(57)【要約】【課題】小型で、高密度の配線ができると共に、盛り上がりの高い半田部が形成できて、半導体部品の取付が確実な回路基板を提供すること、当該回路基板を用いた半田付き回路基板及び半導体部品実装基板並びにそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】引出導体２から延出されたランド部３を、両側辺３ｄ、３ｄ間の幅が一定で、両側辺３ｄ、３ｄ間に形成された半田非付着部３ｂにより幅方向に分離された複数の細幅導体パターン３ａと、半田非付着部３ｂにより分離されない１つの広幅導体パターン３ｃとを延出方向に有する構成にすることにより、ランド部３にクリーム半田８を塗布し、これを加熱溶融して半田部５を形成する際、溶融した半田の表面張力により広幅導体パターン３ｃに半田を凝集させて盛り上がりの高い半田部５を形成する。【選択図】図４
2008021955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、前記絶縁基板上に、前記複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部とを有する回路基板であって、
前記ランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、前記両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、前記半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを延出方向に有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記半田非付着部は、前記ランド部を形成する導体パターンに設けられた切り欠き部から露出する前記絶縁基板であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記半田非付着部は、前記ランド部を形成する導電パターン上に設けられたレジスト膜であることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項４】
前記幅方向に分離された複数の細幅導体パターンを、前記１つの広幅導体パターンの前記引出導体からの延出方向の両側にそれぞれ形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記幅方向に分離された複数の細幅導体パターンを、前記１つの広幅導体パターンの前記引出導体側に形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記半田非付着部の平面形状を、前記広幅導体パターン側に１つの頂点を向けた略三角形に形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、前記絶縁基板上に、前記複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部と、このランド部に形成された半田部とを有する半田付き回路基板であって、
前記ランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、前記両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、前記半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを前記引出導体からの延出方向に有し、かつ前記半田部は、前記広幅導体パターン上にのみ形成されていることを特徴とする半田付き回路基板。
【請求項８】
絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、前記絶縁基板上に、前記複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部と、このランド部に形成された半田部とを有する半田付き回路基板上に、前記半田部を介して、半導体部品を実装してなる半導体部品実装基板であって、
前記ランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、前記両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、前記半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを前記引出導体からの延出方向に有し、
前記半導体部品は、前記広幅導体パターン上にのみ形成された前記半田部を介して前記半田付き回路基板に実装されていることを特徴とする半導体部品実装基板。
【請求項９】
絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、前記絶縁基板上に、前記複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部とを備え、このランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、前記両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、前記半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを前記引出導体からの延出方向に有する回路基板を用意する工程と、
