(57)【要約】【課題】例えば、液晶装置等の電気光学装置における画素電極と、その下層側に形成された中継層との接続抵抗を低減する。【解決手段】第１部分８５ｐ１は、コンタクトホールと異なり、一定の面積を有したＸ方向に沿って面状に延びる部分であり、コンタクトホールを介して第２中継層８５及び画素電極９ａ１を電気的に接続する場合に比べて、第２中継層８５及び画素電極９ａ１の接触面積を大きく取ることが可能である。したがって、接触面積を大きく取れる分、第２中継層８５及び画素電極９ａ１の接続抵抗が低減される。【選択図】図４
2008145558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の表示領域において互いに交差するように形成された複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差に対応して形成された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のうち一の画素電極に画像信号を供給するための画素スイッチング用素子と、
前記一の画素電極と相互に重なり、且つ前記一の画素電極に接する第１部分を有しており、前記画素スイッチング用素子及び前記一の画素電極を電気的に中継する中継層と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記中継層は、金属膜と、前記金属膜上に形成され、且つ前記金属膜を保護する保護膜とを有すること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１部分は、前記複数の画素電極のうち前記一の画素電極に相隣接する他の画素電極及び前記一の画素電極が配列された配列方向に交わる方向に沿って延びていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記中継層は、前記一の画素電極及び前記他の画素電極間において前記配列方向に交わる方向に延びる第２部分を有しており、前記中継層のうち少なくとも前記第２部分は、前記一の画素電極及び前記他の画素電極間に入射する光を遮る遮光膜として兼用されていること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶プロジェクタ等の投写型表示装置のライトバルブ等に応用される電気光学装置、及び投写型表示装置等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、配線、或いは画素電極等の導電部、並びに画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子が絶縁膜によって相互に絶縁された多層構造が形成されている。これら導電部及び半導体素子は、絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して相互に電気的に接続されている。特許文献１は、コンタクトホール径を小さくすることによって画素ピッチの微細化が可能な電気光学装置を開示している。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２４９３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば、画素電極等の導電膜と、ＴＦＴ等の半導体素子及び導電膜を中継する中継層とをコンタクトホールを介して電気的に接続した場合、画素電極等の導電膜は点状の領域でコンタクトホールに接触するため、導電膜及びコンタクトホールの接続抵抗が増大してしまう問題点がある。加えて、画素ピッチの微細化が進展するに伴い、実質的に光を透過させる画素の開口領域を避けるように基板上の狭い領域にコンタクトホールを精度良く形成することも技術的に困難になるうえ、電気光学装置を製造する際の製造プロセスの煩雑化及び歩留まりの低下も招く。
【０００５】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、画素電極等の導電膜とその下層側に形成された中継層との接続抵抗を低減可能な電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の表示領域において互いに交差するように形成された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のうち一の画素電極に画像信号を供給するための画素スイッチング用素子と、前記一の画素電極と相互に重なり、且つ前記一の画素電極に接する第１部分を有しており、前記画素スイッチング用素子及び前記一の画素電極を電気的に中継する中継層とを備える。
【０００７】
本発明に係る電気光学装置によれば、複数の画素電極の夫々は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極であり、複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して基板上の表示領域にマトリクス状に配列されている。
【０００８】
画素スイッチング用素子は、例えば基板上に形成されたＴＦＴ（Thin Film transistor）等の半導体素子であり、一の画素電極が形成された画素部に設けられている。ＴＦＴ等の画素スイッチング用素子のゲートには、走査線を介して走査信号が供給される。画素スイッチング用素子は、走査信号の供給に応じてオンオフが切り換えられ、データ線を介して供給された画像信号を一の画素電極に供給する。複数の画素電極上には、例えば、液晶等の電気光学物質の配向を規制する配向膜が形成されている。このような配向膜は、例えばラビング処理されたポリイミド膜等の有機膜、或いはＳｉＯ等の無機材料を斜方蒸着法等の膜形成法を用いて成膜してなる無機膜である。
【０００９】
