(57)【要約】【課題】半導体素子の主電極面を電極板で圧接した状態で使用する圧接型半導体装置において、半導体素子の主電極面と電極板との間の電気抵抗および熱抵抗を共に低減できるようにする。【解決手段】発熱素子１を、この発熱素子１の熱を緩衝する熱緩衝機能及び発熱素子１からの電気信号を取り出す電極機能を有する一対の電極部材８により挟持し、これら電極部材８の外側を一対の放熱部材４により挟持してなる電気機器において、  各々の電極部材８と放熱部材４とが対向する部分に、電極部材８及び放熱部材４のどちらか一方の表面に一体に成膜された絶縁層９を備えている。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱素子（１）を、この発熱素子の熱を緩衝する熱緩衝機能及び前記発熱素子からの電気信号を取り出す電極機能を有する一対の電極部材（８）により挟持し、これら電極部材の外側を一対の放熱部材（４）により挟持してなる電気機器において、
各々の前記電極部材と前記放熱部材とが対向する部分に、前記電極部材及び前記放熱部材のどちらか一方の表面に一体に成膜された絶縁層（９）を備えていることを特徴とする電気機器。
【請求項２】
前記絶縁層（９）は前記電極部材（８）の側に成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の電気機器。
【請求項３】
前記絶縁層（９）の厚さは、１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項２に記載の電気機器。
【請求項４】
前記絶縁層（９）を構成する材料は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、およびダイヤモンドライクカーボンの中から選択されたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電気機器。
【請求項５】
各々の前記電極部材（８）と前記放熱部材（４）とが対向する部分には、熱伝導性を有する熱伝導部材が介在されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電気機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱素子と電極部材とを接触させて、該発熱素子からの電気信号を該電極部材を介して取り出すようにした電気機器に関し、特に、発熱素子と電極部材との間の接触電気抵抗及び熱抵抗の低減に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電気機器として、例えば、半導体素子（発熱素子）の主電極面を電極板（電極部材）で圧接した状態で使用する圧接型半導体装置がある。これは、通電電流の大きいパワートランジスタであるサイリスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、大容量ダイオード等の半導体素子の第１の主面をろう付けや半田付けで接着し、第２の主面を電極板で圧接したり、あるいは第１、第２の主面を電極板で挟んだ構造として知られている。
【０００３】
しかしながら、今日、この種の半導体素子は、定格電流を増大させるため、大容量化が進んでおり、半導体装置の使用効率、耐久性を向上させるために半導体素子と電極板間や、電極板と絶縁板、放熱板（ヒートシンク）間の接触電気抵抗や熱抵抗を低減することが必要とされている。
【０００４】
上記の様な要求に対して、例えば、特許文献１、２に記載の半導体装置が提案されている。特許文献１では、半導体素子の主電極面と電極板との間に、接触中間材として粉末金属を混入した油またはグリースを介在させ、加圧保持することで半導体素子の主電極面と電極板との間の電気的・熱的接触抵抗を低減することを行っている。しかし、粉末金属を混入させている油やグリースは絶縁物であるために、電気抵抗を充分に低減するのが困難であり、また、これらの化学合成物質は金属に比べて熱伝導率が劣るため、熱抵抗も十分に低減できているとは言い難い。
【０００５】
一方、特許文献２では、半導体素子の主電極面と電極板との間に、接触中間材として２μｍ以下の粒子径を持つ粉末金属層を介在させて加圧することで、同様に電気的・熱的接触抵抗を低減することを行っている。しかし、本発明者等の検討によれば、２μｍ以下の粒子同士によって作られる界面数が非常に多くなるため、個々の界面における抵抗（特に電気抵抗）は微小であるが、粉末金属層全体では同様の厚さのバルク金属に比べて大きなものとなり、半導体素子の主電極面と電極板間の電気抵抗を十分に低減できているとは言い難い。
【０００６】
また、別な手法としては、特許文献３に記載のものが提案されている。これは半導体素子の主電極面と電極板間の電気的な接触を良好にするために、接触中間材軟金属箔を介在させているが、軟金属箔の表面粗さは非常に小さく鏡面に近いため、半導体素子の主電極面表面や電極板表面の面粗れによるわずかな隙間を十分に埋めることができない。よって、特に接触熱抵抗を低減することが困難である。
【特許文献１】特開昭５４−４０５６９号公報
【特許文献２】特開昭５４−９５１８３号公報
