(57)【要約】【課題】前面基板の内側には蛍光面および、陽極電位が印加される陽極電極が形成され、背面基板内側には電子源がマトリクス状に配置され、前記電子源からの電子が蛍光面に射突することによって画像が形成される表示装置に対し、スパークの危険が小さい陽極電圧の供給方法を得る。【解決手段】背面基板１には貫通孔２０が形成され、前記貫通孔２０に高電圧導入端子２６が挿入され、前記高電圧導入端子２６は金属体２１と電気的に接続され、前記金属体２１は前記前面基板の陽極パターン２７に電気的に接続し、前記背面基板の内側の貫通孔２０の周辺には導電パターン２２が形成され、前記陽極電位は前記陽極パターン２７と前記導電パターン２２に印加され、前記貫通孔２０には真空を保つためのシール材２５が充填されていることを特徴とする表示装置。この手段により、背面基板において高電圧供給部付近で発生していたスパークを抑制する。【選択図】図５
2008108566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板の内側には蛍光面および、陽極電位が印加される陽極電極が形成され、背面基板内側には電子源が形成され、前記前面基板と前記背面基板とは支持体によって、間隔が保たれ、前記電子源からの電子が蛍光面に射突することによって画像が形成される表示装置であって、前記背面基板には貫通孔が形成され、前記貫通孔に高電圧導入端子が挿入され、前記高電圧導入端子は金属体と電気的に接続され、前記金属体は前記前面基板の陽極電極に電気的に接続し、前記背面基板の内側の貫通孔の周辺には導電パターンが形成され、前記陽極電位は前記陽極電極と前記導電パターンに印加され、前記貫通孔には真空を保つためのシール材が充填されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記導電パターンと前記金属体との間には導電ペーストが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記導電パターンの周囲には高抵抗膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記陽極電極と前記金属体の間には導電ペーストが形成されていることを特徴とする請求項１に記載に表示装置。
【請求項５】
前記陽極電極と前記金属体の間には前記陽極電極とは別材料の陽極パターンが形成されていることを特徴とする請求項１に記載に表示装置。
【請求項６】
前記金属体の周辺に形成された前記陽極電極の周辺には高抵抗膜が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記高抵抗膜の抵抗率は１０GΩ・ｃｍ〜１０００TΩ・ｃｍであることを特徴とする請求項３または請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記背面基板の内側の貫通孔の周辺には真空を保つためのシール材が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記金属体は略円柱状であり、金属体の下部には、前記背面基板の貫通孔に挿入される凸部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載に表示装置。
【請求項１０】
前記金属体と前記高電圧導入端子とは一体で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記金属体は軸方向にバネ構造となっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前面基板の内側には蛍光面および、陽極電位が印加される陽極電極が形成され、背面基板内側には電子源が形成され、前記前面基板と前記背面基板とは支持体によって、間隔が保たれ、前記電子源からの電子が蛍光面に射突することによって画像が形成される表示装置であって、前記背面基板には貫通孔が形成され、前記貫通孔に高電圧導入端子が挿入され、前記高電圧導入端子は金属体と電気的に接続され、前記金属体は前記前面基板の陽極電極に電気的に接続し、前記背面基板の内側で、前記貫通孔の周辺には導電パターンが形成され、前記陽極電位は前記陽極電極と前記導電パターンに印加されており、前記導電パターンは前記背面基板の外側には延在せず、前記導電パターンと前記金属体の間には導電ペーストが形成され、前記導電ペーストは前記背面基板の外側には延在せず、前記貫通孔には真空を保つためのシール材が充填されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
