(57)【要約】【課題】比較的簡易な装置構成でありながら超純水などの水質を精度よく評価することができる水質評価装置及び方法を提供する。【解決手段】水質評価装置１０の基板保持容器１１に、該容器１１内に収容された基板Ｗに向けて光を照射する光照射装置３０と、該基板Ｗからの反射光を吸収する反射光トラップ４０と、該基板Ｗからの散乱光を受光する散乱光受光装置５０とが設けられている。散乱光受光装置５０は、散乱光の強度を経時的に記録する散乱光強度記録演算器５２を備えている。容器１１内に検水を通水した状態で、光照射装置３０から該容器１１内の基板Ｗに向けて光を照射すると共に、散乱光受光装置５０により該基板Ｗからの散乱光の強度を検出し、この検出値を散乱光強度記録演算器５２により経時的に記録する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス基板を収容する収容室を有すると共に、該収容室に検水を流通させるための流入口及び流出口を有する容器と、
該収容室内に収容された電子デバイス基板に向けて光を照射する光照射手段と、
該電子デバイス基板からの反射光又は散乱光を受光してその強度を検出する受光手段と
を備えてなる水質評価装置。
【請求項２】
請求項１において、前記光照射手段の光の照射端及び受光手段の光の受光端は、それぞれ前記収容室内に露呈していることを特徴とする水質評価装置。
【請求項３】
請求項１において、前記容器の少なくとも一部が透光性を有しており、
前記受光手段は、前記容器外に配置され、且つ該透光性の部分に臨んで配置されていることを特徴とする水質評価装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、前記受光手段の受光信号強度又はその変化を経時的に記録する記録手段を備えたことを特徴とする水質評価装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、前記受光手段の受光信号強度又はその変化が所定値に達したときに警報信号を発生する警報手段を備えたことを特徴とする水質評価装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、前記光照射手段は特定波長の光を照射するものであり、前記受光手段はこの特定波長の光の強度を検知するものであることを特徴とする水質評価装置。
【請求項７】
超純水の水質を評価する水質評価方法において、
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の水質評価装置の収容室内に電子デバイス基板を収容し、該収容室内に超純水よりなる検水を連続的に流通させると共に、
電子デバイス基板に前記光照射手段で光を照射し、反射光又は散乱光の強度を前記受光手段で検知して水質評価を行うことを特徴とする水質評価方法。
【請求項８】
請求項７において、電子デバイス基板として、シリコンウエハ、シリコンウエハの表面にシリコン酸化膜、アルミニウム薄膜又は銅薄膜が形成された基板、ガラス基板、ＧａＡｓウエハ、又はサファイアウエハを用いることを特徴とする水質評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超純水などの水質を評価する装置と、この装置を用いた水質評価方法に係り、特に電子デバイス基板に検水を接触させると共に、この電子デバイス基板の表面性状を測定して水質を評価する水質評価装置及び水質評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶等の電子デバイスの製造工程に超純水が大量に使用されている。超純水中の不純物濃度は電子デバイス基板に影響を与えるため、超純水中の不純物を検知する必要がある。
【０００３】
超純水中の不純物濃度を検出する水質評価方法として、特開２００１−２０８７４８、特開２００１−２２８１３８、特開２００１−２３７２８９には、半導体基板（ウエハ）を容器内に収容し、超純水を該容器に通水して超純水中の不純物をウエハに付着させ、その後、半導体基板の表面性状を測定し、超純水の水質を評価する方法が記載されている。
