(57)【要約】【課題】絶縁層を貫通して配線層同士を導通させる層間接続部の平面的大きさを小さくして、配線層を設計する際の設計の自由度を向上させる。【解決手段】回路装置では、金属コア層である導電パターン１１の上面および下面に厚み方向に突出する突出部６０を設けており、この突出部６０が設けられた領域に、各配線層同士を導通させる層間接続部を設けている。具体的には、導電パターン１１の上面に突出部６０を設け、導電パターン１１と第１配線層１４とを電気的に接続させる層間接続部１９を、第１絶縁層１２を貫通して設けている。【選択図】図１
2008060372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板に実装された回路素子とを具備し、
前記配線基板は、金属コア層と、前記金属コア層の上面および下面を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の上面および下面に形成された第１配線層および第２配線層と、前記絶縁層を貫通して前記第１配線層または前記第２絶縁層と前記金属コア層とを電気的に接続する層間接続部と含み、
前記金属コア層を部分的に厚み方向に突出させた突出部が設けられた領域に前記層間接続部を形成することを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記層間接続部は、前記突出部を被覆する前記絶縁層を部分的に除去して設けた露出孔の内部に形成されたメッキ膜から成ることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
前記突出部を被覆する前記絶縁層の厚さを、前記メッキ膜の厚み以下にすることを特徴とする請求項２記載の回路装置。
【請求項４】
前記絶縁層を貫通して前記第１配線層と前記金属コア層とを接続する第１層間接続部と、前記絶縁層を貫通して前記第２配線層と前記金属コア層とを接続する第２層間接続部とを有し、
前記金属コア層の両主面において前記突出部が設けられた領域に前記第１層間接続部および前記第２層間接続部が設けられることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項５】
前記金属コア層の外周端部は、前記絶縁層から成る外周端部から離間した内側に位置することを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項６】
前記金属コア層は、分離溝により分離された複数の導電パターン、または、一枚の連続した導電箔であることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項７】
部分的に厚み方向に突出する突出部を金属コア層となる導電箔の主面に設ける工程と、
前記金属コア層の上面および下面を絶縁層により被覆し、前記絶縁層の上面および下面に第１配線層および第２配線層を設け、前記第１配線層または第２配線層と前記金属コア層とを導通させる層間接続部を前記突出部が設けられた領域に形成する工程と、
前記第１配線層に回路素子を電気的に接続する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記突出部を前記導電箔の両主面に設けることを特徴とする請求項７記載の回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記層間接続部は、前記突出部を被覆する前記絶縁層を除去して露出孔を形成し、前記露出孔に前記突出部を露出させた後に、前記露出孔にメッキ膜を設けることで形成されることを特徴とする請求項７記載の回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記突出部を被覆する前記絶縁層の厚みを、前記メッキ膜よりも薄くして、前記露出孔に前記メッキ膜を埋め込むことを特徴とする請求項９記載の回路装置の製造方法。
【請求項１１】
金属コア層と、前記金属コア層の上面および下面を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の上面および下面に形成された第１配線層および第２配線層と、前記絶縁層を貫通して前記第１配線層または前記第２絶縁層と前記金属コア層とを電気的に接続する層間接続部とを具備し、
前記金属コア層を部分的に厚み方向に突出させた突出部が設けられた領域に前記層間接続部を形成することを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
部分的に厚み方向に突出する突出部を金属コア層となる導電箔の主面に設ける工程と、
前記金属コア層の上面および下面を絶縁層により被覆し、前記絶縁層の上面および下面に第１配線層および第２配線層を設け、前記第１配線層または第２配線層と前記金属コア層とを導通させる層間接続部を前記突出部が設けられた領域に形成する工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置およびその製造方法に関し、特に、厚い金属から成る金属コア層が内蔵された配線基板を具備する回路装置およびその製造方法に関する。更に、本発明は、厚い金属から成る金属コア層が内蔵された配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の電子機器の小型化および高機能化に伴い、その内部に収納される回路装置においては、多層の配線層を具備するものが主流になっている。図９を参照して、多層基板１０７を有する回路装置を説明する（下記特許文献１）。
【０００３】
ここでは、多層基板１０７の上面に形成された第１の配線層１０２Ａにパッケージ１０５等の回路素子が実装されることで回路装置が構成されている。
【０００４】
多層基板１０７は、ガラスエポキシ等の樹脂から成る基材１０１の表面及び裏面に配線層が形成されている。ここでは、基材１０１の上面に第１の配線層１０２Ａおよび第２の配線層１０２Ｂが形成されている。第１の配線層１０２Ａと第２の配線層１０２Ｂとは、絶縁層１０３を介して積層されている。基材１０１の下面には、第３の配線層１０２Ｃおよび第４の配線層１０２Ｄが、絶縁層１０３を介して積層されている。また、各配線層は、絶縁層１０３を貫通して設けられた接続部１０４により所定の箇所にて接続されている。
【０００５】
最上層の第１の配線層１０２Ａには、パッケージ１０５が固着されている。ここでは、半導体素子１０５Ａが樹脂封止されたパッケージ１０５が、半田等から成る接続電極１０６を介して面実装されている。多層基板１０７の表面には、パッケージ１０５の他にも、チップコンデンサやチップ抵抗等の受動素子や、ベアの半導体素子等が実装されても良い。ここで、多層基板１０７の厚みは、例えば１ｍｍ程度である。
【０００６】
