(57)【要約】【課題】基板と圧電薄膜との間に絶縁部を必須の構成として設けずに圧電薄膜デバイスの低背化を図る。【解決手段】圧電振動共振子１には、絶縁性材料からなる基板２と、基板２上に形成された圧電薄膜３と、基板２上に形成されるとともに圧電薄膜３の表裏面３１，３２に対向して形成された上下電極４１，４２とが設けられ、下電極４２が基板２と圧電薄膜３との間に介在される。下電極４２は、上電極４１と圧電薄膜３を挟んで対向する励振電極部４２１と、外部と電気的接続を行う接続電極部４２２とから構成されている。基板２にはキャビティ２３が形成され、キャビティ２３内で下電極４２の励振電極部４２１が露出して配される。下電極４２の励振電極部４２１のうち、少なくともキャビティ２３から露出される部位に、発振周波数調整を行う調整部５１が設けられる。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された圧電薄膜と、前記基板上に形成されるとともに前記圧電薄膜の表裏面に対向して形成された一対の上電極および下電極とが積層状態で設けられ、前記下電極が前記基板と前記圧電薄膜との間に介在された圧電薄膜デバイスにおいて、
前記上下電極は、それぞれ前記圧電薄膜を挟んで対向する励振電極部と、外部と電気的接続を行う接続電極部とから構成され、
前記基板は絶縁性材料からなり、前記基板にキャビティが形成されるとともに前記キャビティ内で前記下電極の前記励振電極部が露出して配され、
前記下電極の前記励振電極部のうち、少なくとも前記キャビティから露出される部位に、発振周波数調整を行う調整部が設けられたことを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項２】
さらに、前記キャビティに発振周波数調整を行う付加調整部が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜デバイス。
【請求項３】
前記基板は、水晶からなり、
前記下電極では、前記励振電極部はモリブデンからなり、前記接続電極部はクロムと金とが積層してなり、
前記調整部は、金からなり、
前記圧電薄膜は、窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項１または２に記載の圧電薄膜デバイス。
【請求項４】
前記基板は、Ｚ板水晶からなり、
前記キャビティの側面がテーパー形成され、前記側面の傾斜角度が前記基板の主面に対して３５度であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の圧電薄膜デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電薄膜デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線通信や電気回路に用いられる周波数の高周波数化にともない、これらの電気振動に対して用いられる電子機器も高周波数化に対応したものが求められている。
【０００３】
例えば、電子機器のうち、バルク波振動を用いたＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）構造の圧電薄膜デバイス（圧電薄膜共振子）があり、この圧電薄膜デバイスでは圧電材料に圧電薄膜が用いられている（下記する特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載された圧電薄膜共振子では、シリコンを材料とした基板の表面上にシリコン酸化膜が設けられ、このシリコン酸化膜上に、アルミニウムからなる下部電極と上部電極に挟まれた酸化亜鉛からなる圧電薄膜が設けられてなる。
【０００５】
上記したように、特許文献１では、圧電薄膜として酸化亜鉛を用いており、圧電薄膜と基板との間に、絶縁材料からなるシリコン酸化膜が用いられている。
【特許文献１】特公平１−３１７２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、現在、圧電薄膜デバイスでは薄型化、すなわち低背化がすすめられている。そこで、上記した特許文献１に記載の圧電薄膜共振子の場合、シリコン酸化膜を構成から省いて低背化を図ることが考えられる。しかしながら、シリコンの基板が完全な絶縁材料ではないために圧電薄膜との間に絶縁材料のシリコン酸化膜を介在させる必要があり、このシリコン酸化膜を構成から省くことができない。
