(57)【要約】【課題】絶縁特性を低下させることなく、重量を低減することのできるモールドブッシングを得る。【解決手段】棒状の中心導体１と、中心導体１の周りに絶縁材料でモールドされた絶縁層２とを備えたモールドブッシングであって、絶縁層２は、中心導体１と同軸状に形成された複数枚のヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄと、ヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの最外周に突出して形成されたフランジ部２ｅとを有し、ヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの谷部を最短距離で対向する中心導体１とフランジ部２ｅ間に位置させ、それぞれのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄで電位分担をさせることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
棒状の中心導体と、
前記中心導体の周りに絶縁材料でモールドされた絶縁層とを備えたモールドブッシングであって、
前記絶縁層は、前記中心導体と同軸状に形成された複数枚のヒダと、
前記ヒダの最外周に突出して形成されたフランジ部とを有し、
前記ヒダの谷部を最短距離で対向する前記中心導体と前記フランジ部間に位置させたことを特徴とするモールドブッシング。
【請求項２】
前記ヒダのそれぞれの底部を繋ぎ合せると、前記中心導体の軸方向と直交する方向を斜めに横切るように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のモールドブッシング。
【請求項３】
前記フランジ部から前記中心導体に向かうほど、前記ヒダの山部の絶縁厚さを大きくするとともに、前記ヒダの谷部の幅を広くしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のモールドブッシング。
【請求項４】
前記ヒダの山部内に中間電極を埋め込んだことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のモールドブッシング。
【請求項５】
前記ヒダの谷部を絶縁カバーで覆ったことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のモールドブッシング。
【請求項６】
棒状の中心導体と、
前記中心導体の周りに絶縁材料でモールドされた絶縁層とを備えたモールドブッシングであって、
前記絶縁層は、前記中心導体と同軸状に形成された複数枚のヒダと、
前記ヒダの最外周に突出して形成されたフランジ部とを有し、
前記フランジ部を境として、一方に前記ヒダの谷部が最短距離で対向する前記中心導体と前記フランジ部間に位置するように設け、
他方に円錐状の界面接続部を設けたことを特徴とするモールドブッシング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エポキシ樹脂などの絶縁材料でモールドされた重量を低減し得るモールドブッシングに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のモールドブッシングには、中心導体の周りにエポキシ樹脂をモールドして絶縁層を形成した単一形ブッシングが知られている。絶縁層の沿面には、沿面距離を伸ばすための複数枚のヒダが中心導体の軸方向と直交する方向に設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
一方、中間電極となるイコライザ電極を絶縁層内に複数枚埋め込み、貫通方向と沿面方向との電界制御を行ったコンデンサ形ブッシングが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平５−５４７４５号公報  （第２ページ、図１）
【特許文献２】特開平５−８１９４９号公報  （第２ページ、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の従来のモールドブッシングにおいては、次のような問題がある。単一形ブッシングやコンデンサ形ブッシングは、中心導体の周りにエポキシ樹脂で一体モールドされた絶縁層が形成されているので、重量物となっていた。特に、スイッチギヤなどに用いられるエポキシ樹脂には、優れた機械的、電気的特性を発揮させる必要性からシリカなどの充填材が混合されており、比重が約２となり、モールドブッシングが重量物となっていた。
【０００５】
モールドブッシングは、スイッチギヤなどの高所に取り付けられることが多く、運搬や取り付け作業が困難なものとなっていた。このため、モールドブッシングとしての電気的、機械的特性を低下させることなく、重量を低減させることが望まれていた。
【０００６】
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、重量を低減し得るモールドブッシングを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明のモールドブッシングは、棒状の中心導体と、前記中心導体の周りにモールドされた絶縁層とを備えたモールドブッシングであって、前記絶縁層は、前記中心導体と同軸状に形成された複数枚のヒダと、前記ヒダの最外周に突出して形成されたフランジ部とを有し、前記ヒダの谷部を最短距離で対向する前記中心導体と前記フランジ部間に位置させたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、中心導体の周りに形成される絶縁層に、この中心導体と同軸状に形成された複数枚のヒダを設け、ヒダの谷部をフランジ部まで伸ばしているので、中心導体からフランジ部までの電位分担が良好に行われ、優れた絶縁特性を得ることができ、軽量化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明によるモールドブッシングを図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１０】
