(57)【要約】【課題】より均一な絶縁膜をより迅速に成膜可能な立体回路基板の絶縁膜形成方法および絶縁膜形成装置を得る。【解決手段】金属フープ材Ｈに配列した複数の立体基板１を順次移動させるフープ材繰出し部１１およびフープ材巻取り部１１Ａと、移動する立体基板１に絶縁素材の微粒子を照射する前・後２つのノズル１２，１２Ａと、立体基板１に対する微粒子の照射角度を変化させるひねり機構１３とを設け、フープ材繰出し部１１およびフープ材巻取り部１１Ａによって複数の立体基板１を順次移動させる基板送り工程を達成し、ノズル１２，１２Ａおよびひねり機構１３によって照射角度を変化させつつ照射する微粒子照射工程を達成することにより、立体基板１を移動させた状態で複数のノズルから微粒子を照射できるとともに、立体基板１に対する微粒子の照射角度を変化させつつ照射することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定間隔で線状に配列された金属製の立体基板を順送りしながら当該立体基板の表面にノズルを用いて複数の方向から絶縁素材の微粒子を照射して絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を備えることを特徴とする立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項２】
前記ノズルには、微粒子の噴出口が複数形成されることを特徴とする請求項１に記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項３】
複数のノズルが立体基板を略中心とする半円弧上で当該立体基板に向けて配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項４】
複数のノズルが立体基板を略中心とする円周上で当該立体基板に向けて配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項５】
複数のノズルが立体基板を囲繞して回転自在な円筒体に設けられており、当該円筒体の内周に形成した噴出口が半径方向に対して周方向に所定角度傾斜されていることを特徴とする請求項１または２に記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項６】
前記絶縁膜形成工程で立体基板上に絶縁膜を形成する前に、当該立体基板の表面から不要な微粒子を除去しておくことを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか一つに記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項７】
複数のノズルから照射する微粒子の径を、各ノズルで異ならせたことを特徴とする請求項３〜５のうちいずれか一つに記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項８】
複数のノズルによる微粒子の照射を独立して作動可能とし、かつ、立体基板の移動速度を制御しつつ、移動する立体基板の表面に対向するノズルを選択的に作動させることを特徴とする請求項３〜５のうちいずれか一つに記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項９】
前記ノズルの立体基板に対する照射角度を可変可能に構成し、移動する立体基板の表面に対向する照射角度となるように制御することを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか一つに記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項１０】
前記ノズルを、微粒子の噴出口が外周に形成される内筒と、この内筒に対して所定間隔をもって同心状に配置され微粒子の噴出口が内周に形成される外筒とを有するように構成し、
これら内筒と外筒との間に立体基板を螺旋状に回転させつつ筒軸方向に移動させるようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項１１】
微粒子の照射方向を異ならせた複数のノズルを設け、当該立体基板およびノズルを立体基板の移動方向軸回りに相対的に回転させつつ立体基板の移動方向に相対的に往復動させることを特徴とする請求項１または２に記載の立体回路基板の絶縁膜形成方法。
【請求項１２】
所定間隔で線状に配列された金属製の立体基板を順送りする基板送り手段と、
移動する立体基板に複数の方向から絶縁素材の微粒子を照射するノズルと、
