(57)【要約】【課題】半導体チップ搭載装置を用いた加熱押圧により、半導体チップを半導体チップ実装部材に接合剤層を介して接合する際に、溶融した接合剤の半導体チップ搭載装置への付着を防止することでき、かつ半導体チップの汚染や損傷を抑制し得る半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法に用いられる半導体装置加工用耐熱シートを提供する。【解決手段】半導体チップ搭載装置２１を用いた半導体装置の製造方法であって、半導体チップ１１の上面１１ａと、半導体チップ搭載装置２１との間に、耐熱性基材シート層２と、半導体保護シート層３とを有する半導体装置加工用耐熱シート１を介在させて、半導体チップ１１の上面１１ａを半導体チップ搭載装置２１により加熱し、押圧することにより、接合剤１４を溶融し、半導体チップ１１を基板１２に接合する工程を備える、半導体装置の製造方法。【選択図】図６
2008193023.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ搭載装置を用いて、半導体チップを半導体チップ実装部材に搭載し、接合剤層により接合する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの一方面を、接合剤を介して前記半導体チップ実装部材に対向させる工程と、
前記半導体チップの前記一方面とは反対側の他方面と、前記半導体チップ搭載装置との間に、耐熱性基材シート層と、半導体保護シート層とを有する半導体装置製造用耐熱シートを介在させて、前記半導体チップの他方面を前記半導体チップ搭載装置により加熱し、押圧することにより、前記接合剤を溶融し、前記半導体チップを前記半導体チップ実装部材に接合する工程とを備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体チップの前記他方面に、前記半導体装置製造用耐熱シートを、前記半導体保護シート層側から接触することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体保護シート層が（メタ）アクリル系樹脂を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記耐熱性基材シート層がポリイミド系樹脂を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体チップの他方面を前記半導体チップ搭載装置により加熱し、押圧する温度において、前記耐熱性基材シート層が破損しないことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法に用いられる半導体装置製造用耐熱シートであって、半導体保護シート層と、耐熱性基材シート層とを有することを特徴とする、半導体装置製造用耐熱シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを他の半導体チップや基板等の半導体チップ実装部材に搭載し、接合剤層により接合する半導体装置の製造方法に関し、より詳細には、半導体チップ搭載装置を用いて、半導体チップを加熱し、押圧することにより、接合剤を溶融し、半導体チップを他の半導体チップや基板等に接合する半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法に用いられる半導体装置製造用耐熱シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップが基板等に搭載されている半導体装置の製造に際し、加熱により溶融する接合剤を用いた方法が知られている。
【０００３】
下記の特許文献１には、このような半導体装置の製造方法の一例が開示されている。特許文献１では、先ず、下面にバンプ電極が設けられた半導体チップと、上面に接続端子が設けられた基板とが用意される。半導体チップの下面は、バンプ電極が設けられている部分を除いて、接合剤で被覆されている。接合剤は、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる。半導体チップのバンプ電極を基板上の接続端子に位置合わせし、バンプ電極と接続端子とを接続し、接合剤を加熱溶融し、半導体チップが基板上に接合されている。
【特許文献１】特開平９−２３７８０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような半導体装置の製造方法では、接合剤を加熱溶融するために、加熱手段を備えた半導体チップ搭載装置が用いられている。すなわち、半導体チップを基板上に載置した後、半導体チップの上面を半導体チップ搭載装置により加熱し、押圧することにより、接合剤を溶融していた。
