(57)【要約】【課題】  簡易にＧａＰ電流分散層の表面における光の全反射を抑制することを可能とした、ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する【解決手段】  ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、基板上１に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層２、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層３およびｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層４を含む発光部６と、ｐ型のＧａＰ電流分散層５とを有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハであって、ｐ型のＧａＰ電流分散層５の少なくとも表面５１近傍には、粗面状態の結晶成長となる所定濃度以上のｐ型不純物が添加され、ＧａＰ電流分散層５の表面５１が粗面となっている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層およびｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層を含む発光部と、ｐ型のＧａＰ電流分散層とを有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハであって、
前記ｐ型のＧａＰ電流分散層の少なくとも表面近傍には、表面が粗面となる原子濃度以上のｐ型不純物が添加されることにより、前記ＧａＰ電流分散層の表面が粗面となっていることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハ。
【請求項２】
請求項１記載のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、前記ｐ型不純物が、Ｍｇであり、且つＭｇ原子濃度が８.０×１０１８［atoms／ｃｍ３］以上であることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハ。
【請求項３】
気相成長法により、基板上に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層と、ｐ型のＧａＰ電流分散層とを積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記ｐ型のＧａＰ電流分散層を形成する工程で、前記ＧａＰ電流分散層の少なくとも表面近傍におけるｐ型不純物を、ＧａＰ結晶が粗面となる原子濃度以上ドーピングして、前記ＧａＰ電流分散層の表面を粗面となるよう形成したことを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法において、前記ＧａＰ電流分散層の少なくとも表面近傍に添加される前記ｐ型不純物として、Ｍｇを用い、且つＭｇ原子濃度を８.０×１０１８［atoms／ｃｍ３］以上としたことを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法に関し、特に、電流分散層の表面からの光の取出効率の向上を図ったＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高輝度発光ダイオード用のエピタキシャルウェハは、ＭＯＶＰＥ法やハイドライドＶＰＥ法といった気相成長法によって製造されることが多い。ＭＯＶＰＥ法を一例として、その概要を説明すると、結晶基板をヒータで加熱し、結晶基板へと、キャリアガスとしての水素を用いてIII族原料となる、例えばＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡ（
トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）を供給すると共に、またＶ族原料となる、例えばＡｓＨ３（アルシン）、ＰＨ３（ホスフィン）を供給し、それら原料ガスの熱分解反応により、基板上にエピタキシャル層を成長させる。
【０００３】
図３に示したように、従来のＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハには、ｎ型ＧａＡｓ基板１００上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２００、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３００、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４００、ｐ型のＧａＰ電流分散層５００が、この順で積層された構造のものがある。ＧａＰ電流分散層５００の表面（最表面）５０１は、外部へと光を取り出すための光取出面となる。
【０００４】
ＧａＰ電流分散層５００の結晶成長において、ｐ型不純物となるＭｇをドープするが、Ｍｇドーピング濃度は、原子濃度で４×１０１８［atoms／ｃｍ３］程度に設定されるこ
とが多い。こうして成長したＧａＰ電流分散層５００の表面５０１は、鏡面であり、表面平坦性も極めて高い。
【０００５】
このようにして作製された発光ダイオード用エピタキシャルウェハウェハに、チップ作製プロセスを行い、ｎ型電極およびｐ型電極等を形成し、ダイシングにより個々の素子ごとに分離して、発光ダイオードチップ（ベアチップ）が作製される。
得られた発光ダイオードチップのｎ側電極とｐ側電極との間に電流を流すと、活性層３００にて発光し、発光した光は様々な方向に拡がり、チップ外部へと取り出される。
【０００６】
ところが、活性層３００から発せられた光を全て外部へと取り出すことは出来ない。これは、活性層３００から発せられた光が、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４００等の結晶中を伝播する際に結晶に吸収されたり、ＧａＰ電流分散層５００の表面５０１と外部の空気との界面で全反射されて、外部へと放出されずに戻されて内部で吸収されたりしてしまうためである。
