(57)【要約】【課題】比較的簡単な構成で十分な静電気除去効果を発揮できる半導体装置の搬送装置を提供する。【解決手段】半導体装置の搬送装置は、マウント開口部を介して、ピックアップした半導体装置の装着用ボードに対する搬送を行うためのピックアップ装置と、前記マウント開口部に静電気除去用のイオンを供給するためのイオナイザーであって、前記静電気除去用のイオンを生成するイオン生成部と、前記イオン生成部に空気を配送するための空気配送配管部とを有し、前記空気配送配管部から配送された空気に前記イオン生成部で生成された前記静電気除去用のイオンを混入して前記イオン生成部から送出する、イオナイザーとを備えて構成されている。【選択図】図１
2008281439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マウント開口部を介して、ピックアップした半導体装置の装着用ボードに対する搬送を行うためのピックアップ装置と、
前記マウント開口部に静電気除去用のイオンを供給するためのイオナイザーであって、前記静電気除去用のイオンを生成するイオン生成部と、前記イオン生成部に空気を配送するための空気配送配管部とを有し、前記空気配送配管部から配送された空気に前記イオン生成部で生成された前記静電気除去用のイオンを混入して前記イオン生成部から送出する、イオナイザーと、
を備えることを特徴とする半導体装置の搬送装置。
【請求項２】
前記イオン生成部の空気送出方向側には、前記イオン生成部から送出された空気を排出するための排出口の形成された、排出口形成部が設けられている、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の搬送装置。
【請求項３】
前記排出口形成部は、前記マウント開口部の形状に合致するように、前記マウント開口部の周囲に配設されている、ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の搬送装置。
【請求項４】
前記排出口形成部は、前記マウント開口部の１つの辺に沿って、直線的に配設されている、ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の搬送装置。
【請求項５】
前記イオン生成部の空気送出方向側にある前記イオン生成部の開口が、前記静電気除去用のイオンの混入された空気を前記マウント開口部に排出するための排出口として機能するように構成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の搬送装置。
【請求項６】
前記排出口は、前記イオン生成部から送出された空気が、装着用ボードに向けて排出されるように配置されている、ことを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置の搬送装置。
【請求項７】
前記ピックアップ装置は、前記マウント開口部を介して、ピックアップした半導体装置を装着用ボードに装着する処理を行う、ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置の搬送装置。
【請求項８】
前記ピックアップ装置は、前記マウント開口部を介して、装着用ボードに装着されている半導体装置をピックアップして抜去する処理を行う、ことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の半導体装置の搬送装置。
【請求項９】
前記イオン生成部に電源を供給する電源ラインをさらに備えており、
前記イオン生成部は、前記電源ラインから供給された電源を、前記イオン生成部に設けられた放電針に供給することにより、前記静電気除去用のイオンを生成する、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の半導体装置の搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品等の半導体装置の初期不良を顕在化し、初期故障品の除去を行うためのスクリーニング試験の一種であるバーンイン（Burn-In）試験を行う装置として、バーンイン装置が知られている。このバーンイン装置は半導体テスト装置の一種であり、被試験デバイス（Device Under Test）である半導体装置を複数装着したバーンインボードをバーンイン装置内に収納し、半導体装置に、電圧を印加して電気的ストレスを与えるとともに、恒温槽内部の空気を加熱して所定の温度の熱ストレスを与えることにより、初期不良を顕在化させる。また、このバーンイン試験においては、半導体装置に動作用の電源や信号を供給して、半導体装置の動作テストを行い、各半導体装置が正常に動作しているかどうかを試す試験を行う。
【０００３】