【０００５】
このとき、溶融した接合剤が、半導体チップの下面から外側にはみ出し、半導体チップの側面上に至ったり、さらに上面にまで回り込むことがあった。さらに、半導体チップの上面に回り込んだ接合剤が半導体チップ搭載装置の下面、すなわち半導体チップを押圧する面に付着することがあった。半導体チップ搭載装置の下面に接合剤が付着すると、次の半導体チップに接合剤が付着したり、半導体チップを正しい向きに押圧することができなくなることがあった。
【０００６】
また、半導体チップ搭載装置により押圧された際に、半導体チップが損傷することもあった。
【０００７】
近年、半導体チップの薄型化が進行している。非常に薄い半導体チップを用いた場合には、溶融した接合剤は半導体チップの上面により一層回り込み易い。従って、上記のような問題はより一層発生しがちであった。
【０００８】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、半導体チップ搭載装置を用いた加熱押圧により、半導体チップを他の半導体チップや基板等の半導体チップ実装部材に接合剤層を介して接合する際に、溶融した接合剤の半導体チップ搭載装置への付着を防止することでき、かつ半導体チップの汚染や損傷を抑制することができる半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法に用いられる半導体装置製造用耐熱シートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、半導体チップ搭載装置を用いて、半導体チップを半導体チップ実装部材に搭載し、接合剤層により接合する半導体装置の製造方法であって、半導体チップの一方面を、接合剤を介して半導体チップ実装部材に対向させる工程と、半導体チップの一方面とは反対側の他方面と、半導体チップ搭載装置との間に、耐熱性基材シート層と、半導体保護シート層とを有する半導体装置製造用耐熱シートを介在させて、半導体チップの他方面を半導体チップ搭載装置により加熱し、押圧することにより、接合剤を溶融し、半導体チップを半導体チップ実装部材に接合する工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法のある特定の局面では、半導体チップの他方面に、半導体装置製造用耐熱シートを、半導体保護シート層側から接触している。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法の他の特定の局面では、半導体保護シート層は（メタ）アクリル系樹脂を含んでいる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、耐熱性基材シート層はポリイミド系樹脂を含んでいる。
【００１３】
本発明のさらに他の特定の局面では、半導体チップの他方面を半導体チップ搭載装置により加熱し、押圧する温度において、耐熱性基材シート層は破損しない。
【００１４】
本発明に係る半導体装置製造用耐熱シートは、本発明の半導体装置の製造方法に用いられ、半導体保護シート層と、耐熱性基材シート層とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップと半導体チップ搭載装置との間に、半導体装置製造用耐熱シートを介在させて、半導体チップが半導体チップ搭載装置により加熱され、押圧されるので、溶融した接合剤の半導体チップ搭載装置側への移動がシートにより防がれる。従って、接合剤が半導体チップ搭載装置に付着し難い。よって、多数の半導体装置を製造する場合などに、次の半導体チップの汚染を防ぐこともできる。また、正しい向きに半導体チップを押圧し得るので、半導体チップの実装精度を高めることもできる。
【００１６】
さらに、本発明では、耐熱性基材シート層と、半導体保護シート層とを有する半導体装置製造用耐熱シートを用いているので、加熱押圧に際して、半導体装置製造用耐熱シートが破損したり、熱劣化し難い。さらに、半導体チップの損傷も抑制することができる。
【００１７】
半導体チップの他方面に、半導体装置製造用耐熱シートを、半導体保護シート層側から接触する場合には、半導体チップの損傷をより一層抑制することができる。
【００１８】
半導体保護シート層が（メタ）アクリル系樹脂を含む場合には、柔軟性が高められるので、半導体チップの損傷をさらに一層抑制することができる。
【００１９】
耐熱性基材シート層がポリイミド系樹脂を含む場合には、耐熱性が高められ、シートが破損したり、熱劣化するのをより一層抑制することができる。
