(57)【要約】      （修正有）【課題】電極体の位置決めが容易なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】反応室内に被処理基板を所定の間隔をおいて多段に且つ同心に配置する共に、処理ガスを供給し、所定の圧力の下で前記被処理基板を処理する基板処理装置において、前記被処理基板の各々の表面から所定の距離にプラズマを発生させて基板を処理する電極体２０１を配置し、前記各電極体２０１には互いを同心に位置決めさせる位置決め部２２０を設け、前記各位置決め部にはこれらを一括に位置決めする位置決め機構２２４，２２５を設ける。【選択図】図５
2008205243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に被処理基板を所定の間隔をおいて多段に且つ同心に配置する共に、基板処理ガスを供給し、所定の圧力の下で前記被処理基板を処理する基板処理装置であって、
前記被処理基板の各々の表面から所定の距離にプラズマを発生させて基板を処理する電極体を配置し、
前記各電極体には互いを同心に位置決めさせる位置決め部を設け、
前記各位置決め部にはこれらを一括に位置決めする位置決め機構を設けた
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマを利用して基板の表面にエッチング、成膜、表面改質などの処理を施す基板処理装置に関し、特に、縦型の基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、基板処理装置として縦型の基盤処理装置やプラズマ処理装置を搭載した枚葉式の基板処理装置が知られている。基板処理ガスをプラズマ化すると、基板処理ガス中の反応成分が活性化し、電子温度が高くなるので、基板にダメージを与えることない低温での処理ができる利点がある。
一方、縦型の基板処理装置は、反応室内にボートを挿入し、ボートに多段に支持された基板を一括処理するので、枚葉式の基板処理装置と比べてスループットが高いという利点があるが、枚葉式の基板処理装置に用いられているプラズマ処理装置をそのまま使用することはできないという不都合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
そこで、本出願人は複数の電極板を多段に配置し、電極板間に基板を配置し、偶数段の電極板と奇数段の電極板とに、位相が１８０°異なる交流電流（高周波電流）を供給することにより、各基板間の基板処理ガスをプラズマ化させることにより、ダメージのない低温での基板処理を実現するバッチ式の基板処理装置を想定している。
【０００４】
図７乃至図９はこの種、プラズマ処理装置を備えた新規な基板処理装置の構成を示す。
【０００５】
図７は基板処理装置の縦断面図、図８は平面図、図９はプラズマ処理装置における電極板の位置決め及び支持構造を示す解説図である。
まず、図７を参照して縦型の基板処理装置について説明する。
基板処理装置の反応室１は反応室壁２及びシールキャップ１２９で気密に区画されており、反応室壁２の周囲には反応室１内を昇温するためのヒータ１３が反応室１を取り囲むように設けられている。反応室１の下部には、排気管6が連通していて反応室１内の雰囲
気を排気できるようになっており、また、ガス供給管１０が接続されていてエッチングガス、成膜ガス等の基板処理ガスを供給できるようになっている。排気管６には減圧排気装置として真空ポンプ７が接続されている。反応室壁２は石英等の誘電体で構成され、反応室の下方には、ボートエレベータ（図示せず）が設置されている。ボートエレベータのエレベータアーム（図示せず）には反応室１の開閉が可能なシールキャップ１２９が取り付けられ、シールキャップ１２９にボート２１７が支持されている。ボート２１７は、石英等の誘電材料からなる底板（図示せず）と、底板の外周部からボート２１７の軸方向に沿って延びた複数の保持部材２１７ａとを備えている。複数の保持部材２１７ａには軸方向に間隔を隔てて電極板２０１が支持されると共に、複数のウエハ２００（被処理基板）が搭載される。この場合、被処理基板としてのウエハ２００は、電極板２０１，２０１間に、電極板２０１と同心に且つ非接触に配置されている。
【０００６】
図８及び図９を参照してプラズマ処理装置について説明すると、前記ボート２１７の外周部には一対の給電柱１６Ａ，１６Ｂが配置される。
給電柱１６Ａ，１６Ｂは、前記保持部材２１７ａと並行に上方に延びている。以下、一方の給電極１６Ａを奇数段用給電柱、他方の給電柱１６Ｂを偶数段用給電柱と呼ぶ。
奇数段用給電柱１６Ａ及び偶数段用給電柱１６Ｂには相対峙する電極板２０１同士に交流電力（高周波電流）を分配するため、複数の電極部２１８が一体に設けられる。奇数段
の電極部２１８は奇数段の各電極板２０１の下方に配置されていて各電極板２０１の下面と直接、接触しており、偶数段の電極部２１８も偶数段の各電極板２０１の下方に配置され、各電極板２０１の下面と直接接触している。
