(57)【要約】      （修正有）【課題】互いに貼り合わされた第１の基板集合体および第２の基板集合体を有するパネル集合体から、各々、パネル厚の小さい複数枚の液晶表示パネルを得るに際し、良品率の低下を招くことなく基板集合体の薄板化を行うことができ、もって、液晶表示装置の薄型化および狭額縁化に寄与できるようにする。【解決手段】第１基板集合体２０Ａにおける第２基板集合体３０Ａとは反対側の基板面と、第２基板集合体３０Ａにおける第１基板集合体２０Ａとは反対側の基板面とに、それぞれ、相隣る液晶表示パネル領域間の境界線に沿ってスクライブ溝６０を形成し、しかる後、パネル集合体１０Ａをエッチング処理することにより、各基板集合体２０Ａ，３０Ａをそれぞれ薄板化するとともに、該各基板集合体２０Ａ，３０Ａ上のスクライブ溝６０をそれぞれ成長させて該パネル集合体１０Ａを複数枚の液晶表示パネル１０に分割する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板集合体と、該第１の基板集合体に貼り合わされた第２の基板集合体とを有するパネル集合体から、各々、該パネル集合体よりもパネル厚の小さい複数枚の液晶表示パネルを得るようにした液晶表示パネルの製造方法であって、
前記第１基板集合体における前記第２基板集合体とは反対側の基板面と、前記第２基板集合体における前記第１基板集合体とは反対側の基板面とに、それぞれ、相隣る前記液晶表示パネル領域間の境界線に沿ってスクライブ溝を形成し、
しかる後、前記パネル集合体をエッチング処理することにより、前記第１基板集合体および前記第２基板集合体をそれぞれ薄板化するとともに、該第１基板集合体および第２基板集合体上の前記各スクライブ溝をそれぞれ成長させて該パネル集合体を前記複数枚の液晶表示パネルに分割することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法において、
前記パネル集合体は、前記第１基板集合体と前記第２基板集合体との間における各液晶表示パネル領域毎に設けられた液晶層を有することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法において、
前記第１基板集合体および前記第２基板集合体は、それぞれ、前記エッチング処理によるエッチング速度が互いに異なる基板材料を有してなることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法において、
前記第１基板集合体上の前記スクライブ溝と、前記第２基板集合体上の前記スクライブ溝とは、少なくとも前記エッチング処理により前記パネル集合体のパネル厚が所定厚になるまでの間に、該パネル集合体が複数枚の前記液晶表示パネルに分割するように形成されていることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法において、
前記第１基板集合体および前記第２基板集合体のうちの少なくとも一方は、前記液晶表示パネル領域毎に設けられた外部接続端子群を有し、
前記エッチング処理に先立ち、前記外部接続端子群を樹脂封止することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法において、
前記パネル集合体および該パネル集合体が分割されてなる前記複数枚の液晶表示パネルを下方から支承可能なトレイを用い、
前記エッチング処理は、前記トレイ上に前記パネル集合体を載置して該トレイをエッチング液中に浸漬することにより行うことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各々、互いに貼り合わされた１対の基板を有する複数の液晶表示パネルが未分割状態に集合してなるパネル集合体をそれら複数の液晶表示パネルに分割する技術に関し、特に、大型のマザーガラスを用いて多面取りを行う際の製造効率を高める対策に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、携帯電話やデジタルカメラなどに用いられる液晶表示装置に対し、軽量化や大画面化を行うべく、薄型化および狭額縁化が要望されている。ここで、薄型化とは、とりもなおさず、液晶表示パネルを構成する基板、具体的には、電極や配向膜などが形成されるガラス基板の薄板化である。さらに、液晶表示パネルの製造過程では、製造効率を高めるべく、大型のマザーガラスを用いて大面積のパネル集合体を設け、これを複数枚の液晶表示パネルに分割するという、いわゆる多面取りが一般に行われている。
