(57)【要約】【課題】超電導ソレノイドコイルの感度を向上させたＮＭＲプローブコイルを提供する。【解決手段】超電導ソレノイドコイルと超電導１ターンコイルをそれぞれ単体で、実際に使用する周波数よりも高い周波数に共振させる。ソレノイドコイル５１−２，５１−３の軸方向に、１ターンコイル５１−１，５１−４を超電導薄膜面が平行となるように配置する。超電導１ターンコイルは、ソレノイドコイルと電気的に接続せず、給電もしない。入力インピーダンスの周波数特性に現れる２つの共振ピークのうち、低い周波数のピークが実際に使用する周波数と一致するように、それぞれのコイルに装荷したキャパシタの容量を調整する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
核磁気共鳴装置の発生する静磁場中に置かれた試料に対して、所定の共鳴周波数で高周波信号の送信と自由誘導減衰（ＦＩＤ）信号の受信を行うＮＭＲプローブコイルにおいて、
超電導薄膜から構成されるソレノイドコイルと超電導薄膜から構成される無給電の１ターンコイルとが積層された構造を有することを特徴とするＮＭＲプローブコイル。
【請求項２】
請求項１記載のＮＭＲプローブコイルにおいて、前記ソレノイドコイル及び前記１ターンコイルにはキャパシタが装荷され、入力インピーダンスの周波数特性において現れる２つの共振ピークのうち低い周波数のピークが使用周波数に一致することを特徴とするＮＭＲプローブコイル。
【請求項３】
請求項１記載のＮＭＲプローブコイルにおいて、２個の前記１ターンコイルが前記ソレノイドコイルを挟んで積層されていることを特徴とするＮＭＲプローブコイル。
【請求項４】
静磁場を発生させるための超電導マグネットと、
前記静磁場中に置かれた試料に対して前記静磁場と直交する方向に所定の共鳴周波数で高周波信号を送信、及び自由誘導減衰（ＦＩＤ）信号を受信するためのＮＭＲプローブコイルとを備え、
前記ＮＭＲプローブコイルは、超電導薄膜から構成されるソレノイドコイルと超電導薄膜から構成される無給電の１ターンコイルとが積層された構造を有し、前記薄膜の膜面が前記静磁場の方向に平行になるように配置されていることを特徴とする核磁気共鳴装置。
【請求項５】
請求項４記載の核磁気共鳴装置において、前記ＮＭＲプローブコイルは、入力インピーダンスの周波数特性において現れる２つの共振ピークのうち低い周波数のピークが使用周波数に一致することを特徴とする核磁気共鳴装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、核磁気共鳴装置、及び核磁気共鳴装置の均一磁場中に置かれた試料に対して、所定の共鳴周波数で高周波信号を送信、及び自由誘導減衰（ＦＩＤ）信号を受信するためのＮＭＲプローブコイルに関する。
【背景技術】
【０００２】
核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光における分解能を高める目的で、均一な高磁場（Ｂ0）下で、高い共鳴周波数の高周波信号を印加できるＮＭＲ装置が開発されている。１０テスラ（Ｔ）以上の高磁場を発生するために、超電導マグネットが一般的に使われる。現在では、タンパク質の構造解析を主要な目的とした高磁場ＮＭＲ装置が開発されており、２１．６Ｔ（水素原子核の核磁気共鳴周波数９２０ＭＨｚ）のＮＭＲ装置が作られている。高精度に分析するためには、磁場強度の均一度は高くする必要があり、ＮＭＲ計測の対象となる測定試料の存在する領域におけるばらつきは１０-9以下が望まれる。
【０００３】
一方、印加した高周波パルスに対応して発生する自由誘導減衰（ＦＩＤ）信号を受信するプローブには、高い感度が求められる。これはタンパク質のように、試料の量が少ない場合は、ＦＩＤ信号強度がとくに低く、測定に長時間を要してしまうためである。プローブの主要なノイズは、共鳴器を構成するプローブの電気抵抗に起因して発生し、温度と材料の高周波損失抵抗に依存する。このノイズを下げるために、米国特許第５２４７２５６号に記載されているように、低温下にプローブコイルやプリアンプを設置する他に、最近では、高周波損失抵抗が銅などの通常金属に比較して２桁以上低い高温超電導体が使われている。