(57)【要約】【課題】薄型化が可能であり、輝度を低下させずにコントラストを向上させることの可能な有機発光装置を提供する。【解決手段】本発明にかかる有機発光装置は、基板１と、基板１上に設けられ、画像を具現する有機発光素子３と、有機発光素子３上に設けられた密封部材と、基板１、有機発光素子３および密封部材の第１の面のうちいずれか１つの面に成膜された１／４波長層２１と、基板１、有機発光素子３、密封部材および１／４波長層２１の面のうち、第１の面と反対側の面である第２の面に成膜され、１／４波長層２１よりも画像が具現される側に位置する線形偏光層２２と、を備える。これにより、有機発光装置の薄型化が可能であり、輝度を低下させずともコントラストを向上させることができる。【選択図】図１
2008021633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、画像を具現する有機発光素子と、
前記有機発光素子上に設けられた密封部材と、
前記基板、前記有機発光素子および前記密封部材の第１の面のうちいずれか１つの面に成膜された１／４波長層と、
前記基板、前記有機発光素子、前記密封部材および前記１／４波長層の面のうち、第１の面と反対側の面である第２の面に成膜され、前記１／４波長層よりも前記画像が具現される側に位置する線形偏光層と、
を備えることを特徴とする、有機発光装置。
【請求項２】
前記画像は、前記基板側に具現されることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記線形偏光層は、前記基板上に成膜され、
前記１／４波長層は、前記線形偏光層上に成膜され、
前記有機発光素子は、前記１／４波長層上に成膜されることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記１／４波長層は、前記基板上に成膜され、
前記有機発光素子は、前記１／４波長層上に成膜され、
前記線形偏光層は、前記基板の、前記１／４波長層が成膜された面と反対側に成膜されることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記１／４波長層および線形偏光層は、前記基板の、前記有機発光素子が位置する面と反対側の面に順に成膜されることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記画像は、前記密封部材側に具現されることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記１／４波長層は、前記有機発光素子上に成膜され、
前記線形偏光層は、前記１／４波長層上に成膜されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記線形偏光層上に位置する保護膜をさらに備えることを特徴とする、請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記有機発光素子上に位置する保護膜をさらに備え、
前記１／４波長層は、前記保護膜上に成膜され、
前記線形偏光層は、前記１／４波長層上に成膜されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記有機発光素子上に位置する保護膜をさらに備え、
前記１／４波長層は、前記有機発光素子と前記保護膜との間に成膜され、
前記線形偏光層は、前記保護膜上に成膜されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記保護膜は、有機絶縁物質および無機絶縁物質のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記基板と前記有機発光素子との間に介在される反射膜をさらに備え、
前記１／４波長層は、前記反射膜と前記有機発光素子との間に成膜され、
前記線形偏光層は、前記有機発光素子上に成膜されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記密封部材は、透明基板であり、
前記１／４波長層および前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子と対向する面と反対側に順に成膜されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記密封部材は、透明基板であり、
前記１／４波長層は、前記密封部材の前記有機発光素子と対向する面に成膜され、
前記線形偏光層は、前記密封部材の、前記１／４波長層が成膜された面と反対側に成膜されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記密封部材は、透明基板であり、
前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子と対向する面に成膜され、
前記１／４波長層は、前記線形偏光層の、前記有機発光素子と対向する面に成膜されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光装置。
【請求項１６】
基板と、
前記基板上に設けられ、画像を具現するものであって、有機発光素子を備える受動駆動方式の有機発光部と、
前記有機発光部上に位置する密封部材と、
前記基板、前記有機発光部および前記密封部材の第１の面のうちいずれか１つの面に成膜される１／４波長層と、
前記基板、前記有機発光部、前記密封部材および前記１／４波長層のうち第１の面と反対側の面である第２の面に成膜され、前記１／４波長層よりも前記画像が具現される側に位置する線形偏光層と、
を備えることを特徴とする有機発光装置。
【請求項１７】
前記画像は、前記基板側に具現されることを特徴とする、請求項１６に記載の有機発光装置。
【請求項１８】
前記線形偏光層は、前記基板上に成膜され、
前記１／４波長層は、前記線形偏光層上に成膜され、
前記有機発光部は、前記１／４波長層上に位置することを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光装置。
【請求項１９】
前記１／４波長層は、前記基板上に成膜され、
前記有機発光部は、前記１／４波長層上に位置し、
前記線形偏光層は、前記基板の前記１／４波長層が成膜される面と反対側の面に成膜されることを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光装置。
【請求項２０】
前記１／４波長層および前記線形偏光層は、前記基板の、前記有機発光部が位置する面と反対側の面に順に成膜されることを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光装置。
【請求項２１】
前記画像は、前記密封部材側に具現されることを特徴とする、請求項１６に記載の有機発光装置。
【請求項２２】
前記１／４波長層は、前記有機発光部上に成膜され、
前記線形偏光層は、前記１／４波長層上に成膜されることを特徴とする、請求項２１に記載の有機発光装置。
【請求項２３】
前記線形偏光層上に位置する保護膜をさらに備えることを特徴とする、請求項２２に記載の有機発光装置。
【請求項２４】
前記有機発光部上に位置する保護膜をさらに備え、
前記１／４波長層は、前記保護膜上に成膜され、
前記線形偏光層は、前記１／４波長層上に成膜されることを特徴とする、請求項２１に記載の有機発光装置。
【請求項２５】
前記有機発光部上に位置する保護膜をさらに備え、
前記１／４波長層は、前記有機発光部と前記保護膜との間に成膜され、
前記線形偏光層は、前記保護膜上に成膜されることを特徴とする、請求項２１に記載の有機発光装置。
【請求項２６】
前記保護膜は、有機絶縁物質および無機絶縁物質のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項２３〜２５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２７】
