(57)【要約】【課題】  上面が平坦であり、幅が配線の幅方向やバンプ間ピッチ方向に広がることなく、高さが均一なバンプを備えて、半導体装置との接合不良の発生およびバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することを可能とし、またファインピッチ化に対応することを可能とした、半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  銅箔１１のような導体箔または導体板をエッチング法によってパターン加工して配線２のパターンを形成すると共にバンプ５のパターンも形成し、かつ配線２のパターン１４にハーフエッチングを施すことで、その配線２の厚さをバンプ５の厚さよりも薄くし、相対的にバンプ５の厚さが配線２の厚さよりも厚くなるようにする。【選択図】  図１
2008177467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように前記絶縁性基板上に形成された配線と、前記配線に連なりかつ前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプとを有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアであって、
前記バンプが、前記配線と連続した同一の導体材料からなり、かつ前記配線の厚さよりも厚く形成してなるものである
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリア。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、
前記バンプは、前記配線の線幅と同じ幅を有するものである
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリア。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、
前記バンプは、前記導体材料からなる導体箔または導体板をエッチングによりパターン加工してなるものであり、
かつ前記配線は、前記導体材料からなる導体箔または導体板をエッチングによりパターン加工し、かつハーフエッチングにより厚さを前記バンプの厚さよりも薄く加工してなるものである
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリア。
【請求項４】
請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、
前記バンプは、複数配設してなるものであり、それぞれの上面が平坦でありかつ厚さが均一に揃えられている
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリア。
【請求項５】
絶縁性基板上に配置された導体箔または導体板をエッチング法によりパターン加工して、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように設定された配線のパターンを形成すると共に、当該配線のパターンに連なり前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプのパターンを形成する工程と、
前記バンプのパターンを被覆し、かつ前記配線のパターンは露出するように、エッチングレジストパターンを形成する工程と、
前記エッチングレジストパターンをエッチングレジストマスクとして用いて前記配線のパターンにハーフエッチングを施し、当該配線の厚さを前記バンプの厚さよりも薄くすることで、相対的にバンプの厚さを配線の厚さよりも厚くする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法において、
前記バンプのパターンを、前記配線のパターンの線幅と同じ幅を有するパターンに形成する
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項７】
絶縁性基板上に配置された導体箔または導体板をエッチング法によりパターン加工して、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように設定された配線のパターンを形成すると共に、当該配線に連なり前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプのパターンを形成する工程を有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法であって、
前記導体箔または導体板における、前記バンプのパターンが設けられる予定の位置を被覆し、かつ前記配線のパターンが設けられる予定の位置は露出するように、エッチングレジストパターンを形成する工程と、
前記エッチングレジストパターンをエッチングレジストマスクとして用いて前記配線のパターンが設けられる位置にハーフエッチングを施し、当該配線のパターンが設けられる予定の位置の厚さを前記バンプが設けられる予定の位置の厚さよりも薄くする工程と、
前記ハーフエッチングを行った後、前記エッチング法によるパターン加工を行って、前記配線のパターンを形成すると共に前記バンプのパターンを形成して、前記配線と当該配線よりも相対的に厚さの厚いバンプとを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項８】
