(57)【要約】【課題】ＬＥＤチップからの直射光成分によるグレアの発生を抑制することが可能なＬＥＤ装置を提供すること。【解決手段】ＬＥＤチップ２１と、ＬＥＤチップ２１が実装されるとともにＬＥＤチップ２１に給電するための配線を備えた配線基板２２と、ＬＥＤチップ２１に対向して設けられ、ＬＥＤチップ２１から出射された光をＬＥＤチップ２１の側方に反射する第１反射部材２４と、ＬＥＤチップ２１の側方に設けられ、第１反射部材２４にて反射された光により励起されて光の波長変換を行うとともに、該波長変換された光を透過させてその透過方向に光を放射する波長変換部材２３とを備えることを特徴としている。【選択図】図２
2008205410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップが実装されるとともに前記ＬＥＤチップに給電するための配線を備えた配線基板と、
前記ＬＥＤチップの出射面に対向して設けられ、当該ＬＥＤチップから出射された光を前記ＬＥＤチップとの間に形成される空間の側方に反射する第１反射部材と、
前記ＬＥＤチップの側方に設けられ、前記ＬＥＤチップから出射された光の一部を波長変換して透過させるとともに、当該波長変換されて透過した光と波長変換されずに透過した光とが合成された光を放射する波長変換部材とを備えることを特徴とするＬＥＤ装置。
【請求項２】
前記波長変換部材を筒状に形成し、前記ＬＥＤチップを包囲するように配設したことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項３】
前記筒状の波長変換部材を前記配線基板に当接させるとともに前記第１反射部材を前記筒状の波長変換部材に当接させたことを特徴とする請求項２に記載のＬＥＤ装置。
【請求項４】
前記第１反射部材を金属で形成したことを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤ装置。
【請求項５】
前記第１反射部材における反ＬＥＤチップ側に放熱フィンを設けたことを特徴とする請求項３又は請求項４のいずれかに記載のＬＥＤ装置。
【請求項６】
配線基板と前記波長変換部材とで囲まれた空間に光透過性の樹脂を充填し、当該樹脂内に前記ＬＥＤチップが埋設されていることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置。
【請求項７】
前記配線基板には凹部が形成されており、
前記ＬＥＤチップが前記凹部に実装されるとともに、
前記凹部の内周面は前記波長変換部材から放射された光を所定の放射方向に反射する反射面を形成していることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置の外周側に、前記波長変換部材から放射された光を所定の放射方向に反射する第２反射部材を設けたことを特徴とする照明装置。
【請求項９】
光透過性の板状体からなり、一方側の面に凹部が形成された導光部材と、
前記凹部内に配設され、当該凹部から前記導光部材の面に沿った方向に光を出射する請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置とを備えることを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、ＬＥＤ装置及びそれを備えた照明装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤチップの上面から光を取り出し、その光をＬＥＤチップの上方に設けたレンズで集光して配光制御を行う照明装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、従来、レンズを用いることなく、ＬＥＤチップの上面から出射された光をＬＥＤチップの外周側に設けた反射板を用いて配光制御を行う照明装置も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００６−２７８３０９号公報
【特許文献２】特開２００６−１０７８５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載のものでは、照射方向に向けてＬＥＤ装置から直射光が出射されるために、直射光によるグレアが発生する。また、特許文献２に記載のものでは、ＬＥＤチップから出射された光の一部は反射板で反射されて照射方向に出射されるものの、反射板を介さずに直接照射対象に向けて出射する直射光成分も存在するため、やはりグレアの問題を生じる。
