(57)【要約】【課題】基板内に効率的に内蔵することができ、基板の小型・薄型化にも対応可能な基板内蔵用部品、および当該部品を内蔵した基板とその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】特性インピーダンスが０．００５〜０．１Ωの伝送線路Ｄが形成された厚さ１０〜１００μｍの金属層Ａと、前記伝送線路Ｄのグランドとなる厚さ１０〜１００μｍの金属層Ｃとの間に、厚さ０．０５〜２μｍの金属酸化物層Ｂを少なくとも備える部品の、前記金属層Ｃ側の表面に、厚さ１０〜５０μｍのＢステージ状態の熱硬化性接着フィルムＥと、厚さ１０〜５０μｍのプラスチックキャリアフィルムＦとが順次積層されていることを特徴とする基板内蔵用部品。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
特性インピーダンスが０．００５〜０．１Ωの伝送線路Ｄが形成された厚さ１０〜１００μｍの金属層Ａと、前記伝送線路Ｄのグランドとなる厚さ１０〜１００μｍの金属層Ｃとの間に、厚さ０．０５〜２μｍの金属酸化物層Ｂを少なくとも備える部品の、前記金属層Ｃ側の表面に、厚さ１０〜５０μｍのＢステージ状態の熱硬化性接着フィルムＥと、厚さ１０〜５０μｍのプラスチックキャリアフィルムＦとが順次積層されていることを特徴とする基板内蔵用部品。
【請求項２】
前記熱硬化性接着フィルムＥがエポキシ樹脂とその硬化剤を少なくとも含む樹脂組成物からなることを特徴とする請求項１に記載の基板内蔵用部品。
【請求項３】
硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥの、動的粘弾性測定装置を用いて測定した貯蔵弾性率が２５℃で２０〜２，０００ＭＰａであることを特徴とする請求項１または２に記載の基板内蔵用部品。
【請求項４】
硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥが絶縁性を示すことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【請求項５】
硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥが等方導電性を示すことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【請求項６】
硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥが異方導電性を示すことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【請求項７】
前記伝送線路Ｄの長さが１〜２０ｍｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【請求項８】
前記金属層Ａおよび／または前記金属層Ｃの、前記金属酸化物層Ｂと接する面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇおよびこれらの合金からなる群から選択される１種類以上の金属を含む金属薄膜層Ｇを有し、かつ少なくとも該金属薄膜層Ｇを有する方の金属層がＣｕまたはその合金からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【請求項９】
前記金属酸化物層Ｂの片面または両面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる複合金属酸化物薄膜層Ｈを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【請求項１０】
前記金属酸化物層Ｂの片面または両面に、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物からなる金属酸化物薄膜層Ｉを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【請求項１１】
前記金属酸化物層Ｂの一方の面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる複合金属酸化物薄膜層Ｈを有し、他方の面に、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物からなる金属酸化物薄膜層Ｉを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【請求項１２】
前記金属酸化物層Ｂが、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含む結晶性微粒子を含み、かつ該結晶性微粒子の平均粒径が１０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【請求項１３】
（１）内層基板を作製する工程、（２）絶縁性を示す接着フィルムを備えた基板内蔵用部品を前記内層基板の絶縁部表面に熱圧着により固定する工程、（３）半硬化状態の絶縁シートを用いて多層配線化する工程を少なくとも含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１４】
（１）内層基板を作製する工程、（２）等方導電性または異方導電性を示す接着フィルムを備えた基板内蔵用部品を前記内層基板の回路部表面に熱圧着により固定する工程、（３）半硬化状態の絶縁シートを用いて多層配線化する工程を少なくとも含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１５】
（１）内層基板を作製する工程、（２）請求項１〜１２のいずれかに記載の基板内蔵用部品のプラスチックキャリアフィルムＦを剥離し、これを熱硬化性接着フィルムＥを介して前記内層基板の所定位置に熱圧着により固定する工程、（３）半硬化状態の絶縁シートを用いて多層配線化する工程、を少なくとも含み、
硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥが絶縁性を示すものである場合には、前記所定位置が絶縁部表面であり、硬化後の熱硬化性接着フィルムＥが等方導電性または異方導電性を示すものである場合には、前記所定位置が回路部表面であることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜１２のいずれかに記載の基板内蔵用部品を用いてなることを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板内蔵用部品とそれを用いた基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置のノイズ対策として、デカップリングコンデンサやバイパスコンデンサが用いられている。従来は、基板の表面・裏面にコンデンサチップ部品を実装していたが、半導体動作の高速化・装置の小型化に伴って、新しいノイズ低減手法が求められている。そのために、基板に小型のノイズ低減部品を内蔵化する必要性が出てきた。
【０００３】
