(57)【要約】【課題】光が斜めに入射した場合などでも、半導体層への光の入射を確実に防止することのできる反射型電気光学装置、およびこの反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。【解決手段】反射型電気光学装置の素子基板１０では、支持基板１０ｄとして透光性基板が用いられ、半導体層１ａが島状に形成されている。このため、画素電極９ａの間から光が侵入した場合でも、かかる光は、半導体層１ａに入射せず、支持基板１０ｄを透過する。支持基板１０ｄの表面に形成された下地絶縁層１２において、半導体層１ａの側方には凹部１２ａ、１２ｂが形成され、かかる凹部１２ａ、１２ｂには、遮光性を備えた走査線形成用導電膜が埋め込まれている。このため、斜めに入射した光や回折した光が半導体層１ａに向けて進行した場合でも、かかる光は、凹部１２ａ内の導電膜で遮断される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に形成された下地絶縁層の上層に電界効果型トランジスタの半導体層が形成されているとともに、当該半導体層の上層側には光反射層を含む複数種類の導電膜が形成された反射型電気光学装置において、
前記支持基板は透光性基板であり、
前記半導体層は島状に形成され、
前記半導体層の側方位置では前記下地絶縁層に凹部が形成されているとともに、当該凹部には、前記複数種類の導電膜のうちのいずれかの導電膜が埋め込まれていることを特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項２】
前記凹部は、前記半導体層に対してチャネル幅方向の両側に第１の凹部として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型電気光学装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記半導体層に対してチャネル長方向の両側に第２の凹部として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型電気光学装置。
【請求項４】
前記凹部は、前記半導体層に対してチャネル幅方向の両側に第１の凹部として形成され、前記半導体層に対してチャネル長方向の両側に第２の凹部として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型電気光学装置。
【請求項５】
前記第１の凹部と前記第２の凹部は、前記半導体層を囲むように連結されていることを特徴とする請求項４に記載の反射型電気光学装置。
【請求項６】
前記複数の導電膜のうち、前記凹部に埋め込まれた導電膜は、走査線形成用導電膜であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の反射型電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の導電膜のうち、前記第１の凹部に埋め込まれた導電膜は走査線形成用導電膜であり、前記第２の凹部には、前記走査線形成用導電膜とは別の導電膜が埋め込まれていることを特徴とする請求項４に記載の反射型電気光学装置。
【請求項８】
前記別の導電膜は、容量線形成用導電膜、あるいはデータ線形成用導電膜であることを特徴とする請求項７に記載の反射型電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記反射型電気光学装置に光を供給する光源と、前記反射型電気光学装置により光変調された光を投射する投射光学系とを備えていることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型電気光学装置、およびこの反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、電気光学物質として液晶を用いた反射型液晶装置では、対向配置された素子基板および対向基板の間に液晶が保持されている。このような反射型液晶装置では、従来、素子基板には単結晶シリコン基板が用いられる。また、画素電極は光反射性の導電膜により構成され、対向基板側から入射した光は、画素電極で反射して対向基板側から出射される間に光変調される。
【０００３】
このような構成の反射型液晶装置において、隣接する画素電極の境界領域から光が侵入して単結晶シリコン基板に入射すると、電界効果型トランジスタに光電流が流れ、画素電極の電位が不安定になる。そこで、画素電極層の下側に遮光層としての金属膜を形成した構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このような構成によれば、隣接する画素電極の境界領域から光が侵入しても、半導体層への光の入射を抑制することができる。
【特許文献１】特公昭６１−４３７１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示の構成を採用した場合でも、隣接する画素電極の境界領域から光が斜めに侵入した場合や、画素電極間の隙間によって光が回折すると、光が半導体層に入射することがある。また、特許文献１に開示の構成のように、画素電極の下層側に遮光層を形成しても、入射した光が画素電極と遮光層との間で多重反射し、光が半導体層に入射することがある。それ故、従来の構成では、半導体層への光の入射を確実に防止することができないという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、光が斜めに入射した場合などでも、半導体層への光の入射を確実に防止することのできる反射型電気光学装置、およびこの反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、支持基板上に形成された下地絶縁層の上層に電界効果型トランジスタの半導体層が形成されているとともに、当該半導体層の上層側には光反射層を含む複数種類の導電膜が形成された反射型電気光学装置において、前記支持基板は透光性基板であり、前記半導体層は島状に形成され、前記半導体層の側方位置では前記下地絶縁層に凹部が形成されているとともに、当該凹部には、前記複数種類の導電膜のうちのいずれかの導電膜が埋め込まれていることを特徴とする。
