(57)【要約】【課題】歪特性を劣化させることのない、高周波半導体デバイスの評価装置を提供すること。【解決手段】被測定物として高周波半導体デバイスの測定評価を行う評価装置であって、直流正電源に接続される出力側のバイアス供給部がこの評価装置内に設けられてなることを特徴とする高周波半導体デバイスの評価装置。【選択図】図１
2008058265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物として高周波半導体デバイスの測定評価を行う評価装置であって、
直流正電源に接続される出力側のバイアス供給部がこの評価装置内に設けられてなることを特徴とする高周波半導体デバイスの評価装置。
【請求項２】
装置入力端子と、
この装置入力端子に一端を接続され他端を測定評価される被測定物である高周波半導体デバイスに接続される入力側伝送線路と、
一端を前記被測定デバイスに接続され、他端を外部の直流正電源に接続される出力側バイアス供給部と、
この出力側バイアス供給部に接続された装置出力端子と、
を有することを特徴とする高周波半導体デバイスの評価装置。
【請求項３】
装置入力端子と、
この装置入力端子に一端を接続され、他端を測定評価される被測定物である高周波半導体デバイスに接続される入力側伝送線路と、
外部の直流正電源に接続される出力側バイアス供給部と、
一端を前記被測定物に接続され、他端を前記出力側バイアス供給部に接続される第１の出力側伝送線路と、
前記出力側バイアス供給部に接続される装置出力端子と、
を有することを特徴とする高周波半導体デバイスの評価装置。
【請求項４】
装置入力端子と、
この装置入力端子に一端を接続され、他端を測定評価される被測定物である高周波半導体デバイスに接続される入力側伝送線路と、
外部の直流正電源に接続され、前記被測定物に電力を供給する出力側バイアス供給部と、
一端を前記出力側バイアス供給部に接続され、他端を装置出力端子に接続される第２の出力側伝送線路と、
を有することを特徴とする高周波半導体デバイスの評価装置。
【請求項５】
一端を前記被測定物に接続され、他端を前記出力側バイアス供給部に接続される第３の出力側伝送線路を有することを特徴とする請求項４記載の、高周波半導体デバイスの評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの評価装置にかかわり、特にマイクロ波等、高周波用の半導体デバイスの評価装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの特性を評価するための評価用モデル及びその評価方法が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
一方、実際に、ＦＥＴ等の半導体デバイスの高周波特性を測定、評価するために、専用の評価装置が用いられる。この評価装置は入力端子と出力端子を有し、途中に測定されるデバイスが接続されるようになっている。
【０００４】
その評価装置の一例を図４に示す。被測定物４０である高周波半導体デバイスの入力側において、直流負電源が接続されるバイアス供給部４１、及び出力側で直流正電源が接続されるバイアス供給部４２が、この評価装置４３に内蔵される構成を有するものである。４４は、入力端子４５とバイアス供給部４１、被測定物４０とバイアス供給部４１、バイアス供給部４２と出力端子４６を接続するスルーラインである。
【０００５】
他の一例は、図５に示すように、被測定物５０に接続されるスルーライン５５と入出力端子５８，５９が評価装置５３内に設けられたものであり、直流負電源は入力側に外付けされるバイアス−Ｔ５６に接続され、直流正電源は出力側で外付けされるバイアス−Ｔ５７に接続された構成となっている。バイアス−Ｔ５６，５７は図４のバイアス供給部４１，４２に相当する。
【０００６】
しかし、図４に示す構成の評価装置では、入力側のバイアス供給部４１と、出力側のバイアス供給部４２が評価装置４３の内部に設けられているので、相互に影響しあって歪特性を悪化させてしまうという問題がある。また、図５に示す構成の評価装置５３では、バイアス−Ｔが外付けされているので、バイアスＴ相互の影響で性能が悪化することはない。ただし、被測定の半田５０とバイアス−Ｔ５６，５７の間に接続されるスルーライン５５が図４の校正よりも長くなるため、インダクタンス成分が大きくなり、その影響で歪特性を悪化させてしまう、という問題がある。
【特許文献１】特開平１１−１６３３１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上述のような従来の、半導体デバイスの評価装置の問題点にかんがみてなされたもので、歪特性を悪化させることのない、高周波半導体デバイスの評価装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１によれば、被測定物として高周波半導体デバイスの測定評価を行う評価装置であって、直流正電源に接続される出力側のバイアス供給部がこの評価装置内に設けられてなることを特徴とする高周波半導体デバイスの評価装置を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、歪特性を悪化させることのない、高周波半導体デバイスの評価装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の発明者の実験などによれば、上記のような高周波半導体デバイスの測定評価を行う場合、この被測定物の出力側のバイアス供給部までの距離が長くなると、歪特性を劣化させるが、入力側のバイアス供給部までの距離はそれほど歪特性の劣化を生じないことが判明した。そこで本発明の評価装置では、出力側のバイアス供給部を評価装置に内蔵させ被測定物からバイアス供給部までの距離を短くするが、入力側のバイアス供給部は外付けのバイアス−Ｔとする構成とした。
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
