(57)【要約】      （修正有）【課題】プリント回路基板への実装時における位置決めを容易にした側面光ダイオードパッケージを提供する。【解決手段】側面光ダイオードパッケージ１は、少なくとも１つのはんだバンプによりプリント回路基板上に実装される。側面光ダイオードパッケージは、シリコン基板１０と、保持空間１１と、接合面１２と、位置決め構造１３を含む。シリコン基板は、第１面１０１と第２面１０２を有する。保持空間は、第１面上の上部開口と、光ダイオード１００をその上に保持するための底を有する。接合面は、シリコン基板の側面に配置され、プリント回路基板上に接合される。位置決め構造は、接合面のそばで、かつはんだバンプに対応する少なくとも１つのはんだ受け部１３１を有する。はんだバンプは、はんだ付け処理中に溶融され、はんだ受け部中に受け入れられる。【選択図】図１Ａ
2008160106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのはんだバンプによってプリント回路基板上に実装される側面光ダイオードパッケージであって、前記側面光ダイオードパッケージは、
第１面及び第２面を有するシリコン基板と、
前記第１面の上部開口と、光ダイオードをその上に保持するための底を有する保持空間と、
シリコン基板の側面に配置され、プリント回路基板上に接合される接合面と、
前記接合面のそばで、かつ前記はんだバンプに対応する少なくとも１つのはんだ受け部を有する位置決め構造を備え、前記はんだバンプは、はんだ付け処理中に溶融され、前記はんだ受け中に受け入れられ、それにより、プリント回路基板上におけるシリコン基板の位置決めを容易にすることを特徴とする側面光ダイオードパッケージ。
【請求項２】
前記少なくとも１つのはんだ受け部は、
前記シリコン基板の第１側壁、前記シリコン基板の第１面及び前記接合面の間の分岐点に配置された第１欠刻と、
前記シリコン基板の第２側壁、前記シリコン基板の第１面及び前記接合面の間の分岐点に配置された第２欠刻と、
前記シリコン基板の第１側壁、前記シリコン基板の第２面及び前記接合面の間の分岐点に配置された第３欠刻と、
前記シリコン基板の第２側壁、前記シリコン基板の第２面及び前記接合面の間の分岐点に配置された第４欠刻と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の側面光ダイオードパッケージ。
【請求項３】
前記少なくとも１つのはんだ受け部は、
前記シリコン基板の第１側壁、前記シリコン基板の第１面及び前記接合面の間の分岐点に配置された第１凹領域と、
前記シリコン基板の第２側壁、前記シリコン基板の第１面及び前記接合面の間の分岐点に配置された第２凹領域と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の側面光ダイオードパッケージ。
【請求項４】
前記保持空間は、前記光ダイオードの厚さよりも大きな深さ及び六角形又は八角形の上部開口を有し、前記側面光ダイオードパッケージは、前記保持空間の底、前記シリコン基板の第１面及び前記位置決め構造の表面上に部分的に形成された導電構造をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の側面光ダイオードパッケージ。
【請求項５】
前記シリコン基板は、（１００）方向に位置あわせされた格子を有する高抵抗性シリコン基板であり、前記位置決め構造のはんだ受け部は、８０度以上の（１００）等価結晶面を有する傾斜した側壁をさらに有し、前記保持空間は、
５４．７４度の（１１１）等価結晶面を有する第１傾斜面と、
８０度以上の（１００）等価結晶面を有する第２傾斜面
を含むことを特徴とする請求項１に記載の側面光ダイオードパッケージ。
【請求項６】
前記シリコン基板は、（１１０）方向に位置あわせされた格子を有する高抵抗性シリコン基板であり、前記位置決め構造のはんだ受け部は、８０度以上の（１１１）等価結晶面を有する傾斜した側壁をさらに有し、前記保持空間は、
３５．３度の（１１１）等価結晶面を有する第１傾斜面と、
８０度以上の（１００）等価結晶面を有する第２傾斜面
を含むことを特徴とする請求項１に記載の側面光ダイオードパッケージ。
【請求項７】
前記側面光ダイオードパッケージは、単一の側面光ダイオードパッケージ又は両側面光ダイオードパッケージであることを特徴とする請求項１に記載の側面光ダイオードパッケージ。
【請求項８】
第１面及び第２面を有するシリコン基板を用意するステップと、
前記シリコン基板の第１面上に第１マスクを形成するステップと、
前記シリコン基板の第１面に第１開口と第２開口の輪郭を定めるステップと、
前記第１開口及び第２開口を通して前記シリコン基板をエッチングし、次に前記第１マスクを除去し、それによって、保持空間と第１位置決め構造をそれぞれ形成するステップ
を備えたことを特徴とする側面光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記保持空間の底、前記シリコン基板の第１面及び前記第１位置決め構造の表面上に部分的に導電構造を形成するステップと、
前記シリコン基板の第２面上に第２マスクを形成するステップと、
前記シリコン基板の第２面に第３開口の輪郭を定めるステップと、
前記第３開口を通して前記シリコン基板をエッチングし、次に前記第２マスクを除去し、それによって、第２位置決め構造を形成するステップとをさらに備え、
前記第１位置決め構造及び前記第２位置決め構造は、それぞれ傾斜した側壁を有することを特徴とする請求項８に係る製造方法。
【請求項１０】
前記エッチングするステップは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）又は水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）中で実施されるウエットエッチング処理又は六フッ化硫黄（ＳＦ６）又は四フッ化炭素（ＣＦ４）エッチングガスを用いて実施されるドライエッチング処理であることを特徴とする請求項８に係る製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、側面光ダイオードパッケージ、特にプリント回路基板に実装される側面光ダイオードパッケージに関する。また、本発明は、そのような側面光ダイオードパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、側面光ダイオードパッケージを実装するためには、２つの手法が用いられている。第１の手法は、基板として複合材料で形成されたプリント回路基板（ＰＣＢ）の使用を伴う。側面光ダイオードパッケージは、側面光ダイオードパッケージ上に実装され、プラスチック成形工程により封止される。第２の手法は、基板として金属のリードフレームの使用を伴う。側面光ダイオードパッケージは、金属フレームに実装され、射出成形工程またはプラスチック成形工程により封止される。
