(57)【要約】【課題】レーザリペア時のダメージを良好に抑制すると共に、封止プロセスを行なった後に雰囲気制御することなくレーザリペアすることができる有機ＥＬディスプレイの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬディスプレイを提供することである。【解決手段】有機ＥＬディスプレイの製造方法は、基板、第１電極、発光層を有する有機層及び第２電極がこの順で積層されてなる積層構造体を備えると共に積層構造体内部に輝点欠陥部を有する有機ＥＬ素子を準備し、有機ＥＬ素子の輝点欠陥部に対応する有機層内の所定層にレーザ光を照射し、多光子吸収を生じさせて欠損部で構成された非発光部を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、第１電極、発光層を有する有機層及び第２電極がこの順で積層されてなる積層構造体を備えると共に該積層構造体内部に輝点欠陥部を有する有機ＥＬ素子を準備し、該有機ＥＬ素子の輝点欠陥部に対応する該有機層内の所定層にレーザ光を照射し、多光子吸収を生じさせて欠損部で構成された非発光部を形成する有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
上記第１又は第２電極の外側にはカラーフィルタ層が設けられており、
上記レーザ光を、上記カラーフィルタ層を介して上記輝点欠陥部に照射する有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
上記有機ＥＬ素子は、上記積層構造体の第２電極上に、封止層、上記カラーフィルタ層及び対向基板がこの順で積層されている有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
上記レーザ光は、フェムト秒レーザ光である有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
上記レーザ光を、上記所定層の吸収波長帯における発振波長で照射する有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載された有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
上記非発光部を、上記第１電極内に形成する有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載された有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
上記非発光部を、上記発光層内に形成する有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項８】
基板、第１電極、発光層を有する有機層及び第２電極がこの順で積層された積層構造体を有し、該有機層内の所定層に欠損部で構成された非発光部を有する有機ＥＬディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬディスプレイの製造方法及び有機ＥＬディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高度情報化に伴い、薄型、低消費電力、軽量のフラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display ；ＦＰＤ）への要望が高まっている。中でも、有機発光材料を用いた有機エレクトロルミネセンス（Electroluminescence；以下、「ＥＬ」ともいう）ディスプレイは、低電圧で駆動でき、かつ高輝度表示を実現できることから、注目を集めている。特に、近年の研究開発によって、有機ＥＬ素子の発光効率は著しく向上しており、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬディスプレイの実用化が始まっている。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子の構造は、基本的には、特許文献１に開示されているように、陽極と陰極の一対の電極間に少なくとも一層以上の発光層を含む、有機層（ＥＬ層）を挟持した構造となっており、Ｔａｎｇ等の「アノード電極/正孔注入層/発光層/カソード電極」の積層構造が基本になっている。そして、有機ＥＬ素子は、電極間に電場を印加し、ＥＬ層に電流を通じることで発光する。
【０００４】
有機ＥＬ素子をディスプレイ用にパネル化して利用する場合、ＬＣＤと同様に、電極構成と駆動方法によりパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式に大別される。このようなパネルにおいて、有機ＥＬ素子を用い、カラー化を達成する方法としては、最も基本的なＲ 、Ｇ 、Ｂ の３ 色の有機ＥＬ材料を表示装置の画素毎に精密に配置する３ 色並置方式の他に、白色発光層とＲ 、Ｇ 、Ｂ のカラーフィルター層（ ＣＦ層とも言う）を組み合わせるＣＦ方式や、青色発光層とＲ 、Ｇ の蛍光変換色素フィルターとを組み合わせるＣＣＭ（Color Changing Medium）方式等がある。
【０００５】
このような従来の有機ＥＬ素子は、実際の商品への応用を考えた場合に、上下電極のリークが起こり、非発光画素が生じるという問題点がある。この上下リークは、素子作製プロセス中に混入したパーティクルやダスト、成膜した有機膜のスプラッシュ等、様々な要因が考えられるが、いずれにしても、このような上下リークが生じると、非発光画素によってディスプレイの表示に欠陥画素が生じ、輝度むらや表示均一性を損ねてしまうばかりでなく、発光に寄与しない電流が増大するために、発光効率や電力効率が著しく低下し、消費電力の増大を引き起こしてしまう。そこで、このようなリークに対処する方法として、上記のような非発光画素に対するレーザリペア法が広く用いられている。本方法は、上記非発光画素内に存在する、パーティクルやダストにレーザ照射し焼き切るという方法である。
【０００６】
しかしながら、有機ＥＬ素子では、このような高エネルギーのレーザ照射によって欠陥箇所が焼き切れる際に、以下のような問題があった。
【０００７】
