(57)【要約】【課題】  高い磁気異方性エネルギーと微細な結晶粒を両立する、高密度磁気記録に適した情報記録媒体及びそれを装着した情報記録装置を提供する。【解決手段】  本発明による情報記録媒体は、非磁性基板上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、Ｙ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、ＰｔあるいはＹ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｐｔを主成分とする合金層で構成された非晶質の下地層上にＣｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する積層膜からなる記録層及び保護層を具備する。【選択図】  図１
2008021365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
残留磁化が膜面内方向より膜面に対して垂直方向の方が大きい垂直磁気記録方式で用いられる情報記録媒体であって、
下地層と、
前記下地層上に形成され、Ｃｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する磁性材料である記録層と、を備え、
前記下地層は、Ｃｏよりも表面エネルギーが低く、磁性材料でない元素を含む材料で形成されていることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記下地層は、Ｙ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｐｔ及びＶのうち少なくとも一つの元素を主成分として含む材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記下地層を形成する材料は、さらに前記下地層の結晶構造を非晶質化する元素を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記下地層の膜厚は、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
垂直磁気記録方式で用いられる情報記録媒体の製造方法であって、
基板上に密着層を形成する工程と、
前記密着層上に軟磁性裏打ち層を形成する工程と、
前記軟磁性裏打ち層上に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に記録層を形成する工程と、
前記記録層上に保護層を形成する工程と、を備え、
前記記録層はＣｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する磁性材料で形成され、前記下地層はＣｏよりも表面エネルギーが低く、磁性材料でない元素を含む材料で形成されることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記下地層は、Ｙ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｐｔ及びＶのうち少なくとも一つの元素を主成分として含む材料で形成されることを特徴とする請求項５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記下地層を形成する材料は、さらに前記下地層の結晶構造を非晶質化する元素を含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記軟磁性裏打ち層の膜厚は１５０ｎｍ以下であり、前記下地層の膜厚は２０ｎｍ以下であり、前記記録層の膜厚は２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５乃至７の何れか１項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報記録媒体に対して、その情報記録媒体の記録層の膜面に対して垂直方向の磁化を与える磁気ヘッドと、
前記情報記録媒体を前記磁気ヘッドに対して相対的に駆動するための駆動手段と
を備えることを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項１０】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報記録媒体に対して、その情報記録媒体の記録層を加熱しながら膜面に対して垂直方向の磁化を与える媒体加熱機構を備える磁気ヘッドと、
