(57)【要約】【課題】ＴＦＴ基板検査の欠陥検出によって全パネルを廃棄することによるＴＦＴ基板の製造工程の歩留まり低下を防止する。【解決手段】ＴＦＴパネル駆動信号印加装置１は、電圧信号波形発生器２と、出力信号を分岐する分岐回路４と、分岐された出力信号をＴＦＴ基板２０上の複数パネル２１へ給電する給電手段６と、分岐回路４と各パネルの給電手段６との間に設ける正の温度係数を持つ自己復帰型過電流保護抵抗５と、自己復帰型過電流保護抵抗５の放熱を制御する放熱制御手段７とを備える。欠陥検出用信号の分岐後の各配線に、正の急峻な非線形の温度係数を持つと共に、温度の低下で元に戻る自己復帰型過電流保護抵抗などの抵抗器を直列に挿入し、配線間のショートによって過電流が流れたときには、自己復帰型過電流保護抵抗の自己発熱による高抵抗によって電流を制限し、これによって欠陥以外のパネルへ印加する電圧が低下することを防止する。【選択図】図１
2008039485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧信号波形発生器と、
前記電圧信号波形発生器の出力信号を分岐する分岐回路と、
分岐された出力信号をＴＦＴ基板上の複数パネルへ給電する給電手段と、
前記分岐回路の各出力端と前記各パネルの給電手段との間に設ける正の温度係数を持つ自己復帰型過電流保護抵抗と、
前記自己復帰型過電流保護抵抗の放熱を制御する放熱制御手段とを備え、
前記自己復帰型過電流保護抵抗は、当該自己復帰型過電流保護抵抗に流れる過電流による抵抗上昇によって接続されるパネルへの給電を制限し、
前記放熱制御手段は、前記自己復帰型過電流保護抵抗による発熱の放熱を制御し、この放熱制御によって当該自己復帰型過電流保護抵抗の抵抗値の降下時間を制御し、パネルへの給電制限時間を制御することを特徴とする、ＴＦＴパネル駆動信号印加装置。
【請求項２】
前記電圧信号波形発生器と、前記分岐回路との間に、前記電圧信号波形発生器の出力電流を制限する電流制限回路を備え、
当該電流制限回路によって、前記ＴＦＴ基板上の全パネルへの給電を制御することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴパネル駆動信号印加装置。
【請求項３】
前記各自己復帰型過電流保護抵抗に電流ヒューズを直列接続し、過大電流の通電時に溶断して恒久的に電流を遮断することを特徴とする、請求項１又は２に記載のＴＦＴパネル駆動信号印加装置。
【請求項４】
前記各自己復帰型過電流保護抵抗に温度ヒューズを直列接続し、過大電流による過大発熱により溶断して恒久的に電流を遮断することを特徴とする、請求項１又は２に記載のＴＦＴパネル駆動信号印加装置。
【請求項５】
前記各自己復帰型過電流保護抵抗に電流ヒューズおよび温度ヒューズを直列接続し、過大電流の通電時および／又は過大電流による過大発熱により溶断して恒久的に電流を遮断することを特徴とする、請求項１又は２に記載のＴＦＴパネル駆動信号印加装置。
【請求項６】
前記請求項１から請求項５のいずれか１つのＴＦＴパネル駆動信号印加装置を備え、当該ＴＦＴパネル駆動信号印加装置からＴＦＴ基板に検査信号を給電して検査駆動させることを特徴とするＴＦＴ基板検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴパネル駆動信号印加装置、およびこのＴＦＴパネル駆動信号印加装置を備えるＴＦＴ基板検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ基板検査装置として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板を駆動し、その結果ＴＦＴ基板に発生するＩＴＯ電圧を電子ビーム照射により発生する二次電子の強度で検出し、ＴＦＴ基板に形成されたアレイの良否を判定するものが知られている。
【０００３】
