(57)【要約】【課題】錫デブリ生成放射源からの汚染に長時間さらされるＥＵＶ装置内の汚染バリアの場合、バリアが捕捉されたデブリによって汚染され、そのデブリがバリアの放射透過特性を妨げることがあるため、クリーニング法を提供することが望まれている。【解決手段】錫デブリ生成放射源からもたらされるデブリを捕捉するデブリ軽減システムが提供される。本デブリ軽減システムは、複数のフォイルを含むデブリバリアと、フォイルをクリーニングするよう構築され、配置されたクリーニングシステムとを含む。クリーニングシステムは、液体合金をフォイルに供給して、捕捉されたデブリを溶解しフォイルから洗い流す供給ユニットを含む。この合金は、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む。【選択図】図３
2008177558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
錫デブリ生成放射源からもたらされるデブリを捕捉するデブリ軽減システムであって、
複数のフォイルを含むデブリバリアと、
前記フォイルをクリーニングするように構成されたクリーニングシステムと
を備え、
前記クリーニングシステムが、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む液体合金を前記フォイルに供給して、捕捉されたデブリを溶解し前記フォイルから洗い流す供給ユニットを含む、デブリ軽減システム。
【請求項２】
前記デブリが錫を含む、請求項１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項３】
前記供給ユニットが、室温で液体である組成を有する前記合金を供給するように構成される、請求項１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項４】
前記供給ユニットが、共晶合金として前記合金を供給するように構成される、請求項１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項５】
前記供給ユニットが、錫を含まない前記合金を供給するように構成される、請求項１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項６】
前記クリーニングシステムがさらに、前記合金を収集するために提供された収集カップを備える、請求項１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項７】
前記クリーニングシステムがさらに、前記フォイル間に圧力下で前記合金を注入するインジェクタを備える、請求項１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項８】
還元材料を与えるように構成された第２の供給ユニットをさらに備える、請求項１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項９】
放電生成またはレーザー生成プラズマ源をさらに備える、請求項１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項１０】
前記プラズマ源が、錫、リチウム、またはキセノンを含む、請求項９に記載のデブリ軽減システム。
【請求項１１】
収集エレメントをさらに備える、請求項１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項１２】
前記収集エレメントが円筒対称であり、同心で湾曲する反射表面を備える、請求項１１に記載のデブリ軽減システム。
【請求項１３】
放射ビームをパターニングするように構成されたパターニングデバイスと、
パターニングされた前記放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、
錫デブリ生成放射源からもたらされるデブリを捕捉するように構成されたデブリ軽減システムと
を備え、
前記デブリ軽減システムが、複数のフォイルを含むデブリバリアと、前記フォイルをクリーニングするように構成されたクリーニングシステムとを含み、
前記クリーニングシステムが、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む液体合金を前記フォイルに供給して、捕捉されたデブリを溶解し前記フォイルから洗い流す供給ユニットを含む、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記捕捉されたデブリが錫を含む、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
錫デブリ生成放射源からの放射にさらされるＥＵＶ装置内の光学部品をクリーニングする方法であって、
デブリを溶解して前記部品から前記デブリを洗い流すために、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む合金を前記部品の表面に供給することを含む、方法。
【請求項１６】
前記デブリが錫を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記合金が共晶合金として供給される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記合金が錫を含まずに供給される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
還元剤で酸化錫を錫に還元することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記還元剤が水素ラジカルを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記光学部品が、複数のフォイルを含む汚染バリアである、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、デブリ軽減システム、およびデブリ軽減システムを含むリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板、通常は基板のターゲット部分に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えば、シリコンウェーハ）上の（例えば、１つまたは複数のダイの一部を含む）ターゲット部分に転写することができる。パターンの転写は、典型的には基板に提供された放射感応性材料（レジスト）の層への結像によって行われる。