を備えたことを特徴とする立体回路基板の絶縁膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁素材の微粒子を照射して金属からなる立体基板の表面に絶縁膜を成膜する立体回路基板の絶縁膜形成方法および絶縁膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の立体回路部品（ＭＩＤ：Molded Interconnet Device）は、一般に小型・軽量化が要求される電子・オプトデバイス等に適用されており、高い放熱特性を求められる場合が多い。
【０００３】
ところで、導電性材料に絶縁膜を成膜する方法としては、セラミック等の絶縁素材の微粒子を勢い良く照射する方法が知られている。この方法では、ヘリウムガスを用いて作成したセラミック微粒子のエアロゾルを、密閉室内でノズルからワークである基板に照射するようにして、基板に衝突したセラミック微粒子を照射したときのエネルギーで細かく粉砕し、その微細断片粒子を基板に接着させ、緻密な絶縁膜を成膜する（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２５６９２０号公報（第１４−１５頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の方法では、基板をノズルに対向させて基板ホルダに支持させ、その基板ホルダを往復動させつつ固定されたノズルから上記微粒子を基板に照射するようになっているため、均一な絶縁膜の成膜は基板が平面である場合のみに限定されてしまい、基板が凹凸表面となる立体基板への適用は困難である。
【０００５】
また、上記従来の方法では、基板ホルダに基板を支持させて比較的短い距離を往復動させるようになっているため、基板を一つずつ取り替えて成膜作業を繰り返す必要があり、生産能率が低く、大量生産が困難で、製品単価も嵩んでしまう。
【０００６】
そこで、本発明は、より放熱性の高い立体回路基板を得るべく、立体的な金属基板に対しても、より均一な絶縁膜をより迅速に成膜可能とする立体回路基板の絶縁膜形成方法および絶縁膜形成装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明にかかる立体回路基板の絶縁膜形成方法にあっては、所定間隔で線状に配列された金属製の立体基板を順送りしながら当該立体基板の表面にノズルを用いて複数の方向から絶縁素材の微粒子を照射して絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、上記絶縁膜の形成された立体基板に回路を形成する回路形成工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
請求項２の発明にあっては、上記ノズルには、微粒子の噴出口が複数形成されることを特徴とする。
【０００９】
請求項３の発明にあっては、複数のノズルが立体基板を略中心とする半円弧上で当該立体基板に向けて配置されることを特徴とする。
【００１０】
請求項４の発明にあっては、複数のノズルが立体基板を略中心とする円周上で当該立体基板に向けて配置されることを特徴とする。
【００１１】
請求項５の発明にあっては、複数のノズルが立体基板を囲繞して回転自在な円筒体に設けられており、当該円筒体の内周に形成した噴出口が半径方向に対して周方向に所定角度傾斜されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項６の発明にあっては、上記絶縁膜形成工程で立体基板上に絶縁膜を形成する前に、当該立体基板の表面から不要な微粒子を除去しておくことを特徴とする。
【００１３】
請求項７の発明にあっては、複数のノズルから照射する微粒子の径を、各ノズルで異ならせたことを特徴とする。
【００１４】
請求項８の発明にあっては、複数のノズルによる微粒子の照射を独立して作動可能とし、かつ、立体基板の移動速度を制御しつつ、移動する立体基板の表面に対向するノズルを選択的に作動させることを特徴とする。
【００１５】
請求項９の発明にあっては、上記ノズルの立体基板に対する照射角度を可変可能に構成し、移動する立体基板の表面に対向する照射角度となるように制御することを特徴とする。
【００１６】
請求項１０の発明にあっては、上記ノズルを、微粒子の噴出口が外周に形成される内筒と、この内筒に対して所定間隔をもって同心状に配置され微粒子の噴出口が内周に形成される外筒とを有するように構成し、これら内筒と外筒との間に立体基板を螺旋状に回転させつつ筒軸方向に移動させるようにしたことを特徴とする。
【００１７】
請求項１１の発明にあっては、微粒子の照射方向を異ならせた複数のノズルを設け、当該立体基板およびノズルを立体基板の移動方向軸回りに相対的に回転させつつ立体基板の移動方向に相対的に往復動させることを特徴とする。
【００１８】
