(57)【要約】【課題】データの破損が少なく、構成を簡単化することができる光通信装置を提供する。【解決手段】光通信装置１は、送信部２と、受信部３と、伝達部４とを備えている。送信部２は、ガラス基板１４上にモノリシックに形成された７個の有機ＥＬ素子１３を有する発光部１１と、発光部１１を制御するための送信用ＬＳＩ１２とを備えている。受信部３は、半導体基板３４上にモノリシックに形成された７個のフォトダイオード３５を有する受光部３１と、受光部３１を制御するための受信用ＬＳＩ３２とを備えている。伝達部４は、２７本の光ファイバー４１が束ねられている。各光ファイバー４１の一端部は、１個の有機ＥＬ素子１３と光学的に接続され、他端部は、１個のフォトダイオード３５と光学的に接続される。これにより、各光ファイバー４１は、各有機ＥＬ素子１３と各フォトダイオード３５とを一対一で光学的に接続する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子が第１基板にモノリシックに形成された発光部を有する送信手段と、
複数の受光素子が第２基板にモノリシックに形成された受光部を有する受信手段と、
前記発光素子と前記受光素子とを接続する複数の光ファイバーを有する伝達手段とを備えたことを特徴とする光通信装置。
【請求項２】
前記光ファイバーの本数は、前記発光素子の個数又は前記受光素子の個数と同数以上であることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項３】
前記光ファイバーの端面は、軸方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の光通信装置。
【請求項４】
前記光ファイバーの端面には、反射膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の光通信装置。
【請求項５】
前記複数の光ファイバー間には、前記光ファイバーの外周部と同じ材料からなる固定部材が埋められていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光通信装置。
【請求項６】
前記送信手段は、前記発光部を制御するための送信用駆動手段を備え、
前記発光部は、前記送信用駆動手段にモノリシックに形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光通信装置。
【請求項７】
前記受信手段は、前記受光部を制御するための受信用駆動手段を備え、
前記受光部は、前記受信用駆動手段にモノリシックに形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話などの装置に設けられる光通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、送信部から受信部へ送られるデータをシリアル・パラレル変換（特許文献１参照）することによって送受信可能に構成された通信装置が知られている。例えば、このような通信装置が折りたたみ式の携帯電話に搭載される場合、携帯電話の操作部に送信部が設置され、液晶パネルが設けられる表示部に受信部が設置され、操作部と表示部とが接続されるヒンジ部を介して送信部と受信部とを通信可能に接続するための同軸ケーブルが設置される。
【０００３】
このような通信装置では、送信部から同軸ケーブルを介して受信部へとシリアルデータが送信されると、受信部では当該シリアルデータをパラレルデータへと変換して、各デバイスへと出力される。
【特許文献１】特開平５−２９２１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような通信装置では、送信部から同軸ケーブルを介して受信部へと送信したシリアルデータをパラレルデータに変換しなければならないので、当該変換時にデータの一部が破損するといった課題がある。また、シリアル・パラレル変換するための変換装置が必要なので、構成が複雑化するといった課題がある。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、データの破損が少なく、構成を簡略化することができる光通信装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、複数の発光素子が第１基板にモノリシックに形成された発光部を有する送信手段と、複数の受光素子が第２基板にモノリシックに形成された受光部を有する受信手段と、前記発光素子と前記受光素子とを接続する複数の光ファイバーを有する伝達手段とを備えたことを特徴とする光通信装置である。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、前記光ファイバーの本数は、前記発光素子の個数又は前記受光素子の個数と同数以上であることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置である。
