(57)【要約】【課題】既存の技術では、パネル温度を考慮することなくピーク輝度の抑制制御が実行される。【解決手段】まず、１フレーム単位で画素データの度数分布と自発光型表示パネルの温度を検出する。検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを境界階調値に対応する輝度レベルに制限する。【選択図】図１２
2008292868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光型表示パネル表面の温度ムラを抑制する温度ムラ抑制装置であって、
１フレーム単位で画素データの度数分布を検出する度数分布検出部と、
自発光型表示パネルの温度を検出するパネル温度検出部と、
検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを前記境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する輝度レベル制御部と
を有することを特徴とする温度ムラ抑制装置。
【請求項２】
請求項１に記載の温度ムラ抑制装置において、
前記輝度レベル制御部は、
データ線ドライバに印加する最大階調値側の１つ又は複数の基準電圧を、検出された前記境界階調値に応じた電圧に制御する
ことを特徴とする温度ムラ抑制装置。
【請求項３】
請求項１に記載の温度ムラ抑制装置において、
前記輝度レベル制御部は、
前記境界階調値より大きい階調値を有する画素データだけを前記境界階調値に変換する
ことを特徴とする温度ムラ抑制装置。
【請求項４】
自発光型の表示パネルと、
１フレーム単位で画素データの度数分布を検出する度数分布検出部と、
自発光型表示パネルの温度を検出するパネル温度検出部と、
検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを前記境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する輝度レベル制御部と
を有することを特徴とする自発光表示装置。
【請求項５】
自発光型の表示パネルと、
１フレーム単位で画素データの度数分布を検出する度数分布検出部と、
自発光型表示パネルの温度を検出するパネル温度検出部と、
検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを前記境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する輝度レベル制御部と、
システム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力部と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項６】
自発光型表示パネル表面の温度ムラを抑制する温度ムラ抑制方法において、
１フレーム単位で画素データの度数分布を検出する処理と、
自発光型表示パネルの温度を検出する処理と、
検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを前記境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する処理と
を有することを特徴とする温度ムラ抑制方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書で説明する発明は、自発光型表示パネル表面の温度ムラを抑制する技術に関する。発明は、温度ムラ抑制装置、自発光表示装置、電子機器及び温度ムラ抑制方法としての側面を有する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示パネルその他の自発光型表示パネルを構成する発光素子は温度依存特性を有している。例えば有機ＥＬ表示パネルの場合、発光時の重要パラメータであるＩ−Ｖ特性が温度変化に応じて変動する。温度変化の原因には、環境温度の変化や発光素子自体の発熱に起因する温度変化がある。
【０００３】
このうち、環境温度の変化はパネル面全体に作用するのに対し、発光素子自体の発熱に伴う温度変化は特定画素又は特定領域についてのみ作用する。このため、パネル温度の分布バラツキは表示画像に依存する特性がある。
【０００４】
なお、パネル温度の分布バラツキが大きい状態が特定領域について継続すると、発光素子の劣化量差の拡大を促進させる方向にも作用する。
