(57)【要約】      （修正有）【課題】積層構造の金属膜を湿式エッチングする際に、テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなる。2008244205.tif 000003【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層
された複層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液
組成物であって、
リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量
％、残部が水からなることを特徴とするエッチング液組成物。
【請求項２】
前記リン酸濃度が４５〜６５質量％、前記硝酸濃度が２〜３質量％、前記酢酸濃度が４
５〜２０質量％であることを特徴とする請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項３】
以下の（１）及び（２）の工程を含むことを特徴とする基板上に所定のパターンを形成
する方法。
（１）基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜を有する複
層構造の金属膜を形成した後に、前記複層構造の金属膜の表面に所定のパターンのレジス
ト膜を形成する工程、
（２）前記複層構造の金属膜を請求項１又は２に記載のエッチング液組成物を用いてエ
ッチングすることにより所定のパターンを形成する工程。
【請求項４】
前記基板が液晶表示パネル用の透明基板であり、前記所定のパターンが表示部に形成さ
れた走査線及び表示部の周囲に設けられた引き回し配線、もしくは、表示部に形成された
信号線及び表示部の周囲に設けられた引き回し配線であることを特徴とする請求項３に記
載の基板上に所定のパターンを形成する方法。
【請求項５】
前記表示部にテーパ角度が４５°〜８０°の走査線又は信号線、前記表示部の周囲にテ
ーパ角度が３０°〜４０°の引き回し配線が形成されていることを特徴とする請求項４に
記載の基板上に所定のパターンを形成する方法により作成したアレイ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金（以下、両者合わ
せて「アルミニウム系金属」という。）膜の表面にモリブデン膜が積層された複層構造の
金属膜を湿式エッチングするためのエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使
用した基板上に所定のパターンを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体層としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を使用した薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）は、製造プロセスの低温化が可能なため、液晶表示パネルのスイッチング素子とし
て広く使用されている。このａ−Ｓｉ  ＴＦＴを使用した液晶表示パネルの各種配線材料
としては、導電性が良好であること及び安価であることから、アルミニウム系金属膜が多
く用いられている。しかし、アルミニウム系金属はヒロックが生じ易いこと及びゲート絶
縁膜を拡散しやすいことから、通常はアルミニウム系金属膜の表面に耐熱性が良好なモリ
ブデン膜を形成した二層構造の金属膜、或いは、アルミニウム系金属膜の下面及び表面に
モリブデン膜を形成した三層構造の金属膜とすることが行われている。
【０００３】
このような複層構造の金属膜のパターンは、透明基板に直接ないし絶縁膜を介して複層
構造の金属膜を形成し、この表面にフォトリソグラフィー法によって所定のパターンのレ
ジスト膜を形成した後、エッチング液を用いてエッチングすることにより作製されている
。そして、このアルミニウム系金属層とモリブデン膜を含む複層構造の金属膜のエッチン
グ液としては、硫酸、硝酸及び酢酸を含む混合溶液が多く使用されている。
【０００４】
例えば、下記特許文献１には、リン酸、硝酸、有機酸及び陽イオン成分を含有する水溶
液からなるエッチング液組成物の発明が開示されている。ここでは、リン酸の濃度は５０
〜８０重量％、硝酸の濃度は０．５〜１０重量％、有機酸の濃度は０．５〜１０重量％、