【０００８】
また、請求項３に記載の発明は、前記光ファイバーの端面は、軸方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の光通信装置である。
【０００９】
また、請求項４に記載の発明は、前記光ファイバーの端面には、反射膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の光通信装置である。
【００１０】
また、請求項５に記載の発明は、前記複数の光ファイバー間には、前記光ファイバーの外周部と同じ材料からなる固定部材が埋められていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光通信装置である。
【００１１】
また、請求項６に記載の発明は、前記送信手段は、前記発光部を制御するための送信用駆動手段を備え、前記発光部は、前記送信用駆動手段にモノリシックに形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光通信装置である。
【００１２】
また、請求項７に記載の発明は、前記受信手段は、前記受光部を制御するための受信用駆動手段を備え、前記受光部は、前記受信用駆動手段にモノリシックに形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光通信装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の光通信装置によれば、複数の光ファイバーを設けることによって、各発光素子と各受光素子とを一対一に接続することができるので、シリアル・パラレル変換をすることなく、パラレルデータのままデータを伝達することができる。これにより、シリアル・パラレル変換するための変換装置を省略することができるので、構成を簡略化することができるとともに、シリアル・パラレル変換時のデータの破損を抑制できるので、データ伝達の精度を向上させることができる。
【００１４】
また、発光素子を第１基板上にモノリシックに形成するとともに、受光素子を第２基板上にモノリシックに形成することによって、送信部及び受信部を小型化することができる。
【００１５】
また、発光素子又は受光素子の個数と光ファイバーの本数を同数にすることにより、全ての発光素子と受光素子とを接続することができる。更に、発光素子又は受光素子の個数よりも光ファイバーの本数を多くすることによって、発光素子又は受光素子と光ファイバーとの間に位置ずれが生じても、所望の光ファイバーと隣接する光ファイバーにより発光素子及び受光素子を接続することができるので、発光素子と受光素子とが接続される確率を向上させることができる。
【００１６】
また、光ファイバーの端面を軸方向に対して傾斜させることによって、光ファイバーの側面から入射する光を軸方向へと反射させることができるので、送信部及び受信部を光ファイバーの側面側に設置することができる。これによって、光ファイバーを曲げることなく携帯電話などの装置に設置できるので、光通信装置の大型化を抑制し、光ファイバーからの光の漏れを抑制することができる。
【００１７】
また、光ファイバーの端面に反射膜を形成することによって、端面での光の反射率を向上させて光の漏れを抑制することができる。
【００１８】
また、光ファイバー間を固定部材により埋めることによって、光ファイバーの位置ずれを抑制できるとともに、発光素子から発光された光が光ファイバーと外部との界面での反射されることを抑制できる。
【００１９】
また、発光部を送信用駆動手段上にモノリシックに形成することによって、部品点数を減少することができるとともに、小型化を実現できる。
【００２０】