【００１２】
＜第１の実施形態＞
図１に本発明一実施形態における半導体デバイスの評価装置の構成例を示す。評価装置１０は、高周波半導体デバイス、例えばＦＥＴ（電界効果トランジスタ）素子を被測定物１１とし、その高周波周波数特性を測定評価するものである。
【００１３】
この評価装置１０は、被測定物１１の入力端子と装置入力端子１２に接続される入力側のスルーライン１３ａと、被測定物１１の出力端子に接続される出力側のスルーライン１３ｂと、このスルーライン１３ｂと装置出力端子１４の間に接続されるバイアス供給部１５とから成る。
【００１４】
スルーライン１３ａ，１３ｂは、通常、同軸線路、導波管、マイクロストリップ線路等で構成されるが、意図的に形成する場合だけでなく被測定物１１の所定の端子と直流電源のバイアス供給点との接続のためになされるワイヤボンデングなど設けざるを得ない線路、等価的な線路も含まれる。
【００１５】
上記構成の評価装置１０により、被測定物の高周波特性を測定するときは、装置入力端子１２には、バイアス−Ｔ１６が接続され、このバイアス−Ｔ１６には直流負電源１７が接続されて負電圧を印加する。バイアス−Ｔ１６の他方から、測定のための信号が入力される。
【００１６】
一方、上記評価装置１０のバイアス供給部１５には、直流正電源１８を接続して、正電圧を印加する。
【００１７】
本発明のこの実施形態によれば、出力側にスルーライン１３ｂはあるが、図５の場合に比べ被測定物１１からバイアス供給部１５までの距離を短くすることができ、歪特性の悪化を防止できる利点がある。またこの評価装置における入力側の直流負電源１７の供給は外付けのバイアス−Ｔ１６によりなされており、バイアス供給部１５のように評価装置に内蔵されていないので、図４に示すようにバイアス−Ｔ相互の干渉はない。この点からも歪特性の悪化を防止できる利点がある。
【００１８】
＜第２の実施形態＞
被測定物と出力側のバイアス供給部は近いほど、したがってこれらの間のスルーラインが短いほど望ましい。このスルーラインをなくした本発明の第２の実施形態の評価装置の構成を図２に示す。
【００１９】
この実施形態の半導体デバイスの評価装置２０は、被測定物２１の入力端子と装置入力端子２２に接続される入力側のスルーライン２３ａと、被測定物２１の出力端子に接続される出力側のバイアス供給部２５と、このバイアス供給部２５と装置出力端子２４の間に接続されるスルーライン２３ｂとから成る。
【００２０】
上記構成の評価装置２０により、被測定物の高周波特性を測定するときは、装置入力端子２２には、バイアス−Ｔ２６が接続され、このバイアス−Ｔ２６には直流負電源２７を接続して負電圧が印加される。バイアス−Ｔ２６の他方から、測定のための信号が入力される。
【００２１】
一方、上記評価装置２０のバイアス供給部２５には、直流正電源２８を接続して正電圧を印加する。
【００２２】
本発明のこの実施形態によれば、被測定物とバイアス供給部間の距離を更に短くすることが可能であり、歪特性の悪化を最も防止することができる利点がある。
【００２３】
＜第３の実施形態＞
出力側にあるバイアス供給部の、前後にスルーラインがある本発明の第３の実施形態の構成を図３に示す。
【００２４】
この評価装置３０は、被測定物３１の入力端子と装置入力端子３２との間に接続される入力側のスルーライン３３ａと、被測定物３１の出力端子に接続される出力側のスルーライン３３ｂと、このスルーライン３３ｂの他端に接続されるバイアス供給部３５と、このバイアス供給部３５と装置出力端子３４に接続されるスルーライン３３ｃとから成る。
【００２５】
上記構成の評価装置３０により、被測定物の高周波特性を測定するときは、装置入力端子３２にはバイアス−Ｔ３６が接続され、このバイアス−Ｔ３６には直流負電源３７を接続して負の電圧を印加する。バイアス−Ｔ３６の他方から、測定のための信号が入力される。
【００２６】
一方、上記評価装置３０のバイアス供給部３５には、直流正電源３８を接続して正電圧を印加する。図示していないがバイアス供給部３５と装置出力端子３４の間には、直流カットコンデンサが接続されるので、直流正電源３８から供給される正の直流は、バイアス供給部３５を介しスルーライン３３ｂを通って被測定物３１の回路上の正端子（図示せず）に供給される。
【００２７】
本発明のこの実施形態によっても、出力側にあるバイアス供給部３５のみが内蔵されており、入力側のバイアス供給点であるバイアス−Ｔは外付けであるから、歪特性の悪化を防止できる。またバイアス供給部３５を内蔵することにより、被測定物３１とバイアス供給部３５の間の距離を短くすることができ、この点からも歪特性の悪化を防止できる利点がある。
【００２８】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内で種々変形して実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１の実施形態構成例を示す図。
【図２】本発明の第２の実施形態構成例を示す図。
【図３】本発明の第３の実施形態構成例を示す図。
【図４】従来の評価装置の第１の例を示す図。
【図５】従来の評価装置の第２の例を示す図。
【符号の説明】
【００３０】
１０，２０，３０，４３，５３・・・評価装置、
１１,２１，３１，４０，５０・・・被測定物、
１２，２２，３２・・・装置入力端子、
１３ａ，１３ｂ，２３ａ，２３ｂ，３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，４４，５５・・・スルーライン、
１４，２４，３４・・・装置出力端子、
１５，２５，３５，４１，４２・・・バイアス供給部、
１６，２６，３６，４４，５６，５７・・・バイアス−Ｔ。
【図１】
2008058265.tif 000003
【図２】
2008058265.tif 000004
【図３】
2008058265.tif 000005
【図４】
2008058265.tif 000006
【図５】
2008058265.tif 000007