結果的に、温度ムラの分布バラツキの拡大は輝度ムラを発生させる原因になる。以下、主に焼き付き現象の抑制を目的とする既存技術例を例示する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１３４４１８号公報
【特許文献２】特開２００２−３５１３８９号公報
【特許文献３】特開２００６−０３０３１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、従来提案されている焼き付き抑制技術では、一般にパネル温度の分布バラツキの発生が考慮されていない。このため、温度ムラの抑制効果が不十分である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、発明者らは、自発光型表示パネル表面の温度ムラ補正装置として、（ａ）１フレーム単位で画素データの度数分布を検出する度数分布検出部と、（ｂ）自発光型表示パネルの温度を検出するパネル温度検出部と、（ｃ）検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する輝度レベル制御部とを有するものを提案する。
【発明の効果】
【０００８】
発明者らの提案する発明の場合、温度ムラが大きいパネル温度の検出時（基準温度以下の温度検出時）に限り、境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する。
【０００９】
この際、境界階調値よりも小さい階調値に対応する画素の輝度レベルは入力階調値のままか影響が少ない。結果的に、発熱効果の大きい一定割合の画素についてだけ、輝度レベルを下げることができる。これにより、画質に与える影響を最小限にとどめながら温度ムラを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、発明を、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルモジュールに適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
【００１１】
（Ａ）形態例１
（Ａ−１）全体構成
図１に、有機ＥＬパネルモジュール１の主要構成部分を示す。有機ＥＬパネルモジュール１は、有機ＥＬパネル３、データ線ドライバ５、走査線ドライバ７及び温度ムラ抑制部９を主要な構成要素とする。
【００１２】
有機ＥＬパネル３の有効表示領域には、パネル解像度に応じて画素１１がマトリクス状に配置されている。この形態例の場合、有機ＥＬパネル３はカラー表示用であり、画素１１は発光色の配列に従って配置される。ただし、複数色の有機発光層を積層した構造を有する有機ＥＬ素子が画素１１を構成する場合、１つの画素が複数の発光色に対応する。
【００１３】
図２に、アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素１１の内部構造と他の駆動回路との接続関係を示す。もっとも、実際の画素１１には、発光期間制御用のトランジスタ、駆動トランジスタの閾値補正機能や移動度補正機能に対応するトランジスタ等が配置される。
【００１４】
画素１１は、書き込み制御トランジスタＴ１、電荷保持容量Ｃ、電流駆動トランジスタＴ２及び有機ＥＬ素子Ｄで構成される。
書き込み制御トランジスタＴ１は、画素データに対応する信号電圧Ｖdataの電荷保持容量Ｃへの書き込みを制御する薄膜トランジスタである。
【００１５】
なお、書き込み制御トランジスタＴ１の開閉動作は、走査線ドライバ７より走査線ＷＬを通じて供給される書き込み信号ＷＳにより制御される。書き込み制御トランジスタＴ１が閉制御されている期間に、データ線ＤＬを通じて印加された画素データ（信号電圧Ｖdata）が電荷保持容量Ｃに書き込まれる。
【００１６】
電流駆動トランジスタＴ２は、電荷保持容量Ｃに書き込まれた信号電圧Ｖdataに応じた大きさの駆動電流を有機ＥＬ素子Ｄに供給する薄膜トランジスタである。図２の場合、電流駆動トランジスタＴ２には、Ｎチャネル型の電界効果トランジスタを使用する。
【００１７】
データ線ドライバ５は、画素データに対応する信号電圧Ｖdataをデータ線ＤＬに印加する回路デバイスである。データ線ドライバ５は、１つのデータ線ＤＬに対して１つのディジタル／アナログ変換回路を配置した構成を有している。
【００１８】
なお、ここでのディジタル／アナログ変換回路には、黒レベルと白レベルを規定する基準電圧以外にも中間階調を規定する基準電圧が外部から与えられるガンマ補正機能付きの回路を使用する。この形態例の場合、白レベル側の２つの基準電圧が、検出されたパネル温度に応じて切り換え制御される。
