(57)【要約】【課題】挿入損失の少ない共振器フィルタ及びデュプレクサを提供する。【解決手段】薄膜バルク弾性波共振器素子（Ｐ１ａ、Ｐ１ｂ、Ｐ２、Ｐ３）を有する複数の並列接続部（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）を備え、前記並列接続部の１つ（Ｌ１）には、少なくとも２つ以上の前記薄膜バルク弾性波共振器素子（Ｐ１ａ、Ｐ１ｂ）が直列に接続され、前記直列に接続された前記薄膜バルク弾性波共振器素子の合成容量は、他の並列接続部（Ｌ２、Ｌ３）における前記薄膜バルク弾性波共振器素子（Ｐ２、Ｐ３）の容量よりも小さいこと、を特徴とする共振器フィルタが提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜バルク弾性波共振器素子を有する複数の並列接続部を備え、
前記並列接続部の１つには、少なくとも２つ以上の前記薄膜バルク弾性波共振器素子が直列に接続され、
前記直列に接続された前記薄膜バルク弾性波共振器素子の合成容量は、他の並列接続部における前記薄膜バルク弾性波共振器素子の容量よりも小さいこと、を特徴とする共振器フィルタ。
【請求項２】
前記並列接続部の前記１つには、第１の薄膜バルク弾性波共振器素子と第２の薄膜バルク弾性波共振器素子とが直列に接続され、
前記第１の薄膜バルク弾性波共振器素子の容量に対して、前記第２の薄膜バルク弾性波共振器素子の容量は、０．５倍以上２倍以下であること、を特徴とする請求項１記載の共振器フィルタ。
【請求項３】
前記薄膜バルク弾性波共振器素子の下部電極は、アルミニウムまたは銅を主成分とした材料からなること、を特徴とする請求項１または２に記載の共振器フィルタ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の共振器フィルタを備えたこと、を特徴とするデュプレクサ。
【請求項５】
前記共振器フィルタは、送信側に設けられたこと、を特徴とする請求項４記載のデュプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器フィルタ及びデュプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の移動体無線端末の高性能化および高機能化に伴い、移動体無線端末に用いる部品の点数が大幅に増加しており、部品の小型化およびモジュール化などが重要となってきている。ここで、無線回路の中でも、特にフィルタは大きなスペースを占めており、無線回路を小型化し部品点数を削除するためには、フィルタの小型化およびモジュール化が必要となってきている。
【０００３】
従来から用いられてきたフィルタとしては、例えば、誘電体フィルタ、表面弾性波（Surface Acoustic Wave：SAW）フィルタ、ＬＣフィルタなどが挙げられるが、近年では、複数の薄膜バルク弾性波共振器（Film Bulk Acoustic Resonator：FBAR）素子を備えた共振器フィルタが、フィルタの小型化およびモジュール化に最も有望であると考えられている。
【０００４】
薄膜バルク弾性波共振器（Film Bulk Acoustic Resonator：FBAR）素子（以下、ＦＢＡＲ素子という）は、上部電極、下部電極、上部電極と下部電極に挟まれた圧電体膜、下部電極の下方に設けられたキャビティを備えている。このＦＢＡＲ素子を直列・並列に接続したラダー型フィルタ回路において、並列接続部におけるＦＢＡＲ素子を二つ以上のＦＢＡＲ素子の直列接続に分割する技術が開示されている（例えば、特許文献１、２を参照）。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されているような技術では、ラダー型フィルタ回路の耐パワー性を改善させることができても、挿入損失に対する考慮がされておらず、挿入損失の低下を図ることができなかった。    
