(57)【要約】      （修正有）【課題】２系統の両側で束ねられたバス配線間のショート個所の検出確率及び検出の時間効率を高める。【解決手段】絶縁基板上に隣接して形成された第１及び第２の両側で束ねられたバス配線間のショート個所を検出するショート検出装置であって、この第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の束ね配線部の任意の点間の抵抗値を測定してショート個所の有無を検出するショート有無検出手段（抵抗測定器８、データ処理装置９及びコントローラ１０）と、このショート有無検出手段がショート個所有りを検出したときに、この第１及び第２の両側で束ねられたバス配線に対向する夫々の一端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値及び夫々の他端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値を測定する抵抗値測定手段（プローブユニット３、４及び抵抗測定器８）と、この抵抗値を比較する抵抗値比較手段（データ処理装置９）とを有するものである。【選択図】図１
2008026271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に隣接して形成された第１及び第２の両側で束ねられたバス配線間のショート個所を検出するショート検出方法であって、
前記第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の束ね配線部の任意の点間の抵抗値を測定してショート個所の有無を判断し、前記ショート個所が有りと判断したときに、前記第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の対向する夫々の一端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値及び夫々の他端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値を測定し、この抵抗値を比較し、抵抗値が低い側にショート個所が有ると判断するようにしたことを特徴とするショート検出方法。
【請求項２】
請求項１記載のショート検出方法において、
前記第１及び第２の両側で束ねられたバス配線のショート個所が有る側を所定数のエリアに分割し、前記第１及び第２の両側で束ねられたバス配線のショート個所が有る側の夫々の隣接する束ね配線部の各分割点間の抵抗値を測定し、該測定した抵抗値の極小値部の分割点とその両側の分割点を含むエリア内にショート個所が有ると判断するようにしたことを特徴とするショート検出方法。
【請求項３】
請求項２記載のショート検出方法において、
前記第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の抵抗値の極小値部の分割点とその両側の分割点を含むエリア内の前記第１及び第２の両側で束ねられたバス配線のショート個所が有る側の夫々の隣接する束ね配線部の各配線間の抵抗値を全て測定し、該測定した抵抗値の極小値部の配線間にショート個所が有ると判断するようにしたことを特徴とするショート検出方法。
【請求項４】
絶縁基板上に隣接して形成された第１及び第２の両側で束ねられたバス配線間のショート個所を検出するショート検出装置であって、
前記第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の束ね配線部の任意の点間の抵抗値を測定してショート個所の有無を検出するショート有無検出手段と、
該ショート有無検出手段がショート個所が有りを検出したときに、前記第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の対向する夫々の一端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値及び夫々の他端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値を測定する抵抗値測定手段と、
前記抵抗値を比較する抵抗値比較手段とを有することを特徴とするショート検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬディスプレイのＴＦＴ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板上に隣接して形成された２系統の両側で束ねられたバス配線間のショート個所を検出するショート検出方法及びショート検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネル型ディスプレイにおいては、主にガラス基板を絶縁基板とし、駆動回路にＴＦＴと呼ばれる半導体素子等を形成したＴＦＴ基板が用いられている。
【０００３】
このＴＦＴ基板は、スパッターやＣＶＤ等の手法で成膜した配線材料や半導体材料をフォトリソグラフィと呼ばれる半導体プロセスを用いてＴＦＴ回路及び配線パターンを形成し製作される。
【０００４】
一般に、有機ＥＬディスプレイのＴＦＴ基板上には、図２Ａ、Ｂに示す如き、電源電流あるいは基準電圧を各画素回路１１に供給するために両側で束ねられた複数例えば２系統のバス配線１２、１３が形成されている。
【０００５】
図２Ａ、Ｂにおいて、例えば１２は電源供給用の両側で束ねられたバス配線を示し、１３は、この電源供給用の両側で束ねられたバス配線１２に隣接して形成された接地用の両側で束ねられたバス配線を示す。この電源供給用のバス配線１２及び接地用のバス配線１３は、図２Ｂに示す如く、マトリックス状に配された複数の画素回路１１に夫々接続される。
