(57)【要約】【課題】固体撮像素子の周辺回路部における配線層が多層化した場合でも、撮像部と周辺回路部との境界部分における上層膜の段差をなくすことで、上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜し、また、上層膜のエッチバック時に配線パターンを露出せずに絶縁破壊を防止し、感度特性を良好にすること。【解決手段】半導体基板１上に、入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換部を少なくとも含む撮像部１０と、発生した信号電荷による信号および駆動信号を撮像部１０に対して入出力する周辺回路部２０と、を備える固体撮像素子であって、周辺回路部２０を、半導体基板１の撮像部１０より低い位置に形成した。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換部を少なくとも含む撮像部と、発生した前記信号電荷による信号および駆動信号を前記撮像部に対して入出力する周辺回路部と、を備える固体撮像素子であって、
前記周辺回路部が、前記半導体基板の前記撮像部より低い位置に形成されたことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子であって、
前記撮像部と前記周辺回路部との間に異なる基板高さを接続するスロープ部を有し、該スロープ部に前記撮像部と前記周辺回路部とを相互に接続する配線が形成されたことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の固体撮像素子であって、
前記スロープ部に形成した配線が、ポリシリコン又は金属からなる配線であることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載の固体撮像素子であって、
前記スロープ部に形成した配線が、高濃度不純物拡散層からなる埋め込み層であることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記配線が、撮像素子の出力部から延出される配線を含むことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記配線が、撮像素子の駆動信号を入力する配線を含むことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか１項記載の固体撮像素子を作成する固体撮像素子の製造方法であって、
半導体基板上の前記撮像部よりも前記周辺回路部が深くなるように半導体基板をエッチング処理するステップと、
エッチング処理された前記半導体基板上に前記撮像部と前記周辺回路部を接続する配線を形成するステップと、
を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記エッチング処理は、エッチングにより前記撮像部と前記周辺回路部との間にスロープ部を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上に、撮像部と該撮像部に対して信号を入出力する周辺回路部とを備えた固体撮像素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビデオカメラや電子カメラなどに使用される固体撮像素子は、更なる高画質化や高機能化が進められている。この固体撮像素子は、１つの半導体チップに多数の画素を２次元配列して構成された撮像部と、この撮像部の外側に配置される周辺回路部とを有している。撮像部では、入射した光に応じてフォトダイオード（光電変換素子）が信号電荷を発生し、周辺回路部では、撮像部で発生した信号電荷を駆動信号に基づいて駆動し、画像信号として取り出し、外部へ出力している。
周辺回路部には、撮像部からの画素信号を取り出す配線、および撮像部からの画素信号に所定の信号処理、例えばＣＤＳ（相関二重サンプリング）、ゲイン制御、Ａ／Ｄ変換等を施す信号処理回路、ならびに撮像部における各画素部からの出力電荷を駆動して画素信号の出力を制御する駆動制御回路等が設けられている。そして、これら撮像部と周辺回路部とは平坦状の半導体基板上に形成されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−３６３４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献１等に記載の構成のように、撮像素子の製造プロセスにおいては、撮像部に配線メタル層が存在せず、撮像部外の周辺回路部に配線メタル層が形成される。このため、配線メタル層を形成した後で撮像部に平坦化膜や保護膜やカラーフィルタ層やマイクロレンズ等の光学層を形成するときに、撮像部と周辺回路部で配線メタル層の積層厚さ分の段差が生じる。
