(57)【要約】【課題】反射モードと透過モードの双方で良好な表示が得られる半透過反射型の液晶装置を提供する。【解決手段】垂直配向モードの液晶層５０を挟持して対向するＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を備え、１つのサブ画素領域で反射表示と透過表示とを行う半透過反射型の液晶装置であり、反射表示領域内に、入射光の所定の偏光成分を反射させる反射偏光層１９と、反射光を散乱させるとともに当該領域における液晶層５０の層厚を他の領域における液晶層厚と異ならせる液晶層厚調整層として機能する光散乱手段２９と、を有する構成とした。【選択図】図３
2008145524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直配向モードの液晶層を挟持して対向する第１基板及び第２基板を備え、１つの画素領域で反射表示と透過表示とを行う半透過反射型の液晶装置であって、
前記反射表示領域内に、入射光の所定の偏光成分を反射させる反射偏光層と、反射光を散乱させる光散乱手段と、前記光散乱手段の形成領域における前記液晶層の層厚を前記光散乱手段の非形成領域における前記液晶層の層厚と異ならせる液晶層厚調整層と、を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記光散乱手段が、前記反射表示領域内に形成された絶縁体突起物と、前記絶縁体突起物の表面に形成された反射膜とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記光散乱手段が前記液晶層厚調整層を兼ねていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記光散乱手段が、前記反射表示領域のうち前記反射偏光層の非形成領域に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記光散乱手段が、前記反射偏光層の前記液晶層側に部分的に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記光散乱手段の形成領域における前記液晶層の位相差と、前記光散乱手段の非形成領域における前記液晶層の位相差との差が、当該画素領域に入射する光の波長（λ）の略１／４であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第２基板の前記光散乱手段と平面的に重なる領域に、透過光に対して略λ／４の位相差を付与する位相差層が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記液晶層の前記第２基板側に、透過光に対して略λ／４の位相差を付与する位相差板が設けられており、
前記光散乱手段の形成領域を除く前記画素領域内であって、前記第１基板の前記反射偏光層よりも前記液晶層側に、透過光に対して略λ／４の位相差を付与する位相差層が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記光散乱手段の形成領域における前記液晶層厚が、前記光散乱手段の非形成領域における前記液晶層厚より小さいことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記光散乱手段の形成領域における前記液晶層厚が、前記光散乱手段の非形成領域における前記反射表示領域の液晶層厚の略１／２であることを特徴とする請求項９に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記透過表示領域における前記液晶層の層厚が、前記反射表示領域のうち前記光散乱手段の非形成領域における前記液晶層の層厚と略同一であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
前記反射偏光層が、微細なスリット状の開口部を有する金属膜であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１３】
前記反射偏光層が、プリズム形状を成す複数の誘電体膜を積層した誘電体多層膜であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１４】
垂直配向モードの液晶層を挟持して対向する第１基板及び第２基板を備え、１つの画素領域で反射表示と透過表示とを行う半透過反射型の液晶装置であって、
前記反射表示領域内に、入射光の所定の偏光成分の光を選択的に反射させる反射偏光層と、前記入射光を反射させる反射層とが区画形成されており、
前記反射偏光層の形成領域における前記液晶層の層厚と前記反射層の形成領域における前記液晶層の層厚とが、互いに異なる層厚であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１５】
前記第１基板上に前記反射層の形成領域に対応して、誘電体突起物からなる液晶層厚調整層が形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の液晶装置。
【請求項１６】
前記反射層が散乱反射光を生成する光散乱手段であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の液晶装置。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１つのサブ画素内に反射表示領域と透過表示領域とが形成された半透過反射型液晶装置は、反射型と透過型の機能を兼ね備えることで、周囲の明るさに応じて表示方式を切り替えて表示を行うことができ、消費電力を低減しつつ周囲が暗い場合でも良好な表示が得られ、携帯機器の表示部として好適なものである。この種の液晶装置として、外光を反射させる手段として、特定の直線偏光成分のみを反射する反射偏光層を用いたものが知られている（例えば特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開２００２−３６５６２５号公報
【特許文献２】特開２００３−０４３４７３号公報
【特許文献３】特開２００３−０４３４７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記従来技術文献に記載の技術によれば、簡素な構成でありながら透過モードと反射モードの双方で高コントラストの表示を得ることができる。しかしながら、これらの文献に記載の反射偏光層は液晶パネルに入射した外光を正反射するため、反射表示の視認性やパネル正面に位置する観察者方向での表示の明るさについて改善の余地がある。このような外光の正反射を防止するには、反射偏光層に光散乱機能を付与すればよいが、反射偏光層自体に凹凸形状を付与するのはきわめて困難である。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、簡便に形成可能な光散乱手段を具備し、視認性に優れた反射表示が可能であり、透過モードと反射モードの双方で良好な表示を得られるようにした半透過反射型の液晶装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の液晶装置は、上記課題を解決するために、垂直配向モードの液晶層を挟持して対向する第１基板及び第２基板を備え、１つの画素領域で反射表示と透過表示とを行う半透過反射型の液晶装置であって、前記反射表示領域内に、入射光の所定の偏光成分を反射させる反射偏光層と、反射光を散乱させる光散乱手段と、前記光散乱手段の形成領域における前記液晶層の層厚を前記光散乱手段の非形成領域における前記液晶層の層厚と異ならせる液晶層厚調整層と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、光散乱手段により反射光を散乱させることができるので、通常は光散乱機能を有さない反射偏光層を用いた半透過反射型液晶装置における反射表示の品質を向上させることができる。反射偏光層を利用した反射表示と通常の反射層（光散乱手段）を用いた反射表示とでは、光を反射させる部材の偏光選択性の有無により動作態様が異なるものとなる。したがって、画素領域内に単に光散乱手段を設けたのでは正常な表示は得られない。そこで本発明では、光散乱手段と平面的に重なる領域に液晶層厚調整層を設け、上記偏光選択性の有無に起因する表示動作の差異を液晶層厚の調整により解消できるようになっている。
【０００６】
なお、本明細書において、例えばカラー液晶装置がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３個のサブ画素で１個の画素を構成するような場合に対応し、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。また、前記サブ画素領域内に設けられた「反射表示領域」は、当該液晶装置の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域をいい、「透過表示領域」は、当該液晶装置の背面側（前記表示面と反対側）から入射する光を利用した表示が可能な領域をいう。
【０００７】
また、前記光散乱手段が、前記反射表示領域内に形成された絶縁体突起物と、前記絶縁体突起物の表面に形成された反射膜とを備えている構成であれば、簡便な工程で光散乱手段を反射表示領域内に形成可能である。
【０００８】
また、前記光散乱手段が前記液晶層厚調整層を兼ねている構成とすれば、製造工程を効率化して安価に製造可能な液晶装置とすることができる。
