(57)【要約】【課題】磁区壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】複数の磁区を持つ磁性層を備える磁区壁移動を利用した情報保存装置において、磁性層は、磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とを備えるが、磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とは交互に配置され、磁気異方性エネルギーが小さい領域は、不純物イオンがドーピングされた領域であることを特徴とする情報保存装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の磁区を持つ磁性層を備える磁区壁移動を利用した情報保存装置において、
前記磁性層は、磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とを備えるが、
前記磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とは交互に配置され、
前記磁気異方性エネルギーが小さい領域は、不純物イオンがドーピングされた領域であることを特徴とする情報保存装置。
【請求項２】
前記磁性層に磁区壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の情報保存装置。
【請求項３】
前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及びＧａ＋のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の情報保存装置。
【請求項４】
前記磁気異方性エネルギーが小さい領域は複数あり、等間隔で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の情報保存装置。
【請求項５】
前記磁気異方性エネルギーが小さい領域の間隔は、５〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の情報保存装置。
【請求項６】
前記磁気異方性エネルギーが小さい領域の幅は、２〜２５０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の情報保存装置。
【請求項７】
前記磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＰｔのうち少なくとも一つを含む物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の情報保存装置。
【請求項８】
前記磁性層は、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｕ、ＣｏＰｔ、ＣｏＴｂ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＦｅＴｂ、ＣｏＦｅＧｄ及びＣｏＦｅＮｉで構成されたグループから選択されるいずれか一つで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の情報保存装置。
【請求項９】
複数の磁区を持つ磁性層を備える磁区壁移動を利用した情報保存装置の製造方法において、
磁性層を形成する工程と、
前記磁性層を覆う樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層に、前記磁性層を露出させる複数のグルーブを形成する工程と、
前記露出された磁性層に不純物イオンをドーピングする工程と、を含むことを特徴とする情報保存装置の製造方法。
【請求項１０】
前記磁性層で前記不純物イオンがドーピングされた部分は、残りの部分より磁気異方性エネルギーが小さいことを特徴とする請求項９に記載の情報保存装置の製造方法。
【請求項１１】
前記グルーブはナノインプリント法で形成することを特徴とする請求項９に記載の情報保存装置の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂層に前記複数のグルーブを形成する工程は、
前記樹脂層を複数の下方突出部を持つマスタースタンプでインプリントする工程と、
前記マスタースタンプを除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項９に記載の情報保存装置の製造方法。
【請求項１３】
前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及びＧａ＋のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項９に記載の情報保存装置の製造方法。
【請求項１４】