【０００７】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、基板と圧電薄膜との間に絶縁部（絶縁膜や絶縁層など）を必須の構成として設けずに当該圧電薄膜デバイスの低背化を図る圧電薄膜デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電薄膜デバイスは、基板と、前記基板上に形成された圧電薄膜と、前記基板上に形成されるとともに前記圧電薄膜の表裏面に対向して形成された一対の上電極および下電極とが積層状態で設けられ、前記下電極が前記基板と前記圧電薄膜との間に介在された圧電薄膜デバイスにおいて、前記上下電極は、それぞれ前記圧電薄膜を挟んで対向する励振電極部と、外部と電気的接続を行う接続電極部とから構成され、前記基板は絶縁性材料からなり、前記基板にキャビティが形成されるとともに前記キャビティ内で前記下電極の前記励振電極部が露出して配され、前記下電極の前記励振電極部のうち、少なくとも前記キャビティから露出される部位に、発振周波数調整を行う調整部が設けられたことを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、前記上下電極は前記励振電極部と前記接続電極部とから構成され、前記基板は絶縁性材料からなり、前記基板に形成された前記キャビティ内で前記下電極の前記励振電極部が露出して配され、前記下電極の前記励振電極部のうち、少なくとも前記キャビティから露出される部位に前記調整部が設けられるので、前記圧電薄膜及び前記上下電極と前記基板との間に絶縁材を設けなくてもよい。そのため、当該圧電薄膜デバイスの低背化を図ることが可能となる。特に、高周波化に対応させた当該圧電薄膜デバイスの設計を容易にする。
【００１０】
また、一般的なＦＢＡＲ構造の圧電薄膜デバイスでは、予め設定した量の前記上下電極を形成して当該圧電薄膜デバイスの製造後の発振周波数の調整を行うことができないが、本発明によれば、前記上下電極は前記励振電極部と前記接続電極部とから構成され、前記基板は絶縁性材料からなり、前記基板に形成された前記キャビティ内で前記下電極の前記励振電極部が露出して配され、前記下電極の前記励振電極部のうち、少なくとも前記キャビティから露出される部位に前記調整部が設けられるので、当該圧電薄膜デバイスの製造後の発振周波数の調整を行うことが可能となる。具体的に、前記基板に前記上下電極を形成した後であっても発振周波数調整を行うことが可能となる。
【００１１】
また、本発明と上記従来技術である特許文献１に示すような構成とを比較すると、本発明と異なり、特許文献１に示す構成では、下部電極がキャビティから露出していない。すなわち、特許文献１では、基板にキャビティが形成されているが、キャビティの底面部材が薄肉の基板からなる。そのため、特許文献１の構成によれば薄肉の基板の厚さによる発振周波数の低減を考慮しなければならない。また、特許文献１では、キャビティに発振周波数調整用の薄膜（周波数調整用膜）を設けて、発振周波数の調整を行なっているが、その周波数調整用膜の厚さは薄肉の基板の厚さを考慮して制限され、周波数調整用膜を用いた発振周波数の調整に幅をもたせることができない。これに対して、本発明では、前記調整部を前記励振電極部の一部として構成しているので、発振周波数の調整に用いる前記調整部の膜厚を制限することなく、発振周波数の調整に幅をもたせることが可能となる。
【００１２】
前記構成において、さらに、前記キャビティに発振周波数調整を行う付加調整部が設けられてもよい。
【００１３】
この場合、前記キャビティに前記付加調整部が設けられるので、前記基板に前記上下電極を形成した後であっても発振周波数調整を行うことが可能となるだけでなく、前記調整部と併せてさらに発振周波数の調整に幅をもたせることが可能となる。
【００１４】
前記構成において、前記基板は水晶からなり、前記下電極では前記励振電極部はモリブデンからなり前記接続電極部はクロムと金とが積層してなり、前記調整部は金からなり、前記圧電薄膜は窒化アルミニウムからなってもよい。
【００１５】
この場合、前記基板は前記下電極の材料と近い熱膨張係数を有しているので、熱膨張係数が異なることによる前記基板と前記接続電極部との接合不良を避けることが可能であるとともに、前記励振電極部と前記振動領域との接合強度を良好にすることが可能となる。また、前記下電極の励振電極部にミーリングされにくいモリブデンを用いているが、前記下電極の前記励振電極部のうち前記キャビティから露出される部位に前記調整部が設けられるので、前記励振電極部にモリブデンを用いた状態で、前記基板に前記下電極を形成した後であっても発振周波数調整を行うことが可能となる。
