(57)【要約】【課題】統計遅延時間を短縮し、統計遅延時間の温度に対する依存性を低減して、放電安定性を向上させたプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、基板上に形成される、一対の第１表示電極及び第２表示電極と、第１表示電極及び第２表示電極を覆って、基板上に形成される、誘電体層と、誘電体層を覆って、基板上に形成される、ＭｇＯ保護層と、を有するプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部、ならびに駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１．０〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部を有し、ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ｃａを１００〜３００質量ｐｐｍ、Ａｌを１００〜２５０質量ｐｐｍ、Ｆｅを１０〜５０質量ｐｐｍ、及びＳｉを７０〜１７０質量ｐｐｍ含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される、一対の第１表示電極及び第２表示電極と、
前記第１表示電極及び前記第２表示電極を覆って、前記基板上に形成される、誘電体層と、
前記誘電体層を覆って、前記基板上に形成される、ＭｇＯ保護層と、を有するプラズマディスプレイパネル、
前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部、ならびに
前記駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１．０〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部を有し、
前記ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ｃａを１００〜３００質量ｐｐｍ、Ａｌを１００〜２５０質量ｐｐｍ、Ｆｅを１０〜５０質量ｐｐｍ、及びＳｉを７０〜１７０質量ｐｐｍ含むことを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ｃａを１６０〜１８０質量ｐｐｍ含むことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ａｌを１５０〜２２０質量ｐｐｍ含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記ＭｇＯ保護層は、ＦｅをＭｇＯに対して２０〜３０質量ｐｐｍ含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ｓｉを９０〜１６０質量ｐｐｍ含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記維持放電パルス幅は、１．０〜３．０μｓであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記維持期間は、９．０〜２５μｓであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記維持期間は、１０〜２５μｓであることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記維持期間における最初の維持放電パルス幅は、２．０〜７．５μｓであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記維持期間における最初の維持放電パルス幅は、２．０〜７．０μｓであることを特徴とする、請求項９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記放電ガスは、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅと、を含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、及びＮ２からなる群より選択される少なくとも１種を含むガスを、０を超えて７０体積部以下さらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイ装置に関する。より詳しくは、統計遅延時間を短縮し、統計遅延時間の温度に対する依存性を低減することによって、放電安定性を向上させることができるプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルの放電セル内での気体放電により発生する真空紫外線によって、蛍光体を励起させて、画像を表現する表示装置であって、高解像度の大画面構成が可能であり、次世代薄型表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは、気体放電させるときに発生するプラズマの発光によって、文字及び／またはグラフィックを表示する装置である。つまり、プラズマディスプレイパネルの放電空間に設けられた二つの電極に所定の電圧を印加して、電極間でプラズマ放電が起こると、このプラズマ放電時に発生する紫外線によって、所定のパターンで形成された蛍光体層を励起させて画像を形成する。
【０００４】
一般に、プラズマディスプレイパネルは、誘電体層を保護するために、誘電体層の上部に保護層を有する。前記保護層の主な材料としては、可視光線がよく透過できるように、透明であるだけでなく、誘電体層の保護及び２次電子放出の性能に優れたＭｇＯが汎用されている。
【０００５】
ここで、ＭｇＯを含む保護層（以下、ＭｇＯ保護層ともいう）は、プラズマディスプレイパネル動作中の放電時における、放電ガスのイオン衝撃による影響を緩和させることができる耐スパッタリング特性を有し、イオン衝突から誘電体層を保護する。そして、２次電子の放出の際、放電電圧を下げる役割を果たす。通常、ＭｇＯ保護層は、透明保護薄膜であって、５００〜９００ｎｍ（５０００〜９０００Å）の厚さで誘電体層を覆って形成される。
【０００６】
