(57)【要約】【課題】単一工程の被膜形成用組成物の供給によって円形基板の周端部全体を覆うことができる被膜形成装置を提供する【解決手段】本発明に係る被膜形成装置１は、円形基板１００を保持するともに、基板面内方向に回転させる保持部２０と、円形基板１００の周端部に被膜形成用組成物を供給する供給ユニット１０ａとを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形基板の周端部に被膜を形成する被膜形成装置であって、
上記円形基板を保持すると共に、該円形基板を基板面内方向に回転させる保持手段と、
上記円形基板の周端部に被膜形成用組成物を供給する供給手段と、を備えていることを特徴とする被膜形成装置。
【請求項２】
上記供給手段からの被膜形成用組成物の供給は、上記保持手段による上記円形基板の回転とともに行われ、
上記保持手段は、上記円形基板を回転させ、被膜形成用組成物を拡散させて上記円形基板の周端部に被膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の被膜形成装置。
【請求項３】
上記供給手段は、上記保持手段に保持された円形基板の上部に被膜形成用組成物を供給する第１の供給手段と、
上記保持手段に保持された円形基板の下部に被膜形成用組成物を供給する第２の供給手段と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の被膜形成装置。
【請求項４】
上記供給手段は、円形基板の周端部を挿入させるスリットを有するとともに被膜形成用組成物を貯留する貯留手段と、
上記貯留手段を上記保持手段に保持された円形基板に対して相対的に進退させる駆動機構と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の被膜形成装置。
【請求項５】
上記円形基板の周端部に形成された被膜を成膜する成膜手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の被膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、円形基板の周端部に被膜を形成する被膜形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、デジタルＡＶ機器およびＩＣカードなどの高機能化にともない、搭載される半導体シリコンチップ（以下、チップ）の小型化、薄型化および高集積化への要求が高まっている。また、ＣＳＰ（chip size package）およびＭＣＰ（multi-chip package）に代表されるような複数のチップをワンパッケージ化する集積回路についても、その薄型化が求められている。その中において、一つの半導体パッケージの中に複数のチップを搭載するシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）は、搭載されるチップを小型化、薄型化および高集積化し、電子機器の高性能化、小型化かつ軽量化を実現する上で非常に重要な技術となっている。
【０００３】
電子機器の高性能化、小型化かつ軽量化を実現するためには、チップの厚さを１５０μｍ以下にまで薄くする必要がある。さらに、ＣＳＰおよびＭＣＰにおいては厚さ１００μｍ以下、ＩＣカードにおいては厚さ５０μｍ以下にチップを研削し、薄板化するための研削工程を行う必要がある。しかし、チップのベースとなる半導体ウエハは、研削することにより肉薄となるため、その強度は弱くなり、半導体ウエハにクラックおよび反りが生じやすくなる。また、薄板化した半導体ウエハは、搬送を自動化することができないため、人手によって行わなければならず、その取り扱いが煩雑であった。
【０００４】
そのため、研削する半導体ウエハにサポートプレートと呼ばれるガラスまたは硬質プラスチックなどを貼り合せることによって、半導体ウエハの強度を保持し、クラックの発生および半導体ウエハに反りが生じることを防止するウエハサポートシステムが開発されている。また、ウエハサポートシステムにより、半導体ウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
ウエハサポートシステムでは、半導体ウエハの加工工程においても半導体ウエハおよびサポートプレートが一体となったままであるため、半導体ウエハの加工工程における様々な処理によって、サポートプレートが損傷および／または汚染を受けてしまう。
【０００６】
例えば、化学薬品（特に、強い酸性を有する化学薬品）を使用する処理が施される場合には、使用した化学薬品が、半導体ウエハとサポートプレートとの界面から浸透することによりサポートプレート表面の周縁部および側面部をエッチングしてしまう。また、化学薬品が、サポートプレートの裏面に回り込むことによりサポートプレート裏面の周縁部および側面部をエッチングしてしまう。
【０００７】
さらに、化学的気相成長（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、またはめっき処理などの半導体ウエハに対する膜形成処理においては、サポートプレートの露出している部分に金属などの付着物が付着してしまうため、サポートプレートが汚染されてしまう。
【０００８】
