(57)【要約】【課題】導電パターン間の相互影響による性能劣化を減少させることにより高いＱを有するスパイラルインダクタを提供する。【解決手段】本発明は、平板形状の絶縁基板と、上記絶縁基板の少なくとも一面に形成されるスパイラル形態の導電パターンを含み、上記導電パターンはスパイラルを成す導線の長さ方向に従って線幅が異なるように形成されることを特徴とするスパイラルインダクタを提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板形状の絶縁基板と、
前記絶縁基板の少なくとも一面に形成されるスパイラル形態の導電パターンを含み、
前記導電パターンは、
スパイラルを成す導電パターンの一端からの距離に従って線幅が異なるように形成されることを特徴とするスパイラルインダクタ。
【請求項２】
前記導電パターンは、
前記スパイラルを成す導電パターンの一端からの距離に従って次第に線幅が減る第１領域及び線幅が次第に増加する第２領域が反復され形成されたことを特徴とする請求項１に記載のスパイラルインダクタ。
【請求項３】
前記導電パターンは、
前記第１領域及び第２領域が夫々１回のターン（ｔｕｒｎ）を形成することを特徴とする請求項２に記載のスパイラルインダクタ。
【請求項４】
前記導電パターンは、
前記絶縁基板の両面に夫々形成され、
前記絶縁基板を貫通する導電性ビアホールにより一端が連結されたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のスパイラルインダクタ。
【請求項５】
前記絶縁基板の両面に夫々形成される導電パターンは、
少なくとも一部領域が相互重畳されるように形成されたことを特徴とする請求項４に記載のスパイラルインダクタ。
【請求項６】
スパイラル形態を有する複数の導電パターンと、
前記夫々の導電パターンの間に形成される少なくとも一つの絶縁基板を含み、
前記複数の導電パターンは、
スパイラルを成す導電パターンの一端からの距離に従って線幅が異なるように形成され、前記絶縁基板を貫通する導電性ビアホールにより直列に連結されることを特徴とするスパイラルインダクタ。
【請求項７】
前記複数の導電パターンは、
前記スパイラルを成す導電パターンの一端からの距離に従って次第に線幅が減る第１領域と線幅が次第に増加する第２領域が反復され形成されたことを特徴とする請求項６に記載のスパイラルインダクタ。
【請求項８】
前記複数の導電パターンは、
前記第１領域及び第２領域が夫々１回のターン（ｔｕｒｎ）を形成することを特徴とする請求項７に記載のスパイラルインダクタ。
【請求項９】
前記複数の導電パターンは、
少なくとも一部領域が相互重畳されるように形成されたことを特徴とする請求項６に記載のスパイラルインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパイラルインダクタに関するもので、より詳細には、インダクタを成すスパイラル形態の導電パターンがスパイラルの長さ方向に従って線幅が異なるように形成されたインダクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来技術によるスパイラルインダクタの構造を示す。
【０００３】
図１を参照すると、絶縁性基板１１上にスパイラル構造の導電パターン１２が形成される。
【０００４】
上記絶縁性基板１１はプリント配線基板等で構成され、その一面にはインダクタを成すスパイラル形状の導電パターン１２が形成されている。
【０００５】
上記インダクタを構成する導電パターン１２の幅は、スパイラル形状の長さ方向に従って同じ幅で形成されていると同時に導電パターン間の間隔は全て同一である。
【０００６】
また、外側に位置する一端１２ａと内側に位置する他の一端１２ｂは夫々入出力端子に連結されることができ、入力端１２ａ側から電流を流した時、電流は夫々矢印方向Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４に流れ他の端子１２ｂに導出されるようになっている。
【０００７】
このようにスパイラル形態のインダクタで導体の線幅を一定にし、導体間の間隔を一定にすると、インダクタのインダクタンスが小さくなることができる。これはスパイラル形態のインダクタに電流を流した時、導電パターン１２の中心Ｏで対向する位置にある導体１２には夫々反対方向Ａ１とＡ３、Ａ２とＡ４に電流が流れ対向する位置にある導体間では互いが磁力線に大きく影響を与えインダクタンスが小さくなる。
