(57)【要約】【課題】半導体チップと外部基板との実装方向の制約がなく、かつ狭ピッチの半導体チップとの接合を可能にするテープ配線基板を提供する。【解決手段】可撓性の絶縁性基材２ａと、絶縁性基材２ａ上に形成された導体配線４ａとを備える。導体配線４ａの断面形状が三角形である部分５ａと四角形である部分６ａとを有し、導体配線４ａの断面形状が三角形である部分５ａには、導体配線４ａの半導体チップが実装可能に形成された部分３に形成されたインナーリード部が含まれる。【選択図】図１
2008235791.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性の絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に形成された導体配線とを備えたテープ配線基板において、
前記導体配線の断面形状が三角形である部分と四角形である部分とを有することを特徴とするテープ配線基板。
【請求項２】
前記導体配線は、半導体チップが実装可能に形成された部分に形成されたインナーリード部を有し、
前記インナーリード部は、断面形状が三角形である請求項１記載のテープ配線基板。
【請求項３】
前記導体配線は、断面形状が三角形である部分の配線幅よりも、断面形状が四角形である部分の配線幅の方が広い請求項１または２に記載のテープ配線基板。
【請求項４】
前記導体配線は、断面形状が三角形である部分の厚みよりも、断面形状が四角形である部分の厚みの方が厚い請求項１〜３のいずれか一項に記載のテープ配線基板。
【請求項５】
前記インナーリード部には、断面形状が三角形である突起電極が形成されている請求項２〜４のいずれか一項に記載のテープ配線基板。
【請求項６】
前記導体配線における前記インナーリード部と反対側の端部には、外部接続端子が形成され、前記外部接続端子の断面形状が四角形である請求項２〜５のいずれか一項に記載のテープ配線基板。
【請求項７】
前記導体配線のインナーリード部の先端に接続され、断面形状が四角形である支持部を有する請求項２〜６のいずれか一項に記載のテープ配線基板。
【請求項８】
前記導体配線の断面形状が四角形である部分の断面形状が、前記絶縁性基材と接続される側が幅広の台形である請求項１〜７のいずれか一項に記載のテープ配線基板。
【請求項９】
前記導体配線の前記断面形状が台形の部分と前記断面形状が三角形の部分の境界領域は、前記導体配線の断面形状が、台形から幅が徐々に狭くなり三角形となる請求項８記載のテープ配線基板。
【請求項１０】
前記半導体チップが実装可能に形成された領域に前記導体配線のインナーリード部が露出されるように孔が形成されている請求項２〜９に記載のテープ配線基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０に記載のテープ配線基板と、
前記テープ配線基板上に形成された半導体チップを有する半導体装置。
【請求項１２】
可撓性の絶縁性基材上に導体層を有する基材にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、
前記開口部が形成されたフォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングして導体配線を形成する工程と、
前記フォトレジストを除去する工程とを有し、
前記開口部を形成する工程では、前記導体配線の幅が相対的に広い部分に対して、前記導体配線の幅が相対的に狭い部分のマスク幅が狭くなるように前記開口部を形成し、
前記エッチングする工程では、前記導体配線の幅が相対的に広い部分の断面形状が四角形であり、前記導体配線の幅が相対的に狭い部分の断面形状が三角形となるようにエッチングを行うテープ配線基板の製造方法。
【請求項１３】
可撓性の絶縁性基材上に導体層を有する基材にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、
前記開口部が形成されたフォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングする第１エッチング工程と、
前記フォトレジストを除去する工程と、
前記導体層をエッチングして導体配線を形成する第２エッチング工程とを有し、
前記開口部を形成する工程では、前記導体配線の幅が相対的に広い部分に対して、前記導体配線の幅が相対的に狭い部分のマスク幅が狭くなるように、前記フォトレジストに前記開口部を形成し、
前記第２エッチング工程では、前記導体配線の幅が相対的に広い部分の断面形状が四角形であり、前記導体配線の幅が相対的に狭い部分の断面形状が三角形となるようにエッチングを行うテープ配線基板の製造方法。
【請求項１４】
可撓性の絶縁性基材上に導体層を有する基材にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、
前記開口部が形成されたフォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングする工程と、
前記フォトレジストの一部を除去する工程と、
