(57)【要約】【課題】冷機状態、暖機状態の区別なく、運転再開後直ぐに本来の搬送精度で基板の搬送を行うことができ、基板間における処理について高い均一性が得られる基板搬送装置等を提供する。【解決手段】  基板を保持する保持部１３に回転自在にアーム部１１、１２が連結された関節型の搬送アーム１０ａ、１０ｂを備えた基板搬送装置１ａ、１ｂにおいて、加熱手段６１ａ、６１ｂは当該アーム部１１、１２を加熱し、温度検出手段６４ａ、６４ｂは各アーム部１１、１２の温度を検出する。そして制御手段７は、基板搬送開始前に前記アーム部１１、１２を加熱し、温度検出手段６４ａ、６４ｂによる温度検出値が予め設定した設定温度範囲まで上昇した後に基板の搬送を許可し、その後は温度検出値が設定温度範囲内に維持されるように加熱手段６１ａ、６１ｂを制御する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持部に回転自在にアーム部が連結された関節型の搬送アームを備えた基板搬送装置において、
前記アーム部に設けられ、当該アーム部を加熱する加熱手段と、
前記アーム部の温度を検出する温度検出手段と、
基板搬送開始前に前記アーム部を加熱し、前記温度検出手段による温度検出値が予め設定した設定温度範囲まで上昇した後に基板の搬送を許可し、その後は前記温度検出値が前記設定温度範囲内に維持されるように前記加熱手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記設定温度範囲の下限値は、前記加熱手段による加熱を行わずに前記搬送アームを長時間動作させた結果、平衡状態となる前記アーム部の温度よりも高い温度に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記制御手段は、基板搬送前の前記アーム部を加熱する期間中に、基板搬送を行わずに動作する暖機運転を行うように当該搬送アームを制御することを特徴とする請求項１または２に記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記制御手段は、基板搬送期間中に前記アーム部の温度が前記設定温度範囲を外れた場合には、基板の搬送を停止するように前記搬送アームを制御することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記アーム部には、当該アーム部の過熱を防止するためのサーモスタットが設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記搬送アームは、腐食性の成分が飛散している雰囲気で使用され、
前記設定温度範囲は、前記腐食性の成分の付着を抑える効果がある温度範囲であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記搬送アームは、処理ガスの反応生成物が付着する雰囲気で使用され、
前記温度制御部は、前記搬送アームが基板を搬送していないときに、アーム部に付着している付着成分を飛散させるために、当該アーム部を前記設定温度範囲よりも高い温度に加熱するように加熱手段を制御することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項８】
前記搬送アームは、真空雰囲気の搬送室内で使用され、
前記温度制御部は、前記搬送室を減圧している段階において、アーム部の水分を蒸発させるために加熱手段を制御して当該アーム部を加熱することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一つに記載の基板搬送装置と、
前記搬送アームにより基板の搬送が行われる搬送室と、
前記搬送室に設けられ、当該搬送室内の温度を加熱する第２の加熱手段と、
前記搬送室内の温度を検出する第２の温度検出手段と、を備え、
前記制御手段は、基板搬送期間中は前記第２の温度検出手段による温度検出値に基づいて、前記搬送室内の温度を前記設定温度範囲内に保つように前記第２の加熱手段を制御することを特徴とする基板搬送モジュール。
【請求項１０】
回転自在な搬送基体に、基板を保持する保持部を進退自在に設けて構成されたスライダ型の搬送アームを備えた基板搬送装置において、
前記搬送基体に設けられ、当該搬送基体を加熱する加熱手段と、
前記搬送基体の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段による温度検出値が予め設定した設定温度範囲まで上昇した後に基板の搬送を許可し、その後は前記温度検出値が前記設定設定温度範囲内に維持されるように前記加熱手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする基板搬送装置。
【請求項１１】
基板を保持する保持部に回転自在にアーム部が連結された関節型の搬送アームにより基板を搬送する基板搬送方法において、
前記アーム部の温度を検出する工程と、
基板搬送開始前に前記アーム部を加熱する工程と、
検出された前記アーム部の温度が予め設定した設定温度範囲まで上昇した後に基板の搬送を許可する工程と、
その後、前記アーム部を加熱しながら当該アーム部の温度を前記設定温度範囲内に維持する工程と、を含むことを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１２】
前記設定温度範囲の下限値は、加熱を行わずに前記搬送アームを長時間動作させた結果、平衡状態となる前記アーム部の温度よりも高い温度に設定されていることを特徴とする請求項１１に記載の基板搬送方法。
【請求項１３】
基板搬送開始前の前記アーム部を加熱する工程の実行期間中に、基板搬送を行わずに当該搬送アームを動作させる暖機運転を行う工程を更に含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の基板搬送方法。
【請求項１４】
