(57)【要約】【課題】画像検出装置におけるリーク電流を軽減する。【解決手段】画像検出装置を、基板と、基板上に形成された、方形のコンタクトホールであって該コンタクトホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるコンタクトホールを有する平坦化膜と、平坦化膜の前記ホール部に形成された収集電極と、収集電極が形成された平坦化膜上に堆積形成された非晶質の光電変換層と、コンタクトホールを介して収集電極に接続された信号取出電極とを備えてなるものとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された、方形のホールであって該ホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるホールを有する中間層と、該中間層上に堆積形成された非晶質の光電変換層とを備えてなることを特徴とする画像検出装置。
【請求項２】
前記光電変換層上に形成された電圧印可電極とを備えてなることを特徴とする請求項１記載の画像検出装置。
【請求項３】
基板と、該基板上に形成された、方形のコンタクトホールであって該コンタクトホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるコンタクトホールを有する平坦化膜と、該平坦化膜の少なくとも前記ホール部に形成された収集電極と、該収集電極が形成された前記平坦化膜上に堆積形成された非晶質の光電変換層と、前記コンタクトホールを介して前記収集電極に接続された信号取出電極とを備えてなることを特徴とする画像検出装置。
【請求項４】
前記光電変換層は、蒸着法にて堆積された非晶質Ｓｅを主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１、２または３記載の画像検出装置。
【請求項５】
前記コンタクトホールの側面にテーパーを設けることを特徴とする請求項３または４記載の画像検出装置。
【請求項６】
平面基板上に平坦化膜を塗布する工程と、
ホール部に面取り加工をしたフォトマスクを用いて方形のホールを形成する前記平坦化膜のフォトリソグラフィ工程と、
該平坦化膜の上に蒸着法で非晶質の光電変換材料を堆積する工程とを含むことを特徴とする画像検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線の照射を受けて電荷を発生する画像検出装置に関し、詳細には画像検出装置の駆動回路基板の構成およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴアクティブマトリクスアレイ上にＸ線感応層を配置し、Ｘ線情報を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ）が実用化されている。従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、動画も確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。
【０００３】
このようなＦＰＤと呼ばれる画像検出装置においては、直接画像信号を検出することができるため、精度よい画像が検出されることが特徴であるが、本来検出すべき画像信号に各種ノイズが付与される場合がある。
【０００４】
たとえば、そのノイズの一つにＴＦＴスイッチのリーク電流がある。検出画素を選択するためのＴＦＴスイッチはオフ動作時には全くリーク電流を流さないことが好ましい。しかしながら、デバイス特性上ある量のリーク電流が流れて、この分が画像信号に加算されてしまうことがある。
【０００５】
上記画像検出装置の光電変換層には、高い暗抵抗を有し、応答速度が優れているという利点から非晶質Ｓｅが用いられることが多く、非晶質Ｓｅの下層にはこのＳｅ層の堆積面を平坦化するための有機材料からなる平坦化膜（層間絶縁膜）を配置することが広く行われている（例えば特許文献１，２）。
【特許文献１】特開平１１−６８０７８号公報
【特許文献２】特許第３５８９９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記画像検出装置の光電変換層として、非晶質Ｓｅを蒸着形成する場合、非晶質Ｓｅが局部的に結晶化すると、当該箇所で急激にリーク電流が増加し、これにより本来検出すべき検出信号の認識が難しくなる。特に、蒸着形成されたＳｅ層は下層の凹凸部においては、蒸着堆積時の内部応力を起点に結晶化が進行しやすい。
