(57)【要約】      （修正有）【課題】触媒的不斉合成反応の不斉触媒として用いた場合に、高い選択性や触媒活性を示す配位子を提供する。【解決手段】下式の光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体。（Ｓ）−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランをブロモ化し、アルキニルリチウムを作用させ、更に脱プロトン化及び酸化的カップリングを行い得られる。脱ボラン化により脱保護することで、光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体が得られる。2008222602.tif 000033【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されることを特徴とする光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体。
【化１】
2008222602.tif 000029
【請求項２】
一般式（１）においてＲ1とＲ2とが同一であり、それらがメチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、トリイソプロピルシリル基又は水素原子である請求項１記載の誘導体。
【請求項３】
一般式（１）においてＲ3がｔ−ブチル基である請求項１又は２記載の誘導体。
【請求項４】
請求項１記載の光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体の製造方法であって、
下記一般式（２）で表されるｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランをブロモ化して下記一般式（３）で表されるｔ−ブチルメチルブロモホスフィン−ボランを得；
これにアルキニルリチウムを作用させて、立体配置が反転した下記一般式（４）で表される化合物を得；
一般式（４）で表される化合物を脱プロトン化した後に酸化的カップリングを行う；工程を有する光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体の製造方法。
【化２】
2008222602.tif 000030
【化３】
2008222602.tif 000031
【化４】
2008222602.tif 000032
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタンーボラン誘導体及びその製造方法に関する。このビス（アルキニルホスフィノ）エタンーボラン誘導体から得られるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体は、不斉合成反応に用いられる金属錯体の不斉触媒の配位子として有用である。
【背景技術】
【０００２】
農薬や医薬品を始めとする光学活性な化合物の製造方法として、触媒的不斉合成が知られている。光学活性な触媒（以後、不斉触媒という）を用いて行う触媒的不斉合成反応は、ごく少量の不斉触媒を用いて大量の光学活性化合物を合成することができるため、工業的な利用価値が高い。有用な不斉触媒及びこれを構成する不斉配位子の一つとして、下記一般式（５）で表される光学活性ビスホスフィノメタン及びこのロジウム錯体が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
【化５】
2008222602.tif 000002
【０００４】
また、特許文献１に記載の化合物と骨格が一部異なるが、類似の構造を有する下記一般式（６）で表される化合物及びそれを脱ボラン化した化合物も知られている（特許文献２及び非特許文献１参照）。
【０００５】
【化６】
2008222602.tif 000003
【０００６】
上述の化合物を含め、不斉触媒としての性能を一層高めるために、これまでに膨大な数の光学活性ジホスフィン配位子が開発されてきた。しかし対象とする基質によっては選択性や触媒活性等の面で更に改良の余地がある。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１３６１９３号公報
【特許文献２】特開平１１−８０１７９号公報
【非特許文献１】J. Am. Chem. Soc., Vol.128, No.29, 2006, p.9336-9337
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、従来の光学活性ジホスフィン配位子よりも各種の性能が更に向上した化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体を提供するものである。
【００１０】
【化７】
2008222602.tif 000004
【００１１】
また本発明は、前記のビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体の製造方法であって、
下記一般式（２）で表されるｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランをブロモ化して下記一般式（３）で表されるｔ−ブチルメチルブロモホスフィン−ボランを得；
これにアルキニルリチウムを作用させて、立体配置が反転した下記一般式（４）で表される化合物を得；