【０００８】
このように従来のスパイラルインダクタ構造はインダクタが同じ幅で形成されており、導体間に互いが磁力線に大きく影響を与えインダクタンスが小さくなると共にＱ（Ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）も低くなるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の問題点を解決するために、本発明は導電パターン間の相互影響による性能劣化を減少させることにより高いＱを有するスパイラルインダクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、平板形状の絶縁基板と、上記絶縁基板の少なくとも一面に形成されるスパイラル形態の導電パターンを含み、上記導電パターンは、スパイラルを成す導電パターンの一端からの距離に従って線幅が異なるように形成されることを特徴とするスパイラルインダクタを提供する。
【００１１】
上記導電パターンは、上記スパイラルを成す導電パターンの一端からの距離に従って次第に線幅が減る第１領域及び線幅が次第に増加する第２領域が反復され形成されることができる。
【００１２】
上記導電パターンは、上記第１領域及び第２領域が夫々１回のターン（ｔｕｒｎ）を形成することができる。
【００１３】
上記導電パターンは、上記絶縁基板の両面に夫々形成され、上記絶縁基板を貫通する導電性ビアホールにより一端が連結されることができ、上記絶縁基板の両面に夫々形成される導電パターンは、少なくとも一部領域が相互重畳されるように形成されることができる。
【００１４】
また、本発明は、スパイラル形態を有する複数の導電パターンと、上記夫々の導電パターンの間に形成される少なくとも一つの絶縁基板を含み、上記複数の導電パターンは、スパイラルを成す導電パターンの一端からの距離に従って線幅が異なるように形成され、上記絶縁基板を貫通する導電性ビアホールにより直列に連結されることができる。
【００１５】
上記複数の導電パターンは、上記スパイラルを成す導電パターンの一端からの距離に従って次第に線幅が減る第１領域と線幅が次第に増加する第２領域が反復され形成されることができる。
【００１６】
上記複数の導電パターンは、上記第１領域及び第２領域が夫々１回のターン（ｔｕｒｎ）を形成することができる。
【００１７】
上記複数の導電パターンは、少なくとも一部領域が相互重畳されるように形成されることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、従来技術によるスパイラルインダクタに比べ、小型化が可能で、同じ面積でより高いインダクタンス及びＱ値を有するインダクタを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
【００２０】
図２は、本発明の一実施形態によるスパイラルインダクタの構造図である。
【００２１】
図２を参照すると、本発明の一実施形態によるスパイラルインダクタは絶縁基板２１及び上記絶縁基板上に形成されるスパイラル形態の導電パターン２２を含む。
【００２２】
上記スパイラル形態の導電パターン２２は、スパイラルを成す導電パターンの一端２２ａからの距離に従って線幅が異なるように具現されることができる。
【００２３】
上記スパイラル形態の導電パターン２２は、次第に線幅が増加する第１領域及び次第に線幅が減る第２領域が反復されることができる。
【００２４】
本実施形態では、スパイラル導電パターンは３．５回の回転数（ターン数）を有するように形成することができる。
【００２５】
上記スパイラル導電パターン２２は、上記導電パターンの一端２２ａからの距離に従って次第に線幅が減る第１回線２２−１、次第に線幅が増加する第２回線２２−２、次第に線幅が減る第３回線２２−３、次第に線幅が増加する第４回線２２−４を含むことができる。
【００２６】
上記第１回線２２−１は、上記導電パターンに電流が入力されることができる入力端子ＩＮと一端２２ａが連結され、上記第４回線２２−４は出力端子ＯＵＴに一端２２ｂが連結されることができる。
【００２７】
