(57)【要約】【課題】データ信号を補正することなく、多数の発光素子における経時劣化による輝度ばらつきを高精度で補償できる薄型のアクティブマトリクス型の表示装置を提供する。【解決手段】本表示装置の画素形成部は、電流駆動型の発光素子３と、データ信号制御用のスイッチング素子１と、フローティングゲートを有する発光素子駆動用素子２と、補助容量４と、受光素子１０とを備えており、受光素子１０により測定された発光素子３の輝度に応じて経時劣化による輝度低下が補償されるよう、駆動用素子２のゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子にはフローティングゲート制御部６００から所定の電位が与えられる。このことにより駆動用素子２のフローティングゲートの電位が適宜に制御され閾値電圧が低下するので、データ信号の電圧値を補正することなく各画素形成部毎に経時劣化による輝度ばらつきが高精度で補償される。【選択図】図２
2008058446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部と、前記表示すべき画像を示す複数の映像信号を前記複数の画素形成部に伝達するための複数の映像信号線と、前記複数の映像信号線と交差する複数の走査信号線とを備え、前記複数の画素形成部が前記複数の映像信号線と前記複数の走査信号線との交差点にそれぞれ対応してマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記複数の画素形成部は、
電流により駆動される発光素子と、
前記発光素子の輝度に応じた信号を出力する受光素子と、
ゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子とフローティングゲートとを有するトランジスタであって前記発光素子に流れるべき電流を与える駆動用素子と、
前記駆動用素子を制御するためのデータ信号を前記駆動用素子に与えるスイッチング素子と
を含み、
前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動回路と、
前記複数のデータ信号線を介して、表示すべき画像に対応する前記データ信号を前記複数の画素形成部群に与えるデータ信号線駆動回路と、
前記発光素子の輝度低下が補償されるよう、前記受光素子からの信号に応じて前記フローティングゲートの電位を制御する制御部と
を備えることを特徴とする、アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記駆動用素子のゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子は、前記制御部と繋がる対応する所定の信号線に接続されることを特徴とする、請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記制御部は、所定の調整モードで動作する場合、前記駆動用素子のゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子に対して所定の電圧を印加することにより、前記駆動用素子のフローティングゲートの電位を制御することを特徴とする、請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記データ信号線駆動回路は、前記発光素子が所定の基準輝度で点灯するよう予め定められたデータ信号を画像形成部群にそれぞれ与え、
前記制御部は、前記基準輝度から、前記受光素子からの信号に対応する輝度を差し引いて得られる輝度低下量に対応する所定の電圧を前記駆動用素子のゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子に対して印加することを特徴とする、請求項３に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記輝度低下量に対応する所定の電圧をテーブルの形で記憶する記憶部を含むことを特徴とする、請求項４に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
