(57)【要約】【課題】温度特性を改善した弾性波デバイスおよびフィルタを提供すること。【解決手段】本発明は、圧電基板（１２）と、圧電基板上に設けられた第１誘電体（２２ａ）と、第１誘電体上に設けられた櫛型電極（１４）および反射電極（１６）と、櫛型電極および反射電極を覆うように設けられた第２誘電体（２４）と、第２誘電体上に設けられた第３誘電体（２６）と、を具備しており、前記第１誘電体は前記圧電基板より誘電率の温度係数が小さい物質であり、前記第３誘電体は前記第２誘電体より音速が速い物質である弾性波デバイスである。【選択図】  図３
2008067289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた第１誘電体と、
前記第１誘電体上に設けられた弾性波を励振する電極と、
前記電極を覆うように設けられた前記電極の膜厚より厚い膜厚を有する第２誘電体と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記第２誘電体上に第３誘電体を具備し、
前記第３誘電体の音速が前記第２誘電体の音速より速いことを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第２誘電体は酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第１誘電体の誘電率の温度係数が前記圧電基板の誘電率の温度係数より小さいことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第１誘電体は酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第１誘電体の比誘電率が酸化シリコン膜の比誘電率より大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１誘電体は酸化アルミニウム膜であることを特徴とする請求項６記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第３誘電体は酸化アルミニウム膜であることを特徴とする請求項２から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記圧電基板はニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのいずれか一方であることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項記載の弾性波デバイスを有することを特徴とするフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスおよびフィルタに関し、より詳細には温度特性を改善することが可能な弾性波デバイスおよびフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、圧電基板の表面に形成したＩＤＴ（インタディジタル・トランスデューサ）からなる櫛型電極および反射電極を備え、櫛型電極で励振した弾性波を用いる弾性表面波デバイスは良く知られている。この弾性表面波デバイスは、小型軽量で高減衰量を得られることから、携帯電話機の送受信フィルタやアンテナ分波器等に広く使用されている。
【０００３】
また、弾性表面波デバイスの他に、異なる２つの媒質の境界を弾性波が伝搬する弾性境界波デバイスが開発されている。これによれば、２つの媒質の外表面に異物等が付着しても周波数変動や電気的損失特性に影響を与えない利点がある。
【０００４】
最近の携帯電話機等の高性能化等に伴い、弾性波デバイスにおいて温度特性の向上が求められている。特許文献１には温度特性の向上を図った弾性波デバイス（従来例１）が開示されている。図１（ａ）は従来例１に係る弾性波デバイスの上視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１（ａ）を参照に、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）からなる圧電基板１２上に例えばアルミニウムからなる櫛型電極１４と反射電極１６とが設けられている。ここで、櫛型電極１４および反射電極１６の電極指の数を数本で図示しているが、実際は多数設けられている。また、櫛型電極１４と反射電極１６とを覆っている酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１８については図示を省略している。図１（ｂ）を参照に、圧電基板１２上に櫛型電極１４と反射電極１６とが設けられている。櫛型電極１４および反射電極１６を覆うように酸化シリコン膜１８が設けられている。酸化シリコン膜１８の膜厚を０．２２λ以上０．３８λ以下にすることで温度特性の改善が図られている。ここで、λは櫛型電極１４の周期のことである。このような構造における弾性波は一般にラブ波と呼ばれている。
