(57)【要約】【課題】ＲＣレシーバデバイスと周辺光フォトセンサデバイスを省スペースで電子機器に組み込むことが可能な複合アセンブリを提供すること。【解決手段】ＲＣレシーバデバイスと周辺光フォトセンサ（ＡＬＰＳ）デバイスを単一のマウンティングデバイス（例えば、回路基板やリードフレーム基板）上に取り付け、それらが単一の複合アセンブリの一部を形成するようにする。その結果、アセンブリを電子機器に組み込んだときに消費される空間の量を低減することができ、電子機器のサイズを小型化することが可能になる。また、ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスを単一の複合アセンブリ上で実施することで、複合アセンブリの製造、組み立て、及び出荷に関するコストも低減される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マウンティングデバイスと、
前記マウンティングデバイス上に取り付けられ、前記マウンティングデバイスの導体に接続された電気的接続部を有するリモートコントロール（ＲＣ）レシーバデバイスと、
前記マウンティングデバイス上に取り付けられ、前記マウンティングデバイス上の導体に接続された電気的接続部を有する周辺光フォトセンサ（ＡＬＰＳ）デバイスと
を含む、複合アセンブリ。
【請求項２】
前記ＲＣレシーバデバイスは赤外線（ＩＲ）フォトダイオードを含み、前記ＡＬＰＳデバイスは周辺光フォトセンサを含む、請求項１に記載の複合アセンブリ。
【請求項３】
前記ＲＣレシーバデバイスは、ＲＣレシーバ集積回路（ＩＣ）、及び赤外線（ＩＲ）フォトダイオードＩＣを含み、前記ＡＬＰＳデバイスは、フォトセンサＩＣを含み、前記ＲＣレシーバデバイスの電気的接続部は、前記ＲＣレシーバＩＣのピンに対応し、前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣの電気的接続部は、前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣのピンに対応し、前記ＩＲフォトダイオードＩＣのピンは、前記ＲＣレシーバＩＣのピンに電気的に接続され、前記ＲＣレシーバＩＣのピン、及び前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣのピンは、前記マウンティングデバイス上の導体に電気的に接続される、請求項１に記載の複合アセンブリ。
【請求項４】
前記ＲＣレシーバデバイス、及び前記ＡＬＰＳデバイスは、単一の集積回路の中に集積される、請求項１に記載の複合アセンブリ。
【請求項５】
前記ＲＣレシーバデバイスは、赤外線を検出するための赤外線（ＩＲ）フォトダイオードと、前記フォトダイオードによって生成された電気信号を処理するための処理回路とを備えたＲＣレシーバ集積回路（ＩＣ）を含み、前記ＡＬＰＳデバイスは、フォトセンサＩＣを含み、前記ＲＣレシーバデバイスの電気的接続部は、前記ＲＣレシーバＩＣのピンに対応し、前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣの電気的接続部は、前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣのピンに対応する、請求項１に記載の複合アセンブリ。
【請求項６】
前記複合アセンブリ上に配置された赤外線通過フィルタであって、該赤外線通過フィルタを通して赤外線を通過させ、ＩＲフォトダイオードＩＣに入射させる一方、他の波長の光が前記ＩＲフォトダイオードＩＣに入射することを防止する赤外線通過フィルタと、
前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣ上に配置された可視光通過フィルタであって、該フィルタを通して可視光を通過させ、前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣに入射させる一方、可視光以外の光が前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣに入射することを防止する可視光通過フィルタと
をさらに含む、請求項２に記載の複合アセンブリ。
【請求項７】