前記グルーブは等間隔で配置されたことを特徴とする請求項９に記載の情報保存装置の製造方法。
【請求項１５】
前記グルーブの間隔は５〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項９に記載の情報保存装置の製造方法。
【請求項１６】
前記グルーブの幅は２〜２５０ｎｍであることを特徴とする請求項９に記載の情報保存装置の製造方法。
【請求項１７】
前記磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＰｔのうち少なくとも一つを含む物質で形成されたことを特徴とする請求項９に記載の情報保存装置の製造方法。
【請求項１８】
前記磁性層は、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｕ、ＣｏＰｔ、ＣｏＴｂ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＦｅＴｂ、ＣｏＦｅＧｄ及びＣｏＦｅＮｉで構成されたグループから選択されるいずれか一つで形成することを特徴とする請求項９に記載の情報保存装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報保存装置及びその製造方法に係り、より詳細には、磁区壁移動を利用する情報保存装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的なＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）は、ディスク形態の磁気記録媒体を回転させつつ、その上に読み出し／書き込みヘッドを浮上させて情報を読み出し／書き込みする装置である。このようなＨＤＤは、１００ＧＢ（ｇｉｇａｂｙｔｅｓ）以上の多くのデータを保存できる不揮発性情報保存装置であって、主にコンピュータの主保存装置として利用されてきた。
【０００３】
しかし、ＨＤＤは、その内部に多くの動く機械システムを備える。これらはＨＤＤが移動されるか衝撃を受ければ多様な機械的な故障を誘発し、したがって、ＨＤＤの移動性及び信頼性を低下させる。また、前記機械システムはＨＤＤの製造複雑性及びコストを増大させ、消費電力を増加させ、かつノイズを誘発する。特に、ＨＤＤを小型化する時に前記製造複雑性及びコストの増大問題はさらに大きくなる。
【０００４】
これに対し、最近では動く機械システムを備えずにＨＤＤのように大量のデータを保存できる新たな保存装置の開発のための研究が行われている。前記新たな保存装置の一例として、磁性物質の磁区壁移動原理を利用した情報保存装置が提案された。
【０００５】
磁性体を構成する磁気的な微小領域を磁気区域（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｏｍａｉｎ；以下、磁区という）という。このような磁区内では磁気モーメントの方向が同一である。磁区のサイズ及び磁化方向は、磁性材料の物性、形態、サイズ及び外部のエネルギーにより適切に制御されうる。磁区壁は、相異なる磁化方向を持つ磁区の境界部分であって所定の体積を持ち、磁性材料に印加される電流または磁場により移動されうる。
【０００６】
前記磁区壁の移動原理を情報保存装置に適用すれば、磁区壁移動により磁区が固定された読み出し／書き込みヘッドを通過させることによって、記録媒体の回転なしに読み出し／書き込みが可能である。したがって、磁区壁移動原理が適用された情報保存装置は動く機械システムを備えないために移動性及び信頼性に優れ、製造が容易で消費電力が少ないという利点がある。
【０００７】
しかし、磁区壁移動を利用した情報保存装置はまだ開発初期段階にあり、その実用化のためには、いくつかの問題点が解決されねばならない。重要な問題点のうち一つは磁区壁のビット単位移動の安定性と関連する。磁区壁のビット単位移動の安定性を確保するための方法として、磁性層にノッチを形成する方法が知られている。臨界値以上の電流パルスにより移動し始めた磁区壁は、ノッチでピニング（ｐｉｎｎｉｎｇ）できる。したがって、規則的に形成された複数のノッチにより磁区壁が１ビット単位で移動しうる。またノッチにより磁区壁が安定的にピニングしているので、磁性層に保存されたデータが長期間保存されうる。
【０００８】
