(57)【要約】【課題】基板間隔の不均一化を防止なし抑制し、コントラストの低下等が生じ難い液晶装置と、その液晶装置の製造方法、さらにはこの液晶装置を備える電子機器を提供する。【解決手段】液晶層５０を挟持する基板１０，２０間において、基板１０上にＴＦＴ素子等が形成されず、比較的平坦な面を備える表示領域９０Ａにのみペーサー１５を配設し、このスペーサー１５を介して基板１０，２０間の間隔を保持する構成とする。【選択図】図４
2008058997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板間にスペーサーが配置された液晶装置であって、前記基板に複数のドット表示領域と各ドット表示領域周辺に設けられた非表示領域とを有して構成され、前記スペーサーが前記ドット表示領域にのみ設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記基板の前記ドット表示領域にはそれぞれ電極が設けられる一方、前記非表示領域には、前記電極にそれぞれ接続されたスイッチング素子が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記ドット表示領域は、前記非表示領域に比して相対的に凹凸の少ない面にて前記液晶層を挟持していることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記ドット表示領域は、前記非表示領域に比して相対的に領域面積が大きいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記ドット表示領域には、前記基板の厚み方向に段差部が形成され、前記スペーサーは該段差部の段上に配設されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項６】
液晶層を挟持する一対の基板間にスペーサーが配置された液晶装置であって、前記一対の基板間には、前記液晶層において層厚の異なる少なくとも２つの領域を形成するための段差部が形成され、前記スペーサーが、該段差部の段上に配設されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
前記液晶層厚の異なる個々の領域が反射表示部又は透過表示部のいずれかとされていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記スペーサーの表面には、配向規制手段が具備されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法であって、前記基板の少なくとも一方に前記スペーサーを配設するスペーサー配設工程を含み、該スペーサー配設工程において、前記スペーサーを所定の溶媒に分散させたスペーサー分散溶液を、液滴吐出方式により、前記基板上の前記表示領域又は前記段差部段上にのみ吐出し、さらに前記溶媒を蒸発させることにより、前記スペーサーを前記基板上に配設することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶装置、液晶装置の製造方法、及びこの液晶装置を備える電子機器に係り、特に、基板間にスペーサーを配設する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶装置として、下側基板と上側基板とがそれぞれの基板の周縁部においてシール材を介して所定間隔で貼着され、これら一対の基板間に液晶層が封入された構成のものがある。また、例えば下側基板上に赤、緑、青の着色層及び遮光層（ブラックマトリクス）からなるカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層を保護するための保護層とが順次形成され、さらに保護層上にストライプ状に透明電極が形成される一方、上側基板上にもストライプ状に透明電極が形成され、各透明電極上に配向膜が形成された構成の液晶装置が知られている。
【０００３】
このような液晶装置においては、透明電極ないし配向膜が形成された各基板間に、これら基板間隔を基板面内で均一にするべく球状のスペーサーが多数配置されている。このようなスペーサーを基板間に配置する方法として、スペーサーを水、フロン、イソプロピルアルコール、エタノール等の溶媒に分散したスペーサー分散溶液を用意し、これを空気や窒素等のガスの圧力により噴射し、いずれか一方の基板面に散布する湿式散布法と、スペーサーを空気や窒素等のキャリアガスにより供給し、供給途中においてスペーサーを自然に又は作為的に帯電させ、その静電気力を利用していずれか一方の基板上にスペーサーを付着させる乾式散布法とが知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような湿式散布法及び乾式散布法においては、基板上にスペーサーを自由落下させることにより散布を行うため、スペーサーの散布位置を制御し難くなり、以下のような不具合が生じる場合がある。
【０００５】
例えば、液晶装置においてスペーサーが部分的に凝集するなどして、スペーサーの散布密度が不均一になり、基板間隔に分布が生じる場合がある。また、アクティブマトリクスタイプの液晶装置においては、基板上に透明電極を駆動するスイッチング素子等が形成されるため、該素子の形成位置に対応して基板表面に段差が形成されることとなり、このような段差が形成された領域にスペーサーが散布されると、基板間隔に分布が生じる場合がある。
【０００６】
このように基板間隔に分布が生じると、その間に挟持される液晶層の厚み（セル厚）にも分布が生じることとなる。セル厚に分布が生じると、液晶装置を表示装置として用いた場合に、表示性能が悪化することが知られている。特にＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モードの液晶装置においては、Δｎ・ｄ値（但し、Δｎは液晶の複屈折率、ｄはセル厚）の変化により光の透過率が変化することが知られており、Δｎ・ｄ値の分布、すなわちセル厚ｄの分布が大きいと光透過率に分布が発生しコントラストが低下する。このように基板間隔に分布が生じ、液晶層の厚みに分布が生じることにより、コントラストが低下し、表示に色むらが発生するため、表示品質が低下するという問題が生じる場合ある。
【０００７】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、基板間隔の不均一化を防止あるいは抑制し、コントラストの低下等が生じ難い液晶装置と、その液晶装置の製造方法、さらにはこの液晶装置を備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板間にスペーサーが配置された液晶装置であって、基板に複数のドット表示領域と各ドット表示領域周辺に設けられた非表示領域とを有して構成され、スペーサーがドット表示領域にのみ設けられていることを特徴とする。なお、本発明の液晶装置において、ドット表示領域とは実質的に表示に寄与する領域のことを言い、非表示領域は複数のドット表示領域の境界部に位置し、遮光層（ブラックマトリクス）を含むものとすることができる。
