(57)【要約】【課題】  基本的に高品質の表面処理が行われる中性粒子ビームを用いた表面処理装置であって、しかも高い表面処理速度が得られる表面処理装置の提供。【解決手段】  表面処理装置は、中性粒子ビームによって、真空処理室内に配置された被処理物の表面処理を行うものであって、前記被処理物に光を照射する光源を備えることを特徴とする。この表面処理装置においては、前記被処理物に照射される光は、波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であることが好ましい。また、前記被処理物の被処理面における波長３８０ｎｍ以下の光の照度は、７ｍＷ／ｃｍ2 以上であることが好ましい。また、前記光源がキセノンフラッシュランプであって、前記被処理物の被処理面における光の照度は、２０ｍＷ／ｃｍ2 以上であることが好ましい。【選択図】  図１
2008193049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中性粒子ビームによって、真空処理室内に配置された被処理物の表面処理を行う表面処理装置であって、
前記被処理物に光を照射する光源を備えることを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記被処理物に照射される光は、波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記被処理物の被処理面における波長３８０ｎｍ以下の光の照度は、７ｍＷ／ｃｍ2 以上であることを特徴とする請求項２に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記光源がキセノンフラッシュランプであって、前記被処理物の被処理面における光の照度は、２０ｍＷ／ｃｍ2 以上であることを特徴とする請求項３に記載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプラズマ中に生成された正イオンまたは負イオンを中性化した中性粒子ビームを用いて被処理物を加工する表面処理装置、具体的には例えばシリコンウエハ上にフォトレジストでパターンを形成した後、当該フォトレジストに被覆されずに露出された部分を除去するエッチング装置などの表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばシリコンウエハの加工などにおいては、フォトレジストの加工パターンが微細化し、これに伴ってより高品質のエッチング加工が模索されており、このようなエッチング加工には例えばプラズマエッチング装置が用いられている。プラズマエッチング装置としては、イオン、ラジカル、中性粒子、フォトンなどよりなる複合粒子を、シリコンウエハよりなる被処理物の被処理面に照射するリアクティブイオンエッチング装置（ＲＩＥ装置）が知られているが、複合粒子を構成する粒子の種類によっては、被処理物に掘削ダメージが生じてしまうことがある。
この掘削ダメージの問題を解決するために、中性粒子のみを照射する中性粒子ビームを用いたエッチング装置が提案されている（特許文献１参照。）。中性粒子ビームによるエッチングによれば、高い加工精度が得られると共に掘削ダメージの発生が抑制されて、高品質のエッチング加工を行うことができる。
これは、通常のイオンエッチングで複合的に照射されるイオン、ラジカル、中性粒子、フォトンのうち、中性粒子のみを照射するために、イオンエッチングに比して損傷が少ないからである。この中性粒子ビームによるエッチングは、特に、加工線幅約３０ｎｍ以下の超微細加工に好適に用いられる。
特許文献１には、アパーチャーを有する第１の電極を、これと対向配置される第２の電極よりプラス側に高い電位状態とすることにより、プラズマ中の負イオンを第１の電極に向けて加速させ、これにより負イオンが第１の電極のアパーチャー内部を、その周壁に衝突して中性化されながら通過し、中性粒子が放射されるものが開示されている。
【０００３】
しかしながら、このエッチング装置においては、得られる中性粒子は負イオンのみから発生される構成であるために、中性粒子の発生効率が悪く、その結果、エッチング処理速度が通常のイオンエッチングを行った場合の例えば１／１０以下となって高いエッチング処理速度が得られない、という問題がある。
【０００４】
このような問題を解決するために、アパーチャーを有する第１の電極に高周波電力を印加することによって、正イオンおよび負イオンの両者を中性化させることができ、その結果、中性粒子の発生効率が向上されたエッチング装置が提案されている（特許文献２，３参照。）。
