(57)【要約】【課題】  ベース絶縁基板を薄くするとマウント実装時の荷重で基板の割れが発生し易い。【解決手段】  上面と側面及び下面に連通する一対の電極パターン２、３が形成されたベース絶縁基板１と、上面電極パターン２、３にＬＥＤチップ６を実装し透光性の封止樹脂８で封止された裏面実装型ＬＥＤで、一対の電極パターン２、３は、上下面に形成されたスリット状の切れ目４、５を有し、切れ目４、５の位置は、上面と下面でズレている。一対の電極パターン２、３の内で、ＬＥＤチップ６を実装したダイボンド側の上面電極パターン２aから延びる下面電極パターン2ｂの領域を広く形成した。基板の割れ、基板と樹脂の剥離の発生を抑える。放熱特性を良くすることが可能になる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に一対の電極パターンが形成されたベース絶縁基板と、該ベース絶縁基板に形成された上面電極パターンにＬＥＤチップを実装し透光性樹脂で封止した裏面実装型ＬＥＤにおいて、前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンは、上下面に形成されたスリット状の切れ目により対向配置されていることを特徴とする裏面実装型ＬＥＤ。
【請求項２】
前記ベース絶縁基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項１記載の裏面実装型ＬＥＤ。
【請求項３】
前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンの切れ目の位置は、上面と下面でズレていることを特徴とする請求項１または２記載の裏面実装型ＬＥＤ。
【請求項４】
前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンで、ＬＥＤチップを実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン領域を広く形成したことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の裏面実装型ＬＥＤ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般照明用ＬＥＤ、携帯電話用フラッシュＬＥＤ、ＫＹＥ照明用ＬＥＤなどに係わり、詳しくは、軽薄短小を追求する薄型の裏面実装型ＬＥＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、軽薄短小を追求する電子機器向けに提供された裏面実装型ＬＥＤで、一般的な構造は、ガラエポ基板の表面に形成された電極パターン上にＬＥＤチップを実装し、透光性樹脂で封止した後、実装側の基板に設けられた貫通孔に前記封止樹脂部を埋設するように裏面実装される。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３２６３９０号（第４頁、図４）
【０００４】
上記した特許文献１に開示されている裏面発光チップ型発光素子及びそれを用いた絶縁性基板は、図５に示すように、略直方体形状をなしたベース絶縁基板１１（例えば、厚さが０．３mm程度）の表面にメッキ配線により金属パターンからなる一対の電極パターン１２、１３形成されている。ＬＥＤチップ１４は前記電極パターン１２上にダイボンド実装され、電極パターン１３と金属細線１５によりワイヤーボンディング接続され、透光性封止樹脂１６により前記ＬＥＤチップ１４と金属細線１５を覆うように封止した構造を有している。外部電極１７は、前記ベース絶縁基板１１の一方の表面上において、４隅の角部にそれぞれ形成されている。この形態の裏面発光チップ型発光素子が実装される配線基板１８には、所定の位置に電極パット１９が形成されている。この電極パット１９と裏面発光チップ型発光素子の対応する外部電極１７とは、対向した面のみで半田２０で接合されるものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
解決しようとする問題点は、上記した特許文献１に開示されている裏面実装型ＬＥＤは、ベース絶縁基板の厚さを更に薄くしようとすると、実装側の基板にマウントする際に、実装時の荷重により、ベース絶縁基板が割れ易くなる。また、ベンディングによる封止樹脂とベース絶縁基板の剥離が発生し易くなる。などの問題があった。
【０００６】
本発明は、上述の欠点を解消するもので、その目的は、ベース絶縁基板を極力薄くした裏面実装型ＬＥＤを、実装側の基板の孔に裏面から実装した場合に、ベース絶縁基板の割れや変形を防ぐ裏面実装型ＬＥＤを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明における裏面実装型ＬＥＤは、表面に一対の電極パターンが形成されたベース絶縁基板と、該ベース絶縁基板に形成された上面電極パターンにＬＥＤチップを実装し透光性樹脂で封止した裏面実装型ＬＥＤにおいて、前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンは、上下面に形成されたスリット状の切れ目により対向配置されていることを特徴とするものである。
【０００８】
また、前記ベース絶縁基板は、フレキシブル基板であることを特徴とするものである。
【０００９】
また、ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンの切れ目の位置は、上面と下面でズレていることを特徴とするものである。
【００１０】
