(57)【要約】【課題】性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、マスクの所定面の少なくとも一部と対向する位置に配置され、所定面での照明光の照明領域を規定する光学部材と、マスクに入射せずに光学部材に入射し、光学部材で反射した照明光の少なくとも一部が所定部材に入射することを抑制する抑制部とを備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクの所定面を照明光で照明し、前記マスクで反射した前記照明光の反射光で基板を露光する露光装置であって、
前記マスクの所定面の少なくとも一部と対向する位置に配置され、前記所定面での前記照明光の照明領域を規定する光学部材と、
前記マスクに入射せずに前記光学部材に入射し、該光学部材で反射した前記照明光の少なくとも一部が所定部材に入射することを抑制する抑制部と、を備えた露光装置。
【請求項２】
前記マスクの所定面は、極端紫外光を反射可能な多層膜の表面を含み、
前記光学部材に入射する前記照明光は、前記光学部材で反射せずに前記マスクの所定面で反射する前記極端紫外光を含む第１成分と、前記マスク及び前記光学部材の両方で反射する第２成分とを含み、
前記抑制部は、前記光学部材で反射した前記照明光の前記第２成分の光が前記所定部材に入射することを抑制する請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記マスクのパターンの像を前記基板に投影する投影光学系を備え、
前記所定部材は、前記投影光学系を含む請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記抑制部は、前記光学部材の入射面に配置された反射防止膜を含む請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記抑制部は、前記光学部材の入射面に形成された凹凸構造を含む請求項３記載の露光装置。
【請求項６】
前記凹凸構造は、モスアイ構造を含む請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記光学部材の入射面は、入射された前記照明光を前記所定部材以外の方向に反射する所定形状を有した反射面を形成し、
前記抑制部は、前記反射面を含む請求項３記載の露光装置。
【請求項８】
前記反射面で反射した前記照明光を受ける受光面を有する受光部材と、
前記受光部材を冷却する冷却機構と、を備えた請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記抑制部は、前記照明光の光路上に配置され、前記光学部材への前記照明光の入射を抑制する減光部材を含む請求項３記載の露光装置。
【請求項１０】
前記マスクのパターンの像を前記基板に投影する投影光学系を備え、
前記所定部材は、前記投影光学系の像面側に配置された部材を含む請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項１１】
前記所定部材は、前記基板を含む請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記抑制部は、前記投影光学系の内部に配置され、前記光学部材で反射され、物体面側から前記投影光学系に入射した前記照明光が像面側に到達することを抑制する遮光部材を含む請求項１０又は１１記載の露光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を露光する露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。露光装置には、露光光による照明領域を規定するブラインド部材が設けられる。下記特許文献には、ＥＵＶ露光装置のブラインド部材に関する技術の一例が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−３５６４１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＥＵＶ露光装置の光源から射出される光が、極端紫外領域（軟Ｘ線領域）のスペクトルを有する光のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光を含む可能性がある。マスクの近傍にブラインド部材が配置される場合において、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光がブラインド部材に照射されると、その反射光が、光の照射が想定されていない部分に照射される可能性がある。その場合、その部分の温度が光の照射によって上昇し、投影光学系の光学性能が劣化し、露光装置の性能が劣化する可能性がある。また、ブラインド部材で反射した反射光が、基板に照射されると、露光不良が発生する可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、マスク（Ｍ）の所定面（Ｍｓ）を照明光（Ｌ１）で照明し、マスク（Ｍ）で反射した照明光（Ｌ１）の反射光で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、マスク（Ｍ）の所定面（Ｍｓ）の少なくとも一部と対向する位置に配置され、所定面（Ｍｓ）での照明光（Ｌ１）の照明領域を規定する光学部材（３）と、マスク（Ｍ）に入射せずに光学部材（３）に入射し、光学部材（３）で反射した照明光（Ｌ２）の少なくとも一部が所定部材（ＰＬ、Ｐ）に入射することを抑制する抑制部（１０）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、性能の劣化が抑制され、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、露光装置の性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１２】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、露光光Ｌ１が照射される基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光Ｌ１で照明する照明光学系ＩＬと、露光光Ｌ１で照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。
