(57)【要約】【課題】シーク時の残留振動による性能低下を防ぐシーク制御装置、シーク制御方法、ディスク装置を提供する。【解決手段】ヘッドのシーク制御を行うシーク制御装置であって、複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に、シーク制御の制御情報を記憶する記憶部１８に記憶された制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得し、該制御情報に基づいてシーク制御を行うＭＣＵ１１とを備えた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドのシーク制御を行うシーク制御装置であって、
複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に、シーク制御の制御情報を記憶する制御情報記憶部に記憶された制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得し、該制御情報に基づいてシーク制御を行う制御部と
を備えるシーク制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載のシーク制御装置において、
前記制御情報は、前記データ長範囲毎のシークプロファイルを含むことを特徴とするシーク制御装置。
【請求項３】
請求項１に記載のシーク制御装置において、
前記制御情報は、シーク距離及びシーク時間の関係と、前記データ長範囲毎の該シーク時間に加算する所定のオフセットとを含み、
前記制御部は、前記制御情報に基づいてリオーダリングを行うことを特徴とするシーク制御装置。
【請求項４】
ヘッドのシーク制御を行うシーク制御方法であって、
複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に予め記憶されたシーク制御の制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得する制御情報取得ステップと、
前記制御情報取得ステップにより取得された制御情報に基づいてシーク制御を行う制御ステップと
を実行するシーク制御方法。
【請求項５】
ヘッドのシーク制御を行う記憶装置であって、
複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に、シーク制御の制御情報を記憶する制御情報記憶部と、
前記制御情報記憶部に記憶された制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得し、該制御情報に基づいてシーク制御を行う制御部と
を備える記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドのシーク制御を行うシーク制御装置、シーク制御方法、記憶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年のＨＤＤ（Hard Disk Drive）においては、ＴＰＩ（Track Per Inch）の増加に伴い、より高精度のヘッド位置決め制御が要求されている。一方、シークの高速化の観点から、シーク制御においてより激しい加減速を行う必要がある。
【０００３】
なお、本発明の関連ある従来技術として、記録ディスクのランダムアクセスを高速化する記録ディスクアクセス制御方法およびその装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−１８５８６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ヘッドの激しい加減速は、残留振動とそれに伴うライトオフトラックを発生させる。残留振動とは、シーク制御終了直後のヘッドのポジションの揺れのことであり、ヘッド位置決め制御の精度を悪化させるものである。性能低下を引き起こす。図１０は、残留振動の一例を示すグラフである。この図において、横軸は時間、縦軸はヘッドのポジションを表す。また、この図において、ポジションの基準として、トラックセンターと２つのライトオフトラックスライス（＋側、−側）を示す。トラックセンターは、目標のポジションであり、２つのライトオフトラックスライスは、ポジションの＋側と−側のそれぞれの限界である。
【０００５】
ポジションがライトオフトラックスライスを超えない範囲でゆれる分には性能低下にならないが、ポジションがライトオフトラックスライスを超えるとライト禁止となりリトライ処理（１回転待ってから再びライト）が入るため性能低下になる。