前記情報記録媒体を前記磁気ヘッドに対して相対的に駆動するための駆動手段と、
を備えることを特徴とする情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は情報の記録再生を行うために用いる情報記録媒体及びそれを備えた情報記録再生装置に関し、特に高密度記録に適した情報記録媒体及びそれを備えた情報記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の発展には目覚しいものがあり、文字情報のみならず音声及び画像情報を高速に処理することができる装置の１つとしてコンピュータ等に装着されている磁気記録方式の情報記録装置が知られている。現在は、この磁気記録方式の情報記録装置の記録密度を向上させつつ、情報記録装置を小型化する方向に開発が進められてきている。典型的な磁気記録方式の情報記録装置は、複数の情報記録媒体をスピンドル上に回転可能に装着している。各情報記録媒体は、基板とその上に形成された磁性膜からなり、情報の記録は、特定の磁化方向を有する磁区を磁性膜中に形成することにより行われる。従来、記録される磁化の方向は、磁性膜面内であり、面内磁気記録方式と呼ばれている。面内磁気記録方式の情報記録装置の高密度記録化は、磁性膜の膜厚を薄くし、構成する磁性結晶粒の粒径を微小化させ、且つ、各粒子間の磁気的相互作用を低減させることで達成してきた。
【０００３】
しかし、結晶粒の微小化と各粒子間の磁気的相互作用の低減は、記録されたビットを構成する磁化の熱安定性を低下させることが問題となっている。この問題を緩和するために提案されているのが、垂直磁気記録方式で、これは、記録される磁化の方向を、基板に対して垂直方向にする。その結果、隣接ビット間は、静磁気的に安定で、且つ、記録遷移領域は鋭くなる。さらに記録層と基板の間に軟磁性材料で構成された層（軟磁性裏打ち層）を加えることで、記録時の磁場を急峻にすることができるので、高い磁気異方性をもつ材料への記録が可能になり、磁化の熱安定性が向上するので、より高密度の記録が可能になる。
【０００４】
上述の面内磁気記録方式の情報記録媒体にはＣｏＰｔＣｒ基合金（以降、ＣｏＰｔＣｒ基合金媒体と称す）が使用されており、垂直磁気記録方式の情報記録媒体としても同じＣｏＰｔＣｒ基合金媒体が主に研究されてきた。ＣｏＰｔＣｒ基合金の場合、磁気異方性はＣｏの結晶構造に起因する結晶磁気異方性に依る。Ｐｔは磁気異方性を高める為に添加され、Ｃｒは媒体の結晶粒界を非磁性にするために添加される。
【０００５】
一方で、磁気異方性が増加すると、媒体の保磁力が増加し、保磁力が高すぎる場合には、記録ヘッドから発生する磁場では充分に記録ができなくなる。この問題を回避する方法として、記録時に媒体を加熱・昇温して媒体の保磁力を低下させて記録する熱アシスト磁気記録方式が提案されている。
【０００６】
【非特許文献１】T.Oikawa et.al, IEEE Trans. Magn., vol.38, pp.1976-1978, 2002
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、高い記録密度を実現するためには磁化の熱安定性をさらに高める必要があり、ＣｏＰｔＣｒ基合金よりも高い磁気異方性を持つ材料を媒体に適用する必要がある。このような材料の一つとして、Ｃｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層したＣｏ／Ｐｄ多層膜がある。この材料は、ＣｏとＰｄの界面に起因して、高い磁気異方性を示す。ただし、単に多層膜を生成するだけでは結晶粒子が大きいので、磁気記録媒体におけるＳ／Ｎはよくならない。そこで、この材料を磁気記録媒体に適用してＳ／Ｎも良好に取れるようにするためには、結晶粒径を微細化する必要がある。
【０００８】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、高い磁気異方性エネルギーと微細な結晶粒を両立する、高密度磁気記録に適した情報記録媒体及びそれを備えた情報記録再生装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明による情報記録媒体は、記録層がＣｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する磁性材料であって、残留磁化が膜面内方向より膜面に対して垂直方向の方が大きい垂直磁気記録方式あるいは熱アシスト磁気記録方式の情報記録媒体であって、下地層が非晶質のＹ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｖの中から選ばれる少なくとも一つの元素を主成分として含むことを特徴とする。この新規の情報記録媒体は、情報磁気特性及び記録特性に優れたものである。