一般式（４）で表される化合物を脱プロトン化した後に酸化的カップリングを行う；工程を有する光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体の製造方法を提供するものである。
【００１２】
【化８】
2008222602.tif 000005
【００１３】
【化９】
2008222602.tif 000006
【００１４】
【化１０】
2008222602.tif 000007
【発明の効果】
【００１５】
本発明の化合物から得られる光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体は、これを触媒的不斉合成反応の不斉触媒の配位子として用いた場合に、該不斉触媒が高い選択性や触媒活性を示すものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
一般式（１）で表される本発明の化合物は、常法によりこれを脱ボラン化によって脱保護することで、下記一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体となる。
【００１７】
【化１１】
2008222602.tif 000008
【００１８】
式中、Ｒ1及びＲ2で表されるアルキル基は、置換されているか、又は置換されていないものである。またＲ1及びＲ2で表されるアルキル基は、直鎖、分岐鎖又は環状のものである。Ｒ1及びＲ2で表されるアルキル基の炭素数は１〜１８、特に１〜８であることが好ましい。Ｒ1及びＲ2で表されるアルキル基の具体的な例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｓ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｓ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｓ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｓ−オクチル基、ｔ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−オクタデシル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、メチルシクロヘキシル基、及びそれらをトリメチルシリル基、ニトロ基、ヒドロキシル基、ハロゲノ基等の官能基で置換した基が挙げられる。
【００１９】
Ｒ1及びＲ2で表されるフェニル基は、置換されているか、又は置換されていないものである。フェニル基の水素を置換する基としては、上述した各種の官能基が挙げられる。
【００２０】
Ｒ1及びＲ2で表されるアルキルシリル基はＲaＲbＲcＳｉ−で表される。この式中、Ｒa、Ｒb、Ｒcは同一の又は異なるアルキル基であり、特にＲa、Ｒb、Ｒcはすべて同一のものであることが好ましい。このアルキル基は置換されているか、又は置換されていないものである。またＲa、Ｒb、Ｒcで表されるアルキル基は、直鎖、分岐鎖又は環状のものである。Ｒa、Ｒb、Ｒcで表されるアルキル基の炭素数は、１〜８、特に１〜３であることが好ましい。
【００２１】
Ｒ1とＲ2は同一でもよく、或いは異なっていてもよいが、同一であることが、合成が容易である点から好ましい。
【００２２】
Ｒ3としては嵩高な基が用いられ、具体的には分岐鎖アルキル基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基が用いられる。分岐鎖アルキル基としては、炭素数３〜２０、特に３〜８のものが挙げられる。分岐鎖アルキル基の具体例としては、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基などが挙げられる。脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜２０のものが挙げられる。その具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などが挙げられる。
【００２３】
一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体におけるアルキニル基は、上述の特許文献２に記載の化合物におけるメチル基に比較すると、全体では嵩高いものであるが、炭素のｓｐ混成軌道による結合の直線性に由来して、炭素−炭素間の三重結合の部位が細く、当該部位に関してはメチル基よりも嵩が小さいと考えられる。また、アルキニル基は電子吸引性の基であることから、一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体においては、リン原子の電子密度が低下している。この電子密度の低下に起因して、一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体は、上述の特許文献２に記載の化合物とは異なる特徴的な触媒活性を有する。しかも、一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体におけるアルキニル基は、触媒的不斉合成反応において、中心金属元素や基質分子に対してアルキンとして振る舞い、相互作用を起こすと考えられる。このような特徴的な作用は、特許文献２に記載の化合物では起こり得ない。
