(57)【要約】【課題】初期動作時に最初データの論理状態を維持するデータコーディング方法及びその方法を利用する半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】半導体メモリ装置３００は、複数のカウンタ部及びデータコーディング部４３０を備える。カウンタ部は、少なくとも一つのデータを含む第１グループ、及び少なくとも一つのデータ及びフラグ情報を含む第２グループから第ｎグループを設定して、それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数をカウントする。データコーディング部４３０は、第１モードの場合、それぞれのグループ別にカウントされた第１論理状態の数が最小となるように、それぞれのグループ別データをコーディングし、第２モードの場合、第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、それぞれのグループ別データをコーディングする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのデータを含む第１グループ、及びそれぞれ少なくとも一つのデータ及びフラグ情報を含む第２グループから第ｎグループを設定して、前記それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数をカウントする複数のカウンタ部と、
前記複数のカウンタ部と連結され、前記それぞれのグループ別に第１モード及び第２モードを選択的に適用してデータをコーディングするデータコーディング部と、を備え、
前記第１モードは、前記それぞれのグループ別に前記カウントされた第１論理状態の数が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングするモードであり、前記第２モードは、前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングするモードであることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
前記データコーディング部は、
前記第１グループから第ｎグループに対して前記第１モードを適用した後、前記第２モードを適用することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記第１グループのデータの数は、
第１グループ以外のそれぞれのグループのデータの数より少ないことを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記データコーディング部は、
前記第１モードが適用される前記第２グループから第ｎグループにおいて、前記それぞれのグループ別に前記第１論理状態の数が第２論理状態の数より多い場合、前記それぞれのグループに属するフラグ情報を変更する少なくとも一つのフラグ設定部と、
前記少なくとも一つのフラグ設定部と連結され、前記フラグ情報が変更された場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる少なくとも一つのデータ変換部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記フラグ設定部は、
前記第１論理状態の数が第２論理状態の数より多い場合、初期に第２論理状態に設定されたフラグ情報を第１論理状態に変更し、前記第１論理状態の数が前記第２論理状態の数より少ない場合、前記フラグ情報を初期状態に維持することを特徴とする請求項４に記載の半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記データコーディング部は、
前記第２モードが適用される前記第２グループから第ｎグループにおいて、前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループに属するフラグ情報を変更する少なくとも一つのフラグ設定部と、
前記少なくとも一つのフラグ設定部に連結され、前記フラグ情報が変更された場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる少なくとも一つのデータ変換部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項７】
前記半導体メモリ装置は、
イネーブル信号に応答して前記データコーディング部が、前記第１モード及び第２モードのうち一つを適用できるように、モード選択信号を前記データコーディング部に出力するモード選択部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項８】
前記モード選択部は、
前記第２グループから第ｎグループに含まれたデータの数が少ないグループから順次に前記第２モードを適用できるように、モード選択信号を前記データコーディング部に出力することを特徴とする請求項７に記載の半導体メモリ装置。
【請求項９】
前記モード選択部は、
前記データコーディング部が前記第２グループから第ｎグループに対して前記第１モードを適用した後、前記第ｎグループから前記第２グループまで逆順に前記第２モードを適用するように前記モード選択信号を前記データコーディング部に出力することを特徴とする請求項７に記載の半導体メモリ装置。
【請求項１０】
前記データコーディング部は、
前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数とが同一になるまで前記それぞれのグループに対して前記第２モードを適用することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項１１】
前記データコーディング部は、
前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が変わらなくなるまで前記それぞれのグループに対して前記第２モードを適用することを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項１２】
