(57)【要約】【課題】試料の水平移動に伴って試料表面高さを一定にするべく高さ制御を行う場合に、高さの変化が急であると高さ制御が追従しきれずに不正確な分析となり、また急な高さ変化に追従可能とすると分析時間が長くなり過ぎる。【解決手段】試料ステージ制御部１０はＸ、Ｙ座標値に応じたＺ座標情報に基づいて試料Ｓの表面高さの変化が急である場合には、水平方向への移動速度を遅くするべく駆動機構６、７を制御する。一方、これによって水平方向への試料Ｓの移動速度が変化するため、Ｘ線パルスの計数の開始・停止を決める同期信号の時間間隔を計測するべく、クロック信号を計数する計数器２３を設け、このクロック信号の計数値でＸ線パルスの計数値を除することで単位時間当たりの値に換算する。これにより、移動速度の変化の影響を受けない正確なＸ線強度を求めることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起線を試料に照射する照射手段と、該励起線の照射を受けた試料上の分析位置から放出された特性Ｘ線や所定の粒子による信号を検出する検出手段と、励起線に対して試料の位置を移動させることで前記分析位置を走査する走査手段とを含み、前記分析位置を試料面上の所定の一次元又は二次元範囲内で移動させながら前記検出手段により信号を収集し、その信号強度に基づいて試料表面の元素や組成に関する情報を求める表面分析装置において、
a)前記照射手段や前記検出手段に対する試料表面の高さが一定になるように前記走査手段による走査に伴って高さ方向に試料の位置を制御する試料高さ制御手段と、
b)前記試料高さ制御手段による高さ方向の制御量に応じて前記走査手段による水平方向への試料の走査速度を変化させる走査速度制御手段と、
c)前記試料高さ制御手段により高さ方向の試料の位置が制御されつつ前記走査速度制御手段の制御の下で前記走査手段により試料が走査される際に、試料上の２つの分析位置の間で前記試料が移動するに要する時間を計測する時間計測手段と、
d)前記２つの分析位置の間で試料が移動する間に励起線の照射に応じて前記検出手段により得られた信号強度情報と前記時間計測手段により計測された時間とに基づいて単位時間当たりの信号強度を算出する演算処理手段と、
を備えることを特徴とする表面分析装置。
【請求項２】
前記時間計測手段により計測された時間情報と、前記２つの分析位置の間で試料が移動する間に励起線の照射に応じて前記検出手段により得られた信号強度情報とを対応付けて記憶しておく分析情報記憶手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の表面分析装置。
【請求項３】
前記照射手段は電子線を照射する手段であり、前記検出手段は試料から放出される特性Ｘ線を分光するＸ線分光器と該Ｘ線分光器で波長分散されたＸ線を検出する検出器とを含む波長分散型のＸ線検出器であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料表面に電子線、陽子線、イオン線、高速原子線、α線、Ｘ線などの励起線を照射し、それによって試料から放出される特性Ｘ線やオージェ電子などを検出し、さらに励起線の照射位置を試料表面上で移動させることで試料の一次元範囲又は二次元範囲の元素分布などの画像を得る表面分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線等の粒子線やＸ線などの電磁波を励起線として試料に照射し、そこから放出される種々の粒子やＸ線を検出して画像化する表面分析装置として様々な種類の装置が実用化されている。例えば電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ：電子線プローブ微小部分析装置などともいう）では、微小径に集束させた電子線を励起線として試料に照射する。電子線が照射された試料上の分析位置からは試料に含まれる元素に特有のエネルギーを有する特性Ｘ線が発生するため、この特性Ｘ線を検出してそのエネルギー及び強度を分析することにより、試料上の分析位置付近に存在する元素の同定や定量を行うことができる。
【０００３】
また、こうした表面分析装置では、試料上の所定の一次元範囲又は二次元範囲内で電子線の照射位置を走査して同様の分析を繰り返すことにより、該範囲内全体の各位置の元素やその含有量を調べることができ、それに基づいて試料上の所定の一次元範囲又は二次元範囲における元素の分布を得ることができる。以下の説明では、一次元範囲の分析を行う場合を線分析、二次元範囲の分析を行う場合をマッピング分析という。
