(57)【要約】【課題】接触子の直径を小さくしてもそのストローク量を大きくすることができるプローブカードおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のプローブカード１は、平板状の配線板２、柱状の基台部３および立体らせん状の接触子４を備えている。基台部３は、配線板２の配線パターン２ｂと接触子４の根元４ａとの間に介在しており、接触子４の直径および高さＨ１を変更せずにそのストローク量を増加させている。【選択図】図１
2008281519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンを有する配線板と、
前記配線パターンの表面において導電材料を用いて柱状に形成されている基台部と、
立体らせん状に形成されているとともに、その根元を前記基台部の表面上に接続させている接触子と
を備えていることを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
前記配線板の表面上であって前記接触子の下方において弾性材料を用いて膜状に形成されているとともに、その厚さの上限を前記基台部の高さと同等にしている弾性膜を備えている
ことを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
配線パターンを有する配線板の表面において樹脂を用いてレジスト膜を形成する工程ａと、
前記レジスト膜に柱状の貫通孔を形成して前記配線板の配線パターンを露出させる工程ｂと、
前記レジスト膜の貫通孔から露出した配線パターンの表面に導電材料を用いて柱状の基台部を形成する工程ｃと、
前記レジスト膜の表面において前記基台部を塞ぐことなく樹脂を用いてレジスト錐を形成する工程ｄと、
前記レジスト錐の側面にシード膜を形成する工程ｅと、
前記シード膜が形成された前記レジスト錐の側面および前記基台部の表面に樹脂を塗布して前記樹脂を露光および現像することにより前記基台部を起点とするらせん状の溝を有するレジスト型を形成する工程ｆと、
前記レジスト型の溝から露出した前記シード膜および前記基台部の表面において前記基台部を接触子の根元にして立体らせん状の接触子を形成する工程ｇと、
前記レジスト型、前記接触子の形成に不要な部分の前記シード膜、前記レジスト錐および前記レジスト膜を除去する工程ｈと
を備えることを特徴とするプローブカードの製造方法。
【請求項４】
配線パターンを有する配線板の表面において樹脂を用いてレジスト膜を形成する工程ａと、
前記レジスト膜に柱状の貫通孔を形成して前記配線板の配線パターンを露出させる工程ｂと、
前記レジスト膜の貫通孔から露出した配線パターンの表面に導電材料を用いて柱状の基台部を形成する工程ｃと、
前記工程ｂまたは前記工程ｃの後に前記レジスト膜をベーキングする工程ｉと、
前記工程ｃおよび前記工程ｉの後に前記レジスト膜の表面において前記基台部を塞ぐことなく樹脂を用いてレジスト錐を形成する工程ｄと、
前記レジスト錐の側面にシード膜を形成する工程ｅと、
前記シード膜が形成された前記レジスト錐の側面および前記基台部の表面に樹脂を塗布して前記樹脂を露光および現像することにより前記基台部を起点とするらせん状の溝を有するレジスト型を形成する工程ｆと、
前記レジスト型の溝から露出している前記シード膜が形成された前記レジスト錐の側面および前記基台部の表面において前記基台部を接触子の根元にして立体らせん状の接触子を形成する工程ｇと、
前記レジスト型、前記接触子の形成に不要な部分の前記シード膜および前記レジスト錐を除去するとともに、前記配線板の表面であって前記接触子の下方においてベーキングされた前記レジスト膜を弾性膜として残す工程ｊと
