(57)【要約】【課題】ＳｉおよびＮｉの含有によって低熱膨張性を確保し、かつ圧延によって薄板を製作できるアルミニウム合金板の製造方法を提供する。【解決手段】Ｓｉ：１１〜２０質量％およびＮｉ：１〜６質量％を含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金素材に対し、１パス以上の熱間圧延により板材を製造するに際し、各パスにおける圧延開始時の材料温度を、前記アルミニウム合金の固相線温度よりも１０〜５０℃低い範囲内の温度に設定する。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ：１１〜２０質量％およびＮｉ：１〜６質量％を含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金素材に対し、１パス以上の熱間圧延により板材を製造するに際し、
各パスにおける圧延開始時の材料温度を、前記アルミニウム合金の固相線温度よりも１０〜５０℃低い範囲内に設定することを特徴とするアルミニウム合金板の製造方法。
【請求項２】
前記材料温度を、前記アルミニウム合金の固相線温度よりも１０〜３０℃低い範囲内に設定する請求項１に記載のアルミニウム合金板の製造方法。
【請求項３】
熱間圧延を、圧延後の板厚が１０ｍｍになるまでは１０％以下のリダクション率で行い、１０ｍｍ未満５ｍｍ以上になるまでは２０％以下のリダクション率で行い、５ｍｍ未満では４０％以下のリダクション率で行う請求項１または２に記載のアルミニウム合金板の製造方法。
【請求項４】
熱間圧延に供する素材を、ビレット温度：４３０〜４８０℃、押出速度０．１〜１ｍ／ｍｉｎの押出成形により製作する請求項１〜３のいずれか１項に記載のアルミニウム合金板の製造方法。
【請求項５】
熱間圧延後の板材に４５０〜５００℃で１〜５ｈの熱処理を施す請求項１〜４のいずれか１項に記載のアルミニウム合金板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法により製造したことを特徴とするアルミニウム合金板。
【請求項７】
金属断面組織においてＡｌ3Ｎｉ金属間化合物の平均粒径が２０μｍ以下である請求項６に記載のアルミニウム合金板。
【請求項８】
請求項６または７に記載されたアルミニウム合金板をアルミニウム基板とし、このアルミニウム基板上に絶縁層があり、さらにこの絶縁層上に銅があることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項９】
前記絶縁層は、絶縁性樹脂または前記絶縁性樹脂に熱伝導性フィラーを配合した絶縁性樹脂組成物を含む、請求項８に記載のプリント配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばプリント基板等に用いられる低熱膨張性のアルミニウム合金板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
低熱膨張性アルミニウム合金としては、Ａｌ−Ｓｉ合金やＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金が周知であり、特に後者は耐熱性にも良好であることが知られている（特許文献１〜４参照）。
【０００３】
ところで、図１に示すように、プリント配線基板(1)は、基板(2)上に絶縁層(3)を積層し、この絶縁層(3)上に通電層(4)を所要回路形状に積層したものであり、前記通電層(4)に電子部品(5)がハンダ(6)で接合される。一般に、このようなプリント配線基板(1)では、基板(2)の材料として熱伝導性に優れたアルミニウムまたはアルミニウム合金あるいは銅が用いられ、通電層(4)として銅箔が用いられる。軽量性の点では銅よりもアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基板(2)を用いることが好ましい。
【０００４】
前記プリント配線基板(1)において、銅箔(4)と熱膨張係数に差のある基板(2)を用いると、実装品である電子部品(5)から発生する熱や雰囲気温度により冷熱サイクルが繰り返され、逆方向の反りが繰り返し発生してハンダ(6)に疲労クラックが発生することがある。このため、基板(2)として、銅箔(4)の熱膨張係数（約１７×１０-6／Ｋ）に近いアルミニウム合金が望ましく、熱膨張係数が約２４×１０-6／Ｋの純アルミニウムよりも、上述した低熱膨張性のＡｌ−Ｓｉ合金やＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金が望まれる。
