(57)【要約】      （修正有）【課題】耐紫外線性、耐吸湿性、耐熱性などの耐環境性を備えた波長変換部を有する半導体発光装置を提供する。【解決手段】光を放射する半導体発光素子１０と、半導体発光素子から放射された光の少なくとも一部を吸収したのち波長変換された光を出射する蛍光体と、光透過性を有し、珪素−窒素結合を少なくとも一部に有する無機材料からなり、蛍光体を保持し、半導体発光素子を封止する封止材５と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から放射された光の少なくとも一部を吸収したのち波長変換された光を出射する蛍光体と、
光透過性を有し、珪素−窒素結合を少なくとも一部に有する無機材料からなり、前記蛍光体を保持し、前記半導体発光素子を封止する封止材と、
を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記無機材料は、珪素−窒素結合を有する前躯体を用いて製造され、製造後において前記前駆体の珪素−窒素結合の一部が残留するセラミックからなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記前躯体は、ポリシラザンを含むことを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子は、窒化ガリウム系青色発光素子であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子は青色光を発光し、前記蛍光体は、前記半導体素子から発光される青色光の一部を黄色光に波長変換することを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項６】
青色一部を波長変換した前記黄色光と、青色光の残部とが混ざり合い、擬似白色光を発光することを特徴とする請求項５記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種の照明、例えばパソコンのディスプレイ用バックライト、あるいは携帯カメラ用の照明ライトなどの光源に用いることができる半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体発光装置の発光ダイオードチップは封止樹脂により被覆されるが、封止樹脂に紫外線等が照射されると、その光学的特性および化学的特性が劣化することが知られている。例えば、ＧａＮ系又はＩｎＧａＮ系の青色発光ダイオードチップは、可視光成分以外にも波長３８０ｎｍ以下の紫外波長域に発光成分を持つことがあるため、封止樹脂は光強度の強い発光ダイオードチップの周辺部から次第に黄変する。この黄変した樹脂により、発光ダイオードチップが発する可視光は吸収されて減衰する。さらに、封止樹脂の劣化に伴って耐湿性が低下すると共に、イオン透過性が増大するため、外部から封止樹脂に侵入した汚染物質イオンにより発光ダイオードチップ自体も劣化し、その結果、半導体発光装置の発光強度が相乗的に低下する。
【０００３】
また、順方向電圧が高いＧａＮ系又はＩｎＧａＮ系青色発光ダイオードチップは、比較的低い順方向電流でも電力損失が大きく、作動時に発光ダイオードチップが発熱する。この発熱により樹脂が加熱され、次第に劣化して黄変する。
【０００４】
このように、封止樹脂は紫外光によって短時間で劣化して半導体発光装置の発光効率を低下させるため、その防止対策として、例えば特許文献１に記載された気密封止構造（ハーメチックシール構造）を半導体発光装置に採用している。ハーメチックシール構造では、外囲容器によって半導体発光素子を密封して外部雰囲気から完全に遮断し、外囲容器内に窒素等の不活性の又は安定な封止気体を充填している。
