(57)【要約】【課題】液晶表示装置において液晶の応答速度の高速化を行う。【解決手段】補助容量線４に印加する電位Ｖcsを制御するＣＣ駆動液晶表示装置において、ＴＦＴ１がオフしている期間に、電位Ｖcsが所定の電位よりもオーバーシュートするオーバーシュート期間２３又は所定の電位よりもアンダーシュートするアンダーシュート期間２５を設ける。これにより、液晶容量Ｃｌｃに印加される電位Ｖpixの変化量をより大きくすることができるので、応答速度を高速化することが可能となる。【選択図】図２
2008281922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に配置された複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線をゲート電極に接続するとともに、前記信号線をドレイン電極に接続したスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のソース電極に接続された画素電極と、
前記画素電極に接続された補助容量と、
前記補助容量に接続された補助容量線と、
前記スイッチング素子がオフしている期間に、前記補助容量線に印可する補助容量線電位を第１の電位にまで上昇又は第２の電位にまで降下させる補助容量線駆動回路と、を有し、
前記補助容量線駆動回路が、前記スイッチング素子がオフしている期間に、前記補助容量線電位が前記第１の電位を超えてオーバーシュート電位にまでオーバーシュートするオーバーシュート期間又は前記第２の電位を超えてアンダーシュート電位にまでアンダーシュートするアンダーシュート期間を設けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記補助容量線駆動回路が、前記オーバーシュート期間及び前記アンダーシュート期間を前記スイッチング素子がオンする直前に設けることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記補助容量線駆動回路が、前記オーバーシュート期間及び前記アンダーシュート期間を前記スイッチング素子がオフした直後に設けるとともに、
前記スイッチング素子がオンする直前に、前記補助容量線電位を前記第１の電位から前記オーバーシュート電位にまで変動させ、又は前記第２の電位から前記アンダーシュート電位にまで変動させることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の電位と前記第２の電位は等しいものであって、
前記補助容量線駆動回路が、前記オーバーシュート期間の前の前記スイッチング素子がオンしている期間には前記補助容量線電位を前記第１の電位より低電位に変動させ、前記アンダーシュート期間の前の前記スイッチング素子がオンしている期間には前記補助容量線電位を前記第２の電位より高電位に変動させることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記オーバーシュート電位は前記走査線に印加される走査線電位の高電位側の電位と等しく、前記アンダーシュート電位は前記走査線電位の低電位側の電位と等しいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記補助容量線駆動回路が前記オーバーシュート期間および前記アンダーシュート期間を設ける場合と設けない場合とを切り替える切替手段を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
マトリックス状に配置された複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線をゲート電極に接続するとともに、前記信号線をドレイン電極に接続したスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のソース電極に接続された画素電極と、
前記画素電極に接続された補助容量と、
前記補助容量に接続された補助容量線と、
前記スイッチング素子がオフしている期間に、前記補助容量線に印加する補助容量線電位を第１の電位にまで上昇又は第２の電位にまで降下させる補助容量線駆動回路と、を備えた液晶表示装置の駆動方法であって、
前記スイッチング素子がオフしている期間に、前記補助容量線電位が前記第１の電位を超えてオーバーシュート電位にまでオーバーシュートするオーバーシュート期間又は前記第２の電位を超えてアンダーシュート電位にまでアンダーシュートするアンダーシュート期間を設けたことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記オーバーシュート期間及び前記アンダーシュート期間を前記スイッチング素子がオンする直前に設けたことを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記オーバーシュート期間及び前記アンダーシュート期間は前記スイッチング素子がオフした直後に設けられているものであって、
