(57)【要約】【課題】シフトレジスタを構成する単位回路を少ない素子数で実現する。【解決手段】シフトレジスタは複数の単位回路１５０を縦続接続した構成とする。ここで各単位回路１５０は、ＴＦＴ１５１〜１５４を有し、ＴＦＴ１５１のソース電極が、相補クロック信号の一方を供給するクロック信号枝線１４５に接続され、ＴＦＴ１５２のゲート電極が、相補クロック信号の他方を供給するクロック信号枝線１４６に接続され、そのソース電極が電位Ｇndに接地され、ＴＦＴ１５１、１５２のドレイン電極が出力端Ｏutにに接続されている。ＴＦＴ１５３は、１つ前の段の単位回路によるシフト信号Ｙ（ｉ−１）がＨレベルとなったときにオンし、ＴＦＴ１５４は、１つ後の段の単位回路によるシフト信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなったときにオンする構成となっている。【選択図】図３
2008097774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単位回路を縦続接続して、各段の単位回路の出力端から順番にかつ排他的にアク
ティブレベルになるシフト信号を出力するシフトレジスタであって、
各段の単位回路は、第１および第２トランジスタと、セットスイッチと、リセットスイ
ッチとを有し、
各段の単位回路では、
前記第１トランジスタのソース電極が、一対の相補クロック信号を供給するクロック信
号枝線の一方に接続され、
前記第２トランジスタのゲート電極が、前記クロック信号枝線の他方に接続され、その
ソース電極が論理レベルの一方を給電する給電線に接続され、
前記第１および第２トランジスタのドレイン電極が前記出力端に接続され、
前記セットスイッチは、初段の単位回路の場合、転送開始パルスがアクティブレベルと
なったときにオンし、初段以外の単位回路の場合、１つ前の段の単位回路によるシフト信
号がアクティブレベルとなったときにオンすることで、前記第１トランジスタをオンさせ
る電圧を、当該第１トランジスタのゲート電極に印加し、
前記リセットスイッチは、１つ後の段の単位回路によるシフト信号がアクティブレベル
となったときにオンして、前記第１トランジスタをオフさせる電圧を、当該第１トランジ
スタのゲート電極に印加し、
奇数段の単位回路では、前記一対の相補クロック信号の一方が前記クロック信号枝線の
一方に供給されるとともに、前記相補クロック信号の他方が前記相補クロック信号枝線の
他方に供給され、
偶数段の単位回路では、前記相補クロック信号の一方が前記クロック信号枝線の他方に
供給されるとともに、前記相補クロック信号の他方が前記クロック信号枝線の一方に供給
される
ことを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項２】
前記第１トランジスタのゲート・ドレイン電極間に補助容量を介挿した
ことを特徴とする請求項１に記載のシフトレジスタ。
【請求項３】
前記単位回路によるシフト信号がアクティブレベルにならない期間のうち、前記クロッ
ク信号枝線の一方がアクティブレベルとなる期間の一部または全部の期間にわたって、当
該単位回路の出力端をノン・アクティブレベルに保持する保持回路を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のシフトレジスタ。
【請求項４】
前記セットスイッチは、
ゲート電極とソース電極とが接続されて、当該接続点に１つ前の段の単位回路によるシ
フト信号が供給されるとともに、ドレイン電極が前記第１トランジスタのゲート電極に接
続された第３トランジスタであり、
前記リセットスイッチは、
ゲート電極に１つ後の段の単位回路によるシフト信号が供給され、ソース電極が論理レ
ベルの一方を給電する給電線に接続されるとともに、
ドレイン電極が前記第１トランジスタのゲート電極に接続された第４トランジスタであ
る
ことを特徴とする請求項１に記載のシフトレジスタ。
【請求項５】
前記シフト信号の転送方向に応じて、
前記第３トランジスタのソース電極およびゲート電極の接続点に、１つ前の段の単位回
路によるシフト信号を供給するとともに、
前記第４トランジスタのゲート電極に対し、１つ後の段の単位回路によるシフト信号を
供給するセレクタを有する
ことを特徴とする請求項４に記載のシフトレジスタ。
【請求項６】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して複数設けられ、各々は
、自身に対応する走査線がアクティブレベルとなったときに、自身に対応するデータ線に
供給されたデータ信号に応じた階調となる画素と、
アクティブレベルとなった走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じたデー
タ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を備え、
請求項１乃至５の記載のシフトレジスタによるシフト信号を、前記複数行の走査線に供
給する走査線駆動回路として用いた
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パルスを順次転送するシフトレジスタの構成の簡易化を図る技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、複数行の走査線と複数列のデータ線との交差に対応して
画素が設けられる。この画素は、自身に対応する走査線が選択されてアクティブレベルに
なったときに、自身に対応するデータ線の電圧または電流に応じた階調となり、当該走査
線の選択終了してノン・アクティブレベルになっても、その階調を維持する構成となって
いる。したがって、複数行の走査線を所定の順番で選択して、選択した走査線をアクティ
ブレベルにする一方、選択された走査線に位置する画素に対し、階調に応じた電圧または
電流を、データ線を介して供給することにより、目的とする画像を表示させることができ
る。
【０００３】
ところで、複数行の走査線を所定の順番で選択して、選択した走査線をアクティブレベ
ルにするのは、シフトレジスタを適用した走査線駆動回路と呼ばれるものであるが、この
走査線駆動回路については、外付けの集積回路で実装するよりも、画素と同じスイッチン
グ素子で構成した、いわゆる周辺回路内蔵型の方が、製造効率などの面において有利とさ
れる。
一方、近年では、携帯電話機に代表されるように、小型であって、かつ、高精細な表示
が望まれている。小型で高精細な表示は、単位面積当たりの画素数が多くなるので、必然
的に走査線・データ線のピッチ（間隔）が狭くなり、走査線駆動回路においては、１行当
たりの構成素子数を削減することが要求される。
なお、信頼性や寿命を向上させることが主目的ではあるが、１行当たりの構成素子（ト
ランジスタ）数が９個で済み、副次的に構成素子数を削減することのできる技術が提案さ
れている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１０３２２６号公報（特に図７参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、表示装置の小型化や高精細な表示の要求は、とどまることを知らず、走
査線駆動回路においては、さらなる構成の簡易化を図ることが要求されている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、回路構
成の簡易化を図ることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係るシフトレジスタは、複数の単位回路を縦続接
続して、各段の単位回路の出力端から順番にかつ排他的にアクティブレベルになるシフト
信号を出力するシフトレジスタであって、各段の単位回路は、第１および第２トランジス