しかし、数十ｎｍ程度の幅を持つ磁性層に微細なサイズのノッチを形成することは現実的に非常に困難である。情報保存装置が高密度化されるに従って磁性層の幅が数十ｎｍ以下に狭くなれば、ノッチのサイズも小さくならねばならない。例えば、５０ｎｍ程度の幅を持つ磁性層の両側面にノッチを形成する場合、前記ノッチは、前記磁性層の幅の１／３である１５ｎｍ程度の幅で形成することが望ましい。ところが、現在の露光及びエッチング技術ではこのように微細なノッチを具現し難い。特に、微細なノッチを均一な間隔、サイズ及び形態を持つように形成することはさらに難しい。もし、ノッチの間隔、サイズ及び形態が不均一であれば、それにより磁区壁をピニングさせる磁場の強度、すなわち、ピニング磁場の強度が変わるために情報保存装置の信頼性が低くなる。したがって、ノッチを利用する従来技術では記録密度及び信頼性の高い情報保存装置を具現し難い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した従来技術の問題点を改善するためのものであり、ノッチの形成による工程の難しさ及び素子特性の均一性低下の問題点が防止され、磁区壁のビット単位移動の安定性が確保された情報保存装置を提供するところにある。
【００１０】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記情報保存装置の製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記技術的課題を解決するために、本発明は、複数の磁区を持つ磁性層を備える磁区壁移動を利用した情報保存装置において、前記磁性層は、磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とを備えるが、前記磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とは交互に配置され、前記磁気異方性エネルギーが小さい領域は、不純物イオンがドーピングされた領域であることを特徴とする情報保存装置を提供する。
【００１２】
前記情報保存装置は、前記磁性層に磁区壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える。
【００１３】
前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及びＧａ＋のうち少なくとも一つである。
【００１４】
前記磁気異方性エネルギーが小さい領域は複数あり、等間隔で形成されている。
【００１５】
前記磁気異方性エネルギーが小さい領域の間隔は、５〜１０００ｎｍである。
【００１６】
前記磁気異方性エネルギーが小さい領域の幅は、２〜２５０ｎｍである。
【００１７】
前記磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＰｔのうち少なくとも一つを含む物質で形成されている。
【００１８】
前記磁性層は、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｕ、ＣｏＰｔ、ＣｏＴｂ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＦｅＴｂ、ＣｏＦｅＧｄ及びＣｏＦｅＮｉで構成されたグループから選択されるいずれか一つで形成されている。
【００１９】
前記他の技術的課題を達成するために、本発明は、複数の磁区を持つ磁性層を備える磁区壁移動を利用した情報保存装置の製造方法において、磁性層を形成する工程と、前記磁性層を覆う樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層に、前記磁性層を露出させる複数のグルーブを形成する工程と、前記露出された磁性層に不純物イオンをドーピングする工程と、を含むことを特徴とする情報保存装置の製造方法を提供する。
【００２０】
前記磁性層で前記不純物イオンがドーピングされた部分は、残りの部分より磁気異方性エネルギーが小さい。
【００２１】
前記グルーブはナノインプリント法で形成する。
【００２２】
前記樹脂層に前記複数のグルーブを形成する工程は、前記樹脂層を複数の下方突出部を持つマスタースタンプでインプリントする工程と、前記マスタースタンプを除去する工程と、を含む。
【００２３】
前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及びＧａ＋のうち少なくとも一つである。
【００２４】
前記グルーブは等間隔で配置されている。
【００２５】
前記グルーブの間隔は５〜１０００ｎｍである。
【００２６】
前記グルーブの幅は２〜２５０ｎｍである。
【００２７】
前記磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＰｔのうち少なくとも一つを含む物質で形成されている。
【００２８】
前記磁性層は、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｕ、ＣｏＰｔ、ＣｏＴｂ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＦｅＴｂ、ＣｏＦｅＧｄ及びＣｏＦｅＮｉで構成されたグループから選択されるいずれか一つで形成する。
【発明の効果】
【００２９】
