(57)【要約】【課題】従来と比べてコストを低くすることが可能であり、かつ信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、フレキシブル基材１上に、配線パターン１０を形成する工程と、インナーリード１１及びアウターリード１２を熱可塑性樹脂１３ａ，１３ｂで被覆する工程と、熱可塑性樹脂１３ａ，１３ｂで被覆されていない配線パターン１０を、絶縁性樹脂１４で被覆する工程と、熱可塑性樹脂１３ａ上に半導体チップ２０の外部接続端子２１を押圧した状態で熱可塑性樹脂１３ａを加熱して溶融させ、その後冷却することにより、インナーリード１１と外部接続端子２１を接続し、かつ互いに固定する工程とを具備する。インナーリード１１及びアウターリード１２を熱可塑性樹脂１３ａ，１３ｂで被覆する工程において、インナーリード１１及びアウターリード１２にはメッキが施されていない。【選択図】図１
2008177190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基材上に、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンを形成する工程と、
前記インナーリード及び前記アウターリードを熱可塑性樹脂で被覆する工程と、
前記熱可塑性樹脂で被覆されていない前記配線パターンを、絶縁性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード上に位置する前記熱可塑性樹脂上に半導体チップの外部接続端子を押圧した状態で該熱可塑性樹脂を加熱して溶融させ、その後冷却することにより、前記インナーリードと前記外部接続端子を接続し、かつ互いに固定する工程と、
を具備し、
前記インナーリード及び前記アウターリードを前記熱可塑性樹脂で被覆する工程において、前記インナーリード及び前記アウターリードにはメッキが施されていない半導体装置の製造方法。
【請求項２】
フレキシブル基材上に、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを、前記インナーリード及び前記アウターリードを除いて絶縁性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード及び前記アウターリードを熱可塑性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード上に位置する前記熱可塑性樹脂上に半導体チップの外部接続端子を押圧した状態で該熱可塑性樹脂を加熱して溶融させ、その後冷却することにより、前記インナーリードと前記外部接続端子を接続し、かつ互いに固定する工程と、
を具備し、
前記インナーリード及び前記アウターリードを熱可塑性樹脂で被覆する工程において、前記インナーリード及び前記アウターリードにはメッキが施されていない半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂は、熱可塑性の異方性導電樹脂又は非導電性樹脂である請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
フレキシブル基材上に、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンを形成する工程と、
前記インナーリード及び前記アウターリード上に熱硬化性樹脂を配置し、該熱硬化性樹脂の表層を硬化させることにより、前記インナーリード及び前記アウターリードを前記熱硬化性樹脂で被覆する工程と、
前記熱硬化性樹脂で被覆されていない前記配線パターンを、絶縁性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード上に位置する前記熱硬化性樹脂に半導体チップの外部接続端子を押し付け、前記外部接続端子と前記インナーリードを電気的に接続させた状態で、該熱硬化性樹脂を加熱して前記熱硬化性樹脂の内部を硬化させることにより、前記インナーリード上に前記外部接続端子を固定する工程と、
を具備し、
前記インナーリード及び前記アウターリードを前記熱硬化性樹脂で被覆する工程において、前記インナーリード及び前記アウターリードにはメッキが施されていない半導体装置の製造方法。
【請求項５】
フレキシブル基材上に、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを、前記インナーリード及び前記アウターリードを除いて絶縁性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード及びアウターリード上に熱硬化性樹脂を配置し、該熱硬化性樹脂の表層を硬化させることにより、前記インナーリード及びアウターリードを前記熱硬化性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード上に位置する前記熱硬化性樹脂に半導体チップの外部接続端子を押し付け、前記外部接続端子と前記インナーリードを電気的に接続させた状態で、該熱硬化性樹脂を加熱して前記熱硬化性樹脂の内部を硬化させることにより、前記インナーリード上に前記外部接続端子を固定する工程と、
を具備し、
前記インナーリード及び前記アウターリードを前記熱硬化性樹脂で被覆する工程において、前記インナーリード及び前記アウターリードにはメッキが施されていない半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂は、熱硬化性の異方性導電樹脂又は非導電性樹脂である請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体チップはＣＯＦ実装される請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
