(57)【要約】【課題】  複数種類の基本セル中に危険箇所を含む基本セルが含まれているか否かを容易にするための危険箇所集計方法を提供すること。【解決手段】  危険箇所集計方法は、基本セルＣｉ(i=1,2,…)をそれぞれ箇所Ｓｉｊ(j=1,2,…)に配置してなるテストパターンに係るデータに基づき、マスクパターンを作成する工程（Ｓ３）と、マスクパターンに係るデータに対し、プロセスシミュレーションを行い、基板上に形成されるパターンを予想する際に、プロセスシミュレーションをプロセスばらつきを考慮して行うことにより、複数のパターンを予想する工程（Ｓ４）と、複数のパターンのそれぞれについて危険箇所Ａがあるか否かを判断する工程（Ｓ５）と、危険箇所Ａがあると判断された場合、危険箇所Ａに対応するテストパターン内の危険箇所Ｂを特定する工程（Ｓ７）と、複数種類の基本セルＣｉ毎に危険箇所Ｂに対応する箇所Ｓｉｊの数を集計する工程とを含む。【選択図】      図１
2008145691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の基本セルＣｉ(i=1,2,…)をそれぞれ複数の箇所Ｓｉｊ(j=1,2,…)に配置してなるテストパターンに係るデータに基づいて、マスクパターンに係るデータを作成する工程と、
前記マスクパターンに係るデータに対して、プロセスシミュレーションを行うことにより、前記マスクパターンを用いた場合に基板上に形成されるパターンを予想する工程であって、前記プロセスシミュレーションをプロセスばらつきを考慮して行うことにより、複数のパターンを予想する前記工程と、
前記複数のパターンのそれぞれについて、第１の危険箇所があるか否かを判断する工程と、
前記第１の危険箇所があると判断された場合、前記第１の危険箇所に対応する前記テストパターン内の第２の危険箇所を特定する工程と、
前記複数種類の基本セルＣｉ毎に、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数を集計する工程と
を含むことを特徴とする危険箇所集計方法。
【請求項２】
複数種類の基本セルＣｉ(i=1,2,…)をそれぞれ複数の箇所Ｓｉｊ(j=1,2,…)に配置してなるテストパターンに係るデータに基づいて、マスクパターンに係るデータを作成する工程と、前記マスクパターンに係るデータに対して、プロセスシミュレーションを行うことにより、前記マスクパターンを用いた場合に基板上に形成されるパターンを予想する工程であって、前記プロセスシミュレーションをプロセスばらつきを考慮して行うことにより、複数のパターンを予想する前記工程と、前記複数のパターンのそれぞれについて、第１の危険箇所があるか否かを判断する工程と、前記第１の危険箇所があると判断された場合、前記第１の危険箇所に対応する前記テストパターン内の第２の危険箇所を特定する工程と、前記複数種類の基本セルＣｉ毎に、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数を集計する工程とを含む危険箇所集計方法による集計結果に基づいて、前記複数種類の基本セルＣｉの中から、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数が１以上である基本セルＣｉを選択する工程と、
前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数が１以上の基本セルＣｉを修正する工程と
を含むことを特徴とするパターン修正方法。
【請求項３】
前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数が１以上である基本セルＣｉを修正する工程において、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数が２以上である基本セルＣｉについては、最も危険な第２の危険箇所に対応する箇所に配置された基本セルＣｉを優先的に修正することを特徴とする請求項２に記載のパターン修正方法。
【請求項４】
前記優先的に修正した基本セルおよび該基本セルから一定の距離内にあるパターンに係るデータに基づいてマスクパターンに係るデータを作成し、このマスクパターンに係るデータに対して、プロセスシミュレーションを行うことにより、前記マスクパターンを用いた場合に基板上に形成されるパターンを予想する工程であって、前記プロセスシミュレーションをプロセスばらつきを考慮して行うことにより、複数のパターンを予想する前記工程と、
前記複数のパターンのそれぞれについて、前記第１の危険箇所があるか否かを判断する工程と、
