(57)【要約】【課題】部品と配線積層部とを確実に接続することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板１０は、コア基板１１及びセラミックコンデンサ１０１を備える。コア基板１１は、コア主面１２及びコア裏面１３にて開口する収容穴部９０を有する。セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２上に配置された表面電極１１１，１１２、及び、表面電極１１１，１１２上にて突設された突起状導体５１を有し、コア主面１２とコンデンサ主面１０２とを同じ側に向けた状態で収容穴部９０内に収容される。突起状導体５１の頂部は、最下層の層間絶縁層３３の表面３３ｂと同じ位置またはそれよりも高い位置にある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、
部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、前記部品主面上に配置された複数の表面電極、前記複数の表面電極上にて突設された複数の突起状導体を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容された部品と、
層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部と
を備え、
前記複数の突起状導体の頂部が、最下層の層間絶縁層の表面と同じ位置またはそれよりも高い位置にあることを特徴とする部品内蔵配線基板。
【請求項２】
前記複数の突起状導体の厚さは、前記複数の表面電極の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板。
【請求項３】
前記複数の突起状導体の直径は、前記複数の表面電極の直径よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵配線基板。
【請求項４】
前記複数の突起状導体の頂部は、前記部品主面と平行な平坦面を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板。
【請求項５】
前記複数の突起状導体は、導電性ペーストの硬化物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板。
【請求項６】
コア基板の収容穴部に収容され、かつ、層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部を前記コア基板のコア主面上に形成した状態で使用される配線基板内蔵用部品であって、
部品主面及び部品裏面を有する部品本体と、
前記部品主面上に配置された複数の表面電極と、
前記複数の表面電極上にて突設された複数の突起状導体と
を備え、
前記複数の突起状導体の厚さが、前記複数の表面電極の厚さよりも大きく、前記複数の突起状導体の直径が、前記複数の表面電極の直径よりも小さいことを特徴とする配線基板内蔵用部品。
【請求項７】
前記複数の突起状導体の頂部は、前記部品主面と平行な平坦面を有していることを特徴とする請求項６に記載の配線基板内蔵用部品。
【請求項８】
前記複数の突起状導体は、導電性ペーストの硬化物であることを特徴とする請求項６または７に記載の配線基板内蔵用部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板の表面に配線積層部を形成した構造であって、内部にコンデンサなどの部品が収容されている部品内蔵配線基板、その部品内蔵配線基板に用いられる配線基板内蔵用部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板内にチップ状のコンデンサを埋め込むとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記従来の配線基板の製造方法の一例を以下に説明する。まず、コア主面２０１及びコア裏面２０２の両方にて開口する収容穴部２０３を有する高分子材料製のコア基板２０４（図１７参照）を準備する。併せて、コンデンサ主面２０５及びコンデンサ裏面２０６にそれぞれ複数の表面電極２０７を突設したコンデンサ２０８（図１７参照）を準備する。次に、コア裏面２０２側に粘着テープ２０９を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部２０３のコア裏面２０２側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部２０３内にコンデンサ２０８を収容する収容工程を行い、コンデンサ裏面２０６を粘着テープ２０９の粘着面に貼り付けて仮固定する（図１７参照）。
【０００４】
次に、コア主面２０１及びコンデンサ主面２０５に高分子材料を主体とする樹脂絶縁層２１０を形成する（図１８参照）。併せて、樹脂絶縁層２１０の一部により、収容穴部２０３の内壁面とコンデンサ２０８の側面との隙間を埋めて、コンデンサ２０８を固定する（図１８参照）。そして、この時点で、粘着テープ２０９を剥離する。次に、コア裏面２０２及びコンデンサ裏面２０６に高分子材料を主体とする樹脂絶縁層２１１を形成する（図１９参照）。さらに、レーザー孔あけ加工を行い、樹脂絶縁層２１０，２１１をそれぞれ貫通するビア孔を複数箇所に形成し、表面電極２０７を露出させる。そして、樹脂絶縁層２１０，２１１及びビア孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂絶縁層２１０，２１１上に導体層２１３がパターン形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体２１２が形成される（図１９参照）。
【０００５】
この後、樹脂絶縁層２１０，２１１に対して、樹脂絶縁層の形成及び導体層の形成を交互に行うことで、ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。
