(57)【要約】【課題】耐久性、効率が良好な多色発光素子の提供。【解決手段】一対の電極間に少なくとも、(a)金属錯体系ホスト材料及び縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層、及び、(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層を有する有機電界発光素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に少なくとも、(a)金属錯体系ホスト材料及び縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層、及び、(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層を有する有機電界発光素子。
【請求項２】
(a)金属錯体系ホスト材料と縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層が(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に比べて陽極側に近いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
(a)金属錯体系ホスト材料と縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層が(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に比べて陰極側に近いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に、含窒素有機材料系ホスト材料を少なくとも含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
陰極側に一番近い発光層に陰極側で隣接する層が、金属錯体を含有する層であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
４座配位子を有する白金錯体系りん光材料の発光極大波長が５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
４座配位子を有する白金錯体系りん光材料が、一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【化１】
2008108617.tif 000055
（一般式(２)中、Ｍ２１は白金イオンを表す。Ｑ２３、Ｑ２４はそれぞれＭ２１に配位する原子群を表す。Ｌ２２は連結基を表す。Ｒ２１、Ｒ２２は置換基を表す。ｍ２１、ｍ２２はそれぞれ０〜３の整数を表す。Ｍ２１−Ｎ間の結合（点線部）は、配位結合を示す。Ｍ２１−Ｑ２３間の結合及びＭ２１−Ｑ２４間の結合は、共有結合であっても良いし、配位結合であっても良いし、イオン結合であっても良い。）
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた白色発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子、特に、有機電界発光素子（発光素子、又はＥＬ素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。この有機電界発光素子の重要な特性値として、消費電力がある。消費電力＝電圧×電流で表され、所望の明るさを得るに必要な電圧値が低く、かつ、電流値を小さくするほど、素子の消費電力を低くすることが出来る。
【０００３】
素子に流れる電流値を低くする一つの試みとして、オルトメタル化イリジウム錯体（Ir(ppy)3:Ｔｒｉｓ−Ｏｒｔｈｏ−Ｍｅｔａｌａｔｅｄ Ｃｏｍｐｌｅｘ ｏｆ Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｗｉｔｈ ２−Ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）からの発光を利用した発光素子が報告されている（例えば特許文献１参照）。これらに記載のりん光発光素子は、従来の一重項発光素子に比べて外部量子効率が大幅に向上し、電流値を小さくすることに成功している。
【０００４】
りん光発光素子のさらなる効率、耐久性改良を目的に、４座配位子を有する白金錯体を含有する素子が報告されている（特許文献２参照）。４座配位子を有する白金錯体と他のりん光材料を併用して、白色など、様々な発光を得る試みが行われているが、耐久性、効率の点で、さらなる改良が望まれている。
【特許文献１】特開２００１−２４７８５９号
【特許文献２】ＷＯ２００４／１０８８５７Ａ１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、耐久性、効率が良好な多色発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題は下記手段によって達成された。
（１）一対の電極間に少なくとも、(a)金属錯体系ホスト材料及び縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層、及び、(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層を有する有機電界発光素子。
（２）(a)金属錯体系ホスト材料と縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層が(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に比べて陽極側に近いことを特徴とする（１）に記載の有機電界発光素子。
（３）(a)金属錯体系ホスト材料と縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層が(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に比べて陰極側に近いことを特徴とする（１）に記載の有機電界発光素子。
（４）４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に、含窒素有機材料系ホスト材料を少なくとも含むことを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【０００７】