上記した構成の多層基板１０７の製造方法は次の通りである。先ず、エポキシ樹脂等の樹脂系の材料から成る基材１０１の上面及び下面に第２の配線層１０２Ｂおよび第３の配線層１０２Ｃを形成する。これらの配線層は、貼着された導電膜のエッチングまたは選択的なメッキ処理により形成される。次に、第２の配線層１０２Ｂおよび第３の配線層１０２Ｃを、樹脂から成る絶縁層１０３により被覆する。更に、絶縁層１０３の表面に第１の配線層１０２Ａおよび第４の配線層１０２Ｄを形成する。これらの配線層の形成方法は、上記した第２の配線層１０２Ｂ等と同様である。更に、絶縁層１０３を貫通して第１の配線層１０２Ａと第２の配線層１０２Ｂとを接続する接続部１０４を形成する。
【特許文献１】特開２００３−３２４２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した構成の多層基板１０７を含む回路装置では、接続部１０４が専有する面積が大きくなり、このことが多層基板１０７の小型化を阻害していた問題があった。例えば、第１の配線層１０２Ｂを被覆する部分の絶縁層１０３の厚みが１００μｍである場合、レーザー照射等の除去方法により絶縁層１０３を貫通する孔部を設け、この孔部に接続部１０４を形成すると、接続部１０４の平面的な大きさは、例えば直径が１００μｍ程度の円形状となる。そして、このような大きさの接続部１０４が多数個設けられると、接続部１０４が設けられた領域では第１の配線１０２Ａ等を自由に引き回すことができないので、パターン設計の自由度が低下する。結果的に、不必要な第１の配線層１０２Ａ等の引き回し等により、多層基板１０７の小型化が阻害されている。
【０００８】
本発明は上記問題点を鑑みて成されたものであり、その主な目的は、配線層同士を接続する層間接続部の平面的形状を小さくして、装置全体の小型化を実現した回路装置およびその製造方法、配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の回路装置は、配線基板と、前記配線基板に実装された回路素子とを具備し、前記配線基板は、金属コア層と、前記金属コア層の上面および下面を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の上面および下面に形成された第１配線層および第２配線層と、前記絶縁層を貫通して前記第１配線層または前記第２絶縁層と前記金属コア層とを電気的に接続する層間接続部と含み、前記金属コア層を部分的に厚み方向に突出させた突出部が設けられた領域に前記層間接続部を形成することを特徴とする。
【００１０】
本発明の回路装置の製造方法は、部分的に厚み方向に突出する突出部を金属コア層となる導電箔の主面に設ける工程と、前記金属コア層の上面および下面を絶縁層により被覆し、前記絶縁層の上面および下面に第１配線層および第２配線層を設け、前記第１配線層または第２配線層と前記金属コア層とを導通させる層間接続部を前記突出部が設けられた領域に形成する工程と、前記第１配線層に回路素子を電気的に接続する工程とを具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明の配線基板は、金属コア層と、前記金属コア層の上面および下面を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の上面および下面に形成された第１配線層および第２配線層と、前記絶縁層を貫通して前記第１配線層または前記第２絶縁層と前記金属コア層とを電気的に接続する層間接続部とを具備し、前記金属コア層を部分的に厚み方向に突出させた突出部が設けられた領域に前記層間接続部を形成することを特徴とする。
【００１２】
本発明の配線基板の製造方法は、部分的に厚み方向に突出する突出部を金属コア層となる導電箔の主面に設ける工程と、前記金属コア層の上面および下面を絶縁層により被覆し、前記絶縁層の上面および下面に第１配線層および第２配線層を設け、前記第１配線層または第２配線層と前記金属コア層とを導通させる層間接続部を前記突出部が設けられた領域に形成する工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の回路装置および配線基板によれば、金属コア層を部分的に厚み方向に突出させて突出部を設け、絶縁層を貫通して各層を導通させる層間接続部を、この突出部が設けられた箇所に形成している。従って、層間接続部の厚さが薄くなるので、同じアスペクト比の層間接続部が形成されると、その平面的な大きさを従来例の半分程度にすることができる。従って、多数個の層間接続部が配線基板に形成された場合でも、層間接続部が占有する総面積を狭くすることが可能となり、配線層の設計の自由度を確保することができる。
【００１４】
製法上に於いては、金属コア層を部分的に厚くして突出部を設け、この突出部を被覆する薄い絶縁層を除去して層間接続部を設けるので、層間接続部を設けるために除去すべき絶縁層の厚みが薄くなる。従って、レーザーを用いた絶縁層の除去が容易に成る利点がある。更に、層間接続部は、絶縁層を部分的に除去して孔部を設けた後に、この孔部にメッキ膜を設けることで形成されるが、層間接続部が形成される部分の絶縁層を薄くすることで、孔部の深さが浅くなり、メッキ膜の形成が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜第１の実施の形態＞
本形態では、図１から図４を参照して、本形態の回路装置の構成を説明する。
【００１６】
図１を参照して、回路装置１０Ａの構成を説明する。図１（Ａ）は回路装置１０Ａの断面図であり、図１（Ｂ）は回路装置１０Ａに内蔵される導電パターン１１を示す平面図である。
【００１７】
図１（Ａ）を参照して、回路装置１０Ａは、金属コア層を有する配線基板５０の上面に半導体素子２１等の回路素子が実装されて構成されている。更に、配線基板５０は、金属コア層として機能する導電パターン１１と、第１絶縁層１２を介して導電パターン１１の上面に積層された第１配線層１４と、第２絶縁層１３を介して導電パターン１１の下面に積層された第２配線層１５とを主要に具備している。そして、配線基板５０の第１配線層１４に半導体素子２１等の回路素子が実装されている。更に本形態では、導電パターン１１を厚み方向に部分的に突出させて突出部６０を設け、層同士を導通させる層間接続部１９等をこの突出部６０が設けられた箇所に形成している。
【００１８】
導電パターン１１は、配線基板５０全体の機械的強度を担い且つ放熱性を向上させる金属コア層として機能している。従って、導電パターン１１は、他の配線層よりも厚く形成され、その厚みは例えば１００μｍ〜２００μｍ程度である。導電パターン１１の材料としては、銅を主材料とする金属、アルミニウムを主材料とする金属、合金等を採用することができる。また、導電パターン１１の材料として、圧延された銅箔等の圧延金属を採用すると、導電パターン１１の機械的強度や放熱性を更に向上させることができる。圧延金属は、メッキ膜と比較すると熱伝導率が数％程度優れている。
【００１９】
導電パターン１１同士は、第１分離溝１７および第２分離溝１８から成る分離溝１６により所定の間隔で離間されている。分離溝１６の幅は例えば１００μｍ〜１５０μｍ程度である。ここで、第１分離溝１７は導電パターン１１の材料である導電箔を上面から選択的にハーフエッチングすることにより設けられ、第２分離溝１８はこの導電箔の裏面を選択的にエッチングすることにより設けられる。また、第１分離溝１７には、導電パターン１１の上面を被覆する第１絶縁層１２が充填され、第２分離溝１８には導電パターン１１の下面を被覆する第２絶縁層１３が充填される。
