(57)【要約】【課題】面内異方性が大きくかつ熱膨張係数が大きく異なる基板を三層構造にしても、温度変化による反りや割れが生じない信頼性の高い電子部品を提供する。【解決手段】本発明の電子部品は、機能基板１１０と機能部１１１及び配線電極１１２とからなる二層構造の機能素子を、支持基板１２０と蓋基板１３０とで挟み込み、機能素子の入出力信号をビアホール１４０を介して端子電極１５０に引き出した構造である。そして、機能部１１１及び配線電極１１２の周囲に、空間部１３１を設けている。【選択図】図１Ｂ
2008060382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能基板と機能部及び配線電極とからなる機能素子を含む電子部品であって、
機能基板と、
前記機能基板の少なくとも一方主面上に形成された機能部と、
前記機能基板の少なくとも一方主面上に形成され、かつ、前記機能部と電気的に接続された配線電極と、
前記機能基板の他方主面と接合された支持基板と、
一方主面が前記機能基板の一方主面と接合され、かつ、少なくとも前記機能部及び前記配線電極に対向する位置に、前記機能部及び前記配線電極を覆う減圧雰囲気の凹状の空間部を形成する蓋基板と、
前記蓋基板の他方主面に形成された端子電極と、
前記蓋基板を貫通し、前記配線電極と前記端子電極とを電気的に接続するスルーホールとを備えた、電子部品。
【請求項２】
前記空間部が、前記配線電極に対向する領域に形成された第１凹部と、前記機能部に対向する領域に形成された第１凹部より深い第２凹部とで構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記支持基板と前記機能基板とが、接着層を介さず直接接合されていることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記機能部が、機械的振動部を備えることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
前記機能素子が、弾性表面波素子、バルク波振動素子、圧電アクチュエータ、又はメカニカル振動素子であることを特徴とする、請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記機能基板が異方性材料であり、前記支持基板と前記蓋基板とが同じ材料であることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【請求項７】
前記機能基板が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、又はニオブ酸カリウムの圧電単結晶であることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【請求項８】
前記支持基板及び前記蓋基板が、シリコン、サファイア、又はガラスであることを特徴とする、請求項６に記載の電子部品。
【請求項９】
電子部品の製造方法であって、
前記機能基板の少なくとも一方主面上に機能部及び配線電極を形成する工程と、
前記機能基板の他方主面に支持基板を接合する工程と、
蓋基板の一方主面上に凹状の空間部及び穴部を形成する工程と、
前記機能基板の一方主面と前記蓋基板の一方主面とを接合する工程と、
減圧雰囲気下において、前記蓋基板の穴部に導電体を充填して前記配線電極と電気的に接続されたスルーホールを形成する工程と、
前記蓋基板の他方主面上に前記スルーホールと電気的に接続された端子電極を形成する工程とを備える、製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話に代表される携帯型電子機器等に用いられる、主に二層構造からなる機能素子（以下同様）を含む電子部品（例えば、弾性表面波デバイス、圧電バルク波デバイス、アクチュエータ、及びメカニカルスイッチ等の機械的振動を行う電子部品、高周波信号や光信号を扱う電子部品）、及びその電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯型電子機器等に内蔵される電子部品は、高性能を維持しつつ、より小型化及び軽量化されることが望まれる。例えば、携帯電話に使用されている高周波信号を選別するフィルタや共用器では、小型かつ挿入損失が小さいことが要求される。これらの要求を満たすフィルタの１つとして、圧電振動を利用した弾性表面波（ＳＡＷ；Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイスが知られている。
【０００３】
図１３は、従来の電子部品として、弾性表面波デバイスの断面図を示した例である。