陽イオン成分濃度は０．１〜２０重量％の範囲が好ましいとされている。そして、下記特
許文献１には、リン酸はアルミニウム系金属のエッチングに付与するものであり、硝酸は
モリブデン金属等の耐熱性金属層のエッチングに寄与するものであることが示されており
、更に、有機酸として酢酸を使用できることも示されている。
【０００５】
また、下記特許文献２には、リン酸、硝酸、酢酸及び硝酸アルミニウムを含有するエッ
チング液組成物の発明が開示されている。ここでは、リン酸の濃度は６０〜７５重量％、
硝酸の濃度は０．５〜１５重量％、酢酸の濃度は２〜１５重量％、硝酸アルミニウム濃度
は０．１〜１５重量％の範囲が好ましいとされている。
【特許文献１】特開２００３−  １３２６１号公報
【特許文献２】特開２００６−２２９２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のような従来例のエッチング液を用いてアルミニウム系金属膜とモリブデン膜とか
らなる積層構造の金属膜をエッチングすると、モリブデンのエッチング速度が速いため、
エッチング後の積層構造の金属膜パターンの端面は基板面に対してなだらかな傾斜面とな
る。この積層構造の金属膜パターンの基板面と垂直な断面において、金属膜パターンの端
面と基板面のなす角度は一般にテーパ角度と称されている。ここで、このテーパ角度につ
いて図４を用いて更に詳細に説明する。
【０００７】
図４は、所定のパターンに形成された配線部分の模式断面図である。この配線部分５０
は、以下に示す形成方法により形成されたものである。
【０００８】
まず、透明基板５１の表面全体に亘ってアルミニウム系金属膜５２及びモリブデン膜５
３を所定厚さｈとなるように順次積層する。その後、周知のフォトリソグラフィー法によ
り、モリブデン膜５３の表面に所定パターンのレジスト層を形成した後、湿式エッチング
を行い、アルミニウム系金属膜５２及びモリブデン膜５３からなる積層構造の金属膜から
なる積層配線５４を形成する。次いで、レジスト層を除去した後、露出した透明基板５１
の表面及び積層配線５４の表面に所定厚さの酸化ケイ素ないし窒化ケイ素からなる絶縁膜
５５を形成する。
【０００９】
このようにして作製された配線部分５０においては、図４に示すように、湿式エッチン
グの際にモリブデン膜５３側が多くサイドエッチングされるため、積層配線５４は透明基
板５１側の幅Ｌ１よりも表面側の幅Ｌ２が小さくなって断面が実質的に台形状となる。こ
の透明基板５１の表面と積層配線５４の端面５６との間のなす角度θがテーパ角度と称さ
れる。このテーパ角度が９０°に近いと、積層配線５４のエッジ部分が絶縁膜５５で被覆
され難くなり薄くなるので、断線不良を起こしやすくなる。そのため、このテーパ角度は
９０°よりも小さくなるようにされている。
【００１０】
ところが、近年の高精細化されている液晶表示パネルのアレイ基板を製造すべく、従来
例のエッチング液を用いて上述のような積層構造の金属膜をエッチングすると、走査線と
引き回し配線或いは信号線と引き回し配線を同時に形成した場合に、引き回し配線側で断
線不良の発生が時折見られた。この引き回し配線側の断線不良の発生箇所を調べてみると
、引き回し配線側でモリブデン膜のサイドエッチングが極端に進みすぎ、極端な低テーパ
角度となって引き回し配線幅が細くなったものが存在し、これが断線の原因となっている
。しかしながら、走査線側及び信号線側は、極端な低テーパ角度となっているものはなく
、断線不良はほとんど生じていない。
【００１１】
このような走査線と引き回し配線、或いは、信号線と引き回し配線を同時に形成した際
のテーパ角度の差異は、引き回し配線間のピッチと表示部に形成されている走査線間ない
し信号線間のピッチとの差異に基づいて、エッチング部位へのエッチング液の供給速度に
差異が生じるためと推定される。すなわち、近年の液晶表示パネルは高精細化されている
ため、走査線間ないし信号線間のピッチは非常に狭くなっているが、引き回し配線間のピ
ッチは、積層配線構造を採用できるため、走査線間ないし信号線間のピッチよりも広くな
っている。
【００１２】
したがって、ミクロ的に見ると、エッチング部位へのエッチング液の浸入抵抗は引き回
し配線側の方が走査線ないし信号線側の方よりも低くなる。そのため、エッチング部位へ
のエッチング液の供給速度は引き回し配線側の方が走査線ないし信号線側の方よりも速く
なり、これが引き回し配線側のエッチング速度の上昇につながったものと認められる。
