(57)【要約】【課題】気密性が高いものを低コストで製造することが容易な気密封止用パッケージを得ること。【解決手段】メタライズ層を有する電子部品実装用のセラミック基板１０と、このセラミック基板上にはんだ付けされたシールリング２０と、このシールリング上に固着される蓋体２５とを備え、上記のキャビティに電子部品を実装した後に蓋体がシールリングに固着される気密封止用パッケージ３０を構成するにあたり、シールリングにおけるセラミック基板側の表面をセラミック基板側に凸の曲面にするか、またはシールリングにおけるセラミック基板側の表面と周面との稜を丸面取り形状にする。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面にメタライズ層を有する電子部品実装用のセラミック基板と、前記メタライズ層上にはんだ付けされたシールリングと、該シールリングに固着される蓋体とを備え、
前記シールリングにおける前記セラミック基板側の表面が前記セラミック基板側に凸の曲面に成形されているか、または前記シールリングにおける前記セラミック基板側の表面と周面との稜が丸面取り形状に成形されていることを特徴とする気密封止用パッケージ。
【請求項２】
前記シールリングの上面側はシャープエッジ形状をなしていることを特徴とする請求項１に記載の気密封止用パッケージ。
【請求項３】
前記シールリングは、鉄・ニッケル・コバルト系合金からなるリング本体を有することを特徴とする請求項１または２に記載の気密封止用パッケージ。
【請求項４】
第１部材と、該第１部材にはんだ付けされた第２部材とを含む接続構造であって、
前記第２部材における前記第１部材側の表面が前記第１部材側に凸の曲面に成形されているか、または前記第２部材における前記第１部材側の表面と周面との稜が丸面取り形状に成形されていることを特徴とする接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を気密にパッケージングするための気密封止用パッケージ、および気密封止に用いられる接続構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や圧電振動素子等の電子部品は、多くの場合、当該電子部品を水分や塵埃等から保護してその性能の低下や誤作動を防止するために、気密にパッケージングされる。電子部品のパッケージング方法としては種々のものが知られているが、例えば高周波回路を備えた電子部品については、セラミック基板を備えたタイプの気密封止用パッケージに気密に封止する方法が適用されることが多い。
【０００３】
上記の気密封止用パッケージは、所定の配線と上面に形成されたメタライズ層とを有するセラミック基板、上記のメタライズ層上に固着されたシールリング、およびシールリングに固着される蓋体を有している。シールリングはメタライズ層上に予めはんだ付けされ、蓋体はセラミック基板への電子部品の実装後にシールリングに固着される。気密性を高めるために、蓋体をシールリングに固着させるにあたっては溶接、特にシーム溶接（封止溶接あるいは抵抗溶接ともいう。）が一般に適用される。
【０００４】
蓋体とシールリングとをシーム溶接する場合には、これら蓋体およびシールリングの各々を金属や合金等の無機導電性材料により作製する。シーム溶接性を良好なものとするうえからは、シールリングの上面側がシャープエッジ形状をなし、かつ上面が平坦面となるように当該シールリングを成形することが望まれる。また、蓋体とシールリングとをシーム溶接する場合には、シーム溶接時の熱によってシールリングとセラミック基板との接合部に熱応力が生じるので、該熱応力によりセラミック基板が破損してしまうのを防止するために、シールリングをセラミック基板上にはんだ付けすることが好ましい。
【０００５】
気密封止用パッケージの生産性を考慮すると、はんだ材としてははんだペーストを用いることが好ましい。はんだペーストによってシールリングをセラミック基板上にはんだ付けする際には、まず、はんだペーストをセラミック基板上に印刷し、その上にシールリングを配置する。次いで、加熱によりはんだペーストを溶融させた後に急冷し、固化させる。これにより、セラミック基板上にシールリングがはんだ付けされる。
【０００６】
ただし、はんだは蓋体とシールリングとをシーム溶接する過程で再溶融を起こし、シールリングの外周面および内周面を這い上がる。再溶融したはんだがシールリングを這い上がってシーム溶接箇所に侵入すると、シールリングと蓋体との接合部が脆くなって十分な気密化が図れなくなったり、シーム溶接時にスパークが生じて蓋体が割れたり、シーム溶接が不均一になったりする等の不具合が生じ易い。このような不具合の発生を防止するために、再溶融したはんだの這い上がりを抑えるための工夫がシールリングに施されることもある。
