(57)【要約】【課題】半導体装置の歩留まりを向上させることが可能な基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板Wを収容する処理室２と、処理室２内にガスを供給する配管１７、１８と、配管１７、１８の途中に設けられ、ガスを加熱するヒータ２３、２４とを有し、ヒータ２３、２４により、配管１７、１８内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度にガスを加熱して、該加熱されたガス中において基板Wを乾燥させる基板処理装置による。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内にガスを供給する配管と、
前記配管の途中に設けられ、前記ガスを加熱する加熱部とを有し、
前記加熱部により、前記配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度に前記ガスを加熱して、該加熱されたガス中において前記基板を乾燥させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ガスは、気化した有機溶剤を含有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ガス中における前記有機溶剤の濃度は、該有機溶剤の露点が室温よりも低くなるように設定されたことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ガスの温度は、室温以上の温度であることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記配管は樹脂よりなることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
配管から出た加熱されたガスに基板を曝すと共に、該ガスの温度を該配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度にすることにより、前記基板を乾燥させるステップを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
前記ガスとして、気化した有機溶剤を含有するガスを用いることを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記有機溶剤の露点が室温よりも低くなるような濃度に前記ガス中における前記有機溶剤の濃度を設定することを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記ガスの温度を、室温以上の温度とすることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
半導体基板を洗浄する工程と、
前記洗浄の後、前記半導体基板を乾燥させる第１の乾燥工程と、
前記第１の乾燥工程の後、前記半導体基板の上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記半導体基板に不純物をイオン注入し、該半導体基板にウェルを形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記レジストパターンを除去した後、前記半導体基板を洗浄する工程と、
前記洗浄の後、前記半導体基板を乾燥させる第２の乾燥工程と、
前記第２の乾燥工程の後、前記半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記第１の乾燥工程と前記第２の乾燥工程の少なくとも一方において、配管から出た加熱されたガスに前記半導体基板を曝すと共に、該ガスの温度を該配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI等の半導体装置の製造工程では、半導体基板上の有機物等を除去する目的で様々な洗浄工程が行われる。その洗浄工程は、薬液に半導体基板を浸した後、その半導体基板を純水で水洗し、半導体基板を乾燥するというステップをたどるのが普通である。
【０００３】
その乾燥ステップでは、アルコール雰囲気中に半導体基板を引き上げることで、基板表面に付着している水分をアルコールに置換し、乾燥速度を速める。
【０００４】
このような乾燥ステップについては、例えば特許文献１に詳述されている。
【０００５】
特許文献１によれば、乾燥ステップにおいて、水の露点又はアルコールの露点のうちいずれか高い温度よりも基板を加熱することで、基板表面に結露が発生するのを防止し、結露に伴うパーティクルが基板に付着するのを防いでいる。
【０００６】
その他に、本発明に関連する技術が下記の特許文献２〜４にも開示されている。
【特許文献１】特開平１１−３５４４８５号公報
【特許文献２】特開昭６４−６９０１５号公報
【特許文献３】特開２００５−１６６９５８号公報
