(57)【要約】【課題】輝度半減寿命が改善された塗布型の有機ＥＬ素子、かかる発光素子を備えた信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】上記課題を解決するためには、塗布型の有機ＥＬ素子において、発光層が最低１種類のホストおよび最低１種類のゲスト（発光ドーパント）を有しており、該ホスト材料がその繰り返し単位において非共役で結合した高分子材料であり、かつ該発光ドーパント材料としては、π共役系高分子（オリゴマー分子含む）を選択することにより達成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布型の有機ＥＬデバイスであって、発光層が最低１種類のホストおよび最低１種類のゲスト（発光ドーパント）を有しており、該ホスト材料がその繰り返し単位において非共役で結合した高分子材料であり、かつ該発光ドーパント材料としては、π共役系オリゴマー分子である有機ＥＬデバイス。
【請求項２】
発光層中のホスト材料においてその繰り返し単位中に最低１つのアントラセン骨格およびまたはジフェニルアントラセンユニットまたはフルオレン誘導体を有している請求項１記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項３】
発光層中の発光ドーパントの発光中心がテトラフェニルジインデノペリレン、ジフェニルベンゾフルオランテン誘導体、またはナフタセン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、ジスチリルジアミン誘導体から選ばれる請求項１又は２に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項４】
発光層中の発光ドーパントの分子構成が、発光中心の他にフルオレンユニットとトリアリールアミンを有していることを特徴とした請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項５】
発光層がホスト材料と発光ドーパントと、ホール輸送性材料とからなる請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項６】
ホスト材料と発光ドーパントとホール輸送性材料は、下記式（１）で示される重量％表示のｋ値が、０．５重量％以上、１０．０重量％以下となるような割合で含有されていることを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬデバイス。
ｋ＝（ａ／（ｂ＋ｃ））×１００  …式（１）
（ただし、上記式（７）中のａは、上記発光ドーパント材料中の発光中心骨格ユニットが占める重量であり、ｂは使用された発光ドーパント材料の重量であり、ｃは使用されたホスト材料の重量である。（発光層が発光ドーパント、ホスト材料以外の第３成分を含む際には、ｂ+ｃは発光ドーパント重量とホスト材料重量と第３成分重量の総量となる）
【請求項７】
正孔（ホール）注入層およびまたは正孔（ホール）輸送層を具備した請求項１から６のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項８】
発光層よりも上に積層する層を蒸着法により成膜した請求項１から７のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項９】
発光層をスピンコート法またはインクジェット法により成膜した請求項１から８のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ、表示光源等に用いられる有機ＥＬデバイスに係り、詳しくは塗布型の有機ＥＬデバイスに好適に用いられる有機ＥＬ用化合物と、これを用いてなる有機ＥＬデバイスに関する。
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイス（有機ＥＬデバイス）の開発が加速している。このような有機ＥＬデバイス及びその製造方法としては、例えば特許文献１から５のような技術が知られている。
【０００３】
ところで、従来、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ装置）においては、発光の高効率化、発光色の変化、長寿命化をなさせるために発光層の材料構成として、ホスト材料および発光ドーパントを用いる技術が知られている。このような技術は、有機ＥＬデバイス中の有機材料を蒸着法で配するようにしたデバイスにおいて、特に頻繁に用いられているが、インクジェット法（液滴吐出法）またはスピンコート法を用いて成膜する高分子材料の塗布型の有機ＥＬデバイスにおいては、あまり用いられていない。
【０００４】
ここで、上記の「ホスト材料および発光ドーパント」の意味／特徴を、以下に記す。
（１）ホスト材料は、ホールと電子の両方を流すことができる材料。
（２）発光層中に発光ドーパントを併用しない有機ＥＬデバイスにおいては、ホスト材料からの発光が観察されるが、発光ドーパントとホスト材料とを併用した場合には、ホスト材料からの発光はほとんど観察されなくなり、発光ドーパントが主として発光するようになる。
（３）ホスト材料と発光ドーパントとを併用した有機ＥＬ素子において観察されるＥＬ発光のスペクトルは発光ドーパント中の発光中心の蛍光または燐光である。ここで言う発光中心とは、発光ドーパントの一部分を指し、強い蛍光／燐光を発することが可能な有機分子骨格を意味し、有機ＥＬ発光の波形がこの部分によってほぼ決定される部分骨格を意味する。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３２３２７６号公報
【特許文献２】特表２００２−５３６４９２号公報
【特許文献３】特開平６−７３３７４号公報
【特許文献４】特開平６−３３０４８号公報
【特許文献５】特開２００５−２８５４６６号公報
【特許文献６】特許第３２９０４３２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の高分子材料塗布型の有機ＥＬデバイスにおいて、ホスト材料と発光ドーパントとを併用する技術があまり用いられていなかった理由は、以下のような原因（課題）にあると考えられる。
（１）ホストと発光ドーパントの混合溶液を塗布した際に、発光ドーパントがブリーディング（析出または偏析）する現象が見られる。これは、一般的に、ポリマー中に低分子材料の混合溶液を塗布/乾燥すると、乾燥する際に低分子材料が表層に出てきたり、塗布膜中に偏析したりする現象が見られることに起因する（表１：従来技術１、３参照）。
【０００７】
【表１】
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【０００８】
（２）発光ドーパント材料がホール、電子をトラップする機能が低い。これはホストが共役系ポリマーの場合に顕著である。共役系ポリマーの場合にはホストポリマー分子内をホールと電子が優先的に流れてしまうため、発光ドーパントがホール、電子をトラップし難いと予想される（表１：従来技術１、２参照）。
（３）発光ドーパント材料の開発が遅れていた。これは、上記２つの理由により、高分子塗布型有機ＥＬデバイスの分野においては、ホスト＋発光ドーパントの系が蒸着系ＥＬ（低分子ＥＬ）に比べてその効果が薄かったために、材料の開発が遅れていたと考えられる。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、特に発光の高効率化、長寿命化を可能にする発光層として、ホスト材料と発光ドーパントとを有してなる有機ＥＬ化合物を提供するとともに、これを用いた有機ＥＬデバイスを提供することを目的としている。詳しくは、本発明の発光ドーパントおよび有機ＥＬデバイスは可視光領域で発光し、発光効率および輝度半減寿命が改良された有機ＥＬ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために鋭意研究した結果、以下の知見を得た。
上記（１）に示した課題に対しては、以下のような解決策を採ることが出来る。
・発光ドーパントを高分子量化（オリゴマーを含む）することにより、塗布後の乾燥時に発光ドーパントがブリーディング（析出または偏析）しないようにすることが出来る。
上記（２）に示した課題に対しては、以下のような解決策を採ることが出来る。
【００１１】
・上記（１）の解決策における、高分子量化する際の分子設計の方針として、ホールまたは電子をホスト材料よりも優先的にトラップし得る官能基を発光ドーパント分子内に組み込むことにより、ドーパントの機能を向上させる。特に、ホールトラップ機能を有する官能基を分子内に組み込むことにより、ドーパントとしての機能を向上させる。
・ドーパント中の発光中心とホールトラップ機能を有する官能基とはπ共役で連結していることが好ましい。これはπ共役させることにより、発光中心が直接ホールトラップしたことと同じ効果がえられるためである。
・ホールトラップ性を向上させる目安としては、ホスト材料のＩＰ（イオン化ポテンシャル）値であり、ホスト材料と同等以上に酸化され易いことが必要である。
・用いる発光層のホスト材料はその繰り返し単位での結合が非共有結合でポリマー化されていることが好ましい。
これは有機ＥＬの有機層内でのキャリア（電子または正孔）移動のメカニズムに寄るところが大きく、メカニズムは２種類ある。
一つめは、π共役系分子が有している、ＬＵＭＯ以上の分子軌道準位内の移動。これは移動するにおいて、障害が小さく、移動度が高いと言われている。
二つめは、分子間のホッピングによる移動である。これは例え同一材料であっても異なる分子であれば障害が大きく、移動度が遅いといわれている。
