(57)【要約】      （修正有）【課題】金属配線の形状の確保を成すことができる電子部品搭載用基材とその製造方法を提供する。【解決手段】樹脂フィルム１上に形成された金属配線４に、ソルダーレジスト５と、搭載される電子部品に対する接合性が前記金属配線４よりも高い金属性被膜６とが形成された電子部品搭載用基材１００であって、前記ソルダーレジスト５と前記金属性被膜６は、前記金属配線４上のそれぞれ異なる領域に形成され、前記ソルダーレジスト５の形成領域における縁部のうち前記金属性被膜の形成領域と相対する部分Ｐ１には、前記ソルダーレジスト５よりも前記金属配線４との接合性の高い保護膜７ａ、７ｂが形成されており、前記金属配線４に対して前記保護膜７ａ、７ｂと前記ソルダーレジスト５の順で積層されている構成とする。【選択図】図１
2008060141.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルム上に形成された金属配線に、ソルダーレジストと、搭載される電子部品に対する接合性が前記金属配線よりも高い金属性被膜とが形成された電子部品搭載用基材であって、
前記ソルダーレジストと前記金属性被膜は、前記金属配線上のそれぞれ異なる領域に形成され、
前記ソルダーレジストの形成領域における縁部のうち前記金属性被膜の形成領域と相対する部分には、前記ソルダーレジストよりも前記金属配線との接合性の高い保護膜が形成されており、前記保護膜が前記金属配線と前記ソルダーレジストとの間に介挿されている
ことを特徴とする電子部品搭載用基材。
【請求項２】
前記保護膜は、前記ソルダーレジストの形成領域を囲む領域のうち、前記金属配線上で、かつ前記ソルダーレジストの形成領域の外縁に位置する部分において、前記金属配線に積層されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項３】
前記保護膜は、前記ソルダーレジストの形成領域内において、前記端部にのみ形成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項４】
前記保護膜は、前記金属配線との化学結合性を備えたカップリング物質が含有されてなる硬化性樹脂被膜である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子部品搭載用基材。
【請求項５】
前記硬化性樹脂被膜に、含窒素環化合物を含むカップリング物質が含まれている
ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項６】
前記金属配線は銅または銅合金からなり、前記金属性被膜が錫または錫合金からなる
ことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の電子部品搭載用基材。
【請求項７】
前記金属配線の厚みが５μｍ以上３５μｍ以下であり、前記金属性被膜の厚みが０．１μｍ以上０．８μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の電子部品搭載用基材。
【請求項８】
樹脂フィルムに金属配線を形成する配線形成ステップと、前記金属配線の一部を覆うソルダーレジストを形成するソルダーレジスト形成ステップと、搭載される電子部品との接合性が前記金属配線よりも高い金属性被膜を前記金属配線に形成する被膜形成ステップとを有する電子部品搭載用基材の製造方法であって、
前記配線形成ステップと前記ソルダーレジスト形成ステップとの間において、前記金属配線に、前記ソルダーレジストよりも前記金属配線との接合性が高い保護膜を積層する保護膜形成ステップを有し、
前記保護膜形成ステップでは、前記保護膜を、前記ソルダーレジストの形成相当領域の縁部のうち、前記金属性被膜の形成相当領域と相対する部分に形成し、
前記ソルダーレジスト形成ステップの後に前記被膜形成ステップを行い、前記金属配線上において前記ソルダーレジストとは異なる領域に前記金属性被膜を形成する
