(57)【要約】      （修正有）【課題】干渉測定システムが改良されたリソグラフィ装置およびデバイス製造方法を提供する。【解決手段】干渉測定システム１６の少なくとも１つの反射表面２６は、使用中、該少なくとも１つの反射表面に入射する干渉測定システムの干渉計放射線のビーム光路５２が前記少なくとも１つの反射表面の法線に対して０．１ミリラジアンから１０ミリラジアンまでの範囲のオフセット角を有するように配列されており、それによって干渉測定システム内で生成されるスプリアス放射線５４の、干渉測定システムに対する影響が抑制される。したがって干渉測定システムを使用した正確な位置測定の精度および再現性が改善される。【選択図】図４
2008177561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置であって、
放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
前記リソグラフィ投影装置内のオブジェクトの位置を正確に測定するための干渉測定システムであって、前記オブジェクトが、前記干渉測定システムの一部として干渉計放射線を反射させるための反射型エレメントを備えている干渉測定システムとを有するリソグラフィ投影装置において、
前記干渉測定システムの少なくとも１つの反射表面は、使用中、該少なくとも１つの反射表面に入射する干渉測定システムの干渉計放射線のビーム光路が前記少なくとも１つの反射表面の法線に対して０．１ミリラジアンから１０ミリラジアンまでの範囲のオフセット角を有するように配列されており、それによって前記干渉測定システム内で生成されるスプリアス放射線の干渉測定システムに対する影響が抑制されることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記オブジェクト上に提供された前記反射型エレメント、および基準反射器からなるグループから選択された１つまたは複数が、前記干渉測定システムの前記少なくとも１つの反射表面を有している請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
前記干渉測定システムが、偏光ビーム・スプリッタ、コーナー・キューブ、２枚の４分の１波長板および基準反射器を有し、これらがすべてモノリシック・ブロック内に統合されている請求項１または請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
前記干渉測定システム内の所望の干渉計放射線ビームの各々が、前記反射表面の各々で２回反射する、請求項１、請求項２または請求項３に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
前記オフセット角が１ミリラジアン以内であり、且つ０．２５ミリラジアン以上である、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
リソグラフィ投影装置であって、
放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
前記リソグラフィ投影装置内の反射型エレメントで反射する放射線ビームの角度を正確に測定し、それによって前記反射型エレメントの平面度を得ることができる干渉測定システムと
を有するリソグラフィ投影装置において、
前記干渉測定システムが、ビーム・スプリッタを備えた第１の平行表面および反射器を備えた第２の平行表面を有するプレートと、前記反射型エレメントにより反射された後に前記第１の表面に入射する前記放射線ビームから得られる２つのビーム部分間の干渉によって生じる信号を得るための検出器とを有し、前記２つのビーム部分が、前記第１の表面の前記ビーム・スプリッタで反射される第１のビーム部分と、前記第２の表面の前記反射器で反射される第２のビーム部分とを含むことを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
前記検出器に放射線を伝えるための光ファイバと、前記第１および第２のビーム部分を前記プレートから前記光ファイバに結合するためのレンズとをさらに有する請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項８】
前記反射型エレメントで反射された前記放射線ビームが、前記リソグラフィ投影装置の他の干渉計のための放射線であり、また前記放射線の一部を分割して前記プレートに向けて導くビーム・スプリッタが設けられたことを特徴とする請求項６または請求項７に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
請求項６から請求項８までのいずれか１項に定義された前記干渉測定システムをさらに有する、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１０】
放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ投影装置を使用してデバイスを製造する方法であって、
パターン化手段を前記支持構造に提供するステップと、
放射線感応層を備えた基板を前記基板テーブルに提供するステップと、
前記基板のターゲット部分に、前記パターン化手段によってパターン化された前記投影ビームを照射するステップと
を含むデバイス製造方法において、
干渉測定システムを提供するステップであって、前記干渉測定システムの少なくとも１つの反射表面は、使用中、該少なくとも１つの反射表面に入射する干渉測定システムの干渉計放射線のビーム光路が前記少なくとも１つの反射表面の法線に対して０．１ミリラジアンから１０ミリラジアンまでの範囲のオフセット角を有するように配列されており、それによって前記干渉測定システム内で生成されるスプリアス放射線の干渉測定システムに対する影響が抑制されるステップと、
前記リソグラフィ投影装置内のオブジェクトの位置を正確に測定するステップであって、前記オブジェクトが、前記干渉測定システムの一部として干渉計放射線を反射させるための反射型エレメントを有しているステップと
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１１】
放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ投影装置を使用してデバイスを製造する方法であって、
パターン化手段を前記支持構造に提供するステップと、
放射線感応層を備えた基板を前記基板テーブルに提供するステップと、
前記基板のターゲット部分に、前記パターン化手段によってパターン化された前記投影ビームを照射するステップと
を含むデバイス製造方法において、
ビーム・スプリッタを備えた第１の平行表面および反射器を備えた第２の平行表面を有するプレートと、反射型エレメントで反射された後に前記第１の表面に入射する放射線ビームから得られる２つのビーム部分間の干渉によって生じる信号を得るための検出器とを有する干渉測定システムであって、前記２つのビーム部分が、前記第１の表面の前記ビーム・スプリッタで反射される第１のビーム部分と、前記第２の表面の前記反射器で反射される第２のビーム部分とを含み、前記干渉が、前記プレートに入射するビームの角度によって決まる干渉測定システムを提供するステップと、
