(57)【要約】【課題】信号電極と接地電極が同一平面上にない半導体レーザであっても、高周波特性を測定することが可能な半導体レーザ評価装置及び半導体レーザ評価方法を提供する。【解決手段】一対の導体プレート３，４が半導体レーザ１の両側を挟み込む形で配置され、接地ステージ２上に半導体レーザ１及び導体プレート３，４を電気的に接続されるように載置し、更にプローブ５を半導体レーザ１の上面と導体プレート３，４の上面とに接触させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザに対して評価を行う半導体レーザ評価装置であって、
上記半導体レーザの両側を挟み込む形で配置された一対の導体プレートと、
上記半導体レーザ及び上記導体プレートを載置し、上記半導体レーザ及び上記導体プレートと電気的に接続される接地ステージと、
プローブとを備え、
上記プローブを上記半導体レーザの上面と上記導体プレートの上面とに接触させることを特徴とする半導体レーザ評価装置。
【請求項２】
サブマウントが接着している半導体レーザに対して評価を行う半導体レーザ評価装置であって、
上記サブマウントの厚み分の切り取り部を下部に設け、かつ上記サブマウントの上面と電気的に接触し、かつ上記半導体レーザの両側を挟み込む形で配置された一対の導体プレートと、
上記サブマウント及び上記導体プレートを載置し、上記導体プレートと電気的に接続される接地ステージと、
プローブとを備え、
上記プローブを上記半導体レーザの上面と上記導体プレートの上面とに接触させることを特徴とする半導体レーザ評価装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体レーザ評価装置であって、
上記半導体レーザの上面と上記導体プレートの上面が同一平面上にあることを特徴とする半導体レーザ評価装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体レーザ評価装置であって、
上記導体プレートが上記半導体レーザとの対向部下部に設けた切り欠き部により板バネ構造を有し、
上記プローブを上記半導体レーザの上面と上記導体プレートの上面に接触させたときに、上記対向部の上面が上記半導体レーザの上面と同一平面上となるようにしたことを特徴とする半導体レーザ評価装置。
【請求項５】
上記接地ステージ上又は上記サブマウント上の半導体レーザ設置個所に受動素子成分を埋め込んだことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体レーザ評価装置。
【請求項６】
上記導体プレート上のプローブコンタクト位置に受動素子成分を埋め込んだことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体レーザ評価装置
【請求項７】
上記プローブにおける接地信号ライン及び高周波信号ラインとの間に受動素子成分を接続させたことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体レーザ評価装置。
【請求項８】
半導体レーザに対して評価を行う半導体レーザ評価方法であって、
上記半導体レーザの両側を挟み込む形で配置された一対の導体プレートと、
上記半導体レーザ及び上記導体プレートを載置し、上記半導体レーザ及び上記導体プレートと電気的に接続される接地ステージと、
プローブとを備える半導体レーザ評価装置の上記プローブを上記半導体レーザの上面と上記導体プレートの上面とに接触させることを特徴とする半導体レーザ評価方法。
【請求項９】
サブマウントが接着している半導体レーザに対して評価を行う半導体レーザ評価方法であって、
上記サブマウントの厚み分の切り取り部を下部に設け、かつ上記サブマウントの上面と電気的に接触し、かつ上記半導体レーザの両側を挟み込む形で配置された一対の導体プレートと、
上記サブマウント及び上記導体プレートを載置し、上記導体プレートと電気的に接続される接地ステージと、
プローブとを備える半導体レーザ評価装置の上記プローブを上記半導体レーザの上面と上記導体プレートの上面とに接触させることを特徴とする半導体レーザ評価方法。
【請求項１０】
上記半導体レーザ評価装置の上記導体プレートの上面が上記半導体レーザの上面と同一平面上にあることを特徴とする請求項８又は請求項９記載の半導体レーザ評価方法。
【請求項１１】
上記半導体レーザ評価装置の上記導体プレートが、上記半導体レーザとの対向部下部に設けた切り欠き部により板バネ構造を有し、
上記プローブを上記半導体レーザの上面及び上記導体プレートの上面に接触させたときに、上記対向部の上面が上記半導体レーザの上面と同一平面上となるようにしたことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ評価方法。
【請求項１２】
上記半導体レーザ評価装置の上記接地ステージ上又は上記サブマウント上の半導体レーザ設置個所に受動素子成分を埋め込んだことを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ評価方法。
【請求項１３】
上記半導体レーザ評価装置の上記導体プレート上のプローブコンタクト位置に受動素子成分を埋め込んだことを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ評価方法。
【請求項１４】