このように、サポートプレートの側面部ならびに表面および裏面の周縁部（側面部ならびに表面および裏面の周縁部を、以下、周端部と称する）が損傷および／または汚染を受けると、サポートプレートをリサイクルすることが困難となる。
【０００９】
なお、特許文献２〜４には、基板の周端部に付着した組成物を洗浄または除去する洗浄装置または除去装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１９１５５０号公報（平成１７年７月１４日公開）
【特許文献２】特開平６−９９１２４号公報（平成６年４月１２日公開）
【特許文献３】特開平５−３１７７８９号公報（平成５年１２月３日公開）
【特許文献４】特開平８−１０２４３４号公報（平成８年４月１６日公開）
【特許文献５】特開平７−１３６５７２号公報（平成７年５月３０日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明者らは、サポートプレートの損傷および／または汚染を防ぐ方法を鋭意検討した結果、サポートプレートの周端部を保護するための被膜を形成することによって、サポートプレートの周端部における損傷および／または汚染を防止することができることを見出した。
【００１１】
しかし、従来の被膜形成装置では、サポートプレートのなどの被膜を形成する対象となる基板の全面に被膜が形成されてしまい、基板の周端部に被膜を形成することはできない。
【００１２】
また、従来の被膜形成装置の構成では、被膜形成用組成物の供給手段が、サポートプレートなどの被膜を形成する対象となる基板の片面側のみしか備えられていない（例えば、特許文献５参照）。そのため、被膜形成用組成物を基板の片面に供給する構成では、基板の両面に対して同時に被膜形成用組成物を供給できない。
【００１３】
すなわち、サポートプレートの周端部全体、すなわちサポートプレートの両面の周縁部および側面部を覆うように被膜を形成するためには、被膜形成用組成物の供給工程を少なくとも２回実行しなければならない。これによって、サポートプレートの製造作業が煩雑となってしまう。
【００１４】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、単一工程の被膜形成用組成物の供給によって円形基板の周端部全体を覆うことができる被膜形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の態様は、円形基板の周端部に被膜を形成する被膜形成装置であって、上記円形基板を保持するとともに該基板を基板面内方向に回転させる保持手段と、上記円形基板の周端部に被膜形成用組成物を供給する供給手段と、を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る被膜形成装置は、以上のように、円形基板を保持すると共に該基板を基板面内方向に回転させる保持手段と、円形基板の周端部に被膜形成用組成物を供給する供給手段とを備えている。
【００１７】
上記の構成によれば、供給手段が、円形基板の周端部に被膜形成用組成物を供給できるように備えられているため、単一工程の被膜形成用組成物の供給により円形基板の周端部全体を覆うことができる。これによって、円形基板の周端部に対して容易かつ簡便に被膜を形成することができる効果を奏する。
【００１８】
また、上記の構成によれば、被膜を円形基板の全体ではなく、円形基板の周端部の必要な範囲にのみ形成することができるため、被膜形成用組成物を必要以上に使用することを防止し、コストを抑制することができる効果も併せて奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
〔実施形態１〕
本発明に係る被膜形成装置の一実施形態について図１から図３を参照して以下に説明する。
【００２０】
ここで、本明細書等において、「周端部」とは、円形基板の表面および裏面の周縁部ならびに側面部を指す。なお、本明細書中の「裏面」または「下面」とは、円形基板において保持手段に保持されている側の面を指し、「表面」または「上面」とは、上記裏面と反対側の面を指している。
【００２１】
（被膜形成装置１ａの構成）
本発明に係る被膜形成装置１ａについて、図１を参照して以下に説明する。図１は、被膜形成装置１ａの主要な構成を示すブロック図である。
【００２２】
図１に示すように、被膜形成装置１ａは、主として供給部２ａ、搬送部３、成膜部４（成膜手段）、制御部５、電源６、記憶部７、操作表示部８、および吸引部３０を備えている。
【００２３】
（供給部２ａ）
供給部２ａは、円形基板１００の周端部に対して被膜形成用組成物を供給し、被膜を形成するための装置であり、主として供給ユニット１０ａ（供給手段）および保持部２０（保持手段）を備えている。
【００２４】
保持部２０は、円形基板１００を保持すると共に、基板面内方向に回転させるための装置である。通常、円形基板１００を保持する保持部には、吸着またはエッジクランプの方式を採用することが多い。しかし、本発明では、円形基板１００の周端部に被膜形成処理を行うため、保持部２０が、円形基板１００の周端部に触れない保持方式を採用することが好ましい。これらの保持方式の中でも、下記にて説明する吸引部３０による真空吸着の方式であることがより好ましい。この真空吸着の方式を採用することにより、保持部２０は円形基板１００を傷付けることなく、かつ強固に保持することができる。また、供給ユニット１０ａは、保持部２０により保持された円形基板に被膜形成用組成物を供給するための装置である。供給ユニット１０ａの構成については、本発明の重要な特徴点であるため、後で詳述する。
