(57)【要約】【課題】装置構成を複雑化することなく、正確なタッチ判定を行うことを可能とした電気光学装置及びその製造方法、電子機器を提供する。【解決手段】周囲の外光を受光する受光素子３０を備えてなる液晶表示装置１であって、素子基板１１上に設けられるゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４に受光素子３０を収容する貫通孔５１が設けられ、貫通孔５１の少なくとも内側壁が遮光性を有している。【選択図】図２
2008281615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲の外光を受光する受光素子を備えてなる電気光学装置であって、
基板上に設けられる絶縁膜に前記受光素子を収容する孔が設けられ、
前記孔の少なくとも内側壁が遮光性を有していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記孔の内側壁がテーパ形状となっていることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記孔の少なくとも内側壁に金属膜が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記孔の底部を含む内面に前記金属膜が設けられていることを特徴とする請求項３記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記金属膜が前記受光素子の電極であることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記金属膜が、画素を駆動する駆動素子の電極と共通の材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記孔は、前記基板上に設けられる複数の前記絶縁膜を貫通して形成され、
前記絶縁膜の下層であって前記孔と平面的に重なる領域に、Ｓｉ層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記Ｓｉ層は、画素を駆動する駆動素子のＳｉ層と同層又は共通の配線層と形成されていることを特徴とする請求項７記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記受光素子がＰＩＮダイオードであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
周囲の外光を受光する受光素子を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、少なくとも内側壁が遮光性を有する孔を形成する工程と、
前記孔内に前記受光素子を設ける工程と、を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記孔をテーパ形状に形成することを特徴とする請求項１０記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記孔の少なくとも内側壁に金属膜を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１０又は１１記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記金属膜を、前記受光素子を駆動する駆動素子の電極を形成する工程と共通の工程で形成することを特徴とする請求項１２記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁膜の下層であって前記孔と平面的に重なる領域に、Ｓｉ層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルとは、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）等の電子機器における表示部（電気光学装置）の補助的な入力装置であり、パネル表面の所望の位置をオペレータがペンや指で触れることにより、電子機器が要求するデータの入力指示するものである。
【０００３】
従来のタッチパネルの検出方式としては、例えば光学式のものが知られている。光検出方式のタッチパネルは接触対象物の陰影の絶対値を基準に接触の有無を判定していた。ところが、外光や表示パネル内部の迷光等がノイズとなり、正確なタッチ検出が出来ないという問題を有していた。
【０００４】
そのため、受光素子とバックライトとの間に遮光層を設けることでバックライトからの光を遮断し、光検出の精度を上げる方法や、受光素子の上部にマイクロレンズを設けて集光し、感度を上げるといった対策が開示されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２０１２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、受光素子が、バックライトの光や受光素子の側方から入り込んだ光に対して誤動作を引き起こし、正確な接触判定を行うことができないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、装置構成を複雑化することなく、正確なタッチ判定を行うことを可能とした電気光学装置及びその製造方法、電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、周囲の外光を受光する受光素子を備えてなる電気光学装置であって、基板上に設けられる絶縁膜に受光素子を収容する孔が設けられ、孔の少なくとも内側壁が遮光性を有していることを特徴とする。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、少なくとも内側壁が遮光性を有した孔内に受光素子を備えることから、受光素子の側方から受光素子に入り込む迷光を遮光することができる。これにより、受光素子の誤作動が防止され、表示領域における正確な接触判定を行うことができる。
【０００９】
また、孔の内側壁がテーパ形状となっていることが好ましい。
このような構成によれば、例えば、孔の内側壁が反射性を有したものとすれば、集光効率が高まって受光素子への入射光量が増加する。これにより、受光素子による光検出精度が向上し、より正確なタッチ判定を行うことができる。
【００１０】
また、孔の内側壁に金属膜が設けられていることが好ましい。
このような構成によれば、例えば基板上の配線を利用して孔の内側壁に遮光性を付与することができる。さらに、金属膜を設けることにより、孔の内側壁に反射性を付与することができるので集光効率が向上する。
