(57)【要約】【課題】２層以上の配線層を有する半導体集積回路の同一配線層あるいは上下の配線層間で隣接する配線間のクロストークの影響を低減させることのできる配線方法を提供する。【解決手段】第１配線層Ｍ１には、インバータＩＶ１１１〜ＩＶ１２２の配置位置を交互にずらして配設しながら配線Ｌ１１、Ｌ１２を隣接させて配線し、配線Ｌ１２に隣接させて、シールド線Ｓ１１を配線する。第２配線層Ｍ２には、インバータＩＶ１１１〜ＩＶ２２２の配置間隔と同じ間隔でインバータＩＶ２１１〜ＩＶ２２２の配置位置を交互にずらして配設しながら配線Ｌ２１、Ｌ２２を、第１配線層Ｍ１のシールド線Ｓ１１が配線された位置を挟むように、隣接させて配線するとともに、配線Ｌ２１に隣接し、かつ第１配線層Ｍ１の配線Ｌ１１、Ｌ１２の間となる位置に、シールド線Ｓ２１を配線する。【選択図】図１
2008205030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２層の配線層を有する半導体集積回路の
第１の配線層に、
複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設された２本の配線を隣接させて配線するとともに、前記２本の配線のいずれかに隣接させてシールド線を配線し、
第２の配線層に、
前記第１の配線層の前記インバータの配置間隔と同じ間隔で複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設された２本の配線を、前記第１の配線層の前記シールド線が配線された位置を挟むように、隣接させて配線するとともに、
前記２本の配線に隣接し、かつ前記第１の配線層の前記２本の配線の間となる位置に、シールド線を配線する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
【請求項２】
前記第１の配線層に、
前記シールド線に隣接させて、
前記２本の配線および前記シールド線を１組の配線とした複数組の配線を繰り返し配線し、
前記第２の配線層に、
前記２本の配線に隣接させて、
前記シールド線および前記２本の配線を１組の配線とした複数組の配線を繰り返し配線する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路の配線方法。
【請求項３】
多層の配線層を有する半導体集積回路の
奇数層の配線層に、
複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設された２本の配線を隣接させて配線するとともに、前記２本の配線のいずれかに隣接させてシールド線を配線し、
偶数層の配線層に、
前記奇数層の配線層の前記インバータの配置間隔と同じ間隔で複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設された２本の配線を、前記奇数層の配線層の前記シールド線が配線された位置を挟むように、隣接させて配線するとともに、
前記２本の配線に隣接し、かつ前記奇数層の配線層の前記２本の配線の間となる位置に、シールド線を配線する
ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
【請求項４】
多層の配線層を有する半導体集積回路の
奇数層の配線層に、
前記シールド線に隣接させて、
前記２本の配線および前記シールド線を１組の配線とした複数組の配線を繰り返し配線し、
偶数層の配線層に、
前記２本の配線に隣接させて、
前記シールド線および前記２本の配線を１組の配線とした複数組の配線を繰り返し配線する
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路の配線方法。
【請求項５】
前記奇数層の各配線層に配線された前記２本の配線、前記シールド線および前記複数組の配線の配線位置を配線層間方向の同じ位置に揃え、
前記偶数層の各配線層に配線された前記２本の配線、前記シールド線および前記複数組の配線の配線位置を配線層間方向の同じ位置に揃える
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路の配線方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の配線方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の製造プロセスの微細化に伴い、半導体集積回路内で隣接して配線される信号配線間の容量が増大し、容量結合による隣接信号配線間のクロストークが、半導体集積回路の動作速度に大きな影響を与えるようになってきた。
