(57)【要約】      （修正有）【課題】電歪現象による機械的振動の伝播を抑制する積層セラミックコンデンサを提供。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０は、複数の誘電体層と複数の略長方形状の内部電極とを交互に積層してなるチップ本体１５における、互いに異なる外部電極１６ａ，１６ｂに接続される内部電極１２ａ，１２ｂ同士が誘電体層を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極が前記外部電極に交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥと、のうち、前記内部電極引出し領域ＬＥにそれぞれ切欠き１４ａ，１４ｂが形成されている。このため、外部電極間に交流電圧を印加した際に、内部電極対向領域の対向する内部電極間の誘電体層が該誘電体層の面方向に交互に膨張・収縮を繰り返しても、該膨張・収縮による面方向の変位が切欠きにより緩衝され、外部電極の前記面方向への変位が抑制される。【選択図】図１
2008205135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と複数の略長方形状の内部電極とを交互に積層してなるチップ本体と、このチップ本体の表面に形成され、かつ外部の回路基板のランド電極に接続する一対の外部電極とからなり、前記複数の内部電極が前記一対の外部電極に交互に電気的に接続された積層セラミックコンデンサにおいて、前記チップ本体における、前記一対の外部電極のうちの互いに異なる外部電極に接続される内部電極同士が前記誘電体層を挟んで対向する内部電極対向領域と、前記内部電極対向領域の前記各内部電極が前記外部電極に交互に引き出される内部電極引出し領域と、のうち、前記内部電極引出し領域にそれぞれ切欠きが形成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記内部電極引出し領域の前記切欠きの周囲に各内部電極が存在しないマージン領域を設けたことを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記内部電極引出し領域の前記切欠きの内部に絶縁性樹脂が充填されたことを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
請求項１〜３のうちのいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの外部電極が回路基板のランド電極に導電固着されていることを特徴とするコンデンサ実装回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ及び該積層セラミックコンデンサを搭載したコンデンサ実装回路基板に関し、さらに詳細には、電歪現象によって生じる震動の伝播を抑制し、雑音を低減した積層セラミックコンデンサ及びコンデンサ実装回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
大きな静電容量を得ることができる積層セラミックコンデンサには、誘電体材料としてチタン酸バリウムなどの強誘電体材料が一般的に用いられている。強誘電体材料を用いた積層セラミックコンデンサに交流電圧が印加されると、対向する電極間に挟まれた誘電体層には電歪現象により厚み方向と面方向とに交互に膨張と収縮とを生じ、これが積層セラミックコンデンサ単体、及び該積層セラミックコンデンサが搭載されたコンデンサ実装回路基板に震動を発生させ、雑音の原因となりやすい。
【０００３】
積層セラミックコンデンサの電歪現象による機械的振動の対策として、本明細書の図１４に示すように、特許文献１には、セラミック積層体に穴を設け、この穴を震動の節とすることによって、共振周波数を高周波側に移行させることが提案されている。また、特許文献２には、コンデンサ素子の端子電極に、金属材により形成された一対の金属端子を当接して震動の伝播を抑える電子部品が提案されている。  
【特許文献１】特開平１１−２６２８８号公報
【特許文献２】特開平２００４−２８８８４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、薄型の電子機器のニーズが高まり、これらの電子機器に搭載される回路基板が薄型化されることが多くなっている。このため、積層セラミックコンデンサの僅かな機械的振動であっても、これが搭載される回路基板に撓み振動が生じやすくなっている。ところが、背景技術の前者に記載の積層セラミックコンデンサにおいては、発生した震動の伝播を抑制する機能を有さなかった。また、背景技術の後者に記載の電子部品においては、金属端子を当接する分だけ部品高さが高くなり、薄型の電子機器への搭載が難しいという課題があった。
【０００５】
本発明の目的は、上記課題を解決して、電歪現象による機械的振動の伝播を抑制しつつ、薄型の電子機器に搭載される回路基板にも実装することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することにある。また、本発明の目的は、上記課題を解決して、電歪による機械的振動の伝播を抑制して雑音の発生を抑制することが可能なコンデンサ実装回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明の積層セラミックコンデンサは、（１）複数の誘電体層と複数の略長方形状の内部電極とを交互に積層してなるチップ本体と、このチップ本体の表面に形成され、かつ外部の回路基板のランド電極に接続する一対の外部電極とからなり、前記複数の内部電極が前記一対の外部電極に交互に電気的に接続された積層セラミックコンデンサにおいて、前記チップ本体における、前記一対の外部電極のうちの互いに異なる外部電極に接続される内部電極同士が前記誘電体層を挟んで対向する内部電極対向領域と、前記内部電極対向領域の前記各内部電極が前記外部電極に交互に引き出される内部電極引出し領域と、のうち、前記内部電極引出し領域にそれぞれ切欠きが形成されていることを特徴とする。（・・・以下第１の課題解決手段と称する。）
【０００７】
また、上記積層セラミックコンデンサの主要な形態の一つは、（２）前記内部電極引出し領域の前記切欠きの周囲に内部電極が存在しないマージン領域を設けたものである。（・・・以下第２の課題解決手段と称する。）  
【０００８】
また、上記積層セラミックコンデンサの他の主要な形態の一つは、（３）前記内部電極引出し領域の前記切欠きの内部に絶縁性樹脂が充填されたものである。（・・・以下第３の課題解決手段と称する。）  
【０００９】
また、本発明のコンデンサ実装回路基板は、（４）前記（１）〜（３）のうちのいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの外部電極が回路基板のランド電極に導電固着されているものである。（・・・以下第４の課題解決手段と称する。）
【００１０】