また、特許文献２に開示されているような技術では、外部接続端子が同一の平面上に存在し機器への組み込みが容易なラダー型フィルタ回路を得ることができても、挿入損失に対する考慮がされておらず、挿入損失の低下を図ることができなかった。
【特許文献１】特開２００２−１９８７７７号公報
【特許文献２】特開２００６−１０９４３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、挿入損失の少ない共振器フィルタ及びデュプレクサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、薄膜バルク弾性波共振器素子を有する複数の並列接続部を備え、前記並列接続部の１つには、少なくとも２つ以上の前記薄膜バルク弾性波共振器素子が直列に接続され、前記直列に接続された前記薄膜バルク弾性波共振器素子の合成容量は、他の並列接続部における前記薄膜バルク弾性波共振器素子の容量よりも小さいこと、を特徴とする共振器フィルタが提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、上記の共振器フィルタを備えたこと、を特徴とするデュプレクサが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、挿入損失の少ない共振器フィルタ及びデュプレクサが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の実施の形態に係る共振器フィルタを例示するための模式図である。  
図２は、比較例の共振器フィルタを例示するための模式図である。    
まず、図２に示す比較例から説明をする。      
図２に示すように、本比較例の共振器フィルタ１０は、ＦＢＡＲ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３からなる直列接続部を有する。すなわち、ＦＢＡＲ素子Ｓ１と、ＦＢＡＲ素子Ｓ２と、ＦＢＡＲ素子Ｓ３とが電気的に直列に接続されている。またさらに、ＦＢＡＲ素子Ｓ１とＦＢＡＲ素子Ｓ２、ＦＢＡＲ素子Ｓ２とＦＢＡＲ素子Ｓ３、ＦＢＡＲ素子Ｓ３とには、それぞれＦＢＡＲ素子Ｐ１、ＦＢＡＲ素子Ｐ２、ＦＢＡＲ素子Ｐ３とが電気的に並列に接続されている。    
そして、ＦＢＡＲ素子Ｓ１は、端子２に接続され、ＦＢＡＲ素子Ｓ３は、端子３に接続されている。このような共振器フィルタの回路構成は「３段梯子型」などと呼ばれている。
【００１１】
尚、図２に示すものでは、通過帯域幅を広げるとともに高周波領域における減衰極を設けるために、並列接続部において、ＦＢＡＲ素子Ｐ１、ＦＢＡＲ素子Ｐ２、ＦＢＡＲ素子Ｐ３のそれぞれにインダクタＬ１、インダクタＬ２、インダクタＬ３を直列に接続するようにしている。これらのインダクタは、共振器フィルタ１０と同一基板上に形成されていてもよいし、別基板、例えば多層樹脂基板上に設けられていてもよい。
【００１２】
図３は、ＦＢＡＲ素子の構成を例示するための模式断面図である。    
図３に示すように、基板４の上面には、図示しない熱酸化膜、図示しないパッシベーション膜、図示しない非晶質下地膜、下部電極５、圧電膜６、上部電極７、図示しない上部パッシベーション膜が、この順番で下層から形成されている。
【００１３】
基板４には基板４を貫通するキャビティ８が設けられ、キャビティ８の基板上面側開口部を覆うように下部電極５が設けられている。また、下部電極５に対向するように上部電極７が設けられ、下部電極５と上部電極７との間には圧電膜６が設けられている。
【００１４】
ここで、各部の材料を例示するものとすれば、例えば、基板４をシリコン（Ｓｉ）、図示しない熱酸化膜を酸化シリコン（ＳｉＯ２）、図示しないパッシベーション膜を窒化珪素（ＳｉＮ）、図示しない非晶質下地膜をタンタルアルミニウム（ＴａＡｌ）、下部電極５をアルミニウム（Ａｌ）、圧電膜６を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、上部電極７をモリブデン（Ｍｏ）、図示しない上部パッシベーション膜を窒化珪素（ＳｉＮ）とすることができる。
