(57)【要約】【課題】メモリーハードディスク基板表面のナノスクラッチを低減可能なメモリーハードディスク基板用研磨液組成物を提供する。【解決手段】本発明のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物は、水、コロイダルシリカ、ゲル化抑制剤、並びに、無機酸及び有機ホスホン酸の少なくとも一方を含み、前記ゲル化抑制剤は、窒素原子を含まない有機酸であり、前記ゲル化抑制剤のゲル化抑制能が、（Ｖ２−Ｖ１）≦１０００の関係を示すメモリーハードディスク基板用研磨液組成物である。前記Ｖ１は、２０重量％のコロイダルシリカ及び０．１重量％のゲル化抑制剤を含み、硫酸によってｐＨ１．５に調整した溶液の２５℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）を示し、前記Ｖ２は、前記溶液を８０℃で２４時間放置した後の２５℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）を示す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水、コロイダルシリカ、ゲル化抑制剤、並びに、無機酸及び有機ホスホン酸の少なくとも一方を含むメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であって、
前記ゲル化抑制剤は、窒素原子を含まない有機酸であり、
前記ゲル化抑制剤のゲル化抑制能が、（Ｖ２−Ｖ１）≦１０００の関係を示すメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
［前記Ｖ１は、２０重量％のコロイダルシリカ及び０．１重量％のゲル化抑制剤を含み、硫酸によってｐＨ１．５に調整した溶液の２５℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）を示し、前記Ｖ２は、前記溶液を８０℃で２４時間放置した後の２５℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）を示す。］
【請求項２】
前記ゲル化抑制剤が、シュウ酸、マレイン酸、フマル酸及びメタンスルホン酸からなる群から選択される少なくとも１つの有機酸である請求項１記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
【請求項３】
前記コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径が、１〜５０ｎｍである請求項１又は２に記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
【請求項４】
前記研磨液組成物のｐＨが、０．１〜６．５である請求項１〜３のいずれか１項に記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
【請求項５】
前記無機酸が硫酸である請求項１〜４のいずれか１項に記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
【請求項６】
研磨液組成物を用いて基板を研磨する工程を含むメモリーハードディスク基板の製造方法であって、
前記研磨液組成物は、請求項１〜５のいずれか１項に記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であるメモリーハードディスク基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリーハードディスク基板用研磨液組成物及びそれを用いたメモリーハードディスク基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、メモリーハードディスクドライブは、小型化及び高容量化が求められている。このため、メモリーハードディスクの単位記録面積を小さくすることにより、１枚あたりの記録容量を大きくする方法が行われている。単位記録面積を小さくすると、磁気ヘッドの浮上高さをより小さくすることが必要となり、これに伴い、研磨後のメモリーハードディスク基板表面の品質のさらなる向上、例えば、基板表面における表面粗さやスクラッチのさらなる低減が求められている。
【０００３】
基板表面の品質を向上させるために、ホスホン酸等のゲル化抑制剤、コロイダルシリカ及び硝酸アンモニウムを含む研磨液組成物（特許文献１〜３）、アルカリ金属イオン、砥粒、カルボン酸、酸化剤及びゲル化抑制剤を含む研磨液組成物（特許文献４）、二酸化ケイ素、酸化剤及び有機酸を含む研磨液組成物（特許文献５）が提案されている。
【０００４】
