(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子が潜在的な不良箇所を有するか否かを短時間で検査して、有機ＥＬ素子全体が良品か否かを判別することができ、有機ＥＬ素子の大量生産ラインのインライン検査装置として使用し得る検査方法及び検査装置を提供することを課題とする。【解決手段】有機EL素子に電気信号を印加する手段と、有機EL素子を完全に遮光状態で撮像するための遮光手段と、有機EL素子を撮像する撮像手段と、撮像画像を検査する画像検査手段と、を備える検査装置について、印加電気信号として有機EL素子にとって逆バイアス条件となる所定の電圧値と所定のパルス幅を有する逆パルス電圧を有機EL素子に印加し、撮像手段は前記特定逆パルス電圧が印加されている状態の有機EL素子を遮光状態下で撮像し、画像検査手段は、該撮像画像の中に所定の輝度以上の発光箇所の個数が所定の個数未満であれば被検有機EL素子は良品、所定の個数以上であれば不良品であると判定する。【選択図】図１
2008021441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機EL素子の検査装置であって、
被検対象である前記有機EL素子（以下「被検有機EL素子」ともいう）に印加する電気信号（以下「印加電気信号」ともいう）を印加する手段（以下「検査条件印加手段」ともいう）と、
前記被検有機EL素子を撮像する撮像手段と、
前記被検有機EL素子を完全に遮光状態で撮像するための遮光手段と、
前記撮像された画像（以下「撮像画像」ともいう）を検査する画像検査手段と、を備える検査装置において、
前記検査条件印加手段は、前記印加電気信号として前記被検有機EL素子にとって逆バイアス条件となる所定の逆バイアス電圧値と所定のパルス幅を有する逆パルス電圧（以下「特定逆パルス電圧」ともいう）を前記被検有機EL素子に印加し、
前記撮像手段は前記特定逆パルス電圧が印加されている状態の前記被検有機EL素子を完全に遮光された状態の中で撮像し、
前記画像検査手段は、前記撮像した画像の中に所定の輝度以上の発光箇所の個数（以下「発光個数」ともいう）が所定の個数（以下「判定個数」ともいう）未満であれば前記被検有機EL素子は良品、前記判定個数以上であれば不良品であると判定するように構成されていることを特徴とする検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、
前記検査条件印加手段が前記被検有機EL素子に印加する前記特定逆パルス電圧の電圧値は下式（数１）に則って決定され、前記特定逆パルス電圧のパルス幅は０．１秒乃至５秒であることを特徴とする検査装置。
（数１）
Ｖ＝―Ａ×（Ｌ÷１００）
（数１において、Ｖは前記特定逆パルス電圧の電圧値で単位はボルトであり、Ｌは被検有機EL素子の陽極と陰極の距離で単位はナノメートルであり、Ａはパラメータであり、１０乃至２０である。また、Ｌは前記被検有機EL素子が複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合には、各発光ユニットの電極間の距離を合計した距離とする。）
【請求項３】
請求項１に記載の検査装置において、
前記検査条件印加手段が前記被検有機EL素子に印加する前記特定逆パルス電圧の電圧値は下式（数１）に則って決定され、前記特定逆パルス電圧のパルス幅は０．１秒乃至０．５秒であることを特徴とする検査装置。
（数１）
Ｖ＝―Ａ×（Ｌ÷１００）
（数１において、Ｖは前記特定逆パルス電圧の電圧値で単位はボルトであり、Ｌは被検有機EL素子の陽極と陰極の距離で単位はナノメートルであり、Ａはパラメータであり、１０乃至２０である。また、Ｌは前記被検有機EL素子が複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合には、各発光ユニットの電極間の距離を合計した距離とする。）
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の検査装置において、
前記撮像手段は高感度ＣＣＤカメラを有することを特徴とする検査装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の検査装置において、
前記撮像手段はマクロレンズと高感度ＣＣＤカメラを有することを特徴とする検査装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の検査装置において、
前記判定個数は１個であることを特徴とする検査装置。
【請求項７】
有機EL素子の検査方法であって、
被検対象である前記有機EL素子に前記被検有機EL素子にとって逆バイアス条件となる所定の逆バイアス電圧値と所定のパルス幅を有する逆パルス電圧を印加する工程と、
