(57)【要約】【課題】プリント基板の回路形成工程中にプリント基板の剛性を確保して歪みなどによる不良を最小化することのできるプリント基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のプリント基板の製造方法は、樹脂基板１０１の両面に金属プレート１０２を積層したワーク基板１００を用意し、内側部位の金属プレート１０２を除去して樹脂基板１０１を露出させることによって、製品部１０３を形成するとともに、製品部１０３の外周部を取り囲むダミー金属フレーム１０２を形成し、この製品部１０３に複数のプリント基板を一体に形成することを特徴とする。【選択図】図２
2008193065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）樹脂基板の両面に、１００ＧＰａ以上の剛性度を有する金属プレートが積層されたワーク基板を提供する段階と、
（ｂ）前記ワーク基板の内側部位の金属プレートをエッチング及び除去することによって前記樹脂基板を露出させ、複数のプリント基板を連結して一体に構成するための製品部を形成するとともに、前記製品部の外周部を取り囲むダミー金属フレームを形成する段階と、
（ｃ）前記製品部の樹脂基板を加工して貫通孔を形成する段階と、
（ｄ）前記貫通孔が形成された製品部の樹脂基板上に内層回路パターンを形成する段階と、
（ｅ）前記内層回路パターンが形成された製品部上に絶縁層を積層する段階と、
（ｆ）前記絶縁層を加工してビアホールを形成する段階と、
（ｇ）前記ビアホールが形成された絶縁層上に外層回路パターンを形成する段階と、
（ｈ）前記外層回路パターンが形成された製品部上にソルダレジスト層を形成した後に、ソルダオープニング工程によって、半導体を実装するためのバンプパッド及び外部部品と結合するためのソルダリングパッドになる部位の前記外装回路パターンを露出させる段階と
を含むことを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項２】
前記（ｅ）段階〜前記（ｇ）段階を順次に数回繰り返した後に、前記（ｈ）段階を行うことを特徴とする請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記ワーク基板上に前記製品部が二つ以上存在する場合には、各前記製品部の外周部にそれぞれ前記ダミー金属フレームが残るように前記製品部毎にそれぞれ外形加工する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記製品部のソルダリングパッド上にソルダボールを装着した後に、それぞれの単位プリント基板毎にカットしてユニット化する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記製品部をそれぞれの単位プリント基板毎にカットしてユニット化した後に、各前記単位プリント基板のソルダリングパッド上にソルダボールを装着する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属プレートは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ合金及びこれらの組合せよりなる群から選択された金属で形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂基板は０．４ｍｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント基板の製造方法に関するものである。より詳しくは、本発明は、製品部の外周部を取り囲むように形成されたダミー金属フレームを製品完成時まで残し、回路形成工程中にプリント基板の剛性を確保して歪みなどによる不良を最小化することのできるプリント基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの高密度化及び信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、既存のＣＳＰ実装とワイヤボンディング実装の代わりに、半導体を直接基板に実装するフリップチップ実装に対する要求が増大している。フリップチップ実装のためには、高密度及び高信頼性の基板が要求されるが、半導体の高密度化に対応して基板の仕様を高めることはほとんど不可能な現状であり、今後のフリップチップ実装の普及のために次世代の技術開発が早急に要求されている。
【０００３】
フリップチップ実装基板に要求される仕様は、電子市場における高速化及び高度化に伴って半導体の仕様と密接に関係しており、回路の微細化、高度の電気特性、高信頼性、高速信号伝達構造、高機能化などにおいて多くの課題がある。その例として、半導体の高性能化に伴う発熱問題は大変な機械的障害であり、これを解決するための手段として、既存のクロック速度（Ｃｌｏｃｋ Ｓｐｅｅｄ）を高める概念から、多重コア構造（Ｍｕｌｔｉ Ｃｏｒｅ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）を採用して性能を向上させる概念に方向が転換した。その結果、シグナルのＩ／Ｏ数が大幅に増加して、半導体を実装する基板の回路密度も大幅な向上が必要になった。また、発熱を抑制するために、半導体を実装する基板のインピーダンスを抑制してパワー損失を最小にする必要が増大してきた。このように要求される仕様に対応して、微細回路形成、微細ピッチバンプ、微細ピッチスタックビア（Ｆｉｎｅ Ｐｉｔｃｈ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｖｉａ）、低インピーダンス（Ｌｏｗ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）構造のための要素技術の開発、低価で製造するための新工法及び新材料の開発が必要になっている。