よって、共役系高分子の場合にはキャリア（電子または正孔）の移動度が高いため、発光層中に存在する発光ドーパントがキャリアをトラップし難いと考えられる。そこで、ホスト材料のその繰り返し単位での結合が非共有結合にすることによりキャリア（電子または正孔）の移動を遅くすることが可能になるために、ホストからドーパントへキャリアを移動させる確率を向上させることが出来ると考えるからである。
・ホスト材料はある程度の大きさの分子量を有している方がよい。これは、分子量がある程度の大きさを有すると、ＥＬ素子の劣化に繋がる材料の結晶化の防止や、温度に対する構造安定性を増すと考えるからである。そして、本発明者はこのような知見を基にさらに研究を重ねた結果、以下の知見を得た。
【００１２】
塗布型の有機ＥＬ素子において、発光層がホスト材料と発光ドーパントとを併用する素子において、発光層内のホール（正孔）量をコントロールするためには、ホール輸送性の機能を有する材料を発光層内に微量添加することが有効であることが判明した。
【００１３】
さらにまた、素子を作製するにおいて、発光層と陰極の間に蒸着成膜により電子輸送層兼ホールブロック層、例えばＡｌｑ３（トリスアルミキノリノール）などを積層すると特性がさらに向上することを見出した。そして本発明者はこのような知見の基にさらに研究を重ねた結果、本発明を完成させた。
【００１４】
すなわち、本発明の塗布型の有機ＥＬデバイスは、発光層が最低１種類のホストおよび最低１種類のゲスト（発光ドーパント）より成り、該ホスト材料がその繰り返し単位において非共役で結合した高分子材料であり、かつ該発光ドーパント材料としては、π共役系オリゴマー分子である。
【００１５】
上記ホスト材料としてはポリエチレンにナフタレン、アントラセン、フルオレン、ピレン、ペリレン、フェナントレン、などのポリアセンと称され、分類される化合物（誘導体を含む）をペンダント的にポリエチレンに結合させたポリマー化合物が好ましい。
【００１６】
有機ＥＬ用のホスト材料として用いる場合には電気的な酸化、還元に対して安定であることが求められること、および発光ドーパントにエネルギーを付与するためにはＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）とＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）とのエネルギーギャップがホスト材料の方が発光ドーパントよりも大きいことが望ましい点から、アントラセン、フルオレン、ピレン、フェナントレン誘導体化合物をペンダント的にポリエチレンに結合させたポリマー化合物がより好ましい。
【００１７】
なお、上記ＨＯＭＯ(最高占有分子軌道)の測定については、理研計器株式会社の光電子分光装置（ＡＣ−１）などを利用して求めることができる。
また、ＨＯＭＯ(最高占有分子軌道)とＬＵＭＯ(最低非占有分子軌道)とのエネルギーギャップについては、使用するホスト材料の薄膜吸収スペクトルを用いて測定することができ、一般的には吸収スペクトルの最大長波長での吸収端をエネルギーギャップとして用いている。さらに、ＬＵＭＯの真空準位については、上記ＨＯＭＯの真空準位とＨＯＭＯ−ＬＵＭＯのギャップより簡単に求めることができる。
【００１８】
ホスト材料の分子量については範囲を明確にすることは難しいが、その必要特性として耐熱性（熱安定性）を有すること（ガラス転位温度が高いこと）、結晶性が小さいこと（アモルファス性が高いこと）、塗布後の乾燥工程において発光ドーパントが偏析しないこと等を考慮すると分子量は１０，０００から２００，０００程度である。有機ＥＬ素子特性の観点からは分子量が大きいことに問題は無いが、分子量が高すぎると製造工程に問題が発生してくる。特に、インクジェット装置を用いて成膜する際には、分子量が大きすぎると粘度が高くなり、所望の溶液濃度で使用できないために、膜厚が不足する事態になる。
【００１９】
具体的なホスト材料の構造式としては下記式（１）〜式（３）で示されるが、その限りではない。
【００２０】
【化１】
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【００２１】
【化２】
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【００２２】
【化３】
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【００２３】
上記発光ドーパントとしては、発光中心を有したオリゴマー分子であることが好ましい。発光中心とは、発光ドーパントの一部分を指し、強い蛍光／燐光を発することが可能な有機分子骨格を意味し、発光の波形がこの部分によってほぼ決定される部分骨格を意味する。発光ドーパントには発光中心の他にホールトラップ性官能基を有しており、ホールトラップ性官能基としてはトリアリールアミン、チオフェンなどが好ましい。
【００２４】
発光ドーパントの分子量については範囲を明確にすることは難しいが、分子の構成として、発光中心およびホール輸送ユニットを有し、さらにブリーディングしないこと、さらにπ共役を広げつつ、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどの溶媒への溶解特性を維持しなければならないことを加味すると、発光ドーパントの分子量下限値は発光ホスト材料の分子量の１／１０〜１／２０程度が適当と思われる。よって、分子量下限値は２０００程度であり、上限は２０、０００程度である。
【００２５】
発光中心の材料としては、ジフェニルナフタセン、テトラフェニルナフタセン、ジフェニルベンゾフルオランテン、テトラフェニルジインデノペリレン、ペリレン、ジスチリルアミン、スチリルジアミン、ジスチリルジアミンおよびそれらの誘導体など、低分子蒸着系で使用される化合物が挙げられる。
【００２６】
発光中心の具体的な材料構造式としては下記式（４）〜式（１１）で示されるが、その限りではない。
【００２７】
【化４】
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【００２８】
【化５】
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【００２９】
【化６】
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【００３０】
【化７】
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【００３１】
【化８】
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【００３２】
【化９】
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【００３３】
【化１０】
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【００３４】
【化１１】
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【００３５】
発光ドーパント全体としては、発光中心の他にトリフェニルアミンユニット、フルオレンユニット、フェニル基をそれぞれが独自に有していることが望ましい。
【００３６】
上記トリフェニルアミンユニットは発光層内を流れてきた正孔（ホール）をトラップすることが可能であるので、ＥＬ発光するにおいて有利である。
【００３７】
一方フルオレンユニットは発光層内を流れてきた電子をトラップすることが可能であるので、ＥＬ発光するにおいて有利である。
さらには、溶解性を高くするためにはフルオレンユニット、およびフルオレンの９位にアルキル鎖を導入することによりフルオレンの安定化とともに、材料の溶解性を上げることが可能となる。アルキル鎖の炭素の数は、少ないと、溶解性の改善効果が小さく、多いと塗布成膜後の乾燥時の熱による分解反応が進行するので、実用的な炭素の数は３〜１０個程度である。
また、フェニル基は発光ドーパント末端をキャップする目的で導入することが好ましい。合成原料にもよるが、簡易的に合成するのであれば、原料にハロゲン（特に臭素）を有しているものを使用して、鈴木カップリング反応などを駆使して合成するために、末端がハロゲンのままになってしまう。そこで、末端がハロゲンにならないうように、フェニル基を導入することが好ましい。
原材料にハロゲンが残っているとＥＬ素子に悪影響をおよぼし、特許文献６にあるように、好ましくない。
【００３８】
発光ドーパントの具体的な材料構造式としては下記式（１２）〜式（１９）で示されるが、その限りではない。
【００３９】
【化１２】
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【００４０】
【化１３】
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【００４１】
【化１４】
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【００４２】
【化１５】
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【００４３】
【化１６】
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【００４４】
【化１７】
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【００４５】
【化１８】
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【００４６】
【化１９】
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上記発光ドーパントはホールトラップすることが可能であるため、これを有機ＥＬデバイスの発光層に用いることにより、発光層中を流れてくるホールをトラップすることで発光ドーパントがカチオンを生成する。すると、このカチオンが発光層中を流れている電子をトラップすることにより、該ポリマー分子内で再結合が起こり、発光ユニットである上記式（１）の分子ユニットがＥＬ発光するようになる。
