(57)【要約】【課題】感光性ポリイミド膜の膜厚に基づく色の差を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】既定の膜厚を有する基準となる感光性ポリイミドの色を予め測定する工程と、半導体基板１１の表面に、この基準となる感光性ポリイミドの膜厚より厚く、改質前の感光性ポリイミド２１を塗布する工程と、色を表わす物理量の内の少なくとも１つの物理量と露光量との関係を示す所定の加熱処理条件で予め求めておいた検量データに基づいて、感光性ポリイミド２１に対して、測定された基準となる感光性ポリイミドにおける色の物理量との差が所定の範囲内となるような露光量でエネルギー線４２を照射する工程と、感光性ポリイミド２１に対して上述の所定の加熱処理条件にて加熱処理を行う工程とを備えている。【選択図】図１
2008252039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
既定の膜厚を有する第１の感光性ポリイミドの色を予め測定する工程と、
半導体基板の表面に、前記第１の感光性ポリイミドの膜厚より厚く、改質前の第２の感光
性ポリイミドを塗布する工程と、
色を表わす物理量の内の少なくとも１つの物理量と露光量との関係を示す所定の加熱処理
条件で予め求めておいた検量データに基づいて、前記第２の感光性ポリイミドに対して、
前記測定された第１の感光性ポリイミドにおける色の前記物理量との差が所定の範囲内と
なるような露光量でエネルギー線を照射する工程と、
前記第２の感光性ポリイミドに対して前記所定の加熱処理条件にて加熱処理を行う工程と
、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記色は、ＣＩＥ（国際照明委員会）制定のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で定量化され、前記第
２の感光性ポリイミドと前記第１の感光性ポリイミドとの色の差はΔＥ＊ａｂで表わされ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
既定の膜厚を有する第１の感光性ポリイミドの色を表わす物理量の内の少なくとも１つ
の物理量を予め測定する工程と、
半導体基板の表面に、前記第１の感光性ポリイミドの膜厚より厚く、改質前の第２の感光
性ポリイミドを塗布する工程と、
前記予め測定された物理量と露光量との関係を示す所定の加熱処理条件で予め求めておい
た検量データに基づいて、前記第２の感光性ポリイミドに対して、前記測定された第１の
感光性ポリイミドにおける物理量との差が所定の範囲内となるような露光量でエネルギー
線を照射する工程と、
前記第２の感光性ポリイミドに対して前記所定の加熱処理条件にて加熱処理を行う工程と
、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記検量データを求めるのに使用する前記物理量は、明度であることを特徴とする請求
項１または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の感光性ポリイミドは、半導体基板の表面に形成されていることを特徴とする
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面保護膜を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体基板に形成された素子等を保護するために、表面に表面保護膜（
パシベーション膜）が形成されている。半導体装置は、表面から、機械的、化学的、及び
電気的な損傷、イオン性及び非イオン性の汚染、放射線損傷、及び、光による影響等を受
ける可能性がある。そこで、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及び、樹脂膜等