【０００６】
このＴＦＴ基板上の２系統の両側で束ねられたバス配線１２、１３を形成する際に、ダスト等の異物が起因し、断線やショートが発生し、ＴＦＴ回路として機能しなくなることがある。この両側で束ねられたバス配線を複数系統例えば２系統有するＴＦＴ基板を組み込んだ有機ＥＬディスプレイにおいては、この２系統のバス配線１２及び１３間でのショートが存在する場合には全面表示異常が発生する。
【０００７】
これは深刻な異常モードであり、この２系統のバス配線１２及び１３間でのショート個所の検出とリペアを行う必要がある。
【０００８】
そこで、従来このＴＦＴ基板の量産プロセスにおいては、ＴＦＴ基板上に隣接して形成された図２に示す如く、２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３間のショート個所を検出するのに、電気的検査装置や光学的検査装置を用いて、このショート個所の検出を行っていた。
【０００９】
従来、バス配線間のショート個所を検出するのに特許文献１に開示のものがある。この特許文献１に開示のものは、２対の接触手段（ニードル）で検出した抵抗値と平均抵抗値の差から回路パターンのショート又はオープン判定をするようにしたものであるが、この特許文献１に開示のものは、２系統の両側で束ねられたバス配線間のショート個所の検出に関しての考慮は、何等なされていない。
【特許文献１】特開平１１−３５２１７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
然しながら、電気的検査装置で、この２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３間のショート個所を検出するようにしたときには、配線間のショート検査機能を有する装置であれば、バス配線１２及び１３間のショートの存在は検出できるが、ショート個所の位置情報を得ることができない不都合があった。
【００１１】
また、光学的検査装置で、この２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３間のショート個所を検出するようにしたときには、ショート個所の位置情報を得ることはできるが、検出能力の制限（最小検出サイズは通常２〜３μｍ）により見逃しが発生する可能性が存する。この観察倍率を上げることで、この制限を緩和することはできるが、時間当たりの観察面積が小さくなることで、検査時間が長くなってしまう不都合がある。
【００１２】
また、図２Ｂに示す如く、この２系統のバス配線１２及び１３を画素回路１１に引き込むため配線の交差部が生じ、この交差部は絶縁が施されるが、この交差部において、ショートが発生したときには、このショート個所は画像として現れにくいという特性上検出確率が大きく低下する不都合があった。
【００１３】
本発明は、斯かる点に鑑み、２系統の両側で束ねられたバス配線間のショート個所を確率良く検出すると共に検出時間の効率を高めることができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明ショート検出方法は、絶縁基板上に隣接して形成された第１及び第２の両側で束ねられたバス配線間のショート個所を検出するショート検出方法であって、この第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の束ね配線部の任意の点間の抵抗値を測定してショート個所の有無を判断し、このショート個所が有りと判断したときに、この第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の対向する夫々の一端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値及び夫々の他端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値を測定し、この抵抗値を比較し、抵抗値が低い側にショート個所が有ると判断するようにしたものである。
【００１５】
本発明ショート検出装置は、絶縁基板上に隣接して形成された第１及び第２の両側で束ねられたバス配線間のショート個所を検出するショート検出装置であって、この第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の束ね配線部の任意の点間の抵抗値を測定してショート個所の有無を検出するショート有無検出手段と、このショート有無検出手段がショート個所が有りを検出したときに、この第１及び第２の両側で束ねられたバス配線の対向する夫々の一端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値及び夫々の他端側の隣接する束ね配線部間の抵抗値を測定する抵抗値測定手段と、この抵抗値を比較する抵抗値比較手段とを有するものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、抵抗値の測定データを用いてショート個所を検出しているので、ショート個所の検出確率を高めることができる。
【００１７】
また、本発明によれば、抵抗値の測定個所を少なくするようにしているので、ショート個所の検出の時間効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下図面を参照して、本発明ショート検出方法及びショート検出装置を実施するための最良の形態の例につき説明する。
【００１９】
