−ブチル−（４−クロロベンゾイル）アミノ）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−ベンジル−２，２−ジメチルペンタノイルアミノ）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−（２−エチルヘキシル）−４−トリル−スルホニル）アミノ〕フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−（３−オキサヘプチル）ベンゾイルアミノ）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−（３，６−ジオキサデシル）ベンゾイルアミノ）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（トリフルオロメチルスルホニル）アミノ〕フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（トリフルオロアセチルアミノ）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（２−クロロベンゾイル）アミノ〕フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（４−クロロベンゾイル）アミノ〕フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−（３，６−ジオキサデシル）−２，２−ジメチルペンタノイルアミノ）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−（３，７−ジメチル−７−メトキシオクチル）ベンゾイルアミノ）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−シクロヘキシルベンゾイルアミノ）フェニル〕チタン、等を挙げることができる。
【０１６２】
（ｊ）活性エステル化合物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｊ）活性エステル化合物としては、特公昭６２−６２２３記載のイミドスルホネート化合物、特公昭６３−１４３４０号、特開昭５９−１７４８３１号記載の活性スルホネート類をあげることができる。
【０１６３】
（ｋ）炭素ハロゲン結合を有する化合物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｋ）炭素ハロゲン結合を有する化合物としては、下記一般式（６）から（１２）のものを挙げることができる。
【０１６４】
【化３３】
2008063553.tif 000033
【０１６５】
（式中、Ｘ2はハロゲン原子を表わし、Ｙ1は−Ｃ（Ｘ2）3、−ＮＨ2、−ＮＨＲ38、−Ｎ
Ｒ38、−ＯＲ38を表わす。ここでＲ38はアルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基を表わす。またＲ37は−Ｃ（Ｘ2）3、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、置換アルケニル基、を表わす。）
【０１６６】
【化３４】
2008063553.tif 000034
【０１６７】
（ただし、Ｒ39は、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アリール基、置換アリール基、ハロゲン原子、アルコキシ基、置換アルコキシル基、ニトロ基又はシアノ基であり、Ｘ3はハロゲン原子であり、ｎは１〜３の整数である。）
【０１６８】
【化３５】
2008063553.tif 000035
【０１６９】
（ただし、Ｒ40は、アリール基又は置換アリール基であり、Ｒ41は、以下に示す基又はハロゲンであり、Ｚ6は−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｓ）−又は−ＳＯ2−であり、Ｘ3はハロ
ゲン原子であり、ｍは１又は２である。）
【０１７０】
【化３６】
2008063553.tif 000036
【０１７１】
（Ｒ42、Ｒ43はアルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アリール基又は置換アリール基であり、Ｒ44は一般式（６）中のＲ38と同じである。）
【０１７２】
【化３７】
2008063553.tif 000037
【０１７３】
（ただし、式中、Ｒ45は置換されていてもよいアリール基又は複素環式基であり、Ｒ46は炭素原子１〜３個を有するトリハロアルキル基又はトリハロアルケニル基であり、ｐは１、２又は３である。）
【０１７４】
【化３８】
2008063553.tif 000038
【０１７５】
（式（１０）は、トリハロゲノメチル基を有するカルボニルメチレン複素環式化合物を表す。Ｌ7は水素原子又は式：ＣＯ−（Ｒ47）ｑ（Ｃ（Ｘ4）3）ｒの置換基であり、Ｑ2はイオウ、セレン又は酸素原子、ジアルキルメチレン基、アルケン−１，２−イレン基、１，
２−フェニレン基又はＮ−Ｒ基であり、Ｍ4は置換又は非置換のアルキレン基又はアルケ
ニレン基であるか、又は１，２−アリーレン基であり、Ｒ48はアルキル基、アラルキル基又はアルコキシアルキル基であり、Ｒ47は、炭素環式又は複素環式の２価の芳香族基であり、Ｘ4は塩素、臭素またはヨウ素原子であり、ｑ＝０及びｒ＝１であるか又はｑ＝１及
びｒ＝１又は２である。）
【０１７６】
【化３９】
2008063553.tif 000039
【０１７７】
