(57)【要約】【課題】容易かつ高精度に薄膜のパターニングを行う。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、透明基板１上にゲート電極２を形成するステップと、ゲート電極２の少なくとも一部を覆う第１半導体層４及び第２半導体層５を形成するステップと、第１半導体層４及び第２半導体層５上にフォトレジスト６を塗布するステップと、フォトレジスト６を露光するステップとを含み、透明基板１及び第１半導体層４及び第２半導体層５は近赤外線を透過させる性質を持つと共に、ゲート電極２は近赤外線を透過させない性質を持ち、上記フォトレジスト６を露光するステップでは、透明基板１の第１半導体層４及び第２半導体層５が形成されている面と反対側の面からフォトレジスト６に向けて光を照射するので、第１半導体層４及び第２半導体層５のパターニングを容易かつ高精度に行うことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１薄膜を形成する第１薄膜形成ステップと、
上記第１薄膜の少なくとも一部を覆う第２薄膜を形成する第２薄膜形成ステップと、
上記第１及び第２薄膜上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布ステップと、
上記フォトレジストを露光する露光ステップとを含み、
上記基板及び第２薄膜は上記フォトレジストを露光する光を透過させる性質を持つと共に、上記第１薄膜は上記フォトレジストを露光する光を透過させない性質を持ち、
上記露光ステップでは、上記基板の第１及び第２薄膜が形成されている面と反対側の面から上記フォトレジストに向けて光を照射することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
上記フォトレジスト塗布ステップでは、上記第２薄膜をパターニングする領域および該領域の近傍のみにフォトレジストを塗布することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
上記フォトレジスト塗布ステップでは、インクジェット装置を用いてフォトレジストの塗布を行うことを特徴とする請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
上記第２薄膜はＳｉを主成分とする半導体膜であり、上記フォトレジストを露光する光は近赤外線であり、上記フォトレジストは近赤外線で感光することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
鉛直方向下向きにフォトレジストを吐出するインクジェット装置と、鉛直方向上向きに上記フォトレジストを露光する光を照射する露光装置とを備えていることを特徴とするレジストパターン形成システム。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法によって製造された電子デバイス。
【請求項７】
透明基板上にゲート電極が形成され、該ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体層が形成され、該半導体層上にソース電極及びドレイン電極が形成されている薄膜トランジスタであって、
少なくとも上記ソース電極またはドレイン電極と上記ゲート電極とで挟まれる領域におけるゲート電極のパターンと半導体層のパターンとが一致していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスを容易かつ高精度に製造する電子デバイスの製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜トランジスタ（TFT；Thin film transistor）素子をマトリクス状に配置したガラス基板を用いた液晶表示装置が広く用いられている。近年では、液晶表示装置の画面サイズの大型化に伴い、ガラス基板用のマザーガラスも大型化している。例えば、テレビ向け液晶表示装置の製造工程では、一辺が２ｍ以上といった非常に大型のマザーガラスも使用されている。これに伴い、液晶表示装置の生産に用いる各種製造装置も大型化し、装置コストが増加する傾向にある。
【０００３】
特に、ガラス基板上にＴＦＴを形成する際のフォトリソグラフィー工程で用いられる露光装置は、大型のガラス基板の全面に対して高いアライメント精度で露光することを要求される結果、高額な装置となっている。このため、フォトリソグラフィー工程は、ＴＦＴ素子の製造コストを押し上げる大きな要因となっている。
【０００４】
図９（ａ）は、液晶表示装置等で用いられる、ＴＦＴ素子をマトリクス状に配置したガラス基板における、画素部分の概略構成を示す平面図である。図示のように、ガラス基板１００にはゲート電極１０１及びソース電極１０２が直交するように形成され、ゲート電極１０１及びソース電極１０２の交差部近傍にはスイッチング素子としてＴＦＴ素子１０３が形成されている。
【０００５】
図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ‐Ａ断面図である。図示のように、ガラス基板１００には、ゲート電極１０１及び容量補助電極１１１が形成されており、該ゲート電極１０１及び容量補助電極１１１を被覆するゲート絶縁膜１０４が形成されている。また、ゲート絶縁膜１０４を挟んでゲート電極１０１と対向する位置には、第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６が順次積層されている。
【０００６】
そして、第２半導体層１０６には、ソース電極１０２及びドレイン電極１０７が接続されている。この、第１半導体層１０５、第２半導体層１０６、ソース電極１０２、及びドレイン電極１０７によって、ＴＦＴ素子１０３が形成されている。
【０００７】
また、ソース電極１０２及びドレイン電極１０７の上方には、保護膜層１０８が形成され、保護膜層１０８の上方には、画素電極１１０が形成されている。なお、ここでは、ガラス基板１００に対してゲート電極１０１等が形成されている側を上方として説明する。
【０００８】
保護膜層１０８は、第１保護膜層１１２及び第２保護膜層１１３からなる。第１保護膜層１１２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で形成すればよい。第２保護膜層１１３は、感光性樹脂を用いて形成する。
【０００９】
第２保護膜層１１３は、ＴＦＴ素子１０３の表面を平坦化することや、画素電極１１０とゲート電極１０１との静電容量や画素電極１１０とソース電極１０２との静電容量を下げることを主目的として形成される。なお、第２保護膜層１１３を形成せずに、第１保護膜層１１２のみで保護膜層１０８を形成する場合もある。
【００１０】