を備えることを特徴とするプローブカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードおよびその製造方法に係り、特に、立体らせん状の接触子を有するプローブカードに好適に利用できるプローブカードおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＩＣ（集積回路）やＬＳＩ （大型集積回路）といった半導体部品に対する不良の有無を検査するため、プローブカードが頻繁に用いられている。
【０００３】
一般的なプローブカードにおいては、半導体部品に用いるウエハの電極をプローブカードの接触子にそれぞれ接触させることにより半導体部品の導通検査を行ない、その半導体部品が良品であるか否かを検査する。ここで、検査対象の半導体部品に形成された電極のピッチ間距離は年々小さくなってきているため、それに伴い、接触子のピッチ間距離も年々小さいものが要求されている。そのため、図１０および図１１に示すように、プローブカード１０１に用いる接触子１０４はそのピッチ間距離を小さくするのに有効な立体らせん状に形成されていた（特許文献１を参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２６９１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、立体らせん状の接触子１０４のアスペクト比（直径と高さとの比）は接触子１０４の成形内型として接触子１０４の形成時に用いられるレジスト円錐（図示せず）のアスペクト比に依存している。ここで、レジスト円錐の高さが大きくなるようにレジスト円錐のアスペクト比を変更することは形成工程上困難である。このことから、接触子１０４のピッチ間距離を小さくするためにレジスト円錐の直径を小さくすると、レジスト円錐の高さも小さくなってしまう。つまり、レジスト円錐の直径を小さくして接触子１０４のピッチ間距離を小さくすると、接触子１０４のストローク量が不足してしまうという問題があった。
【０００６】
接触子１０４のストローク量が不足すると、接触子１０４の弾性力が適切に発揮できずに縮みきってしまい、その接触子１０４を通じて検査対象に大きな力が加わってしまう。また、プローブカード１０１が検査対象に斜めに押し込まれた際、配線板１０２の接触子非形成領域に検査対象が衝突してしまう。すると、検査対象やプローブカード１０１の配線板１０２が破損するおそれがある。
【０００７】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、接触子の直径を小さくしてもそのストローク量を大きくすることができるプローブカードおよびその製造方法を提供することを本発明の目的としている。
【０００８】
また、本発明は、接触子が縮みきっても検査対象やプローブカードの破損を防止することができるプローブカードおよびその製造方法を提供することを本発明の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述した目的を達成するため、本発明のプローブカードは、その第１の態様として、配線パターンを有する配線板と、配線パターンの表面において導電材料を用いて柱状に形成されている基台部と、立体らせん状に形成されているとともにその根元を基台部の表面上に接続させている接触子とを備えていることを特徴としている。
【００１０】
本発明の第１の態様のプローブカードによれば、基台部の形成により接触子の直径および高さを変更せずにそのストローク量を増加させることができる。
【００１１】
本発明の第２の態様のプローブカードは、第１の態様のプローブカードにおいて、配線板の表面上であって接触子の下方において弾性材料を用いて膜状に形成されているとともに、その厚さの上限を基台部の高さと同等にしている弾性膜を備えていることを特徴としている。
【００１２】
本発明の第２の態様のプローブカードによれば、弾性膜を形成することにより接触子が弾性膜に当接した際にその弾性膜がその接触子に弾性力を発揮して検査対象やプローブカードに生じる衝突力を緩和することができる。
【００１３】
