(57)【要約】【課題】ノイズの低減及び書き込み性の向上を両立することができる垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置を提供する。【解決手段】多結晶強磁性層５としてＦｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉを含む結晶化した強磁性層が形成されている。多結晶強磁性層５の厚さは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍとすることが好ましく、１ｎｍ〜５ｎｍとすることがより好ましい。スペーサ層３の厚さは、アモルファス強磁性層２からなる下層と、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５からなる上層との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ（例えば０．３ｎｍ〜３ｎｍ）となっている。つまり、下層及び上層の磁化の方向が互いに反対向きとなっており、下層と上層との間に反強磁性的な結合が現れている。軟磁性裏打ち層１１上に中間層６が直接形成されている。中間層６の厚さは１０ｎｍ〜２０ｎｍである。中間層６として、結晶構造が六方稠密構造のＲｕ層が形成されている。【選択図】図１
2008108357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された記録層と、
を有し、
前記軟磁性裏打ち層は、
アモルファス状の第１の強磁性層と、
前記第１の強磁性層の上方に形成されたアモルファス状の第２の強磁性層と、
前記第２の強磁性層と前記中間層との間に形成された多結晶状の第３の強磁性層と、
を有し、
前記第１の強磁性層と、前記第２の強磁性層及び第３の強磁性層からなる構造体と、の間で、磁化の向きが互いに反平行になっていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に形成された非磁性金属層を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記中間層は、非磁性で結晶構造が六方稠密構造の金属からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第１の強磁性層の磁化をＭｓ1、厚さをｔ1とし、
前記第２の強磁性層の磁化をＭｓ2、厚さをｔ2とし、
前記第３の強磁性層の磁化をＭｓ3、厚さをｔ3としたとき、
Ｍｓ1×ｔ1＝Ｍｓ2×ｔ2＋Ｍｓ3×ｔ3の関係が成立することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第３の強磁性層の厚さは、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
軟磁性裏打ち層を形成する工程と、
前記軟磁性裏打ち層上に中間層を形成する工程と、
前記中間層上に記録層を形成する工程と、
を有し、
前記軟磁性裏打ち層を形成する工程は、
アモルファス状の第１の強磁性層を形成する工程と、
前記第１の強磁性層の上方にアモルファス状の第２の強磁性層を形成する工程と、
前記第２の強磁性層上に多結晶状の第３の強磁性層を形成する工程と、
を有し、
前記第１の強磁性層と、前記第２の強磁性層及び第３の強磁性層からなる構造体と、の間で、磁化の向きを互いに反平行にすることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記中間層として、結晶構造が六方稠密構造の非磁性金属層を形成することを特徴とする請求項６に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記第１の強磁性層の磁化をＭｓ1、厚さをｔ1とし、
前記第２の強磁性層の磁化をＭｓ2、厚さをｔ2とし、
前記第３の強磁性層の磁化をＭｓ3、厚さをｔ3としたとき、
Ｍｓ1×ｔ1＝Ｍｓ2×ｔ2＋Ｍｓ3×ｔ3の関係を成立させることを特徴とする請求項６又は７に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記第３の強磁性層の厚さを、２０ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドと、
を有することを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ等に使用される垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、パーソナルコンピュータ及びゲーム機等の記録媒体として、ハードディスク等の磁気記録媒体が多用されている。また、磁気記録媒体の高密度化も進められており、垂直磁気記録媒体に関する研究が行われている。
【０００３】
