(57)【要約】【課題】インバータ装置で駆動モータを駆動制御する流体機械において、インバータ装置に設けられる素子が熱により破損してしまうのを防止する。【解決手段】圧縮機（20）のケーシング（30）内を圧縮機構（50）から吐出された高圧冷媒で満たし、インバータ装置（60）のＳｉＣ素子（62）をケーシング（30）内に配置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒を圧縮する圧縮機構（50）と、該圧縮機構（50）を駆動する駆動モータ（40）と、上記圧縮機構（50）及び駆動モータ（40）が収容されると共に内部に冷媒が満たされるケーシング（30）と、上記駆動モータ（40）を駆動制御するためのインバータ装置（60）とを備えた流体機械であって、
上記インバータ装置（60）には、ワイドギャップ半導体素子（62）が設けられ、
上記ワイドギャップ半導体素子（62）は、ケーシング（30）内に配置されていることを特徴とする流体機械。
【請求項２】
請求項１において、
上記圧縮機構（50）は、ケーシング（30）内に高圧冷媒を吐出するように構成され、
上記ケーシング（30）には、その内部の高圧冷媒を該ケーシング（30）の外部へ流出させる吐出管（35）が接続されていることを特徴とする流体機械。
【請求項３】
請求項２において、
上記インバータ装置（60）には、ワイドギャップ半導体素子（62）よりも耐熱温度の低い低耐熱性素子（63）が設けられ、
上記低耐熱性素子（63）は、ケーシング（30）の外部に配置されていることを特徴とする流体機械。
【請求項４】
請求項３において、
上記インバータ装置（60）は、一方の面に上記ワイドギャップ半導体素子（62）が配置され、他方の面に上記低耐熱性素子（63）が配置される基板（61）を有し、
上記基板（61）は、ワイドギャップ半導体素子（62）がケーシング（30）の内部に位置し、低耐熱性素子（63）がケーシング（30）の外部に位置するように該ケーシング（30）に嵌め込まれていることを特徴とする流体機械。
【請求項５】
請求項３において、
上記低耐熱性素子（63）を覆う樹脂部材（65）を備えていることを特徴とする流体機械。
【請求項６】
請求項１又は２において、
上記ワイドギャップ半導体素子（62）には、放熱フィン（64）が取り付けられていることを特徴とする流体機械。
【請求項７】
請求項１又は２において、
上記駆動モータ（40）は、ケーシング（30）の内壁に固定される固定子コア部（42a）と、該固定子コア部（42a）の軸方向端面に形成される絶縁部（42c）とを有し、
上記ワイドギャップ半導体素子（62）は、上記絶縁部（42c）に支持されていることを特徴とする流体機械。
【請求項８】
請求項２において、
上記ワイドギャップ半導体素子（62）は、上記圧縮機構（50）と上記吐出管（35）との間に配置されていることを特徴とする流体機械。
【請求項９】
請求項１乃至第８のいずれか１つにおいて、
上記ワイドギャップ半導体素子は、ＳｉＣ素子（62）であることを特徴とする流体機械。
【請求項１０】
冷媒が循環して冷凍サイクルを行う冷媒回路（10）を備えたヒートポンプ装置であって、
上記冷媒回路（10）には、請求項１乃至９のいずれか１つの流体機械（20）が接続されていることを特徴とするヒートポンプ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冷媒を圧縮する圧縮機構と、該圧縮機構を駆動モータとを有する流体機械、及びこの流体機械を備えたヒートポンプ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ヒートポンプ装置等の冷媒回路に接続される流体機械として、圧縮機構により冷媒を圧縮する圧縮機が知られている。例えば特許文献１には、この種の圧縮機として回転式圧縮機が開示されている。
【０００３】
特許文献１に開示の回転式圧縮機は、２重構造のケーシングを備え、内側のケーシング内には圧縮機構と駆動モータとが収納されている。圧縮機構は、いわゆるロータリ式の圧縮機構で構成されており、駆動軸を介して駆動モータと連結されている。また、回転式圧縮機には、駆動モータの回転速度を制御するためのインバータ装置が設けられている。つまり、この回転式圧縮機は、容量が可変なインバータ式の圧縮機で構成されている。
【０００４】
ところで、上記インバータ装置による駆動モータの駆動制御時には、インバータ装置から高周波磁束による電磁波ノイズが発生する。このため、インバータ装置の電磁波ノイズ対策として、インバータ装置を専用のケース等に収納し、シールドを施す必要がある。しかしながら、インバータ装置用のケースを別途設けるようにすると、設置スペースの大型化を招いてしまう。
【０００５】
そこで、特許文献１に開示の回転式圧縮機では、上記インバータ装置を外側のケーシング内に収納するようにしている。その結果、この回転式圧縮機では、ケーシング内にインバータ装置をコンパクトに収納しながら、インバータ装置の電磁波ノイズ対策を可能としている。
【特許文献１】特開２００４−２３２５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記インバータ装置に設けられるスイッチング素子等の一般的な素子（例えばシリコン素子等）は、比較的に耐熱温度が低く、熱による破損を招き易い。一方、特許文献１に開示の回転式圧縮機では、インバータ装置が収納される空間に冷媒回路の冷媒を導入するようにしている。このため、冷媒回路で行われる冷凍サイクルの運転条件等に依って、インバータ装置の周囲の冷媒温度が高温となると、上述のような素子が熱により破損する虞が生ずる。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、インバータ装置で駆動モータを駆動制御する流体機械において、インバータ装置に設けられる素子が熱により破損してしまうのを防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の発明は、冷媒を圧縮する圧縮機構（50）と、該圧縮機構（50）を駆動する駆動モータ（40）と、上記圧縮機構（50）及び駆動モータ（40）が収容されると共に内部に冷媒が満たされるケーシング（30）と、上記駆動モータ（40）を駆動制御するためのインバータ装置（60）とを備えた流体機械を前提としている。そして、この流体機械のインバータ装置（60）には、ワイドギャップ半導体素子（62）が設けられ、該ワイドギャップ半導体素子（62）は、ケーシング（30）内に配置されていることを特徴とするものである。
