(57)【要約】【課題】    本発明は、高性能、高スループットのリソグラフィースキャナーを利用して製造するマイクロエレクトロニクス装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  マイクロエレクトロニック装置の製造に使用される方法で、第1速度でリソグラフィースキャナーを利用することにより基板上のダミー領域を露光し、第2速度でリソグラフィースキャナーを利用することによって基板上の製造領域を露光し、ここで第1速度は第2速度より実質的に大きい。関連する実施例で、第1速度でリソグラフィースキャナーの利用により、装置のあまり重要でない層の露光と、第2速度で、重要な層の露光で構成され、第1速度は、第2速度より実質的に大きいことを特徴とするマイクロエレクトロニック装置の製造に使用される方法。【選択図】図４
2008205423.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス装置の製造方法であって、
第1速度でリソグラフィースキャナーを利用することにより、基板上のダミー領域を露光するステップと、
第2速度で前記リソグラフィースキャナーを利用することにより、前記基板上の製品領域を露光するステップと
から構成され、前記第1速度は、前記第2速度よりも実質的に大きいことを特徴とするマイクロエレクトロニクス装置の製造方法。
【請求項２】
前記第1速度と前記第2速度とは、各々、前記基板の速度であり、少なくとも前記リソグラフィースキャナーの一部分に対する相対的な速度であることを特徴とする請求項1記載のマイクロエレクトロニクス装置の製造方法。
【請求項３】
前記第1速度は、前記第2速度よりも少なくとも50〜100％大きいことを特徴とする請求項1記載のマイクロエレクトロニクス装置の製造方法。
【請求項４】
マイクロエレクトロニクス装置の製造方法であって、
第1速度でリソグラフィースキャナーを利用することにより、前記装置のあまり重要でない層を露光するステップと、
第2速度で前記リソグラフィースキャナーを利用することにより、前記装置の重要な層を露光するステップと
から構成され、前記第1速度は、前記第2速度よりも実質的に大きいことを特徴とするマイクロエレクトロニクス装置の製造方法。
【請求項５】
前記第1速度と前記第2速度は、各々、前記基板の速度であり、少なくとも前記リソグラフィースキャナーの一部分に対する相対的な速度であることを特徴とする請求項4記載のマイクロエレクトロ二クス装置の製造方法。
【請求項６】
前記第1速度は、前記第2速度よりも少なくとも50〜100％大きいことを特徴とする請求項4記載のマイクロエレクトロニクス装置の製造方法。
【請求項７】
マイクロエレクトロニクス装置であって、
第1速度で、リソグラフィースキャナーを利用することにより基板上のダミー領域を露光する手段と、
第2速度で前記リソグラフィースキャナーを利用することにより前記基板上の製品領域を露光する手段と
を有し、
前記第1速度は、前記第2速度よりも実質的に大きいことを特徴とするマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項８】
前記第1速度と前記第2速度とは、各々、前記基板の速度であり、少なくとも前記リソグラフィースキャナーの一部分に対する相対的な速度であることを特徴とする請求項7記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項９】
前記第1速度は、少なくとも前記第2速度よりも50％〜100％大きいことを特徴とする請求項7記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項１０】
マイクロエレクトロニクス装置であって、
リソグラフィースキャナーを利用することにより、第1速度で、前記装置の基板上のあまり重要でない層を露光する手段と、
前記リソグラフィースキャナーを利用することにより、第２速度で、前記装置の前記基板上の重要な層を露光する手段と
を有し、
前記第1速度は、前記第2速度より実質的に大きいことを特徴とするマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項１１】
前記第1速度と前記第2速度とは、各々、前記基板の速度であり、少なくとも前記リソグラフィースキャナーの一部分に対する相対的な速度であることを特徴とする請求項10記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項１２】
