(57)【要約】【課題】ＳＯＩウエハを用いて、くびれの形成が抑制されたフィン型電界効果トランジスタを簡単かつ確実に製造することができる方法を提供すること。【解決手段】ＳＯＩウエハを用いて、単結晶シリコン層３を下地の埋め込み酸化物層２が露出するまで選択的にドライエッチングしてフィン状の突起部５を形成し、突起部５に生じたダメージを含む表面を酸化して犠牲酸化膜６を形成し、この犠牲酸化膜６をエッチングにより除去して、清浄な表面を有するフィンを形成し、フィン型電界効果トランジスタを製造するにあたり、エッチングの際に、犠牲酸化膜６のエッチング速度（ｒ1 ）が、埋め込み酸化物層２のエッチング速度（ｒ2 ）よりも高くなるようにする。【選択図】図１
2008177268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に絶縁材料からなる埋め込み酸化物層が形成され、さらにその上に単結晶シリコン層が形成されてなるＳＯＩウエハを用いてフィン型電界効果トランジスタを製造する方法であって、
前記単結晶シリコン層を下地の埋め込み酸化物層が露出するまで選択的にドライエッチングしてフィン状の突起部を形成する工程と、
前記突起部に生じたダメージを含む表面を酸化して犠牲酸化膜を形成する工程と、
この犠牲酸化膜をエッチングにより除去して、清浄な表面を有するフィンを形成する工程とを含み、
前記エッチングの際に、前記犠牲酸化膜のエッチング速度（ｒ1 ）が、前記埋め込み酸化物層のエッチング速度（ｒ2 ）よりも大きいことを特徴とするフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記犠牲酸化膜が、プラズマ酸化処理により形成されることを特徴とする請求項１に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記犠牲酸化膜が、ＲＬＳＡ (Radical Line Slot Antenna)マイクロ波プラズマ方式のプラズマ酸化処理により形成されることを特徴とする請求項２に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理において、希ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを用いることを特徴とする請求項３に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理において、処理ガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用いることを特徴とする請求項４に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理において、処理ガスとしてアルゴンガスと酸素ガスと水素ガスとを用いることを特徴とする請求項３に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理における処理温度が３００〜６００℃である請求項３から請求項６のいずれかに記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理における処理温度が４００〜５００℃である請求項３から請求項６のいずれかに記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記犠牲酸化膜のエッチング速度と、前記埋め込み酸化物層のエッチング速度との比率（ｒ1 ／ｒ2 ）が１．２以上であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
ウエットエッチングにより犠牲酸化膜を除去することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
ウエットエッチングの際のエッチング液としてフッ酸を用いることを特徴とする請求項１０に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
Ｓｉ基板上に絶縁材料からなる埋め込み酸化物層が形成され、さらにその上に単結晶シリコン層が形成されてなるＳＯＩウエハを用いてフィン型電界効果トランジスタを製造する方法であって、
前記単結晶シリコン層を下地の埋め込み酸化物層が露出するまで選択的にドライエッチングしてフィン状の突起部を形成する工程と、
前記突起部に生じたダメージを含む表面を酸化して犠牲酸化膜を形成する工程と、
この犠牲酸化膜をウエットエッチングにより除去して、清浄な表面を有するフィンを形成する工程とを含み、
