(57)【要約】【課題】マスクプロセスに起因したマスク寸法ばらつきを考慮してリソグラフィマージンの拡大を図り得る半導体装置のマスク描画データ作成方法を提供すること。【解決手段】設計パターンからマスクデータ処理により第１のマスクパターンを生成し(S101)、それを構成する部分マスクパターンを形状に基づいて分類し(S102)、部分マスクパターン毎に形状に基づいてリサイズ処理を行って第２のマスクパターンを生成し(S103)、リソグラフィ条件に従って基板上に形成されるレジストパターンの平面形状を算出し(S104,S105)、平面形状と設計パターンとの差分を算出して(S106)予め与えられた条件を満たすか否かを判定し(S107)、条件を満たさない場合は設計パターンの条件を満たさない差分が生ずる部分を修正(S109)した後に第１のマスクパターンを生成する工程(S101)に戻り、条件を満たす場合はそのときの第１のマスクパターンをマスク描画データとする(S108)。【選択図】      図１
2008058812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の設計パターンから、マスクデータ処理を行って第１のマスクパターンを生成する工程と、
前記第１のマスクパターンを構成する部分マスクパターンをその形状に基づいて分類する工程と、
前記第１のマスクパターンに対して、前記分類された部分マスクパターン毎にその形状に基づいてリサイズ処理を行うことによって第２のマスクパターンを生成する工程と、
前記第２のマスクパターンから、リソグラフィ条件に従って半導体基板上に形成されるレジストパターンの平面形状を算出する工程と、
前記レジストパターンの平面形状と前記設計パターンとの差分を算出する工程と、
前記差分が予め与えられた条件を満たすか否かを判定する工程と、
前記判定する工程において前記差分が前記条件を満たさないと判定された場合は、前記設計パターンの前記条件を満たさない前記差分が生ずる部分を修正した後に、前記第１のマスクパターンを生成する工程に戻る工程と、
前記判定する工程において前記差分が前記条件を満たすと判定された場合は、そのときの前記第１のマスクパターンをマスク描画データとする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置のマスク描画データ作成方法。
【請求項２】
前記マスクデータ処理は、ＯＰＣ処理、ＰＰＣ処理、或いはそれらの両方の処理を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のマスク描画データ作成方法。
【請求項３】
前記分類する工程において、形状に基づいて分類される前記部分マスクパターンは、斜線パターン、ライン端パターン、補助パターン、粗密差を有するパターンの少なくとも１つを含んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のマスク描画データ作成方法。
【請求項４】
前記リソグラフィ条件は、露光装置の照明形状および照明強度、偏光度、収差量、瞳透過率分布、レジスト中の酸の拡散長、現像条件、エッチング条件、フォーカス値、露光量のうち少なくとも１つ以上を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のマスク描画データ作成方法。
【請求項５】
コンピュータに、
半導体装置の設計パターンから、マスクデータ処理を行って第１のマスクパターンを生成する手順と、
前記第１のマスクパターンを構成する部分マスクパターンをその形状に基づいて分類する手順と、
前記第１のマスクパターンに対して、前記分類された部分マスクパターン毎にその形状に基づいてリサイズ処理を行うことによって第２のマスクパターンを生成する手順と、
前記第２のマスクパターンから、リソグラフィ条件に従って半導体基板上に形成されるレジストパターンの平面形状を算出する手順と、
前記レジストパターンの平面形状と前記設計パターンとの差分を算出する手順と、
前記差分が予め与えられた条件を満たすか否かを判定する手順と、
