(57)【要約】【課題】サーモモジュールの破壊を防止しつつ、環境温度の変化に起因する光ファイバ素子の特性変動を抑制することができるＦＢＧ装置を提供する。【解決手段】ＦＢＧ装置は、ＦＢＧを含む光ファイバ素子３と、この外周を覆う実装プレート４と、筐体５と、筐体５内において実装プレート４を保持するプレートホルダ６と、筐体５内において光ファイバ素子３の加熱及び冷却を行うサーモモジュール７と、サーモモジュール７とプレートホルダ６との間に挟まれた第１の応力緩和層８と、筐体５の内面とサーモモジュール７との間に挟まれた第２の応力緩和層９と、筐体５内における光ファイバ素子３の温度を検出する第１の温度センサ１０と、環境温度を測定する第２の温度センサ１１と、第１及び第２の温度センサ１０及び１１の検出値に基づいてサーモモジュール７の動作を制御する温度コントローラ２とを有する。【選択図】図１
2008145807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファイバブラッググレーティングを含む光ファイバ素子と、
前記光ファイバ素子の外周を覆う実装プレートと、
前記実装プレートで覆われた前記光ファイバ素子を収容する筐体と、
前記筐体内において前記実装プレートを保持するプレートホルダと、
前記筐体内において前記光ファイバ素子の加熱及び冷却の少なくとも一方を行うサーモモジュールと、
前記サーモモジュールと前記プレートホルダとの間に挟まれた第１の応力緩和層と、
前記筐体の内面と前記サーモモジュールとの間に挟まれた第２の応力緩和層と、
前記筐体内における前記光ファイバ素子の温度を検出する第１の温度センサと
を有することを特徴とするファイバブラッググレーティング装置。
【請求項２】
前記第１の温度センサによって検出される温度に基づいて、前記筐体内における前記光ファイバ素子の温度を所定温度に近づけるように、前記サーモモジュールによる加熱又は冷却を制御する温度コントローラをさらに有することを特徴とする請求項１に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項３】
前記ファイバブラッググレーティング装置が設置された場所の環境温度を検出する第２の温度センサをさらに有することを特徴とする請求項１に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項４】
前記第２の温度センサは、前記筐体の外周上に配置されていることを特徴とする請求項３に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項５】
前記第１の温度センサによって検出される温度に基づいて、前記筐体内における前記光ファイバ素子の温度を所定温度に近づけるように、前記サーモモジュールによる加熱又は冷却を制御すると共に、前記第２の温度センサによって検出される温度に基づいて、前記サーモモジュールによる加熱又は冷却を制御する温度コントローラをさらに有することを特徴とする請求項３又は４に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項６】
前記温度コントローラによる、前記第２の温度センサによって検出される温度に基づく、前記サーモモジュールによる加熱又は冷却の制御は、予め前記温度コントーラが保持するテーブルデータを用いて実行されることを特徴とする請求項５に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項７】
前記ファイバブラッググレーティングは、単位ファイバブラッググレーティング構造を複数個有するスーパーストラクチャファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項８】
前記光ファイバ素子は、ＯＣＤＭ符号器又はＯＣＤＭ復号器であることを特徴とする請求項７に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項９】
前記第１の応力緩和層及び前記第２の応力緩和層の前記サーモモジュールに接触する面に平行な方向における、前記第１の応力緩和層及び前記第２の応力緩和層の伸縮率は、１０％以上であり、
前記第１の応力緩和層及び前記第２の応力緩和層の熱伝導係数は、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項１０】
