(57)【要約】【課題】転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を実現する露光装置を提供する。【解決手段】光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記投影光学系の瞳面における光強度分布が不均一になるように移動されることを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】図１
2008160072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、
前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、
前記遮光部材は、前記投影光学系の瞳面における光強度分布が不均一になるように移動されることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記遮光部材を移動することによって、前記光強度分布のうち、前記投影光学系の光軸の位置から径方向における光強度が変化することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記遮光部材は、１枚の遮光板からなることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、
前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、
前記遮光部材は、前記光束を透過する透過基板と、
前記透過基板に形成され、前記光束を遮蔽する遮蔽部とを有し、
前記遮蔽部は、前記照明光学系の光軸が前記遮蔽部を通過するように配置されていることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
前記遮光部材を移動することによって、前記投影光学系の瞳面における光強度分布のうち、前記投影光学系の光軸の位置から径方向における光強度が変化することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
コヒーレンシーが一定に維持されるように、前記遮光部材を移動することを特徴とする請求項１又は４に記載の露光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリーや論理回路などの微細な半導体デバイスを製造する際に、投影露光装置が従来から使用されている。投影露光装置は、レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウエハ等に投影して回路パターンを転写する。近年では、半導体デバイスの微細化に伴って、露光光源の波長以下のパターンを解像するための超解像技術が種々提案されている。かかる超解像技術の一つとして、変形照明法（斜入射照明法）と呼ばれるものがある。変形照明法は、一様な角度分布を有する照明光でレチクルを照明するのではなく、レチクルに対して斜めに照明光を入射させる方法であり、例えば、輪帯照明法、２重極照明法、４重極照明法などがある。なお、変形照明法では、レチクルを照明する光束の角度分布は、レチクル（物体面）に対する瞳面（フーリエ変換面）の位置分布に対応する。
【０００３】
光源からの光束の瞳面上での光強度分布は軸対象なガウス分布であり、瞳面上での光強度分布を輪帯形状、２重極形状又は４重極形状にするためには、光強度分布を変換する光学系が必要である。光強度分布を変換する最も簡単な光学系は、例えば、瞳面に相当するオプティカルインテグレータの射出面に配置される２重極や４重極の開口絞りである。但し、開口絞りを用いた場合、光源からの光束の一部を切り出すことになるため、光源からの光束を効率的に利用することができず、レチクル上での照度が低下してしまう。
【０００４】
また、回折光学素子を用いてオプティカルインテグレータの入射面における光強度分布を変換する技術も提案されており、開口絞りを用いることなく、所望の光強度分布を得ることができる。
【０００５】
一方、レチクルに対する変形照明を最適化するために、輪帯形状の光束（輪帯比）やコヒーレンシーσ（即ち、照明光学系の射出側の開口数／投影光学系の入射側の開口数）の大きさを変更することも提案されている。例えば、輪帯比は、入射面が凹型の円錐状、且つ、射出面が平面である光学素子と、入射面が平面、且つ、射出面が凸型の円錐状である光学素子とを用いることによって変更することができる。かかる２つの光学素子は、光軸上に配置されると輪帯形状の光束を形成し、２つの光学素子の間隔を変えることによって、輪帯比や大きさを変更することができる。また、コヒーレンシーσは、倍率可変のズーム光学系を用いることによって変更することができる。
【特許文献１】特開平７−２０１６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、輪帯比やコヒーレンシーσを変更させたりするだけでは、変形照明の最適化（即ち、転写する回路パターンに対する照明光の最適化）として不十分である。例えば、輪帯比やコヒーレンシーσを変更しても、近接効果の影響によって、隣り合うパターンがくっついたり、孤立パターンが細くなったりしてしまう場合がある。
【０００７】
