(57)【要約】【課題】画素間においてフォトダイオード領域の特性ばらつきが少ない固体撮像素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の固体撮像素子(10)の製造方法は、イオン注入マスクを形成する工程において、半導体基板の主面に対し垂直方向から見たときに、イオン注入マスクの開口部が、半導体基板の結晶軸［００１］又は結晶軸［０１０］に対する角度(θ)が５度以上４５度以下の範囲となる一辺(16a)を含み、イオン注入(37)する工程において、半導体基板の主面に対し垂直方向から見たときに、イオン注入(37)する方向が、一辺(16a)に対して平行な方向、かつ、フォトダイオード領域(16)が形成される領域からチャネル領域に向かう方向であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル領域及びゲート電極を含むＭＯＳトランジスタと、前記ゲート電極下で前記チャネル領域に接したフォトダイオード領域とを含む画素を２以上含む固体撮像素子の製造方法であって、
(i)半導体基板に前記チャネル領域を形成する工程と、
(ii)前記半導体基板の主面上にレジストを塗布した後、フォトマスクを用いて開口部を含むイオン注入マスクを形成する工程と、
(iii)前記開口部にイオン注入することによって、前記フォトダイオード領域を形成する工程と、
(iv)前記チャネル領域及び前記フォトダイオード領域の上に、前記ゲート電極を形成する工程とを含み、
前記(ii)工程において、前記主面に対し垂直方向から見たときに、前記開口部は、前記半導体基板の結晶軸［００１］又は結晶軸［０１０］に対する角度が５度以上４５度以下の範囲となる一辺を含み、
前記(iii)工程において、前記主面に対し垂直方向から見たときに、前記イオン注入する方向は、前記一辺に対して平行な方向、かつ、前記フォトダイオード領域が形成される領域から前記チャネル領域に向かう方向であることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記(i)工程の前に、前記半導体基板上にオリエンテーションフラット又はノッチを形成する工程をさらに含み、
前記オリエンテーションフラット又はノッチは、前記結晶軸［００１］又は結晶軸［０１０］の軸上に形成されている請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記(i)工程の前に、前記半導体基板上にオリエンテーションフラット又はノッチを形成する工程をさらに含み、
前記オリエンテーションフラット又はノッチは、前記結晶軸［００１］又は結晶軸［０１０］に対する角度が５度以上４５度以下の範囲となる軸上に形成されている請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板は、面方位（１００）のシリコン基板である請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
半導体基板と、前記半導体基板の主面上に形成された２以上の画素とを含み、前記画素は、チャネル領域及びゲート電極を含むＭＯＳトランジスタと、前記ゲート電極下で前記チャネル領域に接したフォトダイオード領域とを含む固体撮像素子であって、
前記主面に対し垂直方向から見たときに、前記フォトダイオード領域の一辺は、前記半導体基板の結晶軸［００１］又は結晶軸［０１０］に対する角度が、５度以上４５度以下の範囲であることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項６】
前記半導体基板は、面方位（１００）のシリコン基板である請求項５に記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体撮像素子の１つとして、増幅型ＭＯＳイメージセンサを用いた固体撮像素子が知られている。図１２に、この固体撮像素子の一例の回路図を示す。
【０００３】
図１２において、固体撮像素子１００は、フォトダイオード１０１、読み出しトランジスタ１０２、増幅トランジスタ１０４及びリセットトランジスタ１０３によって構成される感光セル（画素）を、マトリクス状に９個配列したものである。
【０００４】
感光セルは、垂直ドライバ回路１０７によって駆動される。また、増幅トランジスタ１０４及びリセットトランジスタ１０３のドレインは、共通ドレイン線１０６に結線され、増幅トランジスタ１０４のソースは、垂直信号線１１１に結線されている。垂直信号線１１１の一端は負荷トランジスタ１０５に、その他端は雑音抑制回路１０８に連結されている。雑音抑制回路１０８は、水平トランジスタ１１０に連結され、水平ドライバ回路１０９によって駆動される。
