(57)【要約】【課題】導電性パターンが突出しているためパターン倒れやゆがみが生じ、ビアに対してランドの位置合わせによりずれが生じるためランドを大きくする必要があり微細化の障害となっていた。【解決手段】ビア１８が形成された絶縁性基材１５を備え、絶縁性基材１５の一方の面には少なくとも開口部１４が設けられたランド１３を含む導電性パターン１２の一部が埋設され、絶縁性基材１５の他方の面には別の導電性パターン１６、ランド１７が設けられ、ビア１８は絶縁性基材１５に貫通して設けられ、絶縁性基材１５の他方の面に形成された別の導電性パターン１６、ランド１７と貫通して設けられたビア１８およびランド１３の開口部に導電体２０が充填され、導電体２０が絶縁性基材１５の一方の面の導電性パターン１２，ランド１３および他方の面に形成された別の導電性パターン１６，ランド１７と結晶学的に結合され且つ電気的に接続されたことを特徴とする基板。【選択図】図１
2008193025.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビアが形成された絶縁性基材を備え、この絶縁性基材の一方の面には少なくとも開口部が設けられたランドを含む導電性パターンの一部が埋設されており、前記絶縁性基材の他方の面には別の導電性パターン、ランドが設けられ、前記ビアは前記絶縁性基材に貫通して設けられており、前記絶縁性基材の他方の面に形成された別の導電性パターン、ランドと前記貫通して設けられたビアおよびランドの開口部に導電体が充填され、この導電体が前記絶縁性基材の一方の面の導電性パターン、ランドおよび前記他方の面に形成された別の導電性パターン、ランドと結晶学的に結合され且つ電気的に接続されたことを特徴とする基板。
【請求項２】
ビアに充填された導電体の表面と絶縁性基材の表面および導電性パターンの表面とがほぼ平坦であることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
ビアに充填された導電体の表面と絶縁性基材の表面および導電性パターンの表面との凹凸が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項４】
第１の基材に導電性パターンを形成する工程と、絶縁性基材の表面に前記第１の基材に形成された導電性パターンを埋め込む工程と、前記絶縁性基材にビアを形成する工程と、前記導電性パターンと接続するように導電体を前記ビアに充填する工程とを少なくとも含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項５】
第１の基材において、絶縁性基材のビアを形成する領域には導電性パターンの開口部が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁性基材のビアを形成する工程が導電性パターンの開口部をマスクとすることを特徴とする請求項４または５に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
第１の基材に導電性パターンを形成する工程と、絶縁性基材の表面に前記第１の基材に形成された導電性パターンを埋め込む工程と、前記第１の基材および前記絶縁性基材の表面に埋め込まれた前記導電性パターンと前記絶縁性基材とを貫通してビアを形成する工程と、前記導電性パターンと接続するように導電体を前記ビアに充填する工程とを有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
導電体をビアに充填する工程が、電気めっきによることを特徴とする請求項４または７に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
第１の基材が絶縁物であり、この第１の基材および埋め込まれた導電性パターンと絶縁性基材とを貫通してビアを形成する工程と、前記導電性パターンと接続するように導電体を前記ビアに充填する工程との間に、前記絶縁性基材のビア内部と前記導電性パターンを埋め込むことにより前記第１の基材の絶縁性材料表面を導電体化する工程を有することを特徴とする請求項７または８に記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
