(57)【要約】【課題】充てん性および密着性に優れる封止フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供するものである。【解決手段】  架橋性官能基を含み、重量平均分子量が１０万以上でかつＴｇが−５０〜５０℃である（Ａ１）高分子量成分とエポキシ樹脂を主成分とする（Ａ２）熱硬化性成分とを含む（Ａ）樹脂成分、（Ｂ）フィラーおよび（Ｃ）着色剤を含有し、８０℃でのフロー量が１５０〜１８００μｍである樹脂層を有する封止フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
架橋性官能基を含み、重量平均分子量が１０万以上でかつＴｇが−５０〜５０℃である（Ａ１）高分子量成分とエポキシ樹脂を主成分とする（Ａ２）熱硬化性成分とを含む（Ａ）樹脂成分、（Ｂ）フィラーおよび（Ｃ）着色剤を含有し、８０℃でのフロー量が１５０〜１８００μｍである樹脂層を有する封止フィルム。
【請求項２】
前記（Ａ）樹脂成分が、（Ａ１）高分子量成分を１５〜８５重量％、（Ａ２）熱硬化性成分を１５〜８５重量％含む、請求項１記載の封止フィルム。
【請求項３】
前記（Ａ）樹脂成分１０重量部に対し、前記（Ｂ）フィラーを１〜３００重量部、前記（Ｃ）着色剤を０．０１〜１０重量部含む、請求項１または２記載の封止フィルム。
【請求項４】
前記樹脂層の片面に厚さ５〜３００μｍの基材層をさらに有し、かつ前記樹脂層の厚さが５〜８００μｍである請求項１〜３のいずれか１項記載の封止フィルム。
【請求項５】
前記樹脂層の一方の面に厚さ５〜３００μｍの基材層を、前記樹脂層の他方の面に厚さ５〜３００μｍの保護層をさらに有し、かつ前記樹脂層の厚さが５〜８００μｍである請求項１〜３のいずれか１項記載の封止フィルム。
【請求項６】
前記（Ｂ）フィラーが無機フィラーである請求項１〜５のいずれか１項記載の封止フィルム。
【請求項７】
前記（Ｃ）着色剤が白色以外のものである請求項１〜６のいずれか１項記載の封止フィルム。
【請求項８】
前記樹脂層の、１７０℃で１時間硬化後の３５℃における引張り弾性率が５００〜２００００ＭＰａである請求項１〜７のいずれか１項記載の封止フィルム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載の封止フィルムを用いた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、充てん性および密着性に優れる封止フィルム及びそれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器の小型化・軽量化が進められており、これに伴い基板への高密度実装が要求され、電子機器に搭載する半導体パッケージの小型化、薄型化、軽量化が進められている。従来から、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ  Ｏｎ  Ｃｈｉｐ）やＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等と呼ばれるパッケージが有り、ＬＯＣやＱＦＰ等のパッケージよりもさらに小型化・軽量化したμＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）等のパッケージが開発されている。さらに、半導体素子の回路面が半導体配線基板側に向けられている、いわゆるフェイスダウン型パッケージであるフリップチップ、ＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などが開発されている。
【０００３】
上述したパッケージでは、固形のエポキシ樹脂封止材をトランスファー成形法により成形することで封止パッケージを得ていたが、パッケージが薄型あるいは大型の場合の成形は難しかった。また、無機フィラーの含有量が増大すると、一般にトランスファー成形時の溶融粘度が高くなり、成形時のボイドの残存、キャビティ充てん不良、ワイヤーフロー及びステージシフトの増大等と成形物の品質が低下するなどの問題が発生する。
【０００４】
また近年、フリップチップやＷＬ−ＣＳＰなどで、突起状電極を有するものが有り、その突起部の保護及び突起間の充填のため封止材を使用することがあったが、固形のエポキシ樹脂封止材による充てんは難しかった。そのため、エポキシ樹脂、無機フィラーを主体とした封止フィルムが提案されている。
【特許文献１】特開平５−２８３４５６号公報
【特許文献２】特開平５−１９０６９７号公報
【特許文献３】特開平８−７３６２１号公報
【特許文献４】特開２００５−６０５８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の封止フィルムを用いて、例えば、突起状電極を有するパッケージや封止後の形状に制約のあるパッケージを封止すると、流動性を制御することが困難であり、充てん性および密着性を満足できないことがあった。
【０００６】
上記を鑑みて、本発明は、充てん性および密着性の全てに優れる封止フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下（１）〜（９）に記載の事項をその特徴とするものである。
【０００８】
（１）架橋性官能基を含み、重量平均分子量が１０万以上でかつＴｇが−５０〜５０℃である（Ａ１）高分子量成分とエポキシ樹脂を主成分とする（Ａ２）熱硬化性成分とを含む（Ａ）樹脂成分、（Ｂ）フィラーおよび（Ｃ）着色剤を含有し、８０℃でのフロー量が１５０〜１８００μｍである樹脂層を有する封止フィルム。
【０００９】
（２）前記（Ａ）樹脂成分が、（Ａ１）高分子量成分を１５〜８５重量％、（Ａ２）熱硬化性成分を１５〜８５重量％含む、上記（１）記載の封止フィルム。
【００１０】