前記スイッチング素子がオンする直前に、前記補助容量線電位を前記第１の電位から前記オーバーシュート電位にまで変動させ、又は前記第２の電位から前記アンダーシュート電位にまで変動させることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
前記第１の電位と前記第２の電位は等しいものであって、
前記オーバーシュート期間の前の前記スイッチング素子がオンしている期間には前記補助容量線電位を前記第１の電位より低電位に変動させ、前記アンダーシュート期間の前の前記スイッチング素子がオンしている期間には前記補助容量線電位を前記第２の電位より高電位に変動させることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容量結合駆動方式を用いた液晶表示装置の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話端末に用いられている液晶表示装置の高精細化、高輝度化が進むとともに、携帯電話端末において動画を表示する用途も拡大し、液晶パネルの応答速度の改善が求められている。
【０００３】
応答速度を改善する技術として、液晶材料モードを、例えばＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）に変更する方法や、信号線に通常より高い電圧をかけるオーバードライブ方式などが知られている。液晶材料モードを変更する方法は、必ずしも従来の生産ラインで簡単に作られるものではなく、オーバードライブ方式は、画像メモリを必要とするため高価になったり、扱う電圧範囲が広いため電力が大きくなるという欠点がある。
【０００４】
画素トランジスタのＯＦＦ期間に補助容量線の電圧を制御し、そのセルフオーバードライブ効果で画素電位の変化量を大きくする容量結合（ＣＣ：Capacity Coupling）駆動方式が知られている（例えば、特許文献１参照）。特に、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた液晶パネルでは、特殊なＩＣも不要で、かつ、低電力化が可能であることから活用されてきた。以下、図を参照してＣＣ駆動方式の動作について説明する。
【０００５】
図７は、従来のＣＣ駆動方式を説明するための電位の変化を示すグラフである。同図には、走査線に印加される電位Ｖg、補助容量線に印加される電位Ｖcsおよび画素電極に印加される電位Ｖpixが示されている。信号線に印加される電位Ｖsの振幅を矢印７１で示している。
【０００６】
まず、符号７２で示す期間で電位ＶgをＨｉにすることにより画素に配置されたＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）がオンになり、電位Ｖsが画素電極に印加される。電位ＶgをＬｏにしてＴＦＴをオフにした後に、符号７３で示すように電位Ｖcsを上昇させることにより、電位Ｖpixがセルフオーバードライブ効果により引き上げられるので、液晶容量の増加に伴う電位Ｖpixの低下が補償され、応答速度を高速化することができる。また、続くフレームにおいては、電位Ｖcsを降下させることにより、電位Ｖpixを引き下げている。
【０００７】
図８は、従来の別のＣＣ駆動方式を説明するためのグラフである。図７に示す例では、補助容量線に印加される電位Ｖcsが取る値はＨｉとＬｏの２値であったが、図８に示す例は電位Ｖcsが３値を取る点で異なっている。同図に示す例においては、ＴＦＴがオンしている期間８２に電位Ｖcsを降下させておき、ＴＦＴがオフした後に、符号８３に示すように電位Ｖcsを上昇させることで電位Ｖpixを引き上げている。
【特許文献１】特開２００５−１７３２４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、市場では、より高い応答性が要求され、十分な顧客要求を満たす応答速度を得ることが困難になってきた。動画の表示だけでなく、高品質な静止画を表示する要求もある。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、より応答性の高い液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の本発明に係る液晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数の走査線および複数の信号線と、走査線をゲート電極に接続するとともに、信号線をドレイン電極に接続したスイッチング素子と、スイッチング素子のソース電極に接続された画素電極と、画素電極に接続された補助容量と、補助容量に接続された補助容量線と、スイッチング素子がオフしている期間に、補助容量線に印可する補助容量線電位を第１の電位にまで上昇又は第２の電位にまで降下させる補助容量線駆動回路と、を有し、補助容量線駆動回路が、スイッチング素子がオフしている期間に、補助容量線電位が第１の電位を超えてオーバーシュート電位にまでオーバーシュートするオーバーシュート期間又は第２の電位を超えてアンダーシュート電位にまでアンダーシュートするアンダーシュート期間を設けることを特徴とする。
