(57)【要約】【課題】半導体製造装置、評価装置などの性能データ評価を確実にするための３００ｍｍテストウエハのエッジ部の構造について再現性が良好であって、膜剥離や傷等の生じることのない３００ｍｍシリコンテストウエハ等を提供する。【解決手段】この発明に係る３００ｍｍシリコンテストウエハは、半導体製造装置、評価装置、および材料の開発または評価を目的としたテストウエハである。このテストウエハは、エッジ部端面とこのエッジ部端面から０．３ｍｍ以内の表面が１０ｎｍ以上の深さまで同じ材料であるように製造設計し、これによりエッジの表面の電気特性を安定にさせる。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置、評価装置、および材料の開発または評価を目的に表面に金属膜と絶縁膜、シリコン基板で形成したダイオードを配列した３００ｍｍシリコンテストウエハにおいて、エッジ部端面とこのエッジ部端面から０．３ｍｍ以内の表面が１０ｎｍ以上の深さまで同じ材料であることを特徴とする３００ｍｍシリコンテストウエハ。
【請求項２】
シリコンウエハを酸化して作製する絶縁膜を誘電体として用いるゲートキャパシタと、前記ゲートキャパシタを囲う絶縁膜とを備え、ポリシリコン膜が前記ゲートキャパシタと前記絶縁膜の領域の一部を覆うように配置された３００ｍｍシリコンウエハにおいて、
前記絶縁膜と前記ポリシリコン膜のいずれか一方または両方をエッジ部端面とエッジ部端面から０．３ｍｍ以内の範囲から除かずに残したことを特徴とする３００ｍｍシリコンテストウエハ。
【請求項３】
前記エッジ部端面から０．３ｍｍ以内のエッジ部の表裏の領域とウェハ裏面の前記絶縁膜と前記ポリシリコン膜を除去してシリコン表面を露出させたことを特徴とする請求項２記載の３００ｍｍシリコンテストウエハ。
【請求項４】
前記膜材料の一つがＴｉナイトライド、Ｚｒナイトライド、Ｔａナイトライド、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、アモルファスＳｉ、アモルファスＣの少なくとも一つを含む金属膜であることを特徴とする請求項１記載の３００ｍｍシリコンテストウエハ。
【請求項５】
前記金属膜はその厚さが１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項４記載の３００ｍｍシリコンテストウエハ。
【請求項６】
前記膜材料の一つがシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、カーボンを含むシリコン酸化膜、Ｈｆ酸化膜、Ｚｒ酸化膜を含む絶縁膜であることを特徴とする請求項１記載の３００ｍｍシリコンテストウエハ。
【請求項７】
前記絶縁膜はその厚さが１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項６記載の３００ｍｍシリコンテストウエハ。
【請求項８】
エッジ部のベーベルに１０μｍ以上の粒子が存在しないことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の３００ｍｍシリコンテストウエハ。
【請求項９】
半導体製造装置、評価装置、および材料の開発または評価を目的に表面に金属膜と一定ピッチで並ぶ１００ｎｍ以下の線幅の絶縁膜を形成した３００ｍｍシリコンテストウエハにおいて、エッジ部端面とこのエッジ部端面から０．３ｍｍ以内の表面が１０ｎｍ以上の深さまで同じ材料であることを特徴とする３００ｍｍシリコンテストウエハ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載された３００ｍｍシリコンテストウエハを用いて開発されることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置、評価装置などの性能データ評価を確実にするための３００ｍｍテストウエハのエッジ部の構造および当該エッジ部の処理技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ上に半導体デバイスを作製するときに、当該ウエハは、プラズマ、イオン、または電荷を利用したいくつかの加工装置で処理される。そのとき、加工装置が発生する電荷（チャージ）または加工装置で利用する薬剤の電荷が配線メタルを通してゲート電極まで伝わり、当該電荷がゲート酸化膜を破壊し、損傷を与える。この現象は「チャージダメージ」と呼ばれる。高い歩留まりで半導体デバイスを製造するため、当該チャージダメージを低く抑えるための制御技術が開発されている。技術の進歩と共にチャージダメージはより小さく制御する必要があるので、チャージダメージの制御技術の開発は継続して行われている。当該開発を効率よく行うために、チャージダメージを加速的に与えるウエハを用いることがある。このウエハはチャージモニターのための「テストウエハ」と呼ばれる。
【０００３】
上記のテストウエハでは、シリコンウエハ酸化膜をゲート絶縁膜として用いるＭＯＳキャパシタのメタル部分にポリシリコンを用い、そのポリシリコンをフィールド絶縁膜の上にまで拡張して大面積の電極を作製し、拡張電極がデバイス製造工程で発生する電荷を効率よく集めることにより電荷によるゲート絶縁膜の破壊を加速させ、チャージダメージを評価する。
【０００４】