【０００９】
ドット表示領域と、非表示領域とを含む構成の液晶装置において、非表示領域にあっては、遮光層等を含み、例えば当該液晶装置のカラー化、高精細化により表示領域に比して非常に複雑な構成となっており、基板表面に凹凸ないし起伏等による段差が複数形成されている。また、ドット表示領域を大きくして表示に寄与する面積を大きくしようとする動きにより、非表示領域が狭くなる傾向にある。このように複雑且つ狭幅化が望まれる非表示領域にスペーサーが配設されると、非表示領域の基板表面に形成された複数の段差により基板間隔に分布が生じ、また、狭い非表示領域ではスペーサーが凝集し易いため一層基板間隔に分布が生じやすくなる。そこで、本発明では、非表示領域に比して相対的に平坦な面が多いドット表示領域にのみスペーサーを設ける構成としたため、基板間隔をより均一にすることが可能となり、したがって、セル厚が不均一となって例えばコントラストが低下する等の不具合が生じ難くなる。また、ドット表示領域は、非表示領域に比して基板面方向に大きな面積を有しているため、スペーサーを確実に該ドット表示領域のみに安定して配設することが可能となり、上記コントラスト低下等の不具合が更に一層生じ難くなるとともに、製造上の観点からも大きな面積にスペーサーを簡便に配設することが可能となる。
【００１０】
上記構成の液晶装置において、基板のドット表示領域にはそれぞれ電極が設けられる一方、非表示領域には、電極にそれぞれ接続されたスイッチング素子が設けられているものとすることができる。すなわち、このようなアクティブマトリクスタイプの液晶装置においては、基板上の非表示領域（非画素領域）には例えばＴＦＴ（thin film transistor）等のスイッチング素子が形成されるため、この非表示領域において一層段差が生じやすくなる。そこで、非表示領域にスペーサーを配設せず、ドット表示領域にのみスペーサーを配設することで、基板間隔の均一化効果が一層顕著なものとなる。
【００１１】
このように本発明では、ドット表示領域が非表示領域に比して相対的に凹凸の少ない面にて液晶層を挟持している場合に、一層効果的にコントラスト低下等の不具合を防止することが可能となる。さらに本発明では、ドット表示領域が非表示領域に比して相対的に領域面積が大きい場合に、一層安定してドット表示領域にスペーサーを配設することが可能で、この場合、製造上の合理化を図ることが可能となる。
【００１２】
また、上記ドット表示領域には、基板の厚み方向に段差部が形成され、スペーサーが段差部の段上に配設されているものとすることができる。一般的に、ドット表示領域にスペーサーを配設すると、スペーサーが配設されたところには液晶層が形成されないため、その部分から光漏れが生じ、コントラストが低下する場合がある。そこで、上記のように、ドット表示領域に僅かでも段差部が形成される場合には、その段差部の段上にスペーサーを配設することで、より小さな径のスペーサーを用いることが可能となり、上記光漏れの影響が小さくなり、コントラストの低下も抑制することが可能となる。なお、この段差部は例えばカラー表示を行うためのカラーフィルタや、電極に対する配向膜をドット表示領域に形成した場合に生じ得るものである。
【００１３】
次に、本発明の液晶装置の異なる態様は、液晶層を挟持する一対の基板間にスペーサーが配置された液晶装置であって、一対の基板間には、液晶層において層厚の異なる少なくとも２つの領域を形成するための段差部が形成され、スペーサーが、段差部の段上に配設されていることを特徴とする。
【００１４】
この場合、液晶層厚の異なる領域を意図的に形成するために、一対の基板間に段差部を設けた液晶装置であって、この段差部の段上にスペーサーを配設する構成とした場合、より小さな径のスペーサーを用いて基板間隔を均一化することが可能となり、また、上述した光漏れの影響が小さくなり、コントラストの低下を抑制することが可能となる。なお、液晶層厚の異なる個々の領域は、例えば反射表示部又は透過表示部のいずれかとし、さらに具体的には液晶層厚の相対的に小さい領域を反射表示部とし、液晶層厚の相対的に大きい領域を透過表示部とすることで、基板間隔が均一でコントラストの高い半透過反射タイプの液晶装置を実現することが可能となる。
【００１５】
上記スペーサーの表面の一部又は全部に、配向規制手段を具備させることができる。すなわち、スペーサーの表面付近においては液晶の配向乱れが生じ、コントラストの低下が生じる場合があるが、このようにスペーサーの表面に配向規制手段を具備させることで、スペーサー表面付近においても液晶を配向させることが可能となり、ひいてはコントラスト低下等の不具合の生じ難い液晶装置を提供することができる。なお、配向規制手段としては、例えばシランカップリング剤等を用いて、スペーサー表面に長鎖のアルキル基を付与したもの等を例示することができる。
【００１６】
また、スペーサーの表面の一部又は全部に、硬化した熱硬化型樹脂が付着しているものとすることができる。このように熱硬化型樹脂をスペーサーの表面に形成し、例えば基板間の所定位置にスペーサーを配設した後に熱処理を施すことにより、基板に対しスペーサーを安定して固着させることが可能となり、例えばスペーサーが浮遊して所定位置からズレてしまう等の不具合発生を防止することが可能となる。
【００１７】
さらに、スペーサーには着色が施されているものとすることもできる。例えば当該液晶装置を表示装置として用いた場合であって、黒表示（暗表示）を行う領域において、配設されたスペーサーから光が抜け、その部分で白表示（明表示）が行われてしまう場合があるが、上記のようにスペーサーに対して着色を施すことで、特に黒に着色したスペーサーを用いることで黒表示（暗表示）を確実に行うことが可能となる。
【００１８】
次に、上記液晶装置の製造方法は、以下の工程を含むことを特徴とする。すなわち、本発明の液晶装置の製造方法は、上記基板の少なくとも一方にスペーサーを配設するスペーサー配設工程を含み、このスペーサー配設工程において、スペーサーを所定の溶媒に分散させたスペーサー分散溶液を、液滴吐出方式により、基板上の表示領域又は段差部段上にのみ吐出し、さらに溶媒を蒸発させることにより、スペーサーを基板上に配設することを特徴とする。
【００１９】
このように、吐出される液滴の吐出位置及び吐出回数が任意に設定できる液滴吐出ノズルを用いる液滴吐出方式によりスペーサーの散布を行うことで、基板上に散布するスペーサーの位置と個数を制御することが可能となる。したがって、液滴吐出方式を採用した本発明の製造方法により、確実に基板上のドット表示領域又は段差部段上にのみスペーサーを所定数配設することが可能となる。なお、液滴吐出方式としては、例えばインクジェットノズルを用いるインクジェット方式等を例示することができる。
