(57)【要約】【課題】液晶装置の高密度化及び小型化を実現しつつ、高品質な画像表示を行う。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、有効領域（１０ａａ）及びこれを額縁状に囲むダミー領域（１０ａｂ）を含む画素領域に互いに交差して設けられた複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（３ａ）と、有効領域において、データ線及び走査線の交差に対応する有効画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、有効画素毎に設けられており、画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０ａ）とを備える。電気光学装置は、ダミー領域の少なくとも一部において、データ線及び走査線の交差に対応するダミー画素毎に設けられており、データ線に電気的に接続された付加容量（７０ｂ）を更に備える。【選択図】図７
2008026348.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
有効領域及び該有効領域を額縁状に囲むダミー領域を含む画素領域に互いに交差して設けられた複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記有効領域において、前記データ線及び前記走査線の交差に対応する有効画素毎に設けられた画素電極と、
前記有効画素毎に設けられており、前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、
前記ダミー領域の少なくとも一部において、前記データ線に電気的に接続された付加容量と
を備えること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記付加容量は、前記データ線及び前記走査線の交差に対応するダミー画素毎に設けられており、前記基板上において、下側電極、誘電体膜及び上側電極が下層側から順に積層される、前記蓄積容量と同一の積層構造を有するダミー容量であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記ダミー容量は、前記同一の積層構造において、前記データ線との間の電気的経路が短絡されていること
を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記有効画素毎に設けられており、ソース電極及びドレイン電極の一方が前記データ線に接続されると共に他方が前記画素電極に接続されており、前記画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタを更に備えており、
前記ダミー容量は、前記同一の積層構造において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に対応する電極部分が相互に短絡されていること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記ダミー容量は、前記基板上で平面的に見て、前記蓄積容量と面積が異なること
を特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記蓄積容量は、前記基板上で平面的に見て、前記画素電極が夫々形成された各画素の開口領域内に入らないように形成されており、
前記ダミー容量は、前記基板上で平面的に見て、前記各画素の開口領域に対応する各ダミー画素の領域内に入るように形成されており、前記蓄積容量より前記面積が大きいこと
を特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数のダミーの前記少なくとも一部において、前記画素電極を模擬するダミー電極を更に有すること
を特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記基板上において、前記付加容量は前記データ線より上層側に配置され、下側電極及び上側電極が前記基板上において下層側から順に積層される積層構造を有すると共に、前記下側電極が、前記付加容量と前記データ線とを層間絶縁する層間絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールを介して前記データ線に電気的に接続されること
を特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記付加容量は、前記基板上において、夫々金属膜から形成される下側電極及び上側電極が下層側から順に積層される積層構造を有すること
を特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記付加容量は、下側電極及び上側電極が前記基板上において下層側から順に積層される積層構造を有し、前記下側電極及び前記上側電極のうち一方の電極は所定電位とされることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、基板上の画素領域には、画素毎に画素電極が配列されて設けられ、駆動時に画素電極に対してデータ線を介して画像信号が供給される。画素電極に対する画像信号の供給方法として、例えば、データ線の１本１本に逐次画像信号を供給する方法や、画像信号をシリアル−パラレル変換して互いに隣接するデータ線の何本かに対して、グループ毎に同時に画像信号を供給する方法が採用される。そして、このような画像信号の供給は、例えばサンプリング回路にデータ線に電気的に接続されて設けられたサンプリングスイッチを介して行われる。
【０００３】
このように駆動される電気光学装置では、データ線に書き込まれた画像信号電位の変動が生じ、これに起因した縦スジ状の表示ムラが発生してしまうという技術的問題点がある。より具体的には、上で例示したグループ毎に同時に画像信号を供給する方法が採られる場合について、時間軸上で順次に連続して画像信号が供給される相隣接する２つのグループのうち、相対的に先に画像信号が供給される第１のグループに属し、且つ相対的に後に画像信号が供給される第２のグループに隣接するデータ線と、このデータ線に隣接する第２のグループに属するデータ線とでは、以下のような画像信号電位の変動が生じ易い。即ち、このように相隣接する２本のデータ線間に存在する寄生容量等に起因して、これら２本のデータ線に対応するサンプリングスイッチの各々のゲート−ドレイン間の寄生容量も変化し、その結果、各々のサンプリングスイッチのドレイン側のデータ線の画像信号電位が、プッシュダウン(即ち、本来の画像信号電位より低い画像信号電位となってしまうこと、或いは次回のサンプリングの際に、本来より低い画像信号電位しかサンプリングできないこと)やプッシュアップ(即ち、本来の画像信号電位より高い画像信号電位となってしまうこと、或いは次回のサンプリングの際に、本来より高い画像信号電位がサンプリングされてしまうこと)する事態が生じ得る。