【特許文献３】特開平８−３３０３３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような上記各特許文献における問題点は、圧接型半導体装置のみならず、発熱素子と電極部材とを接触させて、該発熱素子からの電気信号を該電極部材を介して取り出すようにした電気機器（以下、素子・電極接触型電気機器という）においては、共通の問題と考えられる。
【０００８】
本発明は上記問題に鑑み、互いに接触する発熱素子と電極部材との間の電気抵抗および熱抵抗を共に低減できるような素子・電極接触型電気機器及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
ところで、一般に、素子・電極接触型電気機器においては、発熱素子と電極部材との熱歪みによる圧接時の荷重集中や、熱膨張差による接触面（特に発熱素子表面）の摩耗など発熱素子への物理的ダメージを小さくするため、発熱素子と電極部材との間に熱緩衝板を挿入した構成を採用している。しかしながら、介在する熱緩衝板によって、発熱素子と電極部材との間の電気抵抗および熱抵抗が高いものとなってしまう。
【００１０】
これを解決するためには、電極部材に熱緩衝機能を持たせて構成部品点数を減らすことが考えられ、そのようなものとして、例えば、特開平１−２２８１３８号公報に記載されているものがある。これは、半導体素子のアノードとカソードに接する金属板として、半導体素子の主材料であるＳｉ（シリコン）と熱膨張係数の近いＭｏ（モリブデン）板を用い、さらに、このＭｏ板を外部導体と接する電極としても用いることで、構成部品点数を減らすものである。
【００１１】
しかし、このような構成においては、熱緩衝機能を有する電極部材（熱緩衝兼電極部材）の外側に絶縁板を介して放熱板（ヒートシンク）を設け、この放熱板より熱を放出することが必要であるが、上記の特開平１−２２８１３８号公報に記載の構成においては、半導体素子から発生した熱と電流との分離取出し方法が記載されていない。
【００１２】
一般に、従来において、電極部材と放熱板との間に介在し放熱経路と電流経路を分離する絶縁板としては、特開昭６２−２８７６４９号公報に記載されているものがある。このものは、半導体素子からの取出しに用いる電極端子とヒートシンクとの間にバルクのセラミック板を挿入して絶縁分離するとともに、当該セラミックに高熱伝導性材を用い、更にセラミック板とヒートシンクの間に軟金属箔を介在させて放熱効率を向上させると言うものである。
【００１３】
そこで、上記熱緩衝兼電極部材と放熱板との間に挿入する絶縁板としても、上記バルクのセラミック板を用いることが考えられる。しかし、電極部材とセラミック板との界面熱抵抗及び放熱板とセラミック板との界面抵抗は無視できる程小さくはなく、また、セラミック板の厚さも組付け性やハンドリング等の問題を考慮するとある程度の厚みは必要であるため、十分に熱抵抗を低減できるとは言い難い。従って、従来においては、部品点数を減らすべく電極部材として熱緩衝兼電極部材を用いたとしても、発熱素子と電極部材との間の電気抵抗および熱抵抗を共に十分に低減することは困難であった。
【００１４】
このような事情に鑑みて、請求項１〜請求項４記載の発明は、発熱素子（１）を熱緩衝兼電極部材としての一対の電極部材（８）により挟持し、これら電極部材の外側を一対の放熱部材（４）により挟持してなる電気機器において、発熱素子と電極部材との間の電気抵抗および熱抵抗を共に低減することを目的として成されたものである。
【００１５】
即ち、請求項１の電気機器においては、各々の電極部材（８）と放熱部材（４）とが対向する部分において、該電極部材及び該放熱部材のどちらか一方の表面に絶縁層（９）を一体に成膜したことを特徴としている。本発明では、まず、熱緩衝兼電極部材を用いることにより、まず、構成部品点数を減らして接触界面数を減らすことにより、構成材のバルク抵抗、構成材間の接触界面抵抗を低減できる。
【００１６】
また、電極部材または放熱部材において、これら両部材が互いに対向する面に絶縁層を一体に成膜しているから、電極部材または放熱部材と絶縁層との接触界面は緻密になり、従来のように、電極材と絶縁材と放熱板とのバルク同士を圧接する場合よりも接触界面に生ずる空間が飛躍的に小さくなる。そして、熱抵抗は空間での輻射よりも伝導の方が相対的に極めて小さいため、本発明のように、絶縁材を成膜して電極部材または放熱部材と一体化することで熱伝達は伝導が支配的となり、熱抵抗が低減する。
【００１７】
よって、本発明によれば、上記部品点数の低減による効果に加えて、電極部材から放熱部材への放熱効率が向上するため、結果的に、発熱素子と電極部材との間の電気抵抗および熱抵抗を共に低減することができる。また、通常、放熱部材は、冷却性を高めるために電極部材に比べて厚いものや大きいものが用いられる。そのため、絶縁層の成膜における成膜装置への設置しやすさ等の取り扱い性を考えると、絶縁層（９）は電極部材（８）の側に成膜することが好ましい。
【００１８】
