(57)【要約】【課題】  問題の設備を、より簡単に特定することが可能な検査方法を提供する。【解決手段】  （ａ）処理対象基板を処理する複数の製造設備の各々について、該製造設備が処理対象基板の裏面のうち機械的作用または電気的作用を及ぼす領域のパターンを、該製造設備と対応付けて、予め裏面作用パターンとして準備しておく。（ｂ）複数の製造設備の少なくとも一部の設備によって処理された処理対象基板の裏面に発生した欠陥の分布パターンを取得する。（ｃ）工程ｂで取得された欠陥の分布パターンと、予め準備されている裏面作用パターンとを照合することにより、当該欠陥を発生させる原因となった製造設備を特定する。【選択図】  図６
2008021967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）処理対象基板を処理する複数の製造設備の各々について、該製造設備が処理対象基板の裏面のうち機械的作用または電気的作用を及ぼす領域のパターンを、該製造設備と対応付けて、予め裏面作用パターンとして準備しておく工程と、
（ｂ）前記複数の製造設備の少なくとも一部の設備によって処理された処理対象基板の裏面に発生した欠陥の分布パターンを取得する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）で取得された欠陥の分布パターンと、予め準備されている前記裏面作用パターンとを照合することにより、当該欠陥を発生させる原因となった製造設備を特定する工程と
を有する検査方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）が、
評価用基板を、前記製造設備の各々で処理する工程と、
処理後の評価用基板の裏面を観察し、異物が付着しているパターンに基づいて、前記裏面作用パターンを生成する工程と
を含む請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
前記工程（ａ）が、
製造設備の処理対象基板保持台に備えられ、該処理対象基板を昇降させるピンの配置に基づいて前記裏面作用パターンを生成する工程を含む請求項１または２に記載の検査方法。
【請求項４】
前記工程（ａ）において、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されている裏面作用パターンと、固定されていない裏面作用パターンとが区別できるように、該裏面作用パターンを準備し、
前記工程（ｃ）において、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されている裏面作用パターンと照合する場合には、前記工程（ｂ）で取得された欠陥の分布パターンの回転方向に関する位置を固定して照合を行い、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されていない裏面作用パターンと照合を行う場合には、前記工程（ｂ）で取得された欠陥の分布パターンの回転方向に関する位置を変化させながら照合を行う請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項５】
処理対象基板を処理する複数の製造設備の各々について、該製造設備が処理対象基板の裏面のうち機械的作用または電気的作用を及ぼす領域のパターンを記憶する裏面作用パターン記憶手段と、
複数の製造設備の少なくとも一部の設備によって処理された処理対象基板の裏面に発生した欠陥の分布パターンを取得する欠陥分布パターン検出手段と、
前記欠陥分布パターン検出手段で検出された欠陥の分布パターンと、前記裏面作用パターン記憶手段に記憶されている裏面作用パターンとの照合を行い、照合結果に基づいて、欠陥を発生させる原因となった製造設備を特定する照合手段と
を有する検査装置。
【請求項６】
前記裏面作用パターン記憶手段は、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されている裏面作用パターンと、固定されていない裏面作用パターンとが区別できるように、該裏面作用パターンを記憶し、