半導体メモリ装置の初期動作時のデータコーディング方法において、
少なくとも一つのデータを含む第１グループ、及びそれぞれ少なくとも一つのデータ及びフラグ情報を含む第２グループから第ｎグループを設定する段階と、
前記それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングする段階と、
前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングする段階と、を含むことを特徴とする半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項１３】
前記第１グループから第ｎグループを設定する段階は、
前記第１グループのデータの数が、第１グループ以外のそれぞれのグループのデータの数より少なく設定する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項１４】
前記第１論理状態の数が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第２から第ｎグループにおいて、前記それぞれのグループ別に前記第１論理状態の数が前記第２論理状態の数より多い場合、前記それぞれのグループに属するフラグ情報を変更する段階と、
前記フラグ情報が変更された場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項１５】
前記第１論理状態の数が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第２から第ｎグループにおいて、前記それぞれのグループの初期フラグ情報を第２論理状態に設定する段階と、
前記第２から第ｎグループにおいて、前記それぞれのグループ別に第１論理状態の数及び第２論理状態の数をカウントする段階と、
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数とを比較する段階と、
前記第１論理状態の数が前記第２論理状態の数より多い場合、前記フラグ情報を第１論理状態に変更し、前記第１論理状態の数が前記第２論理状態の数より少ない場合、前記フラグ情報を初期状態に維持する段階と、
前記フラグ情報が第１論理状態である場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項１６】
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループに属するフラグ情報を変更する段階と、
前記フラグ情報が変更された場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項１７】
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第１論理状態の数及び前記第２論理状態の数をカウントする段階と、
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数とを比較する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項１８】
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第２グループから第ｎグループに含まれたデータの数が少ないグループから順次に前記それぞれのグループのフラグ情報を変更する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項１９】
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第２グループから第ｎグループに含まれたデータの数が少ないグループから順次に前記それぞれのグループのフラグ情報を維持する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項２０】
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第ｎグループから前記第２グループまで逆順に前記それぞれのグループのフラグ情報を変更する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項２１】
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第ｎグループから前記第２グループまで逆順に前記それぞれのグループのフラグ情報を維持する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項２２】
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数とが同一になるまで前記それぞれのグループに対してデータをコーディングする段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項２３】
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が変わらなくなるまで前記それぞれのグループに対してデータをコーディングする段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の請求項１２に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項２４】
それぞれ少なくとも一つのデータ及びフラグ情報を含む第１グループから第ｎグループを設定して、前記それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数をカウントする複数のカウンタ部と、
前記複数のカウンター部と連結され、前記それぞれのグループ別に第１モード及び第２モードを選択的に適用してデータをコーディングするデータコーディング部と、を備え、
