(57)【要約】【課題】スライダ本体に対する読み出し配線の容量を簡単に調整することができる磁気ヘッドを提供する。【解決手段】下部シールド層５４や上部シールド層５３は読み出し素子５２に電気接続される。下部シールド層５４や上部シールド層５３は読み出し配線を構成する。下部シールド層５４およびスライダ本体３１の間には第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂが配置される。第２絶縁層５１ｂは、第１絶縁層５１ａの第１比誘電率と異なる第２比誘電率を有する。第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂの比誘電率や厚みが調整されれば、絶縁層５１の比誘電率は変化する。下部シールド層５４およびスライダ本体３１の間で容量は変化する。スライダ本体３１に対する読み出し配線の容量は簡単に調整される。例えば読み出し配線の容量は相互に合わせ込まれる。スライダ本体３１でノイズが発生しても、高い精度で磁気情報が読み出されることができる。【選択図】図４
2008059641.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子とを備え、下部シールド層およびスライダ本体の間には、第１比誘電率を有して第１厚みに形成される第１絶縁層と、第１比誘電率よりも大きい第２比誘電率を有して第２厚みに形成される第２絶縁層とが配置されることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子とを備え、下部シールド層およびスライダ本体の間には、第１比誘電率を有して第１厚みに形成される第１絶縁層と、第１比誘電率よりも大きい第２比誘電率を有して第２厚みに形成される第２絶縁層とが配置される磁気ヘッドが組み込まれたことを特徴とする記録媒体駆動装置。
【請求項３】
スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子と、上部シールド層に平行な一面に沿って広がる書き込み用の磁極層とを備え、磁極層および上部シールド層の間には、第１比誘電率を有して第１厚みに形成される第１絶縁層と、第１比誘電率よりも大きい第２比誘電率を有して第２厚みに形成される第２絶縁層とが配置されることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子と、上部シールド層に平行な一面に沿って広がる書き込み用の磁極層とを備え、磁極層および上部シールド層の間には、第１比誘電率を有して第１厚みに形成される第１絶縁層と、第１比誘電率よりも大きい第２比誘電率を有して第２厚みに形成される第２絶縁層とが配置される磁気ヘッドが組み込まれたことを特徴とする記録媒体駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記録媒体駆動装置に組み込まれる磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＨＤＤのヘッドスライダでは、スライダ本体の空気流出側端面にヘッド素子内蔵膜が積層される。ヘッド素子内蔵膜には磁気ヘッドが埋め込まれる。磁気ヘッドは読み出しヘッドを備える。読み出しヘッドは、下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に電気接続される例えばトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子とを備える。下部シールド層および上部シールド層には引き出し線が個別に電気接続される。引き出し線および下部シールド層で一方の読み出し配線が構成される。引き出し線および上部シールド層で他方の読み出し配線が構成される。
【特許文献１】特許第２７４１８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ヘッドスライダではスライダ本体はグラウンドとして機能する。スライダ本体に対して読み出し配線の容量が特定される。スライダ本体では例えば外部からの電磁波に基づきノイズが発生する。仮に一方の読み出し配線の容量と他方の読み出し配線の容量とが異なる場合、ノイズの発生に基づき読み出し配線同士の間で電位差が生じてしまう。この電位差がＴＭＲ素子の抵抗変化に基づく電位差と重なると、ＴＭＲ素子の抵抗変化は正確に検出されることができない。磁気情報は正確に読み出されることができない。
【０００４】