【０００３】
このクロストークは、隣接する信号配線が同時に逆相に遷移する場合は信号の伝播遅延時間が増大する方向に作用し、隣接する信号配線が同時に同相に遷移する場合は信号の伝播遅延時間が減少する方向に作用する。
【０００４】
従来、このクロストークの発生を防止するため、信号配線間にシールド用配線を追加するなどの対策がとられていた。
【０００５】
また、逆に、隣接配線信号の同時遷移時のクロストークによる遅延がその位相関係によって変動することを利用して、信号伝播時間を安定させる方法も提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
この提案された方法では、隣接して配設された少なくとも２本の信号伝送路を有する信号伝送装置において、隣り合う一対の信号伝送路の内、一方の第１信号伝送路において任意の信号を連続した信号線で伝送する１区間に着目したときに、この区間に対応する他方の第２信号伝送路に信号を反転して伝えるインバータ手段が設けられ、上記第２信号伝送路から第１信号伝送路に及ぼされるクロストークの影響が、上記インバータ手段よりも前方の部分の信号から及ぼされるクロストークと、上記インバータ手段よりも後方の部分の反転信号から及ぼされるクロストークとの相殺により、低減されるように構成されている。
【０００７】
しかし、上述の方法では、同一配線層の隣接配線間のみにしか、クロストーク低減の効果が及ばず、２層以上の多層配線を用いる半導体集積回路において、上下の配線層の間で、上下方向に重ねて配線された信号線があった場合、それぞれの配線層の配線に対して上述のクロストーク低減方法をとったとしても、上下方向に隣接する配線の間には、信号の伝播遅延時間にクロストークが影響する、という問題が依然として残っていた。
【特許文献１】特開２００１−４４３７２号公報  （第４ページ、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、２層以上の配線層を有する半導体集積回路において、同一配線層の隣接する配線のみならず、上下の配線層間で隣接する配線に対してもクロストークの影響を低減させることのできる配線方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、２層の配線層を有する半導体集積回路の第１の配線層に、複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設された２本の配線を隣接させて配線するとともに、前記２本の配線のいずれかに隣接させてシールド線を配線し、第２の配線層に、前記第１の配線層の前記インバータの配置間隔と同じ間隔で複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設された２本の配線を、前記第１の配線層の前記シールド線が配線された位置を挟むように、隣接させて配線するとともに、前記２本の配線に隣接し、かつ前記第１の配線層の前記２本の配線の間となる位置に、シールド線を配線することを特徴とする半導体集積回路の配線方法が提供される。
【００１０】
また、本発明の別の一態様によれば、多層の配線層を有する半導体集積回路の奇数層の配線層に、複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設された２本の配線を隣接させて配線するとともに、前記２本の配線のいずれかに隣接させてシールド線を配線し、偶数層の配線層に、前記奇数層の配線層の前記インバータの配置間隔と同じ間隔で複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設された２本の配線を、前記奇数層の配線層の前記シールド線が配線された位置を挟むように、隣接させて配線するとともに、前記２本の配線に隣接し、かつ前記奇数層の配線層の前記２本の配線の間となる位置に、シールド線を配線することを特徴とする半導体集積回路の配線方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、２層以上の配線層を有する半導体集積回路において、同一配線層の隣接する配線のみならず、上下の配線層間で隣接する配線に対してもクロストークの影響を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、本発明の実施例１に係る半導体集積回路の配線レイアウトを模式的に示す斜視図である。
