(57)【要約】【課題】ガラス等の硬質材料からなる基板を用いた場合でも、薄型、軽量化を図ることができ、さらには湾曲した表示面を構成可能な電気光学装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置１は、電気光学パネル２を構成する一対の基板４ａ，４ｂと、前記電気光学パネル２の一方の基板４ａの外面側に設けられた冷却部材５と、前記冷却部材５に設けられた湾曲面５ａとを備え、前記一対の基板４ａ，４ｂは、硬質材料によって構成され、互いに対向する面とは反対側の面が薄型加工されてなり、前記冷却部材５の湾曲面５ａに対してそれぞれの基板を湾曲させた状態で取り付けられている。【選択図】図１
2008058489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学パネルを構成する一対の基板と、前記電気光学パネルの一方の基板の外面側に設けられた冷却部材と、前記冷却部材に設けられた湾曲面とを備え、前記一対の基板は、硬質材料によって構成され、互いに対向する面とは反対側の面が薄型加工されてなり、前記冷却部材の湾曲面に対してそれぞれの基板を湾曲させた状態で取り付けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記一対の基板の厚みは、それぞれ５０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記一対の基板のうちの一方の基板上には発光素子が設けられており、前記冷却部材は、前記一方の基板の前記発光素子とは反対側の面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
電気光学パネルを構成する一対の基板と、前記一対の基板を貼り合わせる枠状のシール材とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学パネルの外面及び側面に、前記シール材によって囲まれた領域に対応した開口部を有するマスク材を配置する工程と、前記マスク材を介して前記一対の基板をエッチングし、前記マスク材が配置されない部分の基板の厚みを薄くする工程と、前記マスク材が配置された部分の基板を除去する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記一対の基板として、電気光学パネル複数分のパネル領域が設けられた大型基板を用い、前記マスク材を前記複数のパネル領域の境界部に配置し、前記マスク材が配置された部分の基板を除去することにより、前記一対の基板を個々のパネル領域毎に分離することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記マスク材が配置された部分の基板を除去する工程は、前記一対の基板にレーザ光を照射し、前記パネル領域の境界部を割断するレーザ割断法により行われることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれかの項に記載の電気光学装置又は請求項４〜６のいずれかの項に記載の電気光学装置の製造方法により製造されてなる電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス等の硬質材料からなる基板を用いて湾曲した表示面を構成可能な電気光学装置とその製造方法並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置等に代表される電気光学装置は、軽量、薄型、低消費電力の特徴を生かして各種分野で利用されている。中でも、自発光素子である有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を画素として用いた有機ＥＬ装置は、高コントラスト、広視野角な表示が可能なことから、携帯情報端末、計測機器、ＰＣモニタ等の種々の電子機器への適用が検討されている。
【０００３】
このような電気光学装置には、より一層の薄型化が要求されており、かかる要求に対応するために、電気光学装置用基板としてプラスチック基板を用いることが提案されている。しかしながら、プラスチック基板は耐熱温度が低いため、半導体プロセスを利用して基板上に配線や電極を形成することができないという問題がある。また、プラスチック基板は耐湿性が低いため、有機ＥＬ装置に適用した場合には、ダークスポット等の不良を生じる可能性がある。一方、電気光学装置用基板として最初から薄いガラス基板を用いた場合には、その自重による基板の撓み等の問題から、搬送等が困難となり、製造歩留りを低下させる原因となる。
【０００４】
そこで、特許文献１〜５では、電気光学装置を構成する一対の基板の外面をエッチングして厚さを薄くする方法が提案されている。この方法によれば、パネルを組み上げるまで厚いガラス基板を使用するため、最初から薄い基板を用いる場合に比べて、製造工程中における基板の割れ、欠け等の問題が生じにくい。また、基板を５０μｍ程度まで薄くすることで、フレキシブルな電気光学装置が実現でき、携帯電話機やＰＣモニタ等のデザインに曲面を取り入れることが可能になるとともに、電車や建物の湾曲した壁面へも搭載できるようになる。
【特許文献１】特開２００５−２２２７８９号公報
【特許文献２】特開２００５−２２２９３０号公報
【特許文献３】特開２００６−１８２１７号公報
【特許文献４】特開２００６−１３３７５１号公報
【特許文献５】特開平７−７８６９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような製造方法で製造された電気光学装置においても、依然として市場で要求される十分な薄型化、軽量化を満足することはできない。特許文献１〜５の方法では、基板全体をエッチングするため、基板を薄くしすぎると、僅かな衝撃に対しても端部の割れ、欠け等が発生し、製造歩留まりを低下させる惧れがあるからである。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ガラス等の硬質材料からなる基板を用いた場合でも、薄型、軽量化を図ることができ、さらには湾曲した表示面を構成可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、そのような電気光学装置を備えることにより、薄型化、軽量化を達成でき、さらには曲面表示が可能な表示部を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の電気光学装置は、電気光学パネルを構成する一対の基板と、前記電気光学パネルの一方の基板の外面側に設けられた冷却部材と、前記冷却部材に設けられた湾曲面とを備え、前記一対の基板は、硬質材料によって構成され、互いに対向する面とは反対側の面が薄型加工されてなり、前記冷却部材の湾曲面に対してそれぞれの基板を湾曲させた状態で取り付けられていることを特徴とする。
