(57)【要約】【課題】処理液の基板周辺への飛散を抑制しつつ、基板に処理液を用いた処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】回転状態にあるウエハＷにプッシュプルノズル１５の下面に保持された処理液が接液され、この状態で、プッシュプルノズル１５が揺動アーム１４の揺動によって、ウエハＷの回転中心Ｃを含む位置と、ウエハＷの周縁部の位置との間で往復移動される。ウエハＷの表面における接液位置が円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。これにより、ウエハＷの表面の全域が薬液と接液する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、
処理液を吐出する複数の吐出口および前記吐出口から吐出される処理液を吸引する複数の吸引口を有し、前記吐出口から吐出される処理液が前記基板保持手段に保持された基板の一方面に接液するように、当該一方面に対して間隔を隔てて対向配置されるプッシュプルノズルと、
前記プッシュプルノズルを移動させて、前記基板の一方面における処理液の接液位置を移動させる接液位置移動手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記プッシュプルノズルを前記基板保持回転手段に保持された基板の一方面に直交する軸線まわりに回転させるノズル回転手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板を回転させる基板回転工程と、
この基板回転工程中に、処理液を吐出する複数の吐出口および前記吐出口から吐出される処理液を吸引する複数の吸引口が形成されたプッシュプルノズルを、基板の一方面に対して間隔を隔てて対向配置し、前記吐出口から吐出される処理液を当該基板の一方面に接液させる接液工程と、
前記接液工程と並行して、前記プッシュプルノズルを移動させて、前記基板の一方面における処理液の接液位置を移動させる接液位置移動工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に対して処理液を用いた処理を行うために適用される基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ（Filed Emission Display）用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に薬液を供給して、その基板の表面を薬液で洗浄する処理などが行われる。
たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の洗浄処理を実施する装置は、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、スピンチャックによって回転される基板の表面に薬液を吹き付けるためのノズルとを備えている。処理時には、スピンチャックによって基板が回転されつつ、その基板の表面の回転中心付近にノズルから薬液が吹き付けられる。基板の表面上に供給された薬液は、基板の回転力による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これによって、基板の表面の全域に薬液が行き渡り、基板の表面に対する薬液による洗浄処理が達成される。
【特許文献１】特開平１０−１７２９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、回転中の基板に対してノズルから薬液が吹き付けられるので、基板の周辺に薬液が飛散して、その飛散した薬液がスピンチャックの周囲に配置された部材に付着し、これが乾燥して結晶化するおそれがある。このような薬液の結晶は、パーティクルとなって、基板汚染の原因となる。
そこで、この発明の目的は、処理液の基板周辺への飛散を抑制しつつ、基板に処理液を用いた処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させる基板保持回転手段（２）と、処理液を吐出する複数の吐出口（２２）および前記吐出口から吐出される処理液を吸引する複数の吸引口（２３）を有し、前記吐出口から吐出される処理液が前記基板保持手段に保持された基板の一方面に接液するように、当該一方面に対して間隔を隔てて対向配置されるプッシュプルノズル（１５）と、前記プッシュプルノズルを移動させて、前記基板の一方面における処理液の接液位置を移動させる接液位置移動手段（１４、１６）とを含むことを特徴とする、基板処理装置（１）である。