【００１４】
本実施例の半導体集積回路は、第１配線層Ｍ１および第２配線層Ｍ２を有する２層配線構造の半導体集積回路である。
【００１５】
図１には、この半導体集積回路の第１配線層Ｍ１に配線した配線の上に、第２配線層Ｍ２の配線を重ねて配線するときの配線レイアウトを示している。
【００１６】
この配線レイアウトを行うときの配線方法について、ここでは、第１配線層Ｍ１に配線Ｌ１１、Ｌ１２を隣接させて配線し、第２配線層Ｍ２に配線Ｌ２１、Ｌ２２を隣接させて配線するものとして、説明する。
【００１７】
まず、第１配線層Ｍ１に、配線Ｌ１１、Ｌ１２を配線する。このとき、従来のクロストーク低減方法と同様、複数のインバータの配置位置を交互にずらして配設しながら、配線Ｌ１１、Ｌ１２を隣接させて配線する。
【００１８】
例えば、配線Ｌ１１には、インバータＩＶ１１１、ＩＶ１１２、ＩＶ１１３をある間隔で配設し、配線Ｌ１２には、インバータＩＶ１１１とインバータＩＶ１１２の間に相当する位置にインバータＩＶ１２１を配設し、インバータＩＶ１１２とインバータＩＶ１１３の間に相当する位置にインバータＩＶ１２２を配設するものとする。
【００１９】
次に、配線Ｌ１２に隣接させて、シールド線Ｓ１１を配線する。なお、シールド線Ｓ１１の配線位置は、配線Ｌ１２に隣接する位置に限るものではなく、配線Ｌ１１に隣接する位置としてもよい。
【００２０】
この第１配線層Ｍ１の配線レイアウトに対して、次に、第２配線層Ｍ２の配線を行う。
【００２１】
最初に、第２配線層Ｍ２に、配線Ｌ２１、Ｌ２２を配線するときの配線方法について説明する。
【００２２】
配線Ｌ２１、Ｌ２２を配線するときは、第１配線層Ｍ１の配線Ｌ１１、Ｌ１２と同様、複数のインバータの配置位置を交互にずらして配設しながら、配線Ｌ２１、Ｌ２２を隣接させて配線する。例えば、配線Ｌ２１にはインバータＩＶ２１１、ＩＶ２１２、ＩＶ２１３を配設し、配線Ｌ２２にはインバータＩＶ２２１、ＩＶ２２２を配設するものとする。
【００２３】
このとき、インバータＩＶ２１１、ＩＶ２１２、ＩＶ２１３の配置間隔は、第１配線層Ｍ１のインバータＩＶ１１１、ＩＶ１１２、ＩＶ１１３の配置間隔と同じにし、インバータＩＶ２２１、ＩＶ２２２の配置間隔は、第１配線層Ｍ１のインバータＩＶ１２１、ＩＶ１２２の配置間隔と同じにする。
【００２４】
また、配線Ｌ２１と配線Ｌ２２は、その配線位置が、第１配線層Ｍ１のシールド線Ｓ１１の配線位置を挟む位置となるように、配線する。すなわち、第２配線層Ｍ２に、シールド線Ｓ１１と同じ位置に仮想配線を配線したと仮定し、その仮想配線を間に挟んで、その両側に、配線Ｌ２１と配線Ｌ２２を配線する。
【００２５】
次に、配線Ｌ２１に隣接し、かつ第１配線層Ｍ１の配線Ｌ１１と配線Ｌ１２の間となる位置に、シールド線Ｓ２１を配線する。すなわち、第１配線層Ｍ１の配線Ｌ１１と配線Ｌ１２の間となる位置に仮想配線を配線したと仮定し、その仮想配線と同じ位置となるようにシールド線Ｓ２１を配線する。
【００２６】
図２は、図１に示した配線レイアウトを平面的に示した図である。
【００２７】
第１配線層Ｍ１の配線Ｌ１１と配線Ｌ１２は、複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設されているため、この配線Ｌ１１と配線Ｌ１２の間では、クロストークの影響が相殺される。
【００２８】
例えば、配線Ｌ１１のインバータＩＶ１１１とインバータＩＶ１１２の間の区間ｋ１１には、配線Ｌ１２のインバータＩＶ１２１の前後の配線から逆位相のクロストークが伝播し、その影響が相殺される。同じように、配線Ｌ１２のインバータＩＶ１２１とインバータＩＶ１２２の間の区間ｋ１２には、配線Ｌ１１のインバータＩＶ１１２の前後の配線から逆位相のクロストークが伝播し、その影響が相殺される。
【００２９】
同様に、第２配線層Ｍ２の配線Ｌ２１と配線Ｌ２２も、複数のインバータが配置位置を交互にずらして配設されているため、この配線Ｌ１１と配線Ｌ１２の間でも、クロストークの影響が相殺される。
【００３０】