【０００４】
上記のうち特開２００１−２０８７４８では、通水後、ウエハを容器から取り出して乾燥し、ウエハ表面の微粒子数をウエハパーティクルカウンタで測定し、水質評価を行っている。また、特開２００１−２２８１３８では、同様に容器から取り出して乾燥したウエハ表面の鉄濃度を全反射蛍光Ｘ線分析装置で測定し、水質を評価している。
【０００５】
これらの方法では、容器外にウエハを取り出すところから、ウエハ汚染による測定誤差が大きくなるおそれがある。また、全反射蛍光Ｘ線分析装置は装置が大掛りでコスト高である。
【０００６】
特開２００１−２３７２８９号では、容器内でウエハを高速回転させて乾燥させた後、全反射蛍光Ｘ線分析装置で測定するようにしており、ウエハ汚染による誤差は解消されるが、全反射蛍光Ｘ線分析装置が大掛りでコスト高である。また、容器を高速回転させる機構が必要であり、容器コストも高くつく。
【特許文献１】特開２００１−２０８７４８号公報
【特許文献２】特開２００１−２２８１３８号公報
【特許文献３】特開２００１−２３７２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記従来の問題点を解決し、比較的簡易な装置構成でありながら超純水などの水質を精度よく評価することができる水質評価装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の水質評価装置は、電子デバイス基板を収容する収容室を有すると共に、該収容室に検水を流通させるための流入口及び流出口を有する容器と、該収容室内に収容された電子デバイス基板に向けて光を照射する光照射手段と、該電子デバイス基板からの反射光又は散乱光を受光してその強度を検出する受光手段とを備えてなるものである。
【０００９】
請求項２の水質評価装置は、請求項１において、前記光照射手段の光の照射端及び受光手段の光の受光端は、それぞれ前記収容室内に露呈していることを特徴とするものである。
【００１０】
請求項３の水質評価装置は、請求項１において、前記容器の少なくとも一部が透光性を有しており、前記受光手段は、前記容器外に配置され、且つ該透光性の部分に臨んで配置されていることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項４の水質評価装置は、請求項１ないし３のいずれか１項において、前記受光手段の受光信号強度又はその変化を経時的に記録する記録手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項５の水質評価装置は、請求項１ないし４のいずれか１項において、前記受光手段の受光信号強度又はその変化が所定値に達したときに警報信号を発生する警報手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項６の水質評価装置は、請求項１ないし５のいずれか１項において、前記光照射手段は特定波長の光を照射するものであり、前記受光手段はこの特定波長の光の強度を検知するものであることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項７の水質評価方法は、超純水の水質を評価する水質評価方法において、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の水質評価装置の収容室内に電子デバイス基板を収容し、該収容室内に超純水よりなる検水を連続的に流通させると共に、電子デバイス基板に前記光照射手段で光を照射し、反射光又は散乱光の強度を前記受光手段で検知して水質評価を行うことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項８の水質評価方法は、請求項７において、電子デバイス基板として、シリコンウエハ、シリコンウエハの表面にシリコン酸化膜、アルミニウム薄膜又は銅薄膜が形成された基板、ガラス基板、ＧａＡｓウエハ、又はサファイアウエハを用いることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の水質評価方法及び装置では、容器内の電子デバイス基板に向けて光を照射し、その反射光又は散乱光の強度を検出し、水質評価を行う。超純水などの検水中の微粒子が電子デバイス基板の表面に付着すると、反射光強度が低下し、散乱光強度が増大するので、反射光強度又は散乱光強度から検水中の不純物濃度を検出し、水質評価を行うことができる。