【００２０】
本発明の半導体装置製造用耐熱シートでは、半導体保護シート層と、耐熱性基材シート層とを有するので、該シートを介して半導体チップを加熱し、押圧する場合に、シートが熱劣化し難く、半導体チップの損傷を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明を具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２２】
図１〜７を用いて、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を以下説明する。
【００２３】
図１〜３に、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる半導体装置製造用耐熱シート１と、半導体チップ１１と、半導体チップ実装部材としての基板１２とを部分切欠正面断面図及び正面断面図で示す。本実施形態では、半導体チップ実装部材として基板１２を用いているが、基板１２に代えて、半導体チップを用いてもよい。
【００２４】
図１に示す半導体装置製造用耐熱シート１は、耐熱性基材シート層２と、半導体保護シート層３とを有する。
【００２５】
上記耐熱性基材シート層２は、後に詳述するが、半導体チップ１１の上面１１ａを加熱し、押圧する温度において、耐熱性を有する。具体的には、耐熱性基材シート層２は、上記加熱し、押圧する温度において用いることができ、上記加熱し、押圧する温度において破損しないことが好ましい。
【００２６】
上記耐熱性基材シート層２としては、上記加熱し、押圧する温度において、耐熱性を有するものであれば特に限定されず、例えばポリイミド系樹脂フィルム、フッ素系樹脂フィルムや、アルミニウムフィルム等が挙げられる。耐熱性が高められるので、耐熱性基材シート層２は、ポリイミド系樹脂を含むことが好ましい。
【００２７】
上記半導体保護シート層３は、半導体チップ１１の上面１１ａを押圧する際に、半導体チップ１１の損傷を抑制するために設けられている。また、半導体保護シート層３は、押圧時に、半導体チップ１１の上面１１ａの凹凸等により、耐熱性基材シート層２が破損することを抑制する効果もある。
【００２８】
上記半導体保護シート層３としては、特に限定されず、半導体チップ１１の損傷を抑制し得るものであれば用いることができる。半導体チップ１１の損傷を効果的に抑制することができるので、上記半導体保護シート層３は、（メタ）アクリル系樹脂を含むことが好ましい。半導体保護シート層３が（メタ）アクリル系樹脂を含むことで、半導体保護シート層３と、半導体チップ１１との剥離性も高められる。なお、（メタ）アクリル系樹脂とは、アクリル系樹脂又はメタアクリル系樹脂を意味する。
【００２９】
上記（メタ）アクリル系樹脂は、 (メタ)アクリル酸エステルモノマーの単独重合体、または、(メタ)アクリル酸エステルモノマーと、該(メタ)アクリル酸エステルモノマーと共重合可能な他のビニルモノマーとの共重合体であることが好ましい。
【００３０】
上記（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、具体的には、例えば、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステルモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
上記（メタ）アクリル酸エステルモノマーと共重合可能な他のビニルモノマーは、得られる（メタ）アクリル系共重合体を改質し、凝集力を高めるために用いられる。他のビニルモノマーとしては、例えば、分子内に含有する官能基と架橋剤との架橋反応によりポリマー同士の網目形成に寄与するビニルモノマー等が用いられる。
【００３２】
上記分子内に含有する官能基と架橋剤との架橋反応によりポリマー同士の網目形成に寄与するビニルモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有モノマー；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ｎ−メチロールアクリルアミド等の水酸基含有モノマー；グリシジルアクリレート、アリルグリシジルエーテル等のエポキシ基含有モノマー；酢酸ビニル、スチレン等の高ガラス転移温度（Ｔｇ）モノマー：ビニルシランやメタクリロキシシラン等のシラノール基含有モノマー等が挙げられる。
【００３３】