請求項５ないし７のうちいずれか１項に記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法において、
前記バンプを、個々の上面が平坦であり、かつ均一な厚さを有するように複数個配設する
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路のような半導体装置が搭載されて、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）の主要部として用いられる、半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置用ＴＡＢテープキャリア（ＴＡＢテープキャリア、あるいは単にＴＡＢテープ、もしくはキャリアテープ等とも云う）は、図４、図５に一例を示すような構造を有しており、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display；液晶表示）装置用の半導体実装パッケージのような小型化・薄型化が強く要請される用途に好適なものとして用いられている。
このようなＴＡＢテープキャリアでは、近年、半導体装置（図示省略）との物理的接続を行う技術として、キャリアテープ側には、配線１０２の端部など所定の位置に、金めっきなどによってバンプ１０５を形成する一方、半導体装置側には、アルミニウム等で接合用パッド（図示省略）を形成しておき、それらを直接に接合する、という技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
従来のＴＡＢテープキャリアにおいては、絶縁性基板１０１上に、銅箔のような導体材料をパターン加工してなる配線１０２が形成されている。その配線１０２の表面ほぼ全面は、保護用めっき層１０３によって被覆されている。また、保護用めっき層１０３の上には、さらに絶縁性保護膜１０４が設けられて被覆されている。
半導体装置搭載エリア１０６内には、半導体装置接合用のバンプ１０５が形成されている。このバンプ１０５は、例えば金めっきのようなボンディングに適した材料からなるめっきによって形成されたもので、その概形は、いわゆる団子状のような曲面状であり、平面視では、ほぼ楕円形となっている。
【０００４】
図６は、そのような従来提案されているＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
従来のＴＡＢテープキャリアの製造方法では、まず絶縁性基板１０１上に銅箔のような金属箔１１１を貼り合わせてなる、いわゆる銅張基板を用意し、その金属箔１１１の表面上ほぼ全面に、配線パターン加工用の感光性レジスト１１２を塗付またはラミネートする（図６（ａ））。
【０００５】
引き続いて、フォトマスクを用いて感光性レジスト１１２を露光し、それを現像して、所定の配線パターンに対応したレジストパターン１１３を形成する（図６（ｂ））。
続いて、エッチング処理により、レジストパターン１１３で覆われていない（露出した部分の）金属箔１１１を蝕刻除去して、配線１０２を形成する。その後、レジストパターン１１３を除去する（図６（ｃ））。
続いて、パンプ形成用の感光性レジストを塗付またはラミネートし、露光・現像を行って、半導体装置搭載エリア１０６内の所定位置に開口を有するレジストパターン１１５を形成する。そして、そのレジストパターン１１５で覆われていない（露出した）部分の配線１０２上に、金めっきのようなめっき法により、めっき金属からなるバンプ１０５を形成する（図６（ｄ））。
【０００６】
その後、レジストパターン１１５を除去し、配線１０２およびバンプ１０５の表面全面を覆うようにめっきを施して、保護用めっき層１０３を形成する（図６（ｅ））。
そして最後に、絶縁性保護膜１０４を形成して配線１０２の主要部を被覆し、ＴＡＢテ
ープキャリアの主要部が作製される（図６（ｆ））。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１３６０３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような従来の技術による半導体装置用ＴＡＢテープキャリアでは、次のような問題がある。
【０００９】
第１に、配線上の端部など所定位置に、めっき法によってバンプを形成しているので、バンプは配線の表面を底面として放射状に成長形成される。このため、出来上がったバンプの外形は、いわゆる団子状となり、その頂点部分（上面）が平坦にならず、半導体装置との接合に物理的な接触不良等が生じやすいという問題がある。
【００１０】
第２に、バンプをめっき法によって形成するに際して、そのバンプを形成する領域のレジストマスクは一括して開口されるが、上記のようにめっき金属は放射状に成長するので、配線の幅方向にも広がって形成される。このため、隣り合うバンプ同士の間隔が所期の設定よりも狭隘なものとなる傾向にあり、それらが短絡するなどの電気的不良欠陥が発生しやすいという問題がある。
また、このような欠陥の発生を回避するためには、配線パターンやバンプ同士の間隔を、所望の設計値よりも広めに設定しなければならないので、いわゆるファインピッチ化への対応が困難なものとなるという問題もある。