【００２４】
本発明においては、前記の式中、Ｒ1及びＲ2が同一で、それらがフェニル基、ｔ−ブチル基、メチル基、トリイソプロピルシリル基、水素原子であることが特に好ましい。Ｒ3に関しては、ｔ−ブチル基、アダマンチル基であることが特に好ましい。そして、これらのＲ1及びＲ2とＲ3とを適宜組み合わせてなる化合物が特に好ましい。
【００２５】
次に、一般式（１）で表される化合物の好ましい製造方法について説明する。出発物質としては、前記の一般式（２）で表される（Ｓ）−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランを用いる。この化合物は公知の方法を用いて製造することができる。そのような製造方法は、例えば特開２００３−３００９８８号公報、J. Org. Chem., Vol.65, No.13, p4185〜4188(2000)、J. Org. Chem., Vol.65, No.6, p1877〜1880(2000)に記載されている。
【００２６】
一般式（２）で表される化合物をブロモ化することで、前記の一般式（３）で表されるｔ−ブチルメチルブロモホスフィン−ボランが得られる。ブロモ化の手順は次のとおりである。先ず、一般式（２）で表される化合物をリチオ化する。リチオ化には例えばｎ−ブチルリチウム等のアルキルリチウムが用いられる。リチオ化は好ましくは−８０〜−７０℃の低温下に行われる。リチオ化の次にブロモ化を行う。ブロモ化には例えばジブロモエタン等のアルキル臭化物が用いられる。このときに用いられる溶媒としては、例えばジエチルエーテルが挙げられる。
【００２７】
このようにして得られたｔ−ブチルメチルブロモホスフィン−ボランに対してｉｎ  ｓｉｔｕでアルキニルリチウムを作用させる。これによって臭素とアルキニル基とを置換する。これによって前記の一般式（４）で表される化合物が得られる。このときに使用するアルキニルリチウムとしては以下の一般式（８）で表されるものが用いられる。一般式（８）において、Ｒは前記のＲ1又はＲ2を表す。アルキニルリチウムの添加は、一般式（２）で表される化合物から一般式（３）で表される化合物を得る場合と同様に、好ましくは−８０〜−７０℃の低温下に行われる。次いで反応系を、室温程度まで昇温させる。驚くべきことに、本工程における置換反応は、ほとんど完全な立体配置の反転を伴って生じる。具体的には光学純度（ｅｅ）が９５％以上という高いものである。光学純度がこのように高いアルケンの置換反応は、本発明者らの知る限り本発明が初めてである。
【００２８】
【化１２】
2008222602.tif 000009
【００２９】
このようにして得られた一般式（４）で表される化合物は、脱プロトン化及び酸化的カップリングを経て、目的とする化合物である一般式（１）で表される化合物となる。脱プロトン化には、例えばｓ−ブチルリチウムやｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウムが用いられる。脱プロトン化は、窒素雰囲気等の不活性雰囲気下に−８０〜−７０℃の低温下に行われることが好ましい。脱プロトン化に用いられるアルキルリチウムは、例えばヘキサン等の有機溶媒に溶解した状態で添加される。また、脱プロトン化は、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン等のアミン類の共存下に行ってもよい。
【００３０】
脱プロトン化に引き続き、ｉｎ  ｓｉｔｕで酸化的カップリングを行う。酸化的カップリングは常法に従い、例えば塩化銅（II）を用いることで行うことができる。このようにして、一般式（１）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体が得られる。カップリングにおいて、一般式（４）においてＲが互いに異なる２種の化合物を用いることで、一般式（１）においてＲ1とＲ2とが異なる化合物が得られる。一般式（４）で表される化合物を１種のみ用いてカップリングを行うと、一般式（１）においてＲ1とＲ2とが同一の化合物が得られる。なお、一般式（１）においてＲ1又はＲ2がＨである化合物を得る場合には、先ず、一般式（１）においてＲ1又はＲ2がアルキルシリル基である化合物を合成し、次いでこの化合物を脱シリル化することが好ましい。また一般式（１）においてＲ1又はＲ2がメチル基である化合物を得る場合には、先ず、一般式（１）においてＲ1又はＲ2がアルキルシリル基である化合物を合成し、次いでこの化合物を脱シリル化し、更にメチル化を行うことが好ましい。
【００３１】
一般式（１）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体を、不斉触媒の配位子として用いる場合には、該誘導体を脱ボラン化により脱保護すればよい。脱ボラン化は、例えばジエチルアミンやモルフォリンのような第二級アミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）やトリエチルアミンなどの塩基を用いて行うことができる（J. Am. Chem. Soc., 112, p.5244(1990)；J. Am. Chem. Soc., 121, p.1090(1999)）。また、第三級アミンを過剰に用いて行うこともできる（J. Am. Chem. Soc., 121, p.1090(1999)）。更に、テトラフルオロホウ酸やトリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸などの強酸を用いる方法（Tetrahedron Lett., 35, 9319(1994);J. Organomet. Chem., 621, 120(2001);J. Am. Chem. Soc., 120, p.1635(1998）も知られている。これらの方法に加え、特開２００５−９７１３１号公報に記載されている、モレキュラーシーブの存在下、アルコール溶媒中でホスフィンボランからホスフィンを遊離させる方法を用いることもできる。
