(57)【要約】【課題】本発明は、入力側と出力側とを絶縁状態で結合し、入力信号に応じた出力信号を出力するする入出力絶縁回路と、入出力絶縁回路の出力信号に応じて出力端子間をスイッチングするスイッチング回路とを具備するリレー装置に関し、入力信号に対して高速にスイッチングさせることができるリレー装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、入力側と出力側とを絶縁状態で結合し、入力信号に応じた出力信号を出力するする入出力絶縁回路と、前記入出力絶縁回路の出力信号に応じて出力端子間をスイッチングするスイッチング回路とを具備するリレー装置であって、前記入出力絶縁回路を、トランスから構成したことを特徴とする。【選択図】図６
2008312249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力側と出力側とを絶縁状態で結合し、入力信号に応じた出力信号を出力するする入出力絶縁回路と、前記入出力絶縁回路の出力信号に応じて出力端子間をスイッチングするスイッチング回路とを具備するリレー装置であって、
前記入出力絶縁回路を、トランスから構成したことを特徴とするリレー装置。
【請求項２】
前記トランスは、前記入力信号により励磁される１次コイルと、
前記１次コイルの励磁に応じた出力信号を前記出力信号として出力する２次コイルとを有することを特徴とする請求項１記載のリレー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリレー装置に係り、特に、入力側と出力側とを絶縁状態で結合し、入力信号に応じた出力信号を出力するする入出力絶縁回路と、入出力絶縁回路の出力信号に応じて出力端子間をスイッチングするスイッチング回路とを具備するリレー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、リレー装置として長寿命、高速、高頻度開閉に優れたソリッドステートリレーが有接点リレーに変わり伸びてきている。ソリッドステートリレーは、その頭文字をとってＳＳＲ（solid state relay）と呼ばれている。ソリッドステートリレーは、入力端子と出力端子を備え、入力端子と出力端子との間はフォトカプラにより絶縁されており、入力端子に電圧又は電流を印加することにより出力端子に接続された負荷を制御するものである。
【０００３】
図１は従来のソリッドステートリレー装置のブロック構成図を示す。
【０００４】
従来のソリッドステートリレー装置（以下単にリレー装置と呼ぶ）１は、入力回路１１、フォトカプラ１２、駆動回路１３、スイッチング用トランジスタＱ11、保護用定電圧ダイオードＤ11から構成される。
【０００５】
入力回路１１には、入力端子Ｔin11、Ｔin12から制御信号が入力される。入力端子Ｔin11には制御信号の正極性側の電位、入力端子Ｔin12には制御信号の負極性側の電位が印加される。入力回路１１は、入力端子Ｔin11、Ｔin12に印加される制御信号の電位差に応じて入力信号を生成する。入力回路１１で生成された入力信号は、フォトカプラ１２の入力端子Ｔin21、Ｔin22に供給される。入力端子Ｔin21には入力信号の正極性側の電位、入力端子Ｔin22には入力信号の負極性側の電位が供給される。
【０００６】
フォトカプラ１２は、入力端子Ｔin11、Ｔin12と出力端子Ｔout11、Ｔout12とを絶縁状態に保つための入出力絶縁回路を構成している。従来のリレー装置１のフォトカプラ１２は、発光ダイオードＤLおよびフォトトランジスタＱpから構成されている。発光ダイオードＤLはアノードが端子Ｔin21に接続され、カソードが端子Ｔin22に接続されており、端子Ｔin21と端子Ｔin22との電位差が発光ダイオードＤLの順方向電圧より大きくなると、電流が流れ、発光する。
【０００７】
発光ダイオードＤLで発光した光は、フォトトランジスタＱpに入射する。フォトトランジスタＱpは、コレクタが出力端子Ｔout21に接続され、エミッタが出力端子Ｔout22に接続される。フォトトランジスタＱpは、発光ダイオードＤLが発光した状態ではオンし、発光ダイオードＤLが消灯した状態ではオフする。
【０００８】
