(57)【要約】【課題】本発明は、人工的にグラビトンを発生させる基礎技術とその応用技術に関するものである。自然界に存在する４つの力のうち、従来テクノロジーとして有効利用されていたのは、重力を除く電磁気力、強い相互作用、弱い相互作用、の３つの力で、特に電磁気力を利用したエレクトロニクスが主であった。【手段】２対の同期した高周波のレーザーを同じ周波数でスイッチングすることにより放射して、その中間にレーザーの２倍の周期で、かつ光速の１／２倍の速度で電子ビームを走行させることによって人工的にグラビトンを発生させる。この基礎技術の応用として半導体推進や水からエネルギーを得る発電装置、重力波通信を利用したＡＩを活用するテクノロジーなどグラビトロニクスとも呼べる新しい産業の発展に大きく寄与できる発明である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２対の同期した高周波レーザーを高速にスイッチングして、その中間に電子ビームを走行させることにより人工的にグラビトンを発生させる技術。
【請求項２】
［請求項１］の技術を用いて半導体推進することのできる乗り物。
【請求項３】
［請求項１］の技術で発生させたグラビトンを電子に変換することのできる多層構造のナノテクフィルム。つまり、グラビトンを通しやすくする軽量な素材に光電効果を起こさせることのできる物質を混入したもので、具体的には電波吸収体、ＣＤＳ、無機酸化物などからなる多層構造のナノテクフィルム。
【請求項４】
［請求項１］と［請求項３］を用いて、水を氷に変えてエネルギーを取り出す技術。
【請求項５】
［請求項１］の技術と［請求項３］に半導体フィルムを組み合わせて重力波通信によるＡＩを活用する技術。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】      この発明は、同期した２対のレーザービームをスイッチングして放出し、その中間に電子ビームを走行させることにより生じる回転磁場によりスパイラル状にして安定化させることでグラビトンを人工的に生成し、様々な分野に有効的に活用しようと考えるものである。
【背景技術】
【０００２】      自然界に存在する、強い相互作用、弱い相互作用、電磁気力、重力の４つの力うち、有効的に活用されていないものは重力のみである。この発明は、残された最後の力である重力の発生源であるゲージ粒子グラビトンを人工的に発生させ、従来のエレクトロニクス、メカニクスなどでは成し得なかったグラビトロニクスとも呼べる新しい技術により、無駄の多かった今までの文明の欠点を克服することに主眼を置く。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】  従来の電磁気力、化学力を利用した乗り物では自由な走行、即ち立体走行が不可能であった。又、熱力学を利用したメカニカルな機関の為、エネルギーロスが多かった。その為、エネルギーロスの可及的に少ない半導体推進が可能であれば、強く望まれるところである。さらに、思考力によりエレクトロニクス機器を知識ベースを自由に有効活用できないでいた。そして、化石燃料には限界があり、原子力発電にも放射能汚染など多くの問題があり、新しいエネルギーを開発できないでいた。本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】  力を媒介するゲージ粒子には、スピンがあり、電磁気力の場合のフォトンはスピン１、重力の場合のグラビトンはスピン２である。スピノールはスピン１／２を記述する数学的存在でその数学的性質により２回転して元に戻る。これは、幾何学的物体としてメビウスの輪として捉えることができる。メビウスの輪をグラビトンとみなして同時に通常の輪をフォトンとして考える。その時、長軸方向を電場Ｅ、短軸方向を磁場Ｂ（Ｅ＞Ｂ）として理解しておくと、フォトンの２回転、即ち２波長がグラビトンの原型を構成していることになる。同時にスピノールを思考のモデルに取り入れた時点で電子（スピン１／２）の２回転がフォトンに相当するから、これも考慮に入れて初めてグラビトンの人工生成が可能になる。つまり、２対のレーザーを同期させて位相を揃え照射する。人工的に発生させ使用するため周波数はマイクロ波から可視光線レベルが妥当である。レーザーは、１波長ごと照射されるようにスイッチングして放出する。これでは、フォトンが組み合わされてメビウス状になっていないので、２対のレーザーの中間に電子ビームを走行させ、それにより生じる回転磁場により、フォトンの電場Ｅを回転させる。そのとき、注意すべきは、左回りでなければ２対のフォトンに向心力が生じず、渦が発散してしまう。そのことは、進行方向に対してＢがＥに対して時計回りに存在していることから考えればわかる。向心力が生じれば渦が収縮して波動性としてのフォトンひとつの仮想粒子として輪になる。このとき、重要なのは量子であるフォトンにはおたがいの区別がないこと、回転磁場の影響でフォトンは、自転と公転同時に行うことである。それにより、２対のフォトンはスピン２のグラビトンになる。これは、２対のフォトンがねじれて進行する１対の波（重力波）で、モデルとしてはメビウスの輪または１０円玉の回りを１０円玉が接触しながら回転するものとして理解できる。又、重要なことは、電子ビーム照射速度が光速の１／２倍で、かつ電子ビームの照射周期がレーザー周期の２倍であることが、グラビトン発生の最も効率的手段となる。このとき、フォトンの磁場と回転磁場との斥力よって生じる遠心力とフォトンの電場（Ｅ）と電子の電場によって生じる向心力とが、相対論的領域でつりあうことが、このグラビトン発生の条件となる。電子の位置からフォトン位置までの距離（Ｒ）、フォトンの質量（ｍ）、電子の電荷（ｑ）を用いて計算すると、次のようになる。
