(57)【要約】【課題】振動エネルギーが漏洩するのを抑制するとともに、上下電極間のショートを防ぐ。【解決手段】圧電振動共振子１には、絶縁性材料からなる基板２と、基板２上に形成された圧電薄膜３と、基板２上に形成されるとともに圧電薄膜３の表裏面３１，３２に対向して形成された上下電極４１，４２とが設けられ、下電極４２が基板２と圧電薄膜３との間に介在される。下電極４２は、上電極４１と圧電薄膜３を挟んで対向する励振電極部４２１と、外部と電気的接続を行う接続電極部４２２とから構成されている。基板２にはキャビティ２３が形成され、キャビティ２３に対応して下電極４２の励振電極部４２１が配される。圧電薄膜３は、上下電極４１，４２間の振動領域３３と、それ以外の他領域３４とから構成され、振動領域３３の厚みに対して他領域３４の厚みが１／２以下の厚さに設定される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された圧電薄膜と、前記基板上に形成されるとともに前記圧電薄膜の表裏面に対向して形成された一対の上電極および下電極とが積層状態で設けられ、前記下電極が前記基板と前記圧電薄膜との間に介在された圧電薄膜デバイスにおいて、
前記上下電極は、それぞれ前記圧電薄膜を挟んで対向する励振電極部と、外部と電気的接続を行う接続電極部とから構成され、
前記基板は絶縁性材料からなり、前記基板にキャビティが形成されるとともに前記キャビティに対応して前記下電極の前記励振電極部が配され、
前記圧電薄膜は、その表裏面に対向して形成された前記上下電極間の振動領域と、それ以外の他領域とから構成され、前記振動領域の厚みに対して前記他領域の厚みが１／２以下の厚さに設定されたことを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項２】
前記下電極では、前記励振電極部と前記接続電極部との材料が異なることを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜デバイス。
【請求項３】
前記下電極では、異なる材料が重なって形成されたことを特徴とする請求項２に記載の圧電薄膜デバイス。
【請求項４】
前記キャビティには、発振周波数調整を行う調整部が設けられたことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の圧電薄膜デバイス。
【請求項５】
前記基板は、水晶からなり、
前記下電極では、前記励振電極部はモリブデンからなり、前記接続電極部はクロムと金とが積層してなり、
前記圧電薄膜は、窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１つに記載の圧電薄膜デバイス。
【請求項６】
前記基板は、Ｚ板水晶からなり、
前記キャビティの側面がテーパー形成され、前記側面の傾斜角度が前記基板の主面に対して３５度であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１つに記載の圧電薄膜デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電薄膜デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線通信や電気回路に用いられる周波数の高周波数化にともない、これらの電気振動に対して用いられる電子機器も高周波数化に対応したものが求められている。
【０００３】
例えば、電子機器のうち、バルク波振動を用いたＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）構造の圧電薄膜デバイス（圧電薄膜共振子）があり、この圧電薄膜デバイスでは圧電材料に圧電薄膜が用いられている（下記する特許文献１，２参照）。特許文献１，２に記載された圧電薄膜共振子では、基板の表面上に下部電極と上部電極に挟まれた圧電薄膜が設けられている。
【特許文献１】特公平１−３１７２８号公報
