(57)【要約】【課題】大判の基板に電極分割構造としての隔壁を作成する場合も一様に電極を分割でき、フォトリソグラフィー法に比較して低コスト化を図ることを可能にする。【解決手段】第２電極分離構造製造工程は、薄膜形成工程、硬化型材料印刷工程、硬化工程及び薄膜除去工程からなる。薄膜形成工程は、第１電極１３を形成した基板１２上に、未硬化の硬化型材料との濡れ性の低い薄膜２０を形成する。硬化型材料印刷工程は、薄膜２０上の第２電極１６を形成すべき箇所を除いた領域に、薄膜２０との接触角が９０度より大きな状態で接着する未硬化の硬化型材料２２を複数の線状に印刷する。硬化工程は、印刷された未硬化の硬化型材料２２を硬化させる。薄膜除去工程は、薄膜２０の硬化型材料２２で覆われていない部分を除去する。【選択図】図２
2008108512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、有機発光層及び第２電極が積層された有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記第１電極を形成した基板上に、未硬化の硬化型材料との濡れ性の低い薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜上の前記第２電極を形成すべき箇所を除いた領域に、前記薄膜との接触角が９０度より大きな状態で接着する未硬化の硬化型材料を複数の線状に印刷する硬化型材料印刷工程と、
前記印刷された未硬化の硬化型材料を硬化させる硬化工程と、
前記薄膜の前記硬化型材料で覆われていない部分を除去する薄膜除去工程と
からなる第２電極分離構造製造工程を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記薄膜はフッ素コートされて形成されたものである請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記硬化型材料はソルダーレジストである請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記硬化型材料は、未硬化の状態において１００ｄＰａ・ｓ以上２００ｄＰａ・ｓ以下の粘度である請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記硬化型材料は、未硬化の状態においてチクソトロピー・インデックスが１以上２以下である請求項３又は請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記硬化型材料は、スクリーン印刷又はインクジェットにより印刷される請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記硬化型材料は、光硬化型材料である請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項７いずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機エレクトロルミネッセンスを適宜、有機ＥＬという。）の製造方法及び電気光学装置に係り、詳しくはパッシブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイパネルに好適な有機ＥＬ素子の製造方法及び電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイパネルは、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間に有機ＥＬ層が形成されており、パッシブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイパネルを形成する場合は、有機ＥＬ層を形成した後に、第２電極を第１電極と直交する平行なストライプ状に形成する必要がある。このとき、隣接する第２電極同士の絶縁性を確保するため、第２電極と平行に延びる隔壁を設けることが行われている。そして、隔壁を形成する方法として、フォトリソグラフィー法が使用されている。
【０００３】
