(57)【要約】【課題】オリエンテーションフラット又はインデックスフラットが劈開面の位置に形成されるウェハで、従来と比較して製品信頼性が良好な化合物半導体ウェハ及びその製造方法を提供するものである。【解決手段】本発明に係る化合物半導体ウェハは、化合物半導体の単結晶体を切断して得られるウェハ４１を構成する結晶固有の劈開面の位置４８に、ウェハの方位を識別するためのオリエンテーションフラット１５又は表裏を識別するためのインデックスフラット１６を形成し、そのオリエンテーションフラット１５又はインデックスフラット１６のウラ面４３側の縁部に面取り部３１を形成し、オリエンテーションフラット１５又はインデックスフラット１６のオモテ面４２側の縁部３２を、劈開面とオモテ面４２とが直角になるように形成したものである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体の単結晶体を切断して得られるウェハを構成する結晶固有の劈開面の位置に、ウェハの方位を識別するためのオリエンテーションフラット又は表裏を識別するためのインデックスフラットを形成してなる化合物半導体ウェハにおいて、上記オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのウラ面側の縁部に面取り部を形成し、オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのオモテ面側の縁部を、上記劈開面とオモテ面とが直角になるように形成したことを特徴とする化合物半導体ウェハ。
【請求項２】
上記オリエンテーションフラット又はインデックスフラットを除いて、ウェハ外周面の縁部に面取り部を形成した請求項１記載の化合物半導体ウェハ。
【請求項３】
上記オリエンテーションフラット又はインデックスフラットの面取り部の面取り幅を、上記ウェハ外周面の縁部に形成した面取り部の面取り幅よりも小さくした請求項１又は２記載の化合物半導体ウェハ。
【請求項４】
上記オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのオモテ面側の面取り部の面取り幅を、オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのウラ面側の面取り部の面取り幅よりも小さくした請求項１から３いずれかに記載の化合物半導体ウェハ。
【請求項５】
化合物半導体の単結晶体を切断して得られるウェハを構成する結晶固有の劈開面の位置に、ウェハの方位を識別するためのオリエンテーションフラット又は表裏を識別するためのインデックスフラットを形成してなる化合物半導体ウェハの製造方法において、上記ウェハ外周面の縁部に面取り加工を施して面取り部を形成し、その後、ウェハのオモテ面にラッピング加工、研磨加工を施し、オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのオモテ面側の面取り部を、ラッピング工程から研磨工程の間に除去することを特徴とする化合物半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体ウェハ及びその製造方法に係り、特に、オリエンテーションフラット又はインデックスフラットを有する化合物半導体ウェハ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体ウェハの１つであるＧａＡｓウェハは、受光・発光素子、高周波素子等の基板として幅広く使われている。このＧａＡｓウェハは、イオンインプラ装置を用いてウェハに直接イオンを打ち込んだり、ウェハ表面にエピタキシャル層を形成すること等により形成される。一般に、半導体レーザやＬＥＤなどの発光素子の基板として使用されるＧａＡｓウェハのサイズは、φ２インチ、φ３インチ、φ４インチのものが多い。
【０００３】
このようなＧａＡｓウェハを構成するウェハは、ＧａＡｓ単結晶体を所定の径で円筒状に研削した後、所定の厚さにスライスして得られる。その後、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、ウェハ４１の外周面４４をＲ状に形成し、かつ、オモテ面４２及びウラ面４３の周縁部４５，４５を面取り形成した後、ラッピング加工でウェハ厚を調整し、ポリッシャーで鏡面に研磨することでＧａＡｓウェハが得られる。