【０００４】
本願発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、ＬＥＤチップからの直射光成分によるグレアの発生を抑制することが可能なＬＥＤ装置及びそれを用いた照明装置を提供することを主たる目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以下、上記課題を解決するのに有効な手段等につき説明する。なお以下では、理解を容易にするため、発明の実施の形態において対応する構成例を括弧書きで適宜示すが、この括弧書きで示した具体的構成例に限定されるものではない。
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明では、ＬＥＤチップ（ＬＥＤチップ２１）と、前記ＬＥＤチップが実装されるとともに前記ＬＥＤチップに給電するための配線を備えた配線基板（配線基板２２）と、前記ＬＥＤチップの出射面に対向して設けられ、当該ＬＥＤチップから出射された光を前記ＬＥＤチップとの間に形成される空間の側方に反射する第１反射部材（第１反射部材２４）と、前記ＬＥＤチップの側方に設けられ、前記ＬＥＤチップから出射された光の一部を波長変換して透過させるとともに、当該波長変換されて透過した光と波長変換されずに透過した光とが合成された光を放射する波長変換部材（波長変換部材２３）とを備えることを特徴としている。
【０００７】
これによると、ＬＥＤ装置はＬＥＤチップの出射面に対向した第１反射部材を備えており、ＬＥＤチップから発せられた光は第１反射部材によってＬＥＤチップ及び第１反射部材の側方に反射される。この結果、ＬＥＤチップから外部に直接照射される直射光成分を抑制することが可能であるので、直射光成分によるグレアの発生を抑制することが可能となる。
【０００８】
請求項２に記載の発明では、前記波長変換部材を筒状に形成し、前記ＬＥＤチップを包囲するように配設することを特徴としている。これにより、第１反射部材でＬＥＤチップの側方に反射された光を波長変換部材に効率よく入射させることが可能となり、好適に波長変換を行うことが可能となる。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、前記筒状の波長変換部材を前記配線基板に当接させるとともに前記第１反射部材を前記筒状の波長変換部材に当接させることを特徴としている。
【００１０】
波長変換部材に入射した光の一部は波長変換部材に吸収され、波長変換部材が発熱する。そして、波長変換部材が発熱すると波長変換部材の内側に配設されているＬＥＤチップからの放熱を阻害する。ＬＥＤチップの放熱が阻害されると、ＬＥＤチップの温度上昇の原因となるため、ＬＥＤチップの発光効率が低下するとともにＬＥＤチップの寿命信頼性にも悪影響を及ぼす虞がある。この点、本発明では、波長変換部材は配線基板及び第１反射部材に当接して設けられているため、波長変換部材で発生した熱を配線基板及び第１反射部材を通して放出させることができる。この結果、ＬＥＤチップの温度上昇を抑制することができるので、ＬＥＤチップの発光効率を向上することが可能となるとともにＬＥＤチップの寿命信頼性を向上することができる。
【００１１】
請求項４に記載の発明では、前記第１反射部材を金属で形成することを特徴としている。第１反射部材を金属で形成することにより、波長変換部材の熱が第１反射部材全体に伝達されやすく、第１反射部材の全体から効率よく放熱することができる。
【００１２】
請求項５に記載の発明では、前記第１反射部材における反ＬＥＤチップ側に放熱フィン（放熱フィン２４ｃ）を設けることを特徴としている。第１反射部材における反ＬＥＤチップ側に放熱フィンを形成することにより、第１反射部材から反ＬＥＤチップ側への放熱性をより向上させることができる。
【００１３】
請求項６に記載の発明では、配線基板と前記波長変換部材とで囲まれた空間に光透過性の樹脂（樹脂２５）を充填し、当該樹脂内に前記ＬＥＤチップが埋設されていることを特徴としている。ＬＥＤチップの出射面と当該出射面と接する媒質との境界面においては、ＬＥＤチップから発せられた光の一部が全反射する。そのため、ＬＥＤチップから発せられる光の一部は外部に取り出されていない。この点本発明では、ＬＥＤチップが光透過性の樹脂で埋められている。ここで、樹脂の屈折率は空気の屈折率よりも大きい。そのため、ＬＥＤチップの出射面を樹脂と接触させた場合と空気と接触させた場合とを比較すると、樹脂と接触させた場合の方が境界面における光の全反射の割合が低くなる。この結果、ＬＥＤチップを光透過性の樹脂で埋めることにより光の取出効率を向上することが可能となる。