【０００４】
ＥＰＭＡでは一般に、励起線である電子線が通過する軌道と特性Ｘ線を検出するための検出器へＸ線が入射する（又は特性Ｘ線を波長分散するための分光結晶へＸ線が入射する）光軸とは同一ではなく両者は斜交している。そのため、上記電子線の軌道と上記Ｘ線の入射光軸との交点に試料表面がある状態がＸ線の集光条件を満たした状態であり、このときに最も正確で高感度の分析ができる。試料表面が水平である場合には一旦Ｘ線の集光条件を満たすように試料の高さを調整すれば、どのような走査を行ってもＸ線の集光条件は常に満たされる。
【０００５】
これに対し試料表面が平坦でなく凹凸がある場合には、上記のような線分析やマッピング分析を行う際に単に試料を水平（Ｘ軸−Ｙ軸方向）に走査しただけであるとＸ線の集光条件が満たされなくなるため、試料表面の高さがＸ線の集光条件を満たすように試料ステージを高さ方向（Ｚ軸方向）に移動させるような制御を行うことが望ましい。こうした試料の高さ方向の位置制御を行う表面分析装置として、例えば特許文献１に記載のＥＰＭＡが知られている。
【０００６】
この装置では、まず試料表面の撮像の焦点合わせをオートフォーカスコントローラで行うことにより試料表面の高さの情報を取得し、これにより試料の表面形状に関する情報を作成しておく。そして、試料に電子線を照射して特性Ｘ線を検出する際には、保存しておいた表面形状情報を利用して、試料内の分析位置の座標（Ｘ、Ｙ座標）に応じた高さ（Ｚ座標）を求め、これに基づいて高さ方向の移動量を駆動回路に指示することで試料ステージをＸ−Ｙ平面内のみならずＺ軸方向にも移動させ、試料表面の高さが一定になるようにしている。
【０００７】
上記従来のＥＰＭＡでは試料ステージの水平方向の移動速度は一定に維持され、その移動速度は分析者が設定した分析条件パラメータ、例えば、全移動距離Ｌ、全移動距離Ｌだけ移動する間の分析点数（サンプリング点数）Ｎ、隣接サンプリング点間の移動に要する時間Ｔ、などによって自動的に決められる。
【０００８】
ところが、移動時間Ｔとして比較的短い時間が設定された場合には、試料表面の高さが急に変化するような部分において、或る分析位置から次の分析位置まで水平移動する時間の間に高さ方向の変化が追従できないような場合がある。その場合には、Ｘ線の集光条件が十分に満たされない条件の下でデータが取得されるため、分析の正確性を欠くことになる。これを避けるには、試料表面の高さが急に変化する部分でも高さ方向の試料ステージの移動が十分に追従するように長い移動時間Ｔを設定するようにしておけばよいが、そうすると試料表面の高さの変化が無い又は小さい部分では無駄な時間が長くなる。そのため、分析所要時間が長くなり、特に分析点数が多いマッピング分析を行う場合には分析に長時間を要してスループットが低下する。
【０００９】
【特許文献１】特許第３３７９６３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
即ち、従来のＥＰＭＡでは、試料表面の高さの変化が大きい場合に、分析の正確性を犠牲にして分析時間を短くするか、或いは、分析時間が長く掛かることを許容して分析の正確性を高めるかのいずれかを選択せざるをえなかった。本発明はこうした課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところは、試料表面の高さが急に変化するような部分でもその変化に十分に追従した正確な分析が行えるとともに、全体としては分析時間が長くなることを回避してスループットの良好な線分析やマッピング分析を行うことができる表面分析装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために成された本発明は、励起線を試料に照射する照射手段と、該励起線の照射を受けた試料上の分析位置から放出された特性Ｘ線や所定の粒子による信号を検出する検出手段と、励起線に対して試料の位置を移動させることで前記分析位置を走査する走査手段とを含み、前記分析位置を試料面上の所定の一次元又は二次元範囲内で移動させながら前記検出手段により信号を収集し、その信号強度に基づいて試料表面の元素や組成に関する情報を求める表面分析装置において、
a)前記照射手段や前記検出手段に対する試料表面の高さが一定になるように前記走査手段による走査に伴って高さ方向に試料の位置を制御する試料高さ制御手段と、