【０００５】
つまり、固体撮像素子１００では、フォトダイオード１０１で検出された信号が読み出しトランジスタ１０２によって読み出され、フローティングディフュージョンアンプに蓄積され、その後、増幅トランジスタ１０４によって信号として出力される。この一連の信号の読み出し動作において、画素によって読み出しトランジスタ１０２の閾値が異なる、いわゆる画素間の「閾値ばらつき」があると、飽和特性等の画素特性のばらつきに直結するので問題となっている。
【０００６】
図１３に、従来の固体撮像素子１００の感光セル部分の平面図を示す。固体撮像素子は、半導体基板１１６に、チャネル領域１１３を含む読み出しトランジスタと、フォトダイオード領域１１２とを含む画素が、結晶軸［００１］及び結晶軸［０１０］方向に３列ずつ９個形成されている。この読み出しトランジスタは、固体撮像素子特有のトランジスタであり、ゲート電極下で、チャネル領域１１３とフォトダイオード領域１１２とが接しているという特徴がある。
【０００７】
以下、固体撮像素子１００の製造方法を簡単に説明する。まず、半導体基板１１６に、イオン注入マスクを用いてチャネル領域１１３を形成する。次に、イオン注入マスクを用いてフォトダイオード領域１１２を形成する。最後にチャネル領域１１３及びフォトダイオード領域１１２とが接する境界上にゲート電極を形成すればよい。
【０００８】
前記チャネル領域１１３及びフォトダイオード領域１１２の形成は、いずれも一般的なイオン注入工程によって形成される。しかし、チャネル領域とフォトダイオード領域とが接しているところに、形成の困難性がある。
【０００９】
一般的なロジック回路で用いられるＭＯＳトランジスタでは、チャネル領域を形成するイオン注入の際、イオン注入すべき領域が、絶縁分離領域で囲まれた半導体基板領域である活性領域に対して十分なスペースをもっている。つまり、イオン注入マスクの開口部は、前記イオン注入すべき領域よりも十分大きいものである。そのため、いずれの方向からイオン注入しても、前記イオン注入すべき領域にイオン注入マスクの影が射して、チャネル領域のイオン注入に影響を与える（不純物濃度を下げる）ことはない。
【００１０】
一方、固体撮像素子１００では、フォトダイオード領域１１２を形成するイオン注入の際、イオン注入すべき領域が、読み出しトランジスタのチャネル領域１１３に接しているため、イオン注入１１４ａ〜１１４ｄすると、イオン注入マスクの影によって、読み出しトランジスタのチャネル領域１１３の近傍に、不純物濃度の低いフォトダイオード領域が形成される。
【００１１】
つまり、図１４Ａに示すように、例えばイオン注入１１４ａでは、イオン注入マスク１１７の開口部は、前記イオン注入すべき領域と同じ大きさであり、前記イオン注入すべき領域の一部にイオン注入マスクの影１１８が重なり、図１４Ｂに示すように、低不純物濃度領域１１９と高不純物濃度領域１２０とを含むフォトダイオード領域が形成されることとなる。なお、図１４Ｂは図１４ＡのVI−VI矢視方向から見たイオン注入１１４ａ後の断面図であり、１２１は素子分離領域である。
【００１２】
読み出しトランジスタのチャネル領域１１３の近傍に、不純物濃度の低いフォトダイオード領域が形成されると、チャネル長のばらつきといった読み出しトランジスタのチャネル領域の特性ばらつきが生じ、閾値ばらつきの原因となる。
【００１３】
そこで、前記イオン注入マスクの影による影響を低減するために、フォトダイオード領域の一辺１１２ａ（図１３参照）に平行にイオン注入１１５（図１３参照）をする方法がある。この方法によれば、イオン注入マスクの影は、フォトダイオード領域１１２のチャネル領域１１３の反対側にできるので、フォトダイオード領域のイオン注入ばらつきを低減できる。
【００１４】
つまり、図１５Ａに示すように、イオン注入１１５では、イオン注入すべき領域にイオン注入マスクの影１２２が射すので、図１５Ｂに示すように、低不純物濃度領域１２３と高不純物濃度領域１２０とを含むフォトダイオード領域が形成されるものの、低不純物濃度領域１２３はチャネル領域１１３の近傍に形成されない。なお、図１５Ｂは、図１５ＡのVII−VII矢視方向から見たイオン注入１１５後の断面図であり、１２１は素子分離領域である。
【００１５】
また、イオン注入角度を制御して、プロセスのばらつきによる特性変動を抑制する方法も知られている（例えば、特許文献１等）。