前記第１の応力緩和層は、前記サーモモジュール及び前記プレートホルダに接触するそれぞれの面に粘着性を有し、
前記第２の応力緩和層は、前記筐体の内面及び前記サーモモジュールに接触するそれぞれの面に粘着性を有する
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項１１】
前記第１の応力緩和層及び前記第２の応力緩和層の粘着力は、１８０度剥離試験において５Ｎ／ｃｍ以上であり、
前記第１の応力緩和層及び前記第２の応力緩和層のせん断保持力は、１ｋｇ荷重に対して０．１ｍｍ未満である
ことを特徴とする請求項１０に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項１２】
前記第１の応力緩和層及び前記第２の応力緩和層は、アクリル系又はウレタン系の材料で構成されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項１３】
前記第１の応力緩和層及び前記第２の応力緩和層の厚さは、５０μｍから２００μｍまでの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項１４】
前記サーモモジュールは、前記第２の応力緩和層側を発熱させたときに前記第１の応力緩和層側が吸熱し、前記第２の応力緩和層側を吸熱させたときに前記第１の応力緩和層側が発熱するペルチェモジュールであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項１５】
前記実装プレートは、熱膨張率が１．２×１０−６／Ｋ以下の材料で構成され、
前記プレートホルダは、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属材料で構成される
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【請求項１６】
前記実装プレートは、インバー又はガラスセラミックであり、
前記プレートホルダは、銅又はアルミニウムである
ことを特徴とする請求項１５に記載のファイバブラッググレーティング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）構造を持つ光ファイバ素子とサーモモジュールとを有するファイバブラッググレーティング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
位相符号方式ＯＣＤＭ（光符号分割多重）における符号器又は復号器として、多点位相シフト構造を有するスーパーストラクチャＦＢＧ（ＳＳＦＢＧ）を用いることができる。ＳＳＦＢＧは、光ファイバに、長さ及び屈折率変化領域の周期が同一な（すなわち、反射波長が等しい）複数個の単位ＦＢＧ構造を、構成する符号に応じた、間隔（間隔０をも含む。）及び個数設けることによって、形成された光ファイバ素子である。対を成すＯＣＤＭ符号器とＯＣＤＭ復号器においては、両者の波長差が僅か数ｐｍであっても、ＯＣＤＭ復号器における復号化を行うことができなくなる。したがって、対を成すＯＣＤＭ符号器とＯＣＤＭ復号器の波長は、高い精度で一致させる必要がある。
【０００３】
しかし、ＦＢＧは、光ファイバのコア内に、格子状に屈折率変化領域（グレーティング）を形成したデバイスであり、ＦＢＧの屈折率は温度依存性を有し、また、光ファイバは温度変化に伴って伸縮するので、ＦＢＧの反射波長は、環境温度の変化によって大きく変動する。
【０００４】
特表２０００−５０３４１５号公報（特許文献１）には、負の熱膨張係数を有する板状ガラスセラミック基板上にＦＢＧを固定することによって、環境温度の変化に起因するＦＢＧの反射波長の変動を抑制する技術が提案されている。しかし、この技術では、ＯＣＤＭ符号器やＯＣＤＭ復号器に要求される波長変動量の精密な制御は難しい。
【０００５】
また、特開２００５−１７３２４６号公報（特許文献２）には、ＳＳＦＢＧを加熱又は冷却することによって、環境温度の変化に起因する反射波長の変動を抑制する技術の提案がある。
【０００６】
【特許文献１】特表２０００−５０３４１５号公報
【特許文献２】特開２００５−１７３２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