このような部品を基板に内蔵化する技術として、チップ部品を基板に埋め込む手法が公知となっている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４）。これらはコンデンサ部品を内蔵した基板であり、半導体チップに近い部分にコンデンサを配置して、ノイズ低減効果と小型化の両立を図っている。しかし、特許文献１に示される方法では、凹部に部品を搭載させないといけないため部品実装の効率が悪いという問題がある。また、特許文献２に示される方法では、部品高さの高さコントロールが難しいという問題がある。また、特許文献３に示される方法では、チップ部品を樹脂でコーティングするため製造効率が悪いという問題がある。また、特許文献４に示される方法では、内蔵部品と回路との位置合わせが難しく効率が悪いという問題がある。
【０００４】
また、高誘電率材料と基板プロセスを用いて分布キャパシタを基板内に形成して、ノイズを低減させる手法が公知となっている（例えば、特許文献５）。しかし、特許文献５に示される方法では、高価な誘電体材料からなる誘電体層を基板全面に用いる必要があるため、経済性に劣るという問題がある。
【特許文献１】特開２００１−２１７３８２号公報
【特許文献２】特開２００４−１２８００２号公報
【特許文献３】特開２００４−３１１７３６号公報
【特許文献４】特開２００５−１５０３８３号公報
【特許文献５】特開２００４−２１４６５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、基板内に効率的に内蔵することができ、基板の小型・薄型化にも対応可能な基板内蔵用部品、および当該部品を内蔵した基板とその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下＜１＞〜＜１６＞に関する。
【０００７】
＜１＞特性インピーダンスが０．００５〜０．１Ωの伝送線路Ｄが形成された厚さ１０〜１００μｍの金属層Ａと、前記伝送線路Ｄのグランドとなる厚さ１０〜１００μｍの金属層Ｃとの間に、厚さ０．０５〜２μｍの金属酸化物層Ｂを少なくとも備える部品の、前記金属層Ｃ側の表面に、厚さ１０〜５０μｍのＢステージ状態の熱硬化性接着フィルムＥと、厚さ１０〜５０μｍのプラスチックキャリアフィルムＦとが順次積層されていることを特徴とする基板内蔵用部品。
【０００８】
＜２＞前記熱硬化性接着フィルムＥがエポキシ樹脂とその硬化剤を少なくとも含む樹脂組成物からなることを特徴とする上記＜１＞に記載の基板内蔵用部品。
【０００９】
＜３＞硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥの、動的粘弾性測定装置を用いて測定した貯蔵弾性率が２５℃で２０〜２，０００ＭＰａであることを特徴とする上記＜１＞または＜２＞に記載の基板内蔵用部品。
【００１０】
＜４＞硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥが絶縁性を示すことを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【００１１】
＜５＞硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥが等方導電性を示すことを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【００１２】
＜６＞硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥが異方導電性を示すことを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【００１３】
＜７＞前記伝送線路Ｄの長さが１〜２０ｍｍであることを特徴とする上記＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【００１４】
＜８＞前記金属層Ａおよび／または前記金属層Ｃの、前記金属酸化物層Ｂと接する面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇおよびこれらの合金からなる群から選択される１種類以上の金属を含む金属薄膜層Ｇを有し、かつ少なくとも該金属薄膜層Ｇを有する方の金属層がＣｕまたはその合金からなることを特徴とする上記＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【００１５】
＜９＞前記金属酸化物層Ｂの片面または両面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる複合金属酸化物薄膜層Ｈを有することを特徴とする上記＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【００１６】
＜１０＞前記金属酸化物層Ｂの片面または両面に、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物からなる金属酸化物薄膜層Ｉを有することを特徴とする上記＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【００１７】
＜１１＞前記金属酸化物層Ｂの一方の面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる複合金属酸化物薄膜層Ｈを有し、他方の面に、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物からなる金属酸化物薄膜層Ｉを有することを特徴とする上記＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【００１８】
＜１２＞前記金属酸化物層Ｂが、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含む結晶性微粒子を含み、かつ該結晶性微粒子の平均粒径が１０〜２００ｎｍであることを特徴とする上記＜１＞〜＜１１＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品。
【００１９】
＜１３＞（１）内層基板を作製する工程、（２）絶縁性を示す接着フィルムを備えた基板内蔵用部品を前記内層基板の絶縁部表面に熱圧着により固定する工程、（３）半硬化状態の絶縁シートを用いて多層配線化する工程を少なくとも含むことを特徴とする基板の製造方法。
【００２０】
＜１４＞（１）内層基板を作製する工程、（２）等方導電性または異方導電性を示す接着フィルムを備えた基板内蔵用部品を前記内層基板の回路部表面に熱圧着により固定する工程、（３）半硬化状態の絶縁シートを用いて多層配線化する工程を少なくとも含むことを特徴とする基板の製造方法。
【００２１】
＜１５＞（１）内層基板を作製する工程、（２）上記＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品のプラスチックキャリアフィルムＦを剥離し、これを熱硬化性接着フィルムＥを介して前記内層基板の所定位置に熱圧着により固定する工程、（３）半硬化状態の絶縁シートを用いて多層配線化する工程、を少なくとも含み、硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥが絶縁性を示すものである場合には、前記所定位置が絶縁部表面であり、硬化後の熱硬化性接着フィルムＥが等方導電性または異方導電性を示すものである場合には、前記所定位置が回路部表面であることを特徴とする基板の製造方法。
【００２２】
