(57)【要約】【課題】半導体基板上において、少なくとも１つの機能性素子が構成される半導体集積回路装置において、機能性素子の直上側または直下側にダミー金属パターンを用いることなく、その剛性や電気的特性の劣化を抑制するとともに、前記機能性素子の性能を十分に発揮できるようにする。【解決手段】半導体基板上において、少なくとも１つの機能性素子が構成された半導体集積回路装置において、前記機能性素子の上側及び下側の少なくとも一方において層間絶縁膜を介して形成されるとともに、その層間絶縁膜で分離されている金属配線同士を繋ぐ層間接続体の内側であって前記機能性素子の外側に位置する領域において、前記機能性素子を囲むようにしてダミー金属部を設ける。【選択図】図２
2008205165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上において、少なくとも１つの機能性素子が構成された半導体集積回路装置であって、
前記機能性素子の上側及び下側の少なくとも一方において層間絶縁膜を介して形成されるとともに、その層間絶縁膜で分離されている金属配線同士を繋ぐ層間接続体の内側であって前記機能性素子の外側に位置する領域において、前記機能性素子を囲むようにしてダミー金属部を設けたことを特徴とする、半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記ダミー金属部は連続した単一の金属部材からなることを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記ダミー金属部は複数の金属片を含み、これら複数の金属片が半導体集積回路装置に要求される最小配線間隔の３倍以内の間隔で連続して配置されてなることを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記機能性素子は容量素子であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記機能性素子はメタルフューズであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の機能性素子を含んでなる半導体集積回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置の微細化が進むにつれて、例えば配線間寄生容量を減少させるべく、前記配線間を絶縁分離するために使用する層間絶縁膜として誘電率の低い材料を使用するようになってきている。また、ウエハ作製中に、前記層間絶縁膜に対して前記配線を形成するための溝を形成した後の熱処理工程において、前記層間絶縁膜中に残留するガスや水分が前記溝中に前記配線を形成する以前においては、前記溝を介して外部に放出される。
【０００３】
上述のように、層間絶縁膜を低誘電率材料から形成した場合、このような低誘電率材料は一般に剛性が低く、その結果、得られる半導体集積回路基板の剛性などの機械的特性が劣化してしまうという問題が生じる。また、上述のように配線形成のための溝部が存在する場合において、前記溝部と連続して層間接続体を形成するための開口部（ビア）が形成されている場合、前記溝部から上述のようにしてガスや水分が放出される時、前記溝部の周りに他の溝が殆どない場合は前記開口部に放出が集中しダメージを与えてしまう。その結果、前記開口部の抵抗が増大してしまい、目的とする半導体集積回路装置の電気的特性が劣化してしまうという問題も生じる。
【０００４】
かかる観点から、上来の半導体集積回路装置においては、上述した問題を回避すべく、例えば層間絶縁膜の配線が形成されていない領域においてダミーの金属パターンを形成し、この金属パターンによって、前記層間絶縁膜を低誘電率材料で構成した場合の半導体集積回路装置の剛性劣化や、配線を形成すべき溝と連通した開口部（ビア）に前記層間絶縁膜中に含有されるガスや水分が集中するのを抑制するようにしていた。このような制約は、一般的にメタル被覆率ルール制約と呼ぶ。
【０００５】
特に、特許文献１では、上記配線が疎になっている領域において積極的にダミーの金属パターンを形成することが試みられている。
【特許文献１】特開平４−３０７９５８号
【０００６】