前記赤外線通過フィルタは、前記マウンティングデバイスに形成されたカップ内に注入された赤外線透過性エポキシであり、前記ＩＲフォトダイオードＩＣは、前記カップの中に配置され、前記赤外線透過性エポキシによって封止される、請求項６に記載の複合アセンブリ。
【請求項８】
前記赤外線通過フィルタは、前記ＩＲフォトダイオードＩＣの少なくとも１つの表面上に配置された赤外線通過フィルタコーティングである、請求項６に記載の複合アセンブリ。
【請求項９】
前記ＩＣが取り付けられるマウンティングデバイス、及び前記フィルタの少なくとも一部をコーティングする透明エポキシを更に含む、請求項６に記載の複合アセンブリ。
【請求項１０】
複合アセンブリを製造する方法であって、
マウンティングデバイス上にリモートコントロール（ＲＣ）レシーバデバイスを取り付けるステップと、
前記ＲＣレシーバデバイスの電気的接続部を前記マウンティングデバイス上の導体に接続するステップと、
前記マウンティングデバイス上に周辺光フォトセンサ（ＡＬＰＳ）を取り付けるステップと、
前記ＡＬＰＳデバイスの電気的接続部を前記回路基板上の導体に接続するステップと
を含む方法。
【請求項１１】
前記ＲＣレシーバデバイスは、赤外線（ＩＲ）フォトダイオオードを含み、前記ＡＬＰＳデバイスは、周辺光フォトセンサを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＲＣレシーバデバイスは、ＲＣレシーバ集積回路（ＩＣ）、及び赤外線（ＩＲ）フォトダイオードＩＣを含み、前記ＡＬＰＳデバイスは、フォトセンサＩＣを含み、前記ＲＣレシーバデバイスの電気的接続部は、前記ＲＣレシーバＩＣのピンに対応し、前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣの電気的接続部は、前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣのピンに対応し、前記ＩＲフォトダイオードＩＣの少なくとも１つのピンは、前記ＲＣレシーバＩＣの少なくとも１つのピンに電気的に接続され、前記ＲＣレシーバＩＣのピン、及び前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣのピンは、前記マウンティングデバイス上の導体に電気的に接続される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＲＣレシーバデバイス、及び前記ＡＬＰＳデバイスは、単一の集積回路の中に集積される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＲＣレシーバデバイスは、赤外線を検出するための赤外線（ＩＲ）フォトダイオードと、該フォトダイオードによって生成された電気信号を処理するための処理回路とを備えたＲＣレシーバ集積回路（ＩＣ）を含み、前記ＡＬＰＳデバイスは、フォトセンサＩＣを含み、前記ＲＣレシーバデバイスの電気的接続部は、前記ＲＣレシーバＩＣのピンに対応し、前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣの電気的接続部は、前記ＡＬＰＳフォトセンサＩＣのピンに対応する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＲＣレシーバデバイス上に赤外線通過フィルタを配置し、該フィルタを通して赤外線を通過させ、前記ＲＣレシーバデバイスに入射させるとともに、他の波長の光が前記ＲＣレシーバデバイスに入射することを防止するステップと、
前記ＡＬＰＳデバイス上に可視光通過フィルタを配置し、該フィルタを通して可視光を通過させ、前記ＡＬＰＳデバイスに入射させるとともに、可視光でない光が該フィルタを通過し、前記ＡＬＰＳデバイスに入射することを防止するステップと
