(57)【要約】【課題】設備コストの上昇を招くことなく、樹脂封止工程における生産効率を向上させることができ、且つ、シート部材の片面又は両面を樹脂封止することができる電子部品の樹脂封止方法、金型及び樹脂封止装置を提供することを目的とする。【解決手段】樹脂封止方法は、キャビティ部８、９内に被樹脂封止物が受容されてなる中間金型３、４を、上金型１と下金型２との間に配置し、当該中間金型３、４の前記キャビティ部８、９内に封止用樹脂を導入すると共に、当該中間金型３、４の前記キャビティ部８、９の近傍に配設され且つ当該中間金型８、９の厚さ方向に貫通するランナ２４、２７を通して、当該中間金型３、４の他方の主面側に対し封止用樹脂を導入することを特徴とする。【選択図】  図１
2008235489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティ部内に被樹脂封止物が受容されてなる中間金型を、上金型と下金型との間に配置し、
当該中間金型の前記キャビティ部内に封止用樹脂を導入すると共に、
当該中間金型の前記キャビティ部の近傍に配設され且つ当該中間金型の厚さ方向に貫通するランナを通して、当該中間金型の他方の主面側に対し封止用樹脂を導入することを特徴とする樹脂封止方法。
【請求項２】
キャビティ部内に被樹脂封止物が受容されてなる中間金型を複数個、上金型と下金型との間に積層して配置し、
積層された中間金型の前記キャビティ部の近傍に配設され、且つ積層された中間金型間を積層方向に連通するランナを通して、それぞれの中間金型に於けるキャビティ部内に封止用樹脂を導入することを特徴とする樹脂封止方法。
【請求項３】
前記下金型の前記中間金型に対向する面にキャビィティが設けられ、該キャビティ部内に、被樹脂封止物が受容されてなることを特徴とする請求項１又は２記載の樹脂封止方法。
【請求項４】
上金型と、
下金型と、
当該上金型と当該下金型との間に配設される１又は複数の中間金型と、を有し、
当該中間金型は、少なくとも一方の主面に被樹脂封止物が受容されるキャビティ部、及び当該キャビティ部の近傍に、厚さ方向に貫通するランナを具備してなることを特徴とする樹脂封止用金型。
【請求項５】
上金型と、
下金型と、
当該上金型と当該下金型との間に配設される１又は複数の中間金型と、を有し、
当該中間金型は、少なくとも一方の主面に被樹脂封止物が受容されるキャビティ部、及び当該キャビティ部の近傍に、厚さ方向に貫通するランナを具備してなることを特徴とする樹脂封止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の樹脂封止方法、樹脂封止用金型及び樹脂封止装置に関し、より具体的には、半導体素子等の電子部品を搭載した配線基板又はリードフレーム等のシート部材の片面又は両面を、溶融樹脂で封止する電子部品の樹脂封止方法、当該樹脂封止方法に用いられる樹脂封止用金型及び樹脂封止装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板又はリードフレーム等のシート部材に搭載された半導体素子（電子部品）を封止して半導体装置を形成する際に、封止方法の一つとして樹脂封止法が採られている。その樹脂封止法として、所謂トランスファーモールド法が用いられている。
【０００３】
トランスファーモールド法においては、配線基板又はリードフレーム等のシート部材を上金型と下金型で挟持し、上金型と下金型の一方又は両方に形成されたキャビティ内に当該シート部材上に搭載された半導体素子、及び当該半導体素子の外部接続端子と前記配線基板上の電極端子又はリードフレームとを接続するボンディングワイヤ等を配設し、当該キャビティ内に封止用の溶融樹脂を射出（圧入・注入）して樹脂封止が行われる。
【０００４】
かかる方法においては、生産効率を向上させるために、シート部材に搭載する半導体素子の数を複数にして、一度の封止工程でこれら複数の半導体素子を一括して封止する態様が採られている。
【０００５】
より具体的には、上金型及び下金型を大型化して、複数のシート部材を金型内に横置きに配置して一括処理する方法や、１枚のシート部材の面積を大型化して１枚のシート部材に搭載する半導体素子の数を増加させる方法が採られている。
【０００６】
また、２枚のシート部材における電子部品を装着しない側を互いに接合すると共に、前記２枚シート部材における電子部品を装着しない側を互いに接合した状態で、固定金型と可動金型とから成る樹脂封止成形用金型に対設したキャビティ内に電子部品を各別に嵌装セットすると共に、キャビティ内に溶融樹脂材料を各別に且つ同時に注入充填する電子部品の樹脂封止成形方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
特許文献１に提案されている方法によれば、２枚のシート部材を積層配置して樹脂封止を行うため、シート部材を配置する部分の金型面積を増加することなく１回の封止工程で生産性を約２倍向上させることができる。
【特許文献１】特開平１１−３４０２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述の上金型及び下金型を大型化して、複数のシート部材を金型内に横置きに配置して一括処理する方法の場合、上金型及び下金型を大型化は、金型によるプレス圧力の増加や樹脂封止装置の大型化を招来し、設備コストの上昇を引き起こすおそれがある。
【０００９】
また、１枚のシート部材の面積を大型化して１枚のシート部材に搭載する半導体素子の数を増加させる方法の場合、シート部材の大型化は、シート部材の反り量の増加を招来し、却って製造歩留まりの低下を引き起こすおそれがある。
【００１０】
更に、特許文献１に記載の方法では、シート部材のうち電子部品が装着された面のみが封止される、即ち、片面封止のみ行われる態様に限定されている。従って、特許文献１に記載の方法を、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の半導体パッケージの如き、シート部材の両面を封止する構造の樹脂封止には適用することができない。
【００１１】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、設備コストの上昇を招くことなく、樹脂封止工程における生産効率を向上させることができ、且つ、シート部材の片面又は両面を樹脂封止することができる電子部品の樹脂封止方法、樹脂封止成形用金型、及び樹脂封止装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一観点によれば、キャビティ部内に被樹脂封止物が受容されてなる中間金型を、上金型と下金型との間に配置し、当該中間金型の前記キャビティ部内に封止用樹脂を導入すると共に、当該中間金型の前記キャビティ部の近傍に配設され且つ当該中間金型の厚さ方向に貫通するランナを通して、当該中間金型の他方の主面側に対し封止用樹脂を導入することを特徴とする樹脂封止方法が提供される。
【００１３】
本発明の別の観点によれば、キャビティ部内に被樹脂封止物が受容されてなる中間金型を複数個、上金型と下金型との間に積層して配置し、積層された中間金型の前記キャビティ部の近傍に配設され、且つ積層された中間金型間を積層方向に連通するランナを通して、それぞれの中間金型に於けるキャビティ部内に封止用樹脂を導入することを特徴とする樹脂封止方法が提供される。
【００１４】
当該樹脂封止方法において、前記下金型の前記中間金型に対向する面にキャビィティが設けられ、該キャビティ部内に、被樹脂封止物が受容されてなることとしてもよい。
【００１５】
本発明の別の観点によれば、上金型と、下金型と、当該上金型と当該下金型との間に配設される１又は複数の中間金型とを有し、当該中間金型は、少なくとも一方の主面に被樹脂封止物が受容されるキャビティ部、及び当該キャビティ部の近傍に、厚さ方向に貫通するランナを具備してなることを特徴とする樹脂封止用金型が提供される。
【００１６】
本発明の更に別の観点によれば、上金型と、下金型と、当該上金型と当該下金型との間に配設される１又は複数の中間金型とを有し、当該中間金型は、少なくとも一方の主面に被樹脂封止物が受容されるキャビティ部、及び当該キャビティ部の近傍に、厚さ方向に貫通するランナを具備してなることを特徴とする樹脂封止装置が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、設備コストの上昇を招くことなく、樹脂封止工程における生産効率を向上させることができ、且つ、シート部材の片面又は両面を樹脂封止することができる電子部品の樹脂封止方法、樹脂封止成形用金型、及び樹脂封止装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図であり、後に参照する図２乃至図５に示す線Ｘ−Ｘに沿った断面図である。
【００２０】
図１を参照するに、本例の樹脂封止成形用金型１０は、上金型１、下金型２、第１中間金型３、第２中間金型４から構成される。上金型１、下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４の何れの主面も、略等しい面積を有する。
【００２１】
上金型１は、樹脂封止装置の上金型固定部５に固定され、下金型２は、前記樹脂封止装置の下金型固定部６に固定されている。下金型２上に第１中間金型３が積層配置され、第１中間金型３上に第２中間金型４が積層配置されている。第２中間金型４上に、上金型固定部５が配置している。
【００２２】
図示を省略するが、第１中間金型３及び第２中間金型４の上金型１及び下金型２に対する位置合わせは、上金型１及び下金型２に設けられたピンと、第１中間金型３及び第２中間金型４に形成された穴部との嵌め合いによりなされる。
【００２３】
下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４の上面には、凹状にキャビティ７乃至９が形成されている。
【００２４】
形成深さ（鉛直方向の長さ）がキャビティ７乃至９の形成深さよりも浅い配線基板支持部１４乃至１６が、キャビティ７乃至９の外周に沿って、且つ当該外周に接続して、下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４の上面に形成されている。
【００２５】
配線基板１１の縁部が配線基板支持部１４乃至１６上に設けられ、キャビティ７乃至９の内部に、シート部材である配線基板１１の主面上に搭載された複数の電子部品である半導体素子１２及び当該半導体素子１２の外部接続端子と前記配線基板１１上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１３等が位置するとともに、下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４の上面と配線基板１１の裏面とは同一平面を形成する。
【００２６】
詳細は後述するが、キャビティ７乃至９内に封止用の溶融樹脂が射出（圧入・注入）されて、配線基板１１上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が樹脂封止される。
【００２７】
下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４であって、キャビティ７乃至９から離間した箇所、及び当該箇所に対応する下金型固定部６の箇所には、貫通孔が形成され、当該貫通孔の外周には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に移動自在な中空円筒部１７が形成されている。中空円筒部１７の内部は、封止樹脂が投入されるポット部１８を構成し、ポット部１８内には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に運動自在なプランジャ１９が設けられている。中空円筒部１７の上部開口穴、即ち、ポット部１８の開口面は、上金型１の下面側に形成されたカル部２０に接続され、ポット部１８内で加熱溶融化された封止樹脂がプランジャ１９により、カル部２０に流入する。
【００２８】