【特許文献４】特開２００３−２７３０５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、半導体装置の信頼性を向上させることが可能な基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、基板を収容する処理室と、前記処理室内にガスを供給する配管と、前記配管の途中に設けられ、前記ガスを加熱する加熱部とを有し、前記加熱部により、前記配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度に前記ガスを加熱して、該加熱されたガス中において前記基板を乾燥させる基板処理装置が提供される。
【０００９】
また、本発明の別の観点によれば、配管から出た加熱されたガスに基板を曝すと共に、該ガスの温度を該配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度にすることにより、前記基板を乾燥させるステップを有する基板処理方法が提供される。
【００１０】
そして、本発明の他の観点によれば、半導体基板を洗浄する工程と、前記洗浄の後、前記半導体基板を乾燥させる第１の乾燥工程と、前記第１の乾燥工程の後、前記半導体基板の上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記半導体基板に不純物をイオン注入し、該半導体基板にウェルを形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記レジストパターンを除去した後、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記洗浄の後、前記半導体基板を乾燥させる第２の乾燥工程と、前記第２の乾燥工程の後、前記半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程とを有し、前記第１の乾燥工程と前記第２の乾燥工程の少なくとも一方において、配管から出た加熱されたガスに前記半導体基板を曝すと共に、該ガスの温度を該配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度にする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】
次に、本発明の作用について説明する。
【００１２】
本発明によれば、ガスの温度を配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度にすることにより基板を乾燥させる。これにより、脱ガス中に含まれる有機物によって基板が汚染されるのを防止することができるため、乾燥時にデバイスが受ける影響を低減でき、有機汚染に起因して半導体装置の信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００１３】
本願発明者が行った調査によると、このように脱ガスが発生する温度は１００℃である。１００℃よりも低い温度のガスで基板を乾燥させると、上記のような有機汚染が防止されると共に、処理室内に残留する水分が気化するのを抑制できる。そのため、基板を乾燥している最中に気化した水分が基板に凝縮するのを防止でき、凝縮した水分に伴うパーティクルが乾燥後の基板に残留せず、半導体装置の信頼性を更に向上させることができる。
【００１４】
ガスとしては、例えば、気化した有機溶剤を含有するガスを使用し得る。
【００１５】
この場合、ガスの温度の下限を室温（２０℃）としても、有機溶剤の露点が室温よりも低くなるような濃度にガス中における有機溶剤の濃度を設定すれば、有機溶剤が基板に結露するのを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ガスの温度を配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度にすることにより基板を乾燥させるので、半導体装置の信頼性が有機汚染によって低下するのを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（１）基板洗浄システムについて
図１は、本実施形態で使用される基板洗浄システム１００の構成図である。
【００１８】
このシステム１００は、複数枚の基板Wを一括して処理することが可能なバッチ式のシステムであって、純水や薬液を蓄えた第１〜第４処理槽１０１〜１０４と、基板Wを乾燥させるための基板処理装置１０５とを有する。基板Wは特に限定されず、半導体装置用のシリコン（半導体）基板や、液晶表示装置等に使用される石英基板を基板Wとして処理し得る。
【００１９】
また、各処理槽１０１〜１０４に溜められる液も特に限定されない。本実施形態では、例えば、第２、第４処理槽１０２、１０４に純水を溜める。一方、第１処理槽１０１にはSPMを溜め、第３処理槽１０３にはAPMを溜める。ここで、SPMとは、硫酸、過酸化水素水、及び純水の混合溶液（硫酸過水）を指し、APMとは、アンモニア、過酸化水素水、及び純水の混合溶液（アンモニア過水）を指す。
【００２０】
なお、APMやSPMに代えて、HPMや緩衝フッ酸溶液を用いてもよい。HPMとは、塩酸、過酸化水素水、及び純水の混合溶液（塩酸過水）を指す。
【００２１】