【００１０】
薄膜の微細組織を制御するには特に薄膜の初期成長を制御することが重要である。初期成長に大きく影響を与える因子として、膜成長界面の表面エネルギーが挙げられる。下地層よりも高い表面エネルギーを持つ材料で薄膜を形成する場合、成長する薄膜はできるだけ表面エネルギーを下げるような膜成長を行うため、微細な結晶粒になりやすく、逆に、下地層よりも低い表面エネルギーを持つ材料で薄膜を形成する場合、結晶粒が粗大化しやすい傾向がある。
【００１１】
さらに、下地層と格子定数の近い材料を成長させる場合、下地層上にヘテロエピタキシャル成長する傾向が強くなり、結晶粒径は下地層の結晶構造の影響を受けやすくなる。したがって、薄膜形成及び成長時の結晶粒径や結晶面配向を制御するためには下地層の材料選択、形成方法が非常に重要となる。
【００１２】
そこで我々は種々の材料及び条件を検討した結果、特にＣｏよりも表面エネルギー低い材料を用いて下地層を形成し、且つ、その結晶性を制御することで、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜の結晶粒を微細化できることを見出した。
【００１３】
具体的には、Ｃｏよりも表面エネルギーの小さな元素であるＹ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｖの中から選ばれる少なくとも一つの元素を主成分として含む材料を用いる。
【００１４】
また、本発明では、上記本発明の情報記録媒体に対して、記録層の膜面に対して垂直方向の磁化を与え、かつ、上記軟磁性裏打ち層の膜面に対して平行方向の磁化を与え、記録層と軟磁性裏打ち層と協働して磁気回路を構成する磁気ヘッドと、該磁気記録媒体を該ヘッドに対して相対的に駆動するための駆動装置とを備えた垂直磁気記録方式の情報記録再生装置が提供される。
【００１５】
さらに、本発明の磁気記録媒体に対して、加熱機構により媒体を加熱しながら記録層の膜面に対して垂直方向の磁化を与え、かつ、上記軟磁性裏打ち層の膜面に対して平行方向の磁化を与え、記録層と軟磁性裏打ち層と協働して磁気回路を構成する磁気ヘッドと、該磁気記録媒体を該ヘッドに対して相対的に駆動するための駆動装置とを備えた熱アシスト磁気記録方式の情報記録再生装置が提供される。
【００１６】
なお、本発明の磁気記録媒体では、下地層の下に軟磁性裏打ち層を設けても良い。軟磁性裏打ち層の役割は、磁気ヘッドを用いて記録層に情報を記録再生するときに、磁気ヘッドから漏れ出した磁束を記録層に集束させる役割を持つ。軟磁性裏打ち層の材料としては、飽和磁化が大きく、保磁力が小さく、且つ、透磁率が高い軟磁性材料が好ましく、それに対応する材料として、例えば、ＣｏＴａＺｒ膜などがある。また、この軟磁性裏打ち層の膜厚は、２５〜５００ｎｍの範囲であることが望ましい。
【００１７】
以上まとめると、本発明による情報記録媒体は、残留磁化が膜面内方向より膜面に対して垂直方向の方が大きい垂直磁気記録方式で用いられる情報記録媒体であって、下地層と、前記下地層上に形成され、Ｃｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する磁性材料である記録層と、を備え、前記下地層は、Ｃｏよりも表面エネルギーが低く、磁性材料でない元素を含む材料で形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
また、上記情報記録媒体は、垂直磁気記録方式で用いられる情報記録媒体の製造方法であって、基板上に密着層を形成する工程と、前記密着層上に軟磁性裏打ち層を形成する工程と、前記軟磁性裏打ち層上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に記録層を形成する工程と、前記記録層上に保護層を形成する工程とを備え、前記記録層はＣｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する磁性材料で形成され、前記下地層はＣｏよりも表面エネルギーが低く、磁性材料でない元素を含む材料で形成されることを特徴とする情報記録媒体の製造方法によって製造することが可能である。