【００２０】
ここで、第１分離溝１７および第２分離溝１８の側面は湾曲形状となっており、内部に充填される絶縁層との密着強度が向上されている。また、等方性で進行するウェットエッチングにより形成される第１分離溝１７および第２分離溝１８により、分離溝１６が構成されることで、分離溝１６の中央部付近は括れた構成（導電パターン１１の側面が外側に突出する構成）となる。このことによっても、第１絶縁層１２および第２絶縁層１３と導電パターン１１との密着強度が向上されている。
【００２１】
第１絶縁層１２および第２絶縁層１３は、導電パターン１１の上面および下面を被覆している。また、第１絶縁層１２は第１分離溝１７に充填され、第２絶縁層１３は第２分離溝１８に充填されている。第１絶縁層１２および第２絶縁層１３が導電パターン１１を被覆する厚みは、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。更に、第１絶縁層１２および第２絶縁層１３の材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリエチレン樹脂等の熱可塑性樹脂を採用することができる。
【００２２】
更に、繊維状または粒子状のフィラーが充填された樹脂材料を第１絶縁層１２および第２絶縁層１３の材料として採用すると、これらの樹脂層の熱抵抗が低減されて、配線基板５０の放熱性を向上させることができる。フィラーの材料としてはシリコン酸化物やシリコン窒化物を採用することができる。また、これらのフィラーが第１絶縁層１２および第２絶縁層１３に混入されることにより、絶縁層の熱膨張係数が導電パターン１１等の導電材料に接近して、温度変化が作用した際の配線基板５０の反りが抑制される。
【００２３】
第１配線層１４は、第１絶縁層１２の上面に形成された配線層であり、第１絶縁層１２に貼着された圧延導電膜またはメッキ膜を選択的にエッチングして形成される。薄い導電膜等をエッチングしてパターニングされるため、第１配線層１４は微細化が可能であり、その配線幅は２０μｍ〜５０μｍ程度に細くすることができる。また、第１配線層１４は、第１絶縁層１２を貫通して設けた層間接続部１９を経由して、導電パターン１１と電気的に接続される。
【００２４】
また、第１配線層１４には、チップ素子２２や半導体素子２１等の回路素子が電気的に接続される。チップ素子２２は両端の電極が半田等の導電性の接合材料を介して第1配線層１４に固着されている。ＬＳＩやトランジスタ等である半導体素子２１は、導電性または絶縁性の接合剤を介して底面がランド状の第１配線層１４に固着され、その上面に設けられた電極は金属細線を介して第１配線層１４と接続される。
【００２５】
第２配線層１５は、第２絶縁層１３の下面に形成された配線層であり、上記した第１配線層１４と同様に、配線幅を２０μｍ〜５０μｍ程度に細くすることができる。また、第２配線層１５は、第２絶縁層１３を貫通して設けた層間接続部２０を介して、導電パターン１１の下面と導通している。第２配線層１５には、半田等の導電性接着材から成る外部電極を溶着させても良い。
【００２６】
層間接続部１９および層間接続部２０は、絶縁層を除去して設けた露出孔に形成されたメッキ膜等の導電材料から成り、各配線層と導電パターンとを接続する働きを有する。ここでは、第１絶縁層１２を貫通して設けた層間接続部１９により第１配線層１４と導電パターン１１とが接続される。また、第２絶縁層１３を貫通して設けた層間接続部２０により、第２配線層１５と導電パターン１１とが接続される。ここで、各層間接続部は、電気信号が通過する経路して機能しても良いし、電気信号が通過しない所謂ダミーのものでも良い。層間接続部１９が電気信号を通過させないものであっても、層間接続部１９を熱が通過するサーマルビアホールとして用いることができる。更に、本実施形態では、導電パターン１１を厚み方向に突出させて設けた突出部６０に、層間接続部１９、２０を接続させている。この事項の詳細は後述する。
【００２７】
更に、図では、第１配線層１４、導電パターン１１および第２配線層１５から成る３層の多層配線が構成されているが、絶縁層を介して更に多層の配線層を積層させることにより、４層以上の配線層を構築しても良い。
【００２８】
上記した第１配線層１４と第２配線層１５とは、層間接続部１９等を経由して導通させることができる。この場合は、第１配線層１４→層間接続部１９→導電パターン１１→層間接続部２０→第２配線層１５の経路で、両配線層が電気的に接続される。
【００２９】
ここで、上記した第１配線層１４および第２配線層１５は、外部と接続される箇所や回路素子が実装される箇所を除いて、ソルダーレジスト（樹脂膜）により被覆されても良い。ここでは、図１（Ａ）を参照して、最下層の第２配線層１５は略全面的にソルダーレジスト５３により被覆され、部分的にレジスト５３が除去されることで、第２配線層１５が部分的に露出している。更に、レジスト５３から露出する第２配線層１５の下面には、半田等から成る外部電極５４が溶着されている。更にまた、レジストから露出する第１配線層１４および第２配線層１５は、ボンディング性を向上させるために、金メッキ膜により被覆されても良い。
【００３０】
本形態では、導電パターン１１を厚み方向に一体的に突出させた突出部６０を設け、この突出部６０に層間接続部１９、２０を接続させている。具体的には、導電パターン１１の上面には、部分的に上方に突出させた突出部６０がエッチング処理等により形成されている。突出部６０の具体的な形状は、例えば、略円筒の形状を裾広がりにしたものであり、その厚みは２０μｍ〜５０μ程度であり、直径は２０μｍ〜５０μｍ程度である。ここで、突出部６０の形状は必ずしも略円筒形状である必要はなく、その平面的な形状は、例えば四角形等の多角形でも良い。
【００３１】
層間接続部１９は、突出部６０の上方に設けられている。即ち、層間接続部１９の上面を被覆する第１絶縁層１２を除去して孔部を設け、この孔部の内部に金属から成る導電材料を形成することで、導電パターン１１と第１配線層１４とを導通させる層間接続部１９が構成されている。導電パターン１１の上面を被覆する第１絶縁層１２の厚みは、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度であるが、突出部６０が埋め込まれた領域の第１絶縁層１２の厚みは、例えば、２０μｍ〜５０μｍ程度と成っている。
【００３２】
上記のように、突出部６０が埋め込まれた領域の第１絶縁層１２を貫通して層間接続部１９を設けることで、層間接続部１９の厚みを薄くすることができる。従って、従来とアスペクト比が同じ場合は、層間接続部１９の幅（直径）が小さくなる。例えば、突出部６０の厚みを、第１導電パターン１１を被覆する第１絶縁層１２の厚みの半分以上とすると、層間接続部１９の厚みが従来例の半分以下になり、その幅を半分以下にすることができる。結果的に、回路装置１０Ａを上方から見た場合、層間接続部１９が占有する面積が１／４以下になる。
【００３３】
