(57)【要約】【課題】  熱可塑性樹脂による樹脂筐体を有する電力半導体装置において、配線パターン間や配線パターン外周から放熱板との間の絶縁を確保したまま、装置の小型化を図る。【解決手段】  放熱板６と、放熱板６の主表面上に設けられた絶縁層７と、絶縁層７の主表面上に設けられた複数の配線パターン８，９，１０と、絶縁層７、配線パターン８，９，１０を覆う熱可塑性樹脂からなる樹脂筐体１とを備える電力半導体装置において、絶縁層７の主表面上における複数の配線パターン８，９，１０に覆われていない露出部分を熱硬化性の樹脂層１５により被覆することにより、絶縁層７と樹脂層１５の密着性を良好にし、配線パターン８，９，１０間の距離又は配線パターン８，９，１０と放熱板６との間の距離を短縮することを可能とした。【選択図】        図２
2008205100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱板と、
前記放熱板の主表面上に設けられた絶縁層と
前記絶縁層の主表面上の一部を覆うように設けられた複数の配線パターンと、
前記絶縁層の主表面上における前記複数の配線パターンに覆われていない露出部分を被覆するように設けられた熱硬化性樹脂層と、
前記絶縁層、前記配線パターンと前記熱硬化性樹脂層とを覆う熱可塑性樹脂からなる筐体と、
を備える電力半導体装置。
【請求項２】
前記複数の配線パターンのうち、少なくとも１つの配線パターン上には電力半導体素子が設けられ、  
前記複数の配線パターンのうち、他の配線パターンと前記電力半導体素子とを橋絡する板状リードを備え、
前記板状リードは、前記熱硬化性樹脂層の直上において幅が小さくなっていることを特徴とする請求項１記載の電力半導体装置。
【請求項３】
前記複数の配線パターンのうち、少なくとも１つの配線パターン上には電力半導体素子が設けられ、  
前記複数の配線パターンのうち、他の配線パターンと前記電力半導体素子とを橋絡する板状リードを備え、
前記板状リードは、前記熱硬化性樹脂層の直上において貫通孔を有していることを特徴とする請求項１記載の電力半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁層上の外周部に、前記複数の配線パターンを取り囲むように設けられ、前記複数の配線パターンとは電気的に絶縁されているダムパターンを有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電力半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気的な絶縁性能を確保しつつ小型化を可能とする、熱可塑性樹脂によって封止された電力半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止型電力半導体装置においては、例えば特許文献１に開示されている半導体装置のように、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂によりトランスファーモールド成型することが一般的であった。それに対し、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールド成型を採用した場合には、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールドよりも成型時間が半分以下に短縮され、さらに熱硬化性樹脂を用いた場合に必要となる固化する工程であるキュア時間が不要となることから、特許文献２に開示されている半導体装置のようにＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂等の熱可塑性樹脂によりインジェクションモールド成型することが試みられるようになってきた。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２０２８８５号公報  （図２）
【特許文献２】特開２０００−２２８４９２号公報  （図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、インジェクションモールドでの電力半導体装置で使用可能な耐熱性を有する熱可塑性樹脂であるＰＰＳ樹脂やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタラート）樹脂は他の樹脂又は金属等からなる部品との密着性に劣るため、配線パターン間や配線パターン外周から放熱板との間の絶縁を確保するための沿面距離を大きくとる必要があり、１ｋＶを超える電圧を扱う装置において小型化を図るのは困難であった。