【００１７】
本発明では、電子デバイス基板を容器内に収容したまま測定を行うため、汚染による誤差は生じることがない。また、光の照射手段と受光手段は、全反射蛍光Ｘ線分析装置に比べて構成が簡易であり、低コストである。さらに、通水した状態で、又は容器内に水を存在させた状態で測定するので、容器内の電子デバイス基板を高速回転させる機構も不要であり、容器コストも低い。
【００１８】
本発明では、光照射手段の光照射端及び受光手段の受光端を収容室内に露呈させるようにしてもよく、容器の少なくとも一部を透光性としておき、この透光性部分に光を透過させるように上記受光手段を容器外に配置してもよい。後者のようにすれば、容器の構成の簡易化、特にシール部材の数の削減を図ることができる。
この場合でも、照射する光は電子デバイス基板に直接、正確に照射できるように光の照射端は、収容室内に露呈していることが望ましい。
【００１９】
本発明では、受光手段によって検知される受光信号の強度又は変化を経時的に記録し、水質の経時的な変化を確認できるようにしてもよい。
【００２０】
また、この受光信号の強度又は変化の経時的な変化が予め設定した所定値に達したときに警報信号を発し、超純水などの水質の低下を知ることができるようにしてもよい。
【００２１】
なお、測定用の光は紫外光、可視光のいずれでもよい。光として特定波長のものを用いることにより、測定精度を高くすることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
第１図は実施の形態に係る水質評価装置の縦断面図、第２図はこの水質評価装置の基板保持容器の上面図、第３図はこの基板保持容器の底盤の斜視図、第４図はこの水質評価装置を用いた水質評価方法を示す概略的な系統図である。
【００２４】
［電子デバイス基板Ｗ］
本発明の水質評価方法で用いられる電子デバイス基板（以下、単に基板と称することがある。）Ｗとしては、シリコンウエハや、シリコンウエハの表面にシリコン酸化膜、アルミニウム薄膜又は銅薄膜が形成された基板、ガラス基板、ＧａＡｓウエハ、又はサファイアウエハなどが挙げられる。ただし、これらは一例であり、本発明では、これ以外の電子デバイス基板を用いることもできる。
【００２５】
［水質評価装置１０］
この実施の形態における水質評価装置１０は、基板Ｗの収容室１２ａを有した底盤１２と、この収容室１２ａを閉鎖する上蓋１３とからなる基板保持容器１１を備えている。該収容室１２ａは、底盤１２の上面から凹陥した円形の窪みよりなる。
【００２６】
この実施の形態では、該基板保持容器１１は、光を透過しない材質、例えば金属製のものとなっている。
【００２７】
上蓋１３の中央付近には、該収容室１２ａ内に検水（超純水）を流入させるための流入口１４が設けられており、収容室１２ａの底面の中央付近には、該収容室１２ａ内から検水を流出させるための流出口１５が設けられている。この流入口１４に給水管１６が接続され、流出口１５に排水管１７が接続されている。
【００２８】
符号１２ｂは、底盤１２の下面から下方へ立設された脚を示している。なお、この脚１２ｂは、基板保持容器１１を略水平面上に配置したときに該基板保持容器１１を略水平に支持するよう構成されている。
【００２９】
この実施の形態では、上蓋１３に、収容室１２ａ内に収容された基板Ｗに向けて光を照射する光照射装置３０と、該基板Ｗからの反射光を吸収する反射光トラップ４０と、該基板Ｗからの散乱光を受光する散乱光受光装置５０とが設けられている。
【００３０】