【０００９】
前記光散乱手段が、前記反射表示領域のうち前記反射偏光層の非形成領域に形成されている構成としてもよい。このような構成とすれば、反射偏光層と光散乱手段とが平面的に区画されるため、光散乱手段の形成位置の自由度が大きくなる。
【００１０】
また、前記光散乱手段が、前記反射偏光層の前記液晶層側に部分的に形成されている構成としてもよい。このような構成とすれば、反射偏光層の形状に変更を加える必要がなく、製造性の点で有利である。
【００１１】
前記光散乱手段の形成領域における前記液晶層の位相差と、前記光散乱手段の非形成領域における前記液晶層の位相差との差が、当該画素領域に入射する光の波長（λ）の略１／４であることが好ましい。このような構成とすれば、反射偏光層を利用した反射表示に直線偏光を利用でき、光散乱手段を利用した反射表示には円偏光を利用できるようになるので、簡便な構成で表示の最適化を図れる。
【００１２】
前記第２基板の前記光散乱手段と平面的に重なる領域に、透過光に対して略λ／４の位相差を付与する位相差層が形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、光散乱手段を利用した反射表示と反射偏光層を利用した反射表示の双方で高い光利用効率を得られるため、明るい反射表示を実現できる。
【００１３】
前記液晶層の前記第２基板側に、透過光に対して略λ／４の位相差を付与する位相差板が設けられており、前記光散乱手段の形成領域を除く前記画素領域内であって、前記第１基板の前記反射偏光層よりも前記液晶層側に、透過光に対して略λ／４の位相差を付与する位相差層が形成されている構成としてもよい。このような構成とすれば、光散乱手段の形成領域に対して選択的に位相差層（位相差板）を配置する必要がなくなるので、製造性を向上させる上で有効な構成である。
【００１４】
前記光散乱手段の形成領域における前記液晶層厚が、前記光散乱手段の非形成領域における前記液晶層厚より小さい構成とすることができる。またこの場合において、前記光散乱手段の形成領域における前記液晶層厚が、前記光散乱手段の非形成領域における前記反射表示領域の液晶層厚の略１／２である構成とすることが好ましい。
このような構成とすれば、簡便な構成で高効率の反射表示が得られる液晶装置とすることができる。
【００１５】
前記透過表示領域における前記液晶層の層厚が、前記反射表示領域のうち前記光散乱手段の非形成領域における前記液晶層の層厚と略同一であることが好ましい。このような構成とすれば、透過表示領域と反射偏光層を利用する反射表示領域の双方で表示の最適化を容易に実現できる。また透過表示領域と反射表示領域との間に段差が形成されないため、画素領域内での液晶の配向乱れの発生を抑えることができ、高コントラストの表示を得ることができる。
【００１６】
前記反射偏光層が、微細なスリット状の開口部を有する金属膜である構成とすることができる。また前記反射偏光層が、プリズム形状を成す複数の誘電体膜を積層した誘電体多層膜である構成とすることもできる。
【００１７】
本発明の液晶装置は、垂直配向モードの液晶層を挟持して対向する第１基板及び第２基板を備え、１つのサブ画素領域で反射表示と透過表示とを行う半透過反射型の液晶装置であって、前記反射表示領域内に、入射光の所定の偏光成分の光を選択的に反射させる反射偏光層と、前記入射光を反射させる反射層とが区画形成されており、前記反射偏光層の形成領域における前記液晶層の層厚と前記反射層の形成領域における前記液晶層の層厚とが、互いに異なる層厚であることを特徴とする。
この構成によれば、反射表示領域において反射偏光層を利用した反射表示と反射層を利用した反射表示とを行う液晶装置を容易に実現できる。反射偏光層は通常の反射膜に比して作製が困難であるため、その形成位置や形状、あるいは形成方法が制限されることがある。そこで本発明では、反射表示領域内に通常の反射層が形成された領域を設け、さらに反射偏光層を利用する反射表示と反射層を利用する反射表示との表示態様の差異を解消するために、反射層上の液晶層厚を他の領域の液晶層厚と異ならせている。このような構成とすることで、反射表示の明るさを確保しつつ反射偏光層の形成等を行えるようになり、反射偏光層を用いた半透過反射型液晶装置の設計、製造の自由度を高めることができる。
【００１８】
また前記第１基板上に前記反射層の形成領域に対応して、誘電体突起物からなる液晶層厚調整層が形成されている構成であってもよい。このような構成とすれば、液晶層の層厚調整を用意かつ正確に行うことができる。
【００１９】
また前記反射層が散乱反射光を生成する光散乱手段であることが好ましい。このような構成とすれば、光散乱機能によって視認性を向上させることができる。
【００２０】
前記第１基板及び第２基板のうち当該液晶装置の表示面を構成する基板の液晶層と反対側の面に偏光板が設けられており、前記偏光板の透過軸と、前記反射偏光層の透過軸とが略平行に配置されていることが好ましい。このような構成とすることで、反射偏光層に入射する光の透過率／反射率を最大にすることができ、明るい表示を得ることができる。
【００２１】
前記反射偏光層が、前記画素領域内に部分的に形成されている構成とすることができる。かかる構成の液晶装置では、画素領域のうち、反射偏光層が部分的に形成された領域で反射表示領域を構成し、残る非形成領域で透過表示領域を構成する。この場合、透過表示領域と反射表示領域とが明確に区画されるので、反射表示と透過表示のそれぞれにおいて光学設計を最適化することができ、より高画質の液晶装置を得る上で好都合である。
【００２２】
前記反射偏光層が、前記画素領域の略全面に形成されている構成とすることもできる。かかる構成の液晶装置では、反射偏光層は入射した偏光成分を部分的に透過し、一部の偏光成分を反射するものとされる。反射偏光層を画素領域内でベタ状に形成できることから、製造の容易性、歩留まりの点で優れた構成となる。また、画素領域を反射表示領域と透過表示領域とに区画する場合に比して、当該領域を広く利用でき、画素の光学設計が容易になる。
【００２３】
また、前記第１基板の外面側に照明装置が配設されている構成とすることが好ましい。この構成では、前記第１基板に反射表示を行うための反射偏光層と、液晶を駆動するための電極が設けられるので、第１基板を表示面側に配置としない液晶装置を構成できる。第１基板が表示面側に配置されていると、電極に駆動信号を供給するために第１基板上に形成される金属配線等によって外光が乱反射され、液晶装置の視認性を低下させることがあるが、本発明では、このような外光の乱反射は生じず、優れた視認性を得ることができる。
【００２４】
前記第１基板と前記照明装置との間に偏光板が設けられており、前記偏光板の透過軸が、前記反射偏光層の透過軸と略直交する向きに配置されていることが好ましい。このような構成とすることで、照明装置から入射する照明光の利用効率を最大にすることができ、明るい透過表示を得られるようになる。
【００２５】
前記第１基板及び第２基板のいずれかにカラーフィルタが設けられ、該カラーフィルタは、サブ画素領域内で異なる色度を有する複数の平面領域に区画されている構成とすることができる。この構成によれば、反射表示領域と透過表示領域のそれぞれで、適切な色度のカラー表示が可能になり、より色鮮やかな高画質の液晶装置とすることができる。
【００２６】
本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示及び反射表示が可能な表示部を具備した電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１実施形態に係る液晶装置について図面を参照して説明する。本実施形態の液晶装置は、初期配向が垂直配向を呈し、負の屈折率異方性を有する液晶からなる液晶層を備えた垂直配向モードの液晶装置である。また本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される表示領域を「画素領域」と称する。
【００２８】
図１は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域の等価回路図である。図２は液晶装置１００の任意の１画素領域（３つのサブ画素領域）における平面図である。図３は図２のＡ−Ａ'線に沿う部分断面図である。図４は反射偏光層の構成及び作用を説明するための図である。図５は表示動作を説明するための動作説明図である。図６は電圧印加時の配向制御作用を説明するための説明図である。
なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
【００２９】
図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。ＴＦＴ３０のソースにはデータ線駆動回路１０１から延びるデータ線６ａが電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線６ａを介して各画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００３０】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。
【００３１】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付与されている。蓄積容量７０はＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００３２】