ここで、絶縁層（９）の厚さは、１０μｍよりも厚いと熱抵抗が十分低減されない可能性があり、また、１μｍよりも薄いと電流リークが発生する可能性があるため、熱抵抗と電気抵抗の両立を考えると、経験的に１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。また、絶縁層（９）を構成する材料としては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、およびダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の中から選択されたものを採用することができる。
【００１９】
また、請求項５の発明では、請求項１〜請求項４記載の電気機器において、各々の電極部材（８）と放熱部材（４）とが対向する部分に、熱伝導性を有する熱伝導部材を介在させたことを特徴としており、熱抵抗をより効率的に低減できる。
【００２０】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２２】
また、以下の各実施形態のうち、本発明の請求の範囲に係わるものは、第４実施形態であり、第１〜３、５実施形態は、第４実施形態を説明するための参考例である。
【００２３】
（第１実施形態）
本実施形態は、本発明を素子・電極接触型電気機器としての圧接型半導体装置に適用したものである。図１に、本実施形態に係る圧接型半導体装置１００の主要部分の模式的断面構成を示す。
【００２４】
１は半導体素子であり、例えば、ＩＧＢＴやサイリスタ等のパワー半導体素子からなる。この半導体素子１の表裏面（図示例では上側が表面、下側が裏面）は、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）等からなる電極（図示せず）が形成された主電極面として構成されている。半導体素子１は、その両主電極面の外側に設けられた例えばＭｏ（モリブデン）やＣｕ（銅）等からなる一対の電極板２によって挟まれている。
【００２５】
更に、一対の電極板２は、その外側面に設けられた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の絶縁性材料からなる一対の絶縁板３によって挟まれ、一対の絶縁板３は、その外側面に設けられた熱伝導性材料（銅、アルミ等）からなる一対の放熱板４によって挟まれている。そして、各接触部分、即ち、半導体素子１の主電極面と電極板２との間、電極板２と絶縁板３との間、絶縁板３と放熱板４との間には、各間の熱抵抗、及び半導体素子１と電極板２との間にあってはそれに加えて電気抵抗を確保するための接触中間材５、６、７が介在している。
【００２６】
これら多層構造となった各部材１〜７は、一対の放熱板４の両外側から、図１の白抜き矢印に示す様に、図示していない加圧装置により所定の接触圧力を印加され、互いに圧接している。そして、電気信号の流れは、例えば、図中、上側の電極板２から半導体素子１を通り、下側の電極板２から取り出される、というように、所謂縦型のパワー素子として機能するようになっている。
【００２７】
次に、本発明の要部である半導体素子１の主電極面と電極板２との間に介在する接触中間材５について述べる。まず、これらの間に接触中間材を介在させる根拠となった事前検討例を示す。
【００２８】
半導体素子１の表面電極をＡｌ（表面粗さＲａ：０．２μｍ）、電極板２をＭｏ（表面粗さＲａ：０．０５μｍ）とした組合せにおいて、半導体素子１の主電極面と電極板２との間に介在物が無い場合（後述の図３（ｃ）参照）と、粉末金属としてのＡｕ（金）粉末（粒径５０〜１００μｍ以下）を２０ｍｇ／ｃｍ2の量で介在させ、図示しない加圧装置で半導体素子１に見掛けの圧力５０ｋｇｆ／ｃｍ2の接触圧力を印加した場合との、２つの場合における電気抵抗（接触電気抵抗）および熱抵抗（接触熱抵抗）の相対比較値を図２の表に示す。
【００２９】
電気抵抗、熱抵抗共に、Ａｕ粉末を介在させることで低減することが解る。これは、Ａｕ粉末が無い場合、半導体素子１の表面電極と電極板２の各電極面の凹凸やうねりにより隙間が出来、互いの接触面積が小さくなり、電気抵抗及び熱抵抗が大きくなってしまうが、Ａｕ粉末がある場合、該粉末が上記凹凸やうねりによる隙間を埋めるため、電気抵抗及び熱抵抗を低減できるのである。
【００３０】
本実施形態における接触中間材５の特徴的な構成を図３の模式図に示す。即ち、半導体素子１の主電極面と電極板２の間には、接触中間材５として、平均粒径の異なる２種類以上の粒子５ａ、５ｂ、即ち、粒子状の粒子部材としての大粒子（第１の粒子部材）５ａと、この大粒子５ａよりも小さい平均粒径を有し大粒子５ａの隙間に充填された充填部材としての小粒子（第２の粒子部材）５ｂとが介在されている。各粒子５ａ、５ｂは熱伝導性及び導電性を有する粒子からなる。
【００３１】
なお、図３においては、（ｂ）は（ａ）に比べて大粒子５ａの径が大きいものを用いた例であり、（ｃ）は接触中間材５が無い場合を示している。また、図３に示す例では、（ａ）中の大粒子５ａ同士、（ｂ）中の大粒子５ａ同士において、各大粒子５ａの各径は多少異なっているが、本発明では、この程度の相違があっても実質的に同一の径（つまり略所定径）とみなす。
【００３２】
このように、接触中間材５として、粒径の異なる粒子５ａ、５ｂを混合して介在させ圧接する。それによって、半導体素子１と電極板２との間において、大粒子５ａによって電気抵抗の大きい粒子間の界面が少なくなり、界面抵抗が小さい電気伝導用の通路ができ、電気抵抗が低減され、一方、小粒子５ｂによって大粒子５ａの隙間が埋められ、見掛けの接触面積を増すことで、熱抵抗が低減される。