前記基板と前記有機発光部との間に介在される反射膜をさらに備え、
前記１／４波長層は、前記反射膜と前記有機発光部との間に成膜され、
前記線形偏光層は、前記有機発光部上に成膜されることを特徴とする、請求項２１に記載の有機発光装置。
【請求項２８】
前記密封部材は、透明基板であり、
前記１／４波長層は、前記密封部材の前記有機発光部と対向する面と反対側の面に成膜され、
前記線形偏光層は、前記１／４波長層上に成膜されることを特徴とする、請求項２１に記載の有機発光装置。
【請求項２９】
前記密封部材は、透明基板であり、
前記１／４波長層は、前記密封部材の前記有機発光部と対向する面に成膜され、
前記線形偏光層は、前記密封部材の、前記１／４波長層が成膜された面と反対側の面に成膜されることを特徴とする、請求項２１に記載の有機発光装置。
【請求項３０】
前記密封部材は、透明基板であり、
前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光部と対向する面に成膜され、
前記１／４波長層は、前記線形偏光層の前記有機発光部と対向する面に成膜されることを特徴とする、請求項２１に記載の有機発光装置。
【請求項３１】
基板と、
前記基板上に設けられた薄膜トランジスタと、
前記基板上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に連結された有機発光素子と、
前記有機発光素子上に位置する密封部材と、
前記基板、前記薄膜トランジスタ、前記有機発光素子および前記密封部材の第１の面のうちいずれか１つの面に成膜された１／４波長層と、
前記基板、前記薄膜トランジスタ、前記有機発光素子、前記密封部材および前記１／４波長層の面のうち、第１の面と反対側の面である第２の面に成膜され、前記１／４波長層よりも前記画像が具現される側に位置する線形偏光層と、
を備えることを特徴とする、有機発光装置。
【請求項３２】
前記画像は、前記基板側に具現されることを特徴とする、請求項３１に記載の有機発光装置。
【請求項３３】
前記線形偏光層は、前記基板上に成膜され、
前記１／４波長層は、前記線形偏光層上に成膜され、
前記薄膜トランジスタおよび前記有機発光素子は、前記１／４波長層上に位置することを特徴とする、請求項３２に記載の有機発光装置。
【請求項３４】
前記線形偏光層は、前記薄膜トランジスタ上に成膜され、
前記１／４波長層は、前記線形偏光層上に成膜されることを特徴とする、請求項３２に記載の有機発光装置。
【請求項３５】
前記薄膜トランジスタを覆うように設けられた保護膜をさらに備え、
前記線形偏光層は、前記保護膜上に成膜され、
前記１／４波長層は、前記線形偏光層上に成膜されることを特徴とする、請求項３２に記載の有機発光装置。
【請求項３６】
前記線形偏光層は、前記基板上に成膜され、
前記薄膜トランジスタは、前記線形偏光層上に位置し、
前記１／４波長層は、前記薄膜トランジスタ上に成膜されることを特徴とする、請求項３２に記載の有機発光装置。
【請求項３７】
前記線形偏光層および前記１／４波長層のうち少なくとも１つは、前記薄膜トランジスタを構成する層の間に介在されることを特徴とする、請求項３２に記載の有機発光装置。
【請求項３８】
前記線形偏光層は、前記基板の前記薄膜トランジスタが位置する面と反対側の面に成膜され、
前記１／４波長層は、前記薄膜トランジスタ上に成膜されることを特徴とする、請求項３２に記載の有機発光装置。
【請求項３９】
前記１／４波長層は、前記基板上に成膜され、
前記薄膜トランジスタは、前記１／４波長層上に位置し、
前記線形偏光層は、前記基板の前記１／４波長層が成膜された面と反対側の面に成膜されることを特徴とする、請求項３２に記載の有機発光装置。
【請求項４０】
前記１／４波長層および前記線形偏光層は、前記基板の前記有機発光素子が位置する側と反対側の面に順に成膜されることを特徴とする、請求項３２に記載の有機発光装置。
【請求項４１】
前記画像は、前記密封部材側に具現されることを特徴とする、請求項３１に記載の有機発光装置。
【請求項４２】
前記１／４波長層は、前記有機発光素子上に成膜され、
前記線形偏光層は、前記１／４波長層上に成膜されることを特徴とする、請求項４１に記載の有機発光装置。
【請求項４３】
前記線形偏光層上に位置する保護膜をさらに備えることを特徴とする、請求項４１に記載の有機発光装置。
【請求項４４】
前記有機発光素子上に位置する保護膜をさらに備え、
前記１／４波長層は、前記保護膜上に成膜され、
前記線形偏光層は、前記１／４波長層上に成膜されることを特徴とする、請求項４１に記載の有機発光装置。
【請求項４５】
前記有機発光素子上に位置する保護膜をさらに備え、
前記１／４波長層は、前記有機発光素子と前記保護膜との間に成膜され、
前記線形偏光層は、前記保護膜上に成膜されることを特徴とする、請求項４１に記載の有機発光装置。
【請求項４６】
前記保護膜は、有機絶縁物質および無機絶縁物質のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項４３〜４５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項４７】
前記基板と前記有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備え、
前記１／４波長層は、前記反射膜と前記有機発光素子との間に成膜され、
前記線形偏光層は、前記有機発光素子上に成膜されることを特徴とする、請求項４１に記載の有機発光装置。
【請求項４８】
前記密封部材は、透明基板であり、
前記１／４波長層は、前記密封部材の前記有機発光素子に対向する面と反対側の面に成膜され、
前記線形偏光層は、前記１／４波長層上に成膜されることを特徴とする、請求項４１に記載の有機発光装置。
【請求項４９】
前記密封部材は、透明基板であり、
前記１／４波長層は、前記密封部材の前記有機発光素子と対向する面に成膜され、
前記線形偏光層は、前記密封部材の前記１／４波長層が成膜された面と反対側の面に成膜されることを特徴とする、請求項４１に記載の有機発光装置。
【請求項５０】
前記密封部材は、透明基板であり、
前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子と対向する面に成膜され、
前記１／４波長層は、前記線形偏光層の前記有機発光素子と対向する面に成膜されることを特徴とする、請求項４１に記載の有機発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ；以下、「ＯＬＥＤ」という。）に係り、より詳細には、外光反射によるコントラストの低下を防止できるＯＬＥＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤは、自発光素子であって、液晶表示装置に比べて高輝度を有する。ＯＬＥＤはバックライトユニットを使用しないため、薄型化が可能であるという長所がある。
【０００３】
しかし、太陽光等の外光がある環境においては、画像を見るときに、装置で反射された太陽光によりコントラストが低下するという問題がある。このようなコントラストの低下を防止するために、円偏光板を使用している。
