(57)【要約】【課題】物理蒸着ターゲットアセンブリを、ターゲットボンディング層が処理領域から分離するように構成する。【解決手段】一実施形態において、ターゲットアセンブリは、バッキングプレートと、第１の表面及び第２の表面を有するターゲットと、バッキングプレートと第２の表面の間に配置されたボンディング層とを含む。ターゲットの第１の表面は、処理領域と流体接触しており、ターゲットの第２の表面はバッキングプレートに向かって配向されている。ターゲットアセンブリは複数のターゲットを含んでいてもよい。【選択図】図３
2008001988.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッキングプレートと、
前記バッキングプレートから離れて配向された第１の表面であって、シーリング部材受入領域を有する第１の表面と、前記バッキングプレートに向かって配向された第２の表面とを有するターゲットと、
前記第２の表面と前記バッキングプレートの間に配置されたボンディング層とを含む物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項２】
前記シーリング部材受入領域がシーリング部材を受け入れるように適合されている請求項１記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項３】
前記ターゲットが側面を含み、前記側面が雰囲気に露出している請求項１記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項４】
前記ターゲットアセンブリが前記ターゲットの前記側面に配置された電源接続を含む請求項１記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項５】
前記ターゲットアセンブリが基板処理チャンバの処理領域に近接配置されており、
前記処理領域と流体連通している前記ターゲットアセンブリの前記表面が前記ターゲットの前記第１の表面から実質的になる請求項１記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項６】
前記ターゲットの前記第１の表面が単一の機械加工面から実質的になる請求項１記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項７】
前記ボンディング層が、インジウム含有ボンディング材料、エラストマー及び金属メッシュ含有エラストマーからなる群より選択される請求項１記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項８】
前記ターゲットの片側の長さが少なくとも約１メートルである請求項１記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項９】
前記ターゲットの側壁が基板サポート面に対して実質的に法線に配向されている請求項１記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項１０】
前記バッキングプレートが冷却管を含有する請求項１記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項１１】
前記シーリング部材が、エラストマーＯ−リング、金属ガスケット及びポリマーガスケットからなる群より選択される請求項２記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項１２】
シーリング部材が前記ターゲットの周りに周囲シールを形成する請求項２記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項１３】
前記周囲シールが真空気密シールである請求項１２記載の物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項１４】
第１の表面にシーリング部材受入領域と、第２の表面に配置されたボンディング層とを有する第１のターゲットと、
