(57)【要約】【課題】  半透過型液晶表示装置の反射効率の向上を図る。【解決手段】  半透過型液晶表示装置において、液晶層の液晶初期配向方向と透過部の画素電極の延在方向とのなす角度のうち狭い角度をθｔとし、液晶層の液晶初期配向方向と反射部の画素電極の延在方向とのなす角度のうち狭い角度をθｒとする時、（１）液晶層がポジ型液晶の場合は、θｔ＞θｒの関係を満たし、（２）液晶層がネガ型液晶の場合は、θｒ＞θｔの関係を満たす。【選択図】        図１２
2008039998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、各々が透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各々のサブピクセルは、前記一対の基板のうちの一方の基板上に形成された画素電極及び対向電極を有する半透過型液晶表示装置であって、
前記各々のサブピクセルは、前記画素電極が前記透過部と反射部とで共通であり、
前記液晶層の液晶初期配向方向と前記透過部の画素電極の延在方向とのなす角度のうち狭い角度をθｔとし、前記液晶層の液晶初期配向方向と前記反射部の画素電極の延在方向とのなす角度のうち狭い角度をθｒとする時、
前記液晶層がポジ型液晶の場合、θｔ＞θｒを満足し、
前記液晶層がネガ型液晶の場合、θｒ＞θｔを満足することを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項２】
前記反射部の画素電極は、前記透過部の画素電極に対して斜めに延在していることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項３】
前記一対の基板のうちの一方の基板は映像線を有し、
前記透過部の画素電極および前記反射部の画素電極の少なくとも一方の画素電極は、前記映像線に対して斜めに延在していることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項４】
前記一対の基板のうちの一方の基板は映像線を有し、
前記一対の挟持基板のうちの他方の基板は、隣接するサブピクセル間の境界領域に対応して形成された遮光膜を有し、
前記透過部の画素電極および前記反射部の画素電極の少なくとも一方の画素電極は、前記映像線に対して斜めになっており、
前記透過部の画素電極および前記反射部の画素電極の少なくとも一方の画素電極に合わせて、前記反射部の遮光膜も前記映像線に対して斜めになっていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項５】
前記一対の基板のうちの一方の基板は走査線を有し、
前記一対の基板のうちの他方の基板は遮光膜を有し、
前記走査線に沿って隣接する各サブピクセル間の前記反射部における境界領域には、前記遮光膜が形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項６】
前記反射部の画素電極は、前記透過部の画素電極よりも本数が多いことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項７】
前記一対の基板のうちの一方の基板は走査線を有し、
前記一対の基板のうちの他方の基板は遮光膜及びカラーフィルタを有し、
前記走査線に沿って隣接する各サブピクセル間の前記反射部における境界領域には、前記遮光膜及び前記カラーフィルタが形成されておらず、前記遮光膜の幅よりも広い目開き部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項８】
前記一対の基板のうちの一方の基板は、複数の映像線を有し、
前記各サブピクセルの前記画素電極は、互いに隣り合う前記２本の映像線の間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項９】
前記透過部の画素電極、及び前記反射部の画素電極は、夫々屈曲していることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記一対の基板のうちの一方の基板は映像線を有し、
前記映像線は、前記透過部の画素電極、或いは前記反射部の画素電極の形状に合わせて、屈曲していることを特徴とする請求項９に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１１】
前記対向電極は、面状の電極であり、
前記画素電極は、絶縁膜を介して前記対向電極上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１２】
前記一対の基板のうちの他方の基板は、前記反射部と対向する領域に段差形成層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示装置に関し、特に、ＩＰＳ（Ｉn Ｐlane Ｓwitching）方式の半透過型液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１サブピクセル内に、透過部と反射部とを有する半透過型液晶表示装置が携帯機器用のディスプレイとして使用されている。