前記リソグラフィ投影装置内の前記反射型エレメントにより反射される前記放射線ビームの角度を、前記検出器によって得られる前記信号に基づいて正確に測定し、それによって前記反射型エレメントの平面度を得るステップと
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載の方法に従って製造されたデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化する（パターン付けする）ように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、パターン化されたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムとを有するリソグラフィ投影装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
本明細書で使用している「パターン化手段（パターン付け手段）」という用語は、入射してくる放射線ビームの断面を、基板のターゲット部分に生成するパターンに対応したパターンにするように使用可能な手段を意味するものとして広義に解釈されたい。またこの文脈において、「光バルブ（光弁）」という用語を使用することも可能である。一般に前記パターンは、ターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層、例えば集積回路もしくは他のデバイス（以下を参照されたい）の特定の機能層に対応している。このようなパターン化手段の実施例として、以下のものが挙げられる。
【０００３】
（１）マスク
マスクの概念についてはリソグラフィの分野では良く知られており、バイナリ、交互位相シフトおよび減衰位相シフトなどのマスク・タイプ、および様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。このようなマスクを放射線ビーム中に配置することにより、マスクに衝突する放射線をマスク上のパターンに従って選択的に透過させ（透過型マスクの場合）、あるいは選択的に反射させる（反射型マスクの場合）。マスクの場合において、通常前記支持構造は、入射する放射線ビーム中の所望の位置に確実にマスクを保持することができ、且つ必要に応じてマスクをビームに対して確実に移動させることができるマスク・テーブルである。
【０００４】
（２）プログラム可能ミラー・アレイ
粘弾性制御層および反射型表面を有するマトリックス・アドレス可能な表面が、このようなデバイスの実施例の１つである。このような装置の基礎をなしている基本原理は、（例えば）反射型表面のアドレス領域が入射光を回折光として反射し、一方、未アドレス領域が入射光を非回折光として反射することにある。適切なフィルタを使用することにより、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残すことができるため、この方法により、マトリックス・アドレス可能表面のアドレス・パターンに従ってビームがパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例には、マトリックス配列された微小ミラーが使用される。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、あるいは圧電駆動手段を使用することによって、１つの軸線の周りに個々に傾斜させることができる。この場合も、微小ミラーは、入射する放射線ビームを反射する方向が、アドレス済みミラーと未アドレス・ミラーとでそれぞれ異なるようにマトリックス・アドレスすることが可能であり、この方法により、マトリックス・アドレス可能ミラーのアドレス・パターンに従って反射ビームがパターン化される。必要なマトリックス・アドレスは、適切な電子手段を使用して実行される。上で説明したいずれの状況においても、パターン化手段は、１つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えることができる。上で参照したミラー・アレイに関する詳細な情報については、例えば、いずれも参照により本明細書に組み込まれる米国特許第５，２９６，８９１号明細書および米国特許第５，５２３，１９３号明細書、ならびに国際公開第９８／３８５９７号パンフレットおよび国際公開第９８／３３０９６号パンフレットを参照されたい。プログラム可能ミラー・アレイの場合、例えば前記支持構造は、必要に応じて固定あるいは移動させることができるフレームもしくはテーブルとして具体化される。
【０００５】
（３）プログラム可能ＬＣＤアレイ
参照により本明細書に組み込まれる米国特許第５，２２９，８７２号明細書に、このような構造の実施例の１つが記載されている。この場合の支持構造も、プログラム可能ミラー・アレイの場合と同様、例えば必要に応じて固定あるいは移動させることができるフレームもしくはテーブルとして具体化される。
【０００６】
明瞭化のために、本明細書の以下の特定の部分、特に実施例の部分は、マスクおよびマスク・テーブルに関して述べられているが、このような実施例の中で論じられる一般原理は、上で説明したパターン化手段の、より広義の文脈の中で理解されたい。
【０００７】
リソグラフィ投影装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。そのような場合、パターン化手段が、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成し、生成したパターンが、放射線感応材料（レジスト）の層で被覆された基板（シリコン・ウェハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイからなる）に結像（イメージ）される。通常、１枚のウェハには、投影システムを介して順次照射される隣接ターゲット部分からなる回路網全体が含まれる。現在、マスク・テーブル上のマスクによるパターン付けを利用する装置には２種類のマシンがある。第１の種類のリソグラフィ投影装置では、マスク・パターン全体を１回の照射でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々を照射する。このような装置は、一般にウェハ・ステッパと呼ばれている。一般にステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれている代替装置では、マスク・パターンを投影ビームの下で所与の基準方向（「走査」方向）に連続的に走査し、同時に、基板テーブルを基準方向に平行に、あるいは逆平行に同期走査することによってターゲット部分の各々を照射する。通常、投影システムは、倍率係数Ｍ（通常Ｍ＜１）を有しているため、基板テーブルを走査する速度Ｖは、マスク・テーブルを走査する速度を係数Ｍ倍した速度になる。上で説明したリソグラフィ装置に関する詳細な情報については、例えば参照により本明細書に組み込まれる米国特許第６，０４６，７９２号明細書を参照されたい。
