(57)【要約】【課題】接続パッドの表面積を確保して基板間の接続を容易にしつつ、伝達損失を低減できる基板間接続装置を提供する。【解決手段】接地層１４は、方向Ｄについて信号線１２と対向している。また、接続パッド１１と対向する部分に貫通孔１８を有している。接地層１５は接地層１４に対して信号線１２と反対側に配置され、貫通孔１８を介して接続パッド１１と対向している。信号線１２は、方向Ｄについて自身と対向する接地層１４と、自身と接地層１４との間の基材１３と共に高調波の線路を構成する。接続パッド１１は、自身と対向する接地層１５と、自身と接地層１５との間の基材１３とともに、高調波の線路を構成する。【選択図】図２
2008306087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号線と、
前記信号線の幅よりも広い幅を有し、前記信号線と接続して設けられ、外部と接触可能に露出した導体部と、
所定の方向で前記導体部と重なる領域の少なくとも一部を含んで貫通する貫通孔を有し、前記所定の方向で前記信号線と対向する接地層と
を備える、基板。
【請求項２】
前記接地層に対して前記信号線と反対側に設けられ、前記所定の方向について前記貫通孔を介して前記導体部と対向する第２の接地層
を更に備える、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第２の接地層は、前記所定の方向で前記導体部と重なる領域の少なくとも一部を含んで貫通する第２の貫通孔を有する、請求項２に記載の基板。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一つに記載の基板である第１の基板と、
請求項１乃至３の何れか一つに記載の基板である第２の基板と
を備え、前記第１の基板が有する前記導体部と、前記第２の基板が有する前記導体部とは前記所定の方向において対向し、
前記第１の基板が有する前記導体部と、前記第２の基板が有する前記導体部とを電気的に接続する接合ピン
を更に備える、基板間接続装置。
【請求項５】
信号線と、
前記信号線の幅よりも広い幅を有し、前記信号線と接続して設けられた第１の導体部と、
所定の方向で前記信号線及び前記第１の導体部と対向して設けられる接地層と、
前記接地層と接続される第２の導体部と、
を有する第１の基板と、
前記第１の導体部と電気的に接続する第１の接合ピンと、
前記第２の導体部と電気的に接続する第２の接合ピンと
を備え、
前記第１の接合ピン及び前記第２の接合ピンで構成される第１の線路のインピーダンスは、前記信号線及び前記接地層で構成される第２の線路のインピーダンスよりも大きい、基板間接続装置。
【請求項６】
第２の信号線と、
前記第２の信号線の幅よりも広い幅を有し、前記第２の信号線と接続して設けられ、前記第１の接合ピンを介して前記第１の導体部と電気的に接続される第３の導体部と、
所定の第２方向で前記第２の信号線及び前記第３の導体部と対向して設けられる第２の接地層と、
前記第２の接地層と接続され、前記第２の接合ピンを介して前記第２の導体部と電気的に接続される第４の導体部と
を有する第２の基板
を更に備え、
前記第１の線路のインピーダンスは、前記第２の信号線と前記第２の接地層とで構成される第３の線路のインピーダンスよりも大きい、請求項５に記載の基板間接続装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板及び基板間接続装置に関し、基板間の伝達損失を低減する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、２つの基板の間に配置される基板保持部品が開示されている。この基板保持部品は２つの基板同士の電気的接続を実現している。具体的には、基板保持部材はコネクタ部を有しており、当該コネクタ部は、導電性の円筒状の端子保持部と、端子保持部の両端に保持される導電性の可動端子とを有している。