第１の基材が導電物で、前記第１の基材から電気めっきで給電することによってビアへの導電体を充填することを特徴とする請求項７または８に記載の基板の製造方法。
【請求項１１】
導電性パターンと接続するように導電体をビアに充填した後、ビア部を含んで第１の基材表面に電気めっきによって形成されためっき層をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項４〜１０のいずれか一つに記載の基板の製造方法。
【請求項１２】
めっき層をエッチングする工程において、前記めっき層のエッチングが少なくとも第１の基材表面を露出させることを特徴とする請求項１１に記載の基板の製造方法。
【請求項１３】
めっき層をエッチングする工程において、少なくとも第１の基材の表面が露出し、ビア部では絶縁性基材の表面とほぼ平坦とすることを特徴とする請求項１１に記載の基板の製造方法。
【請求項１４】
導電性パターンと接続するように導電体をビアに充填した後、第１の基材を除去する工程を有することを特徴とする請求項７に記載の基板の製造方法。
【請求項１５】
第１の基材が導電体であり、導電性パターンと接続するように導電体をビアに充填した後、第１の基材をエッチングにより除去することを特徴とする請求項７，８，１１のいずれか一つに記載の基板の製造方法。
【請求項１６】
第１の基材が導電性パターンと異なる導電材料であることを特徴とする請求項１５に記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁性基材の表面に微細なパターンを絶縁性基材に埋め込みほぼ平坦にし、ビアをめっき充填することによって絶縁性基材の表面と裏面とを電気的に接続した構造の基板に関するもので、特に半導体素子、電子部品等を搭載するための基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板のパターン形成は絶縁性基材に導電体層を接着あるいはめっきで形成し感光性樹脂でマスクして選択的に導電体層をエッチングして所望の導電性パターンを形成するサブトラクティブ法や、感光性樹脂でマスクして選択的にめっきにより導電性パターンを形成するアディティブ法によって成されていた。しかしこのような方法であれば導電性パターンが基板から突出しており、特にパターン幅の小さい微細になればパターン倒れやゆがみを生じ、断線や部品搭載の障害が生じたりしていた。
【０００３】
導電性パターンと絶縁性基材との表面を平坦にする方法として、図４（Ａ）に示すような絶縁性基材５に、開口部が形成されていない通常のランド３を含む導電性パターン２，ランド３を別の基材１に形成した転写媒体を（ビアに導電性ペーストを穴埋めしたり貫通穴内にめっきした絶縁基板に転写媒体のパターンを）位置合わせしてプレスした後に、図４（Ｂ）に示す様に基材１のみを選択的にエッチング除去して、導電性パターン２，ランド３を絶縁性基材５に埋め込むことによって導電性パターン２，ランド３と絶縁性基材５との表面とを平坦にすると同時に、導電性ペーストを穴埋めしたり貫通穴内にめっきビアに圧接することによって、電気的な接続を得る方法が提案されていた。
【０００４】
なお、この発明の出願に関連する先行技術文献情報としては、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１１−３５４９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
絶縁性基材に形成したビアに導電性ペーストを充填して別の基材に形成した導電性パターンを転写する方法のように、別の基材に形成した導電性パターンのビアの部分と合致するランドと、前もって絶縁性基材に形成されたビアに導電性ペーストを充填したりビア内にめっきした部分との位置合わせが困難であり、さらに微細な配線とするために合わせ余裕を小さくする必要があり、合わせずれが生じていた。