前記逆パルス電圧が印加されている状態の前記有機EL素子を完全に遮光された状態の中で撮像手段によって撮像する工程と、
前記撮像画像の中に所定の輝度以上の発光箇所の個数が所定の個数未満であれば前記被検有機EL素子は良品、前記判定個数以上であれば不良品であると判定する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の検査方法。
【請求項８】
請求項７に記載の検査方法において、
前記特定逆パルス電圧の電圧値は下式（数１）に則って決定され、前記特定逆パルス電圧のパルス幅は０．１秒乃至５秒であることを特徴とする検査方法。
（数１）
Ｖ＝―Ａ×（Ｌ÷１００）
（数１において、Ｖは前記特定逆パルス電圧の電圧値で単位はボルトであり、Ｌは被検有機EL素子の陽極と陰極の距離で単位はナノメートルであり、Ａはパラメータであり、１０乃至２０である。また、Ｌは前記被検有機EL素子が複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合には、各発光ユニットの電極間の距離を合計した距離とする。）
【請求項９】
請求項７に記載の検査方法において、
前記特定逆パルス電圧の電圧値は下式（数１）に則って決定され、前記特定逆パルス電圧のパルス幅は０．１秒乃至０．５秒であることを特徴とする検査方法。
（数１）
Ｖ＝―Ａ×（Ｌ÷１００）
（数１において、Ｖは前記特定逆パルス電圧の電圧値で単位はボルトであり、Ｌは被検有機EL素子の陽極と陰極の距離で単位はナノメートルであり、Ａはパラメータであり、１０乃至２０である。また、Ｌは前記被検有機EL素子が複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合には、各発光ユニットの電極間の距離を合計した距離とする。）
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかに記載の検査方法において、
前記撮像手段は高感度ＣＣＤカメラを有することを特徴とする検査方法。
【請求項１１】
請求項７乃至９のいずれかに記載の検査方法において、
前記撮像手段はマクロレンズと高感度ＣＣＤカメラを有することを特徴とする検査方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれかに記載の検査方法において、
前記判定個数は１個であることを特徴とする検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光欠陥部を有する有機ＥＬ素子を検査する装置及び検査する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置として、有機EL（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機EL表示装置が注目されている。この有機EL素子は自発光素子であり、視野角が広く、バックライトを必要とせず、消費電力も少なく、更に、応答速度も速いという優れた特徴を有している。この有機EL素子は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機EL層を挟持し、さらに有機EL層は、ホール輸送層、発光層及び電子輸送層が積層される構造となっている。また有機EL表示装置は、この有機EL素子を基板にマトリックス状に配置することにより構成される。
【０００３】
有機ＥＬ素子特有の不良に、有機ＥＬ素子の製造に起因して、初期状態では判別できないが、該有機ＥＬ素子の点灯時間の経過とともに、不良が顕在化され、滅点や輝点を生じさせるものがあることが、これまでの測定により経験的に把握されている。この不良は有機ＥＬ素子を表示装置として利用する場合の障害となることはもちろんであるが、有機ＥＬ素子を面光源として利用する場合には、面光源全体が点灯しなくなってしまう場合もあり、深刻な問題を引き起こす。
【０００４】
発明者らは、文献１に開示されているように、有機EL素子の不良部を発見する方法として、検査の対象となる有機ＥＬ素子に正常な発光を開始する閾値電圧以下の電圧を印加し、有機ＥＬ素子の像を遮光された状態の中で、顕微鏡を通して撮像し、不良箇所における電流集中によって発生する微細な発光を発見し、該微細な発光の有無によって、検査対象である有機ＥＬ素子が良品であるか、不良品であるかを検査する方法を開発し、該方法を実現するための装置も開発した。