そして、一方の可動端子が一つの基板上に設けられた導電部と物理的に接触し、他方の可動端子が他の基板上に設けられた導電部と物理的に接触している。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２４６０９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の技術では、可動端子と基板上の導電部（以下、接続パッドと呼ぶ）とが物理的に接触する必要があるため、２つの基板及びコネクタ部を機械的に位置決めする必要がある。一般的な位置決め精度に鑑みると、接続パッドは一辺が数ｍｍ程度の四角形の面積に相当する表面積が必要である。他方、基板上に設けられた、接続パッドと電気的に接続される信号線の幅は一般的に数百μｍまでである。
【０００５】
接続パッドと信号線の膜厚が同一であれば、信号線の断面積に比べて接続パッドの断面積が大きいので、接続パッドにおいてインピーダンスが低い値を有する。よって信号線との間でインピーダンスの不整合が生じて、２つの基板を効率よく接続できない可能性があった。
【０００６】
そこで、本発明は、接続パッドの表面積を確保して基板間の接続を容易にしつつ、伝達損失を低減できる基板及び基板間接続装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る基板の態様は、信号線と、前記信号線の幅よりも広い幅を有し、前記信号線と接続して設けられ、外部と接触可能に露出した導体部と、所定の方向で前記導体部と重なる領域の少なくとも一部を含んで貫通する貫通孔を有し、前記所定の方向で前記信号線と対向する接地層とを備える。
【０００８】
本発明に係る基板間接続装置の態様は、信号線と、前記信号線の幅よりも広い幅を有し、前記信号線と接続して設けられた第１の導体部と、所定の方向で前記信号線及び前記第１の導体部と対向して設けられる接地層と、前記接地層と接続される第２の導体部とを有する第１の基板と、前記第１の導体部と電気的に接続する第１の接合ピンと、前記第２の導体部と電気的に接続する第２の接合ピンとを備え、前記第１の接合ピン及び前記第２の接合ピンで構成される第１の線路のインピーダンスは、前記信号線及び前記接地層で構成される第２の線路のインピーダンスよりも大きい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る基板の態様によれば、導体部と、貫通孔の周縁にかかる接地層とからなる線路のインピーダンスを、信号線と、接地層とからなる線路のインピーダンスに整合することができる。よって、導体部の表面積を確保して外部との接触を容易にしつつ、外部との伝達損失を低減できる。
【００１０】
本発明に係る基板間接続装置の態様では、第１の導体部の幅が信号線の幅よりも広いことに起因して、第１の導体部を含んだ線路のインピーダンスが、第２の線路のインピーダンスよりも小さい。そして、第１の導体部のうち第１の信号線側の一端から第１の接合ピンの接触部までの長さよりも長い波長を有する高調波の信号を用いた場合、第１の導体部を含んだ線路は、並列に接続された容量として動作する。第１の線路は第２の線路のインピーダンスよりも大きいので、当該容量を打ち消すことができ、信号線から見た接合ピンまでのインピーダンスを整合することができる。よって、導体部の表面積を確保して、導体部と接合ピンとの接触を容易にしつつ、第１の基板及び第２の基板間の伝達損失を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
本発明に係る実施の形態１の基板間接続装置を図１〜図３に示す。図１は基板間接続装置の概念的な断面図、図２は図１に示すＡ−Ａ’断面の概念的な断面図、図３は図１に示すＢ−Ｂ’断面の概念的な断面図である。
【００１２】
