(57)【要約】【課題】二次電子放出特性が優れた面光源装置を提供する。【解決手段】面光源装置用基板は、表面に結晶性ＭｇＯ粉末を含む第１二次電子放出層が形成されている。また、面光源装置は、第１基板と、この第１基板に所定間隔で対向して第１基板とともに内部放電空間を形成する第２基板と、放電空間に放電電圧を印加する電極部とを備え、第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面に、結晶性ＭｇＯ粉末を含む第１二次電子放出層が形成されている。好ましくは、第１二次電子放出層は、ＭｇＯスパッタリングターゲットを粉砕して得た粉末状で構成される。好ましくは、基板表面下に二次電子放出物質のイオンでイオン交換された第２二次電子放出層が形成される。また、本発明に係るバックライトユニットは、上記面光源装置を備える。【選択図】図５
2008060078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面光源装置用基板であって、
前記基板の表面上に形成された結晶性ＭｇＯ粉末を含む第１二次電子放出層を備える面光源装置用基板。
【請求項２】
二次電子放出物質のイオンでイオン交換された第２二次電子放出層が前記基板の表面下に形成される請求項１に記載の面光源装置用基板。
【請求項３】
面光源装置であって、
第１基板と、この第１基板に所定間隔で対向して第１基板とともに内部放電空間を形成する第２基板と、
前記放電空間に放電電圧を印加する電極部と、を備え、
前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面には、結晶性ＭｇＯ粉末を含む第１二次電子放出層が形成されている面光源装置。
【請求項４】
前記第１二次電子放出層は、ＭｇＯスパッタリングターゲットを粉砕して得た粉末状からなる請求項３に記載の面光源装置。
【請求項５】
前記第１二次電子放出層のＭｇＯ粉末の粒子径は、１μｍ以上である請求項３に記載の面光源装置。
【請求項６】
二次電子放出物質のイオンでイオン交換された第２二次電子放出層が、前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面下に形成される請求項３に記載の面光源装置。
【請求項７】
前記第２二次電子放出層は、Ｍｇイオンでイオン交換される請求項６に記載の面光源装置。
【請求項８】
前記第２二次電子放出層は、表面から３〜１０μｍの深さに形成される請求項６に記載の面光源装置。
【請求項９】
前記第１二次電子放出層及び第２二次電子放出層の少なくとも一方は、イオン及び酸化物が複合された構造に形成される請求項６に記載の面光源装置。
【請求項１０】
前記第１基板及び第２基板は一つの開かれた構造の内部放電空間を形成し、この放電空間には水銀を除く放電ガスが注入される請求項３に記載の面光源装置。
【請求項１１】
前記電極部は、ベース層と、このベース層上に形成された電極パターンと、この電極パターン上に形成された保護層と、を備える請求項３に記載の面光源装置。
【請求項１２】
前記第１二次電子放出層は、前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の基板の全面にわたって形成される請求項３に記載の面光源装置。
【請求項１３】
前記第１基板及び第２基板の間の内部放電空間を複数の独立した領域に区切る隔壁を供える請求項３に記載の面光源装置。
【請求項１４】
前記電極部は、前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の基板の外面の縁部に沿って形成され、
前記第１二次電子放出層は、前記電極部と対応するように、前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の基板の内面の縁部に沿って形成される請求項３に記載の面光源装置。
【請求項１５】
前記結晶性ＭｇＯ粉末は、単結晶性ＭｇＯ粉末である請求項３に記載の面光源装置。
【請求項１６】
前記結晶性ＭｇＯ粉末は、スプレーコーティングまたはプリンティングによって塗布される請求項３に記載の面光源装置。
【請求項１７】
面光源装置を製造する方法であって、
第１基板及び第２基板を準備し、
結晶性ＭｇＯターゲットを粉砕して粉末を得て、
前記ＭｇＯ粉末を前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面に塗布し、
前記第１基板及び第２基板を接合して密閉された放電空間を形成し、
前記第１基板及び第２基板に電極部を形成する工程を含む方法。
【請求項１８】