【特許文献２】特開２００５−１５９４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に示す圧電薄膜デバイスでは、上下電極に挟まれた圧電薄膜が縦振動を行うが、この縦振動は同時に横方向にも伝搬して振動エネルギーが漏洩する。また、特許文献２に示す圧電薄膜デバイスでは、圧電薄膜デバイスの低背化にともない上下電極の間の距離が非常に近くになり上下電極が繋がってショートが起こり易い。
【０００５】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、振動エネルギーが漏洩するのを抑制するとともに、上下電極間のショートを防ぐ圧電薄膜デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電薄膜デバイスは、基板と、前記基板上に形成された圧電薄膜と、前記基板上に形成されるとともに前記圧電薄膜の表裏面に対向して形成された一対の上電極および下電極とが積層状態で設けられ、前記下電極が前記基板と前記圧電薄膜との間に介在された圧電薄膜デバイスにおいて、前記上下電極は、それぞれ前記圧電薄膜を挟んで対向する励振電極部と、外部と電気的接続を行う接続電極部とから構成され、前記基板は絶縁性材料からなり、前記基板にキャビティが形成されるとともに前記キャビティに対応して前記下電極の前記励振電極部が配され、前記圧電薄膜は、その表裏面に対向して形成された前記上下電極間の振動領域と、それ以外の他領域とから構成され、前記振動領域の厚みに対して前記他領域の厚みが１／２以下の厚さに設定されたことを特徴とする。
【０００７】
一般的なＦＢＡＲ構造の圧電薄膜デバイスでは、上下電極に挟まれた圧電薄膜が縦振動を行うが、この縦振動は同時に横方向にも伝搬して振動エネルギーが漏洩する。しかしながら、本発明によれば、前記上下電極は前記励振電極部と前記接続電極部とから構成され、前記基板は絶縁性材料からなり、前記基板に形成された前記キャビティに対応して前記下電極の前記励振電極部が配され、前記圧電薄膜は前記振動領域と前記他領域とから構成され、前記振動領域の厚みに対して前記他領域の厚みが１／２以下の厚さに設定されるので、このような振動エネルギーの漏洩を抑制することが可能となる。また、従前の圧電薄膜デバイスでは、例えば、圧電薄膜デバイスの低背化にともない上下電極の間の距離が非常に近くになり上下電極が繋がってショートが起こり易いが、本発明によれば、振動エネルギーの漏洩抑制だけでなく、前記圧電薄膜の他領域により前記上下電極間のショートを回避することが可能となる。その結果、Ｑ値を高い状態で保ちながらスプリアスを抑制することが可能となり、さらに、ＤＬＤ特性の問題を発生し難くすることが可能となる。
【０００８】
また、本発明によれば、前記上下電極は前記励振電極部と前記接続電極部とから構成され、前記基板は絶縁性材料からなり、前記基板に形成された前記キャビティに対応して前記下電極の前記励振電極部が配され、前記圧電薄膜は前記振動領域と前記他領域とから構成され、前記振動領域の厚みに対して前記他領域の厚みが１／２以下の厚さに設定されるので、前記圧電薄膜及び前記上下電極と前記基板との間に絶縁材を設けなくてもよい。そのため、当該圧電薄膜デバイスの低背化を図ることが可能となる。特に、高周波化に対応させた当該圧電薄膜デバイスの設計を容易にする。また、前記振動領域の厚みに対して前記他領域の厚みが１／２以下の厚さに設定されるので、厚さを薄くすればするほど、振動エネルギー漏れ（圧電漏洩波）が少なくなり、当該圧電薄膜デバイスの不要振動を抑制して周波数特性を向上させることが可能となる。
【０００９】
前記構成において、前記下電極では、前記励振電極部と前記接続電極部との材料が異なってもよい。
【００１０】
この場合、前記下電極では前記励振電極部と前記接続電極部との材料が異なるので、前記下電極と前記基板との接合強度を良好にするとともに、前記下電極と前記圧電振動薄膜との接合を良好にすることが可能となる。
【００１１】
前記構成において、前記下電極では、異なる材料が重なって形成されてもよい。
【００１２】
この場合、前記下電極では異なる材料が重なって形成されるので、異なる材料からなる前記励振電極部と前記接続電極部とから構成される前記下電極を確実に形成することが可能となる。
