(57)【要約】【課題】配線回路基板の小型化が妨げられることなく特性インピーダンスの不連続性が改善された配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】ベース絶縁層１の一方の面には第１の信号配線パターンＳ１および第１のグランドパターンＧ１が形成され、他方の面には第２の信号配線パターンＳ２および第２のグランドパターンＧ２が形成される。第１の導体層２、ベース絶縁層１および第２の導体層３を貫通するように信号用スルーホールＨ０およびグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２が形成される。信号用スルーホールＨ０の内面に接続層４００が形成され、グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２の内面にグランド層４０１，４０２が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の面を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記第１の面に形成される第１の信号配線パターンと、
前記絶縁層の前記第２の面に形成される第２の信号配線パターンと、
前記絶縁層を貫通するように設けられ、前記第１の信号配線パターンと前記第２の信号配線パターンとを互いに電気的に接続する導通路と、
前記第２の信号配線パターンに少なくとも部分的に対向するとともに前記第１の信号配線パターンから絶縁されるように前記絶縁層の前記第１の面に形成される第１のグランドパターンと、
前記第１の信号配線パターンに少なくとも部分的に対向するとともに前記第２の信号配線パターンから絶縁されるように前記絶縁層の前記第２の面に形成される第２のグランドパターンと、
前記第２の信号配線パターンと前記第１のグランドパターンとの間で前記絶縁層を貫通するように設けられるとともに前記第２の信号配線パターンから絶縁された第１のグランド層とを備えたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記第２の信号配線パターンと前記第１のグランドパターンとの間で貫通するように設けられた第１の貫通孔を有し、
前記第１のグランド層は、前記第１の貫通孔内に形成されたことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記絶縁層の前記第２の面上で前記第１の貫通孔の周囲を取り囲むように前記第２の信号配線パターンが存在しない領域が設けられたことを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記第１の信号配線パターンと前記第２のグランドパターンとの間で前記絶縁層を貫通するように設けられるとともに前記第１の信号配線パターンから絶縁された第２のグランド層をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記第１の信号配線パターンと前記第２のグランドパターンとの間で貫通するように設けられた第２の貫通孔を有し、
前記第２のグランド層は、前記第２の貫通孔内に形成されたことを特徴とする請求項４記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記絶縁層の前記第１の面上で前記第２の貫通孔の周囲を取り囲むように前記第１の信号配線パターンが存在しない領域が設けられたことを特徴とする請求項５記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記第１の信号配線パターンおよび前記第２の信号配線パターンは高周波デジタル信号用配線であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項８】
第１の導体層、絶縁層および第２の導体層の積層構造を有する積層基材を用意する工程と、
前記絶縁層を貫通するように前記第１の導体層と前記第２の導体層とを互いに電気的に接続する導通路を形成する工程と、
前記第１の導体層と前記第２の導体層との間で前記絶縁層を貫通する第１のグランド層を形成する工程と、
前記第１の導体層をパターニングすることにより、前記導通路に電気的に接続された第１の信号配線パターン、および前記第１の信号配線パターンから絶縁されかつ前記第１のグランド層に電気的に接続された第１のグランドパターンを形成する工程と、