上記のことから、個々の層間接続部１９の面積が極めて小さくなるので、多数個の層間接続部１９を設けた場合でも、層間接続部１９が占める面積が低減され、第１配線層１４の設計の自由度が向上する。特に、最上層の第１配線層１４は、多数の電極を有するＬＳＩ等の半導体素子２１が接続される。更に、多機能なＳＩＰを構成するために、多数個の回路素子が第１配線層１４に接続される場合もある。このことから、複雑な形状の第１配線層１４が多数要求される場合もあるが、本形態の回路装置１０Ａでは、上記構成により、層間接続部１９の面積を小さくして、パターン設計時の制約を低減することで、前記要求を満たしている。
【００３４】
更に、上述したように導電パターン１１は圧延された圧延金属から成り、メッキ膜よりも熱伝導率が優れている。一方、層間接続部１９は、一般的に、第１配線層１４を部分的に除去して設けた孔部に埋め込まれたメッキ膜から成る。このことから、突出部６０を設けることで、熱伝導率が若干劣るメッキから成る層間接続部１９の厚みが薄くなり、この分だけ層間接続部１９を介した放熱性を向上させることができる。この効果は、層間接続部１９が半導体素子２１の下方に配置されてサーマルビアホール４６として使用される場合に於いて顕著である。
【００３５】
更に、上記した構成の突出部６０は、導電パターン１１の下面にも設けられている。ここでは、導電パターン１１の下面から下方に突出する突出部６０が設けられ、突出部６０の下方に層間接続部２０が設けられている。層間接続部２０を経由して、導電パターン１１と第２配線層１５とが電気的・熱的に接続される。層間接続部２０と突出部６０との関連構成は、上記した層間接続部１９と突出部６０との関係と同様である。
【００３６】
ここで、突出部６０は、金属コア層である導電パターン１１の上面のみに設けられても良いし、下面のみに設けられても良いし、両主面に設けられても良い。
【００３７】
更に、導電パターン１１は、上面および下面がサーマルビアとして機能する層間接続部１９、層間接続部２０を介して各配線層と熱的に結合されて、放熱を向上させるためのパターンとして用いられても良い。ここでは、半導体素子２１の下方に複数のサーマルビアホール４６が設けられており、半導体素子２１はサーマルビアホール４６を介して直下の導電パターン１１と熱的に結合されている。このことにより、半導体素子２１として発熱量が大きいパワー系のトランジスタが採用されても、発生する多量の熱は、サーマルビアホール４６および導電パターン１１を経由して外部に良好に放出される。
【００３８】
図１（Ｂ）に、配線基板５０に埋め込まれる導電パターン１１の平面的な形状の一例を示す。ここでは、略等間隔の分離溝１６により、多数個の導電パターン１１が離間されている。換言すると分離溝１６に充填された第１絶縁層１２および第２絶縁層１３により各導電パターン１１同士は電気的に分離（絶縁）されている。従って、各導電パターン１１を層間接続部１９、２０を経由して、第１配線層１４または第２配線層１５と接続することで、各導電パターン１１の電位を異ならせることができる。例えば、これらの導電パターン１１は、第１配線層１４と第２配線層１５に入出力される電気信号が通過する信号パターンとして用いられても良いし、所定の箇所にて固定電位（例えば電源電位や接地電位）を取り出すためのパターンとして用いられても良い。
【００３９】
更にまた、図１（Ｂ）を参照して、金属コア層である導電パターン１１の外周端部は、絶縁層５１（第１絶縁層１２および第２絶縁層１３）から離間した内部に位置している。即ち、図１（Ａ）に示すように、導電パターン１１の最外周部の側面は、第１絶縁層１２および第２絶縁層１３から成る絶縁層５１により被覆されて、外部に露出していない。このことにより、全ての導電パターン１１が絶縁層５１により包み込まれて外部に露出しない構造が実現され、導電パターン１１を外部から絶縁することができる。
【００４０】
また、上記した配線基板５０に於いては、各層の残存率（基板全体の面積に対するパターンまたは配線層の面積の比率）は、略一定にした方がよい。例えば、第１配線層１４、導電パターン１１および第２配線層１５の残存率は、８０％±１０％程度が好ましい。このように各層の残存率を略一定にすることで、ワイヤボンディングの工程等の加熱が伴う工程に於ける、配線基板５０の反り上がりを防止することができる。また、金属コア層が図２に示すようにパターニングされていないベタのものである場合は、第１配線層１４および第２配線層１５の残存率を上記した範囲で略同等にしたらよい。
【００４１】
更に、基板全体の放熱性を考慮すると、金属材料から成る第１配線層１４等の方が、樹脂材料から成る第１絶縁層１２等よりも熱伝導率が良いので、第１配線層１４等の各層の残存率は高い方がよい。例えば、第１配線層１４、導電パターン１１および第２配線層１５の残存率は、５０％以上が好ましく、更に好ましいのは７０％以上であり、特に好ましいのは８０％以上である。このように第１配線層１４等の各層の残存率を大きくすることで、定常熱抵抗を小さくし、半導体素子２１等の回路素子から発生する熱を、配線基板５０を経由して良好に外部に放出させることができる。ここで、金属コア層が図２に示すようにパターニングされていないベタのものである場合は、第１配線層１４および第２配線層１５の残存率を上記した範囲で高くしたらよい。
【００４２】
次に、図２を参照して、他の形態の回路装置１０Ｂの構成を説明する。図２（Ａ）は回路装置１０Ｂの断面図であり、図２（Ｂ）は内蔵される導電箔２５を示す平面図である。回路装置１０Ｂの基本的な構成は上述した回路装置１０Ａと同様であり、相違点はパターニングされていない板状の導電箔２５が金属コア層として採用された点にある。
【００４３】
図２（Ａ）を参照して、回路装置１０Ｂでは、金属コア層としてパターニングされていないベタの導電箔２５を具備している。導電箔２５の厚み及び材料は、上述した導電パターン１１と同様でよい。導電箔２５は、第１配線層１４に実装された回路素子に入出力される電気信号が通過しても良いし、所定の箇所にて固定電位（接地電位や電源電位）が層間接続部を介して取り出されても良いし、電気的にフローティングにして放熱の為のみに用いられても良い。このような導電箔２５を金属コア層として採用することで、導電箔２５により配線基板５０全体の機械的強度が向上される。更に、任意の箇所で、層間接続部１９、層間接続部２０を経由して、導電箔２５から所定の電位（接地電位や電源電位）を取り出すことができるので、第１配線層１４および第２配線層１５を設計する際の自由度を向上させることができる。
【００４４】
更に、導電箔２５の上面および下面には、厚み方向に部分的に突出する突出部６０が形成されている。導電箔２５の上面に於いては、厚み方向に突出する突出部６０の上方に、第１配線層１４と導電箔２５とを接続する層間接続部１９が形成される。導電箔２５の下面に於いては、突出部６０の下方に、第２配線層１５と導電箔２５とを電気的に接続させる層間接続部２０が形成される。
【００４５】
