(57)【要約】【課題】熱源としてＬＥＤを用いて、大きな光パワーを得ることができるアニール装置およびアニール方法を提供すること。【解決手段】被処理体Ｗが収容される処理容器１と、被処理体Ｗに対して光を照射する複数のＬＥＤ素子３３を有する加熱源７ａ，７ｂと、複数のＬＥＤ素子３３に給電する給電部１０と、ＬＥＤ素子を冷却する冷却手段６ａ，６ｂ，２０と、処理容器１と加熱源７ａ，７ｂとの間に設けられた光透過部材５ａ，５ｂとを具備し、ＬＥＤ素子３３から射出される光を被処理体に照射して被処理体Ｗをアニールするアニール装置１００であって、ＬＥＤ素子３３はＧａＡｓ系材料で構成されており、冷却手段６ａ，６ｂ，２０によりＬＥＤ素子３３を冷却しつつ高電流駆動にてＬＥＤ素子３３から高光出力を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が収容される処理容器と、
被処理体に対して光を照射する複数のＬＥＤ素子を有する加熱源と、
前記複数のＬＥＤ素子に給電する給電部と、
ＬＥＤ素子を冷却する冷却手段と、
前記処理容器と前記加熱源との間に設けられた光透過部材と
を具備し、
前記ＬＥＤ素子から射出される光を被処理体に照射して被処理体をアニールするアニール装置であって、
前記ＬＥＤ素子はＧａＡｓ系材料で構成されており、前記冷却手段により前記ＬＥＤ素子を冷却しつつ高電流駆動にて前記ＬＥＤ素子から高光出力を得ることを特徴とするアニール装置。
【請求項２】
前記加熱源は、前記処理容器の両側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のアニール装置。
【請求項３】
前記冷却手段は、前記加熱源が収容されるハウジングと、前記ハウジング内に、絶縁性を有しＬＥＤ素子から射出される光を透過する冷却媒体を供給する冷却媒体供給機構とを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のアニール装置。
【請求項４】
前記冷却媒体は、フッ素系不活性液体であることを特徴とする請求項３に記載のアニール装置。
【請求項５】
前記冷却手段は前記ＬＥＤ素子を０℃以下に冷却し、前記給電部は前記ＬＥＤ素子に流す電流を１００ｍＡ以上とすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のアニール装置。
【請求項６】
処理容器に被処理体を収容させ、複数のＬＥＤ素子に給電して点灯させ、その光により被処理体をアニールするアニール方法であって、
ＬＥＤ素子をＧａＡｓ系材料で構成し、
該ＬＥＤ素子を冷却しつつ高電流駆動にて高光出力で前記ＬＥＤ素子から光を射出させることを特徴とするアニール方法。
【請求項７】
前記冷却は、絶縁性を有しＬＥＤ素子から射出される光を透過する冷却媒体をＬＥＤ素子に直接接触させることにより行われることを特徴とする請求項６に記載のアニール方法。
【請求項８】
前記冷却媒体は、フッ素系不活性液体であることを特徴とする請求項７に記載のアニール方法。
【請求項９】
前記ＬＥＤ素子を０℃以下に冷却し、前記ＬＥＤ素子に流す電流を１００ｍＡ以上とすることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載のアニール方法。
【請求項１０】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項６から請求項９のいずれかの方法が行われるようにコンピュータにアニール装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等に対してＬＥＤからの光を照射することによりアニールを行うアニール装置およびアニール方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下単にウエハと記す）に対して、成膜処理、酸化拡散処理、改質処理、アニール処理等の各種熱処理が存在するが、半導体デバイスの高速化、高集積化の要求にともない、特にイオンインプランテーション後のアニールは、拡散を最小限に抑えるために、より高速での昇降温が指向されている。このような高速昇降温が可能なアニール装置としてＬＥＤ（発光ダイオード）を熱源として用いたものが提案されている（例えば特許文献１）。ＬＥＤ加熱は、加熱源の黒体輻射ではなく、電子とホールの再結合による電磁輻射を利用しているため、ウエハ等の加熱には降温速度が速く最先端のプロセスへ適用できる可能性がある。
