(57)【要約】【課題】従来に比べて小形化を図ることができるとともに、従来に比べて製造コストの削減を図ることのできるサーミスタ素子及びサーミスタ素子の製造方法を提供する。【解決手段】サーミスタ素子１００は、サーミスタ組成物から板状に形成されたサーミスタ本体１を具備しており、このサーミスタ本体１の対向する位置の２つの面には、外側に露出するように１対のガス不透過性の電極２，３が形成されている。サーミスタ本体１のガス不透過性の電極２，３が形成された面以外の面、つまり、サーミスタ本体１の４つの側面には、これらの側面を覆う耐還元性の皮膜４が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーミスタ組成物から板状に形成されたサーミスタ本体と、
前記サーミスタ本体の対向する位置の２つの面に外側に露出するように夫々設けられた１対のガス不透過性の電極と、
前記サーミスタ本体の前記電極が形成された面以外の面を覆う耐還元性の皮膜と
を具備したことを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項２】
請求項１記載のサーミスタ素子であって、
前記皮膜が、ガラス又は無機セラミックからなることを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項３】
請求項１項記載のサーミスタ素子であって、
前記皮膜は、前記サーミスタ本体に含まれる金属元素のうちの少なくとも１種の金属元素を含む酸化物からなることを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項４】
請求項３項記載のサーミスタ素子であって、
前記サーミスタ本体は、導電性を有し、結晶構造がペロブスカイト型であるペロブスカイト相を含み、
前記皮膜は、前記ペロブスカイト相をＡＢＯ3と表記した場合において、Ａサイトに位置する金属元素のうちの少なくとも１種の金属元素と、Ｂサイトに位置する金属元素のうちの少なくとも１種の金属元素と、を含む複酸化物からなることを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載のサーミスタ素子であって、
前記電極が、Ｐｔ又Ｐｔを主成分とする金属からなることを特徴とするサーミスタ素子。
【請求項６】
サーミスタ組成物から板状に形成されたサーミスタ本体と、
前記サーミスタ本体の対向する位置の２つの面に外側に露出するように夫々設けられた１対のガス不透過性の電極と、
前記サーミスタ本体の前記電極が形成された面以外の面を覆う耐還元性の皮膜と
を具備したサーミスタ素子の製造方法であって、
焼成により前記サーミスタ本体となる未焼成サーミスタ本体成形体の表面に、焼成により前記電極となる未焼成電極体を形成する工程と、
同時焼成により、前記サーミスタ本体を形成すると共に前記電極を形成する焼成工程とを具備したことを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のサーミスタ素子の製造方法であって、
前記未焼成サーミスタ本体成形体の前記未焼成電極体が形成された面以外の面に、焼成により前記耐還元性の皮膜となる未焼成皮膜を形成する工程を具備し、
前記焼成工程で前記耐還元性の皮膜も同時に形成することを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載のサーミスタ素子の製造方法であって、
