(57)【要約】【課題】本発明は、カラーによって色再現性を改善できるイメージセンサを提供するためのものである。【解決手段】本発明によるイメージセンサは、フォトダイオード１０５が形成された基板１００と、基板１００の上に形成された層間絶縁層１１０と、第１カラーフィルタに対応する領域の層間絶縁層を露出しながら層間絶縁層の上に形成された保護膜１２０と、露出された層間絶縁層１１０及び保護膜１２０の上に形成されたカラーフィルタ層１３０とを含むことを特徴とする。【選択図】図１
2008060572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードが形成された基板と、
前記基板の上に形成された層間絶縁層と、
第１カラーフィルタに対応する領域の前記層間絶縁層を露出しながら前記層間絶縁層の上に形成された保護膜と、
前記露出された層間絶縁層及び前記保護膜の上に形成されたカラーフィルタ層と、
を含むことを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
前記カラーフィルタ層は、
前記露出された層間絶縁層の上に形成された第１カラーフィルタと、
前記保護膜の上に形成された第２カラーフィルタと、
を含むことを特徴とする請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記カラーフィルタ層の上に形成された平坦化層と、
前記平坦化層の上に形成されたマイクロレンズと、
を更に含むことを特徴とする請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項４】
前記保護膜は、ブルーカラーフィルタ領域を露出することを特徴とする請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記保護膜は、グリーンカラーフィルタ領域を露出することを特徴とする請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項６】
前記保護膜は、レッドカラーフィルタ領域を露出することを特徴とする請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記保護膜は、ＳｉＮであることを特徴とする請求項１記載のイメージセンサ。
【請求項８】
基板の上に形成された素子分離膜と、
第１カラーに対応する領域が他のカラーに対応する領域より深く前記基板に形成されたアクティブ領域と、
前記アクティブ領域の表面の全体に形成されたイオン注入領域と、
前記イオン注入領域の下側に形成されたフォトダイオード領域と、
前記フォトダイオード領域を含む基板の上に形成された層間絶縁層と、
を含むことを特徴とするイメージセンサ。
【請求項９】
前記層間絶縁層の上に形成されたカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層の上に形成されたマイクロレンズと、
を更に含むことを特徴とする請求項８記載のイメージセンサ。
【請求項１０】
前記カラーフィルタ層は段差のないことを特徴とする請求項９記載のイメージセンサ。
【請求項１１】
前記アクティブ領域の厚み差は、１０〜１００ｎｍ深さの差を有することを特徴とする請求項８記載のイメージセンサ。
【請求項１２】
前記層間絶縁層の上に形成された保護膜を更に含むことを特徴とする請求項８記載のイメージセンサ。
【請求項１３】
前記第１カラーはグリーンカラーであることを特徴とする請求項８記載のイメージセンサ。
【請求項１４】
基板の上に形成されたアクティブ領域と、
前記アクティブ領域の表面の全体に形成されたイオン注入領域と、
前記イオン注入領域の下側に形成されたフォトダイオード領域と、
第１カラーに対応する領域が他のカラーに対応する領域より高く基板の上に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上に形成されたカラーフィルタ層と、
を含むことを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１５】
前記カラーフィルタ層の上に形成されたマイクロレンズを更に含むことを特徴とする請求項１４記載のイメージセンサ。
【請求項１６】
前記カラーフィルタ層はカラー間に段差を有することを特徴とする請求項１４記載のイメージセンサ。
【請求項１７】