そして、ゲート絶縁膜１０４を挟んで容量補助電極１１１と対向する位置のドレイン電極１０７は、コンタクトホール１０９にて画素電極１１０と電気的に接続されている。これにより、ドレイン電極１０７と容量補助電極１１１との間に付加容量が形成される。
【００１１】
ゲート電極１０１、ソース電極１０２、及びドレイン電極１０７は、高い導電性を要求され、例えばＭｏ，Ｗ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ等の金属材料やその合金が用いられる。ゲート絶縁膜１０４は、絶縁性に優れ、可視光を透過する透明な材料が好適であり、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を用いることができる。
【００１２】
第１半導体層１０５は、アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）からなる。第２半導体層１０６は、上部のソース電極１０２或いはドレイン電極１０７との接触抵抗を下げることを目的として形成されており、ｎ型不純物を高濃度にドープしたシリコン（ｎ＋‐Ｓｉ）からなる。
【００１３】
以上の構成によれば、ゲート電極１０１にゲート信号が入力されることによってＴＦＴ素子１０３が駆動制御される。また、ＴＦＴ素子１０３の駆動時にＴＦＴ素子１０３を介して表示信号が画素電極１１０に入力され、図示しない液晶層を挟んで対向配置する図示しない対向電極との間で電界が形成されることによって、液晶層が駆動することになる。
【００１４】
次に、従来のフォトリソグラフィー技術を用いて、第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６をパターニングする方法について、図１０（ａ）〜（ｄ）に基づいて説明する。図１０（ａ）は、ガラス基板１００にゲート電極１０１を形成した後、ゲート絶縁膜１０４、第１半導体層１０５、及び第２半導体層１０６を順次積層成膜した状態を示す断面図である。
【００１５】
この状態のガラス基板１００の全面に対してフォトレジストを塗布し、露光装置とフォトマスクとを用いて高い位置合わせ精度で露光し、現像することにより、レジストパターン１１４を形成する（図１０（ｂ））。
【００１６】
続いて、レジストパターン１１４を用いてエッチング処理を行い、レジストパターン１１４で覆われていない部分の第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６を除去する（図１０（ｃ））。最後に、レジストパターン１１４を剥離して第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６の２層のパターニングが完成する（図１０（ｄ））。
【００１７】
ＴＦＴの製造工程は、さらに、ソース電極層及びドレイン電極層の成膜、ソース電極１０２及びドレイン電極１０７のパターニング、第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６のエッチングなどが行われるが、ここでは詳細な説明は省略する。
【００１８】
このように、従来、ＴＦＴ素子を形成する場合には、第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６を所望のパターンに形成するために、フォトリソグラフィー技術が採用されている。
【００１９】
フォトリソグラフィー技術を用いる場合、高いアライメント精度を有する高価な露光装置が必要となるので、ＴＦＴ素子の製造コストを削減するために、フォトリソグラフィー技術を用いずに、第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６を所望の形状にパターニングする技術が望まれている。
【００２０】
例えば、下記の特許文献１には、ＴＦＴ素子の半導体層をパターニングする工程において、インクジェット法によりフォトレジストを塗布した後に、該フォトレジストをマスクとしてエッチングすることが開示されている。
【００２１】
すなわち、特許文献１では、フォトレジストをインクジェット法で塗布することにより、高精度のアライメントを行ってフォトレジストを露光する工程を不要とし、ＴＦＴ素子の製造コストを削減している。
【００２２】
また、下記の特許文献２には、インクジェット法を用いて液体の半導体材料を基板上の所定領域に塗布している。そして、形成された半導体回路にフォトレジストを塗布した後、上記従来のフォトリソグラフィー技術を用いて所望のパターンを形成する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２４７７０４号公報（２００４年９月２日公開）
【特許文献１】特開２００５−２２３２６８号公報（２００５年８月１８日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、上記特許文献１に開示されている方法では、フォトレジストの塗布の精度が不十分であるという課題がある。すなわち、インクジェット法では、インクジェットヘッドから吐出した液滴が所望の位置からずれる着弾位置ずれと、インクジェットヘッドを基板に対して相対移動させるための機構系によって生じる機械的位置ずれとが重畳された距離だけフォトレジストの塗布位置が所望の塗布位置から外れてしまう。
【００２４】
ここで、現状のインクジェット装置では、着弾位置ずれ量は１０μｍ程度であり、実用レベルのインクジェットヘッド移動機構を用いた場合の機械的位置ずれ量も１０μｍ程度である。すなわち、インクジェット法を用いてフォトレジストを塗布する場合には、所望の領域から２０μｍ程度、着弾位置がずれる可能性がある。
【００２５】
ＴＦＴにおける半導体層の位置精度は、ＴＦＴ動作特性に大きな影響を与える。例えば、２０μｍの位置ずれが発生した場合、トランジスタ特性がばらついて、液晶表示装置の表示品質が低下してしまうおそれがある。また、場合によってはＴＦＴが正常に動作しない可能性もある。
【００２６】
また、特許文献２のように、インクジェット法で形成した半導体層に対してフォトリソグラフィー法でパターニングを行うのであれば、ＴＦＴの製造コストを大幅に削減することが難しいという課題が残る。
【００２７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ＴＦＴ素子などの電子デバイスにおける薄膜層のパターンを簡便かつ高いアライメント精度で形成する方法及び装置を提供するものであり、もって低コストの電子デバイスを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明の電子デバイスの製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に第１薄膜を形成する第１薄膜形成ステップと、上記第１薄膜の少なくとも一部を覆う第２薄膜を形成する第２薄膜形成ステップと、上記第１及び第２薄膜上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布ステップと、上記フォトレジストを露光する露光ステップとを含み、上記基板及び第２薄膜は上記フォトレジストを露光する光を透過させる性質を持つと共に、上記第１薄膜は上記フォトレジストを露光する光を透過させない性質を持ち、上記露光ステップでは、上記基板の第１及び第２薄膜が形成されている面と反対側の面から上記フォトレジストに向けて光を照射することを特徴としている。