（３）前記（Ａ）樹脂成分１０重量部に対し、前記（Ｂ）フィラーを１〜３００重量部、前記（Ｃ）着色剤を０．０１〜１０重量部含む、上記（１）または（２）記載の封止フィルム。
【００１１】
（４）前記樹脂層の片面に厚さ５〜３００μｍの基材層をさらに有し、かつ前記樹脂層の厚さが５〜８００μｍである上記（１）〜（３）のいずれか１項記載の封止フィルム。
【００１２】
（５）前記樹脂層の一方の面に厚さ５〜３００μｍの基材層を、前記樹脂層の他方の面に厚さ５〜３００μｍの保護層をさらに有し、かつ前記樹脂層の厚さが５〜８００μｍである上記（１）〜（３）のいずれか１項記載の封止フィルム。
【００１３】
（６）前記（Ｂ）フィラーが無機フィラーである上記（１）〜（５）のいずれか１項記載の封止フィルム。
【００１４】
（７）前記（Ｃ）着色剤が白色以外のものである上記（１）〜（６）のいずれか１項記載の封止フィルム。
【００１５】
（８）前記樹脂層の、１７０℃で１時間硬化後の３５℃における引張り弾性率が５００〜２００００ＭＰａである上記（１）〜（７）のいずれか１項記載の封止フィルム。
【００１６】
（９）上記（１）〜（８）のいずれか１項記載の封止フィルムを用いた半導体装置。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、従来の封止フィルムよりも充てん性および密着性に優れ、半導体チップ等の保護やキャビティ充てんに好適な封止フィルム及びそれを用いた半導体装置提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の封止フィルムを構成する樹脂層は、（Ａ１）高分子量成分と（Ａ２）熱硬化性成分とを含む（Ａ）樹脂成分、（Ｂ）フィラーおよび（Ｃ）着色剤を少なくとも含むものである。
【００１９】
上記（Ａ１）高分子量成分としては、特に限定されないが、好ましくは重量平均分子量が１０万以上、より好ましくは３０万〜３００万、特に好ましくは５０万〜２００万の高分子量樹脂であり、さらに、エポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。重量平均分子量がこの範囲にある高分子量樹脂を用いることで、フィルム状にしたときの強度、可とう性、およびタック性を適度に制御することが可能であり、また、樹脂層と被着体との密着性を確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００２０】
また、上記高分子量樹脂は、特に限定されないが、架橋性官能基を有するモノマーを構成単位として含有するエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。なお、本発明において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」と「メタクリル」の両方を示す。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。このようなエポキシ基含有アクリルゴムとしては、例えば、ナガセケムテックス（株）製ＨＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲなどが市販されている。
【００２１】
また、上記エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体として、グリシジル（メタ）アクリレートなどの架橋性官能基を有するエポキシ基含有モノマーを重合させたものを用いることもでき、さらに、エチル（メタ）アクリレートやブチル（メタ）アクリレートなどのモノマーを重合させたものを用いることもできる。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体中におけるエポキシ基含有モノマーの量は、０．５〜６．０重量％であることが好ましく、０．５〜５．０重量％であることがより好ましく、０．８〜５．０重量％であることが特に好ましい。エポキシ基含有モノマーの量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。なお、上記モノマーを重合させて、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体を作製する場合、その重合方法としては、特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合などの公知の方法を使用することができ、また、重合条件についても、使用モノマーやその濃度、（Ａ１）高分子量成分の重量平均分子量やガラス転移温度などを考慮して適宜決定すればよく、特に限定されない。
【００２２】
また、上記（Ａ１）高分子量成分のガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）は、−５０℃以上５０℃以下であることが好ましい。このＴｇが−５０℃以上５０℃以下であると、樹脂層のＢステージ状態でのタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じない。
【００２３】
また、（Ａ）樹脂成分の総量中、上記（Ａ１）高分子量成分の配合量は、好ましくは１５〜８５重量％であり、より好ましくは２０〜８５重量％であり、特に好ましくは２０〜８０重量％であり、最も好ましくは２５〜８０重量％である。（Ａ１）高分子量成分の配合量が１５重量％未満だと、得られる樹脂層の可とう性が不足して脆くなる可能性が有り、８５重量％を超えると得られる樹脂層の流動性が低下する可能性がある。
【００２４】
上記（Ａ２）熱硬化性成分は、熱により硬化して接着作用を発現するものであれば特に限定されないが、エポキシ樹脂を主成分とするものが好ましい。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００２５】
