(57)【要約】【課題】シール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することによって、表示品質の低下を防止する。【解決手段】表示領域１０ａの外側を囲うシール領域１０ｂに形成されたシール材５２を介して貼り合わされた一対の基板１０，２０と、上記基板１０，２０間の上記表示領域１０ａに挟持される液晶とを有する液晶装置であって、少なくとも上記表示領域１０ａのいずれか一方の基板１０，２０に形成されるとともに、上記液晶の液晶分子の配向方向を規制する無機配向膜１６，２２と、上記シール領域１０ｂから上記表示領域に形成される上記無機配向膜１６，２２への液状材５５の侵入を防止する絶縁部５３，５４とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域の外側を囲うシール領域に形成されたシール材を介して貼り合わされた一対の基板と、前記基板間の前記表示領域に挟持される液晶とを有する液晶装置であって、
少なくとも前記表示領域のいずれか一方の基板に形成されるとともに、前記液晶の液晶分子の配向方向を規制する無機配向膜と、
前記シール領域から前記表示領域に形成される前記無機配向膜への液状材の侵入を防止する絶縁部と
を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記絶縁部は、前記表示領域と前記シール領域との境界領域に突出して形成される突出部であることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記絶縁部は、前記シール領域に突出して形成される突出部であることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項４】
前記無機配向膜と前記基板との間に形成されるバリア層を備えることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の液晶装置。
【請求項５】
前記バリア層は、前記無機配向膜と同一組成材料からなる緻密層であることを特徴とする請求項４記載の液晶装置。
【請求項６】
前記シール領域に前記無機配向膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の液晶装置。
【請求項７】
前記シール領域に前記液状材としてアルキル材が塗布されていることを特徴とする請求項１〜６いずれかに記載の液晶装置。
【請求項８】
表示領域の外側を囲うシール領域に形成されたシール材を介して貼り合わされた一対の基板と、前記基板間の前記表示領域に挟持される液晶とを有する液晶装置の製造方法であって、  
前記シール領域から前記表示領域への液状材の侵入を防止する絶縁部を形成する第１工程と、
少なくとも前記表示領域に対応するいずれか一方の基板上の領域に、前記液晶の液晶分子の配向方向を規制する無機配向膜を形成する第２工程と、
前記シール領域に液状材を塗布する第３工程と、
前記シール領域にシール材を形成し、前記シール材を介して一対の基板を貼り合わせるとともに、前記基板間に前記液晶を封入させる第４工程と
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１工程は、前記絶縁部として、前記表示領域と前記シール領域との境界領域に突出する突出部を形成する工程であることを特徴とする請求項８記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１工程は、前記絶縁部として、前記シール領域に突出する突出部を形成する工程であることを特徴とする請求項８記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１工程は、マスクを用いて前記突出部を形成する工程であることを特徴とする請求項９または１０記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２工程よりも先に、前記基板上にバリア層を形成するバリア層形成工程を有することを特徴とする請求項８〜１１いずれかに記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２工程は、前記シール領域を含めて前記無機配向膜を形成する工程であることを特徴とする請求項８〜１２いずれかに記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第３工程は、前記液状材としてアルキル材を塗布する工程であることを特徴とする請求項８〜１３いずれかに記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜７いずれかに記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶プロジェクタ等の投射型表示装置の光変調手段として用いられる液晶装置は、一対の基板間の周縁部にシール材が配設され、その中央部に液晶が封止されて構成されている。その一対の基板の内面側には液晶に電圧を印加する電極が形成され、これら電極の内面側には非選択電圧印加時において液晶分子の配向を制御する配向膜が形成されている。このような構成によって液晶装置は、非選択電圧印加時と選択電圧印加時との液晶分子の配向変化に基づいて光源光を変調し、画像光を作製するようになっている。
【０００３】
ところで、前述した配向膜としては、側鎖アルキル基を付加したポリイミド等からなる高分子膜の表面に、ラビング処理を施したものが一般に用いられている。ラビング処理とは、柔らかい布からなるローラで高分子膜の表面を所定方向に擦ることにより、高分子を所定方向に配向させるものである。その配向性高分子と液晶分子との分子間相互作用により、配向性高分子に沿って液晶分子が配置されるので、非選択電圧印加時の液晶分子を所定方向に配向させることができるようになっている。また、側鎖アルキル基により、液晶分子にプレチルトを与えることができるようになっている。
【０００４】
とこが、例えば、このような有機配向膜を備えた液晶装置をプロジェクタの光変調手段として採用した場合、光源から照射される強い光や熱によって配向膜が次第に分解されるおそれがある。そして、長期間の使用後には、液晶分子を所望のプレチルト角に配列することができなくなるなど液晶分子の配向制御機能が低下する。
【０００５】
そこで、耐光性及び耐熱性に優れた無機材料からなる配向膜の使用が提案されており、このような無機配向膜の製造方法としては、例えば斜方蒸着法による珪素酸化（ＳｉＯ２）膜の成膜が知られている（特許文献１参照）。
【０００６】