を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記デバイスを前記マウンティングデバイス上に取り付ける前に、前記マウンティングデバイスにカップを形成し、該カップの中に前記ＲＣレシーバデバイスのＩＲフォトセンサＩＣを配置し、該カップに赤外線透過性エポキシを注入し、前記ＩＲフォトダイオードＩＣを前記赤外線透過性エポキシの中に封止するステップを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記赤外線通過フィルタは、前記ＲＣレシーバデバイスの少なくとも１つの表面上に配置された赤外線通過フィルタコーティングである、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リモートコントロールレシーバデバイス、及び周辺光フォトセンサデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、リモートコントロール（ＲＣ）レシーバデバイスは、テレビ（ＴＶ）、ビデオカセットレコーダ（ＶＴＲ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、ラップトップコンピュータ、ノートブックＰＣ、及び他のタイプの装置のような種々の電子機器に使用されている。ＲＣレシーバデバイスは、ユーザが操作するＲＣトランスミッタデバイスから無線インタフェースを介して送信された電磁波信号を受信する。電磁波信号は通常、赤外線（ＩＲ）信号である。ＲＣレシーバのフォトダイオードは、ＲＣトランスミッタデバイスから送信された電磁波信号の受信に応答して、電気信号を生成する。フォトダイオードによって生成された電気信号は、デジタル信号に変換され、次いで、そのデジタル信号は、ＲＣレシーバデバイスのＩＣによって処理される。ＩＣは、ＲＣレシーバデバイスが使用される電子機器によって使用される出力信号を生成し、その電子機器に何らかの機能（例えば、特定アプリケーションソフトウェアの実行）を実行させる。
【０００３】
ＲＣレシーバデバイスは通常、回路基板上に取り付けられ、回路基板上の導体と、ＲＣレシーバデバイスのＩＣの入出力（Ｉ／Ｏ）パッドとの間に、接続が形成される。さらに、ＲＣレシーバデバイスが取り付けられた回路基板は電子機器に組み込まれ、回路基板のＩ／Ｏポートと、電子機器のデバイス、又は構成部品との間に、電気的接続が形成される。
【０００４】
ＲＣレシーバデバイスと同様に、周辺光フォトセンサも現在、薄型テレビ、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、ラップトップコンピュータ、ノートブックＰＣ、家庭用照明器具、並びに携帯情報端末（ＰＤＡ）や携帯電話のようなワイヤレス携帯機器といった種々の電子機器に現在使用されている。周辺光フォトセンサデバイスは、周囲の周辺光のレベルを検出し、ＴＶ画面、又はコンピュータや携帯機器の表示画面の明るさを調節して、周囲の現在の周辺光レベルでその明るさが明る過ぎることも暗すぎることもないようにする。
【０００５】
周辺光フォトセンサデバイスは通常、周辺光フォトセンサを備えたＩＣを含む。周辺光フォトセンサは、周囲の周辺光のレベルを検出し、電気信号を生成する。電気信号はデジタル信号に変換され、周辺光フォトセンサデバイスのＩＣによって処理される。ＩＣは、周辺光フォトセンサデバイスが使用される電子機器によって使用される出力信号を生成し、それによって、電子機器に何らかの機能（例えば、ＴＶ画面やＰＣの表示画面の輝度レベルの調節）を実行させる。
【０００６】
周辺光フォトセンサデバイスは通常、回路基板上に取り付けられ、回路基板上の導体と、周辺光フォトセンサデバイスのＩＣのＩ／Ｏパッドとの間に、接続が形成される。さらに、ＩＣが取り付けられた回路基板は電子機器に組み込まれ、回路基板のＩ／Ｏポートと、電子機器の構成部品、又はデバイスとの間に、電気的接続が形成される。
【０００７】
現在、多数の電子機器が、ＲＣレシーバデバイスと周辺光フォトセンサデバイスの両方を使用している。例えば、現在販売されている薄型テレビは一般に、ＲＣレシーバデバイスが取り付けられた一枚の回路基板と、周辺光フォトセンサデバイスが取り付けられたもう一枚の回路基板とを有している。各回路基板は、電子機器内のかなり多くの空間を消費する。当然ながら、多くの家庭用電子機器の製造時の主たる目標はサイズの縮小である。この目標を達成するために、製造業者らは、利用可能な空間を効率的に利用する方法を常に模索している。しかしながら、多くの電子機器は、実施する機能の数や種類が増加する一方であり、その結果、デバイスサイズの縮小という目標を達成することは、益々難しくなってきている。また、ＲＣレシーバデバイスと周辺光フォトセンサデバイスにそれぞれ別の回路基板を使用すると、コストは増大する。