上記第１の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記チップ本体における、前記一対の外部電極のうちの互いに異なる外部電極に接続される内部電極同士が前記誘電体層を挟んで対向する内部電極対向領域と、前記内部電極対向領域の前記各内部電極が前記外部電極に交互に引き出される内部電極引出し領域と、のうち、前記内部電極引出し領域にそれぞれ切欠きが形成されている。このため、前記積層セラミックコンデンサの外部電極間に交流電圧を印加した際に、内部電極対向領域の対向する内部電極間の誘電体層が該誘電体層の面方向に交互に膨張・収縮を繰り返しても、該膨張・収縮による面方向の変位が前記切欠きにより緩衝され、外部電極の前記面方向への変位が抑制される。また、前記積層セラミックコンデンサが搭載されたコンデンサ実装回路基板は、前記外部電極にハンダ等により導電固着された一対のランド電極の間隔寸法の変化が抑制される。このため、前記コンデンサ実装回路基板の厚み方向の撓み震動の発生が抑制され、該回路基板のたわみ震動に伴う雑音の発生が抑制される。
【００１１】
上記第２の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記内部電極引出し領域の前記切欠きの周囲に内部電極が存在しないマージン領域を設けたので、内部電極間のショートを防止することができる。
【００１２】
上記第３の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記内部電極引出し領域の前記切欠きの内部に絶縁性樹脂が充填されたので、積層セラミックコンデンサのチップ本体の強度低下が防止されるとともに、実装時のノズルによる吸着ミスの発生が防止され、ハンドリングが容易になる。
【００１３】
上記第４の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの外部電極が回路基板のランド電極に導電固着されているので、コンデンサ実装回路基板の雑音の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の積層セラミックコンデンサによれば、端子電極間に交流電圧を印加した際に、内部電極対向領域の対向する電極間の誘電体層が該誘電体層の面方向に交互に膨張・収縮を繰り返しても、該膨張・収縮による面方向の変位が前記切欠きにより緩衝されるので、外部電極の前記面方向への変位が抑制される。また、本発明のコンデンサ実装回路基板によれば、前記積層セラミックコンデンサが搭載されたコンデンサ実装回路基板は、外部電極間に交流電圧を印加した際に、内部電極対向領域の対向する内部電極間の誘電体層が該誘電体層の面方向に交互に膨張・収縮を繰り返しても、該膨張・収縮による面方向の変位が前記切欠きにより緩衝されるので、前記外部電極にハンダ等により導電固着された一対のランド電極の間隔寸法の変化が抑制され、前記回路基板の厚み方向の撓み震動の発生が抑制され、該基板のたわみ震動に伴う雑音の発生が抑制される。本発明の前記目的とそれ以外の目的、構成特徴、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の積層セラミックコンデンサの第１の実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１の実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の全体構造を説明するための図であり、図１（Ａ）は前記積層セラミックコンデンサ１０の一例を示す外観斜視図であり、図１（Ｂ）は該積層セラミックコンデンサ１０の前記図１（Ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。図２は、前記積層セラミックコンデンサ１０のチップ本体１５の内部構造を説明するための分解斜視図である。また、図３は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の製造プロセスの例を説明するための、製造プロセスの各段階における状態を示す斜視図である。  
【００１６】
図１及び図２に示すように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、複数の誘電体層１１ａ１，１１ａ２，１１ｂ１，１１ｂ２と複数の略長方形状の内部電極１２ａ，１２ｂとを交互に積層してなるチップ本体１５と、このチップ本体１５の表面に形成され、かつ外部の回路基板のランド電極と接続する一対の外部電極１６ａ，１６ｂとからなり、前記複数の内部電極１２ａ，１２ｂが前記一対の外部電極１６ａ，１６ｂに交互に電気的に接続されている。  そして、前記チップ本体１５における、互いに異なる外部電極１６ａ，１６ｂに接続される内部電極１２ａ，１２ｂ同士が前記誘電体層１１ａ１，１１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極１２ａ，１２ｂが前記外部電極１６ａ，１６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥと、のうち、前記内部電極引出し領域ＬＥにそれぞれ切欠き１４ａ，１４ｂが形成されているものである。
【００１７】
具体的には、図１（Ａ）に示すように、略直方体状のチップ本体１５の長手方向の端面及び該端面に隣接するそれぞれ長手方向に延びる４つの側面のそれぞれ前記端面の近傍に外部電極１６ａ，１６ｂが設けられており、前記チップ本体１５の４つの側面のうちの１つの側面の前記外部電極１６ａ，１６ｂの近傍にそれぞれ、対向する一対の辺の長さが他の一対の辺よりも長い長方形の開口形状の切欠き１４ａ，１４ｂが形成されている。前記チップ本体１５は、図１（Ａ）及び図２に示すように、一方の主面側に略長方形状の第１の内部電極１２ａが設けられた第１の誘電体層１１ａ１と、一方の主面側に略長方形状の第２の内部電極１２ｂが設けられた第２の誘電体層１１ａ２とが交互に積層され、互いに異なる外部電極１６ａ，１６ｂに接続される内部電極１２ａ，１２ｂ同
士が前記誘電体層１１ａ１，１１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極１２ａ，１２ｂが前記外部電極１６ａ，１６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥとを構成している。そして、前記内部電極引出し領域ＬＥにそれぞれ切欠き１４ａ，１４ｂが形成されている。また、前記内部電極１２ａ，１２ｂが設けられた複数の誘電体層１１ａ１、１１ａ２の積層方向の一端側には、第１のカバー層となる複数の誘電体層１１ｂ１が配設されるとともに、他端側には第２のカバー層となる複数の誘電体層１１ｂ２が配設されている。第１のカバー層となる複数の誘電体層１１ｂ１には、それぞれ、前記内部電極１２ａ，１２ｂを有する誘電体層１１ａ１，１１ａ２の前記それぞれの切欠き１４ａ，１４ｂに積層方向に重なる位置に同様に切欠き１４ａ，１４ｂが形成されている。これに対し、第２のカバー層となる複数の誘電体層１１ｂ２には、前記切欠き１４ａ，１４ｂは形成されていない。前記第１の内部電極１２ａは、略長方形状の前記第１の誘電体層１１ａ１の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き１４ａの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ１が設けられている。また、同様に前記第２の内部電極１２ｂは、略長方形状の前記第２の誘電体層１１ａ２の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き１４ｂの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ２が設けられている。
【００１８】
