(57)【要約】【課題】  半導体装置に搭載される半導体チップのマウント位置ずれを低減する。【解決手段】  半導体装置３０には、インナリード１ａ乃至１ｃ、リード端子２ａ乃至２ｃ、ベッド３、半導体チップ５、及びモールド樹脂１０が設けられる。ベッド３の中央部には四角錐凹部４が設けられ、四角錐凹部４上には正方形の半導体チップ５が接着層８を介して載置される。四角錐凹部４は、中央部が一番深く、両端部に向かって四角錐角度αを有し、端部の一辺が四角錐凹部寸法Ｘｍを有する正四角錐状の構造を有する。インナリード１ａ乃至１ｃ、ベッド３、四角錐凹部４、半導体チップ５、チップ端子６ａ乃至６ｃ、及びボンディングワイヤ７ａ乃至７ｃはモールド樹脂１０で封止される。【選択図】  図１
2008205301.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームと、
前記リードフレームのベッドの上面に設けられ、上面側に開口を有する四角錐形状の凹部と、
前記凹部の上方に設けられた接着層と、
前記凹部の上方に前記接着層を介して前記ベッドに接着固定され、前記凹部の開口部より小さく、上面側からみたときに前記開口部の内側に配置された半導体チップと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
リードフレームと、
前記リードフレームのベッドの上面に設けられ、底部が平坦で、端部の底部よりも端部の上部が広い四角錐台形状の、上面側に開口を有する凹部と、
前記凹部の上方に設けられた接着層と、
前記凹部の上方に前記接着層を介して前記ベッドに接着固定され、前記凹部の開口部より小さく、上面側からみたときに前記開口部の内側に配置された半導体チップと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板の上面に設けられ、上面側に開口を有する四角錐形状の凹部と、
前記凹部の上方に設けられた接着層と、
前記凹部の上方に前記接着層を介して前記基板に接着固定され、前記凹部の開口部より小さく、上面側からみたときに前記開口部の内側に配置された半導体チップと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板の上面に設けられ、底部が平坦で、端部の底部よりも端部の上部が広い四角錐台形状の、上面側に開口を有する凹部と、
前記凹部の上方に設けられた接着層と、
前記凹部の上方に前記接着層を介して前記基板に接着固定され、前記凹部の開口部より小さく、上面側からみたときに前記開口部の内側に配置された半導体チップと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記凹部の縁には、溝が設けられていることを特徴とする請求項１又は４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップなどの電子部品を基板にチップマウント（ダイボンディングとも呼称される）する場合、回転ずれやＸ、Ｙずれを低減して高精度にチップマウントする必要がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
チップマウント位置精度を向上させるために、例えば角錐コレットを用いてチップマウントすると半導体チップの材質や形状等により半導体チップに欠けや割れが発生する可能性がある。特に材質が脆い、例えばＧａＡｓ系の化合物半導体チップやＳｉ系のチップサイズの小さな半導体チップなどでは欠けや割れがより一層発生しやすくなる。欠けや割れが発生すると半導体チップを封止した導体装置の特性や信頼性が劣化するという問題点がある。
【特許文献１】特開２０００−７７４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、マウント位置ずれが低減された半導体チップが搭載される半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様の半導体装置は、リードフレームと、前記リードフレームのベッドの上面に設けられ、上面側に開口を有する四角錐形状の凹部と、前記凹部の上方に設けられた接着層と、前記凹部の上方に前記接着層を介して前記ベッドに接着固定され、前記凹部の開口部より小さく、上面側からみたときに前記開口部の内側に配置された半導体チップとを具備することを特徴とする。