前記第１カラーに対応する第１カラーフィルタが他のカラーのカラーフィルタより高く形成されたことを特徴とする請求項１６記載のイメージセンサ。
【請求項１８】
前記層間絶縁層の厚み差は、１０〜１００ｎｍ深さの差を有することを特徴とする請求項１４記載のイメージセンサ。
【請求項１９】
前記層間絶縁層の上に形成された保護膜を更に含むことを特徴とする請求項１４記載のイメージセンサ。
【請求項２０】
前記第１カラーは、グリーンカラーであることを特徴とする請求項１４記載のイメージセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、イメージセンサ（Image sensor）は、光学的映像（optical image）を電気的信号に変換させる半導体素子であって、電荷結合素子（charge coupled device：ＣＣＤ）とＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Silicon）イメージセンサ（Image Sensor）とに大別される。
【０００３】
ＣＭＯＳイメージセンサは、単位画素内にフォトダイオードとＭＯＳトランジスタを形成させることによって、スイッチング方式により各単位画素の電気的信号を順次に検出して映像を具現する。
【０００４】
従来技術によるＣＭＯＳイメージセンサ（CMOS Image sensor）工程は、保護膜（passivation）形成後、カラーフィルタ層（color filter layer）３０を形成している。
ところが、その時、保護膜（passivation）は光に対する透過率がよくないので、光をたくさん失ってしまう短所がある。
【０００５】
また、従来技術によるピンドフォトダイオード（pinned photo diode）では、フォトダイオード（photo diode）の表面での暗電流の生成を防ぐために、ｐ−ｔｙｐｅでイオン注入（implant）してくれるようになるが、これでよって短波長であるブルー（ｂｌｕｅ：Ｂ）は、基板（Ｓｉ）の表面で反応を起こすことにおいて、同一な条件のグリーン（green：Ｇ）やレッド（red：Ｒ）に比べて色再現性が劣る問題がある。
【０００６】
また、従来技術によるピンドフォトダイオード（pinned photo diode）工程は、Ｓｉ基板の表面にｐ−ｔｙｐｅでドーピング（doping）させてＳｉ表面における暗電流を抑制させる方法を使用している。
【０００７】
しかしながら、ブルー（blue）は短波長であって、その到達距離が他のカラーに比べて短いので、Ｓｉの表面の付近で反応を起こすことになるが、前述したｐ−ｔｙｐｅ領域でブルーにより生じた電子（electron）はｐ−ｔｙｐｅにキャプチャ（capture）されて、結果的にブルーに対するアウトプット（output）が悪くなる。
【０００８】
即ち、従来技術によると、ブルーの反応領域はＳｉの表面（surface）付近でなされるので、電子生成（electron generation）の際、ｐ−ｔｙｐｅの影響を受けることになる問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、カラーによって色再現性を改善できるイメージセンサを提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施形態によるイメージセンサは、フォトダイオードが形成された基板と、基板の上に形成された層間絶縁層と、第１カラーフィルタに対応する領域の層間絶縁層を露出しながら層間絶縁層の上に形成された保護膜と、露出された層間絶縁層及び保護膜の上に形成されたカラーフィルタ層と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明によるイメージセンサーは、基板の上に形成された素子分離膜と、第１カラーに対応する領域が他のカラーに対応する領域より深く基板に形成されたアクティブ領域と、アクティブ領域の表面の全体に形成されたイオン注入領域と、イオン注入領域の下側に形成されたフォトダイオード領域と、フォトダイオード領域を含む基板の上に形成された層間絶縁層と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明によるイメージセンサーは、基板の上に形成されたアクティブ領域と、アクティブ領域の表面の全体に形成されたイオン注入領域と、イオン注入領域の下側に形成されたフォトダイオード領域と、第１のカラーに対応する領域が他のカラーに対応する領域より高く基板の上に形成された層間絶縁層と、層間絶縁層の上に形成されたカラーフィルタ層と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、ブルー（blue）に対する色再現性を改善できる効果がある。