ＴＦＴ基板には、被測定対象物であるフラットパネルディスプレイ等のパネルが複数形成されている。ＴＦＴ基板検査装置は、このＴＦＴ基板に形成されている複数のパネルに欠陥検出用信号パターンを給電してＴＦＴを駆動する。この欠陥検出用信号パターンの給電は、パネルに対して複数種類の信号配線により行われ、さらに、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート、ソース、コモンの各配線は、奇数列と偶数列に分けて各列で個別に駆動する構成がとられている。
【０００４】
一枚のＴＦＴ基板には、複数のＴＦＴパネルを多面取りするために、複数ＴＦＴパネルが形成されている。このような構成において、欠陥検出用信号パターンによる検査を行う際、一枚のＴＦＴ基板上に形成された複数のＴＦＴパネルに同時に給電することがある。このような同時給電においては、各ＴＦＴパネルへ欠陥検出用信号パターンを給電するために、複数種類ある各々の信号配線を単に各ＴＦＴパネルに対して分岐し並列接続することによって行っている。
【０００５】
これによって、ＴＦＴパネル駆動信号印加装置から出力された駆動信号は、各ＴＦＴパネルに対して分岐され、各ＴＦＴパネルに給電される。
【０００６】
ＴＦＴ基板上に形成される多面のパネルには、製造工程中の種々の原因によって欠陥が存在する場合がある。例えば、ＴＦＴ基板上に形成されるパネルにおいて、異なる信号線間で低インピーダンスの接続が、プロセス上の不具合により存在する場合がある。この低インピーダンスの接続状態は、一般にショートしている状態と呼ばれるが、必ずしも信号線間が完全に短絡しているとは限らず、不純物の付着や配線形成不良等の種々の欠陥状態に応じて、そのインピーダンスの低下の程度が異なる。そのため、このような低インピーダンスの接続状態において、各信号線に異なる電圧を印加した場合、その電位差と欠陥部位での抵抗値に依存して異なる電流値のショート電流が流れる。
【０００７】
このショート電流は、給電配線経路の損傷防止の必要から抑える必要がある。これは、ＴＦＴ基板検査装置、ＴＦＴ基板、およびこれらを結ぶ配線経路上には、電線、コネクタ、給電ピンなどが設けられて、これらがショート電流の過大電流によって破損するおそれがあるためである。特に、給電ピンは、その構造上、超小型で細いバネで形成されているため電流定格が低く、過大電流が流れることによって溶断するおそれがある。
【０００８】
一般に、短絡等によって流れる過大電流が配線経路に対して損傷を生じさせないように、電源回路と負荷回路との間に電流制限回路を接続し、負荷に過電流が流れた場合には電源回路から負荷回路に流れる出力電流を制限することが行われている。
【０００９】
図７は、電圧信号波形発生器２とプローバ１０との間に電流制限回路３を接続し、ＴＦＴ基板２０の全パネル２１Ａ，２１Ｂ，…に電流給電を行う構成例を示している。なお、図７において、プローバ１０は分岐した配線と、ＴＦＴ基板１０に電流を給電する給電ピン６Ａ，６Ｂを備え、ＴＦＴ基板２０はこの給電ピン６Ａ，６Ｂに対応する給電パッド２３Ａ，２３Ｂを備える。また、図７では、偶数列の配線と奇数列の配線に分岐する例を示している。
【００１０】
図８において、電流制限回路３は電流をモニタし（図８（ａ））、過電流を検出することによって電流制限機能を動作し（図８（ｂ））、過電流による配線の損傷を防止する。
【００１１】
なお、ＴＦＴ基板検査装置において、欠陥検出用信号パターンを給電する信号出力印加装置に上記のような電流制限回路を付加して過電流による損傷を防ぐ構成において、このような構成が開示された特許文献の存在については、本出願の発明者は知見していない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記したように、電流制限回路が付加された信号出力印加装置を用いてＴＦＴ基板検査を行う場合、このＴＦＴ基板上に形成された多面パネルの内で、全パネルではないが少なくともいずれか１面の任意のパネルにおいて、異なる信号線間で低インピーダンスの接続が存在する場合、各信号線に電圧が印加されると、各信号線に印加される電圧による電位差とその欠陥箇所での抵抗値に依存してショート電流が流れ、このショート電流の過電流によって電流制限回路が駆動し、給電される電流は制限される。
【００１３】