【００１４】
請求項７に記載の発明では、前記配線基板には凹部（実装部２１ａ）が形成されており、前記ＬＥＤチップが前記凹部に実装されるとともに、前記凹部の内周面（第２反射部２２ｂ）は前記波長変換部材から放射された光を所定の放射方向に反射する反射面を形成していることを特徴としている。
【００１５】
配線基板に形成した凹部にＬＥＤチップを実装することにより、配線基板が筐体部を兼ねたパッケージ構造のＬＥＤ装置を構成することが可能となり、パッケージとしてのＬＥＤ装置の体格を小型化することが可能となる。また、配線基板に形成した凹部の内周面に第２反射部を形成している。これにより、ＬＥＤチップの側方に放射された光を所定の放射方向に反射する第２反射部を含めたパッケージを小型化することが可能となる。
【００１６】
なお、請求項８に記載のように、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置ＬＥＤ装置の外周側に、前記波長変換部材から放射された光を所定の放射方向に反射する第２反射部材（第２反射部材３０）を設けることで照明装置（照明装置１０）を構成することが可能である。これにより、直射光成分によるグレアを抑制するとともに所望の反射方向に配光制御することが可能な照明装置を構成することが可能である。
【００１７】
また、請求項９に記載の発明のように、光透過性の板状体からなり、一方側の面（ＬＥＤ配設面１３２）に凹部（凹部１３３）が形成された導光部材（導光部材１３０）と、前記凹部内に配設され、当該凹部から前記導光部材の面に沿った方向に光を出射する請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置とを備えて照明装置（照明装置１１０）を構成することが可能である。これにより、直射光成分によるグレアを抑制することが可能な面発光式の照明装置を構成することが可能である。
【発明の効果】
【００１８】
本願発明においては、ＬＥＤチップから外部に直接照射される直射光成分を抑制することが可能であるので、直射光成分によるグレアの発生を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
［第１実施形態］
以下、本発明にかかる照明装置を具体化した一実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る照明装置の縦断面図である。図２は図１における要部の拡大図である。
【００２０】
図1及び図２に示すように、本発明の照明装置１０は、ＬＥＤチップ２１、配線基板２２、波長変換部材２３及び第１反射部材２４を有するＬＥＤ装置２０と、ＬＥＤ装置２０の外周側に設けられた第２反射部材３０とを含んで構成されている。
【００２１】
ＬＥＤチップ２１は、例えば、窒化ガリウム系化合物半導体やセレン化亜鉛等で形成され、青色光を発するものである。なお、ＬＥＤチップ２１の素子構造については周知であるので、詳細な説明は省略する。配線基板２２は、絶縁基板上に所定の電気配線パターンが形成されたものである。絶縁基板はアルミニウムや銅等の良熱伝導体からなる基材の表面にセラミック膜等の絶縁層を設けて形成されている。配線パターンは絶縁層を介して基材に固着された銅箔層を、所定の回路パターンにエッチング加工して形成される。上記ＬＥＤチップ２１は、その電極部が配線パターンに接続されて電源から給電されるように、配線基板２２上に実装される。
【００２２】
波長変換部材２３は透明なシリコーン樹脂を基材とし、青色光で励起されて黄色光を発する蛍光体が均一に混ぜ込まれた材料で形成されている。波長変換部材２３は円筒状に形成されており、配線基板２２上におけるＬＥＤチップ２１を包囲する位置に接着剤で固定されている。波長変換部材２３においては、入射された光の一部は波長変換部材２３の内周面において反射されるとともに、入射された光の残りは波長変換部材２３を透過する。また、波長変換部材２３を透過する光の一部は波長変換されるが残りは波長変換されることなく透過する。
【００２３】