これらの半透過型液晶表示装置においては、一対の基板間に挟持される液晶に対して、一対の基板の基板平面に垂直な方向に電界を印加して、液晶を駆動する縦電界方式が用いられている。この場合に、透過部と反射部との特性を合わせるために、透過部と反射部とで段差を設け、さらに偏光板と液晶層との間に位相差板を設置している。
一方、液晶表示装置として、ＩＰＳ方式の液晶表示装置が知られており、このＩＰＳ方式の液晶表示装置では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）とを同じ基板上に形成し、その間に電界を印加させ液晶を基板平面内で回転させることにより、明暗のコントロールを行っている。そのため、斜めから画面を見た際に表示像の濃淡が反転しないという特徴を有する。この特徴を活かすために、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を用いて、半透過型液晶表示装置を構成することが、例えば下記の特許文献１及び２等で提案されている。
ＩＰＳ方式により半透過型液晶表示装置を構成する方法として、特許文献１では、透過領域及び反射領域に１／２波長板を設け、透過領域を横電界駆動とし、反射領域を縦電界駆動としている。一方、特許文献２では、反射領域のみ１／２波長板を設け、透過領域及び反射領域を共に横電界駆動している。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開２００３−３４４８３７号公報
【特許文献２】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１、２の何れにおいても、液晶層の液晶初期配向方向と透過部の画素電極の延在方向とのなす角度のうち狭い角度をθｔとし、液晶層の液晶初期配向方向と反射部の画素電極の延在方向とのなす角度のうち狭い角度をθｒとする時、θｔ＝θｒの関係を満たしている（簡単に言い換えると、透過部と反射部とで画素電極の延在方向が等しい）。半透過表示において反射部は、透過部に対して約半分のセルギャップ長に設定する必要があるが、ＩＰＳ方式では、セルギャップ長を狭めると駆動電圧が上昇してしまうという弊害が生じる。従って、反射部の電圧−反射率特性は、透過部の電圧−透過率特性に比べて高電圧側にシフトしてしまい、十分な反射率を得ることができないという問題があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、半透過型液晶表示装置の反射率の向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
半透過型液晶表示装置において、通常、液晶駆動電圧は、透過部の電圧−透過効率特性を基準に決められる。即ち、ノーマリーブラックモードの場合は、透過率が最大となる電圧を最大電圧とし、ノーマリーホワイトモードの場合は、透過率が最小になる電圧を最大電圧とする。一方、半透過型パネルの反射部の駆動電圧は、透過部の駆動電圧により一方的に決められてしまうため、反射部では最高の表示効率を得ることが困難である。
このような困難を克服し、高い反射率を得るためには、反射部の電圧−反射効率特性の形を透過部の電圧−透過効率特性の形と相似形にすればよい。
そこで、本発明では、液晶層の液晶初期配向方向と透過部の画素電極の延在方向とのなす角度のうち狭い角度をθｔとし、液晶層の液晶初期配向方向と反射部の画素電極の延在方向とのなす角度のうち狭い角度をθｒとする時、
（１）液晶層がポジ型液晶の場合は、θｔ＞θｒの関係を満たし、
（２）液晶層がネガ型液晶の場合は、θｒ＞θｔの関係を満たす。
なお、下記の「発明を実施するための最良の形態」において、液晶層がポジ型液晶の場合は、透過部での角度θｔをθｔ_p，反射部での角度θｒをθｒ_pとし、液晶層がネガ型液晶の場合は、透過部での角度θｔをθｔ_n，反射部での角度θｒをθｒ_nとして説明している。
【発明の効果】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明によれば、半透過型液晶表示装置の反射率の向上を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、発明の実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［本発明の前提となる半透過型液晶表示装置］
図１は、本発明の前提となる半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図、
図２は、図１のＴＦＴ基板とＣＦ基板とを重ね合わせた平面図、
図３は、図２のＡ−Ａ’に沿った断面構造を示す断面図、
図４は、図２のＢ−Ｂ’に沿った断面構造を示す断面図、
図５は、図２のＣ−Ｃ’に沿った断面構造を示す断面図である。
なお、図２において、３０は透過部、３１は反射部であり、図３は透過部及び反射部の断面構造、図４は透過部の断面構造、図５は反射部の断面構造を示す。
