(57)【要約】【課題】フォトマスク欠陥判定、製造方法及び半導体装置の製造方法を効率よくさせる。【解決手段】メインパターンとメインパターンの両側に配置した補助パターンとを有する第１のフォトマスクによる第１の光強度分布を取得し（ステップＳ１）、メインパターンの両側に、それぞれ一部をメインパターンに重複させて配置させたシフタパターンを有する第２のフォトマスクによる第２の光強度分布を取得した（ステップＳ２）。次に、第１の光強度分布及び第２の光強度分布を足し合わせ（ステップＳ３）、光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と狙い値との差分を取得し（ステップＳ４）、その差分を基に欠陥の修正判定をする（ステップＳ５）。これにより、フォトマスク欠陥判定、製造方法及び半導体装置の製造方法の効率が良好になる。【選択図】図１
2008026799.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重露光に用いるフォトマスク上の欠陥の修正判定をするフォトマスク欠陥判定方法において、
第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得するステップと、
取得した前記第１及び前記第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、前記ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥の修正判定をするステップと、
を有することを特徴とするフォトマスク欠陥判定方法。
【請求項２】
第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得する工程と、
取得した前記第１及び前記第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、前記ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥を修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスク製造方法。
【請求項３】
前記第１のフォトマスクにメインパターンと前記メインパターンの両側に補助パターンが配置されていることを特徴とする請求項２記載のフォトマスク製造方法。
【請求項４】
前記第２のフォトマスクにシフタパターンが形成され、前記シフタパターンが二重露光を行う際に転写される前記メインパターンの両側に、それぞれ一部を重複させて配置されていることを特徴とする請求項２又は３のいずれか一項に記載のフォトマスク製造方法。
【請求項５】
第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得する工程と、
取得した前記第１及び前記第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、前記ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥を修正する工程と、
を有する方法により製造されたフォトマスクを用いて、半導体基板上にレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトマスク欠陥判定方法、フォトマスク製造方法及び半導体装置の製造方法に関し、特に効率のよいフォトマスク欠陥判定方法、フォトマスク製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デバイスの微細パターン形成のため、１層のパターン形成にフォトマスクを２枚使用する二重露光プロセスが導入されている。
現在、二重露光プロセスで注目されている技術にＰｈａｓｅ Ｅｄｇｅ技術がある。この技術は、微細ゲートパターンを形成する領域に、通常パターンを形成するバイナリフォトマスク／ハーフトーン位相シフトフォトマスクの他、レベンソン位相シフトフォトマスクを用いる技術である。
【０００３】
レベンソン位相シフトフォトマスクは、微細パターンの両側に０／π相のシフタを配置することで、この領域の光の振幅を反転させ、コントラストを高くする。これにより、１００ｎｍ以下の微細パターンを安定して形成する（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図５は二重露光プロセスで用いるフォトマスクの要部図であり、（Ａ）はバイナリフォトマスク／ハーフトーン位相シフトフォトマスクの要部図であり、（Ｂ）はレベンソン位相シフトフォトマスクの要部図である。
【０００５】
図５（Ａ）では、活性領域１００に対応する部分にゲート電極パターン１０１が形成され、活性領域１００外にゲート配線パターン１０２が形成されている。一方、図５（Ｂ）には、シフタパターン２００、２０１、２０２、２０３が形成され、シフタパターン２００、２０１、２０２、２０３内に０相またはπ相のシフタが配置されている。図５（Ｂ）に示すフォトマスクと図５（Ａ）に示すフォトマスクを重ねた場合、シフタパターン２００、２０１、２０２、２０３は、ゲート電極パターン１０１の両側の一部を被覆する。