位相符号方式ＯＣＤＭにおいてより高い通信セキュリティを提供するために符号長を長くすると、ＳＳＦＢＧを構成する単位ＦＢＧの数が増えるためＳＳＦＢＧの全長が長くなる。ＳＳＦＢＧは、長さ及び屈折率変化領域の周期が同一な単位ＦＢＧによって構成されるので、個々の単位ＦＢＧが同じ反射特性を示さないと所定の符号化あるいは復号化動作を行うことはできない。すなわち、ＳＳＦＢＧを構成する単位ＦＢＧが同じ反射特性を示すためには、ＳＳＦＢＧ形成領域全域で温度が均一である必要がある。このような要求に対して、上記特許文献２に開示されている符号器又は復号器は、ＳＳＦＢＧの加熱又は冷却源となるサーモモジュールを大きく（長く）することで対応できる。しかし、サーモモジュールを大きくすると、温度制御の直接対象となるベースプレートや放熱を担う筐体と、サーモモジュールの熱膨張係数が異なるため、加熱及び冷却の繰り返しによって、サーモモジュールの接触面（ベースプレートとの接触面又は筐体との接触面）が破壊されるおそれがある。
【０００８】
そこで、本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたものであり、サーモモジュールの破壊を防止しつつ、環境温度の変化に起因する光ファイバ素子の特性変動を抑制することができるファイバブラッググレーティング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のファイバブラッググレーティング装置は、ファイバブラッググレーティングを含む光ファイバ素子と、前記光ファイバ素子の外周を覆う実装プレートと、前記実装プレートで覆われた前記光ファイバ素子を収容する筐体と、前記筐体内において前記実装プレートを保持するプレートホルダと、前記筐体内において前記光ファイバ素子の加熱及び冷却の少なくとも一方を行うサーモモジュールと、前記サーモモジュールと前記プレートホルダとの間に挟まれた第１の応力緩和層と、前記筐体の内面と前記サーモモジュールとの間に挟まれた第２の応力緩和層と、前記筐体内における前記光ファイバ素子の温度を検出する第１の温度センサとを有するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のファイバブラッググレーティング装置によれば、サーモモジュールの破壊を防止しつつ、環境温度の変化に起因する光ファイバ素子の特性変動を抑制することができるという効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
《１．構成の説明》
図１は、本発明の実施の形態のファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）装置の概略的な構成図であり、ＦＢＧパッケージ１の断面構造を含んでいる。また、図２は、図１に示されるＦＢＧパッケージ１のＳ２−Ｓ２線断面図である。本発明の実施の形態のＦＢＧ装置は、例えば、ＯＣＤＭ符号器モジュール又はＯＣＤＭ復号器モジュールである。
【００１２】
図に示されるように、実施の形態のＦＢＧ装置は、ＦＢＧパッケージ１と、ＦＢＧパッケージ１に電気的に接続された温度コントローラ２とを有している。
【００１３】
ＦＢＧパッケージ１は、ＦＢＧを含む光ファイバ素子３と、光ファイバ素子３の外周を覆う実装プレート４と、実装プレート４で覆われた光ファイバ素子３を収容する筐体５とを有している。また、ＦＢＧパッケージ１は、筐体５内において実装プレート４を保持するプレートホルダ６と、筐体５内において光ファイバ素子３の加熱及び冷却の少なくとも一方を行うサーモモジュール７と、サーモモジュール７とプレートホルダ６との間に挟まれた第１の応力緩和層８と、筐体５の内面とサーモモジュール７との間に挟まれた第２の応力緩和層９とを有している。さらに、ＦＢＧパッケージ１は、筐体５内における光ファイバ素子３の温度を検出する第１の温度センサ１０と、ＦＢＧパッケージ１が設置された場所の環境温度を検出する第２の温度センサ１１とを有している。
【００１４】
光ファイバ素子３は、そのファイバコアに、ＳＳＦＢＧを形成した光ファイバデバイスである。
【００１５】
実装プレート４は、例えば、インバーにより構成される。ただし、実装プレート４を、ガラスセラミックなどの低熱膨張材料によって構成することもできる。実装プレート４は、熱膨張係数が１．２×１０−６／Ｋ以下の材料で構成することが望ましい。実装プレート４は、光ファイバ素子３を貫通させる孔、又は、光ファイバ素子３を固定するための溝を形成した柱状部材である。