前記第２の導体層をパターニングすることにより、前記導通路に電気的に接続されかつ前記第１のグランドパターンに少なくとも部分的に対向する第２の信号配線パターン、および前記第２の信号配線パターンから絶縁された第２のグランドパターンを形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１の導体層と前記第２の導体層との間で前記絶縁層を貫通する第２のグランド層を形成する工程をさらに備え、
前記第２のグランドパターンは前記第２のグランド層に電気的に接続され、前記第１の信号配線パターンは前記第２のグランド層から絶縁されたことを特徴とする請求項８記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号の伝送特性に優れた配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々の電気機器または電子機器（以下、電子機器等と称する）に配線回路基板（プリント配線基板）が用いられている。電気機器等の小型化および軽量化を実現するために、配線回路基板上の配線パターンは高密度化される。配線パターンをさらに高密度化するためには両面配線回路基板が用いられる。
【０００３】
また、電子機器等のデジタル化が進むとともに、高機能化が進んでいる。それに伴い、電子機器等において扱われるデジタル信号の周波数が高くなっている。
【０００４】
両面配線回路基板においては、絶縁層の一方の面および他方の面にそれぞれ信号配線パターンが形成されている。絶縁層を貫通するように貫通孔（スルーホール）が形成され、貫通孔内に導体層からなる導通路が形成されている。一方の面の信号配線パターンと他方の面の信号配線パターンとは、導通路により互いに電気的に接続されている。
【０００５】
しかしながら、このような両面配線回路基板では、導通路の部分で大きな特性インピーダンスの不連続性が生じる。そこで、両面の信号配線パターンを電気的に接続するための貫通孔（以下、信号配線用スルーホールと呼ぶ）の近くにグランドパターン（接地層）に接続される貫通孔（以下、グランド用スルーホールと呼ぶ）を形成することにより、信号用スルーホールにおける伝送信号の透過損失を改善することが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−１３０１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、信号配線パターンの近傍にグランド用スルーホールを形成すると、配線回路基板のサイズが拡大し、配線回路基板の小型化が妨げられる。
【０００７】
本発明の目的は、配線回路基板の小型化が妨げられることなく特性インピーダンスの不連続性が改善された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１および第２の面を有する絶縁層と、絶縁層の第１の面に形成される第１の信号配線パターンと、絶縁層の第２の面に形成される第２の信号配線パターンと、絶縁層を貫通するように設けられ、第１の信号配線パターンと第２の信号配線パターンとを互いに電気的に接続する導通路と、第２の信号配線パターンに少なくとも部分的に対向するとともに第１の信号配線パターンから絶縁されるように絶縁層の第１の面に形成される第１のグランドパターンと、第１の信号配線パターンに少なくとも部分的に対向するとともに第２の信号配線パターンから絶縁されるように絶縁層の第２の面に形成される第２のグランドパターンと、第２の信号配線パターンと第１のグランドパターンとの間で絶縁層を貫通するように設けられるとともに第２の信号配線パターンから絶縁された第１のグランド層とを備えたものである。
【０００９】
その配線回路基板においては、絶縁層の第１の面の第１の信号配線パターンと第２の面の第２の信号配線パターンとが絶縁層を貫通する導通路を通して互いに電気的に接続されている。
【００１０】
第１のグランドパターンは、第２の信号配線パターンに少なくとも部分的に対向するように絶縁層の第１の面に形成され、第１の信号配線パターンから絶縁されている。第２のグランドパターンは、第１の信号配線パターンに少なくとも部分的に対向するように絶縁層の第２の面に形成され、第２の信号配線パターンから絶縁されている。
【００１１】
また、第１のグランド層が第２の信号配線パターンと第１のグランドパターンとの間で絶縁層を貫通するように設けられ、第２の信号配線パターンから絶縁されている。それにより、導通路での特性インピーダンスの不連続性が改善される。
【００１２】
この場合、第１のグランド層は第２の信号配線パターンの領域内に設けられるとともに、第２の信号配線パターンが第１のグランド層から絶縁されている。そのため、第１のグランド層を設けるために配線回路基板の面積を拡大する必要がない。したがって、配線回路基板の小型化を妨げることなく導通路における特性インピーダンスの不連続性を改善することができる。