（５）陰極側に一番近い発光層に陰極側で隣接する層が、金属錯体を含有する層であることを特徴とする、（１）〜（４）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（６）４座配位子を有する白金錯体系りん光材料の発光極大波長が５００ｎｍ以下であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（７）４座配位子を有する白金錯体系りん光材料が、一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【０００８】
【化２】
2008108617.tif 000002
【０００９】
（一般式(２)中、Ｍ２１は白金イオンを表す。Ｑ２３、Ｑ２４はそれぞれＭ２１に配位する原子群を表す。Ｌ２２は連結基を表す。Ｒ２１、Ｒ２２は置換基を表す。ｍ２１、ｍ２２はそれぞれ０〜３の整数を表す。Ｍ２１−Ｎ間の結合（点線部）は、配位結合を示す。Ｍ２１−Ｑ２３間の結合及びＭ２１−Ｑ２４間の結合は、共有結合であっても良いし、配位結合であっても良いし、イオン結合であっても良い。）
【００１０】
（８）（１）〜（７）のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた白色発光デバイス。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の発光素子は、高効率発光が可能であり、耐久性に優れる。また、白色等、所望の発光色を得ることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、一対の電極間に少なくとも、(a)金属錯体系ホスト材料及び縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層、及び、(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層 を有する有機電界発光素子に関する。
有機発光素子において、一般的に、陰極側の発光層はラジカルアニオンリッチ、陽極側の発光層はラジカルカチオンリッチであると推定されている。ラジカルアニオン安定性が高いがラジカルカチオン安定性が低い発光層、例えば（ａ）層を陰極側発光層に、ラジカルカチオン安定性が高いがラジカルアニオン安定性が低い層、例えば（ｂ）層を陽極側に配置する事により、材料の欠点を相殺することが可能となり、単独で用いたに対し、顕著な高耐久化を達成することが出来る。
【００１３】
金属錯体系ホスト材料に関して説明する。ここで、ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／または電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／または電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。
【００１４】
金属錯体を構成する金属イオンとしては特に限定されないが、２価または３価の金属イオンが好ましく、３価のアルミニウムイオン、２価の亜鉛イオン、３価のガリウムイオン、２価のベリリウムイオン、２価のマグネシウムイオンがより好ましく、３価のアルミニウムイオン、３価のガリウムイオン、２価の亜鉛イオンがさらに好ましく、３価のアルミニウムイオンが特に好ましい。
【００１５】
縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料に関して説明する。縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料としては、５５０ｎｍ以上に発光極大波長を持つりん光材料がより好ましく、６００ｎｍ以上に発光極大波長を持つりん光材料がさらに好ましい。発光極大波長は、該当する発光層の単層膜を作製した後、光吸収する波長で光照射し、放出されたりん光のスペクトルを測定することにより、求めることが出来る。
【００１６】
縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料としては特に限定されないが、イリジウム錯体、または、白金錯体であることが好ましく、縮環芳香族炭化水素骨格（ナフタレン、フェナンスレン、アントラセンなど）、または、縮環芳香族含窒素ヘテロ骨格（キノリン、イソキノリン、キノキサリンなど）を配位子に有するイリジウム錯体、または、４座配位白金錯体であることがより好ましく、縮環芳香族含窒素ヘテロ骨格を配位子に有するイリジウム錯体であることがさらに好ましく、キノリン、または、イソキノリンを配位子に有するイリジウム錯体であることが特に好ましい。
【００１７】
４座配位子を有する白金錯体系りん光材料としては、一般式（１）で表される白金錯体が好ましく、一般式（２）で表される白金錯体がより好ましい。
【００１８】
【化３】
2008108617.tif 000003
【００１９】
（一般式(１)中、Ｍ１１は白金イオンを表す。Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４はそれぞれＭ１１に配位する原子群を表す。Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４はそれぞれ単結合または連結基を表す。ｎ１１は０または１を表す。ｎ１１が０の時は、Ｑ１３とＱ１４の間のＬ１４を介した結合は存在しない。Ｍ１１−Ｑ１１間の結合、Ｍ１１−Ｑ１２間の結合、Ｍ１１−Ｑ１３間の結合、Ｍ１１−Ｑ１４間の結合は、共有結合であっても良いし、配位結合であっても良いし、イオン結合であっても良い。
【００２０】
【化４】
2008108617.tif 000004
【００２１】
一般式(２)中、Ｍ２１は白金イオンを表す。Ｑ２３、Ｑ２４はそれぞれＭ２１に配位する原子群を表す。Ｌ２２は連結基を表す。Ｒ２１、Ｒ２２は置換基を表す。ｍ２１、ｍ２２はそれぞれ０〜３の整数を表す。Ｍ２１−Ｎ間の結合（点線部）は、配位結合を示す。Ｍ２１−Ｑ２３間の結合及びＭ２１−Ｑ２４間の結合は、共有結合であっても良いし、配位結合であっても良いし、イオン結合であっても良い。）
【００２２】
一般式（１）について説明する。
Ｍ１１は白金イオンを表し、白金イオンの価数は２価である。
【００２３】
Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４はそれぞれＭ１１に配位する（配位により形成される結合としては、例えば配位結合、共有結合、イオン結合 がある）原子群をす。Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４はＭ１１に配位する原子群であれば、特に限定されないが、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群、硫黄原子で配位する原子群、りん原子で配位する原子群が好ましい。
