(57)【要約】【課題】導体パターンの特性インピーダンスを任意の値に調整することができ、良好な可撓性を維持することのできる、配線回路基板を提供すること。【解決手段】グランド配線形成部８において、１対の信号配線６Ａおよび１対のグランド配線６Ｂが形成され、非グランド配線形成部９において、１対の信号配線６Ａのみが形成される配線回路基板１において、グランド配線形成部８では、第１カバー絶縁層５のみを形成する一方、非グランド配線形成部９では、誘電率が異なる２種類の第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７を交互に繰り返すように配置して、カバー絶縁層４を形成する。【選択図】図１
2008021676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上に形成され、複数の配線を備える導体パターンと、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備え、
前記ベース絶縁層および／または前記カバー絶縁層は、誘電率が異なる複数種類の絶縁部を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
各前記絶縁部は、各前記配線に沿う方向において誘電率の異なる前記絶縁部と隣接するように配置され、各前記配線に沿う方向と交差する方向にわたって形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
誘電率が異なる２種類の前記絶縁部が、各前記配線に沿う方向に沿って、交互に繰り返して配置されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
互いに隣接する各前記絶縁部の隣接方向端部が、厚み方向に互いに重複するように、形成されていることを特徴とする、請求項２または３に記載の配線回路基板。
【請求項５】
複数の前記配線は、少なくとも１対の配線からなり、
少なくとも１つの前記絶縁部が、１対の前記配線が延びる方向に沿う１対の前記配線間の中心線に対して、線対称に形成されていることを特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記厚み方向に互いに重複する部分において、一方の絶縁部の他方側端部の上に、他方の絶縁部の一方側端部が積層されており、
他方の前記絶縁部の誘電率が、一方の前記絶縁部の誘電率に対して高いことを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板。
【請求項７】
各絶縁部は、各配線に沿う方向における長さが、それぞれ、１０〜２０００μｍであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板に関し、詳しくは、各種の電気機器や電子機器の分野に用いられるフレキシブル配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線回路基板は、通常、ポリイミド樹脂などからなるベース絶縁層の上に、複数の配線を含み、銅箔などからなる導体パターンが形成されており、さらに、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、ポリイミド樹脂などからなるカバー絶縁層が形成されている。このようなフレキシブル配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
【０００３】
このようなフレキシブル配線回路基板において、導体パターンには、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層の厚み、または、配線の本数や配線間の距離などの条件に応じて、特性インピーダンスが付与されるところ、導体パターンの形成位置によって上記した条件が変動する場合には、これに伴って導体パターンのインピーダンスが変化し、その変動（バラツキ）が大きくなると、導体パターンの信号伝達効率が低下する。
【０００４】
そのため、例えば、プリント基板において、信号ラインの差動信号対の線間距離が広がった部分における、絶縁層（カバー絶縁層）の上に、誘電体を被着することによって、信号ラインの特性インピーダンスを調整して、特性インピーダンスの不連続を緩和させることが提案されている。（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−９５１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載のプリント基板では、誘電体は、誘電体を形成する材料によってそれぞれ固有の誘電率を示すところ、特定の誘電率を有する材料は限定されているため、信号ラインの特性インピーダンスを、任意の値に調整することが困難であるという不具合がある。
また、特許文献１に記載のプリント基板では、誘電体と信号ラインとの間に、絶縁層が介在されているため、誘電体の特性インピーダンスを調整する機能が十分に発揮されず、特性インピーダンスを調整できる範囲が限定されるという不具合がある。
【０００６】
さらに、特許文献１に記載のプリント基板では、絶縁層の上に誘電体をさらに被着させており、その部分の厚みが厚くなるため、プリント基板の良好な可撓性を維持することができないという不具合がある。
本発明の目的は、導体パターンの特性インピーダンスを任意の値に調整することができ、良好な可撓性を維持することのできる、配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、複数の配線を備える導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備え、前記ベース絶縁層および／または前記カバー絶縁層は、誘電率が異なる複数種類の絶縁部を備えていることを特徴としている。
【０００８】
本発明の配線回路基板によれば、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層は、誘電率が異なる複数種類の絶縁部を有しているので、誘電率が異なる複数種類を組み合わせた絶縁部により、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層の誘電率を任意の範囲に設定することができる。そのため、導体パターンの特性インピーダンスを任意の範囲に調整することができる。