しかしながら、斜方蒸着法などによって形成された無機配向膜は、小さな間隙を多く形成した構造となるため、この無機配向膜の間隙が液晶パネルの内外部から水分の侵入経路となってしまうという問題があった。
このため、無機配向膜の間隙、あるいはシール材と無機配向膜との間隙から液晶パネル内に水分が侵入してしまい、液晶パネルの耐湿性が低下してしまうという問題があった。
【０００７】
そこで、無機配向膜の表面を長鎖アルコールやシランカップリング材などのアルキル鎖をもつ材料（アルキル材）で撥水処理する方法が提案された（特許文献２〜４）。
ところが、この方法では、アルキル材の処理のムラ等によって、表示領域の配向膜特性が変化し、表示品質の低下を招く。
そこで、さらに、シール材を形成するシール領域にのみ、アルキル材による撥水処理を行う方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００２−２７７８７９号公報
【特許文献２】特開平１１−１６０７１１号公報
【特許文献３】特開２０００−４７２１１号公報
【特許文献４】特開２００３−１６７２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述のように、無機配向膜は小さな間隙を多く形成した構造であるため、シール領域に配置した液状材のアルキル材が、毛細管現象によって表示領域の無機配向膜に侵入する場合がある。
このような場合には、アルキル材等の液状材が侵入した表示領域の無機配向膜の特性が変化し、表示品質が低下する。
【０００９】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、シール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することによって、表示品質の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の液晶装置は、表示領域の外側を囲うシール領域に形成されたシール材を介して貼り合わされた一対の基板と、上記基板間の上記表示領域に挟持される液晶とを有する液晶装置であって、少なくとも上記表示領域のいずれか一方の基板に形成されるとともに、上記液晶の液晶分子の配向方向を規制する無機配向膜と、上記シール領域から上記表示領域に形成される上記無機配向膜への液状材の侵入を防止する絶縁部とを備えることを特徴とする。
【００１１】
このような特徴を有する本発明の液晶装置によれば、シール領域から表示領域に形成される無機配向膜への液状材の侵入を防止する絶縁部を備えている。
このため、絶縁部によって、シール領域に配置された液状材が表示領域に侵入することが防止される。
したがって、本発明の液晶装置によれば、無機配向膜を備える液晶装置において、シール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することによって、表示品質の低下を防止することが可能となる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置においては、上記絶縁部が、上記表示領域と上記シール領域との境界領域に突出して形成される突出部であるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、表示領域とシール領域との境界領域に突出して形成される突出部によって、シール領域に配置された液状材が表示領域の無機配向膜と接触することが防止され、シール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することができる。
【００１３】
また、本発明の液晶装置においては、上記絶縁部が、上記シール領域に突出して形成される突出部であるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、上記シール領域に突出して形成される突出部によって、表示領域とシール領域とに段差が形成される。そして、当該段差によって、シール領域に配置された液状材が表示領域の無機配向膜と接触することが防止され、シール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することができる。
【００１４】
また、本発明の液晶装置においては、上記無機配向膜と上記基板との間に形成されるバリア層を備えるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、バリア層がパシベーション膜として機能し、基板側からの水分の侵入を防止することができる。
【００１５】
また、本発明の液晶装置においては、上記バリア層が、上記無機配向膜と同一組成材料からなる緻密層であるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、無機配向膜の体積を減少させることができる。すなわち、間隙を有する構造を減少させることができ、より確実にシール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することができる。
【００１６】
また、本発明の液晶装置においては、上記シール領域に上記無機配向膜が形成されているという構成を採用する。
シール領域に形成された無機配向膜は、液晶装置の表示には寄与しないが、液状材とシール材の密着性を向上させる機能を発揮する。このため、本構成によれば、液状材が配置されたシール領域にシール材を確実に形成することができる。
【００１７】
また、本発明の液晶装置においては、上記シール領域に上記液状材としてアルキル材が塗布されているという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、シール領域が撥水処理されるため、外部から表示領域に水分が侵入することを防止することができる。
【００１８】
次に、本発明の液晶装置の製造方法は、表示領域の外側を囲うシール領域に形成されたシール材を介して貼り合わされた一対の基板と、上記基板間の上記表示領域に挟持される液晶とを有する液晶装置の製造方法であって、上記シール領域から上記表示領域への液状材の侵入を防止する絶縁部を形成する第１工程と、少なくとも上記表示領域に対応するいずれか一方の基板上の領域に、上記液晶の液晶分子の配向方向を規制する無機配向膜を形成する第２工程と、上記シール領域に液状材を塗布する第３工程と、上記シール領域にシール材を形成し、上記シール材を介して一対の基板を貼り合わせるとともに、上記基板間に上記液晶を封入させる第４工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