また、フォトリソグラフィー法を使用せずに電極分離手段（隔壁）を形成する方法も提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法は、図３（ａ）に示すように、まず基板５１上に硬化型材料を用いてパターン５２を印刷する。パターン５２を構成する硬化型材料として紫外線硬化型樹脂が使用される。紫外線硬化型樹脂として粘度が４００Ｐａ・ｓ〜６００Ｐａ・ｓで、チクソトロピー指数（チクソトロピー・インデックス）が４〜６のものが使用されている。印刷されたパターン５２の端部は粘性によって毛羽立ち、フランジ部５２ａが形成され、頂部付近の輪郭が「Ｍ」字状あるいは「Ｕ」字状をしている。次に図３（ｂ）に示すように、パターン５２の上部から空気を吹き付けて、空気圧によってフランジ部５２ａを外側に倒す。エアブローは、スリットを有するノズルＮから空気を供給して行う。その結果、パターン５２上に立っていたフランジ部５２ａが全て倒されて、図３（ｃ）に示すように、庇部５３となる。庇部５３が形成された後、パターン５２に光を照射して光硬化性樹脂を硬化させると、電極分離構造５４が完成する。次に基板５１の上方から金属材料を供給して電極層を形成する。このとき、電極分離構造５４には一様に庇部５３が張り出しているので、電極層が電極分離構造５４によって分離され、図３（ｄ）に示すように、電極分離構造５４の上部の電極層５５ａと、基板５１上の電極層５５ｂとに分離される。
【特許文献１】特開２００５−１９７１９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ガラス基板上に有機ＥＬディスプレイパネルを形成する場合、一般に、複数の有機ＥＬディスプレイパネルを１枚のガラス基板上に形成した後、スクライブ・アンド・ブレイクという方法を用いて個々の製品寸法に分割する多面取りが採用されている。大判のガラス板を基板として使用する場合、基板が反るため、フォトリソグラフィー法を使用して隔壁（電極分離構造）を形成する方法では、基板上にフォトレジストを均一の膜厚に塗布することが難しく、陰極分割が不完全な部分が発生するという問題があった。また、フォトリソグラフィー法では、設備が高価になるとともに、高価なフォトレジストの大部分がエッチングで除去されて無駄になるという問題もある。
【０００５】
一方、特許文献１に記載の方法では、図３（ａ）に示すように、両側面が基板５１に対して垂直で、しかも庇部５３となるべきフランジ部５２ａが立った形状のパターン５２を得ることが難しい。
【０００６】
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その第１の目的は、大判の基板に電極分割構造としての隔壁を作成する場合も一様に電極を分割でき、フォトリソグラフィー法に比較して低コスト化を図ることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。また、第２の目的は、前記製造方法で製造された有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の第１の目的を達成するため請求項１に記載の発明は、第１電極、有機発光層及び第２電極が積層された有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、第２電極分離構造製造工程は、第１電極を形成した基板上に、未硬化の硬化型材料との濡れ性の低い薄膜を形成する薄膜形成工程を備えている。また、前記薄膜上の前記第２電極を形成すべき箇所を除いた領域に、前記薄膜との接触角が９０度より大きな状態で接着する未硬化の硬化型材料を複数の線状に印刷する硬化型材料印刷工程と、前記印刷された未硬化の硬化型材料を硬化させる硬化工程と、前記薄膜の前記硬化型材料で覆われていない部分を除去する薄膜除去工程とを備えている。
【０００８】
この発明では、第１電極が形成された基板上に薄膜形成工程において、薄膜が形成される。薄膜は未硬化の硬化型材料との濡れ性が低い。硬化型材料印刷工程では、薄膜上に未硬化の硬化型材料が線状に印刷される。その後、硬化工程で硬化型材料が硬化される。硬化後、薄膜除去工程において、薄膜の前記硬化型材料で覆われていない部分が除去されることにより、第２電極分離構造製造工程が完了する。印刷された未硬化の硬化型材料は、薄膜との接触角が９０度より大きな状態で薄膜に接着するため、線状に印刷された硬化型材料の両側には長手方向に沿ってオーバーハング部が存在する状態となる。その状態で硬化されるため、硬化工程完了後も、線状に印刷された硬化型材料の両側には長手方向に沿ってオーバーハング部が存在する。そして、硬化型材料の存在しない部分の薄膜が除去されることにより第１電極が露出される状態になる。したがって、その後、有機ＥＬ層及び第２電極を真空蒸着法で順次形成すれば、第２電極は分離された状態で形成される。