また、前述した目的を達成するため、本発明のプローブカードの製造方法は、その第１の態様として、配線パターンを有する配線板の表面において樹脂を用いてレジスト膜を形成する工程ａと、レジスト膜に柱状の貫通孔を形成して配線板の配線パターンを露出させる工程ｂと、レジスト膜の貫通孔から露出した配線パターンの表面に導電材料を用いて柱状の基台部を形成する工程ｃと、レジスト膜の表面において基台部を塞ぐことなく樹脂を用いてレジスト錐を形成する工程ｄと、レジスト錐の側面にシード膜を形成する工程ｅと、シード膜が形成されたレジスト錐の側面および基台部の表面に樹脂を塗布して樹脂を露光および現像することにより基台部を起点とするらせん状の溝を有するレジスト型を形成する工程ｆと、レジスト型の溝から露出しているシード膜が形成されたレジスト錐の側面および基台部の表面において基台部を接触子の根元にして立体らせん状の接触子を形成する工程ｇと、レジスト型、接触子の形成に不要な部分のシード膜、レジスト錐およびレジスト膜を除去する工程ｈとを備えることを特徴としている。
【００１４】
本発明の第１の態様のプローブカードの製造方法によれば、従来のプローブカードの製造方法をほとんど変更することなく、配線パターンと接触子との間に基台部を容易に介在させることができるので、接触子の直径および高さを変更せずにそのストローク量を増加させたプローブカードを容易に製造することができる。
【００１５】
本発明の第２の態様のプローブカードは、配線パターンを有する配線板の表面において樹脂を用いてレジスト膜を形成する工程ａと、レジスト膜に柱状の貫通孔を形成して配線板の配線パターンを露出させる工程ｂと、レジスト膜の貫通孔から露出した配線パターンの表面に導電材料を用いて柱状の基台部を形成する工程ｃと、工程ｂまたは工程ｃの後にレジスト膜をベーキングする工程ｉと、工程ｃおよび工程ｉの後にレジスト膜の表面において基台部を塞ぐことなく樹脂を用いてレジスト錐を形成する工程ｄと、レジスト錐の側面にシード膜を形成する工程ｅと、シード膜が形成されたレジスト錐の側面および基台部の表面に樹脂を塗布して樹脂を露光および現像することにより基台部を起点とするらせん状の溝を有するレジスト型を形成する工程ｆと、レジスト型の溝から露出したシード膜および基台部の表面において基台部を接触子の根元にして立体らせん状の接触子を形成する工程ｇと、レジスト型、接触子の形成に不要な部分のシード膜およびレジスト錐を除去するとともに、配線板の表面であって接触子の下方においてベーキングされたレジスト膜を弾性膜として残す工程ｊとを備えることを特徴としている。
【００１６】
本発明の第２の態様のプローブカードの製造方法によれば、従来のプローブカードの製造方法をほとんど変更することなく、配線パターンと接触子との間に基台部を介在させることができるので、接触子の直径および高さを変更せずにそのストローク量を増加させたプローブカードを容易に製造することができる。また、レジスト膜を廃棄することなく弾性膜として再利用することができるので、接触子が当接した際に検査対象やプローブカードに生じる衝突力を緩和させる弾性膜を備えるプローブカードを製造することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のプローブカードによれば、基台部の形成により接触子の直径および高さを変更せずにそのストローク量を増加させることができる。また、このプローブカードの製造方法によれば、配線パターンと接触子との間に基台部を容易に介在させることができる。そのため、基台部がないプローブカードと比較してその接触子の直径を小さくしてもそのストローク量を大きくすることができるという効果を奏する。
【００１８】
また、本発明のプローブカードによれば、弾性膜を形成することにより接触子が弾性膜に当接した際にその弾性膜がその接触子に弾性力を発揮する。また、このプローブカードの製造方法によれば、レジスト膜を弾性膜として再利用することができる。そのため、接触子が縮みきっても検査対象やプローブカードに大きな衝撃力が加わることを緩和することができるので、接触子が縮みきっても検査対象やプローブカードの破損を防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図を用いて、本発明のプローブカードおよびその製造方法を２つの実施形態により説明する。
