(57)【要約】【課題】支持基板上に塗布形成した有機発光材料を含む転写層を、熱転写によって装置基板上にパターン形成した場合であっても、この転写層を発光層とした発光素子における発光効率および輝度半減寿命を高く維持できる表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機発光材料を含む転写層を支持基板上に塗布形成する工程Ｓ１１を行い、次に転写層を加熱処理する工程Ｓ１２を行う。そして、加熱処理された転写層を装置基板上に熱転写する工程Ｓ２を行うことを特徴としている。転写層が熱転写される装置基板上には、下部電極が形成されており、この下部電極上に転写層をパターン転写する。そして、転写層に積層させて、他の機能層や上部電極を形成することにより、下部電極と上部電極との間に有機発光材料を含む転写層を挟持してなる有機電界発光素子を設ける。【選択図】図１
2008235010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光材料を含有する転写層を支持基板上に塗布形成する工程と、
前記支持基板上において前記転写層を加熱処理する工程と、
前記加熱処理された転写層を装置基板上に熱転写する工程とを行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記加熱処理は、前記転写層を構成する有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記加熱工程は、不活性な雰囲気中で行われる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記装置基板上に熱転写された転写層を加熱処理する工程を行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の表示装置の製造方法において、
前記装置基板上に熱転写された転写層の加熱処理は、当該転写層を構成する有機光材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の表示装置の製造方法において、
前記装置基板上に熱転写された転写層の加熱処理は、前記支持基板上において行われる前記転写層の加熱処理よりも低い温度で行われる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記転写層を装置基板上に熱転写する工程では、前記装置基板上に形成された下部電極上に前記転写層を熱転写し、
前記転写層が熱転写された前記装置基板上に、当該転写層に積層させる状態で上部電極を形成する工程を行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の表示装置の製造方法において、
前記上部電極を形成した後に、前記下部電極から当該上部電極までを積層してなる発光素子を覆う状態で保護膜を形成する工程を行うと共に、
前記転写層を加熱転写する工程から前記保護膜を形成する工程までを一連の不活性な雰囲気中で行う
を特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記支持基板上に前記転写層を塗布形成する工程では、当該支持基板上の全面に当該転写層を形成し、
前記転写層を装置基板上に熱転写する工程では、当該転写層の一部を当該装置基板上にパターン転写する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記転写層を塗布形成する工程では、前記支持基板上に当該転写層をパターン形成し、
前記転写層を装置基板上に熱転写する工程では、パターン形成された当該転写層を当該装置基板上に一括転写する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の表示装置の製造方法において、
前記転写層を塗布形成する工程では、前記支持基板上に異なる種類の有機発光材料を含有する各転写層を個別にパターン形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記転写層を塗布形成する工程では、前記支持基板上にパターン形成された熱変換層を覆う状態で、当該支持基板上の全面に当該転写層を形成し、
前記転写層を装置基板上に熱転写する工程では、パターン形成された前記熱変換層上における当該転写層部分のみを当該装置基板上に一括転写する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特には有機電界発光素子を用いた表示装置の製造において、発光層の形成に塗布成膜法および熱転写法を適用した場合であっても発光効率および輝度半減寿命を充分に高く維持できる表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence）を利用した有機電界発光素子は、下部電極と上部電極との間に、正孔輸送層や発光層を積層させた有機層を設けてなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような有機電界発光素子を用いたフルカラーの表示装置は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色の有機電界発光素子を基板上に配列形成してなる。このような表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、発光素子毎にパターン形成する必要がある。そして、発光層のパターン形成は、例えばシートに開口パターンを設けてなるマスクを介して発光材料を蒸着または塗布するシャドーマスキング法、さらにはインクジェット法によって行われている。
【０００４】
ところが、シャドーマスキング法によるパターン形成では、マスクに形成する開口パターンのさらなる微細化加工が困難であること、およびマスクの撓みや延びによって発光素子領域への位置精度の高いパターン形成が困難であること等から、さらなる有機電界発光素子の微細化および高集積化が困難となっている。また、開口パターンが形成されたマスクの接触により、先に形成された有機層を主体とした機能層に破壊が生じ易く、製造歩留まりを低下させる要因になっている。
【０００５】
また、インクジェット法によるパターン形成は、そのパターニング精度の限界から、発光素子の微細化および高集積化、および基板の大型化が困難となっている。
【０００６】
そこで、有機材料で構成された発光層やその他の機能層の新たなパターン形成方法として、エネルギー源（熱源）を用いた転写法（すなわち熱転写法）が提案されている。熱転写法を用いた表示装置の製造は、例えば次のように行う。先ず、表示装置の基板（以下、装置基板と称する）上に下部電極を形成しておく。一方、別の基板（以下、転写用基板と称する）上に、光熱変換層を介して発光層を成膜しておく。そして、発光層と下部電極とを対向させる状態で、装置基板と転写用基板とを配置し、転写用基板側からレーザ光を照射することにより、装置基板の下部電極上に発光層を熱転写させる。この際、スポット照射させたレーザ光を走査させることにより、下部電極上の所定領域のみに位置精度良好に発光層が熱転写される（以上下記特許文献１参照）。
【０００７】
しかしながら、このような熱転写法の適用は、発光素子の微細化には有利であるものの、シャドウマスク法によって製造された発光素子と比較して、発光効率および輝度半減寿命が低下すると言う問題がある。
【０００８】
