(57)【要約】【課題】高エネルギー効率ソーラーセルを提供する。【解決手段】上側サブセル、中間サブセル、及び下側サブセルを有する多接合ソーラーセルを含む半導体構造体を形成する方法は、半導体材料をエピタキシャル成長させるための第１の基板を設け、基板上に第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルを形成し、第１のサブセルの上に第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルを形成し、第２のサブセルの上に第２のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有する傾斜中間層を形成し、第２のバンドギャップよりも小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルを第３のサブセルが第２のサブセルと格子不整合になるように形成する。バイパスダイオードが半導体構造体内に更に設けられ、ソーラーセルの第１の極性の領域がバイパスダイオードの第２の極性の領域に接続される。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソーラーセルを製造する方法であって、
第１の基板を設ける段階と、
前記ソーラーセルが遮光されたときに電流を通過させるバイパスダイオードが形成された第１の領域と、多接合ソーラーセルの少なくとも１つのセルが形成され前記第１の領域から離間して配置された第２の領域とを含む一連の半導体材料の層を前記基板上に堆積する段階と、
前記一連の層の上に第２の基板を設ける段階と、
前記第１の基板を除去する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記堆積段階が、
第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルを形成する段階と、
前記第１のサブセルの上に、前記第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルを形成する段階と、
傾斜中間層の上に、前記第２のバンドギャップよりも小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルを形成する段階と、
を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のソーラーセルを製造する方法。
【請求項３】
前記第１の基板がＧａＡｓから構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載のソーラーセルを製造する方法。
【請求項４】
前記第１のソーラーサブセルがＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐ2エミッタ領域及びＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐ2ベース領域から構成され、前記第２のソーラーサブセルがＩｎＧａＰ2エミッタ領域及びＧａＡｓベース領域から構成され、前記第３のソーラーサブセルがｎ型ＧａＩｎＡｓエミッタ及びｐ型ＧａＩｎＡｓベースから構成される、
ことを特徴とする請求項２に記載のソーラーセルを製造する方法。
【請求項５】
前記傾斜中間層が、単調に増加する格子定数を有するＩｎＧａＡｌＡｓの複数の層から構成される、
ことを特徴とする請求項２に記載のソーラーセルを製造する方法。
【請求項６】
前記第３のソーラーサブセルの上にコンタクト層を堆積させる段階を更に含む、
請求項２に記載のソーラーセルを製造する方法。
【請求項７】
前記バイパスダイオードを形成する前記一連の層が、前記多接合ソーラーセルを形成する前記一連の層の成膜後に引き続き成膜される、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ソーラーセルの第１の極性の領域と前記バイパスダイオードの第２の極性の領域とを接続するための金属層を堆積させる段階を更に含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
半導体材料の一連の層を備えたソーラーセル半導体デバイスであって、
前記一連の層が、
前記半導体材料の一連の層により多接合ソーラーセルの少なくとも１つのセルが形成される第１の領域と、
対応する前記一連の層により前記セルを逆バイアスから保護するためのバイパスダイオード用のサポートが形成される第２の領域と、
を含み、
前記第１の領域において前記少なくとも１つのセルを形成する前記一連の層と前記第２の領域において前記バイパスダイオード用のサポートを形成する前記一連の層とが同一であり、前記第１の領域内の各層が、前記第２の領域における対応する層と実質的に同じ組成及び厚みを有し、
前記一連の層が、