前記記憶部は、書き換え可能な不揮発性の半導体メモリであることを特徴とする、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部と、前記表示すべき画像を示す複数の映像信号を前記複数の画素形成部に伝達するための複数の映像信号線と、前記複数の映像信号線と交差する複数の走査信号線とを備え、前記複数の画素形成部は、電流により駆動される発光素子と、前記発光素子の輝度に応じた信号を出力する受光素子と、ゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子とフローティングゲートとを有するトランジスタであって前記発光素子に流れるべき電流を与える駆動用素子と、前記駆動用素子を制御するためのデータ信号を前記駆動用素子に与えるスイッチング素子とを含み、前記複数の画素形成部が前記複数の映像信号線と前記複数の走査信号線との交差点にそれぞれ対応してマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス型の表示装置を駆動する方法であって、
前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動ステップと、
前記複数のデータ信号線を介して、表示すべき画像に対応する前記データ信号を前記複数の画素形成部群に与えるデータ信号線駆動ステップと、
前記発光素子の輝度低下が補償されるよう、前記受光素子からの信号に応じて前記フローティングゲートの電位を制御する制御ステップと
を備えることを特徴とする、表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流駆動型の発光素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流駆動型発光素子を備えたアクティブマトリクス型画像表示装置、例えば有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルは、所定の有機蛍光物質に電界をかけることにより発光する現象を利用したディスプレイである。
【０００３】
この有機ＥＬパネルは、液晶パネルなどの他のフラットパネルディスプレイと比較した場合に、その駆動電圧が１０Ｖ程度以下でよく、自ら発光するためバックライトを必要としないので薄型化しやすいといった利点を有している。
【０００４】
しかしその反面、有機ＥＬパネルは、累積発光時間が長くなるほど発光効率が低下する欠点を有しており、発光輝度を一定に保つためには累積発光時間が長くなるほど与えるべき電流量を多くしなければならない。
【０００５】
そこで、従来より、有機ＥＬパネルの外部近傍に受光素子を設け、この受光素子により測定された有機ＥＬパネルの輝度に基づき、有機ＥＬパネル（の発光素子）に与えるべき電流値を補正する有機ＥＬ表示装置がある（特許文献１を参照）。このような構成により、経時劣化によって輝度の低下した有機ＥＬ表示装置における所定の電流値に対する輝度を、与えるべき電流値をより大きくすることにより装置製造当初とほぼ同じく一定に保つことができる。
【特許文献１】特開２００３−３３０３８３号公報
【特許文献２】特開２０００−２８４７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記従来の有機ＥＬ表示装置では、累積発光時間が長くなるほど与えられるべき電流値が大きくなるので、当該電流値を示すデータ信号を伝送するデータ信号線や各回路素子の発熱や過負荷が生じ、また消費電流が増大するという問題を有している。
【０００７】
また、受光素子が有機ＥＬパネルの外部に（典型的にはパネルの周囲に複数個が）設けられるため、有機ＥＬ表示装置の体積等が大きくなってしまい、薄型で小型のフラットパネルディスプレイである利点を損なう場合がある。
【０００８】
さらに、受光素子が有機ＥＬパネルの外部に設けられるため、有機ＥＬパネルとの環境の差（典型的には温度差）が生じ、その結果、上記従来の装置では測定される輝度の精度に問題が生じることがある。
【０００９】
さらにまた、受光素子が有機ＥＬパネルの外部に設けられるため、有機ＥＬパネルに含まれる多数の発光素子それぞれの輝度を測定することができない。このことから、上記従来の装置では多数の発光素子における経時劣化による輝度ばらつきを補償することができない。
【００１０】
そこで本発明は、データ信号を補正することなく、多数の発光素子における経時劣化による輝度ばらつきを高精度で補償することができる薄型のアクティブマトリクス型の表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の発明は、表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部と、前記表示すべき画像を示す複数の映像信号を前記複数の画素形成部に伝達するための複数の映像信号線と、前記複数の映像信号線と交差する複数の走査信号線とを備え、前記複数の画素形成部が前記複数の映像信号線と前記複数の走査信号線との交差点にそれぞれ対応してマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記複数の画素形成部は、