【０００８】
本発明では、支持基板として透光性基板を用い、半導体層を島状に形成したため、光反射層の間から光が侵入した場合でも、かかる光は、半導体層に入射せず、透光性基板を透過する。また、支持基板の表面に形成された下地絶縁層において、半導体層の側方に位置する部分に凹部が形成され、かかる凹部は、複数種類の導電膜のいずれかの導電膜が埋め込まれている。このため、斜めに入射した光や、画素電極間の隙間によって回折した光が半導体層に向けて進行した場合でも、かかる光は、凹部内の導電膜で遮断される。それ故、半導体層に光が入射しないので、電界効果型トランジスタでは、光電流に起因する誤動作が発生しない。
【０００９】
本発明において、前記凹部は、前記半導体層に対してチャネル幅方向の両側に第１の凹部として形成されている構成を採用することができる。このように構成すると、チャネル幅方向から半導体層に侵入しようとする光を第１の凹部内の導電膜で遮断することができる。
【００１０】
本発明において、前記凹部は、前記半導体層に対してチャネル長方向の両側に第２の凹部として形成されている構成を採用することができる。このように構成すると、チャネル長方向から半導体層に侵入しようとする光を第２の凹部内の導電膜で遮断することができる。
【００１１】
本発明において、前記凹部は、前記半導体層に対してチャネル幅方向の両側に第１の凹部として形成され、前記半導体層に対してチャネル長方向の両側に第２の凹部として形成されていることが好ましい。このように構成すると、チャネル幅方向から半導体層に侵入しようとする光を第１の凹部内の導電膜で遮断することができ、チャネル長方向から半導体層に侵入しようとする光を第２の凹部内の導電膜で遮断することができる。
【００１２】
本発明において、前記第１の凹部と前記第２の凹部は、前記半導体層を囲むように連結されていることが好ましい。このように構成すると、半導体層の周りが全て凹部内の導電膜で囲まれているので、いずれの方向から半導体層に侵入しようとする光も遮断することができる。
【００１３】
本発明において、前記複数の導電膜のうち、前記凹部に埋め込まれた導電膜は、走査線形成用導電膜である。
【００１４】
本発明において、前記複数の導電膜のうち、前記第１の凹部に埋め込まれた導電膜は走査線形成用導電膜であり、前記第２の凹部には、前記走査線形成用導電膜とは別の導電膜が埋め込まれている構成を採用することができる。この場合、前記別の導電膜は、例えば、容量線形成用導電膜、あるいはデータ線形成用導電膜である。
【００１５】
本発明に係る反射型電気光学装置は投射型表示装置などに用いることができ、かかる投射型表示装置は、前記反射型電気光学装置に光を供給する光源と、前記反射型電気光学装置により光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
【００１６】
また、本発明に係る反射型電気光学装置は、携帯電話機などのモバイル機器といった電子機器に用いてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１８】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２は、図１に示す反射型電気光学装置の画像表示領域などの電気的な構成を示す等価回路図である。
【００１９】
図１（ａ）、（ｂ）に示す反射型電気光学装置１００は、素子基板１０と、この素子基板１０に対向する対向基板２０とを備えており、素子基板１０と対向基板２０とは、シール材５２を介して貼り合わされて対向している。シール材５２の内側領域にはＴＮ（Twisted Nematic）液晶などからなる液晶層５０が保持されている。シール材５２には、液晶注入口５２ａが形成されており、この液晶注入口５２ａは、液晶を注入した後、封止材２５により封止されている。対向基板２０には、シール材５２の内側に並行して額縁としての遮光膜５３ａが形成されており、その内側領域が画像表示装置１０ａとして利用される。
【００２０】
素子基板１０において、シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１および実装パッド１０２が素子基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿っては、走査線駆動回路１０４が形成されている。実装パッド１０２からデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４に向けては複数の配線１０９が延びている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間を接続するための複数の配線１０５が形成されている。対向基板２０の四隅には、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０６が形成されている。また、素子基板１０において、画素表示領域１０ａには複数の画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０の内面（液晶層５０側）には略全面に共通電極２１が形成されている。また、対向基板２０において、画素電極９ａの境界領域と対向する領域には、ブラックマトリクスと称せられる遮光膜５３ｂが形成されており、かかる遮光膜５３ｂは、額縁状の遮光膜５３ａと同時形成される。遮光膜５３ｂは無くても良い。
