(57)【要約】【課題】精度の良い抵抗値調整や回路の小面積化や実現できる抵抗回路等の提供。【解決手段】抵抗回路は抵抗回路ユニットＲＵ１〜ＲＵＭを含む。抵抗回路ユニットＲＵ２ｊ−１は、ノードＮ２ｊ−１とＮ２ｊの間に直列に設けられた第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１及び抵抗Ｒ２ｊ−１と、ノードＮ２ｊ−１とＮ２ｊの間にＨＡ２ｊ−１及びＲ２ｊ−１と並列に設けられた第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１を含む。抵抗回路ユニットＲＵ２ｊは、ノードＮ２ｊとＮ２ｊ＋１の間に直列に設けられた第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ及び抵抗Ｒ２ｊと、ノードＮ２ｊとＮ２ｊ＋１の間にＨＡ２ｊ及びＲ２ｊと並列に設けられた第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊを含む。ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１、ＨＢ２ｊ−１、ＨＡ２ｊ、ＨＢ２ｊはヒューズ領域ＨＲに配置され、抵抗Ｒ２ｊ−１は、ヒューズ領域ＨＲのＤ１方向側に形成された第１の抵抗領域ＲＧ１に配置され、抵抗Ｒ２ｊは、ヒューズ領域ＨＲのＤ３方向側に形成された第２の抵抗領域ＲＧ２に配置される。【選択図】図４
2008205196.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のノードと第Ｍ＋１のノードの間に直列に設けられた第１〜第Ｍ（Ｍは２以上の整数）の抵抗回路ユニットを含み、
前記第１〜第Ｍの抵抗回路ユニットのうちの第２ｊ−１（１≦２ｉ−１＜Ｍ）の抵抗回路ユニットは、
第２ｊ−１のノードと第２ｊのノードの間に直列に設けられた第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ｊ−１の抵抗と、
前記第２ｊ−１のノードと前記第２ｊのノードの間に、前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び前記第２ｊ−１の抵抗と並列に設けられた第２ｊ−１の第２ヒューズ素子を含み、
前記第１〜第Ｍの抵抗回路ユニットのうちの第２ｊの抵抗回路ユニットは、
前記第２ｊのノードと第２ｊ＋１のノードの間に直列に設けられた第２ｊの第１ヒューズ素子及び第２ｊの抵抗と、
前記第２ｊのノードと前記第２ｊ＋１のノードの間に、前記第２ｊの第１ヒューズ素子及び前記第２ｊの抵抗と並列に設けられた第２ｊの第２ヒューズ素子を含み、
前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子、前記第２ｊの第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子は、ヒューズ領域に配置され、
前記第２ｊ−１の抵抗は、前記ヒューズ領域の第１の方向側に形成された第１の抵抗領域に配置され、
前記第２ｊの抵抗は、前記第１の方向の反対方向を第３の方向とした場合に、前記ヒューズ領域の前記第３の方向側に形成された第２の抵抗領域に配置されることを特徴とする抵抗回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の方向に直交する方向を第２の方向とした場合に、前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子、前記第２ｊの第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子は、前記ヒューズ領域において前記第２の方向に沿って配置されることを特徴とする抵抗回路。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子、前記第２ｊの第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子は、前記ヒューズ領域に形成されたガードリングの内側に配置され、
前記第２ｊ−１、第２ｊの抵抗は、１又は複数のポリシリコン抵抗ユニットにより形成され、
前記ガードリングをまたぐ配線が、前記ポリシリコン抵抗ユニットと同一形状のポリシリコン配線ユニットにより形成されることを特徴とする抵抗回路。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２ｊ−１のノードと前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第１の配線部分と、
前記第２ｊ−１のノードと前記第２ｊ−１の第２ヒューズ素子を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第２の配線部分と、
前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子と前記第２ｊ−１の抵抗を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第３の配線部分と、
前記第２ｊ−１の第２ヒューズ素子と前記第２ｊのノードを接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第４の配線部分と、
前記第２ｊのノードと前記第２ｊの第１ヒューズ素子を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第５の配線部分と、
前記第２ｊのノードと前記第２ｊの第２ヒューズ素子を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第６の配線部分と、
前記第２ｊの第１ヒューズ素子と前記第２ｊの抵抗を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第７の配線部分と、
前記第２ｊの第２ヒューズ素子と前記第２ｊ＋１のノードを接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第８の配線部分とが、