【００２０】
また、本発明の電子機器は上記のような液晶装置を例えば表示装置として備えることを特徴とする。このように本発明の液晶装置を備えることにより、表示品質の優れた電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。
［液晶装置］
（第１実施形態）
以下に示す第１実施形態の液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクスタイプの透過型液晶装置である。なお、本実施形態の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板間に配設されるスペーサーの構造が特に特徴的なものとなっている。
【００２２】
図１は第１実施形態の透過型液晶装置のマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。図３及び図４は本実施形態の透過型液晶装置の構造を示す断面図であって、図３は図２のＡ−Ａ’線断面図で、図４は図２の画素電極９が形成された領域の断面図である。なお、図３及び図４においては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。また、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２３】
本実施形態の透過型液晶装置において、図１に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０とがそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００２４】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２５】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００２６】
次に、図２に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の平面構造について説明する。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）が複数、マトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態において、各画素電極９及び各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。
【００２７】
データ線６ａは、ＴＦＴ素子３０を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００２８】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。
そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００２９】
次に、図３に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の断面構造について説明する。図３は上述した通り、図２のＡ−Ａ’線断面図で、ＴＦＴ素子３０が形成された領域、すなわち遮光膜２３が設けられた非表示領域３０Ａの構成について示す断面図。本実施形態の透過型液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。液晶層５０は、強誘電性液晶であるスメクティック液晶にて構成され、電圧変化に対する液晶駆動の応答性が速いものとされている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａとその液晶層５０側表面に形成されたＴＦＴ素子３０、画素電極９、配向膜４０を主体として構成されており、対向基板２０はガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａとその液晶層５０側表面に形成された共通電極２１と配向膜６０とを主体として構成されている。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側表面には画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００３１】
上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上及び第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００３２】
本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００３３】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面において、各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が形成された領域には、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース、ドレイン領域１ｂ、１ｃに入射することを防止するための第１遮光膜１１ａが設けられている。また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。さらに、図２に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
【００３４】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち、画素電極９及び第３層間絶縁膜７上には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜４０が形成されている。したがって、このようなＴＦＴ素子３０を具備する非表示領域３０Ａにおいては、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち液晶層５０の挟持面には複数の凹凸ないし段差が形成された構成となっている。
【００３５】
