(57)【要約】【課題】正孔注入層中に溶媒が残留することに起因する発光効率の低下を防止し、発光寿命の向上を図った、有機ＥＬ装置とその製造方法、さらにこの有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】一対の電極１１１、１２間に正孔注入層６０と発光層７０とを配設してなる有機ＥＬ装置である。正孔注入層６０と発光層７０との間に、正孔注入層６０中の溶媒が発光層７０側に移行するのを防止するための、溶媒ブロック層６５が設けられている。【選択図】図３
2008021793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に正孔注入層と発光層とを配設してなる有機ＥＬ装置において、
前記正孔注入層と発光層との間に、正孔注入層中の溶媒が発光層側に移行するのを防止するための、溶媒ブロック層が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記溶媒ブロック層が正孔輸送性を有していることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記溶媒ブロック層は、配向処理がなされた紫外線硬化型液晶からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
一対の電極間に正孔注入層と発光層とを配設してなる有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記正孔注入層を液相法で形成する工程と、
前記正孔注入層上に、該正孔注入層中の溶媒が発光層側に移行するのを防止するための溶媒ブロック層を形成する工程と、
前記溶媒ブロック層上に発光層を液相法で形成する工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記溶媒ブロック層の形成工程では、その後の発光層の形成工程において、溶媒ブロック層中の成分が該発光層側に溶出しないように、該溶媒ブロック層を不溶化処理することを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記不溶化処理として、発光層の形成工程で用いる溶媒に溶解する成分を、前記溶媒ブロック層中から予め除去するリンス処理を、行うことを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記溶媒ブロック層の形成工程では、該溶媒ブロック層の形成材料として紫外線硬化型液晶を用い、該紫外線硬化型液晶を配向処理した状態で溶媒ブロック層に形成することを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
前記配向処理として、前記紫外線硬化型液晶を前記正孔注入層上に配した後、該紫外線硬化型液晶に磁場をかけつつ紫外線を照射し、該紫外線硬化型液晶を硬化させるとともに配向処理することを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置とその製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機蛍光材料等の発光材料を電極間に挟持してなる有機ＥＬ装置が注目されている。このような有機ＥＬ装置としては、発光材料からなる発光層の発光効率を高めるため、この発光層の陽極側に正孔注入層を配置しておくのが一般的である。また、正孔注入層としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸［ＰＥＤＯＴ（Polyethylene Dioxythiophene）−ＰＳＳ（Polystyrene Sulphonate）］がよく用いられている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、このような正孔注入層や発光層の形成については、その形成材料として液状のものを用いる、液相法が多く採用されている。例えば、正孔注入層については、前記のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳをグリコールエーテル等の溶媒に溶解（あるいは分散）し、適宜な粘度に調整してこれを所望位置に配し、さらにこれを乾燥し加熱硬化することにより、形成している。また、発光層については、発光材料をキシレン等の溶媒に溶解し、適宜な粘度に調整してこれを所望位置に配し、さらにこれを乾燥し加熱硬化することにより、形成している。
【特許文献１】特開２００３−１８７９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、このような液相法による製造方法では、特に正孔注入層を形成した際、その形成材料中の溶媒を完全には除去することができず、溶媒の一部が正孔注入層中に残留してしまう。グリコールエーテルは沸点が高く、したがって正孔注入層形成時の比較的低温での加熱では、これを完全に蒸発させ、除去することができないからである。
そして、このように正孔注入層中に溶剤が残留している状態でその上に発光層を形成すると、この発光層の形成材料中の溶媒（キシレン）と前記のグリコールエーテルとは互いに混ざり合い易いことから、正孔注入層中に残留した溶媒が発光層の形成材料中に移行してしまう。すると、その後加熱硬化させて発光層を形成した際、前述したように沸点が高いことなどによってグリコールエーテルが発光層中に残留してしまう。その結果、この発光層の発光効率が低下し、発光寿命が短くなってしまう。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、正孔注入層中に溶媒が残留することに起因する発光効率の低下を防止し、発光寿命の向上を図った、有機ＥＬ装置とその製造方法、さらにこの有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため本発明の有機ＥＬ装置は、一対の電極間に正孔注入層と発光層とを配設してなる有機ＥＬ装置において、前記正孔注入層と発光層との間に、正孔注入層中の溶媒が発光層側に移行するのを防止するための、溶媒ブロック層が設けられていることを特徴としている。
この有機ＥＬ装置によれば、正孔注入層と発光層との間に溶媒ブロック層が設けられているので、例えば製造時において、正孔注入層上に溶媒ブロック層を形成し、その後、発光層を形成した際、この発光層の形成材料と正孔注入層との間が溶媒ブロック層によって遮断されていることから、正孔注入層中に残留する溶媒が発光層の形成材料中に移行するといったがことが確実に防止される。したがって、発光層での発光効率の低下が防止され、発光寿命の向上が図られる。
【０００７】
また、前記有機ＥＬ装置においては、前記溶媒ブロック層が正孔輸送性を有しているのが好ましい。
このようにすれば、正孔注入層から注入された正孔が溶媒ブロック層を良好に移動して発光層に輸送されるので、発光層での発光効率が一層高まる。
【０００８】
また、前記有機ＥＬ装置においては、前記溶媒ブロック層が、配向処理がなされた紫外線硬化型液晶からなるのが好ましい。
このようにすれば、紫外線硬化型液晶からなる溶媒ブロック層が、配向処理されたことで正孔輸送性が向上しているので、正孔注入層から注入された正孔が溶媒ブロック層を良好に移動し、発光層に輸送されるようになり、したがって発光層での発光効率が一層高まる。