次に、図２及び図３を参照して液晶装置１００の詳細な構成について説明する。液晶装置１００は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と対向基板（第２基板）２０との間に液晶層５０を挟持した液晶パネルを含む。液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する領域の縁端に沿って設けられた図示略のシール材によって基板１０，２０間に封止されている。ＴＦＴアレイ基板１０の背面側（図示下面側）には、導光板９１と反射板９２とを備えたバックライト（照明装置）９０が設けられている。
【００３３】
図２に示す画素の平面構成を見ると、表示領域の縦横に延びるデータ線６ａと走査線３ａとによって区画された平面視矩形状の領域が、それぞれサブ画素Ｄ１〜Ｄ３に対応する。本実施形態では、各サブ画素の平面領域に対応して青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の３色の着色部を周期的に配列してなるカラーフィルタ２２Ｂ、２２Ｇ、２２Ｒが設けられており、かかる３色の着色部に対応する１組のサブ画素Ｄ１〜Ｄ３が、３色の光を混色して表示する１つの画素を構成している。
【００３４】
各々のサブ画素に対応して平面視略矩形状の画素電極９が形成されている。画素電極９は、走査線３ａとデータ線６ａとが交差する位置に対応して設けられたＴＦＴ３０と電気的に接続されている。ＴＦＴ３０は、アモルファスシリコン等からなる半導体層３５と、ソース電極６ｂと、ドレイン電極３２と、ゲート電極３３とを有している。ドレイン電極３２は、図示略のコンタクトホールを介して画素電極９と電気的に接続されている。
【００３５】
走査線３ａの延在方向（Ｘ軸方向）に沿って、平面視略帯状の反射偏光層１９が複数のサブ画素領域にわたって形成されている。本実施形態の場合、画素電極９はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる透明導電膜であり、反射偏光層１９は、詳細は後述するが、微細なスリット構造を具備した光反射性の金属膜からなるものである。図示した帯状の反射偏光層１９と画素電極９とは、画素電極９の長手方向の両端側において部分的に重なって配置されている。画素電極９はその平面領域内に複数（図示では２本）の開口スリット（配向制御手段）９ａを有している。なお、これらの開口スリット９ａと平行に延びるように配置されている開口スリット２１ａは、画素電極９と液晶層５０を介して対向する共通電極２１に形成された配向制御手段である。
【００３６】
さらに、反射偏光層１９の形成領域には、表面に光反射性を有する概略ドーム状（略半球状）の突起物であり、液晶層厚を調整するための液晶層厚調整層としても機能する光散乱手段２９が複数個形成されている。光散乱手段２９の直径は８〜１０μｍ程度であり、高さは０．５〜１μｍ程度である。光散乱手段２９は、少なくとも、反射偏光層１９の形成領域のうち画素電極９と平面視で重なる領域に形成されていればよい。
また、光散乱手段２９は、反射偏光層１９の形成領域内でランダムに配置されていることが好ましく、さらには、互いに異なる径の光散乱手段２９を配置してもよい。このような構成とすれば、光散乱手段２９の反射光の干渉を防止でき、反射表示の視認性を向上させることができる。
【００３７】
サブ画素Ｄ１〜Ｄ３のうち、反射偏光層１９の平面領域が、外光を反射して表示を行う反射表示領域であり、反射偏光層１９の非形成領域のうち画素電極９の形成領域に対応する開口領域１９ａが、バックライトの照明光を透過して表示を行う透過表示領域である。したがって反射表示領域と透過表示領域は画素電極９を平面的に区画している。
なお、図示は省略したが、各サブ画素には図１に示した蓄積容量７０が形成されている。かかる蓄積容量については公知の構成を適用することができる。
【００３８】
図３に示す断面図を見ると、ＴＦＴアレイ基板１０において、ガラスやプラスチック等からなる基板本体１０Ａの液晶層５０側に、ＴＦＴ３０を含む回路層１１が形成されており、かかる回路層１１上に部分的に反射偏光層１９が形成されている。反射偏光層１９を覆って層間絶縁膜１７が形成されている。
【００３９】
反射偏光層１９の形成領域に対応する層間絶縁膜１７上には、複数の光散乱手段２９が散在している。光散乱手段２９は、概略ドーム状（略半球状）に形成された樹脂材料等からなる絶縁体突起物２９ａと、絶縁体突起物２９ａの表面を覆う反射層２９ｂとからなる。反射層２９ｂは、例えば、アルミニウムや銀などの光反射性を有する金属材料の薄膜により形成することができる。
層間絶縁膜１７と光散乱手段２９とを覆って、透明導電膜からなる画素電極９が形成されている。画素電極９を覆うようにしてポリイミド等からなる配向膜（垂直配向膜）１８が形成されている。
【００４０】
なお、図２では図示を省略しているが、画素電極９と回路層１１のＴＦＴ３０とは、両者の間に形成された層間絶縁膜を貫通してＴＦＴ３０のドレイン電極３２に達する画素コンタクトホールを介して電気的に接続されている。本実施形態では、画素電極９と回路層１１との間に反射偏光層１９が配されているため、反射偏光層１９は画素コンタクトホールの形成領域を避けて形成されている。すなわち、金属膜からなる反射偏光層１９と画素電極９とが画素コンタクトホール内で接触しない構成とされている。あるいは、画素コンタクトホールを透過表示領域（開口領域１９ａ）内に形成してもよい。
【００４１】
対向基板２０において、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａの液晶層５０側面には、カラーフィルタ２２Ｂと、共通電極２１と、配向膜（垂直配向膜）２８とが積層されている。カラーフィルタ２２Ｂは、サブ画素領域内で２つの色材領域２２Ｂｒ、２２Ｂｔに区画されており、色材領域２２Ｂｒは、反射表示領域（すなわち反射偏光層１９の形成領域）と重なる領域に設けられ、色材領域２２Ｂｔは、透過表示領域（すなわちサブ画素の開口領域１９ａ）と重なる位置に設けられている。このように反射表示と透過表示のそれぞれで異なる色材領域２２Ｂｒ、２２Ｂｔを用いてカラー表示を行う構成とすることで、各表示モードについて適切な色濃度の表示が可能になり、高画質の表示を得ることができる。
【００４２】
基板本体１０Ａの液晶層５０と反対側には偏光板１４が配設されている。また基板本体２０Ａの液晶層５０と反対側には、位相差板２６と偏光板２４とがこの順に積層されている。位相差板２６は、透過光に対して略λ／４の位相差を付与する位相差板であり、光散乱手段２９の形成領域に対応して、液晶層５０の層厚方向で各光散乱手段２９と対向する位置に選択的に設けられている。
【００４３】
本実施形態では、図３に示すように、絶縁体突起物２９ａを有する光散乱手段２９が形成されていることで、光散乱手段２９の形成領域において、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側の表面が液晶層５０側へ突出している。そして、かかる突起が形成されている結果、光散乱手段２９の形成領域における液晶層５０の層厚が、光散乱手段２９が形成されていない領域（非形成領域）における液晶層５０の層厚よりも薄くなっている。本実施形態の場合、光散乱手段２９の形成領域における平均的な液晶層５０の層厚が、他の領域における層厚ｄの約１／２になっている。このように、本実施形態における光散乱手段２９は、自身の厚み（層間絶縁膜１７からの突出高さ）によって液晶層５０の層厚を他の領域と異ならせる液晶層厚調整層としても機能するものである。
【００４４】
本実施形態では光散乱手段２９が液晶層厚調整層として機能する構成としているが、光散乱手段２９とは別の部材として液晶層厚調整層を設けることもできる。例えば、層間絶縁膜１７上に選択的に樹脂層を形成し、かかる樹脂層上に光散乱手段２９を形成した構成とすることができる。あるいは、光散乱手段２９上に液晶層厚調整層としての樹脂層を積層した構成であってもよい。
【００４５】
このような光散乱手段２９は以下の製造工程により形成することができる。
まず、反射偏光層１９の表面を覆う絶縁被膜上に感光性樹脂材料を塗布し、この感光性樹脂からなる塗膜を露光、現像して柱状突起物を反射偏光層１９上に形成する。その後、加熱により柱状突起物の角部を鈍らせて概略ドーム状とすることで絶縁体突起物２９ａを形成する。そして、アルミニウム等の金属被膜を蒸着などによって形成した後、光散乱手段２９を形成すべき領域をマスクして、金属被膜を各種のエッチング等で除去することで、絶縁体突起物２９ａを覆う反射層２９ｂを形成する。
【００４６】
ここで、図４を参照して反射偏光層１９の構成及び作用を説明する。図４（ａ）は反射偏光層１９の平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＪ−Ｊ’線に沿う側面図である。
【００４７】
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、反射偏光層１９はアルミニウム等の光反射性の金属膜７１を主体としてなり、金属膜７１に所定ピッチで平面視ストライプ状を成す複数の微細なスリット（開口部）７２が形成された構成を備えている。上記複数のスリット７２は、互いに平行に同一幅を有して形成されている。スリット７２の幅は３０ｎｍ〜３００ｎｍ程度であり、複数のスリット７２が所定ピッチで形成された結果細線状とされた金属膜７１の線幅は３０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。
【００４８】