導電箔２５を部分的に厚み方向に貫通して接続孔４２が設けられている。接続孔４２は、導電箔２５の上面から設けた第１接続孔２７と、導電箔２５の下面から設けた第２接続孔２８とから成る。また、第１接続孔２７には第１絶縁層１２が充填され、第２接続孔２８には第２絶縁層１３が充填されている。平面的に円形の形状を呈する接続孔４２の径は、例えば、１００μｍ〜２００μｍ程度である。
【００４６】
図２（Ａ）および図２（Ｂ）を参照して、貫通接続部２３は、接続孔４２の内部に充填された樹脂材料を貫通して設けられ、上層の第１配線層１４と下層の第２配線層１５とを導通させる働きを有する。具体的には、貫通接続部２３は、平面的に貫通孔２４の内部に位置する第１絶縁層１２および第２絶縁層１３が貫通されるように貫通孔を設け、この貫通孔に銅等の導電材料を埋め込むことにより形成される。貫通接続部２３の直径は、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。貫通接続部２３を設けることにより、導電箔２５を経由せずに第１配線層１４と第２配線層１５とを電気的に接続させることができる。
【００４７】
図２（Ｂ）を参照して、金属コア層である導電箔２５の外周端部は、配線基板５０の外周端部よりも内側に位置している。即ち、導電箔２５の側面は、絶縁層５１により被覆されているので、導電箔２５は外部と絶縁されており耐圧が充分に確保されている。
【００４８】
図３を参照して、次に、他の形態の回路装置１０Ｃの構成を説明する。図３（Ａ）は回路装置１０Ｃの断面図であり、図３（Ｂ）はその平面図である。回路装置１０Ｃの基本的な構成は、上述した回路装置１０Ａと同様であり、相違点は導電パターン１１Ｂ、配線４７Ａ、４７Ｂの構成にある。ここでも、導電パターン１１Ｂ、配線４７Ａ、４７Ｂには、突出部６０が形成されている。
【００４９】
図３（Ｂ）を参照して、配線４７Ａは他の導電パターン１１と比較すると細長く延在して、層間接続部２０を介して他の配線層と接続される。ここでは、配線４７Ａは、２つの層間接続部１９を経由して、図３（Ａ）に示す第１配線層１４と接続される。一方、配線４７Ｂは、２つの層間接続部２０を経由して、第２配線層１５と接続される。ここで、配線４７Ａ、４７Ｂは、一方が層間接続部１９を経由して第１配線層１４と接続され、他方が層間接続部２０を経由して第２配線層１５と接続されても良い。配線４７Ａ等を設けることで、金属コア層として機能する導電パターン１１に、配線を引き回す機能を持たせることが可能となり、より多機能な電気回路を回路装置１０Ｃに内蔵させることができる。
【００５０】
紙面上の右側には、２つの配線４７Ａ、４７Ｂが接近して形成されている。上部に位置している配線４７Ａは、第１分離溝１７Ｃ、１７Ｄにより分離されており、第１分離溝１７Ｄは、第１分離溝１７Ｃよりも幅が広く形成されている。具体的には、例えば、第１分離溝１７Ｃの幅が１５０μｍ程度であるのに対し、第１分離溝１７Ｄの幅は１５０μｍ〜５００μｍ程度である。更に、下部に位置する配線４７Ｂは、第２分離溝１８Ｄ、１８Ｅにより分離されており、第２分離溝１８Ｄの方が第２分離溝１８Ｅよりも幅が広く形成されている。ここで、例えば、第２分離溝１８Ｄの幅が１５０μｍ〜５００μｍであるのに対し、第２分離溝１８Ｅは１５０μｍ程度である。
【００５１】
ここでは、上部の第１分離溝１７Ｄと下部の第２分離溝１８Ｄとを平面的に重畳するように配置することで、配線４７Ａと配線４７Ｂとを極めて接近させることができる。例えば、配線４７Ａと配線４７Ｂとが離間する距離Ｄ１は、２０μｍ程度まで短くすることができる。このことは、パターンの微細化に大きく寄与する。
【００５２】
更に、配線４７Ａの上面には、厚み方向に突出する突出部６０が設けられ、この突出部６０の上方に層間接続部１９が形成されている。上述したように、突出部６０を設けることで、層間接続部１９の幅を半分以下にすることができる。従って、この構成により、幅が１００μｍ程度の細い配線を設けても、この配線４７Ａと第１配線層１４とを層間接続部１９を経由して接続することができる。更に、配線４７Ｂでは、下面に突出部６０が形成され、この突出部６０の下方に層間接続部２０が形成されている。
【００５３】
ここで、配線４７Ａに関しては、下面に突出部６０を設け、この突出部６０の下方に、第２絶縁層１３を貫通する層間接続部２０を設けても良い。さらに、配線４７Ｂに関しては、上面に突出部６０を設け、この突出部６０の上方に、第１絶縁層１２を貫通する層間接続部１９を設けても良い。
【００５４】
更に図３（Ａ）を参照して、紙面上にて左側に形成される導電パターン１１Ｂの上面には、内蔵素子２６が固着されている。ここで、内蔵素子２６としては、チップコンデンサやチップ抵抗等が採用される。導電パターン１１Ｂの上面は、第１分離溝１７Ｂの深さに応じて、上面の位置が他の導電パターン１１よりも低く形成されている。従って、内蔵素子２６を実装することによる配線基板５０の厚みの増加が抑制される。ここでは、導電パターン１１同士を分離する幅の広い第１分離溝１７Ｂを設け、この第１分離溝１７Ｂの下方に２つの第２分離溝１８Ｂ、１８Ｃを設けることで、厚みが薄い導電パターン１１Ｂを形成している。
【００５５】
図４の断面図を参照して、次に、他の形態の回路装置１０Ｄの構成を説明する。回路装置１０Ｄの構成は、封止樹脂４９を具備している点が他の上述した回路装置と異なる。ここでは、チップ素子２２、半導体素子２１および配線基板５０の上面が被覆されるように、封止樹脂４９が形成されている。封止樹脂４９は、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールドまたは、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールドにより形成される。この封止樹脂４９の構成は、上述した全ての回路装置に対して適用可能である。
【００５６】
＜第２の実施の形態＞
本形態では、図５および図６の各断面図を参照して、図１に示した構成の回路装置１０Ａを製造する方法を説明する。
【００５７】
図５（Ａ）を参照して、先ず、選択的なウェットエッチングにより導電箔３０の上面および下面に突出部６０を形成する。具体的な方法としては、先ず、導電箔３０を用意して、突出部６０が形成予定の領域をエッチングマスク（不図示）により被覆した後に、エッチャントを用いてウェットエッチングする。導電箔３０は、銅またはアルミニウムを主材料とする金属もしくは合金から成り、その厚みは例えば１００μｍ〜２００μｍ程度である。また、導電箔３０の材料として、圧延処理が施された圧延金属を採用すると、圧延金属は機械的強度に優れているため、製造工程の途中段階に於いて基板の割れや変形が発生することを抑制することができる。この工程により、エッチングマスクにより被覆されていない部分の導電箔３０の主面がエッチングされて、結果的に厚み方向に突出する突出部６０が得られる。突出部６０は側面が湾曲して周囲に広がる略円筒形状であり、その厚みは２０μｍ〜５０μ程度であり、その直径は２０μｍ〜５０μｍ程度である。
【００５８】
ここで、突出部６０は、アディティブ法（ＣＵメッキ）により形成されても良い。アディティブ法を用いることで、ウェットエッチング法の場合よりも微細な突出部６０を設けることができる。
【００５９】