【００１５】
次に、共振器フィルタ１０の作用について説明をする。  
説明の便宜上、まず、ＦＢＡＲ素子の作用の説明をすることにする。  
【００１６】
圧電膜６に上下の電極（上部電極７と下部電極５）を設けたＦＢＡＲ素子（圧電共振器）は、圧電体の密度、膜厚、電極の質量負荷の効果などによって決まる共振周波数、並びに反共振周波数を有する。一つの共振点付近の電気的特性は、図４に示されるように、極大、極小点をもつ（それぞれ反共振、共振に対応）。
図４のような共振特性を示すＦＢＡＲ素子を用いて、梯子型フィルタ回路（例えば、共振器フィルタ１０など）を構成することができる。この場合、直列ＦＢＡＲ素子の共振周波数と並列ＦＢＡＲ素子の反共振周波数がほぼ等しくなるようにすると、この周波数を中心周波数とする帯域通過フィルタが得られる。即ち、フィルタの中心周波数においては、直列ＦＢＡＲ素子（直列共振器）のインピーダンスが低く、並列ＦＢＡＲ素子（並列共振器）のインピーダンスが高いため、入力した信号のほとんどが出力される。一方、通過域の高周波側に位置する直列ＦＢＡＲ素子（直列共振器）の反共振周波数や、通過域の低周波側に位置する並列ＦＢＡＲ素子（並列共振器）の共振周波数においては、入力した信号のほとんどが並列ＦＢＡＲ素子（並列共振器）を通ってグラウンドに流れることになる。従って、入力した信号が大幅に減衰することになる。なお、直列と並列とで共振周波数を変えるためには、例えば圧電体の膜厚や電極の膜厚を変えるといった方法がある。
【００１７】
共振器フィルタ１０は、６つのＦＢＡＲ素子を用いて共振器フィルタを構成させた場合である。共振器フィルタを構成させる場合には、隣接するＦＢＡＲ素子同士の上部電極７または下部電極５を共通化させて、全てのＦＢＡＲ素子を電気的に接続するようにすることができる。
【００１８】
ここで、キャビティ領域以外の場所で上部電極７と下部電極５とが対向すると、その部分に寄生容量が発生し、また、振動エネルギーが下部電極５を介して基板４に漏れてしまう。例えば、図３に示したキャビティ８の近傍の領域Ａで寄生容量が発生し、また、振動エネルギーの漏れが発生する。
【００１９】
また、例えば、移動体無線端末向けの共振器フィルタは、共振周波数が１〜５ＧＨｚとなる複数のＦＢＡＲ素子で構成されている。このようなＦＢＡＲ素子では、例えば、圧電膜として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いると、圧電膜の膜厚は１〜２μｍとなるのに対して、電極の膜厚は０．２〜０．５μｍ程度となる。セラミック共振子や水晶振動子が、数十〜数百μｍの圧電板と数μｍ以下の電極とで構成されているのと比べ、数ＧＨｚ帯の共振周波数をもつＦＢＡＲ素子では、全膜厚に占める電極の膜厚の割合が１０〜６０％となり、非常に大きいものとなる。そのため、電極の材料、膜厚、積層構造が共振特性に与える影響は極めて大きい。
【００２０】
この場合、例えば、下部電極５としてアルミニウム（Ａｌ）を用いると、配向性に優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の圧電膜６を得ることができる。その上、抵抗値も低く抑えることができるので、共振点におけるＱ値（Ｑｒ）も向上させることができるという利点がある。そのため、下部電極５の材料としてアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）を主成分とした材料が用いられている。
【００２１】
しかしながら、アルミニウム（Ａｌ）は弾性定数が小さいため、電極内に振動エネルギーが蓄積されやすく、上下の電極がキャビティ８の外部で対向する部分（寄生容量部）において、前述のように振動エネルギーが基板４へと散逸し、その結果、反共振点のＱ値（Ｑａ）が低下するという問題がある。このことは、音響インピーダンスの低い材料ほど顕著となる。
【００２２】