【００２０】
はじめに、図１および図２を用いて、第１の実施形態のプローブカード１Ａを説明する。図１は第１の実施形態のプローブカード１Ａを示す斜視図であり、図２は第１の実施形態の実施形態を示す正面図である。第１の実施形態のプローブカード１Ａは、図１および図２に示すように、配線板２、基台部３および接触子４を備えている。
【００２１】
配線板２は、絶縁材料を用いて平板状に形成された配線基板２ａおよび導電材料を用いて配線基板２ａの表面または内層に形成された配線パターン２ｂを有している。配線パターン２ｂは導体であればよいので、図１に示すような表面電極であっても良いし、図示しない内層電極から表面まで延在する図示しないビアであっても良い。
【００２２】
基台部３は、配線パターン２ｂの表面に配置されており、導電材料を用いて柱状に形成されている。第１の実施形態において、この基台部３の高さＨ２は接触子4の高さＨ１の５％〜２０％程度である。後述するが、第１の実施形態の基台部３は、ＣｕまたはＮｉ−Ｐを用いて円柱状にめっき形成されている。
【００２３】
接触子４は、Ｎｉ−Ｐなどの弾性力を発揮しやすい導電材料を用いて立体らせん状に形成されている。そして、この接触子４の根元４ａは基台部３の表面上に接続されている。第１の実施形態において、この接触子４の直径は３０μｍ〜３００μｍであり、その高さＨ１は接触子４の直径の３０％〜１００％である。
【００２４】
次に、図３を用いて、第１の実施形態のプローブカード１Ａの製造方法を説明する。
【００２５】
図３は、第１の実施形態のプローブカード１Ａの製造方法をＡからＪまでの順に示す縦断面図である。第１の実施形態のプローブカード１Ａは、工程ａから工程ｈの順までの８工程を経て製造される。
【００２６】
工程ａにおいては、図３Ａに示すように、配線パターン２ｂを有する配線板２の表面において樹脂を用いてレジスト膜１１を形成する。第１の実施形態においては、フォトエッチングを行なうため、工程ａに用いる樹脂としては、ノボラック樹脂などのフォトレジスト材が選択されている。また、第１の実施形態のレジスト膜１１の厚さは接触子４の高さＨ１の５〜２０％の厚みである。
【００２７】
工程ｂにおいては、図３Ｂに示すように、レジスト膜１１を露光・現像してレジスト膜１１に円柱状の貫通孔１１ａを形成する。貫通孔１１ａの形成位置は配線板２の配線パターン２ｂの上方であり、貫通孔１１ａの形成により配線パターン２ｂを露出させる。なお、現像液としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液を用いている。
【００２８】
工程ｃにおいては、図３Ｃに示すように、ＣｕやＮｉ−Ｐなどの導電材料を用いてレジスト膜１１の貫通孔１１ａの内部に円柱状の基台部３を形成する。基台部３の高さＨ２はレジスト膜１１の厚さ（貫通孔１１ａの深さ）と同等である。配線パターン２ｂがレジスト膜１１の貫通孔１１ａから露出しているため、この基台部３は配線パターン２ｂの表面に形成される。また、配線パターン２ｂをシード膜として利用することにより、基台部３は配線パターン２ｂの表面にめっき形成される。
【００２９】
工程ｄは、図３Ｄに示すように、レジスト膜１１の表面において樹脂を用いてレジスト錐１２を円錐状に形成する。レジスト錐１２の高さは接触子４の直径の３０％〜１００％程度である。第１の実施形態においては、多重露光および多重現像によるフォトエッチングにより円錐状のレジスト錐１２を形成するため、工程ｄに用いる樹脂としては、フォトレジスト材が選択されている。また、後の工程ｇにおいて、基台部３と接触子４を導通させるため、このレジスト錐１２は基台部３の全てを塞ぐことなく、かつ、基台部３に隣位して形成されている。ただし、レジスト錐１２は基台部３の全てを覆い隠さなければよいため、第１の実施形態の基台部３は、図３Ｄに示すように、レジスト錐１２によって部分的に覆われていても良い。