【０００９】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、一対の電極間に正孔注入層と発光層とを配設してなる有機ＥＬ装置の製造方法において、前記正孔注入層を液相法で形成する工程と、前記正孔注入層上に、該正孔注入層中の溶媒が発光層側に移行するのを防止するための溶媒ブロック層を形成する工程と、前記溶媒ブロック層上に発光層を液相法で形成する工程と、を備えたことを特徴としている。
この有機ＥＬ装置の製造方法によれば、正孔注入層上に溶媒ブロック層を形成し、その後、発光層を形成した際、この発光層の形成材料と正孔注入層との間を溶媒ブロック層によって遮断しているので、正孔注入層中に残留する溶媒が発光層の形成材料中に移行してしまうことを確実に防止することができる。したがって、発光層での発光効率の低下を防止し、発光寿命の向上を図ることができる。
【００１０】
また、前記の製造方法における溶媒ブロック層の形成工程では、その後の発光層の形成工程において、溶媒ブロック層中の成分が該発光層側に溶出しないように、該溶媒ブロック層を不溶化処理するのが好ましい。
このようにすれば、溶媒ブロック層中の成分が発光層側に移行することによって発光層での発光効率が低下し、発光寿命が短くなってしまうといった不都合が回避される。
【００１１】
また、前記不溶化処理として、発光層の形成工程で用いる溶媒に溶解する成分を、前記溶媒ブロック層中から予め除去するリンス処理を、行うのが好ましい。
このようにすれば、発光層の形成工程において溶媒ブロック層中の成分が発光層側に溶出し、移行してしまうことが確実に防止され、これにより発光層での発光効率の低下が防止されて発光寿命の向上が図られる。
【００１２】
また、前記の製造方法における溶媒ブロック層の形成工程では、該溶媒ブロック層の形成材料として紫外線硬化型液晶を用い、該紫外線硬化型液晶を配向処理した状態で溶媒ブロック層に形成するのが好ましい。
このようにすれば、紫外線硬化型液晶からなる溶媒ブロック層が、配向処理されたことで正孔輸送性が向上するので、正孔注入層から注入された正孔が溶媒ブロック層を良好に移動し、発光層に輸送されるようになり、したがって発光層での発光効率が一層高まる。
【００１３】
また、前記配向処理として、前記紫外線硬化型液晶を前記正孔注入層上に配した後、該紫外線硬化型液晶に磁場をかけつつ紫外線を照射し、該紫外線硬化型液晶を硬化させるとともに配向処理するのが好ましい。
このようにすれば、紫外線硬化型液晶の硬化処理と共に配向処理を行うことができ、しかもこの配向処理を直接的な処理でなく磁場を用いて間接的に行うことができるので、他の構成要素に悪影響を与えることなく、容易に処理を行うことができる。
【００１４】
本発明の電子機器は、前記の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、前記したように発光寿命の向上が図られた有機ＥＬ装置を備えているので、この電子機器自体も、前記有機ＥＬ装置からなる表示部の発光寿命が向上したものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を詳しく説明する。
（有機ＥＬ装置）
図１は、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態の配線構造を示す説明図、図２は、図１に示した有機ＥＬ装置の平面模式図、図３は、図１に示した有機ＥＬ装置の要部の断面模式図である。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａを形成したものである。
【００１７】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。また、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１１３と、この駆動用薄膜トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む陽極（画素電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた発光機能層１１０とが設けられている。
なお、陽極（画素電極）１１１と陰極（対向電極）１２と発光機能層１１０とを備えてなることにより、有機ＥＬ素子が構成されている。
【００１８】
このような構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに発光機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。すると、発光機能層１１０はこれを流れる電流量に応じて発光する。
【００１９】
また、図２及び図３に示すように本実施形態の有機ＥＬ装置１は、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された有機ＥＬ素子とを具備して構成されている。図３に示すように基板２上に形成される有機ＥＬ素子３は、画素電極１１１と、正孔注入層６０と溶媒ブロック層６５と発光層７０からなる発光機能層１１０と、陰極１２とによって構成されている。また、基板２の厚さ方向において、前記有機ＥＬ素子３を含むＥＬ素子部１０と基板２との間には、回路素子部１４が形成されている。この回路素子部１４には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が形成されている。
【００２０】
また、陰極１２は、その一端が基板２上に形成された陰極用配線（図示略）に接続されており、図２に示すように、この配線の一端部１２ａがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。なお、この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００２１】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、発光機能層１１０から基板２側に発した光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の外側（観測者側）に出射されるとともに、発光機能層１１０から基板２と反対の側に発した光も、陰極１２に反射されて回路素子部１４及び基板２を透過し、基板２の外側（観測者側）に出射される、いわゆるボトムエミッション型となっている。
【００２２】
図３に示すように回路素子部１４には、基板２上にＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域が、チャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００２３】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００２４】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１２３やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００２５】
そして、この平坦化膜２８４の表面上には画素電極（陽極）１１１が形成されており、この画素電極１１１は、前記平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。なお、画素電極１１１は、ボトムエミッション型である本実施形態では、透明導電材料によって形成され、具体的にはＩＴＯが好適に用いられている。