前記ウエットエッチングの際に使用するエッチング液に対して、前記犠牲酸化膜のエッチング速度が、前記埋め込み酸化物層のエッチング速度よりも高いことを特徴とするフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＳＯＩウエハを用いてフィン型の電界効果トランジスタを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）の主な開発課題として、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の駆動電流の増加と低消費電力化を両立させることが挙げられる。この課題を克服するために、シリコンよりもキャリア移動度の高い物質をチャネルに使う方法が検討されている。キャリア移動度の高い半導体物質としてゲルマニウムやガリウム砒素などの半導体物質が候補として挙げられているが、熱安定性の問題や、良好な半導体／絶縁体界面を形成することが困難であること等の理由から実用化の目処は立っていない。したがって、チャンネル物質は従来のままシリコンを用いて、ＭＯＳＦＥＴの微細化を進めることで駆動電流の増加をはかり、かつ過度なゲートリーク電流や短チャネル効果を抑制することで低消費電力化をはかるという手段をとってきた。
【０００３】
微細化を進めつつゲートリーク電流の過度な増加を抑制するためには誘電率の高いゲート絶縁膜を用いる必要があり、近年ではゲート絶縁膜として従来のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）に替わり誘電率の高いシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）が用いられるようになってきている。しかしながら酸窒化膜を用いることによる誘電率向上効果は今後限界に達することが予想され、誘電率がさらに高いＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜が次世代のゲート絶縁膜として利用が期待されている。Ｈｉｇｈ−ｋ絶縁膜に用いられる物質として、バンドギャップや誘電率と熱安定性の観点からＨｆＯ2 やＨｆシリケイト膜がもっとも実用性が高い。しかしながら、ＨｆＯ2 やＨｆシリケイトで形成されたゲート絶縁膜上にＰｏｌｙ−Ｓｉや金属のゲート電極を用いた場合はゲート電極の仕事関数が変化し（フェルミレベルピニング）、閾値電圧が所望の値に制御できないという問題が近年報告されている。また、絶縁膜中の固定電荷や界面層との間に出来るダイポール、リモートフォノン散乱等の影響でキャリア移動度が低下することも知られている。
【０００４】
微細化を進めつつ短チャネル効果を抑制するためにチャネルのドーピング濃度を濃くする方法が取られている。しかしながら、ドーピング濃度を上げることは閾値電圧を所望の値よりも大きくし、かつキャリア移動度を低下させる。
これらの事実から、微細化による駆動能力増加と低消費電力化を同時に進めることは非常に困難な状況となってきている。
【０００５】
ＭＯＳＦＥＴの短チャネル効果を抑制し、駆動能力を向上させる構造としてダブルゲート構造が提案されている。ダブルゲート構造というのは、チャネルが形成される半導体層の厚さ方向の両面にゲート絶縁膜とゲート電極部が形成されたものである。二つのゲートはＭＯＳＦＥＴのドレインからの電界力線を効果的に終端させてドレイン電位がチャネルのソース側端に影響を及ぼすことを防ぐので、短チャネル効果が大幅に抑制される。
【０００６】
実際のダブルゲート構造として、フィン型電界効果トランジスタが提案されている（例えば、特許文献１〜５参照）。
【０００７】
フィン型電界効果トランジスタでは、半導体基板上に絶縁膜を介してＦｉｎ（ひれ）型形状の半導体層が形成され、この半導体層の両側面にはゲート絶縁膜とゲート電極が当該半導体層をはさむように形成されている。フィン型電界効果トランジスタはダブルゲート構造であるので短チャンネル効果を抑制できる。したがってチャネルのドーピング濃度を薄くすることができる。その結果、閾値電圧を所望の値に制御することができ、キャリア移動度が増加し、またチャネルが二面で形成されるので駆動電流を増加させることが可能となる。これらのことから、ＨｆＯ2 やＨｆシリケイトで形成されたゲート絶縁膜をフィン型電界効果トランジスタに用いることで、駆動電流の増加とゲートリーク電流抑制と短チャンネル効果抑制とを同時に実現することが可能となる。
【０００８】
フィン型電界効果トランジスタの製造には、オフ状態の漏電流を低減することができるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハが好適に用いられる。
このＳＯＩウエハは、単結晶シリコン基板ウエハに、絶縁材料からなる埋め込み酸化物（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）層と単結晶シリコン層とが積層されたものである。ここに、埋め込み酸化物層は、通常、熱酸化法によって形成される。
【０００９】
ＳＯＩウエハを用いてフィン型電界効果トランジスタを製造する際において、フィンの形成には、以下の方法が一般に用いられる。
まず、ＳＯＩウエハに、プラズマエッチング等のドライエッチングを施してフィン状の突起部を形成する。この突起部は最終的に形成されるフィンよりも大きなサイズとする。しかして、この突起部の表面にはプラズマ等によるダメージが生じる。
【００１０】