【００１６】
プレートホルダ６は、例えば、銅により構成される。ただし、プレートホルダ６を、アルミニウムなどの熱伝導率が大きい他の材料によって構成することもできる。プレートホルダ６は、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の材料で構成されることが望ましい。
【００１７】
実装プレート４は、プレートホルダ６の貫通孔を貫通している。実装プレート４とプレートホルダ６は、シリコングリスを介して密着しており、実装プレート４とプレートホルダ６との間の熱伝導効率を高めるだけでなく、両者間の潤滑性も高めている。また、実装プレート４の長手方向中央部の一側面には、位置決め用の凸部（図示せず）が形成されており、プレートホルダ６には、実装プレート４の位置決め用の凸部に係合する凹部（図示せず）が形成されている。プレートホルダ６の凹部は、実装プレート４の位置決め用の凸部よりも大きく形成されており、位置決め用の凸部の長手方向の両側に少なくとも０．５ｍｍの空隙ができるように形成されている。プレートホルダ６の凹部と実装プレート４の位置決め用の凸部によって、プレートホルダ６に対する実装プレート４の移動可能範囲が制限される。
【００１８】
サーモモジュール７は、ペルチェ素子を用いた加熱及び／又は冷却モジュールである。サーモモジュール７がプレートホルダ６を加熱する場合には、サーモモジュール７のプレートホルダ６側の面７ａが、サーモモジュール７の温度制御面（放熱面）になり、その反対側の面（すなわち、筐体５の内面に対向する面）７ｂが、サーモモジュール７の吸熱面となる。また、サーモモジュール７がプレートホルダ６を冷却する場合には、サーモモジュール７のプレートホルダ６側の面７ａが、サーモモジュール７の温度制御面（吸熱面）になり、その反対側の面（すなわち、筐体５の内面に対向する面）７ｂが、サーモモジュール７の放熱面になる。サーモモジュール７は、光ファイバ素子３のＳＳＦＢＧの形成領域に対向する大きさを持ち、ＳＳＦＢＧの形成領域よりも小さくないことが望ましい。
【００１９】
図１に示されるように、プレートホルダ６は、第１の応力緩和層８を介してサーモジュール７に固定される。また、サーモモジュール７は、第２の応力緩和層９を介して筐体５内部の底面に固定される。第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９は、サーモモジュール７によるプレートホルダ６の加熱又は冷却時に、サーモモジュール７とプレートホルダ６の熱膨張係数の差、及び、サーモモジュール７と筐体５の熱膨張係数の差によって、サーモモジュール７に生じる応力を緩和する機能を持つ。第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９の厚さは、それぞれ、５０μｍ〜２００μｍの範囲内である。
【００２０】
図３は、図１に示される第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９の構造の一例を示す側面図である。図３に示されるように、第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９は、例えば、バッファ材１３と、その両面に備えられた粘着層１２，１４とを有する複層構造とすることができる。
【００２１】
図４は、図１に示される第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９の応力緩和層の構造の他の例を示す側面図である。図４に示されるように、第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９は、例えば、バッファ材としての機能を持つ粘着性の材料からなる単層構造の粘着性材料層とすることができる。
【００２２】