【０００３】
しかしながら、これら２つの手法はいくつかの欠点を有している。例えば、側面光ダイオードパッケージは、耐温度性が悪く、熱散逸効果が低い。また、側面光ダイオードパッケージをプリント回路基板上にはんだ付けしている間に、はんだの一部がシリコン基板の後側から側面にオーバーフローするかもしれず、漏れ電流の原因となる。はんだのオーバーフローにより、側面光ダイオードパッケージをプリント回路基板上にしっかりと取り付けることができない可能性がある。
【０００４】
それゆえ、従来技術が直面する欠点を取り除くために、改良された側面光ダイオードパッケージを提供する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、はんだのオーバーフローを防止すると共に、側面光ダイオードパッケージをプリント回路基板に確実に固定することを容易にするための位置決め構造を有する側面光ダイオードパッケージを提供する。
【０００６】
本発明は、また、その様な側面光ダイオードパッケージの製造方法を提供する。
【０００７】
本発明の第１の態様に係る発明において、側面光ダイオードパッケージが提供される。この側面光ダイオードパッケージは、少なくともはんだバンプによってプリント回路基板に実装される。側面光ダイオードパッケージは、シリコン基板と、保持空間と、接合面及び位置決め構造を有する。シリコン基板は、第１面と第２面を有する。保持空間は、前記第１面の上部開口と、光ダイオードをその中に保持するための底を有する。接合面は、シリコン基板の側面に配置され、プリント回路基板上に接合される。位置決め構造は、接合面のそばで、かつはんだバンプに対応する少なくとも１つのはんだ受け部を有する。はんだバンプは、はんだ付け処理中に溶融され、はんだ受け中に受け入れられ、それにより、プリント回路基板上におけるシリコン基板の位置決めを容易にする。
【０００８】
本発明の第２の態様に係る発明において、側面光ダイオードパッケージの製造方法が提供される。最初に、第１面と第２面を有するシリコン基板が用意される。次に、シリコン基板の第１面上に、第１マスクが形成される。次に、シリコン基板の第１面上に、第１開口と第２開口の輪郭が定められる。その後、第１開口及び第２開口を通してシリコン基板がエッチングされ、第１マスク層が除去され、それによって、保持空間と第１位置決め構造がそれぞれ形成される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
この技術分野における通常の技術を有するものであれば、以下の詳細な説明及び添付図面を精査すれば、本発明の上記内容はすぐに明らかになるであろう。
【００１０】
図１Ａは、本発明の第１の好適な実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略的な斜視図である。
【００１１】
図１Ｂは、プリント回路基板上に固定された図１Ａの側面光ダイオードパッケージを概略的に示す図である。
【００１２】
図２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ及び２Ｅは、第１の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【００１３】
図２Ｆ及び２Ｉは、それぞれ、第１具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【００１４】
図２Ｇ及び２Ｊは、それぞれ、第２具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【００１５】
図２Ｈ及び２Ｋは、それぞれ、第３具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【００１６】
図３Ａは、本発明の第２の好適な実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略的な斜視図である。
【００１７】
図３Ｂは、プリント回路基板上に固定された図３Ａの側面光ダイオードパッケージを概略的に示す図である。
【００１８】
図４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ及び４Ｅは、第２の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【００１９】
図４Ｆ及び４Ｉは、それぞれ、第１具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【００２０】
図４Ｇ及び４Ｊは、それぞれ、第２具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【００２１】
図４Ｈ及び４Ｋは、それぞれ、第３具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【００２２】
図５Ａは、本発明の第３の好適な実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略的な斜視図である。
【００２３】
図５Ｂは、プリント回路基板上に固定された図５Ａの側面光ダイオードパッケージを概略的に示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明について、以下の実施形態を参照しつつ、より具体的に説明する。以下の本発明の好適な実施形態の記載は、図示及び説明の目的のためだけに提示されていることに注意されるべきである。開示された正確な形態に網羅される又は限定されることは意図されていない。概略図は正確に縮尺されておらず、本発明の具体的特徴を示すために用いられる。
【００２５】
図１Ａは、本発明の第１の好適な実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略的な斜視図である。図１Ｂにおいて、側面光ダイオードパッケージ１はプリント回路基板１０００の上に固定されている。図１Ａ及び１Ｂを参照されたい。この側面光ダイオードパッケージ１は、主にシリコン基板１０と、保持空間１１と、接合面１２と、位置決め構造１３と、導電構造１４を含む。
【００２６】