【００２９】
上記の構成によれば、基板の第１及び第２薄膜が形成されている面と反対側の面からフォトレジストに向けて光を照射した場合、基板及び第２薄膜は上記フォトレジストを露光する光を透過させるが、第１薄膜は上記フォトレジストを露光する光を透過させない。
【００３０】
これにより、基板上に塗布されているフォトレジストのうち、該フォトレジストと基板との間に第１薄膜が介在している部位には光が到達しない。すなわち、上記構成では、第１薄膜がフォトマスクとして作用する。
【００３１】
したがって、上記構成によれば、フォトレジストをパターニングするためのフォトマスクを形成する必要や、高精度のアライメント性能を有する露光装置を用いてフォトレジストを露光する必要がないので、電子デバイスを容易に製造することが可能となる。
【００３２】
また、フォトレジストの露光を行うときには、該フォトレジストが塗布された領域を含む範囲に光を照射すればよいので、露光装置に要求されるアライメント精度が緩和される。
【００３３】
一般に、アライメント精度が高い露光装置ほど、その価格は高価となるため、露光装置に要求されるアライメント精度が緩和されることにより、高精度なアライメント精度を有する露光装置を用いる必要がある従来の電子デバイスの製造方法と比べて、安価に電子デバイスを製造することが可能となる。
【００３４】
また、上記構成によれば、第１薄膜のパターン、すなわち第１薄膜パターンがフォトマスクとして作用するので、第２薄膜は第１薄膜パターンを転写した形状にパターニングされることになる。
【００３５】
したがって、多数の電子デバイスを基板上に配置しても、各デバイスの、第１薄膜パターンを基準として第２薄膜パターンが形成されるので、基板上の数点をアライメントマークとして位置合わせを行う露光機に比較しても高精度の位置あわせを行うことが可能となる。
【００３６】
そして、第１薄膜パターンが基板上の所定の位置からずれて形成された場合であっても、第２薄膜パターンは第１薄膜のパターンを転写した形状に形成されるので、第１薄膜のパターンのずれに合わせて形成される。
【００３７】
すなわち、上記構成によれば、第１薄膜パターンと第２薄膜パターンとの相対位置がずれることなく形成することができ、その結果、電子デバイスの特性バラつきを抑えることができる。
【００３８】
なお、基板の第１及び第２薄膜が形成されている面と反対側の面から上記フォトレジストに向けて光を照射した場合に、第１薄膜パターンをフォトマスクとしてフォトレジストを露光できるのであれば、基板と第１薄膜との間や、第１薄膜と第２薄膜との間、或いは第１薄膜とフォトレジストとの間や第２薄膜とフォトレジストとの間にその他の薄膜層が介在していてもよい。
【００３９】
また、ここで、電子デバイスとは、例えば、Ｓｉを主成分とする薄膜トランジスタや、有機ＴＦＴ等を指す。
【００４０】
また、上記フォトレジスト塗布ステップでは、上記第２薄膜をパターニングする領域および該領域の近傍のみにフォトレジストを塗布することが好ましい。
【００４１】
例えば、基板の全面にポジ型のフォトレジストを塗布し、第１薄膜パターンをフォトマスクとして第２薄膜パターンを形成した場合、第２薄膜パターンは、第１薄膜パターンを転写する形状となる。すなわち、第２薄膜パターンの形状は、第１薄膜パターンに完全に依存することとなる。
【００４２】
これに対し、上記構成によれば、第２薄膜をパターニングする領域および該領域の近傍のみに選択的にフォトレジストを塗布する。これにより、フォトレジストを塗布した領域のみがパターニングの対象となる。
【００４３】
すなわち、上記構成によれば、フォトレジストを塗布した領域のみが第１薄膜パターンを転写する形状となる。よって、第２薄膜パターンが第１薄膜パターンに完全には依存することがなくなり、自由度を持って多様な第２薄膜パターンを形成することが可能となる。
【００４４】
なお、上述のように、本発明の電子デバイスの製造方法では、第１薄膜パターンをフォトマスクとしてフォトレジストを露光する。したがって、フォトレジストは、第１薄膜パターンよりも広い範囲に塗布する必要があり、そのため、上記構成では、第２薄膜をパターニングする領域および該領域の近傍にフォトレジストを塗布している。
【００４５】
また、上記フォトレジスト塗布ステップでは、インクジェット装置を用いてフォトレジストの塗布を行うことが好ましい。
【００４６】
インクジェット装置でフォトレジストの塗布を行う場合、基板上の所望の領域のみにフォトレジストを高速に塗布することができ、また、インクジェット装置は、数ｐｌ程度の微小液滴を吐出できるため、１００μｍ以下程度の微細パターンを描画・形成することもできる。
【００４７】
さらに、インクジェット装置には、上述のように、従来の露光装置ほどには位置決め精度を有していないものの、数１０μｍ程度という比較的高い精度で液滴（この場合は、フォトレジスト）を塗布することができるものもある。
【００４８】
したがって、インクジェット装置を用いた場合、数１０μｍ程度の精度で基板上の所望の領域にフォトレジストを塗布することも可能となる。そして、第１薄膜パターンをフォトマスクとして、数１０μｍ程度の精度で塗布したフォトレジストを露光するため、第２薄膜パターンの形成精度をさらに高めることができる。
【００４９】
また、上記第２薄膜はＳｉを主成分とする半導体膜であり、上記フォトレジストを露光する光は近赤外線であり、上記フォトレジストは近赤外線で感光することが好ましい。
【００５０】
電子デバイスの製造工程では、Ｓｉを主成分とする半導体膜を所望の形状にパターニングすることが一般に行われている。上記の構成によれば、半導体デバイスで多用されるＳｉを主成分とする半導体膜を、高いアライメント精度でパターニングすることが可能となる。なお、Ｓｉを主成分とする半導体膜とは、Ｓｉを５０％以上含む半導体膜のことを指す。
【００５１】
また、近赤外線は、フォトレジストの露光に用いることができると共に、Ｓｉを透過しやすい性質を有する。ゆえに、基板の第１及び第２薄膜が形成されている面と反対側の面から上記フォトレジストに向けて近赤外線を照射した場合、照射された赤外線は、Ｓｉを主成分とする半導体膜である第２薄膜層を透過する。
【００５２】
ここで、上記フォトレジストは、近赤外線で感光するので、第１薄膜パターンをマスクとしてフォトレジストを露光し、現像することができる。そして、該現像したフォトレジストを用いて、Ｓｉを主成分とする半導体膜である第２薄膜層をパターニングすることができる。
