(57)【要約】【課題】突起電極の実装時において導電層と対向電極との接着力不足による導電接続状態の悪化を防止して、確実な導電接触状態を維持することにより電気的信頼性の向上を図る。【解決手段】本発明の半導体装置は、樹脂よりなる突出体１３と、該突出体上に形成された導電層１４とを備えた突起電極Ｐを有する半導体装置において、前記突起電極の前記突起電極が対向電極に接続されたときに該対向電極と当接する領域の表面に凹所１４ｃ、１３ｃが設けられていることを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された導電層とを備えた突起電極を有する半導体装置において、前記突起電極が対向電極に接続されたときに該対向電極と当接する領域の表面に凹所が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記凹所内には前記突出体が露出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凹所は前記導電層を貫通して前記突出体に設けられた凹部を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
樹脂よりなる突出体と該突出体上に形成された導電層とを備えた突起電極を有する第１電子部品と、前記突起電極に対向する対向電極を有する第２電子部品とが、前記突起電極の少なくとも前記対向電極と当接する領域が押しつぶされた状態で導電接続されてなる実装構造体において、
前記突起電極の対向電極と当接した領域の表面に凹所が設けられ、
前記凹所内に配置された接着剤により前記突起電極と前記対向電極とが接着されていることを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
前記突起電極と前記対向電極とが当接する全面積に対する前記凹所の開口面積比が５〜５０％の範囲内であることを特徴とする請求項４に記載の実装構造体。
【請求項６】
前記接着剤は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項４又は５に記載の実装構造体。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置を実装してなる電気光学パネルを具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の実装構造体を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の電気光学装置を搭載してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された導電層とを備えた突起電極を有する電子部品の製造方法において、
基体上に前記突出体を形成する工程と、
前記突出体の上に、対向電極に接続されたときに該対向電極と当接する領域に開口部を備えた前記導電層を形成する工程と、
前記導電層をマスクとして前記突出体を除去し、前記開口部内に前記突出体の凹部を設けて凹所を形成する工程と、
を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記導電層を形成する工程では、前記突出体の上に、前記開口部をそれぞれ備えた複数の導電層を形成し、
前記凹所を形成する工程では、前記突出体の前記複数の導電層の間に露出した部分の少なくとも一部を除去する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電子機器、及び、電子部品の製造方法に係り、特に、電子部品に設けられた突起電極の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置等の各種電子部品には、基体の表面上に突設された突起電極（バンプ電極）を備えたものが知られている。この突起電極は、被実装側の基板等に密着させて導通を図るためのものであるが、一般的にはシード電極上にＡｕなどの金属を厚くめっきすることなどによって形成された金属バンプ電極が用いられている。このような突起電極を用いた実装方法としては、例えば、各種表示体の基板上に駆動用ＩＣを実装する方法が知られている。
【０００３】