ここで、図１に加え、図２も参照する。図２は、図１に示す上金型１の平面図である。なお、図２において、上金型１の直下に設けられる第２中間金型４の配線基板１１の配置領域と、当該配線基板１１における複数の半導体素子１２の搭載箇所を、一点鎖線で示している。
【００２９】
図１及び図２を参照するに、上述した上金型１の下面に形成されているカル部２０は、夫々、上金型１の下面に形成された上金型ランナ部２１に連通している。従って、プランジャ１９によりカル部２０に流入された封止樹脂は、上金型ランナ部２１へ流入する。なお、図２においては、カル部２０の下面及び上金型ランナ部２１の下面は点線で示している。
【００３０】
次に、図１に加え、図３を参照する。図３は、図１に示す第２中間金型４の平面図である。なお、図２において、配線基板１１における半導体素子１２の搭載箇所を、一点鎖線で示している。
【００３１】
図１に示すように、上金型１の上金型ランナ部２１は、第２中間金型４に形成された第２中間金型ランナ部２２に、夫々連通している。第２中間金型ランナ部２２は、夫々、内部にポット部１８が構成された中空円筒部１７とキャビティ９との間に設けられている。
【００３２】
図３に示すように、第２中間金型ランナ部２２は、熊の手状の平面形状を有し、第２中間金型ランナ部２２とキャビティ９との接続箇所には、ゲート部２３−１乃至２３−４が設けられている（図３では、図面を見やすくするために、１つの第２中間金型ランナ部２２のゲート部にのみ符号「２３−１」乃至「２３−４」を付し、他の第２中間金型ランナ部２２における該当箇所への符号は省略している）。
【００３３】
また、図１に示すように、各第２中間金型ランナ部２２には、第２中間金型貫通ランナ部２４が第２中間金型４を貫通するように延設されている。なお、第２中間金型貫通ランナ部２４は、第２中間金型４の下面に向かって先細るテーパー状の断面形状を有している。
【００３４】
各第２中間金型ランナ部２２の底部は、ゲート部２３に向かって、上方に傾斜している。
【００３５】
このように、カル部２０を介してポット部１８介して連通している上金型ランナ部２１と、キャビティ９とは、第２中間金型ランナ部２２と連通している。従って、ポット部８から上金型ランナ部２１へ流入した封止樹脂は、第２中間金型ランナ部２２のゲート部２３を介してキャビティ９へと注入され、更に、第２中間金型貫通ランナ部２４にも流入する。
【００３６】
次に、図１に加え、図４を参照する。図４は、図１に示す第１中間金型３の平面図である。なお、図４において、配線基板１１における半導体素子１２の搭載箇所を、一点鎖線で示している。
【００３７】
図１に示すように、第２中間金型４の第２中間金型貫通ランナ部２４は、第１中間金型３に形成された第１中間金型ランナ部２５に、夫々連通している。第１中間金型ランナ部２５は、夫々、内部にポット部１８が構成された中空円筒部１７とキャビティ８との間に設けられている。
【００３８】
図４に示すように、第１中間金型ランナ部２５は、熊の手状の平面形状を有し、第１中間金型ランナ部２５とキャビティ８との接続箇所には、ゲート部２６−１乃至２６−４が設けられている（図４では、図面を見やすくするために、１つの第１中間金型ランナ部２５のゲート部にのみ符号「２６−１」乃至「２６−４」を付し、他の第１中間金型ランナ部２５における該当箇所の符号は省略している）。
【００３９】
また、図１に示すように、各第１中間金型ランナ部２５には、第１中間金型貫通ランナ部２７が第１中間金型３を貫通するように延設されている。なお、第１中間金型貫通ランナ部２７は、第１中間金型３の下面に向かって先細るテーパー状の断面形状を有している。
【００４０】
各第１中間金型ランナ部２５の底部は、ゲート部２６に向かって、上方に傾斜している。
【００４１】
このように、カル部２０、及び上金型ランナ部２１を介してポット部１８と連通している第２中間金型ランナ部２４と、キャビティ８とは、第１中間金型ランナ部２７介して連通している。従って、第２中間金型４の第２中間金型貫通ランナ部２４へ流入した封止樹脂は、第１中間金型ランナ部２５のゲート部２６を介してキャビティ８へと注入され、更に、第１中間金型貫通ランナ部２７にも流入する。
【００４２】
次に、図１に加え、図５を参照する。図５は、図１に示す下金型２の平面図である。なお、図５において、配線基板１１における半導体素子１２の搭載箇所を、一点鎖線で示している。
【００４３】
図１に示すように、第１中間金型３の第１中間金型貫通ランナ部２７は、下金型２に形成された下金型ランナ部２８に、夫々連通している。下金型ランナ部２８は、夫々、内部にポット部１８が構成された中空円筒部１７とキャビティ８との間に設けられている。
【００４４】
図５に示すように、下金型ランナ部２８は、熊の手状の平面形状を有し、下金型ランナ部２８とキャビティ７との接続箇所には、ゲート部２９−１乃至２９−４が設けられている（図５では、図面を見やすくするために、１つの下金型ランナ部２８のゲート部にのみ符号「２９−１」乃至「２９−４」を付し、他の下金型ランナ部２８における該当箇所の符号は省略している）。
【００４５】
また、図１に示すように、各下金型ランナ部２８の底部は、ゲート部２９に向かって、上方に傾斜している。
【００４６】
このように、カル部２０、上金型ランナ部２１、及び第２中間金型ランナ部２４を介してポット部１８と連通している第１中間金型ランナ部２７と、キャビティ７とは、下金型ランナ部２８を介して連通している。従って、第１中間金型３の第１中間金型貫通ランナ部２７へ流入した封止樹脂は、下金型ランナ部２８のゲート部２９を介してキャビティ７へと注入される。
【００４７】
次に、このような構造を有する樹脂封止成形用金型１０を用いた樹脂封止方法について、図６乃至図１２を参照して説明する。ここで、図６乃至図１２は、図１に示す樹脂封止成形用金型１０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その１）乃至（その７）である。
【００４８】
図６を参照するに、先ず、樹脂封止装置の下金型固定部６に固定されている下金型２、第１中間金型３及び第２中間金型４の夫々に、主面上に複数の半導体素子１２が搭載された配線基板１１をセットする。
【００４９】
図７は、かかる配線基板１１の部分平面図である。図７に示すように、配線基板１１上に、背面（電子回路素子・電子回路などの非形成面）にダイボンディングフィルム等の接着剤３０が貼り付けられた複数の半導体素子１２が、当該接着剤３０を介して搭載・固着されている。各半導体素子１２の外部接続端子（電極パッド）３１と配線基板１１上の電極端子３２とはボンディングワイヤ１３を介して接続されている。
【００５０】
図６を再度参照するに、下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４の上面に凹状に形成されたキャビティ７乃至９に配線基板１１をセットし、キャビティ７乃至９の内部に、配線基板１１の主面上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等を位置させる。
【００５１】
具体的には、形成深さ（鉛直方向の長さ）がキャビティ７乃至９の形成深さよりも浅い配線基板支持部１４乃至１６上に配線基板１１の縁部が位置するように、配線基板１１をセットする。このとき、キャビティ７乃至９の上面と配線基板１１の裏面とは同一平面を形成する。
【００５２】
更に、配線基板１１がセットされた第１中間金型３及び第２中間金型４を、樹脂封止装置の上金型固定部５に固定された上金型１と、下金型固定部６に固定されている下金型２との間に積層配置する。
【００５３】
具体的には、下金型２上に第１中間金型３を積層配置し、第１中間金型３上に第２中間金型４を積層配置する。このとき、第１中間金型３及び第２中間金型４の上金型１及び下金型２に対する位置合わせは、上金型１及び下金型２に設けられたピン（図示を省略）と、第１中間金型３及び第２中間金型４に形成された穴部（図示を省略）との嵌め合いによりなされる。
【００５４】
なお、この段階で、上金型１と下金型２は、加圧ヘッド及びステージ等の上金型固定部５及び下金型固定部６に設けられた図示を省略する加熱機構により加熱されている。
【００５５】
また、この段階では、図示を省略する駆動部により下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４内を鉛直方向に移動自在に設けられた中空円筒部１７の上面は、下金型２の上面に位置している。
【００５６】
次に、図８に示すように、下金型２上に第１中間金型３を積層配置し、第１中間金型３上に第２中間金型４を積層配置した状態で、中空円筒部１７の上面が第２中間金型４の上面に位置するまで、図示を省略する駆動部により中空円筒部１７を鉛直方向に上昇する。その結果、ポット部１８は、下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４内において連通する。
【００５７】
この状態で、固形状の封止樹脂タブレット４０を中空円筒部１７の開口部から落とし込み、下金型固定部６内に位置しているプランジャ１９の上面上に投入する。
【００５８】
なお、封止樹脂タブレット４０の構成材料に特に限定は無いが、例えば、エポキシ系樹脂、無機フィラー、硬化剤、離型剤等を用いることができる。この点は、後述する第２乃至第５の実施の形態においても同様である。
【００５９】
但し、封止樹脂タブレット４０を、下金型２上に第１中間金型３を、第１中間金型３上に第２中間金型４を積層配置する前に、下金型２が固定された下金型固定部６内のポット部に位置するプランジャ１９の上面上に投入してもよい。
【００６０】
しかる後、図９に示すように、上金型固定部５に固定された上金型１を第２中間金型４に接触させて型閉じをし、次いで、所定のプレス圧力で型締めを行う。
【００６１】
また、同時に、樹脂成型用金型１０全体が均一の温度になるように、図示を省略する加熱機構により、第１中間金型３及び第２中間金型４に加熱を施す。その結果、プランジャ１９の上面上に投入されている固形状の封止樹脂タブレット４０は溶融する。第１中間金型３及び第２中間金型４を所定温度に加熱しておくことにより、溶融した封止樹脂４０を後の工程でキャビティ７乃至９内に流入する際の流動特性を安定させることができる。また、一連の封止動作を連続的に行う際のサイクルタイムを短縮することができる。
【００６２】
封止樹脂４０の材料に因るが、例えば、封止樹脂タブレット４０の温度が約６０乃至９５℃になるように、第１中間金型３及び第２中間金型４を約１５０乃至１９０℃まで加熱してもよい。また、樹脂成型用金型１０のデザインや樹脂封止装置の規模等に因るが、型締圧を、例えば、約２９ｋＮ以上又は４９０ｋＮ以上に設定してもよい。なお、これらの条件は、後述する本発明の第２乃至第５の実施の形態においても適用することができる。
【００６３】
次に、図１０に示すように、上面に溶融樹脂４０が設けられたプランジャ１９を、図示を省略する駆動部により鉛直方向に上昇する。
【００６４】
その結果、溶融樹脂４０は、中空円筒部１７の上部開口穴、即ち、ポット部１８の開口面から、上金型１の下面側に形成されたカル部２０、及びカル部２０に連通している上金型ランナ部２１を介して、第２中間金型ランナ２２へ流入する。更に、溶融樹脂４０は、第２中間金型ランナ２２のゲート部２３を介して第２中間金型４のキャビティ９へ水平方向に注入され、また、第２中間金型貫通ランナ部２４に流入する。更に、溶融樹脂４０は、第２中間金型貫通ランナ部２４に連通している第１中間金型ランナ２５のゲート部２６を介して第１中間金型３のキャビティ８へ水平方向に注入され、また、第１中間金型貫通ランナ部２７に流入する。更に、溶融樹脂４０は、第１中間金型貫通ランナ部２７に連通している下金型ランナ２８のゲート部２９を介して下金型２のキャビティ７に水平方向に注入される。
【００６５】
溶融樹脂４０を構成する材料、樹脂成型用金型１０のデザインや成形品の構造等に因るが、例えば、キャビティ７乃至９への注入圧力を約５乃至２０ＭＰａに設定してもよい。また、成形時間を、例えば、溶融樹脂４０が速硬化樹脂の場合は約２５秒以上に設定してもよく、また、溶融樹脂４０が通常樹脂の場合は約１００秒以上に設定してもよい。なお、これらの条件は、後述する本発明の第２乃至第５の実施の形態においても適用することができる。