図１は本例によるショート検出装置の概要を示す。この図１につき説明するに、図１において、２は被検査基板１を載置し、この被検査基板１をＸ軸方向及びＹ軸方向に任意に移動できる如くなされたＸＹステージを示し、このＸＹステージ２の一側及び他側に夫々プローブユニット３及び４を設ける。
【００２０】
このプローブユニット３及び４は夫々２本のプローブ３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂを有し、この２本のプローブ３ａ、４ａ及び３ｂ、４ｂの先端がコンタクトする間の抵抗値を測定する如くなされている。このプローブユニット３及び４は、Ｚ軸方向の移動機能を有しており、このＺ軸方向の移動機能により、被検査基板１に対するこのプローブユニット３及び４のプローブ３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂのコンタクトと退避とを実現する。
【００２１】
被検査基板１のコンタクト個所とプローブユニット３及び４のプローブ３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂの先端のコンタクトは、平面上の位置合わせをＸＹステージ制御装置５よりの制御信号によりＸＹステージ２を制御して、この被検査基板１のコンタクト個所をプローブユニット３及び４のプローブ３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂの真下に移動し、プローブユニット制御装置６よりの制御信号によりプローブユニット３及び４をＺ軸方向に移動して行う。
【００２２】
この場合、プローブユニット３及び４を任意の場所に移動可能なフライングプローブとし、このプローブユニット３及び４のプローブ３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂの先端を被検査基板１のコンタクト個所に移動するようにしても良い。
【００２３】
このプローブユニット３及び４のプローブ３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂの先端を被検査基板１の所定のコンタクト個所にコンタクトした後、このプローブユニット３及び４よりの出力信号を信号切換器７により選択して抵抗測定器８に供給し、このプローブ３ａ及び３ｂ間又はプローブ４ａ及び４ｂ間の抵抗値を測定する。
【００２４】
この抵抗測定器８に得られる抵抗値のデータを抵抗値の比較等のデータ処理を行うデータ処理装置９に供給する。
【００２５】
この場合、ＸＹステージ制御装置５、プローブユニット制御装置６、信号切換器７及びデータ処理装置９は、マイクロコンピュータ等より成るコントローラ１０よりの指令信号が供給され、この指令に応じた動作をする如くなされている。また、このコントローラ１０はデータ処理装置９のデータ処理結果に応じ指令を行う如くなされている。
【００２６】
本例による被検査基板１は、例えば有機ＥＬディスプレイのＴＦＴ基板で、図２Ａ、Ｂに示す如く、ガラス基板等の絶縁基板上に形成された電源供給用の両側で束ねられたバス配線１２に隣接して接地用の両側で束ねられたバス配線１３を形成したものである。
【００２７】
この電源供給用のバス配線１２及び接地用のバス配線１３は、図２Ｂに示す如く、マトリックス状に配された複数の画素回路１１に夫々接続される。この電源供給用のバス配線１２及び接地用のバス配線１３の交差する部分は、実際の被検査基板１においては、異なった配線層を用いた交差配線にて絶縁が施されている。この被検査基板１としてのＴＦＴ基板も従来同様のプロセスで製作されたものである。
【００２８】
この被検査基板１の２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の一部の一端側（他端側も同様である）の拡大図を図３に示す。図３において、１２ａ（１２ｂ）はバス配線１２の一端側（他端側）の束ね配線部を示し、１３ａ（１３ｂ）はバス配線１３の一端側（他端側）の束ね配線部を示す。また、１２ｃ及び１３ｃはバス配線１２及び１３の配線（ライン）の夫々に対応し、束ね配線部１２ａ（１２ｂ）及び１３ａ（１３ｂ）に設けられたプロービング用パッドを示し、プローブユニット３（４）の２本のプローブ３ａ（４ａ）及び３ｂ（４ｂ）は、図３に示す如く、両側で束ねられたバス配線１２及び１３の束ね配線部１２ａ（１２ｂ）及び１３ａ（１３ｂ）の隣接する配線（ライン）のプロービング用パッド１２ｃ及び１３ｃにコンタクトする如くする。
【００２９】
この両側で束ねられたバス配線１２及び１３のプロービング用パッド１２ｃ及び１３ｃの他の例を図４に示す。この図４例は、バス配線１２及び１３の夫々の配線（ライン）に対応し、束ね配線部１２ａ（１２ｂ）及び１３ａ（１３ｂ）より引き出し線を介して、このプロービング用パッド１２ｃ及び１３ｃを設けたものである。この場合、引き出し線の全ての引き出し線部分の抵抗値が同じになるようにする。
【００３０】
図５にプローブユニット３及び４のプローブ３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂを被検査基板１の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の対向する夫々の束ね配線部１２ａ、１２ｂ及び１３ａ、１３ｂの隣接する個所にコンタクトする例を示す。プローブユニット３のプローブ３ａ及び３ｂを２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａの隣接する個所Ａ部にコンタクトしたときは、プローブユニット４のプローブ４ａ及び４ｂをこれに対応する２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂの隣接する個所Ａ´部にコンタクトする。