各電極板２０１の各電極部２１８との対峙部には、電極板２０１を厚み方向に貫通する孔１４が設けられており、電極部２１８には、電極部２０１の前記孔１４との対峙部にねじ孔１５が設けられている。
【０００７】
電極板２０１の孔１４を電極部２１８のねじ孔１５に位置決めし、孔１４を通じてボルト１７を電極板２０１のねじ孔１５に締結すると、ボート２１７の軸芯に対して電極板２０１の軸芯が同心に位置決めされる。この状態ではウエハ２００はボート２１７の軸芯に一致しているので、電極板２０１の軸芯とウエハ２００の軸芯とが同心になる。
この後、図７に示すように、各給電柱１６Ａ，１６Ｂにそれぞれ絶縁トランス１２を接続し、絶縁トランス１２に整合器９、発信器８を順次接続されると、電極板２０１、電極部２１８、給電柱１６Ａ、１６Ｂ、絶縁トランス１２、整合器９、発信器８からなるプラズマ処理装置が構成されている。
【０００８】
前記プラズマ処理装置は、発信器８から位相が１８０°異なる交流電力を奇数段用給電柱１６Ａと偶数段用給電柱１６Ｂとに供給すると、ウエハ２００と電極板２０１との間の基板処理ガスがプラズマ化されるので、ウエハ２００にダメージの与えることのない低温の基板処理が可能になる。
【０００９】
しかし、多数の電極部に対して電極板を一枚ずつ固定する構造であり、また、ねじ止め（ボルト止め）箇所も多数に及ぶため作業に手間が掛かるという問題がある。
また、ねじ止めによって電極板を電極部に接続する構造では、ねじ止めの状態によって接触の状態が異なってしまうので、電極部と電極板とが片当たりした状態となると、局部的な発熱の要因となることがある。したがって、前記したねじ止め構造では、ねじにより確実に固定できる反面、確認作業を含めた全体の作業時間が長くなる。
さらに、接触不良による発熱や基板処理の際の輻射、熱伝導に起因してねじに熱膨張（線膨張）が発生すると、電極板と電極部との間に隙間が発生して導通が切断されたり、発熱が発生したりする懸念もある。
【００１０】
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電極部と電気的接点部と接続を簡便にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、前記目的を達成するため、反応室内に被処理基板を所定の間隔をおいて多段に且つ同心に配置する共に、処理ガスを供給し、所定の圧力の下で前記被処理基板を処理する基板処理装置であって、前記被処理基板の各々の表面から所定の距離にプラズマを発生させて基板を処理する電極体を配置し、前記各電極体には互いを同心に位置決めさせる位置決め部を設け、前記各位置決め部にはこれらを一括に位置決めする位置決め機構を設けたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、電極体の位置決めが位置決め機構により一括してなされるので、作業性が飛躍的に向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
まず、図１及び図２を参照して基板処理装置の構成について説明し、次に、図３乃至図６を参照してプラズマ処理のための構成と電極板２０１の取り付け構造及び電気的接続構造を説明する。なお、この実施の形態に説明においては、従来技術と同一構成部について
は同一符号を用いる。
【００１４】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されており、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。なお、図１は、斜透視図として示されており、図２は図１に示す処理装置を側面から見た透視図として示されている。
【００１５】
図１および図２に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、シリコン等からなるウエハ（被処理基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が用いられる。基板処理装置１００の筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能な開口部として正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置して位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
【００１６】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。筐体１１１内において、ロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間でポッド１１０を搬送するように構成される。
【００１７】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１８】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構
（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。