前記照合手段は、前記欠陥分布パターン検出手段で取得された欠陥の分布パターンを、前記裏面作用パターン記憶手段に記憶されている裏面作用パターンと照合する際に、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されている裏面作用パターンと照合する場合には、前記欠陥分布パターン検出手段で取得された欠陥の分布パターンの回転方向に関する位置を固定して照合を行い、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されていない裏面作用パターンと照合を行う場合には、前記欠陥分布パターン検出手段で取得された欠陥の分布パターンの回転方向に関する位置を変化させながら照合を行う請求項５に記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理対象基板を処理する複数の設備を含む製造ラインのうち問題が発生した装置を容易に特定することができる検査方法及び検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ、液晶パネル等は、多数の加工工程を経て製造される。各工程は、複数の設備により実行される。複数の一連の工程毎に製品の検査が行われる。この検査において、異常が検出された場合、異常発生の原因となった設備を特定し、その設備を製造ラインから外す等の対策を講じなければならない。
【０００３】
下記の特許文献１に、製品異常が検出されたときに、異常発生の原因となった工程を特定する方法が開示されている。以下、この問題工程の特定方法について説明する。
【０００４】
処理された半導体ウエハが、インライン検査装置で検査される。また、製造装置は、面板検査装置により、装置ごとに評価される。インライン検査装置で得られた製品検査情報、及び面板検査装置で得られた製造装置評価情報が、上位データベースに転送され、一定期間保存される。
【０００５】
インライン検査装置で製品ウエハの異常が検知された場合には、上位データベースから、問題工程特定に必要な情報をダウンロードする。ダウンロードされた情報を用いて、装置評価情報照合解析、共通経路解析、機差解析、装置ログ相関解析のいずれか、またはこれらの組み合わせを行うことにより、問題工程を特定する。
【０００６】
上位データベースには、装置評価情報、製品検査情報、製造経路情報、装置ログ・メンテナンス情報が含まれる。装置評価情報は、面板ウエハの欠陥外観情報や、オージェ分析等で得られる欠陥組成情報を含む。製品検査情報は、外観検査装置で取得されるパターン欠陥、スクラッチ、異物等の位置情報を含む。
【０００７】
次に、下記の特許文献２に開示された問題工程の特定方法について説明する。製品に異常が検知された場合、その製品と同一検査工程の、所定期間の製品検査情報の中から、同一問題の発生している製品と、同一の問題が発生していない製品とを検索する。同一の問題が発生している製品を共通して処理し、かつ問題の発生していない製品を処理していない装置を、問題装置の候補として抽出する。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２５３６０３号公報
【特許文献２】特開２００５−１９７６２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、問題の設備を、より簡単に特定することが可能な検査方法を提供することである。本発明の他の目的は、この方法に用いられる検査装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によると、
（ａ）処理対象基板を処理する複数の製造設備の各々について、該製造設備が処理対象基板の裏面のうち機械的作用または電気的作用を及ぼす領域のパターンを、該製造設備と対応付けて、予め裏面作用パターンとして準備しておく工程と、
（ｂ）前記複数の製造設備の少なくとも一部の設備によって処理された処理対象基板の裏面に発生した欠陥の分布パターンを取得する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）で取得された欠陥の分布パターンと、予め準備されている前記裏面作用パターンとを照合することにより、当該欠陥を発生させる原因となった製造設備を特定する工程と
を有する検査方法が提供される。
【００１１】
本発明の他の観点によると、
処理対象基板を処理する複数の製造設備の各々について、該製造設備が処理対象基板の裏面のうち機械的作用または電気的作用を及ぼす領域のパターンを記憶する裏面作用パターン記憶手段と、
複数の製造設備の少なくとも一部の設備によって処理された処理対象基板の裏面に発生した欠陥の分布パターンを取得する欠陥分布パターン検出手段と、
前記欠陥分布パターン検出手段で検出された欠陥の分布パターンと、前記裏面作用パターン記憶手段に記憶されている裏面作用パターンとの照合を行い、照合結果に基づいて、欠陥を発生させる原因となった製造設備を特定する照合手段と
を有する検査装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
