(57)【要約】【課題】パッケージ同士を安定して接続できる半導体装置を提供する。【解決手段】パッケージ底面にインナーリード４ａの底面を露出させて形成した外部電極端子７ａとパッケージ側面から突出するアウターリード５ａとを備える第１半導体装置１０ａと、パッケージ底面にインナーリード４ｂの底面を露出させて形成した外部電極端子７ｂを備える第２半導体装置１０ｂとを、パッケージ底面同士を対向させて配置し、外部電極端子７ａと外部電極端子７ｂとを電気的に導通するように接合する。【選択図】図１
2008235724.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子搭載部と、前記素子搭載部に搭載された半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続する内部端子と、前記素子搭載部、前記半導体素子、および前記内部端子を樹脂封止する封止樹脂と、前記内部端子に電気的に接続する外部端子と、前記内部端子に電気的に接続する露出端子と、を有し、前記外部端子は前記封止樹脂の側面から突出しており、前記露出端子は前記封止樹脂の底面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記内部端子と前記外部端子は一体形成されており、前記露出端子は、前記封止樹脂の底面から前記内部端子の表面の一部が露出して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１もしくは２のいずれかに記載の半導体装置であって、前記素子搭載部の表面の一部が前記封止樹脂の底面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１素子搭載部と、前記第１素子搭載部に搭載された第１半導体素子と、前記第１半導体素子に電気的に接続する第１内部端子と、前記第１素子搭載部、前記第１半導体素子、および前記第１内部端子を樹脂封止する第１封止樹脂と、前記第１内部端子に電気的に接続する外部端子と、前記第１内部端子に電気的に接続する第１露出端子と、を有し、前記外部端子は前記第１封止樹脂の側面から突出しており、前記第１露出端子は前記第１封止樹脂の底面から露出している第１半導体装置と、
第２素子搭載部と、前記第２素子搭載部に搭載された第２半導体素子と、前記第２半導体素子に電気的に接続された第２内部端子と、前記第２素子搭載部、前記第２半導体素子、および前記第２内部端子を樹脂封止する第２封止樹脂と、前記第２内部端子に電気的に接続する第２露出端子と、を有し、前記第２露出端子が前記第２封止樹脂の底面から露出している第２半導体装置と、
を備え、前記第１半導体装置の前記第１封止樹脂の底面と前記第２半導体装置の前記第２封止樹脂の底面とが対向して配置され、前記第１半導体装置の前記第１露出端子と前記第２半導体装置の前記第２露出端子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置であって、前記第１半導体装置の前記第１内部端子と前記外部端子は一体形成され、前記第１露出端子は、前記第１封止樹脂の底面から前記第１内部端子の表面の一部が露出して形成されており、前記第２半導体装置の前記第２露出端子は、前記第２封止樹脂の底面から前記第２内部端子の表面の一部が露出して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４もしくは５のいずれかに記載の半導体装置であって、前記第１素子搭載部の表面の一部が前記第１封止樹脂の底面から露出し、前記第２素子搭載部の表面の一部が前記第２封止樹脂の底面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置であって、さらに、前記第１半導体装置と前記第２半導体装置との間に配置された伝導体を備え、前記第１半導体装置の前記第１露出端子と前記第２半導体装置の前記第２露出端子とが前記伝導体を介して接続されて熱が伝導する構成となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置であって、前記第１半導体装置の前記第１露出端子は、前記第１封止樹脂から露出している面の形状が凸状あるいは凹状であり、前記第２半導体装置の前記第２露出端子は、前記第２封止樹脂から露出している面の形状が凹状あるいは凸状であり、前記第１露出端子と前記第２露出端子とが嵌合していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の多機能化および小型化に伴い、半導体装置においても多機能化および薄型化が進んでいる。