(57)【要約】【課題】半導体素子の電極部と接続するビアコンタクトを有する半導体モジュールの接続信頼性を向上させる技術を提供する。【解決手段】半導体モジュールにおける半導体基板１の表面Ｓに半導体素子の電極２が形成される。この電極２のピッチをより広くするために電極２上にガラス繊維４ａを含有する絶縁層４が形成され、その上に再配線パターン８ａが形成される。ここで、電極２と再配線パターン８ａとの間の接続は、電極２に接続する導電性バンプ５ａとこの導電性バンプ５ａと接続するビアコンタクト８ｂからなるビアコンタクト部を介してなされる。導電性バンプ５ａの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）には絶縁層４内のガラス繊維４ａが形成され、ビアコンタクト８ｂはこうしたガラス繊維４ａを含む絶縁層４を貫通して形成される。再配線パターン８ａの所定の領域には外部接続電極９が設けられ、これ以外の領域はソルダーレジスト層１０により覆われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と、
前記第１の配線層の上に設けられ、内部に繊維状の充填材を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられた第２の配線層と、
前記絶縁層を貫通し、前記第１の配線層と前記第２の配線層とを電気的に接続するビア導体と、
を備え、
前記ビア導体は前記第１の配線層と接して設けられた第１の導体部とこの第１の導体部の上に設けられた第２の導体部とを有し、
前記第１の導体部における前記第２の導体部が設けられた面の上部に、前記繊維状の充填材が位置している、素子搭載用基板。
【請求項２】
前記ビア導体が設けられた領域では、その周囲の領域に比して、前記繊維状の充填材が前記第２の配線層側に凸状に設けられていることを特徴とした請求項１に記載の素子搭載用基板。
【請求項３】
前記第１の導体部は、前記第１の配線層と接する部分が逆メサ構造となっていることを特徴とした請求項１または２に記載の素子搭載用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の素子搭載用基板と、
前記素子搭載用基板に搭載された半導体素子と、
を備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体モジュールを備えることを特徴とする携帯機器。
【請求項６】
表面に第１の配線層を有する基板を準備する第１の工程と、
内部に繊維状の充填材を有する絶縁層の一方の面上に第１の導体部を形成する第２の工程と、
前記第１の配線層と前記第１の導体部とを接触させた状態で前記基板に前記絶縁層を圧着して前記第１の導体部を前記絶縁層内に埋め込むとともに、前記第１の導体部を前記繊維状の充填材に押し付ける第３の工程と、
前記絶縁層の他方の面から前記第１の導体部が露出するように開口部を形成する第４の工程と、
前記開口部内に第２の導体部を形成するとともに、この第２の導体部と接続する第２の配線層を形成する第５の工程と、
を備える、素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
前記第４の工程では、前記開口部をレーザの照射により形成することを特徴とした請求項６に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程では、前記第１の導体部を、前記絶縁層と接する部分に近づくにつれてその寸法が細くなるテーパ状の側面部を有するように形成することを特徴とした請求項６または７に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子搭載用基板、半導体モジュール、携帯機器および素子搭載用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・高機能化に伴い、電子機器に使用される半導体モジュールの小型化が求められている。これを実現するために半導体モジュールの外部接続電極間の狭ピッチ化が不可欠となるものの、はんだバンプ自体の大きさやはんだ付け時のブリッジ発生などが制約となり、外部接続電極の狭ピッチ化による小型化には限界があった。近年では、このような限界を克服するために、半導体モジュールに再配線を形成することによる外部接続電極の再配置が行われている。このような再配置の方法としては、たとえば、金属板をハーフエッチすることによって形成した突起構造を電極またはビアとし、金属板にエポキシ樹脂などの絶縁層を介して半導体モジュールを装着し、突起構造に半導体モジュールの外部接続電極を接続する方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
一方、こうした半導体モジュールにおいて金属板の突起構造との接続信頼性を向上させるために、突起構造の先端部に軟質金属被膜（たとえば、金被膜）あるいは電導性接着剤（たとえば、はんだペースト）など接着層を設け、この接着層を介して突起構造との接続を行う方法が提案されている（特許文献２および特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平９−２８９２６４号公報
【特許文献２】特開２００１−１４４２０６号公報
【特許文献３】特開平１１−２９８１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、一般に半導体モジュールの外部接続電極や突起構造を有する金属板などの材料には銅（Ｃｕ）が採用されるため、熱処理などの温度変化に応じて外部接続電極と接着層の界面（あるいは突起構造と接着層の界面）には材料間の熱膨張係数の差に起因した熱応力が発生する。特に今後、半導体モジュールのさらなる小型化を実現するために突起構造自体の微細化を進めていく場合には、外部接続電極と接着層との接触面積（あるいは突起構造と接着層との接触面積）が小さくなるため、こうした熱応力により外部接続電極と接着層との界面（あるいは突起構造と接着層との界面）で断線が発生することが懸念される。