＜１６＞上記＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の基板内蔵用部品を用いてなることを特徴とする基板。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板内に効率的に内蔵することができ、基板の小型・薄型化にも対応可能な、特にノイズ低減部品として好適な基板内蔵用部品、および当該部品を内蔵した基板とその製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、発明を実施するための最良の形態について図面を引用して詳しく説明する。
【００２５】
本発明の基板内蔵用部品は、図１および２に示すように、特性インピーダンスが０．００５〜０．１Ωの伝送線路Ｄが形成された厚さ１０〜１００μｍの金属層Ａと、前記伝送線路Ｄのグランドとなる厚さ１０〜１００μｍの金属層Ｃとの間に、厚さ０．０５〜２μｍの金属酸化物層Ｂを少なくとも備える部品の、金属層Ｃ側の表面に、厚さ１０〜５０μｍのＢステージ状態の熱硬化性接着フィルムＥと、厚さ１０〜５０μｍのプラスチックキャリアフィルムＦとが順次積層されていることをその特徴とするものである。なお、図１は、金属層Ａ（伝送線路Ｄ）面からの投射図であり、１は金属層Ａ（伝送線路Ｄ）、２は金属酸化物層Ｂを示す。また、図２は、本発明の基板内蔵用部品の一実施形態の断面図であり、３は金属層Ｃ、４はＢステージ状態の熱硬化性接着フィルムＥ、５はプラスチックキャリアフィルムＦを示す。
【００２６】
本発明における金属層（金属層Ａおよび金属層Ｃ）は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌ等の、電気的に損失の小さな金属を主成分とする金属層であればよく、特に限定されない。また、複数層で構成されていてもよく、例えば、既述の金属層を主たる層とし、ニッケル、クロム、チタン、鉄、タングステンなどの電気的損失が大きな金属を従たる層とすることができる。また、金属層の厚みは、部品の強度を保つために１０μｍ以上であることが望ましく、薄型化を図るためには１００μｍ以下であることが望ましい。さらに、本発明の部品を経済的に作製するためには、金属層の厚みが１５〜７０μｍの範囲であることが好ましい。
【００２７】
上記金属層Ａに形成される伝送線路Ｄの一部の特性インピーダンスは、０．００５〜０．１Ωであり、より好ましくは、０．０１〜０．０５Ωである。この特性インピーダンスが０．００５Ω未満であるとライン幅が太くなり、内蔵部品の小型化が困難となる一方、０．１Ωを超えるとノイズ低減効果が小さい。また、上記特性インピーダンスは、金属酸化物層Ｂ（誘電体）の比誘電率や厚み、伝送線路Ｄのライン幅等に依存して決まる値であり、例えば、比誘電率２０〜６０、厚み２００〜４００ｎｍの金属酸化物層Ｂを用い、伝送線路Ｄのライン幅を２００〜３０００μｍとすると、上記特性インピーダンスが概ね０．００５〜０．１Ωの範囲となる。また、伝送線路Ｄの長さは１〜２０ｍｍの範囲であることが好ましく、５〜１５ｍｍの範囲であることがより好ましい。伝送線路の長さが１ｍｍ未満であるとノイズ低減効果が小さく、２０ｍｍを超えると内蔵部品の小型化が困難となる。
【００２８】
また、図３の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示すように、上記金属層Ａおよび／または金属層Ｃの、上記金属酸化物層Ｂと接する面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇおよびこれらの合金からなる群から選択される１種類以上の金属を含む金属薄膜層Ｇを形成してもよく、コストの点から、Ｃｒおよび／またはＮｉを用いることがより好ましく、環境汚染性の観点から、Ｎｉを用いることが特に好ましい。ＣｒとＮｉはそれら自身が安定な酸化皮膜を形成するために、またＡｕとＡｇはそれら自身が酸化されにくいために、金属酸化物層Ｂの形成時における上記金属層の酸化を抑制し、当該金属酸化物層Ｂの絶縁性の確保に寄与する。また、これ以外の金属、例えば、ＳｉＯ２基板において酸化の抑制に多く使われているＰｔ、Ｔｉ、Ｐｄ等は、これを金属層上に形成した場合、金属酸化物層Ｂに割れが生じやすく、信頼性の高い誘電体を得ることが難しい。また、上記合金としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ又はＡｇから選ばれる少なくとも１成分又は複数の成分を合金中に８０重量％以上含有するものが好ましい。このような合金としては、例えば、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｂ合金、Ｎｉ−Ｐ−Ｂ合金、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、Ａｇ−Ｎｄ合金等が挙げられる。Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ又はＡｇから選ばれる少なくとも１成分又は複数の成分の含有率が８０重量％未満の場合は、金属酸化物層Ｂの絶縁性を確保する効果が低くなる恐れがある。コストの点と形成の容易さの点からＮｉ−Ｐ合金が好ましい。
【００２９】
また、上記金属薄膜層Ｇの厚さは、５０ｎｍ〜１μｍの範囲が好ましく、１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲がより好ましい。厚さが５０ｎｍ未満では、絶縁性が低下する傾向があり、１μｍを超えてさらに厚くすることは、コストの面で不利である。なお、金属薄膜層Ｇの厚さは薄膜層を集束イオンビーム加工装置（ＦＩＢ）で掘削し、得られた断面を走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）で観察して測長することで計測できる。また、金属層への金属薄膜層Ｇの形成方法は、特に限定されないが、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法などを好適に用いることができる。また、金属薄膜層Ｇが形成された金属層はＣｕまたはその合金からなるものであることが好ましい。
【００３０】
本発明における金属酸化物層Ｂは、伝送線路Ｄに対して所定の特性インピーダンスを発現させるものであれば良く、特に制限されないが、比誘電率が１０〜２０００の金属酸化物からなる層であることが好ましい。このような金属酸化物としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸マグネシウム酸鉛−チタン酸鉛等を挙げることができ、これらのいずれか２種以上を含む固溶体であってもよい。また、金属酸化物層Ｂは複数の金属酸化物層からなる積層体であってもよい。
【００３１】
