(57)【要約】【課題】画面の局所ごとに最適なホワイトバランス調整を行う。【解決手段】各々が自発光素子を有する複数の画素を備えて、複数色の各色が少なくとも２画素で連続して割り当てられている色配列を有する画素アレイ２Ａと、それぞれが、同色の隣接する２画素が備える２つの自発光素子から等距離の位置に配置されている複数の受光素子（不図示）と、ホワイトバランス変換部８Ａとを有する。ホワイトバランス変換部８Ａは、対応するデータ電圧Ｖｄに応じて画素を発光駆動したときに、２つの自発光素子から等距離な受光素子から出力されるモニタ電圧Ｖｍの、対応するデータ電圧Ｖｄに対する電圧比が所定の基準値から変化したことに応答して、当該電圧比の変化があった画素または当該画素を含む隣接画素のグループごとに色ゲインを調整する。【選択図】図６
2008145835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、
各々が自発光素子を有する複数の画素を備えて前記表示パネル内に形成され、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を含む複数色の各色が少なくとも２画素で連続して割り当てられている色配列を有する画素アレイと、
前記画素アレイと共に前記表示パネル内に形成され、それぞれが、同色の隣接する２画素が備える２つの自発光素子から等距離の位置に配置され、受光強度に応じたモニタ電圧を出力する複数の受光素子と、
前記表示パネルに画素ごとに入力される複数のデータ電圧のうち、対応するデータ電圧に応じて画素を発光駆動したときに、当該画素と隣接画素が備える２つの自発光素子から等距離な前記受光素子から出力されるモニタ電圧の、前記対応するデータ電圧に対する電圧比が所定の基準値から変化したことに応答して、当該電圧比の変化があった前記画素または当該画素を含む隣接画素のグループを前記発光駆動より後に再度発光駆動するために入力される単数または複数のデータ電圧に対し、画素または隣接画素のグループごとに色ゲインを調整するホワイトバランス調整部と、
を有する自発光型表示装置。
【請求項２】
前記ホワイトバランス調整部は、
アナログの前記モニタ電圧をディジタルに変換するＡＤ変換部と、
ディジタルの前記データ電圧を一時記憶し前記画素アレイに出力する画像メモリと、
前記画像メモリから読み出した前記データ電圧が示す画素階調値に所定の比率を乗算して基準データ電圧値を発生する乗算器と、
当該基準データ電圧値の発生に用いた前記データ電圧により一の画素を発光駆動したことに応答して前記ＡＤ変換部から出力される前記モニタ電圧と前記基準データ電圧値との差分を算出し、算出した前記差分を前記画素階調値で除算して電圧変化量を求める処理を、隣接する前記複数色の画素で各々が構成されている単数または複数の画素ユニットを単位として色ごとに求める電圧変化量算出部と、
前記変化量算出回路から出力される色ごとの前記電圧変化量から、ホワイトバランス関係式の複数の係数を前記単数または複数の画素ユニットごとに発生する係数発生部と、
前記係数発生部で発生した複数の係数の比率が、ホワイトバランスがとれた理想比率となるためのゲインを色ごとに発生して出力するゲイン発生部と、
前記ゲイン発生部から色ごとのゲインが出力されるたびに、入力される前記データ電圧の利得を色ごとに変更可能に構成されている可変利得アンプと、
を含む請求項１に記載の自発光型表示装置。
【請求項３】
前記データ電圧をフレーム間で動き検出して静止画か動画かを判別する動き検出部を、さらに有し、
前記ホワイトバランス調整部は、前記電圧変化量算出部に入力される前記データ電圧と前記モニタ電圧の少なくとも一方に動き検出の結果に応じて所定の倍率を乗算し、データ電圧とモニタ電圧の差を動画と静止画で揃える向きに補正する電圧差補正部を、さらに含む
請求項２に記載の自発光型表示装置。
【請求項４】
前記表示パネルに、前記複数の受光素子に対応した複数の画素それぞれの反光出力側に１つずつ、合計で受光素子と同じ数の複数の温度検出素子が形成され、
前記係数発生部は、前記電圧変化量算出部からの電圧変化量と、当該電圧変化量を求める画素に対応して設けられている一の温度検出素子から出力される検出温度とに基づいて、前記複数の係数を前記単数または複数の画素ユニットごとに発生する
請求項２に記載の自発光型表示装置。
【請求項５】
前記ホワイトバランス調整部は、
前記複数の温度検出素子からの検出温度の各々を前記モニタ電圧の出力に対応した時間サイクルで記憶する温度メモリと、
前記モニタ電圧の出力に対応して一の検出温度を受け取るたびに、当該検出温度と同じ温度検出素子から出力され１つ前の時間サイクルで記憶されている他の検出温度を前記温度メモリから読み出して、２つの検出温度の差から温度変化量を算出する温度変化量算出部と、
をさらに含み、
前記係数発生部は、前記電圧変化量算出部からの前記電圧変化量と、前記温度変化量検出部からの前記温度変化量とに基づいて、前記複数の係数を前記単数または複数の画素ユニットごとに発生する
請求項４に記載の自発光型表示装置。
【請求項６】
前記表示パネルの有効画素領域の周囲に温度検出素子が形成され、
前記係数発生部は、前記電圧変化量算出部からの電圧変化量と、前記温度検出素子から出力される検出温度とに基づいて、前記複数の係数を前記単数または複数の画素ユニットごとに発生する
請求項２に記載の自発光型表示装置。
【請求項７】
前記ホワイトバランス調整部は、
前記検出温度を前記モニタ電圧の出力に対応した時間サイクルで記憶する温度メモリと、
前記モニタ電圧の出力に対応して一の検出温度を受け取るたびに、当該検出温度より１つ前の時間サイクルで記憶されている他の検出温度を前記温度メモリから読み出して、２つの検出温度の差から温度変化量を算出する温度変化量算出部と、
をさらに含み、
前記係数発生部は、前記電圧変化量算出部からの前記電圧変化量と、前記温度変化量検出部からの前記温度変化量とに基づいて、前記複数の係数を前記単数または複数の画素ユニットごとに発生する
請求項６に記載の自発光型表示装置。
【請求項８】
前記複数の受光素子の各々は、前記同色の隣接する２画素の境界を含む前記２つの自発光素子の離間スペース、または、当該離間スペースから前記表示パネルの厚さ方向の光出力側に離れた前記表示パネル内の位置に配置されている
請求項１に記載の自発光型表示装置。
【請求項９】
前記複数の受光素子の各々が、ブラックマトリックスによる画素間の遮光領域に配置されている
請求項１に記載の自発光型表示装置。
【請求項１０】
前記所定の基準値が変更可能な
請求項１に記載の自発光型表示装置。
【請求項１１】
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を含む複数色の各色が少なくとも２画素で連続して割り当てられている色配列を有し、各々が自発光素子を備える複数の画素の各々をデータ電圧に応じて発光駆動する表示パネルと、前記複数の画素とともに前記表示パネル内に形成され、それぞれが、同色の隣接する２画素が備える２つの自発光素子から等距離の位置に配置され、受光強度に応じたモニタ電圧を出力する複数の受光素子とを有する自発光型表示装置のホワイトバランス調整回路であって、
前記表示パネルに画素ごとに入力される複数のデータ電圧のうち、対応するデータ電圧に応じて画素を発光駆動したときに、当該画素と隣接画素が備える２つの自発光素子から等距離な受光素子から出力されるモニタ電圧の、前記対応するデータ電圧に対する電圧比が所定の基準値から変化したことに応答して、当該電圧比の変化があった前記画素または当該画素を含む隣接画素のグループを前記発光駆動より後に再度発光駆動するために入力される単数または複数のデータ電圧に対し、画素または隣接画素のグループごとに色ゲインを調整するホワイトバランス調整部を、
有するホワイトバランス調整回路。
【請求項１２】
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を含む複数色の各色が少なくとも２画素で連続して割り当てられている色配列を有し、各々が自発光素子を備える複数の画素の各々をデータ電圧に応じて発光駆動する自発光型表示装置のホワイトバランス調整方法であって、
同色の隣接する２画素が備える２つの自発光素子から等距離の位置で、一の自発光素子から発光強度をモニタし、モニタ電圧を出力する発光強度モニタのステップと、
前記表示装置に画素ごとに入力される複数のデータ電圧に対しホワイトバランスをとるホワイトバランス調整ステップと、
を含み、
前記ホワイトバランス調整ステップが、
前記複数のデータ電圧のうち、対応するデータ電圧に応じて画素を発光駆動したときに、当該画素と隣接画素が備える２つの自発光素子から等距離な位置で得られた前記モニタ電圧の、前記対応するデータ電圧に対する電圧比が所定の基準値から変化したことを検出する第１ステップと、
前記検出された電圧比の変化に基づいて、当該電圧比の変化があった前記画素または当該画素を含む隣接画素のグループを前記発光駆動より後に再度発光駆動するために入力される単数または複数のデータ電圧に対し、画素または隣接画素のグループごとに色ゲインを調整する第２ステップと、
を有するホワイトバランス調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各々が自発光素子を有する複数の画素を備える自発光型表示装置、当該自発光型表示装置のホワイトバランス調整回路、ならびに、ホワイトバランス調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示（ディスプレイ）装置は、テレビジョン受像機、コンピュータモニタ、携帯情報端末等として、日常生活の中で大きな役割を担っている。また、インターネットの進展に伴い、ヒューマンインターフェイスとしてのディスプレイ装置の重要性は益々大きくなっている。
このように日常生活で頻繁に使用されるディスプレイ装置は、目に優しく、高精細な画面で見やすく、かつ動画が遅れなしにくっきりと綺麗に見える高解像度で高速な応答性能が要求される。
