(57)【要約】【課題】配線間のノイズをシールドする構成を有する半導体回路を少ない工数で製造する製造方法を提供する。【解決手段】図１（ａ）に示すように、下地メタル配線２１を形成し、層間膜１２を成膜する。このとき層間膜（１２）は下地メタル配線（２１）の凹凸形状に沿った形状となる。メタル素材を成膜して凹部にメタル素材を埋め込み、ＣＭＰ法を用いて平坦化し、その上に層間膜（１４）を成膜することで、ノイズシールド配線（２２）が形成される。このノイズシールド配線（２２）をＧＮＤ電位、もしくは電源電圧と同電位に固定することで、信号配線間のノイズを低減するノイズシールド配線として機能させる。下地メタル配線による凹凸形状の凹部を利用することで、従来技術に比べて少ない設計工数、製造工数でノイズシールド配線の形成が可能となる。【選択図】図１
2008021837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の表面上に配線を形成するステップと、
前記配線と前記所定の表面とを覆う絶縁膜を形成するステップと、
前記配線の形状に沿って前記絶縁膜の上面に形成された凹凸の凹部にノイズシールド配線を形成するステップ
とを具備する
半導体集積回路の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体集積回路の製造方法であって、
更に、前記ノイズシールド配線を電位が一定の配線に接続するステップ
を具備する
半導体集積回路の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載された半導体集積回路の製造方法であって、
前記絶縁膜の厚さは、前記配線の前記所定の表面に垂直な方向のサイズよりも小さい
半導体集積回路の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載された半導体集積回路の製造方法であって、
更に、前記絶縁膜を形成するステップの後に前記凹部を絶縁体により埋めるステップと、
前記絶縁膜の上面の一部の領域から前記絶縁体を取り去るステップ
とを具備し、
前記ノイズシールド配線は、前記一部の領域にのみ形成される
半導体集積回路の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された半導体集積回路の製造方法であって、
前記一部の領域は、フォトレジストに開口部を有するパターンを設けることによって設定される
半導体集積回路の製造方法。
【請求項６】
所定の表面上に配置された配線と、
前記配線と前記所定の表面とを覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に、前記所定の表面に垂直な方向に関して上端部と下端部が前記配線の上端部を挟む位置に配置されたノイズシールド配線
とを具備する
半導体集積回路。
【請求項７】
請求項６に記載された半導体集積回路であって、
前記ノイズシールド配線は電位が一定の配線に接続している
半導体集積回路。
【請求項８】
請求項６または７に記載された半導体集積回路であって、
前記絶縁膜の厚さは、前記配線の前記所定の表面に垂直な方向のサイズよりも小さい
半導体集積回路。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか１項に記載された半導体集積回路であって、
前記ノイズシールド配線は、前記所定の表面に設定された一部の領域にのみ配置される
半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路とその製造方法に関する。本発明は特に、半導体集積回路のノイズシールド配線に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の集積化が進み、信号配線が発生するノイズ、信号配線間に伝播するノイズの影響が無視できなくなり、ノイズの発生と伝搬を如何に抑えるかが、半導体集積回路の信頼性を考えた上で、非常に重要な要素となってきた。
【０００３】
