(57)【要約】【課題】生産性を確保しながら、リッジ導波路に加わる歪を低減させ、信頼性の高いリッジ導波路構造の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】サブマウント２上に形成される電極を、リッジ導波路に接続される電極４とリッジ導波路の両側に形成される半導体レーザ素子１の素子電極に接続される電極５とに、部分的な接続領域を残して分離し、リッジ導波路部分はＡｕの厚膜により対応する電極４と接続させ、素子電極部分のみを半田６を介して対応する電極５と固着接合させることにより、半田６がリッジ導波路部分に流出することを抑制し、生産性を確保しながら、リッジ導波路に加わる歪を低減させると共に、リッジ導波路の放熱効率を維持して信頼性の高いリッジ導波路構造の半導体レーザ装置を提供することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジ導波路構造を有する半導体レーザ素子をサブマウントに搭載してなる半導体レーザ装置であって、
前記リッジ導波路の両側に前記リッジ導波路と所定の間隔を空けて前記半導体レーザ素子の共振器長方向に対して平行に形成される第１の素子電極と、
前記リッジ導波路の上に形成される第２の素子電極と、
前記サブマウント上に形成されて実装時に前記第１の素子電極と第１の導電性材料を介して接合される第１の電極と、
前記サブマウント上に形成されて実装時に前記第２の素子電極と第２の導電性材料を介して接続される第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極とを接続する１または複数の接続点と
を有し、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記接続点を除いて分離されており、前記第１の導電性材料が前記リッジ導波路と所定の距離を空けて供給されることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記接合点として、前記サブマウントの発光点に対して前記半導体レーザ素子の後方で前記第１の電極と前記第２の電極とが接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１の電極と前記第２の電極との分離領域に溝が形成されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１の導電性材料がＳｎを含む半田であり、前記第２の導電性材料が実装時に前記第２の素子電極と第２の電極が接触する程度の膜厚のＡｕ厚膜であることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第１の電極として、前記半田が前記半導体レーザ素子内部に拡散することを防ぐためのバリア層を含む電極であることを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記バリア層がＰｔからなることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リッジ導波路構造を有し、光情報処理や光通信に用いられる半導体レーザ素子を実装基板に搭載してなる半導体レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年半導体レーザ装置は、光ディスク等の光情報処理装置や、光通信分野で益々その需要が増大している。光ディスク分野においては、書き込み速度の高速化の要求により、半導体レーザの高光出力化の要望はとどまるところがない。例えば、２層ＤＶＤ（ディジタルバーサタイルディスク）の８倍速書き込みには、波長６６０ｎｍで３００ｍＷ以上の光出力が必要となる。
【０００３】
半導体レーザの高出力化に伴い、素子の寿命が短くなり、信頼性の確保が大きな課題となる。信頼性を悪化させる要因は、大電流による素子の発熱で温度が上昇することであり、放熱が非常に重要となって来る。
【０００４】
半導体レーザ素子の放熱を良くするためには、素子を熱伝導率の良いヒートシンク上に発熱部分を密着させて、半田材で固着させる方法がよく知られている。
以下、図４を用いて従来の半導体レーザ装置について説明する。
【０００５】
図４は従来の半導体レーザ装置の構成を示す断面図である。
