(57)【要約】【課題】製造時の取り扱いが簡便で、生産性を向上させる圧電発振器の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板に設けられた複数の開口部の側面から延出して容器体の他方の主面に形成された端子部接続用電極端子に対応した位置に設けられる複数の端子部の基板の両主面と同一方向を向く面に金属膜層を形成する端子部形成工程と、容器体の他方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドに集積回路素子を電気的且つ機械的に接続することで搭載する集積回路素子接続工程と、端子部の金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続する端子部接続工程と、基板を容器体が接続されている面が下になるように反転させる基板反転工程と、基板の開口部と端子部との境目で切断して複数個の圧電発振器を同時に得る切断分離工程とを具備する。【選択図】図１
2008252780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に凹部空間を有する容器体に圧電振動素子を搭載して、前記凹部空間内を蓋体で気密封止し、前記容器体の他方の主面に設けられた集積回路素子搭載パッドに集積回路素子を搭載し、搭載用の端子部を設けた圧電発振器の製造方法であって、
平板状の基板に設けられた複数の貫通口部の側面から延出して前記容器体の他方の主面に設けられた端子部接続用電極端子に対応した位置に設けられる複数の端子部の前記基板の両主面と同一方向を向く面に金属膜層を形成する金属膜層形成工程と、
前記集積回路素子搭載パッドに集積回路素子を搭載する集積回路素子接続工程と、
前記端子部の金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続する端子部接続工程と、  前記容器体が接続されている面が下になるように前記基板を反転させる基板反転工程と、
前記容器体が接続されている面とは異なる面から、前記基板の前記貫通口部と前記端子部との境目で切断して複数個の圧電発振器を同時に得る切断分離工程と、
を具備することを特徴とする圧電発振器の製造方法。
【請求項２】
前記集積回路素子の周囲を絶縁性樹脂により覆う工程を前記端子部接続工程後に具備することを特徴とする請求項１記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項３】
前記集積回路素子が温度補償データを格納するためのメモリを備え、前記圧電発振器の前記複数の端子部のうち少なくとも２つを温度補償データを書き込むためのデータ書込端子とし、前記データ書込端子を介して前記集積回路素子に温度補償データを入力し、前記集積回路素子内のメモリに前記温度補償データを格納する工程を前記切断分離工程後に具備することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項４】
前記データ書込端子となる端子部の高さが他の端子部の高さより低いことを特徴とする請求項３記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項５】
前記基板の材質が絶縁材料であるシリコン、ガラス、ガラスエポキシ樹脂のうちいずれか１つであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項６】
前記基板の材質が金属材料である銅、ＳＵＳ、アルミニウムのうちいずれか１つであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項７】
前記端子部に、前記集積回路素子の高さ寸法よりも高い寸法の段差を有する段差部が容器体に向かって形成され、且つ前記段差部の中段平面が集積回路素子と対向する形態で形成されていることを特徴とする請求項６記載の圧電発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられる圧電発振器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１２は、従来の圧電発振器を示す断面図である。図１２に示すように従来の圧電発振器２００は、セラミック材料等から成る概略直方体の容器体２０１の一方の主面に凹部空間２０５が形成され、この凹部空間２０５の底面に形成された圧電振動素子搭載パッド２０６上に、圧電振動素子２０２が搭載されている。
更に、容器体２０１の凹部空間２０５を覆うように金属製の蓋体２０４を載置し、容器体２０１の側壁頂部と固着することにより、凹部空間２０５内が気密封止されている。