【０００３】
特許文献１には、薄型化に関する技術が開示されている。具体的には、図４（ａ）に示すように、先ず、各々、マザーガラス上に複数の液晶表示パネル分の電極や配向膜などが形成されてなる２枚の基板集合体２００Ａ，３００Ａをシール材４００を介して互いに貼り合わせ、両基板集合体２００Ａ，３００Ａ間における複数の液晶表示パネル領域にそれぞれ液晶層５００を設けてパネル集合体１００Ａを形成する。次いで、同図（ｂ）に示すように、フッ酸等の薬液を用いてパネル集合体１００Ａをエッチング処理することにより各基板集合体２００Ａ，３００Ａを薄板化する。しかる後、同図（ｃ）に示すように、各基板集合体２００Ａ，３００Ａの基板面にスクライブ溝を形成する。そして、パネル集合体１００Ａを上記スクライブ溝に沿って分割することにより、同図（ｄ）に示すように、複数枚の液晶表示パネル１００が得られることとなる。
【０００４】
これによれば、パネル集合体１００Ａの状態のときに基板２００，３００を薄板化することができるので、分割した後、液晶表示パネル１００毎に基板２００，３００を薄板化する場合に比べて、製造効率が高いというメリットがある。
【特許文献１】特開平４−１１６６１９号公報（第３〜４頁，図３および図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のように、基板集合体２００Ａ，３００Ａが薄板化された状態のパネル集合体１００Ａ（図４（ｂ）参照）を分割するのは、基板集合体２００Ａ，３００Ａが薄板化されていない状態のパネル集合体１００Ａ（同図（ａ）参照）を分割する場合に比べると、良品としてのマージンが狭く、良品率を低下させる要因となる。
【０００６】
しかも、要望の高い狭額縁化を考慮する場合には、シール材４００近傍位置での分割や、シール材４００上での分割が必要になることから、さらにハードルが高くなる。
【０００７】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、互いに貼り合わされてなる１対の基板集合体を有するパネル集合体からパネル厚さの小さい複数枚の液晶表示パネルを得るに際し、良品率の低下を招くことなく基板の薄板化を行うことができ、もって、液晶表示装置の薄型化および狭額縁化に寄与できるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく、本発明では、元板ガラス厚の状態で両基板集合体にそれぞれスクライブを実施し、その後、エッチング工程を実行することとしている。つまり、両基板集合体にスクライブ溝が形成された状態でパネル集合体にエッチングを行うことで、基板集合体全体が薄板化するのみならず、各溝が成長してパネル集合体が複数枚の液晶表示パネルに分割されるようになるのである。
【０００９】
具体的には、本発明では、第１の基板集合体と、この第１の基板集合体に貼り合わされた第２の基板集合体とを有するパネル集合体から、各々、該パネル集合体よりもパネル厚の小さい複数枚の液晶表示パネルを得るようにした液晶表示パネルの製造方法を前提としている。
【００１０】
そして、先ず、前記第１基板集合体における前記第２基板集合体とは反対側の基板面と、前記第２基板集合体における前記第１基板集合体とは反対側の基板面とに、それぞれ、相隣る前記液晶表示パネル領域間の境界線に沿ってスクライブ溝を形成する。しかる後、前記パネル集合体をエッチング処理する。これにより、前記第１基板集合体および前記第２基板集合体がそれぞれ薄板化するとともに、該第１基板集合体および第２基板集合体上の前記各スクライブ溝がそれぞれ成長して該パネル集合体が前記複数枚の液晶表示パネルに分割されることとなる。
【００１１】
尚、上記の構成において、パネル集合体が、第１基板集合体および第２基板集合体間における各液晶表示パネル領域毎に設けられた液晶層を有するものであるか否かは任意である。
【００１２】
前記第１基板集合体および前記第２基板集合体について、これらを、それぞれ、前記エッチング処理によるエッチング速度が互いに異なる基板材料を有してなるものとすることができる。
【００１３】
前記第１基板集合体上の前記スクライブ溝と、前記第２基板集合体上の前記スクライブ溝とについて、これらを、少なくとも前記エッチング処理により前記パネル集合体のパネル厚が所定厚になるまでの間に、該パネル集合体が複数枚の前記液晶表示パネルに分割するように形成することができる。