図４に示すように、従来の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子１０１とヒートシンクとして作用するサブマウント１０２とヒートシンクとして作用するベース１０３が積層され、半田材等で固着された構成である。半導体レーザ素子１０１は、半導体の積層体に、複数の層からなる裏面電極１０４と複数の層からなる表面電極１０５が形成されたものである。
【０００６】
サブマウント１０２は、熱伝導率が良く電気絶縁性の材料と複数の層からなる表面電極１０６及び半田層１０７と複数の層からなる裏面電極１０８及び半田層１０９を有している。また、ベース１０３は、熱伝導率の良い金属の放熱体と複数の層からなる電極層１１０を有している。
【０００７】
半導体素子１０１とサブマウント１０２及びサブマウント１０２とベース１０３は、それらの間の半田層１０７と１０９により溶融固着され、図４に示す半導体レーザ装置が作製される。ベース１０３には、ＣｕやＡｇ等の熱伝導率の良い金属に、ＮｉとＡｕの金属膜がメッキ等により被覆された金属放熱体が用いられる。
【０００８】
また、サブマウント１０２は半導体レーザ素子１０１と熱膨張率が近く、熱伝導率が良い材料が求められる。その理由は、半田層を加熱溶融させて接合し、接合後に室温まで冷却する際に、半導体レーザ素子とサブマウントの熱膨張係数の違いに起因する両材料の寸法変化に伴って、半導体レーザ素子に歪が蓄積され、これがストレスとなって半導体レーザの信頼性を大きく低下させるからである。
【０００９】
そのため、サブマウントに用いられる材料としては、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド等の電気絶縁性のある材料や、電気絶縁性が必要でない場合などはＳｉが用いられる。
半導体素子１０１の電極材料としては、半導体材料とオーミック接触をとる金属（例えば、ｎ型半導体の場合はＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ合金、ｐ型半導体の場合はＣｒやＴｉ）にＰｔやＭｏ等の半田層のバリアになる金属とＡｕから構成された金属多層膜が用いられる。そして、サブマウント１０２の電極材料には、付着力を強くするためのＣｒやＴｉ、バリアとなるＰｔやＭｏ、そしてＡｕから構成された金属多層膜が用いられる。
【００１０】
半田層１０７や１０９に用いられる材料は、ＡｕとＳｎの合金（以下ＡｕＳｎと記す）、ＡｇとＳｎの合金（以下ＡｇＳｎと記す）、ＰｂとＳｎの合金（以下ＰｂＳｎと記す）がある。特にＡｕＳｎは、耐食性や強度に優れ、抵抗が小さくＰｂを含まない半田材として半導体レーザに広く用いられている。
【００１１】
ＡｕＳｎ合金による半田層１０７と半導体レーザ素子１０１の表面電極１０５との接合においては、表面電極１０５のＡｕと半田層１０７のＡｕＳｎが更に合金化し、一体化して固着される。サブマウント１０２とベース１０３の半田層１０９を介しての接合もこれと同じである。十分な固着強度を得るためには、ＡｕＳｎの組成比、及び溶融温度が重要である。Ａｕ（８０ｗｔ％）−Ｓｎ（２０ｗｔ％）の共晶組成において、融点は２７８℃の最小となり、この組成よりずれると融点が上昇する。接合時に半導体レーザ素子に蓄積される歪を最小にするためには、固着温度は低い方が良いが、共晶組成からのずれが起こりうるため、通常は固着強度を得るために、２７８℃より十分高い、例えば３３０℃から４００℃といった温度を用いる。しかし、接合温度が高くなる程、室温まで冷却された時の歪の増大で半導体レーザ装置の信頼性が損なわれる危険性が増すという問題点がある。
【００１２】
図４に示すリッジ導波路構造の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子１０１では、発光点がリッジ導波路１１１の部分にある。この構造のレーザは製造プロセスが簡略化出来、現在主流の半導体レーザ装置の構造となっている。この場合、リッジ導波路１１１の両側の溝に半田が入り込むと、半田の熱収縮により、半導体レーザの活性領域である発光点に大きな残留応力が加わるため、半導体レーザの信頼性が大幅に低下するという問題点がある。
【００１３】
信頼性以外にも、リッジ導波路に加わる歪の半導体レーザ装置に及ぼす影響は、偏光比の低下と、偏光角のずれがある。この原因は歪により屈折率に異方性が起こり、本来ＴＥモードで発振するべき半導体レーザ光にＴＭモード成分が加わるためと考えられる。偏光比の低下や偏光角のずれは、偏光に依存した光学素子を使用する光ディスクのピックアップ装置において、光利用効率の低下を招くので、半導体レーザに要求される光出力が増大することになる。また、光通信用縦単一モードレーザにおいては、歪によって、単一モード性が損なわれるという問題点がある。