しかしながら、これらのエッチング装置によってもやはり複合粒子によるＲＩＥ装置に比して十分なエッチング処理速度が得られない、という問題がある。
【０００５】
一方、特許文献４には、プラズマエッチング処理中またはその前後にフォトンを照射する技術が開示されているが、この技術においてはエッチングはプラズマの複合粒子によるものであり、またフォトンは複合粒子によるエッチングの残留物を除去する目的で照射されるものであって、エッチングそのものの処理効率を向上させるものではなかった。
また、上記の特許文献２，３に開示されているエッチング装置においては、アパーチャーを有する第１の電極によって遮光されるために、中性粒子ビーム源から光（フォトン）は照射されない。
【特許文献１】特開２００３−１５８０９９号公報
【特許文献２】特開２００５−２５９８７３号公報
【特許文献３】特開２００５−２６０１９５号公報
【特許文献４】特開２００１−３５８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであって、その目的は、基本的に高品質の表面処理が行われる中性粒子ビームを用いた表面処理装置であって、しかも高い表面処理速度が得られる表面処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の表面処理装置は、中性粒子ビームによって、真空処理室内に配置された被処理物の表面処理を行うものであって、
前記被処理物に光を照射する光源を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の表面処理装置においては、前記被処理物に照射される光は、波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であることが好ましい。
【０００９】
また、本発明の表面処理装置においては、前記被処理物の被処理面における波長３８０ｎｍ以下の光の照度は、７ｍＷ／ｃｍ2 以上であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の表面処理装置においては、前記光源がキセノンフラッシュランプであって、前記被処理物の被処理面における光の照度は、２０ｍＷ／ｃｍ2 以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の表面処理装置によれば、光源を備えており、この光源より中性粒子ビームによる表面処理時に被処理物に光が照射されるために、高品質の表面処理が遂行されながら高い表面処理速度を得ることができる。
これは、被処理物が光源からの光を吸収することによって当該被処理物における光を吸収した部分に電子欠陥が形成され、これによりエッチング処理の反応速度が促進されるためであると推察される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明について具体的に説明する。
図１は、本発明の表面処理装置の一例を概略的に示す説明図である。
この表面処理装置は、シリコンウエハ上にフォトレジストでパターンを形成した後、当該フォトレジストに被覆されずに露出された部分のシリコンを除去するエッチング装置を示すものである。
このエッチング装置は、中性粒子ビーム源１および光源８を備え、暗黒状態の真空処理室（プロセスチャンバ）１６内に配置される被処理物１５であるシリコンウエハの被処理面に光１３を照射させた状態で、中性粒子ビーム源１で発生させた中性粒子ビーム７を当該被処理物１５の被処理面に照射することにより、この被処理物１５について表面処理を行うものである。
【００１３】
中性粒子ビーム源１は、その外周に誘導結合型コイル５が配置されたＩＣＰチャンバ（誘導結合プラズマチャンバ）４と、このＩＣＰチャンバ４とプロセスチャンバ１６とを区画するよう配置された、複数のアパーチャー６Ａを有する下流側電極６と、この下流側電極６に対向して配置された上流側電極３とにより形成されている。
下流側電極６によって中性粒子ビーム源１のＩＣＰチャンバ４とプロセスチャンバ１６とが区画されるために、両チャンバ４，１６間に圧力差がある状態を維持することができる。ＩＣＰチャンバ４の圧力は例えば１Ｐａであり、プロセスチャンバ１６の圧力は例えば０．１Ｐａである。
図１において、１４は、真空ポンプなどによってプロセスチャンバ１６内を減圧するための減圧路を示す。
【００１４】