【０００３】
この要求を満たすために、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザ・ダイオード（ＬＤ）、有機発光素子（ＯＬＥＤ：有機ＬＥＤ）などの自発光素子を用いたディスプレイ装置の開発がなされている。
この種のディスプレイ装置は、一般に、自発光素子を含む画素がマトリクス状に複数個配置されて画面部（画素アレイ）が構成されている。表示パネルは、画素アレイを中心に一部の処理回路等を一体形成したフラット表示デバイスであり、各素子を映像信号に応じて選択的に発光させることにより、映像表示が行われる。映像信号は画素ごとのデータ電圧を時系列に含み、パネル外またはパネル内の回路による所定の信号処理後に画素アレイに供給される。画素内の自発光素子は、供給されたデータ電圧に応じた輝度で発光し、その画素発光の集合により所定の画面（１フレーム）が表示される。
【０００４】
自発光素子を用いたディスプレイ装置は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの非自発光型のディスプレイ装置に比べて、バックライトが不要であるなどの利点がある。
特に、有機発光素子を用いたディスプレイ装置（以下「有機ＥＬディスプレイ」という）は、視野角が広く、コントラストが高いなどの理由から視認性が高く、また素子の応答速度が速い。さらに、自発光であって液晶のようなバックライトが不要なため、薄型、軽量化を実現でき、消費電力の面でも有利である。また、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度も速く、更に振動に強く、使用温度範囲も広いなどの特長がある。このような多くの利点を有する有機ＥＬディスプレイは、次世代の表示デバイスとして注目され、一部商品化も始まっている。
【０００５】
有機発光素子は、例えば、駆動基板の上に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極が順に積層された構造を有している。有機発光素子の第１および第２電極間に直流電圧を印加することによって発光層で発生した光は、ディスプレイのタイプにより、駆動基板の側（第１電極の側）から取り出される場合もあるが、第２電極の側から取り出される場合もある。
【０００６】
有機ＥＬ素子においては、発光に伴う発熱などによって各有機層の劣化が生じ、発光輝度が低下し、発光自体が不安定になるなどの経時的劣化の問題が存在している。また有機ＥＬ素子は発光ダイオード特性を示し、温度上昇に伴ってデバイスに流れる電流は比例して大きくなるため、結果的に発光輝度と比例関係にあり、そのために劣化を促進する傾向にある。
【０００７】
その対策として、電流量と発光輝度との比例関係を利用して、温度上昇による輝度劣化抑制を流れる電流量で抑制する手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
また、同様に周囲の温度変化に応じて輝度表示をコントロールする手法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
この手法はデータを定電流で供給し、走査線に供給される駆動電圧を調整できるように走査線とデータ線の交差線画素近傍に温度検出手段が設置されて、周囲温度の変化に応じて電圧レベルを制御するものである。
【０００９】
ところで、温度変化によって色ごとの発光輝度特性が異なり、ホワイトバランスがずれる現象が知られている。
【００１０】
ホワイトバランス調整の手法は、色ごとにゲインを調整する方法（例えば特許文献３参照）、色ごとに発光時間を制御して表示輝度を調整する方法（例えば特許文献４参照）が知られている。
【特許文献１】特開２００３−３２３１５２号公報
【特許文献２】特開２００３−１５７０５０号公報
【特許文献３】特開２００３−２８０５７８号公報
【特許文献４】特開２００５−１９５７６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、上記特許文献３および４に記載されたホワイトバランス調整方法では、色ごとの輝度調整は可能であるが、画面全体では局所、局所でホワイトバランスのずれに違いがあるため、最適化ができない。
すなわち、高輝度表示を長時間行う画素の周囲では温度が上昇し、また、当該画素の特性低下が比較的大きいため、ホワイトバランスのずれも大きい。しかし、同じ画面内に低輝度表示を長時間行う画素も存在するため、色ごとに画面全体でゲイン調整する場合は、その画面全体で平均的にホワイトバランスをとることしかできない。よって、画面の局所、局所で最適なホワイトバランス方法は実現されていない。
【００１２】
本発明が解決しようとする課題は、画面の局所ごとに最適なホワイトバランス調整が可能な自発光型表示装置、ホワイトバランス調整回路、および、ホワイトバランス調整方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る自発光型表示装置は、表示パネルと、各々が自発光素子を有する複数の画素を備えて前記表示パネル内に形成され、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を含む複数色の各色が少なくとも２画素で連続して割り当てられている色配列を有する画素アレイと、前記画素アレイと共に前記表示パネル内に形成され、それぞれが、同色の隣接する２画素が備える２つの自発光素子から等距離の位置に配置され、受光強度に応じたモニタ電圧を出力する複数の受光素子と、前記表示パネルに画素ごとに入力される複数のデータ電圧のうち、対応するデータ電圧に応じて画素を発光駆動したときに、当該画素と隣接画素が備える２つの自発光素子から等距離な前記受光素子から出力されるモニタ電圧の、前記対応するデータ電圧に対する電圧比が所定の基準値から変化したことに応答して、当該電圧比の変化があった前記画素または当該画素を含む隣接画素のグループを前記発光駆動より後に再度発光駆動するために入力される単数または複数のデータ電圧に対し、画素または隣接画素のグループごとに色ゲインを調整するホワイトバランス調整部と、を有する。
【００１４】
本発明に係るホワイトバランス調整回路は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を含む複数色の各色が少なくとも２画素で連続して割り当てられている色配列を有し、各々が自発光素子を備える複数の画素の各々をデータ電圧に応じて発光駆動する表示パネルと、前記複数の画素とともに前記表示パネル内に形成され、それぞれが、同色の隣接する２画素が備える２つの自発光素子から等距離の位置に配置され、受光強度に応じたモニタ電圧を出力する複数の受光素子とを有する自発光型表示装置のホワイトバランス調整回路であって、前記表示パネルに画素ごとに入力される複数のデータ電圧のうち、対応するデータ電圧に応じて画素を発光駆動したときに、当該画素と隣接画素が備える２つの自発光素子から等距離な受光素子から出力されるモニタ電圧の、前記対応するデータ電圧に対する電圧比が所定の基準値から変化したことに応答して、当該電圧比の変化があった前記画素または当該画素を含む隣接画素のグループを前記発光駆動より後に再度発光駆動するために入力される単数または複数のデータ電圧に対し、画素または隣接画素のグループごとに色ゲインを調整するホワイトバランス調整部を、有する。
【００１５】
本発明では好適に、前記ホワイトバランス調整部は、アナログの前記モニタ電圧をディジタルに変換するＡＤ変換部と、ディジタルの前記データ電圧を一時記憶し前記画素アレイに出力する画像メモリと、前記画像メモリから読み出した前記データ電圧が示す画素階調値に所定の比率を乗算して基準データ電圧値を発生する乗算器と、当該基準データ電圧値の発生に用いた前記データ電圧により一の画素を発光駆動したことに応答して前記ＡＤ変換部から出力される前記モニタ電圧と前記基準データ電圧値との差分を算出し、算出した前記差分を前記画素階調値で除算して電圧変化量を求める処理を、隣接する前記複数色の画素で各々が構成されている単数または複数の画素ユニットを単位として色ごとに求める電圧変化量算出部と、前記変化量算出回路から出力される色ごとの前記電圧変化量から、ホワイトバランス関係式の複数の係数を前記単数または複数の画素ユニットごとに発生する係数発生部と、前記係数発生部で発生した複数の係数の比率が、ホワイトバランスがとれた理想比率となるためのゲインを色ごとに発生して出力するゲイン発生部と、前記ゲイン発生部から色ごとのゲインが出力されるたびに、入力される前記データ電圧の利得を色ごとに変更可能に構成されている可変利得アンプと、を含む。
更に好適に、前記データ電圧をフレーム間で動き検出して静止画か動画かを判別する動き検出部を、さらに有し、前記ホワイトバランス調整部は、前記電圧変化量算出部に入力される前記データ電圧と前記モニタ電圧の少なくとも一方に動き検出の結果に応じて所定の倍率を乗算し、データ電圧とモニタ電圧の差を動画と静止画で揃える向きに補正する電圧差補正部を、さらに含む。
【００１６】
