(57)【要約】【課題】リブ欠けを低減し且つ製造設備のメンテナンスコストを低減することができるＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板上のリブ材料層上にドライフィルムレジストを貼り付け、得られた基板に対して露光、現像、水洗及び薬液処理をこの順序で行うことによってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記リブ材料層をサンドブラストによりリブ形状にパターニングし、焼成することによってリブを形成する工程を備え、前記現像は、炭酸ナトリウム水溶液からなる現像液を用いて行われ、前記薬液処理は、カルシウムとマグネシウムの少なくとも一方を含む水溶液からなる薬液を用いて行われる。【選択図】図１
2008235074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のリブ材料層上にドライフィルムレジストを貼り付け、得られた基板に対して露光、現像、水洗及び薬液処理をこの順序で行うことによってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記リブ材料層をサンドブラストによりリブ形状にパターニングし、焼成することによってリブを形成する工程を備え、
前記現像は、炭酸ナトリウム水溶液からなる現像液を用いて行われ、
前記薬液処理は、カルシウムとマグネシウムの少なくとも一方を含む水溶液からなる薬液を用いて行われるプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項２】
前記薬液は、カルシウムの濃度が９０ｐｐｍ以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項３】
前記薬液は、マグネシウムの濃度が２５ｐｐｍ以上である請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項４】
前記薬液処理は、前記薬液を前記水洗後の基板に向けてスプレー噴射することによって行われる請求項１〜３の何れか１つに記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項５】
前記スプレー噴射は、０．０３ＭＰａ以上のスプレー圧で３０秒以上行われる請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項６】
前記スプレー噴射は、二流体ノズルを用いて行われる請求項４又は５に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項７】
前記二流体ノズルを用いて行うスプレー噴射は、１５秒間以上行われる請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項８】
前記水洗と前記薬液処理は、別々の槽で行われる請求項４〜７の何れか１つに記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項９】
前記水洗は、水を前記現像後の基板に向けてスプレー噴射することによって行われる請求項１〜８の何れか１つに記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法、特にリブの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来のＰＤＰの構成を示す斜視図である。ＰＤＰは、前面側基板構体１と、背面側基板構体２を貼り合わせた構造をしている。前面側基板構体１は、ガラス基板からなる前面側基板１ａ上に、透明電極３ａとバス電極３ｂからなる表示電極３が配置され、表示電極３は、誘電体層４で覆われている。誘電体層４の上にさらに２次電子放出係数の高い酸化マグネシウム層からなる保護層５が形成されている。背面側基板構体２には、ガラス基板からなる背面側基板２ａ上に、表示電極と直交するようにアドレス電極６を配置し、かつアドレス電極６間には、発光領域を規定するためにリブ７が設けられ、アドレス電極６上のリブ７で区分けされた領域には、赤、緑、青の蛍光体層８が形成されている。貼り合わせた前面側基板構体１と背面側基板構体２の内部に形成された気密な放電空間には、Ｎｅ−Ｘｅガスからなる放電ガスが封入されている。なお、図示していないが、アドレス電極６は、誘電体層で被覆されており、リブ７及び蛍光体層８は、この誘電体層上に設けられている。
【０００３】
ここで、図５（ａ）〜（ｄ）を用いて背面側基板構体２の一般的な製造方法について説明する。図５（ａ）〜（ｄ）は、背面側基板構体２の製造工程を示す断面図である。