【００１１】
第３に、バンプを形成するに際して、めっき金属を分厚く成長させなければならないが、そのように分厚いめっき金属の成長には、比較的大きなばらつきが不可避的に存在する。その成長のばらつきに起因して、出来上がったバンプの高さには、許容範囲を逸脱したばらつきが生じる傾向にある。このため、半導体装置との接合に接触不良等が生じやすいという問題がある。
【００１２】
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、上面が平坦であり、幅が配線の幅方向やバンプ間ピッチ方向に広がることなく、高さが均一なバンプを備えて、半導体装置との接合不良の発生およびバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することを可能とし、またファインピッチ化に対応することを可能とした、半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように前記絶縁性基板上に形成された配線と、前記配線に連なりかつ前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプとを有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアであって、前記バンプが、前記配線と連続した同一の導体材料からなり、かつ前記配線の厚さよりも厚く形成してなるものであることを特徴としている。
【００１４】
本発明の第２の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアは、上記第１の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、前記バンプは、前記配線の線幅と同じ幅を有するものであることを特徴としている。
【００１５】
本発明の第３の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアは、上記第１または第２の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、前記バンプは、前記導体材料からなる導体箔または導体板をエッチングによりパターン加工してなるものであり、かつ前記配線は、前記導体
材料からなる導体箔または導体板をエッチングによりパターン加工し、かつハーフエッチングにより厚さを前記バンプの厚さよりも薄く加工してなるものであることを特徴としている。
【００１６】
本発明の第４の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアは、上記第１ないし３のうちいずれかの半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、前記バンプが、複数配設してなるものであり、それぞれの上面が平坦でありかつ厚さが均一に揃えられていることを特徴としている。
【００１７】
本発明の第１の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法は、絶縁性基板上に配置された導体箔または導体板をエッチング法によりパターン加工して、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように設定された配線のパターンを形成すると共に、当該配線のパターンに連なり前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプのパターンを形成する工程と、前記バンプのパターンを被覆し、かつ前記配線のパターンは露出するように、エッチングレジストパターンを形成する工程と、前記エッチングレジストパターンをエッチングレジストマスクとして用いて前記配線のパターンにハーフエッチングを施し、当該配線の厚さを前記バンプの厚さよりも薄くすることで、相対的にバンプの厚さを配線の厚さよりも厚くする工程とを含むことを特徴としている。
【００１８】
本発明の第２の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法は、上記第１の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法において、前記バンプのパターンを、前記配線のパターンの線幅と同じ幅を有するパターンに形成することを特徴としている。
【００１９】
本発明の第３の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法は、絶縁性基板上に配置された導体箔または導体板をエッチング法によりパターン加工して、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように設定された配線のパターンを形成すると共に、当該配線に連なり前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプのパターンを形成する工程を有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法であって、前記導体箔または導体板における、前記バンプのパターンが設けられる予定の位置を被覆し、かつ前記配線のパターンが設けられる予定の位置は露出するように、エッチングレジストパターンを形成する工程と、前記エッチングレジストパターンをエッチングレジストマスクとして用いて前記配線のパターンが設けられる位置にハーフエッチングを施し、当該配線のパターンが設けられる予定の位置の厚さを前記バンプが設けられる予定の位置の厚さよりも薄くする工程と、前記ハーフエッチングを行った後、前記エッチング法によるパターン加工を行って、前記配線のパターンを形成すると共に前記バンプのパターンを形成して、前記配線と当該配線よりも相対的に厚さの厚いバンプとを形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００２０】
