(57)【要約】【課題】燃焼時にガスの発生が無く、光反射特性および熱や近紫外光に対する耐着色性に優れ、なおかつ難燃性に優れた光半導体用エポキシ樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機質充填材（Ｃ）を含有し、上記無機質充填材（Ｃ）として、金属水酸化物を該無機質充填材（Ｃ）に対して１０重量％以上含有する光半導体用エポキシ樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機質充填材（Ｃ）を含有し、前記無機質充填材（Ｃ）として、金属水酸化物を該無機質充填材（Ｃ）に対して１０重量％以上含有する光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記金属水酸化物の、前記無機質充填材（Ｃ）に対する含有量が、１０〜３０重量％である請求項１に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記金属水酸化物が、水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウムからなる群から選択される１種以上である請求項１または２に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
前記無機質充填材（Ｃ）の含有量が、エポキシ樹脂組成物中、８０〜９０重量％である請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
前記無機質充填材（Ｃ）として、さらに白色顔料（Ｄ）を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
前記白色顔料（Ｄ）が、無機中空粒子、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム、炭酸マグネシウムおよび炭酸バリウムからなる群から選択される１種以上である請求項５に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
カップリング剤（Ｅ）をさらに含有する請求項１〜６のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
前記カップリング剤（Ｅ）が、前記エポキシ樹脂（Ａ）および前記硬化剤（Ｂ）の少なくとも一方と反応する官能基を有するシラン系カップリング剤である請求項７に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
前記カップリング剤（Ｅ）が、エポキシシラン系カップリング剤である請求項７に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１０】
熱硬化後の組成物の波長４００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物を用いてなることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
【請求項１２】
光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、少なくとも前記凹部の内周側面が請求項１〜１０のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物からなることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光半導体素子搭載用基板と、  
前記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載された光半導体素子と、  
前記光半導体素子を覆うように前記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層と
を少なくとも備える光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体用エポキシ樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板および光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体素子を利用した光半導体装置として、図４に示すような構成のＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅｍｏｕｎｔｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）タイプのＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）が知られている。このＬＥＤは、通常、マウント基板リフレクターに形成されたカップ状部（凹部）に発光素子が配置され、さらに当該発光素子が配置されたカップ状部に蛍光体を含有する透明封止樹脂が充填されている。リフレクターは、発光素子から側方に放射された光をその表面で拡散反射して軸方向に分配し、これによって軸上強度を高めることを目的として使用されている。
【０００３】
ところで、上記リフレクター等を構成する光半導体装置のパッケージ材料には、難燃性の要求が無く難燃性の付与は義務付けられていなかった。一方、米国のＵＬ規格の強化に表されるように、これらの光半導体装置に対する難燃化の要求が益々強まってきており、光半導体装置のパッケージ材料の難燃化への対応が望まれている。従来、光半導体装置に一般に用いられている樹脂組成物は、ガラス繊維を強化材として含有したアミド系の熱可塑性材料が使用されている。しかしながら、これらの樹脂材料は、難燃化されていないものが用いられている。これらの材料の難燃化手法としては、樹脂骨格に臭素を含有の添加型あるいは反応性難燃材、例えばヘキサブロモベンゼン、デカブロモビフェニル等に難燃助剤として三酸化アンチモンを樹脂と混合する方法やリンまたはリン酸エステルを添加混合する方法、あるいはホウ酸金属塩とシリコーン化合物を併用する方法などが開示されている（特許文献１〜４参照）。
【特許文献１】特表２００２−５０６９０５号公報
【特許文献２】特開２００４−２２４０００号公報
【特許文献３】特開平９−１２８５３号公報
