(57)【要約】【課題】簡易な構造でありながらも高性能で、製造コストの低減が図られた半導体パッケージ用４層基板を提供する。【解決手段】両面に銅箔(2)が貼り付けられた第１絶縁基材(1)と、第１絶縁基材(1)の両側に設けられ外側片面に銅箔(8)が貼り付けられた第２絶縁基材(7)と、を備え、第２絶縁基材(7)の外側の外層銅箔(8)のブラインドビアホール用開口(10)から第１絶縁基材(1)両面の内層銅箔(2)に形成されたブラインドビアホール用開口(6,6)を貫通して反対側の外層銅箔(8)に達する第１ブラインドビアホール(11)と、外層銅箔(8)のブラインドビアホール用開口(10)から当該ブラインドビアホール用開口(10)側の第１絶縁基材(1)の内層銅箔(2)のブラインドビアホール用開口(6)を貫通して反対側の内層銅箔(2)に達する第２ブラインドビアホール(12)と、が形成され、第１、第２ブラインドビアホール(11,12)は銅めっき(14)により各層間の導通がなされている。【選択図】図１Ｂ
2008108904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に銅箔が貼り付けられた第１絶縁基材と、前記第１絶縁基材の両側に設けられ外側片面に銅箔が貼り付けられた第２絶縁基材と、を備え、
前記第２絶縁基材の外側の外層銅箔のブラインドビアホール用開口から前記第１絶縁基材両面の内層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口を貫通して反対側の外層銅箔に達する第１ブラインドビアホールと、
前記外層銅箔のブラインドビアホール用開口から当該ブラインドビアホール用開口側の前記第１絶縁基材の内層銅箔のブラインドビアホール用開口を貫通して反対側の内層銅箔に達する第２ブラインドビアホールと、
の少なくとも一方のブラインドビアホールが形成され、
前記ブラインドビアホールは銅めっきにより各層間の導通がなされていることを特徴とする半導体パッケージ用４層基板。
【請求項２】
前記外層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口の口径は、前記内層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口の口径よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ用４層基板。
【請求項３】
前記第１絶縁基材および前記第２絶縁基材は、フレキシブルな材質で形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体パッケージ用４層基板。
【請求項４】
両面に銅箔が貼り付けられた第１絶縁基材の前記両面の内層銅箔に、配線およびブラインドビアホール用開口を形成する工程と、
前記第１絶縁基材の両面に、片面に銅箔が貼り付けられた第２絶縁基材を貼り付け、それぞれの前記第２絶縁基材の外側に位置する外層銅箔に、ブラインドビアホール用開口を形成する工程と、
前記第２絶縁基材の前記外層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口に対してレーザー照射をすることにより、前記外層銅箔のブラインドビアホール用開口から前記第１絶縁基材両面の内層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口を貫通して反対側の外層銅箔に達する第１ブラインドビアホールと、前記外層銅箔のブラインドビアホール用開口から当該ブラインドビアホール用開口側の前記第１絶縁基材の内層銅箔のブラインドビアホール用開口を貫通して反対側の内層銅箔に達する第２ブラインドビアホールと、の少なくとも一方のブラインドビアホールを形成する工程と、
前記ブラインドビアホールに銅めっきを施し、各層間の導通を行う工程と、
前記第２絶縁基材の前記外層銅箔に配線を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体パッケージ用４層基板の製造方法。
【請求項５】