フォトカプラ１２の出力端子Ｔout21、Ｔout22は、駆動回路１３に接続されている。駆動回路１３は、フォトカプラ１２の出力端子Ｔout21と出力端子Ｔout22との間が開放状態、すなわち、フォトトランジスタＱpがオフ状態では、スイッチング用トランジスタＱ11のベース電位をローレベルとして、スイッチング用トランジスタＱ11をオフさせ、フォトカプラ１２の出力端子Ｔout21と出力端子Ｔout22との間が短絡状態、すなわち、フォトトランジスタＱpがオン状態では、スイッチング用トランジスタＱ11のベース電位をハイレベルとして、スイッチング用トランジスタＱ11をオンさせる。
【０００９】
スイッチング用トランジスタＱ11は、ＮＰＮトランジスタから構成され、コレクタが出力端子Ｔout11、エミッタが出力端子Ｔout12、ベースが駆動回路１３に接続されている。スイッチング用トランジスタＱ11がオフの状態では、出力端子Ｔout11と出力端子Ｔout12との間が開放状態となり、スイッチング用トランジスタＱ11がオフの状態では、出力端子Ｔout11と出力端子Ｔout12との間が短絡状態となる。
【００１０】
以上の構成により、入力端子Ｔin11、Ｔin12に供給される制御信号に応じて出力端子Ｔout11と出力端子Ｔout12との間の接続をスイッチングするリレー装置が提供される。
【００１１】
なお、リレー装置１では、入出力絶縁回路としてフォトトランジスタを用いたフォトカプラを使用しているが、他にはフォトサイリスタ、フォトリレーなどにより入出力絶縁回路が構成されたリレー装置があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかるに、従来のリレー装置１では、フォトカプラの受光素子としてフォトトランジスタ、フォトサイリスタ、フォトリレーなどが用いられていた。これらのフォトカプラは安定したスイッチングを得るために復帰時間が大きく設定されており、入力信号に対して高速にスイッチングさせることができなかった。このため、高速なスイッチング速度が要求される機器には適用できなかった。
【００１３】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、入力信号に対して高速にスイッチングさせることができるリレー装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、入力側と出力側とを絶縁状態で結合し、入力信号に応じた出力信号を出力するする入出力絶縁回路と、前記入出力絶縁回路の出力信号に応じて出力端子間をスイッチングするスイッチング回路とを具備するリレー装置であって、前記入出力絶縁回路を、トランスから構成したことを特徴とする。
【００１５】
前記トランスは、前記入力信号により励磁される１次コイルと、前記１次コイルの励磁に応じた出力信号を前記出力信号として出力する２次コイルとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、入力側と出力側とを絶縁状態で結合し、入力信号に応じた出力信号を出力するする入出力絶縁回路と、前記入出力絶縁回路の出力信号に応じて出力端子間をスイッチングするスイッチング回路とを具備するリレー装置であって、前記入出力絶縁回路を、トランスから構成することにより、入力信号に対するスイッチング速度を向上させることができ、入力信号に対して高速にスイッチングを行う必要がある装置に適用可能となる等の特長を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
〔第１実施例〕
図２は本発明の第１実施例のブロック構成図、図３は本発明の第１実施例の分解斜視図を示す。
【００１８】
本実施例のリレー装置１００は、リレー装置本体１０１、ケース１０２から構成される。リレー装置本体１０１は、回路基板１０３上に電子部品１０４を搭載し、回路基板１０３からリード線１０５を引き出した構成とされている。ケース１０２は、中空構造の直方体の一側面を開口した構成とされている。ケース１０２には、開口部分からリレー装置本体１０１が挿入される。ケース１０２は、リレー装置本体１０１が挿入された後に、開口部から、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料が流入される。これによって、ケース１０２の中空部分が封止される。このとき、ケース１０２からは、リード線１０５のみが延出される。リレー装置１００は、ケース１０２から延出されたリード線１０５を介して外部回路と電気的接続が図られる。なお、本実施例では、回路基板１０３上に電子部品１０４を搭載し、回路基板１０３からリード線１０５を引き出す構成としたが、配線のパターンに打ち抜かれたリードパターンに電子部品１０４を直接搭載するようにしてもよい。