誘導結合型コイル５は、高周波電源（図示せず）に接続されており、また、下流側電極６が高周波電源（図示せず）に接続されると共に上流側電極３が直流電源に接続されており、この下流側電極６および上流側電極３との間に電圧が印加される構成とされている。
下流側電極６の厚さと当該下流側電極６のアパーチャー６Ａの孔径との比は、例えば１０：１程度であることが好ましく、また、下流側電極６の一面の面積全体に対して１／２程度がアパーチャー６Ａとして開孔していることが好ましい。
【００１５】
また、上流側電極３にはエッチングガス２が導入されるガス導入ポート２Ａが設けられている。
導入されるべきエッチングガスとしては、Ｃｌ2 ，ＳＦ6 ，ＣＨＦ3 ，ＣＦ4 ，Ａｒ，Ｏ2 ，Ｎ2 ，Ｃ4 Ｆ8 ，ＣＦ3 Ｉ，Ｃ2 Ｆ4 などが挙げられる。
【００１６】
光源８は、ランプハウス１０内に配置されており、この光源８の周囲には、合成石英やカルシウムフロライドなどよりなる窓１２を介して被処理物１５の被処理面上に平行光に近い光が放射されるよう集光ミラー９が設けられている。
図１において、１１は、光１３を波長の規制されたものとする場合に必要に応じて波長調整フィルタを設置するフィルタ設置用部である。
【００１７】
本発明においては、被処理物１５に照射される光１３は、波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であることが好ましい。
この理由は、被処理物１５が例えばシリコンよりなるものである場合に、シリコンヘの光侵入長が小さいために、具体的には波長２００〜３８０ｎｍの光を当該被処理物１５の被処理面に照射すると、当該被処理面からの光侵入長は約３０ｎｍ以下であるために、被処理物１５の被処理面からの深さ３０ｎｍまでの極表層に高い密度で光が吸収されることとなり、その結果、中性粒子ビーム７によってエッチングされる極表層を活性化させて確実に反応速度が促進されたものとすることができるからである。一般に、中性粒子ビーム７によるエッチング深さは、１個の中性粒子が披処理物１５を削り取る作用を及ぼす掘削深さが１原子層〜数原子層、深さにして３０ｎｍ程度であると推定されている。従って、例えば数百ｎｍにおよぶ深いエッチング深さを得るためには、中性粒子ビーム７を必要な時間にわたって照射し続ければよい。
【００１８】
被処理物における光が吸収される範囲（おおよそ光侵入長の範囲）が、中性粒子ビームによるエッチングがなされる範囲の外にまでわたっていると、被処理物内に望ましくない損傷が形成されてしまうおそれがある、特に加工線幅以上の範囲にわたって損傷が形成された場合などは最終的に製作されるデバイスの性能に致命的な影響を与えかねない損傷が形成されてしまうおそれがあるところ、被処理物１５に照射される光１３が波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であると、上述したように波長３８０ｎｍ以下の光を含む光によるシリコンへの光侵入長が約３０ｎｍであって中性粒子ビームによるエッチングがなされる範囲であるために、予期せぬ損傷を形成することが抑制される。
【００１９】
被処理物１５の被処理面に照射される光１３が波長３８０ｎｍ以上の光のみよりなる光である場合は、シリコンに対する光侵入長が大きいために、被処理物の表面部分における光吸収密度が小さくエッチング処理速度を向上させる効果がほとんど得られないのみならず、被処理物内に損傷を生じさせてしまう。
以上より、高品質なエッチング加工を行うことができるという中性粒子ビームによるエッチングの特長を損なわずに高いエッチング処理速度を得るためには、光侵入長にして３０ｎｍ以下に相当する波長３８０ｎｍ以下の光のみよりなる光を照射することが特に好ましい。
そして、波長３８０ｎｍ以下の光のみよりなる光の被処理物１５の被処理面における光の照度は、７ｍＷ／ｃｍ2 以上であることが好ましい。波長３８０ｎｍ以下の光のみよりなる光が上記の範囲の照度で被処理物１５の被処理面に照射されることによって、エッチング処理速度を確実に高いものとすることができる。
【００２０】
光が被処理物の被処理面に照射されると、当該光が吸収された部分（以下、「光吸収部位」ともいう。）に電子欠陥を生じさせて活性化させる作用、当該光吸収部位の電子状態を励起して活性化させる作用、被処理物に到達したまたは到達前の中性粒子を励起して活性化せる作用などが得られると考えられ、このため、光を被処理物に照射すると、被処理物の被処理面に到達した中性粒子が被処理物を形成する物質をエッチングし、削り取られたエッチング生成物が被処理物から離脱して排出される確率（エッチングイールド）を高いものとすることとができ、結局、光を照射しない場合に比して高いエッチング処理速度を得ることができると推測される。