基板Wは、リフタ（基板把持部）４によって複数枚保持される。そのリフタ４は、不図示のモータによって図の矢印の方向に動き、各処理槽１０１〜１０４に任意の順序で基板Wを搬送する。そして、最終的には、基板Wを乾燥させるために、リフタ４によってシリコン基板Wが処理装置１０５に収容される。
【００２２】
図２は、基板処理装置１０５の構成図である。
【００２３】
この基板処理装置１０５は、基板Wを乾燥させる機能を有し、処理室２と液槽３とを有する。液槽３は、水や薬液等を溜めることが可能であって、これらの液を供給するための配管９、廃液するための配管８、及び液を帰還するための配管７が図示のように液槽３に接続される。
【００２４】
更に、液槽３の上端には溝３ａが形成されており、液槽３から溢れ出た液が溝３ａと配管１０により回収される構造となっている。
【００２５】
また、処理室２の上方には水平方向に可動なシャッタ１１が設けられており、このシャッタ１１が閉じた状態では処理室２内は気密に保たれる。
【００２６】
一方、処理室２における処理前又は処理後では、シャッタ１１が開いて処理室２の気密が破られ、既述のリフタ４が処理室２に出入りすることが可能となる。そのリフタ４は、処理室２の内部において昇降運動することが可能であり、リフタ４のこの動きによって基板Wを液槽３に入れたり、液槽３から引き上げたりすることができる。
【００２７】
液槽３の上方の空間は、窒素ガス等の不活性ガスや、IPA（イソプロピルアルコール）ガス等の気化した有機溶剤の雰囲気において基板Wを乾燥するためのスペースとなる。これらのガスを供給するため、処理室２の上部にはガス供給口５が設けられる。更に、処理室２内を減圧して乾燥速度を速めるべく、処理室２の下部には不図示の減圧ポンプに接続された排気口６が設けられる。
【００２８】
図３は、この基板処理装置１０５へのガス供給機構を示す模式図である。
【００２９】
図３に示されるように、基板処理装置１０５は第１〜第４ガス配管１５〜１８を有する。このうち、第１配管１５の始端には、窒素ボンベ等の窒素供給源２１が接続されており、この窒素供給源２１から供給された窒素ガスが第１配管１５と第４配管１８を通って処理室２に供給される。
【００３０】
また、窒素供給源２１には第２ガス配管１６も接続されており、この第２ガス配管１６の終端にIPA容器２２が設けられる。
【００３１】
IPA容器２２内にはIPAが溜められており、容器２２の下に設けられたIPAヒータ２０でIPAを加熱することによりIPAが気化する。気化したIPAは、第２ガス配管１６を通った窒素ガスと共に、第３ガス配管１７と第４ガス配管１８を通って処理室２に供給される。
【００３２】
ここで、IPAガスと窒素ガスとの混合ガス中におけるIPAガスの濃度はIPAヒータ２０の温度により調節することが可能である。例えば、IPAヒータ２０の温度を高くすれば多くのIPAが気化してIPAの濃度が高まり、逆にIPAヒータ２０の温度を低くすれば濃度が低くなる。
【００３３】
また、窒素ガスとIPAガスの切り替えは、第１、第２バルブ２６、２７を用いて行われる。すなわち、窒素ガスのみを処理室２に供給するときは、第１バルブ２６を閉じると共に第２バルブ２７を開き、同図の経路Aにより窒素ガスを供給する。一方、IPAガスを供給するときは、第１バルブ２６を開くと共に第２バルブ２７を閉じ、経路BによりIPAガスを供給する。
【００３４】
更に、第３ガス配管１７と第４ガス配管１８のそれぞれの途中には第１、第２ヒータ（加熱部）２３、２４が設けられる。
【００３５】
処理室２に窒素ガスのみを供給する場合は、経路Aを通る窒素ガスを第２ヒータ２４で加熱する。一方、処理室２にIPAガスを供給する場合は、経路Bを通るIPAガスを第１、第２ヒータ２３、２４の両方で加熱する。
【００３６】
なお、各ガス配管１５〜１８をシステム内の狭い空間で容易に引き回せるように、各ガス配管１５〜１８の材料としては可撓性の材料を用いるのが好ましい。本実施形態では、そのような材料として、耐薬品性に優れたフッ素系樹脂、例えばPTFE（ポリテトラフルオロエチレン）やPFA（パーフルオロアルコキシ）を用いる。
【００３７】
（２）基板処理方法について
次に、上記の基板処理装置１０５を用いた基板処理方法について説明する。
【００３８】
図４〜図７は、この基板処理方法について説明するための模式図である。
【００３９】
本例は、基板Wとしてシリコン基板を用いる半導体装置の製造工程において、アッシングによりレジストパターンを剥離した後、レジストの残渣を除去するために行われるウエット処理に対して有効である。
【００４０】
そのウエット処理では、最初に、図１の基板洗浄システム１００の第１〜第４処理槽１０１〜１０４で基板Wを洗浄する。
【００４１】
次いで、以下のようにして基板Wを乾燥させる。
【００４２】
まず、図４（ａ）に示すように、シャッタ１１を開けて基板Wを処理室２内に入れた後、シャッタ１１を閉じて処理室２内を気密にする。
【００４３】
次いで、図４（ｂ）に示すように、配管９（図２参照）から液槽３に純水（DIW: De-Ionized Water）を供給し、液槽３に純水を溜める。そして、リフタ４を下降させることにより、純水中に基板Wを浸し、第１〜第４処理槽１０１〜１０４において基板Wの表面に付着した液を純水により除去する。このような処理はリンス処理とも呼ばれる。