【特許文献４】特開２００４−１１５６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、環境問題に対する意識が高まってきており、難燃材として使用される種々の化合物に対しても問題が指摘されている。例えば、ハロゲン化ポリマ系難燃材は、燃焼時にハロゲン化ガスを発生することが指摘されている。また、難燃材としてアンチモン化合物を含有させた場合、アンチモンの毒性から樹脂材料の廃棄物処理の問題が憂慮されている。また、難燃材としてリン化合物を含有させた場合、埋め立て時にリン成分が土壌へ溶出することが一部で懸念されている。また、難燃材としてホウ酸金属化合物を用いた場合、分解開始温度が２９０℃付近となるため、３００℃以上の融点を持つポリアミド系樹脂と併用すると成型時にボイドなど不具合が生じることがあった。
【０００５】
上記を鑑みて、本発明は、燃焼時にガスの発生が無く、光反射特性および熱や近紫外光に対する耐着色性に優れ、なおかつ難燃性に優れた光半導体用エポキシ樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、ハロゲンやアンチモン等の従来の難燃材を用いない場合であっても、無機質充填材として金属水酸化物を一定量以上含有させることにより、エポキシ樹脂組成物の難燃性や耐着色性を向上させうることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、以下（１）〜（１３）に記載の事項をその特徴とするものである。
【０００８】
（１）エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機質充填材（Ｃ）を含有し、上記無機質充填材（Ｃ）として、金属水酸化物を該無機質充填材（Ｃ）に対して１０重量％以上含有する光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【０００９】
（２）上記金属水酸化物の、上記無機質充填材（Ｃ）に対する含有量が、１０〜３０重量％である上記（１）に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【００１０】
（３）上記金属水酸化物が、水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウムからなる群から選択される１種以上である上記（１）または（２）に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【００１１】
（４）上記無機質充填材（Ｃ）の含有量が、エポキシ樹脂組成物中、８０〜９０重量％である上記（１）〜（３）のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【００１２】
（５）上記無機質充填材（Ｃ）として、さらに白色顔料（Ｄ）を含有することを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【００１３】
（６）上記白色顔料（Ｄ）が、無機中空粒子、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム、炭酸マグネシウムおよび炭酸バリウムからなる群から選択される１種以上である上記（５）に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【００１４】
（７）カップリング剤（Ｅ）をさらに含有する上記（１）〜（６）のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【００１５】
（８）上記カップリング剤（Ｅ）が、上記エポキシ樹脂（Ａ）および上記硬化剤（Ｂ）の少なくとも一方と反応する官能基を有するシラン系カップリング剤である上記（７）に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【００１６】
（９）上記カップリング剤（Ｅ）が、エポキシシラン系カップリング剤である上記（７）に記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【００１７】
（１０）熱硬化後の組成物の波長４００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物。
【００１８】
（１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物を用いてなることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
【００１９】
（１２）光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、少なくとも上記凹部の内周側面が上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の光半導体用エポキシ樹脂組成物からなることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
【００２０】
（１３）上記（１２）に記載の光半導体素子搭載用基板と、  
上記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載された光半導体素子と、  
上記光半導体素子を覆うように上記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層と
を少なくとも備える光半導体装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明により、燃焼時にガスの発生が無く、光反射特性および熱や近紫外光に対する耐着色性に優れ、なおかつ難燃性に優れた光半導体用エポキシ樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明において用いるエポキシ樹脂（Ａ）としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されているものを用いることができ、それを例示すればフェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換ビスフェノール等のジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂などが挙げられ、これらを適宜何種類でも併用することができる。また、これらのうち比較的着色のないものが好ましく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレートを挙げることができる。
