(57)【要約】【課題】入力される信号が大信号でも信号入力用バイポーラトランジスタのコレクタ電流の降下を抑制し高飽和特性を実現するミクサ回路を提供する。【解決手段】中間周波又は高周波の差動信号を入力する入力用トランジスタ対４ａ，４ｂ、局部発振波の差動信号を用い入力用トランジスタ対により入力された中間周波又は高周波の差動信号を高周波又は中間周波の差動信号に変換する信号変換回路５ａ〜５ｄ、入力用トランジスタ対のエミッタ端子に接続されたトランジスタ７、トランジスタ７とカレントミラーを構成するバイアス用トランジスタ８、信号変換回路の出力差動信号又は入力差動信号を入力電力としてモニタする電力モニタ用回路１１、電力モニタ用回路の出力電流を基準電流とするＰ型カレントミラー回路１０ａ，１０ｂを備え、Ｐ型カレントミラー回路の出力電流がバイアス用バイポーラトランジスタの基準電流であるミクサ回路。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中間周波又は高周波の差動信号を入力する入力用バイポーラトランジスタ対と、
局部発振波の差動信号を用い上記入力用バイポーラトランジスタ対により入力された中間周波又は高周波の差動信号を高周波又は中間周波の差動信号に変換する信号変換回路と、
上記入力用バイポーラトランジスタ対のエミッタ端子に接続されたバイポーラトランジスタと、
上記バイポーラトランジスタとカレントミラーを構成するバイアス用バイポーラトランジスタと、
上記信号変換回路の出力差動信号又は入力差動信号を入力電力としてモニタする電力モニタ用回路と、
上記電力モニタ用回路の出力電流を基準電流とするＰ型カレントミラー回路と、
を備え、上記Ｐ型カレントミラー回路の出力電流が上記バイアス用バイポーラトランジスタの基準電流であることを特徴とするミクサ回路。
【請求項２】
Ｐ型カレントミラー回路の基準電流を与える電力モニタ用回路が、信号変換回路の出力差動信号の一方を入力電力としてモニタする１つのバイポーラトランジスタからなることを特徴とする請求項１に記載のミクサ回路。
【請求項３】
Ｐ型カレントミラー回路の基準電流を与える電力モニタ用回路が、信号変換回路の両方の出力差動信号のそれぞれ一方を入力電力としてモニタする２つのバイポーラトランジスタからなることを特徴とする請求項１に記載のミクサ回路。
【請求項４】
Ｐ型カレントミラー回路の基準電流を与える電力モニタ用回路が、信号変換回路の出力差動信号を入力電力とする差動増幅回路からなることを特徴とする請求項１に記載のミクサ回路。
【請求項５】
Ｐ型カレントミラー回路の基準電流を与える電力モニタ用回路が、信号変換回路の入力差動信号の一方を入力電力としてモニタする１つのバイポーラトランジスタからなることを特徴とする請求項１に記載のミクサ回路。
【請求項６】
定電流源をさらに備え、Ｐ型カレントミラー回路の出力電流と上記定電流源の出力電流の和をバイアス用バイポーラトランジスタの基準電流とすることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載のミクサ回路。
【請求項７】
定電流源をさらに備え、Ｐ型カレントミラー回路の出力電流と上記定電流源の出力電流の差をバイアス用バイポーラトランジスタの基準電流とすることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載のミクサ回路。
【請求項８】
バイアス用バイポーラトランジスタのためのベース電流補償用バイポーラトランジスタをさらに備えたことを特徴とする請求項１から７までのいずれか１項に記載のミクサ回路。
【請求項９】
入力用バイポーラトランジスタ対のエミッタ端子に接続されたバイポーラトランジスタを電界効果トランジスタに置き換えたことを特徴とする請求項１から８までのいずれか１項に記載のミクサ回路。
【請求項１０】