【特許文献１】特開２００５−１５９０６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上述したイオン注入マスクの影の影響を低減する方法は、半導体基板の結晶軸［００１］方向に対して平行にイオン注入されているため、注入イオンのチャネリングが起こりやすく、画素によって、フォトダイオード領域のイオン注入にばらつきがあるという課題があった。また、上述したイオン注入角度を制御する方法は、読み出しゲートの端部とレジストパターンの開口端部との位置関係に基づいて、注入角度を設定してイオン注入するものであり、イオン注入マスクの影による影響を低減するものでも、チャネリングを低減するものでもないので、フォトダイオード領域にイオン注入ばらつきがあるという課題があった。そして、近年、固体撮像素子が微細化されていく中で、フォトダイオード領域の特性ばらつきが、読み出しトランジスタの閾値ばらつき、さらに飽和特性等の画素特性に与える影響は大きくなってきている。
【００１７】
なお、チャネリングとは、イオン注入すると、半導体基板の原子配列の隙間を通じて注入されたイオンの一部が半導体基板の所定位置より深い位置に到達することであり、チャネリングが起きると、その活性化領域の深さがばらつくことになる。
【００１８】
本発明は、画素間におけるフォトダイオード領域の特性ばらつきが少なく、読み出しトランジスタの閾値ばらつきが少ない固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、チャネル領域及びゲート電極を含むＭＯＳトランジスタと、前記ゲート電極下で前記チャネル領域に接したフォトダイオード領域とを含む画素を２以上含む固体撮像素子の製造方法であって、
(i)半導体基板に前記チャネル領域を形成する工程と、
(ii)前記半導体基板の主面上にレジストを塗布した後、フォトマスクを用いて開口部を含むイオン注入マスクを形成する工程と、
(iii)前記開口部にイオン注入することによって、前記フォトダイオード領域を形成する工程と、
(iv)前記チャネル領域及び前記フォトダイオード領域の上に、前記ゲート電極を形成する工程とを含み、
前記(ii)工程において、前記主面に対し垂直方向から見たときに、前記開口部は、前記半導体基板の結晶軸［００１］又は結晶軸［０１０］に対する角度が５度以上４５度以下の範囲となる一辺を含み、
前記(iii)工程において、前記主面に対し垂直方向から見たときに、前記イオン注入する方向は、前記一辺に対して平行な方向、かつ、前記フォトダイオード領域が形成される領域から前記チャネル領域に向かう方向であることを特徴とする。
【００２０】
本発明の固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の主面上に形成された２以上の画素とを含み、前記画素は、チャネル領域及びゲート電極を含むＭＯＳトランジスタと、前記ゲート電極下で前記チャネル領域に接したフォトダイオード領域とを含む固体撮像素子であって、
前記主面に対し垂直方向から見たときに、前記フォトダイオード領域の一辺は、前記半導体基板の結晶軸［００１］又は結晶軸［０１０］に対する角度が、５度以上４５度以下の範囲であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、画素間におけるフォトダイオード領域の特性ばらつきが少ない固体撮像素子を提供できる。
【００２２】
本発明の固体撮像素子によれば、画素間におけるフォトダイオード領域の特性ばらつきを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態の一例について、図面を用いて説明する。なお、同一の部分には同一の記号を付して、重複する説明を省略する場合がある。
【００２４】
（実施形態１）
図１に、本発明の固体撮像素子の一例の平面図を示す。また、図２に、図１のI−I矢視方向から見た断面図を示す。
【００２５】
本実施形態の固体撮像素子１０は、シリコン基板２０に形成されたＰウェル１１に、読み出しトランジスタ１５、フォトダイオード領域１６及び素子分離領域１８を含む画素１７が、マトリクス状に９個形成されている。
【００２６】
シリコン基板２０は、面方位（１００）であり、かつ、結晶軸［００１］の軸上にノッチが形成されている（図１参照）。ノッチとは、シリコン基板２０の外周の一部に入れたＶ字型の切り欠きのことである。
【００２７】
フォトダイオード領域１６は、その一辺１６ａに平行で、かつ、フォトダイオード領域１６が形成される領域からチャネル領域１２に向かう矢印方向にイオン注入３７をすることによって形成されたＮ型半導体領域である。また、シリコン基板２０の主面に対し垂直方向から見たとき、フォトダイオード領域１６の一辺１６ａは、結晶軸［００１］に対して角度θ（５°≦θ≦４５°）をなし、フォトダイオード領域１６の他の一辺１６ｂは、一辺１６ａに対して略直角をなしている（図１参照）。さらに、フォトダイオード領域１６の上には、Ｐ型半導体のＮＢ領域１９が形成されている（図２参照）。
【００２８】