そこで、以上のような熱転写法を適用した表示装置の製造方法においては、装置基板および転写用基板を加熱しながら輻射線照射によって熱転写することにより、発光効率および輝度半減寿命を改善する方法が提案されている（下記特許文献２参照）。また、熱転写後に装置基板を加熱処理することにより、酸素や水蒸気による発光層の劣化を防止し発光効率や輝度寿命を改善する方法も提案されている（下記特許文献３参照）。
【０００９】
ところで、転写用基板上への発光層等の成膜は、真空蒸着法によって行われていたが、さらに材料の使用効率や生産性を高める方法として、有機発光材料を溶剤に溶解させた溶液を塗布または印刷することによって塗膜形成する方法が提案されている（下記特許文献４参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−１１０３５０号公報
【特許文献２】特開２００３−２２９２５９号公報
【特許文献３】特開２００６−６６３７５号公報
【特許文献４】特表２００５−５００６５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、転写用基板上への発光層等の成膜を塗布形成によって行った場合、上記特許文献２に記載されているような転写時の加熱処理や、特許文献３の記載されているような転写後の加熱処理を行っても、十分に発光効率や輝度寿命を改善することができないという問題があった。
そこで本発明は、支持基板上に塗布形成した有機材料を含む転写層を、熱転写によって装置基板上にパターン形成した場合であっても、この転写層を発光層とした発光素子における発光効率および輝度半減寿命を高く維持できる表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的を達成するための本発明の表示装置の製造方法は、先ず、有機発光材料を含有する転写層を支持基板上に塗布形成する工程を行い、次に転写層を加熱処理する工程を行う。そして、加熱処理された転写層を装置基板上に熱転写する工程を行うことを特徴としている。
【００１３】
転写層が熱転写される装置基板上には、下部電極が形成されており、この下部電極上に転写層をパターン転写する。そして、転写層に積層させて、他の機能層や上部電極を形成することにより、下部電極と上部電極との間に有機発光材料を含む転写層を挟持してなる発光素子（有機電界発光素子）を設ける。
【００１４】
このような構成の製造方法では、塗布形成された転写層に対して加熱処理を行った後に熱転写を行う手順としたことにより、この加熱処理を行わない場合と比較して、熱転写された転写層の膜密度が高められ、この転写層を発光層とした発光素子における発光効率および輝度寿命が向上することが確認された。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明によれば、支持基板上に塗布形成した有機発光材料を含有する転写層を、熱転写によって装置基板上にパターン形成した場合であっても、この転写層を発光層とした発光素子における発光効率および輝度半減寿命を高く維持することが可能な表示装置を得ることが可能になる。この結果、支持基板上への転写層の形成に際して、蒸着法と比較して材料使用効率や生産性が良好な塗布形成を適用した表示装置の製造が実現化され、表示装置の低コスト化を図ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発光する有機電界発光素子を基板上に配列形成してなるフルカラーの表示装置の製造に本発明を適用した実施の形態を、図１のフローチャートに沿って、図２〜図４の断面工程図を参照して説明する。
【００１７】
先ず、装置基板上へ有機電界発光素子の形成（工程Ｓ１〜工程Ｓ６）に先立ち、下記工程Ｓ１１、Ｓ１２のようにして、各色の発光層の熱転写の際に用いる転写用基板の作製を各色毎に行う。
【００１８】
＜赤色の転写用基板の作製：工程Ｓ１１＞
赤色の転写用基板（赤色転写基板）の作製においては、先ず工程Ｓ１１において、支持基板上に転写層を塗布形成した転写用基板の作製を行う。図２を参照し、先ず支持基板３１を用意する。ここで用いる支持基板３１は、十分に平滑で光透過性を有し、かつ加熱処理の温度に対する耐久性を有する材質であれば良く、ガラス基板、石英基板、または透光性セラミック基板等からなる。また、加熱温度に対する寸法制御性に問題がない範囲であれば、樹脂基板を用いても良い。
【００１９】
次に、支持基板３１上の全面に、光熱変換層３３および酸化保護膜３４を介して、赤色の発光層を形成するための転写層として、赤色転写層３５ｒを塗布形成する。
【００２０】
このうち、光熱変換層３３を構成する材料としては、次に行う熱転写の工程において熱源として用いるレーザ光の波長範囲に対して低い反射率を持つ材料が好ましく用いられる。例えば、固体レーザ光原からの波長８００ｎｍ程度のレーザ光を用いる場合には、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）等が低反射率、高融点を持つ材料として好ましいが、これらに限定されることは無い。ここでは例えば、スパッタリング法により、Ｍｏを２００ｎｍの膜厚に成膜してなる光熱変換層３３を形成することとする。
【００２１】
また酸化保護層３４を構成する材料としては、ＳｉＮXやＳｉＯ2等が挙げられる。ここでは例えば、ＣＶＤ(chemical vapor deposition)法を用いて酸化保護層３４を形成することとする。
【００２２】
そして赤色転写層３５ｒは、主に正孔輸送性を有するホスト材料と、赤色発光性のゲスト材料（有機発光材料）とで構成される。このうちゲスト材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよいが、発光特性の制御の容易さから蛍光性のものが好ましい。このような赤色転写層３５ｒは、例えば、ホスト材料に正孔輸送性材料のα−ＮＰＤ(α-naphtyl phenil diamine)を用い、赤色発光性のゲスト材料として２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより、膜厚４５ｎｍ程度に構成される。
【００２３】
このような赤色転写層３５ｒを支持基板３１上に塗膜形成する方法としては、α−ＮＰＤにＢＳＮを３０重量％の比率で混合したものをトルエン中に１重量％の濃度で溶解し、溶液とする。スピンコーターを使用し、前述の光熱変換層３３、酸化保護層３４を形成した支持基板３１上に滴下し回転数１５００ｒｐｍで回転させて塗膜を形成する。この条件では回転中に溶剤（トルエン）が蒸発し乾燥した赤色転写層３５ｒの塗膜が得られる。
【００２４】
＜工程Ｓ１２＞
次に工程Ｓ１２においては、支持基板３１上に塗布形成した赤色転写層３５ｒを加熱処理する。この加熱処理は、赤色転写層３５ｒを構成する有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われる。例えば本実施形態においては、赤色転写層３５ｒを構成する主材料としてα−ＮＰＤが用いられており、そのガラス転移温度は９６℃であり、融点は２８５℃である。このため、加熱処理は、主材料であるα−ＮＰＤのガラス転移点より高く、融点以下の温度範囲で行われ、例えば１５０℃において３０分程度行われる。尚、この加熱処理は、真空状態を含む不活性な雰囲気中において行うこととする。
【００２５】
＜緑色の転写用基板の作製：工程Ｓ１１＞
緑色の転写用基板（緑色転写基板）３０ｇの作製も同様に行う。すなわち、先ず工程Ｓ１１において、支持基板３１上の全面に、光熱変換層３３および酸化保護膜３４を介して、緑色の発光層を形成するための転写層として、緑色転写層３５ｇを塗布形成する。このうち、緑色転写層３５ｇ以外の光熱変換層３３および酸化保護膜３４の構成は、赤色転写基板３０ｒと同様であって良い。