前記判定する手順において前記差分が前記条件を満たさないと判定された場合は、前記設計パターンの前記条件を満たさない前記差分が生ずる部分を修正した後に、前記第１のマスクパターンを生成する手順に戻る手順と、
前記判定する手順において前記差分が前記条件を満たすと判定された場合は、そのときの前記第１のマスクパターンをマスク描画データとする手順と
を実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の製造におけるマスク描画データの作成方法に関する。また、このマスク描画データの作成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、最小加工寸法０．０９μmサイズの半導体が量産されている。このような微細化はマスクプロセス技術、光リソグラフィ技術、およびエッチング技術等の微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。
【０００３】
パターンサイズが十分大きい時代には、ウェハ上に形成したいＬＳＩパターンの平面形状をそのまま設計パターンとして描き、その設計パターンに忠実なマスクパターンを作成していた。そのマスクパターンを投影光学系によってウェハ上に転写し、下地をエッチングすることによってほぼ設計パターン通りのパターンをウェハ上に形成することができた。
【０００４】
しかしながら、パターンの微細化が進むにつれて、各プロセスでパターンを忠実に形成することが困難になってきており、最終仕上り寸法が設計パターン通りにならないという問題が生じてきた。
【０００５】
これらの問題を解決するために、各プロセスでの変換誤差を考慮して、最終仕上り寸法が設計パターン寸法と等しくなるように、設計パターンと異なるマスクパターンを作成するマスクデータ処理（Mask Data Processing:ＭＤＰ)が非常に重要になっている。
【０００６】
例えば、マスクデータ処理として、プロセス近接効果補正（Process Proximity Correction：ＰＰＣ）や光近接効果補正（Optical Proximity Correction：ＯＰＣ）と呼ばれる技術が使用されている。これらの処理を行うことによって最終仕上り寸法が所望の形状になるようにマスクパターンを適切に補正する。
【０００７】
ＯＰＣ技術としては、例えば、設計パターンの幅、もしくはパターン同士の最近接パターン間距離等に応じて設計パターンを構成するエッジの移動量をルールとして規定し、そのルールに従ってエッジを移動させるルールベースＯＰＣ手法が用いられている。また、光近接効果(ＯＰＥ)を正確に予測できる光強度シミュレータを搭載して、マスクパターンごとに適切な補正値を計算できるモデルベースＯＰＣ手法も用いられている。
【０００８】
近年では、デバイスパターンの微細化に伴いリソグラフィプロセスにおけるk1値（k1＝Ｗ/(λ/ＮＡ)、Ｗ:設計パターンの寸法、λ：露光装置の露光波長、ＮＡ:露光装置に使用されているレンズの開口数）がますます低減している。従って、従来の最小線幅等を規定するデザインルールによるレイアウト作成方法では、すべてのパターンにおいて十分なリソグラフィマージンを確保することが困難になっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
このため、ウェハ上に形成されるレジストパターンの平面形状に対して設計パターンのトポロジー毎に様々なプロセスに起因して引き起こされる変動を考慮に入れる必要が生じている。デザインルールによる従来のレイアウト作成方法に加え、これらの変動をシミュレーションで算出し、所望のリソグラフィマージンが確保できるか否かを判定することによってレイアウトおよびマスクパターンを決定する技術が必要とされている。
【００１０】
ところで、従来のレイアウトおよびマスクパターンの作成においては、レジストパターンの平面形状のプロセスに起因した変動をシミュレーションで算出する際、露光装置に起因したばらつき（フォーカス値のずれ、露光量（ドーズ（Dose）値）のずれ、等）のみが考慮されている。
【００１１】