その結果、フォトリソグラフィー法を利用せずに電極分割構造としての隔壁を形成することができ、大判の基板に電極分割構造としての隔壁を作成する場合も一様に電極を分割でき、フォトリソグラフィー法に比較して低コスト化を図ることができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の発明において、前記薄膜はフッ素コートされて形成されたものである。この発明では、未硬化の硬化型材料との濡れ性の低い薄膜を容易に形成することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明では、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記硬化型材料はソルダーレジストである。この発明では、薄膜との接触角が９０度より大きな状態で接着する未硬化の硬化型材料を入手し易い。
【００１１】
請求項４に記載の発明では、請求項３に記載の発明において、前記硬化型材料は、未硬化の状態において１００ｄＰａ・ｓ以上２００ｄＰａ・ｓ以下の粘度である。この発明では、未硬化の硬化型材料と薄膜との接触角が９０度より大きな状態で接着し易くなる。
【００１２】
請求項５に記載の発明では、請求項３又は請求項４に記載の発明において、前記硬化型材料は、未硬化の状態においてチクソトロピー・インデックスが１以上２以下である。この発明では、未硬化の硬化型材料と薄膜との接触角が９０度より大きな状態で接着し易くなる。
【００１３】
請求項６に記載の発明では、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の発明において、前記硬化型材料は、スクリーン印刷又はインクジェットにより印刷される。この発明では、未硬化の硬化型材料を薄膜上に線状で印刷し易い。
【００１４】
請求項７に記載の発明では、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の発明において、前記硬化型材料は、光硬化型材料である。この発明では、熱硬化型材料に比較して、硬化工程において、硬化型材料が薄膜との接触角を９０度より大きな状態に保持したまま硬化させ易い。
【００１５】
請求項８に記載の発明の電気光学装置は、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えている。ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって自ら光を発する発光層を備えた装置を意味し、例えば、有機ＥＬディスプレイ、モニタ画面に有機ＥＬディスプレイを備えた装置、タッチパネルの画面に有機ＥＬディスプレイが使用されている装置等が挙げられる。この発明では、有機ＥＬ素子を製造する際に請求項１〜請求項７のいずれか一項と対応する効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１〜請求項７に記載の発明によれば、大判の基板に電極分割構造としての隔壁を作成する場合も一様に電極を分割でき、フォトリソグラフィー法に比較して低コスト化を図ることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することができる。請求項８に記載の発明によれば、前記製造方法で製造された有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明をパッシブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイパネルに具体化した一実施形態を図１及び図２にしたがって説明する。なお、図１及び図２は、有機ＥＬディスプレイパネルの構成を模式的に示したものであり、図示の都合上、一部の寸法を誇張して分かり易くするために、それぞれの部分の幅、長さ、厚さ等の寸法の比は実際の比と異なっている。
【００１８】
図１（ａ）は封止膜を省略した有機ＥＬディスプレイパネルの概略斜視図である。図１（ａ）に示すように、有機ＥＬディスプレイパネル１１は、基板１２と、基板１２上にストライプ状に形成された第１電極１３と、第１電極１３と交差する状態で設けられた複数の第２電極分離構造としての隔壁１４と、第１電極１３上に設けられた有機ＥＬ層（有機エレクトロルミネッセンス層）１５とを備えている。また、有機ＥＬ層１５上に隔壁１４と平行に形成された第２電極１６と、封止膜１７（図１（ｂ）に図示）とを備えている。即ち、第１電極１３と第２電極１６との各交差部において、両電極１３，１６との間に有機ＥＬ層１５が設けられた状態でそれぞれ有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）１８が形成されており、有機ＥＬディスプレイパネル１１は、基板１２上に有機ＥＬ素子１８がマトリックス状に配置されている。