また、受光部を受信用駆動手段上にモノリシックに形成することによって、部品点数を減少することができるとともに、小型化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明を携帯電話に搭載される光通信装置に適用した実施形態について説明する。
【００２２】
図１は、本発明の実施形態による光通信装置を備えた携帯電話の斜視図である。図２は、光通信装置の概略の側面図である。図３は、光通信装置の分解斜視図である。図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。図５は、図３におけるＶ−Ｖ線に沿った断面図である。図６は、図３におけるＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【００２３】
図１〜図３に示すように、光通信装置１は、折りたたみ可能な携帯電話１００の操作部１０１に設けられた送信部２と、表示部１０２に設けられた受信部３と、ヒンジ部１０３を介して操作部１０１から表示部１０２にわたって設けられた伝達部４とを備えている。
【００２４】
送信部２は、図３に示すように、発光部１１と、発光部１１を制御するための送信用ＬＳＩ（請求項の送信用駆動手段に相当）１２とを備えている。
【００２５】
発光部１１は、送信用ＬＳＩ１２の上面にモノリシックに形成されている。図３及び図４に示すように、発光部１１は、ガラス基板（請求項の第１基板に相当）１４と、７個の有機ＥＬ素子（請求項の発光素子に相当）１３とを備えている。
【００２６】
ガラス基板１４は、ＳｉＯ２からなり、７個の凹部１４ａが１０μｍ以上の間隔を開けて一列に形成されている。
【００２７】
有機ＥＬ素子１３は、送信用ＬＳＩ１２から送信されてきた電気信号を光信号に変換して出力するためのものである。有機ＥＬ素子１３は、ガラス基板１４上にモノリシックに且つ約１０μｍの間隔を開けて一列に形成されている。図４に示すように、有機ＥＬ素子１３は、下部電極１５と、有機層１６と、透明導電膜１７と、パッシベーション膜１８と、カラーフィルター１９と、平坦化膜２０と、パッシベーション膜２１とを備えている。
【００２８】
下部電極１５は、有機層１６の底面の一部と送信用ＬＳＩ１２とを電気的に接続するためのものであり、送信用ＬＳＩ１２からの電気信号を有機層１６に供給する。下部電極１５は、アルミニウムなどの金属材料からなり、送信用ＬＳＩ１２の上面であって、各凹部１４ａ及びその外縁部のガラス基板１４の上面に形成されている。
【００２９】
有機層１６は、下部電極１５及び透明導電膜１７から注入された電子及び正孔を再結合させて光を発光するためのものである。有機層１６は、ガラス基板１４及び下部電極１５を覆うように全面にわたって形成されている。有機層１６は、特に限定されるものではないが、アルミニウム錯体からなる電子輸送層、アルミニウム錯体にクマリンがドープされた発光層及びナフテル・フェニル・ベンチジン（ＮＰＢ）からなる正孔輸送層が積層されたものなどを適用することができる。
【００３０】
透明導電膜１７は、有機層１６の上面と送信用ＬＳＩ１２とを電気的に接続するためのものであり、送信用ＬＳＩ１２からの電気信号を有機ＥＬ素子１３に供給する。透明導電膜１７は、ＩＴＯなどの光を透過可能な導電性の材料からなり、有機層１６の上面全体にわたって形成されている。
【００３１】
パッシベーション膜１８は、透明導電膜１７の上面全体にわたって形成され、透明導電膜１７や有機層１６などを物理的な破損や水分などから保護するためのものであり、絶縁性のＳｉＯ２からなる。
【００３２】
カラーフィルター１９は、有機層１６で発光された光を、受光部３１で受光可能な波長の光に変換するためのものである。カラーフィルター１９は、樹脂に蛍光体を注入した材料からなり、下部電極１５と対向する位置に、平面視にて、約１０μｍ×約１０μｍの正方形状に形成されている。
【００３３】
平坦化膜２０は、下部電極１５により形成された凸部を平坦化するためのものであり、ポリイミド系樹脂等のポリマー材料からなる。
【００３４】
パッシベーション膜２１は、平坦化膜２０の上面全体にわたって形成され、カラーフィルター１９や平坦化膜２０などを物理的な破損や水分などから保護するためのものであり、絶縁性のＳｉＯ２からなる。
【００３５】
受信部３は、図３に示すように、受光部３１と、受光部３１を制御するための受信用ＬＳＩ（請求項の受信用駆動手段に相当）３２とを備えている。
【００３６】
