(57)【要約】【課題】大面積化に適合した新しい面光源装置を提供すること。【解決手段】面光源装置を構成する基板の中で少なくともいずれか一方にアルカリ金属酸化物を含む表面処理層を形成する。表面処理層は、基板表面にセシウム、カリウム、ルビジウム、及びこれらの化合物から選択される一つ以上をコーティングした後、基板を熱処理して酸化物形態で形成できる。アルカリ金属酸化物を含む表面処理層は、二次電子放出が容易で、面光源装置の放電開始電圧を低下させて暗黒始動を改善し、放電効率を大きく向上させるだけではなく駆動中に発生する発熱を減少させる。【選択図】図４
2008060077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、この第１基板に所定間隔で対向し前記第１基板とともに内部放電空間を形成する第２基板と、前記内部放電空間に放電電圧を印加する電極部と、を備え、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方は、アルカリ金属イオン及び／またはアルカリ金属酸化物からなる表面処理層を備える面光源装置。
【請求項２】
前記アルカリ金属酸化物は、セシウム酸化物、カリウム酸化物、及びルビジウム酸化物からなる群より選択される一種以上である請求項１に記載の面光源装置。
【請求項３】
前記表面処理層の厚さは、１〜２０μｍである請求項１に記載の面光源装置。
【請求項４】
前記表面処理層は、前記第１基板または前記第２基板のアルカリイオンが他のアルカリ物質とイオン交換されて形成される請求項１に記載の面光源装置。
【請求項５】
前記電極部は、第１基板及び第２基板少なくとも一方の表面に全体的に形成された平板型面電極を備える請求項１に記載の面光源装置。
【請求項６】
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方は、前記内部放電空間を複数の独立した領域に区切るように屈曲した形態に成形されている請求項１に記載の面光源装置。
【請求項７】
第１基板及び第２基板を準備し、
前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面に、アルカリ金属イオン及び／またはアルカリ金属酸化物を含む表面処理層を形成し、
前記第１基板及び前記第２基板を接合することで、密閉された放電空間を形成し、
前記第１基板及び前記第２基板に電極部を形成する工程を有する面光源装置の製造方法。
【請求項８】
前記表面処理層を形成する工程は、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の表面にアルカリ金属を含む物質をコーティングする工程と、
前記基板を熱処理してアルカリ金属酸化物層を形成する工程と、を有する請求項７に記載の面光源装置の製造方法。
【請求項９】
前記表面処理層を形成する工程は、Ｃｓ化合物の溶液を準備し、この溶液を酸化物ガラス表面にコーティングし、コーティングしたガラスを乾燥した後、４００℃〜７００℃の温度で熱処理することを有する請求項７に記載の面光源装置の製造方法。
【請求項１０】
前記溶液は、Ｍｇ、Ｌａ、Ｓｃ、Ａｌ、Ｂ、Ｙ、Ｅｕ、及びＢａからなる群より選択される一種以上の物質をさらに含む請求項９に記載の面光源装置の製造方法。
【請求項１１】
前記溶液は、界面活性剤をさらに含む請求項９に記載の面光源装置の製造方法。
【請求項１２】
第１基板及び第２基板で形成される密閉された放電空間、前記第１基板及び前記第２基板に放電電圧を印加する電極部、並びに前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の表面に形成され且つアルカリ金属酸化物を含む表面処理層を備える面光源装置と、
前記面光源装置を収納するケースと、
前記電極部に電圧を印加するインバータと、を備える超薄型バックライトユニット。
【請求項１３】
