(57)【要約】      （修正有）【課題】積層型の半導体パッケージにおいて、その半導体パッケージを構成する任意の半導体チップの高発熱部分のみを効率的に冷却できるようにする手段を提供する。【解決手段】複数の半導体チップ１１、１２、１３が積層されてなる半導体パッケージ１０であって、前記半導体チップの少なくとも１つ１２において、相対的に高温度に加熱された発熱部分１２Ａを局所的に露出させとともに、ヒートシンク部材１７を接触させて、前記発熱部分を直接冷却するように構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップが積層されてなる半導体パッケージであって、
前記半導体チップの少なくとも１つにおいて、相対的に高温度に加熱された発熱部分を局所的に露出させ、前記発熱部分を直接冷却するようにしたことを特徴とする、半導体パッケージ。
【請求項２】
前記相対的に高温度に加熱された発熱部分は、前記少なくとも１つの半導体チップにおける中心部を含み、少なくとも前記中心部を露出させて前記発熱部分を直接冷却することを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記相対的に高温度に加熱された発熱部分は、前記少なくとも１つの半導体チップの下方から冷却することを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記相対的に高温度に加熱された発熱部分は、前記少なくとも１つの半導体チップの上下方向から冷却することを特徴とする、請求項1又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記相対的に高温度に加熱された発熱部分は、ヒートシンクに接触させて冷却することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高性能動作が要求される回路部分での高温化を抑制することを可能とした半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高性能の３次元ＩＣなどの装置を実現するため、配線基板上に少なくとも１つの半導体チップを積層して半導体装置とする方法（実装方法）が盛んに試みられている。この際、得ようとする半導体装置をより小型化するために、前記半導体チップの周辺部及び前記配線基板の周辺部にそれぞれパッドを形成し、これらパッド間をワイヤで電気的に接合するという、いわゆるワイヤーボンディングや、前記半導体チップに対して直接的に孔部を形成し、かかる孔部内に導電部材を埋設するとともに、この導電部材を介して配線基板と電気的及び機械的に接合する、いわゆるフリップチップ様の接合技術が用いられるようになっている。
【０００３】
上述したような積層型の半導体パッケージにおいては、例えば、特に高性能動作が要求される回路が組み込まれた半導体チップにおいて、前記回路部分での発熱によりかかる回路部分を含む領域が高温化してしまい、動作温度の上昇による熱暴走や特性劣化が問題となってくる。したがって、上述した積層型半導体パッケージにおける、任意の半導体チップに関して、その発熱部分を冷却する技術の開発が重要視されている。
【０００４】
特開平１１−７４４５４号公報においては、セラミック基板と、複数の電力用半導体チップと、モリブデンウエハとで構成されるサンドイッチ構造のモジュール（パッケージ）を熱拡散プレートに接触させることが開示されている。しかしながら、このような方法では、半導体チップの全体、しいてはモジュール（パッケージ）の全体が冷却されてしまい、前記半導体チップにおける特定の発熱箇所のみを冷却することはできない。
【０００５】
したがって、半導体チップにおける上述した発熱箇所を所定の温度まで冷却して、動作温度の上昇による熱暴走や特性劣化を抑制しようとすると、上記半導体チップ、さらにはパッケージ全体を必要以上に冷却しなければならず、極めて冷却効率が悪くなるとともに、それに付随して冷却に用いる装置自体のオーバーワークによる発熱が問題となる。
【０００６】
特に複数の半導体チップが積層されてなる半導体チップ積層体においては、上下の半導体チップに挟まれた中程に位置する半導体チップでは、放熱経路が上下の半導体チップを通る経路であるため、放熱経路の熱抵抗が高くなり、中程に位置する半導体チップの冷却が十分行なえないことや上下の半導体チップの温度も上昇してしまうことも、大きな問題となる。
【０００７】
このような観点から、特に積層型の半導体パッケージにおいて、半導体チップにおける発熱部分のみを個別に効率的に冷却できる技術の開発が求められている。
