(57)【要約】【課題】製造工程の中で熱処理後の寸法変化率が低く、基材の外観が良好な金属箔付フレキシブル基板の製造方法を提供する。【解決手段】金属箔上に樹脂溶液を塗布、乾燥する工程、樹脂溶液に含まれる溶媒を除去し得られた基材（金属箔付きフレキシブル基板材料）を搬送装置に供給する工程、搬送装置内において高温処理を行う工程を有する金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法であって、基材の樹脂中の残溶剤濃度（Ｖｃ）が２５重量％以上３５重量％以下である金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔上に樹脂溶液を塗布、乾燥する工程、樹脂溶液に含まれる溶媒を除去し得られた基材（金属箔付きフレキシブル基板材料）を搬送装置に供給する工程、搬送装置内において高温処理を行う工程を有する金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法であって、基材の樹脂中の残溶剤濃度（Ｖｃ）が２５重量％以上３５重量％以下であることを特徴とする金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
【請求項２】
搬送装置内の高温処理を行う工程が、搬送前工程と搬送後工程からなり、搬送前工程の温度が３００℃未満であり、搬送後工程の温度が３００℃以上であることを特徴とする請求項１に記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
【請求項３】
金属箔が銅箔であることを特徴とする請求項１または２に記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
【請求項４】
基材（金属箔付きフレキシブル基板材料）が、金属箔付き樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
【請求項５】
樹脂フィルムの樹脂成分の少なくとも１種が、ポリイミド樹脂もしくはポリイミド前駆体であることを特徴とする請求項４に記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
【請求項６】
金属箔付きフレキシブル基板材料の硬化品の寸法変化率が、ライン速度変動時において±０．１０％以下である金属箔付きフレキシブル基板材料であって、請求項１〜５のいずれかに記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法を用いて得られる金属箔付きフレキシブル基板材料。
【請求項７】
請求項６に記載の金属箔付きフレキシブル基板材料を用いて製造されるフレキシブル積層板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法、金属箔付きフレキシブル基板材料及びフレキシブル積層板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント基板は高分子絶縁フィルムの表面に導体回路を形成した可撓性のある配線板であって、近年電子機器の小型化、高密度を達成する手段として多用されている。なかでも絶縁フィルムとして芳香族ポリイミドを用いたものが主流を占めている。
【０００３】
従来の芳香族ポリイミドを用いた片面板フレキシブルプリント基板はポリイミドフィルムと銅箔をエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の接着剤により製造されていた為に、この耐熱性、対薬品性、難燃性、電気特性、あるいは密着性といった特性は使用する接着剤に支配されてしまいポリイミドのすぐれた諸特性を充分にいかすことが出来ないものであった。
【０００４】
この問題点を解決する方法として、銅箔などの金属箔上に金属箔と同程度の熱膨張係数を有するポリアミック酸（ポリイミドの前駆体）の溶液を直接流延塗布，溶媒除去，硬化により製造する方法（以下ダイレクトコート法と略す）が提案されている（特許文献１、２参照）。
【０００５】
特許文献１及び２においてダイレクトコート法やその他の工程において金属箔付き樹脂フィルムの高温加熱処理を水平ロールコンベア搬送で連続して行う場合、溶剤揮発や反応による樹脂フィルムの体積減少、温度変化に伴う金属箔の膨張・収縮、基材の緩和が重要な要因の１つである。また、残溶剤濃度（Ｖｃ）が高いと搬送前工程で溶剤が抜き切れなくなる。さらに、外観上の問題だけでなく、寸法変化率が悪化する原因にもなりフレキシブル基板材料の製造上好ましくない。
【０００６】
この対策として、炉内の搬送後工程の温度条件を高く設定した。しかし、搬送後工程の温度条件を高くすることで樹脂への緩和が良好ではなく、カールや反りが大きく、又寸法変化率が悪化した。また、搬送前工程の温度条件を低くすることで、搬送中に樹脂がロールに付着しやすく、基材が切れやすいという問題があった。