そこで、フィンの表面ラフネスを改善すると共に、幅の小さいフィンを形成するために、次工程として、ダメージを含む表面を酸化して犠牲酸化膜を形成し、これをフッ酸等によるウエットエッチングで除去する。これにより、清浄な表面を有し、最初に形成した突起部よりも小さいサイズ（最終的に形成されるものとほぼ同一サイズ）のフィンを形成することができる。
【００１１】
このように、ドライエッチングによるダメージを犠牲酸化膜のウエットエッチングにより除去する方法は、その操作が簡単であり、また、ドライエッチングのみでは形成できないサイズ（例えば幅が３０〜４０ｎｍ）のフィンを形成することができる。
【００１２】
しかしながら、ウエハとして上記のＳＯＩウエハを用いた場合、すなわち、埋め込み酸化物層上の単結晶シリコン層にドライエッチングを施してフィン状の突起部を形成し、この突起部に生じたダメージを、犠牲酸化膜のウエットエッチングにより除去する場合には、図４に示すように、形成されるフィン１１の基端部分にくびれ（アンダーカット）１２が生じてしまう。
【００１３】
このくびれ１２は次のようにして形成される。すなわち、ドライエッチングによって露出した埋め込み酸化物層１３の上部が、犠牲酸化膜とともにウエットエッチングされ（ウエットエッチングされる前の埋め込み酸化物層を点線で示す）、さらに、ウエットエッチングの等方性のためにフィン１１の直下（露出していない）のシリコン酸化物まで部分的にエッチング（サイドエッチング）されてしまうことにより形成されるものである。
【００１４】
そして、このようなくびれが生じると、その部分にゲート電極材料等の残渣が生じ、これがデバイス性能に悪影響（例えば、ＯＦＦ電流増加等のトランジスタ特性劣化）を及ぼすおそれがある。従来は、このような残渣を薬液洗浄等で除去することが試みられてきたが、洗浄工程は煩雑であり、また、これらの残渣を洗浄工程によって完全に除去することは困難である。さらに、このようなくびれが生じると、フィンの倒れ等の強度的な問題も懸念される。
【特許文献１】特開２００３−２０４０６８号公報
【特許文献２】特開２００４−１２８３２０号公報
【特許文献３】特開２００５−３３２９１１号公報
【特許文献４】米国特許第６２５２２８４号明細書
【特許文献５】米国特許第６４１３８０２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、ＳＯＩウエハを用いて、ドライエッチングにより生じたダメージを犠牲酸化膜のエッチングにより除去する工程を含むものでありながら、フィンの基端部分におけるくびれの形成が抑制された、さらには実質的にくびれのないフィン型電界効果トランジスタを簡単かつ確実に製造することができる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明では、Ｓｉ基板上に絶縁材料からなる埋め込み酸化物層が形成され、さらにその上に単結晶シリコン層が形成されてなるＳＯＩウエハを用いてフィン型電界効果トランジスタを製造する方法であって、前記単結晶シリコン層を下地の埋め込み酸化物層が露出するまで選択的にドライエッチングしてフィン状の突起部を形成する工程と、前記突起部に生じたダメージを含む表面を酸化して犠牲酸化膜を形成する工程と、この犠牲酸化膜をエッチングにより除去して、清浄な表面を有するフィンを形成する工程とを含み、前記エッチングの際に、前記犠牲酸化膜のエッチング速度（ｒ1 ）が、前記埋め込み酸化物層のエッチング速度（ｒ2 ）よりも高いことを特徴とするフィン型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【００１７】
本発明において、前記犠牲酸化膜は、プラズマ酸化処理により形成することができ、好適には、ＲＬＳＡ (Radical Line Slot Antenna)マイクロ波プラズマ方式のプラズマ酸化処理により形成されたものである。
【００１８】
前記ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理においては、希ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを用いることができる。具体的には、処理ガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用いてもよく、アルゴンガスと酸素ガスと水素ガスとを用いてもよい。
【００１９】
また、前記ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理における処理温度が３００〜６００℃、特に４００〜５００℃であることが好ましい。
【００２０】
本発明において、前記犠牲酸化膜のエッチング速度と、前記埋め込み酸化物層のエッチング速度との比率（ｒ1 ／ｒ2 ）が１．２以上であることが好ましい。
【００２１】
本発明において、前記犠牲膜のエッチング除去の際にはウエットエッチングを採用することができ、特にフッ酸によるウエットエッチングにより犠牲酸化膜を除去することが好ましい。
【００２２】