この回路基板上に形成された前記ランド部の少なくとも前記複数の細幅導体パターン及び前記１つの広幅導体パターンにクリーム半田を塗布する工程と、
このクリーム半田を加熱して溶融し、その表面張力により溶融したクリーム半田を前記広幅導体パターンに集めて半田部を形成する工程とを備えたことを特徴とする半田付き回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記クリーム半田を塗布する工程において、前記複数の細幅導体パターン及び前記１つの広幅導体パターンのほか、前記半田非付着部にも前記クリーム半田を塗布することを特徴とする請求項９に記載の半田付き回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記クリーム半田を加熱して溶融し、その表面張力により溶融したクリーム半田を前記広幅導体パターン内に集めて前記半田部を形成する工程を、リフロー炉内で行うことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半田付き回路基板の製造方法。
【請求項１２】
絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、前記絶縁基板上に、前記複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部とを備え、このランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、前記両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、前記半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを前記引出導体からの延出方向に有する回路基板を用意する工程と、
この回路基板上に形成された前記ランド部の少なくとも前記複数の細幅導体パターン及び前記１つの広幅導体パターンにクリーム半田を塗布する工程と、
このクリーム半田を加熱して溶融し、その表面張力により溶融したクリーム半田を前記広幅導体パターンに集めて半田部を形成する工程と、
この形成された半田部を利用して半導体部品を実装する工程とを備えたことを特徴とする半導体部品実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器や電子回路ユニット等に使用して好適な回路基板、半田付き回路基板及びその製造方法、半導体部品実装基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路基板、半田付き回路基板及びその製造方法、半導体部品実装基板及びその製造方法を図１２乃至図１４について説明する。
【０００３】
図１２は従来の半田付き回路基板を示す斜視図で、絶縁基板５１に、配線パターンを構成する複数の引出導体５２が互いに隣接して形成され、これらの引出導体５２からそれぞれ演出された状態で、複数のランド部５３が互いに隣接して形成されている。
【０００４】
このランド部５３は、引出導体５２に接続された細幅導体パターン５３ａと、この細幅導体パターン５３ａに接続された広幅導体パターン５３ｂとで構成されると共に、このランド部５３の広幅導体パターン５３ｂは、細幅導体パターン５３ａの両側よりも幅方向に出っ張った状態で、広幅に形成されており、また、並設された複数のランド部５３の延出方向の両側における絶縁基板５１上には、引出導体５２を覆うようにレジスト膜５５が形成されて、回路基板５０が構成されている。そして、この回路基板５０の広幅導体パターン５３ｂ上に半田部５４が形成されて半田付き回路基板が構成されている。
【０００５】
図１２に示す半田付き回路基板を製造するには、先ず、図１３に示すように、回路基板５０におけるランド部５３の細幅導体パターン５３ａ上と広幅導体パターン５３ｂ上に半田粉５８を載置した後、この半田粉５８を加熱して溶融する。このようにすると、細幅導体パターン５３ａ上の溶融した半田は、その表面張力により、広幅導体パターン５３ｂ上の溶融した半田側に引き寄せられて、図１２、図１４に示すように、広幅導体パターン５３ｂ上に盛り上がった状態の半田部５４として形成され、半田付き回路基板が製造される。
【０００６】
次に、このように製造された半田付き回路基板を用いて半導体部品実装基板を製造する方法を図１４に基づいて説明すると、先ず、回路基板５０に半田部５４を形成した半田付き回路基板を用意し、次に、半導体部品５６をそのバンプ５７が半田付き回路基板の半田部５４に対応するように位置させ、半田部５４を加熱して溶融し、半導体部品５６を押し下げ、そのバンプ５７を半田部５４に押し付ける。このようにすることにより、パンプ５７が半田部５４に接続、固定されて、半導体部品実装基板が製造される。
【０００７】
（例えば、特許文献１参照）