図１に示す半透過型液晶表示装置では、多数の液晶分子を含む液晶層（ＬＣ）を挟んで、一対のガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）が設けられており、ガラス基板（ＳＵＢ２）の主表面側が観察側となっている。
【０００８】
ガラス基板（ＳＵＢ２；ＣＦ基板とも言う）の液晶層側には、ガラス基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、遮光膜（ＢＭ）及び赤・緑・青のカラーフィルタ（ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ）、保護膜（ＯＣ）、光の偏光状態を変化させる位相差板（１／２波長板）（ＲＥＴ）、段差形成層（ＭＲ）、配向膜（ＡＬ２）が形成される。なお、ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側には、偏光板（ＰＯＬ２）が形成される。段差形成層（ＭＲ）は反射部３１に対応して設けられている。
また、ガラス基板（ＳＵＢ１；ＴＦＴ基板とも言う）の液晶層側には、ガラス基板（ＳＵＢ１）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、映像線（ＤＬ；ソース線又はドレイン線とも言う）、絶縁膜（ＰＡＳ１）、対向電極（ＣＯＭ；共通電極とも言う）及び反射電極（ＲＡＬ）、絶縁膜（ＰＡＳ２）、画素電極（ＰＩＸ）、配向膜（ＡＬ１）が形成される。なお、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外側には、偏光板（ＰＯＬ１）が形成される。
また、対向電極（ＣＯＭ）は面状に形成され、さらに、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＯＭ）とが、絶縁膜（ＰＡＳ２）を介して重畳しており、これによって保持容量を形成している。画素電極（ＰＩＸ）及び対向電極（ＣＯＭ）は、例えばＩＴＯ（Ｉndium Ｔin Ｏxide）等の透明導電膜で構成される。なお、絶縁膜（ＰＡＳ２）は、１層に限定されず、２層以上であってもよい。
反射部３１は、反射電極（ＲＡＬ）を有する。反射電極（ＲＡＬ）は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の金属膜、或いは下層のモリブデン（Ｍｏ）と、上層のアルミニウム（Ａｌ）との２層構造であってもよい。
画素電極（ＰＩＸ）は、映像線（ＤＬ）の延在方向に沿って延在する連結部分５３と、連結部５３から透過部３０側に引き出され、かつ走査線（ＧＬ）の延在方向に沿って所定の間隔を置いて配置された複数の線状部分（櫛歯部分）５１と、連結部５３から反射部３１側に引き出され、かつ走査線（ＧＬ）の延在方向に沿って所定の間隔を置いて配置された複数の線状部分（櫛歯部分）５２とを有する櫛歯電極構造になっている。
【０００９】
図１に示す半透過型液晶表示装置では、画素電極（ＰＩＸ）と平面状の対向電極（ＣＯＭ）とが絶縁膜（ＰＡＳ２）を介して積層されており、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＯＭ）との間に形成されるアーチ状の電気力線が液晶層（ＬＣ）を貫くように分布することにより液晶層（ＬＣ）を配向変化させる。画素電極（ＰＩＸ）の線状部分（５１，５２）の幅は４μｍ、画素電極（ＰＩＸ）の線状部分（５１，５２）の間隙幅は６μｍであり、この時、電気力線の密度と隣接する電気力線が液晶層（ＬＣ）に及ぼすトルクバランスが比較的良好に保たれて透過、反射表示が可能となる。
反射部３１のセルギャップ長は透過部３０のセルギャップ長の約半分に設定している。これは、反射部３１は往復２回光が通過するため、透過部３０と反射部３１とで光路長をおおよそ一致させるためである。
透過部３０では、液晶層（ＬＣ）の複屈折性を利用して光の明暗を表示するのに対して、反射部３１では、液晶表示パネルの内部に配置された位相板（１／２波長板）（ＲＥＴ）と液晶層（ＬＣ）の複屈折性を利用して光の明暗を表示する。
図１に示す半透過型液晶表示装置では、隣接するサブピクセルの縦方向及び横方向の境界部に遮光膜（ＢＭ）を配置している。これにより隣接するサブピクセルへの光漏れや混色を防ぐことができるが、開口率が低下してしまう。
【００１０】
図６は、ポジ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向（Ｓ）と画素電極（ＰＩＸ）の延在方向との関係を示す。液晶層（ＬＣ）の液晶初期配向方向（Ｓ）と透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）の延在方向（Ｕｔ）とのなす角度のうち狭い角度を（θｔ_p）とし、液晶層（ＬＣ）の液晶初期配向方向（Ｓ）と反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）の延在方向とのなす角度のうち狭い角度を（θｒ_p）とする時、図１に示す半透過型液晶表示装置では、ポジ型液晶の場合において、｜θｔ_p｜＝｜θｒ_p｜の関係を満たしている。
