(57)【要約】【課題】振動子等の電子部品を封止体（パッケージ）に封止してなる振動子封止体、およびこの振動子封止体を備える物理量センサにおいて、振動子の検出感度特性および起動特性を向上させる。【解決手段】開口を有し内部の収容部に振動子が収容される容器と、開口の周縁で接合して前記開口を覆う蓋体とを有する振動子封止体であって、容器の底部に設けられ前記収容部と外部との間を連通する貫通孔を封止材で気密封止し、振動子封止体を封止チャンバ内で気密封止する振動子封止体の製造方法において、容器の周縁と蓋体とを溶接する一次溶接工程と、貫通孔に封止材を置く工程と、封止チャンバ内の圧力を所定圧に制御する封止チャンバ内圧制御工程と、封止チャンバ内を所定圧とした状態で、レーザービーム照射によって封止材を溶融し前記貫通孔を封止する二次溶接工程とを順に備え、二次溶接工程において、所定圧を振動子の振動特性に基づいて定める。【選択図】図３
2008057995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有し内部の収容部に振動子が収容される容器と、前記開口の周縁で接合して前記開口を覆う蓋体とを有する振動子封止体であって、前記容器の底部に設けられ前記収容部と外部との間を連通する貫通孔を封止材で気密封止し、前記振動子封止体を封止チャンバ内で気密封止する振動子封止体の製造方法において、
前記容器の周縁と前記蓋体とを溶接する一次溶接工程と、
前記貫通孔に前記封止材を置く工程と、
前記封止チャンバ内の圧力を所定圧に制御する封止チャンバ内圧制御工程と、
前記封止チャンバ内を所定圧とした状態で、レーザービーム照射によって前記封止材を溶融し前記貫通孔を封止する二次溶接工程とを順に備え、
前記所定圧を前記振動子の振動特性に基づいて定めることを特徴とする振動子封止体の製造方法。
【請求項２】
前記封止チャンバ内圧制御工程は、振動特性を実測する実測工程を含み、この実測工程で求めた振動特性が予め定めた範囲内となるように、封止チャンバ内圧値を制御することを特徴とする、請求項１に記載の振動子封止体の製造方法。
【請求項３】
前記振動子は水晶振動子であり、
前記振動特性は、前記振動子の駆動振動におけるクリスタルインピーダンス値であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の振動子封止体の製造方法。
【請求項４】
前記実測工程において、外部から駆動信号を印加して前記振動子を発振させ、前記振動子の共振周波数における共振抵抗を測定することにより前記クリスタルインピーダンス値を求めることを特徴とする、請求項３に記載の振動子封止体の製造方法。
【請求項５】
前記封止チャンバ内圧制御工程は、
封止チャンバ内を真空排気する工程と、
真空排気しながら窒素または不活性ガスを流量調整し導入する工程と、
を有することを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の振動子封止体の製造方法。
【請求項６】
前記封止材を置く工程と前記封止チャンバ内圧制御工程との間において、
前記封止チャンバ内を真空に排気する工程と、
前記真空状態において前記容器と前記蓋体とを加熱するアニール処理工程とを有することを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の振動子封止体の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の振動子封止体の製造方法を用いて製造したことを特徴とする振動子封止体。
【請求項８】
請求項７に記載の振動子封止体の振動子の振動状態を検出する検出振動部を備え、
前記検出振動部の振動状態を検出することにより、外部から印加された物理量を検出することを特徴とする物理量センサ。
【請求項９】
前記振動子は、
前記外部から印加された物理量により振動状態が変動する駆動振動片と、
当該駆動振動片と共振した振動を検出する検出振動片とを備え、
前記検出振動片は前記物理量を検出することを特徴とする、請求項８に記載の物理量センサ。
【請求項１０】
駆動振動片と検出振動片とは、基部において連結されて形成されることを特徴とする、請求項９に記載の物理量センサ。
【請求項１１】
前記物理量センサは、前記振動子に回転角速度が加わることによって生ずるコリオリ力を検出する振動型ジャイロセンサであることを特徴とする、請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の物理量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス等の基板からなる容器内に水晶振動子、圧電振動子等の振動子を収納した後、容器を蓋体で気密封止して構成される振動子封止体、およびその製造方法ならびに物理量センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子や圧電振動子デバイス等の振動子を含む電子部品は、例えば、セラミックス等の基板からなる容器と、この容器の開口部を封止する金属製蓋体とから構成されたパッケージ等の封止体の内部に、振動子が気密封止状態で収納され、これによって振動子デバイスが構成される。これら振動子デバイスは、電子機器製品の小型化および薄型化に伴い、小型、薄型化、及びコストダウンの要求が益々強くなっている。
【０００３】
このため、近年は表面実装型（ＳＭＤ）のものが多数開発されて、振動子デバイスの特性を向上させるために真空度を高めて気密封止することが求められている。また、車両の位置検出や姿勢制御システム、デジタルカメラやビデオカメラの手振れ防止用等の様々な分野で圧電振動子デバイスを用いた圧電振動ジャイロの開発が行われ実用化されている。
【０００４】
振動子デバイスに用いられるパッケージである封止体の一般的な気密封止方法としては、従来、電気炉溶接、シーム溶接、電子ビーム加工等が行われている。真空中で容器を加熱して封止材を溶融する電気炉溶接法は、コストおよび生産性が優れている一方、容器開口部の外周部全周にわたって配設された封止材を一度に溶融するため、溶接時に封止材から生じるアウトガスがパッケージ内部に閉じ込められ、真空度が悪化する問題があった。
【０００５】
また、一対のローラ電極を押し付けて電流を流し、その接触部を抵抗発熱させて封止材を溶融するシーム溶接法は、封止歩留まりが優れている一方、封止材として高価なシールリングが必要となり、リング分の厚みのために、薄型化にも限度があった。さらに、高速に溶接作業ができなかった。このことから、小型化および薄型化の市場要求により、電子ビーム加工による封止方法が注目されている。
【０００６】