【００４７】
ここで、上記の「再結合」とは、発光ドーパントがトラップしたホールと電子とにより、発光中心の分子が励起状態になることを意味している。
すなわち、上記の「励起状態」から「基底状態」への緩和する過程において放出されるエネルギーが、ＥＬ発光として観測されるのである。
このような構成のもとに、該ポリマー分子を有機ＥＬデバイスに使用することにより、特に高効率で長寿命なＥＬ素子を得ることができる。
【００４８】
また、発光層中において発光ドーパントは均一に分散していることが好ましく、混合割合は通常の場合重量比で、ホスト材料：発光ドーパント＝１００：０．５〜１００：１０である。これは、発光ドーパントが少なすぎると、トラップできるキャリア、エネルギーをトラップできる量が不十分なため、十分な輝度が得られなく、また多すぎると発光ドーパント同士での濃度消光により十分な発光を得られなくなるからである
【００４９】
ところが、本発明に使用する発光ドーパントはオリゴマー分子であるため、発光ドーパント中の発光中心が占める重量を計算して指標とすることが好ましい。
【００５０】
つまり、発光層中における上記発光ドーパントと上記ホスト材料とは、下記式（２０）で示される重量％表示のｋ値が、０．５重量％以上、１０．０重量％以下となるような割合で含有されているのが好ましい。
ｋ＝（ａ／（ｂ＋ｃ））×１００  …式（２０）
（ただし、上記式（２０）中のａは、上記発光ドーパント材料中での、発光中心で示されるユニットが占める重量であり、ｂは使用された発光ドーパント材料の重量であり、ｃは使用されたホスト材料の重量である。）
【００５１】
また、上記有機ＥＬデバイスにおいては、上記発光層が、スピンコート法もしくはインクジェット法などの液滴吐出法により塗布されて作製されているのが好ましい。
このように、上記の有機ＥＬ用化合物がスピンコート法もしくは液滴吐出法により塗布されて発光層が作製されていることにより、この有機ＥＬデバイスは良好な発光効率、輝度半減寿命特性を有するものとなる。
ここで、上記の有機ＥＬ用化合物はオリゴマーまたはポリマー分子であるため、ホスト材料のポリマーとの相溶性が良好である。したがって、発光層中において、ホスト材料と発光ドーパント材料とを均一に分散させることが可能になる。
なお、上記の有機ＥＬ用化合物は分子量が大きいため、蒸着成膜法では一部または全部が蒸着時に分解してしまい、得られる有機ＥＬデバイスの特性を損なってしまう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下、本発明を詳細に説明する。まず、本発明の有機ＥＬ用化合物の実施形態について、その合成例に基づき説明する。
【００５３】
（有機ＥＬ用化合物）
本発明の有機ＥＬデバイスに使用したホスト材料および発光ドーパントを以下の合成方法を用いて合成した。
【００５４】
ホスト材料１〜３の合成は特許文献５を参考にし、合成を行った。
実際の合成ルートに関しては図１〜図３に示した。
【００５５】
発光ドーパントの代表例として式（１２）、式（１４）、式（１５）、式（１７）、式（１９）の合成ルートを図４〜図１５に示した。
【００５６】
ホスト１〜３の詳細な合成方法を下記に示した。
【００５７】
本発明に使用したホスト１化合物を下記の様にして合成した。
【００５８】
【化１】
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【００５９】
＜合成例１＞（中間体：[９−（オルトビフェニリル）−アントラセン]の合成）
アルゴン置換した３００ｍｌのシュレンク管に２−ブロモビフェニル７．２ｇ（３．１Ｅ−２ｍｏｌ）を計量した。そこへ十分に脱水したＴＨＦ（テトラヒドロフラン）５０ｃｍ3を投入し、−７８℃（ドライアイスアセトン）で冷却した。冷却後、１．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液１５．４ｃｍ3を滴下ロートを使用して、１０分かけて投入した。冷却を保持したまま、１時間反応させた。次に、冷却を保持したまた、アントロン３ｇ（１．５４Ｅ−２ｍｏｌ）を正確に計量後、投入した。アントロンを投入後、１時間程度冷却を続け、１時間後に室温に戻した。ほぼ室温に戻ったことを確認後、蒸留水２０ｃｍ3およびトルエン１００ｃｍ3を加え、攪拌を続けた。
反応溶液を１リットルの分液ロートに移し、十分なトルエンを加え、十分な蒸留水にて分液洗浄を行った。有機層をビーカーに取り出し、硫酸マグネシウム５ｇを加え、１分程度攪拌後直ぐにろ紙を用いて硫酸マグネシウムを除いた。次に有機層をエバポレーターを用いて適度に濃縮した。そこへヘキサンを加え、沈澱をさせた。再度、この沈殿物をろ紙にて分離した。５００ｃｍ3のナスフラスコにこの乾燥させた沈殿物を投入し、１００ｃｍ3のＴＨＦにて溶解させた。そこへ、３５％のＨＣｌ溶液を１０ｃｍ3程度加え、１時間室温にて反応させた。１時間後トルエン１００ｃｍ3を投入後、分液ロートに移し、トルエンと蒸留水で十分に洗浄した。有機層をビーカーに取り出し、硫酸マグネシウム５ｇを加え、１分程度攪拌後直ぐにろ紙を用いて硫酸マグネシウムを除いた。次に有機層をエバポレーターを用いて溶媒を乾固した。次に、２０ｃｍ3程度のジクロロメタンで溶解させ、４０ｃｍ3程度のメタノールを加えて沈澱させて濾別し、乾燥させ、９−（オルトビフェニリル）−アントラセンを取り出した。
薄黄色：２．３ｇ（４５％収率）
【００６０】
＜合成例２＞（中間体：[９−ブロモ−１０−（オルトビフェニリル）−アントラセン]の合成）
９−（オルトビフェニリル）−アントラセン２．３ｇ（７．０Ｅ−３ｍｏｌ）を２００ｃｍ3のナスフラスコに投入し、そこへＤＭＦ（ジメチルホルムアルデヒド）を５０ｃｍ3程度投入して溶解させた。さらにそこへ、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）１．２４ｇ（７．０Ｅ−３ｍｏｌ）を投入後室温にて５時間反応させた後、十分な蒸留水を添加させて、ろ物を回収した。ろ物はシリカゲルクロマトグラフィーを用いて精製を行った。
黄色：２．５ｇ（８８％収率）
【００６１】
＜合成例３＞（中間体：[９−（オルトビフェニリル）−１０−スチリル−アントラセン]の合成）
アルゴン置換した３００ｃｍ3のシュレンク管にの合成例２のブロモ体２．５ｇ（６．１Ｅ−３ｍｏｌ）およびスチレンボロン酸１．０ｇ（６．７Ｅ−３ｍｏｌ）を投入した。そこへ蒸留エタノール５０ｃｍ3、蒸留トルエン１００ｃｍ3を加えて溶液とした。そこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）０．２ｇおよび炭酸ナトリウムの飽和水溶液を３０ｃｍ3添加し、８０℃にて過熱した。４時間後、加熱を終了した。室温まで冷却させたあと、分液ロートに移し、トルエンと蒸留水にて十分に洗浄した。有機層を取り出し、硫酸マグネシウムで乾燥をおこなった。エバポレータを用いて溶媒を濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行った。
黄色：２．１ｇ（８０％収率）
【００６２】
＜合成例４＞目的物ポリマーの合成（式（１）の合成）
アルゴン置換した５０ｃｍ3のシュレンク管に合成例３の中間体２．１ｇ（４．９Ｅ−３ｍｏｌ）を投入した。そこへ、十分に乾燥させたＴＨＦ３ｃｍ3を加えた。さらに、ＢＰＯ（過酸化ベンゾイル）を小スパチュラ１杯加え、緩やかにリフラックスさせた。
反応は１２時間反応させた。最初は原料が溶解していなかったが、反応の進行と共に完全溶解していた。
反応後、溶液をエタノール中にゆっくりと滴下し、目的物を沈澱させた。
精製は再沈殿法のみでおこなった。
ジクロロメタンで溶解させ、ヘキサン中に滴下させて沈澱させる工程を２回、メタノール中に滴下して沈澱させる工程を２回行った。
薄黄色：１．０ｇ（回収率５０％）
【００６３】
本発明に使用したホスト２化合物を下記の様にして合成した。
【００６４】
【化２０】
2008244053.tif 000024
【００６５】
＜合成例５＞（中間体：アントラセンのホウ酸体の合成）
アルゴン置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に合成例２の様にして合成したアントラセンのブロモ体３．０ｇ（７．３Ｅ−３ｍｏｌ）を計量した。そこへ十分に脱水したＴＨＦ（テトラヒドロフラン）５０ｃｍ3を投入し、−７８℃（ドライアイスアセトン）で冷却した。冷却後、１．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液５．５ｃｍ3を滴下ロートを使用して、１０分かけて投入した。冷却を保持したまま、１時間反応させた。次に、冷却を保持したまた、ホウ酸トリエチル１．１ｇ（７．３Ｅ−３ｍｏｌ）を正確に計量後、投入した。１時間後室温に戻し、３５％の塩酸水溶液を少しずつ加えて中和した。ＰＨ試験紙にて中性になった時点で、添加を中止した。中和後３００ｃｍ3の分液ロートに移し、ＴＨＦ５０ｃｍ3を加えた後、飽和ＮａＣｌ溶液５０ｃｍ3を加えて洗浄した。この操作を３度繰り返して洗浄した。有機層をエバポレーターで濃縮後、少量のＴＨＦで溶解させたものにヘキサンを加えてホウ酸体を取り出した。
白色：２．０ｇ（７４％）
【００６６】
＜合成例６＞（中間体：ジアントラセンの誘導体の合成）
アルゴン置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に合成例５で合成したホウ酸体２．０ｇ（５．３Ｅ−３ｍｏｌ）および、９，１０−ジブロモアントラセン５．４ｇ（１．６Ｅ−２ｍｏｌ）を投入した。そこへ蒸留エタノール２０ｃｍ3、蒸留トルエン４０ｃｍ3を加えて溶液とした。そこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）０．２ｇおよび炭酸ナトリウムの飽和水溶液を２０ｃｍ3添加し、８０℃にて過熱した。４時間後、加熱を終了した。室温まで冷却させたあと、分液ロートに移し、トルエンと蒸留水にて十分に洗浄した。有機層を取り出し、硫酸マグネシウムで乾燥をおこなった。エバポレータを用いて溶媒を濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行った。