（式（１１）は、４−ハロゲノ−５−（ハロゲノメチルフェニル）オキサゾール誘導体を表す。Ｘ5はハロゲン原子であり、ｔは１〜３の整数であり、ｓは１〜４の整数であり、
Ｒ49は水素原子又はＣＨ3-tＸ5t基であり、Ｒ50はｓ価の置換されていてもよい不飽和有
機基である。）
【０１７８】
【化４０】
2008063553.tif 000040
【０１７９】
（式（１２）は、２−（ハロゲノメチルフェニル）−４−ハロゲノオキサゾール誘導体を表す。Ｘ6はハロゲン原子であり、ｖは１〜３の整数であり、ｕは１〜４の整数であり、
Ｒ51は水素原子又はＣＨ3-vＸ6v基であり、Ｒ52はｕ価の置換されていてもよい不飽和有
機基である。）
このような炭素−ハロゲン結合を有する化合物の具体例としては、たとえば、若林ら著、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，４２、２９２４（１９６９）記載の化合物、たとえば、２−フェニル４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２−（ｐ−クロルフェニル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２−（ｐ−トリル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２−（２′，４′−ジクロルフェニル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２−ｎ−ノニル−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２−（α，α，β−トリクロルエチル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン等が挙げられる。その他、英国特許１３８８４９２号明細書記載の化合物、たとえば、２−スチリル−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メチルスチリル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−Ｓ−トリアジン、
２−（ｐ−メトキシスチリル）−４−アミノ−６−トリクロルメチル−Ｓ−トリアジン等、特開昭５３−１３３４２８号記載の化合物、たとえば、２−（４−メトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビス−トリクロルメチル−Ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビス−トリクロルメチル−Ｓ−トリアジン、２−〔４−（２−エトキシエチル）−ナフト−１−イル〕−４，６−ビス−トリクロルメチル−Ｓ−トリアジン、２−（４，７−ジメトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビス−トリクロルメチル−Ｓ−トリアジン）、２−（アセナフト−５−イル）−４，６−ビス−トリクロルメチル−Ｓ−トリアジン等、独国特許３３３７０２４号明細書記載の化合物、例えば、下記化合物等を挙げることができる。あるいはさらにＭ．Ｐ．Ｈｕｔｔ、Ｅ．Ｆ．ＥｌｓｌａｇｅｒおよびＬ．Ｍ．Ｈｅｒｂｅｌ著「Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」第７巻（Ｎｏ．３）、第５１１頁以降（１９７０年）に記載されている合成方法に準じて、当業者が容易に合成することができる次のような化合物群、例えば、下記化合物等を挙げることができる。
【０１８０】
【化４１】
2008063553.tif 000041
【０１８１】
（ｌ）アゾ系化合物
本発明に用いられるラジカル開始剤として好ましい（ｌ）アゾ系化合物としては、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビスプロピオニトリル、１，１’−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、４，４’−アゾビス（４−シアノ吉草酸）、２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等を挙げることができる。
【０１８２】
本発明におけるラジカル開始剤のさらにより好ましい例としては、上述の（ａ）芳香族ケトン類、（ｂ）オニウム塩化合物、（ｃ）有機過酸化物、（ｅ）ヘキサアリールビイミダゾール化合物、（ｉ）メタロセン化合物、（ｋ）炭素ハロゲン結合を有する化合物、を挙げることができ、さらに最も好ましい例としては、芳香族ヨードニウム塩、芳香族スルホニウム塩、チタノセン化合物、一般式（６）であらわされるトリハロメチル−Ｓ−トリアジン化合物を挙げることができる。
【０１８３】
開始剤は、重合性化合物を含有する分解性樹脂組成物の全固形分に対し、一般的には０．１〜５０質量％、好ましくは、０．５〜３０質量％、特に好ましくは５〜２０質量％の割合で添加することができる。
本発明における開始剤は単独もしくは２種以上の併用によって好適に用いられる。
【０１８４】
その他の成分
本発明の分解性樹脂組成物には、さらにその用途、製造方法等に適したその他の成分を適宜添加することができる。以下、好ましい添加剤に関し例示する。
【０１８５】
＜増感色素＞
本発明において、７６０から１，２００ｎｍの赤外線を発するレーザー（ＹＡＧレーザー、半導体レーザー等）を光源として用いる場合には、通常、赤外線吸収剤が用いられる。赤外線吸収剤は、レーザー光を吸収し、発熱して熱分解を促進する。本発明において使用される赤外線吸収剤は、波長７６０ｎｍから１２００ｎｍに吸収極大を有する染料又は顔料である。
