(57)【要約】【課題】安価で傷がつきにくく、電磁遮蔽機能と反射防止機能を同時に有し、反射率の低減と色調の調整を両立することが容易で、外観特性が良好な遊技盤前面ガラス及び遊技機を提供する。【解決手段】ガラス板２１上に下地膜２４、フッ素ドープ酸化錫膜２５、第１の酸化珪素膜２６に形成された多層膜２３とを備えるガラス１１であって、下地膜２４は酸化錫膜２４ａ、第２の酸化珪素膜２４ｂの順に形成された２層膜であり、フッ素ドープ酸化錫膜２５は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４Ω・ｃｍ以上１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であり、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、第１の酸化珪素膜２６の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、酸化錫膜２４ａ及び第２の酸化珪素膜２４ｂの厚みがいずれも１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板上に下地膜、フッ素ドープ酸化錫膜、第１の酸化珪素膜の順に形成された多層膜とを備える遊技盤前面ガラスであって、
前記下地膜は酸化錫膜、第２の酸化珪素膜の順に形成された２層膜であり、
前記フッ素ドープ酸化錫膜は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４Ω・ｃｍ以上１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であって、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記第１の酸化珪素膜の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、前記酸化錫膜及び前記第２の酸化珪素膜の厚みがいずれも１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であることを特徴とする遊技盤前面ガラス。
【請求項２】
ガラス板上に下地膜、フッ素ドープ酸化錫膜、第１の酸化珪素膜の順に形成された多層膜とを備える遊技盤前面ガラスであって、
前記下地膜はＳｉＯＣ膜からなる単一膜であり、
前記フッ素ドープ酸化錫膜は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４Ω・ｃｍ以上１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であって、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記第１の酸化珪素膜の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、前記ＳｉＯＣ膜の厚みが１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であることを特徴とする遊技盤前面ガラス。
【請求項３】
請求項１又は２記載の遊技盤前面ガラスが遊技盤の前面に取り付けられていることを特徴とする遊技機。
【請求項４】
パチンコ機であることを特徴とする請求項３記載の遊技機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遊技盤前面ガラス及び遊技機に関し、特に、ガラスの外側から発射される電波を遮断する遊技盤前面ガラス及び遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パチンコ機などの遊技盤の前面に取り付けられるガラス（以下「遊技盤前面ガラス」という。）の構造については、「風俗営業等の規則及び業務の適正化等に関する法律」により、その規格が決められている。すなわち、(1)遊技盤全体の構造の見通しを妨げるものではないこと、(2)遊技盤上の遊技球の位置を確認することができるものであること、(3)凹凸がないことである。この規格を満たすべく、従来より遊技盤前面ガラスとして厚さ３ｍｍの透明ガラス（ＦＬ３）が多く用いられている。
【０００３】
最近、市販の無線機、それを改造したもの、あるいは携帯電話などを用いて遊技盤前面ガラスの外側から遊技盤めがけて不正な電波を発射させることにより、パチンコ機の出玉を操作する電磁誘導式のスタートセンサ、賞球センサあるいはＣＰＵ基板などを誤動作させて「大当たり」としてしまう不正行為が増えている。一般に、ガラスは、絶縁材に近くその電気抵抗値が大きいので、従来のように透明ガラス（ＦＬ３）を遊技盤前面ガラスに用いたのでは、かかる不正な電波を遊技盤前面ガラスが遮断することはできない。
【０００４】