特許文献１には、溝配線を用いてシールド配線を構成する技術が記載されている。図４を参照して、特許文献１に記載されている製造方法について説明する。図４（ａ）に示されるように複合膜１０５が形成される。図４（ｂ）に示されるようにフォトレジスト及びドライエッチング法にて複合膜１０５がエッチングされ、配線パターンとなる配線溝１０６が形成される。複合膜１０５の側壁へ側壁絶縁膜１０７が形成される。その後、図４（ｃ）に示されるように溝配線用メタル導電膜の第２の導電膜１０８が配線溝に埋め込まれることで、配線パターンとノイズシールド配線が配置される。図４（ｃ）に示されるように従来の方法では、第２の導電膜１０８が信号配線として、第１の導電膜１０４がノイズシールド配線として使用される。
【０００４】
非特許文献１には、多層配線層の間にシールド層が配置された半導体装置が提案されている。
【特許文献１】特開平８‐１８１４８５号公報
【非特許文献１】ＯＨ‐ＫＹＯＮＧ  ＫＷＯＮ，ｅｔ．ａｌ．，“Ｃｌｏｓｅｌｙ  Ｐａｃｋｅｄ  Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  Ｌｉｎｅｓ  ａｓ  Ｖｅｒｙ  Ｈｉｇｈ‐Ｓｐｅｅｄ  Ｃｈｉｐ‐ｔｏ‐Ｃｈｉｐ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ”，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ，Ｈｙｂｒｉｄｓ，ａｎｄ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  １９８７，Ｖｏｌ．ＣＨＭＴ−１０，Ｎｏ．３，ｐ３１４‐３２０．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の技術においては、ノイズシールド配線を構成するために、リソグラフィ法、ドライエッチング法、側壁への絶縁膜の成長や除去によって信号配線溝が形成される。この技術においては、新規レチクルの製造や、配線溝を作成する製造プロセス工程が必要になるなど、ノイズシールドを実現するためには膨大な設計工数、製造工数が必要となり、コスト増加や製造工期が延びるなどの悪い傾向にあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【０００７】
本発明による半導体集積回路の製造方法は、所定の表面上に配線（２１）を形成するステップと、配線と所定の表面とを覆う絶縁膜（１２）を形成するステップと、配線の形状に沿って絶縁膜の上面に形成された凹凸の凹部にノイズシールド配線（２２）を形成するステップとを備える。
【０００８】
本発明による半導体集積回路の製造方法は、好ましくは更に、絶縁膜を形成するステップの後に凹部を絶縁体（１３）により埋めるステップと、絶縁膜（１２）の上面の一部の領域から絶縁体を取り去るステップとを備え、ノイズシールド配線（２２）は、一部の領域にのみ形成される。
【０００９】
本発明による半導体集積回路は、所定の表面上に配置された配線（２１）と、前記配線と前記所定の表面とを覆う絶縁膜（１２）と、前記絶縁膜の上に、前記所定の表面に垂直な方向に関して上端部と下端部が前記配線の上端部を挟む位置に配置されたノイズシールド配線（２２）とを備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、下地配線のレイアウトパターンによって自然に発生する凹凸を使用することで、ノイズシールド配線用の溝配線の溝を掘ることなく、ノイズシールド溝配線が形成できる。例えば既存の製品にノイズシールド配線を追加する場合、新規に必要となる製品設計工数、半導体製造工程数が最小限に抑えられる。
【００１１】
本発明によれば、従来の製造方法では絶縁膜に埋設されていた配線間の層間領域に、ノイズシールド配線パターンが形成される。そのため、隣接する信号線に対して水平方向に伝搬するノイズが低減し、半導体集積回路の動作信頼性が向上する。
【００１２】
本発明によれば、ノイズシールド配線をＧＮＤもしくはＶＤＤ電位に固定することで、水平方向へのノイズが低減する。そのためＬＳＩの動作信頼性が向上し、より高速動作、より高集積密度設計の半導体集積回路が実現される。
【００１３】
本発明によれば、ノイズシールド配線パターン形成時にフォトリソグラフィ、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、ＣＭＰ法を併用する事により、ＬＳＩチップ内の所望の箇所、所望の信号配線に対してのみノイズシールド配線パターンを形成し、ノイズシールドが不要な箇所にはノイズシールド配線パターンを形成しないことが可能となる。
