(57)【要約】【課題】ＭｇＯ保護膜の耐久性を損うことなく、しかもこのＭｇＯ保護膜を用いたＦＰＤの放電応答特性及び発光効率を向上する。【解決手段】ＦＰＤ用のＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａを形成するとともに粒子１３ｂを付着させる表面処理用蒸着材１１は、ＭｇＯを主成分とし平均粒径が０．５μｍ〜１ｍｍである。この表面処理用蒸着材１１をＭｇＯ保護膜１３の表面にスプラッシュさせることにより、平均穴径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの窪み１３ａが形成され、かつ平均粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの粒子１３ｂが付着される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＰＤ(30)用のＭｇＯ保護膜(13)の表面に窪み(13a)を形成するとともに粒子(13b)を付着させる表面処理用蒸着材(11)であって、
ＭｇＯを主成分とし平均粒径が０．５μｍ〜１ｍｍであることを特徴とする表面処理用蒸着材。
【請求項２】
請求項１に記載の表面処理用蒸着材(11)を表面にスプラッシュさせることにより、平均穴径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの窪み(13a)が形成され、かつ平均粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの粒子(13b)が付着されたＭｇＯ保護膜。
【請求項３】
所定の真空度に保持したチャンバ(23)内でＦＰＤ(30)用の基板(12)表面に平均粒径５〜３０ｍｍのＭｇＯを主成分とする積層用蒸着材(14)を用いて真空蒸着法によりＭｇＯ保護膜(13)を形成する工程と、
前記チャンバ(23)内を引続き所定の真空度に保持した状態で前記ＭｇＯ保護膜(13)の表面に請求項１に記載の表面処理用蒸着材(11)を真空蒸着法でスプラッシュさせることにより前記ＭｇＯ保護膜(13)の表面に平均穴径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの窪み(13a)を形成するとともに平均粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの粒子(13b)を付着させる工程と
を含むＭｇＯ保護膜の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＤＰ（Plasma Display Panel：プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬＣ（Plasma Addressed Liquid Crystal display）等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用のＭｇＯ保護膜の表面を処理するための蒸着材と、この蒸着材を用いて表面が処理されたＭｇＯ保護膜と、この表面が処理されたＭｇＯ保護膜を作製する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、放電空間を介して対向する前面基板及び背面基板と、この前面基板と背面基板の間に複数の行電極対及びこの行電極対に対して交差する方向に延びて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極が設けられたプラズマディスプレイパネルが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。このプラズマディスプレイパネルでは、前面基板と背面基板の間の単位発光領域に対向する部分に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層が設けられる。また酸化マグネシウム結晶体が気相酸化法によって生成され、その粒径が２０００Å（２００ｎｍ）以上である。更に上記酸化マグネシウム層は、酸化マグネシウム結晶体を含むペーストをスクリーン印刷法、オフセット印刷法、ディスペンサ法、インクジェット法、ロールコート法などにより誘電体層の表面に塗布して形成されるか、或いは酸化マグネシウム結晶体の粉末をスプレー法又は静電塗布法などによって誘電体層の表面に付着された粉末層によって構成される。
