(57)【要約】【課題】カバレッジを良好に保つことができる配線修正方法。【解決手段】半導体装置１１の修正配線を引き出す接続孔１を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、接続孔１の側面のうち、下層配線４と上層配線３を接続する修正配線を引き出す側に傾斜面を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の下層配線と上層配線とを接続する修正配線を引き出す接続孔を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、
前記接続孔の側面のうち、前記修正配線を引き出す方向に傾斜面を形成することを特徴とする配線修正方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線修正方法において、
大きさが互いに異なり、重複する複数の加工枠を設定するとともに、小さい前記加工枠から大きい前記加工枠の順に、前記各加工枠内に対し繰り返し集束イオンビームを照射することにより前記傾斜面を形成することを特徴とする配線修正方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線修正方法において、
前記接続孔の深さ、又は最小の前記加工枠から最大の前記加工枠までの相対距離に応じて、前記加工枠の数を設定することを特徴とする配線修正方法。
【請求項４】
請求項２〜３のいずれか１項に記載の配線修正方法において、
前記各加工枠の中心位置を同一にすることにより、前記接続孔の全ての側面を傾斜させることを特徴とする配線修正方法。
【請求項５】
請求項２〜３のいずれか１項に記載の配線修正方法において、
前記各加工枠の中心位置を偏倚することにより、前記接続孔の側面の一部のみ傾斜させることを特徴とする配線修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の下層配線と上層配線とを接続する修正配線を引き出す接続孔を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの回路変更や特性変更を行う際、設計改版前に、実サンプルでの集束イオンビーム（ＦＩＢ、Focused Ion Beam）による配線加工を施し、動作確認を行う傾向にある。ＦＩＢ加工により、配線修正を行う際には、サンプルの表面に加速された陽電子ガリウムイオンからなる集束イオンビームを照射することでサンプル表面をスパッタリングする。そして、ターゲットとなる下層配線に到達する接続孔を掘削し、サンプルの表面にタングステンガスを散布しながら集束イオンビームを照射することで、接続孔をタングステンで埋め込み、下層配線を上層配線に接続させる（非特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、最近、ＬＳＩ表面の平坦化処理や、ダミーパターンの形成等により、接続孔の形成位置を特定し難くなっている。即ち、ＦＩＢ加工による接続孔の穿孔加工を行う際、ＦＩＢをサンプル表面に走査し、サンプル表面から発生する２次電子又は２次イオンをイメージ化して画像に変換することにより、サンプル表面の凹凸形状を画面にて確認していた。そして、ターゲットとなる下層配線による凸状箇所を走査領域として設定し、その走査領域にＦＩＢを照射して接続孔を形成していたが、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Planarization)等の平坦化処理が施されると、ＦＩＢを用いたサンプルの凹凸形状が判別し難
くなっていた。このため、広い範囲に接続孔を形成することにより、誤差を相殺し、下層配線を露出する接続孔を形成していた。
【０００４】
ところが、広い接続孔を形成した場合、接続孔をタングステンで埋める加工時間が非常に長くなる問題が生じる。また最近、ＬＳＩの多層構造化により、接続孔が深くなる傾向にあり、接続孔をタングステンで埋めるのは非常に困難である。
【０００５】
そこで、最近では、図９に示すように、接続孔１００の側面に沿って修正配線１０１を引き出す手法が採用されている。これによれば、大きな接続孔全てを埋める必要が無く、加工時間を短縮化することができる。