また、前記ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンで、ＬＥＤチップを実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン領域を広く形成したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の裏面実装型ＬＥＤにおいて、ベース絶縁基板の上下面に電極パターンを広く形成したので、ベース絶縁基板は補強されて変形が起き難い。また、ベース絶縁基板の上下面に形成された一対の電極パターンの切れ目の位置は、上面と下面でズレているので、ベース絶縁基板の強度が増し、変形が起き難い。更に、ＬＥＤチップを実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン領域を広く形成したので、放熱特性が良くなる。など、ベース絶縁基板の割れや変形を防ぐ裏面実装型ＬＥＤを提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の裏面実装型ＬＥＤについて、図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、本発明の実施例１に係わる裏面実装型ＬＥＤの断面図である。
【００１４】
図１において、裏面実装型ＬＥＤは、ベースになる基板を極力薄くするために、ポリイミドなどのフレキシブルなベース絶縁基板１の表面に、メッキ配線により金属パターンからなる一対の電極パターン２、３が形成されている。該電極パターン２、３はいずれもベース絶縁基板１の下面から側面を通り上面まで断面がコの字状に形成され、上下面でスリット状の切れ目４、５により対向配置されている。
【００１５】
図４は、ベース絶縁基板の表面に電極パターンを形成した状態を示す斜視図である。図４に示すように、ベース絶縁基板１に形成される電極パターン２、３は、上下面に形成されたスリット状の切れ目４、５を除く全域に形成されていて、ベース絶縁基板１の表裏の略全面が電極パターン２、３で覆われている。
【００１６】
ＬＥＤチップ６は、前記一方の電極パターン２上の上面電極部２aに実装され、他方の電極パターン３上の上面電極部３aと金属細線７によりワイヤーボンディング接続され、透光性封止樹脂８により前記ＬＥＤチップ６と金属細線７を覆うように封止する。実装側の基板９には貫通孔１０が形成され、前記裏面実装型ＬＥＤの封止樹脂部を埋設するように裏面実装するものである。
【００１７】
上記したように、ベース絶縁基板１が薄くなっても、電極パターン２、３は、上下面に形成されたスリット状の切れ目４、５を除く全域に形成されているので補強され、実装側の基板に実装しても、ベース絶縁基板の変形が起き難い。また、ベンディングによる封止樹脂とベース絶縁基板の剥離が発生し難い。
【実施例２】
【００１８】
図２は、本発明の実施例２に係わり、上述した実施例１と異なるところは、図２に示すように、前記ベース絶縁基板１の上下面に形成された一対の電極パターン２、３の切れ目４、５の位置は、上面と下面でズレている（図４参照）。前記ベース絶縁基板１の上下面に形成された一対の電極パターン２、３の中で、ＬＥＤチップ６を実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン２b領域を広く形成したことである。
【００１９】
上記したように、ベース絶縁基板の変形、ベンディングによる封止樹脂とベース絶縁基板の剥離が発生し難いことは言うまでもなく、ＬＥＤチップ６を実装したダイボンド側から延びる下面電極パターン２b領域を広く形成したので、下面からの放熱特性が良くなる。
【実施例３】
【００２０】
図３は、本発明の実施例３に係わり、上述した実施例２と異なるところは、図３に示すように、前記ベース絶縁基板１の上下面に形成された一対の電極パターン２、３の切れ目４、５の位置は、上面と下面でズレている。前記ベース絶縁基板１の上下面に形成された一対の電極パターン２、３の中で、金属細線７によりワイヤーボンディングした側から延びる下面電極パターン３b領域を広く形成したことである。
【００２１】
上記した実施例１または、２と同様に、ベース絶縁基板１が薄くなっても、電極パターン２、３は、上下面に形成されたスリット状の切れ目４、５を除く全域に形成されているので補強され、実装側の基板に実装しても、ベース絶縁基板の変形、ベンディングによる封止樹脂とベース絶縁基板の剥離が発生し難い。しかし、実施例２に比べて下面からの放熱特性はわずかに劣る。
【００２２】
以上述べたように、マザーボードなどの実装側の基板の貫通孔に、本発明の裏面実装型ＬＥＤを裏面側から実装した場合に、ベース絶縁基板を薄くしても、基板は上下面に形成された電極パターンにより補強され、マウント実装時の荷重によるたわみを抑制し、たわみによるベース絶縁基板の割れや封止樹脂の剥離を抑えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施例１に係る裏面実装型ＬＥＤの断面図である。
【図２】本発明の実施例２に係る裏面実装型ＬＥＤの断面図である。
【図３】本発明の実施例３に係る裏面実装型ＬＥＤの断面図である。
【図４】図２のベース絶縁基板の表面に電極パターンを形成した状態を示す斜視図である。
【図５】従来の裏面実装型ＬＥＤの断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１  ベース絶縁基板
２、３  電極パターン
２a、３a  上面電極部
２b、３b  下面電極部
４、５  スリット状の切れ目
６  ＬＥＤチップ
７  金属細線
８  透光性封止樹脂
９  実装側の基板
１０  貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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