上記入力端子ＩＮは、上記導電パターンと同一平面に形成されることができ、上記出力端子ＯＵＴは、上記導電パターンと異なる平面に形成され上記第４回線２２−４と導電性ビアホールを通じ連結されることができる。
【００２８】
上記第１回線２２−１、及び第３回線２２−３は導電パターンの一端２２ａからの距離に従って線幅が次第に減る第２領域に該当し、上記第２回線２２−２及び第４回線２２−４は長さ方向に従って線幅が次第に増加する第１領域に該当する。
【００２９】
本実施形態では、スパイラル形態の導電パターンの一端２２ａからの距離に従って線幅が増加する構造及び線幅が減る構造が交互に連結されており、同じ線幅を有するスパイラル構造のインダクタで導体間に互いが磁力線に影響を与えインダクタンスが小さくなると共にＱ値が低くなるという問題点を解決することができる。
【００３０】
即ち、上記導電パターン２２に電流を流した時、電流はＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７を順番に流れるようになる。上記スパイラル形態の導電パターン２２の中心点Ｏ１を中心に対向する位置にある導体を流れる電流の方向Ａ１とＡ２、Ａ３とＡ４、Ａ５とＡ６は夫々反対方向に形成される。しかし、その線幅が全て同一ではなく、次第に線幅が狭くなるか、広くなる形態を有している。従って、上記中心点Ｏ１からの距離が互い同一でないため、互いの磁力線の影響が少なくなり、インダクタンスが大きくなることができる。
【００３１】
このように、スパイラル導電パターン２２からなるインダクタのインダクタンスが高くなると、その結果Ｑ値も高くなる。
【００３２】
図３は、本発明の他の実施形態によるスパイラルインダクタの分解斜視図である。
【００３３】
図３を参照すると、本実施形態によるスパイラルインダクタは、絶縁性基板３１、上記基板の両面に夫々形成される第１導電パターン３２、及び第２導電パターン３３を含む。
【００３４】
上記絶縁性基板３１では、所定の誘電率を有するフェライト等の強磁性セラミックまたは非磁性セラミック等が使用されることができる。
【００３５】
上記第１導電パターン３２及び第２導電パターン３３は、スパイラルを成す導電パターンの一端３２ａ、３３ａからの距離に従って線幅が異なるように形成されることができる。
【００３６】
上記スパイラル形態の第１導電パターン３２及び第２導電パターン３３は、導電パターンの一端からの距離に従って次第に線幅が増加される第１領域及び次第に線幅が減る第２領域が反復されることができる。
【００３７】
本実施形態で、第１導電パターン３２は３．５回の回転数（ターン数）を有するように形成されることができる。上記第１導電パターン３２は、次第に線幅が減る第１回線３２−１、次第に線幅が増加する第２回線３２−２、次第に線幅が減る第３回線３２−３、次第に線幅が増加する第４回線３２−４を含むことができる。
【００３８】
上記第１導電パターン３２の一端３２ａには上記導電パターンに電流が入力されることができる入力端子ＩＮが連結され、第１導電パターンの他端３２ｂは上記絶縁性基板３１に形成された導電性ビアホール３１−１により上記第２導電パターンの一端３３ａと連結されることができる。
【００３９】
上記第２導電パターン３３は３回の回転数（ターン数）を有するように形成されることができる。上記第２導電パターン３３は、導電パターンの一端３３ａからの距離に従って次第に線幅が減る第１回線３３−１、次第に線幅が増加する第２回線３３−２、次第に線幅が減る第３回線３３−３を含むことができる。
【００４０】
上記第２導電パターンの一端３３Ａは上記絶縁性基板３１に形成された導電性ビアホール３３−１を通じ上記第１導電パターンの一端３２ｂと連結され、上記第２導電パターンの他端３３ｂは電流の出力端子ＯＵＴに連結されることができる。
【００４１】
本実施形態では、上記入力端子ＩＮは上記第１導電パターンと同じ平面に形成されることができ、上記出力端子ＯＵＴは上記第２導電パターンと同じ平面に形成されることができる。
【００４２】
本実施形態では、スパイラルを成す導電パターンの一端３２ａ、３３ａからの距離に従って線幅が増加する構造及び線幅が減る構造が交互に連結されており、同じ線幅を有するスパイラル構造のインダクタで導体間に互いが磁力線に影響を与えインダクタンスが小さくなると共にＱ値が低くなるという問題点を解決することができる。
【００４３】