このように構成されたプラズマディスプレイパネルでは、酸化マグネシウム層に含まれる酸化マグネシウム結晶体が、放電セル内に面する位置に電子線により励起されて、波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行うので、放電セル内で発生される放電を高速化できる、例えばリセット放電によるプライミング効果が長く持続してアドレス放電を高速化できる。この結果、プラズマディスプレイパネルにおける放電確率や放電遅れなどの放電特性が改善されて、良好な放電特性が得られるようになっている。
【特許文献１】国際公開第２００５／０３１７８２号公報（請求項１、２及び４、段落［０００９］、段落［００８４］〜段落［００８６］、第１９図、第２０図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記従来の特許文献１に示されたプラズマディスプレイパネルでは、酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層を誘電体層の表面に形成するときに、溶媒を使用したり、或いは大気に開放されるため、不純物が混入する不具合があった。
また、上記従来の特許文献１に示されたプラズマディスプレイパネルでは、酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層の誘電体層に対する接着強度が低いため、長期間の使用により性能が劣化する問題点もあった。
本発明の目的は、ＭｇＯ保護膜として耐久性を損うことなく、しかも放電応答特性及び発光効率を向上できる、表面処理用蒸着材を提供することにある。
本発明の別の目的は、耐久性を損うことなく、しかも放電応答特性及び発光効率を向上できる、ＭｇＯ保護膜並びにこのＭｇＯ保護膜の作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
請求項１に係る発明は、図１〜図３に示すように、ＦＰＤ３０用のＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａを形成するとともに粒子１３ｂを付着させる表面処理用蒸着材１１であって、ＭｇＯを主成分とし平均粒径が０．５μｍ〜１ｍｍであることを特徴とする表面処理用蒸着材である。
この請求項１に記載された表面処理用蒸着では、この蒸着材１１の平均粒径が０．５μｍ〜１ｍｍと比較的小さいので、蒸着時に蒸着材１１が割れたり或いは剥離して細かな粒子となり、この粒子が蒸気流等により浮いてＭｇＯ保護膜１３の表面に接触し、ＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａが形成されたり、粒子１３ｂがそのまま付着する。このようにＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａや粒子１３ｂが存在することにより、ＭｇＯ保護膜１３の表面積が増大して、窪み１３ａの周縁や粒子１３ｂの表面に電子が滞留し易くなるとともに、窪み１３ａや粒子１３ｂの存在により尖鋭部が増大しこの尖鋭部への電子の密度が高くなって、窪み１３ａの周縁や粒子１３ｂの表面から電子を放出し易くなる。
【０００５】
請求項２に係る発明は、図１及び図２に示すように、請求項１に記載の表面処理用蒸着材１１を表面にスプラッシュさせることにより、平均穴径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの窪み１３ａが形成され、かつ平均粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの粒子１３ｂが付着されたＭｇＯ保護膜である。
この請求項２に記載されたＭｇＯ保護膜では、このＭｇＯ保護膜１３の表面に所定の大きさの窪み１３ａや粒子１３ｂが存在するので、ＭｇＯ保護膜１３の表面積が増大して、窪み１３ａの周縁や粒子１３ｂの表面に電子が滞留し易くなるとともに、窪み１３ａや粒子１３ｂの存在により尖鋭部が増大しこの尖鋭部への電子の密度が高くなって、窪み１３ａの周縁や粒子１３ｂの表面から電子を放出し易くなる。
【０００６】
請求項３に係る発明は、図１〜図３に示すように、所定の真空度に保持したチャンバ２３内でＦＰＤ３０用の基板１２表面に平均粒径５〜３０ｍｍのＭｇＯを主成分とする積層用蒸着材１１を用いて真空蒸着法によりＭｇＯ保護膜１３を形成する工程と、チャンバ２３内を引続き所定の真空度に保持した状態でＭｇＯ保護膜２３の表面に請求項１に記載の表面処理用蒸着材１１を真空蒸着法でスプラッシュさせることによりＭｇＯ保護膜１３の表面に平均穴径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの窪み１３ａを形成するとともに平均粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの粒子１３ｂを付着させる工程とを含むＭｇＯ保護膜の作製方法である。
