(57)【要約】【課題】ＡＣＦ等の接着剤を効率的に加熱して実装に要する時間を短縮するとともに、他の部品等に対する不所望な加熱を抑制できるようにする。【解決手段】複数の配線６が形成されたガラス基板１と、実装するＩＣチップ２との間に、ＡＣＦ３を介在させて、ガラス基板１の裏面からレーザ光を照射することにより、ＡＣＦ３を加熱して、配線６の電極部６ａとＩＣチップ２のバンプ電極５とを接続して実装するに際して、ガラス基板１のＩＣチップ２が実装される実装領域に、レーザ光を吸収して発熱する発熱体９を予め形成し、発熱体９の発熱によって、ＡＣＦ３を加熱するようにしている。【選択図】図２
2008205003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線が形成された基板と、該基板に実装する部品との間に、熱反応性の樹脂を含む接着剤を介在させて、レーザ光を照射することにより、前記接着剤を加熱して前記配線の電極部と前記部品の電極とを接続して実装する方法であって、
前記基板の前記部品が実装される実装領域に、前記レーザ光を吸収して発熱する発熱体を予め形成し、
前記発熱体の発熱によって、前記レーザ光を吸収して直接加熱される前記接着剤に対する、前記直接加熱以外の加熱量を増やすことを特徴とする実装方法。
【請求項２】
前記発熱体は、前記配線から孤立して形成されている請求項１に記載の実装方法。
【請求項３】
前記実装領域における前記発熱体が形成されている部分の投影面積の総和が、前記実装領域における前記配線が形成されている部分の投影面積の総和の３倍以上である請求項１に記載の実装方法。
【請求項４】
前記発熱体は、前記実装領域外の他の部品と電気的に分離されている請求項１に記載の実装方法。
【請求項５】
複数の前記配線の各電極部が、前記実装領域の周辺部にそれぞれ配置され、前記発熱体は、前記実装領域の前記各電極部の最外位置よりも内方に形成されている請求項１に記載の実装方法。
【請求項６】
複数の配線が形成された基板と、該基板に実装される部品との間に、熱反応性の樹脂を含む接着剤を介在させて、前記接着剤を加熱して前記配線の電極部と前記部品の電極とを接続してなる実装体であって、
前記基板の前記部品が実装される実装領域に、レーザ光を吸収して発熱する発熱体が形成され、
前記発熱体の発熱によって、前記レーザ光を吸収して直接加熱される前記接着剤に対する、前記直接加熱以外の加熱量を増やすものであることを特徴とする実装体。
【請求項７】
前記発熱体は、前記配線から孤立して形成されている請求項６に記載の実装体。
【請求項８】
前記実装領域における前記発熱体が形成されている部分の投影面積の総和が、前記実装領域における前記配線が形成されている部分の投影面積の総和の３倍以上である請求項６に記載の実装体。
【請求項９】
前記発熱体は、前記実装領域外の他の部品と電気的に分離されている請求項６に記載の実装体。
【請求項１０】
複数の前記配線の各電極部が、前記実装領域の周辺部にそれぞれ配置され、前記発熱体は、前記実装領域の前記各電極部の最外位置よりも内方に形成されている請求項６に記載の実装体。
【請求項１１】
複数の配線が形成され、熱反応性の樹脂を含む接着剤を介して、前記配線の電極部と実装される部品の電極とが接続されて、前記部品が実装される基板であって、
前記部品が実装される実装領域に、レーザ光を吸収して発熱する発熱体が形成され、
前記発熱体の発熱によって、前記レーザ光を吸収して直接加熱される前記接着剤に対する、前記直接加熱以外の加熱量を増やすものであることを特徴とする基板。
【請求項１２】
前記発熱体は、前記配線から孤立して形成されている請求項１１に記載の基板。
【請求項１３】
前記実装領域における前記発熱体が形成されている部分の投影面積の総和が、前記実装領域における前記配線が形成されている部分の投影面積の総和の３倍以上である請求項１１に記載の基板。
【請求項１４】
前記発熱体は、前記実装領域外の他の部品と電気的に分離される請求項１１に記載の基板。
【請求項１５】