この従来の電子部品は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）等の圧電基板９１１、櫛型電極９１３、及び電極パッド９１５からなる弾性表面波素子９１０を、導電性薄膜９２０と共に、空間部９３２を設けたキャップ状ガラス基板９３０に貼り合わせ、弾性表面波素子９１０の入出力信号をスルーホール９４０を介して引き出した構造である。
【０００４】
この従来の電子部品の製造は、次のような手順で行われる。
まず、圧電基板９１１の上に、弾性表面波を励振するための櫛型電極９１３と、外部からの電気信号を入出力する電極パッド９１５とを、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の導電性薄膜を通常のフォトリソグラフィ技術によってパターニングすることにより形成する。次に、櫛型電極９１５の周縁部に、ロの字型に連続して形成したアルミニウム、チタン（Ｔ）、又はシリコン（Ｓｉ）等の導電性薄膜９２０を形成する。次に、凹状の空間部９３２を有するキャップ状ガラス基板９３０を準備する。ここで、ガラスは、可動イオンを含み、圧電基板９１１とほぼ等しい熱膨張係数を持っている。そして、圧電基板９１１とキャップ状ガラス基板９３０とが、１００℃から４００℃において、数十Ｖから数ｋＶ程度の電圧を印加することで陽極接合される。最後に、キャップ状ガラス基板９３０に、導電性物質を充填して外部との電気的接続を図るためのビアホール９４０が形成される。
【０００５】
以上の製造工程により、従来では用いられていたメタル製やセラミック製のパッケージを用いることなく、また、ワイヤボンディングを不要とした弾性表面波デバイスのパッケージングを行うことで、弾性表面波デバイスの小型化及び低コスト化を図ることができる（特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開平８−３３０８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図１３に示した従来の電子部品の構造では、キャップ状ガラス基板９３０と異方性のある圧電基板９１１との熱膨張係数が完全には一致していないため、高温で陽極接合を行うことにより、常温では弾性表面波デバイスに反りを生じるという課題があった。
【０００７】
特に、異方性の大きいニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、又はニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）等の圧電基板を用いる場合には、弾性表面波の伝搬方向と伝搬垂直方向とでの熱膨張係数が異なる。このため、弾性表面波デバイスの反りが大きく、弾性表面波デバイスをさらに回路基板に半田実装する際に、接続不良が発生したり、弾性表面波デバイスが割れてしまう、といった課題があった。
【０００８】
大きな異方性を有する基板を利用した機能デバイスにおいて、ガラス等からなる蓋基板を用いてチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）を実現しようとする場合、基板の反り等により、圧電基板が割れたり、完成した弾性表面波デバイスが反る等の不具合が生じる。ガラスの熱膨張係数を、弾性表面波伝搬方向と伝搬垂直方向との中間の値に設定したとしても、このような不具合を防ぐことは困難である。特に、３インチやそれ以上のウエハを一括でパッケージングするウエハレベルＣＳＰ（Ｗ−ＣＳＰ）の場合には、その影響は顕著となり、温度変化により蓋基板が接合された機能基板は馬の鞍状に変形し、デバイスによってその工程は異なるが、フォトリソ工程、印刷工程、又はダイシング工程等の後工程で、製造歩留まりを大幅に劣化させる原因となっていた。
【０００９】
それ故に、本発明の目的は、面内異方性が大きくかつ熱膨張係数が大きく異なる基板を三層構造にしても、温度変化による反りや割れが生じない信頼性の高い電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、機能部及び配線電極を備えた機能基板と支持基板との二層構造からなる機能素子を含む電子部品に向けられている。そして、上記目的を達成させるために、本発明の電子部品は、機能基板と、機能基板の少なくとも一方主面上に形成された機能部と、機能基板の少なくとも一方主面上に形成され、かつ、機能部と電気的に接続された配線電極と、機能基板の他方主面と接合された支持基板と、一方主面が機能基板の一方主面と接合され、かつ、少なくとも機能部及び配線電極に対向する位置に、機能部及び配線電極を覆う減圧雰囲気の凹状の空間部を形成する蓋基板と、蓋基板の他方主面に形成された端子電極と、蓋基板を貫通し、配線電極と端子電極とを電気的に接続するスルーホールとを備えている。
【００１１】