該光照射装置３０は、基板保持容器１１の外部に配置された照射光源３１と、該照射光源３１から照射された光を収容室１２ａ内に導くための照射光導入部材３２と、該照射光源３１に電力を供給するための電源３３とを備えている。この実施の形態では、該照射光源３１としてレーザー光源を用いている。該照射光導入部材３２は、中空管や、ガラス又は透明樹脂製の棒状体等よりなる。この照射光導入部材３２は、上蓋１３の上面から所定角度にて収容室１２ａ内の基板Ｗの上面の中央付近に向って差し込まれ、その先端面（光の照射端）は、収容室１２ａ内に露出している。照射光源３１からの光は、照射光導入部材３２内を通って、収容室１２ａ内の基板Ｗの上面の中央付近に照射される。
【００３１】
反射光トラップ４０は、流入口１４回りに光照射装置３０と１８０°反対側に配置されている。この反射光トラップ４０は、基板保持容器１１の外部に配置された反射光吸収器４１と、基板Ｗからの反射光を収容室１２ａ内から該反射光吸収器４１に導く反射光導出部材４２とを備えている。該反射光導出部材４２も中空管やガラス又は透明樹脂製の棒状体等よりなり、その軸心が基板Ｗからの反射光の光軸と一致するように、上蓋１３の上面から所定角度にて収容室１２ａ内の基板Ｗの上面の中央付近に向って差し込まれ、その先端面（受光端）は収容室１２ａ内に露出している。
【００３２】
散乱光受光装置５０は、流入口１４回りに光照射装置３０から９０°位置をずらして配置されている。この散乱光受光装置５０は、基板保持容器１１の外部に配置された散乱光受光素子（図示略）と、基板Ｗからの散乱光を収容室１２ａ内から該散乱光受光素子に導く散乱光導出部材５１と、該散乱光受光素子が検知した散乱光の強度を経時的に記録する散乱光強度記録演算器５２とを備えている。該散乱光導出部材５１も中空管やガラス又は透明樹脂製の棒状体等よりなり、その軸心が基板Ｗからの散乱光の光軸と一致するように、上蓋１３の上面から所定角度にて収容室１２ａ内の基板Ｗの上面の中央付近に向って差し込まれ、その先端面（受光端）は収容室１２ａ内に露出している。
【００３３】
この実施の形態では、水質評価装置１０には、この散乱光受光装置５０により検知された散乱光の強度又はこの強度変化が所定値以上となったときに警報信号を発生する警報装置（図示略）が設けられている。
【００３４】
なお、本発明においては、照射光源３１からの照射光は紫外光、可視光のいずれでもよい。また、照射光源３１から特定波長の光を照射するようにしてもよい。この場合、照射光源３１自体が特定波長の光を発光するものであってもよく、分光器やフィルタを介して、該照射光源３１からの照射光のうち特定波長の光のみを基板Ｗに照射するよう構成してもよい。あるいは、散乱光受光装置５０が特定波長の光の強度を検知するよう構成されてもよい。このように特定波長の光を測定に用いることにより、測定精度を高くすることができる。
【００３５】
前記底盤１２の円形の収容室１２ａの内径は保持すべき基板Ｗの直径よりも充分に大である。収容室１２ａの底面上には、基板Ｗの保持手段として、円周方向に等間隔に複数（この実施の形態では３条）の放射状畝２４が隆設されている。各放射状畝２４は収容室１２ａの半径方向に延在している。
【００３６】
基板Ｗは、収容室１２ａの中央に同心状に、板面を上に向けて、これらの放射状畝２４の上に略水平に保持される。各畝２４の外端部上には基板Ｗの周縁部が載置される段２６を有する階段形の支持台２５が設けられている。段２６の段差は基板Ｗの厚さに対応している。また、各畝２４の延在方向途中部には基板Ｗの半径方向の途中の下面を支持する支持部２７が突設されている。
【００３７】
底盤１２の上面からは、上蓋１３の位置決め用の複数の突起２３が突設されている。これらの突起２３は、収容室１２ａの周方向に略等間隔に配置されている。上蓋１３の下面には、これらの突起２３が係合する凹部（図示略）が設けられている。符号２８ｂは、該上蓋１３を底盤１２に固定するためのボルト２８ａが螺じ込まれるボルト孔を示している。
【００３８】