【０００５】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、素子搭載用基板または半導体モジュールの電極部における接続信頼性を向上させる技術の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある態様は素子搭載用基板である。当該素子搭載用基板は、第１の配線層と、第１の配線層の上に設けられ、内部に繊維状の充填材を有する絶縁層と、絶縁層の上に設けられた第２の配線層と、絶縁層を貫通し、第１の配線層と第２の配線層とを電気的に接続するビア導体と、を備え、ビア導体は第１の配線層と接して設けられた第１の導体部とこの第１の導体部の上に設けられた第２の導体部とを有し、第１の導体部における第２の導体部が設けられた面の上部に、繊維状の充填材が位置していることを特徴とする。ここで、繊維状の充填材は、放熱性や強度の観点からガラス繊維が好適であり、フェルトまたはクロスの状態で絶縁層の中に含まれる。
【０００７】
この態様によれば、温度変化によって発生する第１の配線層とビア導体（特に第１の導体部）の界面での断線などが抑制され、第１の配線層とビア導体との間の接続信頼性（耐
熱信頼性）が向上した素子搭載用基板が提供される。これは、ビア導体を構成する第１の導体部の上部の面に繊維状の充填材を配置したことで、ビア導体に対して剥離方向（上下方向）の応力が加わっても繊維状の充填材が第１の導体部の移動を抑制し、第１の配線層との界面での剥離が抑制されるためである。これにより、素子搭載用基板の温度変化が生じても第１の配線層と第１の導体部との間に剥離が生じず、第１の配線層とビア導体の接続不良防止を図ることができる。
【０００８】
上記態様において、ビア導体が設けられた領域では、その周囲の領域に比して、繊維状の充填材が第２の配線層側に凸状に設けられていることが好ましい。このようにすることで、電極２とビアコンタクト部（特に導電性バンプ）との間にずれ応力が加わった場合、凸状に設けた繊維状の充填材によって導電性バンプのずれを防止することができるので、電極２とビアコンタクト部との間の接続信頼性をさらに高めることができる。
【０００９】
上記態様において、第１の導体部は、第１の配線層と接する部分が逆メサ構造となっていてもよい。この構成によれば、第１の導体部のアンカー効果（投錨効果）によりビア導体の上下方向に対する移動がさらに抑制され、第１の配線層とビア導体との間の密着性が向上する。このため、素子搭載用基板の熱応力に対する接続信頼性（耐熱信頼性）をさらに向上させることができる。
【００１０】
本発明の他の態様は半導体モジュールである。当該半導体モジュールは、上述したいずれかの態様の素子搭載用基板と、素子搭載用基板に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の態様は携帯機器である。当該携帯機器は、上述の半導体モジュールを備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明のさらに他の態様は素子搭載用基板の製造方法である。当該素子搭載用基板の製造方法は、表面に第１の配線層を有する基板を準備する第１の工程と、内部に繊維状の充填材を有する絶縁層の一方の面上に第１の導体部を形成する第２の工程と、第１の配線層と第１の導体部とを接触させた状態で基板に絶縁層を圧着して第１の導体部を絶縁層内に埋め込むとともに、第１の導体部を繊維状の充填材に押し付ける第３の工程と、絶縁層の他方の面から第１の導体部が露出するように開口部を形成する第４の工程と、開口部内に第２の導体部を形成するとともに、この第２の導体部と接続する第２の配線層を形成する第５の工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
この態様によれば、温度変化によって発生する第１の配線層と第１の導体部との界面での断線などが抑制され、第１の配線層と第２の配線層との間を電気的に接続するビア導体（第１の導体部および第２の導体部）の接続信頼性（耐熱信頼性）が向上した素子搭載用基板を製造することができる。また、第１の導体部の上面（第２の導体部と接する面）に繊維状の充填材を配置した素子搭載用基板を、基板上に絶縁層を圧着する工程において、絶縁層内に第１の導体部を埋設しながら自己整合的に形成することで形成できるため、こうした素子搭載用基板を製造する工程が簡便となる。このため、熱応力に対する接続信頼性（第１の配線層と第１の導体部との間の接続信頼性）の向上した素子搭載用基板を低コストで製造できる。
【００１４】
上記態様において、第４の工程では、開口部をレーザの照射により形成することが好ましい。ここで、レーザは炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）が好適である。この構成によれば、第１の配線層上に第１の導体部を形成した後、レーザの照射により開口部を加工し、その内部に第２の導体部を形成するので、たとえば、ドライエッチングにより開口部を形成する場合と比較して、ドライエッチングに起因したチャージアップダメージなどが第１の配線層を介して基板（たとえば、半導体素子などを設けた基板）に加わることがなくなり、素子搭載用基板の信頼性低下を抑制することができる。また、ビア導体の深さが同じであれば、第２の導体部の下側に第１の導体部を介在させることによりレーザの照射による開口部（第２の導体部に対応する開口部）の形成時間が短縮されるので、レーザの照射による熱の影響（熱による半導体素子へのダメージおよびそれに伴う半導体素子の信頼性劣化）を低減することができる。これらの結果、第１の配線層と接続されたビア導体（第１の導体部および第２の導体部）を有する素子搭載用基板の製造安定性（信頼性）を良好にすることができる。
【００１５】
上記態様において、第２の工程では、第１の導体部を、絶縁層と接する部分に近づくにつれてその寸法が細くなるテーパ状の側面部を有するように形成していることが好ましい。このようにすることで、第１の配線層と接触した状態で第１の導体部を絶縁層内に埋設する際、第１の導体部を絶縁層内にスムースに埋め込むことができる。このため、この工程のスループットを向上させることができ、製造安定性（信頼性）の向上した素子搭載用基板の低コスト化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半導体素子の電極部と接続するビアコンタクトを有する素子搭載用基板または半導体モジュールの接続信頼性を向上させる技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１８】
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの構成を示す概略断面図である。図１に基づいて第１実施形態の素子搭載用基板および半導体モジュールについて説明する。
【００１９】
