(57)【要約】【課題】酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜からなる２層構造のゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極中のホウ素のシリコン基板への拡散を抑制しつつ、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面付近への窒素の拡散を抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１上に酸化シリコン膜１３を形成するステップと、酸化シリコン膜１３上に窒化シリコン膜１４を形成するステップとを有する。窒化シリコン膜１４を形成するステップが、酸化シリコン膜１３上に単原子層よりも大きな厚みを有するシリコン層２１を成長させる第１ステップと、シリコン層２１を窒化して窒化シリコン層２４を形成する第２ステップと、シリコン単原子層２３を成長させる第３ステップと、シリコン単原子層２３を窒化して窒化シリコン層２４に形成する第４ステップとをこの順に含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成するステップと、該酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を形成するステップとを有する半導体装置の製造方法において、
前記窒化シリコン膜を形成するステップが、
前記酸化シリコン膜上に単原子層よりも大きな厚みを有する第１シリコン層を成長させる第１ステップと、該第１シリコン層を窒化して第１窒化シリコン層を形成する第２ステップと、単原子層の厚みを有する第２シリコン層を成長させる第３ステップと、該第２シリコン層を窒化して第２窒化シリコン層に形成する第４ステップとをこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１シリコン層が、０．５〜１．０ｎｍの厚みを有する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第１及び第２ステップに後続して、前記第３及び第４ステップを繰返し有する、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第３ステップでは、ＳｉソースガスとしてＳｉＨ２Ｃｌ２を供給する、請求項１〜３の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２及び第４ステップでは、ＮソースガスとしてＮＨ３を供給する、請求項１〜４の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しくは、シリコン基板上にゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）は、シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極に隣接するシリコン基板の表面部分に形成された不純物拡散領域とを有する。ゲート絶縁膜には、例えば酸化シリコンが用いられ、ゲート電極には、シリコン基板又はゲート絶縁膜との反応を避ける観点から、不純物ドープ・多結晶シリコンが用いられる。ＰチャネルＭＩＳＦＥＴでは、不純物として例えばホウ素が用いられる。
【０００３】
ＭＩＳＦＥＴを備える半導体装置では、低消費電力化を実現するために、ゲート絶縁膜の薄膜化が要請されている。しかし、酸化シリコンで構成されたゲート絶縁膜を薄膜化すると、ゲート電極にドープされたホウ素が、その活性化処理に際してゲート絶縁膜を通して拡散し、シリコン基板に達するおそれがある。シリコン基板に達したホウ素は、ＭＩＳＦＥＴのしきい値を変動させ、その特性を低下させるため、これを防止する必要がある。
【０００４】
上記に対して、シリコン基板へのホウ素の拡散を防止しつつ、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現するために、ゲート絶縁膜に窒素を含ませることが行われている。ゲート絶縁膜に含ませた窒素は、ゲート絶縁膜の誘電率を向上させると共に、膜を貫通してのホウ素の拡散を抑制する。
【０００５】
窒素を含むゲート絶縁膜を形成する工程では、シリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制する必要がある。これは、シリコン基板との界面付近に達した窒素は、空孔を生じさせ、キャリアの移動度（Mobility）低下などＭＩＳＦＥＴに様々な特性劣化を引き起こすためである。これに対して、シリコン基板との界面付近への窒素の拡散を防ぐために、シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を形成した２層構造のゲート絶縁膜も用いられている。