【００１６】
前記構成において、前記基板はＺ板水晶（ＸＹ’カット）からなり、前記キャビティの側面がテーパー形成され、前記側面の傾斜角度が前記基板の主面に対して３５度であってもよい。
【００１７】
この場合、前記キャビティの側面がテーパー形成され、前記側面の傾斜角度が前記基板の主面に対して約３５度であるので、前記基板にシリコンを用いた場合と比較して前記キャビティで露出した前記励振電極を用いて発振周波数を調整するのに好適である。具体的に、ＩＣチップなどに使われる一般的なシリコンは異方性材料であり、テーパー面の傾斜角度が約５５度のＳｉ（１１１）面とされる。そのため、シリコンでは、本願発明に示すようにテーパー面を寝かすことができずに、発振周波数の調整を行うことは難しい。また、前記キャビティの側面の傾斜角度が基板の面に対して３５度であるので、薄型の前記基板を用いた場合であっても、前記基板と前記圧電薄膜との間に介在した前記下電極の前記励振電極部を前記キャビティから露出させることが可能となる。また、前記キャビティの側面の傾斜面を、前記基板の面に対して寝かせることで前記キャビティで露出した前記下電極の部位全体に対して均一に物理的なミーリングや反応ガスを用いた（化学的処理も付加した）エッチングなどによる発振周波数調整を行うことが可能となる。その結果、当該圧電薄膜デバイスの縦振動が生じる前記励振電極部のそれぞれの部位で質量や密度が異なることによって複数の周波数が生じるのを抑制することが可能となる。特に、近年開発がすすんでいる高周波数域では前記上下電極（特に前記励振電極部）の厚みが相対的に薄くなっているが、本構成によれば前記励振電極部（前記調整部）全体に対して均一に、ミーリングや反応ガスを用いたエッチングなどによる発振周波数調整を行うので、薄型の前記下電極に対しても有効に用いることが可能となる。また、発振周波数調整後の層厚の不均一による圧電振動デバイスの特性変動も抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板と圧電薄膜との間に絶縁部を必須の構成として設けずに当該圧電薄膜デバイスの低背化を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、圧電薄膜デバイスとして圧電薄膜共振子に本発明を適用した場合を示す。
【００２０】
本実施例にかかる圧電薄膜共振子１は、図１，１３に示すように、ＦＢＡＲ構造からなり、基板２と、基板２上に形成された圧電薄膜３と、基板２上に形成されるとともに圧電薄膜３の表裏面３１，３２に対向して形成された一対の上電極４１および下電極４２とが設けられている。この圧電薄膜共振子１は、基板２と下電極４２と圧電薄膜３と上電極４１とが積層状態で構成され、下電極４２が基板２と圧電薄膜３との間に介在されている。
【００２１】
上電極４１は、下電極４２と圧電薄膜３を挟んで対向する励振電極部４１１と、外部と電気的接続を行う接続電極部４１２とから構成されている。この上電極４１の励振電極部４１１は円形状であり、図１に示すように、下記するキャビティ２３の閉口端面２６に対応する位置に配されている。なお、上電極４１のうち励振電極部４１１はモリブデンからなり、接続電極部４１２はモリブデンからなる電極と、クロムと金とが積層してなる電極とから構成される。また、上電極４１の厚さは例えば２００ｎｍであるが、この厚さは発振周波数等の所望の特性によって調整される。
【００２２】
下電極４２は、上電極４１と圧電薄膜３を挟んで対向する励振電極部４２１と、外部と電気的接続を行う接続電極部４２２とから構成されている。この下電極４２では、励振電極部４２１と接続電極部４２２とのそれぞれ一部が重なって形成され、キャビティ２３内で励振電極部４２１が露出して配されている。この励振電極部４２１のうち少なくともキャビティ２３から露出される部位に、発振周波数調整を行う調整部５１が設けられている。なお、接続電極部４２２の一部と調整部５１とが同一材料からなり、励振電極部４２１と接続電極部４２２の一部との材料が異なる。具体的に、励振電極部４２１はモリブデンからなり、接続電極部４２２はモリブデンからなる電極と、クロムと金とが積層してなる電極とから構成され、調整部５１はクロムと金とが積層してなる。ここでいう接続電極部４２２の一部とはクロムと金とが積層してなる電極のことをいう。さらに、この下電極４２の励振電極部４２１は、図１，１３に示すように、上記した上電極４１の励振電極部４１１よりも大きな寸法（平面視の寸法）を有する矩形状からなる。また、励振電極部４２１の厚さは例えば２００ｎｍであるが、この厚さは発振周波数等の所望の特性によって調整される。なお、モリブデンからなる電極に対して、クロムと金とが積層してなる電極のエッチングレートは、高い。