【特許文献１】特開平６−４１６６７号公報
【特許文献２】特開平２−６１０２５号公報
【特許文献３】特開２００１−３３５８７２号公報
【特許文献４】特開平２−７３９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した基板(2)には圧延板を用いるのが一般的である。基板(2)の熱膨張係数を銅箔に近づけるには相当量のＳｉおよびＮｉを添加する必要があるが、Ｓｉ濃度を高くすると圧延性が低下し、基板(2)に用いるような薄板の製作が極めて困難である。特許文献４に記載されたＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金による管体の製作においては、押出成形した素管に抽伸加工を施し、さらに表面切削により所期する肉厚を得ている。しかし、押出成形ではプリント配線基板に用いるような寸法の大きい薄板を製作することは困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述した技術背景に鑑み、ＳｉおよびＮｉの含有によって低熱膨張性を確保し、かつ圧延によって薄板を製作できるアルミニウム合金板の製造方法の提供を目的とする。
【０００７】
即ち、本発明のアルミニウム合金板の製造方法は下記〔１〕〜〔５〕に記載の構成を有する。
【０００８】
〔１〕  Ｓｉ：１１〜２０質量％およびＮｉ：１〜６質量％を含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金素材に対し、１パス以上の熱間圧延により板材を製造するに際し、
各パスにおける圧延開始時の材料温度を、前記アルミニウム合金の固相線温度よりも１０〜５０℃低い範囲内に設定することを特徴とするアルミニウム合金板の製造方法。
【０００９】
〔２〕  前記材料温度を、前記アルミニウム合金の固相線温度よりも１０〜３０℃低い範囲内に設定する前項１に記載のアルミニウム合金板の製造方法。
【００１０】
〔３〕  熱間圧延を、圧延後の板厚が１０ｍｍになるまでは１０％以下のリダクション率で行い、１０ｍｍ未満５ｍｍ以上になるまでは２０％以下のリダクション率で行い、５未満では４０％以下のリダクション率で行う前項１または２に記載のアルミニウム合金板の製造方法。
【００１１】
〔４〕  熱間圧延に供する素材を、ビレット温度：４３０〜４８０℃、押出速度０．１〜１ｍ／ｍｉｎの押出成形により製作する前項１〜３のいずれか１項に記載のアルミニウム合金板の製造方法。
【００１２】
〔５〕  熱間圧延後の板材に４５０〜５００℃で１〜５ｈの熱処理を施す前項１〜４のいずれか１項に記載のアルミニウム合金板の製造方法。
【００１３】
また、本発明のアルミニウム合金板は下記〔６〕〔７〕に記載の構成を有する。
【００１４】
〔６〕  前項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法により製造したことを特徴とするアルミニウム合金板。
【００１５】
〔７〕  金属断面組織においてＡｌ3Ｎｉ金属間化合物の平均粒径が２０μｍ以下である前項６に記載のアルミニウム合金板。
【００１６】
また、本発明のプリント配線基板は下記〔８〕〔９〕に記載の構成を有する。
【００１７】
〔８〕  前項６または７に記載されたアルミニウム合金板をアルミニウム基板とし、このアルミニウム基板上に絶縁層があり、さらにこの絶縁層上に銅があることを特徴とするプリント配線基板。
【００１８】
〔９〕  前記絶縁層は、絶縁性樹脂または前記絶縁性樹脂に熱伝導性フィラーを配合した絶縁性樹脂組成物を含む、前項８に記載のプリント配線基板。
【発明の効果】
【００１９】
上記〔１〕に記載のアルミニウム合金板の製造方法によれば、圧延時のマトリックスの流動によりＡｌ3Ｎｉ金属間化合物が粉砕されるとともに分散され、かつ空隙の発生が防がれる。これらの作用により圧延中の割れの発生が抑制されて良好な圧延性が得られ薄板を製作することができる。材料となるアルミニウム合金はその組成により熱膨張性が低いものであるから、本製造方法により低熱膨張性の薄板を製作することができる。
