(57)【要約】【課題】画像記録手段を読取光によって走査して画像情報を読み取る画像読取画像読取装置において、読取画像にモアレを発生させることなく読取画像の鮮鋭度を向上させる。【解決手段】画像情報を潜像として記録した画像記録手段１０を、光源３０から発せられた読取光により走査して画像情報を読み取る画像読取装置２０において、光源３０と画像記録手段１０との間に、該光源３０から発せられた読取光の一部を吸収する吸収層３６を配置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置において、
前記光源と前記画像記録手段との間に、該光源から発せられた読取光の一部を吸収する吸収層が配置されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記吸収層が色フィルタ層であることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置において、
前記光源と前記画像記録手段との間に、該光源から発せられた読取光を散乱させる散乱層が配置されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項４】
画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置において、
前記光源と前記画像記録手段との間に、該光源から発せられた読取光に対する屈折率がそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3（ｎ1、ｎ3＞ｎ2）である層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3が、光源側からこの順に配置されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項５】
前記画像記録手段が、画像情報を担持する放射線が照射されたとき、該画像情報に対応する潜像電荷を蓄積させ、その後読取光の照射を受けたとき前記潜像電荷に対応した電流を生じる光導電体からなるものであって、この電流を検出することによって前記画像情報を読み取るように構成されていることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記光源がＥＬ素子からなるものであることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の画像読取装置。
【請求項７】
画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取方法において、
請求項１から６いずれか１項記載の画像読取装置を用いて前記画像情報を読み取ることを特徴とする画像読取方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像読取装置、特に詳細には、画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して画像情報を読み取る画像読取装置に関するものである。
【０００２】
また本発明は、上述のような画像読取装置を用いて画像情報を読み取る方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
従来、例えばファクシミリ、複写機あるいは放射線撮像装置などにおいて、画像情報を一旦画像記録手段に潜像として記録させ、その後この画像記録手段から画像情報を読み取ることが広範になされている。
【０００４】
例えば医療用放射線画像の記録再生においては、特許文献１等に示されるように、Ｘ線等の放射線に感応する例えばａ−Ｓｅから成るセレン板等の光導電体を感光体（放射線画像記録媒体）として用い、該感光体等に放射線画像情報を担持する放射線を照射して放射線画像情報に対応する潜像電荷を蓄積させ、その後レーザビームで該感光体を走査し、そのとき感光体内に生じる電流を感光体両側の平板電極あるいはクシ電極を介して検出することにより、潜像電荷が担持する静電潜像すなわち放射線画像情報を読み取るシステムが知られている。
【０００５】
上述のように、画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査し、それによりこの画像記録手段から発せられた光を光電変換して画像情報を読み取る画像読取装置においては、読取画像の鮮鋭度を高める上で、フレアの無い光で画像記録手段を走査することが求められている。特許文献２には、光源と画像記録手段との間に、多数の仕切り板が所定ピッチで並設されてなるルーバーを配設し、このルーバーによって読取光の出射方向を揃える技術が開示されている。このようなルーバーを配設すれば、不規則な方向に進むフレアの多くをそこで遮断できるので、読取画像の鮮鋭度を高めることが可能になる。