【特許文献１】特開２００２−２７１０３２号公報（図７など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、コア基板２０４やコンデンサ２０８に反りが生じた場合、樹脂絶縁層２１０の厚さにバラツキが生じてしまう。これに伴い、樹脂絶縁層２１０，２１１に形成されるビア孔の深さにもバラツキが生じてしまう。従って、上記したレーザー孔あけ加工を行ってビア孔を複数箇所に形成しようとすると、レーザーの出力の調節が困難になる。即ち、ビア孔が浅いと、樹脂絶縁層２１０，２１１を通過したレーザーは、出力が高いままの状態で表面電極２０７に照射されるため、条件によっては、表面電極２０７が発熱して溶融してしまう可能性がある。一方、ビア孔が深いと、樹脂絶縁層２１０，２１１を通過するレーザーが表面電極２０７まで到達しないため、表面電極２０７の上面に樹脂が残るなどして、表面電極２０７を上手く露出させることができない可能性がある。また、樹脂絶縁層２１０，２１１の厚さ（即ちビア孔の深さ）は、一般的に数十μｍ程度に設定されているため、ビア孔内にビア導体２１２を完全に充填することは困難であるし、完全に充填しようとすれば生産性が低下する。
【０００７】
その結果、ビア孔内にビア導体２１２を形成したとしても、ビア導体２１２の端部を表面電極２０７に上手く接続できないため、ビア導体２１２と表面電極２０７との導通を図ることが困難になる。この場合、製造される配線基板が不良品となるため、配線基板の信頼性が低下するおそれがある。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、部品と配線積層部とを確実に接続することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記の部品内蔵配線基板に好適な配線基板内蔵用部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、前記部品主面上に配置された複数の表面電極、前記複数の表面電極上にて突設された複数の突起状導体を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容された部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記複数の突起状導体の頂部が、最下層の層間絶縁層の表面と同じ位置またはそれよりも高い位置にあることを特徴とする部品内蔵配線基板がある。
【００１０】
従って、手段１の部品内蔵配線基板によると、表面電極上にあらかじめ突起状導体が突設された部品を用いているため、部品を内蔵して配線積層部を形成する際に、最下層の層間絶縁層に突起状導体用のビア孔を形成して表面電極上の層間絶縁層を除去する工程が不要となる。その結果、突起状導体が層間絶縁層を介さずに表面電極に直接接続され、突起状導体と表面電極とが確実に導通する。しかも、突起状導体の頂部が、既に最下層の層間絶縁層の表面と同じ位置またはそれよりも高い位置に到達しているため、突起状導体の頂部を、最下層の層間絶縁層の表面に位置する導体層に確実に接続することができ、突起状導体と導体層とを確実に導通させることができる。従って、部品の表面電極と配線積層部内の導体層とを突起状導体を介して確実に導通させることができるため、不良品の発生を防止でき、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。また、部品を内蔵して配線積層部を形成する際に上記の突起状導体用のビア孔を形成する工程が不要となるため、部品内蔵配線基板の製造が容易になる。
【００１１】
上記部品内蔵配線基板を構成するコア基板は、例えばコア主面及びその反対側に位置するコア裏面を有する板状に形成されており、部品を収容するための収容穴部を有している。この収容穴部は、コア主面側のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいはコア主面側及びコア裏面側の両方にて開口する貫通穴であってもよい。また、部品は、完全に埋設された状態で収容穴部に収容されていてもよいし、一部分が収容穴部の開口部から突出した状態で収容穴部に収容されていてもよい。
【００１２】
コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。
【００１３】
上記部品内蔵配線基板を構成する部品は、部品主面、部品裏面及び部品側面を有している。部品の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品側面の面積よりも大きい板状であることが好ましい。また、部品の平面視での形状としては、複数の辺を有する平面視多角形状であることが好ましい。平面視多角形状としては、例えば、平面視略矩形状、平面視略三角形状、平面視略六角形状などを挙げることができるが、特には、一般的な形状である平面視略矩形状であることが好ましい。ここで、「平面視略矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。
【００１４】
なお、好適な前記部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。
【００１５】
また、好適なコンデンサの例としては、チップコンデンサや、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有するコンデンサ本体、前記複数の内部電極層に接続された複数のコンデンサ内ビア導体、前記複数のコンデンサ内ビア導体の端面に接続した状態で前記コンデンサ主面上に配置された複数の表面電極、前記複数の表面電極上にて突設された複数の突起状導体を有するコンデンサなどを挙げることができる。なお、コンデンサは、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電圧安定化が可能となる。また、コンデンサ全体の小型化が図りやすくなり、ひいては部品内蔵配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。
【００１６】
コンデンサを構成する誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。前記セラミック誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。また、前記樹脂誘電体層としては、エポキシ樹脂、接着剤を含んだ四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）などの樹脂が好適に使用される。さらに、前記セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層としては、セラミックとして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどが好適に使用され、樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステルなどの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂、及び、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴムなどのラテックスが好適に使用される。