b)前記試料高さ制御手段による高さ方向の制御量に応じて前記走査手段による水平方向への試料の走査速度を変化させる走査速度制御手段と、
c)前記試料高さ制御手段により高さ方向の試料の位置が制御されつつ前記走査速度制御手段の制御の下で前記走査手段により試料が走査される際に、試料上の２つの分析位置の間で前記試料が移動するに要する時間を計測する時間計測手段と、
d)前記２つの分析位置の間で試料が移動する間に励起線の照射に応じて前記検出手段により得られた信号強度情報と前記時間計測手段により計測された時間とに基づいて単位時間当たりの信号強度を算出する演算処理手段と、
を備えることを特徴としている。
【００１２】
本発明に係る表面分析装置において、励起線とは電子線のほか、例えば陽子線、イオン線、高速原子線、α線、Ｘ線などを用いることができる。また、「所定の粒子による信号」とは、例えばオージェ電子、二次電子、反射電子などによる信号のことである。
【００１３】
前述のように従来の表面分析装置では、線分析やマッピング分析を行う際に、試料の表面高さとは無関係に試料の水平方向への移動速度は一定であった。これに対し本発明に係る表面分析装置では、水平方向への移動速度を一定にせず、走査速度制御手段が、高さ方向への移動が十分に追従するように高さ方向の制御量（つまり高さ方向への移動量）に合わせて水平方向への移動速度を変化させるべく走査手段を制御する。具体的には、試料表面の高さの変化が急である、つまり高さ方向への移動量が大きい場合には水平方向への移動速度を遅くし、試料表面の高さの変化が無い又は小さい場合には水平方向への移動速度を速くする。
【００１４】
一方、水平方向への移動速度が変化することで、或る分析位置から次の分析位置まで移動するのに要する時間は必ずしも一定でなくなるため、時間計測手段はこの時間を計測する。例えば特性Ｘ線を検出する場合、或る分析位置から次の分析位置まで試料が相対的に移動される間に入射したＸ線に応じて生成されるパルス信号を計数することで信号強度を求めるが、仮に両分析位置間に存在する元素の濃度が全く同一であったとしても移動時間が相違すると計数値は相違してしまう。そこで、演算処理手段はその信号強度情報を移動速度に応じた移動時間で除することで、単位時間当たりに換算した信号強度を求める。このような換算を行うことにより、水平方向への移動速度の相違の影響がなくなり、一次元領域又は二次元領域内の元素分布や組成分布を正確に得ることができる。
【００１５】
また本発明に係る表面分析装置の一態様として、前記時間計測手段により計測された時間情報と、前記２つの分析位置の間で試料が移動する間に励起線の照射に応じて前記検出手段により得られた信号強度情報とを対応付けて記憶しておく分析情報記憶手段をさらに備える構成としてもよい。
【００１６】
この構成によれば、分析情報記憶手段に記憶してある情報を用いて前記演算処理手段による演算を行うことにより、いつでも単位時間当たりに換算した信号強度を求めて、線分析やマッピング分析の結果としての元素分布や組成分布画像を出力することができる。また、実際に計測により得られたデータ（いわゆる生データ）が保存されていることにより、分析の妥当性や正当性などの検証が容易に行える。
【００１７】
なお、本発明に係る表面分析装置は、特に試料表面の高さが一定でない場合に分析の精度が低下し易いような構成の装置に有用である。具体的には、試料に電子線を照射し、それにより試料から放出される特性Ｘ線を波長分散型のＸ線検出器で検出する構成のＥＰＭＡにおいては、分光結晶でのＸ線の集光条件がシビアであるため、本発明に係る表面分析装置を適用した場合の効果が顕著である。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように本発明に係る表面分析装置によれば、試料表面が凹凸である試料の線分析やマッピング分析を行う際に、試料表面の高さの変化が急である部分でもその高さの変化に十分に追従させて正確な分析が可能であるとともに、高さの変化が無い部分や緩やかな部分では迅速に分析を実行することにより、全体での分析の所要時間が長くなることを回避することができる。それによって、分析の正確性とスループットの向上とを両立させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明に係る表面分析装置の一実施例であるＥＰＭＡについて、図面を参照して説明する。図１は本実施例によるＥＰＭＡの要部の構成図である。
【００２０】
