(57)【要約】      （修正有）【課題】薄型の高周波モジュールにおいて、電子部品のシールド性が良好な高周波モジュールの実現をする。【解決手段】基板２２の下面側に接続された中継基板２３と、この中継基板２３の下面側に設けられた接続ランド２４と、基板２２の上面に装着された電子部品３と、電子部品３を覆う金属製のカバー２５とを備え、基板２２には貫通孔２７を設けるとともに、中継基板２３には貫通孔２７を塞ぐように設けられた遮蔽部２３ａを設け、この遮蔽部２３ａの上面側には電子部品３の高さよりも高い電子部品４が貫通孔２７を貫通するように配置され、電子部品４の側面に対向してグランド導体２７ａが形成されたものである。これにより背の高い電子部品４の側面にグランド導体２７ａが設けられるので、電子部品４に対し良好なシールド性を得ることができる。【選択図】図１
2008193031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の下面側に接続された中継基板と、この中継基板の下面側に設けられた接続ランドと、前記基板の上面に装着された第１の電子部品と、この第１の電子部品を覆う金属製のカバーとを備え、前記基板には貫通孔を設けるとともに、前記中継基板には前記貫通孔を塞ぐように設けられた遮蔽部とを設け、この遮蔽部の上面側には前記第１の電子部品の高さよりも高い第２の電子部品を装着し、前記第２の電子部品の側面に対向してグランド導体を形成した高周波モジュール。
【請求項２】
グランド導体は、貫通孔側面に形成された請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
遮蔽部の下面には、接続ランドが形成された請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
接続ランドはグランド端子とし、前記接続ランドとグランド導体とが接続された請求項３に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
カバーには側面の先端から延在して形成された脚部を設け、前記カバーと基板に設けられたグランド端子とが接続されることによって、前記脚部をグランド導体として用いる請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
貫通孔は基板の外周に設けられた第１の切り欠きとした請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
脚部は中継基板の外側側面と対向して形成された請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
中継基板には、第１の切り欠きに対応する位置に第２の切り欠きを設け、脚部は前記第２の切り欠きの側面とはんだ付けされた請求項６に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路が形成された高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のチューナ１（高周波モジュールの一例として用いた）について図面を用いて説明する。図６は、従来の高周波モジュールの断面図である。図６において、従来のチューナ１における基板２の両面には、電子部品３や電子部品４が接続される導体パターンが形成される。これらの導体パターンと電子部品３、電子部品４との間は、はんだによって接続されている。なお、電子部品４の高さは電子部品３より高さが高い部品である。また、基板２の表側と裏側の導体パターン同士は、スルーホールによって接続されている。
【０００３】
なお基板２の裏面には、基板２の外周に沿って中継基板５が装着され、この中継基板５の下面に接続ランド６が形成される。そして、この基板２の表側の電子部品３、電子部品４を覆うように金属製のカバー７が装着される。
【０００４】
ところがチューナ１は近年薄型化が要求され、カバー７における電子部品４の上方に孔７ａを形成し、電子部品４の天面がカバー７の外面と同じ高さになるようにすることで、チューナ１の厚みを薄くしていた。
【０００５】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００１−１５６２２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の高周波モジュールにおいては、電子部品４は他の電子部品３と同じ基板２の上面に搭載されており、電子部品４の信号が他の電子部品の信号と干渉することがある。また、電子部品４の上方に孔７ａが設けられているので、チューナ１の信号が外部へ漏洩し易くなるという課題を有していた。