【００１７】
前記内部電極層、前記コンデンサ内ビア導体、前記表面電極としては特に限定されないが、例えば誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。
【００１８】
前記部品を構成する前記複数の突起状導体は、前記複数の表面電極上にて突設されている。なお、突起状導体は、導電性の金属材料などによって形成することが可能である。突起状導体を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。また、前記複数の突起状導体は、導電性ペーストの硬化物であることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を例えばめっきなどによって形成する場合に比べて、突起状導体を厚く形成することが容易になる。また、各表面電極上にマスクを配置した状態で、マスクを介して導電性ペーストを印刷することで突起状導体を形成するようにすれば、各突起状導体の頂部を面一にすることができる。この場合、各突起状導体の全てを最下層の層間絶縁層の表面に位置する導体層に確実に接触させることができる。よって、突起状導体と導体層との接続信頼性を高めることができ、ひいては、部品内蔵配線基板の信頼性を高めることができる。また、部品内蔵配線基板を製造する場合において、前記突起状導体を有する前記部品を準備する部品準備工程を行った後で、前記収容穴部に部品を収容する収容工程や、前記コア主面及び前記コンデンサ主面上に、前記最下層の層間絶縁層を形成し、前記最下層の層間絶縁層の表面から前記突起状導体の頂部を露出させる層間絶縁層形成工程を行う際に、突起状導体の変形を防止することができる。
【００１９】
前記複数の突起状導体の頂部は、前記最下層の層間絶縁層の表面と同じ位置にあってもよいし、前記最下層の層間絶縁層の表面よりも高い位置にあってもよい。複数の突起状導体の頂部が最下層の層間絶縁層の表面と同じ位置にある場合、最下層の層間絶縁層の表面が面一になるため、最下層の層間絶縁層の上層側に層間絶縁層及び導体層を積層して配線積層部を形成した場合に、配線積層部の表面（上面）に凹凸が生じにくくなる。よって、寸法精度の高い部品内蔵配線基板を得ることができる。一方、複数の突起状導体の頂部が最下層の層間絶縁層の表面よりも高い位置にある場合、各突起状導体の頂部を最下層の層間絶縁層の表面にある導体層に確実に接触させることができる。このため、突起状導体と導体層との接続信頼性を高めることができ、ひいては、部品内蔵配線基板の信頼性を高めることができる。
【００２０】
前記複数の突起状導体の厚さは、前記最下層の層間絶縁層の厚さ以上であれば特に限定されないが、例えば、最下層の層間絶縁層の厚さ＋１０μｍ以上であって、最下層の層間絶縁層の厚さ＋３０μｍ以下に設定されることが好ましい。仮に、複数の突起状導体の厚さが最下層の層間絶縁層の厚さ＋１０μｍ未満であると、各突起状導体の頂部を最下層の層間絶縁層の表面にある導体層に確実に接触させることができない可能性がある。一方、複数の突起状導体の厚さが最下層の層間絶縁層の厚さ＋３０μｍよりも大きいと、配線積層部を形成した際に配線積層部の表面に凹凸が生じやすくなるため、部品内蔵配線基板の寸法精度が低下する可能性がある。
【００２１】
また、前記複数の突起状導体の厚さは、前記複数の表面電極の厚さよりも大きいことが好ましい。仮に、複数の突起状導体の厚さが複数の表面電極の厚さよりも小さいと、各突起状導体の厚さが最下層の層間絶縁層の厚さよりも小さくなる可能性が高いため、突起状導体の頂部を最下層の層間絶縁層の表面に位置する導体層に接続することが困難になる。さらに、前記複数の突起状導体の直径は、前記複数の表面電極の直径よりも小さいことが好ましい。このようにすれば、隣接する突起状導体同士が必ず隙間を有した状態で配置されるため、突起状導体同士の接触による短絡を防止できる。
【００２２】
また、前記複数の突起状導体の頂部は、前記部品主面と平行な平坦面を有していることが好ましい。このようにすれば、突起状導体と最下層の層間絶縁層の表面に位置する導体層との接触面積が大きくなる。このため、突起状導体と導体層との接続信頼性をよりいっそう高めることができ、ひいては、部品内蔵配線基板の信頼性をよりいっそう高めることができる。
【００２３】
なお、突起状導体が例えば金属材料からなる場合、突起状導体の形成方法としては、表面電極上に金属ペーストを印刷して突起状導体を形成する方法などが挙げられる。しかし、上記の方法以外にも、金属箔を貼付する工程のみを行って突起状導体を形成する方法や、突起状導体よりも大きい金属箔を貼付した後、金属箔に対するエッチングを行って突起状導体を形成する方法や、めっきによって突起状導体を形成するなどの方法を採用することも可能である。さらに、別の突起状導体の形成方法としては、突起状導体の焼成を、前記誘電体層や部品を構成する導体（前記内部電極層、前記コンデンサ内ビア導体、前記表面電極）の焼成と同時に行う同時焼成法などが挙げられる。また、誘電体層や上記の部品を構成する導体の焼成を行った後で、突起状導体の焼成を行う後焼成法などを採用することもできる。なお、同時焼成法によって突起状導体を形成すれば、部品の製造に必要な工数が減るため、部品を容易にかつ低コストで形成できる。
【００２４】
上記部品内蔵配線基板を構成する配線積層部は、高分子材料を主体とする層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。なお、配線積層部は、前記コア主面及び前記部品主面上にのみ形成されるが、さらに前記コア裏面及び前記部品裏面上にも配線積層部と同じ構造の積層部が形成されていてもよい。このように構成すれば、コア主面及び部品主面上に形成された配線積層部のみではなく、コア裏面及び部品裏面上に形成された積層部にも電気回路を形成できるため、部品内蔵配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。
【００２５】
層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【００２６】