この構成によれば、ガラス等の硬質材料からなる基板を用いた場合でも、薄型、軽量化を図ることができ、さらには放熱性、柔軟性にも優れた電気光学装置を提供できる。この基板は、厚い基板を薄型化することにより形成されたものであるため、電気光学パネルを製造する途中までは厚い基板を使用することができる。このため、最初から薄い基板を用いる場合に比べて、製造工程中の基板の割れ、欠け等の問題が生じにくくなり、歩留まりの高い電気光学装置が提供できる。また、電気光学パネルの一面側に冷却部材を設置しているため、電気光学パネルの発熱に伴う輝度むら等が防止され、大面積で表示させることのできる電気光学装置が提供できる。さらに、基板を薄型化して放熱性を高めているので、冷却ファン等の他の冷却機構が省略でき、モジュールの小型化及び消費電力の低減に寄与することができる。
【０００８】
本発明においては、前記一対の基板の厚みは、それぞれ５０μｍ〜１００μｍであることが望ましい。
１００μｍよりも厚くなると、高い放熱性及び柔軟性が得られなくなり、５０μｍよりも薄くなると、基板自体が有しているピンホール等の影響によって、防湿性が阻害される可能性があるからである。
【０００９】
本発明においては、前記一対の基板のうちの一方の基板上には発光素子が設けられており、前記冷却部材は前記一方の基板の前記発光素子とは反対側の面に設けられていることが望ましい。
この構成によれば、冷却部材を発光素子が設けられた基板に設けているので、他方の基板に設ける場合に比べて、発光素子からの熱を放出し易い。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法は、電気光学パネルを構成する一対の基板と、前記一対の基板を貼り合わせる枠状のシール材とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板の外面及び側面に、前記シール材によって囲まれた領域に開口部を有するマスク材を配置する工程と、前記マスク材を介して前記一対の基板をエッチングし、前記マスク材が配置されない部分の基板の厚みを薄くする工程と、前記マスク材が配置された部分の基板を除去する工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、ガラス等の硬質材料からなる基板を用いた場合でも、薄型、軽量化を図ることができ、さらには放熱性、柔軟性にも優れた電気光学装置を提供できる。この基板は、厚い基板を薄型化することにより形成されたものであるため、電気光学パネルを製造する途中までは厚い基板を使用することができる。また、マスク材が配置された部分は基板の厚みが厚くなるため、この部分が補強部材として機能し、製造工程中の電気光学パネルの機械的強度を補強することができる。このため、最初から薄い基板を用いる場合に比べて、製造工程中の基板の割れ、欠け等の問題が生じにくくなり、歩留まりの高い電気光学装置が提供できる。さらに、基板を薄型化して放熱性を高めているので、冷却ファン等の他の冷却機構が省略でき、モジュールの小型化及び消費電力の低減に寄与することができる。
【００１１】
本発明においては、前記一対の基板として、電気光学パネル複数分の電極が設けられた大型基板を用い、前記マスク材を前記複数のパネル領域の境界部に配置し、前記マスク材が配置された部分の基板を除去することにより、前記一対の基板を個々のパネル領域毎に分離することが望ましい。
この方法によれば、梁部の切断と電気光学パネルの分離とを同時に行うことができるため、製造工程が簡略化される。
【００１２】
本発明においては、前記マスク材が配置された部分の基板を除去する工程は、前記一対の基板にレーザ光を照射し、前記パネル領域の境界部を割断するレーザ割断法により行われることが望ましい。
この方法によれば、スクライブブレイク法等の機械的切断法を用いる場合に比べて、基板を切断する際の圧力や振動等によって基板が破損等する惧れが少ない。このため、歩留まりの高い製造方法が提供できる。
【００１３】
本発明の電子機器は、前述した本発明の電気光学装置又は前述した本発明の電気光学装置の製造方法により製造されてなる電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、薄型化、軽量化を達成でき、さらには曲面表示が可能な表示部を備えた電子機器を提供できる。かかる電子機器としては、有機ＥＬディスプレイやプラズマディスプレイ等の自発光型ディスプレイ、液晶ディスプレイ等の非発光型ディスプレイ等があり、いずれの場合も、表示品質が高く、歩留まりの高いディスプレイが提供できる。また、バックライト等の照明装置や、光プリンタのプリンタヘッド（ラインヘッド）等としても使用でき、表示装置以外の種々の電子機器への適用が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００１５】
また、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。この際、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。
【００１６】
［第１の実施の形態］
［有機ＥＬ装置の全体構成］
図１は、本発明の電気光学装置の一例である有機ＥＬ装置の分解斜視図である。有機ＥＬ装置１は、電気光学パネルである有機ＥＬパネル２と、該有機ＥＬパネル２と電気的に接続された配線基板３と、有機ＥＬパネル２の表示面側とは反対側に設けられた冷却部材５とを備えている。有機ＥＬ装置１には、配線基板３等の他にも、フレームその他の付帯機器が必要に応じて付設されるが、図１ではそれらの図示を省略している。
【００１７】
有機ＥＬパネル２は、第１基板４ａと、該第１基板４ａと対向する第２基板４ｂとを備えている。第１基板４ａ又は第２基板４ｂのうち一方の基板上には、印刷等によりシール材６が矩形枠状に形成されている。そして、このシール材６により、第１基板４ａと第２基板４ｂとが貼り合わされている。シール材６の内部には、図示略のギャップ材が混入されており、このギャップ材によって、第１基板４ａと第２基板４ｂとの間が一定の間隔に保持されている。
【００１８】