また、前記容器体２０１の他方の主面には、導電性接合材２０７によって導電体２０４と集積回路素子２０３とが接合されている構造が知られている。この導電体２０４は、外部接続用電極端子として用いられる（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
尚、前記容器体２０１の他方の主面には導電体接続用電極端子２０８が設けられており、これらの導電体接続用電極端子２０８と導電体２０４を、導電性接着剤や半田等の導電性接合材２０７を介して導通固着することにより、容器体２０１に導電体２０４が接合されていた。
導電体２０４を容器体２０１に接合する方法としては、前記容器体２０１の他方の主面に形成されている導電体接続用電極端子２０８に導電性接着剤や半田等の導電性接合材２０７を塗布し、導電体２０４を容器体２０１の各導電体接続用電極端子２０８に１つずつ搭載して、熱処理をすることで、導電体接続用電極端子２０８に導電体２０４が接合されていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−４６２５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の圧電発振器の製造方法においては、容器体２０１の他方の主面に形成されている導電体接続用電極端子２０８に導電性接着剤や半田等の導電性接合材２０７を塗布し、導電体２０４を容器体２０１の各導電体接続用電極端子２０８に１つずつ搭載して、すべてを搭載後に熱処理をすることで、導電体接続用電極端子に導電体２０４が接合されるので、個々の容器体２０１に設けられた複数の導電体接続用電極端子２０８に導電体２０４を１つずつ搭載する煩雑且つ、高精度な導電体搭載工程が必要となり、圧電発振器の生産性が低下してしまうといった課題があった。
【０００６】
そこで、本発明は前記課題に鑑みてなされたもので、製造時の取り扱いが簡便で、生産性を向上させる圧電発振器の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の圧電発振器の製造方法は、前記課題を解決するために成されたものであり、一方の主面に凹部空間を有する容器体に圧電振動素子を搭載して、凹部空間内を蓋体で気密封止し、容器体の他方の主面に設けられた集積回路素子搭載パッドに集積回路素子を搭載し、搭載用の端子部を設けた圧電発振器の製造方法であって、平板状の基板に設けられた複数の貫通口部の側面から延出して容器体の他方の主面に設けられた端子部接続用電極端子に対応した位置に設けられる複数の端子部の前記基板の両主面と同一方向を向く面に金属膜層を形成する金属膜層形成工程と、集積回路素子搭載パッドに集積回路素子を搭載する集積回路素子接続工程と、端子部の金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続する端子部接続工程と、容器体が接続されている面が下になるように前記基板を反転させる基板反転工程と、容器体が接続されている面とは異なる面から、基板の貫通口部と前記端子部との境目で切断して複数個の圧電発振器を同時に得る切断分離工程と、を具備することを特徴とするものである。
【０００８】
また、集積回路素子の周囲を絶縁性樹脂により覆う工程を端子部接合工程後に具備しても良い。
【０００９】
また、前記集積回路素子が温度補償データを格納するためのメモリを備え、前記圧電発振器の前記複数の端子部のうち少なくとも２つを温度補償データを書き込むためのデータ書込端子とし、前記データ書込端子を介して前記集積回路素子に温度補償データを入力し、前記集積回路素子内のメモリに前記温度補償データを格納する工程を前記切断分離工程後に具備しても良い。
【００１０】
また、基板の端子部の一部がデータ書込端子となり、データ書込端子となる端子部の高さが他の端子部の高さより低くても良い。
【００１１】
また、基板の材質が絶縁材料であるシリコン、ガラス、ガラスエポキシ樹脂のうちいずれか１つであっても良い。
【００１２】
また、基板の材質が金属材料である銅、ＳＵＳ、アルミニウムのうちいずれか１つであっても良い。
【００１３】
また、端子部に、集積回路素子の高さ寸法よりも高い寸法の段差を有する段差部が容器体に向かって形成され、且つ段差部の中段平面が集積回路素子と対向する形態で形成されていても良い。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の圧電発振器の製造方法によれば、平板状の基板に設けられた複数の開口部の側面から延出して容器体の他方の主面に形成された端子部接続用電極端子に対応した位置に設けられる複数の端子部に形成された金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続することによって、すべての端子部を容器体へ同時に搭載することができるので、個々の容器体に導電体を１つずつ搭載するような煩雑な工程を行う必要なく、容易に圧電発振器を製造することができる。したがって、圧電発振器の生産性を向上させることができる。