例えば、配線Ｌ２１の区間ｋ２１には、配線Ｌ２２のインバータＩＶ２２１の前後の配線から逆位相のクロストークが伝播し、配線Ｌ２２の区間ｋ２２には、配線Ｌ２１のインバータＩＶ１１２の前後の配線から逆位相のクロストークが伝播するので、それぞれクロストークの影響が相殺される。
【００３１】
また、２つの配線層のインバータの配置関係を平面的に見れば、配線Ｌ１１のインバータＩＶ１１１、ＩＶ１１２、ＩＶ１１３の配置位置と、配線Ｌ２１のインバータＩＶ２１１、ＩＶ２１２、ＩＶ２１３の配置位置は同じであり、配線Ｌ１２のインバータＩＶ１２１、インバータＩＶ１２２の配置位置と、配線Ｌ２２のインバータＩＶ２２１、インバータＩＶ２２２の配置位置は同じである。
【００３２】
したがって、この配置関係をクロストーク伝播の位相関係から見ると、配線Ｌ１１と配線Ｌ２１、配線Ｌ１２と配線Ｌ２２が、それぞれ同一の位相関係を有する同相グループとみなすことができる。また、この２つの同相グループは逆相関系にある、といえる。
【００３３】
図３は、図１に示した配線レイアウトを模式的に示した断面図である。ここでは、上述のクロストーク伝播の位相関係のグループがわかりやすいように、同じ同相グループに含まれる配線を同じシンボルで表している。すなわち、配線Ｌ１１と配線Ｌ２１の同相グループを丸形、配線Ｌ１２と配線Ｌ２２の同相グループを四角形で表し、また、シールド線Ｓ１１、Ｓ２１を三角形で表している。
【００３４】
本実施例の配線レイアウトでは、第１配線層Ｍ１の配線Ｌ１２の斜め上方に隣接して、第２配線層Ｍ２の第２配線層Ｍ２の配線Ｌ２１が配線される。この配線Ｌ１２と配線Ｌ２１は、逆相関系のグループに属している。したがって、配線Ｌ１２と配線Ｌ２１の間では、逆相関系のクロストークが伝播され、クロストークの影響が相殺される。
【００３５】
一方、同相グループの配線である配線Ｌ１１と配線Ｌ２１、および配線Ｌ１２と配線Ｌ２２は、それぞれ、シールド線Ｓ２１、シールド線Ｓ２２を挟んで、離れた位置に配線される。したがって、配線Ｌ１１と配線Ｌ２１の間のクロストーク、および配線Ｌ１２と配線Ｌ２２の間のクロストークは、ともに低減される。
【００３６】
このような本実施例によれば、２層配線層の配線層間で、クロストーク伝播の位相関係が逆相関系である配線は近くに配線され、同相グループの配線はシールド線を挟んで離れた位置に配線されるため、同一配線層の隣接する配線のみならず、２層配線層間で上下方向に隣接する配線に対してもクロストークの影響を低減させることができる。
【実施例２】
【００３７】
本実施例では、実施例１に示した第１配線層Ｍ１および第２配線層Ｍ２を有する２層配線構造の半導体集積回路の各配線層に、さらに多くの配線を配線するときの配線方法について示す。
【００３８】
図４は、本実施例の半導体集積回路の配線レイアウトを模式的に示した断面図である。
【００３９】
本実施例では、第１配線層Ｍ１に、実施例１で示した配線Ｌ１１、Ｌ１２のほかに配線Ｌ１３、Ｌ１４を配線し、第２配線層Ｍ２に、実施例１で示した配線Ｌ２１、Ｌ２２のほかに配線Ｌ２３、Ｌ２４を配線する場合を例にとって説明する。
【００４０】
ここで、第１配線層Ｍ１の配線Ｌ１１、Ｌ１２、シールド線Ｓ１１、および第２配線層Ｍ２の配線Ｌ２１、Ｌ２２、シールド線Ｓ２１は、実施例１に示した方法で配線するものとする。
【００４１】
次に、第１配線層Ｍ１の配線Ｌ１３、Ｌ１４をシールド線Ｓ１１に隣接させて配線し、さらに配線Ｌ１４に隣接させてシールド線Ｓ１２を配線する。このとき、配線Ｌ１３、Ｌ１４には、配線Ｌ１１、Ｌ１２への配置と同じ位置関係で、複数のインバータを配置位置を交互にずらして配設する。
【００４２】
これにより、クロストーク伝播の位相関係から見ると、配線Ｌ１３は、配線Ｌ１１と同じ同相グループとなる。また、配線Ｌ１４は、配線Ｌ１２と同じ同相グループとなる。
【００４３】
次に、第２配線層Ｍ２の配線を行う。
【００４４】
この場合、配線Ｌ２２に隣接させてシールド線Ｓ２２を配線し、さらにシールド線Ｓ２２に隣接させて配線Ｌ２３、Ｌ２４を配線する。このとき、配線Ｌ２３、Ｌ２４には、配線Ｌ２１、Ｌ２２への配置と同じ位置関係で、複数のインバータを配置位置を交互にずらして配設する。
【００４５】
これにより、クロストーク伝播の位相関係から見ると、配線Ｌ２３は、配線Ｌ２１と同じ同相グループとなる。また、配線Ｌ２４は、配線Ｌ２２と同じ同相グループとなる。
【００４６】
図４では、各配線の同相グループの関係を、図３で用いたシンボルと同じシンボルを用いて表している。