上記分子内に含有する官能基と架橋剤との架橋反応によりポリマー同士の網目形成に寄与するビニルモノマーを用いる場合、該ビニルモノマーの含有量の好ましい下限は、０．０１重量％であり、より好ましい下限は０．０５重量％である。ビニルモノマーの含有量が少なすぎると、ビニルモノマーを共重合させた効果が充分に得られないことがある。
【００３４】
上記（メタ）アクリル系共重合体を調製する方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合(沸点重合、沸点未満重合)、乳化重合、懸濁重合、塊状重合、リビング重合等の公知の重合方法を用いることができる。
【００３５】
上記アクリル系共重合体を調製する際には、分子量を調整する目的で、連鎖移動剤が添加されてもよい。上記連鎖移動剤としては特に限定されず、例えば、チオール化合物やハロゲン化合物等の連鎖移動性の高いものが好ましく用いられる。
【００３６】
上記チオール化合物としては特に限定されず、例えば、ｎ−ドデシルメルカプタン、２−メルカプトエタノール、β−メルカプトプロピオン酸、β−メルカプトプロピオン酸オクチル、β−メルカプトプロピオン酸メトキシブチル、トリメチロールプロパントリス（β−チオプロピオネート）、チオグリコール酸ブチル；プロパンチオール類；ブタンチオール類；チオホスファイト類等が挙げられる。
【００３７】
上記ハロゲン化合物としては特に限定されず、例えば、四塩化炭素等が挙げられる。
【００３８】
上記（メタ）アクリル系共重合体を調製する際の重合の開始方法としては特に限定されず、例えば、アゾイソブチロイルニトリル、パーオキサイド系重合開始剤等の熱重合開始剤による方法；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾフェノン等の光重合開始剤による方法；及びこれらの方法と紫外線照射や電子線照射等とを併用する方法等が挙げられる。
【００３９】
上記半導体保護シート層３は、架橋剤を含むことが好ましい。架橋剤は（メタ）アクリル系共重合体中に導入された官能基と反応するので、ポリマー同士の架橋構造が形成され、凝集力が高められる。架橋剤としては特に限定されず、例えば、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート型架橋剤等が挙げられる。
【００４０】
上記半導体保護シート層３は、必要に応じて、粘着付与剤、充填剤、顔料、染料等の（メタ）アクリル系樹脂を含む樹脂組成物に使用される従来公知の添加剤等を含有していてもよい。
【００４１】
半導体装置製造用耐熱シート１では、半導体保護シート層３は、耐熱性基材シート層２の片面に設けられているが、両面に設けられていてもよい。もっとも、半導体保護シート層３は、耐熱性基材シート層２の片面に設けられていることが好ましい。
【００４２】
上記耐熱性基材シート層２の厚みとしては特に限定はされないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍである。より好ましい上限は１００μｍである。耐熱性基材シート層２が薄すぎると、耐熱性に劣る場合があり、厚すぎると、半導体装置製造用耐熱シート１が硬くなる傾向があり、半導体保護シート層３を設けたことによる効果が充分に発揮されない場合がある。
【００４３】
上記半導体保護シート層３の厚みとしては特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍである。半導体保護シート層３が薄すぎると、柔軟性に劣ることがあり、厚すぎると、半導体保護シート層３の一部が半導体チップ１１に付着することがある。
【００４４】
半導体装置製造用耐熱シート１は、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂などの半導体保護シート層３の構成成分を適当な溶媒に溶解した溶液として、耐熱性基材シート２の片面又は両面に塗布し、乾燥することにより得ることができる。
【００４５】
図２に示す半導体チップ１１は、下面１１ｂにバンプ電極１３ａ，１３ｂを有する。バンプ電極１３ａ，１３ｂは、Ａｇ、ＡｌまたはＣｕなどの適宜の金属または合金等により形成され得る。
【００４６】
半導体チップ１１の下面１１ｂには、バンプ電極１３ａ，１３ｂを被覆するように、フィルム状の接合剤１４が貼付されている。バンプ電極１３ａ，１３ｂは、接合剤１４の表面から露出していてもよい。
【００４７】
接合剤１４が貼付された半導体チップ１１は、半導体ウェーハの下面にダイアタッチフィルムとしての接合剤を貼付した後、個々の半導体チップにダイシングし、得ることができる。また、個々の半導体チップにダイシングした後に、半導体チップ１１の下面１１ｂに接合剤１４を貼付してもよい。さらに、半導体チップ１１の下面１１ｂに接合剤１４を貼付せずに、基板１２の上面１２ａに接合剤１４を貼付してもよい。