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／００６９９８５号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００４／０１８９１９６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来のＯＬＥＤで使用される円偏光板はフィルムタイプであり、線偏光フィルムとλ／４の位相差を有するフィルムとを、接着剤により画像が具現される基板の表面に付着させて形成する。このようなフィルムタイプの円偏光板の場合、フィルムおよび接着層を備えるため薄型化に限界がある。また、画像が円偏光板を構成する各フィルムを透過するだけでなく、接着層までも透過しなければならないので、光の抽出効率が低下してしまい、輝度が低下してしまうという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、薄型化が可能であり、輝度を低下させずにコントラストを向上させることの可能な、新規かつ改良されたＯＬＥＤを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板と、基板上に設けられ、画像を具現する有機発光素子と、有機発光素子上に設けられた密封部材と、基板、有機発光素子および密封部材の第１の面のうちいずれか１つの面に成膜された１／４波長層と、基板、有機発光素子、密封部材および１／４波長層の面のうち、第１の面と反対側の面である第２の面に成膜され、１／４波長層よりも画像が具現される側に位置する線形偏光層と、を備える有機発光装置が提供される。なお、基板、有機発光素子および密封部材の各第１の面とは、同一の方向側に位置する面をいい、基板、有機発光素子、密封部材および１／４波長層の各第２の面とは、第１の面と反対側に位置する面をいう。
【０００８】
ここで、画像は、基板側に具現される。ここで、線形偏光層を基板上に成膜し、１／４波長層を線形偏光層上に成膜し、有機発光素子を１／４波長層上に成膜してもよい。または、１／４波長層を基板上に成膜し、有機発光素子を１／４波長層上に成膜し、線形偏光層を基板の１／４波長層が成膜された面と反対側に成膜してもよい。さらに、１／４波長層および線形偏光層は、基板の有機発光素子が位置する面と反対側の面に順に成膜することもできる。
【０００９】
一方、画像を記密封部材側に具現させることもできる。このとき、１／４波長層を有機発光素子上に成膜し、線形偏光層を１／４波長層上に成膜することができる。ここで、線形偏光層上に位置する保護膜をさらに備えてもよい。また、有機発光素子上に位置する保護膜をさらに備え、１／４波長層を保護膜上に成膜し、線形偏光層を１／４波長層上に成膜することもできる。さらに、有機発光素子上に位置する保護膜をさらに備え、１／４波長層を有機発光素子と保護膜との間に成膜し、線形偏光層を保護膜上に成膜することもできる。ここで、保護膜は、有機絶縁物質および無機絶縁物質のうち少なくとも１つを含んで成膜される。
【００１０】
または、基板と有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備え、１／４波長層を反射膜と有機発光素子との間に成膜し、線形偏光層を、有機発光素子上に成膜することもできる。
【００１１】
または、密封部材を透明基板から成膜することもできる。この場合、１／４波長層および線形偏光層を密封部材の有機発光素子と対向する面と反対側に順に成膜させることもできる。または、１／４波長層を密封部材の有機発光素子と対向する面に成膜し、線形偏光層を密封部材の１／４波長層が成膜された面と反対側に成膜することもできる。または、線形偏光層を密封部材の有機発光素子と対向する面に成膜し、１／４波長層を線形偏光層の有機発光素子と対向する面に成膜することもできる。
【００１２】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板と、基板上に設けられ、画像を具現するものであって、有機発光素子を備える受動駆動方式の有機発光部と、有機発光部上に位置する密封部材と、基板、有機発光部および密封部材の第１の面のうちいずれか１つの面に成膜される１／４波長層と、基板、有機発光部、密封部材および１／４波長層のうち第１の面と反対側の面である第２の面に成膜され、１／４波長層よりも画像が具現される側に位置する線形偏光層と、を備える有機発光装置が提供される。
【００１３】
ここで、画像は、基板側に具現されることができる。このとき、線形偏光層を基板上に成膜し、１／４波長層を線形偏光層上に成膜し、有機発光部を１／４波長層上に位置するようにすることができる。または、１／４波長層を基板上に成膜し、有機発光部を１／４波長層上に位置させるようにし、線形偏光層を基板の１／４波長層が成膜される面と反対側の面に成膜させることもできる。または、１／４波長層および線形偏光層を基板の有機発光部が位置する面と反対側の面に順に成膜させることもできる。
【００１４】
一方、画像を密封部材側に具現されることもできる。このとき、１／４波長層を有機発光部上に成膜し、線形偏光層を１／４波長層上に成膜してもよい。ここで、線形偏光層上に位置する保護膜をさらに備えることもできる。または、有機発光部上に位置する保護膜をさらに備えるようにしてもよい。この場合、１／４波長層を保護膜上に成膜し、線形偏光層を１／４波長層上に成膜することができる。または、１／４波長層を有機発光部と保護膜との間に形成し、線形偏光層を保護膜上に成膜することもできる。保護膜は、有機絶縁物質および無機絶縁物質のうち少なくとも１つを含んでなる。
【００１５】
または、基板と有機発光部との間に介在された反射膜をさらに備えることもできる。この場合、１／４波長層を反射膜と有機発光部との間に成膜し、線形偏光層を有機発光部上に成膜してもよい。
【００１６】
または、密封部材を透明基板から形成することができる。この場合、１／４波長層を密封部材の有機発光部と対向する面と反対側の面に成膜し、線形偏光層を１／４波長層上に成膜してもよい。あるいは、１／４波長層を密封部材の有機発光部と対向する面に成膜し、線形偏光層を密封部材の１／４波長層が成膜された面と反対側の面に成膜してもよい。あるいは、線形偏光層を密封部材の有機発光部と対向する面に成膜し、１／４波長層を線形偏光層の有機発光部と対向する面に成膜することもできる。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明のさらに別の観点によれば、基板と、基板上に設けられた薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）と、基板上に設けられ、薄膜トランジスタと電気的に連結された有機発光素子と、有機発光素子上に位置する密封部材と、基板、薄膜トランジスタ、有機発光素子および密封部材の第１の面のうちいずれか１つの面に成膜された１／４波長層と、基板、薄膜トランジスタ、有機発光素子、密封部材および１／４波長層の面のうち、第１の面と反対側の面である第２の面に成膜され、１／４波長層よりも画像が具現される側に位置する線形偏光層と、を備える有機発光装置が提供される。
【００１８】
ここで、画像は基板側に具現させることができる。この場合、線形偏光層を基板上に成膜し、１／４波長層を線形偏光層上に成膜し、薄膜トランジスタおよび有機発光素子を１／４波長層上に位置するようにしてもよい。あるいは、線形偏光層を薄膜トランジスタ上に成膜し、１／４波長層を線形偏光層上に成膜してもよい。あるいは、薄膜トランジスタを覆うように設けられた保護膜をさらに備え、線形偏光層を保護膜上に成膜し、１／４波長層を線形偏光層上に成膜してもよい。あるいは、線形偏光層を基板上に成膜し、薄膜トランジスタを線形偏光層上に位置するようにし、１／４波長層を薄膜トランジスタ上に成膜してもよい。ここで、線形偏光層および１／４波長層のうち少なくとも１つは、薄膜トランジスタを構成する層の間に介在させることができる。
【００１９】
または、線形偏光層を基板の薄膜トランジスタが位置する面と反対側の面に成膜し、１／４波長層を薄膜トランジスタ上に成膜してもよい。あるいは、１／４波長層を基板上に成膜し、薄膜トランジスタを１／４波長層上に位置するようにし、線形偏光層を基板の１／４波長層が成膜された面と反対側の面に成膜してもよい。あるいは、１／４波長層および線形偏光層を基板の有機発光素子が位置する側と反対側の面に順に成膜してもよい。
【００２０】
一方、画像を密封部材側に具現させることもできる。この場合、１／４波長層を有機発光素子上に成膜し、線形偏光層を１／４波長層上に成膜してもよい。また、線形偏光層上に位置する保護膜をさらに備えることもできる。