【０００５】
なお、括弧内の数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、吐出口から基板の一方面に向けて処理液を吐出させつつ、吸引口から吸引することにより、プッシュプルノズル上に吐出口から吸引口に向けて流れる処理液の液膜が形成される。そして、そのプッシュプルノズルを基板の一方面に対向配置し、回転状態にある基板の一方面に処理液の液膜を接液させつつ、その接液位置を移動させることにより、基板の一方面の全域に処理液を供給することができる。プッシュプルノズルの吐出口から吐出される処理液は、吐出後直ちに吸引口から吸引されるので、基板の周辺に飛び散らない。そのため、処理液が基板周辺に飛散してしまうことを抑制しつつ、基板の一方面の全域に対して処理液を用いた処理を施すことができる。
【０００６】
また、基板に対してプッシュプルノズルを移動させる構成であるので、回転状態にある基板の回転中心に対しても処理液の液膜を接液させることができ、回転中心を含めた基板の全域に処理液による処理を施すことができる。
請求項２記載の発明は、前記プッシュプルノズルを前記基板保持回転手段に保持された基板の一方面に直交する軸線まわりに回転させるノズル回転手段（１９、２０）をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置である。
【０００７】
この構成によれば、プッシュプルノズルが回転されることによって、基板一方面の接液位置の各点において、吐出口から吸引口へと向かう処理液の流れの方向を、高速に切り換えることができる。これにより、当該各点において、処理液をむらなく供給することができる。その結果、基板の一方面に対して、処理液を用いた処理をより均一に施すことができる。
【０００８】
請求項３記載の発明は、基板（Ｗ）を回転させる基板回転工程と、この基板回転工程中に、処理液を吐出する複数の吐出口（２２）および前記吐出口から吐出される処理液を吸引する複数の吸引口（２３）が形成されたプッシュプルノズル（１５）を、基板の一方面に対して間隔を隔てて対向配置し、前記吐出口から吐出される処理液を当該基板の一方面に接液させる接液工程と、前記接液工程と並行して、前記プッシュプルノズルを移動させて、前記基板の一方面における処理液の接液位置を移動させる接液位置移動工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。
【０００９】
この方法によれば、請求項１に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す平面図である。図２は、図１に示す基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
基板処理装置１は、基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗにおけるデバイス形成領域側の表面（上面）に対して処理液による処理を施すための枚葉型の装置である、基板処理装置１は、隔壁で区画された処理室１０内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック２と、このスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に処理液を供給するためのプッシュプルノズル機構３とを備えている。ウエハＷの表面に処理を施すための処理液として、たとえば、薬液、純水およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。
【００１１】