【０００７】
【特許文献１】特許第１５２３９２０号公報
【特許文献２】特許第１６９４１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記問題点を解決するものであり、金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法、金属箔付きフレキシブル基板材料及びフレキシブル積層板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは鋭意検討を行なった結果、フレキシブル基板材料を製造する為に、基材を連続的に供給し、高温処理を行なう装置において、金属箔上に樹脂溶液を塗布、乾燥し、樹脂溶液に含まれる溶媒を除去したし得られた基材を搬送装置に供給し、搬送前工程と搬送後工程からなる高温処理を行う金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法であって、基材の樹脂中の残溶剤濃度（Ｖｃ）が２５重量％以上３５重量％以下であることを特徴とする金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法を見出し、本発明を完成させた。
【００１０】
本発明は次の事項に関する。
１．  金属箔上に樹脂溶液を塗布、乾燥する工程、樹脂溶液に含まれる溶媒を除去し得られた基材（金属箔付きフレキシブル基板材料）を搬送装置に供給する工程、搬送装置内において高温処理を行う工程を有する金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法であって、基材の樹脂中の残溶剤濃度(Ｖｃ)が２５重量％以上３５重量％以下であることを特徴とする金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
２．  搬送装置内の高温処理を行う工程が、搬送前工程と搬送後工程からなり、搬送前工程の温度が３００℃未満であり、搬送後工程の温度が３００℃以上であることを特徴とする項１に記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
３．  金属箔が銅箔であることを特徴とする項１または２に記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
４．  基材（金属箔付きフレキシブル基板材料）が、金属箔付き樹脂フィルムであることを特徴とする項１〜３のいずれかに記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
５．  樹脂フィルムの樹脂成分の少なくとも１種が、ポリイミド樹脂もしくはポリイミド前駆体であることを特徴とする項４に記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法。
６．  金属箔付きフレキシブル基板材料の硬化品の寸法変化率が、ライン速度変動時において±０．１０％以下である金属箔付きフレキシブル基板材料であって、項１〜５のいずれかに記載の金属箔付きフレキシブル基板材料の製造方法を用いて得られる金属箔付きフレキシブル基板材料。
７．  項６に記載の金属箔付きフレキシブル基板材料を用いて製造されるフレキシブル積層板。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の金属箔付きフレキシブル基板材料を用いることによって、寸法変化率が低く、外観が良好で効果的な金属箔付きフレキシブル基板材料が作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について説明する。
例えば、フレキシブル基板材料の金属箔付き樹脂フィルムは、樹脂フィルム前駆体を含む樹脂組成物を金属箔の上に塗布、乾燥、硬化する製造工程を経て形成することができる。
【００１３】
基材（金属箔付きフレキシブル基板材料）の樹脂中の残溶剤濃度（Ｖｃ）は２５重量％以上３５重量％以下である。残溶剤濃度が２５重量％未満では硬化の際の搬送後工程において、金属箔表面の樹脂が樹脂からポリイミドへの転移を早めてしまい、寸法変化率が大きくなる。また、残溶剤濃度が３５重量％を超えると、高温処理を行なう装置において、初期のロールに樹脂がついてしまうおそれがある。
【００１４】
搬送前工程の温度は、３００℃未満が好ましく、１２０℃以上３００℃未満がより好ましく、１５０℃以上２００℃以下が特に好ましい。１２０℃以下では、搬送時に初期のロールに樹脂がついてしまうことがある。また、３００℃以上では、寸法変化率が大きくなる。
【００１５】
搬送後工程の温度は、３００℃以上が好ましく、３００℃以上５００℃以下がより好ましく、４００℃以上５００℃未満が特に好ましい。３００℃未満では反応が十分進まず、５００℃を超えると、ポリイミドの熱分解を伴うおそれがある。