本発明に係るホワイトバランス調整方法は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を含む複数色の各色が少なくとも２画素で連続して割り当てられている色配列を有し、各々が自発光素子を備える複数の画素の各々をデータ電圧に応じて発光駆動する自発光型表示装置のホワイトバランス調整方法であって、同色の隣接する２画素が備える２つの自発光素子から等距離の位置で、一の自発光素子から発光強度をモニタし、モニタ電圧を出力する発光強度モニタのステップと、前記表示装置に画素ごとに入力される複数のデータ電圧に対しホワイトバランスをとるホワイトバランス調整ステップと、を含み、前記ホワイトバランス調整ステップが、前記複数のデータ電圧のうち、対応するデータ電圧に応じて画素を発光駆動したときに、当該画素と隣接画素が備える２つの自発光素子から等距離な位置で得られた前記モニタ電圧の、前記対応するデータ電圧に対する電圧比が所定の基準値から変化したことを検出する第１ステップと、前記検出された電圧比の変化に基づいて、当該電圧比の変化があった前記画素または当該画素を含む隣接画素のグループを前記発光駆動より後に再度発光駆動するために入力される単数または複数のデータ電圧に対し、画素または隣接画素のグループごとに色ゲインを調整する第２ステップと、を有する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、画面の局所ごとに最適なホワイトバランス調整が可能な自発光型表示装置およびホワイトバランス調整回路が実現でき、これにより高品位で自然な映像表示が可能となる。また、画面の局所ごとに最適なホワイトバランス調整が可能なホワイトバランス調整方法が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は有機ＥＬディスプレイおよび無機ＥＬディスプレイ、さらには、たとえば個別部品のＬＥＤを実装して画素ユニットを構成したＬＥＤディスプレイ等に広く適用できる。また、駆動方式もアクティブマトリックス駆動、パッシブ（単純）マトリックス駆動のいずれでもよい。
以下、本発明の実施形態を、有機発光ダイオード（有機ＬＥＤ）を自発光素子として画素ごとに含むアクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイを例として図面を参照して説明する。
【００１９】
《第１実施形態》
まず、有機ＥＬディスプレイの表示パネルについて説明する。
図１に示す有機ＥＬディスプレイの表示パネル２は、大別すると、表示画面として機能する画素アレイ２Ａの有効表示領域と、その周辺領域２Ｂを有する。
【００２０】
図２に、画素アレイ２Ａの有効画素領域の画素配置等を示す概略的な平面図を示す。また、図３に、図２のＡ−Ａ線に沿った概略断面図を示す。
画素アレイ２Ａは、図２に示すように、行（ロウ）方向と列（カラム）方向に、それぞれ所定数の画素２１がマトリクス状に配置された画素配列を有する。
１つの画素ごとに有機機能層（ＥＬ層）２２が配置されている。ＥＬ層２２は、図２に破線により示す画素境界から一回り小さいサイズで形成され、画素ごとに分離されている。
【００２１】
各画素２１にＲＧＢの３色の何れか１色が割り当てられている。例えば、各ＥＬ層２２を、赤（Ｒ）の光を発するＥＬ層２２Ｒ、緑（Ｇ）の光を発するＥＬ層２２Ｇ、青（Ｂ）の光を発するＥＬ層２２Ｂから構成して各画素に色を割り当てることができる。あるいは、全てのＥＬ層２２は白色光を発光するように構成し、不図示の色フィルタの光特性を隣接画素で変えて、ＲＧＢの色表現を行うようにしてもよい。また、色はＲＧＢの３色に限らず４色目（例えばＲＧＢホワイト）を付加し、ＥＬ層２２の発光特性を変えて、あるいは、色フィルタの光透過特性を変えて色の割り当てを行うことも可能である。
本実施形態で図解した画素アレイ２Ａは、各ＥＬ層２２が、赤（Ｒ）の光を発するＥＬ層２２Ｒ、緑（Ｇ）の光を発するＥＬ層２２Ｇ、または、青（Ｂ）の光を発するＥＬ層２２Ｂからなる。
【００２２】
また画素アレイ２Ａは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を含む複数色の各色が少なくとも２画素で連続することを条件に割り当てられている色配列を有する。色配列は最低でも、この条件を満たしていればよく、図２では一例として、いわゆるストライプ配列が採用されている。ストライプ配列は、カラム方向に同じ色の画素が連続して配置されて色ストライプを構成し、ロウ方向にはＲＧＢが順に繰り返される色配列を言う。そして、図２に示すように、ロウ方向に連続して並ぶＲＧＢの３画素から１つの画素ユニットが構成されている。画素ユニットはディスプレイ上の１つの絵素またはドットをなすもので、画素ユニットのことを単に画素（ピクセル）と言い、それを構成する３つの画素の各々をサブピクセルと称することもある。
【００２３】
同色の隣接する２画素の画素境界を中心とした位置に、受光素子が配置されている。つまり、Ｒストライプにおいて、ＥＬ層２２Ｒの各離間スペースにＲ光を受光するための受光素子２３Ｒが配置されている。同様に、ＧストライプにおいてＥＬ層２２Ｇの各離間スペースにＧ光を受光するための受光素子２３Ｇが配置され、ＢストライプにおいてＥＬ層２２Ｂの各離間スペースにＢ光を受光するための受光素子２３Ｂが配置されている。受光素子２３Ｒ,２３Ｇ,２３Ｂは、アモルファスシリコン半導体などの高感度受光センサであり、受光量に応じて電気信号（モニタ電圧）を発生させることができるものであればよい。
【００２４】
図３に示すように、支持基板３０の一主面に、ＴＦＴ（およびキャパシタ等）を含む画素回路３Ａの主要部を絶縁膜に埋め込んで画素回路層３１が形成されている。支持基板３０は、例えばガラス（石英ガラス、ソーダガラス、サファイアガラス）、シリコン等の半導体、セラミック、金属等の材料からなる。支持基板３０は光の透過性は問わないため、光透過性、遮光性の何れの材料も採用できる。
【００２５】
ここで、図４に画素回路３Ａおよびその駆動回路のブロック図を示し、図５に画素回路３Ａの構成を示し、これらの図を用いて画素回路とその駆動方法について説明する。
【００２６】
図４に示すように、画素アレイ２Ａには、画素の配置に対応して、複数の画素回路（ＰＩＸ.Ｃ.）３(i,j)がマトリクス状に配置されている（i,jは任意の正の整数）。画素アレイ２Ａ周囲の表示パネル内の領域（図１の周辺領域２Ｂ）に、垂直駆動回路（Ｖスキャナ：Ｖ.ＳＣＡＮ）４と水平駆動回路（Ｈスキャナ：Ｈ.ＳＣＡＮ）５が配置されている。これらの駆動回路は、画素回路３Ａ(i,j)とともにＴＦＴ製造プロセスにより形成される。
【００２７】
画素回路３Ａ(i,j)の構成に応じて、Ｖスキャナ４が走査して画素回路３Ａ(i,j)に供給すべき信号数が異なる。ここでは１つのスキャン信号ＶＳＣＡＮ(i)がＶスキャナ４から、行（ロウ）方向に並ぶ画素群に同一のスキャン信号ＶＳＣＡＮ(i)を供給可能になっている。Ｖスキャナ４は、スキャン信号ＶＳＣＡＮ(i)の供給行を順次変えながら垂直方向のスキャン動作を行う。
一方、Ｈスキャナ５は、列（カラム）方向に並ぶ画素群、すなわち図２における各色ストライプに同一のデータ電圧Ｖsig(j)を供給可能になっている。Ｈスキャナ５は、データ電圧Ｖsig(j)の供給列（色ストライプ）を順次変えながら水平（行）方向のスキャン動作を行う。
【００２８】
各画素回路３Ａ(i,j)には、図５にも示すように、第１電源電圧ＶＤＤ１と第２電源電圧ＶＳＳ１が供給され、その電位差で有機発光ダイオードＯＬＥＤ(i,j)に電流が流れる。
第１電源電圧ＶＤＤ１と第２電源電圧ＶＳＳ１の供給線は、図４では便宜上、共に行方向に配線されているが、実際には２本の供給線の一方、例えば第２電源電圧ＶＳＳ１の供給線が列方向に配線されている。
【００２９】
図５に図解する第ｉ行,第ｊ列の画素回路３Ａ(i,j)は、電気光学素子としての有機発光ダイオードＯＬＥＤ(i,j)、ＮＭＯＳトランジスタからなるサンプリング・トランジスタＳＴ、ＰＭＯＳトランジスタからなる駆動トランジスタＤＴ、および、補正部３Ｂ(i,j)を有する。
有機発光ダイオードＯＬＥＤ(i,j)のカソードが第２電源電圧ＶＳＳ１に接続されている。
【００３０】
駆動トランジスタＤＴは、有機発光ダイオードＯＬＥＤ(i,j)のアノードと第１電源電圧ＶＤＤ１との間に接続されている。駆動トランジスタＤＴは、第１電源電圧ＶＤＤ１と第２電源電圧ＶＳＳ１との電位差に応じて流れる駆動電流量を制御する。
駆動トランジスタＤＴの特性、特に閾値電圧Ｖｔは、有機発光ダイオードＯＬＥＤ(i,j)の駆動電流量に直接的に影響し、この閾値電圧Ｖｔがばらつくと、有機発光ダイオードＯＬＥＤ(i,j)の発光輝度もばらつく。また、さらに発光輝度の均一性を上げるには、いわゆる移動度μと呼ばれているデバイス特性のバラツキも抑制する必要がある。
【００３１】
補正部３Ｂ(i,j)は、これらのバラツキ補正のために設けられ、本実施形態で、その構成は任意である。
補正部３Ｂ(i,j)はサンプリング・トランジスタＳＴのソースとドレインの一方と、駆動トランジスタＤＴのゲートとの間に接続されている。ただし、図解する、この接続は一般的に示すもので、より正確には、有機発光ダイオードＯＬＥＤ(i,j)のアノードと駆動トランジスタＤＴのゲート間等に接続される素子（キャパシタやトランジスタ等）が、この補正部３Ｂ(i,j)に含まれる。
【００３２】
サンプリング・トランジスタＳＴのソースとドレインのもう片方は、信号入力線ＳＩＧ(j)に接続されている。信号入力線ＳＩＧ(j)に、不図示のＨスキャナ等からデータ電圧Ｖsig(j)が印加される。サンプリング・トランジスタＳＴは、このデータ電圧印加期間の適正なタイミングで、当該画素回路で表示すべきレベルのデータをサンプリングする。これは、データ電圧Ｖsig(j)を有効レベルとするデータパルスの先頭または後部における、レベルが不安定な遷移期間の表示映像に与える影響を排除するためである。
また、サンプリング・トランジスタＳＴは、補正部３Ｂ(i,j)内の、例えばオフセットレベル（初期レベル）を取り込むトランジスタと兼用されることがある。その場合、信号入力線ＳＩＧ(j)に、このオフセットレベルとデータ電圧Ｖsig(j)を交互に印加する必要があり、その役目は図４に示すＨスキャナ５が担う。
【００３３】
アクディブマトリックス駆動では、サンプリング・トランジスタＳＴによるデータ書き込みおよび発光開始を、画素配列における各画素に対し配列順に行い、発光終了については、他の画素の駆動期間に重ねて任意に制御できる。そのためアクディブマトリックス駆動では、低電流駆動で高輝度が得られる。
この終点制御のために、駆動トランジスタＤＴと第１電源電圧ＶＤＤ１との間にもう一つトランジスタを設ける、あるいは、第１電源電圧ＶＤＤ１または第２電源電圧ＶＳＳ１をＡＣ駆動して発光時間を制御してもよい。