【００１１】
また、孔の底部を含む内面に金属膜が設けられていることが好ましい。
このような構成によれば、バックライトからの光も遮光することができるので、受光素子の誤作動をより確実に防止することができる。これにより、受光素子の光検出精度を劣化させることなく、より正確な接触判定を行うことができる。
【００１２】
また、金属膜が受光素子の電極であることが好ましい。
このような構成によれば、受光素子の電極を利用して孔の内側壁に遮光性を付与することができるので、受光素子を駆動させると同時に迷光を遮断することができるようになる。これにより、新たな部材を設けることなく迷光対策を得ることができるので、コストが削減される。
【００１３】
また、金属膜が、画素を駆動する駆動素子の電極と共通の材料を用いて形成されていることが好ましい。
このような構成によれば、画素を駆動する駆動素子の電極と同時に形成することができるので、製造効率が向上する。
【００１４】
また、孔は、基板上に設けられる複数の絶縁膜を貫通して形成され、絶縁膜の下層であって孔と平面的に重なる領域にＳｉ層が設けられていることが好ましい。
このような構成によれば、絶縁層をエッチングすることにより孔を形成する際、Ｓｉ層がエッチストッパーとして機能する。これにより、所望とする形状の孔を得ることができる。
【００１５】
また、Ｓｉ層は、画素を駆動する駆動素子のＳｉ層と同層又は共通の配線層と形成されていることが好ましい。
このような構成によれば、画素を駆動する駆動素子のＳｉ層または共通の配線層と同時に形成することができるので、製造効率が向上する。
【００１６】
また、受光素子がＰＩＮダイオードであることが好ましい。
このような構成によれば、受光素子の高速応答性を確保することでき、接触判定精度が向上する。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、周囲の外光を受光する受光素子を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に、少なくとも内側壁が遮光性を有する孔を形成する工程と、孔内に受光素子を設ける工程と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、少なくとも内側壁が遮光性を有した孔内に受光素子を備えることから、受光素子の側方から受光素子に入り込む迷光を遮光することができる。これにより、受光素子の誤作動が防止され、表示領域における正確な接触判定を行うことができる。
【００１９】
また、孔をテーパ形状に形成することが好ましい。
このような製造方法によれば、集光効率が高まって受光素子への入射光量が増加する。これにより、受光素子による光検出精度が向上し、より正確なタッチ判定を行うことができる。
【００２０】
また、孔の少なくとも内側壁に金属膜を形成する工程を備えることが好ましい。
このような製造方法によれば、基板上の配線を利用して孔の内側壁に遮光性を付与することができる。よって、製造効率が向上するとともにコスト削減に繋がる。
【００２１】
また、金属膜を、受光素子を駆動する駆動素子の電極を形成する工程と共通の工程で形成することが好ましい。
このような製造方法によれば、受光素子を駆動する駆動素子を形成すると同時に孔の内側壁に遮光性を付与することができる。よって、製造効率が向上するとともにコスト削減に繋がる。
【００２２】
また、前記絶縁膜の下層であって前記孔と平面的に重なる領域に、Ｓｉ層を形成する工程を備えることが好ましい。
このような製造方法によれば、絶縁層をエッチングすることにより孔を形成する際、Ｓｉ層がエッチストッパーとして機能する。これにより、所望とする形状の孔を得ることができる。
【００２３】
本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本発明の電子機器によれば、装置構成を複雑化することなく、正確なタッチ判定を行うことを可能とした上記電気光学装置を備えているので、信頼性が向上し、高性能な製品となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明における電気光学装置の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。
【００２５】
［第１の実施形態］
本発明の電気光学装置の一実施形態として、液晶表示装置の例を挙げて説明する。本実施形態の液晶表示装置は、アクティブマトリクス方式の液晶パネルであって、素子基板と対向基板との間に液晶層を挟持したものである。透過型の液晶装置として構成され、素子基板側に配置されたバックライト（図示略）からの光を変調し、対向基板側から画像光として射出するようになっている。
【００２６】
〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置（電気光学装置）１の概略構成について説明する。
図１（ａ）は液晶表示装置を示す等価回路図であって、図１（ｂ）は１画素内における表示用の画素の等価回路図、図１（ｃ）は１画素内における光検出用の画素の等価回路図である。
液晶表示装置１は、図１（ａ）に示すように、画像表示領域１０ａ内に複数の画素１００ｃがマトリックス状に配置されている。各画素１００ｃは、光検出用の画素１００ａと、表示用の画素１００ｂとによって構成され、互いに交差する方向に延びた表示用データ線６ａと表示用走査線３ａとの交点に配置されている。表示用データ線６ａは表示用データ線駆動回路１０３に接続され、表示用走査線３ａは表示用走査線駆動回路１０４に接続されている。本実施形態においては、表示用データ線６ａに並行して光検出用データ線７ａが延在し、表示用走査線３ａに並行して光検出用走査線８ａが延在している。光検出用走査線８ａは光検出用走査線駆動回路１０２に接続され、光検出用データ線７ａは光検出用データ線駆動回路１０１に接続されている。
【００２７】