【００１４】
前記第１基板集合体および前記第２基板集合体のうちの少なくとも一方が、前記液晶表示パネル領域毎に設けられた外部接続端子群を有する場合には、前記エッチング処理に先立ち、前記外部接続端子群を樹脂封止することができる。
【００１５】
前記エッチング処理に際し、前記パネル集合体および該パネル集合体が分割されてなる前記複数枚の液晶表示パネルを下方から支承可能なトレイを用いることとし、そのトレイ上に前記パネル集合体を載置して該トレイをエッチング液中に浸漬することによりエッチング処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、エッチング処理による各液晶表示パネルの薄板化と同時に複数枚の液晶表示パネルへの分割を行うことができるので、シール材上の位置において分割する場合であっても良品率の低下を伴わず、よって、製造効率を高めつつ液晶表示装置の薄型化および狭額縁化に寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示パネルの全体構成を模式的に示す断面図であり、この液晶表示パネル１０は、アクティブ素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置に組み込んで使用される。
【００１９】
この液晶表示パネル１０は、ガラス基板上に、画素電極部，ＴＦＴ，データ信号線および走査信号線，外部接続端子群，配向膜などが形成されてなるＴＦＴ基板２０と、同じくガラス基板上に、カラーフィルタ層，対向電極部，配向膜などが形成されてなるＣＦ基板３０とを有する。これらＴＦＴ基板２０およびＣＦ基板３０は、該液晶表示パネル１０の周縁に沿って表示領域を囲むように配置されたシール材４０により貼り合わされている。その際に、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間には、該両基板２０，３０間に所定ギャップの空間を形成確保する図外のスペーサが配置されている。そして、その空間には液晶材料が充填されており、このようにして、液晶層５０が設けられている。本実施形態では、ＴＦＴ基板２０のガラス基板の板厚は、ＣＦ基板３０のガラス基板の板厚よりも大きくされている。
【００２０】
上記のように構成された液晶表示パネル１０の製造方法を、図２に基づいて説明する。
【００２１】
先ず、所定枚数の液晶表示パネル１０におけるＴＦＴ基板２０のガラス基板分の大きさに相当するマザーガラスを用い、このマザーガラスの各液晶表示パネル領域に、それぞれ、画素電極部，ＴＦＴ，データ信号線および走査信号線，外部接続端子群，配向膜などを形成することで、前記所定枚数のＴＦＴ基板２０が互いに未分割の状態に集合してなる第１基板集合体としてのＴＦＴ基板集合体２０Ａを得る。一方、略同じ大きさでかつ略同じ板厚のマザーガラスを用い、このマザーガラスの各液晶表示パネル領域に、それぞれ、カラーフィルタ層，対向電極部，配向膜などを形成することで、前記所定枚数のＣＦ基板３０が互いに未分割の状態に集合してなる第２基板集合体としてのＣＦ基板集合体３０Ａを得る。尚、前記マザーガラスの板厚は、例えば、０．５〜０．７ｍｍである。但し、ＣＦ基板集合体３０Ａのマザーガラスには、後述のエッチング工程においてエッチング液によりエッチングされる速度が、ＴＦＴ基板集合体２０Ａのマザーガラスの場合よりも速い材料が使用される。
【００２２】
そして、ＴＦＴ基板集合体２０Ａ又はＣＦ基板集合体３０Ａのうちの少なくとも何れか一方に、各液晶表示パネル領域の周縁に沿うようにシール材４０を配置し、その上で、ＴＦＴ基板集合体２０ＡとＣＦ基板集合体３０Ａとを互いに貼り合わせる。これにより、パネル集合体１０Ａが得られる。尚、本実施形態では、相隣る液晶表示パネル領域間の境界部分は、該パネル集合体１０Ａの周縁上のシール材４０の略２倍程度の幅寸法のシール材４０を１条だけ配置する。
【００２３】
次いで、図２（ａ）に示すように、上記パネル集合体１０ＡのＴＦＴ基板集合体２０ＡおよびＣＦ基板集合体３０Ａに対し、それぞれ、スクライブ処理を行う。これにより、ＴＦＴ基板集合体２０ＡおよびＣＦ基板集合体３０Ａの両方の外側表面に、相隣る液晶表示パネル領域間の境界線に沿って延びるスクライブ溝６０が形成される。本実施形態では、スクライブ溝６０は、相隣る液晶表示パネル領域間の境界部分のシール材４０に重なるように位置する。また、本実施形態では、エッチング処理に先立ち、ＴＦＴ基板集合体２０Ａの各外部接続端子群を樹脂（例えば、ノボラック樹脂）により封止しておく。