また、絶縁性基材のビアの導電性ペーストやめっきと導電性パターンの接続が圧接によるもので、互いに結晶学的に結合されていないため接続抵抗や機械的な強度が低下するという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、ビアが形成された絶縁性基材を備え、この絶縁性基材の一方の面には少なくとも開口部が設けられたランドパターンを含む導電性パターンの一部が埋設されており、前記絶縁性基材の他方の面には別の導電性パターンが設けられ、前記ビアは前記絶縁性基材に貫通して設けられており、前記絶縁性基材の他方の面に形成された別の導電性パターンと前記貫通して設けられたビアおよびランドの開口部に導電体が充填され、この導電体が前記絶縁性基材の一方の面の導電性パターンおよび前記他方の面に形成された別の導電性パターンと結晶学的に結合され且つ電気的に接続されたことを特徴とする基板であり、この構造によって導電性パターンの倒れやゆがみが無く、表面の孔によってビア位置が決められるもので、位置合わせの必要が無く合わせずれのない基板を得ることができる。
【０００７】
また、ビアに充填された導電体の表面と絶縁性基材表面および導電性パターン表面との凹凸を１０μｍ以下、好ましくは平坦であることによって微細な導電性パターンの倒れやゆがみを防止するものである。また、ビア部においても平坦にすることで基板表面全体を平坦化されるので、必要以上に基板厚さが厚くなることを防止するものである。
【０００８】
このような構造は、少なくとも第１の基材に導電性パターンを形成する工程と、絶縁性基材の表面に第１の基材に形成された導電性パターンを埋め込む工程と、絶縁性基材にビアを形成する工程と、導電性パターンと接続してビアに導電体を充填する工程とを含む製造方法によって得ることができる。
【０００９】
さらに、第１の基材の導電性パターンにおいて、絶縁性基材のビアを形成する領域に相当する領域に導電性パターンの開口部が形成されていることによって、後に形成されるビアをセルフアライメントで形成することが可能とするものである。
【００１０】
すなわち、絶縁性基材にビアを形成する工程が導電性パターンの開口部をマスクとすることによって、ビア形成をセルフアライメントで形成し位置ずれをなくすことができるものである。
【００１１】
また、第１の基材に導電性パターンを形成する工程と、絶縁性基材の表面に第１の基材に形成された導電性パターンを埋め込む工程と、第１の基材および埋め込まれた導電性パターンと絶縁性基材とを貫通してビアを形成する工程と、導電性パターンと接続してビアに導電体を充填する工程とを有する製造方法によって、配線パターンのランドに合わせて配線パターンと絶縁性基材とを同時にビア形成するもので、前記の製造方法同様にビアとランドとの合わせずれは生じないものである。
【００１２】
ここで、ビアへの導電体充填を電気めっきで行い、ビア全体をめっき金属で充填することによってその抵抗を小さくできる。
【００１３】
また、第１の基材が絶縁物であり、第１の基材および埋め込まれた導電性パターンと絶縁性基材とを貫通してビアを形成する工程と、導電性パターンと接続してビアに導電体を充填する工程との間に、絶縁性基材のビア内部と導電性パターンを埋め込んで表面となった第１の基材の絶縁性材料表面を導電体化する工程を有することによって、絶縁物である第１の基材表面からの通電を可能とし、さらに第１の基材が導電物で第１の基材から給電し、電気めっきでビアへの導電体を充填することによって、ビア内をめっきで充填することが可能とできる。
【００１４】
さらに、導電性パターンと接続してビアに導電体を充填した後第１の基材を除去する工程を有することで、埋め込まれた導電性パターンと関係なく選択的にビア内のみにめっき充填し、導電性パターンとも接続して表面の平坦化を可能とすることができる。
【００１５】
さらに、導電性パターンと接続してビアに導電体を充填した後、ビア部を含んで、第１の基材表面に電気めっきによって形成されためっき層をエッチングすることで、第１の基材表面に被着形成されためっき層を容易に除去でき、第１の基材表面が露出することで第１の基材の除去を容易にするものである。なお、エッチングが、少なくとも第１の基材表面が露出しビア部では絶縁性基材表面とほぼ同一面とすることで、第１の基材を除去した後にビア部においても絶縁性基材とほぼ平坦に形成できる。
【００１６】