表示用の画素１００ｂには、図１（ａ），（ｂ）に示すように、それぞれ画素電極９と、画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子（駆動素子）２２が設けられている。ＴＦＴ素子２２は、ソースが表示用データ線６ａに接続され、ゲートが表示用走査線３ａに接続され、ドレインが画素電極９に接続されている。上述したように、表示用データ線６ａは、表示用データ線駆動回路１０３から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各表示用の画素１００ｂに供給する構成となっている。また、表示用走査線３ａは、表示用走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎを各画素１００ａに供給する構成となっている。ここで、表示用データ線駆動回路１０３は、画像信号Ｓ１〜Ｓｎをこの順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数の表示用データ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。また、表示用走査線駆動回路１０４は、走査信号Ｇ１〜Ｇｎを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００２８】
また、光検出用の画素１００ａには、図１（ａ），（ｃ）に示すように、光検出用データ線７ａと光検出用走査線８ａとの間にＰＩＮ型のフォトダイオードからなる受光素子３０が接続されている。さらに、複数の画素１００ａの各々には、光検出用走査線８ａにゲートが接続されたトランジスタ４０が形成されており、このトランジスタ４０のソース電極は光検出用データ線７ａに接続し、ドレイン電極４６は受光素子３０に接続されている。
【００２９】
液晶表示装置１は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ素子２２が走査信号Ｇ１〜Ｇｎの入力により一定期間だけオン状態とされることで、表示用データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極９と液晶層１３を介して対向配置された後述する共通電極７５との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークすることを防止するため、画素電極９と共通電極７５との間に形成される液晶容量と並列接続されるように蓄積容量２５が付与されている。この蓄積容量２５は、ＴＦＴ素子２２のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００３０】
また、本実施形態では、図１（ａ），（ｃ）に示すように、受光素子３０の各々が逆バイアスを印加された状態で光強度の変化を読み取り、光強度に応じた光電流を流す構成になっている。また、光検出用走査線８ａの各々によって、複数の画素１００ａ内に形成されているトランジスタ４０を順次オンさせれば、光検出用データ線７ａの各々に、上記光電流に応じた検出信号が順次出力されることになる。なお、受光素子３０には、該受光素子３０を駆動する走査駆動回路（不図示）が設けられており、選択トランジスタ４０のオン／オフを切り替えることで走査し、これによって各受光素子３０に対応する位置の光強度を検出することができる。
【００３１】
本実施形態の液晶表示装置１は、画素１００ｃに設けられた受光素子３０の検出結果に基づいて、画像表示領域１０ａがタッチされたか否かを判定するタッチパネル構造を備えたものとなっており、画像表示領域１０ａに表示したアイコンにユーザの指先がタッチされたか否かを検出することで液晶表示装置１を駆動する際に要求されるデータの入力を直接行うことが可能となっている。
【００３２】
（液晶表示装置の詳細な構成）
以下、液晶表示装置の詳細な構成について、図１および図２を参照して説明する。
図２は、液晶装置の１画素分の具体的な構成例を示す断面図である。
素子基板１１は、図２に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層１３側）の表面に順次積層された下地保護膜３２、ゲート絶縁膜３３、第１層間絶縁膜３４、第２層間絶縁膜３５、第３層間絶縁膜３６及び配向膜３７を備えている。
【００３３】
素子基板１１上には、図１（ａ），図２に示すように、複数の画素１００ｃの縦横の境界領域に沿って、表示用走査線３ａと表示用データ線６ａとが形成されている。また、表示用走査線３ａと並列に光検出用走査線８ａが形成され、表示用データ線６ａと並列に光検出用データ線７ａが形成されている。
【００３４】
表示用画素１００ｂ内には、下地保護膜３２の内側の表面に配置された半導体層４１と、ゲート絶縁膜３３の内側の表面に配置された表示用走査線３ａと、第１層間絶縁膜３４の内側の表面に配置された表示用データ線６ａ及びドレイン電極４２と、第２層間絶縁膜３５の内側の表面に配置された画素電極９とが備えられている。
【００３５】
光検出用の画素１００ａ内には、下地保護膜３２の内側の表面に配置された半導体層４５と、ゲート絶縁膜３３の内側の表面に配置された光検出用走査線８ａと、第１層間絶縁膜３４の内側の表面に配置された光検出用データ線７ａ及びドレイン電極４６と、第２層間絶縁膜３５の内側の表面に配置された定電位線４８が備えられている。
【００３６】
下地保護膜３２は、例えばＳｉＯ２（酸化シリコン）などの透光性のシリコン酸化物からなる複数の層から構成されており、基板本体３１の内側の表面を被覆している。なお、下地保護膜３２は、ＳｉＯ２に限らず、ＳｉＯｘ（シリコン酸化物）やＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、セラミックス薄膜などの絶縁材料で構成されてもよい。
ゲート絶縁膜３３は、例えばＳｉＯ２などの透光性材料で構成されており、下地保護膜３２上に形成された半導体層４１、４５を覆うように設けられている。
【００３７】
半導体層４１，４５には、ＴＦＴ素子２２及びトランジスタ４０がＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用していることから、ソース領域及びドレイン領域に不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と相対的に低い低濃度（ＬＤＤ）領域とがそれぞれ形成されている。すなわち、半導体層４１，４５には、ソース領域に低濃度ソース領域４１ｂ，４５ｂ及び高濃度ソース領域４１ｃ，４５ｃが形成され、ドレイン領域に低濃度ドレイン領域４１ｄ，４５ｄ及び高濃度ドレイン領域４１ｅ，４５ｅが形成されている。これら低濃度ソース領域４１ｂ、高濃度ソース領域４１ｃ、低濃度ドレイン領域４１ｄ及び高濃度ドレイン領域４１ｅは、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込むことによって形成されている。なお、チャネル領域４１ａは、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込まないことによって形成される。