そこで、本発明は、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を実現する露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記投影光学系の瞳面における光強度分布が不均一になるように移動されることを特徴とする。
【０００９】
本発明の別の側面としての露光装置は、光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記光束を透過する透過基板と、前記透過基板に形成され、前記光束を遮蔽する遮蔽部とを有し、前記遮蔽部は、記照明光学系の光軸が前記遮蔽部を通過するように配置されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて基板を露光するステップと、露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、例えば、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を実現する露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明者は、近接効果の影響を低減し、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を図るためには、投影光学系の瞳面における光強度分布内での強度を調整することが必要であることを見いだした。例えば、輪帯形状の光強度分布の輪帯部におけるピーク強度位置を内寄り、或いは、外寄りに調整することで近接効果が変化するため、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を図ることが可能となる。そこで、ピーク強度位置を中心からずらした回折光学素子を用いることが考えられる。但し、この場合には、１つの光強度分布に対して１つの回折光学素子が必要となり、光強度分布の微細な調整を実現するためには多数の回折光学素子が必要となる。なお、本発明では、多数の回折光学素子を必要とすることなく、投影光学系の瞳面における光強度分布のピーク強度位置を調整し、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を図ることができる露光装置を提案する。
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の露光装置１の構成を示す概略断面図である。
【００１５】
露光装置１は、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクルのパターンをウエハ５０に露光する投影露光装置である。但し、露光装置１は、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式も適用することができる。露光装置１は、照明装置と、レチクル３０を載置するレチクルステージと、投影光学系４０と、ウエハ５０を載置するウエハステージとを有する。
【００１６】
照明装置は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル３０を照明し、光源部１０と、照明光学系２０とを有する。
【００１７】
光源部１０は、例えば、光源として、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーなどを使用する。但し、光源部１０の光源はエキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーなどを使用してもよい。
【００１８】
照明光学系２０は、光源部１０からの光束を用いてレチクル３０を照明する光学系である。照明光学系２０は、本実施形態では、ビーム整形光学系２０１と、回折光学素子２０２と、集光光学系２０３と、遮光部材２２０と、駆動部２３０と、ズーム光学系２０４と、多光束発生部２０５とを有する。また、照明光学系２０は、アパーチャー２０６と、コリメータレンズ２０７と、マスキングブレード２０８と、結像光学系２０９と、ミラー２１０と、結像光学系２１１とを有する。
【００１９】
ビーム整形光学系２０１は、ミラーやリレーレンズで構成される引き回し光学系を介して入射する光源部１０からの光束を所定の形状に整形する。
【００２０】
回折光学素子２０２は、集光光学系２０３を介して、被照明面ＩＳの位置に所望の光強度分布（例えば、輪帯形状や４重極形状など）を形成する。回折光学素子２０２は、例えば、計算機ホログラムであり、振幅分布型のホログラムや位相分布型のホログラム又はキノフォームなどを使用する。回折光学素子２０２は、照明光学系２０の光路から退避できるように構成される。回折光学素子２０２は、例えば、切り換え可能なターレットに配置され、他の回折光学素子と切り換えることによって、被照明面ＩＳに様々な光強度分布を形成する。
【００２１】
集光光学系２０３は、回折光学素子２０２の射出面と被照明面ＩＳとの関係をフーリエ変換面の関係にする。これにより、光源部１０からの光束が微少変動しても、回折光学素子２０２に入射する光束の入射位置及び発散角は、ビーム整形光学系２０１によって常に所定の値に制御され、被照明面ＩＳの位置に形成される光強度分布を常に一定に維持することができる。