【００３２】
脱ボラン化によって、前記の一般式（７）で表されるビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体が得られる。この化合物を、ロジウムや銅等の金属に配位させることで不斉触媒が得られる。一般式（７）で表される化合物から不斉触媒を得るには、例えば実験化学講座  第４版（日本化学会編、丸善株式会社発行）第１８巻、第３２７〜３５３頁に記載されている方法を採用することができる。例えばロジウム錯体を得るには、一般式（７）で表される化合物を［ＲｈＸ（ｄｉｅｎｅ）2］と反応させればよい。ここで、Ｘはハロゲン、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＣｌＯ4-などを表し、ｄｉｅｎｅは１，５−シクロオクタジエンやビシクロ［２，２，１］ヘプタ−２，５−ジエンなどの二座配位化合物である。このロジウム錯体における一般式（７）で表される化合物とロジウムのモル比は好ましくは１〜２：１である。
【００３３】
このようにして得られた不斉触媒は、例えば不飽和カルボン酸の不斉水素化による光学活性な飽和カルボン酸又はそのエステルの製造や、プロキラルなケトンの不斉ヒドロシリル化による光学活性な第二級アルコールの製造を始めとして、種々の不斉合成に好適に用いることができる。
【実施例】
【００３４】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。特に断らない限り「部」は「重量部」を意味する。
【００３５】
すべての使用溶媒は標準的な手順により乾燥し精製した。ＮＭＲスペクトルはＪＥＯＬ  ＪＭＮ−ＧＸＳ−５００（５００ＭＨｚ）又はＪＥＯＲ  ＪＭＮ−ＬＡ−４００（４００ＭＨｚ）測定器を用い、重クロロホルム溶媒で測定した。化学シフトはδｐｐｍで記述した。旋光度はＪＡＳＣＯ  ＤＩＰ−３７０旋光計で測定した。光学純度（ｅｅ）はＣｈｉｒａｌｃｅｌ  ＡＤ、ＯＪ−Ｈ、ＯＤ−Ｈ、ＯＢ、ＩＡカラムを使用したＨＰＬＣで測定した。移動相としては２−プロパノール／ヘキサン系の混合溶媒を使用した。Ｘ線結晶構造データはＢｒｕｋｅｒ  ＳＭＡＲＴ  ＡＰＥＸ  II  Ｘ線回折機を使いＭｏ−Ｋα線にて測定した。カラムクロマトグラフィーの際にはシリカゲル（Ｋａｎｔｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ、Ｓｉｌｉｃａ  Ｇｅｌ  ６０Ｎ  ｆｏｒ  ｆｌａｓｈ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を使用した。
【００３６】
〔実施例１〕
〔１−１〕（Ｓ）−ｔ−ブチルメチル（フェニルエチニル）ホスフィン−ボラン（４ａ）の合成
【化１３】
2008222602.tif 000010
【００３７】
（Ｓ）−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボラン（＞９９％ｅｅ、１．８ｇ、１５．４ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル６０ｍＬに溶かし、−７８℃で窒素雰囲気下、ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．６０Ｍ、１１．６ｍＬ、１８．５ｍｍｏｌ）を加え、反応混合物を１５分撹拌熟成した。続いて１，２−ジブロモエタン（２．０ｍＬ、２３．１ｍｍｏｌ）を滴下して加え、反応混合物を同温度で撹拌熟成した。その結果、（Ｒ）−ブロモ−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランを得た。この化合物は単離せず、反応液のまま次の工程へ進んだ。
【００３８】
２時間後、−７８℃にて反応液にリチウムフェニルアセチリド（３０．８ｍｍｏｌ）−ジエチルエーテル３０ｍＬ溶液を加え、室温まで加温し、１時間３０分撹拌熟成した。反応後、１Ｍ塩酸でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和重曹水、次いで飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）にて精製し、表題化合物４ａを白色固体として得た（９７％ｅｅ、収量２．８ｇ、１２．８ｍｍｏｌ、収率８３％）。
【００３９】
1H NMR(500 MHz, CDCl3) δ 0.42-0.98 (m, 4H), 1.29 (d, J = 15.6 Hz, 9H), 1.51 (d, J = 10.0 Hz, 3H), 7.33-7.37 (m, 2H), 7.41 (tt, J = 15.3, 1.7 Hz, 1H), 7.50-7.52 (m, 2H).
