(57)【要約】【課題】放射干渉効果がリソグラフィ装置の性能に及ぼす影響を軽減する。【解決手段】リソグラフィ装置の照明システムを使用して放射ビームを調節し、放射ビームの断面にパターンを与え、パターン付放射ビームを露光フィールドとして基板に投影することを含み、露光フィールドに周期的干渉パターンが存在し、基板と照明システムのコンポーネントとの間に、周期的干渉パターンが周期的干渉パターンの繰り返す方向に平行ではない方向に変位するような相対運動が確立される、リソグラフィ方法が開示される。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置の照明システムを使用して放射ビームを調節し、
前記放射ビームの断面にパターンを与え、
前記パターン付放射ビームを露光フィールドとして基板に投影することを含み、
前記露光フィールドに周期的干渉パターンが存在し、該周期的干渉パターンの繰り返し方向とは平行でない方向に該周期的干渉パターンが変位するように、前記基板と前記照明システムのコンポーネントとの間に相対運動が確立される、
リソグラフィ方法。
【請求項２】
放射ビームが放射パルスを含み、前記干渉パターンが、繰り返す単位格子を規定し、前記運動は、連続する放射パルス間で前記周期的干渉パターンが、単位格子の繰り返す方向とは平行でない方向に変位するような運動である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板上の所与の位置で露光を完成するために、複数の放射パルスが使用され、前記運動は、放射パルス毎に前記周期的干渉パターンの異なる部分がその位置に投影されるような運動である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
スキャン方向に対してある角度で回転される前記露光フィールドが前記基板上でスキャンされるように、前記基板が前記放射ビームに対してスキャンされる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記角度が、α＝ｉｎｖｔａｎ（ｋ・ｐｘ／Ｙ）を使用して求められ、ｋが整数、ｐｘが前記スキャン方向に対して横方向の前記単位格子の長さ、Ｙが前記Ｙ方向における前記露光フィールドのサイズである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
所与の位置で受ける放射パルスの数が、前記パルス数を前記周期的干渉パターンの効果に関連づけるアルゴリズムを使用して選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記アルゴリズムが、スキャンによる動作を考慮に入れて、前記パルスの数と、前記Ｘ方向で隣接するパルスと前記Ｙ方向で隣接するパルスとの間の前記周期的干渉パターンの前記位置の差との関係を規定する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記アルゴリズムが、干渉効果が見られる単位区域を規定し、前記パルスの数と、前記Ｘ方向で隣接するパルスの間隔と前記Ｙ方向で隣接するパルスとの間の前記周期的干渉パターンの前記位置の差との関係が、前記単位区域内で規定される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アルゴリズムが、干渉効果が見られる単位区域を規定し、前記アルゴリズムが、受け取った前記パルス数と、所与の強度変動を前記単位区域全体で平均化できる程度とを関連づける、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記周期的干渉パターンが前記基板全体に動くように、前記照明システムの前記コンポーネントが、前記放射ビームに対して横方向にスキャンされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記コンポーネントがフィールド定義要素を備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記フィールド定義要素の前記動作が、直線運動であり、前記フィールド定義要素の隣接する繰り返し構造の中心を通る線に平行ではない方向、または前記フィールド定義要素の縁部に平行でない方向にある、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記運動が、所与の露光中に同じ方向で継続する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記露光後に前記運動の方向が逆転する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
放射のビームを調節する照明システムと、
前記ビームの断面にパターンを与えるパターニングデバイスを保持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付ビームを露光フィールドとして基板に投影する投影システムと、を備え、
前記基板テーブルと前記投影システムは、スキャン露光中に、前記露光フィールドが前記スキャン方向に対してある角度で回転した状態で、前記基板と前記放射ビームが相互に対してスキャンされるように構成される、
リソグラフィ装置。
【請求項１６】
パルス状放射ビームの使用を仮定し、前記パルスの数を前記基板における強度変動の平均化と関連づけるアルゴリズムを実行するプロセッサを、さらに備える、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記アルゴリズムが、スキャンによる動作を考慮に入れて、前記パルスの数と、前記Ｘ方向で隣接するパルスの間隔と前記Ｙ方向で隣接するパルスの差との関係を規定する、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記アルゴリズムが、干渉効果が見られる単位区域を規定し、前記パルスの数と、前記Ｘ方向で隣接するパルスの間隔と、前記Ｙ方向で隣接するパルスの差との関係が、前記単位区域内で規定される、請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記アルゴリズムが、干渉効果が見られる単位区域を規定し、前記アルゴリズムが、受け取った前記パルス数と、所与の強度変動を前記単位区域全体で平均化できる程度とを関連づける、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