他方、対向基板２０には、基板本体２０Ａの液晶層５０側表面であって、データ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に、入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するための第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３が形成された基板本体２０Ａの液晶層５０側には、そのほぼ全面に渡って、ＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成され、その液晶層５０側には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜６０が形成されている。
【００３６】
一方、図４は上述した通り、図２の画素電極９が形成された領域、すなわちＴＦＴ素子３０の非形成領域であって、遮光膜２３が形成されていない表示領域９０Ａの構成について示す断面図である。この表示領域９０Ａにおいても、図３に示した非表示領域３０Ａと同様、下側のＴＦＴアレイ基板（なお、表示領域９０ＡではＴＦＴ素子は非形成）１０と、これに対向配置される上側の対向基板２０との間に液晶層５０が挟持された構成をとっており、さらに表示領域９０Ａにおいては、各基板１０，２０間はスペーサー１５を介して所定間隔が保たれた状態となっている。
【００３７】
本実施形態の場合、表示領域９０Ａにおいて、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０にはＴＦＴ素子３０が形成されておらず、基板本体１０Ａ上に第１層間絶縁膜１２と、第２層間絶縁膜４と、第３層間絶縁膜７とが形成され、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０の液晶層５０側最表面、すなわち、第３層間絶縁膜７上には、画素電極９及び配向膜４０が形成されている。したがって、表示領域９０ＡはＴＦＴ素子３０を備えておらず、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０の液晶層５０側最表面、すなわち液晶層５０の挟持面は、非表示領域３０Ａの場合に比して相対的に平坦な面で構成されている。
【００３８】
上述した通り、液晶層５０を挟持する一対の基板１０，２０は、表示領域９０Ａにのみ配設したスペーサー１５を介して所定間隔を保持した構成とされている。これは、図５に模式的に示すように、非表示領域３０Ａでは下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０の液晶層挟持面にはＴＦＴ素子３０による段差が形成され、表示領域９０Ａでは下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０の液晶層挟持面が平坦に形成されているため、平坦な表示領域９０Ａにのみスペーサー１５を配設することで、液晶層５０の厚さの均一性向上を実現させたものである。また、当該液晶装置が画素電極９と透明電極（対向電極）２１との間の電圧印加状態に基づいて表示を行うことを目的としているため、表示領域９０Ａの面積が非表示領域３０Ａに比して相対的に大きく、したがって、製造上、スペーサー１５をこの表示領域９０Ａに簡便且つ確実に配設することが可能となる。
【００３９】
なお、本実施形態では白黒表示を前提とした構成としているが、カラー表示を行うべく、カラーフィルタ層を形成することもできる。すなわち、図６に示すように、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０上に、着色層９１及び遮光層（ブラックマトリクス）９２からなるカラーフィルタ層９０を設け、カラーフィルタ層９０を保護する図示しない保護層を順次形成し、さらに保護層上に画素電極９を形成する。各表示領域９０Ａにおいては、各々異なる色、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層を備えるものとされており、したがって、各色の表示領域９０Ａにより画素が構成され、画素毎にカラー表示が可能となる。この場合も、先と同様に理由により、着色層９０が形成された領域、すなわち表示領域（ドット表示領域）のみにスペーサー１５が配設され、遮光層９２が形成された領域、すなわち非表示領域にはスペーサー１５が配設されていない。
【００４０】
また、本実施形態ではアクティブマトリクスタイプの液晶装置を例示したが、例えば単純マトリクスタイプの液晶装置にも本発明に係る構成を採用することも可能である。図７に示すように、単純マトリクスタイプの液晶装置においては、例えば遮光層９２が形成された非表示領域３０ＡにはＴＦＴ素子が形成されず、図３に示したような凹凸又は段差が生じないが、非表示領域３０Ａに比して表示領域９０Ａの面積が大きく、また表示領域９０Ａには比較的平坦な面が多いため、上記と同様にスペーサー１５を表示領域９０Ａに配設することが好ましい。
【００４１】
次に、本実施形態の液晶装置に用いるスペーサー１５の構成について説明する。スペーサー１５は、例えば二酸化珪素やポリスチレン等からなる球状部材にて構成することができる。スペーサー１５の直径は、液晶装置に封入される液晶層５０の厚み（セル厚）に合わせて設定され、例えば２〜１０[μｍ]の範囲内から選択される。
【００４２】
スペーサー１５としては、図８に示すように表面に熱硬化性樹脂構成が付与された構成のものを採用することができる。この場合、熱硬化性樹脂の硬化によりスペーサー１５が下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０及び／又は上側基板（対向基板）２０に対し確実に固着されるようになる。例えば、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０上にスペーサー１５を配設した後に熱処理を行い、熱硬化性樹脂を硬化させることにより、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０に対してスペーサー１５が固着させる。
【００４３】
また、スペーサーの表面には、例えば図９のように長鎖のアルキル基を付与した表面処理層１５１をもうけることができる。長鎖のアルキル基を付与した表面処理層１５１を設ける手段としては、例えばシランカップリング剤を用いて表面処理を行うことが挙げられる。表面処理層１５１の設けられていないスペーサー１５を用いた場合、スペーサー１５表面付近において液晶分子の配向が乱れ、その部分において光漏れが生じる場合がある。一方、図１０（ｂ）に示すように、表面処理層１５１の設けられたスペーサー１５ａを用いた場合には、スペーサー１５ａ表面付近において液晶分子を所定の方向に配向（本実施形態の場合は垂直配向）することが可能となり、その部分において光漏れが生じ難いものとなる。
【００４４】
