(57)【要約】【課題】本発明は、ＳｉＣ材料を用いて表面に露出する結晶欠陥の影響を受けることの少ない高耐圧で低いオン抵抗の半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】ショットキーダイオードは、ＳｉＣ薄層体１のカーボン面１ａ側にショットキー電極２が形成されており、シリコン面１ｂ側にはオーミック電極３が形成されている。ＳｉＣ薄層体１は、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断し所定の厚さまで研磨して形成されており、窒素又はリンをドーピングしたものを用い低キャリア濃度に設定するとよい。また、ＳｉＣ薄層体１の厚さは、ショットキーダイオードの耐圧に応じて設定すればよく、５０μｍ以上の厚さにすることでより高耐圧の特性を持たせることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断し所定の厚さまで研磨して形成されたＳｉＣ薄層体と、ＳｉＣ薄層体に直接形成された電極層とを備えていることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記ＳｉＣ薄層体は、不純物のキャリア濃度が１０14〜１０16ｃｍ-3であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記ＳｉＣ薄層体は、表面の貫通転位の密度が１０2ｃｍ-2以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記電極層は、前記ＳｉＣ薄層体のカーボン面に形成されたショットキー電極層及び前記ＳｉＣ薄層体のシリコン面に形成されたオーミック電極層であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体素子。
【請求項５】
前記ＳｉＣ薄層体は、カーボン面にｐ型ＳｉＣ領域が形成されており、前記電極層は、前記ｐ型ＳｉＣ領域及び前記ＳｉＣ薄層体のシリコン面に形成されたオーミック電極層であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体素子。
【請求項６】
ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断してＳｉＣ薄層体を形成し、ＳｉＣ薄層体のカーボン面にショットキー電極層を形成し、ＳｉＣ薄層体のシリコン面を所定の厚さになるまで研磨し、研磨されたシリコン面にオーミック電極を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項７】
ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断してＳｉＣ薄層体を形成し、ＳｉＣ薄層体のカーボン面にｐ型ＳｉＣ領域を形成し、形成されたｐ型ＳｉＣ領域にオーミック電極層を形成し、ＳｉＣ薄層体のシリコン面を所定の厚さになるまで研磨し、研磨されたシリコン面にオーミック電極を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いた高耐圧の半導体素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電力制御に用いられる半導体素子としてＳｉＣ材料を使用した素子が注目されている。ＳｉＣ材料は、高耐圧、低損失、高速作動といった特性を備えており、大電力用のショットキーダイオードやＭＯＳＦＥＴ等の開発が進められている。
【０００３】
図６は、従来のショットキーダイオード（図６（ａ））及びｐ−ｎ接合ダイオード（図６（ｂ））に関する模式図である。ショットキーダイオード１００は、ｎ+型ＳｉＣ基板１０１の上面にｎ-型ＳｉＣ層１０２を所定の厚さエピタキシャル成長させて積層し、ｎ-型ＳｉＣ層１０２の上面に金属層からなるショットキー電極層１０３を直接形成する。そして、ｎ+型ＳｉＣ基板１０１の下面には金属層からなるオーミック電極層１０４を形成する。
【０００４】