【００２４】
炭素原子で配位する原子群としては、例えばイミノ基、芳香族炭化水素環基（ベンゼン、ナフタレンなど）、ヘテロ環基（チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）およびこれらを含む縮合環、およびこれらの互変異性体が挙げられる。これらの基は、さらに置換基を有していても良い。置換基の例としては、後述のＲ２１で説明する基が挙げられる。
【００２５】
窒素原子で配位する原子群としては、例えば含窒素ヘテロ環基（ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）、アミノ基（アルキルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノ）、アリールアミノ基（例えばフェニルアミノ）などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ基などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、後述のＲ２１で説明する基が挙げられる。
【００２６】
酸素原子で配位する原子群としては、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル基（例えばケトン基、エステル基、アミド基など）、エーテル基（例えばジアルキルエーテル基、ジアリールエーテル基、フリル基など）などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、後述のＲ２１で説明する基が挙げられる。
【００２７】
硫黄原子で配位する原子群としては、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル基（例えばチオケトン基、チオエステル基など）、チオエーテル基（例えばジアルキルチオエーテル基、ジアリールチオエーテル基、チオフリル基など）などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、後述のＲ２１で説明する基が挙げられる。
【００２８】
りん原子で配位する原子群としては、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、後述のＲ２１で説明する基が挙げられる。
【００２９】
Ｑ１１、Ｑ１２は窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群、りん原子で配位する原子群が好ましく、窒素原子で配位する原子群がより好ましく、窒素原子で配位する含窒素へテロ環基がさらに好ましく、窒素原子で配位する単環の含窒素へテロ環基が特に好ましい。
【００３０】
Ｑ１３、Ｑ１４は炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群が好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、窒素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基、酸素原子で配位するアリールオキシ基、酸素原子で配位するヘテロアリールオキシ基がより好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、窒素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基がさらに好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基が特に好ましい。
【００３１】
Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４はそれぞれ単結合または連結基を表す。連結基としては、特に限定されないが、アルキレン基(例えばメチレン基、ジメチルメチレン基、ジイソプロピルメチレン基、ジフェニルメチレン基、エチレン基、テトラメチルエチレン基など)、アルケニレン基（ビニレン基、ジメチルビニレン基など）、アルキニレン基（エチニレン基など）、アリーレン基（フェニレン基、ナフチレン基など）、ヘテロアリーレン基（ピリジレン基、ピラジレン基、キノリレン基など）、酸素連結基、硫黄連結基、窒素連結基（メチルアミノ連結基、フェニルアミノ連結基、ｔブチルアミノ連結基など）、ケイ素連結基、及び、これらを組み合わせた連結基（例えばオキシレンメチレン基など）などが挙げられる。
【００３２】
Ｌ１１、Ｌ１３は単結合、アルキレン基、酸素連結基が好ましく、単結合、アルキレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。
【００３３】
Ｌ１２、Ｌ１４は、単結合、アルキレン基、酸素連結基、窒素連結基が好ましく、アルキレン基、酸素連結基がより好ましく、アルキレン連結基が特に好ましい。
【００３４】
ｎ１１は０または１を表す。ｎ１１が０の時は、Ｑ１３とＱ１４の間のＬ１４を介した結合は存在しない。
【００３５】
Ｍ１１−Ｑ１１間の結合、Ｍ１１−Ｑ１２間の結合、Ｍ１１−Ｑ１３間の結合、Ｍ１１−Ｑ１４間の結合は、共有結合であっても良いし、配位結合であっても良いし、イオン結合であっても良い。
【００３６】
Ｍ１１−Ｑ１１間の結合、Ｍ１１−Ｑ１２間の結合は、配位結合（点線で表される結合）であることが好ましく、Ｍ１１−Ｑ１３間の結合、Ｍ１１−Ｑ１４間の結合は、共有結合（実線で表される結合）、または、イオン結合（実線で表される結合）であることが好ましく、共有結合であることがより好ましい。
【００３７】
一般式（２）について説明する。
Ｍ２１は前記Ｍ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｑ２３、Ｑ２４はそれぞれＭ２１に配位する原子群を表す。
【００３８】
Ｑ２３、Ｑ２４は炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群が好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、窒素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基、酸素原子で配位するアリールオキシ基、酸素原子で配位するヘテロアリールオキシ基がより好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、窒素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基がさらに好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基が特に好ましい。その中でも、炭素原子で配位する５員環のヘテロアリール基が特に好ましい。