【００２１】
さらに、有機発光素子上に位置する保護膜をさらに備えるようにしてもよい。この場合、１／４波長層を保護膜上に成膜し、線形偏光層を１／４波長層上に成膜することができる。あるいは、１／４波長層を有機発光素子と保護膜との間に成膜し、線形偏光層を保護膜上に成膜することもできる。ここで、保護膜は、有機絶縁物質および無機絶縁物質のうち少なくとも１つを含んでなる。
【００２２】
または、基板と有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備えるようにしてもよい。この場合、１／４波長層を反射膜と有機発光素子との間に成膜し、線形偏光層を有機発光素子上に成膜してもよい。
【００２３】
また、密封部材を透明基板から形成してもよい。この場合、１／４波長層を密封部材の有機発光素子に対向する面と反対側の面に成膜し、線形偏光層を１／４波長層上に成膜することができる。あるいは、１／４波長層を密封部材の有機発光素子と対向する面に成膜し、線形偏光層を密封部材の１／４波長層が成膜された面と反対側の面に成膜することもできる。あるいは、線形偏光層を密封部材の有機発光素子と対向する面に成膜し、１／４波長層を線形偏光層の有機発光素子と対向する面に成膜することもできる。
【００２４】
本発明の発光装置によれば、成膜工程により円偏光層を構成することによって、外光の反射を抑制してコントラストを向上させることができる。さらに、円偏光層の接合のための接着剤を使用しないので、厚さを薄くすることができ、発光輝度の低下を防止することができる。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明したように本発明によれば、薄型化が可能であり、輝度を低下させずにコントラストを向上させることの可能なＯＬＥＤを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２７】
（第１の実施形態）
まず、図１に基づいて、本発明の第１の実施形態にかかるＯＬＥＤについて説明する。なお、図１は、本実施形態に係る背面発光型のＯＬＥＤを概略的に示す断面図である。
【００２８】
＜ＯＬＥＤの概略構成＞
本実施形態に係るＯＬＥＤは、図１に示すように、透明な素材から備えられた基板１と、基板１上に順に形成された線形偏光層２２、１／４波長層２１および有機発光素子３とを備える。発光素子３の上部には、発光素子３を外部から密封するガラス、薄膜部材、メタルキャップなどの密封部材（図示せず。）がさらに備えられる。
【００２９】
基板１は、例えばＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材等からなる基板を使用することができる。図１には示していないが、透明基板１の上面には、基板の平滑性および不純元素の浸入を遮断するためにバッファ層がさらに備えられる。バッファ層は、例えばＳｉＯ２および／またはＳｉＮｘなどから形成できる。なお、基板１は、必ずしもかかる例に限定されず、例えば透明なプラスチック材から形成することもできる。
【００３０】
基板１の上面には線形偏光層２２が成膜され、線形偏光層２２上に１／４波長層２１が成膜される。そして、１／４波長層２１上に有機発光素子３が形成される。線形偏光層２２と１／４波長層２１との積層順序は、外光の入射方向に近い側から線形偏光層２２、１／４波長層２１と配置される。線形偏光層２２と１／４波長層２１との間には、他の光透過性層を介在させてもよい。
【００３１】
有機発光素子３は、相互に対向する第１電極層３１および第２電極層３３と、その間に介在された発光層３２とを備える。
【００３２】
第１電極層３１は、透明素材の伝導性物質、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ２Ｏ３、またはＺｎＯなどから形成される。第１電極層３１は、例えばフォトリソグラフィ法などにより所定のパターンに形成される。第１電極層３１のパターンは、受動駆動（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ：ＰＭ）型の場合には、相互に所定間隔離れたストライプ状のラインで形成され、能動駆動（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ：ＡＭ）型の場合には、画素に対応する形態に形成される。また、能動駆動型の場合には、第１電極層３１の下部に設けられた基板１に少なくとも１つのＴＦＴを備えたＴＦＴ層がさらに備えられる。第１電極層３１は、このＴＦＴ層に電気的に連結される。このような受動駆動型および能動駆動型の詳細については後述する。
【００３３】
このように透明電極で形成された第１電極層３１は、外部端子（図示せず。）に連結されて、アノード電極として作用する。
【００３４】
第１電極層３１の上部には第２電極層３３が位置する。第２電極層３３は、反射型電極であって、例えばアルミニウム、銀、および／またはカルシウムなどで形成される。また、第２電極層３３は、外部第２電極端子（図示せず。）に連結されて、カソード電極として作用する。
【００３５】
第２電極層３３は、受動駆動型の場合には、第１電極層３１のパターンに直交するストライプ状のラインに形成され、能動駆動型の場合には、画素に対応する形態に形成される。能動駆動型の場合には、画像が具現されるアクティブ領域全体にわたって形成される。この詳細については後述する。
【００３６】
このような第１電極層３１と第２電極層３３とは、その極性が相互逆であってもよい。
【００３７】
第１電極層３１と第２電極層３３との間に介在された発光層３２は、第１電極層３１と第２電極層３３との電気的な駆動により発光する。発光層３２は、例えば低分子有機物、高分子有機物などから形成することができる。
【００３８】
発光層３２が低分子有機物から形成された低分子有機層である場合には、有機発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）を中心に第１電極層３１側にホール輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）およびホール注入層などが積層され、第２電極層３３側に電子輸送層および電子注入層などが積層される。もちろん、これらのホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層および電子注入層の他にも、多様な層が必要に応じて積層されて形成される。
【００３９】
また、使用可能な有機材料も、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを初めとして様々な材料を適用することができる。
【００４０】
一方、高分子有機物から形成された高分子有機層の場合には、有機発光層を中心に第１電極層３１側にＨＴＬのみが備えられる。高分子ＨＴＬは、例えばポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用して、インクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により第１電極層３１の上部に形成される。高分子有機発光層は、例えばＰＰＶ、可溶性ＰＰＶｓ、シアノＰＰＶ、ポリフルオレンなどを使用し、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザを利用した熱転写方式などの通常の方法によりカラーパターンを形成することができる。
【００４１】
本実施形態において、有機発光素子３の発光層３２から放出される光は、図１に示すように、基板１側に放出され、ユーザは、図１の下側、すなわち基板１の下側の外部から画像を観る。このような背面発光型構造において、従来は、例えば太陽光などの外光が基板１を通じて流入させてしまいコントラストを低下させていた。しかし、本実施形態によれば、線形偏光層２２および１／４波長層２１が円偏光層を形成して、外光の反射を最小化することができる。