【００３３】
また、図３（ａ）及び（ｂ）に示す様に、大粒子５ａ同士の接触面積は、その形状によって点接触に近い部分もあるが、電気抵抗は、上述のように、接触部分（粒子同士の接触界面）の多少に依存し、その接触部分の面積にはそれほど左右されないため問題はない。つまり、大粒子５ａの隙間に小粒子５ｂを完全に充填しなくても、少なくとも大粒子５ａよりも小径の小粒子５ｂが存在する状態であればよい。
【００３４】
また、小粒子５ｂの平均粒径は、後述の数値例に限定されるものではなく、大粒子５ａの平均粒径よりも小さく大粒子５ａの隙間を埋めるように配置できれば、どのような大きさであっても問題ない。また、大粒子５ａの平均粒径よりも小さい複数種類の平均粒径を有する小粒子（図示せず）を、小粒子５ｂとは別に大粒子５ａの隙間に一緒に複数設けてもよい。
【００３５】
特に、本発明者等の検討によれば、２μｍ以下の粒子においては作られる界面数が非常に多くなるため、大粒子５ａを、その最小粒径が２μｍよりも大きいものとし、小粒子５ｂを、その最大粒径が２μｍ以下であるものとすれば、大粒子５ａによって、粒子間の界面をより少なくでき電気抵抗をより低減できる。また、小粒子５ｂは、電極の表面粗さＲａよりも小さい平均粒径であれば、接触表面の面粗れを埋めて見掛けの接触面積をより増加できるため好ましい。
【００３６】
ここで、熱伝導性及び導電性を有する両粒子５ａ、５ｂの材質としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、半田合金及びこれらの混合物（これらを物質群Ａとする）のうちから選択された物質を用いることができる（単一もしくは複数採用可）。
【００３７】
大粒子５ａ及び小粒子５ｂよりなる接触中間材５の電気抵抗及び熱抵抗に与える効果の一例を図４に示す。図４は、半導体素子１の表面電極をＡｌ（表面粗さＲａ：０．２μｍ）、電極板２をＭｏ（表面粗さ：Ｒａ０．０５μｍ）とし、接触中間材５として粒径２μｍ以下のＡｇ粉末（小粒子５ｂ）と粒径５０〜１００μｍのＡｇ粉末（大粒子５ａ）とを混合して３０ｍｇ／ｃｍ2の量で介在させ、図示しない加圧装置で半導体素子１に見掛けの圧力５０ｋｇｆ／ｃｍ2の接触圧力を印加したときの、両粒子５ａ、５ｂの体積比率による電気抵抗及び熱抵抗の変化を示す。
【００３８】
図４においては、これらの変化について、接触電気抵抗は大粒子５ａが０体積％のとき、接触熱抵抗は大粒子５ａが１００体積％のときを、各々１と規格化して示してある。図４から解るように、粒径の異なる粉末金属の混合体積比率を変えることで、各抵抗を共に低減することができる。
【００３９】
このように、本実施形態によれば、互いに接触する発熱素子としての半導体素子１と電極部としての電極板２との間に、大粒子５ａ及び小粒子５ｂよりなる接触中間材５を介在させており、半導体素子１と電極板２との間の電気抵抗および熱抵抗を共に低減できるような素子・電極接触型電気機器としての圧接型半導体装置を提供することができる。
【００４０】
ところで、本実施形態では、電極板２における主電極面との圧接面とは反対側の面に、絶縁板３を介して放熱板４が圧接されており、これら電極板２と絶縁板３との間、及び絶縁板３と放熱板４との間にも、接触中間材６、７が介在されている。これらの間では、接触熱抵抗のみが問題となるが、これら接触中間材６、７は、当該間の隙間を埋めるように充填された例えば金属粉末（ＡｇやＡｕ等）等の熱伝導性を有する熱伝導部材であり、これらの間において熱抵抗の低減が図れる。
【００４１】
図５に、電極板２と絶縁板３の間に充填された接触中間材６の具体的効果の一例を示す。電極板２をＭｏ（表面粗さＲａ：０．０５μｍ）、絶縁板３をＡｌＮ（表面粗さＲａ：０．２μｍ）とした組合せにおいて、接触中間材６としてＡｕ粉末（粒径：２μｍ以下）を２０ｍｇ／ｃｍ2の量で介在させ、見掛けの接触圧力５０Ｋｇｆ／ｃｍ2の接触圧力を印加したところ、接触中間材６として粉末金属（Ａｕ粉末）が有る場合は、無い場合に比べて著しく接触熱抵抗を低減することができた。
【００４２】
かかる構成を有する半導体装置１００は、上述のように、各部材１〜４の間に両粒子５ａ、５ｂからなる接触中間材５及び接触中間材６、７を介在させた後、一対の放熱板４の両外側から図示しない加圧装置により所定の接触圧力を印加することで圧接されて製造される。ここで、製造方法のうち本発明の要部である接触中間材５の介在方法について更に述べる。
【００４３】
まず、両粒子５ａ、５ｂを所定の体積比率で秤量した後、有機溶剤等の揮発性の溶剤を加え、混合して、ペーストを作成し、このペーストを、半導体素子１の主電極面及び電極板２の少なくとも一方に塗布する。そして、上記のように各部材１〜７を積層し、加圧する。続いて、ペーストを加熱乾燥（例えば２００℃程度）もしくは自然乾燥乾燥させ、揮発性の溶剤を除去する。こうして、両粒子５ａ、５ｂのみが接触中間材５として残る。
【００４４】
本介在方法によれば、両粒子５ａ、５ｂをペーストにして、該ペーストを塗布、乾燥するという簡単な方法で、半導体素子１の主電極面及び電極板２の間に介在させることができるから、作業性の良い製造方法を提供することができる。
【００４５】