【００６６】
このようにして、溶融樹脂４０は下金型２のキャビティ７、第１中間金型３のキャビティ８、及び第２中間金型４のキャビティ９に注入され、キャビティ７乃至９のそれぞれの内部に位置している配線基板１１の主面上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が、キャビティ７乃至９内の封止樹脂４０Ａに浸漬した状態が形成される。
【００６７】
樹脂封止が完了すると、図１１に示すように、型開きを行って、主面上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が封止された配線基板１１を樹脂封止用金型１０から取り出す。
【００６８】
このとき、キャビティ７乃至９内の封止樹脂４０Ａのみならず、カル部２０、上金型ランナ部２１、第２中間金型ランナ２２、ゲート部２３及び第２中間金型貫通ランナ部２４に充填されている封止樹脂４０Ｂ、第１中間金型貫通ランナ部２７、第１中間金型ランナ２５、及びゲート部２６に充填されている封止樹脂４０Ｃ、及び、下金型ランナ２８及びゲート部２９に充填されている封止樹脂４０Ｄも固化されている。
【００６９】
本工程ではまず、プランジャ１９及び上面が第２中間金型４の上面に位置している中空円筒部１７を、図示を省略する駆動部により鉛直方向に下降する。
【００７０】
次いで、型開きを行い、上金型１、第１中間金型３、第２中間金型４及び下金型２を離型する。具体的には、積層配置された樹脂成形用金型１０から第１中間金型３及び第２中間金型４を分解する。
【００７１】
かかる分解の際に、封止樹脂４０Ｂが上金型１と接触している部分、封止樹脂４０Ｂと封止樹脂４０Ｃとが互いに接触している部分、及び、封止樹脂４０Ｃと封止樹脂４０Ｄとが互いに接触している部分は破断される。このとき、第２中間金型貫通ランナ部２４及び第１中間金型貫通ランナ部２７は、第２中間金型４及び第１中間金型３の下面に向かって先細るテーパー状の断面形状を有しているため、封止樹脂４０Ｂが封止樹脂４０Ｃに接触している部分、及び、封止樹脂４０Ｃが封止樹脂４０Ｄに接触している部分は容易に破断される。
【００７２】
次いで、配線基板１１を下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４から取り出す。配線基板１１の取出方法に特に制限はないが、必要に応じて、上金型１、第１中間金型３、第２中間金型４及び下金型２に夫々設けられているイジェクトピン（図示を省略）によるイジェクト機構により、配線基板１１を取り出すようにしてもよい。或いは、フッ素系樹脂等から成るリリースフィルム等の離型フィルム（図示を省略）を封止樹脂４０の注入前に予めキャビティ７乃至９の底部に配置しておき、当該離型フィルムを用いて離型させるようにしてもよい。
【００７３】
配線基板１１を下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４から取り出す際に、上述の封止樹脂４０Ｂ、封止樹脂４０Ｃ、及び封止樹脂４０Ｄは、キャビティ７乃至９内の封止樹脂４０Ａからそれぞれ分離・除去される。或いは、配線基板１１を下金型２、第１中間金型３、及び第２中間金型４から取り出した後に、封止樹脂４０Ｂ、封止樹脂４０Ｃ、及び封止樹脂４０Ｄを、封止樹脂４０Ａからそれぞれ分離・除去してもよい。このとき、第２中間金型ランナ部２２の底部、第１中間金型ランナ部２５の底部、及び下金型ランナ部２８の底部は、それぞれゲート部２３、２６及び２９に向かって上方に傾斜しているため、封止樹脂４０Ｂ、封止樹脂４０Ｃ、及び封止樹脂４０Ｄがそれぞれ封止樹脂４０Ａに接触している部分で容易に破断される。
【００７４】
このようにして配線基板１１の一方の主面上に複数搭載・固着された半導体素子１２、ボンディングワイヤ１３を封止樹脂４０Ａにより一括して樹脂封止した後に、配線基板１１を恒温槽等により加熱して、封止樹脂４０Ａを完全硬化する。封止樹脂４０の材料に因るが、加熱温度および時間は、例えば、１７５℃、４時間としてもよい。その後、配線基板１１の他方の主面に、半田ボールからなる外部接続端子４５を複数個配設し、配線基板１１、封止樹脂４０Ａにより樹脂封止された半導体素子１２及び当該半導体素子１２から導出されたボンディングワイヤ１３を１つの単位として、ダイシングソーを用いたダイシング等により個片化し、個々の半導体装置５０（図１２参照）が完成となる。
【００７５】
このように、本発明の第１の実施の形態では、上金型１と下金型２との間に挟持され、キャビティ８及び９が形成された中間金型３及び４と、キャビティ７が形成された下金型２と、に複数の配線基板１１を配置する。下金型２及び中間金型３及び４のキャビティ７乃至９は、配線基板１１における半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３の配設箇所に対応した部分に形成されている。
【００７６】
キャビティ７乃至９が形成された下金型２及び中間金型３及び４には、夫々のキャビティ７乃至９に連絡する樹脂路である下金型ランナ部２８、第１中間金型ランナ部２５、及び第２中間金型ランナ部２２がそれぞれ形成されており、単一の樹脂供給源であるポット部１８からカル部２０及び上金型ランナ部２１を経て供給された樹脂は当該樹脂路を経由してそれぞれのキャビティ７乃至９内に注入される。
【００７７】
従って、中間金型３及び４を介して積層された配線基板１１のそれぞれを同時に一括封止することができ、上金型１及び下金型２の大型化、配線基板１１の大型化を招くことなく、即ち、設備コストの上昇を招くことなく、樹脂封止工程における生産効率を向上させることができる。
【００７８】
また、キャビティ８乃至９に連絡する樹脂路である第１中間金型ランナ部２５及び第２中間金型ランナ部２２には、中間金型３及び４を貫通する貫通樹脂路として、第１中間金型貫通ランナ部２７及び第２中間金型貫通ランナ部２４が形成されている。
【００７９】
従って、樹脂成形用金型１０内において積層配置された配線基板１１の夫々に供給する樹脂路である下金型ランナ部２８、第１中間金型ランナ部２５、及び第２中間金型ランナ部２２をこれら貫通樹脂路２４及び２７によって連通させることができる。よって、単一の樹脂供給源であるポット部１８から樹脂を下金型２及び中間金型３及び４に供給することができ、樹脂封止装置の構成を簡略化することができる。これにより、樹脂封止装置を低コスト化することができる。
【００８０】
更に、樹脂は、下金型ランナ部２８、第１中間金型ランナ部２５、及び第２中間金型ランナ部２２のゲート部２３、２６、及び２９を介して、キャビティ７乃至９の端部から水平方向にキャビティ７乃至９に注入される。従って、キャビティ７乃至９に、鉛直方向に樹脂を注入する場合は、金型を離型する際に成形品に損傷を与えてしまうおそれがあるが、本例のように、樹脂を水平方向にキャビティ７乃至９に注入する場合は、かかる問題は回避される。
【００８１】
また、上述したように、上金型１を第２中間金型４に接触させて型閉じをし、次いで、所定のプレス圧力で型締めを行う際に、樹脂成型用金型１０全体が均一の温度になるように、図示を省略する加熱機構により、第１中間金型３及び第２中間金型４を所定温度に加熱する。そのため、溶融した封止樹脂４０をキャビティ７乃至９内に流入する際の流動特性を安定させることができる。また、一連の封止動作を連続的に行う際のサイクルタイムを短縮することができる。
【００８２】
［第２の実施の形態］
上述の本発明の第１の実施の形態では、キャビティ７乃至９が形成された下金型２及び中間金型３及び４に、単一の樹脂供給源であるポット部１８が設けられ、当該ポット部１８から、夫々のキャビティ７乃至９に連絡する樹脂路である下金型ランナ部２８、第１中間金型ランナ部２５、及び第２中間金型ランナ部２２を経由して夫々のキャビティ７乃至９内に注入される。
【００８３】
しかしながら、本発明はかかる例に限定されず、積層配置された各金型のキャビティに独立して溶融樹脂を供給する態様であってもよい。
【００８４】
図１３は、本発明の第２の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図（その１）であり、後に参照する図１６乃至図１９に示す線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図（その２）であり、後に参照する図１６乃至図１９に示す線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図１５は、本発明の第２の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図（その３）であり、後に参照する図１６乃至図１９に示す線Ｃ−Ｃに沿った断面図である。ここで、図１６は、図１３乃至図１５に示す上金型６１の平面図である。図１７は、図１３乃至図１５に示す第２中間金型６４の平面図である。図１８は、図１３乃至図１５に示す第１中間金型６３の平面図である。図１９は、図１３乃至図１５に示す下金型６２の平面図である。また、図２０は、図１６乃至図１９に示す線Ｄ−Ｄに沿った断面図である。
【００８５】
図１３乃至図２０において、図１乃至図１２において示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付して、その説明を省略する。また、図１６乃至図１９においては、説明の便宜上、プランジャ１９の図示を省略している。
【００８６】
図１３乃至図１５を参照するに、本例の樹脂封止成形用金型６０は、上金型６１、下金型６２、第１中間金型６３、第２中間金型６４から構成される。上金型６１、下金型６２、第１中間金型６３、及び第２中間金型６４の何れの主面も、略等しい面積を有する。
【００８７】
上金型６１は、樹脂封止装置の上金型固定部５に固定され、下金型６２は、前記樹脂封止装置の下金型固定部６に固定されている。下金型６２上に第１中間金型６３が積層配置され、第１中間金型６３上に第２中間金型６４が積層配置されている。第２中間金型６４上に、上金型６１が配置している。
【００８８】
図示を省略するが、第１中間金型６３及び第２中間金型６４の上金型６１及び下金型６２に対する位置合わせは、上金型６１及び下金型６２に設けられたピンと、第１中間金型６３及び第２中間金型６４に形成された穴部との嵌め合いによりなされる。
【００８９】
下金型６２、第１中間金型６３、及び第２中間金型６４の上面には、凹状にキャビティ６７乃至６９が形成されている。
【００９０】
キャビティ６７乃至６９の内部に配線基板１１の主面上に搭載された複数の電子部品である半導体素子１２及び当該半導体素子１２の外部接続端子と前記配線基板１１上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１３等が位置するとともに、下金型６２、第１中間金型６３、及び第２中間金型６４の上面と配線基板１１の裏面とは同一平面を形成するように、配線基板１１がキャビティ６７乃至６９に設けられている。
【００９１】
詳細は後述するが、キャビティ７乃至９内に封止用の溶融樹脂が射出（圧入・注入）されて、配線基板１１上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が樹脂封止される。
【００９２】
ここで、図１３乃至図１５に加え、図１６乃至図１９も参照する。
【００９３】
図１６乃至図１９において線Ａ−Ａで示す箇所では、下金型６２、第１中間金型６３、第２中間金型６４、及び下金型固定部６には、貫通孔が形成され、当該貫通孔の外周には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に移動自在な第１中空円筒部１７−１が形成されている。第１中空円筒部１７−１の内部は、封止樹脂が投入される第１ポット部１８−１を構成し、第１ポット部１８−１内には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に運動自在な第１プランジャ１９−１が設けられている。第１中空円筒部１７−１の上部開口穴、即ち、第１ポット部１８−１の開口面は、上金型６１の下面側に形成された上金型カル部８０に接続され、第１ポット部１８−１内で加熱溶融化された封止樹脂が第１プランジャ１９−１により、上金型カル部８０に流入する。