【０００３】
しかしながら、ＬＥＤ素子は一般的にエネルギー密度が低く、高速昇温するために必要な高パワーを得ることが困難である。特に、ウエハの表面部分のみ加熱する観点から紫外光〜青色光の短い波長の光を射出するＬＥＤ素子として多用されているＧａＮは、電流値が所定値以上になると光パワーが飽和する性質があり、原理的に大きな光パワーを取り出すことができない。
【特許文献１】特表２００５−５３６０４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、熱源としてＬＥＤを用いて、大きな光パワーを得ることができるアニール装置およびアニール方法を提供することを目的とする。
また、上記アニール方法を実行するためのコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、被処理体が収容される処理容器と、被処理体に対して光を照射する複数のＬＥＤ素子を有する加熱源と、前記複数のＬＥＤ素子に給電する給電部と、ＬＥＤ素子を冷却する冷却手段と、前記処理容器と前記加熱源との間に設けられた光透過部材とを具備し、前記ＬＥＤ素子から射出される光を被処理体に照射して被処理体をアニールするアニール装置であって、前記ＬＥＤ素子はＧａＡｓ系材料で構成されており、前記冷却手段により前記ＬＥＤ素子を冷却しつつ高電流駆動にて前記ＬＥＤ素子から高光出力を得ることを特徴とするアニール装置を提供する。
【０００６】
上記第１の観点において、前記加熱源は、前記処理容器の両側に設けられた構成とすることができる。また、前記冷却手段は、前記加熱源が収容されるハウジングと、前記ハウジング内に、絶縁性を有しＬＥＤ素子から射出される光を透過する冷却媒体を供給する冷却媒体供給機構とを有するものとすることができる。この場合に、冷却媒体としては、フッ素系不活性液体を用いることができる。さらに、前記冷却手段は前記ＬＥＤ素子を０℃以下に冷却し、前記給電部は前記ＬＥＤ素子に流す電流を１００ｍＡ以上とすることが好ましい。
【０００７】
本発明の第２の観点では、処理容器に被処理体を収容させ、複数のＬＥＤ素子に給電して点灯させ、その光により被処理体をアニールするアニール方法であって、ＬＥＤ素子をＧａＡｓ系材料で構成し、該ＬＥＤ素子を冷却しつつ高電流駆動にて高光出力で前記ＬＥＤ素子から光を射出させることを特徴とするアニール方法を提供する。
【０００８】
上記第２の観点において、前記冷却は、絶縁性を有しＬＥＤ素子から射出される光を透過する冷却媒体をＬＥＤ素子に直接接触させることにより行うことができる。この場合に、冷却媒体としては、フッ素系不活性液体を用いることができる。また、前記ＬＥＤ素子を０℃以下に冷却し、前記ＬＥＤ素子に流す電流を１００ｍＡ以上とすることが好ましい。
【０００９】
本発明の第３の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第２の観点の方法が行われるようにコンピュータにアニール装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、処理容器内に被処理体を収容させた状態で、加熱源を構成する複数のＬＥＤ素子から被処理体に光を照射して被処理体をアニールするにあたり、ＬＥＤ素子としてＧａＡｓ系材料を用いる。ＧａＡｓ系材料で構成されたＬＥＤ素子は、電流を増加させれば、結合層、量子井戸の容量の分は光出力を増加させることができ、光出力はほぼ電流に比例する。したがって、ＬＥＤ素子を冷却して、ＬＥＤ素子自体の発熱による発光量の低下を抑制するとともに、高電流駆動にて高光出力を得ることができる。また、ＧａＡｓで構成されたＬＥＤ素子は温度が低下するほど光出力が大きく増加するから、それによる光出力増加分も加わり、極めて大きな光出力を得ることができる。したがって、大きな光パワーで被処理体のアニールを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。ここでは、表面に不純物が注入されたウエハをアニールするためのアニール装置を例にとって説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るアニール装置の概略構成を示す断面図である。このアニール装置１００は、気密に構成され、ウエハＷが搬入されるチャンバー（処理容器）１を有している。