【００４８】
上記接合剤１４としては、加熱により溶融し、半導体チップ１１を基板１２に接合し得るものであれば特に限定されず、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等が用いられる。
【００４９】
図３に示す基板１２は、上面１２ａに電気接続端子１５ａ，１５ｂを有する。電気接続端子１５ａ，１５ｂは、半導体チップ１１を他の回路部分と電気的に接続するための電極である。電気接続端子１５ａ，１５ｂは、Ａｇ、ＡｌまたはＣｕなどの適宜の金属または合金等により形成され得る。
【００５０】
上記基板１２としては、特に限定されないが、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、ＢＴ基板、シリコン基板、サファイヤ等が挙げられる。
【００５１】
図１〜３に示す半導体装置製造用耐熱シート１と、半導体チップ１１と、基板１２とを用意した後、図４に示すように、半導体チップ１１の下面１１ｂを、接合剤１４を介して基板１２の上面１２ａに対向させる。バンプ電極１３ａ，１３ｂと、電気接続端子１５ａ，１５ｂとの接続を果たすために、バンプ電極１３ａ，１３ｂを電気接続端子１５ａ，１５ｂに位置合わせし、半導体チップ１１を基板１２の上面１２ａに載置する。
【００５２】
次に、図５に示すように、半導体チップ１１の上面１１ａと、後述する半導体チップ搭載装置２１との間に、半導体装置製造用耐熱シート１を介在させる。好ましくは、半導体チップ１１の上面１１ａ全体を覆うように、半導体装置製造用耐熱シート１を介在させる。
【００５３】
図５では、半導体チップ１１の上面１１ａに、半導体装置製造用耐熱シート１を、半導体保護シート層３側から接触させている。半導体チップ１１の損傷をより一層抑制することができるので、半導体チップ１１の上面１１ａに、半導体装置製造用耐熱シート１を、半導体保護シート層３側から接触させることが好ましい。
【００５４】
次に、図６に示すように、加熱手段としてのヒーター２２を備えた半導体チップ搭載装置２１を用いて、半導体装置製造用耐熱シート１を介在させて、半導体チップ１１の上面１１ａを該半導体チップ搭載装置２１により加熱し、押圧する。これにより、接合剤１４が加熱され、溶融する。溶融した接合剤１４により、半導体チップ１１を基板１２に接合することができる。また、半導体チップ搭載装置２１により加熱し、押圧する際には、バンプ電極１３ａ，１３ｂも溶融する。溶融したバンプ電極１３ａ，１３ｂにより、バンプ電極１３ａ，１３ｂと電気接続端子１５ａ，１５ｂとの接続を確実に果たすことができる。
【００５５】
本実施形態の特徴は、半導体チップ１１と、半導体チップ搭載装置２１との間に、上記特定の半導体装置製造用耐熱シート１を介在させて、半導体チップ１１を加熱し、押圧することにある。半導体装置製造用耐熱シート１を介在させることで、溶融した接合剤１４の半導体チップ搭載装置２１側への移動が半導体装置製造用耐熱シート１により防がれる。よって、半導体チップ搭載装置２１の汚染を防ぐことができる。
【００５６】
すなわち、溶融した接合剤１４が多すぎたり、押圧力が強すぎて、接合剤１４が半導体チップ１１の下面１１ｂからはみ出し、半導体チップ１１の側面１１ｃ上に至ったり、さらに上面１１ａにまで回り込んだとしても、半導体チップ搭載装置２１の押圧面である下面２１ａに接合剤１４が付着することがない。よって、多数の半導体装置を製造する場合などに、次の半導体チップ１１の汚染を防ぐこともできる。また、正しい向きに半導体チップ１１を押圧し得るので、半導体チップ１１の実装精度を高めることもできる。
【００５７】
さらに、半導体装置製造用耐熱シート１は、加熱押圧温度において耐熱性を有する耐熱性基材シート層２を有するので、加熱押圧に際して、半導体装置製造用耐熱シート１が破損したり、熱劣化し難い。さらに、該シート１は、半導体チップ１１の損傷を抑制する半導体保護シート層３を有するので、半導体チップ１１の損傷も抑制することもできる。
【００５８】
次に、半導体チップ搭載装置２１を取り除き、さらに半導体装置製造用耐熱シート１を半導体チップ１１の上面１１ａから剥離して、図７に示す半導体装置２５を得ることができる。
【００５９】
半導体装置２５では、半導体チップ１１が基板１２の上面１２ａに搭載され、接合剤層１４Ａにより接合されている。半導体チップ１１の下面１１ｂのバンプ電極１３ａ，１３ｂは、基板１２の上面１２ａの電気接続端子１５ａ，１５ｂに電気的に接続されている。
【００６０】