即ち、上記第１導電パターン３２で、電流はＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７を順番に流れるようになる。上記スパイラル形態の導電パターン３２の中心点Ｏ１を中心に対向する位置にある導体を流れる電流の方向Ａ１とＡ２、Ａ３とＡ４、Ａ５とＡ６は相互反対に形成される。しかし、その線幅が全て同一でなく、次第に線幅が狭くなるか、広くなる形態を有している。
【００４４】
従って、上記中心点Ｏ１からの距離が相互同一でないため、上記中心点Ｏ１を中心に対向する導電パターン間に互いの磁力線の影響が少なくなり、インダクタンスが大きくなることができる。
【００４５】
上記第１導電パターン３２を流れた電流は導電性ビアホール３１−１を通じ第２導電パターン３３に流れる。上記第２導電パターンで、電流はＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６の順番に流れるようになる。
【００４６】
上記第２導電パターン３３でも同様に、上記スパイラル形態の第２導電パターン３３の中心点Ｏ２を中心に対向する位置にある導体を流れる電流の方向Ｂ１とＢ２、Ｂ３とＢ４、Ｂ５とＢ６は相互反対に形成される。従って、上記中心点Ｏ２を中心に対向する導電パターン間に互いの磁力線の影響が少なくなりインダクタンスが大きくなることができる。
【００４７】
上記第１導電パターン３２の中心点Ｏ１と上記第２導電パターン３３の中心点Ｏ２は同じ垂直線上に位置することができる。
【００４８】
上記第１導電パターン３２及び第２導電パターン３３は少なくとも一部が重畳されるように形成されることができる。また、上記導電パターン間の重畳される部分を流れる電流は同じ方向に流れるように形成されることができる。
【００４９】
夫々のスパイラル形態で、最外郭スパイラルが一致するようにスパイラルを成す導電パターン間の間隔が形成されることができる。
【００５０】
本実施形態では、第１導電パターンの第１回線３２−１と第２導電パターンの第１回線３３−１の一部が重畳され、上記重畳される部分を流れる電流の方向Ａ１とＢ６、Ａ２とＢ５は相互同一に形成されることができる。
【００５１】
また、上記第１導電パターンの第２回線３２−２と第２導電パターンの第２回線３３−２の一部が重畳され、上記重畳される部分を流れる電流の方向Ａ３とＢ４、Ａ４とＢ３は相互同一に形成されることができ、上記第１導電パターンの第３回線３２−３と第２導電パターンの第３回線３３−３の一部が重畳され、上記重畳される部分を流れる電流の方向Ａ５とＢ２、Ａ６とＢ１は相互同一に形成されることができる。
【００５２】
このように絶縁性基板の両面に夫々形成されたスパイラル形態の導電パターンの少なくとも一部領域が相互重畳され、上記重畳される部分を流れる電流の方向を同一にすることにより同じ面積に形成されるインダクタの電気的長さを増加させることができるため、インダクタの大きさを小型化することができる。
【００５３】
図４は、本発明のさらに他の実施形態によるスパイラルインダクタの分解斜視図である。
【００５４】
図４を参照すると、本実施形態によるスパイラルインダクタは、スパイラル形態を有する複数の導電パターン４２、５２、６２及び上記導電パターン間に形成される複数の絶縁性基板４１、５１、６１を含むことができる。
【００５５】
本実施形態で、上記絶縁性基板４１、５１、６１は、第１絶縁性基板４１、第２絶縁性基板５１、及び第３絶縁性基板６１を含むことができ、上記夫々の絶縁性基板には基板の上下面に夫々形成される導電パターンを電気的に連結するための導電性ビアホール４１−１、５１−１、６１−１が形成されることができる。
【００５６】
本実施形態では、上記スパイラル形態を有する複数の導電パターンは、第１導電パターン４２、第２導電パターン５２、及び第３導電パターン６２を含むことができ、上記夫々の導電パターンは、スパイラル形態を成す導線の長さ方向に従って線幅が異なるように具現されることができる。
【００５７】
上記スパイラル形態の第１、２、３導電パターン４２、５２、６２は、導電パターンの一端からの距離に従って次第に線幅が増加される第１領域及び次第に線幅が減る第２領域が反復されることができる。
【００５８】