【０００９】
また、ベース絶縁層およびカバー絶縁層は、導体パターンと直接接触しているので、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層の絶縁部によって、絶縁部の特性インピーダンスを調整する機能を、十分に発揮させることができる。
その結果、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層の厚み、または、配線の本数や配線間の距離などの条件が変化した部分がある場合には、その変化した部分における導体パターンの特性インピーダンスを、誘電率が異なる複数種類を組み合わせた絶縁部によって、任意の範囲に調整することにより、絶縁部の特性インピーダンスを調整する機能を、十分に発揮させつつ、導体パターンの特性インピーダンスの変動を有効に低減させることができる。そのため、信号伝達効率の低下を有効に防止することができる。
【００１０】
さらに、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層は、それ自体が、誘電率が異なる複数種類の絶縁部を有しているので、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層の表面に誘電体を別途形成する場合のように、厚みが厚くなることがなく、良好な可撓性を維持することができる。
また、本発明の配線回路基板では、各前記絶縁部は、各前記配線に沿う方向において誘電率の異なる前記絶縁部と隣接するように配置され、各前記配線に沿う方向と交差する方向にわたって形成されていることが好適である。
【００１１】
この配線回路基板によれば、各絶縁部は、各配線に沿う方向において誘電率の異なる絶縁部と隣接するように配置されているので、導体パターンの特性インピーダンスを任意の値に効率的に調整することができる。
また、各絶縁部は、各配線に沿う方向と交差する方向にわたって形成されているので、各絶縁部を、各配線に沿う方向に効率的に配置することができる。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板では、誘電率が異なる２種類の前記絶縁部が、各前記配線に沿う方向に沿って、交互に繰り返して配置されていることが好適である。
この配線回路基板によれば、２種類の絶縁部のみで、導体パターンの特性インピーダンスを任意の値に簡易に調整することができる。
また、本発明の配線回路基板では、互いに隣接する各前記絶縁部の隣接方向端部が、厚み方向に互いに重複するように、形成されていることが好適である。
【００１３】
この配線回路基板によれば、厚み方向に互いに重複する部分の誘電率が、互いに隣接する各絶縁部の誘電率の差の間の値となるので、各配線方向に沿う誘電率を徐々に変化させることができる。そのため、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層の厚み、または、配線の本数や配線間の距離などの条件が変化した部分において、導体パターンの特性インピーダンスの変動を緩和させることができる。
【００１４】
また、本発明の配線回路基板では、複数の前記配線は、少なくとも１対の配線からなり、少なくとも１つの前記絶縁部が、１対の前記配線が延びる方向に沿う１対の前記配線間の中心線に対して、線対称に形成されていることが好適である。
この配線回路基板によれば、絶縁部の特性インピーダンスを調整する機能を、１対の配線に対して、均等に発揮させることができる。そのため、少なくとも１対の配線の特性インピーダンスを、安定した値に調整することができる。
【００１５】
また、本発明の配線回路基板では、前記厚み方向に互いに重複する部分において、一方の絶縁部の他方側端部の上に、他方の絶縁部の一方側端部が積層されており、他方の前記絶縁部の誘電率が、一方の前記絶縁部の誘電率に対して高いことが好適である。
この配線回路基板によれば、厚み方向に互いに重複する部分において、一方の絶縁部の他方側端部の上に、他方の絶縁部の一方側端部が積層されており、他方の絶縁部の誘電率が、一方の絶縁部の誘電率に対して高いため、各配線方向に沿って、誘電率をより円滑に移行させることができる。そのため、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層の厚み、または、配線の本数や配線間の距離などの条件が変化した部分において、導体パターンの特性インピーダンスの変動をより一層有効に緩和させることができる。
【００１６】
また、本発明の配線回路基板では、各絶縁部は、各配線に沿う方向における長さが、それぞれ、１０〜２０００μｍであることが好適である。
この配線回路基板によれば、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層の厚み、または、配線の本数や配線間の距離などの条件が変化した部分において、導体パターンの特性インピーダンスの変動をより有効に低減させることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の配線回路基板によれば、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層は、誘電率が異なる複数種類の絶縁部を有しているので、誘電率が異なる複数種類を組み合わせた絶縁部により、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層の誘電率を任意の範囲に設定することができる。そのため、導体パターンの特性インピーダンスを任意の範囲に調整することができる。
【００１８】
また、ベース絶縁層およびカバー絶縁層は、導体パターンと直接接触しているので、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層の絶縁部によって、絶縁部の特性インピーダンスを調整する機能を、十分に発揮させることができる。