複数の前記配線の各電極部が、前記実装領域の周辺部にそれぞれ配置され、前記発熱体は、前記実装領域の前記各電極部の最外位置よりも内方に形成されている請求項１１に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に部品を実装する方法、実装方法によって得られる実装体、および、実装に用いられる基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータ、その他各種モニタ用の画像表示装置として、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイが急速に普及してきている。
【０００３】
例えば、液晶表示装置は、液晶パネル、ＬＣＤドライバ、バックライトなどの周辺部材から構成され、液晶パネルは、一対のガラス基板のそれぞれの表面上に所定パターンの透明電極を形成し、液晶を挟んでそれらのガラス基板を互いに貼り合わせることによって形成される。液晶表示装置では、互いに対向する一対の透明電極によって画素が形成され、それらの透明電極に、ＬＣＤドライバのＩＣチップによって電圧を印加して画像を可視像化するように構成されている。
【０００４】
このＬＣＤドライバのＩＣチップの液晶パネルへの実装方法に関しては、従来より、種々の方法が知られているが、その中にＣＯＧ （Chip On Glass）方式と呼ばれる方法がある。
【０００５】
図１３は、ＣＯＧ方式の接合方法を説明するための断面図である。
【０００６】
ガラス基板５０上には、配線５１が形成されるとともに、その端部が部品接続用の電極部５１ａとなっている。このガラス基板５０に実装されるＬＣＤドライバのＩＣチップ５２の下面には、バンプ電極５３が形成されている。
【０００７】
先ず、ガラス基板５０上に、接着剤、例えば、ＡＣＦ （Anisotropic Conductive Film）５４を貼り付け、さらに、そのＡＣＦ５４上にＩＣチップ５２を配置する。次に、ＩＣチップ５２に対して、所定温度に加熱されたヒータヘッド５５を押し付けることにより、ＩＣチップ５２をガラス基板５０上に熱圧着する。こうして、ＬＣＤドライバのＩＣチップ５２が液晶パネルのガラス基板５０に実装される。
【０００８】
かかる実装方法では、ヒータヘッド５５によって、ＩＣチップ５２を介してＡＣＦ５４を加熱するものであるために、ＡＣＦ５４が加熱されて熔融硬化するまでに時間を要するとともに、ＩＣチップ５２からガラス基板５０にかけて温度勾配が生じ、温度が低下すると、反りが発生するといった課題がある。
【０００９】
このため、本件出願人は、図１４に示すように、ガラス基板５０の裏面側から矢符で示すようにレーザ光を照射し、ガラス基板５０を透過したレーザ光によってＡＣＦ５４を直接加熱して熔融硬化させるとともに、加圧ヘッド５６で加圧して、ガラス基板５０に接合する方法を提案している（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２５３６６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記提案している方法では、ＡＣＦ５４等の接着剤の厚みが、例えば、数十μｍ程度と薄いために、照射されたレーザ光が、接着剤に充分に吸収されずに透過してしまい、接着剤の加熱効率に改善の余地があった。また、接着剤を透過したレーザ光が、ＩＣチップ５２等の部品にも吸収されて該部品が不所望に加熱されるという課題もある。
【００１１】
本発明は、上述のような点に鑑みて為されたものであって、ＡＣＦ等の接着剤を効率的に加熱して実装に要する時間を短縮することを目的とし、更に、他の部品等の不所望な加熱を抑制できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）本発明の実装方法は、複数の配線が形成された基板と、該基板に実装する部品との間に、熱反応性の樹脂を含む接着剤を介在させて、レーザ光を照射することにより、前記接着剤を加熱して前記配線の電極部と前記部品の電極とを接続して実装する方法であって、前記基板の前記部品が実装される実装領域に、前記レーザ光を吸収して発熱する発熱体を予め形成し、前記発熱体の発熱によって、前記レーザ光を吸収して直接加熱される前記接着剤に対する、前記直接加熱以外の加熱量を増やすものである。
【００１３】
ここで、配線が形成された基板としては、レーザ光が透過しやすい基板が好ましく、この基板には、ガラス基板、フィルム基板、フレキシブル基板、あるいは、シリコン基板などが含まれる。