【０００４】
特許文献１では、このような技術的問題点を解決する手段として、基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域において、周辺領域に延在するデータ線の一部に電気的に接続してコンデンサを設ける技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２５８８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、このような電気光学装置には、装置の高密度化・小型化という一般的な要請がある。特許文献１に開示された技術によれば、データ線にコンデンサを設けることにより表示ムラの発生を低減しているものの、このようなコンデンサを設けることによって、周辺領域の狭小化が困難となり、装置の高密度化・小型化を実現し難くなるという技術的問題点がある。
【０００７】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、装置の高密度化・小型化を実現しつつ、縦スジ状の表示ムラのない高品質な画像を表示可能な電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、有効領域及び該有効領域を額縁状に囲むダミー領域を含む画素領域に互いに交差して設けられた複数のデータ線及び複数の走査線と、前記有効領域において、前記データ線及び前記走査線の交差に対応する有効画素毎に設けられた画素電極と、前記有効画素毎に設けられており、前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、前記ダミー領域の少なくとも一部において、前記データ線に電気的に接続された付加容量とを備える。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、基板上の画素領域は、その中央寄りを占める有効領域と、その周辺寄りを額縁状に占めるダミー領域とを含む。有効領域を構成する複数の有効画素には夫々、画素電極や、例えばこれをスイッチング制御する薄膜トランジスタ等のスイッチング素子、更に蓄積容量を有する画素部（以下適宜「有効画素部」という）が設けられている。電気光学装置の駆動時に、有効画素部は、例えば走査線を介して供給される走査信号に基づいて選択状態となり、画素電極に対してデータ線を介して画像信号が供給される。これにより、例えば電気光学物質の一例である液晶の配向状態を有効画素毎に制御することが可能となり、画素領域において有効領域は例えば画像表示を行う画像表示領域となる。そして、各有効画素部においては、画素電極と並列にデータ線に電気的に接続される蓄積容量によって、画素電極における電位保持特性を高めることができる。
【００１０】
他方、基板上の画素領域におけるダミー領域は、上述したような画像表示には直接寄与しない領域として配置される。ダミー領域は、画素領域の端部における電気光学物質の配向むらなど、動作特性や製造特性との関係で、画素領域の周辺寄り或いは端や縁にて相対的に発生し易い動作状態のむらの発生領域を、有効領域から離す役目を果たす。本発明に係る電気光学装置では、ダミー領域を構成する複数のダミー画素には夫々、有効画素部を模擬する画素部（以下適宜「ダミー画素部」という）が設けられている。そして、ダミー領域の少なくとも一部においては、ダミー画素部は、データ線に電気的に接続された付加容量を有する。よって、所謂データ線周りの容量を適切に確保することができる。ここにいう「データ線周りの容量」とは、一のデータ線について、このデータ線自体の配線容量に加えて、一のデータ線と基板上において少なくとも部分的に重なり合う他の構成要素との間の寄生容量（例えば基板上においてデータ線と部分的に重なり合う他の配線との間に生じる寄生容量）との関係により決定される相対的な一のデータ線の容量を意味する。即ち、本発明に係る電気光学装置では、各データ線に対して付加容量がデータ線の配線容量に補強的に設けられることにより、例えばデータ線に画像信号を供給するサンプリング回路のサンプリングスイッチのゲート−ドレイン間の寄生容量の、データ線における画像信号電位の変動に与える影響を小さく抑えることが可能となる。従って、データ線が保有すべき電位の変動を抑制し、例えばこれに起因してデータ線に沿った表示ムラとして表示画像において顕著に視認されるほどの表示不良が発生することを防止することができる。その結果、本発明の電気光学装置では、高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置では、機能的には画素領域において所謂デッドスペースといえるダミー領域に付加容量を設けることにより、既に説明した特許文献１における周辺領域に新たに付加容量を設ける構成と比較して、基板上における周辺領域を狭小化し、且つ狭小化しても、周辺領域において、データ線や走査線を駆動するための周辺回路部の配置に係る設計上の自由度をより大きく確保することが可能となる。
【００１２】
更に、本発明の電気光学装置では、ダミー領域には、有効領域における蓄積容量と、電気光学装置の製造プロセスにおいて同一機会に形成される付加容量が設けられるのが好ましい。また、ダミー画素部と有効画素部との間では、付加容量の設置に係る構成を除いた他の構成は、相互に同一としてもよい。このように構成すれば、ダミー画素本来の機能を高めることにより、周辺寄りに位置しているが故に、動作が不安定となり正常な画像表示を行うことが困難な画素部をダミー画素部として形成でき、その他の中央寄りに位置しているが故に、動作が安定となり正常な画像表示を行うことが容易な画素部を有効画素部として形成できる。加えて、有効画素部の構成に対して、ダミー画素部に大幅な設計変更を加えることなく、即ち基板上における積層構造及び製造プロセスを同一又は類似としつつ、有効領域に蓄積容量を作り込みつつ、ダミー領域に付加容量を作り込むことが可能となる。また、この場合には、上述した特許文献１の構成と比較しても、付加容量を設けるために、データ線との電気的接続のために新たに中継配線を設けたり、これに伴い新たなコンタクトホールの開孔を要するような大幅な設計変更を行う手間は不要となる。
【００１３】
従って、本発明の電気光学装置では、製造プロセスにおける製造工程の煩雑化及び製造コストの増加を防止することが可能となり、電気光学装置をより容易に高密度化すると共に小型化することができる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の一態様では、前記付加容量は、前記データ線及び前記走査線の交差に対応するダミー画素毎に設けられており、前記基板上において、下側電極、誘電体膜及び上側電極が下層側から順に積層される、前記蓄積容量と同一の積層構造を有するダミー容量である。
【００１５】