受光部３１は、受信用ＬＳＩ３２の上面に半田などの導電性材料によって設置、即ちハイブリッドに設けられている。図３及び図５に示すように、受光部３１は、半導体基板（請求項の第２基板に相当）３４と、７個のフォトダイオード（請求項の受光素子に相当）３５と、ワイヤ３３と、平坦化膜４０とを備えている。
【００３７】
半導体基板３４は、ｐ型シリコンからなり、下面が受信用ＬＳＩ３２と電気的に接続されている。
【００３８】
フォトダイオード３５は、発光部１１から送信される光信号を電気信号に変換して受信用ＬＳＩ３２に出力するためのものである。フォトダイオード３５は、半導体基板３４の上面にモノリシックに且つ約１０μｍの間隔を開けて一列に形成されている。フォトダイオード３５は、平面視にて、約１０μｍ×約１０μｍの正方形状に形成されている。フォトダイオード３５は、ボロン（Ｂ）などがドープされたｐ型シリコンからなるｐ型半導体層３６、ｉ型シリコンからなるｉ型半導体層３７及びリン（Ｐ）などがドープされたｎ型シリコンからなるｎ型半導体層３８とが順に積層されたｐｉｎ型のフォトダイオードである。ｎ型半導体層３８の上面の一部には、ワイヤ３３によって受信用ＬＳＩ３２と接続される金属製のｎ側電極３９が形成されている。
【００３９】
平坦化膜４０は、受信部３の上面を平坦化するためのものであり、ポリイミド系樹脂等のポリマー材料からなる。
【００４０】
伝達部４は、図６に示すように、２７本の光ファイバー４１が束ねられた構造を有する。
【００４１】
光ファイバー４１は、コア及びコアを囲むクラッド（図示略）を有し、共に可撓性を有する材料からなり、ヒンジ部１０３の変形に対応させて変形可能に構成されている。
【００４２】
図６に示すように、２７本の光ファイバー４１は、９行３列のマトリックス状に束ねられている。尚、以下の説明では、図６に示すように、Ｙ方向を行方向とし、Ｚ方向を列方向とし、図６における左下を１行１列目の光ファイバー４１１，１とする。
【００４３】
各光ファイバー４１の一端部の側面は、いずれか１個の有機ＥＬ素子１３と光学的に接続され、各光ファイバー４１の他端部の側面は、いずれか１個のフォトダイオード３５と光学的に接続される。これにより、各光ファイバー４１は、各有機ＥＬ素子１３と各フォトダイオード３５とを一対一で光学的に接続する。
【００４４】
光ファイバー４１は、７行１列に配置された有機ＥＬ素子１３及びフォトダイオード３５よりも行数及び列数が２つずつ多くなるように束ねられている。図２及び図３に示すように、伝達部４と送信部２及び受信部３とが位置ずれせずに設置された状態では、図６に示す、２行２列目の光ファイバー４１２，２〜２行８列目の光ファイバー４１８，２が、各有機ＥＬ素子１３及び各フォトダイオード３５と光学的に接続される。ここで、伝達部４と送信部２及び受信部３とが位置ずれが生じた状態で接続された場合、１行分又は１列分の位置ずれならば全ての有機ＥＬ素子１３及びフォトダイオード３５が、所望の光ファイバー４１（光ファイバー４１２，２〜光ファイバー４１８，２）と隣接する光ファイバー４１によって光学的に接続される。
【００４５】
図２に示すように、光ファイバー４１は、その軸方向（Ｘ方向）が有機ＥＬ素子１３の光Ｌの照射方向（＋Ｚ方向）及びフォトダイオード３５への光Ｌの入射方向（−Ｚ方向）に対して垂直になるように設置される。ここで、図２及び図３に示すように、各光ファイバー４１の端面４２は、光Ｌの伝達方向を約９０°曲げるために、光ファイバー４１の軸方向に対して約４５°傾斜するように構成されるとともに、ＡｕやＡｌなどの金属製の反射膜４３が形成されている。これにより、＋Ｚ方向へ伝達しつつ光ファイバー４１の側面から入射した光Ｌは、端面４２の反射膜４３によって軸方向（＋Ｘ方向）へと反射されるとともに、軸方向に伝達する光Ｌは端面４２の反射膜４３によって−Ｚ方向へと反射されて側面から出射する。
【００４６】
各光ファイバー４１間には、光ファイバー４１の位置ずれを防ぐとともに、光ファイバー４１の外周部での光の反射を防ぐために、光ファイバー４１のクラッドを構成する材料と同じ材料からなる固定部材４４が埋め込まれている。
【００４７】
次に、上述した光通信装置の動作説明をする。
【００４８】