本基板間接続装置は、多層基板１と、多層基板２と、接続部材３とを備えている。多層基板１は多層基板２と所定の方向Ｄについて対面して配置されている。接続部材３は多層基板１と多層基板２との間に介在し、後述するように多層基板１と多層基板２とを電気的に接続する。
【００１３】
多層基板１は、接続パッド１１，１７と、信号線１２と、基材１３と、接地層１４，１５と、スルーホール１６とを備えている。なお、多層基板１には、自身の表面１３ａ上の第１層と、方向Ｄについて当該第１層から第２層、第３層とがこの順で設けられる。そして、第１層〜第３層の隣り合う２者の間には基材１３が介在している。基材１３は所定の誘電率を有する誘電体であって、例えばガラスエポキシ基材である。
【００１４】
信号線１２は第１層（表面１３ａ上）に配されている。接続パッド１１は第１層に配されて信号線１２と接続されている。接続パッド１７は第１層で接続パッド１１に隣接して配されている。接続パッド１１，１７は外部と接触可能に露出している。
【００１５】
接地層１４は第２層に設けられ、方向Ｄについて信号線１２と対向している。また、方向Ｄについて接続パッド１１と重なる領域の少なくとも一部を含む貫通孔１８を有している。この貫通孔１８にも基材１３が充填されている。なお、図３においては、貫通孔１８が破線で示されている。
【００１６】
接地層１５は第３層に設けられている。つまり、接地層１４に対して信号線１２と反対側に設けられている。そして、方向Ｄについて貫通孔１８を介して接続パッド１１と対面している。また、接地層１５はスルーホール１６を介して接地層１４と電気的に接続されている。接続パッド１７はスルーホール１６を介して接地層１４，１５と電気的に接続されている。
【００１７】
多層基板２は、接続パッド２１，２７と、信号線２２と、基材２３と、接地層２４，２５と、スルーホール２６とを備えている。なお、図１〜３に示す基板間接続装置においては、多層基板１と同一の構成を有した多層基板２が例示されている。この場合の多層基板２についての詳細な説明は多層基板１と重畳するため割愛する。
【００１８】
接続部材３は接続パッド１１，２１と接触してこれらを導通させ、接続パッド１７，２７と接触してこれらを導通させる。具体的な一例として、接続部材３は、接合ピン３１，３２と、保持部材３０とを備えている。接合ピン３１，３２は保持部材３０によって一体に形成されている。保持部材３０は所定の誘電率を有する誘電体である。
【００１９】
接合ピン３１は、導電性の台座３１０と、円筒金属３１１と、導電性の可動端子３１２とを有している。円筒金属３１１は一端が台座３１０と結合されている。より具体的には、円筒金属３１１の中心軸が台座３１０に垂直となるように、円筒金属３１１が台座３０と結合している。また、円筒金属３１１は他端において、当該中心軸に平行な方向で摺動可能に可動端子３１２を保持している。より具体的には、可動端子３１２は円筒金属３１１の内部に設けられた図示せぬバネ等により当該中心軸に平行且つ台座３１０と反対側の方向に付勢される。そして、例えば可動端子３１２の一部と嵌合して保持される。
【００２０】
台座３１０は接続パッド２１と例えば半田付けにより電気的に接続され、可動端子３１２は接続パッド１１と圧接して電気的に接続される。なお、接続パッド１１と接続パッド２１とは方向Ｄにおいて対向している。このようにして、信号線１２、接続パッド１１、接合ピン３１、接続パッド２１及び信号線２２が電気的に接続される。
【００２１】
接合ピン３２は、導電性の台座３２０と、円筒金属３２１と、導電性の可動端子３２２とを有している。接合ピン３２は接合ピン３１と同一構成であるので、詳細な説明は省略する。そして、台座３２０が接続パッド２７と例えば半田付けにより電気的に接続され、可動端子３２２は接続パッド１７と圧接して電気的に接続される。よって、接地層１４，１５、接続パッド１７、接合ピン３２、接続パッド２７、接地層２４，２５が電気的に接続される。
【００２２】