【００１２】
チャンバー１の底部からは支持柱２が立設しており支持柱２の上端から内側に延びるようにウエハＷを水平に支持する支持部材３が設けられている。チャンバー１の天壁および底壁のウエハＷに対応する部分には、それぞれ開口部１ａ，１ｂが形成されており、開口部１ａ，１ｂを覆うように光透過部材５ａ，５ｂが気密に取り付けられている。また、チャンバー１の側壁には、図示しない処理ガス供給機構から所定の処理ガスが導入される処理ガス導入口２２と図示しない排気装置が接続された排気口２３が設けられている。さらに、チャンバー１の側壁には、チャンバー１に対するウエハＷの搬入出を行うための搬入出口２４が設けられており、この搬入出口２４はゲートバルブ２５により開閉可能となっている。チャンバー１の内部には、支持部材３上に載置されたウエハＷの温度を測定するための温度センサー２６が設けられている。また、温度センサー２６はチャンバー１の外側の計測部２７に接続されており、この計測部２７から後述するプロセスコントローラ６０に温度検出信号が出力されるようになっている。
【００１３】
チャンバー１の天壁の上には、光透過部材５ａを囲繞するように第１ハウジング６ａが設けられており、またチャンバー１の底壁の下には光透過部材５ｂを囲繞するように第２ハウジング６ｂが設けられている。ハウジング６ａ，６ｂ内には、それぞれ複数のＬＥＤ素子を有する加熱源７ａ，７ｂが収容されている。
【００１４】
第１ハウジング６ａは、光透過部材５ａの周囲を保持する保持部材２８ａと、保持部材２８ａに密着するように設けられ冷却媒体を収容する空間３０ａを形成するとともに、その内部に冷却媒体が通流する冷却媒体通流路３１ａを有する銅製の放熱部材２９ａとを有している。放熱部材２９ａの下面には加熱源７ａが保持されている。
【００１５】
第２ハウジング６ｂは、光透過部材５ｂの周囲を保持する保持部材２８ｂと、保持部材２８ｂに密着するように設けられ冷却媒体を収容する空間３０ｂを形成するとともに、その内部に冷却媒体が通流する冷却媒体通流路３１ｂを有する銅製の放熱部材２９ｂとを有している。放熱部材２９ｂの上面には加熱源７ｂが保持されている。
【００１６】
加熱源７ａ，７ｂは、図２に拡大して示すように、絶縁性を有する高熱伝導性材料、典型的にはＡｌＮセラミックスからなる支持部材３２に多数のＬＥＤ素子３３が搭載された複数のＬＥＤアレイ３４からなり、これらＬＥＤアレイ３４が加熱源７ａでは放熱部材２９ａの下面に、加熱源７ｂでは放熱部材２９ｂの上面に配置されている。ＬＥＤアレイ３４の支持部材３２とＬＥＤ素子３３との間には電極３５が設けられており、この電極３５が放熱部材２９ａ，２９ｂの内部を通る給電部材３６に接続されている。また、一つのＬＥＤ素子３３と隣接するＬＥＤ素子３３の電極３５との間は接続ワイヤ３７にて接続されている。そして、給電部１０は給電線１０ａ，１０ｂを介して加熱源７ａ，７ｂの給電部材３６に接続され、給電部材３６を介して各ＬＥＤ素子３３に給電される。そして、ＬＥＤ素子３３に給電することによりＬＥＤ素子が発光し、その光によりウエハＷが表裏面から加熱され、アニール処理される。これらＬＥＤアレイ３４は、例えば六角形状をなし、例えば図３に示すように配置される。一つのＬＥＤアレイ３４には、例えば２０００〜５０００個程度のＬＥＤ素子３３が搭載される。ＬＥＤ素子３３はＧａＡｓ系材料、例えばＧａＡｓ、ＧａＡｓＡｌで構成される。
【００１７】
