(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳを用いて形成される片持ち梁構造スイッチを含み高周波信号を低損失で処理するハイパスフィルタ内蔵スイッチを提供する。【解決手段】ハイパスフィルタ内蔵スイッチは、片持ち梁の自由端に設けられる可動電極と上記可動電極に対向する固定電極とを上記片持ち梁を変形することにより開閉する２つの片持ち梁構造スイッチを備えるハイパスフィルタ内蔵スイッチであって、上記片持ち梁構造スイッチは、片持ち梁の支持端がＧＮＤと並列インダクタを介して接続され、一方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第１の入出力端子と、他方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第２の入出力端子と、一方の片持ち梁構造スイッチの片持ち梁の支持端と他方の片持ち梁構造スイッチの片持ち梁の支持端とを接続する直列キャパシタと、を備える。【選択図】図２
2008306359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
片持ち梁の自由端に設けられる可動電極と上記可動電極に対向する固定電極とを上記片持ち梁を変形することにより開閉する２つの片持ち梁構造スイッチを備えるハイパスフィルタ内蔵スイッチであって、
上記片持ち梁構造スイッチは、片持ち梁の支持端がＧＮＤと並列インダクタを介して接続され、
一方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第１の入出力端子と、
他方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第２の入出力端子と、
一方の片持ち梁構造スイッチの片持ち梁の支持端と他方の片持ち梁構造スイッチの片持ち梁の支持端とを接続する直列キャパシタと、
を備えることを特徴とするハイパスフィルタ内蔵スイッチ。
【請求項２】
片持ち梁の自由端に設けられる可動電極と上記可動電極に対向する固定電極とを上記片持ち梁を変形することにより開閉する２つの片持ち梁構造スイッチを備えるハイパスフィルタ内蔵スイッチであって、
上記２つの片持ち梁構造スイッチは、上記片持ち梁の支持端で互いに接続され、且つ上記片持ち梁の支持端がＧＮＤと並列インダクタを介して接続され、
一端が一方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第１の直列キャパシタと、
一端が他方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第２の直列キャパシタと、
上記第１の直列キャパシタの他端に接続される第１の入出力端子と、
上記第２の直列キャパシタの他端に接続される第２の入出力端子と、
を備えることを特徴とするハイパスフィルタ内蔵スイッチ。
【請求項３】
請求項１または２に記載のハイパスフィルタ内蔵スイッチを備えることを特徴とするハイパスフィルタ／ローパスフィルタ切替型移相器。
【請求項４】
片持ち梁の自由端に設けられる可動電極と上記可動電極に対向する固定電極とを上記片持ち梁を変形することにより開閉する片持ち梁構造スイッチおよび上記固定電極が設けられた高周波線路に一端が接続される並列キャパシタからなる複数の直列キャパシタスイッチを備える可変共振器であって、
高周波信号が入出力する第１の入出力端子と、
上記第１の入出力端子に接続される第２の入出力端子と、
上記第１の入出力端子をＧＮＤに接続する並列インダクタと、
を備え、
上記並列キャパシタは、他端が上記第１の入出力端子に接続され、
上記片持ち梁構造スイッチは、上記片持ち梁の支持端がＧＮＤに接続されることを特徴とする可変共振器。
【請求項５】
片持ち梁の自由端に設けられる可動電極と上記可動電極に対向する固定電極とを上記片持ち梁を変形することにより開閉する片持ち梁構造スイッチおよび上記固定電極が設けられた高周波線路に一端が接続される並列キャパシタからなる複数の直列キャパシタスイッチを備える可変共振器であって、
高周波信号が入出力する第１の入出力端子と、
上記第１の入出力端子に接続される第２の入出力端子と、
上記第１の入出力端子をＧＮＤに接続する並列インダクタと、
を備え、
上記並列キャパシタは、他端がＧＮＤに接続され、
上記片持ち梁構造スイッチは、上記片持ち梁の支持端が上記第１の入出力端子に接続されることを特徴とする可変共振器。
【請求項６】
片持ち梁の自由端に設けられる可動電極と上記可動電極に対向する固定電極とを上記片持ち梁を変形することにより開閉する２つの片持ち梁構造スイッチおよび一方の上記片持ち梁構造スイッチの上記固定電極が設けられた高周波線路に一端が接続され且つ他方の上記片持ち梁構造スイッチの上記片持ち梁の支持端に他端が接続される並列インダクタからなる複数の直列インダクタスイッチを備える可変共振器であって、
高周波信号が入出力する第１の入出力端子と、
上記第１の入出力端子に接続される第２の入出力端子と、
上記第１の入出力端子をＧＮＤに接続する並列キャパシタと、
を備え、
上記一方の片持ち梁構造スイッチは、上記片持ち梁の支持端がＧＮＤに接続され、
上記他方の片持ち梁構造スイッチは、上記固定電極が設けられた高周波線路が上記第１の入出力端子に接続されることを特徴とする可変共振器。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の２つの可変共振器を備える通過帯域可変バンドパスフィルタであって、
一方の上記可変共振器の第１の入出力端子または第２の入出力端子と他方の上記可変共振器の第１の入出力端子または第２の入出力端子とを接続する直列接続の直列インダクタおよび直列キャパシタを備えることを特徴とする通過帯域可変バンドパスフィルタ。
【請求項８】
片持ち梁の自由端に設けられる可動電極と上記可動電極に対向する固定電極とを上記片持ち梁を変形することにより開閉する２つの片持ち梁構造スイッチおよび一方の上記片持ち梁構造スイッチの上記固定電極が設けられた高周波線路に一端が接続され且つ他方の上記片持ち梁構造スイッチの上記片持ち梁の支持端に他端が接続される直列インダクタからなる複数の直列インダクタスイッチを備える阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタであって、
高周波信号が入出力する入出力端子と、
上記入出力端子に一端が接続される直列キャパシタと、
上記直列キャパシタと並列に上記入出力端子とＧＮＤとを接続する直列接続の第１の並列インダクタおよび第１の並列キャパシタと、
上記直列キャパシタの他端とＧＮＤとを接続する直列接続の第２の並列インダクタおよび第２の並列キャパシタと、
上記第２の並列インダクタおよび上記第２の並列キャパシタの直列接続と並列に上記直列キャパシタの他端とＧＮＤとを接続する抵抗と、
を備え、
上記一方の片持ち梁構造スイッチは、上記片持ち梁の支持端が上記直列キャパシタの他端に接続され、
上記他方の片持ち梁構造スイッチは、上記入出力端子に接続されることを特徴とする阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波信号を処理するハイパスフィルタ内蔵スイッチ、ハイパスフィルタ／ローパスフィルタ切替型移相器、可変共振器、通過帯域可変バンドパスフィルタ、阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のハイパスフィルタ（以下、「ＨＰＦ」と略称する）／ローパスフィルタ（以下、「ＬＰＦ」と略称する）切替型の移相器は、第１の入出力端子、第２の入出力端子、ＨＰＦ、ＬＰＦ、第１の入出力端子とＨＰＦまたはＬＰＦの一方に接続を切り替える第１の単極双投スイッチ、第２の入出力端子とＨＰＦまたはＬＰＦの一方に接続を切り替える第２の単極双投スイッチを備える。