【００１３】
前記構成において、前記キャビティには、発振周波数調整を行う調整部が設けられてもよい。
【００１４】
この場合、前記キャビティには前記調整部が設けられるので、前記基板に前記上下電極を形成した後であっても発振周波数調整を行うことが可能となる。
【００１５】
前記構成において、前記基板は水晶からなり、前記下電極では前記励振電極部はモリブデンからなり前記接続電極部はクロムと金とが積層してなり、前記圧電薄膜は、窒化アルミニウムからなってもよい。
【００１６】
この場合、前記基板は前記下電極の材料と近い熱膨張係数を有しているので、熱膨張係数が異なることによる前記基板と前記接続電極部との接合不良を避けることが可能であるとともに、前記励振電極部と前記振動領域との接合強度を良好にすることが可能となる。
【００１７】
前記構成において、前記基板はＺ板水晶（ＸＹ’カット）からなり、前記キャビティの側面がテーパー形成され、前記側面の傾斜角度が前記基板の主面に対して３５度であってもよい。
【００１８】
この場合、前記キャビティの側面がテーパー形成され、前記側面の傾斜角度が前記基板の主面に対して約３５度であるので、前記基板にシリコンを用いた場合と比較して前記キャビティで露出した前記励振電極を用いて発振周波数を調整するのに好適である。具体的に、ＩＣチップなどに使われる一般的なシリコンは異方性材料であり、テーパー面の傾斜角度が約５５度のＳｉ（１１１）面とされる。そのため、シリコンでは、本願発明に示すようにテーパー面を寝かすことができずに、発振周波数の調整を行うことは難しい。また、前記キャビティの側面の傾斜角度が基板の面に対して３５度であるので、薄型の前記基板を用いた場合であっても、前記基板と前記圧電薄膜との間に介在した前記下電極の前記励振電極部を前記キャビティから露出することが可能となる。また、前記キャビティの側面の傾斜面を、前記基板の面に対して寝かせることで前記キャビティで露出した前記下電極の部位全体に対して均一に物理的なミーリングや反応ガスを用いた（化学的処理も付加した）エッチングなどによる発振周波数調整を行うことが可能となる。その結果、当該圧電薄膜デバイスの縦振動が生じる前記励振電極部のそれぞれの部位で質量や密度が異なることによって複数の周波数が生じるのを抑制することが可能となる。特に、近年開発がすすんでいる高周波数域では前記上下電極（特に前記励振電極部）の厚みが相対的に薄くなっているが、本構成によれば前記励振電極部（調整層）全体に対して均一に、ミーリングや反応ガスを用いたエッチングなどによる発振周波数調整を行うので、薄型の前記下電極に対しても有効に用いることが可能となる。また、発振周波数調整後の層厚の不均一による圧電振動デバイスの特性変動も抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、振動エネルギーが漏洩するのを抑制するとともに、上下電極間のショートを防ぐことが可能となり、特性及び製品の信頼性を向上させた圧電薄膜デバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、圧電薄膜デバイスとして圧電薄膜共振子に本発明を適用した場合を示す。
【００２１】
本実施例にかかる圧電薄膜共振子１は、図１，４に示すように、ＦＢＡＲ構造からなり、基板２と、基板２上に形成された圧電薄膜３と、基板２上に形成されるとともに圧電薄膜３の表裏面３１，３２に対向して形成された一対の上電極４１および下電極４２とが設けられている。この圧電薄膜共振子１は、基板２と下電極４２と圧電薄膜３と上電極４１とが積層状態で構成され、下電極４２が基板２と圧電薄膜３との間に介在されている。
【００２２】
上電極４１は、下電極４２と圧電薄膜３を挟んで対向する励振電極部４１１と、外部と電気的接続を行う接続電極部４１２とから構成されている。この上電極４１の励振電極部４１１は円形状であり、図１に示すように、下記するキャビティ２３の閉口端面２６に対応する位置に配されている。また、この上電極４１は、モリブデンからなる電極と、クロムと金とが積層してなる電極との一部が重なって形成されている。なお、上電極４１の厚さは例えば２００ｎｍであるが、この厚さは発振周波数等の所望の特性によって調整される。