ことを特徴とする電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項９】
前記保護膜形成ステップでは、前記ソルダーレジストの形成領域内において、前記端部にのみ形成する
ことを特徴とする請求項８に記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項１０】
前記被膜形成ステップでは、無電解メッキ法によって前記金属性被膜を形成する
ことを特徴とする請求項８または９に記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項１１】
前記保護膜を、前記金属配線との化学結合性を備えたカップリング物質が含有されてなる硬化性樹脂被膜とする
ことを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項１２】
前記硬化性樹脂被膜を、含窒素環化合物を含むカップリング物質を用いて形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項１３】
前記金属配線を銅または銅合金を用いて形成し、前記金属性被膜を錫または錫合金を用いて形成する
ことを特徴とする請求項８から１２のいずれかに記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細形状の金属配線を有する電子部品搭載用基材とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ノートパソコン等の電子機器の小型化、薄型化が進み、搭載される半導体素子も微細化されている。そのため、電子部品を搭載する基材に関しては、フレキシブルで薄膜なテープ材料を含むテープキャリア等が多く利用されている。
一般に、テープキャリアの構成は図５（ａ）の平面図、及びその一部分（Ｘ−Ｘ’線）の断面図を示す図５（ｂ）のとおりである。樹脂フィルム９１上に所定のパターン形状を有する銅リード９４が配され、銅リード９４の一部に、絶縁層としてソルダーレジスト９５が被覆されている。また、図５（ｂ）のようにソルダーレジスト９５で被覆されていない銅リード部分９４ａ、９４ｂには、錫メッキ被膜９６が形成されている。錫メッキ被膜９６は、耐食性や半田付け性の確保に好適であり、錫メッキ被膜９６の形成領域において半導体素子や接続端子等が接続される。
【０００３】
ところで、図５（ｂ）の拡大図のように、銅リード９４には、ソルダーレジスト９５との界面部分に微小な間隙９７が形成されることがある。この間隙は、上記錫メッキ被膜９６の形成に起因して形成されている。錫メッキ被膜９６は、微細な金属配線の銅リード９４に対応できる無電解メッキ法によって形成されることが多い。この方法は、高温雰囲気中のメッキ薬液に浸漬させるが、銅リード９４とソルダーレジスト９５との熱膨張率の差異などから、図５（ｃ）の模式図で示すように、ソルダーレジスト９５の端面が銅リード９４から僅かに剥離してしまう。そのため、浸漬時にメッキ薬液がこの剥離部分に浸入し、錫（Ｓｎ）イオン及び銅（Ｃｕ）イオンのイオン化傾向の違いに伴う局部電池現象が誘発される。これにより、銅リード９４の表面にＣｕイオンが溶出し、銅リード９４表面が浸食されて上記間隙９７が形成される。銅リード９４が浸食されると、銅リード９４に微細なパターン形状を施すことが困難となったり、銅リード９４自体の強度低下や断線を招く。
【０００４】
そこで、メッキ薬液中のＳｎイオン濃度を規定し、局部電池の発生を抑制する技術が提案されており（例えば、特許文献１）、これにより、銅リード９４における上記浸食の抑制が図られている。
【特許文献１】特開２００４−２９７１０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の場合、メッキ薬液中のＳｎイオン濃度を厳格に管理する必要があり、それに伴う付帯設備等も含めて製造コストの増大を招く。