【０００６】
更に、本発明の他態様の半導体装置は、リードフレームと、前記リードフレームのベッドの上面に設けられ、底部が平坦で、端部の底部よりも端部の上部が広い四角錐台形状の、上面側に開口を有する凹部と、前記凹部の上方に設けられた接着層と、前記凹部の上方に前記接着層を介して前記ベッドに接着固定され、前記凹部の開口部より小さく、上面側からみたときに前記開口部の内側に配置された半導体チップとを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体チップのマウント位置ずれが低減された半導体装置を提供するができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【０００９】
まず、本発明の実施例１に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図１は、樹脂封止型半導体装置を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う半導体装置の断面図である。本実施例では、リードフレームのベッドに四角錐凹部を設けている。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置３０には、インナリード１ａ乃至１ｃ、リード端子２ａ乃至２ｃ、ベッド３、半導体チップ５、及びモールド樹脂１０が設けられる。半導体装置３０は、リードフレームを用いた３端子樹脂封止型半導体装置である。
【００１１】
インナリード１ａは、一端がリード端子（アウタリードとも呼称される）２ａに接続され、他端がベッド３に接続される。インナリード１ｂはリード端子２ｂに接続され、インナリード１ｃはリード端子２ｃに接続される。ベッド３の第一主面の中央部には四角錐凹部４が設けられる。四角錐凹部４上には半導体チップ５が載置される。半導体チップ５にはチップ端子６ａ乃至６ｃが設けられる。なお、四角錐凹部４は半導体チップ５をチップマウント（ダイボンディングとも呼称される）するときの位置精度を向上させるために設けられたものである。ここでは、四角錐凹部４の上部端は、ベッド３の端部と平行に設けられている。インナリード１ａ乃至１ｃ、リード端子２ａ乃至２ｃ、及びベッド３には、銅（Ｃｕ）を用いている。
【００１２】
チップ端子６ａとベッド３はボンディングワイヤ７ａで接続され、チップ端子６ｂとインナリード１ｂはボンディングワイヤ７ｂで接続され、チップ端子６ｃとインナリード１ｃはボンディングワイヤ７ｃで接続される。ここで、インナリード１ａ乃至１ｃ、ベッド３、四角錐凹部４、半導体チップ５、チップ端子６ａ乃至６ｃ、及びボンディングワイヤ７ａ乃至７ｃは封止材としてのモールド樹脂１０で封止される。
【００１３】
図２に示すように、半導体装置３０では、半導体チップ５が四角錐凹部４に接着層８を介して載置される。接着層８は半導体チップ５をベッド３に接着固定する役割をする。モールド樹脂１０は、ベッド３、半導体チップ５、及び接着層８を覆うように周囲に設けられる。
【００１４】
半導体チップ５の形状は、一辺がチップ寸法Ｘｃの正方形である。四角錐凹部４は、ベッド３の上部に設けられ、中央部が一番深く、両端部に向かって四角錐角度αを有し、端部の一辺が四角錐凹部寸法Ｘｍを有する正四角錐状の構造を有する。接着層８の厚さは、四角錐凹部４の中央部で一番厚く、その厚さは接着層厚Ｔａである。接着層８には、Ｐｂ（鉛）フリー半田を使用しているが、比較的低温度で溶融する絶縁性接着剤や導電性接着剤などを使用してもよい。
【００１５】
ここで、チップ寸法Ｘｃと四角錐凹部寸法Ｘｍは、
Ｘｍ＞Ｘｃ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式（１）
に設定するのが好ましい。チップ寸法Ｘｃが四角錐凹部寸法Ｘｍ以上の場合、チップマウントの位置補正が困難となる。四角錐角度αは、
４０°≧α≧３０°・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式（２）