【００２３】
圧電薄膜３は、窒化アルミニウムからなる。この圧電薄膜３は、その表裏面３１，３２に対向して形成された上下電極４１，４２間の振動領域３３と、それ以外の他領域３４とから構成されている。なお、この圧電薄膜３の振動領域の厚さは２μｍであり、この厚さは発振周波数等の所望の特性によって調整される。
【００２４】
基板２は、絶縁性材料であるＺ板水晶からなり、その最大厚さは、８０μｍである。この基板２の両主面２１，２２は鏡面加工され、基板２を成形した時の表面粗さを抑えている。なお、ここでいうＺ板水晶とは、水晶の結晶軸のＺ軸に垂直なＸ−Ｙ面からなる水晶板のことをいい、本実施例ではＸ軸回りに＋１〜２度回転したＺ板水晶を用いている。また、ここでいう鏡面加工時の表面粗さとは、例えば表面粗さ１０点平均法で１〜３μｍのもののことをいう。鏡面加工することにより、基板２上に形成される上電極４１および下電極４２の表面状態を良好にし、ひいては良好な特性の圧電薄膜３を得ることができるので好ましい。また、この基板２には、キャビティ２３が形成され、キャビティ２３に対応して下電極４２の励振電極部４２１が配され、キャビティ２３内で調整部５１が露出して配されている。また、キャビティ２３の側面２４はテーパー形成され、側面２４の傾斜角度が基板２の面に対して約３５度傾いて構成される。この傾斜角度は、エッチングによりキャビティ２３を形成した場合、Ｚ板水晶のＸ軸回りの回転角度に依存するので、３５度前後の値に設定されることがある。また、キャビティ２３の開口端面２５および閉口端面２６は円形状または略三角形状に形成されている。
【００２５】
次に、上記した本実施例にかかる圧電薄膜共振子１の製造工程について、図面（図１〜１３）を用いて説明する。
【００２６】
まず、図示しない水晶インゴットから図示しない水晶ウエハを複数枚成形する。水晶インゴットから成形した水晶ウエハの両主面をポリッシュして研磨し、その後に洗浄して水晶ウエハの両主面を平坦にする。この水晶ウエハの平坦な両主面にクロムを形成し、その上層に金を積層して、クロムと金からなる金属層（以下、Ｃｒ−Ａｕ金属層６１（図２参照））を形成する。このＣｒ−Ａｕ金属層６１に対して、レジスト（図示省略）を塗布して露光現像を行ない、基板２の外形パターン及びキャビティ２３のパターンを形成して、Ｃｒ−Ａｕ金属層６１を所定のパターン形状にメタルエッチングする。そして、レジストを剥離して、図２に示すように基板２にキャビティ２３をエッチング成形する。
【００２７】
図２に示すようにキャビティ２３を形成した後に、基板２の表面側の主面２１に形成したＣｒ−Ａｕ金属層６１上に、レジスト６４を塗布する（図３参照）。そして、塗布したレジスト６４に対して露光現像を行ない、上下電極４１，４２の接続電極部４１１，４２２の一部の電極および調整部５１のパターンを形成し（図４参照）、Ｃｒ−Ａｕ金属層６１を所定のパターン形状にメタルエッチングする（図５参照）。そして、Ｃｒ−Ａｕ金属層６１をメタルエッチングした後に、図６に示すようにレジスト６４を剥離して上下電極４１，４２の接続電極部４１１，４２２の一部の電極および調整部５１を成形する。
【００２８】
図６に示すよう状態の基板２に対して、図７に示すように、モリブデンからなる金属層（以下、Ｍｏ金属層６２）を積層する。そして、基板２の表面側の主面２１に形成したＭｏ金属層６２上に、レジスト６４を塗布する（図８参照）。そして、塗布したレジスト６４に対して露光現像を行ない、下電極４２の励振電極部４２１および接続電極部４２２の残りの電極のパターンを形成し（図９参照）、Ｍｏ金属層６２を所定のパターン形状にメタルエッチングする（図１０参照）。そして、Ｍｏ金属層６２をメタルエッチングした後に、図１１に示すようにレジスト６４を剥離して下電極４２の励振電極部４２１および接続電極部４２２の残りの電極を成形して下電極４２を成形する。
【００２９】