また、ソルダーレジストが銅リードから剥離した部分へのメッキ薬液の浸入は制限されていないので、この剥離した部分における銅リードの浸食を防止する対策としては未だ不十分と言える。特に、銅リードの更なる微細化及び薄膜化を実現させるためには、上記浸食部分の発生自体を阻止を図る必要がある。
【０００６】
本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、金属配線の形状の確保を成すことができる電子部品搭載用基材とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、上記課題を解決するために以下の方法を採る。
樹脂フィルム上に形成された金属配線に、ソルダーレジストと、搭載される電子部品に対する接合性が前記金属配線よりも高い金属性被膜とが形成された電子部品搭載用基材であって、前記ソルダーレジストと前記金属性被膜は、前記金属配線上のそれぞれ異なる領域に形成され、前記ソルダーレジストの形成領域における縁部のうち前記金属性被膜の形成領域と相対する部分には、前記ソルダーレジストよりも前記金属配線との接合性の高い保護膜が形成されており、前記保護膜が前記金属配線と前記ソルダーレジストとの間に介挿されている構成とする。
【０００８】
ここで、「前記ソルダーレジストの形成領域における縁部のうち前記金属性被膜の形成領域と相対する部分」とは、ソルダーレジストの形成領域内であるとともに、同じ金属配線上の異なる領域に形成される金属性被膜の形成領域との境界部分を意味する。
その中で前記保護膜は、前記ソルダーレジストの形成領域を囲む領域のうち、前記金属配線上で、かつ前記ソルダーレジストの形成領域の外縁に位置する部分において、前記金属配線に積層されている構成としても構わない。また、前記保護膜は、前記ソルダーレジストの形成領域内において、前記端部にのみ形成されている構成としても構わない。
【０００９】
また、前記保護膜は、前記金属配線との化学結合性を備えたカップリング物質が含有されてなる硬化性樹脂被膜である構成とすることが好ましい。さらに、前記硬化性樹脂被膜に、含窒素環化合物を含むカップリング物質が含まれているとすることもできる。
一方、前記金属配線は銅または銅合金からなり、前記金属性被膜が錫または錫合金からなる構成としても構わない。そして、前記金属配線の厚みが５μｍ以上３５μｍ以下であり、前記金属性被膜の厚みが０．１μｍ以上０．８μｍ以下とすることが好ましい。
【００１０】
また、本願発明に係る電子部品搭載用基材の製造方法に関しては以下のとおりとする。
製造方法樹脂フィルムに金属配線を形成する配線形成ステップと、前記金属配線の一部を覆うソルダーレジストを形成するソルダーレジスト形成ステップと、搭載される電子部品との接合性が前記金属配線よりも高い金属性被膜を前記金属配線に形成する被膜形成ステップとを有する電子部品搭載用基材の製造方法であって、前記配線形成ステップと前記ソルダーレジスト形成ステップとの間において、前記金属配線に、前記ソルダーレジストよりも前記金属配線との接合性が高い保護膜を積層する保護膜形成ステップを有し、前記保護膜形成ステップでは、前記保護膜を、前記ソルダーレジストの形成相当領域の縁部のうち、前記金属性被膜の形成相当領域と相対する部分に形成し、前記ソルダーレジスト形成ステップの後に前記被膜形成ステップを行い、前記金属配線上において前記ソルダーレジストとは異なる領域に前記金属性被膜を形成する。
【００１１】
このとき、前記保護膜形成ステップでは、前記ソルダーレジストの形成領域内において、前記端部にのみ形成しても構わない。
また、前記被膜形成ステップでは、無電解メッキ法によって前記金属性被膜を形成することが望ましい。
また、前記保護膜を、前記金属配線との化学結合性を備えたカップリング物質が含有されてなる硬化性樹脂被膜とすることが好ましい。そして、前記硬化性樹脂被膜を、含窒素環化合物を含むカップリング物質を用いて形成することもできる。
【００１２】