高温超電導体をプローブコイルに用いた例は、米国特許５５８５７２３号に示されている。超電導体としては薄膜が用いられ、膜面は静磁場の方向と水平に配置する必要がある。これは静磁場と直交する方向に超電導体の膜面があると、超電導体の完全反磁性の特性により静磁場強度の均一度を劣化させるためである。また、プローブコイルに給電したときに、コイル中心に発生する高周波磁場は静磁場と直交するように、プローブコイルを配置する必要がある。また、測定試料の入ったサンプル管は鉛直方向に挿入される。鉛直方向に静磁場を発生する超電導マグネットを用いたＮＭＲ装置は「鉛直型ＮＭＲ装置」と呼ばれる。一方、水平方向に静磁場を発生する超電導マグネットを用いるＮＭＲ装置は「水平型ＮＭＲ装置」と呼ばれ、「水平型ＮＭＲ装置」でプローブコイルとして用いられる超電導ソレノイド型コイルの具体的構造が、特開２００５−３４３５号公報に示されている。
【０００４】
図１は、特開２００５−３４３５号公報に示された水平型ＮＭＲ装置でプローブコイルとして用いられる超電導ソレノイド型コイルの一例の配置を示す斜視図である。静磁場の方向３が水平方向である水平型ＮＭＲ装置では、プローブコイルとしては、図１に示すようなソレノイドコイル１１が用いられる。ソレノイドコイル１１は、４つの超電導薄膜１１−１〜１１−４から構成される。超電導薄膜１１−１〜１１−４は、平面基板上に形成した膜で作成した平板ドーナッツ状超電導薄膜の面が均一磁場の方向３に平行になるように配置されている。膜面を静磁場に平行にするのは、反磁性である超電導体をコイルに用いてもＮＭＲ装置の均一磁場が乱れないようにするためである。平板ドーナッツ状超電導薄膜は円周上の一部が切り離されており、その両端にはキャパシタが形成されている。超電導薄膜はこれらキャパシタを介して金属リードと容量性結合しており、複数の平板ドーナッツ状超電導薄膜を金属リードにより接続、ソレノイドコイルとして機能する。超電導薄膜と金属リードは、超音波ボンディング技術などを用いて、キャパシタを介さずに直接接続される場合もある。コイルに給電したときにコイル中心に発生する高周波磁場はｙ方向であり、静磁場の方向３と直交する。図１に示したソレノイドコイルでは、金属リード１５により４つの超電導薄膜が直列に接続されている。金属リードの導体材料としては、導電率の高い常伝導体である銅や金や銀などを用いる。
【０００５】
図２は、図１と同様に４つの超電導薄膜１１−１〜１１−４から構成されるソレノイドコイルであるが、金属リードの配線が図１に示したものと異なり、金属リード１５により４つの超電導薄膜が並列に接続されている。図３は、同様に４つの超電導薄膜１１−１〜１１−４から構成されるソレノイドコイルであるが、金属リード１５により超電導薄膜１１−１と１１−２、並びに、１１−３と１１−４は直列に接続されており、さらにそれらが並列に接続されている。図２、図３に示したソレノイドコイルも、図１に示したものと同様に、４つの超電導薄膜を接続する金属リードとしては常伝導材料を用いている。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５２４７２５６号明細書
【特許文献２】米国特許第５５８５７２３号明細書
【特許文献３】特開２００５−３４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＮＭＲ装置で、主に用いられているマグネットの磁場強度は７Ｔ〜２１Ｔであり、水素原子核の核磁気共鳴周波数は約３００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚである。３００〜９００ＭＨｚの周波数で、低温下における常伝導体の導電率は超電導体のそれより２桁以上低い。４つの超電導薄膜を接続する金属リードの材料の材料として超電導材料を使用することができれば、ソレノイドコイルの感度をさらに向上させることができるが、金属リードの材料として超電導材料を用いることは困難である。これは、４つの超電導薄膜を接続するリードを、全て薄膜で形成し、かつ、薄膜表面が均一磁場の方向に平行になるように配置することは実装上困難なためである。すなわち、リードの材料として超電導材料を用いると、必ず、超電導体表面が均一磁場の方向と直交する部分が存在する。超電導体表面が均一磁場の方向と直交すると、マイスナー効果により、静磁場を大きく乱し、ＮＭＲ信号計測が困難となる。３００〜９００ＭＨｚの周波数において、常伝導体（金属リード）の導電率は超電導体のそれより２桁以上低い。このため、水平型ＮＭＲ装置用の超電導ソレノイド型コイルにおいては、超電導薄膜を接続する金属リード（常伝導体）部分の抵抗の損失によって感度が低下するという問題点があった。
