(57)【要約】      （修正有）【課題】基板側面に帯電する電荷を低減させる機構を提供する。【解決手段】基板カバー１０は、電子ビームを用いて描画される基板１０１上に配置され、基板１０１の外周端よりも外形寸法が大きく形成され、外周端よりも小さな寸法で中央部に開口部が形成されたフレーム１２と、フレーム１２の下面側に設けられ、基板１０１と接続して導通させるアースピン１６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板１０１側面に帯電する電荷によるビーム軌道のずれを防止することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを用いて描画される基板上に配置され、前記基板の外周端よりも外形寸法が大きく形成され、前記外周端よりも小さな寸法で中央部に開口部が形成された枠状部材と、
前記枠状部材の下面側に設けられ、前記基板と接続して導通させる接点部と、
を備えたことを特徴とする基板カバー。
【請求項２】
前記基板カバーは、さらに、前記枠状部材上に形成された所定のマークを備えたことを特徴とする請求項１記載の基板カバー。
【請求項３】
基板の外周部全体をカバーし前記基板と導通する接点を有する基板カバーが装着された前記基板を配置するステージと、
前記基板が前記ステージに配置された状態で、前記接点と導通し、前記基板に帯電する電位を地絡させる導電部材と、
前記基板が前記導電部材を用いて地絡された状態で、荷電粒子ビームを用いて前記基板に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記基板カバーは、前記基板の外周端よりも外形寸法が大きく形成され、前記外周端よりも小さな寸法で中央部に開口部が形成された枠状部を備え、その枠状部の上面に所定のマークを形成してなることを特徴とする請求項３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
所定のマークが形成された基板カバーを装着した基板を描画装置内に搬入する搬入工程と、
前記基板カバーに形成された前記所定のマークを用いて、前記基板の位置を確認する位置確認工程と、
位置が確認された前記基板に荷電粒子ビームを用いて所定のパターンを描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項６】
基板の外周部全体をカバーする基板カバーを装着した前記基板を描画装置内に搬入する搬入工程と、
前記基板カバーが装着された状態で、前記基板に荷電粒子ビームを用いて所定のパターンを描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、電子ビームを用いて描画される基板のアース機構及び描画装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１２は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
ここで、マスク基板等の試料は、一般的に、電子ビーム描画装置内においてステージ上でクランプ機構等の部材を使ってステージに固定される。そして、電子ビーム描画装置でマスク基板等の試料が描画されていくと、かかる試料面に形成された層を構成する導電材料、例えば、クロム（Ｃｒ）を用いた遮光膜層が帯電してしまう。かかる状態のまま描画を行なうとかかる帯電による電荷の影響により描画するために照射された電子ビームの軌道が曲げられてしまい、所望する位置に描画することができなくなってしまうといった問題が生じる。或いは、ビームがぼけてしまうといった問題が生じる。そこで、通常、かかる帯電した層を接地して、アースをとる（地絡させる）ことが行なわれる。そして、従来のアース機構では、いくつかの接点を試料面上に配置することで帯電した電位を地絡させようとしている。しかしながら、帯電するのは、遮光膜層だけではない。試料の側面にも電子ビームの一部が照射されるため、試料の側面で表に出ているガラス基板等にも帯電してしまう。
【０００５】
また、電子ビーム描画装置で描画されるマスク基板等の試料は、最初は何も描画されていないマスクブランクスの状態である。このような基板を描画する場合に、従来、ステージ上にアライメントマークを設けておき、そのアライメントマークの位置からマスク基板の位置を予測して描画位置の位置合わせを行なっていた。しかしながら、この手法は、マスク基板とステージとの相対位置がずれないことを前提としている。そのため、ステージ上でマスク基板がずれた場合にはその場では対処することができず、マスク基板が描画され、そして、現像、エッチング等を経て、出来上がったパターンを検査しなければ位置ずれを確認することが困難であった。
【０００６】
ここで、電子ビーム描画におけるマスク基板の位置合わせ手法に関連して、マスク基板に予めアライメントマークを形成しておき、第１層目の描画と第２層目の描画との間での高精度な位置合わせを行なうとする技術が文献に開示されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、この技術では、パターンの描画を行なう前に予めアライメントマークをマスク基板に形成しておかなければならないため、アライメントマークをマスク基板に描画し、現像し、エッチングするという工程が追加になってしまい、工程数が増大するといった問題がある。