【００２５】
（搬送部３）
搬送部３は、円形基板１００を保持し、搬送する装置である。具体的には、円形基板１００を供給部２ａへ搬送し、供給部２ａにて被膜形成用組成物が供給され、被膜が形成された円形基板１００を成膜部４へ搬送し、さらに成膜部４における成膜処理によって被膜が成膜された円形基板１００を成膜部４から取り出す作業を行う装置である。
【００２６】
搬送部３は、従来公知の構成を用いることができる。具体的には、左右に開閉する２本のアームによって円形基板１００を保持し、搬送するような搬送アームを用いた構成、またはベルトコンベアによって搬送するような構成などを挙げることができる。
【００２７】
（成膜部４）
成膜部４は、供給部２ａにて円形基板１００に形成した被膜に対して成膜処理を施すための装置である。成膜部４の構成は、供給した被膜形成用組成物によって、適宜変更することができる。具体的には、紫外線の照射によって硬化する被膜形成用組成物であれば、成膜部４は紫外線照射装置であることが好ましい。また、熱を加える（ベークする）ことによって硬化する被膜形成用組成物であれば、成膜部４は加熱装置であることが好ましい。紫外線照射装置および加熱装置は、従来公知の装置を用いることができる。本実施の形態では、成膜部４が加熱装置である場合を例に挙げて説明する。以下に、成膜部４の詳細な構成について詳述する。
【００２８】
（成膜部４の構成）
成膜部４の具体的な構成について図４を参照して以下に説明する。図４は、成膜部４の構成を具体的に示す概略断面図である。図４に示すように、成膜部４は、主として、筐体４１、扉４２、加熱器４３および支持ピン４４によって構成されている。
【００２９】
（筐体４１、扉４２、および支持ピン４４）
筐体４１は、成膜処理の際の熱が外部に漏れないように、断熱性の素材で形成されており、その一部に扉４２を備えている。扉４２は、前方、上下、または左右のいずれかに開閉可能な扉である。また、支持ピン４４は、成膜処理時に円形基板１００を支持するための支持体である。
【００３０】
（加熱器４３）
加熱器４３は、被膜を加熱することにより被膜を成膜するためのものであり、成膜部４内に収容された円形基板１００の表面側および裏面側双方に備えられている。加熱器４３は、被膜を加熱硬化させることにより被膜を成膜するものであれば、特に限定されるものではない。なお、成膜部４を紫外線照射装置とする場合には、加熱器４３が紫外線照射部となる。
【００３１】
また、加熱器４３の加熱時間および加熱温度は、被膜形成用組成物の種類およびその供給量に応じて適宜設定することが好ましい。
【００３２】
なお、扉４２の開閉、加熱器４３の加熱時間および加熱温度などの設定は、下記にて説明する制御部５によって制御されており、操作表示部８によって、操作者に通知される。
【００３３】
（制御部５）
図１に示す制御部５は、供給部２ａ、搬送部３、および成膜部４の制御など、被膜形成装置１ａ全体の制御を行うものであり、マイクロコンピュータ（マイコン）などが用いられる。制御部５には、図１に示すように、供給部２ａの供給ユニット１０ａ、搬送部３、成膜部４、電源６、記憶部７、操作表示部８および吸引部３０などが接続されている。
【００３４】
（電源６）
電源６は、被膜形成装置１ａを動作させるための電源である。
【００３５】
（記憶部７）
記憶部７は、電源を切っても記憶された情報が消えない不揮発性メモリと、電源を切れば記憶された情報が消える揮発性メモリとから構成されている。不揮発性メモリには、被膜形成を行うためのプログラムがあらかじめ格納されており、揮発性メモリは、操作者が操作表示部８を介して選択した被膜形成の条件（例えば、被膜の膜厚、成膜処理における加熱時間および加熱温度）などを記憶している。
【００３６】
（操作表示部８）
操作表示部８は、被膜形成装置１ａに備えられた表示パネルであり、電源の入切、被膜形成の開始指示、被膜形成における条件の設定、および操作者への情報の通知などを行うためのものである。
【００３７】
（吸引部３０）
吸引部３０は、円形基板１００を保持するために円形基板１００を真空吸着させるための装置であり、保持部２０に接続されている。吸引部３０としては、例えば真空ポンプなどを用いることができる。吸引部３０として真空ポンプを用いる場合には、強固に、かつ傷を付けることなく円形基板１００を保持することができる。
【００３８】
（供給ユニット１０ａの構成）
次に、供給ユニット１０ａの構成について、図２を参照して以下に説明する。図２は、供給ユニット１０ａの全体の構成を示す断面図である。
【００３９】
供給ユニット１０ａは、図２に示すように、表面側吹き付けノズル１１（第１の供給手段）、裏面側吹き付けノズル１２（第２の供給手段）、表面側吹き付けノズル支持部１３、供給ホース１４ａ、およびカップ１５を備えている。なお、保持部２０は供給ユニット１０ａを構成するものではないが、供給ユニット１０ａと保持部２０の位置関係を示すため、便宜上図示している。
【００４０】
（カップ１５）