その結果、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層の厚み、または、配線の本数や配線間の距離などの条件が変化した部分がある場合には、その変化した部分における導体パターンの特性インピーダンスを、誘電率が異なる複数種類を組み合わせた絶縁部によって、任意の範囲に調整することにより、絶縁部の特性インピーダンスを調整する機能を、十分に発揮させつつ、導体パターンの特性インピーダンスの変動を有効に低減させることができる。そのため、信号伝達効率の低下を有効に防止することができる。
【００１９】
さらに、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層は、それ自体が、誘電率が異なる複数種類の絶縁部を有しているので、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層の表面に誘電体を別途形成する場合のように、厚みが厚くなることがなく、良好な可撓性を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態の要部平面図、図２は、図１の配線回路基板の長手方向（以下、単に長手方向という。後述する配線の沿う方向に相当する。）の後述する信号配線に沿う断面図である。
図１において、この配線回路基板１は、例えば、長手方向に延びる平帯状に形成されるフレキシブル配線回路基板であって、例えば、図２に示すように、ベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成される導体パターン３と、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するように形成されるカバー絶縁層４とを備えている。
【００２１】
ベース絶縁層２は、図１に示すように、配線回路基板１の外形形状に対応して、平帯状に形成されている。
また、ベース絶縁層２の誘電率は、例えば、２．５〜４．５、好ましくは、２．５〜３．５である。
導体パターン３は、ベース絶縁層２の上において長手方向に沿って延び、長手方向に直交する方向（以下、単に幅方向という。）において互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線６を備える、配線回路パターンとして形成されている。
【００２２】
複数の配線６は、電子部品（図示せず）や外部回路（図示せず）などに対して出入力される電気信号を伝達するための１対の信号配線６Ａと、配線回路基板１をグランド接続するための１対のグランド配線６Ｂとを備えている。
各信号配線６Ａは、配線回路基板１の幅方向内側に配置されており、幅方向に互いに間隔を隔てて対向配置されている。また、各信号配線６Ａは、配線回路基板１の長手方向にわたって、連続して形成されている。この各信号配線６Ａには、図示しないが、その長手方向一方側（以下、単に一方側という。）端部に、電子部品や外部回路と接続するための端子が形成されるとともに、その長手方向他方側（以下、単に他方側という。）端部にも、電子部品や外部回路と接続するための端子が形成されている。
【００２３】
各グランド配線６Ｂは、１対の信号配線６Ａの幅方向両外側に、間隔を隔てて配置されている。また、各グランド配線６Ｂは、配線回路基板１の一方側（図１において、左側）端部から長手方向途中までにわたって、連続して形成されている。すなわち、各グランド配線６Ｂは、その一方側端部が、配線回路基板１の一方側端部まで延び、その他方側端部が、配線回路基板１の長手方向途中まで延びるように、形成されている。また、各グランド配線６Ｂは、配線回路基板１の長手方向途中において、その他方側端部が、長手方向においてともに同一位置となるように、配置されている。
【００２４】
導体パターン３において、各信号配線６Ａの幅（幅方向長さ）は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１５〜２００μｍであり、各信号配線６Ａ間の間隔（幅方向における間隔）は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、５〜１００μｍである。また、各グランド配６Ｂの幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１５〜４００μｍである。また、互いに隣接する信号配線６Ａおよびグランド配線６Ｂ間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、５〜２００μｍである。
【００２５】
このグランド配線６Ｂには、図示しないが、その一方側端部に、グランド配線６Ｂを接地するためのグランド端子が形成されている。
そして、この配線回路基板１では、長手方向一方側において、１対の信号配線６Ａおよび１対のグランド配線６Ｂが形成される部分が、グランド配線形成部８とされ、長手方向他方側において、１対の信号配線６Ａのみが形成される部分が、非グランド配線形成部９とされている。
【００２６】
カバー絶縁層４には、図示しないが、配線回路基板１の一方側端部において、信号配線６Ａの端子およびグランド配線６Ｂのグランド端子が露出するように、かつ、配線回路基板１の他方側端部において、信号配線６Ａの端子が露出するように、これらに対応する開口部がそれぞれ形成されている。
カバー絶縁層４は、誘電率が異なる複数種類の絶縁部から形成され、より具体的には、誘電率ε１が低い絶縁部としての第１カバー絶縁層５と、誘電率ε２が第１カバー絶縁層５の誘電率ε１よりも高い絶縁部としての第２カバー絶縁層７とを備えている。
【００２７】
グランド配線形成部８には、第１カバー絶縁層５のみが配置され、非グランド配線形成部９には、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７が配置されている。
グランド配線形成部８において、第１カバー絶縁層５は、幅方向および長手方向にわたって、グランド配線形成部８を全体的に被覆するように配置されている。
非グランド配線形成部９において、第１カバー絶縁層５は、長手方向において間隔を隔てて複数配置されており、互いに隣接する第１カバー絶縁層５の間において、第２カバー絶縁層７が、それぞれ配置されている。つまり、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７は、長手方向に沿って、交互に繰り返して配置されている。また、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７は、配線回路基板１の幅方向にわたり、平面視略矩形状に形成されている。