【００２０】
上記〔２〕に記載のアルミニウム合金板の製造方法によれば、特にマトリックスの流動性が良好であり、圧延性が良い。
【００２１】
上記〔３〕に記載のアルミニウム合金板の製造方法によれば、最終目的の厚さの板材を効率良く製造することができる。
【００２２】
上記〔４〕に記載のアルミニウム合金板の製造方法によれば、押出成形時に合金組織が微細化され、粗大組織による圧延割れを抑制することができる。
【００２３】
上記〔５〕に記載のアルミニウム合金板の製造方法によれば、圧延板の熱膨張係数をさらに低下させることができる。
【００２４】
上記〔６〕〔７〕に記載のアルミニウム合金板は、〔１〕〜〔５〕に記載の方法で製造されたものであるから、低熱膨張性の板材である。
【００２５】
上記〔８〕に記載されたプリント配線基板は、アルミニウム基板として、上記〔６〕または〔７〕に記載されたアルミニウム合金板を用いたものであるから、アルミニウム基板と通電層との熱膨張係数差が少なく加熱と冷却を繰り返しても反りが少ない。ひいては電子部品を取り付けるためのハンダにおけるクラック発生が抑制される。
【００２６】
上記〔９〕に記載されたプリント配線基板は、絶縁層とアルミニウム基板との接合性、絶縁層と通電層との接合性が良好である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明に適用するアルミニウム合金は、Ｓｉ：１１〜２０質量％およびＮｉ：１〜６質量％を含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金である。ＳｉおよびＮｉの含有意義および濃度の限定理由は以下の通りである。
【００２８】
Ｓｉはアルミニウム合金の熱膨張係数を低くするために必要な元素である。Ｓｉ濃度が高くなるほど熱膨張係数が低くなり、本発明においてはＳｉ濃度が１１〜２０質量％のアルミニウム合金を用いる。１１質量％未満では所期する低い熱膨張係数を得ることができず、２０質量％を超えると熱膨張係数はさらに低くなるが、延性が低下して圧延が困難になるとともに、切断や穴あけ等の後加工も困難となる。また、Ｓｉ濃度が高くなると熱伝導率が低下するため、プリント配線基板等の放熱性が要求される用途には適さない。熱膨張係数と圧延性の両者を勘案すると、さらに好ましいＳｉ濃度は１８〜２０質量％である。
【００２９】
Ｎｉは、Ａｌ3Ｎｉなる金属間化合物を形成してアルミニウム合金の熱膨張係数を低くする元素である。アルミニウム合金において圧延性に比較的大きい影響を与えるのは初晶Ｓｉであるが、Ｎｉの添加によりＡｌ3Ｎｉなる金属間化合物を形成し、Ｓｉ濃度を上記範囲に設定しても低い熱膨張係数を確保しつつ、圧延性を確保して圧延による薄板製造を可能にする。また、穴あけ等の加工性も確保することができる。Ｎｉ濃度が１質量％未満では熱膨張係数を低くする効果が乏しく、Ｎｉ濃度が６質量％を超えると合金の融点が高くなって、鋳造時の溶融温度を高くしなければならない。従って、本発明においてＮｉ濃度は１〜６質量％とする。Ｎｉ濃度はＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉの３元共晶点付近で融点が比較的低い５質量％付近が好ましく、さらに好ましいＮｉ濃度は、４〜６質量％である。
【００３０】
また、アルミニウム合金の残部組成はＡｌおよび不純物である。不純物とは、Ｓｉ、ＮｉおよびＡｌ以外の元素であり、合金の特性向上を目的として添加される元素、合金の特性を損なわない範囲で含有が許容される元素、および製造上不可避的に含有される元素を含むものである。
【００３１】
表１に参照されるように、上記組成のアルミニウム合金の熱膨張係数は約２０×１０-6／Ｋ〜約１７×１０-6／Ｋであるが、銅の熱膨張係数の１７．０×１０-6／Ｋに近似しており、本発明で製造したアルミニウム合金板をプリント配線基板(1)の基板として用いた場合に銅箔(4)との熱膨張係数の差を可及的に小さくすることができ、クラックの発生を軽減することが可能となる。
【００３２】
上述したアルミニウム合金は、圧延用の素材に対し、１パス以上の熱間圧延を行い、所望の板厚に成形する。圧延開始時の材料温度を所定の高温領域内に保つことで圧延中のマトリックスの流動性を確保し、鋳造時に生成されたＡｌ3Ｎｉ金属間化合物を粉砕し分散させるとともに、マトリックス中に空隙が生じるのを防ぐことができる。これらの作用により、圧延中の割れが抑制されて良好な圧延性を得ることができる。