このような特徴を有する本発明の液晶装置の製造方法によれば、第１工程においてシール領域から表示領域への液状材の侵入を防止する絶縁部が形成され、その後、第３工程において、シール領域に液状材が塗布される。
したがって、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、第３工程においてシール領域に液状材が塗布された後、絶縁部によって、シール領域に塗布された液状材が表示領域へ侵入することが防止される。
よって、シール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することによって、表示品質の低下を防止することができる。
【００２０】
また、本発明の液晶装置の製造方法においては、上記第１工程が、上記絶縁部として、上記表示領域と上記シール領域との境界領域に突出する突出部を形成する工程であるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、第１工程において、表示領域とシール領域との境界領域に突出して突出部が形成され、当該突出部によって、シール領域に配置された液状材が表示領域の無機配向膜と接触することが防止され、シール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することができる。
【００２１】
また、本発明の液晶装置の製造方法においては、上記第１工程が、上記絶縁部として、上記シール領域に突出する突出部を形成する工程であるという構成を採用することができる。
このような構成を採用することによって、第１工程において、シール領域に突出して突出部が形成され、当該突出部によって、表示領域とシール領域とに段差が形成される。そして、当該段差によって、シール領域に配置された液状材が表示領域の無機配向膜と接触することが防止され、シール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することができる。
【００２２】
また、本発明の液晶装置の製造方法においては、上記第１工程が、マスクを用いて上記突出部を形成する工程であるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、マスクを用いて突出部が形成される。このため、容易に突出部を形成することができる。
【００２３】
また、本発明の液晶装置の製造方法においては、上記第２工程よりも先に、上記基板上にバリア層を形成するバリア層形成工程を有するという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、基板と無機配向膜との間にバリア層が形成される。このバリア層がパシベーション膜として機能し、基板側からの水分の侵入を防止するため、本構成の液晶装置の製造方法によれば、基板側からの水分の侵入を防止可能な液晶装置を製造することができる。
【００２４】
また、本発明の液晶装置の製造方法においては、上記第２工程が、上記シール領域を含めて上記無機配向膜を形成する工程であるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、シール領域を含めて無機配向膜が形成される。シール領域に形成された無機配向膜は、液晶装置の表示には寄与しないが、液状材とシール材の密着性を向上させる機能を発揮する。このため、本構成の液晶装置の製造方法によれば、第４工程において、液状材が配置されたシール領域にシール材を確実に形成することができる。
【００２５】
また、本発明の液晶装置の製造方法においては、上記第３工程が、上記液状材としてアルキル材を塗布する工程であるという構成を採用することができる。
このような構成を採用することによって、シール領域が撥水処理されるため、外部から表示領域に水分が侵入することを防止することができる。
【００２６】
次に、本発明の電子機器は、本発明の液晶装置を備えることを特徴とする。
本発明の液晶装置は、シール領域に配置された液状材が、表示領域に侵入することを防止することによって、表示品質の低下を防止することができる。
このため、本発明の電子機器によれば、優れた表示特性を発揮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、本発明に係る液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器の一実施形態について説明する。なお、以下の図面において、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２８】
［液晶装置］
（第１実施形態）
図１は、本実施形態の液晶装置を示す図である。図１（ａ）が同液晶装置の平面構成図、（ｂ）が（ａ）図のＨ−Ｈ’線に沿う断面構成図である。
【００２９】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２０とが平面視略矩形枠状でシール領域に形成されたシール材５２を介して貼り合わされ、このシール材５２に囲まれた領域内に液晶５０を封入してなる構成を備えている。シール材５２内周側には、平面視略矩形枠状でありかつＴＦＴアレイ基板１０から突出した突出部５３（絶縁部）と対向基板２０から突出した突出部５４（絶縁部）とが形成され、この突出部５３，５４の内側の領域が画像表示領域１０ａ（表示領域）となっている。なお、シール材５２及び突出部５３，５４には、液晶装置１００の製造過程において、画像表示領域１０ａに液晶５０を注入するための液晶注入口５２ａ，５３ａ，５４ａが形成されている。
すなわち、本実施形態の液晶装置１００は、表示領域の外側を囲うシール領域に形成されたシール材を介して貼り合わされた一対の基板と、基板間の表示領域に狭持される液晶とを備えている。また、突出部５３，５４は、画像表示領域１０ａとシール領域との間の境界領域に形成されている。
【００３０】
液晶５０は、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶分子からなる。このような液晶分子は、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。
【００３１】
シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４，１０４が形成されて周辺回路を構成している。
【００３２】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る１辺（図示上辺）には、画像表示領域１０ａの両側の走査線駆動回路１０４，１０４間を接続する複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の各角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。本実施形態の液晶装置１００は、透過型の液晶装置として構成され、ＴＦＴアレイ基板１０側に配置された光源（図示略）からの光を変調し、対向基板２０側から表示光として射出するようになっている。