【００９４】
図１６に示すように、上述したように上金型６１の下面に形成された上金型カル部８０は、上金型６１の下面に形成された上金型ランナ部８１に連通している。従って、第１プランジャ１９−１により上金型カル部８０に流入された封止樹脂は、上金型ランナ部８１へ流入する。なお、図１６においては、上金型カル部８０の下面及び上金型ランナ部８１の下面は点線で示している。また、上金型６１の直下に設けられる第２中間金型６４における配線基板１１の配置領域と、当該配線基板１１における複数の半導体素子１２の搭載箇所を、一点鎖線で示している。
【００９５】
図１３に示すように、上金型６１の上金型ランナ部８１は、第２中間金型６４に形成された第２中間金型ランナ部８２に、夫々連通している。
【００９６】
図１７に示すように、第２中間金型ランナ部８２は、熊の手状の平面形状を有し、第２中間金型ランナ部８２とキャビティ６９との接続箇所には、複数のゲート部８３−１乃至８３−４が設けられている。
【００９７】
このように、上金型カル部８０を介して第１ポット部１８−１と連通している上金型ランナ部８１と、キャビティ６９とは、第２中間金型ランナ部８２介して連通している。従って、第１ポット部１８−１から上金型ランナ部８１へ流入した封止樹脂は、第２中間金型ランナ部８２のゲート部２３を介してキャビティ６９へと注入される。
【００９８】
ところで、図１４に示すように、図１６乃至図１９において線Ｂ−Ｂで示す箇所では、下金型６２、第１中間金型６３、及び下金型固定部６には、貫通孔が形成され、当該貫通孔の外周には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に移動自在な第２中空円筒部１７−２が形成されている。第２中空円筒部１７−２の内部は、封止樹脂が投入される第２ポット部１８−２を構成し、第２ポット部１８−２内には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に運動自在な第２プランジャ１９−２が設けられている。第２中空円筒部１７−２の上部開口穴、即ち、第２ポット部１８−２の開口面は、第２中間金型６４の下面側に形成された第２中間金型カル部８４に接続され、第２ポット部１８−２内で加熱溶融化された封止樹脂が第２プランジャ１９−１により、第２中間金型カル部８４に流入する。
【００９９】
第２中間金型カル部８４は、第２中間金型６４の下面に形成された第２中間金型ランナ部８５に連通している。従って、第２プランジャ１９−２により第２中間金型カル部８４に流入された封止樹脂は、第２中間金型ランナ部８５へ流入する。なお、図１７においては、第２中間金型カル部８４の下面及び第２中間金型ランナ部８５の下面は点線で示している。また、第２中間金型６４の直下に設けられる第１中間金型６３における配線基板１１における複数の半導体素子１２の搭載箇所を、一点鎖線で示している。
【０１００】
図１４に示すように、第２中間金型６４の第２中間金型ランナ部８５は、第１中間金型６３に形成された第１中間金型ランナ部８６に連通している。
【０１０１】
図１８に示すように、第１中間金型ランナ部８６は、熊の手状の平面形状を有し、第１中間金型ランナ部８６とキャビティ６８との接続箇所には、複数のゲート部８７−１乃至８７−６が設けられている。
【０１０２】
このように、第２中間金型カル部８４を介して第２ポット部１８−２と連通している第２中間金型ランナ部８５と、キャビティ６８とは、第１中間金型ランナ部８６を介して連通している。従って、第２ポット部１８−２から第２中間金型ランナ部８５へ流入した封止樹脂は、第１中間金型ランナ部８６のゲート部８７を介してキャビティ６８へと注入される。
【０１０３】
ところで、図１５に示すように、図１６乃至図１９において線Ｃ−Ｃで示す箇所では、下金型６２及び下金型固定部６には、貫通孔が形成され、当該貫通孔の外周には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に移動自在な第３中空円筒部１７−３が形成されている。第３中空円筒部１７−３の内部は、封止樹脂が投入される第３ポット部１８−３を構成し、第３ポット部１８−３内には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に運動自在な第３プランジャ１９−３が設けられている。第３中空円筒部１７−３の上部開口穴、即ち、第３ポット部１８−３の開口面は、第１中間金型６３の下面側に形成された第１中間金型カル部８８に接続され、第３ポット部１８−３内で加熱溶融化された封止樹脂が第３プランジャ１９−３により、第１中間金型カル部８８に流入する。
【０１０４】
第１中間金型カル部８８は、第１中間金型６３の下面に形成された第１中間金型ランナ部８９に連通している。従って、第３プランジャ１９−３により第１中間金型カル部８８に流入された封止樹脂は、第１中間金型ランナ部８９へ流入する。なお、図１８においては、第１中間金型カル部８８の下面及び第１中間金型ランナ部８９の下面は点線で示している。また、第１中間金型６２の直下に設けられる下金型６２における配線基板１１における複数の半導体素子１２の搭載箇所を、一点鎖線で示している。
【０１０５】
図１５に示すように、第１中間金型６３の第１中間金型ランナ部８９は、下金型６２に形成された下金型ランナ部９０に、夫々連通している。
【０１０６】
図１９に示すように、下金型ランナ部９０は、熊の手状の平面形状を有し、下金型ランナ部９０とキャビティ６７との接続箇所には、複数のゲート部９１−１乃至９１−６が設けられている。
【０１０７】
このように、第１中間金型カル部８８を介して第３ポット部１８−３と連通している第第１中間金型ランナ部８９と、キャビティ６７とは、下金型ランナ部９０を介して連通している。従って、第３ポット部１８−３から第１中間金型ランナ部８９へ流入した封止樹脂は、第下金型ランナ部９０のゲート部９１を介してキャビティ６７へと注入される。
【０１０８】
次に、このような構造を有する樹脂封止成形用金型６０を用いた樹脂封止方法について、図１３乃至図１８を参照して説明する。
【０１０９】
先ず、樹脂封止装置の下金型固定部６に固定されている下金型６２、第１中間金型６３及び第２中間金型６４の夫々に、主面上に複数の半導体素子１２が搭載された配線基板１１をセットする。
【０１１０】
更に、配線基板１１がセットされた第１中間金型６３及び第２中間金型６４を、樹脂封止装置の上金型固定部５に固定された上金型６１と、下金型固定部６に固定されている下金型６２との間に積層配置する。
【０１１１】
なお、この段階で、上金型６１と下金型６２は、加圧ヘッド及びステージ等の上金型固定部５及び下金型固定部６に設けられた図示を省略する加熱機構により加熱されている。
【０１１２】
下金型６２上に第１中間金型６３を積層配置し、第１の実施の形態と同様に、固形状の封止樹脂タブレットを第３中空円筒部１７−３の開口部から落とし込み、下金型固定部６内に位置している第３プランジャ１９−３の上面上に投入する。次いで、第１中間金型６３上に第２中間金型６４を積層配置し、第１の実施の形態と同様に、固形状の封止樹脂タブレットを第２中空円筒部１７−２の開口部から落とし込み、第２プランジャ１９−２の上面上に投入する。次いで、第２中間金型６４上に上金型６１を積層配置し、第１の実施の形態と同様に、固形状の封止樹脂タブレットを第１中空円筒部１７−１の開口部から落とし込み、第１プランジャ１９−１の上面上に投入する。
【０１１３】
しかる後、上金型固定部５に固定された上金型６１を第２中間金型６４に接触させて型閉じをし、次いで、所定のプレス圧力で型締めを行う。また、同時に、樹脂成型用金型１０全体が均一の温度になるように、加熱機構により、第１中間金型６３及び第２中間金型６４に加熱を施す。
【０１１４】
次に、図２０に示すように、上面に溶融樹脂４０が設けられた各プランジャ１９を、駆動部により鉛直方向に上昇する。なお、図２０では、樹脂の図示を省略している。
【０１１５】
その結果、溶融樹脂は、第１中空円筒部１７−１の上部開口穴、即ち、第１ポット部１８−１の開口面から、上金型カル部８０、上金型ランナ部８１、第２中間金型ランナ部８２、ゲート部８３を介して第２中間金型６４のキャビティ６９へ水平方向に注入される。また、溶融樹脂は、第２中空円筒部１７−２の上部開口穴、即ち、第２ポット部１８−２の開口面から、第２中間金型カル部８４、第２中間金型ランナ部８５、第１中間金型ランナ部８６、ゲート部８７を介して第１中間金型６３のキャビティ６８へ水平方向に注入される。溶融樹脂は、第３中空円筒部１７−３の上部開口穴、即ち、第３ポット部１８−３の開口面から、第１中間金型カル部８８、第１中間金型ランナ部８９、下金型ランナ部９０、ゲート部９１を介して下金型６２のキャビティ６７へ水平方向に注入される。その結果、各キャビティ６７乃至６９のそれぞれの内部に位置している配線基板１１の主面上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が、キャビティ６７乃至６９内の封止樹脂に浸漬した状態が独立して形成される。
【０１１６】
樹脂封止が完了すると、型開きを行って、主面上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が封止された配線基板を樹脂封止用金型１０から取り出す。
【０１１７】
以後の工程は、本発明の第１の実施の形態の場合と同様である。
【０１１８】
このように、本発明の第２の実施の形態では、下金型６２のキャビティ６７には、第１中間金型カル部８８、第１中間金型ランナ部８９、下金型ランナ部９０、ゲート部９１から成る樹脂路を介して、第１中間金型６３のキャビティ６８には、第２中間金型カル部８４、第２中間金型ランナ部８５、第１中間金型ランナ部８６、ゲート部８７から成る樹脂路を介して、第２中間金型６４のキャビティ６９には、上金型カル部８０、上金型ランナ部８１、第２中間金型ランナ部８２、ゲート部８３から成る樹脂路を介して、夫々独立に、樹脂を供給する構造となっている。
【０１１９】
従って、各キャビティ６７乃至６９毎に、樹脂材料、射出条件、射出タイミング等の樹脂供給条件を異ならしめて、成形をすることができる。よって、製造歩留まりの安定化を容易に図ることができる。
【０１２０】
例えば、各キャビティ６７乃至６９の厚さ（鉛直方向の長さ）や形状を異ならしめることができる。厚さが異なる又は異なる形状のキャビティそれぞれに独立して樹脂を供給することにより、配線基板１１における半導体素子１２の搭載箇所や封止形状が異なる配線基板１１を同時に独立して樹脂封止することができ、簡易な構造で、製造歩留まりの安定化を容易に図ることができる。
【０１２１】
［第３の実施の形態］
上述の本発明の第１及び第２の実施の形態では、第１中間金型３、６３及び第２中間金型４、６４のみならず、下金型２、６２にもキャビティ７、６７が形成されている例を示した。しかしながら、本発明はこれらの例に限定されず、上金型及び下金型にはキャビティを形成せず、上金型と下金型とに挟持された中間金型の上下面にのみキャビティを形成してもよい。
【０１２２】
図２１は、本発明の第３の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図であり、図２２は、図２１に示す中間金型１０３の平面図である。図２１は、図２０に示す線Ｘ−Ｘに沿った断面図である。なお、図２１及び図２２において、図１乃至図１２において示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付して、その説明を省略する。また、図２２において、配線基板１１における複数の半導体素子１２の搭載箇所を、一点鎖線で示している。
【０１２３】
図２１及び図２２を参照するに、本例の樹脂封止成形用金型１１０は、上金型１０１、下金型１０２、中間金型１０３から構成される。上金型１０１、下金型１０２、及び中間金型１０３の何れの主面も、略等しい面積を有する。
【０１２４】