【００３０】
工程ｅにおいては、図３Ｅに示すように、少なくともレジスト錐１２の側面にＣｕなどの良導電性の導電材料を用いてシード膜１３を形成する。基台部３は導電性を有しているため、基台部３の表面にシード膜１３を形成してもしなくてもどちらでも良い。第１の実施形態のシード膜１３は、レジスト錐１２の側面、基台部３の表面およびレジスト膜１１の表面に形成されている。
【００３１】
工程ｆにおいては、図３Ｆに示すように、シード膜１３が形成されたレジスト錐１２の側面および基台部３の表面に樹脂を塗布した後に樹脂に立体らせん形をパターンニングして立体らせん状の溝１４ａを有するレジスト型１４を形成する。第１の実施形態においては、フォトエッチングにより立体らせん状の溝１４ａを形成するため、工程ｆに用いる樹脂としては、フォトレジスト材が選択されている。また、この立体らせん状の溝１４ａは基台部３をその起点（根元４ａ）にして形成されている。そのため、レジスト型１４の形成後においては、その立体らせん状の溝１４ａから基台部３の表面に形成されたシード膜１３が露出した状態になっている。
【００３２】
工程ｇにおいては、図３Ｇに示すように、Ｎｉ−Ｐなどの金属弾性材料を用いてレジスト型１４の溝１４ａから露出したシード膜１３の表面に接触子４をめっき形成する。接触子４の高さＨ１はレジスト型１４が側面に形成されたレジスト錐１２の高さと同等である。レジスト型１４の溝１４ａの形状が立体らせん状であるため、この接触子４の形状は立体らせんとなる。また、レジスト型１４の立体らせん状の溝１４ａがシード膜１３に覆われた基台部３の表面を起点としているため、接触子４はシード膜１３に覆われた基台部３の表面を起点（根元４ａ）として形成されている。
【００３３】
工程ｈにおいては、図３Ｈ〜Ｊに示すように、レジスト型１４、接触子４の形成に不要な部分のシード膜１３、レジスト錐１２およびレジスト膜１１を除去する。具体的には、図３Ｈに示すように、はじめに、レジスト除去剤によりレジスト型１４を除去する。このレジスト除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（分子式：Ｃ５Ｈ９ＮＯ、商品名：ＮＭＰ）を用いている。次に、図３Ｉに示すように、レジスト型１４の除去により露出したシード膜１３（接触子４の形成に不要な部分のシード膜１３）をイオンミリングにより除去する。最後に、図３Ｊに示すように、レジスト錐１２およびレジスト膜１１を前述と同様のレジスト除去剤により除去する。以上の工程ａ〜工程ｈを経て、第１の実施形態のプローブカード１Ａは形成される。
【００３４】
次に、図１および図２を用いて、第１の実施形態のプローブカード１Ａおよびその製造方法の作用を説明する。
【００３５】
第１の実施形態のプローブカード１Ａは、前述したように、図１および図２に示すような配線板２、基台部３および接触子４を備えている。この基台部３は、配線板２の配線パターン２ｂと立体らせん状に形成された接触子４の根元４ａとの間に介在している。そのため、接触子４のストローク量は接触子４の高さＨ１に基台部３の高さＨ２を加えた値になる。つまり、基台部３を配線板２と接触子４との間に介在させてプローブカード１Ａを形成することにより、接触子４の直径および高さを変更せずにそのストローク量を基台部３の高さＨ２分だけ増加させることができる。
【００３６】
基台部３の高さＨ２は接触子４の高さＨ１の５％〜２０％分の高さとなっているため、接触子４のストローク量が５％〜２０％ほど増加する。そのため、アスペクト比の変更が困難な立体らせん状の接触子４にとっては基台部３の高さが小さな値であっても接触子４のストローク量を大きく増加させることができる。
【００３７】