【０００７】
ここで、図６および図７を用いて従来の画像検出装置の構成について説明する。図６は従来の画像検出装置の１画素単位の構造を示す概略断面図、図７はその概略平面図である。光電変換層６にＳｅ層等を用いる直接変換型の画像検出装置では、光電変換層６と層間絶縁膜１２との間に電荷収集電極１１を配置することが必要である。この電荷収集電極１１は光電変換層６で発生した電荷を収集し、層間絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール１６を介して信号を層間絶縁膜１２の下層の蓄積容量上部電極１３および蓄積容量上部電極１４間に蓄えるものである。従って、本来、光電変換膜６の堆積面を平坦化するための層間絶縁膜１２であるが、少なくとも各画素ごとにコンタクトホール１６を形成する必要がある。
【０００８】
本発明者が鋭意検討を行った結果、光電変換膜６のコンタクトホール１６上部の領域において、このコンタクトホール１６の段差（電荷収集電極１１の折れ曲がり部）を起因とした結晶化が多く発生していることがわかった。このような結晶化が起こると、ある特定画素でＳｅのリーク電流が増加し、その結果リーク電流が増加して、他の画素のデータに影響を及ぼし、本来検出すべき検出信号の認識が難しくなる。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、リーク電流を軽減することが可能な画像検出装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の画像検出装置は、基板と、該基板上に形成された、方形のホールであって該ホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるホールを有する中間層と、該中間層上に堆積形成された非晶質の光電変換層とを備えてなることを特徴とするものである。
【００１１】
ここで、中間層とは例えば平坦化膜や層間絶縁膜など、基板と光電変換層との間に設けられた層（膜）を意味する。  
上記の画像検出装置は、さらに前記光電変換層上に形成された電圧印可電極とを備えてなることが望ましい。
【００１２】
別の態様として、本発明の画像検出装置は、基板と、該基板上に形成された、方形のコンタクトホールであって該コンタクトホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるコンタクトホールを有する平坦化膜と、該平坦化膜の少なくとも前記ホール部に形成された収集電極と、該収集電極が形成された前記平坦化膜上に堆積形成された非晶質の光電変換層と、前記コンタクトホールを介して前記収集電極に接続された信号取出電極とを備えてなることを特徴とするものである。
【００１３】
前記光電変換層は、蒸着法にて堆積された非晶質Ｓｅを主成分とする材料からなることを特徴とするものである。  
前記コンタクトホールは、その側面にテーパーが設けられていることが好ましい。
【００１４】
本発明の画像検出装置の製造方法は、平面基板上に平坦化膜を塗布する工程と、ホール部に面取り加工をしたフォトマスクを用いて方形のホールを形成する前記平坦化膜のフォトリソグラフィ工程と、該平坦化膜の上に蒸着法で非晶質の光電変換材料を堆積する工程とを含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の画像検出装置は、基板と、該基板上に形成された、方形のホールであって該ホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるホールを有する中間層と、該中間層上に堆積形成された非晶質の光電変換層とを備えてなるので、中間層のコンタクトホールの段差に起因する結晶化を抑制することができ、リーク電流を軽減することが可能である。
【００１６】