前記第１の危険箇所があると判断された場合、前記優先的に修正した基本セルのパターンを再び修正する工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のパターン修正方法。
【請求項５】
複数種類の基本セルＣｉ(i=1,2,…)をそれぞれ複数の箇所Ｓｉｊ(j=1,2,…)に配置してなるテストパターンに係るデータに基づいて、マスクパターンに係るデータを作成させる手順と、
前記マスクパターンに係るデータに対して、プロセスシミュレーションを行うことにより、前記マスクパターンを用いた場合に基板上に形成されるパターンを予想させる手順であって、前記プロセスシミュレーションをプロセスばらつきを考慮して行うことにより、複数のパターンを予想させる前記手順と、
前記複数のパターンのそれぞれについて、第１の危険箇所があるか否かを判断させる手順と、
前記第１の危険箇所があると判断された場合、前記第１の危険箇所に対応する前記テストパターン内の第２の危険箇所を特定させる手順と、
前記複数種類の基本セルＣｉ毎に、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数を集計させる手順と
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、危険箇所を含む基本セルを集計するための危険箇所集計方法、危険箇所を含む基本セルを修正するためのパターン修正方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の微細化に伴い、半導体基板上に設計回路どおりにパターンを形成することが困難になってきている。その理由の一つとして、半導体素子の微細化の進展に露光装置の解像力の向上が追いつかず、リソグラフィ工程でパターンの転写品質が低下することがあげられる。また、このような解像力が不十分な露光装置を使用することで生じる、露光量やフォーカスなどのプロセスパラメータの微小なばらつきも、パターンの転写品質を劣化させる。
【０００３】
転写品質の劣化が激しいパターンは、製造歩留に多大な影響を及ぼす。そのため、設計制約（デザインルール）を設けてそのようなパターンを禁止している。設計制約を厳しくし過ぎると描くことができるパターンの種類が減少し、半導体素子を微細化しても半導体装置の大きさは必ずしも小さくはならない。よって、設計制約はそれほど厳しくできるものではない。その結果、設計制約を守っているにも関わらず、危険箇所を含むパターン（品質劣化パターン）が設計回路パターンに混入する可能性がある。
【０００４】
このような危険箇所を含むパターンの混入を防ぐために、危険箇所を含むパターンを特定し、この特定した危険箇所を含むパターンを修正する必要がある。このとき、スタンダードセル、メモリマクロの基本セル（例えばリーフセル)等の小規模セルを単位として、危険箇所を含むパターンの特定および修正は行われる（非特許文献１）。
【０００５】
従来、危険箇所を含むパターンの特定および修正は以下のように行われている。
【０００６】
予め用意された複数の小規模セルの中から一つの小規模セルが選ばれる。この選ばれた小規模セルに対して、リソグラフィシミュレーションなどのプロセスシミュレーションを行うことにより、基板上に形成されるパターンが予測される。この予測されたパターン内に危険箇所を含むか否かが判断される。判断の結果、危険箇所を含まないと判断された場合、その小規模セルは、セルライブラリ内に登録される。一方、危険箇所を含むと判断された場合、その小規模セルは、所定のプロセスマージンが確保されるように、パターン修正が行われる。残りの小規模セルについても、同様の判断および処理（登録またはパターン修正）が行われる。
【０００７】
しかし、上記の如き従来の方法では、製造プロセスにおいてパターン同士が影響を及ぼす距離が、設計パターンと同程度になってきている現状では、危険箇所を含むパターンの特定および修正が困難になりつつある。
【非特許文献１】S. Kyoh et al, “Lithography oriented DfM for 65nm and beyond” , Proc. SPIE Vol. 6156 (2006)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、複数種類の基本セル中に危険箇所を含む基本セルが含まれているか否かを容易にするための危険箇所集計方法、前記危険箇所を含む前記基本セルを修正するためのパターン修正およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る危険箇所集計方法は、複数種類の基本セルＣｉ(i=1,2,…)をそれぞれ複数の箇所Ｓｉｊ(j=1,2,…)に配置してなるテストパターンに係るデータに基づいて、マスクパターンに係るデータを作成する工程と、前記マスクパターンに係るデータに対して、プロセスシミュレーションを行うことにより、前記マスクパターンを用いた場合に基板上に形成されるパターンを予想する工程であって、前記プロセスシミュレーションをプロセスばらつきを考慮して行うことにより、複数のパターンを予想する前記工程と、前記複数のパターンのそれぞれについて、第１の危険箇所があるか否かを判断する工程と、前記第１の危険箇所があると判断された場合、前記第１の危険箇所に対応する前記テストパターン内の第２の危険箇所を特定する工程と、前記複数種類の基本セルＣｉ毎に、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数を集計する工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明に係るパターン修正方法は、複数種類の基本セルＣｉ(i=1,2,…)をそれぞれ複数の箇所Ｓｉｊ(j=1,2,…)に配置してなるテストパターンに係るデータに基づいて、マスクパターンに係るデータを作成する工程、前記マスクパターンに係るデータに対して、プロセスシミュレーションを行うことにより、前記マスクパターンを用いた場合に基板上に形成されるパターンを予想する工程であって、前記プロセスシミュレーションをプロセスばらつきを考慮して行うことにより、複数のパターンを予想する前記工程と、前記複数のパターンのそれぞれについて、第１の危険箇所があるか否かを判断する工程と、前記第１の危険箇所があると判断された場合、前記第１の危険箇所に対応する前記テストパターン内の第２の危険箇所を特定する工程と、前記複数種類の基本セルＣｉ毎に、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数を集計する工程とを含む危険箇所集計方法による集計結果に基づいて、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数が１以上の基本セルＣｉを選択する工程と、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数が１以上の基本セルＣｉを修正する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明に係るプログラムは、複数種類の基本セルＣｉ(i=1,2,…)をそれぞれ複数の箇所Ｓｉｊ(j=1,2,…)に配置してなるテストパターンに係るデータに基づいて、マスクパターンに係るデータを作成する工程、前記マスクパターンに係るデータに対して、プロセスシミュレーションを行うことにより、前記マスクパターンを用いた場合に基板上に形成されるパターンを予想させる手順であって、前記プロセスシミュレーションをプロセスばらつきを考慮して行うことにより、複数のパターンを予想させる前記手順と、前記複数のパターンのそれぞれについて、第１の危険箇所があるか否かを判断させる手順と、前記第１の危険箇所があると判断された場合、前記第１の危険箇所に対応する前記テストパターン内の第２の危険箇所を特定させる手順と、前記複数種類の基本セルＣｉ毎に、前記第２の危険箇所に対応する箇所Ｓｉｊの数を集計させる手順とをコンピュータに実行させるためのものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数種類の基本セル中に危険箇所を含む基本セルが含まれているか否かを容易にするための危険箇所集計方法、前記危険箇所を含む前記基本セルを修正するためのパターン修正およびプログラムを実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
上述の如く、製造プロセスにおいてパターン同士が影響を及ぼす距離が、基本セルの大きさと同程度になってきている。例えば、リソグラフィプロセスで影響を及ぼす距離の代表値である光学半径が、基本セルであるスタンダードセルの大きさ（セルサイズ）と同程度になってきている。具体的には、光学半径およびセルサイズは２μｍ程度である。
【００１４】
上記の如き状況では、検査の対象となる小規模な基本セルがその周囲のパターン環境の影響を大きく受けることが予想される。そのため、あるパターン環境では検査に合格しても、別のパターン環境では不合格になる可能性がある。背景技術で述べた従来の方法は、周囲のパターンの影響を取り込んでいない。したがって、従来の方法にて特定および修正された危険箇所を含む小規模セルは、その周囲の小規模セルのレイアウトによっては、危険箇所を含む小規模セルとなる危険性がある。
【００１５】
以下、上記事情を考慮した本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態のセルライブラリの作成方法を示すフローチャートである。