上記半導体レーザ評価装置の上記プローブにおける接地信号ライン及び高周波信号ラインとの間に受動素子成分を接続させたことを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザの高周波特性をチップもしくはサブマウント状態で測定する半導体レーザ評価装置及び半導体レーザ評価方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光通信分野等で使用される半導体レーザは、高周波変調時の特性評価が必要であるが、一方、デバイスの低価格化に伴うテストコストの削減には、チップ状態での高精度な選別が不可欠である。
図８は従来の半導体レーザの形状を示す斜視図であり、図において、３１は表面に設けられた信号電極、３２は裏面にパターニングされた接地電極、３３は発光点であり、矢印は発光方向を表している。このような形状を持つ半導体レーザは、信号電極３１及び接地電極３２が素子の表裏にあるため、両電極間にチップ厚みの分の段差が生じ、高周波でのインピーダンスが取れず、チップ状態では高周波での測定が正確にできない問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の半導体レーザ評価装置は以上のように構成されているので、信号電極と接地電極が同一平面上にない半導体レーザでは、高周波信号源とのインピーダンス整合が取れず、高周波変調時の特性を高精度に測定することができないという問題点があった。
【０００４】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、信号電極と接地電極が同一平面上にない半導体レーザであっても、高周波特性を測定することが可能な半導体レーザ評価装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明に係る半導体レーザ評価装置は、半導体レーザの両側を挟み込む形で配置された一対の導体プレートと、半導体レーザ及び導体プレートを載置し、半導体レーザ及び導体プレートと電気的に接続される接地ステージと、プローブとを備え、プローブを半導体レーザの上面と導体プレートの上面とに接触させるものである。
【０００６】
この発明に係る半導体レーザ評価方法は、半導体レーザの両側を挟み込む形で配置された一対の導体プレートと、半導体レーザ及び導体プレートを載置し、半導体レーザ及び導体プレートと電気的に接続される接地ステージと、プローブとを備える半導体レーザ評価装置を利用するものであり、プローブを半導体レーザの上面と導体プレートの上面とに接触させるようにしたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明に係る半導体レーザ評価装置によれば、半導体レーザの両側を挟み込む形で配置された一対の導体プレートと、半導体レーザ及び導体プレートを載置し、半導体レーザ及び導体プレートと電気的に接続される接地ステージと、プローブとを備え、プローブを半導体レーザの上面と導体プレートの上面とに接触させるようにしたので、高周波プローブによる高周波コンタクトが可能となり、又、半導体レーザの発光点の位置精度を合わせることができ、更に、半導体レーザの裏面光の採光を可能にすることによって、裏面光に対する特性評価を可能にすることができる。
【０００８】
この発明に係る半導体レーザ評価方法によれば、半導体レーザの両側を挟み込む形で配置された一対の導体プレートと、半導体レーザ及び導体プレートを載置し、半導体レーザ及び導体プレートと電気的に接続される接地ステージと、プローブとを備える半導体レーザ評価装置を利用するものであり、プローブを半導体レーザの上面と導体プレートの上面とに接触させるようにしたので、高周波プローブによる高周波コンタクトが可能となり、又、半導体レーザの発光点の位置精度を合わせることができ、更に、半導体レーザの裏面光の採光を可能にすることによって、裏面光に対する特性評価を可能にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
以下、この発明の一実施形態を図について説明する。図１はこの発明の実施の形態１による高周波特性が測定可能な半導体レーザ評価装置を示す斜視図であり、図において、１は半導体レーザ、１ａは半導体レーザ１の発光点、１ｂは半導体レーザ１の表面に設けられた信号電極、２は接地ステージ、３，４は半導体レーザ１と高精度に同じ厚みを持つよう加工された導体プレートである。導体プレート３，４は、半導体レーザ１を両側から挟み込む形で、接地ステージ２上に電気的接触を保って配置され、更に導体プレート３，４は、半導体レーザ１の発光点の位置精度を合わせる目的も兼ねている。
【００１０】
また、半導体レーザ１を両側から挟み込む構造は、半導体レーザ１の裏面光の採光を可能にし、裏面光に対する特性評価を可能にする。
接地ステージ２及び導体プレート３，４は、マイクロ波帯の高周波信号を良好に伝達するため、金などの材質を使用する必要がある。この構造により接地面を導体プレート３，４の上面まで延長することができる。導体プレート３，４は半導体レーザ１と高精度に厚みを同じくしているため、図２に示すように、一般的なＧＳＧ（接地―信号−接地）構造やＳＧ構造を持つ高周波プローブによる高周波コンタクトが可能となる。図２において、５は接地―信号−接地構造を持つ高周波プローブである。
【００１１】
実施の形態２．
図３はこの発明の実施の形態２による高周波特性が測定可能な半導体レーザ評価装置を示す平面図であり、図において、２は接地ステージ、３，４は導体プレート、６は接地ステージ２上の半導体レーザ配置箇所に埋め込んだ、抵抗，容量，インダクタンス等を持つ受動素子成分である。
受動素子成分６は、半導体レーザの持つインピーダンスを考慮に入れて、高周波信号源とのインピーダンス整合を取るように設計する必要があり、半導体レーザのような抵抗性を示す素子については、抵抗成分を埋め込むことで信号源とのインピーダンス整合を図ることが可能となる。