また、上記突起電極として、基板上に樹脂製の突出体を形成し、この突出体の表面に導電層を形成したものを用いることが提案されている（例えば、以下の特許文献１参照）。この種の突起電極には、従来の金属バンプ電極に比べて薄い導電層を用いることができるために微細なパターニングが可能になって電極の狭ピッチ化を図ることができ、また、樹脂製の突出体を用いることで突出体の弾性変形を利用して安定なコンタクト圧を確実に得ることができるために電気的信頼性を向上できるなどという利点がある。
【特許文献１】特開２００５−１０１５２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、前述の特許文献１に記載の突起電極を用いて実装を行う際には、電子部品（半導体装置）と被実装側の基板との間に熱硬化型の接着剤（絶縁樹脂）を配置し、電子部品を基板上に加圧しながら加熱することにより接着剤を一時的に軟化させて突起電極と基板上の対向電極とを当接させて突起電極の頂部を押しつぶした状態とし、この状態で接着剤が熱硬化することで、その接着力により導電接続状態が維持されるようになる。
【０００５】
しかしながら、上記の導電接続状態において、突起電極と対向電極とが直接に接触した当接範囲には接着剤が介在していないため、接着力がほとんど発生せず、突起電極の頂部が押しつぶされることで突出体の樹脂が弾性変形して生じた弾性復元力のみで突起電極と対向電極との間のコンタクト圧が確保されている。したがって、上記の弾性復元力が不足すると、突起電極と対向電極との圧接状態が維持できなくなり、導電接続状態が悪化し、接続抵抗のばらつきや増大を招くという問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、突起電極の実装時において導電層と対向電極との接着力不足による導電接続状態の悪化を防止して、確実な導電接触状態を維持することにより電気的信頼性の向上を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
斯かる実情に鑑み、本発明の半導体装置は、樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された導電層とを備えた突起電極を有する半導体装置において、前記突起電極が対向電極に接続されたときに該対向電極と当接する領域の表面に凹所が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、突起電極が対向電極に接続されたときに該対向電極と当接する領域（例えば頂部）の表面に凹所が設けられていることにより、突起電極の実装時において突起電極が対向電極に当接し、変形したときに、接着剤が凹所内において突起電極と対向電極との間に介在することとなるため、当接範囲内の接着力が増大することから、導電接続状態の悪化が抑制されるので、実装部の接続抵抗のばらつきや増大を抑制することができる。
【０００９】
本発明において、前記凹所内には前記突出体が露出していることが好ましい。これによれば、凹所内の接着剤が突出体の樹脂に直接に接着されることとなるため、当接範囲内の接着力を増加させることができる。
【００１０】
本発明において、前記凹所は前記導電層を貫通して前記突出体に設けられた凹部を含むことが好ましい。凹所が導電層を貫通して突出体の凹部を含むように形成されることで、接着剤と突出体との接着面積をさらに増大させることができるため、接着力をさらに増大させることができる。
【００１１】
次に、本発明の実装構造体は、樹脂よりなる突出体と該突出体上に形成された導電層とを備えた突起電極を有する第１電子部品と、前記突起電極に対向する対向電極を有する第２電子部品とが、前記突起電極の少なくとも前記対向電極と当接する領域が押しつぶされた状態で導電接続されてなる実装構造体において、前記突起電極の対向電極と当接した領域の表面に凹所が設けられ、前記凹所内に配置された接着剤により前記突起電極と前記対向電極とが接着されていることを特徴とする。
【００１２】
ここで、前記接着剤は、前記突起電極の頂部と前記対向電極との当接範囲外においても前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に介在して両者を接着していることが好ましい。
【００１３】
本発明において、前記突起電極と前記対向電極とが当接する全面積に対する前記凹所の開口面積比が５〜５０％の範囲内であることが好ましい。これによれば、凹所を設けることによる接着力の増大を図りつつ、突起電極と対向電極との接触面積を確保することができるため、良好な導電接続性と電気的信頼性を得ることができる。