13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 8.37 (d, J = 40 Hz), 24.96 (d, J = 4 Hz), 29.03 (d, J = 37 Hz), 79.42 (d, J = 90 Hz), 106.00 (d, J = 12 Hz), 120.77, 128.42, 130.01, 132.20.
31P NMR(162 MHz, CDCl3) δ 17.95 (q, J = 62Hz).
[α]22D 0.97 (c 1.00, CHCl3).
HPLC: Daicel Chiralcel OD-H, Hexane/i-PrOH=199/1, Flow rate=0.5 ml/min, UV=254 nm, tR=11.9  min (R), tR=13.1 min (S). 
【００４０】
〔１−２〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）フェニルエチニルホスフィノ）エタン（１ａ）の合成
【化１４】
2008222602.tif 000011
【００４１】
４ａ（９４％ｅｅ、０．９５ｇ、４．４ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）（０．８ｍＬ、５．２ｍｍｏｌ）を乾燥ジエチルエーテル１３ｍＬに溶かし、−７８℃で窒素雰囲気下、ｓ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．０Ｍ、５．２ｍＬ、５．２ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を同温度で１時間、次いで−５０℃で１０分撹拌熟成した。塩化銅（II）（１．５ｇ、１１．０ｍｍｏｌ）を強烈な撹拌のもとに加え、反応混合物を室温までゆっくり加温した。２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて精製し、表題化合物１ａを白色固体として得た（＞９９％ｅｅ、収量０．６９ｇ、１．６ｍｍｏｌ、収率７３％）。
【００４２】
1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 0.57-0.80 (m, 6H), 1.33 (d, J = 15.6 Hz, 18H), 2.13-2.28 (m, 4H), 7.29-7.32 (m, 4H), 7.41 (tt, J = 15.0 Hz, 2.5 Hz, 2H), 7.46-7.47 (m, 4H). 13C NMR (100 MHz, CDCl3) δ 17.01 (d, J = 34 Hz), 25.30 (t, J = 3 Hz), 30.11 (d, J = 36 Hz), 77.88 (d, J = 88 Hz), 107.38 (t, J = 12 Hz), 120.39 (t, J = 3 Hz), 128.48, 130.22, 132.24.
31P NMR (162 MHz, CDCl3) δ 29.62 (d, J = 15 Hz).
[α]22D 111.1 (c 1.00, CHCl3).
【００４３】
〔１−３〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）フェニルエチニルホスフィノ）エタン（７ａ）の合成
【化１５】
2008222602.tif 000012
【００４４】
１ａ（３６ｍｇ、０．０８４ｍｍｏｌ）及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（５６ｍｇ、０．５１ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．５ｍＬ）に溶かした溶液を窒素雰囲気下６０℃で１時間撹拌した。反応混合物を減圧濃縮し、窒素下においてフラッシュカラムクロマトグラフィー（ジエチルエーテル）にて精製して表題化合物７ａを得た（＞９９％ｅｅ、収量３２ｍｇ、０．０７９ｍｍｏｌ、収率９４％）。
【００４５】
〔実施例２〕
〔２−１〕（Ｓ）−ｔ−ブチル（ｔ−ブチルエチニル）メチルホスフィン−ボラン（４ｂ）の合成
【化１６】
2008222602.tif 000013
【００４６】
実施例１で用いたリチウムフェニルアセチリドに代えて  リチウムｔ−ブチルアセチリドを使用した他は実施例１と同様に行い、表題化合物４ｂを得た（９７％ｅｅ、収量０．５７ｇ、２．９ｍｍｏｌ、収率８２％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.23-0.89 (m, 3H), 1.21 (d, J = 15.1 Hz, 9H), 1.27 (s, 9H), 1.38 (d, J = 10.0 Hz, 3H).
13C NMR (100 MHz, CDCl3) δ 0, 8.54 (d, J = 40 Hz), 24.77 (d, J = 3 Hz), 28.62 (d, J = 35 Hz), 30.20 (d, J = 2 Hz), 68.70 (d, J = 95), 116.79 (d, J = 10 Hz).
31P NMR (162 MHz, CDCl3) δ 15.71 (q, J = 65 Hz).
HPLC: Daicel Chiralpak IA, Hexane/i-PrOH=1000/1, Flow rate=0.5 ml/min, UV=230 nm, tR=13.7 min (R), tR=15.3 min (S).