【特許文献１】特許第３４２００７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、このような従来技術にあっては、ランド部５３の広幅導体パターン５３ｂが引出導体５２から延出された細幅導体パターン５３ａより広幅となっているため、絶縁基板５１に対する占有面積が大きくなって、回路基板５０が大型になる上に、半導体部品５６に対応する高密度の配線ができないという問題がある。また、広幅導体パターン５３ｂの幅を余り広くできないため、広幅導体パターン５３ｂの幅寸法と細幅導体パターン５３ａの幅寸法との差が小さくなり、細幅導体パターン５３ａ上における溶融した半田の表面張力による広幅導体パターン５３ｂ側への引き寄せ力が弱くなって、半田部５４が細幅導体パターン５３ａ側にダレを生じ、半田部５４の盛り上がりが低くなると共に、ランド部５３上に設けられた半田粉５８を加熱して溶融した際、これを迅速に広幅導体パターン５３ｂ上に凝集しにくく、作業性が悪いという問題もある。加えて、従来の半田付き回路基板の製造方法は、半田粉５８がランド部５３の細幅導体パターン５３ａ上と広幅導体パターン５３ｂ上に載置されているため、振動や衝撃によって溶融前に半田粉５８がランド部５３から落下しやすく、半田部５４の盛り上がりが低くなるという問題もある。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、小型で、高密度の配線ができると共に、盛り上がりの高い半田部を効率的に形成できて、半導体部品の取付が確実な回路基板、半田付き回路基板及びその製造方法、半導体部品実装基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本願の第１の発明は、回路基板に関し、絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、絶縁基板上に、複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部とを有する回路基板であって、
ランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを延出方向に有することを特徴としている。
【００１１】
このように構成した第１の発明によれば、ランド部の両側辺間の幅が一定に形成されているため、絶縁基板に対する広幅導体パターンの占有面積を小さくできて、回路基板が小型になる上に、半導体部品に対応する高密度の配線が可能であると共に、この回路基板を用いて、その広幅導体パターンに半田部を形成する場合、半田非付着部の存在によって、細幅導体パターンの幅寸法と広幅導体パターンの幅寸法との差を顕著にできて、溶融した半田の表面張力による細幅導体パターンから広幅導体パターンへの溶融した半田の引き寄せを大きくできる。その結果、広幅導体パターン上の半田の凝集を迅速に行えると共に、細幅導体パターンへの半田のダレが小さくなって、盛り上がりの高い半田部を効率的に形成できる。
【００１２】
また、本願の第２の発明は、上記第１の発明において、半田非付着部は、ランド部を形成する導体パターンに設けられた切り欠き部から露出する絶縁基板であることを特徴としている。
【００１３】
このように構成した第２の発明によれば、半田非付着部が導体パターンの形成と同時に形成できて、生産性の良好なものが得られる。
【００１４】
また、本願の第３の発明は、上記第１の発明において、半田非付着部が、ランド部を形成する導電パターン上に設けられたレジスト膜であることを特徴としている。
【００１５】
このように構成した第３の発明によれば、半田非付着部が回路基板上のレジスト形成と同時に形成できて、生産性の良好なものが得られる。
【００１６】
また、本願の第４の発明は、上記第１乃至第３の発明のいずれか１つの発明において、幅方向に分離された複数の細幅導体パターンを、１つの広幅導体パターンの引出導体からの延出方向の両側にそれぞれ形成したことを特徴としている。
【００１７】
このように構成した第４の発明によれば、広幅導体パターンの両側に半田非付着部と細幅導体パターンが均等に配置されるので、各導体パターン上に塗布された半田を溶融した場合、細幅導体パターンからの広幅導体パターンへの半田の引き寄せ力が良好となって、盛り上がりの高い半田部を形成できる。
【００１８】
また、本願の第５の発明は、上記第１乃至第３の発明のいずれか１つの発明において、幅方向に分離された複数の細幅導体パターンを、１つの広幅導体パターンの引出導体側に形成したことを特徴としている。
【００１９】
このように構成した第５の発明によれば、ランド部の長さを小さくできて、小型化を図ることができる。
【００２０】
また、本願の第６の発明は、上記第１乃至第５の発明のいずれか１つの発明において、半田非付着部の平面形状を、広幅導体パターン側に１つの頂点を向けた略三角形に形成したことを特徴としている。
【００２１】
このように構成した第６の発明によれば、細幅導体パターンの幅が広幅導体パターンに向けて順次広くなっているので、広幅導体パターンへの半田の凝集をより円滑化することができる。
【００２２】
上記の目的を達成するために、本願の第７の発明は、半田付き回路基板に関し、絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、絶縁基板上に、複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部と、このランド部に形成された半田部とを有する半田付き回路基板であって、
ランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを引出導体からの延出方向に有し、かつ半田部は、広幅導体パターン上にのみ形成されていることを特徴としている。
【００２３】
このように構成した第７の発明によれば、ランド部の側辺間の幅が一定に形成されているため、絶縁基板に対する広幅導体パターンの占有面積を小さくできて、回路基板が小型になる上に、半導体部品に対応する高密度の配線が可能であると共に、半田部を形成する際、半田非付着部の存在によって、細幅導体パターンの幅寸法と広幅導体パターンの幅寸法との差を顕著にできて、溶融した半田の表面張力による細幅導体パターンから広幅導体パターンへの溶融した半田の引き寄せ力を大きくできる。その結果、広幅導体パターンへの半田の凝集を迅速に行えると共に、細幅導体パターンへの半田のダレが小さくなって、盛り上がりの高い半田部を形成できる。
【００２４】
上記の目的を達成するために、本願の第８の発明は、半導体部品実装基板に関し、絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、絶縁基板上に、複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部と、このランド部に形成された半田部とを有する半田付き回路基板上に、半田部を介して、半導体部品を実装してなる半導体部品実装基板であって、
ランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを引出導体からの延出方向に有し、
半導体部品は、広幅導体パターン上にのみ形成された半田部を介して半田付き回路基板に実装されていることを特徴としている。
【００２５】
このように構成した第８の発明によれば、ランド部の側辺間の幅が一定に形成されているため、絶縁基板に対する広幅導体パターンの占有面積を小さくできて、回路基板が小型になる上に、半導体部品に対応する高密度の配線が可能であると共に、半田部を形成する際、半田非付着部の存在によって、細幅導体パターンの幅寸法と広幅導体パターンの幅寸法との差を顕著にできて、溶融した半田の表面張力による細幅導体パターンから広幅導体パターンへの溶融した半田の引き寄せ力を大きくできる。その結果、広幅導体パターンへの半田の凝集を迅速に行えると共に、細幅導体パターンへの半田のダレが小さくなって、盛り上がりの高い半田部を効率的に形成でき、半導体部品を確実に取り付けることができる。
【００２６】
上記の目的を達成するために、本願の第９の発明は、半田付き回路基板の製造方法に関し、絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、絶縁基板上に、複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部とを備え、このランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを引出導体からの延出方向に有する回路基板を用意する工程と、
この回路基板上に形成されたランド部の少なくとも複数の細幅導体パターン及び１つの広幅導体パターンにクリーム半田を塗布する工程と、
このクリーム半田を加熱して溶融し、その表面張力により溶融したクリーム半田を広幅導体パターンに集めて半田部を形成する工程とを備えたことを特徴としている。
【００２７】
このように構成した第９の発明によれば、ランド部の側辺間の幅が一定に形成されているため、絶縁基板に対する広幅導体パターンの占有面積を小さくできて、回路基板が小型になる上に、半導体部品に対応する高密度の配線が可能であると共に、半田部を形成する際、半田非付着部の存在によって、細幅導体パターンの幅寸法と広幅導体パターンの幅寸法との差を顕著にできて、溶融した半田の表面張力による細幅導体パターンから広幅導体パターンへの溶融した半田の引き寄せ力を大きくできる。その結果、広幅導体パターンへの半田の凝集を迅速に行えると共に、細幅導体パターンへの半田のダレが小さくなって、盛り上がりの高い半田部が形成でき、半導体部品を確実に取り付けることのできる半田付き回路基板が得られる。
【００２８】
また、本願の第１０の発明は、上記第９の発明におけるクリーム半田を塗布する工程において、複数の細幅導体パターン及び１つの広幅導体パターンのほか、半田非付着部にもクリーム半田を塗布することを特徴としている。
【００２９】
このように構成した第１０の発明によれば、クリーム半田量を多くできて、一層盛り上がりの高い半田部が形成でき、半導体部品を一層確実に取り付けることのできる半田付き回路基板が得られる。
【００３０】
また、本願の第１１の発明は、上記第９又は第１０の発明において、クリーム半田を加熱して溶融し、その表面張力によりクリーム半田を広幅導体パターンに集めて半田部を形成する工程を、リフロー炉内で行うことを特徴としている。
【００３１】
このように構成した第１１の発明によれば、既存のリフロー炉が使用できて、生産性が良く、安価な半田付き回路基板が得られる。
【００３２】