垂直磁気記録媒体の開発においては、ノイズの低減及び書き込み性（Writability）の向上が重要である。ここで、書き込み性とは、データの書き換えをどれだけ正確に行うことができるかを示す指標である。そして、ノイズの低減を目的とした技術が、特許文献１及び２等に開示されている。この技術では、軟磁性裏打ち層として、２層の強磁性層の間に非磁性金属層を挟みこみ、２層の強磁性層の磁化の方向を互いに反対向きとしている。このような軟磁性裏打ち層の構造は、ＡＰＳ−ＳＵＬ（anti-parallel structure in soft under layer）ともよばれる。また、ＡＰＳ−ＳＵＬによれば、記録密度の向上も可能である。
【０００４】
一方、軟磁性裏打ち層の上には、Ｔａ等からなる分離層、Ｒｕ等からなる中間層及び記録層が形成されており、ノイズを低減するためには、中間層を厚くする必要がある。しかし、中間層を厚くすると、書き込み性が低下してしまう。上述のＡＰＳ−ＳＵＬを採用すればノイズを低減できるため、それまでの技術と比較すると、中間層を薄めにすることが可能であるが、それでもなお、ノイズの低減及び書き込み性の向上の両立が達成されているとはいえない。例えば、ＡＰＳ−ＳＵＬを採用することによって２５０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の高記録密度が得られる垂直磁気記録媒体でも、中間層の厚さを２０ｎｍ以上とする必要があり、これでは、十分な書き込み性を得ることは困難である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７９０４３号公報
【特許文献２】特開２００４−２７２９５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、ノイズの低減及び書き込み性の向上を両立することができる垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００８】
本発明に係る垂直磁気記録媒体には、軟磁性裏打ち層と、前記軟磁性裏打ち層上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された記録層と、が設けられている。前記軟磁性裏打ち層には、アモルファス状の第１の強磁性層と、前記第１の強磁性層の上方に形成されたアモルファス状の第２の強磁性層と、前記第２の強磁性層と前記中間層との間に形成された多結晶状の第３の強磁性層と、が設けられている。そして、前記第１の強磁性層と、前記第２の強磁性層及び第３の強磁性層からなる構造体と、の間で、磁化の向きが互いに反平行になっている。
【０００９】
本発明に係る磁気記録装置には、上述の垂直磁気記録媒体が設けられている。更に、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドが設けられている。
【００１０】
本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法では、軟磁性裏打ち層を形成し、その後、前記軟磁性裏打ち層上に中間層を形成する。次に、前記中間層上に記録層を形成する。前記軟磁性裏打ち層を形成する際には、アモルファス状の第１の強磁性層を形成し、その後、前記第１の強磁性層の上方にアモルファス状の第２の強磁性層を形成する。次いで、前記第２の強磁性層上に多結晶状の第３の強磁性層を形成する。前記第１の強磁性層と、前記第２の強磁性層及び第３の強磁性層からなる構造体と、の間で、磁化の向きを互いに反平行にする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、アモルファス状の第２の強磁性層と中間層との間に、多結晶状の第３の強磁性層が介在している。このため、中間層を厚く形成せずとも、ノイズを低減することができる。この結果、ノイズの低減及び書き込み性の向上を両立することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【００１３】
本実施形態では、図１に示すように、円板状の基板１上に、アモルファス強磁性層２、スペーサ層３、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５が積層されている。そして、アモルファス強磁性層２、スペーサ層３、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５から軟磁性裏打ち層１１が構成されている。
【００１４】
基板１としては、例えば、プラスチック基板、結晶化ガラス基板、強化ガラス基板、Ｓｉ基板、アルミニウム合金基板等が用いられる。
【００１５】