【０００８】
リソグラフィ投影装置を使用した製造プロセスでは、パターン（例えばマスクのパターン）が、少なくとも一部を放射線感応材料（レジスト）の層で被覆された基板上に結像される。この結像ステップに先立って、プライミング、レジスト・コーティングおよびソフト・ベークなどの様々な処理プロセスが基板に提供される。放射線への露光後、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベークおよび結像フィーチャの測定／検査などの他の処理プロセスが基板に提供される。この一連の処理プロセスは、例えばＩＣなどのデバイスの個々の層をパターン化するための基礎として使用されている。次に、パターン化されたこのような層に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨等、様々な処理が施される。これらの処理はすべて個々の層の仕上げを意図したものである。複数の層を必要とする場合、すべての処理プロセスまたはそれらの変形プロセスを新しい層の各々に対して繰り返さなければならないが、最終的にはデバイスのアレイが基板（ウェハ）上に出現する。これらのデバイスは次に、ダイシングまたはソーイングなどの技法を使用して互いに分離され、分離された個々のデバイスは、キャリアに実装すること、あるいはピンに接続することができる。このようなプロセスに関する詳細な情報については、例えば参照により本明細書に組み込まれるピーター・ファン・ツァント（Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ）の著書「マイクロチップの製造；半導体処理のための実用ガイド（Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」、第３版、マグローヒル出版社、１９９７年、ＩＳＢＮ ０−０７−０６７２５０−４を参照されたい。
【０００９】
明瞭化のために、以下、投影システムを「レンズ」と呼ぶことがあるが、この用語には、例えば屈折光学系、反射光学系およびカタディオプトリック系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されるものとして広義に解釈されたい。また照明システムには、放射線の投影ビームを導き、整形し、あるいは制御するための任意の設計タイプに従って動作するコンポーネントが含まれており、以下、このようなコンポーネントについても、集合的もしくは個々に「レンズ」と呼ぶ。またリソグラフィ装置の中には、複数の基板テーブル（および／または複数のマスク・テーブル）を有しているタイプの装置もあり、このような「マルチ・ステージ」デバイスの場合、追加のテーブルが並列に使用されることができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブルが露光のために使用されている間に１つまたは複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。例えば、いずれも参照により本明細書に組み込まれる米国特許第５，９６９，４４１号明細書および国際公開第９８／４０７９１号パンフレットに、デュアル・ステージ・リソグラフィ装置が記載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上で説明したリソグラフィ装置の場合、基板テーブルおよびパターン化手段を支持するための支持構造などのコンポーネントの位置を、極めて高い精度、例えばナノメートルさらにはサブナノメートル程度の精度レベルで正確に測定することができることが重要であり、そのために干渉測定システムが使用されている。しかし、この干渉測定システムは、干渉計を形成している光学コンポーネントの望ましくない反射および他の欠陥に起因する性能劣化、例えば測定されている干渉信号の変調度の減少などの問題を抱えており、この光学コンポーネントの望ましくない反射や他の欠陥は、位置測定におけるサイクル（周期）誤差の原因にもなっている。もう１つの問題は、正確な位置の測定を不正確にしている原因が、干渉測定システムに使用されるミラーの平面度プロファイルの不確実性にあることである。
【００１１】
本発明の目的は、上記のすべての問題を解決することであり、あるいは少なくとも一部を解決することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的および他の目的は、冒頭の段落で明記したリソグラフィ投影装置であって、このリソグラフィ投影装置が、
リソグラフィ投影装置内のオブジェクト（対象物）の位置を正確に測定するための干渉測定システムであって、オブジェクトが干渉測定システムの一部として干渉計放射線を反射させるための反射型エレメントを備えている干渉測定システムをさらに有し、
干渉測定システムの少なくとも１つの反射表面は、使用中、該少なくとも１つの反射表面に入射する干渉測定システムの干渉計放射線のビーム光路が前記少なくとも１つの反射表面の法線に対して０．１ミリラジアンから１０ミリラジアンまでの範囲のオフセット角を有するように配列され、それによって干渉測定システム内で生成されるスプリアス放射線の干渉測定システムに対する影響が抑制されること
を特徴とする本発明のリソグラフィ投影装置によって達成される。
【００１３】
例えば望ましくない界面反射によって生成されるスプリアス放射線は、依然として干渉システムの検出器に入射するが、スプリアス放射線の波面と所望の波面とが平行ではなく、したがって検出器の総干渉面積に亘って積分することにより、十分に傾斜したスプリアス放射線の影響が著しく低減されるので、位相測定すなわち正確な位置の測定に対するスプリアス放射線の影響が抑制される。それによりリソグラフィ装置を使用して達成される位置測定の信頼性が向上し、したがってオーバレイの精度が改善される。
【００１４】
干渉測定システムは、すべてモノリシック・ブロック内に統合された偏光ビーム・スプリッタと、コーナー・キューブと、２枚の４分の１波長板と、基準反射器とを備えていることが好ましい。モノリシック・ブロックを使用することにより、界面反射が減少し、また頑丈性が提供されるだけでなく、従来の干渉測定システムのモノリシック・ブロックの配向に対して回転変位したように単純に該モノリシック・ブロックを位置決めすることにより、必要なオフセット角を配列するための便利な方法が提供される。
【００１５】
干渉測定システム内における所望の干渉計放射線ビームの各々は、反射表面の各々で２回反射することが好ましい。反射表面の各々で２回反射することにより、干渉計の少なくとも１つの反射表面のオフセット角のために１回もしくは奇数倍しか反射しないあらゆるスプリアス・ビームと、所望の出力ビームとが一般的に一致しない、という利点が得られ、二重反射によって回転が補償される。
【００１６】