つまり、有機層と電極層との熱伝導率が異なるために生じる剥離が生じたり、有機層や電極層を含んだ塊がレーザ照射部周辺に飛散したり、レーザ照射によって熱エネルギーが周囲の層へ加わり収縮する等のダメージを受けることがある。このようなレーザリペアによるダメージが原因となり、レーザリペアを行なった箇所から酸素や水分の浸入が起こり、ダークスポットになったり、エージング中に上部電極と下部電極間でリークが進行して、不良箇所の再発や広がりが生じるという問題が生じる。そのため、有機ＥＬ素子のレーザリペア法として、リペア箇所の周辺へのダメージがなく、かつエージング中に不良箇所の再発や広がりを生じない低ダメージのレーザリペア法の開発が課題となっている。
【０００８】
上記の課題に対して、特許文献２には、有機ＥＬ素子の複数の有機材料層のうち、透明基板に接する層をレーザ光の吸収により蒸発するリーク防止機能層、上部の金属電極の上に伸縮性を有す封止膜を形成するという構造が開示されている。そしてこれによれば、欠陥部のリーク防止機能層をレーザ照射によって蒸発し、膨張することによって、有機材料層、金属電極及び封止膜が押し上げられて透明電極から離れ、リークがおさえられる、と記載されている。
【０００９】
また、特許文献３には、単純マトリックス構造の有機ＥＬ素子に対して、レーザリペアにより欠陥部の第２電極を除去することで欠陥の修正を行う方法が開示されている。
【特許文献１】特許第1526026号明細書
【特許文献２】特開2000-331782号公報
【特許文献３】特開2004-228096号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献２に開示された技術では、レーザ照射部の上部層が押し上げられることによって、レーザ照射部の周辺において、上部層の膜プロファイルが変化し発光特性に影響することがある。また、エージング中に押しあげられた部分が下がり、再度、透明基板上の透明電極に有機材料層が接することによって不良箇所が再発する場合がある。
【００１１】
また、特許文献３では、レーザ照射部の周囲の層の断面形状については記述されていない。
【００１２】
さらに、今後の有機ＥＬ素子では、トップエミッション（ＴＥ）構造で第２電極の上部に直接封止膜が形成される積層構造が一般的になる。このＴＥ構造で第２電極を除去しリペアを行なおうとした場合、レーザ照射によって除去した第2電極が上下の層に影響を及ぼす。特に第２電極の上部に形成されている封止層がダメージを受けるため、酸素や水分の影響を受けエージング中に照射部の周辺が正常な発光を得られなくなる場合がある。このため、第２電極を狙ったリペアでは、再リークや封止層へのダメージが生じることにより酸素や水分の影響を受け、エージング中に照射部の周辺が正常な発光を得られなくなるという課題がある。
【００１３】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レーザリペア時のダメージを良好に抑制すると共に、封止プロセスを行なった後に雰囲気制御することなくレーザリペアすることができる有機ＥＬディスプレイの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬディスプレイを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、レーザリペアによる欠陥部周辺へのダメージの防止と、レーザリペア後のエージングによる欠陥箇所の増大を防ぐため鋭意検討を行い、リペア後の非発光箇所の断面形状とリペア後のエージングによる欠陥増大現象との間に強い相関関係があることを見出し、上記課題を解決することに成功した。
【００１５】
すなわち本発明に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法は、基板、第１電極、発光層を有する有機層及び第２電極がこの順で積層されてなる積層構造体を備えると共に積層構造体内部に輝点欠陥部を有する有機ＥＬ素子を準備し、有機ＥＬ素子の輝点欠陥部に対応する有機層内の所定層にレーザ光を照射し、多光子吸収を生じさせて欠損部で構成された非発光部を形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層を電極で挟持する構造を有するものである。このような有機ＥＬ素子を構成する発光層は、電界を印加することによって発光する有機材料を含んで構成される層である。有機層は、発光層等の有機材料を含んで構成される層が積層された構造を有し、通常では、発光層以外に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層等を含む。本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態としては、例えば、基板、陽極、ホール輸送層、発光層及び陰極がこの順に積層されてなる形態等が挙げられる。このとき、陽極及び陰極のうち少なくとも一方は透光性を有することが好ましい。
【００１７】
上記有機ＥＬ素子は、ダストやパーティクルによって画素欠陥（輝点欠陥部）を生じることがある。このような画素欠陥においては、画素内に存在するダストやパーティクルに対してレーザ照射することによって、画素内にレーザ照射による非発光領域が発生するが、画素全体としては発光するようになる。ここで照射するレーザ光には、ＹＡＧレーザ、固体レーザ、エキシマレーザ等を用いた各種の方式があるが、本願発明者らは多光子吸収（マルチフォトン吸収）を利用したレーザリペアを行うことによって、有機層内の所定層に欠損部で構成された非発光部を形成し、かつ、その領域では周辺の層や周辺の領域にダメージが与えない有機ＥＬ素子を作製することに成功した。また、その領域では上下層が電気的に分離しているので上下リークを起こさなくすることができる。
【００１８】
上記断面形状を有することによって、特定層を狙いレーザ照射を行っても周囲の層の破壊による再リークや、リペアによる非発光部の広がりが抑えられ、特に封止層へダメージを与えずリークの低減を行うことができる。このため、リペア後のエージングによって酸素や水分の影響を受けにくく、再度リークする確率が著しく低下して長寿命の有機ＥＬ素子を作製することができる。
【００１９】
また、照射するレーザ光の焦点は、一層の特定層に集光することが望ましい。多光子吸収（マルチフォトン吸収）は、レーザ光の焦点のエネルギー密度が局所的に高いことによって、狙いとする特定層に焦点を合わせてレーザ照射し、集光点のみの内部加工やスポットサイズ以下の超微細加工を可能とする。このため、狙いとする特定層のみをリペアすることができる。また、特定層以外の層にダメージが及ぶ場合にもダメージの範囲をより低く抑えたレーザリペアを行うことができる。