前記ポリシリコン抵抗ユニットと同一形状の前記ポリシリコン配線ユニットにより形成されることを特徴とする抵抗回路。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記ポリシリコン抵抗ユニット及び前記ポリシリコン配線ユニットは、その長手方向が前記第１の方向に沿って配置されることを特徴とする抵抗回路。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記第２ｊ−１の抵抗と前記第２ｊの抵抗の抵抗比が、２の倍数であることを特徴とする抵抗回路。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記第１のノードと第Ｍ＋１のノードの間に、少なくとも１つの初期調整用抵抗が設けられることを特徴とする抵抗回路。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第２ｊ−１の第２ヒューズ素子と前記第２ｊのノードの間に第２ｊ−１の第２抵抗が設けられ、前記第２ｊの第２ヒューズ素子と前記第２ｊ＋１のノードの間に第２ｊの第２抵抗が設けられることを特徴とする抵抗回路。
【請求項９】
ヒューズ領域に配置される複数のヒューズ素子と、
抵抗領域に配置され、その各々が前記複数のヒューズ素子の各々に接続される複数の抵抗とを含み、
前記複数のヒューズ素子は、前記ヒューズ領域に形成されたガードリングの内側に配置され、
前記複数の抵抗の各々は、１又は複数のポリシリコン抵抗ユニットにより形成され、
前記ガードリングをまたぐ配線が、前記ポリシリコン抵抗ユニットと同一形状のポリシリコン配線ユニットにより形成されることを特徴とする抵抗回路。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ポリシリコン抵抗ユニット及び前記ポリシリコン配線ユニットは、その長手方向が第１の方向に沿って配置されることを特徴とする抵抗回路。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の抵抗回路により構成される帰還抵抗と、
帰還キャパシタと、
複数のインバータ回路とを含むことを特徴とする発振回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗回路及び発振回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路装置で使用されるクロックを生成する回路としてＣＲ発振回路が用いられる。このＣＲ発振回路は、帰還抵抗と帰還キャパシタと複数段のインバータ回路を有する。
【０００３】
ＣＲ発振回路により生成されるクロックの周波数は、帰還抵抗の抵抗値と帰還キャパシタの容量値により設定される。従って、生成されるクロックの周波数の精度を高めるためには、帰還抵抗の抵抗値についても精度良く調整する必要があり、そのために、帰還抵抗として、ヒューズ素子を有する抵抗回路を用いることができる。即ちレーザ等によりヒューズ素子を切断（溶断）することで、クロック周波数が所望の周波数になるように帰還抵抗の抵抗値を可変に調整する。なおヒューズ素子の従来技術としては、特許文献１がある。
【０００４】
このようなヒューズ素子を有する抵抗回路を用いた場合に、この抵抗回路のレイアウト面積が大きくなると、集積回路装置のチップ面積も大きくなってしまうという課題がある。またヒューズ素子の配置領域を囲むように形成されるガードリングをまたぐ配線として、ポリシリコン配線を用いた場合に、このポリシリコン配線の寄生抵抗が原因で、抵抗回路の抵抗値の調整精度が悪化するという課題もある。
【特許文献１】特開２００５−１９９８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、精度の良い抵抗値調整や回路の小面積化を実現できる抵抗回路及びこれを含む発振回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１のノードと第Ｍ＋１のノードの間に直列に設けられた第１〜第Ｍ（Ｍは２以上の整数）の抵抗回路ユニットを含み、前記第１〜第Ｍの抵抗回路ユニットのうちの第２ｊ−１（１≦２ｉ−１＜Ｍ）の抵抗回路ユニットは、第２ｊ−１のノードと第２ｊのノードの間に直列に設けられた第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ｊ−１の抵抗と、前記第２ｊ−１のノードと前記第２ｊのノードの間に、前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び前記第２ｊ−１の抵抗と並列に設けられた第２ｊ−１の第２ヒューズ素子を含み、前記第１〜第Ｍの抵抗回路ユニットのうちの第２ｊの抵抗回路ユニットは、前記第２ｊのノードと第２ｊ＋１のノードの間に直列に設けられた第２ｊの第１ヒューズ素子及び第２ｊの抵抗と、前記第２ｊのノードと前記第２ｊ＋１のノードの間に、前記第２ｊの第１ヒューズ素子及び前記第２ｊの抵抗と並列に設けられた第２ｊの第２ヒューズ素子を含み、前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子、前記第２ｊの第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子は、ヒューズ領域に配置され、前記第２ｊ−１の抵抗は、前記ヒューズ領域の第１の方向側に形成された第１の抵抗領域に配置され、前記第２ｊの抵抗は、前記第１の方向の反対方向を第３の方向とした場合に、前記ヒューズ領域の前記第３の方向側に形成された第２の抵抗領域に配置される抵抗回路に関係する。
【０００７】
本発明によれば、第２ｊ−１のノードと第２ｊのノードの間に、第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ｊ−１の抵抗が直列に設けられると共に、これらの第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ｊ−１の抵抗と並列に第２ｊ−１の第２ヒューズ素子が設けられる。従って、第１ヒューズ素子を切断した場合と第２ヒューズ素子を切断した場合とで、第２ｊ−１のノードと第２ｊのノードの間の寄生抵抗を同等にすることが可能になり、精度の良い抵抗値調整を実現できる。
【０００８】
また本発明によれば、第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子、第２ｊの第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子は、ヒューズ領域に配置され、第２ｊ−１の抵抗は、ヒューズ領域の第１の方向側の第１の抵抗領域に配置され、第２ｊの抵抗は、ヒューズ領域の第３の方向側の第２の抵抗領域に配置される。従って、抵抗間を結ぶ配線等の無駄を無くすことができ、抵抗回路を小面積化できる。
【０００９】
また本発明では、前記第１の方向に直交する方向を第２の方向とした場合に、前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子、前記第２ｊの第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子は、前記ヒューズ領域において前記第２の方向に沿って配置されてもよい。