このような不正行為の防止策として、パチンコ機の前面ガラスとして、電磁遮蔽機能を有する酸化錫膜付きガラスを使用する従来技術１（例えば、特許文献１）や、通常のフロートガラスに電子遮蔽機能を有するフィルムを張ったガラスを使用する従来技術２（例えば、特許文献２）が知られている。
【０００５】
一方、ホールの証明や各種表示灯が発する光の反射防止や映り込み防止のため、無反射コーティングガラスを用いる従来技術３も開示されている（例えば、特許文献３）。
【特許文献１】特開２０００−２１６５９０号公報
【特許文献２】特開平９−２１９５９７号公報
【特許文献３】特開２００４−２６７４２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術１〜３のように、電磁遮蔽機能と反射防止機能のいずれか一方の機能を有するものはすでに実用化されているが、これらの両機能を同時に有する遊技盤前面ガラスはガラスに夫々別の手法で両機能を追加する必要があり高価であるためまだ実用化されていない。
【０００７】
一方、従来技術２のように、フィルムをガラスの表面に付した場合、傷がつきやすいという問題があった。フィルムの材質は樹脂であり、ガラスに比べてその硬度は低いからである。この問題は、フィルムをガラスを遊技盤側（内側）の表面に付せば解消するが、ガラス外側の表面における反射率の方が、その内側の表面における反射率よりも実質的に高いため、反射防止効果が小さくなるという新たな問題が生じる。
【０００８】
本発明の目的は、安価で傷がつきにくく、電磁遮蔽機能と反射防止機能を同時に有し、る反射率の低減と色調の調整を両立することが容易で、外観特性が良好な遊技盤前面ガラス及び遊技機を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の遊技盤前面ガラスは、ガラス板上に下地膜、フッ素ドープ酸化錫膜、第１の酸化珪素膜の順に形成された多層膜とを備える遊技盤前面ガラスであって、前記下地膜は酸化錫膜、第２の酸化珪素膜の順に形成された２層膜であり、前記フッ素ドープ酸化錫膜は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４Ω・ｃｍ以上１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であって、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記第１の酸化珪素膜の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、前記酸化錫膜及び前記第２の酸化珪素膜の厚みがいずれも１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であることを特徴とする。
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項２記載の遊技盤前面ガラスは、ガラス板上に下地膜、フッ素ドープ酸化錫膜、第１の酸化珪素膜の順に形成された多層膜とを備える遊技盤前面ガラスであって、前記下地膜はＳｉＯＣ膜からなる単一膜であり、前記フッ素ドープ酸化錫膜は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４Ω・ｃｍ以上１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であって、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記第１の酸化珪素膜の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、前記ＳｉＯＣ膜の厚みが１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の遊技機は、請求項１又は２記載の遊技盤前面ガラスが遊技盤の前面に取り付けられていることを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の遊技機は、請求項３記載の遊技機において、パチンコ機であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ガラス板上に下地膜、フッ素ドープ酸化錫膜、第１の酸化珪素膜の順に形成された多層膜とを備える遊技盤前面ガラスであって、下地膜は酸化錫膜、第２の酸化珪素膜の順に形成された２層膜であり、フッ素ドープ酸化錫膜は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４Ω・ｃｍ以上１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であって、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、第１の酸化珪素膜の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