【００２６】
画素電極１１１が形成された平坦化膜２８４の表面上には、画素電極１１１と、これの周縁部を覆う無機隔壁２５とが形成されており、さらにこの無機隔壁２５上には、有機隔壁２２１が形成されている。ここで、無機隔壁２５はＳｉＯ２からなっており、有機隔壁２２１はアクリル系やポリイミド系等の耐熱性絶縁性樹脂からなっている。
そして、画素電極１１１上には、無機隔壁２５に形成された開口２５ａと、有機隔壁２２１に形成された開口２２１ａとの内部、すなわち画素領域に、前記した正孔注入層６０と溶媒ブロック層６５と発光層７０とが、画素電極（陽極）１１１側からこの順で積層され、これによって発光機能層１１０が形成されている。
【００２７】
正孔注入層６０は、その形成材料として、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を含有する液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれをグリコールエーテル系の溶媒、例えばジエチレングリコールモノブチルエーテルと、水とに分散させあるいは溶解させた液が好適に用いられている。ところが、このような形成材料を用いて液相法で形成すると、この正孔注入層６０中には、前述したように溶媒であるグリコールエーテル（ジエチレングリコールモノブチルエーテル）が残留してしまう。
【００２８】
そこで、本発明では、このような正孔注入層６０上に、溶媒ブロック層６５を配設している。この溶媒ブロック層６５は、正孔注入層６０中の溶媒が発光層７０側に移行するのを防止するためのもので、紫外線硬化型の液晶や、紫外線硬化樹脂、熱硬化型の樹脂等によって形成されたものである。
紫外線硬化型の液晶としては、例えば、重合性を有する棒状液晶を含有する重合性液晶組成物が好適に用いられる。このような重合性液晶組成物は、例えば特開２０００−３４７４３２号公報に開示されたもので、紫外線照射、すなわち光照射又は電子線照射により重合して硬化し、成膜されて溶媒ブロック層６５となる。
【００２９】
ここで、前記の重合性を有する棒状液晶は、通常、この技術分野で棒状液晶と認められる骨格と重合性官能基を分子内に有する重合性の液晶化合物である。剛直性を有するコアは、環を有し、この環は、環を構成する原子が炭素だけからなる炭素環であっても、炭素以外の原子をも含む複素環であってもよい。また、環は、単環でも、縮合環でも良く、また、スピロ結合を有するものであってもよい。さらに、環は飽和であっても、芳香環でもよいが、１分子中に少なくとも一つの芳香環を有することが望ましい。環を構成する原子の数は、３、４、５、６、７、８、９、１０あるいはそれ以上であってもよい。
【００３０】
棒状液晶の環を構成する原子数が３〜５の環としては、例えば、シクロプロパン、オキシラン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン−２−オン、フラン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チオフェン、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミザゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピラゾリジン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、テトラゾ−ル、などが挙げられる。また、棒状液晶を構成する環は、ビシクロ［２．２．２］オクタンのようなビシクロ環でもよい。
【００３１】
棒状液晶の環を構成する原子数が６個の環としては、例えば、ベンゼン、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、１，２，４−トリアジン、１，３，５−トリアジン、テトラジン、ジヒドロオキサジン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン、シクロヘキサノン、ピペリジン、ピペラジン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、テトラヒドロチオピラン、ジチアン、オキサチアン、ジオキサボリナン、などが挙げられる。棒状液晶の環を構成する原子数が７以上の環としては、例えば、ビフェニル、ナフタレン、ジオキサナフタレン、テトラレン、キノリン、クマリン、キノキサリン、デカリン、インダン、フェニルベンツオキサゾール、フェニルベンツチアゾール、フェナンスレン、ジヒドロフェナンスレン、パーヒドロフェナンスレン、ジオキサパーヒドロフェナンスレン、フルオレン、フルオレノン、シクロヘプタン、チクロヘプタトリエンオン、コレステリル、などが挙げられる。スピロ結合を有する環としては、例えば、１，５−ジオキサスピロ（５．５）ウンデカンや１，５−ジチアスピロ（５．５）ウンデカン、などが挙げられる。
【００３２】
これらの環は、例えば、棒状液晶の融点の低下を目的として、置換基を有していてもよい。そのような目的に適合する置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルボニル基、アルキルチオ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。これらの置換基は、アリール基や複素環を含んでいても良く、さらに、エーテル基、エステル基、カルボニル基、チオエーテル基、スルホキシド基、スルホニル基、アミド基のような官能基を有していてもよい。
【００３３】
一分子中におけるこれらの環の数には制限がないが、例えば、６員環の場合、２以上３０以下が好ましく、２以上２０以下がさらに好ましく、２以上１２以下が特に好ましい。環が２以上の場合、連結基を用いて連結するが、このような連結基としては、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ≡ＣＨ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ）−、−Ｎ（Ｒ）−ＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、単結合、などが挙げられる（Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表わす）。
【００３４】
１分子中のコアの数には制限はなく、コアを二つ有する、ツインタイプ、あるいは、コアを複数有するスタータイプ又はオリゴマータイプであってもよい。一分子中のコアの数は、１以上２０以下が好ましく、１以上１０以下がより好ましく、１以上６以下が特に好ましい。
【００３５】