前記未焼成電極体は、平均粒径が１０μｍ以下、最大粒径が３０μｍ以下のＰｔ粒子と溶剤とバインダーとを含むペーストから形成することを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度によって抵抗値が変化するサーミスタ素子及びサーミスタ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えばＤＰＦ、ＮＯｘ触媒、ＥＧＲクーラー等の自動車排ガス浄化システムを制御するための温度センサ、燃焼器具の温度センサ等に、温度によって抵抗値が変化するサーミスタ素子が用いられている。このようなサーミスタ素子では、サーミスタ組成物から板状に形成されたサーミスタ本体の対向する位置の２つの面に１対の電極を設け、これらの電極にリード線を接続し、サーミスタ本体、電極の表面及びリード線の一部を皮膜で覆った構成のものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、例えば上記した自動車排ガス浄化システムを制御するための温度センサ等に用いられるサーミスタ素子では、高温の還元性雰囲気に晒されることから、上記した被膜として、耐還元性組成物からなる耐還元性の皮膜を用いたものが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００６−５４２５８号公報
【特許文献２】特開平１１−２５１１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したように、従来のサーミスタ素子では、サーミスタ本体及びこのサーミスタ本体に形成された電極の表面を皮膜で覆った構造となっている。このような皮膜を形成する場合、例えば、ディップ法等によって皮膜となる皮膜材ペーストを塗布し、乾燥、焼成等を行っており、皮膜による保護機能を確保するため、皮膜の厚さもある程度厚くされている。このため、サーミスタ素子全体の大きさが大形化するという課題と、皮膜材の量が多くなり製造コストが高くなるという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。本発明は、従来に比べて小形化を図ることができるとともに、従来に比べて製造コストの削減を図ることのできるサーミスタ素子及びサーミスタ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のサーミスタ素子は、サーミスタ組成物から板状に形成されたサーミスタ本体と、前記サーミスタ本体の対向する位置の２つの面に外側に露出するように夫々設けられた１対のガス不透過性の電極と、前記サーミスタ本体の前記電極が形成された面以外の面を覆う耐還元性の皮膜とを具備したことを特徴とする。
【０００７】
上記構成のサーミスタ素子では、ガス不透過性の電極が、電極として作用するとともに、ガス不透過性であるため、耐還元性の皮膜と同様にサーミスタ本体を還元性雰囲気から保護するように作用する。そして、電極を覆うように、耐還元性の皮膜が設けられておらず、電極は外側に露出した状態となっている。このため、電極上に別途耐還元性の皮膜を設けた場合に比べて、小形化を図ることができるとともに、製造コストの削減を図ることができる。
【０００８】
上記のサーミスタ素子では、耐還元性の皮膜として、ガラス又は無機セラミックを用いることができる。また、耐還元性の皮膜を、サーミスタ本体に含まれる金属元素のうちの少なくとも１種の金属元素を含む酸化物から構成することもできる。このようにすれば、サーミスタ本体と耐還元性の皮膜との密着性を高めることができるとともに、耐還元性の皮膜からサーミスタ本体に異種の金属が拡散し、サーミスタ素子の特性が変動してしまうことを抑制できる。
【０００９】
さらに、サーミスタ本体が、導電性を有し、結晶構造がペロブスカイト型であるペロブスカイト相を含む場合、耐還元性の皮膜を、ペロブスカイト相をＡＢＯ3と表記した場合において、Ａサイトに位置する金属元素のうちの少なくとも１種の金属元素と、Ｂサイトに位置する金属元素のうちの少なくとも１種の金属元素と、を含む複酸化物から構成することができる。このような構成とすれば、さらにサーミスタ本体と耐還元性の皮膜との密着性を高めることができるとともに、耐還元性の皮膜からサーミスタ本体に異種の金属が拡散し、サーミスタ素子の特性が変動してしまうことを抑制できる。
【００１０】
上記のサーミスタ素子では、ガス不透過性の電極を、Ｐｔ又Ｐｔを主成分とする金属から構成することができる。
【００１１】