タと、セットスイッチと、リセットスイッチとを有し、各段の単位回路では、前記第１ト
ランジスタのソース電極が、一対の相補クロック信号を供給するクロック信号枝線の一方
に接続され、前記第２トランジスタのゲート電極が、前記クロック信号枝線の他方に接続
され、そのソース電極が論理レベルの一方を給電する給電線に接続され、前記第１および
第２トランジスタのドレイン電極が前記出力端に接続され、前記セットスイッチは、初段
の単位回路の場合、転送開始パルスがアクティブレベルとなったときにオンし、初段以外
の単位回路の場合、１つ前の段の単位回路によるシフト信号がアクティブレベルとなった
ときにオンすることで、前記第１トランジスタをオンさせる電圧を、当該第１トランジス
タのゲート電極に印加し、前記リセットスイッチは、１つ後の段の単位回路によるシフト
信号がアクティブレベルとなったときにオンして、前記第１トランジスタをオフさせる電
圧を、当該第１トランジスタのゲート電極に印加し、奇数段の単位回路では、前記一対の
相補クロック信号の一方が前記クロック信号枝線の一方に供給されるとともに、前記相補
クロック信号の他方が前記相補クロック信号枝線の他方に供給され、偶数段の単位回路で
は、前記相補クロック信号の一方が前記クロック信号枝線の他方に供給されるとともに、
前記相補クロック信号の他方が前記クロック信号枝線の一方に供給されることを特徴とす
る。この構成によれば、単位回路を構成する素子は、第１および第２トランジスタと、セ
ットスイッチと、リセットスイッチとで済むので、回路構成の簡易化を図ることが可能と
なる。
【０００６】
本発明に係るシフトレジスタにおいて、前記第１トランジスタのゲート・ドレイン電極
間に補助容量を介挿した構成としても良い。この構成によれば、クロック信号枝線の一方
の論理レベルが変化することに伴って、第１トランジスタのゲート電極電位の変化が抑制
される。
また、前記単位回路によるシフト信号がアクティブレベルにならない期間のうち、前記
クロック信号枝線の一方がアクティブレベルとなる期間の一部または全部の期間にわたっ
て、当該単位回路の出力端をノン・アクティブレベルに保持する保持回路を有する構成と
しても良い。これにより、出力端がハイ・インピーダンス状態であるときの電圧変化が抑
えられる。
さらに、前記セットスイッチは、ゲート電極とソース電極とが接続されて、当該接続点
に１つ前の段の単位回路によるシフト信号が供給されるとともに、ドレイン電極が前記第
１トランジスタのゲート電極に接続された第３トランジスタであり、前記リセットスイッ
チは、ゲート電極に１つ後の段の単位回路によるシフト信号が供給され、ソース電極が論
理レベルの一方を給電する給電線に接続されるとともに、ドレイン電極が前記第１トラン
ジスタのゲート電極に接続された第４トランジスタである構成としても良い。
この構成において、前記シフト信号の転送方向に応じて、前記第３トランジスタのソー
ス電極およびゲート電極の接続点に、１つ前の段の単位回路によるシフト信号を供給する
とともに、前記第４トランジスタのゲート電極に対し、１つ後の段の単位回路によるシフ
ト信号を供給するセレクタを有する構成とすれば、縦続接続の一方向にも他方向にも転送
可能となる。
なお、本発明は、シフトレジスタのほか、電気光学装置としても、また、この電気光学
装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
まず、実施形態に係るシフトレジスタを適用した電気光学装置の全体について説明する
。図１は、この電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域
１００の周辺に、制御回路２０、走査線駆動回路１４０およびデータ線駆動回路１９０が
配置した構成となっている。このうち、表示領域１００は、画素１１０が配列する領域で
あり、本実施形態では、３２０行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在する一方、２４０
列のデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられるとともに、こ
のうち、１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との各交差に
対応して、画素１１０がそれぞれ設けられている。したがって、本実施形態では、画素１
１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することに
なるが、この配列に限定する趣旨ではない。
【０００８】
ここで、説明の便宜上、画素１１０の構成について説明する。図２は、画素１１０の構
成を示す図であり、ｉ行及びこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（
ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、この図の説明において、ｉおよび（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行のうち
、連続する２行を、行を特定しないで一般的に示す場合の記号であって、１、２、３、…
、３２０である。一方、ｊおよび（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列のうち、連続す
る２列を、列を特定しないで一般的に示す場合の記号であって、１、２、３、…、２４０
である。
【０００９】
図２に示されるように、各画素１１０は、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin fil
m transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０
と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については、互いに同一構成なので、ｉ行
ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ
１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目
のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素容量１２０の一端たる画素電極１
１８と、蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ接続されている。
画素容量１２０の他端はコモン電極１０８である。このコモン電極１０８は、図１に示
されるように全ての画素１１０にわたって共通であり、本実施形態では、時間的に一定の
電圧ＬＣcomに保たれている。
一方、蓄積容量１３０の他端は容量線１３２である。この容量線１３２は、図１におい
て図示省略されているが、例えばコモン電極１０８と同じ電圧ＬＣcomに保たれている。
なお、容量線１３２は、電圧ＬＣcom以外に保たれる構成であっても良い。
【００１０】
表示領域１００は、画素電極１１８が形成された素子基板とコモン電極１０８が形成さ
れた対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保
って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０５を封止した構成となっている。このた
め、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とで誘電体の一種である液晶
１０５を挟持したものとなって、画素電極１１８とコモン電極１０８との差電圧を保持す
る構成となっている。この構成において、画素容量１２０の透過光量は、当該保持電圧の