【０００６】
次に、これらの２枚のフォトマスクを用いて二重露光プロセスにより形成されるパターンについて説明する。
図６は二重露光プロセスで形成されたパターンを説明する要部図である。
【０００７】
上述したバイナリフォトマスク／ハーフトーン位相シフトフォトマスクと、レベンソン位相シフトフォトマスクの位置合わせを行い、それぞれのフォトマスクを連続して露光することで、図６に示すパターンをウエハ基板上に形成することができる。二重露光では、活性領域３００内のゲート電極パターン３０１の形成に、図５（Ｂ）に示すレベンソン位相シフトフォトマスクが用いられるので、ゲート電極パターン３０１の線幅のみが極微細パターンになる。一方、ゲート配線パターン３０２の線幅は、図５（Ａ）に示すバイナリフォトマスク／ハーフトーン位相シフトフォトマスクにより決定される。
【０００８】
次に、二重露光プロセスで用いられる補助パターン技術について説明する。
図７は二重露光プロセスで用いるフォトマスクの要部図であり、（Ａ）は補助パターンを配置させたバイナリフォトマスク／ハーフトーン位相シフトフォトマスクの要部図であり、（Ｂ）はレベンソン位相シフトフォトマスクの要部図である。
【０００９】
露光では、同じ線幅のパターンでもパターン間の間隔（以下、スペース幅）が異なると、ウエハ基板上にパターンを転写した場合、焦点深度が異なる性質がある。このような場合には、スペース幅の広いパターンの間に解像限界以下の微細な補助パターンを一定のスペース幅で挿入し、狭いパターン間隔との焦点深度とのバランスを取る方法が利用される。
【００１０】
そこで、フォトマスク４００では、フォトマスク５００との焦点深度の調整を図るため、ゲート電極パターン４０１の両側に補助パターン４０２ａ、４０２ｂを配置させている。これにより、両者の焦点深度のバランスを取ることができる。但し、補助パターン４０２ａ、４０２ｂについては、レジストに転写させないよう解像限界以下の線幅にするという制限がある。また、フォトマスク５００のシフタパターン５０１、５０２は、補助パターン４０２ａ、４０２ｂを包含するように形成されている。
【００１１】
図８は補助パターンの線幅と焦点深度の関係を説明する図である。
この図に示すように、焦点深度は補助パターンの線幅に起因し、補助パターンの線幅の減少と共に、焦点深度は減少する。その結果、レジストに転写しない解像限界以下の線幅では、充分な焦点深度を得るまでには至っていなかった。
【００１２】
そこで、図７（Ａ）に示す補助パターン４０２ａ、４０２ｂの線幅を増加させて、焦点深度の向上を図る方法が検討されている（特願２００４−５６８７４５）。これにより、フォトマスク４００とフォトマスク５００の焦点深度の差は同等になる。尚、線幅を増加して転写された補助パターンについては、フォトマスク５００を用いた露光により消去される。
【００１３】
ところで、フォトマスクには、通常、黒欠陥または白欠陥が存在する。例えば、メインパターン付近に黒欠陥や白欠陥が存在すると、目的とする狙い値での線幅でパターンが形成されない。
【００１４】
このような欠陥の修正是非を判定する装置として、光強度分布測定装置が用いられている。この装置は、製造過程にあるフォトマスクを半導体装置の製造装置でウエハ基板上に転写する際の条件（適用波長、露光装置のレンズＮＡ、照明ＮＡ）を再現して転写し、そのパターン光をＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラで検出し、そのフォトマスクを転写した際の光強度分布を取得する。取得したデータから一次元／二次元／三次元加工してパターン転写した際のパターンの線幅やパターン形状を再現する。そして、レジスト上に実際にパターン形成するときの露光量（以下、適正露光量）でパターンの線幅を測定し、欠陥の修正是非を判定することができる。
【特許文献１】特開２００４−２４７６０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、焦点深度を向上させるために、補助パターン４０２ａ、４０２ｂの線幅を解像限界以上の線幅とすると、フォトマスク４００に配置したゲート電極パターン４０１と補助パターン４０２ａ、４０２ｂとのスペース幅は極狭になる。スペース幅が極狭になると、光強度分布測定装置で測定した光強度分布では、適正露光量でゲート電極パターン４０１と補助パターン４０２ａ、４０２ｂの光学像が共に重なり分離することができない。従って、ゲート電極パターン４０１と補助パターン４０２ａ、４０２ｂの間に欠陥が存在する場合、欠陥がパターンに与える影響を確認することができない。その結果、二重露光で形成する微細パターンの線幅に、欠陥がどの程度影響するかの判定ができないという問題がある。
【００１６】