前記表面処理層は、セシウム酸化物、カリウム酸化物、及びルビジウム酸化物からなる群より選択される一種以上の物質からなる請求項１２に記載の超薄型バックライトユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面光源装置、その製造方法及びそれを具備したバックライトユニットに関するもので、特に、二次電子放出特性が優れた表面処理層を具備した面光源装置を提供する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶の電気的特性及び光学的特性を利用して映像をディスプレイする。液晶表示装置は、陰極線管（ＣＲＴ）等に比べて体積が非常に小さくて重さが軽いという長所を有している。このため、ポータブルコンピュータ、通信機器、液晶テレビ受像機及び宇宙航空産業等に広く使用されている。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶を制御する液晶制御部及び液晶に光を供給する後面光源を含む。液晶制御部は、第１基板に配置された画素電極、第２基板に配置された共通電極及び画素電極と共通電極との間に介在する液晶を含む。画素電極は、解像度に対応して多数個からなり、共通電極は画素電極と対向して１個で成り立っている。各画素電極には互いに異なるレベルを有する画素電圧を印加するために薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が連結され、共通電極には等レベルの基準電圧が印加される。画素電極及び共通電極は、導電性を有する透明な物質からなる。
【０００４】
後面光源から供給される光は、画素電極、液晶及び共通電極を順次に通過する。ここで、液晶を通過した映像の表示品質は、後面光源の輝度及び輝度均一性によって大きく左右される。一般的に輝度及び輝度均一性が高いほど表示品質は良好になる。
【０００５】
従来の液晶表示装置の後面光源としては、棒形状を有する冷陰極線管方式ランプ（ＣＣＦＬ）またはドット形状を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）が主に使用されてきた。冷陰極線管方式ランプには、輝度が高くて寿命が長く、白熱燈に比べて発熱量が非常に少ないという長所がある。一方、発光ダイオードには、消費電力が高いが輝度が優秀であるという長所がある。しかし、冷陰極線管方式ランプまたは発光ダイオードは輝度均一性が良くないという短所を有する。そのため、冷陰極線管方式ランプまたは発光ダイオードを光源に有する後面光源は、輝度均一性を高めるために導光板（ＬＧＰ）、拡散部材、及びプリズムシート等の光学部材を必要とする。それにより冷陰極線管方式ランプまたは発光ダイオードを使用する液晶表示装置は、光学部材による体積及び重さが大きく増加するという問題点を有している。
【０００６】
液晶表示装置用の後面光源として平板形態の面光源装置（ＦＦＬ）が提案されたことがある。
【０００７】
面光源装置は、低温で駆動時の輝度安定化時間が長くなり、水銀の温度敏感性による面光源自体の温度偏差によって輝度均一度が下がる問題点を有している。その他にも、面光源装置の大型化のためには、多くの解決すべき課題が残っている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、大面積化に適合した新しい面光源装置を提供することである。
【０００９】
本発明の他の目的は、放電開始電圧が低く、輝度安定化時間が減少した面光源装置を提供することである。
【００１０】
その他、本発明の他の目的及び特徴は、下記でより詳細に提示する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、第１基板と、第１基板に所定間隔で対向して第１基板とともに内部放電空間を形成する第２基板と、放電空間に放電電圧を印加する電極部を含み、第１基板及び第２基板の中で少なくともいずれか一方は、アルカリ金属及び／またはその酸化物を含む表面処理層を含むことを特徴とする面光源装置を提供する。
【００１２】
表面処理層は、セシウム酸化物、カリウム酸化物、ルビジウム酸化物の中から選択されるいずれか一つ以上の物質で構成できる。
【００１３】