【００３４】
ここで駆動トランジスタＤＴを通して供給される駆動電流は、駆動トランジスタＤＴのゲート−ソース間電圧Ｖgsに依存して、その電流量が制御される。ゲート電位が上がるとゲート−ソース間電圧Ｖgsが小さくなって駆動トランジスタＤＴの駆動電流量が減少する。逆に、ゲート電位が下がるとゲート−ソース間電圧Ｖgsが大きくなって駆動トランジスタＤＴの駆動電流量が増加する。
【００３５】
概略的な動作を、閾値電圧Ｖｔ補正を行う場合で説明すると、以下の如くである。
駆動トランジスタＤＴのゲートには、信号入力線ＳＩＧ(j)からのデータ電圧Ｖsig(j)がサンプリング・トランジスタＳＴでサンプリングされた後、補正部３Ｂ(i,j)を通って印加される。
より詳しくは、サンプリングの前に、補正部３Ｂ(i,j)内の保持キャパシタ（不図示）によって、駆動トランジスタＤＴのゲート電位が、その閾値電圧Ｖｔのレベルで保持され、その状態のゲートにサンプリング後のデータ電圧Ｖsig(j)が加わるため、ゲート電位は“Ｖｔ＋Ｖsig(j)”となって保持される。このときのデータ電圧Ｖsig(j)の大きさに応じて駆動トランジスタＤＴがオンする。閾値電圧Ｖｔが大きくオンし難い駆動トランジスタＤＴの場合は“Ｖｔ＋Ｖsig(j)”も大きい、逆に、閾値電圧Ｖｔが小さくオンし易い駆動トランジスタＤＴの場合は“Ｖｔ＋Ｖsig(j)”も小さい。よって駆動電流から閾値電圧Ｖｔのバラツキの影響が排除され、データ電圧Ｖsig(j)が一定ならば、駆動電流も一定となる。
この一定な電流値に駆動されて有機発光ダイオードＯＬＥＤ(i,j)が発光する。
【００３６】
なお、サンプリング・トランジスタＳＴをＰＭＯＳトランジスタ、駆動トランジスタＤＴをＮＭＯＳトランジスタとすることもできる。
また、個別部品のＬＥＤを発光させるＬＥＤディスプレイでは、製品として駆動トランジスタＤＴのバラツキが保証されている場合、補正部３Ｂ(i,j)を省略可能である。
【００３７】
図３に戻って断面構造の説明を続ける。
有機発光ダイオードＯＬＥＤ（i,j）は、図３に示すように、支持基板３０に形成されている画素回路層３１上に順に形成されている、陽極（アノード）電極２４、ＥＬ層２２、および、陰極（カソード）電極２５を有する。
【００３８】
アノード電極２４は、ＩＴＯ,ＩＺＯなどの透明電極材料から形成してもよい。ただし、本実施形態でアノード電極２４は光の出射側の電極ではないため透明である必要はなく、逆に、画素回路３Ａを遮光する意味で、例えばリチウム、銀、アルミニウム、マグネシウム、インジウム、銅または各々の合金等の金属材料から形成することが望ましい。
アノード電極２４は、画素回路層３１上に形成され、コンタクト３２を介して画素回路層３１内の画素回路３Ａと接続されている。これにより、図５に示す画素回路３Ａ(i,j)が画素ごとに形成されている。
【００３９】
ＥＬ層２２は、電子輸送層、発光層、正孔輸送層などからなる少なくとも１層の有機積層膜である。
ＥＬ層２２は、画素境界付近に形成され、いわゆるリブと称される絶縁膜２６を分離層とした蒸着法により、あるいは、絶縁膜２６間に有機溶液を充填するインクジェット工法や印刷法等により形成される。その際、ＥＬ層２２の積層構造や材料の相違によって、Ｒ発光のＥＬ層２２Ｒ,Ｇ発光のＥＬ層２２Ｇ,Ｂ発光のＥＬ層２２Ｂ（図２参照）の作り分けが行われる。
【００４０】
カソード電極２５は、光の出射側に位置することから、ＩＴＯ,ＩＺＯなどの透明電極材料から形成され、列方向に長いラインを、行方向で画素と同ピッチで所定間隔をおいて配置したパターン形状を有する。カソード電極２５は、図示しない第２電源電圧ＶＳＳ１の配線層に接続され、たとえばＧＮＤ電位または負電位で保持される。
一方、第１電源電圧ＶＤＤ１の供給線は、とくに図示していない画素回路層３１内に形成されている。また、画素回路層３１内の画素境界付近に、スキャン信号ＶＳＣＡＮ(i)の供給線である走査線３３が配置されている。
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、アノード電極が正側の第１電源ＶＤＤ１に接続され、カソード電極が負側の第２電源ＶＳＳ１に接続される。これらの電極間に所定のバイアス電圧を印加すると、注入された電子と正孔が発光層において再結合する際に自発光する。
【００４１】
有機発光ダイオードＯＬＥＤからの光は、不図示の反射膜を適宜配置する等の工夫により、そのほとんどの光Ｌ１がカソード電極２５から上方に出射される。その出射光はある程度の広がりを持つため光Ｌ２のように斜めにも出射される。
【００４２】
一方、有機発光ダイオードＯＬＥＤの光出射側に、対向基板４０が設けられている。
対向基板４０は、例えばガラス（石英ガラス、ソーダガラス、サファイアガラス）等の透明材料からなる。対向基板４０の一主面（対向側面）に光透過性が高い膜４１に埋め込まれて、画素境界付近に位置するブラックストライプ４２が形成されている。ブラックストライプ４２は遮光性の膜材質であれば材質に限定はない。ブラックストライプ４２は、任意の構成であり、画素ごとの光が混合して混色が生じるのを防ぐ役割がある。
【００４３】
本実施形態の特徴の一つである、図２に示す受光素子２３Ｒは、図３に示すように、ブラックストライプ４２の自発光素子側の面に形成されている。受光素子２３Ｒの周囲に光透過性が高い膜４３が形成されている。
このように、本実施形態における受光素子２３Ｒ（２３Ｇ,２３Ｂも同様）の各々は、同色の隣接する２画素の境界（図３で示す画素境界）を含む２つの有機発光ダイオードＯＬＥＤの離間スペースから表示パネルの厚さ方向の光出力側に離れた表示パネル内の位置に配置されている。これにより、同色（ここではＲ）の隣接する２つの有機発光ダイオードＯＬＥＤからのモニタ光Ｌ２が、１つの受光素子２３Ｒに同程度な割合で入射される。なお、受光素子２３Ｒ（２３Ｇ,２３Ｂも同様）の位置は、画素境界を中心として十分なモニタ光量が得られる位置であればよく有機発光ダイオードＯＬＥＤの離間スペース内に設けてもよい。具体的には、例えば絶縁膜２６を透明膜に代えて、受光素子２３Ｒを透明膜の中に埋め込んで、あるいは、絶縁膜２６とカソード電極２５との間に、カソード電極２５から絶縁された状態で受光素子２３Ｒを形成してもよい。
【００４４】
ブラックストライプ４２と受光素子２３Ｒ,２３Ｇ,２３Ｂとが形成された対向基板４０は、相互に位置合わせされた上で、光透過性が高い膜５０によって機械的に強固に結合されている。
【００４５】
受光素子２３Ｒ（２３Ｇ,２３Ｂも同様）の各々として、その構成に特別な限定はないが、例えばＰＩＮフォトダイオードを逆バイアスしたものを用いることができる。受光素子の光電変換により発生したモニタ電圧は、不図示の配線を介して画素アレイ２Ａから表示パネル２の端子（不図示）に導かれる。その際、図１の周辺領域２Ｂに設けられる選択回路によって、画素の走査順に対応したモニタ電圧のシリアル信号が生成され、上記表示パネル２の端子から外部に出力可能になっている。
【００４６】
支持基板３０の反ＯＬＥＤ側の主面には、有機発光ダイオードＯＬＥＤごとに温度検出素子６０が取り付けられている。温度検出素子６０同士は、熱伝導率が低い材質の膜６１で隔離されている。
温度検出素子６０は、その構成に特別な限定はないが、例えば熱電子対を持つシート状の温度検出素子６０のアレイを支持基板３０の面に貼り付けることで形成可能である。
温度検出素子６０から出力される検出温度は、例えば検出温度を振幅にもつアナログ電圧値として、不図示の配線を介して画素アレイ２Ａから表示パネル２の端子（不図示）に導かれる。その際、図１の周辺領域２Ｂに設けられる選択回路によって、画素の走査順に対応した検出温度のシリアル信号が生成され、上記表示パネル２の端子から外部に出力可能になっている。
【００４７】
とくに図示しないが、表示パネル２に入力される映像信号（データ電圧の時系列信号）に対し所定の信号処理を行う信号処理部が設けられている。信号処理部は通常、１つまたは複数の信号処理ＩＣ、単数または複数のメモリＩＣ、ＣＰＵ等により構成され、表示パネル２にフレキシブル基板等で電気的に接続されている。
【００４８】
例えば信号処理ＩＣの機能として、ホワイトバランス調整部が設けられている。
本実施形態のホワイトバランス調整部は、入力される映像信号を入力し、Ｒ（赤）,Ｇ（緑）,Ｂ（青）のデータ電圧ごとに信号ゲインを調整する回路である。その際、ゲイン調整は、画素ごとのデータ電圧、あるいは、複数の画素ユニットごとに色ごとの複数のデータ電圧に対して行われる。
【００４９】
また、本実施形態では、上記ホワイトバランス調整部が、色ごとのゲイン調整量の決定を、以下の方法で行う。
ある一または複数のデータ電圧のゲイン調整量を求める場合、画素アレイ２Ａ上の対応する画素または画素群に、少なくとも１フレーム前に入力されたデータ電圧に応じて当該画素または画素群を発光駆動したときに、各画素と、その隣接画素が備える２つの自発光素子（２つの有機発光ダイオードＯＬＥＤ）から等距離な受光素子２３（受光素子２３Ｒ、２３Ｇまたは２３Ｂ）から出力されるモニタ電圧を取得する。具体的には、図３に示すＲストライプの場合、各受光素子２３Ｒには、近接する２つの有機発光ダイオードＯＬＥＤを発光させるデータ電圧が同じ場合、ほぼ同じ大きさのモニタ光Ｌ２が入力され、当該受光素子２３Ｒからは、２つの有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光量に比例したモニタ電圧が出力される。２つの隣接する画素ではデータ電圧の差はほとんど同じ場合が多いと考えられるため、このモニタ電圧は、２つの何れか一方の画素発光量に比例した電圧値を有する。
【００５０】
