(57)【要約】【課題】半導体封止材用途に好適に用いられる低応力性、耐熱性、耐熱衝撃性、耐湿性、成形性などの特性を向上させた半導体封止用樹脂組成物ならびに半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】（ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、および（ｃ）特定の構造、分子量を持ったポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、ならびにこの半導体封止用樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂  １００重量部、
（ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物  （ａ）のエポキシ樹脂と（ｂ）のフェノール性水酸基含有化合物の当量比（（ｂ）の水酸基数／（ａ）のエポキシ基数）が０．５〜１．５の範囲になる量、および（ｃ）一般式（１）
【化１】
2008163116.tif 000018
（式（１）中、ａは１以上の整数、Ａは一般式（２）
【化２】
2008163116.tif 000019
（式（２）中、Ｒ１は同一又は異種の一価の置換又は非置換の炭化水素基もしくは水素基；Ｒ２は一つの炭素原子が酸素原子で置換されても良い二価の置換又は非置換の炭素数１〜４０の有機炭化水素基；Ｘは酸素又はＮＲＸ基（ここでＲＸは一つの炭素原子が酸素原子で置換されても良い一価の置換又は非置換の炭素数１〜２０の炭化水素基、水素基、もしくは−ＳｉＲ’２−Ｒ２−ＮＲ１２基（Ｒ’は同一又は異種の一価の置換又は非置換の炭化水素基、Ｒ１、Ｒ２は前記に同じ））、ｎは３〜１０の整数、ｍは１〜１０００の整数をそれぞれ示す）で表されるポリエステル単位を示し、
Ｂは一般式（３）
【化３】
2008163116.tif 000020
（式（３）中、Ｒ３、Ｒ４は互いに同一又は異種の置換又は非置換の炭素数１〜２０の脂肪族飽和又は不飽和、鎖状、環状又は分岐炭化水素基もしくはエーテル基置換炭化水素基、あるいは脂肪族不飽和結合を有していてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基もしくはエーテル基置換炭化水素基；ｐは０〜３０００の整数；ｑは０〜５０の整数；ｒは０以上の整数；ｔは１以上の整数をそれぞれ示す）で表されるシロキサン単位を示す）で表されるポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体  ０．１〜５０重量部を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】
一般式（１）で表されるポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体が、一般式（４）
【化４】
2008163116.tif 000021
（式（４）中、Ｒ１は前記のとおりであり、ｂは３〜１０の整数を示す）で表される環状エステル化合物を一般式（５）
【化５】
2008163116.tif 000022
（式（５）中、Ｘ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、ｐ、ｑ、ｒ及びｔは前記のとおりである）で表されるシロキサン化合物へ開環重合反応させることによって製造されたものであり、なおかつ、一般式（５）で表されるシロキサン化合物が、一般式（６）
【化６】
2008163116.tif 000023
（式（６）中、Ｒ３、ｐ及びｑは前記のとおりであり、ｓは１以上の整数を示す）で表されるシロキサンと、一般式（７）
【化７】
2008163116.tif 000024
（式（７）中、Ｘ、Ｒ２、Ｒ４前記のとおり。）で表される環状化合物又はその開環重合物との反応によって得られたものである、請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
一般式（１）で表されるポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体において、ａが１又は２である請求項１又は２のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項４】
一般式（１）で表されるポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体のＢを表す一般式（３）のシロキサン単位において、（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｔ）の合計が５〜１０００である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項５】
一般式（７）で表される環状化合物が一般式（８）
【化８】
2008163116.tif 000025
（式（８）中、Ｒ２は二価のプロピレン又はブチレン、Ｒ４はメチル基を示し、Ｒ２のメチレン基の一つは酸素原子で置換されていても良い）の化合物又はその開環重合物である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項６】
一般式（７）で表される環状化合物が一般式（９）
【化９】
2008163116.tif 000026
（式（９）中、Ｒ２は二価のプロピレン基；Ｒ４はメチレン基；ＲＸは一つの炭素原子が酸素原子で置換されても良い一価の置換又は非置換の炭素数１〜２０の炭化水素基、水素基、もしくは−ＳｉＲ’２−Ｒ２−ＮＲ１２基（Ｒ’は同一又は異種の一価の置換又は非置換の炭化水素基、Ｒ１、Ｒ２は前記に同じ））の化合物である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項７】
一般式（５）で表されるシロキサン化合物が無機又は有機のルイス酸又はルイス塩基、有機ブレンステッド酸又は塩基、有機金属化合物又はハロゲン化塩、又は一般式（１０）
【化１０】
2008163116.tif 000027
（ここで、Ｒ６は飽和又は不飽和の鎖状又は分岐状のＣ１〜Ｃ３０のアルキル基、Ｃ２〜Ｃ４０のアルケニル基又はアルコキシアルキル基、Ｃ２〜Ｃ４０のポリエーテル、Ｃ５〜Ｃ１４のシクロアルキル基又はアリール基であり、ｖは０、１又は２を示す）で表される化合物から選ばれる触媒を使用して製造されたものである請求項１〜６のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項８】