前記第1速度が、前記第2速度よりも少なくとも50％〜100％大きいことを特徴とする請求項10記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロエレクトロニクス装置（半導体デバイス）およびその製造方法に関し、特に、高性能、高スループットのリソグラフィースキャナーを利用して製造するマイクロエレクトロニクス装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィー装置は、基板の標的部分に所望のパターンを形成するために適用する機械である。リソグラフィー装置は、例えば集積回路（ICs）、フラットパネルディスプレイ及び微細構造を含む他のデバイスの製造に使用される。従来のリソグラフィー装置において、パターニング手段は、マスク又は、レチクルとも称されているが、IC（または他のデバイス）の個々の層に相当する回路パターンを生成するために用いられ、そしてこのパターンは、放射線感受性物質（レジスト）の層を持つ基板（例えばシリコンウェハー又はガラス基板）上の標的部分（例えば1つ又はいくつかのチップの部分で構成される）の上に描かれる。
【０００３】
一般に、単一の基板は、逐次的に露光される隣接した標的部分のネットワークを含む。リソグラフィー装置の一つのタイプは、スキャナーで、その中では、各々の標的部分は、投射光中を、所定の方向（走査方向）にパターンレチクルを走査することによって露光され、その間、ウェハー基板は、この方向に対し、平行又は、反対方向に同期的に走査される。走査が上手くいくには、露光の間、移動しているレチクルとウェハーステージの間に極めて正確な同期化が必要である。例えば、スキャナーの走査速度は、品質とスループットに影響を及ぼす鍵となる要因である。
【０００４】
処理の間、いくつかの重要な層はウェハーの端近くでダミーパターンを露光するためのリソグラフ工程が必要である。ダミーパターン露光は層の全層露光時間の20％以上を占める場合もある。一般に、最大走査速度は単一層の露光に対して選択される。さらに、最大走査速度は、しばしば、重要な層、及びあまり重要でない層のどちらの使用にも選択される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、高性能、高スループットのリソグラフィースキャナーを利用して製造するマイクロエレクトロニクス装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１記載のマイクロエレクトロニクス装置の製造方法は、第1速度でリソグラフィースキャナーを利用することにより、基板上のダミー領域を露光するステップと、第2速度で前記リソグラフィースキャナーを利用することにより、前記基板上の製品領域を露光するステップとから構成され、前記第1速度は、前記第2速度よりも実質的に大きいことを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の請求項２記載のマイクロエレクトロニクス装置の製造方法は、前記第1速度と前記第2速度とは、各々、前記基板の速度であり、少なくとも前記リソグラフィースキャナーの一部分に対する相対的な速度であることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の請求項３記載のマイクロエレクトロニクス装置の製造方法は、前記第1速度は、前記第2速度よりも少なくとも50〜100％大きいことを特徴とするものである。
本発明の請求項４記載のマイクロエレクトロニクス装置の製造方法は、第1速度でリソグラフィースキャナーを利用することにより、前記装置のあまり重要でない層を露光するステップと、第2速度で前記リソグラフィースキャナーを利用することにより、前記装置の重要な層を露光するステップとから構成され、前記第1速度は、前記第2速度よりも実質的に大きいことを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の請求項５記載のマイクロエレクトロニクス装置の製造方法は、前記第1速度と前記第2速度は、各々、前記基板の速度であり、少なくとも前記リソグラフィースキャナーの一部分に対する相対的な速度であることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の請求項６記載のマイクロエレクトロニクス装置の製造方法は、前記第1速度は、前記第2速度よりも少なくとも50〜100％大きいことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の請求項７記載のマイクロエレクトロニクス装置は、第1速度で、リソグラフィースキャナーを利用することにより基板上のダミー領域を露光する手段と、第2速度で前記リソグラフィースキャナーを利用することにより前記基板上の製品領域を露光する手段とを有し、前記第1速度は、前記第2速度よりも実質的に大きいことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の請求項８記載のマイクロエレクトロニクス装置は、前記第1速度と前記第2速度とは、各々、前記基板の速度であり、少なくとも前記リソグラフィースキャナーの一部分に対する相対的な速度であることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の請求項９記載のマイクロエレクトロニクス装置は、前記第1速度は、少なくとも前記第2速度よりも50％〜100％大きいことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の請求項１０記載のマイクロエレクトロニクス装置は、リソグラフィースキャナーを利用することにより、第1速度で、前記装置の基板上のあまり重要でない層を露光する手段と、前記リソグラフィースキャナーを利用することにより、第２速度で、前記装置の前記基板上の重要な層を露光する手段とを有し、前記第1速度は、前記第2速度より実質的に大きいことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の請求項１１記載のマイクロエレクトロニクス装置は、前記第1速度と前記第2速度とは、各々、前記基板の速度であり、少なくとも前記リソグラフィースキャナーの一部分に対する相対的な速度であることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の請求項１２記載のマイクロエレクトロニクス装置は、前記第1速度が、前記第2速度よりも少なくとも50％〜100％大きいことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高性能、高スループットのリソグラフィースキャナーを利用して製造するマイクロエレクトロニクス装置およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下の開示は、様々な実施例の異なる特徴を実施するための、多くの異なる実施例や例を提供する。構成要素や配置の具体例を、本発明を単純にするため以下に説明する。これらは、もちろん単なる例であって、本発明の範囲は、これに制限されるものではない。加えて、本発明は、様々な例において符号、及び/又は文字が繰り返される。この繰り返しは、単純化と明確化の目的のためであり、それ自身の中に、説明されている様々な実施例及び/又は形態間の関係を口述するものではない。さらに、続く説明の中で、第2の特徴に対する第1の特徴の形成、又は、第2の特徴に関係した第1の特徴の形成は、第1と第2の特徴が直接関係して形成される実施例を含んでもよく、付加的な特徴が、第1の特徴と第2の特徴を介在し、第1の特徴と第2の特徴が直接関係しないように形成される実施例を含んでもよい。
【００１９】
図1a〜1cを参照し、まとめて、本発明の一つ以上の特徴を示すリソグラフィー装置100の少なくとも一部分の模式的な図を説明する。リソグラフィー装置100は、基板、又はウェハー120（以後、まとめて基板120と記載する）上のレチクル110から露光領域122にパターンを転写するために設定されたリソグラフィースキャナー、あるいは、リソグラフィースキャナーを含む。光源、又は他の照明手段140からの光130は、レチクル110を通過する前に露光スリット150を通過する。露光スリット150の幅は、基板120上の対象とする露光領域122くらいの幅であるが、露光スリット150の長さはもっと長い。光130は、それからレチクルの画像を、例えば、4X、5X、などのように、縮小するために設置された縮小装置160を通過する。それから光130は露光領域122上にあたる。
【００２０】
上記の露光プロセスの間、レチクル110と基板120は互いに相対的に移動している。レチクル110と基板120の相対速度は、ここでは走査速度またはリソグラフィー走査速度と称される。この速度は、レチクル110と基板120のどちらかの、他方に対する相対的な動きと、位置的に固定された露光スリット150、及び/又は、位置的に固定された縮小装置160に対する動きによって決まる。例えば、基板120が露光スリット150と縮小装置160に対し、X軸方向（図1a〜1cの紙面を横に横切る方向）、Y軸方向（図1a〜1cの紙面の垂直方向）、及び/又は、Z軸方向（図1a〜1cの紙面を上下に横切る方向）のいずれの方向であっても、相対的に並進する間、レチクル110は、露光スリット150と縮小装置160に対し、位置的に固定した関係にとどまっていてもよい。あるいは、レチクル110が露光スリット150と縮小装置160に対しX−、Y−、及び/又は、Z−方向内のいずれにおいても相対的に並進する間、基板120は、露光スリット150及び、縮小装置160に対して位置的に固定した関係にとどまっていてもよい。しかしながら、一連の図1a〜1cでは、レチクル110と基板120の両方が、X−、Y−及び/又はZ−方向内に、露光スリット150及び、縮小装置160に対して相対的に並進する。