【００１０】
このようにすれば、ヒューズ素子の切断が容易になり、ヒューズ素子の切断工程の簡素化等を図れる。
【００１１】
また本発明では、前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子、前記第２ｊの第１ヒューズ素子及び第２ヒューズ素子は、前記ヒューズ領域に形成されたガードリングの内側に配置され、前記第２ｊ−１、第２ｊの抵抗は、１又は複数のポリシリコン抵抗ユニットにより形成され、前記ガードリングをまたぐ配線が、前記ポリシリコン抵抗ユニットと同一形状のポリシリコン配線ユニットにより形成されてもよい。
【００１２】
このようにすれば、ガードリングをまたぐ配線としてポリシリコン配線を用いた場合にも、精度の良い抵抗値調整を実現できる。
【００１３】
また本発明では、前記第２ｊ−１のノードと前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第１の配線部分と、前記第２ｊ−１のノードと前記第２ｊ−１の第２ヒューズ素子を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第２の配線部分と、前記第２ｊ−１の第１ヒューズ素子と前記第２ｊ−１の抵抗を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第３の配線部分と、前記第２ｊ−１の第２ヒューズ素子と前記第２ｊのノードを接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第４の配線部分と、前記第２ｊのノードと前記第２ｊの第１ヒューズ素子を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第５の配線部分と、前記第２ｊのノードと前記第２ｊの第２ヒューズ素子を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第６の配線部分と、前記第２ｊの第１ヒューズ素子と前記第２ｊの抵抗を接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第７の配線部分と、前記第２ｊの第２ヒューズ素子と前記第２ｊ＋１のノードを接続する配線のうち前記ガードリングをまたぐ第８の配線部分とが、前記ポリシリコン抵抗ユニットと同一形状の前記ポリシリコン配線ユニットにより形成されてもよい。
【００１４】
また本発明では、前記ポリシリコン抵抗ユニット及び前記ポリシリコン配線ユニットは、その長手方向が前記第１の方向に沿って配置されてもよい。
【００１５】
このようにポリシリコン抵抗ユニットとポリシリコン配線ユニットを、方向を揃えて配置すれば、プロセス変動が抵抗値調整に及ぼす悪影響を低減できる。
【００１６】
また本発明では、前記第２ｊ−１の抵抗と前記第２ｊの抵抗の抵抗比が、２の倍数であってもよい。
【００１７】
このようにすれば、抵抗値調整を効率化できる。
【００１８】
また本発明では、前記第１のノードと第Ｍ＋１のノードの間に、少なくとも１つの初期調整用抵抗が設けられてもよい。
【００１９】
このようにすれば、例えばヒューズ素子の切断工程の前に、初期調整用抵抗を用いた測定を行い、この測定結果に基づいて、切断すべきヒューズ素子を特定できるようになる。
【００２０】
また本発明では、前記第２ｊ−１の第２ヒューズ素子と前記第２ｊのノードの間に第２ｊ−１の第２抵抗が設けられ、前記第２ｊの第２ヒューズ素子と前記第２ｊ＋１のノードの間に第２ｊの第２抵抗が設けられてもよい。
【００２１】
また本発明は、ヒューズ領域に配置される複数のヒューズ素子と、抵抗領域に配置され、その各々が前記複数のヒューズ素子の各々に接続される複数の抵抗とを含み、前記複数のヒューズ素子は、前記ヒューズ領域に形成されたガードリングの内側に配置され、前記複数の抵抗の各々は、１又は複数のポリシリコン抵抗ユニットにより形成され、前記ガードリングをまたぐ配線が、前記ポリシリコン抵抗ユニットと同一形状のポリシリコン配線ユニットにより形成される抵抗回路に関係する。
【００２２】
本発明によれば、ガードリングをまたぐ配線のポリシリコン配線ユニットが、ポリシリコン抵抗ユニットと同一形状になるため、ガードリングをまたぐ配線としてポリシリコン配線を用いた場合にも、精度の良い抵抗値調整を実現できる。
【００２３】
また本発明では、前記ポリシリコン抵抗ユニット及び前記ポリシリコン配線ユニットは、その長手方向が第１の方向に沿って配置されてもよい。
【００２４】
また本発明は、上記のいずれかに記載の抵抗回路により構成される帰還抵抗と、帰還キャパシタと、複数のインバータ回路とを含む発振回路に関係する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００２６】
１．抵抗回路
図１に本実施形態の抵抗回路の構成例を示す。図１に示すように本実施形態の抵抗回路（可変抵抗回路、ヒューズ回路）は、ノードＮ１（第１のノード）とノードＮＭ＋１（第Ｍ＋１のノード）の間に直列に設けられた抵抗回路ユニットＲＵ１〜ＲＵＭ（第１〜第Ｍの抵抗回路ユニット。Ｍは２以上の整数）を含む。具体的には、ノードＮ１とＮ２の間に設けられた抵抗回路ユニットＲＵ１、ノードＮ２とＮ３の間に設けられた抵抗回路ユニットＲＵ２・・・・ノードＮ２ｊ−１とＮ２ｊの間に設けられた抵抗回路ユニットＲＵ２ｊ−１、ノードＮ２ｊとＮ２ｊ＋１の間に設けられた抵抗回路ユニットＲＵ２ｊ・・・・ノードＮＭとＮＭ＋１の間に設けられた抵抗回路ユニットＲＵＭを含む。これらの抵抗回路ユニットＲＵ１〜ＲＵＭは、少なくとも１つの抵抗と少なくとも２つのヒューズ素子を含むことができる。
【００２７】
図２に抵抗回路ユニットの具体的な構成例を示す。図２に示すように、抵抗回路ユニットＲＵ１〜ＲＵＭのうちの抵抗回路ユニットＲＵ２ｊ−１（第２ｊ−１の抵抗回路ユニット。ｊは１≦２ｊ−１＜Ｍとなる任意の整数）は、ノードＮ２ｊ−１とＮ２ｊの間に直列に設けられた第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１（第２ｊ−１の第１ヒューズ素子）及び抵抗Ｒ２ｊ−１（第２ｊ−１の抵抗）を含む。またノードＮ２ｊ−１とＮ２ｊの間に、ＨＡ２ｊ−１及びＲ２ｊ−１と並列に設けられた第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１（第２ｊ−１の第２ヒューズ素子）を含む。
【００２８】