上記のように本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、図１（Ｂ）にその断面図を示すように、前記チップ本体１５における、互いに異なる外部電極１６ａ，１６ｂに接続される内部電極１２ａ、１２ｂ同士が前記誘電体層１１ａ１，１１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰの一方の前記内部電極１２ａが前記外部電極１６ａに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き１４ａが形成されているとともに、前記内部電極対向領域ＯＰの他方の前記内部電極１２ｂが前記外部電極１６ｂに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き１４ｂが形成されている。
【００１９】
本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、上記のように構成されているので、前記積層セラミックコンデンサ１０の外部電極１６ａ，１６ｂ間に交流電圧を印加した際に、内部電極対向領域ＯＰの対向する内部電極１２ａ，１２ｂ間の誘電体層１１ａ１，１１ａ２が該誘電体層１１ａ１，１１ａ２の面方向に交互に膨張・収縮を繰り返しても、該膨張・収縮による面方向の変位が前記切欠き１４ａ，１４ｂにより緩衝され、外部電極１６ａ，１６ｂの前記面方向への変位が抑制される。
【００２０】
次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法の例について図３を用いて説明する。図３に示す第１の製造フローは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法の代表例である。まず、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック材料粉末とＰＶＢ（ポリビニルブチラール）等の有機バインダ及びエタノール等の有機溶媒を所定の比率で混合してセラミックスラリーを準備し、ドクターブレード法等の公知のシート化手段により所定の厚さに成形した後、所定の寸法にカットして、複数のセラミックグリーンシートを得る。次に、Ｎｉ電極材料ペースト、Ｃｕ電極材料ペースト等を用いて、前記で得られた複数のセラミックグリーンシートのうちの一部に、略長方形状を有し、前記内部電極引出し領域ＬＥの電極が存在しないマージン領域Ｍに相当する欠落部が形成された複数の内部電極のパターンをスクリーン印刷法等により形成する。得られたセラミックグリーンシートを、内部電極対向領域ＯＰと内部電極引出し領域ＬＥとが設けられるように交互に反転して積層するとともに、残りのセラミックグリーンシートを両端にそれぞれ積層し、圧着して図３（ａ）に示すように、セラミックグリーンシート積層体１１を得る。尚、セラミックグリーンシート表面への前記内部電極の印刷形成時に、個別の積層体チップに切断する際の切断位置を示すカットラインを同時に印刷形成しておくことが好ましい。次に、図３（ｂ）に示すように、前記カットラインに沿って押し切り等により切断して略直方体状の複数の積層体チップ１３を得る。次に、得られた積層体チップ１３の角部及び稜線部分に回転バレルやサンドブラスト法等を用いて図３（ｃ）に示すように面取りを行う。次に、得られた積層体チップ１３の長手方向に延びる４つの側面のうちの積層方向の一方の端部となる一つの側面にドリル等により切削加工を施して、図３（ｄ）に示すように前記積層体チップ１３の内部の少なくとも前記内部電極が印刷形成されたセラミックグリーンシートに厚み方向に連続する切欠き１４ａ，１４ｂを設ける。次に、前記で得られた積層体チップ１３を還元性雰囲気中で所定の温度プロファイルで焼成し、さらに中性もしくは酸化性雰囲気中で再酸化熱処理して、チップ本体１５を得る。次に、前記チップ本体１５の長手方向の両端面及び該端面と接する長手方向に延びる４つの側面の前記端面の近傍にそれぞれＣｕ電極材料等の外部電極材料ペーストをディップ法等により塗布し、所定の雰囲気及び温度プロファイルで焼付けして、図３（ｅ）に示すように積層セラミックコンデンサ１０を得る。本発明は、Ｐｄ電極ペースト、Ａｇ−Ｐｄ電極ペースト等を用いても良く、これらペーストを用いるときは大気雰囲気で焼成しても良い。
【００２１】
次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法の他の例について図３を用いて説明する。図３に示す第２の製造フローは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法の他の例である。まず、前記第１の製造フローと同様にして図３（ａ）に示すセラミックグリーンシート積層体１１を得る。次に、得られたセラミックグリーンシート積層体１１の積層方向の一方の端部となる一つの主面に図３（ｂ’）に示すように前記と同様にドリル等により切削加工を施して、複数の切欠き１４，１４を形成する。得られたセラミックグリーンシート積層体１１を前記と同様にしてカットラインで切断して、図３（ｃ’）に示すように一対の切欠き１４，１４が形成された複数の積層体チップ１３を得る。次に、前記積層体チップ１３の角部及び稜線部分に前記と同様に回転バレルやサンドブラスト法等を用いて図３（ｅ）に示すように面取りを行う。得られた積層体チップ１３を前記と同様に焼成したのち、前記と同様に電極材料ペーストを塗布し、焼付けして前記と同様に積層セラミックコンデンサ１０を得る。
【００２２】
次に、上記誘電体層１１ａ１，１１ａ２の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記誘電体層１１ａ１，１１ａ２としては、チタン酸バリウム等を主成分とする誘電体セラミックからなるものが好ましい。前記誘電体セラミックの材料粉末と有機バインダとを含有するセラミックスラリーから、ドクターブレード法等によりセラミックグリーンシートを作成し、必要により積層したのち、前記誘電体セラミックの焼結する温度で焼成して得られる。また、上記誘電体層１１ａ１，１１ａ２は、これに限定するものではなく、他の公知の強誘電体を用いることができる。
【００２３】
次に、上記内部電極１２ａ，１２ｂの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記内部電極１２ａ，１２ｂとしては、Ｎｉ，Ｃｕ、等の金属もしくは前記金属の少なくとも一方を含む合金であってもよい。また、内部電極１２ａ，１２ｂには、前記誘電体層１１ａ１，１１ａ２との密着性を向上させる目的で内部電極中に前記誘電体セラミックの粉末を微量添加したものであってもよい。上記内部電極１２ａ，１２ｂは、前記略長方形状の誘電体層１１ａ１，１１ａ２の一方の主面のそれぞれ一方の短辺に接するように形成されることが好ましい。
【００２４】
次に、上記チップ本体１５の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記チップ本体１５としては、略直方体状のものが好ましいが、これに限定するものではなく、例えば、高さ寸法が幅寸法及び長さ寸法に比べて小さい平板状であってもよい。
【００２５】
