(57)【要約】【課題】本発明は、導体間の誘電率を低下させる電子部品において、その衝撃信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、絶縁材料からなる外装体７と、この外装体７内に埋設されたコイル８、９と、コイル８又はコイル９の内少なくとも一方に電気的に接続されるとともに外装体７から少なくともその一部が表出された端子１１とを備え、外装体７内におけるコイル８とコイル９との間には気泡１２を設ける構成としたものである。【選択図】図１
2008193026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなる外装体と、
この外装体内に埋設された第１、第２の導電体と、
前記第１の導電体又は前記第２の導電体の内、
少なくとも一方に電気的に接続されるとともに、
前記外装体から少なくともその一部が表出された端子とを備え、
前記外装体内における、
前記第１の導電体と前記第２の導電体との間には気泡を設けた
電子部品。
【請求項２】
絶縁材料からなる外装体と、
この外装体内に埋設されたコイルと、
このコイルに電気的に接続されるとともに、
前記外装体から少なくともその一部が表出された端子とを備え、
前記外装体における、
前記コイルの外周部と前記コイルの内周部との間には気泡を設けた
電子部品。
【請求項３】
まず第１の外装体層にその一部が埋設された第１の導体を形成し、
次に前記第１の導体を上方から研磨して第１の導電体を形成するとともに、
前記第１の導電体の側面と前記第１の外装体層との間に口開き空隙部を形成し、
その後少なくともこの口開き空隙部の上方開口部を封鎖するように、
第２のレジスト層を形成し、
次に少なくとも前記口開き空隙部と前記第２のレジスト層とに対して熱処理を行い、
気泡を前記第２のレジスト層内に発生させ、
その後前記第２のレジスト層の上方に第２の導電体を形成する
電子部品の製造方法。
【請求項４】
まず第１の外装体層内に埋設される第１の導電体を形成し、
次に前記第１の外装体層の上方に気泡を有するレジスト層を形成し、
その後前記レジスト層を露光して第２の外装体層を形成し、
次に前記第２の外装体層の上方に第２の導電体を形成する
電子部品の製造方法。
【請求項５】
まず第１の外装体層内に埋設されるとともに、
前記第１の外装体層の上面からその上面を露出された第１の導電体を形成し、
次に前記第１の外装体層の上方に気泡を有するレジスト層を形成し、
その後前記レジスト層を露光して第２の外装体層を形成し、
次に前記第２の外装体層の上方に第２の導電体を形成する
電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等に用いられる電子部品とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の電子部品は、図２３に示されるように、絶縁材料からなるシート状の外装体１と、この外装体１内に埋設されたうずまき状のコイル２と、外装体１内に埋設されるとともにコイル２の下方に配置されたうずまき状のコイル３と、コイル２に電気的に接続されるとともに外装体１からその一部が表出された端子４と、コイル３に電気的に接続されるとともに外装体１からその一部が表出された端子５とを備え、コイル２とコイル３との間には、酸化物等からなる低誘電率層６を介在させることにより、コイル２、３間における寄生容量の発生を抑制していた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２０００−２１６０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来の電子部品は、衝撃信頼性が低いことが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の構成においては、寄生容量の発生抑制を目的として、一般的に脆い酸化物等を低誘電率層６に用いていたがために、電子部品に衝撃が加わるとこの低誘電率層６に割れ等が生じ、その結果として上下に配置されたコイル２とコイル３とがショートしてしまう等、衝撃信頼性が低くなってしまっていた。
【０００６】
そこで本発明は、導体間の誘電率を低下させる電子部品において、その衝撃信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、絶縁材料からなる外装体と、この外装体内に埋設された第１、第２の導電体と、前記第１の導電体又は前記第２の導電体の内少なくとも一方に電気的に接続されるとともに前記外装体から少なくともその一部が表出された端子とを備え、前記外装体内における前記第１の導電体と前記第２の導電体との間には気泡を設ける構成としたものである。
【発明の効果】
【０００８】
この構成により、本発明の電子部品は、第１、第２の導電体間に気泡を設けたので、この間に脆い低誘電率層等を設けることなく、第１、第２の導体間の誘電率を低下させることができ、その結果として衝撃信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における電子部品について図面を参照しながら説明する。
【００１０】
図１において、本実施の形態における電子部品は、絶縁樹脂材料からなるシート状の外装体７と、この外装体７内に埋設されたうずまき状のコイル８と、外装体７内に埋設されるとともにコイル８の下方に配置されたうずまき状のコイル９と、同じく外装体７内に形成されるとともにコイル８、９を電気的に接続するビア１０と、コイル８、９に電気的に接続されるとともに外装体７から少なくともその側面部が表出された端子１１とを備えている。