放射のビームを調節する照明システムと、
前記ビームの断面にパターンを与えるパターニングデバイスを保持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付ビームを基板に投影する投影システムと、を備え、
前記照明システムが、コンポーネントに接続されたアクチュエータを備え、前記アクチュエータは、周期的干渉パターンが前記基板上を移動するように、前記コンポーネントを前記放射ビームに対して横方向にかつ前記放射ビームの中で動かす、
リソグラフィ装置。
【請求項２１】
前記コンポーネントがフィールド定義要素を備える、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記アクチュエータが前記フィールド定義要素を直線運動で動かす、請求項２１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２３】
前記アクチュエータが、前記フィールド定義要素の隣接する繰り返し構造の中心を通る線に平行ではない方向で、または前記フィールド定義要素の縁部に平行ではない方向で前記フィールド定義要素を動かす、請求項２２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２４】
前記アクチュエータが、前記周期的干渉パターンが前記周期的干渉パターンの繰り返す方向に平行ではない方向に変位するような方向で前記フィールド定義要素を動かす、請求項２２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２５】
リソグラフィ装置によって生成されたパルスの数を、前記リソグラフィ装置によって露光されている基板での強度変動の平均化に関連づけるアルゴリズムを実行するコンピュータ読取可能プログラムコードを載せているコンピュータ読取可能媒体。
【請求項２６】
前記アルゴリズムが、スキャンによる動作を考慮に入れて、前記パルスの数と、前記Ｘ方向で隣接するパルスの間隔と前記Ｙ方向で隣接するパルスの差との関係を規定する、請求項２５に記載の媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。一般的に、１枚の基板は、順次露光される近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）にビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。
【０００３】
[0003]  より小さいコンポーネントを有する集積回路を製造するよう、絶えず推進力がある。これは、解像度が上昇し、精度が向上したリソグラフィ装置につながる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  例えば、放射干渉効果がリソグラフィ装置の性能に及ぼす影響を軽減することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0005]  本発明の一態様によれば、
リソグラフィ装置の照明システムを使用して放射ビームを調節し、
前記放射ビームの断面にパターンを与え、
前記パターン付放射ビームを露光フィールドとして基板に投影することを含み、
前記露光フィールドに周期的干渉パターンが存在し、該周期的干渉パターンの繰り返し方向とは平行でない方向に該周期的干渉パターンが変位するように、前記基板と前記照明システムのコンポーネントとの間に相対運動が確立される、
リソグラフィ方法が提供される。
【０００６】
[0006]  本発明の一態様によれば、
放射のビームを調節する照明システムと、
前記ビームの断面にパターンを与えるパターニングデバイスを保持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付ビームを露光フィールドとして基板に投影する投影システムと、を備え、
前記基板テーブルと前記投影システムは、スキャン露光中に、前記露光フィールドが前記スキャン方向に対してある角度で回転した状態で、前記基板と前記放射ビームが相互に対してスキャンされるように構成される、
リソグラフィ装置が提供される。
【０００７】
[0007]  本発明の一態様によれば、
放射のビームを調節する照明システムと、
前記ビームの断面にパターンを与えるパターニングデバイスを保持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付ビームを基板に投影する投影システムと、を備え、
前記照明システムが、コンポーネントに接続されたアクチュエータを備え、前記アクチュエータは、周期的干渉パターンが前記基板上を移動するように、前記コンポーネントを前記放射ビームに対して横方向にかつ前記放射ビームの中で動かす、
リソグラフィ装置が提供される。
【０００８】
[0008]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置によって生成されたパルスの数を、前記リソグラフィ装置によって露光されている基板での強度変動の平均化に関連づけるアルゴリズムを実行するコンピュータ読取可能プログラムコードを載せているコンピュータ読取可能媒体が提供される。
【０００９】
[0009]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
[0021]  図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
【００１１】
[0022]−  放射ビームＰＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を提供するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
【００１２】
[0023]−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、アイテムＰＬに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
【００１３】