【００４７】
〔２−２〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）（ｔ−ブチルエチニル）ホスフィノ）エタン（１ｂ）の合成
【化１７】
2008222602.tif 000014
【００４８】
得られた４ｂを実施例１と同様に反応させ、表題化合物１ｂを得た（＞９９％ｅｅ、収量６１ｍｇ、０．１５  ｍｍｏｌ、収率７３％）。
1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 0.22-0.87 (m, 6H), 1.21-1.25 (d, J = 15.1 Hz, 18H), 1.27 (s, 18H), 1.98 (m, 4H).
【００４９】
〔２−３〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｔ−ブチル（ｔ−ブチルエチニル）ホスフィノ）エタン（７ｂ）の合成
【化１８】
2008222602.tif 000015
【００５０】
得られた１ｂを実施例１と同様に反応させ、表題化合物７ｂを得た（＞９９％ｅｅ、収量２８ｍｇ、０．０７５  ｍｍｏｌ、収率９４％）。
【００５１】
〔実施例３〕
〔３−１〕（Ｓ）−ｔ−ブチルメチル（トリイソプロピルシリルエチニル）ホスフィン−ボラン（４ｃ）の合成
【化１９】
2008222602.tif 000016
【００５２】
実施例１で用いたリチウムフェニルアセチリドに代えて、リチウムトリイソプロピルシリルアセチリドを使用した他は実施例１と同様に行い、表題化合物４ｃを得た（９８％ｅｅ、収量１．４ｇ、４．８ｍｍｏｌ、収率８６％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.27-0.73 (m, 3H), 1.09-1.10 (m, 21H), 1.24 (d, J = 15.4 Hz, 9H), 1.43 (d, J = 10.2 Hz, 3H).
13C NMR (100 MHz, CDCl3) δ 8.45 (d, J = 40 Hz), 10.90, 18.43, 24.82 (d, J = 3 Hz), 28.62 (d, J = 38 Hz), 98.26 (d, J = 77 Hz), 113.26 (d, J = 3 Hz).
31P NMR (162 MHz, CDCl3) δ 17.48 (q, J = 63 Hz).
HPLC: Daicel Chiralpak IA, Hexane/i-PrOH=1000/1, Flow rate=0.5 ml/min, UV=230 nm, tR=11.0 min (R), tR=13.6 min (S).
【００５３】
〔３−２〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）トリイソプロピルシリルエチニルホスフィノ）エタン（１ｃ）の合成
【化２０】
2008222602.tif 000017
【００５４】
得られた４ｃを実施例１と同様に反応させ、表題化合物１ｃを得た（＞９９％ｅｅ、収量１．１ｇ、１．９  ｍｍｏｌ、収率７８％）。
1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 0.50-0.70 (m, 6H), 1.06-1.14 (m, 42H), 1.27 (d, J = 15.3 Hz, 18H), 1.99-2.11(m, 4H).
【００５５】
〔３−３〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）トリイソプロピルシリルエチニルホスフィノ）エタン（７ｃ）の合成
【化２１】
2008222602.tif 000018
【００５６】
得られた１ｃを実施例１と同様に反応させた結果、表題化合物７ｃを得た（＞９９％ｅｅ、収量４４ｍｇ、０．０７９ｍｍｏｌ、収率９６％）。
【００５７】
〔実施例４〕
〔４−１〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）エチニルホスフィノ）エタン（１ｄ）の合成
【化２２】
2008222602.tif 000019
【００５８】
テトラブチルアンモニウムフルオリド−ＴＨＦ溶液（１．０Ｍ、０．４ｍＬ、０．４ｍｍｏｌ）を１ｃ（６０ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）に加え、反応混合物を室温で６時間撹拌熟成した。反応後、水でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）にて精製し、表題化合物１ｄを白色固体として得た（＞９９％ｅｅ、収量１５ｍｇ、０．０５２ｍｍｏｌ、収率５２％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.24-0.90 (m, 6H), 1.29 (d, J = 15.7 Hz, 18H), 2.00-2.12 (m, 4H), 3.06 (d, J = 7.4 Hz, 2H).