図１１に示すよう状態の基板２に対して、窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層６３を積層する。そして、基板２の表面側の主面２１に形成したＡｌＮ層６３上に、レジスト（図示省略）を塗布し、塗布したレジストに対して露光現像を行ない、圧電薄膜３の外形パターンを形成し、ＡｌＮ層６３を所定のパターン形状にメタルエッチングする。そして、ＡｌＮ層６３をメタルエッチングした後に、レジストを剥離して図１２に示すように圧電薄膜３を成形する。
【００３０】
図１２に示すよう状態の基板２に対して、モリブデンからなる金属層（以下、Ｍｏ金属層６２）を積層する。そして、基板２の表面側の主面２１に形成したＭｏ金属層６２上に、レジスト（図示省略）を塗布する。そして、塗布したレジストに対して露光現像を行ない、上電極４１の励振電極部４１１および接続電極部４１２の残りの電極のパターンを形成し、Ｍｏ金属層６２を所定のパターン形状にメタルエッチングする。そして、Ｍｏ金属層６２をメタルエッチングした後に、レジストを剥離し、図１３に示すように上電極４１の励振電極部４１１および接続電極部４１２の残りの電極を成形して上電極４１を成形し、圧電薄膜共振子１を得る。
【００３１】
上記した本実施例にかかる圧電薄膜共振子１によれば、上下電極４１，４２は励振電極部４１１，４２１と接続電極部４１２，４２２とから構成され、基板２は絶縁性材料からなり、基板２に形成されたキャビティ２３内で下電極４２の励振電極部４２１が露出して配され、下電極４２の励振電極部４２１のうち、少なくともキャビティ２３から露出される部位に調整部５１が設けられるので、圧電薄膜３及び上下電極４１，４２と基板２との間に絶縁材を設けなくてもよい。そのため、圧電薄膜共振子１の低背化を図ることができる。特に、高周波化に対応させた圧電薄膜共振子１の設計を容易にする。
【００３２】
また、一般的なＦＢＡＲ構造の圧電薄膜デバイスでは、予め設定した量の上下電極を形成して圧電薄膜デバイスの製造後の発振周波数の調整を行うことができないが、本実施例によれば、上下電極４１，４２は励振電極部４１１，４２１と接続電極部４１２，４２２とから構成され、基板２は絶縁性材料からなり、基板２に形成されたキャビティ２３内で下電極４２の励振電極部４２１が露出して配され、下電極４２の励振電極部４２１のうち、少なくともキャビティ２３から露出される部位に調整部５１が設けられるので、圧電薄膜共振子１の製造後の発振周波数の調整を行うことができる。具体的に、基板２に上下電極４１，４２を形成した後であっても発振周波数調整を行うことができる。
【００３３】
また、本実施例と上記の特許文献１に示すような従来の構成とを比較すると、本実施例と異なり、特許文献１に示す構成では、下部電極がキャビティから露出していない。すなわち、特許文献１では、基板にキャビティが形成されているが、キャビティの底面部材が薄肉の基板からなる。そのため、特許文献１の構成によれば薄肉の基板の厚さによる発振周波数の低減を考慮しなければならない。また、特許文献１では、キャビティに発振周波数調整用の薄膜（周波数調整用膜）を設けて、発振周波数の調整を行なっているが、その周波数調整用膜の厚さは薄肉の基板の厚さを考慮して制限され、周波数調整用膜を用いた発振周波数の調整に幅をもたせることができない。これに対して、本実施例によれば、調整部５１を励振電極部４２１の一部として構成しているので、発振周波数の調整に用いる調整部５１の膜厚を制限することなく、発振周波数の調整に幅をもたせることができる。
【００３４】
また、従前の圧電薄膜共振子のうち、本実施例の圧電薄膜３の他領域３４を有していない圧電薄膜共振子の場合、圧電薄膜共振子の低背化にともない上下電極の間の距離が非常に近くになり上下電極が繋がってショートが起こり易くなる。しかしながら、本実施例によれば、圧電薄膜３の他領域３４により上下電極４１，４２間のショートを回避することができる。
【００３５】
上記したことから、本実施例にかかる圧電薄膜共振子１によれば、Ｑ値を高い状態で保ちながらスプリアスを抑制することができ、さらに、ＤＬＤ特性の問題を発生し難くすることができる。
【００３６】
また、基板２は下電極４２の材料と近い熱膨張係数を有しているので、熱膨張係数が異なることによる基板２と接続電極部４２２との接合不良を避けることができるとともに、励振電極部４２１と振動領域３３の接合強度を良好にすることができる。また、下電極４２の励振電極部４２１にミーリングされにくいモリブデンを用いているが、下電極４２の励振電極部４２１のうちキャビティ２３から露出される部位に調整部５１が設けられるので、励振電極部４２１にモリブデンを用いた状態で、基板２に下電極４２を形成した後であっても発振周波数調整を行うことができる。