また、接触中間材５の他の介在方法として、両粒子５ａ、５ｂを粉末状態で混合して、上記接触圧力よりも低い圧力で加圧して固形部材とし、該固形部材を半導体素子１の主電極面及び電極板２の間に挿入した後、該固形部材を上記接触圧力で再加圧することで、接触中間材５の介在を行ってもよい。
【００４６】
この他の介在方法の具体例を示す。半導体素子１の表面電極をＡｌ（表面粗さＲａ：０．２μｍ）、電極板２をＭｏ（表面粗さ：Ｒａ０．０５μｍ）とした組み合わせにおいて、接触中間材５として粒径２μｍ以下のＡｇ粉末（小粒子５ｂ）と粒径５０〜１００μｍのＡｇ粉末（大粒子５ａ）とを混合して３０ｍｇ／ｃｍ2の量とする。
【００４７】
次に、この混合粉末を別途用意した図示しない平滑な一対の板の間に挟んで、図示しない加圧装置で５ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で予め加圧することにより固化し、固形部材とする。この固形部材を半導体素子１の表面電極と電極板２との間に介在させ、上記加圧装置で半導体素子１に見掛けの圧力５０ｋｇｆ／ｃｍ2 の接触圧力を印加し、接触中間材５として介在させる。
【００４８】
本介在方法によれば、両粒子５ａ、５ｂを混合して固形部材とするから、取り扱いが簡単で作業性が向上する。また、該固形部材を作る際の圧力を上記接触圧力よりも低い圧力とし、該固形部材を挿入後、高い上記接触圧力で再加圧するから、固形部材が変形して広がり接触面積を増加でき、電気抵抗及び熱抵抗の低減のためには好ましい。
【００４９】
なお、接触中間材５の介在方法としては上記２つに限定されるものではなく、例えば、多少作業性は劣るが、粉末状に混合した両粒子５ａ、５ｂをそのまま、介在部分に塗布してもよい。また、ＡｇやＡｕ等の粉末金属からなる接触中間材６、７についても、接触中間材５の介在方法を適用して、同様に介在させることができる。
【００５０】
ここで、図６は、本実施形態の変形例を説明する模式図である。上記図３に示した例では、粒径の異なる粒子５ａ、５ｂを予め混合した接触中間材５としたが、本例では、粒径の異なる粒子５ａ、５ｂを予め混合しないものとしている。つまり、図６に示す様に、半導体素子１と電極板２との間のいずれか一方の面上に大粒子５ａと小粒子５ｂを、各々１ヶ所以上配置し、加圧接触させることで、上述した本実施形態の作用効果を奏する。なお、本変形例では離間配置された大粒子５ａの間が大粒子５ａの隙間に相当する。
【００５１】
（第２実施形態）
図７に本発明の第２実施形態を示す。本実施形態は、半導体素子（発熱素子）１と電極板（電極部材）２との間に介在させる接触中間材５において、上記大粒子５ａの代わりに、半導体素子１及び電極板２の少なくとも一方に設けられた所定径のバンプ５０ａを用いたものである。バンプ５０ａは、半田合金等を用いて一般な製法（例えば、はんだボールからリフロー工程を経て形成する）により形成でき、熱伝導性及び導電性を有する。
【００５２】
そして、半導体素子１と電極板２とはバンプ５０ａを介して加圧接触され、バンプ５０ａの隙間には、バンプ５０ａの所定径よりも小さい平均粒径を有する熱伝導性及び導電性の粒子（粒子部材、充填部材）５０ｂが設けられている。このように本第２実施形態における接触中間材５は、バンプ５０ａに粒子５０ｂを含んで構成されている。バンプ５０ａ及び粒子５０ｂは、上記第１実施形態に記載の物質群Ａのうちから選択された物質を用いることができる。
【００５３】
なお、本第２実施形態においても、上記第１実施形態と同様、バンプ５０ａの所定径よりも小さい複数種類の平均粒径を有する粒子部材（図示せず）を、粒子５０ｂとは別にバンプ５０ａの隙間に一緒に複数設けてもよい。また、バンプ５０ａの隙間に粒子５０ｂを完全に充填しなくても、少なくともバンプ５０ａよりも小径の小粒子５０ｂが存在する状態であればよい。
【００５４】
それにより、半導体素子１と電極板２との間において、バンプ５０ａによって電気伝導用の通路ができ電気抵抗が低減され、一方、粒子５０ｂによってバンプ５０ａの隙間が適宜埋められ、見掛けの接触面積を増すことで熱抵抗が低減される。従って、本実施形態においても、半導体素子１と電極板２との間の電気抵抗および熱抵抗を共に低減できるような素子・電極接触型電気機器としての圧接型半導体装置を提供することができる。
【００５５】
（第３実施形態）
図８に本発明の第３実施形態を示す。本実施形態は、半導体素子（発熱素子）１と電極板（電極部材）２との間に、両者１、２の接触面積を増大すべくその表面を変形させた金属箔１０を介在させ、この金属箔１０によって形成される隙間に、粉末金属１１を充填し、これら金属箔１０及び粉末金属１１により接触中間材５を構成したものである。なお、金属箔１０及び粉末金属１１は、上記第１実施形態に記載の物質群Ａのうちから選択された物質を用いることができる。
【００５６】
半導体素子１と電極板２の間に介在する金属箔１０は、その表面をウエットエッチングやドライエッチングを用いたり、あるいは研磨紙等の研磨材を用いて意図的に表面を粗らしたり、さらには折り目やうねりをつけることにより、表面全体に凹凸を設けたものとなっている。それにより、該表面の凹凸が、半導体素子１の電極表面や電極板２の表面の微小な凹凸と嵌合し、十分な接触面積を得ることができる。
【００５７】