【００２６】
緑色転写層３５ｇは、主に電子輸送性を有するホスト材料と、緑色発光性のゲスト材料（有機発光材料）とで構成されている。このうち、ホスト材料は、以降に説明する正孔輸送層を構成する材料と比較して電子輸送性が高ければ良い。具体的には、正孔輸送層を構成するα−ＮＰＤの最高占有軌道のエネルギー準位（以下、ＨＯＭＯと略す）よりも、緑色材料層に用いるホスト材料のＨＯＭＯが低い準位であり、より具体的には両者の差が０．２ｅＶ以上であれば良い。またゲスト材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよいが、発光特性の制御の容易さから蛍光性のものが好ましい。
【００２７】
このような緑色転写層３５ｇは、例えば電子輸送性のホスト材料であるＡＤＮ（anthracene dinaphtyl）に、緑色発光性のゲスト材料であるクマリン６を５重量％で混合した材料によって構成され、３０ｎｍ程度の膜厚で塗膜形成されていることとする。
【００２８】
このような緑色転写層３５ｇを支持基板３１上に塗膜形成する方法としては、ＡＤＮにクマリン６を５重量％の比率で混合したものをトルエン中に０．８重量％の濃度で溶解し、溶液とする。スピンコーターを使用し、前述の光熱変換層３３、酸化保護層３４を形成した支持基板３１上に滴下し回転数１５００ｒｐｍで回転させて塗膜を形成する。この条件により回転中に溶剤（トルエン）が蒸発し乾燥した緑色転写層３５ｇの塗膜が得られる。
【００２９】
＜工程Ｓ１２＞
次に工程Ｓ１２においては、支持基板３１上に塗布形成した緑色転写層３５ｇを加熱処理する。この加熱処理は、緑色発光層３５ｇを構成する有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われる。例えば本実施形態においては、緑色転写層３５ｇを構成する主材料としてＡＤＮが用いられており、そのガラス転移温度は１０６℃であり融点は３８９℃である。このため、加熱処理は、主材料であるＡＤＮのガラス転移点より高く、融点以下の温度範囲で行われ、例えば1６０℃において３０分程度行われる。尚、この加熱処理は、真空状態を含む不活性な雰囲気中において行うこととする。
【００３０】
＜青色の転写用基板の作製：工程Ｓ１１＞
青色の転写用基板（青色転写基板）３０ｂの作製も同様に行う。すなわち、先ず工程Ｓ１１において、支持基板３１上の全面に、光熱変換層３３および酸化保護膜３４を介して、青色の発光層を形成するための転写層として、青色転写層３５ｂを塗布形成する。このうち、青色転写層３５ｂ以外の光熱変換層３３および酸化保護膜３４の構成は、赤色転写基板３０ｒと同様であって良い。
【００３１】
青色転写層３５ｂは、主に電子輸送性を有するホスト材料と、青色発光のゲスト材料（有機発光発光材料）とで構成されている。このうち、ホスト材料は、上述した緑色転写層（３５ｇ）と同様に、正孔輸送層を構成する材料と比較して電子輸送性が高ければ良く、またゲスト材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよいが、発光特性の制御の容易さから蛍光性のものが好ましい。
【００３２】
このような青色転写層３５ｂは、例えば電子輸送性のホスト材料であるＡＤＮ（anthracene dinaphtyl）に、青色発光性のゲスト材料である４，４’≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％で混合した材料によって構成され、３０ｎｍ程度の膜厚で塗膜形成されていることとする。
【００３３】
このような青色転写層３５ｂを支持基板３１上に塗布形成する方法としては、ＡＤＮにＤＰＡＶＢｉを２.５重量％の比率で混合したものをトルエン中に０．８重量％の濃度で溶解し、溶液とする。スピンコーターを使用し、前述の光熱変換層３３、酸化保護層３４を形成した支持基板３１上に滴下し回転数１５００ｒｐｍで回転させて塗膜を形成する。この条件により回転中に溶剤（トルエン）が蒸発し乾燥した青色転写層３５ｂの塗膜が得られる。
【００３４】
＜工程Ｓ１２＞
次の工程Ｓ１２においては、支持基板３１上に塗布形成した青色転写層３５ｂを加熱処理する。この加熱処理は、青色発光層３５ｂを構成する有機材料のガラス転移点以上でかつ融点よりも低い温度で行われる。例えば本実施形態においては、青色転写層３５ｂを構成する主材料として、緑色転写層３５ｇと同様のＡＤＮが用いられているため、例えば1６０℃において３０分程度行われる。尚、この加熱処理は、真空状態を含む不活性な雰囲気中において行うこととする。
【００３５】
以上のようにして作製した各色の転写用基板３０ｒ，３０ｇ，３０ｂを用い、装置基板上への有機電界発光素子の形成を以下の工程Ｓ１〜Ｓ６のように行う。
【００３６】
＜工程Ｓ１＞
先ず、工程Ｓ１においては、図３（１）に示すように、装置基板１上に下部電極３などの形成を行う。
【００３７】
有機電界発光素子が配列形成される装置基板１は、ガラス、シリコン、プラスチック基板、さらにはＴＦＴ（thin film transistor）が形成されたＴＦＴ基板などからなる。特にここで作製する表示装置が基板１側から発光を取り出す透過型である場合には、この基板１は光透過性を有する材料で構成されることとする。
【００３８】
次に、この装置基板１上の各画素に、第１電荷を供給する下部電極３をパターン形成する。ここで、第１電荷が正電荷である場合、下部電極３は陽極として形成される。一方、第１電荷が負電荷である場合、下部電極３は陰極として形成される。
【００３９】
この下部電極３は、ここで作製する表示装置の駆動方式によって適する形状にパターンニングされていることとする。例えば、この表示装置の駆動方式が単純マトリックス方式である場合には、この下部電極３は例えば複数の画素で連続したストライプ状に形成される。また、表示装置の駆動方式が画素毎にＴＦＴを備えたアクティブマトリックス方式である場合には、下部電極３は複数配列された各画素に対応させてパターン形成され、同様に各画素に設けられたＴＦＴに対して、これらのＴＦＴを覆う層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール（図示省略）を介してそれぞれが接続される状態で形成されることとする。
【００４０】
またこの下部電極３は、ここで作製する表示装置の光取り出し方式によってそれぞれ適する材質が選択して用いられることとする。すなわち、この表示装置が基板１と反対側から発光光を取り出す上面発光型である場合には、高反射性材料で下部電極３を構成する。一方、この表示装置が、基板１側から発光光を取り出す透過型または両面発光型である場合には、光透明性材料で下部電極３を構成する。
【００４１】
例えばここでは、表示装置が上面発光型であり、第１電荷を正電荷とし、下部電極３を陽極として用いることとする。この場合、下部電極１０は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）さらには金（Ａｕ）のように、反射率の高い導電性材料、及びその合金で構成される。
【００４２】
尚、表示装置が上面発光型であるが、下部電極３を陰極として用いる（つまり第１電荷を負電荷とする）場合には、下部電極３は仕事関数が小さな導電性材料を用いて構成される。このような導電性材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、或いはこれらを積層した構造を使用できる。また、機能層４との間に例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とフッ素、臭素等のハロゲンや酸素等との化合物層を薄く挿入した構造としても良い。