以下に図１４、１５を用いて従来技術の振動子デバイスの製造方法を説明する（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
【０００７】
特許文献１、２等には、容器１０２と蓋体１０６で構成された振動子デバイス用パッケージ１００において、容器１０２の側壁上面に蓋体１０６を溶接するときに、高真空の状況において電子ビームを利用して溶接封止を行うことが開示されている。
【０００８】
図１４において、内部に振動子１１１を設置した容器１０２（図１４（ｂ））に対して容器１０２の側壁上面に封止材（図示していない）を介して蓋体１０６（図１４（ａ））を配置し、蓋体１０６の上方から電子ビーム１０８を照射して封止材を溶融することによって溶接封止を行う。
【０００９】
ここで、パッケージ１００内の真空度が低下すると水晶振動子の等価直列抵抗（以下ＣＩ値と略称する）が大きくなり、その結果、周波数特性が悪くなり安定した発振ができなくなってしまうという問題があるため、溶接は真空度の高い状態で溶接する必要がある。そこで、パッケージ１００内の残留ガスを少なくして真空度を高くするために、溶接封止を２回に分け、１回目の溶接時に封止材から発生したガスを排出した後２回目の溶接を行っている。
【００１０】
また、容器と蓋体とを陽極接合によって接合する製造方法が開示されている（例えば、特許文献３参照）。図１５はこの構成例を示している。この陽極接合では、チャンバ１３０内の圧力を調整して、支持基板１４２（ガラス）と封止基板１４１（シリコン）とを、陽極接合によって接合する製造方法が開示されている。
【００１１】
ここでは、支持基板１４２と封止基板１４１とをチャンバ１３０内のホットステージ１５０上に載せ、チャンバ１３０内の圧力を所定の圧力に調整し、その状態で支持基板１４２と封止基板１４１に電源１６０の電圧を印加することで陽極接合を実施し、これによって支持基板１４２と封止基板１４１とを接合する。
【００１２】
また、支持基板と封止基板と接合した後、支持基板の底部に設けた開口部を通してパッケージ内のガスを排気し、その後、開口部を封止材で封止することも開示されている。この底部に設けた開口部を通して排気し、開口部を封止材で封止することでパッケージを気密封止する構成は、特許文献４，５にも開示されている。
【００１３】
【特許文献１】特開２００１−２５７２７９号公報（第３頁、図２、図３）
【特許文献２】特開２０００−２２３６０４号公報（第３〜４頁、図１）
【特許文献３】特開２００５−１６９６５号公報（第６〜７頁、図２）
【特許文献４】特開２００４−２９７３４４号公報
【特許文献５】特開２００５−２２９３４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
特許文献１、２に開示されている振動子デバイスの製造方法では、高真空状態で水晶振動子を気密封止してパッケージを封止しているため、水晶振動子のＣＩ値を小さくすることができるため、周波数特性が良くなり安定した発振を行うことができる。
【００１５】
しかしながら、従来の振動子デバイスの製造方法で製造された振動子デバイスでは、ＣＩ値が小さくなることで安定した発振を行える反面、Ｑ値（共振曲線の鋭さを表す量で、この量が大きい程共振曲線は鋭くなる）が高くなり、水晶振動子が安定して駆動するまでの時間が長くなるという問題がある。
【００１６】
また、従来の振動子デバイスの製造方法で製造された振動子デバイスを振動型ジャイロセンサや振動型加速度センサ等の物理量センサに利用する場合、ＣＩ値が小さくなることで安定した発振を行える反面、Ｑ値が高くなり、水晶振動子が安定して駆動するまでの時間が長くなってしまう。その結果、水晶振動子から検出される検出波形が安定するまでの時間（起動時間）を短縮できないという問題がある。
【００１７】
また、特許文献１、２に開示されている振動子デバイスの製造方法では、第１溶接と第２溶接とを電子ビーム溶接やレーザービーム溶接を用いて溶接することが開示されている。電子ビーム溶接の場合には当然目視が不可能なため、精密な治具により溶接位置を正確に位置決めする必要があり、作業に手間がかかる。
【００１８】
レーザービーム溶接の場合には、第１溶接のように溶接領域が多いときは短時間での作業を考えて高速走査で溶接することになるが、レーザービームの特性上高速走査での溶接はできない。したがって、確実に溶接するためには低速走査するしかなく、短時間で作業ができず、部材へのダメージやアウトガス発生等の問題がある。
【００１９】
また、特許文献３に開示されているパッケージの製造方法では、振動子のダンピング効果を低減させてＱ値を向上させるために高真空状態が望ましいとされてきた従来の考えに対し、１．０〜１００Ｐａ範囲に調整することで、振動ジャイロのＱ値および温度係数のバランスが良好となることを見出し（特許文献３、段落００４７）、これに基づいてチャンバ内の圧力を高真空ではなく、所定の圧力に調整するようにしている。
【００２０】
この特許文献では、この所定の圧力の圧力範囲は、陽極接合の際に放電が発生する圧力範囲と重なるため、圧力と印加電圧が異なる仮接合と本接合の２段階によって接合することが開示されている。図１６は、このときの条件を説明するための図である。図１６（ａ）はパッケージの内圧条件を示し、図１６（ｂ）は陽極接合において放電が発生する条件を示し、図１６（ｂ），（ｄ）は仮接合と本接合の圧力条件および印加電圧条件を示している。
【００２１】
パッケージの内圧条件と陽極接合の放電発生時の圧力条件が重なるため（図１６（ａ），（ｂ））、はじめに０．００１Ｐａ以下にした後に２．２６Ｐａ〜２２６Ｐａとし、この圧力状態において低電圧（１５０〜２３０Ｖ）で仮接合を行い、次に、０．１Ｐａ以下として５００〜１０００Ｖの高電圧によって本接合を行う。
【００２２】
上記した引用文献の何れも、振動子の特性をＱ値に基づいて評価している。したがって、仮にＱ値を所望の範囲内に調整できたとしても、このパッケージ内に封止された振動子のＣＩ値が所望の範囲内に調整されるとは限らないという問題があり、封止体内に設けられた振動子の検出感度特性と起動特性のバランスが良好に調整されるとは限らないという問題がある。
【００２３】
また、引用文献３においてもチャンバ内の圧力を所定の圧力に調整しているものの、この圧力調整はＱ値が所定範囲となるように行うものであり、また、０．１Ｐａ以下で本接合を行った後、所望とする圧力に如何に調整するかは不明である。
【００２４】
なお、振動子の検出感度特性は、機械的変動に対する検出信号の大きさに基づく特性であり、振動子の起動特性は、振動子から検出される検出信号が安定するまでの起動時間に基づく特性である。
【００２５】
これらの検出感度特性および起動特性は、振動子を振動させたときの振動特性によって評価することができ、この振動特性は振動子のＣＩ値により表される。