前記第２の表面に結合された第１のバッキングプレートと、
第３の表面にシーリング部材受入領域と、第４の表面に配置されたボンディング層とを有する第２のターゲットと、
前記第４の表面に結合された第２のバッキングプレートと、
前記第１のターゲットの前記シーリング部材受入領域近傍にシーリング部材受入領域と、前記第２のターゲットの前記シーリング部材受入領域とを有するターゲットサポート部材とを含む物理蒸着ターゲットアセンブリ。
【請求項１５】
シーリング部材が前記第１のターゲットの周りに第１の周囲シールを形成し、第２のシーリング部材が前記第２のターゲットの周りに第２の周囲真空気密シールを形成する請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記第１の周囲シールの一部が前記シーリング部材により前記ターゲットサポート部材と前記第１のターゲットの間に形成され、前記第２の周囲シールの一部が前記第２のシーリング部材により前記ターゲットサポート部材と前記第２のターゲットの間に形成されている請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記第１のターゲットが、雰囲気に露出した側面と、前記第２のターゲットの前記側面に配置された電源接続とを含み、
前記第２のターゲットが、雰囲気に露出した側面と、前記第２のターゲットの前記側面に配置された電源接続とを含む請求項１４記載の装置。
【請求項１８】
前記第１のターゲットの側壁が基板サポート面に対して実質的に法線に配向されている請求項１４記載の装置。
【請求項１９】
バッキングプレートと、
第１の表面及び第２の表面を有し、前記第１の表面が処理領域と流体接触しており、前記第２の表面が前記バッキングプレートに向かって配向されているターゲットと、
前記バッキングプレートと前記ターゲットの前記第２の表面の間に配置されたボンディング層とを含むＰＶＤターゲットアセンブリ。
【請求項２０】
前記ターゲットの前記第１の表面が、単一の機械加工面から実質的になる請求項１９記載の装置。
【請求項２１】
前記第１の表面に配置されたシーリング部材を含む請求項１９記載の装置。
【請求項２２】
ターゲットは、
雰囲気に露出した側面と、
前記ターゲットの前記側面に配置された電源接続とを含む請求項１９記載の装置。
【請求項２３】
前記ターゲットアセンブリが、
ターゲットサポート部材と、
第３の表面及び第４の表面を有し、前記第３の表面が処理領域と流体接触しており、前記第２の表面が前記バッキングプレートに向かって配向されている第２のターゲットと、
前記第４の表面と前記バッキングプレートの間に配置されたボンディング層とを含む請求項１９記載の装置。
【請求項２４】
第１の面及び第２の面を有するターゲットを提供する工程と、
基板を前記第１の面近傍に実質的に平行に配置する工程と、
前記ターゲットの前記第１の面の端部をシーリングする工程と、
前記ターゲットの前記第２の面にバッキングプレートをボンディング層により結合する工程と、
処理ガスを前記ターゲットの前記第１の面と基板の間に画定された処理領域に流す工程と、
前記処理領域にプラズマを生成して、前記ターゲットの前記第１の表面をスパッタして、前記基板上に層を蒸着する工程とを含む基板の処理方法。
【請求項２５】
前記シーリング部材が前記ターゲットの前記端部を前記処理領域から分離する請求項２４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、物理蒸着（ＰＶＤ）の装置及び方法に関し、特に、改善されたＰＶＤターゲット及びその操作方法に関する。
【関連技術の説明】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ、ソーラーパネル及び半導体デバイスの製造は、金属及び非金属薄膜を基板へ蒸着する方法に頼っている。ＰＶＤがかかる方法の一つである。
【０００３】