しかし近年、デバイスのさらなる微細化に伴いマスクプロセスに起因したマスク寸法ばらつきがウェハ平面形状に与える影響が無視できなくなっている。このため従来のレイアウトおよびマスクパターン作成方法では、マスクプロセスに起因したマスク寸法ばらつきが生じる特定のトポロジーを有するパターンに対しては、必ずしも十分なリソグラフィマージンを確保できなかった。
【特許文献１】特開２００４−３０５７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、露光装置に起因した寸法ばらつきのみならず、マスクプロセスに起因したマスク寸法ばらつきを考慮してリソグラフィマージンの拡大を図り得る半導体装置のマスク描画データ作成方法、および該マスク描画データ作成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明の第１の態様に係る半導体装置のマスク描画データ作成方法は、半導体装置の設計パターンから、マスクデータ処理を行って第１のマスクパターンを生成する工程と、前記第１のマスクパターンを構成する部分マスクパターンをその形状に基づいて分類する工程と、前記第１のマスクパターンに対して、前記分類された部分マスクパターン毎にその形状に基づいてリサイズ処理を行うことによって第２のマスクパターンを生成する工程と、前記第２のマスクパターンから、リソグラフィ条件に従って半導体基板上に形成されるレジストパターンの平面形状を算出する工程と、前記レジストパターンの平面形状と前記設計パターンとの差分を算出する工程と、前記差分が予め与えられた条件を満たすか否かを判定する工程と、前記判定する工程において前記差分が前記条件を満たさないと判定された場合は、前記設計パターンの前記条件を満たさない前記差分が生ずる部分を修正した後に、前記第１のマスクパターンを生成する工程に戻る工程と、前記判定する工程において前記差分が前記条件を満たすと判定された場合は、そのときの前記第１のマスクパターンをマスク描画データとする工程とを含む。
【００１４】
この発明の第２の態様に係るプログラムは、コンピュータに、半導体装置の設計パターンから、マスクデータ処理を行って第１のマスクパターンを生成する手順と、前記第１のマスクパターンを構成する部分マスクパターンをその形状に基づいて分類する手順と、前記第１のマスクパターンに対して、前記分類された部分マスクパターン毎にその形状に基づいてリサイズ処理を行うことによって第２のマスクパターンを生成する手順と、前記第２のマスクパターンから、リソグラフィ条件に従って半導体基板上に形成されるレジストパターンの平面形状を算出する手順と、前記レジストパターンの平面形状と前記設計パターンとの差分を算出する手順と、前記差分が予め与えられた条件を満たすか否かを判定する手順と、前記判定する手順において前記差分が前記条件を満たさないと判定された場合は、前記設計パターンの前記条件を満たさない前記差分が生ずる部分を修正した後に、前記第１のマスクパターンを生成する手順に戻る手順と、前記判定する手順において前記差分が前記条件を満たすと判定された場合は、そのときの前記第１のマスクパターンをマスク描画データとする手順とを実行させる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、露光装置に起因した寸法ばらつきのみならず、マスクプロセスに起因したマスク寸法ばらつきを考慮してリソグラフィマージンの拡大を図り得る半導体装置のマスク描画データ作成方法、および該マスク描画データ作成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置の設計パターン作成方法を示したフローチャートである。
【００１８】
まず、マスクプロセスに起因したばらつきが発生する可能性があるトポロジーを有している設計パターンに対して、露光工程を含んだそれ以降の工程で生じ得るパターンの変換差を補正する処理を行って第１のマスクパターンデータを作成する（ステップＳ１０１）。
【００１９】