本発明の他の観点によれば、冒頭の段落で明記したリソグラフィ投影装置であって、リソグラフィ投影装置内の反射型エレメントで反射する放射線ビームの角度を正確に測定するための干渉測定システムをさらに有し、それによって反射型エレメントの平面度が引き出されるリソグラフィ投影装置において、
前記干渉測定システムが、ビーム・スプリッタを備えた第１の平行表面および反射器を備えた第２の平行表面を有するプレートと、前記反射型エレメントで反射し、続いて前記第１の表面に入射する前記放射線ビームから引き出される２つのビーム部分間の干渉によって生じる信号を得るための検出器とを備え、２つのビーム部分が、第１の表面のビーム・スプリッタで反射する第１のビーム部分と、第２の表面の反射器で反射する第２のビーム部分とからなることを特徴とするリソグラフィ投影装置が提供される。
【００１７】
コンパクトであり、且つビーム角すなわちミラーの平面度を正確に測定するための代替構造より安価であるため、上で定義したプレートの使用は有利である。また有利なことには、リソグラフィ投影装置に提供されている他の干渉計（例えばオブジェクトの位置を測定するための干渉計）から放射線ビームを引き出すことができるため、個別の放射線源を提供する必要がない。
【００１８】
本発明の他の観点によれば、
放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ投影装置を使用してデバイスを製造する方法であって、
パターン化手段を前記支持構造に提供するステップと、
放射線感応層を備えた基板を前記基板テーブルに提供するステップと、
前記基板のターゲット部分に、前記パターン化手段によってパターン化された投影ビームを照射するステップと
を含むデバイス製造方法において、
干渉測定システムを提供するステップであって、該干渉測定システムの少なくとも１つの反射表面は、使用中、前記少なくとも１つの反射表面に入射する干渉測定システムの干渉計放射線のビーム光路が、前記少なくとも１つの反射表面の法線に対して０．１ミリラジアンから１０ミリラジアンまでの範囲のオフセット角を有するように配列され、それによって干渉測定システム内で生成されるスプリアス放射線の干渉測定システムに対する影響が抑制されるステップと、
リソグラフィ投影装置内の、干渉測定システムの一部として干渉計放射線を反射させるための反射型エレメントを備えたオブジェクトの位置を正確に測定するステップと
を特徴とするデバイス製造方法が提供される。
【００１９】
本発明の他の観点によれば、
放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
を有するリソグラフィ投影装置を使用してデバイスを製造する方法であって、
パターン化手段を前記支持構造に提供するステップと、
放射線感応層を備えた基板を前記基板テーブルに提供するステップと、
前記基板のターゲット部分に、前記パターン化手段によってパターン化された投影ビームを照射するステップと
を含むデバイス製造方法において、
ビーム・スプリッタを備えた第１の平行表面および反射器を備えた第２の平行表面を有するプレートと、反射型エレメントで反射し、続いて前記第１の表面に入射する放射線ビームから引き出される２つのビーム部分間の干渉によって生じる信号を得るための検出器とを備えた干渉システムであって、２つのビーム部分が、第１の表面のビーム・スプリッタで反射する第１のビーム部分と、第２の表面の反射器で反射する第２のビーム部分とからなり、干渉が、プレートに入射するビームの角度によって決まる干渉測定システムを提供するステップと、
リソグラフィ投影装置内の前記反射型エレメントで反射する放射線ビームの角度を、検出器によって得られる信号に基づいて正確に測定し、それにより反射型エレメントの平面度を引き出すステップと
を特徴とするデバイス製造方法が提供される。
【００２０】
本明細書においては、本発明による装置が、とりわけＩＣの製造に使用されることについて述べているが、本発明による装置は、他の多くのアプリケーションに適用可能であることを明確に理解されたい。例えば本発明による装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用することができる。このような代替アプリケーションの文脈においては、本明細書における「レチクル」、「ウェハ」あるいは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「マスク」、「基板」および「ターゲット部分」という用語に置換されるものと見なすべきであることは、当分野の技術者には理解されよう。
【００２１】
本明細書においては、「放射線」および「ビーム」という用語は、紫外放射線（例えば、波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍの）、ＥＵＶ（極紫外放射線、例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する放射線）、およびイオン・ビームあるいは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射線を包含するものとして使用されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施態様について、単なる実施例として、添付の略図を参照して説明する。
【００２３】
図中、対応する参照記号は、対応する部品を表していることに留意されたい。
【実施例１】
【００２４】
図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ投影装置を略図で示したものである。この装置は、
放射線の投影ビームＰＢ（例えばＥＵＶ放射線）を供給するための照明システムＥｘ、ＩＬ（この特定のケースでは、放射線源ＬＡをさらに備えている）と、
マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備えた第１のオブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）ＭＴであって、干渉測定手段を使用してアイテムＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続されている第１のオブジェクト・テーブルＭＴと、
基板Ｗ（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダを備えた第２のオブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴであって、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された第２のオブジェクト・テーブルＷＴと、
マスクＭＡの照射部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイからなっている）に結像させるための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えばミラー群）と