重合性を有する棒状液晶の重合性官能基は、光又は熱等のエネルギーにより、同種の基又は異種の基と反応して新しい結合を形成するものである。そのような重合性官能基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ＣｌＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、アクリルアミド基、メタクリルアミド基、ＣｌＣＨ＝ＣＨＣＯＮＨ−、ビニル基、ＣＨ２＝ＣＣｌ−、ＣＨＣｌ＝ＣＨ−、ＣＨ２＝ＣＨＯ−、アリル基、イソプロぺニル基、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、−Ｏ−Ｃ≡Ｎ、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＮＨ２、エポキシ基、エチニル基、メルカプト基、マレイミド、置換基を有するマレイミド、ナドイミド、置換基を有するナドイミド、などが挙げられる。これらの重合性官能基の中でも、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基、エポキシ基、エチニル基又はメルカプト基が好ましく、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基又はエチニル基がより好ましく、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基又はビニル基がさらに好ましく、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基である化合物がさらに好ましく、アクリロイルオキシ基が最も好ましい。一分子中における重合性官能基の数には制限がないが、１つ以上１０以下が好ましく、１つ以上５つ以下がさらに好ましい。一分子中に複数の重合性官能基を有する化合物の場合には、重合性官能基の種類が異なっていてもよい。例えば、重合性官能基を２つ有する化合物の場合、一方がメタクリロイル基、他方がビニルエーテル基であってもよい。
【００３６】
これらの重合性官能基は、コアに直接結合していても、あるいはコアとの間にスペーサーを介して結合していてもよい。スペーサーには、特に制限はないが、例えば、炭素原子数２〜２０のメチレンスペーサーが好ましい。メチレンスペーサー中の炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＯＣＯ−Ｏ−で置換されていてもよい。また、このメチレンスペーサーは、分岐していても良く、例えば、スワローテール型であってもよい。
【００３７】
このような重合性を有する棒状液晶は、単独で用いても、あるいは２種以上を混合して用いてもよい。重合性を有する棒状液晶を単独で用いる場合には、その化合物が液晶性を示す必要がある。一方、重合性を有する棒状液晶を複数混合して用いる場合には、混合状態で液晶性を示せば良く、必ずしもすべての化合物が液晶性を示す必要はなく、例えば、液晶性を示す化合物とコアを有するが液晶性を示さない化合物を混合することにより液晶性を示す組成物を調製してもよい。
【００３８】
また、このような重合性を有する棒状液晶、もしくは該棒状液晶を含有する重合性液晶組成物の液晶相は、通常この技術分野で液晶相と認識される相であれば特に制限なく用いることができる。その中でも、ネマチック相、キラルネマチック相、スメクチックＡ相、スメクチックＣ相、キラルスメクチックＣ相、コレステリック相を発現するものが好ましい。また、スメクチックＣ相（又はキラルスメクチックＣ相）を示す場合には、該スメクチックＣ相（又はキラルスメクチックＣ相）の上の温度領域でスメクチックＡ相を、スメクチックＡ相を示す場合には、該スメクチックＡ相の上の温度領域でネマチック相を発現するようにすると、良好な配向特性が得られるので好ましい。重合性を有する棒状液晶もしくは該棒状液晶を含有する重合性液晶組成物が液晶相を示す温度には特に制限はないが、配向などの工程が容易となるので、当該液晶相を示す温度は、１５０℃以下が好ましく、１００℃以下が特に好ましい。
【００３９】
また、前記の棒状液晶を含有してなる重合性液晶組成物には、その重合反応性を向上させるため、光重合開始剤が添加されている。光重合開始剤としては、例えば、公知のベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、などが挙げられる。光重合開始剤を添加する場合の添加量は、重合性液晶組成物の１０重量％以下が好ましく、５重量％以下が特に好ましい。
【００４０】
さらに、この重合性液晶組成物には、その保存安定性を向上させるため、既知の熱安定剤及び酸化防止剤、例えば、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノアルキルエーテル類の如きハイドロキノン誘導体、第三ブチルカテコール、ピロガロール、チオフェノール化合物、ニトロ化合物、β−ナフチルアミン化合物、β−ナフトール化合物、などを添加することもできる。その安定剤を添加する場合の添加量は、重合性液晶組成物の１重量％以下の範囲であることが好ましい。
【００４１】
このような重合性液晶組成物からなる紫外線硬化型液晶によって溶媒ブロック層６５を形成するには、該重合性液晶組成物を、液晶相を示す温度において例えば紫外線を照射することで光重合させ、高分子化して配向を固定化し、硬化させることによって行う。すなわち、この重合性液晶組成物を例えば溶媒に溶解し、得られた溶液を前記の正孔注入層６０上に配し、次いで、これを乾燥させる。その後、この乾燥膜に紫外線等のエネルギー線を照射することで光重合させ、硬化させる。このように紫外線や電子線等のエネルギー線を用いて光重合させ、乾燥膜に硬化させるようにすれば、重合を迅速に進行させることができ、好ましい。なお、このときの温度は、重合性を有する棒状液晶を含有する重合性液晶組成物の液晶状態が保持される温度でなければならないが、熱重合を避けるため、できるだけ室温に近い温度で重合させるのが好ましい。
【００４２】
また、このような硬化処理とは別に、得られる溶媒ブロック層に対して配向処理を施し、溶媒ブロック層６５の正孔輸送性を向上させるのが好ましい。溶媒ブロック層６５の配向処理、すなわち、この溶媒ブロック層６５を形成する前記重合性液晶組成物中の重合性を有する棒状液晶を、一定方向に配向させるための処理方法としては、例えば、磁場や電場を利用する方法が好適に用いられる。このような処理方法は、例えば前記の重合性液晶組成物を硬化処理する際、この重合性液晶組成物からなる層（液状膜あるいはその乾燥膜）を磁場又は電場に配置し、これに磁界又は電界をかけることで行う。また、他の配向処理方法としては、正孔注入層６０の表面を布等でラビング処理する、といった方法も採用可能である。このような配向処理により、溶媒ブロック層６５の正孔輸送性を向上させ、これによって溶媒ブロック層６５に正孔輸送性を付与することができる。
なお、紫外線硬化型の液晶としては、前記のものに限定されることなく、例えば、特開２００３−２８７６２２号公報に開示された液晶を用いることもできる。
【００４３】
溶媒ブロック層６５を形成するための紫外線硬化型樹脂としては、例えば、マレイミド骨格を持つ紫外線硬化型樹脂を主成分とし、かつ、可溶性ポリイミド樹脂を含有してなる紫外線硬化型樹脂組成物が好適に用いられる。このような紫外線硬化型樹脂組成物は、例えば特開２００４−３６１６３１号公報に開示されたもので、紫外線照射によって硬化し、成膜されて溶媒ブロック層６５となる。
【００４４】
ここで、前記の紫外線硬化型樹脂組成物は、（Ａ）マレイミドカルボン酸エステル構造を有する重合性化合物を主体とし、（Ｂ）可溶性ポリイミド樹脂、（Ｃ）溶剤、（Ｄ）その他、の成分から構成される。
【００４５】
（Ａ）マレイミドカルボン酸エステル構造を有した重合性化合物