【００１５】
また、容器体が接続されている面が下になるように前記基板を反転させた後、容器体が接続されている面とは異なる面から基板の貫通口部と端子部との境目で切断して複数個の圧電発振器を同時に得ることによって、圧電発振器の実装側になる端子部のへりにバリが発生することを防止し、端子部を容器体の外部接続用電極端子として、マザーボード等の外部電気回路に搭載する際には安定して搭載することが可能となる。
【００１６】
また、端子部の表面の一部を含む集積回路素子の周囲を絶縁性樹脂で充填することにより、端子部を基板から切断分離する際に、絶縁性樹脂が切断時に端子部に生じるストレスの緩衝材となるので、切断時のストレスによる端子部と端子部接続用電極端子との剥がれなどの不具合を低減することが可能となる。
【００１７】
また、圧電発振器の端子部の一部がデータ書込端子となり、データ書込端子となる端子部の高さが他の端子部の高さより低いので、圧電発振器とマザーボード等の外部の電気回路に搭載した場合でも、マザーボード表面に形成されている配線パターンとデータ書込端子が接触しないので、安定した発振周波数を出力することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。
【００１９】
（第一の実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す分解斜視図である。図２は、本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。図３（ａ）は、本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造方法で用いられた容器体を一方の主面よりみた斜視図である。図３（ｂ）は、本発明の圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器を他方の主面よりみた斜視図である。
尚、説明を明りょうにするため説明に不必要な構造体の一部を図示していない。さらに図示した寸法も一部誇張して示している。
【００２０】
図１〜図３に示す圧電発振器１００は、容器体１０と圧電振動素子２０と蓋体３０とからなる圧電振動子９０と、集積回路素子５０と端子部４１とで主に構成されている。この圧電発振器１００は、容器体１０の一方の主面に凹部空間１４が形成され、前記容器体１０の前記凹部空間１４内に圧電振動素子２０が搭載され、前記容器体１０の他方の主面には、集積回路素子５０を搭載しつつ、端子部４１を設けた構造となっている。
【００２１】
圧電振動素子２０は、水晶素板に励振用電極２１を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極２１を介して水晶素板に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
水晶素板は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極２１は、前記水晶素板の表裏両主面に被着・形成したものである。
このような圧電振動素子２０は、その両主面に被着されている励振用電極２１と凹部空間１４内に形成されている圧電振動素子搭載パッド１３とを、導電性接着剤７０を介して電気的且つ機械的に接続することによって凹部空間１４に搭載される。
【００２２】
また、前記集積回路素子５０は、回路形成面に圧電振動素子２０からの発振出力を生成する発振回路等が設けられており、この発振回路で生成された出力信号は端子部４１の内の所定の端子を介して圧電発振器１００外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。尚、集積回路素子５０は、容器体１０の他方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド１５に搭載されている。
【００２３】
前記容器体１０は、例えば、アルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料から成る絶縁層を複数積層することよって形成されており、容器体１０の一方の主面には、中央域に開口する矩形状の凹部空間１４が形成されている。また、凹部空間１４を囲繞する容器体１０の側壁部の開口側頂面の全周には、環状の封止用導体パターン１１が形成されている。凹部空間１４内には、圧電振動素子搭載パッド１３を備えている。