【０００４】
まず、ガラス基板２ａ上にアドレス電極６を形成し、次に、アドレス電極６を覆うように誘電体層９を形成し、さらに誘電体層９上にガラスペーストを塗布し、塗布したガラスペーストを乾燥させることによってリブ形成に用いる未焼成のリブ材料層１１を形成し、図５（ａ）に示す構造を得る。
【０００５】
次に、リブ材料層１１上にドライフィルムレジスト（以下、「ＤＦＲ」と呼ぶ。）を貼り付け、露光、現像、洗浄及び乾燥を行うことによってレジストパターン１３を形成し、図５（ｂ）に示す構造を得る。現像は、現像液（炭酸ナトリウム水溶液０．２〜０．４ｗｔ％）を３０〜９０秒間スプレー状に噴射（以下、「スプレー噴射」と呼ぶ。）することによって行う。洗浄は、純水を３０〜９０秒間スプレー噴射することによって行う。
【０００６】
次に、レジストパターン１３をマスクとしてリブ材料層１１をサンドブラストによりリブ形状にパターニングし、図５（ｃ）に示す構造を得る。
次に、レジストパターン１３を除去し、パターニングされたリブ材料層１１を焼成することによってリブ７を形成し、図５（ｄ）に示す構造を得る。
次に、リブ７で区分けされた領域に蛍光体層８を形成し、背面側基板構体２の製造を完了する。
【０００７】
上記の方法では、レジストパターン１３の断面形状においてレジストパターン１３と形成材料層１１とが密着している幅（以下、「密着幅」と呼ぶ。）がレジストパターン１３の幅と同じか広くなる。そのような断面形状を有するレジストパターン１３をマスクとしてサンドブラストを行うと、リブ材料層１１がオーバーハング形状にパターニングされ（図５（ｃ）参照）、リブ焼成後も若干オーバーハング形状が残ってしまう（図５（ｄ）を参照）。このままの状態で前面側基板構体と重ねてパネル化するとリブ７の頂部に欠けが生じてディスプレイパネルとしての品位が落ちるという問題が生じやすい。
特許文献１では、このような問題を解決するために、密着幅がレジストパターン１３の幅より狭くなるようにレジストパターン１３を形成する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−３１９５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、現像後の基板に対して純水をスプレー噴射する代わりにカルシウムを含む水溶液（例えば、塩化カルシウム水溶液）やマグネシウムを含む水溶液（例えば、塩化マグネシウム水溶液）をスプレー噴射すると、レジストパターン１３とリブ形成材料層１１とが接触する部位近傍においてレジストパターン１３がくびれた形状（このような形状を以下「くびれ形状」と呼ぶ。図１（ｂ）及び図３（ａ）に示すような形状。）になり、その結果、密着幅がレジストパターン１３の幅よりも狭くなる。これによって、リブ７がオーバーハング形状になることが防止される。
【０００９】
しかし、この場合、現像液中の炭酸ナトリウムと、水溶液中のカルシウム又はマグネシウムとが反応して炭酸カルシウム又は炭酸マグネシウムが発生し、この炭酸カルシウム又は炭酸マグネシウムが水に溶けずに沈殿し、その沈殿したものが配管やスプレーノズルを詰まらせてしまうという問題が生じることが分かった。そのため、配管やスプレーノズルの詰まりを除くため日々メンテナンスが必要であり、処理数が落ちかつ、メンテナンス費用がかかって、コストアップになっていた。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、リブ欠けを低減し且つ製造設備のメンテナンスコストを低減することができるＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【００１１】
本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板上のリブ材料層上にＤＦＲを貼り付け、得られた基板に対して露光、現像、水洗及び薬液処理をこの順序で行うことによってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記リブ材料層をサンドブラストによりリブ形状にパターニングし、焼成することによってリブを形成する工程を備え、前記現像は、炭酸ナトリウム水溶液からなる現像液を用いて行われ、前記薬液処理は、カルシウムとマグネシウムの少なくとも一方を含む水溶液からなる薬液を用いて行われる。
【００１２】
本発明によると、現像後にカルシウムとマグネシウムの少なくとも一方を含む水溶液からなる薬液で薬液処理を行うので、レジストパターンがくびれ形状となり、リブがオーバーハング形状になることを防ぐことができ、その結果、リブ欠けを低減することができる。
【００１３】