マレイミドカルボン酸とエステル化する為の多価アルコールとしては、下記の一般式（１）で表されるフッ素以外のハロゲン置換芳香族化合物、一般式（２）で表される含硫黄芳香族化合物、ビスフェノールＡ−エチレンオキシド付加体，ビスフェノールＦ−エチレンオキシド付加体，フルオレンジメタノール−エチレンオキシド付加体，ジヒドロキシビフェニル−エチレンオキシド付加体，ポリヒドロキシナフタレン−エチレンオキシド付加体等の一分子中に芳香族多環構造を持つアルキレンオキシド付加化合物等が挙げられる。硬化性、耐光性等の観点からは、一分子中に芳香族多環構造を持つアルキレンオキシド付加化合物をアルコール成分とするマレイミドカルボン酸エステルが好ましい。
【００４６】
【化１】
2008021793.tif 000003
（ここで、Ｘは、炭素数１〜９のフッ素以外のハロゲン原子で置換されても良いアルキレン基を表す。Ｒ１からＲ８は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素以外のハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、又はフッ素以外のハロゲン原子で置換された炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ１からＲ８の少なくとも１つはフッ素以外のハロゲン原子である。Ｒ９，Ｒ１０はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表す。ｍ，ｎは、それぞれ独立して１以上の整数であり、ｍ＋ｎ＜９を満たす整数である）
【００４７】
【化２】
2008021793.tif 000004
（ここで、Ｘは、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−ＳＯ２―、―ＳＯ２−Ｏ−、−ＳＯ−を表す。Ｒ１からＲ８は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素以外のハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素以外のハロゲン原子で置換された炭素数１〜５のアルキル基、−ＳＯ−Ｒ１２−（Ｒ１２は炭素数１〜１０のアルキル基）、−ＳＯ２−Ｒ１３−（Ｒ１３は炭素数１〜１０のアルキル基）、−Ｓ−φ−（φは、アリール基）、−ＳＯ−φ−（φは、アリール基）、−ＳＯ２―φ−（φは、アリール基）を表す。Ｘ又はＲ１からＲ８の少なくとも１つは硫黄原子である。Ｒ９，Ｒ１０はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表す。ｍ，ｎは、それぞれ独立して１以上の整数であり、ｍ＋ｎ＜９を満たす整数である）
【００４８】
一方、マレイミドカルボン酸としては、マレイミド酢酸、マレイミドプロピオン酸、マレイミド酪酸、マレイミドカプロン酸等が挙げられるが、重合性化合物の分子屈折を大きくする為には、マレイミド酢酸基を有する化合物を用いるのが好ましい。
【００４９】
なお、このような重合性化合物の製造方法には、特に制限がなく、前記の多価アルコールとマレイミドカルボン酸との脱水縮合反応、マレイミドカルボン酸エステルとのエステル交換反応、マレイミドカルボン酸ハロゲン化物との脱ハロゲン化水素反応、あるいはマレイミドカルボン酸をエポキシ化合物に開環付加させる反応等、公知のエステル合成反応によって製造することができる。エステル合成に際しては、酸触媒、脂肪族又は芳香族スルホン酸、チタンアルコキシド、シリコンアルコキシド、ジルコニウムアルコキシド等のアルカリ性触媒以外の金属アルコキシド、金属ハロゲン化物、金属酸化物等、公知慣用のエステル化触媒、或いはエステル交換触媒、脱ハロゲン化水素反応においてはナトリウムアルコキシド、カリウムアルコキシド、ピリジン、コリジンなどの公知慣用のハロゲン化水素スカベンジャーを使用することができる。エステル合成反応中にマレイミド基が熱重合するのを防止する為にはヒドロキノンや４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコールなどの公知慣用の重合禁止剤を使用しても良い。
【００５０】
（Ｂ）可溶性ポリイミド樹脂
前記の紫外線硬化型樹脂組成物には、有機溶剤に可溶であるポリイミド樹脂が含有させられる。ポリイミド樹脂は、ジアミンと酸二無水物を原料として製造され、これらジアミンと酸二無水物の両方に芳香族化合物を用いることができるが、その場合、有機溶剤への溶解性に劣る傾向がある。そこで、芳香族化合物に代えて、脂環式化合物を使用することで、有機溶剤に可溶のポリイミド樹脂を製造することができる。また、対称性を持った芳香族化合物に代えて、非対称性の芳香族化合物を使用することによっても、有機溶剤への溶解性は改善される。
【００５１】
（Ｃ）溶剤
紫外線硬化型樹脂組成物で薄膜形成する場合には、塗布方法にもよるが、固形分が１０質量％以下となるように溶剤で希釈されて使用される。使用する溶剤は、前記の（Ａ）及び（Ｂ）を溶解するものであればよく、クロロホルム、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン、ジオキサン、１，３−ジオキソラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の極性溶剤が好適に使用される。
【００５２】
（Ｄ）その他の成分
前記の紫外線硬化型樹脂組成物は、前記（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）で用いることもできるが、例えば得られる溶剤ブロック層６５の耐擦傷性を向上するために、Ｄ成分として、多官能アクリレートモノマーの併用が好ましい。使用できる多官能アクリレートモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、トリス（（メタ）アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、トリス（（メタ）アクリロイルオキシプロピル）イソシアヌレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールオクタ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、耐擦傷性、耐薬品性、耐熱性の点で、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリス（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、トリス（アクリロイルオキシプロピル）イソシアヌレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートが好ましい。
【００５３】
また、この紫外線硬化型樹脂組成物は、光重合開始剤を特に必要とはしないが、光硬化性（紫外線硬化性）をより向上するため、Ｄ成分として、少量の光重合開始剤の併用を行ってもよい。使用する光重合開始剤としては、開裂型光重合開始剤が好ましく、ベンゾインモノメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケタール、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、メチルフェニルグリオキシレート、エチルフェニルグリオキシレート、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド等を挙げることができる。これらの中では、特に、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、メチルフェニルグリオキシレート、エチルフェニルグリオキシレート、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンが透明性、硬化性の観点から好ましい。