【００４４】
次に、図５（ａ）に示すように、ガス供給口５から処理室２内にIPAガスを供給し、IPAの雰囲気で処理室２内を満たす。
【００４５】
ここで、IPAガスは、図３で説明した第１、第２ヒータ２３、２４によって加熱されている。その加熱の温度は、例えば、ガス供給口５を出た直後で９０℃程度である。
【００４６】
続いて、図５（ｂ）に示すように、リフタ４によってシリコン基板Wを液槽３から引き上げる。これにより、シリコン基板WがIPAガスの雰囲気に曝され、基板Wの表面に付着している水滴がIPAに置換される。IPAの蒸気圧は純水のそれよりも高いため、これにより基板Wの表面が乾燥し易くなる。
【００４７】
しかも、既述のように第１、第２ヒータ２３、２４によってIPAガスを加熱したので、基板Wが加熱されて乾燥し易くなると共に、基板Wの表面における水滴がIPAに置換され易くなる。
【００４８】
次いで、図６（ａ）に示すように、IPAガスの供給を停止した後、液槽３内の純水を配管８（図２参照）から外部に廃液し、液槽３を空にする。
【００４９】
次に、図６（ｂ）に示すように、ガス供給口５から処理室２内に窒素ガスを供給し、処理室２の雰囲気をIPAから窒素に置換する。
【００５０】
このとき、窒素ガスは、図３で説明した第２ヒータ２４によって加熱されており、例えばガス供給口５を出た直後で９０℃程度の温度となっている。
【００５１】
このように加熱された窒素ガスに基板Wを曝すことで、基板Wの加熱状態が維持されることになる。
【００５２】
次いで、図７（ａ）に示すように、窒素ガスの供給を停止し、排気口６（図２参照）から窒素ガスを排気して処理室２内を減圧する。このように減圧することで、基板Wの表面に凝縮しているIPAが気化し、基板Wの表面が効率的に乾燥する。
【００５３】
そして最後に、図７（ｂ）に示すように、シャッタ１１を開いて処理室２を大気開放し、処理室２から基板Wを取り出す。
【００５４】
以上により、基板処理の主要ステップが終了する。
【００５５】
なお、上記では、液槽３に純水を溜めたが、純水に代えてAPM、SPM、HPM、及び緩衝フッ酸溶液等の薬液を用いてもよい。
【００５６】
（３）調査結果について
特許文献１に開示されるように、基板処理装置１０５においてシリコン基板Wを乾燥させる際、IPAガスを導入するステップ（図５（ａ））や窒素ガスを導入するステップ（図６（ｂ））において、これらのガスを加熱することは、乾燥の高効率化とシリコン基板Wの結露防止に有効である。
【００５７】
特許文献１によれば、結露が防止されるガス温度は１２５℃以上とされている。
【００５８】
但し、特許文献１におけるIPAの結露防止については、IPAの露点が室温（２０℃）以上の温度であることが前提である。そのため、IPAガスの濃度が低い場合のように、IPAの露点が室温よりも低いときは、IPAガスを加熱しなくても、基板WにIPAが結露しない。
【００５９】
むしろ、本願発明者が行った調査によると、ガス温度を高温にすると、以下のように半導体装置の信頼性が低下し、その歩留まりが低下することが分かった。
【００６０】
図８（ａ）、（ｂ）は、３００mmのシリコンウエハ（基板W）に対して図４（ａ）〜図７（ｂ）のステップを行った後、そのシリコンウエハの上にフォトレジストを塗布し、欠陥検査装置を用いてフォトレジストの欠陥を調査して得られたウエハマップである。
【００６１】
このうち、図８（ａ）は、図６（ｂ）の工程において窒素ガスを１２０℃に加熱した場合に得られたウエハマップである。一方、図８（ｂ）は、この工程において窒素ガスを９０℃に加熱して得られたウエハマップである。なお、窒素ガスの温度は、ガス供給口５を出た直後の窒素ガスを温度計で測定して得られたものである。以下、本明細書におけるガスの温度は、このようにガス供給口５を出た直後の温度を指すものとする。
【００６２】
図８（ａ）に示されるように、窒素ガスの温度が１２０℃の場合、広範囲にわたってウエハWに欠陥が発生している。これらの欠陥は、フォトレジストの膜中に形成された微細な孔（マイクロバブル）であると推定される。
【００６３】
このような欠陥がフォトレジストに形成されると、フォトレジストをイオン注入のマスクに使用する場合は、シリコンウエハにおいてイオン注入が予定されていない領域にイオンが不必要に注入されるという問題が発生する。また、フォトレジストをエッチングのマスクに使用する場合は、エッチングされた膜の形状が設計形状から外れてしまうという問題が起きる。
【００６４】
一方、窒素ガスの温度を９０℃にした図８（ｂ）では、フォトレジストに発生する欠陥が大幅に減少している。
【００６５】
これらの調査結果より、窒素ガスの温度を不必要に高温に、例えば１２０℃以上とすると、シリコンウエハの結露防止の効果よりも、フォトレジストの欠陥が目だってしまい、半導体装置の歩留まりがかえって低下してしまうことが明らかとなった。
【００６６】
本願発明者は、このようにフォトレジストに欠陥が発生する原因を探るべく、３００mmのシリコンウエハに対して図４（ａ）〜図７（ｂ）のステップを行った後、有機物に起因してシリコンウエハから発生する脱ガスをGC-MS(Gas Chromatograph−Mass Spectrometry)で測定した。なお、この測定を行う際、シリコンウエハ上にはフォトレジストは塗布されていない。また、この測定では、有機物の温度依存性を調査するため、図６（ｂ）の工程における窒素ガスの温度を様々に変化させた。