このようなバーンイン装置では、数時間から数十時間に亘る長時間のバーンイン試験が行われることから、試験効率を向上させるために、複数の半導体装置を１枚のバーンインボードに挿入するとともに、このバーンインボードを複数毎、バーンイン装置に収納して、バーンイン試験を行うのが一般的である。
【０００４】
バーンインボードには数多くの半導体装置を装着することから、人手を介さずに、トレイ上の半導体装置をバーンインボードに装着したり、装着されている半導体装置を抜去したりする搬送装置が広く用いられている。このような作業を行う半導体装置の搬送装置は、インサーター／アンインサーターとも呼ばれ、半導体装置をインサートする際には、トレイ上に並べられた半導体装置をピックアップ装置でピックアップし、バーンインボードのソケットに挿入する作業を、すべてのソケットに半導体装置が挿入されるまで繰り返す。また、半導体装置をアンインサートする際には、バーンインボードのソケットに挿入されている半導体装置をピックアップ装置で抜去し、トレイ上に載置する作業を、すべてのソケットから半導体装置が抜去されるまで繰り返す。
【０００５】
しかし、ピックアップ装置で半導体装置をピックアップしたり、挿入したりする際に、静電気が発生し、この静電気が半導体装置に蓄積される。すなわち、剥離帯電、衝突帯電、摩擦帯電などの接触帯電により発生した静電気が、半導体装置に蓄積されていく。特に、バーンインボードのソケットには、一般に、半導体装置の装着を確実なもににするための開閉機構のある爪部が設けられており、この爪部の開閉機構が開閉することによっても、摩擦帯電により静電気が発生し、半導体装置が帯電する。
【０００６】
この帯電した半導体装置が装着されたバーンインボードを、グランド電位にあるバーンインボード用の台車に挿入したり、バーンイン装置のスロットに挿入したりすると、半導体装置に溜まった静電気が一気に放電し、半導体装置を損傷させてしまう恐れがある。
【０００７】
このような静電気による半導体装置の損傷を防止するため、特開平７−５８１８４号公報（特許文献１）では、ピックアップ装置でピックアップされた半導体装置に、搬送アームの内部から半導体装置の静電気を除去するためのイオンを送り込む技術を開示している。しかし、このような手法では、搬送アームの構造が複雑になり、可動部の多い搬送アームの性質上、好ましくない。また、搬送アームの製造コストの増大も招いてしまう。
【０００８】
また、特開２００１−４４０８９号公報（特許文献２）では、クリーンルームの上部に軟Ｘ線照射装置を設け、このクリーンルーム内にある半導体ウエハの静電気を除去する技術を開示している。しかし、大きな容積のある空間の上部に軟Ｘ線照射装置を設けるだけでは、十分な静電気除去効果を発揮することは期待できない。
【特許文献１】特開平７−５８１８４号公報
【特許文献２】特開２００１−４４０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、比較的簡単な構成で十分な静電気除去効果を発揮できる半導体装置の搬送装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の搬送装置は、
マウント開口部を介して、ピックアップした半導体装置の装着用ボードに対する搬送を行うためのピックアップ装置と、
前記マウント開口部に静電気除去用のイオンを供給するためのイオナイザーであって、前記静電気除去用のイオンを生成するイオン生成部と、前記イオン生成部に空気を配送するための空気配送配管部とを有し、前記空気配送配管部から配送された空気に前記イオン生成部で生成された前記静電気除去用のイオンを混入して前記イオン生成部から送出する、イオナイザーと、
を備えることを特徴とする。
【００１１】
この場合、前記イオン生成部の空気送出方向側には、前記イオン生成部から送出された空気を排出するための排出口の形成された、排出口形成部が設けられるようにしてもよい。
【００１２】
この場合、前記排出口形成部は、前記マウント開口部の形状に合致するように、前記マウント開口部の周囲に配設されているようにしてもよい。
【００１３】
或いは、前記排出口形成部は、前記マウント開口部の１つの辺に沿って、直線的に配設されるようにしてもよい。
【００１４】
また、前記イオン生成部の空気送出方向側にある前記イオン生成部の開口が、前記静電気除去用のイオンの混入された空気を前記マウント開口部に排出するための排出口として機能するように構成されるようにしてもよい。
【００１５】
また、前記排出口は、前記イオン生成部から送出された空気が、装着用ボードに向けて排出されるように配置されるようにしてもよい。
【００１６】
また、前記ピックアップ装置は、前記マウント開口部を介して、ピックアップした半導体装置を装着用ボードに装着する処理を行うようにしてもよい。
【００１７】