一般式（１）で表されるポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体が有機スズ化合物を触媒に使用して製造されたものである請求項１〜７のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体が配合されてなる半導体封止用樹脂組成物に関し、さらに詳しくはエポキシ樹脂との相溶性や親和性に優れたポリエステルセグメントとポリシロキサンセグメントからなるブロック共重合体をエポキシ樹脂に対して分散・固定化し、低応力性、耐熱性、耐熱衝撃性、耐湿性、成形性などの特性を向上させた半導体封止用樹脂組成物ならびに半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ダイオード、トランジスタ、集積回路などの電子部品を熱硬化性樹脂を用いて封止することが広く行われている。これは、ガラス、金属、セラミックスを用いたハーメチックシール方式に比較して原料コストが安い上に大量生産に適するといった経済的利点を有するからである。この種の封止樹脂としては、熱硬化性樹脂のなかでもエポキシ樹脂が一般的に用いられており、特にノボラック型フェノール樹脂を硬化剤として配合したエポキシ樹脂組成物が、他の硬化剤を使用したものに比べて、成形性、耐湿性に優れ、かつ安価であるために封止用樹脂材料の主流となっている。
【０００３】
特に最近では、半導体チップの高集積化が進み、それに伴いチップサイズが大型化してきており、またパッケージの形状は基板への高密度実装化、表面実装化に伴い、チップの大型化とは逆にフラットパッケージに見られる如く薄型化傾向にある。このため従来の樹脂封止では見られなかった不良現象が発生するようになった。すなわち、封止樹脂とチップの熱膨張率の差に起因する樹脂の応力がチップの大型化、封止樹脂層の薄肉化のため、熱衝撃によりパッシベーション膜のクラック、アルミ配線スライドあるいは封止樹脂のクラックといった破壊現象を引き起こし、また、表面実装化に伴いパッケージそのものが半田浴温度にさらされるため、パッケージ内の水分が急激に膨張し、パッケージにクラックといった破壊現象を引き起こし、半導体の耐湿性を低下させ、ひいては信頼性を低下させる要因となっている。したがって、この応力が小さく、半田浴耐熱性に優れた封止用樹脂材料の開発が望まれている。また、エポキシ樹脂組成物は、表面実装のためにアンダーフィルとしても用いられ、この場合には、硬化物が上記の応力緩和効果を有すると共に、エポキシ樹脂組成物が基板とチップとの間に均一に封入できるように、低粘度で良好な流動性を有することが必要になっている。
【０００４】
かかる応力を小さくする方法としては、樹脂の熱膨張率を小さくしてチップのそれとの差を小さくすることが考えられるが、樹脂とチップの熱膨張率の差は大きく、これを縮めるためには熱膨張率の小さい無機質充填材を樹脂中に多量に配合しなければならず、成形性を損なうおそれがある。一方、上記問題に対処して、樹脂に可塑剤を添加したり、あるいは可とう性を有する樹脂を用いることにより、樹脂の弾性率を下げて応力を小さくすることが試みられたが、この方法により得られた硬化物は耐熱性が低いという難点があった。
【０００５】
また、特許文献１には封止樹脂中に有機系ゴムを粒子状に分散させることにより耐熱性を保持しつつ耐クラック性を付与する方法が提案されているが、この方法により得られる硬化物は、半田浴の如き封止樹脂のガラス転移温度を越える高温における耐衝撃性に劣るなどの難点があった。さらに、特許文献２には直鎖状シロキサン部分を１０重量％以上含む微粒子状のシリコーン硬化物を、また特許文献３には熱硬化性シリコーン組成物を熱風中に噴霧してエラストマー状に硬化させた球状硬化物を封止樹脂に配合し、熱膨張係数および内部応力を改善する方法が提案されている。しかしながら、これらの硬化物は凝集性が強いために分散性が悪く、また強度が低いために配合時に破壊を受けやすいことから、耐熱性、耐熱衝撃性、低応力性などのシリコーン本来の樹脂改質機能が発現しにくいという欠点を有しており、上記問題の改善には不十分であった。
【０００６】
さらに、特許文献４にはエポキシ樹脂にポリカプロラクトン−ポリシロキサンブロック共重合体を含有する熱硬化性組成物が提案されているが、この発明で好適とされるポリカプロラクトン−ポリシロキサンブロック共重合体の製造方法は特許文献５に開示されているものの、この製造方法は工業的に難易度が高いためにコストも高いものとなり、さらには得られるブロック共重合体の構造にも制約があり、結果としてエポキシ樹脂に混合した場合の成形加工性、耐熱性、耐熱衝撃性などの性能面の向上も不十分であった。
【特許文献１】特開昭５８−１０８２２０号公報
【特許文献２】特開昭５８−２１９２１８号公報
【特許文献３】特開昭５９−９６１２２号公報
【特許文献４】特開平４−２１６８５５号公報
【特許文献５】米国特許４，６６３，４１３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、半導体封止材用途に好適に用いて、格段に向上した低応力性、耐熱性、耐熱衝撃性、耐湿性、成形性などの特性を有すると共に、アンダーフィルに用いて優れた流動性を有する半導体封止用樹脂組成物、ならびに当該組成物によって封止された半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、特定のポリエステルセグメントと特定のポリシロキサンセグメントからなるブロック共重合体を配合した半導体封止用樹脂組成物が上記目的を達成することを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、（ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂  １００重量部、
（ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物  （ａ）のエポキシ樹脂と（ｂ）のフェノール性水酸基含有化合物の当量比（（ｂ）の水酸基数／（ａ）のエポキシ基数）が０．５〜１．５の範囲になる量、
および（ｃ）一般式（１）
【化１】
2008163116.tif 000002
（式（１）中、ａは１以上の整数、Ａは一般式（２）
【化２】
2008163116.tif 000003
（式（２）中、Ｒ１は同一又は異種の一価の置換又は非置換の炭化水素基もしくは水素基；Ｒ２は一つの炭素原子が酸素原子で置換されても良い二価の置換又は非置換の炭素数１〜４０の有機炭化水素基；Ｘは酸素又はＮＲＸ基（ここでＲＸは一つの炭素原子が酸素原子で置換されても良い一価の置換又は非置換の炭素数１〜２０の炭化水素基、水素基、もしくは−ＳｉＲ’２−Ｒ２−ＮＲ１２基（Ｒ’は同一又は異種の一価の置換又は非置換の炭化水素基、Ｒ１、Ｒ２は前記に同じ））、ｎは３〜１０の整数、ｍは１〜１０００の整数をそれぞれ示す）で表されるポリエステル単位を示し、
Ｂは一般式（３）
【化３】
2008163116.tif 000004