【００１４】
部品には、ＩＣやトランジスタ等の能動部品、抵抗やコンデンサ等の受動部品、あるいは、基板やコネクタ等の補助部品などが含まれる。
【００１５】
熱反応性の樹脂を含む接着剤には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）やＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）などの異方導電性接着剤、あるいは、ＮＣＦ（Non Conductive Film）やＮＣＰ（Non Conductive Paste）などの非導電性接着剤が含まれる。
【００１６】
レーザ光は、基板の実装面とは反対側から照射するのが好ましいが、基板として、レーザ光が透過しにくいプリント配線基板などを用いるような場合には、プリント配線基板の実装面側から照射してもよい。
【００１７】
実装領域とは、部品が実装される領域をいい、基板と部品とが重なる領域をいう。
【００１８】
接着剤を介在させる領域は、実装領域と同じか、やや大きい方が好ましいが、小さくてもよい。
【００１９】
発熱体は、少なくとも実装領域に形成されていればよく、実装領域外に亘って形成されてもよい。
【００２０】
発熱体は、レーザ光を吸収して発熱しやすい材料からなるのが好ましく、例えば、アルミニウムや銅などが好ましい。
【００２１】
発熱体は、レーザ光の吸収に伴う発熱によって、接着剤を加熱するものであり、接着剤自身がレーザ光を吸収して直接加熱される以外の間接的（補助的）な加熱量を増やすものである。
【００２２】
したがって、この発熱体の発熱によって、基板側から接着剤を間接的に加熱する加熱量が、従来に比べて増大することになる。
この発熱体は、配線とは完全に分離したものであってもよいし、配線の一部、例えば、グランド配線などに接続されてもよい。
【００２３】
発熱体は、連続した形状であってもよいし、複数に分離した島状であってもよい。
【００２４】
発熱体は、配線の電極部の近傍に形成されるのが好ましく、複数の電極部の間に、入り込むように形成されてもよい。
【００２５】
発熱体は、配線と同一のプロセスで形成してもよいし、別のプロセスで形成してもよい。
【００２６】
本発明によると、基板の実装領域、すなわち、接着剤が介在する領域には、レーザ光を吸収して発熱する発熱体が予め形成されているので、レーザ光を照射すると、基板上の発熱体がレーザ光を吸収して発熱し、その上の接着剤を加熱するので、接着剤が、効率的に加熱されて熔融硬化し、従来に比べて、実装に要する時間を短縮することができる。
【００２７】
また、基板の実装面とは反対側からレーザ光を照射することにより、レーザ光が基板上の発熱体に吸収される分、接着剤を透過するレーザ光が少なくなるので、実装される部品が、接着剤を透過したレーザによって不所望に加熱されるのを抑制することができる。
【００２８】
（２）本発明の実装方法の一つの実施形態では、前記発熱体は、前記配線から孤立して形成されてもよい。
【００２９】
配線には、部品の電極に接続される電極部を含むものであり、電極部は、配線の端部であるのが好ましい。
【００３０】
配線から孤立とは、配線に連なっておらず、分離していることをいう。
【００３１】
この実施形態によると、発熱体は、配線から分離されて形成されているので、レーザ光を吸収して発熱した発熱体からの熱が、配線パターンを介して実装領域外へ放熱するのを防止して、接着剤を効率的に加熱することができる。
【００３２】
（３）本発明の実装方法の他の実施形態では、前記実装領域における前記発熱体が形成されている部分の投影面積の総和が、前記実装領域における前記配線が形成されている部分の投影面積の総和の３倍以上としてもよい。
【００３３】
発熱体が形成されている部分の投影面積の総和の上限は、実装領域における配線が形成されている部分以外のほぼ全体に発熱体を形成した場合の投影面積の総和となる。
【００３４】
この実施形態によると、実装領域における発熱体が占める面積が大きいので、発熱体が、レーザ光を吸収して発熱する発熱量、したがって、接着剤を加熱する加熱量を充分に確保できることになる。
【００３５】
（４）本発明の実装方法の更に他の実施形態では、前記発熱体は、前記実装領域外の他の部品と電気的に分離してもよい。
【００３６】