【００１９】
回路基板１０３上には、図１に示すような入力回路１１１、フォトＩＣカプラ１１２、駆動回路１１３、スイッチング用トランジスタＱ11、保護用ダイオードＤ11、バイアス電圧調整用抵抗Ｒ11を含む回路が形成されている。
【００２０】
入力回路１１１は、抵抗Ｒ21、Ｒ22から構成される。抵抗Ｒ21は、一端が入力端子Ｔin31に接続され、他端が抵抗Ｒ22の一端及び入出力絶縁回路１１２の入力端子Ｔin41に接続されている。抵抗Ｒ22は、一端が抵抗Ｒ21の他端とフォトＩＣカプラ１１２の入力端子Ｔin41との接続点に接続され、入力端子Ｔin32及びフォトＩＣカプラ１１２の入力端子Ｔin42に接続されている。入力回路１１１は、入力端子Ｔin32と入力端子Ｔin32との間に印加される電圧を抵抗Ｒ21、Ｒ22で分圧した電圧をフォトＩＣカプラ１１２の入力端子Ｔin41と入力端子Ｔin42との間に印加する。
【００２１】
フォトＩＣカプラ１１２は、光結合装置に相当し、発光ダイオードＤL、フォトダイオードＤp、差動回路１２１を一つのパッケージに収納した構成とされる。フォトＩＣカプラ１１２の入力端子Ｔin41はその内部で発光ダイオードＤLのカソードに接続され、入力端子Ｔin42はその内部で発光ダイオードＤLのアノードに接続されている。
【００２２】
発光ダイオードＤLは、入力端子Ｔin41と入力端子Ｔin42との間の電圧が発光ダイオードＤLの順方向電圧ＶF以上になると、オンし、電流が流れて、発光する。発光ダイオードＤLで発光した光は、フォトダイオードＤpに供給される。フォトダイオードＤpは、差動回路１２１と同じＩＣチップ上に形成されている。フォトダイオードＤpは、アノード及びカソードが差動回路１２１の入力端子に接続されている。
【００２３】
差動回路１２１は、オープンコレクタ出力とされており、出力端子Ｔout41に接続されている。出力端子Ｔout41は、発光ダイオードＤLが発光すると、ローレベルとなる。
【００２４】
また、差動回路１２１には、バイアス端子Ｔbias41からバイアス電圧Ｖbias1が印加される。バイアス端子Ｔbias41は、抵抗Ｒ11を介してバイアス電圧供給端子Ｔbias31に接続されている。バイアス電圧供給端子Ｔbias31には、外部からバイアス電圧Ｖbias0が印加される。なお、出力端子Ｔout42は、ＧＮＤ電位などの基底電位とされており、出力端子Ｔout32に接続される。
【００２５】
上記構成のフォトＩＣカプラ１１２では、オン時間、オフ時間を１０〜２０ｎｓｅｃ程度にすることができる。これは、フォトトランジスタ、フォトサイリスタ、フォトリレーなどを用いたフォトカプラに比べて非常に短い時間となっている。
【００２６】
したがって、フォトＩＣカプラ１１２は、フォトトランジスタ、フォトサイリスタ、フォトリレーなどを用いたフォトカプラに比べて入力信号に対する出力信号の応答が高速化である。フォトＩＣカプラ１１２の出力端子Ｔout41、Ｔout42は、駆動回路１１３に接続されている。
【００２７】
駆動回路１１３は、コンデンサＣ11、抵抗Ｒ31から構成される。コンデンサＣ11は、一端がフォトＩＣカプラ１１２の出力端子Ｔout41に接続されるとともに抵抗Ｒ31を介してスイッチング用トランジスタＱ11のベースに接続される。駆動回路１１３は、フォトＩＣカプラ１１２の出力の脈動を抑制して、スイッチング用トランジスタＱ11のベースに供給する。スイッチング用トランジスタＱ11は、コレクタが出力端子Ｔout31に接続され、エミッタが出力端子Ｔout32に接続される。スイッチング用トランジスタＱ11は、駆動回路１１３の出力によりスイッチングし、出力端子Ｔout31と出力端子Ｔout32との間を開放又は短絡状態とする。
【００２８】
保護用ダイオードＤ11は、アノードが出力端子Ｔout32に接続され、カソードが出力端子Ｔout31に接続されている。保護用ダイオードＤ11は、定電圧ダイオードから構成され、出力端子Ｔout31と出力端子Ｔout32との間の電圧を一定電圧以下に維持して、回路を保護する。
【００２９】