【００３１】
同様に、プローブユニット３のプローブ３ａ及び３ｂを２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａの隣接する個所Ｂ部にコンタクトしたときは、プローブユニット４のプローブ４ａ及び４ｂをこれに対応する２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂの隣接する個所Ｂ´部にコンタクトし、また同様に、プローブユニット３のプローブ３ａ及び３ｂを２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａの隣接する個所Ｃ部にコンタクトしたときは、プローブユニット４のプローブ４ａ及び４ｂをこれに対応する２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂの隣接する個所Ｃ´部にコンタクトするようにする。
【００３２】
この図５に示す如き、プローブユニット３及び４のプローブ３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂの両側で束ねられたバス配線１２及び１３の束ね配線部１２ａ、１２ｂ及び１３ａ、１３ｂへのコンタクトは、後述するショート個所が両側で束ねられたバス配線１２及び１３の一端側であるのか他端側であるのかを判断するときに使用される。
【００３３】
また、図６にプローブユニット３及び４のプローブ３ａ、３ｂ及び４ａ、４ｂを被検査基板１の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の一端側（他端側も同様である）の束ね配線部１２ａ及び１３ａ（１２ｂ及び１３ｂ）にコンタクトする例を示す。
【００３４】
この場合、両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａにコンタクトするときには、例えばプローブユニット３を使用し、このプローブ３ａ及び３ｂを図６に示す如く、隣接する一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａにコンタクトし、両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂにコンタクトするときには、例えばプローブユニット４を使用し、このプローブ４ａ及び４ｂを隣接する他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂにコンタクトする。
【００３５】
この両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の一端側（他端側も同様である）の束ね配線部１２ａ及び１３ａ（１２ｂ及び１３ｂ）にコンタクトするのは、後述するショート個所のエリア検出及びショート個所のライン検出に使用される。
【００３６】
上述例のショート検出装置により、被検査基板１のショート個所の検出の手順につき、図７に示すフローチャートを参照して説明する。
【００３７】
検出を開始したときには、先ず２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３間にショート個所があるかどうかを判断するため、この２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の束ね配線部１２ａ、１２ｂ及び１３ａ、１３ｂの任意の点にプローブユニット３（又は４）のプローブ３ａ（又は４ａ）及び３ｂ（又は４ｂ）をコンタクトし（ステップＳ１）、信号切換器７でこれを選択し、抵抗測定器８で、この抵抗値を測定する（ステップＳ２）。
【００３８】
次に、データ処理装置９にて、この測定された抵抗値が、規定の異常抵抗値より小さいかどうかを判断し（ステップＳ３）、この抵抗値が異常抵抗値より大きいときは、この２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３間にショート個所がない良品の被検査基板１とし、このショート検出を終了する。
【００３９】
この抵抗値が規定の異常抵抗値より小さいときは、後述する如く、ショート個所の存在する位置が被検査基板１を一端側及び他端側に２分割定義した面内のどちら側に存在するかを検出するためのショート個所サイド検出を行う（ステップＳ４）。
【００４０】
次に、後述する如く、このショート個所が存在するサイドを所定数のエリアに分割し、この各分割点の抵抗値を測定して、ショート個所のエリア検出するショート個所エリア検出を行う（ステップＳ５）。
【００４１】
次に、後述する如く、このショート個所のエリアにつき、ショート個所がどの配線（ライン）間にあるかの、ショート個所ライン検出を行い（ステップＳ６）、ショート個所を特定して、この検出を終了する。
【００４２】
尚、このショート個所の検出に対する要求によっては、ショート個所サイド検出（ステップＳ４）やショート個所エリア検出（ステップＳ５）の完了を以って検出を終了しても良い。
【００４３】
ここで、ショート個所サイド検出（ステップＳ４）につき詳述するに、ショート個所サイド検出における被検査基板１の面分割定義は、図８に示す如く、２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の対向する一端側及び他端側の束ね配線部１２ａ、１２ｂ及び１３ａ、１３ｂの中間ライン（Ｓ１-＝Ｓ２であるライン）を以って、被検査基板１の面分割定義をする基準とする。
【００４４】