この請求項３に記載されたＭｇＯ保護膜の作製方法では、所定の真空度に保持したチャンバ２３内で平均粒径５〜３０ｍｍのＭｇＯ蒸着材１４を用いてＭｇＯ保護膜１３を形成した後に、チャンバ２３内を引続き所定の真空度に保持した状態でＭｇＯ保護膜１３の表面に平均粒径０．５μｍ〜１ｍｍの表面処理用蒸着材１１をスプラッシュさせて所定の窪み１３ａを形成するとともに所定の粒子１３ｂを付着させたので、従来のように溶媒を用いたり或いは大気に開放することがなく、ＭｇＯ保護膜１３に不純物が混入しない。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、表面処理用蒸着材がＭｇＯを主成分とし平均粒径が０．５μｍ〜１ｍｍであるので、蒸着時に蒸着材が割れたり或いは剥離して細かな粒子となり、この粒子が蒸気流等により浮いてＭｇＯ保護膜の表面に接触し、ＭｇＯ保護膜の表面に窪みが形成されたり粒子がそのまま付着する。このようにＭｇＯ保護膜の表面に窪みや粒子が存在することにより、ＭｇＯ保護膜の表面積が増大して、窪みの周縁や粒子の表面に電子が滞留し易くなるとともに、窪みや粒子の存在により尖鋭部が増大しこの尖鋭部への電子の密度が高くなって、窪みの周縁や粒子の表面から電子を放出し易くなる。この結果、このＭｇＯ保護膜を用いたＦＰＤの放電応答特性及び発光効率を向上できる。
また上記表面処理用蒸着材を表面にスプラッシュさせることにより、平均穴径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの窪みをＭｇＯ保護膜に形成し、かつ平均粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの粒子をＭｇＯ保護膜の表面に付着させれば、ＭｇＯ保護膜の表面への窪みや粒子の存在により、ＭｇＯ保護膜の表面積が増大して、窪みの周縁や粒子の表面に電子が滞留し易くなるとともに、窪みや粒子の存在により尖鋭部が増大しこの尖鋭部への電子の密度が高くなって、窪みの周縁や粒子の表面から電子を放出し易くなる。この結果、上記と同様に、このＭｇＯ保護膜を用いたＦＰＤの放電応答特性及び発光効率を向上できる。
更に所定の真空度に保持したチャンバ内で基板表面に平均粒径５〜３０ｍｍのＭｇＯを主成分とする積層用蒸着材を用いて真空蒸着法によりＭｇＯ保護膜を形成し、チャンバ内を引続き所定の真空度に保持した状態でＭｇＯ保護膜の表面に平均粒径０．５μｍ〜１ｍｍの表面処理用蒸着材を真空蒸着法でスプラッシュさせることによりＭｇＯ保護膜の表面に所定の窪みを形成するとともに所定の粒子を付着させれば、従来のように溶媒を用いたり或いは大気に開放することがないため、ＭｇＯ保護膜に不純物が混入しない。この結果、ＭｇＯ保護膜の耐久性を損うことはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図１に示すように、表面処理用蒸着材１１は、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）用のフロントガラス基板１２のＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａを形成するとともに粒子１３ｂを付着させてＭｇＯ保護膜１３の表面処理を行うために用いられる。この蒸着材１１はＭｇＯを主成分とする。具体的には、蒸着材１１のＭｇＯ純度は９８％以上、好ましくは９９．０〜９９．９％であり、極めて微量のＹ、Ｌａ、Ｃｅ等が含まれる。また上記蒸着材１１の平均粒径は０．５μｍ〜１ｍｍ、好ましくは５μｍ〜０．１ｍｍであり、蒸着材１１の相対密度は７０〜９０％、好ましくは８０〜９０％である。ここで、蒸着材１１の純度を９８％以上に限定したのは、９８％未満では放電応答時間が長くなり更に放電応答時間のデータの再現性に劣るからである。また極めて微量のＹ、Ｌａ、Ｃｅ等を含有したのは、上記表面処理がなされたＭｇＯ保護膜１３を有するＰＤＰが広い温度範囲にわたって良好な放電応答性を得るためである。また上記蒸着材１１の平均粒径を０．５μｍ〜１ｍｍの範囲に限定したのは、０．５μｍ未満では細かすぎて取扱いが困難となり、１ｍｍを越えるとＭｇＯ保護膜１３の表面処理時にスプラッシュが発生し難くなるからである。更に蒸着材１１の相対密度を７０〜９０％の範囲に限定したのは、ＭｇＯ保護膜１３の表面処理時に所定量のスプラッシュを効率良く発生させるためである。