基板搬送期間中に前記アーム部の温度が前記設定温度範囲を外れた場合には、基板の搬送を停止する工程を更に含むことを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか一つに記載の基板搬送方法。
【請求項１５】
基板を保持する保持部に回転自在にアーム部が連結された関節型の搬送アームを備えた基板搬送装置に用いられるプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項１１ないし１４のいずれか一つに記載された基板搬送方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を搬送する基板搬送装置、この基板搬送装置を備えた基板搬送モジュール、基板処理方法及び当該基板処理方法を記憶した記憶媒体に係り、特に基板の搬送される位置の精度を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示装置等のフラットパネルの製造工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）やガラス基板といった基板をキャリアに収納して半導体製造装置（フラットパネルの製造装置も含む）の搬入ポートに搬入し、この装置内の搬送アームによりキャリアから基板を取り出して処理モジュールに搬送することが行われている。この処理モジュールが枚葉式の真空処理モジュールである場合や、レジスト処理等に用いられるスピナーである場合等には、基板のセンターをモジュール内の載置部のセンターに高精度に一致させることが要求されるため、搬送アームの性能の良否は基板の処理結果に影響を及ぼす。
【０００３】
例えばマルチチャンバシステムと呼ばれる基板処理装置を例に説明すると、この基板処理装置は、エッチング処理やＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)による成膜処理を行う複数の処理室（処理モジュール）に、これらの処理室に共通の搬送室が接続され、この搬送室内に搬送アームを備えた構造となっている。成膜処理やエッチング処理においては、処理室内の予め決められた位置に精度よくウエハを載置することが要求され、ウエハの載置位置がずれると成膜された膜の厚さやエッチングされた線幅等にウエハ面間でバラツキを生じたりする場合がある。
【０００４】
このような課題に対し、特許文献１には、マルチチャンバ等の基板処理装置内にて基板の搬送位置の精度（以下、制御性ともいう）を向上させる技術の一例として、搬送アームを伸ばした状態における移動分解能の低下を抑えて制御性を向上させた関節型の搬送アーム（フロッグレッグ型）が記載されている。また特許文献２には、搬送アームを構成するアーム部内に伝達機構を格納した関節型の搬送アーム（スカラ型）が記載されている。
【特許文献１】特開２０００−１００８８８号公報：第００３８段落、図１
【特許文献２】特開２０００−７２２４８号公報：図２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に搬送アームは、モータ等の駆動機構や、プーリやタイミングベルト等の伝達機構を備えている。これらの駆動機構や伝達機構は、熱損失や摩擦等によって熱を発生するため、搬送アームを長時間稼動させると、その温度は停止時と比較して温度の高い状態となる（以下この状態を「暖機状態」という）。
【０００６】
一方で搬送アームは例えばメンテナンスや工場の休業の際に稼動が停止され、この停止期間中は既述の熱源からの熱の供給がなくなるため、稼動を開始した直後の搬送アームは暖機状態よりも温度の低い状態となっている（以下この状態を「冷機状態」という）。このような暖機状態、冷機状態の異なる温度条件下で搬送アームを稼動させると、２つの状態の間で搬送アームの停止位置が僅かに、例えばサブミリメートル程度ずれてしまい、基板の搬送位置精度を悪化させてしまうことが知られている。関節型の搬送アームを用いている場合には、このようなずれの生じる原因として例えば搬送アームの回転軸をベアリングで押さえつける圧力が変化したり、伝達機構のタイミングベルトの伸びによりその張力が変化したりすること等によるものではないかと考えられる。
【０００７】
こうした搬送アームの温度変化による制御性の悪化を解消するためには、ウエハの処理を行わずに搬送アームだけを稼動させる、いわゆる暖機運転を行い、搬送アームが暖機状態となってからウエハの処理を開始すればよいようにも思われる。しかしながら、一旦冷機状態となった搬送アームを暖機状態へと戻すには例えば数時間程度を要するため、暖機運転を行うことは装置稼働率を大きく低下させてしまう。このため、実際の搬送アームは冷機状態、暖機状態のいずれの状態でも、ある程度良好な制御性を発揮できるようにする必要があり、例えば暖機状態のみに着目すると最適な制御性を発揮しているとはいえなかった。
【０００８】
このような問題に対して特許文献１、特許文献２に記載された技術には、暖機状態、冷機状態といった温度変化の影響を考慮して搬送アームの制御性を向上させる技術は何ら記載されていない。
【０００９】
本発明はこのような事情に基づいて行われたものであり、その目的は冷機状態、暖機状態の区別なく、運転再開後直ぐに本来の搬送精度で基板の搬送を行うことができ、基板間における処理について高い均一性が得られる基板搬送装置、この基板搬送装置を備えた基板搬送モジュール、基板処理方法及び当該基板処理方法を記憶した記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る基板搬送装置は、基板を保持する保持部に回転自在にアーム部が連結された関節型の搬送アームを備えた基板搬送装置において、
前記アーム部に設けられ、当該アーム部を加熱する加熱手段と、
前記アーム部の温度を検出する温度検出手段と、