【０００８】
本発明は、均一磁場中に置かれた試料に対して、所定の共鳴周波数で高周波信号を送信、及び自由誘導減衰（ＦＩＤ）信号を受信するために用いられるソレノイドコイルの感度の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のＮＭＲプローブコイルでは、超電導ソレノイドコイルと超電導１ターンコイルをそれぞれ単体で、実際に使用する周波数よりも高い周波数に共振させる。ソレノイドコイルの軸方向に、１ターンコイルを超電導薄膜面が平行となるように配置する。このとき、超電導１ターンコイルには給電しない。また、ソレノイドコイルと電気的に接続しない。このとき、入力インピーダンスの周波数特性を観察すると、２つの共振ピークが現れる。そして、２つの共振ピークのうち、低い周波数のピークが実際に使用する周波数と一致するように、ソレノイドコイルと１ターンコイルの単体の時の共振周波数をそれぞれのコイルに装荷したキャパシタの容量を調整し、ＮＭＲプローブコイルとして使用する。
【００１０】
本発明の核磁気共鳴装置は、前記ＮＭＲプローブコイルを、コイル薄膜の膜面が静磁場の方向に平行になるように配置して用いる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、均一磁場中に置かれた試料に対して、所定の共鳴周波数で高周波信号を送信、及び自由誘導減衰（ＦＩＤ）信号を受信するために用いられるソレノイドコイルの感度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
［第１の実施例］
図４は、本発明の第１の実施例のＮＭＲ装置（水平型ＮＭＲ装置）の概略構成を示す図である。ＮＭＲ装置は、２つに分割された超電導マグネット３０−１，３０−２により、１４．１テスラ（水素原子核の核磁気共鳴周波数６００ＭＨｚ）の均一磁場Ｂ0を水平方向に発生する。静磁場の向きをｚ方向とする。この静磁場内にプローブコイル３４を１０Ｋまで冷却できる低温プローブ３３を設置して、低温プローブの断熱された内側に試料を入れた内径５ｍｍのガラス管３２を挿入する。測定試料の入ったサンプル管は鉛直方向に挿入される。
【００１３】
プローブコイルとしては、図５に示すように、４つの超電導薄膜５１−１〜５１−４から構成されるソレノイドコイル５１を用いた。図５（ａ）は、ソレノイドコイル５１の斜視図である。超電導薄膜５１−１〜５１−４は平面基板上に形成した膜で作成した平板ドーナッツ状超電導薄膜の面が均一磁場の方向（ｚ方向）に平行になるように配置されている。膜面を静磁場に平行にするのは、反磁性である超電導体をコイルに用いてもＮＭＲ装置の均一磁場が乱れないようにするためである。平板ドーナッツ状超電導薄膜５１−２，５１−３は円周上の一部が切り離されており、その両端には、図１５に示すようにキャパシタ１５１が形成されている。超電導薄膜はこれらキャパシタを介して金属リード１５と容量性結合しており、２つの平板ドーナッツ状超電導薄膜５１−２，５１−３を金属リードにより並列に接続している。なお、容量性結合は必ずしも必須ではなく、直接、超電導薄膜に常伝導の金属リードをボンディングすることも可能である。しかし、ボンディングの場合、そのボンディングの状態によって接触抵抗にバラツキが生じることが多いため、ここでは容量性結合を用いた。平板ドーナッツ状超電導薄膜５１−１，５１−４は円周上の２箇所にキャパシタが形成されている。このソレノイドコイル５１の入力インピーダンスの周波数特性を図５（ｂ）に示す。ソレノイドコイル５１の入力インピーダンスには２つの共振ピーク５２−１，５２−２があり、低い周波数の共振ピーク５２−１が水素原子核の核磁気共鳴周波数６００ＭＨｚに一致している。
【００１４】