他の部品と電気的に分離しているとは、発熱体が、他の部品と電気的に接続されていないことをいう。
【００３７】
この実施形態によると、発熱体は、実装領域外の他の部品と接続されていないので、レーザ光を吸収して発熱した発熱体からの熱が、実装領域外に放熱するのを抑制し、接着剤を効率的に加熱できる。
【００３８】
（５）本発明の実装方法の一つの実施形態では、複数の前記配線の各電極部が、前記実装領域の周辺部にそれぞれ配置され、前記発熱体を、前記実装領域の前記各電極部の最外位置よりも内方に形成してもよい。
【００３９】
各電極部の最外位置よりも内方とは、複数の各電極部の外縁によって囲まれる領域内、すなわち、実装領域における複数の各電極部の外縁を仮想的に結んだ領域内をいう。
【００４０】
この実施形態によると、実装領域の周辺部の各電極部よりも内方に発熱体が形成されるので、発熱体が、実装領域の中央部でレーザ光を効率的に吸収して発熱し、接着剤を有効に加熱できる。
【００４１】
（６）本発明の実装体は、複数の配線が形成された基板と、該基板に実装される部品との間に、熱反応性の樹脂を含む接着剤を介在させて、前記接着剤を加熱して前記配線の電極部と前記部品の電極とを接続してなる実装体であって、前記基板の前記部品が実装される実装領域に、レーザ光を吸収して発熱する発熱体が形成され、前記発熱体の発熱によって、前記レーザ光を吸収して直接加熱される前記接着剤に対する、前記直接加熱以外の加熱量を増やすものである。
【００４２】
本発明によると、基板の実装領域には、レーザ光を吸収して発熱する発熱体が形成されているので、レーザ光を照射すると、基板上の発熱体がレーザ光を吸収して発熱し、接着剤が、効率的に加熱されて熔融硬化し、実装に要する時間を短縮することができる。
【００４３】
また、基板の実装面とは反対側からレーザ光を照射することにより、レーザ光が基板上の発熱体に吸収される分、接着剤を透過するレーザ光が少なくなるので、実装される部品が、接着剤を透過したレーザによって不所望に加熱されるのを抑制することができる。
【００４４】
（７）本発明の実装体の一つの実施形態では、前記発熱体を、前記配線から孤立して形成してもよい。
【００４５】
この実施形態によると、発熱体は、配線から分離されて形成されているので、レーザ光を吸収して発熱した発熱体からの熱が、配線パターンを介して実装領域外へ放熱するのを防止して、接着剤を効率的に加熱することができる。
【００４６】
（８）本発明の実装体の他の実施形態では、前記実装領域における前記発熱体が形成されている部分の投影面積の総和が、前記実装領域における前記配線が形成されている部分の投影面積の総和の３倍以上としてもよい。
【００４７】
この実施形態によると、実装領域における発熱体が占める面積が大きいので、発熱体が、レーザ光を吸収して発熱する発熱量、したがって、接着剤を加熱する加熱量を充分に確保できることになる。
【００４８】
（９）本発明の実装体の更に他の実施形態では、前記発熱体は、前記実装領域外の他の部品と電気的に分離してもよい。
【００４９】
この実施形態によると、発熱体は、実装領域外の他の部品と接続されていないので、レーザ光を吸収して発熱した発熱体からの熱が、実装領域外に放熱するのを抑制し、接着剤を効率的に加熱できる。
【００５０】
（１０）本発明の実装体の一つの実施形態では、複数の前記配線の各電極部が、前記実装領域の周辺部にそれぞれ配置され、前記発熱体を、前記実装領域の前記各電極部の最外位置よりも内方に形成してもよい。
【００５１】
この実施形態によると、実装領域の周辺部の各電極部よりも内方に発熱体が形成されるので、発熱体が、実装領域の中央部でレーザ光を効率的に吸収して発熱し、接着剤を有効に加熱できる。
【００５２】
（１１）本発明の基板は、複数の配線が形成され、熱反応性の樹脂を含む接着剤を介して、前記配線の電極部と実装される部品の電極とが接続されて、前記部品が実装される基板であって、前記部品が実装される実装領域に、レーザ光を吸収して発熱する発熱体が形成され、前記発熱体の発熱によって、前記レーザ光を吸収して直接加熱される前記接着剤に対する、前記直接加熱以外の加熱量を増やすものである。
【００５３】