【非特許文献１】丸田由紀雄、磯部勝己，「Ｓｃａｎ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｊｏｕｒｎａｌ」，富士通ヴィエルエスアイ株式会社，２００４年３月１日，ｖｏｌ６、Ｎｏ．１（通巻第１１号）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、接続孔１００の側面に沿って修正配線１０１を形成する場合、図１０に示すように、接続孔のエッジ１０２において、修正配線１０１が、意図する修正配線１０１の厚みよりも薄くなってしまう。このように修正配線１０１が薄くなると、断線や配線の高抵抗化等の問題を招来する。これに対し、接続孔１００のエッジ１０２周辺において、タングステンのＤＯＳＥ量を多くして、修正配線１０１を厚くしようと試みても、意図する十分な厚みは得られないことが発明者の実験により判っている。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、カバレッジを良好に保つことができる配線修正方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、半導体装置の下層配線と上層配線とを接続する修正配線を引き出す接続孔を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、前記接続孔の側面のうち、前記修正配線を引き出す方向に傾斜面を形成する。
【０００９】
この構成によれば、修正配線を引き出す方向において傾斜面が形成されるので、接続孔のエッジ周辺が緩やかになる。このため、エッジ周辺での修正配線のカバレッジを良好にすることができるので、修正配線を所望の厚みに形成することができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、配線修正方法において、大きさが互いに異なり、重複する複数の加工枠を設定するとともに、小さい前記加工枠から大きい前記加工枠の順に、前記各加工枠内に対し繰り返し集束イオンビームを照射することにより前記傾斜面を形成する。
【００１１】
この構成によれば、大きさが互いに異なり、重複する複数の加工枠が設定され、小さい加工枠から大きい加工枠の順に集束イオンビームを照射する。即ち、一定の照射量で各加工枠内を繰り返し走査することによって傾斜面を有する接続孔を形成できるので、傾斜面を形成する領域で照射量を段階的に変更する必要がない。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、配線修正方法において、前記接続孔の深さ、又は最小の前記加工枠から最大の前記加工枠までの相対距離に応じて、前記加工枠の数を設定する。
この構成によれば、接続孔の深さ、又は最小の加工枠から最大の加工枠までの相対距離に応じて加工枠の数を設定する。このため、深い接続孔又は上記相対距離が長い接続孔を形成する場合には、加工枠を増やして段差や凹凸等のない傾斜面を形成することができる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、配線修正方法において、前記各加工枠の中心位置を同一にすることにより、前記接続孔の全ての側面を傾斜させることを要旨とする。
この構成によれば、各加工枠の中心位置を同一にすることで、接続孔の側面を全て傾斜させることができる。このため、修正配線の引出方向の自由度が大きくなる。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、配線修正方法において、前記各加工枠の中心位置を偏倚することにより、前記接続孔の側面の一部のみ傾斜させる。
この構成によれば、各加工枠の中心位置を偏倚させることで、一部のみ傾斜面にすることができる。このため、他の配線に影響しない接続孔を形成することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、カバレッジを良好に保つことができる配線修正方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図８に従って説明する。
まず、本発明の製造方法により形成した配線修正用の接続孔１について説明する。図１は、接続孔１が形成された、修正配線形成前の半導体装置１１の模式図である。また、図２は集束イオンビーム装置により観察されたＳＩＭ（Scanning Ion Microscope）画像に