【特許文献１】特開２００５−８３９５１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この従来の検査方法と装置は、顕微鏡を使用するために、一度に測定できる視野が約１００平方ミリメートルと狭く、大きな有機ＥＬ素子の全面を測定し、該有機ＥＬ素子全体の良否を判別するためには、多大な時間を必要とする。そのため、この従来の検査装置を有機ＥＬ素子の大量生産ラインのインライン検査装置として使用することは現実的ではない。
【０００６】
そこで、本発明は、有機ＥＬ素子が潜在的な不良箇所を有するか否かを短時間で検査して、有機ＥＬ素子全体が良品か否かを判別することができ、有機ＥＬ素子の大量生産ラインのインライン検査装置として使用し得る検査方法及び検査装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、種々の検査条件、検査方法を鋭意、検討した結果、有機ＥＬ素子に、逆バイアス電圧を印加すると、欠陥を有しない有機ＥＬ素子はとくに異常な発光は見られないが、欠陥を有する有機ＥＬは欠陥部分にリーク電流が流れ、該リークに起因して発光が見られることを確認した。また、この発光量は、逆バイアス電圧の電圧値を大きくすると発行量を増加することも確認した。そこで、有機ＥＬ素子のブレイクダウン電圧付近の高電圧を印加することにより有機ＥＬ素子の潜在的な不良箇所を短時間で発見できるとの知見を得た。
【０００８】
係る知見を基に、有機ＥＬ素子の潜在的な不良箇所を短時間で発見し、良品か否かを判別でき、有機ＥＬ素子の大量生産ラインのインライン検査装置として使用し得る検査方法及び検査装置を開発した。
【０００９】
請求項１に記載の発明は有機EL素子の検査装置であって、
前記検査装置は、
被検対象である前記有機EL素子（以下「被検有機EL素子」ともいう）に印加する電気信号（以下「印加電気信号」ともいう）を印加する手段（以下「検査条件印加手段」ともいう）と、
前記被検有機EL素子を撮像する撮像手段と、
前記撮像された画像（以下「撮像画像」ともいう）を検査する画像検査手段と、を備えて、
前記検査条件印加手段は、前記印加電気信号として前記被検有機EL素子にとって逆バイアス条件となる所定の逆バイアス電圧値と所定のパルス幅を有する逆パルス電圧（以下「特定逆パルス電圧」ともいう）を前記被検有機EL素子に印加し、
前記撮像手段は前記特定逆パルス電圧が印加されている状態の前記被検有機EL素子を完全に遮光された状態の中で撮像し、
前記画像検査手段は、前記撮像画像の中に所定の輝度以上の発光箇所の個数（以下「発光個数」ともいう）が所定の個数（以下「判定個数」ともいう）未満であれば前記被検有機EL素子は良品、前記判定個数以上であれば不良品であると判定するように構成されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は請求項１に記載の検査装置に係り、
前記検査条件印加手段が前記被検有機EL素子に印加する前記特定逆パルス電圧の電圧値は下式（数１）に則って決定され、前記特定逆パルス電圧のパルス幅は０．１秒乃至５秒であることを特徴とする。
【００１１】
（数１）
Ｖ＝―Ａ×（Ｌ÷１００）
（数１において、Ｖは前記特定逆パルス電圧の電圧値で単位はボルトであり、Ｌは被検有機EL素子の陽極と陰極の距離で単位はナノメートルであり、Ａはパラメータであり、１０乃至２０である。また、Ｌは前記被検有機EL素子が複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合には、各発光ユニットの電極間の距離を合計した距離とする。）
【００１２】
請求項３に記載の発明は請求項１に記載の検査装置に係り、
前記検査条件印加手段が前記被検有機EL素子に印加する前記特定逆パルス電圧の電圧値は下式（数１）に則って決定され、前記特定逆パルス電圧のパルス幅は０．１秒乃至０．５秒であることを特徴とする。
【００１３】
（数１）
Ｖ＝―Ａ×（Ｌ÷１００）
（数１において、Ｖは前記特定逆パルス電圧の電圧値で単位はボルトであり、Ｌは被検有機EL素子の陽極と陰極の距離で単位はナノメートルであり、Ａはパラメータであり、１０乃至２０である。また、Ｌは前記被検有機EL素子が複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合には、各発光ユニットの電極間の距離を合計した距離とする。）
【００１４】
請求項４に記載の発明は請求項１乃至３のいずれかに記載の検査装置記載の検査装置に係り、
前記撮像手段は高感度ＣＣＤカメラであることを特徴とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明は請求項１乃至３のいずれかに記載の検査装置に係り、
前記撮像手段はマクロレンズと高感度ＣＣＤカメラを有することを特徴とする。
【００１６】
請求項６に記載の発明は請求項１乃至４のいずれかに記載の検査装置に係り、