上金型１０１は、樹脂封止装置の上金型固定部５に固定され、下金型１０２は、前記樹脂封止装置の下金型固定部６に固定されている。下金型１０２上に中間金型１０３が積層配置され、中間金型１０３上に上金型１０１が配置している。
【０１２５】
図示を省略するが、中間金型１０３の上金型１０１及び下金型１０２に対する位置合わせは、上金型１０１及び下金型１０２に設けられたピンと、中間金型１０３に形成された穴部との嵌め合いによりなされる。
【０１２６】
中間金型１０３の上面及び下面には、凹状にキャビティ１０４及び１０５が形成されている。
【０１２７】
キャビティ１０４及び１０５の内部に配線基板１１の主面上に搭載された複数の電子部品である半導体素子１２及び当該半導体素子１２の外部接続端子と前記配線基板１１上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１３等が位置するとともに、中間金型１０３の上面及び下面と配線基板１１の裏面とは同一平面を形成するように、配線基板１１がキャビティ１０４及び１０５に設けられている。
【０１２８】
キャビティ１０４及び１０５内に封止用の溶融樹脂が射出（圧入・注入）されて、配線基板１１上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が樹脂封止される。
【０１２９】
下金型１０２及び下金型固定部６には、貫通孔が形成され、当該貫通孔の外周には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に移動自在な中空円筒部１７が形成されている。中空円筒部１７の内部は、封止樹脂が投入されるポット部１８を構成し、ポット部１８内には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に運動自在なプランジャ１９が設けられている。中空円筒部１７の上部開口穴、即ち、ポット部１８の開口面は、中間金型１０３の下面側に複数形成されたカル部１０６に接続され、ポット部１８内で加熱溶融化された封止樹脂がプランジャ１９により、カル部１０６に流入する。
【０１３０】
カル部１０６は、中間金型１０３の下面に形成された中間金型下部ランナ部１０７に連通している。従って、プランジャ１９によりカル部１０６に流入された封止樹脂は、中間金型下部ランナ部１０７へ流入する。なお、図２２においては、カル部１０６の下面及び中間金型下部ランナ部１０７の下面は点線で示している。
【０１３１】
中間金型下部ランナ部１０７は、熊の手状の平面形状を有し、中間金型下部ランナ部１０７とキャビティ１０５との接続箇所には、複数のゲート部１０８が設けられている。
【０１３２】
カル部１０６を介してポット部１８と連通している中間金型下部ランナ部１０７と、キャビティ１０５とは連通している。従って、ポット部１８から中間金型下部ランナ部１０７へ流入した封止樹脂は、中間金型下部ランナ部１０７のゲート部１０８を介してキャビティ１０５へと注入される。
【０１３３】
カル部１０６には、中間金型１０３において鉛直方向に貫通形成された貫通ランナ部１０９が接続されている。かかる貫通ランナ部１０９は、中間金型１０３の上面に形成された中間金型上部ランナ部１１１に連通している。従って、プランジャ１９によりカル部１０６に流入された封止樹脂は、中間金型上部ランナ部１１１へ流入する。なお、貫通ランナ部１０９は、中間金型１０３の上面に向かって先細るテーパー状の断面形状を有している。
【０１３４】
中間金型上部ランナ部１１１は、熊の手状の平面形状を有し、中間金型上部ランナ部１１１とキャビティ１０４との接続箇所には、複数のゲート部１１２−１乃至１１２−３が設けられている。
【０１３５】
貫通ランナ部１０９及びカル部１０６を介してポット部１８と連通している中間金型上部ランナ部１１１と、キャビティ１０４とは連通している。従って、ポット部１８から中間金型上部ランナ部１１１へ流入した封止樹脂は、中間金型上部ランナ部１１１のゲート部１１２を介してキャビティ１０４へと注入される。
【０１３６】
次に、このような構造を有する樹脂封止成形用金型１１０を用いた樹脂封止方法について、図２１を参照して説明する。
【０１３７】
先ず、主面上に複数の半導体素子１２が搭載された配線基板１１を、下金型固定部６に固定されている下金型１０２にセットする。図示を省略するが、配線基板１１の下金型１０２に対する位置合わせは、下金型１０２に設けられたピンと、配線基板１１に形成された穴部との嵌め合いによりなされる。
【０１３８】
なお、この段階で、上金型１０１と下金型１０２は、加圧ヘッド及びステージ等の上金型固定部５及び下金型固定部６に設けられた図示を省略する加熱機構により加熱されている。
【０１３９】
第１の実施の形態と同様に、固形状の封止樹脂タブレットを中空円筒部１７の開口部から落とし込み、下金型固定部６内に位置しているプランジャ１９の上面上に投入する。
【０１４０】
次いで、中間金型１０３の上面に、主面上に複数の半導体素子１２が搭載された配線基板１１をセットし、配線基板１１がセットされた中間金型１０３を樹脂封止装置の上金型固定部５に固定された上金型１０１と、下金型固定部６に固定されている下金型１０２との間に積層配置する。
【０１４１】
しかる後、上金型固定部５に固定された上金型１０１を中間金型１０３に接触させて型閉じをし、次いで、所定のプレス圧力で型締めを行う。また、同時に、樹脂成型用金型１１０全体が均一の温度になるように、加熱機構により、中間金型１０３に加熱を施す。
【０１４２】
次に、上面に溶融樹脂４０が設けられたプランジャ１９を、駆動部により鉛直方向に上昇する。
【０１４３】
その結果、溶融樹脂は、中空円筒部１７の上部開口穴、即ち、ポット部１８の開口面から、カル部１０６、中間金型下部ランナ部１０７のゲート部１０８を介してキャビティ１０５へと水平方向に注入され、また、カル部１０６、貫通ランナ部１０９、中間金型上部ランナ部１１１のゲート部１１２を介してキャビティ１０４へと水平方向に注入される。
【０１４４】
その結果、各キャビティ１０４及び１０５のそれぞれの内部に位置している配線基板１１の主面上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が、キャビティ１０４及び１０５内の封止樹脂に浸漬した状態が形成される。
【０１４５】
樹脂封止が完了すると、型開きを行って、主面上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が封止された配線基板を樹脂封止用金型１０から取り出す。
【０１４６】
以後の工程は、本発明の第１の実施の形態の場合と同様である。
【０１４７】
このように、本発明の第３の実施の形態では、上金型１０１及び下金型１０２にはキャビティを形成せず、上金型１０１と下金型１０２とに挟持された中間金型１０３の上下面にキャビティ１０４及び１０５を形成し、単一の樹脂供給源であるポット部１８からカル部１０６を経て供給された樹脂は樹脂路を経由してキャビティ１０４及び１０５に注入される。
【０１４８】
従って、中間金型１０３の上面及び下面に設けられた配線基板１１のそれぞれを同時に封止することができ、簡易な構造で、樹脂封止工程における生産効率を向上させることができる。
【０１４９】
［第４の実施の形態］
上述の本発明の第３の実施の形態では、上金型１０１と下金型１０２とに挟持された中間金型１０３の上下面にキャビティ１０４及び１０５を形成し、単一の樹脂供給源であるポット部１８からカル部１０６を経て供給された樹脂が夫々の樹脂路を経由してキャビティ１０４及び１０５に注入される例を示した。しかしながら、本発明はこれらの例に限定されず、中間金型１０３の上下面に形成されたキャビティ１０４及び１０５に独立して溶融樹脂を供給する態様であってもよい。
【０１５０】
図２３は、本発明の第４の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図である。なお、図２３において、図１乃至図１２において示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付して、その説明を省略する。
【０１５１】
図２３を参照するに、本例の樹脂封止成形用金型１６０は、上金型１６１、下金型１６２、中間金型１６３等から構成される。上金型１６１、下金型１６２、及び中間金型１６３の何れの主面も、略等しい面積を有する。
【０１５２】
上金型１６１は、樹脂封止装置の上金型固定部５に固定され、下金型１６２は、前記樹脂封止装置の下金型固定部６に固定されている。下金型１６２上に中間金型１６３が積層配置され、中間金型１６３上に上金型１６１が配置している。
【０１５３】
図示を省略するが、中間金型１６３の上金型１６１及び下金型１６２に対する位置合わせは、上金型１６１及び下金型１６２に設けられたピンと、中間金型１６３に形成された穴部との嵌め合いによりなされる。
【０１５４】
中間金型１６３の上面及び下面には、凹状にキャビティ１０４及び１０５が形成されている。
【０１５５】
キャビティ１０４及び１０５の内部に配線基板１１の主面上に搭載された複数の電子部品である半導体素子１２及び当該半導体素子１２の外部接続端子と前記配線基板１１上の電極端子とを接続するボンディングワイヤ１３等が位置するとともに、中間金型１６３の上面及び下面と配線基板１１の裏面とは同一平面を形成するように、配線基板１１がキャビティ１０４及び１０５に設けられている。
【０１５６】
キャビティ１０４及び１０５内に封止用の溶融樹脂が射出（圧入・注入）されて、配線基板１１上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が樹脂封止される。
【０１５７】
図２３においてキャビティ１０４及び１０５よりも左側の箇所では、下金型１６２、中間金型１６３、及び下金型固定部６に、貫通孔が形成され、当該貫通孔の外周には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に移動自在な第１中空円筒部１７−１が形成されている。第１中空円筒部１７−１の内部は、封止樹脂が投入される第１ポット部１８−１を構成し、第１ポット部１８−１内には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に運動自在な第１プランジャ１９−１が設けられている。第１中空円筒部１７−１の上部開口穴、即ち、第１ポット部１８−１の開口面は、上金型１６１の下面側に形成された上金型カル部１６５に接続され、第１ポット部１８−１内で加熱溶融化された封止樹脂が第１プランジャ１９−１により、上金型カル部１６５に流入する。
【０１５８】
上金型カル部１６５は、上金型１６１の下面に形成された上金型ランナ部１６６に連通している。従って、第１プランジャ１９−１により上金型カル部１６５に流入された封止樹脂は、上金型ランナ部１６６へ流入する。上金型１６１の上金型ランナ部１６６は、中間金型１６３に形成された第１中間金型ランナ部１６７に連通している。第１中間金型ランナ部１６７とキャビティ１０４との接続箇所には、ゲート部１６８が設けられている。
【０１５９】
このように、上金型カル部１６５を介して第１ポット部１８−１と連通している上金型ランナ部１６６と、キャビティ１０４とは、第１中間金型ランナ部１６７を介して連通している。従って、第１ポット部１８−１から上金型ランナ部１６６へ流入した封止樹脂は、第１中間金型ランナ部１６７のゲート部１６８を介してキャビティ１０４へと注入される。
【０１６０】
図２３においてキャビティ１０４及び１０５よりも右側の箇所では、下金型１６２及び下金型固定部６に、貫通孔が形成され、当該貫通孔の外周には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に移動自在な第２中空円筒部１７−２が形成されている。第２中空円筒部１７−２の内部は、封止樹脂が投入される第２ポット部１８−２を構成し、第２ポット部１８−２内には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に運動自在な第２プランジャ１９−２が設けられている。第２中空円筒部１７−２の上部開口穴、即ち、第２ポット部１８−２の開口面は、中間金型１６３の下面側に形成された中間金型カル部１６９に接続され、第２ポット部１８−２内で加熱溶融化された封止樹脂が第２プランジャ１９−２により、中間金型カル部１６９に流入する。
