(57)【要約】【課題】埋込みコンデンサ用の金属／誘電体／金属構造体を作製する方法を提供すること。【解決手段】この方法は、第１電極を形成するために金属スラリーを一時的な基材の上に注入成形すること、引き続き第１電極の上に誘電体スラリーおよび金属スラリーを注入成形すること、一時的な基材を除去すること、およびこの構造体を共焼成することを含み、誘電体は、誘電体の無機成分の２０重量％未満の量のガラスを含み、実質的に完全な高密度化を実現する。別法として、上記の量のガラスを含む金属テープおよび誘電体テープを形成し、一緒に積層して金属／誘電体／金属グリーンテープ構造体を形成することができ、この構造体は共焼成されて、実質的に完全な高密度化を実現する。【選択図】図３Ｇ
2008177583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属／誘電体／金属構造体を作製する方法であって、
銅、ニッケル、およびそれらの合金からなる群から選択される金属のグリーンテープを提供するステップと、
前記金属グリーンテープの上に誘電体を形成するステップと、
前記誘電体の上に上部電極を形成するステップと、
前記金属グリーンテープ、前記誘電体、および上部金属電極を共焼成するステップとを含み、
それによって焼成金属／誘電体／金属構造体が得られ、
前記誘電体は、前記誘電体の無機成分の２０重量％未満の量のガラスを含み、前記誘電体が実質的に完全な高密度化を実現することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記形成された誘電体が誘電体テープである場合に、
前記誘電体テープの両面に前記金属グリーンテープを積層するステップと、
前記金属グリーンテープ、誘電体テープ、および金属テープの構造体を共焼成するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属／誘電体／金属構造体中の前記焼成金属が５から３５ミクロンの間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記焼成金属／誘電体／金属構造体中の前記焼成誘電体が１から２０ミクロンの間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
焼成後、プリント配線基板への組込みの前にコンデンサ電極を画定するために、前記構造体の少なくとも片面で前記金属をエッチングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２の方法によって作製された前記金属／誘電体／金属構造体を有するコンデンサを含むことを特徴とするプリント配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野はセラミックコンデンサである。より詳細には、技術分野は、プリント配線基板（ＰＷＢ）内に埋め込むことができるセラミックコンデンサである。
【背景技術】
【０００２】
「箔上焼成（ｆｉｒｅｄ−ｏｎ−ｆｏｉｌ）」技術によって形成され、プリント配線基板内に埋め込まれる受動回路部品が知られている。箔上焼成コンデンサは、次のように形成される。厚膜誘電体材料層を金属箔基材上に積層させ、この厚膜誘電体材料層の上に厚膜上部電極材料を積層させ、この厚膜誘電体および厚膜電極を保護雰囲気のもとで９００℃などの銅厚膜焼成条件下で１０分間焼成する。Ｂｏｒｌａｎｄの特許文献１では、このような方法を開示している。
【０００３】
銅がプリント配線基板プロセスと適合性があるので、銅箔導電性組成物および銅厚膜導電性組成物は、箔上焼成コンデンサを作製する際の既知の材料である。厚膜誘電体材料は、焼成後に高い誘電率（Ｋ）を有していなければならない。高い誘電率の厚膜誘電体は、チタン酸バリウムなどの高い誘電率粉末（高いＫ機能相）をガラス粉末および適切なドーパントと混合し、この混合物を厚膜スクリーン印刷展色剤中に分散させることによって形成される。
【０００４】
厚膜誘電体材料の焼成中に、誘電体材料のガラス成分は、最高焼成温度に達する前に軟化し流れる。このガラスは、高Ｋ機能相を封じ込め、結晶構造中へのドーパントの組込みを容易にし、誘電体を銅箔および銅上部電極に結合する。
【０００５】