【０００５】
また、従来例１に係る弾性波デバイスの酸化シリコン膜１８上に例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜２０が設けられた弾性波デバイス（従来例２）も開発されている（図２参照）。従来例２に係る弾性波デバイスは、弾性波のエネルギーが圧電基板１２表面と酸化シリコン膜１８に閉じ込められ、圧電基板１２と酸化シリコン膜１８との境界を弾性波が伝搬する弾性境界波デバイスである。
【０００６】
特許文献２には、温度特性の向上を図るため圧電基板にセラミックを用い、櫛型電極と圧電基板との間に酸化チタン（ＴｉＯ２）膜を設けた弾性波デバイスが開示されている。
【０００７】
特許文献３には、櫛型電極の下に誘電体を設けた場合の電気機械結合係数について開示されている。
【特許文献１】特許第３４０７４５９号
【特許文献２】特開昭５２−１６１４６号公報
【特許文献３】特開平１１−３１９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来例１および従来例２に係る弾性波デバイスは共振周波数と反共振周波数とを持っており、共振周波数の温度係数と反共振周波数の温度係数とは異なっている。したがって、従来例１および従来例２に係る弾性波デバイスは共振周波数および反共振周波数での温度特性を各々改善することはできるが、共振周波数および反共振周波数での温度特性を同時に改善することができないという課題が生じている。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、共振周波数の温度係数と反共振周波数の温度係数との差を小さくすることにより、温度特性の改善した弾性波デバイスおよびフィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた第１誘電体と、前記第１誘電体上に設けられた弾性波を励振する電極と、前記電極を覆うように設けられた前記電極の膜厚より厚い膜厚を有する第２誘電体と、を具備する弾性波デバイスである。本発明によれば、共振周波数の温度係数と反共振周波数の温度係数との差を小さくすることができる。このため、温度特性の改善した弾性波デバイスを提供することができる。
【００１１】
上記構成において、前記第２誘電体上に第３誘電体を具備し、前記第３誘電体の音速が前記第２誘電体の音速より速いことを特徴とする構成とすることができる。この構成によれば、弾性波のエネルギーが圧電基板表面と第２誘電体に閉じ込められた弾性境界波を有する弾性波デバイスを提供することができる。
【００１２】
上記構成において、前記第２誘電体は酸化シリコン膜であることを特徴とする構成とすることができる。この構成によれば、温度特性の改善した弾性波デバイスを提供することができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１誘電体の誘電率の温度係数が前記圧電基板の誘電率の温度係数より小さいことを特徴とする構成とすることができる。この構成によれば、共振周波数の温度係数と反共振周波数の温度係数との差を小さくすることができるため、温度特性の改善した弾性波デバイスを提供することができる。
【００１４】
上記構成において、前記第１誘電体は酸化シリコン膜であることを特徴とする構成とすることができる。この構成によれば、温度特性の改善した弾性波デバイスを提供することができる。
【００１５】
上記構成において、前記第１誘電体の比誘電率が酸化シリコン膜の比誘電率より大きいことを特徴とする構成とすることができる。この構成によれば、第１誘電体の膜厚を厚くすることができるため、弾性波デバイスの製造においてプロセス制御が行いやすくなり、弾性波デバイスを容易に製造することができる。
【００１６】
上記構成において、前記第１誘電体は酸化アルミニウム膜であることを特徴とする構成とすることができる。この構成によれば、第１誘電体の膜厚を厚くすることができる。また、ドライエッチングやウエットエッチング等のエッチング耐性を向上させることができる。このため、弾性波デバイスをより容易に製造することができる。
【００１７】
上記構成において、第３誘電体は酸化アルミニウム膜であることを特徴とする構成とすることができる。この構成によれば、弾性波のエネルギーが圧電基板表面と第２誘電体に閉じ込められた弾性境界波を有する弾性波デバイスを提供することができる。
【００１８】