【００１４】
半田による歪を抑えるために、リッジ導波路の部分を半田で接着しない構成が提案されている。この方法によれば、リッジの両側のみをサブマウントに固着するので、レーザ発光点の歪を低減させることが出来る。しかし、この方法では活性層の発光点で発生した熱を直下のサブマウントに放熱させ難いので、半導体レーザ素子の温度上昇を招き、特性の劣化、動作上限温度の制限や信頼性の低下を招くことになる（例えば、特許文献１参照）。
【００１５】
他にも、リッジ部分とリッジ両側の半田材を異なるものにし、リッジ部分は融点のより低い半田材にすることで、実装歪を低減する方法が提案されている。この方法によれば、リッジ部分を通して熱をサブマウントに放熱させることが出来る。しかしこの方法では、サブマウントに２種類の半田材を形成し、実装時に両者が混ざらないように温度等の条件を設定しなければならないため、複雑な実装工程となり、コストの上昇を招くことになる（例えば、特許文献２参照）。
【００１６】
さらに、リッジ部分に半田がなく、リッジ部分を通して放熱させる構成として、リッジ両側の半田がリッジ部分に広がらないように、Ｔｉによる半田抑制膜を設ける方法が提案されている。半田抑制膜はリッジを挟んで片側に２０から３０μｍの幅に渡っているが、実装の際にリッジ両側の半田がリッジの部分に広がり、リッジ両側の溝に歪を及ぼして信頼性が低下する可能性がある（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００２−３１４１８４号公報
【特許文献２】特開２００３−２３２００号公報
【特許文献３】特開２００４−１４６５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、生産性を確保しながら、リッジ導波路に加わる歪を低減させ、信頼性の高いリッジ導波路構造の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体レーザ装置は、リッジ導波路構造を有する半導体レーザ素子をサブマウントに搭載してなる半導体レーザ装置であって、前記リッジ導波路の両側に前記リッジ導波路と所定の間隔を空けて前記半導体レーザ素子の共振器長方向に対して平行に形成される第１の素子電極と、前記リッジ導波路の上に形成される第２の素子電極と、前記サブマウント上に形成されて実装時に前記第１の素子電極と第１の導電性材料を介して接合される第１の電極と、前記サブマウント上に形成されて実装時に前記第２の素子電極と第２の導電性材料を介して接続される第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とを接続する１または複数の接続点とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記接続点を除いて分離されており、前記第１の導電性材料が前記リッジ導波路と所定の距離を空けて供給されることを特徴とする。
【００１９】
請求項２記載の半導体レーザ装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記接合点として、前記サブマウントの発光点に対して前記半導体レーザ素子の後方で前記第１の電極と前記第２の電極とが接続されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項３記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記第１の電極と前記第２の電極との分離領域に溝が形成されることを特徴とする。
【００２１】
請求項４記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記第１の導電性材料がＳｎを含む半田であり、前記第２の導電性材料が実装時に前記第２の素子電極と第２の電極が接触する程度の膜厚のＡｕ厚膜であることを特徴とする。
【００２２】
請求項５記載の半導体レーザ装置は、請求項４記載の半導体レーザ装置において、前記第１の電極として、前記半田が前記半導体レーザ素子内部に拡散することを防ぐためのバリア層を含む電極であることを特徴とする。
【００２３】