【００２０】
さらに、本発明に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１又は第２電極の外側にはカラーフィルタ層が設けられており、レーザ光を、カラーフィルタ層を介して輝点欠陥部に照射してもよい。
【００２１】
上記有機ＥＬ素子構成において、カラーフィルタ層を備えている場合には、特にその効果を発揮する。多光子吸収を用いたレーザリペアによってカラーフィルタ層が素子構成に含まれている場合にも、カラーフィルタ層や封止樹脂越しのリペアを実現することができ、且つ、レーザ照射による熱の広がりを抑えることによって、照射部の広がりを抑えたリペアを実現することができる。また、カラーフィルタ層へのダメージもほとんどないため光漏れなど光学特性に影響もない。さらに、封止層へのダメージもほとんどない。従って、エージングによって封止性能の劣化に伴う酸素や水分の影響を受けた発光画素の劣化や再リークが生じないリペアを実現することができる。
【００２２】
また、本発明に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法は、有機ＥＬ素子が、積層構造体の第２電極上に、封止層、カラーフィルタ層及び対向基板がこの順で積層されていてもよい。
【００２３】
有機ＥＬ素子では、外部の水分や酸素による劣化を防ぐために、ガラスや金属及び乾燥剤による封止を行うことが一般的である。しかしながら、最近では有機ＥＬの発光を上記第２電極方向から取り出す構造が盛んに検討されている。この場合、従来の封止方法ではなく、有機ＥＬ層全体を無機及び有機の樹脂で覆う樹脂封止法を用いることが多い。このような素子構成においても、多光子吸収を用いたレーザリペアを行うことで従来では不可能であった封止樹脂やカラーフィルタ層を介してのリペアが可能となる。
【００２４】
さらに、本発明に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法は、照射するレーザ光がフェムト秒レーザ光であってもよい。
【００２５】
上記断面構造は多光子吸収（マルチフォトン吸収）を利用したレーザリペアによって形成され、本レーザリペア法として、特にそのレーザを限定するものではないが、多光子吸収（マルチフォトン吸収）を効率よく発現することが可能なフェムト秒レーザを用いることが望ましい。フェムト秒レーザ光を用いることにより、レーザ光の焦点のエネルギー密度が局所的に高いことによって、狙いとする特定層に焦点を合わせてレーザ照射をし、レーザ光の焦点位置を移動させることによって深さ方向の制御もでき、より低ダメージのレーザリペアを行うことができる。
【００２６】
以下に、本レーザリペア法の特徴である多光子吸収（マルチフォトン）方式について説明する。
【００２７】
レーザの集光点で生じる物理現象は熱加工、プラズマ加工、光電離加工の３つに大別することができる。炭酸ガスレーザは熱加工、ＹＡＧレーザはプラズマ加工、ＵＶレーザ・フェムト秒レーザは光電離加工と分けられる。現実には、どのようなレーザを用いても３つのプロセスが同時に発現しており、支配的プロセスはレーザの種類だけではなく、材料の光学吸収特性によって決まる。光電離加工プロセスは、他のプロセスと異なり、加工部周辺が非常にきれいである。これは、レーザ光線によって、ダイレクトに表面分解を行うので熱やプラズマの影響がないことに起因しており、光電離加工を実現するためには、ＵＶレーザかフェムト秒レーザが必要となる。ＵＶレーザは線形吸収を利用した加工であり、フェムト秒レーザは多光子吸収（マルチフォトン吸収）を利用した加工である。
【００２８】
ここで、多光子吸収（マルチフォトン吸収）とは、複数光子を同時に吸収させることにより、入射波長より短い波長と同等の光吸収効果を誘起するものである。多光子吸収（マルチフォトン吸収）の吸収率がn次の非線形吸収係数とビーム電界のｎ乗の積で表すことができ、この係数が小さいことから、レーザ照射強度が大きいことが絶対的な要件となる。
【００２９】
多光子吸収（マルチフォトン吸収）に必要なフルエンス（光エネルギー密度）と熱加工が発生するパルスエネルギーのパルス幅のそれぞれの関数の閾値より、パルス幅が短いほど熱加工をよく抑えた多光子吸収（マルチフォトン吸収）が発現することがわかる。したがって、パルスエネルギーを調整したレーザを照射することにより多光子吸収（マルチフォトン吸収）による光電離加工が実現する。また、多光子吸収（マルチフォトン吸収）は強度依存プロセスであることより、集光点のみの内部加工やスポットサイズ以下の超微細加工が可能である。
【００３０】
次に、パルス幅が短いナノ秒レーザ、ピコ秒レーザ、フェムト秒レーザで生じる物理現象について説明をする。
【００３１】
パルス幅がナノ秒オーダーで線形吸収が小さい場合、高強度があるがゆえ誘電破壊が生じ、この結果プラズマが発生する。プラズマが発生すると、レーザとプラズマ、プラズマと材料表面の複雑な相互作用になる。この場合、加工閾値は誘電破壊閾値で計算される。
【００３２】
さらに、パルス幅がピコ秒まで短くなり、なおかつ材料に線形吸収が少ない場合、ナノ秒加工とは違った状況になる。プラズマの発生はエネルギー入力後１００ｐｓ〜１ｎｓで始まるので、このパルス幅このパルス幅領域ではプラズマとレーザの相互作用がない。この場合、加工を劣化させる原因はフォノンカップリング（電子と格子の相互作用）である。フォノンカップリングはレーザ照射後１〜２ｐｓの時間スケールで発生する。
【００３３】
フェムト秒レーザ光によるレーザ照射の場合、フォノンカップリングを回避することができる。これにより、フォノンカップリングが誘発する熱変性などを最小限に抑えることが可能となる。短時間に十分なエネルギーを与えることによって、フォノンカップリングのプロセスを経ないで電離が可能である。
【００３４】
多光子吸収（マルチフォトン吸収）はフェムト秒に限らずナノ秒でも観測し得る現象である。ただし、ナノ秒の場合は、多光子吸収（マルチフォトン吸収）が発現するより低い強度レベルで、プラズマが発生してしまう。結果として、ナノ秒レーザではマルチフォトン吸収による加工は発現しづらく、そのような報告は非常に少ない。
【００３５】