【００１４】
また、本発明によると、ブルー（blue）／グリーン（green）／レッド（red）の各カラーフィルタ（color filter）において、アウトプット割合（output ratio）が他の色に比べて小さな色に対し、同一な方法によりアウトプット（output）を増加させることができる効果がある。
【００１５】
また、本発明によると、ブルー（blue）に対する感度を改善できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明によるイメージセンサ及びその製造方法を添付した図面を参照しつつ説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態によるイメージセンサの断面図である。
【００１８】
第１実施形態によるイメージセンサは、フォトダイオード１０５が形成された基板１００の上に形成された層間絶縁層１１０と、所定のカラーフィルタに対応する領域の層間絶縁層を露出しながら層間絶縁層の上に形成された保護膜１２０と、保護膜の上に形成されたカラーフィルタ層１３０と、カラーフィルタ層の上に形成された平坦化層１５０（図４参照）と、平坦化層の上に形成されたマイクロレンズ１６０（図４参照）とを含むことができる。
【００１９】
第１実施形態によるイメージセンサは、色再現のために保護膜（passivation）１２０の上段にカラーフィルタ層（color filter layer）１３０を使用するが、このカラーフィルタ層１３０の下部の保護膜１２０の一部を除去することで、色再現性を改善できるイメージセンサに関するものである。
【００２０】
特に、短波長であるブルー（blue）は、ブルーカラーフィルタ（color filter）１３２を経てフォトダイオード（photo diode）（図示せず）に入射した後、Ｓｉの表面（surface）付近で電子（electron）を発生させるので、カラーフィルタ（color filter）１３０から基板Ｓｉの表面までの距離が重要である。
【００２１】
また、保護膜（passivation）１２０用の膜質として主に使われるＳｉＮは、透過率がよくないので、ＣＩＳの特性に大きい影響を与えるため、本発明ではこのような問題点を改善して、特に、ブルー（blue）に対する色再現性の改善のためのものである。
【００２２】
一方、第１実施形態では、ブルー（blue）に対する色再現性の他にグリーン（green）／レッド（red）の各カラーフィルタ（color filter）においてアウトプット割合（output ratio）が他の色に比べて小さな色に対し、同一な方法でアウトプット（output）を増加させようとする。
【００２３】
例えば、中国人は赤色（Red）を好む傾向があるので、イメージセンサのデザイン時にこのような点を勘案してレッド（Red）カラーフィルタの下側の保護膜を除去してレッド（Red）の色再現性を高めて、消費者の欲求に応じ、製品の販売にも助けになることができる。
【００２４】
第１実施形態によるイメージセンサによれば、特定のカラーフィルタ（例：ブルー）に対する保護膜層を除去することで、該当カラーがフォトダイオードに到達できる可能性を高めて、該当カラーの透過性を高めることによって、該当カラーの色再現性を格段に高めることができる効果がある。
【００２５】
結局、第１実施形態によるイメージセンサによれば、ブルーカラーフィルタ（blue color filter）１３２を経る光が他の光に比べて流出する量が少ないので、ブルー（blue）のアウトプットを増加させることになり、結果的にブルー（blue）に対する色再現性を改善できる効果がある。
【００２６】
第１実施形態では、ブルーカラーフィルタ１３２に対応する保護膜を除去し、グリーンカラーフィルタ１３４に対応する保護膜は除去しなかったが、本発明はこれに限るのではない。
【００２７】
即ち、第１実施形態によれば、ブルー（blue）／グリーン（green）／レッド（red）の各カラーフィルタ（color filter）において、アウトプット割合（output ratio）が他の色に比べて小さな色に対し、同一な方法でアウトプット（output）を増加させることができる効果がある。