【００１１】
本発明にあっては、スイッチング素子がオフしている期間に、補助容量線に印加される補助容量線電位を上昇又は降下させることにより画素電極に印加される電位を補償する容量結合駆動方式を用いた液晶表示装置において、補助容量線電位が所定の電位よりもオーバーシュートするオーバーシュート期間又は所定の電位よりもアンダーシュートするアンダーシュート期間を設けることにより、画素電極に印加される電位の変化量をより大きくすることができるので、液晶の応答速度の改善を可能とする。
【００１２】
上記液晶表示装置において、補助容量線駆動回路が、オーバーシュート期間及びアンダーシュート期間をスイッチング素子がオンする直前に設けることを特徴とする。
【００１３】
本発明にあっては、オーバーシュート期間及びアンダーシュート期間をスイッチング素子がオンする直前に設けることにより、スイッチング素子からリークが発生してもすぐにスイッチング素子がオンし、画素電極に信号線電位の書き込みが行われるので、フリッカーの発生を抑えることを可能とする。
【００１４】
上記液晶表示装置において、補助容量線駆動回路が、オーバーシュート期間及びアンダーシュート期間をスイッチング素子がオフした直後に設けるとともに、スイッチング素子がオンする直前に、補助容量線電位を第１の電位からオーバーシュート電位にまで変動させ、又は第２の電位からアンダーシュート電位にまで変動させることを特徴とする。
【００１５】
本発明にあっては、スイッチング素子がオンする直前に、補助容量線電位をオーバーシュート電位またはアンダーシュート電位にまで変動させることにより、次のフレームのスイッチング素子がオフする期間において、オーバーシュート電位をより低く、又は、アンダーシュート電位をより高くすることができるので、補助容量線電位の振幅をより小さくすることができる。
【００１６】
上記液晶表示装置において、第１の電位と第２の電位は等しいものであって、補助容量線駆動回路が、オーバーシュート期間の前のスイッチング素子がオンしている期間には補助容量線電位を第１の電位より低電位に変動させ、アンダーシュート期間の前のスイッチング素子がオンしている期間には補助容量線電位を第２の電位より高電位に変動させることを特徴とする。
【００１７】
本発明にあっては、オーバーシュート期間の前のスイッチング素子がオンしている期間には、補助容量線電位をオーバーシュート期間後に維持する第１の電位よりも低電位に変動させ、アンダーシュート期間の前のスイッチング素子がオンしている期間には、補助容量線電位をアンダーシュート期間後に維持する第２の電位よりも高電位に変動させることにより、第１の電位と第２の電位を等しくすることができるので、必要な電源数を減らすことを可能とする。
【００１８】
上記液晶表示装置において、オーバーシュート電位は走査線に印加される走査線電位の高電位側の電位と等しく、アンダーシュート電位は走査線電位の低電位側の電位と等しいことを特徴とする。
【００１９】
本発明にあっては、オーバーシュート電位およびアンダーシュート電位を走査線電位の高電位側および低電位側の電位と等しくすることで、必要な電源数を減らすことを可能とする。
【００２０】
上記液晶表示装置において、補助容量線駆動回路がオーバーシュート期間およびアンダーシュート期間を設ける場合と設けない場合とを切り替える切替手段を有することを特徴とする。
【００２１】
本発明にあっては、オーバーシュート期間およびアンダーシュート期間を設ける場合と設けない場合とを切り替える切替手段を有することにより、動画を表示する場合には、オーバーシュート期間およびアンダーシュート期間を設けることで応答速度を上げ、静止画を表示する場合には、オーバーシュート期間およびアンダーシュート期間を設けないで画質の劣化を抑えることが可能となる。
【００２２】
第２の本発明に係る液晶表示装置の駆動方法は、マトリックス状に配置された複数の走査線および複数の信号線と、走査線をゲート電極に接続するとともに、信号線をドレイン電極に接続したスイッチング素子と、スイッチング素子のソース電極に接続された画素電極と、画素電極に接続された補助容量と、補助容量に接続された補助容量線と、スイッチング素子がオフしている期間に、補助容量線に印加する補助容量線電位を第１の電位にまで上昇又は第２の電位にまで降下させる補助容量線駆動回路と、を備えた液晶表示装置の駆動方法であって、スイッチング素子がオフしている期間に、補助容量線電位が第１の電位を超えてオーバーシュート電位にまでオーバーシュートするオーバーシュート期間又は第２の電位を超えてアンダーシュート電位にまでアンダーシュートするアンダーシュート期間を設けたことを特徴とする。