【００１９】
図１に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧性の筐体１１１の右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４の前方領域右端部との間に設置されている。これらのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部とし、ツイーザ（基板保持体）１２５ｃによりボート（基板保持具）２１７へのウエハ２００の装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）を実施する。
【００２０】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には反応炉２０２が設けられ、反応炉２０２の下部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。反応炉２０２には反応室（基板処理室ともいう）１が設けられている。反応室１は誘電体からなる反応室壁２と前記シールキャップ１２９とで気密に区画されており、ヒータ１３が反応室壁２を取り囲むように設けられる。
【００２１】
図１に模式的に示すように、前記筐体１１１の右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６の右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのエレベータアーム１２８には前記シールキャップ１２９が水平に据え付けられている。シールキャップ１２９はボート２１７を垂直に支持し、反応炉２０２の下部を開閉する蓋体として構成されている。前記ボート２１７には後述するように複数本の保持部材２１７ａが設けられている。シールキャップ１２９は、前記ボートエレベータ１１５のエレベータアーム１２８に支持されている。ボートエレベータ１１５により、エレベータアーム１２８が上昇し、シールキャップ１２９が反応炉２０２の反応室１を閉鎖すると、ボート２１７が反応室１に挿入、すなわち、搬入され、ボートエレベータ１１５によりエレベータアーム１２８が下降すると、反応室１からボート２１７が反応室１から搬出される。
【００２２】
図１に模式的に示すように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側およびボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハ２００の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置される。クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置およびウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出される。
【００２３】
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。図１及び図２に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッ
ドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００２４】
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置にてウエハ２００を整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ウエハ移載装置１２５ａはボート２１７にウエハ２００を受け渡した後は、ポッド１１０に戻って次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
【００２５】
一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００２６】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた反応炉２０２の下部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ１２９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、反応炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
【００２７】
ローディング後は、反応炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。
処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハ２００の整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
【００２８】
