(57)【要約】【課題】  アレイ化されたブランキング偏向器の駆動速度を高めてスループット、精度、線幅制御性を改善する露光装置及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。【解決手段】  マルチビームをブランキングするアレイ化されたブランキング偏向器を有する露光装置において、ブランキング偏向器を構成する電極（偏向電極）１０１に偏向用の電圧を与えるスイッチング素子１０３を、偏向電極１０１と同一基板１０２に設ける。アレイ化されたブランキング偏向器に直接電圧をかけずにスイッチング素子１０３を介して電圧の印加を制御する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチビームをブランキングするアレイ化されたブランキング偏向器を有する露光装置において、
前記ブランキング偏向器を構成する電極に偏向用の電圧を与えるスイッチング素子を、前記電極と同一基板に設けることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、電気的なスイッチング機能を有するトランジスタである請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子は、光で駆動されるスイッチング機能を有する素子であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。  
【請求項４】
前記ブランキング偏向器と配線部分とは別々の基板に設けられるハイブリッド構造に構成され、
前記配線部分が設けられる基板に前記スイッチング素子は設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の露光装置を用いてウエハを露光する工程と、
前記ウエハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、駆動速度が高められるブランキング偏向器を有する露光装置及びその露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビーム露光装置には、ビームをスポット状にして使用するポイントビーム型、サイズ可変の矩形断面にして使用する可変矩形ビーム型、ステンシルを使用して特定の断面形状にするステンシルマスク型等の装置がある。
ポイントビーム型の電子ビーム露光装置ではスループットが低いので、研究開発用にしか使用されていない。
可変矩形ビーム型の電子ビーム露光装置では、ポイント型と比べるとスループットが１〜２桁高いが、０．１μｍ程度の微細なパターンが高集積度で詰まったパターンを露光する場合などではやはりスループットの点で問題が多い。
【０００３】
他方、ステンシルマスク型の電子ビーム露光装置は、可変矩形アパーチャに相当する部分に複数の繰り返しパターン透過孔を形成したステンシルマスクを用いる。
したがって、ステンシルマスク型の電子ビーム露光装置では繰り返しパターンを露光する場合のメリットが大きい。
しかし、１枚のステンシルマスクに納まらない多数の転写パターンが必要な半導体回路に対しては、複数枚のステンシルマスクを作成しておいてそれを１枚ずつ取り出して使用する必要がある。
即ち、ステンシルマスク型の電子ビーム露光装置は、複数枚のステンシルマスクを１枚ずつ取り出して使用するため、マスク交換の時間が必要になり、著しくスループットが低下するという問題ある。
【０００４】
この問題点を解決する装置として、複数の電子ビームを設計上の座標に沿って試料面に照射するマルチ電子ビーム型露光装置がある。
マルチ電子ビーム型露光装置は、設計上の座標に沿ってその複数の電子ビームを偏向させて試料面を走査させるとともに、描画するパターンに応じて複数の電子ビームを個別にｏｎ／ｏｆｆしてパターンを描画する。
マルチ電子ビーム型露光装置は、ステンシルマスクを用いずに任意の描画パターンを描画できるのでスループットがより改善できるという特徴がある。
【０００５】
従来のマルチ電子ビーム型露光装置の概略を図９に示す。図９は従来のマルチ電子ビーム型露光装置の概略構成を説明する説明図である。
従来のマルチ電子ビーム型露光装置では、図９に示すように、電子銃（図示せず）で発生した電子線はクロスオーバ像を形成する。（以下、このクロスオーバ像を電子源１と記す）。
この電子源１から放射される電子ビームは、ビーム整形光学系２を介して、電子源１の像３：ＳＩを形成する。
【０００６】
像３：ＳＩからの電子ビームは、コリメータレンズ４によって平行の電子ビームとなる。平行な電子ビームは複数の開口を有するアパーチャアレイ５を照明する。
アパーチャアレイ５は、複数の開孔を有し、電子ビームを複数の電子ビームに分割する。