本実施形態で、第１導電パターン４２は３．５回の回転数（ターン数）を有するように形成されることができる。上記第１導電パターン４２は、導電パターンの一端４２ａからの距離に従って次第に線幅が減る第１回線４２−１、次第に線幅が増加する第２回線４２−２、次第に線幅が減る第３回線４２−３、次第に線幅が増加する第４回線４２−４を含むことができる。
【００５９】
上記第１導電パターン４２の一端４２ａには上記導電パターンに電流が入力されることができる入力端子ＩＮが連結され、第１導電パターンの他端４２ｂは上記第１絶縁性基板４１に形成された導電性ビアホール４１−１により上記第２導電パターンの一端５２Ａと連結されることができる。
【００６０】
上記第２導電パターン５２は３．５回の回転数（ターン数）を有するように形成されることができる。上記第２導電パターン５２は、導電パターンの一端５２ａからの距離に従って次第に線幅が減る第１回線５２−１、次第に線幅が増加する第２回線５２−２、次第に線幅が減る第３回線５２−３、次第に線幅が増加する第４回線５２−４を含むことができる。
【００６１】
上記第２導電パターンの一端５２ａは、導電性ビアホール４１−１を通じ上記第１導電パターンの一端４２ｂと連結され、上記第２導電パターンの他端５２ｂは上記第２絶縁性基板上に形成された導電性ビアホール５１−１を通じ第３導電パターンの一端６２ａに連結されることができる。
【００６２】
上記第３導電パターン６２は３．５回の回転数（ターン数）を有するように形成されることができる。上記第３導電パターン６２は、導電パターンの一端６２ａからの距離に従って次第に線幅が減る第１回線６２−１、次第に線幅が増加する第２回線６２−２、次第に線幅が減る第３回線６２−３、次第に線幅が増加する第４回線６２−４を含むことができる。
【００６３】
上記第３導電パターンの一端６２ａは導電性ビアホール５１−１を通じ上記第２導電パターンの一端５２ｂと連結され、上記第３導電パターンの他端６２ｂは第３絶縁性基板上に形成された導電性ビアホール６１−１を通じ出力端子ＯＵＴに連結されることができる。
【００６４】
本実施形態のようにインダクタを成す導電パターンで、スパイラル形態の導電パターンの一端からの距離に従って線幅が増加する構造及び線幅が減る構造が交互に連結されており、同じ線幅を有するスパイラル構造のインダクタで導体間に互いが磁力線に影響を与えインダクタンスが小さくなると共にＱ値が低くなるという問題点を解決することができる。
【００６５】
即ち、上記第１導電パターン４２で、電流はＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７を順番に流れるようになる。
【００６６】
上記スパイラル形態の導電パターン４２の中心点Ｏ１を中心に対向する位置にある導体を流れる電流の方向Ａ１とＡ２、Ａ３とＡ４、Ａ５とＡ６は夫々反対になる。しかし、その線幅が全て同一でなく、次第に線幅が狭くなるか、広くなる形態を有しており、上記中心点Ｏ１からの距離が相互同一でないため、互いの磁力線の影響が少なくなり、インダクタンスが大きくなることができる。
【００６７】
上記第１導電パターン４２を流れた電流は導電性ビアホール４１−１を通じ第２導電パターン５２に流れる。上記第２導電パターンで、電流はＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７の順番に流れるようになる。
【００６８】
上記第２導電パターン５２を流れた電流は導電性ビアホール５１−１を通じ第３導電パターン６２に流れる。上記第３導電パターンで、電流はＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７の順番に流れるようになる。
【００６９】
上記第２導電パターン５２及び第３導電パターン６２でも同様に、上記スパイラル形態の導電パターンの中心点Ｏ２またはＯ３を中心に対向する位置にある導体を流れる電流の方向Ｂ１とＢ２、Ｂ３とＢ４、Ｂ５とＢ６、Ｃ１とＣ２、Ｃ３とＣ４、Ｃ５とＣ６は相互反対に形成されることができる。従って、上記中心点Ｏ２、Ｏ３を中心に対向する導電パターン間に互いの磁力線の影響が少なくなりインダクタンスが大きくなることができる。
【００７０】
上記第１導電パターン４２の中心点Ｏ１、上記第２導電パターン５２の中心点Ｏ２、及び上記第３導電パターン６２の中心点Ｏ３は同じ垂直線上に位置することができる。
【００７１】