が積層された表面保護膜が形成されることが多い。
【０００３】
パッケージ内に組み込まれる前の半導体装置は、半導体チップの形態をなし、その表面
は、ボンディング用のパッド等が開口され、残りの大部分は表面保護膜で覆われている。
組立工程のダイボンディングあるいはワイヤボンディング工程等において、半導体チップ
及び開口等の認識は、多くの場合、表面保護膜と下地の背景、配線及び絶縁膜等との反射
光量、すなわち、明るさ（明度）の差異等を利用してなされる。
【０００４】
例えば、ワイヤボンディング工程にける開口を認識させるために、次のような技術が開
示されている（例えば、特許文献１参照。）。３層からなる配線の上層にある遷移金属膜
は反射率が低く、パッシベーション膜、例えば、ポリイミド系樹脂膜（以下、ポリイミド
膜）との間の反射率の差が小さいので、ボンディング装置に認識させるために、外部端子
（パッド）の表面には上層の遷移金属膜に比べて反射率が高い２層目の層にあるアルミニ
ウム膜を露出させている。
【０００５】
この開示された技術は、一定のポリイミド膜に対して、より反射率の高いアルミニウム
膜を選択して露出させることによって、反射率の差を大きく取って、ワイヤボンディング
工程をスムーズに進めることが可能となるが、ダイボンディング工程については言及され
てない。また、ポリイミド膜の内の感光性ポリイミド膜は、膜厚によって色または色の要
素である明度等が変化することが多いが、この開示された技術では言及されてない。半導
体装置は、使用される環境等に適する膜厚の感光性ポリイミド膜が採用され、その膜厚に
よって色（色度または明度等）が変化する場合、組立工程のボンディング装置等の画像認
識系を調整することが必要となるという問題を有している。
【特許文献１】特許２８１３５７１号明細書（第１６−１７頁、図１５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、感光性ポリイミド膜の膜厚に基づく色の差を抑制する半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、既定の膜厚を有する第１の感光性ポリイミ
ドの色を予め測定する工程と、半導体基板の表面に、前記第１の感光性ポリイミドの膜厚
より厚く、改質前の第２の感光性ポリイミドを塗布する工程と、色を表わす物理量の内の
少なくとも１つの物理量と露光量との関係を示す所定の加熱処理条件で予め求めておいた
検量データに基づいて、前記第２の感光性ポリイミドに対して、前記測定された第１の感
光性ポリイミドにおける色の前記物理量との差が所定の範囲内となるような露光量でエネ
ルギー線を照射する工程と、前記第２の感光性ポリイミドに対して前記所定の加熱処理条
件にて加熱処理を行う工程とを備えていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の別態様の半導体装置の製造方法は、既定の膜厚を有する第１の感光性ポ
リイミドの色を表わす物理量の内の少なくとも１つの物理量を予め測定する工程と、半導
体基板の表面に、前記第１の感光性ポリイミドの膜厚より厚く、改質前の第２の感光性ポ
リイミドを塗布する工程と、前記予め測定された物理量と露光量との関係を示す所定の加
熱処理条件で予め求めておいた検量データに基づいて、前記第２の感光性ポリイミドに対
して、前記測定された第１の感光性ポリイミドにおける物理量との差が所定の範囲内とな
るような露光量でエネルギー線を照射する工程と、前記第２の感光性ポリイミドに対して
前記所定の加熱処理条件にて加熱処理を行う工程とを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、感光性ポリイミド膜の膜厚に基づく色の差を抑制する半導体装置の製
造方法を提供すことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。各図では、同一の構成
