(57)【要約】【課題】本発明は、樹脂層によってマザーボードに与える影響を減らすことを目的とする。【解決手段】半導体装置は、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成された第１の樹脂層１８と、電極１４に電気的に接続されて第１の樹脂層１８上に形成された配線２０と、第１の樹脂層１８上に形成された金属層２２と、第２の樹脂層２４と、を有する。第２の樹脂層２４には、配線２０とオーバーラップする第１の貫通穴２６と、金属層２２の一部を露出させる第２の貫通穴２８と、が形成されている。第１の貫通穴２６内で配線２０上に外部端子３２が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に形成された第１の樹脂層と、
前記電極に電気的に接続され、前記第１の樹脂層上に形成された配線と、
前記第１の樹脂層上に形成された金属層と、
前記配線とオーバーラップする第１の貫通穴と、前記金属層の一部を露出させる第２の貫通穴と、が形成された第２の樹脂層と、
前記第１の貫通穴内で前記配線上に設けられた外部端子と、
有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体装置において、
前記第２の貫通穴は、前記金属層の端部及び前記金属層の端部に隣接する前記第１の樹脂層の一部を、前記第２の樹脂層から露出させるように形成されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された半導体装置において、
前記第２の貫通穴は、前記金属層の外周縁全体を、前記第２の樹脂層から露出させるように形成されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載された半導体装置において、
前記金属層の前記第１の樹脂層と平行な面は多角形をなし、
前記第２の貫通穴は、前記金属層の角部を、前記第２の樹脂層から露出させるように形成されてなる半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載された半導体装置において、
前記第２の樹脂層は前記金属層の外周縁全体を覆っている半導体装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載された半導体装置において、
前記第２の樹脂層は、前記金属層とオーバーラップする第３の貫通穴をさらに有し、
前記第３の貫通穴内で前記金属層上に設けられた金属端子をさらに有する半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載された半導体装置において、
前記第２の樹脂層には複数の前記第３の貫通穴が形成され、
前記金属端子が、前記複数の第３の貫通穴の各々に少なくとも一つ設けられることで、前記金属端子は複数設けられ、
前記複数の金属端子は、平行な複数の第１の直線と、前記複数の第１の直線とは直交する相互に平行な複数の第２の直線と、の複数の交点に位置し、前記第１及び第２の直線のいずれに沿った列においても隣同士の間隔が均一になるように配列されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ウエハレベルＣＳＰと呼ばれる、半導体チップ上に配線を形成して外部端子を形成するパッケージが開発されている（特許文献１）。配線の下には樹脂層を形成して、配線に生じる応力を分散・吸収している。しかしながら、樹脂層によって、集積回路が形成された面（能動面）が覆われると放熱性が低下する。さらに、配線も、ハンダボールを載せるランドを除いてソルダレジストに覆われており熱が発散しにくくなっている。そのため、半導体装置がマザーボードに実装されると、集積回路で生じた熱の多くが外部端子に集中してマザーボードに伝達されていた。そのため、マザーボードに熱による影響を与えていた。
【特許文献１】特開２００３−２８２７９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、樹脂層によってマザーボードに与える影響を減らすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に形成された第１の樹脂層と、
前記電極に電気的に接続され、前記第１の樹脂層上に形成された配線と、
前記第１の樹脂層上に形成された金属層と、
前記配線とオーバーラップする第１の貫通穴と、前記金属層の一部を露出させる第２の貫通穴と、が形成された第２の樹脂層と、
前記第１の貫通穴内で前記配線上に設けられた外部端子と、
有する。本発明によれば、配線を通じて外部端子から熱を伝えるだけでなく、金属層にも熱を伝え、第２の貫通穴を通して金属層から放熱することができる。これによって、半導体装置がマザーボードに実装されたときに、マザーボードに与える熱の影響を減らすことができる。