上記ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製  エピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７，１００９、ダウケミカル社製  ＤＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成（株）製  ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０などが挙げられる。上記フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製  エピコート１５２，１５４、日本化薬（株）製  ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製  ＤＥＮ−４３８などが、また、上記クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である日本化薬（株）製  ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，１０２７、東都化成（株）製  ＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３，７０４などが挙げられる。上記多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製  Ｅｐｏｎ  １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製  アラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製  デナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１，３２１などが挙げられる。上記グリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製  エピコート６０４、東都化成（株）製  ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製  ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製  ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。上記複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製  アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製  ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
【００２６】
また、（Ａ２）熱硬化性成分は、公知のエポキシ樹脂硬化剤や硬化促進剤を含むことが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。好ましいフェノール樹脂としては、たとえば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：プライオーフェンＬＦ２８８２、プライオーフェンＬＦ２８２２、プライオーフェンＬＦ４８７１、プライオーフェンＴＤ−２０９０、プライオーフェンＴＤ−２１４９、プライオーフェンＶＨ−４１５０、プライオーフェンＶＨ４１７０などが挙げられる。また、上記硬化促進剤としては、例えば、４級ホスホニウム塩系、４級アンモニウム塩系、イミダゾール系、ＤＢＵ脂肪酸塩系、金属キレート系、金属塩系、トリフェニルフォスフィン系等を用いることができる。
【００２７】
また、（Ａ）樹脂成分の総量中、上記（Ａ２）熱硬化性成分の配合量は、好ましくは１５〜８５重量％であり、より好ましくは１５〜８０重量％であり、特に好ましくは２０〜８０重量％であり、最も好ましくは２０〜７５重量％である。（Ａ２）熱硬化性成分の配合量が、１５重量％未満だと、得られる樹脂層の耐熱性及び流動性が低下する可能性が有り、８５重量％を超えると得られる樹脂層の可とう性が低下する可能性がある。
【００２８】
また、本発明における（Ａ）樹脂成分には、上記（Ａ１）成分および（Ａ２）成分の他に、必要に応じて上記以外の樹脂成分を配合することもできる。
【００２９】
本発明における上記（Ｂ）フィラーとしては、特に制限が無いが、無機フィラーであることが好ましく、例えば、結晶性シリカ、非晶性シリカ、酸化アルミニウム、酸化チタン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等を使用することができる。
【００３０】
上記（Ｂ）フィラーの配合量は、上記（Ａ）樹脂成分１０重量部に対して、好ましくは１〜３００重量部であり、より好ましくは５〜３００重量部であり、特に好ましくは５〜２５０重量部であり、最も好ましくは５〜２００重量部である。（Ｂ）フィラーの配合量が１重量部未満だと得られる封止フィルムが軟らかくなって得られる半導体装置の信頼性が低下する可能性があり、３００重量部を超えると得られる封止フィルムと半導体基板との密着性が低下する可能性がある。
【００３１】
本発明における上記（Ｃ）着色剤としては、特に制限が無く、例えば、カーボンブラック、黒鉛、チタンカーボン、二酸化マンガン、フタロシアニン系等の顔料あるいは染料を使用することができる。分散性、レーザーマーキング性を考慮すると、カーボンブラック等の白色以外の着色剤が好ましい。
【００３２】
