(57)【要約】【課題】開口率の低下を招くことなく、表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  基板上の画素毎に島状の第１電極を形成する工程と、第１電極を形成した基板上に第１絶縁膜を成膜する工程と、第１絶縁膜上において各画素を分離するパターンの第２絶縁膜を形成する工程と、第２絶縁膜をマスクとして第２絶縁膜から露出した第１絶縁膜を自己整合的に除去する工程と、第１絶縁膜から露出した第１電極上に有機活性層を形成する工程と、有機活性層上に複数の画素に共通の第２電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】      図３
2008235033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画素毎に島状の第１電極を形成する工程と、
前記第１電極を形成した基板上に第１絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１絶縁膜上において各画素を分離するパターンの第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜をマスクとして前記第２絶縁膜から露出した前記第１絶縁膜を自己整合的に除去する工程と、
前記第１絶縁膜から露出した前記第１電極上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に複数の画素に共通の第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機活性層を形成する工程は、ホール輸送機能を有する第１液状材料を選択塗布法により塗布した後に乾燥する工程と、発光機能を有する第２液状材料を選択塗布法により塗布した後に乾燥する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
各画素に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置され、複数の画素に共通の第２電極と、
前記第１電極の周縁を覆うように配置され、各画素を分離する隔壁と、を備え、
前記隔壁は、第１開口部を有する第１絶縁膜と、この第１絶縁膜に積層され第２開口部を有する第２絶縁膜と、を有して構成され、
前記第１絶縁膜の前記第１開口部は、前記第２絶縁膜をマスクとして自己整合的にパターニングされたパターンを有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記第１絶縁膜の前記第１開口部を規定するエッジは、前記第２絶縁膜の前記第２開口部を規定するエッジに略一致することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜の前記第１開口部を規定するエッジより画素の内側に向かって突出するように配置され、
前記有機活性層は前記第１絶縁膜のエッジに接触することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記有機活性層は、ホール輸送機能を有する第１有機層と、発光機能を有する第２有機層と、を含み、
前記第１電極の周縁に重なった前記第１絶縁膜の膜厚は、少なくとも前記第１有機層の膜厚と同等以上であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１電極の周縁に重なった前記第１絶縁膜の膜厚は、前記有機活性層の総厚と同等以下であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１絶縁膜は無機系材料によって形成され、前記第２絶縁膜は有機系材料によって形成されたことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１絶縁膜は、酸化シリコンまたは窒化シリコンによって形成されたことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜は、少なくとも表面が撥液性を有することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、自発光性素子を含んで構成される表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子を備えている。有機ＥＬ素子には、有機活性層に低分子系材料を用いた素子構成と、高分子系材料を用いた素子構成とがある。
【０００４】
低分子系の素子は真空蒸着法などのドライプロセスにより形成する例が多く、積層構造を容易に形成しやすい。一方、高分子系の素子はインクジェット法等の選択塗布法により形成する例が多く、この選択塗布法は、有機活性層を形成するための材料の使用効率が格段に良いといった利点がある。
【０００５】
選択塗布法により高分子系材料を用いて有機活性層を形成する場合には、液状材料を精度良く画素毎に塗布することが求められる。このような要望に対して、例えば、隣接画素間を分離（絶縁）する隔壁及び陽極（画素電極）をそれぞれ形成する材料と、有機活性層を形成する液状材料との間の濡れ性の違いを利用して、パターン精度を向上させる手法が用いられる。この場合、有機活性層材料に対する隔壁材料の濡れ性は低く、逆に、液状材料に対する陽極材料の濡れ性は高く設計する。
【０００６】
この場合、塗布され隔壁に乗り上げた液状材料は、隔壁表面の撥液作用により、隔壁から露出した有効部（つまり隔壁から露出している陽極の表面）に向かって流れ落ちる。しかしながら、液状材料は隔壁に馴染まないため、有効部の周辺部（つまり隔壁と陽極とが接する部分近傍）で液状材料の膜厚が極端に薄くなるおそれがある。このような場合、液状材料が乾燥することによって形成される有機活性層の膜厚についても、周辺部が極端に薄くなるおそれがある。
【０００７】