【００３３】
図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側（液晶層側）に、複数の画素電極９が配列形成されており、これら画素電極９を覆うように無機配向膜１６が形成されている。対向基板２０の内面側には、遮光膜２３が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極２１が形成されている。そして、共通電極２１を覆うように無機配向膜２２が形成されている。そして、対向基板２０側にも、ＴＦＴアレイ基板１０と同様の形状を有する突出部５４が、画像表示領域１０ａとシール領域１０ｂとの間の境界領域１０ｃに形成されている。
【００３４】
図２は、ＴＦＴアレイ基板１０（対向基板２０）の一方側の端部を模式的に示した図である。なお、対向基板２０の構成も、図２に示す構成と略同一であるため、図２において対向基板２０の部材をカッコ書きにて示す。
この図に示すように、また上述のように、本実施形態の液晶装置１００においては、画像表示領域１０ａとシール領域１０ｂとの間の境界領域１０ｃに突出部５３（５４）が形成されている。
突出部５３（５４）は、酸窒化膜等の緻密な構造を有する膜によって形成されている。
無機配向膜１６（２２）は、画像表示領域１０ａ及びシール領域１０ｂに形成されており、突出部５３（５４）によって、画像表示領域１０ａとシール領域１０ｂとに分断されて形成されている。なお、突出部５３（５４）上にも、画像表示領域１０ａに形成された無機配向膜１６（２２）及びシール領域１０ｂに形成された無機配向膜１６（２２）と分断された無機配向膜１６（２２）が形成されているが、図２においてはその図示を省略している。
無機配向膜１６（２２）としては、ＳｉＯ２やＳｉＯ等の珪素酸化物、又はＡｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯやＩＴＯ等の金属酸化物等により、厚さ０．０２〜０．３μｍ（好ましくは、０．０２〜０．０８μｍ）程度に形成されたものである。また、無機配向膜１６（２２）の製造には、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法、蒸着法、ゾルゲル法、自己組織化法などが採用可能である。本実施形態では、無機配向膜１６（２２）はいずれもＳｉＯ２を主とする珪素酸化物からなり、従来公知の斜方蒸着法で形成されたものとなっている。
【００３５】
このような無機配向膜１６（２２）は、無数の柱状構造物１６ａ（２２ａ）から構成され、柱状構造物１６ａ（２２ａ）の一部は隣接する柱状構造物１６ａ（２２ａ）との間に間隙Ｓを有して形成されている。また、これらの柱状構造物１６ａ（２２ａ）は斜方蒸着法により形成されるため、柱状構造物１６ａ（２２ａ）のぞれぞれは基板１０面に対し所定の傾斜角度で配列されている。
【００３６】
そして、本実施形態の液晶装置１００においては、ＴＦＴアレイ基板１０のシール領域１０ｂ及び対向基板２０のシール領域１０ｂに、アルキル材５５が塗布されている。そして、アルキル材５５が塗布されたシール領域１０ｂにシール材５２が形成されている。
【００３７】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０の無機配向膜１６による配向規制方向と、対向基板２０の無機配向膜２２による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。これにより、本実施形態の液晶装置１００は、ツイステッドネマチックモードで動作するようになっている。
また、両基板１０、２０の外側には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素をドープした材料等からなる偏光板２４、２８（図５参照）が配置されている。なお、各偏光板２４、２８は、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に装着して、液晶装置１００から離間配置することが望ましい。各偏光板２４、２８は、その吸収軸方向の直線偏光を吸収し、透過軸方向の直線偏光を透過する機能を有する。ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板２４は、その透過軸が無機配向膜１６の配向規制方向と略一致するように配置され、対向基板２０側の偏光板２８は、その透過軸が無機配向膜２２の配向規制方向と略一致するように配置されている。
【００３８】
液晶装置の画像表示領域１０ａには、図３の等価回路図に示すように、これを構成すべく複数のドットがマトリクス状に配置されており、これら各ドットには、それぞれ画素電極９が形成されている。また、その画素電極９の側方には、該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０が形成されている。このＴＦＴ素子３０のソースにはデータ線６ａが接続されている。各データ線６ａには、前述したデータ線駆動素子から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。
【００３９】
また、ＴＦＴ素子３０のゲートには走査線３ａが接続されている。走査線３ａには、前述した走査線駆動素子から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。一方、ＴＦＴ素子３０のドレインには画素電極９が接続されている。そして、走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンにすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極９を介して各ドットの液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４０】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と容量線３ｂとの間に蓄積容量１７が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が作製されるようになっている。
【００４１】