このような目的を達成するための半導体装置として、リードフレームのダイパッド上に、積層された半導体素子を搭載し、外形を構成する封止樹脂の側方に突出しているアウターリードをガルウィング状に折り曲げたＱＦＰパッケージが従来から知られている。また、このＱＦＰパッケージに対して、アウターリードを無くし、母基板との電気的接続を行うための外部電極端子を半導体装置の底面側に設けたＱＦＮパッケージも従来から知られている。
【０００３】
以下、ＱＦＰパッケージについて詳細に説明する。図９は従来の半導体装置（ＱＦＰパッケージ）の構成を示す図であり、（ａ）は該半導体装置を上面側から見た平面図、（ｂ）は該半導体装置の側面図、（ｃ）は該半導体装置の内部構成の概略を示す断面図、（ｄ）は該半導体装置の内部構成の概略を示す平面図である。
【０００４】
図９に示すように、該半導体装置（ＱＦＰパッケージ）は、リードフレームのダイパッド１３上に四辺形の第１半導体素子１１が載置され、その第１半導体素子１１上に四辺形の第２半導体素子１２が積層されている。また、ダイパッド１３には、対角線方向に沿って外方に伸びる４本の吊りリード１８が接続されている。
【０００５】
また、隣り合う吊りリード１８の間には、一端が第１半導体素子１１および第２半導体素子１２の辺に対向して配置されたリードフレームのインナーリード１５が設けられている。また、第１半導体素子１１および第２半導体素子１２とインナーリード１５とは金属細線１４により電気的に接続されている。
【０００６】
また、第１半導体素子１１、第２半導体素子１２、ダイパッド１３、金属細線１４、インナーリード１５、および吊りリード１８はモールド樹脂体１７により樹脂封止されており、このモールド樹脂体１７により該半導体装置の外形が構成されている。また、リードフレームのアウターリード１６は、モールド樹脂体１７の側方に突出しており、ガルウィング状に折り曲げられている。
【０００７】
次に、該半導体装置（ＱＦＰパッケージ）の製造方法について説明する。
まず、導電性板状部材をエッチング加工またはプレス加工して、ダイパッド１３と、４本の吊りリード１８と、複数本のリード部とを一体として形成し、リードフレームを作製する。次に、吊りリード１８の曲げ部を形成するためのプレス加工を行う。次に、ダイパッド１３の素子搭載面に第２半導体素子１２が積層された第１半導体素子１１を載置し、導電性接着剤を用いて固定する。
【０００８】
次に、第１半導体素子１１および第２半導体素子１２の電極パッド１１ａおよび電極パッド１２ａとインナーリード１５とを金属細線１４を用いて接続する。次に、第１半導体素子１１、第２半導体素子１２、ダイパッド１３、金属細線１４、インナーリード１５、および吊りリード１８を、モールド樹脂体１７を用いて樹脂封止する。次に、アウターリード１６の先端部を切り離し、ガルウィング状に折り曲げて、ＱＦＰパッケージを得る。
【０００９】
一方、ＱＦＮパッケージは、上記したＱＦＰパッケージの製造方法に対して、インナーリードの底面がモールド樹脂体から露出するように樹脂封止し、インナーリードの先端面とモールド樹脂体の側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、製造することができる。
【００１０】
以上のように、積層された半導体素子を単一のパッケージの中に搭載することにより、半導体装置の多機能化および薄型化を図ることが可能となる。しかしながら、このような半導体装置は、積層する半導体素子の大きさが同じ場合には、各々の半導体素子から電気信号を取り出すための金属細線を形成することが難しく、また多くの加工工程が必要となる。さらに、半導体素子の大きさが異なる場合であっても、半導体素子の組み合わせが異なる半導体装置ごとに、安定した品質にするための製造条件や特性検査の条件を設計する必要がある。
【００１１】