【００２８】
第１カバー絶縁層５の誘電率ε１は、例えば、２．５〜４．５、好ましくは、２．５〜３．５であり、第２カバー絶縁層７の誘電率ε２は、例えば、３．５〜２０、好ましくは、４．０〜１０である。
また、非グランド配線形成部９における第１カバー絶縁層５の長手方向長さＬ１（長手方向における第２カバー絶縁層７間の間隔）は、例えば、１０〜２０００μｍ、好ましくは、２０〜１０００μｍであり、第２カバー絶縁層７の長手方向長さＬ２（長手方向における第１カバー絶縁層５間の間隔）は、例えば、１０〜２０００μｍ、好ましくは、２０〜１０００μｍである。非グランド配線形成部９における第１カバー絶縁層５における長手方向長さＬ１および第２カバー絶縁層７の長手方向長さＬ２が、上記した範囲を上回ると、非グランド配線形成部９における導体パターン３の特性インピーダンスの変動を、有効に低減させることができない場合があり、上記した範囲を下回ると、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７を交互に配置することが困難となる場合がある。
【００２９】
次に、この配線回路基板１の製造方法を、図３を参照して説明する。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、ベース絶縁層２を用意する。
ベース絶縁層２は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂からなる。好ましくは、耐熱性、耐薬品性などの観点から、ポリイミド樹脂からなる。
【００３０】
ベース絶縁層２は、予め合成樹脂のフィルムとして用意するか、あるいは、図示しない剥離板の上に、合成樹脂のワニスをキャスティングにより成膜し、乾燥後、必要により硬化させることにより、用意する。さらには、剥離板の上に、感光性の合成樹脂のワニスをキャスティング（塗布）により成膜し、乾燥後、露光し、次いで、現像して上記したパターンに加工し、必要により硬化することにより、用意する。なお、ベース絶縁層２の厚さは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
【００３１】
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、導体パターン３を、ベース絶縁層２の上に、１対の信号配線６Ａおよび１対のグランド配線６Ｂを備える、上記した配線回路パターンとして、形成する。
導体パターン３は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料からなり、好ましくは、電気抵抗の観点から、銅からなる。
【００３２】
また、導体パターン３は、例えば、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、上記した配線回路パターンとして、形成する。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層２の表面に、図示しない導体薄膜（種膜）を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
【００３３】
次いで、この導体薄膜の表面に、導体パターン３のパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、電解めっきにより、導体パターン３を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
サブトラクティブ法では、まず、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層２の表面に、導体層が予め積層されている２層基材（銅箔２層基材など）を用意し、その導体層の上に、ドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像し、導体パターン３と同一のパターンのエッチングレジストを形成する。その後、エッチングレジストから露出する導体層を化学エッチング（ウェットエッチング）した後、エッチングレジストを除去する。
【００３４】
この導体パターン３の厚みは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、第１カバー絶縁層５を、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するように、上記したパターンで形成する。
第１カバー絶縁層５は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂などの合成樹脂からなる。好ましくは、低誘電率の観点から、ポリイミド樹脂からなる。
【００３５】
第１カバー絶縁層５を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、感光剤を含む上記した合成樹脂を用いてフォト加工する方法、上記したパターンが予め形成された上記した合成樹脂のフィルムを貼着する方法、スクリーン印刷により上記パターンに印刷する方法などが用いられる。
感光剤を含む上記した合成樹脂を用いてフォト加工する方法では、例えば、まず、感光剤を含むポリイミド前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、導体パターン３の表面およびベース絶縁層２の表面に、例えば、キャスティング（塗布）により成膜し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、次いで、現像し、硬化させることにより、上記したパターンとして形成する。
【００３６】
また、上記したパターンが予め形成された上記した合成樹脂のフィルムを貼着する方法では、例えば、上記したパターンが予め形成されたポリイミド樹脂のフィルムを、必要により接着剤層を介して、導体パターン３を含むベース絶縁層２の上に貼着することにより、上記したパターンとして形成する。
スクリーン印刷により上記パターンに印刷する方法では、例えば、導体パターン３を含むベース絶縁層２の上に、ポリイミド前駆体のワニスをスクリーン印刷した後、硬化させることにより、上記したパターンとして形成する。
【００３７】