【０１８６】
染料としては、市販の染料及び例えば「染料便覧」（有機合成化学協会編集、昭和４５年刊）等の文献に記載されている公知のものが利用できる。具体的には、アゾ染料、金属錯塩アゾ染料、ピラゾロンアゾ染料、ナフトキノン染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、カルボニウム染料、キノンイミン染料、メチン染料、シアニン染料、スクワリリウム色素、ピリリウム塩、金属チオレート錯体等の染料が挙げられる。
【０１８７】
好ましい染料としては、例えば、特開昭５８−１２５２４６号、特開昭５９−８４３５６号、特開昭５９−２０２８２９号、特開昭６０−７８７８７号等に記載されているシアニン染料、特開昭５８−１７３６９６号、特開昭５８−１８１６９０号、特開昭５８−１９４５９５号等に記載されているメチン染料、特開昭５８−１１２７９３号、特開昭５８−２２４７９３号、特開昭５９−４８１８７号、特開昭５９−７３９９６号、特開昭６０−５２９４０号、特開昭６０−６３７４４号等に記載されているナフトキノン染料、特開昭５８−１１２７９２号等に記載されているスクワリリウム色素、英国特許４３４，８７５号記載のシアニン染料等を挙げることができる。
【０１８８】
また、米国特許第５，１５６，９３８号記載の近赤外吸収増感剤も好適に用いられ、また、米国特許第３，８８１，９２４号記載の置換されたアリールベンゾ（チオ）ピリリウム塩、特開昭５７−１４２６４５号（米国特許第４，３２７，１６９号）記載のトリメチンチアピリリウム塩、特開昭５８−１８１０５１号、同５８−２２０１４３号、同５９−４１３６３号、同５９−８４２４８号、同５９−８４２４９号、同５９−１４６０６３号、同５９−１４６０６１号に記載されているピリリウム系化合物、特開昭５９−２１６１４６号記載のシアニン色素、米国特許第４，２８３，４７５号に記載のペンタメチンチオピリリウム塩等や特公平５−１３５１４号、同５−１９７０２号に開示されているピリリウム化合物も好ましく用いられる。また、染料として好ましい別の例として、米国特許第４，７５６，９９３号明細書中に式（Ｉ）、（II）として記載されている近赤外吸収染料を挙げることができる。
【０１８９】
また、本発明の赤外線吸収色素の好ましい他の例としては、特開２００２−２７８０５７号に記載の特定インドレニンシアニン色素が挙げられる。
【０１９０】
これらの染料のうち特に好ましいものとしては、シアニン色素、スクワリリウム色素、ピリリウム塩、ニッケルチオレート錯体、インドレニンシアニン色素が挙げられる。更に、シアニン色素やインドレニンシアニン色素が好ましい。
【０１９１】
本発明において、好適に用いることのできるシアニン色素の具体例としては、特開２００１−１３３９６９号の段落番号［００１７］〜［００１９］、特開２００２−４０６３８号の段落番号［００１２］〜［００３８］、特開２００２−２３３６０号の段落番号［００１２］〜［００２３］に記載されたものを挙げることができる。
【０１９２】
下記一般式（ｄ）または一般式（ｅ）で表される色素は光熱変換性の観点から好ましい。
【０１９３】
【化４２】
2008063553.tif 000042
【０１９４】
一般式（ｄ）中、Ｒ29ないしＲ31は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を示す。Ｒ33及びＲ34は各々独立に、アルキル基、置換オキシ基、又はハロゲン原子を示す。ｎ及びｍは各々独立に０ないし４の整数を示す。Ｒ29とＲ30、又はＲ31とＲ32はそれぞれ結合して環を形成してもよく、またＲ29及び／又はＲ30はＲ33と、またＲ31及び／又はＲ32はＲ34と結合して環を形成してもよく、更に、Ｒ33或いはＲ34が複数存在する場合に、Ｒ33同士或いはＲ34同士は互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ2及びＸ3は各々
独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基であり、Ｘ2及びＸ3の少なくとも一方は水素原子又はアルキル基を示す。Ｑは置換基を有していてもよいトリメチン基又はペンタメチン基であり、２価の有機基とともに環構造を形成してもよい。Ｚｃ-は対アニオンを
示す。ただし、一般式（ｄ）で示される色素が、その構造内にアニオン性の置換基を有し、電荷の中和が必要ない場合にはＺａ-は必要ない。好ましいＺａ-は、感光層塗布液の保存安定性から、ハロゲンイオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、及びスルホン酸イオンであり、特に好ましくは、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロフォスフェートイオン、及びアリールスルホン酸イオンである。
【０１９５】
本発明において、好適に用いることのできる一般式（ｄ）で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。
【０１９６】
【化４３】
2008063553.tif 000043
【０１９７】
【化４４】
2008063553.tif 000044
【０１９８】
一般式（ｅ）中、Ｒ35〜Ｒ50はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、水酸基、カルボニル基、チオ基
、スルホニル基、スルフィニル基、オキシ基、アミノ基、オニウム塩構造を示し、これらの基に置換基が導入可能な場合は、置換基を有してもよい。Ｍは２つの水素原子若しくは金属原子、ハロメタル基、オキシメタル基を示すが、そこに含まれる金属原子としては、周期律表のＩＡ、IIＡ、IIIＢ、ＩＶＢ族原子、第一、第二、第三周期の遷移金属、ラン
