(57)【要約】【課題】電子デバイスにおける微細な金属配線、磁気ヘッドにおける磁極等の金属膜をめっきすることができる電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】  被めっき用基板１１上に設けられたレジストパターン１３に、金属をめっきするめっき工程を有する電子デバイス１０の製造方法において、前記めっき工程の前に、被めっき用基板１１を減圧雰囲気下で、めっき液又はめっき液の溶媒を予め塗布する塗布工程を有する電子デバイス１０の製造方法である。これによって、金属部分が有する導電率、透磁率等の特性を低下させることなく、生産性を高めることができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被めっき用基板上に設けられるパターンに、金属をめっきするめっき工程を備える電子デバイスの製造方法において、
前記めっき工程の前に、被めっき用基板を減圧雰囲気下で、めっき液又はめっき液に含まれる溶媒を予め塗布する塗布工程を備える
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記塗布工程が、超音波振動を印加する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記塗布工程が、１〜３０ｋＰａの減圧下であって、周波数が２０〜２００ｋＨｚ、出力が１００〜３００Ｗの超音波振動を印加する
ことを特徴とする請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記パターンの円形形状の直径又は矩形形状の一辺の大きさが、１５０ｎｍ以下であり、
前記めっき液の表面張力が６０ｍＮ／ｍ以上である
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記めっき工程は、表面張力を調整する界面活性剤を用いないめっき液で、大気圧下で行われる
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、半導体装置等の電子デバイスの製造する際の配線、または、記録再生装置等の電子デバイスにおける配線、磁気ヘッドの磁極部等の所定のパターンに金属をめっきする電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、これらを集積した半導体装置、これらの情報を再生又はこれらに記録する記録再生装置等の様々な形態で利用されている電子デバイスには、金属部分が多く設けられている。電子デバイスの金属部分を形成する方法としては、真空蒸着、スパッタリング等の物理蒸着法、ＣＶＤ等の化学蒸着法が用いられることが多いが、その他にめっき法が挙げられる。このめっき法は、製膜レートを大きくすることができ、生産性を高くすることができることから、スッパタリング、真空蒸着法にかわって用いられることがある。例えば、半導体素子、半導体装置等の配線、コンタクトホール、さらに、記録媒体、記録再生装置等の電子デバイスにおける配線、磁気ヘッドの磁極部等の金属部分の製造にめっき法が用いられる。
また、このめっき法に用いるめっき液には、メタノール等の有機溶媒よりは、水系溶媒を用いられることが多い。これは、水が金属塩等を多量に溶解することができ、さらに、容易に導電性を得ることができるためである。ところが、めっき法により金属部分を形成する場合には、パターンを形成するためのレジスト表面は疎水性があり、また、水は表面張力が大きいので、めっき液がレジストパターンの開口部に入り込み難く、金属部分の成膜性が悪いという不具合がある。
【０００３】
図５は、従来のめっき工程の過程を説明するための概略図である。そこで、金属部分２１の成膜性を向上させるために、微細配線や微細な磁極を形成する際の電気めっき法の場合には、半導体素子や磁気ヘッド基板等の電子デバイス１０の被めっき用基板１１上に金属製のシード膜１２を形成し、その上にレジストパターン１３で開口部１４を有する所定パターンのを形成する（図５（１））。その後、所望のめっき液を用いためっき法により、シード膜の導電層１２を電極として金属膜２１を形成する（図５（２））。その後、レジストパターン１３を除去し（図５（３））、さらに、導電層１２を除去することにより行われ、金属部分２１を有する被めっき用基板１１が形成される（図５（４））。