また、金属酸化物層Ｂは、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含む結晶性微粒子を分散した複合金属酸化物層であってもよい。また、金属酸化物層Ｂは、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物の層や構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物の層であってもよく、これら層に上記結晶性微粒子が分散された層であってもよい。構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含む複合金属酸化物は、セラミックスの中でも特に高誘電率（例えば、ＢａＴｉＯ３で１５００程度、ＳｒＴｉＯ３で２００程度）であり、また、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含む結晶性微粒子を分散した複合金属酸化物層は、アモルファス複合金属酸化物層よりも高誘電率であり、金属酸化物層Ｂの誘電体としての性能を向上させる上で有用である。もちろんその他の元素や金属酸化物を添加した複合金属酸化物、例えばＢａＴｉＯ３にＬａを添加してさらに高誘電率化を図った複合金属酸化物や、ＢａＴｉＯ３にＣａＴｉＯ３を添加して特性を調整した複合金属酸化物も好適に用いることができる。
【００３２】
上記結晶性微粒子の製造方法としては、例えば、仮焼粉砕法に代表される固相法、ゾル―ゲル法や蓚酸塩法に代表される液相法、炎中噴霧法に代表される気相法のいずれも好適に用いることができる。微粒子の２次凝集を生じにくいという観点から、液相法がより好ましいが、２次凝集を、例えば、剪断型ミルやジェットミル、ビーズミル、超音波ホモジナイザーなどで予め破壊しておくことで、固相法や気相法もまた好ましく適用することができる。また、上記結晶性微粒子の平均粒径は１０〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、１０〜１００ｎｍの範囲がより好ましい。平均粒径が１０ｎｍ未満の場合には、表面積増大による分散性の低下が生じる傾向があり、平均粒径が２００ｎｍを超えると、均一な厚さの薄膜が得られなかったり、欠陥が生じる恐れがある。
【００３３】
さらに、金属酸化物層Ｂは、樹脂中に高誘電率を示す結晶性微粒子を分散させた複合樹脂層であってもよい。用いる樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂などを好適に用いることができる。
【００３４】
また、金属酸化物層Ｂの厚みは、特に限定されないが、絶縁性を保つために０．０５μｍ以上であることが好ましく、所望の特性インピーダンスを得るために２μｍ以下であることが好ましい。より経済的に作製するためには、金属酸化物層Ｂの厚みを０．２〜１μｍの範囲とすることが好ましい。また、上記金属酸化物層Ｂの形成方法としては、例えば、上記金属層、上記金属薄膜層Ｇもしくは後述する金属酸化物薄膜層の表面に、ゾル−ゲル法、スパッタ法、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）により金属酸化物層Ｂとなる金属酸化物を塗工し、加熱することで形成することができ、塗工する金属酸化物を所望の組成に調整しやすい点でゾル−ゲル法による形成がより好ましい。また、加熱温度は、塗工表面の酸化を抑制するために、４００℃以下であることが好ましく、３５０℃以下であることがより好ましい。特に上記金属薄膜層Ｇ上に形成する際には、４００℃以下で熱処理することが好ましい。
【００３５】
さらに、図４（ａ）およびに図４（ｂ）示すように、金属酸化物層Ｂの一方の面に、その絶縁性を高めるために、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる複合金属酸化物薄膜層Ｈを形成してもよく、金属層との密着性を向上させるために、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物からなる金属酸化物薄膜層Ｉを形成してもよい。また、図４（ｃ）に示すように、これら金属酸化物薄膜層を金属酸化物層Ｂの両面に形成してもよく、さらには、図４（ｄ）に示すように、上記金属薄膜層Ｇと組み合わせて形成してもよい。これら金属酸化物薄膜層の厚さは、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、２０〜１５０ｎｍの範囲であることがより好ましい。絶縁性を高めるには、誘電体層となる金属酸化物層にアモルファス領域が存在することが望ましいが、アモルファス領域は結晶領域よりも比誘電率が低く、またデバイスの誘電特性は、誘電体層、すなわち金属酸化物層の膜厚に反比例するため、必要以上に上記金属酸化物薄膜層ＨやＩが厚くなることはデバイス特性の低下を招き好ましくない。したがって、上限は２００ｎｍを超えないことが望ましい。また、１０ｎｍ未満ではピンホールが発生して所望の絶縁性が得られなくなる恐れがあるだけでなく、均一な表面が得られず、品質がばらつく恐れも生じる。
【００３６】
構成元素としてＢａ及び／又はＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物としては、前述した金属酸化物層Ｂと同様のものを用いることができる。構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ、ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。これらは極性基を多分に有するため、シランカップリング剤をより均一に付着させることができるなど、上記金属層を形成する際の密着性確保に有利である。また、Ｔｉを含むアモルファス金属酸化物薄膜層Ｉは、結晶領域を含んでも構わない。結晶領域を優位にすれば薬液による侵食をより低減することができ、アモルファス領域を優位にすれば金属層との密着性を向上させることができる。
【００３７】
また、上記金属酸化物薄膜層ＨやＩの形成方法としては、例えば、上記金属層、上記金属箔膜層Ｇもしくは上記金属酸化物層Ｂの表面に、ゾル−ゲル法、スパッタ法、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）により金属酸化物薄膜層となる金属酸化物を塗工し、加熱することで形成することができ、塗工する金属酸化物を所望の組成に調整しやすい点でゾル−ゲル法による形成がより好ましい。また、加熱温度は、塗工表面の酸化を抑制するために、４００℃以下であることが好ましく、３５０℃以下であることがより好ましい。特に上記金属薄膜層Ｇに接する金属酸化物薄膜層ＨやＩを形成する際には、４００℃以下で熱処理することが好ましい。
【００３８】
本発明における熱硬化性接着フィルムＥは、熱圧着により基板内蔵用部品を基板へ固定出来るものであり、半硬化状態を工業的に制御可能な熱硬化性樹脂を含むものであればよく、特に限定されない。熱硬化性樹脂としては、例えば、汎用的に用いられているエポキシ樹脂の他に、耐熱性に優れたビスマレイミド−トリアジン樹脂や誘電特性に優れた変性ポリフェニレンエーテル樹脂や変性ポリフェニレンオキシド樹脂、シアネート樹脂なども使用できる。フィルム化するための高分子量樹脂として、必要に応じて官能基を有するゴム系やイミド系などの樹脂を使用することができる。
【００３９】
上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を呈するものであればよく、特に限定されないが、二官能以上で、好ましくは分子量が５０００未満、より好ましくは３０００未満のエポキシ樹脂を使用できる。二官能エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型樹脂等が例示される。また、高Ｔｇ（ガラス転移温度）化を目的とし、多官能エポキシ樹脂をさらに加えてもよい。多官能エポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が例示される。