要素には同一の符号を付す。
【実施例】
【００１１】
まず、本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法は次のような知見に基づくものであ
る。半導体装置は、半導体素子及び配線等が形成された後、表面の不動態（パシベーショ
ン）化のために、ボンディングパッド等が開口された表面保護膜が形成される。表面保護
膜は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及び、ポリイミド膜等が積層された膜
構造を有し、最も外側のポリイミド膜が、個片化された半導体チップをパッケージ内に組
み込むときの認識すべき色となる。
【００１２】
ポリイミド膜は、ボンディングパッド等の開口が必要なために、感光剤を添加した感光
性ポリイミドとして使用されることが多い。フォトリソグラフィ工程が効率的に進められ
るからである。感光性ポリイミド膜は、感光剤が添加されたポリアミド酸の溶液が塗布さ
れ、最終的に３００〜５００℃で熱処理されて、すなわち、イミド化されることによって
形成される。
【００１３】
表面の不動態化を満足させる範囲において、感光性ポリイミド膜の色は、例えば、次の
ような要因により変化する。つまり、感光性ポリイミド膜の色は、膜厚が増加するほど濃
くなり、最終加熱処理の時間が長いほど、または、温度が高いほど濃くなり、最終加熱処
理雰囲気の酸素濃度が高いほど濃くなる傾向を有する。発明者らは、感光性ポリイミドが
酸素を取り込むメカニズムに注目して、より厚い膜厚の感光性ポリイミドの淡色化の方向
性を得て、組立工程の画像認識の改善を図ることを見出した。
【００１４】
以下の説明においては、イミド化前後においても感光性ポリイミドまたは感光性ポリイ
ミド膜という名称を使用する。なお、イミド化前を明確にするときには、改質前という語
を加える。
【００１５】
本発明の実施例を、図１乃至図５を参照しながら説明する。図１は半導体装置の製造方
法を模式的に示す断面図である。図２は半導体装置の製造方法における調整露光量と感光
性ポリイミド膜の色を表わす物理量との関係を模式的に示す図で、図２（ａ）は明度Ｌ＊
との関係、図２（ｂ）は色度ａ＊との関係、及び、図２（ｃ）は色度ｂ＊との関係示す図
である。図３は半導体装置の製造方法における調整露光量と感光性ポリイミド膜の色の差
ΔＥ＊ａｂとの関係を模式的に示す図である。図４は半導体装置の製造方法における調整
露光量と感光性ポリイミド膜の明度Ｌ＊との関係及び明度Ｌ＊の許容範囲を模式的に示す
図である。図５は半導体装置に使用される感光性ポリイミド膜の色の表われ方を説明する
ための模式的な図である。
【００１６】
まず、図１に示す第２の感光性ポリイミドである感光性ポリイミド膜２１が形成される
半導体装置の製造工程を始める前に、膜厚が実質的に等しい第１の感光性ポリイミドであ
る感光性ポリイミド膜に対する色調整のための紫外線等のエネルギー線の調整露光量と表
面の色との関係を示す検量データを作成する。また、感光性ポリイミド膜２１より薄い膜
厚を有し、組立工程の基準とする半導体装置または半導体基板上に形成された感光性ポリ
イミド膜の色を測定して、色調整のための露光量を求めておく。なお、詳細は後述する。
【００１７】
次に、図１（ａ）に示すように、半導体基板１１の表面に一定の膜厚、約５．６μｍの
改質前の感光性ポリイミド膜２１が、例えば、回転塗布法により塗布される。塗布後、例
えば、１２０℃、９０秒の予備加熱（プリベーク）を行う。ここで、半導体基板１１は、
例えばシリコンからなり、図示を省略しているが、表面、または、表面と内部に半導体素
子及び配線等が形成され、更に、表面には、層間絶縁膜等を介して配線層等を有している
。そして、半導体基板１１の表面には、外部へ接続するためのボンディングパッド（図示