第１の単極双投スイッチと第２の単極双投スイッチが共にＨＰＦに接続されているとき、第１の入出力端子と第２の入出力端子との間を通過する高周波信号の位相は進み状態となる。一方、第１の単極双投スイッチと第２の単極双投スイッチが共にＬＰＦに接続されているとき、第１の入出力端子と第２の入出力端子との間を通過する高周波信号の位相は遅れ状態となる。このように第１の単極双投スイッチおよび第２の単極双投スイッチを切り替えることにより、通過する高周波信号の通過位相を変化させる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
従来、Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ（以下、「ＭＥＭＳ」と略称する）技術を用いて形成される片持ち梁構造スイッチは、基板上に形成され、自由端側に可動電極が設けられる片持ち梁構造の第１の高周波線路、可動電極と対向する固定電極が設けられる第２の高周波線路、片持ち梁を引き寄せるための電圧が印加される制御電極、制御電極に電圧を印加する制御電源、および片持ち梁の支持端をＧＮＤに接続する高抵抗を備える。
そして、制御電源により制御電極に電圧を印加すると、制御電極と片持ち梁との間に電位差が生じ、片持ち梁が制御電極側に引き寄せられ、可動電極と固定電極とが接し、第１の高周波線路と第２の高周波線路とがつながり高周波信号を流すことができる（例えば、非特許文献２参照）。
【０００４】
【非特許文献１】Ｒｏｂｅｒｔ  Ｖ．Ｇａｒｖｅｒ著、「Ｂｒｏａｄ−Ｂａｎｄ  Ｄｉｏｄｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔｅｒ」、ＩＥＥＥ  ＭＴＴ、Ｖｏｌ．ＭＴＴ−２０、Ｎｏ．５、１９７２年、５月、ｐ．３１４−３２３
【非特許文献２】Ｐａｕｌ  Ｍ．Ｚａｖｒａｃｋｙ著、「Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｗｉｃｈｅｓ  Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  Ｕｓｉｎｇ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ」、ＩＥＥＥ  ＪＯＵＲＮＡＬ、Ｖｏｌ．６、１９９７年、３月、ｐ．３−９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ＭＥＭＳ技術を用いて形成される片持ち梁構造スイッチは、片持ち梁を高抵抗を介して直流的にＧＮＤに接続する必要があるので、高周波線路では高抵抗に信号が流れ、片持ち梁構造スイッチを用いた回路の損失が大きくなるという問題がある。
【０００６】
この発明の目的は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成される片持ち梁構造スイッチを含み高周波信号を低損失で処理するハイパスフィルタ内蔵スイッチ、ハイパスフィルタ／ローパスフィルタ切替型移相器、可変共振器、通過帯域可変バンドパスフィルタ、および阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係るハイパスフィルタ内蔵スイッチは、片持ち梁の自由端に設けられる可動電極と上記可動電極に対向する固定電極とを上記片持ち梁を変形することにより開閉する２つの片持ち梁構造スイッチを備えるハイパスフィルタ内蔵スイッチであって、上記片持ち梁構造スイッチは、片持ち梁の支持端がＧＮＤと並列インダクタを介して接続され、一方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第１の入出力端子と、他方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第２の入出力端子と、一方の片持ち梁構造スイッチの片持ち梁の支持端と他方の片持ち梁構造スイッチの片持ち梁の支持端とを接続する直列キャパシタと、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
この発明に係るハイパスフィルタ内蔵スイッチの効果は、片持ち梁が並列インダクタを介して直流に関してＧＮＤに接続されている片持ち梁構造スイッチを２つ使用してπ型ＨＰＦ内蔵スイッチを構成しているので、ＨＰＦとして機能するとき片持ち梁が高抵抗を介して直流に関してＧＮＤに接続されている場合に比べて損失を小さくすることができることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、この発明に係る実施の形態１による片持ち梁構造スイッチの断面図である。
この発明に係る実施の形態１による片持ち梁構造スイッチ１は、図１に示すように、ＭＥＭＳ技術を用いて基板２上に形成され、支持端４ａが基板２に支持され且つ自由端４ｂ側に可動電極５が設けられる片持ち梁４からなる第１の高周波線路３、可動電極５と対向する位置に固定電極６が設けられる第２の高周波線路７、片持ち梁４を撓ませるための電圧が印加される制御電極８、制御電極８に電圧を印加する制御電源９、および片持ち梁４の支持端４ａをＧＮＤに接続する並列インダクタ１０を備える。
【００１０】
次に、この発明に係る実施の形態１による片持ち梁構造スイッチ１の動作について説明する。
片持ち梁構造スイッチ１では、制御電源９から制御電極８に電圧を印加すると可動電極５が固定電極６に接し、第１の高周波線路３と第２の高周波線路７とが接続される。この状態をＯＮ状態と称す。他方、制御電極８に印加した電圧を取り去ると可動電極５が固定電極６から離れ、第１の高周波線路３と第２の高周波線路７とが切断される。この状態をＯＦＦ状態と称す。
【００１１】
この実施の形態１による片持ち梁構造スイッチ１は、片持ち梁４の支持端４ａが並列インダクタ１０を介してＧＮＤに接続されているので、直流に関して支持端４ａが高抵抗を介してＧＮＤに接続されるときと比べて損失が小さい。
【００１２】
図２は、この発明に係る実施の形態１によるπ型ＨＰＦ内蔵スイッチの構成図である。
次に、上述の実施の形態１による片持ち梁構造スイッチ１を２つ用いたπ型ＨＰＦ内蔵スイッチについて説明する。
この発明に係る実施の形態１によるπ型ＨＰＦ内蔵スイッチは、基板２上に形成され、図２に示すように、第１の片持ち梁構造スイッチ１ａ、第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂ、第１の片持ち梁構造スイッチ１ａと第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂの片持ち梁４の支持端４ａ同士を接続する直列キャパシタ１２、第１の片持ち梁構造スイッチ１ａの第２の高周波線路７に接続する第１の入出力端子１３ａ、および第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂの第２の高周波線路７に接続する第２の入出力端子１３ｂを備える。
【００１３】
第１の片持ち梁構造スイッチ１ａの片持ち梁４は、第１の並列インダクタ１０ａを介して直流に関してはＧＮＤに接続される。同様に、第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂの片持ち梁４は、第２の並列インダクタ１０ｂを介して直流に関してはＧＮＤに接続される。