【００１３】
（２）絶縁層は、第２の信号配線パターンと第１のグランドパターンとの間で貫通するように設けられた第１の貫通孔を有し、第１のグランド層は、第１の貫通孔内に形成されてもよい。
【００１４】
この場合、第１の貫通孔内の第１のグランド層により導通路での特性インピーダンスの不連続性が改善される。
【００１５】
（３）絶縁層の第２の面上で第１の貫通孔の周囲を取り囲むように第２の信号配線パターンが存在しない領域が設けられてもよい。
【００１６】
この場合、第１の貫通孔の周囲を取り囲むように設けられた第２の信号配線パターンが存在しない領域により第１のグランド層と第２の信号配線パターンとが確実に電気的に絶縁される。
【００１７】
（４）配線回路基板は、第１の信号配線パターンと第２のグランドパターンとの間で絶縁層を貫通するように設けられるとともに第１の信号配線パターンから絶縁された第２のグランド層をさらに備えてもよい。
【００１８】
この場合、第２のグランド層は第１の信号配線パターンの領域内に設けられるとともに、第１の信号配線パターンが第２のグランド層から絶縁されている。そのため、第２のグランド層を設けるために配線回路基板の面積を拡大する必要がない。したがって、配線回路基板の小型化を妨げることなく導通路における特性インピーダンスの不連続性をさらに改善することができる。
【００１９】
（５）絶縁層は、第１の信号配線パターンと第２のグランドパターンとの間で貫通するように設けられた第２の貫通孔を有し、第２のグランド層は、第２の貫通孔内に形成されてもよい。
【００２０】
この場合、第２の貫通孔内の第２のグランド層により導通路での特性インピーダンスの不連続性がさらに改善される。
【００２１】
（６）絶縁層の第１の面上で第２の貫通孔の周囲を取り囲むように第１の信号配線パターンが存在しない領域が設けられてもよい。
【００２２】
この場合、第２の貫通孔の周囲を取り囲むように設けられた第１の信号配線パターンが存在しない領域により第２のグランド層と第１の信号配線パターンとが確実に電気的に絶縁される。
【００２３】
（７）第１の信号配線パターンおよび第２の信号配線パターンは高周波デジタル信号用配線であってもよい。
【００２４】
この場合、第１の信号配線パターン、導通路および第２の信号配線パターンにより高周波デジタル信号が伝送される場合でも、配線回路基板の小型化を妨げることなく導通路における特性インピーダンスの不連続性を改善することができる。
【００２５】
（８）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１の導体層、絶縁層および第２の導体層の積層構造を有する積層基材を用意する工程と、絶縁層を貫通するように第１の導体層と第２の導体層とを互いに電気的に接続する導通路を形成する工程と、第１の導体層と第２の導体層との間で絶縁層を貫通する第１のグランド層を形成する工程と、第１の導体層をパターニングすることにより、導通路に電気的に接続された第１の信号配線パターン、および第１の信号配線パターンから絶縁されかつ第１のグランド層に電気的に接続された第１のグランドパターンを形成する工程と、第２の導体層をパターニングすることにより、導通路に電気的に接続されかつ第１のグランドパターンに少なくとも部分的に対向する第２の信号配線パターン、および第２の信号配線パターンから絶縁された第２のグランドパターンを形成する工程とを備えたものである。
【００２６】
この製造方法により製造された配線回路基板においては、絶縁層の一方の面の第１の信号配線パターンと他方の面の第２の信号配線パターンとが絶縁層を貫通する導通路を通して互いに電気的に接続されている。
【００２７】
第１のグランドパターンは、第２の信号配線パターンに少なくとも部分的に対向するように絶縁層の一方の面に形成され、第１の信号配線パターンから絶縁されている。第２のグランドパターンは、第１の信号配線パターンに少なくとも部分的に対向するように絶縁層の他方の面に形成され、第２の信号配線パターンから絶縁されている。
【００２８】
また、第１のグランド層が第２の信号配線パターンと第１のグランドパターンとの間で絶縁層を貫通するように設けられ、第２の信号配線パターンから絶縁されている。それにより、導通路での特性インピーダンスの不連続性が改善される。
【００２９】
この場合、第１のグランド層は第２の信号配線パターンの領域内に設けられるとともに、第２の信号配線パターンが第１のグランド層から絶縁されている。そのため、第１のグランド層を設けるために配線回路基板の面積を拡大する必要がない。したがって、配線回路基板の小型化を妨げることなく導通路における特性インピーダンスの不連続性を改善することができる。
【００３０】