本発明の第４の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法は、上記第１ないし３のうちいずれかの半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法において、前記バンプを、個々の上面が平坦であり、かつ均一な厚さを有するように、複数個配設することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、めっき法によってバンプを形成するのではなく、導体箔または導体板をエッチング法によってパターン加工して配線のパターンを形成すると共にバンプのパターンも形成し、かつ配線のパターンにハーフエッチングを施すことで、その配線の厚さをバンプの厚さよりも薄くし、相対的にバンプの厚さが配線の厚さよりも厚くなるようにした（上方へと突出するようにした）ので、作製されるバンプは、上面が基本的に導体箔ま
たは導体板と同様に平坦なものとなる。また、バンプの幅が配線の幅方向やバンプ間ピッチ方向に広がることがなく、かつ厚さ（絶縁性基板表面からの高さ）も均一なものとなる。これにより、バンプと半導体装置の接合部との接合不良の発生やバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することが可能となり、またファインピッチ化に対応することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る一実施の形態の半導体装置用ＴＡＢテープキャリア（以下、ＴＡＢテープキャリアと簡略化して呼ぶ）およびその製造方法について、図面を参照して説明する。
【００２３】
図１は、本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの主要部の構成を示す平面図であり、図２は、図１に示したＴＡＢテープキャリアにおけるＡ−Ａ断面図である。また図３は、本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
このＴＡＢテープキャリアは、絶縁性基板１と、配線２と、保護用めっき層３と、絶縁性保護膜４と、バンプ５と、半導体装置搭載エリア６とを備えている。
【００２４】
絶縁性基板１としては、例えばポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ＬＣＰ等からなる、長尺のフィルムテープ状のものが用いられる。
この絶縁性基板１は、長尺のフィルムテープの長手方向に多数の半導体装置のそれぞれに対応した多数組の配線が列設され、その一つ一つの半導体装置搭載エリア６に各々、半導体装置（図示省略）が搭載されて、ボンディング・ポッティング等が行われた後、一つ一つが切り離されることで、個々の半導体装置を実装してなるパッケージ内に組み込まれた基板となる。図１、図２は、その個々のパッケージごとに切り離された状態を示している。但し、図示の簡潔化を図るために、半導体装置は搭載されていない状態を示すものとした。
【００２５】
配線２は、絶縁性基板１上に搭載される半導体装置に対して、電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように設定されたものである。この配線２は、絶縁性基板１の表面上にラミネートまたは接着された銅箔１１（または銅系金属薄板）のような導体材料からなる導体箔（または導体板）を、エッチングによりパターン加工し、かつハーフエッチングによって厚さをバンプ５の厚さよりも薄い厚さとなるように加工することで、その主要部が形成されている。
【００２６】
保護用めっき層３は、Ｓｎ系金属材料またはＡｕなどのめっき金属からなり、配線２およびバンプ５の表面ほぼ全面を覆うことで、それら配線２およびパンプ５を保護するように設けられたものである。
【００２７】
絶縁性保護膜４は、さらに保護用めっき層３の上に形成されて、配線２、保護用めっき層３、バンプ５等を外部からの機械的衝撃や外部または半導体装置に対する電気的短絡などから保護するためのものである。この絶縁性保護膜４の形成材料としては、例えばエポキシ系樹脂材料や、ウレタン系樹脂材料等からなる、いわゆるソルダーレジストなどを好適に用いることができる。
【００２８】
バンプ５は、配線２の端部に配置されてその配線２に連なり、半導体装置の接続パッドのような電気的接合部（図示省略）に対して物理的に直接または間接に接続されるように設定されており、配線２と連続した同一の銅箔１１のような導体材料を、エッチング法などによりパターン加工してなるものである。
このバンプ５の厚さ（絶縁性基板１の表面からバンプ５の上面までの高さ）は、配線２