また、本発明では、薬液処理の前に現像後の基板の水洗を行って基板上の現像液を除去するので、現像液と薬液の接触を防ぐことができ、従って、炭酸カルシウムや炭酸マグネシウムの発生を防ぐことができる。これによって、配管やスプレーノズルの詰まりを防ぐことができ、製造設備のメンテナンスコストを低減することができる。
以下、本発明の種々の好ましい実施形態を例示する。
【００１４】
前記薬液は、カルシウムの濃度が９０ｐｐｍ以上であってもよい。この場合、レジストパターンをより確実にくびれ形状にすることができる。本明細書で「ｐｐｍ」は、重量濃度を表す。
【００１５】
前記薬液は、マグネシウムの濃度が２５ｐｐｍ以上であってもよい。この場合、レジストパターンをより確実にくびれ形状にすることができる。
【００１６】
前記薬液処理は、前記薬液を前記水洗後の基板に向けてスプレー噴射することによって行われてもよい。この場合、比較的少ない量の薬液で、レジストパターンをくびれ形状にすることができる。
【００１７】
前記スプレー噴射は、０．０３ＭＰａ以上のスプレー圧で３０秒以上行われてもよい。この場合、レジストパターンをより確実にくびれ形状にすることができる。
【００１８】
前記スプレー噴射は、二流体ノズルを用いて行われてもよい。この場合、レジストパターンをより確実にくびれ形状にすることができる。
【００１９】
前記二流体ノズルを用いて行うスプレー噴射は、１５秒間以上行われてもよい。この場合、レジストパターンをより確実にくびれ形状にすることができる。
【００２０】
前記水洗と前記薬液処理は、別々の槽で行われてもよい。この場合、炭酸カルシウムや炭酸マグネシウムの発生をより確実に防ぐことができる。
【００２１】
前記水洗は、水を前記現像後の基板に向けてスプレー噴射することによって行われてもよい。この場合、比較的少ない量の水で、基板上の現像液を除去することが可能になる。
ここで示した種々の実施形態は、互いに組み合わせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。以下の実施形態では、３電極面放電型ＰＤＰ用基板構体又は３電極面放電型ＰＤＰの製造方法を例にとって説明を進めるが、本発明は、これ以外の種類のＰＤＰ用基板構体又はＰＤＰの製造方法にも適用可能である。
【００２３】
１．ＰＤＰ用基板構体の製造方法
以下、図１（ａ）〜（ｄ）及び図２を用いて本発明の一実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程を示す断面図である。図２は、本実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程での現像、洗浄及び薬液処理ラインの構成を示す。
本実施形態では、背面側基板構体にリブが設けられる場合を例にとって説明を進めるが、前面側基板構体にリブが設けられる場合も本発明の範囲に含まれる。また、本実施形態では、アドレス電極を覆う誘電体層上にリブが形成される場合を例にとって説明を進めるが、表示電極を覆う誘電体層上にリブが形成される場合も本発明の範囲に含まれる。
【００２４】
本実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板（以下の実施形態では、背面側基板２ａ上にアドレス電極６と、アドレス電極６を覆う誘電体層９が形成されたものが、これに相当する。）上のリブ材料層１１上にＤＦＲを貼り付け、得られた基板に対して露光、現像、水洗及び薬液処理をこの順序で行うことによってレジストパターン１３を形成し、このレジストパターン１３をマスクとしてリブ材料層１１をサンドブラストによりリブ形状にパターニングし、焼成することによってリブを形成する工程を備え、前記現像は、炭酸ナトリウム水溶液からなる現像液を用いて行われ、前記薬液処理は、カルシウムとマグネシウムの少なくとも一方を含む水溶液からなる薬液を用いて行われる。
【００２５】
以下、本実施形態に関連する種々の工程について説明する。
１−１．アドレス電極、誘電体層及びリブ材料層形成工程
まず、背面側基板２ａ上にアドレス電極６を形成し、さらにアドレス電極６を覆うように誘電体層９を形成し、誘電体層９上にリブ材料層１１を形成し、図１（ａ）に示す構造を得る。
【００２６】
基板２ａとしては、ガラス基板が汎用であるが、石英、セラミック等の基板や、これらの基板上に、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板を用いることができる。
【００２７】