【００４０】
また、エポキシ樹脂の硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として通常用いられているものを使用することができ、特に限定されないが、例えば、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミドアミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィッド、フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有する化合物であるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂等が挙げられ、特に、フェノールノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などを用いることが好ましい。また、上記の硬化剤をポリウレタン系やポリエステル系の高分子物質などで被覆してマイクロカプセル化したものは、可使時間が延長されるため、好ましい。さらに、上記硬化剤の他に硬化促進剤や硬化抑制剤等を混合して用いてもよい。
【００４１】
また、フィルム化する上では、フィルム形成材を配合することが好ましく、通常、高分子量の熱可塑性樹脂を配合する。フィルム形成材として使用可能な熱可塑性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹脂、ポリウレタン樹脂等を用いることができ、これらの混合物や共重合体でもよい。このようなフィルム形成材は、液状樹脂組成物を固形化し、フィルム形状とした場合に、そのフィルムの取扱いを容易にし、裂け、割れ、べたつきなどが生じることのないよう、その機械特性等を向上させる役割を有するものである。また、フィルム形成材は、その分子量が２０００以上であることが、フィルム形成性の点から好ましい。また、接着フィルムＥとなる樹脂組成物中に占める割合は好ましくは５０重量％以下である。
【００４２】
また、熱硬化性樹脂フィルムＥの厚さは、基板表面の粗さを考慮した十分な密着性と部品高さの抑制の観点から１０〜５０μｍの範囲であることが好ましい。
【００４３】
また、Ｂステージ状態の熱硬化性接着フィルムＥは、通常、ＤＳＣ（示差走査熱分析）を用いて測定した全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた状態と規定される。ＤＳＣは、測定温度範囲内で、発熱、吸熱の無い標準試料との温度差をたえず打ち消すように熱量を供給又は除去するゼロ位法を測定原理とするものであり、市販されている測定装置を用いて測定することができる。樹脂組成物の反応は、発熱反応であり、一定の昇温速度で試料を昇温していくと、試料が反応し熱量が発生する。その発熱量をチャートに出力し、ベースラインを基準として発熱曲線とベースラインで囲まれた面積を求め、これを発熱量とする。室温（２５℃）から３００℃まで５〜１０℃／分の昇温速度で測定し、上記した発熱量を求める。これらは、全自動で行なうものもあり、測定装置により容易に測定することができる。発熱の割合は以下のように算出する。まず、２５℃で真空乾燥器を用いて溶剤を乾燥させた未硬化試料の全発熱量を測定し、これをＡ（Ｊ／ｇ）とする。次に、塗工、乾燥した試料の発熱量を測定し、これをＢとする。試料の硬化度Ｃ（％）（加熱、乾燥により発熱を終えた状態）は、次式により求められる。
Ｃ（％）＝（Ａ−Ｂ）×１００／Ａ
【００４４】
また、硬化後の熱硬化性接着フィルムＥの、動的粘弾性測定装置で測定した貯蔵弾性率は、２５℃で２０〜２，０００ＭＰａの範囲であることが好ましい。貯蔵弾性率の測定は、接着剤硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で、−５０℃〜３００℃まで測定する温度依存性測定モードで行う。硬化後の熱硬化性接着フィルムＥの、２５℃での貯蔵弾性率が２，０００ＭＰａを超えると、本発明の部品と配線基板との熱膨張係数の差によってリフロー時に発生する応力を緩和させる効果が小さくなるためクラックが発生する恐れがあり、一方、２０ＭＰａ未満では、接着フィルムの取扱い性が悪くなる傾向がある。
【００４５】
また、Ｂステージ状態の熱硬化性接着フィルムＥが硬化後に絶縁性を示すものである場合、基板厚み方向に対して上方に電極を引き出す構造に好適な基板内蔵用部品となる。絶縁性を発現するためには、樹脂のみの接着フィルムを作製しても良いが、取扱い性を上げるために絶縁フィラーを添加しても良い。絶縁フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素粉末、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。絶縁フィラー添加量は、配合の効果、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下等を考慮すると、接着フィルムＥとなる樹脂組成物１００体積部に対して１〜５０体積部添加することが好ましい。
【００４６】
また、Ｂステージ状態の熱硬化性接着フィルムが硬化後に等方導電性を示すものである場合、基板厚み方向に対して下方に電極を引き出す構造に好適な基板内蔵用部品となる。等方導電性を発現するためには、金属フィラーを添加することが好ましい。金属フィラーとしては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｕ等の金属又はこれらを含む合金などが挙げられるが、電気導電度と経済性を考慮すると、Ａｇ、Ｃｕが優れている。また、金属フィラーの添加量は、等方導電性の効果、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下等を考慮すると、接着フィルムＥとなる樹脂組成物１００体積部に対して２０〜５０体積部添加することが好ましい。
【００４７】
また、Ｂステージ状態の熱硬化性接着フィルムが硬化後に異方導電性を示すものである場合、基板厚み方向に対して下方に電極を引き出す構造に好適な基板内蔵用部品となる。異方導電性を発現するためには、上記と同様の金属フィラーを添加することが好ましい。また、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等に、上記金属フィラーとして例示した金属を被覆することにより、その最外層を導電化した金属被覆フィラーを用いてもよい。この場合、金属被覆層の厚みは良好な抵抗を得るために、１００オングストローム以上であることが好ましい。また、金属フィラーの添加量は、異方導電性の効果、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下等を考慮すると、接着フィルムＥとなる樹脂組成物１００体積部に対して０．１〜２０体積部添加することが好ましい。
【００４８】
本発明で用いる上記プラスチックキャリアフィルムＦとしては、上記熱硬化性接着フィルムＥを支持することができればよく、特に限定されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムを使用できる。また、プラスチックキャリアフィルムＦの厚さは強度を確保するため及び経済性と取扱い性の点から１０〜５０μｍの範囲とすることが好ましい。