ＰＶＤは、通常、高真空チャンバで実施され、一般的にマグネトロンスパッタリングプロセスが包含される。スパッタリングは、基板の上にターゲットを配置し、アルゴン等のガスをターゲットと基板の間に導入し、高圧ＤＣ信号によりガスを励起させて、ターゲットに当たるイオンを生成する。ターゲットは、基板上に薄膜として蒸着される材料からなる。ターゲットがイオンに衝突すると、ターゲット分子が放出されて、基板上に蒸着する。放出されたターゲット原子は、通常、大きな運動エネルギーを有し、基板にあたると、原子が基板に強固に接合する傾向がある。マグネトロンスパッタリングには、更に、磁石又は磁石アセンブリを回転又は直線で移動する配置が含まれ、ＰＶＤチャンバ内のプラズマ密度が増大して、従って、基板上へのターゲット材料の蒸着速度が増大する。
【０００４】
ある用途、例えば、大面積基板の処理においては、ＰＶＤターゲットはバッキングプレート上に装着されて、例えば、ターゲットの構造上の剛性を高める。大面積基板を処理するよう適合されたＰＶＤターゲットアセンブリは、２００ｍｍ〜３００ｍｍのシリコンウェハを処理するよう適合されたターゲットアセンブリとは、基板サイズに関する因子のために、デザインが大きく異なる。例えば、ターゲットの湾曲、蒸着均一性及び熱的問題が、大面積基板の処理に関連した考慮事項である。本明細書で用いる「大面積基板」という用語は、約１，０００，０００ｍｍ２以上の表面積又は「フットプリント」を有し、且つ／又は片側の長さが少なくとも１メートルの基板を指すのに用いる。本明細書で用いる「フットプリント」という用語は、基板又はターゲットの公称表面積を指し、濡れた表面積でない。すなわち、側部と表面の全てを組み合わせた総表面積のことを指す。例えば、１，０００ｍｍｘ１，０００ｍｍのターゲットの公称サイズは１，０００，０００ｍｍ２であるが、濡れた表面積はこれより大幅に広く、上部及び下部表面と側端部が含まれる。
【０００５】
ターゲットは、一般的に、接着エラストマー層又ははんだ層等、その間に配置されたボンディング層を介して、バッキングプレートに装着される。ボンディング層を用いて、ＰＶＤターゲットをバッキングプレートに装着するのに関連した問題としては、チャンバ内部の高感度な領域が望ましくない汚染に晒されたり、ボンディング層に関連したアーク誘導フィーチャーが存在することや、ボンディング層の導電性が低く、ターゲットへの電気エネルギーの流れに影響することが挙げられる。
【０００６】
図１に、従来のＰＶＤチャンバ１００の概略断面図を示す。ＰＶＤチャンバ１００は、ターゲットアセンブリ１１０、チャンバ本体１２０、基板サポート１３０、シールド１４０、マグネットアセンブリ１５０及び処理領域１６０を含む。
【０００７】
ターゲットアセンブリ１１０は、ターゲット１１１を含み、これはボンディング層１１３によりバッキングプレート１１２にボンドされている。ＤＣ電源接続１１４は、バッキングプレート１１２に電気的に結合している。ボンディング層１１３はターゲット１１１をバッキングプレート１１２にボンドし、その間に導電性経路を与えて、ＰＶＤプロセス中、バッキングプレート１１２を通してターゲットを通電する。ボンディング層１１３は、エラストマーボンド又ははんだボンドとしてよい。
【０００８】
基板サポート１３０は、ＰＶＤ処理中、ＰＶＤチャンバの処理領域１６０に近接して基板１３１を位置付ける。暗部シールドとも呼ばれるシールド１４０は、ＰＶＤチャンバ１００内部、ターゲット側壁１１５に近接配置されて、本体１２０の内側表面及びターゲット側壁１１５を望ましくない蒸着から保護する。シールド１４０はターゲット側壁１１５の極近くに配置されて、再スパッタ材料が蒸着するのを最小にする。更に、シールド１４０は、通常電気的に接地されている。このため、高圧、例えば、約３００〜５００Ｖのターゲット１１１とシールド１４０の間のアーク放電が容易に生じる可能性がある。ターゲット１１５表面に尖った部分があるとアーク放電が起こり易い。帯電した導体近傍の電界の電荷密度、すなわち、電界強度は、帯電した導体の尖った点近くだと遥かに高いからである。アーク放電は、大量の基板汚染パーティクルが生成されて、基板上に既に形成された導電性経路を損傷する恐れがあるため、ＰＶＤチャンバにおいて常に排除されなければならない。