【００１３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、極端紫外光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である。極端紫外光は、例えば波長１１〜１４ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。
【００１４】
基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐ上に投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態では、露光光Ｌ１としてＥＵＶ光が用いられ、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。反射型マスクの多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜を含む。露光装置ＥＸは、多層膜が形成されたマスクＭの反射面（パターン形成面）Ｍｓを露光光（ＥＵＶ光）Ｌ１で照明し、そのマスクＭで反射した露光光Ｌ１の反射光で基板Ｐを露光する。
【００１５】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば特開２００４−３５６４１５号公報等に開示されているような、マスクＭの反射面Ｍｓの少なくとも一部と対向する位置に配置され、反射面Ｍｓでの露光光Ｌ１の照明領域を規定するブラインド部材３を備えている。
【００１６】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、少なくとも露光光Ｌ１が通過する所定空間を形成し、その所定空間を真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ以下）にする真空システムを有するチャンバ装置ＶＣを備えている。
【００１７】
照明光学系ＩＬは、複数の光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を含み、光源４からの露光光Ｌ１で、マスクＭを照明する。本実施形態の光源４は、レーザ励起型プラズマ光源であって、ハウジング５と、レーザ光を射出するレーザ装置６と、キセノンガス等のターゲット材料をハウジング５内に供給する供給部材７とを含む。レーザ装置６から射出され、集光光学系８で集光されたレーザ光は、供給部材７の先端から射出されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光Ｌ０を発生する。供給部材７の先端で発生した光Ｌ０は、コンデンサ８によって集光される。コンデンサ８を介した光Ｌ０は、ハウジング５の外側に配置されているコリメータミラー９に入射する。なお、光源４は、放電型プラズマ光源でもよい。
【００１８】
光源４は、極端紫外領域のスペクトルを有する光（ＥＵＶ光）のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光も発生する可能性がある。以下の説明において、紫外領域、可視領域、及び赤外領域等、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光Ｌ２を適宜、非露光光Ｌ２、と称する。すなわち、本実施形態においては、波長１１〜１４ｎｍ程度の極端紫外領域（軟Ｘ線領域）の電磁波（光）であるＥＵＶ光Ｌ１を、露光光Ｌ１、と称し、光源４から放出される、ＥＵＶ光Ｌ１以外の光Ｌ２を適宜、非露光光Ｌ２、と称する。光源４から射出される光Ｌ０は、露光光Ｌ１と非露光光Ｌ２とを含む。
【００１９】
照明光学系ＩＬは、複数の光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を有し、マスクＭ上の照明領域を均一に照明する。照明光学系ＩＬにより照明され、マスクＭの反射面Ｍｓで反射した露光光Ｌ１は、投影光学系ＰＬに入射する。
【００２０】
投影光学系ＰＬは、複数の光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４を有する。露光光Ｌ１で照明されたマスクＭのパターンの像は、投影光学系ＰＬを介して、感光材（レジスト）の膜が形成された基板Ｐに投影される。
【００２１】
図２は、ブラインド部材３の近傍を示す図である。ブラインド部材３は、露光光Ｌ１が通過可能な開口３Ｋを有し、マスクＭの反射面Ｍｓでの露光光Ｌ１の照明領域を規定する。ブラインド部材３は、投影光学系ＰＬの像面（基板Ｐの表面）、及び投影光学系ＰＬの物体面（マスクＭの反射面）に対してほぼ共役な位置に配置される。ＥＵＶ露光装置においては、上述の各光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４、ＰＲ１〜ＰＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する多層膜反射鏡を含む。露光光Ｌ１の減衰を抑制するために、照明光学系ＩＬの光学素子の数は抑えられている。本実施形態においては、照明光学系ＩＬは、４つの光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を有する。本実施形態においては、ブラインド部材３は、マスクＭの反射面Ｍｓに近い位置に配置されている。すなわち、本実施形態のブラインド部材３は、いわゆるプロキシミティタイプ（近接タイプ）のブラインド部材である。
【００２２】
上述のように、光源４は、露光光Ｌ１と非露光光Ｌ２とを含む光Ｌ０を射出する。光源４から射出され、照明光学系ＩＬを介した露光光Ｌ１と非露光光Ｌ２とを含む光Ｌ０は、ブラインド部材３の開口３Ｋを通過して、マスクＭの反射面Ｍｓに入射する。また、照明光学系ＩＬからの光Ｌ０の一部は、ブラインド部材３にも入射する。
【００２３】