前面基板の内側には蛍光面および、陽極電位が印加される陽極電極が形成され、背面基板内側には電子源が形成され、前記前面基板と前記背面基板とは支持体によって、間隔が保たれ、前記電子源からの電子が蛍光面に射突することによって画像が形成される表示装置であって、前記背面基板には貫通孔が形成され、前記貫通孔に高電圧導入端子が挿入され、前記高電圧導入端子は金属体と電気的に接続され、前記金属体は前記前面基板の陽極電極に電気的に接続し、前記背面基板の内側で、貫通孔の周辺には導電パターンが形成され、前記陽極電位は前記陽極電極と前記導電パターンに印加され、前記貫通孔には真空を保つためのシール材が充填されており、前記高電圧導入端子は前記背面基板の外側まで延在し、前記高電圧導入端子は背面基板の外側において、シリコン樹脂によって囲まれていることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板状の画像表示装置に係り、特に高圧導入部の信頼性の向上を図った画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高輝度、高精細に優れたディスプレイデバイスとして、従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、近年の情報処理装置やテレビ放送の高画質化に伴い、高輝度、高精細の特性をもつと共に軽量、省スペースの平面型画像表示装置（フラット・パネル・ディスプレイ、ＦＰＤ）の要求が高まっている。
【０００３】
その典型例として液晶表示装置、プラズマ表示装置などが実用化されている。又、特に、高輝度化が可能なものとして、電子源から真空への電子放出を利用した自発光型表示装置（例えば、電子放出型画像表示装置や電界放出型画像表示装置等と呼ばれるもの）や、低消費電力を特徴とする有機ＥＬディスプレイなど、種々の平面型画像表示装置の実用化も図られている。
【０００４】
平面型画像表示装置の中、自発光型のフラット・パネル・ディスプレイでは、電子源をマトリクス状に配置した構成が知られている。自発光型のフラット・パネル・ディスプレイでは、その冷陰極に、スピント型、表面伝導型、カーボンナノチューブ型、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の電子源などが用いられる。
【０００５】
平面型画像表示装置は、上記のような電子源を備えた背面基板と、蛍光体層とこの蛍光体層に電子源から放出される電子を射突させるための加速電極を形成する陽極を備えた前面基板と、両基板の対向する内部空間を所定の真空状態に封止する封止枠となる支持体とで構成される表示パネルが知られている。この表示パネルに駆動回路を組み合わせて画像表示装置を動作させる。
【０００６】
電子源を有する画像表示装置では、第１の方向に延在して第１の方向と交差する第２の方向に並設された多数の第１電極（例えば、カソード電極、画像信号電極）と、この第１電極を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された多数の第２電極（例えば、ゲート電極、走査信号電極）と、前記第１電極と前記第２電極との交叉部付近に設けられた電子源とを有する背面基板を備え、この背面基板は絶縁材からなる基板を有し、この基板上に前記電極が形成されている。
【０００７】
この構成で前記走査信号電極には前記第１の方向に走査信号が順次印加される。又、この基板上には走査信号電極と画像信号電極の各交差部付近に上記の電子源が設けられ、これら両電極と電子源とは給電電極で接続され、電子源に電流が供給される。この背面基板と対向して、前記対向する内面に複数色の蛍光体層と第３電極（アノード電極、陽極）とを備えた前面基板を有している。前面基板は、ガラスを好適とする光透過性の材料で形成される。そして、両基板の貼り合せ内周縁に封止枠となる支持体を介挿して封止し、当該背面基板と前面基板及び支持体で形成される内部を真空にして構成される。
【０００８】
電子源は前述のように第１電極と第２電極の交差部に有し、第１電極と第２電極との間の電位差で電子源からの電子の放出量（放出のオン・オフを含む）が制御される。放出された電子は、前面基板に有する陽極に印加される高電圧で加速され、同じく前面基板に有する蛍光体層に射突して励起することで当該蛍光体層の発光特性に応じた色光で発色する。
【０００９】
個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤(R)、
緑（G）、青（B）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【００１０】
前述したような平面型の画像表示装置では、一般的に背面基板と前面基板間の前記支持体で囲繞された表示領域内に複数の間隔保持部材（以下スペーサと言う）が配置固定され、前記両基板間の間隔を前記支持体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、
一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
【００１１】