したがって、ＭｇＯ保護層を構成する成分と膜特性は、放電特性に大きく影響を及ぼしうる。ＭｇＯ保護層の特性は、その成分と蒸着時の成膜条件に大きく依存する。そのため、目的とする膜特性を向上させるために最適な材料を開発することが特に要求される。
【０００７】
また、応答速度の改善による、高精細プラズマディスプレイパネルの放電安定性の向上が重要な課題となっている。高精細プラズマディスプレイパネルにおいては、高速のスキャン速度に対応して、アドレシングが漏れなく進行され、安定した放電を実現するために、より速い応答速度が要求される。スキャン時間に反応する応答速度は、放電遅延時間に影響される。放電遅延時間は、放電の形成に要する時間である形成遅延時間（Ｔｆ）と、電極間における放電の進展（統計）に要する時間である統計遅延時間（Ｔｓ）とに区分することができる。
【特許文献１】大韓民国特許出願公開第１０−２００５−０１１３６８５号
【特許文献２】大韓民国特許出願公開第１０−２００４−００３２６６８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、統計遅延時間を短縮し、統計遅延時間の温度に対する依存性を低減して、放電安定性を向上させたプラズマディスプレイ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、基板上に形成される、一対の第１表示電極及び第２表示電極と、第１表示電極及び第２表示電極を覆って、基板上に形成される、誘電体層と、誘電体層を覆って、基板上に形成される、ＭｇＯ保護層と、を有するプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部、ならびに駆動部を制御し、維持期間の維持放電パルス幅を１．０〜３．５μｓにする駆動制御信号を出力する制御部を有し、ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ｃａを１００〜３００質量ｐｐｍ、Ａｌを１００〜２５０質量ｐｐｍ、Ｆｅを１０〜５０質量ｐｐｍ、及びＳｉを７０〜１７０質量ｐｐｍ含む。
【００１０】
ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ｃａを１６０〜１８０質量ｐｐｍ含むことが好ましい。
【００１１】
ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ａｌを１５０〜２２０質量ｐｐｍ含むことが好ましい。
【００１２】
ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ｆｅを２０〜３０質量ｐｐｍ含むことが好ましい。
【００１３】
ＭｇＯ保護層は、ＭｇＯに対して、Ｓｉを９０〜１６０質量ｐｐｍ含むことが好ましい。
【００１４】
維持放電パルス幅は、１．０〜３．０μｓである含むことが好ましい。
【００１５】
維持期間は、９．０〜２５μｓである含むことが好ましく、１０〜２５μｓである含むことがより好ましい。
【００１６】
維持期間における最初の維持放電パルス幅は２．０〜７．５μｓである含むことが好ましく、２．０〜７．０μｓであることがより好ましい。
【００１７】
放電ガスは、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅと、を含むことが好ましい。
【００１８】
放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、及びＮ２からなる群より選択される少なくとも１種を含むガスを、０を超えて７０体積部以下さらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、高精細プラズマディスプレイ装置において、特定量のＣａ、Ａｌ、Ｆｅ、及びＳｉを含有するＭｇＯ保護層を含むことにより、ドーパント元素の相互作用による効果として統計遅延時間を短縮し、統計遅延時間の温度に対する依存性を低減して、放電安定性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイ装置について詳細に説明する。しかし、本発明は、以下で説明する実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲内において多様な形態をとりうる。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を示す概略図である。
【００２２】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置はプラズマディスプレイパネル１００、制御部２００、アドレス電極駆動部３００、維持電極駆動部４００、及び走査電極駆動部５００を有する。
【００２３】
プラズマディスプレイパネル１００は後述の図２のプラズマディスプレイパネルと同様の構成を有する。
【００２４】
制御部２００は外部から映像信号を受信して、アドレス電極（Ａ）駆動制御信号、維持電極（Ｘ）駆動制御信号、及び走査電極（Ｙ）駆動制御信号を出力する。そして、制御部２００は１フレームを複数のサブフィールドに分割して駆動し、各サブフィールドは時間的な動作変化で表現すればリセット期間、アドレス期間、及び維持期間で構成される。
【００２５】
アドレス電極駆動部３００は、制御部２００からアドレス電極（Ａ）駆動制御信号を受信して表示しようとする放電セルを選択するための表示データ信号を各アドレス電極（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４・・・Ａｍ）に印加する。
【００２６】
維持電極駆動部４００は、制御部２００から維持電極（Ｘ）駆動制御信号を受信して、各維持電極（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３・・・Ｘｎ）に駆動電圧を印加する。
【００２７】
走査電極駆動部５００は、制御部２００から走査電極（Ｙ）駆動制御信号を受信して、各走査電極（Ｙ１、Ｙ２、・・・Ｙｎ）に駆動電圧を印加する。
【００２８】
以下、上記プラズマディスプレイ１００について説明する。
【００２９】
図２は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルの一部の構造を分解した状態を示す斜視図である。
【００３０】