空間部は、配線電極に対向する領域に形成された第１凹部と、機能部に対向する領域に形成された第１凹部より深い第２凹部とで構成されていることが好ましい。また、支持基板と機能基板とが、接着層を介さず直接接合されていることが好ましい。また、機能部が、機械的振動部を備えることが好ましい。この機械的振動部を備えた典型的な機能素子は、弾性表面波素子、バルク波振動素子、圧電アクチュエータ、又はメカニカル振動素子である。また、機能基板が異方性材料であり、支持基板と蓋基板とが同じ材料であることが好ましい。また、機能基板が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、又はニオブ酸カリウムの圧電単結晶であることが好ましい。さらに、支持基板及び蓋基板が、シリコン、サファイア、又はガラスであることが好ましい。
【００１２】
上記構造の電子部品は、機能基板の少なくとも一方主面上に機能部及び配線電極を形成する工程と、機能基板の他方主面に支持基板を接合する工程と、蓋基板の一方主面上に凹状の空間部及び穴部を形成する工程と、機能基板の一方主面と蓋基板の一方主面とを接合する工程と、減圧雰囲気下において、蓋基板の穴部に導電体を充填して配線電極と電気的に接続されたスルーホールを形成する工程と、蓋基板の他方主面上にスルーホールと電気的に接続された端子電極を形成する工程とによって、製造される。
【発明の効果】
【００１３】
上記本発明によれば、面内異方性が大きくかつ熱膨張係数が大きく異なる機能基板を、同一材料の蓋基板と支持基板とで挟む三層構造にする。これにより、接合強度を強化するための高温熱処理を行っても温度変化により構造体が反ったり割れたりすることなく、信頼性の高い電子部品を得ることができる。また、支持基板と機能基板とを接着層を介さず直接接合したため、接合熱処理時、マザーボードに電子部品を実装する際の半田リフロー時、及び環境の変化に対しても、高度な耐性を備えている。また、空間部を減圧雰囲気とすることにより、機械的振動部の振動阻害がなく、低損失等の電気的特性が優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の構造を模式的に示した上面図である。図１Ｂは、図１Ａに示す電子部品のＡ−Ａ断面図である。
この第１の実施形態に係る電子部品は、機能基板１１０と機能部１１１及び配線電極１１２とからなる二層構造の機能素子を、支持基板１２０と蓋基板１３０とで挟み込み、機能素子の入出力信号をビアホール１４０を介して端子電極１５０に引き出した構造である。そして、第１の実施形態に係る電子部品の特徴は、機能部１１１及び配線電極１１２の周囲に、空間部１３１を設けることにある。
【００１５】
電子部品として圧電基板を利用した弾性表面波デバイスを構成する場合には、機能基板１１０に、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、又はニオブ酸カリウム等の圧電単結晶を使用すればよい。これらの圧電基板は、結晶異方性が大きく、また使用するカット角により、弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数と弾性表面波伝搬面の伝搬垂直方向の熱膨張係数とが大きく異なる。例えば、携帯電話等の無線部に用いられる弾性表面波フィルタ等に広く利用される３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムの場合、弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数は約１６ｐｐｍ／℃であり、伝搬垂直方向の熱膨張係数は約８ｐｐｍ／℃である。
【００１６】
また、機能基板１１０に、シリコン、ガラス、又はサファイア基板上に形成された圧電薄膜を用いてもよい。この場合、支持基板１２０として、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電薄膜が形成された基板を代用することができる。
なお、各基板の厚さに制約はないが、蓋基板１３０と支持基板１２０とは、同一の材料かつ略同一の厚さであることが望ましい。また、加工性や製造コストの観点から、各基板の材料は、シリコン、ガラス、又はサファイアであることが好ましい。
【００１７】
図２Ａ及び図２Ｂは、上記構造による電子部品の好ましい製造方法の手順を概略的に示した図である。なお、図２Ａ及び図２Ｂでは、電子部品が弾性表面波デバイスである場合を一例に製造方法を説明しているが、圧電バルク波デバイス、メカニカルスイッチ、可変容量、可変インダクタ、及びアクチュエータ等のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）デバイスであってもよい。
【００１８】
まず、機能基板１１０の一方主面に、弾性表面波を励振する櫛型電極からなる機能部１１１が形成される（図２Ａ、工程ａ）。この機能部１１１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の導電性薄膜を通常のフォトリソグラフィを用いてパターニングすることで形成される。次に、機能基板１１０の一方主面に、機能部１１１から電気信号を入出力するための電極パッドを含む配線電極１１２が形成される（図２Ａ、工程ｂ）。