また、封止枠となる支持体は背面基板と前面基板との内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着され封止領域となっている。両基板と支持体とで形成される表示領域内部の真空度は、例えば１０-3〜１０-5Ｐａである。
【００１２】
支持体と両基板との封止領域には、背面基板に形成された第１電極につながる第１電極引出端子や第２電極につながる第２電極引出端子が貫通する。通常、封止枠となる支持体はフリットガラスなどの封着部材で前記背面基板及び前面基板に固着される。第１電極引出端子や第２電極引出端子が封止枠と背面基板の気密封着部である封止領域を通して引き出されている。
【００１３】
また、他の電圧供給手段としては、例えば「特許文献１」には、前面パネルの内面に形成された陽極の陽極端子に一端を押圧接触させた陽極リードを、その他端をゲッター室に気密貫通させて外部に引き出すように構成した接続手段を設けた電界放出型表示装置が開示されている。また、「特許文献２」には、前面パネルの内面に形成された陽極の取り出し
配線に一端を接続した陽極リードを、その他端を背面パネルに気密貫通させて外部に引き出すように構成した画像形成装置が開示されている。
【００１４】
また、「特許文献３」及び「特許文献４」には、前面パネルの内面に形成された陽極の
陽極端子に一端を接続させた陽極リードを、隅部に貫通口を設けた背面パネルの貫通口内に絶縁部材を介して挿通させて外部に引き出すように構成した画像形成装置が開示されている。また、「特許文献５」には、前面パネルの内面に形成された陽極の陽極端子に一端
を接続させた陽極リードを、背面パネルの貫通口に設けた絶縁体内に挿通させて外部に引き出すように構成した画像表示装置が開示されている。また、「特許文献６」には、背面基板にスルーホールを設け、このスルーホールの上面、下面、および内側に導電部材を塗布する。前面基板に設けられた端子と背面基板に設けられた導電部材とを弾性構造で電気的に接続する。外部から背面基板に設けられた導電部材に高電圧を供給することにより、前面基板に形成されているアノードに高電圧を供給する構成が開示されている。
【００１５】
【特許文献１】特開平１０−３１４３３号公報
【特許文献２】特開平１０−３２６５８１号公報
【特許文献３】特開２０００−２６０３５９号公報
【特許文献４】特開２００３−９２０７５号公報
【特許文献５】特開２０００−３１１６３６号公報
【特許文献６】特開２００３−１１５２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
上記従来技術において、平面型画像表示装置では前面基板に高電圧を導入する構成が採られているが、前面基板は映視像面となるため、背面基板側から高電圧を導入し管内で前面基板に設けられた陽極に接続する構成が一般的である。この場合、背面基板からの高電圧導入端子は、背面基板のスルーホールを通って、アノードが存在する前面基板に達するが、背面基板側にはカソード、信号線等の低電圧配線が形成されているため、これらの配線と高電圧導入端子とのスパークが問題となっていた。これは、背面基板のスルーホール部には高電圧導入端子以外は絶縁物のみしか形成されていないため、この付近で電位が不安定になりやすいからである。
【００１７】
これに対して特許文献６では、背面基板のスルーホール部には導電膜を形成し、背面基板のスルーホール部の電位を安定化させようとするものである。しかし、この方式はスルーホール部の上面、内側、下面すべてに導電膜を形成する必要があるため、製造技術的に難しいという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
したがって、本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、本発明になる表示装置は具体的には下記のような構成をとる。
【００１９】
（１）前面基板の内側には蛍光面および、陽極電位が印加される陽極電極が形成され、背面基板内側には電子源が形成され、前記前面基板と前記背面基板とは支持体によって、間隔が保たれ、前記電子源からの電子が蛍光面に射突することによって画像が形成される表示装置であって、前記背面基板には貫通孔が形成され、前記貫通孔に高電圧導入端子が挿入され、前記高電圧導入端子は金属体と電気的に接続され、前記金属体は前記前面基板の陽極に電気的に接続し、前記背面基板の内側の貫通孔の周辺には導電パターンが形成され、前記陽極電位は前記陽極電極と前記導電パターンに印加され、前記貫通孔には真空を保つためのシール材が充填されていることを特徴とする表示装置。
（２）前記導電パターンと前記金属体との間には導電ペーストが形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（３）前記導電パターンの周囲には高抵抗膜が形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（４）前記陽極電極と前記金属体の間には導電ペーストが形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（５）前記陽極電極と前記金属体の間には前記陽極電極とは別材料の陽極パターンが形成されていることを特徴とする（１）に記載に表示装置。