【００１３】
発明者等は、種々実験を繰り返した結果、エッチング液の組成を見直すことによって、
上述のような従来例の問題点を解決することができることを見出し、本発明を完成するに
至ったのである。すなわち、本発明の目的は、アルミニウム系金属膜とモリブデン膜から
なる積層構造の金属膜を湿式エッチングすることにより所定のパターンを形成した際に、
テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエ
ッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成
する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明のエッチング液組成物は、基板上に形成されたアルミ
ニウム系金属膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所
定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量
％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなることを
特徴とする。
【００１５】
本発明のエッチング液組成物は、リン酸濃度、硝酸濃度は従来例のものと濃度範囲が重
複しているが、酢酸濃度が５０〜１５質量％と従来例のものよりも非常に多くしたことに
特徴がある。この酢酸濃度が５０質量％を超えると、相対的にリン酸及び硝酸濃度が減少
するため、アルミニウム系金属膜及びモリブデン膜のエッチング速度が共に低下するので
、好ましくない。また、酢酸濃度が１５質量％未満であると、モリブデン膜のエッチング
速度が速くなりすぎてテーパ角度が極めて小さいパターンが形成され、パターンが細い配
線の場合では断線が多発するので、好ましくない。より好ましくは、酢酸濃度は１５質量
％を超えている方がよく、２０質量％以上の方が更によい。
【００１６】
リン酸はアルミニウム系金属膜のエッチングに関与するものである。リン酸濃度が４０
質量％未満では、アルミニウム系金属膜のエッチング速度が遅くなり、リン酸濃度が７０
質量％を超えるとアルミニウム系金属膜のエッチング速度が速くなりすぎるので、好まし
くない。硝酸はモリブデン膜のエッチングに寄与するものである。硝酸濃度が０．５質量
％未満ではモリブデンのエッチング速度が遅くなり、硝酸濃度が１０質量％を超えるとモ
リブデン膜のエッチング速度が速くなりすぎるので、好ましくない。
【００１７】
本発明のエッチング液組成物は、基板上に形成されたアルミニウム系金属膜とモリブデ
ン膜との積層構造からなるアルミニウム系金属膜のエッチングに用いると、モリブデンの
サイドエッチングが過度に速く進むことがなくなるため、得られるパターンのテーパ角度
が小さくなり過ぎることがなくなる。そのため、得られるパターンは、配線細りとなるこ
とが少なくなり、細い配線パターンを形成しても断線が非常に少なくなる。なお、本発明
のエッチング液組成物は、アルミニウム系金属膜の下面及び表面にモリブデン膜が形成さ
れた三層構造の金属膜のエッチングに用いても、下面のモリブデン層が露出するまでには
表層のモリブデン膜及びアルミニウム金属膜のエッチングが進行しているため下層のモリ
ブデン膜のサイドエッチはほとんど進行しないので、同様の効果を奏する。
【００１８】
加えて、本発明のエッチング液組成物は、例えば液晶表示パネルの走査線及び引き回し
配線、或いは、信号線及び引き回し配線を同時に形成しても、引き回し配線のテーパ角度
が極端に低角度とならないために断線が生じないようにできると同時に、走査線及び信号
線も好ましいテーパ角度で形成できる。
【００１９】
本発明のエッチング液組成物は、前記リン酸濃度が４５〜６５質量％、前記硝酸濃度が
２〜３質量％、前記酢酸濃度が４５〜２０質量％であることが好ましい。この濃度範囲で
あれば、特に良好に上記効果が奏される。
【００２０】
また、本発明の基板上に所定のパターンを形成する方法は、以下の（１）及び（２）の
工程を含むことを特徴とする。
（１）基板上にアルミニウム系金属膜の表面にモリブデン膜を有する積層構造の金属膜
を形成した後に、前記積層構造の金属膜の表面に所定のパターンのレジスト膜を形成する
工程、
（２）前記積層構造の金属膜を請求項１又は２に記載のエッチング液組成物を用いてエ
ッチングすることにより所定のパターンを形成する工程。