【特許文献１】特開平１０−２４２３３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来のハーメチックシール構造は、高価な材料を必要とする上に、その製造工程も比較的複雑なため、最終製品が高価となる難点がある。また、ハーメチックシール構造では、窒化ガリウム系化合物半導体の屈折率と大きく相違する屈折率を有する不活性気体を外囲容器内に充填するため、窒化ガリウム系化合物半導体と不活性気体との界面に反射面が形成される。このため、発光ダイオードチップから放射される光は、窒化ガリウム系化合物半導体と不活性気体との界面で反復して反射する間に減衰し、その結果、発光効率が低下する欠点がある。
【０００６】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、耐紫外線性、耐吸湿性、耐熱性などの耐環境性を備えた半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、蛍光体を含有する樹脂で発光ダイオードチップを包囲し、さらに全体を封止樹脂で包囲することにより、外部へ放射される光を所望の波長に変換しうる半導体発光装置を、鋭意研究開発している。ところで、蛍光体含有樹脂により発光ダイオードチップを包囲する場合、次に述べるように実用上種々の問題点を生ずる。
【０００８】
先ず第１に、封止樹脂の耐環境性が必ずしも十分でないとき、樹脂内に配合できる蛍光体が特定の種類のみに限定される。水分によって加水分解する公知の代表的な硫化カルシウム系の蛍光体は従来の発光ダイオード装置に適用することに難点がある。
【０００９】
第２に、水分のみならずナトリウム又は塩素等の不純物イオンも樹脂を透過し、発光ダイオードチップに有害な影響を与える。従って、清浄な環境で製造された発光ダイオード装置でも、不純物イオンを含む雰囲気中に放置すると、不純物イオンが樹脂の内部に次第に浸透して発光ダイオードチップの電気的特性が劣化するという難点がある。特に、重大な問題点は、有害不純物イオンが遊離する化学的に不安定な有機蛍光体も少なくない点である。従って、従来の半導体発光装置に、この種の有機蛍光体を使用することができない。
【００１０】
このように従来の半導体発光装置に蛍光体を樹脂中に配合する場合、種々の問題を生じるため、信頼性の低下、光変換機能の不完全性、製品価格の上昇を招来するおそれがある。そこで、本発明者らは、上記の問題点について鋭意検討を重ねた結果、以下に述べる本発明を完成させた。
【００１１】
本発明に係る半導体発光装置は、光を放射する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から放射された光の少なくとも一部を吸収したのち波長変換された光を出射する蛍光体と、光透過性を有し、珪素−窒素結合を少なくとも一部に有する無機材料からなり、前記蛍光体を保持し、前記半導体発光素子を封止する封止材と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、耐紫外線性、耐吸湿性、耐熱性などの耐環境性を備えた半導体発光装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明装置の封止材は、光透過性を有し、かつ珪素−窒素結合を少なくとも一部に有する無機材料からなる。無機材料には、光透過性（好ましくは透明）のセラミック、例えば石英ガラス、ソーダ石灰ガラスまたはクリスタルガラスのような高純度ガラスを用いることが好ましく、より好ましくは石英ガラスを用いる。
【００１４】
高純度ガラス封止材は、以下に述べるポリシラザン法を用いて製造することができる。
【００１５】
ポリシラザン法は、脱アンモニア反応で、珪素−窒素結合を有する前躯体であるポリシラザン（-SiH2NH-）を室温以上の温度で加熱して焼成することによって石英ガラスを得る方法であり、次のような工程によって製造できる。ポリシラザンに適量の溶剤と蛍光体を添加して所定濃度（粘度）のポリシラザン溶液を作製し、この蛍光体入り溶液を（マウント部にはんだ付けされている）半導体発光素子の発光面に所望厚さに塗布する。所定条件で焼成し、所望厚さの透明ガラスコーティング層を得る。または、ポリシラザン（-SiH2NH-）に適量の水を添加して所定濃度（粘度）のポリシラザン溶液を作製し、この溶液をマウント部上の半導体発光素子が完全に埋没するまでマウント部の凹所に注入する。所定条件で焼成し、所望厚さの封止材層を形成する。このとき焼成温度、焼成時間、昇温速度、降温速度などの諸条件をコントロールすることにより、封止材として透明ガラス層中に適正な数の珪素−窒素結合を残留させることができる。なお、封止材中に残留する珪素−窒素結合は、ダンクリングボンドを含むものであってもよい。