【００１９】
走査線ドライバ７は、信号電圧Ｖdataの書き込みタイミングを与える回路デバイスである。書き込みタイミングの供給先となる走査線ＷＬは、水平走査期間単位で順次切り替え制御される。
【００２０】
温度ムラ抑制部９は、パネル温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値をフレーム毎に求め、当該境界階調値に対応する輝度レベルを対応フレーム内の最大輝度レベルに制御する処理デバイスである。
【００２１】
この形態例の場合、温度ムラ抑制部９は、データ線ドライバ５を構成するディジタル／アナログ変換器に与えられる複数の基準電圧のうち、白レベル（最大階調値）を規定する基準電圧Ｖref_0 だけを境界階調値に応じた基準電圧Ｖref_H に可変制御する。図３に、データ線ドライバ５に供給される基準電圧の印加例を示す。
【００２２】
図３（Ａ）は、温度ムラの抑制制御を実行しない場合（オフ動作時）の基準電圧の印加例である。図３（Ｂ）は、温度ムラの抑制制御を実行する場合（オン動作時）の基準電圧の印加例である。図３に示すように、オフ制御時には画素データの最大階調値に対応する基準電圧Ｖref_0 の初期設定値が供給され、オン制御時には境界階調値に対応して可変的に設定される基準電圧Ｖref_H が供給される。
【００２３】
図４に、温度ムラ抑制部９の内部構成例を示す。温度ムラ抑制部９は、度数分布検出部２１、パネル温度検出部２３、輝度レベル制御部２５で構成する。
ここで、度数分布検出部２１は、１フレーム期間に入力される画素データの０レベルから最大レベル（例えばデータ長が８ビットの場合、２５５）までの各階調値について度数分布を検出する処理デバイスである。
【００２４】
パネル温度検出部２３は、有機ＥＬパネル３の表面温度を検出する温度センサである。この形態例の場合、パネル温度検出部２３には既知の温度センサを使用する。また、パネル温度検出部２３は、有効表示領域の外側に配置する。パネル温度の検出誤差を小さくするためには、温度センサは有効表示領域のできるだけ近傍に配置することが望ましい。
【００２５】
輝度レベル制御部２５は、検出温度Ｄtmp に応じて輝度レベルを可変制御の実行と実行停止（初期設定のまま）とを切り替え制御する処理デバイスである。図５に、輝度レベル制御部２５の内部構成例を示す。輝度レベル制御部２５は、境界階調値検出部３１及び基準電圧発生部３３で構成される。
【００２６】
境界階調値検出部３１は、検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を度数分布に基づいて検出する処理デバイスである。なお、検出温度が基準温度以上の場合、境界階調値検出部３１は、境界階調値の検出処理は行わない。境界階調値に基づく制御の必要がないためである。
【００２７】
ただし、境界階調値検出部３１は、基準電圧Ｖref_0 の発生用に画素データが取り得る最大階調値（データ長が８ビットの場合、２５５）を境界階調値として出力する。ここでは、フレーム画像を構成する画素データの最大値ではないことに注意する。
【００２８】
図６に、パネル温度と温度ムラとの間に存在するおおよその関係を示す。すなわち、図６では、パネル温度を「高い」、「普通（常温）」、「低い」の３段階によりおおよその関係を示す。なお、３つの温度区分は相対的な表現であるが、あくまでも一般的な関係を説明することを主眼とするため、以下の説明では、この３つの温度区分にて説明する。
【００２９】
パネル温度が「高い」場合、もともとパネル全体の温度が高いことを意味する。従って、有機ＥＬパネル内に高輝度部分と低輝度部分が混在しても、その部分の温度差は目立ち難い。一方、パネル温度が「普通」か「低い」場合は、高輝度部分と低輝度部分がそのまま温度差となり易い。
【００３０】
この形態例の場合、境界階調値検出部３１は、基準温度として４０℃を使用する。従って、検出されたパネル温度が４０℃以上の場合、境界階調値検出部３１は、画素データが採り得る最大レベル（例えばデータ長が８ビットの場合、２５５）を境界階調値に設定する。
【００３１】
これに対し、検出されたパネル温度が４０℃未満の場合、境界階調値検出部３１は、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を度数分布より検出する。すなわち、最大階調値の側から各画素の度数分布値を累積的に加算し、その累積加算値が最初に基準値を超える階調値を検出する。