特に、画像検出装置が、さらに光電変換層上に形成された電圧印可電極とを備えてなる場合には、高電圧（２ｋＶ程度）が印可されると中間層のコンタクトホールの段差に起因する結晶化がさらに進行してより大きなリーク電流が流れることになるが、ホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるホールを有する中間層を設けることによって、高電圧が印可された場合であっても結晶化を抑制することができ、リーク電流を軽減することが可能である。
【００１７】
別の態様として、本発明の画像検出装置は、基板と、該基板上に形成された、方形のコンタクトホールであって該コンタクトホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるコンタクトホールを有する平坦化膜と、該平坦化膜の少なくとも前記ホール部に形成された収集電極と、該収集電極が形成された前記平坦化膜上に堆積形成された非晶質の光電変換層と、前記コンタクトホールを介して前記収集電極に接続された信号取出電極とを備えてなるので、平坦化膜のコンタクトホールの段差に起因する結晶化を抑制することができ、リーク電流を軽減することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の画像検出装置について説明する。図１は、本発明の一実施の形態である画像検出装置の１画素単位の構造を示す概略断面図、図２はその概略平面図である。
【００１９】
図１に示すように、本発明の画像検出装置は、アクティブマトリックス基板１０上に、電磁波導電性を有する光電変換層６、及び図示しない高圧電源に接続されたバイアス電極（電圧印可電極：共通電極）７が順次形成されている。光電変換層６は、Ｘ線などの電磁波が照射されることにより、内部に電荷（電子−正孔）を発生するものである。つまり、光電変換層６は電磁波導電性を有し、Ｘ線による画像情報を電荷情報に変換するためのものである。また、光電変換層６は、例えば、セレンを主成分とする非晶質のＳｅ（ａ−Ｓｅ：アモルファスセレン）からなる。ここで、主成分とは、５０％以上の含有率を有する意味である。
【００２０】
アクティブマトリックス基板１０は、ガラス基板１、ゲート電極２、蓄積容量下部電極１４、ゲート絶縁膜１５、蓄積容量上部電極１３、半導体層９、ソース電極８、ドレイン電極５、データ配線３、平坦化膜である層間絶縁膜１２、電荷収集電極１１とを有しており、ゲート電極２やゲート絶縁膜１５、ソース電極８、ドレイン電極５、半導体層９等でもって薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  以下、ＴＦＴスイッチと称する）４が構成されている。ＴＦＴスイッチ４はスイッチング素子であり、ソース電極８、ドレイン電極５は、各々データ配線３と蓄積容量上部電極１３とに接続されている。半導体層９はソース電極８、ドレイン電極５とゲート電極２とのコンタクトを図る。
【００２１】
ガラス基板１は支持基板であり、ガラス基板１としては、例えば、無アルカリガラス基板（例えば、コーニング社製＃１７３７等）を用いることができる。ゲート電極２及びデータ配線３は、図２に示すように格子状に配列された電極配線であり、その交点にはＴＦＴスイッチ４が形成されている。
【００２２】
ゲート絶縁膜１５はＳｉＮＸ やＳｉＯＸ 等からなっている。ゲート絶縁膜１５は、ゲート電極２及び蓄積容量下部電極１４を覆うように設けられており、ゲート電極２上に位置する部位がＴＦＴスイッチ４におけるゲート絶縁膜として作用し、蓄積容量下部電極１４上に位置する部位は電荷蓄積容量における誘電体層として作用する。つまり、電荷蓄積容量は、ゲート電極２と同一層に形成された蓄積容量下部電極１４と蓄積容量上部電極１３との重畳領域によって形成される。なお、ゲート絶縁膜１５としては、ＳｉＮＸ やＳｉＯＸ に限らず、ゲート電極２及び蓄積容量下部電極１４を陽極酸化した陽極酸化膜で併用することもできる。
【００２３】
電荷収集電極１１は非晶質透明導電酸化膜からなっている。電荷収集電極１１は、蓄積容量上部電極１３において電荷蓄積容量を介して蓄積容量下部電極１４と対向している部分上に位置するコンタクトホール１６を埋めるようにして形成されており、ソース電極８上及び蓄積容量上部電極１３上に積層されている。電荷収集電極１１と光電変換層６とは電気的に導通しており、光電変換層６で発生した電荷を電荷収集電極１１で収集できるようになっている。また、電荷収集電極１１は光電変換層６膜で発生した電荷を収集し、さらにＴＦＴとデータ配線３を介し外部へ出力する必要があるため、層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１６を介してＴＦＴスイッチ４のドレイン電極５および電荷蓄積容量に電気的に接続する。光電変換層６は電荷を電荷収集電極１１に渡す必要があることから光電変換層６の直上に形成される。