、前記酸化錫膜及び前記第２の酸化珪素膜の厚みがいずれも１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であるので、安価で傷がつきにくく、電磁遮蔽機能と反射防止機能を同時に有し、反射率の低減と色調の調整を両立することが容易で、外観特性が良好な遊技盤前面ガラスを提供することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、ガラス板上に下地膜、フッ素ドープ酸化錫膜、第１の酸化珪素膜の順に形成された多層膜とを備える遊技盤前面ガラスであって、下地膜はＳｉＯＣ膜からなる単一膜であり、フッ素ドープ酸化錫膜は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４Ω・ｃｍ以上１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であって、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、第１の酸化珪素膜の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、ＳｉＯＣ膜の厚みが１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であるので、安価で傷がつきにくく、電磁遮蔽機能と反射防止機能を同時に有し、反射率の低減と色調の調整を両立することが容易で、外観特性が良好な遊技盤前面ガラスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究を行った結果、ガラス板上に下地膜、フッ素ドープ酸化錫膜、第１の酸化珪素膜の順に形成された多層膜とを備える遊技盤前面ガラスであって、下地膜は酸化錫膜、第２の酸化珪素膜の順に形成された２層膜であり、フッ素ドープ酸化錫膜は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４〜１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であって、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、第１の酸化珪素膜の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、酸化錫膜及び第２の酸化珪素膜の厚みがいずれも１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であると、安価で傷がつきにくく、電磁遮蔽機能と反射防止機能を同時に有し、反射率の低減と色調の調整を両立することが容易で、外観特性が良好な遊技盤前面ガラスを提供することができることを見出した。
【００１６】
本発明は、上記知見に基づいてなされたものである。
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述する。
【００１８】
図１は、本発明の実施の形態における遊技機としてのパチンコ機の外観を示す図であり、（ａ）は正面図であり、（ｂ）はその側面図である。
【００１９】
図１において、パチンコ機１は、その前面にある遊技盤９を覆う形で取り付けられているガラス板３と、その下側に設けられている玉受皿５やレバー８等とを備える。
【００２０】
図２は、図１の矢印Ａ−Ａ方向から視た遊技盤９の前面を覆うガラス板３の取り付け状態を示す断面図である。
【００２１】
図２において、ガラス板３は２枚のガラス１１，１２からなり、２重枠構造となっているガラス枠１５の溝１５ａ、１５ｂにそれぞれはめ込まれている。遊技盤９から遠い外側のガラス１１（遊技盤前面ガラス）は通常の透明なガラス板（ＦＬ３）２１に図３で後述する多層膜２３がその外側表面に被膜されており、遊技盤９に近い内側のガラス１２は通常の透明なガラス板（ＦＬ３）である。
【００２２】
図３は、図２のガラス１１の構造を示す図である。
【００２３】
図３において、ガラス１１は厚さ３ｍｍの透明なガラス板（ＦＬ３）２１の片側表面に多層膜２３が形成されたものである。
【００２４】
多層膜２３は、ガラス板２１の表面に下から順に下地膜２４、フッ素ドープ酸化錫膜２５、第１の酸化珪素膜２６を成膜して形成されるものである。このように、ガラス表面に反射防止用に樹脂からなるフィルム（モース硬度：１．５〜３．０）を貼る代わりに、無機多層膜を形成し、最外面に第１の酸化珪素膜２６（モース硬度：４．５〜６．５）を形成しているので、ガラス１１はその表面に反射防止膜用の樹脂を貼り付けた場合と比べて硬度を有することができ、傷防止ができる。
【００２５】