前記判定個数は１個であることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に記載の発明は有機EL素子の検査方法であって、
被検対象である前記有機EL素子に前記被検有機EL素子にとって逆バイアス条件となる所定の逆バイアス電圧値と所定のパルス幅を有する逆パルス電圧を印加する工程と、
前記逆パルス電圧が印加されている状態の前記有機EL素子を完全に遮光された状態の中で撮像手段によって撮像する工程と、
前記撮像画像の中に所定の輝度以上の発光箇所の個数が所定の個数未満であれば前記被検有機EL素子は良品、前記判定個数以上であれば不良品であると判定する工程を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項８に記載の発明は請求項７に記載の有機EL素子の検査方法に係り、
前記特定逆パルス電圧の電圧値は下式（数１）に則って決定され、前記特定逆パルス電圧のパルス幅は０．１秒乃至５秒であることを特徴とする。
【００１９】
（数１）
Ｖ＝―Ａ×（Ｌ÷１００）
（数１において、Ｖは前記特定逆パルス電圧の電圧値で単位はボルトであり、Ｌは被検有機EL素子の陽極と陰極の距離で単位はナノメートルであり、Ａはパラメータであり、１０乃至２０である。また、Ｌは前記被検有機EL素子が複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合には、各発光ユニットの電極間の距離を合計した距離とする。）
【００２０】
請求項９に記載の発明は請求項７に記載の有機EL素子の検査方法に係り、
前記特定逆パルス電圧の電圧値は下式（数１）に則って決定され、前記特定逆パルス電圧のパルス幅は０．１秒乃至０．５秒であることを特徴とする。
【００２１】
（数１）
Ｖ＝―Ａ×（Ｌ÷１００）
（数１において、Ｖは前記特定逆パルス電圧の電圧値で単位はボルトであり、Ｌは被検有機EL素子の陽極と陰極の距離で単位はナノメートルであり、Ａはパラメータであり、１０乃至２０である。また、Ｌは前記被検有機EL素子が複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合には、各発光ユニットの電極間の距離を合計した距離とする。）
【００２２】
請求項１０に記載の発明は請求項７乃至９のいずれかに記載の検査方法に係り、
前記撮像手段は高感度ＣＣＤカメラを有することを特徴とする。
【００２３】
請求項１１に記載の発明は請求項７乃至９のいずれかに記載の検査方法に係り、
前記撮像手段はマクロレンズと高感度ＣＣＤカメラを有することを特徴とする。
【００２４】
請求項１２に記載の発明は請求項７乃至１１のいずれかに記載の検査方法に係り、
前記判定個数は１個であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１に記載の発明によれば、従来の検査装置では１回の検査では、約１００平方ミリメートル内にある有機EL素子しか、検査できなかったものが、本発明によれば、約９００００平方ミリメートル内にある有機EL素子を１回で検査できる。そのため、検査時間を飛躍的に短縮することができる。そのため、大量生産モードの有機EL素子の生産工程ラインに組み入れたインラーン検査装置として使用できる。
【００２６】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明と同様の効果に加えて、印加すべき逆バイアスパルス電圧の電圧値を、より的確に定められる。
【００２７】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明と同様の効果に加えて、印加すべき逆バイアスパルス電圧の電圧値を、より的確に定められる。
【００２８】
請求項４に記載の発明によれば、請求項１乃至３に記載の発明と同様の効果を得られる。
【００２９】
請求項５に記載の発明によれば、請求項１乃至３に記載の発明と同様の効果に加えて、マクロレンズにより、より的確に不良に起因する発光を発見できる。
【００３０】
請求項６に記載の発明によれば、請求項１乃至４に記載の発明と同様の効果が得られる。
【００３１】
請求項７に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明と同様の効果が得られる。
【００３２】
請求項８に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明と同様の効果が得られる。
【００３３】
請求項９に記載の発明によれば、請求項３に記載の発明と同様の効果が得られる。
【００３４】
請求項１０に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明と同様の効果が得られる。