上記（Ｃ）着色剤の配合量は、上記（Ａ）樹脂成分１０重量部に対して好ましくは０．０１〜１０重量部であり、より好ましくは０．２〜８重量部であり、特に好ましくは０．３〜６重量部であり、最も好ましくは０．５〜５重量部である。（Ｃ）着色剤の使用量が０．０１重量部未満だと得られる封止フィルムの着色が十分で無く、レーザーマーキング後の視認性が悪くなる傾向があり、１０重量部を超えると得られる封止フィルムと半導体基板との密着性が低下する可能性がある。
【００３３】
本発明における樹脂層は、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分以外に、必要に応じてカップリング剤等の添加剤を含んでいてもよい。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。
【００３４】
上記シラン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−ジメトキシシラン、３−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３５】
上記チタン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３６】
上記アルミニウム系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム−モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシド−モノ−エチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−イソ−プロポキシド−モノ−エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３７】
また、上記カップリング剤等の添加剤は、（Ａ）樹脂成分１００重量部に対して、５０重量部以下の配合量にすることが好ましい。上記添加剤の配合量が５０重量部より多いと、得られる封止フィルムの耐熱性が低下する可能性がある。
【００３８】
また、本発明における樹脂層は、８０℃でのフロー量が１５０〜１８００μｍであり、好ましくは２００〜１６００μｍであり、より好ましくは４００〜１４００μｍである。このフロー量が１５０μｍより少ないと、得られる封止フィルムと半導体基板の密着性や半導体装置の信頼性が低下する可能性があり、１８００μｍを超えると、得られる封止フィルムで半導体素子を封止する際、流動性の制御が困難になり、作業性が低下する可能性がある。なお、上記フロー量は、厚み１５０μｍのＢステージ状態の上記樹脂層を基材層上に積層し、１０×２０ｍｍに打ち抜いて短冊状サンプルとし、これを熱圧着試験装置（テスター産業（株）製）を用いて、熱板温度：８０℃、圧力：０．２ＭＰａで１８秒間プレスした後、サンプルの端部からはみ出した樹脂の長さを光学顕微鏡で測定した値である。このフロー量は、例えば、フィラーの充填量を増やしたり、多官能エポキシ樹脂を使用して樹脂層の橋架け密度を向上させたり、フィルム化する際の熱履歴を増やしＢステージ状態での硬化度を向上させることによって小さくすることができる。
【００３９】
また、本発明における樹脂層は、１７０℃で１時間硬化した後の３５℃における引張り弾性率が、好ましくは５００〜２００００ＭＰａであり、より好ましくは６００〜１９０００ＭＰａであり、特に好ましくは７００〜１８０００ＭＰａであり、最も好ましくは１０００〜１６０００ＭＰａである。引張り弾性率が５００ＭＰａ未満だと得られる封止フィルムと半導体素子との密着性が低下する可能性があり、２００００ＭＰａを超えると半導体装置の信頼性が低下する可能性がある。なお、上記引張り弾性率は、厚み１５０μｍのＢステージ状態の上記樹脂層について、レオロジー社製の動的粘弾性スペクトロメーター（ＤＶＥ−４型）を用いて、３５℃、１０Ｈｚの条件で測定した値である。この引張り弾性率は、フィラーの充填量を増やしたり、多官能エポキシ樹脂を使用して樹脂層の橋架け密度を向上させることによって大きくすることができる。
【００４０】
また、本発明における樹脂層の厚さは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、特に好ましくは２０μｍ以上、最も好ましくは３０μｍ以上である。また、当該樹脂層の厚さは、好ましくは８００μｍ以下、より好ましくは６００μｍ以下、特に好ましくは５００μｍ以下、最も好ましくは４００μｍ以下である。樹脂層の厚さが５μｍ未満だと、半導体素子との密着性が低下する可能性があり、８００μｍを超えると半導体素子の厚さが増えてパッケージ設計の障害になる可能性がある。
【００４１】
また、本発明の封止フィルムは、図１に示すように、上記樹脂層２の片面に基材層１を有していてもよく、その厚さは、好ましくは５〜３００μｍであり、より好ましくは５〜２００μｍであり、特に好ましくは５〜１００μｍであり、最も好ましくは１０〜１００μｍである。基材層の厚さが５μｍ未満ではフィルム作製時の強度不足によりフィルム自体が作製できない可能性が有り、フィルムの厚さが３００μｍを超えても特に利点は無く、フィルム自体が高価になる可能性が有る。
【００４２】
上記基材層として使用しえる材料としては特に制限が無く、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリエーテルアミドフィルム、ポリエーテルアミドイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムを使用できる。また、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。
【００４３】
また、本発明の封止フィルムは、上記樹脂層の片面に保護層を有していてもよく、その厚さは、好ましくは５〜３００μｍであり、より好ましくは５〜２００μｍであり、特に好ましくは５〜１００μｍであり、最も好ましくは１０〜１００μｍである。保護層の厚さが５μｍ未満ではフィルムを十分に保護できない可能性が有り、フィルムの厚さが３００μｍを超えても特に利点は無く、フィルム自体が高価になる可能性が有る。