第１反射部材２４はアクリル、ポリカ又はＡＢＳ等の樹脂により形成され、ＬＥＤチップ２１の上方においてＬＥＤチップ２１の出射面に対向して配設されている。第１反射部材２４はＬＥＤチップ２１の中央を通る光軸Ａに対して軸対象に形成されている。具体的には、図２に示すように、第１反射部材２４は約１／４の円弧を光軸Ａ回りに回転させ、ＬＥＤチップ２１に接近するほど小径となるような回転体形状をしている。第１反射部材２４は、ＬＥＤチップ２１との対向する側が反射面部２４ａとなっており、この反射面部２４ａの表面はアルミ又は銀の蒸着若しくはメッキ等による鏡面処理（高反射処理）がなされている。第１反射部材２４はその先端部がＬＥＤチップ２１側に向けられるとともに外周縁部２４ｂが円筒状の波長変換部材２３の上端部に接着剤で固定されている。第１反射部材２４を上述のように形成することにより、ＬＥＤチップ２１から反射面部２４ａに入射された光をＬＥＤチップ２１及び第１反射部材２４の側方に反射させることが可能となっている。なお、第１反射部材２４を波長変換部材２３上に配設した状態で反射面部２４ａの先端部がＬＥＤチップ２１と接触しないように各部の寸法が設定されている。
【００２４】
配線基板２２、波長変換部材２３及び第１反射部材２４で囲まれて形成された空間には、シリコーン又はエポキシ等の透明な樹脂２５が充填されている。すなわち、ＬＥＤチップ２１は透明な樹脂２５で埋められた状態となっている。
【００２５】
第２反射部材３０は、配線基板２２上における波長変換部材２３の外周部に接着剤等で固定されている。第２反射部材３０はアクリル、ポリカ又はＡＢＳ等の樹脂により略放物面状に形成されている。詳述すると、図１に示すように、ＬＥＤチップ２１の光軸Ａを含む任意の断面において波長変換部材２３の左右両側にそれぞれ現れる各曲線が波長変換部材２３の高さ方向の中央を焦点Ｆとする放物線となるように、第２反射部材３０の形状が設定されている。これにより、上述の焦点Ｆの位置から出射された光を、ＬＥＤチップ２１の出射面に垂直な方向に第２反射部材３０で反射させることができるようになっている。なお、第２反射板の反射面はアルミ又は銀の蒸着若しくはメッキ等による鏡面処理がなされている。
【００２６】
次にこのＬＥＤ装置２０の作用について説明する。ＬＥＤチップ２１から発せたれた光は、その大部分が第１反射部材２４でＬＥＤチップ２１の側方に反射されて波長変換部材２３に入射するとともに残部は波長変換部材２３に直接入射する。
【００２７】
ＬＥＤチップ２１からは青色光が発せられており、波長変換部材２３では入射された青色光の一部が黄色光に波長変換される。その結果、波長変換された黄色光と波長変換されずに透過した青色光とが合成されて混色された白色光が、波長変換部材２３から放射される。
【００２８】
この際、円筒状の波長変換部材２３全体から白色光が放射されるが、特に円筒の高さ方向の中央部分に入射する光が多いため、この部分が高輝度部となる。また、波長変換部材２３から放射される光は略水平方向に広がる配光となる。
【００２９】
この結果、波長変換部材２３から放射された光の大部分は、波長変換部材２３の外周側に配設された第２反射部材３０の反射面に入射する。そして、この反射面で所定の照射方向に配光制御される。
【００３０】
以上詳述した本実施の形態によれば、以下の優れた効果が得られる。
【００３１】
本実施形態に係るＬＥＤ装置２０はＬＥＤチップ２１の上方において出射面に対向した第１反射部材２４を備えている。そのため、ＬＥＤチップ２１から発せられた光は、その大部分が第１反射部材２４によって略水平方向に反射される。そして、略水平方向に発せられた光は第２反射部材３０で反射されて照射目標方向に照射される。すなわち、第２反射部材３０を介さずにＬＥＤチップ２１から外部に直接照射される光が抑制されている。この結果、直射光成分と反射光成分とによる二重の照射パターンを抑制すること可能となり照射パターンの品質が向上する。また、直射光成分を抑制することが可能であるので、直射光成分によるグレアの発生を抑制することが可能となる。
【００３２】
本実施形態では、第２反射部材３０の反射面を放物面に形成し、その焦点Ｆを円筒状の波長変換部材２３の周上に設定した。これにより、波長変換部を透過した光を第２反射部材３０でＬＥＤチップ２１の光軸Ａ方向に好適に配光制御することが可能となる。また、第２反射部材３０の焦点Ｆは波長変換部材２３の高輝度部となるように設定されており、この高輝度部からは第２反射部材３０の反射面の全域を見渡すことが可能である。このため、高輝度部から発せられた光を第２反射板の全域で反射させてＬＥＤチップ２１の光軸Ａ方向に効率よく照射することが可能となる。
【００３３】
本実施形態では、円筒状の波長変換部材２３がＬＥＤチップ２１を包囲するように配設されている。これにより、ＬＥＤチップ２１の側方に反射された光を波長変換部材２３に効率よく入射させることが可能となり、好適に波長変換を行うことが可能となる。