スピンチャック２は、たとえば、真空吸着式のチャックであって、ほぼ鉛直方向に延びるスピン軸１１と、このスピン軸１１の上端に取り付けられて、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する吸着ベース１２とを有している。スピン軸１１には、モータなどを含むチャック回転駆動機構１３が結合されていて、ウエハＷを吸着ベース１２に吸着保持した状態で、チャック回転駆動機構１３からスピン軸１１に駆動力を入力することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で、ウエハＷの中心を通るスピン軸１１の中心軸線まわりに回転させることができる。
【００１２】
プッシュプルノズル機構３は、ウエハＷの回転範囲外に配置され、鉛直方向に延びる支柱１７と、支柱１７の上端に配置された回転軸１７Ａに支持されて、スピンチャック２によるウエハＷの保持位置よりも上方で略水平に延びる揺動アーム１４と、この揺動アーム１４の先端部に保持され、処理液の液膜を接液させるプッシュプルノズル１５と、揺動アーム１４を回転軸１４を中心として水平方向に沿って揺動させる揺動駆動機構１６とを備えている。
【００１３】
揺動アーム１４の先端部には、たとえば一対の軸受１８を介して、円柱状のノズルホルダ１９が鉛直方向に延びた中心軸線まわりに回転可能に取り付けられている。ノズルホルダ１９の下面には支持ブロック２６が固定されており、その支持ブロック２６の下面にプッシュプルノズル１５が固定されている。ノズルホルダ１９には、ノズルホルダ１９をプッシュプルノズル１５ごと回転させるためのノズル回転駆動機構２０が結合されている。
【００１４】
プッシュプルノズル１５は、ウエハＷよりも小さな径を有する円板状に形成されている。プッシュプルノズル１５は、揺動アーム１４の揺動によって、回転軸１７Ａを中心とした円弧状の軌跡に沿って移動することができる。
プッシュプルノズル１５の下面２１には、複数の吐出口２２および吸引口２３が形成されている。また、プッシュプルノズル１５には、各吐出口２２に連通する略円柱状の供給路２４と、各吸引口２３に連通する略円柱状の吸引路２５とが、その厚み方向（上下方向）に貫通して形成されている。
【００１５】
プッシュプルノズル１５の各供給路２４には、供給機構４によって、薬液、純水およびＩＰＡを選択的に供給することができるように構成されている。薬液として、たとえばふっ酸が用いられるが、これに代えて、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）またはＳＣ２（塩酸過酸化水素水）が用いられてもよい。また、これらの薬液に超音波振動が付与されてもよい。
【００１６】
供給機構４は、一端が各供給路２４に接続された分岐供給管３０と、分岐供給管３０の他端が共通に接続された集合供給管３１とを備えている。分岐供給管３０は、支持ブロック２６内に配設されている。集合供給管３１は、ノズルホルダ１９を通って、その外部へと延びており、そのノズルホルダ１９の外部において、この集合供給管３１には、薬液供給管３２、純水供給管３３およびＩＰＡ供給管３４が接続されている。
【００１７】
薬液供給管３２は、図示しない薬液供給源からの薬液が供給されるようになっており、その途中部には、この薬液供給管３２を開閉する薬液バルブ３６が介装されている。純水供給管３３は、図示しない純水供給源からの純水が供給されるようになっており、その途中部には、この純水供給管３３を開閉する純水バルブ３７が介装されている。ＩＰＡ供給管３４は、図示しないＩＰＡ供給源からのＩＰＡが供給されるようになっており、その途中部には、このＩＰＡ供給管３４を開閉するＩＰＡバルブ３８が介装されている。
【００１８】
これにより、純水バルブ３７およびＩＰＡバルブ３８を閉じて、薬液バルブ３６を開くことによって、図示しない薬液供給源からの薬液を、薬液供給管３２、集合供給管３１、分岐供給管３０および供給路２４を介して、各吐出口２２に供給することができる。また、薬液バルブ３６およびＩＰＡバルブ３８を閉じて、純水バルブ３７を開くことにより、純水供給源からの純水を、純水供給管３３、集合供給管３１、分岐供給管３０および供給路２４を介して、各吐出口２２に供給することができる。さらに、薬液バルブ３６および純水バルブ３７を閉じてＩＰＡバルブ３８を開くことにより、ＩＰＡ供給源からのＩＰＡを、ＩＰＡ供給管３４、集合供給管３１、分岐供給管３０および供給路２４を介して、各吐出口２２に供給することができる。
【００１９】