しかしながら、電子デバイスの微細化によってより微細な開口部への金属めっきが必要になってきている。このため、微細な開口部へのめっき液の浸入させるために、現在は、界面活性剤を用いてめっき液の表面張力を下げてめっき液の入り込み性を改善し、めっきを可能にしている。しかし、界面活性剤を用いて表面張力を低減させためっき液では、１５０ｎｍを下回るパターンに対してめっき液を進入させることが困難であり、さらに、一旦気泡が吸着するとめっきの成長が妨害され、最悪の場合にはめっき不良となる場合が生じていた。また、めっき法で金属膜を形成している時に、金属膜中に界面活性剤が残って、導電率の低下、磁気特性の低下等の不具合が生ずることがあった。
【０００４】
特許文献１では、めっきの際にめっき面を上向きに、そしてめっき中に減圧とすることを特徴とする。これにより、めっき中に発生した水素がパターン部から抜けやすくなり、めっき性を向上させる。しかし、めっき中に減圧とすると、水分の蒸発による浴組成の変化、突沸などを引き起こす可能性があり、圧力制御が困難であることという問題点がある。
また、特許文献２では、無電解めっきの際、減圧して発生ガスを除去し、無電解めっきの反応を促進させることを特徴とする。具体的にはＮｉイオンを、次亜りん酸Ｎａなど還元剤で還元しＮｉめっき膜を得る際、生じる気泡が連続化学反応を妨害するため、無電解めっき中に脱気することにより連続めっきを可能にするというものである。しかし、めっき中には、めっき装置等を減圧下にするには、装置が大型化し、また、複雑化し、さらに、減圧にするために時間が必要であり、生産性が低下するという問題点がある。
また、特許文献３では、フォトレジスト膜の表面を酸素プラズマによりアッシング処理して、親水性にする半導体装置の製造方法が開示されている。しかし、親水化処理をするとレジスト形状が変化して、めっきするための形状制御ができず、また、レジストが変質して鍍金後のレジスト除去が不可能になるという問題点がある。
【０００５】
【特許文献１】特許２６２８８８６号
【特許文献２】特開平０１−１４４６５３号公報
【特許文献３】特開平１１−１９５６６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、電子デバイスにおける微細な金属配線、磁極部等の金属部分をめっきすることができる電子デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、被めっき用基板上に設けられたパターンに、金属をめっきするめっき工程による電子デバイスの製造方法で、被めっき用基板を減圧雰囲気下で、めっき液又はめっき液の溶媒を予め塗布する塗布工程を設ける。
被めっき用基板上に設けられたパターンとしては、電子デバイスにおける半導体基板等の基板上に設けられる極微細パターンによる配線、微細な細孔のコンタクトホール、さらに、レジストによる微細な溝部、細孔等の開口部に設けられる磁極等の金属部分を形成するためのパターンである。
本発明は、めっき工程の前に、予め気泡となる空気を減圧することにより除去して、めっき液又は溶媒を供給しておくことで、めっき工程におけるめっき液の浸入を容易にし、極微細な細線パターン及び微細な開口部へ金属を析出させてめっきを可能にする電子デバイスの製造方法である。
さらに、被めっき部となるこれらの開口部において気泡となる空気を除去するために、超音波振動を印加する。この超音波の振動によって、めっき液中には、無数の気体分子があり、２０〜２００ｋＨｚほどの強力な超音波が液中で、正・負の圧力がその気体分子に交互にかかります。正の圧力で圧縮された気体分子は次の瞬間には負の圧力により激しく膨張します。この繰り返しにより気体分子は非常に高い圧力を持ち、その限界ではじけて消滅します。この泡がはじける時の衝撃波（キャビテーション）で、めっき液と空気の界面が破壊されてめっき液の浸入を容易にする。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明したように、本発明の電子デバイスの製造方法では、金属部分が有する導電率、透磁率等の特性を低下させることなく、微細な開口部に金属膜をめっき法で形成することができる。また、本発明の電子デバイスの製造方法では、めっき法によりスパッタリング等よりも電子デバイスの生産性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。なお、いわゆる当業者は特許請求の範囲内における本発明を変更・修正をして他の実施形態をなすことは容易であり、これらの変更・修正はこの特許請求の範囲に含まれるものであり、以下の説明はこの発明における最良の形態の例であって、この特許請求の範囲を限定するものではない。