【００５４】
このような紫外線硬化型樹脂組成物を正孔注入層６０上に配する方法としては、特に制限はないものの、インクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などが好適に採用される。
なお、紫外線硬化型の樹脂としては、前記のものに限定されることなく、例えば、特開２００１−６８２６８号公報、ＷＯ０４／７０７３７に開示された樹脂を用いることもできる。
【００５５】
溶媒ブロック層６５を形成するための熱硬化型樹脂としては、例えば、ポリシロキサン樹脂が好適に用いられる。このようなポリシロキサン樹脂は、例えば特開平９−１２４９４３号公報に開示されたもので、熱硬化によって成膜され、溶媒ブロック層６５となる。
【００５６】
ここで、前記のポリシロキサン樹脂は、次の平均式（３）で示される。
Ｒ４j ＳｉＯ（４−ｊ−ｋ）／２（ＯＲ５）ｋ    …（３）
（式中、Ｒ４は炭素数１〜１８の直鎖又は分岐の１価の飽和炭化水素基、Ｒ５は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基、ｊは０．５〜１．５、ｋはこのポリシロキサン樹脂中に存在するＯＲ５基の割合が０．０１〜１０重量％となるような数である。）
【００５７】
このようなポリシロキサン樹脂において、ケイ素原子に結合したＯＲ５のＲ５としては、前記したように水素原子及びメチル、エチル、プロピル、ブチル等の低級アルキルからなる群から選択される。Ｒ５がアルキル基である場合、アルキル基が長くなるにつれ加水分解反応性が低下するが、一方、安定性は向上する。加水分解縮合可能な基の数ｋはこのポリシロキサン樹脂中に存在するＯＲ５基の割合が０．０１〜１０重量％、好ましくは０．１〜４．０重量％となる数である。これは多すぎては貯蔵安定性が悪化し、少なすぎては後の架橋が不充分となる。
【００５８】
また、前記樹脂組成物おいて、架橋剤を加え、これを介して架橋させることもできる。このような架橋剤としては１分子中に複数個のケイ素原子に結合した加水分解性基を有する有機ケイ素化合物であれば特に限定されるものではない。この加水分解性基としては水酸基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メチルエチルケトキシム基、ジエチルアミノ基、アセトキシ基、プロピノキシ基が挙げられる。加水分解性基以外のケイ素上の置換基としては、１価の炭化水素であれば特に限定されるものではない。前記樹脂の硬化には、必ずしも触媒が必要ではないが、通常ケイ素樹脂の硬化に用いられる硬化用触媒の使用を妨げるものではなく、硬化に要する時間、硬化温度等を考慮してジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジオクチエート等アルキル錫有機酸塩、ブチルチタネート等のチタン酸エステルから選ばれる。
【００５９】
このようなポリシロキサン樹脂の製造方法としては、例えば、ケイ素原子に対する１価の炭化水素基の置換数ｊが０．５〜１．５である当該アルコキシシラン、ハロゲン化シランを水を含まない有機溶媒中に溶解し、酸あるいは塩基の存在下で加水分解、縮合することによって重合しその後溶媒を除去することによって合成される。
【００６０】
また、このポリシロキサン樹脂は、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素及び含ハロゲン炭化水素などの有機溶媒中に溶解され、使用される。ただし、このような有機溶媒に溶解して用いた場合、これを熱硬化させて得られた膜（溶媒ブロック層６５）中には、有機溶媒が残留してしまうおそれがある。すると、この残留した有機溶媒が、発光層７０の形成時に発光層７０側に移行し、得られる発光層７０の発光特性を低下させるおそれがある。
【００６１】
そこで、前記の有機溶媒を用いてポリシロキサン樹脂から溶媒ブロック層６５を形成する場合、熱硬化させたポリシロキサン樹脂膜をさらに不溶化処理し、この処理後の膜を溶媒ブロック層６５とするのが好ましい。このような不溶化処理として具体的には、後述する発光層７０の形成工程において溶媒ブロック層６５中の成分が該発光層７０側に溶出しないようにするための、リンス処理を行うのが好ましい。このリンス処理は、例えば発光層７０の形成材料中に用いられる溶媒を用いて熱硬化させたポリシロキサン樹脂膜を接触処理し、該溶媒中に溶出する成分、例えばポリシロキサン樹脂を成膜した際に用いられ、熱硬化後に膜中に残留した有機溶媒などを、この処理によって予め溶出させておく処理方法である。このようなリンス処理（不溶化処理）を行うことにより、得られたポリシロキサン樹脂膜、すなわち溶媒ブロック層６５から、発光層７０の形成時に溶出が起こらないようになる。
【００６２】
なお、このようなリンス処理等による不溶化処理については、熱硬化型樹脂によって溶媒ブロック層６５を形成する場合だけでなく、前記の紫外線硬化型液晶や紫外線硬化型樹脂によって溶媒ブロック層６５を形成する場合にも、適宜行うことができる。
また、このようにして得られる溶媒ブロック層６５の厚さとしては、その導電性、すなわち正孔輸送性と、透光性とを確保するうえで、１０ｎｍ以下程度とするのが好ましい。
【００６３】
このような溶媒ブロック層６５の上には、発光層７０が形成されている。この発光層７０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。発光層７０の形成材料として具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、このような発光層７０を形成する材料としては、特にフルカラー表示をなす場合、赤色、緑色、青色の各波長域に対応する光を発光する材料が用いられ、それぞれが予め設定された状態に形成配置される。
【００６４】
陰極１２は、前記発光層７０を覆って形成されたもので、例えばＣａが厚さ５ｎｍ程度に形成され、その上にＡｌが厚さ３００ｎｍ程度に形成されて構成されたものである。このような積層構造の電極とされたことにより、特にＡｌは反射層としても機能するものとなっている。なお、陰極１２についても透明な材料を用いれば、発光した光を陰極側からも出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。膜厚としては、透明性を確保するうえで、７５ｎｍ程度とするのが好ましく、さらにこの膜厚より薄くするのがより好ましい。
また、この陰極１２上には、接着層５１を介して封止基板（図示せず）が貼着されている。
【００６５】
なお、前記発光機能層１１０において正孔注入層６０は、正孔を発光層７０に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入層６０内部において輸送する機能をも有している。このような正孔注入層６０を画素電極１１１と発光層７０の間に設けることにより、発光層７０の発光効率、寿命等の素子特性を向上させることができる。発光層７０では、正孔注入層６０から注入された正孔と、陰極１２から注入される電子とが再結合し、発光をなすようになっている。