【００２１】
本発明の基板上に所定のパターンを形成する方法の発明によれば、基板上に適度のテー
パ角度を有し、配線細りの少ないパターンを形成することができるので、細い配線パター
ンを形成しても断線が非常に少なくなる。
【００２２】
本発明の基板上に所定のパターンを形成する方法においては、前記基板が液晶表示パネ
ル用の透明基板であり、前記所定のパターンが表示部に形成された走査線及び表示部の周
囲に設けられた引き回し配線、もしくは、表示部に形成された信号線及び表示部の周囲に
設けられた引き回し配線とすることができる。
【００２３】
液晶表示パネルの走査線、信号線及び引き回し配線は、近年の高精細化の進展に伴って
走査線間ピッチ、信号線間ピッチ及び引き回し配線間ピッチが非常に小さくなっている。
しかしながら、本発明の基板上に所定のパターンを形成する方法を採用すると、このよう
なピッチの小さい走査線、信号線及び引き回し配線でも適度のテーパ角度を有し、配線細
りの少ないパターンを同時に形成することができる。
【００２４】
また、本発明のアレイ基板は、前記表示部にテーパ角度が４５°〜８０°の走査線又は
信号線、前記表示部の周囲にテーパ角度が３０°〜４０°の引き回し配線が形成されてい
ることを特徴とする。かかるアレイ基板は、前記基板上に所定のパターンを形成する方法
により容易に、同時に作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、実施例、比較例及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明す
る。しかしながら、以下に示す実施例は、本発明をここに記載したものに限定することを
意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種
々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【００２６】
なお、図１は本発明の実施例及び比較例で共通する液晶表示パネルのカラーフィルタ基
板を透視して表したアレイ基板側の平面図であり、図２は同じくカラーフィルタ基板を透
視して表したアレイ基板の１画素分の平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ線部分の断面図
である。
【００２７】
最初に液晶表示パネル１０の概略的な構成について説明する。この液晶表示パネル１０
は、図１〜３に示すように、その表面に各種配線が設けられた矩形状のガラス等の透明基
板１１を有するアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲよりも長手方向の長さが短い同じく矩
形状のガラス等の透明基板１２を有するカラーフィルタ基板ＣＦと、を備えている。そし
て、アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦの周囲がシール材１３（図１参照）を介
在させて貼り合わされ、アレイ基板ＡＲ、カラーフィルタ基板ＣＦ及びシール材１３によ
り囲まれた領域に液晶１４が封入されて液晶表示パネル１０が構成されている。
【００２８】
アレイ基板ＡＲの透明基板１１は、カラーフィルタ基板ＣＦと貼り合わせた状態で外方
に所定長さ延在する延在部１１ａを備えている。また、アレイ基板ＡＲ上には、シール材
１３によって囲まれた表示部ＤＡ内にマトリクス状に設けられた複数の走査線ＧＷ及び信
号線ＳＷが設けられている。そして、これらの走査線ＧＷ及び信号線ＳＷの交差部分の近
傍には例えばＴＦＴからなるスイッチング素子が形成されている。これらの走査線ＧＷ及
び信号線ＳＷにより区画された領域が１画素を形成する画素領域となっている。
【００２９】
また、透明基板１１の延在部１１ａには、所定の大きさに矩形状に区画されたＩＣチッ
プ搭載領域１５が設けられている。そして、走査線ＧＷ及び信号線ＳＷは表示部ＤＡ外に
導出されるとともに、ゲート引き回し配線ＧＬ及びソース引き回し配線ＳＬに接続される
。また、このゲート引き回し配線ＧＬ及びソース引き回し配線ＳＬはアレイ基板ＡＲの額
縁部分等を引き回され、端部がＩＣチップ搭載領域１５内まで延びており、このＩＣチッ
プ搭載領域１５内まで引回されたゲート引き回し配線ＧＬ及びソース引き回し配線ＳＬの
端部にはＩＣチップ接続するための端子（図示省略）がそれぞれ形成されている。