【００２２】
遮光部材２２０は、照明光学系２０の瞳面近傍に位置決めされ、照明光学系の光軸方向に移動可能に配置されている。そして、遮光部材２２０が照明光学系の光軸方向に移動することによって、投影光学系４０の瞳面における光強度分布が不均一になる。特に、遮光部材を移動することによって、投影光学系４０の光軸と垂直な方向の光強度分布（即ち、光強度分布のうち、投影光学系４０の光軸の位置から径方向における光強度）が変化する。換言すれば、遮光部材２２０は、回折光学素子２０２によって形成される光強度分布を調整する機能を有する。なお、遮光部材２２０は、本実施形態では、集光光学系２０３とズーム光学系２０４との間の瞳面近傍に配置されているが、照明光学系２０の瞳面近傍に配置されていればよい。例えば、アパーチャー２０６の位置、即ち、多光束発生部２０５の射出面２０５ｂの近傍に配置されてもよい。また、遮光部材２２０は、切り換え可能なターレットに配置され、回折光学素子２０２が形成する光強度分布に応じて（回折光学素子２０２の切り換えに応じて）、最適な遮光部材を選択できるように構成される。
【００２３】
駆動部２３０は、遮光部材２２０を照明光学系２０の光軸に対して平行な方向に駆動する。駆動部２３０は、例えば、アクチュエータなどで構成される。また、駆動部２３０は、遮光部材２２０を照明光学系２０の光路外に駆動する（即ち、遮光部材２２０を照明光学系２０の光路から取り出す）こともできる。
【００２４】
ここで、図２を参照して、遮光部材２２０及び駆動部２３０について詳細に説明する。図２は、遮光部材２２０の近傍及び遮光部材２２０を通過した光束が投影光学系４０の瞳面に形成する光強度分布を示す図である。なお、図２では、遮光部材２２０が、開口が設けられた１枚の遮光板からなる開口絞り２２０Ａである場合を例に説明する。開口は、回折光学素子２０２が被照明面ＩＳに形成する輪帯形状の光強度分布の外形と略等しく、光軸が開口の中心を通るように配置されている。遮光部材２２０としての開口絞り２２０Ａは、図２に示すように、開口絞り２２０Ａの開口の外周近傍に入射する光束（光量）を制限することによって、回折光学素子２０２によって形成される光強度分布（輪帯形状分布）の外径を調整する。
【００２５】
図２（ａ）に示すように、開口絞り２２０Ａが照明光学系２０の瞳面近傍に位置決めされると、投影光学系４０の瞳面には、輪帯部の光強度が一様な光強度分布が形成される。この状態から、駆動部２３０によって開口絞り２２０Ａを照明光学系２０の光軸に対して平行な方向に駆動すると、図２（ｂ）に示すように、図２（ａ）の状態では開口絞り２２０Ａの開口を通過していた外周近傍に入射する光束が遮断される。これにより、開口絞り２２０Ａを通過した光束は軸外の光強度が低下し、投影光学系４０の瞳面には、図２（ｂ）に示すように、不均一な強度分布であって、輪帯部におけるピーク強度位置が光軸側（内側）に寄った光強度分布が形成される。なお、本実施形態では、照明光学系２０の光軸に対して平行な方向として、開口絞り２２０Ａを集光光学系２０３から離れる方向に駆動しているが、開口絞り２２０Ａを集光光学系２０３に近づく方向に駆動してもよい。また、図２（ａ）の状態からの開口絞り２２０Ａの駆動量（即ち、開口絞り２２０Ａを駆動する距離）を増やすと、図２（ｃ）に示すように、軸外の光強度を更に低下させることができる。このように、開口絞り２２０Ａを光軸に平行な方向に駆動することで、輪帯部のピーク強度位置が光軸側（内側）に寄った光強度分布を形成することができる。換言すれば、開口絞り２２０Ａを光軸に平行な方向に駆動することで、投影光学系４０の瞳面における光強度分布が不均一になる。特に、投影光学系の光軸と垂直な方向の光強度分布（即ち、光強度分布のうち、投影光学系４０の光軸の位置から径方向における光強度）が変化する。
【００２６】
また、図３に示すような光学部材２２０Ｂを遮光部材２２０として用いることによって、輪帯部におけるピーク強度位置が軸外側（外側）に寄った光強度分布を形成することもできる。図３は、遮光部材２２０の一例としての光学部材２２０Ｂの近傍及び光学部材２２０Ｂを通過した光束が投影光学系４０の瞳面に形成する光強度分布を示す図である。
【００２７】
光学部材２２０Ｂは、光源部１０からの光束を透過する透過基板２２２Ｂと、透過基板２２２Ｂ上の一部に形成され、光源部１０からの光束を遮蔽する遮蔽部２２４Ｂとを有する。透過基板２２２Ｂは、例えば、石英や蛍石で構成される。遮蔽部２２４Ｂは、例えば、クロム（Ｃｒ）等で構成され、回折光学素子２０２が形成する輪帯形状分布の内径と略等しい大きさを有する。遮蔽部２２４Ｂは、光学部材２２０Ｂが照明光学系２０の瞳面位置近傍に位置決めされた際、回折光学素子２０２が形成する輪帯形状分布の内径の位置と一致するように形成されている。遮光部材２２０としての光学部材２２０Ｂは、図３に示すように、遮蔽部２２４Ｂの外周近傍に入射する光束（光量）を制限することによって、回折光学素子２０２によって形成される光強度分布（輪帯形状分布）の内径を調整する。
【００２８】