【００３９】
特に、炭素原子で配位する５員環のヘテロアリール基の中でも、Ｑ２３、Ｑ２４は、窒素原子でピリジン環に連結する５員環のヘテロアリール基（ピロール、ピラゾール、トリアゾール）が好ましい。
Ｑ２３、Ｑ２４は置換基を有していてもよく、置換基としては後述のＲ２１で説明する基が挙げられる。Ｑ２３、Ｑ２４としてはアルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、シアノ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
【００４０】
Ｒ２１、Ｒ２２はそれぞれ置換基を表す。置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００４１】
Ｒ２１、Ｒ２２はアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基が好ましく、アルキル基、置換アミノ基がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。
【００４２】
Ｌ２２は連結基を表す。連結基としては、特に限定されないが、アルキレン基(例えばメチレン基、ジメチルメチレン基、ジイソプロピルメチレン基、ジフェニルメチレン基、エチレン基、テトラメチルエチレン基など)、アルケニレン基（ビニレン基、ジメチルビニレン基など）、アルキニレン基（エチニレン基など）、アリーレン基（フェニレン基、ナフチレン基など）、ヘテロアリーレン基（ピリジレン基、ピラジレン基、キノリレン基など）、酸素連結基、硫黄連結基、窒素連結基（メチルアミノ連結基、フェニルアミノ連結基、ｔブチルアミノ連結基など）、ケイ素連結基、及び、これらを組み合わせた連結基（例えばオキシレンメチレン基など）などが挙げられる。
Ｌ２２は、単結合、アルキレン基、酸素連結基、窒素連結基が好ましく、アルキレン基、酸素連結基がより好ましく、アルキレン連結基が特に好ましい。
【００４３】
ｍ２１、ｍ２２はそれぞれ０〜３の整数を表し、０、１が好ましく、０がより好ましい。ｍ２１、ｍ２２が複数の場合、複数のＲ２１、Ｒ２２はそれぞれ同じであっても異なっても良い。
【００４４】
一般式（１）、（２）で表される化合物は、特許文献２ ＷＯ２００４／１０８８５７Ａ１号 に記載の手法、及び、その手法を参考に合成することができる。
【００４５】
本発明の有機電界発光素子では、(a)金属錯体系ホスト材料と縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層が(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に比べて陽極側にあること、または、(a)金属錯体系ホスト材料と縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層が(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に比べて陰極側に近いことが好ましく、(a)金属錯体系ホスト材料と縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層が(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に比べて陽極側に近いことがより好ましい。
【００４６】
本発明の有機電界発光素子は、４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層が、４座配位子を有する白金錯体系りん光材料とホスト材料（含窒素有機材料系ホスト材料または芳香族炭化水素系ホスト材料、好ましくは含窒素有機材料系ホスト材料）を少なくとも含む発光層であることが好ましい。
４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に、含窒素有機材料系ホスト材料を含むことにより、高耐久効果を奏する。
【００４７】
芳香族炭化水素系ホスト材料に関して説明する。芳香族炭化水素系ホスト材料とは、炭素、水素のみで構成される有機材料のことである。芳香族炭化水素系ホスト材料としては、ナフタレン環などの縮環構造を持たないことが好ましい。
【００４８】
含窒素有機材料系ホスト材料に関して説明する。含窒素有機材料とは、窒素原子を有する有機化合物のことで、例えば、アニリン誘導体、含窒素ヘテロ環化合物、及び、これらを配位子に有する金属錯体が挙げられる。含窒素有機材料として好ましくは、含窒素ヘテロ環化合物、及び、これらを配位子に有する金属錯体であり、より好ましくは、５員の含窒素ヘテロ環（ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環など、好ましくはピロール環、イミダゾール環、より好ましくはピロール環）を有する化合物であり、さらに好ましくは、５員含窒素ヘテロ環と６縮環の縮環構造を有する化合物であることが好ましい。
【００４９】
本発明の有機電界発光素子は、陰極側に一番近い発光層に陰極側で隣接する層が、金属錯体を含有する層であることが好ましい。上記構成とすることにより、高耐久効果を奏する。
【００５０】
本発明の、(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層の、白金錯体系りん光材料の発光極大波長は５００ｎｍ以下であることが好ましく、４８０ｎｍ以下であることがよりに好ましく、４７０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、４６０ｎｍ以下であることが特に好ましい。発光極大波長は、該当する発光層の単層膜を作製した後、光吸収する波長で光照射し、放出されたりん光のスペクトルを測定することにより、求めることが出来る。
【００５１】
本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、１３％以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動した時の１００〜３００ｃｄ／ｍ２付近での外部量子効率の値を用いることができる。
【００５２】