実効値に応じて変化する。なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において
保持される電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方
、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒
色表示になるノーマリーホワイトモードであるとする。
【００１１】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装置１
０における各部の制御等をするとともに、上述した電圧ＬＣcomをコモン電極１０８に印
加し、特に走査線駆動回路１４０に対しては、転送開始パルスＤyのほか、クロック信号
Φを信号幹線１４１に、その反転クロック信号／Φを信号幹線１４２に、それぞれ供給す
る。すなわち、クロック信号Φと反転クロック信号／Φとは、一方がＨレベルであるとき
に他方がＬレベルとなり、一方がＬレベルであるときに他方がＨレベルになる相補的な関
係にある。なお、反転クロック信号／Φの「／」は、「Φ」の反転を示す。
【００１２】
表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１４０や、データ線駆動回路１９０などの
周辺回路が設けられている。
このうち、走査線駆動回路１４０は、実施形態に係るシフトレジスタを適用したもので
あり、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間にわたって順次排他的に
Ｈレベルになる走査信号（シフト信号）Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を、それぞれ１
、２、３、…、３２０行目の走査線１１２に供給するものである。
なお、ＴＦＴ１１６はｎチャネル型であるので、走査線１１２がＨレベルになると、当
該走査線１１２に対応する１行分の画素１１０において、それぞれＴＦＴ１１６がオン状
態となる。このため、本実施形態では、走査信号のＨレベルがアクティブレベルになり、
Ｌレベルがノン・アクティブレベルになる。
【００１３】
図３は、走査線駆動回路１４０の構成を示すブロック図である。この図に示されるよう
に、走査線駆動回路１４０は、走査線１１２の行数である「３２０」よりも「１」だけ多
い３２１段の単位回路１５０を縦続接続したシフトレジスタである。
ここで、ｉ段目の単位回路１５０は、自段に対応するシフト信号Ｙｉを出力するもので
あり、１段前の（ｉ−１）段目の単位回路１５０によるシフト信号Ｙ（ｉ−１）と、１段
後の（ｉ＋１）段目の単位回路１５０によるシフト信号Ｙ（ｉ＋１）とを入力する。ただ
し、初段である１段目の単位回路１５０では、それよりも１段前の単位回路１５０が存在
しないので、制御回路２０から転送開始パルスＤyの供給を受け、また、３２１段目の単
位回路１５０は、最終行の走査線１１２に対応する３２０段目の単位回路１５０に対して
１段後のシフト信号Ｙ３２１を供給する役目だけを担う。
【００１４】
一方、各段の単位回路１５０には、クロック信号Φ、および、その反転クロック信号／
Φを入力するためにクロック信号枝線１４５、１４６が設けられ、奇数（１、３、５、…
、３２１）段目の単位回路１５０については、クロック信号枝線１４５が信号幹線１４１
に接続され、クロック信号枝線１４６が信号幹線１４２に接続される一方、偶数（２、４
、６、…、３２０）段目の単位回路１５０については、クロック信号枝線１４５が信号幹
線１４２に接続され、クロック信号枝線１４６が信号幹線１４１に接続されている。
したがって、奇数段目の単位回路１５０と偶数段目の単位回路１５０とでは、クロック
信号枝線１４５、１４６において、供給されるクロック信号Φ、反転クロック信号／Φの
関係が入れ替わる関係となる。
なお、奇数段目の単位回路１５０と偶数段目の単位回路１５０とでは、クロック信号枝
線１４５、１４６に供給されるクロック信号Φ、反転クロック信号／Φが入れ替わるが、
構成的には同一である。
【００１５】
そこで、単位回路１５０の構成について図４を参照して説明する。図４は、奇数ｉ段目
の単位回路１５０の構成を示す図である。
この図に示されるように、単位回路１５０は、４つのｎチャネル型ＴＦＴ１５１〜１５
４から構成される。これらのＴＦＴ１５１〜１５４は、画素１１０におけるＴＦＴ１１６
と共通プロセスにより製造される。
まず、ＴＦＴ１５１（第１トランジスタ）のソース電極は、クロック信号枝線１４５に
接続される一方、ＴＦＴ１５２（第２トランジスタ）のゲート電極は、クロック信号枝線
１４６に接続され、そのソース電極は、電源電圧の低位側であって、論理レベルのＬレベ
ルに相当する電位Ｇndに接地されている。さらに、ＴＦＴ１５１、１５２のドレイン電極
同士の接続点が自段の出力端Ｏutとなって、当該出力端Ｏutからシフト信号Ｙｉが出力さ
れる構成となっている。
【００１６】
一方、ＴＦＴ１５３（セットスイッチ、第３トランジスタ）のゲート電極は、自身のソ
ース電極に接続されるとともに、この接続点が１つ前の（ｉ−１）段の単位回路の出力端
に接続されて、シフト信号Ｙ（ｉ−１）の供給を受ける。また、ＴＦＴ１５３のドレイン
電極は、ＴＦＴ１５１のゲート電極およびＴＦＴ１５４のドレイン電極に接続されて、こ
の接続点を便宜的にノードＡとしている。
ＴＦＴ１５４（リセットスイッチ、第４トランジスタ）のゲート電極は、１つ後の（ｉ
＋１）段の単位回路の出力端に接続されて、シフト信号Ｙ（ｉ＋１）の供給を受ける。ま
た、ＴＦＴ１５４のソース電極は、電位Ｇndに接地されている。
【００１７】
なお、Ｃ１は、ＴＦＴ１５１のゲート・ソース電極間に寄生する容量であり、Ｃ２は、
ＴＦＴ１５１のゲート・ドレイン電極間に寄生する容量である。また、図４においては、
奇数段目の単位回路１５０について説明したが、偶数段目の単位回路１５０については、
上述したように、または、図４において括弧書で示されるように、クロック信号枝線１４
５に反転クロック信号／Φが供給され、クロック信号枝線１４６にクロック信号Φが供給
される以外、奇数段と同様である。
【００１８】
図１においてデータ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０によってＨレベルとさ
れた走査線１１２に位置する画素１１０の階調に応じた電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ
３、…、Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目のデータ線１１４にそれぞれ供給する
ものである。
ここで、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応
した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれに対応する画素１１０の階
調値（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示デ
ータＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路２０によってアドレスとともに変
更後の表示データＤaが供給されて書き換えられる。
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０によってＨレベルとされた走査線１
１２に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から読み出すとともに、当該階調
値に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する動作を、選択される走