また、第１の基材が導電体であり導電性パターンと接続してビアに導電体を充填した後、第１の基材の除去がエッチングされることで、第１の基材から通電しビア内にめっき層を充填可能とし、第１の基材が金属でエッチング除去することで、第１の基材除去に際して埋め込まれた導電性パターンに引き剥がし等の機械的な応力をかけずに除去できるものである。さらに、第１の基材の金属が導電性パターンと異なる材料であることで、金属によっては導電性パターンと接続でき且つ選択的にビア内のみにめっき金属を充填することを可能とし、不必要となった第１の基材の金属のみを選択的にエッチング除去を可能とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように本発明は、導電性パターンが埋め込まれているため倒れやゆがみが無く、表面の導電性パターンの開口部によってビア位置が決められるいわゆるセルフアライメントによってビア形成を可能とすることで、位置合わせの必要が無く合わせずれのない基板を得ることができる。また、第１の基材の材料を限定することによって実質的にビア内のみに選択的にめっき充填することができ、第１の基材の除去をも容易にするものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態について、本発明について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の実施の形態１における基板の製造方法の断面図である。
【００２０】
まず、図１（Ａ）に示すように第１の基材１１として、絶縁性フィルムまたはアルミニウム等の金属基材を用い、この第１の基材１１の一方の面に導電性パターン１２，ランド１３を例えば銅によって形成する。この導電性パターン１２およびランド１３の形成方法は、例えば第１の基材１１に銅箔を接着またはめっきによって銅の層を形成し、フォトエッチングによって所望のパターンを形成する方法がある。
【００２１】
また、絶縁性フィルム表面もしくはアルミニウム表面にシード層をめっきや蒸着などによって銅を薄く形成し、感光性樹脂によってめっきマスクのパターンを形成した後、パターンマスク以外の領域に電気めっきを形成し、その後感光性樹脂を除去して露出したシード層をエッチング除去するセミアディティブ法によっても可能である。
【００２２】
なお、アルミニウムを基材とした場合シード層のエッチング液の種類例えば硫酸と過酸化水素との混合液などを選択することによって、アルミニウムをエッチングせずシード層の銅のみエッチングすることも可能である。ここで、導電性パターン１２，ランド１３において、後にビアを形成すべきランド１３には、形成すべきビアと同等の大きさの開口部１４が形成されている。
【００２３】
一方、導電性パターン１２，ランド１３が転写される絶縁性基材１５には、例えばガラス織布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシやアラミド不織布にエポキシ樹脂を含浸させ、エポキシ樹脂が半硬化のいわゆるＢステージのものを採用する。
【００２４】
ここで、絶縁性基材１５の導電性パターン１２，ランド１３が転写される面と反対側の面には、銅箔をあらかじめ前記絶縁性基材１５に貼り付けてフォトエッチングによって所望のパターン１６、ランド１７が形成されていても良い。
【００２５】
なお、パターン１６、ランド１７において、前述のビアを形成する領域に対応する部分には接続のためのランド１７が形成されており、このときランド１７のビアを形成すべき領域に対応する開口部は形成されている必要はない。この第１の基材１１に形成された導電性パターン１２，ランド１３と導電性パターン１６，ランド１７とで、絶縁性基材１５を挟んで埋め込み接着すべく熱圧着や真空プレスによって、絶縁性基材１５のエポキシ樹脂が軟化する以上の温度例えば２５０℃で真空プレスする。
【００２６】
次に、図１（Ｂ）に示すように、第１の基材１１を剥離する。本発明において、第１の基材１１が絶縁性フィルムであれば機械的に剥離する。また、第１の基材１１がアルミニウムであれば塩酸や水酸化ナトリウム溶液によってエッチング除去する。このとき、絶縁性基材１５の表面に露出した導電性パターン１２，ランド１３の面と電気絶縁性基材１５の表面との凹凸は１０μｍ以下、好ましくは、平坦となっている。
【００２７】