第１ハウジング６ａの側壁には、冷却媒体導入口１１ａおよび冷却媒体排出口１２ａが設けられており、第２ハウジング６ｂの側壁には、冷却媒体導入口１１ｂおよび冷却媒体排出口１２ｂが設けられている。そして、冷却媒体導入口１１ａ，１１ｂにはそれぞれ冷却媒体供給配管１３ａ，１３ｂが接続されており、冷却媒体排出口１２ａ，１２ｂには冷却媒体排出配管１４ａ，１４ｂが接続されている。冷却媒体供給配管１３ａ，１３ｂは冷却媒体供給機構２０に接続されており、この冷却媒体供給機構２０により冷却媒体供給配管１３ａ，１３ｂを介して第１および第２ハウジング６ａ，６ｂ内に液体状の冷却媒体２１が供給され、第１および第２ハウジング６ａ，６ｂ内が冷却媒体２１で充填される。また、第１および第２ハウジング６ａ，６ｂの冷却媒体２１は冷却媒体排出配管１４ａ，１４ｂを介して回収される。すなわち、冷却媒体２１は冷却媒体供給機構２０により循環されるようになっている。
【００１８】
冷却媒体２１としては、ＬＥＤ素子３３を十分に冷却可能な冷却能力を有し、絶縁性であり、ＬＥＤ素子から照射される光の波長に対して透過性を有する液体を用いる。また、ＬＥＤ素子３３から射出された光が全反射しないように、屈折率が１より大きくＬＥＤ素子を構成する材料であるＧａＡｓ系材料（ＧａＡｓの場合には屈折率３．６）よりも小さい値の物質を用いることが好ましい。効率の観点から、ＬＥＤ素子から照射される光の波長に対する透過率は９０％以上が好ましく、ＬＥＤ素子から照射される光に対して透明（透過率がほぼ１００％）であることがより好ましい。このような物質としては、フッ素系不活性液体（商品名フロリナート、ガルデン等）を挙げることができる。フロリナートの可視光透過率は図４に示すようにほぼ１００％であり、屈折率は約１．２５である。
【００１９】
この冷却媒体２１は、図１に示すように、第１および第２ハウジング６ａ，６ｂにおいて、加熱源７ａ，７ｂを構成するＬＥＤ素子３３に直接接触するようになっている。また、この冷却媒体２１は、第１ハウジング６ａにおける放熱部材２９ａの冷却媒体流路３１ａおよび第２ハウジング６ｂにおける放熱部材２９ｂの冷却媒体流路３１ｂにも供給され、ＬＥＤ素子３３は直接冷却媒体２１によって冷却される他、その熱が放熱部材２９ａ，２９ｂに放熱されることによっても冷却されるから、極めて効率的な冷却がなされる。ＬＥＤ素子３３の冷却温度は、０℃以下であることが好ましい。
【００２０】
なお、ＬＥＤ素子３３の発光面に直性冷却媒体２１が接触することから、冷却媒体２１中に僅かに溶解している気体（空気）が発光面において気泡となり、ＬＥＤ素子３３の発光効率を低下させるおそれがある。このため、冷却媒体２１は、予め脱気・脱泡処理を施してから使用に供されることが好ましい。この際の脱気・脱泡処理としては、冷却媒体２１の入った密閉容器を、単に、真空ポンプで真空引きするだけでよい。
【００２１】
ＬＥＤ素子３３は、上述したようにＧａＡｓ系材料で構成され、このような材料としては、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＡｌが例示される。これらの材料は、放射光の中心波長が９５０〜９７０ｎｍ程度の近赤外領域であり、その放射光帯域の幅は５０ｎｍ程度と狭い。アニール対象であるウエハＷはシリコン製であり、その放射（吸収）特性は図５に示すようなものであり、ＧａＡｓ系材料の放射波長である９５０〜９７０ｎｍ付近では放射率（吸収率）が０．６５程度であって、その値は温度によらずほぼ一定である。従来ＬＥＤ素子として多用されてきたＧａＮは、放射光の中心波長が３６０〜５２０ｎｍ程度の紫外〜青色領域であり、その放射波長におけるシリコンの放射率（吸収率）は０．６程度であり、ＧａＡｓ系材料から射出される光のほうが吸収性が高い。
【００２２】
また、ＧａＡｓ系材料で構成されたＬＥＤ素子は、ＧａＡｓを例にとると、電圧−電流特性は図６に示すようになり、順電圧の変化によって順電流が大きく変化する。従来のＧａＮは順電流の変化は、図７に示されており、その順電圧の変化による順電流の変化はＧａＡｓより小さいから、ＧａＡｓは電流制御の必要性が大きいこととなる。
【００２３】
