(57)【要約】      （修正有）【課題】高品質なIII族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】III族窒化物単結晶からなり、２５．４ｍｍ以上の直径と１５０μｍ以上の厚みを有する基板の外形寸法の温度変化から算出された線膨張係数αと前記基板の格子定数の温度変化から算出された線膨張係数αＬとの差α―αＬをΔαとしたとき、Δα／αが０．１以下であり、主面と前記主面と最も平行度の高い格子面とのなす角度のばらつきが、前記基板の主面内で中心値±０．０３度以下とする。また、刃状成分をもつ転位の密度が２×１０６ｃｍ−２以下であり、電気的に活性な不純物の総量を１×１０１９ｃｍ−３以下とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物単結晶からなり、２５．４ｍｍ以上の直径と１５０μｍ以上の厚みを有する基板の外形寸法の温度変化から算出された線膨張係数αと前記基板の格子定数の温度変化から算出された線膨張係数αＬとの差α―αＬをΔαとしたとき、Δα／αが０．１以下であることを特徴とするIII族窒化物単結晶基板。
【請求項２】
前記基板は、主面と前記主面と最も平行度の高い格子面とのなす角度のばらつきが、前記基板の主面内で中心値±０．０３度以下であることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物単結晶基板。
【請求項３】
前記基板は、刃状成分をもつ転位の密度が２×１０６ｃｍ−２以下であることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物半導体基板。
【請求項４】
前記基板は、電気的に活性な不純物の総量が１×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III族窒化物半導体基板に関し、特に高品質なIII族窒化物半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＮ）等のＧａＮ系化合物半導体は、青色発光ダイオード(ＬＥＤ)やレーザーダイオ−ド（ＬＤ）用材料として、脚光を浴びている。さらに、ＧａＮ系化合物半導体は、耐熱性や耐環境性が良いという特徴を活かして、電子デバイス用素子への応用開発も始まっている。
【０００３】
現在広く実用化されているＧａＮ成長用の基板はサファイアであり、単結晶サファイア基板の上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）等でＧａＮをエピタキシャル成長させる方法が一般に用いられている。
【０００４】
しかしながら、サファイア基板は、ＧａＮと格子定数が異なるため、サファイア基板上に直接ＧａＮを成長させたのでは、単結晶膜を成長させることができない。
【０００５】
また、有機金属気相成長法は、高温でないと気相反応が起こらず、ＧａＮの単結晶がエピタキシャル成長した後、温度を下げると、サファイア基板とＧａＮの熱膨張係数の違いによってＧａＮに反りが生じる等の欠陥が生じる。
【０００６】
そこで従来の技術として、サファイア基板上に一旦低温でＡｌＮやＧａＮのバッファ層を成長させ、この低温成長バッファ層で格子の歪みを緩和させてからその上にＧａＮを成長させる方法が知られている。この低温成長窒化物層をバッファ層として用いることで、ＧａＮの単結晶エピタキシャル成長を可能にしている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
しかし、この方法では、サファイア基板とエピタキシャル成長させた結晶の格子のずれは如何ともし難く、上記の方法でエピタキシャル成長させたＧａＮは、無数の欠陥を有している。この欠陥は、ＧａＮ系ＬＤや高輝度ＬＥＤを製作する上で障害となることが予想される。
【０００８】
上記のような理由から、ＧａＮ自立基板の出現が切に望まれてきた。ＧａＮは、ＳｉやＧａＡｓのように融液から大型のインゴットを引き上げることが困難であるため、例えば超高温高圧法、フラックス法、ハイドライド気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ法）等の種々の方法が試みられている。