【０００９】
なお、上記「ワイドギャップ半導体素子」とは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）素子、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ダイヤモンド素子等に代表される、比較的大きなバンドギャップを有する半導体素子であり、耐熱性に優れる特性を有する。
【００１０】
第１の発明では、ケーシング（30）内に圧縮機構（50）及び駆動モータ（40）が設けられる。駆動モータ（40）は、駆動軸を介して圧縮機構（50）を駆動する。その結果、圧縮機構（50）では、冷媒の圧縮動作が行われる。また、駆動モータ（40）は、インバータ装置（60）による周波数制御により、回転速度が可変となっている。
【００１１】
本発明では、インバータ装置（60）にワイドギャップ半導体素子（62）を設け、このワイドギャップ半導体素子（62）をケーシング（30）内に配置するようにしている。ワイドギャップ半導体素子（62）は、一般的な素子（例えばＳｉ素子）と比較して耐熱性に優れている。このため、ワイドギャップ半導体素子（62）の周囲の冷媒温度が比較的高温となっても、このワイドギャップ半導体素子（62）が熱により破損してしまうのを確実に回避できる。
【００１２】
また、ワイドギャップ半導体素子（62）は、耐熱温度が高いことから、その動作温度も比較的高くなる。このため、ワイドギャップ半導体素子（62）の表面温度は、冷媒の温度よりも高くなる。従って、ワイドギャップ半導体素子（62）から発する熱は、冷媒に放出される。その結果、本発明では、冷媒によってワイドギャップ半導体素子（62）の冷却が行われる。
【００１３】
更に、本発明では、ワイドギャップ半導体素子（62）をケーシング（30）内に配置することで、ワイドギャップ半導体素子（62）から発生する電磁波ノイズがケーシング（30）によりシールドされる。
【００１４】
第２の発明は、第１の発明の流体機械において、上記圧縮機構（50）が、ケーシング（30）内に高圧冷媒を吐出するように構成され、上記ケーシング（30）には、その内部の高圧冷媒を該ケーシング（30）の外部へ流出させる吐出管（35）が接続されていることを特徴とするものである。
【００１５】
第２の発明では、圧縮機構（50）で圧縮された後の高圧冷媒がケーシング（30）内に吐出される。そして、ケーシング（30）内の高圧冷媒は、吐出管（35）を介してケーシング（30）の外部へ送られる。つまり、本発明の流体機械は、ケーシング（30）内が高圧冷媒で満たされる、いわゆる高圧ドーム型である。一方、ワイドギャップ半導体素子（62）は、ケーシング（30）内の高圧冷媒雰囲気に曝されることになる。しかしながら、ワイドギャップ半導体素子（62）は、耐熱性に優れているため、周囲が高圧冷媒雰囲気であっても熱により破損することがない。また、ワイドギャップ半導体素子（62）は、耐熱温度が高く、その動作温度も高いことから、ワイドギャップ半導体素子（62）の表面温度は、高圧冷媒の温度よりも高くなる。従って、ワイドギャップ半導体素子（62）から発する熱が、高圧冷媒に放出されることで、ワイドギャップ半導体素子（62）の冷却がなされる。
【００１６】
更に、本発明では、例えばケーシング（30）内が圧縮機構（50）の吸入冷媒（低圧冷媒）で満たされる場合と比較して、圧縮機構（50）の圧縮効率が向上する。なぜなら、ワイドギャップ半導体素子（62）の周囲が低圧冷媒雰囲気となる場合、ワイドギャップ半導体素子（62）から発する熱が低圧冷媒に放出されることにより、圧縮機構（50）に吸入される冷媒温度が上昇してしまうからである。これに対し、本発明では、圧縮機構（50）の吐出冷媒でワイドギャップ半導体素子（62）の冷却を行うようにしている。このため、本発明では、圧縮機構（50）に吸入される冷媒温度が昇温することがなく、圧縮機構（50）では所望の圧縮効率を得ることができる。
【００１７】
第３の発明は、第２の発明の流体機械において、上記インバータ装置（60）には、ワイドギャップ半導体素子（62）よりも耐熱温度の低い低耐熱性素子（63）が設けられ、上記低耐熱性素子（63）は、ケーシング（30）の外部に配置されていることを特徴とするものである。
【００１８】
第３の発明のインバータ装置（60）では、ワイドギャップ半導体素子（62）よりも耐熱温度の低い低耐熱性素子（63）が、ケーシング（30）の外部に配置される。なお、低耐熱性素子（63）としては、ドライバ等に用いられるＳｉ素子や、コンデンサ、抵抗、ダイオード等の電子部品等が挙げられる。本発明では、低耐熱性素子（63）をケーシング（30）の外部に配置することで、低耐熱性素子（63）の周囲温度は高圧冷媒雰囲気よりも低い温度となる。その結果、ワイドギャップ半導体素子（62）よりも耐熱温度の低い低耐熱性素子（63）が、熱により破損してしまうのを確実に回避できる。
【００１９】
第４の発明は、第３の発明の流体機械において、上記インバータ装置（60）には、一方の面に上記ワイドギャップ半導体素子（62）が配置され、他方の面に上記低耐熱性素子（63）が配置される基板（61）を有し、上記基板（61）は、ワイドギャップ半導体素子（62）がケーシング（30）の内部に位置し、低耐熱性素子（63）がケーシング（30）の外部に位置するように該ケーシング（30）に嵌め込まれていることを特徴とするものである。
【００２０】
第４の発明では、基板（61）の一方の面にワイドギャップ半導体素子（62）が配置され、他方の面に低耐熱性素子（63）が配置される。つまり、ワイドギャップ半導体素子（62）と低耐熱性素子（63）とは、一つの基板（61）を共用している。そして、この基板（61）がケーシング（30）に嵌め込まれることで、ワイドギャップ半導体素子（62）がケーシング（30）内に位置し、低耐熱性素子（63）がケーシング（30）の外部に位置する。
【００２１】