全てのバイポーラトランジスタを電界効果トランジスタに置き換えたことを特徴とする請求項１から８までのいずれか１項に記載のミクサ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、通信衛星、地上波マイクロ波通信、移動体通信等において使用されるミクサ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にＢＪＴ、ＨＢＴ等のＮＰＮバイポーラトランジスタを使用いているミクサ回路においては、出力振幅を安定化させるために、対になるトランジスタに流れる電流が一定となる定電流バイアス回路が用いられている(例えば特許文献１参照)。しかしながら、定電流バイアス回路を用いた場合、大電力の高周波信号もしくは中間周波信号が入力されると、トランジスタの非線形特性により飽和特性が劣化することがある。したがって、大電力入力時のトランジスタの飽和特性を補償するバイアス回路が必要である。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１９０３５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のミクサ回路は以上のように、大電力入力時にバイポーラトランジスタの非線形性により入力電圧に対して出力電圧が比例しなくなり、飽和特性の劣化が生じるなどの課題があった。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、信号入力用バイポーラトランジスタ対に入力される信号が大信号である場合でも、信号入力用バイポーラトランジスタ対のコレクタ電流の降下を抑制して、高飽和特性を実現することができるミクサ回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、中間周波又は高周波の差動信号を入力する入力用バイポーラトランジスタ対と、局部発振波の差動信号を用い上記入力用バイポーラトランジスタ対により入力された中間周波又は高周波の差動信号を高周波又は中間周波の差動信号に変換する信号変換回路と、上記入力用バイポーラトランジスタ対のエミッタ端子に接続されたバイポーラトランジスタと、上記バイポーラトランジスタとカレントミラーを構成するバイアス用バイポーラトランジスタと、上記信号変換回路の出力差動信号又は入力差動信号を入力電力としてモニタする電力モニタ用回路と、上記電力モニタ用回路の出力電流を基準電流とするＰ型カレントミラー回路と、を備え、上記Ｐ型カレントミラー回路の出力電流が上記バイアス用バイポーラトランジスタの基準電流であることを特徴とするミクサ回路にある。
【発明の効果】
【０００７】
この発明では、バイアス用バイポーラトランジスタとこのトランジスタのコレクタ電流を補償する電流制御回路を設け、バイアス用バイポーラトランジスタのコレクタ電流の補償量に応じた電流を供給することで高飽和特性のミクサ回路が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
この発明によるミクサ回路の説明の前に従来の上述の特許文献１のミクサ回路を図９に従って説明する。図９のミクサ回路は、高周波(ＲＦ)信号入力端子１５８，１６０、局発(ＬＯ)信号入力端子１３２，１３４、中間周波(ＩＦ)信号出力端子１４２，１４４、ＲＦ信号入力用バイポーラトランジスタ１２０，１２２、ＬＯ信号入力用バイポーラトランジスタ１１２，１１４，１１６，１１８、コレクタバイアス用印加抵抗１４６，１４８、
入力のダイナミックレンジを拡大するフィードバック抵抗１５２、ＲＦ信号入力用バイポーラトランジスタ１２０，１２２に直流バイアス電流を供給するためのバイアス回路１５６を備える。
【０００９】
ＲＦ信号入力端子１５８，１６０から入力された差動信号は、ＲＦ信号入力用バイポーラトランジスタ１２０、１２２に入力される。またＬＯ信号入力端子１３２，１３４から入力された差動信号はＬＯ信号入力用バイポーラトランジスタ１１２，１１４，１１６，１１８に入力される。ＩＦ信号出力端子１４２及び１４４からはＲＦ信号とＬＯ信号の差周波信号が出力される。電流バイアス回路１５６は定電流をＲＦ信号入力用バイポーラトランジスタ１２０、１２２に印加する。
【００１０】
ＲＦ信号入力用バイポーラトランジスタ１２０，１２２が小信号で動作している場合、前記トランジスタのコレクタ電流Ｉｃは、Ｖｉｎ・Ｉ０／(４ＶＴ)で表される。ここで、ＶｉｎはＲＦ信号入力用バイポーラトランジスタのベース電位、Ｉ０は電流バイアス回路１５６の電流、ＶＴはＲＦ信号入力用バイポーラトランジスタの熱電圧である。
【００１１】
ＲＦ信号入力用バイポーラトランジスタ１２０，１２２が大信号で動作している場合、前記トランジスタのコレクタ電流Ｉｃは、Ｉｃ＝Ｉ０／[ｅｘｐ(−Ｖｉｎ／ＶＴ)＋１］となる。すなわち、コレクタ電流は飽和することになる。
【００１２】
この発明では、バイアス用バイポーラトランジスタとこのトランジスタのコレクタ電流を補償する電流を制御する種々の回路を設け、バイアス用バイポーラトランジスタのコレクタ電流の補償量に応じた電流を供給することで高飽和特性のミクサ回路を得る。