前記第１モードは、前記それぞれのグループ別に前記カウントされた第１論理状態の数が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングするモードであり、前記第２モードは、前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングするモードであることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２５】
前記データコーディング部は、
前記第１グループから第ｎグループに対して前記第１モードを適用した後、前記第２モードを適用することを特徴とする請求項２４に記載の半導体メモリ装置。
【請求項２６】
前記データコーディング部は、
前記第１モードが適用される前記第１グループから第ｎグループにおいて、前記それぞれのグループ別に前記第１論理状態の数が第２論理状態の数より多い場合、前記それぞれのグループに属するフラグ情報を変更する少なくとも一つのフラグ設定部と、
前記フラグ情報が変更された場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる少なくとも一つのデータ変換部と、を備えることを特徴とする請求項２４に記載の半導体メモリ装置。
【請求項２７】
前記データコーディング部は、
前記第２モードが適用される前記第１グループから第ｎグループにおいて、前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループに属するフラグ情報を変更する少なくとも一つのフラグ設定部と、
前記フラグ情報が変更された場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる少なくとも一つのデータ変換部と、を備えることを特徴とする請求項２４に記載の半導体メモリ装置。
【請求項２８】
前記半導体メモリ装置は、
イネーブル信号に応答して前記データコーディング部が、前記第１モード及び第２モードのうち一つを適用できるようにモード選択信号を前記データコーディング部に出力するモード選択部をさらに備えることを特徴とする請求項２４に記載の半導体メモリ装置。
【請求項２９】
半導体メモリ装置の初期動作時のデータコーディング方法において、
それぞれ少なくとも一つのデータ及びフラグ情報を含む第１グループから第ｎグループを設定する段階と、
前記それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングする段階と、
前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングする段階と、を含むことを特徴とする半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項３０】
前記第１論理状態の数が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第１から第ｎグループにおいて、前記それぞれのグループ別に前記第１論理状態の数が前記第２論理状態の数より多い場合、前記それぞれのグループに属するフラグ情報を変更する段階と、
前記フラグ情報が変更された場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【請求項３１】
前記第１論理状態の数と前記第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングする段階は、
前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループに属するフラグ情報を変更する段階と、
前記フラグ情報が変更された場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載の半導体メモリ装置のデータコーディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データコーディング方法に関し、特に、半導体メモリ装置の初期動作時のデータコーディング方法及びその方法を利用する半導体メモリ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来のデータ送受信を説明するための半導体メモリ装置１００の回路図である。
図２は、図１の半導体メモリ装置１００の初期動作を説明するための特性図である。
図１及び図２を参照すれば、半導体メモリ装置１００のデータ入出力パッドＤＱ＿０、ＤＱ＿１，．．．，ＤＱ＿ｎ−１を介して出力される出力データは、送信ステージＴＸを介して受信ステージＲＸに伝えられる。前記出力データを送信するためには、それぞれのデータを出力する送信ステージに駆動電流が流れる必要がある。例えば、図１の半導体メモリ装置１００は、初期動作時に図２のように１０個の第１論理状態の出力データを出力する場合、以下で第１論理状態は、論理ハイ状態を意味する。電源電圧ＶＤＤ及び接地電圧ＶＳＳと連結されたインダクタのインダクタンスが１ｎＨであり、それぞれのデータを出力する送信ステージの駆動電流は２０ｍＡであり、前記出力データを第１論理状態に変えるために０．５ｎｓの時間がかかると仮定する。
【数１】
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【０００３】