（式（３）中、Ｒ３、Ｒ４は互いに同一又は異種の置換又は非置換の炭素数１〜２０の脂肪族飽和又は不飽和、鎖状、環状又は分岐炭化水素基もしくはエーテル基置換炭化水素基、あるいは脂肪族不飽和結合を有していてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基；ｐは０〜３０００の整数；ｑは０〜５０の整数；ｒは０以上の整数；ｔは１以上の整数をそれぞれ示す）で表されるシロキサン単位を示す）で表されるポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体  ０．１〜５０重量部を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。また、本発明は前記半導体封止用樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体封止用組成物は、低応力性、耐熱性、耐熱衝撃性、耐湿性、成形性に優れ、アンダーフィルに用いるに適した流動性を有する。本発明の組成物により封止した半導体装置は、これらの特性を具備することにより、例えば、ボンディングワイヤの変形、ボンディングワイヤのオープン、樹脂クラック、ペレットクラックなどの不都合の発生が防止され、２５０℃以上の半田浴浸漬後においても耐湿性や機械的強度などの特性が低下することもなく、信頼性の高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明について具体的に説明する。本発明の（ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されているものであれば制限はなく、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換ビフェノールなどのジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸などの過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂等を挙げることができ単独又は２種類以上併用してもよい。
【００１２】
本発明において用いられる（ｂ）成分の１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物は、（ａ）成分のエポキシ樹脂と反応させて硬化させる成分であり、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのフェノール類又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、フェノール類とジメトキシパラキシレンから合成されるキシリレン基を有するフェノール・アラルキル樹脂、脂環骨格を構造中に持つフェノール化合物などがあり、単独又は２種類以上併用してもよい。また、（ａ）のエポキシ樹脂と（ｂ）のフェノール性水酸基を有する化合物の当量比（（ｂ）の水酸基数／（ａ）のエポキシ基数）は、特に限定はされないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜１．５の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは０．７〜１．３の範囲である。
【００１３】
次に、本発明の（ｃ）成分を構成するポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体は、前記一般式（１）
【化４】
2008163116.tif 000005
で表される構造単位を有するもので、線状又は分岐状のいずれであってもよく、ａは１以上の整数であるが、ａが１であるＡ−Ｂ、又は２であるＡ−Ｂ−Ａ構造であることが好ましい。
【００１４】
一般式（１）のＡは前記一般式（２）
【化５】
2008163116.tif 000006
で表されるポリエステル単位であり、Ｒ１は同一又は異種の一価の置換又は非置換の炭化水素基もしくは水素基であって、Ｒ１の炭化水素基の具体例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基などのアルキル基；ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、１−ヘキセニル基などのアルケニル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などのシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、ビニルフェニル基などのアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基などのアラルキル基；これらの炭化水素基中の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子、シアノ基などによって置換されたクロロメチル基、２−ブロモエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−クロロプロピル基、クロロフェニル基、ジブロモフェニル基、テトラクロロフェニル基、ジフルオロフェニル基、β−シアノエチル基、γ−シアノプロピル基、β−シアノプロピル基などの置換炭化水素基などが挙げられる。式（２）のＲ２は、一つの炭素原子が酸素原子で置換されても良い二価の置換又は非置換の炭素数１〜４０の有機炭化水素基であって、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−基、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−基、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−基、及びそれらをハロゲン原子又はシアノ基で置換した置換炭化水素基などを挙げることができる。
【００１５】