また、本実施形態の液晶装置では、図４の平面構造説明図に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide、以下ＩＴＯという）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（破線９ａによりその輪郭を示す）が、マトリクス状に配列形成されている。さらに、画素電極９の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態では、各画素電極９の形成された矩形領域がドットであり、マトリクス状に配置されたドットごとに表示を行うことが可能な構造になっている。
【００４２】
ＴＦＴ素子３０は、ポリシリコン膜等からなる半導体層１ａを中心として形成されている。半導体層１ａのソース領域（後述）には、コンタクトホール５を介して、データ線６ａが接続されている。また、半導体層１ａのドレイン領域（後述）には、コンタクトホール８を介して、画素電極９が接続されている。一方、半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分には、チャネル領域１ａ’が形成されている。
【００４３】
また、この液晶装置は、図５の断面構造説明図に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された対向基板２０と、これらの間に挟持された液晶５０とを主体として構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａ、及びその内側に形成されたＴＦＴ素子３０や画素電極９、無機配向膜１６などを主体として構成されている。一方の対向基板２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａ、及びその内側に形成された共通電極２１や無機配向膜２２などを主体として構成されている。
【００４４】
ＴＦＴアレイ基板１０の表面には、第１遮光膜１１ａ及び第１層間絶縁膜１２が形成されている。そして、第１層間絶縁膜１２の表面に半導体層１ａが形成され、この半導体層１ａを中心としてＴＦＴ素子３０が形成されている。半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分にはチャネル領域１ａ’が形成され、その両側にソース領域及びドレイン領域が形成されている。このＴＦＴ素子３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用しているため、ソース領域及びドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。すなわち、ソース領域には低濃度ソース領域１ｂと高濃度ソース領域１ｄとが形成され、ドレイン領域には低濃度ドレイン領域１ｃと高濃度ドレイン領域１ｅとが形成されている。
【００４５】
半導体層１ａの表面には、ゲート絶縁膜２が形成されている。そして、ゲート絶縁膜２の表面に走査線３ａが形成されて、チャネル領域１ａ’との対向部分がゲート電極を構成している。また、ゲート絶縁膜２及び走査線３ａの表面には、第２層間絶縁膜４が形成されている。そして、第２層間絶縁膜４の表面にデータ線６ａが形成され、第２層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５を介して、そのデータ線６ａが高濃度ソース領域１ｄに接続されている。さらに、第２層間絶縁膜４及びデータ線６ａの表面には、第３層間絶縁膜７が形成されている。そして、第３層間絶縁膜７の表面に画素電極９が形成され、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール８を介して、その画素電極９が高濃度ドレイン領域１ｅに接続されている。さらに、画素電極９を覆うように無機配向膜１６が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向が規制されるようになっている。
【００４６】
なお、本実施形態では、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜２を延設して誘電体膜が形成され、その表面に容量線３ｂが配置されて第２蓄積容量電極が形成されている。これらにより、前述した蓄積容量１７が構成されている。
また、ＴＦＴ素子３０の形成領域に対応する基板本体１０Ａの表面に、第１遮光膜１１ａが形成されている。第１遮光膜１１ａは、液晶装置に入射した光が、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するものである。
【００４７】
一方、対向基板２０における基板本体２０Ａの表面には、第２遮光膜２３が形成されている。第２遮光膜２３は、液晶装置に入射した光が半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ等に侵入するのを防止するものであり、平面視において半導体層１ａと重なる領域に設けられている。また対向基板２０の表面には、略全面にわたってＩＴＯ等の導電体からなる共通電極２１が形成されている。さらに、共通電極２１の表面には無機配向膜２２が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向が規制されるようになっている。
【００４８】
このような本実施形態の液晶装置１００は、対向基板２０を光源側に向けて配置される。その光源光のうち偏光板２８の透過軸と一致する直線偏光のみが偏光板２８を透過して液晶装置１００に入射する。
非選択電圧印加時の液晶装置１００では、基板に対して水平配向した液晶分子が液晶５０の厚さ方向に約９０°ねじれたらせん状に積層配置されている。そのため、液晶装置１００に入射した直線偏光は、約９０°旋光されて液晶装置１００から出射する。この直線偏光は、偏光板２４の透過軸と一致するため、偏光板２４を透過する。従って、非選択電圧印加時の液晶装置１００では白表示が行われるようになっている（ノーマリーホワイトモード）。
【００４９】
また、選択電圧印加時の液晶装置１００では、液晶分子が基板に対して垂直配向している。そのため、液晶装置１００に入射した直線偏光は、旋光されることなく液晶装置１００から出射する。この直線偏光は、偏光板２４の透過軸と直交するため、偏光板２４を透過しない。従って、選択電圧印加時の液晶装置１００では黒表示が行われるようになっている。
【００５０】
本実施形態の液晶装置１００によれば、シール領域１０ｂにアルキル材５５が塗布されることによって、シール領域１０ｂが撥液処理されるため、外部からの水分がシール領域１０ｂを介して画像表示領域１０ａに侵入することが防止される。