【００１９】
次に、シリコン等からなる支持基板１２０が、機能基板１１０の他方主面に、接着剤を介さずに直接接合される（図２Ａ、工程ｃ）。この直接接合は、例えば、両基板の接合面を、平坦化及び清浄化し、かつ、アンモニア系溶剤処理や紫外線照射処理により親水化処理して、重ね合わせることで実現される。このとき、接合強度を向上させるために、重ね合わせた基板を熱処理することが好ましい。また、どちらかの基板が窒化物系材料である場合等、基板の組み合わせによって接合強度が十分に得られない場合は、図３や図４に示すように、機能基板１１０と支持基板１２０との間に、酸化ケイ素等の無機薄膜１６０を介在させてもよい。特に、機能基板１１０が弾性表面波デバイスの場合、図４に示すように、機能基板１１０の他方主面を粗面化した後に無機薄膜１６０を形成し、平坦化した後に支持基板１２０と接合してもよい。これにより、機能基板１１０の他方主面での弾性表面波の反射による特性劣化を防止することができる。
【００２０】
蓋基板１３０には、支持基板１２０と同様に、凹部加工やスルーホール加工が比較的容易なシリコン基板が用いられることが好ましい。この蓋基板１３０の一方主面には、機能基板１１０上に形成された機能部１１１及び配線電極１１２の領域に対向する位置に、凹状の空間部１３１が設けられる（図２Ａ、工程ｄ）。この空間部１３１は、シリコンの異方性エッチングにより形成される。さらに、蓋基板１３０の一方主面には、配線電極１１２に接続されるビアホール１４０となる部分に、垂直な穴部１３２が形成される（図２Ａ、工程ｅ）。この穴部１３２は、シリコンのドライエッチング手法により形成され、その壁面は酸化ケイ素等の絶縁膜でコーティングされることが好ましい。
【００２１】
この穴部１３２と空間部１３１との形成順序に制約はないが、空間部１３１を設けた後に穴部１３２を形成することが好ましい。その理由は、穴部１３２を設けた後に空間部１３１をウエットエッチングにより形成すると、穴部１３２の形状が変形するためである。また、本実施形態の製造方法のようにドライエッチングにより穴部１３２を形成する場合には、穴部１３２が空間部１３１へ貫通する部分の断面が垂直形状となり、導電性材料の充填時の機能部１１１への浸透が防止でき、接続信頼性が向上する。なお、空間部１３１及び穴部１３２の形成方法は、ウエットエッチングやドライエッチングに限らず、機械的加工で形成してもよい。
【００２２】
次に、支持基板１２０に接合された機能基板１１０と、空間部１３１及び穴部１３２が形成された蓋基板１３０とを、機能部１１１及び配線電極１１２と空間部１３１とを向かい合わせて、接着剤等を介さずに直接接合する（図２Ｂ、工程ｆ）。この直接接合は、上述した支持基板１２０と機能基板１１０との直接接合と同様に、行うことができる。
【００２３】
なお、支持基板１２０に機能基板１１０を接合する工程を先に行う場合、機能基板１１０を、単独では扱えない数十μｍから百μｍ程度まで薄板化することができ、電子部品の低背化が可能となる。この際、機能部１１１及び配線電極１１２を形成する工程は、支持基板１２０に機能基板１１０を接合した後かつ薄板化した後に行われる。本実施形態では、蓋基板１３０及び支持基板１２０が２５０μｍに、機能基板１１０が１００μｍに薄板化でき、トータル６００μｍの低背な電子部品を得ることができた。
【００２４】
次に、通常の印刷手法を用いて、導電性材料を穴部１３２に充填して硬化させることにより、配線電極１１２と接続されたビアホール１４０を形成する（図２Ｂ、工程ｇ）。導電性材料は、銀（Ａｇ）等の導電性フィラーを含有した導電性ペーストや、半田等の金属材料を用いればよい。このとき、穴部１３２に導電性材料を充填する工程の一部又は全部は、減圧下で行うことが好ましい。この工程の一部又は全部を減圧下で行うことにより、空間部１３１内を減圧雰囲気に保つことができ、かつ機械的振動が妨げられないため、機能部１１１の性能を最大限に発揮させることができる。また、空間部１３１に内在する湿度を低くすることができるため、長時間の使用による機能部１１１の性能劣化や寿命劣化の速度を抑えることができる。例えば、減圧下での成膜（蒸着やスパッタ等）方法を用いて、配線電極１１２上に穴部１３２へ達するまで導電膜を形成して、その後に導電性材料を充填する等の工法を用いてもよい。
【００２５】
最後に、ビアホール１４０を覆うように、蓋基板１３０の他方主面上に端子電極１５０を形成する（図２Ｂ、工程ｈ）。この端子電極１５０の形成方法には、例えば、イオンプレーティング法により下地電極を形成し、通常のメッキ手法により仕上げ加工を施す方法がある。
【００２６】