フレキシブル基材と、
前記フレキシブル基材上に形成されており、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンと、
外部接続端子を有しており、該外部接続端子が前記インナーリード上に樹脂を用いて固定された半導体チップと、
前記インナーリード及び前記アウターリードを除いた前記配線パターンを被覆する絶縁性樹脂と、
前記アウターリードを被覆する樹脂と、
を具備し、
前記インナーリード及びアウターリードにはメッキが施されていない半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、従来と比べてコストを低くすることが可能であり、かつ信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４の各図は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本図に示す方法は、半導体チップをＣＯＦ（Chip On Film）実装する従来の方法である。まず図４（Ａ）に示すように、フレキシブル基材１００の表面に形成された銅薄膜を選択的に除去し、銅配線パターン１１０を形成する。銅配線パターン１１０はインナーリード１１１及びアウターリード１１２を有する。次いで、銅配線パターン１１０を、インナーリード１１１及びアウターリード１１２を除いてソルダーレジスト１１４で被覆する。次いで、インナーリード１１１及びアウターリード１１２それぞれの表面にメッキ層１１１ａ，１１２ａを形成する。メッキ層１１１ａ，１１２ａは、例えば金又は錫により形成される。このようにして、フレキシブル基板が形成される。
【０００３】
次いで、異方性導電樹脂層１１３ａを用いて半導体チップ１２０の外部接続端子１２１をインナーリード１１１に接続し、かつ固定する。次いで、半導体チップ１２０を樹脂（図示せず）でモールド封止する。このようにして、半導体チップ１２０はフレキシブル基板上にＣＯＦ実装される。
【０００４】
その後、図４（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板のアウターリード１１２に電子部品（例えば表示パネル）１３０の外部接続端子１３１を、異方性導電樹脂層１１３ｂを用いて接続する。
【０００５】
なお、インナーリード１１１及びアウターリード１１２にメッキ層１１１ａ，１１２ａを形成するのは、インナーリード１１１及びアウターリード１１２を形成してから半導体チップ１２０及び電子部品１３０を接続するまでの間に、インナーリード１１１及びアウターリード１１２の表面に自然酸化膜が生成すること及び汚れが付着することを防止する為である。特に、インナーリード１１１に半導体チップ１２０を接続する事業者とアウターリード１１２に電子部品１３０を接続する事業者は異なる場合が多いため、アウターリード１１２に電子部品１３０を接続するまでの期間は長くなる場合が多く、このためアウターリードの表面にメッキ層１１２ａを形成する必要性は高い。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２６９６０５号公報（第２２段落、図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記したように、従来はインナーリード及びアウターリードにメッキ層を形成していた。このため、半導体チップをＣＯＦ実装する為に必要なリードタイムが長くなり、かつコストが高くなっていた。
【０００８】
またメッキ層が錫を含んでいた場合、錫はイオン化しやすいために、隣接するリードの相互間隔が狭いと錫イオンをキャリアとしてリード相互間にリーク電流が流れる場合があった。また錫によるウイスカーが生成し、隣接するリード相互間にリーク電流が流れる場合があった。このため、メッキ層が錫を含んでいた場合は半導体装置の信頼性が低下する場合があった。
【０００９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、従来と比べてコストを低くすることが可能であり、かつ信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、フレキシブル基材上に、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンを形成する工程と、
前記インナーリード及び前記アウターリードを熱可塑性樹脂で被覆する工程と、
前記熱可塑性樹脂で被覆されていない前記配線パターンを、絶縁性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード上に位置する前記熱可塑性樹脂上に半導体チップの外部接続端子を押圧した状態で該熱可塑性樹脂を加熱して溶融させ、その後冷却することにより、前記インナーリードと前記外部接続端子を接続し、かつ互いに固定する工程と、
を具備し、
前記インナーリード及び前記アウターリードを前記熱可塑性樹脂で被覆する工程において、前記インナーリード及び前記アウターリードにはメッキが施されていない。
前記熱可塑性樹脂は、熱可塑性の異方性導電樹脂又は非導電性樹脂である。