【０００８】
したがって、ＲＣレシーバデバイスと周辺光フォトセンサデバイスを空間利用の観点から効率的に電子機器に組み込み、それによって、電子機器全体のサイズの縮小を図り、及び／又は、更に別のデバイスを電子機器に組み込み、更に別の機能を与えることができるようにすることが望まれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、リモートコントロール（ＲＣ）レシーバデバイスと周辺光フォトセンサ（ＡＬＰＳ）デバイスが取り付けられた複合アセンブリを提供する。ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスは、現在実施されているように異なる回路基板上に取り付けされるのではなく、１つのマウンティングデバイス（例えば、回路基板やリードフレーム基板）上に取り付けられる。その結果、ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスの両方を使用する電子機器において消費される空間の量を大幅に低減することができる。この複合アセンブリは、マウンティングデバイスと、マウンティングデバイス上に取り付けられたＲＣレシーバデバイスと、マウンティングデバイス上に取り付けられたＡＬＰＳデバイスとを含む。ＲＣレシーバデバイスは、マウンティングデバイス上の導体に接続された電気的接続部を有する。ＡＬＰＳデバイスは、マウンティングデバイス上の導体に接続された電気的接続部を有する。
【００１０】
この複合アセンブリを作成する方法は、リモートコントロール（ＲＣ）レシーバデバイスをマウンティングデバイス上に取り付けるステップと、ＲＣレシーバデバイスの電気的接続部をマウンティングデバイス上の導体に電気的に接続するステップと、ＡＬＰＳデバイスをマウンティングデバイス上に取り付けるステップと、ＡＬＰＳデバイスをマウンティングデバイスの導体に電気的に接続するステップとを含む。
【００１１】
本発明のこれらの特徴、及び他の特徴は、下記の説明、図面、及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明によれば、ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスは、例えば回路基板やリードフレーム基板のような単一のマウンティングデバイス上に取り付けられ、ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスは、単一の複合アセンブリの一部を形成する。その結果、複合アセンブリが組み込まれる電子機器において消費される空間の量は低減され、電子機器のサイズを小型化したり、電子機器全体のサイズを拡大することなく更に別の装置を電子機器に組み込み、更に別の機能を与えることが可能となる。また、ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスの両方を単一の複合アセンブリ上で実施することにより、アセンブリの製造、組み立て、及び出荷に関するコストも低減される。
【００１３】
ただし、本発明は、ＲＣレシーバデバイスやＡＬＰＳデバイス以外のデバイスにも適用することができる。ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスは、異なる光波長で動作するデバイスであって、かつ、単一の複合アセンブリ上で実施することが有利だと考えられる二種類のデバイスの単なる例に過ぎない。例示のために、本発明の原理、及び概念は、ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスの単一の複合アセンブリへの組み込みを例として説明される。当業者であれば、異なる光波長で動作する別の種類のデバイスにそれらの原理を適用する方法も理解できるものと考えられる。また、本発明において、単一の複合アセンブリに組み込むことが可能なデバイスの数に制限はない。
【００１４】
