(57)【要約】【課題】回路パターンの描画に必要なアライメントマークを基板の両面に形成するようにする露光描画装置を提供する。【解決手段】露光描画装置（１０）は、感光層が形成された基板（ＣＢ）を基板整合位置に投入する基板投入部（２０）と、この基板整合位置に投入された上記基板を所定の位置に整合する整合部（３０）と、整合部によって整合された基板の第１面及び第２面に対して第１及び第２アライメントマークを形成するマーク形成部（４０）と、第１及び第２アライメントマークに基づいて回路パターンを基板の第１面及び第２面に描画する描画部（６０）と、を備える。【選択図】図２
2008292915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光層が形成された基板を基板整合位置に投入する基板投入部と、
この基板整合位置に投入された上記基板を所定の位置に整合する整合部と、
前記整合部によって整合された基板の第１面及び第２面に対して、第１及び第２アライメントマークを形成するマーク形成部と、
前記第１及び第２アライメントマークに基づいて、回路パターンを前記基板の第１面及び第２面に描画する描画部と、
を備えることを特徴とする露光描画装置。
【請求項２】
前記マーク形成部は、短波長の照明光により前記基板の両面に前記第１及び第２アライメントマークを同時に形成することを特徴とする請求項１に記載の露光描画装置。
【請求項３】
さらに、前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークとの二次元平面の差分情報を記憶する記憶部を備え、
前記描画部は、前記第１アライメントマークに基づいて前記第１面に回路パターンを描画するとともに、前記第２アライメントマーク及び前記差分情報に基づいて前記第２面に回路パターンを描画することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光描画装置。
【請求項４】
前記マーク形成部は二次元平面で移動可能になっており、且つ前記基板を挟んで前記二次元平面に対して交差する方向に移動可能な第１面マーク形成部と第２面マーク形成部とを有していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光描画装置。
【請求項５】
前記マーク形成部は前記第１面マーク形成部の一方のみが短波長の照明光を照射する機構を有していることを特徴とする請求項４に記載の露光描画装置。
【請求項６】
前記描画部は前記基板整合位置と異なる位置で前記基板を移動させるテーブルを有し、
さらに、前記基板整合位置から前記テーブルまで前記基板を搬送する搬送部を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の露光描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路基板、液晶素子用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス素子基板などの平面基板に回路パターンを形成する露光描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面基板に回路パターンを形成する露光描画装置は、従来は転写マスクと被露光体である基板とを接触する接触方式又は接触させない非接触方式の露光装置が主流であった。昨近マスクの管理と保守の面から、特許文献１又は特許文献２に示すように、転写マスクを使わず直接描画光を基板に照射して回路パターンを描画する露光描画装置に対する要求が高まってきている。
【０００３】
この露光描画装置は、転写すべきパターンを描画データとして露光描画装置に送信し、露光描画装置ではこのデータによって描画光を空間光変調素子であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）素子による描画光の制御を行い平面基板に回路パターンを描画する装置である。露光描画装置はマスクを使わないという最大のメリットが享受できる。
【０００４】
特許文献３に示すように、露光描画工程においては、基板に描画する回路パターンの位置を設定するために、露光工程前に予め基板の周辺に小径の孔を開けて、これらの孔をアライメントマークとして露光する回路パターンの位置と姿勢を決定していた。特に電子回路基板は基板の両面に回路パターンを形成することが多く、基板の表裏面でアライメントマークが一致するように、基板を貫通する小径の孔が使用されている。