この第１の実施形態のプローブカード１Ａは、前述したとおり、図３Ａ〜Ｊに示すように、工程ａ〜工程ｈを経て製造される。図３Ａ〜Ｃに示すように、工程ａ〜工程ｃにおいて、配線板２の表面に形成されたレジスト膜１１に貫通孔１１ａを設け、その貫通孔１１ａの内部に基台部３をめっき形成することにより基台部３を容易に形成することができる。また、図３Ｄ〜Ｊに示すように、工程ｄから後の工程において形成される接触子４の製造方法は、従来のプローブカード１０１の製造方法と同様の方法を採用している。つまり、第１の実施形態のプローブカード１Ａの製造方法によれば、従来のプローブカード１０１の製造方法をほとんど変更することなく、配線パターン２ｂと接触子４との間に基台部３を介在させることができるので、接触子４の直径および高さを変更せずにそのストローク量を増加させたプローブカード１Ａを容易に製造することができる。
【００３８】
すなわち、第１の実施形態のプローブカード１Ａによれば、基台部３の形成により接触子４の直径および高さを変更せずにそのストローク量を増加させることができる。また、第１の実施形態のプローブカード１Ａの製造方法によれば、配線パターン２ｂと接触子４との間に基台部３を容易に介在させることができる。そのため、基台部３がない従来のプローブカード１０１と比較して接触子４の直径を小さくしてもそのストローク量を大きくすることができるという作用を生じる。
【００３９】
次に、図４および図５を用いて、第２の実施形態のプローブカード１Ｂを説明する。図４は第２の実施形態のプローブカード１Ｂを示す斜視図であり、図５は第２の実施形態の実施形態を示す正面図である。第２の実施形態のプローブカード１Ｂは、図４および図５に示すように、配線板２、基台部３、弾性膜５および接触子４を備えている。第１の実施形態との相違点としては弾性膜５が形成されていることにあり、その他の配線板２、基台部３および接触子４は第１の実施形態と同様に形成されている。
【００４０】
弾性膜５は、配線板２の表面上であって接触子４の下方において弾性材料を用いて膜状に形成されている。弾性膜５に用いる弾性材料としては、ゴムや樹脂など外力に対して大きな弾性力を発揮する材料であればいずれの材料を選択しても良い。第２の実施形態の弾性材料としては、ノボラック樹脂などのフォトレジスト材が用いられている。基台部３の形成時に用いられるレジスト膜１１を弾性膜５としてそのまま利用するためである。弾性膜５の厚さは基台部３の高さＨ２を上限として設定されている。基台部３の高さＨ２は接触子４の高さＨ１の５〜２０％であり、弾性膜５の厚さは基台部３の高さＨ２を超えない値となっている。
【００４１】
第２の実施形態のプローブカード１Ｂは、工程ａ〜工程ｃ、工程ｉ、工程ｄ〜工程ｇおよび工程ｊの順にそれら９工程を経て形成されている。工程ａ〜工程ｃおよび工程ｄ〜工程ｇは第１の実施形態と同様であり、工程ｉおよび工程ｊが第１の実施形態と異なる。よって、第１の実施形態のプローブカード１Ａの製造方法を示した図３Ａ〜Ｇを参照しながらそれらの工程を説明する。
【００４２】
工程ａにおいては、図３Ａに示すように、配線パターン２ｂを有する配線板２の表面において樹脂を用いてレジスト膜１１を形成する。この樹脂としては、第１の実施形態と同様、ノボラック樹脂などのフォトレジスト材が選択されている。また、レジスト膜１１の厚さは、第１の実施形態と同様、接触子４の高さＨ１の５％〜２０％分の厚さである。
【００４３】
工程ｂにおいては、図３Ｂに示すように、レジスト膜１１に柱状の貫通孔１１ａを形成して配線板２の配線パターン２ｂを露出させる。工程ｃにおいては、図３Ｃに示すように、レジスト膜１１の貫通孔１１ａから露出した配線パターン２ｂの表面に導電材料を用いて柱状の基台部３を形成する。
【００４４】
工程ｉにおいては、図３Ｃの状態において、基台部３の形成後（工程ｃの後）にレジスト膜１１をベーキングする。基台部３の後にレジスト膜１１をベーキングすると基台部３が加熱されるので、基台部３に対する熱の影響に配慮する場合は基台部３の形成前（工程ｂの後）にレジスト膜１１をベーキングしてもよい。