前記外層銅箔に形成されるブラインドビアホール用開口の口径は、前記内層銅箔に形成されるブラインドビアホール用開口の口径よりも大きいことを特徴とする請求項４記載の半導体パッケージ用４層基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１絶縁基材および前記第２絶縁基材は、フレキシブルな材質で形成されていることを特徴とする請求項４または５記載の半導体パッケージ用４層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを実装するための半導体パッケージ用４層基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高集積化に伴って、半導体パッケージ用基板の高密度化も必要となっている。特に、基板の多層化、配線の細線化ばかりでなく、スルーホールの微小化、高密度化が進んでいる（たとえば、特許文献１〜３を参照）。
【０００３】
図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃは、従来の半導体パッケージ用４層基板の製造方法の一例を示す工程図である。図中の（ａ）〜（ａａ）は各製造工程における半導体パッケージ用４層基板の断面を示す図である。
【０００４】
まず、図３Ａ（ａ）に示すように、両面に銅箔２２が貼り付けられた絶縁基材２１を用意する。次に、絶縁基材２１の両面に貼り付けられた銅箔２２上に感光性フィルム２３を貼り付け（図３Ａ（ｂ））、後述するブラインドビアホール用の開口２５を形成するために感光性フィルム２３上に露光を施し、開口形成用レジストパターン２４を形成する（図３Ａ（ｃ））。開口形成用レジストパターン２４以外の部分を現像液で除去し、感光性フィルム２３に開口２５を形成する（図３Ａ（ｄ））。
【０００５】
さらに、感光性フィルム２３が除去された部分の銅箔２２をエッチング液で除去し（図３Ａ（ｅ））、アルカリ溶液で感光性フィルム２３を剥離する（図３Ａ（ｆ））。次に、レーザー照射を行って銅箔２２が除去された部分の絶縁基材２１を除去し、ブラインドビアホール２６を形成する（図３Ａ（ｇ））。そして、ブラインドビアホール２６を形成後、デスミア処理、ブラインドビアホール２６内の導電化処理した後、銅めっき２７を施し、両面の銅箔２２同士の導通を確保する（図３Ａ（ｈ））。
【０００６】
次に、感光性フィルム２３を両面の銅箔２２上に貼り付け（図３Ａ（ｉ））、両面の感光性フィルム２３上に露光を施し、配線パターンを形成するための配線形成用レジストパターン２８を形成する（図３Ａ（ｊ））。その後、配線形成用レジストパターン２８以外の部分を現像液で除去する（図３Ａ（ｋ））。さらに、感光性フィルム２３が除去され、露出した部分の銅箔２２をエッチング液で除去して配線パターン２９を形成し（図３Ａ（ｌ））、アルカリ水溶液で配線形成用レジストパターン２８を剥離する（図３Ａ（ｍ））。
【０００７】
次に、片面に銅箔３２が貼り付けられた熱可塑性樹脂３１を、配線パターン２９が形成された絶縁基材２１の両面に貼り付け（図３Ｂ（ｎ））、さらに、感光性フィルム２３を外層の銅箔３２上に貼り付ける（図３Ｂ（ｏ））。次に、後述するブラインドビアホール用の開口３４を形成するために感光性フィルム２３上に露光を施し、開口形成用レジストパターン３３を形成する（図３Ｂ（ｐ））。開口形成用レジストパターン３３以外の部分を現像液で除去する（図３Ｂ（ｑ））。さらに、感光性フィルム２３が除去され、露出した部分の銅箔３２をエッチング液で除去し（図３Ｂ（ｒ））、アルカリ水溶液で開口形成用レジストパターン３３を剥離する（図３Ｂ（ｓ））。
【０００８】
次に、レーザー照射を行って銅箔３２が除去された部分の熱可塑性樹脂３１を除去し、ブラインドビアホール３５を形成する（図３Ｂ（ｔ））。ブラインドビアホール３５を形成した後、デスミア処理、ブラインドビアホール３５内の導電化処理、銅めっき処理を施
し、銅めっき３６により、外層の銅箔３２と内層の銅箔２２との導通を確保する（図３Ｂ（ｕ））。
【０００９】
続けて、感光性フィルム２３を外層の銅箔３２上に貼り付ける（図３Ｂ（ｖ））。そして、貼り付けた両面の感光性フィルム２３上に露光を施し、後述する配線パターン３８を形成するための配線形成用レジストパターン３７を形成する（図３Ｃ（ｗ））。その後、配線形成用レジストパターン３７以外の部分を現像液で除去する（図３Ｃ（ｘ））。さらに、感光性フィルム２３が除去され、露出した部分の銅箔３２をエッチング液で除去し（図３Ｃ（ｙ））、さらに、アルカリ水溶液で配線形成用レジストパターン３７を剥離する（図３Ｃ（ｚ））。最後に、外層の所定部に回路保護用ソルダーレジスト３９を形成するとともに、所定電極部にＡｕ・Ｎｉめっき４０を施す（図３Ｃ（ａａ））。