次に、図１（Ｃ）に示すように、炭酸ガスなどのレーザーを転写された導電性パターンのランド１３に形成された開口部１４を含んで照射して、絶縁性基材１５にビア１８を形成する。ここで、銅はレーザーの波長のため炭酸ガスレーザーを吸収しないため、ランド１３の開口部１４より大きめのスポット径の炭酸ガスレーザーを照射しても、ランド１３の開口部１４の部分のみにしか絶縁性基材１５のビアは形成されない。すなわちセルフアライメントによって所望の位置にビア１８が形成される。このとき絶縁性基材１５の反対面はランド１７によってそれ以上炭酸ガスレーザーが突き抜けることなく、かつランド１７の面が露出してビア１８が形成される。
【００２８】
次に、図１（Ｄ）に示すように、必要に応じて過マンガン酸塩類などによる絶縁性基材１５の表面の粗化や、前記形成されたビア１８の残存する微量の樹脂などの除去すなわちデスミア処理を行い、少なくとも絶縁性基材１５の表面およびビア１８の内壁表面に、無電解めっきや蒸着などによって例えば銅などの通電層１９を０．２μｍ〜３μｍ程度、本実施の形態では１μｍ被着形成する。
【００２９】
次に、図１（Ｅ）に示すように、主成分として硫酸銅５水和物を１リットル中５０〜２５０ｇ、硫酸を１リットル中１０〜２５０ｇ、塩素イオンを１リットル中２〜８０ｍｇの組成に、添加剤としての他に含硫黄有機化合物などの光沢剤や含窒素化合物などのレベラーおよび非イオン性ポリエーテル高分子界面活性剤などのポリマー等を添加した、いわゆるビアフィリング用のめっき液によって、電気めっきを１ｄｍ2当り１Ａの電流密度で６０分間行い、銅の電気めっき層２０を形成する。本実施の形態では硫酸銅５水和物を１リットル中２００ｇ，硫酸を１リットル中２５ｇ，塩素イオンを１リットル中４０ｍｇの組成を用いた。これによってビアには電気めっきによる銅が充填され、絶縁性基材５の表面に形成された通電層１９および転写形成された導電性パターン１２，ランド１３の表面に電気めっき層２０が２０μｍ程度被着形成され、ビア１８の領域を含んで電気めっき層２０の表面は平坦に形成される。これは電気めっき液の硫酸銅濃度が高いことや添加剤の効果によってビア部に優先的にめっき形成が成されることに起因するためである。
【００３０】
次に図１（Ｆ）に示すように、銅のエッチング液でビア１８領域および絶縁性基材１５の表面に形成された通電層１９および絶縁性基材１５の表面に形成された電気めっき層２０をエッチングする。ここでエッチング液に硫酸と過酸化水素の混合液系を用いると、ビア部も含んで均一にエッチングされるため平坦性が保たれる。このエッチング量としては絶縁性基材１５表面を露出させることが必要であるが、基板として半導体や部品実装を考慮するとエッチング量が多過ぎてビア部に大きな凹みができても問題となるので、凹凸の量としては１０μｍ以下とすることが望ましい。
【００３１】
以上より、少なくとも絶縁性基材１５の両面に導電性パターン１２，１６，ランド１３，１７が形成されており、両面のランド１３，１７が電気めっきによってビアフィリングされて銅によって接続され、しかも表面の導電性パターン１２，ランド１３が絶縁性基材１５に埋め込まれビア１８表面も含んで平坦な基板が得られる。
【００３２】
この基板表面の導電性パターン１２，ランド１３は絶縁性基材１５表面と平坦となっているため、微細なパターンを形成しても基板の取り扱いなどによる外力によってパターン倒れやゆがみを生じることも無く、半導体などのバンプ接続の加圧実装によるパターンからのバンプすべりによる接続不良も生じることがない。
【００３３】
また、ビア１８は導電性パターン１２，ランド１３に同一工程で形成されたランド１７の開口部１４をマスクとしてレーザーによって形成されるため、セルフアライメントで形成するもので位置ずれが生じないため、ビア１８に対するランド１７のアライメント余裕を必要とせずランド１７を小さくできる。
【００３４】
さらに、ビア１８はめっきによって銅が充填されているため電気抵抗が小さく、絶縁性基材１５両面のランド１３，１７とビア１８の電気めっきにより充填されためっき層２０とは結晶学的に結合されているので、機械的応力に強く接続抵抗が生じないために高い信頼性が得られる。