中継層は、導電材料を用いて形成されており、一の画素電極と相互に重なり、且つ一の画素電極に接する第１部分を有しており、画素スイッチング用素子及び一の画素電極を電気的に中継する。したがって、点状の接続部を有するコンタクトホールを介して中継層及び一の画素電極を相互に電気的に接続する場合に比べて、接続抵抗を低減できる。より具体的には、第１部分が一の画素電極に接し、且つ重なっているため、面状の接触部である第１部分によって中継層及び一の画素電極が相互に電気的に接続されていることになる。このため、中継層及び一の画素電極の接触面積を大きく取ることが可能であり、接触面積を大きく取れる分、中継層及び一の画素電極の接続抵抗を低減することが可能である。尚、第１部分及び一の画素電極は、相互に重なり、且つ接していればよいため、第１部分及び一の画素電極のどちらが上層側に形成されていてもよい。
【００１０】
加えて、中継層を直接一の画素電極に接続することによって、中継層及び一の画素電極を接続するためのコンタクトホールを形成しなくてもよいため、コンタクトホールを形成する製造プロセスを省略でき、電気光学装置の製造プロセスの簡略化、及び歩留まりの向上が可能になる。
【００１１】
このように本発明に係る電気光学装置によれば、中継層及び一の画素電極の接続抵抗を低減できるため、例えば、接続抵抗に起因する信号遅延の低減、及び接続抵抗において消費される消費電力をでき、高品位の画像を低い消費電力で表示することが可能である。加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、当該電気光学装置の製造プロセスの簡略化でき、且つ歩留まりを向上させることが可能になる。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記中継層は、金属膜と、前記金属膜上に形成され、且つ前記金属膜を保護する保護膜とを有していてもよい。
【００１３】
この態様によれば、中継層は、例えば、アルミニウム等の金属膜と、アルミニウム等の金属膜がＩＴＯ等の画素電極に含まれる酸素（Ｏ）によって酸化されないように当該金属膜を保護するチタン（Ｔｉ）或いは酸化チタン（ＴｉＯ）等の保護膜とからなる多層構造を有している。したがって、この態様によれば、中継層が酸化することによる当該中継層の導電率の低下を低減できる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１部分は、前記複数の画素電極のうち前記一の画素電極に相隣接する他の画素電極及び前記一の画素電極が配列された配列方向に交わる方向に沿って延びていてもよい。
【００１５】
この態様によれば、第１部分は、他の画素電極及び一の画素電極間、即ち非開口領域から配列方向に交わる方向に沿って延びているため、一の画素電極及び第１部分の接触面積を、配列方向に交わる方向に沿ってより大きく取ることが可能である。したがって、配列方向に交わる方向に沿って一の電極面積及び第１部分の重なり面積を大きく取るほど、一の画素電極及び中継層の接触面積を増大させることができ、コンタクトホールを介して中継層及び一の画素電極を電気的に接続する場合に比べて、一の画素電極及び中継層の接続抵抗をより一層低減できる。
【００１６】
この態様では、前記中継層は、前記一の画素電極及び前記他の画素電極間において前記配列方向に交わる方向に延びる第２部分を有しており、前記中継層のうち少なくとも前記第２部分は、前記一の画素電極及び前記他の画素電極間に入射する光を遮る遮光膜として兼用されていてもよい。
【００１７】
この態様によれば、中継層は、例えば非透明な導電膜で構成されており、光源から一の画素電極及び他の画素電極間に入射する入射光を遮光する遮光膜として兼用される。したがって、この態様によれば、別途遮光膜を形成しなくても、画素電極の下層側に形成されたＴＦＴ等の画素スイッチング用素子を遮光でき、当該素子に生じる光リーク電流を低減できる。尚、この態様によれば、第２部分だけでなく、第１部分も遮光膜として機能することも可能である。
【００１８】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００１９】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００２０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しながら本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。
【００２２】
＜１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら本実施形態に係る電気光学装置を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００２３】
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる画素領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００２５】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００２６】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２７】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００２８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング素子としてのＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後に形成された複数の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなり、配向膜１６は、ポリイミド膜などの有機膜、或いは斜方蒸着法を用いて形成された無機配向膜である。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板、あるいはシリコン基板等の半導体基板である。