【０００６】
次に、ブロック長と性能低下の関係について説明する。図１１は、１ブロックライトの場合のサーボゲートとライトゲートの関係の一例を示すタイムチャートである。同様に、図１２は、３５ブロックライトの場合のサーボゲートとライトゲートの関係の一例を示すタイムチャートである。いずれの図も、上段がサーボゲートの波形を示し、下段がライトゲートの波形を示す。サーボゲートは媒体上にあるサーボパターンを復調するタイミングに同期して開くウィンドウであり、ライトゲートはデータを媒体にライトするときに開くウィンドウである。サーボゲートとライトゲートは重複することは無く、サーボゲートとサーボゲートの間に複数個のライトゲートが開く構造になっている。ここでは、第１サーボフレームから第７サーボフレームまでを表す。図１２の場合、７サーボフレームにまたがって３５ブロックのデータを媒体にライトしていることになる。
【０００７】
図１１に示した１ブロックライトの場合、第１サーボフレームのサーボ復調で得られたポジションがライトオフトラックスライス内にあれば、リトライすること無くライト処理を終了することができる。しかし、図１２に示した３５ブロックライトの場合、第１サーボフレームから第７サーボフレームの全てがライトオフトラックスライス内にある必要があり、どこか１箇所でもスライスをオーバーするとリトライ処理が必要となる。つまり、同じ残留振動の波形である場合、ライトするブロック長が長いほどリトライが必要になる確率が高くなる。
【０００８】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、シーク時の残留振動による性能低下を防ぐシーク制御装置、シーク制御方法、ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するため、本発明は、ヘッドのシーク制御を行うシーク制御装置であって、複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に、シーク制御の制御情報を記憶する制御情報記憶部に記憶された制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得し、該制御情報に基づいてシーク制御を行う制御部とを備えたものである。
【００１０】
また、本発明に係るシーク制御装置において、前記制御情報は、前記データ長範囲毎のシークプロファイルを含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係るシーク制御装置において、前記制御情報は、前記シークプロファイルに対応するシーク距離及びシーク時間の関係とを含むことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係るシーク制御装置において、前記制御情報は、シーク距離及びシーク時間の関係と、前記データ長範囲毎の該シーク時間に加算する所定のオフセットとを含み、前記制御部は、前記制御情報に基づいてリオーダリングを行うことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係るシーク制御装置において、前記オフセットは、前記データ長範囲におけるリトライ確率に基づいて決定されることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係るシーク制御装置において、前記データ長は、外部から指示されたライトまたはリードのデータ長であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係るシーク制御装置において、前記データ長は、ブロック長であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、ヘッドのシーク制御を行うシーク制御方法であって、複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に予め記憶されたシーク制御の制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得する制御情報取得ステップと、前記制御情報取得ステップにより取得された制御情報に基づいてシーク制御を行う制御ステップとを実行するものである。
【００１７】