さらに、スペーサーには着色を施すことが可能で、図１１に示したスペーサー１５ｂは、黒色に着色されたスペーサーの一例を示している。例えば図１２（ａ）に示すように、無着色スペーサー１５を用いると、黒表示（暗表示）時にスペーサーに対応して白色の点表示が発生することとなり、場合によってはコントラスト低下の一因となる場合がある。しかしながら、図１２（ｂ）に示すように、図１１に示したような着色スペーサー１５ｂを用いることで、黒表示（暗表示）時にスペーサーに対応する白色の点表示が発生しないものとなる。なお、白表示（明表示）時にスペーサーに対応する黒色の点表示が発生することとなるが、黒表示（暗表示）時の白色の点表示発生に比してコントラスト低下に対する影響は小さいものとなる。
【００４５】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の第２実施形態について説明する。
図１３は、第２実施形態の液晶装置の断面構造を示す図である。この第２実施形態の液晶装置は、本発明の構成をアクティブマトリクスタイプであって、透過表示と反射表示の両方を兼備する半透過反射型の液晶表示装置に適用した例を示すものである。この第２実施形態の液晶表示装置は、図１３に示す断面構造の如く上下に対向配置された透明のガラス等からなる下基板（素子基板）１０２，上基板（対向基板）１０１の間に液晶層１０３が挟持された基本構造を具備している。なお、図面では省略されているが、実際には基板１０１，１０２の周縁部側にシール材が介在されていて、液晶層１０３を基板１０１，１０２とシール材とで取り囲むことにより液晶層１０３が基板１０１，１０２間に封入された状態で挟持されている。また、下方の基板１０２の更に下方側には光源及び導光板等を備えたバックライト１０４が設けられている。
【００４６】
上基板１０１の上面側（観測者側）には位相差板１１２と偏光板１１３とが配置されるとともに、下基板１０２の下面側（内部光源側）にも位相差板１１４と偏光板１１５とが配置されている。偏光板１１３，１１５は、上面側から入射する外光、及び下面側から入射するバックライト１０４の光に対し一方向の直線偏光のみを透過させ、位相差板１１２，１１４は、偏光板１１３，１１５を透過した直線偏光を円偏光（楕円偏光を含む）に変換する。したがって、偏光板１１３，１１５及び位相差板１１２，１１４は円偏光入射手段として機能している。なお、本実施形態においては、バックライト１０４を備える側を下側とし、一方の外光が入射する側を上側としている。
【００４７】
一方、上基板１０１の液晶層１０３側にはカラーフィルタ１１０を介してＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）等からなる対向電極１０５が形成され、さらに対向電極１０５の液晶層１０３側には、この対向電極１０５を覆う態様で配向膜１１１が形成されている。また、下基板１０２の液晶層１０３側には反射層１１６が形成され、この反射層１１６は所定の間隔毎に開口部１１６ａを具備し、その開口部１１６ａが図１３の紙面左右方向及び紙面垂直方向に相互に離間して透過表示領域に対応するように平面視矩形状に分割された態様で複数形成されている。なお、反射層１１６はＡｌ、Ａｇ等の光反射性の、すなわち反射率の高い金属材料により平面視矩形枠状に構成されており、配向膜１１１はポリイミド等の高分子材料膜に対して所定のラビング処理を施したものを用いている。
【００４８】
また、下基板１０２の液晶層１０３側表面にはフロスト加工が施されて凹凸部１０２ｅが形成されており、この凹凸部１０２ｅに沿って反射層１１６の液晶層１０３側表面も凹凸部１１６ｅを形成している。このような基板１０２に対する凹凸形成は、例えば基板１０２となるガラス基板上にレジストを塗布した後にフッ酸を用いたエッチング処理を行い、エッチング処理後にレジストを剥離するフォトリソ工程を行うことで形成することができる。
【００４９】
反射層１１６の上層側には、液晶層３について層厚の大きな領域と層厚の小さな領域とを基板面方向にそれぞれ形成するための液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂが、所定の間隔毎に突出形態にて形成されている。液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂは、アクリル樹脂等の透光性絶縁材料を主体として構成されており、この液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂにより反射層１１６の上面が覆われるとともに、凸状の各液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂの間には凹状部１２２ａが形成され、すなわち段差部が形成される。
【００５０】
また、液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂは、凹状部１２２ａの谷底たる凹状底面１２３から１０°〜５０°の角度で傾斜した傾斜面１２４を備えた傾斜領域と、凸状部の丘部分たる平坦面１２５を備えた平坦領域とを有している。したがって、液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂは、傾斜領域において自身の層厚が平面方向に連続的に変化するものとされており、平坦領域において自身の層厚が平面方向に略均一な構成とされている。なお、これら傾斜領域と平坦領域とは隣接して、傾斜面と平坦面とが連続するべく形成されている。
【００５１】
液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂの液晶層１０３側の表面、及び凹状部１２２ａの底面（すなわち下基板１０２の凹部１２２ａが形成されている面）１２３には画素電極１０６が形成され、画素電極１０６の上には電極を覆う態様で配向膜１０７が形成されている。画素電極１０６は例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）等を用いることができ、配向膜１０７は例えばポリイミド等の高分子材料膜に対して所定のラビング処理を施したものを用いることができる。なお、画素電極１０６は図１４に示すスイッチング素子としての薄膜トランジスタ１１７により駆動制御され、したがって本実施形態では下側の電極１０６が画素電極、上側の電極１０５が対向電極、さらに下基板１０２が素子基板、上基板１０１が対向基板とされている。この場合、薄膜トランジスタ１１７等のスイッチング素子は例えば下基板１０２側に形成することができるが、本実施形態では図示を省略している。
【００５２】