さらに、本発明では、Ｓｉ基板上に絶縁材料からなる埋め込み酸化物層が形成され、さらにその上に単結晶シリコン層が形成されてなるＳＯＩウエハを用いてフィン型電界効果トランジスタを製造する方法であって、前記単結晶シリコン層を下地の埋め込み酸化物層が露出するまで選択的にドライエッチングしてフィン状の突起部を形成する工程と、前記突起部に生じたダメージを含む表面を酸化して犠牲酸化膜を形成する工程と、この犠牲酸化膜をウエットエッチングにより除去して、清浄な表面を有するフィンを形成する工程とを含み、前記ウエットエッチングの際に使用するエッチング液に対して、前記犠牲酸化膜のエッチング速度が、前記埋め込み酸化物層のエッチング速度よりも高いことを特徴とするフィン型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
（１）本発明の製造方法によれば、ＳＯＩウエハを用いて、ドライエッチングにより生じたダメージを犠牲酸化膜のエッチングにより除去する工程を含むものでありながら、くびれの形成が抑制されたフィン型電界効果トランジスタを簡単かつ確実に製造することができる。すなわち、犠牲酸化膜のエッチング速度（ｒ1 ）を埋め込み酸化物層のエッチング速度（ｒ2 ）より高くすることにより、犠牲酸化膜の除去工程において、くびれの原因となる埋め込み酸化物層のエッチングがあまり進行しないうちに犠牲酸化膜の除去を完了させることができる。この結果、得られるフィン型電界効果トランジスタは、フィンの基端部分においてくびれが抑制されたものとなる。このとき埋め込み酸化膜のエッチングが進行する前に犠牲酸化膜の除去を完了させることができれば、実質的にくびれのないものとすることができる。
【００２４】
（２）プラズマ処理、特に、ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理により形成される犠牲酸化膜は、熱酸化法により形成された埋め込み酸化物層と比較して、フッ酸に対するエッチング速度が高いものとなる。従って、プラズマ処理（特に、ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理）によって犠牲酸化膜を形成することにより、フィンの基端部分において実質的にくびれのないフィン型電界効果トランジスタを確実に製造することができる。
【００２５】
（３）プラズマ処理、特に、ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理により形成される犠牲酸化膜は、熱酸化法により形成される犠牲酸化膜と比較して、表面の平坦性に優れている。更に、プラズマ処理により形成される犠牲酸化膜を除去した後のフィンの表面状態は、熱酸化法により形成される犠牲酸化膜を除去した後のフィンの表面状態よりも、その平坦性が優れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態に係るフィン型電界効果トランジスタの製造方法を示す工程断面図である。この実施形態に係る製造方法は、ＳＯＩウエハを用いる製造方法であって、ドライエッチングにより突起部を形成する工程と、突起部に犠牲酸化膜を形成する工程と、犠牲酸化膜をウエットエッチングにより除去する工程とを含む。
【００２７】
本実施形態においては、まず、図１（ａ）に示すような層構成のＳＯＩウエハを準備する。このＳＯＩウエハは、単結晶シリコンからなるシリコン基板１と、埋め込み酸化物層２と、単結晶シリコン層３と、ハードマスク４とが積層されてなる。
【００２８】
埋め込み酸化物層２は、熱酸化法により形成されたＳｉＯ2 からなる。ここに、埋め込み酸化物層２を形成するための熱酸化温度としては、例えば８５０℃とされる。
埋め込み酸化物層２の膜厚は、例えば１３０〜１６０ｎｍとされる。この範囲であれば、電界効果トランジスタのオフ状態の漏電流を十分に抑制することができる。
【００２９】
埋め込み酸化物層２上の単結晶シリコン層３の膜厚は、最終的に形成されるフィンの高さを規定するものであり、例えば３０〜２００ｎｍとされる。
【００３０】
単結晶シリコン層３上のハードマスク４は、例えばＳｉＮからなり、その膜厚は、例えば１０〜１００ｎｍとされる。
【００３１】
ドライエッチングにより突起部を形成する工程では、先ず、従来公知の方法に従って、リソグラフィおよびドライエッチングを行い、図１（ｂ）に示すように、ハードマスク４を部分的に除去する。
次に、単結晶シリコン層３のうちハードマスク４が除去されて露出した表面に対応する部分を、埋め込み酸化物層２が露出するまで、ドライエッチングにより除去する。これにより、図１（ｃ）に示すように、フィン状の突起部５が、埋め込み酸化物層２の上に形成される。その後、リン酸およびフッ酸処理を用い、図１（ｄ）に示すように、突起部５の上のハードマスク４を除去する。
【００３２】
突起部５を形成するためのドライエッチングとしては特に限定されるものではなく、従来公知のプラズマエッチング装置等を使用し、常法に従って行うことができる。