その一方で、読み出し配線同士の間で容量が等しく設定されると、ノイズの発生にも拘わらず読み出し配線同士の間で電位差は生じない。こういった容量の設定にあたって、従来のヘッドスライダでは例えば上部シールドおよびスライダ本体の距離が変更される。こうして容量は等しく設定されることができる。しかしながら、距離の変更はヘッドスライダの浮上量や磁気特性の変更を引き起こす。ヘッドスライダは大幅に設計し直されなければならない。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、スライダ本体に対する読み出し配線の容量を簡単に調整することができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子とを備え、下部シールド層およびスライダ本体の間には、第１比誘電率を有して第１厚みに形成される第１絶縁層と、第１比誘電率よりも大きい第２比誘電率を有して第２厚みに形成される第２絶縁層とが配置されることを特徴とする磁気ヘッドが提供される。
【０００７】
こうした磁気ヘッドでは、下部シールド層や上部シールド層は読み出し素子に電気接続される。こうして下部シールド層や上部シールド層はともに読み出し配線を構成する。下部シールド層およびスライダ本体の間には第１絶縁層および第２絶縁層が配置される。第２絶縁層は、第１絶縁層の第１比誘電率よりも大きい第２比誘電率を有する。こうして第１絶縁層および第２絶縁層の比誘電率や厚みが調整されれば、下部シールド層およびスライダ本体の間で絶縁層の比誘電率は変化する。その結果、下部シールド層およびスライダ本体の間で容量は変化する。こうしてスライダ本体に対する読み出し配線の容量は簡単に調整されることができる。例えば読み出し配線の容量は相互に合わせ込まれることができる。スライダ本体でノイズが発生しても、高い精度で磁気情報が読み出されることができる。
【０００８】
しかも、第１絶縁層および第２絶縁層の総膜厚は、下部シールド層およびスライダ本体の間に配置されるこれまで絶縁層の膜厚と同等に維持されることができる。磁気ヘッドでは下部シールド層およびスライダ本体の距離はこれまで通りに維持されることができる。下部シールド層や上部シールド層の形状や大きさはこれまで通りに維持されることができる。磁気ヘッドは新たに設計し直される必要はない。こういった磁気ヘッドは記録媒体駆動装置に組み込まれてもよい。
【０００９】
第２発明によれば、スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子と、上部シールド層に平行な一面に沿って広がる書き込み用の磁極層とを備え、磁極層および上部シールド層の間には、第１比誘電率を有して第１厚みに形成される第１絶縁層と、第１比誘電率よりも大きい第２比誘電率を有して第２厚みに形成される第２絶縁層とが配置されることを特徴とする磁気ヘッドが提供される。
【００１０】
こうした磁気ヘッドでは、前述と同様に、下部シールド層や上部シールド層は読み出し素子に電気接続される。こうして下部シールド層や上部シールド層はともに読み出し配線を構成する。上部シールド層に平行な一面に沿って書き込み用の磁極層が広がる。磁極層および上部シールド層の間には第１絶縁層および第２絶縁層が配置される。第２絶縁層は、第１絶縁層の第１比誘電率よりも大きい第２比誘電率を有する。こうして第１絶縁層および第２絶縁層の比誘電率や厚みが調整されれば、磁極層および上部シールド層の間で絶縁層の比誘電率は変化する。その結果、磁極層および上部シールド層の間で容量は変化する。こうしてスライダ本体に対する読み出し配線の容量は簡単に調整されることができる。例えば読み出し配線の容量は相互に合わせ込まれることができる。スライダ本体でノイズが発生しても、高い精度で磁気情報が読み出されることができる。
【００１１】
しかも、第１絶縁層および第２絶縁層の総膜厚は、磁極層および上部シールド層の間に配置されるこれまで絶縁層の膜厚と同等に維持されることができる。磁気ヘッドでは磁極層および上部シールド層の距離はこれまで通りに維持されることができる。下部シールド層や上部シールド層の形状や大きさはこれまで通りに維持されることができる。磁気ヘッドは新たに設計し直される必要はない。こういった磁気ヘッドは記録媒体駆動装置に組み込まれてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように本発明によれば、スライダ本体に対する読み出し配線の容量を簡単に調整することができる磁気ヘッドが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１４】
図１は記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。筐体本体１２は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。筐体本体１２には蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。カバーと筐体本体１２との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１５】