【００１６】
封止材は、半導体発光素子を封止するとともに、波長変換機能を有する蛍光体を保持している。蛍光体には、例えば3Sr3(PO4)2・SrF2：Sn2+,Mn2+、(Zn,Be)2SiO4:Mn2+あるいはＹＡＧ系（（Ｙ，Ｇｄ）3Ａｌ5Ｏ12）：Ｃｅ3+を用いることが好ましく、より好ましくはＹＡＧ系：Ｃｅ3+を用いる。蛍光体は、光の波長を変換することから半導体発光素子との組み合わせが重要であるが、さらに光の照射による樹脂封止材の劣化を抑えるために樹脂封止材との組み合わせも重要である。
【００１７】
本発明の実施の形態では、封止材に上述した高純度ガラスのような無機材料を用いるため、硼素や酸化鉛等を含む低融点ガラス等に比べて極めて不純物が少なく、半導体発光素子の特性に悪影響を及ぼさない。また、封止材は耐熱性の高いガラス状であるため、黄変などによる光透過性の劣化を生じない。
【００１８】
高純度ガラスのような無機材料は、紫外線等の短波長光の照射を長期間にわたって受ける高温環境下においても劣化しない。耐紫外線性に着目した場合、無機材料は有機樹脂よりも格段に優れている。また、耐吸湿性および耐熱性に着目した場合にも、無機材料は有機樹脂に比べて経年変化が小さく、材質が安定している。
【００１９】
以下、添付の図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。本実施の形態では、本発明を窒化ガリウム系化合物から成る発光ダイオード装置に適用した場合を説明する。
【００２０】
図１に発光ダイオード装置に適用した本発明による半導体発光装置の断面模式図を示す。半導体発光装置１は、導電性基材としてのＣｕフレーム２ａ，２ｂの上に、蛍光体６を含むガラス質の封止材５、カバー樹脂封止材７、樹脂フレーム８および半導体発光素子としてのＬＥＤチップ１０を備えている。Ｃｕフレーム２ａにはマウント部３となる凹所が形成されている。ＬＥＤチップ１０は、Ａｕ系はんだ接合部１８によってマウント部３のほぼ中央に接合されている。なお、符号２０は負極側のＣｕフレーム２ａと正極側のＣｕフレーム２ｂとを絶縁する絶縁体である。
【００２１】
ＬＥＤチップ１０は次のようにしてマウント部３に接合される。公知のめっき法を用いてマウント部３に下地導電層としてのＡｇめっき層４を被覆形成し、Ａｕ系はんだ材料（例えばＡｕ−Ｓｎはんだ合金）を用いてＬＥＤチップ１０の負極側をマウント部３にはんだ付けする。これにより、ＬＥＤチップ１０の負極側は、図示しない負極端子に電気的に接続される。
【００２２】
マウント部３には、珪素−窒素結合を少なくとも一部に有する無機材料としての封止材５が充填されている。ＬＥＤチップ１０は封止材５のなかに完全に埋没している。封止材５のなかには蛍光体６の粒子が混入している。蛍光体６はＹＡＧ系（（Ｙ，Ｇｄ）3Ａｌ5Ｏ12）：Ｃｅ3+からなり、その粒子はＬＥＤチップ１０の発光面の近傍に分散している。
【００２３】
樹脂フレーム８が装置１の発光面を覆うようにＣｕフレーム２ａ，２ｂに取り付けられている。樹脂フレーム８の凹所にはカバー樹脂封止材７が充填されている。このカバー樹脂封止材７は、マウント部３の封止材５の全面を覆っている。ＬＥＤチップ１０から発光される光は、蛍光体６入り封止材５により所望の波長に変換され、カバー樹脂封止材７を透過して装置１から外部へ出射される。なお、樹脂フレーム８は白樹脂（例えばエポキシ樹脂）からなるものである。また、カバー樹脂封止材７の上部には、ＬＥＤチップ１０から照射され、又はマウント部３の表面で反射した光を集光するためのレンズ部（図示せず）が配置されている。