第５の発明は、第３の発明の流体機械において、上記低耐熱性素子（63）を覆う樹脂部材（65）を備えていることを特徴とするものである。
【００２２】
第５の発明では、ケーシング（30）の外部に位置する低耐熱性素子（63）が、樹脂部材（65）によって覆われる。その結果、樹脂部材（65）によって低耐熱性素子（63）の絶縁が施される。
【００２３】
第６の発明は、第１又は第２の発明の流体機械において、上記ワイドギャップ半導体素子（62）には、放熱フィン（64）が取り付けられていることを特徴とするものである。
【００２４】
第６の発明では、ワイドギャップ半導体素子（62）に放熱フィン（64）が取り付けられることで、ワイドギャップ半導体素子（62）から高圧冷媒への放熱量が増す。その結果、ワイドギャップ半導体素子（62）の冷却効果も増大する。
【００２５】
第７の発明は、第１又は第２の発明の流体機械において、上記駆動モータ（40）は、ケーシング（30）の内壁に固定される固定子コア部（42a）と、該固定子コア部（42a）の軸方向端面に形成される絶縁部（42c）とを有し、上記ワイドギャップ半導体素子（62）は、上記絶縁部（42c）に支持されていることを特徴とするものである。
【００２６】
第７の発明では、固定子コア部（42a）の軸方向端面に形成される絶縁部（42c）にワイドギャップ半導体素子（62）が支持される。
【００２７】
本発明では、駆動モータ（40）の絶縁部（42c）がワイドギャップ半導体素子（62）の基板として利用される。また、ワイドギャップ半導体素子（62）の熱が絶縁部（42c）を介して固定子コア部（42a）に伝わることで、ワイドギャップ半導体素子（62）の放熱量が増す。
【００２８】
第８の発明は、第２の発明の流体機械において、上記ワイドギャップ半導体素子（62）は、上記圧縮機構（50）と上記吐出管（35）との間に配置されていることを特徴とするものである。
【００２９】
第８の発明では、圧縮機構（50）と吐出管（35）との間の空間にワイドギャップ半導体素子（62）が配置される。ここで、圧縮機構（50）と吐出管（35）との間の空間には、圧縮機構（50）から吐出された高圧冷媒が確実に流れることになる。このため、この空間にワイドギャップ半導体素子（62）を配置することで、ワイドギャップ半導体素子（62）の周囲を高圧冷媒が順次流れることになり、ワイドギャップ半導体素子（62）から高圧冷媒への放熱量が更に増す。
【００３０】
第９の発明は、第１乃至第８のいずれか１つの発明の流体機械において、上記ワイドギャップ半導体素子が、ＳｉＣ素子（62）であることを特徴とするものである。
【００３１】
第９の発明では、ワイドギャップ半導体素子として、耐熱性に優れたＳｉＣ素子（62）が用いられる。
【００３２】
第１０の発明は、冷媒が循環して冷凍サイクルを行う冷媒回路（10）を備えたヒートポンプ装置を前提としている。そして、このヒートポンプ装置は、冷媒回路（10）に第１乃至第９のいずれか１の発明の流体機械（20）が接続されていることを特徴とするものである。
【００３３】
第１０の発明では、第１乃至第９のいずれか１の流体機械（20）が冷媒回路（10）に接続され、室内の暖房や給湯等に利用されるヒートポンプ装置が構成される。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、インバータ装置（60）にワイドギャップ半導体素子（62）を設け、このワイドギャップ半導体素子（62）を冷媒で満たされるケーシング（30）内に配置するようにしている。ここで、ワイドギャップ半導体素子（62）は、一般的な素子と比較して耐熱性に優れるため、ケーシング（30）内の冷媒温度が比較的高温となっても、ワイドギャップ半導体素子（62）が熱により破損してしまうのを確実に防止することができる。
【００３５】
また、ワイドギャップ半導体素子（62）は、比較的動作温度が高いため、ケーシング（30）内の冷媒によりワイドギャップ半導体素子（62）の冷却を行うことができる。
【００３６】
更に、ワイドギャップ半導体素子（62）をケーシング（30）内に配置することで、ワイドギャップ半導体素子（62）から発する電磁波ノイズをケーシング（30）によってシールドすることができ、更にはワイドギャップ半導体素子（62）をケーシング（30）内にコンパクトに収納することができる。また、このようにワイドギャップ半導体素子（62）をケーシング（30）内に配置することで、ワイドギャップ半導体素子（62）をケーシング（30）の外部から絶縁でき、更には比較的表面温度の高いワイドギャップ半導体素子（62）が人の手に触れてしまうのを確実に防止できる。
【００３７】
特に、上記第２の発明では、ケーシング（30）内を高圧冷媒で満たすようにし、ワイドギャップ半導体素子（62）の周囲を高圧冷媒雰囲気としている。このようにケーシング（30）内を高圧冷媒としても、ワイドギャップ半導体素子（62）の耐熱温度が高圧冷媒温度よりも高いため、ワイドギャップ半導体素子（62）が熱により破損することがなく、更には高圧冷媒を用いてワイドギャップ半導体素子（62）を冷却することができる。
【００３８】
また、圧縮機構（50）の吸入冷媒でワイドギャップ半導体素子（62）を冷却する場合、圧縮機構（50）の圧縮効率の低下を招く虞があるのに対し、本発明では、圧縮機構（50）の吐出冷媒でワイドギャップ半導体素子（62）を冷却している。従って、本発明によれば、圧縮機構（50）の圧縮効率の低下を招くことなく、ワイドギャップ半導体素子（62）を冷却することができる。
【００３９】
更に、本発明では、ワイドギャップ半導体素子（62）から放出された熱が高圧冷媒に付与されることになる。このため、本発明によれば、流体機械（20）から吐出した冷媒を室内の暖房や給湯等に利用することで、室内の暖房能力や給湯能力を向上させることができる。
【００４０】
上記第３の発明では、ワイドギャップ半導体素子（62）よりも耐熱温度の低い低耐熱性素子（63）をケーシング（30）の外部に配置するようにしている。このため、低耐熱性素子（63）の耐熱温度が高圧冷媒の温度よりも低い場合にも、低耐熱性素子（63）の熱による破損を確実に回避できる。その結果、このインバータ装置（60）の信頼性を向上できる。
【００４１】