しかしながら、記録容量のさらなる増大が要求されているため、従来の研磨液組成物では十分にスクラッチ等を低減できるとはいえず、スクラッチを十分に低減できる研磨液組成物が求められている。
【特許文献１】特許第３６５３１３３号公報
【特許文献２】特開２０００−１３８５８号公報
【特許文献３】特開平８−３４１７９号公報
【特許文献４】国際公開第０１／０７９３７７号パンフレット
【特許文献５】特開２００２−２９４２２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、メモリーハードディスク基板表面のナノスクラッチを低減できるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物及びそれを用いたメモリーハードディスク基板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、
水、コロイダルシリカ、ゲル化抑制剤、並びに、無機酸及び有機ホスホン酸の少なくとも一方を含むメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であって、
前記ゲル化抑制剤は、窒素原子を含まない有機酸であり、
前記ゲル化抑制剤のゲル化抑制能が、（Ｖ２−Ｖ１）≦１０００の関係を示すメモリーハードディスク基板用研磨液組成物、
［前記Ｖ１は、２０重量％のコロイダルシリカ及び０．１重量％のゲル化抑制剤を含み、硫酸によってｐＨ１．５に調整した溶液の２５℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）を示し、前記Ｖ２は、前記溶液を８０℃で２４時間放置した後の２５℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）を示す。］、及び、
研磨液組成物を用いて基板を研磨する工程を含むメモリーハードディスク基板の製造方法であって、前記研磨液組成物が、本発明のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であるメモリーハードディスク基板の製造方法、
に関する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、コロイダルシリカの凝集を抑制できるため、基板の研磨工程における基板表面のナノスクラッチを低減できる。また、本発明の研磨液組成物は保存安定性に優れるため、長期保存した場合でも研磨液組成物がゲル化することなく、表面品質の高い基板を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（メモリーハードディスク基板用研磨液組成物）
本発明のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物は、水、コロイダルシリカ、ゲル化抑制剤、並びに、無機酸及び有機ホスホン酸の少なくとも一方を含むメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であって、前記ゲル化抑制剤が窒素原子を含まない有機酸であり、前記ゲル化抑制剤のゲル化抑制能が、（Ｖ２−Ｖ１）≦１０００の関係を示すメモリーハードディスク基板用研磨液組成物である（以下、「Ｖ２−Ｖ１」を「ΔＶ」と記載する。）。本発明の研磨液組成物によれば、研磨液組成物中におけるコロイダルシリカの凝集を抑制できることから、基板表面のナノスクラッチを低減できる。また、本発明の研磨液組成物は、前記ゲル化抑制剤のゲル化抑制能がΔＶ≦１０００を示すため、優れた保存安定性を有する。
【０００９】
本発明において、前記コロイダルシリカは、市販のものを使用してもよいし、ケイ酸水溶液から生成させる公知の製造方法等により得られたものであってもよい。前記コロイダルシリカの形態は、ゾル状であってもよいし、ゲル状であってもよい。
【００１０】
前記コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、表面粗さの低減及び研磨速度の向上の観点から、１〜５０ｎｍが好ましく、より好ましくは１〜３５ｎｍ、さらに好ましくは３〜３０ｎｍである。また、一次粒子が凝集して二次粒子を形成している場合の平均粒子径（二次粒子の平均粒子径）は、表面粗さの低減及び研磨速度の向上の観点から、５〜１００ｎｍが好ましく、より好ましくは５〜８０ｎｍ、さらに好ましくは５〜５０ｎｍである。前記コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡を用いた測定により求めることができる。前記コロイダルシリカの二次粒子の平均粒子径は、レーザー散乱光を用いて体積平均粒子径として算出できる。
【００１１】