【０００９】
図２Ａは、ＰＶＤチャンバ１００の図１に示す領域の部分断面図である。図示した実施例において、ボンディング層１１３はエラストマーボンディング層であり、バッキングプレート１１２にターゲット１１１を装着するのに用いられる。本発明者らは、エラストマー材料をボンディング層１１３に用いる際の１つの問題、すなわち、一般的にボンディング層１１３内部のボイド１１７、１１８の存在を知見した。ＰＶＤチャンバ１００に真空をポンプダウンすると、大気圧で空気及び／又はその他ガスを含有するボイド１１７、１１８がＰＶＤチャンバ１００にバーストして、処理領域１６０とターゲット側壁１１５、シールド面１１４及び基板１３１を含むそれに露出している表面との両方を汚染する。ボイドバースティングは、ＰＶＤチャンバ１００の初期のポンプダウン中、又はターゲットアセンブリ１１０の寿命にわたって、基板処理に関連したターゲットアセンブリ１１０の熱サイクルのために生じることがある。
【００１０】
基板のＰＶＤ処理中の処理領域１６０の汚染は、形成されたデバイスを損傷したり、基板からＰＶＤ蒸着層の後の層剥離を促すことにより、基板に悪影響を及ぼす恐れがある。更に、ＰＶＤチャンバ１００の他の表面の汚染の結果、ターゲットアセンブリ１１０の寿命にわたって多くの基板が汚染される恐れがある。この長期にわたる汚染の問題は、ボンディング層汚染の層が存在するときに、シールド面１４１及びターゲット側壁１１５から剥がれ落ちたＰＶＤ蒸着材料のパーティクルにより生じる。
【００１１】
ＰＶＤプロセス中、ターゲット１１１のターゲット面１１９の視界にある基板１３１及びシールド１４０等任意の表面は、蒸着したターゲット材料を有する。更に、ターゲット面１１９の視界に直接ない表面もまた、シールド面１４１等の表面からの材料の「再スパッタ」のためにＰＶＤ蒸着される。このようにして、ターゲット側壁１１５はまた、蒸着したターゲット１１１からの材料も有する。ただし、ターゲット面１１９の視界にはない。いずれの場合も、表面、例えば、シールド面１４１又はターゲット側壁１１５と、蒸着ＰＶＤ材料層の間の接着力は最大にしなければならない。例えば、ボイドバースティングにより、かかる表面に汚染物質があると、該表面と蒸着材料の間の接着力が大幅に減じて、基板汚染パーティクルが生成される。
【００１２】
本発明者らは、ボンディング層１１３に関連した他の問題を知見した。ターゲット１１１とシールド面１４１の間でのアーク放電である。帯電した導体の表面に尖った点又はフィーチャーがあると、比較的強電界となる。ターゲット１１１の場合には、ＰＶＤプロセス中高電圧で維持され、ターゲット１１１の尖ったフィーチャーと一般的に接地されたシールド面１４１の間のアーク放電となる。ボンディング層１１３を用いて、ターゲット１１１をバッキングプレート１１２に装着するとき、ターゲット１１１とバッキングプレート１１２の間に平滑な転移表面を提供するのは難しいため、アーク誘導フィーチャーを有していてもよい。
【００１３】
例えば、ボンディング層１１３からのボイドバースティングは、シールド面１４１近くに尖った点を形成する。図２Ｂは、ボイド１１７（図２Ａに図示）を処理領域１６０にバーストした後のＰＶＤチャンバ１００の図１に示す領域の部分断面図である。ターゲット１１１とバッキングプレート１１２の間にギャップ１１７Ａが形成されて、シールド面１４１近傍に尖った点が形成されてアーク放電が促される。ボンディング層１１３がはんだボンドのときは、アーク放電は、はんだボンドの表面のしわにより生じる。アーク放電はまた、ターゲット１１１とバッキングプレート１１２の間の不完全なはんだ被覆領域によっても生じて、ギャップ１１７Ａと同様のギャップ及び尖った点１１６を形成する。
従って、改善されたＰＶＤターゲット及びその操作方法が必要とされている。
【発明の概要】
【００１４】