本発明のサーミスタ素子の製造方法は、サーミスタ組成物から板状に形成されたサーミスタ本体と、前記サーミスタ本体の対向する位置の２つの面に外側に露出するように夫々設けられた１対のガス不透過性の電極と、前記サーミスタ本体の前記電極が形成された面以外の面を覆う耐還元性の皮膜とを具備したサーミスタ素子の製造方法であって、焼成により前記サーミスタ本体となる未焼成サーミスタ本体成形体の表面に、焼成により前記電極となる未焼成電極体を形成する工程と、同時焼成により、前記サーミスタ本体を形成すると共に前記電極を形成する焼成工程とを具備したことを特徴とする。
【００１２】
本発明のサーミスタ素子の製造方法では、同時焼成により、サーミスタ本体と電極とを形成することにより、より効率的にサーミスタ素子を製造することができる。
【００１３】
上記のサーミスタ素子の製造方法では、さらに、前記未焼成サーミスタ本体成形体の前記未焼成電極体が形成された面以外の面に、焼成により前記耐還元性の皮膜となる未焼成皮膜を形成する工程を具備し、前記焼成工程で前記耐還元性の皮膜も同時に形成する構成とすることができる。これによって、さらに効率的にサーミスタ素子を製造することができる。
【００１４】
また、上記のサーミスタ素子の製造方法では、前記未焼成電極体は、平均粒径が１０μｍ以下、最大粒径が３０μｍ以下のＰｔ粒子と溶剤とバインダーとを含むペーストから形成することができる。このような粒径のＰｔ粒子を用いることによって、緻密性の高い電極を形成しガス不透過性を確保することによって、還元性雰囲気に起因するサーミスタ素子の特性の変動を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、従来に比べて小形化を図ることができるとともに、従来に比べて製造コストの削減を図ることのできるサーミスタ素子及びサーミスタ素子の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の詳細を、実施形態について図面を参照して説明する。図１，２は、本発明の一実施形態にかかるサーミスタ素子１００の構成を模式的に示すものであり、図１は全体構成を示す斜視図、図２は図１の一点鎖線に沿ったＡ−Ａ断面構成を模式的に示すものである。サーミスタ素子１００は、サーミスタ組成物から板状に形成されたサーミスタ本体１を具備しており、このサーミスタ本体１の対向する位置の２つの面には、外側に露出するように１対のガス不透過性の電極２，３が形成されている。
【００１７】
また、サーミスタ本体１のガス不透過性の電極２，３が形成された面以外の面、つまり、図１においてサーミスタ本体１の４つの側面には、これらの側面を覆う耐還元性の皮膜４が設けられている。また、ガス不透過性の電極２，３には、夫々リード電極５，６が接続されている。
【００１８】
上記構成の本実施形態のサーミスタ素子１００では、ガス不透過性の電極２，３が、電極として作用するとともに、耐還元性の皮膜４と同様に、サーミスタ本体１を還元性雰囲気から保護するための保護膜として作用するようになっている。つまり、電極２，３が、ポーラス状等の物理的にガスを透過する構造ではなく、物理的にガスを透過させない緻密な構造となっているため、この電極２，３を還元性のガスが透過してサーミスタ本体１に作用しない構造となっている。そして、電極２，３及びリード電極５，６の一部を覆うように、耐還元性の皮膜は設けられておらず、電極２，３は外側に露出した状態となっている。このため、電極２，３上に別途耐還元性の皮膜を設けた場合に比べて、小形化を図ることができるとともに、製造コストの削減を図ることができる。
【００１９】
次に、上記構成のサーミスタ素子１００の製造方法について説明する。なお、以下では、主としてペロブスカイト相と金属酸化物相の２相からなるサーミスタ素子について説明する。
【００２０】
まず、ペロブスカイト相用の仮焼粉末を以下のようにして得る。すなわち、原料粉末として、Ｙ2Ｏ3，ＳｒＣＯ3，ＭｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3（全て純度９９％以上の市販品を用いた。）を用いて、化学式（組成式）を（Ｙ，Ｓｒ）（Ｍｎ，Ｃｒ，Ａｌ）Ｏ3となるように、それぞれ秤量し、これらの原料粉末を湿式混合して乾燥することにより、ペロブスカイト相用の原料粉末混合物を調整した。