【００４４】
上記保護層として使用する材料としては特に制限が無く、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリエーテルアミドフィルム、ポリエーテルアミドイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムを使用できる。また、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。
【００４５】
また、本発明の封止フィルムは、図２に示すように、上記樹脂層２の一方の面に上記基材層１を、他方の面に上記保護層３を有していてもよい。
【００４６】
本発明の封止フィルムは、例えば、基材層上に、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分を少なくとも含むワニスを塗布した後、加熱乾燥により溶剤を除去して、Ｂステージ状態の樹脂層を形成することにより作製することができる。上記加熱乾燥条件は、樹脂層の成分や溶剤の種類によって異なるが、一般的には６０〜２００℃の温度で３〜３０分間加熱するものである。また、ワニスの塗布方法は、特に制限が無いが、作業性等を考慮すると、マルチコーターを使用して塗工するのが好ましい。
【００４７】
本発明の半導体装置は、本発明の封止フィルムを用いてなることをその特徴とするものである。以下、その製造例と形態に関して図を用いて説明するが、本発明は以下の記載に限定されるものではない。
【００４８】
図３は、半導体基板上の電極を本発明の封止フィルム（樹脂層）により封止する工程を示す模式図である。ここで、図１に示す構成を有する本発明の封止フィルムを用いる場合には、半導体基板４の電極面に樹脂層２が接するように、図２に示す構成を有する本発明の封止フィルムを用いる場合には、保護層３をはく離した後、半導体基板４の電極面に樹脂層２が接するように封止フィルムをラミネートし、半導体基板上の電極を封止する。ラミネート工程におけるラミネート温度は、半導体基板に負荷を与えず、作業性に優れる点で、１８０℃以下であることが好ましく、１４０℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが好ましい。また、本発明の封止フィルムは、上記電極が突起状電極である場合に特に好適である。
【００４９】
また、本発明の封止フィルムによる封止は、上述したフィルムラミネートによる方法に限らず、半導体基板に封止フィルムを熱圧着あるいは真空圧着する方法、半導体素子に直接封止フィルムをヒートプレスで接着する方法等を使用することもできる。なお、圧着条件等は封止使用する封止フィルムの種類、半導体基板あるいは素子の形状によって異なる。
【００５０】
図４は、本発明の封止フィルム（樹脂層）で封止された突起状電極を有する半導体素子の模式図である。このような半導体素子は、図３に示すようにして半導体基板の突起状電極を封止した後、例えば、封止フィルムの基材層を剥離する工程、加熱によって樹脂層２を硬化させる工程、はんだボール６を突起状電極５上に搭載する工程、半導体基板の、樹脂層封止側と反対側にダイシングテープをラミネートする工程、半導体基板を所定の大きさにダイシングする工程、突起状電極５を有する半導体基板とダイシングテープをはく離する工程を経て得ることができ、さらに、得られた半導体素子を回路基板上の所定位置に搭載することで半導体装置を得ることができる。また、このような方法で半導体素子を作製した後、封止フィルム側からＹＡＧレーザー等を照射し、製品を識別するための識別情報を表示することもできる。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５２】
（実施例１）
＜封止フィルムの作製＞
（Ａ１）高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名ＨＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：−７℃）１２．４重量部、（Ａ２）熱硬化性成分として、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名ＹＤ−８１７０Ｃ、エポキシ当量１６０）３３．６重量部、フェノール・ｐ−キシリレングリコールジメチルエーテル共重合樹脂（三井化学株式会社製、商品名ミレックスＸＬＣ−ＬＬ、水酸基当量１７４）３３．８重量部、１−シアノ−１−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．１重量部、（Ｂ）フィラーとして、シリカフィラー（株式会社龍森製、商品名ＴＦＣ−２４、平均粒径約８μｍ）３５６．２４重量部、（Ｃ）着色剤として、樹脂系加工顔料（山陽色素株式会社製、商品名ＦＰ  ＢＬＡＣＫ  ３０８、カーボンブラック含有率２９．０重量％）８．３重量部、およびカップリング剤として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名ＳＨ６０４０）１．０重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気して不揮発分（以降、ＮＶと略記する）約６０％のワニスを得た。なお、ＮＶの測定、算出方法は下記の通りとした。 
ＮＶ（％）＝（加熱乾燥後のワニス量（ｇ）／加熱乾燥前のワニス量（ｇ））×１００
※乾燥条件：１７０℃・１時間
【００５３】