略）が配置されている。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、感光性ポリイミド膜２１に、例えば、ボンディングパッドに
通ずる開口を形成するために、パターニングされたマスク３１を介して、例えば、２００
〜５００ｎｍの波長の可視光から紫外線を含むエネルギー線４１を照射する。感光性ポリ
イミド膜２１は、ポジ型の場合、ボンディングパッドとマスク３１の非開口部とが重なる
ように配置される。なお、エネルギー線４１は、波長が２００ｎｍ以下であってもよい。
【００１９】
図１（ｃ）に示すように、例えば、１２０℃、９０秒の予備加熱を行った後、例えば、
アルカリ系の現像液で、現像することによって、感光性ポリイミド膜２１にマスク３１の
パターンが転写される。ポジ型の場合、エネルギー線４１が照射されない部分が溶解除去
される。その後、感光性ポリイミド膜２１をイオン交換水等でリンスする。
【００２０】
図１（ｄ）に示すように、感光性ポリイミド膜２１の全面に、エネルギー線４２が照射
される。エネルギー線４２は、上述のエネルギー線４１と同じであっても差し支えない。
エネルギー線４２の照射量、すなわち、感光性ポリイミド膜２１の調整露光量は、後述す
るように、例えば、３００ｍＪ／ｃｍ２として、所望の色が得られるように調整される。
なお、感光性ポリイミド膜がより厚い場合は、全面露光量をより多くする方向で調整され
る。
【００２１】
図１（ｅ）に示すように、感光性ポリイミド膜２１は、例えば、窒素雰囲気で、１５０
℃、３０分、続いて、３２０℃、６０分の最終加熱が行われる。その結果、感光性ポリイ
ミド膜２１は、イミド化され、化学的に安定したポリイミドとなり、最終的な色が得られ
る。
【００２２】
その後、感光性ポリイミド膜２１が形成された半導体基板は、個片化され、ボンディン
グパッドが露出された表面保護膜を有する半導体チップとなる。周知のように、半導体チ
ップは、ダイボンダにより、例えば、リードフレームのダイパッド上にマウントされ、更
に、ダイパッド上に固定された半導体チップは、ボンディングパッドとインナリードがワ
イヤで接続される。これらの工程では、半導体チップは、一時的に固定されている粘着テ
ープ、または、ダイパッド及びダイパッド上の接着材に対する位置関係等を明確にするた
めに、また、ボンディングパッドとワイヤとの位置関係等を明確にするために、光学的な
画像認識系によって認識される。そして、ワイヤボンディング後は、樹脂封止工程等を経
て、組立工程が終了する。
【００２３】
次に、感光性ポリイミド膜の表面の色の測定、及び、感光性ポリイミド膜２１の色を調
整するための調整露光について説明する。
【００２４】
感光性ポリイミド膜の表面の色の測定は、市販の色彩計等を用いて行うことができる。
また、ダイボンダ及びワイヤボンダ等は、色の色度及び明度等で表わされる３つの物理量
、または、３つの物理量の内の少なくとも1つが認識できる画像認識系を有している。そ
して、色は、例えば、ＣＩＥ（国際照明委員会、Commission Internationale de l’Ecla
irage）で制定された３次元表示のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系によって、数値化して表示される
ことが多い。
【００２５】
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系では、明度をＬ＊（エルスター）、色相と彩度を示す色度をａ＊（
エースター）及びｂ＊（ビースター）で表わす。色度ａ＊は、色の方向を表わし、プラス
の端部（＋６０）に赤、及び、マイナスの端部（−６０）に緑がある。色度ｂ＊は、色の
方向を表わし、プラスの端部（＋６０）に黄、及び、マイナスの端部（−６０）に青があ
る。これらの色度は、それぞれ、絶対値が端部に近いほどあざやかになり（彩度が上がり
）、中心の零に近いほどくすんだ色（灰色（無彩色））となる。明度Ｌ＊は明るさの方向