そこで、積層された半導体素子を単一のパッケージの中に搭載するのではなく、1個の半導体素子を搭載したＱＦＰパッケージ同士を接続するとともに、一方のパッケージを配線基板に設けた凹部内に収めることで、多機能化を図るとともに、半導体モジュール全体としての厚みを薄くする半導体モジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。詳しくは、図１０に示すように、アウターリード２２ａ、２２ｂが相互に反対方向となるガルウィング状に形成された１対の半導体装置（ＱＦＰパッケージ）２１ａ、２１ｂを、アウターリード２２ａ、２２ｂを重ね合わせて接続する。この従来の半導体装置によれば、特性の確認ができている安定した品質のパッケージ同士を組み合わせることができ、半導体素子の組み合わせを変更するごとに、製造条件や特性検査の条件を設計する必要がなくなる。
【００１２】
しかしながら、この従来の半導体装置は、２個のＱＦＰパッケージ分の厚みを有しており、半導体装置自体の厚みを薄くするものではないため、一方のパッケージを収める凹部が設けられた専用の配線基板を用意しなければ、半導体モジュール全体としての厚みを減ずることができない。また、アウターリード同士を接続する工程が不安定となる。
【特許文献１】特開平７−３１２４１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記問題点に鑑み、特性の確認ができている安定した品質のパッケージ同士を組み合わせることができ、且つ半導体装置自体の厚みを減ずることができ、さらにパッケージ同士を安定して接続できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の請求項１記載の半導体装置は、素子搭載部と、前記素子搭載部に搭載された半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続する内部端子と、前記素子搭載部、前記半導体素子、および前記内部端子を樹脂封止する封止樹脂と、前記内部端子に電気的に接続する外部端子と、前記内部端子に電気的に接続する露出端子と、を有し、前記外部端子は前記封止樹脂の側面から突出しており、前記露出端子は前記封止樹脂の底面から露出していることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置であって、前記内部端子と前記外部端子は一体形成されており、前記露出端子は、前記封止樹脂の底面から前記内部端子の表面の一部が露出して形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項３記載の半導体装置は、請求項１もしくは２のいずれかに記載の半導体装置であって、前記素子搭載部の表面の一部が前記封止樹脂の底面から露出していることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項４記載の半導体装置は、
第１素子搭載部と、前記第１素子搭載部に搭載された第１半導体素子と、前記第１半導体素子に電気的に接続する第１内部端子と、前記第１素子搭載部、前記第１半導体素子、および前記第１内部端子を樹脂封止する第１封止樹脂と、前記第１内部端子に電気的に接続する外部端子と、前記第１内部端子に電気的に接続する第１露出端子と、を有し、前記外部端子は前記第１封止樹脂の側面から突出しており、前記第１露出端子は前記第１封止樹脂の底面から露出している第１半導体装置と、
第２素子搭載部と、前記第２素子搭載部に搭載された第２半導体素子と、前記第２半導体素子に電気的に接続された第２内部端子と、前記第２素子搭載部、前記第２半導体素子、および前記第２内部端子を樹脂封止する第２封止樹脂と、前記第２内部端子に電気的に接続する第２露出端子と、を有し、前記第２露出端子が前記第２封止樹脂の底面から露出している第２半導体装置と、
を備え、前記第１半導体装置の前記第１封止樹脂の底面と前記第２半導体装置の前記第２封止樹脂の底面とが対向して配置され、前記第１半導体装置の前記第１露出端子と前記第２半導体装置の前記第２露出端子とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項５記載の半導体装置は、請求項４記載の半導体装置であって、前記第１半導体装置の前記第１内部端子と前記外部端子は一体形成され、前記第１露出端子は、前記第１封止樹脂の底面から前記第１内部端子の表面の一部が露出して形成されており、前記第２半導体装置の前記第２露出端子は、前記第２封止樹脂の底面から前記第２内部端子の表面の一部が露出して形成されていることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項６記載の半導体装置は、請