また、前記ピックアップ装置は、前記マウント開口部を介して、装着用ボードに装着されている半導体装置をピックアップして抜去する処理を行うようにしてもよい。
【００１８】
また、半導体装置の搬送装置は、前記イオン生成部に電源を供給する電源ラインをさらに備えており、
前記イオン生成部は、前記電源ラインから供給された電源を、前記イオン生成部に設けられた放電針に供給することにより、前記静電気除去用のイオンを生成するようにしてもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００２０】
〔第１実施形態〕
図１は、第１実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０を用いて、半導体装置をバーンインボードＢＩＢに装着する処理を説明するブロック図である。
【００２１】
この図１に示すように、バーンインボードＢＩＢに装着すべき被試験デイバスである半導体装置ＤＵＴが、トレイ２０に並べられている。このトレイ２０の上には、任意の個数の半導体装置ＤＵＴが並べられる。
【００２２】
半導体装置ＤＵＴが並べられたトレイ２０は、載置台３０の上に載置される。この載置台３０は、載置台３０の基本的部分を構成する本体部３２と、本体部３２の上面側を覆う導電マット３４とを備えて構成されている。この導電マット３４は、高い抵抗値を有する導電性のマットであり、例えば本実施形態では、１ＭΩから１０ＭΩの抵抗値を有している。本体部３２は、グランド接地されている。したがって、トレイ２０に並べられた半導体装置ＤＵＴが帯電していたとしても、高い抵抗の導電マット３４を介して、徐々に放電されることとなる。
【００２３】
半導体装置ＤＵＴが並べられたトレイ２０は、機械により自動的に、又は、人手により、半導体装置の搬送装置１０内に搬入される。半導体装置の搬送装置１０では、ＩＣハンドリング装置に設けられたピックアップ装置により、トレイ２０から半導体装置ＤＵＴがピックアップされ、バーンインボードＢＩＢのソケットに挿入される。この半導体装置ＤＵＴのピックアップや挿入作業時に発生する静電気による帯電を除去するため、半導体装置の搬送装置１０内には、イオナイザー４０が設けられている。
【００２４】
イオナイザー４０は、イオンを発生する装置であり、一般的には、プラスイオンとマイナスイオンの双方を発生するタイプと、プライスイオンとマイナスイオンのうちの一方のイオンを発生するタイプとがある。どちらのタイプのイオナイザーを用いるかは、発生する主たる静電気がプラスであるのかマイナスであるのか等に基づいて、任意に選択可能である。但し、一般的には、プラスイオンとマイナスイオンの双方を発生するタイプの方が使い勝手がよいと考えられていることから、本実施形態では、イオナイザー４０には、プラスイオンとマイナスイオンの双方を発生するタイプを用いている。イオナイザー４０が生成したイオンは、バーンインボードＢＩＢ上の半導体装置ＤＵＴに供給される。このため、イオナイザー４０が供給したイオンにより、帯電した半導体装置ＤＵＴが徐々に放電されて、中和されるようになっている。
【００２５】
半導体装置の搬送装置１０は、バーンインボードＢＩＢのすべてのソケットに半導体装置ＤＵＴを装着し終えると、このバーンインボードＢＩＢをキャリアラックＣＲのスロットに挿入する。一般に、キャリアラックＣＲ内には複数のバーンインボードＢＩＢを収納することが可能であるので、半導体装置の搬送装置１０は、キャリアラックＣＲのすべてのスロットにバーンインボードＢＩＢを挿入し終えるまで、トレイ２０からの半導体装置ＤＵＴのピックアップと、ピックアップした半導体装置ＤＵＴのバーンインボードＢＩＢのソケットへの装着と、キャリアラックＣＲのスロットへのバーンインボードＢＩＢの挿入とを繰り返す。
【００２６】
すべてのスロットにバーンインボードＢＩＢが挿入されたキャリアラックＣＲは、台車５０を用いて、機械により自動的に、又は、人手により、半導体装置の搬送装置１０から搬出される。搬出されたキャリアラックＣＲは、バーンイン装置に搬入されて、バーンイン装置内でバーンイン試験が行われる。
【００２７】
図２は、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０を用いて、半導体装置ＤＵＴをバーンインボードＢＩＢから抜去する処理を説明するブロック図である。半導体装置ＤＵＴを抜去する際の動作は、基本的に、上述した半導体装置ＤＵＴを装着する際の動作の逆手順となる。
【００２８】
図２に示すように、バーンイン装置におけるバーンイン試験の完了した半導体装置ＤＵＴは、キャリアラックＣＲを乗せた台車５０を用いて、機械により自動的に、又は、人手により、半導体装置の搬送装置１０内に搬入される。
【００２９】