有機活性層のうちの薄膜化した部分では、有機活性層上に配置された電極（陰極）と陽極との間でショートしやすく、非点灯画素（点欠陥）を発生させるおそれがある。また、有機活性層のうちの薄膜化した部分では、電流が集中することによる寿命の低下を招くおそれがある。
【０００８】
このような課題に対して、塗布された液状材料が画素内にまんべんなく付与されるように、隔壁に親液性を有する親液性絶縁膜を備える構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２０２７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このような親液性絶縁膜の形成にあたっては、絶縁膜を成膜した後に、フォトレジストを塗布し、このフォトレジストをフォトリソグラフィプロセスによってパターン化し、フォトレジストから露出した絶縁膜を除去し、さらに、フォトレジストを除去することで形成することが考えらえる。これらの形成過程においては、フォトマスクが適用されるため、フォトマスクの合わせずれを考慮した設計が必要となる。
【００１０】
すなわち、親液性絶縁膜の開口パターンと、後に形成される撥液性絶縁膜の開口パターンとがずれてしまっても、親液性絶縁膜が撥液性絶縁膜によって覆われてしまうことがないように、親液性絶縁膜の開口パターンを撥液性絶縁膜の開口パターンより小さくしている。
【００１１】
有機ＥＬ素子として発光に寄与する部分は、一対の電極間に有機活性層が保持されている部分であり、親液性絶縁膜が介在する部分は発光に寄与しない。このため、親液性絶縁膜の開口パターンを小さくしてしまうと、実効的な開口率の低下を招くといった課題が生ずる。
【００１２】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、開口率の低下を招くことなく、表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置及びこの表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明の第１態様による表示装置の製造方法は、
基板上の画素毎に島状の第１電極を形成する工程と、
前記第１電極を形成した基板上に第１絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１絶縁膜上において各画素を分離するパターンの第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜をマスクとして前記第２絶縁膜から露出した前記第１絶縁膜を自己整合的に除去する工程と、
前記第１絶縁膜から露出した前記第１電極上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に複数の画素に共通の第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１４】
この発明の第２態様による表示装置は、
各画素に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置され、複数の画素に共通の第２電極と、
前記第１電極の周縁を覆うように配置され、各画素を分離する隔壁と、を備え、
前記隔壁は、第１開口部を有する第１絶縁膜と、この第１絶縁膜に積層され第２開口部を有する第２絶縁膜と、を有して構成され、
前記第１絶縁膜の前記第１開口部は、前記第２絶縁膜をマスクとして自己整合的にパターニングされたパターンを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、開口率の低下を招くことなく、表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置及びこの表示装置の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１７】
有機ＥＬ表示装置１は、図１及び図２に示すように、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。アレイ基板１００の少なくとも表示エリア１０２は、封止体２００によって封止されている。
【００１８】
また、アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する列方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。
【００１９】
さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７として機能する少なくとも一部と、信号線Ｘｎのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８として機能する少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。
【００２０】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路及びこの画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。図１に示した画素回路は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。図１に示した例では、画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを有している。これらの画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、ポリシリコンからなる半導体層を備えた薄膜トランジスタを適用している。
【００２１】
駆動トランジスタ２０のゲート２０Ｇは、画素スイッチ１０のドレイン及び蓄積容量素子３０の一端に接続されている。駆動トランジスタ２０のソース２０Ｓは、電源供給線Ｐ及び蓄積容量素子３０の他端に接続されている。
