(57)【要約】      （修正有）【課題】大幅な設備改造を行うことなく、またブレードの寿命を損なうことなく、ダイシング中にコンタミネーションが付着することを防止して高品質な切断が可能な半導体ウエハのダイシング方法を提供する。【解決手段】複数の回路素子４が配列された半導体ウエハ２を回路素子間の切断ライン１０に沿って切断することによって回路素子を切り出す半導体ウエハ２のダイシング方法において、半導体ウエハ２の表面全面に感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層６を形成する感光性樹脂塗布工程と、感光性樹脂層６を切断ライン１０に対応した露光用マスク８を用いて露光して感光させる露光工程と、感光性樹脂層６を現像することにより切断ライン１０に沿って感光性樹脂層６を除去する現像工程と、切断ライン１０に沿って半導体ウエハ２を切断することにより半導体素子を個別に切り出して半導体チップ２６を形成する切断工程とを有する。【選択図】図１
2008205050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の回路素子が配列して形成された半導体ウエハを前記回路素子間の切断ラインに沿って切断することによって前記回路素子を切り出すようにした半導体ウエハのダイシング方法において、
前記半導体ウエハの表面全面に感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層を形成する感光性樹脂塗布工程と、
前記感光性樹脂層を前記切断ラインに対応した露光用マスクを用いて露光して感光させる露光工程と、
前記感光性樹脂層を現像することにより前記切断ラインに沿って前記感光性樹脂層を除去する現像工程と、
前記切断ラインに沿って前記半導体ウエハを切断することにより前記半導体素子を個別に切り出して半導体チップを形成する切断工程と、
を有することを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項２】
前記切断工程の後に、前記各半導体素子の表面に形成されている感光性樹脂層を除去する樹脂層除去工程を行うことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハのダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハをダイシング装置にて個別の回路素子毎に切断して半導体チップを形成する半導体ウエハのダイシング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路等の回路素子を有する半導体チップは、大面積の半導体ウエハに対して成膜処理、エッチング処理等の各種の処理を繰り返し行って、この表面に上記回路素子を配列された状態で多数個（複数個）形成し、この配列されている回路素子間をダイシング装置により切断して上記回路素子を個別に切り出すことによって形成されている。
【０００３】
上記ダイシング装置を用いた従来のダイシング方法は、上記半導体ウエハを固定用シートに装着して、この固定用シートをフレームに貼りつけ、このフレームに支持させた状態で半導体ウエハをダイシング装置に供給する。この場合、半導体ウエハはその表面が露出した状態のままで供給される。そして、半導体ウエハはダイシング装置に設けられた高速回転するブレードにより切削水をかけながら個別の回路素子毎に切断されて半導体チップが形成される。
【０００４】
そのため、切断中の半導体ウエハの表面にはウエハの切断屑などのコンタミネーション（汚染物）を含んだ泥水が漂って汚染されてしまう。また半導体チップはフレームに支持された状態で洗浄が行われるが、全てのコンタミネーションを除去できるというわけではなく、残留するコンタミネーションがワイヤーボンディングの際の不着の原因となったり、また撮像素子においては画素欠陥の直接の原因となったりする場合があり、品質の低下を招く、といった問題点があった。
【０００５】
そこで、上記問題点を解決するために半導体ウエハの表面全体を保護する糊やシートよりなる保護材を形成して、ウエハと一緒にダイシングを行う方法が特許文献１で提案されている。また、別の方法としては、ダイシング装置により切断する際に、切削水とは別にコンタミネーションを除去するための液体を切削水と同時にウエハ表面に供給してコンタミネーションの付着を防ぐ方法が、特許文献２等で提案されて実用化されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３３０００８号公報