半導体装置の搬送装置１０は、キャリアラックＣＲのスロットからバーンインボードＢＩＢを取り出す。ＩＣハンドリング装置のピックアップ装置は、バーンインボードＢＩＢのソケットから半導体装置ＤＵＴをピックアップし、トレイ２０に並べていく。半導体装置ＤＵＴを並べ終えたトレイ２０は、機械により自動的に、又は、人手により、半導体装置の搬送装置１０から搬出され、載置台３０の上に載置される。
【００３０】
ＩＣハンドリング装置のピックアップ装置が、バーンインボードＢＩＢのソケットから半導体装置ＤＵＴをピックアップする際にも、静電気が発生し、半導体装置ＤＵＴが帯電する可能性があるが、イオナイザー４０から送出されるイオンにより、このピックアップの際に発生した静電気の除去が行われる。
【００３１】
図３は、図１及び図２に示した半導体装置の搬送装置１０の構成の一例を説明するレイアウト図である。この図３に示すように、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０は、トレイ搬送部６０とハンドリング部７０とバーンインボードエレベータ部８０とを備えて構成されている。
【００３２】
トレイ搬送部６０は、半導体装置ＤＵＴが並べられたトレイ２０を搬送するための装置である。半導体装置ＤＵＴをバーンインボードＢＩＢに装着する際には、半導体装置ＤＵＴの並べられたトレイ２０を搬入し、ハンドリング部７０に送り出す。
【００３３】
ハンドリング部７０には、ＩＣハンドリング装置７２が設けられている。ＩＣハンドリング装置７２は、Ｘ軸方向（図の左右方向）に自在に移動する移動プレート７４と、この移動プレート７４に設けられて、半導体装置ＤＵＴのピックアップを行うピックアップ装置７６、７８を備えている。ピックアップ装置７６、７８は、Ｙ軸方向（図の奥行き方向）とＺ軸方向（図の上下方向）に自在に移動可能である。
【００３４】
ピックアップ装置７６、７８の下側には、それぞれ、半導体装置ＤＵＴを吸引してピックアップするための吸引部９０、９２が設けられている。吸引部９０、９２の個数は任意であるが、複数の吸引部９０、９２を設けることにより、同時に複数の半導体装置ＤＵＴをピックアップすることができるようになる。
【００３５】
なお、本実施形態では、ピックアップ装置７６、７８は、半導体装置ＤＵＴを空気で吸引することによりピックアップする機構であるが、これと異なる機構で半導体装置ＤＵＴをピックアップするようにしてもよい。
【００３６】
２つのピックアップ装置７６、７８のうちピックアップ装置７６は、トレイ２０に並んだ半導体装置ＤＵＴをピックアップして、中継台座１００に並べる操作を行う。中継台座１００は、トレイ２０からピックアップした半導体装置ＤＵＴを一時的に並べておくための台座である。
【００３７】
より具体的には、移動プレート７４がＸ軸方向に移動し、ピックアップ装置７６がＹ軸方向に移動することにより、ピックアップすべきトレイ２０上の半導体装置ＤＵＴの位置に、ピックアップ装置７６の吸引部９０の位置を合わせる。そして、ピックアップ装置７６がＺ軸方向下方に移動し、吸引部９０がトレイ２０上の半導体装置ＤＵＴを吸引してピックアップした後、ピックアップ装置７６がＺ軸方向上方に移動する。
【００３８】
このようにピックアップ装置７６が半導体装置ＤＵＴをピックアップして保持した状態で、再び、移動プレート７４をＸ軸方向に移動し、ピックアップ装置７６をＹ軸方向に移動することにより、保持している半導体装置ＤＵＴの位置を、中継台座１００の並べるべき位置に合わせる。そして、ピックアップ装置７６がＺ軸方向下方に移動し、吸引部９０が半導体装置ＤＵＴの吸引を停止することにより、半導体装置ＤＵＴを中継台座１００に載置する。半導体装置ＤＵＴをリリースしたピックアップ装置７６は、Ｚ軸方向上方に移動する。このような動作により、トレイ２０から中継台座１００への半導体装置ＤＵＴの搬送が完了する。
【００３９】
半導体装置の搬送装置１０の搬送基板１１０には、マウント開口部１２０が形成されている。本実施形態においては、搬送基板１１０上に、上述したトレイ２０や中継台座１００が載置される。また、本実施形態においては、ハンドリング部７０における搬送基板１０の上側に半導体装置ＤＵＴの搬送機構が形成されており、搬送基板１１０の下側にバーンインボードＢＩＢの搬送機構が形成されている。
【００４０】
バーンインボードＢＩＢの搬送機構は、マウント開口部１２０の下方位置に、半導体装置ＤＵＴが装着されるべきバーンインボードＢＩＢが位置するように、バーンインボードＢＩＢを搬送制御する。すなわち、バーンインボードＢＩＢの搬送機構は、半導体装置ＤＵＴが装着されるべきバーンインボードＢＩＢを、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に移動し、バーンインボードＢＩＢの搬送処理を行う。
【００４１】
図４は、本実施形態に係るマウント開口部１２０近傍を上から見た状態を示す図面図であり、図５は、本実施形態に係るマウント開口部１２０近傍の部分的な断面図である。