【００２３】
下電極４２は、上電極４１と圧電薄膜３を挟んで対向する励振電極部４２１と、外部と電気的接続を行う接続電極部４２２とから構成されている。また、下電極４２では、励振電極部４２１と接続電極部４２２の一部との材料が異なり、具体的に、励振電極部４２１はモリブデンからなり、接続電極部４２２はモリブデンからなる電極と、クロムと金とが積層してなる電極とから構成される。ここでいう接続電極部４２２の一部とはクロムと金とが積層してなる電極のことをいう。また、下電極４２（本実施例では接続電極部４２２）では、モリブデンからなる電極と、クロムと金とが積層してなる電極との一部が重なって形成されている。この下電極４２の励振電極部４２１は、図４に示すように、上記した上電極４１の励振電極部４１１よりも大きな寸法を有する矩形状からなる。なお、励振電極部４２１および接続電極部４２２の厚さは例えば２００ｎｍであるが、これらの厚さは発振周波数等の所望の特性によって調整される。
【００２４】
圧電薄膜３は、窒化アルミニウムからなる。この圧電薄膜３は、その表裏面３１，３２に対向して形成された上下電極４１，４２間の振動領域３３と、それ以外の他領域３４とから構成されている。そして、この圧電薄膜３では、図４に示すように、振動領域３３の厚みに対して他領域３４の厚みが１／２以下の厚さに設定され、本実施例では１μｍの厚さに設定されている。なお、この圧電薄膜３の振動領域の厚さは２μｍであり、この厚さは発振周波数等の所望の特性によって調整される。なお、本実施例における他領域３４の厚さは、１／２以下すなわち１μｍ以下であることが好ましい。他領域３４の厚さが１／２以下になると振動エネルギーの漏れは大きく抑制され、その厚さが１／２より薄くなればなるほど振動エネルギー漏れ（圧電漏洩波）が少なくなり、圧電振動共振子１の不要振動が抑制され周波数特性の特性が向上する。
【００２５】
基板２は、絶縁性材料であるＺ板水晶からなり、その最大厚さは、８０μｍである。この基板２の両主面２１，２２は鏡面加工され、基板２を成形した時の表面粗さを抑えている。なお、ここでいうＺ板水晶とは、水晶の結晶軸のＺ軸に垂直なＸ−Ｙ面からなる水晶板のことをいい、本実施例ではＸ軸回りに＋１〜２度回転したＺ板水晶を用いている。また、ここでいう鏡面加工時の表面粗さとは、例えば表面粗さ１０点平均法で１〜３μｍのもののことをいう。鏡面加工することにより、基板２上に形成される上電極４１および下電極４２の表面状態を良好にし、ひいては良好な特性の圧電薄膜３を得ることができるので好ましい。また、この基板２には、キャビティ２３が形成され、キャビティ２３に対応して下記する下電極４２の励振電極部４２１が配される。また、キャビティ２３の側面２４はテーパー形成され、側面２４の傾斜角度が基板２の面に対して約３５度傾いて構成される。この傾斜角度は、エッチングによりキャビティ２３を形成した場合、Ｚ板水晶のＸ軸回りの回転角度に依存するので、３５度前後の値に設定されることがある。また、キャビティ２３の開口端面２５および閉口端面２６は円形状または略三角形状に形成されている。
【００２６】
次に、上記した本実施例にかかる圧電薄膜共振子１の製造工程について、図面（図１〜４）を用いて説明する。
【００２７】
まず、図示しない水晶インゴットから図示しない水晶ウエハを複数枚成形する。水晶インゴットから成形した水晶ウエハの両主面をポリッシュして研磨し、その後に洗浄して両主面を平坦にする。両主面を平坦にした水晶ウエハの両主面にクロムを形成し、その上層に金を積層して、クロムと金からなる金属層（以下、Ｃｒ−Ａｕ金属層６１（図２〜４参照））を形成する。このＣｒ−Ａｕ金属層６１に対して、レジスト（図示省略）を塗布して露光現像を行ない、基板２の外形パターン及びキャビティ２３のパターンを形成して、Ｃｒ−Ａｕ金属層６１をメタルエッチングする。そして、レジストを剥離して、基板２にキャビティ２３（図２〜４参照）の一部をエッチング成形する。
【００２８】