第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９は、アクリル系やウレタン系などの材料で構成することができる。ただし、第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９は、これらの材料には限定されず、他の材料を用いてもよい。また、第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９は、各層の表面に平行な方向（面方向）に１０％以上伸縮する伸縮性に優れた材料であることが望ましい。さらに、第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９は、面方向及び厚さ方向の熱伝導係数が、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望ましい。さらにまた、第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９の１８０度剥離に対する粘着力は、５Ｎ／ｃｍ以上であることが望ましく、せん断保持力は、１ｋｇ荷重に対して０．１ｍｍ未満であることが望ましい。
【００２３】
また、図１に示される第１の温度センサ１０及び第２の温度センサ１１は、例えば、サーミスタより構成される。ただし、第１の温度センサ１０及び第２の温度センサ１１は、サーミスタに限定されるものではなく、例えば、熱電対や白金熱抵抗体などの他の温度センサを用いてもよい。
【００２４】
第１の温度センサ１０は、例えば、実装プレート１０に埋設して設置するが、実装プレート４の表面、プレートホルダ６の上面や側面に埋設して設置するなど、他の位置に設置してもよい。また、第１の温度センサ１０は、光ファイバ素子３の両端など、複数個設けてもよい。
【００２５】
第２の温度センサ１１は、例えば、筐体５の外表面に設置するのが望ましい。ただし、第２の温度センサ１１は、筐体５が設置されている基板（図示せず）上などの他の位置に設置してもよい。なお、第２の温度センサ１１を複数個備えてもよい。また、第２の温度センサ１１の設置位置は、図示の例に限定されない。
【００２６】
温度コントローラ２には、ＦＢＧ装置の特性（例えば、位相符号器／復号器としての特性）に基づいた参照データが記録されている。温度コントローラ２は、第１の温度センサ１０、第２の温度センサ１１、及びサーモモジュール７と接続されており、第１の温度センサ１０及び第２の温度センサ１１の検出温度に応じて、サーモモジュールの動作を制御する。より具体的に言えば、温度コントローラ２は、第１の温度センサ１０の検出温度に応じて、光ファイバ素子３の温度を所定の設定温度に近づけるように、サーモジュール７の動作を制御する。また、温度コントローラ２は、第２の温度センサ１１の検出温度に応じて、予め保持するデータ、好ましくはテーブルデータを用いて、サーモジュール７の加熱強度又は冷却強度を制御する。第２の温度センサ１１の検出温度に基づく制御は、環境温度の変化に起因する筐体５の膨張又は縮小、環境温度の変化に起因する光ファイバ素子３内における温度差などの影響を、予め保持しているデータ、好ましくはテーブルデータに基づいて補正するために用いられる。
【００２７】
図５は、図１に示される光ファイバ素子に形成されるＳＳＦＢＧ構造の一例を示す説明図であり、符号列として１５ビットのＭ系列を用いた場合のＳＳＦＢＧを示している。光ファイバ素子３は、光ファイバコアに、例えば、ゲルマニウムなどを添加して紫外感光性を高めたシングルモード光ファイバに、多点位相シフト構造を有するＳＳＦＢＧを形成したものである。図５において、記号‘Ａ’〜記号‘Ｏ’で示される単位ＦＢＧのそれぞれは、等しい長さを持ち、かつ、同一の屈折率変調領域周期を有する。ここで、単位ＦＢＧ‘Ｃ’と‘Ｄ’の間、単位ＦＢＧ‘Ｇ’と‘Ｈ’の間、単位ＦＢＧ‘Ｈ’と‘Ｉ’の間、単位ＦＢＧ‘Ｉ’と‘Ｊ’の間、単位ＦＢＧ‘Ｊ’と‘Ｋ’の間、単位ＦＢＧ‘Ｌ’と‘Ｍ’の間、単位ＦＢＧ‘Ｎ’と‘Ｏ’の間には、光搬送波の波長をλとしたときにλ／４に相当する間隔が設けられており、他の単位ＦＢＧの間には間隔０（ゼロ）を空けて単位ＦＢＧを配置すること、すなわち、隣接する単位ＦＢＧ同士を密着させて配置することを意味する。λ／４に相当する間隔は、光搬送波の位相π／２に相当する間隔であるため、例えば、図５の左側（単位ＦＢＧ‘Ａ’側）から光パルスが入射した場合、単位ＦＢＧ‘Ａ’、‘Ｂ’、及び‘Ｃ’での反射パルスに対して、単位ＦＢＧ‘Ｄ’、‘Ｅ’、‘Ｆ’、及び‘Ｇ’での反射パルスは位相がπシフトしていることになる。
【００２８】