【０００６】
また、上述のようなルーバーの代わりに、比較的厚い板部材に多数のピンホールが形成されてなるピンホール板を配設しても、各ピンホールが延びる方向と大きく異なる方向に進むフレアがそこで遮断されるので、同様に読取画像の鮮鋭度を高める効果が得られる。
【特許文献１】米国特許第４１７６２７５号明細書
【特許文献２】特開２００５−２４５７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上に述べたルーバーやピンホール板は、所期の目的通り、画像記録手段に届く読取光のフレアを低減できるものであるが、その半面、光通過部が規則的に並設されてなるものであることから、読取画像にモアレを発生させることがある。すなわち、読取光は上述のような光通過部を通ることにより空間的に変調されるが、光源や光検出器側に規則的構造が存在すると読取光はそれによっても変調されるので、これら両変調が干渉してモアレが生じるのである。このようなモアレを画像処理によって消去することも従来考えられているが、それには多大なコストを要し、また、モアレを完全に消去することは困難となっている。
【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、読取画像の鮮鋭度を高めることが可能で、またそのために読取画像にモアレを発生させるようなこともない画像読取装置および画像読取方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による第１の画像読取装置は、先に述べたように画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置において、光源と画像記録手段との間に、該光源から発せられた読取光の一部を吸収する吸収層が配置されたことを特徴とするものである。なお、このような吸収層としてより具体的には、例えば色フィルタ層等を適用することができる。
【００１０】
また、本発明による第２の画像読取装置は、上記と同様に画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置において、光源と画像記録手段との間に、該光源から発せられた読取光を散乱させる散乱層が配置されていることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明による第３の画像読取装置は、上記と同様に画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置において、光源と画像記録手段との間に、該光源から発せられた読取光に対する屈折率がそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3（ｎ1、ｎ3＞ｎ2）である層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3が、光源側からこの順に配置されていることを特徴とするものである。
【００１２】
なお、以上説明した本発明による画像読取装置はいずれも、画像記録手段が、画像情報を担持する放射線が照射されたとき、該画像情報に対応する潜像電荷を蓄積させ、その後読取光の照射を受けたとき前記潜像電荷に対応した電流を生じる光導電体からなるものである場合に適用されて、上記電流を検出することによって画像情報を読み取るように構成されることが特に好ましい。
【００１３】
さらに、以上説明した本発明による画像読取装置はいずれも、光源がＥＬ素子からなるものである場合に適用されることが特に好ましい。
【００１４】
一方、本発明による画像読取方法は、画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査し、それによりこの画像記録手段から発せられた光を光電変換して前記画像情報を読み取る画像読取方法において、上に説明した本発明による画像読取装置を用いて前記画像情報を読み取ることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による第１の画像読取装置においては、光源から発せられた読取光の一部を吸収する吸収層が配置されており、この吸収層に対して小さな入射角で入射する光（本来使用されるべき読取光がそうである）の該層における通過長は比較的短いのに対し、吸収層に対して大きな入射角で入射する光（フレアの大部分はそうである）の該層における通過長は比較的長くなるので、フレアの多くがこの吸収層に吸収されて減衰するようになる。それにより、画像記録手段に到達するフレアが低減し、読取画像の鮮鋭度が向上する。
【００１６】