上記得られたワニスを基材層（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名ピューレックスＡ３１Ｂ、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚３８μｍ）上に塗布し、９０℃、５分及び１４０℃、５分間加熱乾燥して、膜厚が１５０μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態の封止フィルムＡを得た。
【００５４】
＜封止フィルム（樹脂層）の評価＞
上記で得た封止フィルムＡ（樹脂層）について、フロー量、引張り弾性率、Ｔｇ、熱分解開始温度、埋め込み性およびレーザーマーキングの視認性を以下のとおり評価した。結果をまとめて表１に示す。
【００５５】
・フロー量
上記で得られた封止フィルムＡを１０×２０ｍｍに打ち抜いた短冊状サンプルとし、封止フィルムと基材層が積層してある状態で、熱圧着試験装置（テスター産業（株）製）を用いて、熱板温度：８０℃、圧力：０．２ＭＰａで１８秒間プレスした後、サンプルの端部からはみ出した樹脂の長さを光学顕微鏡で測定し、フロー量とした。
【００５６】
・引張り弾性率とＴｇ
上記で得られた封止フィルムＡを１７０℃で１時間硬化後、動的粘弾性スペクトロメーター（レオロジー社製、ＤＶＥ−４型）により、引張り弾性率（３５℃、１０Ｈｚ）及びガラス転移温度（周波数１０Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍｉｎ）を測定した。
【００５７】
・熱分解開始温度
示差熱天秤（セイコーインスツルメント株式会社製、ＳＳＣ５２００型）により、昇温速度：１０℃／ｍｉｎ、雰囲気：空気、の条件で熱分解開始温度を測定した。
【００５８】
・埋め込み性
上記で得られた封止フィルムＡを、配線及び銅ポストが形成された半導体基板（ピッチ寸法：５．３ｍｍ×６．３ｍｍ、スクライブライン：１００μｍ、銅ポスト径：３００μｍ、銅ポスト高さ：１００μｍ）上にホットロールラミネータ（大成ラミネータ株式会社製、商品名ＶＡ−４００ＩＩＩ型）を使用して貼付けた（ラミネート条件：８０℃、０．２ＭＰａ、０．５ｍ／ｍｉｎ）。ラミネート後、封止フィルムＡを貼り付けた半導体基板を銅ポスト部分で切断し、その断面を光学顕微鏡で観察し、埋め込み性を下記基準で評価した（評価○及び△が合格）。 
○：埋め込み不足によるボイドの発生無し
△：埋め込み不足によるボイドの発生僅かに有り（ボイドの発生率：銅ポスト総数の１０
％未満）
×：埋め込み不足によるボイドの発生若干有り（ボイドの発生率：銅ポスト総数の１０〜
５０％）
××：埋め込み不足によるボイドの発生ほぼ全面に有り（ボイドの発生率：銅ポスト総数
の５０％以上）
【００５９】
・レーザーマーキングの視認性
上記で得られた封止フィルムＡを、３００μｍ厚のシリコンウエハ鏡面にホットロールラミネータ（大成ラミネーター株式会社製、商品名ＶＡ−４００ＩＩＩ型）を使用して貼付け（ラミネート条件：８０℃、０．２ＭＰａ、０．５ｍ／ｍｉｎ）、封止フィルム付きシリコンウエハを得た後、基材層をはく離して１７０℃で１時間硬化した樹脂層付きシリコンウエハの樹脂層側に、出力５．０Ｊ／パルスのＹＡＧレーザーによってレーザーマーキングを行い、その視認性を確認した（サンプル数：各１００個）。
【００６０】
視認性の評価方法は、レーザーマーキング後の表面をスキャナによって画像取り込みを行い、画像処理ソフト（Ａｄｏｂｅ社製商品名、ＰＨＯＴＳＨＯＰ）によってマーキング部分及びその周りの非マーキング部分の２階調化を行う。この操作によって明度によって白黒の２５６段階に分けられる。次に、マーキング部分が白く、非マーキング部分が黒く表示される「２階調化する境界のしきい値」と、マーキング部分も黒く表示されマーキング／非マーキング部分の境界が無くなる「２階調化する境界のしきい値」の値を求め、その値が４０以上である場合に視認性良好とし（評価○）、その差が３０以上４０未満である場合に視認性がほぼ良好とし（評価△）、その差が３０未満である場合に視認性が不良とした（評価×）。なお、表１には、評価○、△、×に該当するサンプル数を示した。
【００６１】
＜半導体装置の作製と評価＞
上記で得られた封止フィルムＡを、配線及び銅ポストが形成された半導体基板（ピッチ寸法：５．３ｍｍ×６．３ｍｍ、スクライブライン：１００μｍ、銅ポスト径：３００μｍ、銅ポスト高さ：１００μｍ）上にホットロールラミネータ（大成ラミネータ株式会社製、商品名ＶＡ−４００ＩＩＩ型）を使用して貼付け（ラミネート条件：８０℃、０．２ＭＰａ、０．５ｍ／ｍｉｎ）、基材層をはく離した後、１７０℃で１時間加熱して樹脂層を硬化させる工程、樹脂層を研削して銅ポストを表面に露出させる工程、銅ポスト上に外部端子を形成する工程、ダイシングする工程、得られた半導体素子をピックアップして有機基板に実装する工程を行い、半導体装置を作製した。
【００６２】
ついで、この半導体装置について、−５５℃／３０ｍｉｎ←→１２５℃／３０ｍｉｎを１サイクルとするヒートサイクル試験を１０００サイクル行い（サンプル数１０）、樹脂層にクラックが発生していないかどうかを調べた。結果を表１に示す。なお、表１には、（樹脂層にクラックが発生した半導体装置の個数）／（総サンプル数）を示した。
【００６３】
（実施例２）
＜封止フィルムの作製＞