式（２）のＸは、酸素又はＮＲＸ基であり、ＲＸは一つの炭素原子が酸素原子で置換されても良い一価の置換又は非置換の炭素数１〜２０の炭化水素基、水素基、もしくは−ＳｉＲ’２−Ｒ２−ＮＲ１２基である。ＲＸの一つの炭素原子が酸素原子で置換されても良い一価の置換又は非置換の炭素数１〜２０の炭化水素基としては、例えば具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基などのアルキル基；ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、１−ヘキセニル基などのアルケニル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などのシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、ビニルフェニル基などのアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基などのアラルキル基；これらの炭化水素基中の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子、シアノ基などによって置換されたクロロメチル基、２−ブロモエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−クロロプロピル基、クロロフェニル基、ジブロモフェニル基、テトラクロロフェニル基、ジフルオロフェニル基、β−シアノエチル基、γ−シアノプロピル基、β−シアノプロピル基などの置換炭化水素基、メトキシメチレン基、メトキシエチレン基、メトキシプロピレン基などを挙げることができる。
【００１６】
式（２）のＸ基のＮＲΧとしてあげたＲΧの一つである−ＳｉＲ’２−Ｒ２−ＮＲ１２基において、Ｒ’は炭化水素基であって、前記のＲ１で例示した炭化水素基をあげることができ、Ｒ１は、式（２）のＲ１と同様な炭化水素基又は水素である。
【００１７】
前記式（２）のｎは３〜１０の整数であり、６以下が好ましく、特に好ましくは４又は５である。さらにｍは１〜１０００の整数であり、２００以下が好ましく、特に好ましくは１〜２００である。
【００１８】
一方、一般式（１）のＢは前記一般式（３）
【化６】
2008163116.tif 000007
で表されるシロキサン単位であり、Ｒ３、Ｒ４の置換又は非置換の炭素数１〜２０の脂肪族飽和又は不飽和、鎖状、環状又は分岐炭化水素基もしくはエーテル基置換炭化水素基、あるいは脂肪族不飽和結合を有していてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基もしくはエーテル基置換炭化水素基であって、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基などのアルキル基；ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、１−ヘキセニル基などのアルケニル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などのシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、ビニルフェニル基などのアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基などのアラルキル基；これらの炭化水素基中の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子、シアノ基などによって置換されたクロロメチル基、２−ブロモエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−クロロプロピル基、クロロフェニル基、ジブロモフェニル基、テトラクロロフェニル基、ジフルオロフェニル基、β−シアノエチル基、γ−シアノプロピル基、β−シアノプロピル基などの置換炭化水素基、メトキシメチレン基、メトキシエチレン基、メトキシプロピレン基、４−メトキシシクロシキシル基、４−メトキシフェニル基などを挙げることができる。
【００１９】
さらに、前記一般式（３）のシロキサン単位において、ｐは０〜３０００の整数、ｑは０〜５０の整数、ｒは０以上の整数、ｔは１以上の整数であり、これらの合計（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｔ）は３〜２００００の範囲が好ましく、より好ましくは５〜１０００の範囲である。この代表的な例としては、ｐは１以上の高重合度、ｑおよびｒは０、ｔは２であるシロキサン単位、又はｐは１以上の高重合度、ｑは１、ｒは０、ｔは１であるシロキサン単位などが挙げられる。
【００２０】
一般式（１）で表されるポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体は、一般式（４）
【化７】
2008163116.tif 000008
（式中、Ｒ１は前記のとおりであり、ｂは３〜１０の整数を示す）で表される環状エステル化合物と、一般式（５）
【化８】
2008163116.tif 000009
（式中、Ｘ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、ｐ、ｑ、ｒ及びｔは前記のとおりである。）で表されるシロキサン化合物の重合反応によって製造することができる。
【００２１】
一般式（４）で表される環状エステル化合物において、反応性の点でｂは６以下が好ましく、特に好ましくは４又は５である。この環状エステル化合物と一般式（５）で表されるシロキサン化合物の重合反応は２０〜２５０℃の温度で行なうことが可能であり、少なくとも５０℃以上の反応温度が好ましい。特に好ましい反応条件としては、シロキサン化合物の分解を抑制するため、初期段階では５０〜１００℃で反応させ、反応の進行に合わせて１００〜２００℃へ昇温して反応を行なうことがより好ましい。この重合反応の速度は触媒を使用することによって早めることが可能であり、触媒としてはカプロラクトン共重合体の合成に対して有効なあらゆる有機スズ化合物、例えばジブチルスズジラウレートなどのジブチルスズ脂肪族モノカルボン酸塩などを使用することができる。この使用量は環状エステル化合物とシロキサン化合物の合計量に対して２０〜２０００ｐｐｍであり、より好ましくは１００〜１０００ｐｐｍの範囲である。この触媒を使用した場合の反応時間は０．５〜４８時間であり、より好ましくは２〜１０時間である。そして、この反応後に余剰となる未反応の環状エステル化合物やシロキサン化合物は減圧下で加熱留去することが可能であり、その場合、減圧度１００ｍｂａｒ以下、１００℃以上の減圧加熱条件で行なうことができる。
【００２２】
さらに、この重合反応は溶剤希釈下で行なうことができるが、適切な反応器内において溶剤を使用することなく実施することがより好ましい。また、この重合反応は必要により減圧下、加圧下又は常圧下で実施され、連続的プロセス又は非連続的プロセスで行なうことができる。溶剤としては、例えばヘプタンやデカンなどの脂肪族炭化水素、トルエンやキシレンなどの芳香族炭化水素などの不活性溶剤を使用することができ、この溶剤の使用量は反応混合物を十分に均一化できる量である。また、常圧で１００℃以上の沸点又は沸点範囲を持った溶剤あるいは溶剤混合物がより好ましく用いられる。
【００２３】
一方、一般式（５）で表されるシロキサン化合物は、一般式（６）
【化９】
2008163116.tif 000010
（式中、Ｒ３、ｐ及びｑは前記のとおりであり、ｓは１以上の整数を示す。）で表されるシロキサンと、一般式（７）