次に、上記外部電極１６ａ，１６ｂの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記外部電極１６ａ，１６ｂとしては、前記チップ本体の長さ方向の端面及びこれと接する４つの長さ方向に延びる側面の前記端面の近傍にそれぞれ設けられることが好ましいがこれに限定するものではなく、前記端面だけに設けられるものであってもよい。上記外部電極１６ａ，１６ｂは、上記チップ本体１５の表面に前記内部電極１２ａ，１２ｂに接続するように形成されることが好ましく、形成方法としては、Ｎｉ，Ｃｕ等の電極材料ペーストの塗布焼付、Ａｇ粉末を含む導電性樹脂ペーストの塗布硬化、電極材料のスパッタリング等により形成されることが好ましい。また、上記外部電極１６ａ，１６ｂの表面に、必要により、Ｎｉメッキ、Ｃｕメッキ、ハンダメッキ等を形成することが好ましい。
【００２６】
次に、上記内部電極対向領域ＯＰの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記内部電極対向領域ＯＰとしては、前記チップ本体の長手方向の中央に配設されるのが好ましい。
【００２７】
次に上記内部電極引出し領域ＬＥの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記内部電極引出し領域ＬＥとしては、前記内部電極対向領域ＯＰと外部電極１６ａ，１６ｂが形成される上記チップ本体１５の端面との間に配設されることが好ましい。
【００２８】
次に、上記切欠き１４ａ，１４ｂの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記切欠き１４ａ，１４ｂとしては、前記チップ本体１５の前記内部電極引出し領域ＬＥに形成されることが好ましい。上記切欠き１４ａ，１４ｂは上記誘電体層の積層方向の一端側から形成されることが好ましいが、これに限定されるものではなく、積層方向の他端側から形成されたものであってもよく、また、積層方向の一端側から他端側に貫通するものであってもよい。また、上記切欠き１４ａ，１４ｂは、前記チップ本体１５の表面の外部電極１６ａ，１６ｂが設けられる位置を避けて形成されることが好ましい。また、上記切欠き１４ａ，１４ｂは、前記チップ本体１５の長さ方向に伸びる中心線上に左右線対称に形成されることが好ましいが、これに限定するものではなく、前記中心線から一方側に偏った位置に形成されるものであってもよい。この場合には、前記内部電極対向領域ＯＰを挟んで点対象に形成されることが好ましい。また、これに限定するものではなく、例えば、前記チップ本体１５の長さ方向に伸びる中心線を挟んで左右線対称に複数の切欠きを設けてもよい。上記切欠き１４ａ，１４ｂの形状は、前記内部電極対向領域と前記外部電極とに沿って長辺を有する長方形状の開口形状が好ましいがこれに限定するものではなく、両端の角部にＲが形成された長穴状であってもよく、また、丸穴状であってもよい。また、上記切欠き１４ａ，１４ｂの内部に絶縁性樹脂が充填されたものであってもよい。樹脂の充填はシリンジ等の治具を用いるほかに、他の方法を用いても良い。上記切欠き１４ａ，１４ｂの内部に充填される絶縁性樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂その他の絶縁性樹脂から選ばれるものが好ましい。また、前記絶縁性樹脂は単独に限定するものではなく、例えば、無機フィラーや着色剤等を含有するものであってもよい。
【００２９】
次に、上記マージン領域Ｍ１、Ｍ２の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記マージン領域Ｍ１，Ｍ２としては、前記内部電極形成時に、前記切欠き１４ａ，１４ｂが形成される位置の周囲に所定の間隔で予め内部電極が存在しない領域として設けられることが好ましい。
【００３０】
次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０を用いた本発明のコンデンサ実装回路基板の第１の実施形態について、図４及び図５を参照して説明する。図４は本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０を回路基板２１のランド電極２３ａ，２３ｂ上に搭載する様子を説明するための斜視図である。また図
５は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０を用いた第１の実施形態のコンデンサ実装回路基板２０を示す図であり、図５（Ｃ）は要部の外観斜視図であり、図５（Ｄ）は前記図５（Ｃ）のＤ−Ｄ線における断面図である。
【００３１】
本実施形態のコンデンサ実装回路基板２０に用いられる回路基板２１は、その少なくとも一方の表面に、配線２２ａ，２２ｂを有するとともに、該配線２２ａ，２２ｂに接続されたランド電極２３ａ，２３ｂを備える。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の搭載にあたっては、図４に示すように、前記ランド電極２３ａ，２３ｂの表面に予めメタルマスク等を用いてペースト状のハンダ２４ａ、２４ｂを印刷形成しておくことが好ましい。そして、前記ランド電極２３ａ，２３ｂ上に塗布された前記ペースト状のハンダ２４ａ，２４ｂに前記積層セラミックコンデンサ１０の外部電極１６ａ，１６ｂが接するように図示省略した電子部品自動マウント装置等を用いて搭載され、リフロー半田付け炉で熱処理されて前記積層セラミックコンデンサ１０の外部電極１６ａ，１６ｂが前記回路基板２１の前記ランド電極２３ａ，２３ｂにハンダ２４ａ，２４ｂにより導電固着される。
【００３２】
本実施形態のコンデンサ実装回路基板２０は、図５（Ｃ）に示すように、前記第１の実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の外部電極１６ａ，１６ｂが回路基板２１の配線２２ａ，２２ｂに接続されたランド電極２３ａ，２３ｂにそれぞれハンダ２４ａ，２４ｂを介して導電固着されているものである。
【００３３】
そして、本実施形態のコンデンサ実装回路基板２０の積層体セラミックコンデンサ１０は、図５（Ｄ）に示すように、前記回路基板２１のランド電極２３ａ，２３ｂにハンダにより導電固着された外部電極１６ａ、１６ｂと前記チップ本体１５の内部電極対向領域ＯＰとの間に切欠き１４ａ，１４ｂが形成されているので、前記回路基板２１の配線２２ａ，２２ｂ及び前記ランド電極２３ａ，２３ｂ，前記ハンダ２４ａ，２４ｂを介して前記一対の外部電極１６ａ，１６ｂに交流電圧が印加されると、内部電極対向領域ＯＰの対向する内部電極１２ａ，１２ｂ間の誘電体層１１ａ１，１１ａ２が該誘電体層１１ａ１，１１ａ２の面方向に交互に膨張・収縮を繰り返しても、該膨張・収縮による面方向の変位が前記切欠き１４ａ，１４ｂにより緩衝され、外部電極１６ａ，１６ｂの前記面方向への変位が抑制される。そして、前記外部電極１６ａ，１６ｂにハンダ等により導電固着された一対のランド電極２３ａ，２３ｂの間隔寸法の変化が抑制される。このため、前記コンデンサ実装回路基板２０の厚み方向の撓み震動の発生が抑制され、該回路基板２１のたわみ震動に伴う雑音の発生が抑制される。
【００３４】
次に、上記回路基板２１の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記回路基板としては、紙フェノール樹脂基板、ガラスエポキシ樹脂基板その他の公知の樹脂基板材料により成型された基板の少なくとも一方の主面にＣｕ等の良導電性の金属等からなる配線２２ａ，２２ｂを有するものが好ましい。また、これに限定するものではなく、例えば、アルミナ等を主成分とするセラミック基板の表面に、Ａｇ、Ｃｕ等を含有する電極材料ペーストを塗布焼付して前記配線を形成したものであってもよい。