【００１４】
本発明において、前記接着剤は熱硬化性樹脂であることが好ましい。これによれば、加圧加熱処理によって突起電極と対向電極とを容易かつ確実に導電接続させることができる。
【００１５】
次に、本発明の電気光学装置は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置を実装してなる電気光学パネルを具備することを特徴とする。電気光学パネルとしては、液晶パネル、電気泳動パネル、有機ルミネッセンスパネルなどが挙げられる。特に、ガラス基板等の硬質基板を用いたパネルに上記半導体装置を実装する場合には、当該硬質基板上に形成される接続パッド側の変形は期待できないので、半導体装置側の上記樹脂よりなる突出体を含む突起電極を用いる意義がある。
【００１６】
また、本発明の他の電気光学装置は、上記の実装構造体を含むものである。ここで、実装構造体の第２電子部品としては、電気光学パネル、或いは、電気光学パネルに実装された配線基板等が挙げられる。
【００１７】
次に、本発明の電子部品（半導体装置）の製造方法は、樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された導電層とを備えた突起電極を有する電子部品の製造方法において、基体上に前記突出体を形成する工程と、前記突出体の上に、対向電極に接続されたときに該対向電極と当接する領域に開口部を備えた前記導電層を形成する工程と、前記導電層をマスクとして前記突出体を除去し、前記開口部内に前記突出体の凹部を設けて凹所を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、導電層をマスクとして突出体を除去し、導電層の開口部内に突出体の凹部を設けて凹所を形成することで、導電層を貫通して突出体に形成されてなる凹部を含む凹所を容易に形成できる。
【００１９】
この場合において、前記導電層を形成する工程では、前記突出体の上に、前記開口部をそれぞれ備えた複数の導電層を形成し、前記凹所を形成する工程では、前記突出体の前記複数の導電層の間に露出した部分の少なくとも一部を除去することが好ましい。これによれば、突出体上に複数の導電層を形成した後に、凹所の形成とともに導電層の間の部分を除去することで、複数の突起電極を狭ピッチで配列形成することが可能になるとともに、実装時において接着剤の流動性を確保することができる。また、このように構成しても製造工程数は増加しないので、製造時間及び製造コストの増加を抑制できる。特に、これによって前記導電層ごとに独立した頂部が形成されることが望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
［電子部品（半導体装置）の構成］
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は本実施形態の電子部品、若しくは、半導体装置の部分平面図、図２は同電子部品、若しくは、半導体装置の部分縦断面図である。本実施形態では、単結晶シリコン等の半導体基板などで構成される基体１０の表面上に、アルミニウム等よりなるベース電極１１が形成され、さらに、ベース電極１１の一部を露出する開口部１２ａを有する絶縁層１２が酸化シリコンや窒化シリコン等により形成されている。絶縁層１２上には突起電極Ｐが形成されている。この突起電極Ｐは、以下に詳述する突出体１３及び導電層１４で構成される。
【００２１】
絶縁層１２上には、上記ベース電極１１或いは開口部１２ａを避けた領域において樹脂よりなる突出体１３が形成されている。この突出体１３は基体１０の表面上より突出した形状を有するものであればよく、図示例のように半球状に限らず、表面に沿った軸線を有する半円柱状、表面と直交する軸線を有する角柱状や円柱状に形成されていてもよい。突出体１３は、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの各種樹脂によって形成することができる。特に、上記各種素材よりなる感光性樹脂で形成されたものであることが好ましい。また、感光性樹脂としては、露光条件の調整によって形状を制御可能なアクリル系感光樹脂を用いることが望ましい。さらに、突出体の表面は、後述する導電層１４との密着性を高めるために粗面化されていることが好ましい。
【００２２】
突出体１３の突出量は実装方法や実装部の特性等によって適宜に設定されるが、一般的には５〜１０００μｍの範囲内であり、半導体装置としては５〜５０μｍ、特に、１０〜２０μｍ程度とされることが好ましい。