ダメージモニタ専用で用いられるテストウエハの構造（セル構造）の一例を図８と図９に示す。図８は縦断面図を示し、図９は平面図を示す。図８と図９に示したテストウエハ１００で、１０１は基板であり、１０２は基板１０１の表面に形成された絶縁膜（例えば３５０ｎｍの厚さ）であり、１０３は絶縁膜１０２上に形成されたポリシリコン膜（例えば１５０〜４５０ｎｍ）である。ポリシリコン膜１０３は、図９に示すように、アンテナ領域１０３ａとパッド領域１０３ｂとアクティブ領域１０３ｃの各部を有する。アクティブ領域１０３ｃには、上記の絶縁膜１０２によってゲート酸化膜（例えば４ｎｍの厚さ）１０２ａが形成されている。アクティブ領域に対するアンテナ領域の面積の割合をアンテナ比という。アンテナ比は２から百万まで、あるいはそれ以上にまで設計される。本発明に用いたウエハはアンテナ比百万まで設計されている。アンテナ比が大きいほど、チャージを捕獲してアクティブ領域の酸化膜を通過する電荷量が多くなる。通過する電荷量に応じて酸化膜はダメージを受けるので、アンテナ比が大きいほど敏感になる。ダメージが一定量を超えると酸化膜は破壊されて、導体のような材料に変化する。破壊されるまでは酸化膜は絶縁性を保ち、注入された電荷と内部に発生した欠陥を通してわずかの電流を流す。酸化膜が破壊される前と破壊された後では、際立って異なる電流電圧特性を示す。その典型的な特性カーブを参考として図１８に示す。実線５０１が破壊される前、破線５０２が破壊された後の特性である。これらの特性５０１，５０２が、ゲート酸化膜の厚みが４ｎｍのときの典型的特性である。チップ毎にこの特性カーブを確かめ、破壊されていたかどうかを調べ、破壊のウエハ分布マップを作ると破壊を誘発した原因を特定できる。実施例の説明では破壊マップを用いる。カーブから破壊を簡便に判定するには、一定値、例えば１０のマイナス６乗の電流が流れたときの電圧を用いるのが便利であるので、その電圧を分類して破壊を判定する。チャージダメージは以上のアンテナつきのゲート電極の金属膜とシリコン酸化膜、シリコン基板の作るダイオードの破壊で評価する。
【０００５】
電荷を発生させる、または用いる装置は多種類ある。電荷を発生させる半導体デバイス製造装置は、プラズマを用いる装置やイオンを用いる装置、電解液を用いるものが主であり、例えば、エッチャー、プラズマ化学気相成長装置、イオン注入装置、スパッッタリング装置、化学機械研磨装置（ＣＭＰ装置）がある。その他に、みかけ上電荷を用いない装置ではあるが、摩擦により絶縁性の水が電荷を発生させる装置がある。下記の非特許文献１によれば、純水をシリコンウエハに衝突させることで−３０ボルト（Ｖ）の表面電位がウエハの回転数に応じて生じる。
【０００６】
電荷の与える影響は装置構造に依存しており、特にウエハエッジの固定の仕方や固定台表面の密着度合いなどが関係していることが分かってきた。そのため、ウエハエッジの状況を電気的に明確に一定に制御する必要が出てきた。しかし、ウエハエッジの与える影響を考慮しないで、本発明の対象であるテストウエハは製造されている。テストウエハはさまざまな会社のさまざまな装置を用いて製造される。ウエハエッジの材料構造は用いる装置のウエハ支持機構に応じて決まってしまっているので、意図しないうちに材料構造が決まっているという経緯がある。参考として、装置に依存してウエハエッジにつく膜がどのように異なるのかを図１９，２０，２１，２２に示す。図１９はウエハ５１１の両面に成長膜５１２を形成するＣＶＤ等のバッチ処理炉（チューブ５１３）による膜成長の例を示している。酸化膜の成長やシリコン窒化膜、ポリシリコン膜の成長は、ほとんどがこの方式である。膜５１２はエッジを含むウエハ５１１の全面に成長する。図２０はクランプ機構５２１を備えたウエハ支持機構５２２の装置の例である。クランプ機構５２１がウエハ５２３のエッジを覆うので、ウエハ５２３のエッジには膜５２４（金属膜、絶縁膜等）は成長しない。図２１は、例えば静電チャック５３１でウエハ５３２を吸着する例を示す。５３３はカバーリングである。ガスが気相でウエハ５３２のエッジの裏面にまで回りこみ、膜５３４（金属膜、絶縁膜等）の成長が起きる。スッパタリング装置で用いる場合でもは裏には成長しないが、比較的高圧の仕様で処理してベーベル裏面にも成長させることができる。図２２はシールド機構５４１が備えられた装置の例である。シールド機構５４１はシールドガイド５４２を備える。シールド機構５４１が作用してウエハ５３２のエッジの裏面には膜成長がおきにくい。粒子が直線的に進むスパッタリング装置ではシールド機構５４１の影には成長しない。以上はエッジ材料に影響する膜成長装置であったが、洗浄装置もテストウエハのエッジ材料構造を決めてしまっている。ウエハのエッジ処理装置を図２３に示す。これは枚葉の処理装置の例である。ウエハ５５１の表面からは窒素ガス５５２を吹き付けてあり、この強度を調整すること（（Ａ）の場合は「強」、（Ｂ）の場合は「弱」）でエッチング用の薬品５５３のウエハ裏面からウエハ表面への回りこみが制御される。他の目的の工程も同じ処理装置を用いるので、特に設計してデータを取り目的に合わせて制御仕様を変更しない限り、一定の洗浄仕様で固定されて用いられる。吹き付ける窒素５５２が弱いと薬品はウエハ表面に回りこみ、エッジ端面と表面のエッジ部数ｍｍまでの膜５５４を除去する。テストウエハについてはエッジ材料を意図的に設計するニーズがなかったので、エッジ材料構造に依存する課題のデータを測定して、そのデータをもとに装置の条件を設計し、製造仕様を設計するということはなかった。以上の背景があるので、本発明はテストウエハというデバイス製造を目的としないウエハについて、エッジの材料構造が与える影響を説明してエッジ材料構造を設計して規定する。
【０００７】
なおここで、図１０の（Ａ），（Ｂ）を参照して、ウエハのエッジ周りの場所に関する用語を定義する。図１０において、２０１はウェハの端または縁の部分を示し、２０１ａはウエハ表面、２０１ｂはウエハ裏面である。破線ブロック２０２で示した部分がエッジ部であり、先端部２０３がエッジ部端面である。さらに輪郭２０３ａはエッジ部表面を示し、輪郭２０３ｂはエッジ部裏面を示し、破線輪郭２０４はべーベルである。べーベル２０４は、エッジ部表面２０３ａとエッジ部裏面２０３ｂとを加えたものである。
【０００８】
上記のエッジ部２０２の処理に関しては電気的な接触の観点だけではない。ＣＭＰ（化学機械研磨）という工程があり、ウエハを平坦にするために使われる。これにはスラリーと呼ぶ液体に混ぜた研磨粉を使うが、これがウエハエッジの材料を研磨するときに、エッジ部の膜構造に依存して、新たな膜剥離を作り出したり、剥離片が傷を与えるという障害を生み出す。これは、研磨粉がウエハの上の膜を研磨するときに、圧力をかけた研磨運動に応じて大きな水平方向のストレスを与えるからである。特にウエハのエッジ部にはストレスが集中するので、膜が局所的に薄かったりすると、そこから剥離片が発生してその障害が起きやすい。また他の理由でも剥離片が発生する。レジストのエッジリンス不足があると、部分的に残ったテジストがマスクとなり膜エッチ工程でそれが残り、ゴミが残ったと同じになる。これも剥がれて剥離片となり傷の障害を与える。これを解決するために、エッジ部を研磨して削るという技術が採用されるようになった。そのための装置ニーズも高まってきた。それを記述した文献が下記の非特許文献２である。