しかし、隣接する画素でデータ電圧が異なる場合は、モニタ対象の画素以外からの光はノイズ成分となる。そこで、モニタ光は、図２に示す受光素子配列において、走査により発光している画素行と、未発光の画素行との間に存在する受光素子２３Ｒで受光し、その受光量をモニタ電圧として、以下のゲイン算出に用いることが望ましい。その理由は、発光画素行と非発光画素行との間でモニタ光を受光すると、当該モニタ光は、他の画素からの光漏れの影響をほぼ排除できるため、このモニタ光を利用するとゲイン算出精度を向上させることができるからである。
【００５１】
ホワイトバランス調整部は、モニタ電圧と、モニタ電圧が得られたときの画素に供給されるデータ電圧（「対応するデータ電圧」という）とを入力し、両電圧の比較により、モニタ電圧の、対応するデータ電圧に対する電圧比が所定の基準値から変化するかを常時検出している。
ここで基準値とは、図３に示す受光素子２３Ｒの受光感度、その位置、パネル前面に出射される表示光Ｌ１とモニタ光Ｌ２とのパネル内部での減衰量の割合等に応じて値が決められ、例えば１５〜２５[℃]の特定温度で有機発光ダイオードＯＬＥＤに特性低下がない場合に、当該基準値が上記電圧値と等しい値を有する。したがって、連続発光により温度が上がれば、有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光輝度も上がるため電圧値が基準値より大きくなる。また、連続発光により有機発光ダイオードＯＬＥＤの特性が低下すれば、その分、有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光輝度が下がるため電圧値が基準値より小さくなる。
このモニタ電圧の取得と、電圧比の変化検出は、画素アレイ２Ａの走査に同期してＲＧＢの全色で行っている。
【００５２】
そしてホワイトバランス調整部は、電圧比が変化したことに応答して、ゲイン調整量を、ＲＧＢの画素ユニットでホワイトバランスがとれるように色ごとに決定する。決定した色ごとのゲイン調整量は、当該ゲイン調整量を求めた基礎となったデータ電圧から少なくとも１フレーム後に入力され、同じ画素に対応するデータ電圧を、色ごとのゲインアンプ等でゲイン調整する際に用いられる。
【００５３】
本実施形態によれば、画素または当該画素を含む隣接画素のグループごとに色ゲインの調整が可能である。ここで「隣接画素のグループ」とは同色の隣接画素をいうため、隣接した画素ユニット内の同色画素グループを指す。「隣接画素のグループ」を構成する画素ユニットの範囲は２（行方向）×１（列方向）、１×２、２×２、３×３、…と任意に決めることができる。
【００５４】
このことにより、本実施形態の有機ＥＬディスプレイは以下の利点を有する。
例えば静止画表示の場合、同じ程度の画素データが同じ画素に印加されるため、長時間、静止画を表示していると、高輝度表示する画素の周辺温度が上昇し、そこだけホワイトバランスがくずれてしまう。また、静止画または静止画に近い、たとえば案内画面等を長時間表示すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤの特性低下量が画面内の位置に応じて異なることがある。
本実施形態の有機ＥＬディスプレイは、画素または隣接画素のグループで色ごとにゲイン調整がなされるため、常に、画面全体でホワイトバランスがとれた状態となる。
色ごとにホワイトバランスをとることは今まででも行われていたが、本実施形態では、画面の局所、局所でホワイトバランスをとるため、その精度が格段に向上している。
【００５５】
なお、本実施形態で実際の温度を測定する温度検出素子６０を設けることは必須ではない。なぜなら、上記電圧比自体が温度上昇の要因により変化するため、電圧比に基づいてホワイトバランスを調整すれば足りるからである。しかし、温度上昇幅が分かれば、電圧比変化が温度上昇によるものか特性低下によるものかが分かり、また一般に、温度上昇は特性変化より激しいため、温度変化に応じてホワイトバランス調整の応答性を高めることも可能である。また、発光量をモニタしようする画素以外からの漏れ光が皆無でない場合、その漏れ光はノイズ成分となる。よって、ノイズ成分の大小でゲイン調整量を求める精度が変動する場合がある。
よって、温度検出素子６０を設け、その検出温度の情報をゲイン調整量の決定に反映させて、ホワイトバランス調整の応答性または精度を高めることが可能である。
【００５６】
検出温度の反映の仕方としては、例えば以下の方法が採用される。
モニタ光のみから得られるゲイン値を、検出温度に応じて補正する。このとき補正量は、長期間の検出温度推移に依存した画素特定の低下から推定されるゲイン値から、上記モニタ光のみから得られるゲイン値が大きく異なる場合は、その差はノイズ成分の影響と考え、モニタ光のみから得られるゲイン値を、より検出温度から推定されるゲイン値に近づくように補正すると、ノイズ成分の抑圧が可能となる。この補正は、例えば、モニタ電圧と検出温度を２入力として、補正後のモニタ電圧を出力するテーブルにより実現可能である。
【００５７】
以下、ホワイトバランス調整部の具体的な回路ブロック構成を、幾つかの実施形態に分けて説明する。
なお、これらの実施形態の説明では、簡略化のため画素ユニットごとにゲインを発生させてデータ電圧のゲイン調整を行う場合を例示する。複数の画素ユニットの隣接画素グループごとにゲインを発生させる場合は、１画素ユニットに対して発生したゲインを、その複数画素ユニットの隣接画素グループの代表ゲインとして、グループ内の他の画素ユニットに対するデータ電圧のゲイン調整においても同様に用いる。
【００５８】
《第２実施形態》
図６は、本実施形態に関わる有機ＥＬディスプレイのブロック図である。
図６に図解する有機ＥＬディスプレイ１Ａは、画素アレイ２Ａを含む表示パネル２と、表示パネル２に入力される映像信号を処理する回路とを含む。表示パネル２の構成そのものは第１実施形態と同じであり、図１〜図５と、その説明が本実施形態で、そのまま適用できる。
【００５９】
図６は、本実施形態に関わる有機ＥＬディスプレイ１Ａの、特に信号処理部の構成を示す。
図解した信号処理部は、アナログの映像信号をディジタル信号に変換するアナログ−ディジタル変換器（Ａ／Ｄ）６（以下、ＡＤＣ６という）と、ディジタルの映像信号を、例えばフレーム単位でデータ電圧（画素を駆動すべき電圧の階調値）を記憶する画像メモリ７と、例えば信号処理ＩＣの機能として設けられ、本発明の特徴部の一つであるホワイトバランス変換部８Ａとを有する。
【００６０】
ホワイトバランス変換部８Ａは、アナログのゲインアンプ８０を備え、当該ゲインアンプの色ごとのゲインＧｒ,Ｇｇ,Ｇｂを順次求め、画素ユニットまたは複数の画素ユニットを単位としてホワイトバランスをとるための回路である。
ゲインを求めるために必要な構成として、ホワイトバランス変換部８Ａは、サンプル・ホールド回路（Ｓ／Ｈ）８１Ｖおよび８１Ｔと、電圧ＡＤＣ８２Ｖおよび温度ＡＤＣ８２Ｔと、電圧メモリ８３Ｖおよび温度メモリ８３Ｔと、乗算器８４と、電圧変化量ＣＶの算出部（ＣＶ算出部）８５と、温度変化量ＣＴの算出部（ＣＴ算出部）８６と、係数発生部８７と、係数比較部８８と、ゲイン発生部８９とを有する。
【００６１】
サンプル・ホールド回路８１Ｖは、画像メモリ７や表示パネル２と同期して動作し、表示パネル２から、値が刻々と変化するアナログのモニタ電圧を入力して、入力されるクロックのパルスの立ち上がりまたは立下りでアナログのモニタ電圧をサンプリングする。サンプリングのタイミングは、画像メモリ７から供給される映像信号のデータ電圧が表示パネル２内に入力され、対応する画素に供給されて発光する発光時間の所定のタイミングに同期している。このサンプリングにより値が確定したモニタ電圧は、表示パネル２の走査に同期し、画素駆動時間に対応する時間幅で階段状に変化した波形を有する。
【００６２】
電圧ＡＤＣ８２Ｖは、上記サンプリング後のモニタ電圧波形が持つ各ステップの電圧値（アナログ値）を、所定ビットのディジタル値に変換する。ディジタルのモニタ電圧は、電圧メモリ８３Ｖに出力される。
【００６３】
電圧メモリ８３Ｖは、表示パネル２の画素配列に対応したアドレスのメモリ領域を持つ。電圧メモリ８３Ｖは、このメモリ領域に、電圧ＡＤＣ８２Ｖから入力されるディジタルのモニタ電圧を順次、メモリ領域の所定のアドレスに格納してゆく。これにより、電圧メモリ８３Ｖ内に、モニタ電圧のメモリマップが作成される。
【００６４】
検出温度においても同様な処理を行う。
具体的には、サンプル・ホールド回路８１Ｔは、画像メモリ７や表示パネル２と同期して動作し、表示パネル２から、値が刻々と変化するアナログの検出温度（例えば電圧）を入力して、入力されるクロックのパルスの立ち上がりまたは立下りでアナログの検出温度をサンプリングする。サンプリングのタイミングは、画像メモリ７から供給される映像信号のデータ電圧が表示パネル２内に入力され、対応する画素に供給されて発光する発光時間の所定のタイミングに同期している。このサンプリングにより値が確定した検出温度は、表示パネル２の走査に同期し、画素駆動時間に対応する時間幅で階段状に変化した波形を有する。
【００６５】
電圧ＡＤＣ８２Ｔは、上記サンプリング後の検出温度波形が持つ各ステップの値（アナログ値）を、所定ビットのディジタル値に変換する。ディジタルの検出温度は、温度メモリ８３Ｔに出力される。
【００６６】
温度メモリ８３Ｔは、表示パネル２の画素配列に対応したアドレスのメモリ領域を持つ。温度メモリ８３Ｔは、このメモリ領域に、温度ＡＤＣ８２Ｔから入力されるディジタルの検出温度を順次、メモリ領域の所定のアドレスに格納してゆく。これにより、温度メモリ８３Ｔ内に、検出温度のメモリマップが作成される。
【００６７】
乗算器８４は、画像メモリ７からのデータ電圧Ｖｄ（画素の階調値）を入力し、当該データ電圧Ｖｄ（ディジタルの画素階調値）に所定の比率αを乗算する回路である。比率αは、例えば不図示のＣＰＵ等が内部保持し、あるいは外部から与えられる、０より大きく１未満の数値である。
乗算結果（α・Ｖｄ）および元のデータ電圧Ｖｄは共に、ＣＶ算出部８５に入力される。
【００６８】