【特許文献１】特開平５−１５８２１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、電子ビーム描画装置では、基板側面に帯電した電荷による照射された電子ビームの軌道への影響を排除することが望まれている。また、マークがわざわざ形成されていない基板についても高精度な位置の把握が望まれている。
【０００８】
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、基板側面に帯電する電荷を低減させる機構、方法及び装置を提供することを目的とする。さらに他の目的として、高精度な位置への描画を行なう機構及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の基板カバーは、
荷電粒子ビームを用いて描画される基板上に配置され、基板の外周端よりも外形寸法が大きく形成され、外周端よりも小さな寸法で中央部に開口部が形成された枠状部材と、
枠状部材の下面側に設けられ、基板と接続して導通させる接点部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
かかる構成により、上方から見た場合に基板カバーが基板の外周部を覆うことができる。そのため、基板側面への荷電粒子ビームの照射を遮へいすることができる。そして、接点部が導電層に帯電した電位を地絡させることができる。さらに、アース機構を基板カバーに備えたことで、基板と共に装置外部にアース機構を取り出すことができる。
【００１１】
そして、基板カバーは、さらに、枠状部材上に形成された所定のマークを備えたことを特徴とする。
【００１２】
基板カバーが基板上に配置されるために、ステージ上で基板がずれた場合でも基板カバーが基板と一体となって移動する。そして、基板カバーに所定のマークを備えたことにより、基板がずれた場合でも従来のステージにマークを設けた場合のようなマークと基板の相対位置のずれを防止することができる。
【００１３】
また、本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
基板の外周部全体をカバーし基板と導通する接点を有する基板カバーが装着された基板を配置するステージと、
基板がステージに配置された状態で、接点と導通し、基板に帯電する電位を地絡させる導電部材と、
基板が導電部材を用いて地絡された状態で、荷電粒子ビームを用いて基板に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１４】
上述したように、基板カバーが基板の外周部全体をカバーすることにより基板側面への荷電粒子ビームの照射を遮へいすることができる。そして、導電部材により接点を介して基板に帯電する電位を地絡させることができる。そして、ここで用いる基板カバーは、上述したのと同様、基板の外周端よりも外形寸法が大きく形成され、外周端よりも小さな寸法で中央部に開口部が形成された枠状部を備え、その枠状部の上面に所定のマークを形成したものを用いると好適である。
【００１５】
また、本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
所定のマークが形成された基板カバーを装着した基板を描画装置内に搬入する搬入工程と、
基板カバーに形成された所定のマークを用いて、基板の位置を確認する位置確認工程と、
位置が確認された基板に荷電粒子ビームを用いて所定のパターンを描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１６】
かかる構成により、ステージ上で基板がずれた場合でも基板カバーが基板と一体となって移動するため相対位置がずれない。よって、所定のマークが基板カバーに形成されることでそのマークの位置から基板の正確な位置を確認することができる。
【００１７】
また、本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
基板の外周部全体をカバーする基板カバーを装着した前記基板を描画装置内に搬入する搬入工程と、
前記基板カバーが装着された状態で、前記基板に荷電粒子ビームを用いて所定のパターンを描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１８】
上述したように、基板カバーが基板の外周部全体をカバーすることにより基板側面への荷電粒子ビームの照射を遮へいすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一態様によれば、基板側面への荷電粒子ビームの照射を遮へいすることができるので、基板側面に帯電する電荷によるビーム軌道のずれを防止することができる。その結果、高精度な描画を実現することができる。さらには、基板カバーを基板に装着させることで、基板カバーが基板と一体となって移動するため基板の正確な位置を確認することができる。その結果、位置ずれが生じた不良基板について早い段階での排除を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、各実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００２１】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における基板カバーの構成と基板を示す概念図である。