収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。
【００１６】
収容空間にはヘッドアクチュエータ部材すなわちキャリッジ１５がさらに収容される。キャリッジ１５はキャリッジブロック１６を備える。キャリッジブロック１６は、垂直方向に延びる支軸１７に回転自在に連結される。キャリッジブロック１６には、支軸１７から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１８が区画される。キャリッジブロック１６は例えば押し出し成形に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１７】
個々のキャリッジアーム１８の先端には、キャリッジアーム１８から前方に延びるヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９の先端にはいわゆるジンバルばね（図示されず）が接続される。ジンバルばねの表面に浮上ヘッドスライダ２１は固定される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２１はヘッドサスペンション１９に対してその姿勢を変化させることができる。浮上ヘッドスライダ２１には後述の磁気ヘッドが搭載される。
【００１８】
磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション１９の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
【００１９】
こういった浮上ヘッドスライダ２１の浮上中にキャリッジ１５が支軸１７回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２１上の磁気ヘッドは最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２１上の磁気ヘッドは目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００２０】
キャリッジブロック１６には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２２といった動力源が接続される。このＶＣＭ２２の働きでキャリッジブロック１６は支軸１７回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１６の回転に基づきキャリッジアーム１８およびヘッドサスペンション１９の揺動は実現される。
【００２１】
キャリッジブロック１６上には、プリント基板すなわちフレキシブルプリント基板２３が配置される。フレキシブルプリント基板２３にはヘッドＩＣ（集積回路）すなわちプリアンプＩＣ２４が実装される。磁気情報の読み出し時には、このプリアンプＩＣ２４から磁気ヘッドの読み出しヘッドに向けてセンス電流は供給される。
【００２２】
同様に、磁気情報の書き込み時には、プリアンプＩＣ２４から磁気ヘッドの書き込みヘッドに向けて書き込み電流は供給される。フレキシブルプリント基板２３上のプリアンプＩＣ２４には、収容空間内に配置される小型の回路基板２５や、本体筐体１２の底板の裏側に取り付けられるプリント配線基板（図示されず）からセンス電流や書き込み電流は供給される。
【００２３】
こうしたセンス電流や書き込み電流の供給にあたってフレキシブルプリント基板２６が用いられる。フレキシブルプリント基板２６は個々の浮上ヘッドスライダ２１ごとに配置される。フレキシブルプリント基板２６は、例えばステンレス鋼といった金属薄板と、金属薄板上に順番に積層される絶縁層、導電層および保護層とを備える。導電層は、フレキシブルプリント基板２６上で延びる配線パターン（図示されず）を構成する。導電層には例えばＣｕといった導電材料が用いられればよい。絶縁層および保護層には例えばポリイミド樹脂といった樹脂材料が用いられればよい。
【００２４】
フレキシブルプリント基板２６上の配線パターンは浮上ヘッドスライダ２１に接続される。フレキシブルプリント基板２６はヘッドサスペンション１９からキャリッジアーム１８の側面に沿って後方に延びる。フレキシブルプリント基板２６は他端でフレキシブルプリント基板２３に連結される。配線パターンはフレキシブルプリント基板２３上の配線パターン（図示されず）に接続される。こうして浮上ヘッドスライダ２１およびフレキシブルプリント基板２３は電気接続される。
【００２５】