【００３５】
次に、上記ランド電極２３ａ，２３ｂの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記ランド電極２３ａ，２３ｂとしては、前記樹脂製の基板２１上に前記配線２２ａ，２２ｂと同様にして形成されたものが好ましい。また、これに限定するものではなく前記と同様に、例えば、アルミナセラミック等からなるセラミック基板の表面に、Ａｇ、Ｃｕ等の電極材料ペーストを塗布焼付して前記配線と同時に形成したものであってもよい。
【００３６】
（実施例）次に、本発明の第１の実施形態の積層セラミックコンデンサ１０の実施例について説明する。積層セラミックコンデンサ１０の外形寸法は、幅２．５ｍｍ、長さ３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍである。内部電極対向領域ＯＰの長さ寸法は２．６ｍｍ、内部電極引出し領域ＬＥの長さ寸法は０．３ｍｍである。  前記積層セラミックコンデンサ１０のチップ本体１５の一つの側面に、対向する一対の辺の長さが他の一対の辺の長さよりも長い長方形状の開口を有する切欠き１４ａ，１４ｂが形成されている。該切欠き１４ａ，１４ｂの寸法は、幅０．２４ｍｍ、長さ１．５２ｍｍ深さ２．２ｍｍであり、前記内部電極引き出し領域ＬＥの内部電極を有する誘電体層１１ａ１，１１ａ２のすべてを貫通するように形成されている。（比較例）前記切欠き１４ａ，１４ｂを有さないこと以外は前記実施例の積層セラミックコンデンサ１０と同様にした比較例の積層セラミックコンデンサについて、外部電極の端面方向の振幅量をシミュレーション計算にて比較した結果、本実施例のセラミックコンデンサ１０の端面の振幅量は比較例の積層セラミックコンデンサの端面の振幅量に比べ２５．４％低減された。また、幅４０ｍｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ１．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂製の基板の表面に幅３ｍｍ、長さ５ｍｍ、厚み３５μｍのＣｕ箔からなるランド電極が電極間距離２ｍｍを隔てて対向配置された評価用回路基板の前記ランド電極上に予めメタルマスクを用いてハンダペーストを印刷し、内部電極対向領域OP部における誘電体層の誘電率、1層厚み、積層数が異なる上記の比較例のセラミックコンデンサをそれぞれ前記外部電極が前記ランド電極と対向するように搭載し、リフロー半田付け処理してコンデンサ実装回路基板試料を作成した。上記で得られたコンデンサ実装回路基板試料を、リオン株式社製の型式ＮＬ−１４の雑音測定装置にセットし、前記コンデンサ実装回路基板試料の前記ランド電極間にＤＣ２０Ｖ、ＡＣ５Ｖ，５Ｈｚの交流電圧を印加し、１０ｍｍ離間した位置に配置されたＮＬ−１４により前記基板の撓み震動により発生する雑音の測定を行った。その結果、比較例の外部電極１６ａまたは１６ｂの端面方向の振幅量が２５．４％低減された本実施例のコンデンサ実装回路基板から発生する雑音は、比較例のコンデンサ実装回路基板から発生する雑音に比べて約７％低減することが確認された。
【００３７】
次に、本発明の積層セラミックコンデンサの第２実施形態について、図６を参照して説明する。図６は第２の実施形態の積層セラミックコンデンサ３０の全体構造を説明するための図であり、図６（Ｅ）は前記積層セラミックコンデンサ３０の一例を示す外観斜視図であり、図６（Ｆ）は該積層セラミックコンデンサ３０の前記図６（Ｅ）のＦ−Ｆ線における断面図である。  
【００３８】
図６に示すように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ３０は、先の第１の実施形態と同様に、複数の誘電体層と複数の略長方形状の内部電極３２ａ，３２ｂとを交互に積層してなるチップ本体３５と、このチップ本体３５の表面に形成され、かつ外部の回路基板のランド電極と接続する一対の外部電極３６ａ，３６ｂとからなり、前記複数の内部電極３２ａ，３２ｂが前記一対の外部電極３６ａ，３６ｂに交互に電気的に接続されている。  そして、先の第１の実施形態と同様に、前記チップ本体３５における、互いに異なる外部電極３６ａ，３６ｂに接続される内部電極３２ａ，３２ｂ同士が前記誘電体層を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極３２ａ，３２ｂが前記外部電極３６ａ，３６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥと、のうち、前記内部電極引出し領域ＬＥにそれぞれ切欠き３４ａ，３４ｂが形成されている。そして、本実施形態の積層セラミックコンデンサ３０は前記第１の実施形態と異なり、前記内部電極引き出し領域ＬＥの前記切欠き３４ａ，３４ｂの内部に絶縁性樹脂３７ａ，３７ｂが充填されているものである。
【００３９】
具体的には、図６（Ｅ）に示すように、略直方体状のチップ本体３５の長手方向の端面及び該端面に隣接するそれぞれ長手方向に延びる４つの側面のそれぞれ前記端面の近傍に部電極３６ａ，３６ｂが設けられており、前記チップ本体３５の４つの側面のうちの１つの側面の前記外部電極３６ａ，３６ｂの近傍にそれぞれ対向する一対の辺の長さが他の一対の辺よりも長い長方形の開口形状の切欠き３４ａ，３４ｂが形成されている。前記チップ本体３５は、図６（Ｆ）に概略を示すように、前記第１の実施形態と同様に、一方の主面側に略長方形状の第１の内部電極３２ａが設けられた第１の誘電体層と、一方の主面側に略長方形状の第２の内部電極３２ｂが設けられた第２の誘電体層とが交互に積層され、互いに異なる外部電極３６ａ，３６ｂに接続される内部電極３２ａ，３２ｂ同士が前記誘電体層を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極３２ａ，３２ｂが前記外部電極３６ａ，３６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥとを構成している。そして、前記内部電極引出し領域ＬＥにそれぞれ切欠き３４ａ，３４ｂが形成されている。また、前記内部電極３２ａ，３２ｂが設けられた複数の誘電体層の積層方向の一端側には、第１のカバー層となる複数の誘電体層が配設されるとともに、他端側には第２のカバー層となる複数の誘電体層とを有する。第１のカバー層となる複数の誘電体層には、それぞれ、前記内部電極３２ａ，３２ｂを有する誘電体層の前記それぞれの切欠き３４ａ，３４ｂに積層方向に重なる位置に同様に切欠き３４ａ，３４ｂが形成されている。前記第１の内部電極３２ａは、前記第１の実施形態と同様に略長方形状の前記第１の誘電体層の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き３４ａの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ３が設けられている。また、同様に前記第２の内部電極３２ｂは、略長方形状の前記第２の誘電体層の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き３４ｂの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ４が設けられている。
【００４０】