また、本発明による第２の画像読取装置においては、光源から発せられた読取光を散乱させる散乱層が配置されており、この散乱層に対して小さい散乱角で入射する光（本来使用されるべき読取光がそうである）は、その散乱層での平均自由行程（散乱から次の散乱が発生するまでの距離）が、その厚みに対し同程度であると、散乱されずに直進する。これに対し、散乱層に対して大きな角度で入射する光（フレアの大部分はそうである）は、散乱層での経路が長くなって平均自由行程を上回り、その結果、散乱を何回も繰り返すようになる。そのような光は、散乱を繰り返す毎に吸収されて強度が弱くなるので、画像記録手段に到達するフレアが低減し、読取画像の鮮鋭度が向上する。
【００１７】
また、本発明による第３の画像読取装置においては、光源から発せられた読取光に対する屈折率がそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3（ｎ1、ｎ3＞ｎ2）である層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3が、光源側からこの順に配置されているので、層Ｌ1とＬ2との界面に臨界角以上で入射した光（フレアの大部分はそうである）は透過せず全反射する。この界面を透過した光は層Ｌ2とＬ3との界面では、層Ｌ1、Ｌ3の屈折率ｎ1、ｎ3が互いに等しければ層Ｌ1への入射角と同じ角度で出射することとなる。一方、層Ｌ1、Ｌ3の屈折率ｎ1、ｎ3が異なる場合、入射角と出射角はその屈折率の差異に応じてずれることとなる。その結果、上述のように全反射した高角度の入射光は層Ｌ3を透過しなくなり、それにより、画像記録手段に到達するフレアが低減し、読取画像の鮮鋭度が向上する。
【００１８】
それに加えて本発明の各画像読取装置においては、フレアを低減させるために、前述したルーバーやピンホール板等のように規則的構造を持つ手段を使用してはいないので、読取画像にモアレを発生させることもない。
【００１９】
他方、本発明による画像読取方法は、上述した通りの本発明による画像読取装置を用いて画像記録手段から画像情報を読み取るようにしたので、フレアの少ない読取光を用いることによる読取画像の鮮鋭度向上の効果を同様に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２１】
図１は、画像記録手段を含む放射線画像検出器１０と、本発明の第１実施形態による放射線画像読取装置２０とが一体化されてなる放射線画像検出読取装置１の概略斜視形状を示すものであり、また図２は図１中のＸ−Ｚ断面形状を、図３は同じく図１中のＸ−Ｙ断面形状を示している。なお図１においては、放射線画像検出器１０に静電潜像を記録する記録装置の電源等と、読取装置の面状光源３０を制御する光源制御手段４０および電流検出手段５０も併せて示している。
【００２２】
画像記録手段としての放射線画像検出器１０は、放射線画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、記録している静電潜像に応じた電流を発生するものであり、具体的には、記録用の放射線を透過させる第１の導電体層１１、記録用電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層１２、導電体層１１に帯電される電荷（潜像極性電荷；例えば負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ該電荷と逆極性の電荷（輸送極性電荷；上記例においては正電荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層１３、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層１４、読取光に対して透過性を有する第２の導電体層１５がこの順に積層されてなるものである。図中斜線部として示す上記導電体層１５はクシ歯状に形成されており、以下このクシ歯部分を「クシ電極１５ａ」と称する。なおこのようなクシ電極については、例えば特開２０００−１０５２９７号公報に詳しい記載がなされている。
【００２３】
放射線画像読取装置２０は、面状光源３０と、この面状光源３０を制御する光源制御手段４０と、電流検出手段５０とから構成されている。
【００２４】
面状光源３０は有機ＥＬ発光素子であって、基本的に、絶縁基板３１と、この絶縁基板３１の上に形成された第一電極としての平板状全面電極３２と、この全面電極３２と向かい合うように配置された第二電極としてのクシ電極３４と、このクシ電極３４と全面電極３２との間に挟持された有機ＥＬ発光層３３と、クシ電極３４の上に形成された絶縁層３５とから構成されている。
【００２５】
そして上記絶縁層３５の上には色フィルタ層３６が形成され、さらにこの色フィルタ層３６の上には、面状光源３０を放射線画像検出器１０の導電体層１５と接着する接着層３７が形成されている。
【００２６】