【００１０】
【特許文献１】特開平７−２９７５５１号公報
【特許文献２】特開２００１−２１７５４３号公報
【特許文献３】特開２００３−７７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃに示した従来の半導体パッケージ用４層基板の製造方法では、上述したように、絶縁基材２１及び内層の銅箔２２に対して、内層の銅箔２２にブラインドビアホール用の開口２５の形成、レーザーによるブラインドビアホール２６の形成、ブラインドビアホール２６の導通確保、配線パターン２９の形成、内層銅箔２２に配線の形成を行った後、内層と同様に、絶縁基材３１及び外層銅箔３２に対して、外層銅箔３２にブラインドビアホール用の開口３４の形成、レーザーによるブラインドビアホール３５の形成、ブラインドビアホール３５の導通確保、配線パターン３８の形成、外層銅箔３２に配線の形成を繰り返す。
このように、従来方法では、製造の工程数が多く、製造コストが高くなるという問題があった。また、配線等の微細化に伴い、露光時や貼り付け時などの誤差によって、内層と外層のブラインドビアホールに位置ずれが生じ易く、外層と内層との導通に支障をきたし、これが歩留りの低下を招く原因となっていた。
【００１２】
本発明は、上述した従来技術の課題を解消し、工程数の削減が可能で、製造コストの低減が図れる半導体パッケージ用４層基板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１の発明にかかる半導体パッケージ用４層基板は、両面に銅箔が貼り付けられた第１絶縁基材と、前記第１絶縁基材の両側に設けられ外側片面に銅箔が貼り付けられた第２絶縁基材と、を備え、前記第２絶縁基材の外側の外層銅箔のブラインドビアホール用開口から前記第１絶縁基材両面の内層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口を貫通して反対側の外層銅箔に達する第１ブラインドビアホールと、前記外層銅箔のブラインドビアホール用開口から当該ブラインドビアホール用開口側の前記第１絶縁基材の内層銅箔のブラインドビアホール用開口を貫通して反対側の内層銅箔に達する第２ブラインドビアホールと、の少なくとも一方のブラインドビアホールが形成され、前記ブラインドビアホールは銅めっきにより各層間の導通がなされていることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項２の発明にかかる半導体パッケージ用４層基板は、請求項１記載の発明において、前記外層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口の口径は、前記内層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口の口径よりも大きいことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３の発明にかかる半導体パッケージ用４層基板は、請求項１または２記載
の発明において、前記第１絶縁基材および前記第２絶縁基材は、フレキシブルな材質で形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４の発明にかかる半導体パッケージ用４層基板の製造方法は、両面に銅箔が貼り付けられた第１絶縁基材の前記両面の内層銅箔に、配線およびブラインドビアホール用開口を形成する工程と、前記第１絶縁基材の両面に、片面に銅箔が貼り付けられた第２絶縁基材を貼り付け、それぞれの前記第２絶縁基材の外側に位置する外層銅箔に、ブラインドビアホール用開口を形成する工程と、前記第２絶縁基材の前記外層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口に対してレーザー照射をすることにより、前記外層銅箔のブラインドビアホール用開口から前記第１絶縁基材両面の内層銅箔に形成されたブラインドビアホール