ここで、接続パッド２１，２７は接合ピン３１，３２を物理的に固定する必要があるため十分な表面積が必要である。また、接続パッド１１，１７は可動端子３１２，３２２と物理的に接触する必要があり、多層基板１，２間の位置ずれに対応するために、やはり十分な表面積が必要である。
【００２３】
一般的に、信号線１２，２２の幅（信号線１２，２２の延在方向に垂直な方向についての幅）は数百ミクロン程度以下のオーダーであるのに対し、接続パッド１１，１７，２１，２７は一辺が数ミリ程度の四角形に相当する表面積が必要となる。即ち、接続パッド１１，２１の幅は信号線１２，２２の幅よりも広いと把握できる。なお、信号線１２は接続パッド１１，１７と同一の第１層に、信号線２２は接続パッド２１，２７と同一の層に配されるため、膜厚はほぼ同一である。従って、信号線１２，２２の断面積は接続パッド１１，２１の断面積よりも小さい。
【００２４】
次に、図４，５を参照して、このような構成の基板間接続装置の等価回路を導く。信号線１２と、信号線１２に対向する接地層１４（図１も参照）と，当該信号線１２及び当該接地層１４の間に介在する基材１３とは、高調波の線路Ｃ１を構成する。同様に、信号線２２と、接地層２４と、これの間に介在する基材２３とは高調波の線路Ｃ２（不図示）を構成する。
【００２５】
接続パッド１１のうち信号線１２側の一端から接合ピン３１との接触部（例えば中央）までの部分と，当該部分に対向する接地層１５と、当該部分及び当該接地層１５の間に介在する基材１３とは、高調波の線路Ｄ１を構成する。同様に接続パッド２１のうち信号線２２側の一端から接合ピン３１との接触部（例えば中央）までの部分と、当該部分に対向する接地層２５と、当該部分及び当該接地層２５の間に介在する基材２３とは、高調波の線路Ｄ２を構成する。なお、貫通孔１８，２８は、線路Ｄ１，Ｄ２に与える影響が無視できる程度の大きさを有していることが望ましい。例えば、方向Ｄから見て貫通孔１８，２８は接続パッド１１，２１をそれぞれ内部に含む程度の大きさを有していてもよい。
【００２６】
接続パッド１１のうち接合ピン３１との接触部（例えば中央）から信号線１２と反対側の一端までの部分と，当該部分に対向する接地層１５と、当該部分及び当該接地層１５の間に介在する基材１３とは、高調波の線路Ｅ１を構成する。同様に接続パッド２１のうち接合ピン３１との接触部（例えば中央）から信号線２２と反対側の一端までの部分と、当該部分に対向する接地層２５と、当該部分及び当該接地層２５の間に介在する基材２３とは、高調波の線路Ｅ２を構成する。
【００２７】
接合ピン３１は保持部材３０を介して対向する接合ピン３２と高周波の線路Ｆを構成する。そして、これらの線路Ｃ１，Ｃ２，Ｄ１，Ｄ２，Ｅ１，Ｅ２，Ｆが信号線として動作して例えば多層基板１から多層基板２へと高調波を伝達する。
【００２８】
図６は本基板間接続装置の等価回路である。線路Ｃ１、Ｄ１，Ｆ，Ｃ２，Ｄ２はそれぞれ直列に接続され、線路Ｅ１，Ｅ２は線路Ｆの両端にそれぞれ一端が接続され他端が開放されている。なお、ここでは多層基板１，２は互いに同一構成であるので、図６において、線路Ｃ１，Ｃ２のインピーダンスは互いに同一であるＺ０、線路Ｄ１，Ｄ２のインピーダンス、電気長は互いに同一であるＺ１，Ｌ１と表現され、線路Ｅ１，Ｅ２のインピーダンス、電気長は互いに同一であるＺ３，Ｌ３と表現されている。また、線路Ｆのインピーダンス、電気長はＺ２，Ｌ２と表現されている。
【００２９】
そして、線路Ｃ１から線路Ｃ２（多層基板１から多層基板２）へと高調波を効率よく伝達するには、これら線路においてインピーダンスを整合させるとよい。具体的には、線路Ｃ１，Ｃ２のインピーダンスＺ０が例えば５０Ωとすると、信号線１２からみた信号線２２までのインピーダンスを５０Ωに整合することで、多層基板１，２の間の伝達損失を低減できる。
【００３０】
線路Ｆにおいては、接合ピン３１，３２の間の距離や保持部材３０の誘電率等により、そのインピーダンスＺ２をインピーダンスＺ０に整合させることができる。
【００３１】