[0024]−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
【００１４】
[0025]−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＬとを含む。
【００１５】
[0026]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する）。
【００１６】
[0027]  支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持体は、機械的クランプ、真空、または他のクランプ技術、例えば真空状態での静電気クランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１７】
[0028]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１８】
[0029]  パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(Alternating)位相シフトマスク、減衰型(Attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１９】
[0030]  イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々のコンポーネントであってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２０】
[0031]  イルミネータＩＬは、ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、フィールド定義要素ＩＮおよびコンデンサ（またはリレー）ＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータは、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とを有する調整済みの放射ビームＰＢを提供する。
【００２１】
[0032]  照明システムは、放射の誘導、整形、または制御を行うための、屈折、反射、および反射屈折型等の光学コンポーネント、またはその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２２】
[0033]  放射ビームＰＢは、支持構造ＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。ビームＰＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＬを通過する。第二ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば顕微鏡ルーラ、インデクサ、または干渉計デバイス）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの移動は、ポジショナＰＭおよびＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。しかし、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００２３】
[0034]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システムおよび反射屈折光学システムを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２４】
[0035]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上の支持構造）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルおよび／または支持構造を並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルおよび／または支持構造を露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルおよび／または支持構造で予備工程を実行することができる。
【００２５】
[0036]  リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプとすることもできる。液浸液は、例えばマスクと投影システムの最初の要素の間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。
【００２６】
[0037]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードにて使用可能である。
【００２７】
[0038]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２８】
[0039]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００２９】
[0040]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に利用できる。
【００３０】
[0041]  上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。
【００３１】
[0042]  リソグラフィ装置の性能を改善するための絶え間ない動きにおいて、リソグラフィ装置の様々なパラメータが監視されている。これらのパラメータの１つがクリティカルディメンションと呼ばれる。クリティカルディメンション（Critical Dimenshion ＣＤ）は一般的に、リソグラフィ装置を使用して形成できる最小の幾何学的フィーチャの寸法（相互接続線の幅、コンタクト、トレンチなど）と定義される。
【００３２】
[0043]  以下で説明するように、スペックルがリソグラフィ装置のクリティカルディメンションに影響することがある。本発明の実施形態は、スペックルがクリティカルディメンションに及ぼす悪影響を軽減できる方法を提供する。
【００３３】