第１基板と第２基板の間には少なくとも一つのスペーサが挿入されて二つの基板の間を隔離させ、二枚の基板によって形成される内部放電空間は、外部とは密閉されて一つの開かれた空間を形成できる。これとは異なり、第１基板と第２基板との間には、内部放電空間を複数の独立した領域に区切る多数の隔壁を含むことができる。また、第１基板と第２基板の中で少なくともいずれか一方は、内部放電空間を複数の独立した領域に区切るように屈曲した形態に成形することもできる。
【００１４】
本発明は、第１基板と第２基板とを準備して、第１基板及び第２基板の中で少なくとも一方の表面にアルカリ金属またはそれらの化合物を含む表面処理層を形成して、第１基板と第２基板を接合して密閉された放電空間を形成して、第１基板及び第２基板に電極部を形成する工程を含む面光源装置の製造方法も提供する。
【００１５】
表面処理層は、第１基板及び第２基板の中で少なくともいずれか一方の表面にアルカリ金属またはそれを含む化合物をコーティングする工程と、基板を熱処理してアルカリ金属酸化物層を形成する工程を含むことができる。
【００１６】
表面処理層は、例えばアルカリ金属化合物の溶液を準備して、溶液を酸化物ガラス表面にコーティングして、コーティングされたガラスを乾燥した後、４００℃〜７００℃の温度範囲で熱処理して形成できる。溶液は、表面処理されたガラス基板の光特性を高めるために、Ｍｇ、Ｌａ、Ｓｃ、Ａｌ、Ｂ、Ｙ、Ｅｕ、Ｂａ中の少なくとも一つの物質をさらに含むことができる。
【００１７】
また、溶液は、界面活性剤をさらに含むことができる。
【００１８】
本発明に係ると、面光源用ガラス基板は、表面にだけ２０μｍ以下の深みでアルカリ金属イオン及び／またはその酸化物が均一に分布している表面処理層を含み、アルカリ金属イオンの濃度は、ガラス表面で最大になる。
【００１９】
本発明に係ると、アルカリ金属イオンとガラス内部の酸化物との化学反応によってガラス基板表面に粗さが付与され得る。
【００２０】
本発明では、ガラス基板の表面処理層の化学的組成と微細構造を変化させることで、二次電子放出特性を大きく向上させることができる。また、面光源製造工程にガラス基板の二次電子放出物質含有工程を含ませて、高い水準の二次電子放出物質濃度を維持する。
【００２１】
本発明は、また、第１基板と第２基板で形成される密閉された放電空間と、第１基板及び第２基板に放電電圧を印加する電極部、及び第１基板と第２基板の中で少なくともいずれか一方の表面に形成されたアルカリ金属酸化物を含む表面処理層を含む面光源装置と、面光源装置を収納するケース、及び電極部に電圧を印加するインバータを含む超薄型バックライトユニットを提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る面光源装置及びバックライトユニットによれば、アルカリ金属イオン及び／またはその酸化物を含む表面処理層を基板表面に形成して、二次電子放出が容易いで放電開始電圧を低めて暗黒始動を改善して、放電効率が大きく向上するだけではなく、駆動中の発熱の減少効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して好ましい実施形態を通じて本発明をさらに具体的に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の第１実施形態に係る面光源装置１００を図示した斜視図である。面光源装置１００は、光源体１１０と、該光源体１１０の両側端外面に具備された電極部１６０を含む。
【００２５】
光源体１１０は、所定間隔を置いて対向配置された第１基板１１２及び第２基板１１４を含む。多数の隔壁部１４０が、第１基板及び第２基板の間に配置されて、第１基板と第２基板との間の空間を複数の放電チャンネル１２０に区画する。放電チャンネル１２０及び隔壁部１４０は、例えば第１基板１１２を成形して形成でき、第１基板の代わりにあるいは追加的に第２基板を成形して形成することもできる。第１基板１１２及び第２基板１１４の縁の間には密封部材１３０を配置して、放電チャンネル１２０を外部と隔離する。放電チャンネル１２０内部の放電空間１５０には、放電ガスを注入する。図示しなかったが、放電チャンネル１２０内部には蛍光層と保護層等をさらに含むことができ、第１基板と第２基板との中でいずれか一方に反射層を形成することもできる。
【００２６】