【化１０】
2008163116.tif 000011
（式中、Ｘ、Ｒ２、Ｒ４は前記のとおりである）で表される環状化合物又はその開環重合物との反応によって得ることができる。
【００２４】
本発明において、この一般式（７）で表される環状化合物又はその開環重合物としてより好ましいものは、一般式（８）
【化１１】
2008163116.tif 000012
（式中、Ｒ２、Ｒ４は前記のとおりである）で表される環状化合物又はその開環重合物である。この一般式（８）で表される環状化合物の中で好ましいものは、Ｒ４がメチル基であり、またＲ２がメチレン基の一つが酸素原子で置換されていても良い二価のプロピレン基又はブチレン基である。また、特に好ましいＲ２としては、プロピレン基又はＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−基が挙げられる。
【００２５】
さらに、一般式（７）で表される環状化合物として好ましい他の例として、一般式（９）
【化１２】
2008163116.tif 000013
（式中、Ｒ２、Ｒ４、ＲＸは前記のとおりである）で表される環状化合物も挙げられる。この一般式（９）で表される環状化合物の中で特に好ましいものは、Ｒ４、ＲＸが前記のとおりであり、Ｒ２が二価のプロピレン基又はブチレン基である。また、特に好ましいものは、Ｒ２が二価のプロピレン基、Ｒ４がメチル基、ＲＸが水素基又は−Ｓｉ（Ｍｅ）２−Ｃ３Ｈ６−ＮＨ２基の環状化合物である。
【００２６】
一般式（５）で表されるシロキサン化合物を製造するための、一般式（６）のシロキサンと一般式（７）〜（９）のいずれかの環状化合物との反応は、無触媒下において０〜２００℃の温度範囲で行われ、少なくとも２０℃以上での実施が好ましい。また、この反応は触媒の使用によって反応条件を大幅に改善することが可能であり、反応温度の低下や反応時間の短縮を行なうことができる。この触媒としては、無機又は有機のルイス酸又はルイス塩基、有機ブレンステッド酸又は塩基、有機金属化合物又はハロゲン化塩などが挙げられる。好ましい酸としてはギ酸や酢酸などのカルボン酸類やリン酸が挙げられる。
【００２７】
一般式（５）で表されるシロキサン化合物を製造するための触媒として、好ましい酸としてはギ酸や酢酸などのカルボン酸類やリン酸が挙げられる。好ましい塩基としてはアルキルアンモニウムヒドロキシド、アルキルアンモニウムシラノレート、アンモニウムアルコキシド、アルキルアンモニウムフルオリド、アミン塩あるいは金属アルコキシド又は有機金属化合物が挙げられ、特に好ましい金属アルコキシドはリチウム又はナトリウムアルコキシドである。また、好ましい有機金属化合物としては有機スズ化合物、有機亜鉛化合物、アルコキシチタン化合物、有機リチウム化合物あるいはグリニャール試薬が挙げられ、さらに好ましいハロゲン化塩としてはテトラアルキルアンモニウムフルオリドが挙げられる。また、一般式（１０）
【化１３】
2008163116.tif 000014
で表される化合物も好適に使用することができる。ここで、Ｒ６は飽和又は不飽和の鎖状又は分岐状のＣ１〜Ｃ３０のアルキル基、Ｃ２〜Ｃ４０のアルケニル基又はアルコキシアルキル基、Ｃ２〜Ｃ４０のポリエーテル、Ｃ５〜Ｃ１４のシクロアルキル基又はアリール基であり、ｖは０、１又は２である。
【００２８】
一般式（５）で表されるシロキサン化合物の製造において使用された触媒は、シラノール基への官能基導入反応の後に、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉグループの開裂が引き起こされる前に、いわゆる反触媒又は触媒毒の添加によって不活性化される。この不活性化反応は使用される触媒に依存し、必ずしも必要とされず、場合によっては実施する必要がない。触媒毒の例は、例えば酸が使用された場合には塩基を、また、例えば塩基が使用された場合には酸を使用することによって、ろ過や抽出により容易に分離可能な中和物の生成を伴って容易に中和することができる。
【００２９】
一般式（５）のシロキサン化合物の製造において、一般式（７）の環状化合物の使用量は一般式（６）のシロキサンにおけるシラノール基の量を示すｓの数に依存する。シラノール基すべてを封止する場合には少なくともシラノール量と当量の環状化合物を使用する必要がある。また、反応後に蒸留による余剰環状化合物の留去、又は余剰環状化合物の加水分解および必要により蒸留留去が可能であれば、シラノールに対して過剰の環状化合物を使用することができる。
【００３０】
一般式（５）のシロキサン化合物の製造は、適切な反応器内において、溶剤の使用下又は使用せずに行なうこともできる。また、この製造は必要であれば、減圧下、加圧下あるいは常圧下で実施される。溶剤としては、例えばヘプタンやデカンなどの脂肪族炭化水素、トルエンやキシレンなどの芳香族炭化水素などの不活性溶剤を使用することができ、同様に、ＴＨＦ、ジエチルエーテル、ＭＴＢＥ（メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル）などのエーテルを用いることができる。この溶剤の使用量は反応混合物を十分に均一化できる量である。また、常圧で１２０℃以上の沸点又は沸点範囲を持った溶剤あるいは溶剤混合物がより好ましく用いられる。
【００３１】
本発明の半導体封止用樹脂組成物の各原材料の配合割合は、（ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対し、（ｂ）フェノール水酸基を有する化合物を（ａ）のエポキシ樹脂と（ｂ）のフェノール水酸基を有する化合物の当量比（（ｂ）の水酸基数／（ａ）のエポキシ基数）が０．５〜１．５の範囲になる量、（ｃ）一般式（１）で表されるポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜２０重量部である。（ｃ）成分の配合量が０．１重量部未満では良好な低応力性、耐熱衝撃性、耐湿性、成形性などが得られず、一方、５０重量部を超えると半導体封止用樹脂としての耐熱性が得られない。
【００３２】
なお、本発明の半導体封止用樹脂組成物には、エポキシ樹脂とフェノール性水酸基を有する化合物の硬化反応を促進する硬化促進剤を配合することができる。この硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの三級アミン類、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
【００３３】