光ファイバ素子３は、引張張力や圧縮力などの応力が印加されていない状態で、実装プレート４の両端において接着固定され、実装プレート４と密着している。実装プレート４ヘの接着固定点間に、ＳＳＦＢＧを含む。本実施の形態における光ファイバデバイスの実装プレート４ヘの接着固定には、紫外線硬化型のアクリル系接着剤（Ｓｕｍｍｅｒｓ  Ｏｐｔｉｃａｌ社製、製品番号：ＶＴＣ−２）を用いているが、これに限定されるものではなく、エポキシ系などの接着剤も利用できる。
【００２９】
箇体５は、例えば、表面に金メッキを施したアルミニウムよりなる。ただし、箇体５の材料は、これに限定されるものではなく、例えば、銅など安価かつ加工が容易な他の材料で筐体５を構成することもできる。筐体５は、熱伝導率が２３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である材料で構成されることが望ましい。筐体５は、箱状をなし、その側面にＳＳＦＢＧ実装部に含まれるサーモモジュール７ヘの電力供給端子及び第１の温度センサ１０からの出力端子を有する。これらの端子部を介して温度コントローラ２に接続され、サーモモジュール７の加熱又は冷却が制御される。
【００３０】
《２．動作の説明》
次に、温度コントローラ２による制御内容を説明する。温度コントローラ２で設定された温度に基づき、当該設定値と第１の温度センサ１０による計測温度との差に応じて、温度コントローラ２は、第１の温度センサ１０の計測温度が当該設定値と等しくなるように、サーモモジュール７の加熱又は冷却を制御する。温度コントローラ２でのサーモモジュール７の制御により、プレートホルダ６を介して実装プレート４は一定温度に保たれる。ここで、サーモモジュール７によって加熱又は冷却されたプレートホルダ６からの熱伝導により実装プレート４は加熱又は冷却されるが、高熱伝導材からなるプレートホルダ６が実装プレート４を覆っているため、実装プレート４の長手方向における温度分布の発生（温度差の増大）は抑制される。
【００３１】
また、温度コントローラ２は、第２の温度センサ１１の検出温度に応じて、予め保持するデータ、好ましくはテーブルデータを用いて、サーモジュール７の加熱強度又は冷却強度を制御する。この制御により、環境温度の変化に起因する筐体５の膨張又は縮小、環境温度の変化に起因する光ファイバ素子３内における温度差などの影響を少なくすることができる。ただし、第２の温度センサ１１及び第２の温度センサ１１に基づく制御は、本発明のＦＢＧ装置が環境変化の無い場所に設置される場合などにおいては、必ずしも必要ではない。
【００３２】
また、プレートホルダ６と実装プレート４は機械的な固定ではなくシリコングリスを介して密着しているのみであるため、サーモモジュール７による加熱又は冷却によって発生するプレートホルダ６の伸縮は実装プレート４には伝達されない。また、実装プレート４は低熱膨張材料で構成されるため、実装プレート４自体の伸縮も発生しない。光ファイバ素子３に含まれるＳＳＦＢＧは、実装プレート４に固定されているため、実装プレート４の温度変化に伴ってＳＳＦＢＧの温度のみが変化し、ＳＳＦＢＧの反射波長を温度のみによって制御することができる。
【００３３】
次に、サーモモジュール７によって実装プレート４を加熱する（すなわち、長波長側に波長を調整する）場合を例に挙げて、サーモモジュール７の固定に用いた第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９による熱応力の緩和動作を説明する。
【００３４】
図６は、プレートホルダ加熱時における、従来のＦＢＧ装置のサーモモジュールに発生する応力の説明図であり、図７は、プレートホルダ加熱時における、本発明の実施の形態のＦＢＧ装置のサーモモジュールに発生する応力の説明図である。
【００３５】
実装プレート４を加熱するときには、熱移動により、サーモモジュール７の筐体５側の面（吸熱面）７ｂとサーモモジュール７のプレートホルダ６側の温度制御面（発熱面）７ａとの間に温度差が生じる。一般に、サーモモジュール７の表面を形成するセラミックは、発熱側となるプレートホルダ６を形成する銅や、吸熱側となる筐体５を形成するアルミニウムと比較すると熱膨張係数が小さい。このため、図６に示すように、プレートホルダ６又は筐体５の温度変化に伴う伸縮量と、サーモモジュール７表面の温度変化に伴う伸縮量は異なる。このとき、図６に示されるように、サーモモジュール７とプレートホルダ６や筐体５が強固に固定されていると、サーモモジュール７に内部応力が発生し、ペルチェ素子そのものや、電極への半田付け部に伸縮量の差異によって、サーモモジュール７が破壊してしまうおそれがある。