特に、上記のような気相成長法によって製造されるＧａＰ電流分散層５００の表面５０１は平坦性が良好なため、ＧａＰ電流分散層５００の表面５０１で光の全反射が起こりやすく、光の取出効率の低下を招き、発光ダイオードの発光強度向上の妨げとなっていた。
【０００７】
従来、発光ダイオードのＧａＡｓＰ混晶からなる主表面をエッチング液で処理して粗面化（微細な凹凸を形成）し、主表面と空気との界面で光が全反射する確率を減少させ、光の取出効率を高めるという方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１９６１４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した特許文献１の技術を採用した場合、気相成長法等で基板上にエピタキシャル層を積層形成した後、更に、エピタキシャルウェハの表面を湿式エッチング処理により粗面化するという工程を追加しなければならず、製造工程の煩雑化やスループットの低下を引き起こすという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、簡易にＧａＰ電流分散層の表面における光の全反射を抑制することを可能とした、ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、基板上に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層およびｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層を含む発光部と、ｐ型のＧａＰ電流分散層とを有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハであって、前記ｐ型のＧａＰ電流分散層の少なくとも表面近傍には、表面が粗面となる原子濃度以上のｐ型不純物が添加されることにより、前記ＧａＰ電流分散層の表面が粗面となっていることを特徴とする。
本発明における粗面とは、ウェハ表面の粗さを光学的な曇り度合い（ヘイズレベル）で定量測定するサーフスキャン測定器において、このヘイズレベルがほぼ１００００ｐｐｍ以上、１５０００ｐｐｍ（測定可能上限値）以下の範囲のものを言い、この範囲において本発明の効果が明瞭に得られる。
【００１１】
本発明の第２のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、上記第１のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、前記ｐ型不純物が、Ｍｇであり、且つＭｇ原子濃度が８.０×１０１８［atoms／ｃｍ３］以上であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第１のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法は、気相成長法により、基板上に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層と、ｐ型のＧａＰ電流分散層とを積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法であって、前記ｐ型のＧａＰ電流分散層を形成する工程で、前記ＧａＰ電流分散層の少なくとも表面近傍におけるｐ型不純物を、ＧａＰ結晶が粗面となる原子濃度以上ドーピングして、前記ＧａＰ電流分散層の表面を粗面となるよう形成したことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法は、上記第１のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法において、前記ＧａＰ電流分散層の少なくとも表面近傍に添加される前記ｐ型不純物として、Ｍｇを用い、且つＭｇ原子濃度を８.０×１０１８［atoms／ｃｍ３］以上としたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、簡易に電流分散層の表面を粗面に形成でき、電流分散層の表面における光の全反射を抑制できる。従って、本発明の発光ダイオード用エピタキシャルウェハを用いて作製される発光ダイオードの発光強度を向上できると共に、製造コストを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施の形態に係るＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハおよびその製造方法について、図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施の形態に係るＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの積層構造を示す断面図である。
このＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、基板１上に、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層２と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層（発光層）３と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層４と、ＧａＰ電流分散層５とが積層形成されている。ここで、組成比は、０＜ｘ１，ｘ３≦１、０≦ｘ２≦０.５、０＜ｙ１，ｙ２，ｙ３＜１である。
【００１７】
基板１は、例えばｎ型ＧａＡｓ基板のような導電性基板で、発光ダイオードとして作製される際には、基板１の裏面にｎ側電極（図示省略）が形成される。上記のｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層２、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層３およびｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層４により、ダブルへテロ構造の発光部６が構成される。
【００１８】
ＧａＰ電流分散層５は、ｐ型不純物がドープされたｐ型層である。発光ダイオードとして作製される際には、ＧａＰ電流分散層５上の一部にはｐ側電極（図示省略）が形成されるが、ＧａＰ電流分散層５はｐ側電極から供給される電流を発光部６へと分散して拡大するための層である。ＧａＰ電流分散層５の表面５１のうち、ｐ側電極が形成されていない表面５１部分が、発光部６から発せられる光を外部へと取り出す光取出面となる。