（９）その製造方法は、第１の導体層と第２の導体層との間で絶縁層を貫通する第２のグランド層を形成する工程をさらに備え、第２のグランドパターンは第２のグランド層に電気的に接続され、第１の信号配線パターンは第２のグランド層から絶縁されてもよい。
【００３１】
この場合、第２のグランド層は第１の信号配線パターンの領域内に設けられるとともに、第１の信号配線パターンが第２のグランド層から絶縁されている。そのため、第２のグランド層を設けるために配線回路基板の面積を拡大する必要がない。したがって、配線回路基板の小型化を妨げることなく導通路における特性インピーダンスの不連続性をさらに改善することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、配線回路基板の小型化を妨げることなく導通路における特性インピーダンスの不連続性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板について図面を参照しながら説明する。本実施の形態に係る配線回路基板は、フレキシブル配線回路基板である。
【００３４】
（１）配線回路基板の構成
図１は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の模式的断面図、図２は図１の配線回路基板の模式的平面図、図３は図１の配線回路基板の模式的底面図である。
【００３５】
図１〜図３に示すように、配線回路基板１００は、ベース絶縁層１を有する。ベース絶縁層１の一方の面には、第１の導体層２および金属めっき層４からなる第１の信号配線パターンＳ１、および第１の導体層２および金属めっき層４からなる第１のグランドパターンＧ１が形成されている。
【００３６】
また、ベース絶縁層１の他方の面には、第２の導体層３および金属めっき層４からなる第２の信号配線パターンＳ２、および第２の導体層３および金属めっき層４からなる第２のグランドパターンＧ２が形成されている。
【００３７】
第１の信号配線パターンＳ１は、ベース絶縁層１を介して第２のグランドパターンＧ２および第２の信号配線パターンＳ２の一部に対向するように設けられる。第２の信号配線パターンＳ２は、ベース絶縁層１を介して第１のグランドパターンＧ１および第１の信号配線パターンＳ１の一部に対向するように設けられる。
【００３８】
第１の導体層２、ベース絶縁層１および第２の導体層３を貫通するように信号用スルーホールＨ０およびグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２が形成されている。
【００３９】
信号用スルーホールＨ０の内面およびグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２の内面には金属めっき層４がそれぞれ形成されている。信号用スルーホールＨ０内の金属めっき層４を接続層４００と称し、グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２内の金属めっき層４をそれぞれグランド層４０１，４０２と称する。
【００４０】
第１の信号配線パターンＳ１と第２の信号配線パターンＳ２とは、信号用スルーホールＨ０内の接続層４００により互いに電気的に接続されている。また、第１のグランドパターンＧ１は、グランド用スルーホールＨ１内のグランド層４０１および他方の面上のグランド層Ｇ１ａに電気的に接続されている。さらに、第２のグランドパターンＧ２は、グランド用スルーホールＨ２内のグランド層４０２および一方の面上のグランド層Ｇ２ａに電気的に接続されている。
【００４１】
第１の信号配線パターンＳ１は、第１のグランドパターンＧ１から絶縁されている。第２の信号配線パターンＳ２は、第２のグランドパターンＧ２から絶縁されている。
【００４２】
第１の信号配線パターンＳ１は、グランド層４０２，Ｇ２ａおよび第２のグランドパターンＧ２から環状溝Ｖ１により絶縁されている。第２の信号配線パターンＳ２は、グランド層４０１，Ｇ１ａおよび第１のグランドパターンＧ１から環状溝Ｖ２により絶縁されている。
【００４３】
本実施の形態に係る配線回路基板においては、第１の信号配線パターンＳ１と第２の信号配線パターンＳ２との間で信号用スルーホールＨ０内の接続層４００を通して高周波デジタル信号が伝送される。
【００４４】
（２）配線回路基板の製造方法
図４は図１の配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【００４５】
まず、図４（ａ）に示すように、三層基材１０を用意する。三層基材１０は、ベース絶縁層１の一方の面上および他方の面上にそれぞれ第１の導体層２および第２の導体層３を有する。
【００４６】