【００４５】
工程ｄのおいては、図３Ｄに示すように、基台部３の形成後（工程ｃの後）およびレジスト膜１１のベーキング後（工程ｉの後）、樹脂を用いてレジスト膜１１の表面にレジスト錐１２を形成する。第１の実施形態と同様、レジスト錐１２によって基台部３の全てを塞ぐことがないように留意する。工程ｅにおいては、図３Ｅに示すように、レジスト錐１２の側面、基台部３の表面およびレジスト膜１１の表面にシード膜１３を形成する。
【００４６】
工程ｆにおいては、図３Ｆに示すように、らせん状の溝１４ａを有するレジスト型１４を形成する。このレジスト錐１２は、シード膜１３の表面に樹脂を塗布して樹脂を多重露光および多重現像することにより形成されている。また、その立体らせん状の溝１４ａは、第１の実施形態と同様、基台部３を起点としている。
【００４７】
工程ｇにおいては、図３Ｇに示すように、レジスト型１４の溝１４ａから露出したシード膜１３の表面をＮｉ−Ｐなどによってめっきにすることにより、立体らせん状の接触子４を形成する。第１の実施形態と同様、この接触子４の根元４ａは基台部３に接続されている。
【００４８】
工程ｊにおいては、図３Ｈ、図３Ｉおよび図６に示すように、レジスト型１４の除去（図３Ｈを参照）、接触子４の形成に不要な部分のシード膜１３の除去（図３Ｈを参照）およびレジスト除去剤によるレジスト錐１２の除去（図６を参照）を行なう。ベーキングされたレジスト膜１１はノボラック樹脂などのフォトレジスト材であるために弾性力を発揮する。そのため、図６に示すように、第１の実施形態と異なり（図３Ｊを参照）、このレジスト膜１１を弾性膜５として配線板２の表面であって接触子４の下方に残している。このレジスト膜１１はベーキングされているので、レジスト除去剤を使用しても除去しにくくなっている。そのため、レジスト錐１２の除去時にレジスト膜１１が同時に除去されることはない。以上の工程を経て、第２の実施形態のプローブカード１Ｂが製造される。
【００４９】
次に、図４から図７を用いて、第２の実施形態のプローブカード１Ｂおよびその製造方法の作用を説明する。
【００５０】
第２の実施形態のプローブカード１Ｂは、図４および図５に示すように、配線板２、基台部３、接触子４および弾性膜５を有している。第１の実施形態と同様、配線板２と接触子４との間に基台部３が介在しているため、接触子４のストローク量は接触子４の高さＨ１に基台部３の高さＨ２を加えた値になる。つまり、基台部３の高さＨ２分だけ接触子４が底上げされるので、接触４の直径および高さを変えずにそのストローク量を増加させることができる。
【００５１】
また、第２の実施形態のプローブカード１Ｂにおいては、弾性膜５が配線板２の表面上であって接触子４の下方に配置されている。接触子４が弾性膜５と接触すると、接触子４の弾性係数は弾性膜５の弾性係数分だけ大きくなる。
【００５２】
図７は、接触子４の荷重−圧縮線図を示している。例えば、接触子４に荷重ｆ１だけ印加して接触子４がｈ１だけストロークすると、接触子４が弾性膜５に当接する。そして、図７に示すように、接触子４をｈ１〜ｈ２だけストロークさせると、弾性膜５から接触子４に大きな弾性力が生じる。
【００５３】
つまり、弾性膜５が接触子４と配線板２との間に介在していることにより弾性膜５が緩衝材となって接触子４から配線板２に大きな衝撃力が加わるのを防止することができる。そのため、半導体部品などの検査対象や接触子４が取付けられたプローブカード１Ｂに生じる衝突力を緩和することができる。
【００５４】
第２の実施形態のプローブカード１Ｂは、工程ａ〜工程ｃ、工程ｉ、工程ｄ〜工程ｇおよび工程ｊの順にそれら９工程を経て形成されている。ここで、工程ｉおよび工程ｊが第１の実施形態と異なっている。第２の実施形態においては、工程ｉにおいてレジスト膜１１をベーキングしているので、図３Ｉおよび図６に示すように、工程ｊにおいてレジスト錐１２の除去時にベーキングされたレジスト膜１１がレジスト除去剤によって除去されることがない。そのため、図６に示すように、基台部３を形成するためのレジスト膜１１を廃棄せずに弾性膜５としてそのまま再利用することができるので、環境に配慮することができるととともに、弾性膜５の形成工程を別個独立に設ける必要が無くなる。