カップ１５は、円形基板１００の回転によって飛散した被膜形成用組成物を回収し、排出する排出孔（図示しない）を備えている。これによって、円形基板１００の回転によって発生した被膜形成用組成物の飛沫は、表面側吹き付けノズル１１の外周側に設けられた傾斜部１６に当たり、傾斜部１６を伝ってカップ１５の底部に溜まり、排出孔を通って外部へと排出される。なお、排出された被膜形成用組成物を回収することにより再利用してもよい。
【００４１】
（表面側吹き付けノズル１１）
表面側吹き付けノズル１１は、円形基板１００の表面に被膜形成用組成物を供給するためのノズルであり、表面側吹き付けノズル支持部１３に取り付け支持されている。表面側吹き付けノズル１１には、供給ホース１４ａが接続されており、被膜形成用組成物が被膜形成用組成物供給源（図示しない）から供給ホース１４ａを通って供給される。表面側吹き付けノズル１１からの被膜形成用組成物の供給量（吹き付け量）および供給速度（吹き付け速度）などは、形成する被膜の膜厚に基づいて、上述の制御部５によって制御されている。
【００４２】
表面側吹き付けノズル１１は、円形基板１００に対する被膜形成用組成物の供給位置を円形基板１００の径方向に変化させる構成となっていることが好ましい。例えば、図２に示すように、表面側吹き付けノズル支持部１３は、表面側吹き付けノズル１１を円形基板１００の径方向にスライドさせる駆動機構（図示しない）を有していてもよいし、また表面側吹き付けノズル１１を円形基板１００の径方向にスイングさせる駆動機構（図示しない）を採用してもよい。被膜形成用組成物の供給位置を円形基板１００の径方向に可変させることによって、円形基板１００における径方向の膜幅を適宜設定することができる。また、多様な大きさの円形基板１００に対しても、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。
【００４３】
なお、円形基板１００に対する被膜形成用組成物の供給位置も、制御部５によって制御されていることが好ましい。
【００４４】
（裏面側吹き付けノズル１２）
裏面側吹き付けノズル１２の構成について、図３を参照して以下に説明する。図３は、裏面側吹き付けノズル１２の詳細な構成を示す断面図である。なお、図３は、裏面側吹き付けノズル１２の構成を明確に示すため、表面側吹き付けノズル１１などは便宜上省略している。
【００４５】
図３に示すように、裏面側吹き付けノズル１２は、裏面側吹き付けノズル支持部１７に固着されている。また、裏面側吹き付けノズル１２には、供給ホース１４ｂが接続されており、表面側吹き付けノズル１１と同様に、被膜形成用組成物が、被膜形成用組成物供給源（図示しない）から供給ホース１４ｂを通って供給される。裏面側吹き付けノズル１２からの被膜形成用組成物の供給量（吹き付け量）および供給速度（吹き付け速度）も、表面側吹き付けノズル１１と同様に、形成する被膜の膜厚に基づいて、制御部５によって制御されている。
【００４６】
また、図３に示すように、裏面側吹き付けノズル支持部１７は、円形基板１００の径方向に沿って設けられたガイドレール１８に沿って移動可能となるように構成されていることが好ましい。裏面側吹き付けノズル支持部１７がガイドレール１８に沿って移動可能であることによって、裏面側吹き付けノズル１２もまた円形基板１００の径方向に移動させることができる。これによって、表面側吹き付けノズル１１と同様に、形成する被膜形成用組成物の径方向の膜幅を適宜設定することができる。また、多様な大きさの円形基板１００に対しても、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。
【００４７】
なお、裏面側吹き付けノズル１２の径方向への移動も、制御部５によって制御されていることが好ましい。
【００４８】
以上のように、供給ユニット１０ａは、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２を備えているため、単一工程の被膜形成用組成物の供給によって、円形基板１００の表面および裏面の双方に被膜形成用組成物を供給することができる。また、円形基板１００が基板面内方向に回転することにより生じる遠心力によって、円形基板１００の側面部にも被膜形成用組成物が回り込むように供給される。すなわち、供給ユニット１０ａの構成によれば、単一工程の被膜形成用組成物の供給によって、円形基板１００の周端部全体を覆うように被膜を形成することができる。
【００４９】
（表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の付記事項）
また、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２が駆動されることに関しては、双方が円形基板１００の径方向に対して駆動可能であるように構成されていても、どちらか一方のみが円形基板１００の径方向に対して駆動可能であるように構成されていてもよい。
【００５０】
表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の双方が円形基板１００の径方向に対して駆動可能であるように構成されている場合には、形成される被膜の径方向の膜幅を、表面と裏面とでそれぞれ所望の膜幅に調節することができる。これによって、被膜形成用組成物の使用量を抑制することができるため、コストの抑制を実現することができる。