【特許文献１】特開平１１−７４４５４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、積層型の半導体パッケージにおいて、その半導体パッケージを構成する任意の半導体チップの発熱部分のみを効率的に冷却できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決すべく、本発明の一態様は、
複数の半導体チップが積層されてなる半導体パッケージであって、
前記半導体チップの少なくとも１つにおいて、相対的に高温度に加熱された発熱部分を局所的に露出させ、前記発熱部分を直接冷却するようにしたことを特徴とする、半導体パッケージに関する。
【発明の効果】
【００１０】
上記態様によれば、積層型の半導体パッケージにおいて、その半導体パッケージを構成する任意の半導体チップの発熱部分のみを効率的に冷却することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。図１に示す半導体パッケージ１０においては、ベース基板１４上において、第１の半導体チップ１１、第２の半導体チップ１２及び第３の半導体チップ１３−１、第４の半導体チップ１３−２が順次に積層されている。ベース基板１４及び第１の半導体チップ１１間、並びに各半導体チップ間は熱伝導ペースト１６で互いに接着固定されている。なお、熱伝導ペーストの代わりに半田などを用いることもできる。
【００１３】
また、第１の半導体チップ１１及び第２の半導体チップ１２とベース基板１４との間、並びに第１の半導体チップ１１と第３の半導体チップ１３−１及び第４の半導体チップ１３−２との間は、図示しないボンディングパッドなどを介してワイヤ１５によって互いに電気的に接続されている。なお、ベース基板１４は例えばリードフレームとすることができる。
【００１４】
図１に示す半導体パッケージ１０においては、第２の半導体チップ１２の中央部で、その駆動時において、例えばその論理回路構成などに起因して局所的に多く発熱する。したがって、図１に示す構成においては、第３および第４の半導体チップ１３−１及び１３−２を、第２の半導体チップ１２の高発熱部分を含む領域１２Ａを露出させるように配置する。次いで、Ｔ字型のヒートシンク部材１７を、その先端部が領域１２Ａと接触するようにして配置する。
【００１５】
このように、図１に示す構成においては、局所的な高発熱領域１２Ａを有する第２の半導体チップ１２の、前記高発熱領域１２Ａを外部に露出させるとともに、ヒートシンク部材１７を接触させて冷却するようにしている。したがって、第２の半導体チップ１２における高発熱領域１２Ａのみを局所的かつ選択的に冷却することができるようになる。
【００１６】
この結果、第２の半導体チップ１２の動作温度の上昇による熱暴走や特性劣化、さらには半導体パッケージ１０全体の熱暴走や特性劣化を抑制することができる。また、第２の半導体チップ１２における発熱領域１２Ａのみを選択的に冷却することができるので、発熱領域１２Ａの冷却に付随して、第２の半導体チップ１２の全体、さらには半導体パッケージ１０の全体を冷却する必要がなくなるので、第２の半導体チップ１２、さらには半導体パッケージ１０の冷却効率を増大させることができる。
【００１７】
なお、ヒートシンク部材１７は熱伝導性に優れる部材、例えば銅やアルミニウムなどから構成することができる。さらに、ヒートシンク部材１７は単独で用いることもできるが、その少なくとも一部を冷媒に接触させることにより、第２の半導体チップ１２における発熱領域１２Ａの冷却をより効率的に行うことができる。
【００１８】
さらに、第３の半導体チップ１３−１に発熱領域が形成されている場合においては、そのままの状態で前記発熱領域が露出した状態となっているので、前記発熱領域にヒートシンク部材を接触させることによって直接的に冷却することができる。
【００１９】
また、本例では、第２の半導体チップ１２の中央部に高発熱領域１２Ａが形成されるようにしているが、発熱領域の形成箇所は組み込まれた論理回路などの構成によって異なる。なお、局所的に生じる高発熱領域の場所によりその上方に位置する半導体チップ（本例では第３および第４の半導体チップ１３−１及び１３−２）の配置場所を適宜変更することができる。
【００２０】
（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。なお、図１に示す構成要素と同一あるいは類似の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いている。