【０００４】
一連の製造工程において、ウェハ４１の外周面４４及び周縁部４５，４５を、Ｒ状に形成又は面取り形成する工程は、面取り加工機によってなされる。面取り工程では、軸周りに回転する砥石で、スライスされたウェハ４１の外周面４４及び周縁部４５，４５に面取り加工を施し、ウェハの外周部に、ウェハの方向を識別するための直線状の加工部（オリエンテーションフラット（以下、ＯＦという））又はウェハの表裏を識別するための直線状の加工部（インデックスフラット（以下、ＩＦという））を形成する。
【０００５】
例えば、１００ｍｍ径のＧａＡｓウェハを形成する場合、図５、図６に示すように、ステージ５３に真空吸着されたウェハ４１をゆっくり、例えば１〜３ｒｐｍで回転させながら、その外周面４４及び周縁部４５，４５を、高速で回転する砥石５１の溝６１の溝底部６２、上面部分６３、及び下面部分６４に順次当接させる。これによって、外周面４４がＲ状に形成され、かつ、オモテ面４２及びウラ面４３の周縁部４５，４５が面取り形成されたウェハが得られる。この時、ウェハ４１を載せているステージ５３の軸と砥石５１の軸の軸間距離をＮＣ制御により調節することで、ウェハの径を１００ｍｍに調節する。
【０００６】
また、ウェハにＯＦやＩＦを形成する時は、ウェハ４１の外周面４４及び周縁部４５，４５の加工を行う時に比べて、ステージ５３の軸と砥石５１の軸の軸間距離を短くする。これらＯＦやＩＦの長さは、予め数値を入力しておけば、それに応じて軸間距離が調節されるようになっている。
【０００７】
ＯＦやＩＦも、ウェハのその他の部分と同様に面取り加工されている場合が殆どである。このようにウェハの外周面、周縁部、ＯＦ、及びＩＦに面取り加工を施すことで、面取り以降の加工工程や、素子を製作する工程におけるウェハの搬送中の割れ、一部破損を防止することができる。
【０００８】
ところで、単結晶はある一定の結晶方向となるように成長されることから、単結晶体をスライス、研磨して得られるウェハの面もある一定の方向を有している。ＧａＡｓウェハを始めとする半導体ウェハのウェハ面は、＜１００＞方向（〔１００〕方向及びこれと等価な方向）、又はこれら２方向から若干傾いている場合が殆どである。例えば、面方位（１００）のウェハを例に挙げると、ＯＦの形成位置は、＜０１１＞方向（〔０１１〕方向及びこれと等価な方向）のいずれかで、ＩＦの形成位置は、これらと９０°又は２７０°の角をなす方向である場合が多い。
【０００９】
面方位（１００）のＧａＡｓウェハを用いて半導体レーザ用基板などを製作する場合、ＧａＡｓウェハ上にエピタキシャル層などを形成した後、ＯＦやＩＦを基準として、これに平行又は垂直にチップの切り出しを行っている。ここで、面取り加工機でこれらのＯＦやＩＦを面取り加工した場合、砥石で研削を行うため、砥石を回転させるモータ軸の偏心など機械的な精度により、＜０１１＞方向に対して数秒から数分“ずれる”ことがある。このようにずれたＯＦやＩＦを基準にした場合、チップを正確に切り出せないおそれがある。
【００１０】
よって、このずれを避けるべく、図４に示したウェハ４１を構成する結晶に固有の劈開面の位置に、ＯＦやＩＦを形成する方法がある。この方法によれば、理論上、＜０１１＞方向とのずれが生じるおそれがなくなり、チップを正確に切り出すことが可能となる。
【００１１】
【特許文献１】特開２００５−１９５７９号公報
【特許文献２】特開２００５−１０１１２０号公報
【特許文献３】特開平５−２５９０１６号公報
【特許文献４】特開２００５−２４３９７６号公報
【特許文献５】特許第２８８２３５５号公報
【特許文献６】特開２００３−８６４７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、図７（ａ）、図７（ｂ）、及び図８に示すように、劈開面の位置にＯＦ７５（又はＩＦ７６）を形成したウェハ７１の場合、ウェハ７１のオモテ面４２と劈開面（ＯＦ７５）のなす角、及びウェハ７１のウラ面４３と劈開面のなす角が９０°（直角）となってしまう。この場合、面取り工程後のラッピング工程及び研磨工程において、ＯＦ７５又はＩＦ７６の直角部７７，７７が、ラップ機の定盤や研磨機の研磨布に直接接触する。このため、各工程において、摩擦などにより、これらの直角部７７，７７の一部が欠損したり、これらの直角部７７，７７を起点としてウェハ７１が破損するおそれがあり、ＯＦ７５やＩＦ７６の部分を面取りしているウェハと比較して、加工歩留りが低いという問題があった。