【００１１】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、フレキシブル基材上に、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを、前記インナーリード及び前記アウターリードを除いて絶縁性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード及び前記アウターリードを熱可塑性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード上に位置する前記熱可塑性樹脂上に半導体チップの外部接続端子を押圧した状態で該熱可塑性樹脂を加熱して溶融させ、その後冷却することにより、前記インナーリードと前記外部接続端子を接続し、かつ互いに固定する工程と、
を具備し、
前記インナーリード及び前記アウターリードを熱可塑性樹脂で被覆する工程において、前記インナーリード及び前記アウターリードにはメッキが施されていない。
前記熱可塑性樹脂は、熱可塑性の異方性導電樹脂又は非導電性樹脂である。
【００１２】
これらの半導体装置の製造方法によれば、前記インナーリード及び前記アウターリードは前記熱可塑性樹脂で被覆されているため、メッキ層が形成されていなくても、自然酸化膜が生成すること及び汚れが付着することを防止できる。また、前記インナーリード及び前記アウターリードにメッキ層を形成していない為、半導体チップを実装する為に必要なリードタイムを短くし、かつコストを低くすることができる。さらに、隣接する前記インナーリードの相互間隔及び隣接する前記アウターリードの相互間隔を狭くしても、メッキ層に起因して隣接するリード相互間にリーク電流が流れることがない。従って、フレキシブル基板を有する半導体装置の信頼性及び耐久性が向上する。
【００１３】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、フレキシブル基材上に、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンを形成する工程と、
前記インナーリード及び前記アウターリード上に熱硬化性樹脂を配置し、該熱硬化性樹脂の表層を硬化させることにより、前記インナーリード及び前記アウターリードを前記熱硬化性樹脂で被覆する工程と、
前記熱硬化性樹脂で被覆されていない前記配線パターンを、絶縁性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード上に位置する前記熱硬化性樹脂に半導体チップの外部接続端子を押し付け、前記外部接続端子と前記インナーリードを電気的に接続させた状態で、該熱硬化性樹脂を加熱して前記熱硬化性樹脂の内部を硬化させることにより、前記インナーリード上に前記外部接続端子を固定する工程と、
を具備し、
前記インナーリード及び前記アウターリードを前記熱硬化性樹脂で被覆する工程において、前記インナーリード及び前記アウターリードにはメッキが施されていない。
前記熱硬化性樹脂は、熱硬化性の異方性導電樹脂又は非導電性樹脂である
【００１４】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、フレキシブル基材上に、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを、前記インナーリード及び前記アウターリードを除いて絶縁性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード及びアウターリード上に熱硬化性樹脂を配置し、該熱硬化性樹脂の表層を硬化させることにより、前記インナーリード及びアウターリードを前記熱硬化性樹脂で被覆する工程と、
前記インナーリード上に位置する前記熱硬化性樹脂に半導体チップの外部接続端子を押し付け、前記外部接続端子と前記インナーリードを電気的に接続させた状態で、該熱硬化性樹脂を加熱して前記熱硬化性樹脂の内部を硬化させることにより、前記インナーリード上に前記外部接続端子を固定する工程と、
を具備し、
前記インナーリード及び前記アウターリードを前記熱硬化性樹脂で被覆する工程において、前記インナーリード及び前記アウターリードにはメッキが施されていない。
前記熱硬化性樹脂は、熱硬化性の異方性導電樹脂又は非導電性樹脂である。
【００１５】
上記した各半導体装置の製造方法において、前記半導体チップは、例えばＣＯＦ実装される。
【００１６】
本発明に係る半導体装置は、フレキシブル基材と、
前記フレキシブル基材上に形成されており、インナーリード及びアウターリードを有する配線パターンと、
外部接続端子を有しており、該外部接続端子が前記インナーリード上に樹脂を用いて固定された半導体チップと、
前記インナーリード及び前記アウターリードを除いた前記配線パターンを被覆する絶縁性樹脂と、
前記アウターリードを被覆する樹脂と、
を具備し、
前記インナーリード及びアウターリードにはメッキが施されていない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１の各図及び図２の各図は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図及び斜視図である。本図に示す方法は、半導体チップをＣＯＦ実装する方法である。
【００１８】
まず図１（Ａ）及び図２（Ａ）に示すように、フィルム状のフレキシブル基材１上に導電膜を形成し、この導電膜を選択的に除去する。これにより、フレキシブル基材１上には配線パターン１０が形成される。配線パターン１０は、インナーリード１１及びアウターリード１２を有する。なおフレキシブル基材１は、例えばポリイミドにより形成され、導電膜は、例えば銅膜である。
【００１９】