【００５１】
また、被膜形成用組成物の供給量（吹き付け量）および供給速度（吹き付け速度）が、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２において、それぞれ制御可能であることが好ましい。これによって、形成する被膜の膜厚を円形基板１００の上面および下面においてそれぞれ所望の膜厚に調節することができる。形成される被膜の膜厚は、例えば、ウエハサポートシステムに用いられるサポートプレートの場合には、半導体ウエハ表面をフッ硝酸などの化学薬品によって表面処理する処理時間などに基づいて設定される。
【００５２】
なお、図２および図３では、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２をそれぞれ１つ設けている場合を示しているが、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の個数は、特に限定されておらず、任意の個数設けることができる。
【００５３】
（被膜形成装置１ａの動作）
次に、被膜形成装置１ａの動作について、以下に説明する。なお、本実施の形態では、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の双方が駆動可能であるように構成されている場合を例に挙げて説明する。
【００５４】
被膜形成装置１ａの動作は、下記の２つの動作に大別される；
（１）供給部２ａにて被膜形成用組成物を供給し、被膜を形成する供給動作
（２）成膜部４にて被膜を成膜する成膜動作。
【００５５】
以下に、供給動作および成膜動作についてそれぞれ説明する。
【００５６】
（供給動作）
供給動作は、まず搬送部３が、円形基板１００を収納しているカセット（図示しない）から円形基板１００を取り出すことから始まる。
【００５７】
具体的には、操作者が、操作表示部８から被膜の形成を指示すると、その指示が制御部５へと送られる。制御部５は、被膜の形成指示を認識すると、搬送部３へと指示を送る。制御部５から指示を受けた搬送部３は、カセットから円形基板１００を取り出す。取り出された円形基板１００は、搬送部３によって供給部２ａへと搬送され、保持部２０に載置される。
【００５８】
保持部２０に円形基板１００が戴置されると、制御部５は、保持部２０をあらかじめ設定されている回転数となるように回転させる。また、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２は、あらかじめ設定されている膜幅となるようにそれぞれ移動し、被膜形成用組成物を吹き付ける位置を変更する。
【００５９】
表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２の位置が決定すると、表面側吹き付けノズル１１および裏面側吹き付けノズル１２から被護膜形成用組成物を、あらかじめ設定されている吹き付け量（供給量）および吹き付け速度（供給速度）で吹き付ける。吹き付けられた被膜形成用組成物は、保持部２０の回転によって生じる遠心力によって拡散される。
【００６０】
このとき円形基板１００に供給された被膜形成用組成物には遠心力が生じるため、供給された被膜形成用組成物は円形基板１００の外周側へと広げられ、吹き付けられた位置より内側には広がらない。これによって、円形基板１００全面でなく、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。また、遠心力を利用して被膜形成用組成物を拡散させるため、膜厚の均一な被膜を容易に形成することができる。
【００６１】
被膜形成用組成物の供給が終了すると、円形基板１００は保持部２０により再度回転される。これによって、供給された被膜形成用組成物が乾燥し、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。被膜形成用組成物の乾燥が終了すると、円形基板１００が搬送部３により供給部２ａから取り出される。これによって、供給動作が終了する。
【００６２】
（成膜動作）
供給動作の終了を制御部５が認識すると、制御部５は搬送部３へと指示を送る。制御部５からの指示を受けた搬送部３は、円形基板１００を保持しながら成膜部４の前まで移動する。搬送部３が成膜部４の前に移動すると共に扉４２が開き、円形基板１００が成膜部４内へ挿入され、支持ピン４４上に戴置される。
【００６３】
円形基板１００が支持ピン４４上に戴置されると、扉４２が閉じられ、加熱器４３が、あらかじめ設定された加熱温度で被膜形成用組成物を加熱する。これによって、円形基板１００の周端部に形成された被膜が成膜される。
【００６４】
あらかじめ設定された加熱時間となると、加熱器４３による加熱が終了し、扉４２が開く。そして、搬送部３が、被膜が成膜された円形基板１００を成膜部４から取り出す。これによって、成膜動作が終了する。
【００６５】
なお、あらかじめ、被膜を備えた円形基板１００を複数枚作製する指示を出している場合には、所定の枚数を作製するまで、上述の供給動作および成膜動作が繰り返される。
【００６６】
〔実施形態２〕
本発明に係る被膜形成装置の変形例について、実施形態２として図５〜７を参照して以下に説明する。また、実施形態１と同様の部材に関しては、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６７】