前記ＭｇＯ粉末が塗布された第１基板または第２基板を焼成する工程を更に含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
第１基板及び第２基板で形成される密閉された放電空間、前記第１基板及び第２基板に放電電圧を印加する電極部、並びに前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面に結晶性ＭｇＯ粉末を含有する第１二次電子放出層を備える面光源装置と、
前記面光源装置を収納するケースと、
前記電極部に電圧を印加するインバータと、を備えるバックライトユニット。
【請求項２０】
前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面下に、二次電子放出物質のイオンでイオン交換された第２二次電子放出層が形成される請求項１９に記載のバックライトユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面光源装置、その製造方法及びそれを具備したバックライトユニットに関し、特に二次電子放出特性がすぐれた二次電子放出層を具備する面光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶の電気的特性及び光学的特性を利用して映像をディスプレイする。液晶表示装置は、陰極線管（ＣＲＴ）等に比べて体積が非常に小さくて重さが軽いという長所を有している。その結果、ポータブルコンピューター、通信機器、液晶テレビ受信機及び宇宙航空産業等に広く使用されている。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶を制御する液晶制御部及び液晶に光を供給する後面光源を含む。液晶制御部は、第１基板に配置された画素電極、第２基板に配置された共通電極及び画素電極と共通電極との間に介在する液晶を含む。画素電極は、解像度に対応して多数個からなり、共通電極は画素電極と対向して１個で成り立っている。各画素電極には、互いに異なるレベルを有する画素電圧を印加するために薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が連結され、共通電極には等しいレベルの基準電圧が印加される。画素電極及び共通電極は、導電性を有する透明な物質からなる。
【０００４】
後面光源から供給される光は、画素電極、液晶及び共通電極を順次に通過する。ここで、液晶を通過した映像の表示品質は、後面光源の輝度及び輝度均一性によって大きく左右される。一般的に輝度及び輝度均一性が高いほど表示品質は良好になる。
【０００５】
従来の液晶表示装置の後面光源としては、棒形状を有する冷陰極線管方式ランプ（ＣＣＦＬ）またはドット形状を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）が主に使用された。冷陰極線管方式ランプは、輝度が高くて寿命が長く、白熱燈に比べて発熱量が非常に少ないという長所がある。一方、発光ダイオードは、消費電力が高いが輝度が優秀であるという長所がある。しかし、冷陰極線管方式ランプまたは発光ダイオードは、輝度均一性が良くないという短所を有している。そのため、冷陰極線管方式ランプまたは発光ダイオードを光源に有する後面光源は、輝度均一性を高めるために導光板（ＬＧＰ）、拡散部材及びプリズムシート等の光学部材を必要とする。それにより冷陰極線管方式ランプまたは発光ダイオードを使用する液晶表示装置は、光学部材による体積及び重さが大きく増加するという問題点を有している。
【０００６】
液晶表示装置用の後面光源として、平板形態の面光源装置（ＦＦＬ）が提案されている。図１を参照すると、従来の面光源装置１００は、光源体１１０と、光源体１１０の両側端外面に具備された電極１６０とを備える。光源体１１０は、所定間隔を置いて対向配置された第１基板及び第２基板を備える。多数の隔壁部１４０が第１基板及び第２基板の間に配置され、第１基板及び第２基板間の空間を複数の放電チャンネル１２０に区画する。第１基板及び第２基板の縁の間にはシーリング部材（図示せず）が配置されて、放電チャンネル１２０を外部と隔離する。放電チャンネル内部の放電空間１５０には、放電ガスが注入される。
【０００７】