の厚さ（絶縁性基板１の表面から配線２の上面までの高さ）よりも厚いものとなっている。これは、配線２の厚さをハーフエッチング法などによりバンプ５の厚さよりも薄くすることにより、相対的に、バンプ５が配線２よりも厚くなるようにすること等によって実現されている。
また、このバンプ５の幅（隣り合うバンプ同士の間隔）は、配線２の線幅と同じ幅となっている。このバンプ５は、以下の製造方法の説明でも詳述するように、エッチング法によってパターン形成される。従って、このバンプ５の幅は、銅箔１１のような導体材料をエッチング法などによりパターン加工する際に、そのエッチング加工精度によって達成可能なパターン精度の範囲内で、任意な寸法に、かつ高い精度で、形成することが可能なものである。
このバンプ５の形状は、平面視でほぼ矩形となっており、かつその厚さ（高さ）が均一に揃えられている。このように、従来のめっき法によって形成されたバンプのような幅方向に広がった楕円形でありかつその厚さがばらつく傾向にあることを回避困難であるものとは、本発明によるバンプは明らかに異なったものとなっている。
【００２９】
次に、本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの製造方法について、図３を参照しつつその主要な流れを説明する。
【００３０】
まず、絶縁性基板１上に銅箔１１をラミネートしてなる、いわゆる銅張基材を用意し、その銅箔１１の表面上に、感光性レジスト膜１２を塗布またはラミネートする（図３（ａ））。
続いて、フォトマスクおよび露光装置等（いずれも図示省略）を用いて、感光性レジスト膜１２を露光し、それを現像して、所定の配線パターンに対応したレジストパターン１３を形成する（図３（ｂ））。
【００３１】
引き続いて、エッチング処理により、レジストパターン１３で覆われていない（露出した）部分の金属箔１１を蝕刻除去して、配線２およびバンプ５の、厚さを調整加工する前のパターン１４を形成する。その形成後、使用済みのレジストパターン１３を除去する（図３（ｃ））。
この段階では、配線２およびバンプ５のパターン１４における、バンプ５のパターン幅は、配線２のパターン幅と同等の寸法に形成されている。また、パンプ５のパターンの厚さと、配線２のパターンの厚さとが、等しく金属箔１１の厚さのままとなっている。
【００３２】
続いて、ハーフエッチング用の感光性レジストを塗付またはラミネートし、露光・現像を行って、半導体装置搭載エリア６内の所定位置ごとに配置されるバンプ５の上を覆い、かつそれ以外の配線２等の表面は露出させるように、レジストパターン１５を形成する。
そして、そのレジストパターン１５をエッチングレジストマスクとして用いて、そのレジストパターン１５で覆われていない全ての配線２をハーフエッチング法によりその表面から下向きに所定の厚さになるまで蝕刻して行くことで、配線２の厚さをバンプ５の厚さよりも薄くする（図３（ｄ））。
このようにすることで、相対的に出来上がりのバンプ５の厚さを配線２の厚さよりも厚くすることができる。しかも、このようにして形成されたバンプ５の幅は、高い自由度を以て任意の幅に設定することができ、かつ高い寸法精度で形成することができる。また、バンプ５の厚さは、基本的に銅箔１１の厚さによって決まるので、従来のようなめっき法等によってめっき金属を成長させることで形成していた場合のバンプと比較して、その厚さを極めて高い精度で任意の寸法に設定することができる。
【００３３】
その後、レジストパターン１５を除去し、配線２およびバンプ５の表面全面を覆うように、金めっきのようなめっきを施して、保護用めっき層３を形成する（図３（ｅ））。
そして最後に、絶縁性保護膜４を形成して配線２の主要部を被覆し、このＴＡＢテープ
キャリアの主要部が完成する（図３（ｆ））。
【００３４】
このように、本実施の形態のＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法によれば、従来の製造方法の場合のようなめっき法によってめっき金属を成長させてバンプを形成するのではなく、銅箔１１をエッチング法によってパターン加工し、配線２およびバンプ５のパターン１４を形成し、さらに配線２のパターンにハーフエッチングを施すことで、その配線２の厚さをバンプ５の厚さよりも薄くして、相対的にバンプ５の厚さが配線２の厚さよりも厚くなるようにしたので、基本的に銅箔１１の平坦さを維持して、完成したバンプ５の上面を極めて平坦なものとすることができる。
【００３５】
また、従来の製造方法の場合のようなバンプ幅が配線の幅方向やバンプ間ピッチ方向に広がることを回避して、バンプ５の幅を、配線２の線幅と同じ幅のような所望の幅に形成することが可能となる。
また、バンプ５の高さは基本的に銅箔１１の厚さと同等のままに保たれるので、このバンプ５の高さを銅箔１１の厚さの精度に対応した極めて均一なものとすることができる。
また、上記のような作用が相まって、バンプ５と半導体装置の接合部との接合不良の発生や、隣り合うバンプ５同士での短絡不良の発生を、抑止ないし解消することが可能となり、延いてはバンプ５や配線２のさらなるファインピッチ化に対応することが可能となる。
【００３６】
なお、上記の実施の形態では、バンプ５の幅を配線２の線幅と同等としたが、バンプ５の幅は、これのみには限定されないことは勿論である。