【００２６】
そこで、本発明は、上記の従来技術における問題点を解決するためになされたものであり、振動子等の電子部品を封止体（パッケージ）に封止してなる振動子封止体、およびこの振動子封止体を備える物理量センサにおいて、振動子の検出感度特性および起動特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上述した目的を達成するために、本発明の振動子封止体の製造方法は、開口を有し内部の収容部に振動子が収容される容器と、前記開口の周縁で接合して前記開口を覆う蓋体とを有する振動子封止体であって、前記容器の底部に設けられ前記収容部と外部との間を連通する貫通孔を封止材で気密封止し、前記振動子封止体を封止チャンバ内で気密封止する振動子封止体の製造方法において、容器の周縁と蓋体とを溶接する一次溶接工程と、貫通孔に封止材を置く工程と、封止チャンバ内の圧力を所定圧に制御する封止チャンバ内圧制御工程と、封止チャンバ内を所定圧とした状態で、レーザービーム照射によって封止材を溶融し前記貫通孔を封止する二次溶接工程とを順に備える。この二次溶接工程において、所定圧を振動子の振動特性に基づいて定める。
【００２８】
振動子を内部に収容した容器を封止する工程において、封止チャンバ内圧制御工程では、封止チャンバと振動子封止体の容器内部とを連通させた状態とし、この状態で、封止チャンバ内に収容する振動子の振動特性を求め、この振動特性が所定の特性となるように、封止チャンバ内の圧力を調整する。封止チャンバ内を所定圧力に調整することで、封止チャンバ内と連通する容器内部の圧力は所定圧力に調整される。
【００２９】
二次溶接工程では、容器内部の圧力を所定圧力に調整した状態で、容器に設けた貫通孔を封止材の溶融により封止することで、容器内部の圧力を所定圧力に保持することができる。二次溶接工程を行う際にチャンバ内の圧力を所定圧力に調整することで、クリスタルインピーダンス値を所定の範囲で制御することができ、駆動特性と起動特性のバランスを良好にできる。振動子の駆動特性と起動特性の良好な電子部品封止体を製造することができる。
【００３０】
この封止材は、例えば金属ろうボール封止材とし、この封止材に外部からレーザ光を照射することで溶融することができる。本発明によれば、このレーザ光照射による封止材の溶融において、封止チャンバ内を定圧導入した窒素ガスの雰囲気とすることで、放熱効果によって貫通孔周辺での温度上昇を低減化することができ、その結果、封止貫通孔周辺に蓄熱が発生することによるクラック（割れ）の発生を防止し、基板のリーク発生を抑制することができる。従来の高真空状態の場合には、放熱効果が得られないため、貫通孔周辺で蓄熱して温度上昇が大きくなり、クラックが発生する要因となる。
【００３１】
さらに、従来の高真空状態の場合には、放熱効果が得られないため、多数の封止体を配置したトレイ周辺が過熱され、ガスが発生して封止チャンバ内の圧力が所望圧力から変動し、延いては封止体内の圧力が所望圧力から変動して、クリスタルインピーダンス値が管理に影響が生じることになる。
【００３２】
本発明によれば、封止チャンバ内で多数の封止体を製造する際、二次溶接工程において、トレイ上に配置した多数の封止体にレーザ照射を連続することで貫通孔に配置した封止材を溶融する。このとき、封止チャンバ内を定圧導入した窒素ガスの雰囲気とすることで、放熱効果によってトレイ上の温度上昇を低減させることができ、その結果、トレイ周辺が過熱され発生するアウトガスを抑制することができ、振動子のクリスタルインピーダンス値の管理が容易となる。
【００３３】
本発明の封止チャンバ内圧制御工程は、振動子の振動特性を実測する実測工程を含み、この実測工程で求めた振動特性値が予め定めた範囲内となるように、封止チャンバ内圧値を制御する。封止チャンバ内の圧力を変化させると、封止体内に設置した振動子の振動特性値が変化する。実測工程で実測した振動特性を圧力調整にフィードバックさせることで、封止体内の圧力を所望の振動特性が得られる圧力に定めることができる。
【００３４】
振動子は水晶振動子とすることができる。このとき、振動特性値は、振動子の駆動振動におけるクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）である。
【００３５】
一般に振動子の等価回路は図１に示す４素子等価回路定数Ｌ，Ｃ１，Ｒ，Ｃ０で表せることが知られている。Ｃ１は振動子に設けた電極間の直列容量であり、ＣＩ値はＲに相当する。ＣＩ値と等価回路定数の関係は、ｆを振動子の共振周波数とすれば、
ＣＩ＝１／（Ｃ１・２πｆ・Ｑ）
で表される。
【００３６】
このクリスタルインピーダンス値は、水晶振動子を形成するウエハや振動子を形成するエッチング、駆動電極膜形成等の種々の条件に依存するため、同様のスペックであっても、水晶振動子を形成するロット間でよって変動する。
【００３７】
本発明の製造方法では、このクリスタルインピーダンス値は、実測工程において、外部から駆動信号を印加して振動子を発振させ、発振させた振動子の共振周波数における共振抵抗を測定することにより求めることができる。駆動信号とは、電流または電力等の振動子を発振させるための信号である。
【００３８】
また、本発明の封止チャンバ内圧制御工程は、封止チャンバ内の圧力を目標圧力値よりも低くして高真空状態に真空排気する工程と、真空排気しながら窒素または不活性ガスを流量調整し導入する工程とを有し、真空排気工程で封止チャンバ内をある程度高い真空状態とし、その後、真空排気するとともに、窒素または不活性ガスを導入する。この窒素または不活性ガスの導入において、導入するガス流量を調整することで、封止チャンバ内の圧力を調整する。係る構成によれば、封止体内の圧力を所望の圧力に調整することができる他、振動子は窒素ガスまたは希ガス中で封止されることになるため、振動子に不純物等が付着することが無く、劣化防止に役立ち、長期保存性が可能となる。
【００３９】
本発明の製造方法によれば、封止体で封止する振動子は、従来と比較して振動子のロット別に封止チャンバの内圧を制御しながら振動子のクリスタルインピーダンス値を測定することができるため、最適な封止内圧値を決定することができる。したがって、封止工程での歩留まりを大きく向上させることができるとともに、物理量センサを構成した際には、検出感度特性と起動特性のバランスを向上させることができる。
【００４０】
また、封止材を置く工程と封止チャンバ内圧制御工程との間において、封止チャンバ内を真空に排気する工程と、真空状態において容器と蓋体とを加熱するアニール処理工程とを有する。アニール処理工程により、封止体内部の不純物や揮発成分を貫通孔から封止チャンバ内に排気し、さらに、真空排気により封止チャンバ外に排気することができる。