ＣＶ算出部８５は、上記乗算結果（α・Ｖｄ）を得たときの上記データ電圧Ｖｄが画像メモリ７から表示パネル２に出力され、そこで一の画素を発光駆動したことに応答してサンプル・ホールド回路８１Ｖ、電圧ＡＤＣ８２Ｖを経て電圧メモリ８３Ｖに記憶されているモニタ電圧Ｖｍを、電圧メモリ８３Ｖのメモリマップから読み出す。読み出したモニタ電圧Ｖｍと上記乗算結果（α・Ｖｄ）との差分を計算する。そして、当該差分を、元のデータ電圧Ｖｄの階調値（ディジタル値）で除算して、これにより電圧変化量ＣＶを求める。
以上の電圧変化量ＣＶの算出は、隣接するＲ,Ｇ,Ｂの３画素で各々が構成されている単数（または複数）の画素ユニットを単位として色ごとに行う。
【００６９】
一方、ＣＴ算出部８６は、温度メモリ８３Ｔ内の検出温度のメモリマップから、ある第Ｎフレームの検出温度ＴＮを、走査駆動順の画素ごとに順次入力し、また、１フレーム前の検出温度ＴＮ−１を、同様に走査駆動順の画素ごとに順次入力し、アドレスが同じ画素に対応する検出温度ＴＮから検出温度ＴＮ−１を引いて、温度変化量ＣＴを算出する。この温度変化量ＣＴの算出はフレーム内の全ての画素に対して順次行われる。
このような温度変化量ＣＴの算出のためには、温度メモリ８３Ｔが少なくとも２フレーム分のメモリマップを作成することが必要である。なお、検出対象は１フレーム前に限らず、２フレーム以上前であってもよい。
【００７０】
係数発生部８７は、ＣＶ算出部８５からの電圧変化量ＣＶと、ＣＴ算出部８６からの温度変化量ＣＴとを、同じ画素に対応する電圧変化量ＣＶと温度変化量ＣＴで同期して入力する。係数発生部８７は、同じ画素ユニットに対応する３つの電圧変化量ＣＶ（ＣＶｒ,ＣＶｇ,ＣＶｂ）と、３つの温度変化量ＣＴ（ＣＴｒ,ＣＴｇ,ＣＴｂ）とが揃うごとに、当該画素ユニットに対するホワイトバランスがとられた理想的なゲイン比率に関係した係数を算出する。
【００７１】
この係数はホワイトバランス関係式、例えば次式(1)のＷＢ調整相関式に規定される（Ｘ,Ｙ,Ｚ）の組のことである。
【００７２】
［数１］
Ｖｄ(R)／Ｖｄｔ＝Ｘ・(Ｖｄ(G)／Ｖｄｔ)
＝Ｙ・(Ｖｄ(B)／Ｖｄｔ)
＝Ｚ                  …(1)
【００７３】
ここで符号Ｖｄ(R)はＲ画素のデータ電圧（ディジタル階調値）、Ｖｄ(G)はＧ画素のデータ電圧（ディジタル階調値）、Ｖｄ(B)はＢ画素のデータ電圧（ディジタル階調値）を表す。また、符号Ｖｄｔは画素ユニット内のデータ電圧の和、即ち、Ｖｄ(R)＋Ｖｄ(G)＋Ｖｄ(B)を表す。
式(1)により規定される係数（Ｘ,Ｙ,Ｚ）の比率が、例えばＸ:Ｙ:Ｚ＝1/4：5/8：1/8＝２：５：１のときに表示パネル２においてホワイトバランスがとれているとする。この理想係数（Ｘ,Ｙ,Ｚ）に対し、ホワイトバランスが崩れているときの係数を（Ｘ´,Ｙ´,Ｚ´）と定義する。
【００７４】
図６に示す係数発生部８７は、電圧変化量ＣＶおよび温度変化量ＣＴとともに画像メモリ７からのデータ電圧Ｖｄ、即ちＲ画素のデータ電圧Ｖｄ(R)とＧ画素のデータ電圧Ｖｄ(G)とＢ画素のデータ電圧Ｖｄ(B)を入力する。
そして係数発生部８７は、これらの入力に基づいて係数（Ｘ´、Ｙ´、Ｚ´）を算出する。
具体的に係数Ｘ´について説明すると、その係数Ｘ´は前記式(1)からＸ´＝｛Ｖｄ(R)＋ＣＶ(R)｝／｛Ｖｄ(G)＋ＣＶ(G)｝と概略算出され、これにＣＴ(R)を加味して係数Ｘ´を求めることが可能である。ここで符号ＣＶ(R)はＲ画素についての電圧変化量を表し、｛Ｖｄ(R)＋ＣＶ(R)｝が式(1)のＶｄ(R)に相当する。同様に、符号ＣＶ(G)はＧ画素についての電圧変化量を表し、｛Ｖｄ(G)＋ＣＶ(G)｝が式(1)のＶｄ(G)に相当する。符合ＣＴ(R)は、Ｒ画素についての温度変化量を表す。
係数Ｙ´は前記式(1)からＸ´＝｛Ｖｄ(R)＋ＣＶ(R)｝／｛Ｖｄ(B)＋ＣＶ(B)｝と概略算出され、これにＣＴ(B)を加味して係数Ｙ´を求めることが可能である。ここで符号ＣＶ(B)はＢ画素についての電圧変化量を表し、｛Ｖｄ(B)＋ＣＶ(B)｝が式(1)のＶｄ(B)に相当する。符合ＣＴ(B)は、Ｂ画素についての温度変化量を表す。
さらに、係数Ｚ´は前記式(1)からＺ´＝｛Ｖｄ(R)＋ＣＶ(R)｝／Ｖｄｔと概略算出され、これにＣＴ(B)を加味して係数Ｚ´を求めることが可能である。画素ユニット内のトータルのデータ電圧は、Ｖｄｔ＝｛Ｖｄ(R)＋ＣＶ(R)｝＋｛Ｖｄ(G)＋ＣＶ(G)｝＋｛Ｖｄ(B)＋ＣＶ(B)｝であり、ここで符号ＣＶ(G)はＧ画素についての電圧変化量を表し｛Ｖｄ(G)＋ＣＶ(G)｝が式(1)のＶｄ(G)に相当する。符合ＣＴ(G)は、Ｇ画素についての温度変化量を表す。
係数発生部８７は、算出した係数（Ｘ´,Ｙ´,Ｚ´）を係数比較部８８に出力する。
【００７５】
係数比較部８８は、係数発生部８７から入力される係数（Ｘ´,Ｙ´,Ｚ´）を、不図示のＣＰＵ等の内部で保持され又は外部から入力される理想係数（Ｘ,Ｙ,Ｚ）と比較する。この各係数の差分がゲイン調整量に関係し、係数比較部８８は、この差分に基づいて色ごとのゲイン（Ｇｒ,Ｇｇ,Ｇｂ）を算出する。
【００７６】
算出された色ごとのゲイン（Ｇｒ,Ｇｇ,Ｇｂ）はゲインアンプ８０に出力され、その後に入力される映像信号において、当該ゲインを求めた画素ユニットに対応する他のフレーム内の画素ユニットにおいて、データ電圧のゲイン調整がゲインアンプ８０によって実行される。
【００７７】
図７は、本実施形態におけるホワイトバランス調整方法の手順を示すフローチャートである。以下、図７に沿って、具体的な数値例および電圧値を挙げて説明する。ただし、この数値や電圧値はあくまで一例であり、これに限定されない。
アナログの映像信号が、図６に示すゲインアンプ８０に入力され、ここでゲイン調整が行われる。このときのゲイン調整量は、以下に示すと同様な方法によって以前に求められたものである。ゲイン調整後の映像信号がＡＤＣ６でディジタルに変換され、画像メモリ７に入力される（図７のステップＳＴ０）。
【００７８】
Ｒ画素のデータ電圧Ｖｄ(R)、Ｇ画素のデータ電圧Ｖｄ(G)、Ｂ画素のデータ電圧Ｖｄ(B)に対して、この順で繰り返し変化量算出処理（ステップＳＴ１）が実行される。変化量算出処理（ステップＳＴ１）は、図７に重ねて示しており、ＲＧＢで同様なため、以下、Ｒ画素に関して代表して説明する。
【００７９】
まず、Ｒ画素のデータ電圧Ｖｄ(R)が図６に示す画像メモリ７から読み出される（ステップＳＴ１１）。
データ電圧Ｖｄ(Ｒ)に基づいて表示パネル２のＲ画素駆動が行われ（ステップＳＴ１２）、これによりＲ画素が発光する（ステップＳＴ１３）。
この発光駆動と並行して、図６に示す乗算器８４にて比率α、例えば０.２がデータ電圧Ｖｄ(Ｒ)に乗算される（ステップＳＴ１４）。その乗算結果（α・Ｖｄ(R)）は、図６に示すＣＶ算出部８５に出力される。
【００８０】
一方、前述したステップＳＴ１３のＲ発光による光の一部（モニタ光Ｌｍｒ）を図３に示す受光素子２３Ｒが受光し（ステップＳＴ１１１）、このときの発光画素に対応する温度検出素子６０で温度がモニタされ（ステップＳＴ１１２）、当該受光により発生したモニタ電圧Ｖｍ(R)と検出温度ＴＮが、図６の表示パネル２から出力される。
つぎのステップＳＴ１１３にて、モニタ電圧Ｖｍ(R)に対して、図６のサンプル・ホールド回路８１Ｖ、電圧ＡＤＣ８２Ｖによって、それぞれサンプリングとディジタル化が実行され、その実行結果が電圧メモリ８３Ｖに入力される。また、検出温度ＴＮに対して、図６のサンプル・ホールド回路８１Ｔ、温度ＡＤＣ８２Ｔによって、それぞれサンプリングとディジタル化が実行され、その実行結果が温度メモリ８３Ｔに入力される。
なお、図６の温度メモリ８３Ｔは、この時点で、既に１フレーム前の同じ画素における検出温度ＴＮ−１を記憶しているとする。
【００８１】
図７のステップＳＴ１５にて差電圧ΔＶ(R)が、図６のＣＶ算出部８５によって実行される。具体的にＣＶ算出部８５は、ステップＳＴ１１４にてモニタ電圧Ｖｍ(R)を読み出し、このモニタ電圧Ｖｍ(R)からステップＳＴ１４で求められた乗算結果（α・Ｖｄ(R)）を引くことにより、差電圧ΔＶ(R)を算出する。
続いてＣＶ算出部８５は、ステップＳＴ１６にて、差電圧ΔＶ(R)を、先のステップＳＴ１１の読み出されたデータ電圧Ｖｄ(R)の値（ディジタル階調値）で除算することによって電圧変化量ＣＶ(R)を求める。電圧変化量ＣＶ(R)は、例えば一時的に保持され、同一画素ユニット内の他色の画素に関する電圧変化量ＣＶ(G),ＣＶ(B)が揃った段階で、３つの電圧変化量ＣＶを一斉に図６に示す係数発生部８７に出力する。
【００８２】
一方、これと並行して、図６のＣＴ算出部８６が温度変化量ＣＴを算出する。
具体的には、例えば１フレーム前の検出温度ＴＮ−１が３０[℃]であり、所期期間後（ここでは１フレーム後、２フレーム以上の後でも可能）に検出温度ＴＮが６０[℃]を示していたとする。ＣＴ算出部８６は、検出温度ＴＮと検出温度ＴＮ−１を温度メモリ８３Ｔから読み出し、その差をとって、温度変化量ＣＴ＝６０−３０＝３０[℃]を算出する。温度変化量ＣＴはＣＴ算出部８６から係数発生部８７に出力される。
なお、温度に関しては画素ユニット内の各色の画素ごとに算出してもよいが、ここでは、代表して１つの温度変化量ＣＴを算出している。
【００８３】
ここでＲ画素の発光輝度が、基準値を１００[％]とすると、温度変化を主要因として１１０[％]にまで増加しているとする。また、Ｇ画素の発光輝度が、基準値を１００[％]とすると、温度変化を主要因として１０５[％]と、Ｒ画素の変化量の半分ほど変化していたとする。また、理想係数（Ｘ,Ｙ,Ｚ）の比率は、Ｘ:Ｙ:Ｚ＝1/4：5/8：1/8＝２：５：１であるとする。
そしてＲ画素データに関し、元のデータ電圧がＶｄ(R)＝４.０[Ｖ]、その電圧変化量がＣＶ(R)＝０.４[Ｖ]であったとする。この電圧変化量ＣＶ(R)＝０.４[Ｖ]は、主に、Ｒ発光輝度が１割増加したことにより生じている。このさらにＧ画素データに関し、元のデータ電圧がＶｄ(G)＝１０.０[Ｖ]、その電圧変化量がＣＶ(G)＝０.５[Ｖ]であったとする。この電圧変化量ＣＶ(G)＝０.５[Ｖ]は、主に、Ｇ発光輝度が５[％]増加したことにより生じている。なお、Ｂ画素データは、元のデータ電圧Ｖｄ(R)＝２.０[Ｖ]であり電圧変化は生じていないとする（ＣＶ(B)＝０）。