図７は、ネガ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向（Ｓ）と画素電極（ＰＩＸ）の延在方向との関係を示す。液晶層（ＬＣ）の液晶初期配向方向（Ｓ）と透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）の延在方向（Ｕｔ）とのなす角度のうち狭い角度を（θｔ_n）とし、液晶層（ＬＣ）の液晶初期配向方向（Ｓ）と反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）の延在方向（Ｕｒ）とのなす角度のうち狭い角度を（θｒ_n）とする時、図１に示す半透過型液晶表示装置では、ネガ型液晶の場合において、｜θｔ_n｜＝｜θｒ_n｜の関係を満たしている。
図８は、ポジ型液晶を用いた時の、透過部３０の電圧−透過率特性のθｔ_p依存性を示す。θｔ_pが小さい程、駆動電圧が低くなり、透過部３０での透過率が高くなる傾向にある。なお、ここでは触れないが、θｔ_pが小さい程、液晶の応答時間が遅くなるという弊害があるため、θｔ_pが小さければ良いとは一概には言えない。
図９は、ポジ型液晶を用いた時の、反射部３１の電圧−反射率特性のθｒ_p依存性を示す。θｒ_pが小さい程、駆動電圧が低くなり、反射部３１での反射率が高くなる傾向にある。
【００１１】
ここで、一例としてθｔ_p＝２０°の場合と５°の場合の例を取り上げる。図１０は透過部３０の電圧−透過率特性を、図１１は反射部３１の電圧−反射率特性を示している。図１０において、θｔ_p＝２０°のとき最大透過率が得られる電圧は約５．０Ｖであり、この値が図１に示す半透過型液晶表示装置の最大駆動電圧Ｖmaxとなる。一方、θｔ_p＝５°に変更すると最大透過率が得られる電圧は約４．２Ｖになり、この値が図１に示す半透過型液晶表示装置の最大駆動電圧Ｖmaxとなる。すなわち、θｔ_pの変更により最大駆動電圧Ｖmaxが５．０Ｖから４．２Ｖに下がったことになる。
一方、反射部３１に着目すると、図１１において、θｒ_p＝２０°（Ｖmax＝５．０Ｖ）とθｒ_p＝５°（Ｖmax＝４．２Ｖ）との電圧−反射率特性を比較すると、θｒ_p＝５°の方が低電圧側にシフトしており、反射特性が向上しているように見えるが、駆動電圧は透過部３０のＶmaxで決まるため、それぞれの駆動での反射率を比較するとθｒ_p＝２０°と５°とでは、反射率はほとんど変わらないという結果になる。
この原因は、反射部３１の駆動電圧が透過部３０の表示特性に依存し、必ずしも反射の効率の良い駆動電圧で反射部３１が駆動されないためである。
【００１２】
［実施例１］
本実施例１の半透過型液晶表示装置は、画素電極（ＰＩＸ）の形状が図１に示す半透過型液晶表示装置と相違するが、残余の構成は、図１に示す半透過型液晶表示装置と同様であるので、以下、図１に示す半透過型液晶表示装置との相違点を中心に本実施例１の半透過型液晶表示装置について説明する。
図１２は、本発明の実施例１である半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いたときの液晶初期配向方向（Ｓ）と画素電極（ＰＩＸ）の延在方向との関係を示す。
液晶層（ＬＣ）の液晶初期配向方向（Ｓ）と透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）の延在方向（Ｕｔ）とのなす角度のうち狭い角度をθｔ_pとし、液晶層（ＬＣ）の液晶初期配向方向（Ｓ）と反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）の延在方向（Ｕｒ）とのなす角度のうち狭い角度をθｒ_pとする時、本実施例１の半透過型液晶表示装置では、ポジ型液晶を用いた場合、｜θｔ_p｜＞｜θｒ_p｜の関係を満たしている。
図１３は、本発明の実施例１である半透過型液晶表示装置において、ネガ型液晶を用いたときの液晶初期配向方向（Ｓ）と画素電極（ＰＩＸ）の延在方向との関係を示す。
液晶層（ＬＣ）の液晶初期配向方向（Ｓ）と透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）の延在方向（Ｕｔ）とのなす角度のうち狭い角度をθｔ_nとし、液晶層（ＬＣ）の液晶初期配向方向（Ｓ）と反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）の延在方向（Ｕｒ）とのなす角度のうち狭い角度をθｒ_nとする時、本実施例１の半透過型液晶表示装置では、ネガ型液晶を用いた場合、｜θｒ_n｜＞｜θｔ_n｜の関係を満たしている。
【００１３】
ポジ型液晶を用いた場合の｜θｔ_p｜＞｜θｒ_p｜の関係（図１２参照）、並びにネガ型液晶を用いた場合の｜θｒ_n｜＞｜θｔ_n｜の関係（図１３参照）は、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）を反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）に対して斜めに延在させる、換言すれば、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）、反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）のうちの何れか一方の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１又は５２）を映像線（ＤＬ）に対して斜めに延在させることによって満たすことができる。