なお、本第３実施形態においても、上記第１及び第２実施形態と同様、表面凹凸を有する金属箔１０によって形成される隙間に粉末金属１１を完全に充填しなくても、少なくとも前記隙間に存在する状態であればよい。また、前記隙間に設ける粉末金属１１とは（平均）粒径の異なる複数種類の（平均）粒径を有する粒子部材（図示せず）を、粉末金属１１と一緒に又は別に設けてもよい。そして、本実施形態によれば、金属箔１０が上記第１の介在部材と同様の作用効果を奏し、金属粉末１１が、上記第２の介在部材と同様の作用効果を奏するため、本発明の目的に叶う素子・電極接触型電気機器を提供することができる。
【００５８】
なお、上記各実施形態において、半導体素子１と電極板２との間に接触中間材５を介在させることで、接触電気抵抗、熱抵抗を低減することができる他、その波及効果として接触中間材５により接触圧力を半導体素子１の全面に分散させることが可能となり、素子の接触耐圧力を増加することができる。例えば、上記図２に示す例（接触中間材５有の例）においては、素子破壊が発生するまでの見掛けの接触圧力を、接触中間材５が無い場合の２倍に増すことが可能であった。
【００５９】
（第４実施形態）
図９に本発明の第４実施形態にかかる圧接型半導体装置２００の主要部分の模式的断面構成を示す。本実施形態は、上述した熱緩衝兼電極部材を用いたものである。なお、以下、上記図１に示す半導体装置と同一の部分には、図９中、同一符号を付して説明を簡略化し、主として異なるところについて述べることとする。
【００６０】
半導体装置２００は、半導体素子（発熱素子）１と、この半導体素子１を半導体素子１の両主電極面（表裏面）にて挟んで保持する一対の熱緩衝兼電極板（以下、単に電極板という）８と、これら電極板８の外側に配置され電極板８を挟んで保持する一対の放熱板（放熱部材）４とを備えている。これら多層構造となった各部材１、４、８は、一対の放熱板４の両外側から、図９の白抜き矢印に示す様に、所定の接触圧力（例えば１００ｋｇ／ｃｍ2）を印加され、互いに圧接している。
【００６１】
ここで、一対の電極板８はモリブデンやタングステン等より構成され、半導体素子１の熱を緩衝する熱緩衝機能及び半導体素子１からの電気信号を取り出す電極機能を有する電極部材として構成されている。なお、８ａは電極板８において外部端子（図示せず）と接続される部分である電極取出し部である。電極取出し部８ａと外部端子との接続方法はネジと圧着端子によるものでもハンダ付けやワイヤボンディングによるものでもよく、特に限定しない。
【００６２】
さらに、各々の電極板８は、放熱部材４に対向する側の面に絶縁材料よりなる絶縁層９が一体に成膜されている。絶縁層９の構成材料として例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の絶縁材料中から選択されたものを用いることができ、これらの絶縁材料を真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法、溶射、印刷等の手法を用いて、電極板８の構成材となるモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）等の表面に成膜する。
【００６３】
あるいは、ＭｏやＷ等の表面のうち絶縁層を形成したい部分以外を有機系や無機系の材料で保護（マスク）し、熱酸化等で酸化モリブデン膜や酸化タングステン膜等を形成し、電極板８と絶縁層９とを一体構成にする。これらの手法により、絶縁層９が一体に成膜された電極板８を形成することができる。この電極板８に一体化された絶縁層９の厚さは、絶縁性及び低熱抵抗の両立という面から、経験的に１μｍ以上１０μｍ以下程度が好ましい。
【００６４】
かかる構成を有する半導体装置２００において、その電流経路は、例えば図９中、外部からの電流が上側の電極板８の電極取出し部８ａから半導体素子１を通り、下側の電極板８の電極取出し部８ａから外部へ取り出されるようになっている。それにより、半導体素子１の電気信号が電極板８を介して外部に取り出される。また、放熱経路は、半導体素子１にて発生した熱が上下の電極板８から各絶縁層９を通り、各放熱板４から外部に放出されるようになっている。
【００６５】
ところで、本実施形態によれば、電極板８の表面に絶縁材料を成膜して絶縁層９として配置することで、電極板８と絶縁層９との接触界面は緻密になり、従来のように電極部材と絶縁材のバルク同士を直接圧接する場合よりも、接触界面に生ずる空間を飛躍的に小さくでき、電極板８と絶縁層９との接触界面の熱抵抗を極めて小さくすることができる。そのため、結果的に、半導体素子１と電極板８との間の電気抵抗および熱抵抗を共に低減することができる。
【００６６】
さらには、上記の真空蒸着等あるいは熱酸化等の方法で絶縁層９を成膜することにより、電極板８の形状によらず絶縁層９を形成することが可能となり、電極板８の形状の自由度が増す。極端に言えば、例えば電極板８は平板平面状でなくとも良いこととなる。そのため、結果的に半導体装置２００の形状の自由度を増すことが可能になる。
【００６７】