請求項１２の発明にかかる立体回路基板の絶縁膜形成装置にあっては、所定間隔で線状に配列された金属製の立体基板を順送りする基板送り手段と、移動する立体基板に複数の方向から絶縁素材の微粒子を照射するノズルと、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１の発明にかかる立体回路基板の絶縁膜形成方法によれば、立体基板を順送りして移動させながら、複数の方向から微粒子を照射するので、立体基板への絶縁膜をより迅速に成膜できるとともに、絶縁素材の微粒子を複数の方向から照射するので、立体基板の凹凸面へのより均一な成膜を可能としつつ生産性を向上でき、立体回路基板をより安価に得ることができるようになる。
【００２０】
請求項２の発明によれば、ノズルの噴出口を複数形成したので、ノズルから噴射する微粒子の拡散効率を高めて絶縁膜をより均一に成膜することができる。
【００２１】
請求項３の発明によれば、立体基板を略中心とする半円弧上に複数配置したノズルの噴出口から立体基板に向けて微粒子を照射できるので、立体基板の凹凸面が平面、斜面、垂直面等、種々の面からなる場合にあってもそれら各面を並行して成膜することができるため、高速に絶縁膜を施すことができるとともに、省スペースでのノズルの設置が可能となって装置の小型化が可能となる。
【００２２】
請求項４の発明によれば、立体基板を略中心とする円周上に複数配置したノズルの噴出口から立体基板に向けて微粒子を照射できるので、複数の立体基板の凹凸面を並行して成膜して高速な絶縁膜の形成が可能となるとともに、省スペースでのノズルの設置が可能となって装置の小型化が可能となり、さらには、立体基板の表裏両面を同時に成膜できるので立体基板を裏返す手間を省くことができる。
【００２３】
請求項５の発明によれば、ノズルの噴出口が半径方向に対して傾斜配置されているので、噴出口から微粒子を噴射するエネルギーで円筒状のノズルを自動的に回転でき、円筒状のノズル内に配置した立体基板のあらゆる方向に微粒子を照射して、立体基板の裏側も含めて凹凸面へのより均一な成膜が可能となる。
【００２４】
請求項６の発明によれば、絶縁膜を成膜する前に不要な微粒子を除去して、立体基板の活性化された面を露出させることができるため、絶縁膜の層間強度をより強固にして成膜効率を高めることができる。
【００２５】
請求項７の発明によれば、各ノズルで微粒子の径を異ならせることで成膜時間の短縮が可能となる。特に、ノズルから照射する微粒子の径を表層側ほど小さくするようにして、より緻密な絶縁膜をより高速に成膜するのが好適である。
【００２６】
請求項８の発明によれば、立体基板の移動速度を制御しつつ、移動する立体基板の表面に対して最適な角度のノズルを選択的に作動させることができるため、余分な微粒子の照射を無くして絶縁膜の厚みのバラツキを効率良く低減できるとともに、使用する微粒子の量を節約することができる。
【００２７】
請求項９の発明によれば、立体基板の表面に最適な角度で微粒子を照射できるため、絶縁膜の厚さをより均一にできるとともに、各ノズルを連続照射させることで微粒子の噴射開始時に発生する粉溜まりを無くすことができる。
【００２８】
請求項１０の発明によれば、上記内筒および外筒から立体基板の表裏同時に微粒子を照射できるため迅速な成膜が可能となるとともに、立体基板を螺旋状に移動させることにより成膜工程における立体基板の実質的な移動距離を長くでき、ひいては装置の小型化を図ることができる。
【００２９】
請求項１１の発明によれば、より多くの方向から立体基板に同時に微粒子を照射できるため成膜時間を短縮できる。
【００３０】
請求項１２の発明にかかる立体回路基板の絶縁膜形成装置によれば、基板送り手段により複数の立体基板を順次移動させ、当該立体基板に対して複数の方向から絶縁素材の微粒子を照射させるようにしたので、立体基板への絶縁膜をより迅速に成膜できるとともに、絶縁素材の微粒子を複数の方向から照射するので、立体基板の凹凸面へのより均一な成膜が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３２】
（第１実施形態）図１は、立体基板の一連の製造工程を概略的に示すブロック図、図２は、立体基板の配列状態を示す斜視図、図３は、絶縁膜形成装置の概略構成図である。
【００３３】
本実施形態では、図１に示すように、アルミニウムや銅で形成される帯状となった金属フープ材Ｈを立体基板の素材として用い、構成体形成工程Ａ、絶縁膜形成工程Ｂ、回路形成工程Ｃおよび基板分離工程Ｄを経て立体基板１の単品が形成される場合を例示する。
【００３４】
すなわち、かかる立体回路基板の製造方法では、まず、構成体形成工程Ａで図２に示す金属フープ材Ｈに立体基板１および位置合わせ用のパイロット穴２を形成し、絶縁膜形成工程Ｂにおいて立体基板１の両面に絶縁膜を形成し、さらに、回路形成工程Ｃにおいて絶縁膜を形成した立体基板１に回路を形成し、最後に、基板分離工程Ｄによって回路形成した立体基板１を個々に切断分離するようになっている。
【００３５】
立体基板１は、図２に示すように、金属フープ材Ｈの長さ方向に所定間隔をもって形成される。この立体基板１の中央部には、鍛造等により凹凸面１ａが形成されるとともに、周縁部には、部分的に開口１ｂが形成されて縁取りされる。
