(57)【要約】【課題】１５以上の高い比誘電率と、０．３％以下の低い誘電損失とを有し、また、ガラス移転点（Ｔｇ）も低くて、高周波回路素子、ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料の形成に好適に適用できるガラスを提供すること。【解決手段】酸化物基準の質量％で、Ｂｉ２Ｏ３を２０〜９０％含有するガラスであって、１ＭＨｚでの比誘電率が１５以上で、誘電損失が０．３％以下である。また、好ましくは、ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物基準の質量％で、Ｂｉ２Ｏ３を２０〜９０％含有し、１ＭＨｚでの比誘電率が１５以上で、誘電損失が０．３％以下であるガラス。
【請求項２】
酸化物基準の質量％で、Ｂ２Ｏ３＋ＳｉＯ２を５〜６０％、Ｍ２Ｏ３（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎからなる群より選択される少なくとも１種類である）を０〜２０％、ＲＯ（ＲはＺｎ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇからなる群より選択される少なくとも１種類である）を０〜５０％、Ｒｎ２Ｏ（ＲｎはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓからなる群より選択される少なくとも１種類である）を０〜５％、Ａｓ２Ｏ３＋Ｓｂ２Ｏ３を０〜５％含有する請求項１に記載のガラス。
【請求項３】
酸化物基準の質量％で、ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋ＷＯ３＋Ｎｂ２Ｏ３＋Ｔａ２Ｏ５の合計量を０〜４０％含有する請求項１または２に記載のガラス。
【請求項４】
酸化物基準の質量％で、Ｌｎ２Ｏ３（ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群より選択される少なくとも１種類である）を０〜４０％含有する請求項１から３いずれかに記載のガラス。
【請求項５】
ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下である請求項１から４いずれかに記載のガラス。
【請求項６】
高周波回路素子用または電子回路基板用として使用される請求項１から５いずれかに記載のガラス。
【請求項７】
請求項１から６いずれかに記載のガラスを用いた高周波回路素子。
【請求項８】
請求項１から６いずれかに記載のガラスを用いた電子回路用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い比誘電率と低い誘電損失とを有し、高周波回路素子、フラットパネル・ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料として好適に用いられるガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車用電話やパーソナル無線に代表される移動体通信、携帯電話、衛星放送、衛星通信、ＣＡＴＶ等に代表されるような高度情報化時代を迎え、情報伝達はより高速化・高周波化の傾向にあり、さらにこれらの機器には小型化が求められ、これに伴って回路素子に対しても小型化が強く要求されている。
【０００３】
例えば、マイクロ波用回路素子について、その大きさは、使用電磁波の波長が基準になる。すなわち、比誘電率（ε）の誘電体中を伝播する電磁波の波長（λ）は、真空中の波長をλ０とするとλ＝λ０／（ε１／２）となり、λはεの平方根に反比例する。よってマイクロ波用回路素子の小型化のため、高い比誘電率の材料が求められている。
【０００４】
また、その応用の際に比誘電率が高いだけでは十分でなく、あわせて誘電損失も低いものが求められる。特に高周波・高電界で誘電体をコンデンサーとして使用する場合、品質係数Ｑが大きいことが要求され、ここでＱ＝１／ｔａｎδ（ｔａｎδは誘電損失を意味する）の関係にあるので、誘電損失（ｔａｎδ）の小さい材料がより有利である。
【０００５】
従来、前記のような比較的比誘電率の大きなガラスとしては、ＰｂＯ系、ＴｉＯ２系、ＴｅＯ２系ガラスが知られている。例えば、特許文献１にはＰｂＯ系のガラスが開示されており、特許文献２にはＳｉＯ２−ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ３系のガラスが開示されており、特許文献３にはＴｅＯ２系のガラスが開示されている。ここで、ＰｂＯ系、ＴｉＯ２系ガラスの比誘電率は、およそ１５程度である。一方、ＴｅＯ２系ガラスは比誘電率が２０〜３０の範囲の高い値を示すが、誘電損失すなわちｔａｎδが０．３％より大きいので誘電材料用としては十分でない。また、ＰｂＯ系ガラスは、鉛を含有しているので、ガラスを製造、加工、及び廃棄をする際に環境対策上の措置を講ずる必要があるため、コストが高くなり、ガラスに鉛成分を含有させることは好ましくない。