【００２３】
本発明において用いる硬化剤（Ｂ）としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば、特に制限なく用いることができるが、比較的着色のないものが好ましい。例えば、酸無水物硬化剤、イソシアヌル酸誘導体、フェノール系硬化剤などが挙げられる。酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などが挙げられ、イソシアヌル酸誘導体としては、１，３，５−トリス（１−カルボキシメチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレート、１，３−ビス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレートなどが挙げられる。これらの硬化剤の中では、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレートを用いることが好ましい。硬化剤は、その分子量が１００〜４００程度のものが好ましく、また、無色ないし淡黄色のものが好ましい。
【００２４】
また、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の配合比は、（Ａ）エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、当該エポキシ基と反応可能な（Ｂ）硬化剤中の活性基（酸無水物基や水酸基）が０．５〜１．０当量となるような割合であることが好ましく、０．６〜１．０当量となるような割合であることがより好ましい。上記活性基が０．５当量未満の場合には、エポキシ樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、得られる硬化体のガラス転移温度が低くなり、充分な弾性率が得られない場合があり、一方、上記活性基が１．０当量を超える場合には、硬化後の強度が減少する場合がある。
【００２５】
また、本発明の光半導体用エポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤を含むことが好ましい。硬化促進剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールなどの３級アミン類、２−エチル−４メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートなどのリン化合物、４級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、あるいは、併用してもよい。これらの硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。
【００２６】
また、上記硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して、０．０１〜８重量部であることが好ましく、より好ましくは、０．１〜３重量部である。硬化促進剤の含有量が、０．０１重量部未満では、十分な硬化促進効果を得られない場合があり、また、８重量部を超えると、得られる成形体に変色が見られる場合がある。
【００２７】
本発明において用いる無機質充填材（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、および水酸化マグネシウムからなる群の中から選ばれる少なくとも１種以上を用いることができる。光反射特性、成型性、難燃性の点からシリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、またはこれらの混合物を用いることが好ましい。また、難燃効果の観点からは、金属水酸化物を用いることが好ましく、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムまたはこれらの混合物を用いることが特に好ましい。水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、またはこれらの混合物は、白色で反射率に与える影響が無い点においても好ましい。なお、耐湿信頼性の観点から、水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウムとしては、それぞれイオン性不純物の少ないものが好ましい。例えば、半導体封止剤の要求仕様を考慮すると、それら化合物中のＮａ化合物含有量は０．２重量％以下であることが好ましい。
【００２８】
また、上記無機質充填材（Ｃ）の平均粒径は、特に限定されるものではないが、白色顔料（Ｄ）とのパッキングが効率良くなるように、１〜１００μｍの範囲であることが好ましい。また、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の金属水酸化物の平均粒径は、特に制限はないが、難燃性及び流動性の観点から０．１〜５０μｍの範囲であることが好ましい。
【００２９】
また、上記無機質充填材（Ｃ）の含有量は、エポキシ樹脂組成物中、８０〜９０重量％の範囲であることが好ましい。上記無機質充填材（Ｃ）の含有量が、８０重量％未満であると樹脂硬化物の光反射特性が十分得られない傾向にあり、９０重量％を超えると樹脂組成物の成型性が悪くなる傾向にあり、基板の作製が困難となる。また、上記金属水酸化物は、上記無機質充填材（Ｃ）に対して、１０重量％以上含まれることが好ましく、１０〜３０重量％含まれることがより好ましい。上記金属水酸化物の含有量が無機質充填材（Ｃ）に対して１０重量％未満では、当該金属水酸化物を配合することによる難燃性向上効果を十分に得ることができない傾向にあり、３０重量％を超えると樹脂組成物の流動性や硬化性に悪影響を与えることがある。
【００３０】