上記のように本実施形態の積層セラミックコンデンサ３０は、図６（Ｆ）にその断面図を示すように、前記チップ本体３５における、互いに異なる外部電極３６ａ，３６ｂに接続される内部電極３２ａ、３２ｂ同士が前記誘電体層を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰの一方の前記内部電極３２ａが前記外部電極３６ａに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き３４ａが形成されているとともに、前記内部電極対向領域ＯＰの他方の前記内部電極３２ｂが前記外部電極３６ｂに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き３４ｂが形成されており、前記切欠き３４ａ，３４ｂの内部にそれぞれ絶縁性樹脂３７ａ，３７ｂが充填されている。このため、前記積層セラミックコンデンサ３０のチップ本体３５の強度低下が防止されるとともに、実装時のノズルによる吸着ミスの発生が防止され、ハンドリングが容易になる。
【００４１】
次に、上記第２の実施形態の積層セラミックコンデンサ３０を用いた本発明のコンデンサ実装回路基板の第２の実施形態について、図７を用いて説明する。図７は本実施形態の積層セラミックコンデンサ３０を用いた第２の実施形態のコンデンサ実装回路基板４０を示す図であり、図７（Ｇ）は要部の外観斜視図であり、図７（Ｈ）は前記図７（Ｇ）のＨ−Ｈ線における断面図である。
【００４２】
本実施形態のコンデンサ実装回路基板４０に用いられる回路基板４１は、図７（Ｇ）に示されるように、前記第１の実施形態の回路基板２１と同様に、少なくとも一方の主面に、配線４２ａ，４２ｂを有するとともに、該配線４２ａ，４２ｂに接続されたランド電極４３ａ，４３ｂを備える。
【００４３】
本実施形態のコンデンサ実装回路基板４０は、図７（Ｇ）に示すように、前記第２の実施形態の積層セラミックコンデンサ３０の外部電極３６ａ，３６ｂが回路基板４１の配線４２ａ，４２ｂに接続されたランド電極４３ａ，４３ｂにそれぞれハンダ４４ａ，４４ｂを介して導電固着されているものである。
【００４４】
そして、本実施形態のコンデンサ実装回路基
板４０の積層体セラミックコンデンサ３０は、図７（Ｈ）に示すように、前記回路基板４１のランド電極４３ａ，４３ｂにハンダにより導電固着された外部電極３６ａ、３６ｂと前記チップ本体３５の内部電極対向領域ＯＰとの間に切欠き３４ａ，３４ｂが形成され、該切欠き３４ａ，３４ｂの内部にそれぞれ絶縁性樹脂３７ａ，３７ｂが充填されているので、前記回路基板４１の配線４２ａ，４２ｂ及び前記ランド電極４３ａ，４３ｂ，前記ハンダ４４ａ，４４ｂを介して前記一対の外部電極３６ａ，３６ｂに交流電圧が印加されると、内部電極対向領域ＯＰの対向する内部電極３２ａ，３２ｂ間の誘電体層が該誘電体層の面方向に交互に膨張・収縮を繰り返しても、該膨張・収縮による面方向の変位が前記チップ本体３５に比べて柔軟性を有する前記絶縁性樹脂３７ａ，３７ｂが内部に充填された切欠き３４ａ，３４ｂにより緩衝され、外部電極３６ａ，３６ｂの前記面方向への変位が抑制される。そして、前記外部電極３６ａ，３６ｂにハンダ等により導電固着された一対のランド電極４３ａ，４３ｂの間隔寸法の変化が抑制される。このため、前記コンデンサ実装回路基板４０の厚み方向の撓み震動の発生が抑制され、該回路基板４１のたわみ震動に伴う雑音の発生が抑制される。  
【００４５】
次に、本発明の積層セラミックコンデンサの第３の実施形態について、図８及び図９を参照して説明する。図８は第３の実施形態の積層セラミックコンデンサ５０の全体構造を説明するための断面図である。図９は、前記積層セラミックコンデンサ５０のチップ本体５５の内部構造を説明するための分解斜視図である。  
【００４６】
図８及び図９に示すように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ５０は、複数の誘電体層５１ａ１，５１ａ２，５１ｂ１，５１ｂ２と複数の略長方形状の内部電極５２ａ，５２ｂとを交互に積層してなるチップ本体５５と、このチップ本体５５の表面に形成され、かつ外部の回路基板のランド電極と接続する一対の外部電極５６ａ，５６ｂとからなり、前記複数の内部電極５２ａ，５２ｂが前記一対の外部電極５６ａ，５６ｂに交互に電気的に接続されている。  そして、前記チップ本体５５における、互いに異なる外部電極５６ａ，５６ｂに接続される内部電極５２ａ，５２ｂ同士が前記誘電体層５１ａ１，５１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極５２ａ，５２ｂが前記外部電極５６ａ，５６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥと、のうち、前記内部電極引出し領域ＬＥに切欠き５４ａ，５４ｂが形成されているものである。
【００４７】
具体的には、図８に示すように、略直方体状のチップ本体５５の長手方向の端面及び該端面に隣接するそれぞれ長手方向に延びる４つの側面のそれぞれ前記端面の近傍に外部電極５６ａ，５６ｂが設けられており、前記チップ本体５５の４つの側面のうちの１つの側面からこれと対向する他の１つの側面に至るように、前記外部電極５６ａ，５６ｂの近傍にそれぞれ対向する一対の辺の長さが他の一対の辺よりも長い長方形の開口形状の切欠き５４ａ，５４ｂが形成されている。前記チップ本体５５は、前記第１の実施形態と同様に、図８及び図９に示すように、一方の主面側に略長方形状の第１の内部電極５２ａが設けられた第１の誘電体層５１ａ１と、一方の主面側に略長方形状の第２の内部電極５２ｂが設けられた第２の誘電体層５１ａ２とが交互に積層され、互いに異なる外部電極５６ａ，５６ｂに接続される内部電極５２ａ，５２ｂ同士が前記誘電体層５１ａ１，５１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極５２ａ，５２ｂが前記外部電極５６ａ，５６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥとを構成している。そして、前記内部電極引出し領域ＬＥにそれぞれ切欠き５４ａ，５４ｂが形成されている。また、前記内部電極５２ａ，５２ｂが設けられた複数の誘電体層５１ａ１、５１ａ２の積層方向の一端側には、第１のカバー層となる複数の誘電体層５１ｂ１が配設されるとともに、他端側には第２のカバー層となる複数の誘電体層５１ｂ２とを有する。前記第１のカバー層となる複数の誘電体層５１ｂ１には、それぞれ、前記内部電極５２ａ，５２ｂを有する誘電体層５１ａ１，５１ａ２の前記それぞれの切欠き５４ａ，５４ｂに積層方向に重なる位置に同様に切欠き５４ａ，５４ｂが形成されている。また、前記第１の実施形態と異なり、第２のカバー層となる複数の誘電体層５１ｂ２にも、それぞれ、前記内部電極５２ａ，５２ｂを有する誘電体層５１ａ１，５１ａ２の前記それぞれの切欠き５４ａ，５４ｂに積層方向に重なる位置に同様に切欠き５４ａ，５４ｂが形成されている。前記第１の内部電極５２ａは、略長方形状の前記第１の誘電体層５１ａ１の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き５４ａの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ５が設けられている。また、同様に前記第２の内部電極５２ｂは、略長方形状の前記第２の誘電体層５１ａ２の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き５４ｂの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ６が設けられている。