基板搬送開始前に前記アーム部を加熱し、前記温度検出手段による温度検出値が予め設定した設定温度範囲まで上昇した後に基板の搬送を許可し、その後は前記温度検出値が前記設定温度範囲内に維持されるように前記加熱手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
ここで前記設定温度範囲の下限値は、前記加熱手段による加熱を行わずに前記搬送アームを長時間動作させた結果、平衡状態となる前記アーム部の温度よりも高い温度に設定し、前記制御手段は、基板搬送前の前記アーム部を加熱する期間中に、基板搬送を行わずに動作する暖機運転を行うように当該搬送アームを制御するように構成することが好ましい。更に前記制御手段は、基板搬送期間中に前記アーム部の温度が前記設定温度範囲を外れた場合には、基板の搬送を停止するように前記搬送アームを制御し、前記アーム部には、当該アーム部の過熱を防止するためのサーモスタットを設けるとよい。
【００１２】
また、前記搬送アームが腐食性の成分が飛散している雰囲気で使用される場合には、前記腐食性の成分の付着を抑える効果がある温度範囲に前記設定温度範囲を設定することが好ましく、搬送アームが処理ガスの反応生成物が付着する雰囲気で使用される場合には、前記温度制御部は、前記搬送アームが基板を搬送していないときに、アーム部に付着している付着成分を飛散させるために、当該アーム部を前記設定温度範囲よりも高い温度に加熱するように加熱手段を制御することが好ましい。更にまた、搬送アームが真空雰囲気の搬送室内で使用される場合には、前記温度制御部は、前記搬送室を減圧している段階において、アーム部の水分を蒸発させるために加熱手段を制御して当該アーム部を加熱するように構成することが好適である。
【００１３】
次に本発明に係る基板搬送モジュールは前述の特徴を備えた基板搬送装置と、前記搬送アームにより基板の搬送が行われる搬送室と、前記搬送室に設けられ、当該搬送室内の温度を加熱する第２の加熱手段と、前記搬送室内の温度を検出する第２の温度検出手段とを備え、前記制御手段は、基板搬送期間中は前記第２の温度検出手段による温度検出値に基づいて、前記搬送室内の温度を前記設定温度範囲内に保つように前記第２の加熱手段を制御することを特徴とする。
【００１４】
続いて他の発明に係る基板搬送装置は、回転自在な搬送基体に、基板を保持する保持部を進退自在に設けて構成されたスライダ型の搬送アームを備えた基板搬送装置において、
前記搬送基体に設けられ、当該搬送基体を加熱する加熱手段と、
前記搬送基体の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段による温度検出値が予め設定した設定温度範囲まで上昇した後に基板の搬送を許可し、その後は前記温度検出値が前記設定設定温度範囲内に維持されるように前記加熱手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
また本発明に係る基板搬送方法は、基板を保持する保持部に回転自在にアーム部が連結された関節型の搬送アームにより基板を搬送する基板搬送方法において、
前記アーム部の温度を検出する工程と、
基板搬送開始前に前記アーム部を加熱する工程と、
検出された前記アーム部の温度が予め設定した設定温度範囲まで上昇した後に基板の搬送を許可する工程と、
その後、前記アーム部を加熱しながら当該アーム部の温度を前記設定温度範囲内に維持する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
ここで前記設定温度範囲の下限値は、加熱を行わずに前記搬送アームを長時間動作させた結果、平衡状態となる前記アーム部の温度よりも高い温度に設定されていることが好ましく、また基板搬送開始前の前記アーム部を加熱する工程の実行期間中に、基板搬送を行わずに当該搬送アームを動作させる暖機運転を行う工程や、基板搬送期間中に前記アーム部の温度が前記設定温度範囲を外れた場合に、基板の搬送を停止する工程を更に含むとよい。
【００１７】
更にまた本発明に係る記憶媒体は、基板を保持する保持部に回転自在にアーム部が連結された関節型の搬送アームを備えた基板搬送装置に用いられるプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは上述の特徴を供えた各基板搬送方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、関節型の搬送アームのアーム部あるいはスライダ型の搬送アームの搬送基体に加熱手段を設け、基板搬送装置の運転開始時にアーム部等を加熱して強制的に昇温させ、設定温度範囲内で基板の搬送を行うようにしている。このため、例えば装置の運転を長期間停止して運転を再開したときに、冷機状態、暖機状態の区別がなくなり、運転再開後直ぐに本来の搬送精度で基板の搬送を行うことができる。従って基板搬送装置が例えば処理モジュールに基板を搬送する場合には、処理モジュール内の基板の載置位置が基板間にて揃うので、基板間の処理について高い均一性が得られる。このように本発明は、基板の載置位置のわずかなずれによっても処理の均一性に影響を及ぼす半導体製造装置に対して有効な手法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施の形態に係る基板搬送装置について、マルチチャンバ型の基板処理装置４を例に挙げて説明する。図１は、本実施の形態に係る基板処理装置４の平面図であり、図２はその縦断面図である。基板処理装置４は、処理対象のウエハＷを所定枚数格納するキャリアＣを載置する例えば３個のキャリア載置台４１と、大気雰囲気下でウエハＷを搬送する第１の搬送室４２と、室内を大気雰囲気と予備真空雰囲気とに切り替えてウエハＷを待機させるための、例えば左右に２個並んだロードロック室４３と、真空雰囲気下でウエハＷを搬送する第２の搬送室４４と、搬入されたウエハＷにプロセス処理を施すための例えば４個の基板処理室４５ａ〜４５ｄと、を備えている。これらの機器は、ウエハＷの搬入方向に対して、第１の搬送室４２、ロードロック室４３、第２の搬送室４４、基板処理室４５ａ〜４５ｄの順で並んでおり、隣り合う機器同士はドアＧ１やゲートバルブＧ２〜Ｇ４を介して気密に接続されている。なお、以下の説明では第１の搬送室４２のある向きを手前側として説明する。