【００２４】
ＬＥＤチップ１０の拡大図を図２に示し、その構造について図面を参照して説明する。
【００２５】
図２に示すように、ＬＥＤチップ１０のｎ側電極１６は、Ａｕ系はんだ接合部１８、Ａｇめっき層４およびＣｕフレーム２ａを介して負極端子に電気的に導通している。一方、ｐ側電極１７はワイヤボンディングされたＡｕ配線９によりＣｕフレーム２ｂ（図示せず）を介して正極端子に導通している。
【００２６】
ＬＥＤチップ１０は、ｎ型ＳｉＣ基板１１の上に、バッファ層１２、ｎ型ＧａＮクラッド層１３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ活性層１４、ｐ型ＧａＮクラッド層１５がこの順に積層されている。ｎ型アノード電極１６がｎ型ＳｉＣ基板１１の裏面側に設けられ、ｐ型カソード電極１７がｐ型ＧａＮクラッド層１５の上面側に設けられている。アノード電極１６には、導電性はんだ接合部１８およびＡｇ下地めっき層４を介してＣｕフレーム２ａが接続されている。また、カソード電極１７にはＡｕワイヤ９が他方のＣｕフレーム２ｂに接続されている。両電極１６，１７間に所定の電流を流すと、チップ１０の発光面から特定波長の着色光（例えば青色光）が放射される。
【００２７】
ＬＥＤチップ１０には、３００〜５５０ｎｍの波長で発光する窒化ガリウム系化合物半導体を用いることができる。本実施の形態ではＬＥＤチップ１０に発光波長のピークが約３８０〜４２０ｎｍのＩｎＧａＮ系の青色発光ダイオードチップを用いた。なお、発光波長のピークが約４４０〜４７０ｎｍのＧａＮ系の青色発光ダイオードチップを使用することもできる。
【００２８】
窒化ガリウム系化合物半導体は、化学式Ｉｎ(1-X)ＧａXＮ（但し、０＜Ｘ≦１）で表わされ、公知のエピタキシャル成長方法等でサファイア等より成る基体としての絶縁性基板上に形成されるものである。
【００２９】
半導体発光装置１では、封止材５によってＬＥＤチップ１０の上面及び側面が被覆される。封止材５は、ポリシラザンを出発原料（前駆体）に含む封止材形成溶液を用いて形成される。これらの封止材形成溶液は、耐紫外線特性、耐熱性に優れ、高温環境下又は紫外線下でも実質的に劣化（黄変、吸湿、熱劣化など）を生じない。このため、封止材５は、ＬＥＤチップ１０からの短波長の光が比較的長時間照射された場合であっても、化学的特性が安定しているため、ＬＥＤチップ１０からの発光を減衰させる劣化を生じない。また、ＬＥＤチップ１０の発熱により温度上昇を生じた場合であっても、封止材５は、ＬＥＤチップ１０からの発光を減衰させる劣化を生じない。
【００３０】
カバー樹脂封止材７は耐紫外線特性にあまり優れていないエポキシ系樹脂から成るが、ＬＥＤチップ１０とカバー樹脂封止材７との間に介在する耐紫外線特性に優れた封止材５によって、紫外線による劣化が良好に防止される。
【００３１】
封止材５を形成するための封止材形成溶液は、通常は液状であるが、空気中又は酸素雰囲気中で加熱すると成分の分解又は酸素の吸収により金属酸化物のシラザン結合を主体とする透明な封止材を生成する。これらの封止材形成溶液に蛍光体６の粉末を混合して半導体発光素子の周囲に塗布すれば、蛍光体６を含有する封止材５を形成することができる。
【００３２】
半導体発光装置１では、ＬＥＤチップ１０は、凹部３に固着され、蛍光体６を含有する封止材５により被覆され、さらにカバー樹脂封止材７により被覆される。製造の際に、ＬＥＤチップ１０の上部より蛍光体６を含む封止材形成溶液を凹部３内に注入して、約１５０℃〜２００℃の温度で焼成し、蛍光体６を含有する封止材５を固化形成した後に、外部端子の端部全体を透明な封止樹脂で封止する。封止材５の焼成温度は、発光ダイオードチップ接合部１８の融点よりも十分に低い温度とし、より好ましくは１７５〜１８５℃とする。この温度範囲で焼成すると、封止材が所望の強度をもつようになり、また周辺機器に悪影響を及ぼさなくなるからである。
【００３３】