請求項６記載の半導体レーザ装置は、請求項５記載の半導体レーザ装置において、前記バリア層がＰｔからなることを特徴とする。
以上により、生産性を確保しながら、リッジ導波路に加わる歪を低減させると共に、リッジ導波路の放熱効率を維持して信頼性の高いリッジ導波路構造の半導体レーザ装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２４】
以上のように、サブマウント上に形成される電極を、リッジ導波路に接続される電極とリッジ導波路の両側に形成される半導体レーザ素子の素子電極に接続される電極とに、部分的な接続領域を残して分離し、リッジ導波路部分はＡｕの厚膜により対応する電極と接続させ、素子電極部分のみを半田を介して対応する電極と固着接合させることにより、半田がリッジ導波路部分に流出することを抑制し、生産性を確保しながら、リッジ導波路に加わる歪を低減させると共に、リッジ導波路の放熱効率を維持して信頼性の高いリッジ導波路構造の半導体レーザ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら、本発明の半導体レーザ装置における実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における半導体レーザ装置の構造を示す図であり、半導体レーザ素子の共振器方向の長さより、サブマウントの方が大きい場合の構造を示している。図１では、図１（ａ）に実施の形態１における半導体レーザ装置の断面図を、図１（ｂ）に実施の形態１における半導体レーザ装置の斜視図を示す。
【００２６】
図１（ａ），図１（ｂ）において、リッジ導波路型半導体レーザ素子１が、サブマウント２に実装されており、リッジ部分３はリッジ上に形成された素子電極がサブマウント２の第１の電極４と半田を用いずに、導電性材料を介して接続されている。また、リッジの両側に形成された素子電極は、サブマウント２の第２の電極５と半田６を介して固着接合されている。サブマウント２の第１の電極４と第２の電極５は半導体レーザ素子１の共振器方向に沿って分離されている。なお、半導体レーザ素子１の裏面電極、ベース及びサブマウント２とベース間の電極と半田は省略しているが、従来の半導体レーザと同様の構成となっており、本実施の形態では記載を省略する。
【００２７】
図１（ｂ）において、点線は半導体レーザ素子１の概略形状を示している。サブマウント２の第１の電極４と、第２の電極５はサブマウント２の半導体レーザ素子１を実装した部分の発光点に対して後方を接続点１０としてつながっており、半田６のある部分であるリッジ部分３の両側領域では分離されている。この様に半田６がある部分とリッジ部分３との距離を十分に開けることにより、半導体レーザ素子１のリッジ部分３と接合するサブマウント２の第１の電極４に半田６が流れることを阻止することが出来る。また、サブマウント２の第２の電極５と外部端子をワイヤで接続することにより、第１の電極４と第２の電極５が、半導体レーザ素子１の後方でつながっているので、リッジ部分３に電流を印加することが出来る。
【００２８】
半導体レーザ素子１は、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層を有する波長６６０ｎｍで発振する赤色半導体レーザ素子である。電流はリッジ部分３のみに流れるように、素子内部に半導体や誘電体からなる絶縁層が設けられている。レーザ光は、リッジ部分３の活性層から出射されるが、同時に発熱もこの部分で発生する。しかし、リッジ部分３で発生した熱はサブマウントの第１の電極４を通してサブマウント２に効率良く放熱されるので、半導体レーザ素子１の温度上昇を抑えることが出来、良好な温度特性を得ることが出来る。また、同時に、リッジ部分３は半田を用いずにサブマウントに接続されており、かつ、第２の電極５とリッジ部分３が十分な間隔で分離されているため半田６がリッジ部分３に流入することを抑制することができるため、半田によるリッジ導波路の歪を抑制することができる。
【００２９】
図２は本発明の実施の形態１における半導体レーザ装置の電極形成工程断面図とサブマウントの電極及び半田層を示す図であり、図２（ａ）〜図２（ｃ）にて電極形成工程を、図２（ｄ）にてサブマウントの電極及び半田層の構成を示す。
【００３０】
図２（ａ）は、素子電極形成前の半導体レーザ素子１を示し、エッチングによりリッジ部分３の両側の２０〜３０μｍ、深さ１〜３μｍの領域が除去されている。このリッジ構造により、電流と光をリッジ部分に集め、レーザ発振をリッジ部分の活性層内で起こさせることが出来る。