【００５９】
〔４−２〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）エチニルホスフィノ）エタン（７ｄ）の合成
【化２３】
2008222602.tif 000020
【００６０】
得られた１ｄを実施例１と同様に反応させ、表題化合物７ｄを得た（＞９９％ｅｅ、収量１９ｍｇ、０．０７６ｍｍｏｌ、収率９４％）。
【００６１】
〔実施例５〕
〔５−１〕（Ｓ）−ｔ−ブチルメチル（トリメチルシリルエチニル）ホスフィン−ボラン（Ｘ−１）の合成
【化２４】
2008222602.tif 000021
【００６２】
実施例１で用いたリチウムフェニルアセチリドに代えて、リチウムトリメチルシリルアセチリドを使用した他は実施例１と同様に行い、表題化合物Ｘ−１を得た（９９％ｅｅ、収量０．９２ｇ、４．３ｍｍｏｌ、収率８１％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.22 (s, 3H), 1.23 (d, J = 15.4 Hz, 9H), 1.42 (d, J = 10.2 Hz, 3H).
13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 0, 8.92 (d, J = 40 Hz), 25.45 (d, J = 4 Hz), 29.28 (d, J = 38 Hz), 96.79 (d, J = 77 Hz), 116.66 (d, J = 3 Hz).
31P NMR (162 MHz, CDCl3) δ 17.12 (q, J = 60 Hz).
[α]22D -1.59 (c 1.00, CHCl3).
HPLC: Daicel Chiralcel OJ-H, Hexane/i-PrOH=99/1, Flow rate=0.5 ml/min, UV=230 nm, tR=8.8 min (R), tR=9.7 min (S).
【００６３】
〔５−２〕（Ｓ）−ｔ−ブチル（エチニル）メチルホスフィン−ボラン（Ｘ−２）の合成
【化２５】
2008222602.tif 000022
【００６４】
実施例４で用いた１ｃに代えて、Ｘ−１を使用した他は実施例４と同様に行い、表題化合物Ｘ−２を得た（９９％ｅｅ、収量１．２ｇ、８．６ｍｍｏｌ、収率９４％）。
【００６５】
〔５−３〕（Ｓ）−ｔ−ブチル（１−プロピニル）メチルホスフィン−ボラン（Ｘ−３）の合成
【化２６】
2008222602.tif 000023
【００６６】
得られたＸ−２（９９％ｅｅ、７１ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）を乾燥ＴＨＦ１．０ｍＬに溶かした。次いでｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．６Ｍ、０．３８ｍＬ、０．６ｍｍｏｌ）を−７８℃、窒素雰囲気下にて添加し、同温度で５分撹拌した。更によう化メチル（０．１６  ｍｌ、２．５ｍｍｏｌ）を滴下して加え、反応混合物を室温で３時間撹拌した。反応後、水でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて精製し、表題化合物Ｘ−３を白色固体として得た（９９％ｅｅ、収量７６ｍｇ、０．４９ｍｍｏｌ、収率９７％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.25-0.89 (m, 3H), 1.22 (d, J = 15.4 Hz, 9H), 1.40 (d, J = 9.9 Hz, 3H), 2.02 (d, J = 3.7 Hz, 3H).
【００６７】
〔５−４〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ボラナト（ｔ−ブチル）（１−プロピニル）ホスフィノ）エタン（１ｅ）の合成
【化２７】
2008222602.tif 000024
【００６８】
得られた化合物Ｘ−３（６５ｍｇ、０．４２  ｍｍｏｌ）を乾燥ジエチルエーテル１．３ｍＬに溶かした溶液に、ｓ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．０Ｍ、０．４６ｍＬ、０．４６  ｍｍｏｌ）を−７８℃、窒素雰囲気下で加え、同温度で１時間撹拌熟成した。塩化銅（II）（１４０ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）を強烈な撹拌のもとに加え、反応混合物を室温までゆっくり加温した。２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチした。反応混合物を酢酸エチルで３回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて精製し、表題化合物１ｅを白色固体として得た（＞９９％ｅｅ、収量２０．０ｍｇ、０．０６３ｍｍｏｌ、収率３０％）。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 0.25-0.88 (m, 3H), 1.23 (d, J = 15.4 Hz, 18H), 1.42 (d, J = 9.8 Hz, 6H), 2.63 (s, 6H).