また、ｐ−ｎ接合ダイオード２００は、ｎ+型ＳｉＣ基板２０１の上面にｎ-型ＳｉＣ層２０２を所定の厚さエピタキシャル成長させて積層し、ｎ-型ＳｉＣ層２０２の上面にｐ型ＳｉＣ層２０３を積層する。そして、ｐ型ＳｉＣ層２０３の上面に金属層からなるオーミック電極２０４を形成し、ｎ+型ＳｉＣ基板２０１の下面に金属層からなるオーミック電極層２０５を形成する。
【０００５】
こうしたＳｉＣ材料を用いた半導体素子では、順方向の電流に対するオン抵抗が低く逆方向の印加電圧に対して高耐圧であることが望ましいが、ＳｉＣ基板に結晶欠陥が多いため、上述したようにＳｉＣ基板の上面にｎ-型ＳｉＣ層を積層して表面に露出する欠陥を少なくするようにしている。また、オーミック電極を形成するためにＳｉＣ基板を高いキャリア濃度に設定されており、低いキャリア濃度のＳｉＣ層を積層することで所定の耐圧を保持することができるため、ＳｉＣ基板表面へのｎ-型ＳｉＣ層の積層が従来より行われている。
【０００６】
例えば、特許文献１では、エピタキシャル薄膜成長面が、（１１−２０）面から＜０００１＞軸を中心に［０−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向に、３度以上６０度以下、傾いた面である炭化珪素単結晶基板が記載されており、こうした基板を用いることによって、積層欠陥が非常に少なく、表面モフォロジーの優れたＳｉＣ単結晶エピタキシャル基板が得られる点が記載されている。また、特許文献２では、炭化珪素基板の表面に珪素層を成膜し、高温、減圧下で炭化珪素基板の表面に酸素ガスを供給して炭化珪素基板の表面から珪素層を除去して清浄化し、清浄化された表面に炭化珪素層をエピタキシャル成長させる点が記載されている。また、特許文献３では、炭化珪素基板上に炭化珪素からなるエピタキシャル層を形成する際に炭化珪素基板内に存在する結晶欠陥の上部を埋めるようにした点が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−３００７９７号公報
【特許文献２】特開２００３−１２４１２６号公報
【特許文献３】特開２００３−３３２５６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＳｉＣの単結晶は、図６に示すように、主要な面方位である［０００１］面と、［０００１］面に垂直な［１−１００］面及び［１１−２０］面を有しており、［０００１］面を種結晶の成長面として＜０００１＞方向に平行な方向に成長させる場合、成長結晶（ｃ面成長結晶）内には＜０００１＞方向に平行な方向にマイクロパイプ欠陥や螺旋転位等の結晶欠陥が多数発生することが知られている。また、［１１−２０］面のように［０００１］面から傾斜した面（６０〜１２０度）を成長面とした場合には、成長結晶（ａ面成長結晶）内ではマイクロパイプ欠陥や螺旋転位等の貫通転位による結晶欠陥がほとんど発生しないものの［０００１］面に平行な積層欠陥である基底面内転位が多数発生することが知られている。
【０００８】
上述したように、インゴットからスライスされて形成されたＳｉＣ基板内には多数の結晶欠陥が発生しているため、エピタキシャル成長によるＳｉＣ層を積層しているが、エピタキシャル成長を行うためには、特許文献１に記載されているように、ＳｉＣ基板表面を基底面である［０００１］面に対して傾斜した面に形成する必要があり、そのため表面に基底面内転位が露出するようになる。図８に示すように、ＳｉＣ基板１０１を用いてショットキーダイオードを製造した場合、ＳｉＣ基板１０１内には基底面内転位１０５及び貫通転位１０６が生じており、ＳｉＣ基板１０１の表面が基底面と傾斜して形成されると基底面内転位１０５が表面に露出するようになる。
【０００９】
このように基底面内転位の終端が表面に露出しているとリーク電流の原因になり、耐圧の劣化を招くもので避ける必要がある。また、基底面内転位の終端が露出したままＳｉＣ基板表面に絶縁膜として酸化膜を形成した場合に、絶縁破壊を助長するおそれがある。
【００１０】
したがって、ＳｉＣ基板内の結晶欠陥をできるだけ少なくする必要があるが、上述したようにｃ面成長結晶では貫通転位が多くなり、ａ面成長結晶では基底面内転位が多くなるため、両者の発生を同時に減少させたＳｉＣの単結晶の製造は困難なのが現状である。
【００１１】