このショート個所サイド検出に関して、その検出手順を図９のフローチャートに示す。この場合、図５に示す如く、プローブユニット３のプローブ３ａ及び３ｂを２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａの隣接する個所例えばＡ部にコンタクトし、プローブユニット４のプローブ４ａ及び４ｂをこれに対応する２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂの隣接する個所例えばＡ´部にコンタクトする。
【００４５】
このショート個所サイド検出を開始したときは、先ず、２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａの隣接する個所にプローブユニット３のプローブ３ａ及び３ｂをコンタクトし（ステップＳ１０）、この一端側の隣接する束ね配線部１２ａ及び１３ａ間の抵抗値を測定する（ステップＳ１１）。
【００４６】
次に、２系統の両側で束ねられたバス配線１２及び１３の夫々の他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂの隣接する個所にプローブユニット４のプローブ４ａ及び４ｂをコンタクトし（ステップＳ１２）、この他端側の隣接する束ね配線部１２ｂ及び１３ｂ間の抵抗値を測定する（ステップＳ１３）。
【００４７】
この一端側の隣接する束ね配線部１２ａ及び１３ａ間の抵抗値と対向する他端側の隣接する束ね配線部１２ｂ及び１３ｂ間の抵抗値との大小を比較し、この抵抗値の小さい方をショート個所の存在するサイドと判定し（ステップＳ１４）、このショート個所サイド検出を終了する。
【００４８】
このショート個所サイド検出の根拠を以下に説明する。
２系統のバス配線１２及び１３間にショート個所が存在する被検査基板１の例を、図１０に示す。
【００４９】
この被検査基板１に関して、ショート個所が存在する両側で束ねられたバス配線１２及び１３の一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所とそれに対向する他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂ上の測定個所をノードとして（図１０参照）、パネル内配線を抵抗表記したものを図１１に示す。図１１の抵抗表記において２系統のバス配線１２及び１３は平面上に展開され記述されている。また、図１０のＰｋ及びＰｋ’は束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所、Ｐｕ及びＰｕ’はＰｋ及びＰｋ’に対向する束ね配線部１２ｂ及び１３ｂ上の測定個所を示す。
【００５０】
図１１において、Ｒｓはショート個所の抵抗値、Ｒｂ１はショート個所の存在する束ね配線部１２ａ及び１３ａ間の抵抗値、Ｒｂ２はショート個所の存在する束ね配線部１２ｂ及び１３ｂ間の抵抗値、Ｒｃはバスラインを束ねる配線部１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの隣接バスライン間の抵抗値、Ｒｘ、Ｒｙはショート個所の存在しないバスラインの抵抗値（ブロック抵抗として扱う）である。
【００５１】
図１１の回路を更に展開し図１２を得る。Ｐｋ−Ｐｋ’間の抵抗値とＰｕ−Ｐｕ’間の抵抗値を比較するにあたって、ブロック１とブロック２は同一回路、ブロック３はブロック１とブロック２をつなぐものであるから、Ｐｋ−Ｐｚ間の抵抗値とＰｕ−Ｐｚ間の抵抗値比較を、Ｐｋ−Ｐｋ’間の抵抗値とＰｕ−Ｐｕ’間の抵抗値比較に代えることが可能である。図１２において、
Ｒｚ＝（Ｒｘ＋２×Ｒｃ）×（Ｒｙ＋２×Ｒｃ）／（Ｒｘ＋Ｒｙ＋４×Ｒｃ）
である。
【００５２】
Ｐｋ−Ｐｚ間抵抗値  Ｒｋｚ：
Ｒｋｚ＝（Ｒｂ１×Ｒｂ２＋Ｒｂ１×Ｒｚ）／（Ｒｂ１＋Ｒｂ２＋Ｒｚ）
Ｐｕ−Ｐｚ間抵抗値  Ｒｕｚ：
Ｒｕｚ＝（Ｒｂ１×Ｒｂ２＋Ｒｂ２×Ｒｚ）／（Ｒｂ１＋Ｒｂ２＋Ｒｚ）
ＲｋｚとＲｕｚの比較において、分母項は共通なのでそれぞれの分子項Ｒｋｚ１、Ｒｕｚ１にて大小を比較する。
Ｒｋｚ１＝  Ｒｂ１×Ｒｂ２＋Ｒｂ１×Ｒｚ
Ｒｕｚ１＝  Ｒｂ１×Ｒｂ２＋Ｒｂ２×Ｒｚ
【００５３】
ショート個所が２系統のバス配線１２及び１３の一端側に存在する場合は、Ｒｂ１＜Ｒｂ２であるからＲｋｚ１＜Ｒｕｚ１となり、その結果Ｒｋｚ＜Ｒｕｚが導き出され、よって、Ｐｋ−Ｐｋ’間抵抗値とＰｕ−Ｐｕ’間抵抗値の比較に関しては、Ｐｋ−Ｐｋ’間抵抗値の方が小さいことが導き出される。同様に、ショート個所が２系統のバス配線１２及び１３の他端側に存在する場合は、上述説明と同様にして、Ｐｋ−Ｐｋ’間抵抗値とＰｕ−Ｐｕ’間抵抗値の比較に関しては、Ｐｕ−Ｐｕ’間抵抗値の方が小さいことが導き出される。
【００５４】
次に、ショート個所が存在するバスラインに隣接するバスラインの一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所とそれに対向する他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂ上の測定個所をノードとした２系統のバス配線１２及び１３とパネル内配線を抵抗表記したものを図１３ＡとＢとに示す。図１３においてＰｊ及びＰｊ’は一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所、Ｐｖ及びＰｖ’はＰｊ及びＰｊ’に対向する他端側の束ね配線部１２ｂ及び１３ｂ上の測定個所を示す。この図１３Ｂにおいて、Ｒｘ’はショート個所の存在しないバスラインの抵抗値（ブロック抵抗として扱う）である。
【００５５】