【００２０】
図２に示すようにキャリア載置台４１上に載置されたキャリアＣは、第１の搬送室４２に対してドアＧ１を介して接続され、このドアＧ１はキャリアＣの蓋を開閉する役割を果たす。また第１の搬送室４２の天井部には室内に大気を送り込むファンとその大気を清浄化するフィルタとからなるファンフィルタユニット４２ａを備え、これと対向する床部には排気ユニット４２ｂを備えることにより、第１の搬送室４２内には清浄空気の下降気流が形成される。第１の搬送室４２内にはキャリアＣからウエハＷを１枚ずつ取り出して、搬送するための、回転、伸縮、昇降及び左右への移動自在な搬送アーム１０ａが設置されているが、その詳細な構成は後述する。また図１に示した４６は、第１の搬送室４２の側面に設けられ、ウエハＷの位置合わせを行うためのオリエンタを内蔵したアライメント室である。
【００２１】
左右２つのロードロック室４３は、搬入されたウエハＷの載置される載置台４３ａを備え、各々のロードロック室４３を大気雰囲気と真空雰囲気とに切り替えるための図示しない真空ポンプ及びリーク弁と接続されている。
【００２２】
第２の搬送室４４は、図１に示すようにその平面形状が例えば六角形状に形成され、手前側の２辺は既述のロードロック室４３と接続されると共に、残る４辺は基板処理室４５ａ〜４５ｄと接続されている。第２の搬送室４４内には、ロードロック室４３と各基板処理室４５ａ〜４５ｄとの間で真空雰囲気にてウエハＷを搬送するための、回転及び伸縮自在な第２の搬送アーム１０ｂが設置され、また第２の搬送室４４は、その内部を真空雰囲気に保つための図示しない真空ポンプと接続されている。
【００２３】
基板処理室４５ａ〜４５ｄは例えば、ウエハＷの載置される載置台５１とプロセスガスの供給されるガスシャワーヘッド５２とを備えると共に不図示の真空ポンプと接続され、真空雰囲気下で行われるプロセス処理、例えばエッチングガスによるエッチング処理、成膜ガスによる成膜処理、アッシングガスによるアッシング処理等の行われる処理モジュールとして構成されている。各基板処理室４５ａ〜４５ｄで行われるプロセス処理の内容は、互いに同じであってもよいし、異なる処理を行うように構成してもよい。また、搬送アーム１０ａ、１０ｂ、基板処理室４５ａ〜４５ｄ等は、基板処理装置４全体の動作を統括制御する制御部７と接続されている。
【００２４】
以上の構成により、キャリア載置台４１上のキャリアＣに格納されたウエハＷは、搬送アーム１０ａによってキャリアＣより取り出され第１の搬送室４２内を搬送される途中でアライメント室４６内にて位置決めをされた後、左右いずれかのロードロック室４３に受け渡されて待機する。そしてロードロック室４３内が予備真空雰囲気となったら、ウエハＷは搬送アーム１０ｂによってロードロック室４３より取り出され、第２の搬送室４４内を搬送され、いずれかの基板処理室４５ａ〜４５ｄにて所定のプロセス処理を受ける。ここで基板処理室４５ａ〜４５ｄにて異なる連続処理が行われる場合には、ウエハＷは第２の搬送室４４との間を往復しながら連続処理に必要な基板処理室４５ａ〜４５ｄ間を搬送され、必要な処理を終えた後搬入時とは反対の経路（アライメント室４６を除く）で搬出され再びキャリアＣへと格納される。
【００２５】
このように本実施の形態に係る基板処理装置４は、装置内におけるウエハＷの搬送する搬送アーム１０ａ、１０ｂを備えているが、これらの搬送アーム１０ａ、１０ｂはモータ等の駆動機構、プーリやタイミングベルトからなる伝達機構を有している。そこで背景技術にて説明したように冷機状態、暖機状態といった装置の温度変化によりウエハＷの搬送位置がずれてしまうことを防止するため、本実施の形態に係る搬送アーム１０ａ、１０ｂは、このような温度変化の影響を低減し、精度よくウエハＷを搬送するための加熱手段を備えている。
【００２６】
以下、本実施の形態に係る基板搬送装置１ａ、１ｂの詳細な構成及び加熱手段の内容について説明する。既述の第１の搬送室４２、第２の搬送室４４に夫々設置された搬送アーム１０ａ、１０ｂは、夫々基板搬送装置１ａ、１ｂの一部を構成している。基板搬送装置１ａ、１ｂは図５に示すように、搬送アーム１０ａ、１０ｂと、その動作制御及び温度制御を行う制御部７とから構成されており、各々の基板搬送装置１ａ、１ｂは、その機構が概略共通しているので、以下第２の基板搬送装置１ｂについて説明する。なお本発明者は、実際には各搬送室内に関節型の搬送アームを２本備えた基板搬送装置を開発しているが、図示及び説明の便宜上、本実施の形態では１本の搬送アームを備えた基板搬送装置１ａ、１ｂを例示して説明する。
【００２７】
初めに、搬送アーム１０ｂの構成及びその動作について簡単に説明する。図３は、第２の基板搬送装置１ｂに備わる搬送アーム１０ｂの内部構造を示した縦断側面図であり、図４はその外面形状を示した斜視図である。図３、図４に示すように搬送アーム１０ｂは、ウエハ保持部１３ａの形成された先端アーム部１３に中段アーム部１２及び旋回アーム部１１を回転自在に連結した、周知の関節型（スカラ型）搬送アームとして構成されている。
【００２８】
図３に示すように、旋回アーム部１１及び中段アーム部１２は、アルミニウム製のケーシング１１ａ、１２ａを本体として構成され、夫々のケーシング１１ａ、１２ａ内には旋回アーム部１１、中段アーム部１２、先端アーム部１３を夫々連結する支持軸２６ｂ、２９ｂ、回転軸２６ａ、２８が収められている。また、旋回アーム部１１の基端側に設けられた回転軸２１及び旋回軸２２は、第２の搬送室４４の床部下方に設けられ、これらの軸２１、２２を夫々独立に回転させるための、例えばモータからなる駆動機構３０と接続されている（図５参照）。また図３中、２５ａ、２５ｂはタイミングベルト、２３、２４、２７、２８はプーリであって前述の駆動機構３０からの駆動力を伝達する伝達機構としての役割を果たす。