【００１９】
基板１２として透明なガラス基板が使用されている。
第１電極１３は陽極を構成するとともに、公知の有機ＥＬ素子で透明電極として用いられるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）により形成されている。各第１電極１３の間には第１電極１３とほぼ同じ厚さの絶縁膜１９が設けられており、第１電極１３の表面と絶縁膜１９の表面とはほぼ同一平面を形成している。この実施形態では絶縁膜１９は、幅が第１電極１３の幅より大きく形成されている。例えば、絶縁膜１９の幅と第１電極１３の幅との比が、５：３になるように形成されている。絶縁膜１９は、ポジ型レジストで形成されている。
【００２０】
隔壁１４は、薄膜２０と、薄膜２０上に形成された隔壁本体２１とで構成されている。
薄膜２０はフッ素コートされている。ここで、フッ素コートには、ＣＶＤやスパッタでＣＦｘ膜を形成した場合やフッ素樹脂コートされる場合も含まれる。薄膜２０は１μｍより薄く形成されている。
【００２１】
隔壁本体２１は、断面略楕円状に形成されるとともに、薄膜２０の幅より広い幅（例えば、１５μｍ程度）で形成されている。隔壁本体２１は高さＨが、例えば、３．０μｍ程度に形成されている。そして、隔壁本体２１の曲面の下端が薄膜２０の表面と接する箇所における接触角θが９０度より大きく、好ましくは１１０度〜１４０度、より好ましくは１２０度〜１３０度に形成されている。即ち、隔壁本体２１は、その長手方向に沿って両側にオーバーハング部が存在する状態に形成されている。
【００２２】
隔壁本体２１は、未硬化の硬化型材料を薄膜２０上に線状に印刷した後、硬化させた硬化型材料で形成されている。この実施形態では、硬化型材料としてソルダーレジストが使用されている。また、硬化型材料として光硬化型材料が使用され、光硬化型材料として紫外線硬化型材料が使用されている。
【００２３】
有機ＥＬ層１５は、第１電極１３側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が積層されて形成されている。
第２電極１６は陰極を構成するとともに、有機ＥＬ素子の陰極に適した金属、例えばアルミニウムにより形成され、光反射性を有している。即ち、有機ＥＬ素子１８は、有機ＥＬ層１５から発せられた光が基板１２側から取り出される（出射される）所謂ボトムエミッションタイプに構成されている。
【００２４】
封止膜１７は、第１電極１３、有機ＥＬ層１５、隔壁１４及び第２電極１６の露出部分、即ち、封止膜１７が形成される前の状態において露出している部分を覆うように形成されている。但し、第１電極１３の取り出し部及び第２電極１６の取り出し部、即ち端子部には封止膜１７は形成されない。封止膜１７は、窒化ケイ素で形成されるとともに、膜厚が、例えば、１μｍ〜４．０μｍ程度に形成されている。基板１２の封止膜１７が形成される側の面は、隔壁１４の存在により、封止膜１７の厚さは場所によって異なるため、この明細書で封止膜１７の厚さという場合は、封止膜１７のうち基板１２と平行な面に形成されている部分の厚さを意味する。
【００２５】
次に有機ＥＬディスプレイパネル１１の製造方法を説明する。
先ずパターニング工程において、基板１２の上に透明電極を構成するＩＴＯ膜を形成する。ＩＴＯ膜はスパッタリング法、真空蒸着法、イオン化蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成される。次に、このＩＴＯ膜に対してエッチングを行い、第１電極１３をストライプ状に形成する。
【００２６】
次に絶縁膜１９が第１電極１３の間を埋めるように形成される。絶縁膜１９は、ポジ型レジストを使用したフォトリソグラフ法により形成される。
次に、薄膜形成工程、硬化型材料印刷工程、硬化工程及び薄膜除去工程からなる第２電極分離構造製造工程が行われる。
【００２７】
薄膜形成工程では、第１電極１３及び絶縁膜１９を形成した基板１２上に、未硬化の硬化型材料との濡れ性の低い薄膜２０を形成する。具体的には、基板１２上の第１電極１３及び絶縁膜１９を覆うように薄膜２０がフッ素でコーティングされて図２（ａ）の状態になる。薄膜２０の役割は、未硬化の硬化型材料が印刷された際、接触角が９０度より大きくなるようにすることが主なため、膜厚は１μｍ以下でよい。
【００２８】