そのため、誘電破壊閾値より多光子吸収（マルチフォトン吸収）加工閾値が低いような特殊な状況を容易に実現するのは、フェムト秒レーザパルスのみということになる。
【００３６】
また、本発明に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法は、レーザ光を、所定層の吸収波長帯における発振波長で照射してもよい。
【００３７】
このような構成によれば、レーザ光を照射する特定層での、レーザ光の吸収が多くなり、より小さな照射エネルギーで多光子吸収を生じさせることができ、周囲の層、周辺の領域へのダメージを良好に抑制するレーザリペアを行うことができる。
【００３８】
さらに、本発明に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法は、非発光部を、第１電極内に形成してもよい。
【００３９】
このような構成によれば、レーザ光を照射した場合、照射部にアブレーションよる微小粒子が生じるが、その微粒子は周囲の層や周辺に吸収される。有機ＥＬ素子がアクティブマトリックス等の駆動部を有する構成の場合、駆動部と第１電極の間にはＪＡＳ膜等の比較的厚さのある絶縁膜が存在するが、アブレーションによって生じた微小粒子をこの絶縁膜に吸収させることができる。また、有機ＥＬ素子が駆動部を有しない場合は、第１電極の下部は例えばガラス基板となるが、ガラス基板の場合でも、アブレーションによって生じた微小粒子をガラス基板に吸収させることができる。このため、周囲の層、周辺の領域へのダメージを良好に抑制するレーザリペアを行うことができる。
【００４０】
また、本発明に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法は、非発光部を、発光層内に形成してもよい。
【００４１】
このような構成によれば、発光層の吸収波長にレーザ光の発振波長を合わせることによって、電極等の無機層への吸収を抑えることができ、より小さな照射エネルギーで多光子吸収を生じさせることができる。また、照射部にアブレーションによる微小粒子が生じるが、その微小粒子は周囲の層や、周辺に吸収される。有機ＥＬ素子がアクティブマトリックス等の駆動部を有する構成の場合、発光層の下層には第１電極、及び比較的厚さがある絶縁膜が存在するので、アブレーションによって生じた微小粒子を第１電極、もしくは絶縁膜に吸収させることができる。また、有機ＥＬ素子が駆動部を有しない場合は、第１電極の下部は例えばガラス基板となるが、ガラス基板の場合でも、アブレーションによって生じた微小粒子をガラス基板に吸収させることができる。このため、周囲の層、周辺の領域へのダメージを良好に抑制するレーザリペアを行うことができる。
【００４２】
本発明に係る有機ＥＬディスプレイは、基板、第１電極、発光層を有する有機層及び第２電極がこの順で積層された積層構造体を有し、有機層内の所定層に欠損部で構成された非発光部を有することを特徴とする。
【００４３】
このような構成によれば、有機ＥＬディスプレイが、積層構造体の有機層内の所定層に欠損部で構成された非発光部を有するため、非発光部に輝点欠陥部を対応させることで、リークによる輝点欠陥を良好に抑制することができる。
【発明の効果】
【００４４】
本発明によれば、レーザリペア時のダメージを良好に抑制すると共に、封止プロセスを行なった後に雰囲気制御することなくレーザリペアすることができる有機ＥＬディスプレイの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬディスプレイを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４６】
（実施形態１）
（有機ＥＬディスプレイ１０の構成）
図１に示すように、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬディスプレイ１０は、基板１１、陽極（第１電極）１２、有機層１３、陰極（第２電極）１４、封止層１５、カラーフィルタ層１６及び封止基板１７がこの順に積層された積層構造体２５を有する有機ＥＬ素子２０、さらに有機ＥＬ素子２０を駆動する不図示の制御部等で構成されている。ここで、本実施形態では、トップエミッション（ＴＥ）構造の有機ＥＬディスプレイ１０を例に挙げて説明する。
【００４７】
基板１１は、少なくともその表面が絶縁性で構成されているものが好ましく、例えば、ガラス、石英等の無機材料から形成される基板、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックから形成される基板、アルミナ等のセラミックスから形成される基板、アルミニウムや鉄等の金属基板にＳｉＯ２や有機絶縁材料等の絶縁物をコートした基板、金属基板の表面に陽極酸化法等の方法により絶縁化処理を施した基板等を広く用いることができる。基板１１上には、有機ＥＬ素子２０を駆動させるために必要な、例えば２トランジスタ及び１コンデンサー構成を有するようなＴＦＴ回路等が形成されている。
【００４８】
陽極１２は、基板１１上に形成されており、公知の電極材料を用いて形成される。有機層１３にホールを注入する陽極１２の材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ等の仕事関数が高い金属や、ＩＴＯ、ＩＤＩＸＯ〔酸化インジウム−インジウム亜鉛酸化物；Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｎ〕、ＳｎＯ２等の透明導電材料等が挙げられる。本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１０は、輝点欠陥部のリペアとして、陽極１２に欠損部２１（非発光部）が形成されている。
【００４９】
尚、欠損部２１（非発光部）は、本実施形態では陽極１２に形成されているが、これに限らず、例えば、陰極１４や有機層１３等のその他の層、又は、それらを横断するように複数の層に形成されてもよい。
【００５０】