基づく、修正配線が引き出された接続孔１の断面図、図３はその部分拡大図である。図１に示すように、接続孔１は、半導体装置１１の上層配線３及び下層配線４を接続する修正配線５（図２参照）を引き出すために形成され、その側面１ａ〜１ｄが傾斜している。また、接続孔１は、断面矩形状に形成され、図１に示すようにその底面１ｅには下層配線４が露出している。図２に示すように、修正配線５は、その幅が数μｍであって、接続孔１の傾斜面としての側面１ａ，１ｃに沿って引き出されている。図３に示すように、側面１
ａが傾斜しているため、接続孔１のエッジＥの角度が緩やかになる。このため、引き出された修正配線５は、エッジＥ周辺で薄くなることなく、約４０００〜６０００Å、最大で１μｍの厚みを保っている。
【００１７】
図４に示す接続孔１は、図１〜３に示す接続孔１に対し、修正配線５を引き出す方向の側面１ａのみが傾斜面になっている点で異なっている。即ち、この接続孔１は、一つの側面１ａのみが傾斜面になっており、他の側面１ｂ〜１ｃはほぼ垂直に形成されている。この接続孔１の場合、修正配線５は、この傾斜した側面１ａに沿って引き出される。
【００１８】
発明者の実験により、これらの傾斜面の傾斜角θ（図３参照）が、一定角度以下の場合に、修正配線５がエッジＥ周辺で薄くなることなく、好適な厚みを保持できることがわかっている。一定角度を超えると、エッジＥ周辺に形成された修正配線５が薄くなる。これらの接続孔１は、集束イオンビーム装置１０によって形成される。（※一定角度は、発明者の実験装置による結果では４８．４°と出ているが、ガス圧力とガスノズルの方向によって異なる。）
次に、接続孔１の形成方法について説明する。図５は、集束イオンビーム装置１０の概略図である。集束イオンビーム装置１０は、イオン源１２、電子制御系装置１３、ステージ１４、検出器１５、ガスノズル１６、コントローラ３０、入力操作部３４及びディスプレイ３５を備えている。
【００１９】
イオン源１２には、液状のガリウムが貯留され、液状ガリウムはその先端の導出針を介して外部に導出される。電子制御系装置１３は、引出電極２０、コンデンサレンズ２１、ブランキング電極２２、可動絞り２３、フォーカスレンズ２４及び偏向電極２５を有している。引出電極２０は、イオン源１２との間に電圧を印加して、導出針から液状ガリウムの正電荷イオンを引き出す。
【００２０】
コンデンサレンズ２１は、イオン源１２から放出されたイオンビームの過剰な拡散を抑制する。ブランキング電極２２は、イオンビームを照射するときは対になった電極間に電位差を与えずイオンビームをそのまま通過させ、非照射時には電位差を与えて、イオンビームの軌道を曲げ、ステージ１４上の半導体装置１１にイオンビームを照射しないようにする。
【００２１】
可動絞り２３は、内径の異なる複数の孔を有し、各孔は、内径の大きさによって通過するイオン量を制御する。可動絞り２３の孔を通過したイオンビームＢは、フォーカスレンズ２４によって集束される。さらに偏向電極２５は、印加電圧により発生する電界内で、イオンビームＢの軌道を曲げ、半導体装置１１表面の所定領域にイオンビームＢを照射する。コントローラ３０は、偏向電極２５の電界を変化させて、半導体装置１１の表面の所定領域を走査する。
【００２２】
ステージ１４は、半導体装置１１を保持するホルダを備え、４軸又は５軸方向（ＸＹＺ方向、傾斜、回転）に変位可能になっている。また、ステージ１４の上方には、検出器１５及びガスノズル１６が配置されている。検出器１５は、イオンビーム照射により、半導体装置１１から発生する２次イオン又は２次電子を検出する。そして、検出信号をコントローラ３０に出力する。
【００２３】
また、ガスノズル１６は、ＣＶＤ用のガス供給源に接続され、半導体装置１１の表面に、修正配線５を形成するための化合物ガスを散布する。本実施形態では、Ｗ（ＣＯ）６、ＷＦ６等のタングステン系の化合物ガスを用いるが、これ以外の化合物ガスとして、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｃｒ（ＣＯ）６、Ｎｉ（ＣＯ）４等の金属カルボニル、Ａｌ（ＣＨ３）３，Ｃｄ（Ｃ２Ｈ５）２等のアルキル金属、ＴｉＩ等ハロゲン系のガス等の化合物ガスを用い