この他にも、バンプ５の幅を配線２の線幅よりもさらに小さくすることも可能である。あるいは逆に、隣り合うバンプ５同士で電気的短絡が発生しない範囲内で、バンプ５の幅を大きくすることなども可能であることは言うまでもない。
【００３７】
また、上記の実施の形態では、配線２およびバンプ５のパターンを形成した後、配線２のパターンにハーフエッチングを施して、その配線２の厚さをバンプ５の厚さよりも薄くするようにしたが、パターン加工の工程とハーフエッチングの工程との順序を逆にして、予め配線２の形成予定の位置またはその領域一帯にハーフエッチングを行って、その部分の銅箔１１の厚さを薄くしておき、その後、配線２およびバンプ５のパターン加工を行うようにすることなども可能である。
【００３８】
すなわち、まず、銅箔１１における、バンプ５のパターンが設けられる予定の位置を被覆し、かつ配線２のパターンが設けられる予定の位置を含む領域一帯（いわゆる配線領域）は露出するように、ハーフエッチング用のエッチングレジストパターンを形成する。
そして、上記のエッチングレジストパターンをエッチングレジストマスクとして用いて、配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯にハーフエッチングを施すことで、その配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯の厚さを、バンプ５が設けられる予定の位置の厚さよりも薄くしておく。
続いて、銅箔１１をエッチング法によってパターン加工することで、配線２のパターンを形成すると共にバンプ５のパターンを形成して、配線２と、その配線２よりも相対的に厚さの厚いバンプ５とを形成する。
【００３９】
このようにすることによっても、上記の一実施の形態と同様に、上面が極めて平坦で、幅がバンプ間ピッチ方向に広がることなく、かつ高さが均一であり、延いては半導体装置の接合部との接合不良の発生やバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することが可能なバンプ５を、寸法設計および形状設計の高い自由度を以て、高精度に形成することができる。
しかも、この製造方法によれば、配線２の形成予定の部分（配線領域）の銅箔１１の厚
さを、ハーフエッチングによって予め薄くしているので、エッチング法によって銅箔１１をパターン加工して配線２をパターン形成する際の加工精度を、さらに高いものとすることが可能となり、さらなるファインピッチ化を促進することが可能となるという副次的な効果も得ることができる。
【実施例】
【００４０】
上記の一実施の形態で説明したようなＴＡＢテープキャリアを製造した。
絶縁性基板１としては、２０〜５０μｍの厚さのポリイミドテープを複数種類用いた。
銅箔１１としては、厚さ１３〜２５μｍのレンジ内の値のものを用いた。
配線２は、ライン（線幅）／スペース（パターン間ギャップ）＝１０〜２０μｍ／１０〜２０μｍのレンジ内の値にそれぞれ設定した。その厚さは、８〜１５μｍのレンジ内の値とした。
絶縁性保護膜４は、いわゆるソルダーレジストとし、その厚さを２０〜５０μｍのレンジ内の値とした。
バンプ５は、幅が配線２の線幅と等しく、かつ長さが２０〜３０μｍの、平面視でほぼ矩形状のパターンに設定した。その厚さは、配線２との厚さの差（つまり段差）が５〜１０μｍとなるように、上記のような厚さの銅箔１１の使用を選択することによって設定した。このバンプ５の厚さの出来上がり精度は約１μｍであった。
【００４１】
パターン加工時のエッチングプロセス条件としては、一般的な設定を踏襲した。そしてハーフエッチングのプロセス条件については、酸系エッチング液である塩化第二鉄系エッチング液を用い、３０〜６０℃の温度で、パターン１４における配線２の部分を厚さ方向に３〜１０μｍに亘って蝕刻が進むように設定した。
【００４２】
このような本実施例の製造方法によれば、極めて高い精度でバンプ５を配線２よりも厚くすることができた。
また、バンプ５の幅を、極めて高い精度で配線２の所望の線幅と同じ幅とすることができた。
また、バンプ５の形状を、平面視でほぼ矩形とすることができ、従来のめっき法によって形成されたバンプのような幅方向に広がった楕円形等とは明らかに異なったパターン形状とすることが可能であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの主要部の構成を示す平面図である。
【図２】図１に示したＴＡＢテープキャリアにおけるＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【図４】従来のＴＡＢテープキャリアの主要部の構成を示す平面図である。
【図５】図４に示したＴＡＢテープキャリアにおけるＢ−Ｂ断面図である。
【図６】従来のＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１    絶縁性基板
２    配線
３    保護用めっき層
４    絶縁性保護膜
５    バンプ
６    半導体装置搭載エリア
１１  銅箔
１２  感光性レジスト膜
１３  レジストパターン
１４  パターン
１５  レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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