【００３２】
なお、この形態例の場合、境界階調値検出部３１は、基準値として全画素数の１５％に相当する値を使用する。
ここで、基準値を大きくするほど輝度制御後の温度ムラの縮小効果を高めることができる。反対に、基準値が小さいほど輝度制御後の温度ムラの縮小効果は小さくなる。従って、基準値は、有機ＥＬパネル３の特性や制御結果に応じて適切に設定することが望まれる。
【００３３】
図７に示す度数分布例に基づいて、度数分布と境界階調値との関係を示す。境界階調値検出部３１は、最大階調値側から各階調値に対応する度数分布を順番に読み出し、読み出しの度、それらの累積加算値が基準値（１５％に対応する値）を越えるか否かを判定する。累積加算値が基準値を越えない間は、次の階調値に対応する度数分布を読み出して直前回の累積加算値に加算し、その累積加算値と基準値との比較処理を実行する。
【００３４】
ここで、境界階調値検出部３１は、累積加算値が基準値を最初に越えた階調値を境界階調値に設定する。
このように、境界階調値検出部３１は、パネル温度が基準温度より高いか否かにより制御内容を切り換える。
【００３５】
基準電圧発生部３３は、境界階調値検出部３１で検出された境界階調値に基づいて、データ線ドライバ５を構成するディジタル／アナログ変換回路が出力する最大電圧レベル（白レベル）を規定する基準電圧Ｖref_H （初期値としてのＶref_0 を含む。）を発生する回路デバイスである。基準電圧発生部３３には、例えばディジタル／アナログ変換回路やディジタルポテンショメータを使用する。
【００３６】
（Ａ−２）制御動作及び効果
以下、温度ムラ抑制部９で実行される処理動作の内容を説明する。図８に、パネル温度と輝度制御のオン・オフ関係を示す。
【００３７】
温度ムラ抑制９は、常にパネル温度を監視しており、パネル温度の検出値が４０℃を越えるか否かをフレーム毎に判定する。もっとも、この判定は設定されたフレーム数毎、秒、分単位で実行しても良い。パネル温度は一般に緩やかに変化するためである。
【００３８】
パネル温度の検出値が４０℃未満の場合、温度ムラ抑制部９は、輝度制御を実行する。すなわち、温度ムラ抑制部９は、各フレーム画像を構成する画素データの階調値別の度数分布を求め、最大階調値側の度数分布面積が基準値（１５％）を最初に越える階調値を求める。
【００３９】
図９に処理イメージを示す。図９（Ａ）は、あるフレーム画像の度数分布例を示す。この例の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値（１５％）を最初に越える階調値が最大階調値の７０％である。
【００４０】
図９（Ｂ）は、検出された階調値（最大階調値の７０％）が最大階調値となるように基準電圧Ｖref_H を制御した場合に画面上に現れる輝度分布を階調値別の度数分布で表した図である。図９（Ｂ）より、１フレームを構成する全画素のうち少なくとも１５％の画素で入力時よりも階調値が低下していることが分かる。
【００４１】
結果的に、１フレーム内の最大輝度と最小輝度との輝度差を縮小することができ、その分、有機ＥＬパネル３上で消費される電力を抑制することができる。
勿論、消費電力が入力時よりも抑制されることにより、有機ＥＬパネル３内の発熱量も小さくなり、その分、温度ムラの発生や拡大を抑制することができる。
【００４２】
特に、有機ＥＬパネル３の面積が大きい場合には温度ムラが生じやすいが、形態例で説明した方法は温度ムラの抑制効果を簡易な処理動作だけで実現できるため、有機ＥＬパネル３に実装する際にも有利である。
【００４３】
また、この温度ムラ抑制部９は、フレームメモリ等の大規模な記憶領域を必要としないため、タイミングジェネレータその他の既存の回路デバイスの一部分に搭載するのも容易である。実際、既存の回路デバイスに搭載することができれば、パネル面の設計変更等を最小化することができる。従って、この温度ムラ抑制部９は、製造面やコスト面でも高い効果を有する。
【００４４】
（Ｂ）形態例２
この形態例では、前述した温度ムラの抑制動作を、ディジタル信号処理だけで実現する場合について説明する。
【００４５】
図１０に、有機ＥＬパネルモジュール４１の主要構成部分を示す。なお、図１０には図１との対応部分に同一符号を付して示す。有機ＥＬパネルモジュール４１は、有機ＥＬパネル３、データ線ドライバ４３、走査線ドライバ７及び温度ムラ抑制部４５を主要な構成要素とする。以下では、この形態例に特有の構成であるデータ線ドライバ４３と温度ムラ抑制部４５の構成例を示す。
【００４６】