【００２３】
突出体１３上には導電層１４が形成され、この導電層１４は上記開口部１２ａ上まで伸びて、上記ベース電極１１に導電接続されている。導電層１４の厚みは、一般的には１００ｎｍ〜１μｍの範囲内であるが、特に、３００〜８００ｎｍの範囲内であることが好ましい。本実施形態において、導電層１４は下地層１４ａと表面導電層１４ｂの２層が積層されてなる積層構造とされている。
【００２４】
ここで、下地層１４ａは導電性素材よりなるものに限られないが、導電性素材で構成されることが好ましく、当該導電性素材としては、例えば、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ等が挙げられる。下地層１４ａは主として突出体を構成する樹脂との密着性を高めるためのものであるが、ベース電極１１を構成する金属素材（例えばアルミニウム）の拡散を防止する拡散防止層としても機能するもの（例えばＴｉＷ）であることがより望ましい。下地層１４ａの厚みは１００〜１５０ｎｍ程度であることが望ましい。なお、本実施形態では導電層１４を２層構造としているが、導電層１４が単層（例えば単一の金属層）で構成されていてもよいことはもちろんである。
【００２５】
表面導電層１４ｂは、後述する対向電極との接触抵抗が小さいなど、電極表面としての好適な機能を有する導電性素材で構成される。このような導電性素材としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ，Ｃｕ、Ｐｔなどが挙げられる。表面導電層１４ｂとしては、上記の導電接続性以外に、耐食性が良好な素材（Ａｕ，Ｐｔなど）であることがさらに望ましい。表面導電層１４ｂの厚みは３００〜６００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００２６】
なお、上記のようにして形成された突起電極Ｐを図示例では一つのみ描いてあるが、通常、電子部品（半導体装置）の実装面上には複数の突起電極Ｐが配列された形で形成される。
【００２７】
突起電極Ｐの頂部（すなわち、突起電極が対向電極に接続されたときに該対向電極と当接する領域）において導電層１４には開口部１４ｃが形成されている。この開口部１４ｃを形成することで、突起電極Ｐの頂部の表面に導電層１４の厚みに相当する深さの凹所が形成される。この凹所は、後述するように、実装状態において対向電極との当接範囲内において接着剤を介在させることで、上記当接範囲内の接着力を高め、これによって導電接続部の接続抵抗のばらつきや増大を抑制するためのものである。
【００２８】
図３（ａ）は突起電極Ｐの他の例を示す概略斜視図である。上記のように複数の突起電極Ｐをそれぞれ突出体１３及び導電層１４が独立して形成された形で配列させてもよいが、図３に示す例では、共通の突出体１３を配列方向に延在した形状（図示例では半円柱形状）とし、この突出体１３上に複数の導電層１４を配列形成したものである。これによって単一の突出体１３上に複数の突起電極Ｐが形成されるため、複数の突起電極Ｐを狭ピッチで配列させることができる。それぞれの導電層１４には上記と同様に開口部１４ｃが形成されているので、各突起電極Ｐの頂部の表面には凹所が形成されている。
【００２９】
図３（ｂ）は図３（ａ）に示す構造に対して、導電層１４をマスクとして酸素プラズマ処理を施すことなどによって突出体１３を一部除去した後の構造を示す。この図３（ｂ）に示す構造では、導電層１４で被覆されていない突出体１３の表面が全て所定厚み分だけ除去され、上記開口部１４ｃの内部に突出体１３の凹部１３ｃが形成されているとともに、導電層１４の間の領域に突出体１３の凹溝部１３ｄが形成されている。この場合、開口部１４ｃと凹部１３ｃは突起電極Ｐの頂部の表面に形成された凹所を構成している。これによって、凹所を深く形成することができ、しかも、接着剤と突出体の樹脂との接着面積を増大させることができるため、実装時における接着力を高めることが可能になる。また、各突起電極Ｐの間には凹溝部１３ｄが形成されるので、各導電層１４がそれぞれ凹溝部１３ｄにより互いに独立した形状の突出体１３の頂部上に形成されることとなり、これによって複数の突起電極Ｐのピーク形状の独立性がより高められるため、実装時における接着剤の流動性をより良好にすることができる。
【００３０】