また、本発明の半導体封止用樹脂組成物には、無機質充填材として、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、炭化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、などの粉体、又はこれらを球形化したビーズ、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミナなどの単結晶繊維、ガラス繊維などを１種類以上配合することができる。無機質充填材の配合量としては、吸湿性、線膨張係数の低減及び強度向上の観点から、組成物全体に対して４０重量％以上が好ましい。上記の無機充填材の中で、線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましく、充填材形状は成形時の流動性及び金型摩耗性の点から球形が好ましい。
【００３４】
さらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物には、高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリエチレン系ワックスなどの離型剤、カーボンブラックなどの着色剤、エポキシシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ビニルシラン、有機チタネート、アルミニウムアルコレートなどのカップリング剤、Ｂｒ化ビスフェノールＡ又はそのエポキシ化物などのハロゲン化物や三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、水酸化アルミニウムなどの難燃剤、その他、老化防止剤、安定剤、可塑剤、軟化剤、架橋剤、帯電防止剤などを使用することができる。
【００３５】
本発明の半導体封止用樹脂組成物の配合方法は特に制限されるものではないが、例えば、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール水酸基を有する化合物、（ｃ）ポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体および必要に応じて配合する他の成分をミキサーなどによって均一になるように混合した後、ロール、ニーダー、押し出し機などを用いて溶融混練する方法が挙げられる。
【００３６】
また、本発明の半導体装置は半導体素子を前記の半導体封止用樹脂組成物の硬化物で封止したものである。前記の半導体封止用組成物を用いて半導体素子を封止し、本発明の半導体装置を製造する方法としては、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形、圧縮成形、注型などの方法によっても可能である。
【００３７】
以上説明したように、本発明の半導体封止用樹脂組成物は低応力性、耐熱性、耐熱衝撃性、耐湿性および成形性に特に優れており、これを用いた本発明の半導体装置はこれらの特性を具備したものとして、例えば、ボンディングワイヤの変形、ボンディングワイヤのオープン、樹脂クラック、ペレットクラックなどの不都合の発生が防止され、また、２５０℃以上の半田浴浸漬後においても耐湿性や機械的強度などの特性が低下することもなく、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に
限定されるものではない。なお、実施例中の部および％は、特に断らない限り重量部および重量％である。
【００３９】
［調製例１］  両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ１）の調製
撹拌機、温度計およびジムロートコンデンサーを装着した３Ｌの四つ口フラスコに数平均分子量８９０ｇ／ｍｏｌのα，ω−ジヒドロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサン２，０００ｇ（２．２５ｍｏｌ）および２，２−ジメチル−［１，４］ジオキサ−２−シラ−シクロヘキサン５９６ｇ（４．５１ｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、６０℃へ昇温し、１０％リチウムメチラート／メタノール溶液７．８ｇ（３００ｐｐｍ）を添加し、６０℃で７時間、加熱撹拌を行なった。次いで、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲによってα，ω−ジヒドロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサンのヒドロキシル基がヒドロキシエチルメチルエーテル基へと置換されたことを確認したのち、弱酸性のイオン交換樹脂を加えて中和を行い、次いで、ろ過および減圧ストリッピングを行い、目的とする両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ１）２，５００ｇを得た。こうして得られた両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ１）の粘度は１５ｍｍ２／ｓ（２５℃）であった。
【００４０】
［調製例２］  両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ２）の調製
撹拌機、温度計およびジムロートコンデンサーを装着した３Ｌの四つ口フラスコに数平均分子量１１，０００ｇ／ｍｏｌのα，ω−ジヒドロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサン２，２００ｇ（０．２０ｍｏｌ）および２，２−ジメチル−［１，４］ジオキサ−２−シラ−シクロヘキサン５４．２ｇ（０．４１ｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、１００℃へ昇温し、１０％リチウムメチラート／メタノール溶液６．８ｇ（３００ｐｐｍ）を添加し、１００℃で７時間、加熱撹拌を行なった。次いで、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲによってα，ω−ジヒドロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサンのヒドロキシル基がヒドロキシエチルメチルエーテル基へと置換されたことを確認したのち、弱酸性のイオン交換樹脂を加えて中和を行い、次いで、ろ過および減圧ストリッピングを行い、目的とする両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ２）２，２２０ｇを得た。こうして得られた両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ２）の粘度は５００ｍｍ２／ｓ（２５℃）であった。
【００４１】
［調製例３］  両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ３）の調製