【００３５】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態について、図２を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同様の構成を有するものについては、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３６】
まず、図２（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、第１の基材１１として、絶縁性フィルムまたはアルミニウム等の金属基材を用い導電性パターン１２およびランド１３を例えば銅によって形成する。
【００３７】
次に、図２（Ｂ）に示すように、この第１の基材１１に形成された導電性パターン１２，ランド１３を絶縁性基材１５に埋め込み接着すべく熱圧着や真空プレスする。このとき実施の形態１で説明した如く、絶縁性基材１５の裏面の導電性パターン１６，ランド１７形成のために別の第１の基材１１を用いて絶縁性基材１５の表面に設置してプレスして形成しても良い。
【００３８】
ここで、真空熱プレスを絶縁性基材１５のエポキシ樹脂が軟化する以上の温度例えば２５０℃とすることによって、絶縁性基材１５の表面には導電性パターン１２，ランド１３を、裏面には導電性パターン１６，ランド１７を埋め込むことができる。このとき、絶縁性基材１５に埋め込まれた導電性パターン１２，ランド１３と絶縁性基材１５の表面との凹凸は１０μｍ以下、好ましくは、平坦となっている。
【００３９】
ここで、本実施の形態においてプレスの後に以下説明する工程で、第１の基材１１がポリイミドやアラミドやＰＥＴなどの絶縁性フィルムやレーザーによって加工が可能な材質であれば除去する必要はない。
【００４０】
しかし、レーザーで加工が困難な材質の場合、導電性パターン１２，ランド１３の開口部１４より大きく、フォトエッチングで除去しておけば後のレーザーによるビア１８形成の障害とはならないため、以下の本実施の形態の適用が可能である。
【００４１】
次に、図２（Ｃ）に示すように、第１の基材１１の表面からランド１３より小さく、ランド１３の開口部１４より大きくカバーする領域に炭酸ガスレーザーを照射する。これにより、炭酸ガスレーザー照射領域の第１の基材１１に穴が形成されると同時に導電性パターン１２，ランド１３の開口部１４の領域のみの絶縁性基材１５が除去され、ビア１８が形成される。これは、導電性パターン１２，ランド１３の銅が炭酸ガスレーザーによって加工できずマスクとなるためで、セルフアライメントで選択的に導電性パターン１２，ランド１３の開口部１４の領域のみがビア形成される。なお、本実施の形態において、レーザー加工を炭酸ガスレーザーについて説明したが、ＹＡＧレーザーであっても良く、ＹＡＧレーザーの場合、第１の基材１１がポリイミドなどの樹脂ならば容易に除去することができ、ビアも容易に形成することができる。
【００４２】
次に、図２（Ｄ）に示すように、必要に応じて過マンガン酸塩類などによる絶縁性基材１５の表面の粗化や、前記形成されたビア１８の残存する微量の樹脂などの除去すなわちデスミア処理を行い、少なくとも絶縁性基材表面およびビア１８内壁表面に無電解めっきや蒸着などによって通電層１９として例えば銅を０．２μｍ〜３μｍ程度、本実施の形態では１μｍ被着形成する。
【００４３】
次に、図２（Ｅ）に示すように、主成分として硫酸銅５水和物を１リットル中５０〜２５０ｇ、硫酸を１リットル中１０〜２５０ｇ、塩素イオンを１リットル中２〜８０ｍｇの組成に、添加剤としての他に含硫黄有機化合物などの光沢剤や含窒素化合物などのレベラーおよび非イオン性ポリエーテル高分子界面活性剤などのポリマー等を添加した、いわゆるビアフィリング用のめっき液によって電気めっきを、１ｄｍ2当り１Ａの電流密度で６０分間銅のめっき層２０を形成する。本実施の形態では硫酸銅５水和物を１リットル中２００ｇ，硫酸を１リットル中２５ｇ，塩素イオンを１リットル中４０ｍｇの組成を用いた。
【００４４】
これによってビア１８には電気めっきによる銅が充填され、絶縁性基材１５の表面に形成された通電層１９および転写形成された導電性パターン１２，ランド１３の表面に電気めっきによる銅が２０μｍ程度被着形成され、ビア１８の領域を含んで電気めっき層２０は表面が平坦に形成される。これは電気めっき液の硫酸銅濃度が高いことや添加剤の効果によってビア部に優先的にめっき形成が成されることに起因するためである。