上記の目的を達成するために、第１２の発明は、半導体部品実装基板の製造方法に関し、絶縁基板と、この絶縁基板上に互いに隣接して形成された複数の引出導体と、絶縁基板上に、複数の引出導体からそれぞれ延出された状態で、互いに隣接して形成された複数のランド部とを備え、このランド部は、その両側辺間の幅が一定に形成されると共に、両側辺間に形成された半田非付着部により幅方向に分離された複数の細幅導体パターンと、半田非付着部により分離されない１つの広幅導体パターンとを引出導体からの延出方向に有する回路基板を用意する工程と、
この回路基板上に形成されたランド部の少なくとも複数の細幅導体パターン及び１つの広幅導体パターンにクリーム半田を塗布する工程と、
このクリーム半田を加熱して溶融し、その表面張力により溶融したクリーム半田を広幅導体パターンに集めて半田部を形成する工程と、
この形成された半田部を利用して半導体部品を実装する工程とを備えたことを特徴としている。
【００３３】
このように構成した第１２の発明によれば、ランド部の側辺間の幅が一定に形成されているため、絶縁基板に対する広幅導体パターンの占有面積を小さくできて、回路基板が小型になる上に、半導体部品に対応する高密度の配線が可能であると共に、半田部を形成する際、半田非付着部の存在によって、細幅導体パターンの幅寸法と広幅導体パターンの幅寸法との差を顕著にできて、溶融した半田の表面張力による細幅導体パターンから広幅導体パターンへの溶融した半田の引き寄せ力を大きくできる。その結果、細幅導体パターンへの半田のダレが小さくなって、盛り上がりの高い半田部が形成でき、半導体部品を確実に取り付けた半導体部品実装基板が得られる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明は、絶縁基板上に形成されたランド部の両側辺間の幅が一定に形成されているため、絶縁基板に対する広幅導体パターンの占有面積を小さくできて、回路基板が小型になる上に、半導体部品に対応する高密度の配線が可能であると共に、この回路基板を用いて、その広幅導体パターンに半田部を形成する場合、半田非付着部の存在によって、細幅導体パターンの幅寸法と広幅導体パターンの幅寸法との差を顕著にできて、溶融した半田の表面張力による細幅導体パターンから広幅導体パターンへの溶融した半田の引き寄せを大きくできる。その結果、広幅導体パターン上の半田の凝集を迅速に行えると共に、細幅導体パターンへの半田のダレが小さくなって、盛り上がりの高い半田部を効率的に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１乃至図３は、それぞれ本発明の回路基板の第１実施例、第２実施例及び第３実施例に係る要部拡大平面図である。なお、これらの図１乃至図３は、回路基板のうち、１つのランド部付近を示しているが、このランド部は互いに隣接して複数形成されており、その他の部分は図１２乃至図１３に示した従来の回路基板と同様に構成されている。
【００３６】
図１において、１は絶縁基板で、樹脂製基板等からなっている。この絶縁基板１上には、銅箔等の導体からなる配線パターンを構成する引出導体２と、この引出導体２から延出されたランド部３とが形成されている。この引出導体２とランド部３は、図１ではそれぞれ１つしか示されていないが、実際には図１２，図１３に示す従来の回路基板と同様に、いずれも互いに隣接した状態で複数設けられている。
【００３７】
このランド部３は、両側辺３ｄ、３ｄ間の幅が一定に形成されると共に、両側辺３ｄ、３ｄ間に形成された半田非付着部３ｂにより幅方向に分離された複数の細幅導体パターン３ａと、半田非付着部３ｂにより分離されない１つの広幅導体パターン３ｃとを延出方向に有している。
【００３８】
この実施例のランド部３には、引出導体２ａ側の端部と、それと反対側の端部にそれぞれ半田非付着部３ｂを設けることによって幅方向に分離された４つの細幅導体パターン３ａが形成され、延出方向の略中央部に広幅導体パターン３ｃが形成されている。すなわち、１つの広幅導体パターン３ｃの延出方向の両側に２つの細幅導体パターン３ａと１つの半田非付着部３ｂがそれぞれ設けられている。  
さらに、絶縁基板１上に、ランド部３を露出し、引出導体２のみ覆う状態で、レジスト膜４が設けられて、回路基板１０が形成されている。
【００３９】
この実施例では、半田非付着部３ｂが、ランド部３を構成する導体パターンに四角形状の切り欠き部を設けることによって形成されている。
【００４０】
なお、半田非付着部３ｂは、ランド部３を構成する導体パターン上にレジスト膜を設けることによって形成しても良い。
【００４１】
図２は本発明の回路基板の第２実施例を示すものである。この第２実施例では、上記第１実施例における四角形状の半田非付着部３ｂに代えて、広幅導体パターン３ｃ側に一つの頂点を向けた略三角形状の半田非付着部３ｂとしている。その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有しているので、同一部品に同一符号を付し、ここではその説明を省略する。
【００４２】
また、図３は本発明の回路基板の第３実施例を示すものである。この第３実施例では、引出導体２側の端部にのみ半田非付着部３ｂで形成している。その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有しているので、同一部品に同一符号を付し、ここではその説明を省略する。
【００４３】