処理対象基板の裏面に発生した欠陥の分布パターンは、設備に固有のものである。このため、設備に固有のパターンを、裏面作用パターンとして準備しておき、実際の欠陥の分布パターンと、裏面作用パターンとを照合することにより、欠陥の原因となった設備を容易に特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１に、製造ラインのブロック図の一例を示す。例えば、ある半導体ウエハが、工程Ａ、工程Ｂ、及び工程Ｃを経てさらに次の工程に渡される。工程Ａにおいては、半導体ウエハが、設備Ａ１〜Ａ４の４つの設備によって順番に処理される。工程Ｂにおいては、半導体ウエハが、設備Ｂ１〜Ｂ４の４つの設備によって順番に処理される。工程Ａ及びＢの例として、化学気相成長（ＣＶＤ）工程、エッチング工程、リソグラフィ工程、イオン注入工程、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程等が挙げられる。例えば、エッチング工程を行う設備には、エッチング装置、アッシング装置、ウェット洗浄装置等が含まれる。
【００１４】
工程Ｂを終了した半導体ウエハが、検査装置１０に引き渡される。検査装置１０は、欠陥分布パターン検出装置１、照合装置２、裏面作用パターン記憶装置３を含む。検査装置１０で検査された半導体ウエハは、次の工程Ｃに引き渡される。
【００１５】
図２Ａ、図２Ｂ、及び図３を参照して、裏面作用パターン記憶装置３に記憶すべき裏面作用パターンの生成方法について説明する。
【００１６】
図２Ａに、半導体ウエハ３０を、ロボットアームにより保持した状態の一例を示す。サポート板２５の上面に２本のピン２６が固定されている。サポート板２５の両脇に２本の可動アーム２１が配置されている。可動アーム２１の各々の先端の上面に、ピン２２が固定されている。２本のピン２６が半導体ウエハ３０の縁に接触するように、サポート板２５の上面に半導体ウエハ３０が載置される。２本の可動アーム２１を閉じると、その先端のピン２２が半導体ウエハ３０の縁に接触し、半導体ウエハ３０の位置が拘束される。
【００１７】
半導体ウエハ３０には、その面内の回転方向の位置を示すためのノッチ３１が設けられている。ロボットアームで移送するときに、既に回転方向の位置合せが完了している場合には、ノッチ３１は、ロボットアームに対して常に同じ位置に配置される。回転方向の位置合せが完了していない場合、または回転方向の位置合せを行う必要が無い場合には、ノッチ３１の位置は不定である。
【００１８】
図２Ｂに、図２Ａのロボットアームで移送した後に、半導体ウエハ３０の裏面に付着している異物（パーティクル）の様子を示す。半導体ウエハ３０の裏面のうちロボットアームから機械的な作用を受けた部分及びその近傍に、異物が集中して付着する。図２Ｂに示した例では、異物が、サポート板２５が接触した領域３５、ピン２２が接触した領域３２、及びピン２６が接触した領域３６に局在して付着する。逆に、この異物の分布から、半導体ウエハ３０のどの部分に機械的作用が加えられたかを知ることができる。
【００１９】
裏面作用パターンは、各装置が、半導体ウエハに機械的作用を加えた部分に対応するパターンを示す。従って、異物の付着したパターンに基づいて、裏面作用パターンを生成することができる。
【００２０】
図３に、種々の装置で半導体ウエハの処理を行った後の、裏面の異物付着パターンの例を示す。異物の付着パターンは、評価用のウエハを実際に処理した後、暗視野観測装置を用いて、評価用基板の裏面からの散乱光を観測することにより取得される。装置によって、異物の付着している部分や、付着しているパターンが異なることがわかる。この異物付着パターンに基づいて、装置ごとに、裏面作用パターンを生成する。
【００２１】
生成された裏面作用パターンは、その裏面作用パターンの起因となった製造設備と対応付けて、図１に示した裏面作用パターン記憶装置に記憶される。裏面作用パターンは、ノッチ３１との相対位置関係が固定されているか、不定であるかを区別するための固定／不定識別情報とともに記憶される。
【００２２】
裏面作用パターン作成の対象となる設備には、半導体装置の各製造工程で使用される設備のみならず、欠陥検査装置、膜厚測定装置、ウエハ移し替え装置等、半導体ウエハの裏面に接触する可能性のある全ての設備も含まれる。
【００２３】
半導体ウエハの裏面へ加えられる作用は機械的なもののみではない。例えば、電気的な作用が加えられる場合もある。
【００２４】
図４Ａ〜図４Ｄを参照して、半導体ウエハに電気的作用が加えられる工程の例として、プラズマＣＶＤや反応性イオンエッチング等のプラズマ処理装置に半導体ウエハを装填する手順について説明する。
【００２５】
図４Ａに示すように、真空チャンバ内にウエハ保持台５０が配置されている。ウエハ保持台５０の表層部に静電チャック用の電極５１が埋め込まれている。ウエハ保持台５０をその厚さ方向に貫通する穴の中に、ウエハを支えて昇降させるための複数のピン５２が装填されている。ロボットアーム５５が、その保持面の上に半導体ウエハ３０を保持し、ウエハ保持台５０の上方まで半導体ウエハ３０を輸送する。
【００２６】