図５は、反共振周波数における振動エネルギーの分布を例示するための模式図であり、振動エネルギーの分布をシミュレーションにより求めたものである。    
ここで、図５の下段の図においては、色のトーンが明るいほど振動エネルギーが高いことを示している。
図５の下段の図から分かるように、下部電極５に蓄積された振動エネルギーは、キャビティ８の縁に沿って基板４に漏れてしまっている。尚、図中の矢印は、振動エネルギーの流れ（漏れ）方向を示している。
【００２３】
この場合、寄生容量部における振動エネルギーの散逸量（漏れ量）は、ＦＢＡＲ素子の面積が小さくなるほど顕著となる。これは、共振部に閉じ込められるエネルギーはＦＢＡＲ素子の面積に比例（一辺の長さの２乗に比例）するのに対し、寄生容量部における振動エネルギーの散逸量はＦＢＡＲ素子の一辺の長さに比例するからである。
【００２４】
そのため、下部電極５の材料として、反共振点のＱ値（Ｑａ）の低下が顕著なアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）のような弾性定数が小さい材料（音響インピーダンスの低い材料）を用いたとしても、このようなＦＢＡＲ素子の特性（面積依存性）を考慮して、ＦＢＡＲ素子の面積を可能な限り大きくすれば、反共振点のＱ値（Ｑａ）を改善させることができることになる。
【００２５】
図６は、反共振点のＱ値（Ｑａ）の面積依存性を例示するためのグラフ図である。    
横軸は、ＦＢＡＲ素子の面積を正方形に換算した場合の一辺の長さを表し、縦軸は反共振点のＱ値（Ｑａ）を表している。
【００２６】
図６から分かるように、ＦＢＡＲ素子を正方形とした場合の一辺の長さが長くなるほど（面積が大きくなるほど）反共振点のＱ値（Ｑａ）は大きくなる。
【００２７】
しかしながら、図２に示すように、並列接続部におけるＦＢＡＲ素子にはインダクタを直列接続して、通過帯域幅を広げるとともに高周波領域における減衰極を設けるようにすることが一般的である。そのため、高周波領域の特性まで含めて最も良好な特性が得られるように共振器フィルタのパラメータを最適化すると、必ずしも面積が大きなＦＢＡＲ素子ばかりとなるとは限らず、小さな面積のＦＢＡＲ素子を用いなければならない場合が生ずる。
【００２８】
図７は、並列接続部におけるＦＢＡＲ素子の容量とインダクタのインダクタンスによる共振を利用した減衰を例示するためのグラフ図である。      
図２に示す共振器フィルタにおいて、ＦＢＡＲ素子の容量をＣ、インダクタのインダクタンスをＬとすると、共振周波数は下記の（１）式で表すことができる。    
【数１】
2008205720.tif 000003
【００２９】
ここで、使用帯域における波形の歪みを抑制するためには、使用帯域の２倍波や３倍波を減衰させる必要がある。例えば、図７においては、使用帯域である２ＧＨｚの２倍波（４ＧＨｚ）を減衰させる必要がある。
【００３０】
このような高い共振周波数を生じさせるためには、（１）式からも分かるようにＦＢＡＲ素子の容量Ｃ、あるいは、インダクタのインダクタンスＬを小さくすればよい。しかしながら、インダクタンスＬを小さくすれば帯域幅が狭くなるという問題がある。そのため、ＦＢＡＲ素子の容量Ｃを小さくすることにより、使用帯域の２倍波を減衰させるようにすることになる。このようにして、容量Ｃを小さくするために小さな面積のＦＢＡＲ素子を用いなければならない場合が生じる。
【００３１】
一般的には、並列接続部における１箇所の共振で、１箇所の減衰（例えば、２倍波の減衰）をさせることができるので、小さな面積（小さな容量Ｃ）のＦＢＡＲ素子を用いなければならない箇所も１つで足りる場合が多い。    
そのため、例えば、図２において、ＦＢＡＲ素子Ｐ１がＦＢＡＲ素子Ｐ２やＦＢＡＲ素子Ｐ３と比べて小さな面積（小さな容量Ｃ）となる場合が生ずる。
【００３２】
このような場合、小さな面積のＦＢＡＲ素子を用いることで、反共振点のＱ値（Ｑａ）が低下して、挿入損失が大きくなってしまうことになる。
【００３３】