また、本発明に係るシーク制御方法において、前記制御情報は、前記データ長範囲毎のシークプロファイルを含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係るシーク制御方法において、前記制御情報は、前記シークプロファイルに対応するシーク距離及びシーク時間の関係とを含むことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係るシーク制御方法において、前記制御情報は、シーク距離及びシーク時間の関係と、前記データ長範囲毎の該シーク時間に加算する所定のオフセットとを含み、前記制御ステップは、前記制御情報に基づいてリオーダリングを行うことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係るシーク制御方法において、前記オフセットは、前記データ長範囲におけるリトライ確率に基づいて決定されることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明に係るシーク制御方法において、前記データ長は、外部から指示されたライトまたはリードのデータ長であることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明に係るシーク制御方法において、前記データ長は、ブロック長であることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、ヘッドのシーク制御を行う記憶装置であって、複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に、シーク制御の制御情報を記憶する制御情報記憶部と、前記制御情報記憶部に記憶された制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得し、該制御情報に基づいてシーク制御を行う制御部とを備えたものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、シーク時の残留振動による性能低下を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２６】
実施の形態１．
本実施の形態においては、ブロック長に応じてシークプロファイルを使い分ける磁気ディスク装置（記憶装置）について説明する。
【００２７】
まず、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成について説明する。
【００２８】
図１は、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。この図は、磁気ディスク装置のうち、サーボ制御に関するものを示す。ＭＣＵ（Micro Controller Unit）１１（制御部）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）１２、インタフェース回路１３、ＶＣＭ（Voice Coil Motor）制御回路１４、ＳＰＭ（Spindle Motor）制御回路１５、ＲＤＣ（Read / Write Channel）１６、サーボ復調回路１７、記憶部１８（制御情報記憶部）、ＶＣＭ２１、ＳＰＭ２２、アーム２３、ヘッド２４、ディスク２５、ヘッドＩＣ２６を備える。これらのうち、ＶＣＭ２１、ＳＰＭ２２、アーム２３、ヘッド２４、ディスク２５、ヘッドＩＣ２６は、ＤＥ（Disk Enclosure）３１内に設けられる。ヘッド２４は、アーム２３の先端に設けられる。
【００２９】
次に、磁気ディスク装置におけるサーボ制御の動作の概要について説明する。ＭＣＵ１１は、磁気ディスク装置の各部の制御を行う。記憶部１８は、ファームウェアなど、ＭＣＵ１１の動作に必要な情報を記憶する。インタフェース回路１３は、ＭＣＵ１１と、ＤＳＰ１２、ＶＣＭ制御回路１４、ＳＰＭ制御回路１５、ＲＤＣ１６との間の接続を行う。ＶＣＭ制御回路１４は、ＭＣＵ１１からの指示にしたがってＶＣＭ２１の制御を行う。ＶＣＭ２１は、アーム２３を駆動する。ＳＰＭ制御回路１５は、ＭＣＵ１１からの指示にしたがってＳＰＭ２２の制御を行う。ＳＰＭ２２は、ディスク２５を駆動する。ヘッド２４で読み取られたサーボ情報は、ヘッドＩＣ２６、ＲＤＣ１６、サーボ復調回路１７、ＤＳＰ１２、インタフェース回路１３を介してＭＣＵ１１に渡される。
【００３０】
次に、残留振動について説明する。
【００３１】