薄黄色：２．５ｇ（８０％収率）
【００６７】
＜合成例７＞（中間体：ポリマー前駆体ビニル化合物の合成）
アルゴン置換した３００ｃｍ3のシュレンク管に合成例６で合成したジアントラセン誘導体２．５ｇ（４．３Ｅ−３ｍｏｌ）、スチレンボロン酸０．６３ｇ（４．３Ｅ−３ｍｏｌ）を投入した。そこへ蒸留エタノール５０ｃｍ3、蒸留トルエン１００ｃｍ3を加えて溶液とした。そこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）０．２ｇおよび炭酸ナトリウムの飽和水溶液を２０ｃｍ3添加し、８０℃にて過熱した。５時間後、加熱を終了した。室温まで冷却させたあと、分液ロートに移し、トルエンと蒸留水にて十分に洗浄した。有機層を取り出し、硫酸マグネシウムで乾燥をおこなった。エバポレータを用いて溶媒を濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行った。
薄黄色：２．１ｇ（８０％収率）
【００６８】
＜合成例８＞（目的物ポリマーの合成（式（２）の合成））
アルゴン置換した５０ｃｍ3のシュレンク管に合成例３の中間体２．１ｇ（３．４Ｅ−３ｍｏｌ）を投入した。そこへ、十分に乾燥させたＴＨＦ４ｃｍ3を加えた。さらに、ＢＰＯ（過酸化ベンゾイル）を小スパチュラ１杯加え、緩やかにリフラックスさせた。
反応は１２時間反応させた。最初は原料が溶解していなかったが、反応の進行と共に完全溶解していた。
反応後、溶液をエタノール中にゆっくりと滴下し、目的物を沈澱させた。
精製は再沈殿法のみでおこなった。
ジクロロメタンで溶解させ、ヘキサン中に滴下させて沈澱させる工程を２回、メタノール中に滴下して沈澱させる工程を２回行った。
薄黄色：１．２ｇ（回収率５７％）
【００６９】
本発明に使用したホスト３化合物を下記の様にして合成した。
【００７０】
【化３】
2008244053.tif 000025
【００７１】
＜合成例９＞（２−ブロモ７−オルトビフェニリル−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレンの合成）
アルゴン置換した３００ｃｍ3のシュレンク管に２，７−ジブロモ９，９−ジ-n-オクチルフルオレン３ｇ（５．５Ｅ−３ｍｏｌ）と２−ボロン酸ビフェニル１．１ｇ（５．５Ｅ−３ｍｏｌ）を投入した。そこへ蒸留エタノール５０ｃｍ3、蒸留トルエン１００ｃｍ3を加えて溶液とした。そこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）０．２ｇおよび炭酸ナトリウムの飽和水溶液を２０ｃｍ3添加し、８０℃にて過熱した。５時間後、加熱を終了した。室温まで冷却させたあと、分液ロートに移し、トルエンと蒸留水にて十分に洗浄した。有機層を取り出し、硫酸マグネシウムで乾燥をおこなった。エバポレータを用いて溶媒を濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行った。
白色：３ｇ（８８％収率）
【００７２】
＜合成例１０＞（中間体：ポリマー前駆体ビニル化合物の合成）
アルゴン置換した３００ｃｍ3のシュレンク管に、合成例９の中間体３ｇ（４．８Ｅ−３ｍｏｌ）とスチレンボロン酸０．７ｇ（４．７Ｅ−３ｍｏｌ）を投入した。そこへ蒸留エタノール５０ｃｍ3、蒸留トルエン１００ｃｍ3を加えて溶液とした。そこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）０．２ｇおよび炭酸ナトリウムの飽和水溶液を２０ｃｍ3添加し、８０℃にて過熱した。５時間後、加熱を終了した。室温まで冷却させたあと、分液ロートに移し、トルエンと蒸留水にて十分に洗浄した。有機層を取り出し、硫酸マグネシウムで乾燥をおこなった。エバポレータを用いて溶媒を濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行った。
白色：２．６ｇ（８４％）
【００７３】
＜合成例１１＞（目的物ポリマーの合成（式（３）の合成））
アルゴン置換した５０ｃｍ3のシュレンク管に合成例３の中間体２．５ｇ（３．８Ｅ−３ｍｏｌ）を投入した。そこへ、十分に乾燥させたＴＨＦ４ｃｍ3を加えた。さらに、ＢＰＯ（過酸化ベンゾイル）を小スパチュラ１杯加え、緩やかにリフラックスさせた。
反応は１２時間反応させた。最初は原料が溶解していなかったが、反応の進行と共に完全溶解していた。
反応後、溶液をエタノール中にゆっくりと滴下し、目的物を沈澱させた。
精製は再沈殿法のみでおこなった。
ジクロロメタンで溶解させ、ヘキサン中に滴下させて沈澱させる工程を２回、メタノール中に滴下して沈澱させる工程を２回行った。
薄黄色：１．５ｇ（回収率６０％）
【００７４】
発光ドーパント式（１２）、式（１４）、式（１５）、式（１７）、式（１９）の詳細な合成方法を下記に示した。ポリマーを合成するにあたり、共通な中間体材料があるのでそちらを先に示した。
【００７５】
＜合成例１２＞（２−ブロモ−９，９−ｎ−オクチルフルオレニル−７−ボロン酸の合成）
Ar置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に、２，７−ジブロモ−９，９−ジ−n−オクチルフルオレン４ｇ（７．３ＥＥ−３ｍｏｌ）、およびナトリウム乾燥させたTHF１００ｃｍ3を加えて溶液とした。
この溶液を−７０℃に冷却した。そこへ１．５ｍｏｌ/ｌのn−ブチルリチウムヘキサン溶液４．９ｃｍ3を添加し、１時間放置した。冷却を保持したままボロン酸トリエチル１．１ｇ（７．５Ｅ−３ｍｏｌ）を添加し１．５時間反応させた。反応後、反応液を５℃において４０％HCl水溶液５ｃｍ3を添加した。１時間後、飽和炭酸ナトリウム水溶液を用いてPHが７になるように中和した。次に分液ロートを使用して有機層（THF層）を分離した。分離したTHF溶液に硫酸マグネシウムを適量加えて水分を除去した。ろ紙を用いて硫酸マグネシウムを除いた後、ヘキサンを加えて目的物を析出させた。
精製は再沈殿法にて行った。溶媒としてTHFとヘキサンを使用した。（図４参照）
【００７６】
＜合成例１３＞（４−ブロモ−トリフェニルアミノボロン酸の合成）
Ar置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に、市販の４，４’−ジブロモ−トリフェニルアミン４ｇ（９．９Ｅ−３ｍｏｌ）、およびナトリウム乾燥させたTHF１００ｃｍ3を加えて溶液とした。
この溶液を−７０℃に冷却した。そこへ１．５mol/ｌのn−ブチルリチウムヘキサン溶液９．９ｃｍ3（１．４８Ｅ−２ｍｏｌ）を添加し、１時間放置した。冷却を保持したままボロン酸トリエチル１．９ｇ（１．３Ｅ−２ｍｏｌ）を添加し１．５時間反応させた。反応後、反応液を５℃において４０％HCl水溶液５ｃｍ3を添加した。１時間後、飽和炭酸ナトリウム水溶液を用いてPHが７になるように中和した。次に分液ロートを使用して有機層（THF層）を分離した。分離したTHF溶液に硫酸マグネシウムを適量加えて水分を除去した。ろ紙を用いて硫酸マグネシウムを除いた後、ヘキサンを加えて目的物を析出させた。
精製は再沈殿法にて行った。溶媒としてTHFとヘキサンを使用した。（図５参照）
白色（薄緑色に着色）固体：１．４ｇ（収率４０％）
【００７７】
本発明に使用した発光ドーパント式（１２）化合物を下記の様にして合成した。
【００７８】
【化１２】
2008244053.tif 000026
【００７９】
＜合成例１４＞（中間体：５，１２−ビス−４ブロモフェニル−テトラセン誘導体の合成）
（アルコール体の合成）
Ar置換した５００ｃｍ3のシュレンク管に、２ｇ（７．７Ｅ−３ｍｏｌ）の５，１２−テトラセンキノン、溶媒用として乾燥させたテトラヒドロフラン１００ｃｍ3を投入し、−７８℃（ドライアイスにて冷却）に冷却した。別途、３００ｃｍ3のシュレンク管に４．６ｇ（１．９Ｅ−２ｍｏｌ）の１，４−ジブロモベンゼンを計量し、投入した。そこへ溶媒として乾燥させたテトラヒドロフラン１００ｃｍ3を投入し、−７８℃（ドライアイスにて冷却）に冷却した。
冷却後、１．５ｍｏｌ/ｌのn−ブチルリチウムヘキサン溶液１１．３ｃｍ3を添加し、１時間放置した。放置後、大気に触れないように注意しながら、Li液をテトラセンキノンの溶液にスポイトにて添加した。３時間はドライアイスでの冷却を継続させたまま反応させ、３時間後には室温放置にて一晩反応させた。  反応後、トルエン、蒸留水を添加し分液ロートにて十分に洗浄後、有機層を５ｇの硫酸マグネシウムにて乾燥後、エバポレータにて溶媒を除去した。精製はシリカゲルクロマトグラフィ−および、再沈殿により行った。シリカゲルクロマトグラフィーにおける展開溶媒はトルエン。再沈殿はジクロロメタン、ヘキサンを用いた。（図６参照）
白色固体：３．５ｇ（収率８４％）
【００８０】
＜合成例１５＞（５，１２−ビス−ｐ−ブロモフェニルナフタセンの合成）
大気下、３００ｃｍ3のナスフラスコに、先に合成したアルコール中間体３．０ｇ（５．２２Ｅ−３ｍｏｌ）を計量/投入し、そこへ溶媒として酢酸１５０ｃｍ3を計量/投入した。別途、塩化スズ（II）の塩酸（３５％）溶液（塩化スズ：塩酸＝１：１（重量比））を調製し、２０ｃｍ3を先のアルコール中間体の酢酸溶液に投入した。室温にて３時間反応後、トルエンを添加して分液ロートを使用して蒸留水にて十分に洗浄を行った。
十分に洗浄後、有機層を５ｇの硫酸マグネシウムにて乾燥後、エバポレータにて溶媒を除去した。精製はシリカゲルクロマトグラフィ−および、再沈殿により行った。シリカゲルクロマトグラフィーにおける展開溶媒はトルエン：ヘキサン＝１：２。再沈殿はジクロロメタン、ヘキサンを用いた。（図６参照）