【００１３】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるミクサ回路を示した図である。ミクサ回路はＩＦ(中間周波)信号入力端子１ａ，１ｂ、ＬＯ(局発)信号入力端子２ａ，２ｂ、ＲＦ(高周波)信号出力端子３ａ，３ｂ、コンデンサ２１，２２を介してＩＦ信号入力端子１ａ，１ｂが接続されたＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂ、ＬＯ信号入力用バイポーラトランジスタ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ(信号変換回路)、負荷抵抗６ａ，６ｂ、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂに直流バイアスを供給するためのバイポーラトランジスタ７、バイポーラトランジスタ７とカレントミラーを構成するバイアス用バイポーラトランジスタ８、電源９、バイアス用バイポーラトランジスタの基準電流を与えるＰ型カレントミラー回路を構成するｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ａ，１０ｂ、ＲＦ信号出力端子３ａ，３ｂの片側３ｂにコンデンサ２３を介して接続されＰ型カレントミラー回路を構成するｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ａ，１０ｂのゲート電流(基準電流)を与えるバイポーラトランジスタ１１(電力モニタ用回路)、バイポーラトランジスタ１１に直流バイアスを与えるバイアス用印加抵抗１２からなる。トランジスタ４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，７，８，１１、さらに後述するトランジスタ１１ａ，１１ｂ，１３，１３ａ，１３ｂはＮＰＮトランジスタである。
【００１４】
回路構成を説明すると、図１の回路は主として、一対の差動増幅器を含む上側回路と、もう一つの差動増幅器を含む下側回路を備える。ＬＯ発振波の差動信号を用いＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂにより入力された中間周波(又は高周波)の差動信号を高周波(又は中間周波)の差動信号に変換する信号変換回路を構成する上側の回路において、トランジスタ５ａと５ｂ、トランジスタ５ｃと５ｄがそれぞれ差動増幅器を構成する。
【００１５】
トランジスタ５ａ，５ｂのエミッタ端子は共通接続点を形成するように互いに接続され、トランジスタ５ｃ，５ｄのエミッタ端子も同様に共通接続点を形成するように互いに接続されている。これら共通接続点は下側回路のトランジスタ４ａ，４ｂのコレクタ端子にそれぞれ接続されている。トランジスタ５ａ，５ｄのベース端子は相互接続されて入力端子２ａに接続されており、トランジスタ５ｂ，５ｃのベース端子も相互接続されて入力端子２ｂに接続されている。
【００１６】
トランジスタ５ａ，５ｃのコレクタ端子は相互接続され、トランジスタ５ｂ，５ｄのコレクタ端子も同様に相互接続されて、それぞれ出力端子３ａ，３ｂのいずれか一方、及び負荷抵抗６ａ，６ｂの各々の一端のいずれか一方にそれぞれに接続されている。これら負荷抵抗６ａ，６ｂの各々の他端は相互接続され、電源９が接続された電源線３１に接続されている。
【００１７】
トランジスタ４ａ，４ｂのエミッタ端子は相互接続されてトランジスタ７のコレクタ端子に接続されている。トランジスタ４ａ，４ｂのベース端子はコンデンサ２１，２２を介して入力端子１ａ，１ｂにそれぞれ接続されている。
【００１８】
カレントミラーを構成するトランジスタ７，８のベース端子は相互接続され、さらにトランジスタ８のコレクタ端子に接続されている。トランジスタ７，８のエミッタ端子は接地されている。
【００１９】
カレントミラーを構成するＭＯＳＦＥＴ１０ａ，１０ｂのゲート端子は相互接続され、さらにＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子とトランジスタ１１のコレクタ端子に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１０ａ，１０ｂのドレイン端子は共に電源線３１に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子はトランジスタ８のコレクタ端子に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのソース端子はトランジスタ１１のコレクタ端子に接続されている。そしてＰ型カレントミラー回路の基準電流を与える電力モニタ用回路を構成するトランジスタ１１のベース端子はコンデンサ２３を介して出力端子３ｂと、抵抗１２を介して電源線３１に接続され、エミッタ端子は接地されている。