【００２９】
他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。対向基板２０は、ＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３０】
対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。配向膜２２は、配向膜１６と同様の材料及び膜形成方法によって形成されている。
【００３１】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３２】
＜２：画素部の電気的な接続構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の画素部の電気的な接続構成を詳細に説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００３３】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及び本発明の「画素スイッチング用素子」の一例であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３４】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００３５】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置から画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０が付加されている。これにより、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラストやフリッカといった表示特性の向上が可能となる。
【００３６】
尚、本実施形態に係る液晶装置１では、データ線６ａのうち互いに隣接するデータ線毎に互いに異なる極性、即ち対向電極２１の電位に対して互いに異なる極性の画像信号が供給される垂直ライン反転駆動（１Ｓ反転駆動）、或いは互いに隣接する画素毎に互いに異なる極性の画像信号が供給されるドット反転駆動が採用される。
【００３７】
＜３：画素部の具体的な構成＞
次に、図４乃至図６を参照しながら、液晶装置１における画素部の具体的な構成を説明する。図４は、液晶装置１における画像表示領域１０ａの一部を拡大して示した拡大平面図である。図５及び図６は、図４のＶ−Ｖ´断面図、及びＶＩ−ＶＩ´断面図である。
【００３８】
図４、図５及び図６において、液晶装置１は、複数の画素電極９ａ、走査線１１ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ３０、コンタクトホール８１、８２及び８３、第１中継層８４、本発明の「中継層」の一例である第２中継層８５を備えている。
【００３９】
複数の画素電極９ａは、図中、本発明の「配列方向」の一例であるＸ方向、及び本発明の「配列方向に交わる方向」の一例であるＹ方向の夫々に沿って配列されている。複数の画素電極９ａのうち画素電極９ａ１が、本発明の「一の画素電極」の一例であり、Ｘ方向に沿って画素電極９ａ１に相隣接して配置された画素電極９ａ２が、本発明の「他の画素電極」の一例である。
【００４０】
走査線１１ａは、Ｙ方向に沿って互いに隣接する画素電極９ａ間の領域に重なるようにＸ方向に沿って延びている。走査線１１ａは、図中下側からＴＦＴ３０に照射される光を遮光する遮光膜としても機能する。データ線６ａは、Ｘ方向に沿って互いに隣接する画素電極９ａの間の領域に重なるようにＹ方向に沿って延びている。
【００４１】
ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３ａを備えて構成されおり、互いに隣接する画素電極９ａの間の領域に形成されている。半導体層１ａは、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有しており、ゲート電極３ａは、半導体層１ａに形成されたチャネル領域に重なるようにＸ方向に延びている。
【００４２】
ゲート電極３ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して走査線１１ａに電気的に接続されている。半導体層１ａのソース領域、即ちデータ線６ａに電気的に接続される領域は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介してデータ線６ａに電気的に接続されている。
【００４３】
半導体層１ａのドレイン領域、即ち画素電極９ａ１に電気的に接続される領域は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８２、第２層間絶縁膜４２上に形成された第１中継層８４、第３層間絶縁膜４３に形成されたコンタクトホール８６、及び第２中継層８５を介して画素電極９ａ１に電気的に接続されている。ＴＦＴ３０は、走査線１１ａを介して供給された走査信号に応じてオンオフされ、データ線６ａを介して供給された画像信号が画素電極９ａ１に供給される。
【００４４】
第２中継層８５は、画素電極９ａ１に重なり、且つ接する第１部分８５ｐ１と、画素電極９ａ１及び９ａ２間において配向膜１６の直下に延びる第２部分８５ｐ２とを有している。
【００４５】
第２部分８５ｐ２は、画素電極９ａ１及び画素電極９ａ２間の領域、即ち実質的に光を透過させない非開口領域に形成されており、配向膜１６の下面で当該配向膜１６に接している。言い換えれば、第２部分８５ｐ２は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された積層構造を構成する層のうち最も上層に位置する配向膜１６の直下に配置されている。