このＥＰＭＡにおいて、電子銃（本発明における照射手段に相当）１から放出された励起線としての電子線Ｅは、偏向コイル２を経て対物レンズ３によって集束されて試料ステージ４上に載置されている試料Ｓの上面に照射される。電子線Ｅの照射を受けると、その位置において試料Ｓに含まれる元素に特有の波長の特性Ｘ線Ｐが放出され、この特性Ｘ線Ｐは検出器（本発明における検出手段に相当）５により検出される。試料ステージ４にはそれぞれモータを含むＸ軸駆動機構６、Ｙ軸駆動機構７、Ｚ軸駆動機構８が設けられ、それら駆動機構６、７、８は試料ステージ制御部（試料高さ制御手段及び走査速度制御手段に相当）１０の制御の下に駆動部９により駆動される。ここでＸ軸方向、Ｙ軸方向は試料ステージ４の表面に水平な面内で互いに直交する方向であり、Ｚ軸方向はＸ軸、Ｙ軸にともに直交する方向、つまり試料Ｓの高さ方向である。
【００２１】
試料Ｓの上方には反射鏡１１が配置され、反射鏡１１で反射した試料Ｓの表面像がＣＣＤカメラ等の撮像装置１２に入力され、オートフォーカス制御部１３を介してモニタ１４の画面上に表示される。オートフォーカス制御部１３は試料ステージ制御部１０を介して試料ステージ４をＺ軸方向に移動させながら自動焦点合わせを行うものであり、それによって試料Ｓ上の各微小領域において合焦となるような高さデータを取得する。オートフォーカス制御部１３による光学像の合焦の高さと特性Ｘ線Ｐの検出のための集光条件を満たす高さとは同一である。Ｘ、Ｙ、Ｚ座標値記憶部１５はオートフォーカス制御部１３により得られる高さデータに基づいて、試料Ｓの表面形状を示すＸ、Ｙ、Ｚ座標データを記憶するためのものであり、Ｚ軸補正データ算出部１６は実際に線分析やマッピング分析を実行する際に、Ｘ−Ｙ面内での水平移動位置に応じて試料Ｓの高さ方向、即ちＺ軸方向の補正情報を算出するものである。
【００２２】
このＥＰＭＡでは、検出器５はエネルギー分散型の検出器であって、入射したＸ線のエネルギーに比例したパルス信号を発生する。波高弁別部２０は検出器５より所望の高さのパルス信号を選別する回路であり、これによって選別されたパルス信号のみを計数器２１で計数する。即ち、目的とする元素による特性Ｘ線に対応するエネルギーを持つパルス信号のみが選別されるように波高弁別部２０を設定しておき、このパルス信号の数を計数することで目的元素の濃度を反映した情報を得るようにしている。従来の装置では、線分析やマッピング分析の際に試料ステージ４を水平方向に移動する速度が一定であるとの前提の下に、波高弁別部２０から出力されるパルス信号を計数した値がＸ線の強度（つまりは元素の濃度）に比例しているとみなし、これを記録するようにしている。
【００２３】
これに対し、本実施例のＥＰＭＡでは、さらにクロック発生部２２で発生するクロック信号を計数する計数器（本発明における時間計測手段に相当）２３を別途設け、該計数器２３によるクロック信号の計数値Ｄｂを上記計数器２１によるパルス信号の計数値Ｄａに対応付けてデータ格納部２４に格納するようにしている。また、除算器（本発明における演算処理手段に相当）２５によりＤａ／Ｄｂを計算し、この値がＸ線の強度（つまりは元素の濃度）に比例しているとみなし、これをデータ処理部２６に送って線分析やマッピング分析における元素分布画像などを作成するための処理を実行する。
【００２４】
次に、線分析やマッピング分析を行う際の上記構成のＥＰＭＡの特徴的な動作を図２〜図４を用いて説明する。
【００２５】
まず分析に際して、分析者は撮像装置１２で撮影した試料Ｓの光学像をモニタ１４で観察し、操作部１８により表面形状情報収集範囲を設定する。表面形状情報収集範囲が決まると、制御部１７の制御の下に試料ステージ制御部１０は駆動部９を介してＸ軸、Ｙ軸駆動機構６、７を駆動し、試料ステージ４を移動させることで試料Ｓ上のＸ、Ｙ座標を設定する。そして、オートフォーカス制御部１３は試料ステージ制御部１０により駆動部９を介してＺ軸駆動機構８を駆動し、試料ＳをＺ軸方向に移動させることで合焦位置を見つけてＺ座標を求める。表面形状情報収集範囲内の各Ｘ、Ｙ座標位置についてそれぞれＺ座標を求めることで、試料Ｓの表面形状に関する情報を取得して、これをＸ、Ｙ、Ｚ座標値記憶部１５に格納する。
【００２６】