これらの方法のうち、好ましくは、感光剤を含む上記した合成樹脂を用いてフォト加工する方法が用いられる。
第１カバー絶縁層５の厚さは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、第２カバー絶縁層７を、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するように、上記したパターンで形成する。
【００３８】
第２カバー絶縁層７は、第１カバー絶縁層５と異なる絶縁材料から形成され、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂などの合成樹脂からなる。好ましくは、高誘電率の観点から、エポキシ樹脂からなる。
また、第２カバー絶縁層７は、上記した合成樹脂に、チタン酸バリウムなどのフィラーを混合したものからなっていてもよい。
【００３９】
第２カバー絶縁層７を形成する方法としては、上記した第１カバー絶縁層５を形成する方法と同様の方法が用いられ、好ましくは、感光剤を含む上記した合成樹脂を用いてフォト加工する方法が用いられる。
感光剤を含む上記した合成樹脂を用いてフォト加工する方法では、例えば、まず、光（紫外線を含む）硬化剤を含むエポキシ樹脂（感光性エポキシ系ソルダーレジスト）を、第１カバー絶縁層５から露出する導体パターン３の表面およびベース絶縁層２の表面に、例えば、キャスティング（塗布）により成膜し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、次いで、現像し、硬化させることにより、上記したパターンとして形成する。
【００４０】
また、第２カバー絶縁層７の厚さは、第１カバー絶縁層５の厚さと同一であって、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
これにより、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７を交互に備える上記したパターンで、カバー絶縁層４が形成される。
そして、このような配線回路基板１では、グランド配線形成部８において、導体パターン３は、１対の信号配線６Ａおよび１対のグランド配線６Ｂを備えている。一方、非グランド配線形成部９において、導体パターン３は、１対のグランド配線６Ｂがなく、１対の信号配線６Ａのみを備えている。そのため、グランド配線形成部８から非グランド配線形成部９に至ると、配線６の数が４本から２本に変化するので、この変化により、各信号配線６Ａの特性インピーダンスが急激に変化して不連続となり、各信号配線６Ａの信号伝達効率が低下するおそれがある。
【００４１】
しかし、この配線回路基板１によれば、カバー絶縁層４は、非グランド配線形成部９において、誘電率が異なる２種類の第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７が交互に配置されているので、非グランド配線形成部９におけるカバー絶縁層４の誘電率Ｅが任意の範囲に設定されている。すなわち、この配線回路基板１では、非グランド配線形成部９におけるカバー絶縁層４の誘電率Ｅを、上記したおそれを防止すべく、所望の誘電率Ｅに設定する必要があるところ、このような所望の誘電率Ｅを有する材料がない場合でも、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７を交互に配置することにより、非グランド配線形成部９におけるカバー絶縁層５の誘電率が所望の誘電率Ｅに設定されている。
【００４２】
なお、誘電率Ｅは、下記式で示され、非グランド配線形成部９においては、第１カバー絶縁層５と第２カバー絶縁層７とを交互に配置することにより、第１カバー絶縁層５の誘電率ε１と第２カバー絶縁層７の誘電率ε２との間に設定することができ、この範囲内においては、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７の誘電率（ε１およびε２）および長手方向長さ（Ｌ１およびＬ２）を適宜選択することにより、誘電率Ｅを自由に調整することができる。
【００４３】
Ｅ＝｛ε１×Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）｝＋｛ε２×Ｌ２／（Ｌ１＋Ｌ２）｝
そのため、非グランド配線形成部９における導体パターン３（各信号配線６Ａ）の特性インピーダンスを任意の範囲に調整することができる。とりわけ、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７は、長手方向において互いに隣接するように配置されているので、導体パターン３（各信号配線６Ａ）の特性インピーダンスを任意の値に効率的に調整することができる。
【００４４】
また、カバー絶縁層４は、導体パターン３と直接接触しているので、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７によって、これらの特性インピーダンスを調整する機能を、十分に発揮させることができる。
その結果、配線６の数が４本から２本に変化する非グランド配線形成部９における導体パターン３（各信号配線６Ａ）の特性インピーダンスを、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７を組み合わせることによって、任意の範囲に調整することにより、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７の特性インピーダンスを調整する機能を、十分に発揮させつつ、導体パターン３（各信号配線６Ａ）の特性インピーダンスの変動を有効に低減させることができる。そのため、導体パターン３の信号伝達効率の低下を有効に防止することができる。
【００４５】
さらに、カバー絶縁層４は、それ自体が、誘電率が異なる２種類の第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７から形成されているので、カバー絶縁層４の表面に誘電体を別途形成する場合のように、厚みが厚くなることがなく、フレキシブル配線回路基板としての良好な可撓性を維持することができる。
また、この配線回路基板１では、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７は、幅方向にわたって形成されているので、長手方向におけるこれらの効率的な配置を実現することができる。