【００６９】
〔５−５〕（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｔ−ブチル（１−プロピニル）ホスフィノ）エタン（７ｅ）の合成
【化２８】
2008222602.tif 000025
【００７０】
得られた１ｅを実施例１と同様に反応させ、表題化合物７ｅを得た（＞９９％ｅｅ、収量２４ｍｇ、０．０８３  ｍｍｏｌ、収率９８％）。
【００７１】
〔実施例６〕ロジウム触媒を使用した有機ボロン酸のエノンへの１，４−不斉付加
［Ｒｈ（ｎｂｄ）2］ＢＦ4（１．９ｍｇ、５．０μｍｏｌ）及び（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）フェニルエチニルホスフィノ）エタン７ａ（７．５μｍｏｌ）をジオキサン（１ｍＬ）に溶かした溶液を、窒素雰囲気下、４０℃で１５分撹拌した。反応混合物に１．５ＭのＫＯＨ水溶液（０．１ｍＬ、０．１５ｍｍｏｌ）を添加し、反応液を１５分撹拌した。アリルボロン酸（１．０ｍｍｏｌ）及びα，β−不飽和カルボニル化合物（０．５０ｍｍｏｌ）を反応液に添加し、４０℃で２時間撹拌熟成した。反応混合物を飽和重曹水溶液でクエンチした。反応混合物をジエチルエーテルで５回抽出し、有機層合わせ、飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、ろ液を減圧濃縮し、濃縮残留物をシリカゲル分取ＴＬＣ（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）にて精製した。また、配位子として７ａに代えて、７ｂ、７ｃ及び７ｅを用いて同様の反応を行った。これらの結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
2008222602.tif 000026
【００７３】
〔実施例７〕ロジウム触媒を使用した不斉水素付加
５０ｍＬの水素化用容器［オートクレーブ］に０．５ｍｍｏｌの基質を装填した。容器はステンレス管を経由して水素ボンベにつないだ。容器内は真空とした後に、１ａｔｍの水素ガスで満たした（日本酸素、９９．９９９９％）。［Ｒｈ（ｎｂｄ）2］ＢＦ4（１．９ｍｇ、５．０μｍｏｌ）及び（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）フェニルエチニルホスフィノ）エタン７ａ（７．５μｍｏｌ）を脱気したＭｅＯＨ（１ｍＬ）に溶かした溶液を、シリンジを経由して容器に添加し、次いで水素圧を３ａｔｍまで上昇させた。反応混合物を濃縮し、残留物をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーにて溶離液として酢酸エチルを用いて精製した。また、配位子として７ａに代えて、７ｂ、７ｃ、７ｄ及び７ｅを用いて同様の反応を行った。これらの結果を表２に示す。
【００７４】
【表２】
2008222602.tif 000027
【００７５】
〔実施例８〕 オキサベンゾノルボルナジエン誘導体のアルキル化を伴う開環
ＰｄＣｌ2（ｃｏｄ）（１．１ｍｇ、４．０μｍｏｌ）及び（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（（ｔ−ブチル）エチニルホスフィノ）エタン７ｄ（６μｍｏｌ）をＣＨ2Ｃｌ2（１ｍＬ）に溶かした溶液を、窒素雰囲気下、４０℃で１５分撹拌した。この溶液に、オキサベンゾノルボルナジエン（５８ｍｇ、０．４  ｍｍｏｌ）をＣＨ2Ｃｌ2（３ｍＬ）に溶かした溶液を添加した。続いてジメチル亜鉛１．０Ｍヘキサン溶液（０．６ｍｌ、０．６ｍｍｏｌ）を添加した。反応が完結するまで室温で溶液を撹拌熟成した。反応後、数滴の水の添加によりクエンチし、反応混合物をセライトの短いカラムに通した後に濃縮した。残留物を分取ＴＬＣ（ヘキサン／酢酸エチル）にて精製した。また、配位子として７ｄに代えて、７ａ、７ｂ、７ｃ及び７ｅを用いて同様の反応を行った。これらの結果を表３に示す。
【００７６】
【表３】
2008222602.tif 000028