本発明の実施形態は、ＰＶＤ装置、特にＰＶＤターゲットアセンブリに関する。一実施形態において、ＰＶＤターゲットアセンブリは、バッキングプレート、第１の表面に配置されたシーリング部材を備えたターゲット、及びバッキングプレートとターゲットの第２の表面の間に配置されたボンディング層を含む。ターゲットは、電源接続が配置された雰囲気に晒された側部表面を更に含む。ターゲットアセンブリは、バッキングプレート伸張部材、その表面に配置された第２のシーリング部材を備えた第２のターゲット、及びバッキングプレートとシーリング部材が配置されないターゲットの表面の間に配置されたボンディング層を更に含んでいてもよい。
【００１５】
第２の実施形態によれば、ＰＶＤターゲットアセンブリは、第１のターゲットと第２のターゲットを含み、それぞれが、ボンディング層によってそれぞれのバッキングプレートにボンドされている。各ターゲットは、それぞれのバッキングプレートから離れて配向された表面にシーリング部材受入領域を有する。ターゲットアセンブリは、第１のターゲットのシーリング部材受入領域近傍にシーリング部材受入領域を有するターゲットサポート部材と、第２のターゲットのシーリング部材受入領域とを更に含む。
【００１６】
第３の実施形態によれば、方法は、第１の面及び第２の面を有するターゲットを提供する工程と、基板を第１の面近傍に実質的に平行に配置する工程と、ターゲットの第１の面の端部をシーリングする工程と、ターゲットの第２の面にバッキングプレートをボンディング層により結合する工程と、処理ガスをターゲットの第１の面と基板の間に画定された処理領域に流す工程と、処理領域にプラズマを生成して、ターゲットの第１の表面をスパッタして、基板上に層を蒸着する工程とを含む。
【詳細な説明】
【００１７】
図３は、本発明の一実施形態によるＰＶＤチャンバ３００の概略断面図である。ＰＶＤチャンバ３００は、ターゲットアセンブリ３１０、チャンバ本体３２０、基板サポート３３０、シールド３４０及び処理領域３６０を含む。
【００１８】
ターゲットアセンブリ３１０は、マグネトロンチャンバ３０９内に収容された磁石アセンブリ３５０と、ボンディング層３１３によりバッキングプレート３１２にボンドされたターゲット３１１とを含む。マグネットアセンブリ３５０は、改善された蒸着速度及び基板３３１上のＰＶＤ蒸着フィルムの均一性のために、ターゲット３１１に平行に回転又は直線移動する複数の磁石の列であってよい。マグネトロンチャンバ３０９は、大気圧である、大気圧より低い圧力まで排気する、又は脱イオン水等の絶縁性冷却流体で充填してもよい。電力は電源を介してターゲット３１１に提供される。一態様において、電源３１４Ａはバッキングプレート３１２に電気的に結合して、ターゲット３１１を通電する。他の態様において、電源３１４Ｂはターゲット３１１に直接電気的に結合していてもよい。電力はＤＣ、ＡＣ又はパルス電力である。ターゲット３１１は、一般的に高純度状態にある材料からなり、それがＰＶＤチャンバ３００で基板３１１上に蒸着される。ボンディング層３１３は、エラストマーボンドまたはインジウム含有ボンディング層等の金属接着ボンドであってもよい。後者の場合、ターゲットの表面とバッキングプレートの表面に、インジウムはんだとも呼ばれるインジウムベースのコーティングが蒸着されて、高温で一緒にプレスされる。冷却の際、インジウム含有層はターゲット３１１を固化してバッキングプレート３１２にボンドする。
【００１９】
電力が電源３１４Ａによりターゲット３１１に提供されて、ボンディング層３１３がエラストマーボンディング材料である構成において、ボンディング層３１３は、銅メッシュ等の追加の導電性部材（明示せず）を含有していて、バッキングプレートとターゲットの間の電気的接触を改善してもよい。しかしながら、好ましい実施形態において、ターゲット３１１は、電源３１４Ｂを介して直接通電される。これは、バッキングプレート３１２及びボンディング層３１３を介して間接的にターゲット３１１を通電する必要性を避けるためである。
【００２０】