【００４３】
これに対して、表示装置が透過型、または両面発光型であり下部電極３を陽極として用いる場合には、ＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ)やＩＺＯ（Ｉｎｉｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）のように、透過率の高い導電性材料で下部電極３を構成する。
【００４４】
尚、ここで作製する表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用する場合には、有機電界発光素子の開口率を確保するために、表示装置を上面発光型とすることが望ましい。
【００４５】
次に、以上のような下部電極３（ここでは陽極）を形成した後、これらの下部電極３の周縁を覆う状態で、絶縁膜５をパターン形成する。これにより、この絶縁膜５に形成された窓から下部電極３を露出させた部分を、各有機電界発光素子が設けられる画素領域とする。この絶縁膜５は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いて構成さることとする。
【００４６】
その後、下部電極３および絶縁膜５を覆う共通層として、第１電荷注入層（すなわちここでは正孔注入層）７を形成する。このような正孔注入層７は、一般的な正孔注入材料を用いて構成され、一例としてｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine〕を１０ｎｍの膜厚で蒸着成膜する。
【００４７】
次に、正孔注入層７を覆う共通層として、第１電荷輸送層（すなわちここでは正孔輸送層）９を形成する。このような正孔輸送層９は、一般的な正孔輸送材料を用いて構成され、一例としてα−ＮＰＤ[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]を３５ｎｍの膜厚で蒸着成膜する。尚、正孔輸送層９を構成する一般的な正孔輸送材料としては、例えばベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体などがいられる。
【００４８】
また以上の正孔注入層７および正孔輸送層９は、それぞれを複数層からなる積層構造として形成しても良い。
【００４９】
＜工程Ｓ２＞
次の工程Ｓ２では、図３（２）に示すように、一部の画素における下部電極３の上方に、熱転写法によって赤色の転写層からなる赤色発光層１１ｒをパターン形成する。
【００５０】
ここでは先ず、工程Ｓ１１，Ｓ１２のようにして作製した赤色転写基板３０ｒを、正孔輸送層９が形成された装置基板１に対向配置させる。この際、赤色転写層３５ｒと正孔輸送層９とが向き合うように、赤色転写基板３０ｒと装置基板１とを配置する。また、装置基板１と赤色転写基板３０ｒとを密着させる。このようにした場合であっても、装置基板１側の絶縁膜５上に赤色転写層３５ｂが支持された状態となり、下部電極３上の正孔輸送層９の部分に赤色転写基板３０ｒが接触することはない。
【００５１】
次に、このような状態で装置基板１に対向配置された赤色転写基板３０ｒ側から、例えば波長８００ｎｍのレーザｈｒを照射する。この際、赤色発光素子の形成画素に対応する部分に、レーザｈｒを選択的にスポット照射する。
【００５２】
これにより、光熱変換層３３にレーザ光ｈｒを吸収させ、その熱を利用して赤色転写層３５ｒを基板１側に熱転写させる。そして、基板１上に成膜された正孔輸送層９上に、赤色転写層３５ｒを位置精度良好に熱転写させてなる正孔輸送性の赤色発光層１１ｒをパターン形成する。
【００５３】
またここでは、赤色発光素子の形成部分（画素領域）において絶縁膜５から露出している下部電極３上が、赤色発光層１１ｒによって完全に覆われるように、レーザ光ｈｒ照射に行うことが重要である。
【００５４】
そして、次の工程Ｓ３で、全ての画素に対して発光層がパターン形成されて熱転写が終了したか否かを判断し、終了した（ＹＥＳ）と判断されるまでは、繰り返し工程Ｓ２に戻る。
【００５５】
そして、図４（１）および図４（２）に示すように、赤色発光層１１ｒが形成されていない他の画素における下部電極３の上方に、緑色発光層１１ｇおよび青色発光層１１ｂを順次パターン形成する。これらの緑色発光層１１ｇおよび青色発光層１１ｂは、上述した赤色発光層１１ｒの形成と同様に転写法によって順次形成する。
【００５６】
つまり、先ず図４（１）に示すように、工程Ｓ１１，Ｓ１２のようにして作製した緑色転写基板３０ｇを、正孔輸送層９が形成された装置基板１に対向配置させ、緑色転写基板３０ｇ側から緑色発光素子の形成画素に対応する部分に、レーザｈｒを選択的にスポット照射する。
【００５７】
これにより、装置基板１上に成膜された正孔輸送層９上に選択的に緑色転写層３５ｇを熱転写させてなる緑色発光層１１ｇをパターン形成する。このような熱転写は、図３（２）を用いて説明した赤色発光層１１ｒのパターン形成と同様に、緑色転写層３５ｇを構成する各材料が、略均一に混ざり合わせた状態で緑色発光層１１ｇが形成されるように行われることとする。
【００５８】
また、図４（２）に示すように、工程Ｓ１１，Ｓ１２のようにして作製した青色転写基板３０ｂを、正孔輸送層９、赤色発光層１１ｒおよび緑色発光層１１ｇが形成された基板１に対向配置させ、青色転写基板３０ｂ側から青色発光素子の形成画素に対応する部分に、レーザｈｒを選択的にスポット照射する。
【００５９】
これにより、装置基板１上に成膜された正孔輸送層９の上に選択的に青色転写層３５ｂを熱転写させてなる青色発光層１１ｂをパターン形成する。このような熱転写は、図３（２）を用いて説明した赤色発光層１１ｒのパターン形成と同様に、青色転写層３５ｂを構成する各材料が、略均一に混ざり合わせた状態で青色発光層１１ｂが形成されるように行われることとする。
【００６０】
尚、以上のように繰り返し行われる熱転写の工程は、大気圧中でも可能であるが、真空中で行うことが望ましい。真空中で熱転写を行うことにより、より低エネルギーでのレーザを使用した転写が可能になり、転写される発光層に与えられる熱的な悪影響を軽減することが出来る。さらに、熱転写の工程を真空中で行うことにより、基板同士の密着性が高まり、転写のパターン精度が良好になり、望ましい。しかも、全プロセスを連続して真空中で行うようにすることで、素子の劣化を防ぐことが可能である。
【００６１】
また、以上のように繰り返し３回行われる熱転写の工程は、どの順に行っても良い。
【００６２】
＜工程Ｓ３＞
そして工程Ｓ３において、全ての熱転写が終了したか否かを判断し、終了した（ＹＥＳ）と判断された場合に、次の工程Ｓ４に進む。
【００６３】
＜工程Ｓ４＞
工程Ｓ４の加熱処理は、各色の発光層（転写層）１１ｒ，１１ｇ，１１ｂを構成する有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われる。ここでは、各色の発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂ、すなわち各色の転写層（３５ｒ，３５ｇ，３５ｂ）は、異なる有機材料を用いて構成されている。このため、これらの転写層を構成している主な有機材料（例えばホスト材料）のうちの最も高いガラス転移点以上で、かつこれらの有機材料のうちの最も低い融点よりも低い温度で加熱処理が行われることとする。