しかしながら、上記半導体集積回路装置が、容量素子などの機能性素子を有する場合、上述したようなダミー金属パターンが存在すると、前記容量素子と前記ダミー金属パターンとの間に寄生容量が生成されてしまい、その目的とする特性を十分に奏することができないでいた。また、上記半導体集積回路装置が、メタルフューズなどの機能性素子を有する場合、上述したようなダミー金属パターンが存在すると、前記メタルフューズをレーザ光などで切断する際に、前記レーザ光が前記ダミー金属パターンに引き寄せられてしまい、いわゆるブローマージンが十分に確保できないために、前記メタルフューズに対してレーザ光を十分に照射することができず、上述したような切断加工を効率的に実行することができないという問題もあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、半導体基板上において、少なくとも１つの機能性素子が構成される半導体集積回路装置において、機能性素子の直上側または直下側にダミー金属パターンを用いることなく、その剛性や電気的特性の劣化を抑制するとともに、前記機能性素子の性能を十分に発揮できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく、本発明の一態様は、半導体基板上において、少なくとも１つの機能性素子が構成された半導体集積回路装置であって、
前記機能性素子の上側及び下側の少なくとも一方において層間絶縁膜を介して形成されるとともに、その層間絶縁膜で分離されている金属配線同士を繋ぐ層間接続体の内側であって前記機能性素子の外側に位置する領域において、前記機能性素子を囲むようにしてダミー金属部を設けたことを特徴とする、半導体集積回路装置に関する。
【発明の効果】
【０００９】
上記態様によれば、半導体基板上において、少なくとも１つの機能性素子が構成された半導体集積回路装置において、機能性素子の直上側または直下側にダミー金属パターンを用いることなく、その剛性や電気的特性の劣化を抑制するとともに、前記機能性素子の性能を十分に発揮できるようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態における半導体集積回路装置を示す平面図であり、図２は、図１に示す半導体集積回路装置のＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面図である。なお、これらの図においては、本実施形態の特徴を明確にすべく、その具体的な構成要素、特に配線パターンなどについては実際のものと異なり、簡略化して描いている。
【００１２】
図１及び図２に示す半導体集積回路装置１０においては、シリコンなどからなる半導体基板１１上において、この基板１１の表層部分に形成された素子分離領域１１Ａを介して第１の層間絶縁膜２１及び第１のメタル層Ｍ１、第２の層間絶縁膜２２及び第２のメタル層Ｍ２、第３の層間絶縁膜２３及び第３のメタル層Ｍ３、第４の層間絶縁膜２４及び第４のメタル層Ｍ４、第５の層間絶縁膜２５及び第５のメタル層Ｍ５、ならびに第６の層間絶縁膜２６及び第６のメタル層Ｍ６が、この順に積層されている。
【００１３】
第１のメタル層Ｍ１は配線パターンであり、第２のメタル層Ｍ２は、ダミー金属部Ｍ２−１及び配線パターンＭ２−２を構成している。第３のメタル層Ｍ３及び第４のメタル層Ｍ４は、それぞれ容量素子(機能性素子)を構成している。第５のメタル層Ｍ５は、容量素子（機能性素子）Ｍ５−１及び配線パターンＭ５−２を構成している。第６のメタル層Ｍ６は、ダミー金属部Ｍ６−１及び配線パターンＭ６−２を構成している。
【００１４】
第１のメタル層Ｍ１と第２のメタル層Ｍ２の配線パターンＭ２−２とは層間接続体（ビア）１２で電気的に接続されている。また、第５のメタル層Ｍ６と第５のメタル層Ｍ５の配線パターンＭ５−２とは層間接続体(ビア)１６で電気的に接続されている。なお、第３のメタル層Ｍ３及び第４のメタル層Ｍ４に対する配線パターンは省略している。
【００１５】
本実施形態では、図１及び図２に示す半導体集積回路装置１０の水平方向において、第２のメタル層Ｍ２及び第６のメタル層Ｍ６において、それぞれ層間接続体１２及び１６の内側であって、メタル層Ｍ３、Ｍ４及びＭ５（容量素子Ｍ３、Ｍ４及びＭ５−１）の外側においてダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１を設けている。また、図１から明らかなように、ダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１は、それぞれ複数の金属片からなり、それらが互いに間隔ｄでメタル層Ｍ３、Ｍ４及びＭ５（容量素子Ｍ３、Ｍ４及びＭ５−１）を囲むようにして形成されている。