また、本発明の光半導体用エポキシ樹脂組成物は、上記無機充填剤（Ｃ）とは別個に、さらに、白色顔料（Ｄ）を含有してもよい。白色顔料（Ｄ）としては、特に限定されないが、例えば、無機中空粒子、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム、炭酸マグネシウムおよび炭酸バリウム、アルミナ、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム等を用いることができる。上記無機中空粒子としては、例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラス等が挙げられる。また、白色顔料（Ｄ）の平均粒径は、０．１〜５０μｍの範囲にあることが好ましい。白色顔料（Ｄ）の平均粒径が０．１μｍ未満であると、白色顔料粒子が凝集しやすく分散性が悪くなる傾向にあり、５０μｍを超えると樹脂硬化物の反射特性が十分に得られなくなる。
【００３１】
また、本発明の光半導体用エポキシ樹脂組成物は、さらに、カップリング剤（Ｅ）を含有していもよい。カップリング剤（Ｅ）としては、特に限定されないが、エポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系及びこれらの複合系等のシラン系カップリング剤やチタネート系カップリング剤などを用いることができる。着色性の観点からは、一般にエポキシシラン系カップリング剤が優れている。エポキシシラン系カップリング剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。また、エポキシ樹脂（Ａ）および硬化剤（Ｂ）の少なくとも一方と反応する官能基を有するシラン系カップリング剤を用いることも好ましい。また、カップリング剤（Ｅ）の配合量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物中、５重量％以下とすることが好ましい。
【００３２】
また、本発明の樹脂組成物には、必要に応じて、酸化防止剤、離型剤、イオン補足剤等の添加剤を添加してもよい。
【００３３】
以上のような成分を含有する本発明の光半導体用エポキシ樹脂組成物は、熱硬化前、室温（０〜３０℃）において加圧成形（タブレット成形）可能であることが望ましく、また、熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることが望まれる。上記光反射率が８０％未満であると、光半導体装置の輝度向上に十分寄与できない傾向がある。より好ましい光反射率は９０％以上である。なお、上記加圧成形は、例えば、室温において、５〜５０ＭＰａ、１〜５秒程度の条件下で成形を行うことができればよい。また、加圧成形（タブレット成形）時に用いる金型は、特に限定されないが、例えば、セラミックス系材料やフッ素系樹脂材料などからなる臼と杵の一対または凹部を有する上金型と下金型の一対等で構成されるものを用いることが好ましい。また、タブレット着色の恐れがない白色の材料からなる金型を用いることが好ましい。
【００３４】
また、本発明の光半導体用エポキシ樹脂組成物は、上記した各種成分を均一に分散混合することで得ることができ、その手段や条件等は特に限定されないが、一般的な手法として、所定配合量の成分をミキサー等によって十分均一に撹拌、混合した後、ミキシングロール、押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって（溶融）混練し、さらに、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。（溶融）混練の条件は、成分の種類や配合量により適宜決定すればよく、特に限定されないが、１５〜１００℃の範囲で５〜４０分間（溶融）混練することが好ましく、２０〜１００℃の範囲で１０〜３０分間（溶融）混練することがより好ましい。（溶融）混練温度が１５℃未満であると、各成分を（溶融）混練させることが困難であり、分散性も低下する傾向にあり、１００℃よりも高温であると、樹脂組成物の高分子量化が進行し、樹脂組成物が硬化してしまう恐れがある。
【００３５】
本発明の光半導体素子搭載用基板は、本発明の光半導体用エポキシ樹脂組成物を用いてなるものであり、例えば、光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されており、少なくとも上記凹部の内周側面が本発明の光半導体用エポキシ樹脂組成物からなるものである。図１は、本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示すものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面断面図である。
【００３６】
本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法は、特に限定されないが、例えば、本発明の光半導体用エポキシ樹脂組成物またはそのタブレット成形体をトランスファーモールドにより成型することで製造することができる。図２は、本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法を説明する概略図であり、図２（ａ）〜（ｃ）はトランスファーモールド成型により基板を製造する場合の各工程に対応する。より具体的には、光半導体素子搭載用基板は、図２（ａ）に示すように、金属箔から打ち抜きやエッチング等の公知の方法により金属配線１０５を形成し、ついで、該金属配線１０５を所定形状の金型３０１に配置し（図２（ｂ））、金型３０１の樹脂注入口３００から本発明の光半導体用エポキシ樹脂組成物（タブレット成形体の溶融物）を注入し、これを好ましくは金型温度１７０〜２００℃、成形圧力０．５〜２０ＭＰａで６０〜１２０秒、アフターキュア温度１２０℃〜１８０℃で１〜３時間の条件で熱硬化させた後、金型３０１を外し、硬化した光半導体用エポキシ樹脂組成物からなるリフレクター１０３に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域となる凹部２００の所定位置に、電気めっきによりＮｉ／銀めっき１０４を施すことで製造することができる（図２（ｃ））。
【００３７】