【００４２】
これら図４及び図５を用いて半導体装置ＤＵＴの装着動作を詳しく説明する。まず、マウント開口部１２０の下側には、バーンインボードＢＩＢが搬送されて、所定の位置で静止する。この静止したバーンインボードＢＩＢのソケットＳＫＴに、ピックアップ装置７８が半導体装置ＤＵＴを装着する。
【００４３】
具体的には、移動プレート７４がＸ軸方向に移動し、ピックアップ装置７６がＹ軸方向に移動することにより、中継台座１００上のピックアップすべき半導体装置ＤＵＴの位置に、ピックアップ装置７８の吸引部９２の位置を合わせる。そして、ピックアップ装置７８がＺ軸方向下方に移動し、吸引部９２が中継台座１００から半導体装置ＤＵＴを吸引してピックアップした後、ピックアップ装置７８がＺ軸方向上方に移動する。
【００４４】
このように半導体装置ＤＵＴをピックアップして保持した状態で、再び、移動プレート７４をＸ軸方向に移動し、ピックアップ装置７８をＹ軸方向に移動することにより、保持している半導体装置ＤＵＴの位置を、装着すべきバーンインボードＢＩＢのソケットＳＫＴの位置に合わせる。そして、ピックアップ装置７８がＺ軸方向下方に移動し、吸引部９２が半導体装置ＤＵＴの吸引を停止し、ソケットＳＫＴに半導体装置ＤＵＴを挿入することにより、半導体装置ＤＵＴがバーンインボードＢＩＢのソケットＳＫＴに装着される。このような動作により、中継台座１００からバーンインボードＢＩＢのソケットＳＫＴへの半導体装置ＤＵＴの装着が完了する。
【００４５】
すべてのソケットＳＫＴに半導体装置ＤＵＴが装着されたバーンインボードＢＩＢは、バーンインボードエレベータ部８０に搬出される。バーンインボードエレベータ部８０では、キャリアラックＣＲがＺ軸方向に移動し、ハンドリング部７０から搬出されたバーンインボードＢＩＢを、キャリアラックＣＲの空きスロットに挿入する。すべてのスロットにバーンインボードＢＩＢが挿入されたキャリアラックＣＲは、バーンインボードエレベータ部８０から搬出され、バーンイン装置でバーンイン試験が行われる。
【００４６】
バーンインボードＢＩＢに半導体装置ＤＵＴをインサートする際の動作は以上の通りであるが、バーンインボードＢＩＢから半導体装置ＤＵＴをアンインサートする際の動作は、上述した動作と反対の動作により実現される。
【００４７】
すなわち、バーンインボードエレベータ部８０に、バーンイン装置からキャリアラックＣＲが搬入される。このキャリアラックＣＲのスロットには、バーンイン試験の終了した半導体装置ＤＵＴをソケットＳＫＴに装着したバーンインボードＢＩＢが挿入されている。
【００４８】
キャリアラックＣＲのスロットから取り出されたバーンインボードＢＩＢは、ハンドリング部７０に搬入され、搬送装置１０のマウント開口部１２０の下方位置で静止する。そして、マウント開口部１２０を介して、ピックアップ装置７８がバーンインボードＢＩＢのソケットＳＫＴから半導体装置ＤＵＴを順番に抜去し、中継台座１００上に載置する。
【００４９】
中継台座１００に載置された半導体装置ＤＵＴは、ピックアップ装置７６がピックアップし、トレイ２０に並べる。バーンイン試験の完了した半導体装置ＤＵＴが並べられたトレイ２０は、ハンドリング部７０からトレイ搬送部６０に搬送され、トレイ搬送部６０から、半導体装置の搬送装置１０の外部に搬出される。
【００５０】
また、上述したように、本実施形態における半導体装置の搬送装置１０には、マウント開口部１２０に静電気除去用のイオンを含む空気を送り込むイオナイザー４０が設けられている。イオナイザー４０は、コントロールユニット４２と、イオン生成部４４と、排出口形成部４６とを備えている。本実施形態においては、イオン生成部４４は、マウント開口部１２０の近傍に設置されており、コントロールユニット４２はマウント開口部１２０から離れた任意に箇所に設置されている。
【００５１】
コントロールユニット４２は、イオナイザー４０が生成するイオンの量や空気を送り出す量の制御などを行う。コントロールユニット４２とイオン生成部４４との間には、空気配送配管部４７Ａと、電源ライン４７Ｂとが配設されている。
【００５２】
空気配送配管部４７Ａは、コントロールユニット４２から送り出された空気をイオン生成部４４に配送する。本実施形態では、空気配送配管部４７Ａで配送する空気は、この半導体装置の搬送装置１０の外部から供給された空気の圧力をコントロールユニット４２が調整することにより生成されている。すなわち、この半導体装置の搬送装置１０が設置された工場等に設けられている圧縮空気の配管から、コントロールユニット４２が空気の要求を受け、圧力調整をした上で、イオン生成部４４に配送している。
【００５３】
但し、この半導体装置の搬送装置１０が設置された場所に、圧縮空気の配管が無い場合等には、コントロールユニット４２にエアコンプレッサを内蔵して、必要な圧力の空気をコントロールユニット４２からイオン生成部４４に送り出すようにしてもよい。