前記一部が除去されたフォトレジストをマスクとして、前記導体層をエッチングして前記フォトレジストが除去された領域に断面形状が三角形の導体配線が規定され、前記フォトレジストが除去されない領域に断面形状が四角形の導体配線が形成される第２エッチング工程とを有するテープ配線基板の製造方法。
【請求項１５】
可撓性の絶縁性基材上に導体層を有する基材に第１フォトレジストを形成する工程と、
前記第１フォトレジストに開口部を形成する工程と、
前記開口部が形成された第１フォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１フォトレジストを除去する工程と、
前記基材上に第２フォトレジストを形成する工程と、
前記第２フォトレジストに開口部を形成する工程と、
前記開口部が形成された第２フォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングして、導体配線を形成する第２エッチング工程と、
前記第２フォトレジストを除去する工程とを有し、
前記第２フォトレジストに開口部を形成する工程では、前記第２フォトレジストの前記導体配線の幅が相対的に狭い部分に前記開口部を形成し、
前記第２エッチング工程では、前記第１エッチング工程により形成された前記導体配線よりも導体配線の厚みを薄く形成するテープ配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記導体配線の厚みが薄い部分は、断面形状が三角形である請求項１５記載のテープ配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、柔軟な絶縁性の基材上に導体配線を設けて構成されたテープ配線基板および半導体装置、ならびにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
テープ配線基板を使用したパッケージモジュールの一種として、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）やＣＯＦ（Chip On Film）が知られている。ＴＣＰやＣＯＦは、柔軟な絶縁性のテープ配線基板の上に半導体チップが実装され、樹脂で封止することにより実装部が保護された構造を有する。ＴＣＰは、デバイスホールと呼ばれる孔が半導体チップ実装領域に形成され、そのデバイスホールに突き出たインナーリードと呼ばれる導体配線に半導体チップが接続されている。また、ＣＯＦは、デバイスホールを有さず、テープ配線基板上に半導体チップが配置されている。
【０００３】
テープ配線基板は、主たる要素として、絶縁性のフィルム基材とその面上に形成された多数本の導体配線とを有する。フィルム基材としては一般的にポリイミドが、導体配線としては銅がそれぞれ使用される。必要に応じて導体配線上には、金属めっき被膜および絶縁樹脂であるソルダーレジストの層が形成される。
【０００４】
ＴＣＰやＣＯＦの主要な用途は、液晶パネル等の表示パネル駆動用ドライバーの実装である。その場合、テープ配線基板上の導体配線は、出力信号用外部端子を形成する第１群と、入力信号用外部端子を形成する第２群に分けて配置され、両群の導体配線間に半導体素子が実装される。テープ配線基板上の導体配線における半導体チップとの接続端部であるインナーリードは、突起電極を介して半導体素子上の電極パッドに接続される。一方の群の導体配線における出力信号用外部端子を形成するアウターリードボンディング部（外部接続端子）は、ガラスパネルやマザー基板の端子に接続される。
【０００５】
上述のようなテープ配線基板の一例が、特許文献１に記載されている。このようなテープ配線基板について、図２６を参照して説明する。図２６は、テープ配線基板における半導体チップ実装部の断面図である。
【０００６】
半導体チップ１０１の表面に電極パッド１０４が形成されている。テープ基材１０２は、可撓性で絶縁性のテープであり、テープ基材１０２上に導体配線が形成されている。導体配線の先端部に複数本のインナーリード１０５が形成されている。インナーリード１０５は、電極パッド１０４上に形成された突起電極１０３と接続されている。テープ基材１０２上に形成された導体配線は、インナーリード１０５からアウターリードボンディングに至るまで、同様の形状および厚さであり、断面形状が幅の広い方がテープ基材１０２に接続された台形である。
【０００７】
この構成により、導体配線は、半導体チップとの接続性を確保しながら、ガラスパネルやマザー基板とに安定して接続することができる。
【特許文献１】特開平４−１４２０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記の構成のテープ配線基板においては、導体配線の幅の狭い方を半導体チップの実装面に接続し、幅の広い方をガラスパネルやマザー基板などの外部基板と接続して接続を安定させる。つまり、導体配線に対して、半導体チップと外部基板とは、反対側に接続される。このため、台形形状の導体配線の幅の広い方に合わせて導体配線のピッチが決定され、導体配線の狭ピッチ化を行いにくいなどの制約が生じる。
【０００９】