【００４５】
次に図２（Ｆ）に示すように、銅のエッチング液でビア１８の領域および絶縁性基材１５の表面に形成された通電層１９、および絶縁性基材１５の表面に形成された電気めっき層２０をエッチングする。ここでエッチング液に硫酸と過酸化水素の混合液系によれば、ビア部１８の電気めっき層２０も含んで均一にエッチングされるため平坦性が保たれるばかりでなく、塩化第２鉄やアンモニア系などのエッチング液に比較してエッチング速度が小さいため、エッチング量の制御が容易である。このエッチング量としてはビア部１８を電気めっきによって充填しためっき層２０が絶縁性基材１５の表面とほぼ平坦となる程度のエッチングが必要である。
【００４６】
ここで、ビア部１８以外の領域ではポリイミドなどの第１の基材１１の樹脂がエッチングのストッパーとなり、第１の基材１１の表面の露出を観測することによってエッチング終了の判断基準とすることもできる。エッチングの終了の検出が第１の基材１１の表面の露出とした場合、ビア部１８では電気めっき層２０の表面が絶縁性基材１５の表面より第１の基材１１であるポリイミドの厚さ分厚くなるため、それを考慮してオーバー目にエッチングするかもしくは第１の基材１１でに厚さの薄いものを用いればよい。ここで、基板として完成したときにエッチング量の過不足によってビア部に凹凸ができても問題であるが、基板として半導体や部品実装を考慮して凹凸の量としては１０μｍ以下とすることが望ましく、そのためにエッチング量を調整する。
【００４７】
次に図２（Ｇ）に示すように、第１の基材１１を剥離除去する。この剥離除去は絶縁性基材１５と接着される導電性パターン１２，ランド１３を形成した面の粗化処理や密着強化の処理がなければ、絶縁性基材１５および導電性パターン１２，ランド１３との接着強度が弱く、機械的に引き剥がすことで容易に剥離ができる。
【００４８】
これによって少なくとも絶縁性基材１５の両面に導電性パターン１２，１６，ランド１３，１７が形成されており、両面のランド１３，１７が電気めっきによってビアフィリングされて銅によって接続され、しかも表面の導電性パターン１２，ランド１３が絶縁性基材１５に埋め込まれビア１８を電気めっきによって充填しためっき層２０の表面も含んで平坦な基板が得られる。
【００４９】
以上のように、この基板の表面の導電性パターン１２，ランド１３は、絶縁性基材１５の表面と平坦となっているため、微細なパターンを形成しても基板の取り扱いなどによる外力によってパターン倒れやゆがみを生じることも無く、半導体などのバンプ接続の加圧実装によるパターンからのバンプすべりによる接続不良も生じることがない。また、ビア１８はめっきによって銅が充填されているため接続の電気抵抗も小さく、絶縁性基材１５両面のランド１３，１７とビア１８の電気めっきにより充填されためっき層２０とは結晶学的に結合されているために機械的応力に強く、高い信頼性が得られる。
【００５０】
さらに図３に示すように、実施の形態１および２で形成した基板のどちらか一方の面に、実施の形態１および２で説明したと同様の工程すなわち、新たに別の第１の基材１１に形成した導電性パターン２１およびランド２２を形成する。導電性パターン２１，ランド２２において、後にビアを形成すべきランド２２には形成すべきビア１８と同等の大きさの開口部が形成されている。この新たに別の第１の基材１１に形成された導電性パターン２１，ランド２２を、実施の形態１および２で説明した絶縁性基材１５と同様の新たな絶縁性基材２４に埋め込み接着すべく、絶縁性基材２４のエポキシ樹脂が軟化する以上の温度例えば２５０℃で熱圧着または真空プレスする。このとき、絶縁性基材２４の反対面には実施の形態１および２で形成した基板の片方の面を設置して熱圧着や真空プレスする。
【００５１】
以後実施の形態１および２と同様の工程によってビア２３内を電気めっきによって銅を充填接続して、図３（Ａ）に示す如く実施の形態１および２で形成した基板にさらに積層して表面が平坦な微細配線を有する多層基板の形成が可能でありこれを繰り返すことでさらに多層化が可能である。
【００５２】