【特許文献１】特開２００６−１１３４１３
【特許文献２】特開２００６−３４３６８４
【特許文献３】特開２００６−２６７１９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、孔加工において付着した塵及び移動過程中に孔に付着した塵が他の基板に落下したりレジスト塗布等の加工における加熱による孔周辺が変形したりして、高解像度を要求する基板では問題になってきている。
そこで、本発明は、回路パターンの描画に必要なアライメントマークを基板の両面に形成するようにする露光描画装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の観点の露光描画装置は、感光層が形成された基板を基板整合位置に投入する基板投入部と、この基板整合位置に投入された上記基板を所定の位置に整合する整合部と、整合部によって整合された基板の第１面及び第２面に対して、第１及び第２アライメントマークを形成するマーク形成部と、第１及び第２アライメントマークに基づいて、回路パターンを基板の第１面及び第２面に描画する描画部と、を備える。
この構成により、基板の第１面及び第２面を貫通する孔をアライメントマークにすることなく、第１及び第２アライメントマークを形成することができる。したがって孔に付着した塵が他の基板に落下することがない。
【０００７】
第２の観点の露光描画装置において、マーク形成部は短波長の照明光により基板の両面に前記第１及び第２アライメントマークを同時に形成する。
第２の観点の露光描画装置では、短波長の照明光で両面に同時に形成することができる。
【０００８】
第３の観点の露光描画装置はさらに第１アライメントマークと第２アライメントマークとの二次元平面の差分情報を記憶する記憶部を備え、描画部は、第１アライメントマークに基づいて第１面に回路パターンを描画するとともに、第２アライメントマーク及び差分情報に基づいて第２面に回路パターンを描画する。
精密に製作したマーク形成部であっても第１面の第１アライメントマークと第２面の第２アライメントマークとの間には誤差が生じてしまう。しかし、第３の観点の露光描画装置は、その誤差を差分情報として記憶部に記憶しておくことで、回路パターンを描画する際にその差分情報を使い第１面の回路パターンと第２面の回路パターンとを正確に対応付けすることができる。
【０００９】
第４の観点の露光描画装置において、マーク形成部は二次元平面で移動可能になっており、且つ基板を挟んで二次元平面に対して交差する方向に移動可能な第１面マーク形成部と第２面マーク形成部とを有している。
この構成により、第１面マーク形成部及び第２面マーク形成部が基板に近接することができるため、少ない光量且つ短い時間で第１アライメントマーク及び第２アライメントマークを形成することができる。
【００１０】
第５の観点の露光描画装置は、第４の観点において、マーク形成部が第１面マーク形成部の一方のみが短波長の照明光を照射する機構を有している。
この構成により、第１面にしか回路パターンを形成する必要がない基板に対しては第１面のみに第１アライメントマークを形成することができる。
【００１１】
第６の観点の露光描画装置は、描画部が基板整合位置と異なる位置で基板を移動させるテーブルを有し、さらに、基板整合位置からテーブルまで基板を搬送する搬送部を備える。
マーク形成部が基板整合位置と同じ位置でアライメントマークを形成しない場合には、搬送部で基板を移動させればよい。
【発明の効果】
【００１２】
これまで別の工程で形成していたアライメントマークを形成する工程が省け、回路パターン形成工程の直前に、アライメントマークの形成ができ、総合的な工数削減ができる。つまり、本発明の露光描画装置は、予めアライメントマークが一切形成してない第１層を描画する基板においても、直接パターンを描画するためのアライメントマークを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜第１露光描画装置及び第２露光描画装置の概略構成＞
図１は、第１露光描画装置１０及び第２露光描画装置１００を配置した上面図である。