本発明は、導体配線に対して半導体チップと外部基板との実装方向の制約がなく、かつ狭ピッチの半導体チップとの接合を容易にするテープ配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のテープ配線基板は、可撓性の絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に形成された導体配線とを備える。上記課題を解決するために、前記導体配線の断面形状が三角形である部分と四角形である部分とを有する。
【００１１】
本発明の第１のテープ配線基板の製造方法は、上記課題を解決するために、可撓性の絶縁性基材上に導体層を有する基材にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、前記開口部が形成されたフォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングして導体配線を形成する工程と、前記フォトレジストを除去する工程とを有し、前記開口部を形成する工程では、前記導体配線の幅が相対的に広い部分に対して、前記導体配線の幅が相対的に狭い部分のマスク幅が狭くなるように前記開口部を形成し、前記エッチングする工程では、前記導体配線の幅が相対的に広い部分の断面形状が四角形であり、前記導体配線の幅が相対的に狭い部分の断面形状が三角形となるようにエッチングを行う。
【００１２】
本発明の第２のテープ配線基板の製造方法は、上記課題を解決するために、可撓性の絶縁性基材上に導体層を有する基材にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、前記開口部が形成されたフォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングする第１エッチング工程と、前記フォトレジストを除去する工程と、前記導体層をエッチングして導体配線を形成する第２エッチング工程とを有し、前記開口部を形成する工程では、前記導体配線の幅が相対的に広い部分に対して、前記導体配線の幅が相対的に狭い部分のマスク幅が狭くなるように、前記フォトレジストに前記開口部を形成し、前記第２エッチング工程では、前記導体配線の幅が相対的に広い部分の断面形状が四角形であり、前記導体配線の幅が相対的に狭い部分の断面形状が三角形となるようにエッチングを行う。
【００１３】
本発明の第３のテープ配線基板の製造方法は、上記課題を解決するために、可撓性の絶縁性基材上に導体層を有する基材にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、前記開口部が形成されたフォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングする工程と、前記フォトレジストの一部を除去する工程と、前記一部が除去されたフォトレジストをマスクとして、前記導体層をエッチングして前記フォトレジストが除去された領域に断面形状が三角形の導体配線が規定され、前記フォトレジストが除去されない領域に断面形状が四角形の導体配線が形成される第２エッチング工程とを有する。
【００１４】
本発明の第４のテープ配線基板の製造方法は、上記課題を解決するために、可撓性の絶縁性基材上に導体層を有する基材に第１フォトレジストを形成する工程と、前記第１フォトレジストに開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された第１フォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングする第１エッチング工程と、前記第１フォトレジストを除去する工程と、前記基材上に第２フォトレジストを形成する工程と、前記第２フォトレジストに開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された第２フォトレジストをマスクとして前記導体層をエッチングして、導体配線を形成する第２エッチング工程と、前記第２フォトレジストを除去する工程とを有し、前記第２フォトレジストに開口部を形成する工程では、前記第２フォトレジストの前記導体配線の幅が相対的に狭い部分に前記開口部を形成し、前記第２エッチング工程では、前記第１エッチング工程により形成された前記導体配線よりも導体配線の厚みを薄く形成する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、導体配線に幅広部と幅狭部を形成することにより、導体配線に対して半導体チップと外部基板との実装方向の制約がなく、かつ狭ピッチの半導体チップとの接合を可能にするテープ配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明のテープ配線基板において、前記導体配線は、半導体チップが実装可能に形成された部分に形成されたインナーリード部を有し、前記インナーリード部は、断面形状が三角形である構成にすることもできる。
【００１７】
また、前記導体配線は、断面形状が三角形である部分の配線幅よりも、断面形状が四角形である部分の配線幅の方が広い構成にすることができる。
【００１８】
また、前記導体配線は、断面形状が三角形である部分の厚みよりも、断面形状が四角形である部分の厚みの方が厚い構成にすることができる。
【００１９】