（６）前記金属体の周辺に形成された前記陽極電極の周辺には高抵抗膜が形成されていることを特徴とする（１）または（５）に記載の表示装置。
（７）前記高抵抗膜の抵抗率は１０GΩ・ｃｍ〜１０００TΩ・ｃｍであることを特徴とする（３）および（６）に記載の表示装置。
（８）前記背面基板の内側の貫通孔の周辺には真空を保つためのシール材が形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（９）前記金属体は略円柱状であり、金属体の下部には、前記背面基板の貫通孔に挿入される凸部が形成されていることを特徴とする（１）に記載に表示装置。
（１０）前記金属体と前記高電圧導入端子とは一体で形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（１１）前記金属体は軸方向にバネ構造となっていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００２０】
（１２）前面基板の内側には蛍光面および、陽極電位が印加される陽極電極が形成され、背面基板内側には電子源が形成され、前記前面基板と前記背面基板とは支持体によって、間隔が保たれ、前記電子源からの電子が蛍光面に射突することによって画像が形成される表示装置であって、前記背面基板には貫通孔が形成され、前記貫通孔に高電圧導入端子が挿入され、前記高電圧導入端子は金属体と電気的に接続され、前記金属体は前記前面基板の陽極電極に電気的に接続し、前記背面基板の内側で、前記貫通孔に周辺には導電パターンが形成され、前記陽極電位は前記陽極電極と前記導電パターンに印加されており、前記導電パターンは前記背面基板の外側には延在せず、前記導電パターンと前記金属体の間には導電ペーストが形成され、前記導電ペーストは前記背面基板の外側には延在せず、前記貫通孔には真空を保つためのシール材が充填されていることを特徴とする表示装置。
【００２１】
（１３）前面基板の内側には蛍光面および、陽極電位が印加される陽極電極が形成され、背面基板内側には電子源が形成され、前記前面基板と前記背面基板とは支持体によって、間隔が保たれ、前記電子源からの電子が蛍光面に射突することによって画像が形成される表示装置であって、前記背面基板には貫通孔が形成され、前記貫通孔に高電圧導入端子が挿入され、前記高電圧導入端子は金属体と電気的に接続され、前記金属体は前記前面基板の陽極電極に電気的に接続し、前記背面基板の内側で、貫通孔の周辺には導電パターンが形成され、前記陽極電位は前記陽極電極と前記導電パターンに印加され、前記貫通孔には真空を保つためのシール材が充填されており、前記高電圧導入端子は。前記背面基板の外側まで延在し、前記高電圧導入端子は背面基板の外側において、シリコン樹脂によって囲まれていることを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【００２２】
上記各手段毎の効果は次のようである。
【００２３】
手段（１）によれば、高電圧導入パターンを背面基板の貫通孔周辺に設けたため、背面基板での電位分布が安定し、スパークの機会が大幅に減少する。また、高電圧導入端子を金属体に接続して設けたため、貫通孔壁部に導電物質を形成する必要がないのでプロセスが安定する。また、本発明によれば、貫通孔部は本質的にシール材のみ存在すればよいので、真空封止の信頼性が向上する。
【００２４】
手段（２）によれば、金属体と導電パターンとの間に導電ペーストが形成されているため、金属体と導電パターンとの電気的接続が安定するので、表示装置のスパークを抑止できる。
手段（３）によれば、高抵抗膜によって、貫通孔付近のスパークを防止できる。
手段（４）によれば、陽極電極と金属体との接触が安定するため、陽極電極の破損を防止できる。
手段（５）によれば、陽極電極とは別材料の金属体との導通に適した導電膜を使用できるので、陽極電位の供給が安定する。
手段（６）によれば、陽極電位を供給する金属体付近でのスパークを防止できる。
手段（７）によれば、高抵抗膜を最適値とすることにより、背面基板および前面基板での高電圧のスパークを防止できる。
手段（８）によれば、貫通孔付近を２重に封止するため、真空封止の信頼性が向上する。
（９）本発明によれば、金属体の位置が安定するため、製造歩留まり、および製品の信頼性が向上する。
手段（１０）によれば、金属体と高電圧導入端子が一体であるため、高電圧供給の信頼性が向上するとともに、作業性が向上する。
手段（１１）によれば、金属体が軸方向にバネ構造となっているため、前面基板と背面基板との電気的な接続が安定する。
手段（１２）によれば、導電パターンおよび導電ペーストは背面基板の外側には延在せず、貫通孔にはシール材のみが充填されるため、真空気密の信頼性が向上する。