一つの領域内の前記ソーラーセルの活性領域への第１の電気コンタクト及び前記第２の領域内の前記バイパスダイオードの活性領域に対する第２の電気コンタクトを形成する不連続の横方向電導層と、
前記一連の層上に堆積された導電層と、
前記第２の電気コンタクトを前記導電層に接続する導電体と、
を含む、
ことを特徴とするデバイス。
【請求項１０】
前記多接合ソーラーセルが、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐ2上部セル、ＧａＩｎＰ2／ＧａＡｓ中間セル、及びＧａＩｎＡｓ下部セルを含む、
ことを特徴とする請求項９に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソーラーセル半導体デバイスの分野に関し、詳細には、多接合ソーラーセル及び一体型バイパスダイオードを含む集積半導体構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ソーラーセルとも呼ばれる光セルは、ここ数年で利用可能となった最も重要な新規のエネルギー源の１つである。ソーラーセルの開発には相当な努力が投入されてきた。その結果、ソーラーセルは現在、幾つかの産業用及び民生用の用途で使用されている。この分野においては顕著な進歩があったが、より高機能の用途のニーズを満足するためのソーラーセルの要件は需要に追いついてはいない。データ通信に使用される人工衛星などの用途では、電力及びエネルギー変換効率が改良されたソーラーセルに対する需要が劇的に高まっている。
【０００３】
人工衛星及び他の宇宙関連用途においては、衛星電力システムの大きさ、質量、及びコストは、使用されるソーラーセルの電力及びエネルギー変換効率に左右される。別の言い方をすれば、最大積載量の規模及び船内サービスの可用性は、供給される電力量に比例する。従って、最大積載量がより高度になるに従って、船内電力システム用の電力変換デバイスとして機能するソーラーセルはますます重要になっている。
【０００４】
ソーラーセルは、多くの場合、垂直方向に多接合構造で作製され、且つ水平方向のアレイで配置されており、個々のソーラーセルは互いに直列に接続されている。アレイの形状及び構造、並びに収容されるセルの数は、１つには要求される出力電圧及び電流によって決まる。
【０００５】
アレイ内のソーラーセルが、全て太陽光を受光或いは照射されている場合、アレイ内の各セルは順方向にバイアスされ、電流が流れることになる。しかしながら、遮光又は破損によりセルのうちの何れかが照射されず、この遮光されたセルが依然としてアレイ回路内にある場合には、照射されたセルによって発生した電流を流すために、該遮光されたセルが強制的に逆バイアスされる可能性がある。この逆バイアスはセルを劣化させる恐れがあり、最終的にはセルを動作不能にする可能性がある。逆バイアスを防ぐために、単一の多接合セル内にソーラーセルと平行にダイオード構造体が導入されることが多い。
【０００６】
しかし、衛星の移動による遮光のため、或いはセルに対する損傷の結果としてソーラーセルが太陽光を受光していない場合には、セル経路に沿った抵抗が存在する。ソーラーセルはアレイ状であるので、照射されたセルからの電流は遮光されたセルを通過しなければならない。ダイオードが存在しない場合には、電流は強制的にセル層に押し進み、当該セルのバイアスが反転し、当該セルの電気的特性が破壊されないまでも永続的に劣化する。
【０００７】
セルがダイオードを含む場合には、代替の並列経路を電流に与えることができ、遮光セルが保護されることになる。この概念に伴う課題は、製造が比較的容易で且つ極めて低い電圧レベルを用いてターンオンして作動するようなダイオードを生成するのが困難なことであった。
【０００８】
バイパスダイオードの目的は、遮光されたセル又は損傷したセルから電流を引き離すことである。バイアスダイオードは、遮光されたセルが逆バイアスになると、順方向バイアスになる。ソーラーセルとバイパスダイオードとは並列であるので、遮光されたセルに電流を強制的に通すのではなく、ダイオードは、遮光されたセルから電流を引き離し、次のセルとの接続を維持するように電流を完結させる。
【０００９】
セルが遮光され又は太陽光を受光しない場合、電流がダイオード経路を選択するためには、当該ダイオード経路のターンオン電圧はセル経路に沿った絶縁破壊電圧よりも低くなければならない。セル経路に沿った絶縁破壊電圧は通常、少なくとも５ボルトであろう。或る実施では、ショットキー・バイパスダイオードが利用される。ショットキーコンタクトは、「ターンオン」するのに約６００ｍＶの比較的低い電圧値を必要とする。しかしながら、ゲルマニウム基板を用いた多接合ソーラーセルにおいては、Ｇｅ接合を通すためには、Ｇｅ接合のバイアスを反転させなければならないので、大きな電圧を必要とする。Ｇｅ接合のバイアスの反転にはおよそ９．４ボルトを要し、よって、電流がダイオード経路を辿るためには、ほぼ１０ボルトが必要となる。Ｇｅ接合のバイアスを反転するのに使用される１０ボルトは、他の用途に利用可能となるはずの電圧よりも１０ボルト少ない。