このように給電電流が制限されると、電流制限された信号線の印加電圧は所望の値よりも絶対値が低下する。この印加電圧の低下は、場合によってはＴＦＴの正常な駆動に影響を与えることになる。
【００１４】
このように、ＴＦＴ基板上で少なくとも１つパネルに欠陥があり、この欠陥によって電流制限回路が駆動して供給電流が制限されると、過電流が発生するパネルだけでなく、分岐した配線を介して接続される他の過電流が発生しないパネルに対しても、過電流発生パネルと同様に、印加される電圧の絶対値が低下することになる。そのため、ＴＦＴ基板上において、過電流のパネルと並列接続される他のパネルについて欠陥検査を行うことはできない。一般に、このような場合にはＴＦＴ基板上の全面を検査不良として扱う。
【００１５】
このように、ＴＦＴ基板の全面が検査不良になると、製造工程上では通常、そのＴＦＴ基板を廃棄する。つまり、ＴＦＴ基板中に、例え過電流が流れるパネルが１つのみ存在する場合であっても、そのＴＦＴ基板に含まれるその他の過電流が流れないパネルについても廃棄することになる。そのため、結果として製造上の歩留まりの低下を引き起こすことになる。
【００１６】
上記のような問題に対して、各パネルに駆動回路そのものを分岐し、欠陥パネル以外の駆動信号は影響を受けない構成、あるいは、駆動回路は各パネルに共通とし、配線分岐回路上に各パネルに分岐するリレーを配置し、欠陥パネルだけをリレーによって切断して他のパネルヘの影響を排除する構成が考えられる。
【００１７】
しかしながら、上記したいずれの構成も、回路規模や部品点数が増加し、また、制御回路が別個に必要となるという問題があり、製造コストが高くなるという問題がある。
【００１８】
そこで、本発明は上記課題を解決して、ＴＦＴ基板検査の欠陥検出によって全パネルを廃棄することによる、ＴＦＴ基板の製造工程の歩留まり低下を防止することを目的とする。
【００１９】
また、コストを高めることなく、ＴＦＴ基板上の各パネルについての検査を可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、信号出力印加装置から出力される欠陥検出用信号の分岐後の各配線に、正の急峻な非線形の温度係数を持つと共に、温度の低下によって元に戻る自己復帰型過電流保護抵抗などの抵抗器を直列に挿入し、配線間のショートによって過電流が流れたときには、自己復帰型過電流保護抵抗の自己発熱による高抵抗によって電流を制限し、これによって欠陥以外のパネルへ印加する電圧が低下することを防止する。
【００２１】
発熱した抵抗器の電流制限値は、電流を制限した後の発熱が低下することによって、いずれは元に戻り、電流制限の機能は解除される。
【００２２】
ＴＦＴ基板の検査が完了する前に、自己復帰型過電流保護抵抗の温度が低下し、抵抗値が低下して電流制限機能が解除されると再び過電流が流れる。そこで、自己復帰型過電流保護抵抗が発生する熱の放熱を制御する手段を設け、自己復帰型過電流保護抵抗の温度が低下する経過時間を制御する。これによって、ＴＦＴ基板の検査が完了する前に、電流制限機能が解除されて再び過電流が流れることを防ぐことができる。
【００２３】
本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置は、電圧信号波形発生器と、電流制限回路の出力信号を分岐する分岐回路と、分岐された出力信号をＴＦＴ基板上の複数パネルへ給電する給電手段と、分岐回路の各出力端と前記各パネルの給電手段との間に設ける正の温度係数を持つ自己復帰型過電流保護抵抗と、自己復帰型過電流保護抵抗の放熱を制御する放熱制御手段とを備える。
【００２４】
自己復帰型過電流保護抵抗は、その自己復帰型過電流保護抵抗に流れる過電流による抵抗上昇によって接続されるパネルへの給電を制限する。また、放熱制御手段は、自己復帰型過電流保護抵抗による発熱の放熱を制御し、この放熱制御によって自己復帰型過電流保護抵抗の抵抗値の降下時間を制御し、パネルへの給電制限時間を制御する。
【００２５】