本発明者は検討の結果、並列接続部における他のＦＢＡＲ素子と比べて一番小さな面積を有するＦＢＡＲ素子を、その容量Ｃを維持するようにして分割すれば、共振周波数への影響を抑制しつつその面積を大きくすることができるとの知見を得た。ＦＢＡＲ素子を分割するためには、ＦＢＡＲ素子を複数設けてそれらを直列に接続すればよい。
【００３４】
このことを図１に戻って説明する。尚、図２で説明をしたものと同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。        
図２に示す共振器フィルタ１０における並列接続部のＦＢＡＲ素子Ｐ１の面積が、残りの２つのＦＢＡＲ素子Ｐ２、Ｐ３の面積よりも小さい（容量Ｃが小さい）ものとする。すなわち、ＦＢＡＲ素子Ｐ１が最も反共振点のＱ値（Ｑａ）が小さいＦＢＡＲ素子となる。このＦＢＡＲ素子Ｐ１を図１に示すように２つに等分割（ＦＢＡＲ素子Ｐ１ａ、Ｐ１ｂ）すると、分割前の２倍の面積を有するＦＢＡＲ素子を２つ直列に接続することになる。この場合、合成容量の値は分割前のＦＢＡＲ素子と同じになるようにする。そのため、直列に接続されたＦＢＡＲ素子の合成容量が、他の並列接続部におけるＦＢＡＲ素子の容量（複数のＦＢＡＲ素子がある場合はそれらの合成容量）よりも小さいことになる。このように、その容量Ｃを維持するようにして分割するため、回路のインピーダンス設計上の問題を生じることはない。さらに、前述の通り、面積が大きくなるため、寄生容量部における振動エネルギーの散逸量が、共振器部に閉じ込められている振動エネルギーに対して相対的に低下し、反共振点におけるＱ値（Ｑａ）が向上することになる。また、ＦＢＡＲ素子を組み合わせたラダー型フィルタ回路においては、並列接続部のＦＢＡＲ素子の反共振周波数が通過帯域のほぼ中央に位置している。そのため、反共振点のＱ値（Ｑａ）を向上させるということは、共振器フィルタの挿入損失を低下させることができることを意味する。
【００３５】
尚、前述したように、一般的には並列接続部における小さな面積のＦＢＡＲ素子は１箇所である。ただし、これに限定されるわけではなく並列接続部における２箇所以上のＦＢＡＲ素子を分割するようにしても良い。また、分割数も２分割に限定されるわけではなく適宜選択することができる。
【００３６】
図８は、ＦＢＡＲ素子の分割を例示するための模式図である。    
分割前のＦＢＡＲ素子の容量Ｃとし、２分割後の容量をそれぞれαＣ、αＣ／（α−１）とすれば、その合成容量はＣのままとなる。尚、αは分割の割合を示す係数である
このように、ＦＢＡＲ素子の容量を分割するようにすれば、直列接続される個々のＦＢＡＲ素子の容量が大きくなり、その面積も大きくすることができる。その結果、反共振点のＱ値（Ｑａ）を改善させることができ、挿入損失を低下させることができる。    
ここで、分割後の各ＦＢＡＲ素子の反共振点のＱ値を合成した値は、下記の（２）式で表される。    
【数２】
2008205720.tif 000004
【００３７】
ここで、Ｑａは分割後の各ＦＢＡＲ素子の反共振点のＱ値を合成した値、Ａは定数、αは分割の割合を示す係数、Ｑ０は分割前のＦＢＡＲ素子の反共振点のＱ値である。
【００３８】
図９は、ＦＢＡＲ素子の分割割合を例示するためのグラフ図である。  
図９は、図８で説明をしたＦＢＡＲ素子を２分割する場合のものであり、（２）式をグラフ化したものである。尚、縦軸は分割後の各ＦＢＡＲ素子の反共振点のＱ値（Ｑａ）を合成した値、横軸は２分割する場合における分割の割合を示す係数である。
【００３９】
図９から分かるように、２分割する場合における分割の割合は、α＝１．５〜３（分割割合で示すと１：２〜２：１）とすることができる。また、α＝２（等分割）とすれば、反共振点のＱ値の合成値を最大にすることができ、挿入損失をさらに低下させることができる。
【００４０】
図１０は、比較例の共振器フィルタを備えたデュプレクサを例示するための模式図である。また、図１１は、本実施の形態に係る共振器フィルタを備えたデュプレクサを例示するための模式図である。    