【００１９】
さらに、本発明による情報記録再生装置は、前記情報記録媒体に対して、その情報記録媒体の記録層の膜面に対して垂直方向の磁化を与える磁気ヘッドと、前記情報記録媒体を前記磁気ヘッドに対して相対的に駆動するための駆動手段とを備えることを特徴とする。この情報記録再生装置は、熱アシスト記録をしない場合の構成に関するものである。
【００２０】
また、本発明による情報記録再生装置は、前記情報記録媒体に対して、その情報記録媒体の記録層を加熱しながら膜面に対して垂直方向の磁化を与える媒体加熱機構を備える磁気ヘッドと、前記情報記録媒体を前記磁気ヘッドに対して相対的に駆動するための駆動手段と、を備えることを特徴とする。この情報記録再生装置は、熱アシスト記録をする場合の構成に関するものである。
【００２１】
さらなる本発明の特徴は、以下本発明を実施するための最良の形態および添付図面によって明らかになるものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の磁気記録媒体によれば、高密度磁気記録媒体として、Ｙ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｐｔを主成分とする合金下地層、ＣｏとＰｄを交互に積層する磁性層を備えることにより、優れた記録特性を両立する高密度記録可能な情報記録媒体及びそれを備えた情報記録再生装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、添付図面を用いて、本発明の情報記録媒体及び情報記録装置の実施形態について具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の本質的な範囲を逸脱しない限り適宜変更は可能である。
【００２４】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る磁気ディスクの概略断面図を示している。図１に示すように、磁気ディスク１０は、基板１上に、密着層２、軟磁性裏打ち層３、下地層４、記録層５、及び保護層６を順次積層した構造を有する。
【００２５】
密着層２は、基板１とその上に積層された膜との剥離を防ぐための層であり、軟磁性裏打ち層３は、情報記録の際に記録層に印加される磁場を集束するための層である。下地層４は、記録層５の微細組織を制御するための層である。記録層５は、情報が磁化情報として記録される層であり、その磁化方向は膜面に対して垂直方向となる。保護層６は、基板１上に順次積層された積層膜２〜５を保護するための層である。
【００２６】
以下、この磁気ディスクの作製方法を説明する。基板１には直径２．５インチ（６．５ｃｍ）の円板状のガラス基板を用いている。その基板１上に、密着層２としてＴｉ膜を、ＤＣスパッタリングにより形成する。スパッタリング条件は、ガス圧０．２８Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、ターゲットはＴｉとする。また、密着層２の膜厚は５ｎｍとする。これらの数値は具体例であって、これに限定されるものではない。
【００２７】
次いで、密着層２上に、軟磁性裏打ち層３としてＣｏＴａＺｒ膜をＤＣスパッタリングにより形成した。スパッタリング条件は、ガス圧０．２８Ｐａ、投入電力４００Ｗとし、ターゲットの組成はＣｏ８８Ｔａ１０Ｚｒ２（ａｔ％）とする。また、軟磁性裏打ち層３の膜厚は１００ｎｍとする。なお、量産性の観点からこの軟磁性裏打ち層３の厚さはなるべく薄くすることが好ましいが、薄すぎると磁束を通しづらくなる。そこで、５０ｎｍから１５０ｎｍの範囲の厚さとするのが好ましく、本実施形態では１００ｎｍとしている。
【００２８】
次に、軟磁性裏打ち層３上に、下地層４としてＰｄＳｉ合金膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。ＰｄＳｉ合金はＰｄターゲット及びＳｉターゲットを同時放電し、各ターゲットへの投入電力を調整することでＰｄＳｉ合金組成を調整する。また、ここで下地層の膜厚は１０ｎｍとしている。磁気ヘッドから軟磁性層までの距離はできるだけ短い方がいいが、あまり膜厚が薄すぎると前述の組織制御がうまく作用しなくなってしまう。そこで、一般的には下地層の膜厚は、５ｎｍから１５ｎｍにするのが好ましく、少なくとも２０ｎｍ以下である必要がある。
【００２９】