【００１６】
したがって、例えば、図１及び図２に示す半導体集積回路装置の作製中において、半導体基板１１上に、第１の層間絶縁膜２１及び第１のメタル層Ｍ１を形成した後に、第２の層間絶縁膜２２を形成し、第２のメタル層Ｍ２を形成する以前に、第２の層間絶縁膜２２に対して熱処理を加えた場合においても、第２の層間絶縁膜２２中に残存するガスや水分は、配線パターンＭ２−２を形成するために予め設けておいた溝部からではなく、その内側に位置する、同じくダミー金属部Ｍ２−１を形成するために予め設けておいた溝部に集中し、前記溝部を通じて外部に放出されることになる。
【００１７】
この結果、配線パターンＭ２−２を形成するための前記溝部に前記ガスや水分が集中しなくなり、前記溝部に連通した層間接続体１２を形成すべき開口部(ビア)のダメージを抑制することができる。このため、かかる部分での抵抗増大を抑制することができる。
【００１８】
また、第３の層間絶縁膜２３及び第３のメタル層Ｍ３、第４の層間絶縁膜２４及び第４のメタル層Ｍ４、第５の層間絶縁膜２５及び第５のメタル層Ｍ５を順次に形成し、次いで、第６の層間絶縁膜２６を形成し、第６のメタル層Ｍ６を形成する以前に、第６の層間絶縁膜２６に対して熱処理を加えた場合においても、第６の層間絶縁膜２６中に残存するガスや水分は、配線パターンＭ６−２を形成するために予め設けておいた溝部からではなく、その内側に位置する、同じくダミー金属部Ｍ６−１を形成するために予め設けておいた溝部に集中し、前記溝部を通じて外部に放出されることになる。
【００１９】
この結果、配線パターンＭ６−２を形成するための前記溝部に前記ガスや水分が集中しなくなり、前記溝部に連通した層間接続体１６を形成すべき開口部(ビア)のダメージを抑制することができる。この結果、かかる部分での抵抗増大を抑制することができる。
【００２０】
したがって、層間接続体１２及び１６を形成すべき開口部の抵抗増大を抑制することができる結果として、本実施形態における半導体集積回路装置１０の電気的特性の劣化を抑制することができる。
【００２１】
また、ダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１は、メタル層Ｍ３、Ｍ４及びＭ５（容量素子Ｍ３、Ｍ４及びＭ５−１）を囲むようにして形成されているので、層間絶縁膜２１〜２６が誘電率の高い材料から構成され、その剛性が低い場合でも、ダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１の存在によって前記剛性低下を補完することができ、目的とする半導体集積回路装置１０の機械的強度を十分に確保することができるようになる。
【００２２】
さらに、ダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１は、メタル層Ｍ３、Ｍ４及びＭ５（容量素子Ｍ３、Ｍ４及びＭ５−１）と上下方向において重ならないので、従来のダミー金属パターンなどと異なり、ダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１と、メタル層Ｍ３、Ｍ４及びＭ５との間に寄生容量が生成されることがない。したがって、半導体集積回路装置の特性が当初の設計値から大幅にシフトするようなことがない。
【００２３】
なお、本実施形態において、ダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１は、それぞれ複数の金属片で構成されているが、それらの配置間隔ｄは例えば半導体集積回路装置に要求される最小配線間隔の３倍以内の間隔とする。また、好ましくは、前記最終配線間隔と同等あるいはそれ以下とする。これによって、層間絶縁膜２１及び２６中の水分などがダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１を形成すべき溝部に捕獲されることなく通過して、配線パターンＭ２−２及びＭ６−２を形成すべき溝部に至るのを効果的に抑制することができる。