アモルファス強磁性層２及び４としては、Ｆｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉを含むアモルファス状態の強磁性層が形成されている。更に、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ及び／又はＴａが含まれていてもよい。これらの元素が含まれていると、Ｆｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉのみを含有する場合よりも、アモルファス強磁性層２及び４のアモルファス状態が安定したり、磁気特性が向上したりする。更に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｈｆ及び／又はＣが含まれていてもよい。特に、記録磁界の集中を考慮すると、飽和磁束密度Ｂｓが１．０Ｔ以上の軟磁性材料の層であることが好ましい。また、高転送レートでの書き込み性を考慮すると、高周波透磁率が高いことが好ましい。具体的には、例えば、ＦｅＣｏＢ層、ＦｅＳｉ層、ＦｅＡｌＳｉ層、ＦｅＴａＣ層、ＣｏＺｒＮｂ層、ＣｏＣｒＮｂ層、ＮｉＦｅＮｂ層等が挙げられる。アモルファス強磁性層２及び４は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜２ＰａのＡｒ雰囲気とする。また、アモルファス強磁性層２及び４の厚さは、例えば５ｎｍ〜２５ｎｍとする。
【００１６】
スペーサ層３としては、例えばＲｕ、Ｃｕ及び／又はＣｒ等を含む非磁性金属層が形成されている。更に、Ｒｈ及び／又はＲｅ等の希土類金属が含まれていてもよい。スペーサ層３は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜２ＰａのＡｒ雰囲気とする。
【００１７】
多結晶強磁性層５としては、例えばＦｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉを含む結晶化した強磁性層が形成されている。Ｃｒ及び／又はＢ等が含まれていてもよい。この強磁性層は、例えばテクスチャー構造を有している。また、多結晶強磁性層５は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜２ＰａのＡｒ雰囲気とする。また、多結晶強磁性層５の厚さは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍとすることが好ましく、１ｎｍ〜５ｎｍとすることがより好ましい。多結晶強磁性層５の厚さが１ｎｍ未満であると、後述の結晶配向を向上させるという作用等を得にくい。一方、多結晶強磁性層５が厚すぎると、書き込み性が低下する虞がある。
【００１８】
また、本実施形態では、スペーサ層３の厚さは、アモルファス強磁性層２からなる下層と、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５からなる上層との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ（例えば０．３ｎｍ〜３ｎｍ）となっている。つまり、下層及び上層の磁化の方向が互いに反対向きとなっており、下層と上層との間に反強磁性的な結合が現れている。また、アモルファス強磁性層２の飽和磁化をＭｓ2、厚さｔ2とし、アモルファス強磁性層４の飽和磁化をＭｓ4、厚さｔ4とし、多結晶強磁性層５の飽和磁化をＭｓ5、厚さｔ5とすると、「Ｍｓ2×ｔ2＝Ｍｓ4×厚さｔ4＋Ｍｓ5×ｔ5」の関係が成り立つ。従って、軟磁性裏打ち層１１の残留磁化はゼロである。
【００１９】
更に、本実施形態では、軟磁性裏打ち層１１上に中間層６が直接形成されている。中間層６の厚さは、例えば１０ｎｍ〜２０ｎｍ程度である。中間層６としては、例えば結晶構造が六方稠密構造（ｈｃｐ）のＲｕ層が形成されている。結晶構造がｈｃｐの、Ｒｕを主成分とするＲｕ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及び／又はＭｎ）の層が形成されていてもよい。中間層６は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜８ＰａのＡｒ雰囲気とする。また、中間層６の厚さは、例えば５ｎｍ〜２５ｎｍとすることが好ましい。中間層６の厚さが５ｎｍ未満であると、ノイズの低減が不十分となる虞がある。一方、中間層６の厚さが２５ｎｍを超えると、書き込み性が低下する虞がある。
【００２０】
中間層６上には、記録層７が形成されている。記録層７としては、例えばＣｏ及びＰｔを主成分とする強磁性層が形成されている。更に、Ｃｒ、Ｂ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＣｒＯ2、ＣｒＯ、Ｃｕ、Ｔｉ及び／又はＮｂ等が含まれていてもよい。具体的には、結晶粒界にＳｉＯ2粒子が分散したＣｏＣｒＰｔ層が用いられる。また、記録層７は、複数の層から構成されていてもよい。記録層７は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣ／ＲＦスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜６ＰａのＡｒ雰囲気とする。この場合、酸素を２％〜５％含有するガスを使用する。また、記録層７の厚さは、例えば８ｎｍ〜２０ｎｍとする。