また、本発明の課題を解決するための別の手段（手段２）としては、コア基板の収容穴部に収容され、かつ、層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部を前記コア基板のコア主面上に形成した状態で使用される配線基板内蔵用部品であって、部品主面及び部品裏面を有する部品本体と、前記部品主面上に配置された複数の表面電極と、前記複数の表面電極上にて突設された複数の突起状導体とを備え、前記複数の突起状導体の厚さが、前記複数の表面電極の厚さよりも大きく、前記複数の突起状導体の直径が、前記複数の表面電極の直径よりも小さいことを特徴とする配線基板内蔵用部品がある。
【００２７】
従って、手段２によると、表面電極上にあらかじめ突起状導体が突設された配線基板内蔵用部品であるため、配線基板内蔵用部品を収容穴部に収容し、かつ、コア主面上に配線積層部を形成する際に、層間絶縁層に突起状導体用のビア孔を形成して表面電極上の層間絶縁層を除去する工程が不要となる。その結果、突起状導体が層間絶縁層を介さずに表面電極に直接接続され、突起状導体と表面電極とが確実に導通する。しかも、複数の突起状導体の厚さが複数の表面電極の厚さよりも大きいため、各突起状導体の高さを確保することができ、各突起状導体の頂部を配線積層部内の導体層に接続しやすくなり、各突起状導体と導体層とを確実に導通させやすくなる。従って、配線基板内蔵用部品の表面電極と配線積層部内の導体層とを突起状導体を介して確実に導通させることができるため、配線基板内蔵用部品の信頼性を向上させることができる。また、複数の突起状導体の直径が複数の表面電極の直径よりも小さく、隣接する突起状導体同士が必ず隙間を有した状態で配置されるため、突起状導体同士の接触による短絡を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２９】
図１に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板（以下「配線基板」という）１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２とからなる。
【００３０】
コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層３３，３５（いわゆる層間絶縁層）と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、第１ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。また、第２層の樹脂絶縁層３５内における複数箇所にはビア導体４３が形成されている。各ビア導体４３の下端となる箇所は、樹脂絶縁層３３の表面上に形成された導体層４２に接続されており、各ビア導体４３の上端となる箇所は、樹脂絶縁層３５の表面上に形成された導体層４２、または、端子パッド４４に接続されている。このビア導体４３は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。
【００３１】
図１に示されるように、コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第１層の樹脂絶縁層３４内における複数箇所にはビア導体４７が形成されている。各ビア導体４７の下端となる箇所は、樹脂絶縁層３４の表面上に形成された導体層４２に接続されている。第２層の樹脂絶縁層３６内における複数箇所にはビア導体４３が形成されており、樹脂絶縁層３６の下面上において各ビア導体４３の下端となる箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、樹脂絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００３２】
図１に示されるように、本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材１６１と、基材１６１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材１６４と、同じく基材１６１の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層１６３とによって構成されている。また、コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２、コア裏面１３及び導体層１６３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通するとともに、導体層１６３に電気的に接続している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。スルーホール導体１６の上端は、樹脂絶縁層３３の表面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、樹脂絶縁層３４の下面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されている。また、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。さらに、コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。
【００３３】
そして、収容穴部９０内には、図２〜図４等に示す配線基板内蔵用部品であるセラミックコンデンサ１０１（部品）が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア基板１１のコア主面１２と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１０．０ｍｍ×横１０．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１においてＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。
【００３４】