シール材６の内側には、表示領域９が設けられている。シール材６と表示領域９との間には、データ線駆動回路８が第１基板４ａの１辺（図示−Ｙ側の辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路７，７が形成されている。第１基板４ａの残る１辺（図示＋Ｙ側の辺）には、走査線駆動回路７，７間を接続する図示略の複数の配線が形成されている。
【００１９】
表示領域９には、Ｙ軸方向に延びる複数の走査線１０１が互いに均等な間隔でＸ軸方向に配列されている。また、走査線１０１と交差してＸ軸方向に延びる複数のデータ線１０２が互いに均等な間隔でＹ軸方向に配列されている。走査線１０１とデータ線１０２とが交差する部分は、表示の最小単位、すなわち表示ドットを構成している。そして、この表示ドットが複数個マトリクス状に配列することによって、全体の表示領域９が構成されている。各々の表示ドットには、必要に応じてＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子により、複数の表示ドットがマトリクス駆動されるようになっている。
【００２０】
なお、図１では、走査線１０１及びデータ線１０２の配列状態を分かり易く示すために、各配線の間隔を実際よりも広く描いてあるが、実際には、走査線１０１及びデータ線１０２は、より狭い間隔で多数本が基材上に形成されている。また、第１基板４ａ上には共通給電線等の他の配線も形成されているが、それらの図示は省略している。
【００２１】
第１基板４ａには、第２基板４ｂの外側へ張り出す張出し部４が設けられている。張出し部４には、走査線駆動回路７，７及びデータ線駆動回路８と電気的に接続された複数の外部接続端子４１が設けられている。張出し部４には、配線基板３が実装されており、張出し部４の外部接続端子４１と配線基板３の端子３２とが、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film；ＡＣＦ）等の導電部材３４を介して電気的に接続されている。
【００２２】
配線基板３は、可撓性を有するプラスチック製の基材３０を備えている。基材３０上には、有機ＥＬパネル２側の辺端部に複数の端子３２が形成されており、有機ＥＬパネル２とは反対側の辺端部に図示略の制御基板と接続するための複数の端子が形成されている。また、基材３０上の広い範囲に配線３３が形成されており、配線３３は、一方で制御基板側の端子に接続され、他方で有機ＥＬパネル２側の端子３２に接続されている。また、配線３３にはＩＣパッケージ等の電子部品３１が接続されており、有機ＥＬパネル２には、制御基板から直接に又は電子部品３１を介して間接的に、表示画像等に関わる各種の信号が供給されるようになっている。
【００２３】
図１において、第１基板４ａの外面（第２基板４ｂとは反対側の面、図示−Ｚ側の面）には放熱面２０が形成されている。放熱面２０は、ガラス等の硬質材料からなる第１基板４ａの外面にエッチング、研磨等の薄型加工処理を施し、基板の厚みを薄型化することにより形成されたものである。放熱面２０は第１基板４ａの外面全体に形成されており、表示領域９、走査線駆動回路７，７及びデータ線駆動回路８で生じた熱を外部に放熱できるようなっている。また、放熱面２０には、冷却部材である冷却板５が取り付けられており、放熱面２０から放出された熱を効率的に外部に放出できるようになっている。
【００２４】
第２基板４ｂの外面（第１基板４ａとは反対側の面、図示＋Ｚ側の面）には、放熱面２１が形成されている。放熱面２１は、ガラス等の硬質材料からなる第２基板４ｂの外面にエッチング、研磨等の薄型加工処理を施し、基板の厚みを薄型化することにより形成されたものである。放熱面２１は、第２基板４ｂの外面全体に形成されており、表示領域９、走査線駆動回路７，７及びデータ線駆動回路８で生じた熱を外部に放熱できるようになっている。
【００２５】
放熱面２０及び２１が形成された部分の基板の厚みは、５０μｍ〜１００μｍであることが望ましい。１００μｍよりも厚くなると、高い放熱効果が得られなくなり、５０μｍよりも薄くなると、基板自体が有しているピンホール等の影響によって、基板の防湿性が阻害される可能性があるからである。
【００２６】
冷却板５は、アルミニウムやセラミックス等の熱伝導率の高い材料によって構成されている。冷却板５は、第１基板４ａ全体に設置されており、熱表示領域９、走査線駆動回路７，７及びデータ線駆動回路８で生じた熱を効率的に放熱できるようなっている。冷却板５は、有機ＥＬパネル２側に突出した湾曲面５ａを備えており、有機ＥＬパネル２はこの湾曲面５ａ上に湾曲した状態で取り付けられている。なお、図１では、冷却部材として冷却板５を設けたが、冷却部材は必ずしもこのようなものに限定されない。例えば、有機ＥＬパネル２の外面に筒状体を設置し、該筒状体の内部に冷却媒体を流通させて有機ＥＬパネル２を冷却するようにしても良い。
【００２７】
［有機ＥＬパネルの構成］
次に、図２を用いて、有機ＥＬパネル２の詳細構造を説明する。図２は有機ＥＬパネル２の１つの表示ドットの構成を示す概略構成図である。この有機ＥＬパネル２は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型の駆動方式を採用している。
【００２８】
有機ＥＬパネル２は、対向する一対の基板４ａ，４ｂと、該一対の基板４ａ，４ｂの間に設けられた接着層としての封止材１８とを備えている。第１基板４ａは、基体１０上に、回路素子としての薄膜トランジスタを含む回路素子部１４、陽極である画素電極１１１、発光層を含む発光部１１、陰極である対向電極１２及び保護膜１３を備えている。
【００２９】
基体１０としては、５０μｍ程度の厚みのガラス基板が用いられる。基板１０としては、ガラス基板の他に、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる種々の基板を適用することもできる。基体１０は、５００μｍ程度のガラス基板をエッチング等することにより、５０μｍ程度の厚みとされている。基体１０の外面は放熱面２０とされており、該放熱面２０には、図１に示した冷却板５が取り付けられている。発光部１１の発光に伴う熱は、基体１０を通して放熱面２０に伝えられ、冷却板５を介して外部に排出されるようになっている。
【００３０】
基体１０上には、発光領域としての複数のドット領域Ａがマトリクス状に配列されている。それぞれのドット領域Ａには画素電極１１１が配置されており、その近傍には信号線１０２、共通給電線１０３、走査線１０１及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。ドット領域Ａの平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用可能である。