残留振動は、ある程度の時間が経過すれば減衰していく。また、シーク時間（アクセスタイム）を大きく（シーク速度を遅く）するとシーク制御時の加減速電流による加振量が小さくなるため、残留振動が小さくなる場合が多い。図２は、シーク時間が大きい場合の残留振動の一例を示すグラフである。この図は、図１０よりもシーク時間が大きい場合であり、図１０と比べて残留振動が小さく、ライトオフトラックスライスを超えない。
【００３２】
また、残留振動が上述したように時間と共に減衰するため、ライトオフトラックの発生確率も時間と共に減少する。例として、図１１及び図１２における第１サーボフレーム〜第７サーボフレームのライトオフトラック発生確率が、以下のように測定されたとする。
【００３３】
第１サーボフレーム
ライトオフトラック発生確率２０％（オフトラックしない確率８０％）
第２サーボフレーム
ライトオフトラック発生確率１８％（オフトラックしない確率８２％）
第３サーボフレーム
ライトオフトラック発生確率１６％（オフトラックしない確率８４％）
第４サーボフレーム
ライトオフトラック発生確率１４％（オフトラックしない確率８６％）
第５サーボフレーム
ライトオフトラック発生確率１２％（オフトラックしない確率８８％）
第６サーボフレーム
ライトオフトラック発生確率１０％（オフトラックしない確率９０％）
第７サーボフレーム
ライトオフトラック発生確率８％（オフトラックしない確率９２％）
【００３４】
この測定結果において、１Ｂｌｏｃｋライトのコマンドがリトライになる確率は、２０％であるのに対して、３５Ｂｌｏｃｋライトのコマンドがリトライになる確率は６５％に跳ね上がることになる（リトライになる確率＝１−全てのサーボフレームがオフトラックしない確率＝１−（０．８＊０．８２＊０．８４＊０．８６＊０．８８＊０．９＊０．９２）＝６５％）。
【００３５】
従って、ライトするブロック長が長い場合、ある程度シーク時間を大きくしてでも、残留振動が少なくなるようなシーク制御を行う方がリトライ回数が減り、トータルの性能が向上する。
【００３６】
次に、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の動作について説明する。
【００３７】
図３は、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の動作の一例を示すフローチャートである。本実施の形態においては、速度制御に基づくシーク制御について説明する。まず、ＭＣＵ１１は、ブロック長が所定の閾値以上であるか否かの判断を行う（Ｓ１１）。ブロック長が所定の閾値より短い場合（Ｓ１１、Ｎｏ）、ＭＣＵ１１は予め設定されたシークプロファイルＡを選択する（Ｓ１２）。一方、ブロック長が所定の閾値以上である場合（Ｓ１１、Ｙｅｓ）、ＭＣＵ１１は、予め設定されたシークプロファイルＢを選択する（Ｓ１３）。処理Ｓ２１以降は、従来技術と同様である。次に、ＭＣＵ１１は、リオーダリングを行う（Ｓ２１）。次に、ＭＣＵ１１は、シークプロファイルＡとシークプロファイルＢのどちらが選択されたかの判断を行う（Ｓ４１）。シークプロファイルＡが選択された場合（Ｓ４１，Ａ）、ＭＣＵ１１は、高速シーク命令をドライブ制御ファームに対して発行する。一方、シークプロファイルＢが選択された場合（Ｓ４１，Ｂ）、ＭＣＵ１１は、低速シーク命令をドライブ制御ファームに対して発行する。
【００３８】
次に、ＭＣＵ１１は、加速処理を行う（Ｓ２２）。次に、ＭＣＵ１１は、残り距離が所定の減速開始残り距離より大きいか否かの判断を行う（Ｓ２３）。減速開始残り距離より小さい場合（Ｓ２３，Ｎｏ）、処理Ｓ３１へ移行する。減速開始残り距離より大きい場合（Ｓ２３，Ｙｅｓ）、ＭＣＵ１１は、速度が所定の加速終了速度より大きいか否かの判断を行う（Ｓ２４）。加速終了速度より小さい場合（Ｓ２４，Ｎｏ）、処理Ｓ２２へ戻り、引き続き加速処理を行う。一方、加速終了速度より大きい場合（Ｓ２４，Ｙｅｓ）、ＭＣＵ１１は、等速処理を行う（Ｓ２５）。次に、残り距離が所定の減速開始残り距離より大きいか否かの判断を行う（Ｓ２６）。減速開始残り距離より大きい場合（Ｓ２６，Ｙｅｓ）、処理Ｓ２５へ戻り、引き続き等速処理を行う。一方、減速開始残り距離より小さい場合（Ｓ２６，Ｎｏ）、ＭＣＵ１１は、減速処理を行う（Ｓ３１）。
【００３９】
次に、ＭＣＵ１１は、ヘッド２４がターゲットシリンダに到達したか否かの判断を行う（Ｓ３２）。ターゲットシリンダに到達していない場合（Ｓ３２，Ｎｏ）、処理Ｓ３１へ戻り、引き続き減速処理を行う。ターゲットシリンダに到達した場合（Ｓ３２，Ｙｅｓ）、このフローは終了する。
【００４０】
次に、シークプロファイルについて説明する。
【００４１】