【００１３】
また、この劈開面を有するウェハは、研磨後、ウェハ上にエピタキシャル成長させ、そのエピタキシャル層にフォトレジストによりマスクパターニングした後、バックラップ加工が施されるが、そのバックラップ時にチッピングが発生し、ウェハが割れるという問題も生じている。その結果、化合物半導体ウェハの製造コストの上昇を招いていた。
【００１４】
これらの問題解決のため、特許文献６記載の発明にて、劈開面の位置にＯＦ又はＩＦを形成したウェハの、外周面、オモテ面及びウラ面の周縁部を面取り加工機で研削し、劈開部からの破損確率を低下させたウェハが提案されている。
【００１５】
このウェハは、劈開面にピンを押し当てて劈開面とマスクパターンを合わせる方式には非常に有効である。しかし、劈開部を顕微鏡で観察する光学マスクパターン合わせ方式を用いる場合だと、このウェハのオモテ面の面取り部に焦点が合わないため、マスクパターニングを行うことができないという問題があった。
【００１６】
以上の事情を考慮し、本発明の目的は、オリエンテーションフラット又はインデックスフラットが劈開面の位置に形成されるウェハで、従来と比較して製品信頼性が良好な化合物半導体ウェハを提供することにある。
【００１７】
また、本発明の他の目的は、オリエンテーションフラット又はインデックスフラットが劈開面の位置に形成されるウェハで、面取り加工以降の工程での加工歩留りが良好な化合物半導体ウェハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の目的を達成するために、請求項１の発明は、化合物半導体の単結晶体を切断して得られるウェハを構成する結晶固有の劈開面の位置に、ウェハの方位を識別するためのオリエンテーションフラット又は表裏を識別するためのインデックスフラットを形成してなる化合物半導体ウェハにおいて、上記オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのウラ面側の縁部に面取り部を形成し、オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのオモテ面側の縁部を、上記劈開面とオモテ面とが直角になるように形成したことを特徴とする化合物半導体ウェハである。
【００１９】
請求項２の発明は、上記オリエンテーションフラット又はインデックスフラットを除いて、ウェハ外周面の縁部に面取り部を形成した請求項１記載の化合物半導体ウェハである。
【００２０】
請求項３の発明は、上記オリエンテーションフラット又はインデックスフラットの面取り部の面取り幅を、上記ウェハ外周面の縁部に形成した面取り部の面取り幅よりも小さくした請求項１又は２記載の化合物半導体ウェハである。
【００２１】
請求項４の発明は、上記オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのオモテ面側の面取り部の面取り幅を、オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのウラ面側の面取り部の面取り幅よりも小さくした請求項１から３いずれかに記載の化合物半導体ウェハである。
【００２２】
請求項５の発明は、化合物半導体の単結晶体を切断して得られるウェハを構成する結晶固有の劈開面の位置に、ウェハの方位を識別するためのオリエンテーションフラット又は表裏を識別するためのインデックスフラットを形成してなる化合物半導体ウェハの製造方法において、上記ウェハ外周面の縁部に面取り加工を施して面取り部を形成し、その後、ウェハのオモテ面にラッピング加工、研磨加工を施し、オリエンテーションフラット又はインデックスフラットのオモテ面側の面取り部を、ラッピング工程から研磨工程の間に除去することを特徴とする化合物半導体ウェハの製造方法である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、次のような優れた効果を発揮する。
（１）  面取り工程以降の化合物半導体ウェハの製造工程における加工歩留りが良好となり、その結果、化合物半導体ウェハの製品信頼性が良好となる。