図１等に示されるように、収容穴部９０の内壁面９１と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、コア主面１２に接する最下層の樹脂絶縁層３３の一部である充填剤３３ａによって埋められている。この充填剤３３ａは、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する機能を有している。なお、セラミックコンデンサ１０１は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。これにより、温度変化に伴う充填剤３３ａの変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、充填剤３３ａのクラックの発生を防止できる。
【００３５】
図１〜図４等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（部品本体）は、部品主面である１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、部品裏面である１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、部品側面である４つのコンデンサ側面１０６（図１では左面、右面）を有する板状物である。
【００３６】
図２に示されるように、セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。
【００３７】
図１〜図４に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。なお本実施形態において、ビアホール１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２を５列×５列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。
【００３８】
そして図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用電極１１１（表面電極）と複数の主面側グランド用電極１１２（表面電極）とが突設されている。なお、各主面側グランド用電極１１２は、コンデンサ主面１０２上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。主面側電源用電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。
【００３９】
また、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用電極１２１と複数の裏面側グランド用電極１２２とが突設されている。なお、各裏面側グランド用電極１２２は、コンデンサ裏面１０３上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。裏面側電源用電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。
【００４０】
図２等に示されるように、電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。これら電極１１１，１１２、１２１，１２２及びコンデンサ内ビア導体１３１，１３２は、前記ＩＣチップ２１の略中心部の直下に配置されている。なお本実施形態の電極１１１，１１２，１２１，１２２は、直径が約５００μｍ、厚さが約５０μｍの平面視略矩形状をなし、ピッチの最小長さが約５８０μｍに設定されている。
【００４１】
図１，図２に示されるように、各主面側電源用電極１１１上及び各主面側グランド用電極１１２上には、複数の突起状導体５１が突設されている。各突起状導体５１は、導電性ペーストの一種である銅ペーストの硬化物である。また、各突起状導体５１は、断面円形状かつ等断面形状であって、各突起状導体５１の中心軸線は、電極１１１，１１２の中心と一致している。また、各突起状導体５１の頂部５２は、円形状をなす平坦面５３を有しており、平坦面５３は前記コンデンサ主面１０２と平行になっている。従って、突起状導体５１は円柱状をなしている。各突起状導体５１の直径は、電極１１１，１１２の直径（約５００μｍ）よりも小さく、かつ、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径（約１００μｍ）よりも大きく設定されており、本実施形態では約３００μｍに設定されている。
【００４２】
また、各突起状導体５１は、前記最下層の樹脂絶縁層３３内における複数箇所に配置されており、各突起状導体５１の上端となる箇所は、樹脂絶縁層３３の表面上に形成された導体層４２に接続されている。そして、各突起状導体５１の頂部５２は、最下層の樹脂絶縁層３３の表面３３ｂよりも高い位置にある（図１１等参照）。即ち、各突起状導体５１の厚さは、最下層の樹脂絶縁層３３の厚さよりも大きくなっている。本実施形態では、最下層の樹脂絶縁層３３の厚さが１００μｍ程度に設定されており、各突起状導体５１の厚さは、最下層の樹脂絶縁層３３の厚さよりも２０μｍだけ厚く、１２０μｍ程度に設定されている。よって、各突起状導体５１の厚さは、電極１１１，１１２の厚さよりも大きくなる。
【００４３】
そして図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にある電極１１１，１１２は、突起状導体５１、導体層４２、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にある電極１２１，１２２は、図示しないマザーボードが有する電極（接触子）に対して、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して電気的に接続される。
【００４４】
例えば、マザーボード側から電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００４５】
次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について述べる。
【００４６】
コア基板準備工程では、コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
【００４７】
コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦３５０ｍｍ×横３７５ｍｍ×厚み０．６ｍｍの基材１６１の両面に銅箔１６２が貼付された銅張積層板（図５参照）を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔１６２のエッチングを行って導体層１６３を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする（図６参照）。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔１６２をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材１６１の上面及び下面と導体層１６３とを粗化した後、基材１６１の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ８０μｍ）を熱圧着により貼付し、サブ基材１６４を形成する（図７参照）。
【００４８】
次に、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に、それぞれ導体層４１（例えば５０μｍ）をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材１６１及びサブ基材１６４からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、コア基板１１の中間製品を得る（図８参照）。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００４９】
また、部品準備工程（コンデンサ準備工程）では、突起状導体５１を有するセラミックコンデンサ１０１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
【００５０】
セラミックコンデンサ１０１は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
【００５１】
さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２を形成する。
【００５２】
この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極１１１，１１２，１２１，１２２をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。
【００５３】
次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２，１２１，１２２に対して無電解銅めっき（厚さ１０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２，１２１，１２２の上に銅めっき層が形成される。
【００５４】
次に、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上に形成された主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２上に、所定箇所に開口部１５２を有するメタルマスク１５３を積層配置する（図９参照）。この開口部１５２は、突起状導体５１の形成予定位置に存在している。そして、メタルマスク１５３を介して主面側電源用電極１１１上及び主面側グランド用電極１１２上に銅ペーストを印刷した後、１２０℃で３０分間乾燥させる。その結果、ペースト中の銅が焼結し、主面側電源用電極１１１上及び主面側グランド用電極１１２上にそれぞれ突起状導体５１が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。
【００５５】
続く収容工程では、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、コア主面１２とコンデンサ主面１０２とを同じ側に向けた状態で収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する（図１０参照）。収容穴部９０のコア裏面１３側開口は、剥離可能な粘着テープ１７１でシールされている。この粘着テープ１７１は、支持台（図示略）によって支持されている。かかる粘着テープ１７１の粘着面には、セラミックコンデンサ１０１が貼り付けられて仮固定されている。
【００５６】
次に、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず層間絶縁層形成工程を実施し、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２上に感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行うことにより、最下層の樹脂絶縁層３３を形成する（図１１参照）。ここで、樹脂絶縁層３３の厚さは、コンデンサ主面１０２から突起状導体５１の頂部５２までの厚さよりも大きくなっているため、突起状導体５１の頂部５２は樹脂絶縁層３３の表面３３ｂから露出して突出する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。併せて、樹脂絶縁層３３の一部である充填剤３３ａにより、収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６との隙間を埋める。その後、加熱処理を行うと、樹脂絶縁層３３（充填剤３３ａ）が硬化して、セラミックコンデンサ１０１がコア基板１１に固定され、配線基板１０の中間製品が得られる。そして、この時点で、粘着テープ１７１を剥離する。
【００５７】
次に、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂絶縁層３４を形成する（図１２参照）。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔１８１を形成する（図１３参照）。具体的には、樹脂絶縁層３４を貫通するビア孔１８１を形成し、裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２を露出させる。
【００５８】
さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、コア基板１１及び樹脂絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔１９１を所定位置にあらかじめ形成しておく（図１４参照）。そして、導体層形成工程において、前記層間絶縁層形成工程を経て露出した突起状導体５１の頂部５２、樹脂絶縁層３３の表面３３ｂ上、樹脂絶縁層３４の表面上、ビア孔１８１の内面、及び、貫通孔１９１の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂絶縁層３３上及び樹脂絶縁層３４上に導体層４２がパターン形成される（図１５参照）。これと同時に、貫通孔１９１内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、各ビア孔１８１の内部にビア導体４７が形成される。その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１７を形成する（図１６参照）。