【０００９】
障害を起こすエッジ部の材料膜を削りとるというのは解決策の一つであるが、削りとる場合であっても、電気的な接触特性を規定できるようにする必要がある。加工すべきパタンの寸法が１３０ｎｍ以下の微細さになり、かつ大きな３００ｍｍのウエハにおいてエッジ部の構造は以前には注目してなかったが、問題になって浮上してきた。問題の一つとすべきバリアー膜の厚さを例に引きながら、問題となる時期について述べておく。バリアー膜の厚さは世界共通認識があり、例えば下記の非特許文献３に記述されている。
【００１０】
ここで参考に、バリアーメタルの厚さの設計予測を、微細さの技術ノード（ＭＰＵのハーフピッチ）と共に表１に抜粋して示す。
【００１１】
【表１】
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【００１２】
バリアーメタルはウエハエッジにも付着するが、１０ｎｍより薄い膜では電気的特性が明確にならない恐れがある。ウエハエッジと接触する装置部品や装置薬液があるときは、エッジ部を構成する材料は安定に定義される必要がある。
【００１３】
ウエハエッジは、周囲長が長く、プラズマ装置ではプラズマの不均一な部分が発生しやすい反応室の周辺部におかれて不均一プラズマにさらされるので、ダメージの原因になるプラズマ不均一性の影響を受けやすい。ウエハは電荷で満ちたプラズマで囲まれるが、総合的な電気的な振る舞いはウエハの導電性の特徴と関係することが分かってきた。ウエハは、プラズマのほかに、固定ピンおよびウエハ支持台と、電気的な接触・非接触の関係が作られている。プラズマはウエハの電位分布と関係するので、接触部分全部を制御する必要が出てきた。例えば測定のための導電性を得るため、裏面の導通をとるための裏面エッチを行うが、ウエハエッジの表面にはわずかに絶縁膜とポリシリコンが残り、ウエハエッジの固定ピンが電気的に触れるときと、触れないときがあり、再現性がない。ウエハのエッジ部の従来構造を図１１に示す。図１１は、３００ｍｍウエハのエッジ部２０２を示し、ウエハ３０１はシリコンウエハである。ウエハ３０１のウエハ表面には上記のごとくゲート酸化膜３０２とポリシリコン膜３０３が形成されている。エッジ部２０２において、ゲート酸化膜３０２はウエハ３０１のエッジ部端面２０３に到るまで成膜されている。なおウエハ３０１の裏面は上記のごとく薬液エッチングされている。エッジ部の構造については、電気的な接触が、エッジ部端面２０３での固定ピンの構造にもよるので、これに影響される特性を評価する目的には再現性のあるエッジ構造が望まれていた。
【００１４】
上記のエッジ部２０２において、ゲート酸化膜３０２に仮に膜剥離、傷、または孔などがあると、そこから薬液や水が染み込み、膜を腐食や減耗させたり剥離させる障害が起こる。ポリシリコン膜残りが点状にあるとそれが剥離片になることもある。その例を図１２と図１３に示す。図１２と図１３で、３０１はウエハ、３０２はゲートシリコン酸化膜４０１は３つの固定ピン、４０２は膜剥離や減耗などを表す。１つの固定ピン４０１が膜剥離等４０２の部分に接触している。この部分は、ピン接触状態として導通・非導通の状態が不安定になる。
【００１５】
また膜ポリシリコン膜の剥離は図１４に示すごとく粒子ゴミ４０３を発生させるので、当該粒子ゴミ４０３が電気的接触を不安定にさせたり、固定ピンで押されると粒子ゴミ４０３によってさらに新しい傷を作り出すという障害の連鎖を生じていた。
【００１６】
このために、膜の孔や減耗部を通して薬液などが染み込まないようにすることと、剥離片がゴミ片とならないように、剥離を発生させない膜の組み合わせを選ぶ必要が出てきた。エッジ部の膜剥離を防ぐ方法しては、エッジ部の材料を機械研磨して取り除く方法が取られる。この課題と対策を記述した公知例として下記の特許文献１〜４を挙げることができる。
【００１７】
特許文献２，３によれば、研磨で膜を取り除く工程は膜のパタン形成工程の前にいれて、パタン転写の障害になる剥離が生じさせないようにしている。特許文献４には表面を水で保護しながら研磨すること、研磨したエッジの上には０．５μｍ以上の粒子が無いことが記述されている。特許文献１には剥離の問題と製造歩留まりへの影響が記述されている。このように障害は小口径ウエハの時代からあったが、最近３００ｍｍウエハでの製造の量産時代に入り、チップ歩留まりに影響を与えるウエハエッジ部分の処理がコストに影響するようになった。
【００１８】
製造装置の支持台でウエハを固定するピンとの電気的な接触が不安定であるという上記課題のほかに、ＣＭＰと呼ばれる化学機械研磨工程でも課題があるので特に言及する。異種の材料がエッジ部、特に端面にあるとき、機械的ストレスと膜ストレスの歪が最大になる場所でもあるためと、金属の場合には電池作用で腐食が進行するなどのために、機械研磨の圧力で膜が剥がれる課題がある。１８０ｎｍの線幅の技術世代でもあった課題であったが、３００ｍｍという大きなウエハを用いる１３０ｎｍ以下の線幅で加工する技術世代になると、付着させる膜の厚さが薄くなり、膜の中にある小さい孔を通した薬品などの染み込みに依存した腐食剥離が起こりやすくなると共に、剥離した膜片が研磨面を傷つけることが製造歩留まりの障害となっている。実際のデバイスの製造においては、表面のパタン形状に依存して付着させる膜のストレスが変わり、寸法依存の剥離問題が起きないように、寸法は同じか近い寸法を基準として用いる。即ち、例えば２００ｎｍの線幅を基準として必要な線幅が４００ｎｍなら、４００ｎｍを設計するのでなく、２００ｎｍを２本並べる設計をする。従って大きく異なる寸法は同一の層内にはないのが一般的である。それとは反対に装置性能を調べるためのテストウエハにおいては、同一の層内に大きく異なる寸法が積極的に設計されて存在する。その公知例として特許文献５を挙げることができる。
【００１９】