前記容器体１０の他方の主面には、集積回路素子５０を機械的に接合するための集積回路素子搭載パッド１５が中央部に、また端子部４１を機械的に接合するための端子部接続用電極端子１２が前記容器体１０の他方の主面の４隅と前記４隅の間の計６箇所に設けられている。
【００２４】
封止用導体パターン１１は、容器体１０の凹部空間１４を形成する側壁部頂面に形成されている。
また、その封止用導体パターン１１の内周側縁部は凹部空間１４の内壁面に、外周側縁部は容器体１０の外側面にそれぞれ露出されている。この封止用導体パターン１１は、後述する蓋体３０を、蓋体３０に形成された封止部材３１の濡れ性を良好とし、圧電振動素子搭載空間の気密信頼性及び生産性を向上させることができる。
【００２５】
圧電振動素子搭載パッド１３は、凹部空間１４の底面に被着形成され、前記圧電振動素子２０の励振用電極２１と接続されている。
また、圧電振動素子搭載パッド１３は、容器体１０の内部の配線導体やビアホール導体等及び凹部空間１１内底面に形成された集積回路素子接続用電極パッド１４を介して、集積回路素子５０に電気的に接続される。
【００２６】
集積回路素子搭載パッド１５は、容器体１０の他方の主面の中央部に形成されている。また、集積回路素子搭載パッド１５は、集積回路素子５０に形成されている接続パッドが半田や導電性接着剤等の導電性接合材６０を介して電気的且つ機械的に接続され、容器体１０内部に形成されている配線導体やビアホール導体等を介して集積回路素子５０内の電子回路が水晶振動素子２０や端子部４１に電気的に接続される。
【００２７】
端子部接続用電極端子１２は、容器体１０の他方の主面の４隅と前記４隅の間の計６箇所に設けられている。
また、端子部接続用電極端子１２は、端子部４１の上面に形成された金属膜層４３ａと、半田や導電性接着剤等の導電性接合材６０によって機械的且つ電気的に接合している。
【００２８】
端子部４１は、シリコンやガラス、ガラスエポキシ樹脂等の一枚板である基板４０を従来周知の打ち抜き加工法やエッチング加工法等により一体で形成する。
端子部４１は、集積回路素子５０の高さ寸法よりも高い高さ寸法を有する柱状形状となっている。
端子部４１は、平板状の基板に設けられた複数の貫通口部の側面から対向する貫通口部内側面に向かって延出して、圧電振動子９０の前記容器体１０の他方の主面に形成された端子部接続用電極端子１２に対応した位置に設けられる複数の端子部４１の前記基板の両主面と同一方向を向く面にＮｉメッキ、Ａｕメッキを施した金属膜層４３ａ、４３ｂを形成し、前記端子部４１を切り離して形成される。
尚、金属膜層４３ａと金属膜層４３ｂは、端子部４１の内部又は、表面に形成された配線やビアホールにより、導通がとられている。
【００２９】
このように端子部４１は基板を加工して形成されたものであるため、容器体１０の外部接続用電極端子として、マザーボード等の外部電気回路に搭載する際、半田等の導電性接合材によって外部電気回路の回路配線と電気的に接続されても、導電性接合材が端子部４１の表面に這い上がらないため、他の端子部や集積回路素子５０と短絡を防止することが可能となる。
【００３０】
また、各端子部４１は、機能毎に外部接続用電極端子４１ａ（電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子）の他にデータ書込端子４１ｂとして用いられる。外部接続用電極端子４１ａは、圧電発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、半田付け等によって外部電気回路の回路配線と電気的に接続されることとなる。また、データ書込端子４１ｂは、温度補償データ書込装置のプローブ針を当て、水晶振動素子２０の温度特性に応じた温度補償データを書き込むことによって集積回路素子５０のメモリ内に温度補償データが格納される。尚、それぞれの電極端子として使用される端子部４１は、その電極端子の用途によって外形形状に差異が設けられている。
【００３１】
ここで、４つの外部接続用電極端子４１ａのうち、グランド端子と発振出力端子を近接に配置するようにすれば、発振出力端子より出力される発振信号にノイズが干渉するのを有効に防止することができる。従って、グランド端子と発振出力端子は近接させて配置することが好ましい。
【００３２】
蓋体３０は、容器体１０の凹部空間上に配置接合される。この蓋体３０は、前記凹部空間１１に相対する箇所に封止部材３１が設けられている。
また、このような封止部材３１は、封止用導体パターン１１表面の凹凸を緩和し、気密性の低下を防ぐことが可能となる。
【００３３】
次に前記圧電発振器の製造方法について図４〜図７を用いて説明する。