この態様によれば、付加容量は、有効画素部における蓄積容量と同一の積層構造を有する、蓄積容量を模擬するダミー容量である。ここで、「同一の積層構造」は、付加容量及び蓄積容量の各々の各層の積層の順序が同一であることを意味する。即ち、付加容量は、蓄積容量の下側電極と同一膜から形成された一の電極と、蓄積容量の上側電極と同一膜から形成された他の電極と、これら一対の電極間に挟持される誘電体膜とから構成される。ここにいう「同一膜から形成される」とは、付加容量及び蓄積容量に共通の前駆膜を形成すると共に、これに対するパターニング処理を行うことにより、例えば付加容量の一の電極と蓄積容量の下側電極とが、それぞれの場所に応じ、且つ、それぞれ固有のパターン形状を有するものとして形成されるという意味である。言い換えれば、付加容量と蓄積容量は、製造工程段階では、同一機会に形成されるものである。このように付加容量と蓄積容量とを、同一機会に製造することから、これらそれぞれを別々に製造する場合と比較して、製造工程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等を実現することができる。
【００１６】
このダミー容量に係る態様では、前記ダミー容量は、前記同一の積層構造において、前記データ線との間の電気的経路が短絡されてよい。
【００１７】
このように構成すれば、蓄積容量とダミー容量とを、同一又は殆ど同一の構成或いは殆ど同一又は殆ど同一の製造プロセスで製造しつつ、ダミー容量については、短絡という比較的簡単な構成及び製造プロセスを採用することで、データ線の付加容量として構築可能となる。
【００１８】
このダミー容量における短絡に係る態様では、前記有効画素毎に設けられており、ソース電極及びドレイン電極の一方が前記データ線に接続されると共に他方が前記画素電極に接続されており、前記画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタを更に備えており、前記ダミー容量は、前記同一の積層構造において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に対応する電極部分が相互に短絡されてよい。
【００１９】
このように構成すれば、有効領域における、例えばスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタを製造するプロセスのうち、少なくともソース電極及びドレイン電極を正膜するプロセスと同一プロセスを利用しつつ、これらの電極に対応する電極部分の短絡という比較的簡単な構成及び製造プロセスを採用することで、ダミー容量を、データ線の付加容量として構築可能となる。即ち、有効領域における蓄積容量の製造プロセスを行うのに比べて、付加的なプロセスを要せずして、ダミー容量を、データ線の付加容量として構築可能となる。
【００２０】
このダミー容量に係る態様では、前記ダミー容量は、前記基板上で平面的に見て、前記蓄積容量と面積が異なってよい。
【００２１】
このように構成すれば、ダミー容量の模擬対象である蓄積容量と比べて面積を大きくする又は小さくすることで、ダミー容量に係る面積に比例する容量値を所望の値に設定可能となる。特に、ダミー容量を大きくすれば、ダミー画素の一部のみを利用して、データ線の付加容量たるダミー容量として必要な容量値を達成することも可能となる。これにより、ダミー領域内の一部のダミー画素部に、データ線の付加容量としての機能も持たせ、ダミー領域内の他の部分のダミー画素部に、ダミー画素本来の機能を専ら持たせることも可能となる。よって、ダミー画素部において、ダミー蓄積容量が付加容量として機能する点とその配置面積が蓄積容量と異なる点を除いて、有効画素部と同一構造で形成することができる。即ち、有効画素部の構成に対して、ダミー画素部に大幅な設計変更を加えることなく、付加容量を設けることが可能となる。
【００２２】
この場合更に、前記蓄積容量は、前記基板上で平面的に見て、前記画素電極が夫々形成された各画素の開口領域内に入らないように形成されており、前記ダミー容量は、前記基板上で平面的に見て、前記各画素の開口領域に対応する各ダミー画素の領域内に入るように形成されており、前記蓄積容量より前記面積が大きいように構成してもよい。
【００２３】
このように構成すれば、ダミー領域における開口領域に対応する領域内では、ダミー容量の存在によって、表示に寄与する光の透過や反射等による出射が妨げられる。しかるに、ダミー領域では、少なくとも直接に視認される画像が表示されるため、このようなダミー容量の作成領域を、開口領域に対応する領域内に入るように形成しても、表示上の不具合は殆ど又は全くない。他方で、例えば画素電極が形成される領域に対応する領域内に又はダミー電極に重なる領域内など、各画素の開口領域に対応する領域内に入るように形成することで、一定のダミー領域を使って高い容量値を達成することが可能となる。このように、表示品質を落とすことなく且つ付加容量を作り込むための基板上領域を広げないようにしつつ、所望の容量値を得られるので、実践上大変有効である。尚、本発明に係る「開口領域」或いは「各画素の開口領域」とは、各画素部における表示光を、透過や反射などによって、出射可能な領域を意味する。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置の一態様では、前記複数のダミー画素の前記少なくとも一部において、前記画素電極を模擬するダミー電極を更に有する。
【００２５】
本態様によれば、ダミー画素部は、有効画素部が画素電極を有するのと同様に、ダミー電極を有するので、有効画素部をより正確に模擬することができ、ダミー領域本来の機能が高められる。
【００２６】
即ち、電気光学装置の駆動時に、蓄積容量の存在によって表示光の出射は妨げられるものの、ダミー画素部を有効画素部と同一の動作で駆動することが可能となる。これにより、ダミー領域において、例えば電気光学装置の一例である液晶の配向状態が有効画素部と同程度の性能で制御されることにより、有効領域において安定した良好な画像表示を行うことができる。この際、表示光の出射が妨げられることは、ダミー画素のかかる機能を低下させることにはならない。よって、電気光学装置の信頼性を向上させることが可能となる。但し、画像表示を有効画素におけると完全に同等に行う必要がないダミー画素においては、画素電極がなくてもよい。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記付加容量は前記データ線より上層側に配置され、下側電極及び上側電極が前記基板上において下層側から順に積層される積層構造を有すると共に、前記下側電極が、前記付加容量と前記データ線とを層間絶縁する層間絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールを介して前記データ線に電気的に接続される。
【００２８】