【００１４】
次に、この発明に係る実施の形態１によるπ型ＨＰＦ内蔵スイッチの動作について説明する。
第１の片持ち梁構造スイッチ１ａまたは第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂをＯＦＦ状態にすると、第１の入出力端子１３ａと第２の入出力端子１３ｂとの間は遮断される。
一方、第１の片持ち梁構造スイッチ１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂを共にＯＮ状態にすると、第１の並列インダクタ１０ａ、第２の並列インダクタ１０ｂおよび直列キャパシタ１２によりπ型ＨＰＦが構成される。
【００１５】
この実施の形態１によるπ型ＨＰＦ内蔵スイッチは、片持ち梁４が並列インダクタ１０を介して直流に関してＧＮＤに接続されている片持ち梁構造スイッチ１ａ、１ｂを２つ使用してπ型ＨＰＦ内蔵スイッチを構成しているので、ＨＰＦとして機能するとき片持ち梁４が高抵抗を介して直流に関してＧＮＤに接続されている場合に比べて損失を小さくすることができる。
【００１６】
実施の形態２．
図３は、この発明に係る実施の形態２による２極の片持ち梁構造スイッチの断面図である。
この発明に係る実施の形態２による２極の片持ち梁構造スイッチ２１は、図３に示すように、基板２上に形成され、支持端４ａが基板２に支持され且つ自由端４ｂ側に可動電極５Ａが設けられる片持ち梁４Ａからなる第１の高周波線路３Ａ、第１の高周波線路３Ａの支持端４ａに連なる支持端４ａが基板２に支持され且つ自由端４ｂ側に可動電極５Ｂが設けられる片持ち梁４Ｂからなる第２の高周波線路３Ｂ、可動電極５Ａと対向する位置に固定電極６Ａが設けられる第３の高周波線路７Ａ、可動電極５Ｂと対向する位置に固定電極６Ｂが設けられる第４の高周波線路７Ｂ、片持ち梁４Ａを撓ませるための電圧が印加される第１の制御電極８Ａ、片持ち梁４Ｂを撓ませるための電圧が印加される第２の制御電極８Ｂ、制御電極８Ａ、８Ｂに電圧を印加する２つの制御電源９Ａ、９Ｂ、および連なっている支持端４ａをＧＮＤに接続する並列インダクタ１０を備える。
【００１７】
２極の片持ち梁構造スイッチ２１では、制御電源９Ａ、９Ｂからそれぞれ制御電極８Ａ、８Ｂに電圧を印加すると可動電極５Ａ、５Ｂがそれぞれ固定電極６Ａ、６Ｂに接し第１の高周波線路３Ａと第３の高周波線路７Ａ、第２の高周波線路３Ｂと第４の高周波線路７Ｂとが接続される。この状態をＯＮ状態と称す。他方、制御電極８Ａ、８Ｂに印加した電圧を取り去ると可動電極５Ａ、５Ｂがそれぞれ固定電極６Ａ、６Ｂから離れ第１の高周波線路３Ａと第３の高周波線路７Ａとの間、第２の高周波線路３Ｂと第４の高周波線路７Ｂとの間が遮断される。この状態をＯＦＦ状態と称す。なお、以下の説明では第１の高周波線路３Ａと第３の高周波線路７Ａとの間を開閉する部分を第１のスイッチ２２ａ、第２の高周波線路３Ｂと第４の高周波線路７Ｂとの間を開閉する部分を第２のスイッチ２２ｂと称す。
【００１８】
図４は、この発明に係る実施の形態２によるＴ型ＨＰＦ内蔵スイッチの構成図である。
次に、上述の実施の形態２による２極の片持ち梁構造スイッチ２１を１つ用いたＴ型ＨＰＦ内蔵スイッチについて説明する。
この発明に係る実施の形態２によるＴ型ＨＰＦ内蔵スイッチは、基板２上に形成され、図４に示すように、２極の片持ち梁構造スイッチ２１、一端が２極の片持ち梁構造スイッチ２１の第３の高周波線路７Ａに接続する第１の直列キャパシタ２３ａ、一端が２極の片持ち梁構造スイッチ２１の第４の高周波線路７Ｂに接続する第２の直列キャパシタ２３ｂ、第１の直列キャパシタ２３ａの他端が接続する第１の入出力端子１３ａ、および第２の直列キャパシタ２３ｂの他端が接続する第２の入出力端子１３ｂを備える。
【００１９】
次に、この発明に係る実施の形態２によるＴ型ＨＰＦ内蔵スイッチの動作について説明する。
第１のスイッチ２２ａまたは第２のスイッチ２２ｂをＯＦＦ状態にすると、第１の入出力端子１３ａと第２の入出力端子１３ｂとの間は遮断される。
一方、第１のスイッチ２２ａおよび第２のスイッチ２２ｂを共にＯＮ状態にすると、第１の直列キャパシタ２３ａ、並列インダクタ１０および第２の直列キャパシタ２３ｂによりＴ型ＨＰＦを構成する。
【００２０】
この実施の形態２によるＴ型ＨＰＦ内蔵スイッチは、片持ち梁４Ａ、４Ｂが並列インダクタ１０を介して直流に関してＧＮＤに接続されている２極の片持ち梁構造スイッチ２１を１つ使用してＴ型ＨＰＦ内蔵スイッチを構成しているので、Ｔ型ＨＰＦとして機能するとき片持ち梁４Ａ、４Ｂが高抵抗を介して直流に関してＧＮＤに接続されている場合に比べて損失を小さくすることができる。
【００２１】
実施の形態３．
図５は、この発明に係る実施の形態３による片持ち梁構造スイッチの断面図である。
この発明に係る実施の形態３による片持ち梁構造スイッチ３１は、基板２上に形成され、図５に示すように、支持端４ａが基板２に支持され自由端４ｂ側に可動電極５が設けられた片持ち梁４からなる第１の高周波線路３、可動電極５と対向する位置に固定電極６が設けられた第２の高周波線路７、片持ち梁４を撓ませるための電圧が印加される制御電極８、および制御電極８に電圧を印加する制御電源９を備える。
【００２２】
片持ち梁構造スイッチ３１では、制御電源９から制御電極８に電圧を印加すると可動電極５が固定電極６に接し第１の高周波線路３と第２の高周波線路７とが接続される。この状態をＯＮ状態と称す。他方、制御電極８に印加した電圧を取り去ると可動電極５が固定電極６から離れ第１の高周波線路３と第２の高周波線路７とが開放される。この状態をＯＦＦ状態と称す。
【００２３】
図６は、この発明に係る実施の形態３によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器の構成図である。
次に、２つの上述の実施の形態１による片持ち梁構造スイッチ１および２つの実施の形態３による片持ち梁構造スイッチ３１を用いたＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器について説明する。
この発明に係る実施の形態３によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器は、基板２上に形成され、図６に示すように、実施の形態１による第１の片持ち梁構造スイッチ１ａ、実施の形態１による第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂ、第１の片持ち梁構造スイッチ１ａと第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂの片持ち梁４の支持端４ａ同士を接続する直列キャパシタ１２、第１の片持ち梁構造スイッチ１ａの第２の高周波線路７に接続する第１の入出力端子１３ａ、および第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂの第２の高周波線路７に接続する第２の入出力端子１３ｂを備える。
【００２４】