上記構成において、前記圧電基板はニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのいずれか一方であることを特徴とする構成とすることができる。この構成によれば、大きな電気機械結合係数を有する弾性波デバイスを提供することができる。
【００１９】
上記構成において、前記弾性波デバイスを有することを特徴とするフィルタである構成とすることができる。この構成によれば、温度特性の改善したフィルタを提供することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、共振周波数の温度係数と反共振周波数の温度係数との差を小さくすることにより、温度特性の改善した弾性波デバイスおよびフィルタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。なお、実施例の図において、櫛型電極および反射電極の電極指の数は数本で図示しているが、実際の電極指は多数設けられている。
【実施例１】
【００２２】
図３は実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図３を参照に、例えば３０度ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）である圧電基板１２上に例えば厚さ１０ｎｍの酸化シリコン膜からなる第１誘電体２２ａが設けられている。第１誘電体２２ａ上には例えば厚さ１７０ｎｍの銅（Ｃｕ）からなる櫛型電極１４および反射電極１６が設けられている。櫛型電極１４および反射電極１６を覆うように例えば厚さ１０５０ｎｍの酸化シリコン膜からなる第２誘電体２４が設けられている。第２誘電体２４上には例えば厚さ２μｍの酸化アルミニウム膜からなる第３誘電体２６が設けられている。
【００２３】
図４は従来例２に係る弾性波デバイスを用いたラダー型フィルタの温度特性を表しており、図５は実施例１に係る弾性波デバイスを用いたラダー型フィルタの温度特性を表している。ここで、ラダー型フィルタは直列共振器の周期を約１．９８５μｍ、並列共振器の周期を約２．０５６μｍとした４段構造をなしている。
【００２４】
図４を参照に、従来例２に係る弾性波デバイスを用いたラダー型フィルタでは、３．５ｄＢの損失において、通過帯域の低周波数側では温度−３５℃から温度＋８５℃の温度変化に対する周波数変化が−２０．８ｐｐｍ／℃であるのに対して、通過帯域の高周波数側では温度−３５℃から温度＋８５℃の温度変化に対する周波数変化は＋５．９ｐｐｍ／℃と、その差２６．７ｐｐｍ／℃であった。
【００２５】
一方、図５を参照に、実施例１に係る弾性波デバイスを用いたラダー型フィルタでは、３．５ｄＢの損失において、通過帯域の低周波数側では温度−３５℃から温度＋８５℃の温度変化に対する周波数変化は＋４．９ｐｐｍ／℃であるのに対して、通過帯域の高周波数側では温度−３５℃から温度＋８５℃の温度変化に対する周波数変化は＋５．８ｐｐｍ／℃と、その差０．９ｐｐｍ／℃であった。
【００２６】
従来例２に係る弾性波デバイスおよび実施例１に係る弾性波デバイスは図６に示す等価回路で表すことができる。図６を参照に、端子２８間にＬｍ（インダクタンス）、Ｃｍ（キャパシタンス）およびＲｍ（レジスタンス）が直列に接続されていて、これらに対してＣｏ（キャパシタンス）が並列に接続された構成をしている。ここで、Ｒｍのない純リアクタンス回路で考えると、従来例２および実施例１に係る弾性波デバイスが持つ共振周波数ｆｒおよび反共振周波数ｆａは数１および数２で表される。
【数１】
2008067289.tif 000003
【数２】
2008067289.tif 000004
これより、共振周波数ｆｒの温度係数はＬｍおよびＣｍの温度係数に依存し、反共振周波数ｆａの温度係数はＬｍ、ＣｍおよびＣｏの温度係数およびＣｏの大きさに依存することが分かる。よって、反共振周波数の温度係数はＣｏの温度係数およびＣｏの大きさの影響を受けるが、共振周波数の温度係数はＣｏの温度係数およびＣｏの大きさの影響を受けないため、共振周波数の温度係数と反共振周波数の温度係数とに差が生じることになる。このため、通過帯域の低周波数側と高周波数側とで異なった温度特性を持つことになる。
【００２７】
従来例２において、Ｃｏの温度係数は圧電基板１２であるニオブ酸リチウムの誘電率（方位によって異なるが、比誘電率は４０程度）の温度係数により決まる。ニオブ酸リチウムの誘電率の温度係数は非常に大きい。このため、Ｃｏの温度係数も大きくなり、共振周波数の温度係数と反共振周波数の温度係数との差も大きくなる。よって、図４に示すように、通過帯域の低周波数側の温度特性と高周波数側の温度特性とを同時に改善することができない。