【００２３】
上記液晶表示装置の駆動方法において、オーバーシュート期間及びアンダーシュート期間をスイッチング素子がオンする直前に設けたことを特徴とする。
【００２４】
上記液晶表示装置の駆動方法において、オーバーシュート期間及びアンダーシュート期間はスイッチング素子がオフした直後に設けられているものであって、スイッチング素子がオンする直前に、補助容量線電位を第１の電位からオーバーシュート電位にまで変動させ、又は第２の電位からアンダーシュート電位にまで変動させることを特徴とする。
【００２５】
上記液晶表示装置の駆動方法において、第１の電位と第２の電位は等しいものであって、オーバーシュート期間の前のスイッチング素子がオンしている期間には補助容量線電位を第１の電位より低電位に変動させ、アンダーシュート期間の前のスイッチング素子がオンしている期間には補助容量線電位を第２の電位より高電位に変動させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、より応答性の高い液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
［第１の実施の形態］
本実施の形態における液晶表示装置は、液晶層を挟んだ２枚の基板を備えており、一方の基板には走査線２と信号線３がマトリックス状に配置され、走査線２と信号線３の交差点付近にＴＦＴ１が配置され１つの画素を構成している。図１に示す回路図は、第１の実施の形態における液晶表示装置の画素の等価回路を示している。同図に示すように、ＴＦＴ１のゲート電極は走査線２に、ドレイン電極は信号線３に接続され、ＴＦＴ１のソース電極は、補助容量Ｃｓと液晶容量Ｃｌｃに接続されている。補助容量Ｃｓの一方の電極は、補助容量線４に接続され、液晶容量Ｃｌｃの一方の電極は、基準電位Ｖcomに維持されている。補助容量線４には、補助容量線４ごとに独立して電圧を制御する駆動回路（図示せず）が接続されている。この駆動回路は、アレイ内に一体形成できる多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いることが望ましい。
【００２８】
図２は、本実施の形態における各電位の変化を示すグラフである。同図は、走査線２に印加される電位Ｖg、補助容量線４に印加される電位Ｖcsおよび液晶容量Ｃｌｃの画素電極に印加される電位Ｖpixの変化を示しており、矢印２１は、信号線３に印加される電位Ｖsの振幅を表している。同図に示す例では、電位ＶcsがＬｏとＨｉおよびＬｏ，Ｈｉそれぞれの側にアンダーシュート、オーバーシュートした値の４値を取るものである。
【００２９】
走査線２に印加される電位Ｖgを高電位にすることでＴＦＴ１がオンになる。ＴＦＴ１がオンしている期間２２に信号線３に印加される電位Ｖsが液晶容量Ｃｌｃに書き込まれ、その後、電位Ｖgを低電位にすることでＴＦＴ１がオフになる。ＣＣ駆動方式ではＴＦＴ１がオフしている期間に電位Ｖcsを所定の電位にまで上昇させることで電位Ｖpixを引き上げる。本実施の形態においては、電位Ｖcsが所定の電位を超えてオーバーシュートするオーバーシュート期間２３をさらに設ける。オーバーシュート期間２３後は、電位Ｖcsを所定の電位に戻す。このように、ＴＦＴ１がオフになった直後に、一時的に電位Ｖcsを上げるオーバーシュート期間２３を設けることにより、液晶容量Ｃｌｃに印加される電位Ｖpixがより上昇するので、応答速度を改善することができる。なお、ＴＦＴ１のオン期間２２からオーバーシュート期間２３までの間隔は、数水平走査期間程度である。
【００３０】
また、続くフレームにおいてもＴＦＴ１がオフしている期間に、電位Ｖcsが所定の電位を超えてアンダーシュートするアンダーシュート期間２５を設ける。これにより、液晶容量Ｃｌｃに印加される電位Ｖpixをより下降させることができる。このように、ＴＦＴ１がオフになった直後に電位Ｖcsをオーバーシュートあるいはアンダーシュートさせることにより液晶容量Ｃｌｃに印加される電位Ｖpixをより上昇あるいは降下させることができるので、応答速度を高速化することができる。
【００３１】
一方、図２に示すようにオーバーシュート期間２３やアンダーシュート期間２５を設けた場合には、ＴＦＴ１のリークなどにより液晶の応答速度を改善することができるが、フリッカーなど画質の劣化が生じる。この画質の劣化は、動画の表示の際には気にならないが、静止画を表示するときに問題となる。そこで、動画を表示する場合には、オーバーシュート期間２３やアンダーシュート期間２５を設けた方法で液晶を駆動し、静止画を表示する場合には、図７に示した従来のＣＣ駆動方式を用いて液晶を駆動するように、表示内容に応じて駆動方式を切り替える切替手段を備えるとよい。
【００３２】