この態様によれば、付加容量を設けるために、データ線との電気的接続のために新たに中継配線を設けたり、これに伴い新たなコンタクトホールの開孔を要するような大幅な設計変更を行う手間は不要となる。よって、付加容量とデータ線との電気的接続に係る抵抗が、中継配線の存在や、中継配線との電気的接続に伴って開孔された新たなコンタクトホール内で大きくなるのを防止すると共に、電気光学装置の製造プロセスにおける製造工程が煩雑化し、製造コストが増加する等の不具合を防止することが可能となる。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記付加容量は、前記基板上において、夫々金属膜から形成される下側電極及び上側電極が下層側から順に積層される積層構造を有する。
【００３０】
この態様によれば、付加容量はＭＩＭ（Metal Insulator Metal）構造を有する。よって、付加容量を構成する誘電体膜を、高誘電率を有する誘電体材料（即ち、Ｈｉｇｈ−Ｋ材料）から形成することができる。従って、付加容量を、比較的小さな領域内に、データ線の画像信号電位の変動を抑制するのに十分な容量値を有するように作り込むことが可能である。尚、「金属膜」とは、例えばアルミニウム等の比較的低抵抗な導電材料を含んで形成される単層の導電膜、又はこのような導電膜を含んで形成される多層膜を意味する。
【００３１】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記付加容量は、下側電極及び上側電極が前記基板上において下層側から順に積層される積層構造を有し、前記下側電極及び前記上側電極のうち一方の電極は所定電位とされる。
【００３２】
この態様によれば、付加容量を好適に機能させることができる。即ち、付加容量によって、データ線に供給される画像信号に応じた電位と所定電位との電位差に応じた適当な電荷量を蓄積することが可能となる。尚、本発明に係る「所定電位」とは、画像信号電位の変化或いは画像データによらず予め定められた電位を意味し、例えば、時間軸に対して完全に一定電位に固定された固定電位であってもよいし、時間軸に対して一定期間ずつ一定電位に固定された固定電位（例えば、一定期間毎に基準電位に対して反転する反転電位）であってもよい。
【００３３】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３４】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高密度化及び小型化しつつ高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００３５】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３７】
＜液晶装置の全体構成＞
先ず、本実施形態における液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た液晶装置の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【００３８】
図１及び図２において、液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画素領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００４０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。本実施形態において、額縁遮光膜５３によって規定される額縁領域は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、例えば画素領域１０ａに対して、画素領域１０ａの縁に沿う額縁状の領域の少なくとも一部の領域に重畳するように、配置される。そして、画素領域１０ａにおいて額縁領域によって規定される領域が、画像表示が行われる有効領域即ち画像表示領域１０ａａとなる。尚、画素領域１０ａにおいて額縁領域に重畳する領域はダミー領域として構成される。
【００４１】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画素領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、周辺回路部が、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、外部回路接続端子１０２を含んで形成される。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置される。
【００４３】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられる。
【００４５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線上に画素電極９ａが、更にその上から配向膜１６が形成されている。尚、本実施形態では、画素スイッチング素子はＴＦＴのほか、各種トランジスタ或いはＴＦＤ等により構成されてもよい。
【００４６】
他方、対向基板２０上の画像表示領域１０ａａには、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成され、この遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、液晶層５０を介して複数の画素電極９ａと対向する対向電極２１が形成され、更に、配向膜２２が形成される。
【００４７】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００４８】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００４９】
次に、液晶装置に係る電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに、図３は、画素領域及び周辺回路部の構成を概略的に示すブロック図である。
【００５０】
図３において、液晶装置には既に説明したように周辺回路部を構成する、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７が設けられている。
【００５１】
走査線駆動回路１０４には、例えば外部回路接続端子１０２を介して、図３中には図示しない外部回路より、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍを順次生成して出力する。
【００５２】
本実施形態では、データ線駆動回路１０１には、例えば外部回路接続端子１０２を介して、外部回路よりＸクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、ＸスタートパルスＤＸが供給される。そして、データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング回路駆動信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・・、Ｓｎ−１、Ｓｎを順次生成して出力する。