また、前記インナーリード部には、断面形状が三角形である突起電極が形成されている構成にすることができる。
【００２０】
また、前記導体配線における前記インナーリード部と反対側の端部には、外部接続端子が形成され、前記外部接続端子の断面形状が四角形である構成にすることができる。
【００２１】
また、前記導体配線のインナーリード部の先端に接続され、断面形状が四角形である支持部を有する構成にすることができる。
【００２２】
また、前記導体配線の断面形状が四角形である部分の断面形状が、前記絶縁性基材と接続される側が幅広の台形である構成にすることができる。
【００２３】
また、前記導体配線の前記断面形状が台形の部分と前記断面形状が三角形の部分の境界領域は、前記導体配線の断面形状が、台形から幅が徐々に狭くなり三角形となる構成にすることができる。
【００２４】
また、前記半導体チップが実装可能に形成された領域に前記導体配線のインナーリード部が露出されるように孔が形成されている構成にすることができる。
【００２５】
本発明の半導体装置は、上記記載のテープ配線基板と、前記テープ配線基板上に形成された半導体チップを有する。
【００２６】
また、第４のテープ配線基板の製造方法において、前記導体配線の厚みが薄い部分は、断面形状が三角形であってもよい。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるテープ配線基板１ａの構造を示す、テープ配線基板１ａの導体配線４ａが設けられた側から見た平面図である。可撓性基板２ａは、ポリイミド材あるいはＰＥＴ（ポリエステルテレフタレート）材などの絶縁性のテープ基材で形成されている。厚さは、１０μｍ程度から１００μｍ程度が好ましいがそれ以外の厚さでもよい。半導体チップ実装部３は、半導体チップ（図示せず）が実装される領域である。
【００２８】
導体配線４ａは、可撓性基板２ａに複数本配置され、半導体チップと外部とを接続し、信号を伝送する導線である。導体配線４ａは、銅により形成されていることが好ましいが、アルミニウムなどの導電性を有する材料であればよい。幅狭部５ａは、導体配線４ａの配線幅が狭い部分である。幅狭部５ａは、導体配線４ａの半導体チップ実装部３において半導体チップの電極パッドに接続されるため、狭ピッチが要求されるインナーリード部を含む。幅広部６ａは、導体配線４ａの幅狭部５ａより配線幅が広い部分であり、ガラスパネルやマザー基板などの外部と接続されるアウターリード部を含む。
【００２９】
図２は、図１に示すテープ配線基板１ａの一点鎖線で示す領域Ａの斜視図である。導体配線４ａの幅狭部５ａは断面形状が三角形であり、幅広部６ａは断面形状が台形（四角形）に形成されている。幅狭部５ａは、幅広部６ａより配線幅が狭く、厚みが薄く形成されている。ただし、幅狭部５ａと幅広部６ａの境界は、導体配線４ａの屈曲部に配置され、配線幅が連続するように形成されている。このため、導体配線４ａは、インナーリード部において、配線ピッチを狭くすることができる。また、幅広部６ａの上端は、一定以上の幅の平坦部７が形成されている。
【００３０】
幅広部６ａ、特にアウターリード部は、一般にＡＣＦ（異方性導電フィルム）などを介してガラスパネルやマザー基板と接合される。幅広部６ａの平坦部７は、平坦に形成されているため、ガラスパネルやマザー基板との接合性を高めることができる。
【００３１】
次に、テープ配線基板１ａの製造方法について説明する。図３〜図６は、テープ配線基板１ａの製造方法を示す工程図である。図３〜図６において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'断面の構成を示す断面図である。
【００３２】
まず、図３に示すように、可撓性基板２ａ上に、圧着法やメッキ法などにより、厚みを５μｍ程度から４０μｍ程度の導体配線用の導体層８を形成する。なお、導体層８の厚みを５μｍから４０μｍ以外に形成してもよい。つぎに、導体層８上に配線形成用のフォトレジスト層９を形成する。フォトレジスト層９としては、ネガ型またはポジ型のどちらのタイプでもかまわない。フォトレジスト層９の厚みは、１０μｍ程度から１００μｍ程度まで可能である。
【００３３】
つぎに、図４に示すように、フォトレジスト層９に対し、所望のパターン配線を形成する領域上にレジストが残存するようにフォトリソグラフィー工法により、レジストを露光現像除去する。その際に、配線幅の狭い幅狭部５ａを形成するための部分のパターン幅を相対的に狭くして幅狭レジスト１０ａを形成する。また、同時に幅広部４、特にアウターリード部のようにある程度配線の表面に平坦性が要求される部分を形成するための部分のパターン幅を幅狭レジスト１０ａの幅よりも広くして幅広レジスト１１ａを形成する。
【００３４】
つぎに、図５に示すように、パターンが形成されたフォトレジスト層９をマスクとして、ウエットエッチングにより導体層８の不要部分を除去し、導体配線４ａを形成する。導体層８のウエットエッチングでは、導体層８の表面から等方的にエッチングされてゆくので、導体配線４ａにおいてフォトレジスト層９と接している側の導体配線の幅が狭くなる。導体層８のウエットエッチングにおいて、幅狭レジスト１０ａの下の幅狭部５ａの断面が三角形になるように、さらに、幅広レジスト１１ａの下の幅広部６ａの断面が台形になるように調整する。