求項４もしくは５のいずれかに記載の半導体装置であって、前記第１素子搭載部の表面の一部が前記第１封止樹脂の底面から露出し、前記第２素子搭載部の表面の一部が前記第２封止樹脂の底面から露出していることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の請求項７記載の半導体装置は、請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置であって、さらに、前記第１半導体装置と前記第２半導体装置との間に配置された伝導体を備え、前記第１半導体装置の前記第１露出端子と前記第２半導体装置の前記第２露出端子とが前記伝導体を介して接続されて熱が伝導する構成となっていることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の請求項８記載の半導体装置は、請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置であって、前記第１半導体装置の前記第１露出端子は、前記第１封止樹脂から露出している面の形状が凸状あるいは凹状であり、前記第２半導体装置の前記第２露出端子は、前記第２封止樹脂から露出している面の形状が凹状あるいは凸状であり、前記第１露出端子と前記第２露出端子とが嵌合していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、特性の確認ができている安定した品質のパッケージ同士を組み合わせることができ、且つ半導体装置自体の厚みを減ずることができ、さらにパッケージ同士を安定して接続できる。よって、半導体素子を積層することなく、パッケージの組み合わせを変更することにより、簡単に半導体装置の機能を変えることができ、半導体装置の多機能化を図ることができる。また、品質の安定が保たれる。
【００２３】
また、従来の半導体装置の製造ラインを流用することができ、容易に製造することができる。また、パッケージの組み合わせを変更するだけで、機能の異なる半導体装置を容易に製造することができる。
【００２４】
また、外部端子を折り曲げる方向を変えるだけで、第１半導体装置と第２半導体装置の接合方向を変えることができるので、放熱性を高める必要がある半導体素子を搭載した半導体装置を配線基板側に配置することができ、配線基板に放熱効果を高める手段を具備せしめることで、放熱性を高める必要がある半導体素子の放熱効果を高めることができる。
【００２５】
また、素子搭載部の表面の一部を封止樹脂から露出させることで、半導体素子の放熱効果を高めることができる。また、第１半導体装置と第２半導体装置との間に伝導体を配置することで、半導体素子の放熱効果を高めることができる。
【００２６】
さらに、従来の半導体装置の形態と変わらない半導体装置の形態となるため、従来と変わらない取り扱いで、半導体装置を配線基板に実装することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の実施の形態に係る半導体装置について、図面に基づいて説明する。
図１は本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は該半導体装置を上面側から見た平面図、（ｂ）は該半導体装置の側面図、（ｃ）は該半導体装置の内部構成の概略を示す断面図である。
【００２８】
図１に示すように、該半導体装置は、第１半導体装置１０ａと第２半導体装置１０ｂを接合してなる。まず、上側に配置された第１半導体装置１０ａについて説明する。図２は第１半導体装置１０ａの構成を示す図であり、（ａ）は第１半導体装置１０ａを上面側から見た平面図、（ｂ）は第１半導体装置１０ａの側面図、（ｃ）は第１半導体装置１０ａの内部構成の概略を示す断面図、（ｄ）は第１半導体装置１０ａを底面側から見た平面図である。
【００２９】
図２に示すように、第１半導体装置１０ａは、外形を構成するモールド樹脂体（第１封止樹脂）６ａの側面から側方に突出するリードフレームのアウターリード（外部端子）５ａが、パッケージ底面側にガルウィング状に折り曲げられたＱＦＰパッケージの構成をしている。
【００３０】