【００２９】
以上の構成により、旋回軸２２を停止した状態で回転軸２１を駆動させると、搬送アーム１０ｂの旋回アーム部１１とウエハ保持部１３とが同じ方向へと回転する一方で、中段アーム部１２はこれらの回転を打ち消す方向へと反対に回転する。その結果これらの動きが組み合わされることにより、図４中に破線で示すようにウエハ保持部１３ａを前後させる伸縮動作を行う。これに対して回転軸２１と旋回軸２２とを同じ方向へと駆動させると、ウエハ保持１３ａを伸縮させずに旋回アーム部１１の水平方向への旋回動作を行う。
【００３０】
なお、図３に示すように、互いに回転可能なように連結された部材同士の間には、例えばベアリングからなる軸受部２０ａ〜２０ｇが介挿されており、更に軸受部２０ａ、２０ｂ、２０ｅ、２０ｆは、例えば磁気シールユニットを備え、各ケーシング１１ａ、１２ａ内や駆動機構３０の収められたカバー部材３１内の大気雰囲気と、第２の搬送室４４内の真空雰囲気とが隔離されている。
【００３１】
ここで、前述の伸縮動作におけるウエハ保持部１３ａの停止位置、即ちウエハＷの搬送位置は、搬送アーム１０ｂを伸ばす動作を開始してから止まるまでの駆動機構３０の駆動量（例えばモータの回転量）で制御され、この駆動量は予め定められた制御温度（例えば４０℃）にてウエハＷの搬送位置が最適となる（例えば搬送されたウエハＷの中心が載置台５１の中心に一致する）ように設定されている。
【００３２】
このような動作を行う搬送アーム１０ｂに対し、図３の全体図及び拡大図に示すように、各ケーシング１１ａ、１２ａには例えばシート状の抵抗発熱体からなり各アーム部１１、１２の温度を予め設定した設定温度範囲（例えば既述の制御温度を基準値とするプラスマイナス１．０℃の温度範囲）内に保つためのヒータ６１ａ、６１ｂが埋め込まれている。各ヒータ６１ａ、６１ｂは接続線６２を介して後述する外部の電源部６６と接続されている。
【００３３】
ここで旋回軸２２、旋回アーム部１１の先端側の支持軸２６ｂには、夫々の軸の軸方向に形成された空洞部である配線路２２ａ、２６ｃを設けてあり、カバー部材３１、回転軸２１には貫通孔３１ａ、２１ａを設けてある。そして、外部の電源部６６と接続された接続線６２は、これら貫通孔３１ａ、２１ａを介して回転軸２１内に導入され、ここから配線路２２ａの下方側開口部を経て旋回軸２２内を通り、プーリ２３の上方に設けられた上方側開口より旋回アーム部１１のケーシング１１ａ内へと導入されてヒータ６１ａに接続される。ここで６３ａは接続線６２とヒータ６１ａとの間に介設された、例えばバイメタルタイプのサーモスタットであって、その温度が予め設定された停止温度（例えば前記の設定温度範囲の上限値よりも高い５０℃）に達したらヒータ６１ａへの電力の供給を停止して旋回アーム部１１の過熱を防止する役割を果たす。
【００３４】
更に接続線６２は、前述のサーモスタット６３ａの手前で分岐して、ケーシング１１ａ内を引き回されて、プーリ２４の下方に形成された配線路２６ｃの下方側開口部を介して支持軸２６ｂ内へ導入され、プーリ２７の上面に形成された上方側開口部より中段アーム部１２のケーシング１２ａ内へと導入される。ケーシング１２ａへと導入された接続線６２は、サーモスタット６３ｂを介してヒータ６１ｂに接続される。以上の構成により、図５に示すように各アーム部１１、１２内には、ヒータ６１ａ、６１ｂとサーモスタット６３ａ、６３ｂとが夫々組み合わされて電源部６６に並列に接続された回路が形成される。なお図示の便宜上、図３では前述の回路を構成する接続線を１本線にて示してある。
【００３５】
ここで、各ヒータ６１ａ、６１ｂから供給された熱は周囲の真空雰囲気へは殆ど逃げないため、本実施の形態では先端アーム部１３にヒータ等を設けず、中段アーム部１２等の基端側のアームからの熱伝導を利用して間接的に加熱を行う構成となっている。但し、先端アーム部１３に独自のヒータや熱電対を設け、加熱を行ってもよいことは勿論である。
【００３６】
またヒータ６１ａ、６１ｂの埋め込まれたケーシング１１ａ、１２ａの内面には、温度検出手段としての例えば熱電対６４ａ、６４ｂが設置されており、図３中に破線で示した信号線６５と接続され、夫々の設置位置におけるケーシング１１ａ、１２ａの温度を電気信号として出力できる。信号線６５は、既述の接続線６２と同じ経路を通って搬送アーム１０の外へ引き出されている。なお接続線６２や信号線６５は、回転軸２１や旋回軸２２等の回転により引っ張られて切れたりしないように、巻き線部を形成したり弛みを持たせたりした状態で搬送アーム１０ｂ内に配線されている。
【００３７】
以上、搬送アーム１０ｂの詳細な構成及び加熱手段の内容について説明したが、第１の基板搬送装置１ａに備わる搬送アーム１０ａについても概略同様の構成を備えており、伸縮、旋回自在且つ各アーム部１１、１２の温度を設定温度範囲内に保つことができる。なお第１の基板搬送装置１ａにおいて、搬送アーム１０ａや駆動機構３０を支える基台は、昇降及び左右への移動自在に構成されている。
【００３８】
図５は、各基板搬送装置１ａ、１ｂの加熱及びの動作制御に係る各機器の電気的構成を示したブロック図である。制御部７は、既述のように各基板搬送装置１ａ、１ｂを含む基板処理装置４全体の動作を統括制御するほか、電源部６６と協働してヒータ６１ａ、６１ｂの温度を調節する機能と、基板処理装置４の立ち上げ操作のシーケンスや各アーム部１１、１２の加熱状況に応じて、各搬送アーム１０ａ、１０ｂを動作させる機能とを備えた制御手段としての役割を果たす。また電源部６６は制御部７からの指示に基づいて各ヒータ６１ａ、６１ｂへの供給電力を調節する役割を果たす。
【００３９】