ドライエッチングの際にダメージ層が形成されることから、突起部５の幅を最終的に形成されるフィンの幅よりも大きく設定して、ダメージ層を除去する際の削り代を確保するようにする。
【００３３】
例えば、幅（ｗ）が３０〜４０ｎｍのフィンを形成する場合において、形成される突起部５の幅（ｗ0 ）は６０〜８０ｎｍであることが好ましい。この場合に、フィンの幅（ｗ）に対する突起部の幅（ｗ0 ）の比率（ｗ0
／ｗ）は１．５〜２．０であることが好ましい。
【００３４】
比率（ｗ0 ／ｗ）が１．５未満である場合には、ダメージ層除去の際の削り代を十分に確保することができない。一方、（ｗ0 ／ｗ）が２．０を超える場合には、削り代が過大となって、犠牲酸化膜の除去に長い時間を要したり、埋め込み酸化物層２のエッチングが必要以上に進行したりする虞がある。
【００３５】
突起部に犠牲酸化膜を形成する工程では、ダメージを含む突起部５の表面を酸化することにより、図１（ｅ）に示すような犠牲酸化膜６を形成する。
次のウエットエッチング工程により清浄な表面のフィンを形成するために、犠牲酸化膜６は、突起部５のダメージが存在する領域（ダメージ層）を包含できる膜厚を有していることが必要である。犠牲酸化膜６の膜厚は、例えば３０〜４０ｎｍとされ、この膜厚は酸化処理条件を制御することにより適宜調整することができる。
【００３６】
この犠牲酸化膜６には、エッチング液、典型的にはフッ酸に対するエッチング速度（ｒ1 ）が、埋め込み酸化物層２（熱酸化法により形成されたＳｉＯ2 層）のエッチング液に対するエッチング速度（ｒ2 ）よりも高いことが要求される。
犠牲酸化膜６のエッチング速度（ｒ1 ）が、埋め込み酸化物層２のエッチング速度（ｒ2 ）よりも高いことにより、後述する犠牲酸化膜の除去工程において、くびれの原因となる埋め込み酸化物層のエッチングがあまり進行しないうちに犠牲酸化膜の除去を完了させることができる。すなわち、犠牲酸化膜の除去が完了した時点で、埋め込み酸化物層では、くびれがあまり進行していない状態とすることができるので、得られるフィン型電界効果トランジスタは、フィンの基端部分においてくびれの抑制されたものとなる。好適には、犠牲酸化膜の除去工程において、埋め込み酸化物層のエッチングが進行する前に犠牲酸化膜の除去が完了することである。この場合には、埋め込み酸化物層では、くびれの形成に至るほどにエッチングが進行していないので、得られるフィン型電界効果トランジスタは、フィンの基端部分において実質的にくびれのないものとなる。
エッチング速度の比率（ｒ1 ／ｒ2 ）としては、１．０を超えるものであればよいが、１．２以上であることが好ましく、更に好ましくは１．２〜１．６とされる。
【００３７】
犠牲酸化膜６の形成方法（突起部５の表面の酸化方法）としては、プラズマ酸化処理により酸化する方法、すなわち、酸素ガスより誘導される反応種（ラジカルおよび／またはイオン）を含むプラズマに突起部５を晒す方法を挙げることができる。
【００３８】
犠牲酸化膜６を形成するために特に好適なプラズマ酸化処理として、ＲＬＳＡ (Radical Line Slot Antenna)マイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理を挙げることができる。
このＲＬＳＡマイクロ波方式のプラズマ処理は、低電子温度で高密度のプラズマで低温処理が可能であることから、フッ酸をはじめとする各種のエッチング液に対するエッチング速度が高いシリコン酸化物膜（犠牲酸化膜）を形成することができ、形成される犠牲酸化膜は、熱酸化法により形成されるものと比較して表面の平坦性が優れている。また、下地へのプラズマダメージが殆どなく、犠牲酸化膜を除去した後のフィン表面の平坦性にも優れている。さらに、熱酸化法を採用したときに懸念される高温処理条件に伴う特性劣化の問題も回避することができる。
【００３９】
このようなＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理装置としては、例えば、国際公開第０２／０５８１３０号パンフレットに開示されたものが知られており、本発明においてもこのような装置を採用することができる。具体的には、図２に示すように、略円筒状のチャンバー５１と、その中に設けられたサセプタ５２と、チャンバー５１の側壁に設けられたガス導入部５３と、チャンバー５１の上部の開口部に臨むように設けられ、多数のマイクロ波透過孔５４ａが形成された平面アンテナ５４と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部５５と、マイクロ波発生部５５を平面アンテナ５４に導くマイクロ波伝送機構５６とを有している。平面アンテナ５４の下方には誘電体からなるマイクロ波透過板６１が設けられ、平面アンテナ５４の上にはシールド部材６２が設けられている。マイクロ波伝送機構５６は、マイクロ波発生部５５からマイクロ波を導く水平方向に伸びる導波管７１と、平面アンテナ５４から上方へ伸びる内導体７３および外導体７４からなる同軸導波管７２と、導波管７１と同軸導波管７２との間に設けられたモード変換機構７５とを有している。なお、符号６３は排気管である。