白色固体：２．３ｇ（収率８２％）
【００８１】
＜合成例１６＞（発光ドーパント式（１２）化合物の合成）
Ar置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に、先に合成した（合成例１５）テトラセン誘導体０．５ｇ（９．２９Ｅ−４ｍｏｌ）、４−ブロモ-トリフェニルアミノボロン酸（合成例１３）０．６８ｇ（１．８６Ｅ−３ｍｏｌ）を投入し、そこへ蒸留エタノール５０ｃｍ3、蒸留トルエン１００ｃｍ3を加えて溶液とした。そこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）０．１ｇおよび炭酸ナトリウムの飽和水溶液を３０ｃｍ3添加し、８０℃にて過熱した。１時間後、２−ブロモ−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレニル−７−ボロン酸（合成例１２）１．９ｇ（３．７２Ｅ−３ｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）０．１ｇを加えて５時間反応させた。
ついで市販のフェニルボロン酸０．２３ｇ（１．８６Ｅ−３ｍｏｌ）を加えてさらに５時間反応させた。反応後、加熱下で空気を反応液にバブリングにて３０分間送入した。
次に反応液を室温まで冷却後、１リットルの分液ロートに移しトルエン抽出をすると共に蒸留水で十分に洗浄を行った。分液ロート中のトルエン層を硫酸マグネシウムで十分に乾燥後、シリカゲルクロマトグラフィーおよび再沈殿を用いて精製を行った。
再沈殿精製に用いた溶媒はジクロロメタン／ヘキサンを用いた系およびジクロロメタン／メタノールを用いた系である。（図７参照）
黄色固体：０．５２ｇを得た。（２２％：分子量２５７４として計算）
【００８２】
本発明に使用した発光ドーパント式（１４）化合物を下記の様にして合成した。
【００８３】
【化１４】
2008244053.tif 000027
【００８４】
＜合成例１７＞（５．６−ジフェニルアセナフチレン（中間体）の合成）
Ar置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に、５，６−ジブロモアセナフチレン５ｇ（１．６１Ｅ−２ｍｏｌ）、び市販のフェニルボロン酸を４．１３ｇ（３．４Ｅ−２ｍｏｌ）、を計量した。そこへ蒸留エタノール５０ｃｍ3、蒸留トルエン１００ｃｍ3を加えて溶液とした。そこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）１．１ｇおよび炭酸ナトリウムの飽和水溶液を３０ｃｍ3添加し、８０℃にて１０時間反応させた。
反応後、反応液を室温まで冷却させ１リットルの分液ロートに移しトルエン抽出をすると共に蒸留水で十分に洗浄を行った。分液ロート中のトルエン層を硫酸マグネシウムで十分に乾燥後、シリカゲルクロマトグラフィーおよび再沈殿を用いて精製を行った。
シリカゲルクロマトグラフの展開溶媒はヘキサンとトルエンの混合溶媒を用いた。再沈殿精製に用いた溶媒はジクロロメタン／ヘキサンを用いた。（図８参照）  黄色固体：３ｇを得た。（回収量として６０％収率）
MS＋：３０４  確認
【００８５】
＜合成例１８＞（３，４，７，１２−テトラフェニルベンゾ[k]フルオランテン誘導体の合成）
Ar置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に、先に合成した５，６−ジフェニルアセナフチレン（合成例１７）３ｇ（９．９Ｅ−３ｍｏｌ）および、１，３−ビス（４−ブロモフェニル）イソベンゾフラン４．２ｇ（９．９Ｅ−３ｍｏｌ）を計量し、投入した。溶媒として蒸留乾燥させたキシレン１００ｃｍ3を加え、１３０℃にて２４時間反応させた。
反応後、目的中間体をクロロホルムにて抽出を行った。精製はシリカゲルクロマトグラフィーおよび再沈殿を行った。シリカゲルクロマトグラフィーではトルエンを展開溶媒として使用した。再沈殿にはジクロロメタン、ヘキサンを使用した。（図８参照）
中間体  白色固体：３．２ｇ（収率４４％）を得た。
次に上記中間３ｇを５００ｃｍ3のフラスコに投入し、そこへ酢酸２００ｃｍ3を投入し、１３０℃で１時間過熱した。加熱後１００℃まで温度を下げた後、４８％HBr水溶液を３０ｃｍ3添加した。３０分加熱後、水を投入して固形分を回収した。
固形分を蒸留水、メタノールで十分洗浄後、目的物の分離精製はシリカゲルクロマトグラフィーおよび再沈殿法を用いた。シリカゲルクロマトグラフィーではトルエンとヘキサンの混合溶媒を展開溶媒として使用した。再沈殿にはジクロロメタン、ヘキサンを使用した。（図８参照）
黒紫色固体：２．２ｇ（収率７６％）
M+：７１４  確認
【００８６】
＜合成例１９＞（発光ドーパント式（１４）化合物の合成）
ブロモ原料として合成例１８の材料を用いた以外は合成例１６と同様にして合成した。（図９参照）
黄色固体：０．６ｇを得た。（４３％：分子量２７４６として計算）
【００８７】
本発明に使用した発光ドーパント式（１５）化合物を下記の様にして合成した。
【００８８】
【化１５】
2008244053.tif 000028
【００８９】
＜合成例２０＞（１−ブロモフェニル−３−フェニルイソベンゾフランの合成）
Ar置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に、１，４−ジブロモベンゼン５．０ｇ(２．１２Ｅ−２ｍｏｌ)を計量投入した。そこへ無水THF（テトラヒドロフラン）１００ｃｍ3を投入し、溶液とした。この溶液を−５０℃冷却した後、ｎＢｕＬｉヘキサン溶液(１．５ｍｏｌ／ｌ)１２．７ｃｍ3(１．９Ｅ−２ｍｏｌ)を投入し、冷却を保持したまま１．５時間攪拌放置した。次に冷却を保持した状態にて３-フェニルフタリド４ｇ(１．９Ｅ−２ｍｏｌ)を加えた。２時間後室温に戻し、３５％の塩酸水溶液３０cm3を添加した。１時間後に分液ロートにてトルエン抽出を行い、蒸留水にて十分に洗浄した。トルエン溶液を濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィーにて、目的物を分取した（展開溶媒はトルエン：ヘキサン＝1：４）。
黄色固体４．６５ｇを得た（収率７０％）。（図１０参照）
【００９０】
＜合成例２１＞（ジシクロペンタ[cd,lm]ペリレン（中間体）の合成）
Ar置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に、５，６−ジブロモアセナフチレン５ｇ（１．６１Ｅ−２ｍｏｌ）、溶媒として乾燥させたジメチルホルムアミド（DMF）７０ｃｍ3を投入し、９０℃で加熱溶解させた。そこへ、Ni(COD)２を４．５ｇ（１．６１Ｅ−２ｍｏｌ）、２,，２’−ビピリジン２．５２ｇ（１．６１Ｅ−２ｍｏｌ）、およびシクロオクタジエン（１ｃｍ3）を加えて、５時間９０℃で反応させた。
反応後、反応溶液を室温まで冷却させ、そこへメタノール５０ｃｍ3と４５％塩酸水を１５ｃｍ3添加した。沈殿物をろ過にて回収後、十分な水、メタノールで洗浄を行った。
ろ物を３００ｃｍ3のクロロホルムに溶解させ、シリカゲルを通して不純物を除去した。
ジクロロメタン、ヘキサンを用いて再沈殿にて精製を行った。（図１０参照）
黒紫色結晶：０．９ｇ（収率３８％）
【００９１】
＜合成例２２＞（ジブロモ-ジベンゾ[f,f']ジインデノ[１，２，３−cd:１'，２'，３'−lm] ペリレンの合成）
Ar置換した２００ｃｍ3のシュレンク管に、先に合成した１−ブロモフェニル−３−フェニルイソベンゾフラン３ｇ（８．６Ｅ−３ｍｏｌ）（合成例２０）、ジシクロペンタ[cd,lm]ペリレン１ｇ（３．４３Ｅ−３ｍｏｌ）（合成例２１）、および蒸留乾燥させたキシレン１００ｃｍ3３を加え、１３０℃にて２０時間反応させた。
反応後、目的中間体の沈殿物をろ過した。ろ物を３００ｃｍ3の加熱クロロホルムにて洗浄を行った後、目的中間体を回収した。（図１０参照）
中間体  黄色固体：２ｇ（収率６１％）を得た。
次に上記中間体２ｇを５００ｃｍ3のフラスコに投入し、そこへ酢酸２００ｃｍ3を投入し、１３０℃で１時間過熱した。加熱後１００℃まで温度を下げた後、４８％HBr水溶液を３０ｃｍ3添加した。３０分加熱後、水を投入して固形分を回収した。
固形分を蒸留水、メタノールで十分千条後、目的物の分離精製はシリカゲルクロマトグラフィーおよび再沈殿法を用いた。（図１０参照）
黒紫色固体：０．９ｇ（収率４０％）
【００９２】
＜合成例２３＞（発光ドーパント式（１５）化合物の合成）
ブロモ原料として合成例２２の材料を用いた以外は合成例１６と同様にして合成した。（図１１参照）
赤色蛍光体：０．５ｇを得た。（３２％：分子量２９９８として計算）
【００９３】
本発明に使用した発光ドーパント式（１７）化合物を下記の様にして合成した。
【００９４】
【化１７】
2008244053.tif 000029
【００９５】
＜合成例２４＞（中間体：ジブロモ体の合成）
Ａｒ置換された２００ｃｍ3のシュレンク管に、２−ブロモ−６−ブロモメチル−ナフタレン２ｇ（６．７Ｅ−３ｍｏｌ）と亜リン酸トリメチル５ｇを加え、１３０℃で加熱した。３時間後、一旦室温まで冷却後に再び加温し、過剰の亜リン酸トリメチル等を減圧にて留去した。再度Ａｒ置換したシュレンク管に、４，４’−ジホルミルトリフェニルアミン１ｇ（３．３Ｅ−３ｍｏｌ）と、溶媒として十分に乾燥させたＴＨＦ３５ｃｍ3を加え８０℃で加熱した。１０分後、ｔ−ＢｕＯＫ（ｔ−ブトキシカリウム）１．４９ｇ（１．３Ｅ−２ｍｏｌ）を加え、１０時間反応させた。反応後、室温まで冷却させたところへ適量の蒸留水とトルエンを加えた。反応溶液を３００ｃｍ3の分液ロートに移し、トルエン追加し、蒸留水で３回洗浄を行った。エバポレーターで溶媒を除去した。精製はシリカゲルクロマトグラフィーと再沈殿法を用いた。シリカゲルクロマトグラフィーはトルエンとヘキサンの混合液を使用し、再沈殿法はジクロロメタンとメタノールを用いた。（図１２参照）