上記構成を具備した反射偏光層１９は、図４（ｂ）に示すように、その上面側から光Ｅが入射すると、スリット７２の長さ方向に平行な偏光成分を反射光Ｅｒとして反射する一方、スリット７２の幅方向に平行な偏光成分を透過光Ｅｔとして透過する。すなわち、反射偏光層１９は、スリット７２の延在方向に平行な反射軸と、この反射軸と直交する方向の透過軸とを有している。
【００４９】
反射偏光層１９は、図５に示すように、液晶装置１００において、その透過軸（スリット７２の延在方向に直交する方向）１５７が、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸１５３と平行に配置されており、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板１４の透過軸１５５と直交して配置されている。
なお、偏光板１４，２４の透過軸とサブ画素領域との位置関係は、特に限定されないが、電圧印加時に形成される液晶ドメインの配向方向に対して交差する向きに配置されることが好ましい。本実施形態の場合には、偏光板１４，２４の透過軸は、図２の水平方向（Ｘ軸方向）及び鉛直上下方向（Ｙ軸方向）に延びる向き（開口スリット９ａ、２１ａの延在方向に対して略４５°で交差する方向）にそれぞれ配置されることが好ましい。このように配置することで、直線偏光モードの本実施形態の液晶表示装置で、サブ画素領域内で部分的に輝度の低い領域（暗部）が生じるのを防止でき、高輝度の表示を得ることができる。
【００５０】
上記構成を具備した液晶装置１００は、垂直配向モードの液晶装置のうち、電極に形成した開口スリット９ａ、２１ａを液晶の配向制御手段として用いるＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）方式の液晶装置であり、ＴＦＴ３０を介して画素電極９に画像信号（電圧）を印加することで、画素電極９と共通電極２１との間に液晶層５０の層厚方向の電界を生じさせ、かかる電界によって液晶を駆動して各々のサブ画素の透過率／反射率を変化させることで画像表示を行うものとなっている。
【００５１】
本実施形態の液晶装置は、ＭＶＡ方式の液晶装置であり、画素電極９に形成された直線状の開口スリット９ａと、共通電極２１に形成された直線状の開口スリット２１ａとにより、垂直配向液晶の電圧印加時の配向状態を制御するようになっている。ここで、図６（ａ）は、開口スリット９ａ、及び開口スリット２１ａによる配向制御作用を説明する概略断面図であって、１サブ画素領域内の液晶層５０と、画素電極９と、共通電極２１とを示す図である。
【００５２】
図６（ａ）及び図２に示すように、液晶装置１００において、電圧変化時に液晶分子５１は、開口スリット９ａ、及び開口スリット２１ａの幅方向両側に向かって倒れるようになっている。すなわち、図２に示す画素電極９において、開口スリット９ａ、２１ａが図中左上がりに延びて形成された領域では、図の右上方に液晶が配向した複数の液晶ドメインが形成される。また画素電極９の走査線３ａ側の開口スリット９ａ、２１ａが図示右上がりに延びて形成された領域では、図の右下方に液晶が配向した複数の液晶ドメインが形成される。また、これらの液晶ドメインの境界は開口スリット９ａ、２１ａ上に固定されるので、垂直配向モードの液晶層を備えた液晶装置において表示品質上の問題とされている斜視時のシミ状のむらを効果的に防止することができ、広い視角範囲で良好な表示が得られるようになっている。
【００５３】
また本実施形態では、垂直配向液晶の配向制御手段として開口スリットを用いているが、係る配向制御手段としては、図６（ｂ）に示すような、誘電体突起２１ｂを共通電極２１上に形成した構成も適用することができる。この場合、誘電体突起２１ｂは開口スリット２１ａとほぼ同様の平面形状を有する凸条として形成する。かかる構成では、誘電体突起２１ｂ表面に形成された垂直配向膜に対して垂直に液晶分子５１が配向するので、誘電体突起２１ｂ周辺の液晶に対してプレチルトが付与されたのと同様の作用を奏する。そのため、誘電体突起２１ｂを設けることによっても、良好に液晶分子５１の配向方向を制御でき、広い視角範囲で良好な表示が得られるようになる。
なお、画素電極９に設けられた開口スリット９ａに代えて誘電体突起を設けてもよいのは勿論であり、開口スリット９ａ、２１ａの平面領域内にさらに誘電体突起を設けた構成とすることもできる。
【００５４】
次に、上記構成を具備した液晶装置１００の動作について図５を参照して説明する。図５は、液晶装置１００の動作説明図である。同図には図３に示した構成要素のうち、説明に必要な構成要素のみを示している。図示上側（パネル表示面側）から順に、偏光板２４、位相差板２６、液晶層５０、光散乱手段２９、反射偏光層１９、偏光板１４、及びバックライト９０が示されている。
【００５５】
まず、図２及び図３に示した透過表示領域（開口領域１９ａ）を利用した透過表示（透過モード）について説明する。
図５左側の「透過表示」に示すように、液晶装置１００において、バックライト９０から射出された光は、偏光板１４を透過することで偏光板１４の透過軸１５５に平行な振動方向の直線偏光となって液晶パネルに入射する。液晶パネルに入射した光は反射偏光層１９の開口領域１９ａを透過して液晶層５０に入射する。そして、液晶層５０がオン状態（画素電極９と共通電極２１との間に選択電圧が印加された状態）であれば、上記入射光は液晶層５０により所定の位相差（λ／２）を付与され、偏光板２４の透過軸１５３と平行な振動方向の直線偏光に変換される。これにより偏光板２４を透過した光が表示光として視認され、サブ画素は明表示となる。
【００５６】
一方、液晶層５０がオフ状態（上記選択電圧が印加されていない状態）であれば、入射光はその偏光状態を維持したまま偏光板２４に達し、当該入射光と平行な吸収軸（透過軸１５３と直交する光学軸）を有する偏光板２４に吸収され、サブ画素は暗表示となる。
また、偏光板１４を透過した光のうち反射偏光層１９に入射した光は、この直線偏光と平行な反射軸を有する反射偏光層１９によって反射されるので、液晶層５０に入射することなくバックライト９０側へ戻される。この反射光は偏光板１４の透過軸と平行な振動方向の直線偏光であるから、偏光板１４を透過してバックライト９０の反射板９２に達し、反射板９２と反射偏光層１９との間で反射を繰り返す。このような反射を繰り返す光が開口領域１９ａに入射すれば、透過表示の表示光として利用できるので、バックライト９０の光利用効率を高め、透過表示の輝度を向上させることができる。
【００５７】
次に、図２及び図３に示した反射偏光層１９を利用した反射表示について説明する。
図５中央の「反射表示（反射偏光層）」と表示された部分の反射表示において、偏光板２４の上方（パネル表示面側）から液晶パネルに入射した光は、偏光板２４を透過することで偏光板２４の透過軸１５３に平行な直線偏光に変換されて液晶層５０に入射する。このとき液晶層５０がオン状態であれば、上記入射光は液晶層５０により所定の位相差（λ／２）を付与され、入射時と直交する振動方向の直線偏光に変換されて反射偏光層１９に入射する。ここで、反射偏光層１９は、偏光板２４の透過軸１５３と平行な透過軸１５７と、それに直交する反射軸を有しているので、上記オン状態の液晶層５０を透過して反射偏光層１９に入射した光は、その偏光状態を保持したまま反射される。再度液晶層５０に入射した反射光は、液晶層５０の作用により入射時の偏光状態（偏光板２４の透過軸と平行な振動方向の直線偏光）に戻されて偏光板２４に入射する。これにより偏光板２４を透過した反射光が表示光として視認され、サブ画素は明表示となる。
【００５８】
一方、液晶層５０がオフ状態であれば、偏光板２４から液晶層５０に入射した光は、その偏光状態を維持したまま反射偏光層１９に入射し、当該光と平行な透過軸１５７を有する反射偏光層１９を透過する。そして、この光と平行な吸収軸（直交する透過軸）を有する偏光板１４によって吸収され、サブ画素は暗表示となる。
【００５９】
次に、図２及び図３に示した光散乱手段２９（反射層２９ｂ）を利用した反射表示について説明する。
図５右側の「反射表示（反射層）」と表示された部分の反射表示において、偏光板２４の上方（パネル表示面側）から液晶パネルに入射した光は、偏光板２４を透過することで偏光板２４の透過軸１５３に平行な振動方向の直線偏光に変換され、さらに位相差板２６を透過して左回りの円偏光に変換されて液晶層５０に入射する。ここで、光散乱手段２９の形成領域にあっては、絶縁体突起物２９ａの厚みによって液晶層５０の層厚が部分的に薄くなっており、他の領域（反射偏光層１９と液晶層５０とが対向する領域、及び開口領域１９ａ）の層厚ｄの略半分の層厚（ｄ／２）となっている。したがって、液晶層５０がオン状態であるときの上記入射光が液晶層５０により付与される位相差は、反射偏光層１９に入射する光の半分の位相差（λ／４）である。これにより、上記入射光は偏光板２４の透過軸１５３と直交する振動方向の直線偏光に変換されて光散乱手段２９（反射層２９ｂ）に入射する。この直線偏光は、その偏光状態を保持したまま反射されるが、反射層２９ｂの凸形状により散乱された光となる。その後、上記反射光は液晶層５０に再度入射し、さらに液晶層５０の作用により左回りの円偏光となって位相差板２６に入射する。そして、位相差板２６を透過して偏光板２４の透過軸１５３と平行な振動方向の直線偏光となり、偏光板２４を透過する。これにより偏光板２４を透過した反射光が表示光として視認され、サブ画素は明表示となる。
【００６０】