本実施の形態では、ベース絶縁層１はポリイミドからなり、第１の導体層２および第２の導体層３は銅からなる。ベース絶縁層１の厚みは例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは８μｍ以上５０μｍ以下である。第１の導体層２の厚みは例えば３μｍ以上４０μｍ以下であり、好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下である。同様に、第２の導体層３の厚みは例えば３μｍ以上４０μｍ以下であり、好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下である。
【００４７】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の導体層２、ベース絶縁層１および第２の導体層３を貫通する信号用スルーホールＨ０およびグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２を形成する。信号用スルーホールＨ０およびグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２の形成方法としては、ドリルを用いた加工法またはレーザ加工法等が挙げられる。
【００４８】
信号用スルーホールＨ０の直径Ｄ０は例えば例えば３０μｍ以上３００μｍ以下であり、好ましくは５０μｍ以上２００μｍ以下である。グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２の直径ｄ１，ｄ２は例えば例えば１５μｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下である。
【００４９】
また、信号用スルーホールＨ０の中心とグランド用スルーホールＨ１の中心との間の距離Ｌ１は例えば１００μｍ以上３０００μｍ以下であり、好ましくは２００μｍ以上２０００μｍ以下である。同様に、信号用スルーホールＨ０の中心とグランド用スルーホールＨ２の中心との間の距離Ｌ２は例えば１００μｍ以上３０００μｍ以下であり、好ましくは２００μｍ以上２０００μｍ以下である。
【００５０】
次いで、図４（ｃ）に示すように、第１の導体層２上、第２の導体層３上、信号用スルーホールＨ０の内面上およびグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２の内面上に金属めっき層４を形成する。本実施の形態では、金属めっき層４は銅めっき層である。金属めっき層４の厚みは例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、好ましくは６μｍ以上１５μｍ以下である。
【００５１】
さらに、図４（ｄ）に示すように、通常のフォトレジスト形成工程、露光工程、現像工程およびエッチング工程により第１の導体層２、第２の導体層３および金属めっき層４をパターニングし、絶縁層１の一方の面上に第１の信号配線パターンＳ１および第１のグランドパターンＧ１を形成し、ベース絶縁層１の他方の面上に第２の信号配線パターンＳ２および第２のグランドパターンＧ２を形成する。
【００５２】
ここで、信号用スルーホールＨ０内の金属めっき層４が接続層４００となる。この場合、信号用スルーホールＨ０内の接続層４００が導通路を構成する。また、グランド用スルーホールＨ１内の金属めっき層４がグランド層４０１となり、グランド用スルーホールＨ２内の金属めっき層４がグランド層４０２となる。
【００５３】
図２に示す第１の信号配線パターンＳ１の幅ＷＳ１、第１のグランドパターンＧ１の幅ＷＧ１、図３に示す第２の信号配線パターンＳ２の幅ＷＳ２および第２のグランドパターンＧ２の幅ＷＧ２は、例えば４０μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは５０μｍ以上７００μｍ以下である。
【００５４】
最後に、第１の信号配線パターンＳ１、第２の信号配線パターンＳ２、第１のグランドパターンＧ１および第２のグランドパターンＧ２を覆うように絶縁層１の一方の面上および他方の面上にカバー絶縁層（図示せず）を形成する。
【００５５】
本実施の形態では、カバー絶縁層はポリイミドからなる。カバー絶縁層の厚みは例えば３μｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上６０μｍ以下である。このようにして、配線回路基板１００が完成する。
【００５６】
（３）実施の形態の効果