上記クシ電極３４は、有機ＥＬ発光層３３が発する光に対して透過性の材料から形成され、放射線画像検出器１０のクシ電極１５ａと略直交する向きに形成されている。一方上記全面電極３２は、有機ＥＬ発光層３３が発する光を略１００％反射する材料から形成されている。なお有機ＥＬ発光素子においては通常、上記の各構成要素に加えて正孔輸送層や電子輸送層等が設けられるが、図１ではそれらを省略してある。
【００２７】
有機ＥＬ発光層３３から発せられるＥＬ光の波長は、放射線画像検出器１０から静電潜像を読み取るのに適した波長領域に含まれることは勿論であるが、後述する前露光用の光として適した波長領域にも含まれることが望ましい。有機ＥＬ発光層３３から発せられる光の波長は、該発光層３４の材料によって定まる。例えば、読取用光導電層１４が、ａ−Ｓｅ，ＰｂＩ2 ，Ｂｉ12（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ20，ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−プロピル），ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−ネオペンチル）等のうち少なくとも１つを主成分とする、近紫外から青の領域の波長（３００〜５５０ｎｍ）の光に対して高い感度を有し、赤の領域の波長の光に対して低い感度を有するものである場合には、近紫外から青の領域の波長の光を発するように有機ＥＬ発光層３３の材料を選択する。
【００２８】
光源制御手段４０は、クシ電極３４とそれに対向する全面電極３２との間において、クシ電極３４の一個毎に、あるいは複数または全てのクシ電極３４を対象として、所定の電圧を印加するものである。この電圧の印加により有機ＥＬ発光層３３からＥＬ光が発せられ、このＥＬ光が読取光および前露光用の光として利用される。
【００２９】
電流検出手段５０は、導電体層１５の各クシ電極１５ａ毎に接続された多数の電流検出アンプ５１を有しており、読取光の照射により各クシ電極１５ａに流れる電流をクシ電極１５ａ毎に並列的に検出する。放射線画像検出器１０の導電体層１１は接続手段５２の一方の入力および電源５３の負極に接続されており、電源５３の正極は接続手段５２の他方の入力に接続されている。なお図示は省いてあるが、接続手段５２の出力端は各電流検出アンプ５１に接続されている。電流検出アンプ５１の構成の詳細については説明を省略するが、周知の構成を種々適用することが可能である。
【００３０】
以下、上記構成の放射線画像検出読取装置１の作用について説明する。放射線画像検出器１０に放射線画像情報を記録する際には、先ず接続手段５２を電源５３側に切り替え、導電体層１１と導電体層１５のクシ電極１５ａとの間に直流電圧を印加して、両導電体層を帯電させる。これにより放射線画像検出器１０内の導電体層１１とクシ電極１５ａとの間に、クシ電極１５ａをＵ字の凹部とするＵ字状の電界が形成される。
【００３１】
次にＸ線等の放射線を図示外の被写体に爆射し、この被写体を透過した放射線、すなわち被写体の放射線画像情報を担持する放射線を放射線画像検出器１０に照射する。すると、放射線画像検出器１０の記録用光導電層１２内で正負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の電界分布に沿ってクシ電極１５ａに集中し、記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面に負電荷が蓄積される。この蓄積される負電荷（潜像電荷）の量は照射放射線量に略比例するので、この潜像電荷が静電潜像を担持することとなる。このようにして静電潜像が放射線画像検出器１０に記録される。一方、記録用光導電層１２内で発生する正電荷は導電体層１１に引き寄せられ、電源５３から注入された負電荷と再結合して消滅する。
【００３２】
その後放射線画像検出器１０から静電潜像を読み取る際には、先ず接続手段５２を放射線画像検出器１０の導電体層１１側に接続する。次いで光源制御手段４０が、クシ電極３４を順次切り替えながら、各クシ電極３４と全面電極３２との間に所定の直流電圧を印加する。この直流電圧の印加により、クシ電極３４と全面電極３２とに挟まれた部分の有機ＥＬ発光層３３からＥＬ光が発せられる。クシ電極３４はライン状になっているので、該クシ電極３４を透過したＥＬ光がライン状の読取光として利用される。すなわち面状光源３０は、ライン状の微小光源を面状に配列したものと等価となり、電圧印加するクシ電極３４を順次切り替えてＥＬ発光させることにより、読取光が放射線画像検出器１０を走査することとなる。
【００３３】
上記ライン状の読取光は、放射線画像検出器１０の導電体層１５の各クシ電極１５ａを透過する。すると、光導電層１４内に正負の電荷対が発生し、その内の正電荷が記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面に蓄積された負電荷（潜像電荷）に引きつけられるように電荷輸送層１３内を急速に移動し、光導電層１２と電荷輸送層１３との界面で潜像電荷と電荷再結合し消滅する。一方、光導電層１４に生じた負電荷は、電源５３から導電体層１５に注入される正電荷と電荷再結合して消滅する。