アパーチャアレイ５で分割された複数の電子ビームは、静電レンズが複数形成された静電レンズアレイ６により、像３：ＳＩの中間像を形成する。
中間像は、静電型偏向器であるブランカーが複数形成されたブランカーアレイ（ブランキング偏向器）７により、その偏向の有無が制御される。
【０００７】
中間像の下流には、２段の対称磁気タブレット・レンズ８１，８２で構成された縮小電子光学系８があり、複数の中間像がウェハ９上に投影される。
このとき、ブランカーアレイ７で偏向された電子ビームは、ブランキングアパーチャＢＡによって遮断されるため、ウエハ9には照射されない。
一方、ブランカーアレイ７で偏向されない電子ビームは、ブランキングアパーチャＢＡによって遮断されないため、ウエハ９に照射される。
【０００８】
下段のダブレット・レンズ８２内には、複数の電子ビームを同時にＸ，Ｙ方向の特定の位置に変位させるための偏向器１０、及び複数の電子ビームのフォーカスを同時に調整するフォーカスコイル１２が配置されている。
ＸＹステージ１３はウェハ９を搭載し、光軸と直交するＸＹ方向に移動可能である。
ＸＹステージ１３上にはウェハ９を固着するための静電チャック１５と電子ビームの形状を測定するための電子ビーム入射側にナイフエッジを有する半導体検出器１４が配置されている。
【０００９】
しかしながら、従来のアレイ化されたブランキング偏向器（ブランカーアレイ７）は、個々の偏向器に直接偏向用の電圧を与えているため、ｏｎ／ｏｆｆ制御の速度には限界があった。
これは荷電粒子ビームのマルチビームを用いる露光装置において、マルチビームをブランキングするアレイ化されたブランキング偏向器（ブランカーアレイ７）にかけられるブランキング電圧が高いためである。
即ち、ブランキング電圧が高いため、そのｏｎ／ｏｆｆのスイッチング速度の高速化に限界があり、露光に求められる精度を向上させることが困難になっていた。
【００１０】
一方、特開２００５−３２８８８号公報（特許文献１）により、照明ビームをレチクルの各サブフィールドに向けて偏向する主偏向器と、照明ビームをレチクルに当てないようにブランキングするブランキング偏向器とを有する露光装置が提案されている。
【特許文献１】特開２００５−３２８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明は、駆動速度が高められるアレイ化されたブランキング偏向器を有し、スループット、精度、線幅制御性が改善される露光装置及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明の露光装置は、マルチビームをブランキングするアレイ化されたブランキング偏向器を有する露光装置において、前記ブランキング偏向器を構成する電極に偏向用の電圧を与えるスイッチング素子を、前記電極と同一基板に設けることを特徴とする。
即ち、アレイ化されたブランキング偏向器に直接電圧をかけずにスイッチング素子を介して電圧の印加を制御することを特徴とする。
さらに、本発明の露光装置は、前記スイッチング素子は、電気的なスイッチング機能を有するトランジスタであることを特徴とする。
さらに、本発明の露光装置は、前記スイッチング素子は、光で駆動されるスイッチング機能を有する素子であることを特徴とする。
さらに、本発明の露光装置は、前記ブランキング偏向器と配線部分とは別々の基板に設けられるハイブリッド構造に構成され、前記配線部分が設けられる基板に前記スイッチング素子は設けられることを特徴とする。
一方、本発明のデバイス製造方法は、上記いずれかに記載の露光装置を用いてウエハを露光する工程と、前記ウエハを現像する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の露光装置によれば、ブランキング偏向器を構成する電極に偏向用の電圧を与えるスイッチング素子を、前記電極と同一基板に設け、スイッチング素子は電極の周辺に設けられる。
このため、アレイ化されたブランキング偏向器の電極に直接電圧をかけずにスイッチング素子を介して電圧を制御する。
アレイ化されたブランキング偏向器に直接電圧をかける場合に比べて振幅を小さくでき、ブランキング偏向器の駆動速度を高めることができ、露光装置のスループット、精度、線幅制御性が改善される。  
微細加工技術が発達し、サブミクロン以下のパターン精度が要求される場合にも、微細な荷電粒子の制御を行うことができる。
アレイ化されたブランキング偏向器に直接電圧をかけずにスイッチング素子を介して電圧を制御するため、アレイ化されたブランキング偏向器に直接電圧をかける場合に比べて振幅を小さくでき、ドライバーＩＣに汎用品を用いることができる。