【００２１】
例えば、図1aにおいて、レチクル110の左端と露光領域122の右端は光130の中に導かれる。それから図1bに示されるように、レチクル110のページの左方向（X軸の負の方向）への並進と、基板120のページ右方向（X軸の正の方向）への並進の結果に従って、レチクル110の中央部分と露光領域122の中央部分は光130に露光される。図1cに示されるように、さらなるレチクル110のページ左側の方向への並進と、基板130のページ右側へのさらなる並進の結果としてレチクル110の右端と、露光領域122の左端が光130に露光される。
【００２２】
露光領域122と、露光領域122を露光するために利用するレチクル110の図示された一部分が、並進方向（すなわち、X方向で、ページを右と左に横切る）内で、同じ大きさを持つ必要のないことが知られている。したがって、露光領域122の露光の間、レチクル110が並進している時の速度は、露光領域122の露光の間、基板120が並進している時の速度と同じである必要はない。ここで、どちらの速度も位置的に固定された露光スリット150と、縮小装置160に対しての相対的速度である。しかし、より重要なことは、さらに以下に説明されるように、レチクル110と基板120の相対速度である。レチクル110と基板120が、図1a〜1cに描かれるように、露光領域122の露光の間、逆並行方向に並進する必要がないことも又、特筆される。例えば、レチクル110と基板120は、露光領域122の露光の間、実質的に平行方向で、選択的に並進してもよい。
【００２３】
上記の説明において、右方向と左方向と参照したことは、図1a―1cがプリントされているページに対してであり、本発明の説明されている実施例の利便性と明快さのために使用されているに過ぎない。このような参照は、本発明の範囲を制限するものではない。
【００２４】
スキャナーの速度の決定に影響する多くの要因がある。例えば、仮想のマイクロエレクトロニック装置は以下の表1に示されるリソグラフィーの走査ジョブを必要とする。
【００２５】
【表１】
2008205423.tif 000003
【００２６】
表1に示すように、走査ジョブは、走査速度が依存するような複数の仕様を持っている。例えば、上記の表1において、走査ジョブ6は、層A12上で画像B4を露光することで構成され、そのことは、XY5仕様とaZ5仕様、及びE5仕様の各々に相当する。これらの仕様のそれぞれは、以下の表2〜4に説明する仮想例のように、最大、最小、あるいは、他の好ましい走査速度に相当する。
【００２７】
【表２】
2008205423.tif 000004
【００２８】
【表３】
2008205423.tif 000005
【００２９】
【表４】
2008205423.tif 000006
【００３０】
生産のスループットを向上するために、特定の走査ジョブをできるだけ迅速に遂行することが要求される場合、例えば、走査ジョブを十分に達成できる最大走査スピードが選択される。上で検討された走査ジョブ6の例を続けると、走査ジョブに対する速度範囲はXY5仕様に対する速度範囲であるS15、Z5仕様に対する速度範囲であるS25、及び、E5仕様に対する速度範囲であるS35から選択されなければならない。この例において、速度範囲S35は、速度範囲S25よりも大きく（速度において）、ここでS25は、速度範囲S15より大きい。したがって、走査ジョブ6に対し、仕様XY5、Z5、及びE5を満足させる、より大きな（最も速い）走査速度は、速度範囲S15である。
【００３１】
しかしながら、単一層のすべてのパターンを露光する場合、単一走査速度が用いられる。例えば、上記の表1において、走査ジョブ3〜6の各々は、同じ走査速度を用いることが必要である。したがって、例えば、走査ジョブ3と4に対する最も遅い走査速度がS11の速度範囲で、走査ジョブ5と6に対する最も遅い走査速度がS15の速度範囲で、ここでS15の速度範囲がS11の速度範囲より速い時、S11の速度範囲は、走査ジョブ3〜6のすべてに対し用いられるが、それは、ジョブが、それぞれ、同じ製品層の部分を露光することで構成されるからである。
【００３２】
この状況をさらに明らかにするため、図2は、図1a〜1c中に示される基板120の上面図である。基板120は、ここで、まとめて露光領域122とみなされる複数の露光領域に細分される。露光領域122は、図2の斜線を施されていない製品露光領域122aと、基板120の境界と重なる、図2で斜線を施されているダミー露光領域122bとを含む。明確さのために、図2において、各々の露光領域122aと122bのいくつかだけが表示されている。製品露光領域122aは、製品ユニット中で使用されるとみなされる基板120の領域に相当する。しかしながら、ダミー露光領域122bは、破棄され、製品ユニットでは使用されないとみなされ、単に、製品ユニットの歩留りを向上ために含まれている。