シリコン基板１０は、第１面１０１と第２面１０２を有する。シリコン基板１０は、高抵抗性シリコン基板である。
【００２７】
保持空間１１の上部開口は、シリコン基板１０の第１面１０１と同じレベルに配置されている。この実施形態では、保持空間１１の上部開口は六角形である。または、保持空間１１の上部開口は八角形でもよい。保持空間１１の底は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などのような光ダイオード１００を保持するために用いられる。光ダイオード１００は、ダイボンディング又はワイヤボンディング及びフリップチップ処理により保持空間１１に保持されている。保持空間１１の側壁は、（矢印で示す方向において）光ダイオード１００から放射された光束の強度を増加させるための手助けとなる斜面Ｌ及びＷを有している。シリコン基板１００が（１００）方向に位置あわせされた格子を有する高抵抗性シリコン基板である場合、底と斜面Ｌの間の傾斜角は５４．７４度であり、斜面Ｌは（１１１）等価結晶面となる。また、底と斜面Ｗの間の傾斜角は８０度以上であり、斜面Ｗは（１００）等価結晶面となる。シリコン基板１００が（１１０）方向に位置あわせされた格子を有する高抵抗性シリコン基板である場合、斜面Ｌは傾斜角が３５．３度の（１１１）等価結晶面となり、斜面Ｗは傾斜角が８０度以下の（１１１）等価結晶面となる。
【００２８】
接合面１２は、シリコン基板１０の側面に配置されており、プリント回路基板１０００に接合される。
【００２９】
本発明の鍵となる特徴によれば、位置決め構造１３は、シリコン基板１０上に形成され、第１欠刻（窪み）１３１と第２欠刻１３２を含む。第１欠刻１３１は、シリコン基板１０の第１側壁１１１、シリコン基板１０の第１面１０１及び接合面１２の分岐点に配置されている。同様に、第２欠刻１３２は、シリコン基板１０の第２側壁１１２、シリコン基板１０の第１面１０１及び接合面１２の分岐点に配置されている。また、位置決め構造１３は、傾斜側壁Ｓを有する。シリコン基板１０が（１００）方向に位置あわせされた格子を有する場合、傾斜側壁Ｓは８０度以上の（１００）等価結晶面である。シリコン基板１０が（１１０）方向に位置あわせされた格子を有する高抵抗性シリコン基板である場合、傾斜側壁Ｓは８０度以上の（１１１）等価結晶面である。
【００３０】
導電構造１４は、保持空間１１の底、シリコン基板の第１面１０１及び位置決め構造１３の表面上に部分的に形成されている。導電構造１４は、光ダイオード１００に電気的に接続されている。
【００３１】
さらに、プリント回路基板１０００は、位置決め構造１３の第１欠刻１３１及び第２欠刻１３２に対応するはんだバンプ１５を有している。シリコン基板１０がプリント回路基板１０００上にはんだ付けされる際、はんだバンプ１５が溶融され、欠刻１３１及び１３２に充填される。欠刻１３１及び１３２は、溶融したはんだバンプ１５がパッケージの周囲からオーバーフローするのを防ぐであろう。溶融したはんだバンプが冷却され固化された後、シリコン基板１０ははんだバンプ１５を介してプリント回路基板１０００上に接合される。
【００３２】
しかしながら、この技術分野における通常の知識を有するものは、本発明の教示を維持しながら、様々な変形や置き換えがなされるであろうことを容易に気付くであろう。例えば、保持空間１１を無くして、光ダイオード１００を直接シリコン基板１０の第１面に実装することができる。また、プリント回路基板１０００から光ダイオード１００の配線パッドに電力又は信号を伝達するために、シリコン基板１０上に電気的な配線を配置してもよい。また、ダイボンディング又はワイヤボンディング処理の後、光ダイオード１００を保護用の光接着剤で封止してもよい。
【００３３】
以下、第１実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法について、図２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ及び２Ｅを参照しつつ説明する。
【００３４】
始めに、図２Ａに示すように、シリコン基板２０が用意される。次に、図２Ｂに示すように、窒化シリコンで形成されたマスク層２１がシリコン基板２０の第１面２０１上に形成される。次に、図２Ｃに示すように、第１開口２１１及び第２開口２１２の輪郭を定めるために、マスク層２１がフォトリソグラフィ及びエッチング処理によりパターン化される。次に、図２Ｄに示すように、第１開口２１１及び第２開口２１２におけるシリコン基板２０を部分的にエッチングするためにエッチング処理が実施され、その後マスク層２１が除去され、それによって、保持空間２２及び位置決め構造２３の輪郭がそれぞれ定められる。エッチング処理は、ウエットエッチング処理又は反応性イオン処理による。ウエットエッチング処理を実施するために、水酸化カリウム（ＫＯＨ）又は水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液が用いられる。六フッ化硫黄（ＳＦ６）又は四フッ化炭素（ＣＦ４）エッチングガスを用いてドライエッチング処理が実施される。次に、図２Ｅに示すように、導電性金属がシリコン基板２０の第１面２０１、保持空間２１（ＳＩＣ）の底面及び位置決め構造２３の表面上に部分的に配置され、それによって導電構造２４が形成される。次に、光ダイオード２００が保持空間２２内の導電構造２４上に実装される。図２Ｆに示す結果的に得られた構造体が破線に沿ってダイシングカットされた後、多数の側面光ダイオードパッケージが形成される。光ダイオード２００の実装とシリコン基板２０の切断の順番を入れ替えてもよい。すなわち、シリコン基板２０から結果物であるパッケージ本体が切断された後、保持構造２２内の導電構造２４上に光ダイオード２００を実装する。図２Ｉは、図２Ｆの結果的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形態では、位置決め構造２３の上部開口は、図２Ｆに示すように、略矩形である。
【００３５】
図２Ｇは、図２Ｆの結果的に得られた構造体の変形例を示す。図２Ｊは、図２Ｇの結果的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形態では、位置決め構造２３の上部開口は、図２Ｇに示すように、略六角形である。図２Ｈは、図２Ｆの結果的に得られた構造体の他の変形例を示す。図２Ｋは、図２Ｈの結果的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形態では、位置決め構造２３の上部開口は、図２Ｈに示すように、一対の略六角形である。