【特許文献２】特開平６−９７２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のようにウエハ表面全体を保護材で保護したり、コンタミネーションを除去する液体を用いることにより、回路素子に対するコンタミネーションはかなり防ぐことが可能になった。
しかしながら、前述したような従来の保護材を形成する方法では、糊などの保護材によるブレードの目詰まりが発生してブレードの寿命が短くなってしまったり、半導体ウエハと硬度の異なる物質を同時に切断するために、チッピングなどが発生してしまったり、更には保護材を形成するための専用設備が必要である、といった新たな問題点が発生してしまった。
【０００８】
また、上記したように液体を用いてコンタミネーションの付着を防ぐ方法においては、液体を噴射するために設備の改造が必要であり、更にはコンタミネーションのウエハ表面への付着を完全には防止できない、といった問題があった。
【０００９】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、大幅な設備改造を行うことなく、またブレードの寿命を損なうことなく、ダイシング中にコンタミネーションが付着することを防止して高品質な切断が可能な半導体ウエハのダイシング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係る発明は、表面に複数の回路素子が配列して形成された半導体ウエハを前記回路素子間の切断ラインに沿って切断することによって前記回路素子を切り出すようにした半導体ウエハのダイシング方法において、前記半導体ウエハの表面全面に感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層を形成する感光性樹脂塗布工程と、前記感光性樹脂層を前記切断ラインに対応した露光用マスクを用いて露光して感光させる露光工程と、前記感光性樹脂層を現像することにより前記切断ラインに沿って前記感光性樹脂層を除去する現像工程と、前記切断ラインに沿って前記半導体ウエハを切断することにより前記半導体素子を個別に切り出して半導体チップを形成する切断工程と、を有することを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法である。
【００１１】
この場合、例えば請求項２に記載したように、前記切断工程の後に、前記各半導体素子の表面に形成されている感光性樹脂層を除去する樹脂層除去工程を行う。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る半導体ウエハのダイシング方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
半導体ウエハの切断ラインに沿って保護材である感光性樹脂層を除去するようにしてあるので、半導体素子を個別に切断中にコンタミネーションが半導体ウエハに付着することを防止して高品質な切断が可能となり、またブレードの寿命を損なうことを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明に係る半導体ウエハのダイシング方法の好適一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る半導体ウエハのダイシング方法の一実施例を示す工程図、図２は図１中の切断工程（ダイシング）の一例を示す拡大図、図３は本発明方法の各工程の流れを示すフローチャートである。
【００１４】
本発明のダイシング方法を各工程に沿って説明すると、図１（Ａ）に示すように、例えばシリコン基板等よりなる半導体ウエハ２の表面には、成膜処理、エッチング処理、アニール処理、酸化拡散処理等の半導体回路素子形成用の各種の処理が繰り返し施されて半導体集積回路等の回路素子４が複数個形成されている。この回路素子４は、一般的には、縦横にマトリクス状に整列して多数個形成されている。
【００１５】
まず、図１（Ａ）に示すように、完成した複数の回路素子４が形成された半導体ウエハ２の表面に保護材として感光性樹脂を均一に塗布することにより、図１（Ｂ）に示すように感光性樹脂層６を形成する（Ｓ１）。この塗布手段としては半導体プロセスで用いるコータを用い、このコータにより上記感光性樹脂を半導体ウエハ２に塗布し、その後、このウエハ２を回転させて均一に形成する。
【００１６】
