(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマディスプレイ（ＰＤ）装置は、放電特性の温度依存性を低減させることによって、応答速度を改善させて放電安定性を向上させる。【解決手段】第１基板３上に形成されるアドレス電極１３と、アドレス電極１３に交差しながら第２基板１上に形成される一対の表示電極（第１表示電極および第２表示電極）、表示電極を覆いながら第２基板１に形成される誘電体層１７、誘電体層１７を覆いながら第２基板１に形成されるＭｇＯ保護層１９、第１と第２の基板３、１間に放電ガスを含むプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）と、ＰＤＰを駆動させる駆動部と、駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１乃至３.５μｓにする。【選択図】図１
2008235270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極と、前記第１表示電極および第２表示電極を覆いながら前記基板に形成される誘電体層と、前記誘電体層を覆いながら前記基板に形成されるＭｇＯ保護層と、
前記プラズマディスプレイパネルを駆動させる駆動部と、
前記駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１乃至３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部と、を含み、
温度による統計遅延時間の変化が下記の数式１を満足することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
ｙ=Ａ×ｅ-ｋｘ  …  数式１
（ここで、ｋ（単位は絶対温度（Ｋ））は範囲が２０００以下の定数であり、ｘは温度の逆数（１／Ｋ）であり、ｙは前記温度で測定した統計遅延時間（Ｔｓ）の逆数（１／ｎｓ）であり、Ａは１×１０-６乃至１×１０６の値を有する定数）。
【請求項２】
前記ｋの範囲は、０乃至１０００であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記ｋの範囲は、０乃至５００であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記維持放電パルス幅は、１乃至３.０μｓであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記維持期間は、９乃至２５μｓであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記維持期間は、１０乃至２５μｓであることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記維持期間の最初維持放電パルス幅は、２乃至７.５μｓであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記維持期間の最初維持放電パルス幅は、２乃至７μｓであることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記プラズマディスプレイパネルは、放電ガスをさらに含み、前記放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対してＸｅを５乃至３０の体積部に含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、Ｎ２、およびこれらの組み合わせで構成された群より選択されるガスを０乃至７０体積部に含むことを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
蒸着法によってＭｇＯ保護層を形成する段階を含み、
前記蒸着法によるＭｇＯ保護層形成時の蒸着雰囲気は、水分圧が２×１０-７乃至６×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓに調節されることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記蒸着雰囲気は、水分圧が２×１０-７乃至５×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓに調節されることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記蒸着雰囲気は、水分圧が２×１０-７乃至３×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓに調節されることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置、およびその製造方法に関し、より詳しくは放電特性の温度依存性を低減させることによって、応答速度を改善させ、放電安定性を向上させるプラズマディスプレイ装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、放電セル内で生じる気体放電による真空紫外線で蛍光体を励起させて画像を表示する表示装置であり、高解像度の大画面の構成が可能で、次世代薄形表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは、気体放電時に生じるプラズマから出る光を利用して、文字またはグラフィックを表示する装置であって、プラズマディスプレイパネルの放電空間に設けられた二つの電極に所定の電圧を印加し、これらの間でプラズマ放電が起こるようにし、このプラズマ放電時に発生される紫外線によって、所定のパターンで形成された蛍光体層を励起させて画像を形成する。