【００５３】
例えば、ＴＦＴの製造工程では、基板上にゲート電極をパターニングし、該パターニングしたゲート電極の上方（基板の厚さ方向を上下方向とし、基板上に積層されている薄膜のうち、基板に近い側を下方とし、基板から遠い側を上方とする）に半導体層を形成する。ここで、ゲート電極を第１薄膜とし、半導体層を第２薄膜として、本発明を適用することができる。
【００５４】
具体的には、基板上にゲート電極をパターニングし、該パターニングしたゲート電極の上方に半導体層を形成した後、インクジェット装置等を用いて、半導体層上の所望の位置に上記フォトレジストを塗布した後、基板の裏面（半導体層等が形成されていない側の面）より近赤外線を照射する。
【００５５】
ここで、近赤外線は、基板及び上記半導体層を透過してフォトレジストに当たり、近赤外線が当たったフォトレジストは感光する。一方、ゲート電極が形成されている領域上に塗布されたフォトレジストは、ゲート電極が近赤外線を遮光するため露光されない。
【００５６】
そして、所定の現像液によって現像処理することにより、ゲート電極の形状を転写した形状にフォトレジストを形成することができ、このフォトレジストをマスクとして上記半導体膜をエッチングすることにより、該半導体膜を所望の形状に形成することができる。
【００５７】
また、上記フォトレジストとして、赤外線で感光し、可視光では感光しないものを用いた場合、該フォトレジストの使用の際に特別の照明手段を整備する必要がないので、簡便にフォトレジストを使用することができる。
【００５８】
なお、上記フォトレジストとしては、例えば、近赤外線を吸収して該エネルギーを熱に変換することによってアルカリ可溶に変化するものを用いればよい。この場合、近赤外線を照射した後、例えばエタノールアミンのようなアルカリ溶液でフォトレジストを現像することができる。
【００５９】
また、本発明のレジストパターン形成システムは、上記課題を解決するために、鉛直方向下向きにフォトレジストを吐出するインクジェット装置と、鉛直方向上向きに上記フォトレジストを露光する光を照射する露光装置とを備えていることを特徴としている。
【００６０】
一般に、インクジェット装置や露光装置は、加工対象となる面が水平となるように設置した基板に対し、鉛直方向下向きに液滴を吐出したり、光を照射したりする構成である。
【００６１】
このようなインクジェット装置や露光装置を用いて、本発明の電子デバイスの製造方法を行った場合、インクジェット装置を用いて、基板にフォトレジストを塗布した後、該フォトレジストを塗布した基板を裏返し、裏返した基板に対して、露光装置を用いてフォトレジストの露光を行う必要がある。
【００６２】
これに対し、上記レジストパターン形成システムでは、鉛直方向下向きにフォトレジストを吐出するインクジェット装置と、鉛直方向上向きに上記フォトレジストを露光する光を照射する露光装置とを備えているので、インクジェット装置によってフォトレジストを塗布した後、基板を裏返すことなくフォトレジストの露光を行うことができる。
【００６３】
すなわち、上記構成によれば、フォトレジスト塗布時とフォトレジスト露光時とで、基板の表裏を反転させる必要がないので、基板にフォトレジストを塗布した後、スムーズに該フォトレジストを露光してレジストパターンを形成することができる。
【００６４】
また、上記電子デバイスの製造方法で製造された電子デバイスも本発明の範疇に入る。
【００６５】
上記電子デバイスは、高いアライメント精度を有する露光装置を用いることなく製造することができるにも関わらず、第１薄膜パターンと第２薄膜パターンとの位置ずれがほとんど生じない。
【００６６】
すなわち、上記電子デバイスは、特性のばらつきが少ない上、高いアライメント精度を有する露光装置を用いて製造する従来の電子デバイスと比べて低コストでの製造が可能である。
【００６７】
なお、上記電子デバイスの製造方法では、第１薄膜パターンをフォトマスクとして第２薄膜がパターニングされるので、上記電子デバイスの製造方法で製造された電子デバイスでは、第２薄膜パターンが第１薄膜パターンを転写した形状となる。
【００６８】
すなわち、上記本発明の電子デバイスでは、第２薄膜パターンの形状と、該第２薄膜パターンと対向する位置における第１薄膜パターンとが一致することから、従来の電子デバイスと区別することができる。
【００６９】
なお、上記本発明の電子デバイスでは、第２薄膜パターンの全てが第１薄膜パターンと一致するとは限らない。第１薄膜パターンと第２薄膜パターンとは、フォトレジストを塗布した領域、すなわち第２薄膜をパターニングした領域において、その形状が一致することになる。
【００７０】
また、本発明の薄膜トランジスタは、上記課題を解決するために、透明基板上にゲート電極が形成され、該ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体層が形成され、該半導体層上にソース電極及びドレイン電極が形成されている薄膜トランジスタであって、少なくとも上記ソース電極またはドレイン電極と上記ゲート電極とで挟まれる領域におけるゲート電極のパターンと半導体層のパターンとが一致していることを特徴としている。
【００７１】
薄膜トランジスタのスイッチング特性に及ぼす因子として、ゲート絶縁膜及び半導体層を挟んで対向するゲート電極とソース電極とが形成するコンデンサの静電容量（Cgs）、及び、同じくゲート絶縁膜及び半導体層を挟んで対向するゲート電極とドレイン電極とが形成するコンデンサの静電容量（Cgd）が知られている。
【００７２】
そして、上記コンデンサのギャップ部となる半導体層の、ゲート電極とソース電極とが重なり合う領域及びその近傍の領域、或いは、ゲート電極とドレイン電極とが重なり合う領域及びその近傍の領域は、上記Cgs及びCgdの数値に大きく影響する。このため、薄膜トランジスタのスイッチング特性を安定させるためには、上記領域の半導体層のパターンを特に高精度に作りこむ必要がある。
【００７３】
ここで、上記本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極またはドレイン電極とゲート電極とで挟まれる領域におけるゲート電極のパターンと半導体層のパターンとが一致しているので、Cgs及びCgdが安定した数値となり、特性ばらつきが少なくなる。
【００７４】
また、ゲート電極のパターンと半導体層のパターンとが一致するように半導体層を形成する際には、既に説明した通り、フォトレジストをソース電極またはドレイン電極とゲート電極とが対向する領域に、例えばインクジェット法によって塗布した後に、ゲート電極をマスクとして透明基板の裏面より近赤外線等を照射して露光・現像したレジストパターンを用いてパターニングすることが可能である。
【００７５】