基板サポート３３０は、ＰＶＤチャンバ３００内部に配置され、ＰＶＤ処理中、ＰＶＤチャンバ３００の処理領域３６０近傍に基板３３１を位置付ける。暗部シールドとも呼ばれるシールド３４０は、ＰＶＤチャンバ３００内部、ターゲット側壁３１５に近接して装着されて、ＰＶＤ処理中、本体３２０の内側表面及びターゲット側壁３１５を望ましくない蒸着から保護し、且つ／又は電気的に設置されたアノード領域を提供する。処理領域３６０は、基板サポート３３０、ターゲット３１１及びシールド３４０で囲まれた空間を有するＰＶＤチャンバ３００内の領域である。
【００２１】
ターゲットアセンブリ３１０は、真空気密で本体３２０の上部表面３２３にシール可能に装着される。ターゲットアセンブリ３１０を上部表面３２３のシール可能な装着部を介して装着することにより、ターゲットアセンブリ３１０はＰＶＤチャンバ３００の分解を最小にして修理又は交換のために取り外される。真空気密シールは、一般的に、Ｏ−リング等のシーリング部材３２１により形成され、Ｏ−リング溝等のシーリング表面３２２中に、又はシーリング表面３２２に対して位置付けられる。図３に、本体３２０の上部表面３２３のフィーチャーとして形成されたＯ−リング溝としてのシーリング表面３２２を示す。変形構成において、その代わりに、シーリング表面３２２はターゲット３１１の対応の表面のフィーチャーであってもよい。いずれの場合も、真空気密シールが、上部表面３２３とターゲット３１１の間に形成される。このようにして、バッキングプレート３１２を用いずに、ターゲットアセンブリ３１０と本体３２０の間に真空気密シールを形成することによって、ボンディング層３１３を処理領域３６０に晒す必要性が排除される。従って、ターゲットアセンブリ３１０は、処理領域３６０に晒されているその表面のみがターゲット３１１の表面であるように構成されている。
【００２２】
或いは、本発明の態様は、上部表面３２３にターゲットアセンブリ３１１をシール可能に装着する構成も予測され、シーリング部材３２１はＯ−リングでなく、シーリング表面３２２はＯ−リング溝でない。例えば、ターゲット３１１は全金属真空シールを用いて上部表面３２３にシール可能に装着してよく、シーリング部材３２１は、銅ストリップ等の金属ガスケットであって、ステンレス鋼ナイフエッジシートであるシーリング表面３２２に対して圧縮される。他の例においては、シーリング部材３２１はガスケット状Ｇ−１０材料等のポリマーシールであってよい。
【００２３】
ある構成において、ターゲット３１１は一体成形材料から製造される。このようにして、処理領域３６０と流体接触するターゲット３１１の表面のみが単体の機械加工表面である。すなわち、尖ったアーク誘導フィーチャーを形成するのに２種類以上の材料間に変わり目がない。図４は、ＰＶＤチャンバ３００の図３に示した領域の部分断面図である。ボンディングプレート３１２及びボンディング層３１３が露出せずに領域３６０を処理するため、ターゲット材料、ボンディング層又はバッキングプレート材料間に中断する変わり目がない。その代わりに、平滑に機械加工された半径３２５又はその他適切な変わり目をターゲット側壁３１５とターゲット表面３２６の間に与えることによって、ターゲット側壁３１５とシールド面３４１の間のアーク放電の可能性を最小にしてもよい。ボンディング層３１３が露出せずに領域３６０を処理するため、ボンディング層材料が該領域を汚染する可能性はない。
【００２４】
本発明の態様は、直接電力結合３１４Ｂ（図３参照）を用いて、処理中にターゲット３１１を通電することが更に予測される。
【００２５】
ターゲット３１１の側部表面が雰囲気に露出しているため、電力はバッキングプレート３１２及びボンディング層３１３を通らずに、ターゲット３１１に直接供給されて、ＤＣ回路の電気抵抗が減じる。
【００２６】
本発明の他の態様において、バッキングプレート３１２は、複数の冷却管３０８を含有しており、その中を冷却流体が流れて、処理中、ターゲット３１１及びバッキングプレート３１２の過熱を防ぐ。
【００２７】