手段（１３）によれば、背面基板の外側において高電圧導入端子の周りにはシリコン樹脂が存在しているため、背面基板裏側における沿面放電を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１乃至図４は本発明の画像表示装置の一実施例を説明するための図で、図１（ａ）は
前面基板側から見た平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図、図２は図１の前面基板を取り去って示す背面基板の模式平面図、図３は図１のＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図４は図２のＢ―Ｂ線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。
【００２７】
これら図１乃至図４において、参照符号１は背面基板、２は前面基板で、これら両基板１、２は厚さ数ｍｍ、例えば３ｍｍ程度のガラス板から構成されている。３は支持体で、この支持体３は厚さ数ｍｍ、例えば３ｍｍ程度のガラス板或はフリットガラスの燒結体から構成されている。４は排気管で、この排気管４は前記背面基板１に固着されている。前記支持体３は前記両基板１、２間の周縁部に周回して介挿され、両基板１、２とフリットガラスのような封着部材５を介して気密封着されている。前記両基板１、２は重畳方向（
Ｚ方向）で同軸配置されている。
【００２８】
この支持体３と両基板１、２及び封着部材５で囲まれた空間は前記排気管４を介して排気され、例えば１０-3〜１０-5Ｐａの真空を保持して表示領域６を構成している。又前記排
気管４は背面基板１を貫通して穿設された排気孔７と略同軸で連通し、前述のように前記背面基板１の外表面に取り付けられ、排気完了後封止される。
【００２９】
参照符号８は映像信号電極で、この映像信号電極８は背面基板１の内面に一方向（Ｙ方向）に延在し他方向（Ｘ方向）に並設されている。この映像信号電極８は端部に映像信号電極引出端子８１を有しており、この端子の先端部は支持体3と背面基板１との気密封着
部を気密に貫通して背面基板１の端部まで延在している。
【００３０】
次に、参照符号９は走査信号電極で、この走査信号電極９は前記映像信号電極８上でこれと交差する前記他方向（Ｘ方向）に延在し前記一方向（Ｙ方向）に並設されている。この走査信号電極９は端部に走査信号電極引出端子９１を有しており、この端子の先端部は前記支持体3と背面基板１との気密封着部を気密に貫通して背面基板１の端部まで延在している。また、これら映像信号電極８及び走査信号電極９と貫通孔７とは少なくとも３ｍｍ以上の間隔が確保出来るように設定する。この寸法より近接すると電極寸法に変動が生じる恐れがある。
【００３１】
次に、参照符号１０は電子源で、この電子源１０は前記走査信号電極９と映像信号電極８の各交差部近傍に設けられ、この電子源１０は前記走査信号電極９及び前記映像信号電極８と接続電極１１、１１Ａでそれぞれ接続されている。又、前記映像信号電極８と、電子源１０及び前記走査信号電極９間には層間絶縁膜ＩＮＳが配置されている。ここで、前記映像信号電極８は例えばＡｌ／Ｎｄ膜、走査信号電極９は例えばＩｒ／Ｐｔ／Ａｕ膜等が用いられる。
【００３２】
次に、参照符号１２はスペーサで、このスペーサ１２はセラミックス材から構成されており、長方形の薄板形状に整形され、この実施例では走査信号電極９上に１本おきに直立配置され、接着部材１３で両基板１、２と固定している。このスペーサ１２は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。
【００３３】
このスペーサ１２の寸法は基板寸法、支持体３の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔
、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した支持体３と略同一寸法
、厚さは数十μｍ〜数ｍｍ以下、長さは２０ｍｍ乃至１０００ｍｍ程度、好ましくは８０ｍｍ乃至１２０ｍｍ程度が実用的な値となる。又、このスペーサ１２は１０8〜１０9Ω・ｃｍ程度の抵抗値を有している。
【００３４】
前面基板の内面に赤色、緑色、青色用の蛍光体層１４が遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜１５で区画されて配置され、更にこれらを覆うように例えば蒸着方法で設けられた金属薄膜からなるメタルバック１６が形成され、これらにより蛍光面が構成されている。図１および図２の支持体で囲まれた部分の左下コーナーには本発明になる円柱状の金属体２１が形成されている。金属体２１に周辺には、後に述べる膜構造が形成されている。
【００３５】