デュプレクサは、ＣＤＭＡ（Code Division Mutiple Access）方式のように送信と受信が同時に行なわれる通信システムにおいて、同じ１つのアンテナを通じて送信される信号と受信される信号とを適切に分岐するようにする装置である。デュプレクサは、送信側フィルタと受信側フィルタとを備えている。送信側フィルタは送信しようとする周波数のみを通過させるバンドパスフィルタであり、受信側フィルタは受信しようとする周波数のみを通過させるバンドパスフィルタである。各フィルタで所定の周波数帯域の信号のみを通過させることで、１つのアンテナを効率的に共有できるようになる。
【００４１】
図１０に示すように、デュプレクサ１００には送信側フィルタ１０１と受信側フィルタ１０２とが設けられている。また、前述したように送信側フィルタ１０１と受信側フィルタ１０２とにはインダクタが接続されている。送信側フィルタ１０１の一端はインダクタを介して送信側端子Ｔｘに接続され、他端はアンテナ端子Ａｎｔと接続されている。受信側フィルタ１０２は送信側フィルタ１０１と並列接続されている。また、受信側フィルタ１０２の一端はインダクタを介して受信側端子Ｒｘに接続され、他端はアンテナ端子Ａｎｔと接続されている。尚、図中のＦＢＡＲ素子に付された値は、ＦＢＡＲ素子の面積を正方形に換算した場合における一辺の長さを表している。例えば、１５１μｍとは、一辺が１５１μｍの正方形の面積と同じ面積を有するＦＢＡＲ素子を示している。
【００４２】
図１１に示すように、デュプレクサ２００には送信側フィルタ２０１と受信側フィルタ１０２とが設けられている。図１０と図１１とでは、送信側フィルタ２０１のみが異なるので、同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。    
図１０に示すように、送信側フィルタ１０１のアンテナ端子Ａｎｔに最も近い並列接続部のＦＢＡＲ素子の面積（１５１μｍ）が、残りの２つのＦＢＡＲ素子の面積（２００μｍ、１８５μｍ）よりも小さいので、これを等分割したものが図１１に示す送信側フィルタ２０１のアンテナ端子Ａｎｔに最も近い並列接続部のＦＢＡＲ素子（２１２μｍ）である。
【００４３】
前述のように、送信側フィルタ１０１のアンテナ端子Ａｎｔに最も近い並列接続部のＦＢＡＲ素子を等分割しても、合成容量の値は分割前のＦＢＡＲ素子と同じであるため、回路のインピーダンス設計上の問題を生じることがない。
【００４４】
図１２、図１３はデュプレクサの周波数特性を例示するためのグラフ図である。    
図１２に示すＦ１００は、デュプレクサ１００（分割前）の周波数特性、Ｆ２００はデュプレクサ２００（分割後）の周波数特性である。図１２に示すように、４ＧＨｚ以上の領域で両者の周波数特性がわずかに異なっているものの、その他の領域や図１３では両者の周波数特性はほぼ一致し、分割を行っても周波数特性に問題が出るような影響を与えないことが確認できる。
【００４５】
また、ＦＢＡＲ素子の面積が大きくなるため、寄生容量部からの振動エネルギーの散逸量が、共振器部に閉じ込められている振動エネルギーに対して相対的に低下し、反共振点におけるＱ値（Ｑａ）が向上する。また、ＦＢＡＲ素子を組み合わせたラダー型フィルタ回路においては、並列接続部のＦＢＡＲ素子の反共振周波数が通過帯域のほぼ中央に位置している。そのため、反共振点のＱ値（Ｑａ）を向上させることで、共振器フィルタの挿入損失を低下させることができる。
【００４６】
図１４は、送信側フィルタの挿入損出を例示するためのグラフ図である。    
図１４に示すＦ１０１は、送信側フィルタ１０１（分割前）の挿入損失、Ｆ２０１は送信側フィルタ２０１（分割後）の挿入損失である。
【００４７】
図１４に示すように、最も面積の小さいＦＢＡＲ素子の面積が大きくなることで、反共振点におけるＱ値（Ｑａ）が向上し、その結果、挿入損失を低下させることができる。図１４からは、フィルタ通過帯域の中央部付近において、挿入損失を最大０．１ｄＢ改善できることが分かる。
【００４８】