【００３１】
ドット領域Ａには、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタ１２２と、該第１の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタ１２３と、該第２の薄膜トランジスタ１２３を介して共通給電線１０３に電気的に接続したときに共通給電線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１と、画素電極１１１と対向電極１２との間に挟み込まれる発光部１１と、が設けられている。発光部１１は、発光層としての有機ＥＬ層を含む層（機能層）を含み、発光素子である有機ＥＬ素子は、画素電極１１１、対向電極１２、及び発光部１１等を含んで構成される。
【００３２】
ドット領域Ａでは、走査線１０１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、この保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ１２３の導通状態が決まる。また、第２の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して共通給電線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに発光部１１を通じて対向電極１２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて、発光部１１が発光する。
【００３３】
第１基板４ａ上には、封止材１８が配置されており、該封止材１８上に第２基板４ｂが配置されている。第２基板４ｂは、基体１５上に、カラーフィルタ１６を備えている。カラーフィルタ１６は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色を所定のパターン、例えば、ストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列で配列することにより形成されている。カラーフィルタ１６の１つの色要素は、画像を形成するための最小単位である表示ドットの１つに対応して配置されている。そして、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する３つの色要素が１つのユニットとなって１つの画素が形成されている。
【００３４】
基体１５としては、５０μｍ程度の厚みのガラス基板が用いられる。基板１５としては、ガラス基板の他に、石英基板等の他の透光性の基板を適用することもできる。基板１５は、５００μｍ程度のガラス基板をエッチング等することにより、５０μｍ程度の厚みとされている。基体１５の外面は放熱面２１とされており、発光部１１の発光に伴う熱は、封止材１８及び基体１５を通して放熱面２１に伝えられ、外部に排出されるようになっている。また、基体１５としては、透湿性の低い材料が用いられている。これにより、第２基板４ｂが、第１基板４ａの発光素子が形成された面を封止する封止部材を兼ねる構成となっている。
【００３５】
第１基板４ａ及び第２基板４ｂの間には、封止材１８が配置されている。封止材１８としては、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止材１８は、図１のシール材６によって貼り合わされた第１基板４ａと第２基板４ｂとの間、すなわちシール材６の内部に混入されたギャップ材によって維持される空間（セルギャップ）に封入されており、第２基板４ｂは、シール材６及び封止材１８を介して第１基板４ａに接着されている。第１基板４ａの発光素子が形成された面は、封止材１８及び第２基板４ｂによって封止されており、水や酸素の侵入を防いで対向電極１２あるいは発光部１１の酸化を防止するようになっている。
【００３６】
有機ＥＬパネル２においては、発光部１１から対向電極１２側に発した光がカラーフィルタ１６を透過して基体１５の上側（観察者側）に射出されると共に、発光部１１から基体１０側に発した光が、画素電極１１１の下側に設けられた図示略の反射層（図３の符号１２６を参照）によって反射され、その光がカラーフィルタ１６及び基体１５を透過して基体１５の上側（観察者側）に射出される（トップエミッション型）。なお、カラーフィルタ１６及び画素電極１１１の下側に設けた反射膜を省略して、基体１０側から発光する光を射出させることもできる（ボトムエミッション型）。
【００３７】
図３は、有機ＥＬパネル２における表示領域の断面構造を拡大した図である。図３には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応する３つのドット領域が示されている。同図に示すように、第１基板４ａは、基体１０上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、画素電極（陽極）１１１、機能層１１０が形成された発光部１１、及び陰極１２を順次備えて構成されている。
【００３８】
基体１０上には、シリコン酸化膜からなる下地保護膜１０ｃが形成されている。下地保護膜１０ｃ上には、多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。さらに、基体１０上には、下地保護膜１０ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成されている。ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極（走査線）１４３が形成されている。ゲート電極１４３は、半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
【００３９】
ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には、透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂとが形成されている。層間絶縁膜１４４ａ，１４４ａとしては、例えば、ＳｉＯ２又はＳｉＮからなる透光性絶縁膜を適当な膜厚（例えば２００ｎｍ程度）としたものを採用することができる。第２層間絶縁膜１４４ｂと半導体膜１４１との間には、第１層間絶縁膜１４４ａ及びゲート絶縁膜１４２を貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。なお、下地保護膜２ｃから第２層間絶縁膜１４４ｂまでの層によって回路素子部１４が形成されている。