そして、光を照射することによる欠陥の形成などの現象は、個々の中性粒子が影響を及ぼすことのできる範囲において発生したときのみエッチング処理速度の向上効果を生じるのであって、被処理物の表面から深い場所、例えばシリコンウエハの３０ｎｍよりも深い部位で吸収された光は、エッチング処理速度の向上に何ら寄与しないと推測される。
【００２１】
なお、例えばランプハウス１０内が空気によって満たされている場合は、光源８から放射された光のうち波長２００ｎｍ以下の光は当該空気に吸収されため、プロセスチャンバ１６に放射される光は波長２００ｎｍ以下の光を含有しないものとなる。
【００２２】
また、本発明においては、光源８から被処理物１５の被処理面に照射される波長３８０ｎｍ以下の光を含む光の照度は、２０ｍＷ／ｃｍ2 以上であることが好ましい。
この光が２０ｍＷ／ｃｍ2 以上の照度を有するものであることによって、被処理物１５の被処理面における波長３８０ｎｍ以下の光の照度を７ｍＷ／ｃｍ2 以上とすることができ、一般的な中性粒子ビームによるエッチング条件である１ｍＡ／ｃｍ2 のフラックスにおいて十分な量の光が吸収され、その結果、エッチング処理速度を確実に高いものとすることができる。
【００２３】
ここに、被処理物１５の被処理面に照射される光１３の照度は、カロリーメータを用いて全放射波長の積分値として測定されるものである。
【００２４】
このような波長３８０ｎｍ以下の光を含む光を強く得られる光源としては、例えばショートアークキセノンフラッシュランプ、希ガス（クリプトン（Ｋｒ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガスまたはこれらの混合ガス）を封入した高電流密度駆動ショートアークフラッシュランプ、希ガス（Ｋｒガス、Ａｒガス、Ｘｅガスまたはこれらの混合ガス）封入高電流密度ロングアークフラッシュランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、キセノンショートアークランプ、各種エキシマランプなどのランプが挙げられる。
また、ランプ以外にも、ＹＡＧレーザ（３倍高調波＝３５５ｎｍ、４倍高調波＝２６６ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ａｒレーザ（２倍高調波＝２４４ｎｍ）、色素レーザ（２倍高調波＝約２００−３３０ｎｍで波長可変）、窒素レーザ（３３７ｎｍ）、Ｈe−Ｃｄレーザ（３２５ｎｍ）などのレーザ光源も用いることができる。
ここに、「波長３８０ｎｍ以下の光を含む光を強く得られる」とは、波長３８０ｎｍ以下の光が高い照度で照射されることを意味する。
【００２５】
光源として例えばショートアークキセノンフラッシュランプを用いる場合、例えば電流密度１〜１００ｋＡ／ｃｍ2 、キセノン封入圧１０〜５００ｋＰａとすることにより、波長３８０ｎｍ以下の光を含む光を得ることができる。
【００２６】
図１に示されるエッチンング装置においては、被処理物１５の被処理面が中性粒子ビーム７の放射方向に対し４５°の角度をなすよう配置されており、また、光源８からの光１３の放射方向と中性粒子ビーム７の放射方向とのなす角が９０°とされているが、特に限定されるものではない。
【００２７】
図１において、１８は、プロセスチャンバ１６を大気開放せずに被処理物の交換設置を行うための、当該プロセスチャンバ１６とはゲートバルブ１７で仕切られたロードロックチャンバであり、１９は、被処理物搬入用開口２０より搬入された被処理物１５を、表面処理位置に配置させる移送バーである。
【００２８】
このようなエッチング装置においては、まず、真空ポンプを作動させて、プロセスチャンバ１６内を真空排気した後に、ガス導入ポート２Ａからエッチングガス２を中性粒子ビーム源１のＩＣＰチャンバ４内に導入する。次いで、誘導結合型コイル５に接続された高周波電源から当該誘導結合型コイル５に例えば１３．５６ＭＨｚ程度の高い高周波電圧を印加することによって中性粒子ビーム源１のＩＣＰチャンバ４内に誘導磁界を生じさせ、さらにこの磁界の時間変化によって誘導起電界を誘起させる。一方、中性粒子ビーム源１のＩＣＰチャンバ４内に導入されたエッチングガス２がこの誘導起電界によって励起された電子により電離（イオン化）され、高密度プラズマが生成される。このときに形成されるプラズマは、主として正イオンと電子とからなるプラズマである。
【００２９】