【００１０】
ソーラーセルに関連したバイパスダイオードの使用は、米国特許第６，１０３，９７０号；第６，３５９，２１０号；第６，６００，１００号；第６，６１７，５０８号；第６，６８０，４３２号；第６，８６４，４１４号；及び第７，１１５，８１１号により公知である。
【００１１】
米国特許第６，９５１，８１９号及びＭ．Ｗ．Ｗａｎｌｅｓｓ他による「高性能ＩＩＩ−Ｖ族太陽光発電エネルギー変換のための格子不整合手法（２００５年１月３〜７日、第３１回ＩＥＥＥ光電池専門家会議の議事録、ＩＥＥＥ  Ｐｒｅｓｓ，２００５年）、並びに本発明の譲受人の２００６年６月２日出願の同時係属出願の米国特許出願シリアル番号１１／４４５，７９３に記載されたような反転メタモルフィックソーラーセル構造体は、高エネルギー変換効率を有する将来の商品開発にとって重要な起点を提示する。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第６，１０３，９７０号公報
【特許文献２】米国特許第６，３５９，２１０号公報
【特許文献３】米国特許第６，６００，１００号公報
【特許文献４】米国特許第６，６１７，５０８号公報
【特許文献５】米国特許第６，６８０，４３２号公報
【特許文献６】米国特許第６，８６４，４１４号公報
【特許文献７】米国特許第７，１１５，８１１号公報
【特許文献８】米国特許第６，９５１，８１９号公報
【特許文献９】米国特許出願シリアル番号１１／４４５，７９３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の以前では、従来技術で開示された材料及び作製段階は、一体型バイパスダイオードを有する反転式メタモルフィック構造に基づく高エネルギー効率ソーラーセルに関して記載されていない。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
要約すると、本発明は、第１の基板を設ける段階と、ソーラーセルが遮光されたときに電流を通過させるバイパスダイオードが形成された第１の領域と、多接合ソーラーセルの少なくとも１つのセルが形成され、第１の領域から離間して配置された第２の領域とを含む、一連の半導体材料の層を基板上に堆積する段階と、一連の層の上に第２の基板を設ける段階と、第１の基板を除去する段階と、によってソーラーセルを製造する方法を提供する。
【００１５】
本発明は更に、一連の層を有する半導体ボディを含む一体型バイパスダイオードを有するソーラーセルを提供し、該一連の層は、第１の領域とバイパスダイオードを含む第２の領域とを含み、該第１の領域は、第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルと、第１のサブセルの上に配置され第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルと、第２のサブセルの上に配置され、第２のバンドギャップよりも大きい第３のバンドギャップを有する傾斜中間層と、該中間層の上に配置され、第２のサブセルに対して格子不整合であるようにされ且つ第３のバンドギャップよりも小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルとを含む。
【００１６】
別の態様において、本発明は、半導体材料の一連の層を有するソーラーセル半導体デバイスを提供し、当該一連の材料の層は、多接合ソーラーセルの少なくとも１つのセルを形成する第１の領域と対応する一連の層が、該セルを逆バイアスから保護するためのバイパスダイオード用のサポートを形成する第２の領域とを含み、第１の領域において少なくとも１つのセルを形成する一連の層と第２の領域においてバイパスダイオード用のサポートを形成する一連の層とが同一であり、第１の領域内の各層が第２の領域における対応する層と実質的に同じ組成及び厚みを有する。
【００１７】
一連の層は、２つの電子的に分離された部分、すなわち１つの領域内のソーラーセルの活性領域への電気コンタクトを形成する第１の部分と、バイパスダイオードの活性領域への電気コンタクトを形成する第２の部分を形成する横方向の不連続導電層を含む。
【００１８】
導電層は一連の層の上に堆積され、導電体は第２の部分及びバイパスダイオードを導電層に接続する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明のこれら及び他の特徴並びに利点は、添付図面と共に以下の詳細な説明を参照することによって良好且つ完全に理解されるであろう。
【００２０】