【０００６】
２層構造のゲート絶縁膜では、ゲート絶縁膜の信頼性向上を目的として、原子層レベルの厚みを有する層の繰返し形成によって所望の厚みの膜を成膜する原子層成長（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法を用いて、窒化シリコン膜を形成する試みがなされている。
【０００７】
図７（ａ）、（ｂ）は、ＡＬＤ法を用いて窒化シリコン膜を形成する際の各ステップを示している。ＡＬＤ法を用いた窒化シリコン膜の形成に際しては、図７（ａ）に示すように、Ｓｉソースガスを用いてシリコン単原子層２３を成長させるステップと、図７（ｂ）に示すように、Ｎソースガスのプラズマを用いてシリコン単原子層２３を窒化して、原子層レベルの厚みを有する窒化シリコン層２４に形成するステップとを繰り返し、所望の厚みを有する窒化シリコン膜を成膜する。
【０００８】
ＡＬＤ法では、膜質を精密に制御できる原子層レベルの厚みを有する層の繰返し形成によって、所望の厚みの膜を成膜するため、膜厚や組成の制御性及び面内均一性に優れた良質な膜を形成できる。また、比較的低い処理温度で成膜できるので、不純物プロファイルの膜内変化を抑制できる。酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜からなる２層構造のゲート絶縁膜の形成に際して、ＡＬＤ法を用いて窒化シリコン膜を形成する製造方法については、例えば特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００４−００６４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＡＬＤ法を用いた窒化シリコン膜の成膜に際しては、窒化ステップに際して、先ず、図８に示すように、島状の窒化シリコン層２４ａが形成され、次いで、この島状の窒化シリコン層２４ａが互いに繋がって、図７（ｂ）に示した連続した窒化シリコン層２４が形成される。ところが、図８に示した状態で、窒素を拡散させ易い酸化シリコン膜１３が露出し、直接に窒化されるため、この酸化シリコン膜１３を通して多量の窒素が拡散し、シリコン基板１１との界面付近に達する問題があった。
【００１０】
シリコン基板１１との界面付近への窒素の拡散を抑制するためには、窒化ステップのプロセス温度の低温化、Ｎソースガスの流量低減、又は、Ｎソースガスへの暴露時間の短縮などによって、酸化シリコン膜１３の窒化を抑制することが考えられる。しかし、これらの何れの場合でも、窒化シリコン膜中に充分な窒素が供給されなくなり、窒化シリコン膜中のＳｉ−Ｎ間の結合力が弱くなって、ホウ素の拡散を充分に抑制できなくなる問題が新たに生じる。
【００１１】
本発明は、上記に鑑み、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜からなる２層構造のゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極中のホウ素のシリコン基板への拡散を抑制しつつ、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面付近への窒素の拡散を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成するステップと、該酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を形成するステップとを有する半導体装置の製造方法において、
前記窒化シリコン膜を形成するステップが、
前記酸化シリコン膜上に単原子層よりも大きな厚みを有する第１シリコン層を成長させる第１ステップと、該第１シリコン層を窒化して第１窒化シリコン層を形成する第２ステップと、単原子層の厚みを有する第２シリコン層を成長させる第３ステップと、該第２シリコン層を窒化して第２窒化シリコン層に形成する第４ステップとをこの順に含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、第１ステップに際して、単原子層よりも大きな厚みを有する第１シリコン層を成長させることによって、第２ステップに際して、窒素を拡散させ易い酸化シリコン膜が露出することを抑制できる。また、窒素を拡散させにくいシリコン層が酸化シリコン膜を覆うため、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面付近への窒素の拡散を抑制できる。
【００１４】
本発明の好適な態様では、前記第１シリコン層が、０．５〜１．０ｎｍの厚みを有する。第１シリコン層の厚みを０．５ｎｍ以上とすることで、酸化シリコン膜の露出を防止できる。第１シリコン層の厚みを１．０ｎｍ以下とすることで、シリコン層を充分に窒化でき、Ｓｉ−Ｎ間の結合力を充分に高めて、ホウ素の拡散を抑制できる。
【００１５】