露光光（ＥＵＶ光）Ｌ１は、マスクＭの反射面Ｍｓで反射するが、例えば多層膜等が形成されていないブラインド部材３では反射しない。一方、非露光光Ｌ２は、マスクＭの反射面Ｍｓで反射するとともに、ブラインド部材３でも反射する。すなわち、ブラインド部材３に入射する照明光学系ＩＬからの光Ｌ０は、ブラインド部材３で反射せずにマスクＭの反射面Ｍｓで反射する露光光（ＥＵＶ光）Ｌ１を含む第１成分と、マスクＭ及びブラインド部材３の両方で反射する非露光光Ｌ２を含む第２成分とを含む。
【００２４】
マスクＭの反射面Ｍｓで反射した露光光Ｌ１及び非露光光Ｌ２は、投影光学系ＰＬを介して、投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板Ｐに照射される。非露光光Ｌ２のうち、特に可視領域、赤外領域の光は、多層膜反射鏡からなる各光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４で反射して、基板Ｐに入射可能である。
【００２５】
ブラインド部材３は、マスクＭの近傍に配置されているものの、マスクＭの反射面Ｍｓと異なる位置に配置されている。ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２は、例えば投影光学系ＰＬ内のうち、光の照射が想定されていない非想定部分（例えば鏡筒の内面）に照射される可能性がある。その場合、その光の照射によって非想定部分の温度が上昇し、投影光学系ＰＬの光学性能が劣化し、露光装置ＥＸの性能が劣化する可能性がある。
【００２６】
また、ブラインド部材３は、マスクＭの反射面Ｍｓと異なる位置に配置されており、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２の光路と、マスクＭで反射した露光光Ｌ１の光路とは異なる。その場合、非露光光Ｌ２は、光の照射が想定されていない領域に照射され、いわゆる、かぶりを発生させる可能性がある。また、デフォーカスした像（ぼけた像）が基板Ｐに投影される可能性もある。特に、非露光光Ｌ２に含まれる紫外領域の光が基板Ｐに照射されてしまうと、基板Ｐの感光材が不要に感光してしまう可能性がある。このように、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２の反射光が基板Ｐに照射されると、露光不良が発生する可能性がある。
【００２７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、照明光学系ＩＬより射出され、マスクＭに入射せずにブラインド部材３に入射し、そのブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬに入射することを抑制する抑制部１０を備えている。これにより、露光装置ＥＸの性能の劣化、露光不良の発生等を抑制できる。
【００２８】
図２に示すように、本実施形態の抑制部１０は、照明光学系ＩＬからの光Ｌ０が入射するブラインド部材３の入射面３ｓに配置された反射防止膜１１を含む。ブラインド部材３の入射面３ｓは、マスクＭの反射面Ｍｓと対向する対向面３ｔとは反対側の面であって、本実施形態においては、図中、−Ｚ側を向いている。
【００２９】
ブラインド部材３は、例えばインバー、あるいはステンレス鋼、チタン等の金属で形成されている。反射防止膜１１は、ブラインド部材３の入射面３ｓを覆うように配置されている。本実施形態の反射防止膜１１は、入射する非露光光Ｌ２のうち、特に紫外領域（例えば波長１００ｎｍ〜３００ｎｍの領域）の光の反射を抑制する機能を有する。
【００３０】
反射防止膜１１は、例えばクロム、酸化クロム等で形成可能である。また、反射防止膜１１は、誘電体多層膜であってもよい。非露光光Ｌ２（特に紫外領域の光）の反射を十分に抑制するために、反射防止膜１１の膜厚、層構造が最適化されている。本実施形態においては、反射防止膜１１は、非露光光Ｌ２の反射率を５％以下に抑えるように設定されている。
【００３１】
また、例えばスパッタリングの手法によって、カーボン、炭化ホウ素、及び酸化第二スズ等からなる反射防止膜１１をブラインド部材３の入射面３ｓに形成することができる。一例として、インバーからなるブラインド部材３に、スパッタリング法によって厚みが約２μｍのカーボンの膜を形成することによって、非露光光Ｌ２の反射率を５％以下に抑えることができる。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態によれば、反射防止膜１１等の抑制部１０によって、ブラインド部材３に入射した非露光光Ｌ２が反射することを抑制でき、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬに入射することを抑制できる。したがって、露光装置ＥＸの性能の劣化を抑制し、基板Ｐを良好に露光できる。
【００３３】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００３４】
図３は、第２実施形態に係る抑制部１０Ｂを示す模式図である。図３の模式図に示すように、本実施形態の抑制部１０Ｂは、吸光性（減光性）を有するクロム等を含むプレート部材１２を含む。プレート部材１２は、ブラインド部材３の入射面３ｓに接続可能である。照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光Ｌ０の光路上に配置されたプレート部材１２によって、ブラインド部材３への光Ｌ０（非露光光Ｌ２）の入射を抑制することができる。
【００３５】
また、プレート部材１２をブラインド部材３に接続せず、照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光Ｌ０の光路上で、ブラインド部材３に対して離れた位置にプレート部材１２を配置してもよい。こうすることによっても、プレート部材１２によってブラインド部材３への光Ｌ０（非露光光Ｌ２）の入射を抑制することができる。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態によれば、プレート部材１２によって、ブラインド部材３に入射した非露光光Ｌ２が反射することを抑制でき、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬに入射することを抑制できる。したがって、露光装置ＥＸの性能の劣化を抑制し、基板Ｐを良好に露光できる。
