(57)【要約】      （修正有）【課題】光透過性に優れた、信頼性の高い電磁波シールドフィルム、該電磁波シールドフィルムの製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】透光性基材２上に透明導電性材料Ｌをラインパターン状に配置する。そして、透明導電性材料Ｌを焼成して、透光性基材２上に透明導電性パターン３を形成する。電磁波シールドフィルムの製造方法は、透光性基材２上に透明電導性材料Ｌをラインパターン状に配置する工程と、該透明導電材料Ｌを焼成して、前記透光性基材２上に透明導電性パターンＬを形成する工程を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基材上に、透明導電性パターンがライン状に配設されてなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
【請求項２】
前記透明導電性パターンは、前記透光性基材上に格子状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項３】
透光性基材上に透明導電性材料をラインパターン状に配置する工程と、
該透明導電性材料を焼成して、前記透光性基材上に透明導電性パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項４】
前記透明導電性材料を配置する際に、液滴吐出法を用いることを特徴とする請求項３に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項５】
前記透明導電性材料として、ＩＴＯからなる導電性微粒子を分散させた溶液を用いることを特徴とする請求項３又は４に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の電磁波シールドフィルム、あるいは請求項３〜５のいずれか一項に記載の製造方法により得た電磁波シールドフィルムを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールドフィルム、電磁波シールドフィルムの製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器の急速な発展に伴い、電子機器から発せられる電磁波による身体への障害が問題視されてきており、その対応策として各種の電磁波シールド部材（電磁波シールドフィルム）が開発されている。電磁波シールド部材を形成する方法として、ガラスなどの透光基板上に無電解めっき触媒インキを印刷法によりパターン状に形成した後、無電解めっきにより前記インキ上のみに導電性金属をめっきすることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
電磁波シールド部材は、例えば、液晶表示装置やＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等の表示画面上に貼り付けることで、該表示画面から照射される電磁波をシールドするものである。そのため、表示画面における表示品位を低下させることがない、より光透過性に優れた電磁波シールド部材の提供が望まれている。そこで、光の透過性が無い導電性金属（めっき）の幅を狭めることで、電磁波シールド部材の光透過率の向上を図る方法が考えられる。
【特許文献１】特開平１１−１７０４２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記方法では、無電解めっき触媒インキが印刷法で形成されているため、印刷法の技術的限界からインク幅の微細化が制限されてしまうことで、十分な光透過性を備えた電磁波シールド部材を提供することが難しかった。また、線幅が狭められることで、導電性金属の段線が生じやすくなって、電磁波シールド部材の信頼性を低下させるおそれもある。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、光透過性に優れた、信頼性の高い電磁波シールドフィルム、該電磁波シールドフィルムの製造方法、及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電磁波シールドフィルムは、透光性基材上に、透明導電性パターンがライン状に配設されてなることを特徴とする。
【０００７】
本発明の電磁波シールドフィルムによれば、透光性基材上に透明導電性パターンがライン状に配設されているので、光透過性に優れたものとなり、例えば電子機器などの表示部に貼着した場合でも表示品位を低下させるのを防止することができる。
【０００８】
上記電磁波シールドフィルムにおいては、前記透明導電性パターンは、前記透光性基材上に格子状に形成されているのが好ましい。
透光性基材上に透明導電性パターンが積層された領域は、透光性基材が露出する領域に比べて相対的に光透過性が低下している。そこで本発明を採用すれば、透明導電性パターンが格子状に形成されることで、相対的に光透過性が高い領域（透光性基材が露出する領域）が規則的に配置されたものとなり、フィルム全体に亘って光透過性の均一化が図られたものとなる。
【０００９】
本発明の電磁波シールドフィルムの製造方法は、透光性基材上に透明導電性材料をラインパターン状に配置する工程と、該透明導電性材料を焼成して、前記透光性基材上に透明導電性パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の電磁波シールドフィルムの製造方法によれば、透光性基材上に透明導電性パターンをラインパターン状に形成しているので、光透過性に優れ、例えば電子機器などの表示部に貼着された場合でも表示品位を低下させことがないフィルムを提供できる。
【００１１】
上記電磁波シールドフィルムの製造方法においては、前記透明導電性材料を配置する際に、液滴吐出法を用いるのが好ましい。
この構成によれば、透明導電性材料の吐出位置を変更することにより、透明導電性パターンを種々のパターンに形成することができる。また、基材上の必要な領域にのみ透明導電性材料を配置できるので、材料の無駄を無くして低コスト化を図ることができる。
【００１２】
上記電磁波シールドフィルムの製造方法においては、前記透明導電性材料として、ＩＴＯを分散させた溶液を用いるのが好ましい。
この構成によれば、透明導電性パターンがＩＴＯから構成されたものとなるので、電磁波シールドフィルム自体の透過率を向上させることができる。
【００１３】
本発明の電子機器は、上記の電磁波シールドフィルム、あるいは上記の製造方法により得た電磁波シールドフィルムを備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の電子機器によれば、例えば、表示部に貼着された、光透過性、及び視認性に優れた電磁波シールドフィルムを備えているので、周辺領域への電磁波の照射を防止するとともに、信頼性の高い表示が可能なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は本実施形態の電磁波シールドフィルムの製造工程を説明する図である。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ´線矢視による側断面を示す図である。
【００１６】