強固な構造であるので、銅箔は、本質的に誘電体のｘ−ｙ方向の焼成収縮をなくする。これは、誘電体および上部電極の銅箔の焼成中に、収縮がｚ方向にだけ発生することを意味する。また、ｚ方向だけの収縮によって高密度の誘電体を正確に実現するために、典型的な厚膜誘電体配合物は、無機組成物の４０重量％を超えるような多量のガラスを含むように設計される。
【０００６】
このような多量のガラスは、液層を形成することによって高密度化を容易にする。全無機組成物の４０重量％のような濃度では、機能相、ドーパント、およびガラスからなる混合物は合わさって、容易に流れるのに十分な流動体になり、最大限の密度までｚ方向に収縮する。しかし、ガラスがこの量であると高いＫ相が著しく希釈され、その結果、誘電率が顕著に低下する。この希釈効果により、高密度化を実現するために誘電体に加えられるガラスの量と、誘電率の低下を最小限にするように誘電体に加えられるその量との間に均衡する力が生じる。
【０００７】
したがって、十分な複合物誘電率を実現するためにガラス含有量が、一般には全無機組成物の２０重量％未満に、好ましくはそれよりかなり少ない場合には、機能相、ドーパント、およびガラスからなる混合物は非常に高い粘性を有し、容易に流れない。したがって、ｚ方向の収縮がほとんど起こらず、その結果、誘電体の高密度化が不完全になる。これは、コンデンサの長期信頼性を損なう。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第７０７２１６７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、箔上焼成コンデンサに関して解決されていない課題は、高誘電率を維持するためにガラスの使用を最少量にすること、および誘電体の実質的に完全な高密度化を実現しながら加えるガラスの量を最小限にする方法を作製することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この課題は、コンデンサ構造が高密度を実現しながらも誘電体中に含むガラスが最少量になるように、箔上焼成コンデンサを作製する、本明細書で説明する方法によって解決される。本明細書で説明する、埋込みコンデンサ用の金属／誘電体／金属構造体を作製する一方法は、以下を含む。
【００１１】
金属グリーンテープ（ｇｒｅｅｎ  ｔａｐｅ）を形成すること、
金属グリーンテープ上に誘電体スラリーを注入成形し乾燥させること、
乾燥誘電体層上に金属スラリーを注入成形し乾燥させて、金属／誘電体／金属グリーンテープ構造体を形成すること、
この構造体を焼成すること。
【００１２】
焼成時に、構造体は、３次元で収縮して誘電体中のガラスが最少量の高密度の誘電体を実現することが可能になる。誘電体は、誘電体の無機成分の２０重量％未満の量のガラスを含み、このセラミック誘電体は、実質的に完全な高密度化を実現する。金属は、銅、ニッケル、およびそれらの合金からなる群から選択される。
【００１３】
本明細書で説明する、埋込みコンデンサの構造体を作製する別の方法は、以下を含む。
【００１４】
金属グリーンテープを形成すること、
誘電体グリーンテープを提供すること、
これらのテープを一緒に積層して金属／誘電体／金属グリーンテープ構造体を形成すること。
【００１５】
焼成時に、構造体は、３次元で収縮して誘電体中のガラスが最少量の高密度の誘電体を実現することが可能になる。誘電体はやはり、誘電体の無機成分の２０重量％未満の量のガラスを含み、このセラミック誘電体は、実質的に完全な高密度化を実現する。金属は、銅、ニッケル、およびそれらの合金からなる群から選択される。
【００１６】
これらの方法はまた、金属／誘電体／金属構造体が作製された後、構造体の少なくとも片面の金属をエッチングして、プリント配線基板中への組込みの前にコンデンサ電極を画定する。さらに、本発明ではまた、上記の方法によって作製されたセラミックコンデンサ構造体をプリント配線基板に組み込むことも意図しており、それによって、埋込みセラミックコンデンサを有するプリント配線基板が提供される。
【００１７】
詳細な説明では添付の図面を参照する。図面では、同じ番号が同じ要素を指す。
【００１８】
本明細書では、以下に与える定義に準拠して以下の方法を説明する。
【００１９】
本明細書では、「ガラスの最少量」とは、無機組成物の２０重量％未満を指す。
【００２０】