【００２８】
図２乃至図４は、第１実施形態によるイメージセンサの製造工程断面図である。
【００２９】
第１実施形態によるイメージセンサの製造工程は、次の通りである。
【００３０】
まず、図２のように、フォトダイオード１０５が形成された基板１００の上に層間絶縁層１１０を形成する。
【００３１】
ここで、層間絶縁層１１０は多層で形成されることもでき、図示してはいないが、１つの層間絶縁層を形成した後、フォトダイオードの以外の部分に光が入射されることを防止するための遮光層（図示せず）を形成した後、また層間絶縁層が形成されることができる。
【００３２】
次に、層間絶縁層１１０の上に保護膜１２０を形成する。保護膜１２０は有機物層であって、約５０ｎｍ以下の薄膜で塗布された後、ハードキュア（Hard Cure）を実施することができる。
【００３３】
即ち、以後に形成されるカラーフィルタ層１３０のプロファイル及び均一度の形状のために、保護膜１２０を可視光波長で透明性が優れる有機物質を含んで形成することが好ましい。例えば、保護膜１２０をＳｉＮで形成することができる。
【００３４】
次に、保護膜１２０の上に所定のカラーフィルタに対応する領域をオープンする感光膜パターン１４０を形成する。
【００３５】
感光膜パターン１４０は、ブルーカラーフィルタ領域、またはグリーンカラーフィルタ領域、またはレッドカラーフィルタ領域をオープンすることができる。
【００３６】
第１実施形態では、ブルーカラーフィルタ領域のオープンする感光膜パターンを形成した。
【００３７】
次に、図３のように、感光膜パターン１４０をエッチングマスクにしてオープンされた保護膜１２０をエッチングして、ブルーカラーフィルタ領域の層間絶縁層１１０を露出させる。
【００３８】
次に、図４のように、エッチングされた保護膜１２０及び露出された層間絶縁層１１０の上にカラーフィルタ層１３０を形成する。
【００３９】
カラーフィルタ層１３０の形成は、保護膜１２０の上に可染性レジストを使用して塗布及びパターニング工程を進行して、各々の波長帯別に光をフィルタリングするＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタ層１３０を形成する。
【００４０】
ここで、カラーフィルタ層１３０は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）カラーレジスト層を選択的に３回に亘ってフォトリソグラフィ（photo lithography）工程を行って、各々赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）カラーフィルタを形成してカラーフィルタ層１３０を完成する。
【００４１】
この際、各々の赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）カラーフィルタを形成した後、ＵＶ露光を行って表面の不安定な状態を改善することができる。
【００４２】
特に、第１実施形態では、露出された層間絶縁層１１０の上にオープンされたブルーカラーフィルタ１３２が形成され、オープンされていないカラーフィルタ領域にグリーンカラーフィルタ１３４とレッドカラーフィルタ（図示せず）が形成されることができる。
【００４３】
即ち、第１実施形態によるイメージセンサの製造方法によると、ブルーカラーフィルタの保護膜を除去することで、ブルーカラーがフォトダイオードに到達できる可能性を高めて、ブルーカラーの透過性を高めることによって、色再現性を格段に高めることができる効果がある。
【００４４】
勿論、グリーン（green）／レッド（red）の各カラーフィルタ（color filter）において、アウトプット割合（output ratio）が他の色に比べて小さな色に対し、同一な方法によりアウトプット（output）を増加させることができる。
【００４５】
次に、カラーフィルタ層１３０の上に平坦化層１５０を形成し、平坦化層の上にマイクロレンズ１６０を形成する段階を進行して、イメージセンサの製造工程を進行することができる。
【００４６】
以上、説明したように、第１実施形態によるイメージセンサ及びその製造方法によれば、ブルーカラーフィルタ（blue color filter）を経る光が他の光に比べて流失される量が少ないので、ブルー（blue）のアウトプットを増加させることになり、結果的にブルー（blue）に対する色再現性を改善できる効果がある。