【００２０】
次に動作について説明する。ＩＦ信号入力端子１ａ，１ｂから入力された差動信号は、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂに入力される。またＬＯ信号入力端子２ａ，２ｂから入力された差動信号はＬＯ信号入力用バイポーラトランジスタ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄに入力される。ＲＦ信号出力端子３ａ及び３ｂからはＩＦ信号とＬＯ信号の和及び差周波信号が出力される。
【００２１】
ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂが小信号で動作している場合、バイポーラトランジスタ１１のコレクタ電流はＩＳ・ｅｘｐ(ＶＢＥ／ＶＴ)となる。このとき、ｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ａ，１０ｂで構成されるカレントミラー回路とバイポーラトランジスタ７，８で構成されるカレントミラー回路の電流帰還率をβとすると、トランジスタ７のコレクタ電流Ｉ０は、β・ＩＳ・ｅｘｐ(ＶＢＥ／ＶＴ)と表される。ただし、ＶＢＥはトランジスタ１１のベース電位、ＩＳは逆方向コレクタ飽和電流、ＶＴは熱電圧である。この時、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂのコレクタ電流は、Ｖｉｎ・β・ＩＳ・ｅｘｐ(ＶＢＥ／ＶＴ)／(４ＶＴ)で表される(Ｖｉｎは入力端子の入力電圧)。
【００２２】
ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂが大信号で動作している場合、バイポーラトランジスタ１１のコレクタ電流はＩＳ・ｅｘｐ{(ＶＢＥ＋Ｖｏｕｔ)／ＶＴ}となる。よって、トランジスタ７のコレクタ電流Ｉ０は、β・ＩＳ・ｅｘｐ{(ＶＢＥ＋Ｖｏｕｔ)／ＶＴ}である。ただし、ＶｏｕｔはＲＦ信号出力端子３ａ，３ｂの電圧振幅である。このとき、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂのコレクタ電流は、
β・ＩＳ・ｅｘｐ{(ＶＢＥ＋Ｖｏｕｔ)／ＶＴ}／{ｅｘｐ(−Ｖｉｎ／ＶＴ)＋１}で表される。入力振幅を増加させるとｅｘｐ(−Ｖｉｎ／ＶＴ)＋１は１に近づく一方、出力振幅Ｖｏｕｔも飽和することからｅｘｐ{(ＶＢＥ＋Ｖｏｕｔ)／ＶＴ}も定数に近づく。よって、電流帰還率βを適当に設定することにより、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂのコレクタ電流を安定させることが可能となる。
【００２３】
図２はこの発明の実施の形態１によるミクサ回路のコレクタ電流と利得の出力電力依存性を従来と比較して示す図である。(ａ)がコレクタ電流、(ｂ)が利得を示し、それぞれＡがこの発明のミクサ回路、Ｂが従来のミクサ回路を示す。従来の回路では、高出力電力時にコレクタ電流が減少し、それに伴い利得も低下する。一方、この発明のバイアス回路を適用することによって、高出力電力時のコレクタ電流の減少量が抑圧され、利得の低下量も低減する。
【００２４】
以上より、この発明によるミクサにおいては、大信号動作時にもコレクタ電流を補償しベース電位の降下を抑制することが可能となるため、高飽和特性を実現することが可能となる。
【００２５】
実施の形態２．
図３はこの発明の実施の形態２によるミクサ回路を示した図である。上記の実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し、説明を省略する。図３のミクサ回路では、電力モニタ用回路として、ｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのゲート電流を与える２つのバイポーラトランジスタ１１ａ，１１ｂを設け、ＲＦ信号出力端子３ａ，３ｂの両側に接続した。
【００２６】