本発明では更に光学的特性や作業性を向上するため、種々の改善も可能である。無機材料からなる封止材５を使用することにより従来の半導体発光装置の種々の弱点を克服でき、安価で信頼性の高い半導体発光装置を得ることができる。
【００３４】
蛍光体６は、ＬＥＤチップ１０から発光される特定波長の光を吸収しやすい性質を有することが好ましく、例えば青色光を吸収して黄色光に波長変換するＹＡＧ系（（Ｙ、Ｇｄ）3Ａｌ5Ｏ12）：Ｃｅ3+または3Sr3(PO4)2・SrF2：Sn2+,Mn2+または(Zn,Be)2SiO4:Mn2+などを用いることができる。
【００３５】
ＬＥＤチップ１０がＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ（４６５ｎｍ；青色）の場合は、蛍光体６としてＹＡＧ系（（Ｙ、Ｇｄ）3Ａｌ5Ｏ12）：Ｃｅ3+を用いることが好ましい。また、ＬＥＤチップ１０がＩｎ0.10Ｇａ0.90Ｎ（４０５ｎｍ；青紫色）の場合は、蛍光体６としてZnS:Cu, AlやBaMgAl10O17:Eu, Mnを用いることが好ましい。さらに、ＬＥＤチップ１０がＩｎ0.45Ｇａ0.55Ｎ（４６５ｎｍ；緑色）の場合は、蛍光体６としてY2O2S:Euを用いることが好ましい。
【００３６】
封止材に用いる無機材料は、珪素−窒素結合を有する前躯体を用いて製造されたセラミックからなることが好ましい。特に前躯体にはポリシラザンを含む溶液を用いることが好ましい。樹脂のような有機材料は、水、ナトリウム、塩素等の不純物イオンを透過させやすく、発光ダイオードチップに有害な影響を与えるため、封止材には不適切である。
【００３７】
ＬＥＤチップ１０の発光面の近傍において、封止材５のなかに蛍光体６が分散している。蛍光体６の分散密度は１００ｍｇ／ｃｍ3とすることが好ましい。
【００３８】
また、本実施形態の半導体発光装置は白色光を発光する。その原理を図３を用いて説明する。ＬＥＤから発光された青色光の一部は蛍光体６に吸収され、波長変換されることにより黄色光になり、この黄色光が波長変換されない青色光と混ざり合い、擬似白色光となる。この擬似白色光は、僅かに青みがかった白色光であるが、ほとんど白色光と言ってもよいものである。また、擬似白色光の光強度（輝度）の劣化はほとんどない。
【実施例】
【００３９】
次に、実施例と比較例を説明する。
【００４０】
（実施例１）
実施例１としてポリシラザン法を用いて蛍光体を含むガラス封止材を作製した。
【００４１】
ポリシラザン法では、キシレン溶媒中にポリシラザン（-ＳｉＨ2ＮＨ-）を溶解させた溶液１０ｍｌに対して水を適量滴下し、この水溶液をＬＥＤの発光面に塗布し、約１８０℃の温度で所定時間焼成した。
【００４２】
図４の（ａ）に前駆体に用いられるポリシラザンの化学構造を示す模式図を示す。前駆体としてのポリシラザンは、その化学構造の一部にＳｉ−Ｎ結合を有する。図４の（ｂ）に封止材を構成する無機材料の化学構造を示す。焼成後の封止材を構成する無機材料においても、その化学構造の一部にＳｉ−Ｎ結合が残っている。このＳｉ−Ｎ結合はほんの僅かではあるがダンクリングボンドを含んでいることがある。Ｘ線吸収微細構造（ＸＡＦＳ）測定法にてＳｉ−Ｎ構造があることを確認した。
【００４３】
（比較例１）
比較例１として図５に示す従来の半導体発光装置１００を作製した。
【００４４】
図５を参照して従来の半導体発光装置の概要を説明する。半導体発光装置１００は、導電性基材としてのＣｕフレーム１０２ａ，１０２ｂの上に、カバー樹脂封止材１０７、樹脂フレーム１０８およびＬＥＤチップ１１０を備えている。Ｃｕフレーム１０２ａにはマウント部１０３となる凹所が形成されている。ＬＥＤチップ１１０はマウント部１０３のほぼ中央においてＡｇめっき層１０４にはんだ付けされている。カバー樹脂封止材１０７には蛍光体（図示せず）が混入されている。なお、符号１２０は負極側のＣｕフレーム１０２ａと正極側のＣｕフレーム１０２ｂとを絶縁する絶縁体である。
【００４５】