図２に示すように、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルは、第１基板３及び第２基板１が互いに対向して配置される。第１基板３の第２基板１と対向する面上には、アドレス電極１３が、一方向（図面のｙ軸方向）に沿って配置される。さらに、第１誘電体層１５が、アドレス電極１３を覆うように、第１基板３の第２基板１と対向する面上に形成される。第１誘電体層１５上には、各アドレス電極１３の間に配置されるように隔壁５が形成される。それぞれの隔壁５の間には、複数の放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）が形成される。放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）内には、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）それぞれの蛍光体層（８Ｒ、８Ｇ、８Ｂ）が形成される。一方、第２基板１の第１基板３と対向する面上には、一対の第１表示電極９及び第２表示電極１１が、アドレス電極１３と直交する方向（図面のｘ軸方向）に沿って配置される。第１表示電極９及び第２表示電極１１は、パス電極（９ａ、１１ａ）及び透明電極（９ｂ、１１ｂ）で構成される。そして、第２誘電体層１７が、第１表示電極９及び第２表示電極１１を覆うように、第２基板１の第１基板３と対向する面上に配置される。さらに、第２誘電体層１７を覆うように、ＭｇＯ保護層１９が形成される。
【００３１】
隔壁５は、放電空間を区切るものであればいかなる形状をも有することが可能であり、多様なパターンの隔壁が形成されうる。例えば、隔壁５は帯状などの開放型の形状、またはワッフル状、マトリックス状、デルタ状などの閉鎖型の形状に形成されうる。また、閉鎖型の隔壁の場合は、放電空間の断面が四角形、三角形、及び五角形などの多角形、または円形、楕円形などの形状に形成される。
【００３２】
放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）は、第１基板３及び第２基板１に挟まれた領域に形成される。第１基板３上のアドレス電極１３と、第２基板１上の第１表示電極９及び第２表示電極１１とは互いに直交する方向に形成されるが、このアドレス電極１３と第１表示電極９及び第２表示電極１１との間の部分が、放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）を構成する部分になる。
【００３３】
放電セル（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）には放電ガスが封入される。
【００３４】
放電ガスは、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅと、を含むことが好ましく、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して７〜２５体積部のＸｅとを含むことがより好ましい。放電ガスとして、Ｎｅと、Ｎｅ１００体積部に対して５〜３０体積部のＸｅとを含む放電ガスを用いた場合、放電ガスのイオン化率が高まる。したがって、このような放電ガスを高精細プラズマディスプレイ装置に適用すると、放電開始電圧を下げることができるため、高精細プラズマディスプレイパネルの消費電力を低減させ、輝度を向上させることができる。
【００３５】
また、上記放電ガスは、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、及びＮ２からなる群より選択される少なくとも１種を含むガスを、０を超えて７０体積部以下さらに含むことが好ましく、１４〜６５体積部含むことがより好ましい。放電ガスが、Ｎｅ１００体積部に対してＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｏ２、及びＮ２からなる群より選択されるガスを、０を超えて７０体積部以下さらに含む場合、放電ガスのイオン化率が高まる。したがって、このような放電ガスを高精細プラズマディスプレイ装置に適用すると、放電開始電圧を下げることができるため、高精細プラズマディスプレイパネルの消費電力を低減させ、輝度を向上させることができる。
【００３６】
ＭｇＯ保護層１９は、プラズマディスプレイ装置において、誘電体層の表面を覆い、放電期間中に放電ガスのイオン衝撃から誘電体層を保護する役割を果たす。上述のように、ＭｇＯ保護層１９の基本材料としては、耐スパッタリング特性と大きい２次電子放出係数とを有するＭｇＯを使用する。さらに、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ、及びＳｉのドーパント元素を所定量ドーピングする。これらのドーパント元素の相互作用によって、放電ガスへの放電安定性が改善される。これによって、駆動波形と放電ガスとを採用したプラズマディスプレイ装置の駆動安定性を確保することができる。すなわち、点灯されるべき各セルが点灯されないなどの特定セルの放電不能状態となることが抑制され、表示品質を改善することができる。
【００３７】
ＭｇＯ保護層１９において、Ｃａの含有量は、ＭｇＯに対して１００〜３００質量ｐｐｍであり、好ましくは１６０〜１８０ｐｐｍである。Ｃａの含有量が１００〜３００質量ｐｐｍであると、放電遅延時間は非常に短い。一方、Ｃａの含有量が１００質量ｐｐｍより小さいか、３００質量ｐｐｍを超える場合は、放電遅延時間が増加する虞がある。
【００３８】
ＭｇＯ保護層１９において、Ａｌの含有量は、ＭｇＯに対して１００〜２５０質量ｐｐｍであり、好ましくは１５０〜２２０質量ｐｐｍである。Ａｌの含有量によって放電遅延時間を調節することができるので、Ａｌの含有量が１００ｐｐｍより小さいか、２５０質量ｐｐｍを超える場合は、好ましくない放電遅延時間が生じる虞がある。
【００３９】
ＭｇＯ保護層１９において、Ｆｅの含有量は、ＭｇＯに対して１０〜５０質量ｐｐｍであり、好ましくは２０〜３０ｐｐｍである。Ｆｅの含有量によって放電遅延時間を調節することができるので、Ｆｅの含有量が１０ｐｐｍより小さいか、５０質量ｐｐｍを超える場合は、好ましくない放電遅延時間が生じる虞がある。
【００４０】
