(57)【要約】【課題】ウエーハ保持手段からウエーハを搬送する際にウエーハの加工面に接触することなく搬送することができるウエーハの加工装置を提供する。【解決手段】ウエーハを保持するウエーハ保持手段と、ウエーハ保持手段に保持されたウエーハを加工する加工手段と、加工手段によって加工されたウエーハをウエーハ保持手段から搬送する搬送手段とを具備するウエーハの加工装置であって、ウエーハ保持手段はウエーハを保持する保持面を備え支持ベースに着脱可能に支持されるウエーハ保持プレートを備えており、搬送手段はウエーハ保持プレートを保持するプレート保持部材を備えている。【選択図】図６
2008177406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハを加工する加工手段と、該加工手段によって加工されたウエーハを該ウエーハ保持手段から搬送する搬送手段と、を具備するウエーハの加工装置において、
該ウエーハ保持手段は、ウエーハを保持する保持面を備えたウエーハ保持プレートと、該ウエーハ保持プレートを着脱可能に支持する支持面を備えた支持ベースとからなり、
該支持ベースは、第１の吸引手段と連通するとともに該支持面に開口する第１の吸引通路および第２の吸引通路を備えており、
該ウエーハ保持プレートは、該支持ベースの該第１の吸引通路と連通する第１の連通路と、該第１の連通路が開口する吸引室と、該吸引室に連通するとともに該保持面に開口する複数の吸引孔と、該吸引室に連通するとともに外周面に開口する第２の連通路と、該第１の連通路および該第２の連通路にそれぞれ配設され該吸引室側からの空気の流出のみを許容する第１の逆止弁および第２の逆止弁とを具備しており
該搬送手段は、該ウエーハ保持プレートを保持するプレート保持部材と、該プレート保持部材を支持する作動アームとを具備し、
該プレート保持部材は、該保持プレートに設けられた該第２の連通路と連通する吸引通路を備えている、
ことを特徴とするウエーハの加工装置。
【請求項２】
該ウエーハ保持プレートは、該保持面を囲繞する被保持面を備えており、
該プレート保持部材は、該ウエーハ保持プレートの該被保持面を吸引保持する複数の吸引孔と、該複数の吸引孔と第２の吸引手段とを連通する吸引通路を備えている、請求項１記載のウエーハの加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを研磨するための研磨装置等のウエーハの加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。このようにして分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に研磨装置によって裏面が研磨され、所定の厚さに加工される。
【０００３】
上述したようにウエーハの裏面を研磨する研磨装置は、ウエーハを保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハを研磨加工する研磨手段と、該研磨手段によって研磨加工されたウエーハをウエーハ保持手段から搬送する搬送手段とを具備している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００６−７５９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
研磨加工されたウエーハは薄いため、ウエーハ保持手段から搬送する搬送手段はウエーハの全面を吸着パッドによって吸引保持して搬送する。しかるに、吸着パッドにコンタミが付着しているとこのコンタミがウエーハの研磨面に付着し、後工程であるダイボンディング用の接着フィルムの装着やプラズマダイシング用のレジスト膜塗布等を実施する際に悪い影響を与えるという問題がある。このように搬送手段の吸着パッドに付着しているコンタミがウエーハの表面に付着することによって生ずる不具合は、研磨装置に限らずウエーハを加工する他の加工装置においても起こる。
【０００５】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハ保持手段からウエーハを搬送する際にウエーハの加工面に接触することなく搬送することができるウエーハの加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハを加工する加工手段と、該加工手段によって加工されたウエーハを該ウエーハ保持手段から搬送する搬送手段と、を具備するウエーハの加工装置において、
該ウエーハ保持手段は、ウエーハを保持する保持面を備えたウエーハ保持プレートと、該ウエーハ保持プレートを着脱可能に支持する支持面を備えた支持ベースとからなり、
該支持ベースは、第１の吸引手段と連通するとともに該支持面に開口する第１の吸引通路および第２の吸引通路を備えており、