【００４１】
また、容器の蓋体と反対側の底部に貫通孔を形成することにより、二次溶接工程の封止位置を精度良く形成でき、その結果、封止不良すなわちリーク不良がなくなる。
【００４２】
また、本発明の振動子封止体の製造方法で製造した振動子を備えた物理量センサを構成することができる。この物理量センサは、振動子封止体の振動子の振動状態を検出する検出振動部を備える。物理量センサは、この検出振動部の振動状態を検出することにより、外部から印加された物理量を検出する。
【００４３】
物理量センサが備える振動子は、外部から印加された物理量により振動状態が変動する駆動振動片と、駆動振動片と共振した振動を検出する検出振動片とを備える。物理量センサの検出振動片は、外部から印加された物理量を検出する。この駆動振動片の振動の振動状態は物理量によって変動するため、検出振動片で振動検出を行うことで、印加された物理量を検出することができる。この構成によれば、クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）を所定の範囲に制御することができ、検出特性と起動特性のバランスを良好にできる。その結果、起動時間を短縮した高精度の物理量センサを提供することができる。
【００４４】
なお、駆動振動片と検出振動片とは、基部において連結されて形成して構成とする他、駆動振動片と検出振動片とを共通化する構成としてもよい。
【００４５】
また、本発明の物理量センサは、振動子の回転角速度が加わることによって生ずるコリオリ力を検出する振動型ジャイロセンサとすることができる。この構成によれば、クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）を所定の範囲に制御することができ、検出特性と起動特性のバランスを良好にできる。その結果、起動時間を短縮した高精度の振動型ジャイロセンサを提供することができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、振動子の検出感度特性および起動特性が良好な振動子封止体及びその製造方法を提供することができる。また、振動子封止体を溶接封止するときの作業性が良好で振動子からの検出信号が安定するまでの起動時間を短縮した高精度の物理量センサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下に図２〜１３に基づいて、この発明に係る振動子封止体の製造方法及びこの製造方法により製造される振動子封止体の好適な実施の形態を詳細に説明する。ここでは、振動子封止体として、容器内に水晶振動子が収納されて気密封止された水晶振動子の封止体について例示し、特に、水晶振動子が表面実装されたものについて説明する。
【００４８】
図２は本発明の振動子封止体の概略構成および一次溶接工程を説明するための概略図であり、図３は、本発明の実施の形態に係る振動子封止体の製造方法における各工程を示すフローチャートであり、図４は一次溶接工程を説明するための概略図である。図５は二次溶接を行う前の振動子封止体をトレイ上への配置を説明するための概略図であり、図１０は二次溶接工程を説明するための概略図である。また、図６は、封止チャンバ内の内圧調整の工程例を示すフローチャートであり、図７はこの工程における内圧とクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）との関係を示す図である。また、図８は、封止チャンバ内の内圧調整の別の工程例を示すフローチャートであり、図９はこの別の工程における内圧とクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）との関係を示す図である。
【００４９】
図１１，１２は本発明の実施の形態に係る振動子封止体の製造ための概略構成を説明するための図である。また、図１３は未二次溶接の振動子封止体をトレイ上への別の配置を説明するための概略図である。
【００５０】
はじめに、図２に示す振動子封止体の構成について説明する。振動子封止体１０は、開口を備えた箱形形状の収容部に水晶振動子等の振動子１１を収容した容器１２（図２（ｂ））と、容器１２の開口を封止材１５を介して封止するための蓋体１６（図２（ａ））とで構成されている。容器１２は、底壁と、底壁の外周に沿って配置された側壁とから構成され、上部が開口した箱形形状であり、その上面中央部に振動子１１を収容する収容部としてのキャビティ１３を有している。
【００５１】
容器１２の構成材料としては、セラミックス、樹脂等が挙げられるが、ここでは、容器１２は例えば酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックスから構成されている。容器１２の底面には振動子１１を搭載するための支持台１４が形成されており、この支持台１４上には接着剤により振動子１１を容器１２の底面と平行に搭載して取り付けられている。それにより、容器１２内に振動子１１が収納された構成が実現される。
【００５２】
上記のようにして容器１２内に振動子１１を配置して収納した後、容器１２の側壁上面１２ａに封止材１５を介して蓋体１６を配置し、容器１２の開口を封止する。なお、封止材１５を均一に溶融させるために、容器１２と蓋体１６とを位置決めし、密着させる。ここでは加工治具は図示していない。
【００５３】
なお、図２（ｃ）、（ｄ）は、容器１２に蓋部１６を取り付けた状態の振動子封止体１０を示し、図２（ｄ）は、図２（ｃ）に示す振動子封止体１０を上下反転させた状態を示している。
【００５４】
図２（ｄ）において、容器１２の蓋体１６と反対側に位置する底部１２ｂには、内部のキャビティ１３と外部とを連通させる貫通孔１７が設けられている。なお、この貫通孔１７は、封止材を挿入充填して溶融する二次溶接工程によって封止される。
【００５５】
なお、蓋体１６側から蓋体１６の二つの短辺中央部に抵抗溶接機のローラ電極を押圧し、それにより、短辺中央部二箇所において、蓋体１６を容器１２の側壁上面に抵抗溶接して仮付け（仮溶接）してもよい。
【００５６】
図２に示すように、蓋体１６は、平面視において外周が容器１２の外周とほぼ一致する形状（若干容器１２と比較する小さい寸法）を有する。蓋体１６は金属から構成され、ここでは、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等が用いられている。
【００５７】
容器１２と蓋体１６との間に介在する封止材１５には、共晶組成のろう材料や半田材料、あるいは低融点ガラス等が用いられる。ここでは、融点によってろう材料と半田材料とを区別しており、ろう材料は４５０℃以上で溶融する材料であり、半田材料は４５０℃未満で溶融する材料である。