用開口を貫通して反対側の外層銅箔に達する第１ブラインドビアホールと、前記外層銅箔のブラインドビアホール用開口から当該ブラインドビアホール用開口側の前記第１絶縁基材の内層銅箔のブラインドビアホール用開口を貫通して反対側の内層銅箔に達する第２ブラインドビアホールと、の少なくとも一方のブラインドビアホールを形成する工程と、前記第ブラインドビアホールに銅めっきを施し、各層間の導通を行う工程と、前記第２絶縁基材の前記外層銅箔に配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項５の発明にかかる半導体パッケージ用４層基板の製造方法は、請求項４記載の発明において、前記外層銅箔に形成されるブラインドビアホール用開口の口径は、前記内層銅箔に形成されるブラインドビアホール用開口の口径よりも大きいことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項６の発明にかかる半導体パッケージ用４層基板の製造方法は、請求項４または５記載の発明において、前記第１絶縁基材および前記第２絶縁基材は、フレキシブルな材質で形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、少ない工程数で半導体パッケージ用４層基板を製造することが可能となり、半導体パッケージ用４層基板が安価に得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して、本発明にかかる半導体パッケージ用４層基板及びその製造方法の好適な実施形態を詳細に説明する。
【００２１】
図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の一実施形態にかかる半導体パッケージ用４層基板の製造方法を示す工程図であり、工程（ａ）〜（ｔ）に従って製造方法を説明する。
【００２２】
（ａ）まず、図１Ａ（ａ）に示すように、両面に銅箔２が貼り付けられた絶縁基材１（第１絶縁基材）を用意する。
（ｂ）次に、絶縁基材１の両面に貼り付けられた銅箔２上に感光性フィルム３を貼り付ける。
（ｃ）後述する配線５およびブラインドビアホール用開口６を形成するために、感光性フィルム３上に露光を施して、レジストパターン４を形成する。
（ｄ）そして、現像液で露光が施されていない部分（レジストパターン４以外の部分）の感光性フィルム３を除去する。
（ｅ）さらに、感光性フィルム３が除去された部分の銅箔２をエッチング液で除去する。（ｆ）アルカリ溶液でレジストパターン４を剥離する。このようにすることで、絶縁基材１の両面に配線５およびブラインドビアホール用開口６が形成される。
【００２３】
（ｇ）次に、片面に銅箔８が貼り付けられた熱可塑性樹脂７（第２絶縁基材）を、配線５
およびブラインドビアホール用開口６が形成された絶縁基材１の両面に貼り付ける。
（ｈ）さらに、感光性フィルム３を外側両面にある銅箔８上に貼り付ける。
（ｉ）次に、後述するブラインドビアホール用開口１０を形成するために、感光性フィルム３上に露光を施して、開口形成用レジストパターン９を形成する。
（ｊ）そして、現像液で露光が施されていない部分（開口形成用レジストパターン９以外の部分）の感光性フィルム３を除去する。
（ｋ）感光性フィルム３が除去された部分の銅箔８をエッチング液で除去する。（ｌ）図１Ｂ（ｌ）に示すように、アルカリ水溶液で開口形成用レジストパターン９を剥離する。このようにすることで、絶縁基板１の両面に貼り付けられた熱可塑性樹脂７の外側にブラインドビアホール用開口１０が形成される。
【００２４】
（ｍ）次に、ブラインドビアホール用開口１０からレーザー照射を行って、銅箔２，８が除去された部分の熱可塑性樹脂７および絶縁基材１を除去し、外層の銅箔８と内層の銅箔２とを繋ぐブラインドビアホールを形成する。ここで形成されるブラインドビアホールは、Ａ，Ｂ，Ｃの３タイプがある。Ａタイプのブラインドビアホールは、外層の熱可塑性樹脂７に貼り付けられた銅箔８から内層の絶縁基材１の両面に貼り付けられた銅箔２を貫通して反対側外層の熱可塑性樹脂７に貼り付けられた銅箔８に達するブラインドビアホール１１（第１ブラインドビアホール）である。Ｂタイプのブラインドビアホールは、外層の銅箔８から内層の銅箔２の１面を貫通して内層の銅箔２の２面に達するブラインドビアホール１２（第２ブラインドビアホール）である。さらに、Ｃタイプのブラインドビアホールは、外層の銅箔８から内層の銅箔２の１面を貫通して内層の銅箔２の２面に達するブラインドビアホールと反対側外層の熱可塑性樹脂７に貼り付けられた銅箔８から前記２面の銅箔２に達するブラインドビアホールとを組み合わせたブラインドビアホール１３（第３ブラインドビアホール）である。