【００３７】
また、キャビティ２３の側面がテーパー形成され、側面の傾斜角度が基板２の面に対して約３５度であるので、基板２にシリコンを用いた場合と比較してキャビティ２３で露出した励振電極を用いて発振周波数を調整するのに好適である。具体的に、ＩＣチップなどに使われる一般的なシリコンは異方性材料であり、テーパー面の傾斜角度が約５５度のＳｉ（１１１）面とされる。そのため、シリコンでは、本実施例に示すようにテーパー面を寝かすことができずに、発振周波数の調整を行うことは難しい。また、キャビティ２３の側面２４の傾斜角度が基板２の面に対して３５度であるので、薄型の基板２を用いた場合であっても、基板２と圧電薄膜３との間に介在した下電極４２の励振電極部４２１をキャビティ２３から露出することができる。また、キャビティ２３の側面の傾斜面を、基板２の面に対して寝かせることでキャビティ２３で露出した下電極４２の部位全体に対して均一に、物理的なミーリングや反応ガスを用いた（化学的処理も付加した）エッチングなどによる発振周波数調整を行うことができる。その結果、圧電薄膜共振子１の縦振動が生じる励振電極部４２１のそれぞれの部位で質量や密度が異なることによって複数の周波数が生じるのを抑制することができる。特に、近年開発がすすんでいる高周波数域では上下電極４１，４２（特に励振電極部４１１，４２１）の厚みが相対的に薄くなっているが、本構成によれば励振電極部４２１（調整部５１）全体に対して均一に、ミーリングや反応ガスを用いたエッチングなどによる発振周波数調整を行うので、薄型の下電極４２に対しても有効に用いることが可能となる。また、発振周波数調整後の層厚の不均一による圧電振動共振子１の特性変動も抑制することができる。
【００３８】
なお、本実施例では、キャビティ２３の開口端面２５および閉口端面２６は円形状に形成されているが、これに限定されるものではなく、基板２にＺ板水晶を用いているので、キャビティ２３の閉口端面２６が三角形状に形成されてもよい。なお、ここでいう三角形状の各辺は湾曲しても構わない。また、キャビティ２３の閉口端面２６が三角形状に形成された場合、キャビティ２３の閉口端面２６の形状に合わせて上電極４１の励振電極部４１１の形状を三角形状としてもよい。
【００３９】
また、本実施例では、下電極４２の励振電極部４２１及び上電極４１にモリブデンを用いているが、これは好適な例でありこれに限定されるものではなく、例えば、アルミニウムやチタンや金や白金やタングステンであってもよい。また上下電極４１，４２の接続電極４１１，４２１の一部にモリブデン下地に金を形成した構成を採用してもよい。
【００４０】
また、本実施例では、圧電薄膜３に窒化アルミニウムを用いているが、これは好適な例でありこれに限定されるものではなく、例えば、酸化亜鉛であってもよい。
【００４１】
また、本実施例では、基板２にＸ軸回りに＋１〜２度回転したＺ板水晶を用いているがこの回転角度はこれに限定されるものではなく、例えばＸ軸回りに回転しないＺ板水晶や、２度以上回転したＺ板水晶を用いる等用途に合わせて任意に設定されるものである。
【００４２】
また、本実施例では、振動領域３３の厚みと他領域３４の厚みとを同じ厚さに設定しているが、これに限定されるものではなく、例えば、図１４に示すように、振動領域３３の厚みに対して他領域３４の厚みが１／２以下の厚さに設定されてもよい。なお、図１４に示す例では、この圧電薄膜３の振動領域３３の厚さは２μｍであり、他領域３４の厚さは１μｍであり、これらの厚さは発振周波数等の所望の特性によって調整される。この場合、振動エネルギーの漏洩を抑制して上下電極４１，４２に挟まれた圧電薄膜３の縦振動を行うことができる。なお、本実施例における他領域３４ｎ厚さは１μｍより薄くなることが好ましく、薄くなればなるほど、振動エネルギー漏れ（圧電漏洩波）が少なくなり、圧電振動共振子１の不要振動が抑制され周波数特性の特性が向上する。
【００４３】
また、本実施例では、下電極４２の構成として調整部５１が設けられているが、これに限定されるものではなく、新たに圧電薄膜共振子１のキャビティ２３に発振周波数調整を行う付加調整部５２が設けられてもよい。すなわち、圧電薄膜共振子１に付加調整部５２が付加されてもよい。この図１５に示す付加調整部５２は、金からなり、下電極４２の励振電極部４２１と電気的に接続されている。このように、キャビティ２３にさらに付加調整部５２を設けることで、基板２に上下電極４１，４２を形成した後であっても発振周波数調整を行うことができるだけでなく、調整部５１と併せてさらに発振周波数の調整に幅をもたせることができる。