上記第４の発明では、基板（61）の一方の面にワイドギャップ半導体素子（62）を配置し、他方の面に低耐熱性素子（63）を配置し、ワイドギャップ半導体素子（62）がケーシング（30）の内部に、低耐熱性素子（63）がケーシング（30）の外部へそれぞれ位置するように、基板（61）をケーシング（30）に嵌め込むようにしている。このため、ワイドギャップ半導体素子（62）と低耐熱性素子（63）との基板（61）の共用化を図ることができる。また、このような構成とすると、ワイドギャップ半導体素子（62）から発生する熱を基板（61）を介してケーシング（30）の外部へ放出することができ、ワイドギャップ半導体素子（62）の表面温度を更に低下させることができる。
【００４２】
上記第５の発明では、ケーシング（30）の外部へ配置される低耐熱性素子（63）を樹脂部材（65）で覆うようにしている。このため、本発明によれば、樹脂部材（65）によって低耐熱性素子（63）を絶縁することができ、更には発熱した低耐熱性素子（63）が人の手に触れてしまうのを確実に防止できる。
【００４３】
上記第６の発明によれば、ワイドギャップ半導体素子（62）に放熱フィン（64）を取り付けるようにしたので、ワイドギャップ半導体素子（62）から高圧冷媒への放熱量が増し、ワイドギャップ半導体素子（62）を一層効果的に冷却することができる。
【００４４】
上記第７の発明では、駆動モータ（40）の絶縁部（42c）にワイドギャップ半導体素子（62）を支持させるようにしている。このため、本発明によれば、駆動モータ（40）の絶縁部（42c）をワイドギャップ半導体素子（62）の基板として利用できる。また、ワイドギャップ半導体素子（62）から発生した熱を固定子コア部（42a）を介して高圧冷媒へ放出させることで、ワイドギャップ半導体素子（62）の冷却効果を更に高めることができる。更に、絶縁部（42c）にワイドギャップ半導体素子（62）を取り付けることで、駆動モータ（40）のコイル部からワイドギャップ半導体素子（62）までの距離を短くすることができる。つまり、本発明によれば、ワイドギャップ半導体素子（62）とコイル部との間の配線長さを短縮できる。
【００４５】
上記第８の発明によれば、圧縮機構（50）と吐出管（35）との間にワイドギャップ半導体素子（62）を配置するようにしたので、ワイドギャップ半導体素子（62）から高圧冷媒への放熱を促進させ、ワイドギャップ半導体素子（62）の冷却効果を高めることができる。
【００４６】
上記第９の発明によれば、ワイドギャップ半導体素子としてＳｉＣ素子（62）を用いるようにしたので、ワイドギャップ半導体素子の耐熱性を充分確保できる。
【００４７】
上記第１０の発明によれば、第１から第９までの流体機械（20）をヒートポンプ装置に適用するようにしている。このため、本発明によれば、信頼性の高い流体機械（20）を有するヒートポンプ装置を提供することができる。
【００４８】
特に、第２の発明のようにケーシング（30）内を高圧冷媒で満たすことで、ワイドギャップ半導体素子（62）から発生した熱を圧縮機構（50）の吐出冷媒に付与することができる。このため、ワイドギャップ半導体素子（62）から発生した熱を室内の暖房や給湯に利用することができ、このヒートポンプ装置の省エネ性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００５０】
《実施形態１》
本発明の実施形態１に係るヒートポンプ装置は、室内の冷房と暖房とを切り換えて行う空気調和装置（1）を構成している。図１に示すように、空気調和装置（1）は、冷媒回路（10）を備えている。冷媒回路（10）には、冷媒としてフロン冷媒が充填されている。この冷媒回路（10）では、冷媒が循環することで蒸気圧縮式の冷凍サイクルが行われる。
【００５１】
<冷媒回路の構成>
冷媒回路（10）には、圧縮機（20）と室内熱交換器（21）と膨張弁（22）と室外熱交換器（23）と四路切換弁（24）とが接続されている。実施形態１の圧縮機（20）は、ロータリー型の圧縮機であり、本発明の流体機械を構成している。この圧縮機（20）の詳細は後述する。室内熱交換器（21）は、室内に設置されている。室内熱交換器（21）では、冷媒と室内空気との間で熱交換が行われる。室外熱交換器（23）は、室外に設置されている。室外熱交換器（23）では、冷媒と室外空気との間で熱交換が行われる。膨張弁（22）は、冷媒を減圧する減圧手段であり、例えば電子膨張弁で構成されている。四路切換弁（24）は、第１から第４までの４つのポートを備えている。四路切換弁（24）は、第１ポートが圧縮機（20）の吐出側と、第２ポートが室内熱交換器（21）と、第３ポートが圧縮機（20）の吸入側と、第４ポートが室外熱交換器（23）とそれぞれ繋がっている。四路切換弁（24）は、第１ポートと第２ポートとが繋がると同時に第３ポートと第４ポートとが繋がる状態（図１の実線で示す状態）と、第１ポートと第４ポートとが繋がると同時に第２ポートと第３ポートとが繋がる状態（図１の破線で示す状態）とに設定が切り換わるように構成されている。
【００５２】
<圧縮機の構成>
図２に示すように、圧縮機（20）は、中空で密閉型のケーシング（30）を備えている。ケーシング（30）は、円筒状の胴部（31）と、胴部（31）の上端部に設けられる天板部（32）と、胴部（31）の下端部に設けられる底板部（33）とを備えている。ケーシング（30）では、胴部（31）の下側寄りに吸入管（34）が接続され、天板部（32）に吐出管（35）が接続されている。吐出管（35）は、天板部（32）を上下に貫通しており、その下端部がケーシング（30）の内部空間に開口している。なお、ケーシング（30）は、例えば鉄等の金属材料で構成されている。
【００５３】
ケーシング（30）内には、駆動モータ（40）と駆動軸（45）と圧縮機構（50）とが収容されている。
【００５４】
駆動モータ（40）は、ケーシング（30）内の上部寄りの空間に配置されている。駆動モータ（40）は、ロータ（41）とステータ（42）とを備えている。ロータ（41）は、駆動軸（45）の周囲に固定されている。ステータ（42）は、ロータ（41）の外周側に設けられている。ステータ（42）は、ケーシング（30）の胴部（31）の内壁に固定される固定子コア部（42a）と、固定子コア部（42a）の上側及び下側にそれぞれ設けられるコイル部（42b）とを有している。また、固定子コア部（42a）には、その軸方向における上下両端面に、それぞれインシュレータ（42c）が設けられている。インシュレータ（42c）は、絶縁材料から成り、固定子コア部（42a）とコイル部（42b）とを絶縁するための絶縁部を構成している。