ても良い。そして、化合物ガスを散布しながら、イオンビームＢを走査することによって、化学反応させ、固体成分であるタングステン（又は他の金属）のみを半導体装置１１の表面に堆積する。その結果、半導体装置１１上にタングステンからなる修正配線５が形成される。
【００２４】
また、電子制御系装置１３は、コントローラ３０と接続されている。コントローラ３０は、照射制御回路３１、加工枠演算回路３２、画像処理回路３３及び入力操作部３４を備えている。照射制御回路３１は、引出電極２０、ブランキング電極２２及び偏向電極２５等に電圧を印加し、可動絞り２３を駆動制御する。また、照射制御回路３１は、ステージ１４を駆動する駆動機構（図示略）を制御して、ステージ１４を４軸方向又は５軸方向に変位させる。さらに、照射制御回路３１は、加工枠演算回路３２、入力操作部３４に接続されている。入力操作部３４は、オペレータによって操作されるキーボード、マウス等であって、照射開始、照射停止、照射位置指定等の入力操作を行うことができる。
【００２５】
画像処理回路３３は、検出器１５が出力した２次電子又は２次イオン分布に基づき、分布データをイメージ化して、半導体装置１１の表面像をディスプレイ３５に出力する。
加工枠演算回路３２は、入力操作部３４からの信号に基づき、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す、接続孔１を形成するための複数の各加工枠Ｆを自動的に演算する。
【００２６】
加工枠演算回路３２によって形成される加工枠Ｆは、上記した各接続孔１を形成するためのイオンビーム照射領域であって、所定数形成され、互いに大きさが異なっている。図６（ａ）に示す加工枠Ｆは、図１〜図３の接続孔１を形成するための加工枠Ｆである。各加工枠Ｆｉ（ｉ＝２、３・・・ｎ）は、そのすぐ内側にある加工枠Ｆｉ−１よりも、縦方向（ｙ方向）及び横方向（ｘ方向）にスリット幅Ｗの２倍分大きく設定されている。このスリット幅Ｗは、１つの接続孔１に対して一定になっており、傾斜面の長さの数十分の１等、十分小さい長さに設定されている。これらの各加工枠Ｆは、その中心位置を合わせて重ねられている。
【００２７】
図６（ｂ）に示す各加工枠Ｆは、図４に示す一つの側面１ａが傾斜した接続孔１を形成するための加工枠である。各加工枠Ｆｉ（ｉ＝２、３・・・ｎ）は、縦方向（ｙ方向）の長さは等しく、横方向（ｘ方向）の長さは、そのすぐ内側にある加工枠Ｆｉ−１よりもスリット幅Ｗだけ大きくなっている。これらの各加工枠Ｆは、一辺（図６（ｂ）では左側の辺）が重なるように、中心位置を偏倚させて重ねられている。
【００２８】
オペレータが予め接続孔１の形成箇所と、接続孔１の形状、接続孔１の傾斜面の長さ等を設定すると、加工枠演算回路３２が、指定された形成箇所に基づき、中心となる第１加工枠Ｆ１の座標を演算する。第１加工枠Ｆ１が指定されると、加工枠演算回路３２は、その第１加工枠Ｆ１よりも大きい第２加工枠Ｆ２、第３加工枠Ｆ３・・・を、第１加工枠Ｆ１を中心に自動的に演算する。このとき、接続孔１の形状として、図１の接続孔１のように各側面１ａ〜１ｄが傾斜した形状を選択した場合には、加工枠演算回路３２は、図６（ａ）に示すような中心を合わせた各加工枠Ｆの座標を演算する。図４の接続孔１のように、側面１ａ〜１ｄのいずれか一つが傾斜したモデルを選択した場合には、図６（ｂ）に示すように、中心をずらした各加工枠Ｆの座標を演算する。図６（ｂ）の加工枠Ｆを形成する場合、傾斜面を形成する方向に中心をずらして重ねる。
【００２９】
このように加工枠Ｆを演算すると、加工枠演算回路３２は、照射制御回路３１に各加工枠Ｆの座標を出力する。照射制御回路３１は、電子制御系装置１３やステージ１４を制御して、位置決めを行い、半導体装置１１の表面にイオンビームＢを照射する。具体的には、例えば、図６（ａ）の加工枠Ｆ１〜Ｆｎを用いた場合を例にして説明すると、図７（ａ）に示すように、まず第１加工枠Ｆ１内をイオンビームＢにより走査し、第１加工枠Ｆ１
内の１回の走査が完了すると、第１加工孔４１が形成される。
【００３０】
次に、第１加工枠Ｆ１より大きい第２加工枠Ｆ２を照射領域とし、第２加工枠Ｆ２内をビーム照射する。これにより、図７（ｂ）に示すように、第１加工孔４１は、２回目のビーム照射が行われることにより、より深く掘削される。また、第１加工孔４１を取り囲むように、第１加工孔４１よりも浅い第２加工孔４２が形成される。