例えば、周辺回路部の配線メタル層を完全に覆うように平坦化膜を成膜すると、撮像部上の平坦化膜厚が必要以上に厚くなるので、受光した光が光電変換部に到達する割合が減少して撮像素子の感度が低下したり、Ｆ値依存性が大きくなるという不具合が発生する。また、この段差の影響で、平坦化膜の膜厚が段差近傍と段差から離れたところで異なるので、撮像素子の感度ムラを生じさせるという特性不良を発生させる。これらの不具合を解決するために、必要以上に厚くなりすぎた撮像部上の平坦化膜を、例えば図１０に示すように、後段の製造プロセスにおいて保護膜などを成膜し、エッチバックして適正な膜厚を調整する場合に、周辺回路部に形成された配線メタル層５が保護膜および平坦化膜（上層膜）から露出して配線メタル層がエッチングされて損傷を受けたり、プラズマダメージなどによる絶縁破壊を生じたりする不具合が発生する場合がある。
そして、固体撮像素子の高機能化に伴って周辺回路部では多層配線化がすすみ、２層、３層、あるいはこれ以上の配線層が形成される傾向にあり、上記の問題が一層顕著となる。
【０００４】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、固体撮像素子の周辺回路部における配線層が多層化した場合でも、撮像部と周辺回路部との境界部分における上層膜の段差をなくすことで、上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜し、また、上層膜のエッチバック時に配線パターンを露出せずに絶縁破壊を防止し、感度特性が良好となる固体撮像素子およびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る上記目的は下記構成により達成される。
（１）  半導体基板上に、入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換部を少なくとも含む撮像部と、発生した前記信号電荷による信号および駆動信号を前記撮像部に対して入出力する周辺回路部と、を備える固体撮像素子であって、
前記周辺回路部が、前記半導体基板の前記撮像部より低い位置に形成されたことを特徴とする固体撮像素子。
【０００６】
この固体撮像素子によれば、周辺回路部が、半導体基板の撮像部より低い位置に形成されることで、機能付加などにより周辺回路部が多層配線化された場合でも、撮像部と周辺回路部との境界部分における上層膜の段差をなくし、透明な上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜できる。これにより、上層膜の膜厚が、段差部近傍の部位と段差部から離れた部位とで大きく異なることがなくなり、撮像部の感度を均一にできる。また、後段の製造プロセスにおいて、保護膜などを成膜してエッチバックする場合でも、周辺回路部の配線メタル層が上層膜から露出することがなくなる。そして、撮像部の厚みの増加が抑えられることで、各層内の光路長が短くなって、光の吸収が小さくなり、遮光膜や転送電極などによる光のケラレ等の受光性能の低下が抑制でき、感度低下やＦ値依存性を解消することができる。
【０００７】
（２）  （１）記載の固体撮像素子であって、
前記撮像部と前記周辺回路部との間に異なる基板高さを接続するスロープ部を有し、該スロープ部に前記撮像部と前記周辺回路部とを相互に接続する配線が形成されたことを特徴とする固体撮像素子。
【０００８】
この固体撮像素子によれば、スロープ部に形成された配線によって、周辺回路部と撮像部との間の信号のやりとりが行える。
【０００９】
（３）  （１）又は（２）記載の固体撮像素子であって、
前記スロープ部に形成した配線が、ポリシリコン又は金属からなる配線であることを特徴とする固体撮像素子。
【００１０】
この固体撮像素子によれば、配線がポリシリコン又は金属からなることで、製造が容易になる。
【００１１】
（４）  （１）又は（２）記載の固体撮像素子であって、
前記スロープ部に形成した配線が、高濃度不純物拡散層からなる埋め込み層であることを特徴とする固体撮像素子。
【００１２】
この固体撮像素子によれば、配線が高濃度不純物拡散層からなる埋め込み層であることで、素子構造を簡略化できる。
【００１３】
（５）  （１）〜（４）のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記配線が、撮像素子の出力部から延出される配線を含むことを特徴とする固体撮像素子。
【００１４】
この固体撮像素子によれば、撮像素子の出力部から配線を延出させることで、撮像部と周辺回路部とを必要十分な距離だけ分離でき、撮像部と周辺回路部とを所望の高さの違いに設定できる。
【００１５】
（６）  （１）〜（５）のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記配線が、撮像素子の駆動信号を入力する配線を含むことを特徴とする固体撮像素子。
【００１６】
この固体撮像素子によれば、撮像素子の駆動信号を入力する配線を延出させることで、撮像部と周辺回路部とを必要十分な距離だけ分離でき、撮像部と周辺回路部とを所望の高さの違いに設定できる。
【００１７】
（７）  （１）〜（６）のいずれか１項記載の固体撮像素子を作成する固体撮像素子の製造方法であって、
半導体基板上の前記撮像部よりも前記周辺回路部が深くなるように半導体基板をエッチング処理するステップと、