なお、本実施形態においては、下地層としてＰｄ（パラジウム）を含む材料を用いているが、その他Ｙ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｐｔ（白金）及びＶ（バナジウム）を含む合金を用いてもＰｄを用いた場合と同様の効果が得られる。
【００３０】
次に、下地層４上に、記録層５としてＣｏ／Ｐｄ多層膜磁性膜を形成する。多層膜は、Ａｒガスを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＰｄターゲット、Ｃｏターゲットを放電し、各ターゲット上についたシャッターを開閉することによって、０．２ｎｍ厚のＣｏと０．７ｎｍ厚のＰｄを交互に下地層４上に積層する方法で形成する。積層数は各２０層とし、スパッタリング条件はガス圧０．８Ｐａ、Ｃｏターゲット、Ｐｄターゲット共に投入電力１００Ｗとする。なお、多層膜の１つの層は、トータルで１ｎｍ未満とするのが好ましく、上述のようにＣｏ膜厚：Ｐｄ膜厚＝２：７の他、３：７としてもよい。この条件であれば、高い垂直磁気異方性を示す。
【００３１】
最後に、記録層５上に、保護層６としてアモルファスカーボン膜をＤＣスパッタリングにより形成する。スパッタリング条件はガス圧０．２０Ｐａ、投入電力３００Ｗとし、保護層６の膜厚は３ｎｍとしている。
【００３２】
（比較例１）
比較例１では下地層４として、Ｐｄ層を用いた。それ以外は第１の実施形態と同様にして作製する。そして、第１の実施形態、比較例１について、結晶性を測定するためにＸ線回折により評価する。その評価結果は図２に示すようになる。図２において、横軸は２θ（回折角）、縦軸はＸ線の強度を示している。
【００３３】
第１の実施形態及び比較例１共に、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜の（１１１）に起因するピーク（各層の面間隔に相当）が４１°付近に観測される。これによれば、下地層を変えてもＣｏＰｄ層のピークに影響を与えないことが分かる。
【００３４】
一方、比較例１の場合、下地層Ｐｄのピークが４０．２°に観測されるのに対し、第１の実施形態の下地層に起因するピーク強度はＳｉ添加量と共に減少し、１３ａｔ％においては、ほとんどピークが観測されない。つまり、第１の実施形態では下地層の結晶格子が崩れていることが分かる。
【００３５】
この変化を調べるため、第１の実施形態のＳｉ添加量が１３ａｔ％の試料と比較例１の試料の断面及び平面透過原子顕微鏡（ＴＥＭ）観察を行った。その結果を図３に示す。図３Ａは試料の断面ＴＥＭ像を示し、図３Ｂは試料の平面ＴＥＭ像を示している。
【００３６】
図３Ａの断面ＴＥＭ像から、比較例１の試料では結晶質の下地層であるのに対し、Ｓｉ添加量１３ａｔ％の試料では、下地層が非晶質になっていることがわかる。つまり、図３Ａの下地層部分を見ると、比較例１の場合には結晶格子が明瞭に観察されるのに対して、本実施形態の場合には結晶は不明瞭で非結晶化していることが分かる。また、図３Ｂの平面ＴＥＭ像からも、Ｓｉの添加に伴い第１の実施形態のＣｏ／Ｐｄ多層膜の結晶粒径が微小化していることがわかる。
【００３７】
図４にＳｉ添加量と結晶粒径の関係について示す。Ｓｉ添加量に伴い、結晶粒径は１２ｎｍから６ｎｍとほぼ半分に減少している。
表１に、平面ＴＥＭ像解析から得られた実施例１と比較例１の結晶粒径を示す。
【００３８】
【表１】
2008021365.tif 000003
【００３９】
以上の実験結果から、同じ材料を使っても結晶性の変化に伴い、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜の結晶粒径の変化が生じることがわかる。下地層の結晶質の変化が影響したと考えられ、結晶性が劣化することに伴い下地層の結晶配向面の影響が小さくなり、下地層の材料固有である表面エネルギーがＣｏ／Ｐｄ多層膜に強く影響を及ぼしたと考えられる。
【００４０】
（比較例２）
比較例２では下地層３として、Ｔａ８７Ｓｉ１３（ａｔ％）層を用いている。それ以外は第１の実施形態と同様である。
比較例２の試料のＸ線回折を測定し、下地層が非晶質になっていることを確認した。比較例２の平面ＴＥＭ像から求めた結晶粒径を表２に示す。
【００４１】
【表２】
2008021365.tif 000004
【００４２】
比較例２の結晶粒径は、Ｓｉを加えたにも拘わらず比較例１よりも大きくなっている。この理由は、下地層の主成分であるＴａの表面エネルギーがＣｏやＰｄよりも大きいためである。つまり、下地層上に形成するＣｏ及びＰｄは表面エネルギーを下げるために層状成長し易くなるためと考えられる。