タノイド元素が挙げられ、中でも、銅、マグネシウム、鉄、亜鉛、コバルト、アルミニウム、チタン、バナジウムが好ましい。
【０１９９】
本発明において、好適に用いることのできる一般式（ｅ）で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。
【０２００】
【化４５】
2008063553.tif 000045
【０２０１】
本発明において使用される顔料としては、市販の顔料及びカラーインデックス（Ｃ．Ｉ．）便覧、「最新顔料便覧」（日本顔料技術協会編、１９７７年刊）、「最新顔料応用技術」（ＣＭＣ出版、１９８６年刊）、「印刷インキ技術」ＣＭＣ出版、１９８４年刊）に記載されている顔料が利用できる。
【０２０２】
顔料の種類としては、黒色顔料、黄色顔料、オレンジ色顔料、褐色顔料、赤色顔料、紫色顔料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、金属粉顔料、その他、ポリマー結合色素が挙げられる。具体的には、不溶性アゾ顔料、アゾレーキ顔料、縮合アゾ顔料、キレートアゾ顔料、フタロシアニン系顔料、アントラキノン系顔料、ペリレン及びペリノン系顔料、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ジオキサジン系顔料、イソインドリノン系顔料、キノフタロン系顔料、染付けレーキ顔料、アジン顔料、ニトロソ顔料、ニトロ顔料、天然顔料、蛍光顔料、無機顔料、カーボンブラック等が使用できる。これらの顔料のうち好ましいものはカーボンブラックである。
【０２０３】
これら顔料は表面処理をせずに用いてもよく、表面処理を施して用いてもよい。表面処理の方法には、樹脂やワックスを表面コートする方法、界面活性剤を付着させる方法、反応性物質（例えば、シランカップリング剤、エポキシ化合物、ポリイソシアネート等）を顔料表面に結合させる方法等が考えられる。上記の表面処理方法は、「金属石鹸の性質と応用」（幸書房）、「印刷インキ技術」（ＣＭＣ出版、１９８４年刊）及び「最新顔料応用技術」（ＣＭＣ出版、１９８６年刊）に記載されている。
【０２０４】
顔料の粒径は０．０１μｍから１０μｍの範囲にあることが好ましく、０．０５μｍから１μｍの範囲にあることがさらに好ましく、特に０．１μｍから１μｍの範囲にあることが好ましい。顔料の粒径を０．０１μｍ以上にすると、分散物の塗布液中での安定性が増し、また、１０μｍ以下にすると樹脂組成物層の均一性が良好になる。
【０２０５】
顔料を分散する方法としては、インク製造やトナー製造等に用いられる公知の分散技術が使用できる。分散機としては、超音波分散器、サンドミル、アトライター、パールミル、スーパーミル、ボールミル、インペラー、デスパーザー、ＫＤミル、コロイドミル、ダイナトロン、３本ロールミル、加圧ニーダー等が挙げられる。詳細は、「最新顔料応用技術」（ＣＭＣ出版、１９８６年刊）に記載されている。
【０２０６】
＜共増感剤＞
ある種の添加剤（以後、共増感剤という）を用いることで、樹脂組成物層を光硬化させる際の感度をさらに向上させる事ができる。これらの作用機構は、明確ではないが、多くは次のような化学プロセスに基づくものと考えられる。即ち、光重合開始剤により開始される光反応とそれに引き続く付加重合反応の過程で生じる様々な中間活性種（ラジカル、カチオン）と、共増感剤が反応し、新たな活性ラジカルを生成するものと推定される。これらは、大きくは、（ａ）還元されて活性ラジカルを生成しうるもの、（ｂ）酸化されて活性ラジカルを生成しうるもの、（ｃ）活性の低いラジカルと反応し、より活性の高いラジカルに変換するか、もしくは連鎖移動剤として作用するものに分類できるが、個々の化合物がこれらのどれに属するかに関しては通説がない場合も多い。
【０２０７】
（ａ）還元されて活性ラジカルを生成する化合物
炭素−ハロゲン結合結合を有する化合物：還元的に炭素−ハロゲン結合が解裂して、活性ラジカルを発生すると考えられる。具体的には、例えば、トリハロメチル−ｓ−トリアジン類や、トリハロメチルオキサジアゾール類等が好適に使用できる。
【０２０８】
窒素−窒素結合を有する化合物：還元的に窒素−窒素結合が解裂して、活性ラジカルを発生すると考えられる。具体的にはヘキサアリールビイミダゾール類等が好適に使用される。
【０２０９】
酸素一酸素結合を有する化合物：還元的に酸素−酸素結合が解裂して、活性ラジカルを発生すると考えられる。具体的には、例えば、有機過酸化物類等が好適に使用される。
【０２１０】
オニウム化合物：還元的に炭素−ヘテロ結合や、酸素−窒素結合が解裂して、活性ラジカルを発生すると考えられる。具体的には例えば、ジアリールヨードニウム塩類、トリアリールスルホニウム塩類、Ｎ−アルコキシピリジニウム（アジニウム）塩類等が好適に使用される。フエロセン、鉄アレーン錯体類：還元的に活性ラジカルを生成しうる。
（ｂ）酸化されて活性ラジカルを生成する化合物
アルキルアート錯体：酸化的に炭素−ヘテロ結合が解裂して、活性ラジカルを生成すると考えられる。具体的には例えば、トリアリールアルキルボレート類が好適に使用される。
【０２１１】
アルキルアミン化合物：酸化により窒素に隣接した炭素上のＣ−Ｘ結合が解裂して、活性ラジカルを生成するものと考えられる。Ｘとしては、水素原子、カルボキシル基、トリメチルシリル基、ベンジル基等が好適である。具体的には、例えば、エタノールアミン類、Ｎ−フェニルグリシン類、Ｎ−トリメチルシリルメチルアニリン類等があげられる。
【０２１２】