本実施例１では、映像線（ＤＬ）の延在方向に対して、反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）を斜めに延在させることにより、ポジ型液晶を用いた場合の｜θｔ_p｜＞｜θｒ_p｜の関係、並びにネガ型液晶を用いた場合の｜θｒ_n｜＞｜θｔ_n｜の関係を満たしている。
【００１４】
ここで、従来例と本発明とを比較する。
図１４−１は、図１に示す半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の透過部３０の電圧−透過率特性及び反射部３１の電圧−反射率特性を示す。
図１４−２は、本実施例１の半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の透過部３０の電圧−透過率特性及び反射部３１の電圧−反射率特性を示す。
図１４−１に示す例では、透過部３０の電圧−透過率特性の形と反射部３１の電圧−反射率特性の形とが大きくかけ離れており、特に、透過率、反射率が最大となる電圧が大きくずれている。この場合、駆動電圧は透過部３０の透過率が最大となる約５．０Ｖになるが、この時の反射部３１の反射率はかなり低くなってしまう。
これに対して、図１４−２に示す本実施例では、透過部３０の電圧−透過率特性の形と反射部３１の電圧−反射率特性の形とが相似形に近くなっている。この場合、駆動電圧は透過部３０の透過率が最大となる約５．０Ｖになるが、この時の反射部３１の反射率も最大反射率に近い値が得られている。具体的には従来例に比べて約１３％高い反射率が得られており、本発明の効果の高さがわかる。
【００１５】
ＩＰＳ方式の半透過型液晶表示装置において、透過部３０の電圧−透過率特性、反射部３１の電圧−反射率特性は、セルギャップ長の大小や液晶層（ＬＣ）の液晶初期配向方向（Ｓ）に対する画素電極（ＰＩＸ）の角度などにより低電圧側，高電圧側にシフトする。反射部３１は、透過部３０に比べてセルギャップ長が狭いため、反射部３１の電圧−反射率特性が透過部３０の電圧−透過率特性に比べて高電圧側にシフトするが、本実施例１のように透過部３０と反射部３１とで画素電極（ＰＩＸ）の延在方向を適切に変えることで、反射部３１の電圧−反射率特性を低電圧側にシフトさせることができる。
その結果、透過部３０の電圧−透過率特性の形と反射部３１の電圧−反射率特性の形が相似形に近くなるため、透過部３０で最大透過率が得られる電圧において、反射部３１でも高い反射率が得られる。
【００１６】
図１５は、本発明の実施例１の変形例である半透過型液晶表示装置において、ネガ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向（Ｓ）と画素電極（ＰＩＸ）の延在方向との関係を示す図である。
実施例１では、反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）を映像線（ＤＬ）に対して斜めに延在させてネガ型液晶を用いた場合の｜θｒ_n｜＞｜θｔ_n｜の関係を満たしているが、本変形例では、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）、及び反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）を映像線（ＤＬ）に対して斜めに延在させること、例えば、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）、及び反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）が画素電極（ＰＩＸ）の連結部分５３を境にしてハの字形状になるように屈曲させることによって、ネガ型液晶を用いた場合の｜θｒ_n｜＞｜θｔ_n｜の関係を満たしている。
なお、図示していないが、ポジ型液晶を用いた場合の｜θｔ_p｜＞｜θｒ_p｜の関係においても、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）、及び反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）を映像線（ＤＬ）に対して斜めに延在させることによって満たすことができる。
このように構成された本変形例においても、前述の実施例１と同様に、半透過型液晶表示装置の反射効率の向上を図ることが可能となる。
【００１７】
［実施例２］
図１６は、本発明の実施例２である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図、
図１７は、図１６のＴＦＴ基板とＣＦ基板とを重ね合わせた平面図、