【００５８】
ろう材料としては、例えばＡｇ−Ｃｕ合金で構成される銀ろう、Ａｌ−Ｓｉ合金で構成されるアルミニウムろう、Ｎｉ−Ｃｒ合金で構成されるニッケルろう、Ａｕ−Ｃｕ合金やＡｕ−Ｎｉ合金で構成される金ろう、Ｐｄ−Ａｇ合金やＰｄ−Ｎｉ合金で構成されるパラジウムろう等の金属ろうが用いられる。
【００５９】
また、半田材料としては、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ合金で構成される錫−鉛半田、Ａｌ−Ｓｉ合金で構成されるアルミニウム半田、Ａｕ−Ｓｉ合金やＡｕ−Ｓｎ合金で構成される金半田、Ｃｄ−Ｚｎ合金で構成されるカドミウム半田等の金属半田が用いられる。
【００６０】
また、低融点ガラスは、具体的には３００〜７００℃で溶融・軟化するガラスであって、例えば、ＰｂＯとＢ２Ｏ３とを主成分として含む無機低融点ガラスや、無機物と有機物とを含むハイブリッド低融点ガラス等が用いられる。
【００６１】
また、容器１２の側壁上面１２ａには、タングステンからなるメタライズ層が設けられており、そのメタライズ層上（その露出する表面）には、ニッケルメッキと金メッキを施して層状に形成している。
【００６２】
図２に示すように、振動子封止体１０の封止工程は、電子ビーム１８の照射によって蓋体１６を容器１２に溶接する一次溶接工程と、容器１２の底部１２ｂに設けられた貫通孔１７にレーザービーム１９を照射して封止する二次溶接工程とを含む。
【００６３】
本実施の形態において、電子ビーム１８の照射は通常の電子ビーム加工装置を用い、レーザービーム１９の照射は、通常の半導体レーザ半田付け装置を用いることができる。
【００６４】
蓋体１６と容器１２とを位置決めして密着させた状態で、電子ビーム加工装置内の封止チャンバ（図示せず）内において、蓋体１６側から蓋体１６の周縁に沿って所定方向に電子ビーム１８を走査してビーム照射を行い、照射部分の封止材１５を溶融させる（一次溶接工程）。その後、貫通孔１７に配置した封止材にレーザービーム１９を照射することによって振動子封止体１０を封止する（二次溶接工程）。
【００６５】
次に、図３のフローチャート、図４の一次溶接工程を説明するための概略図を用いて振動子封止体１０の封止工程について詳細に説明する。
【００６６】
はじめに、容器１２は蓋体１６を取り付けない状態であって、容器１２は開口された状態にあり、振動子１１等の電子部品は未装着の状態とする。また、このとき、貫通孔２０は開放された状態にある。この状態において、容器１２内の底面１２ａ上に設けられた支持台１４上に振動子１１の一端を載置し、接着材等で固定する（図４（ａ））（Ｓ１）。
【００６７】
その後、容器１２の開口を封止するように蓋体１６を容器１２の側壁上面１２ａに位置決めしながら配置し接合する。この一次溶接工程では、高真空状態に保持された封止チャンバ内で、電子ビーム１８を蓋体１６側から振動子封止体１０に照射し、蓋体１６の周縁全週に沿って順次走査する。これにより、蓋体１６の周縁全周において封止材１５が溶融し、蓋体１６と容器１２とが完全に溶接される。このとき、一次溶接工程用の封止チャンバ内の圧力は高真空の状態となっている（図４（ｂ），（ｃ））（Ｓ２）。
【００６８】
なお、ここでは電子ビーム１８により蓋体１６と容器１２との溶接を行っているが、溶接方法として電子ビーム照射以外でも良く、例えば、レーザービーム照射、または真空加熱炉あるいはハロゲンランプ等で蓋体１６と容器１２とを加熱して溶接を行ってもよい。ただし、高速作業を考慮すると電子ビームで溶接するのが適している。
【００６９】
このような容器１２と蓋体１６との一次溶接工程においては、例えば、封止材１５の揮発成分や、振動子封止体１０に付着した揮発成分に由来のガス等が生じる。このガスは、容器１２の底部１２ｂに配設された貫通孔１７を介して振動子封止体１０のキャビティ１３から外部（ここでは、高真空状態の封止チャンバ内）に排出される。
【００７０】
次に、一次溶接を完了した振動子封止体１０の蓋体１６側を下にしてトレイに複数配置する。図５は、振動子封止体１０のトレイ２０への配置状態を説明するための概略図である。トレイ２０は、複数の振動子封止体１０を配置した状態で封止チャンバ（図示していない）内に搬入する支持部材であり、複数の振動子封止体１０を封止チャンバ内に配置することで同時に排気を行うとともに、窒素ガスあるいは不活性ガスを導入することで、所定の圧力とするものである。なお、トレイ２０に配置する振動子封止体１０の個数は、封止チャンバの容積量や、排気系の排気能力、共通するロットに含まれる振動子の個数等によって任意に定めることができる（Ｓ３）。
【００７１】
トレイ上２０に配置された振動子封止体１０は、反転させて容器１２の底部１２ｂ及び貫通孔１７を上面とした状態である。この状態において、金属ろうボール等の封止材９０を貫通孔１７内に挿入し（図１０（ａ））（Ｓ４）、トレイ２０とともに振動子封止体１０を封止チャンバ４０内に収納する。この封止チャンバ４０は、振動子封止体１０を内部に収納するチャンバであり、この封止チャンバ４０には、図１０，１１に示すように、チャンバ内を排気する排気機構７０、封止チャンバ４０内に窒素ガス等の不活性ガスまたは希ガスを導入するガス供給機構８０、及び収納した振動子封止体１０を所定温度に加熱する加熱機構を備える。
【００７２】
封止チャンバ４０内に振動子封止体１０を収納した状態で、排気機構７０によって封止チャンバ４０を排気する。このとき、振動子封止体１０の容器１２内にある気体も、貫通孔１７を通して排気される。排気機構７０は、本引き用排気機構と粗引き用排気機構を有する。図１１において、粗引き用排気機構は粗引き用ポンプ７１と粗引き用バルブ７２を備え、封止チャンバ４０内を大気圧から比較的低い真空状態に高速で排気する。粗引き用ポンプ７１としては、例えば油回転ポンプや機械式ドライポンプを用いることができる。
【００７３】
また、本引き用排気機構は本引き用ポンプ７３と本引き用バルブ７４を備え、封止チャンバ４０内をより高い真空状態に排気する。本引き用ポンプ７３としては、例えばターボ分子ポンプやクライオポンプを用いることができる。
【００７４】
封止チャンバ４０内を大気圧から高真空状態に排気する場合には、例えば、はじめに粗引き用バルブ７２を開いて粗引き用ポンプ７１によって封止チャンバ４０内を高速である程度低い真空状態に排気した後、粗引き用バルブ７２を閉じて本引き用バルブ７４を開いて、粗引き用ポンプ７１に代えて本引き用ポンプ７３によって高い真空状態に排気する（Ｓ５）。
【００７５】
さらに、加熱機構によって振動子封止体１０を金属ろうボール等の封止材９０の融点以下の温度に加熱しアニールする。
【００７６】