【００３５】
導体配線４ａの断面形状は、レジストパターンと導体層の厚みに依存する。また、エッチングの薬液の種類、方法にも依存する。たとえば、導体層８として銅を使用し、エッチング液として一般的な硫酸銅液を使用する。導体層８の厚みを２５μｍとし、幅狭レジスト１０ａの幅を１５μｍとし、幅広レジスト１１ａの幅を４０μｍとしてウエットエッチングを行うと、幅狭部５ａの断面は三角形となり、幅広部６ａの断面は配線の平坦部７の幅が１５μｍの台形となった。また、幅狭部５ａの厚さは、幅広部６ａの厚さより２μｍ程度薄くなった。
【００３６】
つぎに、図６に示すように、幅狭レジスト１０ａおよび幅広レジスト１１ａを除去して導体配線４ａを露出させる。以上の工程により、幅狭部５ａの断面形状が三角形であり、幅広部６ａの断面形状が台形（四角形）である、図１に示すテープ配線基板１ａを製造することができる。
【００３７】
図７は、テープ配線基板１ａの半導体チップ実装部に、半導体チップ２１が実装された半導体装置２０の構成を示す（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ'断面図である。なお、図の理解し易さを考慮して、図４（ａ）における半導体チップ２１を破線で示し、突起電極２３以外の図示を省略する。
【００３８】
図７（ｂ）に示すように、半導体チップ２１の１主面に形成された電極パッド２２には、突起電極２３が形成されている。電極パッド２２は、アルミを主成分とする材料が一般的であるが、銅などの導体を用いることもできる。突起電極２３は、半導体チップ２１に形成されていてもよいし、導体配線４ａの幅狭部５ａに形成されていてもよい。また、突起電極２３が無い構造にすることも可能である。突起電極２３は、ニッケル、銅、アルミ、金、銀、パラジウム、錫などを主成分とする材料からなる単層体あるいは複層体あるいは合金体により形成されることが好ましい。電極パッド２２に形成された突起電極２３の形成方法としては、無電解メッキ法や電解メッキ法を用いることができるが、蒸着法やスパッタ法などによっても形成することが可能である。
【００３９】
テープ配線基板１ａに半導体チップ２１を接続する方法としては、加圧加熱法や超音波接合法などを用いることができる。幅狭部５ａの表面には、錫メッキが施されていることが好ましい。突起電極２３が金により形成されている場合、幅狭部５ａと突起電極２３との接続は、錫−金の共晶接合となる。
【００４０】
パッシベーション２４は、半導体チップ２１を保護する保護膜である。半導体チップ２１とテープ配線基板１ａとの間には、封止樹脂２５が充填されている。これにより、テープ配線基板１ａと半導体チップ２１の接続を安定させることが可能となる。
【００４１】
図８は、以上のように形成された半導体装置２０をガラスパネルやマザー基板などの外部基板３３に実装した構成を示す断面図である。ソルダーレジスト層３１は、導体配線４ａを保護するために、導体配線４ａ上に形成されている。外部基板３３は、ガラスパネルである。アウターリード部において、幅広部６ａの平坦部７は、ガラスパネル３３とＡＣＦ（異方性導電フィルム）３２により接続されている。
【００４２】
以上の構成により、半導体装置２０は、狭ピッチの電極パッド２２を有する半導体チップ２１を、隣接突起電極２３間をショートさせることなく、テープ配線基板１ａに接合することが可能となる。さらに、狭ピッチの半導体チップ２１を有する半導体装置２０を、ガラスパネルなどの外部基板に安定して実装することができる。
【００４３】
図９は、テープ配線基板１ａの別の構成を示す斜視図である。テープ配線基板１ｂにおいて、導体配線４ｂの直線部分に幅狭部５ｂと幅広部６ｂの境界が形成されている。従って、幅狭部５ｂと幅広部６ｂの境界では、導体配線４ｂの幅が不連続となる。図４に示す幅狭レジスト１０ａと幅広レジスト１１ａの境界を導体配線の直線部分に配置すればよい。
【００４４】
図１０は、テープ配線基板１ａの別の構成を示す斜視図である。テープ配線基板１ｃにおいて、導体配線４ｃの幅広部６ｃと幅狭部５ｃとの間に中間部１２が形成され、幅広部６ｃの幅が徐々に狭くなり幅狭部５ｃとなるように形成されている。この中間部１２の形成方法は、幅広レジストと幅狭レジストの間にレジストの幅が幅広レジストの幅から幅狭レジストの幅が徐々に狭くなるレジストをマスクとして、ウエットエッチングすればよい。
【００４５】
図１１は、テープ配線基板１ａとは別の構成のテープ配線基板１ｄの構成を示す平面図である。テープ配線基板１ｄは、ＴＣＰとして用いるために、半導体チップ実装部３に開口部３４が設けられた可撓性基板２ｄを有する。このように構成しても同様の効果を得ることができる。
【００４６】
（実施の形態２）
図１２は、本発明の実施の形態２におけるテープ配線基板１ｅの構造を示す平面図である。本実施の形態に係るテープ配線基板１ｅは、実施の形態１に係るテープ配線基板１ａに、幅狭部５ａの先端に幅広部６ａと同程度の幅を有する支持部４１が形成された以外は、テープ配線基板１ａと同様である。テープ配線基板１ｅにおいて、テープ配線基板１ａと同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４７】