【００４０】
第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、Ａｌ等の光反射性材料からなる反射層１２６が島状又はストライプ状等の所定のパターンで形成されている。また、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、反射層１２６を覆って第３層間絶縁膜１４４ｃが形成されている。さらに、第３層間絶縁膜１４４ｃ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が島状に形成されている。第３層間絶縁膜１４４ｃとしては、例えば、ＳｉＯ２或いはＳｉＮからなる透光性絶縁膜を適当な膜厚としたものを採用することができる。
【００４１】
なお、図３の断面図には現われていないが、画素電極１１１の下には、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び第３層間絶縁膜１４４ｃを貫通するコンタクトホールが形成されている。画素電極１１１は、このコンタクトホールを介して第１層間絶縁膜１４４ａと接続されており、第１層間絶縁膜１４４ａ上に形成された図示略の導電部材を介してコンタクトホール１４５と接続されている。そして、これらのコンタクトホールを介して、画素電極１１１とＴＦＴ１２２とが接続されている。なお、他方のコンタクトホール１４６は共通給電線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、画素電極１１１に接続された半導体膜１４１を含む駆動用の薄膜トランジスタ１２２が形成されている。なお、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１２３も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００４２】
画素電極１１１上には、発光部１１が形成されている。発光部１１は、画素電極１１１上に積層された機能層１１０と、機能層１１０同士の間に配されて各機能層１１０を区画する隔壁１１２とを主体として構成されている。
【００４３】
機能層１１０は、少なくとも発光層を含む一又は二以上の層を含む。発光層を形成する発光材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。またカルバゾール(ＣＢＰ)などの低分子材料にこれらの低分子色素をドープして発光層とすることもできる。またトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）を電子輸送層として発光層の一部として加えることもできる。
【００４４】
機能層１１０は、赤色を発光可能な赤色発光材料、緑色を発光可能な緑色発光材料、及び青色を発光可能な青色発光材料の３種類の発光材料を含み、白色を発光するように構成されている。機能層１１０は表示領域全体を覆うように形成されており、各ドット領域Ａに共通の層となっている。機能層１１０から放射された白色光は、カラーフィルタ１６を透過することによって着色され、カラー表示が行われるようになっている。
【００４５】
なお、機能層１１０には、発光層以外の層をさらに形成してもよい。例えば、画素電極１１１と発光層との間に配置されて、画素電極１１１から供給された正孔を発光層に注入／輸送する正孔注入層を形成しても良い。また、対向電極１２と発光層との間に配置されて、対向電極１２から供給された電子を発光層に注入／輸送する電子注入層を形成しても良い。
【００４６】
隔壁１１２としては、酸化シリコン等の無機絶縁材料やアクリル樹脂等の有機絶縁材料が用いられる。また、このような無機物或いは有機物以外にも、有機・無機ハイブリッド材料からなる絶縁材料を用いることもできる。隔壁１１２は、画素電極１１１の周縁部に乗り上げるように形成されている。そして、隔壁１１２の開口部の内側に機能層１１０が形成されて、発光部１１が構成されている。隔壁１１２は、ドット領域間を絶縁し、有機ＥＬ素子の形成領域を規定している。
【００４７】
機能層１１０上には、基体１０の略全面を覆う対向電極１２が形成されている。対向電極１２としては、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）等を含む材料が用いられる。好ましくは、Ｍｇ及びＡｇ（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合した材料）からなる薄膜の透光性電極が好適に採用されるが、この他にも、Ｍｇ、Ａｇ及びＡｌからなる電極、Ｌｉ及びＡｌからなる電極、ＬｉＦ及びＡｌ電極等を用いることもできる。また、これらの金属薄膜とＩＴＯ等の透明導電材料を積層した膜を対向電極１２とすることもできる。さらに、対向電極１２上には、酸化シリコン、窒化シリコン等からなる酸化防止用の保護膜１３が形成されている。なお、発光素子である有機ＥＬ素子は、画素電極１１１、対向電極１２、及び機能層１１０等を含んで構成される。
【００４８】
トップエミッション型の有機ＥＬパネルでは、光取り出し効率を向上させるため対向電極１２が薄膜状に形成されるので、対向電極１２の導電性が低くなっている。そこで、対向電極１２の表面に、補助電極１２ｂを形成し、対向電極１２を補助電極１２ｂと電極本体部１２ａとからなる積層構造とすることができる。この補助電極１２ｂは、上述した電極本体部１２ａの導電性を補助するものであり、導電性に優れたＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属材料で構成されている。また補助電極１２ｂは、開口率の低下を防止するため、ドット領域Ａの周囲（ドット間領域）に配置されている。なお、補助電極１２ｂは、一方向にストライプ状に整列配置されていてもよく、二方向に格子状に整列配置されていてもよい。また、補助電極１２ｂを遮光膜として機能させることも可能である。
【００４９】
対向電極１２は、発光部１１で発光した光の一部を透過し残りの光を反射層１２６側に反射する、半透過反射膜として機能する。一般に、ＩＴＯ等の透光性導電膜は、機能層６０との界面で１０％〜５０％程度の反射率を有しており、特段の工夫を施さなければ、このような透光性導電膜を用いた対向電極１２は、上記のような半透過反射膜としての機能を有する。