を表わし、プラスの端部（＋１００）に白、及び、マイナスの端部（−１００）に黒があ
る。なお、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系に限る必要はなく、例えば、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系の変形と
して考え出されたＬ＊Ｃ＊ｈ＊表色系または他の表色系で数値化することも可能である。
【００２６】
半導体装置は、表面の不働態化の要求度に応じて、感光性ポリイミド膜の膜厚を変えて
いる。例えば、感光性ポリイミド膜の膜厚３μｍ及び５．６μｍが使用される。一定の条
件で最終加熱処理を行うと、５．６μｍ厚の感光性ポリイミド膜２１は、上述したように
、３μｍ厚の感光性ポリイミド膜よりも色が濃くなる。
【００２７】
図２に示すように、横軸に色を調整するための調整露光量（ｍＪ／ｃｍ２）、縦軸にＬ
＊ａ＊ｂ＊表色系のそれぞれの物理量をとって、両者の関係が示される。図２（ａ）、（
ｂ）、（ｃ）に示すように、３μｍ厚の感光性ポリイミド膜は、それぞれ白抜丸印のＬ＊
＝２８．２、ａ＊＝０．６４、ｂ＊＝２０．８となる。一方、５．６μｍ厚の感光性ポリ
イミド膜２１は、３μｍ厚の感光性ポリイミド膜と同様に調整露光を行わないと、白抜菱
形で表わしたＬ＊＝２５．８、ａ＊＝３．０、ｂ＊＝３０．２、調整露光追加の露光を行
うと実線のようになる。実線は、それぞれの実測値を近似式で表示したものである。
【００２８】
図２（ａ）に示すように、５．６μｍ厚の感光性ポリイミド膜２１の明度Ｌ＊は、明る
くなる方向に単調に変化している。３μｍ厚の感光性ポリイミド膜の明度Ｌ＊＝２８．２
と、５．６μｍ厚の感光性ポリイミド膜２１に調整露光量約３００ｍＪ／ｃｍ２を加えた
明度Ｌ＊とがほぼ同じとなる。
【００２９】
図２（ｂ）に示すように、５．６μｍ厚の感光性ポリイミド膜２１の色度ａ＊は、調整
露光量３００〜４００ｍＪ／ｃｍに極小値を有しており、３μｍ厚の感光性ポリイミド膜
の色度ａ＊＝０．６４と、５．６μｍ厚の感光性ポリイミド膜２１に調整露光量約２００
ｍＪ／ｃｍ２を加えた色度ａ＊とがほぼ同じとなる。
【００３０】
図２（ｃ）に示すように、５．６μｍ厚の感光性ポリイミド膜２１の色度ｂ＊は、調整
露光量３００〜４００ｍＪ／ｃｍ２に極小値を有しており、３μｍ厚の感光性ポリイミド
膜の色度ｂ＊＝３０．２と、５．６μｍ厚の感光性ポリイミド膜２１に調整露光量約３５
０ｍＪ／ｃｍ２を加えた色度ｂ＊とがほぼ同じとなる。
【００３１】
図３に示すように、５．６μｍ厚の感光性ポリイミド膜２１の色と３μｍ厚の感光性ポ
リイミド膜の色の差（色差）は、定義にあるようにΔＥ＊ａｂ＝（（ΔＬ＊）２＋（Δａ
＊）２＋（Δｂ＊）２）１／２で表わされ、この色差ΔＥ＊ａｂを縦軸にとっている。色
差ΔＥ＊ａｂは、調整露光量約３００ｍＪ／ｃｍ２に極小値を有しており、その値は約０
．９である。
【００３２】
使用しているダイボンダの画像認識系では、色差ΔＥ＊ａｂが約３以下であると、膜厚
３μｍの感光性ポリイミド膜と５．６μｍの感光性ポリイミド膜２１の色を同様と認識可
能であることが分かっている。従って、色差ΔＥ＊ａｂが約０．９の場合、例えば、基準
とした膜厚３μｍの感光性ポリイミド膜に調整されたダイボンダの画像認識系で、膜厚５
．６μｍの感光性ポリイミド膜２１は、ほとんど正確に認識される。つまり、上述したよ
うに、調整露光量は３００ｍＪ／ｃｍ２に調整されると良いことが分かる。また、色差Δ
Ｅ＊ａｂの値が約３以下となる調整露光量は約２００〜４１０ｍＪ／ｃｍ２となるので、
調整露光量に誤差があっても、この範囲に収めればダイボンダの画像認識系は機能するこ
とになる。
【００３３】
図４に示すように、図２(ａ)に示された５．６μｍ厚の感光性ポリイミド膜２１の明度
Ｌ＊のグラフに、ダイボンダの画像認識系で認識可能な上限及び下限が破線で追加して示