【００４８】
上記のように本実施形態の積層セラミックコンデンサ５０は、図８にその断面図を示すように、前記チップ本体５５における、互いに異なる外部電極５６ａ，５６ｂに接続される内部電極５２ａ、５２ｂ同士が前記誘電体層５１ａ１，５１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰの一方の前記内部電極５２ａが前記外部電極５６ａに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き５４ａが形成されているとともに、前記内部電極対向領域ＯＰの他方の前記内部電極５２ｂが前記外部電極５６ｂに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き５４ｂが形成されている。本実施形態の作用効果は、先の第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００４９】
次に、本発明の積層セラミックコンデンサの第４の実施形態について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０は第４の実施形態の積層セラミックコンデンサ６０の全体構造を説明するための外観斜視図である。図１１は、前記積層セラミックコンデンサ６０のチップ本体６５の内部構造を説明するための分解斜視図である。  
【００５０】
図１０及び図１１に示すように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ６０は、複数の誘電体層６１ａ１，６１ａ２，６１ｂ１，６１ｂ２と複数の略長方形状の内部電極６２ａ，６２ｂとを交互に積層してなるチップ本体６５と、このチップ本体６５の表面に形成され、かつ外部の回路基板のランド電極と接続する一対の外部電極６６ａ，６６ｂとからなり、前記複数の内部電極６２ａ，６２ｂが前記一対の外部電極６６ａ，６６ｂに交互に電気的に接続されている。  そして、前記チップ本体６５における、互いに異なる外部電極６６ａ，６６ｂに接続される内部電極６２ａ，６２ｂ同士が前記誘電体層６１ａ１，６１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極６２ａ，６２ｂが前記外部電極６６ａ，６６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥと、のうち、前記内部電極引出し領域ＬＥに切欠き６４ａ，６４ｂが形成されているものである。
【００５１】
具体的には、図１０に示すように、略直方体状のチップ本体６５の長手方向の端面及び該端面に隣接するそれぞれ長手方向に延びる４つの側面のそれぞれ前記端面の近傍に外部電極６６ａ，６６ｂが設けられており、前記チップ本体６５の４つの側面のうちの１つの側面の前記外部電極６６ａ，６６ｂの近傍にそれぞれ開口形状が円形の切欠き６４ａ，６４ａ，６４ｂ，６４ｂが前記チップ本体の長手方向に延びる中心線を挟んで線対称に複数形成されている。前記チップ本体６５は、前記第１の実施形態と同様に、図１０及び図１１に示すように、一方の主面側に略長方形状の第１の内部電極６２ａが設けられた第１の誘電体層６１ａ１と、一方の主面側に略長方形状の第２の内部電極６２ｂが設けられた第２の誘電体層６１ａ２とが交互に積層され、互いに異なる外部電極６６ａ，６６ｂに接続される内部電極６２ａ，６２ｂ同士が前記誘電体層６１ａ１，６１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極６２ａ，６２ｂが前記外部電極６６ａ，６６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥとを構成している。そして、前記内部電極引出し領域ＬＥにそれぞれ一対の切欠き６４ａ，６４ａ，６４ｂ，６４ｂが形成されている。また、前記内部電極６２ａ，６２ｂが設けられた複数の誘電体層６１ａ１，６１ａ２の積層方向の一端側には、第１のカバー層となる複数の誘電体層６１ｂ１が配設されるとともに、他端側には第２のカバー層となる複数の誘電体層６１ｂ２とを有する。前記第１のカバー層となる複数の誘電体層６１ｂ１には、それぞれ、前記内部電極６２ａ，６２ｂを有する誘電体層６１ａ１，６１ａ２の前記それぞれの切欠き６４ａ，６４ｂに積層方向に重なる位置に同様に切欠き６４ａ，６４ｂが形成されている。これに対し、第２のカバー層となる複数の誘電体層６１ｂ２には、前記切欠きは形成されていない。前記第１の内部電極６２ａは、略長方形状の前記第１の誘電体層６１ａ１の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き６４ａの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ７が設けられている。また、同様に前記第２の内部電極６２ｂは、略長方形状の前記第２の誘電体層６１ａ２の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き６４ｂの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ８が設けられている。
【００５２】
上記のように本実施形態の積層セラミックコンデンサ６０は、図１１にそのチップ本体６５の分解斜視図を示すように、該チップ本体６５における、互いに異なる外部電極６６ａ，６６ｂに接続される内部電極６２ａ、６２ｂ同士が前記誘電体層６１ａ１，６１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰの一方の前記内部電極６２ａが前記外部電極６６ａに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き６４ａが形成されているとともに、前記内部電極対向領域ＯＰの他方の前記内部電極６２ｂが前記外部電極６６ｂに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き６４ｂが形成されている。本実施形態は、チップ本体の機械的強度が比較的低い積層セラミックコンデンサに好適である。
【００５３】
次に、本発明の積層セラミックコンデンサの第５の実施形態について、図１２及び図１３を参照して説明する。図１２は第５の実施形態の積層セラミックコンデンサ７０の全体構造を説明するための外観斜視図である。図１３は、前記積層セラミックコンデンサ７０のチップ本体７５の内部構造を説明するための分解斜視図である。  
【００５４】
図１２及び図１３に示すように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ７０は、複数の誘電体層７１ａ１，７１ａ２，７１ｂ１，７１ｂ２と複数の略長方形状の内部電極７２ａ，７２ｂとを交互に積層してなるチップ本体７５と、このチップ本体７５の表面に形成され、かつ外部の回路基板のランド電極と接続する一対の外部電極７６ａ，７６ｂとからなり、前記複数の内部電極７２ａ，７２ｂが前記一対の外部電極７６ａ，７６ｂに交互に電気的に接続されている。  そして、前記チップ本体７５における、互いに異なる外部電極７６ａ，７６ｂに接続される内部電極７２ａ，７２ｂ同士が前記誘電体層７１ａ１，７１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極７２ａ，７２ｂが前記外部電極７６ａ，７６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥと、のうち、前記内部電極引出し領域ＬＥにそれぞれ切欠き７４ａ，７４ｂが形成されているものである。