【０００５】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、熱可塑性樹脂によりインジェクションモールド成型された電力半導体装置において、樹脂と構成部品との密着性を向上させることにより、所定の絶縁特性を維持するとともに、小型、軽量でコストの低廉な電力半導体装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するために、本発明に係る電力半導体装置は、放熱板と、上記放熱板の主表面上に設けられた絶縁層と、上記絶縁層の主表面上に設けられた複数の配線パターンと、上記絶縁層、配線パターンを覆う熱可塑性樹脂からなる筐体とを備える電力半導体装置であって、上記絶縁層の主表面上における上記複数の配線パターンに覆われていない露出部分が熱硬化性樹脂層により被覆されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
上記のような構成としたため、配線パターン間又は配線パターンと放熱板間の絶縁を確保したまま、配線パターン間又は配線パターンと放熱板間の距離を従来例よりも小さくすることができ、電力半導体装置の小型化が可能となるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
＜実施の形態１＞
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。図１は本発明に係る電力半導体装置の実施の形態１を示す斜視図である。図２は図１のＡ−Ａ断面図で、上記電力半導体装置の内部構造を示している。図３は図１の電力半導体装置のモールド樹脂を除去した斜視図である。なお、図３においては外部端子の図示は省略している。
【０００９】
図１において、電力半導体装置１００は、例えばガラス繊維を配合することにより強度を向上させたガラス繊維強化のＰＰＳ樹脂からなる樹脂筐体１により外形をなし、外部との外部端子２，３，４及び信号端子５を露出させている。また図２において、電力半導体装置１００は、その底面に露出するように、アルミニウムのような高熱伝導材料を基材とする縦４０ｍｍ×横７０ｍｍで厚さ２ｍｍの放熱板６を具えている。放熱板６の上には、絶縁層７を介して厚さ０．３ｍｍの銅からなる複数の配線パターン８，９，１０及びその他の配線パターンが設けられている。絶縁層７は、例えばシリカ等の熱伝導フィラーを配合したエポキシ樹脂を基材とし、放熱板６と複数の配線パターン８，９，１０とを絶縁するとともに、これらを固着する接着剤も兼ねている。
【００１０】
図３において、配線パターン８上には、電力半導体素子であるＩＧＢＴ１２及びダイオード１３が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕを基材とする半田により、その裏面において接合されている。ＩＧＢＴ１２は四角形状で、例えば縦７．５ｍｍ×横９ｍｍ、厚さが２５０μｍであり、表面にゲート電極及びエミッタ電極を有し、裏面にコレクタ電極を有している。ダイオード１３は四角形状で、例えば縦４ｍｍ×横９ｍｍ、厚さが２５０μｍであり、表面にアノード電極を有し、裏面にカソード電極を有している。配線パターン９上にも同様に、電力半導体素子であるＩＧＢＴ１２及びダイオード１３が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕを基材とする半田により、その裏面において接合されている。
【００１１】
ＩＧＢＴ１２のエミッタ電極とダイオード１３のアノード電極とは、例えば厚さ０．３ｍｍ、幅６ｍｍの銅板からなり適切に曲げ加工の施された板状リード１４により、やはりＳｎ−Ａｇ−Ｃｕを基材とする半田を介して接続され、その板状リード１４一端は配線パターン８又は配線パターン１０に接続されている。このような板状リード１４によりＩＧＢＴ１２及びダイオード１３等の電力半導体素子間を結線することは、大電流を取り扱う上で好ましい。本実施の形態のように、ＩＧＢＴ１２とダイオード１３の横辺のサイズを等しくし、互いに横辺が対向するように並置させておけば、板状リードの形状が単純になるため位置合わせを行う上で好ましい。図示を省略しているが、配線パターン８は外部端子２に、配線パターン９は外部端子３に、配線パターン１０は外部端子４にさらに接続されている。複数の配線パターン８，９，１０の周囲及びそれら相互間の絶縁層７上には、複数の配線パターン８，９，１０のエッジ上を含むように、例えばポリアミド樹脂からなる樹脂層１５が設けられている。樹脂層１５の厚みは薄いほうが望ましく、複数の配線パターンのエッジが覆われているならば、複数の配線パターンの厚み以下であっても良い。