【０００７】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、シールド性の良好な薄型の高周波モジュールを提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために本発明の高周波モジュールは、基板には貫通孔を設けるとともに、中継基板には前記貫通孔を塞ぐように設けられた遮蔽部とを設け、この遮蔽部の上面側には前記第１の電子部品の高さよりも高い第２の電子部品を装着し、第２の電子部品の側面に対向してグランド導体を形成したものである。これにより、所期の目的を達成できる。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように本発明によれば、基板と、この基板の下面側に接続された中継基板と、この中継基板の下面側に設けられた接続ランドと、前記基板の上面に装着された第１の電子部品と、この第１の電子部品を覆う金属製のカバーとを備え、前記基板には貫通孔を設けるとともに、前記中継基板には前記貫通孔を塞ぐように設けられた遮蔽部とを設け、この遮蔽部の上面側には前記第１の電子部品の高さよりも高い第２の電子部品を装着し、前記第２の電子部品の側面に対向してグランド導体が形成された高周波モジュールであり、これにより電子部品の側面に対向するようにグランド導体が形成されるので、電子部品の信号が他の回路へ飛び込み難くできる。従ってシールド特性の良好な高周波モジュールを実現できる。
【００１０】
また、背の高い第２の電子部品の天面は基板の厚み分低くなるので、その分カバーと基板との間の寸法を小さくできる。さらに、カバーには電子部品の上方に孔を設けずともよいので、第１の電子部品とカバーとの間の無駄な空間が小さくなり、薄型の高周波モジュールを実現できるとともに、シールド性の良好な高周波モジュールを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
以下、本実施の形態におけるチューナ（高周波モジュールの一例として用いた）について図面を用いて説明する。図１は、本実施の形態におけるチューナ２１の断面図である。図１において、図６と同じものは同じ番号を用いてその説明は簡略化している。
【００１２】
基板２２の両面には、電子部品３が装着される装着パターンが形成され、この装着パターンと電子部品３との間は、はんだによって接続されている。この基板２２の下面には「ロの字」型の中継基板２３が装着されている。これによって、基板２２の下面側の電子部品３は、中継基板２３で囲まれる。
【００１３】
なお、本実施の形態において電子部品４は水晶発振子であり、背が高く、他の回路へ妨害を与えやすい。そしてこの電子部品４と電子部品３とによって、基板２２上にチューナ回路が形成される。
【００１４】
中継基板２３の下面には、チューナ２１とをマザー基板へと接続するための接続ランド２４が形成されている。なお、本実施の形態において、中継基板２３と基板２２との間もはんだによって接続される。
【００１５】
金属製のカバー２５は、電子部品３を覆うように基板２２の表側から装着される。ここで、基板２２と中継基板２３の外周側面には切り欠き２６が形成される。そしてこの切り欠き２６に対し、カバー２５の側面２５ａから延在して設けられた脚部２５ｂが挿入されて、はんだ付けされる。そのために、切り欠き２６の側面には導体が形成されている。
【００１６】
ここで、基板２２には貫通孔２７が設けられ、この貫通孔２７の下側は中継基板２３に設けられた遮蔽部２３ａによって塞がれている。そしてこの遮蔽部２３ａの上面に背の高い電子部品４が装着され、電子部品４は基板２２を貫通し、電子部品４の天面が基板２２の上面より突出した状態となる。ここで、貫通孔２７の側面にはグランド導体２７ａが形成されている。このグランド導体２７ａは、基板２２の下面を介して、中継基板２３の接続ランド２４ａ（グランド端子）へ接続されている。
【００１７】
以上の構成により、電子部品４の側面は周囲をグランド導体２７ａで囲まれることとなるので、電子部品４をシールドすることができる。従って電子部品４の信号が他の回路へ飛び込んだりし難くなる。また、電子部品４は遮蔽部２３ａに装着されるので、基板２２から突出する高さは、基板２２の厚み分だけ低くなる。これにより、カバー２５において電子部品４の上方に孔を設ける必要がない。従って、シールド性の良好な高周波チューナ２１を実現でき、他の回路への妨害を与え難くできるとともに、他の回路からの妨害を受け難くすることができる。
【００１８】
さらに、カバー２５の内面と基板の上面との間の距離を小さくでき、従って、電子部品３とカバー２５との間の無駄な空間を小さくでき、薄型のチューナ２１を実現できる。
【００１９】
ここで遮蔽部２３ａは、「ロの字」型の中継基板２３において孔２３ｂの内方へ突出する形で設けられている。従って、この突出寸法が大きいと、基板２２の下面において電子部品３を装着できる領域が小さくなってしまうこととなる。従って、貫通孔２７は中継基板２３にかかるような状態で設けると良い。本実施の形態において中継基板２３は、基板２２の外周に沿って設けられているので、貫通孔２７は基板２２の外周に近い場所に形成する。このようにすれば遮蔽部２３ａが小さくなり、基板２２の下面における電子部品３の装着領域を広くできる。