また、欠陥がどの程度影響するかの判定ができないので、上記パターンの線幅に影響を与えないような微小欠陥までも修復する必要があり、修正時間が膨大となる。その結果、フォトマスク製造の生産性が向上しないという問題がある。
【００１７】
さらに、これらのフォトマスクを用いて半導体基板上にパターン形成する場合には、安定したパターンを形成できないという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、効率のよいフォトマスク欠陥判定方法、フォトマスク製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明では上記課題を解決するために、二重露光に用いるフォトマスク上の欠陥の修正判定をするフォトマスク欠陥判定方法において、第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得するステップと、取得した前記第１及び前記第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、前記ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥の修正判定をするステップと、を有することを特徴とするフォトマスク欠陥判定方法が提供される。
【００１９】
このようなフォトマスク欠陥判定方法では、第１及び第２のフォトマスクの光強度分布が取得され、取得した第１及び第２の光強度分布が足し合わされ、光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥の修正判定が行われる。
【００２０】
また、本発明では、第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得する工程と、取得した前記第１及び前記第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、前記ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥を修正する工程と、を有することを特徴とするフォトマスク製造方法が提供される。
【００２１】
このようなフォトマスク製造方法では、第１及び第２のフォトマスクの光強度分布が取得され、取得した第１及び第２の光強度分布が足し合わされ、光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥が修正される。
【００２２】
さらに、本発明では、第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得する工程と、取得した前記第１及び前記第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、前記ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥を修正する工程と、を有する方法により製造されたフォトマスクを用いて、半導体基板上にレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２３】
このような半導体装置の製造方法では、第１及び第２のフォトマスクの光強度分布が取得され、取得した第１及び第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥が修正され、さらに、この方法により製造されたフォトマスクを用いて、半導体基板上にレジストパターンが形成される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明では、フォトマスク欠陥判定方法について、第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得し、取得した第１及び第２の光強度分布を足し合わせ、光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥の修正判定を行うようにした。
【００２５】
また、本発明では、フォトマスク製造方法について、第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得し、取得した第１及び第２の光強度分布を足し合わせ、光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥を修正するようにした。
【００２６】
さらに、半導体装置の製造方法について、第１及び第２のフォトマスクの光強度分布が取得し、取得した第１及び第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥を修正し、さらに、この方法により製造されたフォトマスクを用いて、半導体基板上にレジストパターンを形成するようにした。
【００２７】