【０００７】
例えば特許文献１に記載されたセラミックパッケージでは、シールリングの上部を金属で形成することで蓋体とのシーム溶接を可能にする一方で、シールリングの下部をセラミックで形成することではんだの這い上がりを抑えている。また、特許文献２に記載された気密封止用パッケージでは、シールリングの上部側面と下部側面とにそれぞれ所定の金属被膜層を形成すると共に、これらの金属被膜層の間に他の金属被膜層を形成することではんだの這い上がりを抑えている。そして、特許文献３に記載された気密封止用パッケージでは、シールリングの上部を相対的に幅狭にすると共に下部を相対的に幅広にすることではんだの這い上がりを抑えている。
【０００８】
勿論、気密封止用パッケージの気密性を高めるうえからはシールリングをセラミック基板に気密にはんだ付けすることも大切であり、シールリングのはんだ付け時にははんだ層内でのボイドの発生を抑えることが望まれる。例えば特許文献４に記載されたはんだ層の形成方法では、はんだペーストが塗布されたセラミックリッドをはんだ付けする際に、所定の押圧装置を用いてはんだペースト層に圧力を加えることではんだ層からボイドを除去している。
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−２６８３３３号公報
【特許文献２】特開２００５−２６８３３４号公報
【特許文献３】特開２００５−２６８５２６号公報
【特許文献４】特開平９−２７０４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
今日では種々の電子機器が広く普及しており、普及の拡大に伴ってその製造コストの削減が常に求められるようになってきている。電子機器に用いられる電子部品を気密に封止する気密封止用パッケージも例外ではなく、その製造コストの削減が求められている。上記特許文献４に記載されたはんだ層の形成方法は、セラミック基板上にシールリングをはんだ付けする際に適用可能な方法であると考えられるが、専用の押圧装置を用いなければならず、その分、気密封止用パッケージの製造コストが増大する。
【００１１】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、気密性の高いものを低コストで製造することが容易な気密封止用パッケージ、および気密性を高め易く、コストを抑え易い接続構造を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成する本発明の気密封止用パッケージは、上面にメタライズ層を有する電子部品実装用のセラミック基板と、上記のメタライズ層上にはんだ付けされたシールリングと、該シールリングに固着される蓋体とを備え、シールリングにおけるセラミック基板側の表面がセラミック基板側に凸の曲面に成形されているか、またはシールリングにおけるセラミック基板側の表面と周面との稜が丸面取り形状に成形されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の気密封止用パッケージでは、セラミック基板側の表面がセラミック基板側に凸の曲面に成形されたシールリング、またはセラミック基板側の表面と周面との稜が丸面取り形状に成形されたシールリングが用いられているので、当該シールリングをセラミック基板上にはんだ付けする際には、はんだが濡れ広がって比較的大きな濡れ力が生じ、シールリングがセラミック基板側に引き寄せられる。そのため、別段負荷をかけなくても、溶融したはんだの層がシールリングによって押し潰される。シールリングに負荷をかけて当該シールリングをセラミック基板側に押圧するということをしなくても、シールリングをセラミック基板上に気密にはんだ付けすることができるので、気密性の高いものを低コストで製造することが容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の気密封止用パッケージ、電子部品パッケージ、および接続構造それぞれの実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
【００１５】
図１は、本発明の気密封止用パッケージの一例を概略的に示す分解斜視図であり、図２は、図１に示した気密封止用パッケージを概略的に示す断面図である。各図には、当該気密封止用パッケージに封止される電子部品も併記してある。これらの図に示す気密封止用パッケージ３０は、セラミック基板１０と、セラミック基板１０上にはんだ１５によってはんだ付けされたシールリング２０と、シールリング２０に固着される蓋体２５とを備えており、電子部品４０はセラミック基板１０に実装されている。