【００２４】
層間絶縁膜１２は感光性を有するアクリル樹脂からなり、ＴＦＴスイッチ４の電気的な絶縁分離を図っている。層間絶縁膜１２には、コンタクトホール１６が貫通しており、電荷収集電極１１は蓄積容量上部電極１３に接続されている。すなわち、電荷収集電極１１は、コンタクトホール１６を介し信号取出電極である蓄積容量上部電極１３に接続されている。
【００２５】
ガラス基板１上には、ゲート電極２及び蓄積容量下部電極１４が設けられている。ゲート電極２の上方には、ゲート絶縁膜１５を介して、半導体層９が形成され、さらのその上にソース電極８、ドレイン電極５が形成される。
【００２６】
また、蓄積容量下部電極１４の上方にはゲート絶縁膜１５が配されており、その上方には蓄積容量上部電極１３が配されている。電荷収集電極１１と蓄積容量上部電極１３とは、層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１６によって接続されている。コンタクトホール１６は巨視的には正方形または長方形のいわゆる方形のコンタクトホールであるが、微視的には全てのコーナー部が直角ではなく丸みを帯びている。コンタクトホール１６の４つの全てのコーナー部の曲率半径は２μｍ以上である。
【００２７】
バイアス電極７と蓄積容量下部電極１４との間には、図示しない高圧電源（２ｋＶ程度）が接続されている。この高圧電源により、バイアス電極７と蓄積容量下部電極１４との間に電圧が印加される。これにより、電荷蓄積容量を介してバイアス電極７と電荷収集電極１１との間に電界を発生させることができる。このとき、光電変換層６と電荷蓄積容量とは、電気的に直列に接続された構造になっているので、バイアス電極７にバイアス電圧を印加しておくと、光電変換層６内で電荷（電子−正孔対）が発生する。光電変換層６で発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量に電荷が蓄積される。
【００２８】
画像検出装置全体としては、電荷収集電極１１は２次元に複数配列されると共に、電荷収集電極１１に個別に接続された電荷蓄積容量と、電荷蓄積容量に個別に接続されたＴＦＴスイッチ４とを複数備えている。これにより、２次元の電磁波情報を一旦電荷蓄積容量に蓄積し、ＴＦＴスイッチ４を順次走査していくことで、２次元の電荷情報を簡単に読み出すことができる。
【００２９】
続いて、画像検出装置の製造工程の一例について説明する。  
まず、ガラス基板１上に、ＴａやＡｌ等の金属膜をスパッタ蒸着により厚さ約３００ｎｍに成膜した後、所望の形状にパターニングすることにより、ゲート電極２及び蓄積容量下部電極１４を形成する。
【００３０】
そして、このゲート電極２及び蓄積容量下部電極１４を覆うようにして、ガラス基板１の略全面にＳｉＮＸ やＳｉＯＸ 等からなるゲート絶縁膜１５をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法により厚さ約３５０ｎｍに成膜する。なお、ゲート絶縁膜１５としては、ＳｉＮＸ やＳｉＯＸ に限らず、ゲート電極２及び蓄積容量下部電極１４を陽極酸化した陽極酸化膜を併用することもできる。
【００３１】
次ぎに、ゲート絶縁膜１５を介して、ゲート電極２の上方に半導体層９が配されるように、ＣＶＤ法によりａ−Ｓｉを厚さ約４０ｎｍに成膜した後、所望の形状にパターニングすることにより、半導体層９を形成する。
【００３２】
続いて、半導体層９上にＴａやＡｌ等の金属膜をスパッタ蒸着により厚さ約３００ｎｍに成膜した後、所望の形状にパターニングすることにより、ソース電極８及びドレイン電極５を形成する。また、蓄積容量下部電極１４の上に蓄積容量上部電極１３、所定位置にデータ配線３を形成する。
【００３３】
このようにしてＴＦＴスイッチ４及び電荷蓄積容量等を形成したガラス基板１の略全面を覆うように、感光性を有するアクリル樹脂等を厚さ約３μｍに成膜し、層間絶縁膜１２を形成する。
【００３４】