【００３６】
図３Ａは、本発明の好適な第２の実施形態に係る側面光ダイオードパッケージ３の概略斜視図である。図３Ｂにおいて、側面光ダイオードパッケージ３は、プリント回路基板３０００上に固定されている。図３Ａ及び３Ｂを参照されたい。側面光ダイオードパッケージ３は、主にシリコン基板３０と、保持空間３１と、接合面３２と、第１位置決め構造３３と、第２位置決め構造３４と、導電構造３５を含む。シリコン基板３０は、第１面３０１と第２面３０２を有する。保持空間３１の上部開口は、シリコン基板３０の第１面３０１に配置されている。保持空間３１の底は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光ダイオード３００を保持するために用いられる。接合面３２は、シリコン基板３０の側面に配置され、プリント回路基板３０００上に接合される。第１位置決め構造３３は、第１欠刻３３１と第２欠刻３３２を含む。第２位置決め構造３４は、第３欠刻３３３と第４欠刻３３４を含む。第１欠刻３３１は、シリコン基板３０の第１側壁３１１、シリコン基板３０の第１面３０１及び接合面３２の分岐点に配置されている。第２欠刻３３２は、シリコン基板３０の第２側壁３１２、シリコン基板３０の第１面３０１及び接合面３２の分岐点に配置されている。第３欠刻３３３は、シリコン基板３０の第１側壁３１１、シリコン基板３０の第２面３０２及び接合面３２の分岐点に配置されている。第４欠刻３３４は、シリコン基板３０の第２側壁３１２、シリコン基板３０の第２面３０２及び接合面３２の分岐点に配置されている。
【００３７】
また、プリント回路基板３０００は、位置決め構造３３及び３４の欠刻３３１、３３２、３３３及び３３４に対応するはんだバンプ３６を有する。シリコン基板３０がプリント回路基板３０００にはんだ付けされる際、はんだバンプ３６が溶融され、これらの欠刻に充填される。同様に、これらの欠刻は、溶融したはんだバンプ３６がパッケージの周囲からオーバーフローするのを防止するであろう。溶融したはんだバンプ３６が冷却され固化したあと、シリコン基板３０は、はんだバンプ３６を介してプリント回路基板３０００上に接合される。図１のパッケージと比較して、本実施形態のパッケージ３は、位置決め構造が側面上に形成されているので、プリント回路基板上に、より安定して固定される。他の作用原理は上記と同様であるため、重複記載を省略する。
【００３８】
以下、第２実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法について、図４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ及び４Ｅを参照しつつ説明する。
【００３９】
始めに、図４Ａに示すように、シリコン基板４０が用意される。次に、図４Ｂに示すように、第１マスク層４１及び第２マスク層４２がシリコン基板４０の第１面４００１及び第２面４００２上にそれぞれ形成される。次に、図３Ｃ（ＳＩＣ）に示すように、第１開口４０１、第２開口４０２及び第３開口４０３の輪郭を定めるために、第１マスク層４１が第１フォトリソグラフィ及びエッチング処理によりパターン化される。また、第４開口４０４及び第５開口４０５の輪郭を定めるために、第２マスク層４２が第２フォトリソグラフィ及びエッチング処理によりパターン化される。次に、図４Ｄに示すように、第１開口４０１、第２開口４０２、第３開口４０３、第４開口４０４及び第５開口４０５におけるシリコン基板４０を部分的にエッチングするためにエッチング処理が実施され、その後第１マスク層４１が除去され、それによって、保持空間４３及び位置決め構造４４、４５、４６，４７の輪郭がそれぞれ定められる。次に、図４Ｅに示すように、導電性金属がシリコン基板４０の第１面４０１、保持空間４３の底面及び位置決め構造４４及び位置決め構造４５の表面上に部分的に配置され、それによって導電構造４８が形成される。次に、光ダイオード４００が保持空間４３内の導電構造４８上に実装される。図４Ｆに示す結果的に得られた構造体が破線に沿ってカットされた後、多数の側面光ダイオードパッケージが形成される。光ダイオード４００の実装とシリコン基板４０の切断の順番を入れ替えてもよい。すなわち、シリコン基板４０から結果物であるパッケージ本体が切断された後、保持構造４３内の導電構造４８上に光ダイオード４００を実装する。図４Ｉは、図４Ｆの結果的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形態では、位置決め構造４３の上部開口は、略矩形である。
【００４０】
図４Ｇは、図４Ｆの結果的に得られた構造体の変形例を示す。図４Ｊは、図４Ｇの結果的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形態では、位置決め構造４４及び４５の上部開口は、略六角形である。図４Ｈは、図４Ｆの結果的に得られた構造体の他の変形例を示す。図４Ｋは、図４Ｈの結果的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形態では、位置決め構造４４及び／又は４５の上部開口は、一対の略六角形である。
【００４１】
図５Ａは、本発明の好適な第３の実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略斜視図である。図５Ｂにおいて、光ダイオード５００（ＳＩＣ）は、プリント回路基板５０００上に固定されている。図５Ａ及び５Ｂを参照されたい。側面光ダイオードパッケージ５は、主にシリコン基板５０と、保持空間５１と、接合面５２と、位置決め構造５３と、導電構造５４を含む。シリコン基板５０は、第１面５０１と第２面５０２を有する。接合面５２は、シリコン基板５０の側面に配置され、プリント回路基板５０００上に接合される。位置決め構造５３は、第１凹領域５３１と第２凹領域５３２を含む。第１凹領域５３１は、シリコン基板５０の第１側壁５１１、シリコン基板５０の第１面５０１及び接合面５２の分岐点に配置されている。第２凹領域５３２は、シリコン基板５０の第２側壁５１２、シリコン基板５０の第１面５０１及び接合面５２の分岐点に配置されている。また、プリント回路基板５０００は、凹領域５３１及び５３２に対応するはんだバンプ５５を有する。シリコン基板５０がプリント回路基板５０００にはんだ付けされる際、はんだバンプ５５が溶融され、これらの凹領域に充填される。溶融したはんだバンプ５５が冷却され固化したあと、シリコン基板５０は、はんだバンプ５５を介してプリント回路基板５０００上に接合される。他の作用原理及びその製造方法は上記と同様であるため、重複記載を省略する。