一方、前記金属配線を銅または銅合金を用いて形成し、前記金属性被膜を錫または錫合金を用いて形成することもできる。  
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る電子部品搭載用基材は、ソルダーレジストの形成領域における縁部のうち金属性被膜と相対する部分に、上記保護膜が金属配線に積層された構成となっている。金属性被膜に直接接している上記保護膜は、ソルダーレジストよりも金属配線に対して密着性が高いので、高温雰囲気下においてもソルダーレジストが金属配線に直接積層されている場合と比較して、保護膜は金属配線から剥離しにくい。よって、ソルダーレジストの形成領域のうち、金属性被膜との境界領域となるような位置、つまり金属性被膜と相対する部分に保護膜が形成されていることで、高温雰囲気下でメッキ薬液を用いても、ソルダーレジストと金属配線との界面へのメッキ薬液の浸入が抑制される。従って、ソルダーレジスト形成領域内における局部電池現象の発生が抑制され、金属配線における浸食の発生自体が抑制される。そのため、微細な形状でかつ薄膜な金属配線において、断線等の発生を防止でき、安定した品質の電子部品搭載用基材を提供できる。
【００１４】
上記保護膜が、ソルダーレジスト形成領域内となる上記縁部だけではなく、その形成領域を囲む領域のうちソルダーレジスト形成領域の外縁に位置する部分にも、金属配線に積層する状態で形成されていても構わない。上記保護膜が、ソルダーレジストと金属配線との接触部分に上記メッキ薬液の浸入することを遮断する機能を有しているので、保護膜形成領域の拡大により、メッキ薬液浸入の遮断防止の効果が向上するためである。
【００１５】
また、上記保護膜がソルダーレジストの形成領域内においては、上記の縁部のみに形成されている状態であれば、メッキ薬液の上記浸入防止を成すことが可能となる。従って、当該縁部のみに形成する場合には、ソルダーレジスト形成領域の内方側にまで保護膜を形成する場合と比較して、保護膜の形成量を低減できるので製造コストの低減に繋がる。
また、保護膜は、金属配線との化学結合性を備えたカップリング物質が含有されてなる硬化性樹脂被膜であれば、高温雰囲気下においても金属配線との結合性が保たれるので、金属配線にソルダーレジストが積層されている場合と比べて強固に密着した状態にできる。
【００１６】
さらに、保護膜に含窒素環化合物を含むカップリング物質が含まれている構成とすれば、特に銅、または銅合金などの金属配線と強固に密着させる効果を有し、かつ保護膜の上に積層されているソルダーレジストと、当該保護膜との結合性も向上することができる。
また、金属配線の構成に関しては銅または銅合金を用いる場合、銅からなる金属配線と樹脂フィルムの熱膨張率が近いので、金属配線が樹脂フィルムから剥離することを抑制できる。それと同時に、金属性被膜に関しては錫または錫合金からなる構成とすると、例えば金バンプ等によって電子部品を金属配線に電気接続させる場合に、銅材料よりも錫材料の方が金バンプ等に対する接合性が高いために、搭載される電子部品との接続性確保の点で好ましい。
【００１７】
このとき、金属配線の厚みに関しては、高密度配線を実施する上で、銅リードの機械的強度を確保するため、５μｍ以上３５μｍ以下であることが望ましい。一方、金属性被膜の厚みに関しては、０．１μｍ以下の厚みでは接続部分のボンディング性が不安定になる恐れがあり、０．８μｍ以上ではボンディング時にめっきダレを生じて短絡の原因になる恐れがある。よって、金属性被膜の厚みは０．１μｍ以上０．８μｍ以下であることが望ましい。
【００１８】
上記構成を有する電子部品搭載用基材ではあるが、その製造方法に関しては、上記配線形成ステップと上記ソルダーレジスト形成ステップとの間において、金属配線に保護膜を積層する保護膜形成ステップを実行することで以下の効果を得ることができる。