【００４６】
上記した説明では、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７を長手方向に沿って同一の厚さとなるように、整列配置したが、これに限定されず、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７を、長手方向両端部において互いに重なるように、整列配置することもできる。
図４は、本発明の配線回路基板の他の実施形態の断面図であって、図２に対応する断面図である。
【００４７】
図４において、カバー絶縁層４は、非グランド配線形成部９において、互いに隣接する第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７の長手方向（隣接方向）両端部が、厚み方向に互いに重複するように、形成されている。
より具体的には、各第２カバー絶縁層７は、長手方向において、互いに隣接する各第１カバー絶縁層５の間よりも長く形成されており、第１カバー絶縁層５の他方側（図４において、右側）端部の上に、第２カバー絶縁層７の一方側（図４において、左側）端部が積層され、第１カバー絶縁層５の一方側端部の上に、第２カバー絶縁層７の他方側端部が積層されている。
【００４８】
すなわち、第２カバー絶縁層７は、非グランド配線形成部９において、その一方側端部が、第１カバー絶縁層５の他方側端部を被覆し、その他方側端部が、第１カバー絶縁層５の一方側端部を被覆するように、形成されている。
第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７が厚み方向に互いに重複する部分の長手方向長さＬ３は、例えば、３〜１０００μｍ、好ましくは、１０〜８００μｍである。
【００４９】
この配線回路基板１では、第２カバー絶縁層７が、長手方向において、各第１カバー絶縁層５の間よりも長く形成され、第２カバー絶縁層７の長い部分が、第１カバー絶縁層５の長手方向（隣接方向）両端部に重複されており、その重複部分の誘電率が、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７の誘電率の差の間の値となるので、長手方向に沿う誘電率を徐々に変化させることができる。そのため、非グランド配線形成部９において、導体パターン３の特性インピーダンスの変動を緩和させることができる。
【００５０】
とりわけ、この配線回路基板１では、重複部分において、誘電率ε１が低い第１カバー絶縁層５の両端部の上に、誘電率ε２が高い第２カバー絶縁層７の両端部が積層されているため、長手方向に沿って、非グランド配線形成部９におけるカバー絶縁層４の誘電率をより円滑に移行させることができる。そのため、非グランド配線形成部９において、導体パターン３の特性インピーダンスの変動をより一層有効に緩和させることができる。
【００５１】
また、上記した説明では、第２カバー絶縁層７を、平面視略矩形状に形成したが、その形状は、特に限定されず、例えば、図５や図６に示すように、適宜の形状に形成することができる。
好ましくは、第２カバー絶縁層７を、長手方向に沿う１対の信号配線６Ａ間の中心線ＣＬに対して、長手方向に沿って形状が変化する線対称に形成する。
【００５２】
より具体的には、例えば、図５に示すように、第２カバー絶縁層７を、長手方向に沿う１対の信号配線６Ａ間の中心線ＣＬに対して、線対称である平面視略楕円形状に形成する。
図５において、第２カバー絶縁層７は、非グランド配線形成部９において、長手方向に互いに間隔を隔てて配置され、上記した平面視略楕円形状に形成されている。
【００５３】
なお、第２カバー絶縁層７において、信号配線６Ａと交差する円弧部分の曲率半径は、好ましくは、小さい値に設定されている。
第１カバー絶縁層５は、非グランド配線形成部９において、グランド配線形成部８から長手方向に沿って幅方向にわたって連続して形成され、上記した第２カバー絶縁層７の形状に対応した開口が形成されている。また、この第１カバー絶縁層５についても、長手方向に沿う１対の信号配線６Ａ間の中心線ＣＬに対して、線対称となっている。
【００５４】
なお、図示しないが、第２カバー絶縁層７を、１対の信号配線６Ａ間の中心線ＣＬ上に中心がある、平面視真円形状に形成することもできる。
また、図６に示すように、第２カバー絶縁層７を、長手方向に沿う１対の信号配線６Ａ間の中心線ＣＬに対して、線対称である平面視略菱形形状に形成することもできる。
図６において、第２カバー絶縁層７は、非グランド配線形成部９において、長手方向に互いに間隔を隔てて配置され、上記した平面視略菱形形状に形成されている。
【００５５】
第１カバー絶縁層５は、非グランド配線形成部９において、グランド配線形成部８から長手方向に沿って幅方向にわたって連続して形成され、上記した第２カバー絶縁層７の形状に対応した開口が形成されている。また、この第１カバー絶縁層５についても、長手方向に沿う１対の信号配線６Ａ間の中心線ＣＬに対して、線対称となっている。
このように、第２カバー絶縁層７が、長手方向に沿う１対の信号配線６Ａ間の中心線ＣＬに対して、平面視略楕円形状（図５）や平面視略菱形形状（図６）のように、線対称に形成されていると、第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７の特性インピーダンスを調整する機能を、１対の信号配線６Ａに対して、均等に発揮させることができる。さらに、１対の信号配線６Ａに対して、均等に配置され、かつ、長手方向に沿って形状が変化する部分として、円弧部分（図５）、または、長手方向および幅方向に対して斜めの部分（図６）が形成されていると、長手方向に沿う誘電率を、上記した円弧部分や斜め部分によって、徐々に変化させることができる。なお、とりわけ、第２カバー絶縁層７が平面視楕円形形状に形成され、その曲率半径が小さい値に設定されていれば、長手方向に沿う誘電率を、より一層徐々に変化させることができる。
【００５６】
その結果、１対の信号配線６Ａの特性インピーダンスを、安定した値に調整することができ、かつ、特性インピーダンスの変動を緩和させることができる。