次に、本実施形態の液晶表示装置では、液晶層１０３において表示に利用される領域が反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔを含み、これらの表示部がそれぞれ異なる液晶層厚で形成されている。具体的には、上述の液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂが反射表示領域Ｒに形成され、凹状部１２２ａが透過表示領域Ｔに形成されており、この液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂの形成に基づき反射表示領域Ｒにおける液晶層１０３の厚さが、透過表示領域Ｔにおける液晶層１０３の厚さよりも小さく構成されている。すなわち、液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂの厚さが反射表示領域Ｒにて大きく構成され、透過表示領域Ｔにて小さく若しくは非形成とされて、この厚みに基づき反射表示領域Ｒにおける液晶層厚が小さくされ、この液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂが反射表示領域Ｒの液晶層１０３を薄層化する反射側液晶層薄層化手段として機能している。
【００５３】
ここで、反射表示領域Ｒには上述の反射層１１６が形成され、反射層１１６の開口部１１６ａの開口縁が反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界部とされている。したがって、透過表示領域Ｔは開口部１１６ａに形成され、この開口部１１６ａを介してバックライト１０４から光が入射され、入射光は液晶層１０３を通過して透過表示に供されるものとされている。
【００５４】
また、反射層１１６において開口部１１６ａの開口縁は、上記液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂの傾斜面１２４を備えた傾斜領域に形成されており、この傾斜領域は反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部を含む構成とされている。したがって、液晶層１０３の層厚は、傾斜領域の傾斜面１２４に沿って、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界付近において連続的に変化している。具体的には、凹状部１２２ａの底面１２３若しくは傾斜面１２４の上層に位置する液晶層１０３の層厚は、液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂの平坦面１２５の上層に位置する液晶層１０３の層厚よりも大きくされている。
【００５５】
次に、図１４は図１３に示した液晶表示装置の画素電極１０６の平面模式図であって、液晶表示装置において表示領域は図１４に示すように多数の画素ｇが集合して構成され、各画素ｇは画素電極１０６を平面視した場合に縦長の３つの画素電極１０６が集合した略正方形状の部分により区画される。本実施形態の液晶表示装置はカラー表示を前提とした構造とされているので、具体的には図１４に示す３つの画素電極１０６で区画される平面視略正方形状の１つの画素ｇが、３つのドットｇ１、ｇ２、ｇ３に分割されている。そして、これらのドットｇ１〜ｇ３に対応する画素電極１０６の中央部分にそれぞれ長方形状の凹状部１２２ａが形成され、これら凹状部１２２ａの底側にも画素電極１０６が形成されている。この長方形状の凹状部１２２ａにおいて、四辺各部において上述の傾斜面１２４を備えており、その内縁が透過表示領域Ｔとされている。
【００５６】
反射層１１６に形成された開口部１１６ａの大きさは、ドットｇ１、ｇ２、ｇ３のいずれか１つの大きさに対し、各ドットの縦幅と横幅をいずれも数分の一程度とした大きさに形成される。また、各ドットｇ１、ｇ２、ｇ３の横幅は、例えば８０μｍとされており、各ドットｇ１、ｇ２、ｇ３にて構成される画素ｇの横幅は例えば２４０μｍとされ、各ドットｇ１、ｇ２、ｇ３の縦幅、すなわち画素ｇの縦幅は例えば２４０μｍとされている。なお、開口部１１６ａの開口横幅は例えば３０μｍ、開口縦幅は例えば１００μｍ程度とすることができる。
【００５７】
各ドットの周囲のコーナ部分には、画素電極１０６を駆動するためのスイッチング素子としての薄膜トランジスタ１１７が形成され、更に薄膜トランジスタ１１７に給電するためのゲート線１１８とソース線１１９とが配線されている。なお、本実施形態ではスイッチング素子として薄膜トランジスタ１１７が設けられているが、このスイッチング素子として２端子型の線形素子、あるいは、その他の構造のスイッチング素子を適用することも可能である。
【００５８】
また、各ドットｇ１、ｇ２、ｇ３の平面位置に対応するようにカラーフィルタ１１０（図１３参照）の各着色部分が配置される。カラーフィルタ１１０は「Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）」のいずれかに着色された着色部１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃと、これら着色部の境界部分に配置された遮光層（ブラックマトリクス）１１０ａとから構成されている。なお、図１３に示すカラーフィルタ１１０の構造においては、着色部が１１０Ａ（赤）、１１０Ｂ（緑）、１１０Ｃ（青）の順に繰り返し配列されているが、これら着色部の配列順序は一例であって、ランダム配置、モザイク配置、あるいは他の順序の配列等、いずれの配列であっても良い。
【００５９】
このような本実施形態の半透過反射型液晶表示装置においては、図１５に示すように、液晶層１０３を挟持する上下の基板間、すなわち配向膜等を備えた上基板１０１と下基板１０２との間に、これら基板間隔を均一にするべく上記第１実施形態と同様のスペーサー１５（１５ａ，１５ｂ）が配設されている。特に本第２実施形態の半透過反射液晶表示装置においては、液晶層層厚制御層（絶縁層）１２２ｂの凸状部の丘部分、すなわち段差部の段上にスペーサー１５（１５ａ，１５ｂ）が形成されており、凹状部１２２ａにスペーサーを配設する場合に比して小さな径のスペーサーを用いている。一般的に、スペーサーが配設された領域では液晶層が形成されないため、その部分から光漏れが生じ、コントラストが低下する場合がある。しかしながら、本実施形態では、より小さな径のスペーサーを用いているため、光漏れ等の不具合が生じ難くなり、コントラストの低下も抑制することが可能とされている。
【００６０】
［液晶装置の製造方法］
次に、上記第１実施形態に示した液晶装置の製造方法について、その一例を図３ないし図４の断面構造を参照しつつ説明する。まず、ガラス等からなる下側の基板本体１０Ａ上に遮光膜１１ａ、第１層間絶縁膜１２、半導体層１ａ、チャネル領域１ａ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ、蓄積容量電極１ｆ、走査線３ａ、容量線３ｂ、第２層間絶縁膜４、データ線６ａ、第３層間絶縁膜７、コンタクトホール８、画素電極９、配向膜４０を形成し、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０を作成する。