【０００４】
これに関し、従来技術の一つの具体例となるプリント基板の製造工程の流れを図３Ａ〜図３Ｌに示す。以下、同図を参照して従来技術を説明する。
【０００５】
まず、両面に銅箔層３０２が積層されている樹脂基板３０１にハーフエッチング（Ｈａｌｆ-ｅｔｃｈｉｎｇ）を行って、銅箔層３０２の厚さを減らした後に、通常のエッチング及びドリル工程によって貫通孔３０３を形成する（図３Ａ〜図３Ｃ参照）。ついで、貫通孔３０３が形成された基板上に無電解銅鍍金層３０４及び電解銅鍍金層３０５を形成する（図３Ｄ及び図３Ｅ参照）。貫通孔３０３を導電性ペースト３０６で充填した後（図３Ｆ参照）、パターニングを行って内層回路パターンを形成する（図３Ｇ参照）。ついで、絶縁層３０７を積層して（図３Ｈ参照）ビアホール３０８を形成した後（図３Ｉ参照）、外層回路パターン３０９を形成する（図３Ｊ参照）。さらに、その上にソルダレジスト層３１０を形成し、ソルダオープニング工程によってオープニング部を形成して、このオープニング部によって露出したソルダリングパッド３０９上にソルダボール３１１を装着する（図３Ｋ参照）。この後、外形工程によってユニット化して完成する（図３Ｌ参照）。
【０００６】
このような既存のフリップチップ実装基板の製造方法は、０．４ｍｍないし０．８ｍｍの厚さを有するコア材料に貫通孔を加工し、回路を形成した後、これをベースにして絶縁材料の積層、ビア加工、銅鍍金、回路形成を両面に繰り返し行ってビルドアップすることで、高密度構造の基板を製造している。しかし、このような既存の方法によって極薄基板であるコアレス（Ｃｏｒｅｌｅｓｓ）構造の基板を製造する場合、次のような二つの重大な問題があった。
【０００７】
一つは、ベースになる基板がない低剛性基板に対して、従来の設備で絶縁層形成、層間接続加工、回路形成を繰り返し行ってビルドアップ構造を製作すると、水平搬送装置における基板落下、搬送停止の発生、バスケット（Ｂａｓｋｅｔ）方式処理における基板重畳、取扱中の基板破損など、多大な加工不良が発生する。二つ目には、ベースになる基材がない低剛性の基板なので、完成した基板に歪みが多くて顧客が要求する事項を満足させることができないという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明者は、前記のような問題点を解決するために広範囲な研究を繰り返し行った結果、製品部の外周部を取り囲むようにダミー金属フレームを形成することで、プリント基板の剛性を確保するとともに、完成した製品にダミー金属フレームを残すことによって基板の歪みを最小化することができた。本発明はこれに基づいて完成した。
【０００９】
したがって、本発明の一つの側面は、半導体実装基板のインピーダンスを最小にするための構造であるコアレス構造のフリップチップ実装プリント基板の製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明の他の側面は、コアレスプリント基板への半導体実装を容易にするためのプリント基板の製造方法を提供することである。
【００１１】
本発明のさらに他の側面は、プリント基板の剛性を確保するとともに、回路形成工程中の基板の歪みを最小化することのできるプリント基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造方法は、（ａ）樹脂基板の両面に、１００ＧＰａ以上の剛性度を有する金属プレートが積層されたワーク基板を提供する段階と、（ｂ）前記ワーク基板の内側部位の金属プレートをエッチング及び除去することによって前記樹脂基板を露出させ、複数のプリント基板を連結して一体に構成するための製品部を形成するとともに、前記製品部の外周部を取り囲むダミー金属フレームを形成する段階と、（ｃ）前記製品部の樹脂基板を加工して貫通孔を形成する段階と、（ｄ）前記貫通孔が形成された製品部の樹脂基板上に内層回路パターンを形成する段階と、（ｅ）前記内層回路パターンが形成された製品部上に絶縁層を積層する段階と、（ｆ）前記絶縁層を加工してビアホールを形成する段階と、（ｇ）前記ビアホールが形成された絶縁層上に外層回路パターンを形成する段階と、（ｈ）前記外層回路パターンが形成された製品部上にソルダレジスト層を形成した後に、ソルダオープニング工程によって、半導体を実装するためのバンプパッド及び外部部品と結合するためのソルダリングパッドになる部位の前記外装回路パターンを露出させる段階とを含むことを特徴とする。
【００１３】
前記方法は、必要に応じて、前記（ｅ）段階〜前記（ｇ）段階を順次に数回繰り返した後に、前記（ｈ）段階を行うことができる。
【００１４】
前記ワーク基板上に前記製品部が二つ以上存在する場合には、各前記製品部の外周部にそれぞれ前記ダミー金属フレームが残るように前記製品部毎にそれぞれ外形加工する段階をさらに含むことができる。
【００１５】
一実施形態によれば、前記製品部のソルダリングパッド上にソルダボールを装着した後に、それぞれの単位プリント基板毎にカットしてユニット化する段階をさらに含むことができる。
【００１６】
他の実施形態によれば、前記製品部をそれぞれの単位プリント基板毎にカットしてユニット化した後に、各前記単位プリント基板のソルダリングパッド上にソルダボールを装着する段階をさらに含むことができる。
【００１７】
前記金属プレートは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ合金及びこれらの組合せよりなる群から選択された金属で形成することができる。
【００１８】
前記樹脂基板は０．４ｍｍ以下の厚さを有するようにすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