【００２８】
実施例１においては、圧電基板１２と櫛型電極１４および反射電極１６との間に誘電率の温度係数が小さい酸化シリコン膜である第１誘電体２２ａが設けられている。また、圧電基板１２であるニオブ酸リチウムの比誘電率に対し第１誘電体２２ａである酸化シリコン膜の比誘電率（４．２程度）は小さいため、Ｃｏ自体も小さくなる。これにより、実施例１におけるＣｏの温度係数は酸化シリコン膜の誘電率の温度係数の影響をうけるため、従来例２におけるＣｏの温度係数に比べ小さくなる。よって、実施例１に係る弾性波デバイスは従来例２に係る弾性波デバイスに比べ、共振周波数の温度係数と反共振周波数の温度係数との差を小さくすることができる。したがって、図５に示すように、実施例１に係る弾性波デバイスは従来例２に係る弾性波デバイスに比べ、通過帯域の低周波数側と高周波数側との温度特性を同時に改善することができる。
【実施例２】
【００２９】
図７は実施例２に係る弾性波デバイスの断面図である。図７を参照に、圧電基板１２上に例えば酸化アルミニウム膜からなる第１誘電体２２ｂが設けられている。その他の構成については実施例１に係る弾性波デバイスと同様であり、図３に示されているので説明を省略する。
【００３０】
実施例２によれば、酸化アルミニウム膜である第１誘電体２２ｂが圧電基板１２と櫛型電極１４および反射電極１６との間に設けられている。これにより、実施例１と同様に温度特性を改善することができる。
【００３１】
また、第１誘電体２２ｂに用いられている酸化アルミニウム膜は、酸化シリコン膜に比べ、ドライエッチングやウエットエッチング等のエッチング耐性が強い。このため、実施例１に係る弾性波デバイスの製造に比べ、実施例２に係る弾性波デバイスの製造は容易に行うことができる。
【００３２】
さらに、酸化アルミニウム膜の比誘電率（９程度）は酸化シリコン膜の比誘電率より大きい。よって、酸化アルミニウム膜が酸化シリコン膜と同じ効果を得るためには、酸化アルミニウム膜の膜厚は酸化シリコン膜の膜厚より厚くなる。膜厚が厚い方が弾性波デバイスを製造するにあたってプロセス的な制御が容易になる。このため、実施例１に係る弾性波デバイスの製造に比べ、実施例２に係る弾性波デバイスの製造は容易に行うことができる。
【００３３】
図８は、第１誘電体に酸化シリコン膜を用いた場合と酸化アルミニウム膜を用いた場合との、膜厚の変化に対する電気機械結合係数の変化率を示している。図８において、電気機械結合係数は有限要素法を用いて反共振周波数ｆａ−共振周波数ｆｒから求めており、第１誘電体の膜厚が０ｎｍの時の電気機械結合係数を１００％としている。また、このときの櫛型電極１４の周期λは２μｍとしている。ここで、電気機械結合係数とは、電気エネルギーから圧電エネルギーへの変換効率のことをいい、一般に電気機械結合係数が大きいほど電気信号による弾性波の励起がされやすくなる。
【００３４】
図８より、膜厚が４０ｎｍ（０．０２λ）までは、酸化シリコン膜および酸化アルミニウム膜は膜厚の増加と共に電気機械結合係数が減少していることが分かる。ここで、膜厚が４０ｎｍ（０．０２λ）の時の電気機械結合係数は約４０％である。また、電気機械結合係数が約６０％以上の場合は、酸化アルミニウム膜は酸化シリコン膜に比べ膜厚の変化に対する電気機械結合係数の変化率が小さいことが分かる。一方、電気機械結合係数が約４０％以上６０％以下の場合は、酸化シリコン膜の方が酸化アルミニウム膜より膜厚の変化に対する電気機械結合係数の変化率が小さいことが分かる。さらに、膜厚が４０ｎｍ（０．０２λ）までは、同程度の電気機械結合係数を得るための膜厚は、酸化アルミニウム膜の方が酸化シリコン膜に比べ厚くなることが分かる。膜厚の変化に対する電気機械結合係数の変化率が小さく、膜厚が厚い方が、プロセス製造において膜厚バラツキ等の制御の観点から容易に製造することができる。これらより、電気機械結合係数が約６０％以上の場合は、膜厚の変化に対する電気機械結合係数の変化率が小さく、膜厚を厚くすることができる酸化アルミニウム膜を第１誘電体に用いることが好ましい。また、電気機械結合係数が約４０％以上６０％以下の場合は、第１誘電体に酸化シリコン膜を用いれば膜厚の変化に対する電気機械結合係数の変化率を小さくすることができ、第１誘電体に酸化アルミニウム膜を用いれば膜厚を厚くすることができる。酸化シリコン膜で、膜厚が４０ｎｍ（０．０２λ）以上のときに電気機械結合係数が再び大きくなるのは、酸化シリコン膜の膜厚が厚くなることにより、圧電基板によるＣｏよりも酸化シリコン膜によるＣｏが支配的になるためである。そのため、弾性波の特性に関しても酸化シリコン膜の影響が大きくなり、酸化シリコン膜の機械的共振尖鋭度の影響がでてくる。一般に成膜した酸化シリコン膜の共振尖鋭度であるＱ値は、単結晶である圧電基板のＱ値よりも悪いため、酸化シリコン膜の厚さを４０ｎｍ（０．０２λ）以上に厚くすることは望ましくない。