【００２１】
図２に示すように、反射型電気光学装置１００の素子基板１０において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状の複数の画素１００ａの各々には、図１（ｂ）に示す画素電極９ａ、液晶層５０および共通電極２１からなる液晶容量５０ａと、画素電極９ａをスイッチング制御するための画素スイッチング素子としてのＭＯＳ型の電界効果型トランジスタ３０とが形成されている。また、画像表示領域１０ａには、画像信号を供給するための複数のデータ線６ａと、走査信号を供給するための複数の走査線３ａとが互いに交差する方向に延びており、データ線６ａはデータ線駆動回路１０１に接続され、走査線３ａは走査線駆動回路１０４に接続されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが接続し、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが接続されている。画素電極９ａは、電界効果型トランジスタ３０のドレインに電気的に接続されており、電界効果型トランジスタ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給されるデータ信号を各画素１００ａに所定のタイミングで書き込む。そして、図１（ｂ）に示す画素電極９ａ、液晶層５０、および共通電極２１により構成された液晶容量５０ａに書き込まれた所定レベルの画素信号は一定期間保持される。
【００２２】
ここで、液晶容量５０ａに並列に蓄積容量７０が形成されており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる反射型電気光学装置１００を実現できる。本形態では、蓄積容量７０を構成するために、走査線３ａと並列するように容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂは共通電位線（ＣＯＭ）に接続され、所定の電位に保持されている。なお、蓄積容量７０は前段の走査線３ａとの間に形成される場合もある。
【００２３】
（画素の具体的構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置の素子基板において相隣接する画素の平面図、および図３（ａ）のＡ−Ａ′線に相当する位置で反射型電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａおよびそれと同時形成された薄膜は太くて長い点線で示し、中継電極は細い実線で示してある。
【００２４】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の島状の画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａに対応して画素１００ａが構成されている。
また、素子基板１０上では、縦方向に並ぶ複数の画素１００ａに跨るようにデータ線６ａが延設され、横方向に並ぶ複数の画素１００ａに跨るように走査線３ａが延設され、走査線３ａに並列するように容量線３ｂが延設されている。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応する位置には電界効果型トランジスタ３０が形成されている。
【００２５】
図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板などの透光性基板からなる支持基板１０ｄ、支持基板１０ｄの全面に形成されたシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２、画素電極９ａ、画素スイッチング用の電界効果型トランジスタ３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板などからなる透光性基板２０ｄ、遮光膜５３ｂ、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透光性導電膜からなる共通電極２１、および配向膜２２を主体として構成されている。遮光膜５３ｂは無くても良い。
【００２６】
素子基板１０において、画素電極９ａの下方位置には電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、島状に形成された半導体層１ａには、走査線３ａに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ａ′、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅが形成されている。
【００２７】