【００５０】
反射膜１２６と対向電極１２との間の光学的距離は、ドット領域Ａで表示する色の発光波長と同じか、或いはその整数倍となるように設計されており、その結果、反射層１２６と対向電極１２とが、当該ドット領域Ａから取り出したい光に対して光共振器を構成するようになっている。有機ＥＬパネル２では、発光部１１で発光した光は、反射層１２６と対向電極１２との間で往復し、その光学的距離に対応した共振波長の光だけが増幅されて取り出される。このため、発光輝度が高く、スペクトルもシャープな光を取り出すことができる。
【００５１】
赤（Ｒ）、緑（Ｇ），青（Ｂ）の各ドット領域Ａから射出される光は、当該ドット領域Ａに形成された光共振器構造の共振波長、すなわち反射層１２６と対向電極１２との間の光学的距離に対応した波長の光である。この光学的距離は、反射層１２６と対向電極１２との間に配置される各層の光学的距離の総和として得られる。各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。各ドット領域Ａでは、それぞれ射出される光の色が異なるため、これらのドット領域Ａに設けられる光共振器構造の共振波長もそれぞれ異なったものとなっている。これらの共振波長は、本実施形態の場合、基体１０側の電極である画素電極１１１の膜厚によって調節されている。各ドット領域Ａにおける画素電極１１１の膜厚は、共振波長が最も大きくなる赤色ドット領域で最大となり、その次に緑色ドット領域、青色ドット領域の順で膜厚が小さくなっている。
【００５２】
これらのドット領域Ａでは、出力される光の色は画素電極１１１の膜厚によって調節されているので、発光部１１の材料は、必ずしも各色のドット領域Ａで異なっている必要はない。このため、各色のドット領域Ａの発光材料を白色発光材料によって共通化することができる。この場合、各色のドット領域Ａの各々について寿命を等しくすることができるので、長期間使用しても表示の色味が変わることはない。ただし、特定の波長の光以外は表示に寄与しないので、光利用効率を高めたい場合には、ドット領域毎に適切な発光材料を配置することもできる。すなわち、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色のドット領域Ａに対して、それぞれ赤色発光材料，緑色発光材料，青色発光材料を配置し、これらの発光材料のピーク波長に合わせて光共振器構造の光学的距離を調節すれば、光利用効率が高く、高輝度な表示が可能となる。
【００５３】
［有機ＥＬ装置の製造方法］
次に、有機ＥＬ装置１の製造方法について第１基板及び第２基板を薄型化する工程を中心に説明する。図４は、有機ＥＬパネル２ｐの表面にマスク材５０，５１を配置する工程の説明図、有機ＥＬパネル２ｐの外面に放熱面２０，２１を形成する工程の説明図、図６は放熱面２０，２１の外周部に設けた梁部を切断する工程の説明図、図７は梁部を切断した後の有機ＥＬパネル２の構成の説明図である。
【００５４】
まず、図４に示すように、第１基板４ａ及び第２基板４ｂよりも大きな基板４ａ′及び４ｂ′を用いて有機ＥＬパネル２′を製造する。そして、有機ＥＬパネル２′の表面に、マスク材である樹脂フィルム５０及び５１を貼着する。
【００５５】
第１基板４ａ′及び第２基板４ｂ′としては、第１基板４ａ及び第２基板４ｂよりも一回りサイズの大きな基板が用いられる。第１基板４ａ′及び第２基板４ｂ′の中央部には、第１基板４ａ及び第２基板４ｂとなる領域であるパネル領域が設けられており、その外周部には、パネルの製造に寄与しないダミー領域が設けられている。このダミー領域は、後述する梁部（補強部材）を構成するものである。
【００５６】
樹脂フィルム５０は、第１基板４ａ′の中央部に開口部５０ａを備えており、第１基板４ａ′の外面の中央部を除く全ての面を覆うようになっている。また、樹脂フィルム５１は、第２基板４ｂ′の中央部に開口部５１ａを備えており、第２基板４ｂ′の外面の中央部を除く全ての面を覆うようになっている。開口部５０ａ及び５１ａは、それぞれ有機ＥＬパネル２′のパネル領域に対応して設けられており、有機ＥＬパネル２′は、パネル領域である第１基板４ａ′の外面中央部及び第２基板４ｂ′の外面中央部を除く、有機ＥＬパネル２′の外面及び側面の全ての面が覆われるようになっている。樹脂フィルム５０及び５１としては、後述するエッチング液への耐性及び自己接着能力を有するフィルムが採用される。特に、帯電防止機能を備えた特殊ポリオレフィンフィルムが好適である。
【００５７】
なお、図４では、樹脂フィルム５０及び５１をダミー領域と同じ幅で額縁状に形成しているが、樹脂フィルム５０及び５１の幅はダミー領域の幅よりも狭くしてもよい。この場合、パネル領域よりも広い面積で基板がエッチングされるが、この部分は後工程で除去されるため、有機ＥＬパネル２の製造には影響しない。
【００５８】
次に、図５に示すように、樹脂フィルム５０及び５１が配置されない第１基板４ａ′及び第２基板４ｂ′の外面中央部をエッチングし、第１基板４ａ′及び第２基板４ｂ′の外面中央部の基板の厚みを薄くする。第１基板４ａ′及び第２基板４ｂ′の基材としては、５００μｍ程度の厚みのガラス基板が用いられる。そして、このガラス基板をフッ酸等のエッチング液でケミカルエッチングすることにより、５０μｍ程度にまで薄型化する。基板の厚みは薄ければ薄いほど放熱性及び柔軟性が高くなるが、薄くしすぎると、ガラス自体が持っているピンホールの影響で防湿性が不十分になるため、基板の厚みは５０μｍ〜１００μｍ程度の厚みとすることが望ましい。
【００５９】
この処理によって、第１基板４ａ′及び第２基板４ｂ′の外面中央部に放熱面２０及び２１が形成される。放熱面２０及び２１は、表示領域９、張出し部４、並びに走査線駆動回路７，７及びデータ線駆動回路８の配置される領域を含む第１基板４ａ及び第２基板４ｂの全ての領域に形成される。また、放熱面２０及び２１が形成されない基板外周部には、放熱面２０及び２１よりも基板の厚みの厚い梁部４ｃ及び４ｄが形成される。梁部４ｃ及び４ｄは、基板を薄くすることによって低下した基板の機械的強度を補強する補強部材であり、製造工程中の基板の割れ、欠けを防止するものである。
【００６０】
次に、図６に示すように、有機ＥＬパネル２′から樹脂フィルム５０及び５１を除去し、梁部４ｃ及び４ｄが形成された基板外周部をレーザ割断法を用いて切断する。具体的には、第１基板４ａ′及び第２基板４ｂ′の割断開始位置に切り欠きを形成し、この切り欠きの形成部からレーザ光Ｌの照射を開始する。そして、光源６０を基板面内で走査しながらレーザ光Ｌの照射スポットを図６に示した割断予定線Ｇ１〜Ｇ４に沿って移動させることにより、切り欠きの形成部から亀裂を割断予定線に沿って進行させ、基板を徐々に割断させて分割する。