次いで、前記誘導結合型コイル５に係る高周波電源による高周波電圧の印加を５０μ秒間停止して電子を非弾性衝突を経て電子温度を低下させ、残留しているエッチングガスに付着させることにより負イオンを生成させる。誘導結合型コイル５に係る高周波電源による高周波電圧の印加の５０μ秒間の停止後、再び当該高周波電源による５０μ秒問の高周波電圧の印加を行うことによって上述したサイクルが繰り返され、正イオンと共に負イオンが共存した状態のプラズマが形成される。
【００３０】
そして、上流側電極３に接続された直流電源と下流側電極６に接続された高周波電源とを用いてこれらの間に電圧を印加することによって上流側電極３と下流側電極６との間に電位差を生じさせ、この電位差によって中性粒子ビーム源１内の正イオンおよび負イオンを下流側電極６に向けて加速させ、当該下流側電極６に形成されたアパーチャー６Ａに導入して、当該アパーチャー６Ａの内壁に衝突させて電荷を剥離させることによって、あるいはアパーチャー６Ａ内部に残留しているエッチングガスとの電荷交換によって中性化させながら通過させて中性粒子を生じさせ、中性粒子による中性粒子ビーム７をプロセスチャンバ１６の内部に放射させる。この中性粒子ビーム７は、プロセスチャンバ１６内を直進して被処理物１５の被処理面に照射される。
【００３１】
一方、この中性粒子ビーム７の照射と同時に、光源８から光を放射し、この光を集光ミラー９により集光させてプロセスチャンバ１６に設けた窓１２を介して放射される光１３を被処理物１５の被処理面に照射させる。
光１３の照射は、エッチング処理の全時間にわたって行われてもよく、また、その一部の時間のみ行われてもよい。
【００３２】
＜実験例＞
以下、本発明の表面処理装置について行った実験例について説明する。
【００３３】
〔実験例１：波長３８０ｎｍ以下の光を含む光を照射する例〕
図１に従ってエッチング装置を製作し、波長調整フィルタとして何も用いずに、以下の実験を行った。
被処理物の被処理面における光の照度をそれぞれ０ｍＷ／ｃｍ2 ，１８ｍＷ／ｃｍ2 ，２６ｍＷ／ｃｍ2 ，３７ｍＷ／ｃｍ2 とし、その他の条件を以下のようにしてエッチング処理した場合のエッチング深さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって計測した。結果を図２においてａで示す。
（条件）
・光源：キセノンフラッシュランプ，電極間長；５ｍｍ，発光管内径；１０ｍｍ，キセノン封入圧；８０ｋＰａ，電流密度；１０ｋＡ／ｃｍ2 ，パルス点灯周波数；８Ｈｚ，電流パルスの時間幅；２５μｓ（ＦＷＨＭ）
・エッチング時間：２０分間
・下流側電極への入力電力：６００ｋＨｚ，６０Ｗ
・エッチングガス：Ｃｌ2 ガス
【００３４】
〔比較実験例１：波長３８０ｎｍ以下の光を含まない光を照射する例〕
波長調整フィルタとして波長３８０ｎｍ以下の光を遮断する色ガラスフィルタを用いたことの他は実験例１と同様にして実験を行った。結果を図２においてｂで示す。
【００３５】
以上の実験例１より、被処理物の被処理面に照射される光が波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であり、かつ、２０ｍＷ／ｃｍ2 以上の照度のものであると、照度の大きさに従って大きなエッチング深さを得られることが確認された。
一方、比較実験例１より、波長３８０ｎｍ以下の光を遮断した光を被処理物の被処理面に照射した場合は、照度が２０ｍＷ／ｃｍ2 以上であっても、エッチング深さには影響を与えないことが確認された。
【００３６】
以上より明らかに、被処理物の被処理面に照射される光が波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であり、かつ、単位面積当たりに与えられるエネルギー量が一定以上である場合に、当該エネルギー量に従って大きなエッチング深さを得られることがわかる。この理由は、特定の光が照射されることによって被処理物１５の表面に電子欠陥が形成されて高いエッチング処理速度が得られるために一定時間内に大きなエッチング深さを得ることができるからであると考えられる。
また、以上の実験例の結果より、設定条件におけるエッチング時間を長いものとした場合、および／または光源を構成するキセノンフラッシュランプの点灯周波数を大きいものとした場合に、被処理物の被処理面に照射される光が波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であり、かつ、２０ｍＷ／ｃｍ2 以上の照度のものであると、照度の大きさに従って大きなエッチング深さを得られるものと推察される。