【００３４】
本実施形態では、波長変換部材２３の形状を、ＬＥＤチップ２１の全体をドーム状等に覆うものではなくＬＥＤチップ２１の周囲を囲む円筒状とした。これにより、波長変換部材２３大きさを小さくすることが可能となり、波長変換部材２３の発光面の輝度を向上させることが可能となるとともにより点光源化することが可能となる。
【００３５】
波長変換部材２３に入射した光の一部は波長変換部材２３に吸収され、波長変換部材２３が発熱する。そして、波長変換部材２３が発熱すると波長変換部材２３の内周側に配設されているＬＥＤチップ２１からの放熱を阻害する。ＬＥＤチップ２１の放熱が阻害されると、ＬＥＤチップ２１の温度上昇の原因となるため、ＬＥＤチップ２１の発光効率が低下するとともにＬＥＤチップ２１の寿命信頼性にも悪影響を及ぼす虞がある。この点、本実施形態では、波長変換部材２３は配線基板２２上に固定されているため、波長変換部材２３で発生した熱が配線基板２２を通して放出される。また、円筒状の波長変換部材２３の上端部には第１反射部材２４が固定されているため、波長変換部材２３で発生した熱が第１反射部材２４を通して放出される。この結果、ＬＥＤチップ２１の温度上昇を抑制することが可能となるので、ＬＥＤチップ２１の発光効率を向上することが可能となるとともにＬＥＤチップ２１の寿命信頼性を向上することができる。
【００３６】
ＬＥＤチップ２１の出射面と当該出射面と接する媒質との境界面においては、ＬＥＤチップ２１から発せられた光の一部が全反射する。そのため、ＬＥＤチップ２１から発せられる光の一部は外部に取り出されていない。この点本実施形態では、円筒状の波長変換部材２３と配線基板２２とで形成される内部空間に透明な樹脂２５が充填されており、この樹脂２５でＬＥＤチップ２１が埋められている。ここで、樹脂の屈折率は空気の屈折率よりも大きい。そのため、ＬＥＤチップ２１の出射面を樹脂と接触させた場合と空気と接触させた場合とを比較すると、樹脂と接触させた場合の方が境界面における光の全反射の割合が低くなる。この結果、本実施形態のＬＥＤ装置２０では光の取出効率を向上することが可能となる。
【００３７】
波長変換部材２３に入射した光は、その一部が波長変換部材２３を透過するとともに残りは波長変換部材２３の内周側表面で反射される。ここで本実施形態では、第１反射部材２４はＬＥＤチップ２１に接近するほど小径となる形状をしている。すなわち、波長変換部材２３の内周側面で反射した光が、第１反射部材２４に入射することなくその側方を通過して、再度波長変換部材２３に入射しやすい形状となっている。このため、波長変換部材２３の内周側面において反射した光が第１反射部材２４で再反射されてＬＥＤチップ２１に戻ることが抑制され、光の取出効率を高めることが可能となる。
【００３８】
［第２実施形態］
次に本発明を具体化した第２実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図３は本実施形態に係る照明装置１０の要部縦断面図である。なお、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
本実施形態では、第１反射部材２４はアルミ、銅等の高熱伝導性の金属で形成されており、その上部には外方に向けて放熱フィン２４ｃが設けられている。なお、第１反射部材２４の反射面部２４ａの表面は第１実施形態と同様に銀蒸着等の鏡面処理がなされている。
【００４０】
本実施形態においても第１実施形態と同様、波長変換部材２３で発生した熱を配線基板２２及び第１反射部材２４を介して放出することができる。特に本実施形態では、第１反射部材２４が高熱伝導性の金属で形成されているので、波長変換部材２３の熱が第１反射部材２４全体に伝達されやすく、第１反射部材２４の全体から効率よく放熱することができる。また、第１反射部材２４には外方に向けて放熱フィン２４ｃが形成されているので、第１反射部材２４から外方に向けた放熱性をより向上させることができる。
【００４１】
［第３実施形態］
次に本発明を具体化した第３実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図４は本実施形態に係るＬＥＤ装置２０の縦断面図である。なお、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
【００４２】
本実施形態では、三次元立体構造を有する絶縁基板の表面に所定の回路パターンを形成した立体回路基板（MID：Molded Interconnect Device）で配線基板２２を形成するとともに、、第２反射部材３０を配線基板２２と一体化した点が第１実施形態と異なっている。