【００３５】
請求項１１に記載の発明によれば、請求項５に記載の発明と同様の効果が得られる。
【００３６】
請求項１２に記載の発明によれば、請求項６に記載の発明と同様の効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、図を参照しつつ、本発明を実施するための形態につき説明する。最初に、本発明を実施するための形態に係る検査装置の構成について説明する。図１は本実施の形態に係る検査装置の構成の概略を示すブロック図である。この検査装置１００は、制御用コンピュータ１０９と、表示装置１１０と、高感度ＣＣＤカメラ１０１と、マクロレンズ１０２と、ソースメータ１０８と、接触用プローブ１０６と、支持台１０５と、遮光暗箱１０３と、を備える。制御用コンピュータ１０９はこの検査装置の高感度ＣＣＤカメラ１０１、ソースメータ１０８等に各種の命令を与えて、高感度ＣＣＤカメラ１０１、ソースメータ１０８等の各機器の動作を制御する。表示装置１１０はマクロレンズが取り付けられた高感度ＣＣＤカメラ１０１とで撮像された有機ＥＬ素子の画像を表示するとともに、装置の使用者に必要な情報を表示する。高感度カメラ１０１は有機ＥＬ素子を撮像する。マクロレンズ１０２は高感度カメラ１０１に取り付けて使用する。ソースメータ１０８は有機ＥＬ素子に所定の電子信号を印加する。また、電流値や電圧値の測定もできる。接触用プローブ１０６は有機ＥＬ素子に電気的に接触する。支持台１０５は有機ＥＬ素子を支持する。
遮光暗箱１０３は、有機ＥＬ素子１０４を遮光状態で高感度ＣＣＤカメラ１０１によって撮像することを可能とするためのものである。
【００３８】
次に、有機ＥＬ素子を検査する工程を順次説明しつつ、検査装置についても説明する。まず、検査対象である有機ＥＬ素子１０４を支持台１０５に設置する。次に、接触用プローブ１０６を有機ＥＬ素子１０４の検査用のパッドに接触させ、有機ＥＬ素子１０４とソースメータ１０８とを電気的に接触させる。制御用コンピュータ１０９は検査対象である有機ＥＬ素子に対して印加するべき逆バイアス電圧を次の式（数１）から計算して、ソースメータ１０８を通じて、有機ＥＬ素子１０４に印加する。
【００３９】
（数１）
Ｖ＝―Ａ×（Ｌ÷１００）
ここで、数１式において、Ｖは前記特定逆パルス電圧の電圧値で単位はボルトであり、Ｌは被検有機EL素子の陽極と陰極の距離で単位はナノメートルであり、Ａはパラメータであり、１０乃至２０である。また、Ｌは前記被検有機EL素子が複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合には、各発光ユニットの電極間の距離を合計した距離である。
【００４０】
図２は有機ＥＬ素子の概略断面図である。図２において、２０１は陰極であり、２０２は電子注入・輸送層であり、２０３は発光層であり、２０４はホール輸送・注入層であり、２０５は陽極であり、２０６は基板である。
【００４１】
検査対象である有機ＥＬ素子１０４が一つの発光ユニット（電子注入・輸送層２０２と、発光層２０３と、ホール輸送・注入層２０４と、からなる部分を発光ユニットという）からなる場合には、印加する逆バイアスパルス電圧の電圧値Ｖを計算する場合の式（数１）におけるＬは図２におけるＬであり、陰極２０１と陽極２０５の間の距離とする。ただし、Ｌの単位はナノメートルである。次に、有機EL素子がマルチフォトン有機ＥＬ素子の場合について説明する。
【００４２】
図３は複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の概略断面図である。
図３において、３０１は電荷発生層である。
図３に示されているマルチフォトン有機ＥＬ素子は3つの発光ユニットを有している。
図３において、L１は陰極２０１に最も近い発光ユニットの電子注入・輸送層２０２の厚さと、発光層２０３の厚さと、ホール輸送・注入層２０４の厚さと、を加えた厚さである。
同様に、L２は陰極２０１に２番目に近い発光ユニットの電子注入・輸送層２０２の厚さと、発光層２０３の厚さと、ホール輸送・注入層２０４の厚さと、を加えた厚さである。
L３は陽極に最も近い発光ユニットの電子注入・輸送層２０２の厚さと、発光層２０３の厚さと、ホール輸送・注入層２０４の厚さと、を加えた厚さである。よって、
被検有機EL素子が図３に示されているマルチフォトン有機ＥＬ素子である場合に印加すべき、逆バイアスパルス電圧の電圧値を求める際の数式（数１）のLはL1と、L２と、L３と、を加えたものとなる。
【００４３】