電流により駆動される発光素子と、
前記発光素子の輝度に応じた信号を出力する受光素子と、
ゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子とフローティングゲートとを有するトランジスタであって前記発光素子に流れるべき電流を与える駆動用素子と、
前記駆動用素子を制御するためのデータ信号を前記駆動用素子に与えるスイッチング素子と
を含み、
前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動回路と、
前記複数のデータ信号線を介して、表示すべき画像に対応する前記データ信号を前記複数の画素形成部群に与えるデータ信号線駆動回路と、
前記発光素子の輝度低下が補償されるよう、前記受光素子からの信号に応じて前記フローティングゲートの電位を制御する制御部と
を備えることを特徴とする。
【００１２】
第２の発明は、第１の発明において、
前記駆動用素子のゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子は、前記制御部と繋がる対応する所定の信号線に接続されることを特徴とする。
【００１３】
第３の発明は、第１の発明において、
前記制御部は、所定の調整モードで動作する場合、前記駆動用素子のゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子に対して所定の電圧を印加することにより、前記駆動用素子のフローティングゲートの電位を制御することを特徴とする。
【００１４】
第４の発明は、第３の発明において、
前記データ信号線駆動回路は、前記発光素子が所定の基準輝度で点灯するよう予め定められたデータ信号を画像形成部群にそれぞれ与え、
前記制御部は、前記基準輝度から、前記受光素子からの信号に対応する輝度を差し引いて得られる輝度低下量に対応する所定の電圧を前記駆動用素子のゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子に対して印加することを特徴とする。
【００１５】
第５の発明は、第４の発明において、
前記制御部は、前記輝度低下量に対応する所定の電圧をテーブルの形で記憶する記憶部を含むことを特徴とする。
【００１６】
第６の発明は、第５の発明において、
前記記憶部は、書き換え可能な不揮発性の半導体メモリであることを特徴とする。
【００１７】
第７の発明は、表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部と、前記表示すべき画像を示す複数の映像信号を前記複数の画素形成部に伝達するための複数の映像信号線と、前記複数の映像信号線と交差する複数の走査信号線とを備え、前記複数の画素形成部は、電流により駆動される発光素子と、前記発光素子の輝度に応じた信号を出力する受光素子と、ゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子とフローティングゲートとを有するトランジスタであって前記発光素子に流れるべき電流を与える駆動用素子と、前記駆動用素子を制御するためのデータ信号を前記駆動用素子に与えるスイッチング素子とを含み、前記複数の画素形成部が前記複数の映像信号線と前記複数の走査信号線との交差点にそれぞれ対応してマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス型の表示装置を駆動する方法であって、
前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動ステップと、
前記複数のデータ信号線を介して、表示すべき画像に対応する前記データ信号を前記複数の画素形成部群に与えるデータ信号線駆動ステップと、
前記発光素子の輝度低下が補償されるよう、前記受光素子からの信号に応じて前記フローティングゲートの電位を制御する制御ステップと
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