線路Ｄ１においては、接続パッド１１の断面積が信号線１２よりも広いので、この観点においては線路Ｄ１のインピーダンスＺ１は線路Ｃ１のインピーダンスＺ０よりも小さい値に低減される。しかしながら、接続パッド１１と接地層１５との間の距離が信号線１２と接地層１４との間の距離よりも長いため、接続パッド１１の断面積が信号線の断面積よりも大きいことに起因するインピーダンスＺ１の低減を抑制、若しくは防止できる。よって、線路Ｄ１のインピーダンスＺ１を線路Ｃ１のインピーダンスＺ０に整合することができる。同様に、線路Ｄ２のインピーダンスＺ１を線路Ｃ２のインピーダンスＺ０を整合することができる。
【００３２】
線路Ｅ１については、接続パッド１１の幅、膜厚、接続パッド１１から接地層１５までの距離が線路Ｄ１と同一であるので、線路Ｅ１のインピーダンスＺ３は線路Ｄ１のインピーダンスＺ１と同一である。但し、線路Ｅ１は他の線路と直列に接続されていないので、インピーダンスＺ３を必ずしも線路Ｃ１のインピーダンスＺ０に整合させる必要はなく、伝達損失の低減という観点では線路Ｅ１の電気長Ｌ３が小さいほど望ましい。線路Ｅ２についても同様である。
【００３３】
以上のように、接続パッド１１，２１の表面積を確保して接合ピン３１との接触を容易にしつつ、インピーダンスを整合して多層基板１，２の間での伝達損失を低減できる。
【００３４】
次に、本基板間接続装置におけるシミュレーション結果を図７，８に示す。図７は反射特性を示し、図８は信号線１２から信号線２２をみたインピーダンスのスミスチャートを示している。また、比較のために、貫通孔１８，２８を設けていない、つまり接続パッド１１，２１が接地層１４，２４と方向Ｄについてそれぞれ対面した基板間接続装置のシミュレーション結果を図９，１０に示す。図９は反射特性を示し、図１０はインピーダンスのスミスチャートを示している。
【００３５】
シミュレーションの条件として、信号線１２，２２の幅をそれぞれ０．３ｍｍ程度、信号線１２，２２及び接地層１４，２４のそれぞれの間の距離を０．２ｍｍ程度、接続パッド１１，２１をそれぞれ幅１．６ｍｍ×長さ３．１ｍｍ程度の四角形とし、接続パッド１１，２１及び接地層１５，２５のそれぞれの間の距離を１ｍｍ程度、多層基板１，２の間の距離を携帯電話に一般的に用いられる基板間の一例である４ｍｍ程度としている。また、接合ピン３１と接続パッド１１の接触部は接続パッド１１の中央である。
【００３６】
このとき、基材１３の誘電率を調整して、線路Ｃ１，Ｃ２のインピーダンスＺ０は例えば５０Ω程度とすることができる。線路Ｄ１，Ｄ２は周波数２ＧＨｚの高調波に対して電気長Ｌ２が８°程度である。線路Ｅ１，Ｅ２については線路Ｄ１，Ｄ２と同様である。線路ＦはインピーダンスＺ２が５０Ωとなるように接合ピン３１，３２間の距離と保持部材３０の誘電率が調整されており、周波数２ＧＨｚの高調波に対する電気長は１８°程度である。
【００３７】
図７を参照して、例えば周波数２ＧＨｚにおける反射特性は−１８ｄＢ程度であり、この場合の伝達損失は０．１ｄＢ以下である。また、図９を参照して、例えば周波数２ＧＨｚにおける反射特性は−８ｄＢ程度であり、この場合の伝達損失は０．８ｄＢ程度である。図７，９との比較によれば、本実施の形態１に係る基板間接続装置は反射特性を低減していることが分かる。
【００３８】
また図８，１０の比較によれば、本実施の形態１に係る基板間接続装置において信号線１２から信号線２２をみたインピーダンスが５０Ω（スミスチャートの中心）に近い。つまりインピーダンスが整合されていることが分かる。
【００３９】
以上のように、本実施の形態１に係る基板間接続装置によれば、インピーダンスがより整合されて反射特性を低減することができる。ひいては伝達損失を低減できる。
【００４０】
なお、接続パッド１１と接地層１５との間の距離は、多層基板１の厚みに依存する。そして、仕様によっては多層基板１の厚みが十分でなく、接続パッド１１と接地層１５の間の距離が確保できない可能性がある。このような場合であれば、接地層１５にも貫通孔を設けてもよい。