例えば図２に示すように、設計パターン２１を従来周知のＯＰＣ、ＰＰＣ処理等のマスクデータ処理を行って第１のマスクパターンデータ２２を作成する。ＯＰＣは、露光プロセルによって生ずる近接効果を補正する処理であり、ＰＰＣは、エッチング等加工プロセスによって生じる近接効果を補正する処理である。
【００２０】
ここで、マスクプロセスに起因したばらつきの発生について説明する。
【００２１】
図６に、電子ビーム（ＥＢ）によるマスク描画の方法および電子ビーム成形のためのアパーチャーを示す。電子ビームが、第１のアパーチャー６１、レンズ６３、第２のアパーチャー６２を順に経ることによって所望の形状のビームパターンが形成される。
【００２２】
第１のアパーチャー６１及び第２のアパーチャー６２の重なり状態を組み合わせることにより成形された電子ビームを連続ショットすることにより、様々なパターンのマスク描画が行われる。
【００２３】
実際には、例えば、図７に示したような３層マスク（ガラス基板（ブランクス）／位相シフトマスク（ＭｏＳｉ）／遮光膜（Ｃｒ））の上にレジストを塗布した状態で、電子ビームで描画し、現像、エッチングを経てマスクパターンを形成する。
【００２４】
直線描画の際には図８に示すようにアパーチャーを組み合わせて矩形ショット８１を形成することにより、１ショットでの描画が可能である。一方、斜線描画の際には図９に示すようにアパーチャーを組み合わせて、２つの三角形ショット９１、９２を形成する。実際には、この２つのショット９１、９２をずらしながら重ね打ちして図１０に示すように、斜線パターンを形成する。
【００２５】
その結果、斜線部においては、直線部分よりもショットの位置ずれが発生しやすくなり、パターン描画に精度劣化をもたらす。従って、斜線部においてマスク寸法ばらつきが発生し、リソグラフィマージンの低下を招くことになる。
【００２６】
上記現象の具体例の１つとして、右上がりおよび右下がりの斜線パターンでのマスク寸法ばらつきによるリソグラフィマージンの低下について説明する。
【００２７】
図１１に示すように、同じ幅を有する右上がり斜線の設計パターン１０１および右下がり斜線の設計パターン１０２にＯＰＣ処理を施すことによって、それぞれマスクパターンデータ１１０および１２０を作成する。マスクパターンデータ１１０および１２０には同じＯＰＣ処理が施されるため、両者に寸法の差は発生していない（Ｗa＝Ｗb）。
【００２８】
マスクパターンデータ１１０および１２０を用いて実際にマスクをＥＢ描画した結果が、図１２である。図１２は、マスク描画の際のショットの位置ずれにより、右下がりのマスクパターンデータ１２０を描画したマスクパターン１２１に比べ、右上がりのマスクパターンデータ１１０を描画したマスクパターン１１１の方がマスク寸法が小さく形成されている例を示している（Ｗa´≠Ｗb´）。
【００２９】
次に、露光装置で図１２に示したマスクパターン１１１および１２１を用いて、マスクパターン１２１に対してリソグラフィマージンが最大となる露光条件、即ちマスクパターン１２１に最適な露光条件でウェハ上にマスクパターンを転写した結果を図１３に示す。
【００３０】
すなわち、ウェハ上に形成されるレジストパターン１３１、１３２（ハッチング箇所で示す）は、所望のマスクパターン１１１および１２１（パターン輪郭部で示す）とほぼ同じ形状であることを示している。尚、同図におけるマスクパターン１１１および１２１は便宜上形状比較のためにパターン輪郭部を図示したものであって、マスクパターンは縮小投影光学系によりウェハ上のレジスト膜に転写、現像後にレジストパターンとして形成されるので、実際にはマスクパターンはウェハ上には形成されない。
【００３１】
ここで、露光条件が最適な露光条件からずれてしまうと、図１４に示すように、マスク寸法が小さく形成されたマスクパターン１１１によってウェハ上に形成されたレジストパターン１４１（ハッチング箇所で示す）は細くなりすぎてしまう。即ち、マスクパターン１１１に対しては十分なリソグラフィマージンを確保することが困難である。
【００３２】
ここでは、マスクばらつきの原因となるマスクプロセスの誤差として、マスク描画の際のショットの位置ずれについて説明したが、その他に、描画後の、現像、エッチングプロセスによってもマスクばらつきは発生し得る。