以上のように、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の構造及び製造方法によれば、面内異方性が大きくかつ熱膨張係数が大きく異なる機能基板１１０を、同一材料の蓋基板１３０と支持基板１２０とで挟む三層構造にする。これにより、接合強度を強化するための高温熱処理（例えば４００℃程度）を行っても温度変化により構造体が反ったり割れたりすることなく、信頼性の高い電子部品を得ることができる。また、支持基板１２０と機能基板１１０とを接着層を介さず直接接合したため、接合熱処理時、マザーボードに電子部品を実装する際の半田リフロー時、及び環境の変化に対しても、高度な耐性を備えている。また、空間部１３１を減圧雰囲気とすることにより、機械的振動部（機能部１１１）の振動阻害がなく、低損失等の電気的特性が優れる。
【００２７】
なお、上述した本発明の製造方法は、１つの電子部品を製造する場合（ＣＳＰ）でも、ウエハに複数の電子部品を一括で製造する場合（Ｗ−ＣＳＰ）でも、適用可能である。なお、ウエハに一括で製造された複数の電子部品を個々の電子部品に分割する際にダイシングソーが使用される場合には、端子電極１５０へのダメージを防止するため、図５に示すように電子部品の外形よりも小さい領域で端子電極１０５を形成することが好ましい。又は、端子電極１５０の製造方法や材料には何ら制約はないので、図６に示すように半田ボール等により端子電極１５０を形成してもよい。
【００２８】
また、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の構造を、図７〜図１１に示すように目的に応じて適宜変形しても構わない。
図７に示す電子部品は、無機薄膜からなる絶縁膜１６０を、機能部１１１及び配線電極１１２の一部又は全部を覆う領域と、蓋基板１３０と機能基板１１０とが接合される領域とに形成した構造である。この構造により、機能部１１１の耐環境性を高めることができると共に、接合強度が得にくい基板同士であっても接合強度を向上させることができる。
【００２９】
図８に示す電子部品は、機能基板１１０が支持基板１２０よりも小さく、空間部１３１が機能基板１１０を覆うように設けられる構造である。例えば、圧電薄膜を利用したバルク波デバイスの場合には、窒化アルミニウム等の窒化物系圧電薄膜が広く用いられており、酸化物系基板に比べて接合強度が小さくなる。そのため、支持基板１２０と蓋基板１３０とを直接接合できるように、機能基板１１０（この場合は圧電薄膜）を支持基板１２０よりも小さく形成し、支持基板１２０と蓋基板１３０とを直接接合する。この構造により、接合強度が十分な信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００３０】
図９に示す電子部品は、上記図８に示す電子部品の構造において、支持基板１２０と蓋基板１３０とを、酸化ケイ素やガラスフリット等の無機薄膜からなる接着層１７０を介して接合させた構造である。この構造により、図８と同様に、接合強度が十分な信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００３１】
図１０に示す電子部品は、ビアホール１４０を、真空蒸着等により形成した金属薄膜１４０ｂと、充填により形成した半田等の導電性金属１４０ａとで構成した構造である。この構造のように真空蒸着等の手法を用いると、容易に空間部１３１を減圧雰囲気に保つことができ、電子部品の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
図１１に示す電子部品は、支持基板１２０に機能部及び空間部の加工が施され、機能部１１１に圧電薄膜を用いたバルク波デバイスの構造である。この構造でも、同様の効果が得られる。
【００３３】
（第２の実施形態）
図１２Ａは、本発明の第２の実施形態に係る電子部品の構造を模式的に示した上面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示す電子部品のＢ−Ｂ断面図である。
この第２の実施形態に係る電子部品も、上記第１の実施形態に係る電子部品と同様に、機能基板１１０と能部部１１１及び配線電極１１２とからなる二層構造の機能素子を、支持基板１２０と蓋基板１３０とで挟み込み、機能素子の入出力信号をビアホール１４０を介して端子電極１５０に引き出した構造である。そして、この第２の実施形態に係る電子部品の特徴は、機能部１１１と対向する領域の第２凹部２３１ｂと他の領域の第１凹部２３１ａとの深さが異なる２段構造の空間部２３１を設けることにある。
【００３４】
この空間部２３１は、次のように蓋基板１３０の一方主面に形成される（上述した図２Ａの工程ｄに相当）。最初に、蓋基板１３０の一方主面の、機能基板１１０上に形成された機能部１１１及び配線電極１１２の領域に対向する位置に、エッチング加工により浅い第１凹部２３１ａが形成される。次に、機能部１１１が形成された領域に対向する位置だけさらにエッチング加工を施し、より深い第２凹部２３１ｂが形成される。