半導体基板１は、Ｐ型シリコン基板などが採用され、その表面Ｓ（上面側）に周知の技術により所定の半導体素子（図示せず）が形成され、実装面となる表面Ｓ（特に周辺部）に半導体素子の電極２が形成されている。電極２の材料には一般にアルミニウム等の金属が採用される。この電極２の所定の領域が露出するように半導体基板１の表面上の領域には保護膜３が形成されている。半導体基板１の表面Ｓでは、電極２のピッチをより広くするために、電極２および保護膜３の上にガラス繊維４ａを含有する絶縁層４が形成され、その上に再配線パターン８ａが形成されている。ここで、電極２と再配線パターン８ａとの間の接続は、電極２の露出面に接続する導電性バンプ５ａとこの導電性バンプ５ａと接続するビアコンタクト８ｂからなるビアコンタクト部を介してなされている。導電性バンプ５ａの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）には絶縁層４内のガラス繊維４ａが被覆するように形成されている。ビアコンタクト８ｂはこうしたガラス繊維４ａを含む絶縁層４を貫通して形成されている。再配線パターン８ａの所定の領域には外部接続電極（はんだバンプ）９が設けられ、これ以外の領域はソルダーレジスト層１０により覆われている。なお、半導体基板１は本発明の「基板」、電極２は本発明の「第１の配線層」、絶縁層４は本発明の「絶縁層」、ガラス繊維４ａは本発明の「繊維状の充填材」、導電性バンプ５ａは本発明の「第１の導体部」、ビアコンタクト８ｂが本発明の「第２の導体部」、導電性バンプ５ａとビアコンタクト８ｂからなるビアコンタクト部が本発明の「ビア導体」、及び再配線パターン８ａは本発明の「第２の配線層」の一例である。
【００２０】
具体的には、ガラス繊維４ａを含有する絶縁層４は、編み込まれたガラス繊維（たとえば、紙面横方向に延在する繊維と紙面鉛直方向に延在する繊維とが交差している状態のガラス繊維）に樹脂を含浸させたタイプの膜であり、半導体基板１の表面Ｓ（上面側）に形成され、その厚さは、たとえば、約１００μｍである。ここで、ガラス繊維４ａは絶縁層４内の中央部分に設けられ、その厚さは、たとえば、約２０μｍである。絶縁層４の樹脂部分は加圧したときに塑性流動を引き起こす材料からなる。加圧したときに塑性流動を引き起こす材料としてはエポキシ系熱硬化型樹脂が挙げられる。絶縁層４に採用されるエポキシ系熱硬化型樹脂は、たとえば、温度１６０℃、圧力８ＭＰａの条件下で、粘度が１ｋＰａ・ｓの特性を有する材料であればよい。また、温度１６０℃の条件下で、この材料は１５ＭＰａで加圧した場合に、加圧しない場合と比較して、樹脂の粘度が約１／８に低下する。
【００２１】
導電性バンプ５ａには銅（Ｃｕ）等の金属が採用される。導電性バンプ５ａは電極２に対応する位置に設けられ、電極２の露出面に直に接触して絶縁層４内に埋設されている。一方、導電性バンプ５ａの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）にはガラス繊維４ａが被覆するように形成されている。導電性バンプ５ａの高さは、たとえば、約５０μｍである。また、導電性バンプ５ａは、円錐台（断面形状が台形状）に設けられ、半導体基板１の電極２との接触面と平行な先端部と、この先端部に近づくにつれて径（寸法）が細くなるように形成された側面部５ａ１とを備えている。導電性バンプ５ａの先端の径および基面の径は、それぞれ約８０μｍφおよび約１００μｍφである。なお、導電性バンプ５ａが形成された領域では、その周囲の領域に比べて、ガラス繊維４ａは再配線パターン８ａ側に凸状に変形して形成されている。この凸状部分の高さ（Ｈ）は約１０μｍである。
【００２２】
再配線パターン８ａは、絶縁層４の上に形成され、その厚さは、たとえば、約２０μｍである。再配線パターン８ａは、たとえば、銅（Ｃｕ）等の金属が採用され、絶縁層４の開口部７内に設けたビアコンタクト８ｂを介して導電性バンプ５ａと電気的に接続されている。ここで、ビアコンタクト８ｂは開口部７（開口幅：約１００μｍ）の内面を被覆するように設けられ、再配線パターン８ａと一体的に形成されている。なお、電極２の上には導電性バンプ５ａが介在するので、ビアコンタクト８ｂ（開口部７）の深さは約３０μｍであり、電極２に対して直接ビアコンタクト（開口部）を形成する場合に比べてその深さは浅くなっている。
【００２３】
以上のように、本発明の第１実施形態では、半導体基板１の電極２に対して導電性バンプ５ａおよびビアコンタクト８ｂを介して再配線パターン８ａを形成することで、電極２の再配置が行われ、半導体モジュールからの信号を外部に取り出すようにしている。
（製造方法）
図２は第１実施形態の導電性バンプ付き絶縁層の形成方法を説明するための概略断面図であり、図３は第１実施形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの製造プロセスを説明するための概略断面図である。次に、図１〜図３を参照して、第１実施形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの製造プロセスについて説明する。
【００２４】
まず、図２（Ａ）に示すように、内部に厚さ２０μｍのガラス繊維４ａを含有するとともに、エポキシ系熱硬化型樹脂ならなり、約１００μｍの厚みを有する絶縁層４の上に約３μｍの厚みを有する銅箔５ｚを形成する。
【００２５】
図２（Ｂ）に示すように、無電解めっき法および電解めっき法を用いて銅箔５ｚの表面上に銅をめっきする。これにより、絶縁層４上に約５０μｍの厚みを有する銅層５が形成される。なお、この銅層５として、約５０μｍの厚みを有する圧延された銅からなる圧延金属を採用し、これをガラス繊維４ａを含有する絶縁層４の上に予め形成するようにしてもよい。
【００２６】
図２（Ｃ）に示すように、通常のリソグラフィ法を用いて銅層５上における導電性バンプ形成領域にレジストマスク６を形成する。ここで、導電性バンプ形成領域は、図１に示した半導体基板１の電極２の位置に対応する。
【００２７】
図２（Ｄ）に示すように、上記レジストマスク６をマスクとして薬液を用いたウェットエッチング処理を行い、所定の円錐台パターンを有する導電性バンプ５ａを形成する。この際、導電性バンプ５ａはその先端に近づくにつれて径（寸法）が細くなるテーパ状の側面部５ａ１を有するように形成する。ここでは、導電性バンプ５ａの高さを約５０μｍとし、導電性バンプ５ａの先端の径および基面の径をそれぞれ約８０μｍφおよび約１００μｍφとしている。そして、レジストマスク６を除去する。なお、一連の上記工程では、
熱硬化性樹脂である絶縁層４を完全に熱硬化させないためにその熱硬化温度まで加熱しないようにして、絶縁層４が半硬化の状態（流動しやすい状態）を維持するようにしている。