通常、単一の基板は、連続的にパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含む。知られているリソグラフィ装置には、ターゲット部分に全パターンを一度に露光することによって各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパと、放射ビームによって所与の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンし、それと同期してこの方向と平行または逆平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナとが含まれる。また、基板上にパターンをインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  ＥＵＶリソグラフィで使用される放射源は、極端紫外（ＥＵＶ）放射に加えて、光学部品、およびリソグラフィプロセスが実行される作業環境に有害となることがある汚染物質を生成する傾向がある。特にＥＵＶ源が、錫プラズマ源（ｐｌａｓｍａ  ｔｉｎ  ｓｏｕｒｃｅ）などの放電生成プラズマ源によって動作する場合にそうである。放電生成プラズマ源は、電圧を与えることができる一対の電極を典型的には備えている。さらに、例えば蒸気は、例えば電極の一方を目標とするレーザー光線によって生成される。したがって、放電が電極間で生じ、それによってプラズマが発生し、このプラズマによってＥＵＶ放射が生じるいわゆるピンチが生成される。この放射に加え、放電源は、荷電していることも荷電していないこともどちらもあり得る、原子サイズから１マイクロメートルよりも大きいものまでのさまざまな大きさのデブリ粒子を典型的には生成する。ＥＵＶ源からもたらされる放射ビームを調整するように構成された光学システムのデブリによる汚染を制限することが望まれている。光学システムの従来の遮蔽には、第一に、ＥＵＶ源によって生成される光の方向と平行に並べられた多数の密に詰まったフォイルを含むシステムが挙げられる。例えば、ＥＰ１４９１９６３に開示されているような、いわゆるフォイルトラップは、ＥＵＶ源によって生成される光の方向と略平行に並べられた多数の密に詰まったフォイルを使用する。微小粒子、ナノ粒子、およびイオンなどの汚染物質デブリは、フォイルプレートによって形成された壁で捕捉することができる。このように、フォイルトラップは、ＥＵＶ源からの汚染物質を捕捉する汚染バリアとして機能する。プレートレットの配列により、このフォイルトラップは、光に対しては透過性であるが、デブリは捕捉するものであり、その理由は、デブリがプレートレットと平行には進まないため、またはバッファガスによって不規則な動きが生じるためである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
錫デブリ生成放射源からの汚染に長時間さらされるＥＵＶ装置内の汚染バリアの場合、バリアが捕捉されたデブリによって汚染され、そのデブリがバリアの放射透過特性を妨げることがあるため、クリーニング法を提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0004]  本発明の一態様によれば、錫デブリ生成放射源からもたらされるデブリを捕捉するデブリ軽減システムが提供される。本デブリ軽減システムは、複数のフォイルを含むデブリバリアと、フォイルをクリーニングするように構成されたクリーニングシステムとを含む。クリーニングシステムは、液体合金をフォイルに供給して、捕捉されたデブリを溶解しフォイルから捕捉されたデブリを洗い流す供給ユニットを含む。この合金は、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【０００６】
[0005]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、放射ビームをパターニングするように構成されたパターニングデバイスと、パターニングされた放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、錫デブリ生成放射源からもたらされるデブリを捕捉するように構成されたデブリ軽減システムとを含む。デブリ軽減システムは、複数のフォイルを含むデブリバリアと、フォイルをクリーニングするように構成されたクリーニングシステムとを含む。クリーニングシステムは、液体合金をフォイルに供給して、捕捉されたデブリを溶解しフォイルから捕捉されたデブリを洗い流すように構成された供給ユニットを含む。この合金は、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【０００７】
[0006]  本発明の一態様によれば、錫デブリ生成放射源からの放射にさらされるＥＵＶ装置内の光学部品をクリーニングする方法が提供される。本方法は、デブリを溶解して部品から洗い流すために、合金を前記部品の表面に供給することを含む。この合金は、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【０００８】
[0007]  次に、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して、単なる例として本発明の実施形態を説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
[0012]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに連結された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを、基板Ｗの（例えば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された投影システム（例えば、屈折または反射投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１０】
[0013]  この照明投影システムは、放射を方向付ける、成形する、または制御するために、屈折、反射、回折、もしくは他のタイプの光学部品、またはそれらの任意の組み合わせなどのさまざまなタイプの光学部品を含んでいてもよい。
【００１１】