【００３０】
次に各画素の具体的構成について説明する。この透明基板１１上の表示部ＤＡには、図
２及び３に示したように、複数の走査線ＧＷが等間隔に平行になるように形成され、更に
走査線ＧＷからＴＦＴのゲート電極Ｇが延設されている。同じく、透明基板１１上の表示
部ＤＡには、隣り合う走査線ＧＷ間の略中央に走査線ＧＷと平行になるように補助容量線
１６が形成され、この補助容量線１６には補助容量線１６よりも幅広となされた補助容量
電極１７が形成されている。
【００３１】
また、透明基板１１の全面に走査線ＧＷ、補助容量線１６、補助容量電極１７及びゲー
ト電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜１８が積層
されている。そして、ゲート電極Ｇの上にゲート絶縁膜１８を介してａ−Ｓｉ層１９が形
成されている。また、ゲート絶縁膜１８上に複数の信号線ＳＷが走査線ＧＷと直交するよ
うにして形成され、この信号線ＳＷからａ−Ｓｉ層１９と接触するようにＴＦＴのソース
電極Ｓが延設され、更に、信号線ＳＷ及びソース電極Ｓと同一の材料でかつドレイン電極
Ｄが同じくａ−Ｓｉ層１９と接触するようにゲート絶縁膜１８上に設けられている。
【００３２】
ここで、走査線ＧＷと信号線ＳＷとに囲まれた領域が１画素に相当する。そしてゲート
電極Ｇ、ゲート絶縁膜１８、ａ−Ｓｉ層１９、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってス
イッチング素子となるＴＦＴが構成され、それぞれの画素にこのＴＦＴが形成される。こ
の場合、ドレイン電極Ｄと補助容量電極１７によって各画素の補助容量を形成することに
なる。
【００３３】
これらの信号線ＳＷ、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１８を覆うようにして透明基板１１の全面
にわたり例えば無機絶縁材料からなる保護絶縁膜（パッシベーション膜ともいわれる）２
０が積層され、この保護絶縁膜２０上に有機絶縁膜からなる層間膜２１（平坦化膜ともい
われる）が透明基板１１の全体にわたり積層されている。そして保護絶縁膜２０と層間膜
２１には、ＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２２が形成されて
いる。
【００３４】
更に、それぞれの画素において、コンタクトホール２２及び層間膜２１の表面に例えば
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）からなる画素電極２３
が形成され、この画素電極２３の表面に全ての画素を覆うように配向膜（図示せず）が積
層されている。
【００３５】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、透明基板１２の表面に、前記アレイ基板ＡＲの少な
くとも表示部ＤＡに対応する位置に、それぞれの画素に対応して例えば赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、青色（Ｂ）からなるカラーフィルタ層２４が設けられている。更にカラーフィル
タ層２４の表面に共通電極２５及び配向膜（図示せず）が積層されている。なお、カラー
フィルタ層２４としては、更にシアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、黄色（Ｙ）等の補色によ
るカラーフィルタ層を適宜組み合わせて使用する場合もあり、モノクロ表示用の場合には
カラーフィルタ層を設けない場合もある。
【００３６】
そして、このようにして得られたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦをそれぞ
れ対向させ、適宜間隔で周縁部のセルギャップを一定に保つための柱状スペーサ（図示せ
ず）を配置するとともに、アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦの周囲をシール材
１３によりシールし、両基板間に液晶１４を封入することにより、液晶表示パネル１０が
得られる。
【００３７】
上述の走査線ＧＷ、信号線ＳＷ、ゲート引き回し配線ＧＬ、ソース引き回し配線ＳＬ等
は次のようにして作製される。まず、アレイ基板ＡＲの透明基板１１の表面に、スパッタ
リング法等によって、アルミニウム又はアルミニウム合金（例えば、Ａｌ−Ｎｄ合金）等