【０００４】
一般にプラズマディスプレイパネルは、誘電体層を保護するために、誘電体層上部に保護層を含んでいる。
【０００５】
前記保護層には、可視光線が透過し易いように透明であり、かつ誘電体層保護および２次電子放出性能に優れたＭｇＯが主に用いられ、最近は他の材料で構成される保護層の研究も行われている。
【０００６】
ここでのＭｇＯ保護層は、プラズマディスプレイパネル動作中に、放電時の放電ガスのイオン衝撃による影響を緩和できる耐スパッタリング特性を有し、イオン衝突から誘電体層を保護して２次電子の放出を通して放電電圧を下げる役割を果たす透明保護薄膜であり、５０００乃至９０００Å厚さに誘電体層を覆って形成される。
【０００７】
したがって、ＭｇＯ保護層を構成する成分と膜の特性は、放電特性に大きく影響を与えられる。
【０００８】
この時、ＭｇＯ保護層の特性は、成分と蒸着時の成膜条件に大きく依存する。
【０００９】
そのため、目的とする膜特性向上を達成できるよう、最適の成分を開発することが要求されている。
【００１０】
一方、応答速度の改善による高精細プラズマディスプレイパネルの放電安定性向上が重要な問題となっている。
【００１１】
高精細プラズマディスプレイパネルにおいては、速いスキャン速度に対応してアドレシングがもれなく進行されて、安定な放電を行うためにはより速い応答速度が要求される。
【００１２】
スキャン時間に反応する応答速度は、形成遅延時間（Ｆｏｒｍａｔｉｖｅ  ＤｅｌａｙＴｉｍｅ、Ｔｆ）と、統計遅延時間（Ｓｔａｔｉｓｔｉｃａｌ  Ｄｅｌａｙ  Ｔｉｍｅ、Ｔｓ）に区分できるが、前記遅延時間の遅延程度により全体応答速度が決定される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、前記従来問題点を解消するために、放電特性の温度依存性が低減され、応答速度が改善されて放電安定性が向上されたプラズマディスプレイ装置を提供することである。
【００１４】
本発明の他の目的は、前記プラズマディスプレイ装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明は、第１基板上に形成されるアドレス電極と、前記アドレス電極に交差しながら第２基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極と、前記第１表示電極および第２表示電極を覆いながら前記第２基板に形成される誘電体層と、前記誘電体層を覆いながら前記第２基板に形成されるＭｇＯ保護層と、前記第１基板および第２基板の間に存在する放電ガスを含むプラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルを駆動させる駆動部と、前記駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１乃至３.５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部と、を含み、温度による統計遅延時間の変化が下記の数式１を満足するプラズマディスプレイ装置を提供する。
【００１６】
ｙ=Ａ×ｅ-ｋｘ  …  式１
（ここで、ｋ（単位は絶対温度（Ｋ））は範囲が２０００以下の定数であり、ｘは温度の逆数（１／Ｋ）であり、ｙは前記温度で測定した統計遅延時間（Ｔｓ）の逆数（１／ｎｓ）であり、Ａは１×１０-６乃至１×１０６の値を有する定数）。
【００１７】
前記ｋの範囲は、０乃至１０００であるのが望ましく、０乃至５００であるのがより望ましい。また、前記Ａは、１×１０-３乃至１×１０３の値を有するのがさらに望ましい。
【００１８】
前記維持放電パルス幅は、１乃至３.５μｓであり、１乃至３.０μｓであるのがさらに望ましい。
【００１９】
また、前記維持期間は９乃至２５μｓであるのが望ましく、１０乃至２５μｓであるのがさらに望ましい。
【００２０】
前記維持期間の最初維持放電パルス幅は、２乃至７.５μｓであるのが望ましく、２乃至７μｓであるのがさらに望ましい。
【００２１】
前記放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対してＸｅを５乃至３０の体積部に含むのが望ましく、Ｎｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、Ｎ２、およびこれらの組み合わせで構成された群より選択されるガスを０乃至７０体積部に含むのがさらに望ましい。
【００２２】
本発明はまた、蒸着法によってＭｇＯ保護層を形成する段階を含み、前記蒸着法によるＭｇＯ保護層形成時の蒸着雰囲気は、水分圧が２×１０-７乃至６×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓに調節されるプラズマディスプレイ装置の製造方法を提供する。
【００２３】