【００４６】
対向電極２１は、配向膜１６を介して複数の画素電極９ａ及び第２部分８５ｐ２に対向している。対向電極２１には、例えば固定電位が供給され、当該固定電位及び各画素電極９ａの電位の差に応じた電圧が液晶層５０に印加されることによって液晶層５０に含まれる液晶の配向状態が制御され、画像表示領域１０ａに画像信号に応じた画像が表示される。
【００４７】
液晶装置１の駆動時には、第２部分８５ｐ２の電位及び対向電極２１の電位の差に応じて、液晶層５０の層厚方向に沿って画素電極９ａ１及び画素電極９ａ２間の領域、即ち非開口領域において縦電界Ｅｖが生じる。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿って９ａ１及び画素電極９ａ２間に横電界Ｅｈが生じた場合でも、縦電界Ｅｖによって横電界Ｅｈを低減できる。加えて、第２中継層８５は、配向膜１６の直下に配置されているため、ＴＦＴアレイ基板１０上において画素電極９ａ１の下層側に第２中継層８５を形成する場合に比べて、第１中継層８５及び対向電極２１の間隔が狭められている。したがって、第２部分８５ｐ２及び対向電極２１間に生じる縦電界Ｅｖの強度を高めることができ、液晶の配向不良を生じさせる横電界Ｅｈの影響をより効果的に減らすことが可能である。このような縦電界Ｅｖによれば、横電界Ｅｈに起因して生じる光漏れ等の表示不良を低減できる。
【００４８】
第１部分８５ｐ１は、Ｘ方向に沿って画素電極９ａ１及び９ａ２間の領域から画素電極９ａ１の下側に延び、且つ画素電極９ａ１に接している。したがって、第２中継層８５は、第１部分８５ｐ１を介して画素電極９ａ１に直接電気的に接続されているため、ＴＦＴ３０及び画素電極９ａ１が電気的に接続されていることになる。加えて、第１部分８５ｐ１は、コンタクトホールと異なり、一定の面積を有したＸ方向に沿って面状に延びる部分であり、コンタクトホールを介して第２中継層８５及び画素電極９ａ１を電気的に接続する場合に比べて、第２中継層８５及び画素電極９ａ１の接触面積を大きく取ることが可能である。したがって、接触面積を大きく取れる分、第２中継層８５及び画素電極９ａ１の接続抵抗が低減され、接続抵抗に起因する信号遅延の低減、及び接続抵抗において消費される消費電力をできる。よって、液晶装置１は、高品位の画像を低い消費電力で表示することが可能である。
【００４９】
また、第２中継層８５を直接画素電極９ａ１に接続することによって、第２中継層８５及び画素電極９ａ１を接続するためのコンタクトホールを形成しなくてもよいため、コンタクトホールを形成する製造プロセスを省略でき、液晶装置１の製造プロセスの簡略化、及び歩留まりの向上が可能になる。このようなコンタクトホール形成工程の簡略化による歩留まり向上の効果は、画素ピッチの微細化が進展した場合、即ちコンタクトホールを形成するためのスペースを確保することが困難になるほど大きくなる。
【００５０】
図４に示すように、第１部分８５ｐ１及び第２部分８５ｐ２は、Ｙ方向に沿って延びている。したがって、画素電極９ａ１及び９ａ２間の非開口領域において、第２部分８５ｐ２が対向電極２１に重なる面積をより大きくすることができるため、当該非開口領域の広い範囲で縦電界Ｅｖを発生させることが可能である。このような第２部分８５ｐ２によれば、非開口領域において発生する横電界Ｅｈをより一層低減できる。
【００５１】
加えて、第１部分８５ｐ１がＹ方向に沿って延びているため、第１部分８５ｐ１及び画素電極９ａ１が相互に接触する接触面積をより大きくすることが可能であり、第２中継層８５及び画素電極９ａ１の接続抵抗をより一層低減できる。
【００５２】
図５及び図６に示すように、第１中継層８５は、金属膜８５ａ及び保護膜８５ｂが積層された多層構造を有している。金属膜８５ａは、アルミニウム等の金属材料で構成されており、保護膜８５ｂは、チタン（Ｔｉ）或いは酸化チタン（ＴｉＯ）等の材料から構成されている。保護膜８５ｂは、ＩＴＯで構成される画素電極９ａ１によって金属膜８５ａが酸化されないように金属膜８５ａを保護する。したがって、保護膜８５ｂによれば、金属膜８５ａが酸化することによって生じる第２中継層８５の導電率の低下を低減できる。
【００５３】
第２中継層８５は、金属膜８５ａ及び保護膜８５ｂから構成された非透明な膜であるため、画素電極９ａ１及び９ａ２間に入射する光を遮る遮光膜として兼用されている。したがって、第２中継層８５は、第２中継層８５の下層側に位置するＴＦＴ３０の全体或いは一部を、図中上側から入射する入射光が照射されないように遮光できる。このような第２中継層８５によれば、別途遮光膜を形成しなくても、画素電極９ａの下層側に形成されたＴＦＴ３０等の画素スイッチング用素子を遮光でき、当該素子に生じる光リーク電流を低減できる。特に、本実施形態では、画素電極９ａ１及び９ａ２の間の領域において、第２部分８５ｐ２がＹ方向に沿って延びているため、これら画素電極間の領域の大部分を遮光できる。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、第２中継層８５及び画素電極９ａ１の接触面積を大きく取ることができることにより、第２中継層８５及び画素電極９ａ１の接続抵抗が低減され、接続抵抗に起因する信号遅延の低減、及び接続抵抗において消費される消費電力をできる。よって、液晶装置１は、高品位の画像を低い消費電力で表示することが可能である。
【００５５】
（変形例）
次に、図７乃至図９を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の変形例を説明する。図７は、本実施形態に係る電気光学装置の一変形例の構成を示した部分断面図である。図８は、本実施形態に係る電気光学装置の他の変形例の構成を示した拡大断面図であり、図９は、図８のＩＸ−ＩＸ´断面図である。尚、以下の変形例では、上述した液晶装置１と同様の部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００５６】