【００２１】
図２に示す半導体パッケージ２０においては、ベース基板１４上において、第１の半導体チップ１１、第２の半導体チップ１２及び第３の半導体チップ１３−１が順次に積層されている。ベース基板１４及び第１の半導体チップ１１間、並びに各半導体チップ間は半田ボール２５で互いに接着固定されており、これによって、半導体パッケージ２０はいわゆるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）またはフリップチップ状の構造を呈している。したがって、ベース基板１４は、いわゆるマザーボードとしての機能を有する。なお、各半導体チップ間、及びこれら半導体チップとベース基板とは半田ボール２５によって電気的に接続されており、必要に応じて適宜半導体チップ上の配線とチップ内の貫通ビアホールが形成されている。
【００２２】
図２に示す半導体パッケージ２０においては、第２の半導体チップ１２の左端部、並びに第１の半導体チップ１１の右端部及び中央部で、その駆動時において、例えばその論理回路構成などに起因して局所的に多く発熱する。
【００２３】
したがって、図２に示す構成においては、第３の半導体チップ１３−１の大きさを第２の半導体チップ１２の約半分として右端側に配置するとともに、第２の半導体チップ１２の大きさを第１の半導体チップ１１の略半分としてその中央部に配置するようにしている。したがって、第２の半導体チップ１２の、左端に位置する高発熱箇所を含む高発熱領域１２Ａの裏面を露出することができるとともに、第１の半導体チップ１１の、右端に位置する高発熱箇所を含む高発熱領域１１Ｂの裏面を露出させることができる。
【００２４】
さらに、図２に示す構成においては、ベース基板１４を紙面に垂直な穴を形成し、第１の半導体チップ１１の、中央部に位置する高発熱箇所を含む高発熱領域１１Ａを露出させている。
【００２５】
次いで、下駄歯形状のヒートシンク部材１７−１を、その先端部が、第１の半導体チップ１１及び第２の半導体チップ１２の裏面側から高発熱領域１２Ａ及び高発熱領域１１Ｂと接触するようにして配置する。さらに、Ｔ字型のヒートシンク部材１７−２を、その先端部が、第１の半導体チップ１１の表面側から高発熱領域１１Ａと接触するようにして配置する。したがって、第１の半導体チップ１１における高発熱領域１１Ａ及び１１Ｂ、並びに第２の半導体チップ１２における高発熱領域１２Ａのみを局所的かつ選択的に冷却することができるようになる。
【００２６】
この結果、第１の半導体チップ１１及び第２の半導体チップ１２の動作温度の上昇による熱暴走や特性劣化、さらには半導体パッケージ２０全体の熱暴走や特性劣化を抑制することができる。また、第１の半導体チップ１１における高発熱領域１１Ａ及び１１Ｂ、並びに第２の半導体チップ１２における高発熱領域１２Ａのみを選択的に冷却することができるので、これら高発熱領域の冷却に付随した、第１の半導体チップ１１及び第２の半導体チップ１２の全体、さらには半導体パッケージ２０の全体を冷却する必要がなくなり、第１の半導体チップ１１及び第２の半導体チップ１２、さらには半導体パッケージ２０の冷却効率を増大させることができる。
【００２７】
なお、ヒートシンク部材１７−１及び１７−２は熱伝導性に優れる部材、例えば銅やアルミニウムなどから構成することができる。さらに、ヒートシンク部材１７−１及び１７−２は単独で用いることもできるが、その少なくとも一部を冷媒に接触させることにより、第１の半導体チップ１１における高発熱領域１１Ａ及び１１Ｂ、並びに第２の半導体チップ１２における高発熱領域１２Ａの冷却をより効率的に行うことができる。
【００２８】
なお、本例においても、第３の半導体チップ１３−１に発熱領域が形成されている場合においては、そのままの状態で前記高発熱領域の裏面が露出した状態となっているので、前記発熱領域にヒートシンク部材を接触させることによって冷却することができる。
【００２９】
また、本例では、第１の半導体チップ１１の中央部及び右端部において発熱領域１１Ａ及び１１Ｂが形成され、第２の半導体チップ１２の左端部に発熱領域１２Ａが形成されるようにしているが、発熱領域の形成箇所は組み込まれた論理回路などの構成によって異なる。なお、局所的に生じる高発熱領域の場所によりその上方に位置する半導体チップ（本例では半導体チップ１２、１３−１）の配置場所を適宜変更することができる。
【００３０】
（第３の実施形態）