該ウエーハ保持プレートは、該支持ベースの該第１の吸引通路と連通する第１の連通路と、該第１の連通路が開口する吸引室と、該吸引室に連通するとともに該保持面に開口する複数の吸引孔と、該吸引室に連通するとともに外周面に開口する第２の連通路と、該第１の連通路および該第２の連通路にそれぞれ配設され該吸引室側からの空気の流出のみを許容する第１の逆止弁および第２の逆止弁とを具備しており
該搬送手段は、該ウエーハ保持プレートを保持するプレート保持部材と、該プレート保持部材を支持する作動アームとを具備し、
該プレート保持部材は、該保持プレートに設けられた該第２の連通路と連通する吸引通路を備えている、
ことを特徴とするウエーハの加工装置が提供される。
【０００７】
上記ウエーハ保持プレートは上記保持面を囲繞する被保持面を備えており、上記プレート保持部材はウエーハ保持プレートの被保持面を吸引保持する複数の吸引孔と該複数の吸引孔と第２の吸引手段とを連通する吸引通路を備えている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によるウエーハの加工装置は、ウエーハ保持手段を構成するウエーハ保持プレートの保持面にウエーハを吸引保持した状態で、該保持面を囲繞する被保持面を搬送手段を構成するプレート保持部材によって吸引保持するので、ウエーハ保持プレートの保持面に保持されているウエーハの加工面にプレート保持部材が接触していないため、プレート保持部材に付着しているコンタミがウエーハの加工面に付着することはない。従って、ウエーハの加工面にコンタミが付着することによって生ずる後工程での問題を未然に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に従って構成されたウエーハの加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図１には、本発明に従って構成されたウエーハの加工装置としての研磨装置の斜視図が示されている。図１に示す研磨装置は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部（図１において右上端）に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール２２１、２２１が設けられている。この一対の案内レール２２１、２２１に研磨手段としての研磨ユニット３が上下方向に移動可能に装着されている。
【００１０】
研磨ユニット３は、移動基台３１と該移動基台３１に装着されたスピンドルユニット３２を具備している。移動基台３１は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部３１１、３１１が設けられており、この一対の脚部３１１、３１１に上記一対の案内レール２２１、２２１と摺動可能に係合する被案内溝３１２、３１２が形成されている。このように直立壁２２に設けられた一対の案内レール２２１、２２１に摺動可能に装着された移動基台３１の前面には前方に突出した支持部３１３が設けられている。この支持部３１３にスピンドルユニット３２が取り付けられる。
【００１１】
スピンドルユニット３２は、支持部３１３に装着されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に配設された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ３２３とを具備している。スピンドルハウジング３２１に回転可能に支持された回転スピンドル３２２は、一端部(図１において下端部)がスピンドルハウジング３２１の下端から突出して配設されており、その一端(図１において下端)にホイールマウント３２４が設けられている。そして、このホイールマウント３２４の下面に研磨ホイール３３が取り付けられる。研磨ホイール３３は、環状の基台３３１と、該環状の基台３３１の下面に装着された研磨砥石３３２とからなっており、環状の基台３３１がホイールマウント３２４の下面に締結ボルト３４によって取付けられている。
【００１２】