本発明の態様を用いると、ターゲットアセンブリがマルチピースターゲットを含むＰＶＤチャンバにも有用である。図５Ａに、本発明の一実施形態によるマルチピースターゲットを有するＰＶＤチャンバ５００の概略平面図を示す。この態様において、ＰＶＤチャンバ５００は、３つのターゲット５１１Ａ、５１１Ｂ、５１１Ｃを有するマルチピースターゲットアセンブリ５１０を含むが、本発明の態様は２つ、３つ又はそれ以上のターゲットを有するマルチピースターゲットアセンブリに適用しても有用である。明確にするために、マルチピースのターゲットアセンブリ５１０及びターゲット５１１Ａ、５１１Ｂ、５１１Ｃだけを図５Ａには示してある。図５Ｂに、ＰＶＤチャンバ５００の図５Ａにおける断面Ａ−Ａでの概略断面図を示す。図５Ｂを参照すると、ＰＶＤチャンバ５００は、図３及び４と共に上述したＰＶＤチャンバ３００と実質的に同じ機構である。マルチピースターゲットに加えて、それとの違いは、複数のバッキングプレート５１２Ａ〜Ｃ、ターゲットサポート部材５１３Ａ、５１３Ｂ、中央シールド５４０及びシーリング部材５２１Ａ〜Ｃが含まれることである。
【００２８】
図５Ｂに示す構成において、ターゲット５１１Ａ〜Ｃはそれぞれ別のバッキングプレート、すなわち、バッキングプレート５１２Ａ〜Ｃにそれぞれ装着されている。ターゲットサポート部材５１３Ａはターゲット５１１Ａ、５１１Ｂの内部端部５５０Ａ、５５０Ｂをそれぞれサポートする。同様に、ターゲットサポート部材５１３Ｂは、ターゲット５１１Ｂ、５１１Ｃの内部端部５５１Ｂ、５５１Ｃをサポートする。ターゲットサポート部材５１３Ａ、Ｂは、チャンバ壁５２７、５２８に構造上結合していてもよい。チャンバ壁５２７、５２８は図５Ａに示されている。バッキングプレート５１２Ａ〜Ｃは、チャンバの構造上の要件に応じて、チャンバ壁５２７、５２８により、本体３２０及びターゲットサポート部材５１３Ａ、Ｂ及び／又は両者の組み合わせによりサポートされていてもよい。ターゲット５１１Ａ〜Ｃはそれぞれ、図５Ａに示す電気的接続５１４Ａ〜Ｃを介して通電される。
【００２９】
図５Ｂを参照すると、ターゲットサポート部材５１３Ａ、Ｂによって、たとえターゲット５１１Ａ〜Ｃのそれぞれが、本体３２０の上部表面３２３によりサポートされていない１つ以上の側部を有していてもターゲット５１１Ａ〜Ｃのそれぞれの周囲にシールが形成できる。ターゲット５１１Ａの内側端部５５０Ａ、ターゲット５１１Ｂの内側端部５５０Ｂと５５１Ｂ及びターゲット５１１Ｃの内側端部５５１Ｃは本体３２０によりサポートされていない。しかし、ターゲットサポート部材５１３Ａを備えて構成されたマルチターゲットチャンバは、各ターゲット５１１Ａ〜Ｃの表面に対して周囲に位置付けられたシーリング部材を有していてもよい。各ターゲットの周囲には切れ目のないシール又はクロージャがある。例えば、ターゲット５１１Ａを囲む周囲シールの一部は、ターゲットサポート部材５１３Ａと、内部端部５５０Ａの表面の間でシーリング部材５２１Ａにより形成されている。このシールの残りは、ターゲット５１１Ａの上部表面３２３とターゲット表面３２６の間でシーリング部材５２１Ａにより形成されている。同様に、シーリング部材５２１Ｃは、ターゲット５１１Ｃに対して周囲真空気密シールを形成する。ターゲット５１１Ｂの場合には、ターゲット５１１Ｂを囲む周囲シール２つの部分は、内部端部の表面とターゲットサポート部材の表面の間でシーリング部材５２１Ｂにより形成されている。
【００３０】
各ターゲット５１１Ａ〜Ｃの周囲に形成された周囲シール、例えば、上部表面３２３とターゲット表面３２６の間に形成されたシールの部分は、真空気密シールであり、大気が処理領域３６０へ漏れるのを防ぐ。該シールの他の部分は、例えば、シールの各側の空間が真空のときは、真空気密シールではなくてもよい。これは、領域５８１が排気領域で、領域５８１と処理領域３６０の間のシールが、処理領域３６０に汚染物質が入るのを防ぐのに必要な場合である。ターゲット５１１Ａ〜Ｃに対してシーリング部材５２１Ａ〜Ｃによりそれぞれ形成された周囲シールは、ボンディング層３１３を処理領域３６０から分離することに着目することが重要である。この構成だと、ボンディング層３１３から処理領域３６０の汚染を、並びにボンディング層３１３に関連した尖った点及び／又はしわによるアーク放電を排除する。
【００３１】