次いで、配線パターン１０上に、開口パターンを有するマスク５０を載置して、このマスク５０上及びマスク５０の開口パターン内に異方性導電樹脂を塗布する。ここで塗布される異方性導電樹脂は、熱可塑性の異方性導電樹脂であり、その基材は、１２０℃〜１５０℃の温度以上になると塑性変形が可能になる樹脂であるのが好ましい。次いでスキージ５１を用いてマスク５０上の異方性導電樹脂を除去する。これにより、インナーリード１１及びアウターリード１２は、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂによって被覆される。インナーリード１１及びアウターリード１２は、メッキ層が形成されていないが、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂによって被覆されているため、自然酸化膜が生成すること及び汚れが付着することを防止できる。なお、本工程は、配線パターン１０を形成する工程と連続して行われるのが好ましい。
【００２０】
その後、図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）に示すように、マスク５０を除去し、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂを硬化させる。次いで、配線パターン１０のうちインナーリード１１及びアウターリード１２を除いた部分の上に、ソルダーレジスト１４を印刷し、ベークすることによりソルダーレジスト１４を硬化させる。このとき、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂそれぞれの周縁部はソルダーレジスト１４によって被覆されるが、インナーリード１１及びアウターリード１２上に位置する異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂはソルダーレジスト１４に被覆されない。
このようにして、フレキシブル基板が形成される。
【００２１】
次いで、図１（Ｃ）及び図２（Ｃ）に示すように、外部接続端子（例えばバンプ）２１を有する半導体チップ２０を異方性導電樹脂層１３ａ上に位置させる。このとき、外部接続端子２１がインナーリード１１の上方に位置するように半導体チップ２０を配置する。次いで、半導体チップ２０（外部接続端子２１を含む）をインナーリード１１に向けて押圧しつつ、異方性導電樹脂層１３ａを塑性変形が可能になる温度になるまで加熱する。これにより、異方性導電樹脂層１３ａ内に半導体チップ２０が押し込まれ、かつ外部接続端子２１が異方性導電樹脂層１３ａ内の導電フィラーを介してインナーリード１１に電気的に接続する。その後、異方性導電樹脂層１３ａを冷却する。これにより、外部接続端子２１がインナーリード１１に接続した状態で、半導体チップ２０はフレキシブル基板に実装される。次いで、半導体チップ２０を樹脂（図示せず）でモールド封止する。
【００２２】
その後、フレキシブル基板に実装された半導体チップ２０は、分断された後、別の工場に配送される。次いで図１（Ｄ）及び図２（Ｄ）に示すように、フレキシブル基板の異方性導電樹脂層１３ｂ上に、電子部品（例えばＬＣＤパネル）３０の接続部を配置する。このとき、接続部のリード端子３１がアウターリード１２の上方に位置するように、電子部品３０の接続部を配置する。次いで、電子部品の接続部をアウターリード１２に向けて押圧しつつ、異方性導電樹脂層１３ｂを塑性変形が可能になる温度になるまで加熱する。これにより、異方性導電樹脂層１３ｂ内に電子部品３０の接続部が押し込まれ、かつリード端子３１が異方性導電樹脂層１３ｂ内の導電フィラーを介してアウターリード１２に電気的に接続する。その後、異方性導電樹脂層１３ｂを冷却する。これにより、リード端子３１がアウターリード１２に接続した状態で、フレキシブル基板が電子部品３０に接続される。
【００２３】
以上、本発明の第１の実施形態によれば、インナーリード１１及びアウターリード１２は、形成直後に異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂによって被覆されるため、メッキ層が形成されていなくても、インナーリード１１及びアウターリード１２に自然酸化膜が生成すること及び汚れが付着することを防止できる。特に、フレキシブル基板を電子部品３０に接続する工程は、半導体チップ２０をフレキシブル基板に実装する工程とは別の工場で行われる為、インナーリード１１及びアウターリード１２を形成してからフレキシブル基板を電子部品３０に接続するまでの期間が長くなる場合が多いが、この場合においてもアウターリード１２に自然酸化膜が生成すること及び汚れが付着することを防止できる。
【００２４】
また、インナーリード１１及びアウターリード１２にメッキ層を形成していない為、半導体チップをＣＯＦ実装する為に必要なリードタイムを短くし、かつコストを低くすることができる。さらに、隣接するリードの相互間隔を狭くしても、メッキ層に起因して隣接するリード相互間にリーク電流が流れることがない。従って、フレキシブル基板を有する半導体装置の信頼性及び耐久性が向上する。
【００２５】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、以下の点を除いて、上記した第１の実施形態と同様である。まず、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂを熱硬化型の異方性導電樹脂で形成している。そして、異方性導電樹脂層１３ａ、１３ｂでインナーリード１１及びアウターリード１２を被覆した後、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂの表層のみが硬化するように温度及び処理時間を調節した上で、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂを熱処理する。そして、半導体チップ２０をフレキシブル基板に実装する工程において、異方性導電樹脂層１３ａの全体が硬化するように熱処理を行う。さらに、フレキシブル基板を電子部品３０の接続部に接続する工程において、異方性導電樹脂層１３ｂの全体が硬化するように熱処理を行う。