シークプロファイルＡは、シーク時間が小さいが残留振動が大きいシーク制御を行うためのシークプロファイルである。シークプロファイルＢは、シーク時間が大きいが残留振動が小さいシーク制御を行うためのシークプロファイルである。シークプロファイルには、ＶＣＭ電流プロファイル、加速度プロファイル、速度プロファイル、残り距離プロファイル、等がある。以下に、それぞれのシークプロファイルの具体例を示す。
【００４２】
ＶＣＭ電流プロファイルは、ＶＣＭ制御回路１４がＶＣＭ２１に流す電流であるＶＣＭ電流の時間変化を予め設定したものである。図４は、本実施の形態に係るＶＣＭ電流プロファイルの一例を示すグラフである。このグラフは、横軸は時間を表し、縦軸はＶＣＭ電流を表す。また、シークプロファイルＡを太線、シークプロファイルＢを細線で表す。
【００４３】
加速度プロファイルは、ヘッド２４の加速度の時間変化を予め設定したものである。図５は、本実施の形態に係る加速度プロファイルの一例を示すグラフである。このグラフの横軸は時間を表し、縦軸はヘッド２４の加速度を表す。また、このグラフ中の太線の波形はシークプロファイルＡ、細線の波形はシークプロファイルＢを表す。
【００４４】
速度プロファイルは、ヘッド２４の速度の時間変化を予め設定したものである。図６は、本実施の形態に係る速度プロファイルの一例を示すグラフである。このグラフの横軸は時間を表し、縦軸はヘッド２４の速度を表す。また、このグラフ中の太線の波形はシークプロファイルＡ、細線の波形はシークプロファイルＢを表す。
【００４５】
残り距離プロファイルは、ヘッド２４から目標トラックまでの残り距離の時間変化を予め設定したものである。図７は、本実施の形態に係る残り距離プロファイルの一例を示すグラフである。このグラフの横軸は時間を表し、縦軸はヘッド２４の残り距離を表す。また、このグラフ中の太線の波形はシークプロファイルＡ、細線の波形はシークプロファイルＢを表す。
【００４６】
次に、リオーダリングについて説明する。リオーダリングはホストから受領したコマンドをＭＣＵ１１（磁気ディスク装置のファームウェア）がキューに貯めていき、最速で実行できるコマンドから優先して実行するように、キュー内のコマンドの並べ替えを行う機能である。まず、ＭＣＵ１１は、ＭＣＵ１１内に予め持っているアクセスタイムカーブから予想されるシーク時間を求め、更にシークが終わってから実際にライトするセクタが来るまでの予想される回転待ち時間を算出する。次に、ＭＣＵ１１は、予想シーク時間＋予想回転待ち時間の値が短いコマンドから順に処理していくことで、全コマンドを終了するまでの時間を短縮するものである。
【００４７】
図８は、アクセスタイムカーブの一例を示すグラフである。このグラフの横軸はヘッドの移動距離をトラック数で表した値であり、縦軸は予想されるシーク時間である。本実施の形態において、このようなアクセスタイムカーブは、シークプロファイル毎に用意される。
【００４８】
なお、本実施の形態においては、速度制御に基づくシーク制御について説明したが、全て位置制御で行うシーク制御を用いても良い。また、ＶＣＭ電流プロファイルと位置軌道プロファイルをテーブルとして持ち、そのテーブルに従い、フィードフォワード電流を流すフィードフォワードシーク制御を用いても良い。
【００４９】
本実施の形態によれば、所定のブロック長の範囲毎に、シークプロファイルを用意し、ブロック長が長い場合、シーク時間を大きく残留振動を小さくするシークプロファイルを選択して用いることにより、リトライを減少させ、結果としシークの性能、磁気ディスク装置の性能を向上させることができる。また、従来より遅いシークプロファイルを使うため、消費電力、シーク騒音、ＶＣＭコイルの発熱が改善する。
【００５０】
実施の形態２．
本実施の形態においては、アクセスタイムカーブにオフセットを加える磁気ディスク装置について説明する。
【００５１】
まず、本実施の形態における磁気ディスク装置の構成は、実施の形態１と同様である。
【００５２】
次に、本実施の形態における磁気ディスク装置の動作は、実施の形態１におけるフローと同様であるが、シークプロファイルは１つであり、処理Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３を必要としない。
【００５３】
処理Ｓ２１のリオーダリングにおいて、ＭＣＵ１１は、通常のアクセスタイムカーブに所定のシーク時間のオフセットを加算したアクセスタイムカーブを用いる。図９は、本実施の形態に係るアクセスタイムカーブの一例を示すグラフである。オフセット量は、ブロック長が短い場合に小さく、ブロック長が長い場合に大きく設定される。