【００２１】
そして、記録層７上に、保護層８が形成されている。保護層８としては、例えばアモルファスカーボン層、水素化カーボン層、窒化カーボン層又は酸化アルミニウム等が形成されている。保護層８は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜２ＰａのＡｒ雰囲気とする。また、保護層８の厚さは、例えば１ｎｍ〜５ｎｍとする。
【００２２】
このように構成された垂直磁気記録媒体に対しては、図２に示すような磁気ヘッドを用いて、データの書き込み（記録）及び読み出し（再生）が行われる。垂直磁気記録媒体用の磁気ヘッド２１には、書き込み用の主磁極２２、補助磁極２３及びコイル２４が設けられている。また、読み出し用の磁気抵抗効果素子２５及びシールド２６も設けられている。補助磁極２３は、磁気抵抗効果素子２５に対するシールドとしても機能する。そして、データの書き込み時には、コイル２４に電流が流され、主磁極２２及び補助磁極２３を経由する磁束２７が形成される。この時、主磁極２２から出た磁束２７は記録層７を貫通した後、軟磁性裏打ち層１１を経由した上で補助磁極２３に戻ってくる。従って、記録層７の磁化が記録ビット毎に、それに垂直な２方向のいずれか（上方向又は下方向）に磁束の向きに応じて変化する。
【００２３】
そして、本実施形態では、上述のように、上層に、アモルファス強磁性層４だけでなく多結晶強磁性層５が含まれている。多結晶強磁性層５は、中間層６と共に、記録層７を構成する結晶の配向を揃えることが可能である。従って、本実施形態では、中間層６が５ｎｍ〜２５ｎｍと薄いものの、記録層７を構成する結晶の配向が良好である。そして、中間層６が薄いために、良好な書き込み性（Writability）を得ることができる。また、中間層６の薄膜化により、記録層７を構成する結晶粒の微細化等の効果も得られる。
【００２４】
その一方で、本実施形態では、上述のように、軟磁性裏打ち層１１の構造をＡＰＳ−ＳＵＬ構造としている。従って、中間層６を薄くしてもノイズの影響は小さい。
【００２５】
このように、本実施形態によれば、多結晶強磁性層５が形成されているために書き込み性が良好となり、ＡＰＳ−ＳＵＬの採用によりノイズの低減が可能である。即ち、本実施形態によれば、書き込み性の向上及びノイズの低減の両立を実現することができる。
【００２６】
なお、円板状の基板１の代わりに、テープ状のフィルムを基体として用いてもよい。この場合、基体の材料としては、ポリエステル（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、耐熱性に優れたポリイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
【００２７】
次に、本願発明者が実際に行った実験の内容及び結果について説明する。
【００２８】
（第１の実験）
第１の実験では、４種類の試料を作製した。いずれの試料においても、ガラス基板上に、アモルファス強磁性層２として厚さが２５ｎｍで、磁化が１．７ＴのＦｅＣｏＢ層を形成し、スペーサ層３として厚さが０．４ｎｍのＲｕ層を形成し、アモルファス強磁性層４としてＦｅＣｏＢ層を形成し、多結晶強磁性層５としてＮｉＦｅ層を形成した。また、多結晶強磁性層５の上に厚さが５ｎｍのＣ層を形成した。但し、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５の厚さは、表１に示すように、試料毎に相違させた。この時、いずれの試料においても、軟磁性裏打ち層１１における残留磁化は実質的にゼロとした。
【００２９】
【表１】
2008108357.tif 000003
【００３０】
そして、各試料について、ＯＳＡ（Optical Scan Analyzer）パターンを観察し、また、軟磁性裏打ち層１１における磁気異方性の検証を行った。試料Ｎｏ．１の結果を図３Ａ及び図３Ｂに示し、試料Ｎｏ．２の結果を図４Ａ及び図４Ｂに示し、試料Ｎｏ．３の結果を図５Ａ及び図５Ｂに示し、試料Ｎｏ．４の結果を図６Ａ及び図６Ｂに示す。なお、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ及び図６Ｂ中の実線は半径方向における磁化の傾斜角度を示し、破線は円周方向における磁化の傾斜角度を示している。
【００３１】
これらの試料では、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ及び図６Ａに示すように、磁区の発生が抑制され、そのサイズは２０ｎｍ以下と非常に小さかった。また、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ及び図６Ｂに示すように、半径方向において、十分な磁気異方性を確保することができた。
【００３２】
（第２の実験）