【００３８】
半導体層４１には、ゲート絶縁膜３３を介して表示用走査線３ａの一部がゲート電極として対向している。半導体層４１において、ゲート電極と対向する領域にチャネル領域が形成され、その両側にソース領域及びドレイン領域が形成されている。
一方、半導体層４５には、ゲート絶縁膜３３を介して光検出用走査線８ａの一部がゲート電極として対向している。半導体層４５において、ゲート電極と対向する領域にチャネル領域が形成され、その両側にソース領域及びドレイン領域が形成されている。
【００３９】
第１層間絶縁膜３４は、例えばＳｉＯ２などの透光性材料で構成されており、ゲート絶縁膜３３と、ゲート絶縁膜３３上に形成された表示用走査線３ａと光検出用走査線８ａとを覆うように設けられている。表示用走査線３ａ及び光検出用走査線８ａは、Ａｌなどの金属材料からなり、同時形成された導電膜からなる。
【００４０】
ここで、光検出用画素領域（画素１００ａ）において、ゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４にはこれらを貫通する貫通孔５１が形成されている。この貫通孔５１は、基板本体３１側から後述の対向基板１２側に向かって漸次広がりをなすテーパ形状とされており、後述する受光素子３０を収容するため受光素子３０よりも大きい孔径となっている。基板面に対する貫通孔５１（内側壁）のテーパ角度θは、４５°〜９０°の範囲内であることが好ましい。そして、この貫通孔５１の内面に沿って、第１層間絶縁膜３４上に形成されたドレイン電極４６の延設部分からなる接続電極４６Ａ（金属膜）によって、受光素子３０とトランジスタ４０とを接続する第１のコンタクトホールＨ１が構成されている。これにより、第１のコンタクトホールＨ１の内面が遮光性を付与したものとなり、受光素子に入射する迷光（受光素子の側方から入射してくる光）を遮光可能になる。
【００４１】
第１のコンタクトホールＨ１内に収容される受光素子３０は、基板本体３１側から、Ｎ型半導体層５５、真性半導体層５６、Ｐ型半導体層５７がこの順に積層されたＰＩＮフォトダイオードから構成されている。この受光素子３０は、接続電極４６Ａを介してトランジスタ４０のドレイン電極４６に電気的に接続されており、検出した環境光の強度情報を出力するようになっている。
ここで、受光素子３０の１／２以上がコンタクトホールＨ１内に納められていればよい。
【００４２】
なお、本実施形態においては、貫通孔５１の底部（露出した下地保護膜３２上）を含む内面全体に接続電極４６Ａを形成することとしたが、接続電極４６Ａとは異なる部材を用いてもよい。
【００４３】
第２層間絶縁膜３５は、例えばＳｉＮなどの透光性材料で構成されており、第１層間絶縁膜３４及び第１層間絶縁膜３４上に形成された表示用データ線６ａ、ドレイン電極４２、光検出用データ線７ａ、ドレイン電極４６（接続電極４６Ａ）、及び受光素子３０を覆うように設けられている。表示用データ線６ａ、光検出用データ線７ａ及びドレイン電極４６（接続電極４６Ａ）は、Ａｌなどの金属材料からなり、同時形成された導電膜からなる。
【００４４】
表示用データ線６ａは、第１層間絶縁膜３４及びゲート絶縁膜３３に形成された第２のコンタクトホールＨ２を介して半導体層４１のソース領域に接続され、ドレイン電極は、第３のコンタクトホールＨ３を介して半導体層４１のドレイン領域に電気的に接続されている。このようにして、画素１００ｂ内にＴＦＴ素子２２が構成されている。
光検出用データ線７ａは、第１層間絶縁膜３４及びゲート絶縁膜３３に形成された第４のコンタクトホールＨ４を介して半導体層４５のソース領域に接続され、ドレイン電極４６は、第５のコンタクトホールＨ５を介して半導体層４５のドレイン領域に電気的に接続されている。このようにして、画素１００ａ内にトランジスタ４０が形成されている。
【００４５】
第３層間絶縁膜３６は、例えばＳｉＯ２などの透光性材料で構成されており、第２層間絶縁膜３５を覆うようにして形成されている。この第３層間絶縁膜３６は、ＴＦＴ素子２２、トランジスタ４０、受光素子３０上を平坦化する平坦化膜としても機能する。
配向膜３７は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、第３層間絶縁膜３６上に形成された画素電極９及び定電位線４８を覆うようにして設けられている。画素電極９及び定電位線４８は、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透光性の導電材料から構成され、同時形成された導電膜からなる。画素電極９は、第３層間絶縁膜３６に形成された第７のコンタクトホールＨ７を介してＴＦＴ素子２２のドレイン電極４２に電気的に接続されている。また、定電位線４８は、第３層間絶縁膜３６に形成された第８のコンタクトホールＨ８を介して受光素子３０のＰ型半導体層５７に電気的に接続されている。
【００４６】
配向膜３７の表面には、液晶層１３を構成する液晶分子の初期配向状態を規制する配向処理が施されている。液晶層１３は、正の誘電率異方性を有する液晶を用いたＴＮ（Twisted Nematic）モードで動作する構成となっている。
【００４７】
一方、対向基板１２は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体７１と、基板本体７１の内側（液晶層１３側）の表面に順次積層された遮光膜７２、共通電極７５、配向膜７６とを備えている。
遮光膜７２は、基板本体７１の表面のうち平面視で表示用画素領域（画素１００ｂ）の縁部と重なる領域に形成されており、表示用画素領域を縁取っている。
【００４８】
共通電極７５は、画素電極９と同様に、例えばＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。そして、共通電極７５は、遮光膜７２及び基板本体７１を覆うように設けられている。
配向膜７６は、配向膜３７と同様に、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、共通電極７５を覆うように設けられている。また、配向膜７６の表面には、液晶モードに応じた配向処理が施されている。
【００４９】
偏光板２７、２８は、その透過軸が互いにほぼ直交するように設けられている。ここで、偏光板２７、２８の内側の一方または双方には、光学補償フィルム（図示略）を配置してもよい。
【００５０】