【００３１】
第２加工孔４２が形成されると、次に第３加工枠Ｆ３を照射領域とし、第３加工枠Ｆ３内を１回走査する。これにより、図７（ｃ）に示すように、第１加工孔４１及び第２加工孔４２は、より深く削り込まれ、第３加工孔４３が新たに形成される。このように、第１加工枠Ｆ１から第３加工枠Ｆ３まで１回の走査を順に、設定ＤＯＳＥ量まで繰り返し行う。スリット幅Ｗは、最終的に形成される傾斜面の長さに対して、数十分の１等に設定しているため、第１〜第３加工孔４１〜４３による接続孔１の側面１ａ〜１ｄは、階段状に形成されず、連続して傾斜面となる。このようにして、第１加工枠Ｆ１〜第Ｎ加工枠Ｆｎまでをビーム照射すると、図１〜図３に示すような接続孔１が形成される。図４に示す、一つの側面１ａが傾斜した接続孔１を形成する手順も同様に行われる。
【００３２】
次に、本実施形態の加工手順について図８に従って説明する。
オペレータは、ステージ１４上に載置された半導体装置１１のアライメントマークを、ディスプレイ３５で確認し、入力操作部３４によりステージ１４を変位させて位置決めを行う。そして、ディスプレイ３５の画面に表示されたＳＩＭ（Scanning Ion Microscope
）画像上で、第１加工枠Ｆ１の中心位置及び大きさを設定する（ステップＳ１）。
【００３３】
また、オペレータは、形成する接続孔１の形状を設定する（ステップＳ２）。例えば、傾斜させる側面１ａ〜１ｄを設定し、接続孔１の形状を確定する。また、接続孔１の最も深い位置の深さ（最大深さ）、又は傾斜面の長さ（スロープ長）等を設定する。スロープ長は、第１加工枠Ｆ１から第Ｎ加工枠Ｆｎまでの相対距離を表す。
【００３４】
各条件が設定されると、加工枠演算回路３２は、加工枠数Ｎと、入力された設定値以外の変数を演算する（ステップＳ３）。例えば、接続孔１の最大深さがステップＳ１で設定された場合、その深さの孔を形成するのに必要なＤＯＳＥ量（照射量）を算出し、そのＤＯＳＥ量を１つの加工枠Ｆに対するＤＯＳＥ量（固定値）で除算して、加工枠Ｆの数を算出する。また、さらにスロープ長を加工枠数Ｎで除算して、スリット幅Ｗを算出する。或いは、スリット幅Ｗが固定値である場合、スロープ長をスリット幅Ｗで除算して、加工枠数Ｎを算出する。
【００３５】
さらに、加工枠演算回路３２は、カウンタのカウンタ値ｎを初期値「１」にして（ステップＳ４）、第ｎ加工枠の座標を演算する（ステップＳ５）。このとき、ステップＳ１において設定された第１加工枠Ｆ１の中心位置及び大きさに基づき、第１加工枠Ｆ１の座標を演算する。第１加工枠Ｆ１の座標を演算すると、カウンタ値ｎに「１」を加算して（ステップＳ６）、カウンタ値ｎが、加工枠数Ｎに達したか否かを判断する（ステップＳ７）。カウンタ値ｎが、加工枠数Ｎ未満であると判断すると（ステップＳ７においてＮＯ）、ステップＳ５に戻り、第２加工枠Ｆ２の座標を演算する。図１に示す接続孔１の形状が選択されている場合、第１加工枠Ｆ１の各辺に対してスリット幅Ｗだけ大きくした加工枠の座標を演算する。
【００３６】
そして、ステップＳ５〜ステップＳ７を繰り返し、第３加工枠Ｆ３、第４加工枠Ｆ４・・・の座標を演算する。第Ｎ加工枠Ｆｎの座標が演算されると、ステップＳ８において、カウンタ値ｎが加工枠数Ｎに到達するので、加工枠Ｆの演算処理を終了する。
【００３７】
このようにして、全ての加工枠Ｆの座標が演算されると、加工枠演算回路３２は、照射制御回路３１に、各加工枠の座標データを出力する。照射制御回路３１は、電子制御系装置１３を駆動制御して、設定された照射条件及び加工枠Ｆの座標に基づき、イオンビームＢのＸ軸及びＹ軸方向の偏向量を制御し、小さい加工枠Ｆから大きい加工枠Ｆ内を順番に走査する。また、検出器１５は、半導体装置１１表面から発生する２次イオン又は２次電子の分布を検出し、半導体装置１１表面のＳＩＭ画像をディスプレイ３５に出力する。
【００３８】
全ての加工枠Ｆに対するイオンビーム照射が終了すると、図１又は図４に示すような接続孔１が形成される。接続孔１が形成された後、照射制御回路３１が、ガスノズル１６を制御して、形成された接続孔１の傾斜した各側面１ａ，１ｃ（又は側面１ａ）と底面１ｅとに化合物ガスを散布する。また化合物ガスを散布しながら、照射制御回路３１は、修正配線５を引き出す箇所にイオンビームＢを照射する。その結果、化学反応により、固体成分が接続孔１の側面１ａ，１ｃ及び底面１ｅに体積する。このとき、接続孔１のエッジＥが緩やかに形成されていることにより、側面１ａ，１ｃへのカバレッジが良好になり、図２に示すようにエッジＥ周辺でも、所望の厚さの修正配線５が形成される。