また、この発明に係る実施の形態３によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器は、第２の高周波線路７が第１の入出力端子１３ａに接続される実施の形態３による第３の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第２の高周波線路７が第２の入出力端子１３ｂに接続される実施の形態３による第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｂ、一端が第３の片持ち梁構造スイッチ３１ａの片持ち梁４の支持端４ａに接続される第１の直列インダクタ３２ａ、一端が第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｂの片持ち梁４の支持端４ａに接続され且つ他端が第１の直列インダクタ３２ａの他端に接続される第２の直列インダクタ３２ｂ、第２の直列インダクタ３２ｂの他端と接続される第１の直列インダクタ３２ｂの他端とＧＮＤとの間に並列して介在する並列キャパシタ３３および抵抗３４を備える。
【００２５】
なお、第１の片持ち梁構造スイッチ１ａと第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂの支持端４ａはそれぞれ第１の並列インダクタ１０ａと第２の並列インダクタ１０ｂを介してＧＮＤに接続されている。
【００２６】
次に、この発明に係る実施の形態３によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器の動作について説明する。
第１の片持ち梁構造スイッチ１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂをＯＮ状態、第３の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＦＦ状態に切り替えたとき、第１の並列インダクタ１０ａ、第２の並列インダクタ１０ｂおよび直列キャパシタ１２によりπ型ＨＰＦが構成される。このとき、第１の入出力端子１３ａと第２の入出力端子１３ｂ間を通過する高周波信号の位相は進み状態となる。
【００２７】
また、第１の片持ち梁構造スイッチ１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂをＯＦＦ状態、第３の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＮ状態に切り替えたとき、第１の直列インダクタ３２ａ、第２の直列インダクタ３２ｂおよび並列キャパシタ３３によりＴ型ＬＰＦが構成される。このとき、第１の入出力端子１３ａと第２の入出力端子１３ｂ間を通過する高周波信号の位相は遅れ状態となる。
【００２８】
このように、第１の片持ち梁構造スイッチ１ａ、第２の片持ち梁構造スイッチ１ｂ、第３の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＮ／ＯＦＦすることにより、通過位相を変化させることができる。
【００２９】
この実施の形態３によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器は、片持ち梁４の支持端４ａが並列インダクタ１０を介してＧＮＤに接続される片持ち梁構造スイッチ１を２つ用いてＨＰＦが構成されているので、片持ち梁４の支持端４ａが高抵抗を介してＧＮＤに接続されたとき高抵抗に信号が流れるために損失が大きくなることに比べ、低損失のＨＰＦを実現できる。
なお、上述の実施の形態３によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器は、ＬＰＦがＴ型ＬＰＦであるが、π型ＬＰＦであっても同様な効果が得られる。
【００３０】
実施の形態４．
図７は、この発明に係る実施の形態４によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器の構成図である。
この発明に係る実施の形態４によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器は、実施の形態２による２極の片持ち梁構造スイッチと２つの実施の形態３による片持ち梁構造スイッチ３１を用いる。
この発明に係る実施の形態４によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器は、基板２上に形成され、図７に示すように、２極の片持ち梁構造スイッチ２１、一端が２極の片持ち梁構造スイッチ２１の第３の高周波線路７Ａに接続される第１の直列キャパシタ２３ａ、一端が２極の片持ち梁構造スイッチ２１の第４の高周波線路７Ｂに接続される第２の直列キャパシタ２３ｂ、第１の直列キャパシタ２３ａの他端が接続される第１の入出力端子１３ａ、および第２の直列キャパシタ２３ｂの他端が接続される第２の入出力端子１３ｂを備える。
なお、２極の片持ち梁構造スイッチ２１の支持端４ａは並列インダクタ１０を介してＧＮＤに接続されている。
【００３１】
また、この発明に係る実施の形態４によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器は、第２の高周波線路７が第１の入出力端子１３ａに接続される実施の形態３による第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第２の高周波線路７が第２の入出力端子１３ｂに接続される実施の形態３による第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂ、一端が第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの片持ち梁４の支持端４ａに接続され且つ他端が第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂの片持ち梁４の支持端４ａに接続される直列インダクタ３２、一端が第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの片持ち梁４の支持端４ａに接続され且つ他端がＧＮＤに接続される第１の並列キャパシタ３３ａ、第１の並列キャパシタ３３ａと並列に接続される抵抗３４、一端が第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂの片持ち梁４の支持端４ａに接続され且つ他端がＧＮＤに接続される第２の並列キャパシタ３３ｂを備える。
【００３２】
次に、この発明に係る実施の形態４によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器の動作について説明する。
２極の片持ち梁構造スイッチ２１の第１のスイッチ２２ａおよび第２のスイッチ２２ｂをＯＮ状態、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＦＦ状態に切り替えたとき、第１の直列キャパシタ２３ａ、並列インダクタ１０および第２の直列キャパシタ２３ｂによりＴ型ＨＰＦが構成される。このとき、第１の入出力端子１３ａと第２の入出力端子１３ｂ間を通過する高周波信号の位相は進み状態となる。
【００３３】
また、２極の片持ち梁構造スイッチ２１の第１のスイッチ２２ａおよび第２のスイッチ２２ｂをＯＦＦ状態、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＮ状態に切り替えたとき、直列インダクタ３２、第１の並列キャパシタ３３ａおよび第２の並列キャパシタ３３ｂによりπ型ＬＰＦが構成される。このとき、第１の入出力端子１３ａと第２の入出力端子１３ｂ間を通過する高周波信号の位相は遅れ状態となる。
【００３４】
このように、２極の片持ち梁構造スイッチ２１の第１のスイッチ２２ａおよび第２のスイッチ２２ｂ、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＮ／ＯＦＦすることにより、通過位相を変化させることができる。
【００３５】