前記数式１に示すように、１０（ｎは、第１論理状態のデータ数）個の第１論理状態のデータを出力する場合、前記それぞれのインダクタにかかる電圧は、０．４Ｖである。したがって、電源電圧ＶＤＤが高い場合は、前記インダクタによる電圧降下は問題とならないが、電源電圧ＶＤＤがだんだん低くなるにつれて前記インダクタによる電圧降下が問題となる。すなわち、電源電圧ＶＤＤで前記インダクタによる電圧降下が大きい場合、第１論理状態で出力すべき出力データが第２論理状態で間違って出力されることがある。以下で第２論理状態は、論理ロー状態を意味する。例えば、電源電圧が１．３Ｖであり、かつ出力データが第１論理状態を示すためには、１Ｖの電圧が必要である場合、前記のようにインダクタによって０．４Ｖの電圧降下が発生すれば、電源電圧が０．９Ｖとなって第１論理状態の出力データを示すのに問題が生じる。したがって、従来の半導体メモリ装置１００は、初期動作時に前記インダクタによる電圧降下によって、最初のデータの論理状態が変わる問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする技術的課題は、初期動作時に最初のデータの論理状態を維持する半導体メモリ装置を提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記半導体メモリ装置のデータコーディング方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記技術的課題を達成するための本発明の実施形態による半導体メモリ装置は、複数のカウンタ部及びデータコーディング部を備える。前記それぞれのカウンタ部は、少なくとも一つのデータを含む第１グループ、及びそれぞれ少なくとも一つのデータ及びフラグ情報を含む第２グループから第ｎグループを設定して、前記それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数をカウントする。前記データコーディング部は、前記それぞれのグループ別に第１モード及び第２モードを選択的に適用してデータをコーディングする。前記第１モードは、前記それぞれのグループ別に前記カウントされた第１論理状態の数が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングするモードであり、前記第２モードは、前記第１グループから第ｎグループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングするモードである。
（発明の効果）
【０００６】
本発明による半導体メモリ装置の初期動作時のデータコーディング方法及びその方法を利用する半導体メモリ装置は、初期動作時に電圧降下によって最初のデータの論理状態が変わることを防止できるという長所がある。すなわち、半導体メモリ装置の初期動作時に第１論理状態のデータの数を順次に増やすことによって、最初のデータを安定的に出力できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び添付図面に記載された内容を参照せねばならない。
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は、同じ部材を示す。
【０００８】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による半導体メモリ装置３００のブロック図を図３に示す。
図３は、半導体メモリ装置３００の送信ステージＴＸ及び受信ステージＲＸを示している。図３を参照すれば、５個のグループに分けられた第１から第５データグループＤ＿１，Ｄ＿２，Ｄ＿３，Ｄ＿４，Ｄ＿５、及び第２から第４データグループＤ＿２，Ｄ＿３，Ｄ＿４，Ｄ＿５のフラグ情報Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５が送信ステージ３１０に入力される。送信ステージ３１０は、第１から第５データグループＤ＿１，Ｄ＿２，Ｄ＿３，Ｄ＿４，Ｄ＿５のデータ及びフラグ情報Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５をコーディングして出力する。
【０００９】
送信ステージ３１０は、前記コーディングされたデータグループＤＣ＿１、ＤＣ＿２、ＤＣ＿３、ＤＣ＿４、ＤＣ＿５及びフラグ情報ＦＣ＿２、ＦＣ＿３、ＦＣ＿４、ＦＣ＿５を受信ステージ３２０に出力する。以下で、本発明の実施形態によって送信ステージ３１０でデータグループＤ＿１，Ｄ＿２，Ｄ＿３，Ｄ＿４，Ｄ＿５及びフラグ情報Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５をコーディングする方法について説明する。
【００１０】
図３の送信ステージ３１０のブロック図を図４に示す。
以下では、図３の第１から第５データグループＤ＿１，Ｄ＿２，Ｄ＿３，Ｄ＿４，Ｄ＿５及びフラグ情報Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５を第１から第５グループという。すなわち、第１グループには、フラグ情報がないので、第１データグループＤ＿１のみを含む。第２グループは、第２データグループＤ＿２及びフラグ情報Ｆ＿２を含み、第３グループは、第３データグループＤ＿３及びフラグ情報Ｆ＿３を含む。同様に、第４グループは、第４データグループＤ＿４及びフラグ情報Ｆ＿４を含み、第５グループは、第５データグループＤ＿５及びフラグ情報Ｆ＿５を含む。
【００１１】
図４を参照すれば、送信ステージ３１０は、複数のカウンタ部Ｃ＿１，Ｃ＿２，Ｃ＿３，Ｃ＿４，Ｃ＿５、データコーディング部４３０、及びモード選択部４７０を備える。それぞれのカウンタ部Ｃ＿１，Ｃ＿２，Ｃ＿３，Ｃ＿４，Ｃ＿５は、前記それぞれの第１から第５グループを入力されて、それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数をカウントする。以下で、第１論理状態は、論理ハイ状態を意味する。データコーディング部４３０は、前記それぞれのグループ別に第１モード及び第２モードを選択的に適用してデータをコーディングし、モード選択部４７０は、イネーブル信号ＥＮに応答して、データコーディング部４３０が前記第１モード及び第２モードのうち一つを適用できるようにモード選択信号ＭＳ＿１，ＭＳ＿２，ＭＳ＿３，ＭＳ＿４をデータコーディング部４３０に出力する。
【００１２】
以下で、前記第１モードは、前記それぞれのグループ別に前記カウントされた第１論理状態の数が最小となるように、前記それぞれのグループのデータをコーディングするモードである。また、前記第２モードは、前記第１グループから第５グループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングするモードである。以下で第２論理状態は、論理ロー状態を意味する。
【００１３】