【０１６１】
中間金型カル部１６９は、中間金型１６３の下面に形成された第２中間金型ランナ部１７０に連通している。従って、第２プランジャ１９−２により中間金型カル部１６９に流入された封止樹脂は、第２中間金型ランナ部１７０へ流入する。第２中間金型ランナ部１７０とキャビティ１０５との接続箇所には、ゲート部１７１が設けられている。
【０１６２】
このように、中間金型カル部１６９を介して第２ポット部１８−２と連通している中間金型ランナ部１７０と、キャビティ１０５とは、第２中間金型ランナ部１７０を介して連通している。従って、第２ポット部１８−２から中間金型ランナ部１６９へ流入した封止樹脂は、第２中間金型ランナ部１７０のゲート部１７１を介してキャビティ１０５へと注入される。
【０１６３】
次に、このような構造を有する樹脂封止成形用金型１６０を用いた樹脂封止方法について説明する。
【０１６４】
先ず、主面上に複数の半導体素子１２が搭載された配線基板１１を、下金型固定部６に固定されている下金型１６２にセットする。図示を省略するが、配線基板１１の下金型１６２に対する位置合わせは、下金型１６２に設けられたピンと、配線基板１１に形成された穴部との嵌め合いによりなされる。
【０１６５】
なお、この段階で、上金型１６１と下金型１６２は、加圧ヘッド及びステージ等の上金型固定部５及び下金型固定部６に設けられた図示を省略する加熱機構により加熱されている。
【０１６６】
固形状の封止樹脂タブレットを第２中空円筒部１７−２の開口部から落とし込み、下金型固定部６内に位置しているプランジャ１９−２の上面上に投入する。
【０１６７】
次いで、中間金型１６３の上面に、主面上に複数の半導体素子１２が搭載された配線基板１１をセットし、配線基板１１がセットされた中間金型１６３を樹脂封止装置の上金型固定部５に固定された上金型１６１と、下金型固定部６に固定されている下金型１６２との間に積層配置する。
【０１６８】
更に、固形状の封止樹脂タブレットを第１中空円筒部１７−１の開口部から落とし込み、プランジャ１９−１の上面上に投入する。
【０１６９】
しかる後、上金型固定部５に固定された上金型１６１を中間金型１６３に接触させて型閉じをし、次いで、所定のプレス圧力で型締めを行う。また、同時に、樹脂成型用金型１６０全体が均一の温度になるように、加熱機構により、中間金型１６３に加熱を施す。
【０１７０】
次に、上面に溶融樹脂４０が設けられた各プランジャ１９を、駆動部により鉛直方向に上昇する。
【０１７１】
溶融樹脂は、第１中空円筒部１７−１の上部開口穴、即ち、ポット部１８−１の開口面から、上金型カル部１６５、上金型ランナ部１６６、第１中間金型ランナ部１６７、及びゲート部１６８を介してキャビティ１０４へと水平方向に注入され、また、第２中空円筒部１７−２の上部開口穴、即ち、ポット部１８−２の開口面から、中間金型カル部１６９、中間金型ランナ部１７０、及びゲート部１７１を介してキャビティ１０５へと水平方向に注入される。
【０１７２】
その結果、各キャビティ１０４及び１０５のそれぞれの内部に位置している配線基板１１の主面上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が、キャビティ１０４及び１０５内の封止樹脂に浸漬した状態が形成される。
【０１７３】
樹脂封止が完了すると、型開きを行って、主面上に搭載された複数の半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等が封止された配線基板を樹脂封止用金型１６０から取り出す。
【０１７４】
以後の工程は、本発明の第１の実施の形態の場合と同様である。
【０１７５】
このように、本発明の第３の実施の形態では、上金型１６１及び下金型１６２にはキャビティを形成せず、上金型１６１と下金型１６２とに挟持された中間金型１６３の上下面にキャビティ１０４及び１０５を形成し、独立の樹脂路を経由してキャビティ１０４及び１０５に樹脂を独立して注入する。
【０１７６】
従って、中間金型１６３の上面及び下面に設けられた配線基板１１を独立して封止することができ、簡易な構造で、樹脂封止工程における生産効率を向上させることができる。
【０１７７】
また、キャビティ１０４及び１０５に独立して溶融樹脂を供給する構造のため、各キャビティ１０４及び１０５毎に、樹脂材料、射出条件、射出タイミング等の樹脂供給条件を異ならしめて、成形をすることができる。よって、製造歩留まりの安定化を容易に図ることができる。
【０１７８】
例えば、各キャビティ１０４及び１０５の厚さ（鉛直方向の長さ）や形状を異ならしめることができる。厚さが異なる又は異なる形状のキャビティそれぞれに独立して樹脂を供給することにより、半導体素子１２の搭載箇所や封止形状が異なる配線基板１１を同時に樹脂封止することができ、簡易な構造で、製造歩留まりの安定化を容易に図ることができる。
【０１７９】
［第５の実施の形態］
上述の各実施の形態においては、半導体素子を搭載した配線基板の片面のみを、溶融樹脂で封止する態様が示されているが、本発明はかかる態様に限定されず、半導体素子を搭載したシート部材としてのリードフレームの両面を溶融樹脂で封止する態様であってもよい。
【０１８０】
図２４は、本発明の第５の実施の形態に用いられる、半導体素子を搭載したリードフレームを示す平面図である。
【０１８１】
図２４を参照するに、本発明の第５の実施の形態において用いられるリードフレーム２００は、例えば、銅合金、鉄・ニッケル合金等からなり、エッチング又は金型による打抜きにより、ダイパッド（ダイステージ）２０１、インナーリード部２０２、アウターリード部２０３が形成されている。インナーリード部２０２の外側に形成されているアウターリード部２０３は、半導体装置の外部接続端子となり、インナーリード部２０２に接続している。また、ダイパッド（ダイステージ）２０１は、周辺フレーム部２０４に接続しているダイパッド支持部２０５により支持され、ダイパッド（ダイステージ）２０１上に半導体素子１２が接着剤２０６を介して接着固定されている。
【０１８２】
本発明の第５の実施の形態では、このような半導体素子１２が搭載されたリードフレーム２００が樹脂封止成形用金型に配置される。
【０１８３】
図２５は、本発明の第５の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図であり、後に参照する図２６乃至図２９に示す線Ｘ−Ｘに沿った断面図である。
【０１８４】
図２５を参照するに、本例の樹脂封止成形用金型２５０は、上金型２５１、下金型２５２、第１中間金型２５３、第２中間金型２５４から構成される。上金型２５１、下金型２５２、第１中間金型２５３、及び第２中間金型２５４の何れの主面も、略等しい面積を有する。
【０１８５】
上金型２５１は、樹脂封止装置の上金型固定部５に固定され、下金型２５２は、前記樹脂封止装置の下金型固定部６に固定されている。下金型２５２上に第１中間金型２５３が積層配置され、第１中間金型２５３上に第２中間金型２５４が積層配置されている。第２中間金型２５４上に、上金型２５１が配置している。
【０１８６】
図示を省略するが、第１中間金型２５３及び第２中間金型２５４の上金型２５１及び下金型２５２に対する位置合わせは、上金型２５１及び下金型２５２に設けられたピンと、第１中間金型２５３及び第２中間金型２５４に形成された穴部との嵌め合いによりなされる。
【０１８７】
積層配置された第１中間金型２５３、第２中間金型２５４、下金型２５２の略中央には、貫通孔が形成され、当該貫通孔の外周には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に移動自在な中空円筒部１７が形成されている。
【０１８８】
中空円筒部１７の左右であって、下金型２５２の上面及び第２中間金型２５４の下面にはキャビティ２６０が、第２中間金型２５４の上面及び第１中間金型２５３の下面にはキャビティ２６１が、第１中間金型２５３の上面及び上金型２５１の下面にはキャビティ２６２が夫々形成されている。
【０１８９】
キャビティ２６０乃至２６２の内部に、シート部材であるリードフレーム２００のダイパッド（ダイステージ）２０１上に載置された半導体素子１２、インナーリード部２０２、半導体素子１２とインナーリード部２０２とを接続するボンディングワイヤ１３等が位置するように、リードフレーム２００が、下金型２５２、第１中間金型２５３、及び第２中間金型２５４の上面に設けられている（なお、図２５では、図面を見やすくするために、最も左上に位置しているキャビティ２６２において、各部の符号を付している）。
【０１９０】
詳細は後述するが、キャビティ２６０乃至２６２内に封止用の溶融樹脂が射出（圧入・注入）されて、リードフレーム２００のダイパッド（ダイステージ）２０１上に載置された半導体素子１２、インナーリード部２０２、半導体素子１２とインナーリード部２０２とを接続するボンディングワイヤ１３等が樹脂封止される。
【０１９１】
前述の中空円筒部１７の内部は、封止樹脂が投入されるポット部１８を構成し、ポット部１８内には、図示を省略する駆動部により鉛直方向に運動自在なプランジャ１９が設けられている。中空円筒部１７の上部開口穴、即ち、ポット部１８の開口面は、上金型２５１の下面に形成されたカル部２６５に接続され、ポット部１８内で加熱溶融化された封止樹脂がプランジャ１９により、カル部２６５に流入する。
【０１９２】
ここで、図２５に加え、図２６も参照する。図２６は、図２５に示す上金型２５１の平面図である。なお、図２６において、第２中間金型２５４上におけるリードフレーム２００の配設領域を一点鎖線で示している。
【０１９３】
図２５及び図２６を参照するに、上述した上金型２５１の下面に形成されたカル部２６５は、夫々、上金型２５１の下面であって当該カル部２６５の左右に形成された上金型ランナ部２６６に連通している。従って、プランジャ１９によりカル部２６５に流入された封止樹脂は、上金型ランナ部２６６へ流入する。なお、図２においては、カル部２６５の下面、上金型ランナ部２６６の下面、及び上金型２５１の直下に設けられる第２中間金型２５４におけるキャビティ２６２の形成領域を点線で示している。
【０１９４】
次に、図２５に加え、図２７も参照する。図２７は、図２５に示す第２中間金型２５４の平面図である。なお、第２中間金型２５４上におけるリードフレーム２００の配設領域を一点鎖線で示している。
【０１９５】
図２５及び図２７を参照するに、上金型２５１の上金型ランナ部２６６は、第２中間金型２５４に形成された第２中間金型ランナ部２６７に、夫々連通している。第２中間金型ランナ部２６７とキャビティ２６２との接続箇所には、ゲート部２６８が設けられている。
【０１９６】
また、各第２中間金型ランナ部２６７には、第２中間金型貫通ランナ部２６９が第２中間金型２５４を貫通するように接続されている。なお、第２中間金型貫通ランナ部２６９は、第２中間金型２５４の下面に向かって先細るテーパー状の断面形状を有している。
【０１９７】
各第２中間金型ランナ部２６７のゲート部２６８は、上方に傾斜するように形成されている。
【０１９８】
このように、カル部２６５を介してポット部１８と連通している上金型ランナ部２６６と、キャビティ２６２とは、第２中間金型ランナ部２６７を介して連通している。従って、ポット部８から左右の上金型ランナ部２６６へ流入した封止樹脂は、第２中間金型ランナ部２６７のゲート部２６８を介して左右のキャビティ２６２へと水平方向に注入され、また、第２中間金型貫通ランナ部２６９にも流入する。
【０１９９】
次に、図２５に加え、図２８も参照する。図２８は、図２５に示す第１中間金型２５３の平面図である。なお、第１中間金型２５３上におけるリードフレーム２００の配設領域を一点鎖線で示している。
【０２００】
図２５及び図２８を参照するに、第２中間金型２５４の第２中間金型貫通ランナ部２６９は、第１中間金型２５３に形成された第１中間金型ランナ部２７０に、夫々連通している。第１中間金型ランナ部２７０とキャビティ２６１との接続箇所には、ゲート部２７１が設けられている。
【０２０１】