【００１７】
［Ｓ１］
複数の小規模セルで構成されたライブラリ（小規模セルライブラリ）が用意される。上記複数の小規模セルは、設計制約（デザインルール）に基づいて作成されたものである。
【００１８】
ここでは、図２に示される小規模セルライブラリを例にあげて説明する。この小規模セルライブラリは、４００種類のセル_001−400（複数種類の基本セルＣｉ）で構成されている。以下、小規模セルライブラリをスタンダードセルライブラリとして説明する。
【００１９】
なお、小規模セルライブラリは、スタンダードセルライブラリに限定されるものではなく、例えば、メモリマクロの基本セルで構成されたライブラリであっても構わない。メモリマクロの基本セルとしては、例えば、リーフセルがあげられる。
【００２０】
［Ｓ２］
スタンダードセル_001−400を用いて、ランダムロジック設計を模した中規模テストパターン（以下、単にテストパターンという。）が作成される。ランダムロジックパターンでは、上下左右に配置されるスタンダードセルに制約がないため、各スタンダードセルは様々な環境に配置される。
【００２１】
図３（ａ）および図３（ｂ）に、上記テストパターンの例を模式的に示す。各スタンダードセルは、約５００箇所に配置される。約５００箇所としているのは、例えば、スタンダードセル_001は５００箇所に配置され、スタンダードセル_002は５０１箇所に配置されるなど、スタンダードセルによって配置箇所の数が異なるからである。なお、全てのスタンダードセルの配置箇所の数が同じであっても構わない。
【００２２】
図３（ａ）には、簡単のため、１５個のスタンダードセル_001しか示していないが、実際には、約５００個のスタンダードセル_001がテストパターン内にはある。スタンダードセル_002−400についても同様である。
【００２３】
図３（ｂ）に示すように、各スタンダードセルの周囲には、複数のスタンダードセルが配置される。図３（ｂ）は、図３（ａ）中の破線で囲まれた中央部分のスタンダードセル_001についてのものであ。このようなスタンダードセルの場合、その周囲全体（上下左右）に他のスタンダードセルが配置される。
【００２４】
［Ｓ３］
上記テストパターンに係るデータに対して光近接効果補正を行うことにより、フォトマスクパターンに係るデータ（以下、マスクパターンデータという。）が確定される。
【００２５】
［Ｓ４］
上記マスクパターンデータに対してプロセスシミュレーション（リソグラフィシミュレーションおよび加工シミュレーション）を行うことにより、基板上に形成されるパターンが予測される。
【００２６】
本実施形態では、上記予測されたパターン（以下、予測パターンという）上において、プロセスばらつきに対してマージンの少ない箇所（第１の危険箇所）を特定するために、プロセスばらつきを考慮して上記プロセスシミュレーション（リソグラフィシミュレーションおよび加工シミュレーション）を行う。
【００２７】
具体的には、予測パターン上において、リソグラフィプロセスのばらつきに対してマージンの少ない箇所（第１の危険箇所）を特定するために、プロセスパラメータにばらつきを入れた複数（Ｍ個）の条件で、上記リソグラフィシミュレーションは行われる。
【００２８】
リソグラフィプロセスにおけるプロセスパラメータとしては、例えば、露光量、フォーカス量などがあげられる。上記複数（Ｍ個）の条件は、ばらつき無しの条件（プロセスパラメータの値が所定値通りの場合）を含んでいても構わない。
【００２９】
同様に、予測パターン上において、加工プロセスのばらつきに対してマージンの少ない箇所（第１の危険箇所）を特定するために、プロセス条件にばらつきを入れた複数（Ｎ個）の条件で、上記加工シミュレーションは行われる。
【００３０】
加工プロセスにおけるプロセスパラメータとしては、例えば、エッチャントのエネルギー、加工時間（エッチング時間）、面内寸法のばらつき量などがあげられる。上記複数（Ｎ個）の条件は、ばらつき無しの条件（プロセスパラメータの値が所定値通りの場合）を含んでいても構わない。
【００３１】
上記プロセスシミュレーションにより取得される予測パターンの数は、Ｍ×Ｎとなる。プロセス条件のばらつき条件の数Ｍ，Ｎは、一般には、多い方が良い。なお、リソグラフィプロセスおよび加工プロセスのどちらか一方のプロセスシミュレーションのばらつきだけを考慮して予測パターンを取得しても構わない。
【００３２】
［Ｓ５］
Ｍ×Ｎ個の予測パターンのそれぞれについて、周知の方法により危険箇所Ａ（第１の危険箇所）があるか否かが判断される。
【００３３】
［Ｓ６］
全てのＭ×Ｎ個の予測パターンにおいて、危険箇所Ａが無いと判断された場合、スタンダードセル_Ｓ（Ｓ＝001−400）は実際に使用されるセルとしてスタンダードセルライブラリに登録される（セルライブラリの作成終了）。