これにより、効率のよいフォトマスク欠陥判定方法及びフォトマスク製造方法を提供することが可能になる。また、半導体基板上に安定したレジストパターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１はフォトマスク欠陥修正の基本原理を説明するフロー図である。
先ず、メインパターンとメインパターンの両側に配置した補助パターンとを有する第１のフォトマスクによる第１の光強度分布を取得する（ステップＳ１）。
【００２９】
次に、メインパターンの両側に、それぞれ一部をメインパターンに重複させて配置させたシフタパターンを有する第２のフォトマスクによる第２の光強度分布を取得する（ステップＳ２）。
【００３０】
次に、第１の光強度分布及び第２の光強度分布を足し合わせる（ステップＳ３）。
そして、光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と狙い値との差分を取得し（ステップＳ４）、その差分を基に欠陥の修正判定をする（ステップＳ５）。
【００３１】
ここで、その差分が一定値以下であり、デバイスで要求されるパターンの線幅に影響を与えないような程度であれば、実際にフォトマスクの欠陥修正は行わない。
しかし、一定値以上であり、要求されるパターンの線幅に影響を与える程度であれば、その欠陥については、実際に欠陥修正を行って、その後にパターンの形成をする。
【００３２】
このようなフォトマスクの欠陥判定方法及び製造方法によれば、メインパターンと補助パターンの間に欠陥が存在する場合、二重露光で形成する微細パターンの線幅に、欠陥がどの程度影響するかの判定を簡易且つ確実に行うことができる。
【００３３】
また、上記パターンの線幅に影響を与えないような微小欠陥までも修復する必要がなくなり、フォトマスク製造の生産性を向上させることができる。その結果、効率のよいフォトマスク欠陥判定方法及びフォトマスク製造方法を提供することができる。
【００３４】
図２から図４まではフォトマスクの欠陥修正を具体的に説明する要部図である。
図２はフォトマスクとその光強度分布を説明する要部図であり、（Ａ）はバイナリフォトマスク／ハーフトーン位相シフトフォトマスクの要部図であり、（Ｂ）はそのフォトマスクの光強度分布を説明する図である。
【００３５】
図２（Ａ）に示すように、フォトマスク１０の中部には、メインパターン１１が形成されている。
メインパターン１１の両側には、補助パターン１２ａ、１２ｂが形成されている。上述したように、補助パターン１２ａ、１２ｂをメインパターン１１の両側に配置することで、フォトマスク１０の焦点深度を向上させることができる。そして、補助パターン１２ａ、１２ｂは解像限界以上の線幅であるため、補助パターン１２ａ、１２ｂの線幅は太くなり、メインパターン１１と補助パターン１２ａ、１２ｂのスペース幅が極狭となっている。ここで、メインパターン１１の線幅は１４０ｎｍ、補助パターン１２ａ、１２ｂの線幅は６０ｎｍ、メインパターン１１と補助パターン１２ａ、１２ｂのスペース幅は８０ｎｍである。
【００３６】
また、このフォトマスク１０上には、メインパターン１１と補助パターン１２ｂとの間に、黒欠陥である欠陥１３がある。
そして、フォトマスク１０の光強度分布１４は、光強度測定装置を用いて測定され、それが図２（Ｂ）に示されている。この図の横軸は、フォトマスク１０の破線の位置に対応しており、縦軸は光強度を表している。ここで、光強度分布装置の照射条件は、光波長１９３ｎｍ、レンズＮＡ値０．８５で、斜入射照明を使用し、１／２輪帯照明（σ値０．４２５／０．８５）である。
【００３７】
ところで、図２（Ｂ）に示す実線Ｘは、欠陥１３がメインパターン１１と補助パターン１２ｂとの間に存在するときの光強度分布を表し、点線Ｙは、欠陥がフォトマスク１０上に存在しないときの光強度分布を表している。
【００３８】
また、図の点線Ｚは、レジストにパターンを転写するときの適正露光量を表している。即ち、適正露光量でフォトマスク１０を用いて露光した場合、レジストのパターンの線幅はａ−ｂ間の距離になる。
【００３９】
上述したように、メインパターン１１と補助パターン１２ａ、１２ｂとのスペース幅が極狭の場合、光強度分布測定装置により測定したフォトマスク１０の光強度分布では、適正露光量でメインパターン１１の光学像と補助パターン１２ａ、１２ｂの光学像を完全に分離することができない。従って、メインパターン１１と補助パターン１２ｂの間に欠陥１３が存在する場合、欠陥１３によるパターンへの影響を確認することができない。その結果、二重露光で形成する微細パターンの線幅に、欠陥１３がどの程度影響するかの判定ができない。
【００４０】
そこで、欠陥１３の修正が必要かどうかの是非を判定するため、別のフォトマスクによる光強度分布を利用する。
図３はフォトマスクとその光強度分布を説明する要部図であり、（Ａ）はレベンソン位相シフトフォトマスクの要部図であり、（Ｂ）はそのフォトマスクの光強度分布を説明する図である。
【００４１】