【０００６】
一方、比誘電率が１６〜２６で、誘電損失が０．０５〜０．１２％といった比誘電率が高くて、誘電損失も小さいＰ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｂ２Ｏ５系ガラスが出願公開されている（特許文献４）。しかし、このＰ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｂ２Ｏ５系ガラスは、高価なＮｂ２Ｏ５成分を多く含有しているのでコストが高くなる。
【特許文献１】特開平４−１６５２７号公報
【特許文献２】特開平５−６３３２３号公報
【特許文献３】特開２００５−２８１０２３号公報
【特許文献４】特開２００３−２１２５９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、前記従来技術の見られる諸欠点を改善し、１５以上の高い比誘電率と０．３％以下の低い誘電損失とを有し、また、ガラス移転点（Ｔｇ）も低くて、高周波回路素子、ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料等の形成に好適に適用できるガラスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、前記目的を達成するため、鋭意試験研究を重ねた結果、従来の技術には、誘電材料等として具体的に開示されていないＢｉ２Ｏ３成分を多量に含有するＢｉ２Ｏ３系ガラスにおいて、高い比誘電率と小さい誘電損失を有するガラスが得られていることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
より具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【００１０】
（１）  酸化物基準の質量％で、Ｂｉ２Ｏ３を２０〜９０％含有し、１ＭＨｚでの比誘電率が１５以上で、誘電損失が０．３％以下であるガラス。
【００１１】
この態様によれば、本発明のガラスは、Ｂｉ２Ｏ３を２０〜９０％と多量に含有しているので、１５以上という高い比誘電率（ε）と、０．３％以下という低い誘電損失（ｔａｎδ）を有することになる。このため、高周波回路素子、フラットパネル・ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料等の形成や誘電材料の焼成助剤、誘電体ペースト用として好適に適用することができる。
【００１２】
（２）  酸化物基準の質量％で、Ｂ２Ｏ３＋ＳｉＯ２を５〜６０％、Ｍ２Ｏ３（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎからなる群より選択される少なくとも１種類である）を０〜２０％、ＲＯ（ＲはＺｎ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇからなる群より選択される少なくとも１種類である）を０〜５０％、Ｒｎ２Ｏ（ＲｎはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓからなる群より選択される少なくとも１種類である）を０〜５％、Ａｓ２Ｏ３＋Ｓｂ２Ｏ３を０〜５％含有する（１）に記載のガラス。
【００１３】
この態様によれば、Ｂｉ２Ｏ３成分に加え、上記各成分を所定の範囲に調整することにより、ガラスの安定性を向上することができる。その上、Ｒｎ２Ｏの上限を５％に限定することにより、ガラスの電気抵抗の低下を防ぐことができ、目的のガラス誘電体が得られる。
【００１４】
（３）  酸化物基準の質量％で、ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋ＷＯ３＋Ｎｂ２Ｏ３＋Ｔａ２Ｏ５の合計量を０〜４０％含有する（１）または（２）に記載のガラス。
【００１５】
この態様によれば、Ｂｉ２Ｏ３成分に加え、上記各成分を所定の範囲に調整することにより、ガラスの比誘電率をより向上することができる。
【００１６】