【００１６】
上記のセラミック基板１０は、積層構造を有する平板状のベース部１と、ベース部１上に配置された矩形枠状の端子台３と、端子台３上に配置された矩形枠状のスペーサ部５と、スペーサ部５の上面に金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属を用いて矩形枠状に形成されたメタライズ層７とを有している。このセラミック基板１０の平面視上の寸法は例えば２０〜１００ｍｍ角程度、高さは例えば３〜１０ｍｍ程度であり、メタライズ層７の厚さは例えば１０〜２０μｍ程度、層幅は例えば１〜２ｍｍ程度である。
【００１７】
図示のセラミック基板１０では、ベース部１と端子台３とスペーサ部５とによって電子部品４０を実装するためのキャビティ１０ａが形成されている。このキャビティ１０ａに実装された電子部品４０を外部回路に接続するために、端子台３の上面の内縁部には所定数のパッドＰと第１リード部Ｌ1が、また端子台３の上面の外縁部には所定数の第２リード部Ｌ2が、そしてベース部１内および端子台３内には内層線路（図示せず）がそれぞれ形成されている。
【００１８】
電子部品４０は、例えばマイクロ波集積回路（ＭＩＣ；Microwave  Integrated  Circuit）やモノリシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ；Monolithic  MIC）等の高周波集積回路を備え、当該高周波回路が送信系回路または受信系回路として用いられる半導体装置であり、キャビティ１０ａの底に固着されている。この電子部品４０には複数のボンディングパッド４０ｐが形成されており、これらのボンディングパッド４０ｐと端子台３に形成されたパッドＰとは例えば金ワイヤ４５や導体リボン（図示せず）により接続される。キャビティ１０ａの底は接地されており、電子部品４０への制御信号やバイアス電源等は第２リード部Ｌ2、内層線路（図示せず）、第１リード部Ｌ1、パッドＰ、および金ワイヤ４５を介して供給される。
【００１９】
はんだ１５は、シールリング２０をセラミック基板１０上、具体的にはメタライズ層７上に固着させものであり、シールリング２０とセラミック基板１０との間にフィレットを形成している。このはんだ１５は、シールリング２０と蓋体２５とをシーム溶接する場合にはシーム溶接時に再溶融して、溶接時および溶接後にシールリング２０とセラミック基板１０との間に働く熱応力によりセラミック基板１０が破損してしまうのを防止する。はんだ１５の融点は４５０℃程度以下であるが、中でも錫（Ｓｎ）・鉛（Ｐｂ）共晶はんだ（融点１８３℃程度）や錫（Ｓｎ）・銀（Ａｇ）・銅（Ｃｕ）系の鉛フリーはんだ（融点２１９℃程度）等、低融点のものを用いることが好ましい。メタライズ層７とシールリング２０との間でのはんだ１５の厚さは、例えば１０〜１００μｍ程度とされる。
【００２０】
シールリング２０は、例えば鉄（Ｆｅ）・ニッケル（Ｎｉ）・コバルト（Ｃｏ）系合金（例えば米国ウエスティング・ハウス社製のコバール（商標名）等）等の無機導電性材料により形成された厚さ（高さ）数ｍｍ程度、幅（桟幅）数ｍｍ程度の小型のリング本体からなるもの、または当該リング本体の周面にニッケル（Ｎｉ）めっき被膜や金（Ａｕ）めっき被膜等の被膜を形成したものである。上述の熱応力を抑えるという観点からは、熱膨張率がセラミック基板１０の熱膨張率にできるだけ近い材料によってリング本体を形成することが好ましい。また、リング本体の周面にめっき被膜を設ける場合、当該めっき被膜は１種類であってもよいし、２種類以上の複数種類であってもよい。例えば、リング本体の周面全体にめっき被膜を設け、その上からリング本体の高さ方向下部にのみ金めっき被膜を更に設けることもできる。
【００２１】
このシールリング２０に蓋体２５を気密に固着させるうえからは、図１に示すようにシールリング２０の上面２０ｕ側がシャープエッジ形状となり、かつ上面２０ｕが平坦面となるように当該シールリング２０を成形することが好ましい。図示の例では、シールリング２０の上面２０ｕと外周面２０ｏとがなす角、および上面２０ｕと内周面２０ｉとがなす角がそれぞれ約９０度となっている。
【００２２】
また、セラミック基板１０にシールリング２０を気密にはんだ付けすることが容易になるように、シールリング２０ではセラミック基板１０側の表面がセラミック基板１０側に凸の曲面（図２参照）に成形されている。この表面形状は気密封止用パッケージ３０における特徴部分であるので、後に図３を参照して詳述する。