図３は、第３の実施形態における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。図３に示す半導体パッケージ３０は、基本的には図１に示す半導体パッケージ１０とその構造が同一であるが、高発熱領域を冷却する手段が互いに異なる。
【００３１】
すなわち、図３に示す半導体パッケージ３０においても、第２の半導体チップ１２の中央部に高発熱部分が形成され、この発熱部分を含む高発熱部分１２Ａが露出するようにして第３の半導体チップ１３−１及び第４の半導体チップ１３−２を配置する。しかしながら、本例では、図１に示すようなＴ字型のヒートシンク部材１７に代えて、第２の半導体チップ１２の、高発熱領域１２Ａの上方に冷媒装置３７を配備し、この冷媒装置３７から高発熱領域１２Ａに向けて冷媒を吹き付けるようにしている。
【００３２】
このように、図３に示す構成においても、局所的な高発熱領域１２Ａを有する第２の半導体チップ１２の、前記高発熱領域１２Ａを外部に露出させるとともに、冷媒装置３７から冷媒を吹き付けて冷却するようにしている。したがって、第２の半導体チップ１２における発熱領域１２Ａのみを局所的かつ選択的に冷却することができるようになる。
【００３３】
この結果、第２の半導体チップ１２の動作温度の上昇による熱暴走や特性劣化、さらには半導体パッケージ１０全体の熱暴走や特性劣化を抑制することができる。また、第２の半導体チップ１２における高発熱領域１２Ａのみを選択的に冷却することができるので、高発熱領域１２Ａの冷却に付随して、第２の半導体チップ１２の全体、さらには半導体パッケージ１０の全体を冷却する必要がなくなるので、第２の半導体チップ１２、さらには半導体パッケージ１０の冷却効率を増大させることができる。
【００３４】
なお、前記冷媒としては、空気、窒素ガス、炭酸ガスや希ガスなどの非反応性のガスを用いることもできる。また、半導体チップの特性に影響を与えない限り、水、アルコール、水とアルコールの混合物等の液体状の冷媒をも用いることができる。液体の場合、インクジェット方式や微細なノズルを使用することで液滴のサイズを小さくして冷却場所に供給することにより、高発熱箇所での液体の蒸発潜熱を利用するとより効率的に冷却することが出来る。さらに場合によっては雰囲気の気圧を下げるなどして、低温で蒸発するようにしてもよい。
【００３５】
さらに、第３および第４の半導体チップ１３−１及び１３−２に発熱領域が形成されている場合においては、そのままの状態で前記高発熱領域が露出した状態となっているので、前記高発熱領域に冷媒を吹き付けることによって直接的に冷却することができる。
【００３６】
また、本例でも、第２の半導体チップ１２の中央部に高発熱領域１２Ａが形成されるようにしているが、高発熱領域の形成箇所は組み込まれた論理回路などの構成によって異なる。なお、局所的に生じる高発熱領域の場所によりその上方に位置する半導体チップ（本例では第３および第４の半導体チップ１３−１及び１３−２）の配置場所を適宜変更することができる。
【００３７】
なお、図３に示す半導体パッケージ３０の冷却構造を除くその他の構成要素及び構造に関しては、図１に示す半導体パッケージ１０と同様であるので、それらの説明に関しては省略する。
【００３８】
（第４の実施形態）
図４は、第４の実施形態における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。図４に示す半導体パッケージ４０は、基本的には図２に示す半導体パッケージ２０とその構造が同一であるが、発熱領域を冷却する手段が互いに異なる。
【００３９】
すなわち、図４に示す半導体パッケージ４０においても、第３の半導体チップ１３−１の大きさを第２の半導体チップ１２の約半分として右端側に配置するとともに、第２の半導体チップ１２の大きさを第１の半導体チップ１１の略半分としてその中央部に配置するようにし、第２の半導体チップ１２の、左端に位置する高発熱箇所を含む高発熱領域１２Ａの裏面、及び第１の半導体チップ１１の、右端に位置する高発熱箇所を含む高発熱領域１１Ｂの裏面を露出させるようにしている。さらに、ベース基板１４を紙面に垂直な穴を形成し、第１の半導体チップ１１の、中央部に位置する高発熱箇所を含む高発熱領域１１Ａを露出させている。
【００４０】
しかしながら、本例では、図２に示すようなヒートシンク部材１７−１及び１７−２に代えて、第２の半導体チップ１２の、高発熱領域１２Ａの上方に冷媒装置３７−１を配備し、この冷媒装置３７−１から高発熱領域１２Ａの裏面に向けて冷媒を吹き付けるようにしている。また、第１の半導体チップ１１の、高発熱領域１１Ｂの上方に冷媒装置３７−２を配備し、この冷媒装置３７−２から高発熱領域１１Ｂの裏面に向けて冷媒を吹き付けるようにしている。さらに、第１の半導体チップ１１の、高発熱領域１１Ａの下方に冷媒装置３７−３を配備し、この冷媒装置３７−３から高発熱領域１１Ａに向けて冷媒を吹き付けるようにしている。