半導体層１ａは、例えば、石英基板からなる支持基板１０ｄ上に下地絶縁層１２を介して形成された単結晶シリコン層によって構成され、このような構成の素子基板１０は、石英基板と単結晶シリコン基板とが絶縁層を介して貼り合わされたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いることにより実現することができる。このようなＳＯＩ基板は、例えば、単結晶シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成した上で石英基板と貼り合わせる方法、あるいは石英基板と単結晶シリコン基板の双方にシリコン酸化膜を形成した上でシリコン酸化膜同士を接触させて貼り合わせる方法が採用できる。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化することにより形成できる。ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法によって酸化シリコン膜を堆積することによって形成しても良い。走査線３ａは、不純物が注入された多結晶シリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの金属膜などといった走査線形成用導電膜からなる。
【００２８】
走査線３ａの上層側には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８２、および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３を備えたシリコン酸化膜などからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１の上層には中継電極４ａ、４ｂが形成されている。中継電極４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されており、中継電極４ｂは、中継電極４ｂと離間した位置において、データ線６ａに沿うように形成されている。中継電極４ａは、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続され、中継電極４ｂは、コンタクトホール８２を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００２９】
中継電極４ａ、４ｂの上層側には、シリコン窒化膜などからなる誘電体膜４２が形成されており、この誘電体膜４２を介して、中継電極４ａと対向するように容量線５ｂが形成され、蓄積容量７０が形成されている。中継電極４ａ、４ｂは、不純物が注入された多結晶シリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの金属膜などといった中継電極形成用導電膜からなり、容量線５ｂは、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの金属膜などといった容量線形成用導電膜からなる。
【００３０】
容量線５ｂの上層側には、中継電極４ａへ通じるコンタクトホール８７、および中継電極４ｂへ通じるコンタクトホール８１を備えたシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜４３が形成されている。第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール８１を介して中継電極４ｂに電気的に接続し、中継電極４ｂを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール８７を介して中継電極４ａに電気的に接続し、中継電極４ａを介して、高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの金属膜などといったデータ線形成用導電膜からなる。
【００３１】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール８６を備えたシリコン酸化膜などからなる第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８６を介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。
【００３２】
ここで、画素電極９ａは、厚さが１５０ｎｍ程度のアルミニウムやアルミニウム合金（光反射性導電膜）によって形成されており、対向基板２０の側から入射した光を対向基板２０側に向けて反射する光反射層として機能する。
【００３３】
画素電極９ａの上層には、厚さが１５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜あるいはそれらの積層膜からなる保護膜４５（絶縁膜）が形成されている。また、保護膜４５の表面には配向膜１６が形成されている。
【００３４】
（半導体層１ａに対する遮光構造）
図４は、本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置１００の素子基板１０に形成した半導体層１ａに対する遮光構造を示すために電界効果型トランジスタを抜き出して示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、電界効果型トランジスタの平面図、Ａ１−Ａ１′断面図、およびＢ１−Ｂ１′断面図である。なお、図４には、中継電極４ａ、４ｂは図示してあるが、遮光構造に直接、関与しないデータ線などの図示を省略してある。
【００３５】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本形態の反射型電気光学装置１００において、素子基板１０に形成された下地絶縁層１２では、半導体層１ａをチャネル幅方向で挟む両側に支持基板１０ｄの表面にまで到達する凹部１２ａ、１２ｂ（第１の凹部）が形成されている。ここで、凹部１２ａ、１２ｂは、走査線３ａの延設方向に対して直角に交差する方向に延びており、その長さ寸法は、走査線３ａにおいて半導体層１ａと重なる部分（ゲート電極部分）の長さ寸法より長い。ここで、凹部１２ａ、１２ｂは、少なくとも半導体層１ａにおけるチャネル領域１ａ′、および低濃度ソース・ドレイン領域１ｂ、１ｃの両側を挟むように形成されていることが好ましい。