含硫黄、含錫化合物：上述のアミン類の窒素原子を硫黄原子、錫原子に置き換えたものが、同様の作用により活性ラジカルを生成しうる。また、Ｓ−Ｓ結合を有する化合物もＳ−Ｓ解裂による増感が知られる。
【０２１３】
α−置換メチルカルボニル化合物：酸化により、カルボニル−α炭素間の結合解裂により、活性ラジカルを生成しうる。また、カルボニルをオキシムエーテルに変換したものも同様の作用を示す。具体的には、２−アルキル−１−［４−（アルキルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロノン−１類、並びに、これらと、ヒドロキシアミン類とを反応したのち、Ｎ−ＯＨをエーテル化したオキシムエーテル類をあげる事ができる。
【０２１４】
スルフィン酸塩類：還元的に活性ラジカルを生成しうる。具体的は、アリールスルフィン駿ナトリウム等をあげる事ができる。
（ｃ）ラジカルと反応し高活性ラジカルに変換、もしくは連鎖移動剤として作用する化合物：例えば、分子内にＳＨ、ＰＨ、ＳiＨ、ＧｅＨを有する化合物群が用いられる。これ
らは、低活性のラジカル種に水素供与して、ラジカルを生成するか、もしくは、酸化された後、脱プロトンする事によりラジカルを生成しうる。具体的には、例えば、２−メルカプトベンズチアゾール類、２−メルカプトベンゾオキサゾール類、２−メルカプトベンズイミダゾール類等があげられる。
【０２１５】
これらの共増感剤のより具体的な例は、例えば、特開平９−２３６９１３号公報中に、感度向上を目的とした添加剤として、多く記載されており、それらを本発明においても適用することができる。以下に、その一部を例示するが、本発明はこれらに限定されるものはない。なお、下記式中、−ＴＭＳはトリメチルシリル基を表す。
【０２１６】
【化４６】
2008063553.tif 000046
【０２１７】
共増感剤に関しても、先の増感色素と同様、さらに、樹脂組成物層の特性を改良するための様々な化学修飾を行うことも可能である。例えば、増感色素や開始剤化合物、付加重合性不飽和化合物その他のパートとの結合、親水性部位の導入、相溶性向上、結晶析出抑制のための置換基導入、密着性を向上させる置換基導入、ポリマー化等の方法が利用できる。
【０２１８】
共増感剤は、単独でまたは２種以上併用して用いることができる。使用量はエチレン性不飽和二重結合を有する化合物１００質量部に対し０．０５〜１００質量部、好ましくは１〜８０質量部、さらに好ましくは３〜５０質量部の範囲が適当である。
【０２１９】
＜重合禁止剤＞
また、本発明においては以上の成分の他に組成物の製造中あるいは保存中において重合可能なエチレン性不飽和二重結合を有する化合物の不要な熱重合を阻止するために少量の熱重合防止剤を添加することが望ましい。適当な熱重合防止剤としてはハイドロキノン、ｐ−メトキシフェノール、ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ピロガロール、ｔ―ブチルカテコール、ベンゾキノン、４，４′−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２′−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ―ブチルフェノール）、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシアミン第一セリウム塩等が挙げられる。熱重合防止剤の添加量は、全組成物の質量に対して約０．０１質量％〜約５質量％が好ましい。また必要に応じて、酸素による重合阻害を防止するためにベヘン酸やベヘン酸アミドのような高級脂肪酸誘導体等を添加して、支持体等への塗布後の乾燥の過程でその層の表面に偏在させてもよい。高級脂肪酸誘導体の添加量は、全組成物の約０．５質量％〜約１０質量％が好ましい。
【０２２０】
＜着色剤＞
さらに、樹脂組成物層の着色を目的として染料もしくは顔料等の着色剤を添加してもよい。これにより、画像部の視認性や、画像濃度測定機適性といった性質を向上させる事ができる。着色剤としては、特に顔料の使用が好ましい。具体例としては例えばフタロシアニン系顔料、アゾ系顔料、カーボンブラック、酸化チタンなどの顔料、エチルバイオレット、クリスタルバイオレット、アゾ系染料、アントラキノン系染料、シアニン系染料などの染料がある。着色剤の添加量は全組成物の約０．５質量％〜約５質量％が好ましい。
【０２２１】
＜その他の添加剤＞
さらに、硬化皮膜の物性を改良するために充填剤や、可塑剤等の公知の添加剤を加えてもよい。
【０２２２】
充填剤としては有機化合物、無機化合物、あるいはこれらの混合物のいずれでもよい。例えば、有機化合物としては、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン、黒鉛などが挙げられる。無機化合物としては、シリカ、アルミナ、アルミニウム、炭酸カルシウムなどが挙げられる。
【０２２３】
可塑剤としては例えばジオクチルフタレート、ジドデシルフタレート、トリエチレングリコールジカプリレート、ジメチルグリコールフタレート、トリクレジルホスフェート、ジオクチルアジペート、ジブチルセバケート、トリアセチルグリセリン等があり、結合剤を使用した場合、エチレン性不飽和二重結合を有する化合物と結合剤との合計質量に対し１０質量％以下添加することができる。
【０２２４】
＜パターン形成材料＞
本発明のパターン形成材料は、支持体上に本発明に係るレーザー分解性樹脂組成物からなる層を有することを特徴とする。レーザー分解性樹脂組成物からなる層（以下、パターン形成層とも云う）は、前記（Ａ）および（Ｂ）成分を少なくとも含有する。パターン形成層は、必要に応じて、更に、上記の重合性化合物、開始剤、その他の成分を含んでもよい。