上記第１の発明によれば、発光素子の経時劣化を補償するためにデータ信号の電圧値を補正することがないので、データ信号線や各回路素子の発熱や過負荷、また消費電流が増大する問題を回避しつつ、受光素子により各発光素子の輝度を測定することにより、測定時点毎に正確な補償を行うことができる。また、受光素子が画素形成部内に設けられるため、表示装置の体積等が大きくなることはないので、薄型で小型のフラットパネルディスプレイである利点を生かすことができるとともに、発光素子との環境の差（典型的には温度差）が生じることがないので、測定輝度の精度に問題が生じることを防止できる。さらに、受光素子が全ての画素形成部内に設けられるため、発光素子それぞれの輝度を個別に測定することができ、多数の発光素子における経時劣化による輝度ばらつきについても補償することができる。
【００１９】
上記第２の発明によれば、他の信号線に干渉されることなくフローティングゲートの電位を容易に制御することができる。
【００２０】
上記第３の発明によれば、調整モード時に簡易な構成でフローティングゲートの電位を容易に制御することができる。
【００２１】
上記第４の発明によれば、調整モード時に正確な輝度低下量を得ることができるので、簡易な構成でフローティングゲートの電位を適切に制御することができる。
【００２２】
上記第５の発明によれば、簡易な構成で輝度低下量に対応する所定の電圧を得ることができる。
【００２３】
上記第６の発明によれば、一般的な半導体メモリを使用することにより容易に記憶部を構成することができる。
【００２４】
上記第７の発明によれば、上記第１の発明と同様の効果を表示装置の制御方法において奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
＜１．  液晶表示装置の全体構成および動作＞
図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の全体構成を示すブロック図である。この表示装置は、表示部１００と、走査信号線駆動回路２００と、データ信号線駆動回路３００と、表示制御回路４００と、電流供給部５００と、フローティングゲート（以下図中では「ＦＧ」と略記する）制御部６００を含む。
【００２６】
表示部１００は、有機ＥＬからなる発光素子を含む画素形成部がｍ×ｎのマトリクス状に複数配置されることにより構成される。走査信号線駆動回路２００は、ｎ本の走査信号線に接続されており、所定の周期を有する走査信号を当該走査信号線に出力する。データ信号線駆動回路３００は、ｍ本のデータ信号線に接続されており、発光素子の発光輝度を制御するためのデータ信号を出力する。表示制御回路４００は、上記走査信号線駆動回路２００およびデータ信号線駆動回路３００に対して走査信号およびデータ信号を生成するための所定の制御信号を出力する。電流供給部５００は、複数の電源配線に接続されており、発光素子のための駆動電流を供給する駆動電源である。
【００２７】
ここで、本実施形態に係る表示装置の表示部１００における画素形成部の構成および動作について説明する。図２は当該画素形成部の等価回路を示す回路図である。図２に示す画素形成部は、電流駆動型発光素子３（以下「発光素子３」と略する）と、データ信号制御用スイッチング素子１（以下「スイッチング素子１」と略する）と、フローティングゲートを有する発光素子駆動用素子２（以下「駆動用素子２」と略する）と、補助容量４とを備えており、データ信号を与えるデータ信号線５（図中では「Ｄａｔａ」とも表記する）と、走査信号を与える走査信号線６（図中では「Ｓｅｌ」とも表記する）とを配されており、さらに発光素子３を駆動するための電流を与える発光素子駆動用電源供給線７（以下単に「電源供給線７」と略し、図中では「Ｖｃ」とも表記する）を配されている。
【００２８】
また、上記駆動用素子２のソース端子Ｓに接続されるよう制御用ソース信号線８ａが配され、そのゲート端子Ｇに接続されるよう制御用ゲート信号線８ｂが配され、そのドレイン端子Ｄに接続されるよう制御用ドレイン信号線８ｃが配されている。これらの信号線８ａ〜８ｃは、フローティングゲート制御部６００に接続されており、フローティングゲート制御部６００から駆動用素子２のフローティングゲート電位を制御するための後述する調整モード動作時に所定の電圧信号を印加される。
【００２９】
さらに、発光素子３の近傍には、フォトダイオードなどの受光素子１０が設けられており、この受光素子１０に接続されるよう受光素子用信号線９が配されている。この受光素子用信号線９は、フローティングゲート制御部６００に接続されており、受光素子１０により受け取られる光量に対応する電流信号（または電圧信号）をフローティングゲート制御部６００に与える。