【０００９】
一方、フロントガラス基板１２の表面にＭｇＯ保護膜１３を形成するための積層用蒸着材１４（図２（ａ））の成分は上記表面処理用蒸着材１１と同一に構成されることが好ましい。但し、積層用蒸着材１４の平均粒径は５ｍｍ〜３０ｍｍ、好ましくは５ｍｍ〜１５ｍｍであり、積層用蒸着材１４の相対密度は９０％以上、好ましくは９５％以上である。ここで、積層用蒸着材１４の平均粒径を５ｍｍ〜３０ｍｍの範囲に限定したのは、５ｍｍ未満ではＭｇＯ保護膜１３の成膜時に小さ過ぎてスプラッシュが発生し易くなり、緻密で表面が比較的平坦なＭｇＯ保護膜１３が得られず、３０ｍｍを越えると実際の製造工程において取扱い難くなるからである。また積層用蒸着材１４の相対密度を９０％以上に限定したのは、９０％未満ではＭｇＯ保護膜１３の成膜時にスプラッシュが増大して、緻密で表面が比較的平坦なＭｇＯ保護膜１３が得られないからである。なお、図１及び図２に示すように、フロントガラス基板１２表面には、サステイン電極やスキャン電極等の電極１６が形成されるとともに、これらの電極１６を被覆するように誘電体ガラス層１７が形成される。これによりＭｇＯ保護膜１３は誘電体ガラス層１７表面に形成される。
【００１０】
上記ＭｇＯ保護膜１３の形成方法及び表面処理方法を説明する。
先ず図２（ａ）に示すように、所定の真空度に保持したチャンバ２３内でフロントガラス基板１２の表面に上記積層用蒸着材１４を用いて真空蒸着法によりＭｇＯ保護膜１３を形成する。ここで、真空蒸着法としては、電子ビーム蒸着法やイオンプレーティング法などが挙げられる。電子ビーム蒸着法は、積層用蒸着材１４に電子ビームを照射して加熱することにより、ＭｇＯ粒子を蒸発させて飛び出させ、このＭｇＯ粒子を誘電体ガラス層１７表面に堆積させる方法である。またイオンプレーティング法は、フロントガラス基板１２を陰極としグロー放電を起こさせ、積層用蒸着材１４から蒸発して飛び出したＭｇＯ粒子をイオン化又は励起させて加速した後に誘電体ガラス層１７に激突させて堆積させる方法である。具体的なＭｇＯ保護膜１３の形成方法としては、先ず表面に電極１６及び誘電体ガラス層１７が形成されたフロントガラス基板１２を真空蒸着装置２０の保持手段２４により保持するとともに、第１ハース２１に積層用蒸着材１４を入れる。次にチャンバ２３内を所定の真空度、即ち５×１０-5〜１×１０-3Ｐａ、好ましくは５×１０-5〜５×１０-4Ｐａに保持した状態で、第１ハース２１内の積層用蒸着材１４を電子ビームやグロー放電により蒸発させて誘電体ガラス層１７表面に堆積させる。これにより誘電体ガラス層１７表面に緻密で表面が比較的平坦なＭｇＯ保護膜１３が形成される（図２（ａ））。ここで、チャンバ２３内の真空度を５×１０-5〜１×１０-3Ｐａの範囲に限定したのは、５×１０-5Ｐａ未満では必要以上にチャンバ２３内を気密にしたり或いは真空ポンプの動力を要するからであり、１×１０-3Ｐａを越えると誘電体ガラス層１７表面に形成されるＭｇＯ保護膜１３の質が低下するからである。またチャンバ２３内の酸素分圧は５×１０-3〜５×１０-1Ｐａ、好ましくは０．７×１０-3〜２×１０-2Ｐａに設定される。ここで、チャンバ２３内の酸素分圧を５×１０-3〜５×１０-1Ｐａの範囲に限定したのは、５×１０-3Ｐａ未満では酸素欠損の過剰により放電応答性が遅延化するからであり、５×１０-1Ｐａを越えると酸素過剰により放電要求電圧が高くなるからである。
【００１１】
次に図２（ｂ）に示すように、チャンバ２３内を引続き所定の真空度に保持した状態で、上記ＭｇＯ保護膜１３の表面に上記表面処理用蒸着材１１を真空蒸着法でスプラッシュさせることにより、所定の窪み１３ａを形成するとともに所定の粒子１３ｂを付着させる。具体的には、チャンバ２３内を引続き所定の真空度、即ち５×１０-5〜１×１０-3Ｐａ、好ましくは５×１０-5〜５×１０-4Ｐａに保持した状態で、ＭｇＯ保護膜１３の表面に第２ハース２２内の表面処理用蒸着材１１を電子ビーム又はグロー放電によりスプラッシュさせて、ＭｇＯ保護膜１３の表面に、平均穴径５０ｎｍ〜１００００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍの窪み１３ａを形成し、かつ平均粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍの粒子１３ｂを付着させる（図２（ｂ））。ここで、窪み１３ａの平均穴径を５０ｎｍ〜１００００ｎｍの範囲に限定したのは、５０ｎｍ未満では積層用蒸着材１１を用いてＭｇＯ保護膜１３ａを形成するときに発生する窪みより小さくなって放電応答特性及び発光効率の向上という効果が発現せず、１００００ｎｍを越えると放電速度のばらつきが大きくなるからである。