ＭｇＯ保護層１９において、Ｓｉの含有量は、ＭｇＯに対して７０〜１７０質量ｐｐｍであり、好ましくは９０〜１６０質量ｐｐｍである。Ｓｉの含有量が７０〜１７０質量ｐｐｍであると、放電遅延時間は非常に短い。一方、Ｓｉの含有量が７０質量ｐｐｍより小さいか、１７０質量ｐｐｍを超える場合は、放電遅延時間が増加する虞がある。
【００４１】
なお、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイ１００に用いられるその他の部材については、従来公知の技術が適宜採用されうる。
【００４２】
以下、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置における、維持期間及び維持放電パルスについて説明する。維持期間の維持放電パルスは、維持電極駆動部４００及び走査電極駆動部５００から、それぞれ維持電極（第２表示電極１１）及び走査電極（第１表示電極９）に印加される。この維持期間の維持放電パルスは、上記制御部２００が出力する駆動制御信号によって制御される。
【００４３】
図３は本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の維持期間の駆動波形を示す模式図である。
【００４４】
図３に示すように、維持期間Ｔ１では、走査電極Ｙ（第１表示電極）と維持電極Ｘ（第２表示電極）とに、順次に、電圧Ｖｓの最初の維持放電パルスが印加される。アドレス期間において、走査電極Ｙと維持電極Ｘとの間に壁電圧が発生していれば、壁電圧と電圧Ｖｓとによって、走査電極Ｙと維持電極Ｘとでアドレス放電が起こる。以後、走査電極Ｙに電圧Ｖｓの維持放電パルスを印加する工程と、維持電極Ｘに電圧Ｖｓの維持放電パルスを印加する工程とを、当該サブフィールドが表示する加重値に対応する回数だけ繰り返す。
【００４５】
本発明において、走査電極Ｙの維持放電パルス幅Ｔ３または維持電極Ｘの維持放電パルス幅Ｔ５は１．０〜３．５μｓであり、１．０〜３．０μｓであることが好ましい。前記維持放電パルス幅が１．０〜３．５μｓであると、高精細プラズマディスプレイ装置に適用したとき、放電安定性に乏しく、画面の均一性が悪化する虞がある。
【００４６】
また、前記維持期間における走査電極Ｙの最初の維持放電パルス幅Ｔ２または維持電極Ｘの最初の維持放電パルス幅Ｔ４は２．０〜７．５μｓであることが好ましく、２．０〜７．０μｓであることがより好ましい。維持期間における最初の維持放電パルス幅が２．０〜７．５μｓであると、高精細プラズマディスプレイ装置に適用したとき、放電安定性がより向上して、画面均一度がより改善されうる。
【００４７】
さらに、維持期間Ｔ１は９．０〜２５μｓであることが好ましく、１０〜２５μｓであることがより好ましい。維持期間が９．０〜２５μｓであると、高精細プラズマディスプレイ装置に適用した場合に、放電安定性が向上して、画面の均一性が改善されうる。
【００４８】
プラズマディスプレイ装置の製造方法は、その構造上、当該分野における当業者に広く知られており、当業者には十分に理解できる内容であるので、本明細書において、製造方法についての詳細な説明は省略する。ただし、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置におけるＭｇＯ保護層の形成工程については以下で説明する。
【００４９】
本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置において、ＭｇＯ保護層はペーストを用いた厚膜印刷法により形成することができる。ただし、厚膜印刷法はイオンの衝撃によるスパッタリングに比較的弱いため、２次電子放出による放電維持電圧と放電開始電圧との低減化を期待しにくい。したがって、ＭｇＯ保護層の形成には、物理気相蒸着（ＰＶＤ）法を使用することが好ましい。
【００５０】
物理気相蒸着法のうちでも、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法などのプラズマ蒸着法を使用することがより好ましい。
【００５１】
ＭｇＯ保護層を蒸着によって形成する場合において、蒸着材料はペレット形態に成型した後、焼結したものを使用する。ペレットの大きさ及び形態を最適化して、製造することが好ましい。したがって、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置においては、焼結体ＭｇＯの製造時または原料物質の製造時にドーパント元素であるＣａ、Ａｌ、Ｆｅ及びＳｉを所定量添加することが好ましい。
【００５２】
ＭｇＯに添加されるドーパント元素の含有量は、上述のように、ＭｇＯ保護層においてＭｇＯに対してＣａの含有量が１００〜３００質量ｐｐｍになるように、好ましくは１６０〜１８０ｐｐｍになるように調節する。Ａｌの含有量は、ＭｇＯに対して１００〜２５０質量ｐｐｍになるように、好ましくは１５０〜２２０質量ｐｐｍになるように調節する。また、Ｆｅの含有量は、ＭｇＯに対して１０〜５０質量ｐｐｍになるように、好ましくは２０〜３０質量ｐｐｍになるように調節する。Ｓｉの含有量は、ＭｇＯに対して７０〜１７０質量ｐｐｍになるように、好ましくは９０〜１６０質量ｐｐｍになるように調節する。
【００５３】
本発明に係るプラズマディスプレイ装置の変形または変更は当業者によって容易に実施できるものであり、このような変形や変更は全て本発明の技術的範囲に含まれる。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明の好ましい一実施形態についての実施例及び比較例を記載する。ただし、下記の実施例は本発明の好ましい一実施形態に過ぎず、本発明の技術的範囲が下記の実施例に限定されるものではない。
【００５５】
［プラズマディスプレイ装置の製造］
実施例１〜９及び比較例１〜６では、ドーパント元素としてのＣａ、Ａｌ、Ｆｅ及びＳｉの含有量が異なるＭｇＯ保護層を有するプラズマディスプレイ装置を作製し、統計遅延時間の評価を行った。
【００５６】
（実施例１）