前記蒸着雰囲気は、水分圧が２×１０-７乃至５×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓに調節されるのが望ましく、２×１０-７乃至３×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓに調節されるのがより一層望ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、放電特性の温度依存性を低減させることによって、応答速度を改善させて放電安定性を向上させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下で本発明を詳細に説明する。
【００２６】
本発明はプラズマディスプレイ装置における画面の表示品質を向上できるＭｇＯ保護層に関する。
【００２７】
本発明は、第１基板上に形成されるアドレス電極と、アドレス電極に交差しながら第２基板上に形成される一対の第１表示電極および第２表示電極と、第１表示電極および第２表示電極を覆いながら第２期板に形成される誘電体層と、誘電体層を覆いながら第２基板に形成されるＭｇＯ保護層と、第１基板および第２基板の間に存在する放電ガスを含むプラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルを駆動させる駆動部と、駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１乃至３.５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部と、を含み、温度による統計遅延時間の変化が下記の数式１のように表示されるプラズマディスプレイ装置を提供する。
【００２８】
ｙ=Ａ×ｅ-ｋｘ  …  式１
（ここで、ｋ（単位は絶対温度（Ｋ））は範囲が２０００以下の定数であり、ｘは温度の逆数（１／Ｋ）であり、ｙは前記温度で測定した統計遅延時間（Ｔｓ）の逆数（１／ｎｓ）であり、Ａは１×１０-６乃至１×１０６の値を有する定数）。
【００２９】
維持放電パルス幅は１乃至３.５μｓであり、１乃至３.０μｓであるのがさらに望ましい。
【００３０】
維持放電パルス幅が１乃至３.５μｓの場合、高精細プラズマディスプレイ装置に適用時に放電安定性が向上して、画面均一度（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が改善されて望ましい。
【００３１】
また、維持期間は、９乃至２５μｓであるのが望ましく、１０乃至２５μｓであることがさらに望ましい。
【００３２】
維持期間が９乃至２５μｓの場合、高精細プラズマディスプレイ装置に適用時に放電安定性が向上され、画面均一度が改善されて望ましい。
【００３３】
また、維持期間の最初維持放電パルス幅は、２乃至７.５μｓであるのが望ましく、２乃至７μｓであるのがさらに望ましい。
【００３４】
維持期間の最初維持放電パルス幅が２乃至７.５μｓの場合、高精細プラズマディスプレイ装置に適用時に放電安定性が向上して、画面均一度が改善されて望ましい。
【００３５】
放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対してＸｅを５乃至３０の体積部に含むのが望ましく、７乃至２５体積部に含むのがさらに望ましい。
【００３６】
放電ガスがＮｅ１００体積部に対してＸｅを５乃至３０の体積部に含む放電ガスを用いる場合、放電ガスのイオン化率が高まって、高精細プラズマディスプレイ装置に適用時に放電開示電圧を下げて消費電力を低減させ、輝度を向上できて望ましい。
【００３７】
また、放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、Ｎ２、およびこれらの組み合わせで構成された群より選択されるガスを０乃至７０体積部に含むのが望ましく、１４乃至６５体積部に含むのがさらに望ましい。
【００３８】
放電ガスがＮｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、Ｎ２、およびこれらの組み合わせで構成された群より選択されるガスを０乃至７０体積部に含む場合、放電ガスのイオン化率が高まって、高精細プラズマディスプレイ装置に適用時に放電開示電圧を下げて、消費電力を低減させ、輝度を向上できて望ましい。
【００３９】
以下、添付図を参照して、本発明の１つの実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。
【００４０】
しかし、本発明は多様な形態に具現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
【００４１】
図１は、本発明の実施形態１によるプラズマディスプレイパネルを示した部分分解斜視図である。
【００４２】
図１を参照すると、本発明の実施形態１によるプラズマディスプレイパネル構造は、第１基板３上に一方向（図面のｙ軸方向）に沿ってアドレス電極１３が形成され、このアドレス電極１３を覆いながら、第１基板３の前面に第１誘電体層１５が形成される。
【００４３】
第１誘電体層１５の上に各アドレス電極１３の間に配置されるように隔壁５が形成され、各々の隔壁５の間に複数の放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）が形成される。放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）内には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の蛍光体層（８Ｒ、８Ｇ、８Ｂ）が形成される。