を有している。図に示すように、この装置は反射型（例えば反射型マスクを有する）装置であるが、一般的には、例えば透過型装置（例えば透過型マスクを備えた）であっても良い。別法としては、この装置は、例えば上で参照したプログラム可能ミラー・アレイ・タイプなど、他の種類のパターン化手段を使用することも可能である。
【００２５】
放射線源ＬＡ（例えばレーザ源もしくは放電プラズマ源）は放射線ビームを生成する。この放射線ビームは、照明システム（イルミネータ）ＩＬに直接供給されるか、あるいは、例えばビーム拡大器Ｅｘなどの調整手段を介して供給される。イルミネータＩＬは、ビーム内の強度分布の外側および／または内側放射範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれている）を設定するための調整手段ＡＭを備えることができる。またイルミネータＩＬは、通常、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、他の様々なコンポーネントを備えている。この方法により、マスクＭＡに衝突するビームＰＢの断面に、所望する一様な強度分布を持たせることができる。
【００２６】
図１に関して、放射線源ＬＡをリソグラフィ投影装置のハウジング内に配置し（放射線源ＬＡが例えば水銀灯の場合にしばしば見られるように）、且つリソグラフィ投影装置から離して配置することにより、放射線源ＬＡが生成する放射線ビームをリソグラフィ投影装置に供給する（例えば適切な誘導ミラーを使用することによって）ことができることに留意されたい。この後者のシナリオは、放射線源ＬＡがエキシマ・レーザの場合にしばしば見られるシナリオである。本発明および特許請求の範囲には、これらのシナリオの両方が包含されている。
【００２７】
次に、ビームＰＢが、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡによって遮断される。マスクＭＡで選択的に反射したビームＰＢは、ビームＰＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させるレンズＰＬを通過する。第２の位置決め手段（および干渉測定手段ＩＦ）を使用することにより、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＰＢの光路中に配置するように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段を使用して、例えばマスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後、あるいは走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、オブジェクト・テーブルＭＴおよびＷＴの移動は、図１には明確に示されていないが、長ストローク・モジュール（粗位置決め）および短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現される。しかし、ウェハ・ステッパ（ステップ・アンド・スキャン装置ではない）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータに接続するだけで良く、あるいは固定することも可能である。
【００２８】
図に示す装置は、２つの異なるモードで使用することができる。
【００２９】
（１）ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは、基本的に静止状態に維持され、マスクイメージ全体がターゲット部分Ｃに１回の照射（すなわち単一「フラッシュ」で）投影される。次に、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向にシフトされ、異なるターゲット部分ＣがビームＰＢによって照射される。
【００３０】
（２）スキャン・モードでは、所与のターゲット部分Ｃが単一の「フラッシュ」に露光されない点を除き、ステップ・モードと基本的に同じシナリオが適用される。スキャン・モードでは、マスク・テーブルＭＴを所与の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に速度νで移動させることができるため、投影ビームＰＢでマスクイメージを走査し、同時に、基板テーブルＷＴを同じ方向または逆方向に、速度Ｖ＝Ｍνで移動させることができる。ＭはレンズＰＬの倍率である（通常、Ｍ＝１／４もしくはＭ＝１／５）。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きいターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３１】
本発明の実施例の理解を容易にするために、図２および図３を参照して従来の干渉計システムの構造について説明する。
【００３２】
図２は、リソグラフィ装置内の、例えば基板テーブルあるいはマスク・テーブルなどのオブジェクト１０を示したものである。オブジェクト１０は、矢印１２で示すように移動可能であり、それがこのオブジェクト１０の正確に測定すべき位置である。オブジェクト１０は、ミラーもしくは反射表面などの反射型エレメント１４を備えている。この従来の干渉計システムは、偏光ビーム・スプリッタ１８、コーナー・キューブ２０、２枚の４分の１波長板２２、２４、および４分の１波長板２４上のミラーもしくは反射コーティングなどの反射型エレメント２６を備えたモノリシック干渉計構造１６を備えている。上記反射型エレメント２６は、以下、基準反射器２６と呼ぶ。
【００３３】
この干渉計システムの動作は以下の通りである。この干渉計システムは、ヘテロダイン干渉計であり、入射光２８は、２つのビーム３０および３２からなっている。この２つのビーム３０および３２は、その周波数が例えば２ＭＨｚだけ異なっている。また、この２つのビーム３０および３２は、図２の平面内および該平面に対して直角をなす平面内で互いに直角に直線偏光されている（つまり、図２に示す軸系のＹ方向およびＺ方向に沿って偏光されている）。偏光ビーム・スプリッタに入射すると、点線で示す一方のビーム３０が、偏移することなく通過する偏光を有することになる。このビームは、次に４分の１波長板２２を通過して反射型エレメント１４で反射し、４分の１波長板２２に戻る。４分の１波長板２２に戻ったビームは、再び偏光ビーム・スプリッタ１８に入射する。反射型エレメント１４で反射して４分の１波長板２２を２回通過することにより、このビームの偏光面が回転し、今度は偏光ビーム・スプリッタ１８内で内部反射してコーナー・キューブ２０へ向かって方向が変化する。ビームは、コーナー・キューブ２０内で偏光ビーム・スプリッタ１８に向かって反射し、偏光ビーム・スプリッタ１８内で再び内部反射して可動オブジェクト１０上の反射型エレメント１４に戻る。このビームは、途中で反射型エレメント１４で反射して再び４分の１波長板２２を２回通過し、それにより偏光面が回転して今度はビーム・スプリッタ１８を透過し、射出ビーム３０’として出現する。