【００６６】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
このような構成の有機ＥＬ装置１を製造するには、従来と同様にして基板２上に回路素子部１４を形成する。そして、基板２の全面を覆うように画素電極１１１となる透明導電膜を、ＩＴＯによって形成する。次いで、この導電膜をパターニングすることにより、図４（ａ）に示すように平坦化膜２８４のコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極１１１を形成する。
【００６７】
次いで、画素電極１１１上および平坦化膜２８４上に、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料をＣＶＤ法等で成膜して隔壁層（図示せず）を形成し、続いて、公知のホトリソグラフィー技術、エッチング技術を用いて隔壁層をパターニングする。これにより、図４（ｂ）に示すように、形成する各有機ＥＬ素子３の画素領域毎に開口２５ａ（図示略）を形成すると同時に、無機隔壁２５を形成する。
【００６８】
次いで、図４（ｃ）に示すように、無機隔壁２５の所定位置、詳しくは画素領域を囲む位置に樹脂等によって有機隔壁２２１を形成する。
次いで、このようにして画素電極１１１と無機隔壁２５と有機隔壁２２１とを形成した側の面を酸素プラズマ処理し、その表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基板２を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。
【００６９】
次いで、撥液化処理を行うことにより、特に有機隔壁２２１の上面及び側面の濡れ性を低下させる。具体的には、大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基板２を室温まで冷却することで、有機隔壁２２１の上面及び側面を撥液化し、その濡れ性を低下させる。
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極１１１の露出面および無機隔壁２５についても多少の影響を受けるが、画素電極１１１の材料であるＩＴＯおよび無機隔壁２５の構成材料であるＳｉＯ２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、酸素プラズマ処理で濡れ性が向上した面は濡れ性がそのままに保持される。
【００７０】
次いで、前記有機隔壁２２１に囲まれた領域内に正孔注入層６０を形成する。この正孔注入層６０の形成工程では、スピンコート法や液滴吐出法が採用されるが、本実施形態では、有機隔壁２２１に囲まれた領域に正孔注入層６０の形成材料を選択的に配する必要上、特に液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。このインクジェット法により、正孔注入層６０の形成材料であるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの分散液を前記画素電極１１１の露出面上に配し、その後、熱処理（乾燥処理）を行うことにより、厚さ５０ｎｍの正孔注入層６０を形成する。なお、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの分散液としては、例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳが１：１０（重量比）であり、固形分濃度が０．５重量％、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールモノブチルエーテルが７０重量％、残量が純水であるものが用いられる。
【００７１】
次いで、この正孔注入層６０上に、図５（ａ）に示すように溶媒ブロック層６５を、厚さが１０ｎｍ以下程度となるように形成する。この溶媒ブロック層６５の形成材料としては、前述したように紫外線硬化型の液晶や、紫外線硬化樹脂、熱硬化型の樹脂等が用いられる。そして、その形成方法も、前述したように形成材料に対応して適宜になされる。
【００７２】
例えば、紫外線硬化型液晶を用いて溶媒ブロック層６５を形成する場合、前記の紫外線硬化型液晶を０．２重量％を、溶媒としてのシクロヘキシルベンゼンに溶解して形成材料を調製する。そして、これをインクジェット法によって前記正孔注入層６０上に配し、次いで真空乾燥を行って溶媒（シクロヘキシルベンゼン）を除去する。その後、この紫外線硬化型液晶からなる膜に１Ａ／ｍの磁場をかけつつ、５０ｍＷで紫外線を照射し、前記膜を硬化しつつ配向させ、溶媒ブロック層６５を形成する。
【００７３】
また、熱硬化型樹脂を用いて溶媒ブロック層６５を形成する場合、前記のポリシロキサン樹脂をスピンコート法等によって前記正孔注入層６０上に配し、次いで窒素雰囲気中にて１８０℃で１０分加熱処理し、硬化する。続いて、硬化させたポリシロキサン樹脂膜に対して不溶化処理を行い、溶媒ブロック層６５を得る。この不溶化処理としては、前述したように、発光層７０の形成材料中に用いられる溶媒、例えばシクロヘキシルベンゼンを用いてポリシロキサン樹脂膜をリンス処理する。これにより、ポリシロキサン樹脂膜中に残留した有機溶媒などを、溶出させることができる。なお、このようにしてリンス処理（不溶化処理）を行った後、乾燥処理を行い、用いた溶剤を除去するのはもちろんである。
【００７４】
次いで、図５（ｂ）に示すように、前記溶媒ブロック層６５の上に発光層７０を形成する。この発光層７０の形成工程では、前記の正孔注入層６０の形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、発光層の形成材料を溶媒ブロック層６５上に吐出し、その後、窒素雰囲気中にて１００℃で１時間程度熱処理を行い、有機隔壁２２１に形成された開口２２１ａ内、すなわち画素領域上に発光層７０を形成する。ここで、発光層７０の形成材料中に用いる溶媒としては、前記溶媒ブロック層６５を再溶解させないものが用いられ、例えばシクロヘキシルベンゼンやキシレンなどが用いられる。また、特にリンス処理（不溶化処理）を行って溶媒ブロック層６５を形成した場合には、この処理に用いた溶媒（シクロヘキシルベンゼン）が用いられる。なお、この発光層７０の形成方法については、特に無機隔壁２５や有機隔壁２２１によって画素領域を区画しない場合、正孔注入層６０の形成の場合と同様に、スピンコート法を採用することもできる。
【００７５】
次いで、図５（ｃ）に示すように、前記発光層７０及び有機隔壁２２１を覆って例えばカルシウムを厚さ５ｎｍ程度、アルミニウムを厚さ３００ｎｍ程度に積層し、陰極１２を形成する。この陰極１２の形成に際しては、有機ＥＬ素子３を効率よく発光させるため、例えば電子注入層としてフッ化リチウムを発光層７０側に形成してもよい。また、この陰極１２の形成では、前記正孔注入層６０や発光層７０の形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うことにより、画素領域にのみ選択的に形成するのでなく、基板２のほぼ全面に陰極１２を形成する。
その後、前記陰極１２上に接着層５１を形成し、さらにこの接着層５１によって封止基板（図示せず）を接着し、封止を行う。これにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１を得る。