また図１の抵抗回路ユニットＲＵ１〜ＲＵＭのうちの抵抗回路ユニットＲＵ２ｊ（第２ｊの抵抗回路ユニット）は、ノードＮ２ｊとＮ２ｊ＋１の間に直列に設けられた第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ（第２ｊの第１ヒューズ素子）及び抵抗Ｒ２ｊ（第２ｊの抵抗）を含む。またノードＮ２ｊとＮ２ｊ＋１の間に、ＨＡ２ｊ及びＲ２ｊと並列に設けられた第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ（第２ｊの第２ヒューズ素子）を含む。
【００２９】
ここで第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１は抵抗Ｒ２ｊ−１側に設けられたヒューズ素子であり、第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１は抵抗Ｒ２ｊ−１とは異なる側に設けられたヒューズ素子である。具体的には、抵抗Ｒ２ｊ−１を選択する場合には、第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１を非切断状態にして第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１を切断する。即ち第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１の方をレーザー等で溶断（ブローイング）する。これにより、ノードＮ２ｊ−１とＮ２ｊの間に抵抗Ｒ２ｊ−１の抵抗値が挿入されるようになる。一方、抵抗Ｒ２ｊ−１を非選択にする場合には、第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１を切断して第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１を非切断状態にする。即ち第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１の方をレーザー等で溶断する。これにより抵抗Ｒ２ｊ−１がバイパスされ、ノードＮ２ｊ−１とＮ２ｊの間に抵抗Ｒ２ｊ−１の抵抗値が非挿入になる。
【００３０】
図３に本実施形態の抵抗回路の概略レイアウト図を示す。図３では、第１の方向Ｄ１に直交する方向が第２の方向Ｄ２になり、第１の方向Ｄ１の反対方向が第３の方向Ｄ３になり、第２の方向Ｄ２の反対方向が第４の方向Ｄ４になっている。なお、Ｄ１〜Ｄ４方向は任意であり、例えばＤ１方向が左方向でＤ３方向が右方向であってもよいし、Ｄ２方向が上方向でＤ４方向が下方向であってもよい。
【００３１】
図３に示すように第１の抵抗領域ＲＧ１は、ヒューズ領域ＨＲのＤ１方向側に形成され、第２の抵抗領域ＲＧ２は、ヒューズ領域ＨＲのＤ３方向側に形成される。即ち第１、第２抵抗領域ＲＧ１、ＲＧ２の間にヒューズ領域ＨＲが形成される。そして第１、第２の抵抗領域ＲＧ１、ＲＧ２には抵抗回路を構成する複数の抵抗（ポリシリコン抵抗ユニット）が配置され、ヒューズ領域ＨＲには抵抗回路を構成する複数のヒューズ素子が配置される。
【００３２】
更に具合的には図４に示すように、第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１、第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１、第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ、第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊは、ヒューズ領域ＨＲに配置される。
【００３３】
また抵抗Ｒ２ｊ−１は、ヒューズ領域ＨＲのＤ１方向側に形成された抵抗領域ＲＧ１に配置される。即ち奇数番目の抵抗は抵抗領域ＲＧ１に配置される。一方、抵抗Ｒ２ｊは、ヒューズ領域ＨＲのＤ３方向側に形成された抵抗領域ＲＧ２に配置される。即ち偶数番目の抵抗は抵抗領域ＲＧ２に配置される。
【００３４】
また第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１、第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１、第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ、第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊは、ヒューズ領域ＨＲにおいてＤ２方向に沿って一列に配置される。
【００３５】
図１〜図４の本実施形態の抵抗回路によれば、抵抗値の調整精度を向上できると共に回路の小面積化を図れる。
【００３６】
即ちヒューズ素子の寄生抵抗は通常の金属配線よりも高い。従ってヒューズ素子の寄生抵抗が原因となって、抵抗回路の抵抗値の調整精度が劣化するおそれがある。
【００３７】
この点、本実施形態の抵抗回路によれば、例えば図４のノードＮ２ｊ−１とＮ２ｊの間に第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１と第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１とが並列に設けられているため、ヒューズ素子が寄生抵抗を有している場合にも、精度の良い抵抗値調整を実現できる。
【００３８】
例えば抵抗回路が、ノードＮ１とＮ４の間に直列接続された抵抗回路ユニットＲＵ１、ＲＵ２、ＲＵ３により構成されていたとする。また抵抗回路ユニットＲＵ１が、Ｒ１（＝Ｒ２ｊ−１）、ＨＡ１（＝ＨＡ２ｊ−１）、ＨＢ１（＝ＨＢ２ｊ−１）により構成され、抵抗回路ユニットＲＵ２が、Ｒ２（＝Ｒ２Ｊ）、ＨＡ２（＝ＨＡ２ｊ）、ＨＢ２（＝ＨＢ２ｊ）により構成され、抵抗回路ユニットＲＵ３が、Ｒ３（＝Ｒ２Ｊ＋１）、ＨＡ３（＝ＨＡ２ｊ＋１）、ＨＢ３（＝ＨＢ２ｊ＋１）により構成されていたとする。また抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の抵抗値がＲ、２Ｒ、４Ｒであり、ヒューズ素子ＨＡ１、ＨＢ１、ＨＡ２、ＨＢ２、ＨＡ３、ＨＢ３の寄生抵抗値がＲＨであったとする。
【００３９】
この場合に図５（Ａ）に示すように、ヒューズ素子の切断・非切断を設定するヒューズデータが（０００）であり、抵抗Ｒ３、Ｒ２、Ｒ１が全て非選択であるときには、ヒューズ素子ＨＡ３、ＨＡ２、ＨＡ１が切断され、ヒューズ素子ＨＢ３、ＨＢ２、ＨＢ１は非切断状態になる。するとノードＮ１、Ｎ４間の抵抗値である抵抗回路の全体抵抗値はＲＴＯＴＡＬ＝３ＲＨになる。即ちこの場合にはＲ３、Ｒ２、Ｒ１のいずれの抵抗もノードＮ１、Ｎ４間に挿入されないため、ノードＮ１、Ｎ４間の全体抵抗値は、３つのヒューズ素子ＨＢ３、ＨＢ２、ＨＢ１の寄生抵抗を直列接続した抵抗値になり、ＲＴＯＴＡＬ＝３ＲＨになる。