図３は本実施形態に係る基板処理装置の基本構成を示す解説図、図４は天板を取り外した状態のボート２１７の平面図、図５はボートの一例を示す解説図である。図３に示されるように、前記反応室１には排気管６が連通しており、排気管６の下流に減圧排気装置としての真空ポンプ７が取り付けられる。ボート２１７及び反応室壁２は、石英（石英ガラス等）、セラミックなど電気的に絶縁可能な誘電材料で構成される。前記シールキャップ１２９に支持されたボート２１７は、例えば、図５に例示するように、円盤状の天板２１７ｂ及び底板２１７ｃと、天板２１７ｂと底板２１７ｃとを同心に且つ並行に接続する複数のロッド状の保持部材２１７ａとを備えて構成される。ボート２１７には複数の電極体として複数の電極板２０１が多段に支持されていて、隣接する電極板２０１間に被処理基板としてのウエハ２００（例えば、５０枚〜１２５枚程度）が配置される。電極板２０１及びウエハ２００は前記保持部材２１７ａに支持される。各電極板２０１は耐熱性の高いメタル、Ｓｉ、ＳｉＣ等の導電性材料で構成される。保持部材２１７ａの電極板支持用溝部２１７ｅに、奇数段の電極板２０１、偶数段の電極板２０１がそれぞれ支持される。そして、図７に示すように、奇数段の電極板２０１、偶数段の電極板２０１にそれぞれ絶縁トランス１２、整合器９、発信器８からなるプラズマ発生装置（プラズマ発生回路）が接続される。なお、各電極板２０１の電気的配線は、前記シールキャップ１２９を貫通して前記反応炉２０２の外部に引き出された後、絶縁トランス１２に接続される。
【００２９】
前記基板処理装置１００を用いてエッチング、成膜、改質等の基板処理を実施する際は、まず、ウエハ２００をボート２１７に支持し、前記シールキャップ１２９で反応室１を閉鎖した状態で前記真空ポンプ７により反応室１内の雰囲気を排気する。そして、反応室１の圧力が基板処理に適する最適な圧力に設定されると、反応室１に連通するガス供給管１０から反応室１に基板処理ガスが供給される。次に、発信器８から整合器９及び絶縁トランス１２を介して偶数段の電極板２０１と奇数段の電極板２０１とに位相が１８０゜異なる交流電力（例えば、１３．５６ＭＨｚ）が供給される。これにより、基板処理ガスが奇数段の電極板２０１の上面と被処理基板の間及び被処理基板の上面と偶数段の電極板２０１の下面との間でそれぞれプラズマ化され、プラズマ化された基板処理ガスによって各ウエハ２００が処理される。この場合、基板処理ガスがエッチングガスのときはウエハ２００がエッチングされ、基板処理ガスが成膜ガスのときはウエハ２００の表面に成膜が形成され、改質ガスのときはウエハ２００が改質される。いずれの場合でも基板処理ガスのプラズマ化によってガス中の反応成分の電子温度が高温になるのでダメージのない低温度での処理が可能となる。また、電極板２０１がウエハ２００よりも大径であり、ウエハ２００と電極板２０１とが同心に位置決めされているので、面内一様な処理がなされる。
【００３０】
なお、前記誘電材料としては石英（石英ガラス）が好ましい。石英は、耐熱性が高く、基板処理の際の反応ガス（原料ガスなどの基板処理ガス）や反応後の反応副生成物と非反応な材料で反応副生成物が付着し難いので、反応副生成物の剥離・落下に起因する汚染を防止することができる利点がある。
【００３１】
次に、図５及び図６も参照して本実施形態に係る基板処理装置について具体的に説明する。図６は電極板２０１の支持構造及び配線構造を示す解説図である。図４及び図５に示すように、ボート２１７の保持部材２１７ａの外周部には軸方向に所定間隔を隔てて溝部（以下、電極板支持用溝部という）２１７ｅが設けられ、各電極板支持用溝部２１７ｅに電極板２０１が支持されている。各電極板２０１は円板状に形成されている。被処理基板としてのウエハ２００は、前記電極板支持用溝部２１７ｅ間の中央に設けられた各保持部材２１７ａの溝部（以下、基板支持用溝部という）２１７ｄに支持されていている。複数の保持部材２１７ａは天板２１７ｂ及び底板２１７ｃの外周部の半分の領域に円周方向に間隔を隔てて配置され、電極板支持用溝部２１７ｅ及び基板支持用溝部２１７ｄは、複数の保持部材２１７ａに跨る同心上に形成されている。また、基板支持用溝部２１７ｄは、ボート２１７の中心側及び円周方向に臨んで開口している。このような構成とすると、電極板２０１と基板との挿抜が可能となり、また、ボート２１７の軸芯に対して電極板２０１とウエハ２００とを同心に配置することができる。
【００３２】
電極板２０１には、位置決め部及び通電部となるリード部２２０が一体に設けられる。偶数段の電極板２０１のリード部２２０ａは、各電極板２０１の外周部から所定長さ半径方向外側に延びた後、各電極板２０１の円周方向に沿って所定長さ延びており、奇数段の電極板２０１のリード部２２０ｂも各電極板２０１の外周部から所定長さ半径方向外側に延びた後、各電極板２０１の円周方向に沿って所定長さ延びている。この場合、奇数段の電極板２０１のリード部２２０ａと偶数段の電極板２０１のリード部２２０ｂとは、ボート２１７の円周方向において向きが反対となっている。