【００４７】
また、第１実施形態によれば、ブルー（blue）／グリーン（green）／レッド（red）の各カラーフィルタ（color filter）において、アウトプット割合（output ratio）が他の色に比べて小さな色に対し、同一な方法によりアウトプット（output）を増加させることができる効果がある。
【００４８】
（第２実施形態）
第２実施形態は、ブルーカラーに対する感度改善について説明したが、本発明の基本概念が必ずブルーカラーに限るのでない。
【００４９】
図５は、第２実施形態によるイメージセンサの断面図である。
【００５０】
第２実施形態によるイメージセンサは、基板２１０の上に形成された素子分離膜２３０と、所定のカラーに対応する領域が他のカラーに対応する領域より低いように基板に形成されたアクティブ領域と、アクティブ領域の表面の全体に形成されたイオン注入領域と、イオン注入領域の下側に形成されたフォトダイオード領域２２０と、フォトダイオード領域を含む基板の上に形成された層間絶縁層２４０と、層間絶縁層の上に形成されたカラーフィルタ層２５０と、カラーフィルタ層２５０の上に形成されたマイクロレンズ２６０とを含むことができる。
【００５１】
この際、フォトダイオード領域２２０には、レッドフォトダイオード（Ｒ）（図示せず）、グリーンフォトダイオード（Ｇ）２２４、及びブルーフォトダイオード（Ｂ）２２２が形成される。
【００５２】
また、カラーフィルタ層２５０は、フォトダイオード領域２２０に対応するように、レッドカラーフィルタ（Ｒ）（図示せず）、グリーンカラーフィルタ（Ｇ）２５４、及びブルーカラーフィルタ（Ｂ）２５２が形成される。
【００５３】
また、第２実施形態は、層間絶縁層２４０の上に形成された保護膜（図示せず）を更に含むことができる。この際、カラーフィルタ層２５０が保護膜の上に形成される。
【００５４】
第２実施形態では、アクティブ領域が１０〜１００ｎｍ深さの差を有することによって、ブルーカラーが到達する距離（Ｄ２）をブルー（blue）カラーが反応するブルーフォトダイオード１２２に最適化（optimizing）してくれることによって、ブルー（blue）に対する色再現性を改善できることを特徴とする。
【００５５】
図６乃至図８は、第２実施形態によるイメージセンサの製造工程の断面図である。
【００５６】
第２実施形態では、ブルーカラーに対する感度の改善について説明したが、本発明の基本概念が必ずブルーカラーに限るのでない。
【００５７】
第２実施形態によるイメージセンサの製造工程は、次の通りである。
【００５８】
まず、図６のように、基板２１０の上に素子分離膜２３０を形成してアクティブ領域を定義する。
【００５９】
次に、図７のように、アクティブ領域の中、所定のカラーに対応するアクティブ領域をオープンする感光膜パターン２３５を形成する。この際、所定のカラーはブルーカラーであることを例としたが、これに限るのではない。
【００６０】
その後、感光膜パターン２３５をエッチングマスクにして、オープンされたアクティブ領域を所定厚みエッチングしてフォトダイオード領域２２０の受光部の高さ差を置く。
【００６１】
この際、第２実施形態では、アクティブ領域が１０〜１００ｎｍ深さの差を有することによって、ブルーカラーが到達する距離（Ｄ２）をブルー（blue）カラーが反応するブルーフォトダイオード２２２に最適化（optimizing）してくれることによって、ブルー（blue）に対する色再現性を改善できることを特徴とする。
【００６２】
次に、図８のように、イメージセンサの製造工程を進行する。
【００６３】
即ち、感光膜パターン２３５を除去し、エッチングされたアクティブ領域の表面の全体にイオン注入領域を形成する。イオン注入領域はＰ−ｔｙｐｅイオン注入領域でありうる。
【００６４】
次に、イオン注入領域の下側にフォトダイオード領域２２０を形成する。この際、フォトダイオード領域２２０には、レッドフォトダイオード（Ｒ）（図示せず）、グリーンフォトダイオード（Ｇ）２２４、及びブルーフォトダイオード（Ｂ）２２２が形成される。
【００６５】
次に、フォトダイオード領域２２０を含む基板２１０の上に層間絶縁層２４０を形成する。層間絶縁層２４０は多層で形成されることもでき、図示してはいないが、１つの層間絶縁層を形成した後、フォトダイオード領域２２０の以外の部分に光が入射されることを防止するための遮光層を形成した後、また層間絶縁層を形成することができる。
【００６６】