【００４１】
具体的には、方向Ｄについて接続パッド１１と重なる領域の少なくとも一部を含んで接地層１５に貫通孔１９が設けられる。この場合、接続パッド１１と、貫通孔１９の周縁にかかる接地層１５（図１１参照：斜線で示した部分）と、これらの間に介在する基材１３とが線路Ｄ１，Ｅ１を構成する。なお、図１１は線路Ｄ１，Ｅ１を構成する部分のみを模式的な斜視図で示している。そして、貫通孔１９の大きさを調整することで線路Ｄ１のインピーダンスＺ１を線路Ｃ１のインピーダンスＺ０（例えば５０Ω）に整合することができる。線路Ｄ２についても同様である。
【００４２】
よって、図１〜３に示す基板間接続装置と同様に多層基板１，２の間の伝達損失を低減できる。また、この場合であれば、多層基板１，２の厚みを低減することができる。
【００４３】
なお、必ずしも接地層１５，２５（つまり第３層）は必須ではない。例えば接続パッド１１と、貫通孔１８の周縁にかかる接地層１４と、これらの間に介在する基材１３とが線路Ｄ１，Ｅ１を構成し得る（図１１において符号１９を符号１８と、符号１５を符号１４とそれぞれ読み替えて参照）。そして、この貫通孔１８の大きさを適宜に調整することによって線路Ｄ１のインピーダンスＺ１を線路Ｃ１のインピーダンスＺ０（例えば５０Ω）に整合することができる。線路Ｄ２についても同様である。
【００４４】
よって、図１〜３に示す基板間接続装置と同様に多層基板１，２の間の伝達損失を低減できる。この場合であれば、第３層を不要にでき、多層基板１，２の厚みを更に低減できる。
【００４５】
但し、貫通孔を有さない接地層１５，２５は、外部（方向Ｄについての多層基板１，２の反対側）からの影響（ノイズ等の影響）を低減できるため、この観点では設けられることが望ましい。
【００４６】
なお、多層基板１，２の何れか一方のみに接地層１５，２５を設けてもよく、また両方に設けた場合は接地層１５，２５の何れか一方のみに貫通孔を設けてもよい。これらの場合であっても上述したように線路Ｄ１，Ｄ２のインピーダンスを線路Ｃ１，Ｃ２のインピーダンスＺ０に整合することができる。
【００４７】
（実施の形態２）
本発明に係る実施の形態２の基板間接続装置を図１２に示す。図１２は実施の形態１における図２に相当する概念的な断面図である。なお、以下の説明においては、実施の形態１と相違する点についてのみ説明する。
【００４８】
接地層１４，２４はそれぞれ貫通孔１８，２８を有していない。言い換えると、接地層１４，２４は方向Ｄについてそれぞれ接続パッド１１，２１と対面している。つまり、線路Ｄ１は、接続パッド１１のうち信号線１２側の一端から接合ピン３１との接触部までの部分と、接地層１４と、これらの間に介在する基材１３によって構成される。線路Ｄ２についても同様である。線路Ｅ１，Ｅ２についても同様に接地層１５，２５の替わりに接地層１４，２４によりそれぞれ構成される。
【００４９】
信号線１２の断面積は接続パッド１１の断面積よりも小さく、信号線１２と接地層１４との間の距離と、接続パッド１１と接地層１４との間の距離とは互いに同一であるので、線路Ｄ１のインピーダンスＺ１は線路Ｃ１のインピーダンスＺ０に比べて小さい。線路Ｄ２についても同様である。
【００５０】
線路Ｆは、線路Ｃ１，Ｃ２のインピーダンスＺ０よりも大きいインピーダンスＺ２を有する。具体的には、接合ピン３１，３２の間の距離や保持部材３０の誘電率などにより、線路ＦのインピーダンスＺ２が調整されている。例えば、接合ピン３１，３２の間の距離を、実施の形態１の接合ピン３１，３２の間の距離に比べて広くすることで、上記が達成される。
【００５１】
ここで、線路Ｄ１，Ｄ２は並列に接続された容量として動作する。これは、高周波電流が流れる方向における線路Ｄ１の長さ（接続パッド１１において、信号線１２側の一端から接合ピン３１の接触部までの長さ：数ｍｍ程度）が、使用する高調波の波長（例えば周波数１〜３ＧＨｚであれば波長１００ｍｍ〜３００ｍｍ）に比べて小さいためである。線路Ｄ２についても同様である。