【００６７】
この測定結果を図９に示す。
【００６８】
図９の横軸は窒素ガスの温度を示し、縦軸は規格化した有機物量を示す。
【００６９】
図９に示されるように、窒素ガスの温度が４０℃〜１００℃の範囲では、シリコンウエハから発生する有機物は微量である。
【００７０】
ところが、窒素ガスの温度が１２０℃になると、有機物量が一気に増大する。
【００７１】
この結果と、先の図８（ａ）、（ｂ）の結果とを合わせると、窒素ガスの温度を１２０℃にした場合にフォトレジストに多量の欠陥が発生した原因は、シリコンウエハの表面に付着した有機物であると考えられる。これは、有機物がシリコンウエハの表面に付着すると、シリコンウエハとフォトレジストとの密着性が低下し、既述のマイクロバブルがフォトレジストに発生するからである。
【００７２】
本願発明者は、その有機物の発生源を特定すべく、処理室２内の様々な部材を交換して実験を繰り返したが、症状の改善は見られなかった。そのため、有機物の発生源は処理室２の外部、すなわち４ガス配管１８にあると結論付けた。
【００７３】
既述のように、第４ガス配管１８はフッ素系樹脂よりなるため、窒素ガスの温度が高くなると第４ガス配管１８の内壁から有機物の脱ガスが発生し、これによりシリコンウエハに付着する有機物が増大すると考えられる。
【００７４】
このように、処理中にシリコンウエハに付着する有機物量を低減して半導体装置の信頼性を向上させる観点からすると、シリコンウエハを乾燥させるステップにおいて、第４ガス配管１８から脱ガスが発生する温度よりも低い温度に窒素ガスを加熱する必要がある。そのような温度は、図９によれば、１００℃以下の温度である。
【００７５】
また、このように水の沸点以下の１００℃以下とすることにより、シリコンウエハを乾燥させている最中に、処理室２内の液槽３等に残留する水分が気化しない。そのため、処理室２内の残留水分が気化してシリコンウエハWに凝縮するのを防止でき、凝縮した水分に伴うパーティクルが乾燥後のシリコンウエハWに残留せず、半導体装置の信頼性を更に向上させることも可能となる。
【００７６】
なお、上記の調査結果は窒素ガスに関するものであるが、図５（ａ）のステップにおいてIPAガスを導入する場合にも、上記した図８及び図９と同様の傾向が見られる。よって、IPAガスについても、加熱後のIPAガスが通る第３、第４ガス配管１７、１８から脱ガスが発生する温度よりも低い温度、すなわち１００℃以下の温度に加熱して処理室２に導入する必要がある。
【００７７】
IPAガスをこのように低温にしても、IPAガスの濃度が低くIPAの露点が室温よりも低ければ、IPAガスの温度が室温以上に維持されている限りウエハ表面にIPAの結露は発生しない。
【００７８】
ここで、ウエハ表面に大きな凹凸があって水滴が基板上に残留しやすい場合等、高い乾燥効率が求められる場合には、IPAガスの濃度を高めてウエハの残留水分がIPAに置換され易くするのが普通である。
【００７９】
しかし、本実施形態では、乾燥効率よりも結露防止を優先させるべく、上記のようにIPAの露点が室温よりも低くなるような濃度にIPAガスの濃度を調節する。この調節は、既述のIPAヒータ２０の設定温度を調整することで行うことができる。
【００８０】
（４）半導体装置の製造方法について
次に、上記の調査結果を踏まえた半導体装置の製造方法について説明する。
【００８１】
図１０〜図１３は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
【００８２】
最初に、図１０（ａ）に示すように、n型又はp型のシリコン基板３０表面に、トランジスタの活性領域を画定するSTI(Shallow Trench Isolation)用の溝を形成し、その中に酸化シリコン等の絶縁膜を埋め込んで素子分離絶縁膜３１とする。なお、素子分離構造はSTIに限られず、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法で素子分離絶縁膜３１を形成してもよい。
【００８３】
更に、シリコン基板３０の表面を熱酸化することにより、犠牲絶縁膜３２として熱酸化膜を厚さ約１０nmに形成する。
【００８４】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、犠牲絶縁膜３２の上に第１レジストパターン３３を形成する。
【００８５】
そして、犠牲絶縁膜３２をスルー膜として使用しながら、第１レジストパターン３３の窓３３ａを通じてp型不純物をシリコン基板３０にイオン注入し、pウェル３４を形成する。
【００８６】
その後に、図１０（ｃ）に示すように、第１レジストパターン３３を除去する。この工程は次のように行われる。
【００８７】
まず、窒素と酸素との混合雰囲気中においてシリコン基板３０を加熱するアッシングにより、第１レジストパターン３３の大部分を灰化して除去する。
【００８８】