【００５４】
また、コントロールユニット４２は、電源ライン４７Ｂを介して、イオン生成部４４に電源を供給している。コントロールユニット４２が電源ライン４７Ｂを介して供給する電源は、上述したように、イオナイザー４０のタイプにより、交流電源の場合と、直流電源の場合とがある。いずれのタイプであっても、コントロールユニット４２は、電源ライン４７Ｂを介して供給する電源の制御をすることにより、イオン生成部４４で生成するイオンの量の制御を行う。
【００５５】
図６は、本実施形態に係るイオン生成部４４の近傍の構造を説明するための拡大断面図である。この図６に示すように、イオン生成部４４には、イオンを発生する放電針４７Ｃが設けられている。この放電針４７Ｃには、電源ライン４７Ｂから電源が供給され、この供給された電源により、静電気除去用のイオンを発生する。放電針４７Ｃで発生したイオンは、空気配送配管部４７Ａにより配送された空気に混入され、排出口形成部４６に送り出される。なお、この図６では、放電針４７Ｃが１つだけ設けられているが、イオン生成部４４に設ける放電針４７Ｃの数は任意に変更可能である。
【００５６】
また、一般的には、空気配送配管部４７Ａとイオン生成部４４の構成部材は、グランドに接続されている。このように構成部材がグランドに接続されている場合には、放電針４７Ｃで発生したイオンがイオン生成部４４の構成部材に吸着してしまわないようにするために、放電針４７Ｃの向きや位置を調整したり、放電針４７Ｃ周囲の風量や風向を調整したりすることが望ましい。
【００５７】
イオン生成部４４の空気送出方向側に設けられた排出口形成部４６は、平面視矩形状に形成されたマウント開口部１２０の形状に合致するように、その周囲を囲って配設される。すなわち、イオナイザー配管部４４の排出口形成部４６は、矩形状に屈曲して形成され、マウント開口部１２０内側に配設される。
【００５８】
この排出口形成部４６には、マウント開口部１２０の内側方向に向けて、イオンを含む空気を排出するための排出口４８が形成されている。排出口形成部４６に形成する排出口４８の数は任意であるが、複数の排出口４８を形成することにより、マウント開口部１２０近傍に満遍なく静電気除去用のイオンを分布させることが可能になる。
【００５９】
また、本実施形態では、この排出口形成部４６の排出口４８は、斜め下向きに形成されている。これにより、排出口４８から排出されたイオンを含む空気が、効率的にバーンインボードＢＩＢの近傍に供給されるようになる。
【００６０】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０によれば、イオナイザー４０を設け、このイオナイザー４０のイオン生成部４４をマウント開口部１２０の近傍に設置するとともに、このイオン生成部４４にコントロールユニット４２から空気と電源を供給することとした。このため、イオン生成部４４で生成された静電気除去用のイオンを、コントロールユニット４２から配送された空気に混入して、マウント開口部１２０に効率的に排出することができる。したがって、静電気除去用のイオンを効率的にバーンインボードＢＩＢに供給することができ、半導体装置ＤＵＴやソケットＳＫＴに発生した静電気を効果的に除去することができる。すなわち、静電気が発生しやすい半導体装置ＤＵＴやソケットＳＫＴの部分に、静電気除去用のイオンを集中させ、効果的に静電気除去を行うことができるようになる。
【００６１】
また、イオンを生成するイオン生成部４４と、その制御を行うコントロールユニット４２とを、離れて配設することができるので、半導体装置の搬送装置１０内におけるレイアウトの自由度を格段に高めることができる。
【００６２】
〔第２実施形態〕
第２実施形態は、上述した第１実施形態における排出口形成部４６の形状に変更を加えたものである。すなわち、上述した第１実施形態では、イオナイザー４０の排出口形成部４６を矩形状に形成したため、排出口形成部４６内の屈曲部で空気の流れに乱れが生じ、イオン生成部４４で生成されたイオンが中和してしまう恐れがある。すなわち、配管内の乱流により、プラスイオンとマイナスイオンが中和してしまい、排出口形成部４６の先端部に設けられた排出口４８から送出される空気には、十分なイオンが含まれていない恐れもある。そこで、本実施形態では、排出口形成部４６を直線的な形状にし、排出口形成部４６内で生じる乱流を可能な限り少なくしている。以下、上述した第１実施形態と異なる部分を説明する。
【００６３】
図７は、第２実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０におけるマウント開口部１２０近傍を上から見た平面図を示しており、上述した第１実施形態の図４に対応する図である。図８は、図４のマウント開口部１２０近傍の部分的な断面図であり、上述した第１実施形態の図５に対応する図である。