図４Ｂに示すように、ピン５２を上昇させる。ピン５２の先端が半導体ウエハ３０の裏面に接触し、さらに半導体ウエハ３０がピン５２に支えられて上昇する。これにより、半導体ウエハ３０がロボットアーム５５の保持面から離れる。ロボットアーム５５は、ピン５２が上昇したときにピン５２と干渉しないような平面形状にされている。
【００２７】
図４Ｃに示すように、ロボットアーム５５をウエハ保持台５０の上方から退避させる。図４Ｄに示すように、ピン５２を下降させ、半導体ウエハ３０をウエハ保持台５０の上面に接触させる。この状態で、静電チャックの電極５１に電圧を印加することにより、半導体ウエハ３０をウエハ保持台５０の上面に固定する。
【００２８】
図４Ｂに示した工程において、半導体ウエハ３０とピン５２との間の電位差が大きい場合には、ピン５２を半導体ウエハ３０に接近させると、両者の間で火花放電が発生する場合がある。火花放電が発生すると、半導体ウエハ３０の裏面に、凹部等の欠陥が発生する。この欠陥の位置は、ピン５２の位置に対応する。
【００２９】
図５Ａ〜図５Ｆに、種々のプラズマ装置のピンの位置の例を示す。図５Ａに示した例では、正三角形の頂点にピン５２が配置されている。この正三角形の中心は、半導体ウエハ３０の中心と一致し、半導体ウエハ３０の中心と、ノッチ３１とを通過する仮想直線上に一つの頂点が位置している。図５Ｂに示した例では、図５Ａに示した正三角形よりも大きい正三角形の頂点にピン５２が配置されている。図５Ｃに示した例では、図５Ａに示した正三角形を、１８０度回転させて得られる正三角形の頂点にピン５２が配置されている。図５Ｄに示した例では、正三角形の頂点の近傍に、それぞれ２本のピン５２が配置されている。
【００３０】
図５Ｅに示した例では、正六角形の頂点にピン５２が配置されている。この正六角形の中心は半導体ウエハ３０の中心と一致し、半導体ウエハ３０の中心と、ノッチ３１とを通過する仮想直線上に２つの頂点が位置している。図５Ｆに示した例では、図５Ｅに示した正六角形をある角度回転させて得られる正六角形の頂点にピン５２が配置されている。
【００３１】
図５Ａ〜図５Ｆでは、半導体ウエハ３０のノッチ３１と、ピン５２との位置関係が固定されている場合を示したが、両者が相互に固定されておらず、回転方向に関するピン５２の位置が不定である場合もある。
【００３２】
上述のように、ピン５２の配置は、プラズマ処理装置ごとに異なっている。このピンの配置は、火花放電の発生等の電気的な作用によって半導体ウエハ３０の裏面に生じ得る欠陥の位置に対応する。従って、このピン５２の配置に基づいて裏面作用パターンを生成すればよい。生成された裏面作用パターンを、その裏面作用パターンに対応するピン配置の製造設備と対応付けて、図１に示した裏面作用パターン記憶装置に記憶させる。なお、裏面作用パターンは、ノッチ３１との相対位置関係が固定されているか、不定であるかを区別するための固定／不定識別情報とともに記憶される。
【００３３】
図６に、実施例による検査方法のフローチャートを示す。ステップＳ１において、製造ラインのある工程、例えば図１に示した工程Ｂを終了した半導体ウエハを、検査装置１０の欠陥分布パターン検出装置１に取り込み、その裏面を観察することにより、裏面の欠陥の分布パターンを取得する。この欠陥分布は、例えば光学顕微鏡により取得することができる。欠陥分布パターンの取得は、すべての半導体ウエハに対して行ってもよいし、サンプリングにより抽出された半導体ウエハに対してのみ行ってもよい。
【００３４】
ステップＳ２において、欠陥分布パターンを取得した半導体ウエハが異常であるか否かを判定する。異常でない場合には、その半導体ウエハを次工程に引き渡すとともに、問題設備特定処理を終了する。
【００３５】
ステップＳ２において異常ありと判定された場合には、ステップＳ３において、欠陥分布パターンと、裏面作用パターン記憶装置３に記憶されている裏面作用パターンとの照合を行う。照合する裏面作用パターンが、回転方向に関して固定である場合には、両者の回転方向の相対位置を固定させ、ノッチに相当する位置を一致させた状態で照合を行う。照合する裏面作用パターンが、回転方向に関して不定である場合には、半導体ウエハの欠陥分布パターンと、裏面作用パターンとを、相対的に回転させながら照合を行う。
【００３６】
ステップＳ４において、欠陥分布パターンに類似した裏面作用パターンが存在するか否かを判定する。
【００３７】
図７に、欠陥分布パターンの一例を示す。半導体ウエハ３０の裏面に２本の傷４０が形成されていることがわかる。傷４０は、半導体ウエハ３０の中心を挟んで相互に平行に配置され、中心から半径の約４／７だけ離れた２本の弦の、相互に反対側の端部から弦の中心に向かって延びる。この傷４０のパターンと、図３に示した複数の裏面作用パターンとの照合を行う。図７に示した欠陥分布パターンは、図３に示した設備Ｂ３の裏面作用パターンに近似することがわかる。
【００３８】