ここで、図４（ａ）は、圧電発振器の製造方法の端子部形成工程を示す基板の断面図であり、図４（ｂ）は、圧電発振器の製造方法の集積回路素子接続工程を示す断面図であり、図４（ｃ）は、圧電発振器の製造方法の端子部接続工程を示す断面図である。また、図５（ａ）は、圧電発振器の製造方法の基板反転工程を示す断面図であり、図５（ｂ）は、圧電発振器の製造方法の切断分離工程を示す断面図である。図６は、基板に圧電振動子を搭載する前を示す外観斜視図である。また図７は、基板に圧電振動子を搭載した後を示す平面図である。
【００３４】
基板４０は、ウエハ形状であり、端子部４１を有する基板領域Ｘと、捨代領域Ｙとを相互に隣接させて、これらをマトリクス状に複数個ずつ配置した形態を有しており、前記基板４０の基板領域Ｘには、貫通口部４２が設けられる。
端子部４１は、集積回路素子５０の高さ寸法よりも高い高さ寸法ｈを有する直方体形状となるように、容器体１０の他方の主面に形成された端子部接続用電極端子１２に対応した位置に端子部４１が位置に、前記貫通口部４２内の側面に接続した形態で複数個直列に配置されている。このようにすることにより、集積回路素子５０がマザーボード等に接触することがなくなる。
このような基板４０は、シリコンやガラス、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料または、銅、ＳＵＳ、アルミニウムの金属材料で形成された一枚板である基板４０を従来周知の打ち抜き加工法やフォトエッチング加工法等により形成される。
【００３５】
基板４０がシリコンから成る場合は、単結晶シリコンのインゴットを所定厚みにスライスしてシリコンウエハを形成する。前記シリコンウエハの各基板領域Ｘの端子部４１には、貫通孔（図示せず）が設けられ、この貫通孔内に導電材料が設けられて、前記端子部の上面と下面に形成される金属膜層４３ａ、４３ｂと電気的に接続される。
この場合端子部４１の上面と下面に形成した金属膜層４３ａ、４３ｂは、貫通孔により導通接続する。前記貫通孔には、金錫（Ａｕ−Ｓｎ）等の導体ペーストを充填することによって形成することができる。
【００３６】
基板４０がホウケイ酸ガラス、ソーダガラスのガラス材料から構成されている場合は、基板４０の各基板領域Ｘの端子部４１に対応した耐蝕膜を予め形成し、次にフォトエッチング加工法等により、開口部４２を形成する。
各基板領域Ｘの端子部４１に対応した耐蝕膜を剥離して、貫通孔が設けられ、前記端子部４１の上面と下面に金属膜層４３ａ、４３ｂが形成される。
【００３７】
基板４０がガラス布基材エポキシ樹脂から成る場合は、ガラス糸を編み込んで形成したガラス布基材にエポキシ樹脂の液状前駆体を含浸させるとともに、前駆体を高温で重合させることによってベースが形成され、ベースに貼着される銅箔等の金属箔を従来周知のフォトエッチング加工法を採用し、所定パターンに加工することによって金属箔からなる金属膜層４３ａ、４３ｂが形成される。その後、従来周知の打ち抜き加工等で、基板４０の基板領域Ｘに開口部４２を形成する。
【００３８】
基板４０が銅、ＳＵＳ、アルミニウムの金属材料により成る場合は、この金属材料によりなる一枚板を従来周知のフォトエッチング加工を採用し、基板４０に設けられた複数の開口部の側面から延出して、前記容器体１０の他方の主面に形成された端子部接続用電極端子１２に対応した位置に端子部４１が設けられた形状となる。
【００３９】
（金属膜形成工程）
まず、図４（ａ）、図６、図７に示す端子部形成工程は、平板状の基板４０に設けられた複数の開口部４２の側面から延出して前記容器体４１の他方の主面に形成された端子部接続用電極端子１２に対応した位置に設けられる複数の端子部４１の前記基板４０の両主面と同一方向を向く面に金属膜層４３ａ、４３ｂを形成する。
尚、図４（ａ）に示した基板４０の断面図は、図９に記載の仮想切断線Ａ−Ａで切断した場合の部分断面図である。
【００４０】
端子部４１の上面及び下面には、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキを施した金属膜層４３ａ、４３ｂが形成されている。この端子部４１の上面及び下面に形成された金属膜層４３ａ、４３ｂは、配線やビアホールによって上面に形成した金属膜層４３ａと下面に形成した金属膜層４３ｂを電気的に接続している。
また、この実施形態においては、この基板４０を、後述する切断分離工程で、端子部４１と捨代領域Ｙとを切断することになる。
【００４１】
（集積回路素子接続工程）
集積回路素子接続工程は、図４（ｂ）に示すように、前記集積回路素子搭載パッドに集積回路素子を搭載し、接続する工程である。
前記容器体１０の他方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド１５に決められた機能に対応する接続パッドを向かい合わせた形態で集積回路素子５０を電気的且つ機械的に接続することで搭載する。