図５（Ｂ）を参照して、次に、導電箔３０の上面を部分的にエッチングすることにより第１分離溝１７を形成する。ここでは、第１分離溝１７が形成される予定の領域を除外した導電箔３０の上面をレジスト（不図示）にて被覆した後に、このレジストをエッチングマスクとして用いて導電箔３０を上面からエッチングしている。先工程で形成された突出部６０もエッチングの際にはエッチングマスクにより被覆される。
【００６０】
本工程で形成される第１分離溝１７の深さは、導電箔３０の厚みの半分程度以上が好適である。このことにより、等方性に進行するウェットエッチングで形成される第１分離溝１７および第２分離溝１８により分離溝１６を構成でき、分離溝１６の幅を分離溝の厚みの半分程度に狭くすることができる（図５（Ｃ）参照）。結果的に、配線基板全体に占める導電パターンの面積が増大し、配線基板の機械的強度および放熱特性が向上される。
【００６１】
例えば、導電箔３０の厚みが１００μｍ〜２００μｍの範囲であれば、第１分離溝１７の深さは５０μｍ〜１００μｍ程度でよい。また、本工程のウェットエッチングが等方性に進行することを考慮すると、導電箔３０の厚みに応じて、第１分離溝１７の幅は５０μｍ〜１００μｍとなる。
【００６２】
図５（Ｃ）を参照して、次に、第１分離溝１７に充填されるように導電箔３０の上面を第１絶縁層１２により被覆して、第１絶縁層１２の上面に第１導電膜３１を貼着する。第１絶縁層１２の製造方法としては、半固形状または液状の樹脂材料を導電箔３０の上面に塗布した後に加熱硬化しても良いし、フィルム状の樹脂材料を導電箔３０の上面に真空プレスで密着させても良い。本工程では、第１分離溝１７は導電箔３０を貫通せずに厚み方向の途中で終端しているので、液状または半固形状の第１絶縁層１２を導電箔３０に塗布しても、第１分離溝１７からの樹脂材料の漏れ等の問題は発生しない。更に、第１分離溝１７の側面はウェットエッチングにより形成される湾曲面と成っているので、第１絶縁層１２は第１分離溝１７の側面と嵌合して、両者の密着強度は高い。
【００６３】
更に本工程では、突出部６０が第１絶縁層１２に埋め込まれる、例えば、導電箔３０の上面を被覆する第１絶縁層１２の厚みが５０μｍ〜１００μｍ程度であると、突出部６０が埋め込まれる領域では、第１絶縁層１２の厚みは２０μｍ〜５０μｍ程度と成っている。
【００６４】
更にまた、第１絶縁層１２の上面は全面的に第１導電膜３１により被覆される。ここで、第１導電膜３１が貼着された第１絶縁層１２を、導電箔３０に積層させても良いし、第１絶縁層１２が導電箔３０に密着された後に、第１導電膜３１を第１絶縁層１２に貼着しても良い。また、第１導電膜３１は、圧延金属から構成しても良いしメッキ法により形成されても良い。第１導電膜３１の厚みは、例えば２０μｍ〜５０μｍ程度である。
【００６５】
第１絶縁層１２を構成する樹脂材料としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂の両方が採用可能である。また、繊維状または粒子状のフィラーが混入された樹脂材料を第１絶縁層１２として採用しても良い。
【００６６】
図５（Ｄ）を参照して、次に、導電箔３０の裏面から選択的にエッチングして第２分離溝１８を形成して、導電箔３０を分離して各導電パターン１１を得る。具体的な方法は、先ず、第１分離溝１７に対応する領域の導電箔３０の裏面が露出されるようにレジスト（不図示）を形成する。ここで、不図示のレジストにより導電箔３０の裏面に形成された突出部６０も被覆される。次に、不図示のレジストから露出する部分の導電箔３０の裏面をウェットエッチングして、第２分離溝１８を形成する。ここでは、第１分離溝１７に充填された第１絶縁層１２が露出するまで、ウェットエッチングにより第２分離溝１８が形成される。換言すると、第２分離溝１８は第１分離溝１７に到達するまで形成され、第１分離溝１７に充填された第１絶縁層１２は、第２分離溝１８から露出する。
【００６７】
第２分離溝１８の深さは、少なくとも第１分離溝１７に充填された第１絶縁層１２が露出する深さ以上である必要がある。従って、例えば、導電箔３０の厚みが１００μｍ〜２００μｍであり、第１分離溝１７の深さが５０μｍ〜１００μｍである場合は、第２分離溝１８の深さは５０μｍ〜１００μｍ程度以上である。即ち、第１分離溝１７の深さと第２分離溝１８の深さとを加算した距離は、導電箔３０の厚み以上である必要がある。第１分離溝１７に充填された第１絶縁層１２を、確実に第２分離溝１８から露出させるためには、第１分離溝１７の深さと第２分離溝１８の深さとを加算した距離は、導電箔３０の厚みよりも数十μｍ程度長い方が好適である。
【００６８】
上記工程により、図１（Ｂ）に示すような形状の導電パターンが得られる。
【００６９】
図５（Ｅ）を参照して、次に、導電パターン１１の裏面を第２絶縁層１３により被覆し、第２絶縁層１３の表面に第２導電膜３２を貼着する。ここでは、導電パターン１１の下面が被覆され、更に第２分離溝１８が充填されるように第２絶縁層１３が形成される。第２絶縁層１３の厚み、組成および形成方法は、上述した第１絶縁層１２と同様でよい。更に、第２絶縁層１３の下面に形成される第２導電膜３２の厚み、材料および形成方法も、上述した第１導電膜３１と同様でよい。本工程では、導電パターン１１の下面に位置する突出部６０は第２絶縁層１３に埋め込まれ、突出部６０が設けられた領域では、第２絶縁層１３の厚みが部分的に薄く形成されている。
【００７０】
図６（Ａ）を参照して、次に、導電パターン１１と接続される予定の領域の第１導電膜３１および第２導電膜３２を部分的に除去する。具体的には、第１導電膜３１の上面全域にエッチングマスクとして機能するレジスト（不図示）を塗布した後に、露光・現像の処理を行う。このことにより、突出部６０に重畳する領域の第１導電膜３１をレジストから露出させる。更に、ウェットエッチングを行い、レジストから露出する第１導電膜３１を除去する。上記の工程により、突出部６０の上方に位置する第１導電膜３１が除去される。
【００７１】
次に、第１導電膜３１をマスクとして用いたレーザー処理を行い、第１導電膜３１の露出部から露出する第１絶縁層１２を除去して、露出孔３３を形成する。ここでは、露出孔３３の底部から突出部６０の上面が露出するように、第１導電膜３１から露出する第１絶縁層１２をレーザーエッチングする。本工程のレーザー照射により、露出孔３３等の底部に蒸発された樹脂材料等の残渣が残存する場合は、デスミア処理を行ってこの残渣を除去する。本工程で形成される露出孔３３等の側面は、外側に向かって開口面積が増大する傾斜面である。従って、メッキ処理を行う次工程にて、露出孔３３内部に於けるメッキ液の流動が促進され、露出孔３３の内壁に容易にメッキ膜が付着できる利点がある。
【００７２】
本工程では、突出部６０を埋め込むことにより、例えば厚みが半分程度に薄くされた第１絶縁層１２を貫通して、突出部６０の上面が露出孔３３の底面に露出される。従って、除去すべき絶縁層の厚みが薄くなる分、露出孔３３の形成が容易になる。更に、レーザー照射により形成される孔部のアスペクト比が同じであると仮定すると、突出部６０を設けることにより、露出孔３３の深さおよび直径を半分程度（２０μｍ〜５０μｍ程度）にすることができる。従って、露出孔３３の内部に形成される層間接続部のサイズも小型化される。