【００５３】
サンプリング回路７は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ７１を複数備える。サンプリング回路７には、例えば外部回路より外部回路接続端子１０２に供給された画像信号ＶＩＤが、画像信号線６を介して供給される。本実施形態では、画像信号線６は一本とし、いずれのサンプリングスイッチ７１もこの画像信号線６から画像信号ＶＩＤを供給される場合について説明するが、画像信号は、シリアル−パラレル展開（即ち、相展開）されていてもよい。例えば、画像信号を画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の６相にシリアル−パラレル展開した場合、これらの画像信号は、６本の画像信号線を介してサンプリング回路７に入力される。複数の画像信号線に対し、シリアルな画像信号を変換して得たパラレルな画像信号を同時供給すると、データ線６ａへの画像信号入力をグループ毎に行うことができ、駆動周波数が抑えられる。
【００５４】
サンプリング回路７は、各サンプリングスイッチ７１が、データ線駆動回路１０１から出力されるサンプリング回路駆動信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・・、Ｓｎ−１、Ｓｎに応じて、各データ線６ａに、画像信号ＶＩＤを供給するように構成されている。
【００５５】
液晶装置は、そのＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画素領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線６ａ及び走査線３ａを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０上の画素領域１０ａは、図１及び図２を参照して説明したように、有効領域たる画像表示領域１０ａａ及びダミー領域１０ａｂから構成される。ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａａにおいて、データ線６ａ及び走査線３ａの交点に対応して有効画素部９０ａがマトリクス状に配列され、各有効画素部９０ａは画素電極９ａ、及び画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０ａ、更には蓄積容量７０ａを備える。他方、ダミー領域１０ａｂには、データ線６ａ及び走査線３ａの交点に対応してダミー画素部９０ｂが配列される。本実施形態では、好ましくは、有効画素部９０ａとダミー画素部９０ｂとは、後述する特徴的な構成、即ちダミー蓄積容量７０ｂが付加容量として機能する構成を除いて、概ね同一構造を有する。この場合、ダミー画素部９０ｂには、前述した相違点を除いて、有効画素部９０ａにおける画素電極９ａ、ＴＦＴ３０ａ及び蓄積容量７０ａと概ね同様に、ダミー画素電極９ｂ、及びダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂ、ダミー蓄積容量７０ｂを備える。尚、図３及び後述の図３以降の各図に係る説明において、ダミー画素部９０ｂについて、有効画素部９０ａと同一の構成については、図中同一の符号を付して示し且つその説明を省略することもあり、特に相違点についてのみ詳細に説明する。
【００５６】
ここに、図３中、有効画素部９０ａの構成に着目すれば、ＴＦＴ３０ａのソース電極には、データ線６ａが電気的に接続されている一方、ＴＦＴ３０ａのゲート電極には、走査線３ａが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ３０ａのドレイン電極には、画素電極９ａが接続されている。そして、有効画素部９０ａにおいて、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶が挟持され、液晶保持容量が形成される。また、画素電極９ａに書き込まれた画像信号のリークを防ぐために、蓄積容量７０ａが、画素電極９ａと並列に付加されている。蓄積容量７０ａの一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０ａのドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位Ｖｆとなるように、電位固定の容量配線３００に電気的に接続されている。
【００５７】
他方、ダミー画素部９０ｂにおいては、ダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂのソース電極及びドレイン電極間が短絡されている。これにより、ダミー蓄積容量７０ｂとデータ線６ａとの間の電気的経路の一部が短絡され、ダミー蓄積容量７０ｂはデータ線６ａと電気的に接続され、本発明に係る「付加容量」として形成される。
【００５８】
走査線駆動回路１０４から出力される走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍによって、各走査線３ａは線順次に選択される。本実施形態では、一例として、図３に示すように、画素領域１０ａにおける一のデータ線６ａにつき、ダミー画素部９０ｂは、データ線６ａの延在方向に沿う同図中上方に位置するダミー領域１０ａｂ、及びこれに対して画像表示領域１０ａａを挟んで下方に位置するダミー領域１０ａｂの夫々に４画素ずつ設けられる。そして、図３中、上方に位置するダミー領域１０ａｂにおけるダミー画素部９０ｂには走査信号Ｇ１〜Ｇ４が、下方に位置するダミー領域１０ａｂにおけるダミー画素部９０ｂには走査信号Ｇｍ−３〜Ｇｍが、夫々走査線３ａを介して供給される。よって、これら２つのダミー領域１０ａｂの挟まれた画像表示領域１０ａａにおいて、各走査線３ａは、走査信号Ｇ５〜Ｇｍ−４によって選択される。
【００５９】
画像表示領域１０ａａにおいて選択された走査線３ａに対応する有効画素部９０ａにおいて、ＴＦＴ３０ａに走査信号Ｇ５〜Ｇｍ−４が供給されると、ＴＦＴ３０ａはオン状態となり、当該有効画素部９０ａは選択状態となる。この有効画素部９０ａにおいて画素電極９ａには、ＴＦＴ３０ａを一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａより画像信号ＶＩＤが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。
【００６０】
液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号ＶＩＤに応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６１】