制御部７は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）７１と上述の各種作用に関するプログラム（温度制御プログラム７２、動作制御プログラム７３と記してある）とメモリ７４とを備えたコンピュータからなる。この温度制御プログラム７２、動作制御プログラム７３には当該第１、第２の基板搬送装置１ａ、１ｂの作用、つまり、各アーム部１１、１２の加熱及び搬送アーム１０ａ、１０ｂの動作に係る制御についてのステップ（命令）群が組まれている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカード等の記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
【００４０】
またメモリ７４は、例えば書き換え可能なフラッシュメモリ等により構成され、このメモリ７４に予め記憶された設定温度範囲がコンピュータに読み出される。ここで、設定温度範囲の下限値は、既述の暖機状態における各アーム部１１、１２の温度、即ちヒータ６１ａ、６１ｂによる加熱を行わずに搬送アーム１０ａ、１０ｂを長時間動作させた結果、平衡状態となる温度よりも高い温度（例えば３０℃）に設定されている。
【００４１】
制御部７には、各搬送アーム１０ａ、１０ｂの熱電対６４ａ、６４ｂや駆動機構３０、また電源部６６を介してヒータ６１ａ、６１ｂが接続されるほか、オペレータにユーザに各種の案内表示をしたり、ソフトスイッチを介してユーザからの指示を受け付けたりする表示操作部７５が接続されている。
【００４２】
以上に説明した構成に基づいて実行される各基板搬送装置１ａ、１ｂの温度制御及び動作制御について、その動作の流れをフローチャートで示した図６を参照しながら説明する。例えば基板処理装置４のメンテナンスや工場の休業を終え、基板処理装置４の立ち上げ操作を開始する場合において（スタート）、第１、第２の基板搬送装置１ａ、１ｂを含む基板処理装置４の電源を投入すると（ステップＳ１）、各搬送アーム１０ａ、１０ｂによりウエハＷの搬送される正確な位置を予め記憶する初期化が行われる共に各アーム部１１、１２の温度制御が開始される。（ステップＳ２）。
【００４３】
これにより、夫々の搬送アーム１０ａ、１０ｂのアーム部１１、１２を加熱すると共に、ウエハＷの搬送を行わないまま各搬送アーム１０ａ、１０ｂの伸縮や旋回動作を繰り返す暖機運転を行い（ステップＳ３）、熱電対６４ａ、６４ｂの温度検出値が設定温度範囲内となったか否かを確認する（ステップＳ４）。
【００４４】
前記温度検出値が設定温度範囲内まで上昇していない場合には（ステップＳ４；Ｎ）、ウエハＷの搬送を禁止したままでアーム部１１、１２の加熱と暖機運転とを継続し（ステップＳ３）、前記温度検出値が設定温度範囲内に到達すると（ステップＳ４；Ｙ）、ウエハＷの搬送を許可する。そして例えば基板処理室４５ａ〜４５ｄ等にてプロセス処理の準備が完了するのを待って基板処理装置４におけるウエハＷの処理を開始し、各搬送アーム１０ａ、１０ｂにおいてもアーム部１１、１２の加熱を行いながらウエハＷ搬送を実行する（ステップＳ５）。
【００４５】
各基板搬送装置１ａ、１ｂは、所定間隔で各熱電対６４ａ、６４ｂからの温度検出値を確認し（ステップＳ６）、設定温度の範囲内であれば（ステップＳ６；Ｙ）、基板処理装置４の計画停止時期に至るまで、そのままアーム部１１、１２の加熱及びウエハＷ搬送を継続する（ステップＳ５）。一方、いずれか一方の搬送アーム１０ａ、１０ｂの熱電対６４ａ、６４ｂからの温度検出値が設定温度範囲を外れた場合には（ステップＳ６；Ｎ）、ウエハＷの搬送を停止し（ステップＳ７）基板処理装置４の稼動を停止し、表示操作部７５にて異常発生の旨を報知して（ステップＳ８）動作を終了する（エンド）。
【００４６】
ウエハＷ搬送の停止後は、オペレータや設備担当者等により、異常発生の原因究明、対策措置が講じられ、再び図６と同様のフローにて基板処理装置４及び各基板搬送装置１ａ、１ｂの運転が再開される。また、アーム部１１、１２の温度が設定温度範囲を外れた際に（ステップＳ６；Ｎ）、例えば急激な温度上昇によりサーモスタット６３ａ、６３ｂのバイメタルが既述の停止温度に達した場合には、当該サーモスタット６３ａ、６３ｂの作動によりヒータ６１ａ、６１ｂへの電力供給が停止される。
【００４７】
本実施の形態によれば以下のような効果がある。本実施の形態に係る基板搬送装置１ａ、１ｂは、関節型の搬送アーム１０ａ、１０ｂの各アーム部１１、１２にヒータ６１ａ、６１ｂを設け、運転開始時にアーム部１１、１２を加熱して強制的に昇温させ、設定温度範囲内でウエハＷの搬送を行うようにしている。このため、例えば各基板搬送装置１ａ、１ｂの運転を長期間停止して運転を再開したときに、冷機状態、暖機状態の区別がなくなり、運転再開後直ぐに本来の搬送精度でウエハＷの搬送を行うことができる。従って例えば基板処理室４５ａ〜４５ｄ内のウエハＷの載置位置がウエハＷ間にて揃うので、ウエハＷ間の処理について高い均一性が得られる。このように本発明は、例えば実施の形態に示した基板処理装置４のように、ウエハＷの載置位置のわずかなずれによっても処理の均一性に影響を及ぼす半導体製造装置対して有効な手法である。
【００４８】
また、各アーム部１１、１２の温度が設定温度範囲を外れたときには、ウエハＷの搬送を停止するので、搬送位置のずれたままの状態で処理されるウエハＷの数を最小限に抑えることができる。そして、各ヒータ６１ａ、６１ｂには搬送アーム１０ａ、１０ｂの過熱を防止するためのサーモスタット６３ａ、６３ｂを設けてあるので、制御部７による供給電力の調節が間に合わないような急激な温度上昇を生じた場合でも安全にこれらのヒータ６１ａ、６１ｂを停止することができる。
【００４９】
更に本実施の形態においては、前記設定温度範囲の下限値を暖機状態におけるアーム部１１、１２の温度よりも高く設定しているので、抵抗発熱体等の構成の簡素な加熱手段だけで各アーム部１１、１２の加熱を行うことができる。また搬送アーム１０ａ、１０ｂはこの設定温度範囲内の予め定められた制御温度にてウエハＷの搬送位置が最適となるように設定されているため、従来のように冷機状態、暖機状態の異なる温度条件下のいずれでも、ある程度良好な制御性を発揮できるように設定されている場合と比較して、ウエハＷの搬送位置精度を高めることができる。