データコーディング部４３０は、少なくとも一つ以上のフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２，ｌｏｇｉｃ＿３，ｌｏｇｉｃ＿４、及び少なくとも一つ以上のデータ変換部ＩＮＶ＿１，ＩＮＶ＿２，ＩＮＶ＿３，ＩＮＶ＿４を備える。それぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２，ｌｏｇｉｃ＿３，ｌｏｇｉｃ＿４は、前記第１モードが適用される第２グループから第５グループにおいて、前記それぞれのグループ別に前記第１論理状態の数が第２論理状態の数より多い場合、前記フラグ情報を変更する。
【００１４】
また、それぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２，ｌｏｇｉｃ＿３，ｌｏｇｉｃ＿４は、前記第２モードが適用される第２グループから第５グループにおいて、前記第１グループから第５グループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、前記フラグ情報を変更する。それぞれのデータ変換部ＩＮＶ＿１，ＩＮＶ＿２，ＩＮＶ＿３，ＩＮＶ＿４は、前記第１モードまたは第２モードにおいて、前記フラグ情報が変更された場合、前記フラグ情報が含まれたグループのデータを反転させる。
【００１５】
本発明の実施形態によるデータコーディング方法のフローチャートを図５に示す。
図４及び図５を参照して、前記半導体メモリ装置の初期動作時のデータコーディング方法について説明する。前述のように図４は、前記データ及びフラグ情報を前記第１から第５グループにグループ設定した状態である（Ｓ５１０段階）。それぞれのカウンタ部Ｃ＿１，Ｃ＿２，Ｃ＿３，Ｃ＿４，Ｃ＿５は、前記第１から第５グループのそれぞれに対して第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数をカウントする（Ｓ５２０段階）。
【００１６】
すなわち、前記第１グループのデータのうち第１論理状態のデータをカウンタ部Ｃ＿１でカウントし、第２グループのデータ及びフラグ情報Ｆ＿２のうち第１論理状態の数をカウンタ部Ｃ＿２でカウントする。同様に、第３から第５グループに対してもそれぞれのカウンタ部Ｃ＿３、Ｃ＿４、Ｃ＿５で第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数をカウントする。前記それぞれの第１グループから第５グループに対して第１論理状態の数が決定されれば、前記それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数が最小となるように前記フラグ情報を変更する（Ｓ５３０段階）。
【００１７】
前記第１グループから第５グループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数及び第２論理状態の数をカウントする（Ｓ５４０段階）。前記Ｓ５４０段階は、Ｓ５２０段階のカウント一結果でＳ５３０段階のフラグ情報を変更した段階の結果を反映することで容易に行われる。前記カウントされた第１論理状態の数及び第２論理状態の数とを比較する（Ｓ５５０段階）。比較の結果、第１論理状態の数と第２論理状態の数とが異なる場合、前記それぞれのグループ別にフラグ情報を変更する（Ｓ５６０段階）。
【００１８】
この場合、前記第２から第５グループに含まれたデータの数が少ないグループから順次にＳ５６０段階を行うことが望ましい。または、前記第５グループから第２グループまで逆順にＳ５６０段階を行うことが望ましい。前記フラグ情報の変更によって変更された第１論理状態の数及び変更された第２論理状態の結果をさらに比較する。前記比較結果、前記第１論理状態の数及び第２論理状態の数が同一であるか、または前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が変わらない場合、前記データコーディング動作をそれ以上行わない。
【００１９】
前記第１グループから第５グループを設定する場合、前記フラグ情報が含まれない第１グループのデータの数は、前記それぞれの第２グループから第５グループのデータの数より少ないことが望ましい。前記データをコーディングする場合、順次に第１論理状態の数が増加するが、前記第１グループのデータの数を最小とすることによって、最初に第１論理状態のデータの数を最小化できるからである。
【００２０】
本発明の実施形態によるデータをコーディングする段階を順に図６に示す。
図６を参照すれば、１６ビットのデータを伝送し、最初のデータは、全て第１論理状態を有すると仮定する。前記１６ビットのデータ及び４ビットのフラグ情報Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５は、第１から第５グループＧ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５にグループ分けされている。すなわち、第１グループＧ１は、第１データグループＤ＿１と同一であり、第２グループＧ２は、第２データグループＤ＿２及びフラグ情報Ｆ＿２を含む。第３グループＧＧは、第３データグループＤ＿３及びフラグ情報Ｆ＿３を含み、第４グループＧ４は、第４データグループＤ＿４及びフラグ情報Ｆ＿４を含み、第５グループＧ５は、第５データグループＤ＿５及びフラグ情報Ｆ＿５を含む。
【００２１】
まず、前記それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングする段階について説明する（Ｓ１段階）。第２グループＧ２の場合、第１論理状態の数は４個であり、第２論理状態の数は１個である。したがって、第１論理状態の数が最小となるようにフラグ情報Ｆ＿２を変更する。すなわち、第２論理状態であったフラグ情報Ｆ＿２を第１論理状態に変更して、第１データグループＤ＿１のデータをいずれも反転させる。反転された結果、第１論理状態の数は１個であり、第２論理状態の数は４個であって、前記第２グループＧ２は、第１論理状態の数が最小となる。第３から第５グループＧ３，Ｇ４，Ｇ５に対しても同じ段階を行う。前記の結果、第３から第５グループＧ３，Ｇ４，Ｇ５それぞれも第１論理状態の数が最小となる。