また、境界領域１０ｃに形成された突出部５３，５４によって、シール領域１０ｂに塗布されたアルキル材５５と、画像表示領域１０ａに形成される無機配向膜１６（２２）との接触が防止され、シール領域１０ｂから画像表示領域１０ａにアルキル材が侵入することを防止することができる。
したがって、本実施形態の液晶装置１００によれば、無機配向膜を備える液晶装置において、シール領域１０ｂに配置されたアルキル材５５が、画像表示領域１０ａに侵入することを防止することによって、表示品質の低下を防止することが可能となる。
【００５１】
また、本実施形態の液晶装置１００においては、シール領域１０ｂに無機配向膜１６（２２）が形成されている。
シール領域１０ｂに形成された無機配向膜１６（２２）は、液晶装置１００の表示には寄与しないが、アルキル材５５とシール材５２の密着性を向上させる機能を発揮する。このため、本構成によれば、アルキル材５５が配置されたシール領域１０ｂにシール材５２を確実に固着形成することができる。
また、シール領域１０ｂにおけるアルキル材５５の濡れ性を向上させるためには、無機配向膜（ＳｉＯ２等）と接触することが好ましい。したがって、本実施形態の液晶装置のように、シール領域１０ｂにも無機配向膜１６（２２）を形成することによって、シール領域１０ｂにおけるアルキル材５５の濡れ性を向上させることもできる。
【００５２】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態の液晶装置の製造方法について説明する。
図６（ａ）〜（ｃ）は本実施形態の液晶装置１００の製造工程を示す断面図であり、図７（ａ）は無機配向膜１６（２２）を形成するための装置であり、（ｂ）は係る装置を用いて成膜した無機配向膜１６（２２）を説明するための図である。なお、以下の説明においては、本発明の特徴的な工程である突出部５３，５４の形成工程（第１工程）、無機配向膜１６（２２）の形成工程（第２工程）、アルキル材を塗布する工程（第３工程）を主として説明し、その他の工程（例えば第４工程）については公知の方法が採用されるため説明を省略する。
【００５３】
まず、図６（ａ）に示すように、基板１０（２０）上の境界領域１０ｃに、突出部５３（５４）を形成する。
具体的には、スパッタ装置や蒸着装置を用いて、図８に示すような、突出部５３（５４）の形状に応じて開口部Ｍａが形成されたマスクＭ１を介して、一度に複数の基板１０（２０）に対して突出部５３の形成材料が付着されることによって、突出部５３（５４）が形成される。
【００５４】
続いて、図６（ｂ）に示すように、画像表示領域１０ａ、シール領域１０ｂ及び境界領域１０ｃを含む基板１０（２０）上に無機材料を斜方蒸着することによって、無機配向膜１６（２２）を形成する。
【００５５】
＜蒸着装置＞
図７（ａ）は、斜方蒸着法による成膜を行う蒸着装置の一例としての、蒸着装置５０３である。この蒸着装置５０３には、無機配向膜材料の蒸気流を発生させる蒸着源５１２と、無機配向膜形成前の上記ＴＦＴアレイ基板１０、あるいは無機配向膜形成前の上記対向基板２０（以下、単に基板１０（２０）と記す）を保持する保持機構５１４とが備えられている。この蒸着装置５０３において基板１０（２０）は、蒸着源５１２と基板１０（２０）の基板面重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１と、基板１０（２０）の被成膜面と垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が、所定値となるように、保持機構５１４によって保持されている。従って、図７（ａ）、（ｂ）において矢印Ｙ１によって示される、蒸着源５１２で発生された無機材料の進行方向、すなわち無機材料が飛ぶ方向と、基板１０（２０）において配向膜が形成される基板面（被成膜面）とのなす角度θ１は、角度θ０を変化させることによって調整可能となっている。なお、この角度θ１は、無機配向膜１６（２２）において配向制御を行うための表面形状効果が得られるように、後述する柱状構造物を基板面上に配列させるための所定値に設定されている。ただし、本実施形態では斜方蒸着を行うことから、角度θ１は９０°未満となっている。
【００５６】
このような蒸着装置５０３によって斜方蒸着を行うと、図７（ｂ）中矢印で示すように、蒸着源５１２から昇華した配向膜材料が基板１０（２０）に対して略一定の入射角度（傾斜角度）で連続入射する。
【００５７】
すると、基板１０（２０）には図６（ｂ）に示すように配向膜材料が斜め柱状に成長し、これによって無機材料（珪素酸化物）の柱状構造物１６ａ（２２ａ）が形成される。そして、この柱状構造物１６ａ（２２ａ）が基板１０（２０）の表面に無数に形成されたことにより、無機配向膜１６（２２）が形成される。このように柱状構造物１６ａ（２２ａ）が所定の傾斜角度で形成され、これによって無機配向膜１６（２２）が形成されると、液晶装置１００では、柱状構造物１６ａ（２２ａ）に沿って液晶分子が配向することにより、液晶分子にプレチルト角が付与される。すなわち、前述したように液晶分子は、非選択電圧印加時に、無機配向膜１６（２２）によって所定方向に配向規制されるようになっているのである。
【００５８】
次に、図６（ｃ）に示すように、ディスペンサー法又はインクジェット法により、無機配向膜１６（２２）が形成されたシール領域１０ｂにアルキル材５５を塗布する。
ここで、図９を参照してインクジェット法によってアルキル材５５を塗布するのに好適に用いられる液滴吐出装置ＩＪについて説明する。なお、図９は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。液滴吐出装置ＩＪは、吐出ヘッド３０１と、Ｘ軸方向駆動軸３０４と、Ｙ軸方向ガイド軸３０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。
【００５９】
ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料を吐出配置される基板（基体）Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの吐出ヘッドであり、その長手方向がＹ軸方向に一致するように配置されている。複数の吐出ノズルは、吐出ヘッド３０１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対してインクが吐出される。
【００６０】
Ｘ軸方向駆動軸３０４には、Ｘ軸方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸３０４が回転すると、吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ軸方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ軸方向に移動する。