まず、送信用ＬＳＩ１２からの電気信号に基づいて、下部電極１５及び透明導電膜１７からいずれかの有機ＥＬ素子１３に電子及び正孔が注入されると、それらの電子及び正孔が有機層１６で再結合して光Ｌが発光し、その光Ｌはカラーフィルター１９により特定の波長の光Ｌに変換される。そして、図２に示すように、光Ｌは、上方（＋Ｚ方向）に伝達して、当該有機ＥＬ素子１３と光学的に接続された所定の光ファイバー４１の側面から内部へと入射する。その後、光Ｌは、光ファイバー４１の送信部２側の端面４２の反射膜４３によって反射されることにより伝達方向が約９０°曲げられ、光ファイバー４１内を＋Ｘ方向へと伝達する。
【００４９】
次に、光ファイバー４１内を＋Ｘ方向へと伝達する光Ｌは、その光ファイバー４１の受信部３側の端面４２の反射膜４３によって反射されることにより約９０°曲げられて、−Ｚ方向へと伝達方向が変更される。−Ｚ方向へと伝達する光Ｌは、当該光ファイバー４１と光学的に接続された所定のフォトダイオード３５に入射して受光される。そして、受光された光Ｌによって、フォトダイオード３５では電子及び正孔が励起されて、光Ｌが電気信号に変換されて、受信用ＬＳＩ３２に出力される。
【００５０】
次に、上述した光通信装置の製造方法について図面を説明する。図７〜図９は、送信部の製造工程における概略工程図である。
【００５１】
最初に、送信部２の製造工程について説明する。
【００５２】
まず、図７に示すように、シリカ（ＳｉＯ２）をアルコールなどの溶媒に溶かしたＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）用溶液５１を複数の送信用ＬＳＩ１２が形成された基板の上面に塗布する。その後、凹部１４ａに対応させた金型５２をＳＯＧ用溶液５１に浸けた状態で、加熱することによりＳＯＧ用溶液５１の溶媒を蒸発させて、凹部１４ａが形成されたガラス基板１４を送信用ＬＳＩ１２の上面に形成する。
【００５３】
次に、図８に示すように、スパッタ法及びリフトオフ法などを用いて、凹部１４ａの底面に下部電極１５を形成する。その後、真空蒸着法によって上面の全面にわたって有機層１６を形成した後、スパッタ法により透明導電膜１７及びパッシベーション膜１８を順次積層する。
【００５４】
次に、図９に示すように、下部電極１５と対向する領域のパッシベーション膜１８の上面に、インクジェット法によりカラーフィルター１９を形成する。その後、スピンコート法により上面が平坦化された平坦化膜２０を形成した後、スパッタ法によりパッシベーション膜２１を形成する。最後に、７個の有機ＥＬ素子１３を含む素子単位に分割することにより送信部２が完成する。
【００５５】
次に、受信部の製造方法について説明する。
【００５６】
まず、半導体基板３４をＭＯＣＶＤ装置に導入して、半導体基板３４上にｐ型半導体層３６、ｉ型半導体層３７及びｎ型半導体層３８を順に積層した後、パターニングすることによって、ｐｉｎ型のフォトダイオード３５を半導体基板３４の所望の位置に形成する。その後、半導体基板３４を所望の形状に分割して、受光部３１を作製する。
【００５７】
次に、受光部３１の下面を受信用ＬＳＩ３２の上面に半田などを用いて接着した後、受光部３１と受信用ＬＳＩ３２とをワイヤ３３により接続した後、スピンコート法により平坦化膜４０を形成する。これにより、受信部３が完成する。
【００５８】
次に、伝達部の製造方法について説明する。
【００５９】
まず、所望の長さに切断された各光ファイバー４１の端面４２を軸方向に対して約４５°傾斜するように成形した後、蒸着法や無電解メッキなどにより端面４２に反射膜４３を形成する。次に、各光ファイバー４１の端面４２の傾斜を揃えた状態で、光ファイバー４１を束ねて固定する。最後に、各光ファイバー４１の隙間を埋めるように、樹脂を注入して硬化させることにより固定部材４４を形成する。これによって、伝達部４が完成する。
【００６０】
次に、送信部、受信部及び伝達部の組み立て工程について説明する。
【００６１】
まず、伝達部４の光ファイバー４１のうち、２行２列目の光ファイバー４１２，２〜８行２列目の光ファイバー４１８，２の端面４２が、送信部２の各有機ＥＬ素子１３の上方に位置するように、送信部２の上面に伝達部４を配置して、光を透過可能な接着剤により送信部２及び伝達部４を接着する。
【００６２】
次に、伝達部４の光ファイバー４１のうち、２行２列目の光ファイバー４１２，２〜８行２列目の光ファイバー４１８，２の端面４２が、受信部３の各フォトダイオード３５の上方に位置するように、受信部３の上面に伝達部４を配置して、光を透過可能な接着剤により受信部３及び伝達部４を接着する。
【００６３】
これによって、光通信装置１が完成する。
【００６４】