この収容室１２ａ内に基板Ｗを収容して該収容室１２ａ内に流入口１４から検水を流入させると、該流入口１４から基板Ｗの中央に検水が供給され、この基板Ｗ上を、その中央から外周側へ向って放射状に略一定流速にて検水が流れる。これにより、該基板Ｗの表面全体に略均一に検水を接触させることができる。
【００３９】
前記給水管１６の下流側の外周面には雄ねじ１６ａが形成されており、流入口１４の内周面にはこの雄ねじ１６ａが螺合する雌ねじ（図示略）が形成されている。この雄ねじ１６ａがシール材（図示略）を介して流入口１４内に螺じ込まれることにより、給水管１６が流入口１４に接続されている。また、排水管１７の上流側の外周面には雄ねじ１７ａが形成されており、流出口１５の内周面にはこの雄ねじ１７ａが螺合する雌ねじ（図示略）が形成されている。この雄ねじ１７ａがシール材（図示略）を介して流出口１５内に螺じ込まれることにより、排水管１７が流出口１５に接続されている。
【００４０】
以下、このように、一方に設けられた雄ねじが、他方に設けられた雌ねじに螺じ込まれることにより両者が接続されることを、螺じ込みによる接続と称する。このように螺じ込みにより接続を行うことにより、接続部の気密性が良好なものとなる。
【００４１】
給水管１６の上流側は、導入管１８と導出管１９とに二叉に分岐している。なお、この実施の形態では、該給水管１６、導入管１８及び導出管１９は一連のＴ字管よりなり、該導入管１８と導出管１９とは各々の軸心線が略一直線状となるように互いに反対方向に延在しており、給水管１６はこれらと略直交方向に延在している。ただし、導入管１８と導出管１９とは二叉に分岐していれば、一直線状でなくともよい。
【００４２】
これらの導入管１８と導出管１９の先端側にそれぞれ開閉バルブ２０，２１が接続されている。この実施の形態では、該開閉バルブ２０，２１として、閉鎖時の気密性が良好なボールバルブを用いている。導入管１８及び導出管１９と開閉バルブ２０，２１との接続はそれぞれ螺じ込みにより行われている。符号１８ａは、導入管１８の先端外周に形成され、シール材（図示略）を介して開閉バルブ２０の下流側接続口（符号略）に螺じ込まれた雄ねじを示し、符号１９ａは、導出管１９の先端外周に形成され、シール材（図示略）を介して開閉バルブ２１の上流側接続口（符号略）に螺じ込まれた雄ねじを示している。
【００４３】
ユースポイントの手前で、超純水供給用配管１から開閉バルブ２を介して水質評価装置１０に検水を供給するためのサンプリングチューブ３が分岐している。このサンプリングチューブ３がチューブ継手４に外嵌及びバンド留め等によって接続されている。このサンプリングチューブ３及びチューブ継手４により検水供給用配管が構成されている。導入管１８の開閉バルブ２０の上流側接続口（符号略）に、このチューブ継手４が螺じ込みにより接続されている。符号４ａは、該チューブ継手４の先端外周に形成され、開閉バルブ２０の該上流側接続口に螺じ込まれた雄ねじを示している。
【００４４】
排水管１７の下流側にも、開閉バルブ２２が接続されている。この実施の形態では、この開閉バルブ２２もボールバルブとなっている。この排水管１７と開閉バルブ２２との接続も螺じ込みにより行われている。符号１７ｂは、排水管１７の下流端外周に形成され、開閉バルブ２２の上流側接続口（符号略）に螺じ込まれた雄ねじを示している。
【００４５】
なお、この排水管１７は、流出口１５から下方へ延出した後、途中から略直角に折れ曲がるＬ字管よりなるが、配水管１７の形状はこれに限定されない。
【００４６】
前記導出管１９の開閉バルブ２１の下流側及び排水管１７の開閉バルブ２２の下流側には、それぞれ、該導出管１９及び排水管１７からの流出水を排水系に導く排水用配管５，６が接続されている。この実施の形態では、これらの配管５，６の開閉バルブ２１，２２への接続も螺じ込みにより行われている。符号５ａ，６ａは、それぞれ、該配管５，６の上流端外周に形成され、該開閉バルブ２１，２２の下流側接続口（符号略）に螺じ込まれた雄ねじを示している。
【００４７】