読み出しトランジスタ１５は、Ｐ型半導体のチャネル領域１２、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４及び側壁２１を含み、チャネル領域１２とフォトダイオード領域１６とは、ゲート電極１３及びゲート絶縁膜１４の下で接している（図２参照）。
【００２９】
本実施形態の固体撮像素子１０は、画素１７間の、フォトダイオード領域１６の特性ばらつきを低減できる。これは、シリコン基板２０の主面に対し垂直方向から見たとき、フォトダイオード領域の一辺１６ａが、結晶軸［００１］に対して角度θとなるように形成されているので、フォトダイオード領域１６でチャネリングが起こりにくく、フォトダイオード領域１６の深さがばらつくといった、画素間のイオン注入ばらつきが低減するからである。また、イオン注入３７で示す方向からイオン注入して形成されているので、フォトダイオード領域の一辺１６ｂの近傍に不純物濃度の小さい領域ができにくいからである。また、画素間におけるフォトダイオード領域１６の特性ばらつきが少ないので、読み出しトランジスタ１５の閾値ばらつきを低減でき、フォトダイオードに当たる光量が一定量を超えると読み出しトランジスタに流れる電流の量が限界値に達する飽和特性のばらつきを改善できる。
【００３０】
本実施形態の固体撮像素子１０において、フォトダイオード領域の一辺１６ａについては、結晶軸［００１］に対する角度をθとしたが、結晶軸［０１０］に対する角度をθとしてもよい。前記角度θは、５度以上４５度の範囲内で、半導体基板の種類や面方位によって、適宜選択すればよい。面方位（１００）のシリコン基板の場合、前記角度θは２３度以上２５度以下の範囲であれば、よりチャネリングが起こりにくく、深さが均一なフォトダイオード領域を得られるので好ましい。また、フォトダイオード領域の一辺１６ｂは、他の一辺１６ａとなす角度を略直角としたが、この角度に特に限定されない。
【００３１】
また、本実施形態の固体撮像素子１０では、ノッチが形成されたシリコン基板２０を用いたが、例えばイオン注入装置にローディングする際に面方位及び結晶軸がわかるような印が形成された半導体基板を用いても良い。例えば、前記印がオリエンテーションフラット（シリコン基板２０の外周の一部に入れた直線状の切り欠き）等であってもよい。
【００３２】
また、本実施形態の固体撮像素子１０では、例えば、読み出しトランジスタ１５のチャネル領域１２をＰ型半導体、フォトダイオード領域１６をＮ型半導体等としたが、すべての導電型（Ｐ型/Ｎ型）を逆の導電型（Ｎ型/Ｐ型）にしてもよい。
【００３３】
次に、上述した固体撮像素子１０の好適な製造方法を、図３〜１０を用いて説明する。図３は、チャネル領域１２（図４Ｂ参照）を形成する工程（(i)工程）を説明する平面図であり、図４Ａ，Ｂは、図３のII-II矢視方向から見た(i)工程をより詳しく説明する断面図である。図５は、イオン注入マスクを形成する工程（(ii)工程）を説明する平面図であり、図６は、図５のIII-III矢視方向から見た(ii)工程をより詳しく説明する断面図である。図７は、イオン注入することによって、フォトダイオード領域１６を形成する工程（(iii)工程）を説明する平面図であり、図８Ａ〜Ｃは、図７のIV-IV矢視方向から見た(iii)工程をより詳しく説明する断面図である。図９は、ゲート電極１３（図１０Ｂ参照）を形成する工程（(iv)工程）を説明する平面図であり、図１０Ａ〜Ｃは、図９のV-V矢視方向から見た(iv)工程をより詳しく説明する断面図である。
【００３４】
まず、図３及び図４Ａに示すように、Ｐウェル１１の主面上に、イオン注入マスク３１を形成して、イオン注入３２により不純物を注入する。イオン注入マスク３１を形成する際には、イオン注入マスク３１の開口部の一辺３１ａが、結晶軸［００１］に対して角度θとなるように形成する。これを熱処理して前記不純物をドライブインさせ、図４Ｂに示すように、Ｐ型のチャネル領域１２を形成する。ここで使用するシリコン基板２０は、その結晶軸［００１］の軸上にノッチを形成した後、前記ノッチを利用して装置にローディングし、Ｐ型不純物をイオン注入してＰウェル１１を形成した後、素子分離領域１８を形成したものである。イオン注入３２の方向は、イオン注入マスク３１の開口部の一辺３１ａに平行な方向である。
【００３５】
次に、イオン注入マスク３１を取り除く。
【００３６】
次に、図５及び図６に示すように、Ｐウェル１１上に、レジスト３４を塗布して、開口部を含むフォトマスク３３を位置合わせして、露光３５を行う。これを現像して、開口部を含むイオン注入マスク（レジストパターン）３６を形成する（図７参照）。このとき、フォトマスク３３の開口部の一辺３３ａ及びイオン注入マスク３６の開口部の一辺３６ａ（図７参照）は、結晶軸［００１］に対する角度がθとなっている。イオン注入マスク３６の開口部の形状は、例えば、以降で形成するフォトダイオード領域１６と略同じ形状又は少し大きい略正方形にすればよい。