【００３６】
かかる凹部１２ａ、１２ｂの形状に対応するように、走査線３ａは、凹部１２ａ、１２ｂと重なる領域では幅方向の両側に突出する張り出し部分３ｂ、３ｃを備えており、凹部１２ａ、１２ｂは、不純物が注入された多結晶シリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜や金属膜などの走査線形成用導電膜によって埋め込まれており、かかる走査線形成用導電膜は遮光性を備えている。遮光性の観点からすると、走査線３ａは金属を含む方が好ましいが、形成が容易な多結晶シリコン膜でも遮光の効果はある。
【００３７】
かかる構成の素子基板１０は、例えば、ＳＯＩ基板を形成した後、単結晶シリコン基板を島状にパターニングして半導体層１ａを形成した後、走査線３ａを形成する前に、フォトリソグラフィ技術を用いて、下地絶縁層１２に凹部１２ａ、１２ｂを形成し、しかる後に走査線３ａを形成することにより製造することができる。
【００３８】
（本形態の主な効果）
本形態の反射型電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置などに用いられ、対向基板２０の側からは光源部からの強い光が入射する。かかる入射光は、光反射性導電膜からなる画素電極９ａで反射して対向基板２０の側から出射される間に液晶層５０により光変調される。その際、入射した光の一部は、隣接する画素電極９ａの境界領域を通って素子基板１０に入射する。
【００３９】
ここで、本形態の反射型電気光学装置１００では、支持基板１０ｄとして透光性基板が用いられ、かつ、半導体層１ａが島状に形成されている。このため、画素電極９ａの間から光が侵入した場合でも、かかる光は、半導体層１ａに入射せず、支持基板１０ｄを透過する。
【００４０】
また、本形態では、支持基板１０ｄの表面に形成された下地絶縁層１２において、半導体層１ａの側方に位置する部分に凹部１２ａ、１２ｂが形成され、かかる凹部１２ａ、１２ｂには、遮光性を備えた走査線形成用導電膜が埋め込まれている。このため、斜めに入射した光や、画素電極９ａ間の隙間によって回折した光が半導体層１ａに向けて進行した場合でも、かかる光は、凹部１２ａ内の導電膜で遮断される。それ故、半導体層１ａに光が入射しないので、電界効果型トランジスタ３０では、光電流に起因する誤動作が発生しない。
【００４１】
さらに、凹部１２ａ、１２ｂに埋め込まれた導電膜は、走査線３ａと同電位である。それ故、半導体層１ａの近傍に導電膜が埋め込まれた凹部１２ａ、１２ｂが存在しても、電界効果型トランジスタ３０は，電気的に安定である。
【００４２】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る反射型電気光学装置の素子基板に形成した半導体層に対する遮光構造を示すために電界効果型トランジスタを抜き出して示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、電界効果型トランジスタの平面図、Ａ２−Ａ２′断面図、およびＢ２−Ｂ２′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。また、図５には、中継電極４ａ、４ｂは図示してあるが、遮光構造に直接、関与しないデータ線などの図示を省略してある。
【００４３】
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本形態の反射型電気光学装置１００において、素子基板１０に形成された下地絶縁層１２では、半導体層１ａをチャネル幅方向で挟む両側に支持基板１０ｄの表面にまで到達する凹部１２ａ、１２ｂ（第１の凹部）が形成されている。ここで、凹部１２ａ、１２ｂは、走査線３ａの延設方向に対して直角に交差する方向に延びており、走査線３ａにおいて半導体層１ａと重なる部分（ゲート電極部分）の長さ寸法より長い。
【００４４】
また、下地絶縁層１２では、半導体層１ａをチャネル長方向で挟む両側に支持基板１０ｄの表面にまで到達する凹部１２ｃ、１２ｄ（第２の凹部）が形成されている。ここで、凹部１２ｃ、１２ｄは、走査線３ａにおいて半導体層１ａと重なる部分から離間した位置で走査線３ａの延設方向に対して平行に延びており、凹部１２ａ、１２ｂの端部に連結している。従って、凹部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは、矩形枠状の平面形状をもつ一体の凹部１２ｅとして形成されている。
【００４５】
かかる凹部１２ｅの形状に対応するように、走査線３ａは、半導体層１ａと重なる部分（ゲート電極部分）の両側に、凹部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと重なる矩形枠状の張り出し部分３ｄを備えており、凹部１２ｅ（凹部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）は、不純物が注入された多結晶シリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜や金属膜などの走査線形成用導電膜によって埋め込まれており、かかる走査線形成用導電膜は遮光性を備えている。
【００４６】