【００６１】
このレーザ割断法は、レーザ照射によって基板に局所的な応力を発生させ、材料の融点以下の温度で亀裂の進行を生じさせるものである。このため、基板表面にスクライブ溝を形成し、このスクライブ溝に沿って外部応力を加えることにより基板を割断させるスクライブブレイク法に比べて、基板を切断する際の圧力や振動等によって基板に割れ、欠け等が生じる惧れが少ない。また、基板内部に加工痕が残らないため、曲げ応力に対してクラックが生じにくくなる。
【００６２】
このようにして製造された有機ＥＬパネル２は、図７に示すように、基板４ａ及び４ｂの厚みがそれぞれ５０μｍ程度の極めて薄いパネルである。このため、放熱性が高く、柔軟性にも優れたものとなる。また、基板の表面をエッチングし、基板内部の緻密な面を露出しているため、クラックの原因となる基板表面の傷を除去でき、さらに、割断面を加工痕のない状態で形成しているため、曲げ応力に対してクラックの生じにくい有機ＥＬパネルとなる。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、有機ＥＬパネルを構成する第１基板４ａ及び第２基板４ｂの双方を薄型化しているため、ガラス等の硬質材料からなる基板を用いた場合でも、薄型、軽量化を図ることができ、さらには放熱性、柔軟性にも優れた有機ＥＬ装置を提供できる。この基板４ａ，４ｂは、厚い基板を薄型化することにより形成されたものであるため、有機ＥＬパネルを製造する途中までは厚い基板を使用することができる。また、マスク材が配置された部分（梁部４ｃ及び４ｄ）は基板の厚みが厚くなるため、この部分が補強部材として機能し、製造工程中の有機ＥＬパネルの機械的強度を補強することができる。このため、最初から薄い基板を用いる場合に比べて、製造工程中の基板の割れ、欠け等の問題が生じにくくなり、歩留まりの高い有機ＥＬ装置が提供できる。
【００６４】
また、基板を薄型化して放熱性を高めているので、有機ＥＬ素子の発熱に伴う輝度むらや発光寿命の低下等が生じにくくなり、大面積で発光させることのできる有機ＥＬ装置が提供できる。例えば、第１基板４ａ及び第２基板４ｂの厚みを５０μｍまで薄くした場合、発光寿命が５００００時間以上となり、従来のものに比べて１０倍程度の発光寿命を実現することができる。また、放熱性が高いので、冷却ファン等の他の冷却機構が省略でき、モジュールの小型化及び消費電力の低減に寄与することができる。
【００６５】
また、冷却板５が、有機ＥＬ素子が設けられた第１基板４ａの外面に設けられているため、第２基板４ｂの外面に設ける場合に比べて、有機ＥＬ素子からの熱を放出し易い。また、放熱面２０及び２１が第１基板４ａ及び第２基板４ｂの外面全体に形成されているため、表示領域９、張出し部４、並びに走査線駆動回路７，７及びデータ線駆動回路８の形成された領域全体を冷却でき、より表示品質の高い有機ＥＬ装置が提供できる。
【００６６】
なお、本実施形態では、有機ＥＬパネル２を２枚のガラス基板４ａ，４ｂで構成される概略１００μｍ程度の薄いパネルとしたが、第１基板４ａ又は第２基板４ｂの外面にＰＥＴフィルム等の補強フィルムを貼着してもよい。これにより、機械的強度に優れた有機ＥＬ装置を提供できる。
【００６７】
［第２の実施の形態］
次に、図８〜図１１を用いて、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置及びその製造方法について説明する。図８はパネル複数分の有機ＥＬ素子が形成された第１大型基板４Ａを用いて大型有機ＥＬパネル２Ａを作製する工程の説明図、図９は大型有機ＥＬパネル２Ａの表面にマスク材５２，５３を配置する工程の説明図、図１０は第１基板４Ａ及び第２基板４Ｂの外面に放熱面２０及び２１を形成する工程の説明図、図１１は大型有機ＥＬパネル２Ａを切断して個々のパネル領域毎に分離する工程の説明図である。
【００６８】
本実施形態では、図８に示すように、パネル複数分の走査線１０１、データ線１０２、外部接続端子４１等を形成した第１大型基板４Ａと、パネル複数分のカラーフィルタを形成した第２大型基板４Ｂを作製する。そして、第１大型基板４Ａの表面にパネル複数分のシール材６を形成し、さらにこれらパネル複数分のシール材６の外周を囲む外周シール材１９を形成した後、各シール材６の内側に封止材を配置し、真空環境下で第１大型基板４Ａと第２大型基板４Ｂとを貼り合わせる。これにより、パネル複数分のパネル領域Ｐを含む大型電気光学パネルとしての大型有機ＥＬパネル２Ａ（図９参照）が作製される。
【００６９】
なお、図８において、符号Ｐは、図１に示した第１基板４ａ及び第２基板４ｂとなる領域であるパネル領域を示している。パネル領域Ｐとパネル領域Ｐとの境界部には、有機ＥＬパネルの製造に寄与しないダミー領域が設けられている。このダミー領域は、後述する梁部（補強部材）を構成するものである。
【００７０】
次に、図９に示すように、大型有機ＥＬパネル２Ａを大気中に取り出し、シール材６と外周シール材１９との間の真空領域を加圧する。これにより、シール材６及び外周シール材１９中に混入された図示略のギャップ材によって、第１大型基板４Ａと第２大型基板４Ｂとの間に所望のギャップが形成される。
【００７１】
次に、大型有機ＥＬパネル２Ａの表面に、マスク材である樹脂フィルム５２及び５３を貼着する。樹脂フィルム５２は、第１大型基板４Ａの各パネル領域Ｐに対応する位置に開口部５２ａを備えており、第１大型基板４Ａの外面の各パネル領域Ｐに対応する部分を除く全ての面を覆うようになっている。また、樹脂フィルム５３は、第２大型基板４Ｂの各パネル領域Ｐに対応する位置に開口部５３ａを備えており、第２大型基板４Ｂの外面の各パネル領域Ｐに対応する部分を除く全ての面を覆うようになっている。そして、これにより、大型有機ＥＬパネル２Ａは、第１大型基板４Ａの外面の各パネル領域Ｐに対応する部分及び第２大型基板４Ｂの外面の各パネル領域Ｐに対応する部分を除く、大型有機ＥＬパネル２Ａの外面及び側面の全ての面が覆われるようになっている。
【００７２】
なお、図９では、樹脂フィルム５２及び５３をパネル領域Ｐの境界部にダミー領域と同じ幅で格子状に形成しているが、樹脂フィルム５２及び５３の幅はダミー領域の幅よりも狭くしてもよい。この場合、パネル領域Ｐよりも広い面積で基板がエッチングされるが、この部分は後工程で除去されるため、有機ＥＬパネル２の製造には影響しない。