【００４３】
詳述すると、配線基板２２は、アルミニウム等の金属からなる基材を三次元立体構造に形成しその表面にセラミック膜等の絶縁層を設けて形成されている。基材の三次元立体構造は、金属の鍛造や切削加工など各種の方法で形成することができる。図４に示すように、配線基板２２にはＬＥＤチップ２１の実装部２１ａ凹状に形成されている。凹状の実装部２１ａは、その内周面が実装部２１ａにおける開口側に向けて広がる略放物面状となっており、この内周面により第２反射部２２ｂが形成されている。
【００４４】
本実施形態のＬＥＤ装置２０においても、第１実施形態と同様に、ＬＥＤチップ２１から発せられた光はその大部分が第１反射部材２４で略水平方向に反射される。そして、略水平方向に発せられた光は第２反射部２２ｂで反射されて照射目標方向に照射される。すなわち、本実施形態においても、直射光成分と反射光成分とによる二重の照射パターンを抑制すること可能となるとともに、直射光成分によるグレアの発生を抑制することが可能となる。
【００４５】
本実施形態においては、ＬＥＤ装置２０は、配線基板２２に形成した凹状の実装部２１ａにＬＥＤチップ２１を実装したパッケージ構造を有している。すなわち、ＬＥＤ装置２０は三次元立体構造を有する配線基板２２自身がＬＥＤ装置２０の筐体を形成している。これにより、パッケージとしてのＬＥＤ装置２０の体格を小型化することが可能となる。また、配線基板２２に形成した凹状の実装部２１ａの内周面で第２反射部２２ｂを形成している。これにより、別体で第２反射部材３０を設ける場合と比較して第２反射部２２ｂを含めたＬＥＤ装置２０の体格を小型化することが可能となる。
【００４６】
［第４実施形態］
次に本発明に係るＬＥＤ装置を面発光型の照明装置に適用した実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図５は本実施形態に係る照明装置の縦断面図であり、図６は照明装置の平面図である。なお、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
【００４７】
照明装置１１０は、導光板１３０にＬＥＤ装置２０を設けて構成される。詳述すると、導光板１３０は所定の厚さを有する透明なアクリル板等からなる。導光板１３０の一側の面は発光面１３１をなし、他側の面はＬＥＤ配設面１３２なしている。ＬＥＤ配設面１３２には所定の間隔で複数の凹部１３３が形成されており、各凹部１３３内にＬＥＤ装置２０が収納されている。各凹部１３３内に収納されるＬＥＤ装置２０の構成は第１実施形態におけるＬＥＤ装置２０と同一であるため、説明を省略する。
【００４８】
導光板１３０の側面及びＬＥＤ配設面１３２は拡散反射部１３４が形成されている。拡散反射部１３４は入射した光が拡散反射するように処理がされており、その処理方法としてはシルクスクリーンによるドット印刷又は微細凹凸処理等が可能である。なお、拡散反射処理は各ＬＥＤ装置２０を中心としてＬＥＤ装置２０から遠ざかるにつれて反射性が高くなるようにされている。
【００４９】
第１実施形態で説明したように、ＬＥＤ装置２０はＬＥＤチップ２１の上方において出射面に対向した第１反射部材２４を備えている。そのため、ＬＥＤ装置２０からその上方に直接出射される光成分はほとんどなく、大部分は第１反射部材２４で反射されて略水平方向に出射される。すなわち、各ＬＥＤ装置２０から出射された光は、凹部１３３から略水平方向（導光板１３０が広がる方向）に出射されて導光板１３０内に導かれる。そして導光板１３０内の光は導光板１３０の側面及びＬＥＤ配設面１３２における拡散反射部１３４で反射されて、発光面１３１から外部に出射される。
【００５０】
本実施形態の照明装置１１０では、ＬＥＤチップ２１からの直射光成分はほとんどなく、大部分が第１反射部材２４での反射による略水平方向の光成分である。これにより、直射成分によるグレアの発生を抑制することが可能となる。
【００５１】
本実施形態では、導光板１３０の側面及びＬＥＤ配設面１３２に拡散反射部１３４が形成されているので、これらの面に入射した光を様々な方向に拡散反射させることが可能である。この結果、発光面１３１における輝度を均一化することが可能となる。特に本実施形態では、拡散反射部１３４の拡散反射処理は各ＬＥＤ装置２０を中心としてＬＥＤ装置２０から遠ざかるにつれて反射性が高くなるようにされているので、より均一な輝度の面発光をさせることが可能となる。