本発明では、ナノインプリント及びイオン注入で磁性層１００の局所領域の物性を変化させることによって、微細かつ均一なピニング地点が形成できる。したがって、本発明によれば、従来のノッチ形成による工程の難しさ及び素子特性の均一性低下の問題点なしに記録密度及び信頼性の高い情報保存装置を具現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を、添付された図面を参照して詳細に説明する。この過程で図面に図示された層や領域の厚さは、明細書の明確性のために多少誇張して図示されたものである。
【００３１】
図１は、本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置（以下、本発明の情報保存装置）を示す。
【００３２】
図１を参照すれば、本発明の情報保存装置は、基板（図示せず）上に形成されて複数の磁区を持つ磁性層１００を備える。磁性層１００は、データが保存される保存トラックでありうる。磁性層１００は、交互に配置された第１及び第２領域８０、９０を備える。磁性層１００は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＰｔのうち少なくとも一つを含む物質、例えば、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｕ、ＣｏＰｔ、ＣｏＴｂ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＦｅＴｂ、ＣｏＦｅＧｄ及びＣｏＦｅＮｉのうち一つで形成できるが、第２領域９０は、不純物イオンが選択的にドーピングされた領域でありうる。前記不純物イオンは、Ｈｅ＋及び／またはＧａ＋でありうる。このような不純物イオンがドーピングされれば、磁性層１００を構成する磁性粒子間の磁気カップリング効果が減少して磁気異方性エネルギーが減少する。
【００３３】
第２領域９０での磁区壁のスピン交換エネルギーは、第１領域８０での磁区壁のスピン交換エネルギーより小さい。したがって、磁区壁は、第１領域８０より第２領域９０で安定したエネルギー状態を持つ。したがって、磁性層１００内で移動し始めた磁区壁は、第２領域９０でピニングされる。
【００３４】
磁区壁のエネルギーは磁気異方性エネルギーの二乗に比例するので、磁区壁は磁気異方性エネルギー密度が低い領域で安定的なエネルギー状態を有する。第２領域９０の磁気異方性エネルギー密度が第１領域８０の磁気異方性エネルギー密度より低いので、磁区壁は第１領域８０よりも第２領域９０で安定的なエネルギー状態を有する。従って、磁性層１００に印加されるパルス電流によって磁性層１００内で移動し始めた磁区壁は第１領域８０を通過した後、第２領域９０でピニング(pinning)されうる。すなわち、第２領域９０は磁区壁のピニング地点(pinning site)として使用できる。このような第２領域９０のピニング特性のために、第２領域９０と第１領域８０の磁気異方性エネルギー密度の差は大きいほど望ましい。しかし、第２領域９０と第１領域８０の磁気異方性エネルギー密度の差が数erg/cc程度に小さいとしても、相対的に小さい磁気異方性エネルギー密度を有する第２領域９０で磁区壁は容易にピニングできる。
【００３５】
第１領域８０と第２領域９０は一般的な軟磁性または強磁性物質が有する磁気異方性エネルギー密度を有することができ、それらの磁気異方性エネルギー密度の差は少なくとも数erg/cc程度でありうる。
【００３６】
磁性層１００の一端Ｅ１及び他端Ｅ２に第１及び第２導電線Ｃ１、Ｃ２が形成されている。第１及び第２導電線Ｃ１、Ｃ２は、トランジスタまたはダイオードのような駆動素子（図示せず）と連結されていてもよい。第１及び第２導電線Ｃ１、Ｃ２を通じて磁性層１００に磁区壁移動のための所定のエネルギー、すなわち、電流を印加できるが、前記電流の方向によって磁区壁の移動方向が決定される。磁区壁は電子の移動方向に移動するために、磁区壁の移動方向は前記電流の方向と逆である。
【００３７】
磁性層１００の所定領域上に磁性層１００にデータを記録するための書き込み手段２００と、磁性層１００に記録されたデータを再生するための読み出し手段３００とが形成されている。書き込み手段２００及び読み出し手段３００は、磁気記録方式の情報保存装置で一般的に使われるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）ヘッドであるか、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）ヘッドでありうる。図示していないが、書き込み手段２００が形成された磁性層１００の下面には絶縁層及び／または電極層がさらに備えられうる。書き込み手段２００及び読み出し手段３００の構造は、ＴＭＲまたはＧＭＲヘッド構造に限定されずに多様に変形できる。例えば、他の構造を持つ書き込み手段は、磁性層１００の一端Ｅ１の一側面に付着されたものであり、互いに逆方向に磁化された第１及び第２磁区を持つ書き込みトラックでありうる。前記書き込みトラック内で、前記第１または第２磁区を磁性層１００との接合部まで拡張させ、磁性層１００で前記書き込みトラックに磁区壁移動のための電流を印加すれば、磁性層１００の一端Ｅ１に前記第１または第２磁区に対応するデータを記録できる。