集積回路素子５０としては、接合面に複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型集積回路素子が用いられる。この集積回路素子５０は、その接合面に設けられている複数個の接続パッドが、容器体１０の各集積回路素子搭載パッド１５に導電性接合材を介して当接されるようにして載置され、しかる後、この導電性接合材を熱の印加によって溶融した後冷却固化することによって、集積回路素子５０が容器体１０に接続される。
【００４２】
（端子部接続工程）
端子部接続工程は、図４（ｃ）、図６、図７に示す如く、前記端子部４１の金属膜層４３ａと容器体１０の端子部接続用電極端子と１２を接続する工程である。
水晶からなる圧電振動素子２０が収容され、集積回路素子５０が取着搭載されている容器体１０を、基板４０の開口部４２に取着搭載された集積回路素子５０が挿入するようにして、圧電振動子９０を構成する容器体１０の他方の主面に形成された端子部接続用電極端子１２と基板４０に形成された個々の端子部４１の上面の金属膜層４３ａとを、金属膜層４３ａに印刷手段により一括で形成した半田や導電性接着剤などの導電性接合材６０で接合することにより、基板４０の所定の複数の端子部４１に容器体１０により構成される圧電振動子９０を搭載する。
【００４３】
（基板反転工程）
基板反転工程は、図５（ａ）に示す如く、前記基板４０を容器体１０が接続されている面が下になるように反転させる工程である。
前記基板４０の所定の複数の端子部４１に、搭載された容器体１０が下になるように反転させる。その際に、前記容器体１０の蓋体３０をダイシングテープ１１０に貼り付けるようにする。
前記ダイシングテープ１１０は、基板４０をダイシング装置のステージ上に固定するとともに、切断分離工程時に、個々の基板４０が飛び散らないようにしておくためのものであり、基板４０の一主面、即ち、容器体１０の蓋体３０を下に向けた状態で、この基板４０を、ダイシングテープ１１０が貼着されたステージ上の所定位置に載置させることにより、ダイシングテープ１１０が基板４０に搭載された容器体１０の蓋体３０に貼着される。
【００４４】
（切断分離工程）
切断分離工程は、図５（ｂ）及び図７に示す如く、前記容器体１０が接続されている面とは異なる面から、前記基板４０の開口部４２と前記端子部４１との境目で切断して複数個の圧電発振器１００を同時に得る。
各基板４０の捨代領域Ｙと基板領域Ｘの端子部４１との接続部分（二点鎖線部分）を切断することにより、各端子部４１を捨代領域Ｙより切り離し、複数個の圧電発振器１００を同時に得る。基板４０の切断は、ダイサーを用いたダイシング等によって行なわれ、かかる切断工程を経て、端子部４１が外部接続用電極端子４１ａやデータ書込端子４１ｂの各種機能をなす形態の複数個の圧電発振器１００が同時に得られる。
このように、前記基板４０を容器体１０が接続されている面が下になるように反転させた後、端子部が接続されている面から基板４０の開口部４２と端子部４１との境目で切断して複数個の圧電発振器１００を同時に得ることによって、端子部４１のマザーボード等の外部電気回路と接続する面にバリが発生することを防止し、端子部４１を容器体１０の外部接続用電極端子４１ａとして、マザーボード等の外部電気回路に搭載する際には安定して搭載することが可能となる。また、前記ダイサーが上から降りてくるために前記基板４０を反転させる必要がある。
【００４５】
尚、圧電発振器１００に温度補償機能を有する場合は、各端子部４１を捨代領域Ｙより切断分離した端子部４１のうちのデータ書込端子４１ｂを介して集積回路素子５０に温度補償データを入力し、集積回路素子５０内のメモリに温度補償データを格納する。このような温度補償データの書込作業は、温度補償データ書込装置のプローブ針をデータ書込端子４１ｂに当てて、水晶振動素子２０の温度特性に応じて作成された温度補償データを集積回路素子５０の温度補償回路内に設けられているメモリに入力し、これを記憶させることによって行なわれる。尚、ここで集積回路素子５０に書き込まれる温度補償データは、水晶振動素子２０毎の温度特性バラツキを補正するためのものであり、その温度補償型水晶発振器に使用される水晶振動素子２０の温度特性を事前に測定しておくことにより得られるものである。
【００４６】
（第二の実施形態）
図８は、本発明の第二の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
端子部形成工程時の基板４０に貫通口部４２を形成した後、データ書き込み端子となる端子部４１ｂのみに再度フォトエッチング加工法等の端子部４１ｂの厚みを減らす加工を行なう工程を行なっている点で、第一の実施形態とは異なる。よって、データ書込端子となる端子部４１ｂの高さが他の端子部４１ａの高さより低くなる。