すなわち、上記薄膜トランジスタは、高いアライメント精度を有する露光装置を用いることなく半導体層をパターニングできるため、低コストで製造することが可能である。
【発明の効果】
【００７６】
以上のように、本発明の電子デバイスの製造方法は、基板上に第１薄膜を形成する第１薄膜形成ステップと、上記第１薄膜の少なくとも一部を覆う第２薄膜を形成する第２薄膜形成ステップと、上記第１及び第２薄膜上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布ステップと、上記フォトレジストを露光する露光ステップとを含み、上記基板及び第２薄膜は上記フォトレジストを露光する光を透過させる性質を持つと共に、上記第１薄膜は上記フォトレジストを露光する光を透過させない性質を持ち、上記露光ステップでは、上記基板の第１及び第２薄膜が形成されている面と反対側の面から上記フォトレジストに向けて光を照射する構成であるから、ＴＦＴ素子などの電子デバイスにおける薄膜層のパターンを簡便かつ高い精度で形成することができるという効果を奏する。
【００７７】
また、以上のように、本発明のレジストパターン形成システムは、鉛直方向下向きにフォトレジストを吐出するインクジェット装置と、鉛直方向上向きに上記フォトレジストを露光する光を照射する露光装置とを備えている構成であるから、上記本発明の電子デバイスの製造方法にて電子デバイスを製造するときに、基板を裏返すことなくスムーズに薄膜層のパターンを形成することができるという効果を奏する。
【００７８】
また、以上のように、本発明の薄膜トランジスタは、少なくともソース電極またはドレイン電極と上記ゲート電極とで挟まれる領域におけるゲート電極のパターンと半導体層のパターンとが一致しているから、低コストで高い精度をもつ薄膜トランジスタを提供できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７９】
本発明の一実施形態について図１ないし図８に基づいて説明すると以下の通りである。
本発明の薄膜トランジスタは、従来の薄膜トランジスタ（図９（ａ）（ｂ）参照）と同様に、透明基板上にゲート電極が形成され、該ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体層が形成され、さらに半導体層の上部にソース電極及びドレイン電極が形成されて成る。本発明の薄膜トランジスタの製造方法について、以下に説明する。
【００８０】
〔半導体層形成工程〕
図２（ａ）は、透明基板（基板）１上にゲート電極（第１薄膜）２を形成した後、ゲート電極２を形成した透明基板１の全面にゲート絶縁膜３、第１半導体層（第２薄膜）４及び第２半導体層５（第２薄膜）を順次積層した状態を示す図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。図示のように、ゲート電極２は、ゲート絶縁膜３によって、第１半導体層４及び第２半導体層５と絶縁されている。なお、以下の説明では、第１半導体層４及び第２半導体層５を合わせて単に半導体層と表記することがある。
【００８１】
透明基板１は、例えばガラスやプラスチック、石英等で構成することができる。薄膜トランジスタは、液晶表示パネルに使用することを想定しているので、基板は透明なものを用いる必要がある。
【００８２】
ゲート電極２は、背景技術で説明したように、高い導電性を示す金属を用いて形成すればよい。具体的には、Ｍｏ，Ｗ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ等の金属材料や、その合金などを用いればよい。
【００８３】
また、ゲート電極２は、一般的なスパッタ法等を用いて上記のような金属材料を透明基板１上に成膜し、該成膜した金属材料を一般的なフォトリソグラフィー技術を用いて成形して所望の形状に形成すればよい。
【００８４】
本実施形態では、スパッタ法によって金属材料を成膜した透明基板１の全面にフォトレジストを塗布した後に、一般的な露光装置を用いて上記フォトレジストを現像し、プラズマエッチング法によって図２（ａ）（ｂ）に示すパターンのゲート電極２を形成している。なお、透明基板１上においてゲート電極２が形成される位置の精度は、上記露光装置のアライメント精度に左右されるので、上記露光装置は、高いアライメント精度を有することが好ましい。
【００８５】
ゲート絶縁膜３、第１半導体層４、及び第２半導体層５の材料は、それぞれ、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）、ｎ型不純物を高濃度にドープしたシリコン（ｎ＋‐Ｓｉ）を用いればよい。
【００８６】
これらの材料を、例えばプラズマＣＶＤ法によって、ゲート電極２が形成された透明基板１上に順次成膜することにより、図２（ｂ）に示すような構造に形成することができる。なお、第１半導体層４と、第２半導体層５とは、合計で概ね１００乃至３００ｎｍ程度の膜厚にすればよい。
【００８７】
〔フォトレジスト塗布工程〕
次の工程では、上記形成した第２半導体膜５上にフォトレジストを塗布する。フォトレジストは、透明基板１の全面に対して塗布してもよいが、第１半導体層４及び第２半導体層５のパターニング対象となる箇所にのみ塗布することが好ましい。
【００８８】
本実施形態では、図３（ａ）（ｂ）に示すように、ゲート電極２の一部を覆うようにフォトレジスト６を塗布する例を示している。同図（ａ）は第１半導体層４及び第２半導体層５が形成された透明基板１上にフォトレジスト６を塗布した状態を示す図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。
【００８９】
同図（ａ）（ｂ）に示すように、フォトレジスト６は、ゲート電極２を覆うように、第１半導体層４及び第２半導体層５上に塗布されている。なお、このフォトレジスト６が塗布されている位置がＴＦＴ素子となる。
【００９０】
ここで、第２半導体層上に塗布するフォトレジスト６は、近赤外線によって露光、現像処理が行えるものであることが望ましい。例えば、近赤外線を吸収し、吸収した近赤外線を熱に変換することによって当該フォトレジスト６の温度が上昇し、温度上昇によってアルカリ可溶になるフォトレジスト６を用いればよい。具体的には、関西ペイント社製フォトレジスト（商品名：ゾンネＬＤＩＲ）が挙げられる。
【００９１】
なお、第２半導体層５上に塗布するフォトレジスト６は、近赤外線によって露光、現像処理が行えるものであることが望ましい理由については後述する。また、近赤外線は７６０ｎｍから２５００ｎｍの波長域を指す。
【００９２】
フォトレジスト６の塗布方法は特に限定されないが、インクジェット法を用いることで効率よくフォトレジスト６を塗布することができる。なお、使用するフォトレジスト６の種類によっては、フォトレジスト６の塗布後、フォトレジスト６の溶媒を蒸発させる処理や、乾燥させる処理を行う。
【００９３】