【００２３】
蓋体２５は、セラミック基板１０に電子部品を実装した後にシールリング２０に固着されるものであり、シールリング２０に容易に固着させることが可能な無機導電性材料、例えばシールリング２０でのリング本体の材料と同じ無機導電性材料により形成される。蓋体２５をシーム溶接によりシールリング２０に固着させる場合、当該蓋体２５としては、シールリング２０との溶接性を高めるうえから、シールリング２０にシーム溶接される領域に金やニッケル等の金属層（図示せず）を有するものが好ましく、かつ当該金属層がフィレットを形成することができるように、平面視上の大きさをシールリング２０の平面視上の大きさよりもやや小さく（例えば全周に亘って０．１ｍｍ程度小さく）することが好ましい。また、蓋体２５をシールリング２０にシーム溶接する際に当該蓋体２５からシールリング２０に電流が流れ易くなるように、シールリング２０にシーム溶接される領域での蓋体２５の厚さを他の領域での厚さよりも薄くして、例えば０．１ｍｍ程度にしておくことが好ましい。
【００２４】
蓋体２５をシールリング２０に固着させることにより、前述したキャビティ１０ａが閉塞されて当該キャビティ１０ａが気密に封止される。キャビティ１０ａ内に電子部品４０が実装されていれば、当該電子部品４０が気密に封止されて電子部品パッケージが得られる。
【００２５】
上述した構造の気密封止用パッケージ３０は、前述のようにシールリング２０でのセラミック基板１０側の表面形状に特徴を有している。以下、この点について図３を参照して詳述する。
【００２６】
図３は、図１および図２に示した気密封止用パッケージ３０でのシールリング２０とセラミック基板１０とのはんだ付け箇所を拡大して示す概略図である。同図に示す構成要素のうちで図１または図２を参照して既に説明した構成要素については、図１または図２で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００２７】
図示のシールリング２０は、鉄・ニッケル・コバルト系合金等の無機導電性材料により形成されたリング本体２０Ａと、リング本体２０Ａを覆うめっき被膜２０Ｂとを有しており、はんだ１５によりセラミック基板１０上、具体的にはメタライズ層７上にはんだ付けされている。そして、このシールリング２０におけるセラミック基板１０側の表面２０ｂは、図示のように、セラミック基板１０側に凸の曲面になっている。
【００２８】
シールリング２０の表面２０ｂが上記の曲面になっていることから、当該シールリング２０をセラミック基板１０上にはんだ付けする際には、溶融したはんだ１５に表面張力が働き難く、溶融したはんだ１５の濡れ広がりが起こり易い。溶融したはんだ１５が濡れ広がると、当該はんだ１５により濡れ力が生じてシールリング２０がセラミック基板側に引き寄せられ、別段負荷をかけなくても、溶融したはんだ１５の層がシールリング２０によって押し潰される。
【００２９】
その結果、例えばはんだ１５の原料としてはんだペーストを用い、当該はんだペーストをセラミック基板１０上に予め印刷する際に内部に気泡Ｂｕや空洞Ａｈが生じたとしても、シールリング２０をはんだ付けする過程で当該気泡Ｂｕを図２中に矢印Ａで示す経路により外部に逃がしたり、空洞Ａｈを消失させたりすることができる。このとき、表面２０ｂが曲面になっていることから、気泡Ｂｕを外部に逃がすための経路が容易に確保される。シールリング２０のはんだ付け時に当該シールリング２０に負荷をかけてセラミック基板１０側に押圧するということをしなくても、はんだ１５内でのボイドの発生が抑えられる。したがって、気密封止用パッケージ３０ではシールリング２０をセラミック基板１０上に気密にはんだ付けすることが容易であり、気密性が高いものを低コストで製造することが容易である。
【００３０】
上述の技術的効果を奏する気密封止用パッケージ３０に電子部品を気密に封止すれば、気密性が高い電子部品パッケージを低コストで作製することも容易になる。本発明の気密封止用パッケージを用いた電子部品パッケージは、例えば図４に示す工程を順次行うことにより製造することができる。
【００３１】
図４は、本発明の気密封止パッケージを用いて電子部品パッケージを製造する際に行われる各工程の一例を示す工程図である。図示の例では、工程Ｓ１０１と工程Ｓ１０２との２工程によりシールリングを作製し、工程Ｓ１０３と工程Ｓ１０４との２工程により気密封止用パッケージを組み立て、その後、工程Ｓ１０５と工程Ｓ１０６との２工程で電子部品パッケージを得る。以下、図１または図２で用いた参照符号を適宜引用して、各工程を説明する。