本実施例では、平面基板である被露光基板ＣＢは第１面及び第２面とも露光されるので、第１露光描画装置１０の他に第２露光描画装置１００を並列して配置してある。すなわち、第１露光描画装置１０が被露光基板ＣＢの第１面を露光し、第２露光描画装置１００が被露光基板ＣＢの第２面を露光する。被露光基板ＣＢを第１面から第２面へと反転する反転部７０を使って第１露光描画装置１０のみで被露光基板ＣＢの両面を描画することも可能であるが、被露光基板ＣＢのスループット（時間当たりの生産量）を高めるため第２露光描画装置１００を用意している。
【００１４】
第１露光描画装置１０は、大きく分けて基板投入部２０、整合部３０、マーク形成部４０、第１搬送部５０、第１描画部６０及び待機テーブル７０から構成される。第２露光描画装置１００は、大きく分けて第２搬送部１５０、第２描画部１６０及び搬出テーブル１８０から構成される。
図１の左側からフォトレジストが塗布されている被露光基板ＣＢが搬送されてくる。搬送確認センサーＳＳ１が被露光基板ＣＢを確認する。すると、基板投入部２０の回転ローラ２１（図３を参照）が回転する。基板投入部２０の右端まで被露光基板ＣＢが搬送されると、搬入確認センサーＳＳ２が被露光基板ＣＢを確認する。被露光基板ＣＢが基板投入部２０に完全に搬入されると、回転ローラ２１が停止し被露光基板ＣＢの整合が行われ、次に被露光基板ＣＢの周辺部にアライメントマークＡＭがマーク形成部４０によって形成される。
【００１５】
その後、被露光基板ＣＢは第１搬送部５０によって第１描画部６０の被露光体テーブル６８に載置される。第１描画部６０は被露光基板ＣＢの第１面に回路パターンを描画する。回路パターンの描画が終了した被露光基板ＣＢは、第１搬送部５０で第１面と第２面とを反転させられて待機テーブル７０に搬送される。第１搬送部５０が反転機構を有しない場合には待機テーブル７０が被露光基板ＣＢを第１面から第２面に反転する機構を備えても良い。
【００１６】
次に、被露光基板ＣＢは第２搬送部１５０によって第２描画部６０の被露光体テーブル６８に載置される。第２描画部６０は被露光基板ＣＢの第２面に回路パターンを描画する。回路パターンの描画が終了した被露光基板ＣＢは、第２搬送部１５０によって搬出テーブル１８０に搬送される。その後被露光基板ＣＢは次の工程へ搬送されていく。
【００１７】
図１では、スループットを高めるため第１露光描画装置１０及び第２露光描画装置１００を並行して配置した。スループットより設備導入コストを考慮する場合には、待機テーブル７０から再び第１露光描画装置１０へ被露光基板ＣＢを戻して被露光基板ＣＢの第２面に回路パターンを描画しても良い。また、第１露光描画装置１０と第２露光描画装置１００とは、基板投入部２０、整合部３０及びマーク形成部４０を除いてほぼ同じ構成であるので、以下、第１露光描画装置１０を代表して各構成を説明する。
【００１８】
＜第１露光描画装置の構成＞
図２は、第１露光描画装置１０の斜視図である。図３は、第１露光描画装置１０の正面図（ＸＺ面）である。図４は、第１露光描画装置１０の側面図（ＹＺ面）である。これら図３から図４は、特に基板投入部２０、整合部３０、マーク形成部４０及び第１搬送部５０を中心に描かれている。
【００１９】
基板投入部２０は、複数の回転ローラ２１と回転ローラ２１を回転する不図示の駆動モータとを有している。回転ローラ２１は複数本が平行に敷設され、回転ローラ２１の一端にはベルト又はワイヤーによって伝達される回転力を受けるスプロケット又は滑車が取り付けられる。回転ローラ２１を回転する駆動モータの回転力を伝達する手段としては、ベルト又はワイヤー以外に円筒状のマグネットによる伝達方法も採用できる。また、基板投入部２０は、被露光基板ＣＢの搬入及び到着を確認する搬送確認センサーＳＳ１と搬入確認センサーＳＳ２とを有している。
【００２０】
整合部３０は、整合用エアシリンダ３１を有しており整合プレート３３を上下動させることができる。整合プレート３３には整合ピン３５が取り付けられている。被露光基板ＣＢが搬送されて回転ローラ２１の回転が止まるまで、整合プレート３３は下端に配置されており、回転ローラ２１が停止して被露光基板ＣＢを整合する際に、整合プレート３３は上端に移動する。図３では整合プレート３３が上端に移動した図であり、図４では整合プレート３３が下端に移動した図である。
【００２１】
整合プレート３３が上端に移動すると、整合プレート３３に取り付けられた整合ピン３５が被露光基板ＣＢと当接する高さまで移動する。整合プレート３３は整合ピン３５を水平方向に移動させる水平移動駆動部３４を有しており、整合ピン３５は水平方向に約１００ｍｍ移動可能である。被露光基板ＣＢは例えば６３５ｍｍ＊５３５ｍｍの矩形形状であり、整合ピン３５は被露光基板ＣＢの四辺に沿って配置されている。