封止チャンバ４０内を高真空で排気させた後、振動子封止体１０を２００℃以上で加熱処理する。封止チャンバ４０は真空状態で保持されていることから、振動子封止体１０内部に存在する揮発成分を、効率良く排気を行うことが可能となる。
【００７７】
加熱機構としては、ヒータを用いた熱板上で加熱する方法や、ハロゲンランプ等の加熱ランプを設けて振動子封止体１０を直接ランプ照射する他に、振動子封止体１０を冷却させる効率を考慮すると、容器１２および蓋体１６の少なくとも一方にレーザービームを照射して、振動子封止体１０を個々に加熱処理してもよい。ヒータは、トレイ２０を支持する支持部３０内に設けても良い。
【００７８】
このレーザービームを照射による加熱は、例えば、半導体レーザの出力値を下げて、複数回間欠的にレーザービームを照射してもよく、また、位置の異なる複数の領域の各々に、一回または複数回間欠的にレーザービームを照射してもよい。
【００７９】
容器１２の貫通孔１７を介して、アニール処理により除去された揮発成分由来のガスを振動子封止体１０の外部（すなわち封止チャンバ４０室内）に排気することが可能となる。
【００８０】
また、容器１２の底壁外面にレーザービームを照射してアニール処理を行ってもよい。この場合には、レーザービームは、容器１２の底壁外面の所定領域にスポット状に照射してもよく、また、底壁外面の所定領域において、レーザービームを走査してビーム照射を行ってもよい。このレーザービームの照射は、一回でもよく、あるいは、複数回間欠的に行ってもよい。
【００８１】
例えば、容器１２の底壁外面の同一領域に複数回間欠的にレーザービームを照射してもよく、また、位置の異なる複数の領域の各々に、一回または複数回間欠的にレーザービームを照射してもよい。
【００８２】
また、レーザービームの出力値は、後に行う二次溶接工程（Ｓ１１）におけるレーザービームの出力より低い出力値がよい。なお、二次溶接工程におけるレーザービームの出力より低い出力値とは、封止材１５がほとんど溶融しないビーム出力値である。
【００８３】
さらに、レーザービームを用いたアニール処理では、レーザービーム照射部分およびその近傍領域の温度が局所的に急激に上昇し、その後、レーザービーム照射を停止すると、これらの部分の温度が急激に下がる。
【００８４】
従って、加熱板や加熱ランプを用いて水晶振動子パッケージ１０全体を加熱してアニール処理する場合に比べて、振動子封止体１０を各々に効率良く２００℃以上の高温に加熱することが可能になるとともに、効率良く冷却することも可能になったことから、冷却工程を別途設ける必要がない。
【００８５】
このアニールによって、接着材や封止材からガス成分を放出させ、排気機構７０によって封止チャンバ４０外に排気する（Ｓ６）。
【００８６】
本引き用バルブ７４を閉じ粗引き用バルブ７２を開いて、本引き用ポンプ７３に代えて粗引き用ポンプ７１に切り換え（Ｓ７）、粗引き用ポンプ７１による排気状態で、窒素ガス等の不活性ガスあるいは希ガスを圧力モニタ信号により流量調整しながら封止チャンバ４０内に導入し、封止チャンバ４０内の内圧値を所定範囲に制御する。ここで、圧力モニタ信号とは、図示しない圧力計等で封止チャンバ４０内の圧力をモニタし、この圧力値より算出され制御部６０から出力される制御信号を意味する。封止チャンバ４０内に導入するガスとしては、窒素以外に、ヘリウム、ネオン、アルゴンといった希ガスを用いることができる。希ガスは化合力のない安定な原子であるために、これらのガス雰囲気で振動子１１を容器１２内に気密封止すると長期保存性を向上させることができる。
【００８７】
ガス導入は、ガス供給機構８０によって行うことができる。ガス供給機構８０は、図１１に示すように、ガス源と開閉バルブ８１と流量制御バルブ８２を備え、圧力モニタ信号により流量制御バルブ８２を制御することによって封止チャンバ４０内に導入するガス量を制御することができる。なお、図１２に示すように、排気機構７０およびガス供給機構８０は、制御部６０によって開閉制御および流量制御を行うことができる。また、制御部６０は、検出部５０の検出出力に基づいて制御し、封止チャンバ４０内の圧力を制御することができる。なお、制御部６０による圧力制御において、封止チャンバ４０内の圧力を圧力計等（図示していない）でモニタし、この圧力値を用いて行うことができる。
【００８８】
この段階では、貫通孔１７は通じているため、容器１２の内部の圧力は封止チャンバ４０内の調整した圧力と同じ圧力となる（図１０（ｂ））（Ｓ８）。
【００８９】
トレイに並べた少なくとも１つの振動子封止体１０の容器１２の電極部に外部から発振回路を接続し、振動子のクリスタルインピーダンス値を測定する（Ｓ９）。
【００９０】
図１１，１２において、検出部５０は、振動子封止体１０の振動子１１を振動駆動させる発振回路、および振動子１１のクリスタルインピーダンス値を測定する測定回路を備える。制御部６０は、検出部５０の測定回路が測定したクリスタルインピーダンス値を入力し、このクリスタルインピーダンス値と封止チャンバ４０内の圧力に基づいて、封止チャンバ４０内の圧力が所定圧力となるように、ガス供給機構８０によるガスの導入量を制御する。
【００９１】
この圧力調整工程では、振動子のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）を測定し、測定したクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）に基づいて、振動子封止体の容器内の圧力を所定圧力に制御する。クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）は振動子の振動特性を評価する評価値の一つである。
【００９２】
このクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）は振動子の感度に関連する評価値であり、従来、高い感度を得るためにこのクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）を下げることが求められ、振動子を収納する容器内の圧力を下げる努力が成されているが、このクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が低すぎた場合には振動子の駆動が安定するまでに時間を要するという問題があり、振動子として用いる場合には、一概にクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）を下げるのではなく、所望の検出感度特性と、安定に要する時間を表す起動特性の両方を満たす所定のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）に設定することが必要である。