この形態例の場合、データ線ドライバ４３には、ガンマ補正機能を有しないディジタル／アナログ変換回路を使用することができる。すなわち、黒レベルを規定する基準電圧と白レベルを規定する基準電圧の印加だけで動作するディジタル／アナログ変換回路を使用することができる。もっとも、形態例１と同じく、ガンマ補正機能付きのディジタル／アナログ変換回路を用いることも可能である。
【００４７】
温度ムラ抑制部４５は、形態例１で説明した輝度レベルの制御処理を階調変換により実現する処理デバイスである。
図１１に、温度ムラ抑制部４５の内部構成例を示す。図１１には、図４との対応部分に同一符号を付して表している。温度ムラ抑制部４５は、度数分布検出部２１、パネル温度検出部２３、境界階調値検出部５１、階調変換部５３で構成する。
【００４８】
図１１に示すように、境界階調値を検出するまでの回路構成は形態例１と同じである。なお、境界階調値検出部５１は、図４の輝度レベル制御部２５を構成する境界階調値検出部３１（図５）に対応する。
【００４９】
階調変換部５３は、検出された境界階調値が最大出力値となるように、画素データの入力値Ｄinを階調変換する処理デバイスである。図１２に、この形態例の階調変換動作に対応する入出力関係を示す。
【００５０】
図１２に示すように、画素データの入力値Ｄinが境界階調値以下の場合、入力値Ｄinと同じ値が画素データの出力値ＤＯとして出力される。一方、画素データの入力値Ｄinが境界階調値より大きい場合、境界階調値が画素データの出力値ＤＯとして出力される。
【００５１】
すなわち、境界階調値より大きい階調値を有する画素だけ（全画素の１５％分の画素だけ）が、境界階調値に変換される。
なお、この階調変換処理は、画素データの入力値Ｄinと境界階調値との比較処理だけで簡単に実現できる。
【００５２】
勿論この場合も階調変換処理は、検出温度Ｄtmp が基準温度である４０℃未満の場合に限り実行され、検出温度Ｄtmp が基準温度である４０℃以上の場合には、全ての画素データ（入力値Ｄin）がそのまま出力値ＤＯとして出力される。
結果的に、画面上の輝度変化は形態例１と同じになる。
【００５３】
（Ｃ）他の形態例
（Ｃ−１）温度検出手法
前述した形態例では、温度センサを用いてパネル温度を検出する場合について説明した。しかし、有効表示領域内の画素１１や当該画素と同構造を有するダミー画素を定電流駆動した際のアノード電位（厳密には、有機ＥＬ素子Ｄのアノード・カソード間電圧）の変化を検出することにより、現在のパネル温度を検出しても良い。
【００５４】
この場合、有効表示領域の温度又はその近傍温度を直接測定することができ、温度ムラの抑制制御の実行・不実行の切り換え精度を高めることができる。
なお、測定用の定電流は画像内容とは無関係に定められた固定値であるため、有効表示領域内の画素１１を用いて温度を測定する場合には、配置場所を工夫することが望ましい。
【００５５】
例えば画面の周辺部分に配置することが望ましい。また、前述したように、画面内には表示内容に応じて温度ムラが発生し易い。従って、パネル全体を代表するパネル温度を検出する上では、できるだけ画面平均値で光っている画素の検出結果を使用する（例えば測定時以外は画面平均値で発光制御される画素の検出結果を使用する）か、画面内に分散的に配置された複数箇所の検出結果の平均値を使用することが望ましい。
【００５６】
（Ｃ−２）度数分布面積の設定例
前述の形態例の場合には、境界階調値を決定するための度数分布面積を１つだけ用意する場合について説明した。
しかし、パネル温度に応じて複数の度数分布面積を選択的に使用しても良い。
【００５７】
図１３に、パネル温度と度数分布面積との対応例を示す。図６で説明したように、パネル温度が低いほど温度ムラが大きくなり易い。従って、検出されたパネル温度が普通（常温）の場合には度数分布面積を１５％に設定し、検出されたパネル温度が低い場合には度数分布面積を３０％に設定するというように、パネル温度に応じて度数分布面積を切り換えても良い。
【００５８】
なお、低温と普通とを判定するのに用いる基準温度には例えば１０℃を使用する。勿論、基準温度を境に検出される境界階調値が大きく変化するので、実際の画質の変化やパネル特性等を考慮して最適な基準温度を用いることが望ましい。
【００５９】
（Ｃ−３）基準電圧の制御例
前述した形態例の場合には、データ線ドライバ５が出力する信号電圧の白レベルを規定する基準電圧Ｖref_0 だけを可変制御する場合について説明した。