図１は、本発明の電子デバイスの製造法におけるフローチャート示した図である。以下に、本発明の電子デバイスの製造方法に関して、その流れを示す。
初めに、電気めっき法（以下、単に「めっき法」と記す。）による金属膜の成膜性を向上させるために、半導体基板又は磁気ヘッド基板等の電子デバイス１０の被めっき用基板１１にシード膜として機能する導電層１２を形成する（ステップＳ１）。導電層１２は、後工程でめっきされる金属が付着しやすい金属で形成されることが好ましく、例えば、めっきされる金属がＮｉ−Ｆｅ合金である場合には、Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｒｕ（ルテニウム）で導電層１２を形成することが好ましい。導電層１２は、スパッタリングにより形成することができ、その膜厚は通常１００ｎｍ程度である。
次に、この基板の上に所定のパターンを有するレジストパターン１３を形成する（ステップＳ２）。レジストパターン１３は、通常は、残したい部分を選択的に覆うために、感光剤を使用し、感光されるべきでない部分をマスキングして感光させたあと露光部分を除去することにより形成される。レジストパターン１３の開口部１４は、所望する金属のパターンに応じて適宜選択される。本発明の電子デバイス１０の製造方法は、半導体素子・半導体装置の微細な幅を備える配線、微細孔となるコンタクトホール、磁気ヘッドを形成するための台形又はＶ字の開口部１４などに適用することができる。
【００１０】
次に、導電層１２、レジストパターン１３上に付着したゴミを除去するために、めっきの前処理として、脱脂、水洗処理をする前処理工程を行う（ステップＳ３）。例えば、水洗、脱脂、水洗、酸浸漬、水洗、電解脱脂、水洗、酸活性化、水洗して、めっき工程にはいる。このめっき工程にはいる前に一連の前処理によって、めっき工程によるめっきを密度高く、効率的に析出させることができる。
しかし、本発明では、この前処理の後で、めっき工程直前に塗布工程を挿入する（ステップＳ４）。塗布工程では、レジストパターン１３の開口部１４にめっき液２０を入り込み易くさせる観点からは、密閉可能にした塗布装置３０内でアスピレータ、真空ポンプ等の真空装置を用いて減圧しながらめっき液２０を塗布する。レジストパターン１３まで形成された被めっき用基板１１を、めっき液２０に浸漬させる。さらに、レジストパターン１３の開口部１４に入り込み易くするために、浸漬するめっき槽に超音波振動子を設置し、超音波振動を印加する。図２は、本発明の電子デバイスの製造方法に用いる塗布装置の一例を示す概略図である。この他に、レジストパターンまで形成された被めっき用基板１１を支持体３１に設置し、回転させつつ、基板上にめっき液２０を滴下又は表面のみを接触させて塗布してもよい。この支持体３１に更に、超音波振動子を備えておいても良い。
【００１１】
次に、めっき液２０を塗布する塗布工程後は、基板を乾燥させることなく次工程の金属をめっきするめっき工程を行うことが好ましい（ステップＳ５）。被めっき用基板１１上にめっきにより金属部分２１を成膜し、金属膜パターンを形成する。めっきする金属としては、金属部分２１として得たい所望の金属からなる金属塩を含むめっき液２０を調整してめっき工程を行う。めっき工程は、大気圧下で行う。予め、めっき液２０が基板表面に塗布され、微細なレジストパターン１３の開口部１４の内部に侵入させてあるので、めっき工程を減圧雰囲気下で行わなくとも、開口部１４の底部及びその周辺までボイドを生ずることなく金属部分２１を形成することができる。
次に、レジストパターン１３をアセトン等により除去し（ステップＳ６）、続いて、レジスト１３を除去したことにより露出した導電層１２をイオンエッチング等により除去して（ステップＳ７）、この部分の電子デバイス１０を製造することができる。
【００１２】
本発明の電子デバイスの製造方法では、めっきするめっき工程の前に、被めっき用基板１１を減圧雰囲気下で、めっき液２０又はめっき液２０の溶媒を予め塗布する塗布工程を有する。