また、本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置は、上記した構成に加えて、電圧信号波形発生器と、分岐回路との間に、電圧信号波形発生器の出力電流を制限する電流制限回路を備える構成とし、この電流制限回路によって、ＴＦＴ基板上の全パネルへの給電を制御する。
【００２６】
本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置は、さらに、各自己復帰型過電流保護抵抗に電流ヒューズを直列接続し、過大電流の通電時に溶断して恒久的に電流を遮断することができる。この電流ヒューズを直列接続することによって、過大なショート電流や、自己復帰型過電流保護抵抗の故障による電流制限機能の不良による、過電流による配線部品の損傷を防ぐことができる。
【００２７】
また、本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置は、さらに、各自己復帰型過電流保護抵抗に温度ヒューズを直列接続し、過大電流の通電時に溶断して恒久的に電流を遮断することができる。この温度ヒューズを直列接続することによって、ショート電流が連続して繰り返された場合、または複数の配線間ショートが同時に発生した場合等によって、自己復帰型過電流保護抵抗の周辺の温度が想定の範囲を超えて上昇する場合についても、異常とみなし、恒久的に電流を遮断する。
【００２８】
本発明のＴＦＴ基板検査装置は、上記したＴＦＴパネル駆動信号印加装置を備え、このＴＦＴパネル駆動信号印加装置からＴＦＴ基板に検査信号を給電して検査駆動させることで過電流による配線経路の損傷を防ぐ。また、自己復帰型過電流保護抵抗による発熱の放熱を制御する放熱制御手段を備えることによって、少なくとも検査時間内において、自己復帰型過電流保護抵抗が復帰して過電流が再び流れることを防ぐことができる。
【００２９】
本発明によれば、分岐後の各配線に自己復帰型過電流保護抵抗などの正の急峻な非線形の温度係数を持つ抵抗器を直列に挿入することにより、パネル個別に電流制限ができるようになり、過電流が流れるような欠陥を有しないパネルに対しては、ＴＦＴパネル駆動信号を印加することができる。
【００３０】
また、自己復帰型過電流保護抵抗は、正の急峻な非線形の温度係数を持つと共に、自己作動、自己復帰型であるため、制御回路が不要であり、実現化する際に要する製造コストが低く抑えることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置によれば、ＴＦＴ基板検査の欠陥検出によって全パネルを廃棄することによる、ＴＦＴ基板の製造工程の歩留まり低下を防止することができる。
【００３２】
また、本発明のＴＦＴアレイ検査装置によれば、コストを高めることなく、ＴＦＴ基板上の各パネルについての検査を可能とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００３４】
図１は、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の概略を説明するための図である。
【００３５】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置３０は、電圧信号波形発生器２で形成したＴＦＴパネル駆動信号をプローバ１０を介してＴＦＴ基板２０に供給し、ＴＦＴ基板２０上に形成された各パネル２１を駆動する。なお、ＴＦＴ基板２０は例えばガラス基板を用いて形成することができる。
【００３６】
また、ＴＦＴアレイ検査装置３０は、ＴＦＴ基板２０のパネルに向けた電子線を照射する電位線源３１と、照射した電子線によってパネルから放出される二次電子を検出する検出器３２とを備える。検出器３２で検出する二次電子の信号強度は、ＴＦＴパネル駆動信号で駆動されたパネル上のピクセルのＩＴＯ電位を反映した信号となるため、この二次電子の信号強度を検出することによって、パネルの各ピクセルの駆動状態を検出することができる。例えば、正常なピクセルをＴＦＴパネル駆動信号で駆動したときに得られる二次電子の信号強度パターンと、測定対象のＴＦＴ基板を同じＴＦＴパネル駆動信号で駆動したときに実測される二次電子の信号強度パターンとを比較することによって、ＴＦＴ基板の欠陥を検出することができる。