されている。つまり、ダイボンダの明度データによる画像認識系を膜厚３μｍの感光性ポ
リイミド膜の明度Ｌ＊に合わせた場合、膜厚５．６μｍの感光性ポリイミド膜２１の明度
Ｌ＊は、破線の間ではほとんど正確に認識される。従って、上述した調整露光量が３００
ｍＪ／ｃｍ２とすると、膜厚５．６μｍの感光性ポリイミド膜２１を有する半導体チップ
は、ダイボンダの明度データによる画像認識系を調整することなしに認識される。また、
上限及び下限を示す破線の間に入る調整露光量は約２００〜３６０ｍＪ／ｃｍ２となるの
で、明度データによる画像認識を行う場合、この範囲の中で調整露光量の選択が可能であ
る。色データによる画像認識系に比較すると、認識される調整露光量が狭められることに
なる。
【００３４】
また、明度Ｌ＊、色度ａ＊、及び、色度ｂ＊を全て使用して、色差ΔＥ＊ａｂを算出し
て調整露光量を決める方法、明度Ｌ＊を使用して、明度Ｌ＊の差を算出して調整露光量を
決める方法の他に、例えば、色度ｂ＊を使用して、色度ｂ＊の差を算出して調整露光量を
決めることは可能である。更に、例えば、明度Ｌ＊及び色度ｂ＊を使用して、これらの物
理量の差の２乗平均等を算出して調整露光量を決めることは可能である。
【００３５】
また、ダイボンダの画像認識系について説明したが、ワイヤボンダの画像認識系につい
ても、同様なことがいえる。調整露光された膜厚５．６μｍの感光性ポリイミド膜２１と
下地のボンディングパッドとの関係は、膜厚３μｍの感光性ポリイミド膜と下地のボンデ
ィングパッドとの関係とほとんど同じなので、下地のボンディングパッドに対して膜厚３
μｍの感光性ポリイミド膜が正確に認識できる光学系であれば、膜厚５．６μｍの感光性
ポリイミド膜２１が同様に正確に認識される。
【００３６】
次に、感光性ポリイミド膜２１の色が調整露光によって変化するメカニズムを定性的に
説明する。図５（ａ）に示すように、改質前の感光性ポリイミド膜２１はポリアミド酸等
からなるベース樹脂に感光性を持たせるために感光剤Ｐが添加されている。図５（ｂ）に
示すように、改質前の感光性ポリイミド膜２１は、調整露光５８により、感光剤Ｐの一部
が酸素との結合力が低下するように化学反応を起こした感光剤Ｐ’となる。次に、図５（
ｃ）に示すように、イミド化させるための最終的な加熱処理５９が施されて、感光剤Ｐは
酸素と結合し、感光剤Ｐ’は酸素と結合されず、感光性ポリイミド膜２１の中の酸素と結
合される感光剤Ｐは相対的に少なくなる。
【００３７】
一方、図５（ｄ）に示すように、同膜厚の改質前の感光性ポリイミド膜はポリアミド酸
等からなるベース樹脂に感光性を持たせるために感光剤Ｐが添加されている（図５（ａ）
と同様）。図５（ｅ）に示すように、調整露光５８が行われることなく最終的な加熱処理
５９が施されて、感光剤Ｐは酸素と結合する。酸素と結合される感光剤Ｐが相対的に多い
感光性ポリイミド膜は、濃色化する。また、より厚い感光性ポリイミド膜は感光剤Ｐを多
く含むので、一定の色に淡色化するためには、調整露光５８の量をより多くする必要があ
ると類推される。
【００３８】
上述したように、半導体装置の製造方法は、膜厚が相対的に薄い感光性ポリイミド膜を
基準として、膜厚が相対的に厚い感光性ポリイミド膜を塗付し、固定した一定条件で行う
最終的な加熱処理を行う前に、基準とする感光性ポリイミド膜の色または明度に合わせる
ように調整露光を追加する工程を備えている。
【００３９】
その結果、膜厚が相対的に厚い感光性ポリイミド膜を有する半導体装置は、膜厚が相対
的に薄い感光性ポリイミド膜の色または色の要素である明度等に合わせる方向で、淡色化
が可能となる。すなわち、膜厚が相対的に厚い感光性ポリイミド膜の色と、膜厚が相対的
に薄い感光性ポリイミド膜のそれとの差を抑制することが可能である。そして、膜厚が相
対的に薄い感光性ポリイミド膜の色に合わせて調整された画像認識系は、淡色化された膜