【００６４】
これら図７及び図８に示すように、本実施形態に係るイオナイザー４０の排出口形成部４６は、直線的に形成されている。すなわち、少なくとも排出口形成部４６には、屈曲部が形成されていない。このため、排出口形成部４６内を流れるイオンを含む空気に乱流が生じるのを避けることができる
この排出口形成部４６には、マウント開口部１２０の内側方向に向けて、イオンを含む空気を排出するための排出口４８が形成されている。すなわち、マウント開口部１２０の開口方向に向けて、マウント開口部１２０の一辺に沿った位置から、イオンを含む空気が排出される。排出口形成部４６に形成する排出口４８の数は任意であるが、複数の排出口４８を形成することにより、マウント開口部１２０近傍に満遍なく静電気除去用のイオンを分布させることが可能になる。
【００６５】
また、本実施形態では、この排出口形成部４６の排出口４８は、斜め下向きに形成されている。これにより、排出口４８から排出されたイオンを含む空気が、効率的にバーンインボードＢＩＢの近傍に供給されるようになる。
【００６６】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０によっても、イオン生成部４４で生成された静電気除去用のイオンを、コントロールユニット４２から配送された空気に混入して、マウント開口部１２０に効率的に排出することができる。したがって、静電気除去用のイオンを効率的にバーンインボードＢＩＢに供給することができ、半導体装置ＤＵＴやソケットＳＫＴに発生した静電気を効果的に除去することができる。すなわち、静電気が発生しやすい半導体装置ＤＵＴやソケットＳＫＴの部分に、静電気除去用のイオンを集中させ、効果的に静電気除去を行うことができるようになる。
【００６７】
また、イオナイザー４０の排出口形成部４６を直線形状に構成することとしたので、排出口形成部４６内で空気の流れが乱れないようにすることができ、空気の流れが乱れることによりイオン中和してしまうのを、極力回避することができる。
【００６８】
〔第３実施形態〕
第３実施形態は、上述した第１実施形態における排出口形成部４６を省いて、イオナイザー４０に排出口形成部４６を設けないようにしたものである。以下、上述した第１実施形態と異なる部分を説明する。
【００６９】
図９は、第３実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０におけるマウント開口部１２０近傍を上から見た平面図を示しており、上述した第１実施形態の図４に対応する図である。図１０は、図４のマウント開口部１２０近傍の部分的な断面図であり、上述した第１実施形態の図５に対応する図である。
【００７０】
これら図９及び図１０に示すように、本実施形態に係るイオナイザー４０には、排出口形成部４６が設けられていない。すなわち、本実施形態では、イオン生成部４４の空気送出方向側にある配管の開口そのものが、イオンを含む空気を排出する排出口１３０を構成している。
【００７１】
排出口１３０は、マウント開口部１２０の内側方向に向けて、イオンを含む空気を排出する。また、本実施形態では、この排出口１２０は、斜め下向きに空気を排出するように形成されている。
【００７２】
本実施形態では、排出口１３０は１個であるが、マウント開口部１２０の中央部分に向けて空気を排出することから、イオンを含む空気はマウント開口部１２０に全体的に拡散し、均一化されてバーンインボードＢＩＢの近傍に供給される。
【００７３】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０によっても、イオン生成部４４で生成された静電気除去用のイオンを、コントロールユニット４２から配送された空気に混入して、マウント開口部１２０に効率的に排出することができる。したがって、静電気除去用のイオンを効率的にバーンインボードＢＩＢに供給することができ、半導体装置ＤＵＴやソケットＳＫＴに発生した静電気を効果的に除去することができる。すなわち、静電気が発生しやすい半導体装置ＤＵＴやソケットＳＫＴの部分に、静電気除去用のイオンを集中させ、効果的に静電気除去を行うことができるようになる。
【００７４】
また、イオン生成部４４の空気排出方向側に排出口形成部４６を設けないこととしたので、空気配送配管部４７Ａからイオン生成部４４に続く整った空気の流れのまま、イオンを含む空気をマウント開口部１２０に排出することができる。このため、空気の流れが乱れることにより、イオン中和してしまうのを、極力回避することができる。