【００１２】
このような電力半導体装置は次のようにして組み立てられる。まず、放熱板６上に絶縁層７を配置し、絶縁層７上に複数の配線パターン８，９，１０及びその他の配線パターンを所定の位置に配置し、放熱板６と絶縁層７と複数の配線パターン８，９，１０及びその他の配線パターンとを熱圧着により固着する。次に、放熱板６上に固着された配線パターン上の所定の位置にＩＧＢＴ１２及びダイオード１３を半田により接合する。次に、板状リード１４，外部端子２，３，４及び信号端子５を所定の配線パターン上に半田により接合し、その他必要なワイヤ配線も行う。次にポリアミド系の液状コーティング剤をスプレー塗布法により複数の配線パターン８，９，１０上を含め絶縁層７上に塗布し樹脂層１５を形成する。最後に上記組立体を金型の中に設置し、ＰＰＳ樹脂によるインジェクションモールドにより図１の形状に成型する。
【００１３】
ＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールド方式で封止される電力半導体装置の場合では、成形時間はおよそ３０秒であり、従来から用いられているトランスファーモールド方式で封止される電力半導体装置の場合と比較して、およそ５分の１の時間で成形が完了し、樹脂の硬化を完了させるためのキュアを必要としない生産性の高い製造方法である反面、回路基板等に用いられる絶縁物や金属との接着性が悪いという短所を有している。また、熱可塑性樹脂は吸水率が低いことから、外部に露出している樹脂筐体１と放熱板６との境界面から水分が浸入しやすく、かつ水分が抜けにくい構造となっている。例えば１ｋＶで動作する従来の電力半導体装置において水分が浸入した場合、電圧のかかる配線パターン８と配線パターン１０との間又は配線パターン８と放熱板６との間での絶縁特性の劣化を防止するために、配線パターン８と配線パターン１０との間の距離又は配線パターン８外周部から絶縁層７の端部までの距離を３ｍｍ程度確保する必要があった。特に配線パターンのエッジ部分には電界が集中しやすく、設計上の配慮が必要である。
【００１４】
本実施の形態の場合、配線パターンのエッジ部分及びその周辺の絶縁層７は熱硬化性樹脂であるポリアミド樹脂からなる樹脂層１５で覆われており、絶縁層７と樹脂層１５との接着性は良好であり、両者の界面に水分が浸入することはない。したがって、電圧のかかる配線パターン８と配線パターン１０との間又は配線パターン８と放熱板６との間での絶縁特性の劣化は発生せず、配線パターン８と配線パターン１０との間の距離又は配線パターン８と放熱板６との間の距離を従来例よりも２ｍｍ小さくすることができる。一方、樹脂層１５と樹脂筐体１との界面は依然として接着性は良好ではないものの、樹脂層１５が少なくとも配線パターン８，９，１０のエッジ部分を被覆しているため、各配線パターン間の沿面距離は十分確保されており、両者の界面に水分が浸入した場合でも、絶縁特性の劣化は生じない。
【００１５】
したがって、本実施の形態に係る電力半導体装置は、放熱板と、上記放熱板の主表面上に設けられた絶縁層と、上記絶縁層の主表面上に設けられた複数の配線パターンと、上記絶縁層、配線パターンを覆う熱可塑性樹脂からなる筐体とを備える電力半導体装置であって、上記絶縁層の主表面上における上記複数の配線パターンに覆われていない露出部分が熱硬化性樹脂により被覆されていることを特徴とする構成としたため、配線パターン間又は配線パターンと放熱板間の距離を従来例よりも小さくすることができ、電力半導体装置の小型化が可能となるという効果を奏する。
【００１６】