【００１４】
本発明によれば、ノイズシールド配線を構成する場所を任意で選択することができるため、ノイズをケアすべき信号配線と、信号伝播遅延が厳しい信号配線とで、ノイズシールド配線適用の有無を容易に選択することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。図１（ａ）は、実施の第１形態における半導体回路の断面図を示す。ノイズシールド配線が全面に形成されている。図１（ｂ）は、実施の第２形態における半導体回路の断面図を示す。ノイズシールド配線が任意の箇所のみに形成されている。
【００１６】
（実施の第１形態）
図２Ａ〜Ｄを参照して、図１（ａ）に示された構成を備える半導体回路の製造方法について説明する。本実施の形態における半導体回路の製造方法において、半導体基板及び酸化膜（ＳｉＯ２）などの絶縁膜に例示される下地材料の所定の表面が準備される。以下、そうした下地材料として、ＳｉＯ２膜に例示される酸化膜である下地酸化膜１１を用いて説明する。他の下地材料の場合でも、同様の効果が得られる。図２Ａを参照して、下地層間膜１１の上に、リソグラフィ法、ドライエッチング法に例示される方法により下地メタル配線２１が形成される。下地メタル配線２１の上に層間膜１２（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ  ＣＶＤにより形成されたＳｉＯ２膜に例示される絶縁体で形成された膜）が成膜される。このとき層間膜１２は下地メタル配線２１の凹凸形状に沿った形状で成膜される。そのため、層間膜１２の上面（下地層間膜１１から遠い側の面）は下地メタル配線２１の凹凸形状に近い凹凸形状である。本実施の形態においては、この凹凸形状の凹の箇所が溝配線として利用される。層間膜１２は、ＣＶＤ法による薄膜形成技術を用いて形成されることが好ましい。
【００１７】
図２Ｂを参照して、メタル素材（チタン、窒化チタン、アルミニウム、タングステン及び銅に例示される導体）でできた膜２２が成膜される。この成膜により、層間膜１２の上面の凹部にメタル素材が埋め込まれる。この状態で表面を平坦化するＣＭＰ法を用いることで、図２Ｃに示される形状が形成される。膜２２は、この平坦化によりノイズシールド配線２２に成形される。ノイズシールド配線２２は、配線２１とずれた位置に配置される。層間膜１２の上面とノイズシールド配線２２の上面とは概ね同一平面を形成する。
【００１８】
層間膜１２の厚さが下地メタル配線２１の高さ（下地層間膜１１の表面に垂直な方向の長さ）よりも小さければ、下地メタル配線２１の上面ＴＯ（下地層間膜１１の表面から遠い端の面）よりも、ノイズシールド配線２２の下面ＢＯの方が下方に位置する。即ち、下地層間膜１１の表面に平行なある断面ＣＲを設定すると、下地メタル配線２１とノイズシールド配線２２とが共にその断面ＣＲを横切る。下地メタル配線２１の上面ＴＯは断面ＣＲよりも上側に位置し、ノイズシールド配線２２の下面ＢＯは断面ＣＲよりも下側に位置する。こうした配置のノイズシールド配線２２を形成することが可能であることにより、ノイズシールド効果の設計の幅を広く取ることが可能である。更に、ノイズシールド効果を達成しつつ、高さ（下地層間膜１１に垂直な方向の長さ）を抑制した設計をすることができる。
【００１９】
図２Ｄに示すように、層間膜１４（ＳｉＯ２膜に例示される絶縁膜）などの絶縁膜にて層間膜１２とノイズシールド配線２２の上部を覆うことにより、ノイズシールド配線２２の周りが絶縁される。層間膜１４上に上地メタル配線２３が配置される。層間膜１５（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ  ＣＶＤにより形成されたＳｉＯ２膜に例示される絶縁体で形成された膜）が上地メタル配線２３の上に成膜される。
【００２０】
こうして得られた半導体装置は、図２Ｃに示されたように層間膜１２の厚さが下地メタル配線２１の厚さよりも小さい場合、以下の位置関係を満たす。すなわち、下地層間膜１１の表面に垂直な方向について、下地メタル配線２１は、第１高さｈ１から第２高さｈ２までの厚さを有する。ノイズシールド配線２２は、第３高さｈ３から第４高さｈ４までの厚さを有する。このとき、以下の関係が成立する。
ｈ１＜ｈ３＜ｈ２＜ｈ４