【０００９】
ＨＶＰＥ法によるＧａＮ基板は、この中でも最も開発が進んでいる。ＨＶＰＥ法によるＧａＮ基板は、徐々にではあるが市場への流通も始まっており、ＬＤ用途はもちろん、高輝度ＬＥＤ向けや電力変換素子としても大きな期待が寄せられている。
【特許文献１】特開２００３−３７２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
今後ますます高出力化が予想されるIII族窒化物半導体デバイスにおいては、転位密度はもちろん、空孔型欠陥濃度を抑制することが非常に重要と考えられる。空孔型欠陥は、酸素等の他の不純物との複合体を形成し、結晶の熱力学特性や光学特性に悪影響を及ぼすからである。
【００１１】
しかし、様々な結晶性向上技術によって高品質化が進んできたとはいえ、III族窒化物半導体の結晶品質はＳｉやＧａＡｓ等の従来の半導体に比べるとまだまだ雲泥の差がある。
【００１２】
空孔型欠陥濃度もまた、従来の高品質な半導体結晶に比べると非常に多いと考えられる。空孔は、ある熱平衡濃度で結晶中に存在しており、特に、温度上昇の大きい高出力デバイスでは、従来のデバイスに比べて濃度増加が大きいことが懸念される。
【００１３】
空孔型欠陥濃度を減らすためには、結晶の成長方法や条件によってそれがどのように変化するのかを迅速に測定する必要がある。結晶中の空孔型欠陥濃度を見積もる方法としては、陽電子消滅法が知られている。
【００１４】
陽電子消滅法は、結晶中に陽電子を打ち込んだとき、空孔の位置では電子の存在確率が、正常な部分に比べて小さいため、陽電子の寿命が長くなる。陽電子消滅法は、これを利用して空孔型欠陥濃度を見積もることができる。
【００１５】
しかしながら、陽電子消滅法を行うための陽電子消滅実験には、特殊な装置を用いる必要があり、どこでもできる評価手法ではない。また、陽電子消滅法は、間接的な測定であり、測定精度も必ずしも充分とはいえない。
【００１６】
さらに、陽電子消滅法は、極めて局所的な評価であるため、実際の結晶成長に用いられるような、大きな面積にわたって評価することは困難であり、従って、空孔型欠陥濃度の減少を主眼においた検討はこれまで殆ど行われたことが無かった。
【００１７】
従って、本発明の目的は、上記の問題を解決し、高品質なIII族窒化物半導体基板を提供することにある。
【００１８】
また、本発明のIII族窒化物半導体基板を用いてＬＥＤ素子を形成した場合に、素子寿命の信頼性を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は上記目的を達成するため、III族窒化物単結晶からなり、２５．４ｍｍ以上の直径と１５０μｍ以上の厚みを有する基板の外形寸法の温度変化から算出された線膨張係数αと前記基板の格子定数の温度変化から算出された線膨張係数αＬとの差α―αＬをΔαとしたとき、Δα／αが０．１以下であることを特徴とするIII族窒化物単結晶基板を提供する。
【００２０】
本発明の特徴は、III族窒化物単結晶基板において、主面と前記主面と最も平行度の高い格子面とのなす角度のばらつきが、基板の主面内で中心値±０．０３度以下で、刃状成分をもつ転位の密度が２×１０６ｃｍ−２以下であり、電気的に活性な不純物の総量が１×１０１９ｃｍ−３以下の条件を満たす場合に、温度上昇に伴う空孔型欠陥濃度の増大を抑えることを見い出した点にある。空孔型欠陥濃度の増加は、試料の外形寸法すなわち試料サイズの温度変化から算出された線膨張係数αと、格子定数の温度変化から算出された線膨張係数αＬとの差Δαを指標として大面積にわたって簡便に評価することができる。
【００２１】
本発明によれば、Δαの小さい、すなわち温度上昇による空孔型欠陥濃度の増加が小さく、高温動作特性の優れたデバイスを作製可能なIII族窒化物半導体基板が提供される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、高品質なIII族窒化物半導体基板を提供することが可能になる。また、本発明のIII族窒化物半導体基板を用いてＬＥＤ素子を形成すると、素子寿命の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明のIII族窒化物半導体基板の実施の形態を図面を参考にして詳細に説明する。なお、図４から図７については、各結晶の大きさが極端に違うので、実際のサイズと異なる概略図としている。