本明細書では、「金属グリーンテープ」とは、可撓性の独立のフィルム（ｆｒｅｅ  ｓｔａｎｄｉｎｇ  ｆｉｌｍ）を指し、これは金属粉末、有機担体樹脂および可塑剤を含み、非焼成の状態にある。
【００２１】
本明細書では、「誘電体グリーンテープ」とは、可撓性の独立のフィルムを指し、これは無機誘電体粉末、ガラス粉末、有機担体樹脂、および可塑剤からなる混合物を含み、非焼成の状態にある。
【００２２】
本明細書では、「高いＫ機能相粉末」と「高い誘電率粉末」は置き換え可能であり、バルク形態で高い誘電率を示す粉末を指す。これらの粉末は通常、一般式がＡＢＯ3である灰チタン石型の強誘電性組成物を含む。このような組成物の例には、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＰｂＺｒＯ3、ＢａＺｒＯ3、およびＳｒＺｒＯ3が含まれる。Ａおよび／またはＢの位置に別の元素を置換することによって、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3およびＰｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3などの他の組成物もまた可能である。ＴｉＯ2およびＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9は、その他の可能な高いＫ材料である。
【００２３】
本明細書では、「ドーパント」という用語は誘電体組成物への添加物を指し、これは「Ｘ７Ｒ」または「Ｚ５Ｕ」規格などの業界定義に材料が適合するように、必要な静電容量の温度係数（ＴＣＣ）など、必要な最終使用特性仕様を実現するために使用される。
【００２４】
本明細書では、「実質的に完全な」とは、本明細書で説明する、相互に接続され孔がない誘電体の高密度化の品質をいう。
【００２５】
図１Ａ〜１Ｄは、誘電体の全無機組成物の２０重量％未満の量のガラスを含む金属／誘電体／金属構造体を作製する一般的な方法を示し、そのセラミック誘電体は、実質的に完全な高密度化を実現する。図１Ａは、銅／誘電体／銅構造体１００（図１Ｄ）を作製する第１段階の側面図である。図１Ａでは、銅グリーンテープ１１０が、一時的な基材として機能するＭｙｌａｒシート（登録商標）１０５上に形成されている。ニッケルなど他の金属を使用することもできるが、銅が好ましい。
【００２６】
テープ１１０は、有機担体結合樹脂、可塑剤、溶剤、および銅粉末を含む銅スラリーをシリコン被覆Ｍｙｌａｒ（登録商標）シート上に注入成形し乾燥させることによって作製される。銅スラリー用に使用することができる１つの配合は、次の通りである。  
酢酸エチル    １２１．３６ｇ
媒質Ａ          ５９．８５ｇ
可塑剤            ４．９ｇ
界面活性剤        ２．５２ｇ
銅粉末        ５８４．８４ｇ
媒質Ａは、３５％アクリルバインター／６５％酢酸エチルを含む。
【００２７】
アクリルバインターは、メタクリル酸エチル、アクリル酸メチル、およびメタクリル酸からなる適切な混合物を含む。銅粉末とともに使用される場合に、アクリルバインター中の各成分の比率と、バインターおよび可塑剤の量とを変えて、適切なすべり粘性および未焼成テープ特性を形成することができる。
【００２８】
可塑剤は、Ｖｅｌｓｉｃｏｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙから入手可能なＢｅｎｚｏｆｌｅｘ（登録商標）可塑剤を含む。
【００２９】
この配合物は、約２時間ボールミル粉砕した後、ボールミルから取り出してよい。媒質、可塑剤、および溶剤を２つの段階で加えて、ボールミル粉砕段階では良好な粉末分散のための低い粘性を、第２段階では注入成形のための適切な粘性を得ることができる。
【００３０】
テープ１１０の厚さは、例えば約８から１００ミクロン、好ましくは８から５０ミクロンの範囲とすることができる。この後の方の範囲は、焼成された銅の厚さの５から３５ミクロンの間に相当し、これは、プリント配線基板回路に一般に使用される銅箔寸法に近似している。
【００３１】
図１Ｂでは、銅テープ１１０上に誘電体スラリーを注入成形し乾燥させることによって、第１誘電体層１２０が銅テープ１１０の上に形成されている。誘電体スラリーは、例えば、チタン酸バリウム、ガラス、ドーパント、担体樹脂、可塑剤、および溶剤を含む配合物でよい。