ソーダ石灰ガラスで製造された基板上に、表示電極を通常の方法で帯状に形成した。次に、ガラスのペーストを表示電極が形成された基板にコーティングして焼成し、第２誘電体層を形成した。第２誘電体層上に、イオンプレーティング法を用いてＭｇＯ粉末及びドーピング材料としてＣａ、Ａｌ、Ｆｅ及びＳｉを含む、ＭｇＯ保護層を形成して第２基板を製造した。  このとき、ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１００質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２００質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は２５質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１１０質量ｐｐｍとした。この第２基板を用いて、プラズマディスプレイ装置を製造した。なお、放電セルに封入した放電ガスの組成は、Ｎｅ１００体積部に対して、Ｘｅを１１体積部含み、Ｈｅを３５体積部含んだ。
【００５７】
（実施例２）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は３００質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２００質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は２５質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１１０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００５８】
（実施例３）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１７０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は１００質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は２５質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１１０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００５９】
（実施例４）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１７０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２５０質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は２５質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１１０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６０】
（実施例５）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１７０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２００質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は１０質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１１０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６１】
（実施例６）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１７０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２００質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は５０質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１１０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６２】
（実施例７）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１７０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２００質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は２５質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は７０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６３】
（実施例８）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１７０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２００質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は２５質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１７０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６４】
（実施例９）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１７０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２００質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は２５質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１１０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６５】