【００３４】
このようにして、放射線画像検出器１０に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、この電荷再結合の際の電荷の移動による電流が放射線画像検出器１０内に生じる。この電流は、各クシ電極１５ａ毎に接続された電流検出アンプ５により、各クシ電極１５ａ毎に並列的に検出される。放射線画像読取りの際に放射線画像検出器１０内を流れる電流は、潜像電荷すなわち静電潜像に応じたものであるから、この電流を検出することにより静電潜像を読み取ることができる。
【００３５】
以上述べたように、放射線画像検出器１０と放射線画像読取装置２０とを一体化してなるこの放射線画像検出読取装置１においては、面状光源３０の電圧印加するクシ電極３４を順次切り替える電気的な走査により、ライン状の読取光で放射線画像検出器１０を走査するようにしたので、読取光の走査を機械的に行う必要がなくなり、よって機械走査を部品点数を少なくすることができる。また、走査系に可動部を必要としないから装置の信頼性も向上する。さらに放射線画像検出器１０と放射線画像読取装置２０とを一体的に構成したことにより、可搬型の装置にすることも容易となる。
【００３６】
上記放射線画像検出読取装置１は、放射線画像検出器１０から静電潜像を読み取った後には、潜像電荷が基本的には蓄積されておらず、基本的にはそのまま再記録できるものである。しかしながら、場合によっては潜像電荷を完全に読み取ることができず、放射線画像検出器１０に残留電荷が残されることもある。また、放射線画像検出器１０に静電潜像を記録するとき、放射線照射の前に放射線画像検出器１０に高電圧を印加するが、この電圧印加の際に暗電流が発生し、それによる電荷（暗電流電荷）も放射線画像検出器１０に蓄積される。さらに、それら以外の原因によっても、放射線照射前に種々の電荷が放射線画像検出器１０に蓄積することが知られている。この残留電荷、暗電流電荷等の不要電荷は、放射線照射により蓄積される画像情報を担持する電荷に加算されることになるから、結局放射線画像検出器１０から静電潜像を読み取ったとき、出力される信号には画像情報を担持する電荷に基づく信号以外に、不要電荷による信号成分が含まれることになり、残像現象やＳ／Ｎ劣化等の問題を生じる。
【００３７】
そこで、放射線画像検出器１０に蓄積されている不要電荷を消去し、残像現象やＳ／Ｎ劣化等の問題を解消するために、放射線を放射線画像検出器１０に照射する前に、所定の光を放射線画像検出器１０に照射する、いわゆる前露光を行うことが望ましい。本例の放射線画像検出読取装置１においても、この前露光用の光を面状光源３０から発することができる。
【００３８】
具体的には、複数のクシ電極３４と全面電極３２との間に所定の電圧を同時に印加する。この際、電圧の印加により有機ＥＬ発光層３３から発せられた前露光用の光が放射線画像検出器１０に略一様に照射されればよく、クシ電極３４の数の大小は問わない。例えば、所定間隔で間引いてもよいし、全てのクシ歯３４としてもよい。なお、この前露光に関しては前述の特開２０００−１０５２９７号公報に詳しい記載がなされている。このように読取光と前露光用の光を同一の光源から発生させれば、装置の部品点数を削減することができ、安価な装置にすることができる。
【００３９】
ここで、本実施形態の放射線画像読取装置２０においては、画像記録手段としての放射線画像検出器１０と面状光源３０との間に、前述の通り色フィルタ層３６が形成されている。この色フィルタ層３６は、有機ＥＬ発光層３３から発せられるＥＬ光に対して吸収特性を有するものである。
【００４０】
このような色フィルタ層３６が配設されている場合、図４に概略的に示すように、面状光源３０から色フィルタ層３６に対して小さな入射角で入射するＥＬ光３８の該層３６における通過長は比較的短いのに対し、色フィルタ層３６に対して大きな入射角で入射する光（フレア３９の大部分はそうである）の該層３６における通過長は比較的長くなる。そこで、フレア３９の多くがこの色フィルタ層３６に吸収されて減衰するので、放射線画像検出器１０に到達するフレア３９が低減し、読取画像の鮮鋭度が向上する。
【００４１】
また本実施形態の放射線画像読取装置２０は、フレアを低減させるために、前述したルーバーやピンホール板等のように規則的構造を持つ手段を使用してはいないので、読取画像にモアレを発生させることもない。
【００４２】
なお上述の作用を果たす色フィルタ層３６は、例えば有機ＥＬ発光層３３から放射線画像検出器１０の導電体層１５までの距離が５０μｍ、１００μｍの場合で、それぞれ透過率８０％、６０％程度のものを適用するのが好ましい。