図１は、ＲＣレシーバデバイス２とＡＬＰＳデバイス７を含む、本発明の一実施形態による複合アセンブリ１を示すブロック図である。複合アセンブリ１は、マウンティングデバイス１０を含む。マウンティングデバイス１０は通常、プリント回路基板（ＰＣＢ）、又はリードフレーム基板である。リモートコントロール（ＲＣ）レシーバデバイス２と周辺光フォトセンサ（ＡＬＰＳ）デバイス７が、マウンティングデバイス１０上に取り付けられる。ＲＣレシーバデバイス２は、ＲＣレシーバＩＣ３、及び赤外線（ＩＲ）フォトダイオードＩＣ４を含む。ＩＲフォトダイオードＩＣ４は、記号で示されているが、実際には別個のＩＣである。ＡＬＰＳデバイス７は、周辺光フォトセンサ（図示せず）を含むＩＣである。ＲＣレシーバデバイス２とＡＬＰＳデバイス７は、市場で現在入手可能な既知のデバイスであってよい。
【００１５】
符号８、９、１１、１２、及び１３で示されている接点は、マウンティングデバイス１０の種々のポートに対応する。ポート８は、ＲＣレシーバＩＣ３の一本のピン（図示せず）から出力され、導電性トレース、及びワイヤボンディングを介してポート８に送信されたレシーバ信号Ｒｘを受信する出力ポートである。ポート９は、ＲＣレシーバＩＣ３の一本のピン（図示せず）にグラウンド電位ＧＮＤを供給するために使用される、マウンティングデバイス１０の入力ポートである。ポート１１は、ＲＣレシーバＩＣ３の一本のピン（図示せず）に電圧Ｖｃｃを供給するために使用される、マウンティングデバイス１０の入力ポートである。ポート１２は、ＡＬＰＳ  ＩＣ７の一本のピン（図示せず）に電圧Ｖｃｃを供給するために使用される、マウンティングデバイス１０の入力ポートである。ポート１３は、ＡＬＰＳ  ＩＣ７の一本のピン（図示せず）から出力されたＡＬＰＳ  ＩＣ７出力信号ＩＯＵＴを受信する、マウンティングデバイス１０の出力ポートである。
【００１６】
マウンティングデバイス１０のポート８、及びポート１３でそれぞれ受信されたレシーバ信号Ｒｘ、及びＡＬＰＳ信号ＩＯＵＴは、電子機器（図示せず）の他のデバイス、又は構成部品（図示せず）に送信される。他のデバイス、又は構成部品は、その信号を既知の態様で使用し、例えば、プロセッサにアプリケーションプログラムを実行させたり、あるいはディスプレイモニタの輝度を調節したりする。ＲＣレシーバデバイスのＩＲフォトダイオードＩＣ４の一本のピン（図示せず）は、ＲＣレシーバＩＣ３の一本のピン（図示せず）に電気的に接続される。
【００１７】
本発明の複合アセンブリを実施する態様の一例を説明する都合上、複合アセンブリは、３つの独立したＩＣ、すなわち、ＲＣレシーバＩＣ３、ＲＣレシーバフォトダイオードＩＣ４、及びＡＬＰＳ  ＩＣ７を有しているものとして説明する。なぜなら、現在、これらのＩＣは、３つの別個のＩＣとして市場で販売されているからである。ただし、これらのＩＣは、同じＩＣ、又は２つの独立したＩＣとして集積される場合もある。例えば、ＲＣレシーバＩＣ３とＩＲフォトダイオードＩＣ４は１つのＩＣとして集積される一方、ＡＬＰＳ  ＩＣ７は独立したＩＣとして実施される場合がある。同じＩＣ、又は２つのＩＣの中に集積されるＩＣの数を増やすことにより、複合アセンブリのサイズはさらに縮小することができ、更なるコスト削減が図れる。
【００１８】
複合アセンブリ１を電子機器に組み込んだときに消費される空間は、ＲＣレシーバデバイスとＡＬＰＳデバイスを別個の回路基板上に取り付け、それらを電子機器に組み込んだときに消費される空間に比べてはるかに少ない。したがって、本発明によれば、電子機器のサイズをより小型化することができ、及び／又は、電子機器に更に別のデバイスを組み込み、更に別の機能を与えることが可能になる。また、複合アセンブリに関わる製造、組み立て、及び出荷のコストは、個別のアセンブリに関わるものに比べて少なくて済む。
【００１９】
次に、図２、及び図３を参照し、図１に示した複合アセンブリを製造する方法の第１の例示的実施形態について説明する。図２は、図１に示した複合アセンブリ１の断面図である。ＲＣレシーバＩＣ３、ＲＣレシーバフォトダイオードＩＣ４、及びＡＬＰＳ  ＩＣ７は、既知のダイアタッチプロセスを使用して回路基板１０に取り付けられる。ただし、ＩＣ３、４、及び７を取り付ける前に、回路基板１０の基板２２にカップ２１を形成する。ＩＣ３、４、及び７を取り付けた後、ワイヤボンディングプロセスを実施し、それらのＩＣのピンと、回路基板１０上の導体（図示せず）との間の電気的接続を全て形成する。ワイヤボンディングを実施する仕方は既知である。
【００２０】