【００５５】
具体的
には、図１２に示すように、略直方体状のチップ本体７５の長手方向の端面及び該端面に隣接するそれぞれ長手方向に延びる４つの側面のそれぞれ前記端面の近傍に外部電極７６ａ，７６ｂが設けられており、前記チップ本体７５の４つの側面のうちの１つの側面の前記外部電極７６ａ，７６ｂの近傍にそれぞれ開口形状が長穴形状の切欠き７４ａ，７４ｂが前記チップ本体７５の長手方向に延びる中心線から一方側に偏った位置に前記内部電極対向領域ＯＰを挟んで点対称に形成されている。前記チップ本体７５は、前記第１の実施形態と同様に、図１２及び図１３に示すように、一方の主面側に略長方形状の第１の内部電極７２ａが設けられた第１の誘電体層７１ａ１と、一方の主面側に略長方形状の第２の内部電極７２ｂが設けられた第２の誘電体層７１ａ２とが交互に積層され、互いに異なる外部電極７６ａ，７６ｂに接続される内部電極７２ａ，７２ｂ同士が前記誘電体層７１ａ１，７１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰと、前記内部電極対向領域ＯＰの前記各内部電極７２ａ，７２ｂが前記外部電極７６ａ，７６ｂに交互に引き出される内部電極引出し領域ＬＥとを構成している。そして、前記内部電極引出し領域ＬＥにそれぞれ切欠き７４ａ，７４ｂが形成されている。また、前記内部電極７２ａ，７２ｂが設けられた複数の誘電体層７１ａ１，７１ａ２の積層方向の一端側には、第１のカバー層となる複数の誘電体層７１ｂ１が配設されるとともに、他端側には第２のカバー層となる複数の誘電体層７１ｂ２とを有する。前記第１のカバー層となる複数の誘電体層７１ｂ１には、それぞれ、前記内部電極７２ａ，７２ｂを有する誘電体層７１ａ１，７１ａ２の前記それぞれの切欠き７４ａ，７４ｂに積層方向に重なる位置に同様に切欠き７４ａ，７４ｂが形成されている。これに対し、第２のカバー層となる複数の誘電体層７１ｂ２には、前記切欠きは形成されていない。前記第１の内部電極７２ａは、略長方形状の前記第１の誘電体層７１ａ１の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き７４ａの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ９が設けられている。また、同様に前記第２の内部電極７２ｂは、略長方形状の前記第２の誘電体層７１ａ２の一方の主面上の一方の短辺に接するように配設されており、前記内部電極引出し領域ＬＥの切欠き７４ｂの周囲に前記切欠きから所定の間隔以上離間するように内部電極が存在しないマージン領域Ｍ１０が設けられている。
【００５６】
上記のように本実施形態の積層セラミックコンデンサ７０は、図１３にそのチップ本体７５の分解斜視図を示すように、該チップ本体７５における、互いに異なる外部電極７６ａ，７６ｂに接続される内部電極７２ａ、７２ｂ同士が前記誘電体層７１ａ１，７１ａ２を挟んで対向する内部電極対向領域ＯＰの一方の前記内部電極７２ａが前記外部電極７６ａに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き７４ａが形成されているとともに、前記内部電極対向領域ＯＰの他方の前記内部電極７２ｂが前記外部電極７６ｂに引き出される内部電極引出し領域ＬＥには切欠き７４ｂが形成されている。本実施形態の作用効果は、先の第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明によれば、薄型の各種電子機器に用いられる積層セラミックコンデンサ及びコンデンサ実装回路基板に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの第１の実施形態の全体構造を示す外観斜視図及び断面図である。
【図２】前記第１の実施形態の積層セラミックコンデンサの内部構造を示す分解斜視図である。
【図３】前記第１の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法の例を説明するための斜視図である。
【図４】前記第１の実施形態の積層セラミックコンデンサを回路基板に実装する方法を説明するための要部の斜視図である。
【図５】前記第１の実施形態の積層セラミックコンデンサを用いた本発明のコンデンサ実装回路基板の第１の実施形態の要部の構造を示す斜視図及び断面図である。
【図６】本発明の積層セラミックコンデンサの第２の実施形態の全体構造を示す外観斜視図及び断面図である。
【図７】前記第２の実施形態の積層セラミックコンデンサを用いた本発明のコンデンサ実装回路基板の第２の実施形態の要部の構造を示す斜視図及び断面図である。
【図８】本発明の積層セラミックコンデンサの第３の実施形態の全体構造を示す断面図である。
【図９】前記第３の実施形態の積層セラミックコンデンサの内部構造を説明するための分解斜視図である。
【図１０】本発明の積層セラミックコンデンサの第４の実施形態の全体構造を示す外観斜視図である。
【図１１】前記第４の実施形態の積層セラミックコンデンサの内部構造を説明するための分解斜視図である。
【図１２】本発明の積層セラミックコンデンサの第５の実施形態の全体構造を示す外観斜視図である。
【図１３】前記第５の実施形態の積層セラミックコンデンサの内部構造を説明するための分解斜視図である。
【図１４】背景技術の一例を示す外観斜視図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０：積層セラミックコンデンサ１１：セラミックグリーンシート積層体１１ａ１，１１ａ２，１１ｂ１，１１ｂ２：誘電体層１２ａ，１２ｂ：内部電極１３：積層体チップ１４，１４ａ，１４ｂ：切欠き１５：チップ本体１６ａ，１６ｂ：外部電極２０：コンデンサ実装回路基板２１：回路基板２２ａ，２２ｂ：配線２３ａ，２３ｂ：ランド電極２４ａ，２４ｂ：ハンダ３０：積層セラミックコンデンサ３２ａ，３２ｂ：内部電極３４ａ，３４ｂ：切欠き３５：チップ本体３６ａ，３６ｂ：外部電極３７ａ，３７ｂ：絶縁性樹脂４０：コンデンサ実装回路基板４１：回路基板４２ａ，４２ｂ：配線４３ａ，４３ｂ：ランド電極４４ａ，４４ｂ：ハンダ５０：積層セラミックコンデンサ５１ａ１，５１ａ２，５１ｂ１，５１ｂ２：誘電体層５２ａ，５２ｂ：内部電極５４ａ，５４ｂ：切欠き５５：チップ本体５６ａ，５６ｂ：外部電極６０：積層セラミックコンデンサ６１ａ１，６１ａ２，６１ｂ１，６１ｂ２：誘電体層６２ａ，６２ｂ：内部電極６４ａ，６４ｂ：切欠き６５：チップ本体６６ａ，６６ｂ：外部電極７０：積層セラミックコンデンサ７１ａ１，７１ａ２，７１ｂ１，７１ｂ２：誘電体層７２ａ，７２ｂ：内部電極７４ａ，７４ｂ：切欠き７５：チップ本体７６ａ，７６ｂ：外部電極ＯＰ：内部電極対向領域ＬＥ：内部電極引出し領域Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６，Ｍ７，Ｎ８，Ｎ９，Ｍ１０：マージン領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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