ＩＧＢＴ１２及びダイオード１３や外部端子２，３，４及び信号端子５を所定の配線パターン上に半田により接合する前に、樹脂層１５の配線パターン周囲への塗布を行う場合は、樹脂層１５の材料としてはポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の耐熱性の高い熱硬化性樹脂が選択される。この場合、適切にパターン形成された樹脂層１５は、ＩＧＢＴ１２及びダイオード１３や外部端子２，３，４及び信号端子５を所定の配線パターン上に半田により接合する際の半田レジストを兼ねることが可能となる。ＩＧＢＴ１２及びダイオード１３や外部端子２，３，４及び信号端子５を所定の配線パターン上に半田により接合した後に、樹脂層１５の配線パターン周囲への塗布を行う場合は、樹脂層１５の材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを基材とした材料が選択されることが可能となる。この場合、樹脂層１５はＩＧＢＴ１２及びダイオード１３や外部端子２，３，４及び信号端子５にも一部付着することとなるが、これらには一部被覆されない部分があっても、絶縁特性に影響を与えることは無いので問題となることはない。
【００１７】
また、樹脂層１５に材料としては、流動性の良好な材料が選択されることがあるが、そのような材料はしばしば弾性率が低いことがある。例えば樹脂層１５に材料としてゲル状のシリコーン樹脂を使用した場合、その弾性率は１０ｋＰａ程度であり、２０〜３０ＭＰａとなるインジェクションモールドの際の充填圧力により樹脂層１５は押しつぶされてしまうため、絶縁材としての効果を発揮することができない。そこで例えば樹脂層１５の体積収縮を半分以下とするには、樹脂層１５に使用される材料の弾性率は、２０ＭＰａ以上が求められる。
【００１８】
＜実施の形態２＞
図４は本発明に係る電力半導体装置の実施の形態２における、ＩＧＢＴ１２，ダイオード１３及び板状リード１４近傍を示す斜視図である。図示を省略した部分は図１，図２，図３と同様の構成である。実施の形態１との相違点は板状リード１４の形状にあり、それ以外の構成は、実施の形態１で示した構成と同じである。
【００１９】
板状リード１４は、例えば厚さ０．３ｍｍ、幅６ｍｍの銅板からなり、配線パターン８上に半田付けされたＩＧＢＴ１２とダイオード１３とに接続され、さらにその一端は配線パターン８から１．５ｍｍの間隔で設けられた配線パターン１０に接続されている。ここで、板状リード１４は配線パターン８と配線パターン１０とを跨ぐ部分で１／３程度に細くなっているくびれ部分を有し、該部分直下の両配線パターン間の絶縁層７上にはシリコーン系のコーティング剤をスプレー塗布又はディスペンサー塗布することにより樹脂層１５が設けられている。
【００２０】
かかる構成にした理由について以下に述べる。前述したように、ＩＧＢＴ及びダイオードや外部端子及び信号端子を所定の配線パターン上に半田により接合する前に、樹脂層の配線パターン周囲への塗布を行う場合は、樹脂層の材料としてはポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の耐熱性の高い熱硬化性樹脂が選択される。特に本実施の形態のようにＳｎ−Ａｇ−Ｃｕを基材とする半田のような鉛フリー半田を使用する場合には、半田付け温度が２５０℃以上となるため樹脂層として使用できる材料は限られる。耐熱性の高い樹脂は塗布後の熱処理温度も高く、材料も高価であり、さらには放熱板と複数の配線パターンを接着しているエポキシ樹脂を基材とした絶縁層にも耐熱性が要求されることとなるため、全般的に材料が高価となり生産性も低下する。
【００２１】
そこで、半田融点以下の温度での熱処理が可能な安価なシリコーン樹脂系のコーティング剤をスプレー塗布により塗布し樹脂層１５を形成するためには、そのスプレー塗布工程をＩＧＢＴ１２，ダイオード１３，外部端子２，３，４，信号端子５及び板状リード１４を半田付けした後に実施する必要がある。そのスプレー塗布工程において問題となるのは、板状リード１４による干渉により絶縁層７上に未塗布部分が発生する惧れがあることである。すなわち、コーティング剤をスプレー塗布するとき、板状リードの陰となって、絶縁層７上に未塗布部分が発生する。このことはディスペンサー塗布においても同様である。このため塗布後の自然流動により未塗布部分に樹脂を供給する必要があるが、それには板状リード１４の幅を縮小させることが効果的であった。当然のことながら、板状リード１４の幅を小さくすることは、板状リード１４の電気抵抗を増大させ、機械強度を劣化させることとなるので、ここでは板状リード１４の配線パターン８と配線パターン１０との間に形成された樹脂層１５の直上に相当する部分（くびれ部分）の幅をそれ以外の部分の幅の１／３である２ｍｍとした。板状リード１４をこのような形状とすることにより、板状リード１４の電気的特性及び機械的特性に悪影響を与えることなく、絶縁層７上における樹脂層１５の未塗布部分を解消することができた。