【００４７】
このようなシールド線を用いる本実施例の配線レイアウトによるクロストークの低減効果を、図５に示すシールド線を用いない比較例を参照しながら説明する。
【００４８】
図５（ａ）は、第１配線層Ｍ１に、上述の配線Ｌ１１、Ｌ１２に隣接させて配線Ｌ１３、Ｌ１４を配線し、第２配線層Ｍ２には、第１配線層Ｍ１の配線位置と同じ位置に、上述の配線Ｌ２１、Ｌ２２に隣接させて配線Ｌ２３、Ｌ２４を配線した、としたときの例である。
【００４９】
このような配線を行うと、各配線層における隣接配線間では、クロストークの影響が相殺される。しかし、配線層上下間では、クロストーク伝播の位相関係が同相であるグループの配線が重なって配線される。したがって、この上下に重なる配線間では、クロストークが増大する。
【００５０】
この上下で重なる配線間のクロストークを避けるため、図５（ｂ）では、上下で重なる配線を逆相関系のグループとした例である。この配線レイアウトにより、上下で重なる配線間のクロストークの影響は相殺される。しかし、上下の斜め方向には、同相グループの配線が配線されるため、この方向でのクロストークは増大する。
【００５１】
このように、図５に示した比較例の配線レイアウトでは、いずれの場合も、配線層間の上下方向で隣接する配線間のクロストークが増大することになる。
【００５２】
これに対して、本実施例の場合、図４に示すように、配線層間の上下方向で隣接する配線は、いずれも逆相関系のグループの配線であり、クロストークの影響が相殺される。
【００５３】
一方、同相グループの配線は、シールド線を挟んで離れた位置に配線されるため、クロストークの影響が低減される。
【００５４】
なお、図５では、各配線層に２組の配線を配線する場合を例にとったが、さらに多くの配線を配線する場合は、上述した２本の配線とシールド線を１組の配線として、必要な配線数分、繰り返し配線すればよい。
【００５５】
このような本実施例によれば、２層配線層の各配線層間に多数の配線を配線する場合においても、クロストーク伝播の位相関係が逆相関系である配線は近くに配線され、同相グループの配線はシールド線を挟んで離れた位置に配線されるため、同一配線層の隣接する配線のみならず、２層配線層間で上下方向に隣接する配線に対してもクロストークの影響を低減させることができる。
【実施例３】
【００５６】
実施例１および実施例２では、２層配線構造の半導体集積回路における配線方法についての例を示したが、本実施例では、３層以上の多層配線構造を有する半導体集積回路における配線方法についての例を示す。
【００５７】
図６は、３層構造の半導体集積回路における配線レイアウトを模式的に示した断面図である。本実施例では、第１配線層Ｍ１、第２配線層Ｍ２の上に、さらに第３配線層Ｍ３が設けられる。
【００５８】
このような半導体集積回路に対して、第１配線層Ｍ１および第２配線層Ｍ２の配線は、図４に示した実施例２と同じ配線を行うものとする。そこで、図６においても、各配線の、クロストーク伝播の位相関係における同相グループを、図４と同じシンボルを用いて表す。
【００５９】
このような第１配線層Ｍ１および第２配線層Ｍ２の配線に、第３配線層Ｍ３の配線として、配線Ｌ３１、Ｌ３２および配線Ｌ３３、Ｌ３４を行う。
【００６０】
このとき、配線Ｌ３１、Ｌ３２には、配線Ｌ１１、Ｌ１２への配置と同じ位置関係で、複数のインバータを配置位置を交互にずらして配設する。また、配線Ｌ３３、Ｌ３４には、配線Ｌ１３、Ｌ１４への配置と同じ位置関係で、複数のインバータを配置位置を交互にずらして配設する。
【００６１】
これにより、クロストーク伝播の位相関係から見ると、配線Ｌ３１、Ｌ３３は、配線Ｌ１１、Ｌ１３と同じ同相グループとなり、配線Ｌ３２、Ｌ３４は、配線Ｌ１２、Ｌ１４と同じ同相グループとなる。
【００６２】
この配線Ｌ３１、Ｌ３２および配線Ｌ３２、Ｌ３４の配線位置は、同じ奇数配線層の第１配線層Ｍ１の配線Ｌ１１、Ｌ１２および配線Ｌ１３、Ｌ１４と配線層間方向の位置が同じ位置になるように揃える。
【００６３】
また、第３配線層Ｍ３には、シールド線Ｓ３１、Ｓ３２を配線する。その配線位置は、第１配線層Ｍ１のシールド線Ｓ１１、Ｓ１２と配線層間方向の位置が同じ位置になるように揃える。
【００６４】
このような配線レイアウトにより、第３配線層Ｍ３の配線Ｌ３２、Ｌ３３、Ｌ３４は、それぞれ、その斜め下方に隣接する第２配線層Ｍ２の配線Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ２３と逆相関係になり、隣接配線間のクロストークの影響が相殺される。