【００３７】
次に、図７及び図８Ａに示すように、イオン注入３７によりＮ型不純物を注入する。これを熱処理して前記不純物をドライブインさせ、図８Ｂに示すように、チャネル領域１２に接するようにＮ型のフォトダイオード領域１６を形成する。同様に、イオン注入３８により不純物を注入した後、熱処理して、図８Ｃに示すように、Ｐ型のＮＢ領域１９を形成する。このとき、イオン注入３７，３８の方向は、シリコン基板２０の主面に対して垂直方向から見たときに、イオン注入マスク３６の開口部の一辺３６ａに対して平行、かつ、フォトダイオード領域１６が形成される領域からチャネル領域１２に向かう方向である（図７参照）。そのため、イオン注入３７，３８をするときイオン注入マスク３６の影が、フォトダイオード領域１６（ＮＢ領域１９）のチャネル領域１２側にできず、前記影の影響を受けて不純物濃度の低い部分が、フォトダイオード領域１６（ＮＢ領域１９）のチャネル領域１２近傍に形成されない。また、イオン注入３７，３８の方向は、シリコン基板２０の主面に対して垂直方向から見たときに、結晶軸［００１］に対する角度がθなので、チャネリングが起こりにくい。さらに、イオン注入３７，３８の方向は、シリコン基板２０の主面の法線に対する角度が７度であれば、よりチャネリングが起こりにくくなるのでより好ましい。
【００３８】
次に、イオン注入マスク３６を取り除いた後、読み出しトランジスタ、リセットトランジスタ（図示せず）及び増幅トランジスタ（図示せず）を同時に製造する。これらのトランジスタのゲート電極、不純物拡散層の形成は、一般的な方法を用いればよい。
【００３９】
このとき、図９及び図１０Ａに示すように、フォトダイオード領域１６等が形成されたＰウェル１１上に、絶縁膜材料４２、ポリシリコン等の導電膜材料４３及びレジスト３９を、この順に形成する。レジスト３９は、フォトダイオード領域１６とチャネル領域１２が接する境界上に、レジスト３９のチャネル長方向の中心が位置するように形成すればよい。次に、図１０Ｂに示すように、レジスト３９をマスクとしてエッチングすることによって、絶縁膜材料４２及び導電膜材料４３を選択的に除去してゲート絶縁膜１４及びゲート電極１３を形成する。このとき、フォトダイオード領域１６とチャネル領域１２が接する境界上に、ゲート電極１３のゲート長方向の中心が位置することとなる。なお、図示していないが、レジスト３９は、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタのゲート電極を作製するためのレジスト部分を含むので、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタのゲート電極は、ゲート電極１３等と同時に形成される。
【００４０】
最後に、レジスト３９を取り除き、図１０Ｃに示すように、ゲート電極１３及びゲート絶縁膜１４の側面に側壁２１を形成して読み出しトランジスタとなる。図示していないが、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタのゲート電極の側壁も同時に形成される。こうして、図１に示す本実施形態１の固体撮像素子１０が完成する。
【００４１】
本実施形態の固体撮像素子１０の製造方法によれば、画素間におけるフォトダイオード領域のイオン注入ばらつきを少なくできるので、画素間におけるフォトダイオード領域１６の特性ばらつきを低減できる。従って、読み出しトランジスタの閾値ばらつきが少なく、画素特性のばらつきが少ない固体撮像素子を製造できる。また、一般的に使用されている結晶軸［００１］の軸上にノッチが形成されたシリコン基板をそのまま用いることができる。
【００４２】
（実施形態２）
図１１に、本発明の固体撮像素子の他の一例の平面図を示す。
【００４３】
本実施形態の固体撮像素子４０は、実施形態１で説明した固体撮像素子１０と比較して、結晶軸［００１］に対する角度がθ’（５°≦θ’≦４５°）となる位置にノッチが形成されていることのみ異なるものである。本実施形態の固体撮像素子４０は、実施形態１の固体撮像素子１０と同様に、画素１７間におけるフォトダイオード領域１６のイオン注入ばらつきを少なくできるので、フォトダイオード領域１６の特性ばらつきを低減できる。
【００４４】