先ず、本発明の実施例１に係るモールドブッシングを図１および図２を参照して説明する。図１は、本発明の実施例１に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図、図２は、本発明の実施例１に係るモールドブッシングの電位分担を説明する図である。
【００１１】
図１に示すように、主回路の通電を行う棒状の中心導体１の周りには、エポキシ樹脂のような絶縁材料でモールドされた絶縁層２が設けられている。絶縁層２は、中心導体１の最も近い外周に形成された第１の絶縁層２ａ、図示左右の両側に中心導体１と同軸状に設けられた筒状の第１から第３までのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄ、および最外周の中間部に環状に突出して形成されたフランジ部２ｅから構成されている。フランジ部２ｅには、接地電位となる取り付け板３が固定されるようになっている。なお、それぞれのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄは略等間隔で配置され、その山部の絶縁厚さと谷部の幅とはそれぞれ同程度の大きさとなっている。
【００１２】
ここで、第１から第３までのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄは、山部の高さがフランジ部２ｅ側に向かうほど低く、また、中心導体１の軸方向と直交する方向の中心導体１と取り付け板３間には、フランジ部２ｅを境として一方のヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの谷部が位置するようになっている。即ち、最短距離で対向する中心導体１とフランジ部２ｅ間には、一方のヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄのそれぞれの谷部が位置している。谷部の深さは、中心導体１側に向かうほど深くなっており、第１の絶縁層２ａと第１のヒダ２ｂとの間の谷部が最も深くなっている。
【００１３】
なお、他方のヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの谷部の深さは、それぞれ同程度となっている。そして、ヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの谷部の互いの底部間を繋ぎ合せると、中心導体１の軸方向と直交する方向を横切るように形成されている。即ち、それぞれの底部を繋ぎ合せると、円錐状となる。また、一方と他方とのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの谷部の互いの底部間は、曲げ強度などの機械的強度に耐え得る厚さとなっている。
【００１４】
このようなモールドブッシングの電位分担を図２を参照して説明する。
【００１５】
図２に示すように、中心導体１から取り付け板３間までの電位は、第１の絶縁層２ａ、およびそれぞれのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの山部と谷部とで分担される。これらの電位分担は、中心導体１側になるほど大きくなるものの、それぞれのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄが略等間隔で配置されているので、極端に分担される部分はない。
【００１６】
これにより、第１の絶縁層２ａ、およびヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの山部と谷部とで電位分担が行われるので、良好な絶縁特性を得ることができる。また、中心導体１とフランジ部２ｅ間にそれぞれのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの谷部が設けられているので、谷部が所謂空洞部となり軽量化を図ることができる。
【００１７】
上記実施例１のモールドブッシングによれば、中心導体１の周りに形成される絶縁層２に同軸状の複数枚のヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄを設け、これらのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの谷部をフランジ部２ｅまで伸ばしているので、中心導体１から取り付け板３までの電位を、それぞれのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄで分担させることができ、優れた絶縁特性を得ることができ、軽量化を図ることができる。
【実施例２】
【００１８】
次に、本発明の実施例２に係るモールドブッシングを図３を参照して説明する。図３は、本発明の実施例２に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図である。なお、この実施例２が実施例１と異なる点は、ヒダの間隔と幅を変化させたことである。図３において、実施例１と同様の構成部分においては、同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００１９】
図３に示すように、フランジ部２ｅから中心導体１に向かうほど、第１の絶縁層２ａおよびヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの山部の絶縁厚さを大きくするとともに、谷部の幅を広くしている。
【００２０】