本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、信号用スルーホールＨ０に並列にグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２が設けられるとともにグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２の内面にグランド層４０１，４０２が形成されている。それにより、信号用スルーホールＨ０内の接続層４００での特性インピーダンスの不連続性が改善される。
【００５７】
この場合、グランド用スルーホールＨ１は第２の信号配線パターンＳ２の領域内に設けられるとともに、第２の信号配線パターンＳ２がグランド用スルーホールＨ１内のグランド層４０１から絶縁されている。また、グランド用スルーホールＨ２は第１の信号配線パターンＳ１の領域内に設けられるとともに、第１の信号配線パターンＳ１がグランド用スルーホールＨ２内のグランド層４０２から絶縁されている。そのため、グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２内のグランド層４０１，４０２を設けるために配線回路基板１００の面積を拡大する必要がない。
【００５８】
したがって、配線回路基板１００の小型化を妨げることなく信号用スルーホールＨ０内の接続層４００における特性インピーダンスの不連続性を改善することができる。
【００５９】
（４）他の実施の形態
ベース絶縁層１の材料は、ポリイミドに限らず、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルフォン等の他の樹脂材料を用いてもよい。
【００６０】
また、第１の導体層２および第２の導体層３の材料は、銅に限らず、銅合金、金、アルミニウム等の他の金属材料を用いてもよい。
【００６１】
さらに、カバー絶縁層の材料は、ポリイミドに限らず、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエーテルニトリルフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム等の他の樹脂材料を用いてもよい。
【００６２】
また、金属めっき層４は銅めっき層に限らず、銀または錫等の他の金属めっき層を用いてもよい。また、銅、錫等の複数の層からなる積層構造のめっき層を用いてもよい。
【００６３】
また、上記実施の形態では、信号用スルーホールＨ０と並列に２つのグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２を形成しているが、グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２のいずれか一方のみを形成してもよい。
【００６４】
さらに、上記実施の形態では、信号用スルーホールＨ０の中央部に孔が存在するように接続層４００が形成されているが、信号用スルーホールＨ０内が接続層４００で埋め込まれてもよい。
【００６５】
また、上記実施の形態では、グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２の中央部に孔が存在するようにグランド層４０１，４０２が形成されているが、グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２内がグランド層４０１，４０２で埋め込まれてもよい。
【００６６】
第１の信号配線パターンＳ１、第２の信号配線パターンＳ２、第１のグランドパターンＧ１および第２のグランドパターンＧ２の形成方法は、特に限定されず、例えばセミアディティブ法またはサブトラクティブ法等を用いることができる。
【００６７】
（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００６８】
上記実施の形態では、ベース絶縁層１が絶縁層の例であり、第１の導体層２が第１の導体層の例であり、第２の導体層３が第２の導体層の例であり、第１の信号配線パターンＳ１が第１の信号配線パターンの例であり、第２の信号配線パターンＳ２が第２の信号配線パターンの例であり、第１のグランドパターンＧ１が第１のグランドパターンの例であり、第２のグランドパターンＧ２が第２のグランドパターンの例である。
【００６９】
また、ベース絶縁層１の一方の面が絶縁層の第１の面の例であり、ベース絶縁層１の他方の面が絶縁層の第２の面の例である。
【００７０】
さらに、接続層４００が導通路の例であり、グランド層４０１が第１のグランド層の例であり、グランド層４０２が第２のグランド層の例であり、グランド用スルーホールＨ１が第１の貫通孔の例であり、グランド用スルーホールＨ２が第２の貫通孔の例である。