【００２２】
板状リード１４のくびれ部分の形状については、図４のように両側からくびれさせるだけでなく、図５に示される変形例のように片側からくびれさせてもよい。くびれ部分の長さについては、半田付け時の位置ずれを考慮して、両配線パターン間の距離よりも広く取る必要がある。
【００２３】
＜実施の形態３＞
図６は本発明に係る電力半導体装置の実施の形態３における、ＩＧＢＴ１２，ダイオード１３及び板状リード１４近傍を示す斜視図である。図示を省略した部分は図１，図２，図３と同様の構成である。ＩＧＢＴ１２は縦７．５ｍｍ×横１２ｍｍであり、ダイオード１３は縦６ｍｍ×横１２ｍｍである。板状リード１４の幅は９ｍｍであり、配線パターン８と配線パターン１０との間に形成された樹脂層１５の直上に相当する部分には、その幅方向の中央部に縦３ｍｍ×横３ｍｍ貫通孔が設けられている。それ以外の構成は、実施の形態１で示した構成と同じである。
【００２４】
かかる構成にした理由について以下に述べる。１００Ａ以上という大電流を扱う電力半導体装置においては、ＩＧＢＴ１２とダイオード１３の平面サイズが大きくなり、板状リード１４についてもその幅を広くする必要がある。このような場合において、実施の形態２と同様に板状リード１４に幅２ｍｍのくびれ部分を設けると、くびれ部分以外の幅に対して著しく断面積が小さくなるため、配線抵抗の増大が無視できなくなる。また、板状リード１４の幅が大きくなることによって、インジェクションモールド時における板状リード１４の装置上面側への熱可塑性樹脂の充填が先行し、板状リード１４と絶縁層７との間隙への熱可塑性樹脂の充填が遅くなるため、インジェクションモールドの際の圧力によって板状リード１４が絶縁層７側に変形することがあり、この変形による板状リード１４の配線パターンへの接触又は電力半導体素子へのストレスにより電気的な不具合が発生する惧れがあった。
【００２５】
そこで、コーティング剤を板状リード１４の幅方向の両端部及び中央部から塗布できるようにするため、板状リード１４の中央部に貫通孔を設けることとした。このような構造としたため、インジェクションモールドによる筐体形成時には、この貫通孔を通って充填される熱可塑性樹脂によって、板状リード１４上下面の熱可塑性樹脂の充填速度のバランスがとれるため、板状リード１４に予定していない圧力をかける惧れは無い。さらに、板状リード１４は幅方向の両端２箇所で繋がっており、実施の形態２と比較して板状リード１４の機械的強度及び電気的特性は向上しているため、インジェクションモールド時における板状リード１４の変形は生じず、電気抵抗の増大も無視できる範囲に収めることができる、という効果が得られる。
【００２６】
＜実施の形態４＞
図７は本発明に係る電力半導体装置の実施の形態４における内部構造を示す斜視図である。図示を省略した部分は図１，図２，図３と同様の構成である。絶縁層７上の外周には配線パターン８，９，１０を取り囲むようにダムパターン１１が配置されている。ダムパターン１１は、配線パターン８，９，１０と同じ厚みの銅板からなり、表面は粗面化加工が施されており、配線パターン８，９，１０とは電気的に絶縁されている。それ以外の構成は、実施の形態１で示した構成と同じである。
【００２７】
かかる構成にした理由について以下に述べる。ＩＧＢＴ１２，ダイオード１３等の電力半導体素子及び板状リード１４を半田付けした後に、コーティング剤をスプレー塗布やディスペンサー塗布することにより樹脂層１５を形成するが、電力半導体素子及び配線パターンの角部まで樹脂層１５を形成するためには、コーティング剤には粘度の低い材料を用いる必要がある。その際に塗布した粘度の低いコーティング剤は絶縁層７の周囲に流れ、放熱板６の裏面に回りこむことがある。コーティング剤の熱伝導率は０．２Ｗ／ｍＫ程度と小さく放熱性に悪影響を与えるため、コーティング剤の放熱板６裏面への回りこみは確実に防止されなければならない。このため本実施例においては、コーティング剤の放熱板６裏面への回りこみ防止するダムとして、絶縁層７上の外周にダムパターン１１が設けられている。本実施例におけるダムパターン１１は配線パターン８，９，１０と同時に形成することが可能であるため、製造上の工程を削減することが可能となる。