図示の実施形態における研磨装置は、上記研磨ユニット３を上記一対の案内レール２２１、２２１に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる研磨ユニット送り機構４を備えている。この研磨ユニット送り機構４は、直立壁２２の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド４１を具備している。この雄ねじロッド４１は、その上端部および下端部が直立壁２２に取り付けられた軸受部材４２および４３によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材４２には雄ねじロッド４１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ４４が配設されており、このパルスモータ４４の出力軸が雄ねじロッド４１に伝動連結されている。移動基台３１の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部（図示していない）も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴（図示していない）が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド４１が螺合せしめられている。従って、パルスモータ４４が正転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ４４が逆転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が上昇即ち後退せしめられる。
【００１３】
ハウジング２の主部２１にはウエーハ保持機構５が配設されている。ウエーハ保持機構５は、被加工物としてのウエーハを保持するウエーハ保持手段６と、該ウエーハ保持手段６の周囲を覆うカバー部材５１と、該カバー部材５１の前後に配設された蛇腹手段５２および５３を具備している。ウエーハ保持手段６は、図示しない移動手段によって図１に示す被加工物載置域６aと上記スピンドルユニット３２を構成する研磨ホイール３３と対向する研磨域６bとの間で移動せしめられる。蛇腹手段５２および５３はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段５２の前端は主部２１の前面壁に固定され、後端はカバー部材５１の前端面に固定されている。蛇腹手段５３の前端はカバー部材５１の後端面に固定され、後端は装置ハウジング２の直立壁２２の前面に固定されている。ウエーハ保持手段６が矢印６cで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段５２が伸張されて蛇腹５３が収縮され、ウエーハ保持手段６が矢印６dで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段５２が収縮されて蛇腹手段５３が伸張せしめられる。
【００１４】
次に、上記ウエーハ保持手段６について、図２を参照して説明する。
図２に示すウエーハ保持手段６は、上面に支持面７１を備えた支持ベース７と、該支持ベース７の支持面７１上に着脱可能に支持されるウエーハ保持プレート８とから構成されており、図示しない回転駆動手段によって回転せしめられるようになっている。支持ベース７は、ステンレス鋼などの金属材によって円柱状に形成され、支持面７１の中心部に開口する第１の吸引通路７２と、支持面７１の外周部にそれぞれ９０度の位相差を持って開口する複数の第２の吸引通路７３を備えている。この第１の吸引通路７２と第２の吸引通路７３は、第１の吸引手段６０に連通されている。第１の吸引手段６０は、吸引源６１と、該吸引源６１と上記第１の吸引通路７２および第２の吸引通路７３とを連通する配管６２および６３にそれぞれ配設された第１の電磁開閉弁６４および第２の電磁開閉弁６５を備えている。この第１の電磁開閉弁６４および第２の電磁開閉弁６５は、それぞれ除勢(OFF)している状態では閉路しており、附勢(ON)すると開路するようになっている。従って、第１の電磁開閉弁６４および第２の電磁開閉弁６５が附勢(ON)されると、上記第１の吸引通路７２と第２の吸引通路７３に負圧が作用する。
【００１５】
上記ウエーハ保持プレート８、ステンレス鋼などの金属材によって円板状に形成された保持基板８１と、該保持基板８１の上面に配設された吸着チャック８２とからなっている。保持基板８１の上面には円形の嵌合凹部が設けられ吸引室８１１が形成されている。また、嵌合凹部には、底面の外周部に上記吸着チャック８２が載置される環状の載置棚８１２が設けられている。このように形成された保持基板８１には、中心部の下部に吸引室８１１に開口するとともに下面に開口する第１の連通路８１３が設けられている。この第１の連通路８１３は、ウエーハ保持プレート８が上記支持ベース７の支持面７１に載置されると、支持ベース７に設けられた第１の吸引通路７２と連通するようになっている。この第１の連通路８１３には、ボール弁８３１とコイルばね８３２とからなる第１の逆止弁８３が配設されている。この第１の逆止弁８３は、吸引室８１１側からの空気の流出のみを許容し、吸引室８１１側への空気の流入を規制するように構成されている。また、保持基板８１には、外周部に吸引室８１１に開口するとともに外周面に開口する第２の連通路８１４が設けられている。この第２の連通路８１４には、ボール弁８４１とコイルばね８４２とからなる第２の逆止弁８４が配設されている。この第２の逆止弁８４は、第１の逆止弁８３と同様に上記吸引室８１１側からの空気の流出のみを許容し、吸引室８１１側への空気の流入を規制するように構成されている。