【００４４】
隔壁５は、放電空間を画する形状であればいずれの形状でもよく、多様なパターンの隔壁で形成される。
【００４５】
例えば、隔壁５は帯状などのような開放型隔壁はもちろん、ワッフル、マトリックス、デルタなどのような閉鎖型隔壁でもよい。
【００４６】
また、閉鎖型隔壁は、放電空間の横断面が四角形、三角形、五角形などの多角形、または円形、楕円形などで形成できる。
【００４７】
そして、第１基板３に対向する第２基板１の一面には、アドレス電極１３と交差する方向（図面のｘ軸方向）に沿って一対の透明電極（９ａ、１１ａ）とバス電極（９ｂ、１１ｂ）で構成される第１表示電極と、第２表示電極が形成されてこの表示電極を覆いながら、第２基板１全体に第２誘電体層１７とＭｇＯ保護層１９が形成される。
【００４８】
ＭｇＯ保護層１９は、ＭｇＯを含み、希土類元素、および希土類元素の組み合わせで構成された群より選択される添加元素をさらに含むことができる。
【００４９】
第１基板３上のアドレス電極１３と第２基板１上の表示電極が交差する地点が放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）を構成する部分となる。
【００５０】
第１基板３および第２基板１の間の放電セルには放電ガスが注入される。
【００５１】
放電ガスは、ＮｅおよびＸｅを含み、Ｎｅ１００体積部に対してＸｅを５乃至３０の体積部に含むのが望ましく、７乃至２５体積部に含むのがさらに望ましい。
【００５２】
また、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、Ｎ２、およびこれらの組み合わせで構成された群より選択されるガスを０乃至７０体積部に含むのが望ましく、１４乃至６５体積部に含むことがさらに望ましい。
【００５３】
図２は本発明の実施形態１によるプラズマディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【００５４】
図２に示したように、本発明の実施形態１によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル１００、制御部２００、アドレス電極（Ａ）駆動部３００、維持電極（第２表示電極、Ｘ）駆動部４００、および走査電極（第１表示電極、Ｙ）駆動部５００を含む。
【００５５】
プラズマディスプレイパネル１００は、図１で説明したプラズマディスプレイパネルと同じ構成を有する。
【００５６】
制御部２００は、外部から映像信号を受信して、アドレス電極（Ａ）駆動制御信号、維持電極（Ｘ）駆動制御信号および走査電極（Ｙ）駆動制御信号を出力する。
【００５７】
そして制御部２００は、１フレームを複数のサブフィールドに分割して駆動し、各サブフィールドは時間的動作変化によって表すと、リセット期間、アドレス期間および維持期間で構成される。
【００５８】
アドレス電極駆動部３００は、制御部２００からアドレス電極（Ａ）駆動制御信号を受信して、表示しようとする放電セルを選択するための表示データ信号を各アドレス電極に印加する。
【００５９】
維持電極駆動部４００は、制御部２００から維持電極（Ｘ）駆動制御信号を受信して、維持電極（Ｘ）に駆動電圧を印加する。
【００６０】
電極駆動部５００は、制御部２００から走査電極（Ｙ）駆動制御信号を受信して、走査電極（Ｙ）に駆動電圧を印加する。
【００６１】
図３は、本発明の実施形態１による維持期間の駆動波形図である。
【００６２】
図３を参照すると、維持期間（Ｔ１）では走査電極（Ｙ）と維持電極（Ｘ）に順次にＶｓ電圧の最初維持放電パルスを印加する。
【００６３】
以下、アドレス期間で、アドレス放電によって走査電極（Ｙ）と維持電極（Ｘ）の間に壁電圧が形成されると、壁電圧とＶｓ電圧によって、走査電極（Ｙ）と維持電極（Ｘ）で放電が生じる。
【００６４】
この後、走査電極（Ｙ）にＶｓ電圧の維持放電パルスを印加する過程と維持電極（Ｘ）にＶｓ電圧の維持放電パルスを印加する過程を該サブフィールドが表す加重値に対応する回数ぐらい繰り返す。
【００６５】
この時、走査電極（Ｙ）の最初維持放電パルス幅（Ｔ２）または維持電極（Ｘ）の最初維持放電パルス幅（Ｔ４）は、２乃至７.５μｓであるのが望ましく、２乃至７μｓであるのがさらに望ましい。
【００６６】
また、走査電極（Ｙ）の維持放電パルス幅（Ｔ３）または維持電極（Ｘ）の維持放電パルス幅（Ｔ５）は、１乃至３.５μｓであるのが望ましく、１乃至３.０μｓであるのがさらに望ましい。
【００６７】
また、維持期間（Ｔ１）は、９乃至２５μｓであるのが望ましく、１０乃至２５μｓであるのがさらに望ましい。
【００６８】
本発明は、駆動波形と放電ガスを用いたプラズマディスプレイ装置の駆動安定性を確保し、それによる放電特性の向上のために、温度による統計遅延時間の変化が下記の数式１を満足するプラズマディスプレイ装置を提供する。
【００６９】
ｙ=Ａ×ｅ-ｋｘ  …  式１
（ここで、ｋ（単位は絶対温度（Ｋ））は範囲が２０００以下の定数であり、ｘは温度の逆数（１／Ｋ）であり、ｙは前記温度で測定した統計遅延時間（Ｔｓ）の逆数（１／ｎｓ）であり、Ａは１×１０-６乃至１×１０６の値を有する定数）。
【００７０】