図２は浮上ヘッドスライダ２１の一具体例を示す。この浮上ヘッドスライダ２１は、例えば平たい直方体に形成されるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）製のスライダ本体３１を備える。このスライダ本体３１の空気流出側端面には、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）から構成されるヘッド素子内蔵膜３２が積層される。ヘッド素子内蔵膜３２に前述の磁気ヘッド３３は埋め込まれる。スライダ本体３１は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１３に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１３が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３５が作用する。
【００２６】
スライダ本体３１の浮上面３４には、前述の気流３５の上流側すなわち空気流入側でベース面から立ち上がる１筋のフロントレール３６と、気流３５の下流側すなわち空気流出側でベース面から立ち上がるリアセンターレール３７と、空気流出側でベース面から立ち上がる１対のリアサイドレール３８、３８とが形成される。フロントレール３６、リアセンターレール３７およびリアリアサイドレール３８、３８の頂上面にはいわゆるＡＢＳ（空気軸受け面）３９、４１、４２が規定される。ＡＢＳ３９、４１、４２の空気流入端は段差４３、４４、４５でレール３６、３７、３８の頂上面に接続される。
【００２７】
磁気ディスク１３の回転に基づき生成される気流３５は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差４３、４４、４５の働きでＡＢＳ３９、４１、４２には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３６の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２１の浮上姿勢は確立される。
【００２８】
磁気ヘッド３３の読み出しギャップや書き込みギャップはリアセンターレール３７のＡＢＳ４１で露出する。ただし、ＡＢＳ４１の表面には、磁気ヘッド３３の前端に覆い被さるＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜が形成されてもよい。磁気ヘッド３３の詳細は後述される。なお、浮上ヘッドスライダ２１の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００２９】
この浮上ヘッドスライダ２１では、ＡＢＳ４１、４２に比べてＡＢＳ３９で大きな正圧すなわち浮力が生成される。したがって、スライダ本体３１が磁気ディスク１３の表面から浮上すると、スライダ本体３１はピッチ角αの傾斜姿勢で維持されることができる。ここで、ピッチ角αとは、気流の流れ方向に沿ったスライダ本体３１の前後方向の傾斜角をいう。
【００３０】
図３は浮上面３４の様子を詳細に示す。磁気ヘッド３３は書き込みヘッド４７と読み出しヘッド４８とを備える。書き込みヘッド４７は、周知の通り、例えば磁気コイルで生起される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書き込むことができる。読み出しヘッド４８には、例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子やトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子といった磁気抵抗効果（ＭＲ）素子が用いられればよい。読み出しヘッド４８は、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。
【００３１】
書き込みヘッド４７および読み出しヘッド４８は絶縁層５１上に形成される。絶縁層５１は、第１厚みに形成される第１絶縁層５１ａと第２厚みに形成される第２絶縁層５１ｂとから構成される。スライダ本体３１の空気流出側端面に第１絶縁層５１ａが積層形成される。第１絶縁層５１ａの表面に第２絶縁層５１ｂが積層形成される。第１絶縁層５１ａは第１比誘電率の誘電体から形成されればよい。第２絶縁層５１ｂは、第１比誘電率と異なる第２比誘電率の誘電体から形成されればよい。誘電体にはＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２が含まれることができる。
【００３２】
第１および第２比誘電率は、後述のスライダ本体３１に対する読み出し配線の容量に応じて調整されればよい。ここでは、第１比誘電率は第２比誘電率より大きく設定されればよい。後述されるように、第１および第２比誘電率は例えばＡｌ２Ｏ３の積層方法の違いに基づき設定されればよい。その他、第１および第２比誘電率の設定にあたって、例えば第１絶縁層５１ａがＡｌ２Ｏ３から構成され、第２絶縁層５１ｂがＳｉＯ２から構成されてもよい。