【００４９】
本発明の基板の製造方法は、（１）内層基板を作製する工程、（２．１）絶縁性を示す接着フィルムを備えた基板内蔵用部品を内層基板の絶縁部表面に熱圧着により固定する工程、または、（２．２）等方導電性または異方導電性を示す接着フィルムを備えた基板内蔵用部品を内層基板の回路部表面に熱圧着により固定する工程、（３）半硬化状態の絶縁シートを用いて多層配線化する工程を少なくとも含むことをその特徴とするものであり、好ましくは、（１）内層基板を作製する工程、（２．３）本発明の基板内蔵用部品のプラスチックキャリアフィルムＦを剥離し、これを熱硬化性接着フィルムＥを介して内層基板の所定位置に熱圧着により固定する工程、（３）半硬化状態の絶縁シートを用いて多層配線化する工程、を少なくとも含み、硬化後の前記熱硬化性接着フィルムＥが絶縁性を示すものである場合には、上記所定位置が絶縁部表面であり、硬化後の熱硬化性接着フィルムＥが等方導電性または異方導電性を示すものである場合には、上記所定位置が回路部表面であることをその特徴とするものである。
【００５０】
上記本発明の好ましい製造方法によれば、硬化後の熱硬化性接着フィルムＥが絶縁性を示すものである場合には、内層基板の絶縁部表面に本発明の基板内蔵用部品を配置するため、回路厚みの影響を受けず、薄型化に優れ、さらには基板厚み方向の上方に電極を引き出す構造に好適である（図５参照）。一方、硬化後の熱硬化性接着フィルムＥが等方導電性または異方導電性を示すものである場合には、内層基板の回路部表面に本発明の基板内蔵用部品を配置するため、回路の厚みの影響を受けず、薄型化に優れ、さらには基板厚み方向の下方に電極を引き出す構造に好適であり、内蔵部品のグランドと基板のグランドパターンを容易に接続することに適した構造である（図６参照）。
【００５１】
なお、上記内層基板は、一般的なプリント基板の製造プロセスにより作製されたものを用いることができる。また、上記熱圧着は、一般的な貼り付けに用いる熱圧着装置を用いることができ、その条件は特に限定されないが、８０〜１５０℃、０．１〜２ＭＰａで５〜６０秒程度であることが好ましい。また、上記熱圧着後、半硬化状態の絶縁シート（プリプレグ）を用いて多層配線化する工程では、絶縁層を積層する工程やエッチングやめっきにより回路を形成する工程等、多層基板の製造方法において公知の工程を適用することができる。
【実施例】
【００５２】
次に実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５３】
（実施例１）
＜基板内蔵用ノイズ低減部品の作製＞
テトラエトキシシラン０．５ｇおよび塩酸２ｇを、エタノール（９９．５％）９７．５ｇに溶解し、２０℃で６０時間放置してシリカゾルを液中で合成し、シリカゾルのエタノール分散液１００ｇを得た。これにチタン酸バリウム（以下ＢＴＯ）ナノ粒子（戸田工業株式会社製、平均粒径３０ｎｍ）３ｇを加え、超音波を用いて分散し、２０℃で２４時間放置して、シリカゾルをＢＴＯナノ粒子の表面に吸着させた。なお、ＢＴＯナノ粒子は、水を媒体とするスラリーを遠心分離し、沈降させた粒子を回収してエタノール中に分散し、再度遠心分離して沈降させ回収したものを用いた。吸着後、遠心分離し、未吸着のシリカゾルを含む上澄み液を除去した後、再度エタノールを加えて分散することでナノ粒子を洗浄した。洗浄後、遠心分離し、シリカゾル吸着ＢＴＯナノ粒子を得た（平均粒径３０ｎｍの結晶性微粒子）。
【００５４】
一方、バリウム５．４ｇを、２−メトキシエタノール１８０ｇと酢酸２ｇの混合液に完全に溶解した後、さらにテトラエトキシチタン９ｇを加えて撹拌し、０．２ＭのＢＴＯ前駆体溶液２００ｍｌを得た。
【００５５】
次に、上記シリカゾル吸着ＢＴＯナノ粒子３ｇを、上記０．２ＭのＢＴＯ前駆体溶液４３．５ｇと２―メトキシエタノール５６．１ｇとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５．４ｇの混合液に加え、超音波を用いて分散し、ＢＴＯ濃度０．２Ｍの、ナノ粒子を添加した前駆体溶液Ａを得た。
【００５６】
一方、１０ｃｍ×１０ｃｍ×厚さ２０μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製、３ＥＣ−ＶＬＰ）の光沢面側に、スパッタ法により厚さ０．８μｍのＮｉ薄膜を形成して、Ｎｉ薄膜層（金属薄膜層Ｇ）を有する銅箔（金属層Ｃ）を得た。
【００５７】
次に、このＮｉ薄膜層付の銅箔のＮｉ薄膜側に、上記前駆体溶液Ａをスピンコートし、３５０℃のホットプレート上で４分間乾燥した後、再び溶液Ａをスピンコートし、同様に乾燥した。さらに、溶液Ａをスピンコートし乾燥する操作を４回繰り返した後、３５０℃のホットプレート上で２時間熱処理することで、ＢＴＯ結晶性微粒子を分散したアモルファス複合金属酸化物からなる、厚さ３００ｎｍの金属酸化物層Ｂを形成した。
【００５８】
次に、この金属酸化物層Ｂ上に、スパッタ法により厚さ０．８μｍのＮｉ薄膜を形成した後、さらに当該Ｎｉ薄膜上に電解銅めっきにより厚さ２０μｍのＣｕからなる金属層Ａを形成した。ついで、当該金属層Ａにドライフィルムタイプのフォトレジストをラミネートし、パターンを焼付けし、現像・エッチング・レジスト除去を行うことにより、金属層Ａに伝送線路Ｄ（特性インピーダンス：０．０９Ω、パターン幅：２００μｍ、長さ：１０ｍｍ）を形成した。
【００５９】
次に、上記金属層Ｃの、Ｎｉ薄膜側と反対の面に、厚み５０μｍのＰＥＴフィルムをプラスチックキャリアフィルムＦとして備える厚み２５μｍの絶縁接着フィルム（日立化成工業株式会社製、ＨＳ−２３０、熱硬化性接着フィルムＥ）を１００℃、１ＭＰａ、１０秒の条件でラミネートした後、これを２．２ｍｍ×２．２ｍｍの大きさにカッターナイフで切断し、図３（ｃ）に示すような基板内蔵用ノイズ低減部品を得た。
【００６０】
＜ノイズ低減部品内蔵基板の作製＞
上記で得た基板内蔵用ノイズ低減部品を用い、図５に示す工程に従って、ノイズ低減部品内蔵基板を製造した。
【００６１】
まず、銅箔厚さ１２μｍ及び板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層板（日立化成工業株式会社製、商品名ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ）に所望のドリル穴明けを行い、ついで、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去し、触媒付与、密着促進化後、無電解銅めっきと電気銅めっきを行い、ドリル穴内壁と銅箔表面に厚さが１５μｍの銅めっき層を形成した。次いで、銅めっき層に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、回路パターンを有する内層基板１０を作製した（図５（ａ））。
【００６２】
さらに、上記で得た基板内蔵用ノイズ低減部品１１のＰＥＴフィルムを剥離し、これを上記内層基板１０の絶縁層表面に、露出した接着フィルム面が基板面になるように配置し、１００℃、１ＭＰａ、２０秒の条件で熱圧着した（図５（ｂ））。
【００６３】
