(57)【要約】【課題】基板へのパターン形成にリソグラフィ装置を使用する際のコストを低減する。【解決手段】基板にパターンを投影する方法が提供される。この方法は、基板に投影されるべきパターンを選択するために、複数のパターンを有するマスクを回転することと、選択パターンに対応するパターンを放射ビーム断面に付与するために選択パターンを使用することと、パターンが付与されたビームを基板の目標部分に投影することと、を含む。【選択図】図４Ａ
2008060576.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にパターンを投影する方法であって、
基板に投影されるべきパターンを選択すべく複数のパターンを有するマスクを回転し、
選択パターンに対応するパターンを放射ビーム断面に与えるべく当該選択パターンを使用し、
パターンが付与された放射ビームを基板の目標部分に投影することを特徴とする方法。
【請求項２】
選択パターンに対応するパターンを投影ビームに付与するために使用される前記マスクを支持するマスク支持部に前記マスクをロードすることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マスク支持部に前記マスクをロードする前に前記マスクを回転することを含むことを特徴とする請求項２に記載に方法。
【請求項４】
選択パターンを変更するために、前記マスク支持部から前記マスクをアンロードし、前記マスク支持部に前記マスクを再度ロードする前に前記マスクを回転することをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
マスク保管部から前記マスクを取り出してマスク支持部にマスクをロードすることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記マスク保管部と前記マスク支持部との間で前記マスクをマスクキャリアで移送することを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記マスクを回転させるように前記マスクキャリアを回転させることを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記マスク保管部に前記マスクを搬入する前に前記マスクを回転することを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記マスクを自動的に回転することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ロボットハンドラを用いて前記マスクを回転することを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記マスクを手動で回転することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
放射ビーム断面にパターンを付与するパターニング用デバイスを支持する支持部と、
パターンが付与されたビームを基板の目標部分に投影する投影光学系と、
前記パターニング用デバイスを回転させる回転機構と、
を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記パターニング用デバイスの中心と前記投影光学系の結像フィールドの中心とは互いにオフセットを有することを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記回転機構は前記パターニング用デバイスを回転させるロボットハンドラを備えることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記回転機構は前記パターニング用デバイスを回転させる支持構造を備えることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
マスクの搬入または搬出のための複数のスロットを有する容器から形成されるマスクキャリア。
【請求項１７】
前記複数のスロットはそれぞれ前記容器の異なる側面に設けられていることを特徴とする請求項１６に記載のマスクキャリア。
【請求項１８】
前記容器は３つのスロットを備えることを特徴とする請求項１７に記載のマスクキャリア。
【請求項１９】
前記容器は４つのスロットを備えることを特徴とする請求項１８に記載のマスクキャリア。
【請求項２０】
２種よりも多くのパターンを備えるリソグラフィ用マスク。
【請求項２１】
４種のパターンを備えることを特徴とする請求項２０に記載のマスク。
【請求項２２】
前記パターンはそれぞれマスク中心からオフセットを有することを特徴とする請求項２０に記載のマスク。
【請求項２３】
前記パターンはそれぞれマスク中心を包囲して配置されていることを特徴とする請求項２０に記載のマスク。
【請求項２４】
各パターンは中心を有し、これらパターン中心に関して回転対称であることを特徴とする請求項２０に記載のマスク。
【請求項２５】