【００４４】
また、本実施例では、下電極４２のうちモリブデンからなる電極と、クロムと金とが積層してなる電極との一部が重なって形成されている。この構成は、本実施例に限定されるものではなく、異なる材料が重なって形成されていれば、下電極４２のうち励振電極部４２１と接続電極部４２２との材料を異ならせて、これら励振電極部４２１と接続電極部４２２との一部が重なって形成されてもよい。すなわち、励振電極部４２１で必要とする材料（本実施例ではＭｏ金属層６２）と、接続電極部４２２で必要とする材料（本実施例ではＣｒ−Ａｕ金属層６１）とが重なって形成されていればよい。
【００４５】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
基板に水晶を用いた圧電薄膜デバイスに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の概略平面図である。
【図２】図２は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程において、キャビティを形成した基板の概略側面図である。
【図３】図３は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図２に示す製造工程の後工程を示した基板の概略側面図である。
【図４】図４は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図３に示す製造工程の後工程を示した基板の概略側面図である。
【図５】図５は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図４に示す製造工程の後工程を示した基板の概略側面図である。
【図６】図６は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図５に示す製造工程の後工程を示した基板の概略側面図である。
【図７】図７は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図６に示す製造工程の後工程を示した基板の概略側面図である。
【図８】図８は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図７に示す製造工程の後工程を示した基板の概略側面図である。
【図９】図９は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図８に示す製造工程の後工程を示した基板の概略側面図である。
【図１０】図１０は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図９に示す製造工程の後工程を示した基板の概略側面図である。
【図１１】図１１は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図１０に示す製造工程の後工程を示した、基板に下電極を成形した状態の基板の概略側面図である。
【図１２】図１２は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程のうち図１１に示す製造工程の後工程を示した、基板に下電極および圧電薄膜を成形した状態の基板の概略側面図である。
【図１３】図１３は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の概略側面図である。
【図１４】図１４は、本実施例の他の例にかかる圧電薄膜共振子の概略側面図である。
【図１５】図１５は、本実施例の他の例にかかる圧電薄膜共振子の概略側面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  圧電薄膜共振子
２  基板
２３  キャビティ
２４  キャビティの側面
３  圧電薄膜
３１，３２  圧電薄膜の表裏面
３３  振動領域
３４  他領域
４１  上電極
４２  下電極
４１１，４２１  励振電極部
４１２，４２２  接続電極部
５１  調整部
５２  付加調整部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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