しかし、ガンマ補正用に用意される中間基準電圧と境界階調値との関係によっては、白レベルを規定する基準電圧Ｖref_0 以外の１又は複数の中間基準電圧Ｖref_1 、Ｖref_2 等についても境界階調値に対応する基準電圧Ｖref_H に切り替えても良い。
【００６０】
（Ｃ−４）製品例
（ａ）ドライブＩＣ
前述の説明では、画素アレイ部（有機ＥＬパネル）と駆動回路（データ線ドライバ、走査線ドライバ、温度ムラ抑制部等）とが１つの基体上に形成された有機ＥＬパネルモジュールについて説明した。
【００６１】
しかし、画素アレイ部と駆動回路部等とは別々に製造し、それぞれ独立した製品として流通することもできる。例えば、駆動回路はそれぞれ独立したドライブＩＣ（integrated circuit）として製造し、画素アレイ部とは独立に流通することもできる。
【００６２】
（ｂ）表示モジュール
前述した各形態例に係る有機ＥＬパネルモジュール１及び４１は、図１４に示す外観構成を有するパネルモジュール６１の形態で流通することもできる。
パネルモジュール６１は、支持基板６５の表面に対向部６３を貼り合わせた構造を有している。
【００６３】
対向部６３は、ガラスその他の透明部材を基材とし、その表面にはカラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が配置される。
なお、パネルモジュール６１には、外部から支持基板６５に信号等を入出力するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６７等が設けられていても良い。
【００６４】
（ｃ）電子機器
前述した形態例における有機ＥＬパネルモジュール１及び４１は、電子機器に実装された商品形態でも流通される。
図１５に、電子機器７１の概念構成例を示す。電子機器７１は、前述した有機ＥＬパネルモジュール７３及びシステム制御部７５で構成される。
【００６５】
システム制御部７５で実行される処理内容は、電子機器７１の商品形態により異なる。
また、システム制御部７５には、不図示の操作入力部が接続されており、システム制御部７５は、ユーザーの操作結果に応じた処理を実行する。
【００６６】
なお、電子機器７１は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
この種の電子機器７１には、例えばテレビジョン受像機が想定される。図１６に、テレビジョン受像機８１の外観例を示す。
【００６７】
テレビジョン受像機８１の筐体正面には、フロントパネル８３及びフィルターガラス８５等で構成される表示画面８７が配置される。表示画面８７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュール１（４１）に対応する。
【００６８】
また、この種の電子機器７１には、例えばデジタルカメラが想定される。図１７に、デジタルカメラ９１の外観例を示す。図１７（Ａ）が正面側（被写体側）の外観例であり、図１７（Ｂ）が背面側（撮影者側）の外観例である。
【００６９】
デジタルカメラ９１は、保護カバー９３、撮像レンズ部９５、表示画面９７、コントロールスイッチ９９及びシャッターボタン１０１で構成される。このうち、表示画面９７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュール１（４１）に対応する。
【００７０】
また、この種の電子機器７１には、例えばビデオカメラが想定される。図１８に、ビデオカメラ１１１の外観例を示す。
ビデオカメラ１１１は、本体１１３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ１１５、撮影のスタート／ストップスイッチ１１７及び表示画面１１９で構成される。このうち、表示画面１１９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュール１（４１）に対応する。
【００７１】
また、この種の電子機器７１には、例えば携帯端末装置が想定される。図１９に、携帯端末装置としての携帯電話機１２１の外観例を示す。図１９に示す携帯電話機１２１は折りたたみ式であり、図１９（Ａ）が筐体を開いた状態の外観例であり、図１９（Ｂ）が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
【００７２】
携帯電話機１２１は、上側筐体１２３、下側筐体１２５、連結部（この例ではヒンジ部）１２７、表示画面１２９、補助表示画面１３１、ピクチャーライト１３３及び撮像レンズ１３５で構成される。このうち、表示画面１２９及び補助表示画面１３１の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュール１（４１）に対応する。