図８は、ＬＥＤ素子としてＧａＡｓとＧａＮを用いた場合において電流−光出力の関係を比較して示す図である。この図に示すように、ＧａＮは定格電流（５０ｍＡ）の１．５倍程度から光出力が飽和するのに対し、ＧａＡｓでは定格電流（５０ｍＡ）を超えても電流に比例して光出力が増加することがわかる。つまり、ＧａＡｓで構成されたＬＥＤ素子は、電流を増加させれば、結合層、量子井戸の容量の分は光出力を増加させることができる。ただし、ＬＥＤ素子自体の発熱による発光量の低下が存在するため、室温では大きな光出力増加は得られない。しかし、上述したように冷却媒体２１で冷却することにより、大きな光出力を得ることができる。この場合に、発熱による発光量の低下を有効に抑制して十分な光出力を得るためには、冷却媒体による冷却温度は０℃以下であることが好ましい。また、ＧａＡｓのＬＥＤ素子にはパルスモードによる動作が規定されており、その場合の電流値は１Ａ（室温）であるから、このようにＬＥＤ素子３３を冷却媒体２１により冷却すれば、連続モードでも１Ａと定格の２０倍の電流を供給することが可能となり、２０倍の光出力を得ることができる。有効な光出力を得る観点からは、ＧａＡｓのＬＥＤ素子に供給する電流値は１００ｍＡ以上であることが好ましい。
【００２４】
図９は、ＬＥＤ素子としてＧａＡｓとＧａＮを用いた場合において温度−光出力の関係を比較して示す図である。この図に示すように、ＧａＮは温度によって光出力があまり変化しないのに対し、ＧａＡｓは温度が低下すると光出力が著しく増加し、−５０℃では室温のときの２倍程度になることがわかる。
【００２５】
すなわち、冷却媒体２１による冷却により、ＬＥＤ素子自体の発熱による発光量の低下を抑制しつつ高電流駆動が可能となり高光出力を得ることができることに加えて、素子の温度低下自体が直接光出力増加に寄与することから、これら２つの相乗効果により極めて大きな光出力を得ることができる。例えばＬＥＤ素子３３を−５０℃に冷却して１Ａの電流を流せば、室温において定格電流で光照射した場合に比べて、電流増加分で２０倍、温度による効果で２倍、合計４０倍の光出力を得ることができる。ＧａＮの場合には、電流値に対する光出力の増加が定格電流の１．５倍程度で飽和し、かつ温度の低下により光出力は増加しないから、冷却による光出力増加の効果はほとんどないのに対し、ＧａＡｓ系材料ではＬＥＤ素子を冷却して高電流駆動を行うことにより、光出力を飛躍的に高めることができる。
【００２６】
アニール装置１００の各構成部は、図１に示すように、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたプロセスコントローラ６０に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ６０には、工程管理者がアニール装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、アニール装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース６１が接続されている。さらに、プロセスコントローラ６０には、アニール装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ６０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてアニール装置１００の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピを格納することが可能な記憶部６２が接続されている。レシピはハードディスクや半導体メモリーに記憶されていてもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性の記憶媒体に収容された状態で記憶部６２の所定位置にセットするようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース６１からの指示等にて任意のレシピを記憶部６２から呼び出してプロセスコントローラ６０に実行させることで、プロセスコントローラ６０の制御下で、アニール装置１００での所望の処理が行われる。
【００２７】
次に、以上のようなアニール装置１００におけるアニール動作について説明する。