【００２８】
このように製造した導電性バンプ５ａ付き絶縁層４を別途用意しておき、以下に説明する第１実施形態での半導体モジュールの製造プロセスに採用する。
【００２９】
まず、図３（Ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板などの半導体基板１に対して、その表面Ｓ（上面側）に周知の技術により所定の半導体素子（図示せず）およびその周辺部あるいは上部に電極２を形成する。電極２の材料には一般にアルミニウム等の金属が採用される。この電極２の所定部分が露出するように半導体基板１の表面Ｓ上の領域に、半導体基板１を保護するための絶縁性の保護膜３を形成する。保護膜３としては、たとえば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等が採用される。
【００３０】
図３（Ｂ）に示すように、半導体基板１の電極２の上に導電性バンプ５ａの先端部を接触させるように配置する。なお、導電性バンプ５ａ付き絶縁層４の形成方法は上記の通りである。
【００３１】
図３（Ｃ）に示すように、上記のように配置した上で、プレス装置を用いて加圧成形することにより、半導体基板１、導電性バンプ５ａ、及び絶縁層４を一体化する（圧入するステップ）。プレス加工時の圧力および温度は、それぞれ約５ＭＰａおよび２００℃である。このプレス加工により、絶縁層４の粘度が低下し、絶縁層４は塑性流動を起こす。これにより、導電性バンプ５ａは電極２と接触した状態で絶縁層４内に自己整合的に埋設される。ここで、ガラス繊維４ａの片側に位置する絶縁層の厚さが約４０μｍであり、導電性バンプ５ａの高さが約５０μｍであるため、加圧整形の際に導電性バンプ５ａは絶縁層４内のガラス繊維４ａに押し付けられ、ガラス繊維４ａを凸状に変形させる。これにより、ガラス繊維４ａは導電性バンプ５ａが形成された領域において凸状に形成される。なお、この凸状部分の高さ（Ｈ）は約１０μｍである。
【００３２】
引き続き、絶縁層４に熱処理（１５０℃、３０分）を加えることにより、絶縁層４を完全硬化する（硬化するステップ）。この結果、半導体基板１の上に絶縁層４が圧着固定されるとともに、導電性バンプ５ａが電極２と接触した状態で絶縁層４内に固着され、その上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）を絶縁層４内のガラス繊維４ａが被覆するように形成される。
【００３３】
図３（Ｄ）に示すように、絶縁層４の上面からレーザを照射して導電性バンプ５ａが露出するように開口部７を形成する。ここで、レーザ照射には、たとえば、炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）を採用し、第一条件およびパルス幅を変更させた第二条件の２段階で照射する。０．２５ｍｓのパルス周期で、１．０Ｗの出力のレーザを用い、第一条件としては、たとえば、パルス幅が８〜１０μｓ、ショット数が１とすることができる。また、第二条件としては、たとえば、パルス幅が３〜５μｓ、パルス間隔が２５ｍｓ以上、ショット数が３とすることができる。これにより、絶縁層４の表面から導電性バンプ５ａの方向に行くにつれて径が縮小するテーパ形状の側壁を有する開口部７が形成される。なお、この際、開口部７は絶縁層４内のガラス繊維４ａを含めて貫通して形成される。
【００３４】
図３（Ｅ）に示すように、無電解めっき法および電解めっき法を用いて絶縁層４の上面および開口部７の内面上に銅を約２０μｍの厚みでめっきする。この結果、絶縁層４上に約２０μｍの厚みを有する銅めっき層８が形成されるとともに、開口部７内にその内壁を被覆するようにビアコンタクト８ｂが形成される。なお、開口部７を形成する際、その内面に露出するガラス繊維４ａを開口部７内に突出するように加工することで、開口部７内
における銅めっき層８との密着性を高めることができる。
【００３５】
最後に、図１に示したように、通常のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて銅めっき層８を加工することにより所定のライン／スペースパターンを有する再配線パターン８ａとなるようにパターニングする。そして、ソルダーレジスト層１０を、半導体基板１上の絶縁層４および再配線パターン８ａを覆い、再配線パターン８ａの電極パッド形成領域に開口部を有するように形成する。このソルダーレジスト層１０は再配線パターン８ａの保護膜として機能する。なお、ソルダーレジスト層１０にはエポキシ樹脂などが採用され、その膜厚は、たとえば、約４０μｍである。そして、はんだ印刷法を用いて、ソルダーレジスト層１０の開口部から露出する部分の再配線パターン８ａに対して外部接続端子として機能する外部接続電極（はんだボール）９を形成する。
【００３６】
これらの工程により、先の図１に示した第１実施形態の素子搭載用基板および半導体モジュールが製造される。
【００３７】
この第１実施形態の素子搭載用基板および半導体モジュールおよびその製造方法によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１）温度変化によって発生する電極２とビアコンタクト部（特に導電性バンプ５ａ）の界面での断線などが抑制され、電極２とビアコンタクト部との間の接続信頼性（耐熱信頼性）が向上した素子搭載用基板および半導体モジュールが提供される。これは、ビアコンタクト部を構成する導電性バンプ５ａの上面にガラス繊維４ａを配置したことで、ビアコンタクト部に対して剥離方向（上下方向）の応力が加わってもガラス繊維４ａが導電性バンプ５ａの移動を抑制し、電極２との界面での剥離が抑制されるためである。これにより、半導体モジュールの温度変化が生じても電極２と導電性バンプ５ａとの間に剥離が生じず、電極２とビアコンタクト部の接続不良防止を図ることができる。
（２）ビアコンタクト部（導電性バンプ５ａ）が設けられた領域において、その周囲の領域に比してガラス繊維４ａを再配線パターン８ａ側に凸状に設けたことで、電極２とビアコンタクト部（特に導電性バンプ５ａ）との間にずれ応力が加わった場合、凸状に設けたガラス繊維４ａによって導電性バンプ５ａのずれを防止することができるので、電極２とビアコンタクト部との間の接続信頼性をさらに高めることができる。
（３）ビアコンタクト部（導電性バンプ５ａ）が設けられた領域において、その周囲の領域に比してガラス繊維４ａを再配線パターン８ａ側に凸状に設けたことで、凸状に設けたガラス繊維４ａの復元力（ガラス繊維４ａが凸状態を解消して周囲の領域と同じ位置に戻ろうとする力）がビアコンタクト部を構成する導電性バンプ５ａの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）に作用するので、導電性バンプ５ａを電極２上により確実に固定することができる。