図１８は、図１７のＤ−Ｄ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
なお、図１７のＡ−Ａ’線に沿った断面図及びＢ−Ｂ’線に沿った断面図は、図３，図４と同様である。
本実施例２の半透過型液晶表示装置は、基本的に前述の実施例１と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
即ち、本実施例２の半透過型液晶表示装置では、反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）が屈曲していることに合わせて、反射部３１の遮光膜（ＢＭ）、反射開口部、及びカラーフィルタ（ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ）も屈曲、換言すれば、反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）が映像線（ＤＬ）に対して斜めになっていることに合わせて、反射部３１の遮光膜（ＢＭ）、反射開口部、及びカラーフィルタ（ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ）も映像線（ＤＬ）に対して斜めになっている。このような構成にすることにより、開口率を最大限に広げることができる。
【００１８】
［実施例３］
図１９は、本発明の実施例３である半透過型液晶表示装置の１サブピクセルの平面図、
図２０は、図１９のＥ−Ｅ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
なお、図１９のＡ−Ａ’線に沿った断面図及びＢ−Ｂ’線に沿った断面図は、図３，図４と同様である。
本実施例３の半透過型液晶表示装置は、基本的に前述の実施例２と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
即ち、本実施例３の半透過型液晶表示装置では、反射部３１の縦方向（映像線（ＤＬ）の延在方向）の遮光膜（ＢＭ）が除去、換言すれば、走査線（ＧＬ）に沿って隣接する各サブピクセル間の反射部３１における境界領域に遮光膜（ＢＭ）が形成されていない。
反射部３１では、映像線（ＤＬ）上に反射電極（ＲＡＬ）が存在するため、反射部３１の縦方向（映像線（ＤＬ）の延在方向）の遮光膜（ＢＭ）を必ずしも設ける必要はない。また、反射部３１の縦方向（映像線（ＤＬ）の延在方向）の遮光膜（ＢＭ）を除去することで、その部分も反射に寄与することができるため、更なる反射率の向上が期待できる。
【００１９】
［実施例４］
図２１は、本発明の実施例４である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図、
図２２は、図２１のＴＦＴ基板とＣＦ基板とを重ね合わせた平面図、
図２３は、図２２のＦ−Ｆ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
なお、図２２のＡ−Ａ’線に沿った断面図及びＢ−Ｂ’線に沿った断面図は、図３，図４と同様である。
本実施例４の半透過型液晶表示装置は、基本的に前述の実施例３と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
即ち、本実施例４の半透過型液晶表示装置では、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）の本数よりも反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）の本数の方が多くなっている。また、反射部３１のカラーフィルタ（ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ）の一部を除去して遮光膜（ＢＭ）の幅よりも広い目開き部（ＣＦＬＳ）が設けられている。
反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）の本数を増やすことにより、走査線（ＧＬ）に沿って隣接する各サブピクセル間の反射部３１における境界領域近傍も反射表示に寄与させることができるため、更に反射率を向上させることができる。また、カラーフィルタ（ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ）の一部を除去して目開き部（ＣＦＬＳ）を設けることにより、カラーフィルタ（ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ）に起因する光の吸収を少なくすることができるため、更に反射率を向上させることができる。
図２４は、本発明の実施例４の変形例である半透過型液晶表示装置の１サブピクセルの平面図である。
実施例４では、カラーフィルタの一部を画素電極と平行に斜め方向に除去しているが、必ずしも斜め方向に除去する必要は無く、例えば図２４に示すように縦方向（映像線（ＤＬ）の延在方向）に除去しても何ら問題ない。
【００２０】
［実施例５］
図２５は、本発明の実施例５である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図、