【００４２】
基板１の下側の外部から入射される外光は、線形偏光層２２の吸収軸方向の成分が吸収され、透過される。この透過軸方向の成分は、１／４波長層２１を通過しつつ一方向に回転される円偏光に変換された後、有機発光素子３の第２電極３３により反射される。反射されるときに、一方向に回転する円偏光は他方向に回転する円偏光になり、１／４波長層２１を通過しつつ最初の透過軸に対して直交する方向の直線偏光に変換される。したがって、この直線偏光は、線形偏光層２２の吸収軸により吸収されて、基板１の下側外部に出射できなくなる。したがって、外光反射が最小化され、コントラストがさらに向上する効果が得られる。
【００４３】
また、線形偏光層２２および１／４波長層２１は基板１上に成膜されるので、その間に接着層を設ける必要がない。これにより、厚さが厚くなるという問題を解決できる。したがって、発光層３２からの画像が接着層を透過することがないため、輝度をさらに向上させることができる。なお、線形偏光層２２および１／４波長層２１は、様々な方法により成膜することができる。
【００４４】
＜線形偏光層の概略構成＞
図２は、線形偏光層２２の一例を示す部分斜視図である。線形偏光層２２として、図２に示すように、例えば基板１上に所定間隔で離隔された複数のワイヤーグリッド２２１を形成することができる。各ワイヤーグリッド２２１は、幅が数十ｎｍ程度、周期が数十〜数百ｎｍ程度に形成することができる。
【００４５】
本実施形態において、ワイヤーグリッド２２１は、外光の入射方向に対する反射度が低くなければならない。これは、線形偏光層２２および１／４波長層２１による円偏光機能で外光の反射を低減できるとしても、外光が入射された最初の面、すなわち図２においてワイヤーグリッド２２１の基板１に接した面で起こる反射は、円偏光機能が防止できないためである。このため、ワイヤーグリッド２２１は、ワイヤーグリッド２２１の外光の入射方向に対する反射率を下げるために、例えばグラファイトと金属とを共に蒸着することにより形成することができる。このとき、グラファイトは、一般的なグラファイトを用いることも可能であり、蒸着時に窒素または水素を一部投入させたＣＮまたはＣＨ構造のグラファイトを使用してもよい。また、金属としては、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｗ、Ａｕなどを使用できる。
【００４６】
線形偏光層２２として機能するためのワイヤーグリッド２２１の条件は、ナノパターンが可能であり、電気伝導度または光学定数のうち吸収を表す因子であるｋ値が大きくなければならないことである。グラファイトの単一材料では、例えばＡｌのような金属単一材料に比べてｋ値が約１／１０にしかならない。したがって、本実施形態のワイヤーグリッド２２１は、このｋ値を補正するために金属をさらに含有させたグラファイトから形成される。グラファイトは、アルミニウムに比べて反射度が約１０〜２０％である。
【００４７】
グラファイトに対する金属の含有は、前述の共蒸着方法を使用してもよく、グラファイト膜に金属をドーピングして形成してもよい。ただし、この場合も、金属の最終含有量は約５ｗｔ％以下として、金属による反射率を低下させる。
【００４８】
このような金属が混入されたグラファイト膜は、ハードマスクとして例えばＳｉＯ２やＳｉＮｘを使用し、ＰＲ工程を適用するドライエッチング工程によってナノパターニングすることができる。
【００４９】
図３は、上述した低反射型線形偏光層２２の第１の変形例を示す部分断面図である。
【００５０】
図３に示すワイヤーグリッド２２２は、透明な物質である第１成分２２２ａと、金属である第２成分２２２ｂとがワイヤーグリッド２２２の厚さ方向に濃度勾配を有するように形成されたものである。このとき、第１成分２２２ａは基板１に近くなるほどその含有量が増加し、第２成分２２２ｂは基板１から離れるほどその含有量が増加する。すなわち、図４に示すように、基板１上に形成されるワイヤーグリッド２２２は、第１成分２２２ａと第２成分２２２ｂとが交互に形成されて、互いに反比例する濃度勾配を有する。第１成分２２２ａは、ワイヤーグリッド２２２を構成する層の厚さが薄くなるほどその含有量が減少し、第２成分２２２ｂは、ワイヤーグリッド２２２を構成する層の厚さが厚くなるほどその含有量が増加する。したがって、基板１に隣接した部分では第１成分２２２ａが圧倒的に多く、基板１から遠い部分では第２成分２２２ｂが圧倒的に多い。
【００５１】
第１成分２２２ａとしては、透明な物質が使用される。第１成分２２２ａは、例えばＳｉＯｘ（ｘ≧１）、ＳｉＮｘ（ｘ≧１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２などの透明な絶縁物質からなる群およびＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３などの透明な導電物質からなる群から選択された少なくとも１つ以上の物質からなる。
【００５２】
第２成分２２２ｂとしては、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｐｔからなる群から選択された少なくとも１つ以上の物質が使用される。
【００５３】
このように濃度勾配を有する金属および透明物質の混合物からなるワイヤーグリッド２２２は、透明な物質の厚さが厚くなるにつれて不透明な金属に漸進的に変わって行く。これにより、屈折率の差によって界面反射が抑制され、ワイヤーグリッド２２２に入射された光がワイヤーグリッド２２２に吸収されるという効果を有する。
【００５４】
図５は、上述した低反射型線形偏光層２２の第２の変形例を示す部分断面図である。
【００５５】
図５に示すワイヤーグリッド２２３は、外光の入射方向に近接して、基板１に隣接した部分に形成される低反射層２２３ａと、低反射層２２３ａ上（すなわち、低反射層２２３ａの基板１と反対側の面）に形成される金属層２２３ｂとからなる。この場合、ワイヤーグリッド２２３の表面、すなわち、基板１に接したワイヤーグリッド２２３の面での入射光の反射を最大限に抑制することができる。低反射層２２３ａとしては、例えばＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ルテニウムなどを使用できる。
【００５６】
図６は、上述した低反射型線形偏光層２２の第３の変形例を示す部分断面図である。
【００５７】
図６に示すワイヤーグリッド２２４は、基板１上にオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）構造に形成される。このワイヤーグリッド２２４は、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗなどの金属から形成することができる。このようなワイヤーグリッド２２４は、開口を有するＰＲパターンを形成し、その開口に金属を蒸着した後ＰＲパターンをリフトオフすることにより形成できる。
【００５８】
このようにオーバーハング構造のワイヤーグリッド２２４を形成した後、その表面は化学的な方法により黒化処理される。例えばワイヤーグリッド２２４がアルミニウムである場合、酸で表面酸化物層を除去した後、水１Ｌに硝酸５ｍＬ、硝酸銅２５ｇ、過マンガン酸カリウム１０ｇを混合した溶液により処理して、表面を黒化させることができる。
【００５９】
このような構造のワイヤーグリッド２２４によれば、外光の反射を最大限に抑制することができる。
【００６０】
図２〜６に示すような外光の反射が抑制された線形偏光層２２上には、図７に示すように１／４波長層２１が形成される。
【００６１】
１／４波長層２１は、例えば無機物を傾斜蒸着することにより形成できる。この場合、微細なカラム２１１が１／４波長層２１の表面に傾斜方向に延びている。このカラム２１１は結晶成長方向となる。また、無機物を蒸着する場合、無機物は略円柱状に成長する。したがって、傾斜蒸着する場合、無機物は、図７における水平方向に対して所定角度で傾いた略円柱状に形成される。これにより、１／４波長層２１に複屈折の特性が与えられる。