【００４０】
またヒューズデータが（００１）であり、抵抗Ｒ１だけが選択された場合には、ヒューズ素子ＨＡ３、ＨＡ２、ＨＢ１が切断され、ヒューズ素子ＨＢ３、ＨＢ２、ＨＡ１は非切断状態になる。この場合には全体抵抗値はＲＴＯＴＡＬ＝３ＲＨ＋Ｒになる。同様にヒューズデータが（０１０）、（０１１）、（１００）、（１０１）、（１１０）、（１１１）である場合には、ＲＴＯＴＡＬは、各々、３ＲＨ＋２Ｒ、３ＲＨ＋３Ｒ、３ＲＨ＋４Ｒ、３ＲＨ＋５Ｒ、３ＲＨ＋６Ｒ、３ＲＨ＋７Ｒになる。
【００４１】
このように本実施形態によれば、ヒューズデータがどのような値であっても、抵抗値ＲＴＯＴＡＬには３ＲＨの抵抗値が常に加算されるため、精度の良い抵抗値調整を実現できる。即ちヒューズデータが（０００）の場合と（００１）の場合の抵抗値差はＲであり、（００１）の場合と（０１０）の場合の抵抗値差もＲであり、ＬＳＢ分の抵抗値は常にＲになる。従って、ヒューズデータが（０００）、（００１）・・・（１１１）と変化したときの抵抗値のリニアリティ（直線性）を向上でき、抵抗回路の抵抗値を所望の抵抗値に精度良く調整できる。
【００４２】
また本実施形態では図４に示すように奇数番目の抵抗Ｒ２ｊ−１（Ｒ２ｊ＋１）はヒューズ領域ＨＲのＤ１方向側の抵抗領域ＲＧ１に配置され、偶数番目の抵抗Ｒ２ｊ（Ｒ２ｊ＋２）はヒューズ領域ＨＲのＤ３方向側の抵抗領域ＲＧ２に配置される。そして抵抗Ｒ２ｊ−１の一端のノードＮ２ｊの配線である図４のＡ１に示す配線は、ヒューズ素子ＨＡ２ｊ、ＨＢ２ｊの一端と接続され、ＨＡ２ｊ、ＨＢ２ｊの他端の配線であるＡ２に示す配線が抵抗Ｒ２ｊの一端又はノードＮ２ｊ＋１に接続される。従って、抵抗間を結ぶ配線に無駄がないため、抵抗回路を小面積化できる。
【００４３】
例えば本実施形態の比較例の手法として、奇数番目の抵抗Ｒ２ｊ−１及び偶数番目の抵抗Ｒ２ｊを全て抵抗領域ＲＧ１に配置する手法が考えられる。しかしながら、この手法では、ヒューズ素子ＨＡ２ｊ、ＨＢ２ｊの他端と抵抗Ｒ２ｊの一端又はノードＮ２ｊ＋１を接続するＡ２に示す配線を、ＲＧ２側の領域からＲＧ１側の領域に戻すための無駄な配線領域が必要になってしまい、抵抗回路が大面積化する。
【００４４】
これに対して本実施形態によれば、Ａ２に示す配線は、抵抗領域ＲＧ２の抵抗Ｒ２ｊ又はノードＮ２ｊ＋１にそのまま接続できる。従って、無駄な配線領域が不要になり、抵抗回路を小面積化できる。
【００４５】
２．ポリシリコン配線ユニット
図６では、第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１、第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１、第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ、第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊは、ヒューズ領域ＨＲに形成されたヒューズ用のガードリングＧＲの内側に配置される。即ちヒューズ領域ＨＲにはその外縁に沿ってガードリングＧＲが形成されている。このガードリングＧＲは、例えば複数の金属配線層（例えばアルミ配線層）により形成される。或いは複数の金属配線層を接続するコンタクト層により形成される。
【００４６】
例えばヒューズ素子の切断予定領域には後述するようなヒューズウィンドウが形成される。このため、外部からの湿気が、このヒューズウィンドウ(ヒューズウィンドウによって露出される層間絶縁膜)を介して流入し、内部回路の劣化や破壊等を招くおそれがある。
【００４７】
この点、図６のように、ヒューズ素子の外側にガードリングＧＲを形成すれば、このガードリングＧＲが障壁となって、外部からの湿気等の流入が阻止され、内部回路の劣化や破壊等を防止できる。
【００４８】
さて、このようなガードリングＧＲを設けた場合に、抵抗とヒューズ素子等を接続する配線に、ガードリングＧＲをまたぐ配線部分が必要になる。本実施形態では、このような配線部分として、抵抗を構成する抵抗ポリシリコン（多結晶シリコン）ユニットと例えば同層のポリシリコン配線ユニットを用いる。具体的にはポリシリコン抵抗ユニットと同一形状（ほぼ同一形状の場合を含む）のポリシリコン配線ユニットを用いる。
【００４９】
例えば図６において、第１の配線部分Ｐ１２ｊ−１は、ノードＮ２ｊ−１とヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１を接続する配線のうちガードリングＧＲのＤ３方向側の辺をまたぐ配線部分であり、第２の配線部分Ｐ２２ｊ−１は、ノードＮ２ｊ−１とヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１を接続する配線のうちガードリングＧＲのＤ３方向側の辺をまたぐ配線部分である。また第３の配線部分Ｐ３２ｊ−１は、ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１と抵抗Ｒ２ｊ−１を接続する配線のうちガードリングＧＲのＤ１方向側の辺をまたぐ配線部分であり、第４の配線部分Ｐ４２ｊ−１は、ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１とノードＮ２ｊを接続する配線のうちガードリングＧＲのＤ１方向側の辺をまたぐ配線部分である。
【００５０】
同様に、第５の配線部分Ｐ１２ｊは、ノードＮ２ｊとヒューズ素子ＨＡ２ｊを接続する配線のうちガードリングＧＲのＤ１方向側の辺をまたぐ配線部分であり、第６の配線部分Ｐ２２ｊは、ノードＮ２ｊとヒューズ素子ＨＢ２ｊを接続する配線のうちガードリングＧＲのＤ１方向側の辺をまたぐ配線部分である。また第７の配線部分Ｐ３２ｊは、ヒューズ素子ＨＡ２ｊと抵抗Ｒ２ｊを接続する配線のうちガードリングＧＲのＤ３方向側の辺をまたぐ配線部分であり、第８の配線部分Ｐ４２ｊは、ヒューズ素子ＨＢ２ｊとノードＮ２ｊ＋１を接続する配線のうちガードリングＧＲのＤ３方向側の辺をまたぐ配線部分である。
【００５１】
そして図６では、これらの配線部分Ｐ１２ｊ−１、Ｐ２２ｊ−１、Ｐ３２ｊ−１、Ｐ４２ｊ−１、Ｐ１２ｊ、Ｐ２２ｊ、Ｐ３２ｊ、Ｐ４２ｊ等が、抵抗Ｒ２ｊ−１、Ｒ２ｊ等を構成するポリシリコン抵抗ユニットと同一形状のポリシリコン配線ユニットにより形成される。このようにすることで、抵抗回路の抵抗値の調整精度を更に高めることが可能になる。
【００５２】