【００５５】
駆動軸（45）は、ケーシング（30）の軸心を上下方向に延びて形成されている。駆動軸（45）には、下側寄りの部位に偏心部（46）が形成されている。偏心部（46）は、駆動軸（45）よりも大径であり、且つ駆動軸（45）の軸心から所定量偏心している。また、駆動軸（45）には、その下端部に油ポンプ（47）が設けられている。油ポンプ（47）は、ケーシング（30）の底部に溜まった油を遠心力によって汲み上げる構造となっている。油ポンプ（47）で汲み上げられた油は、駆動軸（45）に形成された油供給通路（図示省略）を介して、圧縮機構（50）の内部や駆動軸（45）の軸受け等の各摺動部へ供給される。
【００５６】
圧縮機構（50）は、ケーシング（30）内の下部寄りの空間に配置されている。圧縮機構（50）は、シリンダ（51）とフロントヘッド（52）とリヤヘッド（53）とピストン（54）とを備えている。
【００５７】
シリンダ（51）は、円環状に形成されており、その外周面がケーシング（30）の内壁に固定されている。シリンダ（51）の内側には、円柱状のシリンダ室（55）が形成されている。また、シリンダ（51）には、径方向に延びる吸入通路（51a）が形成されている。吸入通路（51a）は、シリンダ室（55）と上記吸入管（34）とを連通させている。
【００５８】
フロントヘッド（52）は、シリンダ（51）の上側に、リヤヘッド（53）は、シリンダ（51）の下側にそれぞれ取り付けられている。そして、フロントヘッド（52）はシリンダ室（55）の上端開口部を、リヤヘッド（53）はシリンダ室（55）の下端開口部をそれぞれ閉塞している。更に、フロントヘッド（52）には上部軸受け（56）が、リヤヘッド（53）には下部軸受け（57）がそれぞれ設けられている。駆動軸（45）は、フロントヘッド（52）及びリヤヘッド（53）を貫通しながら、上部軸受け（56）及び下部軸受け（57）に回転自在に支持されている。
【００５９】
フロントヘッド（52）には、シリンダ室（55）とケーシング（30）の内部空間とを連通させる吐出ポート（52a）が形成されている。吐出ポート（52a）には、図示しない吐出弁が設けられている。更に、フロントヘッド（52）には、吐出ポート（52a）を覆うように消音マフラー（58）が取り付けられている。
【００６０】
上記ピストン（54）は、シリンダ室（55）に配置されている。ピストン（54）には、その内部に上記偏心部（46）が嵌り込んでいる。駆動軸（45）が回転すると、ピストン（54）は、駆動軸（45）の軸心から偏心しながらシリンダ室（55）内を回転する。その結果、圧縮機構（50）では、シリンダ室（55）に形成される圧縮室の容積が変化し、冷媒の圧縮動作が行われる。
【００６１】
圧縮機構（50）は、圧縮した後の高圧冷媒を上記吐出ポート（52a）を介してケーシング（30）内に吐出するように構成されている。つまり、実施形態１の圧縮機（20）は、ケーシング（30）の内部空間が高圧冷媒で満たされる、いわゆる高圧ドーム型の圧縮機を構成している。
【００６２】
<インバータ回路の構成>
圧縮機（20）は、上記駆動モータ（40）を駆動制御するためのインバータ装置（60）を備えている。インバータ装置（60）には、各種の電子部品として、スイッチング素子を構成する炭化シリコン（ＳｉＣ）素子（62）や、ドライバを構成するシリコン（Ｓｉ）素子（63）等が実装されている。上記ＳｉＣ素子（62）は、そのバンドギャップが約２．２〜３．０ｅＶであり、その耐熱温度が約４００℃である、ワイドギャップ半導体素子を構成している。一方、Ｓｉ素子（63）は、そのバンドギャップが約１．１ｅＶであり、その耐熱温度が約１２０℃である、本発明の低耐熱性素子を構成している。つまり、Ｓｉ素子（63）は、ＳｉＣ素子（62）よりも耐熱温度が低くなっている。
【００６３】
図２に示すように、インバータ装置（60）は、ケーシング（30）の上部に設けられている。インバータ装置（60）は、基板（61）を有し、この基板（61）がケーシング（30）の胴部（31）の貫通孔に嵌り込んでいる。基板（61）では、その一方の面がケーシング（30）の内部空間に臨み、この面に上記ＳｉＣ素子（62）が設置されている。また、基板（61）では、その他方の面がケーシング（30）の外部空間に臨み、この面に上記Ｓｉ素子（63）が設置されている。つまり、基板（61）は、ＳｉＣ素子（62）がケーシング（30）の内部に位置し、Ｓｉ素子（63）がケーシング（30）の外部に位置するようにケーシング（30）に取り付けられている。また、本実施形態では、ＳｉＣ素子（62）が圧縮機構（50）と吐出管（35）の間の空間に配置されている。
【００６４】
インバータ装置（60）には、放熱フィン（64）及び樹脂カバー（65）が取り付けられている。
【００６５】
放熱フィン（64）は、ＳｉＣ素子（62）の表面に固定されるプレート部（64a）と、プレート部（64a）の表面から突出する複数のピン部（64b）とで構成されている。放熱フィン（64）は、ＳｉＣ素子（62）から高圧冷媒への放熱を促進するための放熱手段を構成している。
【００６６】
樹脂カバー（65）は、一端が開口する箱形に形成されている。そして、樹脂カバー（65）は、その内部にＳｉ素子（63）を収納するようにケーシング（30）の胴部（31）に取り付けられている。つまり、樹脂カバー（65）は、Ｓｉ素子（63）を外部から覆うことでＳｉ素子（63）を絶縁するための樹脂部材を構成している。
【００６７】
−運転動作−
次に、この空気調和装置（1）の運転動作について説明する。この空気調和装置（1）は、冷房運転と暖房運転とが可能となっている。これらの運転では、インバータ装置（60）により、圧縮機（20）の駆動モータ（40）が駆動されることで、駆動軸（45）が回転する。その結果、圧縮機構（50）では、ピストン（54）の回転に伴い圧縮室の容積が拡縮され、圧縮機構（50）で冷媒の圧縮動作が行われる。
【００６８】
<暖房運転>