【００１６】
上記吸着チャック８２は、図示の実施形態においてはポーラスなセラミックス等の多孔質部材によって円形に形成されている。従って、吸着チャック８２は、上記吸引室８１１に連通するとともに上面に開口する無数の吸引孔を備えている。このように構成された吸着チャック８２は、上記保持基板８１に形成された環状の載置棚８１２に載置され、その上面がウエーハを保持する保持面８２０として機能する。そして、保持面８２１を囲繞する上記保持基板８１における環状の上面は、被保持面８１０として機能する。
【００１７】
以上のように構成されたウエーハ保持プレート８は、図２に示すように支持ベース７の上面７１にウエーハ保持プレート８の保持基板８１が載置される。そして、第１の吸引手段６０の第１の電磁開閉弁６４および第２の電磁開閉弁６５を附勢(ON)すると、上述したように第１の吸引通路７２と第２の吸引通路７３に負圧が作用する。この結果、第２の吸引通路７３と対向しているウエーハ保持プレート８の保持基板８１における下面外周部が吸引され、ウエーハ保持プレート８は支持ベース７の上面７１に吸引保持される。一方、第１の吸引通路７２に作用する負圧は、ウエーハ保持プレート８に設けられた第１の連通路８１４に配設された第１の逆止弁８４に作用し、ボール弁８４１をコイルばね８４２のばね力に抗して図２において下方に吸引して開弁する。この結果、第１の吸引通路７２に作用する負圧は、第１の連通路８１４を通して吸引室８１１に作用し、更に吸着チャック８２に形成された無数の吸引孔を介して保持面８２０に作用する。従って、保持面８２０上にウエーハが載置されていれば、ウエーハは保持面８２０上に吸引保持される。
【００１８】
図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置は、ウエーハ保持手段６のウエーハ保持プレート８上で研磨加工された被加工物であるウエーハおよびウエーハ保持プレート８を搬送する搬送手段９を備えている。この搬送手段９は、上記ウエーハ保持プレート８を吸引保持するプレート保持部材９１と、該プレート保持部材９１を支持する作動アーム９２と、該作動アーム９２を支持する支持手段９３とからなっており、装置ハウジング２の側方に配設されている。
【００１９】
搬送手段９を構成するプレート保持部材９１について、図３を参照して説明する。
図３に示すプレート保持部材９１は、上記ウエーハ保持プレート８を嵌合する円形状の凹部９１１を備えている。この円形状の凹部９１１は、上記ウエーハ保持プレート８の外径より僅かに大きい内径に形成され、その底面における外周部には上記ウエーハ保持プレート８の保持基板８１における環状の被保持面８１０と対応する幅を有する保持棚９１２が設けられている。この保持棚９１２の厚さは、後述するウエーハの厚さと保護テープの厚さを加算した値より大きく設定されている。そして、プレート保持部材９１には、保持棚９１２の表面に開口する複数の吸引孔９１３が形成されている。また、プレート保持部材９１には、複数の吸引孔９１３と連通する第１の吸引通路９１４と、上記円形状の凹部９１１の内周面に開口する第２の吸引通路９１５が形成されている。なお、第２の吸引通路９１５が開口する凹部９１１の内周面には、第２の吸引通路９１６の開口部を囲繞するシール９１６を配設することが望ましい。
【００２０】
上述したようにプレート保持部材９１に形成された第１の吸引通路９１４と第２の吸引通路９１５は、作動アーム９２に設けられた連通路９２１を介して第２の吸引手段９０に連通されている。第２の吸引手段９０は、吸引源９０１と、該吸引源９０１と上記連通路９２１と連通する配管９０２に配設されて電磁開閉弁９０３を備えている。この電磁開閉弁９０３は、除勢(OFF)している状態では閉路しており、附勢(ON)すると開路するようになっている。従って、電磁開閉弁６４が附勢(ON)されると、配管９０２および連通路９２１を介して上記第１の吸引通路９１４と第２の吸引通路９１５に負圧が作用する。
【００２１】
図１に戻って説明を続けると、搬送手段９を構成する支持手段９３は、エアーシリンダおよびパルスモータ等からなり、作動アーム９２を矢印９aで示すように上下方向に移動するとともに、矢印９bで示すように旋回するように構成されている。
【００２２】