上述したように、本実施形態による光通信装置１では、７個の有機ＥＬ素子１３及び７個のフォトダイオード３５を設けるとともに、２７本の光ファイバー４１を設けることによって、それぞれの有機ＥＬ素子１３及びフォトダイオード３５を一対一で光ファイバー４１により接続することができる。これにより、シリアル・パラレル変換をすることなく、パラレルデータのままデータを伝達することができる。このため、シリアル・パラレル変換をするための変換装置を省略することができるので、構成を簡略化することができるとともに、シリアル・パラレル変換時のデータの破損を抑制できるので、データ伝達の精度を向上させることができる。
【００６５】
また、有機ＥＬ素子１３をガラス基板１４にモノリシックに形成するとともに、フォトダイオード３５を半導体基板３４にモノリシックに形成することによって、送信部２及び受信部３を小型化することができる。
【００６６】
また、有機ＥＬ素子１３及びフォトダイオード３５よりも、光ファイバー４１を２行２列多く設けることによって、送信部２及び受信部３と伝達部４との間に位置ずれが生じても、所望の光ファイバー４１に隣接する光ファイバー４１と有機ＥＬ素子１３及びフォトダイオード３５とを接続することができる。これにより位置ずれを吸収して、有機ＥＬ素子１３及びフォトダイオード３５と光ファイバー４１とが接続される確率を向上させることができる。
【００６７】
また、送信部２側の光ファイバー４１の端面４２を、軸方向に対して傾斜させることによって、光ファイバー４１の側面から光Ｌを入射させた後、端面４２により光Ｌを反射させて軸方向へと伝達させることができるので、光ファイバー４１の側面側に送信部２を設置することができる。更に、受信部３側の光ファイバー４１の端面４２を、軸方向に対して傾斜させることによって、光ファイバー４１の軸方向に伝達する光Ｌを端面４２により反射させて光ファイバー４１の側面から出射させることができるので、光ファイバー４１の側面側に受信部３を設置することができる。
【００６８】
ここで、光ファイバーの端面を軸方向に対して垂直に形成した場合、光ファイバーの端面に送信部及び受信部を接着しなければならないが、このように構成すると、光ファイバーと送信部及び受信部の両接着部分の近傍で光ファイバーを約９０°に曲げなければ携帯電話に設置することができない。このため、光通信装置が大型化するとともに、光ファイバーの曲げ部分での光の漏れが大きくなるといった課題が生じる。しかしながら、光通信装置１では、光ファイバー４１の側面に送信部２及び受信部３を設置しているので、送信部２及び受信部３との接着部の近傍で光ファイバー４１を曲げることなく、携帯電話１００に設置することができる。この結果、光通信装置１では、上述した大型化を抑制し、光の漏れを抑制することができる。
【００６９】
また、光ファイバー４１の端面４２に金属製の反射膜４３を形成することによって、端面４２での光の反射率を向上させて光の漏れを抑制することができるので、光の伝達率を向上させることができる。
【００７０】
また、各光ファイバー４１間に固定部材４４を埋め込むことによって、光ファイバー４１の位置ずれを抑制するとともに、有機ＥＬ素子１３により発光された光が光ファイバー４１と外部との界面で反射されることを抑制できる。
【００７１】
また、送信部２を送信用ＬＳＩ１２上にモノリシックに形成することによって、部品点数を減少することができるとともに、小型化を実現することができる。
【００７２】
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
【００７３】
例えば、上述の実施形態では、有機ＥＬ素子１３及びフォトダイオード３５は、一列に配列したが、配置は適宜変更可能である。例えば、有機ＥＬ素子及びフォトダイオードをマトリックス状に配置してもよい。
【００７４】
また、上述の実施形態では、光ファイバー４１の本数を有機ＥＬ素子１３の個数及びフォトダイオード３５の個数よりも２行２列多くなるように構成したが、光ファイバーの本数は適宜変更可能である。但し、光ファイバーの本数は、発光素子の個数または受光素子の個数よりも同数以上であることが好ましい。一例として、発光素子又は受光素子をｎ行ｍ列に配列した場合、（ｎ＋ｎ１）行（ｍ＋ｍ１）列に光ファイバーを配列することが考えられる。尚、ｎ、ｍは正の整数であり、ｎ１、ｍ１は「０」及び正の整数である。また、送信部及び受信部に対する伝達部の位置ずれが大きいと考えられる方向には、光ファイバーを多く配列することが好ましい。