さらに、本発明の露光装置によれば、スイッチング素子はアレイ化されたブランキング偏向器の電極の周辺に設けられる。
このため、駆動用の配線が短いため、低い電圧で制御でき、遅延時間を短くでき、広帯域を確保することができ、スループット、精度を改善できる。
一方、本発明のデバイス製造方法によれば、上記露光装置を用いるため、上記露光装置が示す各効果を共有することができ、したがってデバイスの製造に際して、スループット、精度、線幅制御性が向上する結果、信頼性の高いデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を、その実施例に基づいて、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本発明の実施例１に係る露光装置で、本発明の要点部分を説明する説明図である。即ち、本発明に係る実施例１は、マルチビームをブランキングするアレイ化されたブランキング偏向器を有する露光装置を例示する。
実施例１の露光装置の概要は図９に示す露光装置の構成と基本的には等しいものであり、詳しい説明は省略する。
実施例１の露光装置は、荷電粒子ビームとして電子ビームを適用するものであるが、イオンビーム等を適用することも可能である。
【００１６】
実施例１の露光装置は、詳しく図示しないが、図１に示す基板１０２に対してアレイ化されたブランキング偏向器を備える。
アレイ化されたブランキング偏向器とは、ブランカーアレイ（図９参照：符号７）であり、ブランカーアレイは、詳しくは図示しないが複数の偏向器をアレイ状に配列したものである。
ブランカーアレイの各偏向器の開孔を通過する各電子ビームを試料上に照射するときは、各偏向器の電極（以下偏向電極と呼ぶ）に接地電位の信号を印加することで、各電子ビームを偏向させずにブランキングアパーチャ（図９参照：符号ＢＡ）を通過させる。
そして、ブランキングアパーチャ（図９参照：符号ＢＡ）を通過する各電子ビームは、縮小電子光学系（図９参照：符号８）を通過して試料上に照射される。
【００１７】
一方、ブランカーアレイは、各電子ビームを遮断するときは、各偏向器の偏向電極に正負の電位の信号を同時に印加することで、各電子ビームを偏向させてブランキングアパーチャを通過させず、これにより各電子ビームを遮断する。
即ち、ブランカーアレイの各偏向器は個別の制御が可能であり、各偏向器の偏向電極への特定の電位の印加で、複数の電子ビームの試料上への照射を個別に制御（遮断、非遮断）する機能を持っている。
【００１８】
一方、基板１０２上には、ブランカーアレイの各偏向器の偏向電極１０１が特定の工法により形成されている。各偏向電極１０１の形成には、印刷技術、蒸着技術、エッチング技術、若しくはろう付け技術等の任意の工法を用いて良い。
以下、ブランカーアレイの一つの偏向器を例に本発明の実施例１の構成を説明する。図１に示すように、実施例１では、本発明の要点のハイブリット構造を、基板１０２に対し多層配線デバイスの構造を用いることで実現している。
【００１９】
即ち、基板１０２には、図１に示すように、ブランキング偏向器を構成する各偏向電極１０１が形成されており、かつ、各偏向電極１０１に偏向用の電圧を与えるための電気的なスイッチング機能を有するスイッチング素子１０３が形成されている。
スイッチング素子１０３を、ブランカーアレイの各偏向電極１０１を形成する基板１０２と同一基板１０２に設けるということは、スイッチング素子１０３の生産性、及び動作性能の効率化、高速化を達成するためである。
尚、スイッチング素子１０３は、ブランカーアレイの各偏向器毎に一つずつ形成するという態様、若しくはブランカーアレイの各偏向器を一括して制御すべく単体として形成するという態様がある。
【００２０】
スイッチング素子１０３は、一般の任意の半導体製造技術を用いることで、基板１０２の特定の位置に対し任意に製造することができる。詳しい説明は省略する。尚、スイッチング素子１０３には、例えばＭＯＳＦＥＴトランジスタ等を用いるという態様がある。
また、スイッチング素子１０３の製造に際しては、スイッチング素子（トランジスタ）１０３のソースＳに接続するＶｃｃ配線１０４、及びドレインＤに接続するＧｎｄ配線１０５を、例えば基板１０２内に階層的に形成するという態様がある。
ただし、Ｖｃｃ配線１０４、及びＧｎｄ配線１０５は、基板１０２の任意の位置（表層を含む）に対し単一層で形成することも可能である。
【００２１】
一方、Ｇｎｄ配線１０５には、抵抗Ｒが形成されており、スイッチング素子１０３のドレインＤとその抵抗Ｒとの間の位置には、ブランカーアレイの偏向器（図示せず）の一方の偏向電極１０１に接続される配線１０６が形成されている。