かかる構成の素子基板１０は、例えば、ＳＯＩ基板を形成した後、単結晶シリコン基板を島状にパターニングして半導体層１ａを形成した後、走査線３ａを形成する前に、フォトリソグラフィ技術を用いて、下地絶縁層１２に凹部１２ｄ（凹部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）を形成し、しかる後に走査線３ａを形成することにより製造することができる。
【００４７】
このように本形態の反射型電気光学装置１００でも、半導体層１ａの周りが、導電膜で埋め込まれた凹部１２ｄ（凹部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）で囲まれているので、実施の形態１と同様、斜めに入射した光や、画素電極９ａ間の隙間によって回折した光が半導体層１ａに向けて進行した場合でも、かかる光は、凹部１２ａ内の導電膜で遮断される。それ故、半導体層１ａに光が入射しないので、電界効果型トランジスタ３０では、光電流に起因する誤動作が発生しない。
【００４８】
また、凹部１２ｄに埋め込まれた導電膜は、走査線３ａと同電位である。それ故、半導体層１ａ近傍に導電膜が埋め込まれた凹部１２ｄが存在しても、電界効果型トランジスタ３０は，電気的に安定である。
【００４９】
［実施の形態３］
図６は、本発明の実施の形態３に係る反射型電気光学装置の素子基板に形成した半導体層に対する遮光構造を示すために電界効果型トランジスタを抜き出して示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、電界効果型トランジスタの平面図、Ａ３−Ａ３′断面図、およびＢ３−Ｂ３′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。また、図６には、中継電極４ａ、４ｂに加えて、容量線５ｂも図示してあるが、遮光構造に直接、関与しないデータ線などの図示を省略してある。
【００５０】
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本形態の反射型電気光学装置１００において、素子基板１０に形成された下地絶縁層１２では、半導体層１ａをチャネル幅方向で挟む両側に支持基板１０ｄの表面にまで到達する凹部１２ａ、１２ｂ（第１の凹部）が形成されている。ここで、凹部１２ａ、１２ｂは、走査線３ａの延設方向に対して直角に交差する方向に延びており、走査線３ａにおいて半導体層１ａと重なる部分（ゲート電極部分）の長さ寸法より長い。凹部１２ａ、１２ｂは、少なくとも、半導体層１ａにおけるチャネル領域１ａ′、および低濃度ソース・ドレイン領域１ｂ、１ｃの両側を挟むように形成されていることが好ましい。
【００５１】
また、下地絶縁層１２では、半導体層１ａをチャネル長方向で挟む両側に支持基板１０ｄの表面にまで到達する凹部１２ｆ、１２ｇ（第２の凹部）が形成されている。ここで、凹部１２ｆ、１２ｇは、走査線３ａにおいて半導体層１ａと重なる部分から離間した位置で走査線３ａの延設方向に対して平行に延びている。
【００５２】
かかる凹部１２ａ、１２ｂの形状に対応するように、走査線３ａは、半導体層１ａと重なる部分（ゲート電極部分）の両側に、凹部１２ａ、１２ｂと重なる矩形の張り出し部分３ｂ、３ｃを備えており、凹部１２ａ、１２ｂは、不純物が注入された多結晶シリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜や金属膜などの走査線形成用導電膜によって埋め込まれており、かかる走査線形成用導電膜は遮光性を備えている。
【００５３】
また、凹部１２ｆ、１２ｇのうち、凹部１２ｇは、走査線３ａにより駆動される画素自身に対する容量線５ｂと重なる位置に形成されており、凹部１２ｇは、不純物が注入された多結晶シリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜や金属膜などの容量線形成用導電膜によって埋め込まれている。これに対して、凹部１２ｆは、次段の走査線３ａにより駆動される画素に対する容量線５ｂと重なる位置に形成されており、凹部１２ｆは、不純物が注入された多結晶シリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜や金属膜などの容量線形成用導電膜によって埋め込まれている。このような容量線形成用導電膜も、遮光性を備えている。なお、本形態では、中継電極４ａ、４ｂは、凹部１２ｆ、１２ｇを避けた位置に形成されている。
【００５４】
かかる構成の素子基板１０を製造するにあたっては、例えば、ＳＯＩ基板を形成した後、単結晶シリコン基板を島状にパターニングして半導体層１ａを形成した後、走査線３ａを形成する前に、フォトリソグラフィ技術を用いて、下地絶縁層１２に凹部１２ａ、１２ｂを形成し、しかる後に走査線３ａを形成する。また、容量線５ｂを形成する前に、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１層間絶縁膜４１および下地絶縁層１２に凹部１２ｆ、１２ｇを形成し、しかる後に容量線５ｂを形成する。
【００５５】
このように構成した反射型電気光学装置１００でも、半導体層１ａの周りが、導電膜で埋め込まれた凹部１２ａ、１２ｂ、１２ｆ、１２ｇで囲まれているので、実施の形態１と同様、斜めに入射した光や、画素電極９ａ間の隙間によって回折した光が半導体層１ａに向けて進行した場合でも、かかる光は、凹部１２ａ内の導電膜で遮断される。それ故、半導体層１ａに光が入射しないので、電界効果型トランジスタ３０では、光電流に起因する誤動作が発生しない。
【００５６】