特許文献５は、５０μｍ以上の矩形領域の同一層内に４０ｎｍから１３０ｎｍの間の少なくとも５水準のパタンが存在する配列に関する特許である。２００ｎｍの厚さのＴＥＯＳ−ＳｉＯ２の８０ｎｍ溝パタンの中にバリアーメタルとＣｕを入れようとすると、Ｔｉ５ｎｍ，ＴｉＮ１０ｎｍを付着させると、溝の上で５０ｎｍの幅しか開口しない。しかし、下記実験で判明するように、開口部を大きくとるためにＴｉＮをさらに薄くすると不完全な膜となり、孔があいている場合もある。このような孔が薬品の染み込み孔となり腐食を引き起こし、膜剥離の原因を作る。厚くＴｉＮをつけると良いように見えるが、テストウエハの場合は広く分布させて設計してあるので、厚い方に合わせることはできない。デバイスを作るウエハと違い、テストウエハは基準を設けて規定する必要がある。特にストレスが集中するエッジ部とパタン寸法の間には最適な領域があるはずである。
【特許文献１】特開平７−６９８５号公報
【特許文献２】特開平９−１８６２３４号公報
【特許文献３】特開平９−１８６１２０号公報
【特許文献４】特開２００３−２５７９１７号公報
【特許文献５】特開２００６−８０２３８号公報
【非特許文献１】青木秀充、「Ｃｕ／ＬＯＷ−Ｋ洗浄技術」、ＮＩＫＫＥＩ  ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳセミナー予稿集、Ａ１−２、２００４年９月３０日発行
【非特許文献２】「拡大するエッジトリートメントのニーズ、  半導体プロセス向けにエッジ検査も本格化」、Electric Journal ２００６年２月号、８４ページ
【非特許文献３】ＩＴＲＳ（International Technology Roadmap for Semiconductors）、２００３、ＳＩＡ（半導体工業会）発行
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明の課題は、装置の性能データ評価を確実にするための３００ｍｍテストウエハのエッジ部の処理に関する技術を提供するものである。
【００２１】
テストウエハのエッジ部は、周囲長が長く、プラズマ装置では不均一プラズマにさらされ、ダメージの原因になるプラズマ不均一の影響を受けやすい。不均一が生じるとプラズマのチャージ分布に偏りが生じる。またはウエハ上面にイオン注入機でイオンを注入するとチャージの抜け方はウエハの周囲の構造やウエハを固定する部品などとの電気的接触に応じてさまざまに分布する。またエッジ部は固定ピンとウエハ支持台と電気的な接触／非接触の関係が作られ、エッジ部の構造上再現性が悪い場合が生じた。そこでエッジ部の構造については、再現性のあるエッジ構造が望まれている。
【００２２】
またエッジ部分膜に傷等があると、膜の剥離が起こる。これは、電気的接触を不安定にし、固定ピンで押されると新しい傷を作り出すという障害の連鎖を生じていた。このために、剥離を発生させない膜の組み合わせを選ぶことが望まれている。
【００２３】
本発明の目的は、上記の課題に鑑み、半導体製造装置、評価装置などの性能データ評価を確実にするための３００ｍｍテストウエハのエッジ部の構造について再現性が良好であって、膜剥離や傷等の生じることのないテストウエハの製造方法、３００ｍｍシリコンテストウエハ、および電荷を利用する半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明に係るテストウエハの製造方法、３００ｍｍシリコンテストウエハ、および電荷を利用する半導体製造装置は、上記の目的を達成するために、次のように構成される。
【００２５】
本発明に係るテストウエハの製造方法は、半導体製造装置、評価装置、および材料の開発または評価を目的としたテストウエハを製造する方法であって、３００ｍｍシリコンウエハの表面に金属膜と絶縁膜を形成する方法であり、上記の目的に基づいて、エッジ部より膜除去されたテストウエハを上記の開発または評価に適用する場合には３００ｍｍシリコンウエハの外周面から膜を除去してシリコンウエハ表面を露出させ、さらに、上記の目的に基づいて、３００ｍｍシリコンウエハの外周面に膜を付着させたまま上記の開発または評価に適用する場合には、膜を外周面から除去する工程を省略する。
【００２６】
本発明に係る３００ｍｍシリコンテストウエハは、表面に絶縁膜と金属膜を形成させた３００ｍｍシリコンウエハであり、エッジ部端面とこのエッジ部端面から０．３ｍｍ以内の表面が１０ｎｍ以上の深さまで同じ材料であることで特徴づけられる。
【００２７】
また本発明に係る３００ｍｍシリコンテストウエハは、シリコンウエハを酸化して作製する絶縁膜を誘電体として用いるゲートキャパシタと、ゲートキャパシタを囲う絶縁膜とを備え、ポリシリコン膜がゲートキャパシタと絶縁膜の領域の一部を覆うように配置された３００ｍｍシリコンウエハであり、さらに、絶縁膜とポリシリコン膜のいずれか一方または両方をエッジ部端面とエッジ部端面から０．３ｍｍ以内の範囲から除かずに残したことを特徴とする。装置によっては、エッジ部端面から０．３ｍｍ以内のエッジ部の表裏の領域とウェハ裏面の絶縁膜と前記ポリシリコン膜を除去してシリコン表面を露出させることが安定なエッジ仕様を決定することになるので、完全に露出させることも好ましい。
【００２８】
上記の３００ｍｍシリコンテストウエハにおいて、上記の膜材料の一つがＴｉナイトライド、Ｚｒナイトライド、Ｔａナイトライド、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、アモルファスＳｉ、アモルファスＣの少なくとも一つを含む金属膜であることを特徴とする。この場合において当該金属膜はその厚さが１０ｎｍ以上であることが好ましい。換言すれば、金属膜において１０ｎｍ以下の部分が存在しないことが好ましい。
【００２９】
また上記の３００ｎｍシリコンウエハにおいて、上記の材料の一つがシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、カーボンを含むシリコン酸化膜、Ｈｆ酸化膜、Ｚｒ酸化膜を含む絶縁膜であることを特徴とする。この場合において絶縁膜はその厚さが１０ｎｍ以上であることが好ましい。換言すれば、金属膜において１０ｎｍ以下の部分が存在しないことが好ましい。