【００３３】
各パスにおける圧延温度は以下のようにして設定する。
【００３４】
材料となるアルミニウム合金の固相線温度よりも１０〜５０℃低い領域、即ち（固相線温度−５０℃）〜（固相線温度−１０℃）を圧延温度範囲とし、各パスの圧延開始時の材料温度を圧延温度範囲内の温度に設定する。前記圧延温度範囲は圧延に適した流動性が得られる温度領域であり、上限値が（固相線温度−１０℃）を超えて高くなると粒界割れが生じて圧延に適さず、下限値（固相線温度−５０℃）よりも低くなると流動性が不足してＡｌ3Ｎｉ金属間化合物の粉砕および分散が不十分となるおそれがある。さらに好ましい圧延温度範囲は固相線温度よりも１０〜３０℃低い範囲、即ち（固相線温度−３０℃）〜（固相線温度−１０℃）である。
【００３５】
１回目のパスにおいて前記圧延温度範囲内の温度に設定して圧延しても、圧延中あるいはパスを重ねる毎に材料温度は自然低下する。そこで２回目以降のパスでは、パス前の材料温度が前記圧延温度範囲よりも低下した場合は、前記圧延温度範囲内となるように材料を再昇温し、前記圧延温度範囲内の温度で圧延を開始する。材料温度が低下しても圧延温度範囲内であれば再昇温することは任意であり、昇温することなく圧延しても良いし、昇温しても良い。２回目以降のパスにおいて再昇温する場合は必ずしも１回目のパスと同じ温度である必要はなく、圧延温度範囲内の任意温度に昇温すれば良い。前記圧延温度範囲内は圧延に適した流動性が得られる温度域であるから、リダクション率や圧延速度に応じて再昇温温度を適宜設定することができる。また、パス回数は限定されず、１パスのみの場合を含む任意回数である。
【００３６】
また、熱間圧延においては、板厚が薄くなるほど高リダクション率の圧延が可能である。下記式で表されるリダクション率（％）は、圧延後の板厚が１０ｍｍになるまでは１０％以下、圧延後の板厚が１０ｍｍ未満５ｍｍ以上のときに２０％以下、圧延後の板厚が５ｍｍ未満のときに４０％以下で圧延することが望ましく、各パスのリダクションを上記範囲で設定することにより、最終目的の厚さの板材を効率良く製造することができる。特に好ましいリダクション率は、圧延後の板厚が１０ｍｍになるまでは５〜７％、１０ｍｍ未満５ｍｍ以上のときは１０〜１５％、５ｍｍ未満のときは２０〜３０％である。
【００３７】
リダクション率（％）＝｛（圧延後の板厚−圧延前の板厚）／圧延前の板厚｝×１００
上述した熱間圧延には、所定組成の合金を鋳造した平板状鋳塊（スラブ）を供することも、ビレットを鋳造して押出成形した押出材を供することも、押出前のビレットを供することもできる。押出成形により材料の合金組織が微細化され、粗大組織による圧延割れを抑制することができる。ビレットの押出方法、押出条件は何ら制限を受けないが、好適にはビレット温度：４３０〜４８０℃の熱間で、押出速度０．１〜１ｍ／ｍｉｎで押出成形することにより、良好に押し出すことができる。また、押出に際しては押出温度を一定に保つために、コンテナ温度も４３０〜４８０℃に設定しておくことが望ましい。特に好ましい押出条件は、ビレット温度：４５０〜４７０℃の熱間で、押出速度０．５〜０．７ｍ／ｍｉｎである。
【００３８】
上述した工程で熱間圧延すれば、Ａｌ3Ｎｉ金属間化合物が粉砕されかつ分散されながら圧延されるため、良好な圧延性が得られ、薄板の製作が可能である。本発明において製作する板材の厚さは限定されないが、０．５〜４ｍｍの薄板製作も可能である。また、製造されたアルミニウム合金板の金属組織においては、Ａｌ3Ｎｉ金属間化合物が粉砕されて平均粒径が２０μｍ以下に微細化されている。
【００３９】
最終厚さまで圧延したアルミニウム合金板は、熱処理により熱膨張係数を低下させることができる。熱処理条件は４５０〜５００℃で１〜５ｈ保持することが好ましい。４５０℃未満または１ｈ未満では上記効果に乏しく、５００℃を超えると最終製品の機械的性質や形状に悪影響を及ぼすおそれがある。また５ｈを超えて長時間処理してもさらなる低熱膨張化は期待できない。さらに好ましい熱処理条件は、４８０〜５００℃で１〜３である。
【００４０】