なお、オーバーシュート期間２３やアンダーシュート期間２５を設けた場合には、補助容量線４の振幅が増すため、液晶印加電圧が大きくなり、階調がずれてしまうので、基準電位Ｖcomと電位Ｖpixとで囲まれる部分の面積が、図７で示した従来のＣＣ駆動方式のものと同じになるように、オーバーシュート期間２３後の電位Ｖcsを低く、アンダーシュート期間２５後の電位Ｖcsを高くしている。このように、オーバーシュート期間２３及びアンダーシュート期間２５後の補助容量線４の振幅を小さくすることにより、階調のずれを抑制することが可能である。
【００３３】
また、上記の補助容量線４に印加する電位Ｖcsを調節する機能は、液晶パネル上に実装するＣＯＧ（Chip On Glass）に組み込むことにより、液晶表示装置の小型化・軽量化を図ることができる。
【００３４】
したがって、本実施の形態によれば、補助容量線４に印加する電位Ｖcsを制御するＣＣ駆動液晶表示装置において、ＴＦＴ１がオフしている期間に、電位Ｖcsが所定の電位よりもオーバーシュートするオーバーシュート期間２３又は所定の電位よりもアンダーシュートするアンダーシュート期間２５を設けることにより、液晶容量Ｃｌｃに印加される電位Ｖpixの変化量をより大きくすることができるので、応答速度を高速化することが可能となる。
【００３５】
本実施の形態によれば、オーバーシュート期間２３やアンダーシュート期間２５を設ける方法と設けない方法とを切り替える切替手段を備えることにより、表示される画像に対応させて駆動方式を切り替えることができるので、動画を表示するときには応答速度を上げるとともに、静止画を表示するときには表示品質を保つことが可能となる。
【００３６】
なお、オーバーシュート期間が長いほど、あるいは、オーバーシュート電位とオーバーシュート期間後に維持する通常時の電位との差が大きいほど応答時間は高速化できるが、階調がずれるなどの問題もある。表示や環境温度などを参照し、オーバーシュート期間の長さやオーバーシュート電位を調節する機能を備えてもよい。例えば、低温時など液晶の応答が遅くなる時や、動画を表示している場合など早い応答速度が必要な場合に、オーバーシュート期間を長くしたり、オーバーシュート電位を高くする。アンダーシュート期間およびアンダーシュート電位についても同様である。
【００３７】
また、オーバーシュート電位を走査線３に印加される電位Ｖgの高電位側の電位と等しく、アンダーシュート電位を電位Ｖgの低電位側の電位と等しくすることで、必要な電源数を減らすことができる。
【００３８】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態では、第１の実施の形態の変形例として、オーバーシュート期間及びアンダーシュート期間をＴＦＴがオンする直前に設けた例について説明する。なお、本実施の形態における液晶表示装置の画素の等価回路は、図１に示したものと同様であるので説明は省略する。
【００３９】
図３は、本実施の形態における各電位の変化を示すグラフである。図３に示す例は、図２に示す例に対してオーバーシュート期間３５をＴＦＴ１がオンする期間３４の直前に設けたものである。
【００４０】
図２に示す例のようにＴＦＴ１がオフした直後にオーバーシュートした場合、オーバーシュート電位によっては、ＴＦＴ１からリークしてしまう可能性があり、フリッカーの発生が懸念される。図３に示す例においては、オーバーシュート期間３５をＴＦＴ１がオンする直前に設定したことにより、ＴＦＴ１からリークしてもすぐにＴＦＴ１がオンし、書き込みが行われるので、フリッカーの発生を抑えることができる。同様に、アンダーシュート期間３３もＴＦＴ１がオンする期間３２の前に設定する。なお、オーバーシュート期間３５からＴＦＴ１のオン期間３４までの間隔は、数水平走査期間程度である。
【００４１】
したがって、本実施の形態によれば、電位Ｖcsのオーバーシュート期間３５又はアンダーシュート期間３３をＴＦＴ１がオンする直前に設定することにより、ＴＦＴ１からリークしてもすぐにＴＦＴ１がオンし、書き込みが行われるので、フリッカーの発生を抑えることができる。
【００４２】
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態では、ＴＦＴ１がオンする前に、電位Ｖcsを再び上昇あるいは降下させる例について説明する。なお、本実施の形態における液晶表示装置の画素の等価回路は、図１に示したものと同様であるので説明は省略する。
【００４３】
図４は、本実施の形態における各電位の変化を示すグラフである。本実施の形態においては、電位Ｖcsを符号４６，４７で示す部分のようにＴＦＴ１がオンする期間４２，４４の直前に、アンダーシュート電位あるいはオーバーシュート電位まで再び降下または上昇させたものである。ＴＦＴ１がオンする直前に電位Ｖcsをアンダーシュート電位にまで降下させることで、オーバーシュート期間４３に電位Ｖcsを上昇させる電位差ΔＶcs１が図２で示した例と同程度であっても、図２で示した例に比べて電位Ｖcsの振幅（アンダーシュート電位からオーバーシュート電位までの電位差）を小さくすることができる。なお、本実施の形態においては、電位Ｖcsを再び降下または上昇させるタイミングは、ＴＦＴ１がオンする数水平走査期間前である。