ここで、酸化錫膜２４ａ及び第２の酸化珪素膜２４ｂは主に反射色調整を行い、フッ素ドープ酸化錫膜２５は主に電磁場遮蔽性を確保し、第１の酸化珪素膜２６は主に反射防止機能を確保するものである。酸化錫膜２４ａ、第２の酸化珪素膜２４ｂ、フッ化ドープ酸化錫膜２５，第１の酸化珪素膜２６を適切に制御することによって、反射色調調整、電磁場遮蔽性、反射防止機能の全てを確保することが可能となる。
【００２６】
従って、図４（ａ）に示すように、通常のガラスの可視光の反射率は両面で８％となるので、図４（ｂ）に示すように、第１の酸化珪素膜２６での可視光の反射率が７％以下となるようにその膜厚が決定される。具体的には、第１の酸化珪素膜２６の膜厚は、５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下の範囲が好ましい。
【００２７】
また、反射率の低減と色調の調整を両立することが容易とし、且つ多層膜２３の側の反射色調をＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で測定したときに、ａ＊が−８〜＋８、ｂ＊が−８〜＋８となるような良好な外観特性とするには、下地膜２４を酸化錫膜２４ａ、第２の酸化珪膜２４ｂの順に形成された２層膜とするのが好ましい。さらには、酸化錫膜２４ａ及び第２の酸化珪素膜２４ｂの膜厚を、いずれも１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満とするのが好ましい。ここで、酸化錫膜２４ａ及び第２の酸化珪素膜２４ｂの膜厚は、上記範囲内にあれば膜厚は同じでなくてもよい。
【００２８】
また、第１の酸化珪素膜２６の屈折率は、フッ素ドープ酸化錫膜２５の屈折率より低いので、反射防止機能が発揮される。このとき、フッ素ドープ酸化錫膜２５はその添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４〜１．５×１０−３となる量であって、その膜厚は、３００ｎｍ以上が好ましい。これにより、フッ素ドープ酸化錫膜２５は、その表面抵抗を確実に１５Ω／□以下とすることができ、膜内に自由電子が存在するようになるので、電磁波遮蔽性能として０．１〜３ＧＨｚに対して２０ｄＢ以上のシールド性能を発揮するからである。ここで、表面抵抗の値は比抵抗に比例し、膜厚に反比例するものであるが、例えば、比抵抗が４×１０−４Ω・ｃｍであるときのフッ素ドープ酸化錫膜２５は、その膜厚が３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍのときの抵抗は夫々１３．３Ω／□、１１．４Ω／□、１０．０Ω／□となり、その表面抵抗を確実に１５Ω／□以下とすることができる。
【００２９】
一方、フッ素ドープ酸化錫膜２５は、その膜厚が１５００ｎｍ以上であるとき、ガラス１１の透過性が不十分となり、さらには膜亀裂が発生しやすく、耐久性が低下する。よって、ガラス１１が透過性、耐久性を有するようにするには、フッ素ドープ酸化錫膜２５を１４００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の膜厚となるよう形成するのが好ましい。
【００３０】
尚、下地層２４の代わりに、ＳｉＯＣ，ＳｉＳｎＯを積層したもの、あるいはこれらの一方のみの単層のものをガラス２１の表面に成膜して、ガラス１１を形成するようにしてもよい。
【００３１】
以上、ガラス１１を図３に示すような構成とすることにより、安価で傷がつきにくく、電磁遮蔽機能と反射防止機能を同時に有する遊技盤前面ガラスとすることができる。
【００３２】
図５は、図３の多層膜２３をガラス板２１に成膜する方法を説明するのに用いられる図である。
【００３３】
図５において、多層膜２３はオンラインＣＶＤ法、すなわち、フロート法におけるガラスリボン上にＣＶＤ法により成膜される。
【００３４】
具体的には、溶融炉（フロート窯）５０から錫フロート槽（フロートバス）５１内に流れ出し、錫浴５２上を帯状に移動するガラスリボン５３の表面から所定距離を隔て、所定個数のコータ５４（図示した形態では３つのコータ５４ａ，５４ｂ，５４ｃ）が配置されている。コータの数や配置は、形成する被膜の種類や厚さに応じて適宜選択される。これらのコータ５４ａ，５４ｂ，５４ｃからは、ガス状の原料が供給され、ガラスリボン５３上に連続的に被膜が形成されていく。このように、複数のコータ５４ａ，５４ｂ，５４ｃを利用すれば、ガラスリボン５３上に、上記３つの膜２４，２５，２６からなる多層膜２３を、ＣＶＤ法により連続的に形成することができる。多層膜２３が形成されたガラスリボン５３は、ローラ５５により引き上げられて、徐冷窯５６へと送り込まれる。なお、徐冷窯５６で徐冷されたガラスリボン５３は、不図示の切断装置により切断され、所定の大きさのガラス１１となる。
【００３５】
なお、ガラスリボン５３上への成膜は、ＣＶＤ法とスプレー法とを併用して行ってもよい。例えば、ＣＶＤ法とスプレー法とをこの順に実施することにより（例えば、錫フロート槽５１空間内においてＣＶＤ法による成膜を実施し、錫フロート槽５１空間よりガラスリボン５３の進行方向下流側においてスプレー法による成膜を実施することにより）、所定の積層構造を実現してもよい。