【００３５】
また、携帯電話等に使用されている一般的な弾性表面波フィルタは、圧電基板に３６度ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を用いた弾性波デバイスを使用している。この場合の電気機械結合係数と同程度の電気機械結合係数を得るには、図８より、酸化シリコン膜の場合は膜厚を約１０ｎｍ（０．００５λ）にし、酸化アルミニウム膜の場合は膜厚を約２０ｎｍ（０．０１λ）にすることが好ましい。
【００３６】
実施例１に係る弾性波デバイスおよび実施例２に係る弾性波デバイスは、酸化シリコン膜からなる第２誘電体２４上に第２誘電体２４より音速の早い酸化アルミニウム膜からなる第３誘電体２６が設けられている。これにより、第２誘電体２４に弾性波のエネルギーが閉じ込められ、圧電基板１２と第１誘電体２２ａおよび第１誘電体２２ｂとの境界を弾性波が伝搬する弾性境界波デバイスを形成する。
【実施例３】
【００３７】
図９は実施例３に係る弾性波デバイスの断面図である。図９を参照に、例えば３０度ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウムである圧電基板１２上に例えば酸化シリコン膜からなる第１誘電体２２ａが設けられている。第１誘電体２２ａ上には例えば銅からなる櫛型電極１４および反射電極１６が設けられている。櫛型電極１４および反射電極１６を覆うように例えば酸化シリコン膜からなる第２誘電体２４が設けられている。
【００３８】
実施例３によれば、圧電基板１２と櫛型電極１４および反射電極１６との間に酸化シリコン膜からなる第１誘電体２２ａが設けられている。このため、実施例１と同様に温度特性を改善することができる。
【実施例４】
【００３９】
図１０は実施例４に係る弾性波デバイスの断面図である。図１０を参照に、圧電基板１２上に例えば酸化アルミニウム膜からなる第１誘電体２２ｂが設けられている。その他の構成については、実施例３に係る弾性波デバイスと同様であり、図９に示されているので説明を省略する。
【００４０】
実施例４によれば、圧電基板１２と櫛型電極１４および反射電極１６との間に酸化アルミニウム膜からなる第１誘電体２２ｂが設けられている。このため、実施例２と同様に温度特性を改善することができる。
【００４１】
また、第１誘電体２２ｂに酸化アルミニウム膜を用いているため、第１誘電体２２ａに酸化シリコン膜を用いている実施例３に係る弾性波デバイスに比べ、エッチング耐性や膜厚制御の観点から容易に製造を行うことができる。
【００４２】
実施例３および実施例４に係る弾性波デバイスで励振される弾性波はラブ波である。
【００４３】
実施例１から実施例４において、第１誘電体２２ａは酸化シリコン膜であり第１誘電体２２ｂは酸化アルミニウム膜である例を説明したが、これに限らず、その他の物質でも良い。特に、第１誘電体２２ａおよび第１誘電体２２ｂは窒化シリコン膜（ＳｉＮ）等圧電基板１２の誘電率の温度係数より小さい温度係数を有する物質が好ましく、また、圧電性のない物質が好ましい。
【００４４】
また、第３誘電体２６は酸化アルミニウム膜である例を説明したが、弾性境界波のエネルギーが第２誘電体２４に閉じ込められ、圧電基板１２と第１誘電体２２ａおよび第１誘電体２２ｂとの境界を弾性波が伝搬するような、第２誘電体２４より音速の速い物質であれば他の物質でもよい。
【００４５】
また、実施例１から実施例４において、圧電基板１２はニオブ酸リチウムであると説明したが、これに限らず、その他の物質でもよい。特に、圧電基板１２はタンタル酸リチウム等大きな電気機械結合係数を有する物質が好ましい。
【実施例５】
【００４６】
図１１は実施例５に係るフィルタの模式図である。図１１を参照に、ラダー型フィルタ３０は３つの１ポート共振器３２を直列に接続した直列腕共振器と２つの１ポート共振器３２を直列腕共振器に対して並列に接続した並列腕共振器とを有している。１ポート共振器３２は一対の反射電極Ｒ１とこれらの間に設けられた櫛型電極ＩＤＴ１から構成されている。ここで、１ポート共振器３２は実施例１から実施例４のいずれかに係る弾性波デバイスである。ラダー型フィルタ３０の一端は例えば入力端子である第１端子４０に接続され、他端は例えば出力端子である第２端子４２に接続されている。
【実施例６】
【００４７】