これに対して、ダミー領域１０ａｂにおいて、ダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂは上述したようにソース電極及びドレイン電極間が短絡され、画素スイッチング用素子としては機能しないように構成される。そして、ダミー蓄積容量７０ｂのダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂのドレインに電気的に接続された一方の電極は、データ線６ａにおける画像信号ＶＩＤの電位と同電位とされ、他方の電極は、容量配線３００に電気的に接続されて定電位Ｖｆとされ、これら一対の電極間の電位差に応じた電荷量の電荷がダミー蓄積容量７０ｂに蓄積される。これにより、ダミー蓄積容量７０ｂは、本発明に係る「付加容量」として、データ線６ａの配線容量に対して補強的に機能させることができる。
【００６２】
よって、本実施形態では、ダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂは上述したようにソース電極及びドレイン電極間を短絡させることのみにより、ダミー蓄積容量７０ｂを付加容量として機能させることが可能となり、この構成を除いてダミー画素部９０ｂに対して大幅な設計変更を加えることなく、有効画素部９０ａと概ね同様の構成で形成することができる。また、このようにダミー画素部９０ｂが有効画素部９０ａと同様の構成を有することにより、ダミー蓄積容量７０ｂを、有効画素部９０ａにおける蓄積容量７０ａと同程度の性能で、付加容量として機能させることが可能となる。
【００６３】
尚、本実施形態では、図３に示すようにダミー領域１０ａｂにおけるダミー画素部９０ｂの全部において、ダミー蓄積容量７０ｂを付加容量として機能させる構成に限定されず、ダミー領域１０ａｂにおいて、一部のダミー画素部９０ｂを有効画素部９０ａと例えば同一の動作で駆動可能なように同一構造で形成し、他のダミー画素部９０ｂは、ダミー蓄積容量７０ｂを付加容量として機能させるように形成するようにしてもよい。
【００６４】
この場合、液晶装置における例えば画像表示時に、一部のダミー画素部９０ｂは、有効画素部９０ａにおける動作と同一の動作で駆動され、走査信号Ｇ１〜Ｇ４若しくはＧｍ−３〜Ｇｍがダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂに供給されると、ダミー画素電極９ｂにはダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂを介してデータ線６ａより画像信号ＶＩＤが供給される。例えば、ダミー画素部９０ｂには、黒色に相当する透過光を出射可能な電位の画像信号ＶＩＤが供給され、黒色のベタ状の表示が行われ、画像表示領域１０ａａにおける表示画像の縁が黒く縁取られる。
【００６５】
よって、このように構成すれば、液晶装置における画素領域１０ａの縁付近に配置され、動作が不安定となり正常な画像表示を行うことが困難な画素部をダミー画素部９０ｂとして機能させ、液晶の配向状態を有効画素部９０ａと同程度の性能で制御することができ、画像表示領域１０ａａにおいて安定した良好な画像表示を行うことが可能となる。従って、液晶装置の信頼性を向上させることができる。また、このようにダミー画素部９０ｂを機能させたとしても、有効画素部９０ａと同一構造で形成することにより、液晶装置の製造プロセスが煩雑化し、製造コストの増加等の不具合を招くのを防止することができる。
【００６６】
＜画素部の構成＞
次に、本実施形態における有効画素部９０ａ及びダミー画素部９０ｂの構成について、図４から図７を参照して説明する。
【００６７】
先ず、図４及び図５を参照して、有効画素部９０ａの構成について説明する。ここに、図４は、本実施形態に係る液晶装置における有効画素部の構成の一例を概略的に示す平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´線での断面図である。
【００６８】
図３を参照して説明したように、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａａにマトリクス状に複数設けられており、図４において、画素電極９ａの縦横の境界（点線部９ａ´により画素電極９ａの輪郭が示されている）に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜或いは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。
【００６９】
図４又は図５において、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図４中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。即ち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０ａが設けられている。
【００７０】
図５において、データ線６ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上において、第１層間絶縁膜４１を下地とし且つ蓄積容量７０ａよりも下層側に形成されており、コンタクトホール８１を介してＴＦＴ３０ａの高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。データ線６ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）層、ＴｉＮ（窒化チタン）層、Ａｌ（アルミニウム）層、ＴｉＮ層が上層側から下層側に向かって順次、１００ｎｍ、５００ｎｍ、３５００ｎｍ、１５００ｎｍの膜厚で夫々積層された多層膜として形成される。また、図４又は図５に示すように、データ線６ａにおいて、蓄積容量７０ａの下部容量電極７１とＴＦＴ３０ａの高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的に接続するためのコンタクトホール８３に対応する位置に、開孔部６ａｈが配置される。即ち、コンタクトホール８３は、図４によく示されるように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、データ線６ａにおける開孔部６ａｈ内に位置し、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２を貫通して、ＴＦＴ３０ａの高濃度ドレイン領域１ｅの表面を露出させるように開孔される。
【００７１】
蓄積容量７０ａは、図４又は図５において、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された、蓄積容量７０ａの下側電極である画素電位側容量電極としての下部容量電極７１と、蓄積容量７０の上側電極である固定電位側容量電極としての上部容量電極３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。本実施形態では、以下に説明するように、蓄積容量７０ａはＭＩＭ構造を有する。