（２）  面取り工程以降の化合物半導体ウェハの製造工程において、欠損や破損の発生割合が低下し、その結果、化合物半導体ウェハの加工歩留りが良好となる。
（３）  エピタキシャル成長工程〜マスクパターニング後のバックラップ工程での半導体レーザ製造工程において、欠損や破損の発生割合が低下し、その結果、化合物半導体ウェハの加工歩留りが良好となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基いて説明する。
【００２５】
本実施の形態に係る化合物半導体ウェハは、化合物半導体の単結晶体を切断、スライスして得られるウェハ４１（図４参照）を構成する結晶固有の劈開面の位置４８に、図１（ｃ）に示すように、ＯＦ（オリエンテーションフラット）１５が形成され、ＯＦ１５の形成位置と９０°又は２７０°の角度をなす方向にＩＦ（インデックスフラット）１６が形成される。図３（ｂ）に示すように、ＯＦ１５（又はＩＦ１６）のウラ面４３側の縁部に面取り部３１が形成され、ＯＦ１５のオモテ面４２側の縁部３２は劈開面とオモテ面４２とが直角になるように形成される。また、図１（ｄ）に示すように、ウェハ１１のＯＦ１５及びＩＦ１６を除いて、ウェハ外周面２４の縁部に面取り部２１，２１が形成される。
【００２６】
より詳細には、ＯＦ１５（又はＩＦ１６）の部分においては、図３（ｂ）に示すように、ウェハ１１の外周面３４とオモテ面４２、外周面３４とウラ面４３はそれぞれ直角をなしており、ウラ面４３側の面取り部３１の幅がＬ２、オモテ面４２側の面取り部３１の幅がＬ４、面取り角度がそれぞれθとされる。また、ＯＦ１５及びＩＦ１６を除いて、ウェハ１１の外周面（面取り部）２４はＲ状に形成されており、ウラ面４３側の面取り部２１の幅がＬ１、オモテ面４２側の面取り部２１の幅がＬ３、面取り角度がそれぞれθとされる。ここで、ＯＦ１５の面取り部３１の面取り幅Ｌ２（又はＬ４）は、ウェハ外周面２４の縁部に形成した面取り部２１の面取り幅Ｌ１（又はＬ３）よりも小さくされる。ＯＦ１５のオモテ面４２側の面取り部３１の面取り幅Ｌ４は、ＯＦ１５のウラ面４３側の面取り部３１の面取り幅Ｌ２よりも小さくされる。
【００２７】
ウェハ１１を構成する化合物半導体としては、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、又はＧａＰが挙げられる。
【００２８】
ウェハ１１の板厚は特に限定するものではなく、慣用の化合物半導体ウェハと同等の板厚を有するものであればよい。
【００２９】
次に、本実施の形態に係る化合物半導体ウェハの製造方法を説明する。
【００３０】
本実施の形態に係る化合物半導体ウェハの製造方法は、先ず、化合物半導体の単結晶体を切断して得られるウェハ４１（図４参照）を構成する結晶固有の劈開面の位置４８に、図１（ａ），図１（ｂ）に示すように、ＯＦ１５が形成される。また、ＯＦ１５の形成位置と９０°又は２７０°の角をなす方向にＩＦ１６が形成される。
【００３１】
その後、面取り加工機を用いて、ＯＦ１５及びＩＦ１６を形成したウェハ１１の外周面の各縁部に面取り加工が施される。
【００３２】
面取り加工機の研削部分は、図５、図６に示したように、砥石５１と、砥石５１を５０００〜６０００ｒｐｍと高速で回転させるスピンドル５２と、ウェハ１１を真空吸着するステージ５３で基本的に構成される。また、面取り加工機は、砥石５１を軸方向（垂直方向（図６中では上下方向））に移動させる砥石移動機構（図示せず）と、ステージ５３を径方向（水平方向（図５中では矢印Ａ，Ｂ方向））に移動させるステージ移動機構（図示せず）を有している。これらの移動機構の制御は、殆どの場合、ＮＣ制御によりなされている。また、砥石は、図６に示したように、その外周部５１ａに断面アーチ状（断面ほぼＵ字状）の溝（図６中では２本）６１が形成されている。ここで、溝６１の本数が増える程、同時に面取り可能なウェハ１１の枚数は多くなる。
【００３３】
この砥石５１の溝６１内にウェハ１１を挿入することで、ウェハ１１の外周面２４と、外周面２４のオモテ面４２側及びウラ面４３側の各縁部の面取りがなされ、面取り部の形状が決定される。
【００３４】
具体的には、先ず、ウェハ１１のＯＦ１５及びＩＦ１６を除く部分の面取りがなされる。
【００３５】