当該保護膜は、ソルダーレジスト形成ステップで形成される領域の縁部にソルダーレジスト形成ステップの前に予め形成する。そのため、ソルダーレジストを形成するときには、ソルダーレジストは上記縁部において、金属配線に直接積層されることない。つまり、その縁部に相当する金属配線領域にはソルダーレジストよりも金属配線との接合性が高い保護膜が形成されているので、金属性被膜を形成するために高温雰囲気状態でメッキ薬液による浸漬をその後に行ったときに、仮にソルダーレジストの形成領域縁部が反り返るような状態になったとしても、保護膜は金属配線に密着したままとなる。従って、上記メッキ薬液がソルダーレジスト形成領域内における金属配線表面への浸入防止が成される。
【００１９】
上記保護膜の形成は、ソルダーレジストの形成領域の上記縁部にのみ形成できていれば、メッキ薬液の上記浸入防止を成すことは可能となり、保護膜の形成に要するコスト低減にも繋がるため好ましい。
また、被膜形成ステップにおいて、無電解メッキ法を用いれば、微細形状の金属配線に適切に対応した金属性被膜を簡易に形成できる。
【００２０】
そして、保護膜、金属配線及び金属性被膜の形成に関しても、上述したような材料を用いることで品質性能の高い電子部品搭載用基材の実現に寄与するため好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る電子部品搭載用基材の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下は本発明の一実施形態であり、本発明はこれに限定されるものではない。
１．全体構成
本実施形態に係る電子部品搭載用基材（以下、単に「基材」と記す。）１００の平面図が図１（ａ）に示され、その一部分の断面図が図１（ｂ）に示されている。基材１００は、樹脂フィルム１上に、銅リード４と、ソルダーレジスト５と、錫メッキ被膜６と、保護膜７ａ、７ｂとが配された構成を有する。
【００２２】
樹脂フィルム１は、Ｘ方向に長尺なポリイミド樹脂フィルムである。樹脂フィルム１は、短手方向（Ｙ方向）の中央部には矩形状のデバイスホール３が設けられており、両端部には長手方向（Ｘ方向）に沿ってスプロケットホール２が設けられている。
銅リード４は、樹脂フィルム１の主面方向に沿って延伸する金属配線である。図からはその形状は明らかではないが、延伸部分の端部４ａ、４ｂを有し、樹脂フィルム１の短手方向（Ｙ方向）に対して屈曲する形状を有する。１つのデバイスホール３に対して１０本の銅リード４が配されており、各々の端部４ａがデバイスホール５の領域に突出している。
【００２３】
ソルダーレジスト５は、銅リード４の一部を覆い、銅リード４の延伸部分の端部４ａ、４ｂについては被覆していない構成となっている。本実施形態では、例えば、ポリウレタン系、ポリイミド系のソルダーレジスト５を用いており、絶縁性や耐熱性を有し、銅リード４などの金属配線上に半導体素子等を搭載する際の半田付けが必要箇所以外には実施されないようにすることができる。
【００２４】
保護膜７ａ、７ｂは、図１（ａ）から分るように、ソルダーレジスト５を囲む領域のうち、ソルダーレジスト５に対する外縁部分に相当する位置で、かつ樹脂フィルム１の長手方向（Ｘ方向）に沿って位置に形成されている。さらに、図１（ｂ）で示すように、保護膜７ａは、ソルダーレジスト５の形成領域内における銅リード４の端部４ａ側の縁部にも形成されている。なお、当該銅リード４の端部４ａ側の縁部における保護膜（Ｐ１部分）は、銅リード４に対して積層され、銅リード４とソルダーレジスト５とで挟まれる構成となっている。つまり、本実施形態に係る保護膜７ａは、ソルダーレジスト５の形成領域の境界部を跨ぐようにして銅リード４に積層されている。ソルダーレジスト形成領域内に相当する保護膜７ａの内側部分Ｐ１は、ソルダーレジスト形成領域の境界部から５ｍｍ程度に及ぶ範囲で形成され、ソルダーレジスト形成領域外に相当する保護膜７ｂの外側部分Ｐ２は、上記境界部から０〜２ｍｍ程度に及ぶ範囲で形成されている。また、図１（ｂ）ではデバイスホール３側の銅リード４の端部４ａに形成されている保護膜７ａのみが示されているが、スプロケットホール２側の銅リード４の端部４ｂに形成されている保護膜７ｂに関しても同様の形成領域が設けられている。