ここで、パターン形成材料とは、レーザー露光に起因して露光部が非露光部に比べて凹部を形成することにより凹凸パターンとなるパターン形成材料を意味する。従って、レーザー露光により直接的に（例えば、アブレーションにより）凹部を形成するタイプのパターン形成材料のみならず、レーザー露光後に加熱処理やアルカリ水溶液等による現像処理を施すことによって凹部を形成するタイプのパターン形成材料も包含する。本発明のパターン形成材料は、特に前者のタイプのパターン形成材料として好適に用いることができる。
本発明において好適に用いられるパターン形成材料としては、上記のような性質を持つものであれば特に用途は限定されず、平版、グラビア、凸版、スクリーンなどの印刷版原版、プリント配線用基板、半導体用フォトレジスト材料、光ディスク用記録材料など多岐に渡って利用可能である。本発明においては、レーザーによる直接彫刻製版、いわゆる「レーザー彫刻」に用いられる印刷版が好ましく用いられる。特にフレキソ印刷版が好ましく用いられ、レーザー彫刻用フレキソ印刷版原版が本発明のパターン形成材料として最も好適である。
【０２２５】
（支持体）
本発明において、パターン形成材料の支持体は、可撓性を有し、かつ、寸法安定性に優れた材料が好ましく用いられ、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、或いはポリカーボネートフィルムを挙げることができる。支持体の厚みは５０〜３５０μｍ、更に１００〜２５０μｍがパターン形成材料の機械的特性、形状安定性あるいは取り扱い性等から好ましい。また、必要により、支持体とパターン形成層との接着を向上させるために、この種の目的で従来から使用されている公知の接着剤層を支持体の表面に設けてもよい。
また、本発明で用いる支持体の表面に物理的、化学的処理を行うことにより、パターン形成層あるいは接着剤層との接着性を向上させることができる。物理的処理方法としては、サンドブラスト法、微粒子を含有した液体を噴射するウエットブラスト法、コロナ放電処理法、プラズマ処理法、紫外線あるいは真空紫外線照射処理法などを挙げることができる。また、化学的処理方法としては、強酸処理法、強アルカリ処理法、酸化剤処理法、カップリング剤処理法などを挙げることができる。
【０２２６】
（膜の形成）
本発明の分解性樹脂組成物をシート状、ロール状もしくは円筒状に成形するためには、既存の樹脂の成形方法を用いることができる。例えば、注型法、ポンプや押し出し機等の機械で樹脂組成物をノズルやダイスから押し出し、ブレードで厚みを合わせる、ロールによりカレンダー加工して厚みを合わせる方法等が例示できる。その際、樹脂組成物の性能を落とさない範囲で加熱しながら成形を行なうことも可能である。また、必要に応じて圧延処理、研削処理などをほどこしても良い。通常はＰＥＴやニッケルなどの素材からなるバックフィルムといわれる下敷きの上に成形される場合が多い。また、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）製、プラスチック製あるいは金属製の円筒状基体を用いることもできる。円筒状基体は軽量化のために一定厚みで中空のものを使用することができる。バックフィルムあるいは円筒状基体の役割は、パターン形成材料の寸法安定性を確保することである。したがって、寸法安定性の高いものを選択する必要がある。材料の具体例としては、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビスマレイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンチオエーテル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂からなる液晶樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂などを挙げることができる。また、これらの樹脂を積層して用いることもできる。例えば、厚み４．５μｍの全芳香族ポリアミドフィルムの両面に厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートの層を積層したシート等でもよい。また、多孔質性のシート、例えば繊維を編んで形成したクロスや、不織布、フィルムに細孔を形成したもの等をバックフィルムとして用いることができる。バックフィルムとして多孔質性シートを用いる場合、感光性樹脂組成物を孔に含浸させた後に光硬化させることで、感光性樹脂硬化物層とバックフィルムとが一体化するために高い接着性を得ることができる。クロスあるいは不織布を形成する繊維としては、ガラス繊維、アルミナ繊維、炭素繊維、アルミナ・シリカ繊維、ホウ素繊維、高珪素繊維、チタン酸カリウム繊維、サファイア繊維などの無機系繊維、木綿、麻などの天然繊維、レーヨン、アセテート等の半合成繊維、ナイロン、ポリエステル、アクリル、ビニロン、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリイミド、アラミド等の合成繊維を挙げることができる。また、バクテリアの生成するセルロースは、高結晶性ナノファイバーであり、薄くて寸法安定性の高い不織布を作製することのできる材料である。
【０２２７】
本発明のレーザー分解性樹脂組成物は、レーザーで分解する前に架橋（重合）により硬化させることが、形成される被膜の強度を向上させる観点で好ましい。組成物を硬化させるためには、前記のような重合性化合物を組成物内に含有させることが好ましい。これは、ネガ型（重合型）感光材料において被膜の強度を上げる手法として一般的に用いられていることであり、本発明でも同様の効果が発現すると考えられる。