また、本発明の光半導体装置は、本発明の光半導体素子搭載用基板と、光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載される光半導体素子と、光半導体素子を覆うように凹部内に形成される蛍光体含有透明封止樹脂層と、を少なくとも備えることを特徴とするものである。
【００３８】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、それぞれ本発明の光半導体装置の一実施形態を示す側面断面図である。より具体的には、図３に示した光半導体装置は、本発明の光半導体素子搭載用基板１１０の光半導体素子搭載領域となる凹部（図２中、参照符号２００で示される）の底部所定位置に光半導体素子１００が搭載され、該光半導体素子１００と金属配線１０５とがボンディングワイヤ１０２（図３（ａ）を参照）やはんだバンプ１０７（図３（ｂ）を参照）などの公知の方法により電気的に接続され、該光半導体素子１００が公知の蛍光体１０６を含む透明封止樹脂１０１により覆われている。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明を実施例により詳述するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４０】
＜光半導体用エポキシ樹脂組成物の作製＞
（実施例１〜９、比較例１）
表１に示した配合表に従って各材料を配合し、ミキサーによって十分混練した後、ミキシングロールにより所定条件で溶融混練し、冷却、粉砕を行い、実施例１〜９および比較例１の光半導体用エポキシ樹脂組成物を作製した。なお、表中、各成分の配合量の単位は「ｇ」であり、「％」は「重量％」を示し、空欄は配合無しを表す。
【００４１】
＜光半導体用エポキシ樹脂組成物の評価＞
各実施例及び各比較例のエポキシ樹脂組成物について、下記試験方法にしたがって硬化物の難燃性と光反射率を測定した。結果を表１に示す。
【００４２】
（難燃性）  
各実施例及び各比較例のエポキシ樹脂組成物を、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、キュア時間９０秒の条件でトランスファー成形し、厚み１／１６インチ（大きさ１２．５ｍｍ×１２８．０ｍｍ×厚み１．６ｍｍ）の試験片を作製し、ＵＬ−９４Ｖ−０規格の方法に従って各試験片の難燃性を測定、評価した。
【００４３】
（光反射率）  
各実施例及び各比較例の樹脂組成物を、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、キュア時間９０秒の条件でトランスファー成形した後、１５０℃で２時間ポストキュアすることにより、厚み１．０ｍｍのテストピースを作製した。ついで、積分球型分光光度計Ｖ−５７０型（日本分光株式会社製）を用いて、波長４００ｎｍにおける各テストピースの光反射率を測定した。
【表１】
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【００４４】
注記：  
（１）表１における各成分の詳細は以下の通りである。  
トリグリシジルイソシアヌレート（日産化学工業株式会社製、商品名ＴＥＰＩＣ−Ｓ、エポキシ当量１００）  
水素添加フタル酸無水物（新日本理化株式会社製、商品名リカシッドＨＨ）  
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート（日本化学工業株式会社製、商品名ヒシコーリンＰＸ−４ＥＴ）  
エポキシシラン（東レダウコーニング社製、商品名Ｚ−６０４０）  
シリカ（電気化学工業株式会社製、商品名ＦＢ−３０１、平均粒径５．８μｍ）  
中空粒子（３Ｍ社製、商品名スコッチライトＳ６０ＨＳ、平均粒径２７μｍ）  
アルミナ（株式会社アドマテックス製、商品名アドマファインＡＯ−８０２、平均粒径０．６μｍ）  
（２）着色性に関するＹＩ（黄変度）は、数値が小さいほど変色が少ないことを示す。
【００４５】
表１に示すように、実施例の光半導体用エポキシ樹脂組成物は、その硬化物の難燃性および光反射率が優れていることが分かる。
【００４６】
（成型性）  
トランスファー成形用金型にリードフレームを配置した後、当該金型内に各実施例及び各比較例の樹脂組成物を注入し、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、キュア時間９０秒の条件でトランスファー成形し、図１に示すような光半導体素子搭載領域となる凹部を有する光半導体素子搭載用基板（光半導体パッケージ）を作製したが、作製過程および得られた基板に特に不具合は見られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面断面図である。
【図２】本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法を説明する概略図であり、（ａ）〜（ｃ）はトランスファーモールド成型により基板を製造する場合の各工程に対応する。
【図３】本発明の光半導体装置の一実施形態を示す図であり、（ａ）および（ｂ）はそれぞれ装置の構造を模式的に示す側面断面図である。
【図４】一般的なＳＭＤタイプのＬＥＤ（光半導体装置）を示す側面断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１００・・・・・光半導体素子（ＬＥＤ素子）
１０１・・・・・透明封止樹脂
１０２・・・・・ボンディングワイヤ
１０３・・・・・樹脂組成物からなるリフレクター
１０４・・・・・Ｎｉ／Ａｇめっき
１０５・・・・・金属配線
１０６・・・・・蛍光体
１０７・・・・・はんだバンプ
１１０・・・・・光半導体素子搭載用基板
２００・・・・・光半導体素子搭載領域となる凹部
３００・・・・・樹脂注入口
３０１・・・・・トランスファーモールド用金型
４００・・・・・ＬＥＤ素子
４０１・・・・・ボンディングワイヤ
４０２・・・・・透明封止樹脂
４０３・・・・・リフレクター
４０４・・・・・リード
４０５・・・・・蛍光体
４０６・・・・・ダイボンド材
【図１】
2008306151.tif 000004
【図２】
2008306151.tif 000005
【図３】
2008306151.tif 000006
【図４】
2008306151.tif 000007