【００３０】
さらに上記の３００ｍｍシリコンウエハにおいて、エッジ部のベーベルに１０μｍ以上の粒子が存在しないことが好ましい。
【００３１】
本発明に係る半導体製造装置は、前述したいずれかの３００ｍｍシリコンウエハをテストウエハとして用いて開発されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、半導体製造装置、評価装置などの性能データ評価を確実にするための３００ｍｍシリコンテストウエハのエッジ部の構造について再現性が良好であって、膜剥離や傷等の発生を防止することができるテストウエハを作ることができる。また電気的に安定にチャージダメージを測定する３００ｍｍのテストウエハを作製でき、装置のウエハエッジの様々な固定方法に対して、エッジ部の電気特性を明確にしたので、装置に適したエッジ処理のテストウエハを選ぶことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に、本発明の好適な実施形態（実施例）を添付図面に基づいて説明する。
【００３４】
図１〜図３を参照して、直径が３００ｍｍのテストウエハとして使用する本発明に係る３００ｍｍシリコンウエハ（３００ｍｍシリコンテストウエハ）のエッジ部の構造を説明する。この３００ｍｍシリコンウエハはチャージ（電荷）モニタ用のテストウエハとして使用される。図１〜図３は３００ｍｍシリコンウエハの端または縁の部分の縦断面構造を示している。
【００３５】
本実施形態に係る３００ｍｍシリコンウエハのエッジ部の構造によれば、半導体製造装置等でのシリコンウエハのエッジ部固定において電気的に絶縁するのか、または導通させるかについては、３００ｍｍシリコンウエハの装置の場合には、シリコンウエハのエッジ部端面から０．３ｍｍの範囲で下記の構造を有するように端面処理の制御がなされていれば構造上十分に本発明の作用効果を達成し得る。
【００３６】
３００ｍｍシリコンウエハのエッジ部の構造において電気的に絶縁する場合には、エッジ部端面と、このエッジ部端面から０．３ｍｍの範囲に含まれるエッジ部表面およびウエハ表面とエッジ部裏面およびウエハ表面とが同じ膜構造および膜材料であって、膜厚を制御して一定以上の膜厚を確保すればよい。当該エッジ部の構造例を図１に示す。図１で、テストウエハはシリコンウエハ１１である。図１で示した破線ブロック２０２は前述したエッジ部を示している。シリコンウエハ１１におけるウエハ表面およびウエハ裏面、エッジ部表面、エッジ部裏面、およびエッジ部端面はすべてゲート酸化膜（ＳｉＯ２）１２が形成され、シリコンウエハ１１の全表面はゲート酸化膜１２により覆われている。膜１３はシリコンウエハ１１の表面側に形成されたポリシリコン膜である。膜１４は、シリコンウエハ１１の裏面側およびエッジ部を含む範囲を覆うように形成されるポリシリコン膜である。図１において、範囲Ａ１が上記のエッジ部端面からの０．３ｍｍの範囲を意味している。またポリシリコン膜１４の厚さは一定であり、例えば１５０ｎｍである。
【００３７】
次に、３００ｍｍシリコンウエハのエッジ部の構造において電気的に導通させる場合の第１の構造例を図２に示す。図２では、シリコンウエハ１１の全表面がゲート酸化膜１２で覆われており、さらにゲート酸化膜１２の表面に関しては、ウエハ表面、エッジ部表面、エッジ部端面、エッジ部裏面が覆われるようにポリシリコン膜１４が形成されている。さらにポリシリコン膜１４の表面に、ポリシリコン膜１４の全体を覆うような状態で金属膜１５が形成されている。金属膜１５の材料としては例えばＴｉＮまたはＷである。金属膜１５は端面においても一定以上の膜厚になっており、例えば１０ｎｍ以上である。この構造例の場合においても、図２に示すごとく、範囲Ａ１が上記のエッジ部端面からの０．３ｍｍの範囲を意味している。
【００３８】
さらに、３００ｍｍシリコンウエハのエッジ部の構造において電気的に導通させる場合の第２の構造例を図３に示す。図３では、シリコンウエハ１１のウエハ表面のみにゲート酸化膜１２が形成され、さらに酸化膜１２の表面のみにポリシリコン膜１３が形成されている。この構造例では、シリコンウエハ１１のエッジ部端面と、このエッジ部端面から０．３ｍｍの範囲Ａ１におけるシリコンウエハ１１の表面、裏面からエッチングですべての膜を除去し、範囲Ａ１等およびウエハ裏面でシリコンウエハ１１の表面を露出させている。
【００３９】
３００ｍｍテストウエハである３００ｍｍシリコンウエハのエッジ部の構造について電気的に絶縁する場合と導通させる場合のそれぞれに関して、安定な結果が得られる膜の厚さを実験によって求めた。絶縁する場合の実験構成と実験結果を図４と図５にそれぞれ示し、導通させる場合の実験構成と実験結果を図６と図７にそれぞれ示す。
【００４０】
図４に示された絶縁する場合の実験構成では、シリコンウエハ１１の表面上に形成された酸化膜（ＳｉＯ２膜）１２の表面上に２つの針２１，２２を接触させて配置し、２つの針２１，２２の間に直流電源２３と電流計２４を直列接続で接続する。直流電源２３の印加電圧は１０Ｖである。酸化膜１２の表面上の任意の２点の各々に針２１，２２を接触させ、２つの針２１，２２の間に１０Ｖの電圧を印加して流れる電流を測定する。酸化膜１２の厚さに応じた測定結果を図５に示す。図５の横軸は酸化膜の厚さ（ｔ１：ｎｍ）を意味し、縦軸は電流を意味する。
【００４１】
図５の実験結果において、ゲート酸化膜１２の厚さが１０ｎｍ以下である場合（領域Ａ２）には絶縁性が不安定であったが、１０ｎｍよりも大きくなると電流量は０になり安定した絶縁性を得ることができた。
【００４２】
絶縁する場合の通電現象は針２１，２２の圧力に依存することは当然であると考えたが、パーティクルが原因であることも想定した。パーティクルがシリコンウエハ１１の上にあると、そこに１０ｎｍ以下の薄い膜をＣＶＤ法で成長させると、パーティクルの陰になった部分は成長しないか、または極端に薄くなる性質があると考えた。そこで厚さ１０ｎｍのＣＶＤ−ＳｉＯ２膜をシリコンウエハ１１に成長させ９００℃で酸化したところパーティクルの部分が早く酸化されて斑点状に変色した。このテスト方法はＤＲＡＭのキャパシタのシリコン窒化膜のピンホールの有無の確認に用いる方法である。すなわちシリコンウエハ１１上にパーティクルがあると、ゲート酸化膜１２を形成した場合、その部分は薄くなり、絶縁性が不足する原因になる。実験からは酸化膜１２として１０ｎｍ以上の厚さに形成すると、十分な厚みの絶縁膜を得ることができ、安定した絶縁性を得ることができることがわかった。