図３は、常圧・減圧雰囲気下におけるめっき液の浸透状態を説明する概略図である。このめっき法で、めっきをするめっき工程の前に、被めっき用基板１１を、減圧雰囲気下に置く。図２は、めっきする被めっき用基板１１であって、半導体基板等の基板に導電層１２を設け、めっき時の電極にする。その上にレジストを用いて予め所定のレジストパターン１３を形成する。めっき工程では、レジストで形成したＶ字形状の開口部１４のレジストパターン１３にめっき液２０を浸入させなければ、開口部１４の底部に金属が析出しない。したがって、この開口部１４の奥までめっき液２０を浸入させなければならない。しかし、常圧雰囲気下では、この開口部１４の入り口が小さく、さらに、めっき液２０の表面張力が大きいと、図３（１）に示すように、開口部１４の内部までは侵入できない。そこで、図３（２）に示すように、被めっき用基板１１全体を減圧雰囲気下に置いて、Ｖ字開口部１４内の空気を少なくしておくことで、めっき液２０を開口部１４の底部まで浸入させることができる。
【００１３】
このときに、めっき工程で、被めっき用基板１１を減圧雰囲気下で処理するためには、めっき槽全体を減圧雰囲気にしなければならない。これでは、めっき工程に用いるシステムが、その他の装置として、真空ポンプ、めっき槽を入れる真空容器等を含めると大型化する。そこで、めっき工程に入る前工程として、被めっき用基板１１の表面にめっき液２０又はめっき液２０に用いる溶媒、例えば、水を塗布する塗布工程を設ける。しかも、この塗布工程は、めっき槽とは別の処理槽で行うことにして、システムの大型化を避けることができる。この減圧雰囲気としては、４〜３０ｋＰａの範囲にして、開口部１４に存在する空気を少なくすることができる。大気圧がほぼ０．１ＭＰａなので、それほど大きい真空度ではない。
めっき液２０が浸入してきたときに、開口部１４から外部に出て行くことができず、開口部１４に留まるとめっき液２０と空気との界面を形成して気泡（ボイド）１５ができる。したがって、この開口部１４における空気を少なくすることで気泡１５の形成を抑制するためには、この範囲の減圧で十分足りる。４ｋＰａ未満では、真空容器の密閉度を高めなければならず、生産性の効率化を図ることが困難である。３０ｋＰａを越えると、めっき液２０等が十分に開口部１４内部に侵入しないことがある。
さらに、塗布工程では、超音波振動を印加する。被めっき基板１１は、超音波振動を受けることで、めっき液２０がＶ字溝に浸入したときに、その中にある空気の外部への排出を容易にする。超音波振動の周波数としては、２０〜１００ｋＨｚで、出力の強度としては１００〜３００Ｗの範囲にする。周波数としては、大きい方が振動させる回数が多くなる好ましい。２０ｋＨｚ未満では、めっき液２０等が十分、開口部１４内部に侵入しないことがある。１００ｋＨｚを越えると、超音波からメガソニックという領域に達し、めっき液の染み込みには有効であるが、めっき装置等の装置構造が大型化して複雑になる。また、その強度としては、１００Ｗ未満では、被めっき用基板１１が大きくなった場合にめっき液２０等が十分、開口部１４内部に侵入しないことがある。３００Ｗを越えると、めっき装置等の装置構造が大型化して複雑になるという問題がある。
【００１４】
また、めっき液２０等を塗布するパターンの直径又は矩形の一辺の長さが、１５０ｎｍ以下であり、前記めっき液の表面張力が６０ｍＮ／ｍ以上にする。上述したように、予め被めっき用基板１１に設けられるレジスト１３パターンが小さいほど、めっき液２０等が浸入しにくい。しかし、減圧雰囲気下で処理することで、円形形状のパターン又は正方形、長方形等の矩形形状のパターンでは短い方の一辺の長さが、１５０ｎｍ以下であってもめっき液２０等を塗布して内部に侵入させることができる。１５０ｎｍを越えると、特に、減圧雰囲気にしなくとも浸入させることが可能である。
また、さらに、めっき液２０又はめっき液２０に用いる溶媒の表面張力が６０ｍＮ／ｍ以上である。めっき液２０等の表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満では、特に、減圧雰囲気にしなくとも浸入させることが可能である。また、特に、水系溶媒であって、表面張力を金属塩等の添加剤の量で調整することがあれば、６０ｍＮ／ｍ未満にすると金属塩の量が少なくなり、めっきの生産性が大きく低下する。
【００１５】
めっき液２０としては、溶媒、金属塩、抑制剤、緩衝剤等を混合している。溶媒としては、水系溶媒、アルコール系溶媒があるが、水が好ましい。容易に手にはいるし、金属塩等を多量に溶解することができ、導電率の調整も容易だからである。金属塩としては、析出させる金属を含む金属塩を用いるが、Ｃｕ系のめっきの場合は、硫酸銅、塩化銅、硫酸鉄を用いる。Ｆｅ系のめっきの場合は、硫酸鉄、塩化鉄、うちＦｅ−Ｎｉ系めっきの場合は、これに塩化ニッケルを用いる。