温度による統計遅延時間の変化が上記式１のように表示されると、ｋの範囲が２０００以下であるのが望ましく、０乃至１０００であるのがさらに望ましく、０乃至５００であるのがより一層望ましい。また、Ａは１×１０-６乃至１×１０６の値を有するのが望ましく、１×１０-３乃至１×１０３の値を有するのがさらに望ましい。
【００７１】
ｋの範囲が２０００以下の場合、温度変化による統計遅延時間の変化が少ないため、駆動波形と放電ガスを用いる高精細プラズマディスプレイ装置の駆動安定性を確保できる。
【００７２】
したがって、ｋ値は、特定温度で低放電が生じるための条件を限定していることで、一種の活性化エネルギーといえる。
【００７３】
ｋは温度変化による統計遅延時間の変化を測定し、ｘ軸を温度の逆数とし、ｙ軸を測定された統計遅延時間の逆数とし、温度変化による統計遅延時間の変化をプロット（ｐｌｏｔ）した後、指数式を利用して傾向線（トレンド・ライン）を描いて求められる。
【００７４】
ｋの範囲は、ＭｇＯ保護層を蒸着法によって形成時に蒸着雰囲気下の水分圧を制御することによって調節できる。
【００７５】
水分圧は、２×１０-７乃至６×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであるのが望ましく、２×１０-７乃至５×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであるのがより望ましく、２×１０-７乃至３×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであるのがより一層望ましい。
【００７６】
ＭｇＯ保護層を蒸着法で形成する時、蒸着雰囲気下の水分圧が上記範囲内の場合に製造されたプラズマディスプレイ装置のｋの範囲が２０００以下となるので望ましい。
【００７７】
前述した構造を有する本発明の実施形態１によるプラズマディスプレイ装置の製造方法は、当該分野に周知されたことであり、当該分野に務める人々には十分に理解できる内容であるため、本明細書で詳細な説明は省略する。
【００７８】
ただし、本発明の実施形態１によるＭｇＯ保護層の形成工程についてだけ説明する。
【００７９】
ＭｇＯ保護層は、プラズマディスプレイ装置で誘電体層の表面を覆って、放電期間中放電ガスのイオン衝撃から誘電体層を保護する役割を果たす。
【００８０】
前述したようなＭｇＯ保護層は、基本材料として耐スパッタリング特性と大きな２次電子放出係数を有するＭｇＯを用いる。
【００８１】
本発明のＭｇＯ保護層は、ペーストを用いた厚膜印刷法を使用できるが、厚膜印刷法はイオンの衝撃によるスパッタリングに相対的に弱くて、２次電子放出による放電維持電圧と放電開示電圧の減少を期待し難いため、物理気相蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）法を使用するのが望ましい。
【００８２】
この時、温度による統計遅延時間の変化が数式１のように表示される時、ｋの範囲は、ＭｇＯ保護層を蒸着法で形成する時に蒸着雰囲気下の水分圧を制御することによって調節できる。
【００８３】
ｙ=Ａ×ｅ-ｋｘ  …  式１
（ここで、ｋ（単位は絶対温度（Ｋ））は範囲が２０００以下の定数であり、ｘは温度の逆数（１／Ｋ）であり、ｙは前記温度で測定した統計遅延時間（Ｔｓ）の逆数（１／ｎｓ）であり、Ａは１×１０-６乃至１×１０６の値を有する定数）。
【００８４】
水分圧は、２×１０-７乃至６×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであるのが望ましく、２×１０-７乃至５×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであるのがより望ましく、２×１０-７乃至３×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであることがより一層望ましい。
【００８５】
物理気相蒸着法としては、プラズマ蒸着法を使用することが最も望ましく、具体的にプラズマ蒸着法でＭｇＯ保護層を形成する方法は、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法などがある。
【００８６】
ＭｇＯ保護層蒸着材料は、ペレット状に成形した後に焼結したものが用いられ、ペレットの大きさおよび形状によってペレットの分解速度が異なって、保護層蒸着速度などの色々な面で大きい差があるため、ペレットの大きさおよび形状を最適化して製造するのが望ましい。
【００８７】
また、ＭｇＯ保護層は、放電ガスに接触するので保護層を構成する成分と膜特性は放電特性に大きく影響を与えられる。
【００８８】
この時、ＭｇＯ保護層特性は成分と蒸着時の成膜条件に大きく依存する。
【００８９】
したがって、目的する膜特性向上を達成できるよう、最適の成膜条件を使った方が良い。
【００９０】
以下、本発明の望ましい実施例および比較例を記載する。
【００９１】
しかし、下記の実施例は、本発明の望ましい一つの実施例にすぎず、本発明が下記の実施例によって限定されるのではない。
【００９２】
（プラズマディスプレイ装置の製造）
（実施例１）
ソーダ石灰ガラスで製造された基板上に表示電極を通常の方法で帯状に形成した。
【００９３】
次に、ガラスのペーストを表示電極が形成された基板にコーティングして焼成して第２誘電体層を形成した。
【００９４】