次いで、アッシングの後になおも残存する第１レジストパターン３３を除去するために、図１で説明した基板洗浄システム１００においてシリコン基板３０をウエット処理する。
【００８９】
このウエット処理は、第１〜第４処理槽１０１〜１０４における洗浄工程と、基板処理装置１０５における乾燥工程（第１の乾燥工程）とに大別される、
このうち、洗浄工程では、各液槽１０１〜１０４に順にシリコン基板３０を浸すことにより、SPMによる洗浄（第１液槽１０１）、純水によるリンス（第２液槽１０２）、APMによる洗浄（第３液槽１０３）、及び純水によるリンス（第４液槽１０４）をこの順に行う。また、図４（ａ）、（ｂ）で説明した純水による洗浄もこの洗浄工程に含まれる。
【００９０】
そして、乾燥工程では、既述の図５〜図７に従って、シリコン基板３０の表面に残存する水分を乾燥させる。
【００９１】
ここで、図５（ａ）におけるイソプロピルアルコールガスの導入ステップ、及び図６（ｂ）における窒素ガスの導入ステップにおいて、第３、第４ガス配管１７、１８（図３参照）から脱ガスが発生する温度よりも低い温度、即ち１００℃以下にガスの加熱温度を設定する。これにより、フッ素系樹脂よりなるガス配管１７、１８から出る有機物を含んだ脱ガスの発生が抑えられ、乾燥後の犠牲絶縁膜３２に有機物が付着するのが防止される。
【００９２】
次に、図１１（ａ）に示すように、犠牲絶縁膜３２の上にフォトレジスト３６を塗布した後、シリコン基板３０に対して熱処理を行い、フォトレジスト３６の溶媒成分を蒸発させる。このような熱処理はベークとも呼ばれる。
【００９３】
既述のように、図１０（ｃ）の洗浄工程の後に犠牲絶縁膜３２に残存する有機物が低減されているため、このフォトレジスト３６と犠牲絶縁膜３２との密着性は良好であり、フォトレジストにマイクロバブルのような欠陥が発生し難い。
【００９４】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、フォトレジスト３６を現像することにより、窓３６ａを備えた第２レジストパターン３６ｂを形成する。上記のようにフォトレジスト３６に欠陥が殆ど存在しないので、形状異常や局所的な薄厚部の無い綺麗な第２レジストパターン３６ｂを形成することができる。
【００９５】
そして、犠牲絶縁膜３２をスルー膜として使用しながら、窓３６ａを通じてシリコン基板３０にn型不純物をイオン注入することにより、pウェル３４の隣のシリコン基板３０にnウェル３８を形成する。上記のように第２レジストパターン３６ｂが綺麗であるため、設計通りの平面形状を有するnウェル３８を形成することができると共に、nウェル３８以外の領域のシリコン基板３０にn型不純物が注入されるのを防止できる。
【００９６】
次に、図１１（ｃ）に示すように、図１０（ｃ）と同じ工程を行うことにより、第２レジストパターン３６ｂを除去する。
【００９７】
続いて、図１２（ａ）に示すように、フッ酸溶液を用いるウエットエッチングにより、上記の各イオン注入でダメージを受けた犠牲絶縁膜３２を除去し、シリコン基板３０の清浄面を露出させる。
【００９８】
この後に、図１の洗浄システム１００を用いて、シリコン基板３０の清浄面をウエット処理する。このウエット処理は、図１０（ｃ）で説明した洗浄工程及び乾燥工程と実質的に同じである。なお、洗浄工程では、シリコン基板３０の表面の自然酸化膜を除去するために、緩衝フッ酸溶液にシリコン基板３０を浸すステップを追加してもよい。
【００９９】
また、乾燥工程（第２の乾燥工程）では、第３、第４ガス配管１７、１８（図３参照）から脱ガスが発生する温度よりも低い温度である１００℃以下にガスの加熱温度を設定することで、これらのガス配管１７、１８から有機物を含んだ脱ガスが発生するのを抑え、有機物がシリコン基板３０の表面に付着しないようにする。
【０１００】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、シリコン基板３０の表面を熱酸化することにより、ゲート絶縁膜４０として熱酸化膜を厚さ約１０nmに形成する。
【０１０１】
ここで、図１２（ａ）の洗浄工程において有機物がシリコン基板３０に付着していないため、成長時のゲート絶縁膜４０にピンホール等が発生せず、ゲート絶縁膜４０の耐圧が劣化するのを防ぐことができる。
【０１０２】
次に、図１２（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【０１０３】
まず、ゲート絶縁膜４０の上にCVD法によりポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングしてゲート電極４１ａ、４１ｂとする。
【０１０４】
そして、このゲート電極４１をマスクにし、ゲート電極４１ａの横のpウェル３４にn型不純物をイオン注入してn型ソース／ドレインエクステンション４２ａを形成する。同様に、ゲート電極４１ｂの横のnウェル３８にp型不純物をイオン注入することによりp型ソース／ドレインエクステンション４２ｂを形成する。
【０１０５】
なお、このようなn型不純物とp型不純物の打ち分けは不図示のレジストパターンを用いて行われる。
【０１０６】