図２は、図１の断面図である。
図１及び図２において、基板カバー１０は、フレーム１２（枠状部材の一例）、位置確認のためのマーク１４、接点部となるアースピン１６を備えている。フレーム１２は、板材により構成され、外周寸法が基板１０１の外周端よりも大きく、内側の中央部に形成された開口部の寸法が基板１０１の外周端よりも小さく形成されている。すなわち、図１に示すように基板１０１の上部に基板カバーを重ねた場合に、点線で示す基板１０１の外周部の全周がフレーム１２に重なるように形成されている。そして、３つのアースピン１６が基板１０１と導通している。また、対角に２つのマーク１４がフレーム１２上に形成されている。基板カバー１０は、全体が導電性材料で形成されているもの、或いは全体が絶縁材料で形成され、その表面に導電性材料がコーティングされているもの等が好適である。導電性材料としては、金属材料、例えば銅（Ｃｕ）やチタン（Ｔｉ）およびその合金等が好適であり、絶縁材料としては、例えばセラミックス材料等が好適である。
【００２２】
図３は、基板の領域の一例を説明するための図である。
図３において、基板１０１は、中央部の描画領域３２と外側の基板外周絶縁体部３４の領域とが存在する。基板カバー１０は、基板外周絶縁体部３４と重なるように被せられる。
【００２３】
図４は、実施の形態１におけるアース機構の説明をするための概念図である。
図４に示すように、描画される基板１０１は、マスクブランクスとなるガラス基板２６上に遮光膜層を形成する導電性材料のクロム（Ｃｒ）膜２４が形成され、そして、その上にレジスト膜２２が形成されている。そして、レジスト膜２２に電子ビームを照射することで所望するレジストパターンを形成する。そして、この電子ビーム描画の際に、レジスト膜２２に食い込むように突き抜いて帯電するクロム膜２４にアースピン１６を接続させる。よって、アースピン１６の先端は鋭利な形状になっている方が望ましい。例えば、円錐形のアースピン１６の頂点をレジスト膜２２に差し込むようにしても良い。このような基板カバー１０が装着された基板１０１を後述する描画装置にセットして、上方から電子ビームを照射した場合、基板１０１の外周端の上方はフレーム１２で覆われているので覆われた領域は電子ビームが遮へいされる。よって、このような基板カバー１０を装着することにより基板１０１の側面への帯電を防止することができる。また、アースピン１６については、別途、地絡させるように導電性部材を接続すればよい。
【００２４】
図５は、実施の形態１におけるマークの一例を示す図である。
マーク１４は、例えば、図５に示すような十字型のマークが好適である。描画装置に設置した際に縦横のラインを電子ビームで走査することでマーク１４の中心位置を特定することができる。また、かかるマークは、金属材料を用いることが望ましく、また、凸に形成されても凹に形成されても構わない。
【００２５】
図６は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図６において、荷電粒子ビーム描画装置の一例として可変成形型電子線描画装置である描画装置１００は、描画部１５０と制御系となる描画制御回路１６０を備えている。描画部１５０としては、電子鏡筒１０２と描画室１０３を有している。そして、電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８が配置されている。一方、描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置され、ＸＹステージ１０５上の支持ピン１０６で試料となる基板１０１を支持している。ここでは、上述したように、装置外部で基板１０１上に基板カバー１０を装着した状態で描画装置１００内に搬入し、ＸＹステージ１０５上に配置している。そして、ここでは、３つの支持ピン１０６で基板１０１を単純支持している。また、ＸＹステージ１０５上には、導電性材料で形成したばね部材２１２（導電部材の一例）が配置され、基板カバー１０のアースピン１６と導通させている。そして、基板１０１からアースピン１６へと移動した電荷は、ばね部材２１２とＸＹステージ１０５を介して地絡される。図６では、ばね部材２１２として板ばねを用いている。このようにばね材を用いることで、基板カバー１０がばね部材２１２に衝突した時の衝撃と位置誤差によるばね部材２１２からの押圧力をばね部材２１２が撓むことでばね部材２１２に吸収させることができる。その結果、基板カバー１０が基板１０１から外れることを防止することができる。また、ばね部材２１２に圧縮力をかけた状態で接続させることで導通不良を防ぐことができる。ここで、基板カバー１０が基板１０１から外れることを防止するためにも、ばね定数は、導通不良を防ぐことができる程度に小さな値にすることが望ましい。図６では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００２６】