硬化型材料印刷工程では、薄膜２０上の第２電極１６を形成すべき箇所を除いた領域に、薄膜２０との接触角θが９０度より大きな状態で接着する未硬化の硬化型材料を複数の線状に印刷する。硬化型材料２２は、第１電極１３と直交する状態に印刷されて図２（ｂ）に示す状態となる。印刷は、スクリーン印刷で行われる。印刷された未硬化の硬化型材料２２は、薄膜２０との接触角θが９０度より大きな状態で薄膜２０に接着するため、線状に印刷された硬化型材料２２の両側には長手方向に沿ってオーバーハング部が存在する状態となる。
【００２９】
硬化型材料２２は、未硬化の状態において、粘度が１００ｄＰａ・ｓ以上２００ｄＰａ・ｓ以下で、チクソトロピー・インデックスが１以上２以下のものが使用される。未硬化の状態において、粘度が高すぎても、低すぎても高寸法精度で隔壁１４を形成し難くなる。チクソトロピー・インデックスが高すぎると気泡が発生してしまい、逆に低すぎるとレジスト形状が崩れやすくなる。この実施形態では、粘度が１７０ｄＰａ・ｓで、チクソトロピー・インデックスが１．１の紫外線硬化型材料を使用した。
【００３０】
硬化工程では、印刷された未硬化の硬化型材料２２に紫外線を照射して硬化させる。
薄膜除去工程では、薄膜２０の硬化型材料で覆われていない部分を除去する。除去はドライエッチングにより行われる。薄膜除去工程終了により、図２（ｃ）に示すように、第１電極１３と直交する方向（図２（ｃ）の紙面と垂直方向）に延びる隔壁１４が所定間隔で形成された状態となる。
【００３１】
次に基板１２をＵＶオゾン洗浄した後、有機ＥＬ層形成工程により有機ＥＬ層１５が形成される。有機ＥＬ層１５は、有機ＥＬ層１５を構成する各層が公知の真空蒸着法により順次形成されることで形成される。各層の厚みは、例えば、１〜１００ｎｍの範囲である。有機ＥＬ層１５は、隔壁１４の間の第１電極１３及び絶縁膜１９上に限らず、隔壁１４の上にも形成される。
【００３２】
次に第２電極形成工程により、有機ＥＬ層１５を覆うとともに、第１電極１３と直交する平行なストライプ状の第２電極１６が形成される。第２電極１６はＡｌ（アルミニウム）を蒸着することにより形成される。Ａｌは隔壁１４上に形成された有機ＥＬ層１５の上にも積層される。しかし、隔壁本体２１は薄膜２０の幅より広く形成されるとともに両側にオーバーハング部を備えているため、図２（ｄ）に示すように、隔壁１４上に積層されたＡｌ層は第１電極１３と対応する位置に積層されたＡｌ層と完全に分離された状態になり、第１電極１３と対応する位置に積層されたＡｌ層が第２電極１６になる。
【００３３】
次に封止膜形成工程で封止膜１７が形成される。封止膜１７は、第２電極１６が形成された後、真空一環で公知のプラズマＣＶＤ法で窒化ケイ素を蒸着することにより形成される。その結果、図１（ｂ）に示すように、隔壁１４及び第２電極１６等が封止膜１７で覆われた状態になる。封止膜１７の膜厚は、プラズマＣＶＤの蒸着時間を制御することにより調整できる。
【００３４】
次に前記のように構成された有機ＥＬディスプレイパネル１１の第１電極１３及び第２電極１６が、図示しない駆動回路に接続されて電気光学装置としての表示装置が構成される。そして、発光させるべき有機ＥＬ素子１８と対応する第１電極１３及び第２電極１６間に電圧が印加されると、その有機ＥＬ素子１８の有機ＥＬ層１５が発光する。
【００３５】
この実施の形態では以下の効果を有する。
（１）第２電極分離構造製造工程は、第１電極１３を形成した基板１２上に、未硬化の硬化型材料との濡れ性の低い薄膜２０を形成する薄膜形成工程と、薄膜２０上の第２電極１６を形成すべき箇所を除いた領域に、薄膜２０との接触角θが９０度より大きな状態で接着する未硬化の硬化型材料を複数の線状に印刷する硬化型材料印刷工程とを備えている。また、印刷された未硬化の硬化型材料２２を硬化させる硬化工程と、薄膜２０の前記硬化型材料で覆われていない部分を除去する薄膜除去工程とを備えている。したがって、フォトリソグラフィー法を使用せずに電極分割構造としての隔壁１４を形成することができ、大判の基板１２に電極分割構造としての隔壁１４を作成する場合も一様に電極を分割でき、フォトリソグラフィー法に比較して低コスト化を図ることができる。
【００３６】
（２）薄膜２０はフッ素コートされて形成されたものである。したがって、未硬化の硬化型材料２２との濡れ性の低い薄膜２０を容易に形成することができる。
【００３７】
（３）硬化型材料はソルダーレジストである。したがって、薄膜２０との接触角θが９０度より大きな状態で接着する未硬化の硬化型材料を入手し易い。