【００２４】
［第１の実施の形態］
（空孔型欠陥濃度の評価とΔα／αについて）
図１は、Δα／αのＣ軸方位分布依存性の調査結果を示す図であり、図２は、Δα／αの刃状成分を持つ転位密度に対する依存性の調査結果を示す図であり、図３は、Δα／αの不純物添加量（Ｓｉ）に対する依存性の調査結果の図である。
【００２５】
上記したように、空孔型欠陥濃度を測定する方法として、陽電子消滅法がある。しかし、陽電子消滅法を行うための陽電子消滅実験には、特殊な装置を用いる必要があり、簡便に空孔型欠陥濃度を評価することができない。
【００２６】
そこで、試料サイズの温度変化から算出された線膨張係数αと、格子定数の温度変化から算出された線膨張係数αＬとの差Δα（＝α―αＬ）を指標として大面積にわたって簡便に評価する方法について以下に説明する。
【００２７】
一般に、物質の熱膨張は、格子間距離の増大と、空孔の熱平衡濃度の増加によって引き起こされる。試料サイズの温度変化から得られた線膨張係数αは、それらの両方の情報を含んでいると考えられる。線膨張係数αは、ＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｉｓｙｓ）法やレーザ干渉法によって試料サイズの温度変化を直接測定することによって得られる。
【００２８】
ＴＭＡ法は、石英ガラス等の参照試料と被測定試料との熱膨張の差を差動トランスによって検出する方法である。
【００２９】
一方、Ｘ線回折や電子線回折によって格子定数の温度変化から線膨張係数αＬを見積もった場合、空孔型欠陥濃度の増加の情報は含まれない。従って、αとαＬとの差Δα＝α−αＬをとることによって、空孔型欠陥濃度の増加の影響を抽出することができる。
【００３０】
大型結晶が存在しなかったIII族窒化物半導体では、αＬの高精度な測定が難しく、これまでαＬを測定することは困難であった。つまり、空孔型欠陥濃度の指標は無いに等しく、従ってその改善検討も困難であった。
【００３１】
しかし近年、直径５０．８ｍｍ（２インチ）以上の面積を有する大型ＧａＮ結晶がＨＶＰＥ法によって作製できるようになってきた。そこで、発明者らはいち早くαＬの測定とΔαの効率の良い低減検討に取り組んだ。鋭意検討の結果、その物理的なメカニズムの解明は必ずしも充分ではないものの、次のような方策が有効であることを見出した。
【００３２】
（１）マクロな応力の低減
一般に、ＨＶＰＥ法によって作製されたＧａＮ基板は、Ｇａ極性面を内側にした反りを有する。これは、成長初期過程における結晶粒界密度の変化に起因する内部応力によるものと考えられている。
【００３３】
図１は、Δα／αをＧａＮ基板の反りの曲率半径、すなわち、以下に説明する基板の主面と、主面と最も平行度の高い格子面とのなす角度のばらつき（方位分布）に対してプロットしたものである。なお、刃状成分をもつ転位の密度を２×１０６ｃｍ−２、電気的に活性な不純物の総量を１×１０１９ｃｍ−３と一定にした。反りを低減し、内部応力を小さくすることによって、Δα／αが低減する傾向が見られた。
【００３４】
通常、ＧａＮ基板は、その両面を研磨して用いる。その際、外形は平坦化するが、格子面の反りが戻るわけではないので、ＧａＮ基板の主面と格子面とのなす角度は、ＧａＮ基板の面内位置によって変化する。研磨前の反りが小さいほど、この角度変化は小さい。反り(内部応力)を低減し、研磨後のＧａＮ基板の主面と、主面と最も平行度の高い格子面とのなす角のばらつきが、ＧａＮ基板面内換算で中心値±０．０３度以下にすることによって、Δα／αは、顕著に低減される。
【００３５】
（２）ミクロな応力の低減
上記の「マクロな応力」のほかにも、空孔発生に寄与すると考えられる応力の原因が、存在する。それは、刃状成分をもつ転位の存在である。刃状転位の周辺には、転位芯からの距離に反比例する応力場が存在し、これが空孔型欠陥濃度の増加に寄与していると考えられる。