研磨液組成物中の前記コロイダルシリカの含有量は、ナノスクラッチのさらなる低減及び研磨速度の向上の観点から、０．１〜４０重量％が好ましく、より好ましくは０．５〜３０重量％、さらに好ましくは０．５〜２０重量％である。
【００１２】
本発明において、前記ゲル化抑制剤は、窒素原子を含まない有機酸であり、その具体例としては、シュウ酸、マレイン酸、フマル酸、メタンスルホン酸、ギ酸、マロン酸、クエン酸、グリコール酸、酢酸等が挙げられる。これらの中でも、ナノスクラッチをさらに低減でき、保存安定性をさらに向上できるため、シュウ酸、マレイン酸、フマル酸及びメタンスルホン酸からなる群から選択される少なくとも１種の有機酸であることが好ましい。
【００１３】
本発明において、前記ゲル化抑制剤のゲル化抑制能は、ΔＶ≦１０００の関係を示す。前記ゲル化抑制剤のゲル化抑制能がΔＶ≦１０００であると、研磨時における基板のナノスクラッチの発生を効果的に低減することができる。本発明の研磨液組成物によるナノスクラッチの低減機構は明らかではないが、研磨液組成物中のゲル化抑制剤がシリカ粒子のシラノール基と相互作用してシリカ粒子同士の接触を抑制することにより、シリカ粒子の凝集が抑制されるためと推定される。また、本発明の研磨液組成物は、研磨液組成物のゲル化が抑制されているため、例えば、輸送中のような長期保存状態であっても、優れた保存安定性を発揮する。なお、前記Ｖ１及びＶ２は、後述する実施例に記載の方法により測定される。
【００１４】
基板表面のナノスクラッチをさらに低減し、また、保存安定性をさらに向上させるためには、前記Ｖ２は、１〜２０００ｍＰａ・ｓが好ましく、より好ましくは１〜１８００ｍＰａ・ｓ、さらに好ましくは１〜１５００ｍＰａ・ｓである。同様の理由から、前記ΔＶは、５００以下が好ましく、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは５０以下である。
【００１５】
研磨液組成物中のゲル化抑制剤の含有量は、ナノスクラッチのさらなる低減及び研磨速度の向上の観点から、０．０１〜１０重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜８重量％、さらに好ましくは０．０５〜５重量％である。
【００１６】
前記無機酸及び有機ホスホン酸としては、ナノスクラッチの低減と研磨速度の向上を両立させる観点から、ｐＫ１が２以下の化合物が好ましい。また、ナノスクラッチをさらに低減できることから、ｐＫ１が１．５以下の化合物がより好ましく、さらに好ましくは１以下、特に好ましくはｐＫ１で数値化できない程の強い酸性を示す化合物である。前記無機酸の具体例としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等が挙げられる。前記有機ホスホン酸の具体例としては、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等が挙げられる。前記無機酸の中では、硫酸、塩酸、過塩素酸がより好ましく、さらに好ましくは硫酸である。硫酸と前記有機酸（ゲル化抑制剤）との組み合わせによって特に優れたゲル化抑制効果を発揮することができる。前記有機ホスホン酸の中では、ＨＥＤＰ、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が好ましい。これらは、単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。ここで、ｐＫ１とは、有機化合物又は無機化合物の第一酸解離定数（２５℃）の逆数の対数値を示し、各化合物のｐＫ１は、例えば、改訂４版化学便覧（基礎編）ＩＩ、ｐ３１６−３２５（日本化学会編）等に記載されている。
【００１７】
前記無機酸及び有機ホスホン酸は、それらの塩を使用してもよい。前記無機酸及び有機ホスホン酸の塩としては、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、有機アミン等との塩等が挙げられる。前記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）の１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、ナノスクラッチをさらに低減する観点から１Ａ族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。
【００１８】