【００５０】
また、ウエハＷの搬送を開始する前に、各基板搬送装置１ａ、１ｂにて暖機運転を行いながらこれらのアーム部１１、１２の加熱を行うので、温度条件を揃えただけでは調節しきれない他の条件についても従来の暖機状態に近い状態としてウエハＷの搬送を開始し、ウエハＷの搬送位置をより安定させることができる。更にまた、本実施の形態ではスカラ型の搬送アーム１０ａ、１０ｂを例に挙げて説明したが、これらに替えてフロッグレッグ型の搬送アームを設け、ヒータによる加熱を行いながら動作させてもよいことは勿論である。
【００５１】
以上、本実施の形態においては搬送アーム１０ａ、１０ｂを加熱する加熱手段として抵抗発熱体等を用いる場合について例示したが、これに加えて搬送アームに冷却手段を設けるようにしてもよい。例えば、図３に示した旋回アーム部１１や中段アーム部１２のケーシング１１ａ、１２ａ内にモータを備え、これらによって直接中段アーム部１２や先端アーム部１３を動作させるタイプの搬送アームがある。このようなタイプの搬送アームは、旋回アーム部１１や中段アーム部１２の内部にモータからの熱がこもって大幅な温度上昇を引き起こす可能性がある。このため、例えばこれらのモータの表面に圧縮空気を吹き付ける等して冷却する冷却手段を各アーム部１１、１２内に設置して、搬送アームの加熱と冷却とを組み合わせるように構成してもよい。
【００５２】
また実施の形態では、加熱手段であるヒータ６１ａ、６１ｂを搬送アーム１０ａ、１０ｂのみに設けた例を示したが、これに加えて搬送アーム１０ａの設置されている雰囲気についての加熱を行ってもよい。例えば、既述の第１の基板搬送装置１ａと第１の搬送室４２とを基板搬送モジュールとして一体に考え、図２に示すファンフィルタユニット４２ａの出口にエアヒータ等からなる第２の加熱手段を設ける。そして第１の搬送室４２内に設けた第２の温度検出手段による室内温度の検出値に基づいて、この第１の搬送室４２内の温度を第１の基板搬送装置１ａのアーム部１１、１２と同じ設定温度範囲内に保つように制御部７にて制御する場合等が考えられる。また、図１、図２に示した第２の搬送室４４内を真空雰囲気とする替わりに、例えば窒素ガス等の不活性ガス雰囲気とし、この室内の温度を設定温度範囲内に保つように不活性ガスの供給温度を調節してもよい。搬送アーム１０ａ周囲の温度を設定温度範囲内で安定させることにより、搬送アーム１０ａ自体の加熱を容易にすることができる。
【００５３】
また、各搬送アーム１０ａ、１０ｂのアーム部１１、１２に設けられたヒータ６１ａ、６１ｂは基板搬送装置１ａ、１ｂの制御性を高めること以外の目的にも活用できる。例えば第２の搬送室４４のように真空雰囲気にてウエハＷを搬送するタイプの搬送室では、高真空状態を保つために、搬送室や基板搬送装置の部材表面に吸着している水分子等を予め蒸発させて、これらの機器を例えば１００℃前後で加熱するベーキング処理が行われる。従来、このようなベーキング処理は例えばチャンバ本体をカートリッジヒータやシートヒータで暖めることにより数日間かけて行われているが、搬送アーム１０ａ、１０ｂに設けられたヒータ６１ａ、６１ｂを利用して、各アーム部１１、１２の表面の温度を前記のベーキング処理と同程度の温度まで直接加熱することによりベーキング処理に必要な期間を短縮することができる。なお、この場合には各サーモスタット６３ａ、６３ｂの停止温度は、前記ベーキング処理温度の上限値より高い温度に設定される。
【００５４】
更にまた、例えば基板処理室４５ａ〜４５ｄ内では腐食性の成分を使用したり、処理ガスが大気中の水分や人体から放出される微量のアンモニア等と反応して腐食性の成分を生じたりすることがある。このような場合には、例えば基板処理室４５ａ〜４５ｄ内にてウエハＷ表面に吸着したこれらの成分が搬出経路の途中でウエハＷから搬送室４２、４４内に飛散して、各アーム部１１、１２等の表面を腐食させてしまうことがある。そこで既述の設定温度範囲を、これら腐食性の成分の付着を抑える効果のある温度範囲に設定して搬送アーム１０ａ、１０ｂを使用することにより、その腐食を防止してもよい。
【００５５】
また処理ガス等を由来とする反応生成物（既述の腐食性の成分を含む）が付着する雰囲気にて搬送アーム１０ａ、１０ｂを使用する場合には、ウエハＷを搬送していない期間中に、既述の設定温度範囲よりも高く、付着成分を飛散させることの可能な温度まで各アーム部１１、１２を加熱するように構成してもよい。この場合にも各サーモスタット６３ａ、６３ｂの停止温度は、付着成分を飛散させる温度より高い温度に設定される。
【００５６】
これまで説明してきた実施の形態では、マルチチャンバ型の基板処理装置４等に適用される関節型の搬送アーム１０ａ、１０ｂを備えた基板搬送装置１ａ、１ｂの例について説明したが、本発明の適用される搬送アームは関節型に限定されない。例えば、ウエハＷやフラットパネルに対してレジスト膜の塗布、現像を行う塗布、現像装置等の基板処理装置では、図７（ａ）に示すようなタイプのスライド型基板搬送装置８を備えている。
【００５７】
このスライド型基板搬送装置８は、例えば回転自在な搬送基体８１と、この搬送基体８１に進退自在に設けられた３枚の基板保持部８２ａ〜８２ｃとから構成される搬送アーム８０を備え、夫々の基板保持部８２ａ〜８２ｃは例えば図７（ｂ）の縦断面図に示すように、搬送基体８１内のボールネジ８３上を移動する移動体８４に連結部材８５を介して取り付けられている。そしてボールネジ８３に取り付けられたモータ８６を駆動させることにより基板保持部８２ａ〜８２ｃをスライドさせて、ウエハＷ上にレジスト液や現像液を塗布したり、これら処理液の塗布されたウエハＷに加熱処理を施したりする処理モジュールへとウエハＷを搬送することができる。なお、図７（ｂ）では図示の便宜上１本の基板保持部８２ａ及びその駆動機構のみを示してある。