【００３４】
［Ｓ７］
一方、ステップＳ５において、危険箇所Ａがあると判断された場合、危険箇所Ａに対応するテストパターン内の危険箇所Ｂ（第２の危険箇所）が周知の方法にて特定される。ここでは、特定された危険箇所Ｂの場所は、危険箇所Ｂが属するスタンダードセルの配置箇所によって規定される。
【００３５】
図４は、スタンダードセル_001が配置されている箇所を模式的に示す図である。配置箇所は、配置_001、配置_002、…、配置_500という表記で示されている。配置箇所は、例えば、スタンダードセル_001の四つのコーナーの少なくとも一つの位置座標を用いて表される。危険箇所Ｂが属するスタンダードセル_001には記号×が付されている。
【００３６】
なお、図４には、１５個の配置箇所しか示されてないが、実際には、約５００個の配置箇所がある。同様に、図示されていないスタンダードセル_002−スタンダードセル400の配置箇所もそれぞれ約５００個ある。
【００３７】
［Ｓ８］
ステップＳ７の処理結果に基づいて、各スタンダードセル毎に、危険箇所Ｂに対応する配置の数が集計される。図５に、スタンダードセル_001について、ステップＳ８の様子を模式的に示す。
【００３８】
危険箇所Ｂに対応する配置の数の集計の結果、危険箇所Ｂに対応する配置の数が１以上であるスタンダードセルは、基板上において危険箇所Ａを招く原因となる危険なセル（危険セル候補）と判断することができる。危険セル候補は、半導体装置の製造歩留に影響を及ぼす危険性がある。
【００３９】
したがって、本実施形態の危険箇所Ｂを含む配置の数の集計方法（危険箇所集計方法；ステップＳ１−Ｓ８）によれば、危険箇所Ｂを含む配置の数の集計結果（危険箇所集計結果）に基づいて、用意されたスタンダードセルライブラリ（ステップＳ１）中に危険セル候補が含まれているか否かを容易（効率的かつ確実）に判断できる。
【００４０】
［Ｓ９］
危険箇所Ｂを含む配置の数が１以上であるスタンダードセル、つまり、危険セル候補と判断されたスタンダードセルのそれぞれについて、全ての配置箇所で危険箇所Ｂが含まれないように、スタンダードセルを構成するパターンの修正（パターン修正）が行われる。これにより、基板（ウェハ）上に危険箇所Ａが生じることを防止できるようになる。
【００４１】
このように本実施形態のパターン修正方法（ステップＳ９）によれば、危険箇所集計結果を利用することで、危険セル候補を容易に特定できるので、危険箇所Ａの発生を防止するためのパターン修正を容易（効率的かつ確実）に行えるようになる。
【００４２】
その後、ステップＳ１の小規模セルライブラリ中の危険セル候補と判断されたスタンダードセルを、上記パターン修正が行われたスタンダードセルに置き換えることにより、小規模セルライブラリの更新が行われる。そして、この更新された小規模セルライブラリ（更新セルライブラリ）を用いて、再びステップＳ２−Ｓ５が行われ、ステップＳ５にてＮｏが得られるか否かが確認される。すなわち、更新セルライブラリの検証が行われる。
【００４３】
ステップＳ５にてＹｅｓと判断された場合、ステップＳ５にてＮｏと判断されるまで、ステップＳ７，Ｓ８，Ｓ９、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５が繰り返される（再修正処理）。このようにしてプロセスばらつきに対してロバストな小規模セルライブラリ（設計パターン）を得ることができ、ひいては歩留の良い半導体装置の製造が可能となる。
【００４４】
なお、一定回数以上の再修正処理を行っても、ステップＳ５にてＮｏが得られない場合、再修正処理を中断するようにしても構わない。
【００４５】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態のセルライブラリの作成方法を示すフローチャートである。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００４６】
第１の実施形態では、危険箇所Ｂの場所は、その危険箇所Ｂが属するスタンダードセルの配置位置によって規定されるが（ステップＳ７)、本実施形態では、危険箇所Ｂの場所は、その危険箇所Ｂが属するスタンダードセル内での位置によって規定される（ステップＳ７’）。
【００４７】
本実施形態でも第１の実施形態と同様の効果が得られ、さらに、本実施形態によれば、スタンダードセル内のどの位置に危険箇所Ｂ（修正すべき箇所）があるのか分かるので、パターン修正をさらに容易（効率的かつ確実）に行えるようになる。
【００４８】