【００３７】
プローバ１０は、電圧信号波形発生器２で形成したＴＦＴパネル駆動信号を、ＴＦＴ基板２０に送るための連結部材であり、電圧信号波形発生器２から入力したＴＦＴパネル駆動信号を、ＴＦＴ基板２０上の複数のパネル２１のそれぞれに分岐して給電するための分岐回路（図１には示していない）と、ＴＦＴ基板２０側の電極と接触して、分岐回路の出力を、ＴＦＴ基板２０側に給電するための給電ピン６を有している。一方、ＴＦＴ基板２０側には、プローバ１０の給電ピン６と電気的に接触して、プローバ１０からＴＦＴパネル駆動信号の供給を受けるために給電パッド２３を備える。
【００３８】
ＴＦＴアレイ検査装置３０は、プローバ１０をＴＦＴ基板２０上に載置することによって給電ピン６を給電パッド２３に電気的に接触させ、電圧信号波形発生器２で形成したＴＦＴパネル駆動信号をＴＦＴ基板２０に給電する。このＴＦＴパネル駆動信号によってＴＦＴ基板２０の各パネルを駆動させ、この駆動状態を電子線源３１から電子線を照射して得られる二次電子を検出器３２で検出し、検出した信号パターンと正常状態における検出器３２の信号パターンと比較することでＴＦＴ基板２０のパネルの欠陥検査を行う。
【００３９】
ＴＦＴパネル駆動信号印加装置１は、過電流による損傷を防ぐために電圧信号波形発生器２とプローバ１０との間に電流制限回路３を備える。電流制限回路３は、過電流を検出した際に、電圧信号波形発生器２からプローバ１０に給電する信号の電流値を制限する。なお、この電流制限回路３が駆動した場合には、ＴＦＴ基板２０の全てのパネルに供給される電流が制限されることになる。
【００４０】
次に、本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置１の構成について図２を用いて説明する。
【００４１】
本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置１は、電圧信号波形発生器２と、電流制限回路の出力信号を分岐する分岐回路４と、分岐された出力信号をＴＦＴ基板上の複数パネルへ給電する給電手段としての給電ピン６と、分岐回路４の各出力端と各パネルに対する給電ピン６との間に設ける正の温度係数を持つ自己復帰型過電流保護抵抗５とを備え、さらに、自己復帰型過電流保護抵抗５の放熱を制御する放熱制御手段としての放熱制御板７を備える。
【００４２】
なお、ここでは、ＴＦＴ基板２０上には、複数のパネル２１Ａ，２１Ｂ，…が形成され、各パネルが備える複数のＴＦＴは、偶数列のゲート線に接続されるＴＦＴ２２ｅと奇数列のゲート線に接続されるＴＦＴ２２oに分けて駆動するものとする。パネル２１Ａの偶数列のゲート線は給電パッド２３Aeに接続され、パネル２１Ａの奇数列のゲート線は給電パッド２３Aoに接続される。また、パネル２１Ｂについても同様に、パネル２１Ｂの偶数列のゲート線は給電パッド２３Beに接続され、パネル２１Ｂの奇数列のゲート線は給電パッド２３Boに接続される。
【００４３】
プローバ１０に設けられる分岐回路４には、電圧信号波形発生器２の出力信号を各パネル２１Ａ、２１Ｂ、…に給電するために分岐する回路パターンが形成される。この回路パターンの終端には、各パネル２１Ａ、２１Ｂ、の給電パット２３Ａ、２３Ｂ、…と接触するよう設けられた給電ピン６（６Ａ、６Ｂ、…）が接続される。この給電パッド６は、ＴＦＴ基板側の偶数列と奇数列にそれぞれ対応して給電ピン６Ae、６Ao、６Be、６Bo、…が設けられる。
【００４４】
分岐回路４において、各給電ピン６Ae、６Ao、６Be、６Bo、…に接続される各配線には、自己復帰型過電流保護抵抗が直列接続される。自己復帰型過電流保護抵抗は、ポリマーＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient／正温度特性）素子と呼ばれる正の温度係数を持つ抵抗であり、非線形で急峻な温度特性を持ち、この素子に電流を流すと発熱して抵抗値が変化する。過電流による過大な発熱によって抵抗値が急激に大きくなる。
【００４５】