に設定するのが好ましい。四角錐角度αが３０°未満の場合、チップマウントの位置補正能力が低下する。四角錐角度αが４０°よりも大きな場合、チップマウント時やボンディング時の半導体チップにかかる衝撃が大きくなる。そして、接着層厚Ｔａが大きくなり、接着層８によりベッド３に半導体チップ５を接着固定するときに半導体チップ５のマウント位置が変動する可能性がある。このため、接着層厚Ｔａは、
４５μｍ≧Ｔａ≧５μｍ・・・・・・・・・・・・・・・・・・式（３）
に設定するのが好ましい。
【００１６】
次に、半導体装置の製造方法について図３乃至６を参照して説明する。図３は半導体装置の製造方法を示すフローチャート、図４は半導体チップのベッドへの載置を示す図、図５は半導体チップの位置ずれ補正を示す図、図５（ａ）は半導体チップの回転ずれ補正を示す図、図５（ｂ）は半導体チップのＸ、Ｙずれ補正を示す図である。ここで、半導体装置に封止される半導体チップは、図１及び図２に示した比較的チップサイズの小さなものである。
【００１７】
図３に示すように、まず、半導体素子などが形成された半導体ウエーハをブレードカット或いはレーザカットし、個片化された半導体チップに割れや欠けが発生しないように平型のコレットを用いて半導体チップ５をピックアップする。ここでは、割れや欠けが発生しやすい角錐コレットは使用していない。なお、四角錐凹部４の表面には予め接着層８が均一の形成されている（ステップＳ１）。
【００１８】
次に、図４に示すように、平型のコレット１１によりピックアップされた半導体チップ５をベッド３の四角錐凹部４に載置する。このとき、半導体チップ５の載置位置が所定の位置よりもずれて回転ずれが発生している場合、図５（ａ）に示すように、四角錐凹部４により回転ずれが自動補正され所定の位置に載置される（載置直後のチップ位置Ａから位置補正後のチップ位置Ｂに移動し、自動位置補正される）。半導体チップ５の載置位置が所定の位置よりもずれてＸ方向、Ｙ方向ずれが発生している場合、図５（ｂ）に示すように、四角錐凹部４によりＸ、Ｙずれが自動補正され所定の位置に載置される（載置直後のチップ位置Ｃから位置補正後のチップ位置Ｄに移動し、自動位置補正される）。
【００１９】
ここで、四角錐凹部４の縁に半導体チップ５の端部が載置されない場合、その端部は不安定となり安定な位置である四角錐凹部４の縁に移動するので自動補正されることとなる（ステップＳ２）。
【００２０】
続いて、接着層８を溶融させるために、例えばリフロー炉で熱処理を行い、半導体チップ５をベッド３に接着固定する。この熱処理で半導体チップ５直下の四角錐凹部４に空隙が発生しないように、ここでは、接着層８の塗布厚さを所定の厚さに予め設定している（ステップＳ３）。
【００２１】
そして、半導体チップ５のチップ端子６ａとベッド３、半導体チップ５のチップ端子６ｂとインナリード１ｂ、及び半導体チップ５のチップ端子６ｃとインナリード１ｃをそれぞれワイヤボンディングする。このワイヤボンディングにより半導体チップ５とリード端子２ａ乃至２ｃとは電気的に接続される（ステップＳ４）。
【００２２】
次に、モールド金型を用いてモールド樹脂１０でモールドし（ステップＳＳ５）、打ち抜き金型を用いてリード端子２ａ乃至２ｃを曲げ及びリードフレームから切断分離することにより半導体装置３０は製造され利用することができる（ステップＳ６）。
【００２３】
上述したように、本実施例の半導体装置では、インナリード１ａ乃至１ｃ、リード端子２ａ乃至２ｃ、ベッド３、半導体チップ５、及びモールド樹脂１０が設けられる。ベッド３の第一主面の中央部には四角錐凹部４が設けられ、四角錐凹部４上には正方形の半導体チップ５が接着層８を介して載置される。四角錐凹部４は、中央部が一番深く、両端部に向かって四角錐角度αを有し、端部の一辺が四角錐凹部寸法Ｘｍを有する正四角錐状の構造を有する。半導体チップ５をマウントする場合、予め接着層８が所定の厚さ形成されている四角錐凹部４上に載置される。
【００２４】
このため、平型のコレット１１を用いて半導体チップ５をピックアップし、チップマウントする場合、半導体チップ５に回転ずれやＸ方向、Ｙ方向ずれが発生しても自動補正され所定の位置に載置される。したがって、ピックアップやチップマウント工程などで半導体チップ５の欠けや割れの発生を防止しながら、高精度にチップマウントすることができ、従来よりも半導体装置の特性、歩留や信頼性を向上させることができる。