そこで、本発明は、ＳｉＣ材料を用いて表面に露出する結晶欠陥の影響を受けることの少ない高耐圧で低いオン抵抗の半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る半導体素子は、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断し所定の厚さまで研磨して形成されたＳｉＣ薄層体と、ＳｉＣ薄層体に直接形成された電極層とを備えていることを特徴とする。さらに、前記ＳｉＣ薄層体は、不純物のキャリア濃度が１０14〜１０16ｃｍ-3であることを特徴とする。さらに、前記ＳｉＣ薄層体は、表面の貫通転位の密度が１０2ｃｍ-2以下であることを特徴とする。さらに、前記電極層は、前記ＳｉＣ薄層体のカーボン面に形成されたショットキー電極層及び前記ＳｉＣ薄層体のシリコン面に形成されたオーミック電極層であることを特徴とする。さらに、前記ＳｉＣ薄層体は、カーボン面にｐ型ＳｉＣ領域が形成されており、前記電極層は、前記ｐ型ＳｉＣ領域及び前記ＳｉＣ薄層体のシリコン面に形成されたオーミック電極層であることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る半導体素子の製造方法は、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断してＳｉＣ薄層体を形成し、ＳｉＣ薄層体のカーボン面にショットキー電極層を形成し、ＳｉＣ薄層体のシリコン面を所定の厚さになるまで研磨し、研磨されたシリコン面にオーミック電極を形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る別の半導体素子の製造方法は、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断してＳｉＣ薄層体を形成し、ＳｉＣ薄層体のカーボン面にｐ型ＳｉＣ領域を形成し、形成されたｐ型ＳｉＣ領域にオーミック電極層を形成し、ＳｉＣ薄層体のシリコン面を所定の厚さになるまで研磨し、研磨されたシリコン面にオーミック電極を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、上記のような構成を備えることで、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断し所定の厚さまで研磨して形成されたＳｉＣ薄層体を用いているので、基底面内転位が表面に露出しないため結晶欠陥による影響を少なくすることができる。そのため、エピタキシャル成長によるＳｉＣ層を積層する必要がなくＳｉＣ薄層体の表面に直接電極を形成することができ、簡単な構造の半導体素子とすることができる。
【００１６】
また、研磨により所定の厚さに形成しているので、ＳｉＣ薄層体の厚さを適宜設定することが可能となり、例えば、５０μｍ以上の厚さに設定することで高耐圧の特性を持たせることができる。従来のようなＳｉＣ基板上へのエピタキシャル成長によるＳｉＣ層の積層の場合には、層厚を厚くすることは時間がかかるとともに厚くなると結晶欠陥か多くなるため実用的ではないが、本願発明のように研磨によりＳｉＣ薄層体を所定の厚さに設定することができれば、層厚を調整して種々の高耐圧の半導体素子を容易に製造することができる。
【００１７】
また、本願発明は、ＳｉＣ薄層体が従来の半導体素子のＳｉＣ層の機能を発揮するためＳｉＣ基板を備える必要がなく、その分オン抵抗を低下させることができる。
【００１８】
また、本願発明に係る半導体素子は、ＳｉＣ薄層体における不純物のキャリア濃度と層厚により耐圧のレベルを決定することができ、キャリア濃度を１０14〜１０16ｃｍ-3とすれば、実用レベルの高耐圧にすることができる。
【００１９】
また、ＳｉＣ薄層体は、表面の貫通転位の密度が１０2ｃｍ-2以下とすれば、表面に露出する貫通転位の影響を小さくすることができる。上述したように、基底面内転位及び貫通転位は、結晶成長条件によりいずれか一方が増加すると他方が減少する関係にあり、一般に全体で１０4ｃｍ-2の結晶欠陥が存在すると言われている。そこで、本願発明では、貫通転位をできるだけ少なくして貫通転位を表面に露出しないようにし、その代わりＳｉＣ薄層体内の基底面内転位の数は増加するものの基底面内転位と平行に切断し基底面内転位の終端が表面に露出しないようにすることで、表面の結晶欠陥の影響を極力少なくすることが可能となる。そして、こうしたＳｉＣ薄層体を用いることで、製造された半導体素子の歩留りを良くすることができる。