本発明の発光素子の内部量子効率としては、３０％以上が好ましく、５０％以上がさらに好ましく、７０％以上がさらに好ましい。素子の内部量子効率は 内部量子効率＝外部量子効率／光取り出し効率 で算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能で有る。
【００５３】
本発明の発光素子は、ホール輸送層、発光層（２層）、電子輸送層の少なくとも４層を有する素子であることが好ましい。ホール輸送層と発光層の間に、発光層へのホール注入を促進する層、電子をブロックする層、励起子をブロックする層を追加することがより好ましい。
【００５４】
陰極に一番近い発光層中のホスト材料の電子移動度は １×１０−６ ｃｍ２／Ｖｓ以上、１×１０−１ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが好ましく、５×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがより好ましく、１×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがさらに好ましく、５×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上ｃｍ２／５×１０−３Ｖｓ以下であることが特に好ましい。
【００５５】
陽極に一番近い発光層中発光層中のホスト材料のホール移動度は １×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上、１×１０−１ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが好ましく、５×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがより好ましく、１×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがさらに好ましく、５×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが特に好ましい。
【００５６】
本発明の有機電界発光素子含まれるホスト材料、電子輸送材料、及び、ホール輸送材料のガラス転移点は９０℃以上４００℃以下であることが好ましく、１００℃以上３８０℃以下であることがより好ましく、１２０℃以上３７０℃以下であることがさらに好ましく、１４０℃以上３６０℃以下であることが特に好ましい。
【００５７】
本発明の有機電界発光素子は白色発光素子であっても良い。白色発光は、三色の発光色（例えば 青色、緑色、赤色） を組み合わせても良いし、二色（例えば 水色、赤）を組み合わせても良い。本発明では特に限定されないが、（ａ）「金属錯体系ホスト材料および縮合芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を含む発光層」で水色発光し、（ｂ）「４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を含む発光層」で赤色発光すること、もしくは、（ａ）「金属錯体系ホスト材料および縮合芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を含む発光層」で青色発光し、（ｂ）「４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を含む発光層」で橙色発光することが好ましく、ａ）「金属錯体系ホスト材料および縮合芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を含む発光層」で水色発光し、（ｂ）「４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を含む発光層」で赤色発光することがより好ましい。
【００５８】
本発明の、(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に含まれる白金錯体系りん光材料のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、６０ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２５１．４ ＫＪ／ｍｏｌ以上）、９０ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３７７．１ ＫＪ／ｍｏｌ以下）が好ましく、６２ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９．７８ ＫＪ／ｍｏｌ 以上）、８５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３５６．１５ ＫＪ／ｍｏｌ 以下）がより好ましく、６５ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２７２．３５ ＫＪ／ｍｏｌ以上）、８０ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３３５．２ ＫＪ／ｍｏｌ 以下）がさらに好ましい。
【００５９】
本発明の、(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層に含まれるホスト材料のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、６０ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２５１．４ ＫＪ／ｍｏｌ以上）、９０ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３７７．１ ＫＪ／ｍｏｌ以下） が好ましく、６２ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２５９．７８ ＫＪ／ｍｏｌ 以上）、８５ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３５６．１５ ＫＪ／ｍｏｌ 以下）がより好ましく、６５ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２７２．３５ ＫＪ／ｍｏｌ以上）、８０ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３３５．２ ＫＪ／ｍｏｌ 以下）がさらに好ましい。
【００６０】