【００３２】
誘電体スラリー用に使用することができる１つの配合は、次の通りである。  
酢酸エチル            ７７．０８ｇ
媒質Ａ                ２０．１１ｇ
チタン酸バリウム    ２１５．６５ｇ
ガラス                ３８．５４ｇ
フッ化リチウム          ３．１６ｇ
フッ化バリウム          ４．２８ｇ
フッ化亜鉛              ２．３２ｇ
酸化マグネシウム        ０．４９ｇ
可塑剤                  ３．３７ｇ
媒質Ａは、３５重量％のアクリルバインター樹脂、および６５重量％の酢酸エチルを含む。
【００３３】
アクリルバインターは、メタクリル酸エチル、アクリル酸メチル、およびメタクリル酸からなる適切な混合物を含む。誘電体配合物に使用される粉末とともに使用される場合に、アクリルバインター中の各成分の比率と、バインターおよび可塑剤の量とを変えて、適切なすべり粘性および未焼成テープ特性を形成することができる。
【００３４】
可塑剤は、Ｖｅｌｓｉｃｏｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙから入手可能なＢｅｎｚｏｆｌｅｘ（登録商標）可塑剤を含む。
【００３５】
ガラスは以下のものを含む。  
酸化ゲルマニウム    ２１．５％
酸化鉛              ７８．５％
【００３６】
ここで使用されるガラスは、Ｐｂ5Ｇｅ3Ｏ11に相当する。上記の配合物は、約１６時間ボールミル粉砕して、注入成形するためにその混合物を適切に分散させることができる。
【００３７】
誘電体層１２０の厚さは、好ましくは約１．５から３０ミクロンの範囲であり、これは、焼成された誘電体厚さの１から２０ミクロンに相当する。
【００３８】
図１Ｃでは、銅層１３０が誘電体層１２０の上に形成される。ニッケルなど他の金属も使用できるが、銅が好ましい。銅層１３０は、銅グリーンテープ１１０を作製する際に使用されるのと同じ銅スラリー配合物を誘電体層１２０上に注入成形し乾燥させることによって形成することができる。層１３０の厚さは、例えば約８から１００ミクロン、好ましくは８から５０ミクロンの範囲とすることができる。この後の方の範囲は、焼成された銅の厚さの５から３５ミクロンに相当し、これは、プリント配線基板回路に一般に使用される銅箔寸法に近似している。
【００３９】
次に、Ｍｙｌａｒ（登録商標）シート１０５が除去される。次いで銅テープ１１０、誘電体層１２０、および銅層１３０が銅厚膜焼成条件下で焼成される。銅テープ１１０、誘電体層１２０、および銅層１３０を合わせた厚さが、担体樹脂および可塑剤の焼尽に長時間を要するような厚さの場合には、銅厚膜焼成条件下での焼成の前に、何らかの形の焼尽加熱プロファイルを使用することができる。このような焼尽プロファイルは、例えば４時間で４００℃にゆっくりと上昇させることでよい。これにより、ほとんどの有機材料が効果的に除去される。他の焼成プロファイルもまた、配合物中の材料に応じて使用することができる。例えば、より長時間、および／またはより高温で焼成を使用してもよい。より高い温度、およびより長い時間では、使用されるべきガラス含有量を少なくすることが可能になるはずである。このような選択により、ガラス含有量を最小限にできる配合物の最適化が可能になる。
【００４０】
焼成中に、誘電体中のガラス相が軟化し、機能相およびドーパント相を濡らし、液相焼結を促進させる。同時に、銅テープ１１０および銅上部層１３０が焼結しはじめる。さらに銅は、誘電体層との強い結合を形成する。焼成後の構造体１００が図１Ｄの正面図に示されている。
【００４１】
高密度化のためにガラスを少なくする必要がある原因となるメカニズムは、次の通りである。銅厚膜焼成条件下において、表面エネルギーを低減させる傾向は、焼成温度が銅の融点に近づくにつれて銅中で強くなる。この傾向により、強い焼結力、およびすべての次元で大幅な収縮が生じる。銅のｘ−ｙ次元の収縮により、誘電体のｘ−ｙ次元の同様な収縮が生じる。この誘電体のｘ−ｙ次元の収縮により誘電体粒子間距離が低減し、付随する材料の、高密度化のために必要とされる移動が少なくなる。このことは、高密度化のためにガラスを少なくする必要があることを意味し、また少ないガラスで高密度誘電体を作製することを容易にする。