コンタクトホール１６の形成の詳細を図３を用いて説明する。図３はコンタクトホール形成から光電変換層を形成するまでの過程を示す概略模式図である。まず、フォトリソグラフィ用のフォトマスクを準備する。このフォトマスクは図４に示すように、各コーナー部に面取りがされていて、ここでは１２×１２μｍのコンタクトホール（コンタクトホールの上部の大きさにおいて１２×１２μｍ）を形成することができるものを用いている。なお、後述する曲率は各コーナー部に設けられた面取り部分を適宜調整することによって所望の曲率を得ることが可能である。
【００３５】
層間絶縁膜１２に対し、コンタクトホール１６となる部分と位置合わせをしてフォトマスクを固定し、フォトリソグラフィ（露光）を行い（図３(a)）、続いて有機溶剤によりエッチングしてコンタクトホールのパターニングを行ってコンタクトホール１６を形成する（図３(b)）。
【００３６】
コンタクトホール１６には３０°のテーパーがつけてある。感光性層間絶縁膜を選択する場合、このようなテーパーは現像後のポストベーク条件を最適化することにより形成することができる。すなわち、本材料は現像後に１５０〜２５０℃前後で焼成することにより熱硬化し絶縁膜として完成するが、熱硬化前に、硬化反応温度（架橋温度）以下の１００℃前後でベークを行う（メルトベーク）ことにより、熱ダレをおこし、テーパー角が低くなる。
【００３７】
コンタクトホール１６を形成後、層間絶縁膜１２上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の非晶質透明導電酸化膜をスパッタ蒸着法にて厚さ約２００ｎｍに成膜し、所望の形状にパターニングして電荷収集電極１１を形成する（図３(c)）。この時、層間絶縁膜１２に設けたコンタクトホール１６を介して、電荷収集電極１１と蓄積容量上部電極とを電気的に導通させる（短絡させる）。なお、電荷収集電極１１は蒸着法によって形成されるため、形成されたコンタクトホールの形状そのままの形状を維持して形成することが可能である。
【００３８】
なお、本実施形態では上述したように、アクティブマトリックス基板１０として電荷収集電極１１がＴＦＴスイッチ４の上方にオーバーラップする、いわゆる屋根型構造（マッシュルーム電極構造）を採用しているが、非屋根型構造を採用してもかまわない。また、スイッチング素子としてａ−Ｓｉを用いたＴＦＴ４を用いたが、これに限らず、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）を用いてもよい。また、データ配線３及び蓄積容量上部電極１３がゲート絶縁膜１５を介してゲート電極２より上方にある逆スタガ構造を採用したが、スタガ構造にしてもよい。
【００３９】
上記のように形成されたアクティブマトリックス基板１０の画素配列領域をすべて覆うように、ａ−Ｓｅからなり電磁波導電性を有する光電変換層６を真空蒸着法により膜厚が約０．５ｍｍ〜１．５ｍｍになるように成膜する（図３(d)）。図５は完成したコンタクトホールの模式斜視図であるが、コーナー部に面取りをしたフォトマスクを用いて露光を行うことにより、コンタクトホールのコーナにはＲが形成される。
【００４０】
従来のコンタクトホールは図８に示すようにＲ≦１．５μｍ程度で、この場合には、段差部近傍で原子の堆積密度が疎になりやすく、その結果この上に蒸着される蒸着膜の内部応力が大きくなってコーナー部で蒸着されるａ−Ｓｅの結晶化が起こるが、本実施の形態ではコンタクトホールのコーナー部は図５に示すようにＲ＝４μｍであるため、内部応力が低減して結晶化が抑制され、結果リーク電流を軽減することが可能である。
【００４１】
なお、ここではＲ＝４μｍを示しているが、この曲率半径はコンタクトホールの大きさにもより、コンタクトホールの大きさが６×６μｍ〜２０×２０μｍ（長方形も含む）の場合、Ｒ≧２μｍが好ましく、より好ましくはコンタクトホールの大きさが８×８μｍ〜１６×１６μｍ（正方形）の場合、３μｍ≦Ｒ≦５μｍ（但し、コンタクトホールが円にならない範囲）が望ましい。ここで、曲率半径はコンタクトホールの下の部分で測定されるＲであって、デジタル式光学顕微鏡で画像取り込み後、画像処理ソフトを用いることで測定することができる。一般的な画像処理ソフトでは、Ｒ上の３点から曲率半径を算出する。
【００４２】