【００３１】
リッジ部分３とその両側の部分７（以下、ウイングと呼ぶ）に素子電極としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極８を形成する。Ｔｉは電極の付着力を高めるためのもので、５０ｎｍ程度の厚さである。ＰｔはＡｕが半導体内に拡散するのを防ぐバリア金属で、１５０ｎｍ程度の厚さである。最上層のＡｕは、５００〜１０００ｎｍの厚さで形成する。リッジ部分３とウイング７の間の溝部分にＡｕがあると、実装時にウイング７部分の半田がリッジ部分３に流れ込むため、リフトオフ等の方法で溝部分の電極８を少なくとも部分的に除去する（図２（ｂ））。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すように、リッジ部分３のみにメッキ等により、厚膜の例としてＡｕメッキ９を形成する。膜厚は３〜１０μｍ程度で、サブマウント２側の半田６層の厚さに合わせ、実装後にサブマウント２の第１の電極４と半導体レーザ素子のリッジ部分の電極８が電気的に接触するような厚さに調整する。実際は、サブマウントの半田６の膜厚と、半導体レーザ素子１のＡｕメッキ９の膜厚はほぼ同じにするとよい。
【００３３】
図２（ｄ）はサブマウント２の電極構造を示している。サブマウント２は、熱伝導率が良い絶縁性材料で、ＧａＡｓと熱膨張係数が近いＡｌＮやＳｉＣが用いられる。第１の電極４と第２の電極５は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕで構成され、その膜厚は例えば、５０ｎｍ／２００ｎｍ／６００ｎｍとする。第２の電極５の半導体レーザ素子１におけるウイングの電極と接合する部分には、ＡｕＳｎ半田６（Ａｕ７０％Ｓｎ３０％）がメッキや蒸着等の方法で形成されている。実装時には、サブマウント２の第２の電極５と半導体レーザ素子１の電極８のＡｕが溶け込むために、融点が最小となる共晶組成（Ａｕ８０％Ｓｎ２０％）よりもＡｕの割合を少なくしてある。半田６層の厚さは、半導体レーザ素子１のＡｕメッキ９とほぼ同じ膜厚とする。
【００３４】
実装方法は、半導体レーザ素子１を真空吸着でコレットによりサブマウント２と位置合わせをして接触させた後、荷重を印加して３００〜４００℃に加熱し、半田層６を溶かして固着接合を行う。半田層６が薄いと、十分な接着強度が得られない。また、半田層６が厚いと、リッジ部分の密着が悪くなり、電気的な接触不良と放熱が悪くなるので、実装条件に合わせて半田層の厚みの最適化が重要である。
【００３５】
以上のように、サブマウント２上の電極をリッジ部分３に接続する第１の電極４とウイング７に接続する第２の電極５に分割し、リッジ部３周辺部では第１の電極４と第２の電極５の間に所定の間隔を設け、リッジ部分３後部では互いに接続するようにし、さらに、ウイング７と第２の電極５とを半田６を介して接合し、リッジ部分３と第１の電極４をＡｕメッキ９を介して接続することにより、リッジ部分３に半田６が流入するのを抑えながらリッジ部分３をサブマウント２に熱的に接続することができるため、生産性を確保しながら、リッジ導波路に加わる歪を低減させると共に、リッジ導波路の放熱効率を維持して半導体レーザ装置の信頼性を高めることができる。
【００３６】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２における半導体レーザ装置の構造を示す図であり、半導体レーザ素子１の共振器方向の長さと、サブマウント２の長さがほぼ同じ場合の構造を示す。図３では、図３（ａ）に実施の形態２における半導体レーザ装置の断面図を、図３（ｂ）に実施の形態２における半導体レーザ装置の斜視図を示す。
【００３７】
図３（ａ），図３（ｂ）において、実施の形態２では実施の形態１と同様に、リッジ導波路型半導体レーザ素子１が、サブマウント２に実装されており、リッジ部分３はサブマウント２の第１の電極４と接続されている。また、リッジの両側に形成された素子電極は、サブマウント２の第２の電極５と半田６を介して接合されている。
【００３８】