【００４２】
上記各実施形態は、単一の側面光ダイオードパッケージを参照することによって説明したが、本発明の概念は、両側面光ダイオードパッケージに応用してもよい。また、本発明の概念は、レーザダイオードのような他の光ダイオードの実装に拡張してもよい。
【００４３】
上記説明から、溶融したはんだバンプがオーバーフローすることなく位置決め構造の欠刻又は凹領域に受け入れられるので、側面光ダイオードパッケージは、その位置決め構造によりプリント回路基板上にしっかりと固定されるであろう。それゆえ、漏れ電流の原因となる問題点は回避され、最終製品の歩留まりが向上する。
【図１Ａ】
2008160106.tif 000003
【図１Ｂ】
2008160106.tif 000004
【図２Ａ】
2008160106.tif 000005
【図２Ｂ】
2008160106.tif 000006
【図２Ｃ】
2008160106.tif 000007
【図２Ｄ】
2008160106.tif 000008
【図２Ｅ】
2008160106.tif 000009
【図２Ｆ】
2008160106.tif 000010
【図２Ｇ】
2008160106.tif 000011
【図２Ｈ】
2008160106.tif 000012
【図２Ｉ】
2008160106.tif 000013
【図２Ｊ】
2008160106.tif 000014
【図２Ｋ】
2008160106.tif 000015
【図３Ａ】
2008160106.tif 000016
【図３Ｂ】
2008160106.tif 000017
【図４Ａ】
2008160106.tif 000018
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
2008160106.tif 000020
【図４Ｄ】
2008160106.tif 000021
【図４Ｅ】
2008160106.tif 000022
【図４Ｆ】
2008160106.tif 000023
【図４Ｇ】
2008160106.tif 000024
【図４Ｈ】
2008160106.tif 000025
【図４Ｉ】
2008160106.tif 000026
【図４Ｊ】
2008160106.tif 000027
【図４Ｋ】
2008160106.tif 000028
【図５Ａ】
2008160106.tif 000029
【図５Ｂ】
2008160106.tif 000030
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月7日(2008.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、側面光ダイオードパッケージ、特にプリント回路基板に実装される側面光ダ
イオードパッケージに関する。また、本発明は、そのような側面光ダイオードパッケージ
の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、側面光ダイオードパッケージを実装するためには、２つの手法が用いられて
いる。第１の手法は、基板として複合材料で形成されたプリント回路基板（ＰＣＢ）の使
用を伴う。側面光ダイオードパッケージは、側面光ダイオードパッケージ上に実装され、
プラスチック成形工程により封止される。第２の手法は、基板として金属のリードフレー
ムの使用を伴う。側面光ダイオードパッケージは、金属フレームに実装され、射出成形工
程またはプラスチック成形工程により封止される。
【０００３】
しかしながら、これら２つの手法はいくつかの欠点を有している。例えば、側面光ダイ
オードパッケージは、耐温度性が悪く、熱散逸効果が低い。また、側面光ダイオードパッ
ケージをプリント回路基板上にはんだ付けしている間に、はんだの一部がシリコン基板の
後側から側面にオーバーフローするかもしれず、漏れ電流の原因となる。はんだのオーバ
ーフローにより、側面光ダイオードパッケージをプリント回路基板上にしっかりと取り付
けることができない可能性がある。
【０００４】
それゆえ、従来技術が直面する欠点を取り除くために、改良された側面光ダイオードパ
ッケージを提供する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、はんだのオーバーフローを防止すると共に、側面光ダイオードパッケージを
プリント回路基板に確実に固定することを容易にするための位置決め構造を有する側面光
ダイオードパッケージを提供する。
【０００６】
本発明は、また、その様な側面光ダイオードパッケージの製造方法を提供する。
【０００７】
本発明の第１の態様に係る発明において、側面光ダイオードパッケージが提供される。
この側面光ダイオードパッケージは、少なくともはんだバンプによってプリント回路基板
に実装される。側面光ダイオードパッケージは、シリコン基板と、保持空間と、接合面及
び位置決め構造を有する。シリコン基板は、第１面と第２面を有する。保持空間は、前記
第１面の上部開口と、光ダイオードをその中に保持するための底を有する。接合面は、シ
リコン基板の側面に配置され、プリント回路基板上に接合される。位置決め構造は、接合
面のそばで、かつはんだバンプに対応する少なくとも１つのはんだ受け部を有する。はん
だバンプは、はんだ付け処理中に溶融され、はんだ受け中に受け入れられ、それにより、
プリント回路基板上におけるシリコン基板の位置決めを容易にする。
【０００８】
本発明の第２の態様に係る発明において、側面光ダイオードパッケージの製造方法が提
供される。最初に、第１面と第２面を有するシリコン基板が用意される。次に、シリコン
基板の第１面上に、第１マスクが形成される。次に、シリコン基板の第１面上に、第１開
口と第２開口の輪郭が定められる。その後、第１開口及び第２開口を通してシリコン基板
がエッチングされ、第１マスク層が除去され、それによって、保持空間と第１位置決め構
造がそれぞれ形成される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
この技術分野における通常の技術を有するものであれば、以下の詳細な説明及び添付図
面を精査すれば、本発明の上記内容はすぐに明らかになるであろう。
【図１Ａ】本発明の第１の好適な実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略的な斜視図である。
【図１Ｂ】プリント回路基板上に固定された図１Ａの側面光ダイオードパッケージを概略的に示す図である。