【００７３】
同様の工程を、第２導電膜３２に対しても行い、第２導電膜３２を部分的に除去して露出孔３４を形成し、露出孔３４の上面に露出部６０の下面を露出させる。
【００７４】
図６（Ｂ）を参照して、次に、露出孔３３の内部に層間接続部１９を形成して、配線層と導電パターンとを導通させる。層間接続部１９は、メッキ法により露出孔３３の内部に形成される金属膜から構成しても良いし、露出孔３３に埋め込まれた半田や導電性樹脂ペースト等の導電材料から層間接続部１９を構成しても良い。メッキ法により層間接続部１９が形成される場合は、先ず、無電解メッキ法による薄い金属膜（シード層）を少なくとも露出孔３３の内壁に設けた後に、このシード層に電圧を印加して電解メッキ法により厚みが数μｍ〜数十μｍ程度の銅から成るメッキ膜を形成する。同様の方法により、第２絶縁層１３を貫通する露出孔３４の内部に、層間接続部２０を設ける。なお、フィリングメッキを行うと、露出孔３３、露出孔３４が埋め込まれるようにメッキ膜を生成することができる。
【００７５】
ここで、突出部６０を被覆する第１絶縁層１２の厚みを上記工程で設けられるメッキの厚み以下にすることが好適である。このことにより、露出孔３３の深さが薄くなり、上記工程により積み上げられるメッキ膜により露出孔３３がほぼ完全に埋め込まれ、機械的強度に優れた層間接続部１９、２０が形成される。
【００７６】
図６（Ｃ）を参照して、層間接続部１９、２０が形成された後に、第１導電膜３１および第２導電膜３２を選択的にエッチングして、第１配線層１４および第２配線層１５をパターニングする。第１導電膜３１および第２導電膜３２の厚みは例えば１０μｍ程度で薄いため、形成される配線層の配線幅は２０μｍ〜５０μｍ程度に微細にすることができる。
【００７７】
なお、ここでは、導電パターン１１の上方に第１配線層１４が積層され、下方に第２配線層１５が積層されて３層の多層配線が実現されているが、絶縁層を介して更に配線層を積層させることにより、４層以上の配線層を実現しても良い。積層される配線層の数を増加させることにより、より大規模な電気回路を配線基板に組み込むことができる。
【００７８】
上記工程が終了した後は、回路素子の実装や外部との接続が行われる箇所を除いて、第１配線層１４および第２配線層１５を、樹脂膜から成るソルダーレジストにより被覆しても良い。
【００７９】
図６（Ｄ）を参照して、次に、第１配線層１４に回路素子を実装して電気的に接続する。ここでは、チップ素子２２が半田等の接合材を介して第１配線層１４に接続される。更に、ＬＳＩ等である半導体素子２１の裏面が接合材を介してランド状の第１配線層１４に実装され、表面の電極は金属細線を介して第１配線層１４と接続される。
【００８０】
更に、第２配線層１５が被覆されるようにレジスト５３を形成した後に、部分的に第２配線層１５が露出されるようにレジスト５３を除去し、露出する部分の第２配線層１５に半田から成る外部電極５４を溶着する。更に、一点鎖線が示された箇所で、各ユニットの配線基板５０を分離する。また、半導体素子２１等が被覆されるように封止樹脂を配線基板５０の上面に形成した後に、上記分離の工程を行っても良い。本工程に於いて、レジスト５３から露出する各配線層は、金メッキ膜により被覆されても良い。
【００８１】
本工程では、分離溝１６が形成された箇所で（即ち、導電パターン１１や第１配線層１４等が存在しない領域で）、配線基板５０を分離しているので、ダイシングソー等の切除手段の摩耗を抑制して、分離を行うことができる。また、銅等の導電材料を分離しないので、分離に伴うバリの発生も抑制される。
【００８２】
上記工程により、例えば、図１に構成を示す回路装置１０Ａが製造される。
【００８３】
ここで、上記した製造方法では、膜状の導電膜（第１導電膜３１および第２導電膜３２）をエッチングすることにより配線層を形成したが、導電膜に替えてメッキ膜を用いることもできる。このメッキ膜により配線層を設ける製造方法によると、厚みが５μｍ〜１０μｍ程度の薄い金属膜をエッチングすることにより配線層を形成するので、幅が４０μｍ程度以下の微細な配線層を構成することができる。
【００８４】
＜第３の実施の形態＞
次に、図７および図８の断面図を参照して、図２に構成を示した回路装置１０Ｂの製造方法を説明する。回路装置１０Ｂの製造方法は、基本的には上述した回路装置１０Ａの製造方法と同様である。両者の相違点は、各絶縁層を貫通する貫通接続部２３を形成する点、パターニングされていないベタの導電箔２５により金属コアを構成する点にある。この相違点を中心に回路装置１０Ｂの製造方法を説明する。
【００８５】
図７（Ａ）を参照して、先ず、導電箔２５を上面から部分的にエッチングして、第１接続孔４０を設ける。導電箔２５の材料としては、厚みが１００μｍ〜２００μｍ程度の金属が採用され、具体的には、銅を主材料とする金属、アルミニウムを主材料とする金属、合金、圧延金属等が採用される。更に、導電箔２５の上面および下面には、予め突出部６０がウェットエッチングにより設けられている。
【００８６】
第１接続孔４０は、導電箔２５の上面を選択的にエッチングマスク（不図示）で被覆した後に、エッチングマスクから露出する導電箔２５をウェットエッチングすることにより形成される。ここで、第１接続孔４０は、導電箔２５を貫通して配線層同士を接続する貫通接続部が設けられる箇所に対応して形成される。第１接続孔４０の深さは、例えば導電箔２５の厚みの半分程度であり、５０μｍ〜１００μｍ程度である。また、等方性に進行するウェットエッチングにより形成される第１接続孔４０の幅（直径）は、その深さと同様に、５０μｍ〜１００μｍ程度である。
【００８７】
図７（Ｂ）を参照して、次に、第１接続孔４０に充填されるように導電箔２５の上面を第１絶縁層１２で被覆して、第１絶縁層１２の上面に第１導電膜３１を貼着する。更に、第１接続孔４０に充填された第１絶縁層１２が露出されるように、導電箔２５を裏面から除去する。ここでは、厚み方向に連続する第１接続孔４０および第２接続孔４１から接続孔４２が構成される。本工程の基本的なプロセスは、上述した第２の実施の形態と同様である。
【００８８】
ここでは、第１接続孔４０の下方の領域の導電箔２５を選択的にウェットエッチングすることにより、第２接続孔４１を形成している。第１接続孔４０に充填された第１絶縁層１２は、第２接続孔４１から露出する。ここでも、第１接続孔４０に充填された第１絶縁層１２を外部に露出させるためには、第１接続孔４０の深さと第２接続孔４１の深さを加算した長さは、導電箔２５の厚みよりも長くなる必要がある。ここで、第２接続孔４１を形成するための選択的なエッチングを行わずに、エッチングマスクを使用しない所謂マスクレスなエッチングにより、導電箔２５を裏面から全面的に除去して、第１接続孔４０に充填された第１絶縁層１２を導電箔２５の裏面に露出させても良い。
【００８９】
図７（Ｃ）を参照して、次に、第２接続孔４１に充填されるように、第２絶縁層１３により導電箔２５の裏面を被覆して、更に、第２絶縁層１３の下面に第２導電膜３２を貼着する。この工程の詳細も、上述した第２の実施の形態と同様である。