【００４０】
このように構成されるプラズマ処理装置は、マイクロ波発生部５５で発生したマイクロ波をマイクロ波伝送機構５６を介して所定のモードで平面アンテナ５４に導き、平面アンテナ５４のマイクロ波透過孔５４ａおよびマイクロ波透過板６１を通ってチャンバー５１内に均一に供給し、そのマイクロ波により、ガス導入部５３から供給された希ガスおよび酸素ガスを含む処理ガスをプラズマ化してそのプラズマ（酸素ガスより誘導される反応種）により、ＳＯＩウエハＳに形成された突起部５を構成する単結晶シリコンを酸化してシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）を形成する。
【００４１】
ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理においては、希ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを用いることが好ましい。ここに、希ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンなどを例示することができ、この中ではアルゴンが好ましい。
好適な処理ガスとして、具体的には、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス、アルゴンガスと酸素ガスと水素ガスとの混合ガスを挙げることができる。
【００４２】
ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理における処理温度（酸化温度）としては、３００〜６００℃であることが好ましく、更に好ましくは４００〜５００℃とされる。この処理温度が高過ぎる場合には、ＲＬＳＡマイクロ波方式を採用することによる上記の効果を十分に発揮することができない。他方、この処理温度が低過ぎる場合には、酸化速度が著しく低下し、量産性に問題が生じる。
【００４３】
ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理において、処理圧力としては、０．１〜１Ｔｏｒｒ（１３．３〜１３３Ｐａ）あることが好ましく、更に好ましくは０．１〜０．５Ｔｏｒｒ（１３．３〜６．６５Ｐａ）とされる。
マイクロ波の出力としては２〜４Ｗ／ｃｍ2であることが好ましく、更に好ましくは２．５〜４Ｗ／ｃｍ2とされる。
希ガスの流量としては１００〜２０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）であることが好ましく、更に好ましくは５００〜１０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とされる。
酸素ガスの流量としては５〜５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）であることが好ましく、更に好ましくは５〜１０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）      とされる。
【００４４】
図３は、ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理において、処理温度（３００〜６００℃）と、形成されるシリコン酸化膜の２％フッ酸に対するエッチング速度との関係を示し、併せて、熱酸化法（処理温度＝１０００℃）により形成されるシリコン酸化膜のフッ酸に対するエッチング速度を示している。
ここに、プラズマ処理では、アルゴンガスと酸素ガスとを使用した場合（図中−○−）、アルゴンガスと酸素ガスと水素ガスとを使用した場合（図中−■−）の２種類について測定した。
【００４５】
図３に示す結果から、ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理により形成されるシリコン酸化膜（犠牲酸化膜６に相当）は、熱酸化法により形成されるシリコン酸化膜（埋め込み酸化物層２に相当）と比較して、フッ酸に対するエッチング速度が高いものとなることが理解される。
【００４６】
また、ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理によりポリシリコンを酸化して形成されるシリコン酸化膜の表面粗さは４．３ｎｍ、熱酸化法によりポリシリコンを酸化して形成されるシリコン酸化膜の表面粗さは４．６ｎｍであった。このことから、プラズマ処理により形成されるシリコン酸化膜は、熱酸化法により形成されるシリコン酸化膜よりも表面の平坦性に優れているといえる。
【００４７】
犠牲酸化膜をウエットエッチングにより除去する工程では、図１（ｆ）に示すように、適宜のエッチング液により犠牲酸化膜６を除去する。使用するエッチング液としては、シリコン酸化物はエッチング可能であるが、単結晶シリコンをエッチングしない（フィンとなる下地に新たなダメージを与えない）薬液であって、当該薬液を使用した場合に、犠牲酸化膜６の方が埋め込み酸化物層２よりも高い速度でエッチングされるものの中から選択される。具体的には、ＨＦ濃度が０．５〜５質量％のフッ酸を使用することが好ましい。