（４）絶縁層４内のガラス繊維４ａにより電極２上の導電性バンプ５ａの上下方向の移動を抑制したことで、従来のように軟質金属被膜（たとえば、金被膜）あるいは電導性接着剤（たとえば、はんだペースト）など接着層を介在させることなく、半導体モジュールにおける電極間（電極２とビアコンタクト部との間）の接続信頼性（耐熱信頼性）を向上することができる。
（５）この製造方法によれば、導電性バンプ５ａの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）にガラス繊維４ａを配置した素子搭載用基板を、半導体基板１上に絶縁層４を圧着する工程において、絶縁層４内に導電性バンプ５ａを埋設しながら自己整合的に形成できるため、こうした素子搭載用基板を製造する工程が簡便となる。このため、熱応力に対する接続信頼性（電極２と導電性バンプ５ａとの間の接続信頼性）の向上した素子搭載用基板を低コストで製造できる。
（６）導電性バンプ５ａを形成する領域において、その周囲の領域に比してガラス繊維４ａを再配線パターン８ａ側に凸状になるように変形させて形成したことで、凸状に変形されたガラス繊維４ａの復元力（ガラス繊維４ａが凸状態を解消して周囲の領域と同じ位置に戻ろうとする力）を導電性バンプ５ａの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）に作用
させることができるので、導電性バンプ５ａを電極２上により確実に固定した半導体モジュールを製造することができる。また、この状態の半導体モジュールを、半導体基板１上に絶縁層４を圧着する工程において、絶縁層４内に導電性バンプ５ａを埋設しながら自己整合的に形成できるため、こうした半導体モジュールを製造する工程が簡便となる。
（７）電極２上に導電性バンプ５ａを形成した後、レーザの照射により開口部７を加工し、その内部にビアコンタクト８ｂを形成したことで、たとえば、ドライエッチングにより開口部７を形成する場合と比較して、ドライエッチングに起因したチャージアップダメージなどが電極２を介して半導体基板（たとえば、半導体素子などが設けられた半導体基板）１に加わることがなくなり、半導体モジュールの信頼性低下を抑制することができる。また、ビアコンタクト部の深さが同じであれば、ビアコンタクト８ｂの下側に導電性バンプ５ａを介在させたことによりレーザの照射による開口部７の形成時間が短縮されるので、レーザの照射による熱の影響（熱による半導体素子へのダメージおよびそれに伴う半導体素子の信頼性劣化）を低減することができる。これらの結果、電極２と接続されたビアコンタクト部（導電性バンプ５ａとビアコンタクト８ｂ）を有する半導体モジュールの製造安定性を良好にすることができる。
（８）半導体基板１上に絶縁層４を圧着する際、半導体基板１に絶縁層４を半硬化の状態で圧着するステップと、絶縁層４を加熱して硬化するステップと、を含むようにしたことで、導電性バンプ５ａを絶縁層４内に自己整合的に埋設しつつ、導電性バンプ５ａの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）にガラス繊維４ａを容易に形成することができる。このため、素子搭載用基板をさらに低コストで製造することができる。
（９）電極２と接触した状態で導電性バンプ５ａを絶縁層４内に埋設したことで、従来のように絶縁層を貫通させて金属板の突起構造を電極と接続し、突起構造をビアコンタクト部とする場合に比べて、電極２と導電性バンプ５ａとの間に絶縁層が介在することがなくなるので、導電性バンプ５ａと電極２との接続信頼性が向上した半導体モジュールを安定して製造することができる。
（１０）導電性バンプ５ａ上にビアコンタクト８ｂを形成するようにしたことで、ビアコンタクト部の深さが同じであればビアコンタクト部を直接電極２と接続するように形成する場合に比べて対応する開口部の深さを浅くすることができるので、開口部形成時のレーザ照射時間（開口部の形成時間）を短くすることができ、素子搭載用基板製造時のスループットを向上させることができる。
（１１）導電性バンプ５ａ上にビアコンタクト８ｂを形成するようにしたことで、ビアコンタクト部の深さが同じであればビアコンタクト部を直接電極２と接続するように形成する場合に比べて対応する開口部の深さを浅くすることができるので、開口部内に形成する銅めっき層８（ビアコンタクト８ｂ）の被覆性を向上させることができ、ビアコンタクト部の接続信頼性を向上させることができる。
（１２）導電性バンプ５ａ上にビアコンタクト８ｂを形成するようにしたことで、ビアコンタクト部の深さが同じであればビアコンタクト部を直接電極２と接続するように形成する場合に比べて対応する開口部の深さが浅くなるので、開口部のアスペクト比を小さくすることができる。このため、開口部形成時の開口部深さに起因した製造バラツキが低減され、開口部形成のための高性能な装置を導入することなく、信頼性の向上した素子搭載用基板を容易に製造することができるようになる。また、これにより素子搭載用基板の製造コストを低減することができる。
（１３）導電性バンプ５ａ上にビアコンタクト８ｂを形成するようにしたことで、ビアコンタクト部の深さが同じであればビアコンタクト部を直接電極２と接続するように形成する場合に比べて対応する開口部の深さが浅くなる。一方、図１に示したようなテーパ状の側壁を有する開口部では、同じテーパ角度で、底部の開口寸法（面積）を同じに形成すると、開口部の深さが浅い方がテーパ形状に起因する開口寸法の広がりが小さくなる。このため、電極２に達する開口部を形成する場合に比べて絶縁層４の表面側での開口寸法を狭くすることができる。さらに、導電性バンプ５ａはエッチング加工時のオーバーエッチング処理によりリソグラフィ技術における開口部の解像限界以下にまで小さく形成すること
ができる。これらの結果、両者が積層配置されたビアコンタクト部を有する素子搭載用基板の小型化を図ることができる。
（１４）圧着により導電性バンプ５ａを絶縁層４内に埋設するようにしたことで、導電性バンプに相当する部分をレーザ照射やドライエッチングなどの技術を用いて形成する場合に比べて、レーザ照射やドライエッチングに起因したダメージが電極２を介して半導体基板１に影響することなく、電極２の上に導電性バンプ５ａを形成することができる。
【００３８】
（第２実施形態）