陰極１４は、有機層１３上に形成されており、公知の電極材料を用いて形成される。有機層１３に電子を注入する陰極１４としては、Ｃａ／Ａｌ、Ｃｅ／Ａｌ、Ｃｓ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ等の仕事関数の低い金属と安定な金属とを積層した金属電極、Ｃａ：Ａｌ合金、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の仕事関数の低い金属を含有する金属電極、ＬｉＦ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＢａＦ２／Ｂａ／Ａｌ等の絶縁層（薄膜）及び金属電極を組み合わせた電極等が挙げられる。陽極１２及び陰極１４の形成方法としては、蒸着法、電子ビーム（Electoron Beam ；ＥＢ）法、分子線エピタクシー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法、スパッタ法等のドライプロセス、又は、スピンコート法、印刷法、インクジェット法等のウエットプロセスを用いることができる。
【００５１】
有機層１３は、少なくとも一層の発光層２３を有している。有機層１３（又はこれに含まれる発光層２３）は、一層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
【００５２】
発光層２３の発光材料としては、有機ＥＬ素子２０用の公知の発光材料を用いることができるが、特にこれに限定されるものではない。具体的には、低分子発光材料、高分子発光材料、高分子発光材料の前駆体等を用いることができる。
【００５３】
低分子発光材料としては、例えば、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデェン化合物、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾ−ル誘導体、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機金属化合物等が挙げられる。高分子発光材料としては、例えば、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等の蛍光性有機金属化合物が挙げられる。高分子発光材料の前駆体としては、例えば、ＰＰＶ前駆体、ＰＮＶ前駆体、ＰＰＰ前駆体等が挙げられる。
【００５４】
封止層１５は、カラーフィルタ層１６及び封止基板１７は、この順に陰極１４上に形成されており、それぞれ公知の材料を用いて形成されている。
【００５５】
（有機ＥＬディスプレイ１０の製造方法）
次に、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬディスプレイ１０の製造方法について説明する。
【００５６】
まず、ＴＦＴ回路を有する基板１１上にスルーホールを介して電気的に接続したＡｌ電極をスパッタリング法で１００ｎｍの厚さに成膜し、画素サイズにフォトリソプロセスによってパターンニングする。
【００５７】
次に、その上に陽極１２となるＩＴＯ透明電極を形成する。ＩＴＯ膜はスパッタリング法で成膜され、画素サイズにフォトリソプロセスによってパターンニングする。画素サイズは、例えば、Ａｌ電極、ＩＴＯ電極共に画素幅２００μｍ、抜き幅３０μｍピッチにパターンニングする。
【００５８】
次に、陽極１２が形成された透明の基板１１上に、正孔注入層（Ｃｕｐｃを３５ｎｍ）、正孔輸送層（ＴＰＤを４５ｎｍ）、発光層２３（白色発光材料５５ｎｍ）、電子注入層（ＬＩ２Ｏを１ｎｍ）および陰極１４（Ａｌを５ｎｍ）を順次真空蒸着法などにより堆積成膜させる。
【００５９】
次に、その上に透明性を保つためにＩＴＯ電極をイオンプレーティング法で成膜する。
【００６０】
次に、ＣＶＤ法でＳｉＮｘ膜を２μｍ形成して封止膜とし、最後にＵＶ硬化樹脂を用いて、封止基板１７をＣＦ６が形成されている側を内側に貼り合わせることにより、有機ＥＬ素子２０を形成する。
【００６１】
本実施形態は、有機ＥＬ素子２０の作製方法の一例を示したもので、用いる有機材料、封止膜等はこれらの限定するものではない。また、有機層１３の成膜法に関しても、ここでは低分子発光素子に準じたプロセスの例を示したが、これに限定するものではなく、例えば高分子有機ＥＬ材料をインクジェットプロセスなどの印刷法で成膜してもよい。
【００６２】
次に、上述のようにして形成した有機ＥＬ素子２０に、異物等の輝点欠陥部（画素欠陥等）が生じているときのリペア法について、図２を用いて説明する。
【００６３】
まず、輝点欠陥部を有する有機ＥＬ素子２０に対し、全面点灯させるように電圧を印加する。これにより、非発光画素の存在を確認する。この非発光画素の位置が素子内部の輝点欠陥部位に対応している。
【００６４】
次に、輝点欠陥部に対して、フェムト秒レーザリペア装置３０を用いてレーザリペアを行う。フェムト秒レーザリペア装置３０は、フェムト秒レーザ発振器３１、絞り３２、ミラー３３、レンズ３４で構成されている。
【００６５】
フェムト秒レーザ光は、顕微鏡搭載パルス可変型励起レーザ光であり、発振波長は任意に選択できる。フェムト秒レーザ光の照射は、例えば、そのパルス時間幅が１００フェムト秒以下、好ましくは１フェムト秒以下となるようにしてカラーフィルタ層１６側から行う。また、フェムト秒レーザ光の波長は、どのようなものであってもよいが、特に中波長（７００〜９００ｎｍ、好ましくは７８０ｎｍ）であるのが好ましい。また、フェムト秒レーザ光を、陽極の吸収波長帯における発振波長で照射するのが好ましい。
【００６６】
リペアの焦点は、低ダメージのリペアを実現するために、輝点欠陥部位に対応する陽極１２に合わせる。レーザ光の焦点は、フェムト秒レーザリペア装置３０に搭載されている絞り３２及びレンズ３４を調節することにより行う。
【００６７】
このようにしてフェムト秒レーザ光を照射することにより、陽極１２の輝点欠陥部位に対応する領域に多光子吸収が生じて欠損部２１が形成され、これによりリークの抑制が実現される。
【００６８】
また、リペアの焦点は、陽極１２に限定されず、例えば、発光層２３に合わせ、発光層２３内に欠損部２１を形成してもよい。
【００６９】
（実施形態２）
（有機ＥＬディスプレイ４０の構成）
次に、本発明の実施形態２に係る有機ＥＬディスプレイの構成について、図を用いて詳細に説明する。以下、実施形態１に係る有機ＥＬディスプレイ１０と同様の構成要素については同符号を付し、その説明を省略する。
【００７０】
図３に示すように、本発明の実施形態２に係る有機ＥＬディスプレイ４０は、基板１１、陽極（第１電極）１２、有機層４３、陰極（第２電極）１４、封止層１５及び封止基板１７がこの順に積層された積層構造体４５を有する有機ＥＬ素子４４、さらに有機ＥＬ素子４４を駆動する不図示の制御部等で構成されている。本実施形態では、トップエミッション（ＴＥ）構造の有機ＥＬディスプレイを例に挙げて説明する。