【００３６】
フッ素ドープ酸化錫膜２５、酸化錫膜２４ａをＣＶＤ法で成膜する場合の錫原料としては、四塩化錫、ジメチル錫ジクロライド、ジブチル錫ジクロライド、テトラメチル錫、テトラブチル錫、ジオクチル錫ジクロライド、モノブチル錫トリクロライドなどが挙げられ、特にジメチル錫ジクロライド、モノブチル錫トリクロライドなどの有機錫塩化物が好ましい。また、錫原料から酸化錫を得るために用いられる酸化原料としては、酸素、水蒸気、乾燥空気などが挙げられる。また、フッ素ドープ酸化錫膜２５を成膜する場合のフッ素原料としては、フッ化水素、トリフルオロ酢酸、ブロモトリフルオロメタン、クロロジフルオロメタンなどが挙げられる。また、アンチモンを添加する場合には、五塩化アンチモン、三塩化アンチモンなどを用いてもよい。
【００３７】
第１の酸化珪素膜２６，第２の酸化珪素膜２４ｂをＣＶＤ法で成膜する場合のシリコン原料としては、モノシラン、ジシラン、トリシラン、モノクロロシラン、ジクロロシラン、１，２−ジメチルシラン、１，１，２−トリメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメチルジシラン、テトラメチルオルソシリケート、テトラエチルオルソシリケートなどが挙げられる。また、この場合の酸化原料としては、酸素、水蒸気、乾燥空気、二酸化炭素、一酸化炭素、二酸化窒素、オゾンなどが挙げられる。なお、シランを使用した場合にガラス表面に到達するまでにシランの反応を防止する目的で、エチレン、アセチレン、トルエンなどの不飽和炭化水素ガスを併用しても構わない。
【００３８】
こうして形成された多層膜２３は、ガラス板２１のトップ面（フロートバス内で錫に接触せずに形成された面）上に積層される。
【００３９】
また、本発明の遊技機は、パチンコ台に以外にゲーム機、スロットルマシンなど他の遊技機に適用することも可能である。
【００４０】
本発明の実施態様の例を以下に列挙する。
〔実施態様１〕ガラス板上に下地膜、フッ素ドープ酸化錫膜、第１の酸化珪素膜の順に形成された多層膜とを備える遊技盤前面ガラスであって、前記下地膜は酸化錫膜、第２の酸化珪素膜の順に形成された２層膜であり、前記フッ素ドープ酸化錫膜は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４Ω・ｃｍ以上１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であって、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記第１の酸化珪素膜の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、前記酸化錫膜及び前記第２の酸化珪素膜の厚みがいずれも１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であることを特徴とする遊技盤前面ガラス。
〔実施態様２〕ガラス板上に下地膜、フッ素ドープ酸化錫膜、第１の酸化珪素膜の順に形成された多層膜とを備える遊技盤前面ガラスであって、前記下地膜はＳｉＯＣ膜からなる単一膜であり、前記フッ素ドープ酸化錫膜は、その添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４Ω・ｃｍ以上１．５×１０−３Ω・ｃｍ以下となる量であって、その厚みが３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記第１の酸化珪素膜の厚みが５０ｎｍより大きく且つ１５０ｎｍ以下であり、前記ＳｉＯＣ膜の厚みが１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であることを特徴とする遊技盤前面ガラス。
〔実施態様３〕オンラインＣＶＤ法により製造されることを特徴とする実施態様１又は２記載の遊技盤前面ガラス。
〔実施態様４〕実施態様１乃至３のいずれか１項に記載の遊技盤前面ガラスが遊技盤の前面に取り付けられていることを特徴とする遊技機。
〔実施態様５〕パチンコ機であることを特徴とする実施態様４記載の遊技台。
〔実施態様６〕前記パチンコ機の前面ガラスは２枚のガラスから成る２重ガラス構造であって、前記遊技盤前面ガラスは前記２枚のガラスのうちの遊技盤側のガラスであることを特徴とする実施態様５記載の遊技台。
【実施例】
【００４１】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００４２】
（実施例１〜９，比較例１〜８）
まず、オンラインＣＶＤ法により、ガラスリボンの表面に下から順に酸化錫膜、第２の酸化珪素膜、フッ素ドープ酸化錫膜、及び第１の酸化珪素膜を成膜する。その後、ガラスリボンを徐冷後、所定の大きさに切断することにより、表１に示す多層膜が厚さ３ｍｍのフロートガラス（日本板硝子社製）に形成されたサンプルを作成する。このとき、上記フッ素ドープ酸化錫膜の添加物（Ｆ）の量は比抵抗が３．０×１０−４〜１．５×１０−３となるように調整した。