砥石移動機構を用いて、砥石５１の溝６１の高さ（位置）がステージ５３上のウェハ１１の高さ（位置）と同じになるように調節した後、ステージ移動機構を用いてゆっくり回転するウェハ１１を高速回転する砥石５１の溝６１内に挿入する。これによって、ウェハ１１の外周面４４を溝６１の溝底部６２に当接させ、ウェハ１１の外周面４４を面取りし、図２に示すように、Ｒ状の外周面２４が形成される。次に、砥石移動機構を用いて、砥石５１を軸方向下側に移動させ、溝６１の上面部分６３をウェハ１１のオモテ面４２側の周縁部４５に当接させて面取りし、面取り部２１が形成される。次に、砥石移動機構を用いて、砥石５１を軸方向上側に移動させ、溝６１の下面部分６４をウェハ１１のウラ面４３側の周縁部４５に当接させて面取りし、面取り部２１が形成される。ここで、オモテ面４２側の面取り部２１の面取り幅Ｌ３は、ウラ面４３側の面取り部２１の面取り幅Ｌ１よりも小さくされる（Ｌ３＜Ｌ１）。
【００３６】
この面取り部２１の形成時、砥石５１の軸とステージ５３の軸との軸間距離及び溝６１の形状を調節することにより、溝６１とウェハ１１の各周縁部４５，４５が当接する位置が変化し、これに応じて面取り部２１の面取り幅Ｌ１，Ｌ３及び面取り角度θが変化する。例えば、面取り角度θは２２°、面取り幅Ｌ１は３００μｍ以下、面取り幅Ｌ３は２００μｍ以下が望ましい。
【００３７】
次に、ウェハ１１におけるＯＦ１５及びＩＦ１６の縁部の面取りがなされる。
【００３８】
砥石移動機構を用いて、砥石５１の溝６１の高さ（位置）がステージ５３上のウェハ１１の高さ（位置）と同じになるように調節した後、ステージ移動機構を用いてウェハ１１のＯＦ１５（又はＩＦ１６）の部分を高速回転する砥石５１の溝６１内に挿入する。この時、ウェハ１１は回転させない。次に、砥石移動機構を用いて、砥石５１を軸方向下側に移動させ、溝６１の上面部分６３をＯＦ１５のオモテ面４２側の縁部に当接させて面取りし、図３（ａ）に示すように、面取り部３１が形成される。次に、砥石移動機構を用いて、砥石５１を軸方向上側に移動させ、溝６１の下面部分６４をＯＦ１５のウラ面４３側の縁部に当接させて面取りし、面取り部３１が形成される。ここで、オモテ面側の面取り部３１の面取り幅Ｌ４は、ウラ面側の面取り部３１の面取り幅Ｌ２よりも小さくされる（Ｌ４＜Ｌ２）。
【００３９】
この面取り部３１，３１の形成時、ステージ移動機構を用いてステージ５３を砥石５１の接線方向に移動させることで、ＯＦ１５と溝６１の上面部分６３及びＯＦ１５と溝６１の下面部分６４の当接位置が変わり、ＯＦ１５の全体の面取りを行うことができる。また、砥石５１の軸とステージ５３の軸との軸間距離及び溝６１の形状を調節することにより、溝６１とＯＦ１５の各縁部が当接する位置が変化し、これに応じて面取り部３１の幅Ｌ２，Ｌ４及び面取り角度θが変化する。例えば、面取り幅Ｌ４は５０μｍ以下が望ましく、また、面取り幅Ｌ２は１５０μｍ以下が望ましい。
【００４０】
このような面取りを行った後、ウェハ１１が均一な厚みと均一な平坦度をもつようラッピング加工がなされる。ラッピング加工後のウェハ１１には、歪み除去および清浄化のために、酸又はアルカリにてエッチング加工を施して加工ダメージ層を除去し、その後、メカノケミカル研磨により、鏡面仕上げがなされる。このラッピング工程から研磨工程の間に、ウェハ１１のオモテ面４２が削られ、ＯＦ１５のオモテ面４２側の面取り部３１が除去される。その結果、メカノケミカル研磨後のウェハ断面形状を図３（ｂ）に示すように、メカノケミカル研磨後のウェハ１１のオモテ面４２側の縁部３２は、劈開面とオモテ面４２とが直角となる。
【００４１】
以上、本実施の形態に係る化合物半導体ウェハの製造方法によれば、ウェハ１１を構成する結晶固有の劈開面の位置４８にＯＦ１５又はＩＦ１６を形成し、ウェハ１１の、外周面４４、オモテ面４２及びウラ面４３の周縁部４５，４５に面取り加工を施すことで、面取り工程後のラッピング工程及び研磨工程において、ＯＦ１５の面取り部３１（又はＩＦ１６の面取り部）が、ラップ機の定盤や研磨機の研磨布に直接接触することがなくなる。このため、各工程において、摩擦などにより、これらの面取り部の一部が欠損したり、これらの面取り部を起点としてウェハ１１が破損するおそれがなくなる。
【００４２】
また、研磨加工後のＯＦ１５又はＩＦ１６のオモテ面４２側では、面取り部３１がラッピング工程から研磨工程の間に除去され、縁部３２が直角となっているため、光学方式によるマスク合わせが可能となる。