最後に、光電変換層６の略全面にＡｕ、Ａｌなどからなるバイアス電極７を真空蒸着法により約２００ｎｍの厚さで形成する。
【００４３】
なお、光電変換層６と電荷収集電極１１との界面に、電子又は正孔の光電変換層６への注入を阻止する電荷注入阻止層や、光電変換層６と電荷収集電極１１との密着性を向上させるバッファー層を形成してもよい。また同様に、光電変換層６とバイアス電極７の界面にも電荷注入阻止層やバッファー層を形成してもよい。電荷注入阻止層やバッファー層としてはａ−Ａｓ２ Ｓｅ３ や、アルカリ元素イオンやハロゲン元素イオンが添加されたａ−Ｓｅ等を用いることが可能である。この場合、これらの膜も蒸着法によって形成されるため、形成されたコンタクトホールの形状そのままの形状を維持して形成することが可能である。
【００４４】
上記構造の画像検出装置の動作原理について簡単に説明する。バイアス電極７と電荷収集電極１１との間に電圧を印加した状態で、光電変換層６にＸ線が照射されると、光電変換層６内に電荷（電子−正孔対）が発生する。そして、光電変換層６と電荷蓄積容量とは電気的に直列に接続された構造となっているので、光電変換層６内に発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量に電荷が蓄積される。
【００４５】
電荷蓄積容量に蓄積された電荷は、ゲート電極２への入力信号によってＴＦＴスイッチ４をＯＮ状態にすることによりデータ配線３を介して外部に取り出すことが可能となる。
【００４６】
そして、ゲート電極２とデータ配線３、ＴＦＴスイッチ４及び電荷蓄積容量は、すべてＸＹマトリクス状に設けられているため、ゲート電極２に入力する信号を順次走査し、データ配線３からの信号をデータ配線３毎に検知することにより、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる。
【００４７】
なお、本実施の形態では、基板上に形成された、方形のコンタクトホールであってこのコンタクトホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるコンタクトホールを有する平坦化膜（層間絶縁膜）と、この平坦化膜のコンタクトホール部に形成された収集電極と、この収集電極が形成された平坦化膜上に堆積形成された非晶質の光電変換層と、コンタクトホールを介して収集電極に接続された信号取出電極とを備えてなる画像検出装置を例にとって説明したが、中間層が方形のホールを有している場合には、この方形ホールの全てのコーナー部の曲率半径を２μｍ以上とすることによって、中間層上に堆積形成される非晶質の光電変換層の結晶化を抑制することができるので、リーク電流を軽減することが可能である。
【００４８】
また、本実施の形態では、コンタクトホールのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上である構成を例にとって説明したが、当該コーナー部の形状は完全な円である必要はなく、内部応力を緩和できる程度に丸みを帯びている態様としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態である画像検出装置の１画素単位の構造を示す概略断面図
【図２】本発明の一実施の形態である画像検出装置の１画素単位の構造を示す概略平面図
【図３】本発明の画像検出装置の製造工程の一部を示す概略模式図
【図４】フォトマスクの概略平面図
【図５】コンタクトホールの拡大斜視図
【図６】従来の画像検出装置の１画素単位の構造を示す概略平面図
【図７】従来の画像検出装置の１画素単位の構造を示す概略平面図
【図８】従来のコンタクトホールの拡大斜視図
【符号の説明】
【００５０】
１  ガラス基板
２  ゲート電極
３  データ配線
４  ＴＦＴスイッチ
５  ドレイン電極
６  光電変換層
７  バイアス電極
８  ソース電極
９  半導体層
１０  アクティブマトリックス基板
１１  電荷収集電極
１２  層間絶縁膜
１３  蓄積容量上部電極
１４  蓄積容量下部電極
１５  ゲート絶縁膜
１６  コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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