また、Ｇｎｄ線１０５には、抵抗Ｒの下流側に対しブランカーアレイの偏向器（図示せず）の他方の偏向電極１０１に接続される配線１０６が形成されている。
ゲートＧを介してスイッチング素子１０３のソースＳ、ドレインＤ間が導通する場合は、Ｖｃｃの電位が一方の偏向電極１０１からブランカーアレイの偏向器に印加されて、その偏向器の偏向動作を制御する。
【００２２】
即ち、ゲートＧを介してソースＳ、ドレインＤ間が導通する場合は、多層配線デバイスとして形成したＭＯＳＦＥＴトランジスタ（スイッチング素子）を経て、アレイ化されたブランキング偏向器にかかるブランキング用電圧を制御することができる。
なお、双方の偏向電極１０１は、図１においては、垂直に起立する構成を例示しているが、水平の平板状であっても良いことは勿論である。
【００２３】
図２は、実施例１の要部構成の等価回路を示す回路図である。スイッチング素子１０３には、ＭＯＳＦＥＴトランジスタを例示する。
ＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ１のゲートＧは例えば特定の制御用回路（図示せず）の出力側が接続されている。
また、ＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ１のソースＳはＶｃｃ電源に接続されており、ドレインＤは抵抗Ｒ、及び偏向電極１０１を介してＧｎｄに接続されている。
即ち、ブランキング偏向器の偏向電極１０１は接合によってドレインＤの配線デバイスと接続される。
【００２４】
Ｖｃｃはブランキング偏向器の偏向電極１０１に与えられるブランキング用電源である。抵抗Ｒはブランキング偏向器の偏向電極１０１の片側に電位を与えるための抵抗である。
ゲートＧに制御電圧がかけられＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ１がＯＮになるとＶｃｃがブランキング偏向器の偏向電極１０１の片側にかかり、アレイ化されたブランキング偏向器は電子ビームを偏向させることができる。
逆にゲートＧを制御しＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ１がＯＦＦになるとＶｃｃがカットされブランキング偏向器の偏向電極１０１は両方ともにグランド電位になり、電子ビームの軌道に偏向は起こらない。
【００２５】
実施例１においては、ブランキング偏向器を構成する電極（偏向電極）１０１に偏向用の電圧を与えるスイッチング素子１０３を偏向電極１０１と同一基板に設け、スイッチング素子は偏向電極１０１の周辺に設ける。
即ち、アレイ化されたブランキング偏向器の偏向電極１０１に直接電圧をかけずにスイッチング素子１０３を介して電圧を制御する。
このため、アレイ化されたブランキング偏向器に直接電圧をかける場合に比べて振幅を小さくでき、ブランキング偏向器の駆動速度を高めることができ、露光装置のスループット、精度、線幅制御性が向上する。  
しかも、微細加工技術が発達し、サブミクロン以下のパターン精度が要求される場合にも、微細な荷電粒子の制御を行うことができる。
【００２６】
また、実施例１においては、アレイ化されたブランキング偏向器に直接電圧をかけずにスイッチング素子１０３を介して電圧を制御するため、アレイ化されたブランキング偏向器に直接電圧をかける場合に比べて振幅を小さくでき、ドライバーＩＣに汎用品を用いることができる。
さらに、実施例１においては、スイッチング素子はアレイ化されたブランキング偏向器の偏向電極の周辺に設けられるため、駆動用の配線が短く、低い電圧で制御でき、かつ遅延時間を短くできる。
このため、偏向電極に与える駆動信号は広帯域を確保することができ、この観点からも、スループット、精度を向上させることができる。
【実施例２】
【００２７】
次に本発明の実施例２を説明する。
図３は、本発明の実施例２の要部を構成する他の等価回路の例を示す回路図である。実施例２においては、露光装置の概要、及びアレイ化された偏向器については実施例１の場合と同一であり、その詳しい説明は省略する。
実施例２のスイッチング素子１０３ａは、図３に示すように、ＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ１のドレインＤとＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ２のソースＳとの間からＧｎｄとの間に偏向電極１０１を接続する。
ＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ２を用いることで実施例１に示す抵抗Ｒを不要にして動作速度を高めることが可能である。
【００２８】
ＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ１のゲートＧ１をＯＮ、ＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ２のゲートＧ２をＯＦＦにするとブランキング偏向器の偏向電極１０１の片側にＶｃｃがかかりブランキングＯＮ（電子ビームの遮断）になる。
一方、ＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ１のゲートＧ１をＯＦＦ、ＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ２のゲートＧ２をＯＮにするとブランキング偏向器の偏向電極１０１は両方ともにＧｎｄ電位となりブランキングＯＦＦ（電子ビームの非遮断）となる。
ＭＯＳＦＥＴトランジスタが１つの場合に比べ抵抗Ｒを使わないため、実施例１の効果に加え、スイッチング速度をさらに向上させ、さらに電子ビームの偏向制御のより高速化、及び偏向精度のより向上を図ることができる。
【実施例３】
【００２９】
次に本発明の実施例３を説明する。
図４は、本発明の実施例３の要部を構成するさらに他の等価回路の例を示す回路図である。実施例３においても、露光装置の概要、及びアレイ化された偏向器については実施例１の場合と同一であり、その詳しい説明は省略する。
実施例３のスイッチング素子１０３ｂは、図４に示すように、光で制御できる２つのＭＯＳＦＥＴ、即ち２つのフォトトランジスタＰＴｒ１、ＰＴｒ２を用いることに特徴がある。
フォトトランジスタＰＴｒ１のドレインＤとフォトトランジスタＰＴｒ２のソースＳとの間からＧｎｄとの間に対し偏向電極１０１を接続する。
【００３０】
フォトトランジスタＰＴｒ１のゲートＰＧ１に光をあてＯＮにするとブランキング偏向器の偏向電極１０１の片側にＶｃｃがかかりブランキングＯＮ（電子ビームの遮断）になる。
一方、フォトトランジスタＰＴｒ２のゲートＰＧ２に光をあてＯＮにするとブランキング偏向器の偏向電極１０１は両方ともにＧｎｄ電位となりブランキングＯＦＦ（電子ビームの非遮断）となる。
実施例３においては、フォトトランジスタＰＴｒ２を用いることで同じく実施例１に示す抵抗Ｒを不要にして動作速度を高めることが可能であり、かつ、特にゲートＰＧ１，ＰＧ２に電気信号を用いず、光信号を用いるため制御線をなくすことが可能である。
また、実施例３においても、実施例１の効果に加え、スイッチング速度をさらに向上させ、さらに電子ビームの偏向制御のより高速化、及び偏向精度のより向上を図ることができる。
【実施例４】
【００３１】
次に本発明の実施例４を説明する。
図５は、アレイ化されたブランキング偏向器を制御する上記デバイス（スイッチング素子１０３）を１枚のシリコン基板上に構成した場合の概略を示す概略図である。尚、露光装置の概要、及びアレイ化されたブランキング偏向器の説明は省略する。
上記偏向電極１０１及び上記スイッチング素子１０３をアレイ化して構成する部分６０１は、詳しくは図示しないが、偏向電極１０１は例えば銅で構成されており、電子ビームが通過する部分は空洞になっている。
上記部分６０１は、シリコン基板６０２の一部に構成されており、詳しくは図示しないが、ブランカーアレイの各偏向電極１０１とスイッチング素子１０３との間の配線の接続があり、外部制御に接続できる端子を持つ。
【００３２】
この関係で、シリコン基板６０２は、アレイ化されたブランキング偏向器の偏向電極１０１を構成する基板と同一の基板となることは言うまでもない。
尚、実施例４の場合、上記部分６０１は、例えば３ｍｍ四方であり、シリコン基板６０２は、例えば５０ｍｍ四方であるが、寸法的には任意の寸法を用いて良い。
また、実施例４においても、実施例１の効果に加え、スイッチング速度をさらに向上させ、さらに電子ビームの偏向制御のより高速化、及び偏向精度のより向上を図ることができる。
【実施例５】
【００３３】
次に本発明の実施例５を説明する。
図６は、上記デバイス（スイッチング素子１０３）を二枚のシリコン基板上に構成した場合の概略を示す概略図である。尚、露光装置の概要、及びアレイ化されたブランキング偏向器の説明は省略する。
上記偏向電極１０１及び上記スイッチング素子１０３をアレイ化して構成する部分７０１は、詳しくは図示しないが、偏向電極１０１は同じく銅で構成されており、電子ビームが通過する部分は空洞になっている。
【００３４】
シリコン基板７０２は、上記部分７０１を構成するエリアを有し、各スイッチング素子１０３から配線を受け持つもう一枚の基板（母体基板７０３）に短く接続できるバンプを持つ。
即ち上記偏向電極１０１への配線部分が設けられる例えばシリコン基板７０２に対しスイッチング素子１０３を設けるという態様がある。