第２の実験では、多結晶強磁性層５及び中間層６の厚さと保磁力との関係について調査した。この結果を図７に示す。図７の横軸は中間層６の厚さを示し、縦軸は保磁力を示している。また、●は、多結晶強磁性層５として厚さが３ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示し、■は、多結晶強磁性層５として厚さが５ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示している。また、▲は、多結晶強磁性層５を形成せずに、アモルファス強磁性層上に厚さが３ｎｍのＴａ層を形成し、その上に厚さが３ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した積層体を用いた場合の結果を示している。つまり、▲は、従来技術に相当する結果を示している。
【００３３】
図７に示すように、いずれの条件においても、中間層６を２０ｎｍ未満まで薄くしても、４．００ｋＯｅ以上の高い保磁力を得ることができた。例えば、多結晶強磁性層５の厚さが５ｎｍの場合、中間層６を１２ｎｍ程度としても４．２ｋＯｅ程度の保磁力が得られた。従来技術に相当する試料（▲）では、４．２ｋＯｅ程度の保磁力を得るためには、中間層６を３２ｎｍ程度にする必要があった。
【００３４】
（第３の実験）
第３の実験では、多結晶強磁性層５及び中間層６の厚さとノイズの大きさとの関係について調査した。この結果を図８に示す。図８の横軸は中間層６の厚さを示し、縦軸はＳ／Ｎ比を示している。また、■は、多結晶強磁性層５がない場合（従来技術に相当）の結果を示し、○は、多結晶強磁性層５として厚さが３ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示している。また、▲は、多結晶強磁性層５として厚さが５ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示し、●は、多結晶強磁性層５として厚さが７ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示し、△は、多結晶強磁性層５として厚さが１０ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示している。なお、多結晶強磁性層５がない試料（■）では、中間層の厚さを３２ｎｍとした。
【００３５】
図８に示すように、多結晶強磁性層５が形成されている場合には、中間層６の厚さを２０ｎｍ未満としても、多結晶強磁性層５がない場合と同等の結果が得られた。
【００３６】
（第４の実験）
第４の実験では、多結晶強磁性層５及び中間層６の厚さと書き込み性（Writability）との関係について調査した。この結果を図９に示す。図９の横軸は中間層６の厚さを示し、縦軸は書き込み性を示している。この書き込み性は、１２４ｋＢＰＩで書き込んだ場合に読み取られる信号の周波数と４９５ｋＢＰＩで書き込んだ場合に読み取られる信号の周波数との比から評価した。そして、この値が−４０ｄＢ以下であれば、書き込み性が良好であるといえる。また、図８と同様に、■は、多結晶強磁性層５がない場合（従来技術に相当）の結果を示し、○は、多結晶強磁性層５として厚さが３ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示している。また、▲は、多結晶強磁性層５として厚さが５ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示し、●は、多結晶強磁性層５として厚さが７ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示し、△は、多結晶強磁性層５として厚さが１０ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した場合の結果を示している。なお、多結晶強磁性層５がない試料（■）では、中間層の厚さを３２ｎｍとした。
【００３７】
図９に示すように、多結晶強磁性層５が形成されている場合には、良好な書き込み性が得られた。
【００３８】
（第５の実験）
第５の実験では、中間層６として、表面が（０００２）面のＲｕ層を形成し、そのＸ線回折からΔθ50の値を求めた。Ｒｕの（０００２）面のピーク（２θ）は、Ｃｕターゲットを用いた場合４２．２５°に現れ、Δθ50の値は４２．２５°における半値幅である。Ｘ線回折の結果を図１０に示す。図１０中の実線が中間層６の厚さを３２ｎｍとした場合の結果を示し、破線が中間層６の厚さを１６ｎｍとした場合の結果を示し、一点鎖線が中間層６の厚さを１３ｎｍとした場合の結果を示す。また、図１０の２点鎖線は、夫々Ｒｕ、ＣＣＰＣ（ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２）、ＣＣＰＢ（ＣｏＣｒＰｔＢ）のピーク位置を示している。
【００３９】