【００１６】
寸法変化率は回路形成フィルム、絶縁基板などの寸法変化が製造工程での高温多湿処理や保管環境の変化等の工程により、影響を受けにくい度合いをみるものである。このようなことから、工程前後での寸法変化率の安定性が要求されているため、寸法変化率は低く、また工程の前後で変わらないことが好ましい。上記に述べた、優れた特性を有する金属箔付フレキシブル基板材料は、樹脂フィルム前駆体を含む樹脂組成物を金属箔の上に塗布、乾燥、硬化する製造過程を経て形成することができる。
【００１７】
金属箔付き樹脂フィルムとしては、絶縁体のフィルムであれば特に制限はないが、機械特性や電気特性の観点から少なくとも１種がポリイミド樹脂またはポリイミド前駆体であることが好ましい。ポリアミック酸は製造過程でポリイミドに変換される。また、樹脂フィルム前駆体を含む樹脂組成物としてエポキシ化合物、アクリル化合物、ジイソシアネート化合物、フェノール化合物等の硬化性分、フィラー、粒子、色材、レベリング剤、カップリング剤等の添加成分を任意に混合することも可能であるが、ポリイミド樹脂の含有量より多くの硬化成分、添加成分を加えることは特性を低下させる傾向にある。
【００１８】
好ましくは、金属箔上に最終的に形成されるポリイミドは下記の一般式（１）
【００１９】
【化１】
2008272601.tif 000002
【００２０】
（ここでＲ１は芳香族ジアミンのアミノ基、ジイソシアナートのジアナート基を除いた残基であり、Ｒ２は芳香族テトラカルボン酸誘導体のカルボン酸誘導部を除いた残基である。）で表される反復単位を有する重合体であり、その前駆体は下記の一般式（２）
【００２１】
【化２】
2008272601.tif 000003
【００２２】
（ここでＲ１は芳香族ジアミンのアミノ基、ジイソシアナートのジアナート基を除いた残基であり、Ｒ２は芳香族テトラカルボン酸誘導体のカルボン酸誘導部を除いた残基である。）で表される反復単位を有する重合体である。
【００２３】
ポリイミド前駆体は、芳香族テトラカルボン酸誘導体とジアミンおよび／またはジイソシアナートを反応させることによって合成できる。
【００２４】
ジアミンとしてはｐ，ｍ，ｏ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノキシレン、ジアミノジユレン１，５−ジアミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、ベンジジン、４，４’−ジアミノターフェニル、４，４’’’−ジアミノクォーターフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、１，２−ビス（アニリノ）エタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，６−ジアミノナフタレン、３，３−ジメチルベンジジン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノトルエン、ジアミノベンゾトリフルオライド、１，４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２’−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、ジアミノアントラキノン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフェニルスルホン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロペンタン、１，７−ビス（アニリノ）デカフルオロブタン、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４’−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、下記の一般式（３）
【００２５】
【化３】
2008272601.tif 000004
【００２６】
（Ｒ３は一価の有機基、Ｒ４は二価の有機基、ｎは１より大きい整数）
で示されるジアミノシロキサンなどのジアミン類、並びにこれらのジアミンとホスゲンなどの反応によって得られるジイソシアナート例えばトリレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ナフタレンジイソシアナート、ジフェニルエーテルジイソシアナート、フェニレン−１，３−ジイソシアナートなどの芳香族ジイソシアナート類がある。
【００２７】