インクジェット法に用いるインクジェット装置は特に限定されず、公知のインクジェット装置を用いることができる。本実施形態では、図７に示すインクジェット装置１１を用いる。図７は、インクジェット装置１１の概略構成を示す斜視図である。
【００９４】
図示のように、インクジェット装置１１は、ステージ１２と、インクジェットヘッド１３と、ｘ方向駆動部１４と、ｙ方向駆動部１５とを備えている。すなわち、インクジェット装置１１では、ステージ１２上に透明基板１を載置し、ｘ方向駆動部１４及びｙ方向駆動部１５にてインクジェットヘッド１３を所望の位置に移動させてフォトレジスト６の塗布を行う。もちろん、インクジェット装置１１の構成は、図示の例に限られない。
【００９５】
〔フォトレジスト露光工程〕
次の工程では、フォトレジスト６を塗布した透明基板１の裏面（ゲート電極２や半導体層が形成されていない側の面）から近赤外線を照射することによって、フォトレジスト６の露光を行う。この工程について、図１（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。
【００９６】
図１（ａ）は、フォトレジスト６を塗布した透明基板１の裏面から近赤外線を照射する様子を示す平面図である。図１（ａ）のＬは、近赤外線が照射されるスポットを示している。図示のように、近赤外線は、上記フォトレジスト塗布工程にて塗布されたフォトレジスト６を含む範囲に照射される。
【００９７】
ここで、図示のように、透明基板１上に塗布されたフォトレジスト６には、感光していない部分と感光した部分とが生じる。図１（ａ）において、符号「７」で示す部分が感光したフォトレジストである。
【００９８】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。図示のように、透明基板１の裏面から照射された近赤外線は、透明基板１、ゲート絶縁膜３、第１半導体層４、及び第２半導体層５を通過してフォトレジスト６に到達し、該フォトレジスト６を感光したフォトレジスト７に変化させる。一方、ゲート電極２は、金属製であり、光を透過させないので、ゲート電極２の直上部のフォトレジスト６は感光されない。
【００９９】
すなわち、本実施形態の薄膜トランジスタの製造方法では、ゲート電極２がフォトマスクの役割を果たすことにより、ゲート電極２と略同じ形状にフォトレジスト６をパターニングすることができる。しかも、フォトレジスト６のパターニングを行うときに、アライメントの必要がない。
【０１００】
ここで、フォトレジスト６を露光するための光線として、近赤外線が好ましい理由について説明する。図１（ｂ）に示すように、フォトレジスト６を露光させるための光線は、第１半導体層４及び第２半導体層５を通過する必要がある。したがって、フォトレジスト６を露光させるための光線は、半導体層を通過しやすい波長の光線であることが好ましい。
【０１０１】
ここで、Ｓｉなどの半導体は、波長が短くなるに従って光吸収係数が高くなる傾向にある。例えば、汎用のフォトレジスト６の露光には、紫外線が用いられているが、紫外線は、半導体層が数１００ｎｍ程度の薄さであっても透過しにくい。したがって、フォトレジスト６の露光には、長波長の光線を用いることが好ましい。
【０１０２】
紫外線よりも長波長の光線としては、波長の短い順に、可視光、近赤外線、中間赤外線、及び遠赤外線が挙げられる。この中で、可視光は半導体層を透過しにくいため、フォトレジスト６の露光に必要な光量を確保することが難しく、また、中間赤外線や遠赤外線は、半導体層を透過する特性を有しているものの、エネルギーが低いためにフォトレジスト６に照射しても化学変化を起こしにくい。
【０１０３】
このため、本実施形態の薄膜トランジスタの製造方法における、フォトレジスト６の露光には、近赤外線を用いることが望ましく、フォトレジスト６は、近赤外線で感光するものを用いることが望ましい。
【０１０４】
また、透明基板１の裏面（ゲート電極２や半導体層が形成されていない側の面）からフォトレジスト６の露光用の光を照射するので、透明基板１及びゲート絶縁膜３は、フォトレジスト６の露光用の光を透過する素材で構成することが好ましい。
【０１０５】
そして、露光装置の光源としては、７８０ｎｍ〜８３０ｎｍ程度の波長を出光する近赤外線レーザや、１０６４ｎｍの波長を有するＹＡＧレーザなどが好適に用いられる。なお、照射する光の波長はこれらの例に限られず、フォトレジスト６の種類に応じて適宜設定すればよい。
【０１０６】
また、ここで用いる露光装置は、鉛直方向上向きに光を照射する機能を有することが望ましい。これによって、透明基板１を裏返すことなくフォトレジスト６を露光することができる。
【０１０７】
図８に本発明の薄膜トランジスタの製造方法に好適な露光装置の一例を示す。図示のように、露光装置２１は、エア浮上式基板搬送ユニット２２と、ｙ方向移動機構２３と、露光用の光源２４とを備えている。
【０１０８】
エア浮上式基板搬送ユニット２２は、空気や窒素等の気体を鉛直方向上向きに噴出することによって透明基板１を浮上させる。そして、ｙ方向移動機構２３は、透明基板１の端部を保持して透明基板１を同図のｙ方向に移動させる。また、エア浮上式基板搬送ユニット２２には、同図のｘ方向に可動な光源２４が組み込まれている。
【０１０９】
すなわち、露光装置２１では、エア浮上式基板搬送ユニット２２によって透明基板１を浮上させ、浮上した透明基板１をｙ方向移動機構２３によってｙ方向に移動させながら、光源２４によって透明基板１の裏面から光を照射して露光を行うようになっている。また、光源２４は、ｘ方向に可動に構成されているので、透明基板１の任意の位置に光を照射することができる。
【０１１０】
なお、図１（ｂ）では、本発明の理解を容易にするために、フォトレジスト６を塗布した領域を含む円形のスポットで近赤外線を照射している例を示しているが、これに限定されない。
【０１１１】
例えば、近赤外線の照射スポットを光学レンズ等により帯状とし、該帯状の照射スポットを複数並べることによって、透明基板１の走査方向と直交する方向（図８ではｘ方向）にわたるスポットで近赤外線を照射してもよい。
【０１１２】
この場合、透明基板１の幅広い範囲に対して一度に近赤外線を照射することができるので、インクジェット法によって塗布したフォトレジスト６の位置を感知する必要はない。すなわち、透明基板１を一定速度で搬送することによって、透明基板１上の感光したいフォトレジスト６全域に対して所定量の露光を行うことができる。
【０１１３】
また、この場合、露光量は、光源の出力を調整することによって制御が可能であるだけでなく、透明基板１の搬送速度を変化させ、上記帯状の照射スポットをフォトレジスト６が横切る時間を変化させることによっても制御可能である。
【０１１４】
以上のように、本実施形態のフォトレジスト露光工程では、透明基板１に塗布されたフォトレジスト６のうち、ゲート電極２の直上部に塗布されたフォトレジスト６は、近赤外線がゲート電極２によって遮光されることによって露光されない。これに対し、ゲート電極２の直上部以外の領域に塗布されたフォトレジスト６は、透明基板１、ゲート絶縁膜３、第１半導体層４及び第２半導体層５を透過した近赤外線によって感光する。