【００３５】
浅い第１凹部１３１ａを形成する理由は、ビアホール１４０と配線電極１１２との接続の信頼性を高めるためである。すなわち、蓋基板１３０と配線電極１１２との距離を可能な限り近接させることで、ビアホール１４０となる穴部１３２に充填する導電性材料が、深い第２凹部２３１ｂの領域へ侵入することを防ぐためである。例えば、液状の導電性材料を用いる場合には、浅い第１凹部２３１ａと深い第２凹部２３１ｂとの境界において、液状の導電性材料の表面張力によって深い第２凹部２３１ｂへの広がりを自己抑制する効果がある。これは、溶融状態の半田等の金属を充填する場合も同様である。
【００３６】
よって、蒸着やスパッタやイオンプレーティング等の手法で、ビアホール１４０の一部又は全部を金属膜で充填する際には、機能部１１１への導電性材料の広がりを最小限に抑えることができると共に、成膜時間を大幅に短縮することができる。よって、接続信頼性が高くかつ低コストな電子部品を得ることができる。
【００３７】
なお、深い第２凹部２３１ｂの深さは、機能部１１１の機械的振動を阻害しない深さであればよい（例えば、約５μｍ）。また、浅い第１凹部２３１ａの深さは、配線電極１１２の電極厚さより深ければよい（例えば、約１μｍ）。
また、ビアホール１４０は、機能基板１１０上に形成された配線電極１１２に対向する位置、かつ、浅い第１凹部２３１ａの領域に形成することが好ましい。
さらに、上記図３〜図１１で示した第１の実施形態に係る電子部品の変形例は、第２の実施形態に係る電子部品に対しても、同様に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、二層構造からなる機能素子を含む電子部品を使用する携帯型電子機器等に利用可能であり、特に面内異方性が大きくかつ熱膨張係数が大きく異なる基板を三層構造にしても、温度変化による反りや割れが生じない信頼性の高い電子部品を得たい場合等に適している。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１Ａ】本発明の第１の実施形態に係る電子部品の構造を模式的に示した上面図
【図１Ｂ】本発明の第１の実施形態に係る電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図２Ａ】第１の実施形態に係る電子部品の製造方法を概略的に示した図
【図２Ｂ】第１の実施形態に係る電子部品の製造方法を概略的に示した図
【図３】第１の実施形態に係る他の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図４】第１の実施形態に係る他の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図５】第１の実施形態に係る他の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図６】第１の実施形態に係る他の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図７】第１の実施形態に係る他の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図８】第１の実施形態に係る他の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図９】第１の実施形態に係る他の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図１０】第１の実施形態に係る他の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図１１】第１の実施形態に係る他の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図１２Ａ】本発明の第２の実施形態に係る電子部品の構造を模式的に示した上面図
【図１２Ｂ】本発明の第２の実施形態に係る電子部品の構造を模式的に示した断面図
【図１３】従来の電子部品の構造を模式的に示した断面図
【符号の説明】
【００４０】
１１０  機能基板
１１１  機能部
１１２  配線電極
１２０  支持基板
１３０  蓋基板
１３１、２３１、９３２  空間部
１３２  穴部
１４０  ビアホール
１４０ａ  導電性金属
１４０ｂ  金属薄膜
１５０  端子電極
１６０  無機薄膜（絶縁膜）
１７０  接着層
２３１ａ、２３１ｂ  凹部
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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