また付着粒子１３ｂの平均粒径を５０ｎｍ〜１００００ｎｍの範囲に限定したのは、５０ｎｍ未満では十分な放電を行うことができず、１００００ｎｍを越えると電子放出の高速化が妨げられてしまうからである。上記表面処理用蒸着材１１に電子ビームを照射したり、表面処理用蒸着材１１にグロー放電を発生させると、平均粒径が比較的小さい表面処理用蒸着材１１が割れたり或いは剥離して細かな粒子となり、この粒子がチャンバ２３内の蒸気流等により浮いてＭｇＯ保護膜１３の表面に接触する。そしてこの接触した粒子がＭｇＯ保護膜１３から剥がれると、ＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａが形成され、上記接触した粒子がＭｇＯ保護膜１３から剥がれないと、粒子がそのままＭｇＯ保護膜１３の表面に付着して付着粒子１２３ｂとなる。
【００１２】
このようにＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａや粒子１３ｂが存在することにより、ＭｇＯ保護膜１３の表面積が増大して、窪み１３ａの周縁や付着粒子１３ｂの表面に電子が滞留し易くなるとともに、窪み１３ａや付着粒子１３ｂの存在により尖鋭部が増大しこの尖鋭部への電子の密度が高くなって、窪み１３ａの周縁や付着粒子１３ｂの表面から電子を放出し易くなる。この結果、このＭｇＯ保護膜１３を用いたＰＤＰの放電応答特性及び発光効率を向上できる。また誘電体ガラス層１７表面にＭｇＯ保護膜１３を形成する工程と、ＭｇＯ保護膜１３表面に窪み１３ａを形成し粒子１３ｂを付着させる工程との間に、フロントガラス基板１２を大気に開放せず、また誘電体ガラス層１７表面にＭｇＯ保護膜１３を形成する工程と、ＭｇＯ保護膜１３表面に窪み１３ａを形成し粒子１３ｂを付着させる工程とが、同一の真空蒸着装置２０と同一の成分の蒸着材を用いて行われるため、ＭｇＯ保護膜１３に不純物が混入することがなく、しかもＭｇＯ保護膜１３と付着粒子１３ｂとの接着力を強固にすることができる。この結果、このＭｇＯ保護膜１３を用いたＰＤＰを長期間使用しても、ＭｇＯ保護膜１３は殆ど劣化しない。
【００１３】
このように形成されかつ表面処理されたＭｇＯ保護膜１３を使用したＰＤＰ３０の内部構造を図３に示す。
面放電形式のＡＣ型ＰＤＰ３０では、通常、フロントガラス基板１２の画面横方向にサステイン電極３１とスキャン電極３２が対をなして平行に配置される。またリアガラス基板３３の画面縦方向には、アドレス電極３４が配置される。このサステイン電極３１とスキャン電極３２の間隙は放電ギャップと呼ばれており、この間隙は約８０μｍに選定される。またフロントガラス基板１２とリアガラス基板３３は１００〜１５０μｍ程度の高さの隔壁３６によって隔てられ、この隔壁３６の壁面及び底部には蛍光体粉末が塗布される。カラー表示の場合には、ライン方向に並ぶ３つの放電空間３７を形成する隔壁３６の背面及び底部に３色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の蛍光体３８Ｇ，３８Ｂ，３８Ｒがそれぞれ塗布されて３つのサブピクセル（単位発光領域）を形成し、これらを１ピクセルとする。フロントガラス基板１２、リアガラス基板３３及び隔壁３６で形成された放電空間３７には、ガスが封入される。この封入ガスには、Ｎｅ（ネオン）やＸｅ（キセノン）等の不活性ガスの混合ガスが使用される。
サステイン電極３１及びスキャン電極３２を被覆する誘電体ガラス層１７の表面には、放電時の放電ガスによるイオン衝撃を低減するため、耐スパッタ性の高い保護膜１３が設けられる。ＰＤＰ３０では保護膜１３の材質、膜質及び形状が放電特性に大きな影響を与えるため、この保護膜１３は放電電極として作用する。この保護膜１３としては、耐スパッタ性に優れかつ二次電子放出係数の高い絶縁物である本発明のＭｇＯ保護膜を用いる。
【００１４】
このように構成されたマトリクス表示形式のＡＣ型ＰＤＰ３０では、フロントガラス基板１２とリアガラス基板３３との間に設けられた放電空間３７内で対向するサステイン電極３１及びスキャン電極３２とアドレス電極３４との間にプラズマ放電を生じさせ、この放電空間３７内に封入されているガスから発生する紫外線を放電空間３７内に設けた蛍光体３８Ｇ，３８Ｂ，３８Ｒに当てることにより表示を行う。表示素子であるセルの点灯状態の維持（サステイン）にはメモリ効果が利用される。表示に際しては、先ず、ある画像のサステインの終了から次の画像のアドレッシング（書込み）までの間に画面全体の壁電荷の消去（リセット）を行う。次に点灯（発光）すべきセルのみに壁電荷を蓄積させるライン順次のアドレッシング（書込み）を行う。その後に全てのセルに対して一斉に交番極性の放電開始電圧より低い電圧（サステイン電圧）を印加する。壁電荷の存在するセルでは、壁電圧がサステイン電圧に重畳するので、セルに加わる実効電圧が放電開始電圧を越えて放電が生じる。サステイン電圧の印加周波数を高くすることで、見かけ上連続的な点灯状態が得られる。