（２）この半導体装置において、
前記第２の貫通穴は、前記金属層の端部及び前記金属層の端部に隣接する前記第１の樹脂層の一部を、前記第２の樹脂層から露出させるように形成されていてもよい。
（３）この半導体装置において、
前記第２の貫通穴は、前記金属層の外周縁全体を、前記第２の樹脂層から露出させるように形成されていてもよい。
（４）この半導体装置において、
前記金属層の前記第１の樹脂層と平行な面は多角形をなし、
前記第２の貫通穴は、前記金属層の角部を、前記第２の樹脂層から露出させるように形成されていてもよい。
（５）この半導体装置において、
前記第２の樹脂層は前記金属層の外周縁全体を覆っていてもよい。
（６）この半導体装置において、
前記第２の樹脂層は、前記金属層とオーバーラップする第３の貫通穴をさらに有し、
前記第３の貫通穴内で前記金属層上に設けられた金属端子をさらに有してもよい。
（７）この半導体装置において、
前記第２の樹脂層には複数の前記第３の貫通穴が形成され、
前記金属端子が、前記複数の第３の貫通穴の各々に少なくとも一つ設けられることで、前記金属端子は複数設けられ、
前記複数の金属端子は、平行な複数の第１の直線と、前記複数の第１の直線とは直交する相互に平行な複数の第２の直線と、の複数の交点に位置し、前記第１及び第２の直線のいずれに沿った列においても隣同士の間隔が均一になるように配列されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図２は、図１に示す半導体装置のII−II線断面図である。図３は、図１に示す半導体装置のIII−III線断面図である。
【０００６】
半導体装置は、半導体基板１０を有する。半導体基板１０は、最終製品としての半導体装置においては図１に示すように半導体チップであり、製造途中の中間製品においては半導体ウエハである。半導体基板１０は、集積回路１２（図１に示す半導体チップには１つの集積回路１２・半導体ウエハには複数の集積回路１２）が形成されている。集積回路１２は、半導体基板１０の一方の表層に作りこまれる。半導体基板１０内に形成された内部配線を介して１つの集積回路１２に電気的に接続された複数の電極１４を有する。半導体基板１０には、電極１４の少なくとも一部が露出する様にパッシベーション膜１６が形成されている。パッシベーション膜１６は無機材料（例えばＳｉＯ２等の無機酸化物）で形成されてもよい。
【０００７】
半導体基板１０の電極１４が形成された面（パッシベーション膜１６の表面）に、電極１４の少なくとも一部を避けて第１の樹脂層（応力緩和層）１８が形成されている。例えば、感光性樹脂によってフォトリソグラフィを適用して第１の樹脂層１８を形成してもよい。また、熱硬化性樹脂を使用して第１の樹脂層１８を形成してもよい。第１の樹脂層１８は、その底面と側面１９との角度が鋭角になるように、側面１９が傾斜していてもよい。側面１９の傾斜は、熱硬化性樹脂前駆体の熱収縮によって形成される。第１の樹脂層１８を、後述する半導体基板１０の切断ラインを避けて形成すれば、カッタ（又はスクライバ）の目詰まりを防止することができる。第１の樹脂層１８の表面（上面）は、ドライエッチングなどによって粗面加工してある。
【０００８】
第１の樹脂層１８（その上面）上には配線２０が形成されている。配線２０は、電極１４に電気的に接続されている。詳しくは、電極１４の上から第１の樹脂層１８の表面（上面）に至るように配線２０が形成されている。第１の樹脂層１８の表面が粗面加工されていると配線２０の密着性が高く、配線２０の第１の樹脂層１８との密着面が、粗面に対応した形状になって平坦面よりも広い面積を有するようになる。配線２０は、電極１４と第１の樹脂層１８の間ではパッシベーション膜１６上にも形成（接触）してよい。
【０００９】
第１の樹脂層１８（その上面）上には金属層２２が形成されている。金属層２２の第１の樹脂層１８と平行な面は多角形（例えば四角形）をなしている。金属層２２は、第１の樹脂層１８の側面１９には形成されていない。金属層２２は、配線２０と同じ材料で形成してもよいし、同時に形成してもよい。金属層２２は、配線２０とは電気的に接続されていない。金属層２２は、集積回路１２とは電気的に接続されていない。
【００１０】
第１の樹脂層１８上には第２の樹脂層２４（例えばソルダーレジスト層）が形成されている。第２の樹脂層２４は、配線２０及び金属層２２に載っている。第２の樹脂層２４には、配線２０（その一部であるランド２１）とオーバーラップする第１の貫通穴２６と、金属層２２の一部を露出させる第２の貫通穴２８と、が形成されている。第２の貫通穴２８は、金属層２２の端部及び金属層２２の端部に隣接する第１の樹脂層１８の一部（金属層２２からの露出部）を、第２の樹脂層２４から露出させるように形成されている。第２の貫通穴２８は、金属層２２の角部を、第２の樹脂層２４から露出させるように形成されている。完成品としての半導体装置において、第２の貫通穴２８は塞がれずに、金属層２２の一部が第２の貫通穴２８から露出する。