【００４３】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図５は、放射線画像検出器１０と本発明の第２実施形態による放射線画像読取装置１２０とが一体化されてなる放射線画像検出読取装置１００の概略斜視形状を示すものである。本実施形態の放射線画像読取装置１２０は第１実施形態の放射線画像読取装置２０と比較すると、色フィルタ層３６の代わりに散乱層１３６が形成された点が異なるものであり、その他の点は基本的に同様に形成されている。なおこの図５において、図１〜図４中の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り省略する（以下、同様）
放射線画像検出器１０と面状光源３０との間に上記散乱層１３６が配設されている場合、この散乱層１３６に対して小さい散乱角で入射するＥＬ光は、その散乱層１３６での平均自由行程が、その厚みに対し同程度であると、散乱されずに直進する。これに対し、散乱層１３６に対して大きな角度で入射する光（フレアの大部分はそうである）は、散乱層１３６での経路が長くなって平均自由行程を上回り、その結果、散乱を何回も繰り返すようになる。そのような光は、散乱を繰り返す毎に吸収されて強度が弱くなるので、放射線画像検出器１０に到達するフレアが低減し、読取画像の鮮鋭度が向上する。
【００４４】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図６は、放射線画像検出器１０と本発明の第３実施形態による放射線画像読取装置２２０とが一体化されてなる放射線画像検出読取装置２００の概略斜視形状を示すものである。本実施形態の放射線画像読取装置２２０は第１実施形態の放射線画像読取装置２０と比較すると、絶縁層３５および色フィルタ層３６の代わりに、透明絶縁層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3および固体封止層４５が形成された点が異なるものであり、その他の点は基本的に同様に形成されている。これらの透明絶縁層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3の屈折率をそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3として示すと、それらはｎ1、ｎ3＞ｎ2の関係を満足している。
【００４５】
放射線画像検出器１０と面状光源３０との間に、上記通りの屈折率の関係を満足する透明絶縁層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3が配設されていると、透明絶縁層Ｌ1とＬ2との界面に臨界角以上で入射した光（フレアの大部分はそうである）は透過せず全反射する。この界面を透過した光は透明絶縁層Ｌ2とＬ3との界面では、透明絶縁層Ｌ1、Ｌ3の屈折率ｎ1、ｎ3が互いに等しければ層Ｌ1への入射角と同じ角度で出射することとなる。一方、透明絶縁層Ｌ1、Ｌ3の屈折率ｎ1、ｎ3が異なる場合、入射角と出射角はその屈折率の差異に応じてずれることとなる。その結果、上述のように全反射した高角度の入射光は透明絶縁層Ｌ3を透過しなくなり、それにより、画像記録手段に到達するフレアが低減し、読取画像の鮮鋭度が向上する。
【００４６】
次に図７は、放射線画像検出器１０と本発明の第４実施形態による放射線画像読取装置３３０とが一体化されてなる放射線画像検出読取装置３００の概略側断面形状を示すものである。先に説明した各実施形態においては光源が有機ＥＬ素子から形成されているが、この第４実施形態による放射線画像読取装置３３０では、読取用光源としてＬＥＤ（発光ダイオード）アレイが用いられている。すなわち本実施形態では基板３０１上に、紙面と直交する方向に延びる１次元ＬＥＤアレイ３１０が複数並設されて読取用の２次元状光源が構成され、基板３０１の周辺部に設けられたスペーサ３０２を介して放射線画像検出器１０が２次元状光源３３０と一体化されている。
【００４７】
そして基板３０１上には、１次元ＬＥＤアレイ３１０の上から材料を塗布することにより色フィルタ層３０３が形成されている。この色フィルタ層３０３は、１次元ＬＥＤアレイ３１０のそれぞれから発せられた光を吸収する特性を有するものである。したがってこの場合も前述の第１実施形態におけるのと同様にして、放射線画像検出器１０に到達するフレアを低減させ、読取画像の鮮鋭度を向上させることができる。
【００４８】
次に、以上説明した第１〜３の実施形態等において、本発明の効果を計算機でのシミュレーションによって調べた結果を説明する。
【００４９】