【００８４】
つぎに、電圧変化量ＣＶ(R)、さらには他の２色の電圧変化量ＣＶ(G),ＣＶ(B)、温度変化量ＣＴ、ならびに、ステップＳＴ１１で読み出されたＲ画素のデータ電圧Ｖｄ(R)、さらには他の２色のデータ電圧Ｖｄ(G),Ｖｄ(B)を用いて、係数発生部８７が係数（Ｘ´、Ｙ´、Ｚ´）を算出する。前述したように、この係数（Ｘ´、Ｙ´、Ｚ´）の算出過程で、｛Ｖｄ(R)＋ＣＶ(R)｝＝４.４[Ｖ]、｛Ｖｄ(G)＋ＣＶ(G)｝＝１０.５[Ｖ]、｛Ｖｄ(B)＋ＣＶ(B)｝＝２.０が用いられる。その結果求められた係数（Ｘ´、Ｙ´、Ｚ´）は、理想係数比率Ｘ:Ｙ:Ｚ＝1/4：5/8：1/8＝２：５：１と異なる比率を有している。図６の係数比較部８８は、この係数を比較し、係数同士の比率の変化情報をゲイン発生部８９に出力する（図７のステップＳＴ３）。
【００８５】
つぎのステップＳＴ４では、図６のゲイン発生部８９が、係数（Ｘ´、Ｙ´、Ｚ´）の比率を理想係数比率Ｘ:Ｙ:Ｚ＝1/4：5/8：1/8＝２：５：１とするように、色ごとの理想的なデータ電圧を逆算し、元のデータ電圧を、その理想的なデータ電圧とするための変倍数（ゲイン）を色ごとに算出する。
ゲイン発生部８９から出力された色ごとのゲイン（Ｇｒ,Ｇｇ,Ｇｂ）は、この順にゲインアンプ８０に出力され、そこでＲ画素データ電圧、Ｇ画素データ電圧、Ｂ画素データ電圧のゲイン調整に順次供せられる。
よって、ゲインアンプ８０から出力される映像信号はＲＧＢのホワイトバランスが理想状態に補正されたものとなる。
ゲイン調整が終了するとフローがステップＳＴ１の最初に戻る。なお、フローチャートに書くと、このようにゲイン調整が終了してからステップＳＴ１が再開されるようになるが、実際には、各ステップは、入力が変更されるたびに画素単位での処理を連続実行しているため、あるフレームでゲイン算出をした結果を次のフレームのゲイン調整に迅速に反映させて応答性が高いホワイトバランス調整が可能である。
【００８６】
本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１Ａは、第１実施形態と同様に、画素または隣接画素のグループで色ごとにゲイン調整がなされるため、精度が高いホワイトバランス調整が可能である。また、図解したフィードバック制御により迅速な処理が可能である。
なお、第１実施形態と同様、本実施形態においても温度検出素子６０を設けることが必須ではなく、その場合、図６のサンプル・ホールド回路８１Ｔ、温度ＡＤＣ８２Ｔ、温度メモリ８３ＴおよびＣＴ算出部８６を省略可能である。
【００８７】
《第３実施形態》
図８は、本実施形態に関わる有機ＥＬディスプレイのブロック図である。
図解した有機ＥＬディスプレイ１Ｂは、ディジタルの色ごとのデータ信号Ｖｄ(R),Ｖｄ(G),Ｖｄ(B)を独立に入力し、３つの乗算器９０Ｒ,９０Ｇ,９０Ｂで色ごとのゲイン調整を行う。したがって本実施形態に関わるホワイトバランス変換部８Ｂでは、図６と比較すると、図６のゲインアンプ８０に代えて、乗算器９０Ｒ,９０Ｇ,９０Ｂが設けられている。また、図６のＡＤＣ６が図８では省略されている。
他の構成は、基本的に図６と共通する。ただし本実施形態に関わるホワイトバランス変換部８Ｂでは、図８に示すように、図６の乗算器８４、ＣＶ算出部８５およびＣＴ算出部８６が色ごとに設けられている。なお、サンプル・ホールド回路８１Ｖと８１Ｔ、電圧ＡＤＣ８２Ｖと温度ＡＤＣ８２Ｔ、ならびに、電圧メモリ８３Ｖと温度メモリ８３Ｔは、それぞれ色ごとに設けることも可能であるが、画像メモリ７および表示パネル２と同じ高速クロックで動作させることを前提とすればそれぞれ１つで済むため、図８では色ごとの配置は行っていない。また、係数発生部８７、係数比較部８８およびゲイン発生部８９はＲＧＢに共通な処理を行うため色ごとの配置はしていない。
【００８８】
乗算器９０Ｒは、ゲイン発生部８９からＲゲインＧｒを入力し、Ｒ画素のデータ電圧Ｖｄ(R)にＲゲインＧｒを乗算してゲイン調整を行う。乗算器９０Ｇは、ゲイン発生部８９からＧゲインＧｇを入力し、Ｇ画素のデータ電圧Ｖｄ(G)にＧゲインＧｇを乗算してゲイン調整を行う。同様に、乗算器９０Ｂは、ゲイン発生部８９からＢゲインＧｂを入力し、Ｂ画素のデータ電圧Ｖｄ(B)にＢゲインＧｂを乗算してゲイン調整を行う。
ゲインＧｒ,Ｇｇ,Ｇｂは画像メモリ７に順次入力され、記憶される。
以後の新たなゲインＧｒ,Ｇｇ,Ｇｂを、ホワイトバランスを調整するために求める処理は第２実施形態と同様であり、図７のフローチャートが本実施形態でそのまま適用できる。
【００８９】
本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１Ｂは、第１実施形態と同様に、画素または隣接画素のグループで色ごとにゲイン調整がなされるため、精度が高いホワイトバランス調整が可能である。また、第２実施形態と同様に、図解したフィードバック制御により迅速な処理が可能である。
なお、第１実施形態と同様、本実施形態においても温度検出素子６０を設けることが必須ではなく、その場合、図８のサンプル・ホールド回路８１Ｔ、温度ＡＤＣ８２Ｔ、温度メモリ８３ＴおよびＣＴ算出部８６を省略可能である。
【００９０】
《第４実施形態》
図９は、本実施形態に関わる有機ＥＬディスプレイのブロック図である。
本実施形態は第１実施形態の変形であり、図６と比較すると、図９に図解する有機ＥＬディスプレイ１Ｃは、追加の構成として、動き検出部９が設けられている。動き検出部９は、ＡＤＣ６からのディジタルの映像信号をフレーム間で動き検出し、所定の判定基準を用いて静止画か動画かを判定する。
【００９１】
また、本実施形態に関わるホワイトバランス変換部８Ｃは、画像メモリ７と乗算器８４との間に第１電圧差補正部９１が接続され、電圧メモリ８３ＶとＣＶ算出部８５との間に第２電圧差補正部９２が接続されている。
第１および第２電圧差補正部９１,９２は、動き検出部９が判定した静止画または動画の結果に応じて、それぞれが入力する電圧（データ電圧Ｖｄまたはモニタ電圧Ｖｍ）に所定の倍率、例えば１００を乗算するか否かを制御する回路である。
他の構成は図６と同じであるため、ここでの説明を省略する。
【００９２】
このように動き検出を行い、その結果に応じて電圧の大きさを変える処理を行う理由は、以下のごとくである。
静止画の場合、同じ画素に同じデータ電圧が何フレームに亘って印加されるため、発光輝度が大きな画素では温度上昇が激しく、また、画素発光特性の低下も比較的大きい。これに対し、動画の場合、同じ画素でもフレームごとに異なるデータ電圧が印加されるため、平均すると、画素間の温度上昇や発光特性の変化も静止画ほど大きくない。
一方、ＣＶ算出部８５に入力されるデータ電圧Ｖｄやモニタ電圧Ｖｍはディジタル値に変換されており、その階調を表現するビット数が、例えば８ビット、１０ビット等に制限されている。したがって、電圧値が異なる静止画の場合と動画の場合で、電圧レベルを調整しないで処理すると誤差精度に違いが生じ、特に動画の誤差が静止画より大きくなる。これを防止するには電圧レベルを動画と静止画で揃えるとよい。第１および第２電圧差補正部９１,９２は、そのための構成であり、例えば動画の場合にのみ電圧を１００倍して、静止画の電圧レベルにほぼ桁を揃えるようにする。
【００９３】
図１０に、本実施形態におけるホワイトバランス調整方法の手順を示すフローチャートを示す。
図解したフローチャートは、図７に示すステップをすべて備えている。ただし、図７のステップＳＴ２〜ＳＴ５は紙面の都合上、図示を省略している。共通するステップは第２実施形態と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【００９４】
図１０のフローチャートには、追加のステップとして、ステップＳＴ１内にステップＳＴ１７とＳＴ１８を設けている。
ステップＳＴ１７は、図９の第１電圧差補正部９１が行う処理であり、メモリ読み出し後のＲ画素のデータ電圧Ｖｄ(R)に１００を乗算することを意味する。ステップＳＴ１８は、図９の第２電圧差補正部９２が行う処理であり、メモリ読み出し後のモニタ電圧Ｖｍ(R)に１００を乗算することを意味する。
【００９５】
図９の動き検出部９が行う動き検出処理として、ステップＳＴ９０〜ＳＴ９４を新たに設けている。
ステップＳＴ９０で、動き検出部９は、Ｒ画素に関し、第Ｎフレームのデータ電圧Ｖｄ（Ｎ）と、１フレーム前の第（Ｎ−１）フレームのデータ電圧Ｖｄ（Ｎ−１）とをＡＤＣ６の出力または画像メモリ７から取り込む。
続いて動き検出部９は、取り込んだ２つのデータ電圧の差分を計算し、差分が第Ｎフレームのデータ電圧Ｖｄ（Ｎ）または第（Ｎ−１）フレームのデータ電圧Ｖｄ（Ｎ−１）に対して何[％]であるかを示す動き変化量ＣＭを求める。そして、動き変化量ＣＭが所定の動き判定基準、例えば０.７（７０[％]）以上なら動画、０.７未満なら静止画と判断する（ステップＳＴ９２,ＳＴ９３,ＳＴ９４）。
【００９６】
静止画判定の場合（ステップＳＴ９３）、動き検出部９は第１および第２電圧差補正部９１,９２に制御信号を送って、ステップＳＴ１７およびＳＴ１８の（×１００）倍処理をオフとする。反対に、動画判定の場合（ステップＳＴ９４）、動き検出部９は第１および第２電圧差補正部９１,９２に制御信号を送って、ステップＳＴ１７およびＳＴ１８の（×１００）倍処理をオンする。この（×１００）倍処理の制御後は、処理フローがリターンパスに戻される。
【００９７】
以上の制御は、ホワイトバランスを行う単位、即ち画素ごと、又は、隣接画素グループごとに実行される。よって、静止画部分と動画部分が混在した画面においても適応的に処理が実行され、よりゲイン算出の誤差が向上する。
【００９８】