図４は、図２に対応する形状（半球形状）の突起電極Ｐにおいて、図３（ｂ）に示すものと同様に突出体１３の頂部に凹部１３ｃを形成し、開口部１４ｃと凹部１３ｃとで突起電極Ｐの頂部の表面に凹所を形成するようにした例を示す。この場合、凹部１３ｃの露出面積が増大することによって図示しない接着材と突出体１３の樹脂との接着面積を増加させることができることがわかる。
【００３１】
［電子部品（半導体装置）の製造方法］
次に、図５乃至図９を参照して、上述の電子部品（半導体装置）の製造方法の実施形態について詳細に説明する。本実施形態の製造方法は、図５に示すように、基体１０の表面上に蒸着法、スパッタリング法等を用いてアルミニウム等よりなるベース電極１１を形成する。このベース電極１１はエッチング等によるパターニング処理で基体１０上の各種配線等と共に形成することができる。その後、基体１０及びベース電極１１上に、ＣＶＤ法、スパッタリング法等により絶縁層１２を形成し、パターニング処理によってベース電極１１を露出させるための開口部１２ａを形成する。
【００３２】
その後、図６に示すように、絶縁層１２上に感光性樹脂１３Ｘを塗布し、開口部１３ａを備えた露光マスク１３Ｙを用いて露光処理を施し、その後、現像処理を施すことによって図７に示すように突出体１３を形成する。図示例では開口部１３ａに対応する部分の感光性樹脂１３Ｘが残存して突出体１３が形成される例を示してある。なお、感光性樹脂１３Ｘとして露光量を制御することで残存厚みが調整できる感光性材料（例えば、アクリル系感光性樹脂）を用いることにより、単純な開口形状を有する開口部１３ａで図示のような上窄まり形状の突出体１３を容易に形成できる。
【００３３】
ここで、突出体１３の表面を粗面化することが好ましい。突出体１３の表面の粗面化は、例えば、酸素ガスを用いたプラズマ処理で実施することができる。当該表面の表面粗さＲａが５０〜５００ｎｍの範囲であることが好ましく、特に、１００〜１５０ｎｍ程度であることが望ましい。
【００３４】
しかる後に、図８に示すように導電層１４を形成する。図示例の場合、下地層１４ａと表面導電層１４ｂを蒸着法やスパッタリング法により順次に形成する。下地層１４ａ及び表面導電層１４ｂはめっき処理（無電解めっき又は電解めっき）により形成してもよい。
【００３５】
次に、突起電極Ｐからベース電極１１に至る範囲をレジスト等で形成したマスク１５で被覆し、エッチング処理（ウエットエッチングでもドライエッチングでもよい。）により図９に示すように表面導電層１４ｂの不要部分を除去する。このとき、マスク１５に開口部１５ａを形成し、突起電極Ｐの頂部に相当する位置にある導電層１４を露出させることで、このパターニング工程において上記開口部１４ｃの上半部を構成する開口部１４ｂｃが同時に形成される。
【００３６】
その後、パターニングされた表面導電層１４ｂをマスクとして、下地層１４ａのパターニング処理を行う。ここで、パターニング処理は、下地層１４ａを除去することはできるが、表面導電層１４ｂを除去することは実質的にできない方法、例えば、所定のエッチング液を用いるウエットエッチング、或いは、上記の選択性を有する反応性ドライエッチング等で行う。表面導電層１４ｂには上記開口部１４ｂｃが形成されているので、このパターニング工程において下地層１４ａにも開口部が形成され、これによって上記の開口部１４ｃ（図１乃至図４参照）が完成される。
【００３７】
なお、上記においては図１及び図２又は図３（ａ）に示す構造の突起電極Ｐを形成する製造方法を説明したが、図３（ｂ）又は図４に示す構造の突起電極Ｐを形成する場合には、図３（ａ）又は図２に示す構造を形成した後に、酸素プラズマ処理等によって導電層１４をマスクとして突出体１３をエッチングし、上記の凹部１３ｃ及び凹溝部１３ｄを形成する。
【００３８】
なお、本実施形態の場合、下地層１４ａ（ＴｉＷ）はベース電極１１（Ａｌ）と表面導電層１４ｂ（Ａｕ）との間に介在し、熱処理等によってベース電極１１の原子（Ａｌ原子）が表面導電層１４ｂ内へ拡散することを防止する拡散防止膜としても機能する。
【００３９】
本実施形態の製造方法で開口部１４ｃと凹部１３ｃで構成される凹所を設ける場合には、導電層１４をマスクとして突出体１３のエッチングを行うことで、凹部１３ｃ及び凹溝部１３ｄを容易に形成することができる。
【００４０】
［実装構造体及び電気光学装置の構成］
次に、図１０乃至図１２を参照して、本発明の実装構造体及び電気光学装置の実施形態について詳細に説明する。図１１は電気光学装置の一例を示す概略斜視図、図１０及び図１２は実装構造を拡大して示す拡大部分断面図である。