前記パターンはマスク中心を囲んで連鎖状に形成されていることを特徴とする請求項２０に記載のマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）の製造には通常リソグラフィが用いられる。ＩＣの個々の層に対応する回路パターンの生成にはパターニング用デバイス（これはマスクまたはレチクルとも称される）が使用される。このパターンは放射感応材料層（レジスト）を有する基板（例えばシリコンウエハ）上の（１つまたは複数のダイ、あるいはダイの一部分からなる）目標部分に結像される。一般に１枚の基板にはネットワーク状に隣接する複数の目標部分が含まれており、これらの目標部分は順次露光される。
【０００３】
通常、１枚の基板には多数の層が形成される。各層においては次の層が形成される前にパターンがその層に永久的に固定されるよう処理される。すべての層にパターン形成処理がなされると、基板は個々のＩＣへと切断され各ＩＣはボードまたは中間基板にマウントされる。各ボードにはＩＣとの電気接続のための足が複数設けられており、これによりＩＣとの電気信号の送受信が可能となる。次いでボード及びＩＣはプラスチックで被覆されプリント回路基板に取り付けられる。
【０００４】
ボードにＩＣを接続するには通常ワイヤ接続が用いられている。しかし、近年ではワイヤが接着されるべき位置間の間隔は次第に狭くなってきている。このためワイヤ接続はだんだん難しくなっている。そこで、ワイヤ接続に代わって、フリップチップ実装として知られている処理がボードとＩＣとの接続に使われるようになりつつある。フリップチップ実装においては、はんだ（または他の金属）が各ＩＣの特定位置に配置される。ＩＣは反転されてボードに接着される。ＩＣは、はんだを加熱して溶かし、その後冷やすことによりボードに接続される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
はんだバンプ配置パターンを基板に形成するのに例えばリソグラフィ装置が使われる。つまり、リソグラフィ装置はフリップチップ実装のためのバンプ処理装置でもある。バンプ配置パターンはリソグラフィマスクを用いて基板に形成される。しかし、マスクに要するコストは、特に多数のマスクを必要とする場合に大きくなりうる。マスクに関連する費用が大きくなれば、はんだバンプパターンの基板への形成にリソグラフィ装置を使用する際のコストも大きくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、基板にパターンを投影する方法が提供される。この方法は、
基板に投影されるべきパターンを選択すべく複数のパターンを有するマスクを回転することと、
選択パターンに対応するパターンを放射ビーム断面に与えるべく当該選択パターンを使用することと、
パターンが付与された放射ビームを基板の目標部分に投影することと、を含む。
【０００７】
本発明の更なる態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、
放射ビーム断面にパターンを付与するパターニング用デバイスを支持する支持部と、
パターンが付与されたビームを基板の目標部分に投影する投影光学系と、
パターニング用デバイスを回転させる回転機構と、を備える。
【０００８】
本発明の更なる態様によれば、マスクの搬出入のための複数のスロットを有する容器から形成されるマスクキャリアが提供される。
【０００９】
本発明の更なる態様によれば、２種よりも多くのパターンを備えるリソグラフィ用マスクが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置を模式的に示す図である。この装置は、以下の構成を備える。
【００１１】
放射ビームＰＢ（例えば紫外（ＵＶ）光または極紫外（ＥＵＶ）光）を供する照明系（照明器）ＩＬ。
【００１２】
パターニング用デバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、要素ＰＬに対してパターニング用デバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め手段ＰＭに接続されている第１の支持構造部（例えばマスクテーブル）ＭＴ。
【００１３】
基板（例えばレジストでコーティングされた基板）Ｗを支持するよう構成され、要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め手段ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウエハテーブル）ＷＴ。
【００１４】
パターニング用デバイスＭＡによりビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに結像する投影系（例えば屈折投影レンズ）ＰＬ。
【００１５】
図示されるように本装置は透過型（例えば透過型マスクを用いる）である。また、反射型（例えば上述のプログラマブルミラーアレイを用いる）の装置を代替的に用いてもよい。
【００１６】