暖房運転では、四路切換弁（24）が図１の実線で示す状態となる。また、膨張弁（22）の開度が適宜調節される。
【００６９】
図２に示す圧縮機（20）では、圧縮機構（50）で圧縮された冷媒が高圧冷媒となって吐出ポート（52a）よりケーシング（30）の内部空間へ流出する。この高圧冷媒は、ケーシング（30）内を上方へ流れる。
【００７０】
一方、ケーシング（30）内の上部寄りの空間には、上記ＳｉＣ素子（62）及び放熱フィン（64）が位置している。ＳｉＣ素子（62）は、スイッチング動作に伴い発熱している。このため、ＳｉＣ素子（62）から発生する熱は、放熱フィン（64）を介して高圧冷媒へ付与される。その結果、ＳｉＣ素子（62）が冷却される一方、高圧冷媒が昇温する。また、本実施形態では、ＳｉＣ素子（62）から発生する熱の一部が基板（61）を伝ってケーシング（30）の外部へも放出する。このため、ＳｉＣ素子（62）が更に冷却される。
【００７１】
ＳｉＣ素子（62）の熱を奪った高圧冷媒は、吐出管（35）よりケーシング（30）の外部へ流出する。この冷媒は、室内熱交換器（21）を流れる。室内熱交換器（21）では、冷媒が室内空気へ放熱する。その結果、室内の暖房が行われる。この際、室内熱交換器（21）では、上述のようにしてＳｉＣ素子（62）から奪った熱も室内へ放出される。つまり、この暖房運転では、ＳｉＣ素子（62）から回収した熱が室内の暖房に利用される。
【００７２】
室内熱交換器（21）で放熱した後の冷媒は、膨張弁（22）を通過する際に減圧されて、室外熱交換器（23）を流れる。室外熱交換器（23）では、冷媒が室外空気から吸熱して蒸発する。室外熱交換器（23）で蒸発した冷媒は、吸入管（34）を介して圧縮機（20）の圧縮機構（50）内へ吸入される。
【００７３】
<冷房運転>
冷房運転では、四路切換弁（24）が図１の破線で示す状態となる。また、膨張弁（22）の開度が適宜調節される。
【００７４】
図２に示す圧縮機（20）では、圧縮機構（50）で圧縮された冷媒が高圧冷媒となって吐出ポート（52a）よりケーシング（30）の内部へ流出する。この高圧冷媒は、ケーシング（30）内を上方へ流れる。ＳｉＣ素子（62）から発生した熱は、上述の暖房運転と同様、放熱フィン（64）を介して高圧冷媒へ付与される。その結果、ＳｉＣ素子（62）が冷却される。また、ＳｉＣ素子（62）から発生する熱の一部は、基板（61）を伝ってケーシング
（30）の外部へも放出する。
【００７５】
ＳｉＣ素子（62）の冷却に利用された高圧冷媒は、吐出管（35）よりケーシング（30）の外部へ流出する。この冷媒は、室外熱交換器（23）を流れる。室外熱交換器（23）では、冷媒が室外空気へ放熱する。この際、室外熱交換器（23）では、上述のようにしてＳｉＣ素子（62）から奪った熱も室外へ放出される。
【００７６】
室外熱交換器（23）で放熱した後の冷媒は、膨張弁（22）を通過する際に減圧されて、室内熱交換器（21）を流れる。室内熱交換器（21）では、冷媒が室内空気から吸熱して蒸発する。その結果、室内の冷房が行われる。室内熱交換器（21）で蒸発した冷媒は、吸入管（34）を介して圧縮機（20）の圧縮機構（50）内へ吸入される。
【００７７】
−実施形態１の効果−
上記実施形態１では、インバータ装置（60）にワイドギャップ半導体素子であるＳｉＣ素子（62）を設け、このＳｉＣ素子（62）を高圧冷媒で満たされるケーシング（30）内に配置するようにしている。ここで、ＳｉＣ素子（62）は、例えばＳｉ素子（63）と比較して耐熱性に優れるため、ケーシング（30）内を高圧冷媒雰囲気としても、ＳｉＣ素子（62）が熱により破損してしまうのを回避できる。また、ＳｉＣ素子（62）の動作温度は高圧冷媒の温度よりも高くなるため、高圧冷媒を用いてＳｉＣ素子（62）を冷却することができる。
【００７８】
一方、このようにＳｉＣ素子（62）をケーシング（30）内に配置すると、ＳｉＣ素子（62）から発する電磁波ノイズをケーシング（30）によってシールドすることができ、更にはＳｉＣ素子（62）をケーシング（30）内にコンパクトに納めることができる。また、このようにＳｉＣ素子（62）をケーシング（30）内に配置することで、ＳｉＣ素子（62）をケーシング（30）の外部から絶縁でき、更には比較的表面温度の高いＳｉＣ素子（62）が人の手に触れてしまうのを確実に防止できる。
【００７９】
また、上記実施形態１では、ＳｉＣ素子（62）から放出された熱が高圧冷媒に付与されることになる。このため、上述した暖房運転時において、ＳｉＣ素子（62）から回収した熱を室内の暖房に利用することができる。
【００８０】
また、上記実施形態１では、ＳｉＣ素子（62）よりも耐熱温度の低いＳｉ素子（63）をケーシング（30）の外部に配置するようにしている。このため、高圧冷媒からＳｉ素子（63）へ付与される熱量を最小限に留めることができ、Ｓｉ素子（63）が熱により破損してしまうのを確実に回避できる。その結果、このインバータ装置（60）の信頼性を向上できる。
【００８１】
また、上記実施形態１では、基板（61）の一方の面にＳｉＣ素子（62）を配置し、他方の面にＳｉ素子（63）を配置し、ＳｉＣ素子（62）がケーシング（30）の内部に、Ｓｉ素子（63）がケーシング（30）の外部にそれぞれ位置するように、基板（61）をケーシング（30）に嵌め込むようにしている。このため、ＳｉＣ素子（62）とＳｉ素子（63）の基板（61）の共用化を図ることができる。また、このような構成とすると、ＳｉＣ素子（62）から発生する熱を基板（61）を介してケーシング（30）の外部へ放出することができ、ＳｉＣ素子（62）の放熱効果を高めることができる。
【００８２】
更に、上記実施形態１では、ケーシング（30）の外部へ配置されるＳｉ素子（63）を樹脂カバー（65）で覆うようにしている。このため、上記実施形態１によれば、樹脂カバー（65）によってＳｉ素子（63）を絶縁することができ、更には発熱したＳｉ素子（63）が人の手に触れてしまうのを確実に防止できる。
【００８３】
また、上記実施形態１によれば、ＳｉＣ素子（62）に放熱フィン（64）を取り付けるようにしているので、ＳｉＣ素子（62）から高圧冷媒への放熱量が増し、ＳｉＣ素子（62）を一層効果的に冷却することができる。また、高圧冷媒へ付与される熱量が増大する分だけ、空気調和装置（1）の暖房能力を向上させることができる。