第２誘電体層上にイオンプレーティング方法を利用してＭｇＯ保護層を製造し、第２基板を製造した。
【００９５】
この時、ＭｇＯ蒸着時蒸着雰囲気下の水分圧は、２×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであった。
【００９６】
製造された上部基板を用いて、プラズマディスプレイ装置を製造した。なお、放電セルに封入した放電ガスの組成は、Ｎｅ１００体積部に対してＸｅを１１体積部及びＨｅを３５体積部含んだ。また、維持放電パルス幅は２．１μｓ、最初の維持放電パルス幅は２．１μｓ、維持時間は１５μｓとした。
【００９７】
（実施例２）
ＭｇＯ蒸着時蒸着雰囲気下の水分圧が３×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであることを除いては、実施形態１と同様に実施して、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００９８】
（実施例３）
ＭｇＯ蒸着時蒸着雰囲気下の水分圧が４×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであることを除いては、実施形態１と同様に実施して、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００９９】
（実施例４）
ＭｇＯ蒸着時蒸着雰囲気下の水分圧が５×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであることを除いては、実施形態１と同様に実施して、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【０１００】
（実施例５）
ＭｇＯ蒸着時蒸着雰囲気下の水分圧が６×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであることを除いては、実施形態１と同様に実施して、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【０１０１】
（比較例１）
ＭｇＯ蒸着時蒸着雰囲気下の水分圧が７×１０-７Ｔｏｒｒ・ｌ／ｓであることを除いては、実施形態１と同様に実施して、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【０１０２】
（製造されたプラズマディスプレイ装置の統計遅延時間測定）
実施例１乃至５、および比較例１で製造されたプラズマディスプレイ装置に対して、低温（１０℃）、常温（２５℃）および高温（６０℃）で作動させて、統計遅延時間（応答速度）を測定し、実施例１、３および５、および比較例１の結果を図４に示した。
【０１０３】
実施例２は、実施例１と類似する結果を表し、実施例４は実施例３と類似する結果を表した。
【０１０４】
また、図４のｘ軸を温度の逆数とし、ｙ軸を測定された統計遅延時間の逆数とし、温度変化による統計遅延時間の変化をプロット（ｐｌｏｔ）し、指数式を用いて傾向線（トレンド・ライン）を描いて、図５に示した。
【０１０５】
図４を参照すると、比較例１の場合、温度変化による統計遅延時間の変化が大きくて、高温の６０℃で低放電が生じることが分かった。
【０１０６】
一方、実施例１、３および５の場合、温度変化による統計遅延時間の変化が少なくて、放電安定性が優れていることが分かった。
【０１０７】
また、実施例１、３および５の場合、低放電現象は確認されなかった。
【０１０８】
図５を参照すると、実施例１のｋ値は４９７、実施例３のｋ値は１００８、実施例５のｋ値は１６５３、比較例１のｋ値は２５１８に測定された。
【０１０９】
したがって、ｋ値が２０００を超える場合、低放電現象が観察されることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の実施形態１によるプラズマディスプレイパネルを示した部分分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１によるプラズマディスプレイ装置を概略的に示した図である。
【図３】本発明の実施形態１による維持期間の駆動波形図である。
【図４】実施例１、３および５、および比較例１で製造されたプラズマディスプレイ装置の温度変化による統計遅延時間の変化を示したグラフである。
【図５】図４のｘ軸を温度の逆数とし、ｙ軸を測定された統計遅延時間の逆数とした温度変化による統計遅延時間の変化を示したグラフである。
【符号の説明】
【０１１１】
１、３  基板
５  隔壁
７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ  放電セル、
８Ｒ、８Ｇ、８Ｂ  蛍光体、
９ａ、１１ａ  透明電極、
９ｂ、１１ｂ  バス電極、
１３  アドレス電極、
１５  第１誘電体層、
１７  第２誘電体層、
１９  ＭｇＯ保護層、
１００  プラズマディスプレイパネル、
２００  制御部、
３００  アドレス電極駆動部、
４００  維持電極駆動部、
５００  走査電極駆動部。
【図２】
2008235270.tif 000003
【図３】
2008235270.tif 000004
【図４】
2008235270.tif 000005
【図５】
2008235270.tif 000006
【図１】
2008235270.tif 000007