エッチング処理された前記半導体基板上に前記撮像部と前記周辺回路部を接続する配線を形成するステップと、
を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【００１８】
この固体撮像素子の製造方法によれば、周辺回路部の配線が撮像部１０よりも深層から形成でき、撮像部と周辺回路部との境界部分での段差をなくし、透明な上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜できる。これにより、上層膜の膜厚が、段差部近傍の部位と段差部から離れた部位とで大きく異なることがなくなり、撮像部の感度を均一にできる。また、後段の製造プロセスにおいて、保護膜などを成膜してエッチバックする場合でも、周辺回路部の配線が保護膜から露出することがなくなる。これにより、絶縁破壊を生じたり配線自体に損傷を受ける等の不具合を生じることがない。
【００１９】
（８）  （７）記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記エッチング処理は、エッチングにより前記撮像部と前記周辺回路部との間にスロープ部を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【００２０】
この固体撮像素子の製造方法によれば、撮像部と周辺回路部との間にスロープ部を形成することで、このスロープ部に配線を形成することができ、例えば、スルーホールなどを形成して導通を図る構成と比較して、格段に配線構造を簡略化できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、周辺回路部が、半導体基板の撮像部より低い位置に形成されることで、撮像部と周辺回路部との境界部分における段差をなくし、透明な上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜できる。これにより、上層膜の膜厚が、段差部近傍の部位と段差部から離れた部位とで大きく異なることがなくなり、受光した光が上層膜中を透過する距離の違いにより、段差部近傍の部位と段差部から離れた部位とで撮像部の感度に差が生じることを防止できる。よって、固体撮像素子の感度ムラの発生が防止される。
また、後段の製造プロセスにおいて、保護膜などを成膜してエッチバックする場合でも、周辺回路部の配線が露出することがなくなる。そして、撮像部の厚みの増加が抑えられることで、各層内の光路長が短くなって、ケラレ等の受光性能の低下が抑制でき、感度低下やＦ値依存性を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明に係る固体撮像素子の好適な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は本発明に係る固体撮像素子の概念的な平面図、図２は図１に示すＡ−Ｂ断面を示す一部拡大断面図である。
図１に示すように、本発明に係る固体撮像素子１００は、シリコン基板である半導体基板１に形成され、複数の光電変換部（フォトダイオード）１１と、各光電変換部１１が発生する信号電荷を読み取り夫々を転送する複数の垂直電荷転送路１３と、複数の垂直電荷転送路１３から転送される信号電荷を受けて転送する水平転送路１５と、水平電荷転送路１５の終端部に接続され転送されてくる信号電荷を電圧信号に変換して出力する出力部１７と、を含む撮像部１０を有する。また、固体撮像素子１００は、垂直転送駆動および水平転送駆動を行うための駆動信号を撮像部１０に入力するとともに、撮像部１０からの画像信号を出力する信号処理回路を含む周辺回路部２０を有する。周辺回路部２０は撮像部１０の近くに並設されており、固体撮像素子１００の入出力インターフェース機能と信号処理機能を有している。
【００２３】
そして、図２にＡ−Ｂ断面を示すように、固体撮像素子１００の周辺回路部２０は、撮像部１０よりも半導体基板１の低い位置に形成されており、この撮像部１０と周辺回路部２０との間の異なる基板高さを接続するスロープ部３０を有し、スロープ部３０には、撮像部１０と周辺回路部２０とを相互に接続するＮ型高濃度不純物層からなる配線１６が形成されている。周辺回路部２０においては、配線１６はコンタクトホール１８を介して他の配線層１９と電気的に接続されて、その最上層に外部接続用のパッド部が形成される。また、図示は省略するが、この他にも信号処理のための半導体回路も周辺回路部２０に備わることがある。
【００２４】
この構成によれば、固体撮像素子１００の周辺回路部２０における配線層が多層化した場合でも、半導体基板１の下地表面が周辺回路部２０の領域で予め低くされていることから、周辺回路部２０の配線パターンの露出状態を意識することなく、固体撮像素子１００全体の膜厚が必要以上に厚くなることを防止できる。なお、半導体基板１の表面を周辺回路部２０の領域で低く形成する際は、例えば、ＣＤＥ（ケミカルドライエッチング）などの等方性エッチング処理により基板表面を掘り下げることができる。この方法によれば、半導体基板１を低損傷で除去することができる。
【００２５】
ここで、図２の断面付近の平面図を図３に示した。