図４は本発明の第２実施形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールを説明するための概略断面図である。第１実施形態と異なる箇所は、圧着後における導電性バンプ５ｂの形状であり、導電性バンプ５ｂの先端が圧着の際に押し潰されて電極２との接触面に沿うように横方向にも一様に広がって変形し、導電性バンプ５ａの先端の形状が逆メサ構造となっていることである。ここで、逆メサ構造とは、導電性バンプ５ｂの先端部５ｂ２近傍の径（寸法）に比べ先端部５ｂ２で少なくともその径（寸法：特に電極２との接触面での寸法）が大きくなっている状態を示す。なお、導電性バンプ５ｂの先端部５ｂ２は、接触面に沿って全方向（周囲）に一様に変形している必要はなく、ある方向に偏って変形していてもよいし、ランダムな方向に、たとえば、星状に変形していてもよい。
【００３９】
このような先端部５ｂ２を有する導電性バンプ５ｂは、図３（Ｃ）に示したプレス装置を用いて加圧成形する際に、たとえば、その圧力を強めることで容易に製造することができる。それ以外については、第１実施形態で説明した構造および製造方法と同様である。
【００４０】
この第２実施形態の素子搭載用基板および半導体モジュールおよびその製造方法によれば、第１実施形態の上記（１）〜（１４）の効果に加え、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１５）導電性バンプ５ｂの先端の形状（電極２と接する部分の形状）を逆メサ構造としたことで、導電性バンプ５ｂのアンカー効果（投錨効果）によりビアコンタクト部の上下方向に対する移動がさらに抑制され、電極２とビアコンタクト部との間の密着性が向上する。このため、半導体モジュールの熱応力に対する接続信頼性（耐熱信頼性）をさらに向上させることができる。
（１６）半導体基板１上に絶縁層４を圧着する際、導電性バンプ５ｂの先端を変形させたことで、導電性バンプ５ｂの表面に形成されている自然酸化膜（図示せず）が破断し、酸化されていない銅（Ｃｕ）が露出した状態で電極２と接続されるので、両者の接続をより低抵抗にすることができる。
【００４１】
（第３実施形態）
図５は本発明の第３実施形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの構成を示す概略断面図である。第１実施形態と異なる箇所は、導電性バンプ５ｃの形状を電極２側からビアコンタクト８ｂに近づくにつれて径（寸法）が細くなる側面部５ｃ１（ビアコンタクト８ｂ側から電極２に近づくにつれて径（寸法）が太くなる側面部５ｃ１）を有するように形成したことである。それ以外については、先の第１実施形態と同様である。
【００４２】
具体的には、導電性バンプ５ｃには銅（Ｃｕ）等の金属が採用される。導電性バンプ５ｃは電極２に対応する位置に設けられ、電極２の露出面に直に接触して絶縁層４内に埋設されている。一方、導電性バンプ５ｃの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）にはガラス繊維４ａが被覆するように形成されている。ここで、導電性バンプ５ｃの高さは、たとえば、約５０μｍである。また、導電性バンプ５ｃは、逆円錐台（断面形状が逆台形状）に設けられ、半導体基板１の電極２との接触面と平行な先端部と、この先端部からビアコンタクト８ｂに近づくにつれてその径（寸法）が細くなるように形成されたテーパ状の側面部５ｃ１とを備えている。導電性バンプ５ｃの先端の径および基面の径は、それぞれ約１００μｍφおよび約８０μｍφである。なお、導電性バンプ５ｃが形成された領域では
、その周囲の領域に比べて、ガラス繊維４ａは再配線パターン８ａ側に凸状に変形して形成されている。その凸状部分の高さ（Ｈ）は約１０μｍである。
（製造方法）
図６は第３実施形態の導電性バンプ付き絶縁層の形成方法を説明するための概略断面図であり、図７は第３実施形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【００４３】
まず、図６（Ａ）に示すように、内部に厚さ２０μｍのガラス繊維４ａを含有するとともに、エポキシ系熱硬化型樹脂ならなり、約１００μｍの厚みを有する絶縁層４の上に約３μｍの厚みを有する銅箔５ｚを形成する。
【００４４】
図６（Ｂ）に示すように、通常のリソグラフィ法を用いて銅箔５ｚ上における導電性バンプ形成領域にレジストマスク６ａを形成する。ここで、導電性バンプ形成領域は、図５に示した半導体基板１の電極２の位置に対応する。
【００４５】
図６（Ｃ）に示すように、電解めっき法を用いてレジストマスク６ａの開口部における銅箔５ｚの表面上に銅をめっきする。これにより、絶縁層４上に約５０μｍの厚みを有する銅めっき層５ｚ１が形成される。
【００４６】
図６（Ｄ）に示すように、レジストマスク６ａを除去する。これにより銅箔５ｚ上に導電性バンプとなる銅めっき層５ｚ１が形成される。
【００４７】
図６（Ｅ）に示すように、薬液を用いて全面エッチバックを行い、導電性バンプ形成領域（銅めっき層５ｚ１部分）以外の不要な銅箔５ｚを除去する。この際、導電性バンプ５ｃは絶縁層４と接する部分に近づくにつれて径（寸法）が細くなるテーパ状の側面部５ｃ１を有するように形成される。ここでは、導電性バンプ５ｃの高さを約５０μｍとし、導電性バンプ５ｃの先端の径および基面の径をそれぞれ約１００μｍφおよび約８０μｍφとしている。なお、一連の上記工程では、熱硬化性樹脂である絶縁層４を完全に熱硬化させないためにその熱硬化温度まで加熱しないようにして、絶縁層４が半硬化の状態（流動しやすい状態）を維持するようにしている。
【００４８】
このように製造した導電性バンプ５ｃ付き絶縁層４を別途用意しておき、以下に説明する第３実施形態での素子搭載用基板および半導体モジュールの製造プロセスに採用する。
【００４９】
次に、図７（Ａ）に示すように、表面に電極２を有する半導体基板１を用意し、この電極２の上に導電性バンプ５ｃの先端部を接触させるように導電性バンプ５ｃ付き絶縁層４を配置する。なお、導電性バンプ５ｃ付き絶縁層４の形成方法は上記の通りである。
【００５０】