図４は本発明の第１実施例の動作説明図を示す。図４（Ａ）は入力信号、図４（Ｂ）は出力信号を示す。
【００３０】
図４（Ａ）に示すように入力信号が時刻ｔ１で立ち上がってから、図４（Ｂ）に示す出力がその振幅の９０％まで立ち上がるまでの時間をオン時間ｔonとすると、本実施例のリレー装置１００では、フォトＩＣカプラ１１２を用いることによりオン時間ｔonは約５〜１０μｓｅｃ程度にすることができる。一方、従来のフォトトランジスタ、フォトサイリスタ、フォトリレーなどを用いたフォトカプラを用いたリレー装置１では、そのオン時間は、３０μｓｅｃである。
【００３１】
したがって、本実施例のフォトＩＣカプラ１１２を用いたリレー装置１００では、従来の従来のフォトトランジスタ、フォトサイリスタ、フォトリレーなどを用いたフォトカプラを用いたリレー装置１に比べてそのオン時間を約１／３にすることができる。
【００３２】
このように、本実施例によれば、入出力絶縁回路として、フォトＩＣカプラ１１２を用いることにより、入力信号に対するスイッチングを高速化できる。
【００３３】
なお、このとき、バイアス電圧供給端子Ｔbias31には、出力端子Ｔout31、Ｔout32に接続される負荷側からではなく、入力端子Ｔin31、Ｔin32が接続される入力側からバイアス電圧を供給される。これによって、バイアス電圧がリレー装置１００のスイッチングによる負荷の変動の影響を受けることなくなる。したがって、フォトＩＣカプラ１１２を安定して駆動させることが可能となる。
【００３４】
〔第２実施例〕
図５は本発明の第２実施例のブロック構成図を示す。同図中、図２と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３５】
本実施例のリレー装置２００は、フォトＩＣカプラ１１２のバイアス電圧供給端子Ｔbias41に印加するバイアス電圧を生成する電圧生成回路２１１を有する。
【００３６】
電圧生成回路２１１には、交流電源入力端子Ｔacが接続されており、交流電源入力端子Ｔacに供給される交流電源からバイアス電圧を生成し、フォトＩＣカプラ１１２のバイアス電圧供給端子Ｔbias41に供給する。なお、交流電源入力端子Ｔacに供給される交流電源は、別途、専用に交流電源を生成する必要はなく、例えば、マイコンなどのクロックを増
幅して用いるようにしてもよい。
【００３７】
電圧生成回路２１１は、トランス２２１、ダイオードＤ21、キャパシタＣ21から構成されている。トランス２２１は、交流電源入力端子Ｔacに入力された交流電源の電圧を所望の電圧に変圧する。トランス２２１で変圧された交流出力は、ダイオードＤ21及びキャパシタＣ21から構成される整流・平滑回路で整流・平滑化されて、バイアス電圧Ｖbias0としてフォトＩＣカプラ１１２のバイアス電圧供給端子Ｔbias41に供給される。
【００３８】
本実施例によれば、リレー装置２００の内部にバイアス電圧を生成するための回路を有するので、外部回路を簡略化できる。
【００３９】
〔第３実施例〕
図６は本発明の第３実施例のブロック構成図を示す。同図中、図２と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４０】
本実施例のリレー装置３００は、交流（ＡＣ）動作を行うリレー装置であり、入出力絶縁回路をトランス３１１で構成した構成とされている。
【００４１】
トランス３１１は、１次コイルＬ11と２次コイルＬ12とを共通のコアに巻回した構成とされている。１次コイルＬ11は、正極性側端子ＴL1+が入力回路１１１の抵抗Ｒ11と抵抗Ｒ12との接続点が接続され、負極性側端子ＴL1-が入力端子Ｔin32に接続される。１次コイルＬ11には、入力端子Ｔin11、Ｔin12の間に印加される入力電圧に応じた電流が流れ、流れた電流に応じて励磁される。１次コイルＬ11により励磁された磁束は、コアを介して２次コイルＬ12に伝達される。
【００４２】
２次コイルＬ12には、１次コイルＬ11からコアを介して電圧された磁束の変化に応じた電流が流れ、正極性側端子ＴL2+と負極性側端子ＴL2-との間に流れる電流に応じた電圧が発生する。２次コイルＬ12に発生した電圧は、２次コイルＬ12の正極性側端子ＴL2+と負極性側端子ＴL2-とを介して駆動回路３１２に印加される。
【００４３】