のアルミニウム系金属膜を例えば２５００Åの厚さに形成する。次いで、その表面に同じ
くスパッタリング法によりモリブデン膜を例えば１０００Åの厚さに形成する。次いで、
周知のフォトリソグラフィー法によって、モリブデン膜の表面に所定パターンのレジスト
層を形成する。その後、リン酸、硝酸及び酢酸を含むエッチング液を用いてエッチングし
、走査線ＧＷ、この走査線ＧＷから延びるＴＦＴのゲート電極Ｇ、補助容量線１６及び補
助容量電極１７、ゲート引き回し配線ＧＬを同時に形成する。
【００３８】
次いで、透明基板１１の表面全体に亘って酸化ケイ素ないし窒化ケイ素からなるゲート
絶縁膜１８を被覆する。その後、ゲート絶縁膜１８の表面に上記と同様の方法によって例
えば厚さ５００Åのモリブデン膜、２５００Åのアルミニウム系金属膜及び厚さ５００Å
のモリブデン膜からなる３層膜を形成する。この場合、最初にアルミニウム系金属膜及び
モリブデン膜を形成して２層膜とする場合もある。その後、リン酸、硝酸及び酢酸を含む
エッチング液を用いてエッチングし、信号線ＳＷ、この信号線ＳＷから延びるＴＦＴのゲ
ート電極Ｇ、ＴＦＴのドレイン電極Ｄ、ソース引き回し配線ＳＬを同時に形成する。
【００３９】
なお、ここでは下層及び上層のモリブデン膜の厚さを５００Å、アルミニウム系金属膜
の厚さを２５００Åとした例を示したが、下層及び上層のモリブデン膜は２００〜１００
０Å、アルミニウム系金属膜は２０００〜４０００Åの範囲内で適宜に決定すれば良い。
【００４０】
［実施例及び比較例］
上述のように、アルミニウム系金属膜及びモリブデン膜の湿式エッチングに際してはリ
ン酸、硝酸及び酢酸を含むエッチング液を用いてエッチングすることにより、少なくとも
走査線ＧＷとゲート引き回し配線ＧＬ、信号線ＳＷとソース引き回し配線が同時に作製さ
れている。そこで、以下では、実施例及び比較例によって、エッチング液の組成によって
得られるパターンのテーパ角がどのように変化したかを調べた。
【００４１】
比較例で使用するエッチング液としてはリン酸濃度７１質量％、硝酸濃度６質量％、酢
酸濃度４質量％、残部水からなるエッチング液を用いた。この比較例で使用したエッチン
グ液の組成、エッチング液温度及びエッチング処理時間は、従来から普通に採用されてい
るものをそのまま使用したものである。
【００４２】
また、実施例で使用するエッチング液としては、予備実験により良好な結果が得られる
ことを確認したリン酸濃度５５質量％、硝酸濃度２．５質量％、酢酸濃度３５質量％、残
部水からなるエッチング液を用いた。この実施例で使用したエッチング液の組成は、直接
エッチングに関与する成分であるリン酸及び硝酸の濃度が従来例のものよりも薄くなって
いるので、エッチング液温度を若干高くした。
【００４３】
エッチングに使用する基板は次のようにして準備した。すなわち、ガラス基板の表面に
スパッタリング法によってネオジウムの含有割合が２モル％のＡｌ−Ｎｄ合金膜を厚さ２
５００Åに形成し、その後に同じくスパッタリング法によってモリブデン膜を１０００Å
の厚さに形成した。次いで、モリブデン膜の表面にフォトレジストを塗布し、予め用意し
たパターンマスクを用いて露光した後、現像し、所定のフォトレジストパターンを形成し
た基板を得て、測定に供した。なお、この予め用意したパターンマスクは、図１〜図３に
示した、走査線ＧＷ、この走査線ＧＷから延びるＴＦＴのゲート電極Ｇ、補助容量線１６
及び補助容量電極１７、ゲート引き回し配線ＧＬを同時に形成するためのものある。
【００４４】
上述のようにして得られたフォトレジストパターンを形成した基板を、比較例及び実施
例のエッチング液についてそれぞれ常法に従ってエッチングに供した。所定のエッチング
時間が経過した後、直ちに水洗し、乾燥後に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観察し
、引き回し配線及び表示部内の配線についてテーパ角度をそれぞれ複数箇所ずつ測定した
結果を纏めて表１に示した。なお、表１に示したテーパ角のデータは実施例及び比較例と
もに測定値の最小値と最大値を示す。
【００４５】
【表１】
2008244205.tif 000002
【００４６】
表１に示した結果から以下のことが分かる。すなわち、比較例及び実施例の何れにおい
ても、引き回し配線部のテーパ角は表示部のテーパ角よりも小さくなっている。このよう