【００２４】
また、上述した最小配線間隔は世代ごとの半導体集積回路装置に対してそれぞれ要求される値であって、近年の微細化の要求に伴って世代が進むたびに狭小化される。現在の半導体集積回路装置は６５ｎｍ世代と呼ばれており、この世代における前記最小配線間隔は０．１μｍである。また、前記最小配線間隔は最小間隔ルールと呼ばれている。
【００２５】
なお、メタル層Ｍ１〜Ｍ６は、上述したようにその一部は配線パターンをも構成することから、その具体的な構成材料は、配線パターン材料として従来から汎用されているものを使用することができ、具体的には銅、金、銀、アルミニウムなどから構成することができる。
【００２６】
図３は、図１及び図２に関連する上記実施形態の変形例を示す平面図である。上記実施形態では、ダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１はそれぞれ複数の金属片から構成されていたが、本実施形態では、ダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１はそれぞれ連続した単一の金属部材から構成されている。したがって、これらダミー金属部を形成すべき溝部も連続した溝部として形成されるようになるため、層間絶縁膜２１及び２６中の水分などがダミー金属部Ｍ２−１及びＭ６−１を形成すべき溝部に捕獲されることなく通過して、配線パターンＭ２−２及びＭ６−２を形成すべき溝部に至るのをより効果的に抑制することができる。
【００２７】
なお、本変形例における半導体集積回路装置の断面は、上記実施形態における図２と同様の構成を呈する。
【００２８】
図４は、図１及び図２に関連する上記実施形態の他の変形例を示す断面図である。上記実施形態では、第１のメタル層Ｍ２及び第６のメタル層Ｍ６のみが配線パターンＭ２−２及びＭ６−２を有していたが、本変形例では、第１のメタル層Ｍ３〜Ｍ５も、それぞれ配線パターンＭ３−２、Ｍ４−２及びＭ５−２を有している。
【００２９】
本例においても、第３の層間絶縁膜２３、第４の層間絶縁膜２４、第５の層間絶縁膜２５及び第６の層間絶縁膜２６中に残存するガスや水分は、配線パターンＭ６−２を形成するために予め設けておいた溝部からではなく、その内側に位置する、同じくダミー金属部Ｍ６−１を形成するために予め設けておいた溝部に集中し、前記溝部を通じて外部に放出されることになる。この結果、配線パターンＭ６−２を形成するための前記溝部に前記ガスや水分が集中しなくなり、前記溝部に連通した層間接続体１６を形成すべき開口部(ビア)のダメージを抑制することができる。この結果、かかる部分での抵抗増大を抑制することができ、得られる半導体集積回路装置１０の電気的特性の劣化を抑制することができる。
【００３０】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態における半導体集積回路装置を示す平面図であり、図６は、図５に示す半導体集積回路装置のII−II線に沿って切った場合の断面図である。なお、これらの図においては、本実施形態の特徴を明確にすべく、その具体的な構成要素、特に配線パターンなどについては実際のものと異なり、簡略化して描いている。また、上記第１の実施形態と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同じ参照符号を用いている。
【００３１】
図５及び図６に示す半導体集積回路装置２０においては、シリコンなどからなる半導体基板１１上において、この基板１１の表層部分に形成された素子分離領域１１Ａを介して第１の層間絶縁膜２１及び第１のメタル層Ｍ１、第２の層間絶縁膜２２及び第２のメタル層Ｍ２、第３の層間絶縁膜２３及び第３のメタル層Ｍ３、第４の層間絶縁膜２４及び第４のメタル層Ｍ４、第５の層間絶縁膜２５及び第５のメタル層Ｍ５、ならびに第６の層間絶縁膜２６及び第６のメタル層Ｍ６が、この順に積層されている。
【００３２】
第１のメタル層Ｍ１は配線パターンであり、第２のメタル層Ｍ２は、ダミー金属部Ｍ２−１及び配線パターンＭ２−２を構成している。同じく、第３のメタル層Ｍ３及び第４のメタル層Ｍ４は、それぞれダミー金属部Ｍ３−１及び配線パターンＭ３−２、並びにダミー金属部Ｍ４−１及び配線パターンＭ４−２を構成している。第５のメタル層Ｍ５は、ダミー金属部Ｍ５−１及び配線パターンＭ５−２を構成している。第６のメタル層Ｍ６は、その中央部に位置する狭小部Ｍ６−１においてメタルフューズ（機能性素子）を構成している。