照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合には、放射源と露光装置とは別体であってもよい。この場合、放射源は露光装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源ＳＯから照明器ＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは放射源が例えば水銀ランプである場合には、放射源は露光装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯと照明器ＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。
【００１７】
照明器ＩＬは放射ビームの角照度分布を調整するための調整手段ＡＭを備えてもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、照明器ＩＬの瞳面における照度分布の少なくとも半径方向外周部及び／または内周部での値（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて照明器ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００１８】
ビームＰＢは、支持構造部ＭＴに保持されているパターニング用デバイスＭＡに入射する。パターニング用デバイスＭＡを通過したビームＰＢは、更に投影系ＰＬを通過して基板Ｗの目標部分Ｃで合焦される。第２の位置決め手段ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計）により基板テーブルＷＴは正確に移動され、例えばビームＰＢの経路に対して異なる目標部分Ｃが順次位置決めされる。同様に、（マスクテーブルＭＴを動作させる）第１の位置決め手段ＰＭ及び（図１に明示されていない）もう１つの位置センサは、マスク保管部（例えばマスクライブラリ）からのマスクの機械的取付後または走査中に、ビームＰＢの経路に対してパターニング用デバイスＭＡを正確に位置決めするのに用いられる。パターニング用デバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニング用デバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされる。
【００１９】
パターニング用デバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニング用デバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィーの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように独立に傾斜されるというものがある。このようにして反射ビームにパターンが付与される。
【００２０】
基板Ｗへのパターン投影に続いて基板は処理される。この処理は通常トラックという露光されたレジストを現像する装置で行われる。なおトラックは露光前に基板にレジストを塗布する機能も備えてもよい。現像されたレジストは、（例えば適宜の半導体又は金属でパターン中の溝部を埋める等により）所望の電気特性を現像済の層にもたらすように処理される。多数の層がこのように処理されて集積回路（ＩＣ）が形成される。ここで「基板」という用語は多数の層が処理済みである基板も含むものとする。
【００２１】
基板上にＩＣが形成されると、その基板はパッケージングを行うファウンドリに送られる。このファウンドリには例えば、基板上のＩＣを個別的にパッケージ処理するのに使用される装置が設けられている。各ＩＣはボードに実装される。このボードはＩＣとの電気的接続用の「足」を有する。実装方法の一例は、ＩＣとの接続用のはんだバンプを用い、フリップチップ実装と呼ばれる処理を行うことである。
【００２２】
図２は、通常のフリップチップ実装用のバンプ処理の概要を説明するためのフローチャートである。フリップチップ処理の最初のステップは、基板上でのＩＣの配置を特定することである。次いでＩＣにはんだバンプが形成される。はんだバンプは、図１に模式的に示されるようなタイプの装置を用いてリソグラフィにより形成してもよい。所望のバンプ配置を有するパターンを持つマスクＭＡが準備される。このパターンは、基板上のレジスト厚層（つまり通常のリソグラフィで使用されるレジスト層よりも厚い）に結像される。そして基板はリソグラフィ装置から取り出され、処理装置へと移される。そしてバンプが形成されるべき位置に溝部が形成されるようレジストが現像処理される。さらに、レジストの溝部にはんだ等の材料が電気メッキされる。その後レジストは除去され、基板の上面から上方にバンプが突出することになる。
【００２３】
一般に、この場合のリソグラフィ装置の解像度は、バンプ配置の必要精度が通常１ミクロン程度であることから、低くてもよい。これは、高解像度のリソグラフィ装置により実現される数十ナノメートル程度の精度に比べて極めて低い精度である。なお、この記述は特定の解像度（あるいは解像度範囲）に限定することを意図したものではないものと理解されたい。