【００５２】
［他の実施形態］
なお、本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施しても良い。
【００５３】
上記各実施形態では、第１反射部材２４の形状はＬＥＤチップ２１に接近するほど小径となる断面円弧状としたが、第１反射部材２４の形状はこれに限られるものではない。すなわち、第１反射部材２４の形状として、図６に示すように、反射面部２４ａを円錐状とすることも可能である。さらに、図７に示すように、第１反射部材２４を平板によって形成することも可能である。これらの場合でも、ＬＥＤチップ２１から発せられた光をＬＥＤチップ２１の側方に反射すること可能である。
【００５４】
上記各実施形態では波長変換部材２３を円筒形状としたが、特に配線基板２２から離れるにしたがって円筒の外径及び内径が小さくなるような形状としてもよい。上記各実施形態の波長変換部材２３からは略水平方向の配光の光が放射されるが、その放射成分の中には配線基板２２に向けて入射してロスの要因となる成分も存在する。この点、配線基板２２から離れるにしたがって波長変換部材２３の径が小さくなるような形状とすると、波長変換部材２３から放射される光は若干上方に偏った配光となる。このため、配線基板２２に向けて入射する光成分を低減することが可能となり、ロスの原因となる成分を低減することができる。
断面外径が変化しないような円筒形状で
上記第１及び第２の実施形態では、第１反射部材２４の反射面には高反射処理が施された。しかし、第１反射部材２４の反射面に拡散反射処理を施すことも可能である。これによっても、高反射処理を施した場合と同様の効果を奏する。拡散反射処理の方法としては様々な方法が可能である。例えば、アルミ板をプレス加工して形成された第１反射部材２４の表面にサンドブラスト処理で凹凸を形成した後、アルミ又は銀を蒸着によりコーティングする方法を採用することができる。また、表面に微細な凹凸が形成されたプレス型を用いて第１反射部材２４を形成した後、アルミ又は銀を蒸着してもよい。また、表面が平滑なメタル部材の反射面にアルミ又は銀を蒸着する際に、アンダーコート又はトップコートに反射率の高い微細なSiO2の粒子を混ぜ込んで塗布する方法を採用することも可能である。また、第１反射部材２４の反射面に白色の塗装をして拡散反射させることも可能である。
【００５５】
第２実施形態の第１反射部材２４を高熱伝導性金属で形成するとともに放熱フィン２４ｃを形成した。しかし、高熱伝導性金属で形成すること及び放熱フィン２４ｃを形成することの両要件が必須ではなく、いずれか一方の要件のみでも放熱性を向上することは可能である。
【００５６】
第３実施形態では、導光板１３０を透明やアクリル板で形成したが、アクリル以外の他の樹脂板やガラス板等で導光板１３０を形成してもよい。また、上記第３実施形態では、導光板１３０の側面及びＬＥＤ配設面１３２に拡散反射処理を施したが、これらの面に鏡面反射処理を施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る照明装置の縦断面図である。
【図２】図１における要部の拡大図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る照明装置の要部の拡大図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係るＬＥＤ装置の縦断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る照明装置の縦断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る照明装置の平面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る照明装置の要部の拡大図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る照明装置の要部の拡大図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０…照明装置、２０…ＬＥＤ装置、２１…ＬＥＤチップ、２２…配線基板、２３…波長変換部材、２４…第１反射部材、２５…樹脂、３０…第２反射部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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