【００３６】
図２は、Δα／αを刃状成分をもつ転位の密度に対してプロットしたものである。なお、方位分布をＧａＮ基板面内換算で中心値±０．０３度、電気的に活性な不純物の総量を１×１０１９ｃｍ−３と一定にした。Δα／αは、当該の転位密度が小さいほど低減し、転位密度２×１０６ｃｍ−２以下のときに顕著な効果が得られることがわかった。
【００３７】
（３）電気的に活性な不純物総量の抑制
ＧａＮ基板は、充分な導電性を確保するために、通常はｎ型の不純物を添加する。不純物は、Ｓｉ、ＧｅおよびＯが代表的である。ＧａＮ基板は、これら電気的に活性な不純物を添加されると、電荷の中性条件の要請から空孔の形成エネルギーが低下し、小さなエネルギーでも空孔が形成されるようになるため、空孔が発生しやすくなることが知られている。
【００３８】
図３は、Δα／αをＳｉ添加量に対してプロットしたものである。なお、方位分布をＧａＮ基板面内換算で中心値±０．０３度、刃状成分をもつ転位の密度を２×１０６ｃｍ−２と一定にした。Δα／αはＳｉ濃度とともに増大し、Δα／αの増加を抑制するためにはＳｉ濃度を１×１０１９ｃｍ−３以下に抑えることが有効であることがわかった。
【００３９】
図４は、比較例に係るＧａＮ基板の製造方法の説明図である。
【００４０】
ＧａＮ薄膜２は、直径２インチのＣ面サファイア基板１上に有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法によって、厚さ３μｍまでエピタキシャル成長した後、サファイア基板１と共にハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）炉にセットされ、ＧａＣｌとＮＨ３とを原料として厚さ６００μｍのＧａＮ厚膜３となるまでエピタキシャル成長する。成長温度は１０７３℃、成長圧力は９７ｋＰａとした。原料ガスは、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスを０．６μｍｏｌ／ｍｉｎの割合で添加し、Ｓｉドープの結晶とした。
【００４１】
サファイア基板１上にエピタキシャル成長したＧａＮ厚膜３は、レーザ剥離法を用いてサファイア基板１が除去され、両面が研磨されることによって直径２インチ、厚さ４３０μｍの第１のＧａＮ基板としてのＧａＮ自立基板４になる。
【００４２】
このＧａＮ自立基板４のＣ軸の面内ばらつきは、Ｘ線回折法によって調べたところ、中心値に対して±０．１８度と大きかった。
【００４３】
また、ＳＩＭＳ分析によって測定した結晶中のＳｉ濃度は、１．５×１０１９ｃｍ−３であった。
【００４４】
さらに、（１０−１０）Ｘ線ロッキングカーブ半値幅から見積もった、刃状成分をもつ転位の密度は、１×１０７ｃｍ−２であった。
【００４５】
一方、ＴＭＡ法とＸ線回折法による線膨張係数測定の結果、このＧａＮ自立基板４のΔα／αの値は、およそ０．１５と見積もられた。
【００４６】
図５は、図４で説明したＧａＮ基板の製造方法に基づいて作製された自立基板４を用いて作製されたＬＥＤ素子を示す図である。
【００４７】
ＧａＮ自立基板４は、ＧａＮ基板１０として再びＭＯＶＰＥ炉にセットされ、厚みが４μｍのｎ型ＧａＮ層１１と、厚みが４０ｎｍのｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層１２と、厚みが１３ｎｍ（ｗｅｌｌ層３ｎｍ  ｂａｒｒｉｅｒ層１０ｎｍ）のＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ／ＧａＮ−３−ＭＱＷ活性層１３と、厚さ４０ｎｍのｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層１４と、厚みが５００ｎｍのｐ型ＧａＮ層１５とをＭＯＶＰＥ法を用いて順次エピタキシャル成長した。
【００４８】
このエピタキシャル成長したエピウェハは、０．３ｍｍ角の大きさに切り出され、上下面に上部電極１６、下部電極１７が形成され、０．３ｍｍ角の大きさに切り出されたチップは、銀ペーストを用いてステムに接着され、ワイヤーボンディング、樹脂封入されてＬＥＤ素子になる。