図示の実施形態における研磨装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図１に示すように研磨装置の被加工物載置域６aに位置付けられているウエーハ保持手段６のウエーハ保持プレート８を構成する吸着チャック８２上に被加工物としての半導体ウエーハWを載置する。なお、半導体ウエーハWのデバイスが形成された表面には保護テープTが貼着されており、この保護テープT側をウエーハ保持プレート８の吸着チャック８２上に載置する。
【００２３】
このようにしてウエーハ保持プレート８の吸着チャック８２上に半導体ウエーハWが載置されたならば、図４に示すように第１の吸引手段６０の第１の電磁開閉弁６４および第２の電磁開閉弁６５を附勢(ON)し、第１の電磁開閉弁６４および第２の電磁開閉弁６５を開路することにより、上述したようにウエーハ保持手段６を構成する支持ベース７に形成された第１の吸引通路７２と第２の吸引通路７３に負圧を作用せしめる。この結果、第２の吸引通路７３と対向しているウエーハ保持プレート８の保持基板８１における下面外周部が吸引され、ウエーハ保持プレート８は支持ベース７の上面７１に吸引保持される。なお、第２の電磁開閉弁６５はウエーハ保持プレート８の吸着チャック８２上に半導体ウエーハWを載置する前に附勢(ON)し、ウエーハ保持手段６を構成する支持ベース７に形成された第２の吸引通路７３に負圧を作用せしめ、ウエーハ保持プレート８を支持ベース７の上面７１に吸引保持させておくことが望ましい。一方、第１の吸引通路７２に作用する負圧は、ウエーハ保持プレート８に設けられた第１の連通路８１３に配設された第１の逆止弁８３に作用し、ボール弁８３１をコイルばね８３２のばね力に抗して図４において下方に吸引して開弁する。この結果、第１の吸引通路７２に作用する負圧は、第１の連通路８１３を通して吸引室８１１に作用し、更に吸着チャック８２に形成された無数の吸引孔を介して保持面８２０に作用するため、吸着チャック８２上に載置された半導体ウエーハWは、吸着チャック８２の保持面８２０に上に吸引保持される。なお、吸引室８１１内の圧力が第１の吸引通路７２内の圧力に近づくと、ボール弁８３１はコイルばね８３２のばね力によって閉弁する。
【００２４】
以上のようにして、ウエーハ保持手段６を構成する支持ベース７上にウエーハ保持プレート８吸引保持するとともに、ウエーハ保持プレート８を構成する吸着チャック８２の保持面８２１上に半導体ウエーハWを吸引保持したならば、図示しない移動手段を作動してウエーハ保持手段６を矢印６cで示す方向に移動し研磨域６bに位置付ける。このとき、研磨ユニット３の研磨ホイール３３を構成する研磨砥石３３２がウエーハ保持手段６の回転中心、即ち半導体ウエーハWの中心を通過するように位置付ける。
【００２５】
このように研磨ホイール３３を構成する研磨砥石３３２とウエーハ保持手段６に保持された半導体ウエーハWが所定の位置関係にセットされたならば、ウエーハ保持手段６を所定の方向に例えば３００rpmの回転速度で回転するとともに、研磨ホイール３３所定の方向に例えば６０００ｒｐｍの回転速度で回転する。そして、研磨ホイール３３を下降して複数の研磨砥石３３２を半導体ウエーハWの上面である裏面（被研磨面）に所定の圧力で押圧する（研磨工程）。この結果、半導体ウエーハWの被研磨面は全面に渡って研磨される。この研磨工程を実施することにより半導体ウエーハWを所定の厚さに研磨したならば、研磨ホイール３３を上昇させ回転を停止するとともに、ウエーハ保持手段６の回転を停止する。そして、図示しない移動手段を作動してウエーハ保持手段６を被加工物載置域６aに位置付ける。
【００２６】
このようにして所定の厚さに研磨された半導体ウエーハWを保持しているウエーハ保持手段６が被加工物載置域６aに位置付けられたならば、搬送手段９の支持手段９３を作動してプレート保持部材９１をウエーハ保持手段６の上方位置に移動するとともに下降せしめる。この結果、図５に示すようにプレート保持部材９１の凹部９１１がウエーハ保持手段６を構成するウエーハ保持プレート８に嵌合する。この結果、プレート保持部材９１の凹部９１１に形成された保持棚９１２がウエーハ保持プレート８の保持基板８１における環状の被保持面８１０上に載置される。なお、保持棚９１２の厚さは上述したように半導体ウエーハWの厚さと保護テープTの厚さを加算した値より大きく設定されているので、凹部９１１の底面はプレート保持部材９１に保持されている半導体ウエーハWの上面（研磨面）に接触しない。従って、プレート保持部材９１に付着しているコンタミがウエーハの表面に付着することはない。また、プレート保持部材９１に設けられた第２の吸引通路９１６がウエーハ保持プレート８の保持基板８１に形成された第２の連通路８１４と対向する位置に位置付けられる。
【００２７】