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、以上のような構成の液晶表示装置の製造方法について、図３から図６を参照しながら説明する。図３から図６は、素子基板の製造工程を示す工程図である。
本実施形態は素子基板に特徴を有するものであることから素子基板の製造方法について詳細に説明し、その他の製造方法については従来公知であるためその説明を省略する。
【００５１】
まず、図３（ａ）に示すように、基板本体３１上に、公知の技術を用いて下地保護膜３２及び半導体層４１，４５を覆うゲート絶縁膜３３ａと、表示用走査線３ａ、光検出用走査線８ａ、表示用走査線３ａ及び光検出用走査線８ａを覆う第１層間絶縁膜３４ａとを形成する。
【００５２】
次に、図３（ｂ）に示すように、表示用走査線３ａ及び光検出用走査線８ａを覆うようにしてゲート絶縁膜３３ａ上に形成された第１層間絶縁膜３４ａを、所定の開口を有したレジストをマスクＭとしてエッチングにより同時にパターニングする。すると、ゲート絶縁膜３３ａ及び第１層間絶縁膜３４ａに、半導体層４１のソース領域に通じる貫通孔６１、ドレイン領域に通じる貫通孔６２、半導体層４５のソース領域に通じる貫通孔６３、ドレイン領域に通じる貫通孔６４、さらに、テーパ形状をなす貫通孔５１が形成される。これにより、ゲート絶縁膜３３と第１層間絶縁膜３４とが構成される。ここで、貫通孔５１は、テーパ角度θが４５°〜９０°の範囲内となるように形成する。また、その底部において下地保護膜３２が露出している。
【００５３】
次に、図４（ａ）に示すように、上記マスクＭを剥離し、ゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４に形成された貫通孔６１〜６４を埋めるとともに、貫通孔５１の内面（内側壁、露出した下地保護膜）を被覆するＡｌ等の金属膜（不図示）を第１層間絶縁膜３４上に形成し、該金属膜に対して、上記同様レジストを用いたパターニングを行う。このようにして、第１層間絶縁膜３４上に、表示用データ線６ａ、ドレイン電極４２、光検出用データ線７ａ、ドレイン電極４６、該ドレイン電極４６の延設部分からなる接続電極４６Ａが形成される。表示用データ線６ａ、ドレイン電極４２は、同時に形成されるコンタクトホールＨ２、Ｈ３によってＴＦＴ素子２２のソース領域、ドレイン領域にそれぞれ接続する。また、光検出用データ線７ａ、ドレイン電極４６は、同時に形成されるコンタクトホールＨ４，Ｈ５によってトランジスタ４０のソース領域、ドレイン領域にそれぞれ接続する。さらに、貫通孔５１内に接続電極４６Ａが形成されることによって、受光素子３０を収容するコンタクトホールＨ１が構成される。  
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示すように、コンタクトホールＨ１内の接続電極４６Ａ上に受光素子３０を形成する。受光素子３０は、既存の製品を配置しても良いし、接続電極４６Ａ上にＮ型半導体層５５、真性半導体層５６、Ｐ型半導体層５７をこの順で積層し、これらをパターニングしてもよい。
【００５５】
そして、図５に示すように、光検出用データ線７ａ、表示用データ線６ａ、ドレイン電極４２，ドレイン電極４６（接続電極４６Ａを含む）、受光素子３０を覆う第２層間絶縁膜３５を形成するとともに、第２層間絶縁膜３５の表面を覆う第３層間絶縁膜３６を形成する。これら第３層間絶縁膜３６及び第２層間絶縁膜３５には、ＴＦＴ素子２２のドレイン電極４２上となる箇所に貫通孔６５が形成され、受光素子３０上となる箇所に貫通孔６６が形成されている。
【００５６】
その後、図６（ａ）に示すように、第３層間絶縁膜３６上に画素電極９と定電位線４８を形成する。画素電極９は、第３層間絶縁膜３６に形成された貫通孔６５をＡｌ等の金属材料で埋めることによって形成されるコンタクトホールＨ７を介して、ＴＦＴ素子２２のドレイン電極４２と電気的に接続する。また、定電位線４８は、第３層間絶縁膜３６に形成された貫通孔６６をＡｌ等の金属材料で埋めることによって形成されるコンタクトホールＨ８を介して、トランジスタ４０のドレイン電極４６と電気的に接続する。
【００５７】
そして、図６（ｂ）に示すように、これら画素電極９と定電位線４８を覆うようにして、所定方向にラビングされた配向膜を第３層間絶縁膜３６上に形成する。以上により、液晶表示装置１の素子基板１１が完成する。
【００５８】
本実施形態の液晶表示装置１は、複数の画素１００ｃのいずれにおいても、表示用画素１００ｂ及び光検出用画素１００ａにより構成されている。光検出用画素１００ａにおいて、定電位線４８と接続電極４６Ａとにおいて受光素子３０に逆バイアスを印加した状態で、受光素子３０が受光すると該受光素子３０に光電流が流れる。また、光検出用走査線８ａによって、画素１００ａに形成されているトランジスタ４０をオンさせれば、光検出用データ線７ａに光電流に応じた信号が出力されることになる。したがって、複数の画素１００ｃのうち、いずれの画素１００ａにおいて、受光素子３０がどのレベルの光を受光したかを検出することができる。
【００５９】
本実施形態では、受光素子３０を、ドレイン電極４６の延設配線からなる接続電極４６Ａによって内面が覆われたコンタクトホールＨ１内に備えているので、バックライトからの光を遮断すると同時に、液晶パネル内の迷光（受光素子３０の検出エリア外の光など、受光素子３０の側方から入射してくる光）を遮光することができる。すなわち、コンタクトホールＨ１の内面がＡｌ等の金属膜によって覆われているため、コンタクトホールＨ１全体が遮光性（反射性）を有したものとなる。そのため、迷光が受光素子３０に入り込んで誤作動を引き起こすという事態が解消され、画像表示領域１０ａにおける正確な接触判定を行うことができる。また、コンタクトホールＨ１がテーパ形状とされているので、指向性を持たせることができ、集光効率が向上する。これにより、より正確なタッチ検出を行うことが可能となっている。
【００６０】
また、上述したように、貫通孔５１の内面を覆う接続電極４６Ａを、表示用データ線６ａ、ＴＦＴ素子２２のドレイン電極４２、光検出用データ線７ａ、トランジスタ４０のドレイン電極４６と同時に形成することができるので、製造工程を増やすことなく、遮光性を有したコンタクトホールＨ１を形成することができる。このように、装置構成を複雑化することなく、正確な接触判定を行うことを可能とした液晶装置とすることができる。
【００６１】