【００８４】
更に、上記実施形態１によれば、圧縮機構（50）と吐出管（35）との間にＳｉＣ素子（62）を配置するようにしたので、ＳｉＣ素子（62）から高圧冷媒への放熱量を更に増大させることができる。このため、ＳｉＣ素子（62）の冷却効果を更に高めると共に、空気調和装置（1）の暖房能力を更に向上させることができる。
【００８５】
−実施形態１の変形例−
上記実施形態１については、以下のような変形例のような構成としても良い。
【００８６】
〈変形例１〉
図３に示すように、上記実施形態１のインバータ装置（60）をケーシング（30）の天板部（32）に設けるようにしても良い。具体的には、この変形例１のインバータ装置（60）では、基板（61）がケーシング（30）の天板部（32）の貫通孔に嵌め込まれている。基板（61）の下面側には、ＳｉＣ素子（62）が設けられ、このＳｉＣ素子（62）がケーシング（30）の内部空間に位置している。また、基板（61）の上面側には、Ｓｉ素子（63）が設けられ、このＳｉ素子（63）がケーシング（30）の外部空間に位置している。また、インバータ装置（60）には、上述した実施形態と同様にして、放熱フィン（64）及び樹脂カバー（65）が取り付けられている。
【００８７】
この変形例１においても、耐熱性に優れたＳｉＣ素子（62）の周囲を高圧冷媒雰囲気とすることで、ＳｉＣ素子（62）の熱による破損を防止しながら、このＳｉＣ素子（62）を高圧冷媒で冷却することができる。また、この変形例１では、最終的に高圧冷媒が流出する吐出管（35）近傍にＳｉＣ素子（62）を配置しているため、ＳｉＣ素子（62）の周囲に高圧冷媒を確実に流すことができ、ＳｉＣ素子（62）の放熱量を増大させることができる。
【００８８】
〈変形例２〉
図４に示すように、実施形態のインバータ装置（60）のＳｉＣ素子（62）とＳｉ素子（63）とを別体で配置するようにしても良い。具体的には、この変形例２では、ケーシング（30）の胴部（31）の内壁に支持部材（66）が取り付けられている。そして、支持部材（66）には、第１基板（61a）を介してＳｉＣ素子（62）が支持されている。
【００８９】
一方、ケーシング（30）の胴部（31）の外壁には、第１基板（61a）と隣り合うようにして第２基板（61b）が支持されている。そして、第２基板（61b）には、Ｓｉ素子（63）が取り付けられている。以上のようにして、この変形例２では、ＳｉＣ素子（62）がケーシング（30）の内部に、Ｓｉ素子（63）がケーシング（30）の外部にそれぞれ位置している。なお、第１基板（61a）と第２基板（61b）とは、図示しない配線により電気的に接続されている。
【００９０】
この変形例２においても、耐熱性に優れたＳｉＣ素子（62）の周囲を高圧冷媒雰囲気とすることで、ＳｉＣ素子（62）の熱による破損を防止しながら、このＳｉＣ素子（62）を高圧冷媒で冷却することができる。また、この変形例２では、ＳｉＣ素子（62）が設けられる第１基板（61a）と、Ｓｉ素子（63）が設けられる第２基板（61b）とを分離することで、ＳｉＣ素子（62）から発生した熱がＳｉ素子（63）へ伝わってしまうのを確実に回避できる。その結果、この変形例２では、耐熱性に乏しいＳｉ素子（63）が熱により破損してしまうのを確実に防止できる。
【００９１】
なお、この変形例２のインバータ装置（60）には、上記実施形態の放熱フィン（64）や樹脂カバー（65）を設けてないが、この変形例２においても、上記実施形態と同様に放熱フィン（64）や樹脂カバー（65）を設けても良いのは勿論のことである。
【００９２】
〈変形例３〉
図５に示すように、変形例３のインバータ装置（60）は、上述した変形例２と同様、ＳｉＣ素子（62）とＳｉ素子（63）とを別体に構成する一方、ＳｉＣ素子（62）を駆動モータ（40）のインシュレータ（42c）に支持させるようにしたものである。具体的には、この変形例３では、固定子コア部（42a）の上下端面に形成されるインシュレータのうち、上側のインシュレータ（42c）にＳｉＣ素子（62）が支持されている。一方、Ｓｉ素子（63）は、変形例２と同様にして、第２基板（61b）を介してケーシング（30）の胴部（31）の外壁に取り付けられている。
【００９３】
この変形例３においても、耐熱性に優れたＳｉＣ素子（62）の周囲を高圧冷媒雰囲気とすることで、ＳｉＣ素子（62）の熱による破損を防止しながら、このＳｉＣ素子（62）を高圧冷媒で冷却することができる。また、この変形例３においても、変形例２と同様、ＳｉＣ素子（62）と、Ｓｉ素子（63）とを分離することで、ＳｉＣ素子（62）から発生した熱がＳｉ素子（63）へ伝わってしまうのを確実に回避できる。
【００９４】
更に、この変形例３では、ＳｉＣ素子（62）を絶縁部であるインシュレータ（42c）に支持させることで、インシュレータ（42c）をＳｉＣ素子（62）の基板として利用することができる。また、ＳｉＣ素子（62）から発生した熱は、インシュレータ（42c）を介して固定子コア部（42a）へ伝わるため、この熱は固定子コア部（42a）の周囲を流れる高圧冷媒に放出され易くなる。従って、この変形例３では、ＳｉＣ素子（62）の冷却効果を更に高めることができる。
【００９５】
また、インシュレータ（42c）にＳｉＣ素子（62）を取り付けることで、駆動モータ（40）のコイル部（42b）からＳｉＣ素子（62）までの距離を短くすることができる。つまり、この変形例３では、ＳｉＣ素子（62）とコイル部（42b）とを繋ぐ配線長さを短くすることができる。
【００９６】
なお、この変形例３においても、上記実施形態と同様に放熱フィン（64）や樹脂カバー（65）を設けても良いのは勿論のことである。
【００９７】
〈変形例４〉
図６に示すように、変形例４のインバータ装置（60）は、ＳｉＣ素子（62）がケーシング（30）内の下部側の空間に配置されている。具体的には、ＳｉＣ素子（62）は、ケーシング（30）内の底部に形成される油溜まりの油面よりやや上方に位置している。ＳｉＣ素子（62）は、第１基板（61a）の下面側に設けられており、更にＳｉＣ素子（62）の下部には、上記実施形態と同様にして、放熱フィン（64）が取り付けられている。そして、放熱フィン（64）のピン部（64b）が油溜まり中に浸積している。一方、Ｓｉ素子（63）は、変形例２と同様にして、第２基板（61b）を介してケーシング（30）の胴部（31）の外壁に取り付けられている。