しかし、本発明では、液体の表面張力を減少させ、濡れを調整する界面活性剤は用いない。界面活性剤は、表面張力を大きい値で減少させるもので、他の添加剤とは区別することができる。界面活性剤としては、これまで、アニオン系界面活性剤および非イオン性界面活性剤が、アニオン系界面活性剤が特に好ましく用いられていた。具体的には、ラウリル硫酸ナトリウム等が挙げられる。しかし、界面活性剤は、析出する金属に含まれて、電子デバイスの導電率、磁気特性としての透磁率等の低下を招くことがある。そこで、本発明の電子デバイスの製造方法では、減圧による塗布工程で、微細な開口部にめっき液２０を浸入させることができるために、表面張力を調整することができるので、金属部分２１の特性を劣化させる虞のある界面活性剤を用いなくとも可能だからである。
その他に、めっき液２０に用いることができる添加剤として、例えば、緩衝剤は、ｐＨの変化を防ぐための添加剤であって、例えば、緩衝剤としては、金属イオンと錯体を形成するものが好ましく、乳酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸等の無機酸又はこれらの塩、若しくは、クエン酸、マロン酸、リンゴ酸等の有機カルボン酸又はこれらの塩、若しくは、アミノ酸、ＥＤＴＡ等のポリアミノカルボン酸の少なくともいずれかを添加するのが好ましい。緩衝剤は、複数種類を組み合わせて添加しても良い。
光沢剤としては、めっき皮膜に光沢を与えるための添加剤であって、ベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒドなどの各種アルデヒド、トリアジン、イミダゾール、リン酸、チオ尿素類、サリチル酸フェニル、ベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール類などが挙げられる。
ｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸等の各種の酸、アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の各種の塩基などが挙げられるが、ギ酸、酢酸、プロピオン酸などのモノカルボン酸類、ホウ酸類、リン酸類、シュウ酸、コハク酸などのジカルボン酸類、乳酸、酒石酸などのオキシカルボン酸類などが有効である。尚、ここで使用するｐＨ調整剤としての酸は添加剤レベルで含有するもので、含有量が添加剤レベルを越える本発明の補助酸とは別の概念である。
その他に、析出を促進する添加剤（促進剤）と析出を抑制する添加剤（抑制剤）、表面を平滑化する添加剤（平滑剤）を適宜用いることができる。
【００１６】
本発明では、めっき工程を大気圧下で行う。上述したように、めっき工程直前の塗布工程で、被めっき用基板１１にめっき液２０等を減圧雰囲気下で塗布している。塗布工程のみであれば、簡単にすることができるが、めっき槽全体を真空システムの中に入れるのは、大型化するという不具合がある。そこで、めっき工程を大気圧下で行うことでめっき装置の構成・構造を簡単にすることができる。めっき法には、電圧を印加して金属イオンを析出させる電気めっき法、電圧を印加することなくイオン化傾向の強さを利用した無電解めっき法等がある。ここでは、電気めっき法を主体とする。
図４は、本発明の電子デバイスの製造方法に用いるめっき装置の一例の構成を示す概略図である。例えば、めっき装置１００としては、図４に示すような装置を用いることができる。めっき槽１０１と、めっき槽１０１内部に充填されているめっき液２０と、めっき槽１０１内部に搭載されている陽極１０４と、陽極に対向配置された陰極１０５と、陰極１０４及び陽極１０５との間に電流を流すように接続された電源１０２とから構成されている。また、電気めっき装置１００を使用する時は、被めっき体となる基板１１０を陽極１０４に対向するように陰極１０５に搭載する。陰極１０５からはＯリング１０６でめっき液２０に全てが接触しないようにしてある。このために、陰極１０５を通して又は外部から基板１１０の表面にアース１０３を接続させる。めっき液２０は、めっき槽１０１の一部から流入し、他の部分から流出するように構成されており、電気めっき中は、このような流動状態で使用される。
【実施例】
【００１７】
さらに、本発明の実施例として、Ｃｕめっきの場合を更に具体的に説明する。