なお、受光素子３０は、フォトダイオードに限定されることはなく、ＣｄＳ（cadmium sulfide）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）等の光を検出可能な種々の構成を採用することができる。また、受光素子３０は、画像表示領域１０ａにおける全ての画素１００ｃに設ける必要はない。すなわち、隣接する受光素子３０の間隔が、タッチ判定される被対象物、例えば人間の指の幅よりも狭くなっていればよい。
【００６２】
また、図７に示すように、画像表示領域１０ａにおける複数の画素１００ｃのうちのいくつかを、光検出用画素１００ａとし、受光素子を備えて画素電極を有しない構成としてもよい。また、隣り合う複数の画素１００ｃに亘って１個の受光素子３０を設けてもよい。さらに、図中のＪ，Ｋ（二点鎖線で囲んだ丸）に示すように、異なる色光の発光素子（緑色発光素子Ｇ、青色発光素子Ｂ、赤色発光素子Ｒ）の組み合わせからなる画素１００ｃ内に受光素子３０を組み込んで構成してもよい。
【００６３】
また、受光素子３０を画像表示領域１０ａの全域に配置する必要はない。例えばタッチ判定を行うアイコンの位置が画像表示領域１０ａの所定の場所に固定されている場合には、アイコン上に受光素子３０を配置すればよい。さらに、受光素子３０は、ユーザの指により外光を遮断された場合、或いは指先によって反射された光を検出する場合のいずれにおいても、陰影関係を逆転させることで対応することができる。
【００６４】
（変形例）
図８に示すように、下地保護膜３２上のコンタクトホールＨ１と平面的に重なる領域に、Ｐｏｌｙ−ＳｉからなるＳｉ層７７を設けてもよい。このＳｉ層７７は、下地保護膜３２上の半導体層４１，４５と同時にパターン形成され、第１層間絶縁膜３４及びゲート絶縁膜３３に貫通孔５１を形成する際のエッチストッパー層として機能する。これにより、下地保護膜３２までエッチングされることが防止され、所望とする形状の貫通孔５１を形成することができる。これにより、深さが均一化されるので受光素子の収容深さが一定となり、検出特性が均一になる。
【００６５】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態は、受光素子を備えた有機ＥＬ装置である。
図９は、本実施形態の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を示す断面図である。
〔有機ＥＬ装置〕
図９に示す有機ＥＬ装置９０（電気光学装置）では、発光層９１における発光光を封止基板９２側から取り出すので、素子基板９３の基板本体９４として透明基板のほか不透明基板を用いることも可能である。透明基板としては、ガラスや石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等を用いることが可能であり、特にガラス基板が好適に用いられる。
【００６６】
素子基板９３は、発光素子３のＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子（駆動素子）２２や、受光素子３０のトランジスタ４０などを含む駆動回路部５を有して構成されている。なお、駆動回路を備えた半導体素子（ＩＣチップ）を素子基板９３に実装して、有機ＥＬ装置９０を構成することも可能である。
【００６７】
基板本体９４上には、その表面から、下地保護膜３２、ゲート絶縁膜３３、第１層間絶縁膜３４、第２層間絶縁膜３５、第３層間絶縁膜３６、有機隔壁９９が順次積層されている。受光素子３０は、第１層間絶縁膜３４に形成されたテーパ形状のコンタクトホールＨ１内に備えられ、貫通孔５１の内面に沿う接続電極４６Ａを介して、トランジスタ４０のドレイン電極４６に電気的に接続されている。
【００６８】
駆動回路部５の表面上には、感光性、絶縁性および耐熱性を備えたアクリル系やポリイミド系等の樹脂材料を主体とする、第２層間絶縁膜３５、第３層間絶縁膜３６が形成されている。これら第２層間絶縁膜３５、第３層間絶縁膜３６は、第１層間絶縁膜３４上に形成される表示用データ線６ａ、ＴＦＴ素子２２のドレイン電極４２、光検出用データ線７ａ、トランジスタ４０のドレイン電極４６（接続電極４６ａ）、受光素子３０などによる表面の凹凸を抑制するよう機能するとともに、後述の画素電極９及び定電位線４８に対する絶縁性を確保するよう機能する。
【００６９】
第３層間絶縁膜３６の表面には、ＩＴＯからなる複数の画素電極９、定電位線４８が形成されている。画素電極９は発光素子３の形成領域よりも広く形成され開口率の向上が図られている。画素電極９は、第３層間絶縁膜３６に形成されたコンタクトホールＨ７を介してＴＦＴ素子２２のドレイン電極４２と電気的に接続されている。また、定電位線４８は、第３層間絶縁膜３６に形成されたコンタクトホールＨ８を介してトランジスタ４０のドレイン電極４６と電気的に接続されている。
【００７０】
また、第３層間絶縁膜３６上の画素電極９の周囲には、ポリイミド等の有機絶縁材料からなる有機隔壁９９が形成されている。この有機隔壁９９は画素電極９の周縁部に乗り上げるように形成され、有機隔壁９９の開口部１０１ａの底部には画素電極９が露出している。そして、開口部１０１ａの内側における画素電極９の表面に複数の機能膜が積層形成されて、発光素子３が構成されている。すなわち、有機隔壁９９の開口部１０１ａにより、発光素子３の形成領域が規定されている。
【００７１】
発光素子３は、陽極として機能する画素電極９と、有機ＥＬ物質からなる発光層９１と、陰極として機能する共通電極１２０とを、少なくとも積層して構成されている。この発光素子３により画像表示単位となるサブ画素が構成され、異なる色光の発光素子（緑色発光素子３Ｇ、青色発光素子３Ｂ、赤色発光素子３Ｒ）の組み合わせにより１個の画素が構成されている。
【００７２】
なお、画素電極９と発光層９１との間に、画素電極９から供給された正孔を発光層９１に注入／輸送する正孔注入層を設けてもよい。正孔注入層の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液が好適に用いられる。具体的には、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させたものが好適に用いられる。
【００７３】
発光層９１を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
【００７４】
共通電極１２０は、陰極として発光層９１上に形成されている。共通電極１２０は、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いる。
【００７５】