【００３３】
上記で説明されるように、単一走査速度は、基板120上に形成されている単一層のすべての露光領域122を露光するために選ばれる。しかしながら、もし、ダミー露光領域122bを露光する時に採用される走査速度が大きければ、露光領域を構成する層の露光に必要なトータルの時間は、減少し、したがって、走査操作のスループットは向上する。すなわち、もし、ダミー露光領域122bの露光に利用する走査速度が、製品露光領域122aの露光に利用する走査速度より実質的に大きい場合、露光領域122を構成する層に対するトータルの走査時間は減少する。例えば、ダミー露光領域122bの露光に利用する走査速度は、製品露光領域122aの露光に利用する走査速度より少なくとも50％大きくてもよい。
【００３４】
図2に説明されるように、トータルで200の露光領域に対し、58のダミー露光領域122bと142の製品露光領域122aがある例を検討する。ダミー露光領域122bの露光に利用する走査速度が、製品露光領域122aの露光に利用する走査速度より、少なくとも約100％大きいとき、露光領域122からなる層を露光するのに必要なトータルの時間は、製品露光領域122aを走査するために利用する走査速度で全露光領域122を露光する処理に比べ、少なくとも9.5％減少される。例えば、製品露光領域122aの走査に利用する走査速度は、約360mm/秒で、ダミー露光領域122bの走査に利用する走査速度は約720mm/秒であってもよい。もし、ダミー露光領域122bの数が、単一層の露光領域122のトータル数の大きな割合を占めるなら、ダミー露光領域122bを露光する時、製品露光領域122aの露光に利用する走査速度に比較して速い走査速度を利用した場合、かなりの時間節約が成し遂げられる。
【００３５】
図3に、異なる層がリソグラフィーで露光されている異なる製品ステージにおける、図2に示される基板120の上面図が説明される。図3で露光されている層は、図2で露光されている層に比較してあまり重要でない層（non-critical layer）である。例えば、図3で露光されているあまり重要でない層のオーバーレイ及び/又は、線量の精度は、10％より大きいが、図2で露光されている重要な層（critical layer）のオーバーレイ及び/又は、線量の精度は、3％よりも小さい。
【００３６】
上述のように、単一走査速度は、基板120上に形成されている単一層の全露光領域122の露光に対して選択される。しかしながら、あまり重要でない層の露光領域122を露光するときに利用する走査速度が、重要な層の露光領域122を露光するときに利用する走査速度に比較して大きくなるなら、あまり重要でない層（そして、したがって累積的にすべての層）の露光領域122の露光に必要な全時間は減少され、従って、走査処理のスループットは増加する。すなわち、もし、あまり重要でない層の露光領域122の露光に利用する走査速度が、重要な層の露光領域122の露光に利用する平均走査速度よりも実質的に大きい場合、すべての層に対する全走査時間は減少する。例えば、あまり重要でない層の露光領域122の露光に利用する走査速度が、重要な層の露光領域122の露光に利用する平均走査速度より、少なくとも50％大きくてもよい。あるいは、あまり重要でない層の露光領域122の露光に利用する走査速度は、重要な層のどれか一つの露光領域122（図2の露光領域122aの一つのような）を露光するために利用する最も遅い走査速度より、少なくとも50％大きくてもよい。
【００３７】
図3に説明されるように、あまり重要でない層の露光領域122が200ある場合の例を考える。もし、あまり重要でない層の露光領域122の露光に利用する走査速度が、重要な層の露光領域122のどれか一つの露光に利用する最も遅い走査速度より少なくとも約100％大きい場合、あまり重要でない層の全露光領域122の露光に必要とされるトータルの時間は、重要な層の露光領域122のどれか一つを走査するのに利用する、最も遅い走査速度を利用して、あまり重要でない層の全露光領域122を露光する処理に比較して少なくとも50％減少する。例えば、重要な層の露光領域122のどれか一つを走査するために利用する最も遅い走査速度が約360mm/秒で、他方、あまり重要でない層の露光領域122を露光するために利用する走査速度は約720mm/秒であってもよい。
【００３８】