また、各第１中間金型ランナ部２７０には、第１中間金型貫通ランナ部２７２が第１中間金型２５３を貫通するように接続されている。なお、第１中間金型貫通ランナ部２７２は、第１中間金型２５３の下面に向かって先細るテーパー状の断面形状を有している。
【０２０２】
各第１中間金型ランナ部２７０のゲート部２７１は、上方に傾斜するように形成されている。
【０２０３】
このように、カル部２６５を介してポット部１８と連通している上金型ランナ部２６６と、キャビティ２６１とは、第２中間金型２５４の第２中間金型貫通ランナ部２６９及び第１中間金型ランナ部２７０を介して連通している。従って、ポット部８から左右の上金型ランナ部２６６へ流入した封止樹脂は、第２中間金型２５４の第２中間金型貫通ランナ部２６９、第１中間金型ランナ部２７０、ゲート部２７１を介して左右のキャビティ２６１へと水平方向に注入され、また、第１中間金型貫通ランナ部２７２にも流入する。
【０２０４】
次に、図２５に加え、図２９も参照する。図２９は、図２５に示す下金型２５２の平面図である。なお、下金型２５２上におけるリードフレーム２００の配設領域を一点鎖線で示している。
【０２０５】
図２５及び図２９を参照するに、第１中間金型貫通ランナ部２７２は、下金型２５２に形成された下金型ランナ部２７３に連通している。下金型ランナ部２７３とキャビティ７２６０の接続箇所には、ゲート部２７４が設けられている。
【０２０６】
下金型ランナ部２７３のゲート部２７４は、上方に傾斜するように形成されている。
【０２０７】
このように、カル部２６５、上金型ランナ部２６６、及び第２中間金型貫通ランナ部２６９を介してポット部１８と連通している第１中間金型ランナ部２７０と、キャビティ２６０とは、第１中間金型貫通ランナ部２７２及び下金型ランナ部２７３を介して連通している。従って、第１中間金型２５３の第１中間金型貫通ランナ部２７２へ流入した封止樹脂は、下金型ランナ部２７３のゲート部２７４を介してキャビティ２６０へと水平方向に注入される。
【０２０８】
ところで、図２５に示すように、上金型２５１の内部にはキャビティ２６２の上面から突出可能に、第２中間金型２５４の内部にはキャビティ２６２の下面及びキャビティ２６１の上面から突出可能に、第１中間金型２５３の内部にはキャビティ２６１の下面及びキャビティ２６０の上面から突出可能に、下金型２５２の内部にはキャビティ２６０の下面から突出可能に、イジェクトピン３００が２本ずつ設けられている。樹脂封止完了後、イジェクトピン３００によるイジェクト機構により、リードフレーム２００は樹脂封止成形用金型２５０から取り出される。
【０２０９】
かかるイジェクトピン３００によるイジェクト機構の構造を、図３０を参照して説明する。図３０は、イジェクトピン３００によるイジェクト機構の構造を説明するための図であり、キャビティ２６０乃至２６２及びその近傍の拡大図である。
【０２１０】
図３０を参照するに、本例における各イジェクト機構は、２本のイジェクトピン３００及び２本の送り用柱部３０１を備える。
【０２１１】
イジェクトピン３００及び送り用柱部３０１は板状のイジェクトタピン支持部３０２に支持固定されている。イジェクトピン支持部３０２は金型内部の３箇所で圧縮バネ３０３により弾性支持されており、上金型２５１、第２中間金型２５４、第１中間金型２５３、及び下金型２５２が接触せずに離間している状態では、図３０に示すように、イジェクトピン３００はキャビティ２６０乃至２６２から突出し、送り用柱部３０１は上金型２５１、第２中間金型２５４、第１中間金型２５３、及び下金型２５２が接する面より突出している。
【０２１２】
次に、樹脂封止成形用金型２５０を用いた樹脂封止方法を、イジェクトピン３００によるイジェクト機構の動作の説明と共に、図２５及び図３１乃至図３４を参照して説明する。ここで、図３１乃至図３４は、図２５に示す樹脂封止成形用金型２５０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その１）乃至（その４）である。
【０２１３】
図２５を参照するに、先ず、樹脂封止装置の下金型固定部６に固定されている下金型２５２、第１中間金型２５３及び第２中間金型２５４の上面に、半導体素子１２が搭載されたリードフレーム２００をセットし、キャビティ２６０乃至２６２の内部に、リードフレーム２００に搭載された半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３等を位置させる。
【０２１４】
更に、リードフレーム２００がセットされた第１中間金型２５３及び第２中間金型２５４を樹脂封止装置の上金型固定部５に固定された上金型２５１と、下金型固定部６に固定されている下金型２５２との間に積層配置する。
【０２１５】
具体的には、下金型２５２上に第１中間金型２５３を積層配置し、第１中間金型２５３上に第２中間金型２５４を積層配置する。このとき、第１中間金型２５３及び第２中間金型２５４の上金型２５１及び下金型２５２に対する位置合わせは、上金型２５１及び下金型２５２に設けられたピン（図示を省略）と、第１中間金型２５３及び第２中間金型２５４に形成された穴部（図示を省略）との嵌め合いによりなされる。
【０２１６】
なお、この段階で、上金型２５１と下金型２５２は、加圧ヘッド及びステージ等の上金型固定部５及び下金型固定部６に設けられた図示を省略する加熱機構により加熱されている。
【０２１７】
また、この段階では、図示を省略する駆動部により下金型２５２、第１中間金型２５３、及び第２中間金型２５４内を鉛直方向に移動自在に設けられた中空円筒部１７の上面は、下金型２５２の上面に位置している。
【０２１８】
次に、下金型２５２上に第１中間金型２５３を積層配置し、第１中間金型２５３上に第２中間金型２５４を積層配置した状態で、中空円筒部１７の上面が第２中間金型２５４の上面に位置するまで、図示を省略する駆動部により中空円筒部１７を鉛直方向に上昇する。その結果、ポット部１８は、下金型２５２、第１中間金型２５３、及び第２中間金型２５４内において連通する。
【０２１９】
この状態で、固形状の封止樹脂タブレットを中空円筒部１７の開口部から落とし込み、下金型固定部６内に位置しているプランジャ１９の上面上に投入する。
【０２２０】
しかる後、上金型固定部５に固定された上金型２５１を第２中間金型２５４に接触させて型閉じをし、次いで、所定のプレス圧力で型締めを行う。
【０２２１】
型締めが行われると、図３１に示すように、送り用柱部３０１が対面する各金型２５１乃至２５４に押され、その結果、イジェクトピン３００及び送り用柱部３０１が支持固定されたイジェクトタピン支持部３０２及びイジェクトピン３００は、一体的に動作する。
そうすると、圧縮バネ３０３は収縮し、イジェクトピン３００は、キャビティ２６０乃至２６２と反対の方向、即ち、イジェクトピン３００が設けられている金型２５１乃至２５４の内側に移動する。
【０２２２】
一方、樹脂成型用金型２５０全体が均一の温度になるように、図示を省略する加熱機構により、第１中間金型２５３及び第２中間金型２５４に加熱を施す。その結果、プランジャ１９の上面上に投入されている固形状の封止樹脂タブレット４０は溶融する。第１中間金型２５３及び第２中間金型２５４を所定温度に加熱しておくことにより、溶融した封止樹脂を後の工程でキャビティ２６０乃至２６２内に流入する際の流動特性を安定させることができる。また、一連の封止動作を連続的に行う際のサイクルタイムを短縮することができる。
【０２２３】
次に、上面に溶融樹脂が設けられたプランジャ１９を、図示を省略する駆動部により鉛直方向に上昇する。
【０２２４】
その結果、溶融樹脂は、中空円筒部１７の上部開口穴、即ち、ポット部１８の開口面から、上金型２５１の下面側に形成されたカル部２６５、カル部２６５に連通している上金型ランナ部２６６を介して、第２中間金型ランナ２６７へ流入する。更に、溶融樹脂は、第２中間金型ランナ２６７のゲート部２６８を介してキャビティ２６２へ水平方向に注入され、また、第２中間金型貫通ランナ部２６９に流入する。更に、溶融樹脂は、第２中間金型貫通ランナ部２６９に連通している第１中間金型ランナ２７０のゲート部２７１を介してキャビティ２６１へ水平方向に注入され、また、第１中間金型貫通ランナ部２７２に流入する。更に、溶融樹脂は、第１中間金型貫通ランナ部２７２に連通している下金型ランナ２７３のゲート部２７４を介して下金型２５２のキャビティ２６０に水平方向に注入される。
【０２２５】
溶融樹脂はキャビティ２６０乃至２６２に注入されると、図３２に示すように、キャビティ２６０乃至２６２のそれぞれの内部に位置しているリードフレーム２００のダイパッド（ダイステージ）２０１上に載置された半導体素子１２、インナーリード部２０２、半導体素子１２とインナーリード部２０２とを接続するボンディングワイヤ１３等が、キャビティ２６０乃至２６２内の封止樹脂４０Ｅに浸漬し、リードフレーム２００の両面に樹脂が設けられた状態が形成される。
【０２２６】
このようにして、樹脂封止が完了すると、図３３に示すように、型開きを行って、半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３が設けられた面と、その反対の面の両面が封止されたリードフレーム２００を樹脂封止用金型２５０から取り出す。
【０２２７】
このとき、キャビティ２６０乃至２６２内の封止樹脂４０Ｅのみならず、カル部２６５、上金型ランナ部２６６、第２中間金型ランナ２６７、ゲート部２６８、第２中間金型貫通ランナ部２６９、第１中間金型貫通ランナ部２７２、第１中間金型ランナ２７０、ゲート部２７１、下金型ランナ２７３及びゲート部２７４に充填されている封止樹脂４０Ｆも固化されている。
【０２２８】
本工程ではまず、上面が第２中間金型２５４の上面に位置している中空円筒部１７を、図示を省略する駆動部により鉛直方向に下降する。また、プランジャ１９も、図示を省略する駆動部により鉛直方向に下降する。
【０２２９】
次いで、型開きを行い、上金型２５１、第１中間金型２５３、第２中間金型２５４及び下金型２５２を離型する。具体的には、積層配置された樹脂成形用金型２５０から第１中間金型２５３及び第２中間金型２５４を分解する。
【０２３０】
かかる分解により、上金型２５１の下面と第２中間金型２５４の上面との接触、第２中間金型２５４の下面と第１中間金型２５３の上面との接触、及び、第１中間金型２５３の下面と下金型２５２の上面との接触が解かれ、金型２５１乃至２５４の内側に位置していた送り用柱部３０１は、圧縮バネ３０３の伸張に伴い、金型２５１乃至２５４の表面から突出し、これに連動して、イジェクトタピン支持部３０２及びイジェクトピン３００は、一体的に動作して、キャビティ２６０乃至２６２から突出する。その結果、半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３が設けられた面と、その反対の面の両面が封止されたリードフレーム２００を樹脂成形用金型２５０から取り出すことができる。一般にリードフレーム２００にはメッキ処理が施されているため、第２中間金型ランナ２６７、ゲート部２６８、第１中間金型ランナ２７０、ゲート部２７１、下金型ランナ２７３及びゲート部２７４に充填されている封止樹脂４０Ｆは、容易に取り外すことができる。
【０２３１】
このようにして、半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３が設けられた面と、その反対の面の両面が封止されたリードフレーム２００を一括して樹脂封止した後に、アウターリード部２０３を切断及び折曲することにより、ダイパッド（ダイステージ）２０１に設けられた半導体素子１２がボンディングワイヤ１３によりインナーリード部２０２に接続され、当該インナーリード部２０２と、半導体素子１２と、ボンディングワイヤ１３とが封止樹脂４０Ｅで樹脂封止され、封止樹脂４０Ｅの外側には、インナーリード部２０２からアウターリード部２０３が延出されている半導体装置４００（図３４参照）が完成となる。
【０２３２】