また、本実施形態によれば、熱緩衝兼電極板８を用いることによる効果も有する。図１０に、電極部材として熱緩衝兼電極板を用いない従来の圧接型半導体装置Ｊ１を示す。図１０に示す半導体装置Ｊ１は、半導体素子１の上下をＭｏやＷよりなる一対の熱緩衝板Ｊ２で挟み、これら熱緩衝板Ｊ２の上下を銅等よりなる一対の電極板Ｊ３で挟み、これら電極板Ｊ３の上下を窒化アルミニウム等よりなる絶縁板Ｊ４を介して一対の放熱板４で挟んでなる圧接型半導体装置である。
【００６８】
このような従来の圧接型半導体装置Ｊ１に比べて、本半導体装置２００では、熱緩衝兼電極板８を用いることにより構成部品点数を減らして接触界面数を減らすことができるため、構成材のバルク抵抗、構成材間の接触界面抵抗を低減できる。具体的には、本半導体装置２００によれば、図１０に示す従来装置Ｊ１に対し、接触界面数が電流経路においては２個から１個に、放熱経路においては４個から２個へと減らすことができる。一般に、圧接型半導体装置においては、構成部品のバルク抵抗に比べて、構成部品間の接触界面抵抗の絶対値の方が大きいため、接触界面数の低減による電気抵抗・熱抵抗の低減効果は非常に大きい。
【００６９】
本第４実施形態の半導体装置２００による具体的な効果を、上記図１０に示す従来装置Ｊ１との比較として図１１に示す。ここで、従来装置Ｊ１（比較例）における絶縁板Ｊ４として、板厚０．６２５ｍｍの窒化アルミニウムよりなるバルク板を採用し、本実施形態の半導体装置２００における絶縁層９として、スパッタにより形成された膜厚２μｍの窒化アルミニウムを採用した。また、両装置２００、Ｊ１における接触圧力は１００ｋｇ／ｃｍ2とした。
【００７０】
図１１から、本第４実施形態では、熱緩衝兼電極板８に成膜されて一体化した絶縁層９による効果及び構成部品点数の低減による効果が如実に現れ、半導体素子１と電極板８との間の電気抵抗および熱抵抗が共に低減されている。このように、本実施形態によれば電気抵抗・熱抵抗が低減できることによって、圧接型半導体装置の大容量化が可能となるため、その結果、１モジュール当りに使用する半導体素子１の数を減らすことができ、装置全体のコスト低減に波及する。
【００７１】
なお、本第４実施形態において、上記例では、絶縁層９を熱緩衝板兼電極板８と一体に形成したが、変形例として、絶縁層９を冷却装置としての放熱板（ヒートシンク）４における電極板８との接触面側に、上記した真空蒸着等により成膜して形成しても良く、その場合にも同様の効果を得ることができる。ただし、通常、銅、アルミ等の熱伝導性材料よりなる放熱部材は、冷却性を高めるために電極板に比べて厚いものや大きいものが用いられるため、当該絶縁層の成膜の際に、真空蒸着装置やスパッタ装置等の成膜装置への設置の容易性やハンドリング性等を考えると、絶縁層９を電極板８に成膜する方が製造上、有利である。
【００７２】
また、本第４実施形態は、圧接型半導体装置だけでなく、圧接されないまでも上記図９に示す構成を有する圧接型以外の半導体装置にも適用することができる。さらに、本第４実施形態は、発熱素子を、この発熱素子の熱を緩衝する熱緩衝機能及び該発熱素子からの電気信号を取り出す電極機能を有する一対の電極部材により挟持し、これら電極部材の外側を一対の放熱部材により挟持してなる電気機器であれば、適用可能である。
【００７３】
（第５実施形態）
図１２に本発明の第５実施形態にかかる圧接型半導体装置３００の主要部分の模式的断面構成を示す。本実施形態の圧接型半導体装置３００は、図１に示す圧接型半導体装置１００に対して、絶縁性の被覆部材２０を付加したものである。なお、上記図１に示す半導体装置と同一の部分には、図１２中、同一符号を付してある。
【００７４】
被覆部材２０は、本例では、半導体素子１及び電極板２の外周形状に対応した枠形状をなすもので、枠の内周面が半導体素子１及び電極板２の外周端面に接触して設けられている。それにより、半導体素子１と電極板２とが接触中間材５を介して接触する領域の周囲、及び、電極板２と絶縁板３とが接触中間材６を介して接触する領域の周囲が、被覆部材２０にて被覆されている。ここで、被覆部材２０と半導体素子１及び電極板２の外周端面とは、例えば、エポキシ系接着剤等により接着固定されている。
【００７５】
この被覆部材２０としては、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ガラスエポキシ、快削セラミック、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、各種セラミック材等の電気的絶縁材料により形成されている。そのため、半導体素子１と電極板２との間における放電、短絡が防止できる。なお、これら絶縁材料のうち、被覆部材２０が半導体素子１の発熱によって約１５０℃以上の高温に晒される場合は、耐久性を考慮すると、ＰＰＳ、ガラスエポキシ、快削セラミックが好ましく、ＰＢＴは約１２０℃までの温度に対して好適である。
【００７６】
以上、本実施形態によれば、半導体装置３００は上記図１に示した半導体装置１００と同様の効果を有することに加えて、被覆部材２０を設けることにより、接触中間材５、６が被覆部材２０にて被覆されるから、粒子状もしくは粉末状の接触中間材５、６が飛散（散乱）するのを防止できるという効果を有する。
【００７７】
また、枠形状の被覆部材２０は、半導体素子１及び電極板２の外周端面に接触して配置されている。そのため、被覆部材２０は、半導体素子１と電極板２とを接触中間材５を介して接触させる際に、位置決め用のガイド部材として機能するとともに、半導体素子１と電極板２とを保持して、両部材１、２の接触面方向へのずれを防止する保持部材としても機能する。