【００３６】
図３に示す立体回路基板の絶縁膜形成装置１０は、金属フープ材Ｈに配列した複数の立体基板１を順次移動させる基板送り手段としてのフープ材繰出し部１１およびフープ材巻取り部１１Ａと、移動する立体基板１に絶縁素材の微粒子を照射する前・後二つのノズル１２，１２Ａと、立体基板１に対する微粒子の照射角度を変化させる照射角度可変手段としてのひねり機構１３と、を備えて構成される。
【００３７】
すなわち、本実施形態では、フープ材繰出し部１１およびフープ材巻取り部１１Ａによって複数の立体基板１を順送りし、ひねり機構１３によって金属フープ材Ｈを捻ることで、ノズル１２，１２Ａから立体基板１に対して異なる複数の方向から絶縁素材の微粒子を照射できるようにしてある。
【００３８】
また、この立体回路基板の絶縁膜形成装置１０は、フープ材繰出し部１１・巻取り部１１Ａ、ノズル１２，１２Ａおよびひねり機構１３を密閉された成膜室１４内に収納し、ボンベ１５から供給されるヘリウムガス等のキャリアガスをエアロゾル化室１６，１６Ａを通してノズル１２，１２Ａに供給するようになっており、さらに、成膜室１４内の圧力を真空ポンプ１７によって略真空状態に維持するようにしてある。
【００３９】
エアロゾル化室１６，１６Ａでは、セラミック等の絶縁素材の微粒子とキャリアガスとを混合して、ノズル１２，１２Ａから立体基板１に勢い良く照射し、この照射した時のエネルギーで立体基板１に緻密な絶縁膜を成膜するようになっている。
【００４０】
ノズル１２，１２Ａは、金属フープ材Ｈの下方に配置されるとともに、ひねり機構１３を挟んで金属フープ材Ｈの送り方向に対して前・後両側に配置され、ひねり機構１３によって金属フープ材Ｈをひねって反転する等して、ノズル１２，１２Ａに対する立体基板１の角度を任意に可変設定できるようになっている。
【００４１】
以上の本実施形態によれば、立体基板１に絶縁膜を成膜するにあたって、フープ材繰出し部１１・巻取り部１１Ａによって立体基板１を順送りし、かつひねり機構１３によって金属フープ材Ｈを捻ることで、立体基板１に対するノズル１２，１２Ａからの照射角度を変化させつつ絶縁素材の微粒子を照射することができるので、立体基板１の表面に絶縁膜をより迅速に成膜できるとともに、立体基板１に対して微粒子の照射角度を変化させることで、立体基板１の凹凸面１ａへのより均一な成膜が実現される。
【００４２】
このため、本実施形態では、凹凸面１ａがある立体基板１への絶縁膜の成膜を可能としつつ生産性を向上できるようになり、立体基板１を安価に提供できる。
【００４３】
また、図４，図５は、本実施形態の変形例を示しており、図４は、立体回路基板の絶縁膜形成装置の概略構成図、図５は、立体基板の他の配列状態を（ａ），（ｂ）にそれぞれ示す斜視図である。なお、以下では、上述した構成と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００４４】
本変形例にかかる立体回路基板の絶縁膜形成装置１０Ａは、上記金属フープ材Ｈに代えて、基板送り手段としてのコンベア２０で搬送されるパレット２１に立体基板１を複数個連設して搭載するようにしたものである。すなわち、コンベア２０によってシート供給用マガジン２２からパレット２１を順次搬送し、立体基板１に絶縁膜を成膜した後に、当該パレット２１をシート収納用マガジン２２Ａに収納するようにしている。
【００４５】
パレット２１は、搭載した立体基板１の上面全面が上方に露出されるのはもちろんのこと下面全面も下方に露出され、下方に配置したノズル１２，１２Ａから噴射した微粒子が、立体基板１の下面全面に照射されるようにしてある。
【００４６】
また、コンベア２０の中間部分には、照射角度可変手段としての反転機構２３が設けられており、この反転機構２３によってパレット２１の天地を反転させるようになっている。また、その反転機構２３の前後両側に、ノズル１２，１２Ａが配置されている。
【００４７】
なお、パレット２１に搭載する立体基板１は、図５（ａ）に示すように個々に分離した複数個を一列に配列することができるし、あるいは、同図（ｂ）に示すように複数列・複数行に配列することも可能である。もちろん、互い違いの配列も可能である。
【００４８】
この変形例にあっても、上記第１実施形態と同様の作用効果を奏することができ、立体基板１の表面により迅速に絶縁膜を成膜できる上、立体基板１に対する微粒子の照射角度を変化させることで立体基板１の凹凸面１ａへのより均一な成膜が可能となる。
【００４９】
（第２実施形態）図６は、立体基板への成膜状態をノズルを含めて天地逆にして示す正面図、図７は、図６中Ａ部の拡大断面図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００５０】