ただし、これらの配管５，６は排水側であるので、各配管５，６と各バルブ２１，２２との接続についてはさほど気密性を考慮する必要はない。従って、各配管５，６と各バルブ２１，２２との接続は、螺じ込みによるものでなくてもよい。他の箇所における接続も、必ずしも螺じ込みによるものでなくてもよいが、給水側では、気密性の高い螺じ込み式であることが好ましい。
【００４８】
かかる構成の水質評価装置１０を用いた超純水の水質評価手順について次に説明する。
【００４９】
まず、収容室１２ａ内に基板Ｗを配置し、上蓋１３を底盤１２に被せてボルト２８ａで固定し、収容室１２ａを閉鎖する。
【００５０】
次いで、サンプリングチューブ３の開閉バルブ２と導入管１８及び導出管１９の各開閉バルブ２０，２１を開として該導入管１８、導出管１９及び各開閉バルブ２０，２１内に検水を流し、これらを清浄化する。
【００５１】
次に、排水管１７の開閉バルブ２２を開として検水を収容室１２ａ内に通水し、基板Ｗに検水を接触させる。
【００５２】
この際、導入管１８側の開閉バルブ２０を一定開度とした状態にて、導出管１９側の開閉バルブ２１の開度を調節することにより、検水の流速を調節する。なお、導入管１８側の開閉バルブ２０の開度を調節することにより検水の流速を調節することも考えられるが、このようにすると、バルブ操作の際に各部の摩擦等によりバルブ構成材料が検水中に溶出したり、微粒子が検水中に混入するおそれがある。これに対し、導出管１９側の開閉バルブ２１の開度を調節して検水の流速を調節した場合には、仮に開閉バルブ２１から検水に構成材料の溶出や微粒子の混入が生じても、この開閉バルブ２１は給水管１６よりも下流側に位置しているので、収容室１２ａ内への供給水が汚染されることがない。
【００５３】
このように収容室１２ａ内に通水した状態で、光照射装置３０から収容室１２ａ内の基板Ｗに向けて光を照射すると共に、散乱光受光装置５０により該基板Ｗからの散乱光の強度を検出し、この検出値を散乱光強度記録演算器５２により経時的に記録する。
【００５４】
検水中の不純物が基板Ｗの表面に付着すると、その付着量が多くなるほど、基板Ｗからの反射光強度が低下すると共に、基板Ｗからの散乱光強度が増大する。従って、この基板Ｗからの散乱光の強度又はその経時的な変化から、検水の水質（不純物濃度等）を評価することができる。
【００５５】
この実施の形態では、散乱光受光装置５０により検知された散乱光の強度、又はこの強度の変化が所定値以上となったときには、警報装置が警報信号を発し、検水の水質が基準以下であることを知らせるようになっている。
【００５６】
この水質評価方法では、基板Ｗを基板保持容器１１内に収容したまま測定を行うため、外気等による汚染で測定結果に誤差が生じることはない。また、光照射装置３０と散乱光受光装置５０（及び反射光トラップ４０）は、全反射光Ｘ線分析装置に比べて構成が簡易であり、低コストである。
【００５７】
さらに、この水質評価方法では、基板Ｗを収容した収容室１２ａ内に通水した状態で測定するので、基板Ｗを乾燥させる必要がなく、測定作業を現場で簡単且つ迅速に行うことができる。また、これにより、前述の特開２００１−２３７２８９号のような収容室１２ａ内の基板Ｗを高速回転させて該基板Ｗを乾燥させる機構も不要であり、容器コストも低い。
【００５８】
この実施の形態のように、ユースポイントの手前で超純水供給用配管１から検水を取り出すように構成することにより、実際に使用される水と同じ水質の水を評価することができる。
【００５９】
この水質評価は、一定期間ごとに定期的に行われることが望ましい。
【００６０】
上記の実施の形態では、基板Ｗからの散乱光の強度及びその経時変化から水質評価を行うよう構成しているが、例えば、反射光トラップ４０の代わりに散乱光受光装置５０と同様の構成を有する反射光受光装置を設置し、基板Ｗからの反射光の強度及びその経時変化を測定することにより水質評価を行うように構成してもよい。
【００６１】
また、基板Ｗの表面が特定波長の光を吸収する材質よりなる場合には、基板Ｗからの反射光又は散乱光における該特定波長の光の吸収量や吸収率を測定することにより水質評価を行うことも可能である。
【００６２】