ＩＣ３、４、及び７を回路基板上の導体にワイヤボンディングした後、カップ２１の中に赤外線（ＩＲ）透過性エポキシ２４を注入し、ＲＣレシーバフォトダイオードＩＣ４を封止する。次に、ＩＲ透過性エポキシ２４をオーブン（図示せず）で硬化させる。ＩＲ透過性エポキシを使用することで、その中を赤外線を通過させ、ＲＣレシーバダイオードＩＣ４に赤外線を当てることができ、かつ、他の波長の光は全て除去することができる。好ましくは、ＩＲ透過性エポキシは、熱膨張係数（ＣＴＥ）の不整合に起因した熱応力に関連する問題が起こらないシリコーン系エポキシであることが望ましい。市場で入手可能な種々のＩＲエポキシが、この目的に適合する。
【００２１】
次に、アセンブリの上面を透明エポキシ２５でコーティングする。透明エポキシ２５は、例えば、トランスファ成形プロセスやシートキャスト成形プロセスを使用して付着させることができる。透明エポキシ２５は、その中を周辺光（赤外線を含む）を通過させることができる。ただし、ＡＬＰＳ  ＩＣ７は、その上面に、可視光以外を除去する可視光コーティング２６を有する。したがって、可視光コーティング２６を通過し、ＡＬＰＳダイ７に入射するのは、可視光だけとなる。この目的に適合する種々の可視光コーティングは、市場で入手することができる。残りの処理工程は、現在回路基板を組み立てるときに使用されている通常の処理工程であるため、詳しい説明はしない。
【００２２】
図３は、図２を参照して上で説明した例示的方法を示すフロー図である。ブロック３１に示すように、回路基板の基板にカップを形成する。ブロック３２に示すように、ダイアタッチプロセスを使用して、ＩＣを取り付ける。カップを形成した後、ＩＣを取り付ける前に、中間処理工程を実施してもよい。ＩＣを取り付けた後、ブロック３３に示すように、ＩＣを回路基板上の導体にワイヤボンディングする。ワイヤボンディングを実施した後、ブロック３４に示すように、カップの中にＩＲ透過性エポキシを注入し、レシーバフォトダイオードＩＣ４をＩＲ透過性エポキシで封止する。次に、ブロック３５に示すように、ＩＲ透過性エポキシを硬化させる。次に、ブロック３７に示すように、モールディングプロセス又はキャスト成形プロセスを使用して、透明エポキシ２５を付着させる。残りの既知の処理工程は、上記のようにアセンブリの上に透明エポキシをモールディング、又はキャスト成形した後に実施される。
【００２３】
可視光コーティング２６は通常、ウェーハレベルでＡＬＰＳダイに付着されるため、図３に示したフロー図にプロセスの一部として記載されていない。本発明は、幾つかの工程を実施する前に幾つかの工程を実施しなければならない場合を除き、どの工程をいつ実施しなければならないといった制限はない。
【００２４】
図４Ａ、及び図４Ｂは、組み立て完了後の、複合アセンブリ１の寸法の一例を示している。本発明は、図示した寸法に限られない。これらの寸法は、複合アセンブリ１の小型な性質を例示するために示したものである。図中の寸法は、ミリメートル（ｍｍ）の単位で記されている。図４Ａから、アセンブリ１の全幅Ｗは９．８０ｍｍであることが分かる。また、図４Ａから、全長Ｌは３．９０ｍｍであることが分かる。図４Ｂから、全高Ｈは、４．６５ｍｍ未満であることが分かる。このように、複合アセンブリ１のサイズは非常に小さく、複合アセンブリ１は、複合アセンブリ１が使用される電子機器において非常に少量の空間しか消費しない。
【００２５】
次に、図５、及び図６を参照し、図１に示した複合アセンブリ１を製造する方法の別の例示的実施形態について説明する。図５は、本発明の複合アセンブリ５０を示す断面図である。複合アセンブリ５０は、図２に示したカップ２１が不要である点を除き、図２に示した複合アセンブリ１と同様のものである。要素５２、５３、５４、５７、６０、７２、及び５４は、図２に示した要素２、３、４、７、１０、２２、及び２４とそれぞれ同じものである。ＲＣレシーバＩＣダイ５３、ＲＣレシーバフォトダイオードＩＣダイ５４、及びＡＬＰＳＩＣダイ５７は、既知のダイアタッチプロセスを使用して、マウンティングデバイス６０に取り付けられる。マウンティングデバイス６０は、プリント回路基板（ＰＣＢ）であってもよいし、リードフレーム基板であってもよい。ＩＣダイ５３、５４、及び５７を取り付ける前に、ダイ５４、及び５７をコーティング７１、及び７４でそれぞれ事前コーティングしておく。コーティング７１、及び７４は、望ましくない波長の光を除去する働きをする材料からなる。コーティング７１は、その中を赤外線を通過させ、ＲＣフォトダイオードダイ４に赤外線を当てることができ、かつ、他の波長の光は全て除去することができる。コーティング７４は、その中を周辺光のうちの可視部分を通過させることができ、かつ、他の波長の光は除去することができる。したがって、コーティング７４を通過し、ＡＬＰＳフォトダイオードダイ７に入射するのは、可視光だけとなる。この目的に適合する種々の赤外線透過性コーティング材料、及び可視光透過性コーティング材料が、現在市販されている。