【００２０】
また、本実施の形態において貫通孔２７には、１個の電子部品４のみを装着したが、これは複数の電子部品を装着しても良い。
【００２１】
さらにまた、遮蔽部２３ａの下面には接続ランド２４ａを形成する。そしてこの接続ランド２４ａをマザー基板と接続することで、チューナ２１とマザー基板との間の接続強度を大きくできる。なお、本実施の形態において電子部品４は、水晶発振子である。そして接続ランド２４ａをグランド端子としている。これによって、水晶発振子の信号が外部や基板２２の裏面に形成された回路に飛び込んだりし難くなる。
【００２２】
次に本実施の形態におけるチューナ２１の製造方法について、図面を用いて説明する。図２は、本実施の形態におけるチューナ２１の製造フローチャートである。図２において、図１と同じものには同じ番号を用いて、その説明は簡略化している。
【００２３】
最初に中継基板２３の製造方法について説明する。はんだ塗布工程５１では、複数の中継基板２３が連結された状態で、クリーム状のはんだ５２を電子部品４が装着される所定位置に印刷する工程である。実装工程５３では、はんだ塗布工程５１の後で、中継基板２３に対して電子部品４を装着する。
【００２４】
リフロー工程５４では、実装工程５３の後ではんだ５２を溶かし、電子部品４を中継基板２３へ接続する工程である。そして分割工程５５では、このようにして電子部品４が接続された状態で個片へ分割し、中継基板２３が完成する。
【００２５】
一方基板２２は、はんだ塗布工程６１において複数の基板２２が連結された状態で、クリーム状のはんだ６０が塗布される。このはんだ塗布工程６１では、はんだ塗布工程５１と同様にメタルマスクによってはんだ６０が塗布される。
【００２６】
実装工程６２は、はんだ塗布工程６１の後で、基板２２の上面側に電子部品３を実装する。そしてこの実装工程６２の後で、リフロー工程６３が行われ、はんだ６０が溶融し、基板２２の上面において電子部品３が接続される。
【００２７】
はんだ塗布工程６５では、リフロー工程６３の後で、基板２２の下面側へクリーム状のはんだ６０が印刷される。このとき、基板２２の下面において電子部品３が装着される箇所と、中継基板２３の接続部とにはんだ６０が塗布される。
【００２８】
装着工程６６では、はんだ塗布工程６５の後で、基板２２の下面の所定位置へ電子部品３や電子部品４が実装された中継基板２３を装着する。なおこのとき、中継基板２３は電子部品４が貫通孔２７に対応するように実装される。カバー装着工程６４は、装着工程６６の後で基板２２の表側よりカバー２５を基板２２へ装着する。このときの脚部２５ｂは切り欠き２６へと挿入される。なお後の工程において、このカバー２５は下向きに搬送されるので、カバー２５は基板２２に圧入状態で保持される。そしてさらにこのカバー２５が装着された後に、中継基板２３の下面から切り欠き２６と脚部２５ｂとに対してクリーム状のはんだ６０が供給される。そしてその後にリフロー工程６７で、これらのはんだ６０を溶かして、基板２２に対しカバー２５、中継基板２３や電子部品３を接続するとともに、脚部２５ｂを中継基板２３へ接続している。そして、このようにして組み立てられたチューナ２１は、分割工程６８にて各個片に分割されて完成する。
【００２９】
ここで、リフロー工程６７では電子部品４が下を向く方向で加熱される。そこで、はんだ５２の融点は、はんだ６０の融点よりも高いものを用いている。これにより、比較的大きく、かつ背も高く、重量の大きな電子部品４はリフロー工程６７において落下することがない。
【００３０】
なお本実施の形態では、中継基板２３を予め分割し、基板２２へ装着したが、これは連結状態で装着しても良い。この場合、中継基板２３は基板２２を同時に切断される。このようにすると、中継基板２３は基板２２と一体となって分割されるので、中継基板２３の幅を小さくしても、中継基板２３に割れなどが生じ難くできる。従って、中継基板２３の幅を小さくでき、チューナ２１を小型化できる。なお、中継基板２３を分割線サイズよりも大きくすることでも同様の効果を得ることができる。
【００３１】
（実施の形態２）
本実施の形態におけるチューナ８１（高周波モジュールの一例として用いた）では、電子部品４を基板８２の外周近傍に配置し、カバー２５の脚部２５ｂを電子部品４の側面と対向させてグランド導体としたものである。
【００３２】
では以下、本実施の形態について図面を用いて説明する。図３は、本実施の形態におけるチューナの断面図であり、図４は同、側面図であり、図５は同、要部拡大断面図である。ここで、図３から図５において図１、図２と同じものには同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。
【００３３】