【００６４】
また、転写用基板３５ｒ、３５ｇ、３５ｂの作製における工程Ｓ１２での加熱処理より低い温度で、本工程Ｓ４の加熱処理を行うことが好ましい。工程Ｓ１２の加熱処理よりも高い温度で本工程Ｓ４の加熱処理を行うと、正孔輸送層９と発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂとの反応が生じたりして好ましくない。
【００６５】
またさらに好ましくは、装置基板1上に形成されている有機材料層、すなわち正孔注入層７、正孔輸送層９、および赤色発光層１１ｒ、緑色発光層１１ｇ、青色発光層１１ｂを構成する各有機材料の融点よりも低い範囲で、かつ正孔輸送層９および赤色発光層１１ｒを構成する各有機材料のガラス転移点付近の温度での加熱処理を行う。これにより、正孔輸送層９および赤色発光層１１ｒの露出表面を平坦化する。
【００６６】
ここでの、ガラス移転付近の温度とは、正孔輸送層９を支配的に構成している有機材料のガラス転移点と、赤色発光層１１ｒ、緑色発光層１１ｇ、青色発光層１１ｂを支配的に構成している有機材料のガラス転移点との中間の温度±３０℃以内の温度であることとする。
【００６７】
例えば本実施形態においては、正孔輸送層９および赤色発光層１１ｒを構成する主材料としてα−ＮＰＤが用いられており、また緑色発光層１１ｇと青色発光層１１ｂを構成する主材料としてＡＤＮが用いられている。α−ＮＰＤのガラス転移温度は９６℃であり、ＡＤＮのガラス転移点は１０６℃である。このため、加熱処理は、例えば１００℃において３０分程度行われる。尚、この加熱処理は、真空状態を含む不活性な雰囲気中において行うこととする。
【００６８】
＜工程Ｓ５＞
以上の後には、工程Ｓ５において、装置基板１上にさらに上層の形成を行う。
【００６９】
先ず、図５（１）に示すように、各色発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂが形成された装置基板１上の全面を覆う状態で、第２電荷輸送層（すなわちここでは電子輸送層）１３を成膜する。この電子輸送層１３は、基板１上の全面に共通層として蒸着成膜される。このような電子輸送層１３は、一般的な電子輸送材料を用いて構成され、一例として８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）を２０ｎｍ程度の膜厚で蒸着してなる。
【００７０】
以上までで成膜した正孔注入層７、正孔輸送層９、各色発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂ、および電子輸送層１３によって、有機層１５が構成される。
【００７１】
次に、図５（２）に示すように、電子輸送層１３上に第１電荷注入層（すなわちここでは電子注入層）１７を成膜する。この電子注入層１７は、装置基板１上の全面に共通層として蒸着成膜される。このような電子注入層１７は、一般的な電子注入材料を用いて構成され、一例としてＬｉＦを真空蒸着法により約０．３ｎｍ（蒸着速度〜０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で形成してなる。
【００７２】
次に、電子注入層１７上に、上部電極１９を形成する。この上部電極１９は、下部電極３が陽極である場合には陰極として用いられ、下部電極３が陰極である場合には陽極として用いられ、ここでは陰極として形成される。
【００７３】
また、ここで作製する表示装置が単純マトリックス方式である場合には、例えば下部電極３のストライプと交差するストライプ状に上部電極１９が形成される。一方、この表示装置が、アクティブマトリックス方式である場合には、この上部電極１９は、基板１上の一面を覆う状態で成膜されたベタ膜状に形成され、各画素に共通の電極として用いられることとする。この場合、下部電極３と同一層で補助電極（図示省略）を形成し、この補助電極に対して上部電極１９を接続させることで、上部電極１９の電圧降下を防止する構成とすることができる。
【００７４】
そして、下部電極３と上部電極１９との交差部において、各色発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂをそれぞれ含む有機層１５等が挟持された各部分に、赤色発光素子２１ｒ、緑色発光素子２１ｇ、および青色発光素子２１ｂがそれぞれ形成される。
【００７５】
尚、この上部電極１９は、ここで作製する表示装置の光取り出し方式によってそれぞれ適する材質が選択して用いられることとする。すなわち、この表示装置が装置基板１と反対側から各色発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂでの発光光を取り出す上面発光型または両面発光型である場合には、光透過性材料または半透過性材料で上部電極１９を構成する。一方、この表示装置が、装置基板１側からのみ発光光を取り出す下面発光型である場合には、高反射性材料で上部電極１９を構成する。
【００７６】
ここでは、表示装置が上面発光型であり、下部電極３を陽極電極として用いるため、上部電極１９は陰極電極として用いられることになる。この場合、上部電極１９は、有機層１５に対して電子を効率的に注入できるように、下部電極３の形成工程で例示した仕事関数の小さい材料のうちから光透過性の良好な材料を用いて形成されることとする。
【００７７】
このため例えば、真空蒸着法により１０ｎｍの膜厚で形成されたＭｇＡｇからなる共通の陰極として、上部電極１９を形成する。この際、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ(chemical vapor deposition)法によって、上部電極１９の成膜を行うこととする。
【００７８】
また、表示装置が上面発光型である場合、上部電極１９を半透過性として構成することにより、上部電極１９と下部電極３との間で共振器構造を構成することで取り出し光の強度が高められるように設計されることが好ましい。
【００７９】
また、表示装置が透過型であり、上部電極１９を陰極電極として用いる場合には、仕事関数が小さくかつ反射率の高い導電性材料で上部電極１９を構成する。さらに表示装置が透過型であり、上部電極１９を陽極電極として用いる場合には、反射率の高い導電性材料で上部電極１９を構成する。
【００８０】
＜工程Ｓ６＞
以上のようにして各色の有機電界発光素子２１ｒ，２１ｇ，２１ｂを形成した後には、工程Ｓ６において有機電界発光素子２１ｒ，２１ｇ，２１ｂを封止する。ここでは、上部電極１９を覆う状態で保護膜（図示省略）を成膜する。この保護膜は、有機層１５への水分の到達防止を目的とし、透過水性,吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成されることとする。さらに、ここで作製する表示装置が上面発光型である場合には、この保護膜は各色発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂで発生した光を透過する材料からなり、例えば８０％程度の透過率が確保されていることとする。
【００８１】