【００２５】
（ｎ）各ブラインドビアホールを形成後、ブラインドビアホール内のデスミア処理、導電化処理の後、銅めっき１４を施し、外層の銅箔２と内層の銅箔８との導通を確保する。
（ｏ）次に、感光性フィルム３を両面の外層の銅箔８上に貼り付ける。
（ｐ）後述する配線１６を形成するために、感光性フィルム３上に露光を施して、配線形成用レジストパターン１５を形成する。
（ｑ）そして、現像液で露光が施されていない部分（配線形成用レジストパターン１５以外の部分）の感光性フィルム３を除去する。
（ｒ）感光性フィルム３が除去された部分の銅箔８をエッチング液で除去する。
（ｓ）さらに、アルカリ水溶液で配線形成用レジストパターン１５を剥離する。このようにすることで、外層側の配線１６が形成される。
（ｔ）最後に、外層の必要部分に回路保護用ソルダーレジスト１７を形成するとともに、必要部分の電極部にＡｕ・Ｎｉめっき１８を施す。
【００２６】
以上のような工程で本実施形態の半導体パッケージ用４層基板は製造される。この半導体パッケージ用４層基板の構造は、次のとおりである。
【００２７】
両面に銅箔２が貼り付けられた絶縁基材１（第１絶縁基材）と、絶縁基材１の両側に設けられ外側片面に銅箔８が貼り付けられた熱可塑性樹脂７（第２絶縁基材）と、を備え、
熱可塑性樹脂７の外側の外層銅箔８のブラインドビアホール用開口１０から絶縁基材１両面の内層銅箔２に形成されたブラインドビアホール用開口６、６を貫通して反対側の外層銅箔８に達する第１ブラインドビアホール１１と、
外層銅箔８のブラインドビアホール用開口１０から当該ブラインドビアホール用開口１０側の絶縁基材１の内層銅箔２のブラインドビアホール用開口６を貫通して反対側の内層銅箔２に達する第２ブラインドビアホール１２と、
外層銅箔８のブラインドビアホール用開口１０から当該ブラインドビアホール用開口１
０側の絶縁基材１の内層銅箔２のブラインドビアホール用開口６を貫通して反対側の内層銅箔２に達するブラインドビアホール及び当該ブラインドビアホールの反対側の外層銅箔８のブラインドビアホール用開口１０から前記ブラインドビアホールが達する前記内層銅箔２に達するブラインドビアホールからなる第３ブラインドビアホール１３と、を有し、
前記第１ないし第３ブラインドビアホール１１，１２，１３内が銅めっき１４により各層間の導通がなされている。
【００２８】
本実施形態の半導体パッケージ用４層基板は、絶縁基材１および熱可塑性樹脂７はフレキシブルな材質で形成でき、フレキシブル配線板として好適である。
【００２９】
ところで、前述のように、実施形態の半導体パッケージ用４層基板は、製造中の工程で３つのパターンのブラインドビアホールが形成されるが、いずれも内層に形成されるものよりも外層に形成されるもののほうが、開口径が大きくなっている。これは、以下の理由による。
【００３０】
図２は、ブラインドビアホールの開口径について説明するための図である。図２（ａ）に示すように、外層銅箔と内層銅箔に形成されるブラインドビアホール用開口の口径が同じ大きさの場合（従来の例）は、外層銅箔と内層銅箔に形成されるブラインドビアホール用開口の位置がずれると、外層と内層との導通が不良となってしまう。
【００３１】
これに対し、図２（ｂ）に示すように、外層銅箔に形成されるブラインドビアホール用開口の口径が内層銅箔に形成されるブラインドビアホール用開口の口径よりも大きい場合（本実施形態）は、外層銅箔と内層銅箔に形成されるブラインドビアホール用開口の位置にずれが生じても、外層と内層との導通がなされる。このような構成を有する本実施形態の半導体パッケージ用４層基板では、ブラインドビアホール形成の作業精度はそれほど高くなくても、製品の歩留りを格段に向上でき、製造コストの低減が図られる。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態の半導体パッケージ用４層基板の構造および製造方法においては、内層基板及び外層基板の導通のために、従来の内層基板と外層基板とにそれぞれ行われていたブラインドビア形成工程を、内層基板と外層基板のブラインドビア形成を一括して行っており、ブラインドビアホール形成の工程数を従来よりも大幅に削減できる。この結果、製造コストを低減し、安価な半導体パッケージ用４層基板を提供することができる。