図１のＸ−Ｘ’線の断面を図示した図２と、図１のＹ−Ｙ’線の断面を図示した図３を参照すると、本発明の面光源装置は、第１基板１１２または第２基板１１４の表面に付加的に表面処理層１１１を含む。この表面処理層は、二次電子放出が容易な物質を含んでいて、酸化物形態で存在することが好ましい。
【００２７】
図４は、表面処理層１１１が、形成された基板１１２、１１４を模式的に図示したもので、基板表面に形成された表面処理層は、例えば、セシウム（Ｃｓ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）などのアルカリ金属酸化物を含む。アルカリ金属酸化物は、ターゲットを製造してスパッタリングなどの物理的蒸着方法でも形成できるが、本発明では製造工程を単純化させて大面積基板に形成が容易なように塗布方式を利用する。具体的には、アルカリ金属を含む化合物を湿式方式で基板表面にコーティングして、熱処理を通じて基板表面に形成されたコーティング層の微細構造を酸化物形態に変化させる。熱処理温度は、基板に影響を及ぼさない範囲で決定され、例えば、約３００℃の温度の熱を加えて表面処理層の微細構造を変化させることができる。
【００２８】
基板にアルカリ金属物質をコーティングするための出発物質としては、例えば、ＣｓＳＯ４、ＣｓＩ、ＫＩ、ＲｂＩ等を使用できる。これらの物質を有機または無機溶媒を混合して基板表面にコーティングして、熱処理をすれば不必要な物質が除去された酸化物形態の表面処理層を得ることができる。
【００２９】
また、本発明において、Ｃｓ、Ｋ、Ｒｂなどを含む化合物で面光源装置の製造工程中にガラス基板を熱化学的処理して表面処理層を形成できる。
【００３０】
Ｃｓ化合物を利用して面光源製造工程中に表面処理層を形成する一例を説明する。まず、Ｃｓ化合物をメタノールに溶解させてセシウム窒化物、セシウム水酸化物、セシウム塩化物の薄い溶液を製造した。Ｃｓ化合物の含量は、すべての溶液で１．０質量％であった。コーティング層のなめらかさを向上させるために、界面活性剤としてポリビニリデンを微量（０．５質量％）添加した。
【００３１】
準備した溶液を常温で蛍光ランプ製造用ガラス基板表面に噴霧した。ガラス基板には、反射層としてアルミナ、そして多成分蛍光層が基板内面に形成されている。ガラス基板を乾燥後、コーティング層が形成されたガラス基板を面光源製造工程過程で５６０℃の温度で熱処理した。セシウム窒化物とセシウム塩化物を使用してコーティング層を形成したガラス基板の場合、熱処理後にガラス基板に残留するコーティング層残留物を除去した。
【００３２】
ガラス基板で面光源を製造した。ランプ内部にＸｅとＮｅの混合ガス（Ｘｅ／Ｎｅ＝４）を６．６６×１０４Ｐａ（５００ｔｏｒｒ）のガス圧で封入した後、ランプに約１００Ｖの電圧を印加した。
【００３３】
製造したランプの放電開始電圧（ｆｉｒｉｎｇ  ｖｏｌｔａｇｅ）及び輝度を測定して、その結果を表１に示した。本発明によって面光源用ガラス基板の熱化学的処理を通じて面光源の放電開始電圧を顕著に下げることができることが分かる。熱処理後、コーティング残留物を除去した試片（ランプ３〜６及び１１〜１４とコーティング残留物がそのまま残っている試片（ランプ７〜１０で、すべて放電開始電圧が減少した。一方、ガラス基板表面にＣｓコーティング層を形成したにもかかわらず、輝度の大きな低下は、発見されなかった。
【００３４】
コーティング層を形成した面光源の輝度及び放電開始電圧
【表１】
2008060077.tif 000003
【００３５】
このようにガラス基板表面の熱化学的処理を面光源製造工程中に実施するようになると、ランプ製造工程費用の減少とともにガラス基板に加えられる熱履歴を緩和させて、ランプの熱衝撃に対する抵抗性及び物理的な耐久性を増進できる。また、ランプ内面または外面に形成される他のコーティング層との順次的形成を通じて工程効率を改善できる。
【００３６】