ここで、基板カバー１０の３つのアースピン１６位置は、支持ピン１０６と同位置或いはその近くに配置すると好適である。基板１０１と接触するアースピン１６位置を描画装置１００内で基板裏面から支持する支持ピン１０６と同位置或いはその付近にすることで離れた位置にする場合に比べて基板１０１の撓みを抑制することができる。
【００２７】
ここで、マスク基板等の基板１０１は、一般的に、描画装置１００内においてステージ上でクランプ機構等の部材を使ってステージに固定される。
図７は、クランプ機構で支持した場合と実施の形態１の構成とを比較するための概念図である。
図７（ａ）に示すクランプ機構では、基板１０１をクランプするために基板１０１上部に高さのある構造部材３００を設ける必要がある。そして、ステージ３０５から延びるばね支持部材３０６との間で基板１０１を挟み固定する。例えば、構造部材３００或いはステージ３０５を上下に移動させることで基板を挟み込む。しかしながら、図６に示すように、基板１０１上には電子ビーム２００の焦点を調整する対物レンズ２０７等の電子レンズが間近に配置されるため、できるだけ基板１０１上部に配置される部材の厚さ（高さ）を小さく（低く）することが望まれている。また、狭い領域に配置することからできるだけ簡単で小さな構造が望ましい。そこで、実施の形態１の構成では、図７（ｂ）に示すように、支持ピン１０６による単純支持とし、薄い板状のフレームで構成される基板カバー１０を載せただけなので基板１０１上部に配置される部材の高さ低くすることができる。すなわち、基板１０１上にはクランプ機構の構造部材３００を設けた場合に必要な高さｔ２よりも低いｔ１で構成することができる。また、基板１０１へのかかり幅もクランプ機構のｗ２よりも小さいｗ１で構成することができる。そして、基板カバー１０では、基板カバー１０を装着した状態で支持ピン１０６上に置けば配置完了になるので、クランプ機構のように上下等に移動させるための複雑な構成を必要としないで済ますことができる。ここで、実施の形態１の構成では、基板１０１を単純支持しているが、支持ピン１０６と基板１０１の接触面にＸＹステージ１０５の移動加速度に耐えうる摩擦係数を持たせればよい。
【００２８】
図８は、実施の形態１における描画方法の工程の要部を示すフローチャート図である。
図８において、描画方法は、搬入工程（Ｓ１０２）、位置確認工程（Ｓ１０４）、描画工程（Ｓ１０６）といった一連の工程を実施する。
【００２９】
Ｓ１０２において、搬入工程として、基板カバー１０が基板１０１上に装着された状態で描画装置１００内に搬入する。また、基板カバー１０は、描画装置１００の内部構成ではないため、装置外に取り出すことができ、メンテナンスもし易いといったメリットもある。
【００３０】
Ｓ１０４において、位置確認工程として、マーク１４上を電子ビーム２００で走査して、マークの位置を測定し、その測定結果を用いて基板１０１の位置を確認する。このように、基板１０１と一体となった基板カバー１０上に形成されたマーク１４を用いることで、基板１０１がＸＹステージ１０５からずれた場合でもマークとの相対位置が変わらないため、正確な基板１０１の位置を特定することができる。よって、基板１０１の位置ずれの有無を確認することができる。このように、描画時点で基板１０１の位置ずれの有無を確認できるので、従来のように現像、エッチング等を経なければ判らなかった場合に比べ、工程の途中でもパターン不良基板を排除することができる。その結果、無駄な工程を低減させることができる。マーク１４は、１つでも構わないが、より基板１０１の位置を正確に把握するためには複数設けた方が望ましい。特に、図１に示すように対角状に設けると好適である。
【００３１】
Ｓ１０６において、描画工程として、基板１０１の位置が確認された基板１０１の描画領域３２に電子ビーム２００を照射して所望するパターンを描画する。具体的には以下の流れで描画する。
【００３２】
電子銃２０１から照射された荷電粒子ビームの一例となる電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により集光され、矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料となる基板１０１の所望する位置に照射される。また、電子鏡筒１０２内およびＸＹステージ１０５が配置された描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。
【００３３】
以上のように、基板１０１の外周部全体が基板カバー１０でカバーされた状態で電子ビーム２００を照射することで、基板１０１の側面に照射されるはずであった電子ビームを基板カバー１０で遮へいすることができる。その結果、基板１０１の側面への帯電を防止することができる。
【００３４】
ここで、上述した位置確認工程は、描画開始前だけでなく、描画終了後にマークの位置を測定してもよい。また、描画は、所定の単位（例えば描画ストライプ）毎に行なうが、この描画単位毎にマーク位置を測定し、位置確認をおこなっても好適である。
【００３５】
実施の形態２．
図９は、実施の形態２における基板カバーの構成と基板を示す概念図である。