【００４３】
次に第１の実施形態、比較例１及び比較例２の記録再生特性の評価について説明する。記録再生特性を評価する際には、下地層下部に軟磁性裏打ち層ＣｏＴａＺｒを１００ｎｍ形成する。この軟磁性裏打ち層は記録磁場を強める効果があるので、記録特性を向上させることができる。
【００４４】
第１の実施形態及び比較例１による情報記録媒体の保護層上に１ｎｍの厚さの潤滑剤を塗布した後、その情報記録媒体を、図５に示した情報記録再生装置５０内に装着して記録再生特性を評価する。
【００４５】
図５における情報記録再生装置５０では、図示しない上位装置から記録あるいは再生制御信号が記録／再生制御端子を介して記録／再生制御回路５３に入力される。また、記録／再生回路５４は、記録／再生データ端子を介して上位装置へ再生データを出力し、或いは上位装置から記録データを受信する。
【００４６】
そして、記録／再生制御回路５３は、記録／再生制御信号により、半導体レーザー駆動回路５５に対し記録または再生に応じたレーザー駆動電流を出力するよう指示する。また、記録／再生制御回路５３は、記録／再生回路５４に対し記録データまたは再生データを処理するよう指示し、記録手段および再生手段である磁気ヘッド駆動回路５２に対し記録信号または再生信号を処理するよう指示する。
【００４７】
半導体レーザー駆動回路５５は、記録または再生に応じた駆動電流で半導体レーザー５６を駆動する。半導体レーザー５６は半導体レーザー駆動回路５５からの駆動電流の大きさに応じた強さのレーザービームを出射し、微小光学ヘッド５７に照射する。
【００４８】
図６は、記録／再生ヘッド６０の概略構成を示す断面図である。この記録／再生ヘッド６０は、磁気ヘッド５１（記録用磁気ヘッド６１及び再生用磁気ヘッド６２）と熱アシスト時に用いられる光照射部を構成する微小光学ヘッド５７とを備えている。
【００４９】
図６において、磁気ヘッド５１には波長４０５ｎｍレーザーを発生する光レーザーと開口部が一体化した光照射部（微小光学ヘッド５７）が組み込まれており、熱アシスト記録による情報記録を実行する際には、媒体１０を加熱することができる。例えば、記録用磁気ヘッドとしては薄膜磁気ヘッド、再生用磁気ヘッドとしてはスピンバルブ型磁気ヘッドを用いることができ、これらと光照射部は一体化されている。
【００５０】
図６に示されるように、ヘッド構造としては、記録用磁気ヘッド６１（トレーリングシールド付、トレーリングシールドギャップ長Ｇｔｓ＝３５ｎｍ、Ｔｗ＝７０−１００ｎｍ、磁束密度２．４５Ｔ）、再生用磁気ヘッド６２（Ｔｗｒ＝６０ｎｍ、Ｇｓ＝５０ｎｍ、ＭＲ比＝１３％）を用いている。再生用磁気ヘッド６２は磁気シールド６３により再生ヘッド直下のビットからもれる磁束を検出することができる。この一体型磁気ヘッド６０は、磁気ヘッド用駆動回路５２により制御され、情報記録再生装置５０の磁気ヘッド面と情報記録媒体面との距離は５ｎｍに保たれている。そして、磁気ヘッド駆動装置５２は、磁気ヘッド５１に対して情報記録媒体１０を相対的に駆動する。
【００５１】
この情報記録再生装置５０の磁気ヘッド５１により、情報記録媒体１０の記録層４の膜面に対して垂直方向の磁化を与え、かつ、軟磁性裏打ち層６の膜面に対して平行方向の磁化を与え、記録層及び軟磁性裏打ち層６と協働して磁気回路を構成することができる。
【００５２】
この情報記録媒体１０を用いて、線記録密度２０ｋＦＣＩの信号を記録した際の再生出力（Ｓｌｆ）とし、線記録密度１０００ｋＦＣＩでのノイズ（Ｎｄ）との比を情報記録媒体の記録再生特性（Ｓｌｆ／Ｎｄ比）として評価した。記録は、光レーザーに１０ｍＷのパワーを印加して記録媒体を加熱しながら行った。表３にＳｌｆ／Ｎｄ比の測定結果を示す。
【００５３】
【表３】
2008021365.tif 000005
【００５４】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態では、第１の実施形態と同様の膜構造で記録再生評価を行っている。その際に、第１の実施形態とは異なり、記録時の熱アシストは行わず（つまり、図５の微小光ヘッド５７からのレーザー照射をＯＦＦにする）、室温で記録を行う通常の垂直磁気記録で行う。また、第１の実施形態と同様に、線記録密度２０ｋＦＣＩの信号を記録した際の再生出力（Ｓｌｆ）とし、線記録密度１０００ｋＦＣＩでのノイズ（Ｎｄ）との比を情報記録媒体の記録再生特性（Ｓｌｆ／Ｎｄ比）として評価する。表４にＳｌｆ／Ｎｄ比の測定結果を示す。なお、表４には比較のために、比較例１の媒体に対しても、垂直磁気記録を行った場合の記録再生特性も併せて示している。