図１３Ｂの回路を更に展開し図１４を得る。Ｐｊ−Ｐｊ’間の抵抗値とＰｖ−Ｐｖ’間の抵抗値を比較するにあたって、ブロック１とブロック２は同一回路、ブロック３はブロック１とブロック２をつなぐものであるから、Ｐｊ−Ｐｚ間の抵抗値とＰｖ−Ｐｚ間の抵抗値比較を、Ｐｊ−Ｐｊ’間の抵抗値とＰｖ−Ｐｖ’間の抵抗値比較に代えることが可能である。
【００５６】
図１４において、
Ｒｄ１＝Ｒｂ１×（Ｒｙ＋２×Ｒｃ）／（Ｒｂ１＋Ｒｂ２＋Ｒｙ＋２×Ｒｃ）
Ｒｄ２＝Ｒｂ２×（Ｒｙ＋２×Ｒｃ）／（Ｒｂ１＋Ｒｂ２＋Ｒｙ＋２×Ｒｃ）
Ｒｄ３＝Ｒｂ１×Ｒｂ２／（Ｒｂ１＋Ｒｂ２＋Ｒｙ＋２×Ｒｃ）
Ｒｓ’＝Ｒｓ＋２×Ｒｄ３
である。
【００５７】
Ｐｊ−Ｐｚ間抵抗値  Ｒｊｚ：
Ｒｊｚ＝（Ｒｄ１＋Ｒｃ）×（Ｒｘ’＋Ｒｃ＋Ｒｄ２）
／（Ｒｘ’＋Ｒｄ１＋Ｒｄ２＋２Ｒｃ）
Ｐｖ−Ｐｚ間抵抗値  Ｒｖｚ：
Ｒｖｚ＝（Ｒｄ２＋Ｒｃ）×（Ｒｘ’＋Ｒｃ＋Ｒｄ１）
／（Ｒｘ’＋Ｒｄ１＋Ｒｄ２＋２Ｒｃ）
ＲｊｚとＲｖｚの比較において、分母項は共通なのでそれぞれの分子項Ｒｊｚ１、Ｒｖｚ１にて大小較する。
【００５８】
Ｒｊｚ１＝（Ｒｄ１＋Ｒｃ）×（Ｒｘ’＋Ｒｃ＋Ｒｄ２）
Ｒｖｚ１＝（Ｒｄ２＋Ｒｃ）×（Ｒｘ’＋Ｒｃ＋Ｒｄ１）
Ｒｊｚ１、Ｒｖｚ１から共通因子（Ｒｄ１×Ｒｃ＋Ｒｄ２×Ｒｃ＋Ｒｄ１×Ｒｄ２＋Ｒｃ×Ｒｘ’＋Ｒｃ×Ｒｃ）を減じたものをＲｊｚ２、Ｒｖｚ２とする。
【００５９】
Ｒｊｚ２＝Ｒｄ１×Ｒｘ’
Ｒｖｚ２＝Ｒｄ２×Ｒｘ’
ショート個所が２系統のバス配線１２及び１３の一端側に存在する場合は、Ｒｄ１、Ｒｄ２の式より、Ｒｄ１＜Ｒｄ２となり、その結果Ｒｊｚ２＜Ｒｖｚ２、Ｒｊｚ＜Ｒｖｚが導き出され、よって、Ｐｊ−Ｐｊ’間抵抗値とＰｖ−Ｐｖ’間抵抗値の比較に関しては、Ｐｊ−Ｐｊ’間抵抗値の方が小さいことが導き出される。同様に、ショート個所が２系統のバス配線１２及び１３の他端側に存在する場合は、Ｒｄ１＞Ｒｄ２であることから上記説明と同様にして、Ｐｊ−Ｐｊ’間抵抗値とＰｖ−Ｐｖ’間抵抗値の比較に関しては、Ｐｖ−Ｐｖ’間抵抗値の方が小さいことが導き出される。
【００６０】
更に、もう１ライン測定個所をシフトした場合の２系統のバス配線１２及び１３とパネル内配線を抵抗表記したものとを図１５ＡとＢとに、図１５Ｂを展開したものを図１６に示す。図１５Ｂにおいて、Ｒｂはバスラインの抵抗値、Ｒｘ’’はショート個所の存在しないバスラインの抵抗値（ブロック抵抗として扱う）である。また、図１６において、
Ｒｅ１＝Ｒｂ×（Ｒｃ＋Ｒｄ１）／（Ｒｂ＋Ｒｄ１＋Ｒｄ２＋２×Ｒｃ）
Ｒｅ２＝Ｒｂ×（Ｒｃ＋Ｒｄ２）／（Ｒｂ＋Ｒｄ１＋Ｒｄ２＋２×Ｒｃ）
Ｒｅ３＝（Ｒｃ＋Ｒｄ１）×（Ｒｃ＋Ｒｄ２）／（Ｒｂ＋Ｒｄ１＋Ｒｄ２＋２×Ｒｃ）
である。
【００６１】
図１６の回路は図１４の回路と相似であり、図１４の回路に関しての説明が適応可能である。図１４の回路の説明でＲｄ１、Ｒｄ２の大小関係とショート個所位置の関係は説明済みであるので、それを用いて、ショート個所が２系統のバス配線１２及び１３の一端側に存在する場合は、Ｐｉ−Ｐｉ’間抵抗値とＰｗ−Ｐｗ’間抵抗値の比較に関しては、Ｐｉ−Ｐｉ’間抵抗値の方が小さいことが導き出される。同様に、２系統のバス配線１２及び１３の他端側に存在する場合は、Ｐｗ−Ｐｗ’間抵抗値の方が小さいことが導き出される。
【００６２】
その他の測定個所における抵抗値比較に関しても、これまでの説明を再帰的に行うことで説明可能である。以上を以って、二つの抵抗値において小さいほう抵抗値が測定された側を欠陥の存在するサイドとして判定することの説明とする。
【００６３】
次に、ショート個所エリア検出（ステップＳ５）につき詳述するに、このときのプローブコンタクト例及びエリア分割定義の説明を図１７に示す。この図１７例では、両側で束ねられたバス配線１２及び１３のショート個所のサイドは、一端側の場合について示している（他端側の場合も同様である）。一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上のエリア分割した所定数例えば図１７例では、５個の測定個所のうち測定個所の連続する３個所内を以って、２系統のバス配線１２及び１３のエリア分割定義の基準とする。尚一端側の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の所定数の測定個所は等間隔に配置しなくても良い。
【００６４】
このショート個所エリア検出（ステップＳ５）に関して、その検出手順を図１８のフローチャートに示す。このショート個所エリア検出を開始したときには、ショート個所サイドの束ね配線部本例においては、図１７に示す如く、２系統のバス配線１２及び１３の一端側Ｓ１の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の所定数本例では５個所の測定個所にプローブユニット３のプローブ３ａ及び３ｂを移動し、プローブコンタクトする（ステップＳ２０）。
【００６５】
その後、抵抗測定器８で抵抗値を測定し、この測定データをデータ処理装置９に伝送する（ステップＳ２１）。その後、全ての測定個所本例では、図１７に示す如き５個所についての抵抗値を測定したかどうかを判断し（ステップＳ２２）、終了していないときは、上述を繰り返し、全ての測定個所本例では５個所の抵抗値を測定する。
【００６６】
その後、本例においては、全ての抵抗値の測定データの中で、極小値を検出した測定個所例えば左から３番目の測定個所が極小値であったときは、この左から３番目の測定個所に連続する測定個所間のエリア図１７例では、エリア２をショート個所のエリアとし（ステップＳ２３）、このショート個所エリア検出を終了する。このショート個所エリア検出の根拠説明は、後述するショート個所ライン検出の根拠説明に含まれるので、ここでは述べない。