基板２ａ上のアドレス電極６は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等から構成される。アドレス電極６は、Ａｇ、Ａｕについては印刷法を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の成膜法とエッチング法を組み合わせることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００２８】
誘電体層９は、例えば、基板２ａ上に主成分として低融点ガラス粉末、樹脂及び溶剤を含有するガラスペーストを塗布し、塗布したガラスペーストを乾燥させ、その後焼成することによって形成することができる。誘電体層９は、主成分として低融点ガラス粉末と樹脂を含有するガラスシート材を基板２ａに貼り合わせ、貼り合せたガラスシート材を焼成することによって形成してもよい。
【００２９】
なお、この時点で焼成を行わずに、後工程でリブ材料層１１と一緒に焼成を行ってもよい。この場合、例えば、未焼成の誘電体層中の樹脂や可塑剤の含有量を多くすることによって、未焼成の誘電体層のサンドブラストレートを小さくしておく。
【００３０】
リブ材料層１１は、一例では、誘電体層９上に主成分として低融点ガラス粉末、フィラー、樹脂、溶剤及び可塑剤を含有するガラスペーストを塗布し、塗布したガラスペーストを乾燥させることによって形成することができる。リブ材料層１１は、主成分として低融点ガラス粉末、フィラー、樹脂及び可塑剤を含有するガラスシート材を誘電体層９に貼り合わせることによって形成してもよい。
【００３１】
１−３．レジストパターン形成工程
次に、リブ材料層１１上にＤＦＲを貼り付け、得られた基板に対して露光、現像、水洗及び薬液処理をこの順序で行うことによってレジストパターン１３を形成し、図１（ｂ）に示す構造を得る。このような方法でレジストパターン１３を形成すると、レジストパターン１３がくびれ形状になる。
以下、各工程を詳細に説明する。
【００３２】
１−３−１．ＤＦＲ貼り付け（ラミネート）工程
まず、ラミネータ装置を用いてリブ材料層１１にＤＦＲを貼り付ける。ＤＦＲとしては、炭酸ナトリウム水溶液からなる現像液で現像がなされるものが用いられる。例えば、旭化成エレクトロニクス株式会社製の商品名サンフォート（登録商標）や、東京応化工業株式会社製の商品名ＮＢ２３５等が用いられる。
【００３３】
１−３−２．露光工程
次に、ＤＦＲが貼り付けられた基板を露光装置に搬送する。露光装置では、露光マスクを介してＤＦＲが貼り付けられた基板に対して露光を行う。
【００３４】
１−３−３．現像工程
次に、図２に示すように、露光後の基板を露光装置から現像槽に搬送する。基板は、ＤＦＲ貼り付け面を上にした状態で、搬送コロを用いて搬送する。現像槽では、スプレーノズルを揺動させながら、現像液を基板に向かってスプレー噴射することによって露光後の基板に対して現像を行う。現像液は、炭酸ナトリウム水溶液からなる。現像液は、炭酸ナトリウム濃度が０．２〜０．４重量％、温度が２５〜３２℃のものが好ましい。「炭酸ナトリウム水溶液」とは、炭酸ナトリウムを含む水溶液であり、炭酸ナトリウム以外のものを含んでいてもよい。
【００３５】
１−３−４．水洗工程
次に、図２に示すように、現像後の基板を現像槽から水洗槽に搬送する。現像槽と水洗槽の間にはアクアナイフが設けられている。アクアナイフは、水（好ましくは、純水）を基板に向けて噴射することによって基板上に付着している現像液を除去する。アクアナイフによって基板上の現像液を完全に除去することは困難であるが、水洗槽に持ち込まれる現像液の量を減少させることができる。なお、アクアナイフの代わりにエアナイフを設けることもできる。エアナイフは、水の代わりに空気を基板に向けて噴射することによって基板上に付着している現像液を除去する。また、アクアナイフは、省いてもよい。
【００３６】
水洗槽では、スプレーノズルを揺動させながら、水（好ましくは、純水）を基板に向けてスプレー噴射することによって、現像後の基板を水洗する。基板の水洗によって基板表面に残留している現像液が除去される。水洗の方法は、基板表面に残留している現像液の量を減少させる方法であれば特に限定されない。例えば、スプレー噴射以外の方法で水を基板表面上に供給したり、容器内に収容された水中に基板を浸したりすることによって水洗を行ってもよい。
【００３７】
１−３−５．薬液処理工程
次に、図２に示すように、水洗後の基板を薬液処理槽に搬送する。薬液処理槽では、スプレーノズルを揺動させながら、薬液を基板に向けてスプレー噴射することによって、水洗後の基板に対して薬液処理を行う。薬液処理によってレジストパターン１３がくびれ形状になる。また、本実施形態では薬液処理の前に水洗処理を行っているので現像液と薬液との接触を防ぐことができる。
【００３８】