このように本実施の形態によれば、周波数特性を維持したまま挿入損失の少ないデュプレクサを得ることができる。    
尚、送信側フィルタ１０１のアンテナ端子Ａｎｔに最も近い並列接続部のＦＢＡＲ素子を分割することとしたが、これに限定されるわけではなく、分割対象となるＦＢＡＲ素子、分割数などは適宜選択することができる。
【００４９】
ただし、デュプレクサの機能上、送信側フィルタに最も面積の小さなＦＢＡＲ素子が使われることが多く、これを分割するようにすれば周波数特性を維持したまま挿入損失を低下させることができる。
【００５０】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。  
例えば、本発明に係る共振器フィルタは、デュプレクサに用いられるもののみならず、増幅器の前段に用いられるバンドパスフィルタなどにも適用させることができる。
【００５１】
また、前述の具体例に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
【００５２】
例えば、共振器フィルタ１、共振器フィルタ１０、デュプレクサ１００、デュプレクサ２００などが備える各要素の形状、寸法、材質、配置などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００５３】
また、前述した各具体例が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の要旨を含む限り本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態に係る共振器フィルタを例示するための模式図である。
【図２】比較例の共振器フィルタを例示するための模式図である。
【図３】ＦＢＡＲ素子の構成を例示するための模式断面図である。
【図４】ＦＢＡＲ素子の共振特性を例示するための模式グラフ図である。
【図５】反共振周波数における振動エネルギーの分布を例示するための模式図である。
【図６】反共振点のＱ値（Ｑａ）の面積依存性を例示するためのグラフ図である。
【図７】並列接続部におけるＦＢＡＲ素子の容量とインダクタのインダクタンスによる共振を利用した減衰を例示するためのグラフ図である。
【図８】ＦＢＡＲ素子の分割を例示するための模式図である。
【図９】ＦＢＡＲ素子の分割割合を例示するためのグラフ図である。
【図１０】比較例の共振器フィルタを備えたデュプレクサを例示するための模式図である。
【図１１】本実施の形態に係る共振器フィルタを備えたデュプレクサを例示するための模式図である。
【図１２】デュプレクサの周波数特性を例示するためのグラフ図である。
【図１３】デュプレクサの周波数特性を例示するためのグラフ図である。
【図１４】送信側フィルタの挿入損出を例示するためのグラフ図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  共振器フィルタ、１０  共振器フィルタ、１００  デュプレクサ、１０１  送信側フィルタ、１０２  受信側フィルタ、２００  デュプレクサ、２０１  送信側フィルタ、Ｓ１〜Ｓ３  ＦＢＡＲ素子、Ｐ１〜Ｐ２  ＦＢＡＲ素子
【図１】
2008205720.tif 000005
【図２】
2008205720.tif 000006
【図３】
2008205720.tif 000007
【図４】
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【図６】
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【図７】
2008205720.tif 000010
【図８】
2008205720.tif 000011
【図９】
2008205720.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図５】
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