なテーパ角度の差異は、引き回し配線間のピッチは走査線間のピッチよりも広いので、エ
ッチング部位へのエッチング液の供給速度は引き回し配線側の方が走査線側の方よりも速
くなり、引き回し配線側のエッチング速度が相対的に速くなったために生じたものと推定
される。
【００４７】
また、実施例の結果と比較例の結果を対比すると、引き回し配線側のテーパ角は比較例
では１０°〜２０°と非常に小さいが、実施例では３０°〜４０°と大きくなっている。
このように、実施例のエッチング液を用いた場合は、引き回し配線側のテーパ角度が大き
くなっているため、従来例のように引き回し配線の配線幅が細い部分がほとんど生じるこ
とがなく、引き回し配線の断線が少なくなることが理解できる。
【００４８】
なお、表示部側のテーパ角は、比較例では３０°〜４０°であったが、実施例では５５
°〜７０°と大きくなっている。この５５°〜７０°というテーパ角は、順テーパ状態で
あり、普通に採用されている数値範囲であるので、特に問題は生じない。
【００４９】
なお、実施例では、エッチング液の組成として、リン酸濃度５５質量％、硝酸濃度２．
５質量％、酢酸濃度３５質量％、残部水からなるものを使用した例を示したが、リン酸濃
度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％の範囲で
あれば同様の効果を奏する。酢酸濃度が５０質量％を超えると、相対的にリン酸及び硝酸
濃度が減少するため、アルミニウム系金属膜及びモリブデン膜のエッチング速度が共に低
下する。エッチング速度の観点からは酢酸濃度は４５質量％以下がより好ましい。
【００５０】
また、酢酸濃度が１５質量％未満であると、上記比較例の結果からも明らかなように、
モリブデン膜のエッチング速度が速くなりすぎてテーパ角度が極めて小さいパターンが形
成され、パターンが細い配線の場合では断線が増加する。酢酸濃度が１５質量％以上であ
れば一応テーパ角度を２０°以上とすることができる。しかしながら、テーパ角度が安定
的に３０°以上となるようにするには、エッチング液中の酢酸濃度は、１５質量％を超え
ている必要があり、２０質量％以上の範囲が必要である。
【００５１】
なお、リン酸はアルミニウム系金属膜のエッチングに付与するものであり、リン酸濃度
が４０質量％未満では、アルミニウム系金属膜のエッチング速度が遅くなり、リン酸濃度
が７０質量％を超えるとアルミニウム系金属膜のエッチング速度が速くなりすぎる。また
、硝酸はモリブデン膜のエッチングに寄与するものであり、硝酸濃度が０．５質量％未満
ではモリブデンのエッチング速度が遅くなり、硝酸濃度が１０質量％を超えるとモリブデ
ン膜のエッチング速度が速くなりすぎる。
【００５２】
更に、上記実施例ではエッチングによって基板上に直接走査線、この走査線から延びる
ＴＦＴのゲート電極、補助容量線及び補助容量電極、ゲート引き回し配線を同時に形成す
る場合を例示したが、ゲート絶縁膜上に信号線、この信号線から延びるＴＦＴのソース電
極、ＴＦＴのドレイン電極、ソース引き回し配線を同時に形成する場合についても同様の
結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したアレイ基板側の平面図である。
【図２】液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したアレイ基板の１画素分の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線部分の断面図である。
【図４】所定のパターンに形成された配線部分の模式断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０：液晶表示パネル、１１、１２：透明基板、１１ａ：延在部、１３：シール剤、１
４：液晶、１５：ＩＣチップ搭載領域、１６：補助容量線、１７：補助容量電極、１８：
ゲート絶縁膜、１９：ａ−Ｓｉ層、２０：パッシベーション膜、２１：層間膜、２２：コ
ンタクトホール、２３：画素電極、２４：カラーフィルタ層、２５：共通電極、ＤＡ：表
示部、ＧＷ：走査線、ＳＷ：信号線、ＧＬ：ゲート引き回し配線、ＳＬ：ソース引き回し
配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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