【００７１】
実施形態２に係る有機ＥＬディスプレイ４０は、発光層４６を備えた有機層４３自体がカラーフィルタの機能を有する構成であり、封止層１５上にカラーフィルタ層を設けていない点で、実施形態１に係る有機ＥＬディスプレイ１０と異なっている。
【００７２】
有機層４３は、少なくとも一層の発光層４６を有している。有機層４３（又はこれに含まれる発光層４６）は、一層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。有機層４３には、ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの画素ごとに発光層４６が設けられている。
【００７３】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ４０は、輝点欠陥部のリペアとして、ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの画素にそれぞれ対応する部位の陽極１２に、欠損部４７（非発光部）が形成されている。
【００７４】
尚、欠損部４７（非発光部）は、本実施形態では陽極１２に形成されているが、これに限らず、例えば、有機層４３や陰極１４等のその他の層、又は、それらを横断するように複数の層に形成されてもよい。
【００７５】
（有機ＥＬディスプレイ４０の製造方法）
次に、本発明の実施形態２に係る有機ＥＬディスプレイ４０の製造方法について説明する。
【００７６】
まず、ＴＦＴ回路を有する基板１１上にスルーホールを介して電気的に接続したＡｌ電極をスパッタリング法で１００ｎｍの厚さに成膜し、画素サイズにフォトリソプロセスによってパターンニングする。
【００７７】
次に、その上に陽極１２となるＩＴＯ透明電極を形成する。ＩＴＯ膜はスパッタリング法で成膜され、画素サイズにフォトリソプロセスによってパターンニングする。画素サイズは、例えば、Ａｌ電極、ＩＴＯ電極共に画素幅２００μｍ、抜き幅３０μｍピッチにパターンニングする。
【００７８】
次に、陽極１２が形成された透明の基板１１上に、正孔注入層（Ｃｕｐｃを３５ｎｍ）、正孔輸送層（ＴＰＤを４５ｎｍ）を順次真空蒸着法等により堆積成膜させる。発光層４６（発光材料５５ｎｍ）は、ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの各色ごとにそれぞれ発光材料を、マスクを用いて真空蒸着法等により堆積成膜し、各色の塗り分けを行う。
【００７９】
その後、電子注入層（ＬＩ２Ｏを１ｎｍ）および陰極１４（Ａｌを５ｎｍ）を順次真空蒸着法などにより堆積成膜させる。
【００８０】
次に、その上に透明性を保つためにＩＴＯ電極をイオンプレーティング法で成膜する。
【００８１】
次に、ＣＶＤ法でＳｉＮｘ膜を２μｍ形成して封止膜とし、最後にＵＶ硬化樹脂を用いて、封止基板１７をＣＦ６が形成されている側を内側に貼り合わせることにより（ＵＶ硬化樹脂膜の厚さは２０μｍ）、有機ＥＬ素子４４を形成する。
【００８２】
本実施形態は、有機ＥＬ素子４４の作製方法の一例を示したもので、用いる有機材料、封止膜等はこれらの限定するものではない。また、有機層４３の成膜法に関しても、ここでは低分子発光素子に準じたプロセスの例を示したが、これに限定するものではなく、例えば高分子有機ＥＬ材料をインクジェットプロセスなどの印刷法で成膜してもよい。
【００８３】
次に、上述のようにして形成した有機ＥＬ素子４４に、異物等の輝点欠陥部（画素欠陥等）が生じているときのリペア法について、図４を用いて説明する。
【００８４】
まず、輝点欠陥部を有する有機ＥＬ素子４４に対し、全面点灯させるように電圧を印加する。これにより、非発光画素の存在を確認する。この非発光画素の位置が素子内部の輝点欠陥部位に対応している。
【００８５】
次に、輝点欠陥部に対して、フェムト秒レーザリペア装置３０を用いてレーザリペアを行う。
【００８６】
リペアの焦点は、輝点欠陥部位に対応する陽極１２に合わせる。レーザ光の焦点は、フェムト秒レーザリペア装置３０に搭載されている絞り３２及びレンズ３４を調節することにより行う。
【００８７】
このようにしてフェムト秒レーザ光を照射することにより、陽極１２の輝点欠陥部位に対応する領域に多光子吸収が生じて欠損部４７が形成され、これによりリークの抑制が実現される。
【００８８】
また、リペアの焦点は、陽極１２に限定されず、例えば、ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの各色の発光層４６に合わせ、発光層４６内に欠損部４７を形成してもよい。
【実施例１】
【００８９】
本発明の実施形態１に係るレーザリペア法を用いた画素欠陥のリペアの効果を調べるため、以下の実験を行った。
【００９０】
まず、上述した実施形態のトップエミッション（ＴＥ）構造の有機ＥＬ素子を２つ準備し、それらを全面点灯させるようにそれぞれ電圧を印加したところ、非発光画素がそれぞれの素子について１０箇所ずつ存在するのが確認された。ここでこれら２つの有機ＥＬ素子を素子Ａ及び素子Ｂとする。素子Ａ、Ｂともに非発光画素を顕微鏡観察すると、画素内部に１〜３ミクロン程度の微少なパーティクルが含まれていることが分かった。
【００９１】
次に、素子Ａの欠陥画素内のパーティクルに対しては、図５に示すように、ＹＡＧレーザ６０を用いたリペア装置を用いてレーザリペアを行い、リペア後の有機ＥＬ素子（比較例）を得た。ＹＡＧレーザ６０は、ここでは顕微鏡搭載型パルス励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザを用い、発振波長を５３２ｎｍとした。
【００９２】
また、素子Ｂの欠陥画素内のパーティクルに対して、本発明の実施形態に係るフェムト秒レーザリペア装置を用いてレーザリペアを行い、リペア後の有機ＥＬ素子（実施例１）を得た。また、フェムト秒レーザ光の発振波長を７８０ｎｍであり、本波長は素子Ｂを構成する膜の何れについても吸収率が１０％以下である。通常の吸収率が１０％程度の場合、多光子吸収ではないレーザ光でいくら照射しても、膜にダメージを与えることはできない。
【００９３】
比較例及び実施例１において、レーザ光は、封止基板側からカラーフィルタ層を介して照射した。また、リペアの焦点は何れのレーザ光においても陽極であるＡｌ付近に合わせた。レーザ光の焦点は、レーザ装置に搭載されている顕微鏡を用いて調節した。照射スポットは円形で直径１０μｍとした。