（Ａ１）高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名ＨＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：−７℃）２８重量部、（Ａ２）熱硬化性成分として、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名ＹＤ−８１７０Ｃ、エポキシ当量１６０）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名ＹＤＣＮ−７０３、エポキシ当量２１０）１０重量部、フェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名プライオーフェンＬＦ４８７１）２７重量部、１−シアノ−１−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．１重量部、（Ｂ）フィラーとして、シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、商品名ＳＯ−Ｃ２、比重２．２ｇ／ｃｍ３）９５重量部、（Ｃ）着色剤として、樹脂系加工顔料（山陽色素株式会社製、商品名ＦＰ  ＢＬＡＣＫ  ３０８、カーボンブラック含有率２９．０重量％）３．３重量部、カップリング剤として、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー社製、商品名Ａ−１８９）０．２５重量部、およびγ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー社製、商品名Ａ−１１６０）０．２５重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気してＮＶが約６０％のワニスを得た。
【００６４】
上記で得られたワニスを基材層（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名ピューレックスＡ３１Ｂ、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚３８μｍ）上に塗布し、９０℃、５分及び１４０℃、５分間加熱乾燥して、膜厚が１５０μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態の封止フィルムＢ得た。
【００６５】
＜封止フィルム（樹脂層）の評価＞
上記で得られた封止フィルムＢについて、実施例１と全く同様の評価を行った。結果をまとめて表１に示す。
【００６６】
＜半導体装置の作製と評価＞
封止フィルムＡの代わりに上記で得られた封止フィルムＢを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６７】
（実施例３）
＜封止フィルムの作製＞
基材層上に塗布したワニスの乾燥条件を９０℃、５分及び１４０℃、５分から、９０℃、１０分及び１４０℃、１０分とした以外は、実施例１と全く同様の操作を行い、Ｂステージ状態の封止フィルムＣを得た。
【００６８】
＜封止フィルム（樹脂層）の評価＞
上記で得られた封止フィルムＣについて、実施例１と全く同様の評価を行った。結果をまとめて表１に示す。
【００６９】
＜半導体装置の作製と評価＞
封止フィルムＡの代わりに上記で得られた封止フィルムＣを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００７０】
（実施例４）
＜封止フィルムの作製＞
基材層上に塗布したワニスの乾燥条件を９０℃、５分及び１４０℃、５分から、９０℃、７分及び１４０℃、７分にした以外は、実施例１と全く同様の操作を行い、Ｂステージ状態の封止フィルムＤを得た。
【００７１】
＜封止フィルム（樹脂層）の評価＞
上記で得られた封止フィルムＤについて、実施例１と全く同様の評価を行った。結果をまとめて表１に示す。
【００７２】
＜半導体装置の作製と評価＞
封止フィルムＡの代わりに上記で得られた封止フィルムＤを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００７３】
（実施例５）
＜封止フィルムの作製＞
基材層上に塗布したワニスの乾燥条件を９０℃、５分及び１４０℃、５分から、９０℃、３分及び１４０℃、３分にした以外は、実施例１と全く同様の操作を行い、Ｂステージ状態の封止フィルムＥを得た。
【００７４】
＜封止フィルム（樹脂層）の評価＞
上記で得られた封止フィルムＥについて、実施例１と全く同様の評価を行った。結果をまとめて表１に示す。
【００７５】
＜半導体装置の作製と評価＞
封止フィルムＡの代わりに上記で得られた封止フィルムＥを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００７６】
（実施例６）
＜封止フィルムの作製＞
（Ａ１）高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名ＨＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：−７℃）１２．４重量部、（Ａ２）熱硬化性成分として、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名ＹＤ−８１７０Ｃ、エポキシ当量１６０）３３．６重量部、フェノール・ｐ−キシリレングリコールジメチルエーテル共重合樹脂（三井化学株式会社製、商品名ミレックスＸＬＣ−ＬＬ、水酸基当量１７４）３３．８重量部、１−シアノ−１−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．１重量部、（Ｂ）フィラーとして、シリカフィラー（株式会社龍森製商品名：ＴＦＣ−２４、平均粒径：約８μｍ）１５２．６重量部、（Ｃ）着色剤として、樹脂系加工顔料（山陽色素株式会社製、商品名ＦＰ  ＢＬＡＣＫ  ３０８、カーボンブラック含有率２９．０重量％）８．５５重量部、およびカップリング剤として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング株式会社製商品名：ＳＨ６０４０）１．０重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気してＮＶが約６０％のワニスを得た。
【００７７】