また、上記した説明では、カバー絶縁層４を、誘電率の異なる２種類の第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７から形成したが、その誘電率の異なる絶縁部の種類は、これに限定されず、例えば、３種類、または、４種類以上であってもよい。
【００５７】
しかるに、２種類の第１カバー絶縁層５および第２カバー絶縁層７のみでカバー絶縁層４を形成すれば、導体パターン３の特性インピーダンスを任意の値に簡易に調整することができる。
誘電率の異なる３種類の絶縁部から形成するには、図示しないが、例えば、非グランド配線形成部９において、絶縁部として、第１カバー絶縁層５、第２カバー絶縁層７および第３カバー絶縁層を、長手方向他方側に向かって、互いに隣接するように順次配置し、かつ、第１カバー絶縁層５、第２カバー絶縁層７および第３カバー絶縁層を幅方向にわたって形成し、さらに長手方向他方側に向かってその順序で繰り返されるように配置する。
【００５８】
また、上記した説明では、カバー絶縁層４を、誘電率が異なる複数種類の絶縁部から形成したが、これに限定されず、図示しないが、ベース絶縁層２を、誘電率が異なる複数種類の絶縁部から形成することもできる。さらに、カバー絶縁層４およびベース絶縁層２をともに、誘電率が異なる複数種類の絶縁部から形成することもできる。
また、上記した説明では、非グランド配線形成部９において、カバー絶縁層４を、複数種類の絶縁部から形成したが、この配置に限定されず、例えば、図示しないが、ベース絶縁層２および導体パターン３の厚みが変化する部分、または、配線６間の間隔が変化する部分において、その部分のカバー絶縁層４を、複数種類の絶縁部から形成することもできる。
【実施例】
【００５９】
実施例１
厚さ１５μｍのポリイミド樹脂からなるからなるベース絶縁層の表面に、厚み１２μｍの銅層が予め積層されている銅箔２層基材を用意し、その銅層の上に、ドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像し、導体パターンと同一のパターンのエッチングレジストを形成した。その後、エッチングレジストから露出する銅層を化学エッチング（ウェットエッチング）した後、エッチングレジストを除去することにより、導体パターンを、ベース絶縁層の上に、１対の信号配線および１対のグランド配線を備える、上記した配線回路パターンとして、形成した（図３（ａ）および図３（ｂ）参照）。
【００６０】
なお、ベース絶縁層の誘電率は、３．２であった。また、１対の信号配線の幅は３０μｍ、各信号配線間の間隔は３０μｍ、１対のグランド配線の幅は３０μｍ、互いに隣接する信号配線およびグランド配線間の間隔は３０μｍであった。
次いで、第１カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、上記したパターンで形成した（図３（ｃ）参照）。
【００６１】
第１カバー絶縁層の形成は、まず、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターンの表面およびベース絶縁層の表面に、キャスティング（塗布）により成膜し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、次いで、現像し、硬化させることにより、上記したパターンとして形成した。
この第１カバー絶縁層の誘電率は、３．２であった。また、非グランド配線形成部における第１カバー絶縁層の長手方向長さは、１０００μｍであった。第１カバー絶縁層の厚みは１０〜１５μｍであった。
【００６２】
次いで、第２カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、上記したパターンで形成した（図３（ｄ）参照）。
第２カバー絶縁層の形成は、感光性エポキシ系ソルダーレジストを、第１カバー絶縁層から露出する導体パターンの表面およびベース絶縁層の表面に、キャスティング（塗布）により成膜し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、次いで、現像し、硬化させることにより、上記したパターンとして形成した。
【００６３】
この第２カバー絶縁層の誘電率は、４．２であった。また、非グランド配線形成部における第２カバー絶縁層の長手方向長さは、１０００μｍであった。また、第２カバー絶縁層の厚みは１０〜１５μｍであった。
これにより、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層を交互に備える上記したパターンで、カバー絶縁層を形成し、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６４】
実施例２
カバー絶縁層の形成において、非グランド配線形成部における第１カバー絶縁層の長手方向長さを、１０００μｍから５００μｍに変更し、第２カバー絶縁層の長手方向長さを、１０００μｍから５００μｍに変更した以外は、実施例１と同様の方法によりカバー絶縁層を形成し、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６５】
実施例３
第１カバー絶縁層の形成において、非グランド配線形成部における第１カバー絶縁層の長手方向長さを、１０００μｍから１６００μｍに変更し、第２カバー絶縁層の形成において、第２カバー絶縁層の長手方向長さを、１０００μｍから１６００μｍに変更し、その一方側端部が、第１カバー絶縁層の他方側端部を被覆し、その他方側端部が、第１カバー絶縁層の一方側端部を被覆するように形成し、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層が厚み方向に互いに重複する部分の長手方向長さが４００μｍとなるように形成した以外は、実施例１と同様の方法によりカバー絶縁層を形成し、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６６】
なお、このフレキシブル配線回路基板は、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層の長手方向両端部が互いに重複するように、形成された。
実施例４