プッシュプルノズル１５の各吸引路２５には、吸引機構５が接続されている。
吸引機構５は、各吸引路２５に一端が接続された分岐吸引管４０と、分岐吸引管４０の他端が共通に接続された集合吸引管４１とを備えている。分岐吸引管４０は、支持ブロック２６内に配設されている。集合吸引管４１は、支持ブロック１４を通って、その外部へと延びており、その先端は集合吸引管４１内を真空吸引するための吸引装置（図示せず）に接続されている。集合吸引管４１には、この集合吸引管４１を開閉する吸引バルブ４２が介装されている。
【００２０】
これにより、プッシュプルノズル１５の吐出口２２から、薬液、純水またはＩＰＡが吐出されている状態で、吸引バルブ４２を開くことによって、吐出口２２から吐出される薬液、純水またはＩＰＡは、その吐出後直ちに、その吐出口２２の周囲に配置されている吸引口２３から吸引されることとなる。
図３は、プッシュプルプレートの下面を示す底面図である。プッシュプルノズル１５の下面２１において、たとえば、吸引口２３は、互いに直交する方向にそれぞれ等間隔を隔てた行列状の配列と、この配列における行方向および列方向の間隔とそれぞれ行方向および列方向に同じ間隔を隔てつつ、前記配列に対して行方向および列方向にそれぞれ半分の間隔だけずれた位置関係をなす行列状の配列とに整列して配置されている。そして、吐出口２２は、吸引口２３の周囲において、たとえばその吸引口２３を中心とする正六角形の各頂点位置に配置されている。これにより、図３に矢印で示すように、各吐出口２２から吐出される薬液、純水またはＩＰＡは、６つの吐出口２２から、その吐出口２２の中央に位置する吸引口２３に向けて集合するように流れる。
【００２１】
図１および図２を再び参照して、この基板処理装置１におけるウエハＷの処理について説明する。
ウエハＷの処理に際して、まず、図示しない搬送ロボットにより、ウエハＷが基板処理装置１に搬入され、そのウエハＷがスピンチャック２に保持される。そして、揺動駆動機構１６により揺動アーム１４が揺動されて、プッシュプルノズル１５が、ウエハＷの回転範囲外の退避位置から、ウエハＷの上方へと導かれる。その後、図示しない昇降駆動機構により揺動アーム１４が下降され、プッシュプルノズル１５がウエハＷの表面に所定の間隔Ｓを隔てて対向配置するようになる。その状態で、スピンチャック２のチャック回転駆動機構１３により、ウエハＷが吸着ベース１２ごとスピン軸１１の中心軸線周りに回転開始される。
【００２２】
薬液による洗浄処理においては、ウエハＷが所定の回転方向に所定の回転速度（たとえば、５００ｒｐｍ）に維持されつつ、プッシュプルノズル１５の吐出口２２から薬液が吐出されるとともに、その吐出される薬液が吸引口２３から吸引される。吐出口２２から吐出された薬液は、その吐出後直ちに、吐出口２２の周囲に配置された吸引口２３から吸引される。これにより、プッシュプルノズル１５の下面２１上に、吐出口２２から吸引口２３に向けて流れる薬液の液膜が形成される。プッシュプルノズル１５の下面２１とウエハＷの表面との間隔Ｓは、この薬液の液膜の厚みよりも小さくなるように、たとえば０．０５ｍｍ〜１ｍｍに設定されている。このため、ウエハＷの表面に、プッシュプルノズル１５の下面が接触することなく、薬液の液膜が接液することとなる。
【００２３】
この接液状態で、揺動駆動機構１６により揺動アーム１４が揺動し、プッシュプルノズル１５が、ウエハＷの回転中心Ｃに対向する位置（図１に二点鎖線にて図示）と、ウエハＷの周縁部に対向する位置（図１に実線にて図示）との間で往復移動（たとえば、２秒間で一往復）される。これにより、ウエハＷの表面における接液位置が、ウエハＷの回転中心Ｃを含む位置と、ウエハＷの周縁部との間で、円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。言い換えれば、ウエハＷの表面における接液位置は、ウエハＷの径方向にほぼ沿うように往復移動する。その結果、ウエハＷの表面の全域に薬液が供給される。
【００２４】
一方、プッシュプルノズル１５は、ノズル回転駆動機構２０により、鉛直軸線まわりに、前記のウエハＷの回転方向と同方向に所定の回転速度（たとえば、５０ｒｐｍ）で回転される。プッシュプルノズル１５が回転していることにより、ウエハＷ表面の接液位置の各点において、接液している液膜の流れの方向が、高速で切り換わる。これにより、当該各点において、薬液がむらなく供給され、ウエハＷの表面の全域に薬液による均一な処理液が施される。