一方、液晶層５０がオフ状態であれば、位相差板２６から液晶層５０に入射した光は、その偏光状態を維持したまま光散乱手段２９に入射し、反射層２９ｂにより反射される。このとき、左回りの円偏光である入射光の進行方向が反転するため、偏光板２４側からみた回転方向が逆転し、右回りの円偏光となって液晶層５０に再入射する。そして、液晶層５０を透過して位相差板２６に入射する。その後、位相差板２６を透過して偏光板２４の透過軸１５３と直交する振動方向の直線偏光となって偏光板２４に入射し、偏光板２４によって吸収される。これにより、サブ画素は暗表示となる。
【００６１】
なお、光散乱手段２９の形成領域では、液晶層厚が他の領域よりも薄くなっており、本実施形態ではその層厚を他の領域の液晶層厚ｄの略半分であるとしたが、光散乱手段２９の形成領域における液晶層５０で所定の位相差（λ／４）が得られるならば、液晶層厚は特に限定されない。
【００６２】
このように、本実施形態の液晶装置１００は、サブ画素領域内に部分的に反射偏光層１９を設けた構成を採用したことで、簡便な構成で高コントラストの反射表示及び透過表示を得られるものとなっている。また、反射偏光層１９上に光散乱手段２９を設けたことで、反射光の一部を散乱させることができるようになっているため、パネル正面方向の反射輝度を確保でき、また反射表示領域における外光の正反射によって反射表示の視認性が低下するのを防止できる。したがって反射表示と透過表示の双方で視認性に優れた表示を得ることができる。
【００６３】
ところで、反射型液晶装置の反射層に光散乱性を付与するための構造は従来から知られており、例えば表面に凹凸形状を形成した樹脂膜上に反射層を形成することで光散乱性を有する反射層を実現できる。そして、このような凹凸構造を反射偏光層１９について採用すれば、確かに光散乱性を有する反射偏光層を作製できる。しかしながら、本実施形態で用いている反射偏光層１９を作製するには、先に記載のように幅数十ｎｍの微細な線幅でグリッド状の細線を形成する必要があるため、上述した樹脂膜の凹凸面に対して正確な線幅で細線を形成することはきわめて困難である。これに対して本実施形態では、反射偏光層１９を形成した後、反射偏光層１９上に層間絶縁膜１７を介して絶縁体突起物２９ａを形成し、かかる絶縁体突起物２９ａ上を反射層２９ｂで被覆することにより光散乱手段２９を形成している。そのため、反射偏光層１９を平坦面上に形成することができ、これにより反射偏光層を構成する細線を正確な線幅で形成でき、良好な偏光の選択性を有する反射偏光層を作製することができる。また、光散乱手段２９についても、平坦な反射偏光層１９上に形成できることから、液晶層厚を制御する絶縁体突起物２９ａの高さを正確に調整でき、コントラスト低下を招くことなく反射表示に光散乱性を付与することができる。また、反射表示を行うための反射偏光層１９が、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられているので、ＴＦＴ３０とともにＴＦＴアレイ基板１０上に形成される金属配線等で外光が反射されて表示品質を低下させるのを効果的に防止することができる。
【００６４】
＜第１変形例＞
以上の第１実施形態では、対向基板２０の基板本体２０Ａと偏光板２４との間に位相差板２６を設けた場合について説明したが、かかる位相差板２６と同等の機能を有する位相差層を対向基板２０の液晶層５０側面に形成してもよい。図７は、第１実施形態の変形例に係る液晶装置１００Ａを示す部分断面図である。液晶装置１００Ａは、対向基板２０の液晶層５０側に内面位相差層２６ａが形成された構成を備えている。液晶装置１００Ａでは、対向基板２０の液晶層５０側に選択的に内面位相差層２６ａを形成していることから、内面位相差層２６ａの形成領域の対向基板２０の表面が液晶層５０側へ突出している。すなわち内面位相差層２６ａが光散乱手段２９上における液晶層厚調整層として機能する構成となっている。
【００６５】
また、このように内面位相差層２６ａの層厚に起因して液晶層厚を調整可能である場合には、図７のＴＦＴアレイ基板１０のように、光散乱手段２９の高さを低くして光散乱手段２９を覆う平坦化層３８を形成し、光散乱手段２９に起因するＴＦＴアレイ基板１０表面の凹凸が緩和されるようにしてもよい。このようにすれば、画素電極９を比較的平坦な面に形成できるため、光散乱手段２９よりも液晶層５０側に位置する画素電極９及びその開口スリット９ａを精度よく形成できるという利点がある。
【００６６】
なお、対向基板２０の液晶層側に内面位相差層２６ａを形成する場合において、内面位相差層２６ａを覆う平坦化膜を形成して対向基板２０表面を平坦化してもよい。この場合には、図３に示したのと同様の構成のＴＦＴアレイ基板１０を用い、光散乱手段２９を液晶層厚調整層として機能させる構成とすればよい。
【００６７】
＜第２変形例＞
また上記第１実施形態では、ＭＶＡ方式の液晶装置を例示して説明したが、本発明はＣＰＡ（Continuous Pinwheel Alignment）方式の垂直配向モード液晶装置にも適用することができる。図８は、本発明をＣＰＡ方式の液晶装置に適用した変形例に係る液晶装置１００Ｂの画素構成を示す平面図であり、図９は、図８のＢ−Ｂ’線に沿う液晶装置の断面図である。なお、図８及び図９において、図２と共通の構成要素には同一の符号を付している。
【００６８】
本構成例の液晶装置１００Ｂは、図９に示すように、液晶層５０を挟持して対向するＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０と、ＴＦＴアレイ基板１０の外面側に配設されたバックライト９０とを備えている。
図８に示すように、本例に係る液晶装置のサブ画素Ｄ１〜Ｄ３に形成された画素電極９は、データ線６ａの延在方向に配列された３個の島状部９９ａ、９９ｂ、９９ｃと、これらの島状部を互いに電気的に接続する連結部９９ｄ、９９ｅと、を備えている。すなわち、本例では、各々のサブ画素が島状部９９ａ〜９９ｃとほぼ同じ形状の３つのサブドットに分割された構成である。
【００６９】
カラーフィルタを備えた液晶装置では、１つのサブ画素の縦横比が約３：１となるので、本例のように１つのサブ画素Ｄに３つのサブドット（島状部９９ａ〜９９ｃ）を設けると、各サブドットの形状を円形や正多角形に近づけることができ、３６０°全方向に広視野角化するのに好ましい。各サブドット（島状部９９ａ〜９９ｃ）の形状は、図８では角を丸めた四角形状であるが、これに限らず、例えば円形状や八角形状、その他の多角形状のものとすることができる。また換言すれば、画素電極９において、各島状部９９ａ、９９ｂ、９９ｃの間には、電極を部分的に切り欠いた形状のスリット（連結部９９ｄ、９９ｅを除いた部分）が形成されていることになる。
【００７０】
そして、各島状部９９ａ、９９ｂ、９９ｃの中央部にあたる位置には、対向基板２０の共通電極２１上に誘電体突起（配向制御手段）２１ｂが形成されている。１つのサブ画素において、３つの島状部９９ａ〜９９ｃのうち、ＴＦＴ３０に近い側の島状部９９ａと、ＴＦＴ３０から離れた位置の島状部９９ｃの平面領域に対応して、反射偏光層１９が形成されている。画素全体でみると、走査線３ａの延在方向に沿って配列された複数の島状部９９ａにわたって帯状の反射偏光層１９が延在しており、複数の島状部９９ｃにわたって他の帯状の反射偏光層１９が延在している。
【００７１】
したがって、反射偏光層１９と平面的に重なっている島状部９９ａ、９９ｃの平面領域が、当該サブ画素の反射表示領域であり、反射偏光層１９の開口領域１９ａ（帯状の反射偏光層１９の間の領域）に位置する島状部９９ｂに対応する領域が当該サブ画素の透過表示領域である。また、反射表示領域を構成する島状部９９ａ、９９ｃの平面領域内には、平面視略円形状の複数の光散乱手段２９が散在している。
【００７２】
図９に示す断面構造において、ＴＦＴアレイ基板１０の構成は、画素電極９の形状が変更されている以外は第１実施形態の液晶装置１００と同様である。一方、対向基板２０では、共通電極２１上に液晶層５０側へ突出する３つの誘電体突起２１ｂが形成されており、かかる誘電体突起２１ｂと共通電極２１とを覆うようにして配向膜２８が形成されている。
【００７３】
上記構成を備えた液晶装置１００Ｂでは、画素電極９を構成する島状部９９ａ〜９９ｃの辺縁部と、島状部９９ａ〜９９ｃの中央部に配置された誘電体突起２１ｂとによる配向制御作用により、電圧印加時には、図８に示すように、各々の誘電体突起２１ｂを中心とする略放射状に液晶分子５１を配向させる。これにより、全方位で高コントラストの表示を得られるようになっている。
【００７４】
また本例の液晶装置１００Ｂにおいても、反射偏光層１９の形成領域内に光散乱手段２９が散在しているので、反射光を散乱させて反射表示の輝度向上、及び視認性の向上を実現できる。なお、本例においても、光散乱手段２９は島状部９９ａ、９９ｃの平面領域内にのみ配置しているが、反射偏光層１９上であれば任意の位置に配置することができる。
【００７５】
（第２の実施形態）
次に、図１０から図１３を参照して本発明の第２実施形態の液晶装置について説明する。
図１０は、本実施形態の液晶装置２００における１画素領域（３つのサブ画素領域）を示す平面図である。図１１は、図１０のＤ−Ｄ’線に沿う断面図である。図１２は、反射偏光層の構成及び作用を説明するための図である。図１３は、本実施形態の液晶装置２００の動作説明図である。
【００７６】
なお、本実施形態の液晶装置２００の基本構成は先の第１実施形態と同様であり、図１０は第１実施形態における図２に相当する図であり、図１１、図１３は、それぞれ第１実施形態における図３、図５に相当する図である。したがって本実施形態で参照する各図において、図１から図５に示した第１実施形態の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれらの説明を適宜省略する。