【００３８】
第１及び第２導電線Ｃ１、Ｃ２を通じて磁性層１００に所定の電流を印加して磁区壁をビット単位で移動させつつ、書き込み手段２００に書き込み電流を印加して磁性層１００にデータを記録するか、読み出し手段３００に読み出し電流を印加して磁性層１００に記録されたデータを再生する。
【００３９】
本発明の情報保存装置では、磁気異方性エネルギーの小さい第２領域９０が磁区壁のピニング地点であるために、前記磁区壁のビット単位移動が可能であり、磁性層１００に記録されたデータの安定した保存が可能である。
【００４０】
図２Ａないし図２Ｉは、本発明の情報保存装置に備えられる磁性層１００を形成する方法を工程別に示す。図２Ａないし図２Ｅは、マスタースタンプの形成方法を示し、図２Ｆないし図２Ｉは、前記マスタースタンプを利用した磁性層１００の形成方法を示す。
【００４１】
図２Ａを参照すれば、モールディングプレート１０上に感光膜を塗布し、前記感光膜を所定の方法、例えば、電子ビームリソグラフィーのような方法でパターニングする。パターニングされた感光膜２０には複数の第１溝Ｈ１が形成されるが、第１溝Ｈ１の側面は傾斜面でありうる。
【００４２】
図２Ｂを参照すれば、パターニングされた感光膜２０及びその下のモールディングプレート１０を全面エッチングする。
【００４３】
この時、パターニングされた感光膜２０の厚さの薄い部分下のモールディングプレート１０が深くエッチングされる。図２Ｃは前記全面エッチングの結果を示す。
【００４４】
図２Ｃを参照すれば、前記全面エッチングによりパターニングされた感光膜２０は除去され、モールディングプレート１０にナノサイズの第２溝Ｈ２が形成される。第２溝Ｈ２の幅は下へ行くほど多少小さくなるが、これは、前記全面エッチング時にモールディングプレート１０が傾斜エッチングされるためである。第２溝Ｈ２の側面の傾斜角はエッチング条件によって調節できる。
【００４５】
図２Ｄを参照すれば、前記第２溝Ｈ２を埋め込むようにモールディングプレート１０上にスタンプ層３０を形成する。
【００４６】
図２Ｅを参照すれば、スタンプ層３０をモールディングプレート１０から分離する。前記分離されたスタンプ層３０は以下マスタースタンプ３０と称する。
【００４７】
図２Ｆを参照すれば、基板４０上に磁性層１００を形成し、磁性層１００を覆うように基板４０上に樹脂層５０を形成する。次いで、図２Ａないし図２Ｅの過程を通じて製造したマスタースタンプ３０を樹脂層５０上に位置させる。
【００４８】
図２Ｇを参照すれば、マスタースタンプ３０で樹脂層５０をインプリントして樹脂層５０をナノスケールでパターニングする。その結果、樹脂層５０に複数のグルーブＧが形成される。
【００４９】
図２Ｈを参照すれば、樹脂層５０からマスタースタンプ３０を分離する。樹脂層５０からマスタースタンプ３０を分離した時、グルーブＧの下面に樹脂層５０の一部が残留される恐れもある。この場合、グルーブＧの下面に残留した樹脂層５０は、プラズマアッシングのような方法で除去できる。一度製作されたマスタースタンプ３０は数回反復して使用できる。このようなナノインプリントは工程が単純で経済的であるために量産に適している。
【００５０】
図２Ｉを参照すれば、グルーブＧが形成された樹脂層５０をイオン注入マスクとして利用して、露出された磁性層１００にＨｅ＋またはＧａ＋のような不純物イオンをドーピングする。その結果、磁性層１００にドーピングされた領域９０が形成される。ドーピングされた領域９０は、図１を参照して説明した第２領域９０と同一である。磁性層１００でドーピングされた領域９０を除外した残りの領域は、図１を参照して説明した第１領域８０と同一である。
【００５１】
以後、図示していないが、樹脂層５０を除去した後、磁性層１００の所定領域上に書き込み手段及び読み出し手段を形成できる。これにより、ドーピングされた領域９０を持つ磁性層１００を備える本発明の情報保存装置を製造できる。
【００５２】
このように本発明では、磁性層１００に幾何学的な変形を加えずにイオン注入方法で磁性層１００の局所領域の物性を変化させることによって、ピニング地点を形成する。このような本発明を利用すれば、磁性層１００に微細なピニング地点を均一に形成できる。したがって、本発明によれば、磁区壁移動を利用した情報保存装置の記録密度及び信頼性を高めることができる。
【００５３】
一方、マスタースタンプ３０を利用したナノインプリント法ではない他の方法でもグルーブＧを形成できる。例えば、樹脂層５０をマスタースタンプ３０でインプリントする代わりに、電子ビームリソグラフィー、紫外線またはレーザーの干渉を利用したリソグラフィー、またはナノ粒子を利用したナノ球リソグラフィーを利用してエッチングしてグルーブＧを形成できる。