【００６２】
１／４波長層２１を形成可能な無機物としては、例えばＴｉＯ２、ＴａＯｘなど、多様に適用できる。本実施形態では、ＣａＯやＢａＯから形成することにより、１／４波長層２１に水分吸収機能まで与える。
【００６３】
線形偏光層２２および１／４波長層２１は、その他多様な方法により成膜することができる。そして、このような線形偏光層２２および１／４波長層２１は、後述する本発明のあらゆる実施形態にそのまま適用可能である。そして、上述の図２〜図７に示す各例は、図１に示す背面発光型ＯＬＥＤに基づくものであるが、かかる例に限定されず、前面発光型ＯＬＥＤにも、外光の入射方向を考慮して変形することにより適用可能である。
【００６４】
以上、第１の実施形態にかかる背面発光型ＯＬＥＤについて説明した。次に、本発明の第２の実施形態にかかる背面発光型ＯＬＥＤについて説明する。
【００６５】
（第２の実施形態）
図８は、本発明の第２の実施形態に係る背面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。かかるＯＬＥＤは、基板１の外光が入射する一の面側に線形偏光層２２が成膜され、一の面と反対側の他の面側に１／４波長層２１が成膜されている。そして、１／４波長層２１上に有機発光素子３が形成される。各構成要素は、第１の実施形態と同様である。
【００６６】
本実施形態においても、基板１の外側から一の面へ入射された外光は、線形偏光層２２を通過し透過軸に対して平行な直線偏光となる。そして、直線偏光は、基板１を経て１／４波長層２１を通過して一方向回転円偏光になり、第２電極層３３で反射された後、他方向回転円偏光となる。この他方向回転円偏光は１／４波長層２１を再通過し、透過軸に対して直交する直線偏光となる。直線偏光は線偏光層２２を通過できないため、基板１の下側に位置する外部では、反射された外光が見られない。
【００６７】
（第３の実施形態）
図９は、本発明の第３の実施形態に係る背面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。かかるＯＬＥＤは、基板１の外光が入射する一の面側に１／４波長層２１および線形偏光層２２が順に成膜され、基板１の一の面と反対側の他面側に有機発光素子３が形成されている。各構成要素は、第１の実施形態と同様である。本実施形態においても、上述した第２の実施形態と同様に、外光の反射が遮断されて、コントラストが向上する効果が得られる。
【００６８】
第１〜第３の実施形態によれば、別途の偏光フィルムを接着剤によって付着することによって全体的に厚くなるという従来構造の短所を解消することができる。
【００６９】
以上では、基板側に画像が具現される背面発光型ＯＬＥＤについて説明したが、本発明はかかる例に限定されず、基板側ではない、基板の反対側に向かって具現される前面発光型の構造にも同様に適用できる。以下に、前面発光型ＯＬＥＤに適用した例について説明する。
【００７０】
（第４の実施形態）
図１０は、本発明の第４の実施形態に係る前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。かかるＯＬＥＤは、基板１上に反射膜３４が形成されており、反射膜３４上に有機発光素子３が形成された構造を有する。そして、有機発光素子３の上部には、有機発光素子３を密封する密封部材（図示せず。）が設けられる。
【００７１】
基板１は、第１〜第３の実施形態と同様、透明なガラス基板が使用することができるが、必ずしも透明である必要はない。基板１としては、例えばガラスの他にプラスチック材または金属材などを使用することができる。基板１として金属を使用する場合には、金属の表面に絶縁膜が形成される。
【００７２】
基板１の一面に形成された反射膜３４は、例えばＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、およびこれらの化合物などから形成される。反射膜３４上には、仕事関数の大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などから第１電極層３１が形成される。このとき、第１電極層３１はアノード電極として機能するが、第１電極層３１がカソード電極として機能する場合には、第１電極層３１を、例えばＭｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、およびこれらの化合物から形成して、反射膜が兼ねられる。以下では、第１電極層３１がアノード電極として機能する場合について説明する。
【００７３】
第２電極層３３は、透過型電極として形成されることが望ましい。このような第２電極層３３は、仕事関数の小さい例えばＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇなどの金属から半透過膜として薄く形成することにより形成できる。もちろん、このような金属半透過膜上に例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電体を形成して、厚さが薄いことによる高抵抗の問題を補完することができる。
【００７４】
第１電極層３１と第２電極層３３との間に介在される発光層３２は、第１〜第３の実施形態と同様である。
【００７５】
本実施形態では、第２電極層３３の上面に１／４波長層２１および線形偏光層２２が順に成膜される。これにより、画像が具現される方向から流入する外光、すなわち、図１０において上側から入射する外光は、線形偏光層２２および１／４波長層２１を順に通過した後、有機発光素子３の各層または反射層３４の表面で反射される。この反射光は、第１〜第３の実施形態と同様の原理で、最終の１／４波長層２１を通過することができない。これにより、基板１の外部では反射された外光が見られない。
【００７６】
また、１／４波長層２１および線形偏光層２２は、図１１に示すように、第２電極層３３の上面に保護層４を形成した後、保護層４の上面に成膜してもよい。保護層４は、１／４波長層２１の成膜工程において第２電極層３３が損傷されることを防止するためのものであって、例えば透明な無機物または有機物から形成される。
【００７７】
無機物としては、例えば金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物およびこれらの化合物を使用することができる。金属酸化物としては、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、インジウムスズ酸化物およびこれらの化合物を使用することができる。金属窒化物としては、例えば窒化アルミニウム、窒化ケイ素およびこれらの化合物を使用することができる。金属炭化物としては、例えば炭化ケイ素、金属酸窒化物としては、例えば酸窒化ケイ素を使用することができる。なお、無機物としては、上述した以外にシリコンを使用することもでき、シリコンまたは金属のセラミック誘導体を使用してもよい。さらに、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）なども使用可能である。
【００７８】
一方、有機物としては、例えば有機ポリマー、無機ポリマー、有機金属ポリマーまたは有機ハイブリッド／無機ポリマーや、アクリル樹脂などを使用することができる。
【００７９】
なお、図示していないが、保護膜４は、１／４波長層２１と線形偏光層２２との間に形成してもよく、線形偏光層２２上に形成してもよい。
【００８０】
（第５の実施形態）
図１２は、本発明の第５の実施形態に係る前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。本実施形態は、図１１における線形偏光層２２上に薄型フィルムタイプの密封部材５をさらに形成したものである。
【００８１】