査線１１２に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
【００１９】
なお、詳細には後述するように、転送開始パルスＤyをクロック信号Φおよび反転クロ
ック信号／Φにしたがってシフトすることによって、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、
…、Ｙ３２０を出力するので、ある走査線の論理レベルがＨレベルになる期間の開始タイ
ミングは、クロック信号Φおよび反転クロック信号／Φの論理レベルが遷移するタイミン
グである。
このため、例えばデータ線駆動回路１９０は、当該タイミングを検出することによって
、いずれかの走査線がＨレベルになる期間の開始タイミングおよび終了タイミングを知る
ことができる。また、例えば制御回路２０が転送開始パルスＤyの出力によってゼロにリ
セットするとともに、クロック信号Φおよび反転クロック信号／Φの論理レベルが遷移す
る毎にアップカウントしたカウント値を通知することによって、データ線駆動回路１９０
は、何行目の走査線がＨレベルになるのか知ることができる。
また、ここでいう階調値に応じた電圧とは、コモン電極１０８に印加される電圧ＬＣco
mよりも高位側である正極性と、低位側である負極性との２通りが存在し、データ線駆動
回路１９０は、同一の画素について例えば１フレームの期間毎に正極性と負極性とで交互
に切り替える。なお、書込極性については電圧ＬＣcomを基準とするが、電圧については
、特に説明のない限り、電源の接地電位Ｇndを基準とする。
【００２０】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。図５は、電気光学
装置１０における垂直走査を示す図である。
この図に示されるように、転送開始パルスＤyは、クロック信号Φおよび反転クロック
信号／Φのデューティ比は５０％であり、その半周期が１行の走査線がＨレベルになる１
水平走査期間（Ｈ）に相当する。また、転送開始パルスＤyは、クロック信号Φ（および
反転クロック信号／Φ）の半周期に相当するパルス幅（Ｈレベル）を有し、フレームの期
間の開始に先んずるタイミングであって、クロック信号ΦがＬレベルになる期間にわたっ
て出力される。
走査線駆動回路１４０では、この転送開始パルスＤyが、クロック信号Φおよび反転ク
ロック信号／Φの論理レベルが遷移する毎に各段の単位回路１５０によってシフトされて
、これらのシフト信号がそのまま走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０として出力さ
れる。なお、実際には、シフト信号がバッファ回路やレベルシフタを経て走査信号として
出力される場合もあるが、本件においては重要ではないので、本実施形態では、シフト信
号イコール走査信号として説明している。
【００２１】
まず、電気光学装置の動作について説明すると、あるｎフレームの最初においては走査
信号Ｙ１がＨレベルになる。走査信号Ｙ１がＨレベルになると、データ線駆動回路１９０
は、１行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとと
もに、読み出した表示データＤaで指定された電圧だけ、電圧ＬＣcomを基準に高位または
低位の電圧に変換し、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０として、それぞれ１、
２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。
一方、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦ
Ｔ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、
…、Ｘ２４０が印加される。このため、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０には、
データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０と電圧ＬＣcomとの差電圧が書き込まれる。
【００２２】
次に、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。走査信号Ｙ２がＨレベルになると、データ線駆
動回路１９０は、２行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを
読み出すとともに、読み出した表示データＤaで指定された電圧だけ、電圧ＬＣcomを基準
に高位または低位の電圧に変換し、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０として、
それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。
一方、走査信号Ｙ２がＨレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦ
Ｔ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、
…、Ｘ２４０が印加される。このため、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０には、
データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０と電圧ＬＣcomとの差電圧が書き込まれる。
なお、走査信号Ｙ２がＨレベルになるとき、走査信号Ｙ１がＬレベルになる。走査信号
Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフす
るが、画素容量１２０に書き込まれた電圧は、その容量性とともに並列接続された蓄積容
量１３０に保持されるので、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０は、書き込まれた
電圧に応じた階調を維持することになる。
【００２３】
以下同様にして、データ信号を介した電圧の書き込みが、走査信号Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ
３２０がＨレベルになるまで繰り返され、これによりすべての画素に対して、階調値に応
じた電圧が書き込まれる。なお、次の（ｎ＋１）フレームでも同様にして電圧の書き込み
が、書込極性を反転した状態で実行される。すなわち、ある画素について着目したときに
、ｎフレームにおいて、階調値に応じた電圧が、電圧ＬＣcomよりも高位または低位の一
方の極性であったならば、（ｎ＋１）フレームでは、電圧ＬＣcomよりも高位または低位
の他方の極性とされる。このような極性反転によって、液晶１０５に直流成分が印加され
ることが回避されて、劣化が防止される。
【００２４】
なお、図５において、期間Ｆaは、１フレームの期間のうち、走査信号Ｙ１からＹ３２
０までがＨレベルになる有効表示期間を示しており、残余の期間が帰線期間を示している
が、この帰線期間はなくてもよい。
また、図６は、ｉ行ｊ列における画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)の変化を、走査信号
Ｙｉとの関係において示す図である。この図においては、走査信号ＹｉはＨレベルになっ
たときに、電圧ＬＣcomに対してｉ行ｊ列の画素に対する階調値に応じた分だけ高位また
は低位の電圧（図において↑または↓で示されている）のデータ信号Ｘｊがｊ列目のデー
タ線１１４に供給されて、ｉ行ｊ列における画素電極１１８に書き込まれている様子を示
している。
【００２５】
次に、走査線駆動回路１４０におけるシフト動作について、奇数ｉ段目の単位回路１５
０を例にとって説明する。図７は、走査線駆動回路１４０においてｉ段目の単位回路１５