【００６１】
次に、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０の所定位置にスペーサー１５を配設する。特に本実施形態においては、インクジェットプリンター等に用いられるインクジェット方式により、スペーサー１５をＴＦＴ素子３０が形成されていない領域、すなわち画素電極９が形成された表示領域にスペーサー１５を配設している。
【００６２】
一方、上側の基板本体２０Ａ上に遮光膜２３、対向電極２１、配向膜６０を形成し、上側基板（対向基板）２０を作成する。そして、この上側基板（対向基板）２０と、上記スペーサー１５を配設した下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０とを配向膜４０，６０が対向するようにシール材を介して貼着し、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０、上側基板（対向基板）２０間に液晶層５０を封入する。最後に図３及び図４では省略しているが、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０、上側基板（対向基板）２０の外表面側に偏光板、位相差板などを取り付け、液晶表示装置を作成する。
【００６３】
ここで、上記下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０へのスペーサー１５の配設方法について説明する。まず、本実施形態においては、水、フロン、イソプロピルアルコール、エタノール等から選択される単一の溶媒又は２種以上の混合溶媒に、スペーサー１５を超音波等により所定の濃度で均一に分散したスペーサー分散溶液をプレ基板上に吐出する。このとき、図１６及び図１７に示すようなインクジェットノズル３００を用いることにより、吐出される液滴の吐出位置及び吐出回数を任意に設定可能となり、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０上の所定位置に所定量のスペーサー分散溶液を吐出可能となる。その後、スペーサー分散溶液の溶媒を自然蒸発あるいは加熱蒸発させることにより、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０上の所定の位置に所定の個数のスペーサー１５を配置させる。
【００６４】
本実施形態においては、スペーサー１５として、図８に示すように表面に熱硬化性樹脂１５０がコーティングされた接着性スペーサー１５を用いている。したがって、スペーサー１５を下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０上に散布し、溶媒を蒸発させた後、スペーサー１５を散布した下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０を１００℃程度に暖めることにより、スペーサー１５の表面にコーティングされた熱硬化性樹脂を硬化させスペーサーを下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０に対し固着する。このとき、スペーサー１５を下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０上に固定することができるので、時間が経過しても所定の位置に散布したスペーサー１５の位置が変化しないものとなる。
【００６５】
次に、本実施形態で用いるインクジェットノズルの一例について説明する。図１６及び図１７は、それぞれインクジェットノズル３００の斜視図及び断面図を示している。
【００６６】
インクジェットノズル３００は、図１６に示すように、例えばステンレス製のノズルプレート３１０と振動板３２０とを備え、両者は仕切部材（リザーバプレート）３３０を介して接合されている。ノズルプレート３１０と振動板３２０との間には、仕切部材３３０によって複数の空間３４０と液溜まり３５０とが形成されている。各空間３４０と液溜まり３５０の内部は上述のスペーサー分散溶液が満たされており、各空間３４０と液溜まり３５０とは供給口３６０を介して連通している。さらに、ノズルプレート３１０には、空間３４０からスペーサー分散溶液を噴射するためのノズル孔３７０が設けられている。一方、振動板３２０には液溜まり３５０にスペーサー分散溶液を供給するための孔３８０が形成されている。
【００６７】
また、図１７に示すように、振動板３２０の空間３４０に対向する面と反対側の面上には圧電素子３９０が接合されている。この圧電素子３９０は一対の電極４００の間に位置し、通電すると圧電素子３９０が外側に突出するように撓曲し、同時に圧電素子３９０が接合されている振動板３２０も一体となって外側に撓曲する。これによって空間３４０の容積が増大する。したがって、空間３４０内に増大した容積分に相当するスペーサー分散溶液が液溜まり３５０から供給口３６０を介して流入する。次に、圧電素子３９０への通電を解除すると、圧電素子３９０と振動板３２０はともに元の形状に戻る。これにより、空間３４０も元の容積に戻るため、空間３４０内部のスペーサー分散溶液の圧力が上昇し、ノズル孔３７０から基板に向けてスペーサー分散溶液の液滴４１０が吐出される。
【００６８】
このようなインクジェット方式を用いたスペーサー配設方法によれば、スペーサー１５の散布位置を制御することができ、具体的には表示領域９０Ａ（図４参照）のみにスペーサー１５が配設された構成の液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００６９】
な、下側基板（ＴＦＴアレイ基板）１０、上側基板（対向基板）２０間には、液晶層１３の厚み（セル厚）に合わせて、異なる直径のスペーサーを配設することも可能である。すなわち、表示領域９０Ａにおいて所定の凹凸ないし段差部が形成された構成の場合、凸部ないし段差上部には直径の小さいスペーサーを、凹部ないし段差下部には直径の大きいスペーサーをそれぞれ配設するものとすることができる。
【００７０】
［電子機器］
次に、上記第１及び第２実施形態で示した液晶表示装置のいずれかを備えた電子機器の具体例について説明する。
【００７１】
図１８（ａ）は携帯電話の一例を示した斜視図である。図１８（ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記第１及び第２実施形態の液晶表示装置のいずれかを備えた液晶表示部を示している。
【００７２】
図１８（ｂ）はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１８（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理本体、符号６０２は上記第１及び第２実施形態の液晶表示装置のいずれかを備えた液晶表示部を示している。