また、ランプ製造工程中にＣｓ含有コーティング層を形成することで、ガラス表面でのＣｓイオンの濃度を高く維持でき、その結果、ランプの二次電子放出性能をさらに増大できる。蛍光ランプなどの放電装置製造工程において、二次電子放出物質を含むガラス基板を利用するためには少なくとも二度の熱処理工程が要求される。一度目の熱処理は、ガラス表面に二次電子放出物質を形成するためのものであり、もう一度の熱処理は、ランプ製造工程中に遂行される基板の付加的な焼成工程である。このような熱処理の反復は、ガラス基板が高温と常温を反復するようになって熱履歴が発生し、ガラス基板にコーティング物を形成して、残留するコーティング物を除去する別途の工程を遂行するようになるため、工程が複雑化して製造経済性が低下することが避けられない。
【００３７】
また、すでに二次電子物質を含んだガラスは、ランプ製造工程中の付加的な熱処理によって二次電子放出物質がガラス内部に深く拡散してガラス表面での二次電子物質の濃度が急激に低下する問題が発生し得る。図５を参照すると、ランプ製造工程中に付加的な熱処理がない場合、Ｃｓコーティング層が形成されたガラス表面にＣｓイオンが集中して非常に高い濃度（Ｃ）を示しているが、ランプ製造工程中に付加的な熱処理をした後の結果を見ると、Ｃｓイオンがガラス内部に非常に深く拡散してガラス表面での二次電子放出物質の濃度が顕著に低下することが分かる。
【００３８】
本発明では、面光源製造工程中にガラス基板にＣｓイオンを含ませることによって、ガラス基板表面に高いＣｓ濃度を維持できる。したがって、安定的で効果的な二次電子放出が期待でき、ランプの動作特性をさらに向上できる。
【００３９】
本発明に係るガラス表面の熱化学的処理は、例えば、面光源製造工程中、ガラス基板のコーティング層形成工程の前後、基板の合体工程の前、基板の焼成工程の前後などに遂行できる。
【００４０】
図６は、本発明に係る面光源装置において表面処理された基板の二次電子放出特性を図示したグラフである。表面処理のない基板（ａ）の場合と比べると、ＫＩを出発物質に使用してＫ酸化物を形成した基板（ｂ）とＣｓＩを出発物質に使用してＣｓ酸化物を形成した基板（ｃ）の場合、面光源装置の駆動電圧と関連した範囲（加速電圧１８０〜２００ｅＶ）で二次電子放出係数（γ）に優れることが分かる。
【００４１】
図７は本発明の第２実施形態に係る面光源２００を図示した斜視図であり、図８は側面図である。
【００４２】
面光源２００は、平板型第１基板２１０及びそれと同一形状の平板型第２基板２２０を含む。第１基板２１０と第２基板２２０は、透明な薄板型ガラス基板が好ましく、それぞれの厚さには特別な制限がないが、１〜２ｍｍ程度、好ましくは、１ｍｍ以下の厚さが適当である。
【００４３】
第１基板２１０と第２基板２２０の内面には蛍光層をコーティングし、第１基板と第２基板のいずれか一方には反射膜をさらに形成できる。第１基板２１０と第２基板２２０は、所定間隔で互いに対向して、縁部にフリットなどの密封部材２３０を挿入したり別途の側壁を設置したりして密閉空間を形成する。
【００４４】
第１基板２１０または第２基板２２０の表面には、図９に図示したように表面処理層２１１を形成する。この表面処理層は、例えば、ソーダライムガラスからなる基板２１０、２２０の表面に前述のアルカリ金属を含む物質を形成させて二次電子放出を容易にしたものである。アルカリ金属を含む溶液を基板表面にコーティングして基板のアルカリイオン（例えば、Ｎａイオン）と交換を通じて基板表面に約１〜２０μｍ程度の厚さで表面処理層を形成できる。このように形成された表面処理層２１１は、図１０の拡大図に図示したように、金属酸化物（ＭＯ）形態で存在することが好ましい。そのために所定温度で基板を焼成する工程を経る。酸化物に変化した表面処理層２１１は、より安定的に基板表面に存在するようになる。最初イオン状態で浸透したアルカリ金属は、焼成過程を通じて結晶状態に変化して緻密な微細構造の表面層を形成する。
【００４５】
面光源装置の駆動中に表面処理層２１１から二次電子が放出されて内部空間での放電が活発になり、その結果、放電開始電圧が低くなって発光効率も向上する。また、駆動中に発生する熱を減少させて面光源装置の安定性を増加させる。
【００４６】
表面処理層は、基板２１１、２２０表面に形成してその上には図１１に図示したように蛍光層及び／または反射膜などの付加層２１５を形成できる。
【００４７】