【００２４】
その後、上記のパネル集合体１０Ａに対し、エッチング液（例えば、フッ酸）を用いたケミカルエッチング処理を行う。これにより、図２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板集合体２０ＡおよびのＣＦ基板集合体３０Ａの各マザーガラスが徐々に薄板化し、同時に、各スクライブ溝６０がパネル厚さ方向に成長し、やがて、各マザーガラスが相隣る液晶表示パネル領域間の境界線に沿って分割され、これにより、パネル集合体１０Ａは、図２（ｃ）に示すように、各々、所定パネル厚の複数枚の液晶表示パネル１０に分割されたこととなる。そして、分割された液晶表示パネル１０は、水洗された後、個々に次工程に移行されることとなる。尚、ＣＦ基板集合体３０Ａのマザーガラスは、板厚が当初はＴＦＴ基板集合体２０Ａのマザーガラスと略同じであるが、そのエッチング速度がＴＦＴ基板集合体２０Ａのマザーガラスの場合よりも速いので、その分、該ＴＦＴ基板集合体２０Ａのマザーガラスよりも板厚が小さくなる。
【００２５】
ここで、図３に基づき、上記のエッチング処理によるパネル集合体１０Ａの変化について、詳しく説明する。
【００２６】
本エッチング処理では、パネル集合体１０Ａをエッチング槽７０内のエッチング液７１に浸漬する際に、該パネル集合体１０Ａを保持するトレイ８０を用いる。このトレイ８０は、例えば「テフロン（登録商標）」などの樹脂からなるものであり、パネル集合体１０Ａが載置される底面部とこの底面部の周縁に立設された側面部とからなるトレイ本体８１と、このトレイ本体８１の上面開口を覆う蓋８５とからなっている。トレイ本体８１の底面部および蓋８５には、それぞれ多数の孔８２，８６が設けられている。これらの孔８２，８６は、トレイ８０内においてパネル集合体１０Ａが複数の液晶表示パネル１０に分割したときにその液晶表示パネル１０が該孔８２，８６を経由してトレイ８０内から外部に離脱しない大きさないし形状に形成されている。また、トレイ本体８１の底面部および蓋８５の下面には、それぞれ、トレイ８０内で液晶表示パネル１０同士が重ならないように、各液晶表示パネル１０の水平方向の移動を規制する凸部８３，８７が液晶表示パネル領域間の境界部分に沿って延びるように配置されている。一方、エッチング槽７０には、図外の給気ポンプに接続された給気管７２が配設されている。この給気管７２には多数の小孔７３が設けられており、これらの小孔７３から気泡７４を噴出して該エッチング槽７０内のエッチング液７１を撹拌するようになっている。
【００２７】
先ず、図３（ａ）に示すように、トレイ本体８１上にパネル集合体１０Ａを載置して該トレイ本体８１の開口を蓋８５で覆い、これを、エッチング槽７０内のエッチング液７１中に投入する。エッチング処理の間、給気管７２からエッチング液７１に気泡７４を供給して該エッチング液７１を撹拌しつつ、パネル集合体１０Ａの両基板集合体２０Ａ，３０Ａの各マザーガラスに対するエッチングを行う。
【００２８】
エッチング処理の進行に伴い、ＴＦＴ基板集合体２０ＡのマザーガラスはＣＦ基板集合体３０Ａとは反対側（図３（ａ）の下側）のガラス面が、また、ＣＦ基板集合体３０ＡのマザーガラスはＴＦＴ基板集合体２０Ａとは反対側（同図の上側）のガラス面が、それぞれ漸次エッチングされ、それにより、図３（ｂ）に示すように、各基板集合体２０Ａ，３０Ａの板厚が共に順次薄くなっていく。このとき、ＣＦ基板集合体３０Ａのマザーガラスは、ＴＦＴ基板集合体２０Ａのマザーガラスよりもエッチング速度が速いので、該ＴＦＴ基板集合体２０Ａのマザーガラスよりも速く薄板化していく。また、パネル集合体１０Ａの総厚が薄くなるに従い、トレイ８０の蓋８５が沈降していく。一方、各マザーガラス上のスクライブ溝６０も漸次エッチングされ、それにより、該スクライブ溝６０は、溝幅方向および溝深さ方向に発展していく。
【００２９】