【００４３】
更に、ウェハ１１のウラ面４３側には面取り部３１が残っていることから、エピタキシャル成長〜マスクパターニング後のバックラップ時に、定盤およびラップ材との接触によるウェハ１１の劈開部の欠け、割れを防止することが可能となる。
【００４４】
これによって、ウェハ１１の製品信頼性が良好となると共に、化合物半導体ウェハの加工歩留りが著しく向上する。その結果、化合物半導体ウェハの製造コストの低減を図ることができる。
【００４５】
以上、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
【実施例】
【００４６】
（実施例）
直径７８ｍｍ、厚さ６００μｍ、面方位（１００）のＧａＡｓウェハを１０００枚準備し、各ウェハの劈開面の位置（図４参照）にＯＦを形成した。
【００４７】
次に、面取り加工機を用いて各ウェハに対して面取り加工を施し、図３（ｂ）に示した化合物半導体ウェハを作製した。ここで、ＩＦの外周部は、ＯＦ及びＩＦを除く外周部と同じ形状となるように、面取り加工を行った。
（従来例）
直径７８ｍｍ、厚さ６００μｍ、面方位（１００）のＧａＡｓウェハを１０００枚準備し、各ウェハの劈開面の位置（図４参照）にＯＦを形成した。
【００４８】
次に、面取り加工機を用いて各ウェハに対して面取り加工を施し、図８に示した化合物半導体ウェハを作製した。ここで、ＩＦの外周部は、ＯＦ及びＩＦを除く外周部と同じ形状となるように、面取り加工を行った。
【００４９】
実施例及び従来例のそれぞれ１０００枚のウェハを、順次、ラッピング工程及び研磨工程に送給し、厚さ４８０μｍで、両面が鏡面加工されたウェハを得た。
【００５０】
従来例の各ウェハにおいては、面取り工程以降の工程において、ウェハのＯＦの部分に欠損・破損が生じたウェハ枚数は２０枚であった。これに対して、実施例の各ウェハにおいては、ウェハのＯＦの部分に欠損・破損が生じたウェハ枚数は僅か２枚であった。
【００５１】
つまり、実施例においては、従来例と比較して欠損・破損の発生割合が１／１０に減少しており、このことから、化合物半導体ウェハの加工歩留りが著しく向上することが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施の形態に係る化合物半導体ウェハの、面取り加工後及び鏡面加工後の形状を示す図である。図１（ａ）は面取り加工後の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の正面図、図１（ｃ）は鏡面加工後の平面図、図１（ｄ）は図１（ｃ）の正面図である。
【図２】図１（ａ）の２方向矢視拡大図である。
【図３】本実施の形態に係る化合物半導体ウェハの、面取り加工後及び鏡面加工後の断面図である。図３（ａ）は図１（ｂ）の３Ａ−３Ａ線断面図、図３（ｂ）は図１（ｄ）の３Ｂ−３Ｂ線断面図である。
【図４】スライスした直後のウェハの形状を示す図である。図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の正面図である。
【図５】面取り加工機における研削部分の斜視図である。
【図６】図５における砥石の縦断面図である。
【図７】従来の面取り加工を施したウェハの形状を示す図である。図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の正面図である。
【図８】図７（ｂ）の８−８線断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１１  ウェハ
１５  ＯＦ（オリエンテーションフラット）
１６  ＩＦ（インデックスフラット）
２１  面取り部
２４  ウェハの外周面（面取り部）
３１  面取り部
４１  ウェハ
４２  ウェハのオモテ面
４３  ウェハのウラ面
４４  ウェハの外周面
４５  ウェハの周縁部
４８  劈開面の位置
５１  砥石（面取り加工機）
５２  スピンドル（面取り加工機）
５３  ステージ（面取り加工機）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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