【００４４】
図７で示した従来のＣＣ駆動方式における電位Ｖcsの振幅がΔＶcs０である場合、ΔＶcs１＞ΔＶcs０＞ΔＶcs２およびΔＶcs４＞ΔＶcs０＞ΔＶcs５とする。これにより、応答速度を速くするとともに、本実施の形態における輝度と従来例における輝度をほぼ同じにすることができる。また、オーバーシュート、アンダーシュートで変化させる電位差は、ΔＶcs１＝ΔＶcs４となるようにし、ΔＶcs２＝ΔＶcs５、および、ΔＶcs３＝ΔＶcs６とする。
【００４５】
図５は、本実施の形態における別の各電位の変化を示すグラフである。同図に示す電位Ｖcsは、図４に示したものに対して、符号５３で示す点におけるオーバーシュート電位から単調に減少させたものである。同様に、符号５５で示す点におけるアンダーシュート電位から単調に上昇させている。
【００４６】
したがって、本実施の形態によれば、ＴＦＴ１がオンする期間４２，４４の直前に、電位Ｖcsを再び降下または上昇させることにより、次のフレームのＴＦＴ１がオフする期間において、オーバーシュート電位をより低く、又は、アンダーシュート電位をより高くすることができるので、電位Ｖcsの振幅を狭くすることができる。
【００４７】
［第４の実施の形態］
第４の実施の形態では、電位Ｖcsの取る値が３値の場合について説明する。なお、本実施の形態における液晶表示装置の画素の等価回路は、図１に示したものと同様であるので説明は省略する。
【００４８】
図６は、本実施の形態における各電位の変化を示すグラフである。同図に示す電位Ｖcsは、図８に示した従来の３値ＣＣ駆動方式における電位Ｖcsの変化に対して、ＴＦＴ１がオフした直後にオーバーシュート期間６３又はアンダーシュート期間６５を設けたものである。ＴＦＴ１がオンしている期間６２に電位Ｖcsをアンダーシュート電位にまで変動させ、ＴＦＴ１がオフした直後に電位Ｖcsをオーバーシュート電位にまで上昇させる。オーバーシュート期間６３後は、電位Ｖcsを所定の電位にまで変動させ、維持する。続くフレームのＴＦＴ１がオンしている期間６４に電位Ｖcsをオーバーシュート電位にまで変動させ、ＴＦＴ１がオフした直後に電位Ｖcsをアンダーシュート電位にまで降下させる。アンダーシュート期間６５後は、電位Ｖcsを所定の電位にまで変動させ、維持する。このように、従来の３値ＣＣ駆動方式のように、ＴＦＴ１のオン期間６２，６４に電位Ｖcsをアンダーシュート電位又はオーバーシュート電位にまで変動させることにより、ＴＦＴ１のオフ期間において、オーバーシュート期間６３又はアンダーシュート期間６５後にＶcsが維持する電位を等しくすることができるので、必要な電源数を減らすことができる。
【００４９】
したがって、ＴＦＴ１がオンする期間６２，６４に電位Ｖcsをアンダーシュート電位又はオーバーシュート電位に変動させ、ＴＦＴ１がオフした直後にオーバーシュート期間６３又はアンダーシュート期間６５を設けることにより、液晶の応答速度の改善を図ることができる。また、オーバーシュート期間６３後、およびアンダーシュート期間６５後の電位を等しくすることにより、必要な電源数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第１の実施の形態における液晶表示装置の画素の等価回路を示す回路図である。
【図２】第１の実施の形態における各電位の変化を示すグラフである。
【図３】第２の実施の形態における各電位の変化を示すグラフである。
【図４】第３の実施の形態における各電位の変化を示すグラフである。
【図５】第３の実施の形態における別の各電位の変化を示すグラフである。
【図６】第４の実施の形態における各電位の変化を示すグラフである。
【図７】従来のＣＣ駆動方式における各電位の変化を示すグラフである。
【図８】従来の別のＣＣ駆動方式における各電位の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５１】
１…ＴＦＴ
２…走査線
３…信号線
４…補助容量線
２１，３１，４１，５１，６１…信号線電位の振幅
２２，２４，３２，３４，４２，４４，５２，５４，６２，６４…ＴＦＴオン期間
２３，３５，４３，５３，６３…オーバーシュート期間
２５，３３，４５，５５，６５…アンダーシュート期間
【図１】
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【図２】
2008281922.tif 000004
【図３】
2008281922.tif 000005
【図４】
2008281922.tif 000006
【図５】
2008281922.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008281922.tif 000009
【図８】
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