【００２１】
次いで、この原料粉末混合物を大気雰囲気下１４５０℃で２時間仮焼し、ペロブスカイト相用の仮焼粉末を得た。上記ペロブスカイト相用の仮焼粉末は、実施例１，２，４、比較例１，２に用い、実施例３に用いるため、同様にしてペロブスカイトの組成として、（Ｙ，Ｓｒ）（Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ）Ｏ3となるようにしたペロブスカイト相用の仮焼粉末を得た。なお、ペロブスカイトの組成としては、上記の他、例えば（Ｙ，Ｓｒ）（Ｍｎ，Ａｌ，Ｆｅ）Ｏ3、（Ｙ，Ｃａ）（Ｍｎ，Ｃｒ）Ｏ3等が挙げられる。
【００２２】
一方、金属酸化物相用の仮焼粉末を以下のようにして得た。即ち、原料粉末として、ＳｒＣＯ3，Ａｌ2Ｏ3（全て純度９９％以上の市販品を用いた。）を用いて、化学式（組成式）ＳｒＡｌ2Ｏ4となるように、それぞれ秤量し、これらの原料粉末を湿式混合して乾燥することにより、金属酸化物相用の原料粉末混合物を調整した。次いで、この原料粉末混合物を大気雰囲気下１２５０℃で２時間仮焼し、金属酸化物相用の仮焼粉末を得た。なお、金属酸化物の組成としては、上述のＳｒＡｌ2Ｏ4に限定されず、例えばＹ3Ａｌ5Ｏ12等としてもよい。
【００２３】
ついで、ペロブスカイト相用の仮焼粉末と金属酸化物相用の仮焼粉末とを秤量し、これらの仮焼粉末を、湿式混合粉砕した。この際、溶剤を４０質量部（仮焼粉末全量に対し）、分散材を０．５質量部添加した。そして、得られたスラリーに対し、ポリビニルブチラールを主成分とするバインダーを１０質量部（仮焼粉末全量に対し）、可塑剤としてＤＯＰを５質量部添加し、混合した。なお、使用しうるバインダーとしては、上述のポリビニルブチラールに限定されず、例えばポリビニルアルコール、アクリル系バインダー、セルロース系バインダー等が挙げられる。また、可塑剤に関しても、上述のＤＯＰに限定されず、例えばＤＢＰ等が挙げられる。
【００２４】
得られたスラリーは、ドクターブレード法によりシート成形を行い、サーミスタ合成粉末のグリーンシートを作製する。得られたグリーンシートは、適当な厚みとなるように積層する（シートの厚みによっては省略可能）。
【００２５】
その後、上記のシート表裏面に、ガス不透過性の電極となるＰｔペーストを印刷し、所定の寸法に切断することによって、両面に未焼成電極体を形成した構造の未焼成サーミスタ本体成形体を得た。次に、大気中１４５０〜１５５０℃で、未焼成電極体と未焼成サーミスタ本体成形体を同時焼成することにより、サーミスタ本体及び電極の焼結体を得た。上記のＰｔペーストは、例えば、Ｐｔ粉末７０質量％、溶剤としてのＢＣ（ブチルカルビトール）２８質量％、エチルセルロース系バインダー２質量％からなる。このＰｔ粉末として、実施例１では、平均粒径（ｄ５０）が１μｍ、最大粒径が３０μｍ以下のＰｔ粉末を用いた。また、実施例２，４、比較例１では、平均粒径（ｄ５０）が３μｍ、最大粒径が３０μｍ以下のＰｔ粉末を用いた。また、実施例３では、平均粒径（ｄ５０）が８μｍ、最大粒径が３０μｍ以下のＰｔ粉末を用いた。さらに、比較例２では、平均粒径（ｄ５０）が１５μｍ、最大粒径が３０μｍ以下のＰｔ粉末を用いた。
【００２６】
なお、上記の溶剤としては、上記したものの他、例えば、ターピネオール、ＢＣＡ（ブチルカルビトールアセテート）等を用いることができる。また、上記のバインダーとしては、上記したものの他、例えば、ポリビニルブチラール系バインダー、アクリル系バインダー等を用いることができる。
【００２７】