[0044]  図１を参照すると、放射源ＳＯによって生成された放射ビームは部分的にコヒーレントでよい。例えば、放射源は、部分的にコヒーレントな放射パルスを生成するレーザを備えることができる。つまり、パルスの様々な位置における電界値間には、ビームの断面と時間の両方において固定した関係があり、これは時間とともに変化しない。概して、コヒーレントは、パルス全体には広がらない。コヒーレンスの説明に「部分的コヒーレント」(‘partially coherent’)という用語を使用するのは、このためである。各パルスは、以前に発生したパルスに対して完全にインコヒーレントである。
【００３４】
[0045]  ビームデリバリシステムＢＤを通過した後、放射ビームはイルミネータＩＬを通過する。イルミネータＩＬは、放射ビームのフィールドを定義するように構成されたフィールド定義要素ＩＮを含む。図２は、ロッドＲを含むフィールド定義要素の例を示す。ロッドＲは断面が長方形で、研磨した側部を有する。これは、例えばＣａＦ2または石英で形成することができる。ロッドＲの側部は鏡面仕上げしていないが、ロッドの側部には保護コーティングを施してよい。
【００３５】
[0046]  ロッドＲの動作が図３に概略的に図示されている。放射ビームＢがロッドＲに入り、ロッドに沿って伝播するにつれ、その側部で内部全反射を経験する。これが、ビームＢがロッドの反対端に到達する前に、数回生じる。反射の効果は、ロッドの出口端を覗き込む、つまり方向Ａで見ると、複数の仮想放射源ＶＳが見られることである。このように放射源およびその想像物の数が効果的に増加するのは、放射ビームを統合し、それによって均質化された放射ビームを提供するので、望ましいことである。
【００３６】
[0047]  しかし、放射ビームＢが部分的にコヒーレントであるので、仮想源ＶＳの存在により、放射ビームの干渉が発生する。干渉パターンは周期的であり、ロッドの特性に依存する。干渉は、図３に周期的波形ＷＦとして概略的に図示されている。この干渉がスペックルを形成すると見なすことができる。スペックルはよく知られている現象であり、部分的にコヒーレントな放射ビームの相互干渉から生じる。この場合、仮想源ＶＳから生じた放射ビームは、部分的にコヒーレントなビームと見なすことができる。放射ビームは、ランダム構造ではなく規則的構造を有するロッドＲを使用して作成されるので、その結果の干渉パターンは、ランダム構造ではなく周期的構造を有する。
【００３７】
[0048]  従来通りの動作では、多数のレーザパルスを使用して、基板の所与の区域を露光するのに十分なドーズを送出する。つまり、基板のレジストに必要な化学変化を誘発するのに十分な放射を基板に転写するために、特定量の放射が必要である。この放射は、例えばこの例ではレーザである放射源ＳＯの３０のパルスによって送出することができる。リソグラフィ装置がスキャンモードで動作している場合、各放射パルスは、基板のわずかに異なる位置に入射する。これは、干渉によって引き起こされる不均一性が平均化されるという有利な効果を有する。干渉パターンが放射パルス毎に異なるべき場合、干渉は平均化される（平均化の効果はパルス数の平方根である）。しかし、リソグラフィ装置では、干渉パターンがパルス毎に変化せず、周期的である。つまり、多少の残りの不均一性が残り、基板に結像されるパターンのクリティカルディメンションに悪影響を及ぼすほど十分にあることもある。本発明の実施形態は、この問題に対応する。
【００３８】
[0049]  ロッドＲの効果は、パーセレーション角(parcelation angle)によって特徴付けることができ、ここでパーセレーション角とは、隣接する仮想源ＶＳ間の分離角である。所与の方向のパーセレーション角は下式によって定義される。
【数１】
2008160109.tif 000002
ここでθｘはＸ方向のパーセレーション角、ｎはロッドの屈折率、ＷｘはＸ方向のロッドの幅、Ｌはロッドの長さである（図２参照）。
【００３９】
[0050]  ロッドを通り抜けた後、放射ビームはリレーおよび投影システムを通過し（図１参照）、これはそれぞれ放射ビームを拡大することができる。つまり、基板入射時の放射ビームのパーセレーションは下式によって定義される。
【数２】
2008160109.tif 000003
ここでβcoはコンデンサ（またはリレー）の倍率、βlensは投影システムの倍率である。場合によっては、倍率が１未満（つまり縮小）になり得ることが認識される。例えば、投影システムは１／４の倍率を有することがある。
【００４０】
[0051]  放射ビームのパーセレーションに起因して、異なった角度から来る放射にコヒーレントが加えられると、回折格子（周期的）構造が現れる。Ｘ方向における基板の回折格子の周期は下式の通りである。
【数３】
2008160109.tif 000004
ここでλは放射ビームの波長である。
【００４１】
[0052]  図４は、リソグラフィ装置を使用した基板の露光中に放射で照明される露光フィールドを概略的に示している。ここで見られるように、露光フィールドは、Ｙ方向よりＸ方向の方が非常に大きい。露光フィールドは、Ｙ方向で基板の表面に平行移動し、それによって基板の表面にわたって放射を送出する。これが上で言及したスキャンモードである。上述したロッドＲ内の干渉効果が原因で、露光フィールドは周期的構造を引き起こす。干渉効果に関する以上の説明は、Ｘ方向のみに関するものであったが、ロッドの長方形の断面が原因で、干渉効果がＹ方向にも生じることが認識される。したがって、露光フィールドＥＦの周期的構造はＸ方向とＹ方向の両方で周期的である。
【００４２】
[0053]  周期的構造の周期は、図４に概略的に示すように、Ｘ方向でｐｘ、Ｙ方向でｐｙである。周期的構造の寸法がＸ方向とＹ方向で異なることが分かる。これは、Ｘ方向におけるロッド２の幅Ｗｘが、Ｙ方向におけるロッドの幅Ｗｙと異なるからである。周期的構造は、１組の単位格子（または単位区域）と見なすことができる。各単位格子ＵＣ内では、同じ位置に同じ不均一性が見られる。つまり、１つの単位格子ＵＣ内の特定位置で不均一性が見られると、他の単位格子全部の同じ位置に同じ不均一性が見られる（つまり、不均一性が各単位格子で繰り返される）。単位格子内で繰り返される不均一性は、（以上でさらに説明したように）ビームの部分的コヒーレンスによって引き起こされる。例えば低い空間周波数の変化など、単位格子内で繰り返されない不均一性も存在する。これについては、本明細書では特に対応しない。
【００４３】