ＬＥＤチップ１１０のｎ側電極は、Ａｕ系はんだ接合部、Ａｇめっき層１０４およびＣｕフレーム１０２ａを介して負極端子（図示せず）に電気的に導通している。一方、ＬＥＤチップ１１０のｐ側電極は、ワイヤボンディングされたＡｕ配線１０９によりＣｕフレーム１０２ｂを介して正極端子（図示せず）に導通している。
【００４６】
半導体発光装置１００の正負両端子間に電圧を印加して、Ｃｕフレーム１０２ｂとＡｕ配線１０９を介して発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１１０に通電すると、ＬＥＤチップ１１０から出射される光は、封止樹脂１０７を通って半導体発光装置１００の外部に放出される。ＬＥＤチップ１１０から照射される光は封止樹脂１０７内に混入された蛍光物質（図示せず）によって異なる波長に変換されて放出される。この結果、ＬＥＤチップ１１０から放射された光とは異なる波長の光が半導体発光装置１００から放出される。すなわち、封止樹脂１０７は、光強度の強い発光ダイオードチップの周辺部分から次第に黄変する。このため、発光ダイオードチップ１１０が発した可視光は、封止樹脂１０７の黄変部で吸収されて減衰した。
【００４７】
さらに、封止樹脂１０７の劣化に伴って耐吸湿性が低下すると共に、イオン透過性が増大するため、封止樹脂の外部から侵入した汚染物質イオンによりＬＥＤチップ１１０自体も劣化し、その結果、半導体発光装置１００の発光強度は相乗的に低下した。
【００４８】
また、順方向電圧が高いＩｎＧａＮ系のＬＥＤチップは、比較的低い順方向電流でも電力損失が大きく、作動時にチップ１１０の温度がかなり上昇する。加熱された樹脂１０７は、次第に劣化して黄変した。
【００４９】
（評価）  
上記の実施例１，２と比較例１の半導体発光装置サンプルの照明性能を発光効率で評価した。ここで、発光効率とは、電気を光に変える変換率をいう。発光効率が高いほど発光装置として優れている。その結果、実施例１，２は比較例１に比べて発光効率がそれぞれ２倍優れていた。
【００５０】
本発明の半導体発光装置によれば、封止材の劣化が抑制され、有害物質の浸透を防ぎ、信頼性が高くかつ光取出効率が良好になる。本発明では大きなエネルギーギャップを有する半導体発光素子を用いることにより、可視光から紫外領域までの比較的短い波長で発光する半導体発光装置を実現することが可能となる。このような波長の光を発光する半導体発光素子として、ＧａＮ，ＧａＡｌＮ，ＩｎＧａＮ，ＩｎＧａＡｌＮ等の窒素ガリウム系化合物半導体を、小型、低消費電力、長寿命等種々の利点を備えた新しい固体化紫外光源に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】発光ダイオード装置に適用した本発明による半導体発光装置の断面模式図。
【図２】半導体発光素子の拡大断面図。
【図３】白色をつくりだす原理を説明するための模式図。
【図４】（ａ）は前駆体に用いられるポリシラザンの化学構造を示す模式図、（ｂ）は封止材を構成する無機材料の化学構造を示す模式図。
【図５】従来の発光ダイオード装置の断面模式図。
【符号の説明】
【００５２】
１…半導体発光装置、２ａ，２ｂ…導電性基材（Ｃｕフレーム）、
３…マウント部（凹部）、４…下地導電層（Ａｇめっき層）、
５…封止材、６…蛍光体、
７…カバー樹脂封止材、８…樹脂フレーム（白樹脂）、９…配線（Ａｕワイヤ）、
１０…半導体発光素子（LEDチップ）、
１１…ｎ型ＳｉＣ基板、１２…バッファ層、１３…ｎ型ＧａＮクラッド層、
１４…ＩｎＧａＮ／ＧａＮ活性層、１５…ｐ型ＧａＮクラッド層、
１６…カソード電極、１７…アノード電極、
１８…はんだ接合部、２０…絶縁体。
【図１】
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【図２】
2008244357.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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