【００３０】
図２に示すように、データ信号線５と走査信号線６とは直交し、データ信号線５と電源供給線７ａとは平行に配置される。また、スイッチング素子１のソース端子Ｓにはデータ信号線５が接続され、そのゲート端子Ｇには走査信号線６が接続され、そのドレイン端子Ｄには補助容量４の一端と駆動用素子２のゲート端子Ｇとが接続される。補助容量４の他端は電源供給線７に接続される。駆動用素子２のソース端子Ｓは電源供給線７に接続され、そのドレイン端子Ｄには発光素子３のアノードＡが接続される。また、発光素子３のカソードＣは、後述する図３に示されるように当該画素形成部の上層に形成される金属製共通電極に接続される。
【００３１】
さらに、この画素回路の動作について説明する。まず、走査信号線６の走査信号がアクティブであるとき、スイッチング素子１がオンされるため、データ信号線５に供給されるデータ信号値に対応する電圧がスイッチング素子１を介し、駆動用素子２のゲートに供給されるとともに補助容量４に供給され対応する電荷が蓄積される。この電圧に応じて駆動用素子２から発光素子３に電流が流されるため発光素子３が所定の輝度で発光する。次に、スイッチング素子１がオフされた後も、補助容量４に蓄積された電荷に応じて駆動用素子２の導電率が制御されるので、発光素子３は所定の輝度で発光し続けることになる。このような画素回路は、電圧指定型回路（または電圧制御型回路）と呼ばれる。
【００３２】
図３は、本実施形態に係るアクティブマトリクス型画像表示装置における表示部の構造例を簡易に示す断面図である。図３に示すように  ガラス基板１１１上には活性層となる多結晶のシリコン薄膜１１０が形成され、さらにゲート絶縁膜を挟んで不純物をドープされた多結晶シリコンからなるフローティングゲート１０９が形成される。このフローティングゲート１０９の上にはシリコン酸化膜などからなる絶縁膜が形成された後、その上に（コントロール）ゲート電極１１２が形成され、さらにこれらの上に層間絶縁膜が形成される。その後、シリコン薄膜１１０が露出されるようにコンタクト部が開口され、当該コンタクト部に配線層が形成される。さらにその上に不動態化するためのパッシベーション層１０８が形成された後、これらの配線層が露出されるようにコンタクト部が開口され、図２に示される駆動用素子２のソース電極およびドレイン電極となる。その後、その表面を平坦にするための平坦化膜１０７とが形成される。この上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明導電膜１０６が形成される。この透明導電膜１０６は図２に示される発光素子３におけるアノード電極となる。さらに、その上に例えばα−ＮＰＤ等からなる正孔輸送層１０５が形成され、さらにその上に蛍光材料である周知の有機発光素材からなる発光層１０４が形成され、その上に周知の電子輸送層１０３および電子注入層１０２が形成された後、共通電極としての金属製導電層１０１が形成される。この金属製導電層１０１は図２に示される発光素子３におけるカソード電極となる。
【００３３】
また、上記製造プロセスにおいて同時に、ガラス基板１１１上に信号線１１３を設け、その上にコンタクト部を設けて同様に配線層が形成される。この配線層は例えば電源線となる。さらに、受光素子であるフォトダイオード１１５も同様に、ガラス基板１１１上に設けられた信号線１１４の上に設けられる。なお、図ではこれらの構造は簡略に示されている。このように受光素子が表示部（ここでは有機ＥＬパネル）の内部に設けられるため、表示装置の体積等が大きくなることがなく薄型で小型のフラットパネルディスプレイである利点を保つことができると共に、表示部との環境の差（典型的には温度差）が生じることがないので、測定輝度の精度に問題が生じることを防止できる。
【００３４】
ここで、上記多結晶のシリコン薄膜１１０は、図２に示すスイッチング素子１および駆動用素子２を構成する多結晶の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の主要な構成要素であり、この多結晶シリコン薄膜トランジスタと上記有機材料を含む発光素子とは同一の（一連の）工程で形成される。この工程の詳細については周知であるので説明を省略する。この同一のプロセスで上記薄膜トランジスタと上記有機材料を含む発光素子とを形成することにより、画素形成部（および関連する回路）を容易に同一基板上に形成することができる。なお、多結晶シリコンは電子移動度が高いことから、非晶質シリコンの薄膜トランジスタが用いられる構成と比較して極めて高い駆動能力を得ることができる。