図３（ａ）に示すように、光学部材２２０Ｂが照明光学系２０の瞳面近傍に位置決めされると、投影光学系４０の瞳面には、輪帯部の光強度が一様な光強度分布が形成される。この状態から、駆動部２３０によって光学部材２２０Ｂを照明光学系２０の光軸に対して平行な方向に駆動すると、図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）の状態では光学部材２２０Ｂを通過していた遮蔽部２２４Ｂの外周近傍に入射する光束が遮断される。これにより、光学部材２２０Ｂを通過した光束は光軸側（光軸に近い部分）の強度が低下し、投影光学系４０の瞳面には、図３（ｂ）に示すように、不均一な強度分布であって、輪帯部におけるピーク強度位置が軸外側（外側）に寄った光強度分布が形成される。なお、本実施形態では、照明光学系２０の光軸に対して平行な方向として、光学部材２２０Ｂを集光光学系２０３から離れる方向に駆動しているが、光学部材２２０Ｂを集光光学系２０３に近づく方向に駆動してもよい。また、図２（ａ）の状態からの光学部材２２０Ｂの駆動量（即ち、光学部材２２０Ｂを駆動する距離）を増やすと、光軸側の強度を更に低下させることができる。このように、光学部材２２０Ｂを光軸に平行な方向に駆動することで、輪帯部のピーク強度位置が軸外側（外側）に寄った光強度分布を形成することができる。換言すれば、光学部材２２０Ｂを光軸に平行な方向に駆動することで、投影光学系４０の瞳面における光強度分布が不均一になる。特に、投影光学系の光軸と垂直な方向の光強度分布（即ち、光強度分布のうち、投影光学系４０の光軸の位置から径方向における光強度）が変化する。
【００２９】
露光装置１において、遮光部材２２０は、駆動部２３０と共同して、投影光学系４０の瞳面における光強度分布のピーク強度位置をも変化させることができる。従って、露光装置１は、レチクル３０のパターンに応じて遮光部材２２０を駆動し、光強度分布を不均一にすることで、レチクル３０のパターンに対する照明光の最適化を図ることができる。なお、露光装置１では、遮光部材２２０と駆動部２３０という簡易な構成で投影光学系４０の瞳面における光強度分布のピーク強度位置を調整することができ、装置の大型化やコストアップを招くこともない。勿論、開口絞り２２０Ａと光学部材２２０Ｂとを選択可能に構成することで、投影光学系４０の瞳面における光強度分布のピーク強度位置を光軸側にも軸外側にも調整することができる。
【００３０】
なお、駆動部２３０は、投影光学系４０の瞳面における光強度分布において、投影光学系４０の光軸と垂直な方向の光強度分布が連続的に変化するように、遮光部材２２０を駆動することが好ましい。これにより、投影光学系４０の瞳面における光強度分布のピーク強度位置を微細に調整することができる。また、駆動部２３０は、図２及び図３に示したように、コヒーレンシーが一定に維持されるように、遮光部材２２０を駆動することが好ましい。これは、光強度分布のピーク強度位置とコヒーレンシーとは独立して調整されるからである。即ち、遮光部材２２０の駆動によってコヒーレンシーが変動する分はズーム光学系２０４によってコヒーレンシーを調整することができる。
【００３１】
図１に戻って、ズーム光学系２０４は、被照明面ＩＳ上の光パターンを多光束発生部２０５の入射面２０５ａに種々の倍率で投影（結像）する。
【００３２】
多光束発生部２０５は、射出面２０５ｂに被照明面ＩＳ上の光パターン像に対応した形状の光源像を形成する。多光束発生部２０５は、例えば、複数の微小レンズからなるハエの目レンズやファイバー束などで構成され、射出面２０５ｂには複数の点光源からなる面光源が形成される。なお、ハエの目レンズを構成する微小レンズは回折光学素子であってもよく、マイクロレンズアレイでもよい。
【００３３】
アパーチャー２０６は、多光束発生部２０５の射出面２０５ｂの近傍に配置され、所望の光源像が得られるように光束を遮蔽する。
【００３４】
コリメータレンズ２０７は、多光束発生部２０５によって形成された多数の集光点を２次光源として、マスキングブレード２０８、結像光学系２０９、ミラー２１０及び結像光学系２１１を介して、レチクル３０を照明する。
【００３５】
マスキングブレード２０８は、例えば、独立に駆動する４つの遮光板で構成されており、レチクル３０上の照明領域を制限する。マスキングブレード２０８は、レチクル３０と光学的に共役な位置に配置されている。
【００３６】
結像光学系２０９及び２１１は、マスキングブレード２０８の位置を物体面とし、レチクル３０の位置を像面とする結像光学系である。結像光学系２０９及び２１１は、マスキングブレード２０８の位置で実現された照度分布をレチクル３０上に投影する。
【００３７】
レチクル３０は、回路パターンを有し、図示しないレチクルステージに支持及び駆動される。レチクル３０から発せられた回折光は、投影光学系４０を介して、ウエハ５０に投影される。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル３０とウエハ５０を走査することによって、レチクル３０のパターンをウエハ５０に転写する。
【００３８】
投影光学系４０は、レチクル３０のパターンをウエハ５０に投影する光学系である。投影光学系４０としては、屈折系、反射屈折系、または反射系を使用することができる。また、投影光学系４０は、投影光学系４０の開口数を制御する絞り４５を、投影光学系４０の瞳面に有する。
【００３９】
ウエハ５０は、図示しないウエハステージに支持及び駆動される。本実施形態では、被露光基板として、ウエハ５０を使用しているが、ガラスプレートなど他の基板を使用することもできる。ウエハ５０には、フォトレジストが塗布されている。