【００６７】
次に、ショート個所ライン検出（ステップＳ６）につき詳述するに、プローブユニット３（４）のプローブ３ａ（４ａ）及び３ｂ（４ｂ）のコンタクト例を図１９に示す。この図１９例は、ショート個所が２系統のバス配線１２及び１３の一端側Ｓ１に存在すると共にショート個所エリアがエリア２に存在する例である。
【００６８】
このショート個所ライン検出に関して、その検出手順を図２０のフローチャートに示す。このショート個所ライン検出を開始したときには、ショート個所サイドのショート個所エリアの束ね配線部図１９例では、２系統のバス配線１２及び１３の一端側Ｓ１のエリア２端Ｔの、２系統の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の全ての隣接するプロービング用パッド１２ｃ及び１３ｃにプローブユニット３のプローブ３ａ及び３ｂを移動し、プローブコンタクトをする（ステップＳ３０）。
【００６９】
その後、抵抗測定器８で、プローブコンタクトした隣接するバスラインのプローブ３ａ及び３ｂ間の抵抗値を測定し、測定データをデータ処理装置９に伝送する（ステップＳ３１）。その後、全ての測定個所本例では、このエリア２の端Ｔの７個所についての抵抗値を測定したかどうかを判断し（ステップＳ３２）、終了していないときは、上述を繰り返し、全ての測定個所本例では７個所の抵抗値を測定する。
【００７０】
その後、本例においては、全ての抵抗値の測定データの中で、極小値を検出した測定個所に繋がるラインをショート個所のラインと判定し（ステップＳ３３）、このショート個所ライン検出を終了する。
【００７１】
このショート個所ライン検出の根拠を以下に説明する。説明に当り、図１０に示す如く、ショート個所１５を有する被検査基板を被検査基板１の例として用いる。
【００７２】
この被検査基板１に関して、ショート個所１５が存在するバスライン上の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所とそれに隣接するバスライン上の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所をノードとした２系統のバス配線１２及び１３とパネル内配線を抵抗表記したものとを図２１ＡとＢとに示す。図２１のＰｋ及びＰｋ’はショート個所が存在するバスライン上の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所、図２１のＰｊ及びＰｊ’はＰｋ及びＰｋ’に隣接するバスライン上の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所を示す。
【００７３】
図２１Ｂの回路を更に展開し図２２を得る。Ｐｋ−Ｐｋ’間の抵抗値とＰｊ−Ｐｊ’間の抵抗値を比較するにあたって、ブロック１とブロック２は同一回路、ブロック３はブロック１とブロック２をつなぐものであるから、Ｐｋ−Ｐｚ間の抵抗値とＰｊ−Ｐｚ間の抵抗値比較を、Ｐｋ−Ｐｋ’間の抵抗値とＰｊ−Ｐｊ’間の抵抗値比較に代えることが可能である。
Ｐｋ−Ｐｚ間抵抗値  Ｒｋｚ：
Ｒｋｚ＝（Ｒｘ×Ｒｄ１＋２×Ｒｃ×Ｒｄ１＋Ｒｄ２×Ｒｄ１）
／（Ｒｘ＋２×Ｒｃ＋Ｒｄ２＋Ｒｄ１）
Ｐｊ−Ｐｚ間抵抗値  Ｒｊｚ：
Ｒｊｚ＝（Ｒｘ×Ｒｃ＋Ｒｃ×Ｒｃ＋Ｒｄ２×Ｒｃ＋Ｒｘ×Ｒｄ１＋Ｒｃ×Ｒｄ１
＋Ｒｄ２×Ｒｄ１）／（Ｒｘ＋２×Ｒｃ＋Ｒｄ２＋Ｒｄ１）
ＲｋｚとＲｊｚの比較において、分母項は共通なのでそれぞれの分子項Ｒｋｚ１、Ｒｊｚ１にて大小を比較する。
【００７４】
Ｒｋｚ１＝Ｒｘ×Ｒｄ１＋２×Ｒｃ×Ｒｄ１＋Ｒｄ２×Ｒｄ１
Ｒｊｚ１＝Ｒｘ×Ｒｃ＋Ｒｃ×Ｒｃ＋Ｒｄ２×Ｒｃ＋Ｒｘ×Ｒｄ１
＋Ｒｃ×Ｒｄ１＋Ｒｄ２×Ｒｄ１
Ｒｋｚ１、Ｒｊｚ１から共通因子（Ｒｘ×Ｒｄ１＋Ｒｄ１×Ｒｄ２）を減じたものを、共通因子Ｒｃで除し、さらにＲｄ１を減じたものをＲｋｚ２、Ｒｊｚ２とする。
Ｒｋｚ２＝Ｒｄ１
Ｒｊｚ２＝Ｒｘ＋Ｒｃ＋Ｒｄ２
【００７５】
ショート個所１５が２系統のバス配線１２及び１３の一端側Ｓ１に存在するこの被検査基板１例においては、Ｒｄ１、Ｒｄ２の式より、Ｒｄ１＜Ｒｄ２となり、その結果Ｒｋｚ２＜Ｒｊｚ２、Ｒｋｚ＜Ｒｊｚが導き出され、よって、Ｐｋ−Ｐｋ’間抵抗値とＰｊ−Ｐｊ’間抵抗値の比較に関しては、Ｐｋ−Ｐｋ’間抵抗値の方が小さいことが導き出される。
【００７６】
次に、ショート個所１５が存在するバスラインに隣接するバスライン上の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所とそれに隣接するバスライン上の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所をノードとした２系統のバス配線１２及び１３とパネル内配線を抵抗表記したものとを図２３ＡとＢとに示す。図２３のＰｊ、Ｐｊ’はショート欠陥が存在するバスラインに隣接するバスライン上の束ね配線上の測定個所、Ｐｉ及びＰｉ’はＰｊ及びＰｊ’に隣接するバスライン上の束ね配線部１２ａ及び１３ａ上の測定個所を示す。
【００７７】
図２３Ｂの回路を更に展開し図２４を得る。Ｐｊ−Ｐｊ’間の抵抗値とＰｉ−Ｐｉ’間の抵抗値を比較するにあたって、ブロック１とブロック２は同一回路、ブロック３はブロック１とブロック２をつなぐものであるから、Ｐｊ−Ｐｚ間の抵抗値とＰｉ−Ｐｚ間の抵抗値比較を、Ｐｊ−Ｐｊ’間の抵抗値とＰｉ−Ｐｉ’間の抵抗値比較に代えることが可能である。
Ｐｊ−Ｐｚ間抵抗値  Ｒｊｚ：
Ｒｊｚ＝Ｒｅ１×（Ｒｅ２＋Ｒｘ”＋２×Ｒｃ）
／（Ｒｅ１＋Ｒｅ２＋Ｒｘ”＋２×Ｒｃ）