本発明の好適な態様では、第１及び第２ステップに後続して、前記第３及び第４ステップを繰返し有する。第３及び第４ステップを繰返し有することによって、窒化シリコン膜を所望の厚みに形成できる。
【００１６】
本発明では、前記第１及び第３ステップでは、ＳｉソースガスとしてＳｉＨ２Ｃｌ２を供給してもよい。また、前記第２及び第４ステップでは、ＮソースガスとしてＮＨ３を供給してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、添付図面を参照し、本発明の実施形態を更に詳しく説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置について、ＰチャネルＭＩＳＦＥＴの構成を示す断面図である。半導体装置１０は、シリコン基板１１を備え、シリコン基板１１上にはゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１５が形成されている。
【００１８】
ゲート絶縁膜１２は、シリコン基板１１上に順次に積層された、酸化シリコン膜１３及び窒化シリコン膜１４から成る２層構造を有している。ゲート電極１５は、ホウ素がドープされた多結晶シリコンから成る。ゲート絶縁膜１２上には、マスク絶縁膜１６が形成されており、ゲート絶縁膜１２及びゲート電極１５は、マスク絶縁膜１６をエッチングマスクとしてパターニングされている。
【００１９】
ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１５、及び、マスク絶縁膜１６の双方の側壁には、サイドウォール絶縁膜１７が形成されている。ゲート電極１５に隣接するシリコン基板１１の表面部分には、低濃度不純物拡散領域１８が形成され、この低濃度不純物拡散領域１８の外側であって、サイドウォール絶縁膜１７に隣接するシリコン基板１１の表面部分には、低濃度不純物拡散領域１８よりも深い高濃度不純物拡散領域１９が形成されている。
【００２０】
ゲート電極１５と、ゲート絶縁膜１２と、ゲート電極１５に隣接する低濃度不純物拡散領域１８及び高濃度不純物拡散領域１９とが、ＭＩＳＦＥＴを構成する。ＭＩＳＦＥＴを覆って全面に層間絶縁膜（図示なし）が堆積され、層間絶縁膜を貫通して高濃度不純物拡散領域１９と上層の配線とを接続するコンタクトプラグ（図示なし）が形成されている。
【００２１】
半導体装置１０の製造に際しては、先ず、熱酸化法により、シリコン基板１１上に酸化シリコン膜１３を２〜３ｎｍの厚みに形成する。次いで、ＡＬＤ法により、酸化シリコン膜１３上に窒化シリコン膜１４を１〜２ｎｍの厚みに成膜し、これによってゲート絶縁膜１２を形成する。
【００２２】
引き続き、ゲート絶縁膜１２上に多結晶シリコン膜を形成する。多結晶シリコン膜にホウ素をイオン注入した後、注入したホウ素を活性化させるアニール処理を行い、ホウ素ドープ・多結晶シリコン膜を形成する。更に、多結晶シリコン膜上に窒化シリコン膜を形成する。次いで、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて窒化シリコン膜をパターニングして、マスク絶縁膜１６を形成する。更に、形成したマスク絶縁膜１６を用いたドライエッチングにより、ゲート絶縁膜１２及び多結晶シリコン膜をパターニングする。パターニングされた多結晶シリコン膜は、ゲート電極１５を構成する。
【００２３】
引き続き、マスク絶縁膜１６をマスクとしてシリコン基板１１の表面部分に不純物を注入し、ゲート電極１５に隣接する低濃度不純物拡散領域１８を自己整合的に形成する。次いで、全面に窒化シリコン膜を成膜した後、エッチバックを行い、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１５、及び、マスク絶縁膜１６の双方の側壁にサイドウォール絶縁膜１７を形成する。
【００２４】
更に、マスク絶縁膜１６及びサイドウォール絶縁膜１７をマスクとしてシリコン基板１１の表面部分に不純物を注入し、サイドウォール絶縁膜１７に隣接する高濃度不純物拡散領域１９を自己整合的に形成する。ＭＩＳＦＥＴを覆って全面に層間絶縁膜（図示なし）を堆積した後、層間絶縁膜を貫通して高濃度不純物拡散領域１９に接続するコンタクトプラグ（図示なし）を形成することにより、図１に示した半導体装置１０を形成する。
【００２５】
ＡＬＤ法を用いた窒化シリコン膜の成膜に際しては、原子層レベルの厚みを有する窒化シリコン層の形成を繰り返して、所望の厚みを有する窒化シリコン膜を成膜する。この窒化シリコン層は、Ｓｉソースガスを供給してシリコン層を成長させるステップ（シリコン層成長ステップ）と、Ｎソースガスを供給してシリコン層を窒化し窒化シリコン層に形成するステップ（窒化ステップ）とを繰り返す繰返しのサイクルによって形成する。本実施形態において、１回目のサイクルでは、シリコン層成長ステップに際して、シリコン単原子層より大きな０．５〜１．０ｎｍの厚みを有するシリコン層を成長させる。また、２回目以降のサイクルでは、シリコン層成長ステップに際して、シリコン単原子層を成長させる。