上記で得られたワニスを基材層（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名ピューレックスＡ３１Ｂ、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚３８μｍ）上に塗布し、９０℃、１０分及び１４０℃、１０分間加熱乾燥して、膜厚が１５０μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態の封止フィルムＦを得た。
【００７８】
＜封止フィルム（樹脂層）の評価＞
上記で得られた封止フィルムＦについて、実施例１と全く同様の評価を行った。結果をまとめて表１に示す。
【００７９】
＜半導体装置の作製と評価＞
封止フィルムＡの代わりに上記で得られた封止フィルムＦを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００８０】
（比較例１）
＜封止フィルムの作製＞
（Ａ１）高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名ＨＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：−７℃）１２．４重量部、（Ａ２）熱硬化性成分として、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名ＹＤ−８１７０Ｃ、エポキシ当量１６０）３３．６重量部、フェノール・ｐ−キシリレングリコールジメチルエーテル共重合樹脂（三井化学株式会社製、商品名ミレックスＸＬＣ−ＬＬ、水酸基当量１７４）３３．８重量部、１−シアノ−１−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．１重量部、（Ｃ）着色剤として、樹脂系加工顔料（山陽色素株式会社製、商品名ＦＰ  ＢＬＡＣＫ  ３０８、カーボンブラック含有率２９．０重量％）８．３重量部、およびカップリング剤として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）１．０重量部からなる組成物にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気してＮＶが約６０％のワニスを得た。
【００８１】
上記得られたワニスを基材層（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名ピューレックスＡ３１Ｂ、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム、膜厚３８μｍ）上に塗布し、９０℃、２０分及び１４０℃、２０分間加熱乾燥して、膜厚が１５０μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態の封止フィルムＧを得た。
【００８２】
＜封止フィルム（樹脂層）の評価＞
上記で得られた封止フィルムＧについて、実施例１と全く同様の評価を行った。結果をまとめて表１に示す。
【００８３】
＜半導体装置の作製と評価＞
封止フィルムＡの代わりに上記で得られた封止フィルムＧを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００８４】
（比較例２）
＜封止フィルムの作製＞
基材層上に塗布したワニスの乾燥条件を９０℃、５分及び１４０℃、５分から、９０℃、１５分及び１４０℃、１５分にした以外は、実施例１と全く同様の操作を行い、Ｂステージ状態の封止フィルムＨを得た。
【００８５】
＜封止フィルム（樹脂層）の評価＞
上記で得られた封止フィルムＨについて、実施例１と全く同様の評価を行った。結果をまとめて表１に示す。
【００８６】
＜半導体装置の作製と評価＞
封止フィルムＡの代わりに上記で得られた封止フィルムＨを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００８７】
（比較例３）
基材層上に塗布したワニスの乾燥条件を９０℃、５分及び１４０℃、５分から、９０℃、３分及び１１５℃、３分にした以外は、実施例１と全く同様の操作を行い、Ｂステージ状態の封止フィルムＩを得た。
【００８８】
＜封止フィルム（樹脂層）の評価＞
上記で得られた封止フィルムＩについて、実施例１と全く同様の評価を行った。結果をまとめて表１に示す。
【００８９】
＜半導体装置の作製と評価＞
封止フィルムＡの代わりに上記で得られた封止フィルムＩを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体装置を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【表１】
2008060523.tif 000002
【００９０】
表１から、実施例１〜６の封止フィルムは、埋め込み性、半導体基板との密着性及びレーザーマーキング視認性の全てに優れることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】基材層１及び樹脂層２からなる封止フィルムの模式図である。
【図２】基材層１、樹脂層２及び保護層３からなる封止フィルムの模式図である。
【図３】封止フィルムを半導体基板にラミネートする工程の模式図である。
【図４】封止フィルムで封止した突起状電極を有する半導体素子の模式図である。
【符号の説明】
【００９２】
１：基材層
２：樹脂層
３：保護層
４：半導体基板
５：突起状電極
６：はんだボール
７：突起状電極を有する半導体素子
８：ロール状封止フィルム
９：ロール
１０：ラミネーターロール
【図１】
2008060523.tif 000003
【図２】
2008060523.tif 000004
【図３】
2008060523.tif 000005
【図４】
2008060523.tif 000006