Ｐｉ−Ｐｚ間抵抗値  Ｒｉｚ：
Ｒｉｚ＝（Ｒｅ１＋Ｒｃ）×（Ｒｅ２＋Ｒｘ”＋Ｒｃ）
／（Ｒｅ１＋Ｒｅ２＋Ｒｘ”＋２×Ｒｃ）
ＲｊｚとＲｉｚの比較において、分母項は共通なのでそれぞれの分子項Ｒｊｚ１、Ｒｉｚ１にて大小を比較する。
【００７８】
Ｒｊｚ１＝Ｒｅ１×Ｒｅ２＋Ｒｅ１×Ｒｘ”＋Ｒｅ１×２×Ｒｃ
Ｒｉｚ１＝Ｒｅ１×Ｒｅ２＋Ｒｅ１×Ｒｘ”＋Ｒｅ１×Ｒｃ＋Ｒｃ×Ｒｅ２
＋Ｒｃ×Ｒｘ”＋Ｒｃ×Ｒｃ
Ｒｊｚ１、Ｒｉｚ１から共通因子（Ｒｅ１×Ｒｅ２＋Ｒｅ１×Ｒｘ”）を減じたものを、共通因子Ｒｃで除し、さらにＲｅ１を減じたものをＲｊｚ２、Ｒｉｚ２とする。
Ｒｊｚ２＝Ｒｅ１
Ｒｉｚ２＝Ｒｅ２＋Ｒｘ”＋Ｒｃ
【００７９】
ショート個所１５が２系統のバス配線１２及び１３の一端側Ｓ１に存在する本被検査基板１例においては、先に説明したＲｄ１＜Ｒｄ２より、Ｒｅ１＜Ｒｅ２となり、その結果Ｒｊｚ２＜Ｒｉｚ２、Ｒｊｚ＜Ｒｉｚが導き出され、よって、Ｐｊ−Ｐｊ’間抵抗値とＰｉ−Ｐｉ’間抵抗値の比較に関しては、Ｐｊ−Ｐｊ’間抵抗値の方が小さいことが導き出される。
【００８０】
更に、もう１ライン測定個所をシフトした２系統のバス配線１２及び１３とパネル内配線を抵抗表記したものとを図２５ＡとＢとに、更に図２５Ｂを展開したものを図２６に示す。図２５Ｂにおいて、Ｒｘ’’’はショート個所の存在しないバスラインの抵抗値（ブロック抵抗として扱う）である。図２６の回路は図２４の回路と相似であり、図２４の回路に関しての説明が適応可能である。図２４の回路の説明で、ショート個所が２系統のバス配線１２及び１３の一端側Ｓ１に存在する本被検査基板１例においては、Ｒｅ１＜Ｒｅ２であることは説明済みであるので、それを用いて、Ｐｊ−Ｐｊ’間抵抗値とＰｈ−Ｐｈ’間抵抗値の比較に関しては、Ｐｊ−Ｐｊ’間抵抗値の方が小さいことが導き出される。
【００８１】
図２６において、
Ｒｆ１＝Ｒｂ×（Ｒｃ＋Ｒｅ１）／（Ｒｂ＋Ｒｅ１＋Ｒｅ２＋２×Ｒｃ）
Ｒｆ２＝Ｒｂ×（Ｒｃ＋Ｒｅ２）／（Ｒｂ＋Ｒｅ１＋Ｒｅ２＋２×Ｒｃ）
Ｒｆ３＝（Ｒｃ＋Ｒｅ１）×（Ｒｃ＋Ｒｅ２）／（Ｒｂ＋Ｒｅ１＋Ｒｅ２＋２×Ｒｃ）
Ｒｓ’’’＝Ｒｓ＋２×Ｒｄ３＋２×Ｒｅ３＋２×Ｒｆ３
である。
【００８２】
その他の測定個所における抵抗値比較に関しても、これまでの説明を再帰的に行うことで説明可能であり、欠陥が存在するバスラインから離れるほど測定データが大きくなることが導き出される。以上を以って、全ての測定データ中で極小値を検出した測定個所につながるラインをショート個所１５ラインとして判定することの説明とする。
【００８３】
尚、ショート個所エリア検出は、ショート個所ライン検出の原理を応用して抵抗値測定を隣接ラインごとではなく複数ラインごとに行うようにしたものである。ショート個所の存在するバスラインの特定は、ショート個所サイド検出とショート個所ライン検出の実施で可能であるが、ショート個所ライン検出の前にショート個所エリア検出を実施することで検出時間の短縮を実現することが可能となる。
【００８４】
本例によれば、抵抗値の測定データを用いてショート個所を検出しているので、ショート個所の検出確率を高めることができる。
【００８５】
また、本例によれば、ショート個所サイド検出及びショート個所エリア検出を行っているので、抵抗値の測定個所を少なくすることができ、検出の時間効率を高めることができる。
【００８６】
尚、本発明は上述例に限ることなく、本発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明ショート検出装置を実施するための最良の形態の例を示す構成図である。
【図２】本発明の説明に供する線図である。
【図３】本発明の説明に供する線図である。
【図４】本発明の説明に供する線図である。
【図５】本発明の説明に供する線図である。
【図６】本発明の説明に供する線図である。
【図７】本発明の説明に供するフローチャートである。
【図８】本発明の説明に供する線図である。
【図９】本発明の説明に供するフローチャートである。
【図１０】本発明の説明に供する線図である。
【図１１】本発明の説明に供する線図である。
【図１２】本発明の説明に供する線図である。
【図１３】本発明の説明に供する線図である。
【図１４】本発明の説明に供する線図である。
【図１５】本発明の説明に供する線図である。
【図１６】本発明の説明に供する線図である。
【図１７】本発明の説明に供する線図である。
【図１８】本発明の説明に供するフローチャートである。
【図１９】本発明の説明に供する線図である。
【図２０】本発明の説明に供するフローチャートである。
【図２１】本発明の説明に供する線図である。
【図２２】本発明の説明に供する線図である。
【図２３】本発明の説明に供する線図である。
【図２４】本発明の説明に供する線図である。
【図２５】本発明の説明に供する線図である。
【図２６】本発明の説明に供する線図である。
【符号の説明】
【００８８】
１…被検査基板、２…ＸＹステージ、３、４…プローブユニット、３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂ…プローブ、５…ＸＹステージ制御装置、６…プローブユニット制御装置、７…信号切換器、８…抵抗測定器、９…データ処理装置、１０…コントローラ、１１…画素回路、１２、１３…両側で束ねられたバス配線、１２ａ、１３ａ…一端側の束ね配線部、１２ｂ、１３ｂ…他端側の束ね配線部、１５…ショート個所
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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