また、実施の形態１および２で形成した基板の両面に、実施の形態１および２で説明したと同様の工程すなわち、新たに別の第１の基材１１に形成した導電性パターン２１およびランド２２を形成する。導電性パターン２１，ランド２２において、後にビアを形成すべきランド２２には形成すべきビアと同等の大きさの開口部が形成されている。また、別の第１の基材１１に形成された導電性パターン２５，ランド２６を、実施の形態１および２で説明した絶縁性基材１５と同様の新たな絶縁性基材２４および２８に埋め込み接着すべく、絶縁性基材２４および２８のエポキシ樹脂が軟化する以上の温度、例えば２５０℃で熱圧着または真空プレスする。このとき、実施の形態１および２の工程で形成した基板の一方の面には、絶縁性基材２４と第１の基材の導電性パターン２１，ランド２２を、反対面には、絶縁性基材１５と第１の基材の導電性パターン２５，ランド２６をそれぞれ設置して熱圧着または真空プレスする。
【００５３】
以後実施の形態１および２同様の工程によってビア内を電気めっきによって銅を充填接続してめっき層２３、２７を形成し、図３（Ｂ）に示す如く実施の形態１および２で形成した基板にさらに積層する。この場合両面同時に形成できるので、効率的に表面が平坦な微細配線を有する多層基板の形成が可能であり、これを繰り返すことでさらに多層化が可能である。
【００５４】
以上により前記実施の形態１同様に、絶縁性基材１５の両面に導電性パターン１２，１６，ランド１３，１７が形成されており、両面のランド１３，１７が電気めっきによってビアフィリングされるので銅によって接続され、しかも表面の導電性パターン１２，ランド１３が絶縁性基材１５に埋め込まれ、ビア１８の表面も含んで平坦な基板が得られる。この基板表面の導電性パターン１２，ランド１３は絶縁性基材１５の表面と平坦となっているため、微細なパターンを形成しても基板の取り扱いなどによる外力によってパターン倒れやゆがみを生じることも無く、半導体などのバンプ接続の加圧実装によるパターンからのバンプすべりによる接続不良も生じることがない。
【００５５】
また、ビア１８はランド１３に同一工程で形成されたランド１７の開口部１４をマスクとしてレーザーによって形成されるため、セルフアライメントで形成するもので位置ずれが生じないため、ビア１８に対するランド１７のアライメント余裕を必要とせずランド１７を小さくできる。さらに、ビア１８はめっきによって銅が充填されているため電気抵抗が小さく、絶縁性基材１５両面のランド１３，１７とビア１８の電気めっきにより充填されためっき層２０とは結晶学的に結合されているもので、機械的応力に強く接続抵抗が生じないために高い信頼性が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、基板表面の導電性パターン，ランドが絶縁性基材の表面と平坦となっているため微細なパターンを形成しても基板の取り扱いなどによる外力によってパターン倒れやゆがみを生じることも無く、半導体などのバンプ接続の加圧実装によるパターンからのバンプすべりによる接続不良も生じることがない。また、ビアはめっきによって銅が充填されているため接続の電気抵抗も小さく、絶縁性基材両面のランドとビアの電気めっきにより充填された銅とは結晶学的につながっているために機械的応力に強く、高い信頼性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施の形態１における基板の製造方法を示す工程断面図
【図２】本発明の実施の形態２における基板の製造方法を示す工程断面図
【図３】本発明の実施の形態２における基板の製造方法を示す工程断面図
【図４】従来の基板の製造方法を示す工程断面図
【符号の説明】
【００５８】
１１  第１の基材
１２  導電性パターン
１３  ランド
１４  開口部
１５  絶縁性基材
１６  導電性パターン
１７  ランド
１８  ビア
１９  通電層
２０  めっき層
２１  導電性パターン
２２  ランド
２３  めっき層
２４  絶縁性基材
２５  導電性パターン
２６  ランド
２７  めっき層
２８  絶縁性基材
【図１】
2008193025.tif 000003
【図２】
2008193025.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008193025.tif 000006