【００３５】
また、上記有機ＥＬパネル（の発光層１０４）は、上記シリコン薄膜１１０を含む薄膜トランジスタが形成されるガラス基板１１１方向へ発光する。このような構造はボトム・エミッション構造（またはボトム・ゲート構造）と呼ばれる。これに対して、アノード電極となる透明導電膜１０６とカソード電極となる金属製導電層１０１とを入れ替えることにより、上記方向とは逆の方向に発光させてもよい。この構造はトップ・エミッション構造（またはトップ・ゲート構造）と呼ばれる。なお、この構造は、ＴＦＴが形成されているガラス基板を光が通過しない構造であるため開口率を大きくすることができるという利点を有するが、金属製導電層上に有機膜を形成することが困難であるという欠点を有するため、通常はボトム・エミッション構造が好適である。
【００３６】
以上のような構成の画素形成部における駆動用素子２のフローティングゲート１０９は、電気的にフローティング状態となっており、ゲート電極１１２を高電圧に、ソース電極またはドレイン電極を低電圧にするとトンネル効果によりフローティングゲート１０９に電荷が蓄積され、その逆方向の電圧を印加するとフローティングゲート１０９に蓄積された電荷が放出される。フローティングゲート制御部６００は、後述する調整モード時において、受光素子１０により検出される発光素子３の輝度に応じて、ゲート電極１１２、ソース電極、およびドレイン電極に所定の電圧を印加することにより、フローティングゲート１０９の電位を制御する。なお、本実施形態では、発光素子の経時劣化が生じていない製造時点においてフローティングゲート１０９に所定の電荷を蓄積させるものとし、その後に適宜の電荷が放出されるよう制御されるものとする。また、このように制御可能である限りフローティングゲートの構成（配置位置や大きさ、数など）に限定はない。以下、このような制御を行うフローティングゲート制御部６００の動作について説明する。
【００３７】
＜２．  フローティングゲート制御部の動作＞
フローティングゲート制御部６００は、典型的には書き換え可能な不揮発性半導体メモリからなる所定の記憶領域に図４に示すようなリファレンステーブルの形で、経時劣化による輝度低下に対応する後述する制御パラメータ値とを記憶している。すなわち、図４は、上記記憶領域に記憶されているリファレンステーブルに記載される経時劣化により低下した輝度（輝度低下量）に対応する制御パラメータ値を示す図である。
【００３８】
フローティングゲート制御部６００は、調整モード時に出力される表示制御回路４００からの制御信号に応じて表示部１００に含まれる全ての発光素子における輝度を測定する。具体的には、表示制御回路４００は、予め定められた期間の経過（または予め定められた累積点灯時間の到来）を検出すると、動作モードを通常の表示モードから調整モードに切り換え、表示部１００に含まれる全ての発光素子を所定の基準輝度で点灯させるための所定のデータ信号を各画素形成部に与えるとともに、上記制御信号をフローティングゲート制御部６００に与える。フローティングゲート制御部６００は、表示制御回路４００から所定のタイミングで与えられる上記制御信号に応じて、表示部１００に含まれるｍ×ｎ個の発光素子における輝度を、対応する受光素子１０に接続される受光素子用信号線９を介して当該受光素子１０により生成される上記輝度に対応する電圧信号を受け取ることにより測定する。なお、上記測定により表示画面が全面点灯するため、上記測定時点である調整モードの開始時点は通常の表示に影響を与えない時点、典型的には表示装置の起動時点または終了時点が好ましい。
【００３９】
次にフローティングゲート制御部６００は各画素形成部に与えられたデータ信号により点灯すべき上記基準輝度から、（今回の）測定により得られた各発光素子の実際の輝度を差し引いた値（輝度低下量）をそれぞれ算出する。なお、全ての発光素子は、前回の測定時点では、後述するフローティングゲート電位の制御の結果、上記データ信号により点灯すべき基準輝度で点灯するよう（駆動用素子２を介して与えられる電流が）補償されている。また発光素子は、同一電流値に対する発光輝度が経時劣化によって低下するので、今回の測定輝度は基準輝度を上回ることがない。
【００４０】