図７に抵抗回路の詳細なレイアウト例を示す。抵抗領域ＲＧ１、ＲＧ２には、Ｄ１方向を長手方向（長辺方向）とするポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵがマトリクス状に配置される。そしてＤ１方向において隣り合うポリシリコン抵抗ユニット同士を、アルミ配線などの金属配線により接続することで、図６の抵抗Ｒ２ｊ−１、Ｒ２ｊ、Ｒ２ｊ＋１、Ｒ２ｊ＋２が形成される。なお抵抗領域ＲＧ１、ＲＧ２に配置されるポリシリコン抵抗ユニットのうちの一部は、Ｄ１方向において隣り合うポリシリコン抵抗ユニットや金属配線に接続されないダミーの抵抗ユニットにすることができる。
【００５３】
ヒューズ領域ＨＲには、ヒューズ素子を構成するヒューズ配線ＨＷがＤ２方向に並んで配置される。そしてヒューズ素子の切断予定領域には矩形のヒューズウィンドウＷＩＮが形成されている。このヒューズウィンドウＷＩＮでは、ヒューズ素子の切断が容易になるように、例えば層間絶縁膜の厚さが薄くなっている。
【００５４】
またヒューズ領域ＨＲでは、Ｄ２方向に並ぶヒューズ配線ＨＷを囲むように矩形のガードリングＧＲが形成されている。そしてＤ１方向を長手方向とするポリシリコン配線ユニットＰＷＵが、ガードリングＧＲをまたぐ配線部分として、ガードリングＧＲの左辺及び右辺にＤ２方向に並んで配置される。この場合にヒューズ配線ＨＷの一端は、ガードリングＧＲの左辺に配置されるポリシリコン配線ユニットに接続され、ヒューズ配線ＨＷの他端は、ＧＲの右辺に配置されるポリシリコン配線ユニットに接続される。
【００５５】
図８に抵抗回路の更に詳細なレイアウト例を示す。図８は図７の一部の領域を拡大して示した図である。
【００５６】
ノードＮ２ｊ−１は、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵにより構成される配線部分Ｐ１２ｊ−１、Ｐ２２ｊ−１の一端に接続される。配線部分Ｐ１２ｊ−１、Ｐ２２ｊ−１の他端は、ヒューズ配線ＨＷにより構成されるヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１、ＨＢ２ｊ−１の一端に接続される。ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１、ＨＢ２ｊ−１の他端は、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵにより構成される配線部分Ｐ３２ｊ−１、Ｐ４２ｊ−１の一端に接続される。配線部分Ｐ３２ｊ−１、Ｐ４２ｊ−１の他端は、複数のポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵにより構成される抵抗Ｒ２ｊ−１の一端に接続される。
【００５７】
抵抗Ｒ２ｊ−１の他端のノードＮ２ｊは、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵにより構成される配線部分Ｐ１２ｊ、Ｐ２２ｊの一端に接続される。配線部分Ｐ１２ｊ、Ｐ２２ｊの他端は、ヒューズ配線ＨＷにより構成されるヒューズ素子ＨＡ２ｊ、ＨＢ２ｊの一端に接続される。ヒューズ素子ＨＡ２ｊ、ＨＢ２ｊの他端は、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵにより構成される配線部分Ｐ３２ｊ、Ｐ４２ｊの一端に接続される。配線部分Ｐ３２ｊ−１、Ｐ４２ｊ−１の他端は、複数のポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵにより構成される抵抗Ｒ２ｊの一端に接続され、抵抗Ｒ２ｊの他端はノードＮ２ｊ＋１に接続される。
【００５８】
図６〜図８の手法によれば、ガードリングをまたぐ配線としてポリシリコン配線を用いた場合にも、精度の良い抵抗値調整を実現できる。
【００５９】
即ちポリシリコン配線の寄生抵抗は、通常の金属配線よりも高い。従ってポリシリコン配線の寄生抵抗が原因となって、抵抗回路の抵抗値調整の精度が劣化するおそれがある。
【００６０】
この点、図６〜図８の手法によれば、例えばノードＮ２ｊ−１とＮ２ｊの間に第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１と第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１が並列に設けられているため、ヒューズ素子が寄生抵抗を有している場合にも、精度の良い抵抗値調整を実現できる。
【００６１】
例えば図５（Ｂ）において、図５（Ａ）と同様に、抵抗回路がノードＮ１、Ｎ４間に直列接続された抵抗回路ユニットＲＵ１、ＲＵ２、ＲＵ３により構成されていたとする。また抵抗回路ユニットＲＵ１、ＲＵ２、ＲＵ３の抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の抵抗値がＲ、２Ｒ、４Ｒであり、ヒューズ素子ＨＡ１、ＨＢ１、ＨＡ２、ＨＢ２、ＨＡ３、ＨＢ３の寄生抵抗値がＲＨであったとする。更にポリシリコン配線ユニットＰＷＵの抵抗値（シート抵抗）がＲＰであったとする。なお、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵとポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵは同一形状であるため、ＰＲＵの抵抗値もＲＰになる。
【００６２】
すると、ヒューズデータが（０００）であり、ヒューズ素子ＨＡ３、ＨＡ２、ＨＡ１が切断されている場合には、抵抗回路の全体抵抗値はＲＴＯＴＡＬ＝３ＲＨ＋６ＲＰになる。即ちこの場合にはＲ３、Ｒ２、Ｒ１のいずれの抵抗もノードＮ１のＮ４の間に挿入されないため、全体抵抗値は、３つのヒューズ素子ＨＢ３、ＨＢ２、ＨＢ１と６つのポリシリコン配線ユニットＰＷＵの寄生抵抗を直列接続した抵抗値になり、ＲＴＯＴＡＬ＝３ＲＨ＋６ＲＰになる。なお、抵抗値ＲＨが抵抗値ＲＰよりも十分に小さい場合には、抵抗値ＲＨについては無視してもよく、その場合にはＲＴＯＴＡＬ＝６ＲＰになる。
【００６３】
またヒューズデータが（００１）であり、抵抗Ｒ１だけが選択された場合には、全体抵抗値はＲＴＯＴＡＬ＝３ＲＨ＋６ＲＰ＋Ｒ（或いは６ＲＰ＋Ｒ）になる。同様にヒューズデータ（０１０）、（０１１）、（１００）、（１０１）、（１１０）、（１１１）である場合には、ＲＴＯＴＡＬは、各々、３ＲＨ＋６ＲＰ＋２Ｒ、３ＲＨ＋６ＲＰ＋３Ｒ、３ＲＨ＋６ＲＰ＋４Ｒ、３ＲＨ＋６ＲＰ＋５Ｒ、３ＲＨ＋６ＲＰ＋６Ｒ、３ＲＨ＋６ＲＰ＋７Ｒになる。
【００６４】
このように本実施形態によれば、第１ヒューズ素子ＨＡと第２ヒューズ素子ＨＢのいずれが切断された場合にも、ノード間には常に２つの直列接続されたポリシリコン配線ユニットの抵抗値が付加されるようになる。従って、ヒューズデータがどのような値であっても、抵抗値ＲＴＯＴＡＬには６ＲＰの抵抗値が常に付加されるため、ヒューズデータに対する抵抗値のリニアリティ（直線性）を向上でき、抵抗回路の抵抗値を所望の抵抗値に精度良く調整できるようになる。
【００６５】