【００７３】
次に、図１０に示すように、樹脂フィルム５２及び５３が配置されない第１大型基板４Ａ及び第２大型基板４Ｂの外面部分をエッチングし、第１大型基板４Ａ及び第２大型基板４Ｂの各パネル領域Ｐに対応する部分の基板の厚みを薄くする。第１大型基板４Ａの基材としては、５００μｍ程度の厚みのガラス基板が用いられる。そして、このガラス基板をフッ酸等のエッチング液でケミカルエッチングすることで、５０μｍ程度にまで薄型化する。基板の厚みは薄ければ薄いほど放熱性及び柔軟性が高くなるが、薄くしすぎると、ガラス自体が持っているピンホールの影響で防湿性が不十分になるため、基板の厚みは５０μｍ〜１００μｍ程度の厚みとすることが望ましい。
【００７４】
この処理によって、第１大型基板４Ａ及び第２大型基板４Ｂの外面に複数の放熱面２０及び２１が形成される。放熱面２０及び２１は、各パネル領域Ｐの表示領域、張出し部、並びに走査線駆動回路及びデータ線駆動回路の配置される領域を含む第１大型基板４Ａ及び第２大型基板４Ｂの全ての領域に形成される。また、放熱面２０及び２１が形成されないパネル領域外周部には、放熱面２０及び２１よりも基板の厚みの厚い梁部４ｃ及び４ｄが形成される。梁部４ｃ及び４ｄは、基板を薄くすることによって低下した基板の機械的強度を補強する補強部材であり、製造工程中の基板の割れ、欠けを防止するものである。
【００７５】
次に、図１１に示すように、樹脂フィルム５２及び５３を除去し、第１大型基板４Ａ及び第２大型基板４Ｂをレーザ割断法を用いて切断して個々のパネル領域Ｐ毎に分離する。具体的には、第１大型基板４Ａ及び第２大型基板４Ｂの割断開始位置に切り欠きを形成し、この切り欠きの形成部からレーザ光Ｌの照射を開始する。そして、光源６０を基板面内で走査しながらレーザ光Ｌの照射スポットを図８に示した割断予定線Ｇ１〜Ｇ５に沿って移動させることにより、切り欠きの形成部から亀裂を割断予定線に沿って進行させ、基板を徐々に割断させて分割する。
【００７６】
このようにして分離された有機ＥＬパネル（パネル領域）は、図７に示した有機ＥＬパネル２と同じ構成を有するものとなる。したがって、放熱性が高く、柔軟性にも優れたものとなり、曲げ応力に対してクラックの生じにくい有機ＥＬパネルとなる。
【００７７】
以上のように、本実施形態においては、パネル複数分の放熱面２０及び２１を形成してから、第１大型基板４Ａ及び第２大型基板４Ｂを切断しているため、個々のパネル領域Ｐに分離してから放熱面２０及び２１を形成する場合に比べて、生産性の高い製造方法を提供できる。
【００７８】
［電子機器］
次に、図１２を用いて、本発明の電気光学装置を備えた電子機器の実施形態について説明する。図１２は、本発明の電気光学装置の一例である有機ＥＬ装置を電気ポット５００の表示部に適用した例についての概略構成図である。同図において、符号５０１はポット本体、５０２は蓋、５０３は蓋開閉つまみ、５０４は注ぎ口、５０５は把手、５０６は水量計、５０７は給湯ボタン、５０８は表示部である。ポット本体５０１は、概略円筒状の外形を有しており、その側面部に表示部５０８が設けられている。表示部５０８には、図１で示した有機ＥＬ装置１が設けられており、該有機ＥＬ装置１がポット本体５０１の側面に湾曲した状態で取り付けられている。
【００７９】
この電気ポット５００は、本発明に係る有機ＥＬ装置１を備えているので、発光寿命が長く、小型で、消費電力の少ない電気ポットとなる。また、有機ＥＬ装置１をポット本体５０１の側面にコンパクトに配置することができるため、有機ＥＬ装置１の大型化が可能になり、大面積で表示させることが可能な電気ポットが提供できる。
【００８０】
なお、本発明の電気光学装置は、前述した電気ポットに限らず、種々の電子機器に搭載することができる。この電子機器としては例えば、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、計測機器、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等があり、前記電気光学装置はこれらの表示手段として好適に用いることができる。また、光プリンタのプリンタヘッド（ラインヘッド）やバックライト等の照明装置など、表示装置以外の電子機器に本発明の電気光学装置を適用することもできる。
【００８１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】第１実施形態の電気光学装置である有機ＥＬ装置の分解斜視図である。
【図２】同有機ＥＬ装置の１ドットの構成図である。
【図３】同有機ＥＬ装置の１画素の構成図である。
【図４】同有機ＥＬ装置の製造方法の説明図である。
【図５】同有機ＥＬ装置の製造方法の説明図である。
【図６】同有機ＥＬ装置の製造方法の説明図である。
【図７】同有機ＥＬ装置の製造方法の説明図である。
【図８】第２実施形態の電気光学装置である有機ＥＬ装置の製造方法の説明図である。
【図９】同有機ＥＬ装置の製造方法の説明図である。
【図１０】同有機ＥＬ装置の製造方法の説明図である。
【図１１】同有機ＥＬ装置の製造方法の説明図である。
【図１２】電子機器の一例である電気ポットの概略構成図である。
【符号の説明】
【００８３】
１…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、２…有機ＥＬパネル（電気光学パネル）、２Ａ…大型有機ＥＬパネル（大型電気光学パネル）、４ａ…第１基板、４ｂ…第２基板、４ｃ，４ｄ…梁部、４Ａ…第１大型基板、４Ｂ…第２大型基板、５…冷却板（冷却部材）、５ａ…湾曲面、２０，２１…放熱面、５０〜５４…樹脂フィルム（マスク材）、５００…電気ポット（電子機器）、Ｇ１〜Ｇ５…割断予定線（パネル領域の境界部）、Ｌ…レーザ光、Ｐ…パネル領域
【図１】
2008058489.tif 000003
【図２】
2008058489.tif 000004
【図３】
2008058489.tif 000005
【図４】
2008058489.tif 000006
【図５】
2008058489.tif 000007
【図６】
2008058489.tif 000008
【図７】
2008058489.tif 000009
【図８】
2008058489.tif 000010
【図９】
2008058489.tif 000011
【図１０】
2008058489.tif 000012
【図１１】
2008058489.tif 000013
【図１２】
2008058489.tif 000014