続いてフローティングゲート制御部６００は、所定の記憶領域に記憶される図４に示されるようなリファレンステーブルから上記輝度低下量に対応する制御パラメータ値である各電極への印加電圧値および印加回数を読み出す。フローティングゲート制御部６００は、当該発光素子のソース電極に繋がる制御用ソース信号線８ａ、ゲート電極に繋がる制御用ゲート信号線８ｂ、およびドレイン電極に繋がる制御用ドレイン信号線８ｃに対し、それぞれ読み出された印加電圧値を有し所定のパルス幅を有する電圧信号を読み出された印加回数だけ印加する。そうして、全ての画素形成部に対して上記動作が行われた後、動作モードは調整モードから通常の表示モードに復帰する。
【００４１】
ここで、上記電圧信号のパルス幅はフローティングゲート１０９から適宜の量の電荷が放出されるように、予め実験値または所定のシミュレーションにより得られた値に応じて適宜に定められており、上記印加電圧値および印加回数も同様に適宜の値が定められている。すなわち、フローティングゲートを有するトランジスタの閾値電圧はフローティングゲートの電位により制御できることが知られており、駆動用素子２のフローティングゲート１０９の電荷が所定量だけ放出されるよう上記パルス幅、上記印加電圧値、および上記印加回数を設定することにより、駆動用素子２の閾値電圧を適宜の値に低下させることができる。その結果、駆動用素子２のゲートに与えられるデータ信号の電圧が同一であっても、閾値電圧が低下することにより、より多くの電流を駆動用素子２を介して発光素子に与えることができるようになる。したがって、この増加した電流により経時劣化による発光素子の輝度低下が補償されるよう上記パルス幅、上記印加電圧値、および上記印加回数を適宜に設定すれば、データ信号の電圧値を変更することなく経時劣化による発光素子の輝度低下を補償することができる。このような構成により、本表示装置は、データ信号線や各回路素子の発熱や過負荷が生じ、また消費電流が増大するという問題を回避することができる。
【００４２】
なお、ここでは説明の便宜のため、フローティングゲートの現在の電位すなわち現在の蓄積電荷量にかかわらず、輝度低下量に対応する制御パラメータ値を設定することにより対応する電荷量の電荷を放出させる構成としたが、より正確に制御するためにはフローティングゲートの現在の電位に応じた制御パラメータ値を設定することが好ましい。例えば、フローティングゲートの現在の電位を判定するための制御履歴（具体的には過去の測定時に設定された全ての制御パラメータ値またはこれに対応する放出された電荷の総量）を発光素子毎に記憶する履歴テーブルが設けられ、また輝度低下量に対応する制御パラメータ値はフローティングゲートの電位毎に設けられる複数のリファレンステーブルにそれぞれ記憶される。フローティングゲート制御部６００は、上記履歴テーブルに基づきフローティングゲートの現在の電位を判定し、判定された電位に対応するリファレンステーブルを選択して、選択されたリファレンステーブルに記憶される輝度低下量に対応する制御パラメータ値でフローティングゲートの電位を設定することが好ましい。また、各テーブルに代えて上記内容を規定する数式が所定の記憶領域に記憶されており、当該数式に基づきフローティングゲートの電位が設定される構成であってもよい。
【００４３】
＜３．  効果＞
以上のように本実施形態における表示装置では、発光素子の経時劣化を補償するためにデータ信号の電圧値を補正することがないので、データ信号線や各回路素子の発熱や過負荷、また消費電流が増大する問題を回避しつつ、受光素子により各発光素子の輝度を測定することにより、測定時点毎に正確な補償を行うことができる。
【００４４】
また、受光素子が表示部（有機ＥＬパネル）の画素形成部内に設けられるため、表示装置の体積等が大きくなることはないので、薄型で小型のフラットパネルディスプレイである利点を生かすことができるとともに、発光素子との環境の差（典型的には温度差）が生じることがないので、測定輝度の精度に問題が生じることを防止できる。
【００４５】
さらに、受光素子が表示部全ての画素形成部内に設けられるため、発光素子それぞれの輝度を個別に測定することができ、多数の発光素子における経時劣化による輝度ばらつきについても補償することができる。
【００４６】
＜４．  変形例＞
上記実施形態では、フローティングゲート制御部６００は、データ信号線駆動回路３００および表示制御回路４００とは異なる独立の構成要素であるものとして説明したが、これらの回路内またはこれらの回路を含むＩＣチップ内にフローティングゲート制御部６００が含まれる構成であってもよい。
【００４７】