【００２２】
表示素子は、自発光素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００２３】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、平坦化膜１１４などの絶縁層を備える他に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。
【００２４】
この有機ＥＬ素子４０は、画素毎ＰＸに独立島状に配置された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され複数の画素ＰＸに共通の第２電極６４と、これらの第１電極６０と第２電極６４との間に保持された有機活性層６２と、によって構成されている。
【００２５】
第１電極６０は、配線基板１２０表面の平坦化膜１１４上に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、平坦化膜１１４に形成されたコンタクトホールを介して駆動トランジスタ２０のドレイン２０Ｄに接続されている。
【００２６】
有機活性層６２は、第１電極６０上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の層として、例えば、ホール輸送層、ホール注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などを含んでも良いし、またこれらを機能的に複合した層を含んでもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。このような有機活性層６２は、その少なくとも一部が高分子系材料によって形成されており、インクジェット法等の選択塗布法により液状材料を塗布した後に乾燥することによって成膜可能である。ホール輸送層は、たとえば２００オングストローム程度の膜厚を有している。また、発光層は、例えば１０００乃至３０００オングストローム程度の膜厚を有している。
【００２７】
第２電極６４は、有機活性層６２上に配置され、陰極として機能する。この第２電極６４は、表示エリア１０２の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第２電極電源線に接続されている。
【００２８】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、各画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、第１電極６０の全周縁を覆うように格子状に配置されている。また、この隔壁７０は、第１絶縁膜７１及びこの第１絶縁膜７１に積層された第２絶縁膜７２を有して構成されている。
【００２９】
第１絶縁膜７１は、有機活性層６２を形成するための高分子系の液状材料に対して親液性を有する材料によって形成されている。この第１絶縁膜７１は、例えば、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。第２絶縁膜７２は、有機活性層６２を形成するための高分子系の液状材料に対して撥液性を有する材料によって形成される、または、少なくともその表面が撥液性を有するように処理されている。この第２絶縁膜７２は、例えば、アクリル系樹脂などの有機系材料によって形成されている。
【００３０】
次に、この実施の形態に係る隔壁の構成例についてより具体的に説明する。
【００３１】
図３に示すように、第１絶縁膜７１は、各画素ＰＸにおいて、第１開口部ＡＰ１を規定するエッジ７１Ａを有している。すなわち、第１絶縁膜７１は、配線基板１２０上に独立島状に形成された第１電極６０の周縁を覆うように配置され、第１電極６０を画素毎に電気的に分離する。また、第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａによって囲まれた第１開口部ＡＰ１は、第１電極６０を露出し、第１電極６０上への有機活性層６２の配置を可能としている。
【００３２】
第２絶縁膜７２は、各画素ＰＸにおいて、第２開口部ＡＰ２を規定するエッジ７２Ａを有している。すなわち、第２絶縁膜７２は、第１開口部ＡＰ１を規定する第１絶縁膜７１に沿って積層配置されている。また、第２絶縁膜７２のエッジ７２Ａによって囲まれた第２開口部ＡＰ２は、第１開口部ＡＰ１と同様に、第１電極６０を露出し、第１電極６０上への有機活性層６２の配置を可能としている。
【００３３】
このような第１絶縁膜７１の第１開口部ＡＰ１は、第２絶縁膜７２をマスクとして自己整合的にパターニングされたパターンを有している。すなわち、第１開口部ＡＰ１は、第２開口部ＡＰ２と略相似形であり、それらの中心が略一致している。つまり、第１開口部ＡＰ１のエッジ７１Ａから第２開口部ＡＰ２のエッジ７２Ａまでの距離は、基板面内のいずれの方向でも略等しく、等方的である。
【００３４】
図３に示した例では、第１開口部ＡＰ１は、第２開口部ＡＰ２より小さなサイズに設定されている。このため、第２絶縁膜７２のエッジ７２Ａは、第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａより後退して配置されている。つまり、第１絶縁膜７１が第２絶縁膜７２のエッジ７２Ａから略均等な幅で露出している。これにより、第１絶縁膜７１及び第２絶縁膜７２によって段差が形成され、少なくとも第１絶縁膜７１の露出部が有機活性層６２と接触している。なお、第１絶縁膜７１の第２絶縁膜７２からの露出幅（エッジ７１Ａからエッジ７２Ａまでの距離）は５μｍ程度までとすることが望ましい。
【００３５】
図４に示した例では、第１開口部ＡＰ１は、第２開口部ＡＰ２と同一サイズに設定されている。このため、第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａは、第２絶縁膜７２のエッジ７２Ａに略一致している。つまり、エッジ７１Ａとエッジ７２Ａとがツライチの状態にある。これにより、少なくとも第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａが有機活性層６２と接触している。