[0014]  支持構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわちパターニングデバイスの重量を支える。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、およびその他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境内に置かれているか否かなどに応じた様式でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気、またはその他のクランプ技法を使用することができる。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルとすることができ、必要に応じて固定することも可動にすることもできる。支持構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」の使用は、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と考えることができる。
【００１２】
[0015]  本明細書で使用する用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを作り出すように放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを表すものと広く解釈すべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分での所望のパターンに正確には対応していない場合があることに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、ターゲット部分に作製される集積回路などのデバイス内の特定の機能層に対応している。
【００１３】
[0016]  パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいてよく知られており、マスクには、バイナリ、レベンソン型（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフト、およびハーフトーン型（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびにさまざまなハイブリッドマスクタイプが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、小型ミラーのマトリックス配列を採用したものであり、各ミラーは、入射放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜させることができる。傾斜させたミラーが、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを与える。
【００１４】
[0017]  本明細書で使用する用語「投影システム」は、使用する露光放射に適した、屈折、反射、反射屈折、またはそれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを包含するものと広く解釈すべきである。本明細書における用語「投影レンズ」の使用は、より一般的な用語「投影システム」と同義と考えることができる。
【００１５】
[0018]  本明細書で示すように、本装置は（例えば、反射マスクを採用する）反射型である。別法として、本装置を（例えば、透過マスクを採用する）透過型としてもよい。
【００１６】
[0019]  このリソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものにすることができる。そのような「マルチステージ」の機構では、追加のテーブルを並行して使用することができ、あるいは、１つまたは複数のテーブルで準備ステップを行いながら、１つまたは複数の他のテーブルを露光用に使用することができる。
【００１７】
[0020]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザーであるとき、放射源とリソグラフィ装置とを別々の部分とすることができる。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているものとはみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。その他の場合、例えば放射源が水銀ランプであるときには、放射源をリソグラフィ装置の一部分とすることができる。
【００１８】
[0021]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面内での強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの種々の他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して、放射ビームをその断面に所望の均一性と強度分布を有するように調整することができる。
【００１９】
[0022]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、マスクＭＡを通った後に投影システムＰＳを通過し、この投影システムＰＳが、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路内にさまざまなターゲット部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使用して、マスクＭＡを、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。（スキャナとは対照的に）ステッパの場合には、マスクテーブルＭＴを、ショートストロークアクチュエータのみに連結してもよく、または固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示した基板アライメントマークは専用のターゲット部分にあるが、基板アライメントマークはターゲット部分間の空間に配置することもできる（これらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合には、マスクアライメントマークをダイの間に配置してもよい。
【００２０】
[0023]  図示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。
【００２１】