その後、厚さが１２μｍの銅箔（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名Ｆ３−ＷＳ）１３、厚さが５０μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグ（日立化成工業株式会社製、商品名ＧＥＡ−６７９Ｆ）１２を２枚、図５（ｂ）に示す回路板、厚さが５０μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグ（日立化成工業株式会社製、商品名ＧＥＡ−６７９Ｆ）１２を２枚、さらに厚さが１２μｍの銅箔（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名Ｆ３−ＷＳ）１３の順に重ね、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ及び６０分の条件で、加熱加圧し積層一体化した（図５（ｃ））。
【００６４】
次に、得られた基板の不要な端部を切断後、基板表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔をエッチング除去して、内蔵部品の伝送線路の接続ランドとグランドを含む所望の箇所に直径が０．１５ｍｍ（φ）の窓穴を形成した。さらに、この窓穴に、三菱電機株式会社製、ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ及びショット数６回の条件でレーザ穴明けを行った。次いで、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、洗浄触媒付与、密着促進化後、無電解銅めっき／電気銅めっきを行い、レーザ穴内壁と銅箔表面に２０μｍの銅めっき層を形成した。そして、この基板表面のパッド、回路パターン等の必要な箇所にエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、外層回路１４を形成した（図５（ｄ））。
【００６５】
（実施例２）
＜基板内蔵用ノイズ低減部品の作製＞
プラスチックキャリアフィルムＦとして、厚さが２５μｍのＰＥＴフィルムを用い、熱硬化性接着フィルムＥとして、以下のように作製した、硬化後に等方導電性を示す接着フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして基板内蔵用ノイズ低減部品を作製した。
【００６６】
（等方導電性を示す接着フィルムの作製）
エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９０、ジャパンエポキシレジン株式会社製、エピコート８２８）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製、ＹＤＣＮ−７０３）３０重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、プライオーフェンＬＦ２８８２）４０重量部、フェノキシ樹脂（分子量５万、東都化成株式会社製、フェノトートＹＰ−５０）３０重量部、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．５重量部、および金属フィラーとして銀粉（石福金属興業株式会社製、ＲＨタイプ）６００重量部からなる樹脂組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気して接着剤ワニスを作製した。
【００６７】
次に、上記で得た接着剤ワニスを厚さが５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が３０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。なお、ここで用いたキャリアフィルムは、当該接着フィルムをプラスチックキャリアフィルムＦに接着する際に剥離除去される。
【００６８】
＜ノイズ低減部品内蔵基板の作製＞
基板内蔵用ノイズ低減部品として、上記で得た基板内蔵用ノイズ低減部品を用い、さらに当該部品を内層基板の回路表面に接するように配置した以外は、実施例１と同様にしてノイズ低減部品内蔵基板を製造した（図６参照）。
【００６９】
（実施例３）
＜基板内蔵用ノイズ低減部品の作製＞
プラスチックキャリアフィルムＦとして、厚さが２５μｍのＰＥＴフィルムを用い、熱硬化性接着フィルムＥとして、硬化後に異方導電性を示す接着フィルムＡＣ−２０５６（日立化成工業株式会社製、厚さ３５μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にして基板内蔵用ノイズ低減部品を作製した。
【００７０】
＜ノイズ低減部品内蔵基板の作製＞
基板内蔵用ノイズ低減部品として、上記で得た基板内蔵用ノイズ低減部品を用いた以外は、実施例２と同様にしてノイズ低減部品内蔵基板を製造した。
【００７１】
（実施例４）
＜基板内蔵用ノイズ低減部品の作製＞
バリウム５．４ｇを、２−メトキシエタノール１５７ｇと酢酸２５ｇの混合液に完全に溶解した後、さらにテトラエトキシチタン９ｇを加えて撹拌し、０．２ＭのＢＴＯ前駆体溶液Ｂ２００ｍｌを得た。また、イソプロポキシチタン５．７ｇを、２−メトキシエタノール１４０ｇと酢酸５１ｇの混合液に完全に溶解して、０．１Ｍのチタニア前駆体溶液Ｃ１００ｍｌを得た。
【００７２】
一方、１０ｃｍ×１０ｃｍ×厚さ２０μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製、３ＥＣ−ＶＬＰ）の光沢面側に、スパッタ法により厚さ０．８μｍのＮｉ薄膜を形成して、Ｎｉ薄膜層（金属薄膜層Ｇ）を有する銅箔（金属層Ｃ）を得た。
【００７３】
次に、このＮｉ薄膜層付の銅箔のＮｉ薄膜側に、上記ＢＴＯ前駆体溶液Ｂをスピンコートし、３５０℃のホットプレート上で４分間乾燥した後、再び前駆体溶液Ｂをスピンコートし、同様に乾燥して、構成元素としてＢａとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる厚さ１００ｎｍの複合金属酸化物薄膜層Ｈを形成した。ついで、当該薄膜層Ｈ上に、実施例１における前駆体溶液Ａをスピンコートし３５０℃のホットプレート上で４分乾燥する操作を６回繰り返して、実施例１と同様の金属酸化物層Ｂを形成した。さらに、当該金属酸化物Ｂ上に、チタニア前駆体溶液Ｃをスピンコートし３５０℃のホットプレート上で４分乾燥する操作を２回繰り返して、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物からなる厚さ１００ｎｍの金属酸化物薄膜層Ｉを形成した。最後に３５０℃のホットプレート上で２時間熱処理して、薄膜層Ｈと金属酸化物Ｂと薄膜層Ｉとをそれぞれ熟成した。
【００７４】
次に、この薄膜層Ｉ上に、スパッタ法により厚さ０．８μｍのＮｉ薄膜を形成した後、さらに当該Ｎｉ薄膜上に電解銅めっきにより厚さ２０μｍのＣｕからなる金属層Ａを形成した。ついで、当該金属層Ａにドライフィルムタイプのフォトレジストをラミネートし、パターンを焼付けし、現像・エッチング・レジスト除去を行うことにより、金属層Ａに伝送線路Ｄ（特性インピーダンス：０．１Ω、パターン幅：３００μｍ、長さ：１５ｍｍ）を形成した。
【００７５】
次に、上記金属層Ｃの、Ｎｉ薄膜側と反対の面に、異方導電性を示す厚み３５μｍの接着フィルム（日立化成工業株式会社製、ＡＣ−２０５６、熱硬化性接着フィルムＥ）と、厚み２５μｍのＰＥＴフィルムとを順次積層し、１００℃、１ＭＰａ、１０秒の条件でラミネートした後、これを２．２ｍｍ×２．２ｍｍの大きさにカッターナイフで切断し、図４（ｄ）に示すような基板内蔵用ノイズ低減部品を得た。