【００４１】
図１１に示すように、本実施形態の電気光学装置１００は、液晶表示体（液晶パネル）を備えた液晶装置であり、ガラス等よりなる透明な基板１１０と１２０をシール材１３０で貼り合わせ、基板１１０と１２０の間に液晶を配置したものである。シール材１３０は駆動領域Ａを取り囲むように形成され、液晶を注入する開口部１３０ａが封止材１３１によって閉鎖されている。
【００４２】
基板１１０は、ガラスやプラスチック等の基材１１１の内面上に、ＡｌやＡｇ等の金属その他の反射性材料からなる反射層、カラーフィルタ、絶縁膜、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる電極１１６、ポリイミド樹脂等からなる配向膜等を必要に応じて適宜に積層したものである。
【００４３】
一方、基板１２０は、ガラスやプラスチック等の基材１２１の内面上に、配線１２２及びこれに接続された素子（ＴＦＤ等の二端子非線形素子、或いは、ＴＦＴ等の三端子非線形素子）、絶縁層、透明導電体からなる電極、ポリイミド樹脂等からなる配向膜等を必要に応じて適宜に積層したものである。
【００４４】
基板１１０上に設けられた電極と、基板１２０上に設けられた電極とが平面的に交差する領域は、両電極に挟まれた液晶の配向状態を独立して制御可能な画素を構成し、図示の駆動領域Ａ内には複数の画素が縦横に配列された状態とされている。
【００４５】
また、基板１２０は、基板１１０の外形より外側に張り出した基板張出部１２０Ｔを有し、この基板張出部１２０Ｔ上に液晶駆動回路などを内蔵した半導体装置１３５が実装されている。この半導体装置１３５は、上記電極１１６及び配線１２２に導電接続され、基板張出部１２０Ｔ上に引き出された配線１１７、１１８に導電接続されている。また、基板張出部１２０Ｔの端部には半導体装置１３５に導電接続された入力端子１３６が設けられ、この入力端子１３６は、基板張出部１２０Ｔの端部に実装された配線基板（例えばフレキシブル配線基板）１３７に形成された配線（図示せず）に導電接続されている。
【００４６】
さらに、基板１１０と１２０の間には絶縁樹脂等で構成されるスペーサ（図示せず）が介在し、このスペーサが両基板の間隔を規制している。このスペーサはいずれか一方の基板に固定した状態で形成されることが好ましい。さらに、基板１１０，１２０の外面上には必要に応じて位相差板及び偏光板（図示せず）が貼着等の方法で配置される。
【００４７】
上記の半導体装置１３５には、上記の電子部品（半導体装置）の実施形態において形成された突起電極Ｐが形成され、この突起電極Ｐが基板張出部１２０Ｔ上に形成された配線１１７，１１８の先端に設けられた図１０及び１２に示す対向電極（接続パッド）１１７ｓ、１１８ｓに導電接続されている。この場合、半導体装置１３５を熱硬化性樹脂（絶縁樹脂）よりなる接着剤１５０を介して基板張出部１２０Ｔに対して加圧しつつ加熱し、接着剤１５０を軟化させながら突起電極Ｐを対向電極１１７ｓ、１１８ｓに押し付け、突起電極Ｐの突出体１３の頂部を変形させる。その後、接着剤１５０が熱硬化することにより、突起電極Ｐと対向電極１１７ｓ、１１８ｓとの導電接続状態が図１０及び図１２に示すように維持される。
【００４８】
図１０に示す例では、導電層１４の開口部１４ｃにより構成される凹所内に上記接着剤１５０の一部が残存し、突起電極Ｐの頂部と対向電極１１７ｓ、１１８ｓの間に介在するので、突起電極Ｐの頂部と対向電極１１７ｓ、１１８ｓの当接範囲Ｃが凹所内の接着剤１５０によって接着された状態となる。したがって、従来のように当接範囲Ｃ内の密接力が低下する（突出体１３の弾性変形に伴う弾性復元力が低下する）ことで導電層１４と対向電極１１７ｓ、１１８ｓのコンタクト圧が確保できなくなり、接続抵抗のばらつきや増大を生ずるといったことが回避できる。
【００４９】
この場合、上記当接範囲Ｃの全面積に対する凹所の開口範囲の面積比（開口面積比）は５〜５０％の範囲であることが好ましい。この範囲を下回ると、接着剤の接着面積が小さくなりすぎて上記効果が得られなくなる。また、上記範囲を上回ると、導電層１４と対向電極１１７ｓ、１１８ｓとの接触面積が減少するので、十分な導電接続状態が得られにくくなる。
【００５０】
図１２に示す例では、導電層１４の開口部１４ｃと突出体１３の凹部１３ｃとによって凹所が形成されるので、凹所内に充填される接着剤の量が増加し、また、接着剤と突出体１３の凹部１３ｃの内面との接着面積も増大するため、当接範囲Ｃ内において生ずる接着力を増加させることができる。この場合にも、当接範囲Ｃの全面積に対する凹所の面積比については上記と同様である。