【００４２】
図２Ａは、代替方法を使用して銅／誘電体／銅構造体２００（図２Ｄ）を作製する第１段階の側面図である。図２Ａでは、銅グリーンテープ２１０がＭｙｌａｒシート（登録商標）２０５上に形成されている。ニッケルなど他の金属を使用することもできるが、銅が好ましい。銅グリーンテープ２１０は、銅グリーンテープ１１０を作製する際に使用されるのと同じ銅スラリー配合物をＭｙｌａｒ（登録商標）シート２０５上に注入成形し乾燥させることによって形成することができる。テープ２１０厚さは、例えば約８から１００ミクロン、好ましくは８から５０ミクロンの範囲とすることができる。この後の方の範囲は、焼成された銅の厚さの５から３５ミクロンの間に相当する。
【００４３】
図２Ｂでは、誘電体グリーンテープ２２０がＭｙｌａｒシート（登録商標）２０５上に形成されている。誘電体テープ２２０は、誘電体層１２０を形成する際に使用されるのと同じ誘電体スラリーをシリコン被覆Ｍｙｌａｒ（登録商標）シート２０５上に注入成形乾燥させることによって形成することができる。誘電体テープ２２０の厚さは、好ましくは約１．５から３０ミクロンの間の範囲であり、これは、焼成された誘電体厚さの１から２０ミクロンの間に相当する。
【００４４】
図２Ｃでは、Ｍｙｌａｒ（登録商標）シートが誘電体および銅から除去されている。銅テープ２１０が誘電体テープ２２０の両面に積層され、銅厚膜焼成条件下で焼成されて銅／誘電体／銅構造体２００を形成する。銅テープ２１０、誘電体層２２０、および第２銅層２３０を合わせた厚さが、担体樹脂および可塑剤の焼尽に長時間を要するような厚さの場合には、銅厚膜焼成条件下での焼成の前に、何らかの形の焼尽加熱プロファイルを使用することができる。このような焼尽プロファイルは、例えば４時間で４００℃にゆっくりと上昇させることでよい。これにより、ほとんどの有機材料が効果的に除去される。他の焼成プロファイルもまた、配合物中の材料に応じて使用することができる。例えば、より長時間、および／またはより高温で焼成を使用してもよい。より高い温度、およびより長い時間では、使用されるべきガラス含有量を少なくすることが可能になるはずである。このような選択により、ガラス含有量を最小限にできる配合物の最適化が可能になる。
【００４５】
焼成中に、誘電体中のガラス相が軟化し、機能相およびドーパント相を濡らし、液相焼結を促進し、誘電体は、密度を高め収縮しはじめる。同時に銅テープは、焼結し収縮しはじめる。焼成による銅および誘電体の３次元すべてでの収縮によって、高密度の誘電体層および銅層を形成することが可能になる。さらに銅は、誘電体層との強い結合を有する。焼成後の構造体２００が図２Ｄの正面図に示されている。
【００４６】
（ＰＷＢへのコンデンサの埋込み）
上記の銅／誘電体／銅構造体１００および２００から個別コンデンサを作り出す方法と、それらをプリント配線基板に埋め込む方法とは、その構造体から形成されるコンデンサの第１の電極を画定するために、銅／誘電体／銅構造体の一方の面の銅をまずエッチングすることを含む。例えば、図３Ａでは、フォトレジスト３３５および３４０が銅箔３１０および３３０に塗布される。フォトレジスト３３５および３４０は、画像化され、現像されて図３Ｂの構造体３４５を形成する。次に、銅箔３３０がエッチングされ、残りのフォトレジストを取除いて第１電極３５０を画定し、図３Ｃの構造体３５５を形成する。示されるように、銅箔３１０は、構造体に強度を与えるためにエッチングされないで残っている。コンデンサ設計に応じて、銅箔３１０も、支持されていない誘電体を製造するのでない限り、エッチングして電極を画定することができる。
【００４７】
図３Ｄでは、構造体３５５の第１電極側３５０は、積層材料３６０および銅箔３７５で積層することができる。この積層は、例えば、標準的なプリント配線基板プロセスを使用し、ＦＲ４プリプレグを使用して実施することができる。誘電体プリプレグおよび積層材料は、例えば、標準的なエポキシ、高いＴｇのエポキシ、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、シアン酸エステル樹脂、充填剤入り樹脂系、ＢＴエポキシ、ならびに回路層間を絶縁する他の樹脂および積層物など、任意の種類の誘電体材料でよい。これらの方法の一変形形態では、１０６エポキシプリプレグを使用することができる。