【００３４】
もう一方の入射ビーム３２は、破線でその概略を示す光路を辿ることになる。最初にビーム・スプリッタ１８を通過すると、第１の入射光３０に対して直交偏光であるため、下に向かって反射し、次に基準反射器２６で反射して４分の１波長板２４を２回通過する。次に、偏移することなくビーム・スプリッタ１８を通過し、コーナー・キューブ２０によって戻されて再び基準反射器２６で反射した後、ビーム・スプリッタ１８で反射して射出ビーム３２’として出現する。
【００３５】
２つの射出ビーム３０’および３２’は、依然として直交直線偏光ビームであるが、偏光の方向がビーム３０’および３２’の両方に対して４５°回転した解析偏光子（図示せず）を使用することによって干渉させることができる。その干渉によって生じる偏光子からの射出光を検出し、電気信号に変換することができる。オブジェクト１０が静止している場合、この出力信号は、例えば２ＭＨｚの周波数で発振し、理論上、大きな変調度を有している。オブジェクト１０が移動すると、２つの偏光ビーム間の光路差が変化し、したがって変調出力信号の位相がシフトする。出力信号の位相シフトを検出することにより、オブジェクトの位置の変化を正確に測定することができる。
【００３６】
望ましくない反射が生じ得るガラス−空気（または真空）界面の数を減少させる屈折率整合接着剤を使用してコンポーネントが接続されているため、図２に示すモノリシック干渉計構造１６は有利であるが、図３に示すような問題が依然として存在している。矢印４０は、４分の１波長板２２の表面で反射するビーム３０の位置を示している。無反射コーティングがすべての界面に施されている場合であっても、かなりの量の反射、例えば１％の反射が依然として生じ得る。この漂遊ビーム４０は干渉計に再入射し、最終的には射出ビーム３０’および３２’の中に混じって出現することになるが、この漂遊ビーム４０は、当然のことではあるが、オブジェクト１０上の反射型エレメント１４への光路および反射型エレメント１４からの光路のいずれか一方を横断していないため、意図する射出ビーム３０’に対して位相誤差を有しており、それが正確な位置測定における誤差の原因になっている。
【００３７】
他の問題としては、コーナー・キューブ２０によってビームの偏光面の望ましくない回転が導入される問題、および偏光ビーム・スプリッタによる直交偏光の分離が１００％有効ではない問題が含まれている。したがって、ビーム・スプリッタ１８の限界のため、あるいはその偏光がコーナー・キューブ２０によって変更されるため、図３に示すように、コーナー・キューブ２０から射出する、点線で示すビーム４２を偏光ビーム・スプリッタ１８によって完全に反射することができず、矢印４４で示すように、ビームの一部がリークする原因になっている。このリークしたビームが反射して射出ビーム３０’および３２’と共に出現することになるが、リークして反射したビームは、この場合も、オブジェクト１０上の反射型エレメント１４まで一度も往復していないため、他の界面で同様の問題が生じる可能性があり、また、もう１つの偏光ビーム（破線で示すビーム）に対しても同様の問題が生じる可能性がある。
【００３８】
図４は、モノリシック干渉計構造１６が、軸線、この実施例ではＺ軸の周りに若干の角度だけ回転オフセットした本発明の実施例を示したものである。図に示す軸系は本発明を説明するためのものであり、図１に示すリソグラフィ装置内における何らかの特定の軸系と必ずしも一致している必要はなく、単に干渉計システムの１組の主軸線、すなわち入射ビームおよび射出ビームにそれぞれ平行および直角の軸線を示したものに過ぎない。オフセット角を可変にすることも可能であり、意図されてはいるが、実際には、モノリシック干渉計構造１６の配向は工場で予め設定され、一定の角度で固定されることが好ましい。ビーム・スプリッタの正規の構成には、主軸線に対して平行および直角に向い合う平面、および部分反射（すなわちビーム分割）が生じる４５°の界面を持たせなければならないことは明らかであり、したがってこのコンポーネントの角オフセットは、その従来の状態に対して決定することができる。本明細書において説明する実施例では、入射ビーム２８とＸ軸は平行である。図４は、得られるビーム光路を略図で示したものである。分かり易くするために、オフセット角およびビームの変位は誇張されている。説明を簡単にするために、干渉計１６に入射し、且つ干渉計１６から射出するビームの屈折は無視されているが、周囲と干渉計構造１６の材料の間の屈折率の差に左右されるであろうことは当然である。しかしながら平行側面ブロックに入射するビームは、もし横方向に変位している場合であっても、必ずその入射方向に対して平行の方向に射出することになる。
【００３９】
もし干渉計１６が回転したとしても、コーナー・キューブ２０に入射したビームが、入射方向と平行且つ逆方向に出力されるというコーナー・キューブ２０の特性によって、およびビームの各々（点線で示すビームおよび破線で示すビーム）が、ビーム・スプリッタ１８および／または基準反射器２６のいずれかで反対方向に２回反射するという事実によって、干渉計は依然として動作して最終射出ビームを互いに平行に復元する。射出ビーム３０’および３２’の中心は互いにオフセットするようにシフトされているが、通常、そのオフセット量は、ビームの直径よりはるかに小さいため、依然として強い干渉を得ることができる。
【００４０】
この実施例の効果は、干渉計１６の界面、例えば４分の１波長板２２の表面などにおける望ましくないあらゆる単反射を考察すると明らかになる。干渉計１６の界面は、ビームが伝搬する方向に対して直角をなしていないため、漂遊反射は、所望のビームに対して平行ではなく、したがって検出器による測定の際の位相誤差の原因にはならない。同様に、例えばビーム・スプリッタ１８に入射し、反射型エレメント１４に向かって反射する矢印５０で示すビームを考察してみると、ビーム・スプリッタ１８におけるリークが、測定誤差の原因になるリーク・ビームをもたらすことはない。点線５２で示すこのビームのあらゆるリークは、基準反射器２６で１回だけ反射し、最終的に、矢印５４で示すように射出ビーム３０’および３２’に対して非平行にシステムから射出する。したがってスプリアス・ビーム５４の波面と所望する射出ビーム３０’および３２’の波面とが平行ではないため、検出される出力信号からスプリアス・ビーム５４が排除され、したがって検出器の総干渉面積に対して積分することにより、スプリアス・ビーム５４による影響が著しく低減される。
【００４１】
この好ましい実施例では、リーク・ビームは、所望する射出ビームに対して傾斜した波面を有しており、この傾斜した波面の角度は、ビームの直径で割った波長の少なくとも２倍である。ビームの直径は、強度がビームの中心における強度からｅ−２だけ低下する直径として捕えることができ、この基準を満足する場合、出力信号の位相に対するリーク・ビームの影響を無視することができる。事実、これは、干渉計構造１６の回転がミリラジアン程度の回転、すなわち一般的に０．２５ミリラジアンから１ミリラジアンまでの範囲の回転であることを意味している。干渉計放射線の波長は、通常、６３３ｎｍであり、ビームの直径は、約２．５ｍｍから１０ｍｍまでである。