【００９８】
この変形例４では、ＳｉＣ素子（62）を油溜まりの近傍に配置し、ＳｉＣ素子（62）から生じた熱を放熱フィン（64）を介して油に伝熱させるようにしている。このため、変形例４によれば、ＳｉＣ素子（62）の冷却効果を高めることができる。
【００９９】
《実施形態２》
図７に示すように、本発明の実施形態２に係る流体機械は、いわゆる低圧ドーム型のスクロール型圧縮機で構成されている。以下には、上記実施形態と異なる点について説明する。
【０１００】
圧縮機（20）は、ケーシング（30）の内部空間の上部寄りに圧縮機構（50）が、下部寄りに駆動モータ（40）がそれぞれ配置されている。圧縮機構（50）は、ハウジング（70）の上側に固定スクロール（71）が取り付けられる一方、ハウジング（70）と固定スクロール（71）の間に可動スクロール（72）が設けられている。固定スクロール（71）と可動スクロール（72）とは、それぞれ渦巻き状のラップが形成され、各スクロール（71,72）のラップが互いに噛み合っている。駆動モータ（40）が、駆動軸（45）を駆動すると、圧縮機構（50）では、可動スクロール（72）が旋回運動を行い、各スクロール（71,72）の間の圧縮室の容積が拡縮され、冷媒の圧縮動作が行われる。圧縮機構（50）で圧縮された冷媒は、吐出ポート（52a）及び吐出管（35）を介してケーシング（30）の外部へ流出する。
【０１０１】
この圧縮機（20）では、吸入管（34）が駆動モータ（40）の周囲の空間に接続されている。つまり、ケーシング（30）内の駆動モータ（40）の周囲の空間は、低圧冷媒で満たされている。そして、ＳｉＣ素子（62）が、駆動モータ（40）の固定子コア部（42d）の上端部に支持されている。
【０１０２】
実施形態２では、ＳｉＣ素子（62）の周囲を低圧冷媒雰囲気とすることで、ＳｉＣ素子（62）の表面温度を積極的に冷却することができ、ＳｉＣ素子（62）の熱による破損を確実に防止することができる。
【０１０３】
《その他の実施形態》
上記各実施形態については、以下のような構成としてもよい。
【０１０４】
上記各実施形態では、ワイドギャップ半導体素子として、ＳｉＣ素子（62）を用いるようにしている。しかしながら、窒化ガリウム（ＧａＮ）素子や、ダイヤモンド素子等の他のワイドギャップ半導体素子を用いるようにしても良い。なお、ワイドギャップ半導体素子は、少なくとも１．２ｅＶ以上、更には２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有することが好ましい。
【０１０５】
上記各実施形態では、低耐熱性素子としてのＳｉ素子（63）をケーシング（30）の外部に配置している。しかしながら、低耐熱性素子はＳｉ素子に限らず、コンデンサやダイオード、抵抗等、ワイドギャップ半導体素子よりも耐熱温度の低い素子であれば、如何なるものであっても良い。
【０１０６】
上記実施形態では、冷媒回路（10）に充填される冷媒としてフロンガスを用いているが、二酸化炭素などの他の冷媒を用いるようにしても良い。
【０１０７】
上記実施形態１において、例えば図２に示す放熱フィン（64）をケーシング（30）の外部に取り付けた低耐熱性素子（63）や樹脂カバー（65）に取り付けるようにしても良い。この場合には、ワイドギャップ半導体素子（62）の熱を、ケーシング（30）の壁面及び放熱フィン（64）を介してケーシング（30）の外部へ放出させることができる。
【０１０８】
上記各実施形態では、ロータリー型の圧縮機やスクロール型の圧縮機について、本発明を適用している。しかしながら、揺動スイング型の圧縮機や、他の型式の圧縮機に本発明を適用しても良い。また、ケーシング内に圧縮機構と膨張機構とが駆動軸を介して連結される、いわゆる一軸連結式の膨張圧縮機を構成する流体機械に本発明を適用しても良い。
【０１０９】
上記各実施形態では、室内の冷房と暖房とを切り換えて行う空気調和装置において、本発明を適用するようにしている。しかしながら、冷媒回路（10）で冷凍サイクルを行いながら、水を加熱する給湯器や、他のヒートポンプ装置に本発明を適用するようにしても良い。
【０１１０】
なお、以上の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
以上説明したように、本発明は、冷媒を圧縮する圧縮機構と、該圧縮機構を駆動モータとを有する流体機械、及びこの流体機械を備えたヒートポンプ装置について有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】実施形態１に係るヒートポンプ装置の冷媒回路の配管系統図である。
【図２】実施形態１に係る流体機械の概略構成を示す縦断面図である。
【図３】変形例１に係る流体機械の概略構成を示す縦断面図である。
【図４】変形例２に係る流体機械の概略構成を示す縦断面図である。
【図５】変形例３に係る流体機械の概略構成を示す縦断面図である。
【図６】変形例４に係る流体機械の概略構成を示す縦断面図である。
【図７】実施形態２に係る流体機械の概略構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
1    空気調和装置（ヒートポンプ装置）
10   冷媒回路
20   圧縮機（流体機械）
30   ケーシング
35   吐出管
40   駆動モータ
42a  固定子コア部
42c  インシュレータ（絶縁部）
50   圧縮機構
60   インバータ装置
61   基板
62   ＳｉＣ素子（ワイドギャップ半導体素子）
63   Ｓｉ素子（低耐熱性素子）
64   放熱フィン
65   樹脂カバー（樹脂部材）
【図１】
2008057425.tif 000003
【図２】
2008057425.tif 000004
【図３】
2008057425.tif 000005
【図４】
2008057425.tif 000006
【図５】
2008057425.tif 000007
【図６】
2008057425.tif 000008
【図７】
2008057425.tif 000009