共通電極１２０の表面には、ＳｉＯ２等からなる無機封止膜１２１が形成されている。さらに接着層１２２を介して、ガラス等の透明材料からなる封止基板９２が貼り合わされている。この無機封止膜１２１により、封止基板９２側から発光素子３への水分や酸素等の浸入が防止されている。なお、共通電極１２０の全体を覆う封止キャップを基板本体９４の周縁部に固着し、その封止キャップの内側に水分や酸素等を吸収するゲッター剤を配置してもよい。
【００７６】
上述した有機ＥＬ装置９０では、外部から供給された画像信号が、ＴＦＴ素子２２により所定のタイミングで画素電極９に印加される。そして、その画素電極９から注入された正孔と、共通電極１２０から注入された電子とが、発光層９１で再結合して所定波長の光が放出される。なお発光層９１は画素電極９との接触領域において正孔の注入を受けるので、発光層９１のうち画素電極９との接触領域が発光部になる。その発光部から共通電極１２０側に放出された光は、透明材料からなる封止基板９２を透過して外部に取り出される。これにより、封止基板９２側において画像表示が行われるようになっている。
【００７７】
本実施形態の有機ＥＬ装置９０においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。上述したように、テーパ形状のコンタクトホールＨ１内に受光素子３０を備えているので、接続電極４６Ａによって装置内の迷光（受光素子３０の検出エリア外の光など、受光素子３０の側方から入射してくる光）を遮光することができる。そのため、迷光が受光素子３０に入り込んで誤作動を引き起こすという事態が解消され、画像表示領域における正確な接触判定を行うことができる。また、コンタクトホールＨ１がテーパ形状とされているので、指向性を持たせることができ、集光効率が向上する。これにより、より正確なタッチ検出を行うことが可能となっている。
【００７８】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態は、受光素子を備えた電気泳動表示装置である。
図１０は、本実施形態の電気泳動表示装置を示す断面図である。
【００７９】
電気泳動表示装置１３０は、図１０に示すように、素子基板１３１と、素子基板１３１に対向するように設けられた対向基板１３２と、これら両基板１３１，１３２の間に設けられた電気泳動層１３３とから構成されている。
【００８０】
素子基板１３１は、基板本体１３１Ａ上に、下地保護膜３２、ゲート絶縁膜３３、第１層間絶縁膜３４、第２層間絶縁膜３５、第３層間絶縁膜３６が順次積層されている。受光素子３０は、第１層間絶縁膜３４に形成されたテーパ形状のコンタクトホールＨ１内に備えられ、貫通孔５１の内面に沿う接続電極４６Ａを介して、トランジスタ４０のドレイン電極４６に電気的に接続されている。
【００８１】
電気泳動層１３３は、マイクロカプセル８０ａを複数備えた構成となっている。
マイクロカプセル８０ａは樹脂皮膜によって形成されており、マイクロカプセル８０ａの大きさは表示用画素１００ｂの大きさと同程度とされ、画素電極９上に配置されている。なお、マイクロカプセル８０ａを一画素１００ｃと同程度の大きさに形成し、画像表示領域の略全域を覆うように複数配置してもよい。マイクロカプセル８０ａには、分散媒８１、電気泳動粒子８２等を有する電気泳動分散液８３が封入されている。電気泳動分散液８３は、電界を印加することにより、電気泳動粒子８２の分布状態が変化し、電気泳動分散液８３の光学特性が変化するものである。
【００８２】
次に、分散媒８１、電気泳動粒子８２を有する電気泳動分散液８３について説明する。
電気泳動分散液８３は、染料によって染色された分散媒８１中に電気泳動粒子８２を分散させた構成となっている。電気泳動粒子８２は、無機酸化物又は無機水酸化物からなる直径０．０１μｍ〜１０μｍ程度の略球状の微粒子であり、上記分散媒８１と異なる色相（白色及び黒色を含む）を有している。このように酸化物又は水酸化物からなる電気泳動粒子８２には固有の表面等電点が存在し、分散媒８１の水素イオン指数ｐＨによってその表面電荷密度（帯電量）が変化するようになる。
【００８３】
ここで、表面等電点とは、水溶液中における両性電解質の電荷の代数和がゼロとなる状態を水素イオン指数ｐＨによって示したものである。例えば、分散媒８１のｐＨが電気泳動粒子８２の表面等電点に等しい場合には、粒子の実効電荷はゼロとなり、粒子は外部電界に対して無反応な状態となる。
【００８４】
電気泳動粒子８２としては、例えば、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、ベンガラ、酸化アルミニウム、黒色低次酸化チタン、酸化クロム、ベーマイト、ＦｅＯＯＨ、二酸化珪素、水酸化マグネシウム、水酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化銅等が用いられている。
【００８５】
また、このような電気泳動粒子８２は、単独の微粒子としてだけでなく、各種表面改質を施した状態でも用いることが可能である。このような表面改質の方法としては、例えば、粒子表面をアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等のポリマーでコーティング処理する方法や、シラン系、チタネート系、アルミニウム系、弗素系等のカップリング剤でカップリング処理する方法や、アクリル系モノマー、スチレンモノマー、エポキシ系モノマー、イソシアネート系モノマー等とグラフト重合処理する方法等があり、これらの処理を単独又は二種類以上組み合わせて行うことができる。
【００８６】
分散媒８１には、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の非水系有機溶媒が用いられており、スピリトブラック、オイルイエロー、オイルブルー、オイルグリーン、バリファーストブルー、マクロレックスブルー、オイルブラウン、スーダンブラック、ファーストオレンジ等の染料によって染色されて、電気泳動粒子８２と異なる色相を呈している。
【００８７】
一方、対向基板１３２は、基板本体１３２Ａの表面全体にＩＴＯからなる共通電極９５が蒸着方等により形成されている。
【００８８】
次に、以上のような構成の電気泳動表示装置１３０は、画像表示領域の外部に設けられた駆動回路により表示用走査線３ａから走査信号を入力すると、ＴＦＴ素子２２が一定期間だけオン状態となる。そして、オン状態となったＴＦＴ素子２２に画像信号が入力されることで、画素電極９に画像信号が書き込まれる。書き込まれた画像信号は、画素電極９と共通電極９５との間で保持される。そのため、例えば画素電極９が正、共通電極９５が負となるような画像信号を入力すると、画素電極９と共通電極９５との間に配置された電気泳動層１３３を構成して正に帯電している黒色の電気泳動粒子８２が共通電極９５に移動する。これにより、画素領域の黒表示が行われる。以上のようにして、画像表示を行う。