奇数段及び偶数段の電極板２０１のリード部２２０ａ，２２０ｂの先端部及び後端部には、それぞれ厚み方向に貫通する位置決め孔２２１が設けられる。奇数段の電極板２０１のリード部２２０ａの先端部間及び偶数段の電極板２０１のリード部２２０の先端部間に、電力供給機構として導電性材料から成る筒状のコマ（スペーサ又はカラーともいう）２２２ａが介設され、また、奇数段の電極板２０１のリード部２２０ｂの後端部と偶数段の電極板２０１のリード部２２０ａの後端部との間に誘電体からなる筒状のコマ２２２ｂが介設される。ボート２１７の上方側から各リード部２２０ａ，２２０ｂの先端部の各位置
決め孔２２１とコマ２２２ａとに位置決め機構として第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５をそれぞれ挿入すると、奇数段の電極板２０１及び偶数段の電極板２０１の勝手な回転が防止され、ボート２１７と同心に位置決めされる。なお、リード部２２０ａ，２２０ｂに前記位置決め孔２２１を２以上とし、２本の第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５とコマ２２０ａで奇数段の電極板、偶数段の電極板をそれぞれ位置決めするようにしてもよい。
【００３３】
第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５及びこれらが挿入される各コマ２２２ａは、各電極板２０１に交流電流を供給するために導電性材料、例えば、メタル、Ｓｉ、ＳｉＣで構成されている。そして、図６に示すように、第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５が挿入される各コマ２２２ａは、石英、セラミック等の誘電材料からなるカバー２２７で覆われていて電極板２０１との放電を防止するようになっており、さらに、リード部２２０ａ，２２０ｂが石英、セラミック等の誘電材料からなるカバー２４０で覆われていて放電を防止するようになっている。このため、電極棒を兼用する第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５に前記絶縁トランス１２、整合器９、発信器８からなるプラズマ処理装置を接続し、偶数段の電極板２０１と奇数段の電極板２０１とにそれぞれ位相が１８０°異なる交流電力を供給しても第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５と各電極板２０１との間の放電を防止することができる。
【００３４】
さらに、図６に示すように、第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５の下部は、最下位置の電極板２０１のリード部２２０ａよりも所定長さ下方に延びており、その外周面にナット２２８を螺入するための雄ねじ２２９が形成されている。また、第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５の上端にはナット状の頭部が一体に設けられている。第１位置決めピン２２４及び第２位置決めピン２２５の下部には、石英、セラミック等の誘電材料で構成された断面カップ状の放電防止部材２３０と、座板２３１とが挿入されると共に、座板２３１に着座する丸型などの接続端子２３２が挿入される。座板２３１は最下位置に配置されたコマ２２２ａの下端面に接触して電気的に導通するようになっている。座板２３１の挿入後、前記第１位置決めピン２２４及び第２位置決めピン２２５の下部には、さらに、接続端子２３２に着座する第１座金２３３と、この第１座金２３３に着座されるスプリング２３４と、スプリング２３４に着座する第２座金２３５が挿入され、この後、ナット２２８が螺入される。ナット２２８によりスプリング２３４のセットフォースを調節し、蓄積された弾性力で接続端子２３２、座板２３１、最下位置のコマ２２２ａの下端面に押圧するとこれらが互いに偏りなく密着すると同時に、スプリング２３４、座板２３１及び接続端子２３２が密着する。したがって、常温（例えば、２０℃）でナット２２８によるスプリング２３４のセットフォースを調節すると、基板処理の際の熱によって第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５にそれぞれ線膨張（熱膨張）が生じた場合でも、スプリング２３４の弾圧力が増加して接続端子２３２、座板２３１、各コマ２２２ａ間の導通と、スプリング２３４、座板２３１、接続端子２３２の導通とが保持される。
［本実施形態の効果］
このように本実施の形態に係るボート２１７及び電極板２０１の位置決め構造及びプラズマ発生装置の配線構造によれば、電極板２０１毎に複数のボルト１７で位置決めし、通電する従来の構造と比べて作業箇所が少なく簡単かつ容易に終了するので、作業性が格段に向上するという効果があり、また、熱膨張によっても電気的な導通を維持できるという効果がある。
【００３５】
なお、本実施の形態では、第２の位置決めピン２２５を共用で使用するため、リード部２２０ａとリード部２２０ｂと円周方向において逆向きとし、リード部２２０ａの後端部とリード部２２０ｂの後端部同士を対峙させる構成としたが、リード部２２０ａの後端部とリード部２２０ｂの後端部とを円周方向において離間させ、リード部２２０ａ、リード