【００２６】
ダイ５３、５４、及び５７を取り付けた後、ワイヤボンディングプロセスを実施し、ダイ５３、５４、及び５７のパッドと、マウンティングデバイス６０上の導体（図示せず）との間の電気的接続を全て形成する。次に、アセンブリ５０の上面を透明エポキシ７５でコーティングする。透明エポキシ７５は、図２に示した透明エポキシ２５と同じエポキシであってもよい。透明エポキシ７５は、例えばトランスファ成形プロセス、又はキャスト成形プロセスを使用して付着させることができる。透明エポキシ７５は、その中を周辺光（赤外線を含む）を通過させることができる。一方、可視光コーティング７４は、その中を可視光だけを通過させ、ＡＬＰＳダイ５７に入射させることができる。透明エポキシ７５を付着させた後は、回路基板の組み立て時に現在使用されている通常の処理工程が実施される。したがって、それらの処理工程について詳しい説明はしない。
【００２７】
図６は、図５を参照して上で説明した例示的方法を示すフロー図である。ダイ５４、及び５７は、コーティング材料７１、及び７４によってそれぞれ事前コーティングされる。ブロック８２に示すように、ダイ５３、５４、及び５７は、ダイアタッチプロセスを使用して取り付けられる。ダイ５４、及び５７を事前コーティングした後、ダイ５３、５４、及び５７を取り付ける前に、中間処理工程を実施してもよい。ダイを取り付けた後、ブロック８３に示すように、ダイは、回路基板の導体、又はリードフレーム基板にワイヤボンディングされる。ワイヤボンディングを実施した後、ブロック８４に示すように、モールディングプロセス、又はキャスト成形プロセスを使用して、透明エポキシ７５を付着させる。上記のように、残りの通常の処理工程は、透明エポキシ７５を付着させた後に実施される。
【００２８】
図５に示した複合アセンブリ５０は、図４Ａ、及び図４Ｂに示したものと同じ、又はそれと同程度の寸法を有することができる。ただし、図５に示した複合アセンブリ５０は、図２に示したカップ２１を必要としないため、カップ２１を形成するための空間を回路基板６０上に必要としない。そのため、複合アセンブリの更なる小型化が可能である。
【００２９】
本明細書は、発明の原理、及び概念を例示する目的で、幾つかの例示的実施形態を参照して説明を行っている。しかしながら、当業者であれば、本明細書に記載した実施形態に対し、種々の変更を施すこともでき、そうした変更実施形態もまた、本発明の範囲内であることが分かるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による複合アセンブリを示すブロック図である。当該複合アセンブリは、マウンティングデバイスに取り付けられ、マウンティングデバイスに電気的に接続されたＲＣレシーバデバイス、及びＡＬＰＳデバイスを含む。
【図２】図１に示した一実施形態による複合アセンブリの断面図である。
【図３】図２を参照して上で説明した例示的方法を示すフロー図である。
【図４Ａ】図２に示した複合アセンブリの組み立て完了後の寸法の一例を示す図である。
【図４Ｂ】図２に示した複合アセンブリの組み立て完了後の寸法の一例を示す図である。
【図５】本発明による複合アセンブリ５０を示す断面図である。
【図６】図５を参照して上で説明した例示的方法を示すフロー図である。
【図１】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図６】
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【図２】
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【図５】
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