【００２２】
マーク形成部４０は、整合ピン３５で整合された被露光基板ＣＢの四辺の第１面に第１アライメントマークＡＭ１を、第２面に第２アライメントマークＡＭ２を形成する。マーク形成部４０の詳細については後述する。
【００２３】
第１搬送部５０は、真空吸着する真空パット５１を複数備えたハンド部５３を有しており、またハンド部５３は上下駆動部５４及び水平駆動部５５を有している。アライメントマークＡＭが形成された被露光基板ＣＢに対して真空パット５１が上から降りてきて真空吸着し、被露光基板ＣＢは吊り上げられる。その後被露光基板ＣＢは水平駆動部５５よって第１描画部６０の被露光体テーブル６８上まで移動される。そして上下駆動部５４が被露光基板ＣＢを被露光体テーブル６８に載置させ真空パット５１の真空吸着が解除される。その際に被露光体テーブル６８の真空吸着が働き、被露光基板ＣＢは被露光体テーブル６８にしっかり固定される。また、第１搬送部５０は被露光基板ＣＢの第１面から第２面へ反転させる反転ロータ５９を有している。図１において、描画部６０から待機テーブル７０に搬送される際に被露光基板ＣＢを第１面から第２面に反転ロータ５９で反転させられる。
【００２４】
＜被露光体の整合とアライメントマーク＞
図５は、基板投入部２０の基板整合位置に投入された被露光基板ＣＢの上面図である。図５から理解されるように、被露光基板ＣＢ各辺に対して２本ずつの整合ビン３５が設けられている。一辺を位置決めするには２本ずつの整合ピンが好ましい。そして整合ビン３５は矢印３９のように、被露光基板ＣＢの四辺に対して、点線で描かれた位置から実線で描かれた位置まで移動する。これにより被露光基板ＣＢの整合が終わり、整合ビン３５が実線で描かれた位置から点線で描かれた位置まで戻る。
【００２５】
そして、４箇所に配置されたマーク形成部４０が退避位置から被露光基板ＣＢの周辺位置に移動する。４つのマーク形成部４０は被露光基板ＣＢの各辺に１又は複数のアライメントマークＡＭを短波長光によって露光して形成する。マーク形成部４０はスループットの向上のため被露光基板ＣＢの第１面と第２面とを同時に露光することが好ましい。また、アライメントマークＡＭは、φ０．５ｍｍからφ１ｍｍ程度の円形とか十字形とかのマーク形状でよく、図５においては第１面の一辺にφ１ｍｍの４つの円形のアライメントマークＡＭが形成されている。
【００２６】
＜マーク形成部＞
図６は１つのマーク形成部４０を示したもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図を示している。
マーク形成部４０は被露光基板ＣＢの第１面に第１アライメントマークＡＭ１を形成する第１ヘッド４１Ｕと第２面に第２アライメントマークＡＭ２を形成する第２ヘッド４１Ｄとを有する。
【００２７】
第１ヘッド４１Ｕは第１ヘッド用エアシリンダ４２Ｕで第１スライドガイド４４に沿って上下に移動する。また、第２ヘッド４１Ｄは第２ヘッド用エアシリンダ４２Ｄで第１スライドガイド４４に沿って上下に移動する。第１ヘッド４１Ｕと第２ヘッド４１Ｄとのスライドガイドを共用することで、コストを下げるとともに２つの位置決め精度を向上させている。
【００２８】
また、第１ヘッド４１Ｕ及び第２ヘッド４１Ｄはスライドテーブル４５に載置されており、スライドテーブル４５はテーブル用エアシリンダ４６で水平方向に第２スライドガイド４８に沿って移動可能である。なお、図６には図示されていないが、マーク形成部４０は第２スライドガイド４８と直交する第３スライドガイドを有しており、スライドテーブル４５を第２スライドガイド４８と直交する方向へ移動させることが可能となっている。
【００２９】
マーク形成部４０は、被露光基板ＣＢが整合された後に第１ヘッド４１Ｕと第２ヘッド４１Ｄとを上下に開いた状態で被露光基板ＣＢに近づいていく。そしてマーク形成部４０が第１及び第２アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２を形成する所定位置に到達したら、第１ヘッド４１Ｕと第２ヘッド４１Ｄとは閉じるように被露光基板ＣＢに近づき、マーク形成部４０は第１ヘッド４１Ｕと第２ヘッド４１Ｄから短波長の光を照射する。第１及び第２アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２を形成した後は逆の動作をして元の位置に復帰する。