バイポーラトランジスタ１１ａ，１１ｂのベース端子はコンデンサ２３，２４を介してＲＦ信号出力端子３ａ，３ｂにそれぞれ接続され、コレクタ端子はｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのゲート端子及びソース端子に共通に接続され、エミッタ端子は接地されている。このような構成にしても、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂのコレクタ電流を安定させることができ、ミクサ回路の高飽和特性を実現することが可能となる。
【００２７】
実施の形態３．
図４はこの発明の実施の形態３によるミクサ回路を示した図である。上記の実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し、説明を省略する。図４のミクサ回路では、ｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのゲート電流を、ＲＦ信号出力端子３ａ，３ｂに接続された差動増幅回路のコレクタ電流とした。すなわち電力モニタ用回路は差動増幅器(回路)からなる。
【００２８】
バイポーラトランジスタ１１ａ，１１ｂのエミッタ端子は相互接続されて接地され、ベース端子はコンデンサ２３，２４を介して負荷抵抗６ａ，６ｂの一端にそれぞれ接続され、コレクタ端子はＲＦ信号出力端子３ａ，３ｂ及び負荷抵抗１２ａ，１２ｂの一端にそれぞれに接続され、負荷抵抗６ａ，６ｂの他端は相互接続されてｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ｂのゲート端子及びソース端子に共通に接続されている。このような構成にしても、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ４ａ，４ｂのコレクタ電流を安定させることができ、ミクサ回路の高飽和特性を実現することが可能となる。
【００２９】
実施の形態４．
図５はこの発明の実施の形態４によるミクサ回路を示した図である。上記の実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し、説明を省略する。図５のミクサ回路では、バイアス用バイポーラトランジスタ８のベース電流に、定電流源３２の電流を加えるようにした。定電流源３２はバイアス用バイポーラトランジスタ８のコレクタ端子及びベース端子に接続されている。このような構成にしても、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ４ａ，４ｂのコレクタ電流を安定させることができ、ミクサ回路の高飽和特性を実現することが可能となる。なお、定電流源は例えば電圧源に高抵抗を接続した構成でもよいし、バンドギャップ回路でもよい。
【００３０】
実施の形態５．
図６はこの発明の実施の形態５によるミクサ回路を示した図である。上記の実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し、説明を省略する。図６のミクサ回路では、バイアス用バイポーラトランジスタ８のベース電流から、バイポーラトランジスタ１３ａ，１３ｂで構成されるカレントミラー回路を用いて定電流源３２の電流を差し引くように構成した。
【００３１】
カレントミラー回路を構成するバイポーラトランジスタ１３ａ，１３ｂのベース端子は相互接続されてバイポーラトランジスタ１３ａの定電流源３２が接続されているコレクタ端子に接続され、エミッタ端子はそれぞれ接地されている。バイポーラトランジスタ１３ｂのコレクタ端子はバイアス用バイポーラトランジスタ８のコレクタ端子とベース端子及びｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子に接続されている。このような構成にしても、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ４ａ，４ｂのコレクタ電流を安定させることができ、ミクサ回路の高飽和特性を実現することが可能となる。なお、定電流源は例えば電圧源に高抵抗を接続した構成でもよいし、バンドギャップ回路でもよい。
【００３２】
実施の形態６．
図７はこの発明の実施の形態６によるミクサ回路を示した図である。上記の実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し、説明を省略する。図７のミクサ回路では、ｐ−ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート電流を与えるバイポーラトランジスタ１１を、ＩＦ信号入力端子１ａ，１ｂの片側又は両側に接続するように構成した。