実施の形態２では、基板カバー１０のマーク１４の高さ位置が、基板１０１の表面、すなわち、レジスト膜２２の表面高さに合わせるように構成する。図９では、フレーム１２の外側に下方向に厚みをもった部分を設け、その厚みのある部分を使って、マーク１４の高さ位置を調整している。このように、マーク１４の高さ位置を基板１０１面に合わせることでより測定されるマーク位置の値を用いた基板１０１の位置をより高精度に把握することができる。
【００３６】
ここで、フレーム１２の外側の厚みのある部分は、フレーム１２の外周全体にわたって形成してもよいし、マーク１４の位置にのみ形成してもよい。また、この厚みのある部分とフレーム１２は、図９に示すように一体で形成されてもよいし、別体で形成された後に接続されても構わない。その他の構成は、実施の形態１と同様である。
【００３７】
実施の形態３．
図１０は、実施の形態３における基板カバーの構成を示す概念図である。
上述した実施の形態では、アースピン１６とフレーム１２の本体とが導通している構造としていた。実施の形態３では、フレーム１２のアースピン１６の３箇所の配置位置にそれぞれ絶縁部材１８を配置し、絶縁部材１８中にアースピン１６を配置して、アースピン１６とフレーム１２の本体との間を絶縁した構成とする。そして、アースピン１６とフレーム１２とはそれぞれ別々に地絡させる。このように構成することで、フレーム１２本体に帯電した電位を地絡させたのか、アースピン１６を介してＣｒ層に帯電した電位を地絡させたのかがわかるようにすることができる。この手法によりそれぞれの電位を個別に制御することができる。ここで、描画装置１００内に配置された場合に、ばね部材２１２は、アースピン１６用とフレーム１２本体用とを備えればよい。その他の構成は、実施の形態１と同様である。
【００３８】
実施の形態４．
図１１は、実施の形態４における基板カバーを装着した基板が描画装置に搬入された状態を示す概念図である。
上述した実施の形態では、基板カバー１０を装着した基板１０１が描画装置１００内に配置された場合に、板ばね材で形成されたばね部材２１２でアース接続していたが、実施の形態４では、図１１に示すように、つるまきばね材を用いて形成されたばね部材２１４でアース接続する。このように、アース接続させるための部材は、板ばね材以外でも構わない。その他の構成は、実施の形態１と同様である。
【００３９】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、上述した各実施の形態では、アース接続するために、ばね部材２１２やばね部材２１４といったばね材を用いているが、これに限るものではない。アース接続できるものであればよい。
【００４０】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００４１】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施の形態１における基板カバーの構成と基板を示す概念図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】基板の領域の一例を説明するための図である。
【図４】実施の形態１におけるアース機構の説明をするための概念図である。
【図５】実施の形態１におけるマークの一例を示す図である。
【図６】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図７】クランプ機構で支持した場合と実施の形態１の構成とを比較するための概念図である。
【図８】実施の形態１における描画方法の工程の要部を示すフローチャート図である。
【図９】実施の形態２における基板カバーの構成と基板を示す概念図である。
【図１０】実施の形態３における基板カバーの構成を示す概念図である。
【図１１】実施の形態４における基板カバーを装着した基板が描画装置に搬入された状態を示す概念図である。
【図１２】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  基板カバー
１２  フレーム
１４  マーク
１６  アースピン
１８  絶縁部材
２２  レジスト膜
２４  Ｃｒ膜
２６  ガラス基板
３２  描画領域
３４  基板外周絶縁体部
１００  描画装置
１０１  基板
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１０６  支持ピン
１５０  描画部
１６０  描画制御回路
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２１２，２１４  ばね部材
３００  構造部材
３０５  ステージ
３０６  ばね支持部材
３３０  電子線
３４０  試料
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
2008058809.tif 000003
【図２】
2008058809.tif 000004
【図３】
2008058809.tif 000005
【図４】
2008058809.tif 000006
【図５】
2008058809.tif 000007
【図６】
2008058809.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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