【００１９】
ＧａＰ電流分散層５の少なくとも表面（界面）５１近傍では、ＧａＰ結晶が粗面状態の結晶成長となる所定濃度以上のｐ型不純物が添加されており、ＧａＰ電流分散層５の表面５１が粗面となっている。このように、敢えて通常よりも高い不純物濃度でｐ型不純物をドーピングすることで、ＧａＰ電流分散層５の表面５１を鏡面ではなく故意に凹凸に荒らした粗面に形成し、外部（の空気）との界面における光の全反射を低減するようにしている。従って、発光部６からの光のうち、ＧａＰ電流分散層５の表面（界面）５１で全反射される光の割合が減少し、発光ダイオード外部に取り出される光量が増大し、発光ダイオードの発光強度の向上が図れる。
【００２０】
ＧａＰ電流分散層５の表面５１をｐ型不純物ドープによって粗面化するには、ｐ型不純物としてＭｇ（マグネシウム）を用いた場合には、Ｍｇ濃度を８.０×１
０１８［atoms／ｃｍ３］以上とすることが好ましく、全反射の低減が図れる粗面を形成
できる。このときの表面の曇りのサーフスキャン測定値が１００００ｐｐｍ以上である。
ｐ型不純物については、Ｍｇ以外にも、例えばＺｎ（亜鉛）のような他のｐ型不純物を用いることも可能であり、また、例えばＭｇとＺｎの両方をドープしても良い。また、ＧａＰ電流分散層５に均一にｐ型不純物をドープしても、或いは、ＧａＰ電流分散層５の表面５１近傍部分のｐ型不純物濃度を高くするなど、厚さ方向のｐ型不純物濃度に分布を持たせるようにしても良い。
また、ＧａＰ電流分散層のｐ型不純物濃度は、発光ダイオードの発光波長やドーピングされるｐ型不純物の種類などに対応させて、ＧａＰ電流分散層の表面の表面粗さが発光部で発光された光の全反射を効果的に低減できる粗面となるように、適切に設定される。
【００２１】
また、上記の発光ダイオード用エピタキシャルウェハを用いて発光ダイオードを作製する際には、ＧａＰ電流分散層５の表面５１上にｐ側電極（図示省略）が形成されるが、ＧａＰ電流分散層５の表面５１が凹凸の粗面となっているので、ｐ側電極との接触面積が従来の鏡面である場合よりも増え、コンタクト抵抗が減少する。これにより、本実施形態に係るウェハを用いて作製される発光ダイオードでは、発光素子としての主要な動作特性の
一つである順方向電圧(Ｖｆ)を低減できる。
【００２２】
次に、このＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法について説明する。
気相成長装置（図示省略）内に基板１を設置し、加熱された基板１に、必要とする原料ガス、キャリアガス、ドーパントガスを供給して、基板１上にｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層２、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層３、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層４を形成する。
【００２３】
次いで、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層４の上に、ｐ型のＧａＰ電流分散層５を形成する。このとき、ＧａＰ電流分散層５の少なくとも表面近傍におけるｐ型不純物のドーピング量を、ＧａＰ結晶が粗面状態の結晶成長となる所定濃度以上でドーピングする。ｐ型不純物としてＭｇを用いた場合には、Ｍｇ濃度を８.０×１
０１８［atoms／ｃｍ３］以上とすることが好ましい。
ＧａＰ電流分散層５の結晶成長において、Ｍｇなどのｐ型不純物のドーピング量を増やしていくと、ＧａＰ電流分散層５の表面状態は、鏡面から徐々に白濁した粗面状態となってくる。これは、電気的に活性なキャリアとはならなかった不活性なｐ型不純物が、ＧａＰ結晶に欠陥をつくり、表面が曇った状態（粗面状態）となるためである。この曇った状態の粗面は、緻密かつ均一な凹凸が形成された表面状態であり、光学的に適度な乱反射面状態となっており、全反射を抑制する。なお、曇り始めたＧａＰ電流分散層中のＭｇ濃度を調べると、８.０×１０１８［atoms／ｃｍ３］であった。
【００２４】
このようにして、ｐ型のＧａＰ電流分散層５を形成する工程で、例えば、ｐ型不純物であるＭｇ濃度を、８.０×１０１８［atoms／ｃｍ３］以上のような高濃度にドーピングすることにより、表面５１を粗面に形成することができる。しかも、ＧａＰ電流分散層５の表面５１の粗面化は、従来提案されていたようなエッチング液を用いた湿式エッチング処理工程を別途に付加するのではなく、電流分散層５の結晶成長プロセス中で、不純物濃度を所定値に設定するだけで実現できるので、製造工程を大幅に簡素化できる。
【実施例】
【００２５】
ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハを、本発明に係る製造方法を用いた有機金属気相成長法によって製造した。
図２は、実施例に係るＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの積層構造を示す断面図である。
【００２６】
具体的には、ＳｉドープのＧａＡｓ基板１１をヒータによって６５０℃に加熱しながら、ＧａＡｓ基板１にキャリアガスとして水素を用いて、III族原料となるＴＭＧ（トリメ
チルガリウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、Ｖ族原料となるＡｓＨ３（アルシン）、ＰＨ３（ホスフィン）、ドーパントとなるＨ２Ｓｅ（セレン化水素）、Ｃｐ２Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）を、必要に応じて供給して、ＧａＡｓ基板１上に、ＳｅドープのＧａＡｓバッファ層７、Ｓｅドープのｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２、アンドープのＡｌＧａＩｎＰ活性層３、Ｍｇドープのｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ＭｇドープのＧａＰ電流分散層５を有機金属気相成長法により形成した。
ＧａＰ電流分散層５の成長プロセスでは、ｐ型ドーパントであるＭｇの原子濃度を９.