【００４８】
適切な積層化条件は、２８水銀柱インチ（７１１．２ｍｍＨｇ）に排気された真空チャンバ内において１時間、２０８ｐｓｉｇ（１４３３３６０Ｐａ）、１８５℃である。シリコンゴムプレスパッドおよび滑らかなＰＴＦＥ充填ガラスリリースシートを箔と接触させて、積層プレートにエポキシが一緒に貼り付くのを防止することができる。
【００４９】
積層化後、フォトレジスト（図示せず）を箔３１０および箔３７５に塗布することができる。このフォトレジストは、標準的なプリント配線基板プロセス条件を使用して、画像化され、現像され、箔３１０がエッチングされ、残っているフォトレジストが取除かれて、図３Ｅのコンデンサ構造体３８５が形成される。このエッチングにより第２電極３８０を生成する。箔３７５は、この段階ではエッチングされないで残っている。
【００５０】
図３Ｆでは、コンデンサ構造体３８５の電極３８０側は、積層材料３９０および箔３９５で積層することができる。この積層は、先に説明したように実施することができる。次に、スルーホール３９６をあけ、メッキし、第１電極および第２電極、３５０、３８０をそれぞれ表面パッド３９８と接続して、図３Ｇに示される最終コンデンサ構造体３００を完成することができる。他の方法および設計を実施して、最終構造体３００を形成することもできる。
【００５１】
さらに、最終セラミックコンデンサ構造体が形成されると、その重要な一応用例はプリント配線基板中への組込みであるが、これは当業者の通常の技術の範囲内に十分入る。本発明は、本明細書で説明した、セラミックコンデンサ構造体をもたらす方法だけではなく、その構造体が中に組み込まれたプリント配線基板も含む。
【実施例】
【００５２】
（実施例１）
図１Ａ〜１Ｄに示した方法を使用して銅／誘電体／銅構造体を製作した。以下の成分からなる混合物を２時間ボールミル粉砕することによって、銅スラリーを製造した。  
酢酸エチル    １１７．２８ｇ
媒質Ａ          １１．６ｇ
可塑剤            ４．９ｇ
界面活性剤        ２．５２ｇ
銅粉末        ５８４．８４ｇ
【００５３】
このスラリーを取り出した後、配合物に４８．２５ｇの媒質Ａ、および４．０８ｇの酢酸エチルを加えた。この混合物を分散させるために配合物を約３０分間かき混ぜた。次に、このスラリーの一部をＭｙｌａｒ（登録商標）シート上に注入成形し、約３０分間１２０℃で乾燥させて、Ｍｙｌａｒ（登録商標）シート上に銅テープ構造体を形成した。
【００５４】
以下の配合物を１６時間ボールミル粉砕することによって、誘電体スラリーを製造した。  
酢酸エチル            ７７．０８ｇ
媒質Ａ                ２０．１１ｇ
チタン酸バリウム    ２１５．６５ｇ
ガラス                ３８．５４ｇ
フッ化リチウム          ３．１６ｇ
フッ化バリウム          ４．２８ｇ
フッ化亜鉛              ２．３２ｇ
酸化マグネシウム        ０．４９ｇ
【００５５】
誘電体スラリーを取り出した後、３．３７ｇのＢｅｎｚｏｆｌｅｘ（登録商標）可塑剤を加え、この配合物を２時間かき混ぜた。次に、この配合物をＭｙｌａｒ（登録商標）シート上の銅テープ上に注入成形し、１２０℃で約３０分間乾燥させて、Ｍｙｌａｒ（登録商標）シートの上にある銅テープ上に誘電体テープ構造体を形成した。
【００５６】
次に、この誘電体テープ上に、第１の銅層から残っている銅スラリーを注入成形し、１２０℃で約３０分間乾燥させて、Ｍｙｌａｒ（登録商標）シートの上にある銅テープ上の誘電体テープ上に銅テープの構造体を形成した。
【００５７】
銅と誘電体と銅上部層との厚さは、標準的な厚膜「箔上焼成」コンデンサ構造体の焼成されたときの寸法と同様になるように目標を設定した。
【００５８】
この構造体からＭｙｌａｒ（登録商標）シートを取除いて、銅テープ構造体の上の誘電体テープ上に銅テープを作製した。この構造体から１インチ（２．５４ｃｍ）×１インチ（２．５４ｃｍ）の正方形の試料を切り取った。この試料を窒素中で、４時間で４００℃にゆっくりと上昇するような焼尽プロファイルにかけた後、標準的な銅厚膜焼成条件を用いて、窒素中、最高９００℃で１０分間焼成を続けた。得られた焼成銅／誘電体／銅構造体の断面を切断し、誘電体密度を調べた。図４にその断面を示す。