【００６１】
制御装置ＣＯＮＴは、吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ３０２に吐出ヘッド３０１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構３０８は、吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶剤の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００６２】
続いて、図６（ｄ）に示すように、シール領域１０ｂの無機配向膜１６（２２）上にシール材５２を形成する。その後、一対の基板１０，２０をシール材５２を介して貼り合せるとともに、基板１０，２０間に液晶を封入させる。
なお、シール材配置工程以降の工程については、公知の方法が採用されるため詳細な説明を省略する。
【００６３】
このような本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、シール領域１０ｂから表示領域へのアルキル材５５の侵入を防止する突出部５３，５４が形成され、その後、シール領域１０ｂにアルキル材５５が塗布される。
したがって、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、シール領域１０ｂへアルキル材５５が塗布された後、突出部５３，５４によって、シール領域１０ｂに塗布されたアルキル材５５が画像表示領域へ侵入することが防止される。よって、製造される液晶装置は、表示品質の低下を起こさないものとなる。
【００６４】
また、本実施形態の液晶装置の製造方法においては、マスクＭ１を用いて突出部５３，５４が形成される。このため、容易に突出部５３，５４を形成することができる。
【００６５】
また、本実施形態の液晶装置の製造方法においては、シール領域１０ｂを含めて無機配向膜１６，２２が形成されている。
シール領域１０ｂに形成された無機配向膜１６，２２は、液晶装置の表示には寄与しないが、アルキル材５５とシール材５２との密着性を向上させる機能を発揮する。このため、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、アルキル材５５が配置されたシール領域１０ｂにシール材５２を確実に形成することができる。
【００６６】
また、本発明の液晶装置の製造方法においては、シール領域１０ｂにアルキル材５５が塗布されている。このため、シール領域１０ｂが撥水処理され、外部から画像表示領域１０ａに水分が侵入することを防止することができる。
【００６７】
なお、突出部５３，５４の高さは可能な限り低いことが好ましい。突出部５３，５４の高さを低くすることによって、突出部５３，５３の影が画像表示領域１０ａに形成されることを極力防止することができる。また、斜方蒸着の際に、突出部５３，５４による膜の形成不能領域が発生することを極力防止することができる。
【００６８】
（第２実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第２実施形態について説明する。なお、本第２実施形態の説明において、上記第１実施形態と同様の部分については、その説明を省略あるいは簡略化する。
【００６９】
図１０は、本実施形態の液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板１０（対向基板２０）の一方側の端部を模式的に示した図である。
上記実施形態の液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板１０（対向基板２０）においては、突出部５３，５４が画像表示領域１０ａとシール領域１０ｂとの間の境界領域１０ｃに形成されていた。これに対して、本実施形態の液晶装置は、図１０に示すように、境界領域１０ｃが設けられておらず、突出部５６がシール領域１０ｂに突出して形成されている。
【００７０】
このような本実施形態の液晶装置によれば、上記シール領域に突出して形成される突出部５６によって、画像表示領域１０ａとシール領域１０ｂとに段差が形成される。そして、当該段差によって、シール領域１０ｂに配置されたアルキル材が画像表示領域１０ａの無機配向膜１６（２２）と接触することが防止され、シール領域１０ｂに配置されたアルキル材５５が、画像表示領域１０ａに侵入することを防止することができる。
また、本実施形態の液晶装置においては、シール領域１０ｂにおける配向膜１６（２２）の形成面である、突出部５６の上面を遮るものがないため、シール領域１０ｂに配向膜１６（２２）をムラ無く形成することができる。よって、シール領域１０ｂにおけるアルキル材５５の濡れ性を向上させることができる。
また、境界領域１０ｃを形成する必要がないため、ＴＦＴアレイ基板１０上の無駄なスペースを削減することができる。
【００７１】
なお、このような本実施形態の液晶装置を製造する場合には、上記第１実施形態において突出部５３，５４を形成する場合に用いたマスクＭ１の開口部Ｍａをシール領域１０ｂに相当する広さに形成することによって、シール領域１０ｂに突出部５６を形成することができる。本実施形態で用いられるマスクは、開口部がマスクＭ１に対して広いため、取り扱いが容易となる。
【００７２】
（第３実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第３実施形態について説明する。なお、本第３実施形態の説明においても、上記第１実施形態と同様の部分については、その説明を省略あるいは簡略化する。
【００７３】
図１１は、本実施形態の液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板１０（対向基板２０）の一方側の端部を模式的に示した図である。
本実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置の構成に加え、無機配向膜１６（２２）と基板１０（２０）との間に形成されるバリア層５７を備えている。そして、バリア層５７は、無機配向膜１６と同一組成材料からなる、すなわち珪素酸化膜の緻密層である。
【００７４】
このような本実施形態の液晶装置によれば、バリア層５７がパシベーション膜として機能し、基板１０（２０）側からの水分の侵入を防止することができる。
また、バリア層５７が、無機配向膜１６，２２と同一組成材料からなる緻密層であるため、無機配向膜１６，２２の体積を減少させることができる。すなわち、間隙を有する構造を減少させることができ、より確実にシール領域１０ｂに配置されたアルキル材５５が、画像表示領域１０ａに侵入することを防止することができる。