【００２６】
図２（ａ）〜（ｄ）は、窒化シリコン膜を成膜する各ステップを順次に示す断面図である。本実施形態では、１回目のサイクルにおけるシリコン層成長ステップに際して、図２（ａ）に示すようにシリコン層２１をシリコン単原子層よりも大きな０．５ｎｍ以上の厚みに成長させるので、後続する窒化ステップに際して、図２（ｂ）に示すように、窒素を拡散させ易い酸化シリコン膜１３が露出することを防止できる。
【００２７】
酸化シリコン膜１３を覆うシリコン層２１又はこのシリコン層２１の窒化によって形成される窒化シリコン層２２は、窒素を拡散させにくいため、窒素がゲート絶縁膜１２とシリコン基板１１との界面付近へ拡散することを抑制できる。同図中、窒素２５が拡散する様子を模式的に示している。
【００２８】
１回目のサイクルに際して、シリコン層２１を１．０ｎｍ以内の厚みに成長させるので、後続する窒化ステップに際して、シリコン層２１は充分に窒化される。また、２回目以降のサイクルでは、シリコン層成長ステップに際して、図２（ｃ）に示すように、シリコン単原子層２３を成長させるため、後続する窒化ステップに際して、図２（ｄ）に示すように、このシリコン単原子層２３を容易に窒化できる。
【００２９】
従って、Ｓｉリッチな窒化シリコン膜１４が形成されることがなく、窒化シリコン膜１４中のＳｉ−Ｎ間の結合力を充分に高めて、ホウ素の拡散を抑制できる。ホウ素の拡散を抑制する効果については、１回目のサイクルに際してシリコン単原子層２３を成長させる製造方法と、同等の効果が得られる。
【００３０】
図３は、ＡＬＤ法を用いて窒化シリコン膜１４を成膜する際に用いる成膜装置の構成を示す断面図である。成膜装置３０は、バッチ式の縦型ホットウォール方式のリモートプラズマＣＶＤ装置である。成膜装置３０は、石英ガラスから成り、上方が閉塞し下方が開口した円筒状のプロセスチューブ３１を備える。プロセスチューブ３１を覆って、プロセスチューブ３１内を加熱するためのヒータ３２がプロセスチューブ３１と同心円状に配設されている。
【００３１】
プロセスチューブ３１の側壁には排気口３３があり、図示しない排気装置に接続している。排気口３３と排気装置との間には、図示しないスロットルバルブが配設されており、プロセスチューブ３１内の圧力を制御できる。半導体装置１０が形成されるウエハ４０は、プロセスチューブ３１内において、ボード３９上に鉛直方向に並べて載置される。ボード３９は、プロセスチューブ３１の下方に配設された図示しないエレベータによって鉛直方向に昇降され、プロセスチューブ３１内にウエハ４０を出し入れ出来る。
【００３２】
プロセスチューブ３１内には、Ｓｉソースガス及びＮソースガスを供給するためのガス供給管３４，３５がそれぞれ導入され、ウエハ４０の側面に対向して鉛直方向に延びている。ガス供給管３４，３５の延在方向に複数個の吹出口３６が並んでいる。ガス供給管３５の内部では、Ｎソースガスをプラズマ化するために、一対の電極３７が対向しており、それぞれ一対の保護管３８を通して外部に引き出されている。一対の電極３７には、高周波電力としてＲＦ電力を印加する図示しない高周波電源が図示しない整合器を介して電気的に接続されている。高周波電源を介して一対の電極３７間に高周波電力を印加することによって、プラズマを生成できる。
【００３３】
窒化シリコン膜１４の成膜に際しては、プロセスチューブ３１内の温度を例えば５５０℃とする。シリコン層成長ステップでは、ガス供給管３４からＳｉソースガスとしてＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロロシラン：ＤＣＳ）を０．６５slmの流量で供給する。また、窒化ステップでは、ガス供給管３５からＮソースガスとしてＮＨ3（アンモニア）を６slmの流量で供給する。ＮＨ3の供給に際しては、一対の電極３７間に１５０〜４００Ｗの高周波電力を印加し、ＮＨ3をプラズマ化させる。Ｓｉソースガスの供給とＮソースガスの供給との切替えに際しては、プロセスチューブ３１内をＮ２ガスでパージする。
【００３４】
図４（ａ）、（ｂ）は、１回目及び２回目以降のサイクルをそれぞれ示すタイムチャートである。１回目のサイクルでは、図４（ａ）に示すように、Ｓｉソースガスの供給時間Δｔ１を１４０secとする。２回目以降のサイクルでは、図４（ｂ）に示すように、Ｓｉソースガスの供給時間Δｔ１’を７０secとする。Ｎソースガスの供給時間Δｔ３は何れも１７５secとし、Ｎ２ガスのパージ時間Δｔ２，Δｔ４も何れも３５secとする。このような手順でサイクルを１２回行うことによって、１ｎｍの厚みを有する窒化シリコン膜１４を形成できる。
【００３５】