第１カバー絶縁層の形成において、非グランド配線形成部における第１カバー絶縁層の長手方向長さを、１０００μｍから１９００μｍに変更し、第２カバー絶縁層の形成において、第２カバー絶縁層の長手方向長さを、１０００μｍから１９００μｍに変更し、その一方側端部が、第１カバー絶縁層の他方側端部を被覆し、その他方側端部が、第１カバー絶縁層の一方側端部を被覆するように形成し、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層が厚み方向に互いに重複する部分の長手方向長さが６００μｍとなるように形成した以外は、実施例１と同様の方法によりカバー絶縁層を形成し、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６７】
なお、このフレキシブル配線回路基板は、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層の長手方向両端部が互いに重複するように、形成された。
比較例１
カバー絶縁層の形成において、第２カバー絶縁層を形成せず、長手方向全体にわたって、第１カバー絶縁層を形成した以外は、実施例１と同様の方法によりカバー絶縁層を形成し、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６８】
評価
ディファレンシャルインピーダンスの測定
各実施例および比較例のフレキシブル配線回路基板のディファレンシャルインピーダンスを、ディファレンシャルＴＤＲ（オシロスコープ８６１００Ａ、アジレントテクノロジー社製）により、測定した。
【００６９】
結果
測定したディファレンシャルインピーダンスの応答波形を、図７〜１１に示す。
なお、図７〜１１において、横軸における左側部分は、グランド配線形成部の応答波形を示し、右側部分は、非グランド配線形成部の応答波形を示す。
実施例１のフレキシブル配線回路基板では、ディファレンシャルインピーダンスは、グランド配線形成部において、１１５Ωであり、非グランド配線形成部において、１１５Ω±２Ωであった。
【００７０】
実施例２のフレキシブル配線回路基板では、ディファレンシャルインピーダンスは、グランド配線形成部において、１１５Ωであり、非グランド配線形成部において、１１５Ω±１Ω未満であった。
実施例３のフレキシブル配線回路基板では、ディファレンシャルインピーダンスは、グランド配線形成部において、１１５Ωであり、非グランド配線形成部において、１１５Ω±１Ωであった。
【００７１】
実施例４のフレキシブル配線回路基板では、ディファレンシャルインピーダンスは、グランド配線形成部において、１１５Ωであり、非グランド配線形成部において、１１５Ω±１Ω未満であった。
比較例１のフレキシブル配線回路基板では、ディファレンシャルインピーダンスは、グランド配線形成部において、１１５Ωであり、非グランド配線形成部において、１２０Ωであった。
【００７２】
上記した結果から、非グランド配線形成部において、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層を交互に繰り返すように配置すると、ディファレンシャルインピーダンスの変動を低減できることを確認した。
また、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層の長手方向長さをそれぞれ短くすると、ディファレンシャルインピーダンスの変動を有効に低減できることを確認した。
【００７３】
また、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層の長手方向両端部を互いに重複させると、ディファレンシャルインピーダンスの変動を有効に緩和できることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態の要部平面図である。
【図２】図１の配線回路基板の長手方向の信号配線に沿う断面図である。
【図３】図２に示す配線回路基板の製造工程を説明するための工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、導体パターンを、ベース絶縁層の上に、配線回路パターンとして形成する工程、（ｃ）は、第１カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、形成する工程、（ｄ）は、第２カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、形成する工程を示す。
【図４】本発明の配線回路基板の他の実施形態（第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層が長手方向両端部において重複する形態）の断面図であって、図２に対応する断面図である。
【図５】本発明の配線回路基板の他の実施形態（第２カバー絶縁層が平面視略楕円形状）を示す要部平面図であり、図１に対応する要部平面図である。
【図６】本発明の配線回路基板の他の実施形態（第２カバー絶縁層が平面視略菱形形状）を示す要部平面図であり、図１に対応する要部平面図である。
【図７】実施例１のフレキシブル配線回路基板のディファレンシャルＴＤＲの応答波形を示す。
【図８】実施例２のフレキシブル配線回路基板のディファレンシャルＴＤＲの応答波形を示す。
【図９】実施例３のフレキシブル配線回路基板のディファレンシャルＴＤＲの応答波形を示す。
【図１０】実施例４のフレキシブル配線回路基板のディファレンシャルＴＤＲの応答波形を示す。
【図１１】比較例１のフレキシブル配線回路基板のディファレンシャルＴＤＲの応答波形を示す。
【符号の説明】
【００７５】
１      配線回路基板
２      ベース絶縁層
３      導体パターン
４      カバー絶縁層
５      第１カバー絶縁層
６      配線
７      第２カバー絶縁層
【図１】
2008021676.tif 000003
【図２】
2008021676.tif 000004
【図３】
2008021676.tif 000005
【図４】
2008021676.tif 000006
【図５】
2008021676.tif 000007
【図６】
2008021676.tif 000008
【図７】
2008021676.tif 000009
【図８】
2008021676.tif 000010
【図９】
2008021676.tif 000011
【図１０】
2008021676.tif 000012
【図１１】
2008021676.tif 000013