まず、ゲートバルブ２５を開にして搬入出口２４からウエハＷを搬入し、支持部材３上に載置する。その後、ゲートバルブ２５を閉じてチャンバー１内を密閉状態とし、排気口２３を介して図示しない排気装置によりチャンバー１内を排気するとともに、図示しない処理ガス供給機構から処理ガス導入口２２を介して所定の処理ガス、例えばアルゴンガスまたは窒素ガスをチャンバー１内に導入し、チャンバー１内の圧力を例えば１００〜１００００Ｐａの範囲内の所定の圧力に維持する。
【００２８】
この状態で、冷却媒体供給機構２０から、液体状の冷却媒体２１、例えばフッ素系不活性液体（商品名フロリナート、ガルデン等）をハウジング６ａ，６ｂに充填するとともに循環させ、ＬＥＤ素子３３を０℃以下の所定の温度、好ましくは−５０℃以下の温度に冷却する。
【００２９】
そして、給電部１０から加熱源７ａ，７ｂのＬＥＤ素子３３に所定の電流を供給してＬＥＤ素子３３を点灯させる。この際に、ＬＥＤ素子３３はＧａＡｓ系材料、例えばＧａＡｓ、ＧａＡｓＡｌで構成されており、これら材料は光出力がほぼ電流に比例するので、ＬＥＤ素子３３を冷却媒体２１により冷却して発熱による発光量の低下を抑制した状態で駆動電流を上昇させ、例えば１００ｍＡ以上とすることにより、大きな光出力を得ることができ、しかも、冷却による温度低下自体によっても光出力が上昇するので、著しく大きな光出力を得ることができる。したがって、ウエハＷを従来よりも高い５００℃／ｓｅｃ程度以上の加熱速度で急速加熱することができ、従来よりも高速加熱が要求されるアニールに対しても十分に適用可能となる。
【００３０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、被処理体であるウエハの両側にＬＥＤ素子を有する加熱源を設けた例について説明したが、いずれか一方に加熱源を設けたものであってもよい。また、ＬＥＤ素子を冷却媒体に直接浸漬させて冷却する例について示したが、これに限るものではない。被処理体についても、半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用ガラス基板などの他のものを対象にすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、不純物が注入された後のアニール処理等、急速加熱が必要な用途に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係るアニール装置の概略構成を示す断面図。
【図２】図１のアニール装置の加熱源を拡大して示す断面図。
【図３】図１のアニール装置の加熱源におけるＬＥＤアレイの配置状態を示す模式図。
【図４】図１のアニール装置において冷却媒体として用いられるフロリナートの透過率曲線を示すグラフ。
【図５】シリコンの放射（吸収）特性を示す図。
【図６】ＧａＡｓで構成されたＬＥＤ素子の、電圧−電流特性を示すグラフ。
【図７】ＧａＮで構成されたＬＥＤ素子の、電圧−電流特性を示すグラフ。
【図８】ＬＥＤ素子としてＧａＡｓとＧａＮを用いた場合において電流−光出力の関係を比較して示す図。
【図９】ＬＥＤ素子としてＧａＡｓとＧａＮを用いた場合において温度−光出力の関係を比較して示す図。
【符号の説明】
【００３３】
１；チャンバー
１ａ，１ｂ；開口部
２；支持柱
３；支持部材
５ａ，５ｂ；光透過部材
６ａ，６ｂ；ハウジング
７ａ，７ｂ；加熱源
１０；給電部
２０；冷媒供給機構
２１；冷却媒体
２２；処理ガス導入口
２３；排気口
２６；温度センサー
２９ａ，２９ｂ；放熱部材
３０ａ，３０ｂ；空間
３２；支持部材
３３；ＬＥＤ素子
３４；ＬＥＤアレイ
３５；電極
３６；給電部材
３７；接続ワイヤ
６０；プロセスコントローラ
６１；ユーザーインターフェース
６２；記憶部
１００；アニール装置
Ｗ…半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008060560.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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