【００３９】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）上記実施形態では、半導体装置１１の下層配線４と上層配線３とを接続する修正配線５を引き出すための接続孔１に傾斜面を集束イオンビーム加工によって形成するようにした。このため、傾斜面が形成されていない接続孔１に比べ、エッジ周辺が緩やかな角度になるため、集束イオンビーム装置１０を用いてＣＶＤにより修正配線５を形成する際に、エッジ周辺で修正配線５が薄くならず、所望の厚みの修正配線５を形成することができる。このため、断線や配線の高抵抗化を防ぐことができる。
【００４０】
（２）上記実施形態では、集束イオンビーム装置１０の加工枠演算回路３２は、大きさが互いに異なる複数の加工枠Ｆを設定するようにした。また、小さい加工枠Ｆから大きい加工枠Ｆの順に、各加工枠Ｆ内に対し、集束イオンビームを照射するようにした。即ち、一定の照射量で各加工枠Ｆ内を走査することによって傾斜面を有する接続孔１を形成できるので、照射量を段階的に変更して傾斜面を形成するよりも、傾斜面を容易に形成することができる。
【００４１】
（３）上記実施形態では、接続孔１の深さ、又は最小の第１加工枠Ｆ１から最大の第Ｎ加工枠Ｆｎまでの相対距離（スロープ長）に基づいて、加工枠数Ｎを設定するようにした。このため、深い接続孔１又はスロープ長が長い接続孔１を形成する場合には、スリット幅Ｗを大きくせずに加工枠数Ｎを増やすことにより、段差や凹凸等のない傾斜面を形成することができる。
【００４２】
（４）上記実施形態では、各加工枠Ｆの中心を同一にすることにより、全ての側面１ａ〜１ｄが傾斜した接続孔１（図１参照）を形成するようにした。このため、加工枠Ｆの重複状態を変更するのみで、容易に接続孔１の形状を変更することができる。
【００４３】
（５）上記実施形態では、各加工枠Ｆの中心を偏倚させることにより、一つの側面１ａのみ傾斜した接続孔１（図４参照）を形成するようにした。このため、他の配線に悪影響を与えない形状の接続孔１を形成することができる。
【００４４】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、加工枠Ｆを正方形又は長方形にしたが、その他の多角形状でもよい。
【００４５】
・上記実施形態では、接続孔１の最大深さ、スロープ長を設定するようにしたが、スリ
ット幅Ｗ、加工枠数Ｎ等を予め固定値とし、最大深さやスロープ長を設定しないようにしてもよい。
【００４６】
・上記実施形態では、加工枠Ｆの座標を加工枠演算回路３２が自動生成するようにしたが、オペレータが手動設定するようにしてもよい。
・集束イオンビーム装置１０の構成は上記した構成に限定されず、その他の構成でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本実施形態の接続孔の模式図。
【図２】ＳＩＭ画像に基づく接続孔の断面図。
【図３】同接続孔の断面の拡大図。
【図４】本実施形態の接続孔の模式図。
【図５】本実施形態の集束イオンビーム装置の構成の説明図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、各加工枠の説明図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、各加工枠を形成する工程の説明図。
【図８】本実施形態の加工枠の演算手順の説明図。
【図９】従来の接続孔の断面図。
【図１０】従来の接続孔の拡大断面図。
【符号の説明】
【００４８】
１  接続孔
１ａ  傾斜面としての側面
１ａ〜１ｄ  側面
３  上層配線
４  下層配線
５  修正配線
１０  集束イオンビーム装置
１１  半導体装置
Ｆ  加工枠
Ｆ１  第１加工枠
Ｂ…集束イオンビームとしてのイオンビーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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