黄色固体：１．８ｇ（７６％収率）
【００９６】
＜合成例２５＞（発光ドーパント式（１７）化合物の合成）
ブロモ原料として合成例２４の材料を用いた以外は合成例１６と同様にして合成した。（図１３参照）
黄色固体：０．６ｇ得た。（３１％：分子量２７４３として計算）
【００９７】
本発明に使用した発光ドーパント式（１９）化合物を下記の様にして合成した。
【００９８】
【化１９】
2008244053.tif 000030
【００９９】
＜合成例２６＞（中間体：ジブロモ体の合成）
Ａｒ置換された１００ｃｍ3のシュレンク管に、１，４−ビスブロモメチルベンゼン１ｇ（３．８Ｅ−３ｍｏｌ）と亜リン酸トリメチル３ｇを加え、１３０℃で加熱した。３時間後、一旦室温まで冷却後に再び加温し、過剰の亜リン酸トリメチル等を減圧にて留去した。再度Ａｒ置換したシュレンク管に、４−ブロモ−４’−ホルミル−トリフェニルアミン０．６７ｇ（１．９Ｅ−３ｍｏｌ）と、溶媒として十分に乾燥させたＴＨＦ２０ｃｍ3を加え８０℃で加熱した。１０分後、ｔ−ＢｕＯＫ（ｔ−ブトキシカリウム）０．６４ｇ（５．７Ｅ−２ｍｏｌ）を加え、１０時間反応させた。反応後、室温まで冷却させたところへ適量の蒸留水とトルエンを加えた。反応溶液を２００ｃｍ3の分液ロートに移し、トルエン追加し、蒸留水で３回洗浄を行った。エバポレーターで溶媒を除去した。精製はシリカゲルクロマトグラフィーと再沈殿法を用いた。シリカゲルクロマトグラフィーはトルエンとヘキサンの混合液を使用し、再沈殿法はジクロロメタンとメタノールを用いた。（図１４参照）
黄色固体：２．１ｇ（７２％収率）
【０１００】
＜合成例２７＞（発光ドーパント式（１９）化合物の合成）
ブロモ原料として合成例２６の材料を用いた以外は合成例１６と同様にして合成した。（図１５参照）
黄色固体：０．５ｇ得た。（２８％：分子量２８０９として計算）
【０１０１】
尚、上記の各合成に関しては、下記の文献を参考にした。
Macromolecules 1999,32,8685-8688
Can.J.Chem.Vol.70,1015-1021 (1992)
Polymers for Advanced Technologies,15(5),266-269 (2004)
Synthesis ,  (2), 131-133; 1980
Journal of American Chemical Society (1963),85(11),1561-1564
Journal of Organic Chemistry,62(3),530-537
【０１０２】
（有機ＥＬデバイス）
次に、本発明の有機ＥＬデバイスの実施形態について、図１６、図１７を参照して説明する。デバイス構造１として、図１６において符号１００は有機ＥＬデバイスであり、この有機ＥＬデバイス１００は、透光性基板１０１上に透光性の陽極（第１電極）１０２と、陰極（第２電極）１０５とを有し、これら陽極１０２と陰極１０５との間に、機能層を備えたものである。機能層は、正孔注入／輸送層１０３と、発光層１０４とが積層されて構成されている。このような構成からなる有機ＥＬデバイス１００は、発光層１０４で発光した光を透光性基板１０１側から出射するボトムエミッション方式となっている。
【０１０３】
デバイス構造２として、図１７において符号１００は有機ＥＬデバイスであり、この有機ＥＬデバイス１００は、透光性基板１０１上に透光性の陽極（第１電極）１０２と、陰極（第２電極）１０５とを有し、これら陽極１０２と陰極１０５との間に、機能層を備えたものである。機能層は、正孔注入／輸送層１０３と、電子輸送層１０６と発光層１０４とが積層されて構成されている。このような構成からなる有機ＥＬデバイス１００は、発光層１０４で発光した光を透光性基板１０１側から出射するボトムエミッション方式となっている。
【０１０４】
基板１０１は、ガラス基板等の透明基板上にＴＦＴ素子からなる駆動素子や各種配線等を形成して構成されたもので、これら駆動素子や各種配線の上には、絶縁層や平坦化膜を介して陽極１０２が形成されている。陽極１０２は、基板１０１上に形成される画素領域毎にパターニングされて形成され、かつＴＦＴ素子からなる駆動素子や上記各種配線等に接続されたもので、本実施形態ではＩＴＯによって構成されている。
【０１０５】
正孔注入／輸送層１０３は、陽極１０２から注入された正孔を発光層１０４に輸送するもので、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）によって形成されたものである。また、発光層１０４は、上記した本発明の有機ＥＬ用化合物を含有してなる発光層の形成材料により形成されたもので、発光波長帯域が緑色に対応した緑色発光層となっている。このような構成のもとに有機ＥＬデバイス１００は、全体として緑色表示をなすようになっている。
【０１０６】
陰極１０５は、全ての画素領域を覆うようにして形成されたもので、発光層１０４側から順にＬｉＦ層とＣａ層とＡｌ層とが積層されて形成されたものである。また、陰極１０５上には、封止用基板２０１を接合するための封止材２００が形成されている。封止材２００は、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなっている。
【０１０７】
次に、このような構成を有する有機ＥＬデバイス１００の製造方法の一例を説明する。この製造方法は、陽極形成工程と、基板処理工程（プラズマ処理工程）と、正孔注入／輸送層形成工程と、発光層形成工程と、陰極形成工程と、封止工程とを備えている。
【０１０８】
［陽極形成工程］
ガラス等からなる透明基板（図示せず）を用意し、該透明基板上に図示しない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子や各種配線等を公知の方法により形成した。さらに、層間絶縁層や平坦化膜を形成した後、スパッタ法または蒸着法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を全面成膜し、これをフォトリソグラフィ法により画素毎にパターニングすることで画素電極（陽極）１０２を得た。なお、画素電極１０２としては、透光性の導電材料であれば良く、ＩＴＯ以外にもインジウム亜鉛酸化物等を用いて形成することもできる。
【０１０９】
［基板処理工程］
上記の陽極（画素電極）１０２を形成したガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。次に、この透明電極表面を大気圧において酸素プラズマ処理を行い、基板表面を親水性に改質した後、大気下において基板をスピンコートホルダーにセットした。
【０１１０】
［正孔注入／輸送層形成工程］
次に、陽極（画素電極）１０２が形成された基板に、正孔注入／輸送層の形成材料として、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製品のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（重量比で１：２．５）（ＢＡＹＴＲＯＮ（登録商標）Ｐ）の水分散液を大気下にてスピンコーティングし、その後、窒素下にて１００℃で３０分の乾燥を行い、ホール注入／輸送層１０３を形成した。乾燥後の膜厚は５０ｎｍであった。
【０１１１】
[発光層形成工程]
発光層１０４の形成材料として、本発明である、非共役系高分子材料と、共役系発光ドーパントを組み合わせて発光層を形成した。実際には、上記実施形態で作製した有機ＥＬ用化合物である式（１２）、式（１４）、式（１５）、式（１７）、式（１９）（共役系オリゴマー発光ドーパント）の一つと、ＥＬ用ホスト材料（非共役系高分子材料）、式（１）、式（２）、式（３）（ホスト材料）とからなる材料を使用した。これら発光ドーパント材料とホスト材料との組み合わせによって得られた形成材料を、以下の表に示すように実施例１〜実施例１３とする。
【０１１２】
また、比較のため、高分子共役系ホスト材料式（２０）と低分子発光材料の式（４）、式（６）、式（７）、式（９）、式（１１）の材料を組み合わせたものを従来発明１とし、比較例１〜比較例５とした。
【０１１３】
また、比較のために高分子共役系材料（ホスト材料）、式（２０）と上記実施形態で作製した有機ＥＬ用化合物である式（１２）、式（１４）、式（１５）、式（１７）、式（１９）（共役系オリゴマー発光ドーパント）を組み合わせたものを従来発明２とし、比較例６〜１０とした。
【０１１４】
さらに加えて、比較のために非共役系高分子ホスト材料、式（１）または式（２）と低分子発光材料の化式（４）、式（６）、式（７）、式（９）、式（１１）の材料を組み合わせたものを従来発明３とし、比較例１１〜２０とした。
【０１１５】
そして、上記のごとく選択したホスト材料と発光ドーパントとを適宜比で混合し、さらに溶媒に溶解させて溶液（インク）を形成し、この溶液をスピンコート法で上記正孔注入／輸送層１０３の表面上に例えば１００ｎｍの膜厚で成膜し、発光層１０４を形成した。この際、塗布成膜後、窒素下にて１００℃で３０分間乾燥を行った。また、上記溶液を成膜した際、正孔注入／輸送層１０３は相溶することがなかった。
なお、上記の溶液を用い、スピンコート法に代えて液滴吐出法（インクジェット法）で成膜することもできる。
【０１１６】
[電子輸送層形成工程]
デバイス構成２（図１７参照）の場合には、発光層１０４形成後、真空蒸着装置（その真空到達度を１０−７〜１０−８Ｔｏｒｒとした）にて電子輸送層１０６の形成材料としてトリスアルミキノリノール（Ａｌｑ３）を１０ｎｍ蒸着成膜した。
【０１１７】
［陰極形成工程］
デバイス構成１（図１８参照）の場合には発光層１０４形成後、デバイス構成２（図１９）の場合には電子輸送層１０６形成後、真空蒸着装置にて、その真空到達度を１０−７〜１０−８Ｔｏｒｒとして、ＬｉＦを１ｎｍ、Ｃａを５ｎｍ、Ａｌを２００ｎｍ、と順に積層し、陰極１０５を形成した。