図３（ｂ）において、点線は半導体レーザ素子１の外形を示している。サブマウント２の第１の電極４と第２の電極５は半導体レーザ素子１の共振器方向に沿って分離されているが、４箇所の繋がっている接続点１０を有している。リッジ部分３とサブマウント２の接続に関しては、実施の形態１と同様に、ＡｕのＡｕメッキ９により接続されている。この様に、第１の電極４と第２の電極５が接続点１０を除いて分離されて第２の電極５のサブマウント２との接続のみを半田６を介して行うことで、半導体レーザ素子１のリッジ部分３と接続するサブマウント２の第１の電極４に、半田６が流れることを大幅に抑制することが出来る。また、サブマウント２の第２の電極５と外部端子をワイヤで接続することにより、第１の電極４と第２の電極５が、４箇所の接続点１０を介して接続しているため、リッジ部分１３に電流を印加することが出来る。なお、図３に示す半導体レーザ装置では、リッジの両側の両方に接続点１０を有しているが、ワイヤと接続する側の電極の方のみでもよい。また、接続点の数も４個に限るものではなく、最低１箇所あれば良い。この場合、半田の流れ込みの影響をより少なくすることが出来る。本実施の形態２の半導体レーザ装置においては、上述した点以外は、実施の形態１の半導体レーザ装置と同様な構成と、作製プロセス、実装方法を用いる。
【００３９】
以上、本発明に係る好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られるものではない。サブマウントについては、ＡｌＮやＳｉＣに限られるものではなく、サファイアやアルミナ等のセラミックやダイヤモンドなどの、熱伝導率のよい材料を用いることができる。尚、ＧａＡｓと熱膨張係数が近い材料がより好ましいことはいうまでもない。
【００４０】
上記実施の形態１および実施の形態２の構成に加えて、サブマウントの第１と第２の電極の間の分離部分に、溝が形成されていてもかまわない。むしろこの方が、サブマウントの第２の電極上の半田がはみ出した場合でも、第１の電極部分に広がる恐れがないため、より好ましい。
【００４１】
半田はサブマウントの第２の電極上に形成されている場合を示したが、適当な方法により、半導体レーザ素子側のウイング部分の電極上に形成されていてもよい。
以上の実施の形態においては、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体を有するＧａＡｓ基板上のリッジ導波路型半導体レーザについて説明したが、この材料に限られるものではなく、ＧａＡｓ基板上のＡｌＧａＡｓ系半導体や、ＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓＰ系半導体、そしてＧａＮ系半導体材料からなるリッジ導波路型半導体レーザ素子にも適用出来る。
【００４２】
また、本発明の実施の形態においては、半田材としてＡｕＳｎ系半田を用いた例を示したが、ＡｕＳｉ系、ＰｂＳｎ系、ＡｇＳｎ系等の半田材を用いることも出来る。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、リッジ導波路に加わる歪を低減させると共に、リッジ導波路の放熱効率を維持して信頼性の高いリッジ導波路構造の半導体レーザ装置を提供することができ、リッジ導波路構造を有し、光情報処理や光通信に用いられる半導体レーザ素子を実装基板に搭載してなる半導体レーザ装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体レーザ装置の構造を示す図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体レーザ装置の電極形成工程断面図とサブマウントの電極及び半田層を示す図
【図３】本発明の実施の形態２における半導体レーザ装置の構造を示す図
【図４】従来の半導体レーザ装置の構造を示す断面図
【符号の説明】
【００４５】
１    半導体レーザ素子
２    サブマウント
３    リッジ部分
４    第１の電極
５    第２の電極
６    半田
７    ウイング
８    電極
９    Ａｕメッキ
１０    接続点
１０１    半導体レーザ素子
１０２    サブマウント
１０３    ベース
１０４    裏面電極
１０５    表面電極
１０６    表面電極
１０７    半田層
１０８    裏面電極
１０９    半田層
１１０    電極層
１１１    リッジ導波路
【図１】
2008060180.tif 000003
【図２】
2008060180.tif 000004
【図３】
2008060180.tif 000005
【図４】
2008060180.tif 000006