【００７３】
また、この種の電子機器７１には、例えばコンピュータが想定される。図２０に、ノート型コンピュータ１４１の外観例を示す。
ノート型コンピュータ１４１は、下型筐体１４３、上側筐体１４５、キーボード１４７及び表示画面１４９で構成される。このうち、表示画面１４９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュール１（４１）に対応する。
【００７４】
これらの他、電子機器７１には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
【００７５】
（Ｃ−５）他の画素回路例
前述した形態例では、電流駆動トランジスタＴ２がＮチャネル型の電界効果トランジスタの場合について説明した。
しかし、電流駆動トランジスタＴ２がＰチャネル型の電界効果トランジスタで構成される場合にも適用できる。
【００７６】
図２１に、電流駆動トランジスタＴ２がＰチャネル型の電界効果トランジスタの場合の画素回路例を示す。なお、図２１は、図２との対応部分に同一符号を付して表している。
この画素回路の場合、電荷保持容量Ｃは、電源電位ＶSSと電流駆動トランジスタＴ２のゲート電極間に画素データに相当する電圧Ｖdataを保持するように接続される。
【００７７】
（Ｃ−６）他の表示デバイス例
形態例の説明においては、発明に係る温度ムラ抑制機能を、有機ＥＬパネルモジュールに搭載する場合について説明した。
しかし、発明に係る温度ムラ抑制機能は、その他の自発光表示装置に対しても適用することができる。
【００７８】
例えば無機ＥＬディスプレイ装置、ＬＥＤを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
なお、前述した形態例の場合には、アクティブマトリクス駆動方式を採用したがパッシブマトリクス駆動方式の場合にも適用できる。
【００７９】
（Ｃ−７）制御デバイスの他の実現方法
前述の説明では、温度ムラ抑制機能を主にソフトウェア処理により実現する場合について説明した。
しかし、コントラスト制御機能の一部は、特定用途向けＩＣその他のハードウェアデバイスにより実現しても良い。
【００８０】
（Ｃ−８）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】有機ＥＬパネルモジュールの回路構成を示す図である。
【図２】画素回路と周辺回路との接続関係を示す図である。
【図３】温度ムラの非制御時と抑制制御時にそれぞれ対応する基準電圧の印加例を示す図である。
【図４】温度ムラ抑制部の内部構成例を示す図である。
【図５】輝度レベル制御部の内部構成例を示す図である。
【図６】パネル温度と温度ムラとの関係を説明する図である。
【図７】度数分布例を示す図である。
【図８】パネル温度と制御動作の対応関係を説明する図である。
【図９】輝度制御による度数分布の変化を説明する図である。
【図１０】有機ＥＬパネルモジュールの回路構成を示す図である。
【図１１】温度ムラ抑制部の内部構成例を示す図である。
【図１２】階調変換部の入出力関係を示す図である。
【図１３】パネル温度と制御動作との他の実行関係を説明する図である。
【図１４】表示モジュールの構成例を示す図である。
【図１５】電子機器の機能構成例を示す図である。
【図１６】電子機器の商品例を示す図である。
【図１７】電子機器の商品例を示す図である。
【図１８】電子機器の商品例を示す図である。
【図１９】電子機器の商品例を示す図である。
【図２０】電子機器の商品例を示す図である。
【図２１】他の画素回路例を示す図である。
【符号の説明】
【００８２】
１          有機ＥＬパネルモジュール
３          有機ＥＬパネル
９          温度ムラ抑制部
２１        度数分布検出部
２３        パネル温度検出部
２５        輝度レベル制御部
３１        境界階調値検出部
３３        基準電圧発生部
４１        有機ＥＬパネルモジュール
４５        温度ムラ抑制部
５１        境界階調値検出部
５３        階調変換部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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