【００４０】
露光において、光源部１０から発せられた光束は、照明光学系２０によりレチクル３０を照明する。レチクル３０を通過してパターンを反映する光は投影光学系４０によりウエハ５０に結像される。露光装置１が使用する照明光学系２０は、上述したように、遮光部材２２０及び駆動部２３０によって、投影光学系４０の瞳面における光強度分布が不均一になり、特に、投影光学系の光軸と垂直な方向の光強度分布を調整することができる。これにより、露光装置１は、レチクル３０のパターンに対する照明光の最適化を図ることができ、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００４１】
次に、図４及び図５を参照して、上述の露光装置１を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図４は、デバイス（半導体デバイス、液晶デバイス等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体デバイスの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ３（ウエハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いて本発明のリソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４２】
図５は、ステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、上述の露光装置１によってレチクルの回路パターンをウエハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００４３】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係る露光装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す露光装置の遮光部材の一例としての開口絞りの近傍及びかかる開口絞りを通過した光束が投影光学系の瞳面に形成する光強度分布を示す図である。
【図３】図１に示す露光装置の遮光部材の一例としての光学部材の近傍及びかかる光学部材を通過した光束が投影光学系の瞳面に形成する光強度分布を示す図である。
【図４】デバイスの製造を説明するためのフローチャートである。
【図５】図４に示すステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００４５】
１                                露光装置
１０                              光源部
２０                              照明光学系
２０１                            ビーム整形光学系
２０２                            回折光学素子
２０３                            集光光学系
２０４                            ズーム光学系
２０５                            多光束発生部
２０６                            アパーチャー
２０７                            コリメータレンズ
２０８                            マスキングブレード
２０９                            結像光学系
２１０                            ミラー
２１１                            結像光学系
２２０                            遮光部材
２２０Ａ                          開口絞り
２２０Ｂ                          光学部材
２２２Ｂ                          透過基板
２２４Ｂ                          遮蔽部
２３０                            駆動部
３０                              レチクル
４０                              投影光学系
５０                              ウエハ
【図１】
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【図４】
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【図５】
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【図２】
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【図３】
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