図4で、本発明で一つ又はそれ以上の特徴が実施されている状況における一つ又はそれ以上の特徴を示しているリソグラフィー装置400の少なくとも一部分の模式図を説明する。リソグラフィー装置400は、本発明の一つ以上の特徴に関係するリソグラフィーシステムを含むか、あるいは、リソグラフィーシステムの中に含まれる。
【００３９】
リソグラフィー装置400は、照明システム410、レチクル420を固定するために配置されたレチクルステージ415、投射ユニット425、及び、ステージユニット430で構成される。他の可能な構成要素の中で、照明システム410は、光源、照度均一性光学システム（光結合器などを含むような）、ビームスプリッター、中継レンズ、フィルター、及び/又は、レチクルブラインドを含むことができる（いずれも図示されてはいない）。照明システム410において、照明光、又は露光は、（レチクルブラインドによって、セットされるような）露光スリットを経て、回路パターンなどが実質的に均一な照度で組み立てられているレチクル420の上方を照明する。照明光又は露光は、数ある中でも、ArFエキシマーレーザービーム（例えば、波長193nm）、KrFエキシマーレーザービーム（例えば、波長248nm）のような遠紫外光、あるいは、超高圧水銀ランプによって生成された紫外領域の輝線（g線又はi線のような）で構成される。照明システム410は又、ハエの目レンズ、ロッド集積器（内部反射型集積器）、及び/又は、光結合器の構成部品である、回折光学素子とで構成される。
【００４０】
レチクル420は、例えば、真空により、レチクルステージ415に固定される。レチクルステージ415は、XY面中で、一つ以上のリニアモーター、あるいは他の動作誘導構成部品で構成されるようなレチクルステージ駆動部により、照明システム410の光学軸と垂直な駆動が可能である。レチクルステージ415は、図4に示されるY軸に沿うような、所定の走査方向での駆動が可能である。このような走査は、図1a〜1c、2及び3に関して上述されている。
【００４１】
ステージの可動面内でのレチクルステージ415の位置は、周期的に、又は常に、レチクルレーザー干渉計435を通し、可動ミラー440を通して検出され、分解幅の範囲は約0.5nmから約1.0nmの間と思われる。レチクルステージ415は、Y軸に直交の反射表面を持つ可動ミラーとX軸方向に直交する反射表面を持つ可動ミラーで構成され、このようなミラーに相当するレチクルY干渉計やX干渉計も同様である。しかしながら、図4に、このような、ある実施例や他のものが、可動ミラー440及びレチクルレーザー干渉計435によって模式的に表される。
【００４２】
レチクルステージ415の位置を表す情報は、レチクルレーザー干渉計435から主制御装置445に、例えばステージ制御ユニット450を通して伝達される。ステージ制御ユニット450は、レチクルステージ415の位置情報に基づき、また主制御装置445からの命令に応答して、レチクルステージ駆動部を通し、レチクルステージ415を駆動、及び/又は、制御するように配置される。
【００４３】
投射ユニット425の光学軸は、照明システム410の光学軸に一致する。投射ユニット425は、Z軸方向に同じ光学軸を共有し、設置内で所定の位置関係を持つ、複数のレンズ、レンズ素子、及び/又は、他の光学素子を含む投射光学システムが設けられた、たる型構造で構成される。例えば、所定の投射倍率（例えば1/4X、又は、1/5X）を持つ両面テレセントリック屈折光学系が使用される。それに応じて、照明システム410からの露光がレチクル420の照明領域を照明する時、レチクル420を通過する照明光は投射ユニット425を通過し、表面がレジスト及び/又は他の感光性の物質でコートされているウェハー又は基板455上の、レチクル420の照明領域に、回路パターンの縮小された像（回路パターンの部分的に縮小された像）を形成する。
【００４４】
リソグラフィー装置400が、浸漬リソグラフィー処理に使用するために配置されるように、リソグラフィー装置400は、また、液体供給/排液ユニット460で構成される。液体供給/廃液ユニット32は投射ユニット425の下端を囲むように、投射ユニット425に付属される。
【００４５】
ステージユニット430は、基板ステージとしての役割をするウェハーステージ465、ウェハーステージ465に提供されたウェハーホルダー470、そして、ウェハーステージ465とウェハーホルダー470を駆動するために配置されたウェハーステージ駆動部分475で構成される。ウェハーステージ465は、リニアモーター、及び/又は他の構成部品によってXY方向において駆動される、XYステージ480から構成される。ウェハーステージ465は、またZステージ485で構成され、XYステージ480上に設置され、Z軸方向内、及び/又は、XY面に対して傾斜方向（X軸（ΩX）の周りの回転方向そしてY軸（ΩY）の周りの回転方向）内での移動を、例えば、Z傾斜ドライブ機構などによって、提供するために配置される。XYステージ480は、また、走査方向（Y軸方向）のみならず、走査方向に直交する非走査方向（X軸方向）においてもまた可動となるように配置される。