０の動作を説明するための電圧波形図である。
上述したように、クロック信号ΦがＬレベルになる期間にわたって出力された転送開始
パルスＤyは、クロック信号Φおよび反転クロック信号／Φの論理レベルがシフトする毎
に、各段の単位回路１５０によって転送されるので、奇数ｉ段目の単位回路１５０による
シフト信号ＹｉがＨレベルになる期間は、クロック信号ΦがＨレベルになる（反転クロッ
ク信号／ΦがＬレベルになる）期間である。
奇数ｉ段目においては、クロック信号枝線１４５は信号幹線１４１に接続され、クロッ
ク信号枝線１４６が信号幹線１４２に接続されているので、クロック信号枝線１４５には
クロック信号Φが供給され、クロック信号枝線１４６には反転クロック信号／Φが供給さ
れることになる。このため、ｉ段目よりも１段前の（ｉ−１）段目の単位回路１５０によ
るシフト信号Ｙ（ｉ−１）と、ｉ段目よりも１段後の（ｉ＋１）段目の単位回路１５０に
よるシフト信号Ｙ（ｉ＋１）とがＨレベルになる期間は、クロック信号枝線１４５がＬレ
ベルになる（クロック信号枝線１４６がＨレベルになる）期間である。
【００２６】
なお、以下においては、奇数ｉ段目について説明するが、偶数段目では、クロック信号
枝線１４５が信号幹線１４２に接続され、クロック信号枝線１４６が信号幹線１４１に接
続されているので、当該偶数段目よりも１段前の単位回路によるシフト信号と、１段後の
単位回路１５０によるシフト信号とがＨレベルになる期間は、クロック信号枝線１４５が
Ｌレベルになる（クロック信号枝線１４６がＨレベルになる）期間になり、奇数段目と同
じである。したがって、奇数段と偶数段とでは、クロック信号枝線１４５、１４６の論理
レベルについて着目すれば、単位回路の動作は全く同一となる。
【００２７】
さて、奇数ｉ段目において、クロック信号枝線１４５、１４６がＬ、Ｈレベル（クロッ
ク信号ΦがＬレベル、反転クロック信号／ΦがＨレベル）になる期間であってシフト信号
Ｙ（ｉ−１）がＨレベルになる期間（ａ）において、ｉ段目の単位回路１５０は、図８に
示される通りとなる。
詳細には、シフト信号Ｙ（ｉ−１）がＨレベルになることによってＴＦＴ１５３がオン
になるので、ノードＡは、ＴＦＴ１５３のオン抵抗による電圧降下のために、Ｈレベルに
相当する電圧Ｖddよりも若干低い電圧Ｖa（図７参照）になるものの、ＴＦＴ１５２のし
きい値電圧を超える。このため、ＴＦＴ１５１がオンする。
また、反転クロック信号／Φの供給に伴ってクロック信号枝線１４６がＨレベルになる
ことにより、ＴＦＴ１５２がオンになる。なお、シフト信号Ｙ（ｉ＋１）はＬレベルであ
るので、ＴＦＴ１５４はオフである。
したがって、ｉ段目の単位回路１５０における出力端Ｏutは、ＴＦＴ１５１、１５２の
オンにより、クロック信号枝線１４５に供給されたクロック信号Φのレベルになるので、
および、電位Ｇndに接地されるので、シフト信号ＹｉはＬレベルになる。
このとき、ＴＦＴ１５１については、そのソース電極（クロック信号枝線１４５）はＬ
レベルであり、そのゲート電極（ノードＡ）は電圧Ｖaであるので、ＴＦＴ１５１のゲー
ト・ソース電極間に寄生する容量Ｃ１には、ゲート電極を高位側として電圧Ｖaが充電さ
れることになる。
なお、図８において細線はＬレベルである部分を示し、中太線はＨレベルである部分（
電圧Ｖaである部分も含む）を示している（図９〜図１２も同様）。
【００２８】
期間（ａ）の次には、期間（ｂ）になり、この期間（ｂ）では、クロック信号枝線１４
５、１４６がＨ、Ｌレベル（クロック信号ΦがＨレベル、反転クロック信号／ΦがＬレベ
ル）になる。期間（ｂ）において、ｉ段目の単位回路１５０は、図９に示される通りとな
る。
詳細には、シフト信号Ｙ（ｉ−１）がＬレベルになることによってＴＦＴ１５３がオフ
になり、また、シフト信号Ｙ（ｉ＋１）は依然としてＬレベルであるので、ＴＦＴ１５４
は、期間（ａ）から引き続いてオフである。
このため、ノードＡは、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態
になるが、クロック信号Φの供給に伴いクロック信号枝線１４５がＨレベルになるので、
ノードＡは、当該Ｈレベルに相当する電圧Ｖddに、容量Ｃ１に充電された電圧Ｖaを上乗
せした電圧となる（図７参照）。
このため、ＴＦＴ１５１は、期間（ａ）から引き続いてオンするので、ｉ段目の単位回
路１５０における出力端Ｏutは、クロック信号枝線１４５に供給されたクロック信号Φと
同じ論理レベルとなり、これにより、シフト信号ＹｉはＨレベルになる。
なお、シフト信号ＹｉがＨレベルになる、ということは、（ｉ−１）段目の単位回路に
とってみれば、１つ後の単位回路によるシフト信号がアクティブレベルになったというこ
とを意味し、（ｉ＋１）段目の単位回路にとってみれば、１つ前の単位回路によるシフト
信号がアクティブレベルになったということを意味する。また、図９において極太線は、
Ｈレベルに相当する電圧Ｖddに電圧Ｖaを上乗せした電圧となる部分を示している。
【００２９】
期間（ｂ）の次に期間（ｃ）になる。この期間（ｃ）では、クロック信号枝線１４５、
１４６がＬ、Ｈレベル（クロック信号ΦがＬレベル、反転クロック信号／ΦがＨレベル）
になり、ｉ段目の単位回路１５０は、図１０に示される通りとなる。
詳細には、シフト信号Ｙ（ｉ−１）が期間（ｂ）以降においてＬレベルになるので、Ｔ
ＦＴ１５３は、期間（ａ）から引き続いてオフであるが、シフト信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレ
ベルになることによりＴＦＴ１５４がオンになる。このため、ノードＡは、オン状態のＴ
ＦＴ１５４を介して電位Ｇn dに接地されるために、ＴＦＴ１５１がオフになる。また、
反転クロック信号／Φの供給に伴ってクロック信号枝線１４６がＨレベルになることによ
り、ＴＦＴ１５２がオンになる。
したがって、ｉ段目の単位回路１５０における出力端Ｏutは、オン状態となったＴＦＴ
１５２を介して電位Ｇndに接地されるので、シフト信号ＹｉはＬレベルになる。
なお、クロック信号枝線１４５は、クロック信号Φの供給によってＬレベルになるので
、ＴＦＴ１５１に寄生する容量Ｃ１に充電された電圧もゼロにリセットされる。すなわち
、ＴＦＴ１５３はオンになることにより容量Ｃ１に電圧Ｖaをセットし、ＴＦＴ１５４は
オンになることにより容量Ｃ１にセットされた電圧をゼロにリセットする機能を有するこ
とになる。
【００３０】
期間（ｃ）の次に期間（ｄ）になる。この期間（ｄ）では、クロック信号枝線１４５、
１４６がＨ、Ｌレベル（クロック信号ΦがＨレベル、反転クロック信号／ΦがＬレベル）
になり、ｉ段目の単位回路１５０は、図１１に示される通りとなる。
詳細には、シフト信号Ｙ（ｉ−１）が期間（ｂ）以降においてＬレベルであるので、Ｔ
ＦＴ１５３は、期間（ａ）から引き続いてオフであり、シフト信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベ
ルになるので、ＴＦＴ１５４もオフになる。このため、ノードＡは、ハイ・インピーダン
ス状態になるが、容量Ｃ２が容量Ｃ１よりも充分に大きければ、直前の状態、すなわち期
間（ｃ）におけるＬレベルの状態に保たれるので、ＴＦＴ１５１のオフ状態が維持される
。
また、クロック信号枝線１４６は、反転クロック信号／Φの供給によってＬレベルにな
るので、ＴＦＴ１５２もオフする。
したがって、ｉ段目の単位回路１５０における出力端Ｏutもハイ・インピーダンス状態
になるが、出力端Ｏutに接続される走査線１１２は様々な容量（例えば図示してあるとこ
ろの容量Ｃ２や、他にコモン電極１０８、データ線１１４との結合容量）が寄生するので
、直前の状態、すなわち期間（ｃ）におけるＬレベルの状態にほぼ保たれ、看過できない
程の電位変動は発生しないことになる。
【００３１】