（比較例１）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１５質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は１０質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は１０質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は５０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６６】
（比較例２）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は２４０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は８０質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は６５質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は６０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６７】
（比較例３）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は４２０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２６０質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は７７質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は３００質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６８】
（比較例４）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２０質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は１５質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１００質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００６９】
（比較例５）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は３２０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は２５０質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は３０質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は３００質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７０】
（比較例６）
ＭｇＯに対して、Ｃａ含有量は１８０質量ｐｐｍ、Ａｌの含有量は７５質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は６０質量ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は１８０質量ｐｐｍとしたことを除き、実施例１と同様の方法で、プラズマディスプレイ装置を製造した。
【００７１】
［製造されたプラズマディスプレイ装置の統計遅延時間の測定］
実施例１〜９及び比較例１〜６で製造したプラズマディスプレイ装置を用いて、温度を変化させた際の統計遅延時間（応答速度）を測定した。ＭｇＯは、温度変化に敏感な物質である。そこで、ドーパント元素としてのＣａ、Ａｌ、Ｆｅ及びＳｉの含有量の違いによって、ＭｇＯ保護層への温度の影響がどれほど低減するかを調べるために、製造したプラズマディスプレイ装置を低温（−１０℃）、常温（２５℃）及び高温（６０℃）で作動させて、それぞれの温度における統計遅延時間を測定した。なお、維持放電パルス幅は２．１μｓ、最初の維持放電パルス幅は２．１μｓ、維持時間は１５μｓとした。
【００７２】
結果を図４に示す。なお、実施例１〜８の結果は、実施例９と類似していたために、記載を省略する。図４に示すように、本発明による実施例９の場合、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ及びＳｉを適当量含んでいるため、比較例１〜６より統計遅延時間が短く、温度依存性が低減された。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルの一部の構造を分解した状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の維持期間の駆動波形を示す模式図である。
【図４】比較例１〜６及び実施例９で製造されたプラズマディスプレイ装置の、温度による統計遅延時間の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７４】
１  第２基板、
３  第１基板、
５  隔壁、
７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ  放電セル、
８Ｒ、８Ｇ、８Ｂ  蛍光体層、
９  第１表示電極、
９ａ、１１ａ  透明電極、
９ｂ、１１ｂ  バス電極、
１１    第２表示電極、
１３、Ａ    アドレス電極、
１５  第１誘電体層、
１７  第２誘電体層、
１９  ＭｇＯ保護層、
１００  プラズマディスプレイパネル、
２００  制御部、
３００  アドレス電極駆動部、
４００  維持電極駆動部、
５００  走査電極駆動部、
Ｔ１  維持期間、
Ｔ２  最初の維持放電パルス幅、
Ｔ３  維持放電パルス幅、
Ｔ４  最初の維持放電パルス幅、
Ｔ５  維持放電パルス幅、
ＶＳ  電圧、
Ｘ  維持電極、
Ｙ  走査電極。
【図２】
2008235269.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図１】
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