この過電流による発熱で抵抗値が急激に上昇する特性を利用することによって、電流を微小値まで制限することができる。この電流を制限する特性を利用して、機器の加熱事故の保護回路を構成する部品として使用されている。この自己復帰型過電流保護抵抗は、その抵抗値は温度に依存し、可逆的に変化することができるため、過電流による加熱で抵抗値が上昇して電流を制限した後、電流制限によって加熱が抑制されて温度が低下した場合には抵抗値も低下する。この抵抗値の低下によって電流制限は解消される。
【００４６】
本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置１は、ＴＦＴ基板の各パネルに給電を行う各配線に自己復帰型過電流保護抵抗を直列接続し、各パネルを単位として過電流による給電制限を行う。つまり、ＴＦＴ基板が備える何れかのパネルにおいて、欠陥等によって過電流が流れた場合には、このパネルに対して給電を行う配線に接続されている自己復帰型過電流保護抵抗に過電流が流れて発熱して抵抗が急激に上昇する。この抵抗値の急激な上昇によって配線を流れる電流は制限を受け、前記パネルへの給電が制限される。
【００４７】
この電流制限される配線は、過電流が流れたパネルに対して給電を行う配線のみであり、正常な範囲で電流が流れるパネルに対する配線について電流制限は行われず、過電流が流れないパネルを駆動することができる。
【００４８】
したがって、ＴＦＴ基板上の複数のパネルが形成されている場合に、欠陥によって過電流が流れるパネルのみに対する給電電流を制限し、過電流が流れないパネルに対しては通常と同様に給電を行い、ＴＦＴ基板の欠陥検査を行うことができる。
【００４９】
図３、４を用いて、本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置１の動作例について説明する。図３は、図２に示す構成においてパネルに過電流が流れた状態を示している。図３では、一例として、ＴＦＴ基板２０中のパネル２１ＢのＴＦＴ２２BeとＴＦＴ２２Boとの間で短絡欠陥２４が発生し、過電流が流れる場合を示している。
【００５０】
図４，５はパネル２１Ｂに過電流が発生した場合の変化状態を示し、図４（ａ），図５（ａ）は信号発生器の出力電圧を示し、図４（ｂ）〜（ｄ），図５（ｂ）〜（ｄ）は各部の電流変化を示し、図４（ｅ），図５（ｅ）は電流制限回路の駆動状態を示し、図４（ｆ），図５（ｆ）は自己復帰型過電流保護抵抗の温度Ｔを示し、図４（ｇ），図５（ｇ）は自己復帰型過電流保護抵抗の抵抗値Ｒを示している。なお、図４、図５に示す波形は、動作を説明するためのものであって、実際の大きさや形状を表すものではない。なお、図５は自己復帰型過電流保護抵抗の温度が低下する場合を示している。また、ここでは、パネル２１Ａは過電流は発生せず、パネル２１Ｂのみに過電流が発生するものとする。
【００５１】
電圧信号波形発生器２の出力電圧が分岐回路４を介して各パネル２１に給電されると（図４（ａ）中のＡ）、過電流が発生していないパネル２１Ａには正常範囲内の電流が流れ（図４（ｃ）中のＢ）、欠陥によって配線間がショート状態にあるパネル２１Ｂには過電流が流れる（図４（ｄ）中のＣ）。なお、ここで、ショート状態は、配線間において、必ずしも完全に短絡した状態とは限らず、種々の電気抵抗で接続された状態を含み、配線間を流れる過電流の電流値はこの接続状態に依存する。
【００５２】
電流制限回路３は、ＴＦＴ基板２０に給電される全体の電流値（図４（ｂ）中のＤ）をモニタし、この電流値が設定値を超えたことを検出することで電流制限動作を一時的にＯＮとして（図４（ｅ）中のＥ）、ＴＦＴ基板２０の全パネルに給電する電流を制限する（図４（ｃ）中のＦ，図４（ｄ）中のＧ，図４（ｂ）中のＨ）。
【００５３】
パネル２１Ｂに過電流が流れると、このパネル２１Ｂに電流を給電する配線に接続された自己復帰型過電流保護抵抗５Be，５Boに過電流が流れる。自己復帰型過電流保護抵抗５Be，５Boは過電流が流れることによって発熱し温度が上昇する（図４（ｆ）のＴｂ、Ｔｃ）。自己復帰型過電流保護抵抗５の抵抗値は温度に対して正の温度係数の特性を持つため、過電流による発熱で温度が上昇すると、抵抗値は急激に上昇する（図４（ｇ）のＲｂ、Ｒｃ）。