［封止工程］
最後に封止工程では、陰極１０５上の全面に熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止材２００を塗布し、封止層を形成した。さらに、封止層（封止材２００）上に封止基板２０１を貼設した。この封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【０１１８】
このようにして、図１６、または図１７に示した有機ＥＬデバイス１００が得られる。
この有機ＥＬデバイス１００において、上記した本発明の有機ＥＬ用化合物を用いて発光層１０４を形成したものでは、後述する実験結果より発光特性（輝度）及び信頼性（輝度半減寿命）に優れたものとなり、したがって、従来に比べ発光の高効率化、長寿命化が図られたものとなる。特に長寿命化が図られたものとなる。
【０１１９】
（実施例および比較例の説明）
上記したようにデバイス構成および、発光層１０４の形成材料について、以下の表２に示すデバイス構成、材料を用いた。また、発光層中のホスト材料、発光ドーパント、ホール輸送性材料の混合比率を表３にまとめた。さらに、実施例毎の素子に５０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度にて電流を流した際の必要電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、輝度半減寿命（ｈｒ）、色度（ｘ，ｙ）を表２にまとめた。
【０１２０】
【表２】
2008244053.tif 000031
【０１２１】
【表３】
2008244053.tif 000032
【０１２２】
なお、表中に記されているデバイス構成１，２はそれぞれ図１８，１９に示した。
【０１２３】
ここで、実施例１においては、上記式（１）で示すホスト材料と上記式（１２）で示す発光ドーパントと、式（２１）で表されるホール輸送補助材とを６．０６：１．０：０．３２の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したようにスピンコート法にて発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１２４】
【化２１】
2008244053.tif 000033
【０１２５】
実施例２おいては、上記式（２）で示すホスト材料と上記式（１２）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを６．０６：１．０：０．３２の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１２６】
実施例３おいては、上記式（１）で示すホスト材料と上記式（１４）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを８．６６：１．０：０．４６の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１２７】
実施例４おいては、上記式（２）で示すホスト材料と上記式（１４）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを８．６６：１．０：０．４６の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１２８】
実施例５おいては、上記式（１）で示すホスト材料と上記式（１５）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを１１．７９：１．０：０．６２の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１２９】
実施例６おいては、上記式（２）で示すホスト材料と上記式（１５）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを１１．７９：１．０：０．６２の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１３０】
実施例７おいては、上記式（２）で示すホスト材料と上記式（１７）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを８．５７：１．０：０．４５の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１３１】
実施例８おいては、上記式（２）で示すホスト材料と上記式（１９）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを９．４７：１．０：０．５０の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１３２】
実施例９においては、上記式（１）で示すホスト材料と、上記式（１２）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを６．０６：１．０：０．３２の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したようにスピンコート法にて発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は２を用いた。
【０１３３】
実施例１０においては、上記式（１）で示すホスト材料と上記式（１４）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを８．６６：１．０：０．４６の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は２を用いた。
【０１３４】
実施例１１においては、上記式（１）で示すホスト材料と上記式（１５）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを１１．７９：１．０：０．６２の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は２を用いた。
【０１３５】
実施例１２においては、上記式（２）で示すホスト材料と上記式（１７）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを８．５７：１．０：０．４５の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は２を用いた。
【０１３６】
実施例１３においては、上記式（２）で示すホスト材料と上記式（１９）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを９．４７：１．０：０．５０の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は２を用いた。
【０１３７】
比較例１においては、式（２０）で示すπ共役系ホスト材料と上記式（４）で示す低分子発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを４６．５５：１．０：２．４５の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したようにスピンコート法にて発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１３８】
【化２０】
2008244053.tif 000034
【０１３９】
比較例２においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（６）に変更した以外は比較例１と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４０】
比較例３においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（７）に変更した以外は比較例１と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４１】
比較例４においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（９）に変更した以外は比較例１と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４２】
比較例５においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（１１）に変更した以外は比較例１と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４３】
比較例６においては、上記式（２０）で示すπ共役系ホスト材料と上記式（１２）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを６．０６：１．０：０．３２の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したようにスピンコート法にて発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４４】
実施例７においては、上記式（２０）で示すπ共役系ホスト材料と上記式（１４）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを８．６６：１．０：０．４６の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４５】
実施例８においては、上記式（２０）で示すπ共役系ホスト材料と上記式（１５）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを１１．７９：１．０：０．６２の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４６】