本発明の研磨液組成物における前記無機酸及び前記有機ホスホン酸の含有量は、ナノスクラッチをさらに低減し、研磨速度を向上させる観点から、０．０１重量％以上が好ましい。また、人体への影響及び研磨装置の腐食防止の観点から、２０重量％以下が好ましく、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下である。したがって、ナノスクラッチのさらなる低減及び作業環境の観点から、前記無機酸及び前記有機ホスホン酸の含有量は、０．０１〜１０重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜８重量％、さらに好ましくは０．０１〜５重量％である。
【００１９】
本発明の研磨液組成物に用いられる水としては、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。被研磨基板の表面清浄性の観点からイオン交換水及び超純水が好ましく、中でも超純水が好ましい。研磨液組成物中の前記水の含有量は、０．１〜９９重量％が好ましく、より好ましくは０．１〜９５重量％である。なお、本発明の研磨液組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲内でアルコール等の有機溶剤を含んでもよい。
【００２０】
本発明の研磨液組成物のｐＨは、研磨する基板の材質等に応じて適宜決定できるが、ナノスクラッチのさらなる低減及び研磨速度の向上の観点から、０．１〜６．５が好ましく、より好ましくは０．５〜４、さらに好ましくは０．５〜２である。ｐＨの調整はｐＨ調整剤により行うことができる。
【００２１】
本発明の研磨液組成物は、さらに酸化剤を含んでもよい。前記酸化剤としては、過酸化物、金属のペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩等が挙げられる。また、前記酸化剤は、その構造から無機系酸化剤と有機系酸化剤とに大別されるが、研磨速度をさらに向上でき、入手が容易であり、水への溶解性等の取扱いがさらに容易になることから、無機系酸化剤が好ましい。前記無機系酸化剤としては、過酸化水素、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の過酸化物、ペルオキソ炭酸塩、ペルオキソ硫酸又はその塩、ペルオキソリン酸又はその塩、ペルオキソホウ酸塩、ペルオキソクロム酸塩、過マンガン酸塩、ハロゲンを含む酸素酸塩及び無機酸金属塩等が挙げられる。前記アルカリ金属又はアルカリ土類金属の過酸化物としては、過酸化ナトリウム、過酸化カリウム、過酸化カルシウム、過酸化バリウム、過酸化マグネシウム等が挙げられ、前記ペルオキソ炭酸塩としては、ペルオキソ炭酸ナトリウム及びペルオキソ炭酸カリウム等が挙げられ、前記ペルオキソ硫酸又はその塩としては、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム及びペルオキソ一硫酸等が挙げられ、前記ペルオキソリン酸又はその塩としては、ペルオキソリン酸ナトリウム、ペルオキソリン酸カリウム及びペルオキソリン酸アンモニウム等が挙げられ、前記ペルオキソホウ酸塩としては、ペルオキソホウ酸ナトリウム及びペルオキソホウ酸カリウム等が挙げられ、前記ペルオキソクロム酸塩としては、ペルオキソクロム酸ナトリウム及びペルオキソクロム酸カリウム等が挙げられる。前記過マンガン酸塩としては、過マンガン酸ナトリウム及び過マンガン酸カリウム等が挙げられ、前記ハロゲンを含む酸素酸塩としては、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、過沃素酸ナトリウム、過沃素酸カリウム、沃素酸ナトリウム及び沃素酸カリウム等が挙げられ、前記無機酸金属塩としては、塩化鉄(III)及び硫酸鉄(III)等が挙げられる。一方、前記有機系酸化剤としては、過カルボン酸類、パーオキサイト及び有機酸鉄(III)塩等が挙げられる。前記過カルボン酸類としては、過酢酸、過蟻酸及び過安息香酸等が挙げられ、前記パーオキサイトとしては、ｔ−ブチルパーオキサイト及びクメンパーオキサイト等が挙げられ、前記有機酸鉄(III)塩としては、クエン酸鉄(III)等が挙げられる。これらの中でも、研磨速度の向上の観点から、過酸化水素、ペルオキソホウ酸ナトリウム、沃素酸ナトリウム及び沃素酸カリウムが好ましい。これらの酸化剤は、単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
【００２２】
研磨液組成物中における前記酸化剤の含有量は、ナノスクラッチのさらなる低減及び研磨速度の向上の観点から、０．０１〜２０重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜１５重量％、さらに好ましくは０．０１〜１０重量％である。
【００２３】