【００６５】
また、第３配線層Ｍ３の配線Ｌ３１は、同相グループとなる第２配線層Ｍ２の配線Ｌ２１からは、シールド線Ｓ２１を挟んで離れた位置に配線されるため、クロストークの影響が低減される。
【００６６】
図７は、４層構造の半導体集積回路における配線レイアウトを模式的に示した断面図である。本実施例では、図６に示した第３配線層Ｍ３の上に、さらに第４配線層Ｍ４が設けられる。
【００６７】
このような半導体集積回路に対して、第１配線層Ｍ１から第３配線層Ｍ３までは、図６に示した配線レイアウトと同じ配線を行うものとする。そこで、図７においても、各配線のクロストーク伝播に関するグループ関係を、図６と同じシンボルを用いて表すものとする。
【００６８】
本実施例では、第３配線層Ｍ３までの配線に、第４配線層Ｍ４の配線として、配線Ｌ４１、Ｌ４２および配線Ｌ４３、Ｌ４４を行う。
【００６９】
このとき、配線Ｌ４１、Ｌ４２には、配線Ｌ２１、Ｌ２２への配置と同じ位置関係で、複数のインバータを配置位置を交互にずらして配設する。また、配線Ｌ４３、Ｌ４４には、配線Ｌ２３、Ｌ２４への配置と同じ位置関係で、複数のインバータを配置位置を交互にずらして配設する。
【００７０】
これにより、クロストーク伝播の位相関係から見ると、配線Ｌ４１、Ｌ４３は、配線Ｌ２１、Ｌ２３と同じグループとなり、配線Ｌ４２、Ｌ４４は、配線Ｌ２２、Ｌ２４と同じグループとなる。
【００７１】
この配線Ｌ４１、Ｌ４２および配線Ｌ４２、Ｌ４４の配線位置は、同じ偶数配線層の第２配線層Ｍ２の配線Ｌ２１１、Ｌ２２および配線Ｌ２３、Ｌ２４と配線層間方向の位置が同じ位置になるように揃える。
【００７２】
また、第４配線層Ｍ４には、シールド線Ｓ４１、Ｓ４２を配線する。その配線位置は、第２配線層Ｍ２のシールド線Ｓ２１、Ｓ２２と配線層間方向の位置が同じ位置になるように揃える。
【００７３】
このような配線レイアウトにより、第４配線層Ｍ４の配線Ｌ４１、Ｌ４２、Ｌ４３は、それぞれ、その斜め下方に隣接する第３配線層Ｍ３の配線Ｌ３２、Ｌ３３、Ｌ３４と逆相関係になり、隣接配線間のクロストークの影響が相殺される。
【００７４】
また、第４配線層Ｍ４の配線Ｌ４４は、同相グループとなる第３配線層Ｍ３の配線Ｌ３４からは、シールド線Ｓ３２を挟んで離れた位置に配線されるため、クロストークの影響が低減される。
【００７５】
このような本実施例によれば、３層以上の多層配線構造を有する半導体集積回路において、２層目までの配線レイアウトを基準に、奇数層の配線は奇数層の配線どうし、偶数層の配線は偶数層の配線どうしで、それぞれ、配線位置を配線層間方向の同じ位置に揃えて配線することにより、配線密度を高くすることが可能でありながら、同一配線層の隣接する配線のみならず、各配線層間で上下方向に隣接する配線に対してもクロストークの影響を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体集積回路の配線レイアウトを模式的に示す斜視図。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体集積回路の配線レイアウトの平面図。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体集積回路の配線レイアウトを模式的に示す断面図。
【図４】本発明の実施例２に係る半導体集積回路の配線レイアウトを模式的に示す断面図。
【図５】本発明の実施例２に係る半導体集積回路の配線方法の効果を説明するための比較図。
【図６】本発明の実施例３に係る半導体集積回路の配線レイアウトを模式的に示す断面図。
【図７】本発明の実施例３に係る半導体集積回路の配線レイアウトを模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００７７】
Ｌ１１〜Ｌ４４  配線
Ｓ１１〜Ｓ４２  シールド線
Ｍ１  第１配線層
Ｍ２  第２配線層
Ｍ３  第３配線層
Ｍ４  第４配線層
ＩＶ１１１〜ＩＶ２２２  インバータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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