基板２の表面側の主面２１に形成したＣｒ−Ａｕ金属層６１上に、レジスト（図示省略）を塗布する。そして、塗布したレジストに対して露光現像を行ない、下電極４２の接続電極部４２２の一部の電極、および上電極４１の接続電極４１２の一部の電極のパターンを形成し、Ｃｒ−Ａｕ金属層６１を所定のパターン形状にメタルエッチングする。そして、Ｃｒ−Ａｕ金属層６１をメタルエッチングした後に、レジストを剥離し、下電極４２の接続電極部４２２の一部の電極、および上電極４１の接続電極４１２の一部の電極を成形する（図２参照）。下電極４２の接続電極部４２２の一部の電極、および上電極４１の接続電極４１２の一部の電極を成形した後に、モリブデンからなる金属層（以下、Ｍｏ金属層６２）を積層する。そして、基板２の表面側の主面２１に形成したＭｏ金属層６２上に、レジスト（図示省略）を塗布する。そして、塗布したレジストに対して露光現像を行ない、下電極４２の励振電極部４２１および接続電極部４２２の残りの電極のパターンを形成し、Ｍｏ金属層６２を所定のパターン形状にメタルエッチングする。そして、Ｍｏ金属層６２をメタルエッチングした後にレジストを剥離し、レジストを剥離することにより下電極４２の励振電極部４２１および接続電極部４２２の残りの電極を成形して下電極４２を成形し（図２参照）、下電極４２を成形した後に、基板２にキャビティ２３をエッチング成形する。
【００２９】
図２に示すような状態の基板２に対して、窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層６３を積層する。そして、基板２の表面側の主面２１に形成したＡｌＮ層６３上に、レジスト（図示省略）を塗布し、塗布したレジストに対して露光現像を行ない、圧電薄膜３の外形パターンを形成し、ＡｌＮ層６３を所定のパターン形状にメタルエッチングする。そして、ＡｌＮ層６３をメタルエッチングした後に、レジストを剥離して図３に示すように圧電薄膜３を成形する。
【００３０】
図３に示すような状態の基板２に対して、モリブデンからなる金属層（以下、Ｍｏ金属層６２）を積層する。そして、基板２の表面側の主面２１に形成したＭｏ金属層６２上に、レジスト（図示省略）を塗布する。そして、塗布したレジストに対して露光現像を行ない、上電極４１の励振電極部４１１および接続電極部４１２の残りの電極のパターンを形成し、Ｍｏ金属層６２を所定のパターン形状にメタルエッチングする。そして、Ｍｏ金属層６２をメタルエッチングした後に、続いてＭｏ金属層６２から露出したＡｌＮ層６３をメタルエッチングして薄肉の他領域３４を形成する。その後、レジストを剥離することにより、図４に示すように励振電極部４１１と接続電極部４１２の残りの電極を成形して上電極４１を成形するとともに薄肉の他領域３４を成形し、圧電薄膜共振子１を得る。
【００３１】
上記したように本実施例にかかる圧電薄膜共振子１によれば、上下電極４１，４２は励振電極部４１１，４２１と接続電極部４１２，４２２とから構成され、基板２は絶縁性材料からなり、基板２に形成されたキャビティ２３に対応して下電極４２の励振電極部４２１が配され、圧電薄膜３は振動領域３３と他領域３４とから構成され、振動領域３３の厚みに対して他領域３４の厚みが１／２以下の厚さに設定されるので、圧電薄膜３及び上下電極４１，４２と基板２との間に絶縁材を設けなくてもよい。そのため、当該圧電薄膜共振子１の低背化を図ることができる。特に、高周波化に対応させた当該圧電薄膜共振子１の設計を容易にする。また、振動領域３３の厚みに対して他領域３４の厚みが１／２以下の厚さに設定されるので、厚さを薄くすればするほど、振動エネルギー漏れ（圧電漏洩波）が少なくなり、当該圧電薄膜共振子１の不要振動を抑制して周波数特性を向上させることができる。
【００３２】
また、一般的なＦＢＡＲ構造の圧電薄膜共振子では、上下電極に挟まれた圧電薄膜が縦振動を行うが、この縦振動は同時に横方向にも伝搬して振動エネルギーが漏洩する。しかしながら、本実施例によれば、上下電極４１，４２は励振電極部４１１，４２１と接続電極部４１２，４２２とから構成され、基板２は絶縁性材料からなり、基板２に形成されたキャビティ２３に対応して下電極４２の励振電極部４２１が配され、圧電薄膜３は振動領域３３と他領域３４とから構成され、振動領域３３の厚みに対して他領域３４の厚みが１／２以下の厚さに設定されるので、このような振動エネルギーの漏洩を抑制することができる。