この実験の結果、中間層６の厚さが３２ｎｍの場合のΔθ50は３．６７°であった。また、中間層６の厚さが１６ｎｍの場合のΔθ50は４．１９°であり、中間層６の厚さが１３ｎｍの場合のΔθ50は４．０５°であった。このことは、中間層６を１３ｎｍ〜１６ｎｍ程度まで薄くしても、多結晶強磁性層５の作用によって良好な結晶性が得られたことを意味している。
【００４０】
ここで、上述の実施形態に係る垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録装置の一例であるハードディスクドライブについて説明する。図１１は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の内部の構成を示す図である。
【００４１】
このハードディスクドライブ１００のハウジング１０１には、回転軸１０２に装着されて回転する磁気ディスク１０３と、磁気ディスク１０３に対して情報記録及び情報再生を行う磁気ヘッドが搭載されたスライダ１０４と、スライダ１０４を保持するサスペンション１０８と、サスペンション１０８が固着されてアーム軸１０５を中心に磁気ディスク１０３表面に沿って移動するキャリッジアーム１０６と、キャリッジアーム１０６を駆動するアームアクチュエータ１０７とが収容されている。磁気ディスク１０３として、上述の実施形態に係る垂直磁気記録媒体が用いられている。
【００４２】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００４３】
（付記１）
軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された記録層と、
を有し、
前記軟磁性裏打ち層は、
アモルファス状の第１の強磁性層と、
前記第１の強磁性層の上方に形成されたアモルファス状の第２の強磁性層と、
前記第２の強磁性層と前記中間層との間に形成された多結晶状の第３の強磁性層と、
を有し、
前記第１の強磁性層と、前記第２の強磁性層及び第３の強磁性層からなる構造体と、の間で、磁化の向きが互いに反平行になっていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【００４４】
（付記２）
前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に形成された非磁性金属層を有することを特徴とする付記１に記載の垂直磁気記録媒体。
【００４５】
（付記３）
前記中間層は、非磁性で結晶構造が六方稠密構造の金属からなることを特徴とする付記１又は２に記載の垂直磁気記録媒体。
【００４６】
（付記４）
前記中間層は、Ｒｕ又はＲｕ合金からなることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【００４７】
（付記５）
前記第１の強磁性層及び前記第２の強磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【００４８】
（付記６）
前記第１の強磁性層及び前記第２の強磁性層は、更に、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＴａからなる群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする付記５に記載の垂直磁気記録媒体。
【００４９】
（付記７）
前記第３の強磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【００５０】
（付記８）
前記第３の強磁性層は、更に、Ｃｒ及びＢからなる群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする付記７に記載の垂直磁気記録媒体。
【００５１】
（付記９）
前記第１の強磁性層の磁化をＭｓ1、厚さをｔ1とし、
前記第２の強磁性層の磁化をＭｓ2、厚さをｔ2とし、
前記第３の強磁性層の磁化をＭｓ3、厚さをｔ3としたとき、
Ｍｓ1×ｔ1＝Ｍｓ2×ｔ2＋Ｍｓ3×ｔ3の関係が成立することを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【００５２】
（付記１０）
前記第３の強磁性層の厚さは、２０ｎｍ以下であることを特徴とする付記１乃至９のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【００５３】
（付記１１）
軟磁性裏打ち層を形成する工程と、
前記軟磁性裏打ち層上に中間層を形成する工程と、
前記中間層上に記録層を形成する工程と、
を有し、
前記軟磁性裏打ち層を形成する工程は、
アモルファス状の第１の強磁性層を形成する工程と、
前記第１の強磁性層の上方にアモルファス状の第２の強磁性層を形成する工程と、
前記第２の強磁性層上に多結晶状の第３の強磁性層を形成する工程と、
を有し、