【００７３】
図１８（ｃ）は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１８（ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は上記第１及び第２実施形態の液晶表示装置のいずれかを備えた液晶表示部を示している。
【００７４】
このように、図１８（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上記第１及び第２実施形態の液晶表示装置のいずれかを備えたものであるので、表示品質の優れた電子機器となる。
【００７５】
以上説明したように本発明によれば、液晶層を挟持する基板間において、基板上にＴＦＴ素子等が形成されず、比較的平坦な面を備える表示領域にのみスペーサーを配設し、このスペーサーを介して基板間の間隔を保持する構成としたため、基板間隔、すなわち液晶層の厚さが一層均一なものとなる。したがって、コントラスト低下等の表示不具合が生じ難い液晶装置を提供可能となる。また、液晶装置が画素電極と対向電極との間の電圧印加状態に基づいて表示を行う構成の場合、表示領域の面積が非表示領域に比して相対的に大きく形成されるため、製造上、スペーサーを表示領域に簡便且つ確実に配設することが可能となり、製造コストの低下に繋がり得るものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１実施形態の液晶装置におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図。
【図２】図１の液晶装置のＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図。
【図３】図１の液晶装置についてその非表示領域における構造を示す断面図。
【図４】図１の液晶装置についてその表示領域における構造を示す断面図。
【図５】スペーサーの配設位置関係について示す概略説明図。
【図６】カラーフィルタ層を形成した場合のスペーサーの配設位置関係について示す概略説明図。
【図７】単純マトリクスタイプの液晶装置におけるスペーサーの配設位置関係について示す概略説明図。
【図８】スペーサーの構成を示す模式図。
【図９】スペーサーに表面処理層を設けた場合の構成を示す模式図。
【図１０】図９のスペーサーを用いた場合の効果について示す説明図。
【図１１】スペーサーに着色を施した場合の構成を示す模式図。
【図１２】図１１のスペーサーを用いた場合の効果について示す説明図。
【図１３】本発明の第２実施形態の液晶装置の構造を示す断面図。
【図１４】図１３の液晶装置の画素電極を拡大して示す部分拡大平面図。
【図１５】スペーサーの配設位置関係について示す概略説明図。
【図１６】インクジェットノズルの一例を示す概略斜視図。
【図１７】図１６のインクジェットノズルについての概略断面図。
【図１８】本発明に係る電子機器について幾つかの例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７７】
１０…下側基板（ＴＦＴアレイ基板）、１５，１５ａ，１５ｂ…スペーサー、２０…上側基板（対向基板）、５０…液晶層、３０Ａ…非表示領域、９０Ａ…表示領域。
【図１】
2008058997.tif 000003
【図２】
2008058997.tif 000004
【図３】
2008058997.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008058997.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2008058997.tif 000015
【図１４】
2008058997.tif 000016
【図１５】
2008058997.tif 000017
【図１６】
2008058997.tif 000018
【図１７】
2008058997.tif 000019
【図１８】
2008058997.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板本体間にスペーサーが配置され、複数のドット表示領域を備え、該一対の基板本体各々の該ドット表示領域に電極と配向膜とが積層された液晶装置であって、
前記ドット表示領域の周囲に位置するように、前記一対の基板本体のうち少なくとも一方の基板本体の前記液晶層側の面に遮光膜が設けられ、
前記遮光膜が設けられた基板本体において、前記ドット表示領域内の当該基板本体から前記配向膜上面までの高さは、当該基板本体から前記遮光膜上面までの高さよりも低く、
前記スペーサーは、前記ドット表示領域に選択的に配置されてなり、
前記遮光膜が設けられた基板本体において、前記ドット表示領域内の当該基板本体から前記配向膜上面までの高さよりも高い領域には、前記スペーサーが配置されていないことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記一対の基板本体のうち一方の基板本体の前記遮光膜が設けられた領域には、スイッチング素子が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記ドット表示領域は、前記非表示領域に比して相対的に領域面積が大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板間にスペーサーが配置された液晶装置であって、基板に複数のドット表示領域と各ドット表示領域周辺に設けられた非表示領域とを有して構成され、スペーサーがドット表示領域にのみ設けられていることを特徴とする。さらに詳しくは、液晶層を挟持する一対の基板本体間にスペーサーが配置され、複数のドット表示領域を備え、該一対の基板本体各々の該ドット表示領域に電極と配向膜とが積層された液晶装置であって、前記ドット表示領域の周囲に位置するように、前記一対の基板本体のうち少なくとも一方の基板本体の前記液晶層側の面に遮光膜が設けられ、前記遮光膜が設けられた基板本体において、前記ドット表示領域内の当該基板本体から前記配向膜上面までの高さは、当該基板本体から前記遮光膜上面までの高さよりも低く、前記スペーサーは、前記ドット表示領域に選択的に配置されてなり、前記遮光膜が設けられた基板本体において、前記ドット表示領域内の当該基板本体から前記配向膜上面までの高さよりも高い領域には、前記スペーサーが配置されていないことを特徴とする。
なお、本発明の液晶装置において、ドット表示領域とは実質的に表示に寄与する領域のことを言い、非表示領域は複数のドット表示領域の境界部に位置し、遮光層（ブラックマトリクス）を含むものとすることができる。