【００３３】
図７では、バイポーラトランジスタ１１のコレクタ端子はｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子及びゲート端子に接続され、ベース端子はコンデンサ２３を介してＩＦ信号入力端子１ａに接続され、エミッタ端子は接地されている。このような電力モニタ用回路を構成するバイポーラトランジスタ１１とコンデンサ２３からなる回路は、ＩＦ信号入力端子１ｂ側に設けてもよく、さらにＩＦ信号入力端子１ａ，１ｂの双方の側に設けてもよい。このような構成にしても、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ４ａ，４ｂのコレクタ電流を安定させることができ、ミクサ回路の高飽和特性を実現することが可能となる。
【００３４】
実施の形態７．
図８はこの発明の実施の形態７によるミクサ回路を示した図である。上記の実施の形態と同一もしくは相当部分は同一符号で示し、説明を省略する。図８のミクサ回路では、バイアス用バイポーラトランジスタ８のベース電流に、ベース電流補償用のバイポーラトランジスタ１３を接続した。
【００３５】
バイポーラトランジスタ１３のコレクタ端子は電源線３１に接続され、ベース端子はバイアス用バイポーラトランジスタ８のコレクタ端子とベース端子及びｐ−ＭＯＳＦＥＴ１０ａのソース端子に接続され、エミッタ端子はバイアス用バイポーラトランジスタ８のベース端子に接続されている。このような構成にしても、ＩＦ信号入力用バイポーラトランジスタ４ａ，４ｂのコレクタ電流を安定させることができ、ミクサ回路の高飽和特性を実現することが可能となる。
【００３６】
さらに上述の各実施の形態では、ＩＦ信号を入力してＲＦ信号を出力する回路として説明したが、ＩＦ信号入力端子をＲＦ信号入力端子に、ＲＦ信号出力端子をＩＦ信号出力端子として、ＲＦ信号を入力してＩＦ信号を出力する回路として構成しても実施可能であり、同様の効果が得られる。
【００３７】
さらに、各カレントミラー回路はこれに限らず、ウィルソン形ミラー回路又はワイドラー形ミラー回路で構成してもよい。
【００３８】
さらに、バイポーラトランジスタの一部もしくは全てを電界効果型トランジスタに置き換えてもよい。例えば、入力用バイポーラトランジスタ対４ａ，４ｂのエミッタ端子に接続されたバイポーラトランジスタ７を電界効果トランジスタに置き換えてもよい。
【００３９】
さらに、電界効果型トランジスタの一部又は全てをバイポーラトランジスタに置き換えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の実施の形態１によるミクサ回路を示した図である。
【図２】この発明によるミクサ回路の特性を説明するための図である。
【図３】この発明の実施の形態２によるミクサ回路を示した図である。
【図４】この発明の実施の形態３によるミクサ回路を示した図である。
【図５】この発明の実施の形態４によるミクサ回路を示した図である。
【図６】この発明の実施の形態５によるミクサ回路を示した図である。
【図７】この発明の実施の形態６によるミクサ回路を示した図である。
【図８】この発明の実施の形態７によるミクサ回路を示した図である。
【図９】ミクサ回路の一般的な構成を示した図である。
【符号の説明】
【００４１】
１ａ，１ｂ  ＩＦ信号入力端子、２ａ，２ｂ  ＬＯ信号入力端子、３ａ，３ｂ  ＲＦ出力端子、４ａ，４ｂ  ＦＩ信号入力用バイポーラトランジスタ(対)、５ａ〜５ｄ  ＬＯ信号入力用バイポーラトランジスタ(信号変換回路)、６ａ，６ｂ  負荷抵抗、７  バイポーラトランジスタ、８  バイアス用バイポーラトランジスタ、９  電源、１０ａ，１０ｂ  ｐ−ＭＯＳＦＥＴ(Ｐ型カレントミラー回路)、１１，１１ａ，１１ｂ  バイポーラトランジスタ(電力モニタ用回路)、１２  バイアス用印加抵抗、１２ａ，１２ｂ  負荷抵抗、１３  ベース電流補償用バイポーラトランジスタ、１３ａ，１３ｂ  バイポーラトランジスタ(カレントミラー回路)、２１，２２，２３，２４  コンデンサ、３１  電源線、３２  定電流源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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