図５に示すようにプレート保持部材９１の凹部９１１をウエーハ保持手段６のウエーハ保持プレート８に嵌合したならば、搬送手段９を構成する第２の吸引手段９０の電磁開閉弁９０３を附勢(ON)し、電磁開閉弁９０３を開路することにより配管９０２および作動アーム９２に形成された連通路９２１を介してプレート保持部材９１に形成された第１の吸引通路９１４と第２の吸引通路９１６に負圧を作用せしめる。この結果、第１の吸引通路９１４に作用する負圧が複数の吸引孔９１３に作用し、ウエーハ保持プレート８の保持基板８１における環状の被保持面８１０を吸引保持する。一方、第２の吸引通路９１６に作用する負圧は、ウエーハ保持プレート８の保持基板８１に形成された第２の連通路８１４に配設されている第２の逆止弁８４に作用し、第２の逆止弁８４を構成するボール弁８４１がコイルばね８４２のばね力に抗して図５において左方に吸引して開弁する。この結果、第２の連通路８１４に作用する負圧は、第３の連通路８１４を通して吸引室８１１に作用し、更に吸着チャック８２に形成された無数の吸引孔を介して保持面８２１に作用するため、吸着チャック８２上に載置された半導体ウエーハWは、吸着チャック８２の保持面８２１上に吸引保持された状態で維持される。次に、上記第１の吸引手段６０の第１の電磁開閉弁６４および第２の電磁開閉弁６５を除勢(OFF)する。この結果、支持ベース７に形成された第２の吸引通路７３に作用していた負圧が解除されウエーハ保持プレート８の吸引保持が解除されるとともに、第１の吸引通路７２に作用していた負圧が解除される。
【００２８】
以上のようにして、搬送手段９のプレート保持部材９１にウエーハ保持プレート８（研磨加工された半導体ウエーハWを吸引保持している）を吸引保持したならば、支持手段９３を作動して図６に示すようにプレート保持部材９１を上方に移動する。この結果、プレート保持部材９１に吸引保持されているウエーハ保持プレート８は、研磨加工された半導体ウエーハWを吸引保持した状態で支持ベース７から離脱される。そして、搬送手段９は支持手段９３を作動し、研磨加工された半導体ウエーハWを吸引保持しているウエーハ保持プレート８を次工程に搬送する。このようにしてウエーハ保持プレート８に吸引保持された状態で搬送される研磨加工された半導体ウエーハWは、上述したようにプレート保持部材９１に接触していないため、プレート保持部材９１に付着しているコンタミが半導体ウエーハWの研磨面に付着しないので、研磨面にコンタミが付着することによって生ずる後工程での問題を未然に防止することができる。
【００２９】
以上、本発明を図示の実施形態に基いて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、図示の実施形態においてはプレート保持部材９１によってウエーハ保持プレート８を吸引保持するように構成した例を示したが、プレート保持部材９１はウエーハ保持プレート８を把持する構成にしてもよい。
また、図示の実施形態においては、本発明を研磨装置に適用した例を示したが、本発明は研磨装置に限らずウエーハを加工する他の加工装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に従って構成されたウエーハの加工装置としての研磨装置の斜視図。
【図２】図１に示す研磨装置を構成するウエーハ保持手段の断面図。
【図３】図１に示す研磨装置を構成する搬送装置の要部断面図。
【図４】図１に示す研磨装置を構成するウエーハ保持手段のウエーハ保持プレート上に被加工物としてのウエーハを吸引保持した状態を示す断面図。
【図５】図１に示す研磨装置を構成するウエーハ保持手段のウエーハ保持プレートを搬送手段のプレート保持部材に吸引保持した状態を示す断面図。
【図６】ウエーハ保持手段のウエーハ保持プレートを吸引保持した状態でプレート保持部材を上方に移動した状態を示す断面図。
【符号の説明】
【００３１】
２：装置ハウジング
３：研磨ユニット
３１：移動基台
３２：スピンドルユニット
３３：研磨ホイール
４：研磨ユニット送り機構
５：ウエーハ保持機構
５１：カバー部材
５２、５３：蛇腹手段
６：ウエーハ保持手段
６０：第１の吸引手段
６１：吸引源
６４：第１の電磁開閉弁
６５：第２の電磁開閉弁
７：支持ベース
７１：支持面
７２：第１の吸引通路
７３：第２の吸引通路
８：ウエーハ保持プレート
８１：保持基板
８１０：被保持面
８１１：吸引室
８２：吸着チャック
８３：第１の逆止弁
８４：第２の逆止弁
９：搬送手段
９０：第２の吸引手段
９０１：吸引源
９０３：電磁開閉弁
９１：プレート保持部材
９１１：円形状の凹部
９１２：保持棚
９１３：複数の吸引孔
９１４：第１の吸引通路
９１５：第２の吸引通路
９２：作動アーム
９３：支持手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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