【００２４】
次の処理として、基板は個々のＩＣに切断される。この切断は、ＩＣ間に設けられスクライブラインとして知られている道筋に沿って行われる。
【００２５】
次にボードが所定ＩＣのバンプに接触される。ボード及びＩＣは、バンプが溶融してボードに接着され（かつ接着状態が継続され）るように加熱される。このようにしてＩＣ及びボード間に機械的及び電気的接続がもたらされる。この加熱は例えば炉を用いて行われる。この処理は、バンプを基板の下面に位置させ（かつボードをバンプの下側に位置させ）るように基板を反転させる処理を含んでもよい。
【００２６】
フリップチップ実装処理の最終ステップは、ＩＣ及びボード間の間隙（この間隙はバンプの高さにより規定されるものである）を接着剤または他の適切な材料によって埋めることである。この処理はアンダーフィルとして知られており、機械的強度の付与に加えて、湿気または周囲環境に起因する他の損傷要因からバンプを保護することができる。
【００２７】
図３は、はんだバンプ配置のパターンを基板（図３では図示せず）に投影するために使用されるマスクＭＡを示す図である。マスクＭＡには、基板に投影されるべきパターンを含むパターン領域１が形成されている。マスクＭＡは、リソグラフィ装置の投影光学系（図１のＰＬ）による投影領域外縁部２（例えば円周）内部をパターン領域１が実質的に占有するように位置決めされる。これにより、基板にパターンを露光するための放射を最大限に活用して基板にパターン全体を結像させることができる。
【００２８】
図３からわかることは、マスクＭＡのパターン領域１がマスクＭＡの中心に位置しているということである。また、パターン領域１がマスクＭＡ上で占める領域が、マスクＭＡ上の利用可能領域の４分の１よりも小さいということもわかる。高解像度のリソグラフィでは、マスクＭＡの大半が基板に露光されるべきパターン領域で占められている。このパターン領域により形成される像は、基板に投影される手前で（例えば４分の１または５分の１の倍率に）縮小される。これにより基板表面に高解像度のパターンを実現できる。ところが、フリップチップ実装のバンプ処理においては解像度が比較的低いので、縮小は必要ない。よって、パターン領域１の大きさは小さくても十分であり縮小は必要ない。つまり、マスクＭＡ上のパターン領域は基板表面に縮小なしで直接投影される。これが、パターン領域１をマスク上のごく小さな領域に形成することの理由である。
【００２９】
マスクＭＡの利用可能領域でのパターン領域１の占有率が小さいという事実は、以下のようないくつかの結果をもたらす。まず、マスクＭＡの表面の多くの部分が、基板へのパターン形成には使用されないという意味で、使われていないことになる。また、各マスクＭＡには１つしかパターン領域１がないので、多数のパターンが必要とされる場合には多数のマスクＭＡが必要とされることになる。
【００３０】
図４Ａは、４つのパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを備えるマスクＭＡの改良版を示す図である。パターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ基板に投影されるべき異なるパターンを有する。パターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、マスクＭＡ表面の大半にパターンが存在するように配列されている。複数のパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを単一のマスクＭＡに設けることにより、かつこれらパターン領域を密集して配置することにより、図３のマスクの不都合が解消される。例えば、マスクＭＡのほとんどの領域にパターンが形成されているので、不使用領域（パターンが設けられていない領域）が大きく低減される。また、１つのマスクに複数のパターンが設けられる。図４ＡのマスクＭＡによれば、複数の異なるパターンをより少ないマスクで実現できるので、コストを低減することができる。同様に、収納スペースも低減できる。複数のパターンを実現するために保管しておくべきマスクＭＡの枚数がより少なくて済むからである。さらに、図４Ａのマスクを使用することにより時間を節約することもできる。マスク保管部の異なるマスクと交換するのではなくマスクＭＡを回転させるだけで基板に付与すべきパターンを変更させられるからである。マスクの回転については以下に詳述する。
【００３１】
図４Ａからわかるように、図１の装置の投影光学系の投影領域外縁部２がマスクＭＡの中心Ｃには位置せずに、中心Ｃからオフセットを有するようにマスクＭＡは位置決めされている。具体的には、パターン領域のうち１つだけ（例えばパターン領域Ａ）が投影光学系の投影領域外縁部２の内部に位置決めされてそのパターンだけが基板に投影されるようにマスクＭＡは位置決めされている。同様に、パターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、ＤはそれぞれマスクＭＡの中心Ｃを囲んでオフセットを有して配置されている。