図３はＸ、Ｙ、Ｚ座標値記憶部１５の記憶内容の一例を模式的に示した図であり、横軸はＸ軸方向の座標値、縦軸はＺ軸方向の座標値を示している。表面形状情報収集範囲が二次元である場合には、Ｙ軸方向についても同様のＺ座標値の分布の広がりがあると考えればよい。こうした情報を予め記憶しておくことにより、例えば（Ｘ、Ｙ）座標位置が指定されたときにその位置の試料Ｓ表面のＺ座標位置が分かり、これにより表面高さを一定に保つためのＺ軸補正情報を速やかに求めることができる。もちろん、特許文献１に開示されているように、試料表面上の同じ高さをつなぐ等値線を求め、等値線で区切られた領域に同一のＺ軸補正値を割り当てる等の適宜の変形が可能であることは当然である。
【００２７】
線分析やマッピング分析では、分析者は操作部１８より分析条件パラメータを設定する。即ち、上記表面形状情報収集範囲の中で元素分布画像を取得したい分析範囲を定め、その分析範囲内でのサンプリング点数（分析位置の点数）や隣接サンプリング点間の移動時間なども設定する。例えば線分析の場合には、一次元状の分析範囲を決めると、図２に示すように、始点Ａから終点Ｂまでの全移動距離Ｌが決まり、その中で等間隔ΔＬに上記指定の個数のサンプリング点が設定され、さらに基本的な移動速度（走査速度）が決まる。またマッピング分析の場合でも同様に、例えばＸ軸、Ｙ軸方向それぞれに、全移動距離、サンプリング点の位置、移動速度を決めることができる。
【００２８】
上記分析条件が決まると実際に分析範囲の走査を実行して分析を開始する。即ち、制御部１７の制御の下に、試料ステージ制御部１０は移動先であるサンプリング点（分析位置）のＸ、Ｙ座標を受け取るのと並行して、Ｚ軸補正データ算出部１６よりＺ軸補正情報を受け取る。Ｚ軸補正データ算出部１６は制御部１７から指示されたＸ、Ｙ座標に対応するＺ座標位置をＸ、Ｙ、Ｚ座標値記憶部１５から読み出し、これに基づいてＺ軸補正情報を作成する。試料ステージ制御部１０はこのＺ軸補正情報を受けて試料Ｓの表面高さが一定になるようにＺ軸駆動機構８を制御する。これにより試料ステージ４はＺ軸方向に移動つまり上下し、試料Ｓの表面に凹凸があっても、電子線Ｅの軌道と検出器５への特性Ｘ線Ｐの入射光軸との交点に試料Ｓの表面が来るように高さが制御される。
【００２９】
これと同時に試料ステージ制御部１０は、Ｚ軸補正情報に応じて水平方向、つまりＸ軸方向及びＹ軸方向への移動速度を変化させる。即ち、いま或るサンプリング点から次のサンプリング点に向かうときには、両サンプリング点のＺ座標位置の差、つまりは高さの変化の度合いを算出し、この変化が大きいほど水平方向の移動速度を低下させるようにＸ軸駆動機構６、Ｙ軸駆動機構７を制御する。したがって、前述のように設定された分析条件パラメータに基づいて基本的な移動速度は決まるものの、常にこの移動速度で水平方向への移動を行うのではなく、試料Ｓの高さ方向の移動が大きな部分では移動速度を落とし、試料Ｓの高さの移動が無い、つまり水平な部分では上記基本となる移動速度での水平方向への移動を行う。これにより、試料ステージ４のＺ軸方向への大きな移動が必要となる部分でも、この移動が完全に行われる前に次のサンプリング点に達してしまうことがなくなる。また、試料Ｓ表面が水平やそれに近い部分では比較的高速の水平走査が行われるので、トータルの分析時間が長引くのも最小限に抑えられる。
【００３０】
高さの変化の度合いに応じた水平方向の移動速度の設定方法としては、例えば具体的に次のようにすることができる。即ち、１つの方法としては、予めＺ軸補正情報の各ステップ間でＺ軸方向の移動に要する時間を求め、この時間が上記基本的な移動速度で以てステップ間を水平移動するのに要する時間を上回るような領域では、水平方向の移動時間がＺ軸方向の移動の所要時間を上回るような速度を計算して記憶しておく。そして、この結果に基づいて、分析動作中に水平移動距離に応じて逐次水平方向の移動速度を変更する。また別の方法としては、分析動作中にＺ軸補正情報における次のステップまでＺ軸方向に移動するのに要する時間を逐次求める。そして、この時間が基本的な移動速度で以てステップ間を水平移動するのに要する時間を上回る場合には、水平方向の移動時間がＺ軸方向の移動の所要時間を上回るような水平移動速度を計算して速度を変更するようにしてもよい。また、これ以外の設定方法も考え得る。
【００３１】
上記のような試料ステージ４の移動により試料Ｓが次のサンプリング点に到達したタイミングで、制御部１７から同期信号が出力されて計数器２１、２３に送られる。但し、水平方向への移動速度は一定でないため、同期信号が出る時間間隔も一定ではない。いま、図４（ａ）に示すように、或るサンプリング点Ａ１から水平面内にある次のサンプリング点Ａ２まで移動する場合と、同じサンプリング点Ａ１から高さがΔＺだけ相違する次のサンプリング点Ａ３まで移動する場合とについて考えると、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように後者は前者よりも同期信号の発生間隔が長くなる。