以下、低い周波数の共振ピーク５２−１を水素原子核の核磁気共鳴周波数に一致させる手順を示す。図６（ａ）は、ソレノイドコイル５１のうちの、２つの平板ドーナッツ状超電導薄膜５１−２，５１−３とそれらを接続する金属リードを取り出したものである。このソレノイドコイルの入力インピーダンスの周波数特性を図６（ｂ）に示す。このソレノイドコイルは７４０ＭＨｚに共振ピークを持つ。図７（ａ）は、ソレノイドコイル５１のうちの、平板ドーナッツ状超電導薄膜５１−１を取り出したものである。この１ターンコイルの上の１つのキャパシタの両端から見た入力インピーダンスの周波数特性を図７（ｂ）に示す。この１ターンコイルも、７４０ＭＨｚに共振ピークを持つ。もう一つの１ターンコイルである平板ドーナッツ状超電導薄膜５１−４も、同様の特性を有する。これら７４０ＭＨｚに共振ピークを持つコイル群を用いて、図５（ａ）に示した構成に組み立てると、図５（ｂ）に示したように２つの共振ピークを有するソレノイドコイルができる。２つの共振ピークのうちの低い周波数の共振ピークが計測に使用する核磁気共鳴周波数に一致するように、図６（ａ）、図７（ａ）に示したコイルを構成するキャパシタの容量を調節する。１ターンコイルは、図５に示すように２個を上下両端に配置するのが有利である。
【００１５】
図８（ａ）に、ソレノイドコイル５１の共振ピーク５２−１における超電導薄膜上の高周波電流分布の模式図を示す。４つの超電導薄膜で高周波電流の向きはほぼ一致している。図８（ｃ）は図２に示したソレノイドコイルの共振周波数における超電導薄膜上の高周波電流分布の模式図である。図８（ａ）に示したソレノイドコイル５１の共振ピーク５２−１における４つの超電導薄膜上の高周波電流の向きは、図２に示したソレノイドコイルの共振周波数における超電導薄膜上の高周波電流の向き（図８（ｃ））とほぼ同じである。
【００１６】
一方、ソレノイドコイル５１の共振ピークのうちの高い周波数の共振ピーク５２−２における超電導薄膜上の高周波電流分布は、図２に示したソレノイドコイルの共振周波数における超電導薄膜上の高周波電流の向き（図８（ｃ））と異なる。図８（ｂ）にソレノイドコイル５１の共振ピーク５２−２における超電導薄膜上の高周波電流分布の模式図を示す。超電導薄膜５１−１と５１−４の上の高周波電流の向きは、超電導薄膜５１−２と５１−３の上の高周波電流の向きと逆向きである。
【００１７】
図９に、図８（ａ）（ｂ）（ｃ）に示した共振モードにおける、それぞれのソレノイドコイルのｙ軸上の感度分布を示す。ソレノイドコイル５１の２つの共振ピークのうちの低い周波数の共振ピークにおける感度分布を実線で、高い周波数ピークにおける感度分布を一点鎖線で示している。また、図２に示したソレノイドコイルの共振周波数における感度分布を破線で示している。ソレノイドコイル５１の高い周波数ピークにおける感度は、図２に示したソレノイドコイルの共振周波数における感度よりも低いことが分かる。一方、ソレノイドコイル５１の低い周波数ピークにおける感度は、図２に示したソレノイドコイルの共振周波数における感度と比較して約２０％向上する。これは、ソレノイドコイル５１は、図２に示したソレノイドコイルと比較して、常伝導体部分（金属リード）がおよそ１／３に減ることから、その部分での抵抗損失が減るためである。また、超電導体部分と常伝導体部分（金属リード）の接続箇所が減るため、実装も簡素化される。
【００１８】
図１０に、平板ドーナッツ状超電導薄膜５１−１，５１−４の円周上の２箇所にキャパシタを形成する方法を示す。まず、図１０（ａ）に示すように、基板１０１の上にドーナツ状の超電導薄膜１０２−１をスパッタリング法により形成した。基板１０１の材料としては、サファイヤ（Ａｌ2Ｏ3）を用い、超電導薄膜材料としては二硼化マグネシウム（ＭｇＢ2）を用いた。二硼化マグネシウムからなるドーナツ状の超電導薄膜１０２−１は、内径１０ｍｍ、外径１２ｍｍ、膜厚２５０ｎｍに形成した。その後、キャパシタを形成する２箇所の位置で超電導薄膜をエッチングで除去し、切り離した。エッチングで除去する幅は０．６ｍｍとした。次に、図１０（ｂ）に示すように、その切り離し部を覆うように絶縁膜１０３をスパッタリング法により形成した。絶縁膜材料としては窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用い、膜厚は２５０ｎｍとした。さらに、図１０（ｃ）に示すように、絶縁膜１０３の上に超電導薄膜１０２−２をスパッタリング法により形成することにより、平板ドーナッツ状超電導薄膜の円周上の２箇所にキャパシタを形成した。キャパシタは特定の周波数に共振させるための調整部材として必要である。キャパシタは必ずしも２箇所に形成する必要はないが、２か所に形成する場合には、円周上で対称な位置に形成するのが好ましい。