【００３３】
図１のフローチャートに戻り、次に第１のマスクパターンデータ２２の各部分マスクパターンの形状に基づいて分類を行う（ステップＳ１０２）。ここで、分類する形状としては、例えば、斜線パターン、ライン端パターン、ＳＲＡＦ（Sub-resolution Assist Features)パターン、粗密差を有するパターン等である。
【００３４】
斜線パターンの場合は、図１２に示したように、実際のＥＢ描画におけるマスク寸法変換によってマスクパターン１１１がマスクパターンデータ１１０よりも細くなってしまう。ライン端パターンは、図１５に示すように、ライン状のマスクパターンデータ１５１の両端が、マスクプロセスに起因して細くなってしまう。
【００３５】
ＳＲＡＦパターンは、図１６に示すようにメインパターン１６２の解像度を向上させるためにメインパターン１６２の近傍に配置する補助パターン１６１である。ＳＲＡＦパターン１６１は、メインパターン１６２より微細なパターンであるため、露光時にはウェハ上には転写されない。ＳＲＡＦパターン１６１も、マスクプロセスに起因して図１６に示したようにマスク寸法が変換される。
【００３６】
図１７に示したような粗密差を有するパターンの場合は、マスクプロセスによって、密なラインパターン１７１に比べて、粗なラインパターン１７２の方が太くなるようにマスク寸法が変換される。即ち、パターンの粗密によってマスクばらつきが生じる。
【００３７】
従って以上のことを考慮に入れて、図３に示すように、第１のマスクパターンデータ２２に対して、分類された部分マスクパターン毎にその形状に基づいてマスクプロセスに起因したマスク寸法変換差を加えるリサイズ処理を行う。これによって第２のマスクパターンデータ３１を作成する（ステップＳ１０３）。
【００３８】
ここで、第１のマスクパターンデータ２２に加えるマスク寸法変換差は、予めマスクプロセスに起因したマスク寸法のばらつきが発生するパターン毎に、実験データ等に基づいて規定しておく。
【００３９】
次に新たに作成された第２のマスクパターンデータ３１を用いて、露光装置起因によるばらつきを考慮に入れて、ウェハ上に形成されるレジストパターンの平面形状をシミュレーションにより算出する。そしてこれが設計パターンとどれだけ一致するか、即ち、所定のリソグラフィマージンが確保できるか否かの検証（以後ＯＰＣ検証と呼ぶ）が行われる。
【００４０】
具体的には、まず、図４に示すように第２のマスクパターンデータ３１から、最適なリソグラフィ条件（ベストフォーカス値、ベスト露光量）でウェハ上でのレジストパターンの第１の平面形状４１を算出する（ステップＳ１０４）。
【００４１】
さらに、露光装置の性能やウェハ上の凹凸等に起因するフォーカス値のずれが最適フォーカス値に加わるなどして最適なリソグラフィ条件とは異なる条件で、第２のマスクパターンデータ３１から、レジストパターンの第２の平面形状４２を算出する（ステップＳ１０５）。
【００４２】
ステップＳ１０４及びＳ１０５で用いるリソグラフィ条件としては、フォーカス値、露光量の他に、露光装置の照明形状および照明強度、偏光度、収差量、瞳透過率分布、レジスト中の酸の拡散長、現像条件、エッチング条件等でもよい。ウェハ上でのレジストパターンの平面形状に影響を及ぼすあらゆるリソグラフィ条件を考慮して、それらの最適値及び、現実に取り得る最悪値等を複数の条件として選択してもよいが、単一のリソグラフィ条件を選択してもかまわない。単一のリソグラフィ条件を選択した場合は、ステップＳ１０４及びＳ１０５は一つのステップになる。
【００４３】
次に、リソグラフィ条件毎に算出されたレジストパターンの第１及び第２の平面形状と設計パターンとの差分を算出する（ステップＳ１０６）。そして、ステップＳ１０６で求められたレジストパターンの第１の平面形状と設計パターンとの差分、及びレジストパターンの第２の平面形状と設計パターンとの差分が、それぞれ共に予め与えられた条件を満たすか否かを判定する（ステップＳ１０７）。
【００４４】
単一のリソグラフィ条件を選択した場合は、ステップＳ１０６で１つの差分を算出し、ステップＳ１０７でそれが予め与えられた条件を満たすか否かを判定する。