すなわち、ノイズシールド配線２２の上端部と下端部は、層間膜１１の表面に垂直な方向に関して、下地メタル配線２１の上端部を挟む位置に配置される。この関係を満たすノイズシールド配線２２は、下地メタル配線２１が配置されている層に食い込んでいるため、下地メタル配線２１の相互のノイズをシールドする。また、この関係を満たすノイズシールド配線２２は、下地メタル配線２１が配置されている層よりも上に張り出しているため、下地メタル配線２１と上地メタル配線２３との間のノイズをシールドする。
【００２１】
下地メタル配線２１と上地メタル配線２３は、電子回路で使用される信号が送信される信号線として使用される。ノイズシールド配線２２は、信号線のノイズを抑制するために設けられており、電気信号は送信されない。特にデジタル電子回路において、下地メタル配線２１と上地メタル配線２３はその電子回路で使用されるデジタル情報が送信される信号線として使用され、ノイズシールド配線２２はデジタル情報が送信されない。
【００２２】
こうした製造方法によれば、下地メタル配線２１の凹凸を利用してノイズシールド配線が配置される。ノイズシールド配線２２をスルーホール等で下地メタル配線２１または上地メタル配線２３に含まれる電位が一定の配線（ＧＮＤまたはＶＤＤ）と接続し、ノイズシールド配線をＧＮＤ電位、もしくは電源電圧電位と同電位に固定することで、信号配線に伝わるノイズを遮断する効果を得ることが可能となる。これにより、同一の配線層（下地メタル配線２１）に属する複数の配線の間でのノイズシールド効果と、隣接する配線層（下地メタル配線２１と上地メタル配線２３）の間でのノイズシールド効果が得られる。
【００２３】
図２Ｅは、ノイズシールド配線２２と下地メタル配線２１または上地メタル配線２３とを接続するスルーホール２５を図示している。上地メタル配線２３の中には、ＧＮＤまたはＶＤＤに接続された電位一定の配線がある。ノイズシールド配線２２は、スルーホール２５を介して、上地メタル配線２３の中の電位一定の配線に接続される。これにより、ノイズシールド配線２２の電位が一定となり、ノイズを遮断する効果が得られる。
【００２４】
図２Ｅにおいては、図２Ｄに示される構成に加えて、複数の上地メタル配線２３の間に、ノイズシールド配線２４が配置されている。このノイズシールド配線２４は、図２Ａ〜２Ｃを参照してなされた工程と同様の方法により形成することができる。下地メタル配線２１の中には、ＧＮＤまたはＶＤＤなどの電位一定の配線がある。上地メタル配線２３の間に配置されるノイズシールド配線２４は、スルーホール２５を介して、下地メタル配線２１の中の電位一定の配線に接続される。これにより、ノイズシールド配線２４の電位が一定となり、ノイズを遮断する効果が得られる。
【００２５】
図２Ｅに示されている層間膜１２は、図２Ｄに示されているものよりも厚い。そのため、ノイズシールド配線２２が下地メタル配線２１に対してより上に位置している。そのため、下地メタル配線２１と上地メタル配線２３とが相互に与える可能性のあるノイズを低減する効果が高い。このように、本実施の形態における半導体装置の製造方法では、同じ配線層に属する配線の相互のノイズの低減と、隣接する配線層の相互のノイズの低減という異なる目的を、層間膜１２の厚さを調節することにより選択的に設計することが可能である。
【００２６】
層間膜２Ｅの厚さが十分に厚い場合は、下地メタル配線２１と上地メタル配線２３との間での干渉が相互間の距離によって十分に低減する。このような場合は、ノイズシールド配線２２の配置を設計する際には、下地メタル配線２１と上地メタル配線２３との間のノイズを低減する効果を考慮せずに、同じ層に属するメタル配線間のノイズを低減するのに最適な設計をすればよい。
【００２７】
図２Ｆ、２Ｇは、本実施の形態の変形例を示す。既に説明された図２Ｂまでのプロセスが行われた後、ＣＭＰ法を用いて表面を平坦化する。このとき、層間膜１２の上にノイズシールド膜２２ａが残るようにＣＭＰを停止する。その結果、図２Ｆに示されるように、層間膜１２の上面がメタル素材のノイズシールド膜２２ａに覆われる。ノイズシールド膜２２ａの下面側は、層間膜１２の上面側の凹凸に沿った凹凸形状である。ノイズシールド膜２２ａの上面側は平坦化されている。
【００２８】
ノイズシールド膜２２ａの上面に、層間膜１４（ＳｉＯ２膜に例示される絶縁膜）などの絶縁膜が成膜される。層間膜１４上に上地メタル配線２３が配置される。さらに層間膜１５（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ  ＣＶＤにより形成されたＳｉＯ２膜に例示される絶縁体で形成された膜）が上地メタル配線２３の上に成膜されることにより、図２Ｇに示される構成の半導体装置が製造される。