【図２Ａ】第１の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図２Ｂ】第１の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図２Ｃ】第１の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図２Ｄ】第１の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図２Ｅ】第１の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図２Ｆ】第１具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図２Ｇ】第２具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図２Ｈ】第３具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図２Ｉ】第１具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図２Ｊ】第２具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図２Ｋ】第３具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図３Ａ】本発明の第２の好適な実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略的な斜視図である。
【図３Ｂ】プリント回路基板上に固定された図３Ａの側面光ダイオードパッケージを概略的に示す図である。
【図４Ａ】第２の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図４Ｂ】第２の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図４Ｃ】第２の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図４Ｄ】第２の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図４Ｅ】第２の好適な実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法のステップを示す概略断面図である。
【図４Ｆ】第１具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図４Ｇ】第２具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図４Ｈ】第３具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図４Ｉ】第１具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図４Ｊ】第２具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図４Ｋ】第３具体例におけるダイシングカット前の多数の側面光ダイオードパッケージを描いた概略上面図及び側面図である。
【図５Ａ】本発明の第３の好適な実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略的な斜視図である。
【図５Ｂ】プリント回路基板上に固定された図５Ａの側面光ダイオードパッケージを概略的に示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明について、以下の実施形態を参照しつつ、より具体的に説明する。以下の本発明
の好適な実施形態の記載は、図示及び説明の目的のためだけに提示されていることに注意
されるべきである。開示された正確な形態に網羅される又は限定されることは意図されて
いない。概略図は正確に縮尺されておらず、本発明の具体的特徴を示すために用いられる
。
【００１１】
図１Ａは、本発明の第１の好適な実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略的
な斜視図である。図１Ｂにおいて、側面光ダイオードパッケージ１はプリント回路基板１
０００の上に固定されている。図１Ａ及び１Ｂを参照されたい。この側面光ダイオードパ
ッケージ１は、主にシリコン基板１０と、保持空間１１と、接合面１２と、位置決め構造
１３と、導電構造１４を含む。
【００１２】
シリコン基板１０は、第１面１０１と第２面１０２を有する。シリコン基板１０は、高
抵抗性シリコン基板である。
【００１３】
保持空間１１の上部開口は、シリコン基板１０の第１面１０１と同じレベルに配置され
ている。この実施形態では、保持空間１１の上部開口は六角形である。または、保持空間
１１の上部開口は八角形でもよい。保持空間１１の底は、発光ダイオード（ＬＥＤ）など
のような光ダイオード１００を保持するために用いられる。光ダイオード１００は、ダイ
ボンディング又はワイヤボンディング及びフリップチップ処理により保持空間１１に保持
されている。保持空間１１の側壁は、（矢印で示す方向において）光ダイオード１００か
ら放射された光束の強度を増加させるための手助けとなる斜面Ｌ及びＷを有している。シ
リコン基板１００が（１００）方向に位置あわせされた格子を有する高抵抗性シリコン基
板である場合、底と斜面Ｌの間の傾斜角は５４．７４度であり、斜面Ｌは（１１１）等価
結晶面となる。また、底と斜面Ｗの間の傾斜角は８０度以上であり、斜面Ｗは（１００）
等価結晶面となる。シリコン基板１００が（１１０）方向に位置あわせされた格子を有す
る高抵抗性シリコン基板である場合、斜面Ｌは傾斜角が３５．３度の（１１１）等価結晶
面となり、斜面Ｗは傾斜角が８０度以下の（１１１）等価結晶面となる。
【００１４】
接合面１２は、シリコン基板１０の側面に配置されており、プリント回路基板１０００
に接合される。
【００１５】
本発明の鍵となる特徴によれば、位置決め構造１３は、シリコン基板１０上に形成され
、第１欠刻（窪み）１３１と第２欠刻１３２を含む。第１欠刻１３１は、シリコン基板１
０の第１側壁１１１、シリコン基板１０の第１面１０１及び接合面１２の分岐点に配置さ
れている。同様に、第２欠刻１３２は、シリコン基板１０の第２側壁１１２、シリコン基
板１０の第１面１０１及び接合面１２の分岐点に配置されている。また、位置決め構造１
３は、傾斜側壁Ｓを有する。シリコン基板１０が（１００）方向に位置あわせされた格子