【００７５】
なお、このような本実施形態の液晶装置を製造する場合には、無機配向膜１６，２２を形成する前に、図１２に示すように、画素領域１０ａ、シール領域１０ｂ及び境界領域１０ｃに応じた開口Ｍｂが形成されたマスクＭ２を介してバリア層形成材料を基板１０，２０上に配置することによってバリア層５７を成膜する。これによってバリア層５７を備える本実施形態の液晶装置が製造される。
【００７６】
（第４実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第４実施形態について説明する。なお、本第４実施形態の説明においても、上記第１実施形態と同様の部分については、その説明を省略あるいは簡略化する。
【００７７】
図１３は、本実施形態の液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板１０（対向基板２０）の一方側の端部を模式的に示した図である。
この図に示すように、本実施形態の液晶装置は、上記第２実施形態の液晶装置と上記第３実施形態の液晶装置とを組合わせた構成を有している。すなわち、本実施形態の液晶装置は、境界領域１０ｃが設けられておらず、突出部５６がシール領域１０ｂに突出して形成されており、かつ、無機配向膜１６（２２）と基板１０（２０）との間に形成されるバリア層５７を備えている。
【００７８】
このような本実施形態の液晶装置によれば、上記第２実施形態の液晶装置と上記第３実施形態の液晶装置との両方の効果を発揮することができる。
【００７９】
［プロジェクタ］
次に、本発明の電子機器の一実施形態としてのプロジェクタについて、図１４を用いて説明する。図１４は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、上記実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
【００８０】
図１２において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。
【００８１】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９及び出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。
【００８２】
各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００８３】
このような構成からなるプロジェクタは、上記の液晶装置を光変調手段として備えている。この液晶装置は、耐湿性に優れた液晶装置を備えているので、この電子機器自体も吸湿に起因する品質低下が防止されたものとなる。
【００８４】
なお、本発明の技術的範囲は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、前述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。
例えば、上記実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、上記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、上記実施形態ではＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、実施形態では３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００８５】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態又はその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１実施形態における液晶装置を示す図であり、図１（ａ）が同液晶装置の平面構成図、（ｂ）が（ａ）図のＨ−Ｈ’線に沿う断面構成図である。
【図２】本発明の第１実施形態における液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板（対向基板）の一方側の端部を模式的に示した図である。
【図３】本発明の第１実施形態における液晶装置の透過回路図である。
【図４】本発明の第１実施形態における液晶装置の平面構造の説明図である。
【図５】本発明の第１実施形態における液晶装置の断面構造の説明図である。
【図６】本発明の第１実施形態における液晶装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図７】（ａ）が本発明の第１実施形態における液晶装置の製造方法に用いられる蒸着装置の模式図であり、（ｂ）が斜方蒸着の説明図である。
【図８】本発明の第１実施形態における液晶装置の製造方法に用いられるマスクを示す図である。
【図９】本発明の第１実施形態における液晶装置の製造方法に用いられる液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第２実施形態における液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板（対向基板）の一方側の端部を模式的に示した図である。
【図１１】本発明の第３実施形態における液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板（対向基板）の一方側の端部を模式的に示した図である。
【図１２】本発明の第３実施形態における液晶装置の製造方法に用いられるマスクを示す図である。
【図１３】本発明の第４実施形態における液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板（対向基板）の一方側の端部を模式的に示した図である。
【図１４】本発明の電子機器の一例であるプロジェクタの概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０……ＴＦＴアレイ基板（基板）、２０……対向基板（基板）、１０ａ……画像表示領域（表示領域）、１０ｂ……シール領域、１０ｃ……境界領域、１６，２２……無機配向膜、５０……液晶、５２……シール材、５３，５４，５６……突出部（絶縁部）、５５……アルキル材（液状材）、５７……バリア層
【図１】
2008145934.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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