本発明によると、基板の実装領域には、レーザ光を吸収して発熱する発熱体が形成されているので、レーザ光を照射すると、基板上の発熱体がレーザ光を吸収して発熱し、接着剤が、効率的に加熱されて熔融硬化し、実装に要する時間を短縮することができる。
【００５４】
また、基板の実装面とは反対側からレーザ光を照射することにより、レーザ光が基板上の発熱体に吸収される分、接着剤を透過するレーザ光が少なくなるので、実装される部品が、接着剤を透過したレーザによって不所望に加熱されるのを抑制することができる。
【００５５】
（１２）本発明の基板の一つの実施形態では、前記発熱体は、前記配線から孤立して形成されている。
【００５６】
この実施形態によると、発熱体は、配線から分離されて形成されているので、レーザ光を吸収して発熱した発熱体からの熱が、配線パターンを介して実装領域外へ放熱するのを防止して、接着剤を効率的に加熱することができる。
【００５７】
（１３）本発明の基板の他の実施形態では、前記実装領域における前記発熱体が形成されている部分の投影面積の総和が、前記実装領域における前記配線が形成されている部分の投影面積の総和の３倍以上としてもよい。
【００５８】
この実施形態によると、実装領域における発熱体が占める面積が大きいので、発熱体が、レーザ光を吸収して発熱する発熱量、したがって、接着剤を加熱する加熱量を充分に確保できることになる。
【００５９】
（１４）本発明の基板の更に他の実施形態では、前記発熱体を、前記実装領域外の他の部品と電気的に分離してもよい。
【００６０】
この実施形態によると、発熱体は、実装領域外の他の部品と接続されていないので、レーザ光を吸収して発熱した発熱体からの熱が、実装領域外に放熱するのを抑制し、接着剤を効率的に加熱できる。
【００６１】
（１５）本発明の基板の一つの実施形態では、複数の前記配線の各電極部が、前記実装領域の周辺部にそれぞれ配置され、前記発熱体を、前記実装領域の前記各電極部の最外位置よりも内方に形成してもよい。
【００６２】
この実施形態によると、実装領域の周辺部の各電極部よりも内方に発熱体が形成されるので、発熱体が、実装領域の中央部でレーザ光を効率的に吸収して発熱し、接着剤を有効に加熱できる。
【発明の効果】
【００６３】
本発明によれば、レーザ光を照射すると、基板上の発熱体がレーザ光を吸収して発熱し、その上の接着剤を加熱するので、接着剤が、効率的に加熱されて熔融硬化し、従来に比べて、実装に要する時間を短縮することができる。
【００６４】
また、基板の実装面とは反対側からレーザ光を照射することにより、レーザ光が基板上の発熱体に吸収される分、接着剤を透過するレーザ光が少なくなるので、実装される部品が、接着剤を透過したレーザによって不所望に加熱されるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６５】
以下、図面によって本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【００６６】
（実施形態１）
この実施形態では、例えば、図１の概略図に示すように、液晶パネルの一方のガラス基板１上に、ＬＣＤドライバのＩＣチップ２を、ＡＣＦ３を用いてＣＯＧ方式によって実装するものである。この実装の際に、図２の断面図に示すように、ガラス基板１の裏面側から矢符で示すようにレーザ光を照射してＡＣＦ３を加熱して熔融硬化させるとともに、後述の加圧ヘッド１３で加圧することにより、ＩＣチップ３の複数のバンプ電極５と、ガラス基板１上の複数の配線６の端部の電極部６ａとを接続し、これによって、図３に示す実装体７を得るものである。
【００６７】
この実施形態では、レーザ光の照射によって、ＡＣＦ３を効率的に加熱して実装に要する時間を短縮するとともに、ＩＣチップ２などを不所望に加熱しないようにするために、次のように構成している。
【００６８】
すなわち、ガラス基板１上には、図４の斜視図にも示されるように、ＩＣチップ２が実装される破線で示される矩形の実装領域８に、レーザ光を吸収して発熱することにより、ＡＣＦ３を加熱する発熱体９が、予め形成されている。
【００６９】
ガラス基板１上の矩形の実装領域８には、その対向する長辺に沿って、ＤＩＰタイプのＩＣチップ２の複数のバンプ電極５に対応する複数の電極部６ａが配列形成されている。発熱体９は、対向する複数の電極部６ａの間に、配線６から孤立した矩形パターンに形成されている。
【００７０】