【００５４】
予めオフセット量を決定する方法について説明する。まず、ブロック長を固定し、オフセット量を変化させながら性能測定を行い、性能が最高になるオフセット量を決定する。このようにして、ブロック長毎にオフセット量を決定する。得られたブロック長とオフセット量の関係は、テーブルまたはアクセスタイムカーブに格納され、ＭＣＵ１１のリオーダリングに利用される。
【００５５】
別のオフセット量を決定する方法について説明する。上述したように、あるブロック長とシーク時間でライトを行った場合のリトライにいたる確率を求めることができるため、この確率にリトライに要する時間（１回転の時間）を掛け、リトライ時間の期待値を求め、この期待値をオフセット量とする。
【００５６】
本実施の形態によれば、リオーダリングにおいてブロック長が長い場合にアクセスタイムカーブに大きいオフセットを加えることにより、残留振動が大きいシークが選ばれにくくなり、残留振動が大きいライトを減らすことができる。
【００５７】
なお、以上の説明では、本発明についてライトオフトラックを低減する例として説明したが、リードについても本発明を適用し、同様の効果を得ることができる。
【００５８】
なお、制御情報は、実施の形態におけるシークプロファイル、アクセスタイムカーブ、オフセットに対応する。また、制御情報取得ステップは、実施の形態における処理Ｓ１１、Ｓ１２，Ｓ１３に対応する。また、制御ステップは、実施の形態における処理Ｓ２１〜Ｓ３２に対応する。なお、本実施の形態において、制御情報は、記憶部１８に格納しておく例としたが、ディスク媒体の制御情報領域などに記憶しておくことも可能である。
【００５９】
また、本実施の形態に係るシーク制御装置は、記憶装置に容易に適用することができ、記憶装置の性能をより高めることができる。ここで、記憶装置には、例えば磁気ディスク装置、光ディスク装置、光磁気ディスク装置等が含まれ得る。
【００６０】
（付記１）  ヘッドのシーク制御を行うシーク制御装置であって、
複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に、シーク制御の制御情報を記憶する制御情報記憶部に記憶された制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得し、該制御情報に基づいてシーク制御を行う制御部と
を備えるシーク制御装置。
（付記２）  付記１に記載のシーク制御装置において、
前記制御情報は、前記データ長範囲毎のシークプロファイルを含むことを特徴とするシーク制御装置。
（付記３）  付記２に記載のシーク制御装置において、
前記制御情報は、前記シークプロファイルに対応するシーク距離及びシーク時間の関係とを含むことを特徴とするシーク制御装置。
（付記４）  付記１に記載のシーク制御装置において、
前記制御情報は、シーク距離及びシーク時間の関係と、前記データ長範囲毎の該シーク時間に加算する所定のオフセットとを含み、
前記制御部は、前記制御情報に基づいてリオーダリングを行うことを特徴とするシーク制御装置。
（付記５）  付記４に記載のシーク制御装置において、
前記オフセットは、前記データ長範囲におけるリトライ確率に基づいて決定されることを特徴とするシーク制御装置。
（付記６）  付記１乃至付記５のいずれかに記載のシーク制御装置において、
前記データ長は、外部から指示されたライトまたはリードのデータ長であることを特徴とするシーク制御装置。
（付記７）  付記１乃至付記６のいずれかに記載のシーク制御装置において、
前記データ長は、ブロック長であることを特徴とするシーク制御装置。
（付記８）  ヘッドのシーク制御を行うシーク制御方法であって、
複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に予め記憶されたシーク制御の制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得する制御情報取得ステップと、
前記制御情報取得ステップにより取得された制御情報に基づいてシーク制御を行う制御ステップと
を実行するシーク制御方法。
（付記９）  付記８に記載のシーク制御方法において、
前記制御情報は、前記データ長範囲毎のシークプロファイルを含むことを特徴とするシーク制御方法。
（付記１０）  付記９に記載のシーク制御方法において、
前記制御情報は、前記シークプロファイルに対応するシーク距離及びシーク時間の関係とを含むことを特徴とするシーク制御方法。