本実施の形態では、円形基板１００の側面部ならびに表面および裏面の周縁部に被膜を形成する場合について説明する。したがって、本実施の形態においても、実施形態１と同様に、「周端部」とは、円形基板１００の側面部ならびに表面および裏面の周縁部を指す。なお、本実施の形態において、実施形態１と同一の用語は、同一の意味として用いている。
【００６８】
本実施の形態に係る供給部２ｂは、図５に示すように、主として供給部２ｂ、搬送部３、成膜部４、制御部５、電源６、記憶部７、操作表示部８、および吸引部３０を備えている。搬送部３、成膜部４、制御部５、電源６、記憶部７、操作表示部８、および吸引部３０については実施形態１において説明したため、本実施の形態においては、供給部２ｂについてのみ以下に説明する。なお、図５は、本実施形態における被膜形成装置１ｂの主要な構成を示すブロック図である。
【００６９】
（供給部２ｂ）
供給部２ｂは、円形基板１００の周端部に対して被膜形成用組成物を供給し、被膜を形成するための装置であり、主として供給ユニット１０ｂ（供給手段）、保持部２０を備えている。保持部２０については実施形態１において説明したため、本実施形態においては、供給ユニット１０ｂについてのみ以下に説明する。
【００７０】
（供給ユニット１０ｂの構成）
供給ユニット１０ｂは、保持部２０により保持された円形基板１００に被膜形成用組成物を供給するための装置である。
【００７１】
次に、供給ユニット１０ｂの構成について、図６を参照して以下に説明する。図６は、供給ユニット１０ｂの全体の構成を示す斜視図である。なお、保持部２０は供給ユニット１０ｂを構成するものではないが、供給ユニット１０ｂと保持部２０の位置関係を示すため、便宜上図示している。
【００７２】
図６に示すように、供給ユニット１０ｂは、貯留ユニット５０（貯留手段）、ガイドレール５２（駆動機構）および排出管５３を備えている。なお、図６では、供給ユニット１０ｂを１つ備えている状態を示しているが、供給ユニット１０ｂの個数は１つに限られるものではない。例えば、図６に示している供給ユニット１０ｂに対向する位置に供給ユニット１０ｂをさらに備えていてもよい。
【００７３】
（貯留ユニット５０）
貯留ユニット５０は、主として、円形基板１００に対して被膜形成用組成物の供給を行うためのものであり、貯留ユニット５０内に、被膜形成用組成物を円形基板１００に供給する構成、過剰な被膜形成用組成物を排出する構成などを備えている。これらの構成については、下記にて詳述する。また、少なくとも貯留ユニット５０の円形基板１００が保持されている側の側面部には、円形基板１００を挿入するための水平方向に長いスリット５１が形成されている。スリット５１の形成位置は、保持部２０に装着された円形基板１００と同じ高さとなる位置である。また、スリット５１の長手方向は、下記のガイドレール５２の延伸方向と直交している。
【００７４】
また、上記ガイドレール５２は、貯留ユニット５０を支える二本の脚部の底部をガイドするように設けられ、貯留ユニット５０をガイドレール５２に沿って保持部２０に対して接近および離反させることができるように構成されている。貯留ユニット５０の移動距離および保持部２０に対する接近時間は、制御部５によって制御されている。
【００７５】
また、貯留ユニット５０の一部に、供給過剰となった被膜形成用組成物を外部に排出するための排出管５３が接続されている。排出管５３の役割については、下記のオーバーフロー孔６３（図７参照）と共に後で説明する。
【００７６】
貯留ユニット５０のより詳細な構成について、図７を参照して以下に説明する。図７は、貯留ユニット５０の構成を詳細に示す断面図である。
【００７７】
図７に示すように、貯留ユニット５０は、筐体５４、乾燥ノズル５５、貯留部６０から構成されている。
【００７８】
（スリット５１および乾燥ノズル５５）
筐体５４は、その一部に上述したスリット５１を有している。スリット５１は、保持部２０に装着された円形基板１００の周端部を水平方向に挿入するために設けられており、筐体５４を上部厚肉部５６と下部厚肉部５７とに分けている（図７参照）。スリット５１の上下方向の寸法は、円形基板１００を挿入することができれば、特に限定されるものではなく、自由に設定することができる。また、横方向の寸法も、特に限定されるものではないが、円形基板１００の半径よりも短いことが好ましい。スリット５１の横方向の寸法が円形基板１００の半径よりも短い場合には、円形基板１００を挿入するために、貯留ユニット５０の側面部のうち、円形基板１００の保持されている側の側面部に隣接した両側面部において、スリット５１がオープンになっていることが好ましい。
【００７９】
乾燥ノズル５５は、円形基板１００に供給された被膜形成用組成物を乾燥させるために、窒素、酸素、または空気などを噴出するノズルである。乾燥ノズル５５は、上部厚肉部５６および下部厚肉部５７にそれぞれ設けられている。
【００８０】
なお、図７には、上部厚肉部５６および下部厚肉部５７にそれぞれ１つずつ乾燥ノズル５５が設けられている場合を示しているが、乾燥ノズル５５の個数は、特に限定されるものではなく、任意の個数設けることができる。
【００８１】