【００３６】
図５に示した例では、第１開口部ＡＰ１は、第２開口部ＡＰ２より大きなサイズに設定されている。このため、第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａは、第２絶縁膜７２のエッジ７２Ａより後退して配置されている。つまり、第２絶縁膜７２は、第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａに重なるように配置され、且つ、第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａを露出している。換言すると、第２絶縁膜７２は、エッジ７１Ａより画素の内側に向かって突出するように配置されており、オーバハングを形成している。このとき、第２絶縁膜７２は、第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａから略均等な幅で突出している。これにより、少なくとも第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａが有機活性層６２と接触している。なお、第２絶縁膜７２の第１絶縁膜７１からのオーバハング幅（エッジ７１Ａからエッジ７２Ａまでの距離）は５μｍ程度までとすることが望ましい。
【００３７】
このような構造の隔壁７０を備えた有機ＥＬ表示装置１によれば、高分子系の液状材料を用いて選択塗布法により成膜される有機層を少なくとも１層備えた有機活性層６２を形成する場合において、液状材料を第１電極６０に向けて塗布した際、隔壁７０に乗り上げた液状材料や第１電極６０の中央部に到達した液状材料は、周辺部に配置された親液性の第１絶縁膜７１に引き寄せられるように広がり、少なくとも第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａに接触する。つまり、液状材料は、第２絶縁膜７２に馴染みにくいが、隔壁７０の底部に相当する第１絶縁膜７１には馴染みやすい。このため、液状材料が乾燥した後に成膜された有機活性層６２において、周辺部（隔壁近傍）での薄膜化を抑制することが可能となる。これにより、少なくとも第１開口部ＡＰ１内における有機活性層６２の膜厚をほぼ均一化することができる。
【００３８】
このため、第１電極６０と第２電極６４との間でのショートを防止することが可能となり、製造歩留まりを改善することができる。また、有機活性層６２の薄膜化した部分での電流集中による寿命の低下を抑制することが可能となる。
【００３９】
さらに、第１絶縁膜７１は、第２絶縁膜７２をマスクとして自己整合的にパターニングすることによって形成される。このため、第１絶縁膜７１をパターニングするためのフォトマスクが不要となり、製造コストの低減を図ることが可能となる。また、発光に寄与する実効的な開口率を自在に設定することが可能となる。すなわち、第１絶縁膜７１のエッチング条件をアンダーに設定することによって図３に示したように第１絶縁膜７１を第２絶縁膜７２から露出することが可能であり、また、第１絶縁膜７１のエッチング条件をオーバーに設定することによって図５に示したように第２絶縁膜７２によりオーバハングを形成することも可能である。
【００４０】
したがって、開口率の低下を招くことなく、表示品位が良好であり、かつ、長寿命化が可能な表示装置を提供可能となる。
【００４１】
上述した第１絶縁膜７１の膜厚については、第１電極６０の周縁に重なった第１絶縁膜７２の膜厚Ｔ７１を考慮すればよい。有機活性層６２がホール輸送機能を有する第１有機層６２Ａ及び発光機能を有する第２有機層６２Ｂを含む構成においては、第１電極６０に重なった第１絶縁膜７１の膜厚Ｔ７１は、少なくとも第１有機層６２Ａの膜厚Ｔ６２Ａと同等以上に設定することが望ましく、例えば２００オングストローム以上に設定されている。
【００４２】
これにより、先に成膜される第１有機層６２Ａが第１絶縁膜７１のエッジ７１Ａに確実に接触し、且つ、隔壁７０近傍（すなわち第１絶縁膜７１近傍）での第１有機層６２Ａの薄膜化を抑制することが可能となる。このため、後に成膜される第２有機層６２Ｂがたとえ隔壁７０近傍で薄膜化したとしても第１電極６０と第２電極６４とのショートを防止することが可能となる。
【００４３】
一方、第１電極６０に重なった第１絶縁膜７１の膜厚Ｔ７１は、有機活性層６２の総厚Ｔ６２と同等以下に設定することが望ましく、例えば８０００オングストローム以下、より好ましくは４０００オングストローム以下に設定されている。
【００４４】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。なお、ここでは、隔壁７０は図４に示したような構造を有するように形成され、また、有機活性層６２は高分子系材料を用いて選択塗布法により形成されるものとする。
【００４５】
まず、図６Ａに示すように、配線基板１２０上の画素毎に島状の第１電極６０を形成する。すなわち、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、支持基板１０１上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、信号線Ｘｎ、走査線Ｙｍ、電源供給線Ｐ等を形成した配線基板１２０を用意する。そして、配線基板１２０上に駆動トランジスタ２０のドレイン２０Ｄにコンタクトした第１電極６０を形成する。この第１電極６０については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、マスクスパッタ法で形成しても良い。
【００４６】