【００７５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず種々に変形可能である。例えば、上述した実施形態では、半導体装置の搬送装置１０は、半導体装置ＤＵＴをバーンインボードＢＩＢに装着する処理と、半導体装置ＤＵＴをバーンインボードＢＩＢから抜去する処理の双方を行う例を説明したが、どちらか一方の処理だけをする半導体装置の搬送装置についても、本発明を適用することができる。
【００７６】
また、上述した実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０では、１つのマウント開口部１２０を介して、半導体装置ＤＵＴのバーンインボードＢＩＢへの装着と抜去を行うこととしたが、半導体装置ＤＵＴの装着と抜去を異なるマウント開口部で行うようにしてもよい。例えば、搬送基板１１０に半導体装置ＤＵＴの装着用の第１のマウント開口部と、半導体装置ＤＵＴの抜去用の第２のマウント開口部とを設けるようにしてもよい。
【００７７】
また、上述した実施形態に係る半導体装置の搬送装置１０では、２つのピックアップ装置７６、７８を用いて、半導体装置ＤＵＴの装着と抜去を行うようにしたが、ピックアップ装置の数は任意である。例えば、１つのピックアップ装置で半導体装置ＤＵＴのバーンインボードＢＩＢへの装着を行うようにし、且つ、その１つのピックアップ装置で半導体装置ＤＵＴのバーンインボードＢＩＢからの抜去を行うようにしてもよい。
【００７８】
また、上述した実施形態では、半導体装置ＤＵＴを装着する装着用ボードの一例として、バーンインボードＢＩＢを例に本発明を説明したが、バーンインボードＢＩＢ以外の装着用ボードに半導体装置ＤＵＴの装着や抜去を行う半導体装置の搬送装置についても、本発明を適用することができる。
【００７９】
また、上述した実施形態では、半導体装置の搬送装置がインサーター／アンインサーターである場合を例に説明したが、半導体装置の搬送装置には、ＩＣ自動挿抜装置、インサーター／ソーター、ローダー／アンローダーなど、半導体装置を搬送する様々な装置が含まれる。
【００８０】
また、上述した実施形態では、１つのコントロールユニット４２に、１つのイオン生成部４４を接続することとしたが、１つのコントロールユニット４２に、複数のイオン生成部４４を接続し、１つのコントロールユニット４２で複数のイオン生成部４４の制御を行うようにすることもできる。この場合、増設したイオン生成部４４は、例えば、トレイ２０上に並べられた半導体装置ＤＵＴに、静電気除去用のイオンを供給するように配置してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の各実施形態に係る半導体装置の搬送装置で、半導体装置をバーンインボードに挿入する処理を説明するブロック図。
【図２】本発明の各実施形態に係る半導体装置の搬送装置で、半導体装置をバーンインボードから抜去する処理を説明するブロック図。
【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の搬送装置の構成の一例を説明するブロック図。
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の搬送装置におけるマウント開口部近傍の平面図。
【図５】図４における部分的な断面図。
【図６】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の搬送装置におけるイオナイザーのイオン生成部の構造を説明する拡大断面図。
【図７】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の搬送装置におけるマウント開口部近傍の平面図。
【図８】図７における部分的な断面図。
【図９】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の搬送装置におけるマウント開口部近傍の平面図。
【図１０】図９における部分的な断面図。
【符号の説明】
【００８２】
１０  半導体装置の搬送装置
２０  トレイ
３０  載置台
４０  イオナイザー
４２  コントロールユニット
４４  イオン生成部
４６  排出口形成部
４７Ａ  空気配送配管部
４７Ｂ  電源ライン
４７Ｃ  放電針
４８  排出口
５０  台車
ＢＩＢ  バーンインボード
ＣＲ  キャリアラック
【図１】
2008281439.tif 000003
【図２】
2008281439.tif 000004
【図３】
2008281439.tif 000005
【図４】
2008281439.tif 000006
【図５】
2008281439.tif 000007
【図６】
2008281439.tif 000008
【図７】
2008281439.tif 000009
【図８】
2008281439.tif 000010
【図９】
2008281439.tif 000011
【図１０】
2008281439.tif 000012