図５は本発明における陽極電圧の供給の方法を示す。背面基板１には貫通孔２０が形成されている。この孔は枠である支持体よりも内側に形成される。背面基板１に形成された導電パターン２２と前面基板２に形成された導電パターン２２とを金属体２１で電気的に接続する。金属体２１には高電圧導入端子２６から高電圧が供給される。本発明の特徴は陽極電圧は背面基板１の貫通孔２０の上部、すなわち、背面基板１の真空側に形成された導電パターンにも供給される点である。あらかじめ決められた導電パターンに常に電位があたえられることにより、背面基板１の貫通孔２０付近の電位が不安定になるのを避け、スパークの機会を減らすことができる。少なくとも背面基板１側では前記金属体２１は導電性接着材によって背面基板１と接合している。この導電性接着材は金属体２１と導電パターン２２との電気的導通をより確実にする役割をもっている。また、この導電性接着材は前記高電圧導入端子２６と金属体２１との電気的接続を確実にとる役目もしている。
【００３６】
背面基板１の貫通孔２０付近の詳細な構成を、図６、図７を用いて説明する。図６は背面基板１の貫通孔２０付近の模式断面図である。図７は、背面基板１の上側、すなわち、真空側の各層の平面図である。
【００３７】
図６において、貫通孔２０の上部周辺には導電パターン２２が円状に形成される。この導電パターン２２はＣｒ、ＡＬなどのスパッター膜がよいが、印刷で形成してもよい。この導電膜の上に導電性ペーストが形成される。この導電性ペーストはＡｇ、ＡＬ、Ａｕ等の低抵抗の材料を分散させたものがよい。この導電性ペーストは金属体２１と導電パターン２２との電気的導通を確実にするとともに、金属体２１を背面基板１の貫通孔２０付近に固定する役割を持つ。
【００３８】
前面基板２と背面基板１の貫通孔２０付近の導電パターン２２との電気的接続は金属体２１によってなされる。金属体２１は円柱状であり、径は背面基板１の貫通孔２０の径よりも大きい。金属体２１の材料は、ガラスと熱膨張係数が近い材料が望ましい。例えば、４２％Ｎｉ‐６％Ｃｒ‐５２％Ｆｅなどがよい。金属体２１の熱膨張係数がガラスと大きく異なると、背面基板１にクラックが生ずる。
【００３９】
金属体２１を背面基板１に固定する導電ペースト２３は、外部からの高電圧導入端子２６を固定し、金属体２１と高電圧導入端子２６との接続を確実にする役割も持つ。本実施例における高電圧導入端子２６は、断面形状はT型であるが、形状は上面が円盤状でその下に断面が円の線がつながっている。上面を円盤状としたのは、導電性ペーストとの接触面積を大きくして、確実にアノード電圧を供給できるようにするためである。高電圧導入端子２６の材料もガラスと熱膨張係数が近い材料が望ましい。例えば、42％Ni-６％Cr-５２％Feなどがよい。高電圧導入端子２６の熱膨張係数がガラスと大きく異なると、背面基板１の貫通孔２０付近にクラックが生ずる。
【００４０】
高電圧導入端子２６と金属体２１とが導電性ペーストによって電気的導通がとられたあと、背面基板１の貫通孔２０にはシール材としてのフリットガラス２５が充填される。真空封止のためである。ここで、フリットガラス２５は孔を充填すればよいので、作業は容易であり、封止の信頼性も高い。真空封止は貫通孔２０にフリットガラス２５を充填するだけでも十分であるが、より、信頼性を上げるために、背面基板１の内側にもフリットガラス２５を形成する。この場合、フリットガラス２５は、貫通孔２０の周辺に形成された導電性ペーストおよび金属体２１を覆って形成する。
【００４１】
以上のように、背面基板１内側の貫通孔２０付近には、導電パターン２２、導電ペースト２３、封止用フリットと、３種類の薄膜または厚膜が形成されるが、この中で、導電パターン２２が最下層で、また、最も面積がひろく、他の膜よりも外方に延在する。背面基板１には走査信号電極、画像信号電極等の電位の低い配線が存在しており、高電圧の印加される導電パターン２２とスパークを生ずる危険がある。このスパークを防止するために、導電パターン２２の周辺に高抵抗膜２４を形成する。この高抵抗膜２４は導電パターン２２とオーバーラップして形成する。
【００４２】
高抵抗材料として好ましい材料は、例えば、「べんがら」と呼ばれている、酸化鉄である。酸化鉄には限らないが、抵抗率として、１０ＧΩ・ｃｍ〜１０００ＴΩ・ｃｍ程度の範囲の材料であればよい。この高抵抗材料は、導電パターン２２に印加される高電圧が、導電パターン２２の周辺で急激に変化するのを防止し、高抵抗材料をとおして除除に変化させることによって、導電パターン２２周辺のスパークを防止するものである。
【００４３】
図７に背面基板１の貫通孔２０周辺に形成された複数の膜のみの平面模式図を示す。各膜は同心円状に形成される。まず、導電パターン２２が円状に形成される。この上に導電ペースト２３を円状に形成する。この導電ペースト２３は貫通孔２０をブリッジした形で形成される。この導電ペースト２３は円柱状の金属体２１の下部に塗布することにより、貫通孔２０を導電ペースト２３が塞ぐことになる。導電ペースト２３を貫通孔２０部に形成する他の方法は、高電圧導入端子２６を貫通孔２０に挿入するまえに、高電圧導入端子２６の先端の円盤部に塗布をしてもよい。あるいは、高電圧導入端子２６挿入前に導電ペースト２３を貫通孔２０の１部に充填してもよい。いずれにせよ、貫通孔２０の導電ペースト２３は金属体２１と高電圧導入端子２６の電気的導通をとることである。導電ペースト２３を塗布後、焼成して、金属体２１および高電圧導入端子２６を貫通孔２０に固定する。