本発明の第２実施形態に係る面光源装置は、第１基板と第２基板によって形成される光源体の外部表面に大面積の平板型電極を形成する。図１２は図７のＺ−Ｚ’線での断面図であり、図１３は図１２のＡ部分の拡大図である。図示によると、第１基板２１０と第２基板２２０の外部表面には、第１表面電極部２５０と第２表面電極部２６０がそれぞれ形成されている。第１表面電極部２５０と第２表面電極部２６０は、実質的に基板面積全体をカバーする平板形態の面電極で形成されている。
【００４８】
第１表面電極部２５０と第２表面電極部２６０中の少なくとも一方は、光源体から放電によって出射される光の透過度を高めるために、基板を露出させる開口率が６０％以上であることが好ましい。
【００４９】
第１基板２１０と第２基板２２０は平板型であり、第１基板と第２基板及び密封部材によって定義される内部は、既存の面光源装置のように隔壁によって区画された個別的な放電空間ではなく、一つの開かれた構造の放電空間２４０を形成する。第１基板と第２基板との間隔は、基板面積と対比すると非常に小さくて内部空間が一つの開かれた構造に形成され、真空排気及び放電ガスの注入が非常に容易である。それだけではなく、放電ガスとして水銀以外のガス、例えば、ゼノン、アルゴン、ネオン、その他不活性ガスまたはそれらの混合ガスなどを使用して面光源装置を構成するのに適合する。
【００５０】
第１基板２１０と第２基板２２０との間の放電空間２４０は、スペーサ２３５によって上下の高さを決定することもできる。スペーサ２３５の数及び間隔は、面光源装置から出射される光の輝度特性を阻害しない範囲で決定できる。その他にも、上板を部分的に成形して人為的にスペーサの特性を付加することもできる。それとは異なって第１基板または第２基板の内面に一体的に形成される突出部（図示せず）によって、放電空間２４０の高さを画定することもできる。
【００５１】
本実施形態に係る面光源装置において、第１表面電極部２５０と第２表面電極部２６０は、透明性電極（例えばＩＴＯ）を使用することもでき、所定パターンの電極を使用できる。図１４は本発明の一実施形態に係る電極部を図示した断面図であり、図示によると、下部のベース層２５２と、該ベース層上に形成された電極パターン２５６及びベース層と電極パターン上に形成された保護層の多層構造の電極部を確認できる。ベース層と保護層は、可視光に対して透過性を有することが好ましい。
【００５２】
電極パターンだけを含む電極部の場合、ガラス基板との接合が難しくて耐久性が落ちることがあり得るが、多層構造の電極部は基板との接合が容易で電極パターンの耐久性を確保でき、多様な形態の電極パターンを形成できるという長所を有する。
【００５３】
本実施形態に係る面光源装置に使用される平板型電極部の電極パターンは、多様な形態を適用できる。例えば、図１５に図示したような網目構造のパターンや、図１６及び図１７に図示したストライプ形状のパターンが可能である。第１基板２１０及び第２基板２２０にそれぞれ形成される第１表面電極部２５０と第２表面電極部２６０の各電極パターン形態を互いに異なるようにして面光源装置の放電特性を変化できる。
【００５４】
図１８は、本発明の一実施形態に係る面光源装置を含むバックライトユニットを示した分解斜視図である。図示によると、バックライトユニットは、面光源２００、上部ケース１１００及び下部ケース１２００、光学シート９００及びインバータ１３００を含む。下部ケース１２００は、面光源２００を収納するために底部１２１０及び底部１２１０の端から収納空間を形成するために延長された複数の側壁部１２２０からなる。面光源２００は、下部ケース１２００の収納空間に収納される。
【００５５】
インバータ１３００は、下部ケース１２００の背面に配置され、面光源２００を駆動するための放電電圧を発生させる。インバータ１３００から発生された放電電圧は、第１電源線１３５２及び第２電源線１３５４を通じて面光源２００の電極部にそれぞれ印加される。光学シート９００は、面光源２００から出射される光を均一に拡散させるための拡散板と、拡散した光に直進性を付与するためのプリズムシートなどからなり得る。上部ケース１１００は、下部ケース１２００に結合されて面光源２００と光学シート９００を支持する。上部ケース１１００は、面光源２００が下部ケース１２００から離脱することを防止する。