図１は、基板上に３つのサブセルＡ、Ｂ及びＣを形成した後の本発明による多接合ソーラーセルを示している。より詳細には、ガリウムヒ素（ＧａＡs）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、或いは他の適切な材料の何れかとすることができる基板１００が示されている。次いで、ダイオードを形成する一連の層が基板上に堆積される。例えば、ｐ＋ＧａＡｓダイオードエミッタ層１０１、真性ＧａＡｓ層１０２、及びｎ型ＧａＡｓ層１０３が堆積され、次いで、ｎ＋型ＧａＩｎＰ2のエッチング停止層１０４が堆積される。次に、ｎ＋＋ＧａＡｓのコンタクト層１０５が層１０４上に堆積され、ｎ＋ＡｌＩｎＰ2ウィンドウ層１０６がコンタクト層上に堆積される。次いで、ｎ＋エミッタ層１０７及びｐ型ベース層１０８からなるサブセルＡが、ウィンドウ層１０６上に堆積される。
【００２１】
多接合ソーラーセル構造体は、格子定数及びバンドギャップ要件に従って周期表ＩＩＩ族ないしＶ族元素のあらゆる適切な組み合わせによって形成することができる点に留意すべきであり、ここでＩＩＩ族は、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）及びタリウム（Ｔｌ）が含まれる。ＩＶ族には、炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及びスズ（Ｓｉ）が含まれる。Ｖ族には、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、及びビスマス（Ｂｉ）が含まれる。
【００２２】
好ましい実施形態においては、基板１００はガリウムヒ素であり、エミッタ層１０７はＧａＩｎＰ2から構成され、ベース層はｐ型ＧａＩｎＰ2から構成される。化学式内の括弧の使用は、アルミニウムの量が０ないし３０％の範囲にわたる場合があることを示す正式名称である。
【００２３】
ベース層１０８の上部には、再結合損失を低減するのに使用されるｐ＋型ＡｌＧａＩｎＰの裏面電界（「ＢＳＦ」）層１０９が堆積される。
【００２４】
ＢＳＦ層１０９は、ベース／ＢＳＦ境界面近傍の領域から少数キャリアを生じさせ、再結合損失の影響を最小限にする。換言すれば、ＢＳＦ層１０９は、ソーラーサブセルＡの裏面で再結合損失を低減し、これによってベース内の再結合を減少させる。
【００２５】
ＢＳＦ層１０９の上部には、一連の高濃度ドープのｐ型及びｎ型ＧａＡｓ層１１０が堆積され、これはセルＡをセルＢに接続する回路素子であるトンネルダイオードを形成する。
【００２６】
トンネルダイオード層１１０の上部には、ｎ＋ＩｎＡｌＰ2ウィンドウ層１１１が堆積される。サブセルＢ内で使用されるウィンドウ層１１１はまた、再結合損失を低減するように動作する。ウィンドウ層１１１はまた、下にある接合部のセル表面のパッシベーションを改善する。本発明の範囲を逸脱することなく、当該セル構造体に付加層を付加し、或いは取り除くことができる点は当業者であれば理解されるはずである。
【００２７】
ウィンドウ層１１１の上部には、セルＢの層：すなわちエミッタ層１１２及びｐ型ベース層１１３が堆積される。好ましくは、これらの層は、それぞれＧａＩｎＰ2及びＧａＡｓ（或いはＩｎ0.015ＧａＡｓ）から構成されるが、格子定数及びバンドギャップ要件に適合する他のどのような適切な材料も同様に用いることができる。
【００２８】
セルＢの上部には、ＢＳＦ層１０９と同様の機能を果たすｐ＋ＧａＩｎＰ2ＢＳＦ層１１４が堆積される。ｐ＋＋／ｎ＋＋ＧａＡｓトンネルダイオード１１５が、層１１０と同様にＢＳＦ層１１４上に堆積され、この場合もまたセルＢをセルＣに接続する回路要素を形成する。好ましくはＧａＩｎＰであるバッファ層１１６が、トンネルダイオード１１５上に約１．０ミクロンの厚みにまで堆積される。メタモルフィックバッファ層１１７がバッファ層１１６上に堆積され、これは、組成的に段階傾斜したＧａＩｎＰの一連の層であり、単調に変化する格子定数を有し、セルＢからサブセルＣまでの格子定数の遷移が行われる。層１１７のバンドギャップは、中間セルＢのバンドギャップよりも僅かに大きい値を有する１．５ｅｖ定数である。
【００２９】
１つの実施形態においては、Ｗａｎｌｅｓｓ他の論文で示唆されたように、段階傾斜は、９つの組成的に傾斜した段階を含み、各段階の層が０．２５ミクロンの厚みを有する。
【００３０】
メタモルフィックバッファ層１１７の上部には、別のｎ＋ＧａＩｎＡｓウィンドウ層１１８が堆積される。ウィンドウ層１１８は、下側の接合部のセル表面のパッシベーションを改善する。本発明の範囲から逸脱することなく、追加層を設けることができる。
【００３１】
次いで、ウィンドウ層１１８の上部には、ｎ＋型エミッタ層１１９及びｐ型ベース層１２０であるサブセルＣの層が堆積される。好ましい実施形態においては、エミッタ層はＧａＩｎＡｓから構成され、ベース層は約１．０ｅＶのバンドギャップ要件を有するｐ型ＧａＩｎＡｓから構成されるが、適切な格子定数及びバンドギャップ要件を有する他の何れかの半導体材料も同様に用いることができる。
【００３２】
サブセルＣのベース層１２０の上部には、好ましくはＧａＩｎＡｓＰから構成される裏面電界（ＢＳＦ）層１２０が堆積される。
【００３３】
ＢＳＦ層１２１を覆って又はその上部には、好ましくはｐ＋型ＩｎＧａＡｓであるｐ＋コンタクト層１２２が堆積される。
【００３４】