本発明の方法で製造したアルミニウム合金板の用途は限定されないが、低熱膨張性で薄板加工が可能であることから、プリント配線基板のアルミニウム基板として好適に用いることができる。低熱膨張性であるためにハンダクラックを低減することができ、特に冷熱サイクルが繰り返される環境、例えば車載用プリント配線基板のベース板として最適である。
前記用途において、好ましい板厚は０．５〜５ｍｍであり、特に好ましい板厚さは０．５〜４ｍｍである。その他の用途して、車載用、ＬＥＤ用、ＰＤＰドライバー用、液晶ドライバー用、各種パワートランジスター用の基板としても好適である。また、発熱する各種電子部品を搭載する筐体やシャーシ等の構造部材、その他の熱膨張による不具合を緩和する部品や部材等の各種用途に広く使用できる。
【００４１】
本発明のプリント配線基板は、図１に参照されるように、上述した本発明のアルミニウム合金材を基板(2)とし、このアルミニウム基板(2)上に絶縁層(3)を積層し、さらにこの絶縁層(3)上に所要回路形状の通電層(4)として銅箔が積層されたものである。プリント配線基板(1)においては、アルミニウム基板(2)の熱膨張係数が低いため、通電層(4)との熱膨張係数差が小さい。このため、通電層(4)上に取り付けられた電子部品(5)から発生する熱によって加熱と冷却が繰り返されても、反りが少なく、ハンダ(6)におけるクラック発生が抑制される。
【００４２】
絶縁層(3)は、クラッド材(10)に直接または間接的に接合される絶縁材料からなる。絶縁性が有れば絶縁材料は特に限定しないが、絶縁性樹脂または前記絶縁性樹脂に熱伝導性フィラーを配合した絶縁性樹脂組成物を推奨できる。これらの樹脂ベースの絶縁層は、アルミニウム基板および通電層との接合性が良く、かつセラミックに比べて割れにくく、大面積の基板の製作が可能である。なお、本発明において絶縁層(3)は前記絶縁性樹脂または絶縁性樹脂組成物に限定されるものではなく、セラミックも用いることができる。セラミックの場合は、例えば接着剤によりアルミニウム基板(2)に接合する。
【００４３】
前記絶縁性樹脂は、限定されないが、耐熱性が優れて熱膨張率が小さく、クラッド材(10)に密着して接着性の優れているものが好ましい。これらの条件を満たす樹脂として、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂を推奨できる。さらに、エポキシ樹脂は、特に銅箔との接着性が良く、吸湿性が少なく、かつ安価である点でも推奨できる。ポリイミド樹脂は、耐薬品性が優れるとともに厚さ方向の熱膨張率が小さく、変形が抑制される点でも推奨できる。
【００４４】
また、前記絶縁性樹脂に熱伝導性フィラーを配合した絶縁性樹脂組成物を用いることによって、絶縁層の熱伝導性を高め、ひいては放熱性能を高めることができる。熱伝導性フィラーは絶縁体であって高熱伝導率を有するものが好ましく、その例としては、金属酸化物または金属窒化物が挙げられ、具体的にはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮ、ＡｌＮを例示できる。これらの熱伝導性フィラーは単独で使用しても任意の複数種を併用しても良い。熱伝導性フィラーは、樹脂組成物中の濃度が多くなるほど絶縁層(3)の熱伝導率が高くなり、４０〜９０容量％が好ましい。４０容量％未満では熱伝導率向上効果が乏しく、９０容量％を越えるとアルミニウム基板(2)との密着性が低下して放熱性能が低下する。特に好ましい濃度は６０〜８０容量％である。また、熱伝導性フィラーの粒径は絶縁層の厚さよりも小さければよく、１０〜４０μｍが好ましい。
【００４５】
絶縁層(3)の厚さは、上記の２種類のいずれの場合も０．０１〜０．５ｍｍが好ましい。
【００４６】
上述したクラッド材(10)、絶縁層(3)、通電層(4)の接合は、例えばホットプレス等の周知の方法により適宜行う。
【００４７】
例えば、絶縁層(3)の絶縁性樹脂として熱硬化性樹脂を用いたホットプレスの一例を説明すると、通電層(4)、絶縁層(3)、アルミニウム基板(2)を重ね合わせ、上下をステンレス鋼板で挟み、さらにクッション材を介して押圧し、加熱する。このホットプレスにより、絶縁層(3)が硬化するとともにアルミニウム基板(2)と通電層(4)に接合され、これらが一体化される。また、絶縁層(3)の一部に通電層(4)を接合する場合は、位置合わせシートおよび当て板を用いて接合を行っても良い。即ち、位置合わせシートに通電層(4)を張り付け、通電層(4)に対応する位置に孔をあけた当て板を介して絶縁層(3)上に配置し、アルミニウム基板(2)に重ねる。これらをステンレス鋼板で挟み、さらにクッション材を介して押圧して加熱しても良い。これにより、絶縁層(3)の所定位置に通電層(4)が接合される。通電層に用いられる銅は、純銅でも銅合金でも良く、銅板、銅箔、銅メッキ層等など製法、形状による制限は受けない。