図１３は、図１２に示すテープ配線基板１ｅの一点鎖線で示す領域Ｂを示す斜視図である。支持部４１は、断面が幅広部６ａと同様に四角形であり、幅狭部５ａに接続されている。半導体チップ実装時において、支持部４１は、半導体チップに接触しないか、あるいは、絶縁性のパッシベーションに接触し、電気的動作を行わない。
【００４８】
テープ配線基板１ｅの製造方法は、実施の形態１におけるテープ配線基板１ａの製造方法と同様である。ただし、実施の形態１に係るテープ配線基板１ａの製造工程における図５（ｂ）において、半導体チップ実装部３では、幅狭レジスト１０ａが幅狭部５ａから浮いている。そのため、ウエットエッチングによる幅狭部５ａの形状が安定しない。本実施の形態におけるテープ配線基板１ｅは、支持部４１により半導体チップ実装部３における幅狭レジスト１０ａを支持し、幅狭レジスト１０ａの浮きを防止でき、幅狭部５ａの形状を安定させることができる。
【００４９】
（実施の形態３）
図１４は、本発明の実施の形態３に係るテープ配線基板１ｆの構成を示す斜視図である。本実施の形態に係るテープ配線基板１ｆは、実施の形態１に係るテープ配線基板１ａにおいて、幅狭部５ａに突起電極４２が形成された以外は、テープ配線基板１ａと同様である。テープ配線基板１ｆにおいて、テープ配線基板１ａと同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００５０】
幅狭部５ａには、断面三角形状の突起電極４２が形成されている。突起電極４２は、幅狭部５ａに無電解メッキあるいは電解メッキなどを施すことにより形成される。幅狭部５ａの断面形状が三角形であるので、無電解メッキや電解メッキが行われると、メッキ部分が幅狭部５ａの形状を比較的模倣して成長するので、突起電極４２は三角形の形状として形成される。
【００５１】
この構造により、半導体チップの電極パッドとの接合する際に、半導体チップと電極パッドを加圧加重すると、突起電極が変形し、突起電極と電極パッドとの接続が安定する。
【００５２】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４として、実施の形態１に示したテープ配線基板１ａの製造方法とは、別のテープ配線基板１ａの製造方法を示す。図１５〜図１９は、本実施の形態１におけるテープ配線基板１ａの製造方法を示す工程図である。図１５〜図１９において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ'断面の構成を示す断面図である。
【００５３】
まず、図１５に示すように、可撓性基板２ａ上に、圧着法やメッキ法などにより、厚みが５μｍ程度から４０μｍ程度の導体配線用の導体層８を形成する。なお、導体層８の厚みを５μｍから４０μｍ以外に形成してもよい。つぎに、導体層８上に配線形成用のフォトレジスト層９を形成する。フォトレジスト層９としては、ネガ型またはポジ型のどちらのタイプでもかまわない。フォトレジスト層９の厚みは、１０μｍ程度から１００μｍ程度まで可能である。
【００５４】
つぎに、図１６に示すように、フォトレジスト層９に対し、所望のパターン配線を形成する領域上にレジストが残存するようにフォトリソグラフィー工法により、レジストを露光現像除去する。その際に、配線幅の狭い幅狭部５ａを形成するための部分のパターン幅を相対的に狭くして幅狭レジスト１０ｇを形成する。また、幅広部６ａ、特にアウターリード部のようにある程度配線の表面に平坦性が要求される部分を形成するための部分のパターン幅を幅狭レジスト１０ｇの幅よりも広くして幅広レジスト１１ｇを形成する。
【００５５】
つぎに、図１７に示すように、パターンが形成されたフォトレジスト層９をマスクとし、ウエットエッチングにより導体層８の不要部分を除去する。導体層８のウエットエッチングでは、導体層８の表面から等方的にエッチングされてゆくので、導体層８においてフォトレジスト層９と接している側の幅が狭くなる。導体層８のウエットエッチングにおいて、幅狭レジスト１０ｇの下の幅狭導体部５１ａの断面が台形になるように、さらに、幅広レジスト１１ｇの下の幅広導体部５２ａの断面が幅狭導体部５１ａの断面より幅が広い台形になるように調整する。
【００５６】
導体配線４ａの断面形状は、レジストパターンと導体層の厚みに依存する。また、エッチングの薬液の種類、方法にも依存する。たとえば、導体層８として銅を使用し、エッチング液として一般的な硫酸銅液を使用する。例えば、導体層８の厚みを２５μｍとし、幅狭レジスト１０ｇの幅を１５μｍとし、幅広レジスト１１ｇの幅を４０μｍとしてウエットエッチングを行う。この時点において、エッチングは、完全にはされておらず、導体配線のテープ基材との接触面では一部接続している箇所があってもよい。
【００５７】
つぎに、図１８に示すように、パターンが形成されたフォトレジスト層９を取り除き導体層８を露出させる。
【００５８】