【００４４】
高抵抗膜２４は導電パターン２２の周囲に導電パターン２２と同心円状に印刷によって形成される。高抵抗膜２４の塗布は、前記導電ペースト２３の焼成前に行えば、高抵抗膜２４の焼成と導電ペースト２３の焼成を同時におこなうことができる。高抵抗膜２４は導電パターン２２とオーバーラップして形成されるが、オーバーラップ量は幅１ｍｍ程度、オーバーラップしない部分は幅５ｍｍ程度とるのが望ましい。オーバーラップの量はプロセスの裕度により決められる。また、オーバーラップしない部分の幅はスパークに対する裕度、あるいは、高抵抗膜２４の低効率によって決められる。
【００４５】
その後、表示パネルの内部を真空に保つためのシール材としてのフリットガラス２５が貫通孔２０に充填される。同時に、シール材たるフリットガラス２５が導電ペースト２３、および金属体２１の１部を覆って背面基板１の内側にも形成される。シール材たるフリットガラス２５は、枠部材としての支持体、間隔保持部材等を背面基板１、前面基板２に固定するさいの接着部材と同一の材料でもよいので、これらの接着部材を焼成するときに同時に焼成すればよい。
【００４６】
図８は金属体２１が接続する前面基板２側の断面模式図である。図８における陽極パターン２７は図３に示すメタルバック１６を延在させてそのまま用いてもよい。メタルバック１６が十分な膜厚でない場合、強度が十分でない場合等は、背面基板１側のように、スパッター等により、メタルバック１６とは別途に形成する。
【００４７】
金属体２１と陽極パターン２７が直接接触すると点接触になりやすく、しかもこの接触部には電流が集中するので陽極への高電圧の供給が不安定になる。そこで、金属体２１と接触する部分には導電ペースト２３が印刷により形成される。前面基板２の高電圧の供給部分には陽極電流が集中するため、導電ペースト２３のような、厚膜を形成すれば、電流の集中を抑え、安定した動作が可能である。導電ペースト２３の材料は背面基板１側と同じものでよい。導電ペースト２３は円状にかつ、しかし、金属体２１より大きな面積で塗布される。プロセスの裕度のためである。
【００４８】
陽極パターン２７の外側には高抵抗膜２４が形成される。この高抵抗膜２４は背面基板１側のものと同じ材料でよい。高抵抗膜２４の働きは背面基板１側を同じように、陽極パターン２７の周辺で電位が急激に変化するのを抑え、高抵抗膜２４によって、電位を徐々に変化させるものである。ただし、陽極側では蛍光面が形成されている側にはメタルバック１６が形成されているので、高抵抗膜２４は必要ない。したがって、陽極側では図９に示すように、陽極パターン２７の外側に形成すればよい。高抵抗膜２４と陽極パターン２７がオーバーラップする点、また高抵抗膜２４の幅は５ｍｍ程度が望ましい点も背面基板１側と同じである。図９では背面基板１と前面基板２を導通する金属体２１付近にのみ高抵抗膜２４を形成したが、メタルバック１６の周辺全体にわたって同様に形成すれば、スパークの危険をさらに小さくすることができる。
【実施例２】
【００４９】
図１０に本発明の第２の実施例の断面図を示す。実施例２においては、金属体２１の先端に凸部を形成し、その凸部を背面基板１の貫通孔２０に挿入する。これによって、金属体２１の位置決めを容易にすることができる。同時に、凸部によって、金属体２１がプロセス中に倒れる等の不具合を防止することができる。この場合、金属体２１の凸部の周辺には導電ペースト２３を形成し、そのあと、シール材としてフリットガラス２５を充填することは実施例１と同じである。
【００５０】
第２の実施例では、高電圧導入端子２６が背面基板１から露出するのを防止するため、高電圧導入端子２６の周辺を絶縁特性に優れたシリコン樹脂２８で囲む点である。このシリコン樹脂２８のもうひとつの役割は、高電圧が背面ガラスの外側表面から沿面放電をするのを防止することである。すなわち、高電圧導入端子２６を直接ソケット等で接続した場合、高電圧導入端子２６が外部に直接さらされることは防止できるが、背面ガラスを伝わる沿面放電に対しては無防備である。陽極電圧は７KVから１０KVが印加されるため、背面ガラス基板が汚れていたり、湿度が高かったりすると、沿面放電は深刻な問題となる。
【００５１】
本発明では、高電圧導入端子２６の周辺にはシリコン樹脂２８が設置されているため、背面ガラス面を通る沿面放電を防止することができる。シリコン樹脂２８は対沿面放電には優れた特性を有するので、シリコン樹脂２８の表面をとおる沿面放電はおこらない。沿面放電をさらに確実に防止するためには、図１０に示すように、高電圧導入端子２６の周辺にシリコン樹脂２８の凹部を形成し、この凹部に高電圧導入端子２６を入れておけば、シリコン樹脂２８を通る沿面距離は大きくなり、沿面放電に対してさらに信頼性を上げることができる。