【００２５】
なお、本実施例では、正方形の半導体チップ５に適応するために四角錐凹部４を正四角錐形状にしているが、半導体チップが長方形の場合には、四角錐凹部４の形状を長方形の半導体チップを拡大した長方形（半導体チップと相似形）にするのが好ましい。この場合、半導体チップの端部及び相対向する斜め位置の端部を結ぶ直線と四角錐凹部４の縁とがチップマウント位置ずれがない場合には、直線上に配置される。また、半導体チップをリードフレームにチップマウントしているが、基板にチップマウントしてもよい。
【実施例２】
【００２６】
次に、本発明の実施例２に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図６は、樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。本実施例では、ベッド部の四角錐凹部の形状を変更し、比較的大きな半導体チップに対応できるようにしている。
【００２７】
図６に示すように、半導体装置３０ａでは、半導体チップ２３が四角錐台凹部４ａに接着層２２を介して載置される。接着層２２は半導体チップ２３を基板２１に接着固定する役割をする。モールド樹脂１０は、基板２１、半導体チップ２３、及び接着層２２を覆うように周囲に設けられる。
【００２８】
ここで、半導体チップ２３は実施例１の半導体チップよりも比較的大きなチップサイズを有する半導体集積回路チップである。基板２１にはセラミック基板を用いているが、金属基板などを用いてもよい。接着層２２には、Ｐｂ（鉛）フリー半田を使用しているが、比較的低温度で溶融する絶縁性接着剤や導電性接着剤などを使用してもよい。接着層２２は、基板２１の四角錐台凹部４ａに予め均一の厚さに形成され、半導体チップ２３のチップマウント後の熱処理により半導体チップ２３を基板２１に接着固定する。
【００２９】
半導体チップ２３の形状は、一辺がチップ寸法Ｘｃの正方形である。四角錐台凹部４ａは、基板２１の第一主面に設けられ、比較的幅が広く平坦な四角錐台凹部の底部寸法Ｘｍ２の底部を有し、端部に向かって四角錐角度αを有し、端部の一辺が四角錐台凹部の上部寸法Ｘｍ１を有する正四角錐台状の構造を有する。四角錐台凹部４ａの底部は、基板２１表面と平行に設けられている。接着層２２の厚さは、四角錐台凹部４ａの底部で一番厚く、その厚さは接着層厚Ｔａである。
【００３０】
なお、半導体チップ２３の形状が長方形の場合、四角錐台凹部４ａの形状を長方形の半導体チップを縮尺した長方形にする。この場合、半導体チップ２３の端部及び相対向する斜め位置の端部を結ぶ直線と四角錐台凹部４ａの縁とがチップマウント位置ずれがない場合には、直線上に配置される。
【００３１】
ここで、チップ寸法Ｘｃ、四角錐台凹部の上部寸法Ｘｍ１、及び四角錐台凹部の底部寸法Ｘｍ２は、
Ｘｍ１＞Ｘｃ＞Ｘｍ２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式（４）
に設定するのが好ましい。チップ寸法Ｘｃが四角錐台凹部の上部寸法Ｘｍ１以上の場合、及びチップ寸法Ｘｃが四角錐台凹部の底部寸法Ｘｍ２以下の場合、チップマウントの位置補正が困難となる。四角錐角度αは、実施例１と同様に４０°≧α≧３０°に設定するのが好ましい。また、接着層厚Ｔａは、実施例１と同様に４５μｍ≧Ｔａ≧５μｍに設定するのが好ましい。
【００３２】
上述したように、本実施例の半導体装置では、基板２１の第一主面に四角錐台凹部４ａが設けられる。四角錐台凹部４ａ上には比較的チップサイズの大きな正方形の半導体集積回路チップである半導体チップ２３が接着層２２を介して載置される。四角錐台凹部４ａは、比較的幅が広く平坦な四角錐台凹部の底部寸法Ｘｍ２の底部を有し、両端部に向かって四角錐角度αを有し、端部の一辺が四角錐台凹部の上部寸法Ｘｍ１を有する正四角錐状の構造を有する。半導体チップ２３をマウントする場合、予め接着層２２が所定の厚さ形成されている四角錐台凹部４ａ上に載置される。
【００３３】
このため、平型のコレットを用いて比較的チップサイズの大きな半導体チップ２３をピックアップし、チップマウントする場合、半導体チップ２３に回転ずれやＸ方向、Ｙ方向ずれが発生しても自動補正され所定の位置に載置される。したがって、ピックアップやチップマウント工程などで半導体チップ２３の欠けや割れの発生を防止しながら、高精度にチップマウントすることができ、従来よりも半導体装置の特性、歩留や信頼性を向上させることができる。