次に、図１（Ｃ）に示すように、露光用マスク８を用いて、半導体ウエハ２の切断ライン（スクライブライン）１０に沿った部分のみを露光光１２により露光して感光性樹脂層６を感光させる（Ｓ２）。この切断ライン１０は、当然のこととして、隣り合う回路素子４間の間隙部に対応する領域であり、この領域の幅方向の全部、或いは一部を例えば選択的に露光する。この場合、この切断ライン１０の幅は、コンタミネーションの発生を防止するために後述するブレードと同じ厚さか、これよりも僅かに広く設定しておく。
【００１７】
次に、図１（Ｄ）に示すように、上記感光した感光性樹脂層６を現像し、熱処理して乾燥させることにより、上記切断ライン１０上の感光性樹脂層６を除去する（Ｓ３）。この処理は、例えば半導体プロセスで用いるアライナーやステッパーやデベロッパーを用いて容易に行うことができる。
【００１８】
次に、上述のように切断ライン１０に沿って感光性樹脂層８を除去した半導体ウエハ２を、図１（Ｅ）に示すように、ダイシングシート１４上に貼り付け、これを支持リング１６に支持させてダイシングの準備を行って、この支持リング１６をダイシング装置のチャックテーブル１８へ装着する（Ｓ４）。上記操作は、従来一般的に行われている工程である。
【００１９】
次に、図１（Ｆ）及び図２に示すように上記ダイシング装置を駆動させて、ノズル２０から切削水２２を半導体ウエハ２の表面に供給しながら薄い円板状のブレード２４を高速で回転して上記半導体ウエハ２の切断ライン１０に沿って切断を行う（Ｓ４）。これにより、上記半導体ウエハ２は、上記各回路素子４毎に切断分割されて、半導体チップ２６が形成されることになる。
【００２０】
ここで、切断中に発生するコンタミネーション２８の大部分は上記切削水２２と共に流されるが、流されなかったコンタミネーション２８は、回路素子４上に形成された保護材として機能する感光性樹脂層６の表面に付着することになる。また、この際、切断ライン１０上には感光性樹脂層６が形成されていないので、ブレード２４による切断中には感光性樹脂層６が切断されることはない。換言すれば、切断ライン１０上には半導体ウエハ２の材料と異なる硬度の物質や粘性のある物質は存在しない。このため、チッピングの発生を抑制することができるのみならず、ブレード２４の摩耗や目詰まりを抑制することができ、この結果、ブレード２４の寿命を延ばし、高品質なダイシング（切断）を行うことができる。
【００２１】
以上のように、ダイシングが終了した半導体ウエハ２は、支持リング１６に支持されたままの状態で有機洗浄を行い、図１（Ｇ）に示すように回路素子４上の感光性樹脂層６を除去する（Ｓ６）。この際、上記感光性樹脂層６上に付着していたコンタミネーション２８はリフトオフにより感光性樹脂層６と共に除去されることになる。尚、上記感光性樹脂層６を除去する方法として紫外線照射を行っても構わない。この場合はコンタミネーション２８の再付着を防止するために、半導体ウエハ２の表面を下方にセットした状態で行うのがよい。
【００２２】
尚、実施例においては、ポジ型の感光性樹脂を用いた場合について説明したが、露光用マスク８の遮光部分と透過部分とを反転させることにより、ネガ型の感光性樹脂を使用することも可能である。
【００２３】
このように、本発明によれば、設備改造や特殊な手段を用いることなく、ウエハ表面に設けられた切断箇所である切断ライン（スクライブライン）１０には保護材である感光性樹脂層６を形成せずに、半導体プロセスを用いてウエハ２上の回路素子部分だけを保護するように保護材を形成し、この状態でブレード２４で切断するようにしたので、ダイシングの品質を低下させることなく切断することができる。これと同時に、ダイシング中に発生するコンタミネーションのウエハ２の表面への付着を防止でき、更に上述したように、切断ライン１０上には保護材が無いため高品質の切断が可能となり、ブレード２４の目詰まりも防止して、この寿命も損なわない、という効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る半導体ウエハのダイシング方法の一実施例を示す工程図である。
【図２】図１中の切断工程（ダイシング）の一例を示す拡大図である。
【図３】本発明方法の各工程の流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００２５】
２…半導体ウエハ、４…回路素子、６…感光性樹脂層、８…露光用マスク、１０…切断ライン、１２…露光光、１４…ダイシングシート、１６…支持リング、１８…チャックテーブル、２０…ノズル、２２…切削水、２４…ブレード、２６…半導体チップ、２８…コンタミネーション。
【図１】
2008205050.tif 000003
【図２】
2008205050.tif 000004
【図３】
2008205050.tif 000005