本発明の半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体チップを積層してなるスタクットチップなどの半導体装置の製造にも好ましく用いることができる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップが非常に薄い場合でも、半導体チップ搭載装置や半導体チップに接合剤が付着したり、半導体チップが損傷することなく、半導体チップを半導体チップ実装部材に接合することができる。よって、小型化及び高密度化に対応でき、信頼性の高いスタックトトップ等の半導体装置を得ることができる。
【００６１】
以下、具体的な実施例を挙げて、本発明を明らかにするが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６２】
（実施例１）
（１）半導体装置製造用耐熱シートの作製
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器にて、エチルアクリレート１００重量部と、シランカップリング剤(メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ＫＢＭ−５０３、信越化学工業社製）１重量部とからなるモノマー混合物を酢酸エチル１２０重量部に溶解させた。次に、還流点において、重合開始剤としてパーオキシケタール(ジ(ｔ−ヘキシルパーオキシ)トリメチルシクロヘキサン（パーロイルＴＭＨ、日本油脂社製)０．０１重量部を重合開始時に加え、さらにこの重合開始剤０．８重量部を重合開始後０．５〜４．５時間の間に適宜加え、アクリルモノマーを６．５時間かけて重合させた。得られた溶液を冷却し、（メタ）アクリル系樹脂であるアクリルポリマーを含む溶液を得た。
【００６３】
得られたアクリルポリマー１００重量部に、スズ触媒(ＳＢ−６５)１重量部と、シランカップリング剤（(アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、ＫＢＭ−６０３、信越化学工業社製)１重量部とを加え、アクリル混合物を得た。
【００６４】
次に、アクリル混合物を、厚み２３μｍのポリイミドフィルム（ポリイミド系樹脂を含む、耐熱性基材シート層）の片面に、乾燥後の厚みが５０μｍになるように塗布し、１１０℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去し、アクリル層（（メタ）アクリル系樹脂を含む、半導体保護シート層）を形成し、半導体装置製造用耐熱シートＡを得た。
【００６５】
（２）半導体装置の作製
図２，３に示した接合剤が貼付された半導体チップと、基板とを用意した。半導体チップの下面を接合剤を介して基板に対向させて、半導体チップを基板上に載置した。次に、半導体チップの上面に、半導体装置製造用耐熱シートＡをアクリル層側から接触させ、半導体チップの上面と半導体チップ搭載装置との間に、該半導体装置製造用耐熱シートＡを介在させて、半導体チップの上面を半導体チップ搭載装置により２７０℃の温度で加熱し、押圧することにより、接合剤を溶融し、半導体チップを半導体チップ実装部材に接合し、半導体装置を得た。
【００６６】
（比較例１）
（１）半導体装置製造用シートの作製
実施例１の（１）半導体装置製造用耐熱シートの作製において、ポリイミドフィルム（耐熱性基材シート層）に代えて、ポリエチレンテレフタレートフィルム（基材シート層）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、半導体装置製造用シートＢを作製した。
【００６７】
（２）半導体装置の作製
半導体チップの上面に、半導体装置製造用シートＢをアクリル層側から接触させ、半導体チップの上面と半導体チップ搭載装置との間に、該半導体装置製造用耐熱シートＢを介在させて、加熱押圧したこと以外は実施例１と同様にして、半導体装置を得た。
【００６８】
（比較例２）
（１）半導体装置製造用シートの作製
上記実施例１の（１）で得られたアクリル混合物を、厚み２３μｍの離型性を有するポリエチレンフィルムの片面に、乾燥後の厚みが５０μｍになるように塗布し、１１０℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去し、アクリル層（（メタ）アクリル系樹脂を含む、半導体保護シート層）を形成した。しかる後、ポリエチレンフィルムを剥離し、アクリル層のみからなる半導体装置製造用シートＣを得た。
【００６９】
（２）半導体装置の作製