本実施形態にかかる立体回路基板の絶縁膜形成装置は、基本的には、第１実施形態および変形例のものと同様の構成を備えている。すなわち、図６に示すように、ノズル１２，１２Ａから噴射した微粒子を立体基板１の表面に照射して絶縁膜ｍを成膜するようになっている。
【００５１】
ただし、図７に示すように、ノズル１２，１２Ａの先端に、微粒子を噴射するための噴出口１２ｈを複数形成した点が、上記実施形態とは相違している。
【００５２】
このとき、複数の噴出口１２ｈは、ノズル１２，１２Ａの先端に均等に分布されるが、その分布頻度は照射する立体基板１の凹凸面１ａの形状に応じて適宜変化させることもできる。
【００５３】
したがって、本実施形態によれば、ノズル１２，１２Ａの噴出口１２ｈを複数形成したので、図６に示すように、ノズル１２，１２Ａから噴射する微粒子の拡散効率を高めて絶縁膜ｍをより均一に成膜することができる。
【００５４】
（第３実施形態）図８は、本実施形態にかかるノズルの斜視図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００５５】
本実施形態にあっても、基本的に第１実施形態と同様の構成を備えている。ただし、図８に示すように、ノズル３０の噴出口３０ｈを、立体基板１を略中心とする半円弧上でその立体基板１に向けて複数配置してある点が、上記実施形態とは相違している。
【００５６】
すなわち、ノズル３０は半円筒状に形成して、その内周に所定間隔をもって複数の噴出口３０ｈを形成してあり、その半円筒状のノズル３０の中間部に微粒子（エアロゾル）の供給ポート３０ｐを設けて、その供給ポート３０ｐから供給した微粒子が複数の噴出口３０ｈから均等に噴出されるようになっている。
【００５７】
そして、半円筒状のノズル３０の中心部３０ｃに立体基板１を通過させるようになっている。
【００５８】
もちろん、本実施形態にあってもノズル３０は前後に複数配置して、それらのノズル３０間に図３，図４に示したひねり機構１３や反転機構２３が設けられる。
【００５９】
したがって、本実施形態によれば立体基板１を略中心とする半円弧上に複数配置した噴出口３０ｈから立体基板１に向けて微粒子を照射できるので、立体基板１の凹凸面１ａが平面、斜面、垂直面からなる場合にあっても、それら各面を同時に成膜することができる。よって、より高速に絶縁膜を形成することができる上、省スペースでのノズル３０の設置が可能となって装置の小型化が可能となる。
【００６０】
（第４実施形態）図９は、本実施形態にかかるノズルの斜視図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００６１】
本実施形態にあっても、基本的に第１実施形態と同様の構成を備えている。ただし、本実施形態では、図９に示すように、ノズル３１の噴出口３１ｈを、立体基板１を略中心とする円周上でその立体基板１に向けて複数配置した点が、上記実施形態とは相違している。
【００６２】
すなわち、ノズル３１を円筒状に形成し、その内周に所定間隔をもって複数の噴出口３１ｈを形成するとともに、当該ノズル３１の外周の一部に微粒子の供給ポート３１ｐを設けて、その供給ポート３１ｐから供給した微粒子が複数の噴出口３１ｈから均等に噴出されるようになっている。
【００６３】
そして、円筒状のノズル３１の中心部３１ｃに立体基板１を通過させるようになっている。
【００６４】
したがって、本実施形態によれば、立体基板１を略中心とする円周上に複数配置した噴出口３１ｈから立体基板１に向けて微粒子を照射できるので、立体基板１の凹凸面１ａを同時に成膜することができる。よって、より高速に絶縁膜を形成することができる上、省スペースでのノズル３１の設置が可能となって装置の小型化が可能となる。
【００６５】
また、本実施形態では、立体基板１の表裏両面を同時に成膜できるので立体基板１を裏返す手間を省くことができる。よって、図３，図４に示したひねり機構１３や反転機構２３を設ける必要がなくなり、立体回路基板の絶縁膜形成装置１０のより一層の簡素化を図ることができるという利点もある。
【００６６】
（第５実施形態）図１０は、本実施形態にかかるノズルの斜視図、図１１は、噴出口の断面図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００６７】
本実施形態にあっても、基本的に第１実施形態と同様の構成を備えている。ただし、図１０に示すように、ノズル３２を、立体基板１を囲繞して回転自在な円筒状に形成し、図１１に示すようにそれの内周に形成した噴出口３２ｈを半径方向ｒに対して周方向に所定角度θを傾斜させた点が、上記実施形態とは異なっている。
【００６８】
そして、円筒状のノズル３２の外周に微粒子の供給ポート３２ｐを設け、当該供給ポート３２ｐから供給した微粒子が複数の噴出口３２ｈから均等に噴出されるようにしてある。
【００６９】
もちろん、本実施形態にあっても、ノズル３２は前後に複数配置され、それら複数のノズル３２間に、図３，図４に示したひねり機構１３や反転機構２３が設けてある。