本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２６】
次に、図３の各断面図を用いて、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態は、ソルダーレジスト１４を形成した後に異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂを形成する点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００２７】
まず図３（Ａ）に示すように、フレキシブル基材１上に、配線パターン１０を形成する。次いで、配線パターン１０のうちインナーリード１１及びアウターリード１２を除いた部分の上に、ソルダーレジスト１４を印刷し、ベークすることによりソルダーレジスト１４を硬化させる。
【００２８】
次いで図３（Ｂ）に示すように、ソルダーレジスト１４上に開口パターンを有するマスク５０を載置して、このマスク５０上及びマスク５０の開口パターン内に異方性導電樹脂を塗布する。次いでスキージ５１を用いてマスク５０上の異方性導電樹脂を除去する。これにより、インナーリード１１及びアウターリード１２は、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂによって被覆される。異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂの周辺部はソルダーレジスト１４の上方に位置している。
このようにして、フレキシブル基板が形成される。
【００２９】
次いで図３（Ｃ）に示すように、外部接続端子２１がインナーリード１１に接続した状態で、半導体チップ２０をフレキシブル基板に実装する。この工程は、第１の実施形態において図１（Ｃ）を用いて説明した工程と同様である。
【００３０】
次いで図３（Ｄ）に示すように、リード端子３１がアウターリード１２に接続した状態で、フレキシブル基板を電子部品３０に接続する。この工程は、第１の実施形態において図１（Ｄ）を用いて説明した工程と同様である。
以上、本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態は、以下の点を除いて、上記した第３の実施形態と同様である。まず、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂを熱硬化型の異方性導電樹脂で形成している。そして、異方性導電樹脂層１３ａ、１３ｂでインナーリード１１及びアウターリード１２を被覆した後、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂの表層のみが硬化するように、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂを熱処理する。そして、半導体チップ２０をフレキシブル基板に実装する工程において、異方性導電樹脂層１３ａの全体が硬化するように熱処理を行う。さらに、フレキシブル基板を電子部品３０の接続部に接続する工程において、異方性導電樹脂層１３ｂの全体が硬化するように熱処理を行う。
本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３２】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば第１及び第３の実施形態において、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂの代わりに熱可塑性の非導電性樹脂層を形成しても良い。また第２及び第４の実施形態において、異方性導電樹脂層１３ａ，１３ｂの代わりに熱硬化性の非導電性樹脂層を形成しても良い。これらの場合、インナーリード１１と半導体チップ２０の外部接続端子２１が直接接続する点、及びアウターリード１２と電子部品３０のリード端子３１が直接接続する点を除いて、上記した各実施形態と同様である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】各図は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図２】各図は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図３】各図は第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図４】各図は従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００３４】
１，１００…フレキシブル基材、１０，１１０…配線パターン、１１，１１１…インナーリード、１２，１１２…アウターリード、１３ａ，１３ｂ，１１３ａ，１１３ｂ…異方性導電樹脂層、１４，１１４…ソルダーレジスト、２０，１２０…半導体チップ、２１，１２１，１３１…外部接続端子、３０，１３０…電子部品、３１…リード端子、５０…マスク、５１…スキージ
【図１】
2008177190.tif 000003
【図２】
2008177190.tif 000004
【図３】
2008177190.tif 000005
【図４】
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