【００３０】
本実施例では、第１ヘッド４１Ｕ及び第２ヘッド４１Ｄは、オンオフの制御が容易な波長３６５ｎｍの光を発光するＬＥＤ光源（ＬＥＤ１及びＬＥＤ２（図７参照））を有している。しかし、第１ヘッド４１Ｕ及び第２ヘッド４１Ｄの光源として、超高圧水銀ランプなどで短波長光を光ファイバーで導光してもよい。
【００３１】
また、被露光基板ＣＢの中には両面に回路パターンを描画する必要がなく片面のみに回路パターンを描画するものも含まれる。このような場合には、第１ヘッド４１Ｕのみが第１ヘッド用エアシリンダ４２Ｕで上下に移動するような制御をしてもよい。また、第１ヘッド４１Ｕ又は第２ヘッド４１Ｄの光源の光強度が強ければ、第１ヘッド４１Ｕと第２ヘッド４１Ｄとを被露光基板ＣＢに近接させる必要はなく、第１スライドガイド４４、第２ヘッド用エアシリンダ４２Ｄ及び第１スライドガイド４４を設ける必要はない。
【００３２】
図７は、マーク形成部４０の第１ヘッド４１Ｕ及び第２ヘッド４１Ｄの拡大図である。図７では第１ヘッド４１ＵのＬＥＤ１及び第２ヘッド４１ＤのＬＥＤ２の誤差を大きく描いている。
【００３３】
アライメントマークＡＭは、描画部６０が被露光基板ＣＢに回路パターンを描画する際の基準となる。このため、被露光基板ＣＢの第１面と第２面とに回路パターンを描画する際の基準であり、第１面の第１アライメントマークＡＭ１と第２面の第２アライメントマークＡＭ２とが一致していなければ、第１面の回路パターンと第２面の回路パターンとが一致しなくなる。そのため、第１ヘッド４１Ｕ又は第２ヘッド４１Ｄを精密に製作する必要がある。しかし、精密に製作しても多少の差分（誤差）が生じてしまう。そこで、本実施例ではその多少の差分情報を記憶部９２（図９参照）に記憶するようにする。
【００３４】
第１ヘッド４１Ｕの光源ＬＥＤ１と第２ヘッド４１Ｄの光源ＬＥＤ２とは、Ｘ方向にΔＸの差分が存在しＹ方向にΔＹの差分が存在している。そして実際にテスト用基板ＴＥＳに光源ＬＥＤ１と光源ＬＥＤ２とを使って第１及び第２アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２を形成して顕微鏡などの計測手段でその差分を計測する。その差分情報は記憶部９２に記憶される。描画部６０がアライメントマークＡＭに基づいて回路パターンを形成する際に、この差分情報を考慮して描画する。
【００３５】
＜描画部の構成＞
図８は、描画部６０を示す概略斜視図である。描画部６０は、大別して、照明光学系６１と、空間光変調部６５と、投影光学系６７と、被露光体テーブル６８とを有している。本実施形態では、大きな面積の被露光基板ＣＢを露光することができるように、２系統の照明光学系を備える構成をとることもある。描画部６０の２つの第１照明光学系６１−１及び６１−２は、高圧水銀ランプ（不図示）を有している。
【００３６】
反射光学素子６２−１及び反射光学素子６２−２によって８つに分岐された露光光ＩＬは、全反射ミラー６３−１ないし全反射ミラー６３−８によってＹ方向に反射される。全反射ミラー６３−１ないし全反射ミラー６３−８で反射された露光光ＩＬは、８つの第２照明光学系６５−１ないし第２照明光学系６４−８に入射する。
【００３７】
第２照明光学系６４−１ないし第２照明光学系６４−８に入射した露光光ＩＬは、適切な光量及び光束形状に成形されて、空間光変調素子である１列に並んだ８つのＤＭＤ素子６５−１ないしＤＭＤ素子６５−８に照射される。ＤＭＤ素子６５−１ないしＤＭＤ素子６５−８は、供給される画像データにより露光光ＩＬを空間変調する。ＤＭＤ素子６５−１ないしＤＭＤ素子６５−８で変調された光束は、投影光学系６７−１ないし投影光学系６７−８を経由して所定の倍率にしてから被露光基板ＣＢに照射される。ＤＭＤ素子６５−１は、回路パターンの信号に基づいて、例えば１０２４×１２８０のマトリクス状に配列された１３１０７２０個のマイクロミラーＭをオンオフ駆動する。
【００３８】
この描画部６０は、３つのアライメント検出系ＡＣ１、アライメント検出系ＡＣ２及びアライメント検出系ＡＣ３（アライメント検出系ＡＣ３は不図示）を有している。アライメント検出系ＡＣは被露光基板ＣＢに形成されたアライメントマークＡＭを検出する。描画部６０は、アライメントマークＡＭの検出結果から、回路パターンの信号に基づいてマイクロミラーＭのオンオフ駆動を補正している。
【００３９】