【００３３】
また、従前の圧電薄膜共振子のうち、本実施例の圧電薄膜３の他領域３４を有していない圧電薄膜共振子の場合、圧電薄膜共振子の低背化にともない上下電極の間の距離が非常に近くになり上下電極が繋がってショートが起こり易くなる。しかしながら、本実施例によれば、振動エネルギーの漏洩抑制だけでなく、圧電薄膜３の他領域３４により上下電極４１，４２間のショートを回避することができる。
【００３４】
上記したことから、本実施例にかかる圧電薄膜共振子１によれば、Ｑ値を高い状態で保ちながらスプリアスを抑制することができ、さらに、ＤＬＤ特性の問題を発生し難くすることができる。
【００３５】
また、下電極４２では励振電極部４２１と接続電極部４２２との材料が異なるので、下電極４２と基板２との接合強度を良好にするとともに、下電極４２と圧電振動薄膜との接合を良好にすることができる。特に、本実施例に示すように、窒化アルミニウムによる圧電薄膜３を形成する際、圧電薄膜３を下電極４２のモリブデン上に形成することにより圧電薄膜３の配向性が向上し、圧電特性を向上させることができる。また、接続電極部４１２，４２２には外部との接続に良好な金属材料を用いることが好ましい。このことから、下電極４２の構成を、本実施例に示すような励振電極部４２１と接続電極部４２２とすることが好適である。
【００３６】
また、下電極４２では異なる材料が重なって形成されるので、励振電極部４２１と接続電極部４２２とから構成される下電極４２を確実に形成することができる。特に、本実施例に示すように、下電極４２を、クロムと金とからなる金属材料と、モリブデンからなる金属材料とから構成することは好適である。
【００３７】
また、基板２は下電極４２の材料と近い熱膨張係数を有しているので、熱膨張係数が異なることによる基板２と接続電極部４２２との接合不良を避けることができるとともに、励振電極部４２１と振動領域３３との接合強度を良好にすることができる。
【００３８】
また、キャビティ２３の側面がテーパー形成され、側面の傾斜角度が基板２の面に対して約３５度であるので、基板２にシリコンを用いた場合と比較してキャビティ２３で露出した励振電極を用いて発振周波数を調整するのに好適である。具体的に、ＩＣチップなどに使われる一般的なシリコンは異方性材料であり、テーパー面の傾斜角度が約５５度のＳｉ（１１１）面とされる。そのため、シリコンでは、本実施例に示すようにテーパー面を寝かすことができずに、発振周波数の調整を行うことは難しい。また、キャビティ２３の側面２４の傾斜角度が基板２の面に対して３５度であるので、薄型の基板２を用いた場合であっても、基板２と圧電薄膜３との間に介在した下電極４２の励振電極部４２１をキャビティ２３から露出することができる。また、キャビティ２３の側面の傾斜面を、基板２の面に対して寝かせることでキャビティ２３で露出した下電極４２の部位全体に対して均一に、物理的なミーリングや反応ガスを用いた（化学的処理も付加した）エッチングなどによる発振周波数調整を行うことができる。その結果、圧電薄膜共振子１の縦振動が生じる励振電極部４２１のそれぞれの部位で質量や密度が異なることによって複数の周波数が生じるのを抑制することができる。特に、近年開発がすすんでいる高周波数域では上下電極４１，４２（特に励振電極部４１１，４２１）の厚みが相対的に薄くなっているが、本構成によれば励振電極部４２１（調整層）全体に対して均一に、ミーリングや反応ガスを用いたエッチングなどによる発振周波数調整を行うので、薄型の下電極４２に対しても有効に用いることが可能となる。また、発振周波数調整後の層厚の不均一による圧電振動共振子の特性変動も抑制することができる。
【００３９】
なお、本実施例では、キャビティ２３の開口端面２５および閉口端面２６は円形状に形成されているが、これに限定されるものではなく、基板２にＺ板水晶を用いているので、キャビティ２３の閉口端面２６が三角形状に形成されてもよい。なお、ここでいう三角形状の各辺は湾曲しても構わない。また、キャビティ２３の閉口端面２６が三角形状に形成された場合、キャビティ２３の閉口端面２６の形状に合わせて上電極４１の励振電極部４１１の形状を三角形状としてもよい。