【００７７】
図１０に示すように、本実施形態の液晶装置２００のサブ画素領域には、先の第１実施形態と同様の構成を備えた画素電極９と、画素電極９と電気的に接続されたＴＦＴ３０とが設けられている。そして、図１０に示すサブ画素領域には、概略平面ベタ状を成す反射偏光層３９が形成されており、サブ画素領域のほぼ全体に平面視略円形状の光散乱手段２９が散在している。
【００７８】
図１１に示す断面構造をみると、液晶装置２００は、液晶層５０を挟持して対向するＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と、対向基板（第２基板）２０とを備えており、ＴＦＴアレイ基板１０の背面側（図示下面側）にバックライト９０が設けられている。対向基板２０の構成は第１実施形態と同様であるから、その詳細な説明は省略する。
【００７９】
ＴＦＴアレイ基板１０の基体を成す基板本体１０Ａ上には、平面ベタ状の反射偏光層３９が形成されている。反射偏光層３９上には、ＴＦＴ３０等を含む回路層１１が形成されている。回路層１１上に概略ドーム状（略半球状）の突起物である光散乱手段２９が散在している。光散乱手段２９を覆うようにしてＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９が形成されている。画素電極９を覆って配向膜１８が形成されている。
【００８０】
ここで、図１２（ａ）は、反射偏光層３９の斜視図であり、図１２（ｂ）は、反射偏光層３９の作用を説明するための側面図である。
本実施形態の液晶装置２００に備えられた反射偏光層３９は、図１２（ａ）に示すように、基板本体１０Ａ上に形成されるアクリル樹脂等の熱硬化性または光硬化性の透明樹脂からなるプリズムアレイ８１と、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を交互に複数積層してなる誘電体干渉膜８５とを備えて構成されている。
【００８１】
プリズムアレイ８１は、２つの斜面を有する三角柱状（プリズム形状）の複数の凸条８２を有しており、複数の凸条８２が連続して周期的に形成されることにより断面三角波状を成すプリズムアレイを構成している。誘電体干渉膜８５は、屈折率の異なる２種の材料からなる誘電体膜が、複数の凸条８２の斜面に倣う形状に交互に積層されたプリズム状誘電体多層膜であり、例えば、ＴｉＯ２膜とＳｉＯ２膜とを交互に７層積層することで形成できる。
【００８２】
図１２では図示を省略しているが、誘電体干渉膜８５の上面は樹脂層により覆われて平坦化されている。このように、プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜８５は、光の伝搬特性に異方性を有しており、図１２（ｂ）の上面側から光（自然光）Ｅが入射された場合には、凸条８２の延在方向に平行な偏光成分を反射し、凸条８２の延在方向に垂直な偏光成分を透過するようになっている。すなわち、図１０及び図１１に示す反射偏光層３９は、凸条８２の延在方向と平行な反射軸と、凸条８２の延在方向に垂直な透過軸を有していることになる。
【００８３】
本実施形態の液晶装置２００では、反射偏光層３９の反射軸と平行な直線偏光をバックライト９０側から入射させて透過表示を行うようになっており、図１３に示すように、偏光板１４の透過軸１５５と、反射偏光層３９の透過軸１５９とが直交するように配置されることで、偏光板１４の透過軸１５５と反射偏光層３９の反射軸（凸条８２の延在方向）とが略平行となるように配置されている。また反射偏光層３９の透過軸に対して、偏光板２４の透過軸１５３は平行に配置されている。
【００８４】
図１２に示す誘電体干渉膜８５を構成する１層の誘電体膜の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であり、誘電体干渉膜８５の総膜厚は３００ｎｍ〜１μｍ程度である。プリズムアレイ８１の凸条８２の高さは０．５μｍ〜３μｍであり、隣接する凸条８２，８２間のピッチは１μｍ〜６μｍ程度である。上記誘電体膜の材料としては、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２のほか、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｉ等を用いることもできる。
【００８５】
なお、誘電体干渉膜８５を構成する誘電体膜の積層ピッチおよび凸条８２のピッチは、目的とする反射偏光層３９の特性に応じて適宜最適な値に調整される。すなわち、上記構成の反射偏光層３９は、誘電体干渉膜８５を構成する誘電体膜の積層数によってその透過率（反射率）を制御することができ、積層数を減ずることで、反射軸（凸条８２の延在方向）に平行な直線偏光の透過率を増大させ、反射率を低下させることができる。ただし、所定数以上の誘電体膜を積層した場合には、反射軸に平行な直線偏光のほとんどが反射される。本実施形態に係る反射偏光層３９では、上記誘電体干渉膜８５の調整により、入射してくる反射軸に平行な直線偏光のうち、約７０％を反射し、残り約３０％を透過するよう設定されている。
【００８６】
次に、図１３を参照して液晶装置２００の動作について説明する。図１３には、以下の動作説明で必要な構成要素である、偏光板２４、位相差板２６、液晶層５０、光散乱手段２９、反射偏光層３９、偏光板１４、及びバックライト９０が図示上側（パネル表示面側）から順に示されている。
【００８７】
まず、図１３左側に示す「透過表示」（透過モード）について説明する。
液晶装置２００において、バックライト９０から射出された光は、偏光板１４を透過することで偏光板１４の透過軸１５５に平行な振動方向の直線偏光となって反射偏光層３９に入射し、反射偏光層３９の反射軸（透過軸１５９に直交する光学軸）に平行な直線偏光であるこの入射光の一部（約３０％）が、反射偏光層３９を透過して液晶層５０に入射する。そして、液晶層５０がオン状態（画素電極９と共通電極２１との間に選択電圧が印加された状態）であれば、上記入射光は液晶層５０により所定の位相差（λ／２）を付与され、偏光板２４の透過軸１５３と平行な振動方向の直線偏光に変換されて偏光板２４を透過する。この偏光板２４の透過光が表示光として視認され、サブ画素は明表示となる。
【００８８】
一方、液晶層５０がオフ状態（上記選択電圧が印加されていない状態）であれば、反射偏光層３９を透過して液晶層５０に入射した光は、その偏光状態を維持したまま偏光板２４に達し、当該入射光と平行な吸収軸（透過軸１５３と直交する光学軸）を有する偏光板２４に吸収され、サブ画素は暗表示となる。
【００８９】
なお、偏光板１４を透過して反射偏光層３９に入射する光のうち、反射偏光層３９で反射される光については、偏光板１４を再度透過してバックライト９０側へ戻される。そして、この戻り光はバックライト９０の反射板９２により反射されて再び液晶パネル側へ向かう光となって再利用されるため、実際に反射偏光層３９を透過する光量は反射偏光層３９の透過率よりも多くなり、照明光の利用効率が著しく低くなることはない。
また本実施形態の液晶装置では、反射偏光層３９を透過した直線偏光の一部が、光散乱手段２９の裏面側（基板本体１０Ａ側）に入射する構成になっている。この光についても、光散乱手段２９の絶縁体突起物２９ａが透明材料を用いて形成されていれば、上記直線偏光は光散乱手段２９の反射層２９ｂで反射されてバックライト９０側へ戻され、反射偏光層３９で反射された光と同様に再利用される。
【００９０】
次に、図１３中央に示す「反射表示（反射偏光層）」について説明する。
反射偏光層３９を利用した反射表示において、偏光板２４の上方（外側）から入射した光は、偏光板２４を透過することで偏光板２４の透過軸１５３に平行な振動方向の直線偏光となって液晶層５０に入射する。このとき液晶層５０がオン状態であれば、上記入射光は液晶層５０により所定の位相差（λ／２）を付与されて反射偏光層３９に入射する。反射偏光層３９は、偏光板１４の透過軸１５３と平行な透過軸１５９と、それに直交する反射軸を有しているので、上記オン状態の液晶層５０を透過して反射偏光層３９に入射した光は、その一部（約７０％）が偏光状態を保持したまま反射され、残部（約３０％）が反射偏光層３９を透過する。反射偏光層３９で反射されて再度液晶層５０に入射した光は、液晶層５０の作用により入射時の偏光状態（偏光板２４の透過軸と平行な直線偏光）に戻されて偏光板２４に入射する。これにより偏光板２４を透過した反射光が表示光として視認され、サブ画素は明表示となる。
【００９１】
ところで、オン状態の液晶層５０から反射偏光層３９に入射する光のうち、反射偏光層３９を透過した直線偏光成分は、その偏光方向と平行な透過軸１５５を有する偏光板１４を透過してバックライト９０に入射する。そして、バックライト９０に入射した光は、反射板９２により反射されて液晶層５０側へ戻され、その一部は反射偏光層３９を透過して液晶層５０に入射し、上記明表示の表示光として利用される。したがって、本実施形態の液晶装置２００では、反射偏光層３９における反射軸に平行な直線偏光の反射率が７０％程度に設定されているが、反射偏光層３９を透過してバックライト９０側へ抜けた光も表示光として利用可能であるため、明るい反射表示を得られるようになっている。
【００９２】