描画部６０は、投影光学系６７のＺ方向下側に、第１照明光学系６１、第２照明光学系６４及び投影光学系６７などを支える筐体６９を備える。筐体６９上には一対のガイドレールが配置され、それらガイドレール上には被露光体テーブル６８が搭載される。この被露光体テーブル６８は、例えばステッピングモータ等により駆動させられる。これにより被露光体テーブル６８は、一対のガイドレールに沿ってそれらの長手方向であるＹ方向に、投影光学系６７に対して相対移動する。被露光体テーブル６８上には基板整合位置から搬送された被露光基板ＣＢが設置され、この被露光基板ＣＢは、被露光体テーブル６８上で真空吸着によって固定される。被露光体テーブル６８はＸ方向にも移動でき、また投影光学系６７の焦点位置にも移動可能なようにＺ方向にも移動可能に構成されている。
【００４０】
描画部６０は、被露光基板ＣＢに描画する際に高圧水銀ランプを使った光源の他に短波長のＬＥＤ光源又は短波長のレーザー光を使ってもよく、また。ミラー及びレンズからなる第１照明光学系６１及び第２照明光学系６４の代わりに光ファイバーを使ってもよい。
【００４１】
＜第１露光描画装置の描画のためのブロック構成＞
図９は、第１露光描画装置１０の主要な構成のブロック図である。図９を使って、特にアライメントマークＡＭに基づいて被露光基板ＣＢに回路パターンの描画に関して説明する。
主制御部９０は、基板投入部２０、整合部３０、マーク形成部４０、第１搬送部５０及び第１描画部６０と接続しており、互いに信号のやり取りを行っている。
【００４２】
主制御部９０は、予めテスト用基板ＴＥＳに形成された第１及び第２アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２の差分情報を記憶したアライメントマーク差分記憶部９２を有しており、また、回路パターンを描画するための描画データを記憶した描画データ記憶部９３を有している。主制御部９０は、さらにアライメント検出系ＡＣから各被露光基板ＣＢのアライメントマークＡＭの位置情報を得ている。演算部５１は、アライメントマークＡＭの位置情報、第１及び第２アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２の差分情報、及び描画データに基づいて、ＤＭＤ素子６５の各マイクロミラーＭを駆動し、被露光体テーブル６８に載置された被露光基板ＣＢに描画する。なお、第１面のアライメントマーク基準で描画するのであれば、演算部５１は第１及び第２アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２の差分情報を使用することなく、アライメントマークＡＭの位置情報及び描画データに基づいて、ＤＭＤ素子６５の各マイクロミラーＭを駆動する。第１及び第２アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２の差分情報は第２面において使用される。
【００４３】
＜第１露光描画装置及び第２露光描画装置の動作＞
図１０は、第１露光描画装置１０の動作のフローチャートである。
ステップＲ１１では、センサーＳＳ１は外部から基板投入部２０に被露光基板ＣＢが搬入されたことを確認する。
【００４４】
ステップＲ１２では、回転ローラ２１を回転させて、被露光基板ＣＢを基板投入部２０の基板整合位置まで搬送する。
ステップＲ１３では、基板が基板整合位置まできたことをセンサーＳＳ２が確認すると、ステップＲ１４で、回転ローラ２１の回転が停止する。
次にステップＲ１５では、整合部３０の整合ピン３５が整合用エアシリンダ３１によって上昇し、整合ピン３５が被露光基板ＣＢの四辺の外周に当接して、整合位置に被露光基板ＣＢを移動させる。
【００４５】
ステップＲ１６では、マーク形成部４０が待機位置から被露光基板ＣＢの外周に沿って水平方向に移動し、アライメントマークＡＭの形成位置に移動する。
ステップＲ１７では、マーク形成部４０の第１ヘッド４１Ｕ及び第２ヘッド４１Ｄが被露光基板ＣＢを挟むように上下に移動し、アライメントマークＡＭを形成するに最適な位置へ移動する。
ステップＲ１８では、光源ＬＥＤ１及び光源ＬＥＤ２が点灯し、被露光基板ＣＢの第１面及び第２面に同時に第１及び第２アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２を形成する。
ステップＲ１９では、上下ヘッド４１が元の位置に戻ってそれらの間隔が広がり、マーク形成部４０が待機位置に戻る。
【００４６】