基板８２は厚みが０．３ｍｍの多層基板であり、両面には電子部品３が装着される装着パターンが形成されている。そしてこの装着パターンと電子部品３との間は、はんだによって接続されている。この基板８２の下面には「ロの字」型の中継基板８３が装着されている。本実施の形態において中継基板８３の厚みは０．７ｍｍである。なお、本実施の形態において、中継基板８３と基板８２との間もはんだによって接続されている。これにより、基板の下面において電子部品３は孔８３ｂ内に搭載されることとなる。
【００３４】
金属製のカバー２５は、電子部品３を覆うように基板８２の表側から装着される。ここで、基板８２の外周側面には切り欠き８５が形成され、中継基板８３の外周側面において切り欠き８５と対応する位置に切り欠き８４が形成される。ここでカバー２５には、カバー２５の側面２５ａの先端から延在して設けられた脚部２５ｂが形成されている。そしてこの脚部２５ｂは、切り欠き８５を貫通し、切り欠き８４へ挿入されて、切り欠き８４とはんだ付けされる。
【００３５】
そして切り欠き８５の下側は、中継基板８３に設けられた遮蔽部８３ａによって塞がれている。そしてこの遮蔽部８３ａの上面に背の高い電子部品４が装着され、電子部品４は基板８２を貫通し、電子部品４の天面が基板８２の上面より突出した状態となる。
【００３６】
以上の構成により、電子部品４は遮蔽部８３ａに装着されるので、基板８２から突出する高さは、基板８２の厚み分だけ低くなる。これにより、カバー２５の内面と基板８２の上面との間の距離を小さくでき、従って、電子部品３とカバー２５との間の無駄な空間を小さくでき、薄型のチューナ８１を実現できる。また、カバー２５には電子部品４の上方に孔を設ける必要が無いので、シールド性の良好なチューナ８１を実現できる。
【００３７】
また脚部２５ｂは切り欠き８５に配置された電子部品４の外側であって、電子部品４の側面と対向するように配置されるので、電子部品４が外部に露出しない。またカバー２５の脚部２５ｂがグランドへ接続されることとなるので、脚部２５ｂがグランド導体となり、電子部品４をしっかりとシールドすることができる。これは例えば電子部品４が水晶発振子のようにノイズ信号を生じやすい部品である場合に特に有用であり、電子部品４の信号が外部や基板８２の裏面に形成された回路に飛び込んだりし難くなる。
【００３８】
さらに、遮蔽部８３ａは基板８２の外周に設けられた切り欠き８５によって形成されるので、遮蔽部８３ａは「ロの字」型の中継基板８３において外周近傍に形成されることとなる。これにより、基板８２の下面における電子部品３の装着領域を広くできる。
【００３９】
本実施の形態において電子部品４が装着された遮蔽部８３ａの下面には、接続ランド２４ａを形成している。この接続ランド２４ａはグランド端子であり、はんだを介してカバー２５の脚部２５ｂとも接続されている。これにより、電子部品４はその外側側面と下側とをグランドによって囲まれるので、さらにしっかりとシールドすることができる。
【００４０】
それに加えて本実施の形態では、切り欠き８５の側面に基板８２の上下を接続する導体が形成される。そしてこの導体が接続ランド２４ａへと接続されることによって、グランド導体８５ａとなる。これにより、電子部品４は周りをグランドで囲まれることとなるので、さらにしっかりとシールドすることができる。
【００４１】
ここで本実施の形態では、中継基板８３において切り欠き８５と対応する位置に切り欠き８４を設け、この切り欠き８４の側面と脚部２５ｂとを対向させている。これにより、中継基板８３や電子部品４の実装ズレが発生しても、電子部品４とカバー２５の側面２５ａ（あるいは脚部２５ｂ）との間でのショートなどが発生し難くなる。なお本実施の形態では、脚部２５ｂを中継基板８３とはんだで接続したが、これはしなくても良い。その場合には、切り欠き８４を設けずに、脚部２５ｂが中継基板８３の側面と対向するようにするだけで良い。この場合においても、電子部品４とカバー２５とのショートを防止する効果を有する。ただしこの場合には、カバー２５と基板２２のグランドとの間を他の箇所で接続しておくことが必要である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明にかかる高周波モジュールは、シールド性の良好な小型の高周波モジュールが実現できるという効果を有し、特に携帯電話などの機器に搭載されるチューナとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態１におけるチューナの断面図
【図２】同、製造フローチャート
【図３】本実施の形態２におけるチューナの断面図
【図４】同、側面図
【図５】同、要部拡大断面図
【図６】従来のチューナの断面図
【符号の説明】
【００４４】
３  電子部品
４  電子部品
２２  基板
２３  中継基板
２３ａ  遮蔽部
２４  接続ランド
２５  カバー
２７  貫通孔
２７ａ  グランド導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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