また、乾燥ノズル５５は、必ずしも設けられている必要はない。乾燥ノズル５５を設けない場合には、円形基板１００が貯留部６０から引き抜かれた後、保持部２０が円形基板１００を回転させることによって、供給された被膜形成用組成物の厚みを均一とすると共に、被膜形成用組成物を乾燥する。
【００８２】
被膜形成用組成物が乾燥することによって、円形基板１００の周端部に被膜が形成される。
【００８３】
（貯留部６０の構成）
貯留部６０は、貯留ユニット５０の内部に、スリット５１の長手方向に沿って設けられ、被膜形成用組成物を貯留する内室を有している。スリット５１を通して円形基板１００を貯留部６０内に挿入することによって、被膜形成用組成物を円形基板１００に供給することができる。より具体的には、図７に示すように、貯留部６０は、上記内室としての貯留溝６１、オーバーフロー孔６３、および供給管６４から構成されている。
【００８４】
（貯留溝６１、スリット６２）
貯留溝６１は、被膜形成用組成物を貯留するために貯留部６０に形成された内室であり、その長手方向の長さは、スリット５１の長手方向の長さと同程度になっている。円形基板１００の周端部が貯留溝６１内に挿入されることによって、被膜形成用組成物が貯留溝６１内において円形基板１００に供給される。円形基板１００を貯留溝６１に挿入するための挿入口は、スリット状に形成されている。このスリット状の挿入口、すなわちスリット６２は、スリット５１と同じ高さ位置に、かつスリット５１の長手方向に沿って形成されている。
【００８５】
円形基板１００の挿入方向における貯留溝６１の奥行きは、特に限定されるものではなく、適宜設定すればよい。形成される被膜の径方向に対する膜幅の最大値は、貯留溝６１内に円形基板１００を挿入したときの挿入量によって決められる。
【００８６】
スリット６２の上下方向の寸法は、表面張力によって貯留溝６１内に溜まった被膜形成用組成物がそのまま保持される寸法であることが好ましい。すなわち、円形基板１００を挿入した状態において、円形基板１００の上面とスリット６２の上端および円形基板１００の下面とスリット６２の下端との間隔は、用いる被膜形成用組成物の表面張力の値に基づいて適宜設定することが好ましい。通常は、それぞれの間の間隔が３ｍｍ以下となるように設定する。スリット６２の横方向の寸法は、特に限定されるものではないが、円形基板１００の直径と同等以上であることが好ましい。
【００８７】
（オーバーフロー孔６３および供給管６４）
供給管６４は、被膜形成用組成物供給源（図示しない）に接続されており、貯留溝６１内に被膜形成用組成物を供給するための管である。なお、被膜形成装置１ｂの動作時における被膜形成用組成物の供給量は、制御部５によって制御されていることが好ましい。
【００８８】
また、オーバーフロー孔６３は、貯留溝６１内の過剰な被膜形成用組成物を貯留部６０から排出するために形成されている孔である。過剰な被膜形成用組成物は、オーバーフロー孔６３から排出管５３を経て被膜形成装置１ｂの外部へと排出される。なお、被膜形成装置１ｂの動作時に排出管５３に接続された吸引装置（図示しない）を作動させることによって、より迅速かつ確実に過剰な被膜形成用組成物を排出することができる。また、吸引装置は、制御部５に接続されていることが好ましい。すなわち、操作表示部８から吸引装置を操作できることが好ましい。
【００８９】
（被膜形成装置１ｂの動作）
次に、供給ユニット１０ｂを備えている被膜形成装置１ｂの動作について、以下に説明する。ここで、成膜動作については、実施形態１において詳述しているため、本実施の形態ではその説明を省略する。したがって、本実施の形態では、供給動作についてのみ説明する。なお、本実施の形態における供給動作および成膜動作がどのような動作であるかについては、実施形態１において説明したため、その説明を省略する。
【００９０】
（供給動作）
供給動作は、まず搬送部３が、円形基板１００を収納しているカセット（図示しない）から円形基板１００を取り出すことから始まる。
【００９１】
具体的には、操作者が、操作表示部８（図１参照）から被膜の形成を指示すると、その指示が制御部５へと送られる。制御部５は、被膜の形成指示を認識すると、搬送部３へと指示を送る。制御部５から指示を受けた搬送部３は、カセットから円形基板１００を取り出す。取り出された円形基板１００は、搬送部３によって供給部２ａへと搬送され、保持部２０に載置される。
【００９２】
円形基板１００が保持部２０に戴置されると、制御部５は保持部２０をあらかじめ設定されている回転数となるように回転させる。保持部２０が回転すると共に、貯留ユニット５０では、貯留溝６１内への被膜形成用組成物の供給を始める。このとき、貯留溝６１から溢れた被膜形成用組成物は、オーバーフロー孔６３から排出管５３を経て被膜形成装置１ｂの外部へと排出される。
【００９３】
保持部２０の回転数が一定となり、貯留溝６１内が被膜形成用組成物で満たされると、貯留ユニット５０がガイドレール５２に沿って保持部２０に接近するように移動し、円形基板１００が、スリット５１およびスリット６２を通って貯留部６０内に挿入される。貯留ユニット５０の移動距離は、円形基板１００に形成される被膜の径方向の膜幅に基づいて、制御部５によって制御されている。
【００９４】