を有する場合、傾斜側壁Ｓは８０度以上の（１００）等価結晶面である。シリコン基板１
０が（１１０）方向に位置あわせされた格子を有する高抵抗性シリコン基板である場合、
傾斜側壁Ｓは８０度以上の（１１１）等価結晶面である。
【００１６】
導電構造１４は、保持空間１１の底、シリコン基板の第１面１０１及び位置決め構造１
３の表面上に部分的に形成されている。導電構造１４は、光ダイオード１００に電気的に
接続されている。
【００１７】
さらに、プリント回路基板１０００は、位置決め構造１３の第１欠刻１３１及び第２欠
刻１３２に対応するはんだバンプ１５を有している。シリコン基板１０がプリント回路基
板１０００上にはんだ付けされる際、はんだバンプ１５が溶融され、欠刻１３１及び１３
２に充填される。欠刻１３１及び１３２は、溶融したはんだバンプ１５がパッケージの周
囲からオーバーフローするのを防ぐであろう。溶融したはんだバンプが冷却され固化され
た後、シリコン基板１０ははんだバンプ１５を介してプリント回路基板１０００上に接合
される。
【００１８】
しかしながら、この技術分野における通常の知識を有するものは、本発明の教示を維持
しながら、様々な変形や置き換えがなされるであろうことを容易に気付くであろう。例え
ば、保持空間１１を無くして、光ダイオード１００を直接シリコン基板１０の第１面に実
装することができる。また、プリント回路基板１０００から光ダイオード１００の配線パ
ッドに電力又は信号を伝達するために、シリコン基板１０上に電気的な配線を配置しても
よい。また、ダイボンディング又はワイヤボンディング処理の後、光ダイオード１００を
保護用の光接着剤で封止してもよい。
【００１９】
以下、第１実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法について、図２Ａ、２Ｂ
、２Ｃ、２Ｄ及び２Ｅを参照しつつ説明する。
【００２０】
始めに、図２Ａに示すように、シリコン基板２０が用意される。次に、図２Ｂに示すよ
うに、窒化シリコンで形成されたマスク層２１がシリコン基板２０の第１面２０１上に形
成される。次に、図２Ｃに示すように、第１開口２１１及び第２開口２１２の輪郭を定め
るために、マスク層２１がフォトリソグラフィ及びエッチング処理によりパターン化され
る。次に、図２Ｄに示すように、第１開口２１１及び第２開口２１２におけるシリコン基
板２０を部分的にエッチングするためにエッチング処理が実施され、その後マスク層２１
が除去され、それによって、保持空間２２及び位置決め構造２３の輪郭がそれぞれ定めら
れる。エッチング処理は、ウエットエッチング処理又は反応性イオン処理による。ウエッ
トエッチング処理を実施するために、水酸化カリウム（ＫＯＨ）又は水酸化テトラエチル
アンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液が用いられる。六フッ化硫黄（ＳＦ６）又は四フッ化炭素
（ＣＦ４）エッチングガスを用いてドライエッチング処理が実施される。次に、図２Ｅに
示すように、導電性金属がシリコン基板２０の第１面２０１、保持空間２１（ＳＩＣ）の
底面及び位置決め構造２３の表面上に部分的に配置され、それによって導電構造２４が形
成される。次に、光ダイオード２００が保持空間２２内の導電構造２４上に実装される。
図２Ｆに示す結果的に得られた構造体が破線に沿ってダイシングカットされた後、多数の
側面光ダイオードパッケージが形成される。光ダイオード２００の実装とシリコン基板２
０の切断の順番を入れ替えてもよい。すなわち、シリコン基板２０から結果物であるパッ
ケージ本体が切断された後、保持構造２２内の導電構造２４上に光ダイオード２００を実
装する。図２Ｉは、図２Ｆの結果的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッ
ケージの側面図である。本実施形態では、位置決め構造２３の上部開口は、図２Ｆに示す
ように、略矩形である。
【００２１】
図２Ｇは、図２Ｆの結果的に得られた構造体の変形例を示す。図２Ｊは、図２Ｇの結果
的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形
態では、位置決め構造２３の上部開口は、図２Ｇに示すように、略六角形である。図２Ｈ
は、図２Ｆの結果的に得られた構造体の他の変形例を示す。図２Ｋは、図２Ｈの結果的に
得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形態で
は、位置決め構造２３の上部開口は、図２Ｈに示すように、一対の略六角形である。
【００２２】
図３Ａは、本発明の好適な第２の実施形態に係る側面光ダイオードパッケージ３の概略
斜視図である。図３Ｂにおいて、側面光ダイオードパッケージ３は、プリント回路基板３
０００上に固定されている。図３Ａ及び３Ｂを参照されたい。側面光ダイオードパッケー
ジ３は、主にシリコン基板３０と、保持空間３１と、接合面３２と、第１位置決め構造３
３と、第２位置決め構造３４と、導電構造３５を含む。シリコン基板３０は、第１面３０
１と第２面３０２を有する。保持空間３１の上部開口は、シリコン基板３０の第１面３０
１に配置されている。保持空間３１の底は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光ダイオー
ド３００を保持するために用いられる。接合面３２は、シリコン基板３０の側面に配置さ
れ、プリント回路基板３０００上に接合される。第１位置決め構造３３は、第１欠刻３３
１と第２欠刻３３２を含む。第２位置決め構造３４は、第３欠刻３３３と第４欠刻３３４
を含む。第１欠刻３３１は、シリコン基板３０の第１側壁３１１、シリコン基板３０の第
１面３０１及び接合面３２の分岐点に配置されている。第２欠刻３３２は、シリコン基板
３０の第２側壁３１２、シリコン基板３０の第１面３０１及び接合面３２の分岐点に配置
されている。第３欠刻３３３は、シリコン基板３０の第１側壁３１１、シリコン基板３０
の第２面３０２及び接合面３２の分岐点に配置されている。第４欠刻３３４は、シリコン
基板３０の第２側壁３１２、シリコン基板３０の第２面３０２及び接合面３２の分岐点に
配置されている。
【００２３】
また、プリント回路基板３０００は、位置決め構造３３及び３４の欠刻３３１、３３２
、３３３及び３３４に対応するはんだバンプ３６を有する。シリコン基板３０がプリント
回路基板３０００にはんだ付けされる際、はんだバンプ３６が溶融され、これらの欠刻に
充填される。同様に、これらの欠刻は、溶融したはんだバンプ３６がパッケージの周囲か