【００５９】
次に、樹脂絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔１８３，１８４を有する樹脂絶縁層３５，３６を形成する（図１６参照）。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔１８３，１８４が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔１８３，１８４の内部にビア導体４３を形成するとともに、樹脂絶縁層３５上に端子パッド４４を形成し、樹脂絶縁層３６上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。
【００６０】
次に、樹脂絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。
【００６１】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６２】
（１）本実施形態の配線基板１０によれば、電極１１１，１１２上にあらかじめ突起状導体５１が突設されたセラミックコンデンサ１０１を用いているため、セラミックコンデンサ１０１を内蔵して第１ビルドアップ層３１を形成する際に、最下層の樹脂絶縁層３３に突起状導体５１用のビア孔を形成して電極１１１，１１２上の樹脂絶縁層３３を除去する工程が不要となる。その結果、突起状導体５１が樹脂絶縁層３３を介さずに電極１１１，１１２に直接接続され、突起状導体５１と電極１１１，１１２とが確実に導通する。しかも、突起状導体５１の頂部５２が、既に最下層の樹脂絶縁層３３の表面３３ｂよりも高い位置に到達しているため、導体層形成工程において、各突起状導体５１の頂部５２を、最下層の樹脂絶縁層３３の表面３３ｂに位置する導体層４２に確実に接触させることができ、各突起状導体５１と導体層４２とを確実に導通させることができる。従って、セラミックコンデンサ１０１の電極１１１，１１２と第１ビルドアップ層３１内の導体層４２とを突起状導体５１を介して確実に導通させることができるため、不良品の発生を防止でき、信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。
【００６３】
また、最下層の樹脂絶縁層３３に突起状導体５１用のビア孔を形成する工程が不要となる。これにより、最下層の樹脂絶縁層３３に対して、レーザーの出力調節が困難なレーザー孔あけ加工を行わなくても済む。従って、配線基板１０の製造が容易になる。
【００６４】
（２）例えば、突起状導体５１をめっきなどによって形成する場合、時間を掛けてめっきを行うなどして肉厚に形成しなければならない。一方、本実施形態の突起状導体５１は、メタルマスク１５３を介して電極１１１，１１２上に銅ペーストを一回印刷するだけで形成されているため、ごく短時間で突起状導体５１を厚く形成することができる。
【００６５】
（３）本実施形態では、収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６との隙間を埋める充填剤が、樹脂絶縁層３３の一部を構成する充填剤３３ａであるため、充填剤の形成に際して樹脂絶縁層３３とは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板１０の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板１０の低コスト化を図ることが可能となる。
【００６６】
（４）本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００６７】
（５）本実施形態では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
【００６８】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００６９】
・上記実施形態の突起状導体５１は、銅ペーストを印刷することによって形成された導体であったが、銅めっきによって形成された導体（銅ポスト）であってもよい。
【００７０】
・上記実施形態では、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上に配置された表面電極（主面側電源用電極１１１、主面側グランド用電極１１２）上に、突起状導体５１が突設されていた。しかし、さらにコンデンサ裏面１０３上に配置された表面電極（裏面側電源用電極１２１、裏面側グランド用電極１２２）上にも、突起状導体５１が突設されていてもよい。このようにすれば、電極１１１，１１２及び第１ビルドアップ層３１内の導体層４２を、突起状導体５１を介して確実に接続できるだけでなく、電極１２１，１２２及び第２ビルドアップ層３２内の導体層４２も、突起状導体５１を介して確実に接続できるため、よりいっそう信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。
【００７１】
・上記実施形態では、樹脂絶縁層３３の一部である充填剤３３ａを用いて、収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６との隙間を埋めていた。しかし、充填剤３３ａとは別の充填剤を用いて上記の隙間を埋めてもよい。このようにすれば、充填剤３３ａの機能をセラミックコンデンサ１０１を固定する機能に特化できるため、配線基板１０の信頼性向上を図ることができる。
【００７２】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００７３】