【００３４】
なお、本実施例では、半導体チップを基板にチップマウントしているが、リードフレームにチップマウントしてもよい。
【実施例３】
【００３５】
次に、本発明の実施例３に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図７は、樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームのベッドを示す平面図である。本実施例では、ベッド部の四角錐凹部の形状を変更している。
【００３６】
以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
【００３７】
図７に示すように、樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームのベッド３ａの第一主面には四角錐凹部４ｂが設けられる。四角錐凹部４ｂは、中央部が一番深く、両端部に向かって四角錐角度αを有し、端部の一辺が四角錐凹部寸法Ｘｍを有する正四角錐状の構造を有する。四角錐凹部４ｂの縁には、例えばＵ字状の溝からなる縁溝部１２が設けられる。四角錐凹部４ｂは、実施例１と同様に正四角錐であり、正四角形の半導体チップのチップマウントの位置補正手段として機能する。縁溝部１２は半導体チップのコーナ干渉防止として働く。また、縁溝部１２はチップマウント後の熱処理時の接着層の溶融ムラの発生を抑制し、チップマウントの位置精度の低下を抑制させる働きをする。
【００３８】
ここで、樹脂封止型半導体装置の構成は、四角錐凹部４ｂの形状が実施例１と異なるが、それ以外は実施例１と同様なので説明を省略する。なお、縁溝部１２を四角錐凹部４ｂの縁に一様に設けているが、適宜設置場所を修正し、例えば半導体チップが載置されない部分や接着層が形成されない部分では省略してもよい。
【００３９】
上述したように、本実施例に半導体装置では、リードフレームのベッド３ａには正四角錐の四角錐凹部４ｂが設けられ、四角錐凹部４ｂ上には正方形の半導体チップが接着層を介して載置される。四角錐凹部４ｂは、中央部が一番深く、両端部に向かって四角錐角度αを有し、端部の一辺が四角錐凹部寸法Ｘｍを有する正四角錐状の構造を有する。四角錐凹部４ｂの縁には、Ｕ字状の溝からなる縁溝部１２が設けられる。
【００４０】
このため、平型のコレットを用いて半導体チップをピックアップし、チップマウントする場合、縁溝部１２が半導体チップのコーナ干渉防止として働き、半導体チップに回転ずれやＸ方向、Ｙ方向ずれが発生しても実施例１よりも高精度に自動補正され所定の位置に載置される。したがって、ピックアップやチップマウント工程などで半導体チップの欠けや割れの発生を防止しながら、高精度にチップマウントすることができ、従来よりも半導体装置の特性、歩留や信頼性を向上させることができる。
【００４１】
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。
【００４２】
例えば、実施例では、樹脂封止型半導体装置に適用しているが、セラミック或いは金属基板を用い、セラミック或いは金属基板のベッド部分に四角錐凹部を設けたセラミック或いは金属キャップ等により封止された気密封止型半導体装置にも適用できる。
【００４３】
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  リードフレームと、前記リードフレームのベッドの第一主面に設けられ、中央部が一番深い四角錐形状で、四角錐の角度が３０°から４０°の範囲を有する四角錐凹部と、前記四角錐凹部上に設けられた接着層と、前記四角錐凹部上に前記接着層を介して前記ベッドに接着固定され、前記四角錐凹部の上部よりも小さな半導体チップと、前記ベッド、前記四角錐凹部、前記接着層、及び前記半導体チップを封止する封止材とを具備する半導体装置。
【００４４】