続いて、図６Ｂに示すように、第１電極６０を形成した配線基板１２０上に第１絶縁膜７１を成膜する。ここでは、例えばＣＶＤ法により５００オングストロームの膜厚で酸化シリコン（ＳｉＯ２）を配線基板１２０の全面に成膜する。
【００４７】
続いて、図６Ｃに示すように、第１絶縁膜７１上において、各画素を分離するパターンの第２絶縁膜７２を形成する。すなわち、感光性樹脂材料例えばアクリル系樹脂材料を第１絶縁膜７１上に成膜した後にフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、焼成する。これにより、各画素を囲むような第２開口部ＡＰ２を形成する格子状の第２絶縁膜７２が形成される。
【００４８】
続いて、図６Ｄに示すように、第２絶縁膜７２をマスクとして第２絶縁膜７２から露出した第１絶縁膜７１を自己整合的に除去する。すなわち、第２絶縁膜７２をマスクパターンとして利用し、第１電極６０を覆う第１絶縁膜７１をドライエッチングする。このエッチング処理により、第１電極６０が露出する第１開口部ＡＰ１が形成され、また、第２絶縁膜７２の下層に第１絶縁膜７１が残り、第１電極６０の周縁に重なった隔壁７０が形成される。
【００４９】
続いて、図６Ｅに示すように、第１絶縁膜７１から露出した第１電極６０上に有機活性層６２を形成する。この実施の形態では、有機活性層６２は、２層構造であり、まず、ホール輸送機能を有する高分子系有機材料からなる第１液状材料を、選択塗布法により隔壁７０によって区画された各画素に向けて順次噴射し、第１電極６０上に塗布する。このように塗布された第１液状材料は、各画素の周辺部に配置された隔壁７０の下層に露出した親液性の第１絶縁膜７１によって引き寄せられ、画素内での広がりを阻害されること無く、均一に広がる。その後、例えば、２００℃で５分間乾燥処理を行うことで、第１液状材料に含まれる溶媒を除去する。これにより、２００オングストロームの膜厚を有する第１有機層６２Ａが形成される。これに続いて、発光機能を有する高分子系有機材料からなる第２液状材料を、同様の選択塗布法により隔壁７０によって区画された各画素に向けて順次噴射し、第１有機層６２Ａ上に塗布する。このように塗布された第２液状材料も画素内で均一に広がる。その後、例えば、１５０℃で６０分間乾燥処理を行うことで、第２液状材料に含まれる溶媒を除去する。これにより、２０００オングストロームの膜厚を有する第１有機層６２Ａ上に第２有機層６２Ｂ形成される。このようにして、第１有機層６２Ａ及び第２有機層６２Ｂを積層した隔壁７０が形成される。
【００５０】
続いて、図６Ｆに示すように、有機活性層６２上に複数の画素に共通の第２電極６４を形成する。すなわち、第２電極となる導電層を真空蒸着法により成膜する。その後、不活性ガス、例えば窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中で封止体２００による封止する。
【００５１】
このようにして製造した有機ＥＬ表示装置によれば、各画素の有効部に対応する領域で均一に発光することが確認された。したがって、有機活性層の一部に電流が集中することがなく、このような構造を採用することによって有機ＥＬ素子を長寿命化することが可能となるとともに、表示品位を向上することが可能となる。
【００５２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図２に示した隔壁のより具体的な構成例の構造を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、図２に示した隔壁のより具体的な他の構成例の構造を概略的に示す断面図である。
【図５】図５は、図２に示した隔壁のより具体的な他の構成例の構造を概略的に示す断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第１電極を形成する工程を説明するための図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第１絶縁膜を成膜する工程を説明するための図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第２絶縁膜を形成する工程を説明するための図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第２絶縁膜をマスクとして第１絶縁膜を自己整合的に除去する工程を説明するための図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、有機活性層を形成する工程を説明するための図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第２電極を形成する工程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５４】
ＰＸ…画素  Ｙｍ…走査線  Ｘｎ…信号線  Ｐ…電源供給線
１…有機ＥＬ表示装置  １０…画素スイッチ  ２０…駆動トランジスタ  ３０…蓄積容量素子  ４０…有機ＥＬ素子  ６０…第１電極  ６２…有機活性層  ６２Ａ…第１有機層
６２Ｂ…第２有機層  ６４…第２電極
７０…隔壁  ７１…第１絶縁膜  ７１Ａ…エッジ  ＡＰ１…第１開口部
７２…第２絶縁膜  ７２Ａ…エッジ  ＡＰ２…第２開口部
１００…アレイ基板  １２０…配線基板  ２００…封止体
【図１】
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【図２】
2008235033.tif 000004
【図３】
2008235033.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2008235033.tif 000009
【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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