【００１５】
上記アドレッシング（書込み）では、リアガラス基板のアドレス電極とフロントガラス基板のスキャン電極間で書込み放電を行うことにより壁電荷の蓄積が行われる。例えば、従来より用いられている解像度がＶＧＡ（Visual Graphics Array）クラスで２５６階調表現（８サブフィールド）のＰＤＰでは、書込み放電が３μｓで行われた場合、４８０ラインを順次書込む必要があるため、駆動時間の約１０％が壁電荷の消去に、約７０％が画像データの書込みに費やされ、実際に画像を表示する時間は残りの約２０％程度しか存在しないことになる。ＰＤＰの場合、パネルの輝度はこの画像表示時間が長いほど明るく認識される。パネル輝度を改善するためにはアドレス電極を駆動するアドレスＩＣ数を２倍にして、画像の上下部を別々に書込む（デュアルスキャン）ことで書込み時間を短縮し画像表示時間を延ばすことができる。しかしこの方法を用いると、回路コストが増加する問題がある。
【００１６】
これに対して、本発明のＭｇＯ保護膜１３は、窪み１３ａ周縁及び付着粒子１３ｂの表面に電子を高密度に保持することができるので、書込み放電の時間を短縮できる、即ち放電応答時間の短縮を図ることができる。この結果、本発明のＭｇＯ保護膜１３を用いたＰＤＰ３０では、高精細で安定した画像を表示することができ、印加電圧を抑制できるとともに、省エネルギ化にも貢献できる。また本発明のＭｇＯ保護膜１３を用いたＰＤＰ３０は、画像表示時間を延ばすことができるため、パネル輝度を向上できる。一方、パネル輝度の低下なしに大幅なアドレスＩＣ数の削減も図ることができる。
【実施例】
【００１７】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
＜実施例１＞
図２（ａ）に示すように、積層用蒸着材１４として、ＭｇＯ純度が９９．９５％であり、相対密度が９８％であり、直径及び厚さがそれぞれ５ｍｍ及び１．６ｍｍである円板状のペレットを用意し、この蒸着材１４を第１ハース２１に入れた。また縦、横及び厚さがそれぞれ１５０ｍｍ、１５０ｍｍ及び２．８ｍｍである長方形板状のガラス基板１２を用意した。このガラス基板１２の表面には、予め厚さ８０μｍの放電ギャップ用のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）電極１６と、このＩＴＯ電極１６を被覆する誘電体ガラス層１７とを形成した。このガラス基板１２を保持手段２４の保持板２４ａに吸着させた。上記ガラス基板１２に形成された誘電体ガラス層１７上に、第１ハース２１内の積層用蒸着材１４を電子ビーム加熱手段により加熱し蒸発させて、膜厚８００ｎｍのＭｇＯ保護膜１３を形成した（図２（ａ））。このときの成膜条件は到達真空度が１．０×１０-4Ｐａであり、酸素分圧が１．０×１０-2Ｐａであり、基板温度が２００℃であった。次に上記成膜条件と同一の成膜条件で第２ハース２２内の平均粒径１００μｍの表面処理用蒸着材１１を電子ビーム加熱手段により加熱し蒸発させて、ＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａを形成するとともに粒子１３ｂを付着させた（図１及び図２（ｂ））。このＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａを形成し粒子１３ｂを付着させたガラス基板１２を実施例１とした。
【００１８】
＜実施例２＞
平均粒径０．５μｍの表面処理用蒸着材を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板のＭｇＯ保護膜の表面に窪みを形成するとともに粒子を付着させた。このガラス基板を実施例２とした。
＜実施例３＞
平均粒径２μｍの表面処理用蒸着材を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板のＭｇＯ保護膜の表面に窪みを形成するとともに粒子を付着させた。このガラス基板を実施例３とした。
＜実施例４＞