陽極に一番近い発光層に隣接する層のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、６０ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２５１．４ ＫＪ／ｍｏｌ以上）、９０ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３７７．１ ＫＪ／ｍｏｌ以下） が好ましく、６２ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２５９．７８ ＫＪ／ｍｏｌ 以上）、８５ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３５６．１５ ＫＪ／ｍｏｌ 以下）がより好ましく、６５ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２７２．３５ ＫＪ／ｍｏｌ以上）、８０ Ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３３５．２ ＫＪ／ｍｏｌ 以下）がさらに好ましい。
【００６１】
次に本発明の化合物例（金属錯体系ホスト材料、縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料、４座配位子を有する白金錯体系りん光材料）を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００６２】
＜金属錯体系ホスト材料＞
【００６３】
【化５】
2008108617.tif 000005
【００６４】
＜４座配位子を有する白金錯体系りん光材料＞
【００６５】
【化６】
2008108617.tif 000006
【００６６】
【化７】
2008108617.tif 000007
【００６７】
【化８】
2008108617.tif 000008
【００６８】
【化９】
2008108617.tif 000009
【００６９】
【化１０】
2008108617.tif 000010
【００７０】
【化１１】
2008108617.tif 000011
【００７１】
【化１２】
2008108617.tif 000012
【００７２】
【化１３】
2008108617.tif 000013
【００７３】
【化１４】
2008108617.tif 000014
【００７４】
【化１５】
2008108617.tif 000015
【００７５】
【化１６】
2008108617.tif 000016
【００７６】
【化１７】
2008108617.tif 000017
【００７７】
【化１８】
2008108617.tif 000018
【００７８】
【化１９】
2008108617.tif 000019
【００７９】
【化２０】
2008108617.tif 000020
【００８０】
【化２１】
2008108617.tif 000021
【００８１】
【化２２】
2008108617.tif 000022
【００８２】
【化２３】
2008108617.tif 000023
【００８３】
【化２４】
2008108617.tif 000024
【００８４】
【化２５】
2008108617.tif 000025
【００８５】
【化２６】
2008108617.tif 000026
【００８６】
【化２７】
2008108617.tif 000027
【００８７】
【化２８】
2008108617.tif 000028
【００８８】
【化２９】
2008108617.tif 000029
【００８９】
【化３０】
2008108617.tif 000030
【００９０】
【化３１】
2008108617.tif 000031
【００９１】
【化３２】
2008108617.tif 000032
【００９２】
【化３３】
2008108617.tif 000033
【００９３】
【化３４】
2008108617.tif 000034
【００９４】
【化３５】
2008108617.tif 000035
【００９５】
【化３６】
2008108617.tif 000036
【００９６】
【化３７】
2008108617.tif 000037
【００９７】
【化３８】
2008108617.tif 000038
【００９８】
【化３９】
2008108617.tif 000039
【００９９】
【化４０】
2008108617.tif 000040
【０１００】
【化４１】
2008108617.tif 000041
【０１０１】
【化４２】
2008108617.tif 000042
【０１０２】
【化４３】
2008108617.tif 000043
【０１０３】
【化４４】
2008108617.tif 000044
【０１０４】
【化４５】
2008108617.tif 000045
【０１０５】
【化４６】
2008108617.tif 000046
【０１０６】
＜縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料＞
【０１０７】
【化４７】
2008108617.tif 000047
【０１０８】
【化４８】
2008108617.tif 000048
【０１０９】
【化４９】
2008108617.tif 000049
【０１１０】
【化５０】
2008108617.tif 000050
【０１１１】
【化５１】
2008108617.tif 000051
【０１１２】
【化５２】
2008108617.tif 000052
【０１１３】
【化５３】
2008108617.tif 000053
【０１１４】
(a)金属錯体系ホスト材料及び縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層中、縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料は１〜４０質量％が好ましく、３〜３０質量％が好ましく、５〜２０質量％がより好ましい。
また、(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層中、４座配位子を有する白金錯体系りん好材料は１〜４０質量％が好ましく、５〜３５質量％が好ましく、１０〜３０質量％がより好ましい。
【０１１５】
［有機電界発光素子］
以下、本発明の有機電界発光素子（以下、「本発明の発光素子」とも称する）について詳細に説明する。