図７（Ｂ）に示すように、上記のように配置した上で、プレス装置を用いて加圧成形することにより、半導体基板１、導電性バンプ５ｃ、及び絶縁層４を一体化する。プレス加工時の圧力および温度は、第１実施形態と同様である。これにより、導電性バンプ５ｃは電極２と接触した状態で絶縁層４内に自己整合的に埋設される。なお、この際、導電性バンプ５ｃが絶縁層４と接する部分に近づくにつれて径（寸法）が細くなるように形成された側面部５ｃ１を有することにより、圧着時に導電性バンプ５ｃを絶縁層４内にスムースに埋め込むことができる。また、ガラス繊維４ａの片側に位置する絶縁層の厚さが約４０μｍであり、導電性バンプ５ｃの高さが約５０μｍであるため、加圧整形の際に導電性バンプ５ｃは絶縁層４内のガラス繊維４ａに押し付けられ、ガラス繊維４ａを凸状に変形させる。これにより、ガラス繊維４ａは、導電性バンプ５ｃが形成された領域において選択的に凸状に形成される。なお、この凸状部分の高さ（Ｈ）は約１０μｍである。
【００５１】
引き続き、絶縁層４に熱処理（１５０℃、３０分）を加えることにより、絶縁層４を完全硬化する。この結果、半導体基板１の上に絶縁層４が圧着固定されるとともに、導電性バンプ５ｃが電極２と接触した状態で絶縁層４内に固着され、その上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）に絶縁層４内のガラス繊維４ａが被覆して形成される。
【００５２】
これ以降は先の第１実施形態における図３（Ｄ）、図３（Ｅ）、及び図１で説明した工程を経て、第３実施形態の素子搭載用基板および半導体モジュールが製造される。
【００５３】
この第３実施形態の素子搭載用基板および半導体モジュールおよびその製造方法によれば、上記（１）〜（１４）の効果に加え、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１７）導電性バンプ５ｃを、絶縁層４と接する部分に近づくにつれてその径（寸法）が細くなるテーパ状の側面部５ｃ１を有するように形成したことで、電極２と接触した状態で導電性バンプ５ｃを絶縁層４内に埋設する際、導電性バンプ５ｃを絶縁層４内にスムースに埋め込むことができる。このため、こうした工程のスループットを向上させることができ、製造安定性（信頼性）の向上した素子搭載用基板の低コスト化を図ることができる。
（１８）導電性バンプ５ｃを、絶縁層４と接する部分に近づくにつれてその径（寸法）が細くなるテーパ状の側面部５ｃ１を有するように形成したことで、導電性バンプ５ｃにより絶縁層４内のガラス繊維４ａを凸状に変形させる際、外部から導電性バンプ５ｃに加わる圧力をガラス繊維４ａに押し付けられる部分に集中させることができるので、導電性バンプ５ｃがガラス繊維４ａを効果的に、且つ、効率的に変形させることができる。この結果、素子搭載用基板製造時のスループットを向上させることができる。
【００５４】
（第４実施形態）
次に、本発明の半導体モジュールを備えた携帯機器について説明する。なお、携帯機器として携帯電話に搭載する例を示すが、たとえば、個人用携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルビデオカメラ（ＤＶＣ）、及びデジタルスチルカメラ（ＤＳＣ）といった電子機器であってもよい。
【００５５】
図８は本発明の実施形態に係る半導体モジュールを備えた携帯電話の構成を示す図である。携帯電話１１１は、第１の筐体１１２と第２の筐体１１４が可動部１２０によって連結される構造になっている。第１の筐体１１２と第２の筐体１１４は可動部１２０を軸として回動可能である。第１の筐体１１２には文字や画像等の情報を表示する表示部１１８やスピーカ部１２４が設けられている。第２の筐体１１４には操作用ボタンなどの操作部１２２やマイク部１２６が設けられている。なお、本発明の各実施形態に係る半導体モジュールはこうした携帯電話１１１の内部に搭載されている。
【００５６】
図９は図８に示した携帯電話の部分断面図（第１の筐体１１２の断面図）である。本発明の各実施形態に係る半導体モジュール１３０は、外部接続電極９０を介してプリント基板１２８に搭載され、こうしたプリント基板１２８を介して表示部１１８などと電気的に接続されている。また、半導体モジュール１３０の裏面側（外部接続電極９０とは反対側の面）には金属基板などの放熱基板１１６が設けられ、たとえば、半導体モジュール１３０から発生する熱を第１の筐体１１２内部に篭もらせることなく、効率的に第１の筐体１１２の外部に放熱することができるようになっている。
【００５７】
本発明の実施形態に係る半導体モジュールを備えた携帯機器によれば、以下の効果を得ることができる。
（１９）上述したように、半導体モジュール１３０の接続信頼性が向上するので、こうした半導体モジュール１３０を搭載した携帯機器の信頼性が向上する。
（２０）半導体モジュール１３０の製造コストが低減されるので、こうした半導体モジュール１３０を搭載した携帯機器の製造コストを抑制することができる。
（２１）上記実施形態で示した製造方法により製造された半導体モジュール１３０は薄型化・小型化されるので、こうした半導体モジュール１３０を搭載した携帯機器の薄型化・小型化を図ることができる。
【００５８】
なお、本発明は、上記した各実施形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれうるものである。たとえば、各実施形態の構成を適宜組み合わせてもよい。
【００５９】
上記実施形態では、半導体基板１の電極２と再配線パターン８ａとの間を接続するビアコンタクト部（導電性バンプ５ａ〜５ｃとビアコンタクト８ｂ）を設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、多層配線基板内における下層配線層と上層配線層との間を接続するためのビアコンタクト部に適用してもよい。これによれば、多層配線基板の接続信頼性および製造安定性を良好にすることができ、多層配線基板を低コストで製造し提供することができる。
【００６０】
上記実施形態では、電極２と導電性バンプ５ａ〜５ｃとを異なる金属（アルミニウムと銅）を採用した例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、両者を同一の金属（銅など）を採用するようにしてもよい。この場合には、電極２と導電性バンプ５ａ〜５ｃの熱膨張係数が同じなるので、半導体モジュールの熱応力に対する接続信頼性（耐熱信頼性）をさらに向上させることができる。
【００６１】
上記実施形態では、開口部７内を被覆するようにビアコンタクト８ｂを設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、ビアコンタクト８ｂを含む再配線パターン８ａを形成する際、開口部７の開口寸法を狭くして、めっき液中に抑制剤および促進剤を添加することによって、開口部７内を銅めっきで完全に埋め込むようにビアコンタクト８ｂを形成するようにしてもよい。この場合、ビアコンタクト部を低抵抗化することができる。
【００６２】