図３（Ａ）に示すフォトマスク２０には、シフタパターン２１、２２が形成されている。シフタパターン２１、２２内には、位相０のシフタ、位相πのシフタがそれぞれ組み込まれている。ここで、シフタパターン２１とシフタパターン２２の間の距離は７０ｎｍであり、シフタパターン２１、２２の領域は図２（Ａ）に示す補助パターン１２ａ、１２ｂを包含する。即ち、補助パターン１２ａ、１２ｂの線幅が解像限界以上であっても、レジストに転写されたパターンは、フォトマスク２０のシフタパターン２１、２２により消去される。
【００４２】
そして、フォトマスク２０を用いた光強度分布２３が図３（Ｂ）に示されている。この図の横軸は、フォトマスク２０の破線の位置に対応しており、縦軸は光強度を表している。位相シフト法により、光強度分布を形成しているので、適正露光量（点線Ｚ）での光強度のピーク幅が極狭になっている。ここで、光強度分布装置の照射条件は、光波長１９３ｎｍ、レンズＮＡ値０．８５で、σ値０．３である。
【００４３】
次に、図２に示すフォトマスク１０のパターン像、光強度分布１４と、図３に示すフォトマスク２０のパターン像、光強度分布２３とを重ねた場合のフォトマスクと光強度分布について説明する。
【００４４】
図４は２枚のフォトマスクを重ねた場合のフォトマスク像と光強度分布を説明する要部図であり、（Ａ）は重ねたフォトマスク像の要部図であり、（Ｂ）は光強度分布の図である。
【００４５】
図４（Ａ）に示すように、メインパターン１１の両側の一部を重複するようにシフタパターン２１、２２が配置されている。そして、メインパターン１１と補助パターン１２ｂとの間には、欠陥１３が存在している。
【００４６】
図４（Ｂ）には、２枚のフォトマスクによる光強度分布を足し合わせた光強度分布を示す。この図の横軸は、図４（Ａ）の破線の位置に対応しており、縦軸は光強度を表している。
【００４７】
ここで、実線ＸＸは、欠陥１３がメインパターン１１と補助パターン１２ｂとの間に存在するときの光強度分布を表し、点線ＹＹは、欠陥がフォトマスク１０、２０上に存在しないときの光強度分布を表している。また、図の点線Ｚは、レジストにパターンを転写するときの適正露光量を表している。
【００４８】
この図に示すように、二重露光により適正露光量でレジストに形成するパターンの線幅は、欠陥１３がメインパターン１１と補助パターン１２ｂとの間に存在する場合は、ｃ−ｅ間の距離になる。また、欠陥がフォトマスク１０、２０上に存在しない場合は、線幅はｃ−ｄ間の距離になる。即ち、２枚のフォトマスクによる光強度分布を足し合わせたことにより、欠陥１３が二重露光で形成するパターンの線幅に与える影響がｃ−ｅ間の距離とｃ−ｄ間の距離の差になって顕著に表れている。つまり、これらの差分を検討することにより、欠陥１３が二重露光で形成するパターンの線幅に与える影響を簡易且つ確実に判定することができる。
【００４９】
尚、足し合わせるときの双方の光強度分布のデータについては、縦軸の比率をウエハ基板上に２枚のフォトマスクを転写する際の露光量比で足し合わせる。
そして、ｃ−ｅ間の距離とｃ−ｄ間の距離の差分が一定値以下であり、デバイスで要求されるパターンの線幅に影響を与えない程度であれば、実際にフォトマスク１０上に存在する欠陥１３の修正は行わない。一方、ｃ−ｅ間の距離とｃ−ｄ間の距離の差分が一定値以上であり、要求されるパターンの線幅に影響を与える程度であれば、その欠陥１３については、硬度材料による物理破壊や電子ビーム照射法等により欠陥修正を行う。
【００５０】
以上の方法によれば、メインパターン１１と補助パターン１２ｂとの間に存在する欠陥１３が二重露光で得られる微細パターンの線幅にどの程度の影響を及ぼすかの判定を簡易且つ確実に行うことができる。即ち、ある欠陥が所望のパターンの線幅に与える影響を具体的に線幅という数値として表すことが可能になり、狙い値との差分を基に欠陥の修正判定をすることができる。
【００５１】
さらに、二重露光により最終的に形成させたパターンに影響を与えないような微小欠陥については、修復する必要がなくなる。その結果、欠陥を修正する時間の短縮を図ることができ、フォトマスク製造の生産性が向上する。
【００５２】
そして、欠陥修正の判定を行ったフォトマスク１０と、フォトマスク２０を共に用いれば、二重露光によりウエハ基板上に安定した線幅の微細パターンを形成することができる。即ち、上記欠陥を修正する方法により製造されたフォトマスク１０、２０を用いて、半導体基板上に安定したパターンを形成することができる。
【００５３】
尚、図２から図４までの具体例の説明では、図１に示す第１の光強度分布が光強度分布１４であり、第２の光強度分布が光強度分布２３に対応している。フォトマスクについては、第１のフォトマスクがフォトマスク１０であり、第２のフォトマスクがフォトマスク２０に対応している。
【００５４】
また、上記の説明では、黒欠陥を例に実施の形態を説明している。白欠陥の場合でも、ｃ−ｅ間の距離とｃ−ｄ間の距離の差分を比較することにより簡易且つ確実に判定することができる。その修正方法は、カーボンデポなどで行う。
【００５５】