本発明の発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層（以下、単に「発光層」と称する場合がある。）を含む有機層（有機化合物のみからなる層であっても良いし、無機化合物を含有する有機層であっても良い）を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
【０１１６】
本発明における有機層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層（２層）、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【０１１７】
次に、本発明の発光材料を構成する要素について、詳細に説明する。
【０１１８】
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【０１１９】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【０１２０】
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【０１２１】
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【０１２２】
＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
【０１２３】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【０１２４】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【０１２５】
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【０１２６】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１２７】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【０１２８】
陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【０１２９】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載されること項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【０１３０】
＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【０１３１】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【０１３２】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【０１３３】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【０１３４】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【０１３５】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１３６】
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【０１３７】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【０１３８】
＜有機層＞
本発明における有機層について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、発光層（２層）を少なくとも含む有機層（発光層のみでもよい）を有しており、有機発光層以外の他の有機層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
【０１３９】
−有機層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０１４０】
−有機発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【０１４１】
本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１４２】
また、本発明に使用できる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【０１４３】
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【０１４４】
燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。
【０１４５】
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
【０１４６】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０１４７】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するＩｒ錯体に代表される各種金属錯体等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１４８】
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０１４９】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１５０】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１５１】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯy等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０１５２】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０１５３】
＜封止＞
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【０１５４】
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
本発明の有機電界発光素子を用いて、白色面光源等のデバイスを作製することもできる。
【実施例】
【０１５５】
以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