半導体チップの上面に、半導体装置製造用シートＣを接触させ、半導体チップの上面と半導体チップ搭載装置との間に、該半導体装置製造用耐熱シートＣを介在させて、加熱押圧したこと以外は実施例１と同様にして、半導体装置を得た。
【００７０】
（比較例３）
（１）半導体装置製造用耐熱シート
厚み２３μｍのポリイミドフィルム（ポリイミド系樹脂を含む、耐熱性基材シート層）のみからなる半導体装置製造用耐熱シートＤを用意した。
【００７１】
（２）半導体装置の作製
半導体チップの上面と半導体チップ搭載装置との間に、半導体装置製造用耐熱シートＤを介在させて、加熱押圧したこと以外は実施例１と同様にして、半導体装置を得た。
【００７２】
（比較例４）
半導体装置製造用耐熱シートを用いずに、半導体チップの上面を、直接、半導体チップ搭載装置により加熱押圧したこと以外は実施例１と同様にして、半導体装置を得た。
【００７３】
（評価）
（１）シートの耐熱性
加熱押圧後の半導体装置製造用シートの状態を評価した。
【００７４】
○：異常なし、△：わずかに性能低下、×：性能低下もしくは破損、として結果を下記表１に示す。
【００７５】
（２）シートの破損の有無
加熱押圧時に半導体装置製造用シートの破損の有無を評価した。
【００７６】
○：破損無し、△：時々破損有、×：ほとんど破損、として結果を下記表１に示す。
【００７７】
（３）半導体チップ搭載装置への接合剤の付着の有無
加熱押圧後に、半導体チップ搭載装置への接合剤の付着の有無を評価した。
【００７８】
○：付着無し、×：付着有、として結果を下記表１に示す。
【００７９】
（４）半導体チップ搭載装置へのシート又は半導体チップの貼り付きの有無
加熱押圧後に、半導体チップ搭載装置を取り除く際に、半導体チップ搭載装置への半導体装置製造用シート又は半導体チップの貼り付きの有無を評価した。
【００８０】
○：貼り付き無し、×：貼り付き有、として結果を下記表１に示す。
【００８１】
（５）半導体チップとシートとの剥離性
加熱押圧後に、半導体チップから半導体装置製造用シートを剥離した際に、シートの一部が半導体チップに付着しているか否かを評価した。
【００８２】
○：付着無し、×付着有、として結果を下記表１に示す。
【００８３】
（６）半導体チップの損傷の有無
得られた半導体装置において、半導体チップの損傷の有無を評価した。
【００８４】
○：損傷無し、×：損傷有、として結果を下記表１に示す。
【００８５】
【表１】
2008193023.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる半導体装置製造用耐熱シートの部分切欠正面断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる半導体チップの正面断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる基板の正面断面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であり、半導体チップの下面を接合剤を介して基板に対向させて、半導体チップを基板上に載置したときの状態を示す正面断面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であり、基板上に載置された半導体チップの上面に、半導体装置製造用耐熱シートを配置したときの状態を示す正面断面図。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であり、半導体装置製造用耐熱シートを介して、半導体チップの上面を半導体チップ搭載装置により加熱し、押圧するときの状態を示す正面断面図。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法により得られた半導体装置を示す正面断面図。
【符号の説明】
【００８７】
１…半導体装置製造用耐熱シート
２…耐熱性基材シート層
３…半導体保護シート層
１１…半導体チップ
１１ａ…上面
１１ｂ…下面
１１ｃ…側面
１２…基板
１２ａ…上面
１３ａ，１３ｂ…バンプ電極
１４…接合剤
１４Ａ…接合剤層
１５ａ，１５ｂ…電気接続端子
２１…半導体チップ搭載装置
２１ａ…下面
２２…ヒーター
２５…半導体装置
【図１】
2008193023.tif 000004
【図２】
2008193023.tif 000005
【図３】
2008193023.tif 000006
【図４】
2008193023.tif 000007
【図５】
2008193023.tif 000008
【図６】
2008193023.tif 000009
【図７】
2008193023.tif 000010