上記実施形態では、円錐台（断面形状は台形状）で、所定のテーパ角の側面部５ａ１〜５ｃ１を有する導電性バンプ５ａ〜５ｃを採用した例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、所定の径を有する円柱状の導電性バンプであってもよい。また、導電性バンプとして円錐台の丸型のものを採用したが、四角形などの多角形であってもよい。この場
合にも少なくとも上記効果を享受することができる。
【００６３】
上記実施形態では、所定のテーパ角の側面部５ａ１〜５ｃ１を有する導電性バンプ５ａ〜５ｃとしてその断面形状が台形状である例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、矩形の導電性バンプの先端部に対して面取りを行い、側面部の一部のみをテーパ形状としてもよい。また、同様に先端部にのみ丸みを帯びさせた状態であってもよい。この場合にも少なくとも上記効果を享受することができる。
【００６４】
上記実施形態では、ビアコンタクト部（導電性バンプ５ａ〜５ｃ）が設けられた領域において、その周囲の領域に比してガラス繊維４ａを再配線パターン８ａ側に凸状に設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、絶縁層４内におけるガラス繊維４ａの位置を調整して、ガラス繊維４ａの底部側を導電性バンプ５ａ〜５ｃの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）の位置と略一致するようにし、ガラス繊維４ａが平面的に形成されるようにしてもよい。この場合、上記（２）、（３）、及び（６）以外の効果を享受することができる。
【００６５】
上記実施形態では、電極２上に導電性バンプ５ａ〜５ｃが直に接するように設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、従来のように軟質金属被膜（たとえば、金被膜）あるいは電導性接着剤（たとえば、はんだペースト）など接着層を介在させるようにしてもよい。この場合、絶縁層４内のガラス繊維４ａにより導電性バンプ５ａの上下方向の移動が抑制され、少なくとも接着層とビアコンタクト部（導電性バンプ５ａ〜５ｃ）との間の接続信頼性を向上させることができる。
【００６６】
上記実施形態では、レーザとして炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）を採用した例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、ＵＶレーザやＹＡＧレーザなどを採用してもよい。
【００６７】
上記第２実施形態では、導電性バンプ５ｂの先端の形状を逆メサ構造とした例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、導電性バンプの先端を変形させずに、導電性バンプの一部を電極２内に食い込ませるように形成してもよい。このようにすることで、電極２と導電性バンプとの接触面積が増加し、両者間の密着性が向上するので、電極２と導電性バンプとの間の接続信頼性を高めることができる。また、電極２とビアコンタクト部（特に導電性バンプ）との間にずれ応力が加わった場合、電極２に食い込ませた部分の導電性バンプによって両者のずれを防止することができるので、電極２とビアコンタクト部との間の接続信頼性をさらに高めることができる。
【００６８】
上記第２実施形態では、保護膜３の開口部内において導電性バンプ５ｂの先端を変形させた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、開口部外の保護膜３上にまで覆うように導電性バンプの先端を変形させてもよい。この場合には、導電性バンプの接触面積を保護膜３の開口部の面積（電極２の露出する面積）と一致させることができるため、電極２と導電性バンプとの抵抗バラツキを抑制することができる。この結果、電極２と接続されたビアコンタクト部（導電性バンプ５ｂとビアコンタクト８ｂ）を有する半導体モジュールの製造安定性を良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】第１実施形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの構成を示す概略断面図である。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｄ）は、第１実施形態における導電性バンプ付き絶縁層の形成方法を説明するための概略断面図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施形態による素子搭載用基板および半導体モジュールの製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【図４】第２実施形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの構成を示す概略断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの構成を示す概略断面図である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｅ）は、第３実施形態における導電性バンプ付き絶縁層の形成方法を説明するための概略断面図である。
【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）は、第３実施形態による素子搭載用基板および半導体モジュール置の製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【図８】第４実施形態に係る、半導体モジュールを備えた携帯電話の構成を示す図である。
【図９】図８に示した携帯電話の部分断面図（第１の筐体の断面図）である。
【符号の説明】
【００７０】
１・・・半導体基板、２・・・電極、３・・・保護膜、４・・・絶縁層、４ａ・・・ガラス繊維、５ａ・・・導電性バンプ、５ａ１・・・側面部、７・・・開口部、８ａ・・・再配線パターン、８ｂ・・・ビアコンタクト、９・・・外部接続電極（はんだバンプ）、１０・・・ソルダーレジスト層。
【図１】
2008177545.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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