このようにすることで、圧電発振器１００とマザーボード等の外部の電気回路に搭載した場合でも、マザーボード表面に形成されている配線パターンとデータ書込端子が不要に接触することがなくなるため、安定した発振周波数を出力することが可能となる。
【００４７】
（第三の実施形態）
図９は、本発明の第三の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
端子部接続工程と切断分離工程との間に絶縁性樹脂形成工程を行っている点で、第一の実施形態とは異なる。
絶縁性樹脂形成工程は、前記絶縁性樹脂８０を前記基板４１の開口部４２内に塗布し、硬化させることによって、集積回路素子５０の周囲が絶縁性樹脂８０により覆われているようになる。
絶縁性樹脂８０は、エポキシやポリイミドなどが多く用いられ、加熱により軟化あるいは溶融することで流動する特性を持つ熱可塑性樹脂により構成されている。
このように絶縁性樹脂８０により集積回路素子５０の周囲を被覆保護されることになるので、異物等の影響により周波数が変動することを防止することが可能となる。
また、端子部４１を基板４０の捨代領域Ｙから切断分離する際に、集積回路素子５０の周囲を絶縁性樹脂８０で覆うようにしたことから、絶縁性樹脂８０が切断時に端子部４１に生じるストレスの緩衝材となるので、切断時のストレスによる端子部４１と端子部接続用電極端子１２との剥がれなどの不具合を更に低減することが可能となる。
【００４８】
（第四の実施形態）
図１０は、本発明の第四の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
図１１は、本発明の第四の実施形態となる圧電発振器の製造方法において、集積回路素子が接続された圧電振動子を基板に搭載する前の状態を示した基板並びに容器体を斜視図を用いて示した説明図である。
端子部形成工程時の基板４０に開口部４２を形成した後、すべての端子部４１に再度フォトエッチング加工法等を行い、段差部４４を形成している点で、第一の実施形態とは異なる。
水晶振動素子２０が収容され、集積回路素子５０が取着搭載された容器体１０を、基板の開口部４２と各端子部４１に形成された段差部４４の中段平面４４ｂと段差壁４４ｃによって形成された挿入部４５に集積回路素子５０が中段平面４４ｂと対向するようにして挿入し、端子部接続用電極端子１２とその段差部４４の上段平面４４ａに形成されている金属膜４３ａとを各端子部４１の上面に印刷手段により一括で形成した半田や導電性接着剤等の導電性接合材６０により接合することにより、基板４０の端子部４１に搭載する。
前記直列に配列した複数個の端子部４１が、前記捨代部４２と接続されている端子部の面４４ｄとは反対側の段差壁面４４ｃとを、集積回路素子５０の幅サイズｋが挿入可能な間隔を空ける。
集積回路素子５０の接続側主面とは反対側の主面上にも端子部４１の一部が延設した形態とすることができるので、圧電発振器１００の小型化が必要となった場合でも必要とされる端子部４１のマザーボード等の外部電気回路に接続する際の接続面積を確保することが可能となる。
【００４９】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
尚、前記した本実施例では、圧電振動素子２０を構成する圧電素材として水晶を用いた水晶振動素子を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム  または、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。
また、集積回路素子接続工程と端子部接続工程の順序を入れ替えても良く、端子部接続工程を先にすることで、集積回路素子搭載用のキャリアは不要になり、基板の分割によって得られた個々の容器体１０をキャリアに搭載するといった煩雑な作業も一切不要となる。これによっても、圧電発振器の生産性が向上されるようになる。
【００５０】
前記導電性接着剤７０は、シリコーン樹脂の中に導電性フィラーが含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。
【００５１】
尚、容器体１０は、アルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面に封止用導体パターン１１、端子部接続用電極端子１２、圧電振動素子搭載パッド１３、集積回路素子搭載パッド１５等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内にビア導体となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することにより製作される。