このような保護膜は、絶縁性材料で構成されていて良い。保護膜を絶縁性材料で構成する場合には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）,アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）,アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）さらにはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等を好適に用いることができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００８２】
例えば、アモルファス窒化シリコンからなる保護膜を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２〜３μｍの膜厚に形成されることとする。ただし、この際、有機層１５の劣化による輝度の低下を防止するため成膜温度を常温に設定し、さらに、保護膜の剥がれを防止するために膜のストレスを最小になる条件で成膜することが望ましい。
【００８３】
また、ここで作製する表示装置がアクティブマトリックス方式であって、基板１上の一面を覆う共通電極として上部電極１９が設けられている場合には、保護膜は、導電性材料を用いて構成されても良い。保護膜を導電性材料で構成する場合には、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電性材料が用いられる。
【００８４】
尚、以上のような各色発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂを覆う各層は、マスクを用いることなくベタ膜状に形成される。
【００８５】
ここで、以上術した工程Ｓ１２での転写層の加熱処理から、工程Ｓ５の上層の形成まで、さらに好ましくは工程Ｓ６の保護膜の形成までは、大気暴露されることなく一連の真空状態を含む不活性な雰囲気中で行われることが重要である。これらの途中工程で、転写用基板や装置基板を大気中の酸素や水分に曝すことは、特性の低下を招くために避けなければならない。
【００８６】
そして、以上のように保護膜が形成された装置基板１に対して、保護膜側に接着用の樹脂材料を介して保護基板を貼り合わせる。接着用の樹脂材料としては、例えば紫外線硬化樹脂が用いられる。また保護基板としては例えばガラス基板が用いられる。ただし、ここで作製する表示装置が上面発光型である場合には、接着用の樹脂材料および保護基板は、光透過性を有する材料で構成されることが必須となる。
【００８７】
以上により、基板１上に各色発光素子２１ｒ，２１ｇ，２１ｂを配列形成してなるフルカラーの表示装置２３を完成させる。
【００８８】
以上説明したように本実施形態の製造方法では、転写用基板の作製において、工程Ｓ１１（図２参照）で各支持基板３１上に転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを塗布形成した後に、工程Ｓ１２で転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを加熱処理する工程を加えている。そして、工程Ｓ２においては、このようにして作製した転写用基板を用いて、装置基板上に転写層３５ｒ、３５ｇ、３５ｂを熱転写することによって、有機電界発光素子の発光効率の向上と、輝度劣化の抑制とを図ることが可能であることが確認された。
【００８９】
またこの結果、転写用基板の作製において、蒸着法と比較して材料使用効率や生産性が良好な塗布形成を適用した表示装置の製造を実現でき、有機電界発光素子を用いた表示装置の低コスト化を図ることが可能になる。
【００９０】
尚、以上の実施形態では、第１電荷が正電荷、第２電荷が負電荷であって、下部電極３を陽極、上部電極１９を陰極とした場合を説明した。しかしながら、本発明は、第１電荷が負電荷であり、第２電荷が正電荷であって、下部電極３が陰極であり、上部電極１９が陽極である場合にも適用可能である。このような場合には下部電極３〜上部電極１９との間の各層７〜１７は、逆の積層順となり、この間の形成手順も逆にすれば良い。
【００９１】
また実施形態では、図２を参照し、転写用基板３０ｒ，３０ｇ，３０ｂの作製において支持基板３１上に転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを塗布形成する方法として、スピンコーターを用いたスピンコート法を適用した例を示した。しかしながら、転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂの塗布形成は、スリットコート法、スプレーコート法などの塗工方式やフレキソ印刷方式、グラビアオフセット印刷方式、インクジェット方式などの印刷方式を用いても良い。
【００９２】
また転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂの塗布形成においては、例えば印刷方式を適用することにより、支持基板上にパターン形成しても良い。この場合には、工程Ｓ２の熱転写においては、広い範囲にレーザ光を一括照射することで、パターン形成された転写層が目的の形成画素に対応する部分に一括転写される。
【００９３】
さらに、転写用基板３０ｒ，３０ｇ，３０ｂの作製においては、支持基板１上に光熱変換層３３をパターン形成し、この上部に酸化保護膜３４を介して転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを全面に塗布形成しても良い。この場合であっても、工程Ｓ２の熱転写においては、広い範囲にレーザ光を一括照射することで、パターン形成された転写層が目的の形成画素に対応する部分に一括転写される。
【００９４】
またさらに他の実施形態として、転写用基板３０ｒ，３０ｇ，３０ｂの作製において、例えば印刷法を用いることによって、同一の支持基板３１上に複数種類の有機発光材料を含有する各転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂをパターン形成しても良い。支持基板３１上には、パターン形成される各転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを位置合わせ用のマーカーも配置される。
【００９５】
この場合、工程Ｓ１２の加熱処理においては、各転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを構成する有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われることとする。このため、例えば各転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂに対するして設定される加熱処理温度のうち、最も低い温度を採用すれば良い。前述した実施形態の例で言えば、赤色転写層３０ｒに対する工程Ｓ１２での熱処理温度が１５０℃であり、緑色転写層３５ｇと青色転写層３５ｂに対する工程Ｓ１２での熱処理温度が１６０℃であるため、３種類の転写層３０ｒ，３５ｇ，３５ｂを同一の支持基板３１上にパターン形成した場合の工程Ｓ１２での熱処理温度は１５０℃とする。
【００９６】
このように作製された転写用基板を用いた場合であっても、工程Ｓ２の熱転写においては、広い範囲にレーザ光を一括照射することで、パターン形成された転写層が目的の形成画素に対応する部分に転写される。しかも、複数種類の転写層３０ｒ，３０ｇ，３０ｂを一度の熱転写によって一括して装置基板上に熱転写できる。また、この場合であっても、支持基板３１上の転写層に対して加熱処理を行わない場合に比較して、十分な特性向上の効果を得ることができる。
【００９７】