[0054]  単位格子ＵＣの効果を示すために、一例にてレーザパルスの可能な寸法および数を使用する。この例は、本発明の範囲を制限するものではなく、本発明の実施形態によって対応できる問題を例示するだけであることが理解される。この例では、単位格子ＵＣがＸ方向に４ミクロン、Ｙ方向に８ミクロン延在する。露光フィールドＥＦは、Ｘ方向に２５ミリメートル、Ｙ方向に７．２ミリメートル延在する。レーザＳＯの反復率および基板Ｗ（およびパターニングデバイスＭＡ）のスキャン速度は、基板の所与の点が３０のレーザパルスを受けるように選択される。つまり、露光フィールドＥＦは３０パルスを使用してカバーされる。露光フィールドはＹ方向に７．２ミリメートルあるので、パルス間に２４０ミクロンの間隔があることになる。つまり、放射の第一パルスの後、基板は放射の次のパルスが生じる前に、Ｙ方向に２４０ミクロン移動する。
【００４４】
[0055]  この例は、最悪のケースのシナリオと見なすことができる。単位格子ＵＣは、Ｙ方向に８ミクロンの長さで、基板Ｗはパルス間に２４０ミクロン移動する。つまり、パルス間に基板が移動する距離は、ちょうど３０の単位格子に対応する。この理由から、第二パルスの単位格子は、第一パルスの単位格子と位置合わせされる。これが、その後の２８のパルスそれぞれで実行される。単位格子のこのような位置合わせの効果は、単位格子内の不均一性が、平均化されないで一緒に加えられることである。つまり、単位格子が特定の位置に、例えば輝点を含んでいた場合、この輝点は各単位格子の同じ位置に繰り返し結像される。その結果、基板全体で輝点が繰り返され、輝点はＹ方向に８ミクロンの距離だけ離間される。これは、リソグラフィ装置によって基板に結像されるパターンのクリティカルディメンションに悪影響を及ぼすと認識される。
【００４５】
[0056]  これは最悪のケースのシナリオであるが、ロッドによって引き起こされるパーセレーションは、単位格子がたまたま相互に正確に位置合わせされている場合でも、望ましくない強度の変動を引き起こすことがある。単位格子のサイズは小さいので、新しく露光された単位格子と以前に露光された単位格子との位置合わせが周期的に実行されることがある。その効果は、単位格子内の不均一性の一部が保持されることであり、露光されたパターンのクリティカルディメンションに悪影響を及ぼす。
【００４６】
[0057]  本発明の実施形態は、スキャン方向に対して露光フィールドを回転することによって、この問題に対応する。この回転は、例えば小さい回転でよい。つまり、ＸおよびＹ方向に正確に延在する露光フィールドではなく、露光フィールドの側部とＹ方向（つまりスキャン方向）との間に小さい角度がある。これが図５に概略的に図示されている。この方向で露光フィールドを配向すると、連続的に露光された単位格子がＹ方向で相互に位置合わせされないことが保証される。これは、連続していない単位格子が相互に位置合わせされる可能性も低下させる。これは、露光されるパターンのクリティカルディメンションが、単位格子の不均一性から悪影響を受ける可能性を低下させる。
【００４７】
[0058]  露光フィールドの回転角度に応じて、単位格子は、Ｘ方向の変位を含めて、例えば以前に露光された単位格子と位置合わせされることがある。例えば、基板は、Ｙ方向には３０の単位格子に、Ｘ方向には２つの単位格子に対応する距離を移動することがあり、したがって露光は、単位格子を以前に露光した単位格子と位置合わせする。本発明の実施形態によって、単位格子が以前に露光した単位格子と位置合わせされる可能性が低くなる角度を選択することができる。
【００４８】
[0059]  以下の関係を規定することができる。
【数４】
2008160109.tif 000005
ここでＹはＹ方向における露光フィールドサイズ（またはフィールドがテーパ状である場合は、有効露光フィールドサイズ）、Ｎは露光毎に生じる放射パルスの数、Ｄｙは２つの露光間のＹ方向における移動距離である。ドーズの量子化誤差を回避するように、Ｎは整数であることが好ましい。ドーズ量子化誤差は、基板のある点が他の点より多くの放射パルスを受けた場合に生じる。Ｎが整数である場合、基板の各点は同じ数の放射パルスを受けることになる。この要件は、露光フィールドがＹ方向にテーパ状の強度プロフィールを有する（つまり、露光フィールドの前部と後部で放射の強度がゼロへと徐々に減少する）場合、緩和される。露光フィールドがテーパ状であると、露光フィールドは実際のサイズではなく有効サイズを有し、Ｎが整数であるという要件が緩和される。
【００４９】
[0060]  距離Ｄｙは通常、Ｙ方向における単位格子の長さより大きい。一例が図６に図示されている。図６では、連続する露光間の距離はＤｙであり、これは７つの単位格子に追加の小さい距離ｄｙを加算した値である。この追加の小さい距離のサイズは、下式で表すことができる。
【数５】
2008160109.tif 000006
ここでｐｙはＹ方向における単位格子の長さ、Ｍは連続するパルス間の単位格子の数である。Ｍは、（Ｙ／Ｎ・ｐy）を丸めて最近隣数にすることによって決定される。
【００５０】
[0061]  （露光のために）Ｘ方向に移動する距離ｄｘは、下式の値に等しい。
【数６】
2008160109.tif 000007
ここでｐｘはＸ方向における単位格子の長さである。この式は、スキャン方向に対する露光フィールドの回転角度（α）の定義を与える。
【数７】
2008160109.tif 000008
【００５１】
[0062]  場合によっては、整数ｋを使用することができる。
【数８】
2008160109.tif 000009
ここでＹ＝Ｎ・Ｄｙである（Ｎは露光毎に生じる放射パルスの数、Ｄｙは２つの露光間でＹ方向に移動する距離である）。これらの式によって、単位格子が以前に露光した単位格子と位置合わせされる可能性を低下させる角度αを求めることができる。ｋ＝１であることが望ましいが、ｋの他の整数値を使用してもよい。
【００５２】
[0063]  理解を助けるために、図６は、概略的にアスタリスクで表した輝点を含む。第一露光が第一位置Ａ１にある輝点を露光し、第二露光が第二位置Ａ２にある輝点を露光する。Ｙ方向の輝点間の距離はＤyである。図６の最も上の単位格子で露光した場合に第一輝点があったはずの位置をＡ３で示す。これは、距離ｄｙおよびｄｘの単純な図を示す（距離は図６の線で表される）。
【００５３】