【００３７】
〔実験例２：波長３８０ｎｍ以下の光を含む光を照射する例〕
図１に従ってエッチング装置を製作し、波長調整フィルタとして何も用いずに、以下の実験を行った。
下流側電極への入力電力をそれぞれ６００ｋＨｚで０Ｗ，２０Ｗ，４０Ｗ，６０Ｗ，８０Ｗとし、その他の条件を以下のようにしてエッチング処理した場合のエッチング深さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって計測した。下流側電極への入力電力が大きいほどＣｌ中性粒子ビームのエネルギーは高くなる。結果を図３においてａで示す。
（条件）
・光源：キセノンフラッシュランプ，電極間長；５ｍｍ，発光管内径；１０ｍｍ，キセノン封入圧；８０ｋＰａ，電流密度；１０ｋＡ／ｃｍ2 ，パルス点灯周波数；８Ｈｚ，電流パルスの時間幅；２５μｓ（ＦＷＨＭ）
・被処理物の被処理面における照度：３７ｍＷ／ｃｍ2 
・エッチング時間：２０分間
・エッチングガス：Ｃｌ2 ガス
【００３８】
〔比較実験例２：波長３８０ｎｍ以下の光を含まない光を照射する例〕
波長調整フィルタとして波長３８０ｎｍ以下の光を遮断する色ガラスフィルタを用いたことの他は実験例２と同様にして実験を行った。結果を図３においてｂで示す。
【００３９】
〔比較実験例３：光をまったく照射しない例〕
被処理物の被処理面への光照射を行わなかったことの他は実験例２と同様にして実験を行った。結果を図３においてｃで示す。
【００４０】
以上の実験例２より、被処理物の被処理面に照射される光が波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であると、下流側電極に入力される電力の大きさに従ったエッチング深さが得られることが確認された。これにより、下流側電極に入力される電力を大きくするに従ってより高いエッチング処理速度が得られることがわかる。
一方、比較実験例２，３より、光をまったく照射しなかった場合、および波長３８０ｎｍ以下の光を遮断した光を被処理物の被処理面に照射した場合は、下流側電極に入力される電力の大きさに関わらず、一定のエッチング深さしか得られないこと、すなわち下流側電極に入力される電力を大きくしてもエッチング処理速度を高くすることができないことが確認された。
【００４１】
〔実験例３：波長３８０ｎｍ以下の光のみを含む光を照射する例〕
実験例１において、波長調整フィルタとして波長３８０ｎｍ以上の光を遮断する紫外光透過・可視光吸収フィルタを用い、被処理物の被処理面における波長３８０ｎｍ以下の光の照度をそれぞれ０ｍＷ／ｃｍ2 ，６．１７ｍＷ／ｃｍ2 ，６．６５ｍＷ／ｃｍ2 ，７．０ｍＷ／ｃｍ2 ，７．７ｍＷ／ｃｍ2 ，９．１ｍＷ／ｃｍ2 ，１２．９ｍＷ／ｃｍ2 としたことの他は、同様にして実験を行った。結果を図４に示す。
【００４２】
以上の実験例３より、被処理物の被処理面に照射される光が波長３８０ｎｍ以下の光のみよりなる光であり、かつ、７ｍＷ／ｃｍ2 以上の照度のものであると、照度の大きさに従って大きなエッチング深さを得られることが確認された。これにより、被処理物の被処理面に照射される光が波長３８０ｎｍ以下の光のみよりなる光であり、かつ、単位面積当たりに与えられるエネルギー量が一定以上である場合に、当該エネルギー量に従った高いエッチング処理速度が得られることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の表面処理装置の一例を概略的に示す説明図である。
【図２】実験例１および比較実験例１の結果を示すグラフである。
【図３】実験例２および比較実験例２，３の結果を示すグラフである。
【図４】実験例３の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
１  中性粒子ビーム源
２  エッチングガス
２Ａ  ガス導入ポート
３  上流側電極
４  ＩＣＰチャンバ
５  誘導結合型コイル
６  下流側電極
６Ａ  アパーチャー
７  中性粒子ビーム
８  光源
９  集光ミラー
１０  ランプハウス
１１  フィルタ設置用部
１２  窓
１３  光
１４  減圧路
１５  被処理物
１６  プロセスチャンバ
１７  ゲートバルブ
１８  ロードロックチャンバ
１９  移送バー
２０  被処理物搬入用開口
【図１】
2008193049.tif 000003
【図２】
2008193049.tif 000004
【図３】
2008193049.tif 000005
【図４】
2008193049.tif 000006