駆動回路３１２は、抵抗Ｒ31、Ｒ32から構成される。抵抗Ｒ31、Ｒ32は、２次コイルＬ12の正極性側端子ＴL2+と負極性側端子ＴL2-との間に発生する電圧を分圧し、その接続点から出力する。抵抗Ｒ31と抵抗Ｒ32との接続点は、トランジスタＱ11のベースに接続される。トランジスタＱ11は、抵抗Ｒ31と抵抗Ｒ32の接続点の電圧がハイレベルのときにオンし、ローレベルのときにオフする。
【００４４】
以上により、入力端子Ｔin11、Ｔin12に印加される入力電圧に応じて出力端子Ｔout31と出力端子Ｔout32との間を開放又は短絡させることができる。
【００４５】
本実施例によれば、入出力絶縁回路としてトランス３１１を用いることによりに、トランスは高周波性能が高いために、入力電圧に対してスイッチング用トランジスタＱ11を遅延なく、高速でスイッチング動作させることができる。
【００４６】
また、本実施例の構成では、トランス３１１だけで構成できるため、周囲回路を簡略化でき、よって、リレー装置３００を小型化することが可能となる。
【００４７】
図７は本発明の第３実施例の分解斜視図を示す。同図中、図３と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４８】
本実施例のリレー装置３００は、リードフレーム４０１、電子部品４０２、ケース４０３から構成される。リードフレーム４０１には、電子部品４０２が半田付けされる。電子部品４０２は、リードフレーム４０１により互いに接続される。
【００４９】
リードフレーム４０１は、電子部品４０２が半田付けされた後に図３に示すように線分ａ及びｂで折曲され、図３に示すような形状とされる。
【００５０】
リードフレーム４０１のうち電子部品４０２が搭載された部分Ａは、ケース４０３内に収納される。ケース４０３は、中空構造の直方体の一側面を開口した構成とされ、開口部分からリードフレーム４０１の部分Ａが挿入される。ケース４０３には、リードフレーム４０１の部分Ａが挿入された後に、開口部から、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料が流入され、中空部分が封止される。このとき、ケース４０３からは、入出力端子用リード線４０５のみが延出される。
【００５１】
なお、このとき、入力端子用リード４０５ａ、出力端子用リード４０５ｂは、従来のリレー装置と同じ配列に設定されている。これにより、本実施例のリレー装置３００を、リレー装置を搭載するプリント配線板のパターンはそのままに、従来のリレー装置に代えて搭載することができる。
【００５２】
また、入端子用リード４０５ａは、リードフレーム４０１を構成するフレーム部４０６ａの矢印Ｘ１方向の端部に接続され、出力端子用リード４０５ｂは、一つの装置を構成するリードフレーム４０１のフレーム部４０６ｂの矢印Ｘ２方向の端部に接続されている。
【００５３】
図８は本発明の第３実施例の第１変形例の分解斜視図を示す。同図中、図７と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００５４】
本変形例は、リードフレーム５０１の構成が図７とは相違する。
【００５５】
本変形例のリードフレーム５０１は、一つのフレーム部５０２を有する。入力端子用リード４０５ａはフレーム部５０２の矢印Ｘ１方向の端部に接続され、出力端子用リード４０５ｂはフレーム部５０２の矢印Ｘ２方向の端部に接続されている。リードフレーム５０１を線分ｃ、ｄで折曲することにより、入力端子用リード４０５ａ、出力端子用リード４０５ｂを図８に示すような位置に配置している。
【００５６】
本変形例によれば、入力端子用リード４０５ａ、出力端子用リード４０５ｂを一つのフレーム部５０２に並べて形成できる。よって、入力端子用リード４０５ａ、出力端子用リード４０５ｂとフレーム部５０２との切断を容易に行える。
【００５７】
〔第４実施例〕
図９は本発明の第４実施例の分解斜視図、図１０は本発明の第４施例の端子配置を説明するための図を示す。同図中、図３と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００５８】