被めっき用基板の上に、Ｔａ５ｎｍ、Ｒｕ５０ｎｍをスッパタリングで導電層を形成して、その上に疎水性レジストを塗布しパターニングを行い被めっき用基板上にＣｕめっきを行う。このときに、レジストパターンを、９０ｎｍの正方形にし、深さを３００ｎｍの開口部を形成した。
めっき液は、硫酸銅、硫酸を主成分している水溶液である。この他に、塩酸を添加している。
このめっき液は、表面張力が７０ｍＮ／ｍで、レジストに対して接触角が６６°であった。このレジストパターンで開口部を形成してある被めっき用基板を、めっき液に浸漬したところ、開口部にめっき液は浸入しなかった。そのために、界面活性剤としてラウリルジメチルベンジルアンモニウムクロライドを溶解して、表面張力を４５ｍＮ／ｍまで低減したが、開口部にめっき液は浸入しなかったためにめっきすることができなかった。
次に、このめっき液と被めっき用基板を、めっき前処理槽に入れて、ロータリー真空ポンプで、２０ｋＰａまで減圧したところ開口部にあった空気が泡になって浮上し、その後に、めっき液は開口部に浸入した。なお、減圧した圧力が低いために、めっき液は沸騰しなかった。
次に、被めっき用基板を取り出して、メッキ槽に装着した。めっき条件は、温度が２５℃で、電流密度が７０Ａ／ｍ２で電流を印加したところ、通電し、開口部の底部の被めっき用基板にＣｕが析出して、金属膜が形成されていた。このことから、めっきできていることがわかった。
【００１８】
さらに、本発明の実施例として、Ｆｅ−Ｎｉめっきの場合を更に具体的に説明する。
被めっき用基板の上に、スパッタリング法によって１〜３μｍ厚のアルミナ層を全面に設ける。このアルミナ層の上一面に、Ｒｕ１０ｎｍをスッパタリング法で導電層を形成し、その上に、スパッタリング法によって厚さ６００ｎｍのアルミナ層を形成し、その後、アルミナ層に対し、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）によって、断面図上、上底１３０ｎｍ、下底５０ｎｍ、高さ６００ｎｍの開口部を形成した。
めっき液は、硫酸鉄、塩化鉄、硫酸ニッケル、硼酸を主成分している水溶液である。この他に、塩化アンモニウムを添加している。
このめっき液は、表面張力が６９ｍＮ／ｍであった。この開口部を形成している被めっき用基板を、めっき液に浸漬したところ、開口部にめっき液は浸入しなかった。そのために、界面活性剤としてラウリル硫酸ナトリウムを溶解して、表面張力を４５ｍＮ／ｍまで低減したが、開口部にめっき液は浸入しなかったためにめっきすることができなかった。
次に、このめっき液と被めっき用基板を、めっき前処理槽に入れて、ロータリー真空ポンプで、２０ｋＰａまで減圧したところ開口部にあった空気が泡になって浮上し、その後に、めっき液は開口部に浸入した。次に、被めっき用基板を取り出して、メッキ槽に装着して、めっき条件は、温度が２５℃で、電流密度が８０Ａ／ｍ２で電流を印加したところ、通電し、被めっき用基板の開口部の底部に、Ｆｅ−Ｎｉが析出して、金属膜が形成されていた。このことから、めっきできていることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の電子デバイスの製造法におけるフローチャート示した図である。
【図２】本発明の電子デバイスの製造方法に用いる塗布装置の一例を示す概略図である。
【図３】常圧・減圧雰囲気下におけるめっき液の浸透状態を説明する概略図である。
【図４】本発明の電子デバイスの製造方法に用いるめっき装置の一例の構成を示す概略図である。
【図５】従来のめっき工程の過程を説明するための概略図である。
【符号の説明】
【００２０】
１０  電子デバイス
１１  被めっき用基板
１２  導電層（シード層）
１３  レジストパターン
１４  開口部
１５  気泡
２０  めっき液
２１  金属部分
３０  塗布装置
３１  被めっき用基板支持体
１００  めっき装置
１０１  めっき槽
１０２  電源
１０３  アース
１０４  陽極
１０５  陰極
１０６  Ｏリング
【図４】
2008195982.tif 000003
【図１】
2008195982.tif 000004
【図２】
2008195982.tif 000005
【図３】
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【図５】
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