次に、層間絶縁層２４０の上に水分及びスクラッチから素子を保護するための保護層（図示せず）を形成することができる。保護層は、有機物層であって、約５０ｎｍ以下の薄膜で塗布された後、ハードキュア（Hard Cure）を行うことができる。即ち、以後に形成されるカラーフィルタ層２５０のプロファイル及び均一度の向上のために、保護層を可視光波長で透明性が優れる有機物質を含んで形成することが好ましい。
【００６７】
次に、層間絶縁層（保護層が形成された場合は、保護層）の上に可染性レジストを使用して塗布及びパターニング工程を進行して、各々の波長帯別に光をフィルタリングするカラーフィルタ層２５０を形成する。
【００６８】
カラーフィルタ層２５０は、フォトダイオード領域２２０に対応するように、レッドカラーフィルタ（Ｒ）（図示せず）、グリーンカラーフィルタ（Ｇ）２５４、及びブルーカラーフィルタ（Ｂ）２５２が形成される。
【００６９】
ここで、カラーフィルタ層２５０は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）カラーレジスト層を選択的に３回に亘ってフォトリソグラフィ（photo lithography）工程を行って、各々赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）カラーフィルタを形成してカラーフィルタ層２５０を完成する。
【００７０】
この際、各々の赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）カラーフィルタを形成した後、ＵＶ露光を行って表面の不安定な状態を改善することができる。
【００７１】
次に、カラーフィルタ層２５０の上に焦点距離の調節及びレンズ層を形成するための平坦度確保などのために、平坦化層（図示せず）を形成することができる。
【００７２】
次に、カラーフィルタ層（平坦化層が形成された場合は、平坦化層）の上にマイクロレンズ２６０を形成する。マイクロレンズ２６０はマイクロレンズ用レジスト層パターンを形成し、露光してマイクロレンズを形成することができる。
【００７３】
第２実施形態によるイメージセンサの製造方法によれば、イメージセンサの製造において、フォトダイオード（photo diode）の受光部の高さを違うようにするために、選択的にフォトダイオード（photo diode）の受光部を所定の厚みエッチングすることによって、ブルー（blue）が反応する領域を最適化（optimizing）してくれることによって、ブルー（blue）に対する色再現性を改善することができる効果がある。
【００７４】
（第３実施形態）
図９は、本発明に第３実施形態によるイメージセンサの断面図である。
【００７５】
本発明の第３実施形態によるイメージセンサは、基板２１０の上に形成された素子分離膜２３０により定義されるアクティブ領域と、アクティブ領域の表面の全体に形成されたイオン注入領域と、イオン注入領域の下側に形成されたフォトダイオード領域２２０と、所定のカラーに対応する領域が他のカラーに対応する領域より低くフォトダイオード領域を含む基板の上に形成された層間絶縁層２４５と、層間絶縁層２４５の上に形成されたカラーフィルタ層２５０と、カラーフィルタ層の上に形成されたマイクロレンズ２６０と、を含むことを特徴とする。
【００７６】
この際、層間絶縁層２４５の上に保護膜（図示せず）を形成する段階を更に含み、保護膜をエッチングすることもできる。
【００７７】
第３実施形態によるイメージセンサは、第２実施形態と解決しようとする課題は共通され、その課題を解決しようとする原理も共通点がある。
【００７８】
即ち、第２実施形態は、ブルーカラーがフォトダイオードの最適の位置に到達するように受光部であるアクティブ領域をエッチングし、その距離を調節するものであるが、第３実施形態は、ブルーカラーがフォトダイオードの最適の位置に到達するように層間絶縁層２４５または保護膜（図示せず）をエッチングするものである。
【００７９】
第３実施形態によるイメージセンサに対する製造方法は、第２実施形態の方法を採用することができる。
【００８０】
但し、アクティブ領域をエッチングするの代わりに、層間絶縁層２４５をエッチングする方法には差がある。
【００８１】
第３実施形態によるイメージセンサに対する製造方法は、次の通りである。
【００８２】
まず、基板２１０の上に素子分離膜２３０を形成してアクティブ領域を定義し、アクティブ領域の表面の全体にイオン注入領域を形成する。