有機ＥＬ素子１０４に、このように数式（数１）によって決定された逆バイアス電圧Ｖを有し、パルス幅が０．５秒の逆バイアスパルス電圧をソースメータ１０８から接触用プローブ１０６を通じて、有機ＥＬ素子１０４に印加する。逆バイアス電圧であるから、陰極２０１から陽極２０５に電流が流れるように電圧を印加する。そして、該逆バイアスパルス電圧が印加されている状態の有機ＥＬ素子１０４を、遮光暗箱１０３によって遮光状態の中で高感度カメラ１０１により撮像する。撮像する際にはマクロレンズ１０２を使用する。次に、撮像した画像の中に、所定の輝度以上の輝点が所定の個数以上あるか否かを判定する。所定の個数以上あれば、その有機ＥＬ素子１０４は不良品とし、所定の個数未満であれば、良品とする。
【００４４】
図４は、電圧値がマイナス１５ボルトでパルス幅０．５秒の逆バイアスパルス電圧を有機EL素子１０４に印加し、該電圧を印加中の有機EL素子を遮光状態の中でマクロレンズ１０２と高感度カメラ１０１で撮像した有機EL素子の発光画像である。画像の中に6個の輝点４０１乃至４０６が存在している。
正常な有機EL素子に同じ逆バイアスパルス電圧に印加しても、このような輝点は現れなかった。このことより、輝点が現れた有機EL素子は欠陥を有していると判断できた。
【００４５】
図５は、図４の画像に、同じ有機EL素子の外観を別途撮像した画像を重ね合わせた画像である。図４の画像は、遮光状態の中で撮像されているために、輝点は撮像されるが、発光していない有機EL素子の外観は撮像されていない。そこで、別途、該有機EL素子に光があたっている状態下で、該有機ＥＬ素子の外観を撮像して、このように両画像を重ね合わせることにより輝点が該有機ＥＬ素子のどの位置に存在しているかを把握することができる。
【００４６】
図６は図４に示されている輝点を有する画像に図５のように検査対象である有機EL素子の外観画像を重ねることによって把握された輝点の物理的な位置を示すグラフである。また、図７は輝点の物理的な位置を数字で示す表である。例えば、輝点４０１はＸ軸方向に２１．０５でＹ軸方向に１．５１の位置に存在している。同様に輝点２乃至６の位置も把握され、その具体的な位置は図７の表に示されている。このように、本実施の形態に係る検査装置で、有機EL素子が良品と不良品に判別され、不良品には、図７の表のような不良箇所を具体的に特定できるデータが付されて、発明者らが、すでに開発した、検査兼リペア装置に回される。
【００４７】
次に、一回の検査で検査できる有機EL素子の大きさについて説明する。発明者の従来の検査方法では、発光が微細であったために、顕微鏡を使用して、有機ＥＬ素子をＣＣＤカメラによって撮像していた。そのために、一度に撮像できる視野が狭く、約１００平方ミリメートルであった。その結果一枚の有機EL素子パネルの全体を検査するためには、XYテーブルで有機EL素子を移動し、電圧の印加と撮像を繰り返す必要があり、相当の検査時間を必要とした。
【００４８】
本実施の形態に係る検査装置では、約９００００平方ミリメートルの範囲を一度に検査でき、検査のスループットは飛躍的に向上し、本実施の形態に係る検査装置は、有機EL素子が良品であるか不良品であるかを判別するためのインライン検査装置として使用し得るものとなった。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施の形態に係る検査装置の構成の概略を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図３】複数の発光ユニットを有するマルチフォトン有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図４】遮光状態下で撮像された有機EL素子の発光画像である。
【図５】図４の画像に、同じ有機EL素子の外観を別途撮像した画像を重ね合わせた画像である。
【図６】図４に示されている輝点を有する画像に図５のように検査対象である有機EL素子の外観画像を重ねることによって把握された輝点の物理的な位置を示すグラフである。
【図７】輝点の物理的な位置を示す表である。
【符号の説明】
【００５０】
１００      実施の形態に係る検査装置
１０１      高感度CCDカメラ
１０２      マクロレンズ
１０３      遮光暗箱
１０４      有機EL素子
１０５      支持台
１０６      接触用プローブ
１０８      ソースメータ
１０９      制御用コンピュータ
１１０      表示装置
【図１】
2008021441.tif 000003
【図２】
2008021441.tif 000004
【図３】
2008021441.tif 000005
【図４】
2008021441.tif 000006
【図５】
2008021441.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008021441.tif 000009