【００１１】
そして、外装体７内におけるコイル８とコイル９との間には、複数の気泡１２を分散して設ける構成としている。
【００１２】
このような構成により、第１、第２の導電体としてのコイル８とコイル９との間において、脆い低誘電率層等を設けることなくその誘電率を低下させることができ、その結果として衝撃信頼性を向上させることができる。
【００１３】
即ち、コイル８とコイル９との間に比誘電率が限りなく１に近い気泡１２を設けることにより、コイル８とコイル９との間における比誘電率を低下させることができるとともに、酸化物等に比べて粘性の高い絶縁樹脂材料からなる外装体７の一部をコイル８、コイル９間に介在させる構成としているため、コイル８、９間に介在する媒体において割れ等が生じ、コイル８、９間がショートしてしまう可能性を低減することができ、衝撃信頼性を向上させることができるのである。
【００１４】
なお、コイル８、９間に一塊の気泡１２を設ける構成としても、上述のコイル８、９間における比誘電率を低下させるとともに、衝撃信頼性を向上させるという効果を得ることはできるが、本実施の形態に示すごとく、コイル８、９間に気泡１２を複数個分散して設ける構成とすることにより、酸化物等に比べて粘性の高い絶縁樹脂材料からなる外装体７の一部をコイル８、コイル９間に分散して介在させる構成とすることができるため、よりコイル８、９間に介在する媒体において割れ等が生じる可能性を低減することができ望ましい。
【００１５】
また、この気泡１２をコイル８若しくはコイル９における内周部と外周部との間、又は端子１１とコイル８若しくはコイル９との間に設ける構成とした場合には、コイル８若しくはコイル９における内周部と外周部との間、又は端子１１とコイル８若しくはコイル９との間における寄生容量の発生を抑制することができる。
【００１６】
なお、本実施の形態においてはコイル８、９間に気泡１２を設ける構成を具体例として取り上げ説明してきたが、その他、コンデンサや抵抗等を第１、第２の導電体とし、これら第１、第２の導電体間に気泡１２を設ける構成としても、上述の効果を得ることができる。
【００１７】
次に、本実施の形態における電子部品の製造方法について説明する。
【００１８】
まず、図２に示すごとく、シリコン基板１３の上面全体にレジスト層１４を塗布する。
【００１９】
次に、図３に示すごとく、レジスト層１４における下面電極形成部１４Ａを除く部分を露光して、外装体層１５を形成する。
【００２０】
その後、この下面電極形成部１４Ａを、図４に示すごとく現像により取り除く。
【００２１】
次に、シリコン基板１３と外装体層１５の露出する表面に、図５に示すごとく、スパッタ又は無電解めっき法により下地電極層１６を形成する。
【００２２】
その後、図６に示すごとく、下地電極層１６を電極として、電気めっき法により導体１７を形成する。
【００２３】
次に、図７に示すごとく、外装体層１５の上面全体が露出するまでＣＭＰ研磨、あるいは切削により、図６に示した導体１７を研磨する。ここで、この研磨後の導体１７が下面電極１７Ａとなる。
【００２４】
その後、図８に示すごとく、外装体層１５、下面電極１７Ａ、下地電極層１６の上面にレジスト層１８を塗布する。
【００２５】
次に、図９に示すごとく、レジスト層１８における側面電極形成部１８Ａを除く部分を露光して、外装体層１９を形成する。
【００２６】
その後、この側面電極形成部１８Ａを、図１０に示すごとく現像により取り除く。
【００２７】
次に、外装体層１９、下面電極１７Ａ、下地電極層１６の露出する表面に、図１１に示すごとく、スパッタ又は無電解めっき法により下地電極層２０を形成する。
【００２８】
その後、図１２に示すごとく、下地電極層２０を電極として、電気めっき法により導体２１を形成する。
【００２９】
次に、図１３に示すごとく、外装体層１９の上面全体が露出するまでＣＭＰ研磨、あるいは切削により、図１２に示した導体２１を研磨する。ここで、この研磨後の導体２１が側面電極２１Ａとなる。
【００３０】
その後、図１４に示すごとく、外装体層１９、側面電極２１Ａ、下地電極層２０の上面にレジスト層２２を塗布する。
【００３１】
次に、図１５に示すごとく、レジスト層２２におけるコイル形成部２２Ａを除く部分を露光して、外装体層２３を形成する。
【００３２】
その後、このコイル形成部２２Ａを、図１６に示すごとく現像により取り除く。
【００３３】
次に、外装体層２３、側面電極２１Ａ、下地電極層２０の露出する表面に、図１７に示すごとく、スパッタ又は無電解めっき法により下地電極層２４を形成する。
【００３４】
その後、図１８に示すごとく、下地電極層２４を電極として、電気めっき法により導体２５を形成する。
【００３５】
次に、図１９に示すごとく、外装体層２３の上面全体が露出するまで導体２５を切削により研磨する。この研磨後の導体２５が図１に示したコイル８となる。
【００３６】
ここで、図１９に示した部分Ａの拡大断面図である図２０に示すごとく、コイル８の側面に形成されている下地電極層２４と外装体層２３との間には、コイル８の上面側に向かって口を開くような形状の口開き空隙部２７が形成される。この口開き空隙部２７は上述の切削工程において、コイル８の側面に形成される下地電極層２４と外装体層２３との間に加わるコイル８形成平面方向の応力により発生するものである。
【００３７】
その後、図２１に示すごとく、外装体層２３、コイル８、下地電極層２４の上面にレジスト層２６を塗布する。このレジスト層２６の塗布工程により、上述の口開き空隙部２７の上方開口部がレジスト層２６で封鎖され、空気が口開き空隙部２７内に閉じ込められる。