図７の例では、ステップＳ４において、類似した裏面作用パターンが存在すると判定される。この場合、ステップＳ５において、問題設備が特定される。図７の例では、傷４０は、設備Ｂ３に起因して生じたと推定することができる。すなわち、設備Ｂ３に問題があると推定される。
【００３９】
図８Ａに、火花放電により発生した一つの欠陥の顕微鏡写真を示し、図８Ｂに、半導体ウエハに発生した欠陥の分布パターンを示す。なお、図８Ｂに示した分布パターンは、複数の半導体ウエハに発生した欠陥の分布パターンを重ね合わせたものである。この重ね合わせは、図１に示した照合装置２で行われる。１枚の半導体ウエハに１個の欠陥のみが発生している場合には、その欠陥の分布に対応する裏面作用パターンを特定することが困難な場合もある。図８Ｂに示したように、複数の半導体ウエハに発生した欠陥の分布パターンを重ね合わせると、欠陥が正三角形の頂点に集中して発生していることがわかる。重ね合わされた欠陥分布パターンと、裏面作用パターンとの照合を行うことにより、類似する裏面作用パターンを特定し易くなる。図８Ｂに示した例では、欠陥の分布が図５Ａに示した裏面作用パターンに類似することがわかる。
【００４０】
ステップＳ６において、対策を実施する。例えば、図７の欠陥が検出された場合には、図３に示した設備Ｂ３を予備の設備に切り替えるとともに、設備Ｂ３の修理を行う。また、設備Ｂ３を含む系統と同一処理を行う系統が複数、例えば３系統準備されている場合には、設備Ｂ３を含む１つの系統の使用を禁止し、他の２つの系統で製造ラインを運用する。
【００４１】
また、図８Ｂに示した欠陥が検出された場合には、図５Ａのピン配置を持つプラズマ処理装置の点検及び調整を行う。例えば、ピンの上昇速度を遅くすることにより、火花放電が発生しにくくなる。また、ピンを上昇させるときのチャンバ内の圧力を再調整することにより、放電が生じたとしても、火花放電ではなくグロー放電化させることができる。
【００４２】
ステップＳ４で類似パターンが見つからなかった場合には、ステップＳ７において、他の方法で問題の解決を行う。
【００４３】
上記実施例では、半導体ウエハの裏面の欠陥分布パターンに基づいて、問題発生となった設備を逸早く特定することができる。これにより、製造ラインの安定的な稼動、及び早期の復旧を可能にすることができる。電子回路素子が形成される表面の回路パターン等を検査して問題の工程や設備を特定する場合に比べて、容易にパターン照合を行い、問題設備を特定することができる。
【００４４】
電子回路素子が形成される表面には直接影響しないような裏面の傷等が発生する場合もある。このような場合、表面の検査のみでは、傷の原因となった設備を特定することができない。この傷の原因となった設備の運転を継続すると、半導体ウエハの割れ等が発生する場合もある。裏面の欠陥分布パターンを用いた検査を行うことにより、このような割れの発生を未然に防止することが可能になる。
【００４５】
また、上記実施例では半導体ウエハの製造ラインを例にとって説明を行ったが、その他の板状の処理対象物、例えば液晶パネルの製造ラインにも、上記実施例による検査方法及び装置を適用することが可能である。
【００４６】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００４７】
上述の実施例から、以下の付記に示された発明が導出される。
【００４８】
（付記１）
（ａ）処理対象基板を処理する複数の製造設備の各々について、該製造設備が処理対象基板の裏面のうち機械的作用または電気的作用を及ぼす領域のパターンを、該製造設備と対応付けて、予め裏面作用パターンとして準備しておく工程と、
（ｂ）前記複数の製造設備の少なくとも一部の設備によって処理された処理対象基板の裏面に発生した欠陥の分布パターンを取得する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）で取得された欠陥の分布パターンと、予め準備されている前記裏面作用パターンとを照合することにより、当該欠陥を発生させる原因となった製造設備を特定する工程と
を有する検査方法。
【００４９】
（付記２）
前記工程（ａ）が、
評価用基板を、前記製造設備の各々で処理する工程と、
処理後の評価用基板の裏面を観察し、異物が付着しているパターンに基づいて、前記裏面作用パターンを生成する工程と
を含む付記１に記載の検査方法。
【００５０】
（付記３）
前記工程（ａ）が、
製造設備の処理対象基板保持台に備えられ、該処理対象基板を昇降させるピンの配置に基づいて前記裏面作用パターンを生成する工程を含む付記１または２に記載の検査方法。
【００５１】
（付記４）
前記工程（ａ）において、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されている裏面作用パターンと、固定されていない裏面作用パターンとが区別できるように、該裏面作用パターンを準備し、