【００３２】
識別子３（例えばバーコード）がマスクＭＡの非パターン領域に設けられている。識別子３は例えばリソグラフィ装置により読み取られ、リソグラフィ装置はマスクＭＡがパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有することを判定する。一実施例では、すべてのパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対して１つの識別子が用いられてもよい。あるいは、パターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄそれぞれに対して別々の識別子が用いられてもよい。識別子３はパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの位置情報を与えるものであってもよいし、位置情報が設けられている場所へとリソグラフィ装置を導くものであってもよい。さらに、識別子３はパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに関する他の情報例えばパターン自体の性質に関する情報を含むものであるか、またはその場所へとリソグラフィ装置を導くものであってもよい。この場合、例えば、識別子は異なる種類のパターンそれぞれについて特有の識別子となる。
【００３３】
異なるパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを基板に投影するために、マスクＭＡは中心周りに回転される。例えば、図においては、マスクＭＡを反時計回りに９０度回転させた場合には、投影光学系の投影領域外縁部２にパターン領域Ｂが配置されて基板に投影される。図４Ｂには、反時計回りに９０度回転されたときの図４ＡのマスクＭＡが示されている。マスクＭＡを適切に回転させることにより、パターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのいずれであっても基板への投影のために選択可能であることが理解されよう。
【００３４】
マスクＭＡは、支持構造部ＭＴ（図１参照）上に配置されているときに回転されてもよい。しかし、このような回転は、通常のリソグラフィ装置では可能でないか、または実際的でない場合もある。よって、マスクＭＡはどこか他の場所で回転されてもよい。
【００３５】
図５は、マスクＭＡの使用中の配置位置の例を模式的に示す図である。複数のマスクＭＡがマスク保管部１０（例えばマスクライブラリ）に保持されている。適当なマスクＭＡがマスク保管部１０から取り出され、リソグラフィ装置１１（詳細は図１参照）へとロードされる。そのマスクＭＡが必要ではなくなると（例えば新たなマスクＭＡが必要とされると）、リソグラフィ装置１１で使用されていたマスクはリソグラフィ装置１１からアンロードされマスク保管部１０へと戻される。
【００３６】
所望のパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを選択するためにマスクＭＡを回転させる場所にはいろいろあり得るということが図５から理解されよう。例えば、マスクＭＡの回転は、マスク保管部１０へと搬入される前であってもよいし、マスク保管部１０に保管されている間であってもよいし、マスク保管部１０とリソグラフィ装置１１との間の移送中であってもよいし、リソグラフィ装置１１内にあるとき（これは例えば上述のように支持構造部ＭＴでマスクＭＡが回転されるということである）であってもよい。
【００３７】
マスク保管部１０からリソグラフィ装置１１への移送中にマスクＭＡを回転させることにより、マスク保管部１０及びリソグラフィ装置１１に変更を加える必要がない。つまりリソグラフィ装置１１及びマスク保管部１０として標準的な装置を用いることができる。
【００３８】
標準的なリソグラフィ装置においては、マスクＭＡはマスク保管部１０から搬出されてマスクキャリアに載置される。マスクはマスクキャリアに保持されてリソグラフィ装置１１へと搬送される。このようにしてマスクは搬出されて以降の露光に使用される。図６は、本発明の一実施形態に係るマスクキャリアＭＣであり、マスクの回転を容易にするように構成されている。マスクキャリアＭＣは標準的なマスクキャリアと類似している。標準的なマスクキャリアとしては例えば局所クリーン化技術ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）ポッドがある。標準的なマスクキャリアは、マスクキャリアからのマスクの搬出入用のスロットを側面に有する容器である。図６のマスクキャリアＭＣは、複数のスロット特に４つの側面それぞれにスロットを有するという点で標準的マスクキャリアとは異なる。マスクキャリアＭＣは複数のスロットＳを有しているので、マスクキャリアを回転させた上で、マスクキャリアのいずれの側面からでもマスクを引き出すことができる。これによりマスクＭＡを容易に回転させることができる。