【０１１５】
ここでは、近赤外線照射によってアルカリ可溶になるフォトレジスト６を用いることを想定しているので、図１（ａ）（ｂ）に示す、感光したフォトレジスト７はアルカリ可溶になっている。
【０１１６】
〔フォトレジスト現像工程〕
次に、所定の現像液を用いてフォトレジストの現像処理を行う。本実施形態のようにポジレジストを用いる場合は、現像液はアルカリ溶液である。現像液としては、例えばエタノールアミンなどの有機アミンを主成分とする溶液を用いればよい。
【０１１７】
図４（ａ）は現像処理後の透明基板１の状態を示す平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。図示のように、現像処理により、感光したフォトレジスト７が除去され、ゲート電極２のパターンを転写した形状にフォトレジスト６がパターニングされる。
【０１１８】
ここで、透明基板１の裏面（ゲート電極２等が形成されていない側の面）から露光することの別の利点について説明する。一般に、フォトレジストは、所定の露光量によって化学変化を起こし、例えばポジレジストの場合にはアルカリ可溶となる。ここで、露光量が不足した場合には、化学変化が不十分となり、現像処理によって溶解除去できない部分が生じてしまう。
【０１１９】
また、フォトレジスト６に入射した露光用の光（ここでは近赤外線）は、フォトレジスト６によって吸収されるため、フォトレジスト６の厚み方向で徐々にエネルギーが減少する。したがって、フォトレジスト６が厚い場合には、露光時のフォトレジスト６の化学変化が不十分になるおそれがある。
【０１２０】
一般的に、フォトレジストは、スピンコート法等によって２μｍ程度の厚みに均一に塗布されるが、インクジェット法を用いた場合等では、基板の表面状態などによってフォトレジスト６が厚く塗布される場合がある。
【０１２１】
かかる状況においても、本実施の形態のように、透明基板１の裏面からフォトレジスト６を露光する場合には、透明基板１に塗布されたフォトレジスト６のうち、透明基板１と接する部分に近赤外線が始めに当たる。ゆえに、透明基板１と接する部分のフォトレジスト６が最も化学変化を起こし、現像液に最も溶けやすい部分となる。
【０１２２】
従って、フォトレジスト６の上層部分（透明基板１から離れている部分）が、現像液に可溶とならなくても、フォトレジスト６の下層部分（透明基板１に近い部分）が溶けることによって、上層部分も含めて当該領域のフォトレジスト６を除去して現像することができる。
【０１２３】
なお、近赤外線の照射出力を上げることによって、十分にフォトレジスト６を露光させることもできる。しかしながら、照射出力を上げた場合、近接する未露光領域への光の回り込みが生じたり、光熱変換に伴って温度が上昇したフォトレジスト６から未露光部へ熱が伝わったりすることによって、現像パターンが崩れやすくなるという問題があるため、露光量は極力低く抑えることが好ましい。
【０１２４】
〔半導体層のエッチング工程〕
続いて、上記露光工程を経て所望の形状に形成されたフォトレジスト６をマスクとして、プラズマエッチング法などによって第１半導体層４及び第２半導体層５をエッチングする。エッチングに使用するガス及びエッチング装置は、一般に使用されるガス及び装置を用いればよい。例えば、ＣＦ４，ＳＦ６，ＣＣｌ４等のハロゲン系のガスやこれらのガスの混合ガスを用いればよく、酸素などを添加してもよい。また、エッチング装置としては、リアクティブイオンエッチング装置等を用いることができる。
【０１２５】
そして、第１半導体層４及び第２半導体層５をエッチングする上記ステップが終了した後に、フォトレジスト６を所定の剥離液により剥離する。フォトレジスト６がポジレジストの場合には、現像液と同様に有機アミンを主成分とするアルカリ溶液が用いられる。また、剥離液は、必要に応じて加温して用いてもよい。剥離液の種類や温度、処理時間などは適宜設定すればよい。
【０１２６】
図５（ａ）はフォトレジスト６剥離後の透明基板１の状態を示す平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。同図（ａ）に示すように、第１半導体膜４（図示せず）及び第２半導体膜５は、ゲート電極２と同じ形状に形成されており、同図（ｂ）に示すように、第１半導体層４及び第２半導体層５のエッジ部とゲート電極２のエッジ部とは、ゲート絶縁膜３を挟んで同じ位置となっている。
【０１２７】
これは、本実施形態の薄膜トランジスタの製造方法では、ゲート電極２をマスクとしてフォトレジスト６の露光が行われ、該露光後のフォトレジスト６を用いて第１半導体層４及び第２半導体層５のパターニングが行われるためである。
【０１２８】
すなわち、本実施形態の薄膜トランジスタの製造方法で製造された薄膜トランジスタは、第１半導体層４及び第２半導体層５がゲート電極２を転写した形状に形成されているという特徴を有している。
【０１２９】
より詳細には、本実施形態の薄膜トランジスタの製造方法では、上記フォトレジスト塗布工程にてフォトレジスト６を塗布した領域における、ゲート絶縁膜３を挟んで対向する位置の第１半導体層４及び第２半導体層５の形状とゲート電極２の形状とが同じ形状となる。
【０１３０】
これに対し、従来の薄膜トランジスタでは、図１０（ｄ）に示すように、ゲート電極１０１のパターンと、第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６のパターンとは異なる形状となる。
【０１３１】
すなわち、従来の薄膜トランジスタの第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６のパターンは、通常、ゲート電極１０１と第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６との位置ずれを考慮して、ゲート電極１０１のパターンを拡大した形状に形成される。
【０１３２】
そのため、従来の薄膜トランジスタでは、図１０（ｄ）に示すように、第１半導体層１０５及び第２半導体層１０６のエッジ部とゲート電極のエッジ部とは一致しない。これにより、本発明の薄膜トランジスタと従来の薄膜トランジスタとを区別することができる。
【０１３３】
〔仕上げの工程〕
上記半導体層のエッチング工程の後、ソース電極８及びドレイン電極９の形成、第１半導体層４及び第２半導体層５のエッチング等が行われて、本発明の薄膜トランジスタが完成する。
【０１３４】
図６（ａ）は、ソース電極８、ドレイン電極９の形成、及び第１半導体層４、第２半導体層５のエッチング後における透明基板１の状態を示す平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。なお、ソース電極８、ドレイン電極９の形成、及び第１半導体層４、第２半導体層５のエッチング等の工程は、従来技術の通りであるため詳細な説明は省略する。