[0064]  特定数の放射パルス（Ｑ＝ラウンド（Ｐy／ｄｙ））の後、元の点の次に点が印刷される（「ラウンド」(‘round’)という用語は、端数(fraction)を最も近い整数(nearest whole number)に丸めることを示す）。この点は、簡単に理解できるようにするために輝点と見なすことができ、下式の変位を有する。
【数９】
2008160109.tif 000010
上式に基づき、相互に対して上および次にある点の間の距離を計算することができる。一例では、点間の距離は、Ｘ方向での距離がＹ方向での距離と等しく（または近く）なるように選択することができる。Ｘ方向とＹ方向における距離の差Δの計算は、下式の通りである。
【数１０】
2008160109.tif 000011
【００５４】
[0065]  図７は、リソグラフィ装置による露光中に３０．５パルスの放射を受ける基板上の１つの単位格子を概略的に示している。輝点がｘで表されている。各露光中に、輝点が単位格子の異なる位置に配置されることが分かる。これらの位置は、単位格子全体に均一に広がり、したがって輝点の効果は単位格子全体で平均化される。
【００５５】
[0066]  図７を参照すると、ΔｘはＸ方向で最も近い隣接する輝点までの距離であり、Δｙは、Ｙ方向で最も近い隣接する輝点までの距離である。Ｘ方向で最も近い隣接輝点までの距離Δｘは完全な距離であり、距離の単なるＸ成分ではない。同じことが、Ｙ方向で最も近い隣接輝点までの距離にも当てはまる。上式は、ΔｘとΔｙとの差であるΔを計算する。距離が小さいほど、単位格子内の強度変動が良好に平均化される。強度変動はクリティカルディメンションを悪化させるので、距離が最小になると、クリティカルディメンションが改良される。
【００５６】
[0067]  図８ａは、所与の単位格子について、その単位格子内で提供されている放射のパルスの変動が距離Δに及ぼす効果を示すグラフである。図８ａのダイヤモンド形は整数値(integer number)のパルスを示す。図８ａのデータは、Ｙ方向に７．２ｍｍの有効露光フィールドサイズ、およびＸ方向に４μｍ、Ｙ方向に８μｍの単位格子に基づいて生成された。
【００５７】
[0068]  図８ａから、単位格子毎に３２のパルスがあるように選択すると、ゼロに近いΔになり、これによって単位格子全体で強度変動が良好に平均化されることが分かる。他方で、単位格子毎に３４のパルスがあると、実質的な差Δが生じ、それによって単位格子全体で強度変動の平均化が不良になる。図８ｂは、単位格子毎に３２のパルスを選択したことの効果を示し、輝点（ｘで表す）が単位格子全体に均一に広がっている。露光間に２８の単位格子がある。これは、（Ｙ／Ｎ・ｐy）を最も近い整数(nearest whole number)に丸めることによって求められる。
【００５８】
[0069]  したがって、図８ａで表すような上式によって、単位格子全体の強度変動の平均化を改良する単位格子毎のパルス数を選択することができる。この選択は、プロセッサによって自動的に実行することができ、これは例えばリソグラフィ装置の一部として提供することができる。プロセッサはコンピュータとすることができる。プロセッサは、以上のアルゴリズムを実行する実行可能なソフトウェアコードおよび／またはハードウェアを含み、そのアルゴリズムを使用してデータを生成するように構成することができる。使用者は、プロセッサを使用するのではなく、単位格子当たりのパルス数を選択することができる。
【００５９】
[0070]  通常、選択は、最初に例えばリソグラフィ装置の光学系の既知の透過率、および基板に設けたレジストを露光するために必要な放射ドーズに基づいたターゲット数から始めることができる。次に、図８ａに示したタイプのデータを使用して、ゼロ差Δまたはゼロに近いΔの値を提供するターゲット数に最も近いパルス数を見つけることができる。露光フィールドがＹ方向にテーパ状の強度フィールドを有する（つまり、露光フィールドの前部および後部で放射の強度が徐々にゼロへと減少する）場合、パルス数は整数(integer)である必要はない。したがって、選択プロセスは、ターゲット数から開始し、Δの値がゼロであるか、ゼロに近いΔの値になる最近隣パルス数（恐らく非整数値(non-integer number)）を見つけることを含んでよい。
【００６０】
[0071]  本発明の実施形態を、ロッドＲの形態であるフィールド定義要素ＩＮに関して説明してきたが、他の形態のフィールド定義要素を使用することができ、本発明の実施形態を同じ方法で適用することができる。例えば、本発明の実施形態は、フライアイレンズを含む照明システムに適用することができ、その例が図９に図示されている。図９を参照すると、放射源Ａは、第一凸レンズＢを通過する放射を生成する。ここでは、レンズグループを使用することができ、凸レンズＢは単に一例として与えられている。凸レンズＢは放射を平行にしてビームにし、これが第一フライアイレンズＣを通過する。フライアイレンズは、凸レンズ（小型レンズと呼ばれる）の２次元アレイを備える。フライアイレンズＣは、放射ビームを分離して、複数の個々の放射ビームにし、これが焦点面で集束する。第二フライアイレンズＤが焦点面に配置され、各小型レンズが異なる放射ビームを受ける。元の放射ビームの複数のコヒーレントコピーが、第二フライアイレンズＤに存在する。これらは、第二凸レンズＥによってパターニングデバイスＦに集束する。放射ビームの複数のコヒーレントコピーが存在するので、干渉パターンが発生し、これが投影システム（図示せず）によって基板（図示せず）に投影される。基板に投影された干渉パターンは、フライアイレンズＣ、Ｄによって決定される周期的構造を有する。本発明の実施形態は、干渉が投影されるパターンに及ぼす影響を低下させるために、（スキャン方向に対して）基板を配向すべき角度を求めるために使用することができ、干渉の影響を低下させるのに役立つ放射パルスの数を求めるために使用することができる。
【００６１】
[0072]  第二フライアイレンズＤが存在しない代替構成を使用することが可能である。例えば、これは、放射源Ａが小さい、または軸上にしかない照明を提供する場合に実行することができる。
【００６２】
[0073]  さらなる配置構成では、一方または両方のフライアイレンズの代わりに１つまたは複数の回折要素（図示せず）を使用することができる。
【００６３】