すなわち、この第１半導体装置１０ａは、リードフレームのダイパッド（第１素子搭載部）２ａ上に半導体素子（第１半導体素子）１ａが搭載されている。また、ダイパッド２ａは、図示しない複数本の吊りリードにより支持されている。また、隣り合う吊りリードの間には、一端が半導体素子１ａの辺に対向して配置されたリードフレームのインナーリード（第１内部端子）４ａが設けられている。また、半導体素子１ａ上に形成されている図示しない電極部とインナーリード４ａとは金属細線３ａにより電気的に接続されている。また、半導体素子１ａ、ダイパッド２ａ、金属細線３ａ、インナーリード４ａ、および吊りリードはモールド樹脂体６ａにより樹脂封止されており、このモールド樹脂体６ａにより第１半導体装置１０ａの外形が構成されている。
【００３１】
また、上述したように、インナーリード４ａと一体形成されているアウターリード５ａは、モールド樹脂体６ａの側面から側方に突出しており、パッケージ底面側にガルウィング状に折り曲げられている。
【００３２】
また、リードフレームのダイパッド２ａ、吊りリード、インナーリード４ａ、およびアウターリード５ａは導電性部材からなる。また、半導体素子１ａは、導電性接着剤を用いてダイパッド２ａの素子搭載面に固着されている。
【００３３】
また、この第１半導体装置１０ａの外周部の底面側（モールド樹脂体６ａにより構成される外形の外周部の底面側）からは、インナーリード４ａの表面の一部（底面の少なくとも一部）が露出しており、この露出した部分が外部電極端子（第１露出端子）７ａを形成している。
【００３４】
続いて、下側に配置された第２半導体装置１０ｂについて説明する。図３は第２半導体装置１０ｂの構成を示す図であり、（ａ）は第２半導体装置１０ｂを上面側から見た平面図、（ｂ）は第２半導体装置１０ｂを底面側から見た平面図、（ｃ）は第２半導体装置１０ｂの内部構成の概略を示す断面図である。
【００３５】
図３に示すように、第２半導体装置１０ｂは、上記した第１半導体装置１０ａに対して、リードフレームのアウターリードを無くしたＱＦＮパッケージの構成をしている。すなわち、この第２半導体装置１０ｂは、リードフレームのダイパッド（第２素子搭載部）２ｂ上に半導体素子（第２半導体素子）１ｂが搭載されている。また、ダイパッド２ｂは、図示しない複数本の吊りリードにより支持されている。また、隣り合う吊りリードの間には、一端が半導体素子１ｂの辺に対向して配置されたリードフレームのインナーリード（第２内部端子）４ｂが設けられている。また、半導体素子１ｂ上に形成されている図示しない電極部とインナーリード４ｂとは金属細線３ｂにより電気的に接続されている。また、半導体素子１ｂ、ダイパッド２ｂ、金属細線３ｂ、インナーリード４ｂ、および吊りリードはモールド樹脂体（第２封止樹脂）６ｂにより樹脂封止されており、このモールド樹脂体６ｂにより第２半導体装置１０ｂの外形が構成されている。
【００３６】
また、リードフレームのダイパッド２ｂ、吊りリード、およびインナーリード４ｂは導電性部材からなる。また、半導体素子１ｂは、導電性接着剤を用いてダイパッド２ｂの素子搭載面に固着されている。
【００３７】
また、この第２半導体装置１０ｂの外周部の底面側（モールド樹脂体６ｂにより構成される外形の外周部の底面側）からは、インナーリード４ｂの表面の一部（底面の少なくとも一部）が露出しており、この露出した部分が外部電極端子（第２露出端子）７ｂを形成している。
【００３８】
以上説明した、パッケージ底面側に折り曲げられたアウターリード５ａを持つ第１半導体装置１０ａと、アウターリードを持たない第２半導体装置１０ｂとを、パッケージ底面（モールド樹脂体６ａ、６ｂの底面）同士を対向させて配置して、第１半導体装置１０ａの外部電極端子７ａと第２半導体装置１０ｂの外部電極端子７ｂとを電気的に導通するように接合することで、図１に示す半導体装置を得ることができる。
【００３９】
図１に示す半導体装置は、半導体素子１ａと半導体素子１ｂとが外部電極端子７ａ、７ｂ、インナーリード４ａ、４ｂ、および金属細線３ａ、３ｂを介して電気的に接続され、第１半導体装置１０ａのアウターリード５ａから外部へ電気信号を取り出す構成となる。よって、積層された半導体素子を単体の半導体装置に搭載した構成と同様の構成となる。
【００４０】
このように、該半導体装置は、アウターリードを持たず、パッケージ底面に外部電極端子を備えたＱＦＮパッケージと、アウターリードを持つ上、パッケージ底面に外部電極端子を備えたＱＦＰパッケージとで構成され、パッケージ底面から露出している外部電極端子同士を接合した後の半導体装置の形態は、ＱＦＰパッケージの形態となる。
【００４１】