（４）  酸化物基準の質量％で、Ｌｎ２Ｏ３（ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群より選択される少なくとも１種類である）を０〜４０％含有する（１）から（３）いずれかに記載のガラス。
【００１７】
Ｌｎ２Ｏ３（ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群より選択される少なくとも１種類である）成分は、比誘電率等の誘電特性を向上させる効果を有しているので、ガラスの比誘電率をより高め、誘電損失がより低いものとすることができる。
【００１８】
（５）  ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下である（１）から（４）いずれかに記載のガラス。
【００１９】
この態様によれば、ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下であるので、ガラスが比較的低い温度で軟化するため、誘電体セラミックスの焼成助剤として使うことが可能となり、その場合に、より低温で誘電特性の高いものが得やすくなる。また、本発明のガラスを用いた高周波回路素子、フラットパネル・ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料等をより低温で容易に形成することができる。
【００２０】
（６）  高周波回路素子用または電子回路基板用として使用される（１）から（５）いずれかに記載のガラス。
【００２１】
（７）  （１）から（６）いずれかに記載のガラスを用いた高周波回路素子。
【００２２】
（８）  （１）から（６）いずれかに記載のガラスを用いた電子回路用基板。
【００２３】
（１）〜（５）に記載されたガラスは、上記のように高い比誘電率と低い誘電損失を有するので、高周波回路素子やフラットパネル・ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料の形成に好適である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のガラスは、Ｂｉ２Ｏ３成分を２０〜９０％と高含有するＢｉ２Ｏ３系ガラス組成を有しているので、比誘電率が１５以上で、誘電損失が０．３％以下という、高い比誘電率と低い誘電損失を有する。このため、高周波回路素子、フラットパネル・ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料に好適である。
【００２５】
また、本発明の高誘電ガラスは、ガラス転移点が５００℃以下と低いので、焼成助剤としてセラミックス誘電体をより低温で焼成することができ、それによる高周波回路素子や電子回路用基板等の成形がより容易にできるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、本発明のガラスにおいて、具体的な実施形態について説明する。
【００２７】
［ガラス成分］
＜必須成分、任意成分について＞
本発明のガラスを構成する各成分の組成範囲を以下に述べる。各成分は質量％にて表現する。尚、本願明細書中において質量％で表されるガラス組成はすべて酸化物基準での質量％で表されたものである。ここで、「酸化物基準」とは、本発明のガラス構成成分の原料として使用される酸化物、硝酸塩等が溶融時にすべて分解され酸化物へ変化すると仮定した場合に、この生成酸化物の質量の総和を１００質量％として、ガラス中に含有される各成分を表記した組成である。
【００２８】
Ｂｉ２Ｏ３成分は、高い比誘電率と低い誘電損失の誘電特性の向上、ガラス転移点（Ｔｇ）を下げるために効果がある成分であり、本発明の目的を達成するのに欠かせない成分である。しかし、Ｂｉ２Ｏ３を過剰に含有するとガラスの安定性が損なわれることがあり、少なすぎると本発明の目的を達成し難くなる。よって、Ｂｉ２Ｏ３量は２０〜９０％の範囲が好ましい。より好ましい範囲は２０〜８５％、最も好ましい範囲は３０〜８５％である。
【００２９】
Ｂ２Ｏ３及びＳｉＯ２成分はガラス形成酸化物として欠くことができない成分であり、ガラスの耐失透性を向上させ及び液相温度に対する粘性を成形に適した範囲にするのに非常に効果がある成分である。これら成分の１種または２種合計の含有量は５％以上とすることが好ましく、６％以上とすることがより好ましく、８％以上とすることが最も好ましい。しかし、大きな比誘電率と低い誘電損失を維持するため、６０％以下が好ましく、５０％以下がより好ましく、４０％以下が特に好ましい。
【００３０】
Ｂ２Ｏ３及びＳｉＯ２成分それぞれの含有量は、好ましくは６０％以下、より好ましくは５０％以下、最も好ましくは４０％以下となる。