【００４９】
このＬＥＤ素子は、１００ｍＡ通電時における信頼性試験の結果、素子寿命は、およそ４０００時間程度と見積もられた。このＬＥＤ素子は、高電流動作時における温度上昇に伴う空孔の発生が多く、熱伝導率の低下や光吸収係数の増大が起こったことが、短寿命の原因と推定される。
【００５０】
図６は、本発明の第１の実施の形態に係るＧａＮ基板の製造方法の説明図である。
【００５１】
本発明のＧａＮ基板の製造方法で用いる種結晶としてのＧａＮ基板については図４に示すように直径２インチのＣ面サファイア基板１上に有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法によって、厚さ３μｍまでエピタキシャル成長した後、サファイア基板１と共にハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）炉にセットされ、ＧａＣｌとＮＨ３とを原料として厚さ６００μｍのＧａＮ厚膜３となるまでエピタキシャル成長する。成長温度は１０７３℃、成長圧力は９７ｋＰａとした。原料ガスは、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスを０．６μｍｏｌ／ｍｉｎの割合で添加し、Ｓｉドープの結晶とした。ここまでは、上記の比較例のＧａＮ基板の製造方法と同じ工程で作製される。
【００５２】
次にサファイア基板１上にエピタキシャル成長したＧａＮ厚膜３は、レーザ剥離法を用いてサファイア基板１を除去され、両面を研磨されることによって直径５０．８ｍｍ、厚さ２００μｍのＧａＮ基板となる。このＧａＮ基板を種結晶としてのＧａＮ基板５として用いる。
【００５３】
このＧａＮ基板５は、再びＨＶＰＥ炉にセットされ、厚さが３０ｍｍになるまで、さらにエピタキシャル成長を続けた。得られた単結晶のＧａＮインゴット６は、スライスされることによって、スライスＧａＮインゴット７になり、スライスＧａＮインゴット７は、新たに直径２インチ、厚さ４３０μｍの第２のＧａＮ基板としてのＧａＮ自立基板８となる。
【００５４】
インゴット先端部付近からスライスされたＧａＮ自立基板８は、面内ばらつきをＸ線回折法によって調べたところ、中心値に対して±０．０１度と非常に小さかった。
【００５５】
また、ＳＩＭＳ分析によって測定した結晶中のＳｉ濃度は、１．０×１０１８ｃｍ−３であった。
【００５６】
さらに、（１０−１０）Ｘ線ロッキングカーブ半値幅から見積もった、刃状成分をもつ転位の密度は、１×１０５ｃｍ−２であった。
【００５７】
一方、ＴＭＡ法とＸ線回折法による線膨張係数測定の結果、このＧａＮ自立基板７のΔα／αの値は、０．０１(測定下限値)以下と見積もられた。
【００５８】
図７は、本発明の第１の実施の形態に係るＬＥＤ素子構造の模式図であり、ＧａＮ自立基板８を用いて、ＬＥＤ素子を作製した場合について説明する。
【００５９】
図５で示したＬＥＤ素子と同じ構造の素子を作製するため、ＧａＮ自立基板８は、ＧａＮ基板１８として再びＭＯＶＰＥ炉にセットされ、厚みが４μｍのｎ型ＧａＮ層１１と、厚みが４０ｎｍのｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層１２と、厚みが１３ｎｍ（ｗｅｌｌ層３ｎｍ  ｂａｒｒｉｅｒ層１０ｎｍ）のＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ／ＧａＮ−３−ＭＱＷ活性層１３と、厚さ４０ｎｍのｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層１４と、厚みが５００ｎｍのｐ型ＧａＮ層１５とをＭＯＶＰＥ法を用いて順次エピタキシャル成長した。なお、図５と同一の構造を有する部分については、同一の符号を使用した。
【００６０】
このエピタキシャル成長したエピウェハは、０．３ｍｍ角の大きさに切り出され、上下面に上部電極１６、下部電極１７を形成される。０．３ｍｍ角の大きさに切り出されたチップは、銀ペーストを用いてステムに接着され、ワイヤーボンディング、樹脂封入されてＬＥＤ素子になる。