【００２９】
こうして得られた半導体装置は、層間膜１２の厚さが下地メタル配線２１の厚さよりも小さい場合、以下の位置関係を満たす。すなわち、下地層間膜１１の表面に垂直な方向について、下地メタル配線２１は、第１高さｈ１から第２高さｈ２までの厚さを有する。ノイズシールド膜２２ａは、第３高さｈ３から第４高さｈ４までの厚さを有する。このとき、以下の関係が成立する。
ｈ１＜ｈ３＜ｈ２＜ｈ４
すなわち、ノイズシールド膜２２ａの上端部と下端部は、層間膜１１の表面に垂直な方向に関して、下地メタル配線２１の上端部を挟む位置に配置される。この関係を満たすノイズシールド膜２２ａは、下地メタル配線２１が配置されている層に食い込んでいるため、下地メタル配線２１の相互のノイズをシールドする。また、下地メタル配線２１が配置されている層と上地メタル配線２３が配置されている層はノイズシールド膜２２ａによって遮られているため、相互間のノイズの影響が遮断される。
【００３０】
（実施の第２形態）
特許文献１に記載の方法を用いてノイズシールドを実現した場合、配線パターンが複合膜１０５の中に埋め込まれるため、ノイズシールドが必要ない回路も複合膜１０５によりノイズシールドされる。しかし、ノイズシールド配線は絶縁膜と導体で構成され、コンデンサと同じ構成である。そのため寄生容量成分が発生し、信号遅延が引き起こされる要因となる。このことを考えると、今日の高周波数で高速駆動する製品の場合、信号遅延に敏感な信号配線についてはノイズシールドが無く、ノイズが多い信号配線やノイズに弱い信号配線に対してはノイズシールドが適用できる構成が望まれる。実施の第２形態における半導体回路の製造方法により、この課題を解決することができる。
【００３１】
図３Ａ〜Ｆを参照して、図１（ｂ）に示された構成を備える半導体回路の製造方法について説明する。図３Ａを参照して、下地層間膜１１の上に、リソグラフィ法、ドライエッチング法に例示される方法により下地メタル配線２１が形成される。下地メタル配線２１の上に層間膜１２が成膜される。このとき層間膜１２は下地メタル配線２１の凹凸形状に沿った形状で成膜される。そのため、層間膜１２の上面（下地層間膜１１から遠い側の面）は下地メタル配線２１の凹凸形状に近い凹凸形状である。本実施の形態においては、この凹凸形状の凹の箇所が溝配線として利用される。層間膜１２は、ＣＶＤ法による薄膜形成技術を用いて形成されることが好ましい。
【００３２】
次に、層間膜１２の上面に、層間膜１２とエッチングレートが異なる層間膜１３（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ膜に例示される絶縁膜）を成膜して層間膜１２の上面の凹部に埋め込み、ＣＭＰ法などの平坦化技術を用いて、層間膜１３の表面を平坦化する。この平坦化により、層間膜１２の上面と層間膜１３の上面とは概ね同一平面を形成する。この様子が図３Ｂに示されている。層間膜１３のエッチングレートは層間膜１２のエッチングレートに対して充分大きく（早く）、エッチングレート選択比を持つ層間膜が適用される。
【００３３】
次にドライエッチング法、もしくはウエットエッチング法を併用し、新規メタル溝配線２２を作成する任意の所望の領域の層間膜１３が除去され、開口部が設けられる。図３Ｃに示すように、その所望の領域を除く層間膜１２と層間膜１３の上面を覆うフォトレジストマスクを形成し、そのフォトレジストマスクに開口部を有するパターンを形成して、フォトリソグラフィ法と、層間膜１２と層間膜１３でエッチングレート選択比が充分に確保できているドライエッチング、ウエットエッチング条件を使用することで、任意領域の層間膜１３を除去することが可能である。層間膜１３が除去された位置に残る凹部にノイズシールド配線２２が埋め込まれる。この工程により、半導体集積回路の任意の箇所にノイズシールド配線を形成することが可能となる。
【００３４】
その後、ノイズシールド配線２２用のメタル素材（チタン、窒化チタン、アルミニウム、タングステン、銅などの導体）を成膜して凹部にメタル素材埋め込むことにより、図３Ｄに示される構造が形成される。この状態で表面を平坦化するＣＭＰ法を用いることで図３Ｅに示される構造が形成される。以上の工程により、ノイズシールド配線２２が任意の所望の箇所にのみ形成される。