前述したように、本発明のプリント基板の製造方法によれば、既存の０．４ｍｍ〜０．８ｍｍの厚さを有するベース基材の剛性を基準にした同一製造ラインにおいて、０．４ｍｍ以下の厚さを有する極薄コアなどをベース基材にしたビルドアップ基板及びコアレス構造の基板を製造することができる。
【００２０】
さらに、完成品に剛性を確保するための金属フレームが付着しているので、低剛性の極薄基板においても歪みを低減させることができ、また、既存の０．４ｍｍ〜０．８ｍｍの厚さを有するベース基板の剛性を基準にした実装ラインにも対応することが可能である。
【００２１】
本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は特許請求の範囲によって明らかになるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付した図面に基づいて、本発明をさらに具体的に説明するが、この説明によって本発明の範疇が限定されるものではない。
【００２３】
図１Ａ〜図１Ｊ及び図２に本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す。
【００２４】
まず、樹脂基板１０１の両面に、１００ＧＰａ以上の剛性度を有する金属プレート１０２を積層したワーク基板１００を準備する（図１Ａ及び図２の一番目の図参照）。この樹脂基板１０１の種類及び厚さは当業界で使用されるものであれば特に限定されるものではない。本発明では、特に０．４ｍｍ以下の厚さを有する極薄基板を使用する場合でも、プリント基板の剛性を確保できるとともに歪みを最小化できるので、既存のフリップチップ実装ラインなどに対応させることも可能になるという利点がある。金属プレート１０２は、１００ＧＰａ以上の剛性度、好ましくは１００〜３００ＧＰａの剛性度を有するものが、本発明の目的とする機能を実現するため、及び作業性の面でより適したものである。金属プレート１０２を形成する金属としては、上述した剛性度を付与できるものであれば、特に限定されるものではないが、好ましくはＮｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ合金及びこれらの組合せなどを例としてあげることができる。また、ワーク基板１００の製作方法としては、当業界で知られたものであれば特に限定されるものではない。この際、樹脂基板１０１の両面に積層される金属プレート１０２の厚さも、実際に使用される金属の種類に応じて所望の剛性度が得られる範囲内で適切に調節できることはもちろんである。
【００２５】
ついで、複数のプリント基板を連結して一体に構成するための製品部１０３を形成するために、内側部位の金属プレート１０２を通常のエッチング法で除去して樹脂基板１０１を露出させることによって製品部１０３を形成するとともに、製品部１０３の外周部を取り囲むダミー金属フレーム１０２を形成する（図１Ｂ及び図２の二番目の図参照）。
【００２６】
ついで、製品部１０３の樹脂基板１０１に通常のエッチング及びドリル加工を行って貫通孔１０４を形成した後（図１Ｃ参照）、この貫通孔１０４が形成された製品部１０３の樹脂基板１０１上に内層回路パターン１０５を形成する（図１Ｄ参照）。この際、内層回路パターン１０５の形成は、例えば通常のセミアディティブ工程（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）によって無電解及び電解金属鍍金とパターニング過程によって行うことができる。ただし、特にこれに限定されるものではない。
【００２７】
ついで、通常のビルドアップ工程によって、内層回路パターン１０５が形成された製品部１０３上に絶縁層１０６を積層し（図１Ｅ参照）、所定の部位を加工してビアホール１０７を形成した後（図１Ｆ参照）、例えば無電解及び電解金属鍍金とパターニング過程によって外層回路パターン１０８を形成する（図１Ｇ参照）。必要によっては、このようなビルドアップ工程を数回繰り返して回路層の数を調節することができることはもちろんである。
【００２８】
ついで、外層回路パターン１０８が形成された製品部１０３上にソルダレジスト層１０９を形成した後、ソルダオープニング工程によってソルダオープン部１１０を形成し、このソルダオープン部１１０を通じて、半導体実装のためのバンプパッド及び外部部品との結合のためのソルダリングパッドになる部位の外層回路パターン１０８を露出させる（図１Ｈ参照）。
【００２９】
一方、ワーク基板１００上に、このような過程によって製作された製品部１０３が二つ以上存在する場合には、各製品部１０３の外周部を取り囲むようにダミー金属フレーム１０２が残るように製品部１０３毎にそれぞれ外形加工を行う（図１Ｉ及び図２の四番目の図参照）。このように、製品完成段階まで、製品部１０３の周囲に金属フレーム１０２が残るようにしたことにより、積層及び回路形成工程の時に発生していた不良を最小化できるという利点がある。
【００３０】
外形加工された製品部１０３は、それぞれの単位プリント基板２００毎にカットしてユニット化するのに先立ち、製品部１０３のソルダリングパッド１０８上にソルダボール１１１を装着してもよいし、または単位プリント基板２００毎にカットしてユニット化した後に、各単位プリント基板２００のソルダリングパッド１０８上にソルダボール１１１を装着してもよい（図１Ｊ参照）。
【００３１】
一方、このようにソルダボール１１１が装着された単位プリント基板２００上には、目的に応じて電子部品３００が表面実装できることはもちろんである（図２の最後の図参照）。
【００３２】
このように、本発明のプリント基板の製造方法によれば、複数のプリント基板２００が連結されて一体に構成される製品部１０３の外周部を取り囲むようにダミー金属フレーム１０２をワーク基板１００に形成した後、プリント基板２００の製作初期から製品完成段階まで残しておくことにより、基板の剛性を確保するとともに基板の歪みを最小化することができ、これによって極薄コア基板またはコアレス基板を製作する場合でも、既存のフリップチップ実装ラインなどで対応が可能となる。