なお、本実施形態の固体撮像素子４０の製造方法は、上述した固体撮像素子１０の製造方法と比較して、結晶軸［００１］に対する角度がθ’（５°≦θ’≦４５°）となる位置にノッチを形成することと、Ｐウェル１１の主面に対し垂直方向から見たとき、フォトダイオード領域の一辺１６ａが結晶軸［００１］に対して前記角度θ’となるようにイオン注入マスクを形成し、イオン注入４１の方向にイオン注入すること以外は、同様の方法である。本実施形態の固体撮像素子４０の製造方法は、上述した固体撮像素子１０と同様に、画素１７間におけるフォトダイオード領域１６のイオン注入のばらつきが少なく、特性ばらつきが少ない固体撮像素子４０を製造できる。また、本実施形態の固体撮像素子４０の製造方法は、画素１７のレイアウトがノッチに対して平行なので、一般的に使用されているフォトマスク、つまり装置のローディング方向に開口部が並んだフォトマスクを、そのまま用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、画素間におけるフォトダイオード領域の特性ばらつきが少なく、読み出しトランジスタの閾値ばらつきが少ない固体撮像素子を提供できる。また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、読み出しトランジスタの閾値ばらつきを低減できるので、飽和特性等の画素特性を向上させることができる。
【００４６】
本発明の固体撮像素子によれば、画素間におけるフォトダイオード領域の特性ばらつきが少なく、読み出しトランジスタの閾値ばらつきが少ない固体撮像素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子を示す平面図である。
【図２】図１のI−I矢視方向から見た実施形態１に係る固体撮像素子を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造工程を説明するための平面図である。
【図４】Ａ，Ｂは、図３のII-II矢視方向から見た断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造工程を説明するための平面図である。
【図６】図５のIII-III矢視方向から見た断面図である。
【図７】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造工程を説明するための平面図である。
【図８】Ａ〜Ｃは、図７のIV-IV矢視方向から見た断面図である。
【図９】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造工程を説明するための平面図である。
【図１０】Ａ〜Ｃは、図９のV-V矢視方向から見た断面図である。
【図１１】本発明の実施形態２に係る固体撮像素子を示す平面図である。
【図１２】従来の固体撮像素子を示す回路図である。
【図１３】従来の固体撮像素子を示す平面図である。
【図１４】Ａは従来の固体撮像素子の製造工程を説明するための平面図であり、Ｂはその断面図である。
【図１５】Ａは従来の固体撮像素子の他の製造工程を説明するための平面図であり、Ｂはその断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０，４０  固体撮像素子
１１  Ｐウェル
１２  チャネル領域
１３  ゲート電極
１４  ゲート絶縁膜
１５  読み出しトランジスタ
１６  フォトダイオード領域
１７  画素
１８  素子分離領域
１９  ＮＢ領域
２０  シリコン基板
２１  側壁
３１，３６  イオン注入マスク
３２，３７，３８，４１  イオン注入
３３  フォトマスク
３４，３９  レジスト
３５  露光
４２  絶縁膜材料
４３  導電膜材料                                                                   
【図１】
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【図２】
2008060380.tif 000004
【図３】
2008060380.tif 000005
【図４】
2008060380.tif 000006
【図５】
2008060380.tif 000007
【図６】
2008060380.tif 000008
【図７】
2008060380.tif 000009
【図８】
2008060380.tif 000010
【図９】
2008060380.tif 000011
【図１０】
2008060380.tif 000012
【図１１】
2008060380.tif 000013
【図１２】
2008060380.tif 000014
【図１３】
2008060380.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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