（４）硬化型材料は、未硬化の状態において１００ｄＰａ・ｓ以上２００ｄＰａ・ｓ以下の粘度であるため、未硬化の硬化型材料と薄膜２０との接触角θが９０度より大きな状態で接着し易くなる。
【００３８】
（５）硬化型材料は、チクソトロピー・インデックスが１以上２以下であるため、未硬化の硬化型材料と薄膜２０との接触角θが９０度より大きな状態で接着し易くなる。
（６）硬化型材料は、スクリーン印刷により印刷されるため、未硬化の硬化型材料を薄膜２０上に線状で印刷し易い。
【００３９】
（７）硬化型材料は、光硬化型材料であるため、熱硬化型材料に比較して、硬化工程において、硬化型材料が薄膜２０との接触角θを９０度より大きな状態に保持したまま硬化させ易い。
【００４０】
（８）基板１２上にストライプ状に形成された第１電極１３の間に絶縁膜１９が形成されているため、薄膜２０全体が凹凸のない平面状に形成され、未硬化の硬化型材料２２を線状にかつ薄膜２０との接触角θが９０度より大きくなるように印刷するのが容易になる。
【００４１】
（９）電気光学装置としての表示装置を構成する有機ＥＬディスプレイパネル１１は、前記第２電極分離構造製造工程を有機ＥＬ素子の製造工程に含んでいるため、製造する際に、前記各効果が得られる。
【００４２】
実施形態は前記に限らず、例えば次のように構成してもよい。
○  薄膜２０は、フッ素コートに限らず、未硬化の硬化型材料との濡れ性が低く、エッチング可能な材料であればよい。
【００４３】
○  第１電極１３を形成した基板１２上に形成された薄膜２０の、未硬化の硬化型材料が線状に印刷された箇所を除く部分を除去するエッチングは、ドライエッチングに限らずウェットエッチングでもよい。
【００４４】
○  隔壁１４の薄膜２０との接触角θが９０度より大きく形成されれば、硬化型材料２２の材質は特に限定されない。例えば、硬化型材料２２として紫外線硬化型材料に代えて、紫外線以外の光線で硬化可能な光硬化型材料としたり、熱硬化型材料としたりしてもよい。硬化型材料２２に熱硬化型材料を使用した場合は、硬化工程で加熱を行う際に、印刷された状態の硬化型材料２２が変形してオーバーハング部が薄膜２０に接着する虞があるため、光硬化型材料の方が好ましい。
【００４５】
○  薄膜２０の主な役割を、硬化型材料２２との接触角θを９０度より大きく形成することに加えて、隔壁本体２１のオーバーハング部の第１電極１３からの高さを高くすることとする場合は、薄膜２０の厚さを１μｍ以上にしてもよい。しかし、薄膜２０の厚さをあまり厚くすると封止膜１７による封止性が悪くなるため、６μｍ以下が好ましい。
【００４６】
○  絶縁膜１９をポジ型レジストに代えてネガ型レジストで形成してもよい。
○  絶縁膜１９を設けずに、薄膜２０を隣接する第１電極１３間においては基板１２上に直接積層する状態で設けてもよい。しかし、絶縁膜１９を設けない場合は、薄膜２０が平坦にならず、凹凸が繰り返される状態になるため硬化型材料２２を線状に印刷する際、線状に印刷された硬化型材料２２の長手方向全長にわたってオーバーハング部を均一に形成するのが難しくなるため、絶縁膜１９を設ける方が好ましい。
【００４７】
○  未硬化の硬化型材料の第１電極１３及び絶縁膜１９又は基板１２との接触角θが９０度より大きければ、隔壁１４は、薄膜２０を設けずに隔壁本体２１のみで形成されてもよい。この場合、製造がより簡単になる。
【００４８】
○  第１電極１３の幅、絶縁膜１９の幅、隔壁１４の薄膜２０及び隔壁本体２１の幅や厚さ、隣接する隔壁１４の間隔、第２電極１６の厚さ等は適宜変更してもよい。
○  パッシブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイパネルの場合、第１電極１３と第２電極１６とは交差していればよく、必ずしも直交でなくてもよい。
【００４９】
○  硬化型材料２２の印刷は、スクリーン印刷に限らず、例えば、インクジェットで印刷してもよい。
○  パッシブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイパネルに限らず、複数の線状の発光部が隣接して形成された有機ＥＬディスプレイパネルに適用してもよい。即ち、複数本のストライプ状の第１電極１３及び第２電極１６が交差するように設けられた構成に代えて、ストライプ状に形成された複数の金属製第２電極１６を形成するとともに、全ての第２電極１６に共通の第１電極１３を１個、ベタ電極として設けてもよい。
【００５０】