さらに、以上実施形態に基づいて説明した本発明は、上述した共通層を分離した素子においても、また、例えば特開２００３−２７２８６０に示されるように、発光層を有する有機層のユニット（発光ユニット）を積層してなるタンデム型の有機ＥＬ素子においても有効であり、同様の効果を得ることができる。
【００９８】
また、上述の実施形態では、支持基板３１上においての転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂの加熱処理（工程Ｓ１２）と共に、この転写層を装置基板上に熱転写した発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂの加熱処理（工程Ｓ４）を行っている。このように、２回の加熱処理を行うことにより、工程Ｓ１２の加熱処理のみと比較して、さらに有機電界発光素子の特性向上を図ることができる。
【００９９】
≪表示装置の概略構成≫
図６は、上記実施形態によって製造される表示装置２３の全体構成の一例を示す図であり、図６（Ａ）は概略構成図、図６（Ｂ）は画素回路の構成図である。ここでは、アクティブマトリックス方式の表示装置に本発明を適用した実施形態を説明する。
【０１００】
図６（Ａ）に示すように、この表示装置２３の装置基板１上には、表示領域１ａとその周辺領域１ｂとが設定されている。表示領域１ａは、複数の走査線４１と複数の信号線４３とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素ａが設けられた画素アレイ部として構成されている。これらの各画素ａに、図５（２）に示した有機電界発光素子２１ｒ，２１ｇ，２１ｂの何れかが設けられている。また周辺領域１ｂには、走査線４１を走査駆動する走査線駆動回路ｂと、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線４３に供給する信号線駆動回路ｃとが配置されている。
【０１０１】
図６（Ｂ）に示すように、各画素ａに設けられる画素回路は、例えば有機電界発光素子２１ｒ，２１ｇ，２１ｂの何れか１つと、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタ（サンプリングトランジスタ）Ｔｒ２、および保持容量Ｃｓで構成されている。そして、走査線駆動回路ｂによる駆動によって、書き込みトランジスタＴｒ２を介して信号線４３から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動トランジスタＴｒ１から各有機電界発光素子２１ｒ，２１ｇ，２１ｂに供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子２１ｒ，２１ｇ，２１ｂが発光する。
【０１０２】
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域１ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【０１０３】
以上説明した本発明に係る表示装置は、図７に開示したような、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部である表示領域１ａを囲むようにシーリング部５１が設けられ、このシーリング部５１を接着剤として、透明なガラス等の対向部（封止基板５２）に貼り付けられ形成された表示モジュールが該当する。この透明な封止基板５２には、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が設けられてもよい。尚、表示領域１ａが形成された表示モジュールとしての装置基板１には、外部から表示領域１ａ（画素アレイ部）への信号等を入出力するためのフレキシブルプリント基板５３が設けられていても良い。
【０１０４】
≪適用例≫
以上説明した本発明に係る表示装置は、図８〜図１２に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【０１０５】
図８は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。 
【０１０６】
図９は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【０１０７】
図１０は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 
【０１０８】
図１１は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【０１０９】
図１２は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【実施例】
【０１１０】
次に、本発明の具体的な実施例、および実施例に対する比較例として、フルカラー表示装置を構成する各色発光の有機電界発光素子の製造手順を説明し、次にこれらの評価結果を説明する。
【０１１１】
≪実施例≫
表示装置を構成する各色発光素子２１ｒ，２１ｇ，２１ｂを、本発明に基づいて以下のように個別に作製した（図１〜図３参照）。
【０１１２】
＜赤色発光素子２１ｒの作製＞
（工程Ｓ１１）
支持基板３１となるガラス基板の上に、厚さ２００ｎｍのモリブデンからなる光熱変換層３３を通常のスパッタリング法により成膜した。次いで、光熱変換層３３上に、窒化シリコンＳｉＮXからなる酸化保護層３４を１００ｎｍの膜厚でＣＶＤ法によって成膜した。
【０１１３】
次に、赤色転写層３５ｒを塗布形成した。この際、α−ＮＰＤにＢＳＮを３０重量％の比率で混合したものをトルエン中に１重量％の濃度で溶解し、溶液とした。スピンコーターを使用し、前述の光熱変換層、酸化保護層を形成したガラス基板上に滴下し回転数１５００ｒｐｍで回転させて塗膜（赤色転写層３５ｒ）を形成した。
【０１１４】
（工程Ｓ１２）
塗布形成した赤色転写層３５ｒを加熱処理した。赤色転写層３５ｒを構成する主材料としてα−ＮＰＤが用いられており、そのガラス転移温度は９６℃である。このため、加熱処理は、このガラス転移点より高く、融点以下の温度範囲で行われる。そこで窒素ガス中１５０℃において３０分間加熱処理した。
【０１１５】
（工程Ｓ１）
装置基板１となるガラス基板の上に、銀合金層であるＡＰＣ(Ag-Pd-Cu)層（膜厚１２０ｎｍ）、ＩＴＯからなる透明導電層（膜厚１０ｎｍ）をこの順に形成した２層構造の下部電極３を陽極としてパターン形成した。次に下部電極３の周縁を覆う状態で酸化シリコンの絶縁膜５をスパッタリング法により約２μｍの厚さで成膜し、リソグラフィー法により下部電極３を露出させ、画素領域とした。その表面の上に、正孔注入層７として、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを１０ｎｍの膜厚で蒸着した。次に、正孔輸送層９として、α−ＮＰＤを３５ｎｍの膜厚で蒸着した。
【０１１６】
（工程Ｓ２）
成膜された有機層同士が向き合う状態で、上記工程Ｓ１１，Ｓ１２において作製した赤色転写基板３０ｒを装置基板１の上に配置し、真空中で密着させた。両基板は、絶縁膜５の厚さによって、約２μｍの小さな間隙が維持される。この状態で、装置基板１の画素領域に相等する領域に、転写用基板３０ｒの裏側から波長８００ｎｍのレーザ光線を照射することにより、転写用基板３０ｒから赤色転写層３５ｒを熱転写させ、正孔輸送性の赤色発光層１１ｒを形成した。レーザ光線のスポットサイズは、３００μｍ×１０μｍとした。レーザ光線は、該光線の長手寸法に対して直交する方向において走査した。エネルギー密度は、１．８J/cm2とした。