本実施例のリード装置６００は、積層して配置されたプリント配線板６０１、６０２から構成される。プリント配線板６０１からは、矢印Ｙ１方向、端部から出力端子Ｔout31、Ｔout32を構成する出力端子用リード６０３ａと入力端子Ｔin31、Ｔin32を構成する入力端子用リード６０３ｂとが延出される。このとき、出力端子用リード６０３ａと入力端子用リード６０３ｂとは、既存のリレー装置と同じ配置で延出される。プリント配線板６０２からは、矢印Ｙ１方向端部からバイアス端子Ｔbias31及びその接地側端子を構成するバイアス端子用リード６０４が延出される。バイアス端子用リード６０４は、図１０に示すように入力端子Ｔin31、Ｔin32に対向した配置される。
【００５９】
なお、プリント配線板６０１及びプリント配線板６０２の両基板の、各々の一面に入力回路１１１、フォトＩＣカプラ１１２、駆動回路１１３、スイッチング用トランジスタＱ11、保護用ダイオードＤ11、バイアス電圧調整用抵抗Ｒ11を構成する電子部品１０４が搭載される。また、プリント配線板６０１及びプリント配線板６０２は、電子部品１０４が搭載されていない面を対向させて積層配置され、プリント配線板６０１とプリント配線板６０２とは、リード線又はバンプにより互いに接続され、図２に示すような回路が構成される。なお、プリント配線板６０１、６０２は、ケース１０２に収納されて、樹脂により封止される。本実施例によれば、出力端子用リード６０３ａ及び入力端子用リード６０３ｂを既存のリード装置と同じ配置にでき、また、バイアス端子用リード６０３ｃとを異なるライン状に形成することにより、組立性と使用性を向上できる。
【００６０】
図１１は本発明の第４実施例の変形例の分解斜視図を示す。同図中、図９と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００６１】
本変形例は、プリント配線板６０１とプリント配線板６０２とを、その電子部品１０４を搭載する面が同一方向、矢印Ｚ１方向となるように積層した構成とされている。
【００６２】
本実施例では、プリント配線板６０１、６０２により構成したが、複数のリードフレームを積層して構成するようにしてもよい。また、図７、図８に示すように、リードフレームを折曲して構成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】従来のソリッドステートリレー装置の一例のブロック構成図である。
【図２】本発明の第１実施例のブロック構成図である。
【図３】本発明の第１実施例の分解斜視図である。
【図４】本発明の第１実施例の動作説明図である。
【図５】本発明の第２実施例のブロック構成図である。
【図６】本発明の第３実施例のブロック構成図である。
【図７】本発明の第３実施例の分解斜視図である。
【図８】本発明の第３実施例の第１変形例の分解斜視図である。
【図９】本発明の第４実施例の分解斜視図である。
【図１０】本発明の第４実施例の端子配置を説明するための図である。
【図１１】本発明の第４実施例の変形例の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００、２００、３００  リレー装置
１０１  リード装置本体、１０２  ケース、１０３  回路基板、１０４  電子部品
１０５  リード線
１１１  入力回路、１１２  入出力絶縁回路、１１３  駆動回路
Ｑ11  スイッチング用トランジスタ、Ｄ11  保護用ダイオード
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ21、Ｒ22  抵抗、ＤL  発光ダイオード、Ｄp  フォトダイオード
１２１  差動回路、Ｃ11  キャパシタ
２１１  電圧生成回路、２１２  トランス、Ｄ21  ダイオード、Ｃ21  キャパシタ
３１１  トランス、３１２  駆動回路
Ｌ11  １次コイル、Ｌ21  ２次コイル、Ｒ31、Ｒ32  抵抗
【図１】
2008312249.tif 000003
【図２】
2008312249.tif 000004
【図３】
2008312249.tif 000005
【図４】
2008312249.tif 000006
【図５】
2008312249.tif 000007
【図６】
2008312249.tif 000008
【図７】
2008312249.tif 000009
【図８】
2008312249.tif 000010
【図９】
2008312249.tif 000011
【図１０】
2008312249.tif 000012
【図１１】
2008312249.tif 000013