【００７８】
ここで、本例では、被覆部材２０は、半導体素子１及び電極板２の外周形状に対応した枠形状をなすものとし、半導体素子１及び電極板２の外周端面の全周を囲むものとしたが、当該外周端面を部分的に囲むようなものであっても良い。例えば、中間接触材５の飛散しやすい部分のみを、壁状の被覆部材を用いて被覆するようにしても良い。
【００７９】
（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態において、接触中間材５は、３種類以上の異なる平均粒径を有する粒子から構成されていてもよいし、異種粒子の材質が互いに異なっていてもよい。また、接触中間材６、７はＡｕ、Ａｇ以外にも、上記両粒子５ａ、５ｂと同様の金属粉末とでき、更には、上記第３実施形態と同様の金属箔、または熱伝導性のカーボンシート等の箔状のものを用いてもよい。
【００８０】
また、半導体素子１と電極板２との間の電気抵抗、熱抵抗の低減を図るには、上記半導体装置１００において、少なくとも半導体素子１と電極板２との間の接触中間材５があれば良く、他の接触中間材６、７は無いものとしてもよい。また、熱伝導性を有する熱伝導部材としての接触中間材６、７は、電極板２と絶縁板３との間、及び絶縁板３と放熱板４との間のうち少なくとも一方の間にあればよい。
【００８１】
また、上記第４実施形態において半導体素子１と電極板８との間に、上記第１〜第３実施形態に記載した接触中間材５のいずれか１つを介在させても良く、これら接触中間材５と第４実施形態と組み合わせた効果が得られる。また、上記第４実施形態において、電極板８と放熱部材４との間に上記第１実施形態に述べた金属粉末（ＡｇやＡｕ等）等の熱伝導性を有する熱伝導部材としての接触中間材６を介在させても良く、更なる熱抵抗の低減が図れる。
【００８２】
また、半導体装置としては、半導体素子１の片面のみ電極板２と圧接し、他面は半田付け等により電極板２と接続した形態であっても良く、その場合には圧接された半導体素子１と電極板２との間に、接触中間材５を介在させれば良い。また、上記圧接型半導体装置のみならず、発熱素子と電極部材とを接触させて、該発熱素子からの電気信号を該電極部材を介して取り出すようにした電気機器において、接触する発熱素子と電極部材との間に、上記各実施形態における接触中間材５を介在させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施形態に係る圧接型半導体装置の主要部分の断面構成図である。
【図２】半導体素子と電極板との間に金属粉末を介在させた効果の一例を示す図表である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る接触中間材の特徴的構成を示す模式図である。
【図４】上記第１実施形態に係る接触中間材の効果の一例を示す図である。
【図５】電極板と絶縁板との間に充填された接触中間材の効果の一例を示す図表である。
【図６】上記第１実施形態に係る接触中間材の変形例を説明する模式図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る接触中間材の特徴的構成を示す模式図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る接触中間材の特徴的構成を示す模式図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る圧接型半導体装置の主要部断面構成図である。
【図１０】従来の一般的な圧接型半導体装置の主要部断面構成図である。
【図１１】上記第４実施形態の具体的な効果を示す図表である。
【図１２】本発明の第５実施形態に係る圧接型半導体装置の主要部断面構成図である。
【符号の説明】
【００８４】
１          半導体素子
２          電極板
３          絶縁板
４          放熱板
５ａ        大粒子
５ｂ        小粒子
５、６、７  接触中間材
８          熱緩衝兼電極板
９          絶縁層
１０        金属箔
１１        金属粉末
２０        被覆部材
５０ａ      バンプ
５０ｂ      粒子
【図１】
2008113025.tif 000003
【図２】
2008113025.tif 000004
【図３】
2008113025.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008113025.tif 000007
【図６】
2008113025.tif 000008
【図７】
2008113025.tif 000009
【図８】
2008113025.tif 000010
【図９】
2008113025.tif 000011
【図１０】
2008113025.tif 000012
【図１１】
2008113025.tif 000013
【図１２】
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