【００３３】
第１のメタル層Ｍ１と第２のメタル層Ｍ２の配線パターンＭ２−２とは層間接続体（ビア）１２で電気的に接続されており、配線パターンＭ２−２と第３のメタル層Ｍ３の配線パターンＭ３−２とは層間接続体（ビア）１３で電気的に接続されており、第３のメタル層Ｍ３の配線パターンＭ３−２と第４のメタル層Ｍ４の配線パターンＭ４−２とは層間接続体（ビア）１４で電気的に接続されており、第４のメタル層Ｍ４の配線パターンＭ４−２と第５のメタル層Ｍ５の配線パターンＭ５−２とは層間接続体（ビア）１５で電気的に接続されており、配線パターンＭ５−２と第６のメタル層（メタルフューズ）Ｍ６とは層間接続体１６で電気的に接続されている。
【００３４】
本実施形態では、図５及び図６に示す半導体集積回路装置２０の水平方向において、第２のメタル層Ｍ２〜第６のメタル層Ｍ５において、それぞれ層間接続体１２〜１５の内側であって、メタルフューズＭ６−１の外側においてダミー金属部Ｍ２−１〜Ｍ５−１を設けている。また、図５から明らかなように、ダミー金属部Ｍ２−１〜Ｍ５−１は、それぞれ複数の金属片からなり、それらが互いに間隔ｄでメタルフューズＭ６−１を囲むようにして形成されている。
【００３５】
したがって、例えば、図５及び図６に示す半導体集積回路装置の作製中において、半導体基板１１上に、第１の層間絶縁膜２１及び第１のメタル層Ｍ１を形成した後に、第２の層間絶縁膜２２を形成し、第２のメタル層Ｍ２を形成する以前に、第２の層間絶縁膜２２に対して熱処理を加えた場合においても、第２の層間絶縁膜２２中に残存するガスや水分は、配線パターンＭ２−２を形成するために予め設けておいた溝部からではなく、その内側に位置する、同じくダミー金属部Ｍ２−１を形成するために予め設けておいた溝部に集中し、前記溝部を通じて外部に放出されることになる。
【００３６】
この結果、配線パターンＭ２−２を形成するための前記溝部に前記ガスや水分が集中しなくなり、前記溝部に連通した層間接続体１２を形成すべき開口部(ビア)のダメージを抑制することができる。この結果、かかる部分での抵抗増大を抑制することができる。
【００３７】
同様に、第３のメタル層Ｍ３を形成する以前に、第３の層間絶縁膜２３に対して熱処理を加えた場合においても、第３の層間絶縁膜２３中に残存するガスや水分は、配線パターンＭ３−２を形成するために予め設けておいた溝部からではなく、その内側に位置する、同じくダミー金属部Ｍ３−１を形成するために予め設けておいた溝部に集中し、前記溝部を通じて外部に放出されることになる。さらに、第４のメタル層Ｍ４を形成する以前に、第４の層間絶縁膜２４に対して熱処理を加えた場合においても、第４の層間絶縁膜２４中に残存するガスや水分は、配線パターンＭ４−２を形成するために予め設けておいた溝部からではなく、その内側に位置する、同じくダミー金属部Ｍ４−１を形成するために予め設けておいた溝部に集中し、前記溝部を通じて外部に放出されることになる。
【００３８】
また、第５の層間絶縁膜２５を形成し、第５のメタル層Ｍ５を形成する以前に、第５の層間絶縁膜２５に対して熱処理を加えた場合においても、第５の層間絶縁膜２５中に残存するガスや水分は、配線パターンＭ５−２を形成するために予め設けておいた溝部からではなく、その内側に位置する、同じくダミー金属部Ｍ５−１を形成するために予め設けておいた溝部に集中し、前記溝部を通じて外部に放出されることになる。
【００３９】
以上の結果、配線パターンＭ３−２〜Ｍ５−２を形成するための前記溝部に前記ガスや水分が集中しなくなり、前記溝部に連通した層間接続体１３〜１５を形成すべき開口部(ビア)のダメージを抑制することができる。この結果、かかる部分での抵抗増大を抑制することができる。
【００４０】
したがって、層間接続体１２〜１５を形成すべき開口部の抵抗増大を抑制することができる結果として、本実施形態における半導体集積回路装置２０の電気的特性の劣化を抑制することができる。
【００４１】
また、ダミー金属部Ｍ２−１〜Ｍ５−１は、メタルフューズＭ６−１を囲むようにして形成されているので、層間絶縁膜２１〜２６が誘電率の高い材料から構成され、その剛性が低い場合でも、ダミー金属部Ｍ２−１〜Ｍ５−１の存在によって前記剛性低下を補完することができ、目的とする半導体集積回路装置２０の機械的強度を十分に確保することができるようになる。