【００１２】
実施の形態３．
図４はこの発明の実施の形態３による高周波特性が測定可能な半導体レーザ評価装置を示す平面図であり、図において、２は接地ステージ、３，４は導体プレート、７は導体プレート３，４上の高周波プローブコンタクト位置に埋め込んだ、抵抗，容量，インダクタンス等を持つ受動素子成分である。
受動素子成分７は、半導体レーザの持つインピーダンスを考慮に入れて、高周波信号源とのインピーダンス整合を取るように設計する必要があり、半導体レーザのような抵抗性を示す素子については、抵抗成分を埋め込むことで信号源とのインピーダンス整合を図ることが可能となる。
【００１３】
実施の形態４．
図５はこの発明の実施の形態４による半導体レーザ評価装置にコンタクトを取るための高周波プローブを示す斜視図であり、図において、８は信号源と接続されている高周波ケーブル、９は高周波コネクタ、１０はセラミック等からなる誘電体プレート、１１，１２は接地信号ライン、１３は高周波信号ライン、１４は信号源と被測定物とのインピーダンス整合を取るための抵抗，容量，インダクタンス等を持つ受動素子成分、１５は接地信号ライン１１，１２及び高周波信号ライン１３から被測定物へコンタクトを取るためのプローブ先端部である。
【００１４】
接地信号ライン１１，１２は高周波コネクタ９の接地部と電気接触を取り、高周波信号ライン１３は高周波コネクタ９の中心の信号ラインと電気接触を取る必要がある。又、接地信号ライン１１，１２及び高周波信号ライン１３は金などのマイクロ波帯良導体により構成される必要があり、分布定数を持つ導波路で構成しても良い。
受動素子成分１４は、半導体レーザの持つインピーダンスを考慮に入れて、高周波信号源とのインピーダンス整合を取るように設計する必要があり、半導体レーザのような抵抗性を示す素子については、抵抗成分を埋め込むことで、信号源とのインピーダンス整合を図ることが可能となる。
【００１５】
実施の形態５．
図６はこの発明の実施の形態５による高周波特性が測定可能な半導体レーザ評価装置を示す側面図であり、図において、１は被測定物である半導体レーザ、２は接地ステージ、１６，１７は下面に切欠きを設けてバネ性を有するようにした導体プレートである。
即ち、導体プレート１６，１７には、接地面と高周波信号面を高精度に同一平面にするための板バネ構造を持つよう加工する。
【００１６】
接地ステージ２上の斜線部分は、導体プレート１６，１７との電気接触を取っている部位を示している。半導体レーザ１及び導体プレート１６，１７の上面から図示しない高周波プローブにてコンタクトを行った場合、導体プレート１６，１７がプレート自身の持つバネ性により、半導体レーザ１の上面と高さが同じくなるまで矢印の方向にたわむことで、接地面と信号面の高さを高精度に同じくすることができる。
【００１７】
実施の形態６．
図７はこの発明の実施の形態６による高周波特性が測定可能な半導体レーザ評価装置を示す斜視図であり、図において、１は被測定物である半導体レーザ、２は接地ステージ、１８，１９は下面に切り取り部が設けられている導体プレート、２０は半導体レーザ１を接着しているサブマウント又はブロック等である。
導体プレート１８，１９は、サブマウント２０の厚み分の切り取り部を設け、図７に示されるような斜線部分にてサブマウント２０と接地させるようにする。サブマウント２０には、導体プレート１８，１９の斜線部分において接触可能なように、半導体レーザ１の裏面の接地電極と電気的に接触している構造を取る必要がある。
【００１８】
導体プレート１８，１９は、半導体レーザ１と高精度に高さを同じくするよう加工することで、被測定物である半導体レーザ１の接地面と信号面をほぼ同一平面上に配置することができ、ＧＳＧ構造やＳＧ構造を持つ高周波プローブによる高周波コンタクトが可能となる。
更に、インピーダンス整合を取るためには、上記形態による構造に加えて、実施の形態２〜実施の形態４に示した構造を採用することにより実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】この発明の実施の形態１による半導体レーザ評価装置を示す斜視図である。
【図２】この発明の実施の形態１による半導体レーザ評価装置を示す斜視図である。
【図３】この発明の実施の形態２による半導体レーザ評価装置を示す平面図である。
【図４】この発明の実施の形態３による半導体レーザ評価装置を示す平面図である。
【図５】この発明の実施の形態４によるプローブを示す斜視図である。
【図６】この発明の実施の形態５による半導体レーザ評価装置を示す側面図である。
【図７】この発明の実施の形態６による半導体レーザ評価装置を示す斜視図である。
【図８】従来の半導体レーザを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００２０】
１  半導体レーザ、２は接地ステージ、
３，４，１６，１７，１８，１９  導体プレート、５  プローブ、
６，７，１４  受動素子成分、１１，１２  接地信号ライン、１３  高周波信号ライン、２０  サブマウント。
【図１】
2008177602.tif 000003
【図２】
2008177602.tif 000004
【図３】
2008177602.tif 000005
【図４】
2008177602.tif 000006
【図５】
2008177602.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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