[0074]  上述したロッドおよびフライアイレンズは、フィールド定義要素の例である。フィールド定義要素を照明システム内で使用する場合は、フィールド定義要素のサイズ、視野レンズのＦ数、パターニングデバイスのマスキングレンズの倍率、および投影システムの倍率に基づいて、（基板レベルにおける）パーセレーション角を規定することができる。本発明の実施形態によって、干渉が投影されるパターンに及ぼす影響を低下させるために、（スキャン方向に対して）基板を配向すべき角度を求めるために、パーセレーション角を使用することができ、干渉の影響を低下させるのに役立つ放射パルスの数を求めるために使用することができる。
【００６４】
[0075]  当業者は本発明の上述した実施形態がスキャン同期を妨害すると考えるかもしれない。しかしそれは違う。スキャン同期は、基板テーブルと同じ方向および同じ速度で移動する基板ＷのレベルにパターニングデバイスＭＡの像を有する。つまり、基板テーブルの動作をパターニングデバイス支持構造の動作に関連付ける。パターニングデバイスＭＡの像が動作する絶対方向、および動作の速度は自由なパラメータである。つまり、スキャン同期を邪魔することなく変更することができる。
【００６５】
[0076]  本発明の実施形態を、スキャンモードで動作するリソグラフィ装置について説明してきた。しかし、本発明の実施形態は、ステップモードで動作するリソグラフィ装置に使用することができる（ステップモードについては、以上でさらに説明している）。図１０は、ステップモードで動作するリソグラフィ装置にとって適切な本発明の実施形態を概略的に示している。リソグラフィ装置は、図１に示したコンポーネント（以上でさらに説明）を含んでよい。装置がパルス状放射源を使用している場合は、複数のパルスを使用して、基板の各露光フィールドを露光する。
【００６６】
[0077]  図１０は、イルミネータのコンポーネントを示す。コンポーネントは、図９に示したものに対応し、図では同じ参照文字を使用している。放射源Ａは、レンズＢ（またはレンズグループ）を通過する放射を生成する。レンズＢは放射を平行にしてビームにし、これは、凸レンズ（小型レンズと呼ばれる）の２次元アレイを備える第一フライアイレンズＣを通過する。フライアイレンズＣは、放射ビームを分離して、複数の個々の放射ビームにし、これが焦点面で集束する。第二フライアイレンズＤが焦点面に配置され、各小型レンズが異なる放射ビームを受ける。元の放射ビームの複数のコヒーレントコピーが、第二フライアイレンズＤに存在する。これらは、第二凸レンズＥによってパターニングデバイスＦに集束する。放射ビームの複数のコヒーレントコピーが存在するので、干渉パターンが発生し、これが投影システム（図示せず）によって基板（図示せず）に投影される。
【００６７】
[0078]  アクチュエータＧがフライアイレンズＣ、Ｄに接続され、これをレンズＢ、Ｅの光軸を横断する方向で前後に移動させる。アクチュエータは、例えば圧電アクチュエータ、または電動モータでよい（モータは実質的に直線の運動を提供する）。フライアイレンズＣ、Ｄの動作は、フライアイレンズＣ、Ｄによって引き起こされる干渉パターンが、ターゲットの露光中のパルス毎に基板の異なる位置に配置される一方、フィールド自体の包絡線は静止しているように構成される。この方法で、干渉パターンの影響が大幅に低下する。
【００６８】
[0079]  必要とされる動作は、上述した実施形態に関して説明したのと同様であるが、さらに単純明快な方法で求めることができる。図１１を参照すると、「ｘ」で示される輝点が単位格子ＵＣに存在する。露光フィールドの露光に使用されるパルス数が分かっており、例えばこのケースでは３２である。
【００６９】
[0080]  第一パルスの間に、輝点１は単位格子の左手下隅にある。アクチュエータＧは、第二パルスの前にフライアイレンズＣ、Ｄを移動させ、したがって第二パルスが生じた時に、輝点２は右上に移動している。アクチュエータＧは、第三パルスの前にフライアイレンズＣ、Ｄを再び移動させ、したがって第三パルスが生じた時に、輝点３はさらに上方向およびさらに右に移動している。これが、輝点８で示すような第八パルスまで続く。その後、輝点は隣接する単位格子（図示せず）内に移動する。それと同時に、異なる隣接単位格子（図示せず）からの同等の輝点が単位格子ＵＣに入る。これは輝点９で図示されている。１０番目のパルスの時までに、輝点は輝点１０などによって図示されたように上方向および右に移動している。このプロセスが３２番目のパルスまで続き、これが露光の最終パルスである。３２番目のパルスの輝点が、図１１に輝点３２として図示されている。簡単に理解するために、このパラグラフでは、左、右、上および下という用語がそれぞれ、＋Ｘ、−Ｘ、＋Ｙおよび−Ｙ方向の代わりに使用されている。
【００７０】
[0081]  図１１から、フライアイレンズＣ、Ｄの移動が、単位格子ＵＣ全体にわたって干渉パターンが均一に分布するように構成されていることが分かる。必要な移動量を求めるために、最初に、露光毎に必要なパルス数（パルス毎のエネルギ、およびレジストの露光に必要なエネルギによって決定される）を求めなければならない。上式に対応する式を使用して、２つの連続するパルスの干渉パターンのＸおよびＹ方向における相対変位を表すことができる。
【数１１】
2008160109.tif 000012
ここでＹは露光パルス全体にわたるＹ方向での干渉パターンの総移動量、Ｎは露光に使用されるパルスの数、ｐｘはＸ方向における単位格子の長さである。干渉パターンの動作をフィールド定義要素の動作に変換することは、フィールド定義要素とフィールドＦの間のレンズＥ、および投影システムＰＬによって決定される（図１参照）。ｋの式は、Ｍ＝０およびｋ＝０の状態で、さらに上の式と同一である。Ｍおよびｋの他の値が可能であるが、それには、フィールド定義要素をさらに大きく移動させる必要がある。
【００７１】
[0082]  相互に隣接する２つのパルスは、下式によって表すことができる。
【数１２】
2008160109.tif 000013
これは、さらに上で使用したものに完全に対応する式である。δｘとδｙとの差を最小にすることによって、干渉パターンの有利な間隔を求めることができる。
【００７２】
[0083]  何個の単位格子上を移動するかを求め、露光当たりのパルス数を求めると、三角法を使用して移動のサイズおよび角度を計算することができる。フライアイレンズＣ、Ｄの小型レンズの寸法は、必要な移動量を求める場合に関係する寸法である。周期的干渉パターンを生じるのは小型レンズであるので、小型レンズの寸法が単位格子の寸法の元となる。つまり、隣接する小型レンズの中心間距離と等しい距離だけフライアイレンズＣ、Ｄが移動すると、干渉パターンが基板にて１単位格子移動する。