薄型フィルムタイプの密封部材５は、外部の水分および酸素などから有機発光素子３を保護するためのものであって、無機物層５１および有機物層５２のうち少なくとも１層以上を備え、無機物層５１と有機物層５２とを交互に積層させることにより形成される。その他の構造は、上述の実施形態と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００８２】
無機物層５１は、例えば金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物およびこれらの化合物を使用することができる。金属酸化物としては、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、インジウムスズ酸化物およびこれらの化合物を使用することができる。金属窒化物としては、例えば窒化アルミニウム、窒化ケイ素およびこれらの化合物を使用することができる。金属炭化物としては、例えば炭化ケイ素、金属酸窒化物としては、例えば酸窒化ケイ素を使用することができる。無機物としては、上述した以外にシリコンを使用してもよく、シリコンまたは金属のセラミック誘導体を使用してもよい。さらに、ＤＬＣなども使用可能である。
【００８３】
このような無機物層５１は、蒸着により成膜することができる。無機物層５１を蒸着する場合、無機物層５１の孔隙がそのまま成長してしまうという問題がある。したがって、孔隙が同じ位置で成長し続けることを防止するために、無機物層５１の他に有機物層５２をさらに備える。有機物層５２は、例えば有機ポリマー、無機ポリマー、有機金属ポリマーおよび有機ハイブリッド／無機ポリマーなどを使用することができ、望ましくは、アクリル樹脂を使用するのがよい。
【００８４】
図１２においては、線形偏光層２２上に無機物層５１、有機物層５２および無機物層５１を順に積層させたが、必ずしもかかる例に限定されず、有機物層５２、無機物層５１および有機物層５２を順に積層させた構造にしてもよく、これらの層が複数層積層されてもよい。このように薄型フィルムタイプの密封部材５は、第５の実施形態にのみ適用されるものではなく、他の実施形態においても適用可能である。
【００８５】
（第６の実施形態）
図１３は、本発明の第６の実施形態の前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。かかるＯＬＥＤは、１／４波長層２１および線形偏光層２２が、反射層３４と有機発光素子３との間に成膜されている。この場合にも、図１３に示す矢印方向の外側から流入された外光は、線形偏光層２２を通過して透過軸に対して平行な直線偏光となる。直線偏光は、１／４波長層２１層を通過して一方向回転円偏光になり、反射層３４で反射された後、他方向回転円偏光となる。他方向回転円偏光は１／４波長層２１を再通過し、透過軸に対して直交する直線偏光となる。この直線偏光は線偏光層２２を通過できないため、外部からは反射された外光が見られない。
【００８６】
なお、図示していないが、反射層３４の上面に１／４波長層２１を成膜した後、１／４波長層２１上に有機発光素子３を形成し、有機発光素子３上に線形偏光層２２を成膜してもよい。
【００８７】
（第７の実施形態）
図１４は、本発明の第７の実施形態の前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。本実施形態は、密封部材５として透明基板を使用することを特徴とする。透明基板としては、例えばガラス基板を使用できるが、必ずしもかかる例に限定されず、プラスチック基板を使用してもよい。
【００８８】
本実施形態では、密封部材５の上面、すなわち、外側から外光が入射する側の面に１／４波長層２１および線形偏光層２２が順に成膜される。
【００８９】
図１５は、本実施形態の他の例を示す断面図である。かかるＯＬＥＤでは、密封部材５の透明基板の発光素子３と対向する一の面に１／４波長層２１が成膜され、密封部材５の一の面と反対側の他面に線形偏光層２２が成膜されている。また、図１６は、本実施形態のさらに他の例を示す断面図である。かかるＯＬＥＤでは、密封部材５の透明基板の発光素子３と対向する面に線形偏光層２２および１／４波長層２１が順に成膜されている。
【００９０】
このような例においても、線形偏光層２２が外光に向って配置され、その内側に１／４波長層２１を配置させることによって、上述した原理により外光の反射を遮断できる。
【００９１】
図１４〜図１６に示す本実施形態において、図示していないが、密封部材５と有機発光素子３との間に不活性ガスを充填させ、有機物または無機物をさらに形成して、有機発光素子３の密封特性をさらに向上させることもできる。
【００９２】
（第８の実施形態）
図１７は、本発明の第８の実施形態のＰＭ型の背面発光ＯＬＥＤを示す断面図である。
本実施形態では、図１と同様に、基板１の上面に線形偏光層２２および１／４波長層２１が順に成膜されており、１／４波長層２１上に有機発光素子３が形成される。
【００９３】
１／４波長層２１上には、第１電極層３１が所定のストライプパターンで形成されており、第１電極層３１上には、これを区画するように内部絶縁膜３４が形成されている。そして、内部絶縁膜３４上には、発光層３２および第２電極層３３のパターニングのために、第１電極層３１に対して直交するように形成されたセパレータ３５が形成されている。セパレータ３５により、発光層３２および第２電極層３３は、第１電極層３１と交差するようにパターニングされる。第２電極層３３上には密封部材（図示せず。）が設けられており、有機発光素子３を外気から遮断する。場合によっては、セパレータ３５を形成することなく発光層３２および第２電極層３３をパターニングしてもよい。
【００９４】
本実施形態の場合にも、図１と同様に、基板１の下部から流入する外光が反射されないのでコントラストを向上することができる。また、ディスプレイの全体的な厚さを薄くすることができる。
【００９５】
なお、図示していないが、このようなＰＭ型表示装置においても、図８および図９のような構造をそのまま適用することができる。
【００９６】
（第９の実施形態）
図１８は、本発明の第９の実施形態のＡＭ型の背面発光ＯＬＥＤを示す断面図である。図１８によれば、基板１の上面にＴＦＴが形成されている。ＴＦＴは、各画素別に少なくとも１つ備えられており、有機発光素子３に電気的に連結される。
【００９７】
より詳細には、基板１上にバッファ層１１が形成され、バッファ層１１上に所定パターンの半導体活性層１２が形成される。活性層１２の上部には、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮｘなどからなるゲート絶縁膜１３が形成され、ゲート絶縁膜１３の上部の所定領域には、ゲート電極１４が形成される。ゲート電極１４は、ＴＦＴのオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず。）と連結されている。ゲート電極１４の上部には、層間絶縁膜１５が形成され、コンタクトホールを通じてソース／ドレイン電極１６がそれぞれ活性層１２のソース／ドレイン領域に接するように形成される。
【００９８】
このように形成されたＴＦＴは、パッシベーション層により覆われて保護される。本実施形態の場合、パッシベーション層として、線形偏光層２２および１／４波長層２１が順に積層されて構成される。
【００９９】
１／４波長層２１の上部には、アノード電極として機能する第１電極層３１が形成され、これを覆うように、絶縁物からなる画素定義膜３６が形成される。画素定義膜３６に所定の開口を形成した後、開口によって限定された領域内に発光層３２を形成する。そして、全体画素を覆うように、第２電極層３３が形成される。
【０１００】
このようなＰＭ型構造においても、ＴＦＴの上部に線形偏光層２２および１／４波長層２１が順に積層されている。これにより、基板１の下側から流入された外光の反射を、線形偏光層２２および１／４波長層２１によって遮断することができる。
【０１０１】