【００４８】
犠牲酸化膜６を除去することにより、プラズマエッチングによって突起部５の表面に生じたダメージが除去され、清浄な表面を有するフィン７が埋め込み酸化物層２上に形成される。このように形成されたフィン７の幅（ｗ）は、例えば３０〜４０ｎｍとされる。
【００４９】
犠牲酸化膜６の除去工程において、シリコン酸化物である埋め込み酸化物層２も同時にエッチングされるが、プラズマ処理による犠牲酸化膜６のエッチング速度は、熱酸化法による埋め込み酸化物層２のエッチング速度より高いので、犠牲酸化膜６の除去が完了した時点において、埋め込み酸化物層２ではくびれがあまり進行していない状態となり、得られるフィン型電界効果トランジスタのフィン７の基端部分におけるくびれを抑制することができる。条件を好適なものとすることにより、犠牲酸化膜６の除去が完了した時点において埋め込み酸化物層２にくびれがほとんど形成されない状態とすることができ、フィン７の基端部に実質的にくびれが形成されないフィン型電界効果トランジスタを得ることも可能である。
また、プラズマ酸化処理、特にＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式により犠牲酸化膜６を除去した後のフィン７の表面状態は、平坦性に優れている。さらに、ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ酸化処理は低温（例えば３００〜６００℃）で行われるために、特性劣化も生じない。
【００５０】
以上の各工程を経た後、ゲート配線の形成や拡散領域の形成等の工程を常法に従って実施し、所望のフィン型電界効果トランジスタを得る。
このように、本実施形態で製造されたフィン型電界効果トランジスタはフィン７の基端部のくびれの形成が抑制されており、好適にはくびれが実質的に存在しないので、くびれにゲート配線材料等が残留することに起因するデバイス性能への悪影響を抑制することができる。また、フィン７が埋め込み酸化物層２によって確実に保持されるので、フィンが倒れるという強度的な問題も生じさせない。
【００５１】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の製造方法はこれらに限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、犠牲酸化膜を除去するための工程として、フッ酸によるウエットエッチングを用いたが、エッチング液はフッ酸に限らず他のものでもよく、またウエットエッチングに代えて、窒素もしくは窒素含有化合物（例えばＮＨ3 ガス）より誘導される反応種と、フッ素もしくはフッ素含有化合物（例えばＨＦガス）より誘導される反応種とを犠牲酸化膜に供給することによって当該犠牲酸化膜を改質すると共に、これを加熱して気化させる工程（エッチング）を採用することもできる。このプロセスはプラズマレスであるからドライプロセスでありながら低ダメージの処理を行うことができる。この場合において、反応種の供給プロセスを最適化することで犠牲酸化膜を優先的・選択的に改質することにより、犠牲酸化膜を選択的に除去することが可能となる。このような犠牲酸化膜を改質・気化して除去するこの手段は、エッチングの異方性をもたせることができ、埋め込み酸化物層の露出部分がある程度エッチングされる場合であっても、フィンの直下（非露出部分）のシリコン酸化物がサイドエッチングされること（くびれの形成）を有効に防止できる可能性がある。
【００５２】
また、このようなプロセスの他、リモートプラズマ等によりＮＦラジカル等のラジカルを供給して犠牲酸化膜を除去するプロセスも採用することができる。この処理も低ダメージプロセスであり、このような処理に適している。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の製造方法を示す工程断面図。
【図２】本発明の製造方法で使用するプラズマ処理装置の一例を示す断面図。
【図３】シリコン酸化膜を形成するための処理温度と、シリコン酸化膜のエッチング速度との関係を示す説明図。
【図４】従来の製造方法により、フィンの基端部分にくびれが生じた状態を示す断面図。
【符号の説明】
【００５４】
１；シリコン基板
２；埋め込み酸化物層
３；単結晶シリコン層
４；ハードマスク
５；突起部
６；犠牲酸化膜
７；フィン
５１；チャンバー
５２；サセプタ
５３；ガス導入部
５４；平面アンテナ
５４ａ；マイクロ波透過孔
５５；マイクロ波発生部
５６；マイクロ波伝送機構
６１；マイクロ波透過板
６２；シールド部材
６３；排気管
７１；導波管
７２；同軸導波管
７３；内導体
７４；外導体
７５；モード変換機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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