この方法は、パターン形成材料がレーザー彫刻用フレキソ印刷版原版である場合に特に効果がある。レーザー彫刻前に硬化させることでレーザー彫刻後形成されるレリーフがシャープになり、また、レーザー彫刻の際に発生する彫刻カスの粘着性が抑制されるという利点がある。
【０２２８】
組成物を硬化させる方法は、組成物を加熱する、光照射する、光または熱重合開始剤等を組成物に添加しておいてそれに光照射または加熱する等、重合性化合物の重合反応を起こさせる手段であれば特に制限無く使用することができる。
中でも、硬化させる方法としては、組成物の加熱が作業の簡便さから好ましい。レーザー分解前の組成物に対して架橋（重合）を生起するための加熱には、オーブン、サーマルヘッド、加熱ロール、レーザー光線などあらゆる加熱方法が適用できる。温度コントロールが必要な場合は、オーブン、サーマルヘッド、加熱ロール等の温度をコントロールするか、レーザー光線の強度やスポット径を調節することで実施することができる。加熱温度は、共存する有機化合物の熱安定性の観点から、４０〜２５０℃が好ましく、６０〜２２０℃がより好ましく、８０〜２００℃が更に好ましい。加熱時間は、加熱による硬化以外の副反応（添加剤の熱分解など）が生じないという点で、１〜１２０分が好ましく、５〜６０分がより好ましい。
【０２２９】
分解性樹脂組成物層の厚みは、一般的には０．０００５〜１０ｍｍ、好ましくは０．００５〜７ｍｍである。
レーザー彫刻（特にレーザー彫刻用フレキソ印刷版原版）に用いる場合の厚みは、その使用目的に応じて任意に設定し得るが、好ましくは０.０５〜１０ｍｍの範囲、より好ましくは０.１〜７ｍｍの範囲である。場合によっては、組成の異なる層を複数積層していても構わない。
【０２３０】
複数の層からなる組み合わせとしては、例えば、最表面にＹＡＧレーザー、ファイバーレーザーあるいは半導体レーザー等の近赤外線領域に発振波長を有するレーザーを用いて彫刻することができる層を形成し、その層の下に炭酸ガスレーザー等の赤外線レーザーあるいは可視・紫外線レーザーを用いてレーザー彫刻できる層を形成することも可能である。このような方法でレーザー彫刻する場合、赤外線レーザーと近赤外線レーザーを搭載した別々のレーザー彫刻装置を用いて彫刻することもでき、また、赤外線レーザーと近赤外線レーザーの両方を搭載したレーザー彫刻装置を用いて行うことも可能である。
【０２３１】
本発明では、支持体とパターン形成層との間、あるいはパターン形成層と接着剤層との間にクッション性を有する樹脂あるいはゴムからなるクッション層を形成することができる。支持体とパターン形成層との間にクッション層を形成する場合、片面に接着剤層の付いたクッション層を、接着剤層側を支持体に向けて貼り付ける方法が簡便である。クッション層を貼り付けた後、表面を切削、研磨して整形することもできる。より簡便な方法は、液状接着剤組成物を支持体上に一定厚みで塗布し、光を用いて硬化させクッション層を形成する方法である。クッション性を有するために、光硬化した硬化物の硬度が低いことが好ましい。また、クッション性を有する感光性樹脂硬化物層中に気泡を含むものであっても構わない。
【０２３２】
＜レーザー彫刻＞
レーザー彫刻においては、形成したい画像をデジタル型のデータとし、コンピューターを利用してレーザー装置を操作し、パターン形成材料上にレリーフ画像を作成する。
上記したように、レーザー彫刻に用いるパターン形成材料としては特に限定されないが、レーザー彫刻用フレキソ印刷版原版が特に好ましく用いられる。
レーザー彫刻に用いるレーザーは、パターン形成材料がレーザーアブレーションによりパターン形成が可能なものであればどのようなものを用いてもよいが、彫刻を高速度で行なうためには出力の高いものが望ましく、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、半導体レーザー、ファイバーレーザー等の赤外線あるいは近赤外線領域に発振波長を有するレーザーが好ましいものの一つである。また、紫外線領域に発振波長を有する紫外線レーザー、例えばエキシマレーザー、第３あるいは第４高調波へ波長変換したＹＡＧレーザー、銅蒸気レーザー等も、有機化合物の分子の結合を切断するアブレージョン加工が可能であり、微細加工に適する。フェムト秒レーザーなど極めて高い尖頭出力を有するレーザーを用いることもできる。また、レーザーは連続照射でも、パルス照射でも良い。レーザー彫刻用フレキソ印刷版原版では、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーが好ましく用いられる。
【０２３３】
レーザーによる彫刻は酸素含有ガス下、一般には空気存在下もしくは気流下に実施するが、炭酸ガス、窒素ガス下でも実施できる。彫刻終了後、レリーフ画像面に発生する粉末状もしくは液状の物質（カス）は適当な方法、例えば溶剤や界面活性剤の入った水等で洗いとる方法、高圧スプレー等により水系洗浄剤を照射する方法、高圧スチームを照射する方法、布等で拭き取る方法などを用いて除去することができる。
【０２３４】
本発明の樹脂組成物はレリーフ画像の他、スタンプ・印章、エンボス加工用のデザインロール、電子部品作成に用いられる絶縁体、抵抗体、導電体ペーストのパターニング用レリーフ画像、窯業製品の型材用レリーフ画像、広告・表示板などのディスプレイ用レリーフ画像、各種成型品の原型・母型など各種の用途に利用できる。
【０２３５】