【００４２】
この実施例の変形態様は、干渉計をＺ軸の周りではなく、Ｙ軸の周りに、あるいはＹ軸およびＺ軸の周りに回転させることによって同じ効果を達成することであろう。
【実施例２】
【００４３】
図５は、実施例２を示したもので、基準反射器２６がモノリシック干渉計構造１６に対して角度が付けられている点を除き、図２と同じである。この場合も、コーナー・キューブ２０によってビームがその入射方向に平行に戻され、且つ破線で示す偏光ビームが、傾斜した基準反射器２６で２回反射するため、所望する射出ビーム３０’および３２’が平行を維持し、且つ傾斜した基準反射器２６を１回だけ、あるいは３回以上反射するあらゆる漂遊ビームすなわちリーク・ビームが射出ビームに対して平行に射出しないため、出力信号への位相誤差の導入を排除することができる。
【００４４】
この実施例の変形態様は、Ｚ軸および／またはＸ軸の周りの回転によって基準反射器２６を傾斜させることである。
【００４５】
図６は、この実施例の他の変形態様を示したもので、基準反射器２６と同様、同じく４分の１波長板２４が傾斜している。図５および図６のいずれの場合においても、傾斜を収容するために材料の非複屈折ウェッジを包含することができ、それによって干渉計１６がモノリシック・ブロックであるように維持される。
【実施例３】
【００４６】
他の実施例は、反射型エレメント１４をＺ軸もしくはＹ軸のいずれかの周りに傾斜させることである（図示せず）が、オブジェクト１０の位置に左右される射出ビームが横方向に変位するため、それほど望ましい実施例ではない。
【００４７】
上で説明したいずれの実施例の場合も、干渉計がモノリシックである必要はなく、例えば個別の４分の１波長板および／または個別のコーナー・キューブを備えた干渉計を使用することも可能である。場合によっては、望ましくない反射表面の数が増加することになるが、それでも実施可能な設計である。
【実施例４】
【００４８】
本発明による以下の実施例は、上で説明した実施例と共に使用することも、あるいは個別に使用することもできる。
【００４９】
干渉計を使用してオブジェクトの位置を正確に測定する場合、そのオブジェクト上のミラーの非平面度を測定することが重要である。図７は、位置を正確に測定すべきオブジェクトがウェハ・ステージ６０である従来の構造を示したものである。Ｘ方向およびＹ方向の位置を正確に測定するための２つの干渉計システム６２、６４が提供されている。干渉計システム６２、６４の各々は、実際に２つの干渉計を備えており、また２つの異なる位置でそれぞれのミラー６６、６８へ送られて反射される干渉計ビームを表した矢印で示されるように、Ｘ方向およびＹ方向それぞれの異なる２つの位置でウェハ・ステージ６０の位置を測定する。この構造により、ウェハ・ステージ６０の回転を測定することもできる。
【００５０】
ミラー６６および６８の各々の平面度を正確に測定するために、最初にＸ方向の位置を一定に維持した状態で、そして次にＹ方向の位置を一定に維持した状態でウェハ・ステージ６０が走査され、それによって干渉計システム６２、６４の干渉計の対により測定したわずかな距離の差に基づいて、各々のミラーの平面度パターンのマップが作成される。
【００５１】
代替案は、ミラーの特定の位置で反射する光ビームの角度を正確に測定することによって平面度をより直接的に測定することである。そのための方法がいくつか提案されているが、嵩張り、またリソグラフィ装置内への収納が極めて困難であるという欠点があったり、光学コンポーネントが複雑且つ高価であるという欠点がある。
【００５２】
図８の（ａ）および（ｂ）は、ミラーの特定の位置におけるビームの角度、したがってその平面度を測定するための本発明による実施例を示したものである。ビーム７０が干渉計ミラーを照射し、ミラーで特定の角度で反射する。反射したビーム７０は、例えばガラス製もしくはシリカ製の、平行側面プレート７２に向かって導かれる。プレート７２の前面７２．１は、偏光ビーム・スプリッタなどのビーム・スプリッタを備えており、プレート７２の背面７２．２はミラーを備えている（プレート７２の表面にミラー特性を付与するためのコーティングについては、当分野で良く知られている）。したがってビームの一部７４がプレート７２の前面７２．１で反射し、プレート７２の前面７２．１上のビーム・スプリッタで反射しないビームの残りの部分が、プレート７２の背面７２．２のミラーで反射し、ビーム部分７６として出現する。干渉パターンは、ビーム部分７４とビーム部分７６の間に生成される。図８の（ａ）および（ｂ）を比較すると分かるように、ビーム７０の角度が変化するとジオメトリーが変化し、したがって干渉が変化する。この場合の動作上の２つの作用は以下の通りである。第１に、ビーム７０の角度が変化し、ビーム部分７４の中心とビーム部分７６の中心の間の間隔ｄが変化して異なる範囲までオーバラップする。第２に、ビーム部分７４とビーム部分７６の間の光路差の変化により、それらの間の位相差が変化する。図８（ａ）および（ｂ）では、ビーム線が、個々のビームおよびビーム部分７０、７４および７６の中心のみを示していることに留意されたい。実際にはビームは比較的広く、例えばプレート７２の厚さと同様の幅を有しているため、干渉ビーム部分７４と干渉ビーム部分７６の間にはかなりのオーバラップが存在している。特定の一実施例では、ビーム７０の幅は９ｍｍであり、平行側面プレート７２の厚さは約８ｍｍである。ビーム部分７４とビーム部分７６の間の干渉の変化は、例えばマイクロラジアン程度の角精度で正確に測定すべきミラー６６、６８などの干渉計ミラーの表面の角度の変動を可能にする。
【００５３】
図９は、既に設けられている通常の距離測定干渉計の１つの中に本発明を構築することによって本発明を実施する特定の方法を示したものである。ビーム・スプリッタ７８は、干渉計ビームの各々の微小部分を分割し、分割した微小部分を平行側面プレート７２に向けて導いている。プレート７２で反射した光は、レンズ８０によって集束され、光ファイバ８２に結合される。干渉計システム６２の検出器によって光ファイバ８２中の光の振幅が測定され、測定した振幅からプレート７２に入射した光の角度に関する所望の情報が得られる。したがって特定の位置におけるミラー６６の角度を正確に測定することができ、したがってミラー６６の平面度をマップすることができる。すなわち、ミラー６６の局部角度が測定され、ミラー上の位置を関数とした局部角度の変動（振幅）から平面度が引き出される。
【００５４】
本発明によるこの実施例の角測定干渉計は、図７に示す複数の干渉計のうちの１つの干渉計にのみ提供してもよく、あるいは複数の干渉計に提供してもよい。また、リソグラフィ投影装置内の別の場所に提供することも可能である。別法としては、当然のことではあるが、必ずしも既存の距離測定干渉計のうちの１つから角測定干渉計のための放射線をもたらす必要はなく、専用の放射線源を持たせることも可能である。
【００５５】