このように孤立したパターンとすることにより、レーザ光を吸収した発熱体９からの発熱が、配線６のパターンを介して実装領域８外に放熱することがなく、発熱体９上のＡＣＦ３を効率的に加熱することができる。
【００７１】
発熱体９は、レーザ光の吸収による充分な発熱量を確保するために、実装領域８における発熱体９が形成されている投影面積、すなわち、平面に投影した矩形の面積が、実装領域８における電極部６ａを含む複数の配線６が形成されている部分の投影面積の総和の３倍以上になるように形成されるのが好ましい。
【００７２】
この発熱体９は、レーザ光を吸収して発熱し易い材料、例えば、アルミニウムや銅などの材料で構成されるのが好ましい。
【００７３】
この発熱体９は、ガラス基板１上の配線６のパターンと同様の製造プロセスで形成するのが好ましく、その厚さも配線６と同様の厚み、例えば、２０００Å〜３０００Å程度である。
【００７４】
この発熱体９は、レーザ光を吸収して配線６の電極部６ａ上のＡＣＦ３を効率的に加熱できるように、配線６の電極部６ａの近傍に形成するのが好ましく、例えば、図５の平面図に示すように、複数の電極部６ａ間に入り込むパターンに形成してもよい。
【００７５】
図６は、この実施形態の実装方法に用いる接合装置１０の概念図である。
【００７６】
この接合装置１０は、ＡＣＦ３に対して単色光であるレーザ光を照射するレーザ部１１と、ガラス基板１を支持するための支持台１２と、ガラス製加圧ヘッド１３と、ガラス製加圧ヘッド（光線分岐用プリズムタイプ）１４と、シリンダ１５と、レーザ部１６と、ダイクロック１７と、全反射ミラー１８と、測定部１９と、バックアップガラス２０と、接合装置１０全体を制御する制御部２１と、対象物を真空吸着するための真空吸着部２２とを備える。そして、シリンダ１５とガラス基板１との間にＩＣチップ２およびＡＣＦ３が挿入される。
【００７７】
レーザ部１１は、ＡＣＦ３に対して所定波長のレーザを照射する。具体的には、他の波長と比較して相対的にガラスに対して透過率が高く、発熱体９およびＡＣＦ３に対して吸収率が高い波長を選択するものとする。
【００７８】
シリンダ１５は、ガラス製加圧ヘッド１３，１４を介してＩＣチップ２とガラス基板１との接合において加圧するためのものである。
【００７９】
ガラス製加圧ヘッド１３，１４は、共にガラス製であり、レーザ部１１から照射されたレーザを透過する。そして、ガラス製加圧ヘッド１４において、レーザ光を分岐して全反射ミラー１８に出力する。なお、ガラス製加圧ヘッド１４としては、平面精度の高い加工品であるいわゆるオプティカルフラットやオプティカルウィンドウを用いることが可能である。
【００８０】
全反射ミラー１８は、ガラス製加圧ヘッド（光線分岐用プリズムタイプ）１４により出射されたレーザ光を反射する。ダイクロック１７は、全反射ミラー１８により反射したレーザ光をさらに反射させて測定部１９に入力させる。
【００８１】
測定部１９は、ダイクロック１７から入射されるレーザ光を受光して、その受光強度を測定する。
【００８２】
真空吸着部２２は、制御部２１の指示に基づいてガラス製加圧ヘッド１３に設けられた吸引孔から対象物である本例においてはＩＣチップ２を真空チャックする。これにより、ＡＣＦ３との接着の際の加圧により生じる可能性のあるアライメントずれを防止し、精度の高いアライメントが可能となる。
【００８３】
なお、本例において、レーザ部１６は、アライメント補正のためのレーザを照射するものであり、ダイクロック１７を通過したレーザは、全反射ミラー１８およびガラス製加圧ヘッド１３，１４を介してＩＣチップ２に照射される図が示されている。
【００８４】
また、図６においては、一例としてガラス製加圧ヘッド１３を介して一つの吸引孔と真空吸着部２２とが接続されている場合が示されているが、これに限られず複数の吸引孔を用いて真空チャックを行なうことも当然に可能である。
【００８５】
図７は、レーザ部１１を説明する概略ブロック図である。
この実施形態のレーザ部１１は、レーザ発振器２３と、ビームエキスパンダ２４と、ダイクロック２５と、スリット２６と、ビームサンプラー２７と、レーザミラー２８と、ビームエキスパンダ２９と、レーザラインジェネレータ３０と、アライメントレーザポインタ３１と、パワーメータ３２とを備える。
【００８６】