危険箇所Ｂを含むスタンダードセルの配置位置および危険箇所Ｂの箇所は周知の方法にて特定できるので、危険箇所Ｂのスタンダードセル内における位置は容易に特定できる。この点について、配置_001の箇所に配置されたスタンダードセル_001を例にあげて具体的に説明する。
【００４９】
図７に、テストパターン内の配置_001に配置されたスタンダードセル_001を模式的に示す。スタンダードセル_001は、複数のパターンＰ１，Ｐ２，…，Ｐｎを含む。
【００５０】
図７において、配置_001に配置されたスタンダードセル_001の位置は、テストパターンの左下コーナーを原点とするＸ−Ｙ直交座標を用いて、（ｘ１，ｙ１）で表されている。上記スタンダードセル_001内の危険箇所の位置は、上記Ｘ−Ｙ直交座標を用いて、（ｘ２，ｙ２）で表されている。
【００５１】
したがって、上記スタンダードセル_001内における上記危険箇所の位置は、上記（ｘ１，ｙ１）および上記（ｘ２，ｙ２）、ならびに、上記スタンダードセル_001の左下コーナーを原点とするＸ−Ｙ直交座標（不図示）を用いて、（ｘ２−ｘ１，ｙ２−ｙ１）と表される。
【００５２】
本実施形態のように、スタンダードセル内のどの位置（領域）に危険箇所があるのか分かっている場合、危険箇所がある旨をオペレーターに提示するようにしても構わない。例えば、ディスプレイ上に表示されテストパターン内に危険箇所がある旨の図形を発生するようにしても構わない。
【００５３】
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態のセルライブラリの作成方法を示すフローチャートである。なお、図１および図６と対応する部分には図１および図６と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００５４】
本実施形態が第１および第２の実施形態と異なる点は、危険箇所Ｂに対応する配置の数が２以上であるスタンダードセルについては、最も危険な危険箇所Ｂに対応する箇所に配置されたスタンダードセルを優先的に修正することにある（ステップＳ９’）。
【００５５】
以下の説明では、最も危険な危険箇所Ｂに対応する箇所に配置されたスタンダードセルを優先的に修正する一例として、最も危険な危険箇所Ｂに対応する箇所に配置されたスタンダードセルのみを修正する場合について説明する。
【００５６】
危険箇所Ｂに対応する配置の数が多く、各々の配置で仕上がり寸法値がばらつく場合、パターンの修正方法および修正量が決定しづらくなるため、パターン修正を容易に行えなくなる。しかし、本実施形態によれば、危険箇所Ｂに対応する配置の数が多い場合でも、修正の対象となる配置は一つだけなので、パターン修正を容易に行えるようになる。
【００５７】
最も危険な危険箇所Ｂに関してステップＳ５の判断結果がＮｏとなるように、パターン修正が行われた場合、その他の危険箇所ＢについてもステップＳ５の判断結果はＮｏとなると考えられる。
【００５８】
したがって、最も危険な危険箇所Ｂに関してステップＳ５の判断結果がＮｏとなるように、パターン修正を行った場合、検証を行う領域としては、最も危険な危険箇所Ｂおよびその周囲のパターンのみで十分であると考えられる。この場合、テップＳ９の後に再び行われるステップＳ５の判断の対象は、最も危険な危険箇所Ｂおよびその周囲のパターンのみで済むので、検証のためにプロセスシミュレーションを行う面積を抑制することができる。これにより、検証費用および検証時間を大幅に抑制することが可能となる。
【００５９】
検証の際に使用されるマスクパターン（ステップＳ３）は、最も危険な危険箇所Ｂに対応する箇所に配置されたスタンダードセルおよび該スタンダードセルから一定の距離Ｄ内にあるパターンに係るデータに基づいて作成される。
【００６０】
一定の距離Ｄ内にあるパターンとは、例えば、使用されるプロセスシミュレーション（リソグラフィシミュレーションおよび加工シミュレーションの少なくとも一方）の仕様によって決まる。具体的には以下の通りである。
【００６１】
プロセスシミュレーションにより、最も危険な危険箇所Ｂに対応する箇所に配置されたスタンダードセルに対応する、基板上に形成されるパターンを予測する際には、上記スタンダードセルおよびその周囲のパターンに係るデータが使用される。上記スタンダードセルの周囲のパターンは、上記スタンダードセルの外周から一定の距離Ｄ’（例えば数μｍ）内にあるパターンとして仕様にて規定されている。この場合、上記一定の距離Ｄは、上記一定の距離Ｄ’となる。
【００６２】
また、上記一定の距離Ｄは、経験的に基づいて決定されても構わない。
【００６３】
上記の例では、テップＳ９の後に再び行われるステップＳ５の判断の対象は、最も危険な危険箇所Ｂおよびその周囲のパターンとしたが、最も危険な危険箇所Ｂだけでも構わない。
【００６４】