また、テトラカルボン酸並びにその誘導体としては次のようなものが挙げられる。ここでテトラカルボン酸として例示するが、これのエステル化物、酸無水物、塩酸化物ももちろん使用出来る。ピロメリット酸、２，３，３’，４’−テトラカルボキシジフェニル、３，３’，４，４’−テトラカルボキシジフェニル、３，３’，４，４’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、２，３，３’，４’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、３，３’，４，４’−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３，３’，４’−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３，６，７−テトラカルボキシナフタレン、１，４，５，７−テトラカルボキシナフタレン、１，２，５，６−テトラカルボキシナフタレン、３，３’，４，４’−テトラカルボキシジフェニルメタン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，３’，４，４’−テトラカルボキシジフェニルスルホン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸などがある。
【００２８】
上記の組み合わせで合成されるポリアミド酸又はポリイミドの溶液は単一組成である必要はなく２種類以上のものを混合あるいは共縮合したものをもちいることもできる。その際、硬化後の樹脂フィルムが５ＧＨｚの比誘電率が３．３以下でかつ線熱膨張係数が２５以下であることが望ましい。この値を超えた場合は、フレキシブル基板材料として十分な物性を示さなくなる傾向がある。
【００２９】
さらに、芳香族テトラカルボン酸誘導体のモル数に対するジアミンとジイソシアナートのモル数の比は、０．９５〜１．０５であることが望ましく、この範囲外であると分子量が小さくなり、十分なフィルム物性が得られない。
【００３０】
通常、合成反応は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＮＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルホキサイド（ＤＭＳＯ）、硫酸ジメチル、スルホラン、γ−ブチロラクトン、クレゾール、フェノール、ハロゲン化フェノール、シクロヘキサン、ジオキサン、などの溶液中で０〜２００℃の範囲で行われる。
【００３１】
また、反応性官能基を有する化合物で変性し、架橋構造やラダー構造を導入することも出来る。例えば、次のような方法がある。
（ｉ）  下記の一般式（４）で表される化合物で変性することによって、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオン環などを導入する。
【００３２】
【化４】
2008272601.tif 000005
【００３３】
（Ｒ５は２＋ｘ価の芳香族有機基、ＺはＮＨ２基、ＣＯＮＨ２基、ＳＯ２ＮＨ２、ＯＨ基から選ばれた基であり、アミノ基に対して、オルソ位である。ｘは１また２である。
（ｉｉ）  重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘導体で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽和結合としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロフタル酸、エチニルアニリンなどが使用できるが、上記化合物に限定されない。
【００３４】
本発明における金属導体箔として用いられるものには、銅、アルミニウム、鉄、金、銀、ニッケルパラジウム、クロム、モリブデンなどまたはそれらの合金が挙げられ、ポリイミドとの接着力を高めるために化学的粗化、コロナ放電、サンデイング、メッキ、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤などによって機械的、化学的処理をしてもよい。
【００３５】
本発明において金属箔上にポリイミドフィルム層を形成させる方法としては、金属箔の表面にポリアミド酸又はポリイミドを８〜４０重量％含む溶液を製膜用スリットから吐出させて均一に塗布する。この塗工方法としてはロールコータ、コンマコータ、ナイフコータ、ドクタープレードフローコータ、密閉コータ、ダイコータ、リップコータなどによるものが挙げられる。
【００３６】
例えば、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸を硬化する製造工程は、金属箔の酸価を防ぐために酸素を含まない不活性気体からなる還元雰囲気下の２５０〜５５０℃で、ポリイミド前駆体からポリイミド樹脂に硬化を行う。ここで、酸素を含まない不活性気体雰囲気とは、真空にした容器とか、出入口の小さな乾燥機や硬化炉中に不活性気体と還元性気体を加圧パージした雰囲気で酸素濃度が５％以下の状態をいい、酸素濃度計でこれを充分に管理することが品質及び安全上重要である。
【００３７】