【００４６】
XYステージ480と、Zステージ485は、集合的にウェハーステージと見なされる。Z軸（ΩZ）の周りの回転を含む、XY面中のウェハーステージの位置は、周期的に、又は常に、ウェハーレーザー干渉計490によって、Z傾斜ステージ485の上部面上に提供された可動ミラー495を通り、例えば、分解幅約0.5nm〜約1nmの範囲で検出される。このような配置は、レチクルステージ415に関して上記に説明された、双対ミラー、双対干渉計で構成される。
【００４７】
ウェハーステージに関する位置及び/又は速度の情報は、ステージ制御ユニット450に伝達され、それから主制御装置445に伝えられる。ステージ制御ユニット450は、例えば、主制御装置445からの命令への応答のような、ウェハーの位置及び/又は速度情報に基づき、ウェハーステージ駆動部分475を経由しウェハーステージを制御するように配置される。
【００４８】
したがって、本発明は、マイクロエレクトリック装置の製造方法、を提示し、その方法は、第1速度でリソグラフィー走査を利用して基板上のダミー領域を露光し、第2速度で、リソグラフィー走査を利用して基板上の製品領域を露光することで構成される。ここで、第1速度は実質的に第2速度より大きい。
【００４９】
本発明で提示されるマイクロエレクトリック装置の他の製造方法は、第1速度でリソグラフィー走査を利用して装置のあまり重要でない層を露光し、第2速度でリソグラフィー走査を利用して装置の重要な層を露光することで構成される。ここで、第1速度は、実質的に第2速度より大きい。
【００５０】
本発明は、また、第1速度でダミー領域を露光し、第2速度で製品領域を露光し、ここで第1速度は、実質的に第2速度より大きい、リソグラフィー走査を利用することで、基板上のダミー領域と製品領域を露光するための手段で構成されるマイクロエレクトリック装置を提示する。
【００５１】
本発明で提示される別のマイクロエレクトリック装置は、第1速度であまり重要でない層を露光し、第2速度で重要な層を露光し、第1速度は第2速度より実質的に大きい、リソグラフィー走査を利用することによりマイクロエレクトリック装置の製造で基板を重要な層とあまり重要でない層を露光する手段で構成される。
【００５２】
先述の概要は、当業者が本発明の態様をより理解できるように、いくつかの実施例で特徴付ける。当業者は、ここで提示された実施例と同じ目的を実行すること、及び/又は、同じ長所に達するための他の処理や構造の設計や修正のための基本として、本開示を容易に利用できることが認識されるべきである。これらの当業者は、このような同等の解釈が、本開示の精神と範囲から離れないこと、また彼等は、本開示の精神と範囲から離れることなく、様々な変化、置換及び変更ができることを認識するべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１ａ】本発明の一つ以上の特徴を明示しているリソグラフィー装置の少なくとも一部分の模式図である。
【図１ｂ】本発明の一つ以上の特徴を明示しているリソグラフィー装置の少なくとも一部分の模式図である。
【図１ｃ】本発明の一つ以上の特徴を明示しているリソグラフィー装置の少なくとも一部分の模式図である。
【図２】本発明の一つ以上の特徴を明示している基板の少なくとも一部分の模式図である。
【図３】本発明の一つ以上の特徴を明示している基板の少なくとも一部分の模式図である。
【図４】本発明の一つ以上の特徴を明示しているリソグラフィー装置の模式図である。
【符号の説明】
【００５４】
100  リソグラフィー装置
110  レチクル
120  基板
122  露光領域
122a  製品露光領域
122b  ダミー露光領域
130  光
140  照明手段
150  露光スリット
160  縮小装置
400  リソグラフィー装置
410  照明システム
415  レチクルステージ
420  レチクル
425  投射ユニット
430  ステージユニット
435  レチクルレーザー干渉計
440  可動ミラー
445  主制御装置
450  ステージ制御ユニット
455  基板
460  液体供給/廃液ユニット
465  ウェハーステージ
470  ウェハーホルダー
475  ウェハーステージ駆動部分
480  XYステージ
485  Zステージ
490  ウェハーレーザー干渉計
495  可動ミラー
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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