この実施の形態４によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器は、片持ち梁４の支持端４ａが並列インダクタ１０を介してＧＮＤに接続される２極の片持ち梁構造スイッチ２１を用いてＨＰＦが構成されているので、片持ち梁４の支持端４ａを高抵抗を介してＧＮＤに接続したとき高抵抗に信号が流れるために損失が大きくなることに比べ、低損失のＨＰＦを実現できる。
なお、上述の実施の形態４によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器では、ＬＰＦがπ型ＬＰＦであるが、Ｔ型ＬＰＦであっても同様な効果が得られる。
【００３６】
実施の形態５．
図８は、この発明に係る実施の形態５による可変共振器の構成図である。
この発明に係る実施の形態５による可変共振器は、２つの上述の実施の形態３による片持ち梁構造スイッチ３１を用いる。
この発明に係る実施の形態５による可変共振器は、基板２上に形成され、図８に示すように、高周波信号が入出力する第１の入出力端子１３ａ、第１の入出力端子１３ａと高周波線路４１を介して接続される第２の入出力端子１３ｂ、片持ち梁４の支持端４ａがＧＮＤに接続される第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの片持ち梁４の支持端４ａに片持ち梁４の支持端４ａが接続される第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂ、一端が第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの第２の高周波線路７に接続され且つ他端が高周波線路４１に接続される第１の並列キャパシタ４２ａ、一端が第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂの第２の高周波線路７に接続され且つ他端が高周波線路４１に接続される第２の並列キャパシタ４２ｂ、および一端が高周波線路４１に接続され且つ他端がＧＮＤに接続される並列インダクタ４３を備える。
なお、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａと第１の並列キャパシタ４２ａにより構成する回路を第１の直列キャパシタスイッチ、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂと第２の並列キャパシタ４２ｂにより構成する回路を第２の直列キャパシタスイッチと称す。
【００３７】
次に、この発明に係る実施の形態５による可変共振器の動作について説明する。
第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａをＯＮ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＦＦ状態に切り替えたとき、並列インダクタ４３と第１の並列キャパシタ４２ａにより第１の並列共振器が構成される。また、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａをＯＦＦ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＮ状態に切り替えたとき、並列インダクタ４３と第２の並列キャパシタ４２ｂにより第２の並列共振器が構成される。そして、第１の並列キャパシタ４２ａと第２の並列キャパシタ４２ｂとの静電容量が異なると、第１の並列共振器と第２の並列共振器との共振周波数が異なるので、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａと第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂを交互にＯＮ／ＯＦＦを切り替えると共振周波数が可変される可変共振器が実現できる。
【００３８】
この実施の形態５による可変共振器は、片持ち梁４の支持端４ａが直流的にＧＮＤに接続される片持ち梁構造スイッチ３１を用いているので、片持ち梁４の支持端４ａをＧＮＤに高抵抗を介して接続する必要がなく、低損失化が実現できる。
なお、上述の実施の形態５による可変共振器は２つの直列キャパシタスイッチで構成されているが、３つ以上の直列キャパシタスイッチで構成されていても、同様な効果が得られる。
【００３９】
実施の形態６．
図９は、この発明に係る実施の形態６による可変共振器の構成図である。
この発明に係る実施の形態６による可変共振器は、２つの上述の実施の形態３による片持ち梁構造スイッチ３１を用いる。
この発明に係る実施の形態６による可変共振器は、基板２上に形成され、図９に示すように、高周波信号が入出力する第１の入出力端子１３ａ、第１の入出力端子１３ａと高周波線路４１を介して接続される第２の入出力端子１３ｂ、片持ち梁４の支持端４ａが高周波線路４１に接続される第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの片持ち梁４の支持端４ａに片持ち梁４の支持端４ａが接続される第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂ、一端が第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの第２の高周波線路７に接続され且つ他端がＧＮＤに接続される第１の並列キャパシタ４２ａ、一端が第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂの第２の高周波線路７に接続され且つ他端がＧＮＤに接続される第２の並列キャパシタ４２ｂ、および一端が高周波線路４１に接続され且つ他端がＧＮＤに接続される並列インダクタ４３を備える。
なお、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａと第１の並列キャパシタ４２ａにより構成する回路を第１の直列キャパシタスイッチ、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂと第２の並列キャパシタ４２ｂにより構成する回路を第２の直列キャパシタスイッチと称す。
【００４０】
次に、この発明に係る実施の形態６による可変共振器の動作について説明する。
第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａをＯＮ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＦＦ状態に切り替えたとき、並列インダクタ４３と第１の並列キャパシタ４２ａにより第１の並列共振器が構成される。また、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａをＯＦＦ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂをＯＮ状態に切り替えたとき、並列インダクタ４３と第２の並列キャパシタ４２ｂにより第２の並列共振器が構成される。そして、第１の並列キャパシタ４２ａと第２の並列キャパシタ４２ｂとの静電容量が異なると、第１の並列共振器と第２の並列共振器との共振周波数が異なるので、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａと第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂを交互にＯＮ／ＯＦＦを切り替えると共振周波数が可変される可変共振器が実現できる。
【００４１】