このように、本発明の第５の実施の形態では、リードフレーム２００において、半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３が設けられた面と、その反対の面の両面がキャビティ２６０乃至２６２に設けられ、当該キャビティ２６０乃至２６２の夫々に、カル部２６５、上金型ランナ部２６６、第２中間金型ランナ２６７、ゲート部２６８、第２中間金型貫通ランナ部２６９、第１中間金型貫通ランナ部２７２、第１中間金型ランナ２７０、ゲート部２７１、下金型ランナ２７３及びゲート部２７４から成る樹脂路を経由して、単一の樹脂供給源であるポット部１８から溶融樹脂が注入される。
【０２３３】
従って、第２中間金型２５４、第１中間金型２５３、及び下金型２５２上に設けられたリードフレーム２００のうち、半導体素子１２及びボンディングワイヤ１３が設けられた箇所と、その反対の面の箇所をそれぞれ同時に封止することができ、上金型２５１及び下金型２５２の大型化を招くことなく、即ち、設備コストの上昇を招くことなく、簡易な構造で樹脂封止工程における生産効率を向上させることができる。
【０２３４】
なお、本発明の第５の実施の形態において、本発明の第２の実施の形態のように、積層配置された各金型のキャビティに独立して溶融樹脂を供給する態様を採用してもよい。
【０２３５】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０２３６】
例えば、上述の各実施の形態において、各金型のキャビティ及びランナ部の部品を超硬合金によって構成し、当該金型の他の部品部分を炭素工具鋼（ＳＫＳ９３，ＳＫ４，ＳＫ５等）、マルテンサイト系ステンレス（ＳＵＳ４４０Ｃ）等から構成してもよい。
【０２３７】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
キャビティ部内に被樹脂封止物が受容されてなる中間金型を、上金型と下金型との間に配置し、
当該中間金型の前記キャビティ部内に封止用樹脂を導入すると共に、
当該中間金型の前記キャビティ部の近傍に配設され且つ当該中間金型の厚さ方向に貫通するランナを通して、当該中間金型の他方の主面側に対し封止用樹脂を導入する
ことを特徴とする樹脂封止方法。
（付記２）
キャビティ部内に被樹脂封止物が受容されてなる中間金型を複数個、上金型と下金型との間に積層して配置し、
積層された中間金型の前記キャビティ部の近傍に配設され、且つ積層された中間金型間を積層方向に連通するランナを通して、それぞれの中間金型に於けるキャビティ部内に封止用樹脂を導入する
ことを特徴とする樹脂封止方法。
（付記３）
付記１又は２記載の樹脂封止方法であって、
前記下金型の前記中間金型に対向する面にキャビティ部が設けられ、該キャビティ部内に、被樹脂封止物が受容されてなることを特徴とする樹脂封止方法。
（付記４）
付記２記載の樹脂封止方法であって、
前記封止用樹脂は、単一の樹脂供給源から複数の前記キャビティ部に注入されることを特徴とする樹脂封止方法。
（付記５）
付記２記載の樹脂封止方法であって、
前記封止用樹脂は、複数の前記キャビティ部に独立して注入されることを特徴とする樹脂封止方法。
（付記６）
付記５記載の樹脂封止方法であって、
前記キャビティ部は、互いに異なる形状を有することを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記７）
付記１記載の樹脂封止方法であって、
前記キャビティ部は、前記中間金型の上面及び下面に形成されていることを特徴とする樹脂封止方法。
（付記８）
付記７記載の樹脂封止方法であって、
前記中間金型の上面及び下面に形成されている前記キャビティ部は、互いに異なる形状を有することを特徴とする樹脂封止方法。
（付記９）
付記７又は８記載の樹脂封止方法であって、
前記封止用樹脂は、単一の樹脂供給源から複数の前記キャビティ部に注入されることを特徴とする樹脂封止方法。
（付記１０）
付記７又は８記載の樹脂封止方法であって、
前記封止用樹脂は、複数の前記キャビティ部に独立して注入されることを特徴とする樹脂封止方法。
（付記１１）
付記１乃至１０記載の樹脂封止方法であって、
型締めを行う際に、前記中間金型を所定温度に加熱することを特徴とする樹脂封止方法。
（付記１２）
上金型と、
下金型と、
当該上金型と当該下金型との間に配設される１又は複数の中間金型と
を有し、
当該中間金型は、少なくとも一方の主面に被樹脂封止物が受容されるキャビティ部、及び当該キャビティ部の近傍に、厚さ方向に貫通するランナを具備してなることを特徴とする樹脂封止用金型。
（付記１３）
付記１２記載の樹脂封止用成形金型であって、
前記中間金型が複数積層配置され、
複数の前記キャビティには、樹脂が単一の樹脂供給源から注入されることを特徴とする樹脂封止用成形金型。
（付記１４）
付記１２記載の樹脂封止用成形金型であって、
前記中間金型が複数積層配置され、
複数の前記キャビティ部には、樹脂が独立して注入されることを特徴とする樹脂封止用成形金型。
（付記１５）
付記１４記載の樹脂封止用成形金型であって、
前記キャビティ部は、互いに異なる形状を有することを特徴とする樹脂封止用成形金型。
（付記１６）
付記１２記載の樹脂封止用成形金型であって、
前記キャビティ部は、前記中間金型の上面及び下面に形成されていることを特徴とする樹脂封止用成形金型。
（付記１７）
付記１６記載の樹脂封止用成形金型であって、
前記中間金型の上面及び下面に形成されている前記キャビティ部は、互いに異なる形状を有することを特徴とする樹脂封止用成形金型。
（付記１８）
上金型と、
下金型と、
当該上金型と当該下金型との間に配設される１又は複数の中間金型と
を有し、
当該中間金型は、少なくとも一方の主面に被樹脂封止物が受容されるキャビティ部、及び当該キャビティ部の近傍に、厚さ方向に貫通するランナを具備してなることを特徴とする樹脂封止装置。
（付記１９）
付記１８記載の樹脂封止装置であって、
型締めを行う際に前記中間金型を所定温度に加熱する加熱手段を更に備えることを特徴とする樹脂封止装置。
【図面の簡単な説明】
【０２３８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す上金型１の平面図である。
【図３】図１に示す第２中間金型４の平面図である。
【図４】図１に示す第１中間金型３の平面図である。
【図５】図１に示す下金型２の平面図である。
【図６】図１に示す樹脂封止成形用金型１０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その１）である。
【図７】図１に示す樹脂封止成形用金型１０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その２）である。
【図８】図１に示す樹脂封止成形用金型１０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その３）である。
【図９】図１に示す樹脂封止成形用金型１０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その４）である。
【図１０】図１に示す樹脂封止成形用金型１０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その５）である。
【図１１】図１に示す樹脂封止成形用金型１０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その６）である。
【図１２】図１に示す樹脂封止成形用金型１０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その７）である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図（その１）である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図（その２）である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図（その３）である。
【図１６】図１３乃至図１５に示す上金型６１の平面図である。
【図１７】図１３乃至図１５に示す第２中間金型６４の平面図である。
【図１８】図１３乃至図１５に示す第１中間金型６３の平面図である。
【図１９】図１３乃至図１５に示す下金型６２の平面図である。
【図２０】図１６乃至図１９に示す線Ｄ−Ｄに沿った断面図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図である。
【図２２】図２１に示す中間金型１０３の平面図である。
【図２３】本発明の第４の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図である。
【図２４】本発明の第５の実施の形態に用いられる、半導体素子を搭載したリードフレームを示す平面図である。
【図２５】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を用いた樹脂封止装置に設けられる樹脂封止成形用金型を示す概略断面図である。
【図２６】図２５に示す上金型２５１の平面図である。
【図２７】図２５に示す第１中間金型２５３の平面図である。
【図２８】図２５に示す第２中間金型２５４の平面図である。
【図２９】図２５に示す下金型２５２の平面図である。
【図３０】イジェクトピン３００によるイジェクト機構の構造を説明するための図である。
【図３１】図２５に示す樹脂封止成形用金型２５０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その１）である。
【図３２】図２５に示す樹脂封止成形用金型２５０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その２）である。
【図３３】図２５に示す樹脂封止成形用金型２５０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その３）である。
【図３４】図２５に示す樹脂封止成形用金型２５０を用いた樹脂封止方法を説明するための図（その４）である。
【符号の説明】
【０２３９】
１、６１、１０１、１６１、２５１                        上金型
２、６２、１０２、１６２、２５２                        下金型
３、４、６３、６４、１０３、１６３、２５３、２５４      中間金型
７、８，９、６７、６８、６９、１０４、１０５、３００    キャビティ
１０、６０、１１０、１６０、２５０                      樹脂成形用金型
１１        配線基板
１２        半導体素子
１３        ボンディングワイヤ
１８        ポット部
１９        プランジャー
２０、８０、８４、８８、１０６、１６５、１６９、２６５    カル部
２１、８１、１６６、２６６                                上金型ランナ部
２２、８２、２６７                                        第２中間金型ランナ部
２４、２６９                                            第２中間金型貫通ランナ部
２５、８６、２７０                                      第１中間金型ランナ部
２７、２７２                                            第１中間金型貫通ランナ部
２８、９０、２７３                                      下金型ランナ部
４０        樹脂タブレット
１０７      中間金型下部ランナ部
１０９      貫通ランナ部
１１１      中間金型上部ランナ部
１６７      第１中間金型上部ランナ部
１７０      第１中間金型下部ランナ部
２００      リードフレーム
２０１      ダイパッド
２０２      インナーリード
【図１】
2008235489.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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