【０１５６】
[比較例１]
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上に、ＦｉｒｉｐｃとＩｒ（ｐｉｑ）３とｍＣＰを１０：２：８８の比率（質量比）で３０ｎｍ蒸着し、この上に、ＢＡｌｑを６ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍ蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、Ｆｉｒｐｉｃ と Ｉｒ（ｐｉｑ）３ に由来するりん光発光が得られた。
【０１５７】
［比較例２］
比較例１の発光層（Ｆｉｒｉｐｃ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、ｍＣＰ ３０ｎｍ）の換わりに、白金錯体ＡとＩｒ（ｐｉｑ）３とｍＣＰを１０：２：８８の比率（質量比）で３０ｎｍ蒸着し、比較例１と同様に素子作製評価した。白金錯体ＡとＩｒ（ｐｉｑ）３に由来する白色のりん光発光が得られた（白金錯体Ａに由来するλｍａｘ＝４９２ｎｍ）。初期輝度1000cd/m2とした時の耐久性（定電流駆動での輝度半減期）は、比較例１の素子に比べて４．８倍向上した。
【０１５８】
［比較例３］
比較例１の発光層（Ｆｉｒｉｐｃ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、ｍＣＰ ３０ｎｍ）の換わりに、Ｆｉｒｉｐｃとイリジウム錯体ＢとｍＣＰを１０：２：８８の比率（質量比）で３０ｎｍ蒸着し、比較例１と同様に素子作製評価した。Ｆｉｒｉｐｃとイリジウム錯体Ｂに由来する白色のりん光発光が得られた。初期輝度1000cd/m2とした時の耐久性（定電流駆動での輝度半減期）は、比較例１の素子に比べて半分に低下した。
【０１５９】
［比較例４］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上に、ＦｉｒｐｉｃとｍＣＰを１０：９０の比率（質量比）で２０ｎｍ蒸着し（発光層１）、さらに、ＢＡｌｑとＩｒ（ｐｉｑ）３を１０：９０の比率（質量比）で１０ｎｍ蒸着した（発光層２）。この上に、ＢＡｌｑを６ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍ蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、ＦｉｒｐｉｃとＩｒ（ｐｉｑ）３に由来するりん光発光が得られた。初期輝度1000cd/m2とした時の耐久性（定電流駆動での輝度半減期）は、比較例１の素子に比べて１．８倍向上した。
【０１６０】
［実施例１］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上に、白金錯体ＡとｍＣＰを１０：９０の比率（質量比）で２０ｎｍ蒸着し（発光層１）、さらに、ＢＡｌｑとＩｒ（ｐｉｑ）３を１０：９０の比率（質量比）で１０ｎｍ蒸着した（発光層２）。この上に、ＢＡｌｑを６ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍ蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、白金錯体ＡとＩｒ（ｐｉｑ）３に由来するりん光発光が得られた（白金錯体Ａに由来するλｍａｘ＝４９２ｎｍ）。初期輝度1000cd/m2とした時の耐久性（定電流駆動での輝度半減期）は、比較例１の素子に比べて１４倍向上した。
【０１６１】
［実施例２］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上に、ＢＡｌｑとＩｒ（ｐｉｑ）３を１０：９０の比率（質量比）で１０ｎｍ蒸着し（発光層１）、さらに、白金錯体ＡとｍＣＰを１０：９０の比率（質量比）で２０ｎｍ蒸着した（発光層２）。この上に、ＢＡｌｑを６ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍ蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、白金錯体ＡとＩｒ（ｐｉｑ）３に由来するりん光発光が得られた（白金錯体Ａに由来するλｍａｘ＝４９２ｎｍ）。初期輝度1000cd/m2とした時の耐久性（定電流駆動での輝度半減期）は、比較例１の素子に比べて６．１倍向上した。
【０１６２】
［実施例３］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上に、カルバゾール誘導体Ａを３ｎｍ蒸着し、この上に、白金錯体ＡとｍＣＰを１０：９０の比率（質量比）で２０ｎｍ蒸着し（発光層１）、さらに、ＢＡｌｑとＩｒ（ｐｉｑ）３を１０：９０の比率（質量比）で１０ｎｍ蒸着した（発光層２）。この上に、ＢＡｌｑを６ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍ蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、白金錯体ＡとＩｒ（ｐｉｑ）３に由来するりん光発光が得られた（白金錯体Ａに由来するλｍａｘ＝４９２ｎｍ）。初期輝度1000cd/m2とした時の耐久性（定電流駆動での輝度半減期）は、比較例１の素子に比べて２０倍向上した。
【０１６３】
［実施例４］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上に、白金錯体ＢとｍＣＰを１０：９０の比率（質量比）で２０ｎｍ蒸着し（発光層１）、さらに、アルミニウム錯体Ａとイリジウム錯体Ａを１０：９０の比率（質量比）で１０ｎｍ蒸着した（発光層２）。この上に、ＢＡｌｑを６ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍ蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、白金錯体Ｂとイリジウム錯体Ａに由来するりん光発光が得られた（白金錯体Ｂに由来するλｍａｘ＝４８０ｎｍ）。初期輝度1000cd/m2とした時の耐久性（定電流駆動での輝度半減期）は、比較例１の素子に比べて１５倍向上した。
［比較例５］
実施例１のＢＡｌｑの変わりにｍＣＰを用いて、素子作製した。耐久性は、比較例１の素子に対して６倍向上した。
【０１６４】
実施例にて作成した素子は全て白色発光であった。
【０１６５】
【化５４】
2008108617.tif 000054
【０１６６】
他の本発明の化合物を用いた素子でも、耐久性、効率（消費電力）に優れるＥＬ素子を作製することができた。