[0024]  １.ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止状態に保ったままで、放射ビームに与えられた全パターンが一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一の静止露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一の静的露光で結像されるターゲット部分Ｃの寸法を制限する。
【００２２】
[0025]  ２.スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴとが同期してスキャンされる（すなわち、単一の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）率および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を制限し、スキャン運動の長さが、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決定する。
【００２３】
[0026]  ３.別のモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止状態に保たれ、基板テーブルＷＴは移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後に、またはスキャン中の連続する放射パルスの合間に必要に応じて更新される。この動作モードは、前述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２４】
[0027]  上述の使用モードの組み合わせおよび／または変形、あるいは全く異なる使用モードを採用することもできる。
【００２５】
[0028]  ＳｎベースのＥＵＶ源のフォイルトラップに関する問題点は、後続フォイル間の空間がＳｎで埋められてしまう傾向があるということである。Ｓｎ層が厚くなり過ぎると、フォイルトラップは透過性を失うことがある。したがって、一定の作動時間が経過すると、フォイルトラップは、典型的にはクリーニングまたは交換される。フォイルトラップをシステムから取り出す必要なしに、フォイルトラップをクリーニングできることが好ましい。本明細書で提案する解決策は、一般にＧａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金として示されるガリウム、インジウム、もしくは錫の液体合金、またはそれらの任意の組み合わせを使用してフォイルトラップをクリーニングするというものである。この合金は、使用される温度において液体であるような組成で供給でき、その温度とは、典型的には室温である。この合金は、共晶合金として供給されることが好ましいが、必ずしもそうである必要はない。別の実施形態では、この合金は錫を含まずに供給され、その結果、より多くの錫汚染をガリウムとインジウムの合金に溶解できる。この合金中に溶解できる錫の量は、状態図の液相線によって決まり、したがって合金の出発組成および温度に依存する。
【００２６】
[0029]  この合金は、室温で液体であるため、プレートレット上に存在するＳｎを溶かしながら、フォイルトラップを通って容易に流れるはずである。図２に示すように、（図３で概略的に示す）フォイルトラップ６の後続フォイル間の空間がＳｎで埋まることがある。この問題は図２に示されており、図２は、フォイルトラップから２つのフォイル１および２を示しており、これらのフォイル間には隙間４がある。Ｓｎデブリ粒子が、密に詰まったフォイルによって捕捉される一方、ＥＵＶ光は、隙間４を通り、ＥＵＶリソグラフィツール内へとさらに下流に進むことができる。しかし、Ｓｎデブリはフォイル１および２によって捕捉されるので、図２に示すように、これらのフォイルはＳｎの層３によって被覆されることがある。
【００２７】
[0030]  Ｓｎ層３が厚くなり過ぎると、ＥＵＶ光はもはや妨害されずに隙間４を通過することができない。したがって、一定の作動時間が経過すると、フォイルトラップをクリーニングまたは交換することが必要となることがある。フォイルトラップをシステムから取り出す必要なしに、フォイルトラップをクリーニングすることが好ましい。
【００２８】
[0031]  図３は、本発明の一態様による基本的な実施形態を概略的に示しており、この実施形態は、ＥＵＶ源５と、（フォイル６ａを有する）フォイルトラップ６と、参照番号７、９、１０、１１で表されるクリーニングシステムとを備えている。このクリーニングシステムは、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金８をフォイル６ａに供給するように構築され、配置された入口７と、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金８用の出口９とを含む。このクリーニングシステムは、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金８用の収集カップ１０と、フォイルトラップ６の各フォイル６ａ間にＧａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金を運ぶための管１１とをさらに備えることができる。管１１は、フォイル６ａ間に圧力下で合金を注入するように構成されたインジェクタの形態であってもよい。
【００２９】
[0032]  この実施形態を使用して、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金をフォイル６ａ間の空間に導入することができる。フォイル上のＳｎは、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金と接すると、この合金中に溶解する。次に、合金は出口９によってフォイルから流出し、それによってフォイル間の空間が再び開放される。純粋な液体Ｓｎと比較してＧａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金を使用することの１つの大きな利点は、合金が室温で液体であり、それにより、クリーニング中にフォイルトラップおよび／またはこの液体を加熱する必要性がなくなるということである。しかし、溶解速度を高め、それによりクリーニング時間を短縮するために、やはりそのような加熱を適用してもよい。
【００３０】
[0033]  クリーニング処理中は酸素がないことが好ましい（下記参照）。酸素は、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金中のガリウムと反応して酸化ガリウムを形成することがあり、この酸化ガリウムが、フォイルトラップのフォイルを汚染し、合金中への錫の溶解を阻害することがある。酸化ガリウムの存在は、いくつかの方法で阻止することができる。例えば、クリーニングを、酸素濃度の低いアルゴン環境中で済ませることができる。別の例では、クリーニングを真空中で実行してもよい。ＥＵＶツールがすでに真空であるので、必ずというわけではないが、この後者の例が好ましい。