（１）コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有する部品本体、前記複数の内部電極層に接続された複数の部品内ビア導体、前記複数の部品内ビア導体の端面に接続した状態で前記部品主面上に配置された複数の表面電極、前記複数の表面電極上にて突設された複数の突起状導体を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容された部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有し、前記コア主面に接する最下層の層間絶縁層の一部が、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間を埋めて前記部品を固定する配線積層部とを備え、前記複数の突起状導体の頂部が、前記最下層の層間絶縁層の表面と同じ位置またはそれよりも高い位置にあることを特徴とする部品内蔵配線基板。
【００７４】
（２）コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有する部品本体、前記複数の内部電極層に接続された複数の部品内ビア導体、前記複数の部品内ビア導体の端面に接続した状態で前記部品主面上に配置された複数の表面電極、前記複数の表面電極上にて突設された複数の突起状導体を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容された部品と、前記コア主面に接するように配置され、その一部が前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間を埋めて前記部品を固定する層間絶縁層とを備え、前記複数の突起状導体の頂部が、前記層間絶縁層の表面と同じ位置またはそれよりも高い位置にあることを特徴とする部品内蔵配線基板の中間製品。
【００７５】
（３）コア主面及びコア裏面を有し、少なくともコア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、前記部品主面上に配置された複数の表面電極、前記複数の表面上にて突設された複数の突起状導体を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容された部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記複数の突起状導体の頂部が、最下層の層間絶縁層の表面またはそれよりも高い位置にある部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、前記突起状導体を有する前記部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記コア主面及び前記部品主面上に、厚さが前記部品主面から前記突起状導体の頂部までの厚さ以下となる前記最下層の層間絶縁層を形成し、前記最下層の層間絶縁層の一部によって前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間を埋めるとともに、前記最下層の層間絶縁層の表面から前記突起状導体の頂部を露出させる層間絶縁層形成工程と、前記層間絶縁層形成工程を経て露出した前記突起状導体の頂部に対してめっきを行うことにより、前記最下層の層間絶縁層の表面上に前記導体層を形成する導体層形成工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】同じく、セラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図３】同じく、セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。
【図４】同じく、セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。
【図５】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図６】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図７】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図８】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図９】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図１０】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図１１】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図１２】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図１３】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図１４】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図１５】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図１６】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図１７】従来技術における配線基板の製造方法の説明図。
【図１８】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【図１９】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【符号の説明】
【００７７】
１０…部品内蔵配線基板（配線基板）
１１…コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
３１…配線積層部としての第１ビルドアップ層
３３，３５…層間絶縁層としての樹脂絶縁層
３３ｂ…最下層の層間絶縁層の表面
４２…導体層
５１…突起状導体
５２…頂部
５３…平坦面
９０…収容穴部
１０１…部品及び配線基板内蔵用部品としてのセラミックコンデンサ
１０２…部品主面としてのコンデンサ主面
１０３…部品裏面としてのコンデンサ裏面
１０４…部品本体としてのセラミック焼結体
１０６…部品側面としてのコンデンサ側面
１１１…表面電極としての主面側電源用電極
１１２…表面電極としての主面側グランド用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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