【００５９】
（実施例２）
実施例１で使用したのと同じ無機組成物を使用し、ただし厚膜スクリーン印刷ペースト配合およびプロセスを使用して、厚膜「箔上焼成」コンデンサを製作した。したがって、この実施例は、箔上焼成コンデンサを作製する従来技術の方法を示す。銅厚膜焼成条件下において９００℃でコンデンサを焼成した。断面の切断が行われ、図５にその断面を示す。
【００６０】
（実施例１と実施例２の比較）
図４および図５にそれぞれ示すように、実施例１および実施例２から得られたセラミック構造体の断面を比較することによって分かるように、実施例１による誘電体の断面密度は、実施例２によるものよりも優れている。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１Ａ】図１Ａは、銅／誘電体／銅構造体１００を作製する方法の第１段階の側面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、銅テープ１１０上に誘電体スラリーを注入成形し、乾燥させることによって、第１誘電体層１２０が銅テープ１１０の上に形成されたことを示す図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、銅層１３０が誘電体層１２０の上に形成されたことを示す図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、焼成後の構造体１００の正面図を示す。
【図２Ａ】図２Ａは、銅グリーンテープ２１０がシート２０５上に形成されたことを示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、誘電体グリーンテープ２２０がシート２０５上に形成されていたことを示す図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、シートが誘電体および銅から除去されたことを示す図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、焼成後の構造体２００の正面図示す。
【図３Ａ】図３Ａは、フォトレジスト３３５および３４０が銅箔３１０および３３０に塗布されたことを示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、フォトレジスト３３５および３４０が、画像化され、現像されて構造体３４５を形成されたことを示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、銅箔３３０がエッチングされ、残りのフォトレジストを取除いて第１電極３５０を画定し、構造体３５５を形成したことを示す図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、構造体３５５の第１電極側３５０に、積層材料３６０および銅箔３７５を積層したことを示す図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、エッチングにより第２電極３８０を生成されたコンデンサ構造体３８５を示す図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、コンデンサ構造体３８５の電極３８０側に、積層材料３９０および箔３９５を積層したことを示す図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、スルーホール３９６をあけ、メッキし、第１電極および第２電極、３５０、３８０をそれぞれ表面パッド３９８と接続して完成された最終コンデンサ構造体３００を示す図である。
【図４】本明細書で説明した方法によって作製され、誘電体の実質的に完全な高密度化を示す銅／誘電体／銅構造体の断面を示す図である。
【図５】従来技術の方法で作製され、誘電体の実質的に不完全な高密度化を示す銅／誘電体／銅構造体の断面を示す図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４】
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【図５】
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