平均粒径１０μｍの表面処理用蒸着材を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板のＭｇＯ保護膜の表面に窪みを形成するとともに粒子を付着させた。このガラス基板を実施例４とした。
＜実施例５＞
平均粒径５００μｍの表面処理用蒸着材を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板のＭｇＯ保護膜の表面に窪みを形成するとともに粒子を付着させた。このガラス基板を実施例５とした。
＜実施例６＞
平均粒径１０００μｍの表面処理用蒸着材を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板のＭｇＯ保護膜の表面に窪みを形成するとともに粒子を付着させた。このガラス基板を実施例６とした。
なお、実施例１〜６の表面処理用蒸着材の平均粒径の測定は、粒度分布測定装置（LEED & NORTHRUP社製：MICROTRAC FRA）にて各蒸着材の粉末の粒子径を測定することにより行った。測定条件としては、溶媒を純水とし、分散剤をヘキサメタリン酸ナトリウム（Ｎａ）として、各蒸着材の粉末を３分間分散させた後に、各蒸着材の粉末の粒子径を測定した。
【００１９】
＜比較例１＞
平均粒径５０００μｍの表面処理用蒸着材を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板のＭｇＯ保護膜の表面に窪みを形成するとともに粒子を付着させた。このガラス基板を比較例１とした。
＜比較例２＞
表面処理用蒸着材を用いたＭｇＯ保護膜の表面への窪みの形成や粒子の付着を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板の表面にＩＴＯ電極、誘電体ガラス層及びＭｇＯ保護膜を形成した。このガラス基板を比較例２とした。
【００２０】
＜比較試験及び評価＞
実施例１〜６と比較例１及び２のＭｇＯ保護膜が形成されたガラス基板をフロントガラス基板とした。またリヤガラス基板を用意し、このリヤガラス基板上に高さ１５０μｍの隔壁（リブ）をピッチ３６０μｍで形成した。上記フロントガラス基板とリヤガラス基板を対向するように配置した後、フロントガラス基板、リヤガラス基板及び隔壁により形成された放電空間に、Ｎｅ−４％Ｘｅ混合ガスを放電ガスとして注入した。これによりテスト基板が得られた。このテスト基板を用い、−２０℃、３０℃及び９０℃の各温度条件で擬似的なアドレス放電試験、即ち２枚のガラス基板間の対向放電試験を行った。試験条件は、放電ガス圧を５００Torr、印加電圧を２００Ｖ、周波数を１ｋＨｚとした。このような条件で試験を行い、放電によって放出される近赤外線を光電子倍増管により検知し、電圧を印加してから発光が終了するまでの時間を放電応答時間として評価した。なお、この放電応答時間には統計的な発光ばらつきを含む。その結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
2008057038.tif 000003
【００２２】
表１から明らかなように、温度条件が−２０℃である場合には、放電応答時間が比較例１及び２では１６．４μ秒及び１４．７μ秒と長かったのに対し、実施例１〜６では２．０〜１３．８μ秒と短くなった。また温度条件が３０℃である場合には、放電応答時間が比較例１及び２では３．１μ秒及び２．８μ秒と長かったのに対し、実施例１〜６では１．１〜２．６μ秒と短くなった。更に温度条件が９０℃である場合には、放電応答時間が比較例１及び２では１．３μ秒及び１．６μ秒と長かったのに対し、実施例１〜６では０．７〜１．４μ秒と短くなった。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明実施形態の表面処理用蒸着材を用いてＭｇＯ保護膜の表面に窪みを形成するとともに粒子を付着させている状態を示す要部断面構成図である。
【図２】フロントガラス基板の表面にＩＴＯ電極及び誘電体ガラス層を介してＭｇＯ保護膜を形成した後に、このＭｇＯ保護膜の表面に窪みを形成するとともに粒子を付着させる工程を示す図である。
【図３】そのＭｇＯ保護膜を用いたＰＤＰの内部構造を示す要部断面斜視図である。
【符号の説明】
【００２４】
１１  表面処理用蒸着材
１２  フロントガラス基板
１３  ＭｇＯ保護膜
１３ａ  窪み
１３ｂ  粒子
１４  積層用蒸着材
２３  チャンバ
３０  ＰＤＰ（ＦＰＤ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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