【実施例】
【００３３】
次に、上記実施形態で述べた工程にしたがって、半導体パッケージ用４層基板を製造した具体的な実施例を述べる。
【００３４】
４層配線基板のタイプとしては、ＩＣチップと配線基板とを半田ボールで接合するＦＣＢＧＡ基板を用いた。両面に内層の銅箔２が貼り付けられた絶縁基材１には、新日鐵化学（株）製のEspanex M（銅箔厚＝１２μｍ、ポリイミド(ＰＩ)厚＝２５μｍ）を用いた。
片面に外層の銅箔８が貼り付けられた熱可塑性樹脂７には、新日鐵化学（株）製のEspanex L（銅箔厚＝９μｍ、液晶ポリマー(ＬＣＰ)厚＝２５μｍ）を用いた。
【００３５】
Ａタイプのブラインドビアホール１１（第１ブラインドビアホール）については、外層から内層へ向かう各銅箔層のブラインドビアホール用開口の口径を、順に１６０μｍ、１００μｍ、４０μｍとした。また、Ｂタイプのブラインドビアホール１２（第２ブラインドビアホール）については、外層から内層へ向かう各銅箔層のブラインドビアホール用開口の口径を、順に１００μｍ、４０μｍとした。更に、Ｃタイプのブラインドビアホール１３（第３ブラインドビアホール）については、片面側の外層から内層へ向かう各銅箔層
のブラインドビアホール用開口の口径を順に１６０μｍ、１００μｍ、反対面側の外層の銅箔８に形成されたブラインドビアホール用開口の口径を４０μｍとした。
【００３６】
また、ブラインドビアホール形成のためのレーザー照射を行うレーザー加工機として、住友重機械工業製のＬＡＶＩＡ１０００を用いた。レーザー照射後の燃えかす除去のためのデスミア処理および導電化処理には、荏原ユージライト製の薬液を用いた。また、感光性フィルム３として、旭化成製の厚さ１５μｍのドライフィルムを用い、電解銅めっきの厚さは１２μｍとした。
【００３７】
以上の条件および構造にて製造した本実施例の半導体パッケージ用４層基板と、上述した従来の構造及び製造方法により製造した半導体パッケージ用４層基板とを比較した結果、同等の品質であることが確認できた。加えて、本実施例の半導体パッケージ用４層基板のほうが製造コストが低減できることも確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１Ａ】本発明の一実施形態にかかる半導体パッケージ用４層基板の製造方法を示す工程図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態にかかる半導体パッケージ用４層基板の製造方法を示す工程図である。
【図２】ブラインドビアホールの開口径について説明するための図である。
【図３Ａ】従来の半導体パッケージ用４層基板の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｂ】従来の半導体パッケージ用４層基板の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｃ】従来の半導体パッケージ用４層基板の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  絶縁基材
２，８  銅箔
３  感光性フィルム
４  レジストパターン
５，１６  配線
６，１０  ブラインドビアホール用開口
７  熱可塑性樹脂
９  開口形成用レジストパターン
１１，１２，１３  ブラインドビアホール
１４  銅めっき
１５  配線形成用レジストパターン
１７  回路保護用ソルダーレジスト
１８  Ａｕ・Ｎｉめっき
【図１Ａ】
2008108904.tif 000003
【図１Ｂ】
2008108904.tif 000004
【図２】
2008108904.tif 000005
【図３Ａ】
2008108904.tif 000006
【図３Ｂ】
2008108904.tif 000007
【図３Ｃ】
2008108904.tif 000008