【００３３】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明に係るプリント基板の製造方法がこれに限定されるわけではなく、本発明の技術的な思想の範囲内で当分野における通常の知識を持った者によってその変形または改良が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、製品部の外周部を取り囲むように形成されたダミー金属フレームを製品完成時まで残し、回路形成工程中にプリント基板の剛性を確保して、歪みなどによる不良を最小化することのできるプリント基板の製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１Ａ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図１Ｄ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図１Ｅ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図１Ｆ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図１Ｇ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図１Ｈ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図１Ｉ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図１Ｊ】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す平面図である。
【図３Ａ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｂ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｃ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｄ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｅ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｆ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｇ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｈ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｉ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｊ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｋ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【図３Ｌ】従来のプリント基板の製造工程の流れを概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１００    ワーク基板
２００    プリント基板
３００    電子部品
１０１    樹脂基板
１０２    金属プレート層
１０３    製品部
１０４    貫通孔
１０５    内層回路パターン
１０６    絶縁層
１０７    ビアホール
１０８    外層回路パターン
１０９    ソルダレジスト層
１１０    ソルダレジストオープン部
１１１    ソルダボール
３０１    樹脂基板
３０２    銅層
３０３    貫通孔
３０４    無電解銅鍍金層
３０５    電解銅鍍金層
３０６    伝導性ペースト
３０７    絶縁層
３０８    ビアホール
３０９    回路パターン
３１０    ソルダレジスト層
３１１    ソルダボール
【図１Ａ】
2008193065.tif 000003
【図１Ｂ】
2008193065.tif 000004
【図１Ｃ】
2008193065.tif 000005
【図１Ｄ】
2008193065.tif 000006
【図１Ｅ】
2008193065.tif 000007
【図１Ｆ】
2008193065.tif 000008
【図１Ｇ】
2008193065.tif 000009
【図１Ｈ】
2008193065.tif 000010
【図１Ｉ】
2008193065.tif 000011
【図１Ｊ】
2008193065.tif 000012
【図２】
2008193065.tif 000013
【図３Ａ】
2008193065.tif 000014
【図３Ｂ】
2008193065.tif 000015
【図３Ｃ】
2008193065.tif 000016
【図３Ｄ】
2008193065.tif 000017
【図３Ｅ】
2008193065.tif 000018
【図３Ｆ】
2008193065.tif 000019
【図３Ｇ】
2008193065.tif 000020
【図３Ｈ】
2008193065.tif 000021
【図３Ｉ】
2008193065.tif 000022
【図３Ｊ】
2008193065.tif 000023
【図３Ｋ】
2008193065.tif 000024
【図３Ｌ】
2008193065.tif 000025