図２６は、図２５のＴＦＴ基板とＣＦ基板とを重ね合わせた平面図である。
本実施例５の半透過型液晶表示装置は、基本的に前述の実施例４と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
即ち、本実施例５の半透過型液晶表示装置では、１サブピクセルの画素電極（ＰＩＸ）全体が隣り合う２本の映像線（ＤＬ１，ＤＬ２）の間に収まるように配置されている。画素電極（ＰＩＸ）が映像線（ＤＬ１，ＤＬ２）からはみ出してしまうと、液晶ディスプレイの端（左端，右端）において画素の一部が欠損してしまい、表示が乱れてしまう可能性がある。従って、１サブピクセルの画素電極（ＰＩＸ）全体が２本の映像線（ＤＬ１，ＤＬ２）の間に収まることがより望ましい。
【００２１】
［実施例６］
図２７は、本発明の実施例６である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。
本実施例６の半透過型液晶表示装置は、基本的に前述の実施例４と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
即ち、本実施例６の半透過型液晶表示装置では、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）と反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）が、２方向に夫々屈曲している。このように、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５１）と反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（線状部分５２）を少なくとも２方向に夫々屈曲させることにより、液晶層（ＬＣ）の液晶分子配向状態をマルチドメイン配向にすることができるため、視野角を広げることが可能となる。
図２８は、本発明の実施例６の変形例である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。
本変形例では、画素電極（ＰＩＸ）と同じように映像線（ＤＬ）も屈曲している。このような構成にすることにより、透過開口率を向上させることができる。
【００２２】
［実施例７］
図２９は、本発明の実施例７である半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向と画素電極の延在方向との関係を示す図、
図３０は、本発明の実施例７である半透過型液晶表示装置において、ネガ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向と画素電極の延在方向との関係を示す図である。
本実施例７の半透過型液晶表示装置は、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＯＭ）とが同一層に形成されており、透過部３０及び反射部３１において、画素電極（ＰＩＸ）の線状部分（５１，５２）の間にも対向電極（ＣＯＭ）を配置した電極構造になっている。
このように構成された本実施例７においても、前述の実施例１と同様に、半透過型液晶表示装置の反射率の向上を図ることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の前提となる半透過型液晶表示装置において、ＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。
【図２】図１のＴＦＴ基板とＣＦ基板とを重ね合わせた平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’に沿った断面構造を示す断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’に沿った断面構造を示す断面図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ’に沿った断面構造を示す断面図である。
【図６】図１に示す半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向と画素電極の延在方向との関係を示す図である。
【図７】図１に示す半透過型液晶表示装置において、ネガ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向と画素電極の延在方向との関係を示す図である。
【図８】図１に示す半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の透過部の電圧−透過率特性のθｔ依存性を示す図である。
【図９】図１に示す半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の反射部の電圧−反射率特性のθｒ依存性を示す図である。
【図１０】図１に示す半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の透過部の電圧−透過率特性のθｔ依存性に関して一例（θｔ＝２０°の場合と５°の場合）を示す図である。