【０１１７】
（工程Ｓ４）
熱転写によって正孔輸送性の赤色発光層１１ｒをパターン形成された装置基板１全体を３０分間、加熱処理する工程を行った。この場合、正孔輸送層９のα−ＮＰＤのガラス転移温度が９６℃であるため、１００℃の設定温度を採用した。
【０１１８】
（工程Ｓ５）
加熱処理の後、電子輸送層１３を成膜した。電子輸送層１３として、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3）を２０ｎｍ程度の膜厚で蒸着成膜した。続いて、電子注入層１７として、ＬｉＦを約０．３ｎｍ（蒸着速度〜０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で蒸着成膜した。次いで、上部電極１９となる陰極としてＭｇＡｇを１０ｎｍの膜厚で蒸着成膜し、赤色発光素子２１ｒを得た。
【０１１９】
＜緑色発光素子２１ｇの作製＞
上記工程Ｓ１１およびＳ１２によって作製する転写用基板３０ｇとして、正孔輸送性の赤色転写層３５ｒを電子輸送性の緑色転写層３５ｇに換えたものを用意した。
【０１２０】
（工程Ｓ１１）
緑色転写層３５ｇの塗布形成においては、ＡＤＮからなるホスト材料に、クマリン６からなる緑色発光性のゲスト材料を５重量％の割合で混合したものをトルエンに対して０．８重量％の濃度で溶解した溶液を作製し、光熱変換層３３および酸化保護層３４が成膜された支持基板３１上に、前記溶液を滴下しスピンコーターを使用して１５００ｒｐｍの回転数で回転させて塗膜（緑色転写層３５ｇ）を形成した。
【０１２１】
（工程Ｓ１２）
塗布形成した緑色転写層３５ｇを加熱処理した。緑色転写層３５ｇを構成する主材料としてＡＤＮが用いられており、そのガラス転移温度は１０６℃である。この加熱処理は、このガラス転移点より高く、融点以下の温度範囲で行われる。そこで窒素ガス中１６０℃において３０分間加熱処理した。
【０１２２】
以上のようにして作製した緑色転写基板３０ｇを用い、工程Ｓ１〜工程Ｓ５を上記赤色発光素子の作製と同様に行い、緑色発光素子２１ｇを得た。尚、工程Ｓ４の加熱処理においては、工程Ｓ１２よりも低温の１００℃での温度設定を採用した。
【０１２３】
＜青色発光素子２１ｂの作製＞
上記工程Ｓ１１およびＳ１２によって作製する転写用基板３０ｂとして、正孔輸送性の赤色転写層３５ｒを電子輸送性の青色転写層３５ｂに換えたものを用意した。
【０１２４】
（工程Ｓ１１）
青色転写層３５ｂの塗布形成においては、ＡＤＮからなるホスト材料に、ＤＰＡＶＢｉからなる青色発光性のゲスト材料を２．５重量％の割合で混合したものをトルエンに対して０．８重量％の濃度で溶解した溶液を作製し、光熱変換層３３および酸化保護層３４が成膜された支持基板３１条に、前記溶液を滴下しスピンコーターを使用して１５００ｒｐｍの回転数で回転させて塗膜（青色転写層３５ｂ）を形成した。
【０１２５】
（工程Ｓ１２）
塗布形成した緑色転写層３５ｂを加熱処理した。青色発光層１１ｂを構成する主材料としてＡＤＮが用いられており、そのガラス転移温度は１０６℃である。この加熱処理は、このガラス転移点より高く、融点以下の温度範囲で行われる。そこで窒素ガス中１６０℃において３０分間加熱処理した。
【０１２６】
以上のようにして作製した青色転写基板３０ｂを用い、工程Ｓ１〜工程Ｓ５を上記赤色発光素子の作製と同様に行い、青色発光素子２１ｂを得た。尚、工程Ｓ４の加熱処理においては、工程Ｓ１２よりも低温の１００℃での温度設定を採用した。
【０１２７】
≪比較例≫
表示装置を構成する各色発光素子を、上述した実施例における工程Ｓ１２の加熱処理と、工程Ｓ４の加熱処理を省略して個別に作製した。
【０１２８】
≪評価結果≫
以上のようにして作製した実施例の各色発光素子および比較例の各色発光素子について、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度を印加した状態で、分光放射輝度計を用いて色度（ＣＩＥ-x，ＣＩＥ-y）および発光効率を測定した。また、実施例と比較例で同色の発光素子が同輝度で発光するように電流印加を設定した状態で寿命試験を行い、１００時間経過後の輝度減少率を測定した。これらの結果を下記表１に示す。
【０１２９】
【表１】
2008235010.tif 000003
【０１３０】
この表１から、赤色発光素子においては、比較例で作製した発光素子に対して、実施例で作製した発光素子は、発光効率が５．９９［Ｃｄ／Ａ］から７．７［Ｃｄ／Ａ］と約３０％の大幅な向上が確認されただけではなく、輝度減少率にみる発光寿命も２８％から１０％の大幅な向上が確認された。
【０１３１】
また、緑色発光素子および青色発光素子においても、比較例で作製した発光素子に対して、実施例で作製した発光素子での発光効率の向上が確認され、輝度減少率にみる発光寿命も大幅に向上することが確認された。
【０１３２】
以上の結果から本発明の方法を適用して表示装置を作製することにより、転写用基板の作製において転写層を塗布成膜した場合であっても、赤色発光素子、緑色発光素子、および青色発光素子の全てにおいて、輝度半減寿命を高く維持した状態で発光効率の向上を図り、フルカラーの表示装置における表示性能を向上させることが可能であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】実施形態の製造手順を示すフローチャートである。
【図２】実施形態において作製する転写用基板の断面図である。
【図３】実施形態の製造方法を示す断面工程図（その１）である。
【図４】実施形態の製造方法を示す断面工程図（その２）である。
【図５】実施形態の製造方法を示す断面工程図（その３）である。
【図６】実施形態の表示装置の回路構成の一例を示す図である。
【図７】本発明が適用される封止された構成のモジュール形状の表示装置を示す構成図である。
【図８】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図９】本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１０】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１１】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１２】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１…装置基板、３…下部電極（陽極）、１１ｒ…赤色発光層、１１ｇ…緑色発光層、１１ｂ…青色発光層、１９…上部電極（陰極）、２１ｒ…赤色発光素子、２１ｇ…緑色発光素子、２１ｂ…青色発光素子、２３…表示装置、３１…支持基板、３３…熱変換層、３５ｒ…赤色転写層、３５ｇ…緑色転写層、３５ｂ…青色転写層
【図１】
2008235010.tif 000004
【図２】
2008235010.tif 000005
【図３】
2008235010.tif 000006
【図４】
2008235010.tif 000007
【図５】
2008235010.tif 000008
【図６】
2008235010.tif 000009
【図７】
2008235010.tif 000010
【図８】
2008235010.tif 000011
【図９】
2008235010.tif 000012
【図１０】
2008235010.tif 000013
【図１１】
2008235010.tif 000014
【図１２】
2008235010.tif 000015