母体基板７０３は、例えばシリコン製の基板であって配線を受け持ち、外部制御に接続できる端子を持つ。シリコン基板７０２と母体基板７０３は接合によって一体化されデバイスとして機能する。
このため偏向電極１０１への配線部分が設けられる例えば母体基板７０３に対しスイッチング素子１０３を設けるという態様がある。
【００３５】
この関係で、母体基板７０３は、アレイ化されたブランキング偏向器の偏向電極１０１を構成する基板と同一の基板であると言うことができる。
尚、実施例５の場合、上記部分７０１は、例えば３ｍｍ四方であり、シリコン基板７０２は、例えば１０ｍｍ四方であり、母体基板７０３は、例えば５０ｍｍ四方であるが、寸法的には任意の寸法を用いて良い。
また、実施例５においても、実施例１の効果に加え、スイッチング速度をさらに向上させ、さらに電子ビームの偏向制御のより高速化、及び偏向精度のより向上を図ることができる。
【００３６】
（デバイス製造方法の実施例）
次に、図７及び図８を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図７は、デバイス（例えばＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００３７】
ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。
ステップ５（組立）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００３８】
図８は、上記ステップ４のウエハプロセスの詳細を説明するためのフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。
ステップ１４（イオン打込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。
ステップ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。デバイス製造方法の実施例においては、上記露光装置を用いるため、上記露光装置が示す各効果を共有することができ、したがってデバイスの製造に際して、スループット、精度、線幅制御性が向上する結果、信頼性の高いデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施例１に係る露光装置で、本発明の要点部分を説明する説明図である。
【図２】本発明の実施例１の要部構成の等価回路を示す回路図である。
【図３】本発明の実施例２の要部構成の他の等価回路の例を示す回路図である。
【図４】本発明の実施例３の要部構成のさらに他の等価回路の例を示す回路図である。
【図５】本発明の実施例４のアレイ化されたブランキング偏向器を制御するスイッチング素子を１枚のシリコン基板上に構成した場合の概略を示す概略図である。
【図６】本発明の実施例５の上記スイッチング素子を二枚のシリコン基板上に構成した場合の概略を示す概略図である。
【図７】露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。
【図８】図７に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図９】従来の電子ビーム露光装置の要部概略を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０１    偏向電極（電極）
１０２    基板
１０３，１０３ａ，１０３ｂ    スイッチング素子
１０４    Ｖｃｃ配線
１０５    Ｇｎｄ配線
１０６    配線
Ｔｒ１，Ｔｒ２    ＭＯＳＦＥＴトランジスタ
Ｇ，Ｇ１，Ｇ２，ＰＧ１，ＰＧ２    ゲート
Ｓ    ソース
Ｄ    ドレイン
Ｒ    抵抗
ＰＴｒ１，ＰＴｒ２    フォトトランジスタ
６０１，７０１    部分
６０２，７０２    シリコン基板
７０３    母体基板
１    電子源
２    ビーム成形光学系
３    像
４    コリメータレンズ
５    アパーチャアレイ
６    静電レンズアレイ
７    ブランカーアレイ（ブランキング偏向器）
８    縮小電子光学系
９    ウエハ
１０    偏向器
１２    フォーカスコイル
１３    ＸＹステージ
１４    半導体検出器
１５    静電チャック
８１，８２    対称磁気タブレットレンズ 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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