（付記１１）  付記８に記載のシーク制御方法において、
前記制御情報は、シーク距離及びシーク時間の関係と、前記データ長範囲毎の該シーク時間に加算する所定のオフセットとを含み、
前記制御ステップは、前記制御情報に基づいてリオーダリングを行うことを特徴とするシーク制御方法。
（付記１２）  付記１１に記載のシーク制御方法において、
前記オフセットは、前記データ長範囲におけるリトライ確率に基づいて決定されることを特徴とするシーク制御方法。
（付記１３）  付記８乃至付記１２のいずれかに記載のシーク制御方法において、
前記データ長は、外部から指示されたライトまたはリードのデータ長であることを特徴とするシーク制御方法。
（付記１４）  付記８乃至付記１３のいずれかに記載のシーク制御方法において、
前記データ長は、ブロック長であることを特徴とするシーク制御方法。
（付記１５）  ヘッドのシーク制御を行う記憶装置であって、
複数の所定のデータ長の範囲であるデータ長範囲毎に、シーク制御の制御情報を記憶する制御情報記憶部と、
前記制御情報記憶部に記憶された制御情報のうち、外部から指示されたデータ長に対応する制御情報を取得し、該制御情報に基づいてシーク制御を行う制御部と
を備える記憶装置。
（付記１６）  付記１５に記載の記憶装置において、
前記制御情報は、前記データ長範囲毎のシークプロファイルを含むことを特徴とする記憶装置。
（付記１７）  付記１６に記載の記憶装置において、
前記制御情報は、前記シークプロファイルに対応するシーク距離及びシーク時間の関係とを含むことを特徴とする記憶装置。
（付記１８）  付記１５に記載の記憶装置において、
前記制御情報は、シーク距離及びシーク時間の関係と、前記データ長範囲毎の該シーク時間に加算する所定のオフセットとを含み、
前記制御部は、前記制御情報に基づいてリオーダリングを行うことを特徴とする記憶装置。
（付記１９）  付記１８に記載の記憶装置において、
前記オフセットは、前記データ長範囲におけるリトライ確率に基づいて決定されることを特徴とする記憶装置。
（付記２０）  付記１５乃至付記１９のいずれかに記載の記憶装置において、
前記データ長は、外部から指示されたライトまたはリードのデータ長であることを特徴とする記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】アクセスタイムが大きい場合の残留振動の一例を示すグラフである。
【図３】実施の形態１に係る磁気ディスク装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図４】実施の形態１に係るＶＣＭ電流プロファイルの一例を示すグラフである。
【図５】実施の形態１に係る加速度プロファイルの一例を示すグラフである。
【図６】実施の形態１に係る速度プロファイルの一例を示すグラフである。
【図７】実施の形態１に係る残り距離プロファイルの一例を示すグラフである。
【図８】アクセスタイムカーブの一例を示すグラフである。
【図９】実施の形態２に係るアクセスタイムカーブの一例を示すグラフである。
【図１０】残留振動の一例を示すグラフである。
【図１１】１ブロックライトの場合のサーボゲートとライトゲートの関係の一例を示すタイムチャートである。
【図１２】３５ブロックライトの場合のサーボゲートとライトゲートの関係の一例を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
【００６２】
１１  ＭＣＵ、１２  ＤＳＰ、１３  インタフェース回路、１４  ＶＣＭ制御回路、１５  ＳＰＭ制御回路、１６  ＲＤＣ、１７  サーボ復調回路、１８  記憶部、２１  ＶＣＭ、２２  ＳＰＭ、２３  アーム、２４  ヘッド、２５  ディスク、２６  ヘッドＩＣ、３１  ＤＥ。
【図１】
2008021380.tif 000003
【図２】
2008021380.tif 000004
【図３】
2008021380.tif 000005
【図４】
2008021380.tif 000006
【図５】
2008021380.tif 000007
【図６】
2008021380.tif 000008
【図７】
2008021380.tif 000009
【図８】
2008021380.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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