【００４３】
図６に示された導通させる場合の実験構成では、シリコンウエハ１１の表面上にゲート酸化膜（ＳｉＯ２膜）１２を形成し、さらに酸化膜（ＳｉＯ２膜）１２の表面上に形成された金属膜（ＴｉＮ膜）１５の表面上に２つの針２１，２２を接触させて配置し、２つの針２１，２２の間に直流電源２３と電流計２４を直列接続で接続する。金属膜１５の表面上の任意の２点の各々に針２１，２２を接触させ、２つの針２１，２２の間に１０Ｖの電圧を印加して流れる電流を測定する。金属膜１５の厚さに応じた測定結果を図７に示す。図７の横軸は金属膜の厚さ（ｎｍ）を意味し、縦軸は電流を意味する。無限大の記号は十分に電流が流れたことを意味する。
【００４４】
図７の実験結果において、金属膜１５の厚さが１０ｎｍ以下である場合（領域Ａ３）には導電性が不安定であったが、１０ｎｍよりも大きくなると電流は無限大になり安定した導電性を得ることができた。
【００４５】
導通させる場合の通電現象の考え方も、絶縁する場合の通電現象の考え方と基本的に同じである。厚さ１０ｎｍのＴｉＮ膜を、チタンターゲットをスパッタすることによってシリコンウエハに成長させ、８００℃で酸化したところ、この場合にもパーテクルのあるところで変色が見られた。これは、ＴｉＮのピンホールを通してチタンが酸化されたと考えられる。金属膜１５として１０ｎｍ以上の厚さに形成すると、十分な厚みの導電膜を得ることができ、安定した導電性を得ることが確認された。
【実施例１】
【００４６】
次に、チャージ（電荷）モニタ用の３００ｍｍのテストウエハの製造方法を説明する。この製造方法では、電荷モニタ用の３００ｍｍテストウエハとして、エッジ部の絶縁性と導通性が明確に分かるように製造工程を区分けした。以下に工程のフローを示す。
【００４７】
（工程１）    ３００ｍｍ  ｐ型シリコン  （またはｎ型シリコン）
（工程２）    前洗浄    ＲＣＡ処理ＳＣ１
（工程３）    パッド酸化  ２０ｎｍ
（工程４）    低圧シリコン窒化膜成長  ＳｉＨ２Ｃｌ２  アンモニア  ８２０℃
１００ｎｍ
（工程５）    フィールド酸化膜パタン露光
（工程６）    エッチ  シリコン窒化膜、
（工程７）    レジスト  剥離  洗浄
（工程８）    フィールド酸化  ３５０ｎｍ
（工程９）    シリコン窒化膜除去  パッド酸化膜除去
（工程１０）  ゲート酸化  ４ｎｍ
（工程１１）  ポリシリコン  ６２０℃  ４５０ｎｍまたは１５０ｎｍ
（工程１２）  リンのイオン注入  ０．５Ｅ１４／ｃｍ２ 
（ｎ型シリコンのときはボロン）
（工程１３）  アニール  ８５０℃  １分
（工程１４）  ゲートパタン露光
（工程１５）  ポリシリコンエッチ
（工程１６）  レジスト  剥離  洗浄
【００４８】
以上の工程フローで製造されたウエハのエッジは酸化膜とポリシリコン膜で覆われた構造である。従来工程では、この次に、裏面研磨工程を入れた。その場合、従来例に示した通り、特に仕様設計で限定する必要がなかったのでエッジ部端面は酸化膜に覆われた部分とそうでない部分が混在していた。そのとき、その混在に対してチャージダメージが依存しない装置もあったが、依存する製造装置もあった。依存する装置の例として、あるイオン注入機があった。上の工程フロー例で作製した図１１に示す端面構造のチャージダメージモニターウエハを用いてダメージを測定した。アンテナ比１Ｍで１０％を超える割合でゲート酸化膜が破壊されるダメージを観察した。そのウエハマップの一例を図１５に示す。アンテナ比が百万（１Ｍ）のダイオードを選び、Ｐ型基板（３００ｍｍウエハ６０１）を用いたので基板６０１をプラスにしてダイオードの電流電圧特性を調べた。ハッチングしたチップ６０２がゲート酸化膜が破壊されたチップを示す。この例では全１５８チップのうち５４チップが破壊されていた。３４％に相当する。しかし、これを上記の工程フローのウエハで調べたところ、ゲート酸化膜の破壊チップ６０２は１Ｍのアンテナ比で測定されなかった。それを図１６に示す。図１６では破壊チップ６０２が生じていない。４５０ｎｍのポリシリコン膜は金属膜ほどではないが、導体膜として作用する。ウエハ周辺に注入されたイオンの電荷がポリシリコンを通してリークしたので、電荷蓄積とその不均一が解消されたと判断した。この結果としてチャージダメージが観察されないとき、この装置はエッジ周辺が確実に導体膜で覆われているときゲートにダメージを与えない製造が可能であるという装置条件の確認ができたことになる。このように確認されると、使用したウエハエッジ部の仕様ではその装置はダメージの無い注入が可能である装置と評価される。工程１６の次に下記の（工程１７）を実施すると、端面構造の電気的性質の違うウエハを製造できる。
【００４９】
（工程１７）  裏面の薬液洗浄によるポリシリコンとゲート酸化膜の除去
この工程においては表面エッジ部に薬液が一部だけ回りこみ、全体には回りこまないように窒素を表面に吹き付けながらＨＦと硝酸の混合薬品でポリシリコンを、またＨＦ洗浄液でゲート酸化膜を取る。制御することでエッジと表面１−３ｍｍまで周りこませて膜を取る設計をした。
【００５０】
上記工程１７による処理により、エッジ部とウエハ表面の少なくとも０．３ｍｍとウエハ裏面の全面が露出した構造仕様の３００ｍｍシリコンウエハを設計して製造した。この３００ｍｍシリコンウエハを用いてＴｉＮのスパッタリング装置のダメージを調べた。ＴｉＮを実際にスパッタすると、膜の剥離が困難であるので、コンタクトホールの底部の自然酸化膜をとるためのＡｒスパッタリング処理だけを行った。この装置は金属の爪でウエハを固定させる構造であるので、爪がウエハ基板と確実に電気的に接触した。図１１に示す電気接触が不確実な端面構造のウエハを用いたときのゲート酸化膜破壊ダメージは１Ｍのアンテナ比で３０％を超えていたが、本条件で作製した端面構造のウエハで測定すると１Ｍの破壊ダメージは無くならなかったが、１０％以下になりチャージダメージが軽減された。このように確認されると、使用したシリコンウエハのエッジ部の仕様のウエハ基板を設計して用いると、そのスパッタ装置はダメージを抑制できる装置と評価される。