【００５５】
【表４】
2008021365.tif 000006
【００５６】
このように従来の垂直磁気記録方式でも、第２の実施形態の方が比較例１及び比較例２よりも優れた記録再生特性を示すことが分かる。
【００５７】
＜第３の実施形態＞
第３の実施形態では、Ｃｏよりも表面エネルギーの低い種々の合金材料を用いて下地層４を形成し、第１の実施形態と同様の膜構造を採用している。
【００５８】
表５は、作製した磁気記録媒体の下地層の材料、磁気特性及び線記録密度２０ｋＦＣＩの信号を記録した際の再生出力（Ｓｌｆ）とし、線記録密度１０００ｋＦＣＩでのノイズ（Ｎｄ）との比を情報記録媒体の記録再生特性（Ｓｌｆ／Ｎｄ比）結果を示している。なお、記録時には光レーザーで媒体を加熱する熱アシスト磁気記録方式及び光レーザーを用いない、垂直磁気記録方式双方の記録再生評価を行っている。
【００５９】
【表５】
2008021365.tif 000007
【００６０】
なお、下地層の膜厚は２０ｎｍ以下であることが望ましい。これは、記録ヘッドと軟磁性裏打ち層とのスペーシングを近づける方が記録特性を向上させるからである。
【００６１】
上述の各実施形態では、情報記録媒体の基板材料としてガラスを用いた例を説明したが、本発明はこれに限定されない。場合によっては、アルミニウム、ポリカーボネードなどのプラスチック、あるいは、樹脂等を用いても良い。
【００６２】
また、各実施形態では、情報記録媒体の軟磁性裏打ち層としてＣｏＴａＺｒ膜を設けた例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されない。軟磁性裏打ち層としては、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＣ、ＣｏＢ、ＣｏＴａＮｂ、ＮｉＦｅ、あるいは、それらの軟磁性膜とＣ膜の積層膜であっても良い。ただ、ＣｏＴａＺｒ膜はもっとも望ましい。
【００６３】
さらに、各実施形態では下地層を非結質化する元素をＳｉとしているが、これに限られず、Ｃ（カーボン）やＢ（ホウ素：ボロン）を用いることも可能である。
【００６４】
以上のように、本発明の実施形態による磁気記録媒体によれば、下地層上に形成され、Ｃｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する磁性材料である記録層を備え、この下地層は、Ｃｏよりも表面エネルギーが低く、磁性材料でない元素を含む材料で形成されているので、記録再生特性を有する情報記録媒体及びそれを備えた情報記録再生装置を提供することができる。
【００６５】
ここで、例えば、Ｙ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、ＰｔあるいはＹ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｐｔを主成分とする合金層で構成された下地層上に記録層がＣｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する磁性記録層を構成する構造を採用することにより、具体的に上記情報記録媒体が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】第１の実施形態による情報記録媒体の断面構造を示す図である。
【図２】第１の実施形態と比較例１のＸ線回折測定結果を示すグラフである。
【図３】第１の実施形態及び比較例１の透過電子顕微鏡像を示す図である。
【図４】第１の実施形態及び比較例１のＳｉ添加量と結晶粒径の関係について示す図である。
【図５】本発明による情報記録媒体を備えた情報記録装置の概略図である。
【図６】磁気ヘッドの概略断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  基板
２  密着層
３  軟磁性裏打ち層
４  下地層
５  記録層
６  保護層
１０  情報記録媒体
５０  情報記録再生装置
５１  磁気ヘッド
５２  磁気ヘッド駆動系
【図１】
2008021365.tif 000008
【図２】
2008021365.tif 000009
【図３】
2008021365.tif 000010
【図４】
2008021365.tif 000011
【図５】
2008021365.tif 000012
【図６】
2008021365.tif 000013