【００５４】
自己復帰型過電流保護抵抗５Be，５Boの抵抗値が上昇すると、パネル２１Ｂに給電される電流値は減少し（図４（ｄ）のＧ）、このパネル２１Ｂへの給電電流の減少によって、電流制限回路３がモニタする電流値も減少する。電流制限回路３は、電流値が設定値以下に減少したことモニタして（図４（ｂ）のＩ）、電流制限動作をＯＦＦとして（図４（ｅ）中のＪ）、ＴＦＴ基板２０の全パネルに給電する電流の制限を解除する（図４（ｃ）中のＫ，図４（ｄ）中のＬ）。
【００５５】
電流制限回路３が解除された後は、自己復帰型過電流保護抵抗の温度が高温状態にあり（図４（ｆ）中のＴｄ）、抵抗値が高い間（図４（ｇ）中のＲｄ）は、パネル２１Ｂに流れる電流は十分に低い値に制限されるため、パネル２１Ｂの給電される電流値を極めて小さな値に制限される（図４（ｄ）中のＮ）。
【００５６】
なお、過電流が流れていないパネル２１Ａについては、このパネル２１Ａに給電する配線に接続した自己復帰型過電流保護抵抗５Ae、５Aoの温度は低いため抵抗値も低く、通常の電流値が給電される（図４（ｃ）中のＭ）。また、電流制限回路３に流れる電流値も、電流制限動作をＯＮとする設定値よりも十分に小さいため、この時点で再び電流制限が動作することはない。
【００５７】
上記した例では、自己復帰型過電流保護抵抗５の温度はある程度高い値を保持し、パネル２１Ｂの過電流を流さない程度の高い抵抗値が保持する場合を示している。
【００５８】
ＴＦＴ基板検査装置１は、この過電流が制限されている間に、過電流が流れるパネルを除く残りのパネルにＴＦＴパネル駆動信号を印加して駆動して欠陥検査を行う。
【００５９】
欠陥検査が完了した後は、ＴＦＴ基板２０に対してＴＦＴパネル駆動信号の給電は行われないため、自己復帰型過電流保護抵抗５の温度を高温度とし、高抵抗としておく必要はなくなる。したがって、自己復帰型過電流保護抵抗５の温度を高温度とし高抵抗としておく期間は、ＴＦＴ基板の欠陥検査を行う期間内であれば十分である。
【００６０】
しかしながら、自己復帰型過電流保護抵抗５は、それ自身の保護機能による高抵抗値で流れる電流が減少するため、電流が流れることによる加熱が減少し、温度が低下する（図５（ｆ）中のＴｅ）。自己復帰型過電流保護抵抗５自体の温度が低下すると（図５（ｆ）中のＴｅ）、抵抗値が低下するため（図５（ｇ）中のＲｅ）、再び電流値が上昇することになる（図５（ｄ）中のＰ）。
【００６１】
この自己復帰型過電流保護抵抗５に流れる電流値が復帰し、電流制限回路３が全パネルに給電する電流を制限することになると、過電流が流れないパネルについてもＴＦＴパネル駆動信号が印加されないことになり、ＴＦＴ基板の欠陥検査に支障が生じる。
【００６２】
そこで、ＴＦＴ基板の欠陥検査を行う期間内を除いては、自己復帰型過電流保護抵抗５の温度が高温を保持し、過電流を制限する高抵抗が保持されることが求められる。
【００６３】
そこで、本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置１は、自己復帰型過電流保護抵抗５の温度の低下を制限して所定温度以上を保たせる放熱制御手段を備える。放熱制御手段は、自己復帰型過電流保護抵抗による発熱の放熱を制御し、この放熱制御によって自己復帰型過電流保護抵抗の抵抗値の降下時間を制御し、パネルへの給電制限時間を制御する。
【００６４】
図２において、プローバ１０には、放熱制御手段として放熱制御板７を設ける。放熱制御板７は、自己復帰型過電流保護抵抗５の温度が指定温度以上で指定時間以上継続するように、その熱容量と放熱性を設計する。なお、ペルチェ素子等によって温度制御を行うようにしてもよい。
【００６５】
上記した構成例では、自己復帰型過電流保護抵抗を付加することによって、過電流を発生するパネルを、電気的に切り離して過電流を発生しないパネルだけについて検査を可能としている。
【００６６】
パネルの状態によっては、短絡した際のショート電流が極めて過大である場合や、自己復帰型過電流保護抵抗が故障して電流制限機能が作動しない場合がある。このような場合には、過電流が配線部品を損傷させることがある。