【００３５】
図３Ｆに示すように、層間膜１４などの絶縁膜にてノイズシールド配線２２の上部が覆われ、ノイズシールド配線の周りが絶縁される。また、層間膜Ｃ１４上に上地メタル配線２３を配置し、層間膜ｄ１５を上地メタル配線２３の上に成膜することで、上地メタル配線２２の凹凸を利用したノイズシールド配線を配置することが可能になる。
【００３６】
ノイズシールド配線２２をスルーホール等で下地メタル配線２１、もしくは上地メタル配線２３と接続し、ノイズシールド配線をＧＮＤ電位、もしくは電源電圧電位と同電位に固定することで、信号配線に伝わるノイズを遮断する効果を得ることが可能となり、ノイズシールドとして機能することとなる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、実施の第１形態と第２形態における半導体回路の構成を示す断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施の第１形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、実施の第１形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図２Ｃ】図２Ｃは、実施の第１形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図２Ｄ】図２Ｄは、実施の第１形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図２Ｅ】図２Ｅは、実施の第１形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図２Ｆ】図２Ｆは、実施の第１形態の変形例における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図２Ｇ】図２Ｇは、実施の第１形態の変形例における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図３Ａ】図３Ａは、実施の第２形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、実施の第２形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図３Ｃ】図３Ｃは、実施の第２形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図３Ｄ】図３Ｄは、実施の第２形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図３Ｅ】図３Ｅは、実施の第２形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図３Ｆ】図３Ｆは、実施の第２形態における半導体回路の製造工程の一段階を示す。
【図４】図４は、従来技術を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３８】
１１…下地層間膜
１２…層間膜
１３…層間膜
１４…層間膜
１５…層間膜
１６…フォトレジストマスク
２１…下地メタル配線
２２…ノイズシールド配線
２３…上地メタル配線
２４…ノイズシールド配線
２５…スルーホール
【図１】
2008021837.tif 000003
【図２Ａ】
2008021837.tif 000004
【図２Ｂ】
2008021837.tif 000005
【図２Ｃ】
2008021837.tif 000006
【図２Ｄ】
2008021837.tif 000007
【図２Ｅ】
2008021837.tif 000008
【図２Ｆ】
2008021837.tif 000009
【図２Ｇ】
2008021837.tif 000010
【図３Ａ】
2008021837.tif 000011
【図３Ｂ】
2008021837.tif 000012
【図３Ｃ】
2008021837.tif 000013
【図３Ｄ】
2008021837.tif 000014
【図３Ｅ】
2008021837.tif 000015
【図３Ｆ】
2008021837.tif 000016
【図４】
2008021837.tif 000017