なお、図２に示す第１半導体装置１０ａを上側に配置する場合、第１半導体装置１０ａのアウターリード５ａを、第１半導体装置１０ａのパッケージ底面側に折り曲げた形状にして、図３に示す第２半導体装置１０ｂを天地の方向を逆にして下側に配置することが望ましい。
【００４２】
また、第１半導体装置１０ａの外部電極端子７ａと第２半導体装置１０ｂの外部電極端子７ｂの数を等しくするとともに、外部電極端子７ａと外部電極端子７ｂの平面視形状の寸法を等しくして、外部電極端子７ａ、７ｂを合致させることが望ましい。
【００４３】
続いて、本発明の実施の形態に係る半導体装置の変形例について、図面に基づいて説明する。図４は本発明の実施の形態に係る半導体装置の第１変形例を説明するための図であり、第１半導体装置と第２半導体装置それぞれの断面を示している。但し、図１ないし図３に基づいて説明した部材と同一の部材には同一符号を付して、説明を省略する。
【００４４】
図４に示すように、この半導体装置は、第１半導体装置１０ａのアウターリード５ａを、第１半導体装置１０ａのパッケージ底面側とは反対側に折り曲げたガルウィング形状にして、第１半導体装置１０ａを天地の方向を逆にして下側に配置し、第２半導体装置１０ｂを上側に配置して、それぞれのパッケージ底面を対向配置している点が、図１に示す半導体装置と異なる。
【００４５】
この構成は、第１半導体装置１０ａが高放熱性を必要とする半導体素子１ａを搭載している場合に有効である。すなわち、この構成によれば、配線基板に実装したときに、高放熱性を必要とする半導体素子１ａを搭載した第１半導体装置１０ａが配線基板側になるので、配線基板に放熱効果を高める手段を具備せしめることで、第１半導体装置１０ａに搭載された半導体装置１ａの放熱効果を高めることができる。したがって、図１に示す半導体装置の構成は、第２半導体装置１０ｂが高放熱性を必要とする半導体素子１ｂを搭載している場合に有効である。
【００４６】
続いて、本発明の実施の形態に係る半導体装置の第２変形例について、図面に基づいて説明する。図５は本発明の実施の形態に係る半導体装置の第２変形例を説明するための図であり、（ａ）は第１半導体装置と第２半導体装置それぞれの断面を示す図、（ｂ）は第１半導体装置を底面側から見た平面図、（ｃ）は第２半導体装置を底面側から見た平面図である。但し、図１ないし図４に基づいて説明した部材と同一の部材には同一符号を付して、説明を省略する。
【００４７】
図５に示すように、この半導体装置は、第１半導体装置１０ａと第２半導体装置１０ｂのダイパッド２ａ、２ｂの表面の一部（底面）がそれぞれモールド樹脂体６ａ、６ｂの底面から露出している点が、図１に示す半導体装置と異なる。
【００４８】
この半導体装置は、パッケージ底面から露出しているダイパット２ａ、２ｂおよび外部電極端子７ａ、７ｂがそれぞれ電気的に導通するように接合されている。この構成によれば、パッケージ底面から露出しているダイパット２ａ、２ｂを介して、第１半導体装置１０ａのアウターリード５ａによる放熱効果を得られる。
【００４９】
続いて、本発明の実施の形態に係る半導体装置の第３変形例について、図面に基づいて説明する。図６は本発明の実施の形態に係る半導体装置の第３変形例を説明するための図であり、第１半導体装置と第２半導体装置それぞれの断面を示している。但し、図１ないし図５に基づいて説明した部材と同一の部材には同一符号を付して、説明を省略する。
【００５０】
図６に示すように、この半導体装置は、第１半導体装置１０ａと第２半導体装置１０ｂとの間に、放熱効果を高める手段として放熱効果のある伝導体８を介在させている点が、図５に示す半導体装置と異なる。
【００５１】
この半導体装置は、伝導体８が、第１半導体装置１０ａと第２半導体装置１０ｂのパッケージ底面から露出しているダイパット２ａ、２ｂおよび外部電極端子７ａ、７ｂに接合しており、外部電極端子７ａと外部電極端子７ｂおよびダイパッド２ａとダイパッド２ｂが伝導体８を介して接続されて熱が伝導する構成となっている。
【００５２】
伝導体８の大きさは、第１半導体装置１０ａおよび第２半導体装置１０ｂの大きさまでとし、外部電極端子７ａ、７ｂと接合できる範囲とする。伝導体８の材質は、放熱性を考慮した材質とし、特に材質の指定はしないが、伝導体８の表面は、第１半導体装置１０ａと第２半導体装置１０ｂとの接合に際して、それぞれのパッケージ底面から露出している外部電極端子７ａ、７ｂおよびダイパット２ａ、２ｂがそれぞれ電気的に独立できる材質と構造にする。