（付記２）  リードフレームと、前記リードフレームのベッドの第一主面に設けられ、底部が平坦で、端部の底部よりも端部の上部が広い四角錐台形状で、四角錐台の角度が３０°から４０°の範囲を有する四角錐台凹部と、前記四角錐台凹部上に設けられた接着層と、前記四角錐台凹部上に前記接着層を介して前記ベッドに接着固定され、前記四角錐台凹部の上部よりも小さな半導体チップと、前記ベッド、前記四角錐台凹部、前記接着層、及び前記半導体チップを封止する封止材とを具備する半導体装置。
【００４５】
（付記３）  基板と、前記基板の第一主面に設けられ、中央部が一番深い四角錐形状で、四角錐の角度が３０°から４０°の範囲を有する四角錐凹部と、前記四角錐凹部上に設けられた接着層と、前記四角錐凹部上に前記接着層を介して前記基板に接着固定され、前記四角錐凹部の上部よりも小さな半導体チップと、前記四角錐凹部、前記接着層、及び前記半導体チップを封止する封止材とを具備する半導体装置。
【００４６】
（付記４）  基板と、前記基板の第一主面に設けられ、底部が平坦で、端部の底部よりも端部の上部が広い四角錐台形状で、四角錐台の角度が３０°から４０°の範囲を有する四角錐台凹部と、前記四角錐台凹部上に設けられた接着層と、前記四角錐台凹部上に前記接着層を介して前記基板に接着固定され、前記四角錐台凹部の上部よりも小さな半導体チップと、前記四角錐台凹部、前記接着層、及び前記半導体チップを封止する封止材とを具備する半導体装置。
【００４７】
（付記５）  前記接着層の厚さは、５μｍから４５μｍの範囲である付記１乃至４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【００４８】
（付記６）  前記四角錐凹部の縁には、溝が設けられている付記１又は３に記載の半導体装置。
【００４９】
（付記７）  前記四角錐台凹部の縁には、溝が設けられている付記２又は４に記載の半導体装置。
【００５０】
（付記８）  前記半導体チップの形状が正方形の場合、前記前記四角錐凹部を正四角錐にし、前記半導体チップの形状が長方形の場合、前記四角錐凹部の形状を長方形の前記半導体チップと相似形にする付記１又は３に記載の半導体装置。
【００５１】
（付記９）  前記半導体チップの形状が正方形の場合、前記前記四角錐台凹部の上部を正方形にし、前記半導体チップの形状が長方形の場合、前記四角錐台凹部の上部形状を長方形の前記半導体チップと相似形にする付記２又は４に記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施例１に係る樹脂封止型半導体装置示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う半導体装置の断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図４】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す平面図。
【図５】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す平面図。
【図６】本発明の実施例２に係る樹脂封止型半導体装置を示す断面図。
【図７】本発明の実施例３に係る樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームのベッド示す平面図。
【符号の説明】
【００５３】
１ａ、１ｂ、１ｃ  インナリード
２ａ、２ｂ、２ｃ  リード端子
３、３ａ  ベッド
４、４ｂ  四角錐凹部
４ａ  四角錐台凹部
５、２３  半導体チップ
６ａ、６ｂ、６ｃ  チップ端子
７ａ、７ｂ、７ｃ  ボンディングワイヤ
８、２２  接着層
１０  モールド樹脂
１１  コレット
１２  縁溝部
２１  基板
３０  半導体装置
Ａ、Ｃ  載置直後のチップ
Ｂ、Ｄ  位置補正後のチップ
Ｔａ  接着層厚
Ｘｃ  チップ寸法
Ｘｍ  四角錐凹部寸法
Ｘｍ１  四角錐台凹部の上部寸法
Ｘｍ２  四角錐台凹部の底部寸法
α  四角錐角度
【図１】
2008205301.tif 000003
【図２】
2008205301.tif 000004
【図３】
2008205301.tif 000005
【図４】
2008205301.tif 000006
【図５】
2008205301.tif 000007
【図６】
2008205301.tif 000008
【図７】
2008205301.tif 000009