レーザ発振器２３は、一例として波長λ＝１０６４ｎｍ近傍のレーザを出射するＹＡＧレーザ等の固体レーザを用いることができる。また、レーザダイオードを用いることもできる。レーザ発振器２３から出射されたレーザは、ビームエキスパンダ２４により所定幅の平行光線へと偏向される。そして、ダイクロック２５を通過した後、スリット２６によりスリット幅の光線に絞られる。スリット２６通過後、ビームサンプラー２７により一部の光線が反射されてパワーメータ３２に入射される。パワーメータ３２は、入射された光線の受光強度を検出して、レーザ発振器２３から所望の光強度のレーザが出射されているかどうかを判断し、図示しないがレーザ発振器２３等を制御する制御部２１を介してレーザ発振器２３の出力を調整する。スリット２６を通過したレーザは、レーザミラー２８により反射されてビームエキスパンダ２９に入射される。ビームエキスパンダ２９は、入射されたレーザを集光して、ＡＣＦ３に対して照射する。
【００８７】
アライメントレーザポインタ３１は、アライメント調整のためのレーザを発振するレーザ発振器であり、たとえば可視光である波長が選択される。たとえば、本例においては、６９０ｎｍのレーザが用いられる。このアライメントレーザポインタ３１から出射されたレーザは、レーザラインジェネレータ３０により整形されてダイクロック２５を介してレーザ発振器２３から出射されたレーザと同様にＡＣＦ３に照射される。このレーザは、アライメント調整すなわち位置合わせのためのレーザであり、このレーザを用いて位置決め制御が行なわれる。なお、上記のレーザ部１１においては、レーザの反射用素子としてレーザミラー２８を用いた場合を説明したが、これに限られず、たとえば、レーザミラー２８の代わりにレーザの反射角度の微調整が可能ないわゆるガルバノミラーあるいはポリゴンミラー等を用いることも当然に可能である。
【００８８】
また、このレーザ部１１は、いわゆるレーザマーカであり、レーザ照射としては、試料載置テーブルである支持台１６上に位置決めされた所定の位置に任意の軌跡を描いてレーザ光を照射することが可能である。
【００８９】
一般的に、通常のレーザマーカはＣＡＤデータを用いて所定の位置に照射することができる。そのため、例えば、液晶表示パネルＬＣＤのＣＡＤデータをそのまま用いて照射箇所の位置決め制御を行なうことができる。レーザ光の照射軌跡としては薄膜が十分に加熱するようにエネルギを局部的に集中できるものが望ましい。なお、レーザ光の照射光量および／または照射軌跡を適宜に制御することにより接着強度を適切に調整することが可能であり、たとえば、いわゆるワブリング方式あるいは塗りつぶし方式を採用することも可能である。ワブリング方式による照射軌跡は照射スポットの中心を旋回させながら進めていくものである。一方、塗りつぶし方式とは多数の平行線により照射予定領域を埋め尽くすものである。当該技術については、一般的なものであるため本願明細書においてはその詳細な説明は省略する。
【００９０】
かかる接合装置１０を用いて、次のようにして実装が行われる。
【００９１】
先ず、上述の図２に示すように、ガラス基板１の配線６の電極部６ａと対応するＩＣチップ２のバンプ電極５とを対向させて、対応するそれぞれの電極の位置合わせが行なわれ、ガラス基板１の電極部６ａとＩＣチップ２のバンプ電極５との間に入れられたＡＣＦ３を挟みこむために、図６に示すシリンダ１５を用いて加圧ヘッド１３，１４と支持台１２との間でガラス基板１とＩＣチップ２とに加圧する。そして、レーザ部１１からのレーザ光が、ガラス基板１を通過して、発熱体９およびＡＣＦ３に照射される。このとき、実装領域に形成された発熱体９が、レーザ光を吸収して発熱し、この発熱によって、その上のＡＣＦ３を、間接的に加熱する。すなわち、ＡＣＦ３は、レーザ光を吸収してそれ自身が直接加熱される一方、発熱体９の発熱によって、間接的に加熱されることになる。これによって、発熱板９が形成されていない従来例に比べて、ＡＣＦ３に対する加熱量が増大し、ＡＣＦが熔融硬化するまでの時間が短くなり、実装に要する時間が短縮さるれる。
【００９２】
また、発熱体９が、レーザ光を吸収して発熱するので、ＡＣＦ３を透過するレーザ光が少なくなり、ＩＣチップ２が透過したレーザ光によって不所望に加熱されるのが抑制される。
【００９３】