【００５８】
このようなスライド型基板搬送装置８においても例えばボールネジ８３と移動体８４との間の摩擦熱によりボールネジ８３を構成するシャフトが伸びたりして冷機状態、暖機状態の状態変化を生じる。こうした状態変化によりウエハＷの搬送位置がずれると、レジスト膜の膜厚や現像状態にウエハＷ間でバラツキを生じる場合があるため、図７（ｂ）に示すように、例えば搬送基体８１を構成するケーシング内に加熱手段としてのヒータ６１ａや温度検出手段としての熱電対６４ａを埋め込み、制御部７等と接続して、ウエハＷの搬送を開始する前に搬送基体８１を加熱し、ウエハＷの搬送期間中には、その温度を設定温度範囲内に保つように構成するとよい。なお図７（ｂ）では図３、図５と同じ構成のものには同じ符号を付してある。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】前記基板処理装置の縦断面図である。
【図３】前記基板処理装置内に備わる第１の基板搬送装置の内部構造を示す縦断面図である。
【図４】前記第１の基板搬送装置に備わる多関節アームの斜視図である。
【図５】実施の形態に係る基板搬送装置の電気的構成を示したブロック図である。
【図６】前記搬送アームの温度制御及び動作制御に係る動作の流れを示したフローチャートである。
【図７】本発明の他の実施の形態に係るスライド型基板搬送装置の斜視図及び縦断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
Ｗ          ウエハ
１ａ        第１の基板搬送装置
１ｂ        第２の基板搬送装置
４          基板処理装置
７          制御部
８          スライド型基板搬送装置
１０ａ、１０ｂ
搬送アーム
１１        旋回アーム部
１１ａ      ケーシング
１２        中段アーム部
１２ａ      ケーシング
１３        先端アーム部
１３ａ      ウエハ保持部
２０ａ〜２０ｇ
軸受部
２１        回転軸
２１ａ      貫通孔
２２        旋回軸
２２ａ      配線路
２３、２４  プーリ
２５ａ、２５ｂ
タイミングベルト
２６ａ      回転軸
２６ｂ      支持軸
２６ｃ      配線路
２７、２８  プーリ
２９        回転軸
２９ｂ      支持軸
３０        駆動機構
３１        カバー部材
３１ａ      貫通孔
４１        キャリア載置台
４２        第１の搬送室
４２ａ      ファンフィルタユニット
４２ｂ      排気ユニット
４３        ロードロック室
４３ａ      載置台
４４        第２の搬送室
４５ａ〜４５ｄ
基板処理室
４６        アライメント室
５１        載置台
５２        ガスシャワーヘッド
６１ａ、６１ｂ
ヒータ
６２        接続線
６３ａ、６３ｂ
サーモスタット
６４ａ、６４ｂ
熱電対
６５        信号線
６６        電源部
７１        中央演算処理装置（ＣＰＵ）
７２        温度制御プログラム
７３        動作制御プログラム
７４        メモリ
７５        表示操作部
【図１】
2008235836.tif 000003
【図２】
2008235836.tif 000004
【図３】
2008235836.tif 000005
【図４】
2008235836.tif 000006
【図５】
2008235836.tif 000007
【図６】
2008235836.tif 000008
【図７】
2008235836.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以下、本発明に係る実施の形態に係る基板搬送装置について、マルチチャンバ型の基板処理装置４を例に挙げて説明する。図１は、本実施の形態に係る基板処理装置４の平面図であり、図２はその縦断面図である。基板処理装置４は、処理対象のウエハＷを所定枚数格納するキャリアＣを載置する例えば３個のキャリア載置台４１と、大気雰囲気下でウエハＷを搬送する第１の搬送室４２と、室内を大気雰囲気と真空雰囲気とに切り替えてウエハＷを待機させるための、例えば左右に２個並んだロードロック室４３と、真空雰囲気下でウエハＷを搬送する第２の搬送室４４と、搬入されたウエハＷにプロセス処理を施すための例えば４個の基板処理室４５ａ〜４５ｄと、を備えている。これらの機器は、ウエハＷの搬入方向に対して、第１の搬送室４２、ロードロック室４３、第２の搬送室４４、基板処理室４５ａ〜４５ｄの順で並んでおり、隣り合う機器同士はドアＧ１やゲートバルブＧ２〜Ｇ４を介して気密に接続されている。なお、以下の説明では第１の搬送室４２のある向きを手前側として説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
以上の構成により、キャリア載置台４１上のキャリアＣに格納されたウエハＷは、搬送アーム１０ａによってキャリアＣより取り出され第１の搬送室４２内を搬送される途中でアライメント室４６内にて位置決めをされた後、左右いずれかのロードロック室４３に受け渡されて待機する。そしてロードロック室４３内が真空雰囲気となったら、ウエハＷは搬送アーム１０ｂによってロードロック室４３より取り出され、第２の搬送室４４内を搬送され、いずれかの基板処理室４５ａ〜４５ｄにて所定のプロセス処理を受ける。ここで基板処理室４５ａ〜４５ｄにて異なる連続処理が行われる場合には、ウエハＷは第２の搬送室４４との間を往復しながら連続処理に必要な基板処理室４５ａ〜４５ｄ間を搬送され、必要な処理を終えた後搬入時とは反対の経路（アライメント室４６を除く）で搬出され再びキャリアＣへと格納される。