【００３３】
読み出しヘッド４８では、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子といった読み出し素子すなわち磁気抵抗効果膜５２が上下１対の導電層すなわち上部シールド層５３および下部シールド層５４の間に配置される。上部シールド層５３は下部シールド層５４に平行な一面に沿って広がる。上部および下部シールド層５３、５４は例えばＦｅＮやＮｉＦｅといった磁性材料から構成されればよい。下部シールド層５４およびスライダ本体３１の間には前述の絶縁層５１が配置される。
【００３４】
磁気抵抗効果膜５２には例えばトンネル接合膜やスピンバルブ膜が利用されればよい。トンネル接合膜では、反強磁性層、固定側強磁性層、絶縁層および自由側強磁性層が順番に積層される。その一方で、スピンバルブ膜では、反強磁性層、固定側強磁性層、導電層および自由側強磁性層が順番に積層される。
【００３５】
磁気抵抗効果膜５２は、下部シールド層５４の表面に覆い被さる例えばＡｌ２Ｏ３製の絶縁層５５内に埋め込まれる。上部シールド層５３は絶縁層５５の表面に沿って広がる。下部シールド層５４は絶縁層５１の表面に沿って広がる。磁気抵抗効果膜５２は下部シールド層５４および上部シールド層５３に個別に電気接続される。上部シールド層５３および下部シールド層５４同士の間隔は磁気ディスク１３上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
【００３６】
書き込みヘッド４７は、ＡＢＳ４１で前端を露出させる導電層すなわち上部磁極層５６および下部磁極層５７とを備える。上部磁極層５６および下部磁極層５７は書き込み用の磁極層を構成する。下部磁極層５７は上部シールド層５３に平行な一面に沿って広がる。下部磁極層５７上には前端でＡＢＳ４１に露出する磁極端層５８が形成される。上部磁極層５６、下部磁極層５７および磁極端層５８は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部磁極層５６、下部磁極層５７および磁極端層５８は協働して書き込みヘッド４７の磁性コアを構成する。
【００３７】
磁極端層５８は上部磁極層５６に向き合わせられる。上部磁極層５６および磁極端層５８の間には例えばＡｌ２Ｏ３製の非磁性ギャップ層５９が挟み込まれる。周知の通り、後述の磁気コイルで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層５９の働きで、上部磁極層５６と下部磁極層５７とを行き交う磁束は浮上面３４から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束がギャップ磁界すなわち記録磁界を形成する。
【００３８】
図４を併せて参照し、下部磁極層５７は、上部シールド層５３上に均一な厚みで積層形成される非磁性層すなわち絶縁層６１上に形成される。絶縁層６１は上部シールド層５３と下部磁極層５７との間で磁気的な結合を断ち切る。下部磁極層５７上には、絶縁層６２に埋め込まれた磁気コイルすなわち薄膜コイル６３が形成される。非磁性ギャップ層５９の表面には前述の上部磁極層５６が形成される。上部磁極層５６の後端は薄膜コイル６３の中心位置で下部磁極層５７の後端に磁気的に連結される。こうして上部磁極層５６と下部磁極層５７とは、薄膜コイル６３の中心位置を貫通する磁性コアを形成する。
【００３９】
上部シールド層５３および下部シールド層５４の間には第１引き出し線６４および第２引き出し線６５が配置される。第１引き出し線６４および第２引き出し線６５は絶縁層５５内に埋め込まれる。第１引き出し線６４は上部シールド層５３に電気接続される。第２引き出し線６５は下部シールド層５４に電気接続される。後述されるように、第１引き出し線６４および第２引き出し線６５から上部シールド層５３および下部シールド層５４にセンス電流は供給される。
【００４０】
前述の絶縁層５１はスライダ本体３１の空気流出側端面の全面に積層形成される。その結果、絶縁層５１は下部シールド層５４より大きく広がる。こうして絶縁層５１すなわち第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂは第１引き出し線６４およびスライダ本体３１の間に配置される。同様に、第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂは第２引き出し線６５およびスライダ本体３１の間に配置される。
【００４１】