続いて、図１３に示すように、シリコン基板３０の上側全面に酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成し、その絶縁膜をエッチバックしてゲート電極４１ａ、４１ｂの横に絶縁性サイドウォール４４として残す。
【０１０７】
そして、各ゲート電極４１ａ、４１ｂをマスクにするイオン注入により、これらのゲート電極４１ａ、４１ｂの横のシリコン基板３０にn型ソース／ドレイン領域４６ａとp型ソース／ドレイン領域４６ｂを形成する。
【０１０８】
次に、シリコン基板３０の上側全面に、スパッタ法によりコバルト層等の高融点金属層を形成した後、この高融点金属層を加熱してシリコンと反応させ、シリコン基板３０上に高融点金属シリサイド層４７を形成する。その高融点金属シリサイド層４７はゲート電極４１ａ、４１ｂの表層部分にも形成され、それによりゲート電極４１ａ、４１ｂが低抵抗化されることになる。
【０１０９】
その後、素子分離絶縁膜２の上等で未反応となっている高融点金属層をウエットエッチングして除去する。
【０１１０】
以上により、シリコン基板３０の活性領域に、CMOS構造のn型MOSトランジスタTRnとp型MOSトランジスタTRpの基本構造が完成したことになる。
【０１１１】
この後は、各トランジスタTRn、TRpを覆う層間絶縁膜や金属配線を形成する工程に移りが、その詳細については省略する。
【０１１２】
以上説明した本実施形態によれば、図１０（ｃ）における第１レジストパターン３３の残渣をウエット処理で除去する工程や、図１２（ａ）におけるシリコン基板３０のウエット処理において、基板処理装置１０５を用いてシリコン基板３０を乾燥させる。
【０１１３】
その乾燥工程では、第３、第４ガス配管１７、１８（図３参照）から脱ガスが発生する温度よりも低い温度である１００℃以下にガスの加熱温度を設定するため、これらのガス配管１７、１８から出た有機物がシリコン基板３０に付着しない。これにより、シリコン基板３０の有機汚染が防止され、有機汚染に伴う半導体装置の不良を抑制でき、半導体装置の信頼性と歩留まりとを向上させることが可能となる。
【０１１４】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【０１１５】
（付記１）  基板を収容する処理室と、
前記処理室内にガスを供給する配管と、
前記配管の途中に設けられ、前記ガスを加熱する加熱部とを有し、
前記加熱部により、前記配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度に前記ガスを加熱して、該加熱されたガス中において前記基板を乾燥させることを特徴とする基板処理装置。
【０１１６】
（付記２）  前記ガスは、気化した有機溶剤を含有することを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。
【０１１７】
（付記３）  前記ガス中における前記有機溶剤の濃度は、該有機溶剤の露点が室温よりも低くなるように設定されたことを特徴とする付記２に記載の基板処理装置。
【０１１８】
（付記４）  前記ガスの温度は、室温以上の温度であることを特徴とする付記３に記載の基板処理装置。
【０１１９】
（付記５）  前記ガスは、不活性ガスであることを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。
【０１２０】
（付記６）  前記処理室内に、液槽と、該液槽に前記基板を浸す基板把持部とが設けられたことを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。
【０１２１】
（付記７）  前記液槽内において前記基板を洗浄し、該洗浄の後に気化した有機溶剤を含有するガスを前記配管から前記処理室内に供給して、前記配管から前記処理室内に不活性ガスを供給して前記処理室内の雰囲気を前記不活性ガスに置換することを特徴とする付記６に記載の基板処理装置。
【０１２２】
（付記８）  前記液は、純水又は薬液であることを特徴とする付記６に記載の基板処理装置。
【０１２３】
（付記９）  前記配管は樹脂よりなることを特徴とする付記１に記載の基板処理装置。
【０１２４】
（付記１０）  前記脱ガスが発生する温度は１００℃であることを特徴とする付記９に記載の基板処理装置。
【０１２５】
（付記１１）  配管から出た加熱されたガスに基板を曝すと共に、該ガスの温度を該配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度にすることにより、前記基板を乾燥させるステップを有することを特徴とする基板処理方法。
【０１２６】
（付記１２）  前記ガスとして、気化した有機溶剤を含有するガスを用いることを特徴とする付記１１に記載の基板処理方法。
【０１２７】
（付記１３）  前記有機溶剤の露点が室温よりも低くなるような濃度に前記ガス中における前記有機溶剤の濃度を設定することを特徴とする付記１２に記載の基板処理方法。
【０１２８】
（付記１４）  前記ガスの温度を、室温以上の温度とすることを特徴とする付記１３に記載の基板処理方法。
【０１２９】
（付記１５）  前記基板を乾燥させるステップの前に、該基板を液に浸して洗浄するステップを更に有することを特徴とする付記１１に記載の基板処理方法。