上記のエッチング処理は、少なくとも各マザーガラスがスクライブ溝６０の位置において複数の液晶表示パネルに対応する部分に分割し終わった後に、パネル集合体１０Ａの総厚が所定の寸法になるまで行われる。換言すると、スクライブ条件は、パネル集合体１０Ａの総厚が所定の寸法に薄板化する時点までに、各マザーガラスの分割が終了するように設定される。このようにして、図３（ｃ）に示すように、パネル集合体１０Ａは、各々、所定寸法の板厚に薄板化されてなる複数の液晶表示パネル１０に分割されることとなる。尚、各液晶表示パネル１０は、トレイ本体８１および蓋８５の凸部８３，８７により水平移動が規制されるので、相隣る液晶表示パネル１０同士が重なり合うという事態は回避される。
【００３０】
したがって、本実施形態によれば、互いに貼り合わされてなるＴＦＴ基板集合体２０ＡとＣＦ基板集合体３０Ａと、これら両基板集合体２０Ａ，３０Ａ間の各液晶表示パネル領域に設けられた液晶層５０とを有するパネル集合体１０Ａを複数枚の液晶表示パネル１０に分割するようにした液晶表示パネル１０の製造方法として、パネル集合体１０Ａの両基板集合体２０Ａ，３０Ａにそれぞれスクライブ溝６０を形成し、しかる後、パネル集合体１０Ａをエッチング処理することにより、各基板集合体２０Ａ，３０Ａを薄板化するとともに、スクライブ溝６０を成長させてパネル集合体１０Ａを複数の液晶表示パネル１０に分割するようにしたので、基板集合体２００Ａ，３００Ａが薄板化された状態のパネル集合体１００Ａを分割する場合（図４参照）のような良品率の低下を招くことなく、パネル集合体１０Ａの分割を行うことができ、よって、製造効率を高めつつ、液晶表示装置の薄型化および狭額縁化に寄与することができる。
【００３１】
尚、上記の実施形態では、各液晶表示パネル領域に既に液晶層５０の設けられたパネル集合体１０Ａに、スクライブ処理およびエッチング処理を行うようにしているが、各液晶表示パネル領域に未だ液晶層が設けられていないパネル集合体にスクライブ処理およびエッチング処理を行った後に、各液晶表示パネルに液晶材料を注入して液晶層を設けるようにしてもよい。
【００３２】
また、上記の実施形態では、ＴＦＴ基板２０およびＣＦ基板３０について、ＴＦＴ基板２０のガラス基板の板厚をＣＦ基板３０のガラス基板の板厚よりも大きくするようにしているが、必要に応じて、ＣＦ基板３０のガラス基板の板厚をＴＦＴ基板２０のガラス基板の板厚よりも大きくするようにしてもよいし、互いに同じ板厚にするようにしてもよい。
【００３３】
さらに、上記の実施形態では、アクティブ素子にＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置に場合について説明しているが、本発明は、他のアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス駆動型のみならず、デューティ駆動型などの液晶表示装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は，本発明の実施形態に係る液晶表示パネルの全体構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、液晶表示パネルの製造過程におけるスクライブ処理工程を模式的に示す断面図（ａ），エッチング処理工程を模式的に示す断面図（ｂ）およびパネル集合体が複数の液晶表示パネルに分割された状態を模式的に示す断面図（ｃ）である。
【図３】図３は、エッチング処理工程中の初期の状態を模式的に示す断面図（ａ），中間の状態を模式的に示す断面図（ｂ）および終了時の状態を模式的に示す断面図（ｃ）である。
【図４】図４は、液晶表示パネルの従来の製造過程における初期状態のパネル集合体を模式的に示す断面図（ａ），エッチング処理後のパネル集合体を模式的に示す断面図（ｂ），スクライブ処理時のパネル集合体を模式的に示す断面図（ｃ）およびパネル集合体が複数の液晶表示パネルに分割された状態を模式的に示す断面図（ｄ）である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  液晶表示パネル
１０Ａ  パネル集合体
２０Ａ  ＴＦＴ基板集合体（第１基板集合体）
３０Ａ  ＣＦ基板集合体（第２基板集合体）
５０  液晶層
６０  スクライブ溝
８０  トレイ
【図１】
2008145724.tif 000003
【図２】
2008145724.tif 000004
【図３】
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【図４】
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