本発明の研磨液組成物は、さらに、殺菌剤、抗菌剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤及びｐＨ調整剤等を含んでもよい。研磨液組成物中におけるこれらの成分の含有量は、研磨特性の観点から、１０重量％以下が好ましく、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは６重量％以下である。
【００２４】
（研磨液組成物の調製方法）
本発明の研磨液組成物の調製方法は、何ら制限されず、少なくとも、前記ゲル化抑制剤、前記コロイダルシリカ及び水、並びに、無機酸及び有機ホスホン酸の少なくとも一方を混合することによって調製できる。前記コロイダルシリカの分散は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。
【００２５】
研磨液組成物のｐＨは、前記成分を混合後、所定のｐＨに調整してもよいし、混合前にそれぞれ調整していてもよい。前記ｐＨの調整は、前記ｐＨ調整剤等により行うことができる。
【００２６】
（メモリーハードディスク基板の製造方法）
本発明のメモリーハードディスク基板の製造方法は、本発明の研磨液組成物を用いて基板（被研磨基板）を研磨する工程を含むメモリーハードディスク基板の製造方法である。本発明の基板の製造方法によれば、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程を含むため、基板表面のナノスクラッチが低減されたメモリーハードディスク基板を製造できる。
【００２７】
前記研磨工程は、基板の研磨面に本発明の研磨液組成物を供給し、前記研磨面に研磨パッドを接触させ、所定の研磨圧力（研磨荷重）をかけながら、研磨パッドや基板を動かすこと等によって行うことができる。なお、前記研磨は、従来公知の研磨装置により行うことができる。
【００２８】
前記研磨液組成物は、そのまま使用してもよいし、濃縮液であれば希釈して使用すればよい。前記濃縮液を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度（研磨材の含有量等）や研磨条件等に応じて適宜決定できる。
【００２９】
前記研磨パッドは、特に制限されず、従来公知のものが使用できる。研磨パッドとしては、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッド等が挙げられる。
【００３０】
前記研磨荷重は、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。本発明の製造方法における研磨荷重は、ナノスクラッチのさらなる低減及び生産性の向上の観点から、１０〜５００ｇ／ｃｍ2が好ましく、より好ましくは１０〜４００ｇ／ｃｍ2、さらに好ましくは３０〜３００ｇ／ｃｍ2である。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。
【００３１】
研磨液組成物の供給速度は、コスト及び研磨速度の向上の観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．０１〜０．２５ｍＬ／分が好ましく、より好ましくは０．０２５〜０．２ｍＬ／分、さらに好ましくは０．０５〜０．１５ｍＬ／分である。
【００３２】
前記被研磨基板の材質としては、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属や、これらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板が好適である。例えばＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が適しており、中でもＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が適している。
【００３３】
前記被研磨基板の形状としては、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状等が挙げられる。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５〜２ｍｍ程度である。
【実施例】
【００３４】
（保存試験）
コロイダルシリカ（ＳｉＯ2、一次粒子の平均粒子径２８ｎｍ、Ｄｕｐｏｎｔ社製）及び下記表１に示す有機酸を混合し、硫酸でｐＨ１．５に調整したシリカ溶液（コロイダルシリカ２０重量％、ゲル化抑制剤０．１重量％）４０ｇを５０ｃｃスクリュー管に入れ、溶液の粘度（Ｖ１）を測定した（２５℃）。ついで、前記溶液を、恒温槽で８０℃２４時間静置後、目視により外観を観察し、溶液の粘度（Ｖ２）を測定した（２５℃）。得られた粘度及び目視による観察結果を下記表１に示す。下記表１において、「○」は、スクリュー管を傾けると液面が傾いた場合を示し、「×」は、スクリュー管を傾けても液面が傾かなかった場合を示す。なお、前記粘度の測定は、Ｂ型粘度計（東京計器（株）製）で行った。