【００９３】
また、振動子によって外部から印加された物理量を検出する、振動型ジャイロセンサや振動型加速度センサ等の物理量センサを構成したとき、クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が低い場合には高感度となり、僅かな振動変化についても検出することができるが、検出出力が安定するまでに時間を要する。クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が高い場合には、短時間で検出出力が安定するが、僅かな振動変化に追従して検出することができない。
【００９４】
本発明は、このクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）を所定の値とするために、クリスタルインピーダンス値を実測し、実測値に基づいて封止チャンバ内の圧力を制御し、さらに貫通孔を通して連通する振動子封止体の容器内の圧力を調整することによって所定のＣＩ値を設定する。この制御部６０による圧力調整については後述する（Ｓ１０）。
【００９５】
封止チャンバ４０内の内圧をクリスタルインピーダンス値に基づいて制御した後、外部から貫通孔１７内に挿入した封止材９０にレーザービーム１９を照射して封止材９０を加熱する。これによって封止材は溶融され、貫通孔１７内を満たして貫通孔１７を閉じる。この工程は二次溶接工程と呼ばれる。これによって、電子部品封止体の容器は気密に封止される。
【００９６】
溶接する際に封止材９０が溶融して発生するガス量（すなわち振動子封止体１０内部に封入されるガス量）は極めて微量である。したがって、振動子封止体１０は、封止チャンバ４０内と同じ圧力範囲（例えば、１６Ｐａ〜２６６Ｐａ）の雰囲気で気密封止することができる。
【００９７】
封止チャンバ４０内の圧力を、例えば１６Ｐａ〜２６６Ｐａとして振動子封止体１０を製造することにより、振動子１１の駆動特性と起動特性のバランスが良好にできる効果が得られる（図１０（ｃ））（Ｓ１１）。
【００９８】
排気機構７０を停止して封止チャンバ４０の排気を停止し（Ｓ１２）、ガス供給機構８０からガスを導入して封止チャンバ４０内を大気圧に戻し（Ｓ１３）、封止チャンバ４０から振動子封止体１０を取り出す（図１０（ｄ））（Ｓ１４）。
【００９９】
以下、図６〜図９を用いて、Ｓ１０のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）に基づく内圧調整の調整例を説明する。
【０１００】
なお、クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）と容器の内圧（真空度）との間には、図７，９に示すような特性があり、高真空となる（図の左方）ほどクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）は低下する。なお、図における真空度は図示していないが対数目盛である。
【０１０１】
内圧調整の第１の調整例を図６および図７を用いて説明する。Ｓ９の工程で求めた振動子のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が最適範囲内にあるかを判定する。図７は内圧とクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）の関係を示している。ここでは、クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）の最適範囲をＡで示し、この最適範囲Ａに対応する内圧の範囲をＢで示している。振動子のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が最適範囲内にある場合には、Ｓ１１の二次溶接工程に進む（Ｓ１０Ａ）。一方、振動子のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が最適範囲内にない場合（図７中の丸数字１）には、クリスタルインピーダンス値が最適な範囲に入る内圧を定め（図７中の丸数字２）、この内圧を封止チャンバの内圧制御値とする（Ｓ１０Ｂ）。定めた内圧制御値となるように、ガス供給機構８０を調整して内圧を制御する（Ｓ１０Ｃ、Ｄ）。
【０１０２】
内圧を設定範囲内とした後（Ｓ１０Ｄ）、必要に応じてクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）を測定し（Ｓ１０Ｅ）、クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が最適範囲内であるかを確認する（図７中の丸数字３）（Ｓ１０Ａ）。
【０１０３】
上記した調整例は、最適なクリスタルインピーダンス値に対応する内圧制御値を設定し、この内圧制御値となるように内圧をモニタして内圧調整を行う例であるが、クリスタルインピーダンス値をモニタし最適なクリスタルインピーダンス値となるように内圧調整を行うようにしてもよい。内圧調整の第２の調整例は、このクリスタルインピーダンス値をモニタする例である。
【０１０４】
以下、内圧調整の第２の調整例について図８および図９を用いて説明する。Ｓ９の工程で求めた振動子のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が最適範囲内にあるか否かを判定する。図９は内圧とクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）の関係を示している。ここでは、クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）の最適範囲をＡで示している。振動子のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が最適範囲内にある場合には、Ｓ１１の二次溶接工程に進む（Ｓ１０ａ）。一方、振動子のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が最適範囲内にない場合（図９中の丸数字１）には、ガス供給機構によってガス流量を調整して内圧を制御し（図９中の丸数字２）（Ｓ１０ｂ）、そのときのクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）を測定する（図９中の丸数字３）（Ｓ１０ｃ）。測定したクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）が最適範囲となるまで、Ｓ１０ｂ，Ｓ１０ｃを繰り返すことで内圧を制御する。
【０１０５】