【００３１】
Ｍ２Ｏ３（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎからなる群より選択される少なくとも１種類である）成分は、ガラスの化学的耐久性、溶融性と安定性を改善する効果があるため任意に添加することができるが、過剰に含有させるとガラスの溶解温度が上昇しやすくなる。そこで、その合計量が好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、最も好ましくは１０％以下である。
【００３２】
Ａｌ２Ｏ３成分は、ガラスの溶融性と安定性の改善、さらに表面硬度の向上に効果がある任意成分である。しかし、過剰に含有させると溶解温度が上昇しやすくなり、ガラスの安定性と比誘電率も低下しやすくなる。従って、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、最も好ましくは１０％以下である。
【００３３】
Ｇａ２Ｏ３成分は、ガラスの溶融性と安定性の改善に効果がある任意成分である。しかし、高価のため、１０％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが最も好ましい。
【００３４】
Ｉｎ２Ｏ３成分は、ガラスの溶融性と安定性の改善、さらに比誘電率の向上に効果がある任意成分である。しかし、高価のため、１０％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが最も好ましい。
【００３５】
ＲＯ（ＲはＺｎ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇより選択される少なくとも１種類である）成分は、ガラスの比誘電率を高め、誘電損失を低くするという誘電特性の向上、ガラスの溶融性や耐失透性の向上及び化学的耐久性の向上に効果がある任意成分であり、その合計量は５０％以下であるのが好ましく、より好ましくは４５％以下であり、最も好ましくは４０％以下である。
【００３６】
ＢａＯ及びＳｒＯの各成分はガラスの安定性と比誘電率を高めるのに有効な任意成分であるが、その量が多すぎると失透が発生しやすくなる。従って、個々の成分が４５％以下となると共に、合計で４５％以下とすることが好ましく、４０％以下とすることが好ましく、３０％以下とすることが最も好ましい。
【００３７】
ＺｎＯは、ガラスの安定性と化学的耐久性を改善させるのに効果的な任意成分であるが、その量が多すぎると失透が発生しやすくなる。従って、４０％以下とすることが好ましく、３０％以下とすることが好ましく、２５％以下とすることが最も好ましい。
【００３８】
ＣａＯ及びＭｇＯは、ガラスの溶融性を改善させるのには効果的な任意成分であるが、その量が多すぎると失透が発生しやすくなる。従って、個々の成分が２０％以下となると共に、合計で２０％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることがより好ましく、８％以下とすることが最も好ましい。
【００３９】
ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＷＯ３、及びＮｂ２Ｏ５の各成分は比誘電率を大きくするのに有効な任意成分である。ただし、その量が多すぎるとガラスの失透性が増しやすくなり、あるいはガラスの溶融性が悪化しやすくなるので、その合計量が４０％以下であるのが好ましい。より好ましくは３０以下であり、最も好ましくは２５％以下である。このうち、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２は上限を２０％、ＷＯ３とＴａ２Ｏ５は上限を３０％、Ｎｂ２Ｏ５は上限を３０％とすることが好ましい。
【００４０】
Ｒｎ２Ｏ（ＲｎはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓからなる群より選択される少なくとも１種類である）の各成分はガラスの溶融性と安定性を向上させる任意成分である。しかし、アルカリ成分はガラス中でのイオンの移動度を非常に大きくし、電気抵抗率を小さくする。高電圧下ではアルカリ成分の析出や絶縁破壊も起こり得るため、個々の成分が５％以下となると共に、電子材料としては各成分の和は５％以下が好ましく、より好ましくは３％以下であり、実質的に含まないことがより好ましい。
【００４１】