次いで、電極面と直交する他の４面に耐還元性の皮膜を形成する。実施例１，３、比較例２では、耐還元性の皮膜は、ＳｒＡｌ2Ｏ4皮膜からなる。つまり、前述したペロブスカイト相（Ｙ，Ｓｒ）（Ｍｎ，Ｃｒ，Ａｌ）Ｏ3のＡサイトに含まれるＳｒとＢサイトに含まれるＡｌを含む複酸化物からなる。この場合、ＳｒＡｌ2Ｏ4粉末にバインダーと分散媒を添加して混練することにより得られるペーストを側面印刷により塗布する。その後、適切な温度にて焼付けを行い、サーミスタ本体に固着する。また、実施例２では、耐還元性の皮膜はＹ3Ａｌ5Ｏ12からなる。この場合、前述したペロブスカイト相（Ｙ，Ｓｒ）（Ｍｎ，Ｃｒ，Ａｌ）Ｏ3のＡサイトに含まれるＹとＢサイトに含まれるＡｌを含む複酸化物からなる。上記のように、耐還元性の皮膜が酸化物からなる場合、前述したシートに、ガス不透過性の電極となるＰｔペーストを塗布した後、耐還元性の皮膜となるペーストを側面印刷して、これらを同時焼成することもできる。なお、実施例４では、耐還元性の皮膜は、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラスからなり、比較例１では、耐還元性の皮膜が形成されていない。
【００２８】
以上のようにして、対向する１組の面にはＰｔからなる電極が形成され、他の直交する４面は耐還元性の皮膜により保護された実施例１〜４のサーミスタ素子、及び比較例２のサーミスタ素子と、対向する１組の面にはＰｔからなる電極が形成され、他の直交する４面は耐還元性の皮膜が形成されていない比較例１のサーミスタ素子とを形成した。
【００２９】
その後、Ｐｔペースト、溶接、ワイヤーボンディング等により、電極にＰｔリード線を取り付ける。そして、作製したサーミスタ素子を、絶対温度Ｔ（−４０）＝２３３Ｋ（＝−４０℃）の環境下に放置し、その状態でのサーミスタ素子の初期抵抗値Ｒ（−４０）を測定した。ついで、サーミスタ素子を絶対温度Ｔ（９００）＝１１７３Ｋ（＝９００℃）の環境下に放置し、その状態でのサーミスタ素子の初期抵抗値Ｒ（９００）を測定した。そして、温度勾配定数（Ｂ定数）であるＢ（−４０〜９００）を、下記（１）式により算出し、初期抵抗値Ｒ（−４０）、Ｒ（９００）の測定値と共に、表１に示した。
Ｂ（−４０〜９００）＝ｌｎ［Ｒ（９００）／Ｒ（−４０）］
／［１／Ｔ（９００）−１／Ｔ（−４０）］    （１）
【００３０】
なお、実施例３については、Ｂ定数としてＢ（−４０〜９００）ではなく、Ｂ（１００〜９００）を測定した。この測定にあたっては、実施例３のサーミスタ素子を絶対温度Ｔ（１００）＝３７３Ｋ（＝１００℃）の環境下に放置し、その状態でのサーミスタ素子の初期抵抗値Ｒ（１００）を測定した。ついで、このサーミスタ素子の初期抵抗値Ｒ（９００）を上記した手順により測定した。そして、Ｂ定数であるＢ（１００〜９００）を、上記（１）式のＲ（−４０）の項をＲ（１００）に置き換えて算出した。その結果を表１に示した。また、実施例４については、Ｂ定数としてＢ（−４０〜９００）ではなく、Ｂ（−４０〜６００）を測定した。この測定にあたっては、実施例４のサーミスタ素子を絶対温度Ｔ（−４０）＝２３３Ｋ（＝−４０℃）の環境下に放置し、その状態でのサーミスタ素子の初期抵抗値Ｒ（−４０）を測定した。ついで、このサーミスタ素子を、絶対温度Ｔ（６００）＝８７３Ｋ（＝６００℃）の環境下に放置し、その状態でのサーミスタ素子の初期抵抗値Ｒ（６００）を測定した。そして、Ｂ定数であるＢ（−４０〜６００）を、上記（１）式のＲ（９００）の項をＲ（６００）に置き換えて算出した。その結果を表１に示した。
【００３１】
さらに、作製したサーミスタ素子を、金属管内にサーミスタ素子を封入する構造を有する公知の温度センサに組み込み、この温度センサの状態でのサーミスタ素子の初期抵抗値Ｒ（１００）、Ｒ（３００）、Ｒ（６００）、Ｒ（９００）を測定した。ついで、温度センサを大気中１０５０℃で１５０時間熱処理し、上記と同様にして耐久後抵抗値Ｒｔ（１００）、Ｒｔ（３００）、Ｒｔ（６００）、Ｒｔ（９００）を測定した。その上で、９００℃における初期抵抗値Ｒ（９００）と耐久後抵抗値Ｒｔ（９００）との比較から、熱処理による抵抗変化の温度変化換算値ＣＴ（９００）（単位：ｄｅｇ）を下記（２）式により算出した。同様にして、（３）式、（４）式、（５）式により温度変化換算値ＣＴ（１００），ＣＴ（３００），ＣＴ（６００）をそれぞれ算出し、表１に示した。なお、実施例３については、下記（２）〜（５）におけるＢ（−４０〜９００）に代えて、Ｂ（１００〜９００）を用いて、また実施例４についてはＢ（−４０〜６００）を用いて、各温度変化換算値ＣＴ（１００）等を算出した。