中央シールド５４０は、望ましくない蒸着、例えば、ターゲット中央側壁５１５Ａ、５１５Ｂ及びターゲットサポート部材５１３Ａ、Ｂから表面を保護する。図４と共にターゲット３１１について上述した通り、ターゲット５１１Ａ〜Ｃはそれぞれ、一体成形材料から製造されており、ボンディング層、ターゲット及びバッキングプレート間の急激な変わり目を処理領域から除去する。
【００３２】
マルチターゲット構成について、本発明者らは、ターゲット側壁の法線の配向は蒸着を最小にし、基板の後のパーティクル汚染物質を減少するということを学んだ。従って、一態様において、内部側壁５５１Ａ、５５１Ｂ等のターゲット５１１Ａ、５１１Ｂの１つ以上の側壁は、基板サポート３３０の表面に実質的に法線に配向されている。
【００３３】
本発明者らはまた、本発明の態様を用いると、大面積基板を処理するよう適合されたＰＶＤチャンバに有利であるということも学んだ。大面積基板の処理には、大きなＰＶＤターゲットアセンブリが必要である。大きなＰＶＤターゲットアセンブリは、ターゲットにボンドされたバッキングプレートにより提供される構造上の剛性による利点を受け易いため、従って、本発明の態様から利点を受ける。更に、大面積基板は、マルチピースターゲットアセンブリを必要とし、これも本発明の態様による利点である。
【００３４】
本発明の基板は、任意の形状（例えば、円形、四角形、矩形、多角形等）及びサイズとすることができる。基板の種類も限定されるものではなく、シリコン、カーボン含有ポリマー、複合体、金属、プラスチック又はガラスの材料で構成された任意の基板とすることができる。
【００３５】
前述は本発明の実施形態に係るものであるが、本発明のその他又は更なる実施形態はその基本的な範囲から逸脱することなく案出することができ、その範囲は特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
本発明の上述の特徴を詳細に理解できるよう、上記に簡潔にまとめた本発明の特定の説明を実施形態を参照して行う。そのうちいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本発明の代表的な実施形態のみを示しているため、その範囲を限定するものとは考えられず、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容するものであることに留意すべきである。
【００３７】
【図１】従来のＰＶＤチャンバの概略断面図である（従来技術）。
【図２Ａ】〜
【図２Ｂ】ＰＶＤチャンバの図１に示した領域の部分断面図である（従来技術）。
【図３】本発明の一実施形態によるＰＶＤチャンバの概略断面図である。
【図４】ＰＶＤチャンバの図３に示す領域の部分断面図である。
【図５Ａ】マルチピースターゲットを有する本発明の一実施形態によるＰＶＤチャンバの概略平面図である。
【図５Ｂ】マルチピースターゲットを有する本発明の一実施形態によるＰＶＤチャンバの概略断面図である。
【００３８】
明瞭にするために、図面で共通の同一要素を示すのに、適用できる場合には、同じ参照番号を用いている。
【図１】
2008001988.tif 000003
【図２Ａ】
2008001988.tif 000004
【図２Ｂ】
2008001988.tif 000005
【図３】
2008001988.tif 000006
【図４】
2008001988.tif 000007
【図５Ａ】
2008001988.tif 000008
【図５Ｂ】
2008001988.tif 000009
【外国語明細書】
2008001988.tif 000010
2008001988.tif 000011
2008001988.tif 000012
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2008001988.tif 000027
2008001988.tif 000028
2008001988.tif 000029
2008001988.tif 000030
2008001988.tif 000031