【００７１】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【実施例】
【００７２】
（ａ）実施例
実施例では、上記実施の形態に基づいて配線回路基板１００を作製した。
【００７３】
まず、三層基材１０を用意した。三層基材１０は、厚み２５μｍのポリイミドからなるベース絶縁層１の一方の面上に厚み１２μｍの銅箔からなる第１の導体層２を有し、他方の面上に厚み１２μｍの銅箔からなる第２の導体層３を有する。
【００７４】
次に、第１の導体層２、ベース絶縁層１および第２の導体層３を貫通する直径１００μｍの信号用スルーホールＨ０、直径３０μｍのグランド用スルーホールＨ１および直径３０μｍのグランド用スルーホールＨ２をレーザを用いて形成した。
【００７５】
信号用スルーホールＨ０の中心とグランド用スルーホールＨ１の中心との間の距離は４００μｍとし、信号用スルーホールＨ０の中心とグランド用スルーホールＨ２の中心との間の距離は４００μｍとした。
【００７６】
次いで、第１の導体層２上、第２の導体層３上、信号用スルーホールＨ０の内面上およびグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２の内面上に無電解銅めっきにより銅めっき層からなる厚み８μｍの金属めっき層４を形成した。それにより、信号用スルーホールＨ０内に接続層４００を形成し、グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２の内面にグランド層４０１，４０２をそれぞれ形成した。
【００７７】
さらに、フォトレジスト形成工程、露光工程、現像工程およびエッチング工程により第１の導体層２、第２の導体層３および金属めっき層４をパターニングし、絶縁層１の一方の面上に第１の信号配線パターンＳ１および第１のグランドパターンＧ１を形成し、ベース絶縁層１の他方の面上に第２の信号配線パターンＳ２および第２のグランドパターンＧ２を形成した。
【００７８】
第１の信号配線パターンＳ１の幅ＷＳ１、第２の信号配線パターンＳ２の幅ＷＳ２、第１のグランドパターンＧ１の幅ＷＧ１および第２のグランドパターンＧ２の幅ＷＧ２は４００μｍとした。
【００７９】
（ｂ）比較例
比較例では、グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２内にグランド層４０１，４０２を形成しない点以外は実施例と同様の方法で配線回路基板を作製した。
【００８０】
（ｃ）評価
実施例および比較例の配線回路基板において、ＴＤＲ(Time Domain Reflectometry)法により図示しないコネクタの入力端子部から出力端子部までの第１の信号配線パターンＳ１および第２の信号配線パターンＳ２の特性インピーダンスの値を測定した。
【００８１】
実施例の配線回路基板１００では、接続層４００における特性インピーダンスは第１の信号配線パターンＳ１および第２の信号配線パターンＳ２における特性インピーダンスとほぼ同じであった。すなわち、接続層４００で特性インピーダンスの不連続はほとんど発生しなかった。
【００８２】
これに対して、比較例の配線回路基板では、接続層４００における特性インピーダンスが第１の信号配線パターンＳ１および第２の信号配線パターンＳ２における特性インピーダンスより約１０Ω高くなった。
【００８３】
これらの結果から、グランド用スルーホールＨ１，Ｈ２内にグランド層４０１，４０２を形成することにより、特性インピーダンスの不連続性の発生が防止されることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明に係る配線回路基板は、種々の電気機器、電子機器等に利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の模式的断面図である。
【図２】図１の配線回路基板の模式的平面図である。
【図３】図１の配線回路基板の模式的底面図である。
【図４】図１の配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１  ベース絶縁層
２  第１の導体層
３  第２の導体層
４  金属めっき層
１０  三層基材
１００  配線回路基板
４００  接続層
４０１，４０２  グランド層
Ｓ１  第１の信号配線パターン
Ｓ２  第２の信号配線パターン
Ｇ１  第１のグランドパターン
Ｇ２  第２のグランドパターン
Ｈ０  信号用スルーホール
Ｈ１，Ｈ２  グランド用スルーホール
【図１】
2008235697.tif 000003
【図２】
2008235697.tif 000004
【図３】
2008235697.tif 000005
【図４】
2008235697.tif 000006