【００２０】
貫通転位をできるだけ少なくする場合には、結晶成長させたインゴットの貫通転位をチェックして貫通転位のできるだけ少ないものを選択すればよく、貫通転位を１０2ｃｍ-2以下とした単結晶作製方法が報告されており（Nakamura et al;"Ultrahigh-quality silicon carbide single crystals", Nature 403, 1009-1012,26 August 2004）、こうした貫通転位の少ないものを選択するのが好ましい。
【００２１】
また、電極層として、ＳｉＣ薄層体のカーボン面に形成されたショットキー電極層及びＳｉＣ薄層体のシリコン面に形成されたオーミック電極層を形成することで、ショットキー障壁の高いカーボン面を電極面とすることができ、ショットキーダイオードの特性を向上させることが可能となる。
【００２２】
すなわち、従来のようにエピタキシャル成長によるＳｉＣ層の場合には、ＳｉＣ基板のシリコン面に積層していくので電極面がシリコン面となり、ショットキー障壁の高いカーボン面が利用できなかったが、本願発明では、インゴットの切断面に表出するカーボン面及びシリコン面がＳｉＣ薄層体の両面に表出していため、カーボン面をショットキー電極層の形成面に選択すればよい。
【００２３】
そして、こうしたショットキーダイオードを製造する場合には、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断してＳｉＣ薄層体を形成し、ＳｉＣ薄層体のカーボン面にショットキー電極層を形成し、ＳｉＣ薄層体のシリコン面を所定の厚さになるまで研磨し、研磨されたシリコン面にオーミック電極を形成することで、容易に製造することができる。
【００２４】
また、ＳｉＣ薄層体のカーボン面にｐ型ＳｉＣ領域を形成し、電極層として、ＳｉＣ領域及びＳｉＣ薄層体のシリコン面にオーミック電極層を形成すれば、ショットキーダイオードと同様に、カーボン面にｐ型ＳｉＣ領域を形成することで、高耐圧のｐ−ｎ接合ダイオードを得ることができる。
【００２５】
そして、こうしたｐ−ｎ接合ダイオードを製造する場合には、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断してＳｉＣ薄層体を形成し、ＳｉＣ薄層体のカーボン面にｐ型ＳｉＣ領域を形成し、形成されたｐ型ＳｉＣ領域にオーミック電極層を形成し、ＳｉＣ薄層体のシリコン面を所定の厚さになるまで研磨し、研磨されたシリコン面にオーミック電極を形成することで、容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明に係る実施形態について詳しく説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明を実施するにあたって好ましい具体例であるから、技術的に種々の限定がなされているが、本発明は、以下の説明において特に本発明を限定する旨明記されていない限り、これらの形態に限定されるものではない。
【００２７】
図１は、本発明に係る実施形態であるショットキーダイオードに関する概略断面図である。ショットキーダイオードは、ＳｉＣ薄層体１のカーボン面１ａ側にショットキー電極２が形成されており、シリコン面１ｂ側にはオーミック電極３が形成されている。
【００２８】
ＳｉＣ薄層体１は、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断し所定の厚さまで研磨して形成されており、窒素又はリンをドーピングしたものを用いキャリア濃度は１０14〜１０16ｃｍ-3に設定するとよい。また、ＳｉＣ薄層体１の厚さは、ショットキーダイオードの耐圧に応じて設定すればよく、５０μｍ以上の厚さにすることでより高耐圧の特性を持たせることができる。
【００２９】
ショットキー電極２はチタン（Ｔｉ）により形成し、オーミック電極はニッケル（Ｎｉ）により形成すればよい。ショットキー電極２の終端では、電界集中を防止するために電界緩和構造を形成してもよい。