【００９４】
（比較例の評価結果）
このような条件下でレーザリペア処理を行ったところ、ＹＡＧレーザ６０を用いた素子Ｂについては、カラーフィルタ層や有機層に吸収され、欠陥画素のリペアを行うことができなかった。これは、ＹＡＧレーザ光の波長５３２ｎｍはカラーフィルタ層等の吸収を強く受けるので、有機層までレーザ光のパワーが届かなかったためであると考えられる。そのため、カラーフィルタ層だけがレーザによって消滅している箇所もあった。
【００９５】
そこで、比較例において、ＹＡＧレーザ光の強度をさらに強くし、照射回数を多くしたところ、図５に示すように、素子Ａにおいてレーザ光の照射領域が大きく破損し、レーザスポットに対して数倍の穴が開いた。これは、レーザ光によって電極を焼ききることはできたが、その際に非常に大きな熱が発生し、フォーカスした電極だけでなく、周囲にも影響を及ぼしてしまったことが原因である。その結果、欠陥画素はリペアできず、リペア前よりも大きなリーク電流が流れてしまった。このように、通常のレーザ光ではカラーフィルタ層や樹脂封止膜に吸収されてしまう。図５の変色部７０は、カラーフィルタ層がレーザ光を吸収したために変色した部位を示す。このため、素子の奥のほうまで光を照射させることが難しく、強度を上げて光を奥まで浸透させたとしても、熱の発生を防ぐことができない。このため、結果的にリペアではなく、素子を破損してしまう虞があることが分かった。
【００９６】
（実施例１の評価結果）
フェムト秒レーザ光を用いた素子Ｂに関しては、１０箇所全ての非発光画素が点灯するようになり、リペアは成功した。
【００９７】
素子Ｂにおいて、レーザ照射領域に対して直径約５μｍ程度の非発光領域が生じ、非点灯画素のリークが改善され発光画素となった。また、照射箇所から光漏れが見られないことより、カラーフィルタ層、有機層へのダメージは少なく、光学特性への影響も問題ないことが確認された。
【００９８】
リペア箇所の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、主に陽極の特定部が除去されており、アブレーションによって生じた微小粒子が絶縁膜に吸収されており、封止層、カラーフィルタ層へのダメージは見られなかった。素子Ｂについて、欠陥箇所９個をエージング試験を行ったところ、全ての箇所で再リークすることなく、再度欠陥画素になることはなかった。
【実施例２】
【００９９】
次に、実施形態２と同様の構成の、ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの画素ごとに発光層を設けたＴＥ構造の有機ＥＬ素子Ｃについて、フェムト秒レーザ光の照射によるリペアを行い、これを実施例２とした。リペアの方法は、実施形態２と同様とし、リペアの焦点は、第１電極である陽極に合わせ、陽極を焼ききることでリークを修正することにした。
【０１００】
（実施例２の評価結果）
実施例２で用いた素子Ｃの欠陥画素は、ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの画素ごとにそれぞれ１０箇所ずつ（合計３０箇所）形成されていたが、レーザ光を集光させて照射することにより狙いとした陽極を除去でき、さらに全ての箇所で周囲の層へのダメージも見られず、リペアは成功した。
【０１０１】
また、照射箇所から光漏れが見られないことより、有機層へのダメージは少なく、光学特性への影響も問題ないことが確認された。
【０１０２】
さらに、レーザ照射箇所の断面形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察したところ、主に陽極が除去されており、アブレーションによって生じた微小粒子が絶縁膜に吸収され、封止層へのダメージは見られなかった。
【０１０３】
また、これらのリペア箇所をエージングしたところ、再リークは起こらなかった。このように、発光部をＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの画素ごとに異なる発光材料を成膜したトップエミッション構造の有機ＥＬ素子Ｃにおいて、焦点を陽極にあわせてレーザリペアを行っても、再リークや封止層の封止性能の劣化が生じない低ダメージで、狙いとする層を除去するリペアを実現することができた。
【実施例３】
【０１０４】
次に、実施例１と同様にＴＥ構造を有する有機ＥＬ素子Ｄにおいて、図６に示すように、フェムト秒レーザ光の照射によるリペアを行い、これを実施例３とした。リペアの方法は、実施形態１と同様とし、リペアの焦点は、発光層（例えば、Ａｌｑ３）に合わせた。さらに、レーザ光の発振波長を有機層である発光層に合わせ、発光層を焼き切ることでリークを修正することにした。
【０１０５】
（実施例３の評価結果）
実施例３で用いた素子Ｄの欠陥画素が１０箇所であったものが、全ての箇所で周囲の層へのダメージも見られず、レーザ光を集光させることにより狙いとした発光層を除去し、リペアは成功した。
【０１０６】
また、照射箇所から光漏れが見られないことより、レーザ光の発振波長の吸収が少ない無機層である陽極及び陰極や、カラーフィルタ層、樹脂層へのダメージは少なく、光学特性への影響も問題ないことが確認された。
【０１０７】
さらに、レーザ照射箇所の1箇所の断面形状を、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察したところ、主に発光層が除去されており、アブレーションによって生じた微小粒子が陽極、及び、絶縁膜に吸収されており、封止層、カラーフィルタ層へのダメージは見られなかった。
【０１０８】
また、これらのリペア箇所をエージングしたところ、再リークは起こらなかった。このように、焦点を発光層にあわせてレーザリペアを行っても、再リークや封止層の封止性能の劣化が生じない低ダメージで、狙いとする層を除去するリペアを実現することができた。
【実施例４】
【０１０９】
次に、実施例１と同様のＴＥ構造を有する有機ＥＬ素子に対して、図７に示すように、フェムト秒レーザ光の照射によるリペアを行い、これを実施例４とした。ここで、実施例４では、カラーフィルタ層にＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの３色の絵素がマトリックス状配置されて各画素を構成する有機ＥＬ素子Ｅ，Ｆを準備した。