【図１１】図１に示す半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の反射部の電圧−反射率特性のθｒ依存性に関して一例（θｒ＝２０°の場合と５°の場合）を示す図である。
【図１２】本発明の実施例１である半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向と画素電極の延在方向との関係を示す図である。
【図１３】本発明の実施例１である半透過型液晶表示装置において、ネガ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向と画素電極の延在方向との関係を示す図である。
【図１４−１】図１に示す半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の透過部の電圧−透過率特性及び反射部の電圧−反射率特性を示す図である。
【図１４−２】本発明の実施例１である半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の透過部の電圧−透過率特性及び反射部の電圧−反射率特性を示す図である。
【図１５】本発明の実施例１の変形例である半透過型液晶表示装置において、ネガ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向と画素電極の延在方向との関係を示す図である。
【図１６】本発明の実施例２である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。
【図１７】図１６のＴＦＴ基板とＣＦ基板とを重ね合わせた平面図である。
【図１８】図１７のＤ−Ｄ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施例３である半透過型液晶表示装置の１サブピクセルの平面図である。
【図２０】図１９のＥ−Ｅ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図２１】本発明の実施例４である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。
【図２２】図２１のＴＦＴ基板とＣＦ基板とを重ね合わせた平面図である。
【図２３】図２１のＦ−Ｆ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施例４の変形例である半透過型液晶表示装置の１サブピクセルの平面図である。
【図２５】本発明の実施例５である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。
【図２６】図２５のＴＦＴ基板とＣＦ基板とを重ね合わせた平面図である。
【図２７】本発明の実施例６である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。
【図２８】本発明の実施例６の変形例である半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。
【図２９】本発明の実施例７である半透過型液晶表示装置において、ポジ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向と画素電極の延在方向との関係を示す図である。
【図３０】本発明の実施例７である半透過型液晶表示装置において、ネガ型液晶を用いた時の液晶初期配向方向と画素電極の延在方向との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００２４】
３０  透過部
３１  反射部
５１，５２  線状部分
５３  連結部分
ＡＬ１，ＡＬ２  配向膜
ＢＭ  遮光膜（ブラックマトリックス）
ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ  カラーフィルタ
ＣＦＬＳ  カラーフィルタの目開き部
ＣＨ  コンタクトホール
ＣＯＭ  対向電極
ＤＬ，ＤＬ１，ＤＬ２  映像線（ドレイン線又はソース線）
ＧＩ  ゲート絶縁膜
ＧＬ  走査線（ゲート線）
ＬＣ  液晶層
ＭＲ  段差形成層
ＯＣ  保護膜
ＰＡＳ１，ＰＡＳ２  絶縁膜
ＰＩＸ  画素電極
ＰＯＬ１，ＰＯＬ２  偏光板
ＲＡＬ  反射電極
ＲＥＴ  位相差板
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２  ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４−１】
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【図１４−２】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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