【００６７】
本発明は、このような場合に備えて、電流ヒューズを直列に挿入し、過大な電流の場合には、恒久的に電流を遮断して配線部品の損傷を防ぐ。この電流ヒューズとしては、主に速断型の特性を持つ電流ヒューズが望ましい。図６（ａ）は、自己復帰型過電流保護抵抗に電流ヒューズを設けた構成例を示している。ここでは、自己復帰型過電流保護抵抗５eに電流ヒューズ８ｅを接続し、自己復帰型過電流保護抵抗５oに電流ヒューズ８ｏを接続する構成例を示している。
【００６８】
また、ショート電流が連続して繰り返された場合、あるいは複数の配線間ショートが同時に発生した場合に自己復帰型過電流保護抵抗の周辺温度が想定される以上に上昇する可能性がある。そのような場合に回路を保護するために、温度ヒューズを挿入し、一定温度以上になる場合には異常とみなして恒久的に電流を遮断する配線部品の損傷を防ぐ。図６（ｂ）は、自己復帰型過電流保護抵抗に温度ヒューズを設けた構成例を示している。ここでは、自己復帰型過電流保護抵抗５eに温度ヒューズ９ｅを接続し、自己復帰型過電流保護抵抗５oに温度ヒューズ９ｏを接続する構成例を示している。また、自己復帰型過電流保護抵抗５と温度ヒューズ９との間に導熱板１１（１１e、１１ｏ）を設ける構成とすることによって、自己復帰型過電流保護抵抗５で発生した熱が温度ヒューズ９に迅速に伝達させることができる。
【００６９】
本発明の態様によれば、分岐後の各配線に自己復帰型過電流保護抵抗などの正の急峻な非線形の温度係数を持つ抵抗を直列に挿入することにより、パネルを個別に電流制限ができるようになり、過電流を発生しないパネルに対する駆動信号の印加を、過電流を発生するパネルの存在にかかわらず行うことができ、歩留まりの低下を防止できる。
【００７０】
また、自己復帰型過電流保護抵抗などの正の急峻な非線形の温度係数を持つ抵抗器は、自己作動、自己復帰型の特性を持たせることにより、制御回路を不要とし、実現化する際に要する製造コストが低く抑えることができる。
【００７１】
また、自己復帰型過電流保護抵抗は時間の経過によって復帰する。この復帰時問は自己復帰型過電流保護抵抗の周辺の放熱構造によって制御が可能であるため、ＴＦＴ基板１枚に要する検査時間に合わせて設計することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の概略を説明するための図である。
【図２】本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置の構成を説明するための図である。
【図３】本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置の動作例を説明するための構成図である。
【図４】本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置の動作例を説明するための動作状態図である。
【図５】本発明のＴＦＴパネル駆動信号印加装置の動作例を説明するための動作状態図である。
【図６】自己復帰型過電流保護抵抗に電流ヒューズ、温度ヒューズを備える構成を説明するための図である。
【図７】電流制限回路を備えるＴＦＴアレイ検査装置の構成を説明するための図である。
【図８】電流制限回路の動作を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７３】
１…ＴＦＴパネル駆動信号印加装置、２…電圧信号波形発生器、３…電流制限回路、４…分岐回路、５…自己復帰型過電流保護抵抗、６…給電ピン、７…放熱制御板、８…電流ヒューズ、９…温度ヒューズ、１０…プローバ、２０…ＴＦＴ基板、２１Ａ，２１Ｂ…パネル、２２…ＴＦＴ、２３…給電パッド、３０…ＴＦＴ基板装置、３１…電子線源、３２…検出器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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