Ｌｎ２Ｏ３（ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群より選択される少なくとも１種類である）成分は、比誘電率を大きくする、ガラスの密度を上げて表面硬さを向上させるに有効な任意成分である。しかし、その量が多すぎるとガラスの失透性が増しやすくなる、あるいはガラスの溶融性が悪化しやすくなるので、個々の成分が３０％以下となると共に、その合計量も４０％以下であるのが好ましい。より好ましくは３０以下であり、最も好ましくは２５％以下である。
【００４２】
Ｓｂ２Ｏ３成分はガラス溶融時の脱泡のために添加し得るが、脱泡効果を得るには、これら成分の量は５％以下で十分である。
【００４３】
＜含有させるべきでない成分について＞
他の成分を本願発明のガラスの特性を損なわない範囲で必要に応じ、添加することができる。しかし、Ｐｂ、Ｔｈ、Ｃｄ、Ｔｌ、Ｏｓの各成分は、近年有害な化学物資として使用を控える傾向にあるため、ガラスの製造工程のみならず、加工工程、及び製品化後の処分に至るまで環境対策上の措置が必要とされる。従って、環境上の影響を重視する場合には実質的に含まないことが好ましい。
【００４４】
鉛成分は、ガラスを製造、加工、及び廃棄をする際に環境対策上の措置を講ずる必要があるため、コストが高くなり、本発明のガラスに鉛成分を含有させるべきでない。
【００４５】
Ａｓ２Ｏ３は、ガラスを溶融する際、泡切れ（脱泡性）をよくするために使用される成分であるが、ガラスを製造、加工、及び廃棄をする際に環境対策上の措置を講ずる必要があるため、好ましくは５％以下であり、より好ましくは本発明のガラスにＡｓ２Ｏ３を含有しない。
【００４６】
また、Ｓｂ２Ｏ３及びＡｓ２Ｏ３は合計量で５％以下であることが好ましい。
【００４７】
本発明のガラスは、各成分を酸化物基準の質量％で、以下の範囲で含有されることが好ましい。
Ｂｉ２Ｏ３：２０〜９０％、及び
ＳｉＯ２：０〜６０％、及び／または
Ｂ２Ｏ３：０〜６０％、及び／または
但し、ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３：５〜６０％
Ａｌ２Ｏ３：０〜２０％、及び／または
Ｇａ２Ｏ３：０〜１０％、及び／または
Ｉｎ２Ｏ３：０〜１０％、及び／または
Ｍ２Ｏ３（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎからなる群より選択される少なくとも１種）の合計量：０〜２０％
ＺｎＯ：０〜４０％、及び／または
ＢａＯ：０〜４５％、及び／または
ＳｒＯ：０〜４５％、及び／または
ＣａＯ：０〜２０％、及び／または
ＭｇＯ：０〜２０％、及び／または
但し、ＲＯ（ＲはＺｎ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇからなる群より選択される少なくとも１種）の合計量：０〜５０％、ＣａＯ＋ＭｇＯ：０〜２０％、ＢａＯ＋ＳｒＯ：０〜４５％
ＴｉＯ２：０〜２０％、及び／または
ＺｒＯ２：０〜２０％、及び／または
ＷＯ３：０〜３０％、及び／または
Ｔａ２Ｏ５：０〜３０％、及び／または
Ｎｂ２Ｏ５：０〜３０％、及び／または
但し、ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋ＷＯ３＋Ｔａ２Ｏ５＋Ｎｂ２Ｏ５：０〜４０％
Ｌｉ２Ｏ：０〜５％、及び／または
Ｎａ２Ｏ：０〜５％、及び／または
Ｋ２Ｏ：０〜５％、及び／または
Ｃｓ２Ｏ：０〜５％、及び／または
但し、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｃｓ２Ｏ：０〜５％
Ｙ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｌａ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｃｅ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｐｒ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｎｄ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｅｕ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｇｄ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｔｂ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｄｙ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｈｏ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｅｒ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｔｍ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｙｂ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