【００４１】
したがって、第１の半導体チップ１１における高発熱領域１１Ａ及び１１Ｂ、並びに第２の半導体チップ１２における高発熱領域１２Ａのみを局所的かつ選択的に冷却することができるようになる。
【００４２】
この結果、第１の半導体チップ１１及び第２の半導体チップ１２の動作温度の上昇による熱暴走や特性劣化、さらには半導体パッケージ４０全体の熱暴走や特性劣化を抑制することができる。また、第１の半導体チップ１１における高発熱領域１１Ａ及び１１Ｂ、並びに第２の半導体チップ１２における高発熱領域１２Ａのみを選択的に冷却することができるので、これら高発熱領域の冷却に付随した、第１の半導体チップ１１及び第２の半導体チップ１２の全体、さらには半導体パッケージ４０の全体を冷却する必要がなくなり、第１の半導体チップ１１及び第２の半導体チップ１２、さらには半導体パッケージ４０の冷却効率を増大させることができる。
【００４３】
なお、前記冷媒としては、空気、窒素ガス、炭酸ガスや希ガスなどの非反応性のガスを用いることもできる。また、半導体チップの特性に影響を与えない限り、水、アルコール、水とアルコールの混合物等の液体状の冷媒をも用いることができる。液体の場合、インクジェット方式や微細なノズルを使用することで液滴のサイズを小さくして冷却場所に供給することにより、高発熱箇所での液体の蒸発潜熱を利用するとより効率的に冷却することが出来る。さらに場合によっては雰囲気の気圧を下げるなどして、低温で蒸発するようにしてもよい。
【００４４】
また、第３の半導体チップ１３−１に高発熱領域が形成されている場合においては、そのままの状態で前記高発熱領域の裏面が露出した状態となっているので、前記高発熱領域に冷媒を吹き付けることによって直接的に冷却することができる。
【００４５】
また、本例では、第１の半導体チップ１１の中央部及び右端部において高発熱領域１１Ａ及び１１Ｂが形成され、第２の半導体チップ１２の左端部に高発熱領域１２Ａが形成されるようにしているが、発熱領域の形成箇所は組み込まれた論理回路などの構成によって異なる。なお、局所的に生じる高発熱領域の場所によりその上方に位置する半導体チップ（本例では半導体チップ１２、１３−１）の配置場所を適宜変更することができる。
【００４６】
なお、図４に示す半導体パッケージ４０の冷却構造を除くその他の構成要素及び構造に関しては、図２に示す半導体パッケージ２０と同様であるので、それらの説明に関しては省略する。
【００４７】
（第５の実施形態）
図５は、第５の実施形態における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。なお、上述した図１〜４に示す半導体パッケージと同一あるいは類似の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いている。
【００４８】
図５に示す半導体パッケージ５０においては、ベース基板１４上において、第１の半導体チップ１１、第２の半導体チップ１２及び第３の半導体チップ１３−１が順次に積層されている。ベース基板１４及び第１の半導体チップ１１間、並びに各半導体チップ間は半田ボール２５によって接着固定されており、これによって、半導体パッケージ２０はいわゆるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）またはフリップチップ状の構造を呈している。したがって、ベース基板１４は、いわゆるマザーボードとしての機能を有する。なお、各半導体チップ間、及びこれら半導体チップとベース基板とは半田ボール２５によって電気的に接続されており、必要に応じて適宜半導体チップ上の配線とチップ内の貫通ビアホールが形成されている。
【００４９】
図５に示す半導体パッケージ５０においては、第２の半導体チップ１２の右端部で、その駆動時において、例えばその論理回路構成などに起因して局所的に多く発熱する。したがって、図５に示す構成においては、第２の半導体チップ１２の、前記高発熱部分を含む発熱領域１２Ａを有する右端部を第１の半導体チップ１１及び第３の半導体チップ１３−１の右方より露出させるようにしている。そして、その露出部分をコの字型のヒートシンク部材５７によって上下方向から挟み込むようにしている。
【００５０】