【００５４】
図３は、本発明の方法で形成したサンプル磁性層１００ａに外部磁場を印加してサンプル磁性層１００ａ内の磁区壁ＤＷを移動させる時、経時的な磁区壁ＤＷの位置変化を示すシミュレーション結果である。サンプル磁性層１００ａは、バー形状であって互いに逆方向に磁化された二つの磁区を備え、前記磁区間に磁区壁ＤＷを持つ。サンプル磁性層１００ａの幅、長さ及び厚さはそれぞれ５０ｎｍ、４３０ｎｍ及び１０ｎｍであり、サンプル磁性層１００ａの中央部にはドーピングされた領域９０が形成されている。ドーピングされた領域９０は、図１を参照して説明した第２領域９０と同一である。磁区壁ＤＷは、ドーピングされた領域９０の左側に位置しており、右側方向に印加される外部磁場Ｆによりドーピングされた領域９０に向かって移動する。図３で（ａ）ないし（ｆ）は、経時的な配列である。
【００５５】
図４は、図３のサンプル磁性層１００ａに外部磁場Ｆを印加して磁区壁ＤＷを移動させる時、経時的なサンプル磁性層１００ａの磁化量の変化を示すグラフである。図４で（ａ）、（ｅ）及び（ｆ）はそれぞれ図３の（ａ）、（ｅ）及び（ｆ）に対応する地点である。
【００５６】
図３及び図４を参照すれば、磁区壁ＤＷがドーピングされた領域９０に向かって移動するにつれて磁化量Ｍが振動しつつ減少する傾向を示し、磁区壁ＤＷがドーピングされた領域９０に到達すれば、そこでピニングされて磁化量Ｍが一定に維持されることが確認できる。これは、ドーピングされた領域９０がピニング地点であることを表す結果である。一方、磁化量Ｍが振動しつつ減少することは、磁区壁ＤＷが振動しつつ移動するためであるが、このような振動は移動する磁区壁の固有な特性である。
【００５７】
前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、これらは発明の範囲を限定するものというより、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。例えば、当業者ならば、本発明の情報保存装置で磁性層１００の構造、そして書き込み手段２００と読み出し手段３００の構造及び形成位置を多様に変形できるということが理解できるであろう。したがって、本発明の範囲は説明された実施形態によって定められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、ＨＤＤなどの情報保存装置に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置を示す斜視図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｄ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｅ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｆ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｇ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｈ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｉ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図３】本発明の方法で形成したサンプル磁性層に外部磁場を印加して磁区壁を移動させる時、経時的な磁区壁の位置変化を示すシミュレーション結果である。
【図４】図３のサンプル磁性層に外部磁場を印加して磁区壁を移動させる時、経時的なサンプル磁性層の磁化量変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６０】
８０  第１領域
９０  第２領域
１００  磁性層
２００  書き込み手段
３００  読み出し手段
Ｃ１  第１導電線
Ｃ２  第２導電線
Ｅ１  磁性層の一端
Ｅ２  磁性層の他端
【図１】
2008160079.tif 000003
【図２Ａ】
2008160079.tif 000004
【図２Ｂ】
2008160079.tif 000005
【図２Ｃ】
2008160079.tif 000006
【図２Ｄ】
2008160079.tif 000007
【図２Ｅ】
2008160079.tif 000008
【図２Ｆ】
2008160079.tif 000009
【図２Ｇ】
2008160079.tif 000010
【図２Ｈ】
2008160079.tif 000011
【図２Ｉ】
2008160079.tif 000012
【図４】
2008160079.tif 000013
【図３】
2008160079.tif 000014