図５に示されるように、浮上ヘッドスライダ２１の空気流出側端面すなわちヘッド素子内蔵膜３２の表面には第１電極端子６６および第２電極端子６７が配置される。第１電極端子６６は前述の第１引き出し線６４に電気接続される。その一方で、第２電極端子６７は前述の第２引き出し線６５に電気接続される。第１電極端子６６および第２電極端子６７はフレキシブルプリント基板２６上の配線パターンに電気接続される。ここで、第１引き出し線６４および上部シールド層５３は第１読み出し配線を構成する。第２引き出し線６５および下部シールド層５４は第２読み出し配線を構成する。
【００４２】
読み出しヘッド４８の磁気抵抗効果膜５２には第１電極端子６６からセンス電流が供給される。磁気抵抗効果膜５２から第２電極端子６７にセンス電流は流通する。磁気抵抗効果膜５２では磁気ディスク１３から作用する磁界に基づき抵抗変化が引き起こされる。その結果、第１および第２読み出し配線ではセンス電流の電圧すなわち電位差が変化する。こうした変化がプリアンプＩＣ２４で取り出される。こうして磁気ディスク１３から２値情報は読み出される。
【００４３】
書き込みヘッド４７の下部磁極層５７は引き出し線６８でスライダ本体３１に電気接続される。こうしてスライダ本体３１はグラウンドとして機能する。なお、ヘッド素子内蔵膜３２の表面にはさらに１対の電極端子（図示されず）が配置される。この電極端子は引き出し線に基づき書き込みヘッド４７の薄膜コイル６３に接続される。こうして薄膜コイル６３に書き込み電流が供給される。
【００４４】
こういった磁気ヘッド３３では、スライダ本体３１に対する第１読み出し配線の容量とスライダ本体３１に対する第２読み出し配線の容量とは一致する。ここで、第１読み出し配線の容量は、第１引き出し線６４およびスライダ本体３１の間の容量と、上部シールド層５３および下部磁極層５７の間の容量とで決定される。第２読み出し配線の容量は、第２引き出し線６５およびスライダ本体３１の間の容量と、下部シールド層５４およびスライダ本体３１の間の容量とで決定される。
【００４５】
以上のような浮上ヘッドスライダ２１では、下部シールド層５４およびスライダ本体３１の間には、比誘電率の異なる第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂが配置される。例えば第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂの比誘電率や厚みが調整されれば、下部シールド層５４およびスライダ本体３１の間で絶縁層５１の比誘電率は変化する。下部シールド層５４およびスライダ本体３１の間で容量は変化する。こうして第１読み出し配線の容量と第２読み出し配線の容量とは簡単に調整されることができる。第１読み出し配線の容量と第２読み出し配線の容量とは合わせ込まれることができる。スライダ本体３１でノイズが発生しても、第１読み出し配線および第２読み出し配線に基づき高い精度で２値情報が読み出される。
【００４６】
ここで、絶縁層５１は第１引き出し線６４およびスライダ本体３１の間、第２引き出し線６５およびスライダ本体３１の間にも配置される。しかしながら、絶縁層５１および第１引き出し線６４の間、絶縁層５１および第２引き出し線６５の間には絶縁層５５が配置される。こうした絶縁層５５の働きで絶縁層５１および第１引き出し線６４の間や、絶縁層５１および第２引き出し線６５の間には所定の距離が確保される。その結果、絶縁層５１の働きは第１引き出し線６４およびスライダ本体３１の間の容量や第２引き出し線６５およびスライダ本体３１の間の容量にほとんど影響しない。
【００４７】
磁気抵抗効果膜５２には例えばＴＭＲ素子が用いられる。ＴＭＲ素子では非常に高い抵抗が設定される。ＴＭＲ素子は電位差の変化の影響を受けやすい。したがって、本発明はＴＭＲ素子に特に有効に適用されることができる。しかも、絶縁層５１の膜厚はこれまで通りの膜厚と同等に維持されることができる。磁気ヘッド３３では下部シールド層５４およびスライダ本体３１の距離はこれまで通りに維持されることができる。浮上ヘッドスライダ２１は新たに設計し直される必要はない。浮上ヘッドスライダ２１の浮上量の変化や磁気特性の変化は回避される。
【００４８】
以上のような浮上ヘッドスライダ２１の製造にあたって、例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ製のウエハが用意される。ウエハはスライダ本体３１を構成する。ウエハの表面には、絶縁層５１が形成される。第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂの形成にあたって例えばスパッタリングが用いられればよい。例えば第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂに例えばＡｌ２Ｏ３が用いられる場合、比誘電率の調整にあたってスパッタリングの成膜速度が調整されればよい。その後、第２絶縁層５１ｂの表面には、これまでと同様に、下部シールド層５４や磁気抵抗効果膜５２、上部シールド層５３が形成されればよい。