まず、図１に示した第１実施形態の放射線画像読取装置２０として、色フィルタ層３６の構成が互いに異なる４種のものを作製した。それらをモデルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４と称し、各々における色フィルタ層３６の厚み、屈折率、単位厚み（Ｃ４だけ２μｍ、他は１．２５μｍ）当たりの透過率Ｔは、表１の通りである。また比較のために、色フィルタ層３６を設けないものも作製し、それをモデルＢ１０と称する。なお表１には、これら５つのモデルに関して、有機ＥＬ発光層３３の表面におけるＥＬ光の光強度に対する出力ＥＬ光のピーク強度の比も併せて示してある。
【表１】
2008177733.tif 000003
【００５０】
ここで本例の有機ＥＬ発光層３３は、波長４６０〜４８０ｎｍの光を発するものとされており、上記透過率Ｔはその波長４６０〜４８０ｎｍに対する透過率である。
【００５１】
上記５つのモデルについて、面状光源３０の１つの発光点から発せられた光の副走査方向（複数のクシ電極３４の並び方向）のビームプロファイル、すなわち光強度分布をシミュレーションした結果を図８に示す。同図に示される通り、色フィルタ層３６が設けられているモデルＣ１〜Ｃ４は、色フィルタ層３６を備えないモデルＢ１０と比べると、ビームプロファイルの裾部の拡がりがより小さくなって、フレアが低減していることが分かる。
【００５２】
さらに、モデルＣ１〜Ｃ４における色フィルタ層３６の透過率ＴはＣ１が最大で、以下Ｃ４、Ｃ２、Ｃ３の順でより低くなっている（つまり吸収がより大となっている）が、吸収が大であるほどフレア低減の効果が大きくなることも示されている。
【００５３】
また図９には、図１の構成において色フィルタ層３６を除き、その代わりに接着層３７に色フィルタ効果を持たせた例において、上記と同様にビームプロファイルをシミュレーションした結果を示す。ここでは、接着層３７の色フィルタ層としての構成が互いに異なる４種のものを作製し、それらをモデルＥ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４と称する。それらの各々における接着層３７の厚み、屈折率、単位厚み（Ｅ１は０．５μｍ、Ｅ２およびＥ４は１μｍ、Ｅ３は２μｍ）当たりの透過率Ｔは、表２の通りである。図９には、比較のために上記モデルＢ１０についてのシミュレーション結果も併せて示す。なお表２には、これら５つのモデルに関して、有機ＥＬ発光層３３の表面におけるＥＬ光の光強度に対する出力ＥＬ光のピーク強度の比も併せて示してある。
【表２】
2008177733.tif 000004
【００５４】
本例においても、有機ＥＬ発光層３３は波長４６０〜４８０ｎｍの光を発するものとされており、上記透過率Ｔは、その波長４６０〜４８０ｎｍに対する透過率である。
【００５５】
図９に示される通り、色フィルタ層として作用する接着層３７が設けられているモデルＥ１〜Ｅ４は、接着層３７が色フィルタ層としての機能を備えないモデルＢ１０と比べて、フレアが低減している。さらに、本例では、モデルＥ１〜Ｅ３と比べてモデルＥ４の透過率Ｔが低くなっている（つまり吸収がより大となっている）が、吸収が大であるほどフレア低減の効果が大きくなることも示されている。
【００５６】
次に、図５に示した第２実施形態の放射線画像読取装置１２０における本発明の効果を調べた結果を説明する。この放射線画像読取装置１２０として、散乱層１３６の構成が互いに異なる３種のものを作製した。それらをモデルＤ１、Ｄ２、Ｄ３と称し、それらの各々の散乱の程度を示すMean Free Path（平均自由行程：この数値が小であるほど散乱の程度は大である）は０．０５、０．０２５、０．１である。また比較のために、散乱層１３６を備えない前述のモデルＢ１０も用意し、以上の４種のモデルについて、前述した通りのビームプロファイルのシミュレーションを行った。その結果を図１０に示す。
【００５７】
同図に示される通り、散乱層１３６が設けられているモデルＤ１〜Ｄ３は、散乱層１３６を備えないモデルＢ１０と比べると、ビームプロファイルの裾部の拡がりがより小さくなって、フレアが低減していることが分かる。さらに、モデルＤ１〜Ｄ３における光の散乱の程度はＤ３が最小で、以下Ｄ１、Ｄ２の順でより大きくなっているが、散乱の程度が大であるほどフレア低減の効果が大きくなることも示されている。
【００５８】
次に、図６に示した第３実施形態の放射線画像読取装置２２０における効果を調べた結果を説明する。この放射線画像読取装置２２０として、透明絶縁層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3がそれぞれＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮから構成され、各々の屈折率がｎ1＝２．０、ｎ2＝１．４７、ｎ3＝２．０であるものを作製した。すなわちこの場合、前述したｎ1、ｎ3＞ｎ2の関係が満足されている。これをモデルＢ１２と称する。また、ここでも前述のモデルＢ１０と比較を行うが、このモデルＢ１０は上記透明絶縁層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3に代わるものとして、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮからなる絶縁層が形成されたものであり、各層の屈折率はｎ1＝２．０、ｎ2＝２．０、ｎ3＝２．０である。つまりこのモデルＢ１０においては、前述したｎ1、ｎ3＞ｎ2の関係は満足されていない。