【００１９】
図１１に、平板ドーナッツ状超電導薄膜の円周上の２箇所にキャパシタを形成する別の方法を示す。図１１（ａ）に示すように、基板１０１−１の上にドーナツ状の超電導薄膜１０２−１をレーザー蒸着法により形成した。基板の材料としては、Ｌａ−Ｓｒ−Ａｌ−Ｔａ酸化物を用い、超電導薄膜材料としては酸化物超電導体の一つであるＹＢａ2Ｃｕ3Ｏy（ＹＢＣＯ）を用いた。ＹＢＣＯからなるドーナツ状の超電導薄膜１０２−１は、内径１０ｍｍ、外径１２ｍｍ、膜厚２５０ｎｍに形成した。その後、キャパシタを形成する２箇所の位置で超電導薄膜をエッチングで除去し、切り離した。エッチングで除去する幅は０．６ｍｍとした。その後、その切り離し部を覆うように絶縁膜１０３をレーザー蒸着法により形成した。絶縁膜材料としてはセリウム酸化物（ＣｅＯ2）を用い、膜厚は２５０ｎｍとした。次に、図１１（ｂ）に示すように、別の基板１０１−２の上の２箇所に超電導薄膜１０２−２をレーザー蒸着法により形成する。その後、図１１（ｃ）に示すように、基板１０１−１と１０１−２の薄膜を形成した面を互いに向かい合せて重ねることにより、平板ドーナッツ状超電導薄膜の円周上の２箇所にキャパシタを形成することができる。
【００２０】
図１２に、平板ドーナッツ状超電導薄膜の円周上の２箇所にキャパシタを形成する別の方法を示す。図１２（ａ）に示すように、基板１０１−１の上にドーナツ状の超電導薄膜１０２−１を形成する。次に、キャパシタを形成する２箇所の超電導薄膜をエッチングで除去する。次に、図１２（ｂ）に示すように、別の基板１０１−２の上の２箇所に超電導薄膜１０２−２を形成する。次に、図１２（ｃ）に示すように、基板１０１−１と１０１−２の薄膜を形成した面を互いに向かい合せ、キャパシタを形成する２箇所に絶縁膜１０３を挟んで重ねることにより、平板ドーナッツ状超電導薄膜の円周上の２箇所にキャパシタを形成することができる。
【００２１】
［第２の実施例］
図１３は、本発明によるソレノイドコイルの第２の実施例を示す斜視図である。本実施例のソレノイドコイル６１は、４つの超電導薄膜６１−１〜６１−４から構成されている。超電導薄膜６１−１〜６１−４は平面基板上に形成した膜で作成した平板ドーナッツ状超電導薄膜の面が均一磁場の方向（ｚ方向）に平行になるように配置されている。平板ドーナッツ状超電導薄膜６１−２，６１−３は円周上の一部が切り離されており、その両端にはキャパシタが形成されている。超電導薄膜はこれらキャパシタを介して金属リード１５と容量性結合しており、２つの平板ドーナッツ状超電導薄膜６１−２，６１−３を金属リードにより接続している。金属リードの配線が第１の実施例に示したものと異なり、２つの平板ドーナッツ状超電導薄膜６１−２，６１−３が直列に接続されている。平板ドーナッツ状超電導薄膜を直列に接続する事により、より感度を向上できるという効果がある。平板ドーナッツ状超電導薄膜６１−１，６１−４は円周上の２箇所にキャパシタが形成されている。
【００２２】
超電導ソレノイドコイルと超電導１ターンコイルをそれぞれ単体で、実際に使用する周波数よりも高い周波数に共振させる。図１３に示す配置で実装した時、入力インピーダンスの周波数特性を観察すると、２つの共振ピークが現れる。そして、２つの共振ピークのうち、低い周波数のピークを実際に使用する周波数と一致させる。このように、給電しない超電導１ターンコイル（無給電超電導素子）を含んで構成されたソレノイドコイルを、ＮＭＲプローブコイルとして使用することにより、常伝導体部分（金属リード）での抵抗損失が減るため高感度計測が可能となる。
【００２３】
［第３の実施例］