【００３７】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００３８】
図４は、第３実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。本実施形態の抑制部１０Ｃは、ブラインド部材３の入射面３ｓに配置された凹凸構造を含む。
【００３９】
本実施形態においては、凹凸構造は、モスアイ構造を含む。モスアイ構造は、入射した光の反射を抑制可能な反射防止構造である。モスアイ構造は、例えば図５に示すように、２次元的に規則的に配列される複数の凹部及び凸部を有する。凹部及び凸部は、例えば１μｍ以下である。モスアイ構造は、シリコン等の所定の材料の表面を加工することによって形成可能である。
【００４０】
本実施形態においては、インバーからなるブラインド部材３に、モスアイ構造を有するシリコン基板１３が接続されている。モスアイ構造の複数の凹部及び凸部は、ブラインド部材３の入射面３ｓとほぼ平行な面に沿って２次元的に規則的に配列される。照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上に配置されたモスアイ構造を有するシリコン基板１３によって、ブラインド部材３への光Ｌ０（非露光光Ｌ２）の入射を遮り、非露光光Ｌ２の反射を抑制できる。
【００４１】
また、モスアイ構造を有するシリコン基板１３をブラインド部材３に接続せずに、照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上で、ブラインド部材３に対して離れた位置にシリコン基板１３を配置してもよい。こうすることによっても、モスアイ構造を有するシリコン基板１２によってブラインド部材３への光Ｌ０（非露光光Ｌ２）の入射を抑制することができるとともに、非露光光Ｌ２の反射を抑制することができる。なお、ブラインド部材３をシリコンで形成し、そのブラインド部材３の入射面３ｓにモスアイ構造を形成してもよい。
【００４２】
なお、モスアイ構造として、例えば特開２００４−２０５９９０号公報に開示されている技術を用いることができる。
【００４３】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００４４】
図６は、第４実施形態に係る抑制部１０Ｄを説明するための模式図である。図６に示すように、本実施形態においては、ブラインド部材３Ｂの入射面３ｓは、入射された光Ｌ０（非露光光Ｌ２）を投影光学系ＰＬ以外の方向に反射する所定形状を有した反射面を形成する。本実施形態の抑制部１０Ｄは、そのブラインド部材３の入射面（反射面）３ｓを含む。本実施形態においては、ブラインド部材３の入射面３ｓは、入射された光Ｌ０（非露光光Ｌ２）を投影光学系ＰＬ以外の方向に反射するように所定角度傾斜している。
【００４５】
また、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、反射面３ｓで反射した非露光光Ｌ２を受ける受光面１４を有する受光部材１５と、受光部材１５を冷却する冷却機構１６とを備えている。これにより、反射面３ｓで反射した非露光光Ｌ２が、光の照射が想定されていない非想定部分に照射されることを抑制できる。また、反射面３ｓからの光に起因する温度上昇を抑制できる。
【００４６】
なお、所定形状を有した反射面を有する反射部材を、ブラインド部材３の入射面３ｓに接続することができる。照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上に配置された反射部材によって、ブラインド部材３への光の入射を抑制することができる。また、反射部材をブラインド部材に接続せずに、照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上で、ブラインド部材３に対して離れた位置に反射部材を配置してもよい。こうすることによっても、反射部材によってブラインド部材３への光の入射を抑制することができる。
【００４７】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００４８】
図７は、第５実施形態に係る抑制部１０Ｅを説明するための模式図である。本実施形態の抑制部１０Ｅは、ブラインド部材３Ｃの入射面３ｓに形成された凹凸構造を含む。本実施形態においては、ブラインド部材３Ｃの入射面３ｓは、入射された非露光光Ｌ２を投影光学系ＰＬ以外の方向に反射可能な所定角度傾斜した複数の反射面を形成しており、それら複数の反射面で凹凸構造が形成されている。すなわち、本実施形態のブラインド部材の断面形状は、鋸歯状である。こうすることにより、厚みが最も厚い部分のブラインド部材３Ｃの厚みを抑えることができる。
【００４９】
なお、本実施形態において、複数の反射面を有する反射部材を、ブラインド部材３の入射面３ｓに接続することができる。照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上に配置された反射部材によって、ブラインド部材３への光の入射を抑制することができる。また、反射部材をブラインド部材３に接続せずに、照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上で、ブラインド部材３に対して離れた位置に反射部材を配置してもよい。こうすることによっても、反射部材によってブラインド部材３への光の入射を抑制することができる。
【００５０】
また、本実施形態においても、上述の第４実施形態と同様、反射面で反射した光を受ける受光面を有する受光部材と、受光部材を冷却する冷却機構とを設けることができる。
【００５１】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００５２】