【００３２】
計数器２１は同期信号が入力される毎にその時点でのＸ線パルス信号の計数値を内部にラッチして、計数値をリセットし次の計数を開始する。したがって、特性Ｘ線の強度が同一であったとしても同期信号の間隔が長くなるほど計数値は大きくなる。一方、クロック信号を計数する計数器２３も同様に、同期信号が入力される毎にその時点でのクロック信号の計数値を内部にラッチして、計数値をリセットし次の計数を開始する。したがって、同期信号の間隔が長くなるほどこの計数値も大きくなる。それ故に、除算器２５でＸ線パルス信号の計数値をクロック信号の計数値で除すると、単位時間当たりのＸ線パルス信号数に換算することができ、これは単位時間当たりのＸ線強度に対応したものとなる。これは試料Ｓの水平方向への移動速度の変化とは無関係な値となるため、これをデータ処理部２６で処理して元素濃度を算出することにより、正確な線分析又はマッピング分析画像を作成することができる。
【００３３】
また、両計数器２１、２３の計数値はそのままデータ格納部２４に格納しておく。そして、後で線分析画像やマッピング分析画像を求めたい場合には、データ格納部２４に格納してあるデータを読み出して除算器２５で上記のような除算を行ってデータ処理すればよい。これにより、元のデータはそのまま保存されるので、例えば分析結果に疑義があるような場合に、クロック信号の計数値、Ｘ線パルス信号の計数値をそれぞれ確認することで分析の妥当性を検討することも容易である。
【００３４】
なお、上記実施例のＥＰＭＡではエネルギー分散型の検出器を用いていたが、実際にはこうした検出器は入射Ｘ線の方向が光軸から多少傾いていても感度の低下はそれほど顕著ではない。むしろ、入射Ｘ線を分光結晶で波長分散して、特定の波長を有する特性Ｘ線を検出する波長分散型の検出器のほうが、分光結晶の焦点位置がシビアであるために試料Ｓの表面高さをより一層精度良く制御する必要がある。したがって、特にこうした構成の装置において本発明の効果は大きい。こうした波長分散型検出器を用いたＥＰＭＡでは、異なる波長（エネルギー）の特性Ｘ線を同時に検出するために複数の検出器を配置した構成がよく用いられるが、その場合でも同期信号の時間間隔を計測するための手段（例えばクロック発生部２２及び計数器２３）は１つあれば十分である。
【００３５】
また、本発明はＥＰＭＡのみならず、励起線にＸ線を利用した蛍光Ｘ線装置やそのほかの粒子線分析装置にも適用可能である。また、上記実施例は本発明の一実施例であり、本発明の趣旨の範囲で適宜変形、修正、追加を行っても本願特許請求の範囲に包含されることは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施例による電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）の要部の構成図。
【図２】本実施例によるＥＰＭＡにおける線分析の際の分析条件パラメータの説明図。
【図３】本実施例によるＥＰＭＡにおけるＸ、Ｙ、Ｚ座標値記憶部の記憶内容の一例を模式的に示した図。
【図４】本実施例のＥＰＭＡにおける特徴的な動作を説明するための模式図。
【符号の説明】
【００３７】
１…電子銃
２…偏向コイル
３…対物レンズ
４…試料ステージ
５…検出器
６…Ｘ軸駆動機構
７…Ｙ軸駆動機構
８…Ｚ軸駆動機構
９…駆動部
１０…試料ステージ制御部
１１…反射鏡
１２…撮像装置
１３…オートフォーカス制御部
１４…モニタ
１５…Ｘ、Ｙ、Ｚ座標値記憶部
１６…Ｚ軸補正データ算出部
１７…制御部
１８…操作部
２０…波高弁別部
２１…計数器
２２…クロック発生部
２３…計数器
２４…データ格納部
２５…除算器
２６…データ処理部
Ｅ…電子線
Ｓ…試料
Ｐ…特性Ｘ線
【図１】
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【図２】
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【図３】
2008058159.tif 000005
【図４】
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