【００３２】
上記の工程Ｓ１０１では、ワイヤ放電加工、シェービング加工、プレス（打ち抜き）加工等によってリング本体２０Ａ（図２参照）を作製する。製造コストを抑えるという観点からは、プレス（打ち抜き）加工によりリング本体２０Ａを作製することが好ましい。プレス加工でのバリ面はシールリング２０での上面２０ｕ側になり、ダレ面はセラミック基板１０側の表面２０ｂになる。表面２０ｂを曲面にするうえからは、プレス金型でのクリアランス（両側クリアランス）を０．０５ｍｍ以上とすることが好ましい。必要に応じてプレス加工後にバレル研磨や化学研磨を行って、バリを除去する。
【００３３】
工程Ｓ１０２では、工程Ｓ１０１で作製したリング本体２０Ａをめっきして、当該リング本体２０Ａにめっき被膜２０Ｂ（図２参照）を形成する。例えば、リング本体２０Ａの全周にニッケルめっき被膜や金めっき被膜が形成される。リング本体２０Ａの全周にニッケルめっき被膜を形成した後に、リング本体２０Ａでの高さ方向下部にのみ更に金めっき被膜を形成してもよい。工程Ｓ１０１および工程Ｓ１０２をこの順番で行うことにより、シールリング２０が得られる。
【００３４】
工程Ｓ１０３では、セラミック基板１０および蓋体２５（図２参照）を用意する。これらセラミック基板１０および蓋体２５は、それぞれ、常法により作製することができる。工程Ｓ１０４では、工程Ｓ１０３で用意したセラミック基板１０でのメタライズ層７上に、工程Ｓ１０２で作製したシールリング２０をはんだ１５（図２参照）によりはんだ付けする。例えば、錫・鉛共晶はんだや錫・銀・銅系の鉛フリーはんだ等の粉末を含有したはんだペーストをメタライズ層７上に所定形状に印刷し、その上にシールリング２０を載せてから炉内で加熱してはんだペーストを溶融させ、その後に冷却することでシールリング２０をセラミック基板１０上にはんだ付けする。
【００３５】
上記のはんだペーストは、はんだ粉末とフラックスとを主成分とするものであり、フラックスにはベース材、活性剤、チキソ（thixo）剤、溶剤等が含まれる。フラックスの組成は、はんだペーストに求められる印刷性、溶融ダレ性、濡れ性、部品保持力、粘着性等といった特性を満たすように選定される。また、はんだペーストを印刷するにあたっては、印刷用のマスクの開口形状やマスクの厚さ、はんだペーストの物性（粘度やチキソ比等）、さらには印刷機の装置パラメータ（印圧、スキージ角度、スキージ速度等）等を適宜最適化する。はんだペーストを加熱し、溶融させるにあたっての温度プロファイルも適宜選定する。
【００３６】
図５は、錫・銀・銅系の鉛フリーはんだの粉末を含有したはんだペーストを用いてシールリング２０（図２参照）をはんだ付けする際の温度プロファイルの一例を示すグラフである。同図に示すように、上記のはんだペーストを用いてシールリング２０をはんだ付けする際には、２〜４Ｋ／秒の昇温速度で１５０℃以下のプリヒート開始温度まで昇温させ、１８０℃以下のプレヒート終了温度まで６０〜１２０秒程度かけてプレヒートを行った後、２３０〜２３５℃程度の本加熱を２０〜４０秒程度行うことが好ましい。また、本加熱後は急冷することが好ましい。
【００３７】
このようにしてシールリング２０をはんだ付けすることにより、気密封止用パッケージ３０（図１参照）が得られる。この後、工程Ｓ１０５で電子部品４０を気密封止用パッケージ３０のキャビティ１０ａに実装し、工程Ｓ１０６で蓋体２５（図１参照）をシールリング２０にシーム溶接することにより、電子部品パッケージが得られる。
【００３８】
なお、前述したセラミック基板１０とシールリング２０とのはんだ付け構造は、本発明の接続構造の一形態である。この接続構造は、第１部材と、該第１部材にはんだ付けされた第２部材とを含むものであり、第２部材における第１部材側の表面は第１部材側に凸の曲面になっている。上述のセラミック基板１０が本発明の接続構造でいう「第１部材」に相当し、シールリング２０が本発明の接続構造でいう「第２部材」に相当する。
【００３９】
以上、本発明の気密封止用パッケージ、および接続構造の各々について実施の形態を挙げて説明したが、前述のように、本発明は上述の形態に限定されるものではない。例えば、シールリングでのセラミック基板側の表面をセラミック基板側に凸の曲面とすることに代えて、シールリングでのセラミック基板側の表面と周面との稜を丸面取り形状に成形してもよい。例えば、セラミック基板側の表面と周面との稜がシャープエッジ形状をなすリング本体を一旦得た後に当該リング本体でのセラミック基板側の表面と周面との稜に丸面取りを施すことで上記の丸面取り形状を形成することも可能であるし、プレス（打ち抜き）加工で上記の丸面取り形状を形成することも可能である。