らオーバーフローするのを防止するであろう。溶融したはんだバンプ３６が冷却され固化
したあと、シリコン基板３０は、はんだバンプ３６を介してプリント回路基板３０００上
に接合される。図１のパッケージと比較して、本実施形態のパッケージ３は、位置決め構
造が側面上に形成されているので、プリント回路基板上に、より安定して固定される。他
の作用原理は上記と同様であるため、重複記載を省略する。
【００２４】
以下、第２実施形態の側面光ダイオードパッケージの製造方法について、図４Ａ、４Ｂ
、４Ｃ、４Ｄ及び４Ｅを参照しつつ説明する。
【００２５】
始めに、図４Ａに示すように、シリコン基板４０が用意される。次に、図４Ｂに示すよ
うに、第１マスク層４１及び第２マスク層４２がシリコン基板４０の第１面４００１及び
第２面４００２上にそれぞれ形成される。次に、図３Ｃ（ＳＩＣ）に示すように、第１開
口４０１、第２開口４０２及び第３開口４０３の輪郭を定めるために、第１マスク層４１
が第１フォトリソグラフィ及びエッチング処理によりパターン化される。また、第４開口
４０４及び第５開口４０５の輪郭を定めるために、第２マスク層４２が第２フォトリソグ
ラフィ及びエッチング処理によりパターン化される。次に、図４Ｄに示すように、第１開
口４０１、第２開口４０２、第３開口４０３、第４開口４０４及び第５開口４０５におけ
るシリコン基板４０を部分的にエッチングするためにエッチング処理が実施され、その後
第１マスク層４１が除去され、それによって、保持空間４３及び位置決め構造４４、４５
、４６，４７の輪郭がそれぞれ定められる。次に、図４Ｅに示すように、導電性金属がシ
リコン基板４０の第１面４０１、保持空間４３の底面及び位置決め構造４４及び位置決め
構造４５の表面上に部分的に配置され、それによって導電構造４８が形成される。次に、
光ダイオード４００が保持空間４３内の導電構造４８上に実装される。図４Ｆに示す結果
的に得られた構造体が破線に沿ってカットされた後、多数の側面光ダイオードパッケージ
が形成される。光ダイオード４００の実装とシリコン基板４０の切断の順番を入れ替えて
もよい。すなわち、シリコン基板４０から結果物であるパッケージ本体が切断された後、
保持構造４３内の導電構造４８上に光ダイオード４００を実装する。図４Ｉは、図４Ｆの
結果的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実
施形態では、位置決め構造４３の上部開口は、略矩形である。
【００２６】
図４Ｇは、図４Ｆの結果的に得られた構造体の変形例を示す。図４Ｊは、図４Ｇの結果
的に得られた構造体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形
態では、位置決め構造４４及び４５の上部開口は、略六角形である。図４Ｈは、図４Ｆの
結果的に得られた構造体の他の変形例を示す。図４Ｋは、図４Ｈの結果的に得られた構造
体から得られた側面光ダイオードパッケージの側面図である。本実施形態では、位置決め
構造４４及び／又は４５の上部開口は、一対の略六角形である。
【００２７】
図５Ａは、本発明の好適な第３の実施形態に係る側面光ダイオードパッケージの概略斜
視図である。図５Ｂにおいて、光ダイオード５００（ＳＩＣ）は、プリント回路基板５０
００上に固定されている。図５Ａ及び５Ｂを参照されたい。側面光ダイオードパッケージ
５は、主にシリコン基板５０と、保持空間５１と、接合面５２と、位置決め構造５３と、
導電構造５４を含む。シリコン基板５０は、第１面５０１と第２面５０２を有する。接合
面５２は、シリコン基板５０の側面に配置され、プリント回路基板５０００上に接合され
る。位置決め構造５３は、第１凹領域５３１と第２凹領域５３２を含む。第１凹領域５３
１は、シリコン基板５０の第１側壁５１１、シリコン基板５０の第１面５０１及び接合面
５２の分岐点に配置されている。第２凹領域５３２は、シリコン基板５０の第２側壁５１
２、シリコン基板５０の第１面５０１及び接合面５２の分岐点に配置されている。また、
プリント回路基板５０００は、凹領域５３１及び５３２に対応するはんだバンプ５５を有
する。シリコン基板５０がプリント回路基板５０００にはんだ付けされる際、はんだバン
プ５５が溶融され、これらの凹領域に充填される。溶融したはんだバンプ５５が冷却され
固化したあと、シリコン基板５０は、はんだバンプ５５を介してプリント回路基板５００
０上に接合される。他の作用原理及びその製造方法は上記と同様であるため、重複記載を
省略する。
【００２８】
上記各実施形態は、単一の側面光ダイオードパッケージを参照することによって説明し
たが、本発明の概念は、両側面光ダイオードパッケージに応用してもよい。また、本発明
の概念は、レーザダイオードのような他の光ダイオードの実装に拡張してもよい。
【００２９】
上記説明から、溶融したはんだバンプがオーバーフローすることなく位置決め構造の欠
刻又は凹領域に受け入れられるので、側面光ダイオードパッケージは、その位置決め構造
によりプリント回路基板上にしっかりと固定されるであろう。それゆえ、漏れ電流の原因
となる問題点は回避され、最終製品の歩留まりが向上する。
【外国語明細書】
2008160106.tif 000031
2008160106.tif 000032
2008160106.tif 000033
2008160106.tif 000034
2008160106.tif 000035
2008160106.tif 000036
2008160106.tif 000037
2008160106.tif 000038
2008160106.tif 000039
2008160106.tif 000040
2008160106.tif 000041
2008160106.tif 000042
2008160106.tif 000043
2008160106.tif 000044
2008160106.tif 000045
2008160106.tif 000046
2008160106.tif 000047
2008160106.tif 000048
2008160106.tif 000049
2008160106.tif 000050
2008160106.tif 000051
2008160106.tif 000052
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2008160106.tif 000059
2008160106.tif 000060
2008160106.tif 000061
2008160106.tif 000062