また本実施形態では、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵとポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵは同一形状になっているため、更に精度の良い抵抗値調整が可能になる。即ちプロセス変動等によりポリシリコン配線のシート抵抗が増加した場合に、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵとポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵは同一形状に形成されているため、ＰＷＵとＰＲＵの抵抗値も同じように増加する。またプロセス変動等によりポリシリコン配線のシート抵抗が減少した場合には、ＰＷＵとＰＲＵの抵抗値も同じように減少する。従って、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵとポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵの抵抗比については、１のまま変化しないため、抵抗値の調整精度を向上できる。
【００６６】
特に図７、図８では、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵとポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵは共に、その長手方向がＤ１方向に沿って配置される。従って、マスクアライメント誤差やエッチングの不均一等があった場合にも、ポリシリコン配線ユニットＰＷＵとポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵの抵抗比を一定に保つことができ、抵抗値の調整精度を更に向上できる。
【００６７】
なおポリシリコン配線ユニットＰＷＵとポリシリコン抵抗ユニットＰＲＵを同一形状に設定する手法は、図１〜図４で説明した回路構成の抵抗回路のみならず、これとは異なる回路構成の抵抗回路にも適用できる。即ちこの手法が適用される抵抗回路は、ヒューズ領域に配置される複数のヒューズ素子と、抵抗領域に配置されその各々が複数のヒューズ素子の各々に接続される複数の抵抗を含み、複数のヒューズ素子が、ヒューズ領域に形成されたガードリングの内側に配置される抵抗回路であればよい。この場合に、複数の抵抗の各々を、１又は複数のポリシリコン抵抗ユニットにより形成し、ガードリングをまたぐ配線を、ポリシリコン抵抗ユニットと同一形状のポリシリコン配線ユニットにより形成すればよい。
【００６８】
３．抵抗回路の具体例
図９に抵抗回路の具体例を示す。図９の抵抗回路は、ノードＮ１とＮ１１の間に直列接続された抵抗回路ユニットＲＵ１〜ＲＵ１０を含む。そしてポリシリコン抵抗ユニットの抵抗値をＲとした場合に、抵抗回路ユニットＲＵ１〜ＲＵ１０が有する抵抗Ｒ１〜Ｒ１０の抵抗値は、各々、５１２Ｒ、２５６Ｒ、Ｒ、１２８Ｒ、２Ｒ、６４Ｒ、４Ｒ、３２Ｒ、８Ｒ、１６Ｒに設定されている。即ちこれらの抵抗Ｒ１〜Ｒ１０間の抵抗比（第２ｊ−１の抵抗Ｒ２ｊ−１と第２ｊの抵抗Ｒ２ｊの抵抗比）は、２の倍数になっている。また、配線部分Ｐ１１〜Ｐ４１０を構成するポリシリコン配線ユニットの抵抗値もＲになっており、ポリシリコン抵抗ユニットと同じ抵抗値になっている。
【００６９】
また図９では、抵抗領域ＲＧ１には、最も高い抵抗値の抵抗Ｒ１（５１２Ｒ）が配置され、抵抗領域ＲＧ２には、２番目に高い抵抗値の抵抗Ｒ２（２５６Ｒ）が配置される。また抵抗領域ＲＧ２には、３番目〜６番目の抵抗値の抵抗Ｒ４（１２８Ｒ）、Ｒ６（６４Ｒ）、Ｒ８（３２Ｒ）、Ｒ１０（１６Ｒ）が配置され、抵抗領域ＲＧ１には、１０番目〜７番目の抵抗値の抵抗Ｒ３（Ｒ）、Ｒ５（２Ｒ）、Ｒ７（４Ｒ）、Ｒ９（８Ｒ）が配置される。このようにすれば、抵抗領域ＲＧ１に配置されるポリシリコン抵抗ユニットの個数と抵抗領域ＲＧ２に配置されるポリシリコン抵抗ユニットの個数を均等（ほぼ均等）にでき、レイアウト効率を向上できる。
【００７０】
また本実施形態では、第１のノードと第Ｍ＋１のノードの間に少なくとも１つの初期調整用抵抗を設けることができる。具体的には図９では、ノードＮ１（広義には第１のノード）と第１の抵抗回路ユニットＲＵ１の間に、第１の初期調整用抵抗ＲＩ１が設けられ、第Ｍの抵抗回路ユニットＲＵＭとノードＮ１１（広義には第Ｍ＋１のノード）の間に、第２の初期調整用抵抗ＲＩ２が設けられる。そしてこれらの初期調整用抵抗ＲＩ１、ＲＩ２は、抵抗Ｒ１〜Ｒ１０と同様に複数のポリシリコン抵抗ユニットにより構成される。具体的には図９では、初期調整用抵抗ＲＩ１、ＲＩ２の各々は、４５個のポリシリコン抵抗ユニットにより構成され、その抵抗値は４５Ｒになる。このような初期調整用抵抗ＲＩ１、ＲＩ２を設けることで、抵抗回路の抵抗値の調整を効率化できる。
【００７１】
例えば本実施形態の抵抗回路を後述する図１１の発振回路に用いたとする。この場合に、ヒューズ素子の切断工程の前の初期設定工程で、全てのヒューズ素子が非切断状態である抵抗回路を帰還抵抗として、発振回路に発振動作を行わせる。そしてこの初期設定工程における発振回路の初期発振周期Ｔ０を、外部テスタ等を用いて測定する。
【００７２】
ここで、図９の全てのヒューズ素子が非切断状態である場合のノードＮ１とＮ１１の間の抵抗値をＲ０とする。この抵抗値Ｒ０は、第１の初期調整用抵抗ＲＩ１の抵抗値４５Ｒと、第２の初期調整用抵抗ＲＩ２の抵抗値４５Ｒと、ヒューズ素子が非切断状態である場合の抵抗回路ユニットＲＵ１〜ＲＵ１０の抵抗値を加算した抵抗値になる。例えばヒューズ素子が非切断状態の場合の抵抗回路ユニットＲＵ１の抵抗値は、２Ｒ＋５１２Ｒの抵抗と２Ｒの抵抗を並列接続した抵抗値になる。抵抗回路ユニットＲＵ２〜ＲＵ１０も同様である。
【００７３】
このように設定して初期発振周期Ｔ０を測定した場合に、発振回路の目標発振周期をＴＯＢとすると、調整の目標抵抗値ＲＯＢは下式（１）のように求められる。
【００７４】
ＲＯＢ＝（ＴＯＢ／Ｔ０）×Ｒ０                                （１）
そして下式（２）のように、抵抗回路の抵抗値ＲＯＳＣが調整の目標抵抗値ＲＯＢに一致するときのＨＤＡＴＡを求め、このＨＤＡＴＡにより切断すべきヒューズ素子を特定し、特定されたヒューズ素子を切断する。
【００７５】
ＲＯＳＣ＝ＲＯＢ＝４５Ｒ＋４５Ｒ＋２Ｒ×１０＋ＨＤＡＴＡ×Ｒ  （２）