上記実施形態では、発光素子３の経時劣化を補償するため、駆動用素子２のソース端子、ゲート端子、およびドレイン端子に所定のパルス幅を有するパルス信号が印加される構成であるが、所定の期間だけ所定電圧の信号が印加される構成であってもよい。もっとも、一定のパルス幅を有するパルス信号を所定の回数だけ印加する上記実施形態の構成は、パルスの印加回数によりフローティングゲートからの放出電荷量を簡易に設定することができるので、制御パラメータの記憶量を少なくすることができ、また制御動作を簡易なものとすることができる。
【００４８】
上記実施形態では、発光素子の経時劣化が生じていない製造時点においてフローティングゲート１０９に所定の電荷を蓄積させ、その後に適宜の電荷が放出されるよう制御する構成であるが、測定時点毎にフローティングゲート１０９に蓄積される電荷を一旦全て放出させ、その後に適宜の量の電荷が蓄積されるよう、制御用ソース信号線８ａ、制御用ゲート信号線８ｂ、および制御用ドレイン信号線８ｃに所定の電圧値およびパルス幅の電圧信号を所定の印加回数だけ印加する構成であってもよい。
【００４９】
上記実施形態では、フローティングゲート１０９に所定の電荷を蓄積させまたは放出させるため、各画素形成部内の駆動用素子２のゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極それぞれとフローティングゲート制御部６００とを接続する専用の信号線が設けられる構成であるが、これらの一部は互いにまたは他の信号線（または電源線）や共通電極と共用されてもよい。例えば、ソース電極を共通電極に接続し、かつドレイン電極に正の電圧を印加する構成、またはドレイン電極を共通電極に接続し、かつソース電極に負の電圧を印加する構成とすれば、ドレイン電極の電位をソース電極の電位よりも大きくした状態で正の電圧をゲート電極に印加することができるので、制御用ソース信号線８ａまたは制御用ドレイン信号線８ｃのいずれかを省略してフローティングゲート１０９に所定の電荷を蓄積させることができる。
【００５０】
さらにこの構成において、画素形成部内にデータ信号制御用スイッチング素子１の他に、さらに調整モード時に使用される２つのスイッチング素子を設け、省略されない制御用ソース信号線８ａまたは制御用ドレイン信号線８ｃと、制御用ゲート信号線８ｂとをそれぞれ上記２つのスイッチング素子を介して全ての画素形成部に共通に接続する。またｍ本のデータ信号線およびｎ本の走査信号線にそれぞれ平行なｍ本の第１の専用信号線とｎ本の第２の専用信号線とを設け、これら第１および第２の専用信号線を上記２つのスイッチング素子のそれぞれのゲート端子に接続する。このように構成すれば、調整モード時に第１および第２の専用信号線を適宜に選択することにより所望の画素形成部を選択することができるので、選択された画素形成部の上記フローティングゲートに所定の電荷を蓄積させることができる。
【００５１】
なお、以上ではアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、電流駆動型の発光素子であれば有機ＥＬ素子以外の発光素子を使用したアクティブマトリクス型の表示装置などにも本発明の適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】上記実施形態における画素形成部の等価回路を示す回路図である
【図３】上記実施形態における表示部の構造例を簡易に示す断面図である。
【図４】上記実施形態におけるリファレンステーブルに記載される経時劣化により低下した輝度（輝度低下量）に対応する制御パラメータ値を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…    データ信号制御用スイッチング素子（スイッチング素子）
２…    発光素子駆動用素子（駆動用素子）
３…    電流駆動型発光素子（発光素子）
４…    補助容量
５…    データ信号線
６…    走査信号線
７…    発光素子駆動用電源供給線（電源供給線）
８ａ…  制御用ソース信号線
８ｂ…  制御用ゲート信号線
８ｃ…  制御用ドレイン信号線
９…    受光素子用信号線
１０…  受光素子
１００…  表示部
１０９…  フローティングゲート
１１２…  ゲート電極
２００…  走査信号線駆動回路
３００…  データ信号線駆動回路
４００…  表示制御回路
５００…  電流供給部
６００…  フローティングゲート制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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