Ｌｕ２Ｏ３：０〜３０％、及び／または
但し、Ｌｎ２Ｏ３（ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群より選択される少なくとも１種）の合計量：０〜４０％
Ａｓ２Ｏ３：０〜５％、及び／または
Ｓｂ２Ｏ３：０〜５％
但し、Ａｓ２Ｏ３＋Ｓｂ２Ｏ３：０〜５％
【００４８】
［比誘電率及び誘電損失とガラス転移点］
本発明のガラスは、１５以上の高い比誘電率と０．３％以下の低い誘電損失とを有し、５００℃以下のガラス転移点（Ｔｇ）を容易に得ることができる。比誘電率のより好ましい範囲は、１８以上であり、さらに好ましくは２０以上である。また、誘電損失のより好ましい範囲は、０．２％以下であり、さらに好ましくは０．１％以下である。また、ガラス転移点（Ｔｇ）のより好ましい範囲は、４８０℃以下であり、さらに好ましくは４６０℃以下である。Ｔｇを当該値に設定することにより、低温セラミックス焼結にという点で有利である。
【００４９】
尚、誘電特性とＢｉ２Ｏ３含有量との関係については、Ｂｉ２Ｏ３含有量が増加するにつれて比誘電率が高くなり、誘電損失が小さくなる傾向を呈する。
【００５０】
［用途］
本発明のガラスは、例えば、高周波回路素子、フラットパネル・ディスプレイ等の電子回路用基板やコンデンサー等用の誘電材料に使用される。これらのガラスは単独で上記の用途に用いられる以外に、繊維、粉末及びペーストなどの態様で他の誘電体と複合化した形でも使用されることも可能である。具体的には、基板上にパターン電極を形成された誘電体基板、積層基板材料、誘電体共振素子、誘電材料の焼成助剤、誘電体ペースト（誘電体粉末を有機化合物等からなるビヒクル中に懸濁させたものであって、通常、スクリーン印刷や打ち抜き型印刷により電極上に成膜されて使用される）等の用途が挙げられる。
【００５１】
［製造方法］
本発明のガラスは、通常のガラスを製造する方法であれば、特に限定されないが、例えば、以下の方法により製造することができる。各出発原料（酸化物、炭酸塩、硝酸塩、リン酸塩、硫酸塩など）を所定量秤量し、均一に混合する。混合した原料を石英坩堝またはアルミナ坩堝に投入し、粗溶融の後、金坩堝、白金坩堝、白金合金坩堝またはイリジウム坩堝に投入し、溶解炉で８００〜１２５０℃の温度範囲にて、１〜１２時間溶解する。その後、攪拌、均質化した後、適当な温度に下げて金型等に鋳込み、ガラスを製造する。繊維状として使用される場合は、板状のガラスを再溶融し、ガラス繊維を得るが、最初の溶液から直接にガラス繊維を得てもよい。また、セラミックス誘電体の焼成助剤、フィラーとしてまたは誘電体ペーストとして使われる場合は、成形したバルクガラスを粉砕してもよく、また、最初の溶液から水に注いでカレットを得てその後粉砕してもよい。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５３】
［実施例１〜１０］
表１に示す組成で、合計量が４００ｇになるように原料を秤量し、均一に混合した。次いで、この混合物を石英るつぼ、または、白金るつぼを用いて８５０〜１１００℃で２〜４時間溶解した後、７００〜９００℃に下げて、さらに１時間程度保温してから金型に鋳込み、板状のガラスを作製した。
【００５４】
上記で得られたガラスをサイズ４０×４０ｍｍに切り出し両面研磨してから、金の電極を蒸着した後、２５℃での周波数１ＭＨｚにおける比誘電率（ε）と誘電損失（ｔａｎδ）をインピーダンス測定システムにより求めた。ガラスの転移温度（Ｔｇ）は示差熱分析装置（ＤＴＡ）を用いて昇温速度を１０℃／分の条件で測定した。測定した結果を表１に示した。尚、ガラスの組成は質量％で表示している。また、誘電損失（ｔａｎδ）は％で表示している。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
表１に見られるように、実施例１〜１０は、比誘電率が１６〜２７、誘電損失が０．０４〜０．１１％で、いずれも高い比誘電率と低い誘電損失とを示している。また、ガラス転移点（Ｔｇ）も４６５〜３５５℃といずれも５００℃以下であった。