この実施の形態６による可変共振器は、片持ち梁４の支持端４ａが並列インダクタ４３を介して直流的にＧＮＤに接続される片持ち梁構造スイッチ３１を用いているので、片持ち梁４の支持端４ａをＧＮＤに高抵抗を介して接続する必要がなく、低損失化が実現できる。
なお、上述の実施の形態６による可変共振器は２つの直列キャパシタスイッチで構成されているが、３つ以上の直列キャパシタスイッチで構成されていても、同様な効果が得られる。
【００４２】
実施の形態７．
図１０は、この発明に係る実施の形態７による可変共振器の構成図である。
この発明に係る実施の形態７による可変共振器は、４つの上述の実施の形態３による片持ち梁構造スイッチ３１を用いる。
この発明に係る実施の形態７による可変共振器は、基板２上に形成され、図１０に示すように、高周波信号が入出力する第１の入出力端子１３ａ、第１の入出力端子１３ａと高周波線路４１を介して接続される第２の入出力端子１３ｂ、片持ち梁４の支持端４ａがＧＮＤに接続される第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの片持ち梁４の支持端４ａに片持ち梁４の支持端４ａが接続される第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂ、一端が第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの第２の高周波線路７に接続される第１の並列インダクタ４３ａ、一端が第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂの第２の高周波線路７に接続される第２の並列インダクタ４３ｂ、片持ち梁４の支持端４ａが第１の並列インダクタ４３ａの他端に接続され且つ第２の高周波線路７が高周波線路４１に接続される第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃ、片持ち梁４の支持端４ａが第２の並列インダクタ４３ｂの他端に接続され且つ第２の高周波線路７が高周波線路４１に接続される第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄ、および一端が高周波線路４１に接続され且つ他端がＧＮＤに接続される並列キャパシタ４２を備える。
なお、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第１の並列インダクタ４３ａおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃにより構成する回路を第１の直列インダクタスイッチ、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂと第２の並列インダクタ４３ｂおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄにより構成する回路を第２の直列インダクタスイッチと称す。
【００４３】
次に、この発明に係る実施の形態７による可変共振器の動作について説明する。
第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃをＯＮ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄをＯＦＦ状態に切り替えたとき、並列キャパシタ４２と第１の並列インダクタ４３ａとにより第１の並列共振器が構成される。また、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃをＯＦＦ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄをＯＮ状態に切り替えたとき、並列キャパシタ４２と第２の並列インダクタ４３ｂとにより第２の並列共振器が構成される。そして、第１の並列インダクタ４３ａと第２の並列インダクタ４３ｂとのインダクタンスが異なると、第１の並列共振器と第２の並列共振器との共振周波数が異なるので、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａと第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃとを対にし、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂと第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄとを対にして、対毎に交互にＯＮ／ＯＦＦを切り替えると共振周波数が可変される可変共振器が実現できる。
【００４４】
この実施の形態７による可変共振器は、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂは片持ち梁４の支持端４ａが直流的にＧＮＤに接続され、第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄは片持ち梁４の支持端４ａが並列インダクタ４３ａ、４３ｂと第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂを介して直流的にＧＮＤに接続されているので、片持ち梁４の支持端４ａをＧＮＤに高抵抗を介して接続する必要がなく、低損失化が実現できる。
なお、上述の実施の形態７による可変共振器は２つの直列インダクタスイッチで構成されているが、３つ以上の直列インダクタスイッチで構成されていても、同様な効果が得られる。
【００４５】
実施の形態８．
図１１は、この発明に係る実施の形態８による通過帯域可変バンドパスフィルタの構成図である。
この発明に係る実施の形態８による通過帯域可変バンドパスフィルタは、４つの上述の実施の形態３による片持ち梁構造スイッチ３１を用いる。
この発明に係る実施の形態８による通過帯域可変バンドパスフィルタは、基板２上に形成され、図１１に示すように、高周波信号が入出力する第１の入出力端子１３ａ、第１の入出力端子１３ａと第１の高周波線路５１ａを介して一端が接続される直列インダクタ５２、一端が直列インダクタ５２の他端と接続される直列キャパシタ５３、および直列キャパシタ５３の他端と第２の高周波線路５１ｂを介して接続される第２の入出力端子１３ｂを備える。
【００４６】
また、この発明に係る実施の形態８による通過帯域可変バンドパスフィルタは、片持ち梁４の支持端４ａがＧＮＤに接続される第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの片持ち梁４の支持端４ａに片持ち梁４の支持端４ａが接続される第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂ、一端が第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの第２の高周波線路７に接続され且つ他端が第１の高周波線路５１ａに接続される第１の並列キャパシタ４２ａ、一端が第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂの第２の高周波線路７に接続され且つ他端が第１の高周波線路５１ａに接続される第２の並列キャパシタ４２ｂ、および一端が第１の高周波線路５１ａに接続され且つ他端がＧＮＤに接続される第１の並列インダクタ４３ａを備える。
【００４７】