【００５５】
すなわち、第２の実施形態のプローブカード１Ｂによれば、第１の実施形態のプローブカード１Ａによって得られる作用の他、弾性膜５を形成することにより接触子４が弾性膜５に当接した際にその弾性膜５がその接触子４に弾性力を発揮する。また、このプローブカード１Ｂの製造方法によれば、レジスト膜１１を弾性膜５として再利用することができる。そのため、第１の実施形態のプローブカード１Ａおよびその製造方法によって得られる作用の他に、接触子４が縮みきっても検査対象やプローブカードに大きな衝撃力が加わることを緩和することができるので、接触子４が縮みきっても検査対象やプローブカードの破損を防止することができるという作用を生じる。
【００５６】
なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
【００５７】
例えば、図６に示すように、第２の実施形態のプローブカード１Ｂにおいては、基台部３の高さＨ２と弾性膜５の厚さが同等であるが、他の実施形態のプローブカード１Ｃにおいては、図８に示すように、基台部３の高さＨ２が弾性膜５の厚さＨ３よりも高くなっていても良い。この場合、図３Ｃに示す基台部３の形成工程（工程ｃ）において、図９に示すように、レジスト膜１１（弾性膜５）の厚さＨ３よりも高くなるように貫通孔１１ａの内部を長時間めっきすることにより、弾性膜５の厚さＨ３よりも高い基台部３、言い換えると、基台部３の高さよりも薄い弾性膜５を得ることができる。このときの基台部３の形状はレジスト膜１１（弾性膜５）の表面にめっきが広がるためにきのこ柱状に形成されるが接触子４は底上げされているため、基台部３がきのこ柱状に形成されても接触子４の性能には何ら悪影響を及ぼさない。
【００５８】
また、第１および第２の実施形態の接触子４は金属めっきにより形成されているが、他の実施形態の接触子４はセラミックやシリコンなどのＮｉ−Ｐよりも弾性力を大きくしやすい絶縁材料を用いて形成されていても良い。この場合は、立体らせん状の接触子４と同様の形状にかたどった絶縁材料の表面に金属めっきなどの導通部を形成することにより、導電性を有する接触子４を形成すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】第１の実施形態のプローブカードを示す拡大斜視図
【図２】第１の実施形態のプローブカードを示す拡大正面図
【図３】第１の実施形態のプローブカードの製造方法をＡ〜Ｊの順に示す縦断面図
【図４】第２の実施形態のプローブカードを示す拡大斜視図
【図５】第２の実施形態のプローブカードを示す拡大正面図
【図６】第２の実施形態のプローブカードを示す縦断面図
【図７】第２の実施形態の接触子にかかる荷重−圧縮線図
【図８】他の実施形態のプローブカードを示す縦断面図
【図９】他の実施形態のプローブカードにおける基台部の形成工程を示す縦断面図
【図１０】従来のプローブカードの一例を示す拡大斜視図
【図１１】従来のプローブカードの一例を示す拡大正面図
【符号の説明】
【００６０】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ  プローブカード
２  配線板
２ｂ  配線パターン
３  基台部
４  接触子
５  弾性膜
１１  レジスト膜
１２  レジスト錐
１３  シード膜
１４  レジスト型
１４ａ  立体らせん状の溝
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図３】
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【図６】
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