不活性ガスとしてはヘリウム、ネオン、アルゴン、窒素、金属光輝、純用気体やこれらの混合気体を例示することができ、取り扱い上窒素ガスが好適である。還元性気体としては水素ガスを例示することができる。
【００３８】
還元雰囲気は窒素ガスと０．１体積％から４体積％未満の水素ガスの混合ガスであることが好ましく、水素ガスが０．１体積％未満だと還元ガスの効果がなく、４体積％を超えると水素ガスの空気中の爆発下限を越えるため安全上好ましくない。
【００３９】
上記の還元雰囲気下で硬化を行うことにより、ポリイミドの酸化を防止することができるため、信頼性の高いフィルムを得ることができる。さらに、フィルムの着色を防ぐことができ、加工時の作業性が向上する利点も併せ持っている。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例及び比較例における寸法変化率の測定方法は次の通りである。
（寸法変化率）
金属箔付きフレキシブル基板材料を１５０ｍｍ角で切り出し、０．３ｍｍのドリルを用いて四隅に穴を空けて三次元測定器で穴の位置を測定する。その後、その金属箔付きフレキシブル基板材料の金属箔部分をエッチングし、１３０℃で３０分の乾燥した後、四隅に空けた穴の位置を三次元測定器で再測定する。その前後の差より寸法変化率を算出した。
【００４１】
（合成例）
熱電対、攪拌機及び窒素吹込口を取り付けた６０Ｌステンレス製反応釜に、約３００ｍｌ／分の窒素を流しながら、ｐ−フェニレンジアミン８６７．８ｇ、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル１６０６．９ｇ及びＮ−メチル−２−ピロリドン４０ｋｇを入れ攪拌し、ジアミン成分を溶解した。この溶液をウォータージャケットで５０℃以下に冷却しながら３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物４７２２．２ｇを徐々に加えて重合反応を進行させて、ポリアミック酸およびＮ−メチル−２−ピロリドンを含む粘ちょうなポリアミック酸ワニスを得た。その後、塗工作業性を良くするために、ワニスの回転粘度が１０Ｐａ・Ｓになるまで８０℃にてクッキングを行った。
【００４２】
（塗工例１）
上記合成例で得たポリアミック酸ワニスを、塗工機（コンマコ−タ）を用いて銅箔粗化面上に５０μｍの厚さに塗布した。銅箔としては、幅５４０ｍｍ、厚さ１２μｍの片面粗化した圧延銅箔（日鉱マテリアルズ社製商品名「ＢＨＹ−０２Ｂ−Ｔ」）を用いた。強制通風乾燥炉を用いて、銅箔に塗布したポリアミック酸ワニスから、残存溶媒量２０重量％となるまで溶媒を除去して、ポリアミック酸を含んでいる樹脂組成物層を形成させた。
【００４３】
（塗工例２）
上記合成例で得たポリアミック酸ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、銅箔に塗布したポリアミック酸ワニスから溶剤の割合が５０重量％となるまで溶媒を除去した他は塗工例１と同様にして、樹脂組成物層を形成させた。
【００４４】
（塗工例３）
上記合成例で得たポリアミック酸ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、銅箔に塗布したポリアミック酸ワニスから溶剤の割合が７０重量％となるまで溶媒を除去した他は塗工例１と同様にして、樹脂組成物層を形成させた。
【００４５】
（実施例１〜２、比較例１〜２）
遠赤外線照射方式の加熱処理装置を用いて銅箔付きポリアミック酸の高温処理を行なった。銅箔付きフレキシブル基板材料を作製した。このときの残溶剤濃度を４３重量％とした。
【００４６】
塗工機（コンマコータ）を用いて、銅箔粗化面上にポリアミック酸ワニスを２５μｍの厚みに塗布した。銅箔には幅２５０ｍｍ、厚さ１２μｍの片面粗化した圧延銅箔（日鉱マテリアルズ社製ＢＨＹ−０２−ＢＴ）を用いた。塗工温度６０℃、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎの標準条件で塗工したところ残溶剤濃度が４３重量％の基材が得られた。また、塗工温度を適宜上げ、搬送速度を下げることにより、残溶剤濃度がそれぞれ３４重量％、３０重量％、２１重量％のものを作製し、搬送装置に供給するための基材とした。
【００４７】
また、加熱処理装置における搬送前工程の温度を１５０℃以下とし、搬送前工程の温度を４５０℃以上とした。このときのライン速度は０．３，１．０ｍ／ｍｉｎとした。
【００４８】
【表１】
2008272601.tif 000006
【００４９】
【表２】
2008272601.tif 000007
【００５０】
表１および２に示した通り、残溶剤濃度Ｖｃが３４重量％、３０重量％である実施例１
および２はライン速度に関係なくタックがなく外観が良好で、寸法変化率も低い。一方、残溶剤濃度Ｖｃが４３重量％である比較例１ではライン速度１．０ｍ／ｍｉｎでタックが生じ外観が悪く、寸法変化率も高い。また、残溶剤濃度Ｖｃが２１重量％である比較例２では寸法変化率が高かった。