図８は、第６実施形態に係る露光装置ＥＸを示す模式図である。本実施形態においては、抑制部１０Ｆは、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２が、投影光学系ＰＬの像面側に配置された部材に入射することを抑制する。投影光学系ＰＬの像面側に配置される部材は、基板ステージ２、及び基板ステージ２に保持された基板Ｐを含む。また、投影光学系ＰＬの像面側に配置される部材は、例えば米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているような、基板Ｐを保持する基板ステージとは別に設けられ、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージを含む。なお、基準部材等の計測部材、光電センサ等の計測器は、基板ステージに設けられていてもよい。
【００５３】
本実施形態の抑制部１０Ｆは、投影光学系ＰＬの内部に配置され、ブラインド部材３で反射され、投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射した非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬの像面側に到達することを抑制する遮光部材１７を含む。マスクＭの反射面Ｍｓとブラインド部材３の入射面（反射面）３ｓとは異なる位置に配置されており、マスクＭで反射する露光光Ｌ１の光路と、ブラインド部材３で反射する非露光光Ｌ２の光路とは異なる。したがって、露光光Ｌ１の通過を妨げないように、遮光部材１７を所定の位置に配置することによって、露光光Ｌ１を通過させ、非露光光Ｌ２を抑制することができる。例えばブラインド部材３で反射する投影光学系ＰＬ内における非露光光Ｌ２の光路は、実験又はシミュレーション等によって予め求めることができる。したがって、その求めた結果に基づいて、露光光Ｌ１を通過させ、非露光光Ｌ２を抑制することができる所定の位置に、遮光部材１７を配置することができる。
【００５４】
また、遮光部材１７は、複数配置可能である。その場合、光学設計上の光路の干渉の影響を考慮して、非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬの像面側に配置された部材に入射することを効果的に抑制できるように、複数の遮光部材１７のそれぞれを配置する位置が最適化される。
【００５５】
また、遮光部材１７は、投影光学系ＰＬの入射側（ブラインド部材３と投影光学系ＰＬの入射面との間）に配置されてもよいし、投影光学系ＰＬの射出側（投影光学系ＰＬの射出面と投影光学系ＰＬの像面側に配置された部材との間）に配置されてもよい。
【００５６】
また、遮光部材１７に、上述の実施形態で説明したような、反射防止膜、あるいはモスアイ構造のような反射防止構造等を形成してもよい。
【００５７】
本実施形態においても、紫外光を含む非露光光Ｌ２が基板Ｐに照射されることを抑制でき、露光不良が発生することを抑制できる。また、計測器（計測部材）に非露光光Ｌ２が照射されることを抑制でき、計測器（計測部材）を用いて露光光Ｌ１を計測するときの計測精度の劣化を抑制できる。
【００５８】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００５９】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００６０】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００６１】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【００６２】
また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００６３】
また、上述の第６実施形態のみならず、第１〜第５実施形態においても、例えば米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置を適用できる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【００６４】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６５】
なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【００６６】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００６７】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。
【図３】第２実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。
【図４】第３実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。
【図５】第３実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。
【図６】第４実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。
【図７】第５実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。
【図８】第６実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。
【図９】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【００６９】
３…ブラインド部材、３ｓ…入射面（反射面）、１０…抑制部、１１…反射防止膜、１４…受光面、１５…受光部材、１６…冷却機構、１７…遮光部材、ＥＸ…露光装置、Ｌ０…光、Ｌ１…露光光（ＥＵＶ光）、Ｌ２…非露光光、Ｍ…マスク、Ｍｓ…反射面、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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