まず、電磁波シールドフィルムを形成するに際し、液滴吐出法（インクジェット法）を用い、図１（ａ）に示すように、光透過性を有する透明基材（透光性基材）２上に透明導電性材料Ｌを液滴吐出ヘッドＨから吐出する。
【００１７】
前記透明基材２としては、透明性（特に、可視光に対して）を有する基板であれば良く、その材料の例として、ガラス；或いはポリエステル（例、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート）、アクリル樹脂（例、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ））、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、セルローストリアセテート、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファン等を挙げることができる。これらの中で、加工処理（加熱、溶剤、折り曲げ）による劣化が少なく、透明性の高い材料であるガラス、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡが好ましい。
【００１８】
本実施形態では、前記透明基材２としてＰＥＴ基板が用いられ、この透明基材２の厚さは、数μｍ〜数十μｍの範囲にあることが好ましい。よって、透明基材２は非常に薄いフィルム状からなり、可撓性を有したものとなっている。このように透明基材２が可撓性を有することで、後述するように電子機器の表示面に容易に貼り付けることが可能となる。
【００１９】
次に、透明導電性材料Ｌについて説明する。透明導電性材料Ｌは、導電性微粒子を有機溶媒等の分散媒に分散させたスラリーからなるものである。導電性微粒子としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｆ、及びＭｇから選ばれる１種以上の元素を含むものを用いることができる。導電性微粒子の具体的構成材料としては、Ｉｎ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｓｂ合金、Ｆ−Ｓｎ合金、Ｚｎ−Ａｌ合金、Ｇａ−Ｚｎ合金、あるいは、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ等からなる金属材料を例示することができる。これら導電性微粒子の粒径は、１ｎｍ〜５０ｎｍ程度であることが好ましい。なお、本実施形態では、前記導電性微粒子として、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を用いた。
【００２０】
次に、透明導電性材料Ｌを構成する分散媒について説明する。分散媒としては、前記の導電性微粒子を良好に分散させ、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、導電性微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２１】
透明導電性材料（分散液）Ｌの表面張力は０．０２Ｎ／ｍ〜０．０７Ｎ／ｍの範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて透明導電性材料Ｌを吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、前記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２２】
また、分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて透明導電性材料Ｌを液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周囲がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【００２３】
ところで、インクジェット法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００２４】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。なお、本実施形態では、上記ピエゾ素子による吐出方式を採用した。
【００２５】
図２は、ピエゾ方式による液状体材料（透明導電性材料Ｌ）の吐出原理を説明するための液滴吐出ヘッドＨの概略構成図である。液滴吐出ヘッド３０１において、液状体材料を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液状体材料を収容する材料タンクを含む液状体材料供給系３２３を介して液状体材料が供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させて液体室３２１を弾性変形させる。そして、この弾性変形時の内容積の変化によってノズル３２５から液状体材料が吐出されるようになっている。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度を制御することができる。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有している。
【００２６】
本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、透明基材２上に透明導電性材料Ｌをラインパターン状（本実施形態では格子状）に配設した。このとき、格子パターンをなす線幅、及び隣接する格子パターン間のピッチを２５〜５０μｍ程度とするのが好ましい。
透明基材２上に配設された透明導電性材料Ｌは、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。そこで、吐出工程後の透明導電性材料Ｌに熱処理及び／又は光処理を施す（焼成処理）。
【００２７】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、基板の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。この焼成処理によって、透明導電性材料Ｌの乾燥膜は、微粒子間の電気的接触が確保され、図１（ｃ）に示すように透明導電性パターン３に変換される。この透明導電性パターン３は、ＩＴＯから構成されるものである。なお、透明導電性パターン３の膜厚は、０．１〜数十μｍ程度に設定することが好ましい。
【００２８】
以上の工程により、図３に示す電磁波シールドフィルム１を製造することができる。透明導電性パターン３は、上述したようにＩＴＯから構成されているので、その線幅が大きくなった場合でも、電磁波シールドフィルム１の透過率の減少を抑えることができる。
また、インクジェット法により透明基材２上の所望の位置に、透明導電性パターン３を形成できるので、透明導電性材料Ｌを無駄にすることがなく、したがって電磁波シールドフィルム１を低コストにて提供できる。また、導電性パターン（透明導電性パターン３）を形成するに際し、従来のようにめっき法が用いられないので、金属イオンが基板（透明基材２）に浸透することにより、基板の絶縁性を低下させるといった不具合の発生が防止されたものとなる。
【００２９】