【００３０】
ダイオードとしての特性である耐圧及びオン抵抗は、ＳｉＣ薄層体の厚さ及びキャリア濃度により適宜設定することができる。特に、研磨により厚さを容易に設定できるので、層厚の厚い高耐圧のショットキーダイオードを得ることができる。
【００３１】
図２は、本発明に係る実施形態であるｐ−ｎ接合ダイオードに関する概略断面図である。ｐ−ｎ接合ダイオードは、ＳｉＣ薄層体４のカーボン面４ａ側にアルミニウム又はボロンをドーピングしたｐ型ＳｉＣ領域５が形成されており、その上面にオーミック電極６が形成されている。シリコン面４ｂ側にはオーミック電極７が形成されている。
【００３２】
ＳｉＣ薄層体４は、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴットを基底面内転位に平行に切断し所定の厚さまで研磨して形成されており、窒素又はリンをドーピングしたものを用いキャリア濃度は１０14〜１０16ｃｍ-3に設定するとよい。また、ＳｉＣ薄層体４の厚さは、ｐ−ｎ接合ダイオードの耐圧に応じて設定すればよく、５０μｍ以上の厚さにすることでより高耐圧の特性を持たせることができる。オーミック電極については、ニッケル（Ｎｉ）により形成すればよい。
【００３３】
ダイオードとしての特性である耐圧及びオン抵抗は、ＳｉＣ薄層体の厚さ及びキャリア濃度により適宜設定することができる。特に、研磨により厚さを容易に設定できるので、層厚の厚い高耐圧のｐ−ｎ接合ダイオードを得ることができる。
【００３４】
図３は、図１に示すショットキーダイオードの製造工程に関する説明図である。まず、ｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴット１０を複数個準備し、貫通転位の少ないものを選択する。なお、貫通転位の少ない結晶成長条件が確立されている場合にはインゴットをそのまま使用すればよい。
【００３５】
インゴットの転位の発生状態をチェックする方法としては、例えば、インゴット１０全体をエッチング液に浸漬してウェットエッチングを行うことでインゴット１０内部に発生している転位の終端を表面に露出させるとよい。転位が発生している箇所はエッチング速度が速くなるため、貫通転位の場合には終端がピット状に表出し、基底面内転位の場合には終端が線状に表出するようになる。こうした転位の終端の表出箇所を光学顕微鏡等で観察し、貫通転位が少ないものを選択する。その場合、貫通転位が１０2ｃｍ-2以下のものを選択するのが好ましい。
【００３６】
次に、選択されたインゴット１０の＜０００１＞軸を特定するためにインゴット１０にＸ線照射を行い、照射したＸ線の反射を解析して特定された＜０００１＞軸に直交する切断面Ｌ１及びＬ２に沿って切断する。インゴット１０は、貫通転位１２がほとんど生じることはないが、代わりに［０００１］面に平行な基底面内転位１１が多数発生するようになる。そのため、切断面Ｌ１及びＬ２は、基底面内転位１１に平行に設定されるようになる（図３（ａ））。
【００３７】
切断された予備成形体１３は、切断により一方の面にカーボンが露出するカーボン面１３ａに形成され、他方の面にシリコンが露出するシリコン面１３ｂが形成される。そして、各面は基底面内転位１１に平行に設定されているため基底面内転位１１の終端が表面に露出する露出することがない。また、貫通転位は１０2ｃｍ-2以下となり、表面には結晶欠陥がほとんど露出していない（図３（ｂ））。
【００３８】
次に、予備成形体１３のカーボン面１３ａ側にショットキー電極としてＴｉ電極２を形成する（図３（ｃ））。そして、予備成形体１３のシリコン面１３ｂ側から研磨装置１４により所定の厚さまで研磨する（図３（ｄ））。研磨後シリコン面１３ｂにオーミック電極としてＮｉ電極３を形成する（図３（ｅ））。以上の工程によりショットキーダイオードを製造することができる。
【００３９】
ＳｉＣ薄層体の表面には結晶欠陥がほとんど露出していないため、リーク電極の発生等による耐圧低下が抑えられ、高耐圧を安定して維持することができる。
【００４０】