【００７６】
＜ノイズ低減部品内蔵基板の作製＞
基板内蔵用ノイズ低減部品として、上記で得た基板内蔵用ノイズ低減部品を用いた以外は、実施例２と同様にしてノイズ低減部品内蔵基板を製造した。
【００７７】
（比較例１）
＜ノイズ低減部品内蔵基板の作製＞
縦８．５ｍｍ×横５．３ｍｍ×２．０ｍｍのノイズ低減部品（ＮＥＣトーキン株式会社製プロードライザ）を用い、図７に示す工程に従って、ノイズ低減部品内蔵基板を得た。
【００７８】
まず、銅箔厚さ１２μｍ及び板厚０．２ｍｍの両面銅箔張ガラスエポキシ積層（日立化成工業株式会社製、商品名板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ）に所望のドリル穴明けを行い、ついで、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、触媒付与、密着促進化後、無電解銅めっきと電気銅めっきを行い、ドリル穴内壁と銅箔表面に厚さが１５μｍの銅めっき層を形成した。次いで、銅めっき層に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、回路パターンを有する内層基板１０を作製した（図７（ａ））。
【００７９】
さらに、上記で作製した内層基板の回路表面に、上記のノイズ低減部品１６１を導電性ペースト（タツタシステム・エレクトロニクス株式会社製、商品名ＤＤペーストＳＡＰ５１０）１７を用いて搭載し、１７０℃、３０分で硬化させた（図７（ｂ））。
【００８０】
その後、厚さが１２μｍの銅箔（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名Ｆ３−ＷＳ）１３、厚さが５０μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグ（日立化成工業株式会社製、商品名ＧＥＡ−６７９Ｆ）１２を２０枚、図７（ｂ）に示す回路板、厚さが５０μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグ（日立化成工業株式会社製、商品名ＧＥＡ−６７９Ｆ）１２を２０枚、厚さが１２μｍの銅箔（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名Ｆ３−ＷＳ）１３の順に重ね、温度１７０℃、圧力１．０ＭＰａ、６０分の条件で、加熱加圧し積層一体化した（図７（ｃ））。なお、加熱加圧時、チップ高さの段差が大きいため、回路板を挟む上下各２０枚のプリプレグの内、各１９枚をチップ部品の箇所から取り除いた。
【００８１】
次に、得られた基板の不要な端部を切断後、基板表面に所望のエッチングレジストを形成し、不要な銅箔をエッチング除去して、所望の箇所に日立ビアメカニクス株式会社製ドリルマシンを用いて、φ０．２ｍｍ径の穴明けを行った。次いで、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、洗浄触媒付与、密着促進化後、無電解銅めっき／電気銅めっきを行い、レーザ穴内壁と銅箔表面に２０μｍの銅めっき層を形成した。そして、この基板表面のパッド、回路パターン等の必要な箇所にエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、外層回路１４を形成した（図７（ｄ））。
【００８２】
（比較例２）
＜ノイズ低減部品内蔵基板の作製＞
基板内蔵用ノイズ低減部品として、接着フィルムＥとプラスチックキャリアフィルムＦが積層されていない以外、実施例１と同構成の基板内蔵ノイズ低減用部品を用い、これを導電性ペースト（タツタ  システム・エレクトロニクス株式会社製、商品名ＤＤペーストＳＡＰ５１０）１７を用いて内層基板の回路表面に搭載し、１７０℃、３０分の条件で固定した以外は、実施例１と同様にしてノイズ低減部品内蔵基板を製造した（図８参照）。
【００８３】
（評価結果）
実施例１〜４、比較例１および２で作製したノイズ低減部品内蔵基板について、当該基板作製時の作業性および基板高さ（厚み）を評価した。結果を表１に示す。なお、基板高さの測定はマイクロメータ（株式会社ミツトヨ製、商品名ＭＤＣ−２５Ｍ）を用いて行った。
【表１】
2008060518.tif 000003
【００８４】
表１に示されるように、本発明の実施例１〜４で作製した基板は、いずれも作業性が良好であったのに対し、比較例１、２で作製した基板は、導電性ペーストを用いてノイズ低減部品を接着したため、作業性が悪かった。
【００８５】
また、本発明の実施例１〜４で作製した基板は、いずれも基板高さが０．５０ｍｍを超えず、小型・薄型化に有効であることが分かる。これに対し、比較例１では、従来サイズのノイズ低減部品を用いたため、基板高さが２．５０ｍｍと大きな値を示した。
【００８６】
このように本発明によれば、効率的に基板内にノイズ低減部品を内蔵することが可能であり、かつその小型・薄型化にも有効であるということが明白である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の基板内蔵用部品の金属層Ａ（伝送線路Ｄ）面からの投射図である。
【図２】本発明の基板内蔵用部品の一実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の基板内蔵用部品の他の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の基板内蔵用部品の他の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の基板の製造方法の一例を示す概略図である。
【図６】本発明の基板の製造方法の一例を示す概略図である。
【図７】従来の部品内蔵基板の製造方法の一例を示す概略図である。
【図８】従来の部品内蔵基板の製造方法の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８８】
１  伝送線路Ｄ（金属層Ａ）
２  金属酸化物層Ｂ
３  グランド（金属層Ｃ）
４  Ｂステージ状態の熱硬化性接着フィルムＥ
５  プラスチックキャリアフィルムＦ
６  金属薄膜層Ｇ
７  構成元素としてＢａ及び／又はＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物層Ｈ
８  構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物層Ｉ
１０  内層基板
１１  基板内蔵用部品（絶縁性の熱硬化性接着フィルムＥを備える）
１２  プリプレグ
１３  銅箔
１４  外層回路
１５  基板内蔵用部品（等方導電性又は異方導電性の熱硬化性接着フィルムＥを備える）
１６１  従来のノイズ低減部品（市販品）
１６２  従来のノイズ低減部品（熱硬化性接着フィルムＥを備えない）
１７  導電性ペースト
【図１】
2008060518.tif 000004
【図２】
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【図３】
2008060518.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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