一方、液晶層５０がオフ状態であれば、偏光板２４から液晶層５０に入射した光は、その偏光状態を維持したまま反射偏光層３９に入射し、当該光と平行な透過軸１５９を有する反射偏光層３９を透過する。そして、この光と平行な吸収軸を有する偏光板１４によって吸収され、サブ画素は暗表示となる。
【００９３】
次に、図１３右側の「反射表示（反射層）」と表示された部分の反射表示では、偏光板２４の上方（パネル表示面側）から液晶パネルに入射した光は、偏光板２４を透過することで偏光板２４の透過軸１５３に平行な振動方向の直線偏光に変換され、さらに位相差板２６を透過して左回りの円偏光に変換されて液晶層５０に入射する。ここで、光散乱手段２９の形成領域にあっては、絶縁体突起物２９ａの厚みによって液晶層５０の層厚が部分的に薄くなっており、他の領域の層厚ｄの略半分の層厚（ｄ／２）となっている。したがって、液晶層５０がオン状態であるときの上記入射光が液晶層５０により付与される位相差は、反射偏光層３９に入射する光の半分の位相差（λ／４）である。これにより、上記入射光は偏光板２４の透過軸１５３と直交する振動方向の直線偏光に変換されて光散乱手段２９（反射層２９ｂ）に入射する。この直線偏光は、その偏光状態を保持したまま反射されるが、反射層２９ｂの凸形状により散乱された光となる。その後、上記反射光は液晶層５０に入射し、さらに液晶層５０の作用により左回りの円偏光となって位相差板２６に入射する。そして、位相差板２６を透過して偏光板２４の透過軸１５３と平行な振動方向の直線偏光となり、偏光板２４を透過する。これにより偏光板２４を透過した反射光が表示光として視認され、サブ画素は明表示となる。
【００９４】
一方、液晶層５０がオフ状態であれば、位相差板２６から液晶層５０に入射した光は、その偏光状態を維持したまま光散乱手段２９に入射し、反射層２９ｂにより反射される。このとき、左回りの円偏光である入射光の進行方向が反転するため、偏光板２４側からみた回転方向が逆転し、右回りの円偏光となって液晶層５０に再入射する。そして、液晶層５０を透過して位相差板２６に入射し、位相差板２６を透過して偏光板２４の透過軸１５３と直交する振動方向の直線偏光となって偏光板２４に入射し、偏光板２４によって吸収される。これにより、サブ画素は暗表示となる。
【００９５】
なお、光散乱手段２９の形成領域では、液晶層厚が他の領域よりも薄くなっており、本実施形態ではその層厚を他の領域の液晶層厚ｄの略半分であるとしたが、光散乱手段２９の形成領域における液晶層５０で所定の位相差（λ／４）が得られるならば、液晶層厚は特に限定されない。
【００９６】
上記構成を具備した液晶装置２００は、回路層１１の下層側（基板本体１０Ａ側）に、平面ベタ状に反射偏光層３９を形成しているので、反射偏光層３９のサブ画素領域に対する位置合わせが不要であり、簡便な工程で低コストに形成できるという利点がある。また、本実施形態のように反射偏光層３９を回路層１１よりも基板本体１０Ａ側に設ける構造とすれば、ＴＦＴ３０が設けられた回路層１１と画素電極９とを電気的にする画素コンタクトホールを浅くでき、形成も容易になるので、画素コンタクトホールを介した導電接続構造の電気的信頼性を高めることができる。また画素コンタクトホールの開口径を小さくできるので、画素コンタクトホールの周辺での液晶の配向乱れを抑えることができる。
【００９７】
また、先の第１実施形態の液晶装置１００と同様、光散乱手段２９をサブ画素領域内に配していることで、反射光を散乱させて反射表示の輝度向上、及び視認性の向上を実現できる。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０上に反射表示を行うための反射偏光層３９が設けられているので、ＴＦＴアレイ基板１０を液晶装置の表示面側に配置する必要が無い。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０をパネル表示面側に配置した場合のような金属配線等による外光の乱反射が生じることが無く、視認性に優れる液晶装置とすることができる。
【００９８】
なお、本実施形態では、基板本体１０Ａの直上に反射偏光層３９を配置しているが、反射偏光層３９の形成位置は本実施形態の構成に限定されるものではない。すなわち、回路層１１と画素電極９との間に反射偏光層３９を形成してもよく、回路層１１を構成する複数の配線層のいずれかに反射偏光層３９を形成してもよい。
また、光散乱手段２９についても、本実施形態では画素電極９の直下に形成して反射層２９ｂが電極の一部を構成するようにしているが、光散乱手段２９は反射偏光層３９の液晶層５０側に形成されていればよい。したがって、光散乱手段２９と画素電極９との間に絶縁層を設けてもよく、光散乱手段２９を反射偏光層３９と回路層１１との間に形成してもよい。さらには、光散乱手段２９を、回路層１１を構成する複数の配線層のいずれかに形成してもよい。
また本実施形態において、図７から図９に示した第１及び第２変形例に係る構成を採用してもよいのは勿論である。
【００９９】
（第３の実施形態）
次に、図１４から図１６を参照して本発明の第３実施形態の液晶装置について説明する。
図１４は、本実施形態の液晶装置３００における任意の１画素領域（３つのサブ画素領域）を示す平面図である。図１５は、図１４のＦ−Ｆ’線に沿う断面図である。図１６は本実施形態の液晶装置３００の動作説明図である。
【０１００】
なお、本実施形態の液晶装置３００の基本構成は先の第１実施形態と同様であり、図１４は第１実施形態における図２に相当する図である。図１５及び図１６は、それぞれ第１実施形態における図３、図５に相当する図である。したがって本実施形態で参照する各図において、図１から図５に示した第１実施形態の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれらの説明を適宜省略する。
【０１０１】
図１４に示すように、本実施形態の液晶装置３００のサブ画素領域には、第１実施形態の液晶装置１００と同様の画素電極９と、画素電極９と電気的に接続されたＴＦＴ３０とが設けられている。そして、図１４に示すサブ画素領域には部分的に反射偏光層１９が形成されており、さらに概略平面ベタ状の位相差層５９が形成されている。反射偏光層１９の形成領域には、平面視略円形状の光散乱手段２９が散在している。
【０１０２】
図１５に示す断面構造をみると、液晶装置３００は、液晶層５０を挟持して対向するＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と、対向基板（第２基板）２０とを備えており、ＴＦＴアレイ基板１０の背面側（図示下面側）にバックライト９０が設けられている。また本実施形態に係る対向基板２０は、基板本体２０Ａと偏光板２４との間に配設されたフィルム状の位相差板５６を備えたものとなっている。
【０１０３】
ＴＦＴアレイ基板１０の基体を成す基板本体１０Ａ上に、ＴＦＴ３０等を含む回路層１１が形成されている。回路層１１上に、部分的に反射偏光層１９が形成されている。反射偏光層１９は、図４に示したスリット状の開口部を備えた金属膜からなる反射偏光層であってもよく、図９に示したプリズム状の誘電体多層膜からなる反射偏光層であってもよい。
【０１０４】
反射偏光層１９上を含む回路層１１上に、概略平面ベタ状の位相差層５９が形成されている。位相差層５９を覆って層間絶縁膜１７が形成されている。位相差層５９は、対向基板２０の位相差板５６と同様、透過光に対して略λ／４の位相差を付与するものであり、所定方向に配向された高分子液晶等からなるものを用いることができる。位相差層５９と位相差板５６とは、互いに補償し合う光学軸配置となっている。
【０１０５】
反射偏光層１９の形成領域に対応する位相差層５９上の領域に、概略ドーム状（略半球状）の突起物である光散乱手段２９が散在している。光散乱手段２９を覆うようにして、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９が形成されている。画素電極９を覆うようにして配向膜１８が形成されている。
【０１０６】
本実施形態の液晶装置３００における各光学素子の光学軸配置は、先の第１実施形態と同様である。すなわち、図１６に示すように、偏光板１４の透過軸１５５と、反射偏光層１９の透過軸１５７とが直交して配置されている。また反射偏光層１９の透過軸１５７に対して、偏光板２４の透過軸１５３は平行に配置されている。
【０１０７】
次に、上記構成を具備した液晶装置３００の動作について図１６を参照して説明する。図１６には図１５に示した構成要素のうち、説明に必要な構成要素のみが示されており、図示上側（パネル表示面側）から順に、偏光板２４、位相差板５６、液晶層５０、光散乱手段２９、位相差層５９、反射偏光層１９、偏光板１４、及びバックライト９０が示されている。
【０１０８】
まず、反射偏光層１９の外側の光透過領域（透過表示領域）を利用した透過表示（透過モード）について説明する。
図１６左側の「透過表示」に示すように、液晶装置３００において、バックライト９０から射出された光は、偏光板１４を透過することで偏光板１４の透過軸１５５に平行な振動方向の直線偏光となって液晶パネルに入射する。液晶パネルに入射した光は、位相差層５９に入射して所定の位相差（λ／４）を付与され、右回りの円偏光に変換されて液晶層５０に入射する。そして、液晶層５０がオン状態（画素電極９と共通電極２１との間に選択電圧が印加された状態）であれば、上記入射光は液晶層５０により所定の位相差（λ／２）を付与され、左回りの円偏光となって位相差板５６に入射する。位相差板５６に入射した光は位相差板５６により所定の位相差（λ／４）を付与されて偏光板２４の透過軸１５３と平行な振動方向の直線偏光に変換される。これにより偏光板２４を透過した光が表示光として視認され、サブ画素は明表示となる。