薬液処理の方法は、レジストパターン１３をくびれ形状にできる方法であれば特に限定されない。例えば、スプレー噴射以外の方法で薬液を基板表面上に供給したり、容器内に収容された水中に基板を浸したりすることによって薬液処理を行ってもよい。薬液は、カルシウムとマグネシウムの少なくとも一方を含む水溶液からなる。従って、薬液には、カルシウムとマグネシウムのうちの一方が含まれていてもよく、両方が含まれていてもよい。また、薬液には、カルシウムやマグネシウム以外の成分が含まれていてもよい。薬液は、例えば、塩化カルシウムと塩化マグネシウムのうちの少なくとも一方を水に溶解させることによって作製することができる。また、薬液は、カルシウムの濃度が９０ｐｐｍ以上であるか、マグネシウムの濃度が２５ｐｐｍ以上であることが好ましい。この場合、レジストパターン１３がくびれ形状になりやすいからである。カルシウムの濃度は、例えば、９０，１００，１２５，１５０，１７５，２００，２５０，３００，３５０，４００，５００，６００，７００，８００，９００，１０００，２０００，５０００又は１００００ｐｐｍである。カルシウムの濃度は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲であってもよく、何れか１つの数値以上であってもよい。マグネシウムの濃度は、例えば、２５，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００，１２５，１５０，１７５，２００，２２５，２５０，２７５，３００，３５０，４００，４５０，５００，６００，７００，８００，９００，１０００，２０００，５０００又は１００００ｐｐｍである。マグネシウムの濃度は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲であってもよく、何れか１つの数値以上であってもよい。薬液の温度は、特に限定されないが、例えば、常温（２０〜２５℃）にする。
薬液中ではカルシウムやマグネシウムはイオン状態であり、薬液に含まれるカルシウムやマグネシウムの濃度は、｛（カルシウム又はマグネシウムの原子量）／溶質の化学式量｝×溶質の濃度によって求められる。溶質が塩化カルシウムであり、その濃度が２５０ｐｐｍである場合、塩化カルシウムの化学式量が１１０．９８であり、カルシウムの原子量が４０．０８なので、カルシウムの濃度は、｛４０．０８／１１０．９８｝×２５０＝９０．３ｐｐｍとなる。また、溶質が塩化マグネシウムであり、その濃度が１００ｐｐｍである場合、塩化マグネシウムの化学式量が９５．２１であり、マグネシウムの原子量が２４．３１なので、マグネシウムの濃度は、｛２４．３１／９５．２１｝×１００＝２５．５ｐｐｍとなる。
【００３９】
スプレー噴射のためのスプレーノズルの種類は、特に限定されず、一流体ノズルであっても二流体ノズルであってもよいが、二流体ノズルが好ましい。二流体ノズルを用いた場合には、レジストパターン１３にくびれ形状を生じさせるのに必要な薬液の量が少なくなるからである。スプレー噴射の際に薬液に加える圧力は、０．０３ＭＰａ以上が好ましい。この場合、レジストパターン１３がくびれ形状になりやすいからである。
【００４０】
次に、図２に示すように、薬液処理後の基板をブロアー槽に搬送する。ブロアー槽では、エアノズルから空気を基板に向けて噴射することによって基板上に残留している薬液を除去する。薬液の除去は、再度の水洗等、別の方法で行ってもよい。
次に、図２に示すように、基板をブロアー槽からベーク炉に搬送する。ベーク炉では、基板を加熱することによって水分を飛ばして乾燥させる。水分の除去は、基板の周囲圧力を減圧したり、基板を自然乾燥させたりするなど、別の方法で行ってもよい。
以上の工程で、リブ材料層１１上にくびれ形状のレジストパターン１３が形成される。
【００４１】
１−４．サンドブラスト工程
次に、レジストパターン１３をマスクとしてリブ材料層１１をサンドブラストによりリブ形状にパターニングし、図１（ｃ）に示す構造を得る。
レジストパターン１３がくびれ形状になっているのでリブ材料層１１がオーバーハング形状にパターニングされることが防止される。
パターニングによって形成されるリブ形状は、限定されず、例えば、ストライプ形、ミアンダ形、格子形又はラダー形にすることができる。
【００４２】
パターニング後にレジストパターン１３を除去する。但し、この工程を省略し、次の焼成工程でレジストパターン１３を燃焼又は気化させて除去してもよい。
【００４３】
１−５．焼成工程
次に、パターニングされたリブ材料層１１を焼成することによってリブ７を形成し、図１（ｄ）に示す構造を得る。焼成の温度は、例えば、５５０〜５９０℃である。
【００４４】
１−６．蛍光体層形成工程