なお、上記した第２の調整では、クリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）をモニタすることで内圧を制御することができるため、所定のクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）の設定が容易である。なお、このとき、内圧調整時の振動がクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）の測定への影響を考慮する必要があり、影響が有る場合には、内圧調整時の振動が停止した状態でクリスタルインピーダンス（ＣＩ値）の測定を行う必要がある。
【０１０６】
また、上記した第１の調整では、内圧をモニタすることで内圧調整を行うため、内圧調整時のポンプ振動がクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）の測定に与える影響を考慮することなく行うことができる。
【０１０７】
本発明の振動子封止体の製造方法では、トレイ上に複数の振動子１１を配置し、この状態で、アニール処理、クリスタルインピーダンス値の測定、内圧調整、二次溶接等の処理を行う。この処理において、クリスタルインピーダンス値の測定および振動子からの検出信号の出力は、振動子封止体に設けた端子を介して行っている。振動子のクリスタルインピーダンス値の測定は、上述した振動子封止体を用いて行う他に、振動子のみを用いて行う構成とすることもできる。図１３にこの一例を示す。
【０１０８】
図１３において、トレイ２０には、図５で示した例と同様に配置する複数の振動子封止体１０と別に、振動子１１のみを容器に収納しない状態で配置する。この振動子１１は、振動子封止体１０に収容された振動子と同じロットで作製され、同様のクリスタルインピーダンス値を備え、この振動子１１をクリスタルインピーダンス値の測定用として用いる。トレイ２０上は、振動子１１を設置する支持部２１を備え、この支持部２１には振動子１１への駆動信号を印加するための端子が設けられ、この端子を用いてＣＩ値を測定する。振動子１１は支持部２１に設置することで、外部からの駆動信号を受けて駆動し、振動特性であるＣＩ値を測定することができる。駆動信号とは、電流または電力等の振動子を発振させるための信号である。
【０１０９】
この構成によれば、容器内の封止する前の状態で振動子についてもクリスタルインピーダンス値を測定することができる。
【０１１０】
なお、上記した構成例は一例であり、本発明はこれらの例に限定されるものではなく、各種変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
以上のように、本発明に係る振動子封止体の製造方法及びこの製造方法により製造された振動子封止体は、パッケージ等の封止体内の圧力制御を容易に行うことができ、かつ生産性が高い。特に、収納された振動子の真空特性が内部圧力に大きく影響する振動型ジャイロセンサや振動型加速度センサの製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】振動子の等価回路を示す図である。
【図２】本発明の振動子封止体の概略構成および一次溶接工程を説明するための概略図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る振動子封止体の製造方法における各工程を示すフローチャートである。
【図４】一次溶接工程を説明するための概略図である。
【図５】二次溶接を行う前の振動子封止体をトレイ上への配置を説明するための概略図である。
【図６】封止チャンバ内の内圧制御の工程例を示すフローチャートである。
【図７】内圧とクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）との関係を示す図である。
【図８】封止チャンバ内の内圧制御の別の工程例を示すフローチャートである。
【図９】内圧とクリスタルインピーダンス値（ＣＩ値）との関係を示す図である。
【図１０】二次溶接工程を説明するための概略図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る振動子封止体の製造ための概略構成を説明するための図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る振動子封止体の製造ための概略構成を説明するための図である。
【図１３】未二次溶接の振動子封止体をトレイ上への別の配置を説明するための概略図である。
【図１４】従来技術の振動子デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図１５】従来技術の振動子デバイスの製造方法を説明するための図である。
【図１６】陽極接合の際の圧力範囲を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１０  振動子封止体
１１  振動子
１２  容器
１２ａ  側壁上面
１２ｂ  容器底面
１３  キャビティ
１４  支持台
１５  封止材
１６  蓋部
１７  貫通孔
１８  電子ビーム
１９  レーザービーム
２０  トレイ
２１  支持部
３０  支持部
４０  封止チャンバ
５０  検出部
６０  制御部
７０  粗引き用排気機構
７１  粗引き用ポンプ
７２  粗引き用バルブ
７３  本引き用ポンプ
７４  本引き用バルブ
８０  ガス供給部
８１  開閉バルブ
８２  流量制御バルブ
１００  パッケージ
１０２  容器
１０６  蓋体
１０８  電子ビーム
１１１  振動子
１３０  チャンバ
１４１  封止基板（シリコン）
１４２  支持基板（ガラス）
１５０  ホットステージ
１６０  電源
【図１】
2008057995.tif 000003
【図２】
2008057995.tif 000004
【図３】
2008057995.tif 000005
【図４】
2008057995.tif 000006
【図５】
2008057995.tif 000007
【図６】
2008057995.tif 000008
【図７】
2008057995.tif 000009
【図８】
2008057995.tif 000010
【図９】
2008057995.tif 000011
【図１０】
2008057995.tif 000012
【図１１】
2008057995.tif 000013
【図１２】
2008057995.tif 000014
【図１３】
2008057995.tif 000015
【図１４】
2008057995.tif 000016
【図１５】
2008057995.tif 000017
【図１６】
2008057995.tif 000018