【００４０】
また、本実施例では、下電極４２の励振電極部４２１及び上電極４１にモリブデンを用いているが、これは好適な例でありこれに限定されるものではなく、例えば、アルミニウムやチタンや金や白金やタングステンであってもよい。また、上下電極４１，４２の接続電極４１２，４２２の一部にモリブデン下地に金を形成した構成を採用してもよい。
【００４１】
また、本実施例では、圧電薄膜３に窒化アルミニウムを用いているが、これは好適な例でありこれに限定されるものではなく、例えば、酸化亜鉛であってもよい。
【００４２】
また、本実施例では、基板２にＸ軸回りに＋１〜２度回転したＺ板水晶を用いているがこの回転角度はこれに限定されるものではなく、例えばＸ軸回りに回転しないＺ板水晶や、２度以上回転したＺ板水晶を用いる等用途に合わせて任意に設定されるものである。
【００４３】
また、図５に示すように、本実施例にかかる圧電薄膜共振子１のキャビティ２３に発振周波数調整を行う調整部（以下、付加調整部５２という）が設けられてもよい。すなわち、圧電薄膜共振子１に付加調整部５２が付加されてもよい。この図５に示す付加調整部５２は、金からなり、下電極４２の励振電極部４２１と電気的に接続されている。この場合、キャビティ２３には付加調整部５２が設けられるので、基板２に上下電極４１，４２を形成した後であっても発振周波数調整を行うことができる。そして、この付加調整部５２をミーリングや反応ガスを用いたエッチングして発振周波数調整を行う。
【００４４】
また、本実施例では、下電極４２のうちモリブデンからなる電極と、クロムと金とが積層してなる電極との一部が重なって形成されている。この構成は、本実施例に限定されるものではなく、異なる材料が重なって形成されていれば、下電極４２のうち励振電極部４２１と接続電極部４２２との材料を異ならせて、これら励振電極部４２１と接続電極部４２２との一部が重なって形成されてもよい。すなわち、励振電極部４２１で必要とする材料（本実施例ではＭｏ金属層６２）と、接続電極部４２２で必要とする材料（本実施例ではＣｒ−Ａｕ金属層６１）とが重なって形成されていればよい。
【００４５】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
基板に水晶を用いた圧電薄膜デバイスに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の概略平面図である。
【図２】図２は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程において、基板に下電極を成形した状態の基板の概略側面図である。
【図３】図３は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の製造工程において、基板に下電極および圧電薄膜を成形した状態の基板の概略側面図である。
【図４】図４は、本実施例にかかる圧電薄膜共振子の概略側面図である。
【図５】図５は、本実施例の他の例にかかる圧電薄膜共振子の概略側面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  圧電薄膜共振子
２  基板
２３  キャビティ
２４  キャビティの側面
３  圧電薄膜
３１，３２  圧電薄膜の表裏面
３３  振動領域
３４  他領域
４１  上電極
４２  下電極
４１１，４２１  励振電極部
４１２，４２２  接続電極部
５２  付加調整部
【図１】
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【図２】
2008177749.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008177749.tif 000006
【図５】
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