【００２５】
薬液による洗浄処理の開始から予め定める処理時間（たとえば、３０秒間）が経過すると、プッシュプルノズル１５の吐出口２２からの薬液の供給が停止され、その吐出口２２から純水が吐出される。吐出口２２から吐出される純水は、その吐出後直ちに、吐出口２２の周囲に配置された吸引口２３から吸引される。これにより、プッシュプルノズル１５の下面２１上に、吐出口２２から吸引口２３に向けて流れる純水の液膜が形成され、この純水の液膜がウエハＷの表面に接液されることとなる。そして、揺動アーム１４の揺動が引き続き行われていることにより、回転状態にあるウエハＷの表面に純水の液膜が接液されつつ、その接液位置がウエハＷの回転中心Ｃを含む位置とウエハＷの周縁部との間で往復移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に純水が供給され、ウエハＷの表面全域に付着している薬液が純水によって洗い流されていく。なお、純水の液膜がウエハＷの表面に接液されている間も、プッシュプルノズル１５の回転が継続されている。
【００２６】
純水の吐出開始から予め定めるリンス時間（たとえば、３０秒間）が経過すると、プッシュプルノズル１５の吐出口２２からの純水の供給が停止される。そして、その後、吐出口２２からＩＰＡが吐出される。このとき、吐出口２２から吐出されるＩＰＡは、  吐出後直ちに、その吐出口２２の周囲に配置された吸引口２３から吸引される。これにより、プッシュプルノズル１５の下面２１上に、吐出口２２から吸引口２３に向けて流れるＩＰＡの液膜が形成され、このＩＰＡの液膜がウエハＷの表面に接液されることとなる。そして、このときにも揺動アーム１４の揺動が継続されていることにより、回転状態にあるウエハＷの表面にＩＰＡの液膜が接液されつつ、その接液位置がウエハＷの回転中心Ｃを含む位置とウエハＷの周縁部との間で往復移動する。また、プッシュプルノズル１５の回転も継続されている。よって、ウエハＷの表面の全域にＩＰＡが供給され、その表面に付着している純水がＩＰＡに置換され、ＩＰＡの揮発性によってウエハＷの表面が乾燥されていく。
【００２７】
ＩＰＡの吐出開始から予め定める置換時間（たとえば、３０秒間）が経過すると、プッシュプルノズル１５の吐出口２２からのＩＰＡの供給が停止される。そして、揺動駆動機構１６によって、プッシュプルノズル１５がウエハＷの回転範囲外に退避される。
その後、ウエハＷが高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）にて回転される。これにより、ウエハＷの表面に残っている微小なＩＰＡの液滴が除去されていく。なお、ウエハＷの表面はほとんど乾燥されており、ウエハＷが高速回転しても、純水やＩＰＡの液滴がウエハＷの周囲に飛び散ることはない。
【００２８】
ウエハＷの高速回転の開始から予め定める乾燥時間（たとえば、３０秒間）が経過すると、スピンチャック２のチャック回転駆動機構１３の回転駆動が停止されて、ウエハＷの回転が停止する。これにより、ウエハＷに対する一連の処理が終了し、処理済みのウエハＷが図示しない搬送ロボットにより搬出されていく。
以上のように、この実施の形態によれば、吐出口２２からウエハＷの表面に向けて処理液を吐出させつつ、吸引口２３から吸引することにより、プッシュプルノズル１５上に吐出口２２から吸引口２３に向けて流れる処理液の液膜が形成される。そして、そのプッシュプルノズル１５をウエハＷの表面に対向配置し、回転状態にあるウエハＷの表面に処理液の液膜を接液させつつ、その接液位置を移動させることにより、処理液をウエハＷの表面の全域に供給することができる。プッシュプルノズル１５の吐出口２２から吐出される処理液は、吐出後直ちに吸引口２３から吸引されるので、ウエハＷの周辺に飛び散らない。そのため、処理液がウエハＷ周辺に飛散してしまうことを抑制しつつ、ウエハＷの表面の全域に対して処理液を用いた処理を施すことができる。
【００２９】
また、ウエハＷに対してプッシュプルノズル１５を移動させる構成であるので、回転状態にあるウエハＷの回転中心Ｃにも処理液の液膜を接液させることができ、それゆえ、回転中心Ｃを含めたウエハＷの全域に処理液による処理を施すことができる。