【００７０】
したがって、本実施形態によれば、回転自在な円筒状に形成したノズル３２の噴出口３２ｈが半径方向に傾斜されているので、噴出口３２ｈから微粒子を噴射するエネルギーによって円筒状のノズル３２を自動的に回転することができ、当該円筒状のノズル３２内に配置した立体基板１のあらゆる方向に微粒子を照射して、立体基板の裏側も含めて凹凸面１ａへの均一な成膜が可能となる。
【００７１】
このため、本実施形態では、第４実施形態と同様に、立体基板１の表裏両面を同時に成膜できるので、立体基板１を裏返す手間を省くことができ、以て、ひねり機構１３や反転機構２３を省略して立体回路基板の絶縁膜形成装置１０のより一層の簡素化を図ることができる。
【００７２】
（第６実施形態）図１２は、本実施形態にかかるノズルと立体基板との関係を示す側面図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００７３】
本実施形態にあっても、基本的に第１実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、図１２に示すように、移動する立体基板１に絶縁素材の微粒子を照射する前・後２つのノズル１２，１２Ａを備えている。
【００７４】
ただし、２つのノズル１２，１２Ａの間にキャリアガスを立体基板１に向けて噴出する付着粉除去ノズル３３を設け、ノズル１２Ａに立体基板１が送り込まれる前に、先行するノズル１２で照射して未成膜となった不要な微粒子Ｉｃを立体基板１の表面から予め除去するようにした点が、上記実施形態とは異なっている。
【００７５】
したがって、本実施形態によれば、ノズル１２Ａに立体基板１が送り込まれる前に未成膜となった不要な微粒子Ｉｃを除去できるので、絶縁膜ｍを成膜する前段階では、常に、立体基板１の活性化された面を露出させることができる。かかる活性化した露出面に成膜できるため、絶縁膜ｍの層間強度をより一層強固にして、成膜効率を向上することができる。
【００７６】
（第７実施形態）図１３は、本実施形態にかかるノズルと立体基板との関係を示す側面図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００７７】
本実施形態にあっても、基本的に第１実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、図１３に示すように、移動する立体基板１に絶縁素材の微粒子を照射する前・後２つのノズル１２，１２Ａを備えている。
【００７８】
ただし、ノズル１２，１２Ａから照射する微粒子Ｉｃ１，Ｉｃ２の径を、それぞれのノズル１２，１２Ａで異ならせるようにした点が、上記実施形態とは異なっている。
【００７９】
すなわち、本実施形態では、立体基板１の移動方向に対して前方に配置されるノズル１２から照射される微粒子Ｉｃ１の径を比較的大きくし、後方に配置されるノズル１２Ａから照射される微粒子Ｉｃ２の径を比較的小さくしてある。
【００８０】
したがって、本実施形態によれば、ノズル１２，１２Ａ毎に照射する微粒子Ｉｃ１，Ｉｃ２の径を異ならせることで、成膜時間の短縮が可能となり、かつ、ノズル１２，１２Ａから照射する微粒子Ｉｃ１，Ｉｃ２の径を表層ほど小さくすることにより、緻密かつ強固な絶縁膜をより高速に成膜することが可能となる。
【００８１】
（第８実施形態）図１４は、本実施形態にかかる立体基板の表面に対するノズルの選択作動状態を（ａ）〜（ｅ）によってそれぞれ示す説明図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００８２】
本実施形態にあっても、基本的に第１実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、立体基板１を移動させつつノズル３４から絶縁素材の微粒子を照射するようになっている。
【００８３】
ただし、図１４に示すように、１つの立体基板１に微粒子Ｉｃを照射するに複数（本実施形態では３本）の第１ノズル３４ａ，第２ノズル３４ｂ，第３ノズル３４ｃを１組のノズル３４とした点が、上記実施形態とは異なっている。
【００８４】
そして、複数の第１〜第３ノズル３４ａ〜３４ｃの照射角度を相互に異ならせるとともに、それぞれのノズル３４ａ〜３４ｃによる微粒子Ｉｃの照射を独立して作動可能とし、かつ、立体基板１の移動速度を制御しつつ、移動する立体基板１の表面に対向する最適なノズル３４ａ〜３４ｃを選択的に作動させるようにしてある。
【００８５】
すなわち、微粒子Ｉｃの照射方向を、第１ノズル３４ａは立体基板１の移動方向に対して前方に向けるとともに、第２ノズル３４ｂは立体基板１に対して垂直に向け、かつ、第３ノズル３４ｃは立体基板１の移動方向に対して後方に向けてある。
【００８６】