【０１０９】
一方、液晶層５０がオフ状態（上記選択電圧が印加されていない状態）であれば、位相差層５９から液晶層５０に入射した光はその偏光状態を維持したまま位相差板５６に達し、位相差板５６を透過することで偏光板２４の吸収軸（透過軸１５３と直交する光学軸）と平行な振動方向の直線偏光となって偏光板２４に入射し、そこで吸収される。これにより、サブ画素は暗表示となる。
【０１１０】
また、偏光板１４を透過した光のうち、反射偏光層１９に入射した光は、この直線偏光と平行な反射軸を有する反射偏光層１９によって反射されるので、液晶層５０に入射することなくバックライト９０側へ戻される。この反射光は偏光板１４の透過軸と平行な振動方向の直線偏光であるから、偏光板１４を透過してバックライト９０の反射板９２に達し、反射板９２と反射偏光層１９との間で反射を繰り返す。このような反射を繰り返す光が液晶パネルの光透過領域に入射すれば、透過表示の表示光として利用できるので、バックライト９０の光利用効率を高め、透過表示の輝度を向上させることができる。
【０１１１】
次に、反射偏光層１９を利用した反射表示について説明する。
図１６中央の「反射表示（反射偏光層）」と表示された部分の反射表示において、偏光板２４の上方（パネル表示面側）から液晶パネルに入射した光は、偏光板２４を透過することで偏光板２４の透過軸１５３に平行な直線偏光となって位相差板５６に入射する。次いで位相差板５６を透過することで、左回りの円偏光となって液晶層５０に入射する。このとき液晶層５０がオン状態であれば、上記入射光は液晶層５０により所定の位相差（λ／２）を付与され、入射時と反対の右回りの円偏光に変換されて位相差層５９に入射する。位相差層５９に入射した右回りの円偏光は、反射偏光層１９の反射軸（透過軸１５７と直交する軸）と平行な振動方向の直線偏光となって反射偏光層１９に入射し、その偏光状態を保持したまま反射される。再度位相差層５９に入射した反射光は、位相差層５９の作用により右回りの円偏光となって液晶層５０に入射し、さらに液晶層５０の作用により左回りの円偏光となって位相差板５６に入射する。そして位相差板５６により偏光板２４の透過軸と平行な振動方向の直線偏光に変換されて偏光板２４に入射し、偏光板２４を透過した反射光が表示光として視認され、サブ画素は明表示となる。
【０１１２】
一方、液晶層５０がオフ状態であれば、偏光板２４から位相差板５６を介して液晶層５０に入射した光（左回りの円偏光）は、その偏光状態を維持したまま位相差層５９に入射し、位相差層５９によって反射偏光層１９の透過軸と平行な振動方向の直線偏光となって反射偏光層１９に入射する。そして、反射偏光層１９を透過した後、この光と平行な吸収軸（直交する透過軸）を有する偏光板１４によって吸収され、サブ画素は暗表示となる。
なお、反射偏光層１９の外側の透過表示領域（開口領域１９ａ）に入射した外光は、液晶層５０がオフ状態であれば偏光板１４の透過軸と直交する振動方向の直線偏光となって偏光板１４に入射するので、偏光板１４によって吸収される。そのため不要な外光反射を生じることはない。
【０１１３】
次に、図１６右側の「反射表示（反射層）」と表示された部分に示すように、偏光板２４の上方（パネル表示面側）から液晶パネルに入射した光は、偏光板２４を透過することで偏光板２４の透過軸１５３に平行な振動方向の直線偏光に変換され、さらに位相差板５６を透過して左回りの円偏光に変換されて液晶層５０に入射する。このとき、液晶層５０がオン状態であれば、上記入射光は偏光板２４の透過軸１５３と直交する振動方向の直線偏光に変換されて光散乱手段２９（反射層２９ｂ）に入射する。この直線偏光は、その偏光状態を保持したまま反射されるが、反射層２９ｂの凸形状により散乱された光となる。その後、上記反射光は液晶層５０に入射し、液晶層５０の作用により左回りの円偏光となって位相差板２６に入射する。そして、位相差板２６を透過して偏光板２４の透過軸１５３と平行な振動方向の直線偏光となり、偏光板２４を透過する。これにより偏光板２４を透過した反射光が表示光として視認され、サブ画素は明表示となる。
【０１１４】
一方、液晶層５０がオフ状態であれば、位相差板５６から液晶層５０に入射した光は、その偏光状態を維持したまま光散乱手段２９に入射し、反射層２９ｂにより反射される。このとき、左回りの円偏光である入射光の進行方向が反転するため、偏光板２４側からみた回転方向が逆転し、右回りの円偏光となって液晶層５０に再入射する。そして、液晶層５０を透過して位相差板５６に入射し、位相差板５６を透過して偏光板２４の透過軸１５３と直交する振動方向の直線偏光となって偏光板２４に入射し、偏光板２４によって吸収される。これにより、サブ画素は暗表示となる。
【０１１５】
本実施形態の液晶装置３００は、サブ画素領域内に部分的に反射偏光層１９を設けた構成を採用したことで、簡便な構成で高コントラストの反射表示及び透過表示を得られるものとなっている。また、反射偏光層１９上に光散乱手段２９を設けたことで、反射光の一部を散乱させることができるようになっているため、パネル正面方向の反射輝度を確保でき、また反射表示領域における外光の正反射によって反射表示の視認性が低下するのを防止できる。したがって反射表示と透過表示の双方で視認性に優れた表示を得ることができる。
【０１１６】
また本実施形態では、図１５に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側に位相差層５９が設けられている。このように内面配置型の位相差層を設けた構成としたことで、対向基板２０に、基板本体２０Ａと略同サイズの位相差板５６を用いることができるようになっている。すなわち、位相差板と光散乱手段２９との位置合わせが不要であることから、第１実施形態の液晶装置に比しても、製造性の点で有利な構成である。
【０１１７】
なお、光散乱手段２９は、反射偏光層１９よりも液晶層５０側であれば、ＴＦＴアレイ基板１０の任意の配線層に形成することが可能であるが、位相差層５９を光散乱手段２９の液晶層５０側に配置する場合には、光散乱手段２９上の位相差層５９は除去しておく必要がある。そこで本実施形態では、反射偏光層１９を覆うようにして概略平面ベタ状の位相差層５９を形成し、かかる位相差層５９上に光散乱手段２９を配置することで、光散乱手段２９上の位相差層の除去を不要にしており、位相差層の形成工程においても製造性に優れるものとなっている。
【０１１８】
なお、本実施形態の液晶装置３００で用いた内面配置型の位相差層５９を備える構成は、第２実施形態の液晶装置２００に対しても好適に用いることができる。この場合、図１１に示した構成において、反射偏光層３９と光散乱手段２９との間の配線層に位相差層を配置すればよい。対向基板２０については、島状の位相差板２６に代えて、シート状の位相差板５６を配設する。
【０１１９】
（電子機器）
図１７は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視図であり、この携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示及び反射表示を得ることができる。
【０１２０】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。上記各実施形態ではスイッチング素子としてアモルファスシリコンの半導体層を備えたＴＦＴを採用した場合を例に説明したが、ポリシリコンの半導体層を備えたＴＦＴを用いてもよく、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）素子を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の等価回路図。
【図２】１画素領域の平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面図。
【図４】反射偏光層の説明図。
【図５】第１実施形態に係る液晶装置の動作説明図。
【図６】配向制御手段である開口スリットの作用説明図。
【図７】第１実施形態に係る液晶装置の第１変形例を示す断面図。
【図８】第１実施形態に係る液晶装置の第２変形例を示す平面図。
【図９】第１実施形態に係る液晶装置の第２変形例を示す断面図。
【図１０】第２実施形態の液晶装置の画素領域を示す平面図。
【図１１】図１０のＤ−Ｄ’断面図。
【図１２】反射偏光層の説明図。
【図１３】第２実施形態に係る液晶装置の動作説明図。
【図１４】第３実施形態の液晶装置の画素領域を示す平面図。
【図１５】図１４のＦ−Ｆ’断面図。
【図１６】第３実施形態に係る液晶装置の動作説明図。
【図１７】電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【０１２２】
１００，１００Ａ，１００Ｂ，２００，３００  液晶装置、１０  ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０  対向基板（第２基板）、９  画素電極、１９，３９  反射偏光層、２１  共通電極、２６，５６  位相差板、２６ａ  位相差層、２９  光散乱手段、２９ａ  絶縁体突起物、２９ｂ  反射層、５０  液晶層、５９  位相差層
【図１】
2008145524.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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