本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１Ｃは、第１実施形態と同様に、画素または隣接画素のグループで色ごとにゲイン調整がなされるため、精度が高いホワイトバランス調整が可能である。また、第２実施形態と同様に、図解したフィードバック制御により迅速な処理が可能である。さらに、動き検出を行い、その結果に応じて、データ電圧Ｖｄとモニタ電圧Ｖｍの電圧レベルを揃えるかの制御をオンまたはオフするため、静止画と動画でＣＶ算出部８５から出力される電圧変化量ＣＶの誤差精度が高いレベルで揃い、結果として、ゲイン調整の精度が向上している。また、この制御は画素ごと、又は、隣接画素グループごとに実行されるため、静止画部分と動画部分が混在した画面においても適応的に処理が実行され、よりゲイン算出の誤差が向上する。
なお、第１実施形態と同様、本実施形態においても温度検出素子６０を設けることが必須ではなく、その場合、図９のサンプル・ホールド回路８１Ｔ、温度ＡＤＣ８２Ｔ、温度メモリ８３ＴおよびＣＴ算出部８６を省略可能である。
【００９９】
《第５実施形態》
図１１は、本実施形態に関わる有機ＥＬディスプレイのブロック図である。
図解した有機ＥＬディスプレイ１Ｄは、ディジタルの色ごとのデータ信号Ｖｄ(R),Ｖｄ(G),Ｖｄ(B)を独立に入力し、３つの乗算器９０Ｒ,９０Ｇ,９０Ｂで色ごとのゲイン調整を行う。したがって本実施形態に関わるホワイトバランス変換部８Ｄでは、図９と比較すると、図９のゲインアンプ８０に代えて、乗算器９０Ｒ,９０Ｇ,９０Ｂが設けられている。また、図９のＡＤＣ６が図１１では省略されている。
他の構成は、基本的に図９と共通する。ただし本実施形態に関わるホワイトバランス変換部８Ｂでは、図１１に示すように、図６の第１電圧差補正部９１、乗算器８４、ＣＶ算出部８５およびＣＴ算出部８６が色ごとに設けられている。なお、サンプル・ホールド回路８１Ｖと８１Ｔ、電圧ＡＤＣ８２Ｖと温度ＡＤＣ８２Ｔ、電圧メモリ８３Ｖと温度メモリ８３Ｔ、ならびに、第２電圧差補正部９２は、それぞれ色ごとに設けることも可能であるが、画像メモリ７および表示パネル２と同じ高速クロックで動作させることを前提とすればそれぞれ１つで済むため、図１１では色ごとの配置は行っていない。また、係数発生部８７、係数比較部８８およびゲイン発生部８９はＲＧＢに共通な処理を行うため色ごとの配置はしていない。
動作自体は、第３実施形態と第４実施形態の組み合わせであるため、ここでの説明を省略する。図１０のフローチャートは本実施形態でもそのまま適用できる。また、利点も第４実施形態と同様である。
【０１００】
《第６実施形態》
以上の第１〜第５実施形態では、表示パネル２内の発光点近傍に温度検出素子６０が設けられていたが、本実施形態では、温度検出素子６０を、図１の周辺領域２Ｂに設ける。周辺領域２Ｂには駆動回路等や有効画素以外のダミー画素も配置されるが、画素アレイ２Ａに可能な限り近い意味では、ダミー画素に設けるとよい。ダミー画素は、とくに画素アレイ２Ａの最も周辺領域の画素が、製造プロセスの影響で、画素アレイ２Ａの中心部の画素と特性が異なることを防止するために、すなわち連続性を確保する意味で設けられるが実際の映像表示では使用されない。このダミー画素に温度検出素子６０を設けることで温度の検出が可能である。その場合、画素ごとの温度検出はできないが、第１〜第５実施形態と同様に、この検出温度に基づいて温度変化量ＣＴを算出しゲインに反映させることが可能である。
【０１０１】
なお、以上の第１〜第６実施形態では対向基板側から光を出射するトップエミッション型の表示パネル２を説明したが、図１２に示すボトムエミッション型の表示パネルを用いることもできる。
図１２に示す概略断面が、図３と異なる点は、アノード電極２４、支持基板３０を光透過性が高い材料で形成し、かつ、有機発光ダイオードＯＬＥＤと反対側の支持基板３０の主面に、光透過性が高い膜４３に埋め込んだ受光素子２３Ｒ、光透過性が高い膜４１に埋め込んだブラックストライプ４２を形成している点である。なお、光が出射されないカソード電極２５、膜５０、対向基板４０は、光透過性が高い材質に限定されない。そして、対向基板４０のトップ面（最表面）に熱伝導率が低い材質の膜６１を間に挟んだ温度検出素子６０を、例えばシート状に貼り付ける。
なお、受光素子２３Ｒとブラックストライプ４２の位置関係は、ボトム側とトップ側で反対になっているが、画素境界に対する位置関係は図３と同様である。また、温度検出素子６０も有機発光ダイオードＯＬＥＤの位置に対応させて配置していることも図３と同様である。また、図１２では、画素回路層３１を詳細に示していないが、これを図３と同様に支持基板３０に形成されている。
【０１０２】
また、第２〜第５実施形態のホワイトバランス変換部８Ａ〜８Ｄにおいて、任意の構成をＣＰＵやマイクロコンピュータ、その他、ＤＳＰ等のコンピュータベースの構成を制御するプログラムの手順として実現することもできる。ただし、メモリ（電圧メモリ８３Ｖと８３Ｔ）、ならびに、サンプル・ホールド回路８１Ｖと８１Ｔや電圧ＡＤＣ８２Ｖと８２Ｔ等の高速処理を要求される回路はハードとして実現される。
また、逐次計算ではＣＰＵ等の処理負担が大きいので、幾つかの構成をテーブル参照によって実現してもよい。例えば、係数発生部８７、ゲイン発生部８９はそれぞれテーブル参照により実現してもよい。また、係数発生部８７と、ＣＶ算出部８５およびＣＴ算出部８６を１つのテーブルにより実現し、ゲイン発生部８９と係数比較部８８を１つのテーブルにより実現してもよい。さらには、ＣＶ算出部８５、ＣＴ算出部８６、係数発生部８７係数比較部８８およびゲイン発生部８９を１つのテーブルにより実現してもよい。ここでテーブルとは物理メモリを分ける場合と、１つの物理メモリのメモリ空間を分ける場合との両方を含む包括的な表現である。
テーブル数が増えるとメモリ規模およびハード的な占有面積が増えるが、処理速度は低減できる場合があり、占有面積と処理速度の兼ね合いにより、さらには、ＣＰＵの負担軽減の観点からテーブル化する構成の組み合わせを最適化するとよい。
【０１０３】
また、表示パネル２はアクティブマトリックス駆動に限定されず、パッシブ（単純）マトリックス駆動でもよい。
その場合、図３および図４に示す画素回路３Ａは不要であり、図３に示すアノード電極２４を平行ストライプ状に形成し、これと直行する方向に、カソード電極２５を平行ストライプ状に形成し、その２つの電極に直接、あるいは、他の配線を介して図４のＶスキャナ４とＨスキャナ５から走査信号とデータ電圧を供給する。すると、走査対象の一の画素が発光し、発光対象を点順次で変えて画面表示が行われる。
つまり、パッシブマトリックス駆動では、一の画素が発光している期間は他の画素が発光できないため、所定の輝度を得ようとすれば駆動電圧は大きくなり、画素特性の低下も大きい。しかし、パネルおよび駆動回路の構成を簡単にできるという利点がある。
【０１０４】
本発明の実施形態によれば、画面の局所ごとに最適なホワイトバランス調整によって、高品位で自然な映像表示が可能な自発光型映像表示装置、ホワイトバランス調整回路、および、ホワイトバランス調整方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】第１〜第５実施形態に関わる表示パネルの領域図である。
【図２】第１〜第５実施形態に関わる画素アレイの概略的な平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。
【図４】第１〜第５実施形態に関わる、画素回路およびその駆動回路のブロック図である。
【図５】画素回路の構成を示す回路図である。
【図６】第２実施形態に関わる有機ＥＬディスプレイのブロック図である。
【図７】第２および第４実施形態に関わるフローチャートである。
【図８】第３実施形態に関わる有機ＥＬディスプレイのブロック図である。
【図９】第４実施形態に関わる有機ＥＬディスプレイのブロック図である。
【図１０】第３および第５実施形態に関わるフローチャートである。
【図１１】第５実施形態に関わる有機ＥＬディスプレイのブロック図である。
【図１２】表示パネルの変形例に関わる概略断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１Ａ,１Ｂ,１Ｃ,１Ｄ…有機ＥＬディスプレイ、２…表示パネル、２Ａ…画素アレイ、２Ｂ…周辺領域、４…Ｖスキャナ、５…Ｈスキャナ、６…ＡＤＣ、７…画像メモリ、８Ａ,８Ｂ,８Ｃ,８Ｄ…ホワイトバランス変換部、９…動き検出部、２１…画素、２２,２２Ｒ等…ＥＬ層、２３Ｒ等…受光素子、２４…アノード電極、２５…カソード電極、３Ａ…画素回路、３０…支持基板、３１…画素回路層、４０…対向基板、４２…ブラックストライプ、８０…ゲインアンプ、８１Ｖ…サンプル・ホールド回路、８１Ｔ…サンプル・ホールド回路、８２Ｖ…電圧ＡＤＣ、８２Ｔ…温度ＡＤＣ、８３Ｖ…電圧メモリ、８３Ｔ…温度メモリ、８４,９０Ｒ等…乗算器、８５…ＣＶ算出部、８６…ＣＴ算出部、８７…係数発生部、８８…係数比較部、８９…ゲイン発生部、９１…第１電圧差補正部、９２…第２電圧差補正部、Ｖｄ…データ電圧、Ｖｍ…モニタ電圧、ＣＶ…電圧変化量、ＣＴ…温度変化量、ＣＭ…動き変化量、α…比率、（Ｘ,Ｙ,Ｚ）…係数、Ｇｒ,Ｇｇ,Ｇｂ…ゲイン
【図１】
2008145835.tif 000003
【図２】
2008145835.tif 000004
【図３】
2008145835.tif 000005
【図４】
2008145835.tif 000006
【図５】
2008145835.tif 000007
【図６】
2008145835.tif 000008
【図７】
2008145835.tif 000009
【図８】
2008145835.tif 000010
【図９】
2008145835.tif 000011
【図１０】
2008145835.tif 000012
【図１１】
2008145835.tif 000013
【図１２】
2008145835.tif 000014