ステップＲ２０では、第１搬送部５０が被露光基板ＣＢを真空吸着し、被露光体テーブル６８へ搬送し被露光基板ＣＢの真空吸着を解除する。そして被露光体テーブル６８は被露光基板ＣＢを真空吸着する。
ステップＲ２１では、アライメント検出系ＡＣが被露光基板ＣＢの第１面の第１アライメントマークＡＭ１を観察する。そして被露光基板ＣＢの第１アライメントマークＡＭ１に基づいて、被露光基板ＣＢに回路パターンをＤＭＤ６５で描画する。
【００４７】
ステップＲ２２では、第１搬送部５０により被露光基板ＣＢを待機テーブル７０へ移動させ、第１搬送部５０の反転ロータ５９又は待機テーブル７０が被露光基板ＣＢを反転させる。これによって被露光基板ＣＢの第２面の描画準備が完了する。
ステップＲ２３では、第２搬送部１５０が被露光基板ＣＢを吸着し、第２被露光体テーブル１６８へ搬送し被露光基板ＣＢの真空吸着を解除する。そして第２被露光体テーブル１６８は被露光基板ＣＢを真空吸着する。
【００４８】
ステップＲ２４では、第２描画部１６０のアライメント検出系ＡＣは第２面の第２アライメントマークＡＭ２を観察する。そして被露光基板ＣＢの第２アライメントマークＡＭ２及び第１アライメントマークＡＭ１と第２アライメントマークＡＭ２との差分位置に基づいて、被露光基板ＣＢに回路パターンを描画部１６０で描画する。第２面の回路パターンの描画に際しては、第１アライメントマークＡＭ１と第２アライメントマークＡＭ２との差分位置が考慮されているから、第１面の回路パターンと第２面の回路パターンとが正確に対応付けられて描画されている。
ステップＲ２５では、第２搬送部１５０が第１面及び第２面の描画が終了した被露光基板ＣＢを吸着し、搬出テーブル１８０へ搬送する。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本実施例では、整合部３０及びマーク形成部４０が被露光体テーブル６８とは別の位置に設けられていたが、被露光体テーブル６８の周囲に設けても良い。このようにすれば第１露光描画装置１０の設置面積を小さくすることができる。しかし、被露光基板ＣＢの待機位置がなくなりスループットが落ちる可能性がある。
【００５０】
また、本実施例では第１面の第１アライメントマークＡＭ１と第２面の第２アライメントマークＡＭ２を形成するマーク形成部４０を設けていたが、第１アライメントマークＡＭ１のみを形成するマーク検出部と第２アライメントマークＡＭ２のみを形成するマーク検出部とを別々にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】第１露光描画装置１０及び第２露光描画装置１００を配置した上面図である。
【図２】第１露光描画装置１０の斜視図である。
【図３】第１露光描画装置１０の正面図（ＸＺ面）である。
【図４】第１露光描画装置１０の側面図（ＹＺ面）である。
【図５】基板投入部２０の基板整合位置に投入された被露光基板ＣＢの上面図である。
【図６】１つのマーク形成部４０を示したものである。（ａ）は上面図，（ｂ）は側面図，（ｃ）は正面図を示している。
【図７】マーク形成部４０の第１ヘッド４１Ｕ及び第２ヘッド４１Ｄの拡大図である。
【図８】描画部６０を示す概略斜視図である。
【図９】第１露光描画装置１０の主要な構成のブロック図である。
【図１０】第１露光描画装置１０の動作のフローチャートである。
【符号の説明】
【００５２】
１０  …  第１露光描画装置，  １００  …  第２露光描画装置
２０  …  基板投入部
３０  …  整合部，  ３１  …  整合用エアシリンダ，  ３３  …  整合プレート，  ３５  …  整合ピン
４０  …  マーク形成部，  ４１Ｕ  …  第１ヘッド，  ４１Ｄ  …  第２ヘッド
５０  …  第１搬送部，  １５０  …  第２搬送部
６０  …  第１描画部，  １６０  …  第２描画部
６１  …  １照明光学系，  ６２  …  全反射ミラー，  ６５  …  ＤＭＤ素子，
６７  …  第２照明光学系  
７０  …  待機テーブル
ＡＣ  …  アライメント検出系
ＡＭ  …  アライメントマーク
ＣＢ  …  被露光体
ＳＳ１  …  搬送確認センサーＳＳ１，  ＳＳ２  …  搬入確認センサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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