【００８９】
本実施形態の電気泳動表示装置１３０においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。上述したように、テーパ形状のコンタクトホールＨ１内に受光素子３０を備えているので、接続電極４６Ａによって装置内の迷光（受光素子３０の検出エリア外の光など、受光素子３０の側方から入射してくる光）を遮光することができる。そのため、迷光が受光素子３０に入り込んで当該受光素子３０が誤作動を引き起こすという事態が解消され、画像表示領域における正確な接触判定を行うことができる。また、コンタクトホールＨ１がテーパ形状とされているので、指向性を持たせることができ、集光効率が向上する。これにより、より正確なタッチ検出を行うことが可能となっている。
【００９０】
なお、本実施形態においては、電気泳動層１３３を、電気泳動分散液８３を内包した複数のマイクロカプセル８０ａから構成するとしたが、例えばシール材によって接続された基板１３１，１３２間に、電気泳動粒子８２を有する電気泳動分散液８３を直接配置するように構成してもよい。また、マイクロカプセル８０ａは１画素内に複数配置されていてもよい。
【００９１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもなく、上記各実施形態を組み合わせても良い。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９２】
例えば、受光素子３０を収容するコンタクトホールは、基板面に対して略垂直とされる内側壁を有した通常のコンタクトホールであってもよい。このようなコンタクトホールの内面に金属膜を設ければ、コンタクトホールが遮光性（反射性）を有したものとなるので、受光素子３０に対する迷光対策は十分になし得たものとなる。しかしながら、上記実施形態に示すように、コンタクトホールＨ１の形状をテーパ形状とすることによって集光効果を向上させて受光素子３０による検出精度を高めることが好ましい。
【００９３】
また、上記実施形態においては、迷光を遮光する金属膜として受光素子３０を駆動するトランジスタ４０の電極（ドレイン電極４６）を利用するとしたが、その他材料からなる遮光部材を利用してもよい。また、遮光部材は、コンタクトホールＨ１の内面全体に設けるようにしてもよいし、コンタクトホールＨ１の内側壁のみに設けるようにしても良い。また、遮光性を有した層にコンタクトホールを形成するとしてもよい。
【００９４】
（電子機器）
次に、上述の実施形態で説明した電気光学装置を備えた電子機器について説明する。
図１１（ａ）に示すように、電子機器の実施形態の一例であるモバイル型のパーソナルコンピュータ１４０は、キーボード１４１を備えた本体部１４２と、表示ユニット１４３とを有している。表示ユニット１４３は、前述した電気光学装置からなる表示部２００を備えている。
【００９５】
図１１（ｂ）示すように、電子機器の実施形態の別の例である携帯電話機１４５は、複数の操作ボタン１４６と、前述した電気光学装置からなる表示部２００とを有している。
【００９６】
このように、パーソナルコンピュータ１４０および携帯電話機１４５は、上述した電気光学装置を備えているので、画素に表示欠陥が生じることをより効果的に防止することのできるパーソナルコンピュータ１４０および携帯電話機１４５を提供することができる。
【００９７】
また、図１２（ａ）は電子ペーパーの構成を示す斜視図であり、電子ペーパー１４００は、本発明の電気泳動表示装置を表示部１４０１として備える。電子ペーパー１４００は、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１４０２を備えて構成されている。
【００９８】
また、図１２（ｂ）は、電子ノートの構成を示す斜視図であり、電子ノート１５００は、図１２（ａ）で示した電子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１５０１に挟まれているものである。カバー１５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する不図示の表示データ入力手段を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容を変更したり更新したりできる。
【００９９】
また、上述した例に加えて、他の例として、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などにおいて応用することができる。本発明に係る電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】第１実施形態の液晶表示装置を示す等価回路図である。
【図２】液晶装置の１画素分の具体的な構成例を示す断面図である。
【図３】液晶表示装置における素子基板の製造工程図である。
【図４】図３に続く製造工程図である。
【図５】図４に続く製造工程図である。
【図６】図５に続く製造工程図である。
【図７】受光素子の配置例を示す平面構成図である。
【図８】液晶表示装置の変形例を示す断面図である。
【図９】第２実施形態の有機ＥＬ装置における１画素分の構成例を示す断面図である。
【図１０】第３実施形態の電気泳動表示装置における１画素分の構成例を示す断面図である。
【図１１】電子機器の実施例を示す概略構成図。
【図１２】電子機器の他の実施例を示す概略構成図。
【符号の説明】
【０１０１】
１…液晶表示装置（電気光学装置）、９０…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、１３０…電気泳動表示装置（電気光学装置）、３０…受光素子、１１…素子基板、３４…第１層間絶縁膜、３３…ゲート絶縁膜、３５…第２層間絶縁膜、３６…第３層間絶縁膜、５１…貫通孔、４６Ａ…接続電極（金属膜）、２２…ＴＦＴ素子（画素駆動用素子）、４２…ドレイン電極、７７…Ｓｉ層、９３…素子基板、１３１…素子基板、Ｈ１…コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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