なお、ＡＣＦ３の硬化後に加圧ヘッド１３による加圧を開放する。
【００９４】
ここで、電極の位置合わせは、ガラス基板１を通してＣＣＤカメラ（単にカメラとも称する）で撮影し、カメラで撮影した撮像画像を、例えば、ば制御部２１等において画像処理することにより実行することが可能である。本例においては、ガラス基板１の裏面側からカメラで撮影した場合、ガラス基板１とＩＣチップ２とを同時に撮像できるので電極の位置合わせは容易となるが、例えば、ガラス基板１およびＩＣチップに設けられた基準マーク等を用いて電極の位置合わせを実行することも可能であり、ＩＣチップ２の上側からのカメラの撮影によっても位置合わせが可能である。
【００９５】
（実施形態２）
上述の実施形態では、ＣＯＧ方式に適用したけれども、本発明は、ＣＯＦ（Chip On Film）方式にも適用できるものである。
【００９６】
図８は、ＣＯＦ方式に適用した実装体の平面図であり、図９は、そのＡ−Ａ断面図である。
【００９７】
ポリイミドなどからなるフィルム基板３３上には、電極部３４ａを有する配線３４が形成されており、このフィルム基板３３に実装されたＩＣチップ３５の下面には、図９に示すようにバンプ電極３６が形成されている。
【００９８】
フィルム基板３３のＩＣチップ３５が実装される実装領域には、上述の実施形態と同様に、配線３４から孤立して発熱体９−１が形成されており、実装の際のレーザ光を吸収して、ＡＣＦ３７を加熱するものである。その他の構成は、上述の実施形態と同様である。
【００９９】
（実施形態３）
上述の各実施形態では、ＩＣチップの実装に適用したけれども、本発明は、ＩＣチップに限らず、ＴＣＰ、あるいは、他の部品、例えば、接続用の補助部品であるフィルム基板などの実装にも適用できるものである。
【０１００】
図１０は、フィルム基板３８を、ガラス基板３９に実装した状態の平面図であり、図１１は、その断面図である。
【０１０１】
ガラス基板３９上の配線４０の端部の電極部４０ａとフィルム基板３８の配線４１の端部の電極部４１ａとは、図１１に示すようにＡＣＦ４２を介して接続される。
【０１０２】
この実施形態では、ガラス基板３９には、図１２の平面図に示すように、複数の配線４０の間には、複数の発熱体９−２がそれぞれ個別に形成されている。
【０１０３】
なお、他の実施形態として、ガラス基板３９に代えて、フィルム基板を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明は、各種の部品の基板への実装に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】ＣＯＧ方式の実装を説明するための斜視図である。
【図２】ＩＣチップのガラス基板への実装方法を説明するための断面図である。
【図３】実装体の断面図である。
【図４】ガラス基板の一部を示す斜視図である。
【図５】発熱体の他の例を示す平面図である。
【図６】実装方法に用いる接合装置の概念図である。
【図７】図６のレーザ部の概略ブロック図である。
【図８】本発明の他の実施形態の実装体の平面図である。
【図９】図８の断面図である。
【図１０】本発明の更に他の実施形態の実装体の要部の平面図である。
【図１１】図１０の断面図である。
【図１２】図１０のガラス基板の平面図である。
【図１３】従来例の実装方法を説明するための断面図である。
【図１４】レーザ光を用いた実装方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１，３９              ガラス基板
２，３５              ＩＣチップ
３，３７，４２        ＡＣＦ
５                    バンプ電極
６，３４，４０        配線
６ａ，３４ａ，４０ａ  電極部
７                    実装体
８                    実装領域
９，９−１，９−２    発熱体
３３，３８            フィルム基板
【図１】
2008205003.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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