【０１３５】
〔まとめ〕
以上のように、本発明の薄膜トランジスタの製造方法によれば、透明基板１の裏面から近赤外線を照射し、ゲート電極２をフォトマスクとしてフォトレジスト６をパターニングする。そして、パターニングしたフォトレジスト６を用いて第１半導体層４及び第２半導体層５をパターニングする。
【０１３６】
したがって、上記薄膜トランジスタの製造方法で用いる露光装置２１は、インクジェット法にて塗布したフォトレジスト６を含む領域に対して、透明基板１の裏面から、スポットで露光するか、または簡便には透明基板１全域に対して露光する機能を有すればよく、高いアライメント精度は不要である。
【０１３７】
そして、露光装置２１に要求されるアライメント精度は低いながらも、ゲート電極２をフォトマスクとして用いるため、第１半導体層４及び第２半導体層５を、ゲート電極２に対して高い位置決め精度で形成することができる。
【０１３８】
この結果、ゲート電極２に対して位置ずれを起こすことなく第１半導体層４及び第２半導体層５を形成することが可能となり、ＴＦＴ特性を均一に、かつ低コストで製造することが可能となる。
【０１３９】
また、上記薄膜トランジスタの製造方法では、フォトレジスト６の露光に近赤外線を用いるため、透明基板１の裏面から照射した近赤外線は、Ｓｉを主成分とする第１半導体層４及び第２半導体層５を透過してフォトレジスト６を感光させることができる。
【０１４０】
なお、本実施の形態において、レジストパターン形成システムは、透明基板１上にフォトレジスト６を塗布するためのインクジェット装置１１と、該フォトレジスト６を塗布した透明基板１に対し、フォトレジスト６を塗布した面と反対側の面から光を照射する露光装置２１とを備えたシステムを指す。
【０１４１】
上記レジストパターン形成システムによれば、インクジェット装置１１にてフォトレジスト６を塗布した後、透明基板１を裏返すことなく、スムーズにフォトレジスト６の露光を行うことができる。
【０１４２】
また、上記レジストパターン形成システムは、必要に応じて上記インクジェット装置１１と、露光装置２１とに加えて、フォトレジスト６の溶媒を蒸発させるオーブンを備えていてもよい。
【０１４３】
そして、これらの装置は、それぞれが単独で動作する装置であって、ロボットなどによって透明基板１を各装置間で移動させるようなレジストパターン形成システムであってもよく、また、これらの装置を組み合わせて１つのユニットとしたレジストパターン形成システムであってもよい。
【０１４４】
また、上記レジストパターン形成システムは、インクジェット法によってフォトレジスト６を塗布するステップと、該塗布したフォトレジスト６を露光するステップとを含むレジストパターン形成工程を行うための製造装置群を備えたシステムと言うこともできる。
【０１４５】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
上記薄膜トランジスタの製造方法によれば、半導体層のパターンを簡便かつ高いアライメント精度で形成することができるため、安価で高精度な薄膜トランジスタを製造することができる。特に、薄膜トランジスタをマトリクス状に配置した基板を用いた液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などの製造に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】本発明の実施形態を示すものであり、同図（ａ）はフォトレジストを塗布した透明基板の裏側から近赤外線を照射する様子を示す平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。
【図２】本発明の実施形態を示すものであり、同図（ａ）は透明基板上にゲート電極を形成した後、該ゲート電極を形成した透明基板の全面にゲート絶縁膜、第１半導体層及び第２半導体層を積層した状態を示す図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。
【図３】本発明の実施形態を示すものであり、同図（ａ）は第１半導体層及び第２半導体層が形成された透明基板上にフォトレジストを塗布した状態を示す図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。
【図４】本発明の実施形態を示すものであり、同図（ａ）は現像処理後の透明基板の状態を示す平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。
【図５】本発明の実施形態を示すものであり、同図（ａ）は上記フォトレジスト剥離後の透明基板の状態を示す平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。
【図６】本発明の実施形態を示すものであり、同図（ａ）は、ソース電極、ドレイン電極の形成、及び第１半導体層、第２半導体層のエッチング後における透明基板の状態を示す平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ‐Ｂ断面図である。
【図７】本発明の薄膜トランジスタ製造方法で用いるインクジェット装置の概略構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の薄膜トランジスタ製造方法で用いる露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図９】従来技術を示すものであり、同図（ａ）はＴＦＴ素子をマトリクス状に配置したガラス基板における、画素部分の概略構成を示す平面図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ‐Ａ断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、従来のフォトリソグラフィー技術を用いて、第１半導体層及び第２半導体層をパターニングする方法を示す図である。
【符号の説明】
【０１４８】
１    透明基板（基板）
２    ゲート電極（第１薄膜）
３    ゲート絶縁膜
４    第１半導体層（第２薄膜）
５    第２半導体層
６    フォトレジスト
７    感光したフォトレジスト
８    ソース電極
９    ドレイン電極
【図１】
2008177253.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008177253.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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