○  有機ＥＬ層１５の構成は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の構成に限らず、少なくとも発光層を含む構成であればよい。例えば、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の３層構成や、発光層を挟んで正孔注入輸送層と電子注入輸送層とを設けた３層構成としてもよい。また、発光層の材料によっては、有機ＥＬ層１５を発光層のみから構成してもよい。
【００５１】
○  有機ＥＬディスプレイパネル１１はモノカラー表示に限らず、数色のエリアカラー表示やフルカラー表示に適用してもよい。フルカラー表示の場合、例えば、基板１２としてカラーフィルタの表面に透明な樹脂製のオーバーコート層が形成されたものを使用する。そして、オーバーコート層の上に第１電極１３、絶縁膜１９、隔壁１４、有機ＥＬ層１５，第２電極１６等を形成する。
【００５２】
○  有機ＥＬ層１５が白色発光を行う構成としてもよい。白色発光を行う構成として、青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層を重なるように配置する構成や、青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層をそれぞれストライプ状に形成するとともに、赤、緑、青の発光部が順に隣接して繰り返し並ぶように設けてもよい。また、１層の発光層に赤、緑、青の発光を行う有機発光材料を混在させてもよい。
【００５３】
○  基板１２はガラスに限らず、透明な樹脂基板やフィルムであってもよい。
○  第１電極１３を構成する透明電極は、ＩＴＯに限らず、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ２（酸化錫）等を用いることができる。
【００５４】
○  第２電極１６は、アルミニウムに限らず、従来用いられている公知の陰極材料等が使用でき、例えば、金、銀、銅、クロム等の金属やこれらの合金等が用いられる。
○  第２電極１６は光反射機能を備えていなくてもよい。
【００５５】
○  有機ＥＬ素子１８は基板１２側から光を出射する構成に限らず、基板１２と反対側から光を出射する所謂トップエミッション型の有機ＥＬ素子としてもよい。この場合、有機ＥＬ素子１８は、有機ＥＬ層１５を挟んで基板１２と反対側に配置される第２電極１６は透明電極で形成される。ＩＴＯ膜の表面の仕事関数は正孔の注入に適した値のため陽極としては適しているが、陰極としては最適ではないため、有機ＥＬ素子１８の陰極を構成する電極を透明にするためＩＴＯで形成した場合、ＩＴＯの有機ＥＬ層１５と対向する表面に金属層を光透過性を有するように薄い膜厚で形成するのが好ましい。
【００５６】
○  有機ＥＬ素子１８を所謂トップエミッション型の構成とした場合、基板１２側に配置される第１電極１３は透明でなくてもよい。
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
【００５７】
・  第１電極、有機発光層及び第２電極が積層された有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記第１電極を形成した基板上の前記第２電極を形成すべき箇所を除いた領域に、前記第１電極との接触角が９０度より大きな状態で接着する未硬化の硬化型材料を複数の線状に印刷する硬化型材料印刷工程と、前記印刷された未硬化の硬化型材料を硬化させる硬化工程とからなる第２電極分離構造製造工程を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】（ａ）は一実施形態の有機ＥＬディスプレイパネルの概略部分斜視図、（ｂ）は部分模式断面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を説明する部分模式断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は従来技術の電極分離手段の製造工程を説明する断面図。
【符号の説明】
【００５９】
θ…接触角、１２…基板、１３…第１電極、１４…第２電極分離構造としての隔壁、１５…有機ＥＬ層、１６…第２電極、１８…有機ＥＬ素子、２０…薄膜、２２…硬化型材料。
【図１】
2008108512.tif 000003
【図２】
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【図３】
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