【００７５】
また、光ファイバー４１の端面４２の傾斜の角度は適宜変更可能である。ここで、光ファイバーの端面は、側面から入射した光が光ファイバーを伝達する方向に反射可能に傾斜させるとともに、光ファイバーを伝達した光が側面から出射するように反射可能に傾斜させることが好ましい。また、光ファイバーの軸方向と端面とを垂直になるように構成してもよく、この場合には、送信部及び受信部を端面に接続する構成が適用される。
【００７６】
また、発光部と送信用駆動手段とを別部品により構成して、半田などにより発光部と送信用駆動手段とを接続するハイブリッド構成を適用してもよい。
【００７７】
また、受光部と受信用駆動手段とをモノリシックに構成してもよい。例えば、受信用駆動手段上にガラス基板を作製し、そのガラス基板上にフォトダイオードを形成する構成などが考えられる。
【００７８】
また、上述した有機ＥＬ素子１３、フォトダイオード３５及びそれらの基板１４、３４などを構成する材料は適宜変更可能である。例えば、有機ＥＬ素子の発光層をクマリン、ＤＣＪＴＢ（ピラン系化合物）などにより構成してもよい。フォトダイオードをＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、Ｇｅなどにより構成してもよい。
【００７９】
また、固定部材４４を光ファイバー４１の外周部（クラッド）と同じ材料ではなく、光ファイバー４１の外周部と略同じ屈折率を有する材料により構成してもよい。
【００８０】
また、上述した有機ＥＬ素子１３の代わりに、発光ダイオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子を適用してもよい。このような半導体発光素子を適用する場合、発光層にはＩｎＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰなどを適用することができる。
【００８１】
また、上述した送信部２の代わりに、液晶ディスプレイ、光源を備えたデジタルマイクロミラーデバイス、光源を備えたＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）などを適用することができる。
【００８２】
また、上述した受信部３の代わりに、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）やＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などを備えたイメージセンサを適用することができる。
【００８３】
また、上述の実施形態では携帯電話１００に設置される光通信装置１に本発明を適用した例を示したが、携帯電話以外の装置に設置される光通信装置に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施形態による光通信装置を備えた携帯電話の斜視図である。
【図２】光通信装置の概略の側面図である。
【図３】光通信装置の分解斜視図である。
【図４】図３におけるＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】図３におけるＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図６】図３におけるＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【図７】送信部の製造工程における概略工程図である。
【図８】送信部の製造工程における概略工程図である。
【図９】送信部の製造工程における概略工程図である。
【符号の説明】
【００８５】
１     光通信装置
２     送信部
３     受信部
４     伝達部
１１   発光部
１２   送信用ＬＳＩ
１３   有機ＥＬ素子
１４   ガラス基板
３１   受光部
３２   受信用ＬＳＩ
３４   半導体基板
３５   フォトダイオード
４１   光ファイバー
４２   端面
４３   反射膜
４４   固定部材
Ｌ     光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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