部２２０ｂの先端部同士、後端部同士を図６で説明したように、第１の位置決めピン２２４又は第２の位置決めピン２２５及びコマ２２２ａを介して位置決めするようにしてもよい。また、奇数段の電極板２０１の上面に、誘電体から成る支持部材、例えば、コマを介して支持してもよいし、さらに、ウエハ２００と電極板２０１とを互いに別々の保持部材により支持させるようにしてもよい。
【００３６】
また、第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５のうち、少なくとも１本、例えば、偶数段、奇数段のリード部２２０の後端部を貫通する位置決めピンがボート２１７の天板２１７ｂを貫通させて底板２１７ｃに螺入させる構成さしてもよい。このようにすると、ボート２１７と各電極板２０１とを一体化することができので、前記ツイーザ１２５ｃによる被処理基板の出し入れが容易になる。
【００３７】
また、各電極板２０１には、プラズマ生成に障害のない位置に、基板処理ガスを通す開口（スリットを含む）を形成してもよい。このようにすると原料ガスが開口を流通するので、反応室１の下方側から上方へ向けて基板処理ガスを供給する場合に、均一な基板処理が可能になる。
【００３８】
［付記］
以下に、本発明の実施の態様を付記する。
【００３９】
（実施態様１）
反応室内に被処理基板を所定の間隔をおいて多段に且つ同心に配置する共に、処理ガスを供給し、所定の圧力の下で前記被処理基板を処理する基板処理装置であって、前記被処理基板の各々の表面から所定の距離にプラズマを発生させて基板を処理する電極体（電極板）を配置し、前記各電極体には互いを同心に位置決めさせる位置決め部（リード部）を設け、前記各位置決め部にはこれらを一括に位置決めする位置決め機構（第１位置決めピン等）を設けた基板処理装置。このように構成すると、位置決め機構により多段に配置された電極体の位置決め部が一括して位置決めされるので、作業時間が短縮される。また、各被処理基板に対して電極板２０１が同心に位置決めされるので、各基板に対して均一なプラズマ処理がなされる。
【００４０】
（実施態様２）
実施態様１記載の基板処理装置において、前記位置決め機構が位置決めピン（第１位置決めピン又は第２位置決めピン）からなり、該位置決めピンの周囲に前記電極体に電力を供給する電力供給機構（コマ）が設けられた基板処理装置。ここで、位置決めピンには、差込ピンやロッドが該当する。ピンやロッドの断面は特に限定されない。電力供給機構から各電極体に電力、具体的には交流電力が供給されると、被処理基板と電極板２０１間の基板処理雰囲気がプラズマ化される。
【００４１】
（実施態様３）
実施態様１又は実施態様２記載の基板処理装置において、前記電力供給機構（コマ）の周囲に誘電体からなるカバーが設けられた基板処理装置。このようにカバーが設けられると、電極板２０１と電力供給機構からの放電が防止される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。
【図２】本実施の形態に係る基板処理装置を側面から見た透視図である。
【図３】本実施形態に係る基板処理装置の基本構成を示す解説図である。
【図４】天井を取り除いた状態の基板処理装置の平面図である。
【図５】本実施の形態に係るボートの構造及びプラズマ処理装置の構成を示す。
【図６】本実施の形態に係る電極板の位置決と配線の構造を示す解説図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の基礎となる基板処理装置の縦断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の基礎となる基板処理装置を示し、天井を取り除いた状態の基板処理装置の平面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の基礎となる基板処理装置を示し、本実施の形態に係る電極板の位置決め構造及び配線構造を示す解説図である。
【符号の説明】
【００４３】
１        反応室
２１７    ボート
２１７ａ  保持部材
２０１    電極板（電極体）
２２０    リード部（位置決め部）
２２４    位置決めピン（位置決め機構）
２２５    位置決めピン（位置決め機構）
２２６    位置決めピン（位置決め機構）
２２７    カバー
２３０    放電防止部材
２３４    スプリング（弾発生手段）
【図１】
2008205243.tif 000003
【図２】
2008205243.tif 000004
【図３】
2008205243.tif 000005
【図４】
2008205243.tif 000006
【図５】
2008205243.tif 000007
【図６】
2008205243.tif 000008
【図７】
2008205243.tif 000009
【図８】
2008205243.tif 000010
【図９】
2008205243.tif 000011