【００３５】
【表１】
2008101132.tif 000002
【００３６】
前記表１に示すように、本発明において使用するゲル化抑制剤を用いると、シリカ溶液のゲル化が抑制できることが分かる。
【００３７】
（実施例１〜５）
実施例１〜５として、下記表２に示す添加剤（ゲル化抑制剤）、下記のコロイダルシリカ、過酸化水素水及びイオン交換水と、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸及びＨＥＤＰの少なくとも一種類とを用いて、下記表２に示す組成を有する研磨液組成物を調製した。
【００３８】
（比較例１〜６）
比較例１〜６として、前記実施例と同様にして下記表２に示す組成の研磨液組成物を調製した。
【００３９】
（参考例）
参考例として、前記実施例と同様にして下記表２に示す組成の研磨液組成物を調製した。
【００４０】
コロイダルシリカＡ：一次粒子の平均粒子径２８ｎｍ（Ｄｕｐｏｎｔ製）
コロイダルシリカＢ：一次粒子の平均粒子径１８ｎｍ（触媒化成工業製）
コロイダルシリカＣ：一次粒子の平均粒子径９ｎｍ（日産化学製）
【００４１】
（研磨条件）
・研磨試験機        ：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファーム（株）製）
・研磨パッド        ：ポリウレタンパッド（厚み０．９ｍｍ、平均開孔径３０μｍ（フジボウ製））
・研磨盤回転数      ：３２．５ｒ／分
・研磨圧力          ：１００ｇ／ｃｍ2（設定値）
・研磨液供給量      ：１００ｍＬ／分
・研磨時間          ：４分
・投入した基板の枚数：１０枚
【００４２】
（被研磨基板）
被研磨基板としては、Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ（Ｎｉ：８８〜８９％、Ｐ：１１〜１２％）を行ったアルミニウム基板（厚み１．２５ｍｍ、外径９５ｍｍ）を、粗研磨した基板を用いた。
【００４３】
（ナノスクラッチの測定条件）
・測定機器：ＶＩＳＩＯＮ  ＰＳＹＴＥＣ製「ＭｉｃｒｏＭＡＸ  ＶＭＸ−２１００ＣＳＰ」
・光源    ：２Ｓλ（２５０Ｗ）及び３Ｐλ（２５０Ｗ）(共に１００％)
・チルト角：−６°
・倍率    ：最大（視野範囲：全面積の１２０分の１）
・観察領域：全面積（外周９５ｍｍφで内周２５ｍｍφの基板）
・アイリス：ｎｏｔｃｈ
・評価：研磨試験機に投入した基板（１０枚）の中から無作為に４枚を選択し、それらの各基板の両面にあるナノスクラッチ数（本）を測定し、４枚（計８面）のナノスクラッチ数（本）の合計を８で除して基板面当たりのナノスクラッチ数（本／面）を算出した。また、下記表２に記載したナノスクラッチの評価は、参考例のナノスクラッチ数（２４０本／面）に対する相対評価で行った。なお、前記ナノスクラッチは、深さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満、幅が５ｎｍ以上５００ｎｍ未満、長さが１００μｍ以上の基板表面の微細な傷である。
【００４４】
（研磨速度）
研磨前後の被研磨基板の重量をそれぞれ測定し、その重量差（研磨前の基板重量−研磨後の基板重量）を、Ｎｉ−Ｐの密度（８．４ｇ／ｃｍ3）、基板の表面積（１３１．９ｃｍ2）及び研磨時間（４分）で除することにより、単位時間あたりの基板の両面研磨量（研磨速度）を算出した。その結果を、参考例の研磨液組成物の研磨速度を１とした場合の相対研磨速度として下記表２に示す。
【００４５】
【表２】
2008101132.tif 000003
【００４６】
前記表２に示すように、ゲル化抑制能がΔＶ≦１０００の関係を示し、窒素原子を含まない有機酸である添加剤（ゲル化抑制剤）を含む実施例１〜５の研磨液組成物を用いて研磨した基板は、比較例１〜６の研磨液組成物を用いて研磨した基板と比較して、ナノスクラッチ数が少なかった。また、実施例１〜５の研磨液組成物を用いて研磨した場合、比較例１〜６の研磨液組成物よりも、研磨速度が早かった。すなわち、実施例１〜５の研磨液組成物の使用により、研磨速度を低減することなく、ナノスクラッチを低減できるといえる。
【００４７】
以上の結果から、ゲル化抑制能がΔＶ≦１０００の関係を示し、窒素原子を含まない有機酸であるゲル化抑制剤を含む本発明の研磨液組成物によれば、研磨速度を低減することなく、スクラッチを低減できることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の研磨液組成物及び基板の製造方法は、メモリーハードディスクの製造に有用である。