【実施例２】
【００５１】
ゲート金属膜としてポリシリコン膜の代わりにＷ／ＷＮ／ポリシリコンの積層構造を用いた。Ｗ膜まで全てエッジシールドして成長できる枚葉装置で成長させる。その工程を示すと、次の通りである。
【００５２】
（工程１）    ３００ｍｍ  ｐ型シリコン  （またはｎ型シリコン）
（工程２）    前洗浄    ＲＣＡ処理ＳＣ１
（工程３）    パッド酸化  ２０ｎｍ
（工程４）    低圧シリコン窒化膜成長  ＳｉＨ２Ｃｌ２  アンモニア  ８２０℃
１００ｎｍ
（工程５）    フィールド酸化膜パタン露光
（ゲートキャパシタのみにレジストを残す）
（工程６）    エッチ  （キャパシタ以外のポリコン窒化膜、パッド酸化膜）
（工程７）    レジスト  剥離  洗浄
（工程８）    フィールド酸化  ３５０ｎｍ
（工程９）    シリコン窒化膜除去  パッド酸化膜除去
（工程１０）  ゲート酸化    ４ｎｍ
（工程１１）  枚葉ポリシリコン  ３５０ｎｍ
（工程１２）  リンのイオン注入  ０．５Ｅ１４／ｃｍ２
（ｎ型シリコンのときはボロン）
（工程１３）  アニール  ８５０℃  １分
（工程１４）  ＷＮ膜  ５０ｎｍ    （周辺シールドでエッジ成長なし）
（工程１５）  Ｗスパッタ  ３００ｎｍ  （周辺でシールドエッジ成長なし）
（工程１６）  ゲートパタン露光
（工程１７）  Ｗ／ＷＮ／ポリシリコン膜エッチ
（工程１８）  レジスト  剥離  洗浄
【００５３】
上記の状態で工程を終了させたウエハのキャパシタ以外の表面はフィールド酸化膜で、またエッジ部はシリコン窒化膜とパッド酸化膜で覆われている。ウエハ固定のための支持台とピンとこのウエハは電気的に絶縁されている。接触の導通と非導通のウエハ周辺の場所依存性はない。このエッジ構造のシリコンウエハを設計して用いてあるプラズマエッチング装置のダメージを評価し、従来構造のウエハと比較した。従来のエッジ構造（図１１）では、１Ｍのアンテナ比で、図１５のウエハマップと類似して３０％の以上のダメージチップを観測した。しかし本処理のウエハでは図１６のウエハマップと同様のマップを得た。即ちダメージを受けたチップは観測しなかった。同装置は、静電チャックというウエハ支持台（チャック）を備えており、ウエハ裏面全体を静電気力で吸着する形式であり、ウエハのエッジと電気的に接触する部分はない。しかし、静電吸着するための電荷がチャック全体に電極埋め込み電極のデザインに依存して分布して存在していると予測する。この例のようにウエハを絶縁膜で完全に絶縁する設計仕様でも、ダメージの低減に効果があるのを確認した。
【実施例３】
【００５４】
ゲート金属膜としてポリシリコン膜の代わりにＷ／ＷＮ／ポリシリコンの積層構造を用いる点は同じだが、ウエハ周囲を覆うシールド式の固定でなく全面成長装置を用いた。その工程を示すと、次の通りである。
【００５５】
（工程１）    ３００ｍｍ  ｐ型シリコン  （またはｎ型シリコン）
（工程２）    前洗浄    ＲＣＡ処理ＳＣ１
（工程３）    パッド酸化  ２０ｎｍ
（工程４）    低圧シリコン窒化膜成長  ＳｉＨ２Ｃｌ２  アンモニア  ８２０℃
１００ｎｍ
（工程５）    フィールド酸化膜パタン露光
（ゲートキャパシタのみにレジストを残す。このとき周辺にはレジストが残っている。）
（工程６）    エッチ  （キャパシタ以外のポリコン窒化膜）
（工程７）    レジスト  剥離  洗浄
（工程８）    フィールド酸化  ３５０ｎｍ
（工程９）    シリコン窒化膜除去  パッド酸化膜除去
（工程１０）  ゲート酸化    ４ｎｍ
（工程１１）  枚葉ポリシリコン  ３５０ｎｍ  
（工程１２）  リンのイオン注入  ０．５Ｅ１４／ｃｍ２
（ｎ型シリコンのときはボロン）
（工程１３）  アニール  ８５０℃  １分
（工程１４）  ＷＮ膜スパッタ  ５０ｎｍ
（工程１５）  ＣＶＤ−Ｗ  ３００ｎｍ
（工程１６）  ゲートパタン露光
（工程１７）  Ｗ／ＷＮ／ポリシリコン膜のエッチ
（工程１８）  レジスト  剥離  洗浄
【００５６】
上記の状態で工程を終了させる。この状態で工程を終了すると、ウエハのエッジ部の上部ベーベルの部分とエッジ部端面から０．３ｍｍの部分にまで確実にＣＶＤ−Ｗ／ＷＮ／ポリシリコン膜が成長する。この処理ではウエハ固定のための支持台とピンとは、電気的に導通される構造となる。この設計エッジ構造のウエハを用いてＡｒスパッタリング装置のダメージを評価した。このときも、従来構造のウエハと比較した。従来エッジ構造では、１Ｍのアンテナ比で３０％のダメージチップを観測した装置において、本処理のウエハではダメージを受けたチップは観測しなかった。完全に導通させることも、ダメージの低減に効果があるのを確認した。従って、このスパッタリング装置でダメージを低減ないしは無くするにはウエハのエッジ部と裏面を導通させる設計も有効な方法であると確認した。以上はゲート酸化膜の破壊という評価でウエハエッジの仕上げ構造を評価した。以上に挙げたゲート構造を作る材料は実施例としてあげた。材料としては、ここに挙げたもののほかに、ゲート電極としての金属膜は、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＴａＮ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、アモルファスシリコン、アモルファスカーボンを採用することも設計上の自由である。酸化膜としては、シリコン酸化膜のほかに、シリコン窒化膜、カーボンを含む酸化膜（ＳｉＯＣ）、Ｈｆ酸化膜、Ｚｒ酸化膜を採用することも設計により自由である。
【実施例４】
【００５７】