【００６１】
このＬＥＤ素子は、１００ｍＡ通電時における信頼性試験の結果、素子寿命は、およそ１１０００時間と見積もられた。このＬＥＤ素子は、高電流動作時における温度上昇に伴う空孔の発生が少なく、熱伝導率や光吸収係数の劣化が小さかったことが長寿命化に寄与したものと考えられる。
【００６２】
（第１の実施の形態の効果）
上記した第１の実施の形態によれば、基板の主面内で中心値が±０．０３度以下であり、転位の密度が２×１０６ｃｍ−２以下であり、不純物の総量が１×１０１９ｃｍ−３以下とした結果、高温でも空孔型欠陥濃度の増大が小さい、高品質なＧａＮ自立基板が提供される。それを用いてＬＥＤ、ＬＤ等、特に大電流駆動を行う窒化物半導体装置は、動作効率や素子寿命の顕著な向上を図ることができる。
【００６３】
［第２の実施の形態］
図８は、本発明の第２の実施の形態に係るＬＥＤ素子寿命のΔα／αに対する依存性の調査結果を示す図である。
【００６４】
図６に示す、第１の実施の形態で得られた実施例におけるＧａＮ自立基板８は、ＧａＮインゴット６からのスライスされた位置によってそれぞれ異なるΔα／αの値をもっていた。図８は、それらを用いて第１の実施の形態と同様の素子構造を作製し、信頼性試験を行った調査結果であり、ＬＥＤ素子の信頼性は、Δα／αが小さいほど向上し、Δα／αが、おおむね０．１以下において、実用寿命といわれる１００００時間をクリアしていることが判ったので、実用性の高い高品質な複数のＧａＮ自立基板８が得られたことになる。
【００６５】
(他の応用例、変形例)
上記の実施の形態においてはＬＥＤ素子の場合のみ記したが、これに限定されず、これ以外にもＬＤや電力変換素子等、高出力動作が必要な素子に対しても同様に大きな効果を発揮する。また、ＨＶＰＥ法で作製したＧａＮ自立基板８に関してのみ述べたが、これに限定されず、フラックス法やアンモノサーマル法などのほかの方法を用いることも考えられる。
【００６６】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】Δα／αのＣ軸方位分布依存性の調査結果を示す図である。
【図２】Δα／αの刃状成分を持つ転位密度に対する依存性の調査結果を示す図である。
【図３】Δα／αの不純物添加量（Ｓｉ）に対する依存性の調査結果の図である。
【図４】比較例に係るＧａＮ基板の製造方法の説明図である。
【図５】図４で説明したＧａＮ基板の製造方法に基づいて作製された自立基板４を用いて作製されたＬＥＤ素子を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るＧａＮ基板の製造方法の説明図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るＬＥＤ素子構造の模式図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係るＬＥＤ素子寿命のΔα／αに対する依存性の調査結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１・・・サファイア基板、２・・・ＧａＮ薄膜、３・・・ＧａＮ厚膜、４・・・ＧａＮ自立基板、５・・・ＧａＮ基板、６・・・ＧａＮインゴット、７・・・スライスＧａＮインゴット、８・・・ＧａＮ自立基板、１０・・・ＧａＮ基板、１１・・・ｎ型ＧａＮ層、１２・・・ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層、１３・・・Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ／ＧａＮ−３−ＭＱＷ活性層、１４・・・ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層、１５・・・ｐ型ＧａＮ層、１６・・・上部電極、１７・・・下部電極、１８・・・ＧａＮ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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