【００１１】
第２の樹脂層２４は、金属層２２とオーバーラップする、複数の第３の貫通穴３０をさらに有している。第３の貫通穴３０は、第１の樹脂層１８を露出させない位置に形成されている。すなわち、第３の貫通穴３０の内側全面に金属層２２が位置する。
【００１２】
第１の貫通穴２６内で配線２０上に外部端子３２が設けられている。外部端子３２は、集積回路１２と電気的に接続するための端子（信号端子又は電源端子）である。外部端子３２は、ハンダで形成してもよい。例えばクリームハンダを配線２０（ランド２１）上に設け、これを溶融して表面張力でボール状に形成してもよい。そして、半導体基板１０が半導体ウエハである場合はこれを切断（ダイシング又はスクライビング）して、半導体装置を得ることができる。
【００１３】
複数の第３の貫通穴３０内でそれぞれ金属層２２上に複数の金属端子３４が設けられている。金属端子３４が、複数の第３の貫通穴３０の各々に少なくとも一つ設けられることで、複数の金属端子３４が設けられている。金属端子３４は、電気的に集積回路１２には接続されていない（信号端子又は電源端子）ので、ダミー端子ということもできる。金属端子３４は、外部端子３２と同じ材料で形成し、同じ形状であってもよい。複数の金属端子３４（及び／又は複数の外部端子３２）は、平行な複数の第１の直線Ｌ１と、複数の第１の直線Ｌ１とは直交する相互に平行な複数の第２の直線Ｌ２と、の複数の交点に位置し、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２のいずれに沿った列においても隣同士の間隔が均一になるように配列されている。
【００１４】
本実施の形態によれば、配線２０を通じて外部端子３２から熱を伝えるだけでなく、金属層２２にも熱を伝え、金属端子３４からも熱を伝えることで放熱を図ることができ、さらに、第２の貫通穴２８を通して金属層２２からも直接放熱することができる。これによって、半導体装置がマザーボードに実装されたときに、マザーボードに与える熱の影響を減らすことができる。
【００１５】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図５は、図４に示す半導体装置のＶ−Ｖ線断面図である。本実施の形態では、第２の貫通穴１２８は、金属層１２２の外周縁全体を、第２の樹脂層１２４から露出させるように形成されている。つまり、第２の貫通穴１２８は、リング状に形成されている。その他の構成及び製造方法は、上記実施の形態で説明した内容を適用することができる。本実施の形態でも、第２の貫通穴１２８を通して金属層１２２から放熱することができる。
【００１６】
（第３の実施の形態）
図６は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図７は、図６に示す半導体装置のVII−VII線断面図である。本実施の形態では、第２の貫通穴２２８は、金属層２２２の外周縁よりも内側の領域のみを、第２の樹脂層２２４から露出させるように形成されている。すなわち、金属層２２２の周縁部は全て、第２の樹脂層２２４で覆われている。また、第２の樹脂層２２４をソルダレジストとして使用するため、金属端子３４の周囲にも第２の樹脂層２２４が配置されている。その他の構成及び製造方法は、上記実施の形態で説明した内容を適用することができる。本実施の形態でも、第２の貫通穴２２８を通して金属層２２２から放熱することができる。
【００１７】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】図１に示す半導体装置のII−II線断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置のIII−III線断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図５】図４に示す半導体装置のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図７】図６に示す半導体装置のVII−VII線断面図である。
【符号の説明】
【００１９】
１０…半導体基板、  １２…集積回路、  １４…電極、  １６…パッシベーション膜、  １８…第１の樹脂層、  １９…側面、  ２０…配線、  ２１…ランド、  ２２…金属層、  ２４…第２の樹脂層、  ２６…第１の貫通穴、  ２８…第２の貫通穴、  ３０…第３の貫通穴、  ３２…外部端子、  ３４…金属端子、  １２２…金属層、  １２４…第２の樹脂層、  １２８…第２の貫通穴、  ２２２…金属層、  ２２４…第２の樹脂層、  ２２８…第２の貫通穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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