なお、図３に示す例では、ショットキー電極を形成した後研磨してオーミック電極を形成するようにしているが、オーミック電極の形成時の高温状態によりショットキー電極が影響を受ける場合には、最初に研磨を行ってオーミック電極を形成した後ショットキー電極を形成するようにすれば、オーミック電極の形成時の熱の影響を避けることができる。
【００４１】
図４は、図２に示すｐ−ｎ接合ダイオードの製造工程に関する説明図である。ショットキーダイオードの場合と同様に、ａ面成長結晶で作製されたｎ型ＳｉＣ結晶からなるインゴット２０を準備して切断し、予備成形体２３を作製する（図４（ａ）、（ｂ））。予備成形体２３の内部には、表面に平行な基底面内転位２１が生じているが、貫通転位２２はほとんど発生していない。次に、作製された予備成形体２３のカーボン面２３ａの一部領域にアルミニウム（Ａｌ）をドープしてｐ型ＳｉＣ領域２４を形成する（図４（ｃ））。次に、形成したｐ型ＳｉＣ領域２４の上面にオーミック電極としてＮｉ電極２５を形成する（図４（ｄ））。そして、予備成形体２３のシリコン面２３ｂ側から研磨装置２６により所定の厚さまで研磨する（図４（ｅ））。研磨後シリコン面２３ｂにオーミック電極としてＮｉ電極２６を形成する（図４（ｆ））。以上の工程によりｐ−ｎ接合ダイオードを製造することができる。
【００４２】
こうして製造されたｐ−ｎ接合ダイオードについてもＳｉＣ薄層体の表面には結晶欠陥がほとんど露出していないため、リーク電流の発生を抑えて耐圧の低下を防止して高耐圧を安定して維持することができ、ＳｉＣ薄層体の厚さやキャリア濃度を調整することで所定の特性を持たせることが可能となる。
【００４３】
以上説明した実施形態では、ショットキーダイオード及びｐ−ｎ接合ダイオードについて説明したが、これら以外の半導体素子でも本願発明のＳｉＣ薄層体を用いて製造することで、電極面の結晶欠陥の少なく高耐圧で安定した動作特性を備えた半導体素子を得ることができる。
【００４４】
例えば、図５（ａ）に示すように、ＭＯＳ構造を備えた半導体素子にＳｉＣ薄層体を用いることができる。ＭＯＳ構造を形成する場合には、ＳｉＣ薄層体３０の上面に対して酸素雰囲気中で高温アニール処理を行うことでＳｉＯ2膜３１を形成し、ＳｉＯ2膜３１の上面に金属層３２を形成することで簡単に製造することができる。このようにして、例えば、ＭＯＳ構造にＳｉＣ薄層体を用いたダイオードやＦＥＴデバイスを作製できる。
【００４５】
また、図５（ｂ）には、ＭＥＳＦＥＴに用いた場合の概略断面図を示している。上述のＳｉＣ薄層体と同様に作製したｎ型ＳｉＣ薄層体４０のカーボン面にドレイン電極４１及びソース電極４２を形成し、２つの電極の間にｐ型ＳｉＣのチャネル領域４４を形成してその上面にゲート電極４３を形成する。こうしたＭＥＳＦＥＴは、電極面に結晶欠陥が少なく高耐圧で安定した動作特性を有し、容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る実施形態に関する概略断面図である。
【図２】本発明に係る別の実施形態に関する概略断面図である。
【図３】本発明に係る実施形態の製造工程に関する説明図である。
【図４】本発明に係る別の実施形態の製造工程に関する説明図である。
【図５】本発明に係る別の実施形態に関する概略断面図である。
【図６】従来の半導体素子に関する概略断面図である。
【図７】ＳｉＣ結晶に関する説明図である。
【図８】従来の半導体素子に結晶欠陥を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１    ＳｉＣ薄層体
２    ショットキー電極
３    オーミック電極
４    ＳｉＣ薄層体
５    ｐ型ＳｉＣ領域
６    オーミック電極
７    オーミック電極
【図１】
2008235767.tif 000003
【図２】
2008235767.tif 000004
【図３】
2008235767.tif 000005
【図４】
2008235767.tif 000006
【図５】
2008235767.tif 000007
【図６】
2008235767.tif 000008
【図７】
2008235767.tif 000009
【図８】
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