【実施例３】
【００５２】
図１１に本発明の第３の実施例をしめす。実施例３では、金属体２１と高電圧導入端子２６を一体に形成する。これによって、金属体２１と高電圧導入端子２６との電気的接続を確実にすることができる。また、プロセス中での高電圧導入端子２６の接着等の工程を省略できる。
【００５３】
この場合に金属体２１と高電圧導入端子２６との一体部品は、かならずしも一体として成型する必要はない。金属体２１を高電圧導入端子２６を別々に形成して、組み合わせたものを使用してもよい。組み合わせは、導電性接着剤を使用してもよいし、双方が金属であれば、スポット溶接を使用してもよい。
【００５４】
実施例３においては、金属体２１と高電圧導入端子２６が一体となっているので、導電ペースト２３は貫通孔２０周囲に印刷で形成すればよい。この場合、貫通孔２０にはフリットガラス２５だけを充填すればよい。その他の膜の構成、は第１の実施例と同じである。また、背面基板１外側において、高電圧導入端子２６をシリコン樹脂２８で囲う点は実施例２と同じである。
【実施例４】
【００５５】
図１２に本発明の第４の実施例の断面図をしめす。実施例４では、金属体２１として、軸方向にバネ構造を設けている。バネ構造２１１を設けることによって、金属体２１は前面基板２および背面基板１に常に押し当てられる構造となるため、電気的導通を確実にとることができる。
【００５６】
この場合のバネ構造はコイル状のバネでもよいし、板状のバネでもよい。電気的安定性のためには、このバネ構造は金属体２１の中間に設けるのがよい。金属体２１の下面は背面基板１の導電パターン２２と、上面側は陽極パターン２７と確実に導通をする必要があるため、上面、下面ともフラットであることが望ましいからである。
【００５７】
このような構造の場合、金属体２１は背面基板１の貫通孔２０周辺に常に押し当てられる構造となっているために、導電パターン２２と金属体２１との接触は良好に保たれるため、導電ペースト２３は必ずしも必要ではない。しかし、陽極側では陽極電流がながれるので、点接触となるのを避けるため、導電ペースト２３は必要である。
【００５８】
背面基板１の貫通孔２０付近に導電ペースト２３を設けない場合、金属体２１と高電圧導入端子２６をあらかじめ一体としておくことは必須である。製造プロセスにおいて、背面基板１に対して導電ペースト２３を塗布する工程を完全に省略できるからである。金属体２１と高電圧導入端子２６を一体化する方法については実施例３で述べた方法と同じである。この場合には、貫通孔２０にはシール材としてのフリットガラス２５が充填される。
【００５９】
背面基板１の貫通孔２０の外側において、高電圧導入端子２６をシリコン樹脂２８で囲うことについては実施例２と同じである。また、背面基板１の貫通孔２０の内側のその他の膜構造、前面基板２の陽極パターン２７付近の構造は実施例１と同じである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の画像表示装置の一実施例を説明するための図で、図１（ａ）は前面基板側から見た平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図である。
【図２】図１の前面基板を取り去って示す背面基板の模式平面図である。
【図３】本発明が適用される表示装置の模式断面図である。
【図４】図２のA―A線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。
【図５】本発明による高電圧供給部分を示す断面模式図である。
【図６】図５のA部拡大図である。
【図７】背面基板に形成された貫通孔付近の膜構造である。
【図８】図５のB部拡大図である。
【図９】前面基板における陽極電圧が供給される部分の拡大平面図である。
【図１０】本発明の他の実施例である。
【図１１】本発明のさらに他の実施例である。
【図１２】本発明のさらに他の実施例である。
【符号の説明】
【００６１】
１・・・背面基板、２・・・前面基板、３・・・支持体、４・・・排気管、５・・・封着部材、６・・・表示領域、７・・・排気孔、８・・・画像信号電極、８１・・・画像信号電極引出端子、９・・・走査信号電極、９１・・・走査信号電極引出端子  、１０・・
・電子源、１１，１１Ａ・・・接続電極、１２・・・間隔保持部材、１３・・・接着部材
１４・・・蛍光体層、１５・・・ブラックマトリクス膜、１６・・・メタルバック１６（陽極電極）、２０・・・貫通孔、２１・・・金属体、２２・・・導電パターン、２３・・・導電ペースト、２４・・・高抵抗膜、２５・・・シール材、２６・・・高電圧導入端子、２７・・・陽極パターン、２８・・・シリコン樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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