期間（ｄ）の次に期間（ｅ）になる。この期間（ｅ）では、期間（ｃ）と同様にクロッ
ク信号枝線１４５、１４６がＬ、Ｈレベル（クロック信号ΦがＬレベル、反転クロック信
号／ΦがＨレベル）になるが、１つ後の段の単位回路１５０によるシフト信号がＬレベル
である点において期間（ｃ）と相違する。なお、期間（ｅ）において、ｉ段目の単位回路
１５０は、図１２に示される通りとなる。
すなわち、クロック信号枝線１４６は、反転クロック信号／Φの供給によってＨレベル
になるので、ＴＦＴ１５２がオフする。このため、ｉ段目の単位回路１５０における出力
端Ｏutは、電位Ｇndに接地されて、シフト信号ＹｉがＬレベルになる。
【００３２】
以下、クロック信号Φ（反転クロック信号／Φ）の論理レベルが反転する毎に、期間（
ｄ）の動作状態と期間（ｅ）の動作状態とが交互に繰り繰り返される。このため、ｉ段目
の単位回路１５０における出力端Ｏutは、クロック信号枝線１４６がＨレベルであれば、
オンしたＴＦＴ１５２を介して電位Ｇndに接地されて、Ｌレベルに確定する一方、クロッ
ク信号枝線１４６がＬレベルであれば、ハイ・インピーダンス状態になるが、直前状態で
あるＬレベルにほぼ保持される。
【００３３】
なお、偶数段目では、上述したように、クロック信号枝線１４５、１４６の論理レベル
について着目すれば、偶数段目の単位回路の動作は奇数段目の単位回路と全く同一となる
。
したがって、このような単位回路１５０を縦続接続するとともに、奇数段と偶数段とで
クロック信号Φと反転クロック信号／Φとを入れ替えた構成によれば、図５に示されるよ
うに、クロック信号Φ（反転クロック信号／Φ）の論理レベルが反転する毎に、そのクロ
ック信号（反転クロック信号／Φ）の半周期分の転送開始パルスＤyが順次シフトされた
シフト信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０が、１、２、３、…、３２０段目の単位回路
１５０から出力されることになる。
【００３４】
ところで、３２１段目の単位回路１５０は、３２０段目の単位回路１５０にシフト信号
Ｙ３２１を供給して、３２０段目のＴＦＴ１５４をオンさせるためのものであるが、３２
１段目の単位回路１５０には次段が存在しないので、当該３２１段目ではＴＦＴ１５４が
オンせずに、ノードＡがＬレベルにならないように見える。
しかしながら、３２０段目の単位回路１５０によるシフト信号Ｙ３２０は、ＨからＬレ
ベルになると、当該Ｌレベルがほぼ１フレームの期間にわたって継続するので、当該Ｌレ
ベルになる期間にわたって３２１段目のＴＦＴ１５３がオフしたままとなる。このため、
当該３２１段目では、ハイ・インピーダンス状態のノードＡ、すなわち、ＴＦＴ１５１の
ゲート電極の電位は、実際にはリーク電流等によって徐々に低下するので、やがてオフ電
圧以下になって、当該ＴＦＴ１５１がオフすることになる。
したがって、３２０段目においては、１フレームの期間が経過して前段のシフト信号Ｙ
３１９がＨレベルになったときに、次段のシフト信号Ｙ３２１が未だにＨレベルになって
いる状態にはならない。
また、３２１段目のＴＦＴ１５４のゲートを積極的にＴＦＴ１５１のゲートに接続する
ことにより、当該ＴＦＴ１５４が半オン状態として、ＴＦＴ１５１のゲート電位をオフ電
圧に下げる構成でも良い。この構成では、ＴＦＴ１５３がオンするときに、ＴＦＴ１５４
もオンとなるが、ＴＦＴ１５３のオン抵抗よりもＴＦＴ１５４のオン抵抗を大きくなるよ
うに、トランジスタ形状を設定しておくことにより、ＴＦＴ１５３がオンになった時の作
用が維持される。
さらに、３２０段目または３２１段目の単位回路１５０によるシフト信号に相当する信
号を、制御回路２０から供給しても良い。特に３２０段目の単位回路１５０によるシフト
信号Ｙ３２１を制御回路２０から供給する構成にすると、３２１段目の単位回路１５０が
不要となる。
【００３５】
また、本実施形態に係るシフトレジスタにおいて、各段の単位回路を構成する素子は、
ＴＦＴ１５１〜１５４の４素子で済み、上述した背景の技術で述べた９素子に比べて半分
以下に抑えられる。このため、構成の簡易化や、製造プロセスにおける歩留まり率を向上
させることができるだけでなく、走査線１１２の狭ピッチ化が容易となり、画素の極小化
による高精細な表示も可能となる。
【００３６】
ところで、実施形態に係るシフトレジスタにおいて、期間（ｄ）では、ノードＡがハイ
・インピーダンス状態となるので、直前のＬレベルの状態に保たれる、と説明したが、ク
ロック信号枝線１４５が期間（ｃ）から期間（ｄ）にかけてＬからＨレベルに変化すると
きに、容量Ｃ１が容量Ｃ２と比較して充分に小さくないと、ＬレベルであるべきノードＡ
の電圧が図７の※で示されるように上昇して、これによりＴＦＴ１５１のオフ抵抗が小さ
くなる状態（半オン状態）となってしまう可能性がある。
【００３７】
そこで、図１３に示されるように、ＴＦＴ１５１のゲート・ドレイン電極間に補助容量
Ｃaを介挿した構成としても良い。この構成にすると、ノードＡは、出力端Ｏut（走査線
１１２）の容量結合度が増すので、ハイ・インピーダンス状態となったときの電圧変化を
抑制することが可能となる。
なお、このような電圧変化の抑制は、図１４に示されるように、補助容量Ｃaを、ノー
ドＡと、クロック信号枝線１４６との間に介挿する構成でも達成することができる。クロ
ック信号枝線１４６は、ノードＡに電圧上昇させるクロック信号枝線１４５に対し反対方
向に電圧変化するので、補助容量Ｃaの要する容量が小さくて済む反面、クロック信号枝
線１４６の電圧変化に伴う充放電の分だけ電力が無駄に消費されてしまう、という面もあ
る。
いずれにしても、補助容量Ｃaの具体的な容量値については、ＴＦＴ１５１の寄生容量
Ｃ１、Ｃ２や、しきい値電圧などの種々の条件に依存するので、シミュレーションなどに
よって、ノードＡの電圧変化が無視できる小さくなるような値を求めれば良い。
【００３８】
また、実施形態において、あるｉ段目の単位回路１５０の出力端Ｏutは、１つ前の（ｉ
−１）段、自身に対応するｉ段、および、１つ後の（ｉ＋１）段の単位回路によるシフト
信号がいずれもＬレベルである場合に、クロック信号枝線１４６がＨレベルであれば電位
Ｇnd（Ｌレベル）に確定するが、クロック信号枝線１４６がＬレベルであればハイ・イン
ピーダンス状態となる。すなわち、ｉ段目の単位回路１５０の出力端Ｏutは、１つ後の（
ｉ＋１）段の単位回路によるシフト信号がＨレベルとなった後にあっては、水平走査期間
（Ｈ）毎に、Ｌレベルに確定する状態と、ハイ・インピーダンス状態とが交互に切り替え
られることになる。
走査線がハイ・インピーダンス状態であっても、上述したように走査線１１２には種々
の容量が寄生するので、直前状態であるＬレベルに保たれるが、ノイズ等の混入による走
査線の電位変動を抑えて表示品位の低下を防止する、という観点からすれば、走査線１１
２がハイ・インピーダンス状態となるのを避けた方が望ましいといえる。
【００３９】
そこで、図１５に示されるように、各段の単位回路１５０において、それぞれＴＦＴ１
６１〜１６３からなる保持回路１６０を設けても良い。
この図において、ＴＦＴ１６１〜１６３の各々はそれぞれｎチャネル型であり、このう
ち、ＴＦＴ１６１のゲート電極は、出力端Ｏutに接続され、そのソース電極は、電位Ｇnd
に接地されている。また、ＴＦＴ１６２のゲート電極には、次の（ｉ＋１）段目によるシ
フト信号Ｙ（ｉ＋１）が供給され、そのソース電極は、電圧Ｖddの給電線に接続されてい
る。そして、ＴＦＴ１６３のゲート電極は、ＴＦＴ１６１、１６２の共通ドレイン電極に
接続され、そのソース電極は電位Ｇndに接地され、そのドレイン電極は出力端Ｏutに接続
された構成となっている。
【００４０】
このような構成において、シフト信号ＹｉがＨからＬレベルになって、シフト信号Ｙ（