【００２５】
上記範囲に形成されている保護膜７ａ、７ｂの材質としては、ポリイミド系の熱硬化性樹脂被膜等が用いられる。当該物質を含む保護膜７ａ、７ｂは、ソルダーレジスト５よりも銅リード４に対する接合性（密着性）に優れた樹脂被膜となる。また、保護膜７ａ、７ｂを構成する物質として、例えば、銅や銅合金などの金属配線との化学結合性を有したカップリング物質をさらに含める場合には、銅リード４中の銅との化学結合により、銅リード４と保護膜７ａ、７ｂとの接合力が増す。よって、単にソルダーレジスト５が銅リード４に積層されている場合と比較して、高温度雰囲気であっても保護膜７ａ、７ｂと銅リード４とが強固に密着した状態を維持できる。さらに、その硬化性樹脂物質が、含窒素環化合物を含むカップリング物質とする場合には、保護膜７ａ、７ｂに積層されているソルダーレジスト５に対する結合力を増すことが可能となる。そのため、銅リード４と保護膜７ａ、７ｂとの界面だけでなく、保護膜７ａ、７ｂとソルダーレジスト５との界面においても剥離が生じにくくなり、保護膜７ａ、７ｂとソルダーレジスト５とによる積層体は、銅リード４に対する被覆材として有効に機能する。
【００２６】
錫メッキ被膜６は、図１（ｂ）で示すように、銅リード４においてソルダーレジスト５で覆われておらず、かつ保護膜７ａ、７ｂ（図１（ｂ）では７ｂのみ表示）でも覆われていないような露出する表面部分を覆う構成となっている。図１（ｂ）で示すように、錫メッキ被膜６が形成されている領域（メッキ被膜形成領域）は、保護膜７ｂを挟んでソルダーレジスト形成領域とは異なる領域となっており、錫メッキ被膜６がソルダーレジスト形成領域と銅リード４との間に介在する構成とはなっていない。
【００２７】
上記銀メッキ被膜６が形成されることで、保護膜７ａ、７ｂは錫メッキ被膜６と銅リードの主面方向に沿って連続して形成される状態になっており、少なくとも、保護膜７ａ、７ｂのうちソルダーレジスト形成領域内の縁部に形成されている部分（Ｐ１部分に相当）は、常に銅リード４の主面上で向かい合う状態となる。
２．製造方法
次に、図２を用いて本実施形態に係る基材１００の製造方法について説明する。
【００２８】
本実施形態に係る製造方法は、所定の形状パターンの銅リード４を形成する配線形成ステップと、上記保護膜７ａ、７ｂを形成する保護膜形成ステップと、ソルダーレジスト形成ステップと、銅リード４の端部４ａ、４ｂに錫メッキ被膜を形成する被膜形成ステップとを有する。
先ず、配線形成ステップでは、図２（ａ）に示すように、スプロケットホール２やデバイスホール３が設けられた樹脂フィルム１に、例えば、エポキシ系やアクリル系、フェノール・ブチラール系からなる接着剤を介して、厚みが２５μｍの銅箔４０を配する。樹脂フィルム１には、なお、樹脂フィルム１の代わりに、フレキシブルなテープ材料であればポリエチレンテレフタレートなどでも構わない。この銅箔４０に所定パターンを有したフォトレジスト８を塗布して露光し、現像する。そして、所定パターン以外の部分のフォトレジストを除去し、除去された部分に銅箔４０が露出するので当該露出部分をエッチングする。エッチング後、フォトレジストを除去して、図２（ｂ）のように、所定のパターン形成を有する銅リード４を形成する。
【００２９】
次に、保護膜形成ステップでは図２（ｃ）に示すように、樹脂フィルム１の長手方向に沿って、上記所定のパターン形状を有する銅リード４及び樹脂フィルム１に保護膜７ａ、７ｂを直接積層した状態で形成する。当該保護膜７ａ、７ｂの形成に関しては、ディスペンサーなどの塗布装置やスクリーン印刷法を用いて硬化性の樹脂被膜や硬化性の接着材などを塗布し、加熱処理または紫外線照射などによって硬化させる。
【００３０】