撹拌機、温度計およびジムロートコンデンサーを装着した３Ｌの四つ口フラスコに数平均分子量２，６００ｇ／ｍｏｌのα，ω−ジヒドロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサン２，６００ｇ（１．００ｍｏｌ）および２，２−ジメチル−［１，４］ジオキサ−２−シラ−シクロヘキサン２６６ｇ（２．０１ｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、８０℃へ昇温し、１０％リチウムメチラート／メタノール溶液８．６ｇ（３００ｐｐｍ）を添加し、８０℃で４時間、加熱撹拌を行なった。次いで、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲによってα，ω−ジヒドロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサンのヒドロキシル基がヒドロキシエチルメチルエーテル基へと置換されたことを確認したのち、弱酸性のイオン交換樹脂を加えて中和を行い、次いで、ろ過および減圧ストリッピングを行い、目的とする両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ３）２，８００ｇを得た。こうして得られた両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ３）の粘度は７０ｍｍ２／ｓ（２５℃）であった。
【００４２】
［調製例４］  片末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ４）の調製
撹拌機、温度計およびジムロートコンデンサーを装着した５Ｌの四つ口フラスコに数平均分子量１，１００ｇ／ｍｏｌのα−ヒドロキシ−ω−トリメチルシロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサン３，３００ｇ（３．００ｍｏｌ）および２，２−ジメチル−［１，４］ジオキサ−２−シラ−シクロヘキサン３９８ｇ（３．０１ｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、８０℃へ昇温し、１０％リチウムメチラート／メタノール溶液１１．１ｇ（３００ｐｐｍ）を添加し、８０℃で３時間、加熱撹拌を行なった。次いで、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲによってα−ヒドロキシ−ω−トリメチルシロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサンのヒドロキシル基がヒドロキシエチルメチルエーテル基へと置換されたことを確認したのち、弱酸性のイオン交換樹脂を加えて中和を行い、次いで、ろ過および減圧ストリッピングを行い、目的とする片末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ４）３，６２０ｇを得た。こうして得られた片末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ４）の粘度は１４ｍｍ２／ｓ（２５℃）であった。
【００４３】
［調製例５］  両末端３−アミノプロピル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ５）の調製
撹拌機、温度計およびジムロートコンデンサーを装着した５Ｌの四つ口フラスコに数平均分子量３，０００ｇ／ｍｏｌのα，ω−ジヒドロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサン３，０００ｇ（１．００ｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、室温で撹拌しながら、Ｎ−［（３−アミノプロピル）−ジメチルシリル］−２，２−ジメチル−１−アザ−２−シラシクロペンタン２３３ｇ（１．０１ｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、さらに室温で２時間撹拌を行なった。次いで、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲによってα，ω−ジヒドロキシ−ポリ（ジメチル）シロキサンのヒドロキシル基が（３−アミノプロピル）ジメチルシロキシ基へと置換されたことを確認したのち、減圧ストリッピングを行い、目的とする両末端３−アミノプロピル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ５）３，２１０ｇを得た。こうして得られた両末端３−アミノプロピル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ５）の粘度は５５ｍｍ２／ｓ（２５℃）であった。
【００４４】
［調製例６］  ポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体（Ｂ１）の調製
撹拌機、温度計およびジムロートコンデンサーを装着した３Ｌの四つ口フラスコに調製例１で得た両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ１）１，０００ｇ、ε−カプロラクトン１，０００ｇおよびジブチルスズジラウレート１ｇ（５００ｐｐｍ）を入れ、窒素雰囲気下、７０℃へ昇温し、この温度で１時間加熱撹拌を行なった。次いで、１４０℃へ昇温して６時間加熱撹拌を行ない、ε−カプロラクトンが消失していることをガスクロマトグラフで確認したのち、１０ｍｂａｒ以下で減圧ストリッピングを行い、目的とするポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体（Ｂ１）１，９２０ｇを得た。こうして得られたポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体（Ｂ１）を１Ｈ−ＮＭＲで分析した結果、シリコーン含有量は５２％であり、ＧＰＣで測定した数平均分子量（Ｍｎ）は２，１００ｇ／ｍｏｌであった。
【００４５】
［調製例７〜１０］  ポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体（Ｂ２）〜（Ｂ５）の調製
調製例６において、両末端ヒドロキシエチルメチルエーテル基封止ポリジメチルシロキサン（Ａ１）の代わりに調製例２〜５で得たポリジメチルシロキサン（Ａ２）〜（Ａ５）をそれぞれ用いた以外は調製例６と同様にして、ポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体（Ｂ２）〜（Ｂ５）を調製した。得られたブロック共重合体（Ｂ２）〜（Ｂ５）のシリコーン含有量および数平均分子量（Ｍｎ）を表１にそれぞれ示す。
【００４６】
【表１】