【００５６】
図示とは異なり、上部ケース１１００及び下部ケース１２００を一つの一体型ケースに形成することもできる。一方、本発明に係るバックライトユニットは、面光源装置の輝度及び輝度均一度に優れているので、光学シート９００を含まなくてもよい。
【００５７】
以上、本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、当分野の熟練された当業者または当分野で通常の知識を持つ者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の技術思想及び技術的範囲内で、本発明を多様に修正及び変更できるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明に係る面光源装置及びバックライトユニットは、アルカリ金属酸化物を含む表面処理層が形成されているので、二次電子放出が容易で放電開始電圧を低下させて暗黒始動を改善する。特に、二次電子放出層の形成が簡単で、製造費用を節減できるため大量生産に有利である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態に係る面光源装置を図示した斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ’線断面図である。
【図３】図１のＹ−Ｙ’線断面図である。
【図４】表面処理層が形成された基板を示した模式的断面図である。
【図５】付加的な熱処理によるＣｓイオンの濃度分布を示したグラフである。
【図６】表面処理層を含む基板の二次電子放出特性を示したグラフである。
【図７】本発明の他の実施形態に係る面光源装置を示した斜視図である。
【図８】図７の面光源装置を示した側面図である。
【図９】表面処理された基板を示した断面図である。
【図１０】図９のＳ部分の拡大図である。
【図１１】付加層を含む表面処理された基板を示した断面図である。
【図１２】図７のＺ−Ｚ’線断面図である。
【図１３】図１２のＡ部分の拡大図である。
【図１４】本発明に係る多層構造の電極部を示した断面図である。
【図１５】本発明に係る面光源装置の電極部パターンの変形例を示した平面図である。
【図１６】本発明に係る面光源装置の電極部パターンの変形例を示した平面図である。
【図１７】本発明に係る面光源装置の電極部パターンの変形例を示した平面図である。
【図１８】本発明の面光源装置を含むバックライトユニットを示した展開斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
１１０  光源体
１１１  表面処理層
１２０  放電チャンネル
１３０  密封部材
１４０  隔壁部
１６０  電極部
２００  面光源装置
２１０  第１基板
２１１  表面処理層
２１５  付加層
２２０  第２基板
２３０  シーリング部材
２３５  スペーサ
２４０  放電空間
２５０  第１表面電極部
２６０  第２表面電極部
【図１】
2008060077.tif 000004
【図２】
2008060077.tif 000005
【図３】
2008060077.tif 000006
【図４】
2008060077.tif 000007
【図５】
2008060077.tif 000008
【図６】
2008060077.tif 000009
【図７】
2008060077.tif 000010
【図８】
2008060077.tif 000011
【図９】
2008060077.tif 000012
【図１０】
2008060077.tif 000013
【図１１】
2008060077.tif 000014
【図１２】
2008060077.tif 000015
【図１３】
2008060077.tif 000016
【図１４】
2008060077.tif 000017
【図１５】
2008060077.tif 000018
【図１６】
2008060077.tif 000019
【図１７】
2008060077.tif 000020
【図１８】
2008060077.tif 000021