実施例９においては、上記式（２０）で示すπ共役系ホスト材料と上記式（１７）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを８．５７：１．０：０．４５の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４７】
実施例１０においては、上記式（２０）で示すπ共役系ホスト材料と上記式（１９）で示す発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを９．４７：１．０：０．５０の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したように発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４８】
比較例１１においては、上記式（１）で示すホスト材料と上記式（４）で示す低分子発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを４６．５５：１．０：２．４５の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したようにスピンコート法にて発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１４９】
比較例１２においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（６）に変更した以外は比較例１１と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１５０】
比較例１３においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（７）に変更した以外は比較例１１と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１５１】
比較例１４においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（９）に変更した以外は比較例１１と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１５２】
比較例１５においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（１１）に変更した以外は比較例１１と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１５３】
比較例１６においては、上記式（２）で示すホスト材料と上記式（４）で示す低分子発光ドーパントと、上記式（２１）で表されるホール輸送補助材とを４６．５５：１．０：２．４５の混合比（重量比）で使用し、これをクロロホルムに溶解させて固形分が１．５ｗｔ％の溶液（インク）を得た。そして、この溶液（インク）を用いて上記したようにスピンコート法にて発光層１０４を形成し、実施例品としての有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１５４】
比較例１７においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（６）に変更した以外は比較例１６と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１５５】
比較例１８においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（７）に変更した以外は比較例１６と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１５６】
比較例１９においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（９）に変更した以外は比較例１６と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１５７】
比較例２０においては、使用する低分子発光ドーパントを上記式（１１）に変更した以外は比較例１６と同様にして作製し、有機ＥＬデバイスを得た。
なお、デバイス構成は１を用いた。
【０１５８】
（デバイス評価）
上記の各有機ＥＬデバイスに対し、その発光層１０４に直流５０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度が流れるように電圧を印加し、発光させた。
【０１５９】
なお、得られた発光の色度、輝度、及び輝度半減寿命（初期輝度に対して輝度が半分になるまでの時間）をそれぞれ測定し、結果を上記の表に併記した。
【０１６０】
なお、実施例１において、上記電流密度で、輝度半減寿命は４５０ｈｒであった。同様に、実施例２において、輝度半減寿命は４８０ｈｒであった。同様に、実施例３において、輝度半減寿命は３００ｈｒであった。同様に、実施例４において、輝度半減寿命は３２０ｈｒであった。同様に、実施例５において、輝度半減寿命は５００ｈｒであった。同様に、実施例６において、輝度半減寿命は５５０ｈｒであった。同様に、実施例７において、輝度半減寿命は３００ｈｒであった。同様に、実施例８において、輝度半減寿命は３５０ｈｒであった。同様に、実施例９において、輝度半減寿命は４７０ｈｒであった。同様に、実施例１０において、輝度半減寿命は３５０ｈｒであった。同様に、実施例１１において、輝度半減寿命は６００ｈｒであった。同様に、実施例１２において、輝度半減寿命は３３０ｈｒであった。同様に、実施例１３において、輝度半減寿命は４００ｈｒであった。同様に、比較例１において、輝度半減寿命は１５０ｈｒであった。同様に、比較例２において、輝度半減寿命は９０ｈｒであった。同様に、比較例３において、輝度半減寿命は２００ｈｒであった。同様に、比較例４において、輝度半減寿命は８０ｈｒであった。同様に、比較例５において、輝度半減寿命は１１０ｈｒであった。同様に、比較例６において、輝度半減寿命は２３０ｈｒであった。同様に、比較例７において、輝度半減寿命は１１０ｈｒであった。同様に、比較例８において、輝度半減寿命は２５０ｈｒであった。同様に、比較例９において、輝度半減寿命は１００ｈｒであった。同様に、比較例１０において、輝度半減寿命は１２０ｈｒであった。同様に、比較例１１において、輝度半減寿命は７０ｈｒであった。同様に、比較例１２において、輝度半減寿命は７０であった。同様に、比較例１３において、輝度半減寿命は１００ｈｒであった。同様に、比較例１４において、輝度半減寿命は６０ｈｒであった。同様に、比較例１５において、輝度半減寿命は８０ｈｒであった。同様に、比較例１６において、輝度半減寿命は８０ｈｒであった。同様に、比較例１７において、輝度半減寿命は７０ｈｒであった。同様に、比較例１８において、輝度半減寿命は１２０ｈｒであった。同様に、比較例１９において、輝度半減寿命は７０ｈｒであった。同様に、比較例２０において、輝度半減寿命は９０ｈｒであった。
【０１６１】
以上の結果より塗布型の有機ＥＬ素子において、発光層が最低１種類のホストおよび最低１種類のゲスト（発光ドーパント）を有しており、該ホスト材料がその繰り返し単位において非共役で結合した高分子材料であり、かつ該発光ドーパント材料としては、π共役系オリゴマー分子である材料を選択することにより、輝度半減寿命の優れたものとなり、したがってデバイス信頼性（輝度半減寿命）に優れていることが確認された。よって、本発明の有機ＥＬでバイスは、長寿命化が図られたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】ホスト材料（式１）の合成ルート例。
【図２】ホスト材料（式２）の合成ルート例。
【図３】ホスト材料（式３）の合成ルート例。
【図４】発光ドーパント合成時の共通中間体の合成ルート例。
【図５】発光ドーパント合成時の共通中間体の合成ルート例。
【図６】発光ドーパント（式１２）合成時の中間体の合成ルート例。
【図７】発光ドーパント（式１２）の合成ルート例。
【図８】発光ドーパント（式１４）合成時の中間体の合成ルート例。
【図９】発光ドーパント（式１４）の合成ルート例。
【図１０】発光ドーパント（式１５）合成時の中間体の合成ルート例。
【図１１】発光ドーパント（式１５）の合成ルート例。
【図１２】発光ドーパント（式１７）合成時の中間体の合成ルート例。
【図１３】発光ドーパント（式１７）の合成ルート例。
【図１４】発光ドーパント（式１９）合成時の中間体の合成ルート例。
【図１５】発光ドーパント（式１９）の合成ルート例。
【図１６】有機ＥＬ発光素子の構成例を表す。
【図１７】有機ＥＬ発光素子の構成例を表す。
【図１８】有機ＥＬ発光素子の膜厚構成を表す。
【図１９】有機ＥＬ発光素子の膜厚構成を表す。
【符号の説明】
【０１６３】
１００…有機ＥＬデバイス、１０１…透光性基板、１０２…陽極（画素電極）、１０３…正孔注入／輸送層、１０４…発光層、１０６…電子輸送層、１０５…陰極、２００…封止材、２０１…封止基板。
【図１】
2008244053.tif 000035
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008244053.tif 000041
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2008244053.tif 000049
【図１６】
2008244053.tif 000050
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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