【００７６】
このような有機ＥＬ装置１にあっては、正孔注入層６０と発光層７０との間に溶媒ブロック層６５が設けられているので、製造時において、正孔注入層６０上に溶媒ブロック層６５を形成し、その後、発光層７０を形成した際、この発光層７０の形成材料と正孔注入層６０との間が溶媒ブロック層６５によって遮断されていることから、正孔注入層６０中に残留する溶媒が発光層７０の形成材料中に移行するといったがことが確実に防止される。したがって、発光層７０の発光効率の低下が防止され、発光寿命の向上が図られたものとなる。
【００７７】
また、前記溶媒ブロック層６５を、配向処理がなされた紫外線硬化型液晶によって形成すれば、その正孔輸送性が向上しているので、正孔注入層６０から注入された正孔が溶媒ブロック層６５を良好に移動し、発光層７０に輸送されるようになる。したがって、発光層７０での発光効率を一層高めることができる。
【００７８】
また、この有機ＥＬ装置の製造方法にあっては、正孔注入層６０上に溶媒ブロック層６５を形成し、その後、発光層７０を形成するので、この発光層７０の形成材料と正孔注入層６０との間を溶媒ブロック層６５によって遮断していることにより、正孔注入層６０中に残留する溶媒が発光層７０の形成材料中に移行してしまうことを確実に防止することができる。したがって、発光層７０での発光効率の低下を防止し、発光寿命の向上を図ることができる。
【００７９】
また、溶媒ブロック層６５の形成工程において、リンス処理（不溶化処理）を行えば、発光層７０の形成工程において溶媒ブロック層６５中の成分が発光層７０側に溶出し、移行してしまうことを確実に防止することができ、したがって発光層７０での発光効率の低下を防止し、発光寿命の一層の向上を図ることができる。
【００８０】
（実験例１）
溶媒ブロック層６５を、前記した紫外線硬化型液晶を用いた場合の方法に基づいて形成した。すなわち、紫外線硬化型液晶０．２重量％をシクロヘキシルベンゼンに溶解した形成材料を用い、これを正孔注入層６０上に配し、その後、真空乾燥を行った。さらに、１Ａ／ｍの磁場をかけつつ５０ｍＷで紫外線を照射し、該膜を硬化しつつ配向させ、厚さ８ｎｍの溶媒ブロック層６５を形成した。これ以外は、前記した製造方法とほぼ同様にして、本発明品１としての有機ＥＬ装置を作製した。
また、比較品１として、溶媒ブロック層６５を形成することなく正孔注入層６０上に直接発光層７０を形成し、これ以外は前記した本発明品１としての有機ＥＬ装置と同様にして、比較品１としての有機ＥＬ装置を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ装置をそれぞれ発光させ、発光特性を調べたところ、本発明品１の有機ＥＬ装置は、比較品１の有機ＥＬ装置に比べ、定電流発光による輝度の発光寿命が５割程度向上した。したがって、本発明品１は、従来品（比較品１）に比べ発光寿命が向上していることが確認された。
【００８１】
（実験例２）
溶媒ブロック層６５を、前記したポリシロキサン樹脂（熱硬化型樹脂）を用いた場合の方法に基づいて形成した。すなわち、ポリシロキサン樹脂をスピンコート法によって前記正孔注入層６０上に配し、次いで加熱硬化させた。続いて、硬化させたポリシロキサン樹脂膜に対し、シクロヘキシルベンゼンを用いたリンス処理（不溶化処理）を行い、厚さ１０ｎｍの溶媒ブロック層６５を形成した。これ以外は、前記した製造方法とほぼ同様にして、本発明品２としての有機ＥＬ装置を作製した。
また、比較品２として、溶媒ブロック層を形成することなく、正孔注入層６０をトルエンでリンス処理し、これ以外は前記した本発明品２としての有機ＥＬ装置と同様にして、比較品２としての有機ＥＬ装置を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ装置をそれぞれ発光させ、発光特性を調べたところ、本発明品２の有機ＥＬ装置は、比較品２の有機ＥＬ装置に比べ、定電流発光による輝度の発光寿命が５割程度向上した。したがって、本発明品２は、比較品２に比べ発光寿命が向上していることが確認された。
【００８２】
（電子機器）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１を備えた電子機器の具体例について説明する。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記有機ＥＬ装置１からなる表示部を示している。
図６（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は前記有機ＥＬ装置１からなる表示部を示している。
図６（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は前記有機ＥＬ装置１からなる表示部を示している。
図６（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図６（ｄ）において、薄型大画面テレビ１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、前記有機ＥＬ装置１からなる表示部１３０６を備える。
【００８３】
図６（ａ）〜（ｄ）に示す電子機器１０００，１１００，１２００，１３００は、前記有機ＥＬ装置１を備えているので、この有機ＥＬ装置１からなる表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６の発光効率の低下が防止され、長寿命化していることにより、これら電子機器１０００，１１００，１２００，１３００自体も、表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６が長寿命化したものとなる。
【００８４】
なお、本発明は前記実施形態に限られることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、前記実施形態では、発光層７０で発光した光を基板２側から出射させる、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に本発明を適用した例を示したが、基板２と反対側の、封止基板側から光を出射させる、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す説明図である。
【図２】図１の有機ＥＬ装置の平面模式図である。
【図３】図１の有機ＥＬ装置の要部断面模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は図１の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は図４に続く製造方法を説明する工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の電子機器の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８６】
１…有機ＥＬ装置、２…基板、１２…陰極、６０…正孔注入層、６５…溶媒ブロック層、７０…発光層、１１０…発光機能層、１１１…画素電極（陽極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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