【００３６】
一方、図７に示される本発明の場合のように、第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９を介してサーモモジュール７を固定すると、サーモモジュール７表面と実装プレート４や筐体５との伸縮量の差異を第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９が面方向に伸縮することで吸収するため、応力の発生を抑制できサーモモジュール７の破壊を回避することができる。さらに、第１の応力緩和層８及び第２の応力緩和層９は熱伝導にも優れ、かつ十分に薄いため、サーモモジュール７の制御面と実装プレート４間、及びサーモモジュール７の放熱面と筐体５間の熱伝導において熱抵抗となることはなく、サーモモジュール７によるＳＳＦＢＧの温度制御を妨げることはない。
【００３７】
《３．効果の説明》
以上説明したように、本発明の実施の形態のＦＢＧ装置におけるサーモモジュール７の固定方法を用いることで、例えば、プレートホルダ６を固定するためのビスや断熱材などの部品点数を減らせることに加え、筐体５のビス穴加工を省けるなど加工工程も減らせることができ、製造にかかるコストや時間を削減できる。
【００３８】
また、本発明の実施の形態のＦＢＧ装置によれば、任意波長への調整を高波長調整分解能で行うことができるＯＣＤＭ符号器モジュールを安価に、かつ簡略な構成で実現でき、符号器モジュールに含まれるＳＳＦＢＧの製造誤差に影響されず、波長を高精度に調整することができる。
【００３９】
《４．変形例》
なお、上記説明においては、ＦＢＧ装置が、ＯＣＤＭ符号器モジュール又はＯＣＤＭ復号器モジュールである場合を説明したが、本発明のＦＢＧ装置はこれらに限定されない。本発明のＦＢＧ装置は、例えば、波長ホップ方式ＯＣＤＭにおける符号器又は復号器、ＷＤＭシステムにおけるフィルタデバイスなどに適用することもでき、ＦＢＧ装置がＯＣＤＭ符号器モジュールである場合と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
また、上記説明において用いた図は、本発明を適用した装置の一構成例を示し、発明が理解できる程度に各構成要素の断面形状や配置関係等を概略的に示しているに過ぎず、本発明は、図示された例に限定されない。
【００４１】
さらに、上記説明においては、特定の材料や条件、寸法等を例示しているが、これらの材料や条件、寸法は好適例の一つを示したものであり、本発明は、これらに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態のＦＢＧ装置の概略的な構成図である。
【図２】図１に示されるＦＢＧパッケージのＳ２−Ｓ２線断面図である。
【図３】図１に示される第１及び第２の応力緩和層の構造の一例を示す側面図である。
【図４】図１に示される第１及び第２の応力緩和層の構造の他の例を示す側面図である。
【図５】図１に示される光ファイバ素子に形成されるＳＳＦＢＧ構造の一例を示す説明図である。
【図６】プレートホルダ加熱時における、従来のＦＢＧ装置のサーモモジュールに発生する応力の説明図である。
【図７】プレートホルダ加熱時における、本発明の実施の形態のＦＢＧ装置のサーモモジュールに発生する応力の説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  ＦＢＧパッケージ、  ２  温度コントローラ、  ３  光ファイバ素子、  ４  実装プレート、  ５  筐体、  ６  プレートホルダ、  ７  サーモモジュール、  ７ａ  サーモモジュールのプレートホルダ側の面、  ７ｂ  サーモモジュールの筐体側の面、  ８  第１の応力緩和層、  ９  第２の応力緩和層、  １０  第１の温度センサ、  １１  第２の温度センサ、  １２，１４  粘着層、  １３  バッファ材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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