【実施例】
【００４８】
材料合金として、表１の合金記号ａ〜ｈに示す組成のＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金を用いた。表１に、各合金の固相線温度および熱膨張係数を示す。前記熱膨張係数は後述する圧延試験１で製作した厚さ２ｍｍの圧延板で測定したものである。これらのＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金を合金記号ｉ〜ｋのＡｌ−Ｓｉ合金と比較すると、Ｎｉの添加によりＳｉ濃度を下げても同等の低い熱膨張性を得られることがわかる。なお、Ａｌ−Ｓｉ合金の熱膨張係数は、材料合金をブックモールド法により製作した鋳塊により測定したものである。
【００４９】
また、各Ａｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金は固相線温度が５６０℃であるから、本発明で規定する圧延開始時の温度範囲は５１０〜５５０℃であり、特に好ましい温度範囲は５３０〜５５０℃である。
【００５０】
【表１】
2008001949.tif 000002
【００５１】
［圧延試験１：No.１ａ〜１ｈ］
表１の合金記号ａ〜ｈのＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金について、ブックモールド法により鋳塊を製作し、面削により厚さ１５ｍｍの圧延用素材とした。この素材に対し、１３パスの熱間圧延を行い、最終厚さが２ｍｍのアルミニウム合金板を製作した。１パス毎に圧延開始時の材料温度を５４０℃に昇温するものとし、各パス毎に厚さを１ｍｍ減じるように熱間圧延した。各パスにおけるリダクションは表２に示すとおりである。
【００５２】
各パスにおいて圧延材の割れの状況を観察し、割れがないものまたは微細な割れで実用上支障のないものを○、割れが生じたものを×で評価し、評価結果を表２に示す。さらに、最終厚さの板についてＡｌ3Ｎｉ金属間化合物の粒径を測定したところ、いずれの合金においても平均粒径が２０μｍ以下であった。
【００５３】
［圧延試験２：No.２ａ〜２ｈ］
表１の合金記号ａ〜ｈのＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金について、ブックモールド法によりビレットを鋳造し、コンテナ温度：４５０℃、ビレット温度：４５０℃、押出速度：１．０ｍ／ｍｉｎで厚さ１５ｍｍの平板を押出し、圧延用素材とした。この素材に対し、No.１ａ〜１ｈと同じ条件で１３パスの熱間圧延を行い、最終厚さが２ｍｍのアルミニウム合金板を製作した。表２に各パスにおける材料の割れの状況および最終厚さの板におけるＡｌ3Ｎｉ金属間化合物の粒径を示す。
【００５４】
【表２】
2008001949.tif 000003
【００５５】
表２より、全てのパスにおいて圧延開始時の材料温度を圧延温度範囲内の一定温度に昇温することにより薄板に圧延できることを確認した。
［圧延試験３：No.３ａ〜３ｈ］
上記圧延試験１と同じ方法で鋳造・面削した圧延用素材に対し、１０パス目まで上記圧延試験１と同じ条件で圧延し、１１パス目をリダクション４０％で圧延し、１２パス目をリダクション３３．３％で圧延し、最終厚さが２ｍｍのアルミニウム合金板を製作した。表３に各パスにおける材料の割れの状況および最終厚さの板におけるＡｌ3Ｎｉ金属間化合物の粒径を示す。
［圧延試験４：No.４ａ〜４ｈ］
上記圧延試験２と同じ方法で押し出した圧延用素材に対し、１０パス目まで上記圧延試験２と同じ条件で圧延し、１１パス目をリダクション４０％で圧延し、１２パス目をリダクション３３．３％で圧延し、最終厚さが２ｍｍのアルミニウム合金板を製作した。表３に各パスにおける材料の割れの状況および最終厚さの板におけるＡｌ3Ｎｉ金属間化合物の粒径を示す。
【００５６】