図４と図５、図６及び図７は、図１に示す第１実施例、図２に示す第２実施例、及び図３に示す第３実施例の各回路基板を使用した本発明の半田付き回路基板の第１実施例、第２実施例及び第３実施例をそれぞれ示すものである。これらの各実施例の半田付き回路基板においては、ランド部３の広幅導体パターン３ｃに後述する半導体部品６を取り付けるための盛り上がった状態の半田部５が設けられている。
【００４４】
次に、本発明の半田付き回路基板の製造方法の一実施例を図８，図９に基づいて説明する。この実施例は、図４，図５に示す第１実施例の半田付き回路基板を製造するためのものである。まず、図１に示す回路基板１０を用意する。
【００４５】
次に、半田非付着部３ｂを含むランド部３，すなわち、広幅導体パターン３ｃ、その両端の細幅導体パターン３ａ及び半田非付着部３ｂ、さらにランド部３の両側辺から少しはみ出した領域上にクリーム半田８を塗布した後、クリーム半田８を塗布した回路基板１０をリフロー炉に入れ、塗布されたクリーム半田８を加熱して溶融する。このようにすると、溶融した半田８はその表面張力により広幅導体パターン３ｃ内に凝集されて、盛り上がった状態の半田部５が形成され、図４，図５に示すような半田付き回路基板が得られる。
【００４６】
なお、クリーム半田８を塗布する領域は、上記実施例で説明した領域に限らず、少なくとも広幅導体パターン３ｃ及び細幅導体パターン３ａを含む領域であれば良い。
【００４７】
この製造方法によると、半田非付着部３ｂの存在によって、細幅導体パターン３ａの幅寸法と広幅導体パターン３ｃの幅寸法との差を顕著にできるので、溶融した半田の表面張力による細幅導体パターンから広幅導体パターンへの溶融した半田の引き寄せ力が大きくなり、広幅導体パターン３ｃに盛り上がりの高い半田部を効率的に形成できる。
【００４８】
なお、この製造方法は、図６に示す第２実施例の半田付き回路基板及び図７に示す第３実施例の半田付き回路基板を製造する場合でも、図２及び図３に示す各回路基板を用い、同様工程で製造することができる。
【００４９】
次に、図４及び図５に示す半田付き回路基板を使用した本発明の半導体部品実装基板の一実施例を図１０に基づいて説明すると、６はベアチップやフリップチップ等からなる半導体部品で、その下面には、金材等からなるバンプ７が設けられている。このバンプ７が回路基板１０のランド部３の広幅導体パターン３ｃ上に形成された半田部５に接続、固着されることによって、半導体部品実装基板が構成される。なお、ここでは図示しないが、この回路基板１０には、種々の電子部品が搭載されて、所望の電気回路が形成されている。
【００５０】
次に、本発明の半導体部品実装基板の製造方法の一実施例をを図１１に基づいて説明する。この実施例は図１０に示す半導体部品実装基板を製造するためのものである。まず、図４，図５に示す半田付き回路基板を用意する。
【００５１】
次に、半導体部品６をそのバンプ７が半田付き回路基板の半田部５に対応するように位置させ、半田部５を加熱して溶融し、半導体部品６を押し下げ、そのバンプ７を半田部５上に押し付ける。このようにすると、バンプ７が半田部５に接続、固定されて、半導体部品実装基板が製造される。
【００５２】
なお、上記製造方法においては、半田部５を加熱して溶融したが、バンプ７を半田部５上に載置した状態で、半導体部品６を押し下げる際、超音波振動を加えることにより、半田部５を溶融しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の回路基板の第１実施例に係る要部拡大平面図である。
【図２】本発明の回路基板の第２実施例に係る要部拡大平面図である。
【図３】本発明の回路基板の第３実施例に係る要部拡大平面図である。
【図４】本発明の半田付き回路基板の第１実施例に係る要部拡大平面図である。
【図５】本発明の半田付き回路基板の第１実施例に係る要部拡大断面図である。
【図６】本発明の半田付き回路基板の第２実施例に係る要部拡大平面図である。
【図７】本発明の半田付き回路基板の第３実施例に係る要部拡大平面図である。
【図８】本発明の半田付き回路基板の製造方法の一実施例に係り、クリーム半田を塗布した状態を示す要部拡大平面図である。
【図９】本発明の半田付き回路基板の製造方法の一実施例に係り、クリーム半田を塗布した状態を示す要部拡大断面図である。
【図１０】本発明の半導体部品実装基板の一実施例を示す要部拡大断面図である。
【図１１】本発明の半導体部品実装基板の製造方法の一実施例に係り、半田付き回路基板に半導体部品を対応して位置させた状態を示す要部拡大断面図である。
【図１２】従来の半田付き回路基板を示す斜視図である。
【図１３】従来の半田付き回路基板の製造方法を示す回路基板の要部平面図である。
【図１４】従来の半導体部品実装基板の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  絶縁基板
２  引出導体
３  ランド部
３ａ  細幅導体パターン
３ｂ  半田非付着部
３ｃ  広幅導体パターン
３ｄ  ランド部の側辺
４  レジスト膜
５  半田部
６  半導体部品
７  バンプ
８  クリーム半田
１０  回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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