【００４９】
本発明者は、絶縁層５１の第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂの厚みと読み出し配線の容量との関係を検証した。検証にあたってシミュレーションが実施された。第１絶縁層５１ａのＡｌ２Ｏ３では比誘電率は８．５に設定された。第２絶縁層５１ｂのＡｌ２Ｏ３では比誘電率は６．５に設定された。絶縁層５１の膜厚は一定に維持された。このとき、絶縁層５１内で第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂの膜厚が調整された。第１読み出し配線の容量および第２読み出し配線の容量の比率が算出された。
【００５０】
その結果、図６に示されるように、絶縁層５１内で第１絶縁層５１ａが例えば４割程度の膜厚に設定されると、第１読み出し配線の容量と第２読み出し配線の容量とは一致した。第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂの膜厚の増減に基づき容量の比率は増減した。したがって、絶縁層５１内で第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂの膜厚や比誘電率が調整されれば、スライダ本体３１に対する第１読み出し配線の容量とスライダ本体３１に対する第２読み出し配線の容量とが調整されることが確認された。
【００５１】
図７に示されるように、ヘッド素子内蔵膜３２には、前述の磁気ヘッド３３に代えて、磁気ヘッド３３ａが埋め込まれてもよい。この磁気ヘッド３３ａでは、前述の絶縁層６１は、第１厚みに形成される第１絶縁層６１ａと第２厚みに形成される第２絶縁層６１ｂとから構成される。第１絶縁層６１ａは第１比誘電率の誘電体から形成されればよい。第２絶縁層６１ｂは、例えば第１比誘電率と異なる第２比誘電率の誘電体から形成されればよい。
【００５２】
第１絶縁層６１ａは上部シールド層５３の表面に形成される。第２絶縁層６１ｂは第１絶縁層６１ａの表面に形成される。下部磁極層５７は第１絶縁層６１ａの表面に受け止められる。ただし、第１絶縁層６１ａが第２絶縁層６１ｂの表面に形成されてもよい。前述の絶縁層５１は単層のＡｌ２Ｏ３膜から構成されればよい。その他、前述の磁気ヘッド３３と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００５３】
こうして例えば第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂの比誘電率や厚みが調整されれば、下部磁極層５７および上部シールド層５３の間で絶縁層６１の比誘電率が変化する。こうして下部磁極層５７および上部シールド層５３の間で容量は変化する。その結果、第１読み出し配線の容量と第２読み出し配線の容量とは調整される。第１読み出し配線の容量と第２読み出し配線の容量とは合わせ込まれることができる。こうして前述と同様の作用効果が実現されることができる。
【００５４】
以上のような磁気ヘッド３３では、絶縁層５１、６１は３層以上の絶縁層から積層形成されてもよい。このとき、各層では比誘電率および厚みが調整されればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に係る記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図３】媒体対向面すなわち空気軸受け面（ＡＢＳ）から観察される読み出し書き込みヘッドの拡大正面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図である。
【図５】配線パターンおよび電極端子の構造を概念的に示す浮上ヘッドスライダの拡大部分斜視図である。
【図６】容量の比率と絶縁層に対する第２絶縁層の比率との関係を示すグラフである。
【図７】図４に対応し、他の具体例に係る浮上ヘッドスライダの断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１  記録媒体駆動装置（ハードディスク駆動装置）、３１  スライダ本体、３３  磁気ヘッド、５１ａ、６１ａ  第１絶縁層、５１ｂ、６１ｂ  第２絶縁層、５２  読み出し素子、５３  上部シールド層、５４  下部シールド層、５７  磁極層（下部磁極層）、６４  第１引き出し線、６５  第２引き出し線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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