2008163116.tif 000015
【００４７】
［実施例１〜７、比較例１〜４］
以下の組成物配合処方に基づき、表２に示すポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体又はゴム状改質剤を用いて、次の手順に従って半導体封止用樹脂組成物を得た。
［組成物配合処方  （部）］
・（ａ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；１００重量部（エポキシ当量２００）
・（ｂ）フェノール化合物（ノボラック型）；  ５３重量部（水酸基等量１０３）
・（ｃ）ポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体又はゴム状改質剤；  表２に示す部数
・溶融シリカ粉（平均粒径  ５μｍ）；３４０重量部
・トリフェニルホスフィン；１．８重量部
・赤リン；３重量部
・カーボンブラック；０．６重量部
・カルナウバワックス；１．８重量部
・３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン；２．４重量部
【００４８】
上記配合処方の各原料を、ヘンシェルミキサーを用いて３０００ｒｐｍの回転速度で５分間均一になるように撹拌混合した。次いで、この混合物を１００℃に設定した熱ロールで３分間溶融混練し、冷却した後、粉砕して半導体封止用樹脂組成物を得た。この半導体封止用樹脂組成物を用いて物性評価用の試験片を作成し、この試験片について熱膨張率、曲げ弾性率、スパイラルフローを測定するとともに、耐湿性、耐熱衝撃性、半田浴耐熱性、歪特性を調べたところ、表２に示すような結果が得られた。表２から明らかなように、実施例１〜７の本発明の半導体封止用樹脂組成物であり、本発明の目的とする硬化物が得られた。なお、測定ないし試験方法は以下の通りである。
【００４９】
・熱膨張率：ＡＳＴＭ−Ｄ６９６に基く測定法にしたがい、半導体封止用樹脂組成物を１７０℃、３分間の条件でトランスファー成形した後、１８０℃の雰囲気中に８時間放置して硬化を進め、得られた硬化試験体について測定した。
・曲げ弾性率：ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準拠して測定した。
・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準拠して測定した。
・耐湿性試験：半導体封止用樹脂組成物を用いて２本のアルミニウム配線を有する電気部品を１７０℃、３分間の条件でトランスファー成形し、次いで１８０℃で８時間硬化させた。得られた電気部品１００個について、１２０℃の高圧水蒸気中で耐湿性試験を行い、アルミニウム腐食による５０％の断線（不良発生）が起こる時間により、耐湿性を評価した。
【００５０】
・耐熱衝撃性サイクル試験：耐湿性試験の場合と同様にして３０×２５×５ｍｍの試験用成形品を作成した。次いで、これらの試験用成形品の底面に２５×２５×３ｍｍの銅板を埋め込み−４０℃と２００℃の恒湿槽へ交互に３０分ずつ入れ、これを１サイクルとして１５サイクル繰り返し、樹脂クラックが生じた成形品の割合、すなわちクラックの発生した成形品数／全成形品数を求めて耐熱衝撃性を評価した。
・半田浴耐熱性試験：２本のアルミニウム配線を有する電気部品を、樹脂組成物を用いて通常の４２アロイフレームに接着し、１７０℃で３分間の条件でトランスファー成形して５×１０×１．５ｍｍのフラットパッケージ型成形品を得た。この成形品はその後１８０℃で８時間硬化させた。次いでこの成形品を温度４０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に１００時間放置して吸湿処理を施した後、２５０℃の半田浴に１０秒間浸漬した。この後、１２７℃、２．５５気圧の飽和水蒸気中でプレッシャークッカーテストを行い、アルミニウム腐食により断線したものを不良品として数え、不良品数／全成形品数で半田浴耐熱性を評価した。
・歪試験：ＤＩＰ１６ピンリードフレームのアイランド部に市販のストレイジゲージを接着し、１８０℃で８時間硬化させた後の歪を測定した。
・接着性：試験片材料としてアルミニウムを使用し、１８０℃、８時間の効果条件で得られた試験体をＪＩＳ  Ｋ６８５０に準拠して測定した。
【００５１】
【表２】
2008163116.tif 000016
【００５２】
［比較例１〜４］
表３に示すポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体、ブタジエン−アクリロニトリルゴム（ＪＳＲ（株）製Ｎ２２０Ｓ）又はシリコーンゴムパウダー（信越化学工業（株）製ＫＭＰ−５９７：平均粒径５μｍ、粒径分布１〜１０μｍ、真比重０．９７）を用いて、実施例１と同様の評価を行った。結果を表３に示す。表３から明らかなように、比較例１は、（ｃ）成分として用いたポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体の配合量が本発明の範囲に満たない例であり、熱膨張率、曲げ弾性率、耐湿性、耐熱衝撃性、半田浴耐熱性、歪、接着性が劣る。比較例２は、（ｃ）成分のポリエステル−ポリシロキサンブロック共重合体の配合量が本発明の範囲を超えた例であり、耐湿性、半田浴耐熱性が劣る。比較例３、４は、（ｃ）成分として、市販のブタジエン−アクリロニトリルゴム又はシリコーンゴムパウダーを用いた本発明の範囲外の例であり、熱膨張率、耐湿性、耐熱衝撃性、半田浴耐熱性、歪、接着性が劣る。比較例５は、（ｃ）成分を全く使用しない例であり、比較のための物性を挙げた。
【００５３】
【表３】
2008163116.tif 000017
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の組成物は、ダイオード、トランジスタ、集積回路などの電子部品の封止に用いることができ、特に、高集積化、薄型化、大型化された半導体チップの封止、アンダーフィルに好適に用いることができる。この半導体チップの封止としては、従来の挿入タイプのＤＩＰ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、表面実装タイプのＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ならびに高密度化に対応できる表面実装タイプのＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などのあらゆるパッケージ形状に適用が可能であり、さらにＢＧＡやＣＳＰの基板への実装に際してアンダーフィルとして好適に使用することができる。本発明の組成物によって封止された本発明の半導体は、電子機器の小型化、軽量化、高性能化の実現に有効な高密度実装、表面実装に好適に用いることができる。