具体的には、図１４（ａ）では、第１ノズル３４ａを作動させつつ立体基板１を低速で送り、立体基板１の前端面１ｃに微粒子Ｉｃを照射し、図１４（ｂ）では、第１ノズル３４ａと第２ノズル３４ｂを作動させつつ立体基板１を高速で送り、立体基板１の上面前縁１ｄおよび凹凸面１ａの前縁傾斜面１ｅに微粒子Ｉｃを照射する。
【００８７】
また、図１４（ｃ）では、第２ノズル３４ｂを作動させつつ立体基板１を高速で送り、立体基板１の凹凸面１ａの底面１ｆに微粒子Ｉｃを照射し、図１４（ｄ）では、第１ノズル３４ａを作動させつつ立体基板１を高速で送り、立体基板１の凹凸面１ａの後縁傾斜面１ｇに微粒子Ｉｃを照射する。
【００８８】
さらに、図１４（ｅ）では、第２ノズル３４ｂおよび第３ノズル３４ｃを作動させつつ立体基板１を低速で送り、立体基板１の上面後縁１ｈおよび後端面１ｉに微粒子Ｉｃを照射する。
【００８９】
したがって、本実施形態によれば、立体基板１の移動速度を制御しつつ、移動する立体基板１の表面に対向する（好適には正対する）最適な第１〜第３ノズル３４ａ〜３４ｃを選択的に作動させることにより、余分な微粒子の照射を無くして絶縁膜の厚みのバラツキを効率良く低減できるとともに、使用する微粒子の量を節約することができる。
【００９０】
（第９実施形態）図１５は、本実施形態にかかる立体基板に対するノズルの照射角度変化を（ａ）〜（ｃ）によってそれぞれ示す説明図、図１６は、照射角度変化装置の一例を示す斜視図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００９１】
本実施形態にあっても、基本的に第１実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、立体基板１を移動させつつノズル３５から絶縁素材の微粒子を照射するようになっている。
【００９２】
ただし、図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、ノズル３５の角度を可変可能とし、移動する立体基板１の表面に最適な照射角度となるようにノズル３５の角度を制御するようにした点が、上記実施形態とは異なっている。
【００９３】
すなわち、図１５（ａ）に示すように、立体基板１の前端面１ｃを成膜する場合は、例えば、ノズル３５を立体基板１の移動方向に対して前方に傾斜させ、図１５（ｂ）に示すように立体基板１の上面前縁１ｄを成膜する場合は、ノズル３５を立体基板１に対して垂直に設定し、図１５（ｃ）に示すように立体基板１の凹凸面１ａの前縁傾斜面１ｅを成膜する場合は、ノズル３５を立体基板１の移動方向に対して後方に傾斜させる。
【００９４】
図１６は、例えば第３実施形態に示したようにノズル３５を半円筒状に形成した場合におけるノズル３５の角度制御を例示しており、このように半円筒状のノズル３５の両端部を結ぶ回転中心Ｃを中心として当該ノズル３５の指向角度を変化させることにより、中心部３５ｃを通過する立体基板１に対して噴出口３５ｈから微粒子を照射する角度を制御できるようになっている。なお、３５ｐはエアロゾル状態の微粒子の供給ポートである。
【００９５】
したがって、本実施形態によれば、立体基板１の表面に最適な角度で微粒子を照射できるため、絶縁膜の厚さを一定にできるとともに、ノズル３５は表面を連続して照射できるため、微粒子の噴射開始時に発生する粉溜まりを無くすことができる。
【００９６】
（第１０実施形態）図１７は、本実施形態にかかるノズルの斜視図、図１８は、図１７中Ｂ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【００９７】
本実施形態にあっても、基本的に第１実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、立体基板１を移動させつつノズル３６から絶縁素材の微粒子を照射するようになっている。
【００９８】
ただし、図１７，図１８に示すように、ノズル３６を、微粒子の噴出口３６Ａｈが外周に形成される内筒３６Ａと、この内筒３６Ａに対して所定間隔をもって同心状に配置され微粒子の噴出口３６Ｂｈが内周に形成される外筒３６Ｂとで構成し、これら内筒３６Ａと外筒３６Ｂとの間に立体基板１を螺旋状に回転させつつ筒軸方向に移動させるようにした点が、上記実施形態とは相違している。
【００９９】
図１７に示すように、内筒３６Ａの中心部には、微粒子（エアロゾル）の供給ポート３６Ａｐが設けられるとともに、外筒３６Ｂには、外周の一部に微粒子（エアロゾル）の供給ポート３６Ｂｐが設けられる。
【０１００】
したがって、本実施形態によれば、微粒子の噴出口３６Ａｈを外周に形成した内筒３６Ａと微粒子の噴出口３６Ｂｈを内周に形成した外筒３６Ｂとの間に立体基板１を螺旋状に回転させつつ筒軸方向に移動させたので、内筒３６Ａおよび外筒３６Ｂから立体基板１の表裏同時に微粒子を照射できるため迅速な成膜が可能となるとともに、立体基板１を螺旋状に移動させることにより実質的な成膜距離を長くでき、ひいては装置の小型化を図ることができる。