前記電磁波シールドフィルム１は、透明基材２上に、透明導電性パターン３が格子状に形成されたものとなる。すなわち、電磁波シールドフィルム１には、前記透明導電性パターン３が形成されていない領域が規則的に配置されたものとなっており、この領域にはＰＥＴ基板２の表面が露出している。
【００３０】
ＰＥＴ基板２上に透明導電性パターン３が積層された領域は、ＰＥＴ基板２が露出する領域に比べて相対的に光透過率が低くなっている。本実施形態に係る電磁波シールドフィルム１は、光透過率が相対的に高い領域（ＰＥＴ基板２が露出する領域）が規則的に配置されており、これによってフィルム全体に亘り光の透過性の均一化が図られたものとなっている。
【００３１】
また、前記導電性パターン３が形成されていない領域に露出するＰＥＴ基板２を選択的に除去することで、電磁波シールドフィルム１をメッシュ状に形成してもよい。このようなメッシュ状の電磁波シールドフィルム１は伸縮性に優れるため、例えば電磁波を発生する部材に直接巻きつけることが可能となる。よって、使用用途が多岐に亘り、汎用性の高いものとなる。
【００３２】
このような構成の電磁波シールドフィルム１にあっては、透明基材２上にＩＴＯからなる透明導電性パターン３が形成されているので、光透過性に優れたものとなり、後述するように携帯電話の表示部に貼着した場合でも表示品位を低下させることを防止することができる。
【００３３】
また、このような電磁波シールドフィルム１の製造方法にあっても、インクジェット法により透明導電性材料Ｌを透明基材２上に配置し、該透明導電性材料Ｌを焼成することで透明導電性パターン３を格子状に形成しているので、低コストで前述したような光透過性に優れたものを提供できる。
【００３４】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の一実施形態としての携帯電話について、図面を参照して説明する。図５は携帯電話を示す概略構成図であり、図中符号２００は携帯電話であり、図４は携帯電話２００の表示部３００に用いられる液晶表示装置の概略構成を示す図であり、図中符号１００が液晶表示装置である。なお、図４（ａ）は、液晶表示装置１００を対向基板２０の側からみた平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中に示されるＨ−Ｈ´矢視の液晶表示装置の側断面図である。なお、本実施形態に係る携帯電話２００は、表示部（液晶表示装置１００）に電磁波シールドフィルム１が貼着されたものとなっている。
【００３５】
まず、携帯電話２００の表示部を構成している液晶表示装置１００について説明する。
本実施形態の液晶表示装置１００は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と、カラーフィルタ基板２０とが平面視略矩形枠状のシール材５２を介して貼り合わされ、このシール材５２に囲まれた領域内に、正の誘電率異方性を有するＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶層５０が封入された構成になっている。シール材５２内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り５３が形成され、この周辺見切りの内側の領域が画素表示領域１００ａとなっている。このシール材５２中には、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。
【００３６】
画素表示領域１００ａ内には、画素領域がマトリクス状に設けられていて、この画素領域は、画素表示領域１００ａの最小表示単位となる１サブ画素を構成している。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板４の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４が形成されて周辺回路を構成している。
【００３７】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る１辺（図示上辺）には、画素表示領域１００ａの両側の走査線駆動回路１０４間を接続する複数の配線１０５が設けられている。また、カラーフィルタ基板２０の各角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０とカラーフィルタ基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。本実施形態の液晶表示装置１００は、透過型の液晶表示装置として構成され、ＴＦＴアレイ基板１０側に配置された光源（図示略）からの光を変調し、カラーフィルタ基板２０側から表示光として射出するようになっている。
【００３８】
図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側（液晶層５０側）に、複数の画素電極１１が配列形成されており、これら画素電極１１を覆うように配向膜１３が形成されている。カラーフィルタ基板２０の内面側には、周辺見切り５３が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極１８が形成されている。共通電極１８を覆うように配向膜１９が形成されている。そして、前記カラーフィルタ基板２０上に、上記電磁波シールドフィルム１が貼着されている。
【００３９】
続いて、携帯電話２００の構成について説明する。図５に示すように、携帯電話２００は、上述した電磁波シールドフィルム１が貼着された液晶表示装置１００を用いた表示部３００を備えている。
このような構成からなる携帯電話２００によれば、表示部３００に光透過性、及び視認性に優れた電磁波シールドフィルム１が貼着されているので、周辺領域への電磁波の照射を防止するとともに、信頼性の高い表示が可能なものとなる。
【００４０】
また、本発明は携帯電話以外の電子機器にも適用することが可能である。その具体例として、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）を挙げることができる。このプラズマディスプレイは、前述した電磁波シールドフィルム１を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファクシミリ、デジタルカメラの表示部、携帯型テレビ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本実施形態の電磁波シールドフィルムの製造工程を説明する図である。
【図２】一実施形態に係る電磁波シールドフィルムの概略構成を示す図である。
【図３】ピエゾ方式による液状体材料の吐出原理を説明するための図である。
【図４】携帯電話の表示部に用いられる液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図５】携帯電話の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…電磁波シールドフィルム、２…透明基材（透光性基材）、３…透明導電性パターン、２００…携帯電話（電子機器）、Ｌ…透明導電性材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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