【００２８】
また、このダムパターン１１は銅のような金属でできているので、例えば化学的エッチングによりその表面を粗面化することが可能である。このようにダムパターン１１の表面を粗面化することにより、樹脂筐体１を構成している熱可塑性樹脂とダムパターン１１との密着性が向上し、樹脂筐体１と絶縁層７との界面からの水分の浸入をダムパターン１１で抑制できるだけでなく、樹脂筐体１を構成している熱可塑性樹脂と放熱板６との線膨張率の差による応力をダムパターン１１表面で分担することができ、板状リード１４からＩＧＢＴ１２，ダイオード１３等の電力半導体素子に働く応力を緩和することが可能となるため、温度サイクルの大きい環境下で使用される電力半導体装置においても電気的信頼性を維持できる。
【００２９】
さらに、放熱板６と絶縁層７と複数の配線パターン及びダムパターン１１とから構成される回路基板をプレス打ち抜きで１枚の回路基板として製作する場合に、図８のようにダムパターン１１を放熱板６のエッジまで覆うように形成することにより、プレス打ち抜きの際にエッジ部分における絶縁層７の欠け発生を抑制することが可能となり、回路基板の小型化が可能となる。
【００３０】
以上、図面に基づき本発明の具体的な実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限らず種々の改変が可能である。例えば、上記各実施の形態においては、放熱板６上の回路については、エポキシ樹脂を基材とした絶縁層７によって接着された銅板の配線パターンであったが、アルミナや窒化アルミニウムといったセラミック絶縁基板上にロウ付けされた銅板の配線パターンでも良い。配線パターンの材料には銅が使用されているが、電気伝導性の良好な他の金属であっても良い。電力半導体素子はＩＧＢＴ及びダイオードの組合せであったが、ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、ダイオードその他のあらゆる電力半導体素子の単独又はいかなる組合せであっても良い。また、樹脂筐体１の材料はＰＰＳに限定されるものではなく、ＰＢＴ等の熱可塑性樹脂であれば同様の効果を奏することはいうまでも無いことである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態１を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図で、上記電力半導体装置の内部構造を示している。
【図３】図１の電力半導体装置のモールド樹脂を除去した斜視図である。
【図４】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態２における、一部分を示す斜視図である。
【図５】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態２の変形例における、一部分を示す斜視図である。
【図６】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態３における、一部分を示す斜視図である。
【図７】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態４における内部構造を示す斜視図である。
【図８】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態４の変形例における内部構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  樹脂筐体、  ２  外部端子、  ３  外部端子、  ４  外部端子、  ５  信号端子、  ６  放熱板、  ７  絶縁層、  ８  配線パターン、  ９  配線パターン、  １０  配線パターン、  １１  ダムパターン、  １２  ＩＧＢＴ、  １３  ダイオード、  １４  板状リード、  １５  樹脂層。
【図１】
2008205100.tif 000003
【図２】
2008205100.tif 000004
【図３】
2008205100.tif 000005
【図４】
2008205100.tif 000006
【図５】
2008205100.tif 000007
【図６】
2008205100.tif 000008
【図７】
2008205100.tif 000009
【図８】
2008205100.tif 000010