また、ＴＦＴの上部には、図１９に示すように、別途のパッシベーション層１８を有機物および／または無機物により形成し、その上に線形偏光層２２および１／４波長層２１を順に成膜してもよい。
【０１０２】
このようなＡＭ型駆動方式の背面発光型ＯＬＥＤにおいて、線形偏光層２２および１／４波長層２１は、線形偏光層２２を外光が入射する側に配置し、１／４波長層２１を有機発光素子３側に配置させる限り、基板１、ＴＦＴおよび有機発光素子３のいかなる面に成膜してもよい。すなわち、図示していないが、図１、図８、図９のように、基板１の一面および／または他面に１／４波長層２１、線形偏光層２２を成膜した後、その上にＴＦＴおよび有機発光素子３を形成してもよく、１／４波長層２１および／または線形偏光層２２をＴＦＴの各層から形成される界面の間に配置させてもよい。
【０１０３】
（第１０の実施形態）
図２０は、本発明の第１０の実施形態のＰＭ型の前面発光ＯＬＥＤを示す断面図である。本実施形態では、図１３と同様に、基板１の上面に反射層３４が形成され、反射層３４の上面に１／４波長層２１および線形偏光層２２が順に成膜され、線形偏光層２２上に有機発光素子３が形成されている。
【０１０４】
線形偏光層２２上には、第１電極層３１が所定のストライプパターンで形成されており、第１電極層３１上には、これを区画するように内部絶縁膜３４が形成されている。そして、内部絶縁膜３４上には、発光層３２および第２電極層３３のパターニングのために、第１電極層３１に対して直交するように形成されたセパレータ３５が形成されている。セパレータ３５により、発光層３２および第２電極層３３は、第１電極層３１に交差されるようにパターニングされる。第２電極層３３上には、密封部材（図示せず。）が備えられ、有機発光素子３を外気から遮断する。場合によっては、セパレータ３５を設けることなく発光層３２および第２電極層３３をパターニングしてもよい。
【０１０５】
図２０による実施形態の場合にも、上述の第６の実施形態のように、外部から流入される外光が反射されないので、コントラストを向上させることができ、ディスプレイの全体的な厚さを薄くすることができる。
【０１０６】
なお、図示していないが、このようなＰＭ型表示装置においても、図１０〜図１２、図１４〜図１６のような構造をそのまま適用することができる。
【０１０７】
（第１１の実施形態）
図２１は、本発明の第１１の実施形態のＡＭ型の前面発光ＯＬＥＤを示す断面図である。本実施形態では、基板１の上面にＴＦＴが形成されている。ＴＦＴは、各画素別に少なくとも１つ備えられ、有機発光素子３に電気的に連結される。ＴＦＴの構造については、第９の実施形態と同様であるので、その詳細な説明を省略する。
【０１０８】
図２１に示すように、ＴＦＴを覆うようにパッシベーション膜１８が形成されており、パッシベーション膜１８上には反射層３４が形成される。そして、反射層３４上に、アノード電極として機能する第１電極層３１が形成され、これを覆うように絶縁物からなる画素定義膜３６が形成される。画素定義膜３６に所定の開口を形成した後、この開口によって限定された領域内に発光層３２が形成される。そして、全体画素を覆うように、第２電極層３３が形成される。
【０１０９】
本実施形態においては、第７の実施形態の変形例として示した図１６のように、密封部材５である基板の有機発光素子３と対向する面側に順に線形偏光層２２および１／４波長層２１が成膜されている。したがって、密封部材５の上側から入射される外光の反射を、線形偏光層２２および１／４波長層２１により遮断することができる。
【０１１０】
なお、図示していないが、このようなＡＭ型表示装置においても、図１０〜図１５のような構造をそのまま適用することができる。
【０１１１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１１２】
例えば、上記実施形態では、ＯＬＥＤについて説明したが、本発明はかかる例に限定されず、例えば発光素子として無機発光素子、ＬＣＤ、電子放出装置などを使用するその他の平板表示装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る背面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図２】図１の線形偏光層の一例を示す部分斜視図である。
【図３】線形偏光層の第１の変形例を示す断面図である。
【図４】図３の線形偏光層の構成を示すグラフである。
【図５】線形偏光層の第２の変形例を示す断面図である。
【図６】線形偏光層の第３の変形例を示す断面図である。
【図７】図１の１／４波長層の一例を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る背面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る背面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係る前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図１１】図１０の前面発光型ＯＬＥＤの変形例を示す断面図である。
【図１２】本発明の第５の実施形態に係る前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図１３】本発明の第６の実施形態に係る前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図１４】本発明の第７の実施形態に係る前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図１５】図１４の前面発光型ＯＬＥＤの変形例を示す断面図である。
【図１６】図１４の前面発光型ＯＬＥＤの他の変形例を示す断面図である。
【図１７】本発明の第８の実施形態に係る受動駆動方式の背面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図１８】本発明の第９の実施形態に係る受動駆動方式の背面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図１９】図１８の変形例であって、能動駆動方式の背面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図２０】本発明の第１０の実施形態に係る受動駆動方式の前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【図２１】本発明の第１１の実施形態に係る能動駆動方式の前面発光型ＯＬＥＤを示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１      基板
３      有機発光素子
２１    １／４波長層
２２    線形偏光層
３１    第１電極層
３２    発光層
３３    第２電極層
【図１】
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【図２】
2008021633.tif 000004
【図３】
2008021633.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008021633.tif 000007
【図６】
2008021633.tif 000008
【図７】
2008021633.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008021633.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2008021633.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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