このとき、保護膜７ａ、７ｂの形成位置は、次工程で実施されるソルダーレジスト形成ステップにおけるソルダーレジストの形成相当領域５０の縁部及びその近傍とする。具体的には、ソルダーレジストの形成相当領域５０内で、かつその形成相当領域５０において樹脂フィルム１の長手方向に沿った側の縁部（図１（ｂ）のＰ１部分に相当）と、ソルダーレジストの形成相当領域５０を囲む領域で、かつその形成相当領域５０の外縁に位置して樹脂フィルム１の長手方向に沿った部分（図１（ｂ）のＰ２部分に相当）とに保護膜７ａ、７ｂを形成する。
【００３１】
次に、ソルダーレジスト形成ステップにおいて、ソルダーレジスト塗布液を塗布し、加熱硬化あるいは紫外線硬化を行うことでソルダーレジスト５を上記ソルダーレジストの形成相当領域に形成する。このソルダーレジスト塗布液には、ポリイミド系の硬化性樹脂またはポリウレタン系の硬化性樹脂などを含有させる。これにより、銅リード４上におけるソルダーレジスト５の形成領域の縁部では、銅リード４に対して保護膜７ａ、７ｂと、ソルダーレジスト５とが順に積層される。
【００３２】
そして、被膜形成ステップにおいて、ソルダーレジスト形成ステップを経た状態で、銅リード４の露出部分、つまり、銅リード４の端部４ａ、４ｂの表面を図１（ｂ）で示したようにソルダーレジスト５の形成領域とは異なる領域を錫メッキ被膜６で覆う。錫メッキ被膜６の形成には、無電解メッキ法を用いる。当該方法において、約６０〜７０℃に加熱した有機酸錫浴またはホウフッ化錫浴からなる無電解錫メッキ浴に、ソルダーレジスト形成ステップ後の銅リード４等が配された樹脂フィルム１を浸漬することで、銅リード４の上記露出している表面部分４ａ、４ｂに錫メッキ被膜６を形成する。このように浸漬させて形成することで、微細で薄膜な形状を有する銅リード４に対しても、均一の厚みでムラなく錫メッキ被膜６を形成できる。
【００３３】
以上の各ステップを経て形成された基材１００に関して、以下の効果を得ることができる。錫メッキ被膜６を形成する時点では、上述した温度雰囲気下であっても、保護膜７ａ、７ｂと銅リードとの結合性は保たれており、強固に密着している。そのため、図３の模式図で示すように、保護膜７ａと銅リード４との間には間隙が生じず、保護膜７ａが配されている位置よりもソルダーレジスト形成領域側に錫イオン（Ｓｎ２＋）が浸入することはない。仮に、保護膜７ａが形成されていない状態であれば、上記の温度雰囲気下においてソルダーレジスト端部５ａが図中の一点鎖線で示すように反り返って銅リード４から剥離する。剥離すれば、錫イオンを含むメッキ液は、本実施形態とは異なりソルダーレジスト５と銅リード４との界面部分にまで浸入し、懸念されていた銅リード４の浸食を招いてしまう。しかし、本実施形態では上述のとおり、銅リード４との結合力の強い保護膜７ａが形成されており、特にソルダーレジストの形成領域の縁部に形成されているので、錫イオンを含むメッキ液はソルダーレジスト５と銅リード４との界面部分には浸入しない。従って、銅リード４における錫イオンに起因する浸食の発生自体の防止を図ることができ、上記のように懸念される問題は解消される。
【００３４】
また、図２（ｃ）でも示したように、本実施形態に係る保護膜７ａ、７ｂは、複数本の銅リード４の端部位置においてこれらの銅リード４を跨ぐように形成されており、銅リード４の略延伸方向（樹脂フィルム１の略短手方向）に沿うようには形成されていない。これは、ソルダーレジスト５が銅リード４からの剥離が、ソルダーレジスト５と銅リード４との熱膨張率の差異に起因するためであり、樹脂フィルム１に積層形成されたソルダーレジスト５は銅リード４上よりも剥離し難いので、銅リード４の延伸方向に沿った上記部分には保護膜の形成を行わなくても、上記メッキ液が銅リード４の形成部分にまで到達しないからである。仮に、銅リード４の延伸方向に沿った上記部分における縁部が僅かながら樹脂フィルム１から剥離する状態となっても、その剥離部分には銅リードは形成されていないために、銅リードの浸食という問題自体も生じない。このように、銅リードの延伸方向に沿った上記部分に保護膜を形成しなくても、上記浸食の発生を招かないのであれば、図２（ｃ）で示すような位置にのみ保護膜７ａ、７ｂを形成することで、保護膜の形成に係るコスト低減にも役立つため好ましい。