【００３９】
図７Ａ乃至図７Ｅは、図６のマスクキャリアＭＣがどのようにマスク回転を容易にするかを示す図である。図７Ａにおいては、マスクＭＡがマスクキャリアＭＣへとスロットＳの１つ（図７Ａでは右側のスロット）を通じて投入される。マスクＭＡは図５のマスク保管部１０から例えば投入される。図７Ｂは、マスクＭＡがマスクキャリアＭＣ内部に搭載されている状態を示す。図７Ｃは、マスクキャリアＭＣの反時計回り９０度の回転を示す。マスクキャリアＭＣは例えばロボットハンドラにより回転される。このロボットハンドラは、マスクキャリアＭＣ及びマスクのリソグラフィ装置１１への移動にも使用されてもよい。また、マスクキャリアＭＣは他の適当な装置（例えば回転機構）により回転されてもよいし、あるいは、マスクキャリアを保持するユーザにより回転されてもよい。図７Ｄは、図７Ｂに示される方位に対して反時計回りに９０度回転された状態のマスクキャリアＭＣ及びマスクＭＡを示す。図７Ｅは、マスクＭＡがマスクキャリアＭＣからスロットＳの１つを通じて搬出されるところを示す図である。このとき、マスクＭＡは、マスクキャリアＭＣへと投入されるときに使われたスロットとは異なるスロットを通じて搬出される。その後、マスクＭＡは例えば図１に示される支持構造部ＭＴに配置されリソグラフィ装置１１にロードされる。
【００４０】
図７Ｅからわかるように、マスクキャリアには周囲にスロットが設けられているので、マスクＭＡを好きなだけ回転させて、基板に投影させるべきパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのうちいずれであっても選択することができる。マスクキャリアＭＣには複数のスロットが設けられており、いずれのスロットからでもマスクＭＡを取り出すことができる。このため、マスク保管部１０からマスクＭＡを搬出してリソグラフィ装置１１にロードする（あるいはその逆の）ロード／アンロード処理に変更が生じない。すなわち、マスクＭＡの回転は、リソグラフィ装置１１及びマスク保管部１０に使用されるローディング機構及びアンローディング機構に何ら影響を与えない。
【００４１】
特定のバンプ配置パターンを基板に投影するのにマスクＭＡが使用された後で別のパターンが必要とされた場合には、マスクがまた回転される（あるいは別のマスクに交換される）。マスクＭＡは支持構造部ＭＴから取り除かれた上で回転されて、支持構造部ＭＴに再び戻されてもよい。マスクＭＡの回転は、マスクＭＡが図７のマスクキャリアＭＣにあるときに実行されてもよい。
【００４２】
上述のマスクキャリアＭＣには４つの側面それぞれにスロットが設けられているが、これは必須ではない。マスクキャリアＭＣは、スロットを例えば２つの側面に有していてもよいし、３つの側面に有していてもよい。
【００４３】
マスクＭＡの回転はマスクキャリアＭＣによるものに限られず、いかなる形式によるものであってもよい。例えば、装置のユーザが手動でマスクＭＡを回転させてもよい。この場合、マスクＭＡがマスク保管部に特定の初期方位で搬入され、これによりマスクＭＡの特定のパターンＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのいずれかで基板が露光されるようにしてもよい。また、支持構造部ＭＴを回転可能にリソグラフィ装置が変更されてもよいし、あるいは、マスク保管部１０内部で容易にマスクを回転できるように構成してもよい。しかし、装置の製造コストを低減し、装置の動作を単純化するためには、リソグラフィ装置は実質的に標準的なもの（つまり変更のないもの）とするほうがよい。
【００４４】
上述のマスクＭＡには４つのパターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが形成されているが、マスクＭＡに設けられるパターン数はいくつであってもよいし、パターン配置もどのようなものであってもよい。例えば、マスクは、２つのパターンを有していてもよいし、３つのパターンを有していてもよいし、あるいはそれ以上のパターンを有していてもよい。一実施例では、パターン配列に対する唯一の制限は、基板に投影されるべきマスク上の位置に単一の（または実質的に単一の）パターンを回転により持ってくることができるようにすることである（例えば、投影光学系の投影領域外縁部２に所望のパターンを持ってくることができるようにすることである）。例えば、各パターンは中心を有し、マスクは、これらパターン中心に関して回転対称であってもよい。これは、マスクが所定量だけ回転されたときに回転後のパターン中心が回転前のパターン中心に位置合わせされるということである。図４Ａに示されるマスクは、９０度の回転に対して回転対称であり、回転前のパターン中心に回転後のパターン中心が一致する。
【００４５】