【００３１】
[0034]  この合金は、それほど容易にはＭｏフォイル上を湿らせず、これにより、フォイルトラップの後続フォイル間のチャネルを通じて液体を流すことが難しくなることがある。したがって、一実施形態では、圧力を使用してこれらのチャネルにＧａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金を通す。これは、管１１をフォイル間のチャネルに直接接続し、次いでわずかな圧力を使用してチャネル中でＧａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金を押し進めることによって実行することができる。
【００３２】
[0035]  酸化錫が溶解プロセスを阻害しないように、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金を与える前に酸化錫を錫に還元することが好ましいことが実験的に判明した。さらに、酸化物の除去は、表面上でのＧａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金の濡れを促進し、したがってクリーニング効率を向上させることができる。酸化錫を減少させることは、いくつかの方法で実行でき、例えば水素ラジカルを使用することによって実行できる。これらの水素ラジカルは、酸素と反応して水を形成し、純粋なＳｎを残す。
【００３３】
[0036]  したがって、好ましい実施形態では、図３に示す実施形態が、水素ラジカル源（図示せず）をさらに備えている。フォイルをクリーニングするために、フォイルトラップは、まず水素ラジカルに、例えば５分間さらされる。その後、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金がフォイルに与えられ、Ｓｎを溶解する。
【００３４】
[0037]  酸化錫を減少させるために、例えば化学的還元剤を使用する湿式還元法、または例えば水素分子を使用する触媒クリーニング法などの他の技法を使用することができる。
【００３５】
[0038]  本発明で説明された技法を使用して、錫によって汚染された他の構成要素、例えばＥＵＶミラーをクリーニングすることもできる。
【００３６】
[0039]  図４は、図２を参照して上で説明したクリーニング原理の全体的な概略図を示している。具体的には、プレートレット１４が加熱され、その結果、その上に堆積したデブリ８が蒸発する。プレートレット１４に沿ってＧａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金３４を流れさせることにより、錫デブリ８が溶解されてプレートレットから運び去られ、それによって、プレートレットをクリーニングできる。図４では、合金中への錫の溶解速度を高めるために、クリーニングの対象（プレートレット１４すなわちミラー光学部品）を、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金がこのミラーの上を流れている間に加熱することができる。加熱は加熱デバイスで実行できるが、対象の能動冷却を一時的に低下させ、ＥＵＶ源によって発生する熱を使用することも可能である。
【００３７】
[0040]  この文脈では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して特に言及しているものの、本明細書で説明したリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメイン用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド他の製造など、他の用途を有していてもよいことを理解されたい。そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用を、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義と考えることができることが当業者には理解されよう。本明細書で言及した基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（典型的には、レジストの層を基板に与え、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理することができる。適用可能な場合には、本明細書における開示を、そのような基板処理ツール、およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために、基板を複数回加工することもでき、そのため、本明細書で使用する用語「基板」は、複数の加工された層をすでに含む基板を表すこともある。
【００３８】
[0041]  用語「レンズ」は、文脈が許す限り、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電気光学部品を含むさまざまなタイプの光学部品の任意の１つまたはそれらの組み合わせを表すことがある。
【００３９】
[0042]  上述の説明は、例示を意図するものであり、限定するものではない。したがって、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、説明した本発明に変更を加えることができることは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】[0008]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0009]フォイルトラップの錫デブリで汚染されたフォイルの概略図である。
【図３】[0010]本発明の一実施形態による図１のリソグラフィ装置のデブリ軽減システムの基本的な実施形態を示す図である。
【図４】[0011]本発明の一実施形態によりクリーニングされているリソグラフィ装置の表面の概略図である。
【図１】
2008177558.tif 000003
【図２】
2008177558.tif 000004
【図３】
2008177558.tif 000005
【図４】
2008177558.tif 000006
【外国語明細書】
2008177558000001.pdf