同軸電極配置の電界強度は、中心導体１に向かうほど高くなるので、中心導体１側のヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの絶縁厚さを大きく、また、谷部の幅を広くすると、中心導体１から接地までの電界強度を均一化させることができる。その結果、絶縁特性を向上させることができる。
【００２１】
上記実施例２のモールドブッシングによれば、実施例１による効果のほかに、中心導体１から接地までの電界分布を改善することができるので、絶縁特性を向上させることができる。
【実施例３】
【００２２】
次に、本発明の実施例３に係るモールドブッシングを図４を参照して説明する。図４は、本発明の実施例３に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図である。なお、この実施例３が実施例２と異なる点は、ヒダに中間電極を埋め込んだことである。図４において、実施例２と同様の構成部分においては、同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００２３】
図４に示すように、第１の絶縁層２ａおよび第１から第３までのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄには、中心導体１の電位と接地電位の中間となる中間電位の例えば金網からなる中間電極４を埋め込んでいる。中間電極４は、絶縁層２をモールドするときに、この絶縁層２と同種材料からなるスペーサなどで予め所定の位置に固定しておけば容易に埋め込むことができる。
【００２４】
上記実施例３のモールドブッシングによれば、実施例２による効果のほかに、中間電極４によって、中心導体１から接地までの電界を制御することができるので、更に絶縁特性を向上させることができる。
【実施例４】
【００２５】
次に、本発明の実施例４に係るモールドブッシングを図５を参照して説明する。図５は、本発明の実施例４に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図である。なお、この実施例４が実施例３と異なる点は、絶縁層の外周を絶縁カバーで覆ったことである。図５において、実施例３と同様の構成部分においては、同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００２６】
図５に示すように、第１の絶縁層２ａおよび第１から第３までのヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの外周には、シリコンゴムやＥＰゴムなどの可撓性絶縁物で形成した絶縁カバー５を設けている。絶縁カバー５の内径は、第３のヒダ２ｄの外径よりも僅かに小さく、装着時に絶縁カバー５が第３のヒダ２ｄに密着するようになっている。これにより、ヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄの谷部が絶縁カバー５で覆われるので、塵埃などが堆積することがなく、汚損湿潤特性を向上させることができる。
【００２７】
上記実施例４のモールドブッシングによれば、実施例３による効果のほかに、汚損湿潤特性を向上させることができる。
【実施例５】
【００２８】
次に、本発明の実施例５に係るモールドブッシングを図６を参照して説明する。図６は、本発明の実施例５に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図である。なお、この実施例５が実施例４と異なる点は、絶縁層のヒダの一方を界面接続部としたことである。図６において、実施例４と同様の構成部分においては、同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００２９】
図６に示すように、フランジ部２ｅを境として、一方を突出した円錐状の界面接続部２ｆと形成している。なお、他方には、最短距離で対向する中心導体１とフランジ部２ｅ間に谷部が位置するヒダ２ｂ、２ｃ、２ｄを設けている。そして、界面接続部２ｆには、露出した中心導体１端に接触子６を設け、真空バルブなどをエポキシ樹脂でモールドした凹状の界面接続部を有する電気機器７と接続されるようになっている。これにより、固体絶縁スイッチギヤのような固体絶縁機器の口出しブッシングにも適用することができる。
【００３０】
上記実施例５のモールドブッシングによれば、実施例４による効果のほかに、エポキシ樹脂でモールドされた電気機器７に界面接続することができ、適用範囲を拡大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施例１に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図。
【図２】本発明の実施例１に係るモールドブッシングの電位分担を説明する図。
【図３】本発明の実施例２に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図。
【図４】本発明の実施例３に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図。
【図５】本発明の実施例４に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図。
【図６】本発明の実施例５に係るモールドブッシングの構成を示す半断面図。
【符号の説明】
【００３２】
１  中心導体
２  絶縁層
２ａ  第１の絶縁層
２ｂ、２ｃ、２ｄ  ヒダ
２ｅ  フランジ部
２ｆ  界面接続部
３  取り付け板
４  中間電極
５  絶縁カバー
６  接触子
７  電気機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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