【００５３】
この構成によれば、パッケージ底面から露出しているダイパット２ａ、２ｂおよび外部電極端子７ａ、７ｂを介して、第１半導体装置１０ａのアウターリード５ａによる放熱効果を、図５に示す構成に比べてより得ることができる。
【００５４】
続いて、本発明の実施の形態に係る半導体装置の第４変形例について、図面に基づいて説明する。図７、図８は本発明の実施の形態に係る半導体装置の第４変形例を説明するための図であり、図７（ａ）、図８（ａ）は第１半導体装置と第２半導体装置それぞれの断面を示す図、図７（ｂ）、図８（ｂ）は第１半導体装置と第２半導体装置を接合した状態の断面を示す図である。但し、図１ないし図６に基づいて説明した部材と同一の部材には同一符号を付して、説明を省略する。
【００５５】
図７、図８に示すように、この半導体装置は、第１半導体装置１０ａの外部電極端子７ａのパッケージ底面から露出している面の形状が凹状（図７）あるいは凸状（図８）をしており、第２半導体装置１０ｂの外部電極端子７ｂのパッケージ底面から露出している面の形状が凸状（図７）あるいは凹状（図８）をしており、外部電極端子７ａと外部電極端子７ｂが嵌合して接合している点が、図１に示す半導体装置と異なる。このように外部電極端子７ａ、７ｂのパッケージ底面から露出している面の形状を互いに凸凹状にすることで、外部電極端子同士の接合の際の位置ずれを防止することができる。
【００５６】
凹凸の形状は、リードフレーム作成時にエッチング加工およびプレス加工により形成することができる。なお。凹凸の形状は、図７、図８では四角形であるが、これに限定されるものではなく、また凹凸の大きさにも制約はなく、外部電極端子同士を嵌合できればよい。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明にかかる半導体装置は、特性の確認ができている安定した品質のパッケージ同士を組み合わせることができ、且つ半導体装置自体の厚みを減ずることができ、さらにパッケージ同士を安定して接続でき、多機能を要する半導体装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す図
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の一部をなす第１半導体装置の構成を示す図
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の一部をなす第２半導体装置の構成を示す図
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第１変形例を説明するための図
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第２変形例を説明するための図
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第３変形例を説明するための図
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第４変形例を説明するための図
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第４変形例を説明するための図
【図９】従来の半導体装置の構成を示す図
【図１０】従来の半導体装置の構成を示す図
【符号の説明】
【００５９】
１ａ、１ｂ    半導体素子
２ａ、２ｂ    ダイパッド
３ａ、３ｂ    金属細線
４ａ、４ｂ    インナーリード
５ａ    アウターリード
６ａ、６ｂ    モールド樹脂体
７ａ、７ｂ    外部電極端子
８      伝導体
１０ａ    第１半導体装置
１０ｂ    第２半導体装置
１１      第１半導体素子
１１ａ    電極パッド
１２      第２半導体素子
１２ａ    電極パッド
１３      ダイパッド
１４      金属細線
１５      インナーリード
１６      アウターリード
１７      モールド樹脂体
１８      吊りリード
２１ａ、２１ｂ    半導体装置
２２ａ、２２ｂ    アウターリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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