【００３５】
また、本実施形態に係る保護膜７ａ、７ｂは、ソルダーレジストの形成領域内の縁部（図１（ｂ）におけるＰ１部分）に形成されていれば、銅リード４の浸食抑制を成すことができるため、ソルダーレジスト形成領域に対して保護膜７ａ、７ｂを精密に形成することが可能な場合には、ソルダーレジスト形成領域を囲む領域において、ソルダーレジスト形成領域の外縁に位置する部分（図１（ｂ）におけるＰ２部分）には保護膜が形成されていなくても構わない。なお、このとき保護膜が形成されていない部分に、錫メッキ被膜が形成されていても、もしくはソルダーレジストが形成されていても構わない。反対に、保護膜の形成に要するコスト低減を成すことができる場合等であれば、ソルダーレジスト形成領域内の縁部だけでなく、ソルダーレジスト形成領域内の全体に保護膜を形成しても構わない。
３．その他の事項
上記構成の基材１００を用いる場合、デバイスホール３に突出する配線部材の一端部をボンディング領域とし、図４で示すように半導体チップ８を搭載できる。さらに当該半導体チップ８、デバイスホール３及びその近傍を一体的に樹脂（例えば、エポキシ系樹脂等）で封止する構成のテープキャリアパッケージを形成することもできる。
【００３６】
また、本発明は電子部品等の搭載部分に関するものであり、薄いフィルム材を用いる場合だけなく、プリント基板等、もしくは更に厚みを有する部材等を用いる形態であっても構わない。
また、金属配線には銅だけでなく、銅系の素材（Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐなど）、Ｆｅ系素材（Ｆｅ−Ｎｉなど）やその他の機械的強度、電気伝導度、熱伝導度等の優れた素材であれば適用可能である。金属性被膜に関しても、金属配線に用いられる材料よりもボンディング性に優れた金属であれば錫だけでなく、金などの金属材料、もしくは錫−ビスマス系材料や錫と微量な銅との合金材料なども適用可能である。
【００３７】
上記金属箔からなる金属配線の製造方法について、エッチング法だけでなくスクリーン印刷法などの他の方法を用いても構わない。また、上記金属性被膜の製造方法に関しても、上述した形態で金属層を形成できる場合であれば、耐食性を向上させるため等により溶融メッキ法、またはさらなる薄膜化の実現等のために蒸着メッキ法等の他の方法を採っても構わない。
【００３８】
その他にも、本実施形態では、樹脂フィルムと銅などの金属箔との間に接着剤層を介して製造する方法及び構成を用いているが、接着剤層を介さない構成としても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明に係る電子部品搭載用基材は、フィルム形状の薄膜材料だけではなく基板等を含む構成にも適用でき、様々な分野において利用可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）は本発明に係る電子部品搭載用基材の部分平面図であり、（ｂ）はその部分断面図である。
【図２】本発明に係る電子部品搭載用基材の製造工程平面図である。
【図３】本発明に係る電子部品搭載用基材の部分模式図である。
【図４】本発明に係る電子部品搭載用基材を用いた電子部品の概略断面図である。
【図５】（ａ）は従来技術に係る電子部品搭載用基材の部分平面図であり、（ｂ）はその部分断面図であり、（ｃ）は従来技術に係るメッキ被膜形成時の模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  樹脂フィルム
２  スプロケットホール
３  デバイスホール
４  銅リード
５  ソルダーレジスト
６  錫メッキ被膜
７  保護膜
８  半導体素子
９  金バンプ
１０  樹脂モールド
１００  電子部品搭載用基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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