【０１０１】
（第１１実施形態）図１９は、本実施形態にかかるノズルと立体基板との関係を示す説明図である。なお、以下では、上記実施形態と対応する構成要素には共通の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。
【０１０２】
本実施形態にあっても、基本的に第１実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、立体基板１を移動させつつノズル３７から絶縁素材の微粒子を照射するようになっている。
【０１０３】
ただし、図１９に示すように、微粒子の照射方向を異ならせた複数のノズル３７設け、それらノズル３７と立体基板１を、相対的に回転しつつ立体基板の移動方向に相対的に往復動させる点が、上記実施形態とは相違している。
【０１０４】
すなわち、ノズル３７を立体基板１の移動方向に複数配列するとともに、それぞれの微粒子の照射方向が１つの立体基板１を指向するように円弧状に配列してある。
【０１０５】
そして、本実施形態では、複数のノズル３７を弧状取付板３８に固定しておくとともに、立体基板１を移動方向に沿った回転軸Ｃまわりに回転させ、かつ、その移動方向に往復動させるようになっている。
【０１０６】
したがって、本実施形態によれば、照射方向を異ならせた複数のノズル３７から微粒子を照射しつつ、立体基板１が回転および往復動されるため、多方向から立体基板に同時に微粒子を照射できるため成膜時間を短縮することができる。
【０１０７】
なお、本実施形態では、立体基板１に対してノズル３７を回転および往復動させることによっても同様の作用効果を奏することができる。
【０１０８】
ところで、本発明は第１〜第１１実施形態に例をとって説明したが、これら実施形態に限ることなく本発明の要旨を逸脱しない範囲で他の実施形態を各種採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の第１実施形態における立体基板の一連の製造工程を概略的に示すブロック図である。
【図２】本発明の第１実施形態における立体基板の配列状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態における立体回路基板の絶縁膜形成装置の概略構成図である。
【図４】本発明の第１実施形態の変形例を示す立体回路基板の絶縁膜形成装置の概略構成図である。
【図５】本発明の第１実施形態の変形例を示す立体基板の他の配列状態を（ａ），（ｂ）にそれぞれ示す斜視図である。
【図６】本発明の第２実施形態における立体基板への成膜状態をノズルを含めて天地逆にして示す正面図である。
【図７】図６中Ａ部の拡大断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態におけるノズルの斜視図である。
【図９】本発明の第４実施形態におけるノズルの斜視図である。
【図１０】本発明の第５実施形態におけるノズルの斜視図である。
【図１１】本発明の第５実施形態における噴出口の断面図である。
【図１２】本発明の第６実施形態におけるノズルと立体基板との関係を示す側面図である。
【図１３】本発明の第７実施形態におけるノズルと立体基板との関係を示す側面図である。
【図１４】本発明の第８実施形態における立体基板の表面に対するノズルの選択作動状態を（ａ）〜（ｅ）によってそれぞれ示す説明図である。
【図１５】本発明の第９実施形態における立体基板に対するノズルの照射角度変化を（ａ）〜（ｃ）によってそれぞれ示す説明図である。
【図１６】本発明の第９実施形態における照射角度変化装置の一例を示す斜視図である。
【図１７】本発明の第１０実施形態におけるノズルの斜視図である。
【図１８】図１７中Ｂ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【図１９】本発明の第１１実施形態におけるノズルと立体基板との関係を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１  立体基板
１ａ  凹凸面
１０，１０Ａ  立体回路基板の絶縁膜形成装置
１１  フープ材繰出し部（基板送り手段）
１１Ａ  フープ材巻取り部（基板送り手段）
１２，１２Ａ，３０，３１，３２，３４，３５，３６，３７ノズル
１２ｈ，３０ｈ，３１ｈ，３２ｈ，３５ｈ，３６Ａｈ，３６Ｂｈ  噴出口
２０  コンベア（基板送り手段）
３４ａ  第１ノズル
３４ｂ  第２ノズル
３４ｃ  第３ノズル
３６Ａ  内筒
３６Ｂ  外筒
ｍ  絶縁膜
Ｉｃ，Ｉｃ１，Ｉｃ２  微粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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