なお、検証精度を重要視する場合には、最も危険な危険箇所Ｂおよびその次に危険な危険箇所Ｂに対応する箇所に配置されたスタンダードセルを修正するなど、修正対象を広げても構わない。
【００６５】
次に、最も危険な危険箇所Ｂの特定方法について、図４に示したテストパターンのスタンダードセル_001を例にあげて具体的に説明する。ここでは、ステップＳ５において、仕上がり形状の寸法が一定値以下の場合、危険箇所Ａがあると判断する場合について説明する。
【００６６】
図９に、図４に示された配置_001，059，236，500のスタンダードセル_001に対応する危険箇所Ａの仕上がり形状およびその寸法の一例を示す。ここでは、仕上がり形状の寸法は、隣接する二つのパターン間の距離（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）である。上記隣接する二つのパターンは同一レイヤー内にある。Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３であり、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の値は、例えば、１００ｎｍ，９０ｎｍ，８０ｎｍである。Ｌ３が最も短いので、配置_236が最も危険な危険箇所が生じた配置だと特定される。
【００６７】
図１０に、他のタイプの危険箇所Ａの仕上がり形状およびその寸法の例を示す。図１０において、配置_ｉ，ｊ，ｋは互いに異なる。図１０の場合には、パターン（ここでは、配線メンタル）の端部とコンタクトホールＣＨとの間の距離（Ｌ１’，Ｌ２’，Ｌ３’）が仕上がり形状の寸法となっている。Ｌ１’＞Ｌ３’＞Ｌ２’である。この場合、Ｌ２’が最も短いので、配置_ｊが最も危険な危険箇所が生じた配置だと特定される。
【００６８】
以上述べた実施形態の方法は、プログラムとしても実施できる。例えば、実施形態の危険箇所集計方法に係るプログラムは、図１、図６または図８のステップＳ１−Ｓ８をコンピュータに実行させるためのものである。
【００６９】
また、実施形態のパターン修正方法（検証なし）に係るプログラムは、図１、図６または図８のステップＳ９（Ｓ９’）をコンピュータに実行させるためのものである。実施形態のパターン修正方法（検証あり）に係るプログラムは、図１、図６または図８のステップＳ９（Ｓ９’），Ｓ１，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ７（Ｓ７’）をコンピュータに実行させるためのものである。
【００７０】
また、実施形態のセルライブラリの作成方法に係るプログラムは、図１、図６または図８のステップＳ１−Ｓ９をコンピュータに実行させるためのものである。
【００７１】
上記プログラムは、コンピュータ内のＣＰＵおよびメモリ（外部メモリを併用することもある。）等のハードウエハ資源を用いて実施される。ＣＰＵは、メモリ内から必要なデータを読み込み、該データに対して上記ステップ（手順）を行う。各ステップ（手順）の結果は、必要に応じてメモリ内に一時的に保存され、他のステップ（手順）で必要になったときに読み出される。
【００７２】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００７３】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】第１の実施形態のセルライブラリの作成方法を示すフローチャート。
【図２】小規模セルライブラリの例（スタンダードセルライブラリ）を示す図。
【図３】テストパターンの例を模式的に示す図。
【図４】スタンダードセル_001が配置されている箇所を模式的に示す図。
【図５】スタンダードセル_001におけるステップＳ８の様子を模式的に示す図。
【図６】第２の実施形態のセルライブラリの作成方法を示すフローチャート。
【図７】配置_001に配置されたスタンダードセル_001を模式的に示す図。
【図８】第３の実施形態のセルライブラリの作成方法を示すフローチャート。
【図９】危険箇所の仕上がり形状およびその寸法の一例を示す図。
【図１０】他のタイプの危険箇所Ａの仕上がり形状およびその寸法の例を示す図。
【図１】
2008145691.tif 000003
【図２】
2008145691.tif 000004
【図３】
2008145691.tif 000005
【図４】
2008145691.tif 000006
【図５】
2008145691.tif 000007
【図６】
2008145691.tif 000008
【図７】
2008145691.tif 000009
【図８】
2008145691.tif 000010
【図９】
2008145691.tif 000011
【図１０】
2008145691.tif 000012