【００４３】
（実施例１０）
酸化錫膜、第２の酸化珪素膜を成膜する代わりにＳｉＯＣ膜を形成した点を除き、上記方法と同様の方法で表２に示す多層膜が形成されたサンプルを作成する。
【００４４】
これらのサンプルについて、以下の特性評価を行なった。
【００４５】
外観特性評価
ＪＩＳＺ８７２９の試験方法により、多層膜側からみたサンプルの反射色調をＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で測定した。
【００４６】
この測定の結果、ａ＊の値、及びｂ＊の値が共に−８〜＋８の範囲内にあったサンプルについては外観特性が良好であると評価し、少なくともいずれか一方の値が上記範囲外となったサンプルについては外観特性が不良であると評価した。
【００４７】
反射特性評価
多層膜側からサンプルに光を照射したときの反射率を測定した。
【００４８】
この測定の結果、反射率が７％以下であるサンプルについては、反射特性が良好であると評価し、反射率が７％より大きいサンプルについては、反射特性が不良であると評価した。
【００４９】
膜亀裂特性評価
ＪＩＳ  Ｃ８９３８の「アモルファス太陽電池モジュールの環境試験方法及び耐久性試験方法」の中の「耐湿試験」により膜亀裂が発生するかで評価した。
【００５０】
実施後のサンプルの膜面の目視観察において、ガラス端部から５ｍｍ以上内側となる部分において、膜断面方向に亀裂が発生していないときは良好であると評価し、ガラス端部から５ｍｍ以上内側となる部分において、膜断面方向の亀裂が発生しているときは不良であると評価した。
【００５１】
この測定の結果、亀裂が１箇所も発生しなかったサンプルについては、膜亀裂特性が良好であると評価し、１箇所でも亀裂が発生したサンプルについては、膜亀裂特性が不良であると評価した。
【００５２】
電磁遮断特性評価
ＪＩＳＫ７１９４の試験方法により、サンプルの表面抵抗率を測定した。
【００５３】
この測定の結果、表面抵抗率が１５Ω／□以下であるサンプルについては、電磁遮断特性が良好であると評価し、表面抵抗率が１５Ω／□より大きいサンプルについては、電磁遮断特性が不良であると評価した。
【００５４】
【表１】
2008119321.tif 000003
【００５５】
【表２】
2008119321.tif 000004
【００５６】
実施例１〜９に示すように、酸化錫膜、第２の酸化珪素膜がいずれも１０〜４０ｎｍの範囲にあり、フッ素ドープ酸化錫膜の膜厚が３００〜５００ｎｍの範囲にあり、第１の酸化珪素膜の膜厚が５０ｎｍより大きく、１５０ｎｍ以下であるときは、外観特性評価、反射特性評価、電磁遮断特性評価、及び膜亀裂特性評価のいずれもが良好であるサンプルを作成できることがわかった。
【００５７】
比較例１〜７に示すように、酸化錫膜、第２の酸化珪素膜がいずれも１０〜４０ｎｍの範囲にあり、フッ素ドープ酸化錫膜の膜厚が３００〜５００ｎｍの範囲にあり、第１の酸化珪素膜の膜厚が５０ｎｍより大きく、１５０ｎｍ以下である、との条件を全て満たしていないときは、外観特性評価、反射特性評価、電磁遮断特性評価、及び膜亀裂特性評価の少なくとも一つの特性が不良となることがわかった。
【００５８】
また、実施例１０に示すように、下地層としてＳｉＯＣ膜を形成しても、外観特性評価、反射特性評価、電磁遮断特性評価、及び膜亀裂特性評価のいずれもが良好であるサンプルを作成できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態における遊技機としてのパチンコ機の外観を示す図であり、（ａ）は正面図であり、（ｂ）はその側面図である。
【図２】図１の矢印Ａ−Ａ方向から視た遊技盤の前面を覆うガラス板の取り付け状態を示す断面図である。
【図３】図２のガラスの構造を示す図である。
【図４】図３の第１の酸化珪素膜での可視光の反射率の最適値を説明するのに用いられる図であって、（ａ）は通常のガラスの可視光の反射率を示し、（ｂ）は第１の酸化珪素膜での可視光の反射率を示す。
【図５】図３の多層膜をガラス板に成膜する方法を説明するのに用いられる図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  パチンコ機
３  ガラス板
９  遊技盤
１１，１２  ガラス
２１  ガラス板
２３  多層膜
２４  下地膜
２５  フッ素ドープ酸化錫膜
２６  第１の酸化珪素膜
【図１】
2008119321.tif 000005
【図２】
2008119321.tif 000006
【図３】
2008119321.tif 000007
【図４】
2008119321.tif 000008
【図５】
2008119321.tif 000009