図３は水平転送路１５の終端部と出力部１７（図１参照）の要部拡大平面図である。
水平電荷転送路１３のチャネル領域ＣＨは、終端に近づくにつれ次第に幅を減少させ、やがて一定の幅となってフローティングディフュージョンＦＤの高濃度領域３１を囲むように続く。チャネル領域ＣＨの上方には、第１多結晶シリコン転送電極Ｐ１、第２多結晶シリコン転送電極Ｐ２が配置されている。
【００２６】
左端の第１多結晶転送電極Ｐ１の左側には、多結晶シリコン層によって出力ゲート電極３３が形成されている。出力ゲート３３から一定距離離れた位置のチャネル領域ＣＨ内にフローティングディフュージョンＦＤのＮ＋型高不純物濃度領域３１が形成されている。シリコン基板１の表面には酸化シリコン層が形成されるが、この不純物濃度領域３１上には開口を有している。
【００２７】
一方、チャネル領域ＣＨに隣接する位置に、埋め込み型の不純物拡散層からなる配線３５が形成されている。ＦＤの高不純物濃度領域３１は、酸化シリコン層の開口を通じてゲート電極３７の一端側に接続されており、ゲート電極３７の他端側は配線３５の上に配置されている。配線３５は、ソース電位ＶＳＳに接続される配線３５Ａと、出力ドレインＯＤ（ドレイン電位ＶＤＤ）への配線３５Ｂとを有する。
【００２８】
また、ＦＤ領域に転送された電荷をリセット廃棄するため、高不純物濃度領域３１より先方にはリセットトランジスタ３９が形成されている。すなわち、チャネル領域ＣＨが高不純物濃度領域３１の先方に延在され、この延設されたチャネル領域ＣＨを横断するようにリセットゲートＲＳへのゲート電極４１が形成されている。リセットゲートＲＳへの電極４１を挟んだチャネル領域ＣＨの図中左側には、リセットドレインＲＤへの配線４３が形成されている。また、電極４１のチャネル領域ＣＨとは反対側の端部にはリセットゲートＲＳへの配線４５が接続されている。リセットドレインＲＤに電圧を印加し、リセットゲートＲＳに電圧を印加してフローティングディフュージョンＦＤの電荷を引き抜くことにより、フローティングディフュージョンＦＤの電荷がクリアされる。なお、図３に示したゲート電極や配線の線幅や形状、面積等は概念的に示すものであり、正確なものではない。
【００２９】
上記の配線３５Ａ，３５Ｂ、４３，４５は、スロープ部２０を通じて周辺回路部２０まで延設されており、周辺回路部２０において出力ドレインＯＤ、リセットドレインＲＤ、リセットゲートＲＳ等に接続されている。
【００３０】
つまり、図２に示すように、撮像部１０と周辺回路部２０との間のスロープ部３０においては、エッチングにより選択除去されたシリコン基板の傾斜面に沿ってＮ型高濃度不純物拡散層からなる配線１６（３５Ａ，３５Ｂ，４３，４５）が敷設される。なお、これら配線は出力部の一例であり、この他にも複数の配線が存在する。そして、図２に示されるスロープ部３０の傾斜は、説明用として実際のものよりも誇張して描いている。
【００３１】
ここで、図４に高濃度不純物層を形成する手順を示した。
配線を高濃度不純物層で形成する場合には、図４（ａ）に示すように、シリコン基板上にマスク７１をパターニングし、Ａｓ+やＰ+をイオン注入する。そして、図４（ｂ）に示すように、マスク７１を除去することで、Ｎ型高濃度不純物拡散層からなる埋め込み配線７３が簡単にして形成される。この構成によれば、配線構造をより簡略化できる。
【００３２】
図５は上記のような撮像部１０と周辺回路部２０との間にスロープ部３０を設けた場合の撮像素子の断面の様子を示す断面図である。
シリコン基板１は、エッチング処理等によって撮像部１０よりも周辺回路部２０が低く形成され、撮像部１０と周辺回路部２０との間にはなだらかな傾斜面からなるスロープ部３０が形成されている。そして、撮像部１０においては、シリコン基板１内に、光電変換部であるフォトダイオード５１、垂直電荷転送路を形成する転送チャネル５３が形成され、転送チャネルの上方には転送電極５５が形成される。
【００３３】
フォトダイオード５１の上部には、ＢＰＳＧ膜５７が形成されて、周辺回路部２０において配線メタル層５を形成した後、さらにその上に平坦化膜３が形成される。平坦化膜３の上部には各色のカラーフィルタ５９と集光用のマイクロレンズ６１が形成される。
【００３４】
この構成によれば、機能付加などにより周辺回路部２０が多層配線化された場合でも、周辺回路部２０のシリコン基板表面が撮像部１０のシリコン基板表面よりも予め低く形成されているので、撮像部１０と周辺回路部２０との境界部分における上層膜の段差をなくし、透明な上層膜を撮像部１０から周辺回路部２０に亘って形成する際に、略同じ高さに成膜できる。これにより、上層膜の膜厚が、段差部近傍の部位と段差部から離れた部位とで大きく異なることがなくなり、受光した光が上層膜中を透過する距離の違いにより、段差部近傍の部位と段差部から離れた部位とで撮像部１０の感度に差が生じることを防止できる。よって、感度ムラの発生が防止される。
【００３５】
さらに、撮像部１０の厚みの増加が抑えられることで、フォトダイオード５１からマイクロレンズ６１までの距離が短縮でき、各層内の光路長が短くなって、光の吸収が小さくなり、遮光膜や転送電極などによる光のケラレ等の受光性能の低下が抑制できる。これにより、感度低下やＦ値依存性を解消することができる。