以上、ウェハ・ステージ６０を測定するための構造を参照して説明したが、本発明によるすべての実施例は、リソグラフィ投影装置の様々な干渉測定システム、例えば基板に対するマスクの正確な位置合せ、基板の特定のターゲット領域に導く際の投影ビームに対する基板および／またはマスクの正確なレベリング、および基板および／またはマスク・ステージの位置、速度および／または加速度の正確な測定のための干渉測定システムに使用することができる。
【００５６】
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。以上の説明は、本発明を制限することを意図したものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置を示す図である。
【図２】従来の干渉測定システムの構造を示す図である。
【図３】従来の干渉測定システムの構造を示す他の図である。
【図４】本発明の一実施例による、モノリシック干渉計ブロックがオフセット角を有している干渉測定システムの構造を示す図である。
【図５】本発明の他の実施例による、基準反射器がオフセット角を有している干渉測定システムの構造を示す図である。
【図６】本発明の他の実施例による、基準反射器がオフセット角を有している干渉測定システムの構造を示す他の図である。
【図７】従来の干渉測定システムの構造を示す図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、本発明の他の実施例による干渉測定システムの平行側面プレートの動作を示す図である。
【図９】本発明を使用したリソグラフィ投影装置の角度依存型干渉測定システムに使用されている、図８の（ａ）および８（ｂ）に示す平行側面プレートを示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０ オブジェクト
１２ オブジェクトの正確に測定すべき位置
１４、２６ 反射型エレメント（基準反射器）
１６ モノリシック干渉計構造
１８、７８ 偏光ビーム・スプリッタ
２０ コーナー・キューブ
２２、２４ ４分の１波長板
２８ 入射光
３０、３２ 入射光を構成しているビーム
３０’、３２’ 射出ビーム
４０ ４分の１波長板２２の表面で反射するビームの位置（漂遊ビーム）
５４ スプリアス・ビーム
６０ ウェハ・ステージ
６２、６４ 干渉計システム
６６、６８ ミラー
７０ ビーム
７２ 平行側面（ｐａｒａｌｌｅｌ ｓｉｄｅｄ）プレート
７２．１ プレート７２の前面
７２．２ プレート７２の背面
７４ プレート７２の前面で反射するビームの一部
７６ プレート７２の背面で反射するビーム部分
８０ レンズ
８２ 光ファイバ
ＡＭ 調整手段
Ｃ ターゲット部分
ＣＯ コンデンサ
ｄ ビーム部分７４の中心とビーム部分７６の中心の間の間隔
Ｅｘ、ＩＬ 照明システム（イルミネータ、ビーム拡大器）
ＩＦ 干渉測定手段
ＩＮ インテグレータ
ＬＡ 放射線源
ＭＡ マスク
ＭＴ 第１のオブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）
ＰＢ 放射線の投影ビーム
ＰＬ 投影システム（レンズ）
Ｗ 基板
ＷＴ 第２のオブジェクト・テーブル（基板テーブル） 
【図１】
2008177561.tif 000003
【図２】
2008177561.tif 000004
【図３】
2008177561.tif 000005
【図４】
2008177561.tif 000006
【図５】
2008177561.tif 000007
【図６】
2008177561.tif 000008
【図７】
2008177561.tif 000009
【図８】
2008177561.tif 000010
【図９】
2008177561.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置であって、
放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
前記リソグラフィ投影装置内の反射型エレメントで反射する放射線ビームの角度を正確に測定し、それによって前記反射型エレメントの平面度を得ることができる干渉測定システムと
を有するリソグラフィ投影装置において、
前記干渉測定システムが、ビーム・スプリッタを備えた第１の平行表面および反射器を備えた第２の平行表面を有するプレートと、前記反射型エレメントにより反射された後に前記第１の表面に入射する前記放射線ビームから得られる２つのビーム部分間の干渉によって生じる信号を得るための検出器とを有し、前記２つのビーム部分が、前記第１の表面の前記ビーム・スプリッタで反射される第１のビーム部分と、前記第２の表面の前記反射器で反射される第２のビーム部分とを含むことを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記検出器に放射線を伝えるための光ファイバと、前記第１および第２のビーム部分を前記プレートから前記光ファイバに結合するためのレンズとをさらに有する請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
前記反射型エレメントで反射された前記放射線ビームが、前記リソグラフィ投影装置の他の干渉計のための放射線であり、また前記放射線の一部を分割して前記プレートに向けて導くビーム・スプリッタが設けられたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
放射線の投影ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するように機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ投影装置を使用してデバイスを製造する方法であって、
パターン化手段を前記支持構造に提供するステップと、
放射線感応層を備えた基板を前記基板テーブルに提供するステップと、
前記基板のターゲット部分に、前記パターン化手段によってパターン化された前記投影ビームを照射するステップと
を含むデバイス製造方法において、
ビーム・スプリッタを備えた第１の平行表面および反射器を備えた第２の平行表面を有するプレートと、反射型エレメントで反射された後に前記第１の表面に入射する放射線ビームから得られる２つのビーム部分間の干渉によって生じる信号を得るための検出器とを有する干渉測定システムであって、前記２つのビーム部分が、前記第１の表面の前記ビーム・スプリッタで反射される第１のビーム部分と、前記第２の表面の前記反射器で反射される第２のビーム部分とを含み、前記干渉が、前記プレートに入射するビームの角度によって決まる干渉測定システムを提供するステップと、
前記リソグラフィ投影装置内の前記反射型エレメントにより反射される前記放射線ビームの角度を、前記検出器によって得られる前記信号に基づいて正確に測定し、それによって前記反射型エレメントの平面度を得るステップと
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。