【００７３】
[0084]  概して、露光中の移動は、第一方向で１単位格子、他の方向で複数の単位格子である。例えば図１１では、移動はＸ方向で１単位格子、Ｙ方向で４単位格子である。所与の露光で４単位格子だけ移動すると、その露光中のフライアイレンズＣ、Ｄの移動は、隣接する小型レンズの中心間距離の４倍になる。これで、移動の角度αは下式になる。
【数１３】
2008160109.tif 000014
ここでｌｓは隣接する小型レンズのスキャン方向における中心間距離、ｌｔは隣接する小型レンズの横断方向における中心間距離である。露光に使用されるパルスの総数は整数(integer)である。しかし、その結果のパルス数は整数でなければならないことに留意されたい。距離Ｙは、例えば露光フィールドのサイズから制約を受けず、任意の適切な距離でよい。
【００７４】
[0085]  移動の角度および距離は、リソグラフィ装置のオペレータが求めるか、あるいはプロセッサまたは他の適切なコンピュータ装置によって求めることができる。
【００７５】
[0086]  アクチュエータＧは、フライアイレンズＣ、Ｄの移動が、露光の全パルスで特定方向に連続的であり、次の露光では全パルスで反対方向に連続的になるように構成することができる。これで、次の露光で方向を逆転させ、以下同様とすることができる。あるいは、フライアイレンズＣ、Ｄは、方向を逆転する前に、複数の露光で同じ方向に連続的であってよい。移動方向が露光と露光の間に逆転するので、アクチュエータＧが方向を逆転するために使用可能な時間は、（例えば連続的に調整される移動と比較して）長い。これは、露光と露光の間で、基板テーブルが別の露光位置へと移動している時に逆転を実行できるからである。
【００７６】
[0087]  本発明の実施形態を１対のフライアイレンズに関して説明してきたが、本発明の実施形態は、他のフィールド定義要素と組み合わせて使用することができる。例えば、本発明の実施形態は、ロッドと組み合わせて、または回折要素と組み合わせて使用することができる。フィールド定義要素の動きの距離および角度は、同等の方法で、つまりフィールド定義要素の寸法に基づいて求められる。
【００７７】
[0088]  フィールド定義要素の移動は、パターニングデバイスＭＡ上で照明されるフィールドの移動を生じさせず（図１参照）、また基板Ｗに設けたパターニングデバイスのパターンの移動を生じさせないことに留意されたい。移動するのは、フィールド定義要素によって引き起こされた干渉パターンのみである。これは、本発明の第一の実施形態と第二の実施形態とに共通の特徴である。つまり、干渉パターンがパルス間で基板に対して動かされる。この動きは、複数のパルスの効果によって干渉パターンが平均化されるように構成することができる。
【００７８】
[0089]  本発明の実施形態を、パルス状放射源を使用するリソグラフィ装置について説明してきたが、本発明の実施形態は、連続的な放射源を使用するリソグラフィ装置にも使用することができる。その場合、露光は一連のパルスから形成されたものではないが、周期的干渉パターンと基板との間に、周期的干渉パターンの繰り返し方向に平行ではない方向で動作があれば、それでも有益である。
【００７９】
[0090]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置（および方法）には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツールまたはインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００８０】
[0091]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００８１】
[0092]  以上では本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は上記以外で実践できることが認識される。この本発明を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】[0010]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0011]  リソグラフィ装置のフィールド定義要素を備えるロッドを示した図である。
【図３】[0012]  ロッドの効果を概略的に示した図である。
【図４】[0013]  リソグラフィ装置の露光フィールドを概略的に示した図である。
【図５】[0014]  リソグラフィ装置のスキャン方向に対して回転した露光フィールドを示した図である。
【図６】[0015]  回転がスキャン露光に及ぼす効果を概略的に示した図である。
【図７】[0015]  回転がスキャン露光に及ぼす効果を概略的に示した図である。
【図８ａ】[0016]  様々な数の放射パルスが、基板上の連続パルス間の距離に及ぼす効果を示したグラフである。
【図８ｂ】[0017]  露光のために特定数の放射パルスを選択することの効果を概略的に示した図である。
【図９】[0018]  リソグラフィ装置のさらなるフィールド定義要素を概略的に示した図である。
【図１０】[0019]  本発明のさらなる実施形態を概略的に示した図である。
【図１１】[0020]  本発明の実施形態の効果を概略的に示した図である。
【図１】
2008160109.tif 000015
【図２】
2008160109.tif 000016
【図３】
2008160109.tif 000017
【図４】
2008160109.tif 000018
【図５】
2008160109.tif 000019
【図６】
2008160109.tif 000020
【図７】
2008160109.tif 000021
【図８ａ】
2008160109.tif 000022
【図８ｂ】
2008160109.tif 000023
【図９】
2008160109.tif 000024
【図１０】
2008160109.tif 000025
【図１１】
2008160109.tif 000026
【外国語明細書】
2008160109000001.pdf