さらに、フォトマスク２０を用いた光強度分布２３については、光強度分布測定装置により取得する以外に、フォトマスク描画データを元にした光シミュレーションベースの光強度データを用いてもよい。これにより、フォトマスク２０の光強度分布を測定する手間が省け、上記判定方法及び製造方法をより簡易且つ確実に実現することができる。
【００５６】
（付記１）  二重露光に用いるフォトマスク上の欠陥の修正判定をするフォトマスク欠陥判定方法において、
第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得するステップと、
取得した前記第１及び前記第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、前記ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥の修正判定をするステップと、
を有することを特徴とするフォトマスク欠陥判定方法。
【００５７】
（付記２）  第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得する工程と、
取得した前記第１及び前記第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、前記ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥を修正する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスク製造方法。
【００５８】
（付記３）  前記第１のフォトマスクにメインパターンと前記メインパターンの両側に補助パターンが配置されていることを特徴とする付記２記載のフォトマスク製造方法。
（付記４）  前記メインパターンがゲート電極パターンであることを特徴とする付記２又は３記載のフォトマスク製造方法。
【００５９】
（付記５）  前記第２のフォトマスクにシフタパターンが形成され、前記シフタパターンが二重露光を行う際に転写される前記メインパターンの両側に、それぞれ一部を重複させて配置されていることを特徴とする付記２乃至４のいずれか一項に記載のフォトマスク製造方法。
【００６０】
（付記６）  前記第２の光強度分布が光シミュレーションデータから得た光強度分布であることを特徴とする付記２乃至５のいずれか一項に記載のフォトマスク製造方法。
（付記７）  第１及び第２のフォトマスクの光強度分布を取得する工程と、
取得した前記第１及び前記第２の光強度分布を足し合わせた光強度ピークの適正露光量でのピーク幅と、前記ピーク幅の狙い値との差分を基に欠陥を修正する工程と、
を有する方法により製造されたフォトマスクを用いて、半導体基板上にレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】フォトマスク欠陥修正の基本原理を説明するフロー図である。
【図２】フォトマスクとその光強度分布を説明する要部図であり、（Ａ）はバイナリフォトマスク／ハーフトーン位相シフトフォトマスクの要部図であり、（Ｂ）はそのフォトマスクの光強度分布を説明する図である。
【図３】フォトマスクとその光強度分布を説明する要部図であり、（Ａ）はレベンソン位相シフトフォトマスクの要部図であり、（Ｂ）はそのフォトマスクの光強度分布を説明する図である。
【図４】２枚のフォトマスクを重ねた場合のフォトマスク像と光強度分布を説明する要部図であり、（Ａ）は重ねたフォトマスク像の要部図であり、（Ｂ）は光強度分布の図である。
【図５】二重露光プロセスで用いるフォトマスクの要部図であり、（Ａ）はバイナリフォトマスク／ハーフトーン位相シフトフォトマスクの要部図であり、（Ｂ）はレベンソン位相シフトフォトマスクの要部図である。
【図６】二重露光プロセスで形成されたパターンを説明する要部図である。
【図７】二重露光プロセスで用いるフォトマスクの要部図であり、（Ａ）は補助パターンを配置させたバイナリフォトマスク／ハーフトーン位相シフトフォトマスクの要部図であり、（Ｂ）はレベンソン位相シフトフォトマスクの要部図である。
【図８】補助パターンの線幅と焦点深度の関係を説明する図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０、２０、４００、５００  フォトマスク
１１  メインパターン
１２ａ、１２ｂ、４０２ａ、４０２ｂ  補助パターン
１３  欠陥
１４、２３  光強度分布
２１、２２  シフタパターン
１００、３００  活性領域
１０１、３０１、４０１  ゲート電極パターン
１０２、３０２  ゲート配線パターン
２００、２０１、２０２、２０３、５０１、５０２  シフタパターン
【図１】
2008026799.tif 000003
【図２】
2008026799.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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