【００４５】
ステップＳ１０７においては、例えば、各差分の絶対値が予め定めた閾値より共に小さいか否かが判定される。また、各差分は、それぞれの平面形状、あるいは設計パターンの複数の箇所で算出されてよく、例えば、その中で絶対値が最大の差分に対してステップＳ１０７の判定が実行される。
【００４６】
ステップＳ１０７において、各差分が共に予め与えられた条件を満たせば、ＯＰＣ検証をクリアしたと判定され、その設計パターン２１から生成された第１のマスクパターンデータ２２をマスク描画データとして実際に使用する（ステップＳ１０８）。このマスクデータを用いてマスクパターンを作成し、それによってウェハ上にレジストパターンを形成する。
【００４７】
一方、ステップＳ１０７において条件が満たさなければ、その設計パターン２１は所望のリソグラフィマージンが確保されていないと判定される。この場合は、図５に示すように、設計パターン２１の条件を満たさない差分が生ずる部分に対して、その差分量に応じた修正量が計算され、その修正量分だけ設計パターン２１を修正することにより新たな設計パターン５１が作成される（ステップＳ１０９）。
【００４８】
上記修正量は、差分が閾値を超えた箇所において、例えば、閾値を超えた差分に所定の係数を乗算することによって差分（の絶対値）が小さくなるように算出してもよい。或いは、実験結果から予め差分量と修正量との関係を求めてテーブル等を作成しておいてそこから導いてもよい。
【００４９】
修正後は、ステップＳ１０１に再び戻り、この新たな設計パターン５１に対してＯＰＣ処理を施して第１のマスクパターンデータを作成し（ステップＳ１０１）、以下、各差分が条件を満たすまで、即ち各差分の絶対値が閾値より小さくなるまで、ステップＳ１０１〜１０７及びＳ１０９を繰り返す。
【００５０】
設計パターンの全ての箇所において差分が条件を満たしてＯＰＣ検証をクリアした時点で、この設計パターンから生成された第１のマスクパターンデータをマスク描画データとして実際に使用することが決定される（ステップＳ１０８）。
【００５１】
本実施形態の手法により、マスクプロセスに起因するマスク寸法ばらつきが生じる特定のパターンに対しても、十分なリソグラフィマージンが確保できるレイアウト設計パターンおよびマスクパターンを作成することができる。
【００５２】
本実施形態においては、マスクプロセスに起因するマスク寸法ばらつきが生じる特定のパターンとして、斜線パターン、ライン端パターン、ＳＲＡＦパターン、粗密差を有するパターンを例にとって説明したが、その他にも寸法の細いパターン端等を含んでも良く、これらに限定されるものではない。
【００５３】
またマスク寸法ばらつきの原因として、斜線パターンにおける２ショットによる位置ずれの場合を説明したが、その他にも、上述したように現像プロセスやマスク加工工程に起因するマスク寸法ばらつきを考慮してもよい。
【００５４】
また本実施形態は、図１で示した各ステップを手順としてコンピュータに実行させるためのプログラムを作成して実現してよく、それを用いて設計パターン及びマスクパターンデータを作成するのが好ましい。
【００５５】
上述したように、本実施形態では、ステップＳ１０７で各差分が予め定めた条件を満たした時にステップＳ１０１で生成してあった第１のマスクパターンデータを描画データとするが、これを実際に使用してマスクパターンを作成するのが好ましい。
【００５６】
この時の設計パターンは、マスクプロセスに起因するマスク寸法ばらつきを考慮にいれても十分なプロセスマージンを有している。従って、それに基づいたマスクパターンを用いて半導体基板上にレジストパターンを形成して半導体装置を製造すれば、デバイスの歩留りの向上が期待できる。
【００５７】
露光装置に起因するばらつきのみを考慮に入れた従来のレイアウトおよびマスクパターン作成方法は、マスクプロセスに起因するマスク寸法ばらつきが生じるような特定のトポロジーを有するパターンに対しては必ずしも有効ではなく、十分なリソグラフィマージンを確保することができなかった。
【００５８】