【００５２】
また、封止用導体パターン１１は、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、等から成る基層の表面にニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層を順次、凹部空間１４を環状に囲繞する形態で被着させることによって、１０μｍ〜２５μｍの厚みに形成されている。
【００５３】
また、容器体１０上に配置される蓋体３０は、従来周知の金属加工法を採用し、４２アロイ等の金属を所定形状に整形することによって製作される。蓋体３０の上面には、ニッケル（Ｎｉ）層が形成され、更にニッケル（Ｎｉ）層の上面に少なくとも封止用導体パターン１１に相対する箇所に封止部材３１である金錫（Ａｕ−Ｓｎ）層が形成される。金錫（Ａｕ−Ｓｎ）層の厚みは、１０μｍ〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が８０％、錫が２０％のものが使用されている。
【００５４】
また、図３のように前記容器体１０の他方の主面にモニタ用電極端子１６を形成しておいても構わない。前記モニタ用電極端子１６は、容器体１０内に搭載されている圧電振動素子２０と電気的に接続されており、前記電振動素子２０のＣＩ（クリスタルインピーダンス）値や共振周波数値等の電気的特性を測定するために用いる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例である水晶発振器を構成する容器体を他方の主面からみた斜視図であり、（ｂ）は、本発明の圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例である水晶発振器を他方の主面からみた斜視図である。
【図４】（ａ）は、本発明における圧電発振器の製造方法の金属膜層形成工程を断面図を用いて示した工程説明図であり、（ｂ）は圧電発振器の製造方法の集積回路素子接続工程を断面図を用いて示した工程説明図であり、（ｃ）は、圧電発振器の製造方法の端子部接続工程を断面図を用いて示した工程説明図である。
【図５】（ａ）は、本発明における圧電発振器の製造方法の基板反転工程を断面図を用いて示した工程説明図であり、（ｂ）は圧電発振器の製造方法の集積回路素子接続工程を断面図を用いて示した工程説明図である。
【図６】本発明における圧電発振器の製造方法において、集積回路素子が接続された圧電振動子を基板に搭載する前の状態を示した基板並びに容器体を斜視図を用いて示した説明図である。
【図７】本発明における圧電発振器の製造方法において、図４（ｃ）における形態を蓋体の上方から見た平面図である。
【図８】本発明の第二の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
【図９】本発明の第三の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
【図１０】本発明の第四の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
【図１１】本発明における第四の実施形態となる圧電発振器の製造方法において、集積回路素子が接続された圧電振動子を基板に搭載する前の状態を示した基板並びに容器体を斜視図を用いて示した説明図である。
【図１２】従来における圧電発振器の一例である水晶発振器を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０・・・容器体
１１・・・封止用導体パターン
１２・・・端子部接続用電極端子
１３・・・圧電振動素子搭載パッド
１４・・・凹部空間
１５・・・集積回路素子搭載パッド
１６・・・モニタ用電極端子
２０・・・圧電振動素子
２１・・・励振用電極
３０・・・蓋体
３１・・・封止部材
４０・・・基板
４１・・・端子部
４１ａ・・・外部接続用電極端子
４１ｂ・・・データ書込端子
４２・・・開口部
４３ａ、４３ｂ・・・金属膜層
４４・・・段差部
４４ａ・・・上段平面
４４ｂ・・・中段平面
４４ｃ・・・段差壁面
４４ｄ・・・捨代部接続面
４５・・・挿入部
５０・・・集積回路素子
６０・・・導電性接合材
７０・・・導電性接着剤
８０・・・絶縁性樹脂
９０・・・圧電振動子
１００・・・圧電発振器
１１０・・・ダイシングテープ
Ｘ・・・基板領域
Ｙ・・・捨代領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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