図７において、本例に係る液晶装置では、画素電極９ａ１の上面に形成された第２中継層８６が、画素電極９ａ１に重なり、且つ画素電極９ａ１に接している。第２中継層８６は、画素電極９ａ１及び９ａ２間の領域に延びる第２部分８６ｐ２と、画素電極９ａ１に重なる第１部分８６ｐ１とを有しており、第１部分８６ｐ１が画素電極９ａ１に接していることによって第２中継層８６及び画素電極９ａ１の接続抵抗が低減されている。第２中継層８６は、画素電極９ａ１に接する保護膜８６ｂ上に金属膜８６ａが積層された積層構造を有しており、チタン（Ｔｉ）等で構成された保護膜８６ｂは、アルミニウム等の金属材料で構成された金属膜８６ａがＩＴＯで構成された画素電極９ａ１によって酸化されないように、金属膜８６ａを保護する。このように、第２中継層８６は、画素電極９ａ１の上側に乗り上げるように形成されていてもよい。
【００５７】
次に、図８及び図９を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の他の変形例を説明する。本例に係る電気光学装置では、その駆動時に、マトリクス状に配列された複数の画素電極９ａのうちＹ方向に沿って互いに異なる行に配置された画素電極９ａに、対向電極２１の電位を基準として互いに異なる極性の電位が供給される水平ライン反転駆動（１Ｈ反転駆動）が採用されている。
【００５８】
図８及び図９において、本例に係る液晶装置では、本発明の「一の画素電極」の一例である画素電極９ａ１と、本発明の「他の画素電極」の一例である画素電極９ａ３との間の領域において、Ｘ方向に沿って第２中継層８７が延びている。第２中継層８７は、画素電極９ａ１及び９ａ３間においてＸ方向に沿って延びる第２部分８７ｐ２及び第１部分８７ｐ１を有している。
【００５９】
第１部分８７ｐ１は、Ｘ方向に延びており、画素電極９ａ１に重なり、且つ画素電極９ａ１に接している。したがって、コンタクトホールを介して第２中継層８７及び画素電極９ａ１を接続する場合に比べて、第２中継層８７及び画素電極９ａ１の接触面積を大きくとることができ、第２中継層８７及び画素電極９ａ１の接続抵抗を低減できる。
【００６０】
第２部分８７ｐ２は、画素電極９ａ１及び９ａ３間に領域において配向膜１６の直下に形成されている。したがって、対向電極２１及び第２部分８７ｐ２間で縦電界Ｅｖが生じ、画素電極９ａ１及び９ａ３間に生じる横電界Ｅｈを効果的に弱めることが可能である。加えて、第２中継層８７は、金属膜８７ａ及び画素電極９ａ１に接する保護膜８７ｂから構成された多層構造を有しているため、金属膜８７ａの酸化を低減できる。
【００６１】
＜４：電子機器＞
次に、以上詳細に説明した電気光学装置を電子機器に適用する場合について説明する。
【００６２】
ここでは、この電気光学装置たる液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１０は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。図１０に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１００Ｒ、１００Ｂおよび１００Ｇに入射される。液晶装置１００Ｒ、１００Ｂおよび１００Ｇの構成は上述した液晶装置と同等であり、それぞれにおいて画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２では、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。これにより各色の画像が合成され、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０等にカラー画像が投写される。
【００６３】
本実施形態では、本発明の電気光学装置の一具体例として液晶装置を挙げて説明したが、本発明の電気光学装置は、その他にも例えば電子ペーパなどの電気泳動装置や、電子放出素子を用いた表示装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等として実現することができる。また、本発明に係る電気光学装置は、先に説明したプロジェクタの他にも、テレビジョン受像機や、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の各種の電子機器に適用可能である。
【００６４】
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】本実施形態係る電気光学装置における画像表示領域の一部を拡大して示した拡大平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ´断面図である。
【図６】図４のＶＩ−ＶＩ´断面図である。
【図７】本実施形態に係る電気光学装置の一変形例の構成を示した部分断面図である。
【図８】本実施形態に係る電気光学装置の他の変形例の構成を示した拡大断面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ´断面図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の一実施形態である液晶プロジェクタの構成を表す図式的断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１・・・液晶装置、９ａ・・・画素電極、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、３０・・・ＴＦＴ、８４・・・第１中継層、８５・・・第２中継層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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