図１４は、本発明によるソレノイドコイルの第３の実施例を示す斜視図である。本実施例のソレノイドコイル７１は、５つの超電導薄膜７１−１〜７１−５から構成されている。超電導薄膜７１−１〜７１−５は平面基板上に形成した膜で作成した平板ドーナッツ状超電導薄膜の面が均一磁場の方向（ｚ方向）に平行になるように配置されている。平板ドーナッツ状超電導薄膜７１−２，７１−３，７１−４は円周上の一部が切り離されており、その両端にはキャパシタが形成されている。超電導薄膜はこれらキャパシタを介して金属リード１５と容量性結合しており、３つの平板ドーナッツ状超電導薄膜７１−２，７１−３，７１−４を金属リードにより直列に接続している。平板ドーナッツ状超電導薄膜の枚数を増やす事により、より感度を向上できるという効果がある。平板ドーナッツ状超電導薄膜７１−１，７１−５は円周上の２箇所にキャパシタが形成されている。
【００２４】
超電導ソレノイドコイルと超電導１ターンコイルをそれぞれ単体で、実際に使用する周波数よりも高い周波数に共振させる。図１４に示す配置で実装した時、入力インピーダンスの周波数特性を観察すると、２つの共振ピークが現れる。そして、２つの共振ピークのうち、低い周波数のピークを実際に使用する周波数と一致させる。超電導ソレノイドコイルのターン数を増やす事により、軸方向（ｙ方向）に長いサンプルの計測に有利となる。
【００２５】
このように、給電しない超電導１ターンコイル（無給電超電導素子）を含んで構成されたソレノイドコイルを、ＮＭＲプローブコイルとして使用することにより、常伝導体部分（金属リード）での抵抗損失が減るため高感度計測が可能となる。
【００２６】
以上、本発明を特定の形態について説明したが、上記以外の形態についても同様に、給電しない超電導１ターンコイル（無給電超電導素子）を含んで構成されたソレノイドコイルを、ＮＭＲプローブコイルとして使用することにより、感度を向上させることができる。例えば、平板ドーナッツ状超電導薄膜の個数は６以上であっても良い。また、マグネットとして、１４．１テスラと異なる静磁場強度のマグネットを使用できることや、水素原子核以外の核種を計測対象とすることができることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
超電導ソレノイドコイルの感度を向上させたＮＭＲプローブコイルを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】従来型超電導ソレノイドコイルの配置を示す斜視図。
【図２】従来型超電導ソレノイドコイルの配置を示す斜視図。
【図３】従来型超電導ソレノイドコイルの配置を示す斜視図。
【図４】本発明の第１の実施例のＮＭＲ装置（水平型ＮＭＲ装置）の概略構成を示す図。
【図５】本発明の第１の実施例の超電導ソレノイドコイルを示す図。
【図６】本発明の第１の実施例の超電導ソレノイドコイルの一部を示す図。
【図７】本発明の第１の実施例の超電導ソレノイドコイルの一部を示す図。
【図８】共振ピークにおける超電導薄膜上の高周波電流分布を示す模式図。
【図９】感度分布を示す図。
【図１０】超電導１ターンコイルの作成方法を示す図。
【図１１】超電導１ターンコイルの作成方法を示す図。
【図１２】超電導１ターンコイルの作成方法を示す図。
【図１３】本発明の第２の実施例の超電導ソレノイドコイルを示す図。
【図１４】本発明の第３の実施例の超電導ソレノイドコイルを示す図。
【図１５】超電導薄膜と金属リードとの接続部の詳細図。
【符号の説明】
【００２９】
３…均一磁場Ｂ0、１１…従来型超電導ソレノイドコイル、１１−１，１１−２，１１−３，１１−４…超電導薄膜、１５…金属リード、３０−１，３０−２…超電導マグネット、３２…ガラス管、３３…低温プローブ、３４…プローブコイル、５１…超電導ソレノイドコイル、５１−１，５１−２，５１−３，５１−４…超電導薄膜、６１…改良型超電導ソレノイドコイル、６１−１，６１−２，６１−３，６１−４…超電導薄膜、７１…超電導ソレノイドコイル、７１−１，７１−２，７１−３，７１−４，７１−５…超電導薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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