次に、隣接するリブ７間の溝内に、蛍光体層（図示せず）を形成し、本実施形態に係るＰＤＰ用基板構体の製造を完了する。
【００４５】
２．ＰＤＰの製造方法
上記実施形態の方法で製造した背面側基板構体と、別途作製した、表示電極、誘電体層及び保護層等が設けられた前面側基板構体とを貼り合わされて内部に気密な放電空間を有するパネルを形成する。前面側基板構体と背面側基板構体は、表示電極とアドレス電極が直交するように貼り合わされる。
【００４６】
次に、パネルの放電空間内を排気し、その後、ネオンやキセノンなどからなる放電ガスを放電空間内に導入することによって、ＰＤＰを製造する。このＰＤＰは、前面側基板構体と背面側基板構体の間に表示電極とアドレス電極との交点で定まるマトリックス配列された複数の放電セルを有する。
【００４７】
以上の実施形態中に含まれる種々の特徴は、単独で又は組み合わせて、本発明に採用することができる。
【実施例１】
【００４８】
次に、本発明の実施例について説明する。以下の実施例では、ＤＦＲをパターンニングしてレジストパターン１３を形成し、レジストパターン１３がくびれ形状になる条件等を調べた。
【００４９】
１．レジストパターンの形成
以下の方法で、レジストパターン１３を形成した。
【００５０】
１−１．リブ材料層形成工程
まず、アドレス電極とそれを覆う誘電体層が形成されたガラス基板（以下、「基板」と称する。）上に主成分として低融点ガラス粉末、フィラー、樹脂、溶剤及び可塑剤を含有するガラスペーストを塗布し、乾燥させることによってリブ材料層１１を形成した。
【００５１】
１−２．ＤＦＲラミネート工程
次に、ラミネータ装置を用いてリブ材料層１１上にＤＦＲ（東京応化工業株式会社製、商品名ＮＢ２３５）を貼り付けた。
【００５２】
１−３．露光工程
次に、露光装置を用いて、露光マスクを介してＤＦＲが貼り付けられた基板に対して露光を行った。露光条件は、以下のようにした。
露光量：１５０ｍＪ／ｃｍ2
露光マスクの開口幅：１００μｍ
【００５３】
１−４．現像工程
次に、露光後の基板を現像槽に搬送し、スプレーノズルを揺動させながら現像液を基板にスプレー噴射することによって露光後の基板に対して現像を行った。現像液には、濃度が０．４重量％で温度が３０℃の炭酸ナトリウム水溶液を用いた。
【００５４】
１−５．水洗工程
次に、現像後の基板を現像槽から水洗槽に搬送した。現像槽と水洗槽の間ではアクアナイフから水を基板に向けて噴射することによって基板表面の現像液を除去した。
水洗槽では、スプレーノズルを揺動させながら純水を基板にスプレー噴射することによって現像後の基板の水洗を行った。
【００５５】
１−６．薬液処理工程
次に、水洗後の基板を薬液処理槽に搬送し、スプレーノズル（二流体ノズル）を揺動させながら薬液を基板にスプレー噴射することによって水洗後の基板に対して薬液処理を行った。薬液には、濃度が３００ｐｐｍで温度が２０〜２３℃の塩化カルシウム水溶液を用いた。この薬液のカルシウム濃度は、１０８．３ｐｐｍである。薬液に加えた圧力は、０．０５ＭＰａであった。薬液をスプレー噴射した時間は、３０秒であった。
次に、薬液処理後の基板をブロアー槽に搬送し、エアノズルから空気を基板に向けて噴射することによって基板上にある薬液を除去した。
次に、基板をブロアー槽からベーク炉に搬送し、基板を加熱することによって水分を飛ばして乾燥させ、レジストパターン１３を得た。
【００５６】
２．薬液処理の効果について
次に、上記方法で得られたレジストパターン１３（以下、「実施例サンプル」と呼ぶ。）がくびれ形状になっているかどうかを調べた。また、上記方法から「１−６．薬液処理工程」を省いて得られたレジストパターン１３（以下、「比較例サンプル」と呼ぶ。）がくびれ形状になっているかどうかについても調べた。くびれ形状になっているかどうかは、実施例サンプル及び比較例サンプルのそれぞれについてＳＥＭ写真を撮影して調べた。撮影したＳＥＭ写真を図３（ａ）及び（ｂ）に示す。図３（ａ）は、実施例サンプルのＳＥＭ写真であり、図３（ｂ）は、比較例サンプルのＳＥＭ写真である。図３（ａ）及び（ｂ）を比較すると、実施例サンプルではレジストパターン１３がくびれ形状になっているのに対し、比較例サンプルではレジストパターン１３がくびれ形状になっていないことが分かる。この結果は、塩化カルシウム水溶液からなる薬液を用いた薬液処理によってくびれ形状を形成することができたことを示している。
【００５７】
塩化カルシウム水溶液で薬液処理を行うとレジストパターン１３がくびれ形状になる作用はよく分かっていないが、（１）塩化ナトリウム水溶液を用いて薬液処理を行ってもくびれ形状にならない点、（２）後述するように、塩化マグネシウム水溶液を用いて薬液処理を行ってもとくびれ形状になる点から、ＣａやＭｇなどの２価のイオンが水溶液中に存在することがくびれ形状に関係していると推測される。