上記第１導電パターン４２、第２導電パターン５２、及び第３導電パターン６２は少なくとも一部が重畳されるように形成されることができる。 また、上記導電パターン間の重畳される部分を流れる電流は同一方向に流れるように形成されることができる。
【００７２】
夫々のスパイラル導電パターンで最外郭の導電ラインが一致するようにスパイラルを成す導電パターン間の間隔が形成されることができる。
【００７３】
本実施形態では、第１導電パターンの第１回線４２−１、第２導電パターンの第１回線５２−１、及び第３導電パターンの第１回線６２−１の一部が重畳され、上記重畳される部分を流れる電流の方向Ａ１、Ｂ６、及びＣ１は相互同一に形成されることができる。
【００７４】
また、第１導電パターンの第２回線４２−２、第２導電パターンの第２回線５２−２、及び第３導電パターンの第２回線６２−２の一部が重畳され、上記重畳される部分を流れる電流の方向Ａ３、Ｂ４、Ｃ３は相互同一に形成されることができ、上記第１導電パターンの第３回線４２−３、第２導電パターンの第３回線５２−３、及び第３導電パターンの第３回線６２−３の一部が重畳され、上記重畳される部分を流れる電流の方向Ａ５、Ｂ２、Ｃ５は相互同一に形成されることができる。
【００７５】
このように複数のスパイラル導電パターン及び絶縁性基板が積層され形成され、上記積層されたスパイラル形態の導電パターンの少なくとも一部領域が相互重畳され、上記重畳される部分を流れる電流の方向を同一にすることにより同一面積に形成されるインダクタの電気的長さを増加させることができるため、インダクタの大きさを小型化することができる。
【００７６】
図５は、本発明の一実施例によるスパイラルインダクタのＱ値を示すグラフである。
【００７７】
図５を参照すると、Ａ曲線は従来技術によるスパイラルインダクタの周波数によるＱ値を示し、Ｂ曲線は本発明の一実施例によるスパイラルインダクタの周波数によるＱ値を示す。
【００７８】
上記実施例で、従来技術によるスパイラルインダクタは導電パターンの面積が３４６×２０４μｍ２で、線幅は９μｍ、最内側スパイラルの半径は１２０μｍ、導電パターン間の間隔は３μｍ、スパイラルのターン数は３．５回である導電パターンを８層に形成した。
【００７９】
上記実施例で、本発明の一実施形態によるインダクタを成す導電パターンの面積は３４６×２０４μｍ２で、線幅は３〜９μｍ、最内側スパイラルの半径は１２０μｍ、導電パターン間の間隔は３〜９μｍ、スパイラルのターン数は３．５回である導電パターンを８層に形成した。上記スパイラル導電パターンは長さ方向に従って線幅が次第に増加される第１領域及び線幅が次第に減る第２領域が上記スパイラルの１回転毎に反復されるように形成した。
【００８０】
このような実施例におけるＱ値を比較すると、本発明の一実施例によるスパイラルインダクタのＱの最大値は２１程度と表れ、従来技術によるインダクタにおけるＱの最大値は１５程度と表れる。従って、本発明の実施形態によると線幅が一定のスパイラルインダクタより約３０％程度の特性が向上されることが分かる。
【００８１】
このように、本発明は上述の実施形態及び添付の図面により限定されない。即ち、インダクタを成すスパイラル導電パターンの形態、積層される層数等は多様に具現されることができる。上記の請求範囲により権利範囲を限定し、請求範囲に記載の本発明の技術的思想から外れない範囲ないで多様な形態の置換、変形及び変更が可能であるということは当技術分野において通常の知識を有する者には自明である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】従来技術によるスパイラルインダクタの構造図である。
【図２】本発明の一実施形態によるスパイラルインダクタの構造図である。
【図３】本発明の他の実施形態によるスパイラルインダクタの構造図である。
【図４】本発明のさらに他の実施形態によるスパイラルインダクタの分解斜視図である。
【図５】本発明の一実施例によるスパイラルインダクタのＱ値を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８３】
２１  絶縁性基板
２２  導電パターン
【図１】
2008306185.tif 000003
【図２】
2008306185.tif 000004
【図３】
2008306185.tif 000005
【図４】
2008306185.tif 000006
【図５】
2008306185.tif 000007