図２は、図１のソーラーセルの本発明による次のプロセス段階の後の断面図であり、ｐ＋半導体コンタクト層１２２の上に金属コンタクト層１２３が堆積されている。当該金属は、好ましくは一連のＴｉ／Ａｕ／Ａｇ／Ａｕ層である。次いで、接着剤層１２１が、金属層１２３の上に堆積される。この接着剤は、好ましくはＧｅｎＴａｋ３３０（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．から販売されている）である。好ましくはサファイアである代理基板１２５が、接着剤層１２４を用いて当該構造体に取り付けられる。好ましい実施形態において、代理基板は、厚みが約４０ミルであり、後で当該基板を除去するのを助けるために、直径約１ｍｍの穴が４ｍｍの間隙を置いて穿孔されている。
【００３５】
図３には、図２の構造体が底部に代理基板１２５を有して示されている。最初の基板１００は、基板が除去される一連のラッピング及び／又はエッチング段階によって除去される。エッチング剤の選択は、使用された基板によって決まる。
【００３６】
次いで図４には、トレンチ１５０が層１２３までエッチング加工されて、半導体ボディが２つの領域１５１及び１５２に分離される、次のプロセス段階が図示されている。トレンチ１５０が、層１２３までエッチング加工され、当該半導体ボディが２つの領域１５１及び１５２に分離される。
【００３７】
図５は、左側領域１５１内の層１０１から層１０４までが除去され、右側領域１５２内の層１０４と層１０５との間に段差が形成された、本発明による次のプロセス段階後の図４のソーラーセルの断面図である。このような処理は、公知のリトグラフィ技法によって実施することができる。
【００３８】
図６は、絶縁層２００が右側領域１５２の上に形成された、本発明による次のプロセス段階の後の図５のソーラーセルの別の断面図である。このようなプロセス段階は、公知のマスキング、堆積、及びフォトレジスト・リフトオフ技法によって実施することができる。
【００３９】
図７は、絶縁層２００の一部分が除去され、これによりウィンドウ層１０６の段差部分が層１０１と同様に露出された、本発明による次のプロセス段階の後の図６のソーラーセルの断面図である。
【００４０】
図８は、ウィンドウ層１０６と金属層１２３とを電気的に接続するための導電層２０１が堆積された、本発明による次のプロセス段階の後の図７のソーラーセルの断面図である。
【００４１】
図９は、コンタクト層２０２及び２０３がそれぞれ左側領域１５１及び右側領域１５２上に堆積された、本発明による次のプロセス段階の後の図８のソーラーセルの断面図である。
【００４２】
図１０は、本発明による太陽電池及びバイパスダイオードの回路図である。セルＡ、Ｂ、Ｃは、図９に示されるのと同じ順序で配列され、半導体構造体の上部で層１０５がソーラーセルの端子を形成し、バイパスダイオードの端子である層２０３に電気的に接続される。（当該接続は図９に示されてはいない）
【００４３】
同様に、ソーラーセルの裏側で層１２３が端子を形成し、バイパスダイオードの端子に導電体２０１によって接続される。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１の基板上にバイパスダイオードの層とソーラーセルの層とを形成するプロセス段階の終わりでの本発明によるソーラーセルの拡大断面図である。
【図２】構造体の上部に代理基板を取り付ける段階を含む、本発明による次のプロセス段階の後の図１のソーラーセルの断面図である。
【図３】最初の基板を除去する段階を含んで示された、本発明による次のプロセス段階の後の図２のソーラーセルの断面図である。
【図４】半導体ボディが２つの離間した領域に形成されるように、トレンチをエッチング加工する段階を含む、本発明による次のプロセス段階の後の図３のソーラーセルの断面図である。
【図５】左側領域内のある層が除去され、右側領域内に段差が形成された、本発明による次のプロセス段階の後の図４のソーラーセルの断面図である。
【図６】絶縁層が右側領域の上に形成された、本発明による次のプロセス段階の後の図５のソーラーセルの別の断面図である。
【図７】絶縁層の一部分が除去された、本発明による次のプロセス段階の後の図６のソーラーセルの断面図である。
【図８】導電層が堆積された本発明による次のプロセス段階の後の図７のソーラーセルの断面図である。
【図９】コンタクト層が堆積された本発明による次のプロセス段階の後の図８のソーラーセルの断面図である。
【図１０】本発明によるソーラーセル及びバイパスダイオードの回路図である。
【符号の説明】
【００４５】
１２３  金属コンタクト層
１２４  接着剤層
１２５  代理基板
１５０  トレンチ
１５１、１５２  半導体ボディの分離された２つの領域
２００  絶縁層
２０１  導電層
２０３  コンタクト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【外国語明細書】
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