CT(900)=[(B(-40〜900)×T(900))/[ln[Rt(900)/R(900)]×T(900)+B(-40〜900)]]-T(900)  （２）
CT(100)=[(B(-40〜900)×T(100))/[ln[Rt(100)/R(100)]×T(100)+B(-40〜900)]]-T(100)  （３）
CT(300)=[(B(-40〜900)×T(300))/[ln[Rt(300)/R(300)]×T(300)+B(-40〜900)]]-T(300)  （４）
CT(600)=[(B(-40〜900)×T(600))/[ln[Rt(600)/R(600)]×T(600)+B(-40〜900)]]-T(600)  （５）
【００３２】
次に、以下のようにして耐還元性の評価を行った。すなわち、外気と遮断された管状炉内にサーミスタ素子を配置する。この時点での管状炉内雰囲気は、大気雰囲気としておく。そしてこの管状炉内を１０００℃に昇温させ、大気雰囲気下１０００℃における各サーミスタ素子の抵抗値Ｒｋ（1000）を求めた。その後、管状炉内に繋いだ配管から水素ガス及び水蒸気ガスを流して管状炉内の酸素分圧ＰＯ2＝１０-11.1（ａｔｍ）となるように制御しつつ、管状炉内を１０００℃に保ち、この管状炉内を還元雰囲気とする。そして、この環境下に各サーミスタ素子を１時間放置した後、再度、各サーミスタ素子について、１０００℃における抵抗値Ｒｋ´（1000）を測定した。そして、以下の式（６）を用いて、抵抗値の変化量ΔＲｋ（％）を算出した。なお、実施例３については、本評価は行っていない。
ΔＲｋ（％）＝１００−（Ｒｋ（1000）／Ｒｋ´（1000））×１００  （６）
【００３３】
上記のようにして耐還元性に対する耐久試験を行った結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
2008306086.tif 000003
【００３５】
表１に示されるように、実施例１〜４では、各温度変化換算値がいずれも低い値、具体的には±５ｄｅｇの範囲になった。これに対し、比較例１，２では実施例に対して大きな値となった。すなわち実施例１〜４のサーミスタ素子では、各温度における抵抗値が安定しており、高温に長時間晒された後でも、その抵抗値の変化量が少ないことがわかる。また、表１に示されるように、実施例１，２，４では、いずれも抵抗値の変化量ΔＲｋ（％）を５％以下とすることができた。これに対して、耐還元性の皮膜を具備しない比較例１では、抵抗値の変化量ΔＲｋ（％）が１０．５％となった。また、Ｐｔ粒子の平均粒径（ｄ５０）が１５μｍの比較例２では、抵抗値の変化量ΔＲｋ（％）が６．３％となった。その原因は、Ｐｔ粒子の平均粒径が大きくなると、焼結体の構造が粗となり、十分なガス不透過性を確保し得ない状態となっていないためと推測される。このため、Ｐｔによって電極を形成する場合、Ｐｔ粒子の平均粒径（ｄ５０）は、１０μｍ以下、かつ、最大粒径を３０μｍ以下とすることが好ましい。
【００３６】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることは言うまでもない。例えば、上記した実施形態では、四角柱状のサーミスタ素子について説明したが、サーミスタ素子の形状はどのようなものでもよく、円柱状のものや六角あるいは八角等の多角形の柱状のものでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るサーミスタ素子の全体構成を模式的に示す図。
【図２】図１のサーミスタ素子のＡ−Ａ断面の構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００３８】
１……サーミスタ本体、２，３……ガス不透過性の電極、４……耐還元性の皮膜、５，６……リード電極、１００……サーミスタ素子。
【図１】
2008306086.tif 000004
【図２】
2008306086.tif 000005