【００２２】
次に、前記第１グループから第５グループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、それぞれのグループ別データをコーディングする段階を説明する（Ｓ２及びＳ３段階）。Ｓ１段階を行った結果、第１論理状態の数は６個であり、第２論理状態の数は１４個である。前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるためには、第５グループＧ５のフラグ情報Ｆ＿５を第２論理状態に変更しなければならない。すなわち、第５グループＧ５は、前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングし、第２から第４グループＧ２，Ｇ３，Ｇ４は、続けてそれぞれのグループ別に第１論理状態の数が最小となるようにコーディングする（Ｓ２段階）。
【００２３】
Ｓ２段階を行った結果、第１論理状態の数は７個であり、第２論理状態の数は１３個である。同様に、前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるためには、第４グループＧ４のフラグ情報Ｆ＿４を第２論理状態に変更しなければならない。Ｓ２段階とは違って、第４グループＧ４及び第５グループＧ５は、前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングし、第２グループ及び第３グループＧ２，Ｇ３は、続けてそれぞれのグループ別に第１論理状態の数が最小となるようにコーディングする（Ｓ３段階）。Ｓ３段階を行った結果、第１論理状態の数は１０個であり、第２論理状態の数も１０個である。前記第１論理状態の数と第２論理状態の数とが同一になったので、前記データコーディング動作をそれ以上行わない。
【００２４】
Ｓ２段階は、前記フラグ情報を含む第２から第５グループＧ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５のうち、それぞれのグループ別にデータの数が最も少ないグループから順次に前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、それぞれのグループ別データをコーディングする段階を行うことが望ましい。すなわち、第２グループから第４グループＧ２，Ｇ３，Ｇ４は、前記データの数が４個であり、第５グループＧ５は、前記データの数が２個であるので、第５グループＧ５に対してＳ２段階を行うことが望ましい。
【００２５】
図７は、図４のモード選択部４７０の入力信号及び出力信号の波形図である。
図４、図６及び図７を参照すれば、イネーブル信号ＥＮが入力されれば、モード選択部４７０は、データコーディング部４３０にモード選択信号ＭＳ＿１，ＭＳ＿２，ＭＳ＿３，ＭＳ＿４を出力する。モード選択信号ＭＳ＿１，ＭＳ＿２，ＭＳ＿３，ＭＳ＿４が第２論理状態である場合、図４のフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２，ｌｏｇｉｃ＿３，ｌｏｇｉｃ＿４は、前記第１モードを行う。そして、モード選択信号ＭＳ＿１，ＭＳ＿２，ＭＳ＿３，ＭＳ＿４が第１論理状態である場合、前記フラグ設定部は、前記第２モードを行う。
【００２６】
イネーブル信号ＥＮが入力されれば、モード選択部４７０は、ｔ１時間の間にそれぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２，ｌｏｇｉｃ＿３，ｌｏｇｉｃ＿４に第２論理状態のモード選択信号ＭＳ＿１，ＭＳ＿２，ＭＳ＿３，ＭＳ＿４を出力する。したがって、ｔ１時間の間にそれぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２，ｌｏｇｉｃ＿３，ｌｏｇｉｃ＿４は、前記第１モードを行う（図６のＳ１段階）。
【００２７】
モード選択部４７０は、ｔ２時間の間にフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿４に第１論理状態のモード選択信号ＭＳ＿４を出力し、それぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２，ｌｏｇｉｃ＿３には、第２論理状態のモード選択信号ＭＳ＿１，ＭＳ＿２，ＭＳ＿３を出力する。したがって、ｔ２時間の間にフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿４は、前記第２モードを行い、それぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２，ｌｏｇｉｃ＿３は、前記第１モードを行う（図６のＳ２段階）。
【００２８】
ｔ３時間の間にモード選択部４７０は、それぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿３，ｌｏｇｉｃ＿４に第１論理状態のモード選択信号ＭＳ＿３，ＭＳ＿４を出力し、それぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２には第２論理状態のモード選択信号ＭＳ＿１，ＭＳ＿２を出力する。したがって、ｔ３時間の間にそれぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ３，ｌｏｇｉｃ４は、前記第２モードを行い、それぞれのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ１，ｌｏｇｉｃ２は、前記第１モードを行う（図６のＳ３段階）。
【００２９】
図６に示す場合において、モード選択部４７０が二つのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿３，ｌｏｇｉｃ＿４にモード選択信号ＭＳ＿３，ＭＳ＿４を出力して、前記データコーディングが終了したが、場合によっては、モード選択部４７０が全てのフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿１，ｌｏｇｉｃ＿２，ｌｏｇｉｃ＿３，ｌｏｇｉｃ＿４に対してモード選択信号ＭＳ＿１，ＭＳ＿２，ＭＳ＿３，ＭＳ＿４を出力して前記データコーディングを行ってもよい。