つぎに、図１９に示すように、幅狭導体部５１ａおよび幅広導体部５２ａに、幅狭導体部５１ａの断面形状が三角形となるまで第２のウエットエッチングを行う。幅狭導体部５１ａおよび幅広導体部５２ａに第２のウエットエッチングを行うことにより、それぞれ幅狭部５ａおよび幅広部６ａが形成される。この時、幅広部６ａの形状は配線の平坦部７の幅が１５μｍの台形となった。また、導体配線４ａの厚みは、幅狭部５ａは幅広部６ａより１μｍ程度薄くなった。以上のような製造方法においても、テープ配線基板１ａを製造することができる。
【００５９】
また、テープ配線基板１ａの別の製造方法として、図１７に示す工程の後、幅狭部５ａを形成する領域を全面開口したフォトマスクを用いてフォトリソグラフィーを行い、幅狭レジスト１０ｇを除去する。ここでは、一度露光現像したパターンを再び露光現像するので、図１５（ｂ）に示すフォトレジスト層９の材料としてはポジ型がよい。その後に、第２のウエットエッチングを行う。第２のウエットエッチングにより幅狭導体部５１ａは側面方向だけでなく厚み方向もエッチングされて幅狭部５ａが形成され、また、幅広導体部５２ａではエッチングが完全になされて所望の台形（四角形）の幅広部６ａが形成される。その後、幅広レジスト１１ｇを取り除き導体配線４ａを露出させる。
【００６０】
以上の製造方法により、幅狭部５ａの断面形状が三角形であり、幅広部６ａの断面形状が台形（四角形）であるテープ配線基板１ａを形成することができる。
【００６１】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５として、実施の形態１に示したテープ配線基板１ｂの製造方法とは、別のテープ配線基板１ｂの製造方法を示す。図２０〜図２５は、本発明の実施の形態におけるテープ配線基板１ｂの製造方法を示す工程図である。図２０〜図２５において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ'断面の構成を示す断面図である。
【００６２】
まず、図２０に示すように、可撓性基板２ａ上に、圧着法やメッキ法などにより、厚みが５μｍ程度から４０μｍ程度の導体配線用の導体層８を形成する。なお、導体層８の厚みを５μｍから４０μｍ以外の厚さに形成してもよい。つぎに、導体層８上にフォトレジスト層９を形成する。フォトレジスト層９としては、ネガ型またはポジ型のどちらのタイプでもかまわない。フォトレジスト層９の厚みは、１０μｍ程度から１００μｍ程度まで可能である。
【００６３】
つぎに、図２１に示すように、フォトレジスト層９に対し、所望のパターン配線を形成する領域上に配線形成用レジスト６１が残存するようにフォトリソグラフィー工法により、フォトレジスト層９を露光現像除去する。その際に、配線幅の狭い幅狭部５ｂが形成されるための部分のパターン幅を幅狭部５ｂの幅より広くして幅狭レジスト１０ｈを形成する。また、幅広部４ｂ、特にアウターリード部のようにある程度配線の表面に平坦性が要求される部分を形成するための部分のパターン幅を幅狭レジスト１０ｈの幅よりも広くして幅広レジスト１１ｈを形成する。なお、図２１では、幅狭レジスト１０ｈ間の長さを幅広レジスト１１ｈの間の長さよりも短くしている。
【００６４】
つぎに、図２２に示すように、パターン形成されたフォトレジスト層９をマスクとし、ウエットエッチングにより導体層８の不要部分を除去する。導体層８のウエットエッチングでは、導体層８の表面から等方的にエッチングされてゆくので、フォトレジスト層９と接している側の導体配線の幅が狭くなる。
【００６５】
導体配線４ｂの断面形状は、レジストパターンと導体層の厚みに依存する。また、エッチングの薬液の種類、方法にも依存する。たとえば、導体層８として銅を使用し、エッチング液として一般的な硫酸銅液を使用する。導体層８の厚みを２５μｍとし、幅狭レジスト１０ｈの幅を１５μｍとし、幅広レジスト１１ｈの幅を４０μｍとしてウエットエッチングを行う。
【００６６】
そこで、ウエットエッチングを、幅広レジスト１１ｈの下の導体層８が幅広部６ｂとなるように行う。この際、幅狭レジスト１０ｈの下の導体層８（幅狭導体層５１ｄ）は、断面形状が台形であってもよいし、隣接する幅狭導体層５１ｄと一体となっていてもよい。つぎに、幅狭レジスト１０ｈおよび幅広レジスト１１ｈを除去し、幅広部６ｂおよび幅狭導体層５１ｄを露出させる。つぎに図２３に示すように、レジスト層を形成し、幅広部６ｂを覆う以外の領域のレジスト層を除去し、幅狭導体層５１ｄを露出させる第２レジスト６１を形成する。
【００６７】
つぎに図２４に示すように、第２レジスト６１をマスクとして、幅狭導体層５１ｄウエットエッチングして、断面構造が三角形の幅狭部５ｂを形成する。その後、図２５に示すように第２レジスト６１を除去する。
【００６８】
以上の工程により、幅狭部５ｂの断面形状は三角形でありながら、幅広部６ｂの断面形状が台形のテープ配線基板１ｂを形成することができる。その結果、エッチング後に幅狭部５ｂは三角形となり、幅広部６ｂの平坦部７の幅が１５μｍの台形となった。また導体配線４ｂの厚みは、幅狭部５ｂは幅広部６ｂより２μｍ程度薄くなっている。
【００６９】
以上の実施の形態のように、テープ配線基板１ｂ、半導体装置および実装構造において、半導体チップの電極パッド接続部は狭ピッチで配線幅が狭く、さらにアウターリード部のような配線の表面にある程度の平坦性が要求される領域においては安定に平坦領域を確保できることが可能になる。これにより、狭ピッチの半導体チップを使用しながら製造歩留まりの高い半導体装置を提供できる。