２×１０１８［atoms／ｃｍ３］に設定してＧａＰ結晶を気相成長させて、ｐ型のＧａＰ
電流分散層５を形成した。
【００２７】
このようにして作製した本実施例のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおける、ＧａＰ電流分散層５の表面５１の結晶を肉眼にて観察したところ、白濁
していた。これをサーフスキャンで測定したところ、曇り（ヘイズレベル）は１１５００ｐｐｍであった。さらにこれを顕微鏡で観察すると、電流分散層５の表面５１は微小な凹凸状に荒れた状態となっていることが確認された。
【００２８】
さらに、上記のようにして製造されたＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハに、チップ作製プロセスにて、ｎ型電極およびｐ型電極（いずれも図示省略）の形成やダイシングなどを実施して、発光ダイオードチップを作製した。作製した発光ダイオードチップに２０ｍＡの電流を流して発光させ、その発光強度を測定したところ、１２５［ｍｃｄ］であった。
【００２９】
比較のために、上記ＧａＰ電流分散層５中のＭｇ濃度を、従来の一般的な不純物濃度である３.７×１０１８［atoms／ｃｍ３］に変更し、その他は上記と同様の設定・構造とした発光ダイオードを作製して、その発光強度を測定したところ、１０５［ｍｃｄ］であった。ＧａＰ結晶の表面は、鏡面で平坦であった。
【００３０】
このように、本実施例のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハを用いて作製された発光ダイオードでは、ＧａＰ電流分散層５の表面５１が粗面に形成されたことで全反射の発生を低減でき、発光強度を従来の一般的な不純物濃度であるものよりも約２０％も向上できた。
【００３１】
さらに、比較実験のために、ＧａＰ電流分散層５の成長プロセスで、ＧａＰにドーピングするＭｇの濃度を、１.１×１０１８、４.７×１０１８、８.０×１０１８、９.８×１０１８［atoms／ｃｍ３］としたサンプルをそれぞれ上記と同様の方法で製造し、その各
々の表面状態を観察したところ、Ｍｇ濃度を１.１×１０１８［atoms／ｃｍ３］とした比較例、および４.７×１０１８［atoms／ｃｍ３］とした比較例では、鏡面であったが、８.０×１０１８［atoms／ｃｍ３］とした実施例、および９.８×１０１８［atoms／ｃｍ３］とした実施例では、白濁して観察されるような粗面となっていた。
それら製造されたウェハを用いて発光ダイオードを作製し、各発光ダイオードの発光強度を測定したところ、Ｍｇ濃度が１.１×１０１８、４.７×１０１８の比較例では、発光強度がそれぞれ９９［ｍｃｄ］，１０５［ｍｃｄ］であり、Ｍｇ濃度が８.０×１０１８
、９.８×１０１８の実施例では、発光強度がそれぞれ１２８［ｍｃｄ］，１３０［ｍｃ
ｄ］であった。
この実験結果から、不純物のＭｇのドーピング濃度を高くして表面を白濁して見えるように粗面化することにより、発光強度を向上できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係るＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの積層構造を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの積層構造を示す断面図である。
【図３】従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハの積層構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１  基板（ＧａＡｓ基板）
２  ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層
３  （Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層
４  ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層
５  ＧａＰ電流分散層
６  発光部
７  ＧａＡｓバッファ層
５１  表面
【図１】
2008177393.tif 000003
【図２】
2008177393.tif 000004
【図３】
2008177393.tif 000005