【００７２】
上部容量電極３００は、図３を参照して既に説明したように、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画素領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位Ｖｆとされる。係る定電位源としては、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。上部容量電極３００は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、例えば、ＴｉＮ層、Ａｌ層、ＴｉＮ層が下層側から順次、５００ｎｍ、３５００ｎｍ、５００ｎｍの膜厚で夫々積層された多層構造を有する。また、下部容量電極７１も、例えば上部容量電極３００と同様の膜厚の導電膜、即ちＴｉＮ層、Ａｌ層、ＴｉＮ層が下層側から順次積層された多層構造を有する。下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、画素電極９ａとＴＦＴ３０ａの高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を持つ。加えて、下部容量電極７１と上部容量電極３００との間に配置される誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。
【００７３】
一方、図５中、ＴＦＴアレイ基板１０上においてＴＦＴ３０ａの下側には、下地絶縁層１２を介して下側遮光膜１１ａが、例えば２０００ｎｍの膜厚で格子状に設けられている。下地絶縁層１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成され、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０ａを層間絶縁する。
【００７４】
画素電極９ａは、第３層間絶縁膜４３上の最上層に位置し、下部容量電極７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００７５】
図４及び図５に示すように、液晶装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００７６】
ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００７７】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。また、対向基板２０上の画像表示領域１０ａａ（図５中、対向基板２０の下側）には、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が設けられる。
【００７８】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００７９】
図５において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０ａは、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ'、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。尚、半導体層１ａは、例えば５５０ｎｍの膜厚で形成される。
【００８０】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００８１】
第１層間絶縁膜４１上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、コンタクトホール８３が開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２上に配置された蓄積容量７０ａの上部容量電極３００の上から第２層間絶縁膜４２の全面を覆うように、コンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００８２】
続いて、図６及び図７を参照して、ダミー画素部９０ｂの構成について説明する。ここに、図６は、本実施形態に係る液晶装置におけるダミー画素部の構成の一例を概略的に示す平面図であり、図７は、図６のＢ−Ｂ´線での断面図である。
【００８３】
既に説明したように、ダミー画素部９０ｂは、ダミー蓄積容量７０ｂを付加容量として機能させる点を除いて、有効画素部９０ａと概ね同一構造で形成される。そして、ダミー画素電極９ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上のダミー領域１０ａｂにデータ線６ａ及び走査線３ａの交差に対応して設けられる。尚、図６において、点線部９ｂ´によりダミー画素電極９ｂの輪郭が示されている。
【００８４】
また、図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素領域１０ａにおいて、ダミー領域１０ａｂは、平面的に見て額縁領域と重畳して配置され、ＴＦＴアレイ基板１０上のダミー画素部９０ｂを構成するダミー画素電極９ｂ等は、図７中で対向基板２０側に形成される額縁遮光膜５３下に配置されることとなる。これにより、ダミー領域１０ａｂは、画像表示領域１０ａａの機能即ち画像表示には寄与しない領域として配置される。
【００８５】
図７において、ダミー画素部９０ｂでは、ＴＦＴアレイ基板１０上においてデータ線６ａは、図４又は図５に示すような開孔部６ａｈは形成されず、第１層間絶縁膜４１を貫通して開孔されたコンタクトホール８４を介してダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂの高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続される。このように、データ線６ａの一部が、コンタクトホール８１及び８４を介して、ダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されることにより、ダミー画素部用ＴＦＴ３０ｂのソース電極及びドレイン電極は短絡されている。
【００８６】
また、ダミー蓄積容量７０ｂは、有効画素部９０ａにおける蓄積容量７０ａと同層に配置され且つ同一の積層構造を有する。これにより、ダミー蓄積容量７０ｂは、蓄積容量７０ａと同様に、第２層間絶縁膜４２上に配置され、下層側から順に、画素電位側容量電極としての下部容量電極７１、誘電体膜７５、及び固定電位側容量電極としての上部容量電極３００が積層された、ＭＩＭ構造を有する。そして、ダミー蓄積容量７０ｂの下部容量電極７１は、第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８３を介して、データ線６ａに電気的に接続される。
【００８７】