本実施形態によれば、ＡＬＤ法を用いた窒化シリコン膜１４の成膜に際して、１回目のサイクルのシリコン層成長ステップに際して、０．５〜１．０ｎｍの厚みを有するシリコン層２１を成長させることによって、後続する窒化ステップに際して、窒素を拡散させ易い酸化シリコン膜１３を露出させることが無く、且つ、シリコン層２１を充分に窒化できる。従って、ゲート電極１５中のホウ素のシリコン基板への拡散を抑制しつつ、シリコン基板１１とゲート絶縁膜１２との界面付近への窒素の拡散を抑制できる。
【００３６】
実施形態の製造方法に従って半導体装置を実際に製造し、実施例１の半導体装置とした。また、実施形態の製造方法において、窒化シリコン膜１４成膜の１回目のサイクルを図４（ｂ）のタイムチャートに従って行い、比較例１の半導体装置とした。酸化シリコン膜１３の厚みは３ｎｍ程度とし、窒化シリコン膜１４の厚みは１ｎｍ程度とした。
【００３７】
図５（ａ）、（ｂ）に、実施例１及び比較例１の半導体装置についてＡＲ−ＸＰＳ（角度分解Ｘ線光電子分光法）により測定した、酸素及び窒素の濃度分布を示す。同図中、窒化シリコン膜１４の表面の深さを０ｎｍとして、原子濃度と深さとの関係を示している。
【００３８】
図５（ｂ）に示した比較例１の半導体装置では、シリコン基板１１と酸化シリコン膜１３との界面付近で窒素濃度が高くなっているのに対して、図５（ａ）に示した実施例１の半導体装置では、上記界面付近における窒素濃度がほぼバックグラウンドのレベルである。このように、本実施形態の製造方法では、シリコン基板１１と酸化シリコン膜１３との界面付近への窒素の拡散を効果的に抑制できることが判る。
【００３９】
実施形態の製造方法に従って半導体装置を実際に製造し、実施例２の半導体装置とした。酸化シリコン膜１３の厚みは３ｎｍ程度とし、窒化シリコン膜１４の厚みは１ｎｍ程度とした。実施形態の製造方法において、ゲート絶縁膜１２として、シリコン基板１１上に酸化シリコン膜を３ｎｍの厚みに形成した半導体装置を製造し、比較例２の半導体装置とした。また、ゲート絶縁膜１２として、シリコン基板１１上に酸化シリコン膜を３ｎｍの厚みに形成した後、プラズマ窒化して酸窒化シリコン膜に形成した半導体装置を製造し、比較例３の半導体装置とした。
【００４０】
実施例２、比較例２、３の半導体装置では、ゲート電極１５として多結晶シリコンを１００ｎｍの厚みに堆積した後、ホウ素をイオン注入した。また、注入したホウ素をアニール（熱処理）によって拡散させて、ホウ素ドープ・多結晶シリコンとした。
【００４１】
図６に、実施例２及び比較例２、３の半導体装置についてＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）により測定した、ホウ素の濃度分布を示す。同図より、実施例２の半導体装置では、比較例２、３の半導体装置に比して、シリコン基板１１内へのホウ素の拡散が効果的に抑制されている。このように、本実施形態の製造方法では、ホウ素の拡散を効果的に抑制できることが判る。
【００４２】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態の方法で製造される半導体装置の断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、窒化シリコン膜を成膜する各ステップを順次に示す断面図である。
【図３】窒化シリコン膜の成膜に用いる成膜装置の断面図である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、窒化シリコン膜の成膜プロセスのタイムチャートである。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、実施例１及び比較例１の半導体装置について、各原子濃度と深さとの関係をそれぞれ示すグラフである。
【図６】実施例２及び比較例２、３の半導体装置について、ホウ素濃度と深さとの関係を示すグラフである。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、窒化シリコン膜を成膜する各ステップを順次に示す断面図である。
【図８】従来の製造方法の問題点を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０：半導体装置
１１：シリコン基板
１２：ゲート絶縁膜
１３：酸化シリコン膜
１４：窒化シリコン膜
１５：ゲート電極
１６：マスク絶縁膜
１７：サイドウォール絶縁膜
１８：低濃度不純物拡散領域
１９：高濃度不純物拡散領域
２１：シリコン層
２２：窒化シリコン層
２３：シリコン単原子層
２４：窒化シリコン層
２４ａ：島状の窒化シリコン層
２５：窒素
３０：成膜装置
３１：プロセスチューブ
３２：ヒータ
３３：排気口
３４：ガス供給管
３５：ガス供給管
３６：吹出口
３７：電極
３８：保護管
３９：ボード
４０：ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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