【００５９】
さらに、本発明による画像読取装置として、上記透明絶縁層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3と同じ位置に配された３つの絶縁層の屈折率は全て２．０で等しく、その一方、図６に示す固体封止層４５の屈折率＝１．５、接着層３７の屈折率＝１．４、それに隣接する放射線画像検出器１０の基板（図６では省略してある）の屈折率＝１．５としたものを作製した。これをモデルＢ１１と称する。ここでも、上記固体封止層４５、接着層３７および基板を透明層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3と考えると、ｎ1、ｎ3＞ｎ2の関係が満足されている。
【００６０】
さらに、本発明による画像読取装置として、上記固体封止層４５、接着層３７および基板の屈折率がモデルＢ１１と同様に１．５、１．４および１．５に設定されるとともに、上記透明絶縁層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3の屈折率がモデルＢ１２と同様に２．０、１．４７、２．０であるものを作製した。すなわちこの場合は、前述したｎ1、ｎ3＞ｎ2の関係が２組満足されていることになる。これをモデルＢ１３と称する。
【００６１】
以上の４種のモデルＢ１０〜Ｂ１３について、前述した通りのビームプロファイルのシミュレーションを行った。その結果を図１１に示す。同図に示される通り、ｎ1、ｎ3＞ｎ2の関係が満足されているモデルＢ１１〜Ｂ１３は、その関係が満足されていないモデルＢ１０と比べると、ビームプロファイルの裾部の拡がりがより小さくなって、フレアが低減していることが分かる。さらに、ｎ1、ｎ3＞ｎ2の関係が２組満足されているモデルＢ１３は、この関係が１組だけ満足されているモデルＢ１０およびＢ１２と比べて、フレア低減の効果がより大きいことも示されている。
【００６２】
以上、有機ＥＬ発光素子あるいはＬＥＤからなる光源を用いる画像読取装置に本発明が適用された実施形態について説明したが、本発明はそれら以外の光源を有する画像読取装置にも適用可能であり、そしてその場合も、前述した本発明による効果を同様に奏するものである。
【００６３】
さらに本発明は、画像記録手段から放射線画像情報を読み取る画像読取装置に限らず、画像情報を潜像として記録した画像記録手段を読取光により走査して画像情報を読み取るように構成された画像読取装置一般に適用可能であり、そのようにした場合も、前述した本発明による効果を同様に奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１の実施形態による画像読取装置を備えた放射線画像検出読取装置を示す概略斜視図
【図２】図１の放射線画像検出読取装置のＸ−Ｚ断面形状を示す断面図
【図３】図１の放射線画像検出読取装置のＸ−Ｙ断面形状を示す断面図
【図４】本発明によるフレア低減の効果を説明する図
【図５】本発明の第２の実施形態による画像読取装置を備えた放射線画像検出読取装置を示す概略斜視図
【図６】本発明の第３の実施形態による画像読取装置を備えた放射線画像検出読取装置を示す概略斜視図
【図７】本発明の第４の実施形態による画像読取装置を備えた放射線画像検出読取装置を示す概略斜視図
【図８】本発明によるフレア低減の効果をシミュレーションで求めた結果を示すグラフ
【図９】本発明によるフレア低減の効果をシミュレーションで求めた結果を示すグラフ
【図１０】本発明によるフレア低減の効果をシミュレーションで求めた結果を示すグラフ
【図１１】本発明によるフレア低減の効果をシミュレーションで求めた結果を示すグラフ
【符号の説明】
【００６５】
１０    放射線画像検出器
２０、１２０、２２０、３３０    放射線画像読取装置
３０    面状光源
３５    絶縁層
３６    色フィルタ層
３７    接着層
１３６  散乱層
Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3    透明絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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