【表３】
2008001949.tif 000004
【００５７】
表３より、圧延後の板厚が５ｍｍ未満となるパスではリダクションを高くしても材料が割れることなく圧延できることを確認した。
【００５８】
［圧延試験５：No.５ａ〜５ｈ］
上記圧延試験１と同じ方法で鋳造・面削した圧延用素材に対し、１回目のパスは材料温度を５４０℃に昇温して圧延し、２回目以降のパスは、パス前の材料温度が前記圧延温度範囲よりも低下したとき、即ち５１０℃未満に低下したときのみ５４０℃に再昇温して圧延した。表４において圧延温度が「５４０℃」と示したパスは再昇温したパスであり、その他の温度を記載したパスは前パス中に自然低下した材料温度のままで圧延したものである。また、各パスのリダクションおよび圧延後の板厚は圧延試験１と同じである。
【００５９】
表４に各パスにおける材料の割れの状況および最終厚さの板におけるＡｌ3Ｎｉ金属間化合物の粒径を示す。
【００６０】
【表４】
2008001949.tif 000005
【００６１】
［圧延試験６：No.６ａ〜６ｈ］
上記圧延試験２と同じ方法で押し出した圧延用素材に対し、１回目のパスは材料温度を５４０℃に昇温して圧延し、２回目以降のパスは、パス前の材料温度が前記圧延温度範囲よりも低下したとき、即ち５１０℃未満に低下したときのみ５４０℃に再昇温して圧延した。表５において圧延温度が「５４０℃」と示したパスは再昇温したパスであり、その他の温度を記載したパスは前パス中に自然低下した材料温度のままで圧延したものである。また、各パスのリダクションおよび圧延後の板厚は圧延試験１と同じである。
【００６２】
表５に各パスにおける材料の割れの状況および最終厚さの板におけるＡｌ3Ｎｉ金属間化合物の粒径を示す。
【００６３】
【表５】
2008001949.tif 000006
【００６４】
表４および表５より、材料温度が圧延温度範囲外に低下したときのみ昇温した場合でも薄板に圧延できることを確認した。
【００６５】
［圧延試験７：No７ａ〜７ｈ］
比較例として、表１の合金記号ａ〜ｈのＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金について５１０〜５５０℃の圧延温度範囲よりも低い温度で圧延した。圧延は圧延試験１と同じく鋳造および面削により製作した圧延用素材に対し、１パス毎に圧延開始時の材料温度を４８０℃に昇温し、各パス毎に厚さを１ｍｍ減じるように熱間圧延した。この圧延において、表６に示すように、１パス目で割れが発生し、２パス目でその割れが拡大した。
【００６６】
［圧延試験８：No.８ａ〜８ｈ］
比較例として、表１の合金記号ａ〜ｈのＡｌ−Ｓｉ−Ｎｉ合金について５１０〜５５０℃の圧延温度範囲よりも低い温度で圧延した。圧延は圧延試験２と同じ方法で押し出した圧延用素材に対し、１パス毎に圧延開始時の材料温度を４８０℃に昇温し、各パス毎に厚さを１ｍｍ減じるように熱間圧延した。この圧延において、表６に示すように、１パス目で割れが発生し、２パス目でその割れが拡大した。
【００６７】
【表６】
2008001949.tif 000007
【００６８】
表６より、合金の固相線温度に基づいて設定した圧延温度範囲よりも低い温度では薄板製作ができなかった。
【００６９】
［最終圧延材に対する熱処理］
圧延試験１および圧延試験２で製作した厚さ２ｍｍの圧延板に対し、５００℃で３時間の熱処理を行った。熱処理の前後における熱膨張係数を表７に示す。
【００７０】
【表７】
2008001949.tif 000008
【００７１】
表７より、圧延後に熱処理を施すことで熱膨張係数を低下させ得ることを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明のアルミニウム合金材の製造方法によれば低熱膨張性の薄板製作が可能であり、プリント配線基板のアルミニウム基板等の熱膨張によって不具合を生じる部材材料として広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】プリント配線基板の断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１…プリント配線基板
２…アルミニウム基板
３…絶縁層
４…通電層（銅箔）
【図１】
2008001949.tif 000009