さらに、プッシュプルノズル１５が回転されることによって、ウエハＷ表面の接液位置の各点において、吐出口２２から吸引口２３へと向かう処理液の流れの方向を、高速に切り換えることができる。これにより、当該各点において、処理液をむらなく供給することができる。その結果、ウエハＷの表面に対して、処理液を用いた処理を、より均一に施すことができる。
【００３０】
以上、この発明の実施の形態について説明したが、この発明は、他の実施形態で実施することもできる。たとえば、プッシュプルノズル１５の吐出口２２と吸引口２３との配置パターンを互いに逆とし、吸引口２３を、吐出口２２の周囲に複数個（たとえば６個）配置する構成としてもよい。この場合、各吐出口２２から吐出される処理液が、その周囲に位置する吸引口２３に分散して流れるようになる。
【００３１】
また、前記の実施形態では、スピンチャック２として真空吸着式のチャックを用いたが、スピンチャック２は、このような真空吸着式のチャックに限られない。たとえば、ウエハＷの周端面を挟持部材を用いて挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができるメカ式のチャックが採用されていてもよい。さらに、ウエハＷの周端面を複数個の回転ローラを用いて挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができるローラ式のチャックが採用されていてもよい。この場合、ウエハＷの表面にプッシュプルノズル１５に保持された液膜が上方から接液される構成に加えて、ウエハＷの裏面にプッシュプルノズル１５に保持された液膜が下方から接液される構成を採用することもできる。
【００３２】
さらにまた、これに代えて、前述のプッシュプルノズル１５と同様の構成で、ウエハＷよりも大きな径を有する円板状に形成されたプッシュプルプレートを用いて、ウエハＷを裏面側から吸着保持させることもできる。吐出口からウエハＷの裏面に向けて純水などの液体を吐出させつつその吸引口から吸引することにより、プッシュプルプレートの上面に吐出口から吸引口に流れる液体の膜が形成され、これにより、ウエハＷが吸着保持される。また、この液体に代えて、吐出口からウエハＷの裏面に向けて窒素などの気体を吐出させつつその吸引口から吸引し、プッシュプルプレートの上面に形成される気体の流れにより、ウエハＷが吸着保持される構成とすることもできる。これらプッシュプルプレートを用いたウエハＷの保持の場合、ウエハＷの側方への移動を規制するために、プッシュプルプレートの周縁にガイドを設ける必要がある。
【００３３】
また、前述の実施形態では、スピンチャック２によって、ウエハＷがその表面を上方に向けた水平な姿勢で保持され、このウエハＷの表面に対して、プッシュプルノズル１５に保持される液膜が上方から接液される構成を取り上げたが、この構成を天地反転させた構成が採用されていてもよい。すなわち、スピンチャック２が吸着ベース１２を下方に向けて配置されるとともに、プッシュプルノズル１５が吐出口２２および吸引口２３が形成された面を吸着ベース１２に下方から対向させて配置され、スピンチャック２によって、ウエハＷがその表面を下方に向けた水平な姿勢で保持され、このウエハＷの表面に対して、プッシュプルノズル１５に保持される液膜が下方から接液される構成が採用されてもよい。
【００３４】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図３】プッシュプルノズルの下面を示す底面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  基板処理装置
２  スピンチャック（基板保持回転手段）
１４  揺動アーム（接液位置移動手段）
１５  プッシュプルノズル
１６  揺動駆動機構（接液位置移動手段）
１９  ノズルホルダ（ノズル回転手段）
２０  ノズル回転駆動機構（ノズル回転手段）
２１  下面
２２  吐出口
２３  吸引口
Ｃ  回転中心
Ｓ  間隔
Ｗ  ウエハ（基板）
【図１】
2008060508.tif 000003
【図２】
2008060508.tif 000004
【図３】
2008060508.tif 000005