図１２は実施例６に係るフィルタの模式図である。図１２を参照に、３つのＩＤＴよりなる２重モードフィルタで構成されるフィルタ３４は２つの２重モードフィルタ３６を有している。２重モードフィルタ３６は一対の反射電極Ｒ２とこれらの間に設けられた櫛型電極ＩＤＴ２、ＩＤＴ３およびＩＤＴ４からなる。一方の２重モードフィルタ３６のＩＤＴ３には例えば入力端子である第１端子４０が接続され、他方の２重モードフィルタ３６のＩＤＴ３には例えば出力端子である第２端子４２が接続されている。ここで、２重モードフィルタ３６は実施例１から実施例４のいずれかに係る弾性波デバイスである。２つの２重モードフィルタ３６は互いのＩＤＴ２および互いのＩＤＴ４を接続することで直列に接続されている。
【実施例７】
【００４８】
図１３は実施例７に係るフィルタの模式図である。図１３を参照に、１ポート共振器と２重モードフィルタとを組合せたフィルタ３８は、１ポート共振器３２と２重モードフィルタ３６とを有している。１ポート共振器３２は実施例５において図１１に示されており、２重モードフィルタ３６は実施例６において図１２に示されているので説明を省略する。１ポート共振器３２のＩＤＴ１には例えば入力端子である第１端子４０が接続され、２重モードフィルタ３６のＩＤＴ２およびＩＤＴ４には例えば出力端子である第２端子４２が接続されている。１ポート共振器３２のＩＤＴ１と２重モードフィルタ３６のＩＤＴ３とが接続することで、１ポート共振器３２と２重モードフィルタ３６とは直列に接続されている。
【００４９】
実施例５から実施例７によれば、ラダー型フィルタ、多重モードフィルタを組合せたフィルタおよび１ポート共振器と多重モードフィルタとを組合せたフィルタにおいて温度特性を改善することができる。
【００５０】
実施例５から実施例７においては、ラダー型フィルタ、多重モードフィルタを組合せたフィルタおよび１ポート共振器と多重モードフィルタとを組合せたフィルタについて説明したが、これらに限られず、例えばこれらのフィルタを組合せたフィルタ等その他のフィルタでもよい。
【００５１】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は上記実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】図１（ａ）は従来例１に係る弾性波デバイスの上視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図２】図２は従来例２に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図３】図３実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図４】図４は従来例２に係る弾性波デバイスの温度特性を示す図である。
【図５】図５は実施例１に係る弾性波デバイスの温度特性を示す図である。
【図６】図６は従来例２および実施例1に係る弾性波デバイスの等価回路図である。
【図７】図７は実施例２に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図８】図８は酸化アルミニウム膜および酸化シリコン膜における膜厚と電気機械結合係数との関係を示す図である。
【図９】図９は実施例３に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図１０】図１０は実施例４に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図１１】図１１は実施例５に係るラダー型フィルタの模式図である。
【図１２】図１２は実施例６に係る２重モードフィルタを組合せたフィルタの模式図である。
【図１３】図１３は実施例７に係る１ポート共振器と２重モードフィルタとを組合せたフィルタの模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
１２  圧電基板
１４  櫛型電極
１６  反射電極
１８  酸化シリコン膜
２０  酸化アルミニウム膜
２２ａ  第１誘電体
２２ｂ  第１誘電体
２４  第２誘電体
２６  第３誘電体
２８  端子
３０  ラダー型フィルタ
３２  １ポート共振器
３４  フィルタ
３６  ２重モードフィルタ
３８  フィルタ
４０  第１端子
４２  第２端子
【図１】
2008067289.tif 000005
【図２】
2008067289.tif 000006
【図３】
2008067289.tif 000007
【図４】
2008067289.tif 000008
【図５】
2008067289.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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