厚が相対的に厚い感光性ポリイミド膜を有する半導体装置を認識することが可能とする。
そして、膜厚が最も薄い感光性ポリイミド膜の色に合わせて画像認識系を調整しておくこ
とにより、画像認識系が調整なしで認識できる範囲は広げられる。
【００４０】
膜厚が相対的に厚い感光性ポリイミド膜の色を、膜厚が相対的に薄い感光性ポリイミド
膜のそれに合わせることが可能なので、半導体装置の表面の色により光学的な画像認識を
行う組立装置、例えば、ダイボンダ及びワイヤボンダ等においては、新たな光学的な調整
なしに、膜厚の異なる感光性ポリイミド膜を有する半導体装置を認識することが可能とな
る。新たに光学的な調整を行う必要がないので、膜厚の異なる品種を組立てるとき、組立
装置の稼働率を向上させることが可能となる。
【００４１】
しかも、感光性ポリイミド膜に対する紫外線等のエネルギー線の照射量、すなわち、感
光性ポリイミド膜の露光量は、比較的定量化し易い量なので、感光性ポリイミド膜の色ま
たは明度等を再現性よく制御できる。また、半導体基板の面内における調整露光量のばら
つきを比較的小さく抑えることが可能である。その結果、組立工程の良品数を向上させる
ことが可能である。
【００４２】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００４３】
例えば、実施例では、感光性ポリイミド膜はポジ型である例を示したが、ネガ型である
ことも可能である。ネガ型感光性ポリイミド膜を使用する場合、マスクのパターンは逆転
させる等の変更が必要である。
【００４４】
本発明は、以下の付記に記載されるような構成が考えられる。  
（付記１）  既定の膜厚を有する第１の感光性ポリイミドの色を予め測定する工程と、
半導体基板の表面に、前記第１の感光性ポリイミドの膜厚より厚く、改質前の第２の感光
性ポリイミドを塗布する工程と、色を表わす物理量の内の少なくとも１つの物理量と露光
量との関係を示す所定の加熱処理条件で予め求めておいた検量データに基づいて、前記第
２の感光性ポリイミドに対して、前記測定された第１の感光性ポリイミドにおける色の前
記物理量との差が所定の範囲内となるような露光量でエネルギー線を照射する工程と、前
記第２の感光性ポリイミドに対して前記所定の加熱処理条件にて加熱処理を行う工程とを
備えている半導体装置の製造方法。
【００４５】
（付記２）  前記エネルギー線は、紫外線または可視光線である付記１に記載の半導体装
置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法における調整露光量と感光性ポリイミド膜の色を表わす物理量との関係を模式的に示す図で、図２（ａ）は明度Ｌ＊との関係、図２（ｂ）は色度ａ＊との関係、及び、図２（ｃ）は色度ｂ＊との関係示す図。
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法における調整露光量と感光性ポリイミド膜の色の差ΔＥ＊ａｂとの関係を模式的に示す図。
【図４】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法における調整露光量と感光性ポリイミド膜の明度Ｌ＊との関係及び明度Ｌ＊の許容範囲を模式的に示す図。
【図５】本発明の実施例に係る半導体装置に使用される感光性ポリイミド膜の色の表われ方を説明するための模式的な図。
【符号の説明】
【００４７】
１１  半導体基板
２１  ポリイミド膜
３１  マスク
４１、４２  エネルギー線
５１  ベース樹脂
５３、５４  感光剤
５６  酸素
５８  調整露光
５９  加熱処理
【図１】
2008252039.tif 000003
【図２】
2008252039.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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