図４Ａでは、パターン領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは長方形である。パターン領域の配列は、マスクＭＡの中心を囲んで連鎖状に形成されている（すなわち１つの長方形の端部が他の長方形の端部に隣接する）。この配列は、パターン形状が（例えば長方形のように）横長または縦長である場合に有効である。ただし、横長／縦長形状が２つである場合はマスク上で端部と端部とを沿わせるようにはできない。パターンを連なり状に配列することにより、マスク上で無駄になるスペース（非パターン領域）を少なくして、マスク上により多くのパターンを設けることができる。上述の実施例以外にも同様の連なり状配列によりマスク上のパターン数を最大化するとともに無駄スペースを低減することは可能である。
【００４６】
上述の説明においてはバンプ処理は、はんだを用いる処理を一例として述べている。「はんだ」という用語は適切な金属または合金を含むことを意図しており、６３Ｓｎ／３７Ｐｂ共晶はんだ、高鉛はんだ、９５Ｐｂ５Ｓｎ、スズ、ＳｎＣｕＡｇ、ＳｎＡｇ３．５、ＳｎＣｕ、金、及び銅を含みこれらに限られない。他の適切な材料を使用することも可能であり、これらの材料は公知である。識別子３に含まれるデータまたは識別子３により導かれるデータは、所定のバッチ処理にどの材料を使用すべきかを示す情報を含んでもよい。
【００４７】
上述の説明はＩＣのフリップチップ実装についてなされているが、本発明は光集積回路システムや磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどのフリップチップ実装といった他の分野にも適用可能である。上述の説明ではＩＣを適用対象としているが、ＩＣであるか否かにかかわらず種々のデバイスに適用可能であるものと理解されたい。
【００４８】
本明細書で説明したマスク（つまり複数のパターンを有するマスク）及びマスクを使用する方法（つまりマスクの回転処理）は、フリップチップ実装処理には限られず、他のリソグラフィ装置及び方法においても使用可能である。例えば、本明細書に説明する方法及び装置は、単一のマスクに複数のパターンを用いるいかなるリソグラフィ装置及び方法にも適用可能である（例えば上述のように低解像度のリソグラフィに適用可能である）。
【００４９】
本発明は上述の実施例以外の実施例で実施することも可能である。また、発明の詳細な説明は本発明を限定することを意図していない。発明は特許請求の範囲の記載により特定されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】リソグラフィ装置を模式的に示す図である。
【図２】フリップチップ実装のバンプ処理のフローチャートである。
【図３】フリップチップ実装のバンプ処理に使われるマスクを示す図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係るフリップチップ実装のバンプ処理に使われるマスクを示す図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に係るフリップチップ実装のバンプ処理に使われるマスクを示す図である。
【図５】リソグラフィ装置内及び周囲におけるマスク位置の例を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るマスクキャリアを示す図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に係る動作原理を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態に係る動作原理を示す図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態に係る動作原理を示す図である。
【図７Ｄ】本発明の一実施形態に係る動作原理を示す図である。
【図７Ｅ】本発明の一実施形態に係る動作原理を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  パターン領域、  ２  投影領域外縁部、  １０  マスク保管部、  １１  リソグラフィ装置、  Ｃ  目標部分、  ＩＬ  照明光学系、  ＭＡ  マスク、  ＭＣ  マスクキャリア、  ＭＴ  支持構造部、  ＰＢ  放射ビーム、  ＰＤ  パターニング用デバイス、  ＰＬ  投影光学系、  Ｓ  スロット、  ＳＯ  放射源、  Ｗ  基板、  ＷＴ  基板テーブル。 
【図１】
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【図２】
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【図６】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図７Ａ】
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【図７Ｅ】
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【外国語明細書】
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