【００４２】
さらに、メタルフューズＭ６−１の下方には金属部分が存在しないので、メタルフューズＭ６−１をレーザ光などで切断する際に、前記レーザ光がダミー金属パターンに引き寄せられてしまい、いわゆるブローマージンが十分に確保できず、結果として、メタルフューズＭ６−１に対してレーザ光を十分に照射することができず、上述したような切断加工を効率的に実行することができないという問題を回避することができる。
【００４３】
なお、本実施形態において、ダミー金属部Ｍ２−１〜Ｍ５−１は、それぞれ複数の金属片で構成されているが、それらの配置間隔ｄは、上記第１の実施形態と同様に、例えば半導体集積回路装置に要求される最小配線間隔の３倍以内の間隔とする。また、好ましくは、前記最小配線間隔と同等あるいはそれ以下とする。これによって、層間絶縁膜２１及び２５中の水分などがダミー金属部Ｍ２−１〜Ｍ５−１を形成すべき溝部に捕獲されることなく通過して、配線パターンＭ２−２〜Ｍ５−２を形成すべき溝部に至るのを効果的に抑制することができる。
【００４４】
また、前記最小配線間隔に関しては、上記第１の実施形態と同様に定義づけることができ、現世代では、０．１μｍである。また、メタル層Ｍ１〜Ｍ６は、上述したようにその一部は配線パターンをも構成することから、その具体的な構成材料は、配線パターン材料として従来から汎用されているものを使用することができ、具体的には銅、金、銀、アルミニウムなどから構成することができる。
【００４５】
なお、本実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の変形例を設定することができる。例えば、図３と同様に、ダミー金属部Ｍ２−１〜Ｍ５−１を複数の金属片から構成する代わりに、連続した単一の金属部材から構成することもできる。
【００４６】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００４７】
例えば、上記実施形態では、メタル層及び層間絶縁膜がそれぞれ６層づつ有する場合の半導体集積回路装置について説明したが、メタル層及び層間絶縁膜の層数は６層に限られるものではなく、半導体集積回路装置に要求される特性や用途などに応じて任意の数とすることができる。また、機能性素子として容量素子及びメタルフューズの場合について例示したが、半導体集積回路装置の用途などに応じて、これら以外の機能性素子をも当然に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１の実施形態における半導体集積回路装置を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体集積回路装置のＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面図である。
【図３】第１の実施形態における半導体集積回路装置の変形例を示す平面図である。
【図４】第１の実施形態における半導体集積回路装置の他の変形例を示す平面図である。
【図５】第２の実施形態における半導体集積回路装置を示す平面図である。
【図６】図５に示す半導体集積回路装置のII−II線に沿って切った場合の断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０，２０  半導体集積回路装置
１１  半導体基板
１２，１３，１４，１５，１６  層間接続体
２１  第１の層間絶縁膜
２２  第２の層間絶縁膜
２３  第３の層間絶縁膜
２４  第４の層間絶縁膜
２５  第５の層間絶縁膜
２６  第６の層間絶縁膜
Ｍ１  第１のメタル層
Ｍ２  第２のメタル層
Ｍ３  第３のメタル層
Ｍ４  第４のメタル層
Ｍ５  第５のメタル層
Ｍ６  第６のメタル層
【図１】
2008205165.tif 000003
【図２】
2008205165.tif 000004
【図３】
2008205165.tif 000005
【図４】
2008205165.tif 000006
【図５】
2008205165.tif 000007
【図６】
2008205165.tif 000008