貯留部６０によって供給された被膜形成用組成物は、実施形態１と同様に、保持部２０の回転により生じる遠心力によって拡散する。これによって、円形基板１００の周端部に被膜を形成することができる。また、膜厚の均一な被膜を容易に形成することができる。
【００９５】
円形基板１００を貯留部６０内に挿入した後、あらかじめ設定されている時間が経過すると、貯留ユニット５０は、ガイドレール５２に沿って先程とは逆方向に移動し、円形基板１００が貯留部６０から引き抜かれる。貯留部６０から引き抜かれた円形基板１００は、保持部２０により回転される。これによって、円形基板１００に供給された被膜形成用組成物の厚みを均一にすると共に、供給された被膜形成用組成物を乾燥し、被膜を形成する。なお、円形基板１００を回転させることにより乾燥を行わない場合には、乾燥ノズル５５から窒素、酸素または空気などを円形基板１００の周端部に対して噴出することによって、供給した被膜形成用組成物を乾燥し、被膜を形成する。これによって、供給動作が終了する。
【００９６】
なお、本実施の形態では、貯留溝６１内にあらかじめ被膜形成用組成物を満たした後、円形基板１００を挿入する場合について説明したが、円形基板１００を貯留溝６１内に挿入した後に被膜形成用組成物を満たすようにしてもよい。
【００９７】
（付記事項）
実施形態１および２において、使用することができる円形基板１００は、形状が円形であり、その周端部に被膜を形成することができれば、その材質およびサイズなどは特に限定されるものではない。円形基板１００の材質としては、具体的には、ガラス、金属、セラミック、およびシリコンなどを挙げることができる。
【００９８】
また、実施形態１および２において、使用することができる被膜形成用組成物は、液体状態で円形基板１００に供給され、加熱または紫外線などによって被膜として成膜されるものであれば、特に限定されるものではないが、有機化合物からなる有機被膜であることが好ましい。実施形態１および２における被膜形成用組成物として用いることができる有機化合物として、具体的には、フッ素樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、およびシリカ系樹脂などを挙げることができる。
【００９９】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明に係る被膜形成装置は、ウエハサポートシステムに用いられるサポートプレートの形成に好適に用いることができる。具体的には、サポートプレートの周端部における損傷および／または汚染を防止するための保護膜の形成に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の第１の実施形態における被膜形成装置の主要な構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における供給部の全体の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態における裏面側吹き付けノズルの構成を詳細に示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態における成膜部の構成を具体的に示す概略断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における被膜形成装置の主要な構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における供給部の全体の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施形態における供給部の構成を詳細に示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１ａ、１ｂ          被膜形成装置
２ａ、２ｂ          供給部
４                  成膜部（成膜手段）
５                  制御部
１０ａ、１０ｂ      供給ユニット（供給手段）
１１                表面側吹き付けノズル（第１の供給手段）
１２                裏面側吹き付けノズル（第２の供給手段）
１３                表面側吹き付けノズル支持部
１７                裏面側吹き付けノズル支持部
１８                ガイドレール
２０                保持部（保持手段）
４３                加熱器
５０                貯留ユニット（貯留手段）
５１                スリット
５２                ガイドレール（駆動機構）
５５                乾燥ノズル
６０                貯留部
６１                貯留溝
６２                スリット
６３                オーバーフロー孔
１００              円形基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2008205389.tif 000007
【図６】
2008205389.tif 000008
【図７】
2008205389.tif 000009