本実施形態ではこのような特定のトポロジーに対して、ウェハ上に形成されるレジストパターンの平面形状をシミュレーションで算出する際に、露光装置起因による平面形状の変動量に加え、マスクプロセスに起因するローカルなマスク寸法ばらつきの影響を考慮する。
【００５９】
これによって、このような特定のトポロジーを有するパターンに対しても、リソグラフィマージンの向上が可能となり、所望のリソグラフィマージンを確保したレイアウト設計パターン、およびマスクパターン作成方法を提供することが可能となる。その結果、デバイスの歩留まりを大幅に向上することができる。
【００６０】
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置のマスク描画データ作成方法を示したフローチャート。
【図２】本実施形態に係る半導体装置のマスク描画データ作成方法を示した図。
【図３】図２に引き続く半導体装置のマスク描画データ作成方法を示した図。
【図４】図３に引き続く半導体装置のマスク描画データ作成方法を示した図。
【図５】図４に引き続く半導体装置のマスク描画データ作成方法を示した図。
【図６】電子ビーム（ＥＢ）によるマスク描画の方法および電子ビーム成型のためのアパーチャーを示す図。
【図７】フォトマスクの断面構造を示す図。
【図８】直線描画の際のアパーチャーの組み合わせの様子を示す図。
【図９】斜線描画の際のアパーチャーの組み合わせの様子を示す図。
【図１０】電子ビームの２つのショットを用いて斜線パターンを形成する様子を示す図。
【図１１】右上がり斜線および右下がり斜線の設計パターンにＯＰＣ処理を施すことによって、マスクパターンデータを作成する様子を示す図。
【図１２】マスク描画の際のショットの位置ずれにより、右上がりのマスクパターンデータを描画したマスクパターンの寸法が小さく形成される様子を示す図。
【図１３】最適な露光条件でウェハ上にマスクパターンを転写してレジストパターンを形成した結果を示す図。
【図１４】最適でない露光条件でウェハ上にマスクパターンを転写してレジストパターンを形成した結果を示す図。
【図１５】ライン端パターンの両端が、マスクプロセスに起因して細くなる様子を示す図。
【図１６】ＳＲＡＦパターンが、マスクプロセスに起因して寸法変換される様子を示す図。
【図１７】粗密差を有するパターンが、マスクプロセスに起因して寸法変換される様子を示す図。
【符号の説明】
【００６２】
２１、１０１、１０２…設計パターン、２２…第１のマスクパターンデータ、３１…第２のマスクパターンデータ、４１…レジストパターンの第１の平面形状、５１…新たな設計パターン、６１…第１のアパーチャー、６２…第２のアパーチャー、６３…レンズ、８１…矩形ショット、９１、９２…ショット、１１０、１２０、１５１…マスクパターンデータ、１１１、１２１、１５２…マスクパターン、１３１、１３２、１４１、１４２…レジストパターン、１６１…ＳＲＡＦパターン、１６２…メインパターン、１７１…密なラインパターン、１７２…粗なラインパターン、Ｓ１０１〜Ｓ１０９…ステップ。
【図１】
2008058812.tif 000003
【図２】
2008058812.tif 000004
【図３】
2008058812.tif 000005
【図４】
2008058812.tif 000006
【図５】
2008058812.tif 000007
【図６】
2008058812.tif 000008
【図７】
2008058812.tif 000009
【図８】
2008058812.tif 000010
【図９】
2008058812.tif 000011
【図１０】
2008058812.tif 000012
【図１１】
2008058812.tif 000013
【図１２】
2008058812.tif 000014
【図１３】
2008058812.tif 000015
【図１４】
2008058812.tif 000016
【図１５】
2008058812.tif 000017
【図１６】
2008058812.tif 000018
【図１７】
2008058812.tif 000019