また、この発明に係る実施の形態８による通過帯域可変バンドパスフィルタは、片持ち梁４の支持端４ａがＧＮＤに接続される第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃ、第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃの片持ち梁４の支持端４ａに片持ち梁４の支持端４ａが接続される第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄ、一端が第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃの第２の高周波線路７に接続され且つ他端が第２の高周波線路５１ｂに接続される第３の並列キャパシタ４２ｃ、一端が第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄの第２の高周波線路７に接続され且つ他端が第２の高周波線路５１ｂに接続される第４の並列キャパシタ４２ｄ、および一端が第２の高周波線路５１ｂに接続され且つ他端がＧＮＤに接続される第２の並列インダクタ４３ｂを備える。
【００４８】
次に、この発明に係る実施の形態８による通過帯域可変バンドパスフィルタの動作について説明する。
第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃをＯＮ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄをＯＦＦ状態に切り替えたとき、第１の並列インダクタ４３ａと第１の並列キャパシタ４２ａにより構成される第１の並列共振器、直列インダクタ５２と直列キャパシタ５３により構成される直列共振器、および第２の並列インダクタ４３ｂと第３の並列キャパシタ４２ｃにより構成される第２の並列共振器により第１のπ型のバンドパスフィルタが構成される。
【００４９】
第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄをＯＮ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃをＯＦＦ状態に切り替えたとき、第１の並列インダクタ４３ａと第１の並列キャパシタ４２ａにより構成される第１の並列共振器、直列インダクタ５２と直列キャパシタ５３により構成される直列共振器、および第２の並列インダクタ４３ｂと第４の並列キャパシタ４２ｄにより構成される第３の並列共振器により第２のπ型のバンドパスフィルタが構成される。
【００５０】
第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃをＯＦＦ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄをＯＮ状態に切り替えたとき、第１の並列インダクタ４３ａと第２の並列キャパシタ４２ｂにより構成される第４の並列共振器、直列インダクタ５２と直列キャパシタ５３により構成される直列共振器、および第２の並列インダクタ４３ｂと第４の並列キャパシタ４２ｄにより構成される第３の並列共振器により第３のπ型のバンドパスフィルタが構成される。
【００５１】
第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄをＯＦＦ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃをＯＮ状態に切り替えたとき、第１の並列インダクタ４３ａと第２の並列キャパシタ４２ｂにより構成される第４の並列共振器、直列インダクタ５２と直列キャパシタ５３により構成される直列共振器、および第２の並列インダクタ４３ｂと第３の並列キャパシタ４２ｃにより構成される第２の並列共振器により第４のπ型のバンドパスフィルタが構成される。
【００５２】
そして、第１の並列キャパシタ４２ａ、第２の並列キャパシタ４２ｂ、第３の並列キャパシタ４２ｃ、および第４の並列キャパシタ４２ｃの静電容量が異なると、第１から第４の並列共振器の共振周波数が異なるので、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂ、第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄを交互にＯＮ／ＯＦＦを切り替えるとバンドパスフィルタの通過帯域を可変することができる。
【００５３】
この実施の形態８による通過帯域可変バンドパスフィルタは、片持ち梁４の支持端４ａが直流的にＧＮＤに接続される片持ち梁構造スイッチ３１を用いているので、片持ち梁４の支持端４ａをＧＮＤに高抵抗を介して接続する必要がなく、低損失で通過帯域を可変できるπ型バンドパスフィルタを実現できる。
【００５４】
なお、上述の実施の形態８によるバンドパスフィルタでは、並列共振器の直列キャパシタスイッチとして実施の形態５で説明した直列キャパシタスイッチを用いているが実施の形態６で説明した直列キャパシタスイッチを用いていても同様な効果が得られる。
また、上述の実施の形態８によるバンドパスフィルタでは、並列共振器を直列キャパシタスイッチと並列インダクタとにより構成しているが、実施の形態７で説明した直列インダクタスイッチと並列キャパシタとにより構成しても同様な効果が得られる。
【００５５】
実施の形態９．
図１２は、この発明に係る実施の形態９による阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタの構成図である。
この発明に係る実施の形態９による阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタは、４つの上述の実施の形態３による片持ち梁構造スイッチ３１を用いる。
この発明に係る実施の形態９による阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタは、基板２上に形成され、図１２に示すように、高周波信号が入出力する入出力端子１３、入出力端子１３とＧＮＤとの間に直列接続の第１の並列インダクタ６１ａおよび第１の並列キャパシタ６２ａ、一端が入出力端子１３と接続する直列キャパシタ６３、一端が直列キャパシタ６３の他端と接続され且つ他端がＧＮＤに接続される抵抗６４、直列キャパシタ６３の他端とＧＮＤ間に抵抗６４と並列して直列接続の第２の並列インダクタ６１ｂおよび第２の並列キャパシタ６２ｂを備える。
【００５６】
また、この発明に係る実施の形態９による阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタは、片持ち梁４の支持端４ａが抵抗の一端に接続される第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの片持ち梁４の支持端４ａに片持ち梁４の支持端４ａが接続される第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂ、一端が第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａの第２の高周波線路７に接続される第１の直列インダクタ６５ａ、一端が第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂの第２の高周波線路７に接続される第２の直列インダクタ６５ｂ、片持ち梁４の支持端４ａが第１の直列インダクタ６５ａの他端に接続され且つ第２の高周波線路７が入出力端子１３に接続される第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃ、片持ち梁４の支持端４ａが第２の直列インダクタ６５ｂの他端に接続され且つ第２の高周波線路７が入出力端子１３に接続される第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄを備える。