また、凹部１２ａ、１２ｂに埋め込まれた導電膜は、走査線３ａと同電位であり、凹部１２ｆ、１２ｇに埋め込まれた導電膜は、容量線５ｂと同電位である。それ故、半導体層１ａ近傍に導電膜が埋め込まれた凹部１２ａ、１２ｂが存在しても、電界効果型トランジスタ３０は、電気的に安定である。また、半導体層１ａの近傍に定電位に保持された導電膜が埋め込まれた凹部１２ｆ、１２ｇが存在するので、電界効果型トランジスタ３０の電気的な安定性が向上する。
【００５７】
［その他の実施の形態］
上記実施の形態３では、下地絶縁層１２に形成した凹部１２ｆ、１２ｇを容量線形成用導電膜により埋め込んだが、下地絶縁層１２に形成した凹部１２ｆ、１２ｇをデータ線形成用導電膜により埋め込んでもよい。このように構成すると、データ線６ａに寄生する容量を低減できる。また、下地絶縁層１２に形成した凹部に中継電極形成用導電膜や、画素電極形成用導電膜を埋め込んでもよい。
【００５８】
また、上記形態では、半導体層１ａが単結晶シリコン層からなる場合を例に説明したが、半導体層１ａは、多結晶シリコン膜でもよい。この場合、単結晶シリコン膜貼り合わせ工程が不要になるので、半導体層形成工程が容易になる。上記多結晶シリコン膜の形成方法として、レーザーアニール等の低温プロセスを用いた場合、支持基板１０ｄとしては安価なガラス基板を用いることができる。このような場合、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法などにより形成したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜により構成される。
【００５９】
［電子機器への搭載例］
本発明に係る反射型電気光学装置１００は、図７（ａ）に示す投射型表示装置や（液晶プロジェクタ／電子機器）や、図７（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。
【００６０】
図７（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の反射型電気光学装置１００（反射型電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの反射型電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロックミラー８４４、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光をスクリーン８６０に投写する。
【００６１】
また、図７（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての反射型電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、反射型電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図７（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての反射型電気光学装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が反射型電気光学装置１００に表示される。
【００６２】
さらに、対向基板２０などにカラーフィルタを形成すれば、カラー表示可能な反射型電気光学装置１００を形成することができる。また、カラーフィルタを形成した反射型電気光学装置１００を用いれば、単板式の投射型表示装置を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図２】図１に示す反射型電気光学装置の画像表示領域などの電気的な構成を示す等価回路図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置の素子基板において相隣接する画素の平面図、および図３（ａ）のＡ−Ａ′線に相当する位置で反射型電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置の素子基板に形成した半導体層に対する遮光構造を示すために電界効果型トランジスタを抜き出して示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る反射型電気光学装置の素子基板に形成した半導体層に対する遮光構造を示すために電界効果型トランジスタを抜き出して示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る反射型電気光学装置の素子基板に形成した半導体層に対する遮光構造を示すために電界効果型トランジスタを抜き出して示す説明図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明を適用した反射型電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００６４】
１ａ・・半導体層、２・・ゲート絶縁層、３ａ・・走査線（ゲート電極）、４ａ、４ｂ・・中継電極、５ｂ・・容量線、６ａ・・データ線、６ｂ・・ドレイン電極、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１２・・下地絶縁層、１２ａ〜１２ｇ・・凹部、２０・・対向基板、３０・・電界効果型トランジスタ（画素スイッチング素子）、４１・・第１層間絶縁膜、４２・・誘電体膜、４３・・第２層間絶縁膜、４４・・第３層間絶縁膜、４５・・保護膜（絶縁膜）、１００・・反射型電気光学装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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