【００３８】
次に、このレジスト層２６内におけるバインダーを外へ蒸散させ、レジスト層２６を仮硬化させるため熱処理を行う。
【００３９】
この熱処理により、図２１に示す部分Ｂの拡大断面図である図２２に示すごとく、口開き空隙部２７内に閉じ込められた空気が、その体積を膨張させるのに伴い口開き空隙部２７内から仮硬化途中のレジスト層２６内へと飛び出してくる。この飛び出してきた空気が気泡１２となってレジスト層２６内に残り、後の工程まで残存する。
【００４０】
その後、上述のような露光、現像、下地電極形成、導体形成、研磨工程を繰り返し、シリコン基板１３をフッ酸処理で剥離し、個片化工程を経て、図１に示すような電子部品を得ることができるのである。
【００４１】
なお、図２１に示す段階において、気泡１２をレジスト層２６内にあらかじめ混ぜておき、外装体層２３、コイル８、下地電極層２４の上面に塗布する構成としても、第１、第２の導電体としてのコイル８とコイル９との間において気泡１２を内在させ、脆い低誘電率層等を設けることなくその誘電率を低下させることができるとともに、衝撃信頼性を向上させるという効果を得ることができるが、本実施の形態における図２２に示すごとく、コイル８の側面に形成されている下地電極層２４と外装体層２３との間に口開き空隙部２７を形成するとともにその上方開口部をレジスト層２６で封鎖することで、この口開き空隙部２７内に空気を閉じ込め、その後の熱処理工程においてレジスト層２６内に気泡１２を発生させる工法とする方が、図１に示すごとく、寄生容量の発生に寄与する第１、第２の導体間であるコイル８、９間において集中的に気泡１２を発生させるとともに、外装体層２３のその他の部分においては気泡１２の発生を抑制した構成を実現することができるため、図１に示す外装体７自体の機械的強度確保を実現することができ望ましい。
【００４２】
なお、この気泡１２をあらかじめ内在させたレジストを、図１４に示したレジスト層２２に用いれば、図１に示すコイル８の内周部と外周部との間や、端子１１とコイル８間に気泡１２を設ける構成を実現することができる。また同様に、コイル９の内周部と外周部との間や、端子１１とコイル８間に気泡１２を設ける構成としたければ、コイル９形成部に使用するレジスト（図示せず）にあらかじめ気泡１２を設ける構成とすればよい。
【００４３】
更に、図２１、２２に示す熱処理工程においては、この熱処理に加えて高圧処理を行うことが望ましい。高圧処理をすることにより、図２２に示す口開き空隙部２７内に閉じ込められた空気の体積膨張量を増加させることができ、より多くの気泡１２を外装体層２３内に発生させることができるためである。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の電子部品は、導体間の誘電率を低下させた電子部品であって、その衝撃信頼性を向上させることができるという効果を有し、各種電気機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態１における電子部品の断面図
【図２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１５】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１７】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１８】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図１９】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図２０】図１９の部分Ａ拡大断面図
【図２１】本発明の実施の形態１における電子部品の製造工程を示す断面図
【図２２】図２１の部分Ｂ拡大断面図
【図２３】従来の電子部品の断面図
【符号の説明】
【００４６】
７  外装体
８  コイル
９  コイル
１１  端子
１２  気泡
【図１】
2008193026.tif 000003
【図２】
2008193026.tif 000004
【図３】
2008193026.tif 000005
【図４】
2008193026.tif 000006
【図５】
2008193026.tif 000007
【図６】
2008193026.tif 000008
【図７】
2008193026.tif 000009
【図８】
2008193026.tif 000010
【図９】
2008193026.tif 000011
【図１０】
2008193026.tif 000012
【図１１】
2008193026.tif 000013
【図１２】
2008193026.tif 000014
【図１３】
2008193026.tif 000015
【図１４】
2008193026.tif 000016
【図１５】
2008193026.tif 000017
【図１６】
2008193026.tif 000018
【図１７】
2008193026.tif 000019
【図１８】
2008193026.tif 000020
【図１９】
2008193026.tif 000021
【図２０】
2008193026.tif 000022
【図２１】
2008193026.tif 000023
【図２２】
2008193026.tif 000024
【図２３】
2008193026.tif 000025