【００５１】
なお、上記凹所の平面形状は図示例の場合には孔形状（楕円形状）となっているが、例えば、凹所が上記当接範囲Ｃの外縁まで達するように形成された切り欠き状となっていてもよい。また、図示例の場合には凹所が当接範囲Ｃの中央部に形成されているが、当接範囲の周縁部に形成されていてもよく、また、当接範囲Ｃ内に複数の凹所が形成されていてもよい。
【００５２】
［電子機器］
最後に、上述の電気光学装置１００を電子機器に搭載してなる構成例について説明する。図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるノート型パーソナルコンピュータを示している。このパーソナルコンピュータ２００は、複数の操作ボタン２０１ａや他の操作装置２０１ｂを備えた本体部２０１と、この本体部２０１に接続され、表示画面２０２ａを備えた表示部２０２とを備えている。図示例の場合、本体部２０１と表示部２０２は開閉可能に構成されている。表示部２０２の内部には上述の電気光学装置（液晶装置）１００が内蔵されており、表示画面２０２ａに所望の表示画像が表示されるようになっている。この場合、パーソナルコンピュータ２００の内部には、上記電気光学装置１００を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、電気光学装置１００の半導体装置１３５内に設けられる駆動回路（液晶ドライバ回路など）に対して所定の制御信号を送り、その表示態様を決定するように構成されている。
【００５３】
なお、本発明に係る電子機器としては、図１３に示す電子機器の他に、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末機などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として本発明に係る電気光学装置を用いることができる。
【００５４】
尚、本発明の半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電子機器、及び、電子部品の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態では突起電極Ｐを設けた半導体装置について説明したが、上記半導体装置の代わりに、半導体装置以外の任意の電子部品を同様に構成して、実装構造体を構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】実施形態の半導体装置の部分平面図。
【図２】実施形態の半導体装置の部分縦断面図。
【図３】異なる実施形態の半導体装置の複数の突起電極を示す斜視図（ａ）及び（ｂ）。
【図４】別の実施形態の半導体装置を示す部分縦断面図。
【図５】実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。
【図６】実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。
【図７】実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。
【図８】実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。
【図９】実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。
【図１０】実装構造体の実装部を拡大して示す拡大断面図。
【図１１】実装構造体としての電気光学装置の一例を示す概略斜視図。
【図１２】別の実装構造体の実装部を拡大して示す拡大断面図。
【図１３】電子機器の一例を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【００５６】
１０…基体、１１…ベース電極、１２…絶縁層、１３…突出体、１３ｃ…凹部、１３ｄ…凹溝部、１４…導電層、１４ａ…下地層、１４ｂ…表面導電層、１４ｃ…開口部、１５…レジスト、１００…電気光学装置、２００…電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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