上記の実施の形態では、基板保持容器１１は光を透過しない材質よりなるため、中空管やガラス又は透明樹脂製の棒状体等よりなる照射光導入部材３２、反射光導出部材４２及び散乱光導出部材５１をこの容器１１に差し込んで、収容室１２ａの内外に照射光、反射光、散乱光を導くようにしているが、照射光源３１や光吸収器４１、散乱光受光素子（図示略）をこの収容室１２ａ内に直に（例えば収容室１２ａの壁面や天井、底面などに埋め込むようにして）設置してもよい。
【００６３】
また、この基板保持容器１１の少なくとも一部を透光性の材質により構成し、この透光性の部分を透過させて、容器１１の外部においてこの基板Ｗからの反射光又は散乱光を受光するように構成してもよい。
【００６４】
この場合、この透光性の部分を構成する材質としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４フッ化エチレン、ＰＦＡ、ＰＶＤＦなどの半透明樹脂が好ましい。ただし、これ以外の透明又は半透明樹脂、あるいは樹脂以外の透明又は半透明材料により、この透光性の部分を構成してもよい。
【００６５】
基板保持容器１１のうち光照射装置３０や散乱光受光装置５０が配置される部分のみこのような透光性の材質にて構成してもよく、基板保持容器１１の全体をこのような透光性の材質にて構成してもよい。
【実施例】
【００６６】
上記の水質評価装置１０を用いて水質評価を行った。
【００６７】
［実施例１］
基板保持容器１１内に基板Ｗとしてシリコンウエハを収容し、検水として、抵抗率１８．２ＭΩ・ｃｍ、ＴＯＣ濃度１ｐｐｂの超純水を該容器１１内に通水した。この状態で、光照射装置３０から収容室１２ａ内のシリコンウエハに向けてレーザー光を照射すると共に、散乱光受光装置５０により該シリコンウエハからの散乱光の強度を検出し、この検出値を散乱光強度記録演算器５２により経時的に記録した。
【００６８】
通水開始から４０時間後、散乱光強度は通水開始直後の１０倍になった。
【００６９】
これは、容器１１内に検水を４０時間通水したことにより検水中の不純物がシリコンウエハの表面に付着して該シリコンウエハ表面が荒れ、これにより該シリコンウエハからの散乱光強度が増加したことを示している。
【００７０】
［実施例２］
実施例１で用いた超純水に抵抗率１７．０ＭΩ・ｃｍ、ＴＯＣ濃度８ｐｐｂの一次純水を混合し、シリコンウエハを収容した基板保持容器１１内に通水した。この混合した水の水質は、抵抗率１８．０ＭΩ・ｃｍ、ＴＯＣ濃度２ｐｐｂを示した。この状態で、光照射装置３０から収容室１２ａ内のシリコンウエハに向けてレーザー光を照射すると共に、散乱光受光装置５０により該シリコンウエハからの散乱光の強度を検出し、この検出値を散乱光強度記録演算器５２により経時的に記録した。
【００７１】
その結果、通水開始から５時間後に、散乱光強度が通水開始直後の１０倍になった。
【００７２】
この測定結果は、検水中のＴＯＣ濃度の増加を如実に反映したものとなっており、本発明方法及び装置の水質評価における有効性を示している。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】実施の形態に係る水質評価装置の縦断面図である。
【図２】水質評価装置の基板保持容器の上面図である。
【図３】基板保持容器の底盤の斜視図である。
【図４】図１の水質評価装置を用いた水質評価方法を示す概略的な系統図である。
【符号の説明】
【００７４】
３  サンプリングチューブ
４  チューブ継手
１０  水質評価装置
１１  基板保持容器
１２  底盤
１２ａ  収容室
１３  上蓋
１４  給水口
１５  排水口
１６  給水管
１７  排水管
１８  導入管
１９  導出管
２０〜２２  開閉バルブ
３０  光照射装置
４０  反射光トラップ
５０  散乱光受光装置
５２  散乱光強度記録演算器
Ｗ  基板
【図１】
2008101982.tif 000003
【図２】
2008101982.tif 000004
【図３】
2008101982.tif 000005
【図４】
2008101982.tif 000006