【００９０】
図７（Ｄ）を参照して、次に、第１導電膜３１および第２導電膜３２を部分的にエッチングして、露出部４３および露出部４４を設ける。露出部４３は、第１導電膜３１または第２導電膜３２と、導電パターン１１とを接続する層間接続部が形成される箇所に対応して設けられている。即ち、突出部６０が設けられた箇所に重畳して露出部４３は設けられている。更に、露出部４４は、接続孔４２の上方に位置する第１導電膜３１を除去して設けられる。更に、接続孔４２の下方にも、第２導電膜３２を除去して露出部４４が設けられる。露出部４３および露出部４４を設けることにより、第１導電膜３１および第２導電膜３２をマスクとしたレーザーエッチングを行い、第１絶縁層１２および第２絶縁層１３を部分的に除去することができる。
【００９１】
図８（Ａ）を参照して、次に、第１導電膜３１から露出する第１絶縁層１２にレーザーを照射して除去し、露出孔３３および貫通孔２４を形成する。露出孔３３の底部からは突出部６０の上面を露出させる。また、第２導電膜３２から露出する第２絶縁層１３をレーザーにて除去して露出孔３４を形成し、露出孔３４の底部から突出部６０の下面を露出させる。また、貫通孔２４に関しては、一主面からレーザーを照射させることにより、接続孔４２に充填された第１絶縁層１２および第２絶縁層１３を除去して、他主面まで到達させても良い。更には、一主面から照射されるレーザーにより貫通孔２４を途中まで形成し、他主面から照射されるレーザーにより残りの部分の貫通孔２４を形成しても良い。
【００９２】
本工程では、接続孔４２の内部に充填された第１絶縁層１２および第２絶縁層１３を貫通する貫通孔２４が設けられる。貫通孔２４の径は接続孔４２よりも細く形成され例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。更に、後に貫通孔２４の内部に形成される接続部と導電パターン１１とを絶縁させるために、貫通孔２４は接続孔４２の側壁から離間して設けられている。
【００９３】
更に本形態では、突出部６０が埋め込まれることにより薄くなる部分の第１絶縁層１２に露出孔３３を設けているので、レーザー照射による第１絶縁層１２の除去が容易に行える利点がある。この点については、第２絶縁層１３を除去して設けられる露出孔３４に関しても同様である。
【００９４】
図８（Ｂ）を参照して、次に、無電解メッキ法および電解メッキ法により金属膜を形成して、層間接続部１９、２０および貫通接続部２３を形成する。第１絶縁層１２を貫通する露出孔３３の内部にメッキ膜から成る層間接続部１９を形成して、第１導電膜３１と導電パターン１１とを接続する。また、第２絶縁層１３を貫通する露出孔３４の内部にメッキ膜から成る層間接続部２０を設けて、第２導電膜３２と導電パターン１１とを接続する。更に、貫通孔２４の内部に生成された金属膜により、貫通接続部２３が形成される。貫通接続部２３により、導電パターン１１を挟んで積層された第１導電膜３１と第２導電膜３２とが、導電箔２５を経由せずに電気的に接続される。
【００９５】
本工程に於いても、突出部６０を設けることにより、露出孔３３、３４の深さが浅くなり、メッキから成る層間接続部１９、２０の形成が容易になる等の利点がある。
【００９６】
図８（Ｃ）を参照して、次に、第１導電膜３１および第２導電膜３２を選択的にエッチングして、第１配線層１４および第２配線層１５をパターニングする。ここで、第１配線層１４と第２配線層１５とは、貫通接続部２３を経由して電気的に接続される。
【００９７】
図８（Ｄ）を参照して、次に、第１配線層１４に回路素子を実装する。ここでは、チップ素子２２および半導体素子２１が第１配線層１４に接続される。
【００９８】
以上の工程により、図２に構造を示した回路装置１０Ｂが製造される。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図３】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の回路装置を示す断面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｅ）は断面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｄ）は断面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｄ）は断面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｄ）は断面図である。
【図９】背景技術の多層基板の構成および製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ  回路装置
１１、１１Ｂ            導電パターン
１２                    第１絶縁層
１３                    第２絶縁層
１４                    第１配線層
１５                    第２配線層
１６、１６Ａ            分離溝
１７、１７Ｂ、１７Ｃ、１７Ｄ            第１分離溝
１８、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、１８Ｅ            第２分離溝
１９、１９Ａ、２０      層間接続部
２１                    半導体素子
２２                    チップ素子
２３                    貫通接続部
２４                    貫通孔
２５                    導電箔
２６                    内蔵素子
２７                    第１接続孔
２８                    第２接続孔
３０                    導電箔
３１                    第１導電膜
３２                    第２導電膜
３３、３４              露出孔
４０                    第１接続孔
４１                    第２接続孔
４２                    接続孔
４３、４４              露出部
４６                    サーマルビアホール
４７Ａ、４７Ｂ、４７Ｃ  配線
４９                    封止樹脂
５０                    配線基板
５１                    絶縁層
５３                    レジスト
５４                    外部電極
６０                    突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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