【００７０】
なお、幅狭レジスト１０ｈ間の長さを幅広レジスト１１ｈの間の長さよりも短くすることにより、導体配線４ｂの幅狭部５ｂ間の長さと幅広部６ｂ間の長さが同程度になる。このため、導体配線４ｂ間でショートすることを防ぎ、少スペースで配線することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、安定なアウターリード実装を実現しながら狭ピッチの半導体チップの実装を可能とするテープ配線基板に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施の形態１に係るテープ配線基板の構成を示す平面図
【図２】同上テープ配線基板の構成を示す部分斜視図
【図３】同上テープ配線基板の製造方法を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ'断面図
【図４】図３のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ'断面図
【図５】図４のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ'断面図
【図６】図５のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ'断面図
【図７】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ'断面図
【図８】同上半導体装置を外部基板に実装した構成を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１に係るテープ配線基板とは別のテープ配線基板の構成を示す斜視図
【図１０】本発明の実施の形態１に係るテープ配線基板とは別のテープ配線基板の構成を示す斜視図
【図１１】本発明の実施の形態１に係るテープ配線基板とは別のテープ配線基板の構成を示す平面図
【図１２】本発明の実施の形態２に係るテープ配線基板の構成を示す平面図
【図１３】同上テープ配線基板の構成を示す部分斜視図
【図１４】本発明の実施の形態３に係るテープ配線基板の構成を示す部分斜視図
【図１５】本発明の実施の形態４に係るテープ配線基板の製造方法を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ'断面図
【図１６】図１５のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ'断面図
【図１７】図１６のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ'断面図
【図１８】図１７のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ'断面図
【図１９】図１８のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ'断面図
【図２０】本発明の実施の形態４に係るテープ配線基板の製造方法を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ'断面図
【図２１】図２０のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ'断面図
【図２２】図２１のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ'断面図
【図２３】図２２のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ'断面図
【図２４】図２３のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ'断面図
【図２５】図２４のつぎの工程を示す（ａ）は平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ'断面図
【図２６】従来の半導体装置の構成を示す部分断面図
【符号の説明】
【００７３】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ  テープ配線基板
２ａ、２ｄ  可撓性基板
３  半導体チップ実装部
４ａ、４ｂ、４ｃ  導体配線
５ａ、５ｂ、５ｃ  幅狭部
６ａ、６ｂ、６ｃ  幅広部
７  平坦部
８  導体層
９  フォトレジスト層
１０ａ、１０ｇ、１０ｈ  幅狭レジスト
１１ａ、１１ｇ、１１ｈ  幅広レジスト
２０  半導体装置
２１  半導体チップ
２２  電極パッド
２３  突起電極
２４  パッシベーション
２５  封止樹脂
３１  ソルダーレジスト層
３２  異方性導電フィルム
３３  外部基板
３４  開口部
４１  支持部
４２  突起電極
５１ａ、５１ｄ  幅狭導体部
５２ａ、５２ｄ  幅広導体部
６１  第２レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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