前記第１の強磁性層と、前記第２の強磁性層及び第３の強磁性層からなる構造体と、の間で、磁化の向きを互いに反平行にすることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００５４】
（付記１２）
前記第１の強磁性層を形成する工程と前記第２の強磁性層を形成する工程との間に、前記第１の強磁性層上に非磁性金属層を形成する工程を有することを特徴とする付記１１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００５５】
（付記１３）
前記中間層として、結晶構造が六方稠密構造の非磁性金属層を形成することを特徴とする付記１１又は１２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００５６】
（付記１４）
前記中間層として、Ｒｕ層又はＲｕ合金層を形成することを特徴とする付記１１乃至１３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００５７】
（付記１５）
前記第１の強磁性層及び前記第２の強磁性層として、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１種を含有する層を形成することを特徴とする付記１１乃至１４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００５８】
（付記１６）
前記第３の強磁性層として、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１種を含有する層を形成することを特徴とする付記１１乃至１５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００５９】
（付記１７）
前記第１の強磁性層の磁化をＭｓ1、厚さをｔ1とし、
前記第２の強磁性層の磁化をＭｓ2、厚さをｔ2とし、
前記第３の強磁性層の磁化をＭｓ3、厚さをｔ3としたとき、
Ｍｓ1×ｔ1＝Ｍｓ2×ｔ2＋Ｍｓ3×ｔ3の関係を成立させることを特徴とする付記１１乃至１６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００６０】
（付記１８）
前記第３の強磁性層の厚さを、２０ｎｍ以下とすることを特徴とする付記１１乃至１７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００６１】
（付記１９）
付記１乃至１０のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドと、
を有することを特徴とする磁気記録装置。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の使用方法を示す図である。
【図３Ａ】試料Ｎｏ．１のＯＳＡパターンを示す図である。
【図３Ｂ】試料Ｎｏ．１の磁気異方性を示す図である。
【図４Ａ】試料Ｎｏ．２のＯＳＡパターンを示す図である。
【図４Ｂ】試料Ｎｏ．２の磁気異方性を示す図である。
【図５Ａ】試料Ｎｏ．３のＯＳＡパターンを示す図である。
【図５Ｂ】試料Ｎｏ．３の磁気異方性を示す図である。
【図６Ａ】試料Ｎｏ．４のＯＳＡパターンを示す図である。
【図６Ｂ】試料Ｎｏ．４の磁気異方性を示す図である。
【図７】第２の実験の結果を示す図である。
【図８】第３の実験の結果を示す図である。
【図９】第４の実験の結果を示す図である。
【図１０】第５の実験の結果を示す図である。
【図１１】磁気記録装置の構造を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１：基板
２、４：アモルファス強磁性層
３：スペーサ層
５：多結晶強磁性層
６：中間層
７：記録層
８：保護層
１１：軟磁性裏打ち層
１００：ＨＤＤ
１０１：ハウジング
１０２：回転軸
１０３：磁気ディスク（垂直磁気記録媒体）
１０４：スライダ
１０５：アーム軸
１０６：キャリッジアーム
１０７：アームアクチュエータ
１０８：サスペンション
【図１】
2008108357.tif 000004
【図２】
2008108357.tif 000005
【図３Ａ】
2008108357.tif 000006
【図３Ｂ】
2008108357.tif 000007
【図４Ａ】
2008108357.tif 000008
【図４Ｂ】
2008108357.tif 000009
【図５Ａ】
2008108357.tif 000010
【図５Ｂ】
2008108357.tif 000011
【図６Ａ】
2008108357.tif 000012
【図６Ｂ】
2008108357.tif 000013
【図７】
2008108357.tif 000014
【図８】
2008108357.tif 000015
【図９】
2008108357.tif 000016
【図１０】
2008108357.tif 000017
【図１１】
2008108357.tif 000018