よって、付加容量としてダミー蓄積容量７０ｂを、新たな中継配線を設けたり、これに伴い新たなコンタクトホールの開孔を要するような大幅な設計変更を伴うことなく、電気的経路の一部を短絡させてデータ線６ａと電気的に接続させる構成を容易に形成することが可能となる。従って、ダミー蓄積容量７０ｂとデータ線６ａとの電気的接続に係る抵抗が、中継配線の存在や、中継配線との電気的接続に伴って開孔された新たなコンタクトホール内で大きくなるのを防止することが可能となる。
【００８８】
また、液晶装置の製造プロセスにおいて、ダミー蓄積容量７０ｂと蓄積容量７０ａとは、各々について、下部容量電極７１、誘電体膜７５、及び上部容量電極３００の各々を同一の工程で形成することができる。また、ダミー蓄積容量７０ｂをＭＩＭ構造で形成することにより、画素領域１０ａを高精細化しても、後述するようなデータ線６ａの画像信号電位の変動を抑制するのに十分な容量値を確保することが可能となる。
【００８９】
以上説明したように、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上のダミー領域１０ａｂにおいて、ダミー画素部９０ｂにおけるダミー蓄積容量７０ｂを付加容量として機能させることにより、データ線６ａ周りの容量を適切に確保することができる。よって、データ線６ａに画像信号ＶＩＤを供給するサンプリング回路７のサンプリングスイッチ７１のゲート−ドレイン間の寄生容量の、データ線６ａにおける画像信号電位の変動に与える影響を小さく抑えることが可能となる。従って、データ線６ａが保有すべき、画像信号ＶＩＤの電位の変動を抑制し、これに起因してデータ線６ａに沿った表示ムラとして表示画像において顕著に視認されるほどの表示不良が発生することを防止することができる。その結果、液晶装置では、高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００９０】
また、本実施形態では、機能的には画素領域１０ａにおいて所謂デッドスペースといえるダミー領域１０ａｂにおいて、ダミー画素部９０ｂのダミー蓄積容量７０ｂを付加容量として機能させることにより、周辺領域に新たに付加容量を設ける構成と比較して、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域を狭小化し、且つ狭小化しても、周辺領域において、周辺回路部の配置に係る設計上の自由度をより大きく確保することが可能となる。
【００９１】
よって、本実施形態によれば、以上説明したように比較的簡易な設計変更のみでダミー蓄積容量７０ｂを付加容量として機能させることができるため、液晶装置の製造プロセスにおける製造工程の煩雑化及び製造コストの増加を防止しつつ、液晶装置をより容易に高密度化すると共に小型化することが可能となる。
【００９２】
＜変形例＞
次に、図８を参照して変形例について説明する。図８は、本変形例について、ダミー画素部の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【００９３】
本変形例では、ダミー画素部９０ｂにおいて、ダミー蓄積容量７０ｂの配置面積を、図４に示す有効画素部９０ａにおける蓄積容量７０ａの配置面積と異ならせて、ダミー蓄積容量７０ｂを付加容量として機能させることが可能なように形成する。これにより、ダミー蓄積容量７０ｂの容量値と、蓄積容量７０ａの容量値とを異ならせて、データ線６ａが保有すべき本来の画像信号電位の変動を抑制するのに十分な値としてダミー蓄積容量７０ｂの容量値を確保することが可能となる。
【００９４】
例えば、図４及び図８について、ダミー画素部９０ｂにおいては、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ダミー蓄積容量７０ｂの配置面積を、有効画素部９０ａと比較して開口領域を小さくすることで、有効画素部９０ａの蓄積容量７０ａの配置面積と比較して大きく確保する。これにより、ダミー蓄積容量７０ｂの容量値を、蓄積容量７０ａの容量値に対して大きく確保することができる。
【００９５】
また、本変形例の構成では、ダミー蓄積容量７０ｂが付加容量として機能する点とその配置面積が蓄積容量７０ａと異なる点を除いて、有効画素部９０ａと同一構造でダミー画素部９０ｂを形成することができる。従って、有効画素部９０ａの構成に対して、ダミー画素部９０ｂに大幅な設計変更を加えることなく、付加容量を設けることが可能となる。
【００９６】
尚、液晶装置は以上説明したようにダミー蓄積容量７０ｂを付加容量として機能させる構成に限定されず、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素領域１０ａのうち、ダミー領域１０ａｂにおける少なくとも一部の領域に、付加容量をデータ線６ａに電気的に接続して形成すると共に、付加容量が設けられる当該領域にはダミー画素部９０ｂを配置しないようにしてもよい。
【００９７】
＜電子機器＞
次に、上述した液晶装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図９は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【００９８】
図９において、投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーンにカラー画像として投射される。
【００９９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】液晶装置の概略的な平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】画素領域及び周辺回路部の構成を概略的に示すブロック図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置における有効画素部の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´線での断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置におけるダミー画素部の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ´線での断面図である。
【図８】本変形例について、ダミー画素部の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図９】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画素領域、１０ａａ…画像表示領域、１０ａｂ…ダミー領域、７０ａ…蓄積容量、７０ｂ…ダミー蓄積容量、９０ａ…有効画素部、９０ｂ…ダミー画素部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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