また、レーザー彫刻後のパターン画像の表面に改質層を形成させることにより、表面のタックの低減を行うこともできる。改質層としては、シランカップリング剤あるいはチタンカップリング剤等のパターン画像の表面水酸基と反応する化合物で処理した被膜、あるいは多孔質無機粒子を含有するポリマーフィルムなどを挙げることができる。広く用いられているシランカップリング剤は、パターン画像の表面水酸基との反応性の高い官能基を分子内に有する化合物であり、そのような官能基とは、例えばトリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリクロロシリル基、ジエトキシシリル基、ジメトキシシリル基、ジモノクロロシリル基、モノエトキシシリル基、モノメトキシシリル基、モノクロロシリル基を挙げることができる。また、これらの官能基は分子内に少なくとも１つ以上存在し、パターン画像の表面水酸基と反応することにより表面に固定化される。更に本発明のシランカップリング剤を構成する化合物としては、分子内に反応性官能基としてアクリロイル基、メタクリロイル基、活性水素含有アミノ基、エポキシ基、ビニル基、パーフルオロアルキル基、およびメルカプト基から選ばれた少なくとも１個の官能基を有するもの、あるいは長鎖アルキル基を有するものも用いることができる。表面に固定化したカップリング剤分子が、特に重合性反応基を有する場合、表面への固定化後、光、熱、あるいは電子線を照射して架橋させることにより、より強固な被膜とすることもできる。
【実施例】
【０２３６】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０２３７】
〔実施例１〜１５および比較例１〜３〕
＜熱物性の評価＞
本実施例で使用した（Ａ）の化合物（熱で脱炭酸する化合物）、比較例で使用した成分Ｃ１、Ｃ２を下記に示す。
【０２３８】
【化４７】
2008063553.tif 000047
【０２３９】
＜熱物性の測定＞
表１に示すバインダーポリマーと熱で脱炭酸する化合物または成分Ｃ１、Ｃ２を材料温度１３０℃で実験室用ニーダー中で混合し、組成物を得た。各実施例において、熱で脱炭酸する化合物の添加量は、組成物全固形分中１５質量％とした。
なお、実施例１５は、重合性組成物としてＡ−ＢＰＥ−４（新中村化学製）を用い、このモノマーを組成物全固形分中、３５質量％の割合で添加し、得られた組成物を、排気装置付きのオーブンにて常圧で１６０℃で２０分加熱し、組成物を架橋させた。組成物が架橋していることは、ＦＴ−ＩＲにて炭素-炭素不飽和結合由来のピークが消失したことを
観測することで確認した。
また比較例２および３における成分Ｃ１およびＣ２の添加量は、組成物全固形分中１５
質量％とした。
【０２４０】
以下の条件にて、熱分解開始温度を測定した。ここで「熱分解開始温度」とは、サンプルを加熱していった際にサンプルの熱分解に起因する質量減少が開始する温度のことである。
＜機器＞
・熱質量測定装置（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製）
＜測定条件＞
・サンプルを１０ｍｇ秤量し、２０℃／分の昇温速度で３０℃から５００℃まで加熱を行った。
【０２４１】
結果を表１に示す。
【０２４２】
【表１】
2008063553.tif 000048
【０２４３】
表１から、比較例に比べて実施例は、熱分解開始温度がいずれのサンプルでも低下し、熱分解性に優れることが分かった。この結果は、ポリマーの熱分解性が熱で脱炭酸する化合物の作用により向上していることを意味している。
【０２４４】
〔実施例１６〜２２および比較例４〜５〕
＜レーザー分解性の評価＞
【０２４５】
【表２】
2008063553.tif 000049
【０２４６】
表２に示すレリーフ層を支持体上に形成するにあたり、まずポリマー、添加剤、熱で脱炭酸する化合物、開始剤及びレーザー照射吸収剤を、材料温度１００℃で実験室用ニーダー中で混合した。１５分後に、レーザー照射吸収剤は、均一に分散した。次いで得られた混合物を、重合性化合物（モノマー）とともに９０℃下でトルエン中に溶解し、６０℃に冷却し、そして無被覆の１２５μｍ厚ＰＥＴフィルム上に流延した。室温で２４時間空気中で乾燥し、次いで６０℃で３時間乾燥した後に、得られたレリーフ層（層厚み１０００μｍ）を、接着形成成分の混合物で被覆された第２の１２５μｍ厚ＰＥＴフィルムにラミネート（積層）し、無被覆の１２５μｍ厚ＰＥＴフィルムを剥がし、サンプルを作成した。
【０２４７】
必要に応じて以下の処理を施した。
＜膜を架橋させるための加熱＞
上記で作成したレリーフ層を、排気装置付きのオーブンにて常圧で１６０℃で２０分加熱し、膜を架橋させた。レリーフ層が架橋していることは、ＦＴ−ＩＲにて炭素-炭素不
飽和結合由来のピークが消失したことを観測することで確認した。
【０２４８】
上記のレリーフ層をレーザー彫刻した際の深さをレーザー分解性の指標として用いた。同一エネルギーでレーザー照射した際に、より深く彫刻されるものほどレーザー分解性が高いことを意味する。
レーザーでの彫刻深さの評価実験は、炭酸（ＣＯ2）レーザーの場合、「高品位ＣＯ2レーザーマーカＭＬ-９１００シリーズ（KEYENCE（株）製）」を用いて１２Ｗでラインスピード１０ｃｍ／秒、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの場合、「ＭＡＲＫＥＲ ＥＮＧＩＮＥ  ３０００（レーザーフロントテクノロジーズ（株）製）」を用いて１０Ｗで１０ｃｍ／秒ラインスピード彫刻した。
【０２４９】
結果を表３に示す。
【０２５０】
【表３】
2008063553.tif 000050
【０２５１】
表３より、実施例１６〜２２におけるレリーフ層は、比較例４〜５のレリーフ層に比べ、熱分解性向上効果により彫刻深さが深くなったことが分かる。