従来はＫｒＦの露光装置で転写可能な０．１８μｍのパタンしかテストウエハでは採用できなかった。しかし、ＡｒＦ露光、Ｘ線露光が可能になるに従い、１３０ｎｍ以下のパタンも作製可能になった。この技術を用い、作製した１００ｎｍを含む線幅のラインパタンのＣＭＰ評価用の３００ｍｍテストウエハがある。前述した特許文献５ではパタン配列の先行発明が開示されているが、ウエハのエッジ部の処理は記述されていない。最適領域を確認するテストウエハを作るためにＸ線露光マスクを設計した。設計上のライン幅は１００ｎｍから１００μｍまであり、線の密度をパラメータとしてそれぞれの線幅で変化させるパタンである。この３００ｍｍテストウエハの製造方法の工程は、次の通りである。
【００５８】
（工程１）    ３００ｍｍ  ｐ型Ｓｉ ウエハ
（工程２）    熱酸化    ２００ｎｍ
（工程３）    １００ｎｍを含む線パタン（上記特許文献５の特許パタン）をＸ線で露光転写
（工程４）    エッチング  熱酸化膜２００ｎｍ
（工程５）    レジスト  剥離  洗浄
（工程６）    Ｔｉスパッタ  １０ｎｍ  
（工程７）    ＴｉＮ膜スパッタ  ３０ｎｍ    
（工程８）    シードＣｕスパッタ  １００ｎｍ
（工程９）    めっきＣｕ  １μｍ （周辺２ｍｍを除く内部領域にのみ成長）
（工程１０）  エッジ周辺１ｍｍのシードＣｕ除去
【００５９】
上記の工程までで、エッジ部における０．３ｍｍの範囲でエッジ部端面とエッジ部表面は３０ｎｍの厚さのＴｉＮ金属膜で覆われた設計となった。従来は工程２でＣＶＤ−ＳｉＯ２を用いたためとシードＣｕ除去工程を省略したのでエッジ部０．３ｍｍの部分でＳｉＯ２とＣｕ膜の異種材料が表面に現れていてＣＭＰのスラリーの電気的腐食作用と機械圧力でＣｕ片を剥離させ、それが研磨面の傷を発生させて、障害となった。この例を模式的に図１７に示す。図１７ではウエハ７０１の表面を示し、さらにレーザマーク７０２とＣＭＰ後の傷７０３が示されている。１００ｎｍを含むパタンはＣｕめっき膜に覆われていて表面には見えてない。これに対して本工程のウエハではエッジにあるＣｕ膜の除去を行いエッジの端面をグルーレイヤーのＴｉ膜１０ｎｍとその上のＴｉＮ膜３０ｎｍで均一に覆う構造仕様にした。ウエハの内部領域で用いた材料と同じ材料がウエハエッジまで延びて存在しており、電気的接続が保たれている。十分に厚いＴｉＮで一様に覆われており電気腐食作用が原理的にないので剥離の問題は生じなかった。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、電気的に安定な端面をもつ３００ｍｍのテストウエハを設計して提供できる。装置のウエハエッジ固定方法は様々であるが、エッジ部の電気特性を明確に設計したので、装置のウエハ固定方法に依存して適したエッジ処理の３００ｍｍテストウエハを選べるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】直径が３００ｍｍのテストウエハとして使用する本発明に係る３００ｍｍシリコンウエハのエッジ部の構造の第１の例を示す部分縦断面図である。
【図２】直径が３００ｍｍのテストウエハとして使用する本発明に係る３００ｍｍシリコンウエハのエッジ部の構造の第２の例を示す部分縦断面図である。
【図３】直径が３００ｍｍのテストウエハとして使用する本発明に係る３００ｍｍシリコンウエハのエッジ部の構造の第３の例を示す部分縦断面図である。
【図４】本実施形態に係るシリコンウエハのエッジ構造の絶縁膜の絶縁特性を検査する実験装置の構成を示す図である。
【図５】エッジ構造の絶縁膜の絶縁特性を示すグラフである。
【図６】本実施形態に係るシリコンウエハのエッジ構造の金属膜の導電特性を検査する実験装置の構成を示す図である。
【図７】エッジ構造の金属膜の導電特性を示すグラフである。
【図８】従来のテストウエハを示す縦断面図である。
【図９】従来のテストウエハを示す平面図である。
【図１０】ウエハのエッジ構造の各部の用語を説明するための図である。
【図１１】ウエハの従来のエッジ構造を示す部分縦断面図である。
【図１２】ウエハの固定構造を示す平面図である。
【図１３】ウエハのエッジ部と固定ピンの接触上の問題を説明する図である。
【図１４】ウエハのエッジ部と固定ピンの接触上の問題を説明する図である。
【図１５】酸化膜が破壊したアンテナ比百万のダイオードのあるチップのマップ図である。
【図１６】破壊した酸化膜が一つもないアンテナ比百万のダイオードのあるチップのマップ図である。
【図１７】１００ｎｍの酸化膜パタンの上にＣｕめっき膜を成長させてＣＭＰしたあとの３００ｍｍテストウエハの傷の模式図である。
【図１８】酸化膜の典型的な電流電圧特性の模式図である。
【図１９】ウエハ両面に膜成長させるバッチ処理炉の断面図の模式図である。
【図２０】エッジ部を除くウエハ表面に膜成長させる装置のウエハ支持台の模式図である。
【図２１】ベーベルを含む表面に膜成長させる装置のウエハ支持台の模式図である。
【図２２】表面に膜成長させるスッパッタ装置のウエハ支持台の模式図である。
【図２３】窒素ガスに依存して薬品の流れ方が違う戦場装置の模式図である。
【符号の説明】
【００６２】
１１          シリコンウエハ
１２          ゲート酸化膜
１３，１４    ポリシリコン膜
１５          金属膜
２０２        エッジ部
２０３        エッジ部端面
２０３ａ      エッジ部表面
２０３ｂ      エッジ部裏面
２０４        べーベル
【図１】
2008252009.tif 000004
【図２】
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【図３】
2008252009.tif 000006
【図４】
2008252009.tif 000007
【図５】
2008252009.tif 000008
【図６】
2008252009.tif 000009
【図７】
2008252009.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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