【００５２】
線路ＦのインピーダンスＺ２は線路Ｃ１，Ｃ２のインピーダンスＺ０よりも高いので、この容量を打ち消すことができ、信号線１２から信号線２２をみたインピーダンスを整合することができる。よって、反射損失を低減でき、ひいては伝達損失を低減できる。
【００５３】
従って、実施の形態２においても、接続パッド１１，２１の表面積を確保して接合ピン３１，３２との接触を容易にしつつ、多層基板１，２の間の伝達損失を低減することができる。
【００５４】
次に、本基板間接続装置におけるシミュレーション結果を図１３，１４に示す。図１３は反射特性を示し、図１４は信号線１２から信号線２２をみたインピーダンスのスミスチャートを示している。
【００５５】
シミュレーションの条件は、線路Ｆのインピーダンスを１５０Ωとしている。その他は実施の形態１と同一であるが、接続パッド１１，２１と接地層１４，２４とのそれぞれの間の距離は０．２ｍｍ程度であるので、線路Ｄ１，Ｄ２のインピーダンスは１６Ω程度である。
【００５６】
図１３を参照して、例えば周波数２ＧＨｚにおいて反射特性は−３０ｄＢ以下であり、この場合の伝達損失は０．１ｄＢ以下である。また、周波数が高い領域では反射損失が高くなっているが、周波数２．４ＧＨｚ程度よりも低い領域では反射損失−１５ｄＢ以下を達成しており、この場合の伝達損失は０．１４ｄＢ以下である。
【００５７】
図１４，２０を比較すると、信号線１２からみた信号線２２のインピーダンスが周波数２ＧＨｚ付近で５０Ωに近づいていることが分かる。
【００５８】
以上のように、本実施の形態２に係る基板間接続装置によれば、インピーダンスがより整合されて反射特性を低減することができる。ひいては伝達損失を低減できる。
【００５９】
なお、実施の形態１においては、接地層１４，２４に貫通孔１８，２８がそれぞれ設けられているため、この貫通孔１８，２８の近辺では他の信号線を配置することができないのに対し、本実施の形態２においては貫通孔１８，２８を設ける必要がないため、実装効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施の形態１に係る基板間接続装置の概念的な断面図である。
【図２】実施の形態１に係る基板間接続装置の概念的な断面図である。
【図３】実施の形態１に係る基板間接続装置の概念的な断面図である。
【図４】実施の形態１に係る基板間接続装置のおける高調波の線路を説明するための図である。
【図５】実施の形態１に係る基板間接続装置のおける高調波の線路を説明するための図である。
【図６】実施の形態１に係る基板間接続装置の等価回路を示す図である。
【図７】実施の形態１に係る基板間接続装置の反射特性を示す図である。
【図８】実施の形態１位係る基板間接続装置のインピーダンスのスミスチャートを示す図である。
【図９】貫通孔が設けられていない基板間接続装置の反射特性を示す図である。
【図１０】貫通孔が設けられていない基板間接続装置のインピーダンスのスミスチャートを示す図である。
【図１１】線路Ｄ１の構成を示す概念的な斜視図である。
【図１２】実施の形態２に係る基板間接続装置の概念的な断面図である。
【図１３】実施の形態２に係る基板間接続装置の反射特性を示す図である。
【図１４】実施の形態２に係る基板間接続装置のインピーダンスのスミスチャートを示す図である。
【符号の説明】
【００６１】
１，２  多層基板、１１，１７，２１，２７  接続パッド、１２，２２  信号線、１４，１５，２４，２５  接地層、３０  保持部材、３１，３２  接合ピン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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