前記工程（ｃ）において、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されている裏面作用パターンと照合する場合には、前記工程（ｂ）で取得された欠陥の分布パターンの回転方向に関する位置を固定して照合を行い、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されていない裏面作用パターンと照合を行う場合には、前記工程（ｂ）で取得された欠陥の分布パターンの回転方向に関する位置を変化させながら照合を行う付記１乃至３のいずれか１項に記載の検査方法。
【００５２】
（付記５）
前記工程（ｃ）において、複数の処理対象基板の各々の欠陥の分布パターンを重ね合わせて得られる分布パターンと、前記裏面作用パターンとを照合する付記１乃至４のいずれか１項に記載の検査方法。
【００５３】
（付記６）
処理対象基板を処理する複数の製造設備の各々について、該製造設備が処理対象基板の裏面のうち機械的作用または電気的作用を及ぼす領域のパターンを記憶する裏面作用パターン記憶手段と、
複数の製造設備の少なくとも一部の設備によって処理された処理対象基板の裏面に発生した欠陥の分布パターンを取得する欠陥分布パターン検出手段と、
前記欠陥分布パターン検出手段で検出された欠陥の分布パターンと、前記裏面作用パターン記憶手段に記憶されている裏面作用パターンとの照合を行い、照合結果に基づいて、欠陥を発生させる原因となった製造設備を特定する照合手段と
を有する検査装置。
【００５４】
（付記７）
前記裏面作用パターン記憶手段は、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されている裏面作用パターンと、固定されていない裏面作用パターンとが区別できるように、該裏面作用パターンを記憶し、
前記照合手段は、前記欠陥分布パターン検出手段で取得された欠陥の分布パターンを、前記裏面作用パターン記憶手段に記憶されている裏面作用パターンと照合する際に、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されている裏面作用パターンと照合する場合には、前記欠陥分布パターン検出手段で取得された欠陥の分布パターンの回転方向に関する位置を固定して照合を行い、処理対象基板の面内の回転方向に関する位置が固定されていない裏面作用パターンと照合を行う場合には、前記欠陥分布パターン検出手段で取得された欠陥の分布パターンの回転方向に関する位置を変化させながら照合を行う付記６に記載の検査装置。
【００５５】
（付記８）
前記照合手段は、前記欠陥分布パターン検出手段で取得された複数の処理対象基板の欠陥の分布パターンを重ね合わせて得られる分布パターンと、前記裏面作用パターン記憶手段に記憶されている裏面作用パターンとの照合を行う付記６または７に記載の検査装置。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施例による検査装置のブロック図である。
【図２】（２Ａ）は、半導体ウエハをロボットアームで保持した状態を示す平面図であり、（２Ｂ）は、ロボットアームで保持した後に、半導体ウエハの裏面に付着していた異物の分布を示す底面図である。
【図３】種々の設備で処理した後に半導体ウエハの裏面に付着する異物の分布パターンを示す図である。
【図４】半導体ウエハを、ピンを持つウエハ保持台上に載置する手順を説明するための概略断面図である。
【図５】プラズマ処理装置のウエハ保持台に備えられているピンの配置の例を示す平面図である。
【図６】実施例による検査方法を示すフローチャートである。
【図７】半導体ウエハの裏面に形成された欠陥の一例を示す底面図である。
【図８】（８Ａ）は、放電により発生した半導体ウエハ裏面の欠陥の顕微鏡写真であり、（８Ｂ）は、欠陥の分布の一例を示す線図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  欠陥分布パターン検出装置
２  照合装置
３  裏面作用パターン記憶装置
１０  検査装置
２１  可動アーム
２２  ピン
２５  サポート板
２６  ピン
３０  半導体ウエハ
３１  ノッチ
３２、３５、３６  異物が集中的に分布する領域
４０  傷
５０  ウエハ保持台
５１  静電チャック用電極
５２  ピン
５５  ロボットアーム
【図１】
2008021967.tif 000003
【図２】
2008021967.tif 000004
【図６】
2008021967.tif 000005
【図７】
2008021967.tif 000006
【図３】
2008021967.tif 000007
【図４】
2008021967.tif 000008
【図５】
2008021967.tif 000009
【図８】
2008021967.tif 000010