【０１１０】
リペアの方法は、実施形態１と同様とし、リペアの焦点は陽極に合わせ、陽極を焼き切ることでリークを修正することにした。
【０１１１】
また、有機ＥＬ素子Ｅに照射するレーザ光の波長を７８０ｎｍに、有機ＥＬ素子Ｆに照射するレーザ光の波長を４９０ｎｍにそれぞれ設定した。
【０１１２】
（実施例４の評価結果）
素子Ｅの欠陥画素は、ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの画素ごとにそれぞれ１０箇所ずつ（合計３０箇所）形成されていたが、レーザ光（波長７８０ｎｍ）を集光させて照射することにより狙いとした陽極を除去でき、さらに全ての箇所で周囲の層へのダメージも見られず、リペアは成功した。
【０１１３】
また、素子Ｆの欠陥画素も、ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの画素ごとにそれぞれ１０箇所ずつ（合計３０箇所）形成されていたが、レーザ光（波長４９０ｎｍ）を集光させて照射することにより狙いとした陽極を除去でき、さらに全ての箇所で周囲の層へのダメージも見られず、リペアは成功した。
【０１１４】
また、素子Ｅ，Ｆともに、照射箇所から光漏れが見られないことより、カラーフィルタ層及び樹脂層へのダメージは少なく、光学特性への影響も問題ないことが確認された。
【０１１５】
ただし、素子Ｅ，Ｆの各色の画素を比較すると、透過率の高い波長（ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎは７８０ｎｍの波長を用いた素子Ｅ、Ｂｌｕｅは４９０ｎｍの波長を用いた素子Ｆ）を用いた場合のほうが、低エネルギーでリペアができるため、照射箇所の広がりが抑えられていた。
【０１１６】
また、素子Ｅ，Ｆのレーザ照射箇所の断面形状を、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察したところ、どちらの素子もＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの画素のそれぞれに対応して、主に陽極が除去されていた。また、アブレーションによって生じた微小粒子が絶縁膜に吸収されており、封止層、カラーフィルタ層へのダメージは見られなかった。しかし、周囲への広がりを比較すると、透過率の高い波長（ＲＥＤ、Ｇｒｅｅｎは７８０ｎｍの波長を用いた素子Ｅ、Ｂｌｕｅは４９０ｎｍの波長を用いた素子Ｆ）を用いた場合のほうが、照射箇所の広がりは抑制されていた。
【０１１７】
また、素子Ｅ，Ｆともに、これらのリペア箇所をエージングしたところ、再リークは起こらなかった。このように、カラーフィルタ層の各色の透過率が多い波長を選択し、レーザリペアを行うことによって、さらにダメージが少なく、照射領域も小さいリペアが実現されることが確認された。
【０１１８】
尚、上記実施例１〜４で用いたリペアの諸条件は、実験対象となる有機ＥＬ素子の画素の大きさ、パネルサイズ、構成材料等の違いによって最適値が存在する。従って、本実施例１〜４で用いたリペアの諸条件は一例であり、これらに限定されるものではない。
【０１１９】
（作用効果）
次に作用効果について説明する。
【０１２０】
本発明の実施形態１に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法は、基板１１、陽極（第１電極）１２、発光層２３を有する有機層４３及び陰極（第２電極）１４がこの順で積層されてなる積層構造体２５を備えると共に積層構造体２５内部に輝点欠陥部を有する有機ＥＬ素子２０を準備し、有機ＥＬ素子２０の輝点欠陥部に対応する有機層内の所定層にレーザ光を照射し、多光子吸収を生じさせて欠損部で構成された非発光部２１を形成することを特徴とする。
【０１２１】
このような構成によれば、多光子吸収（マルチフォトン吸収）を利用したレーザリペアを行うことによって、リークの再発がなく、かつリペア箇所の周辺へのダメージが少ない輝点欠陥部のリペアを行うことができる。このため、リペア後のエージングによって、酸素や水分の影響を受けにくく、また再度リークする確率が著しく低下し、素子寿命の長い有機ＥＬ素子を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
以上説明したように、本発明は、有機ＥＬディスプレイの製造方法及び有機ＥＬディスプレイに関する。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬディスプレイ１０の断面図である。
【図２】実施形態１に係る有機ＥＬディスプレイ１０及び実施例１に係る有機ＥＬディスプレイの画素欠陥部のリペアの様子を示す模式図である。
【図３】実施形態２に係る有機ＥＬディスプレイ４０の断面図である。
【図４】実施例２に係る有機ＥＬディスプレイの画素欠陥部のリペアの様子を示す模式図である。
【図５】比較例に係る有機ＥＬディスプレイの画素欠陥部のリペアの様子を示す模式図である
【図６】実施例３に係る有機ＥＬディスプレイの画素欠陥部のリペアの様子を示す模式図である。
【図７】実施例４に係る有機ＥＬディスプレイの画素欠陥部のリペアの様子を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１２４】
１０，４０      有機ＥＬディスプレイ
１１      基板
１２      陽極
１３，４３      有機層
１４      陰極
１５      封止層
１６      カラーフィルタ層
１７      封止基板
２０，４４      有機ＥＬ素子
２１，４７      欠損部（非発光部）
２３，４６      発光層
２５，４５      積層構造体
３０      フェムト秒レーザリペア装置
３１      フェムト秒レーザ発振器
３３      ミラー
３４      レンズ
６０      ＹＡＧレーザ
７０      変色部
【図１】
2008235178.tif 000003
【図２】
2008235178.tif 000004
【図３】
2008235178.tif 000005
【図４】
2008235178.tif 000006
【図５】
2008235178.tif 000007
【図６】
2008235178.tif 000008
【図７】
2008235178.tif 000009