ｉ＋１）がＨレベルになると、すなわち、上述した期間（ｃ）に相当する期間になると、
ＴＦＴ１６１、ＴＦＴ１６２がそれぞれオフ、オンするので、ＴＦＴ１６３のゲート電極
に電圧Ｖddが印加される結果、ＴＦＴ１６３がオンする。このため、ｉ段目の単位回路１
５０における出力端Ｏutは、オンしたＴＦＴ１６３を介して電位Ｇndに接地されるととも
に、ＴＦＴ１６３に寄生する容量Ｃ５に電圧Ｖddが充電される。
シフト信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルになると、ＴＦＴ１６３のゲート電極は、ハイ・イ
ンピーダンス状態になるが、容量Ｃ５によって電圧Ｖddが保持されているので、ＴＦＴ１
６３のオン状態が維持される。一方、自段のシフト信号ＹｉがＨレベルになると、ＴＦＴ
１６１がオンして、ＴＦＴ１６３のゲート電極が、保持されていた電圧Ｖddから接地電位
Ｇndに変化し、これにより、ＴＦＴ１６３がオフすることになる。
したがって、このような保持回路１６０によれば、あるｉ段目の単位回路１５０の出力
端Ｏutは、１つ後の段のシフト信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになってから、自段のシフト
信号ＹｉがＨレベルになる直前まで、ＴＦＴ１６３のオンにより、電位ＧndであるＬレベ
ルに確定することになる。
【００４１】
なお、実施形態において、ｉ段目の単位回路１５０の出力端Ｏutは、クロック信号枝線
１４６がＨレベルであれば電位Ｇnd（Ｌレベル）に確定するので、ＴＦＴ１６１のゲート
電極には、自段のシフト信号Ｙｉではなく、１つ前の段のシフト信号Ｙ（ｉ−１）を供給
しても良いし、また、自身の出力端ＯutがＨレベルにならない場合であって、クロック信
号枝線１４６がＬレベル（クロック信号枝線１４５がＨレベル）のときに、ＴＦＴ１６３
がオンするように、ＴＦＴ１６３のゲート電極に外部からの制御信号を供給する構成とし
ても良い。
【００４２】
ところで、近年では、ビデオカメラやデジタルスチルカメラなどのビューファインダな
どのように、表示パネルが１８０度回転可能とするタイプが登場しつつある。表示パネル
の回転角度が０度である場合と、１８０度である場合とでは、パネルの固定点からみたと
きに垂直走査方向が逆転する関係となる。
このため、走査線を駆動する走査線駆動回路１４０では、走査線を選択する順序を、一
方から他方に向かう場合と、他方から一方に向かう場合との双方向に対応する必要がある
が、図３に示した走査線駆動回路１４０では、転送開始パルスＤyを、クロック信号Φ（
反転クロック信号／Φ）の論理レベルが遷移する毎に、１、２、３、…、３２０段目とい
う一方向でしか順番にシフトできない。
そこで、一方向のみならず、他方向にも転送可能な走査線駆動回路１４０について説明
する。
【００４３】
図１６は、双方向に転送可能な走査線駆動回路１４０の構成を示すブロック図であり、
図１７は、この単位回路を示す図である。
図１６に示されるように、走査線１１２の行数である「３２０」よりも「２」多い「３
２２」段の単位回路１５０を縦続接続した構成となっている。これは、転送開始パルスＤ
yの転送方向をＹ１→Ｙ３２０の下方向転送にするとき、シフト信号Ｙ３２０を出力する
３２０段目の単位回路１５０の１つ後の段として３２１段目の単位回路１５０によるシフ
ト信号Ｙ３２１が必要であり、同様にして考えてみれば、転送開始パルスＤyの転送方向
をＹ３２０→Ｙ１の上方向転送にするとき、シフト信号Ｙ１を出力する１段目の単位回路
１５０の１つ後の段として０段目の単位回路１５０によるシフト信号Ｙ０がさらに必要と
なるためである。
なお、０、１、２、３、…、３２０、３２１段の段数については、転送方向に拘わらず
、固定的に扱うが、１つ前の段、１つ後の段という概念は、シフト信号の転送方向を考慮
して相対的な関係になる。すなわち、下方向転送においては、シフト信号Ｙ（ｉ−１）、
Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）という順番でＨレベルになるので、ｉ段目を基準にしてみると、（ｉ
−１）段目は１つ前の段であり、（ｉ＋１）段目は１つ後の段であるが、上方向転送にお
いては、シフト信号Ｙ（ｉ＋１）、Ｙｉ、Ｙ（ｉ−１）という順番でＨレベルになるので
、ｉ段目を基準にしてみると、（ｉ＋１）段目が１つ前の段であり、（ｉ−１）段目は１
つ後の段という関係になる。
【００４４】
この走査線駆動回路１４０において、下方向転送とするか下方向転送とするかについて
は、転送方向指定信号Ｄir-d、Ｄir-uによって指定される。詳細には、下方向転送が指定
される場合には、転送方向指定信号Ｄir-dがＨレベルとなり、転送方向指定信号Ｄir-uが
Ｌレベルになる一方、上方向転送が指定される場合には、反対に転送方向指定信号Ｄir-d
がＬレベルとなり、転送方向指定信号Ｄir-uがＨレベルになる。
また、この走査線駆動回路１４０には、トランスファーゲートであるアナログスイッチ
２１、２２、２５〜２８が設けられている。このうち、アナログスイッチ２１は、転送方
向指定信号Ｄir-dがＨレベルとなったときにオンして、転送開始パルスＤyを、０段目の
単位回路１５０に対し１つ前の段のシフト信号となるように供給する一方、アナログスイ
ッチ２２は、転送方向指定信号Ｄir-uがＨレベルとなったときにオンして、転送開始パル
スＤyを、３２１段目の単位回路１５０に対し、１つ前の段のシフト信号として供給する
構成となっている。
アナログスイッチ２５、２６は、転送方向指定信号Ｄir-dがＨレベルとなったときにそ
れぞれオンして、クロック信号Φを信号幹線１４１に、反転クロック信号／Φを信号幹線
１４２に、それぞれ供給する一方、アナログスイッチ２７、２８は、転送方向指定信号Ｄ
ir-uがＨレベルとなったときにそれぞれオンして、クロック信号Φを信号幹線１４２に、
反転クロック信号／Φを信号幹線１４１に、それぞれ供給する構成となっている。
【００４５】
一方、単位回路１５０では、図１７に示されるように、ｎチャネル型のＴＦＴ１７１〜
１７４からなるセレクタ１７０が別途設けられる。
ここで、ＴＦＴ１７１のゲート電極には、転送方向指定信号Ｄir-dが供給され、そのソ
ース電極には、シフト信号Ｙ（ｉ−１）が供給され、そのドレイン電極は、ＴＦＴ１５３
のゲート・ソース電極に接続されている。ＴＦＴ１７２のゲート電極には、転送方向指定
信号Ｄir-uが供給され、そのソース電極には、シフト信号Ｙ（ｉ＋１）が供給され、その
ドレイン電極は、ＴＦＴ１５３のゲート・ソース電極に接続されている。
一方、ＴＦＴ１７３のゲート電極には、転送方向指定信号Ｄir-dが供給され、そのソー
ス電極には、シフト信号Ｙ（ｉ＋１）が供給され、そのドレイン電極は、ＴＦＴ１５４の
ゲート電極に接続されている。また、ＴＦＴ１７４のゲート電極には、転送方向指定信号
Ｄir-uが供給され、そのソース電極には、シフト信号Ｙ（ｉ−１）が供給され、そのドレ
イン電極は、ＴＦＴ１５４のゲート電極に接続されている。
【００４６】
したがって、転送方向指定信号Ｄir-dがＨレベル（転送方向指定信号Ｄir-uがＬレベル
）になって、下方向転送が指定された場合、各段の単位回路１５０では、ＴＦＴ１７１、
１７３がオンし、ＴＦＴ１７２、１７４がオフするので、その等価回路は、図４と同一と
なる。結局、転送開始パルスＤyが供給されると、シフト信号は、クロック信号の論理レ
ベルが遷移する毎に、（Ｙ０）、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０、（Ｙ３２１）という
順番でＨレベルになる。なお、波形的にみれば、０段目の単位回路１５０を介する関係上
、シフト信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０は、図５に示した波形に対して、クロック