【００５７】
なお、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第１の直列インダクタ６５ａおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃにより構成する回路を第１の直列インダクタスイッチ、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂと第２の直列インダクタ６５ａおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄにより構成する回路を第２の直列インダクタスイッチと称す。
【００５８】
次に、この発明に係る実施の形態９による阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタの動作について説明する。
第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃをＯＮ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄをＯＦＦ状態に切り替えたとき、第１の並列インダクタ６１ａと第１の並列キャパシタ６２ａで構成される第１の直列共振器、第１の直列インダクタ６５ａと直列キャパシタ６３で構成される第１の並列共振器、および第２の並列インダクタ６１ｂと第２の並列キャパシタ６２ｂで構成される第２の直列共振器からなるπ型の第１のバンドリジェクトフィルタを構成する。
【００５９】
第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃをＯＦＦ状態、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄをＯＮ状態に切り替えたとき、第１の並列インダクタ６１ａと第１の並列キャパシタ６２ａで構成される第１の直列共振器、第２の直列インダクタ６５ｂと直列キャパシタ６３で構成される第２の並列共振器、および第２の並列インダクタ６１ｂと第２の並列キャパシタ６２ｂで構成される第２の直列共振器からなるπ型の第２のバンドリジェクトフィルタを構成する。
【００６０】
そして、第１の直列インダクタ６５ａと第２の直列インダクタ６５ｂとのインダクタンスが異なると、第１の並列共振器と第２の並列共振器との共振周波数が異なるので、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａ、第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂ、第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄを交互にＯＮ／ＯＦＦを切り替えるとバンドリジェクトフィルタの阻止帯域を可変することができる。
【００６１】
この実施の形態９による阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタは、第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂは片持ち梁４の支持端４ａが直流的にＧＮＤに接続され、第３の片持ち梁構造スイッチ３１ｃおよび第４の片持ち梁構造スイッチ３１ｄは片持ち梁４の支持端４ａが並列インダクタ４３ａ、４３ｂと第１の片持ち梁構造スイッチ３１ａおよび第２の片持ち梁構造スイッチ３１ｂを介して直流的にＧＮＤに接続されているので、片持ち梁４の支持端４ａをＧＮＤに高抵抗を介して接続する必要がなく、低損失化が実現できる。
【００６２】
なお、上述の実施の形態９による阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタは２つの直列インダクタスイッチで構成されているが、３つ以上の直列インダクタスイッチで構成されていても、同様な効果が得られる。
【００６３】
また、プロセス上の制約や材料の違いなどにより、機械構造と電子回路が別な基板上に形成されているハイブリッド回路の結合端子と通過端子に実施の形態１による片持ち梁構造スイッチを設けても同様な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】この発明に係る実施の形態１による片持ち梁構造スイッチの断面図である。
【図２】この発明に係る実施の形態１によるπ型ＨＰＦ内蔵スイッチの構成図である。
【図３】この発明に係る実施の形態２による２極の片持ち梁構造スイッチの断面図である。
【図４】この発明に係る実施の形態２によるＴ型ＨＰＦ内蔵スイッチの構成図である。
【図５】この発明に係る実施の形態３による片持ち梁構造スイッチの断面図である。
【図６】この発明に係る実施の形態３によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器の構成図である。
【図７】この発明に係る実施の形態４によるＨＰＦ／ＬＰＦ切替型移相器の構成図である。
【図８】この発明に係る実施の形態５による可変共振器の構成図である。
【図９】この発明に係る実施の形態６による可変共振器の構成図である。
【図１０】この発明に係る実施の形態７による可変共振器の構成図である。
【図１１】この発明に係る実施の形態８による通過帯域可変バンドパスフィルタの構成図である。
【図１２】この発明に係る実施の形態９による阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタの構成図である。
【符号の説明】
【００６５】
１、１ａ、１ｂ  片持ち梁構造スイッチ、２  基板、３、３Ａ、３Ｂ  第１の高周波線路、４、４Ａ、４Ｂ  片持ち梁、４ａ  （片持ち梁の）支持端、４ｂ  （片持ち梁の）自由端、５、５Ａ、５Ｂ  可動電極、６、６Ａ、６Ｂ  固定電極、７、７Ａ、７Ｂ  第２の高周波線路、８、８Ａ、８Ｂ  制御電極、９、９Ａ、９Ｂ  制御電源、１０、１０ａ、１０ｂ  並列インダクタ、１２  直列キャパシタ、１３ａ、１３ｂ  入出力端子、２１  ２極の片持ち梁構造スイッチ、２２ａ、２２ｂ  スイッチ、２３ａ、２３ｂ  直列キャパシタ、３１、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ  片持ち梁構造スイッチ、３２、３２ａ、３２ｂ  直列インダクタ、３３、３３ａ、３３ｂ  並列キャパシタ、３４  抵抗、４１  高周波線路、４２、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ  並列キャパシタ、４３、４３ａ、４３ｂ  並列インダクタ、５１ａ、５１ｂ  高周波線路、５２  直列インダクタ、５３  直列キャパシタ、６１ａ、６１ｂ  並列インダクタ、６２ａ、６２ｂ  並列キャパシタ、６３  直列キャパシタ、６４  抵抗、６５ａ、６５ｂ  直列インダクタ。
【図１】
2008306359.tif 000003
【図２】
2008306359.tif 000004
【図３】
2008306359.tif 000005
【図４】
2008306359.tif 000006
【図５】
2008306359.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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