【実施例２】
【００５８】
（薬液組成及び濃度依存性について）
実施例２では、実施例１の条件から、薬液の組成及び濃度を表１及び表２のように変化させてレジストパターン１３を形成し、実施例１と同様の方法により、レジストパターン１３がくびれ形状になっているかどうかを調べた。その結果を表１及び表２に示す。塩化マグネシウム又は塩化カルシウムの濃度をマグネシウム又はカルシウムの濃度に変換したものも併せて示す。
【００５９】
【表１】
2008235074.tif 000003
【００６０】
【表２】
2008235074.tif 000004
【００６１】
表１によると、塩化マグネシウム濃度が１００ｐｐｍ以上（マグネシウム濃度が約２５ｐｐｍ以上）の場合にくびれ形状ができたことが分かる。また、表２によると、塩化カルシウム濃度が２５０ｐｐｍ以上（カルシウム濃度が約９０ｐｐｍ以上）の場合にくびれ形状ができたことが分かる。
【実施例３】
【００６２】
（薬液噴射時間依存性について）
実施例３では、実施例１の条件から、薬液の組成、濃度及び噴射時間を表３のように変化させてレジストパターン１３を形成し、実施例１と同様の方法により、レジストパターン１３がくびれ形状になっているかどうかを調べた。その結果を表３に示す。
【００６３】
【表３】
2008235074.tif 000005
【００６４】
表３によると、塩化マグネシウム水溶液の場合でも塩化カルシウム水溶液の場合でも薬液噴射時間が１５秒以上の場合に、レジストパターン１３がくびれ形状になったことが分かる。
【実施例４】
【００６５】
（スプレー圧依存性について）
実施例４では、実施例１の条件から、スプレー噴射のために薬液に加えた圧力を表４のように変化させてレジストパターン１３を形成し、実施例１と同様の方法により、レジストパターン１３がくびれ形状になっているかどうかを調べた。その結果を表４に示す。
【００６６】
【表４】
2008235074.tif 000006
【００６７】
表４によると、薬液に加えた圧力が０．０３ＭＰａ以上の場合にレジストパターン１３がくびれ形状になったことが分かる。このような結果が得られた理由は、必ずしも明らかではないが、薬液に加える圧力を高めると、薬液がＤＦＲとリブ材料層１１との間の界面にアタックしやすくなるためであると推測される。
【実施例５】
【００６８】
（ノズルの種類への依存性について）
実施例５では、薬液をスプレー噴射するスプレーノズルが一流体ノズルの場合と二流体ノズルの場合とで４２インチ１パネル製造で、レジストパターン１３をくびれ形状にするのに使用した薬液の量を調べた。その結果を表５に示す。二流体ノズルの場合については、レジストパターン１３は、実施例１と同様の条件で形成した。一流体ノズルの場合については、レジストパターン１３は、実施例１の条件からスプレーノズルを一流体ノズルに代えてその他は実施例１と同様の条件で形成した。
【００６９】
【表５】
2008235074.tif 000007
【００７０】
表５によると、二流体ノズルを用いることによって薬液使用量を大幅に低減することができたことが分かる。このような結果が得られた理由は、必ずしも明らかではないが、二流体ノズルを用いて薬液を噴射した場合、薬液がＤＦＲとリブ材料層１１との間の界面にアタックしやすくなるためであると推測される。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程での現像、水洗及び薬液処理ラインの構成を示す。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本発明の実施例及び比較例のレジストパターンを示すＳＥＭ写真である。
【図４】従来のＰＤＰの構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、従来のＰＤＰの背面側基板構体の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１：前面側基板構体  １ａ：前面側基板  ２：背面側基板構体  ２ａ：背面側基板  ３：表示電極  ３ａ：透明電極  ３ｂ：バス電極  ４：誘電体層  ５：保護層  ６：アドレス電極  ７：リブ  ８：蛍光体層  ９：誘電体層  １１：リブ材料層  １３：レジストパターン
【図１】
2008235074.tif 000008
【図４】
2008235074.tif 000009
【図５】
2008235074.tif 000010
【図２】
2008235074.tif 000011
【図３】
2008235074.tif 000012