したがって、図５に示す構成においては、局所的な高発熱領域１２Ａを有する第２の半導体チップ１２の、前記高発熱領域１２Ａを外部に露出させるとともに、ヒートシンク部材５７で上下方向から挟み込むようにして冷却するようにしている。この場合上下に放熱経路を形成できるので、冷却能力を著しく高めることが可能となる。したがって、第２の半導体チップ１２における高発熱領域１２Ａの発熱が多大であっても局所的かつ選択的に冷却することができるようになる。
【００５１】
この結果、第２の半導体チップ１２の発熱が多大であっても動作温度の上昇による熱暴走や特性劣化、さらには半導体パッケージ５０全体の熱暴走や特性劣化を抑制することができる。また、第２の半導体チップ１２における高発熱領域１２Ａのみを選択的に冷却することができるので、高発熱領域１２Ａの冷却に付随して、第２の半導体チップ１２の全体、さらには半導体パッケージ５０の全体を冷却する必要がなくなるので、第２の半導体チップ１２、さらには半導体パッケージ５０の冷却効率を増大させることができる。
【００５２】
なお、ヒートシンク部材５７は熱伝導性に優れる部材、例えば銅やアルミニウムなどから構成することができる。さらに、ヒートシンク部材１７は単独で用いることもできるが、その少なくとも一部を冷媒に接触させることにより、第２の半導体チップ１２における発熱領域１２Ａの冷却をより効率的に行うことができる。実際、図５に示す構成では、ヒートシンク部材５７中に通路５７Ａを形成し、この中を冷媒が流れるようにしている。したがって、第２の半導体チップ１２の発熱領域１２Ａの冷却をより効果的に行うことができる。
【００５３】
また、本例では、第２の半導体チップ１２の中央部に高発熱領域１２Ａが形成される場合について示しているが、第１の半導体チップ１１または第３の半導体チップ１３−１において高発熱領域が形成されている場合においても、第１の半導体チップ１１または第３の半導体チップ１３−１の発熱領域を端部から露出させ、ヒートシンク部材を接触させて冷却することによって、前記高発熱領域のみを選択的及び効果的に冷却することができる。
【００５４】
なお、前記冷媒としては、炭酸ガスや希ガスなどの非反応性のガスを用いることもできし、特に図５に示すような構成の場合、水やアルコール、水とアルコールの混合物等の液体状の冷媒をも用いることでより冷却能力を高めることができる。
【００５５】
さらに、本例でも、第２の半導体チップ１２の右端部に高発熱領域１２Ａが形成されるようにしているが、高発熱領域の形成箇所は組み込まれた論理回路などの構成によって異なる。しかしながら、本例のように半導体チップの端部に高発熱領域が形成されるように前記論理回路などを設計することによって、その上方に位置する半導体チップを、例えば、端部に位置する高発熱領域が露出するように設計すれば良いため、前記上方に位置する半導体チップの機能を損なうことなく、その形成を簡易に行うことができるようになる。
【００５６】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】第１の実施形態における半導体装置パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図２】第２の実施形態における半導体装置パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図３】第３の実施形態における半導体装置パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図４】第４の実施形態における半導体装置パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図５】第５の実施形態における半導体装置パッケージの概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０、２０、３０、４０、５０  半導体パッケージ
１１  第１の半導体チップ
１２  第２の半導体チップ
１３−１  第３の半導体チップ
１３−２  第４の半導体チップ
１４  ベース基板
１５  ワイヤ
１６  熱伝導ペースト
１７、１７−１、１７−２、５７  ヒートシンク部材
２５  半田ボール
３７、３７−１、３７−２  冷却装置
【図１】
2008177241.tif 000003
【図２】
2008177241.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008177241.tif 000006
【図５】
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