【００８３】
次に、イオン注入領域の下側にフォトダイオード領域２２０を形成し、フォトダイオード領域２２０を含む基板の上に層間絶縁層２４５を形成する。
【００８４】
次に、層間絶縁層２４５のうち、所定のカラー（例えば、ブルーカラー）に対応する層間絶縁層をオープンする感光膜パターン（図示せず）を形成し、感光膜パターンをエッチングマスクにして、オープンされた層間絶縁層２４５を所定の厚みエッチングする。
【００８５】
この際、第３実施形態では、層間絶縁層が１０〜１００ｎｍ深さの差を有することによって、ブルーカラーが到達する距離（Ｄ２）をブルー（blue）カラーが反応するブルーフォトダイオード２２２に最適化（optimizing）してくれることによって、ブルー（blue）に対する色再現性を改善できることを特徴とする。
【００８６】
次に、感光膜パターンを除去し、エッチングされた層間絶縁層２４５の上にカラーフィルタ層２５０を形成し、カラーフィルタ層の上にマイクロレンズ２６０を形成する。
【００８７】
また、第３実施形態は、層間絶縁層１４５の上に保護膜（図示せず）を形成する段階を更に含み、保護膜をエッチングして段差を置いて、その保護膜の上にカラーフィルタ層２５０を形成することもできる。
【００８８】
また、第３実施形態は、カラーフィルタ層２５０の上に平坦化層２５５を更に形成することができる。
【００８９】
第３実施によれば、フォトダイオード（photo diode）の受光部の高さを違うようにするために、選択的に層間絶縁層または保護膜をエッチングしてブルー（blue）が反応する領域を最適化（optimizing）してくれることによって、ブルー（blue）に対する色再現性を改善することができる効果がある。
【００９０】
以上、説明したように、第３実施形態によるイメージセンサ及びその製造方法によれば、イメージセンサの製造において、フォトダイオード（photo diode）の受光部の高さを違うようにするために、選択的にフォトダイオード（photo diode）の受光部を所定の厚みエッチングすることによって、ブルー（blue）が反応する領域を最適化（optimizing）してくれることによって、ブルー（blue）に対する色再現性を改善できる効果がある。
【００９１】
また、第３実施形態によれば、ブルー（blue）に対する感度を改善できる効果がある。
【００９２】
また、第３実施形態によれば、フォトダイオード（photo diode）の受光部の高さを違うようにするために、選択的に層間絶縁層、または保護膜をエッチングしてブルー（blue）が反応する領域を最適化（optimizing）してくれることによって、ブルー（blue）に対する色再現性を改善できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】第１実施形態によるイメージセンサの断面図である。
【図２】第１実施形態によるイメージセンサの製造工程断面図である。
【図３】第１実施形態によるイメージセンサの製造工程断面図である。
【図４】第１実施形態によるイメージセンサの製造工程断面図である。
【図５】第２実施形態によるイメージセンサの断面図である。
【図６】第２実施形態によるイメージセンサの製造工程の断面図である。
【図７】第２実施形態によるイメージセンサの製造工程の断面図である。
【図８】第２実施形態によるイメージセンサの製造工程の断面図である。
【図９】第３実施形態によるイメージセンサの断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１００、２１０    基板
１０５    フォトダイオード
１１０、２４０、２４５    層間絶縁層
１２０    保護膜
１３０、２５０    カラーフィルタ層
１５０、２５５    平坦化層
１６０、２６０    マイクロレンズ
２２０    フォトダイオード領域
２３０    素子分離膜    
【図１】
2008060572.tif 000003
【図２】
2008060572.tif 000004
【図３】
2008060572.tif 000005
【図４】
2008060572.tif 000006
【図５】
2008060572.tif 000007
【図６】
2008060572.tif 000008
【図７】
2008060572.tif 000009
【図８】
2008060572.tif 000010
【図９】
2008060572.tif 000011