フォトンの受ける遠心力＝ｍ＊Ｃ＊Ｃ／Ｒ
フォトンの受ける向心力＝ｑ＊Ｅ
ｑ＊Ｅ＝ｍ＊Ｃ＊Ｃ／Ｒ  ｈｕ＝ｍ＊Ｃ＊Ｃ
Ｒ＝ｈｕ／ｑＥ
このＲで示される距離が、電子とレーザーの距離であり、２Ｒが２対のレーザー間距離である。半導体レーザーを用いて設計するさいに重要な値となる。
次に人工的に合成されたこのグラビトンレーザーとも呼べるものを効果的に使用するためのものがナノテクの無機酸化物フィルムである。これは、ミクロの光ファイバーで断面がドーナッツ状になっており、右ねじがすすむように時計回りにねじ切れている構造で、しかも周囲に半波長程度の径のホールが２波長程度の間隔に相当数空いており、そこから放出したフォトンが周囲に存在する光電効果を起こす物質であるＣｄＳなどに衝突して電子を放出する構造となっている。これは、グラビトンが右回りでのみ存在できるため、崩壊してレーザーへと変換され光電効果を起こすからである。放出された電子は、再び光ファイバーに戻り今度は、中央に同じように空いているホールから回収され中心を通る良導体を通って電子を供給することが出来る。また、同様に電波吸収体にＣｄＳのような光電効果を起こす物質を混入したものでグラビトンを吸収し電子に変換することもできる。これを多層化して各層からの電子をまとめて取り出せるようにしておけばエネルギー変換用ナノテクフィルムとなる。  上層に絶縁体、下層に半導体フィルムを設計しておけばＡＩを有効活用できる。
例えば、軽量化された車の上部又は前方にグラビトンレーザーを搭載すれば半導体推進により省エネルギーでクリーンな地上と立体走行を併用できる理想の車をつくることができる。
さらに、エネルギー変換用ナノテクフィルムを水槽に入れグラビトンレーザーをし照射して圧縮して氷に相転移させ、その間の放出されたエネルギー（光）を電子として直接取り出すことができる。
さらに、グラビトンを重力波として利用し、光の縦波つまり光音波として理解すると先進波・遅延波を考慮して空間的に双方向通信が可能と成り得るため、半導体フィルムを組み込んだＡＩ用フィルムを人間と人口知能コンピューターとのインターフェースとして使用すれば、知識ベースの有効利用を図れ、医療の分野や社会福祉の様々な分野で有効利用されることになる。
【発明の効果】
【０００５】本発明のメリットは、メカニクス、エレクトロニクスにかわるグラビトロニクスとも呼べる新しい分野を切り開き、広く産業の発展に寄与するものである。
【発明を実施する為の最良の形態】
【０００６】以下、本発明の実施の形態を説明する。
（イ）半導体レーザー（１）からマイクロ波〜可視光レベルの周波数の同期した２対のレーザーを１波長ずつになるようにスイッチング（２）して平行に照射する。ｈｕ／ｑＥ  になるように２対のレーザーの間隔を設定し、その中間にレーザーの２倍の周期でＣ／２（ｃ：光速）の速度で電子ビーム（３）を照射する。これにより、レーザーの周波数の１／２倍の周波数のグラビトンレーザーが照射される。
（ロ）電波吸収体（４）とＣＤＳ（５）、無機酸化物（６）からなるグラビトンを通しやすいナノテクのフィルム（７）に半導体（８）のフィルムを２層構造にして、光電効果により発生する電子により作動させる。
（ハ）電波吸収体とＣＤＳ、無機酸化物からなるグラビトンを通しやすいナノテクのフィルムを多層化して各層からの電子を集めて（９）、エネルギー変換用フィルム（１０）として使用する。大規模に用いれば水からエネルギーを得る発電装置として利用できる。
（ニ）軽量化された車の上部と前部にグラビトンレーザー（１１）を搭載すれば、半導体推進の車となり地上走行と立体走行の両方可能な車ができる。その時、グラビトンレーザーは、１点に収束させる（１２）ようにレーザー束を照射させる。
本発明は、以上の構成よりなる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】  グラビトンレーザー部
【図２】  ナノテクのフィルム部
【図３】  水エネルギー変換用ナノテクのフィルム
【図４】  ＡＩ活用ナノテクフィルム
【図５】  半導体推進部
【符号の説明】
【０００８】  （１）半導体レーザー  （２）スイッチング  （３）電子ビーム
（４）電波吸収体  （５）ＣｄＳ  （６）無機酸化物
（７）絶縁体  （８）半導体  （９）良導体
（１０）エネルギー変換用ナノテクフィルム  （１１）グラビトンレーザー
（１２）１点収束
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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