【００４０】
図６は、セラミック基板側の表面と周面との稜が丸面取り形状に成形されているシールリングの一例を概略的に示す断面図である。図示のように、このシールリング５０では、セラミック基板側の表面５０ｂと外周面５０ｏとの稜ｅ1、および表面５０ｂと内周面５０ｉとの稜ｅ2が、それぞれ丸面取り形状に成形されている。なお、シールリング５０における上面５０ｕは平坦面となっており、当該上面側はシャープエッジ形状をなしている。図６に示した構成要素のうちでシールリング５０以外の構成要素については、図３で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００４１】
シールリングでのセラミック基板側の表面をセラミック基板側に凸の曲面とするにあたって当該曲面の断面形状を円弧状にしようとするときには、シールリングにおけるセラミック基板側の頂部から０．１ｍｍ程度以上、０．３ｍｍ程度以下の高さに亘る領域を円弧状にすると、本発明による前述の技術的効果を得易くなる。また、シールリングでのセラミック基板側の表面と周面との稜を丸面取り形状とするにあたって当該稜の断面形状を円弧状にしようとするときには、シールリングにおけるセラミック基板側の面から０．１ｍｍ程度以上、０．３ｍｍ程度以下の高さに亘る領域を円弧状にすると共に、シールリングにおけるセラミック基板側の面の幅を０．５ｍｍ程度以下にすると、本発明による前述の技術的効果を得易くなる。勿論、上記曲面の断面形状および上記稜の断面形状は円弧状でなければならいというものではなく、円弧から外れた曲面形状にすることもできる。
【００４２】
本発明の気密封止用パッケージでは、セラミック基板の形状および構造、シールリングの平面形状、およびシールリングにめっき被膜を具備させる場合の当該めっき被膜の構成等、シールリングでのセラミック基板側の表面の形状あるいは当該表面と周面との稜の形状を上述の形状に選定すること以外のことについては、適宜選定可能である。
【００４３】
同様に、本発明の接続構造では、第２部材における第１部材側の表面が第１部材側に凸の曲面であるか、または第２部材における第１部材側の表面と周面との稜が丸面取り形状に成形されていればよい。「第１部材」としては、実施の形態で挙げたセラミック基板に限らず種々の部材を用いることができ、「第２部材」としては、実施の形態で挙げたシールリングに限らず種々の部材を用いることができる。そして、はんだ付けに用いるはんだの融点も適宜選定可能である。本発明の気密封止用パッケージ、電子部品パッケージ、および接続構造の各々については、上述の形態以外に種々の変形、修飾、組み合わせ等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の気密封止用パッケージの一例を概略的に示す分解斜視図である。
【図２】図１に示した気密封止用パッケージを概略的に示す断面図である。
【図３】図１および図２に示した気密封止用パッケージでのシールリングとセラミック基板とのはんだ付け箇所を拡大して示す概略図である。
【図４】本発明の気密封止パッケージを用いて電子部品パッケージを製造する際に行われる各工程の一例を示す工程図である。
【図５】錫・銀・銅系の鉛フリーはんだの粉末を含有したはんだペーストを用いてシールリングをはんだ付けする際の温度プロファイルの一例を示すグラフである。
【図６】セラミック基板側の表面と周面との稜が丸面取り形状に成形されているシールリングの一例を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  セラミック基板
１５  はんだ
２０，５０  シールリング
２０Ａ  リング本体
２０Ｂ  めっき被膜
２０ｂ，５０ｂ  シールリングにおけるセラミック基板側の表面
２０ｕ，５０ｕ  シールリングの上面
２０ｏ，５０ｏ  シールリングの外周面
２０ｉ，５０ｉ  シールリングの内周面
２５  蓋体
３０  気密封止用パッケージ
４０  電子部品
【図１】
2008235531.tif 000003
【図２】
2008235531.tif 000004
【図３】
2008235531.tif 000005
【図４】
2008235531.tif 000006
【図５】
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【図６】
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