【００３６】
また、撮像部１０と周辺回路部２０との間にスロープ部３０を形成することで、スロープ部３０に配線を形成することができ、例えば、スルーホールなどを形成して導通を図る構成と比較して、格段に配線構造を簡略化できる。
【００３７】
上記の効果は、ＣＣＤ型の固体撮像素子に限らず、例えばＣＭＯＳ型の固体撮像素子についても同様である。
【００３８】
次に、本発明に係る固体撮像素子の変形例を説明する。
前述の図２に示すように、撮像部１０と周辺回路部２０との間のスロープ部３０において、Ｎ型高濃度不純物拡散層からなる各配線１６を形成していたが、Ｎ型高濃度不純物拡散層の配線の代わりに、ポリシリコン、アルミやＷ，Ｍｏなど高融点金属等の金属配線からなる配線で形成することもできる。
【００３９】
図６にポリシリコンにより配線を形成した状態を示す断面図、図７に絶縁膜上に金属配線を形成した状態を示す断面図を示した。
図６に示すように、ポリシリコンからなる配線６５を形成することで、単純なフォトリソグラフィ技術で配線を形成できる。また、図７に示すように、半導体基板１上にＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、その上に金属配線６７を形成し、撮像部１０において高濃度不純物拡散層７０に接続する構成としてもよい。このように、スロープ部３０の配線は、ポリシリコン、金属、高濃度不純物拡散層のいずれであってもよく、また、これらの組み合わせであってもよい。
【００４０】
図８，９に図６，７に対応する平面図を示した。
図８は周辺部２０から撮像部１０までの間をポリシリコン配線で接続した構造を示す平面図、図９は金属配線を周辺部２０から撮像部１０のＦＤ部の近傍まで延設した構造を示す平面図である。
図８に示すように、周辺部２０からスロープ部３０を通って撮像部１０まで延設されたポリシリコン配線７５は、撮像部１０側のＦＤ部の近傍で、埋め込み型の配線３５Ａにコンタクトホール７７を通じて接続されている。他の配線７８，７９，８０についても同様に、それぞれスロープ部３０を通じて配線３５Ｂ，４３，４５に接続されている。このようにポリシリコン配線７５，７８，７９，８０をスロープ部３０を通じて撮像部１０まで延設することで、スロープ部３０における配線をポリシリコン配線に統一でき、製造プロセスが簡略化される。
【００４１】
また、図９に示すように、図８のポリシリコン配線に代えて金属配線８１，８２，８３，８４としてもよい。この構成においても、スロープ部３０における配線を金属配線に統一でき、製造プロセスが簡略化される。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上のように、本発明の固体撮像素子は、撮像部の膜厚が必要以上に厚くされることがなくなり、簡単な製造プロセスで製造でき、撮像部でケラレ等の受光性能の低下が抑制でき感度低下やＦ値依存性を解消可能となる。このため高品位なデジタルカメラなどの固体撮像装置に対して本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る固体撮像素子の概念的な平面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ｂ断面を示す一部拡大断面図である。
【図３】水平転送路の終端部と出力部の要部拡大平面図である。
【図４】高濃度不純物層を形成する手順（ａ），（ｂ）を示す概念的な説明図である。
【図５】光電変換部の配置された位置の撮像部と周辺回路部との間の断面の様子を示す断面図である。
【図６】ポリシリコン配線を形成した状態を示す断面図である。
【図７】絶縁膜上に金属配線を形成した状態を示す断面図である。
【図８】周辺部から撮像部までの間をポリシリコン配線で接続した構造を示す平面図である。
【図９】金属配線を周辺部から撮像部のＦＤ部の近傍まで延設した構造を示す平面図である。
【図１０】従来の製造工程の問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  半導体基板
３  平坦化層
５  配線メタル層
１０  撮像部
１１  光電変換部
１３  垂直電荷転送路
１５  水平電荷転送路
１６  配線
１７  出力部
１８  コンタクトホール
１９  他の配線層
２０  周辺回路部
３０  スロープ部
３１  高濃度不純物拡散領域
３３  出力ゲート電極
３５，３５Ａ，３５Ｂ  配線
３７  ゲート電極
３９  リセットトランジスタ
４１  ゲート電極
４３  リセットドレインへの配線
４５  リセットゲートへの配線
５１  フォトダイオード
５３  転送チャネル
５５  転送電極
５７  ＢＰＳＧ膜
５９  カラーフィルタ
６１  マイクロレンズ
７１  マスク
７３，７８，７９，８０，８１，８２，８３，８４  配線
１００  固体撮像素子
ＣＨ  チャネル領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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