信号Φ（反転クロック信号／Φ）の半周期分だけ遅延した関係となる。
一方、転送方向指定信号Ｄir-uがＨレベル（転送方向指定信号Ｄir-dがＬレベル）にな
って、上方向転送が指定された場合、各段の単位回路１５０では、ＴＦＴ１７１、１７３
がオフし、ＴＦＴ１７２、１７４がオンするので、シフト信号Ｙ（ｉ＋１）が、ＴＦＴ１
５３のソース・ドレイン電極に供給されるとともに、シフト信号Ｙ（ｉ−１）が、ＴＦＴ
１５４のゲート電極に供給されることになる。しかしながら、上方向転送の場合、ｉ段目
にとってみれば、１つ前の段が（ｉ＋１）段目であり、１つ後の段が（ｉ−１）段目であ
るから、ＴＦＴ１５３のソース・ドレイン電極に１つ前の段のシフト信号が供給され、Ｔ
ＦＴ１５４のゲート電極に１つ後の段のシフト信号が供給される関係は、下方向転送と変
わりない。
一方、上方向転送が指定された場合、信号幹線１４１、１４２に供給されるクロック信
号Φ、反転クロック信号／Φの関係が下方向転送と入れ替わる。結局、転送開始パルスＤ
yの転送経路は、下方向転送の場合と上方向転送の場合となんら変わることがないので、
転送開始パルスＤyが供給されると、シフト信号は、クロック信号の論理レベルが遷移す
る毎に、（Ｙ３２１）、Ｙ３２０、Ｙ３１９、…、Ｙ１、（Ｙ０）という順番でＨレベル
になる。
【００４７】
図１６および図１７に示される走査線駆動回路１４０によれば、双方向に転送可能であ
る上に、各段の単位回路を構成する素子は、ＴＦＴ１５１〜１５４に加えて、ＴＦＴ１７
１〜１７４の８素子で済み、背景の技術で述べた９素子に比べて少なく抑えることができ
る。
なお、双方向に転送可能な走査線駆動回路１４０において、単位回路１５０の総段数を
図１６に示されるように偶数ではなく、奇数にすると、クロック信号枝線１４５、１４６
の配置が、上から見ても、下から見ても対称形になるので、アナログスイッチ２５〜１８
は不要である。
【００４８】
なお、実施形態においては、ＴＦＴ１１６をｎチャネル型としたため、アクティブレベ
ルをＨレベルとし、ノン・アクティブレベルをＬレベルとして説明したが、ＴＦＴ１１６
をｐチャネル型にした場合、アクティブレベルはＬレベルになり、ノン・アクティブレベ
ルをＨレベルになる。ＴＦＴ１１６をｐチャネル型にした場合、Ｌレベルのパルスを順次
転送する構成になるが、その構成については別段説明を要しないであろう。
【００４９】
また、上述した各実施形態では、画素容量１２０を単位としてみたときに、１フレーム
の期間毎に書込極性を反転したが、その理由は、画素容量１２０を交流駆動するために過
ぎないので、その反転は２フレーム以上の期間毎に実行しても良い。
さらに、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態におい
て暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、
Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別
の１色（例えばシアン（Ｃ））を追加し、これらの４色の画素で１ドットを構成して、色
再現性を向上させる構成としても良い。
【００５０】
上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極１０８の電圧としているが、これは、
画素１１０におけるＴＦＴ１１６が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際に
は、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態
変化するときにドレイン電極（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン
、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため
、画素容量１２０については交流駆動としなければならないが、コモン電極１０８への印
加電圧を書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのために、負極性書込に
よる画素容量１２０の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなってし
まう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）。このため、実際には、書込極性の基準電圧と
コモン電極１０８の電圧とを分け、詳細には、書込極性の基準電圧を、プッシュダウンの
影響が相殺されるように、コモン電極の電圧よりも高位側にオフセットして設定するよう
にしても良い。
さらに、蓄積容量１３０の他端は、一定ではなく、正極性書込時に低位側とし、その後
、高位側に切り替え、極性書込時に高位側とし、その後、低位側に切り替えるような構成
としても良い。
【００５１】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図１８は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の
構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分以外の構成要素につい
ては外観としては現れない。
【００５２】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１８に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（
またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、
上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態に係るシフトレジスタを用いた電気光学装置を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同シフトレジスタ（走査線駆動回路）の構成を示す図である。
【図４】同シフトレジスタにおける単位回路の構成を示す図である。
【図５】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図６】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図７】同シフトレジスタの動作を示す図である。
【図８】同単位回路の動作を示す等価回路図である。
【図９】同単位回路の動作を示す等価回路図である。
【図１０】同単位回路の動作を示す等価回路図である。
【図１１】同単位回路の動作を示す等価回路図である。
【図１２】同単位回路の動作を示す等価回路図である。
【図１３】同単位回路の別例を示す図である。
【図１４】同単位回路の別例を示す図である。
【図１５】同単位回路の別例を示す図である。
【図１６】双方向に転送可能なシフトレジスタの構成を示す図である。
【図１７】同シフトレジスタにおける単位回路の構成を示す図である。
【図１８】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１
０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１
４０…走査線駆動回路、１４５、１４６…クロック信号枝線、１５０…単位回路、１５１
〜１５４…ＴＦＴ、１６０…保持回路、１６１〜１６３…ＴＦＴ、１７０…セレクタ、１
７１〜１７４…ＴＦＴ、１９０…データ線駆動回路、１２００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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