【００３０】
図８は、図６のデータコーディング方法を行う場合に半導体メモリ装置の初期動作を示す特性図である。
図６及び図８を参照すれば、Ｓ１段階を行った結果、第１論理状態の数は６個であるので、最初６個の第１論理状態のデータを出力する。その後、Ｓ２段階を経て７個の第１論理状態のデータを出力し、Ｓ３段階を経て１０個の第１論理状態のデータを出力する。したがって、従来技術とは違って、順次に第１論理状態のデータの数が増加することによって、従来技術の初期動作時に電圧降下によって最初のデータの論理状態が変わるという問題点を解決できる。
【００３１】
図１及び図８を参照して、図１と同じ条件で本発明の実施形態を行う場合、インダクタによる電圧降下を説明する。図１と同様に、電源電圧ＶＤＤ及び接地電圧ＶＳＳと連結されたインダクタのインダクタンスが１ｎＨであり、それぞれのデータを出力する送信ステージの駆動電流は２０ｍＡであり、前記出力データを第１論理状態に変えるために０．５ｎｓの時間がかかると仮定する。
【数２】
2008160848.tif 000004
【００３２】
前記数式２のように、半導体メモリ装置の初期動作時、６（ｎは、第１論理状態のデータ数）個の第１論理状態のデータを出力するので、最初動作時に前記インダクタにかかる電圧は、０．２４Ｖである。したがって、従来技術に比べて前記インダクタによる電圧降下によって最初のデータの論理状態が変わる問題点を解決できる。
【００３３】
（第２実施形態）
図９は、本発明の第２実施形態による半導体メモリ装置９００のブロック図である。
図９を参照すれば、図３の半導体メモリ装置３００と比較する時、半導体メモリ装置９００の送信ステージＴＸ ９１０にフラグ情報Ｆ＿１が一つさらに入力される差異点がある。送信ステージ９１０は、データグループＤ＿１，Ｄ＿２，Ｄ＿３，Ｄ＿４，Ｄ＿５及びフラグ情報Ｆ＿１，Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５をコーディングして受信ステージ ＴＸ ９２０に出力する。
【００３４】
すなわち、半導体メモリ装置９００は、５個のグループに分けられたデータグループＤ＿１，Ｄ＿２，Ｄ＿３，Ｄ＿４，Ｄ＿５のそれぞれに対してフラグ情報Ｆ＿１，Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５が入力される。以下で、本発明の第２実施形態によって送信ステージ９１０でデータグループＤ＿１，Ｄ＿２，Ｄ＿３，Ｄ＿４，Ｄ＿５及びフラグ情報Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５をコーディングする方法について説明する。
【００３５】
図９の送信ステージ９１０のブロック図を図１０に示す。
以下では、図３と同様に図９のそれぞれのデータグループＤ＿１，Ｄ＿２，Ｄ＿３，Ｄ＿４，Ｄ＿５及びフラグ情報Ｆ＿１，Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５を第１から第５グループという。
図１０を参照すれば、送信ステージ９１０は、複数のカウンタ部Ｃ＿１，Ｃ＿２，Ｃ＿３，Ｃ＿４，Ｃ＿５、データコーディング部１０３０及びモード選択部１０７０を備える。それぞれのカウンタ部Ｃ＿１，Ｃ＿２，Ｃ＿３，Ｃ＿４，Ｃ＿５、データコーディング部１０３０及びモード選択部１０７０は、図４と同じ機能を行う。
【００３６】
但し、図４の送信ステージと比較する時、カウンタ部Ｃ＿１は、第１データグループＤ＿１だけでなくフラグ情報Ｆ＿１を共に入力される。また、データコーディング部１０３０は、図４のデータコーディング部４３０よりフラグ設定部ｌｏｇｉｃ＿５及びデータ変換部ＩＮＶ＿５をさらに備える。モード選択部１０７０も、図４のモード選択部４７０より一つ多くのモード選択信号ＭＳ＿１，ＭＳ＿２，ＭＳ＿３，ＭＳ＿４，ＭＳ＿５をデータコーディング部１０３０に出力する。
【００３７】
図１０の送信ステージ９１０でデータをコーディングする段階を順次に図１１に示す。
図１１を参照すれば、図６のように１６ビットのデータを伝送し、最初のデータは、全て第１論理状態を有すると仮定する。前記１６ビットのデータ及び５ビットのフラグ情報Ｆ＿１，Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５は、第１から第５グループＧ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５にグループ分けされている。図６の場合と比較する時、第１グループＧ１に第１データグループＤ＿１だけでなく、フラグ情報Ｆ＿１をさらに備えることを除いては図６の場合と同様である。
【００３８】
まず、前記それぞれのグループ別に第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数が最小となるように、前記それぞれのグループ別データをコーディングする段階について説明する（Ｓ１段階）。図６のＳ１段階と同様に、第１論理状態のデータ及びフラグ情報の数を最小とするために、第１から第５グループＧ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５のフラグ情報Ｆ＿１，Ｆ＿２，Ｆ＿３，Ｆ＿４，Ｆ＿５を初期の第２論理状態から第１論理状態に変更する（Ｓ１０段階）。
【００３９】
次に、前記第１グループから第５グループのデータ及びフラグ情報のうち、第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるように、それぞれのグループ別データをコーディングする段階を説明する（Ｓ２０からＳ４０段階）。Ｓ１０段階を行った結果、第１論理状態の数は５個であり、第２論理状態の数は１５個である。前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるためには、第５グループＧ５のフラグ情報Ｆ＿５を第２論理状態に変更しなければならない。すなわち、第５グループＧ５は、前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングし、第１から第４グループＧ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４は、続けてそれぞれのグループ別に第１論理状態の数が最小となるようにコーディングする（Ｓ２段階）。