【０１３０】
（付記１６）  前記基板を乾燥させるステップは、気化した有機溶剤を含有するガスを前記配管から前記雰囲気に供給した後、該配管から該雰囲気内に不活性ガスを供給して該雰囲気を前記不活性ガスに置換して行われることを特徴とする付記１５に記載の基板処理方法。
【０１３１】
（付記１７）  前記配管を樹脂で構成すると共に、前記脱ガスが発生する温度が１００℃であることを特徴とする付記１１に記載の基板処理方法。
【０１３２】
（付記１８）  半導体基板を洗浄する工程と、
前記洗浄の後、前記半導体基板を乾燥させる第１の乾燥工程と、
前記第１の乾燥工程の後、前記半導体基板の上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記半導体基板に不純物をイオン注入し、該半導体基板にウェルを形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記レジストパターンを除去した後、前記半導体基板を洗浄する工程と、
前記洗浄の後、前記半導体基板を乾燥させる第２の乾燥工程と、
前記第２の乾燥工程の後、前記半導体基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記第１の乾燥工程と前記第２の乾燥工程の少なくとも一方において、配管から出た加熱されたガスに前記半導体基板を曝すと共に、該ガスの温度を該配管内から脱ガスが発生する温度よりも低い温度にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１３３】
（付記１９）  前記ガスとして気化した有機溶剤を含有するガスを用い、且つ、該有機溶剤の露点が室温よりも低くなるような濃度に前記ガス中における前記有機溶剤の濃度を設定することを特徴とする付記１８に記載の半導体装置の製造方法。
【０１３４】
（付記２０）  前記ガスの温度を、室温以上の温度とすることを特徴とする付記１８に記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態で使用される基板洗浄システムの構成図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置へのガス供給機構を示す模式図である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る基板処理方法について説明するための模式図（その１）である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る基板処理方法について説明するための模式図（その２）である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る基板処理方法について説明するための模式図（その３）である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る基板処理方法について説明するための模式図（その４）である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、欠陥検査装置を用いてフォトレジストの欠陥を調査して得られたウエハマップである。
【図９】図９は、窒素ガスの温度と有機物量との関係を調査して得られたグラフである。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その２）である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その３）である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その４）である。
【符号の説明】
【０１３６】
２…処理室、３…液槽、３ａ…溝、４…リフタ、５…ガス供給口、６…排気口、７〜１０…配管、１１…シャッタ、１５〜１８…第１〜第４ガス配管、２０…IPAヒータ、２１…窒素供給源、２２…IPA容器、２３、２４…第１、第２ヒータ、２６、２７…第１、第２バルブ、３０…シリコン基板、３１…素子分離絶縁膜、３２…犠牲絶縁膜、３３…第１レジストパターン、３３ａ…窓、３４…pウェル、３６…フォトレジスト、３６ａ…窓、３６ｂ…第２レジストパターン、３８…nウェル、４０…ゲート絶縁膜、４１ａ、４１ｂ…ゲート電極、４２ａ…n型ソース／ドレインエクステンション、４２ｂ…p型ソース／ドレインエクステンション、４６ａ…n型ソース／ドレイン領域、４６ｂ…p型ソース／ドレイン領域、４７…高融点金属シリサイド層、１００…基板洗浄システム、１０１〜１０４…第１〜第４処理槽、１０５…基板処理装置。
【図１】
2008205236.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2008205236.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2008205236.tif 000014
【図１３】
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