上式（２）において、４５Ｒは、初期調整用抵抗ＲＩ１、ＲＩ２の抵抗値である。また２Ｒ×１０は、ポリシリコン配線ユニット（抵抗値Ｒ）で構成される配線部分Ｐ１１〜Ｐ４１０の全体抵抗値である。即ち直列接続された２×１０＝２０個のポリシリコン配線ユニットの抵抗値である。本実施形態では、第１ヒューズ素子ＨＡ、第２ヒューズ素子ＨＢのいずれが切断されたかに依存せずに、ポリシリコン配線ユニットで構成される配線部分Ｐ１１〜Ｐ４１０の全体抵抗値は、一定値である２Ｒ×１０になる。なおヒューズ素子の寄生抵抗値はポリシリコン配線ユニットに比べて小さいため無視する。
【００７６】
またＨＤＡＴＡはヒューズデータの１０進数の値である。例えば１０ビットのヒューズデータが（０００００００００１）である場合にはＨＤＡＴＡ＝１になり、（００００００００１０）である場合にはＨＤＡＴＡ＝２になり、（００００００００１１）である場合にはＨＤＡＴＡ＝３になる。
【００７７】
従って、上式（１）、（２）によりＨＤＡＴＡ＝１が求められた場合には、ヒューズ素子ＨＢ３を切断して抵抗Ｒ３（Ｒ）を選択し、ＨＡ１、ＨＡ２、ＨＡ４〜ＨＡ１０を切断して抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４〜Ｒ１０を非選択にすればよい。また上式（１）、（２）によりＨＤＡＴＡ＝２が求められた場合には、ヒューズ素子ＨＢ５を切断して抵抗Ｒ５（２Ｒ）を選択し、ＨＡ１〜ＨＡ４、ＨＡ６〜ＨＡ１０を切断して抵抗Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ６〜Ｒ１０を非選択にすればよい。
【００７８】
このように初期調整用抵抗ＲＩ１、ＲＩ２を設ければ、上式（１）、（２）で説明した簡素な手法で、抵抗回路の抵抗値を所望の抵抗値に調整することが可能になり、調整処理を効率化できる。
【００７９】
４．変形例
図１０に本実施形態の抵抗回路の変形例を示す。この変形例では、図２の回路に対して、抵抗ＲＤ２ｊ−１、ＲＤ２ｊ、ＲＤ２ｊ＋１の構成要素が追加されている。ここで第２ｊ−１の第２抵抗ＲＤ２ｊ−１は、第２ｊ−１の第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１と第２ｊのノードＮ２ｊの間に設けられる抵抗であり、第２ｊの第２抵抗ＲＤ２ｊは、第２ｊの第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊと第２ｊ＋１のノードＮ２ｊ＋１の間に設けられる抵抗である。
【００８０】
図１０では、例えば第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊ−１が切断されると、抵抗Ｒ２ｊ−１が選択され、第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊ−１が切断されると、第２抵抗ＲＤ２ｊ−１が選択される。同様に第２ヒューズ素子ＨＢ２ｊが切断されると、抵抗Ｒ２ｊが選択され、第１ヒューズ素子ＨＡ２ｊが切断されると、第２抵抗ＲＤ２ｊが選択される。
【００８１】
図１０の抵抗回路においても、図１〜図９等で説明した本実施形態の配置手法や調整手法を採用できる。例えば図３、図４で説明したような抵抗の配置手法や、図６〜図８で説明したようなポリシリコン配線ユニットの配置手法を採用できる。
【００８２】
なお本実施形態の抵抗回路ユニットは図２や図１０の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加したり、その接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。
【００８３】
５．発振回路
図１１に本実施形態の抵抗回路が用いられる発振回路の構成例を示す。この発振回路は、複数（奇数段）のインバータ回路ＩＮ１、ＩＮ２、ＩＮ３を含む。また本実施形態の抵抗回路により構成される帰還抵抗ＲＦや、帰還キャパシタＣＦを含む。なおインバータ回路ＩＮ４、ＩＮ５は、波形整形されたクロックＣＬＫを出力するためのバッファ回路とし機能する。
【００８４】
図１１では、インバータ回路ＩＮ２の出力が、帰還キャパシタＣＦを介してインバータ回路ＩＮ１の入力に帰還されている。またインバータ回路ＩＮ３の出力が、帰還抵抗ＲＦを介してインバータ回路ＩＮ１の入力に帰還されている。そして図１１の発振回路は、帰還キャパシタＣＦの容量値と帰還抵抗ＲＦの抵抗値に応じた周波数でＣＲ発振動作を行う。
【００８５】
図１１の発振回路に対して図１〜図１０で説明した本実施形態の抵抗回路を用いれば、帰還抵抗ＲＦの抵抗値を精度良く調整でき、発振回路が出力されるクロックＣＬＫの周波数の調整精度を向上できる。
【００８６】
なお本実施形態の抵抗回路が用いられる発振回路は、図１１の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加したり、その接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。また本実施形態の抵抗回路が適用される回路は、発振回路には限定されず、例えば電源回路、電圧調整回路、電流調整回路などの種々の回路に適用できる。
【００８７】
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また抵抗回路、発振回路の構成、配置や、ポリシリコンユニットの配置手法や、抵抗値の調整手法も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本実施形態の抵抗回路の構成例。
【図２】抵抗回路ユニットの構成例。
【図３】抵抗回路の概略レイアウト図。
【図４】ヒューズ素子、抵抗の配置説明図。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）は全体抵抗値の計算についての説明図。
【図６】ヒューズ素子、抵抗の配置説明図。
【図７】抵抗回路の詳細なレイアウト図。
【図８】抵抗回路の更に詳細なレイアウト図。
【図９】抵抗回路の具体例。
【図１０】変形例の抵抗回路の構成例。
【図１１】本実施形態の抵抗回路を用いた発振回路の構成例。
【符号の説明】
【００８９】
ＲＵ１〜ＲＵ１０  抵抗回路ユニット、Ｎ１〜ＮＭ＋１  ノード、
ＨＡ２ｊ−１〜ＨＡ２ｊ＋２  第１ヒューズ素子、
ＨＢ２ｊ−１〜ＨＢ２ｊ＋２  第２ヒューズ素子、
Ｒ２ｊ−１〜Ｒ２ｊ＋２  抵抗、ＨＲ  ヒューズ領域、
ＲＧ１、ＲＧ２  第１、第２の抵抗領域、
Ｐ１２ｊ−１〜Ｐ４２ｊ＋２  配線部分、ＧＲ  ガードリング、
ＷＩＮ  ヒューズウィンドウ、ＰＲＵ  ポリシリコン抵抗ユニット、
ＰＷＵ  ポリシリコン配線ユニット、ＨＷ  ヒューズ配線、
ＩＮ１〜ＩＮ５  インバータ回路、ＲＦ  帰還抵抗、ＣＦ  帰還キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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