【００４０】
Ｓ２０段階を行った結果、第１論理状態の数は６個であり、第２論理状態の数は１４個である。同様に、前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるためには、第４グループＧ４のフラグ情報Ｆ＿４を第２論理状態に変更しなければならない。Ｓ２段階とは違って、第４グループＧ４及び第５グループＧ５は、前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングし、第１グループから第３グループＧ１，Ｇ２，Ｇ３は、続けてそれぞれのグループ別に第１論理状態の数が最小となるようにコーディングする（Ｓ３０段階）。Ｓ３０段階を行った結果、第１論理状態の数は７個であり、第２論理状態の数は１３個である。
【００４１】
前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差を最小とするために、第３グループＧ４のフラグ情報Ｆ＿３を第２論理状態に変更する。同様に、第３グループから第５グループＧ３，Ｇ４，Ｇ５は、前記第１論理状態の数と第２論理状態の数との差が最小となるようにコーディングし、第１グループＧ１及び第２グループＧ２は、続けてそれぞれのグループ別に第１論理状態の数が最小となるようにコーディングする（Ｓ４０段階）。Ｓ４０段階を行った結果、第１論理状態の数は１０個であり、第２論理状態の数も１０個である。前記第１論理状態の数と第２論理状態の数とが同一になったので、前記データコーディング動作をそれ以上行わない。
【００４２】
図１１のデータコーディング方法を行う場合の半導体メモリ装置の初期動作を示す特性図を図１２に示す。
図１１及び図１２を参照すれば、Ｓ１０段階を行った結果、第１論理状態の数は５個であるので、最初５個の第１論理状態のデータを出力する。その後、Ｓ２０段階を経て６個の第１論理状態のデータを出力し、Ｓ３０段階を経て７個の第１論理状態のデータを出力し、Ｓ４０段階を経て１０個の第１論理状態のデータを出力する。したがって、従来技術とは違って、順次に第１論理状態のデータの数が増加することによって、従来技術の初期動作時電圧降下によって最初のデータの論理状態が変わるという問題点を解決できる。
【００４３】
図１及び図８を参照して、図１と同じ条件で本発明の実施形態を行う場合、インダクタによる電圧降下を説明する。図１と同様に、電源電圧ＶＤＤ及び接地電圧ＶＳＳと連結されたインダクタのインダクタンスが１ｎＨであり、それぞれのデータを出力する送信ステージの駆動電流は２０ｍＡであり、前記出力データを第１論理状態に変えるために０．５ｎｓの時間がかかると仮定する。
【数３】
2008160848.tif 000005
【００４４】
前記数式３のように、半導体メモリ装置の初期動作時５（ｎは、第１論理状態のデータ数）個の第１論理状態のデータを出力するので、最初動作時に前記インダクタにかかる電圧は０．２Ｖである。したがって、従来技術に比べて、前記インダクタによる電圧降下によって最初のデータの論理状態が変わる問題点を解決できる。
【００４５】
以上、図面及び明細書で最適の実施形態が開示された。ここで特定の用語が使われたが、これは単に本発明を説明するための目的として使われたものに過ぎず、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により決定されなければならない。
（産業上の利用可能性）
本発明は、半導体メモリ装置関連の技術分野に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】従来の半導体メモリ装置の回路図である。
【図２】図１の半導体メモリ装置の初期動作を説明するための特性図である。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体メモリ装置のブロック図である。
【図４】図３の送信ステージのブロック図である。
【図５】図３の送信ステージでデータをコーディングする方法の示すフローチャートである。
【図６】図３の送信ステージでデータをコーディングする段階を順次に示す説明図である。
【図７】図４のモード選択部の入力信号及び出力信号の波形を示す説明図である。
【図８】図６のデータコーディング方法を行う場合に半導体メモリ装置の初期動作を示す特性図である。
【図９】本発明の第２実施形態による半導体メモリ装置のブロック図である。
【図１０】図９の送信ステージのブロック図である。
【図１１】図１０の送信ステージでデータをコーディングする段階を順次に示す説明図である。
【図１２】図１１のデータコーディング方法を行う場合に半導体メモリ装置の初期動作を示す特性図である。
【符号の説明】
【００４７】
３００：半導体メモリ装置、４３０：データコーディング部、４７０：モード選択部、９００：半導体メモリ装置、１０３０：データコーディング部、１０７０：モード選択部
【図１】
2008160848.tif 000006
【図２】
2008160848.tif 000007
【図３】
2008160848.tif 000008
【図４】
2008160848.tif 000009
【図５】
2008160848.tif 000010
【図６】
2008160848.tif 000011
【図７】
2008160848.tif 000012
【図８】
2008160848.tif 000013
【図９】
2008160848.tif 000014
【図１０】
2008160848.tif 000015
【図１１】
2008160848.tif 000016
【図１２】
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