上記面光源装置を放電駆動させるために、第１基板及び第２基板または二つの基板の一方の基板に電極を、細長い帯形態または島電極形態で、放電チャンネル当たり同一面積を有するように電極を塗布する。したがって、面光源装置は、インバータを利用して駆動させると、全面のすべてのチャンネルで同一の放電を発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、従来の面光源装置は、放電チャンネルの位置によって発光特性が異なって輝度均一度が良くないという問題を有する。また、複数の放電チャンネルの間で隣接チャンネル間の干渉によるチャンネリングによって暗部が発生するという問題点がある。
【０００９】
特に、既存の面光源装置には、放電ガスとして水銀（Ｈｇ）を含むために環境面での問題があるだけではなく、低温で駆動時に輝度安定化時間が長くなり、水銀の温度敏感性ゆえに面光源自体の温度偏差によって輝度均一度が下がるという問題点も存在する。その他にも、面光源装置の大面積化のためには、多くの解決すべき課題が残っている。
【００１０】
本発明の目的は、大面積化に適した新しい面光源装置を提供することである。
【００１１】
本発明の他の目的は、輝度及び輝度均一度に優れ、薄い厚さの面光源装置及びバックライトユニットを提供することである。
【００１２】
本発明の更に他の目的は、放電開始電圧が低く、輝度安定化時間が減少され、発光効率が向上した面光源装置を提供することである。
【００１３】
その他、本発明の他の目的及び特徴は、以下でより詳細に提示されるだろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、表面に結晶性ＭｇＯ粉末を含む第１二次電子放出層が形成された面光源装置用基板を提供する。
【００１５】
好ましくは、前記面光源装置用基板は、表面下に二次電子放出物質のイオンでイオン交換された第２二次電子放出層が形成される。
【００１６】
また、本発明は、第１基板と、該第１基板と所定間隔で対向して第１基板とともに内部放電空間を形成する第２基板と、前記放電空間に放電電圧を印加する電極部とを含み、前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面に、結晶性ＭｇＯ粉末を含む第１二次電子放出層が形成されている面光源装置を提供する。
【００１７】
前記第１二次電子放出層は、ＭｇＯスパッタリングターゲットを粉砕して得た粉末状で構成されることが好ましい。
【００１８】
前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面下に、二次電子放出物質のイオンでイオン交換された第２二次電子放出層を形成することが好ましい。
【００１９】
また本発明は、第１基板及び第２基板で形成される密閉された放電空間、前記第１基板及び第２基板に放電電圧を印加する電極部、及び前記第１基板と第２基板の少なくとも一方の表面に結晶性ＭｇＯ粉末を含む第１二次電子放出層を含む面光源装置と、この面光源装置を収納するケースと、前記第１及び第２表面電極部に電圧を印加するインバータとを備えるバックライトユニットを提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による面光源装置及びバックライトユニットは、二次電子放出が容易で放電開始電圧を低めることで放電効率が大きく向上し、駆動中の発熱を低減できる。
【００２１】
第１二次電子放出層の微細構造は、結晶性ＭｇＯ粉末状にすることで二次電子放出効率に非常に優れるのみならず、長期間使用での耐久性に優れ、製造が容易であるために面光源装置の大量生産に有利である。
【００２２】
更に、第１二次電子放出層とともに第２二次電子放出層を有する面光源装置は、二次電子放出層が基板表面及び表面下部に形成されて二次電子放出特性に非常に優れる利点を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して好ましい実施形態を通じて本発明を更に具体的に説明する。
【００２４】
図２は、本発明の一実施形態による面光源装置２００を示す斜視図であり、図３は図２の側面図である。
【００２５】
面光源装置２００は、平板型の第１基板２１０と、この第１基板２１０と同一形状である平板型の第２基板２２０とを含む。第１基板２１０と第２基板２２０は、透明な薄板型ガラス基板であることが好ましく、各厚さに特別な制限はないが、１〜２ｍｍ程度、好ましくは１ｍｍ以下が好適である。
【００２６】
第１基板２１０及び第２基板２２０の内面には蛍光層が塗布され、第１基板及び第２基板のいずれか一方には、反射膜を更に形成できる。第１基板２１０及び第２基板２２０は、所定間隔で互いに対向し、縁にフリット等のシーリング部材２３０を挿入したり他の側壁を設置したりして密閉空間を形成する。
【００２７】
第１基板２１０または第２基板２２０の表面には、図４及び図５に示すように、第１二次電子放出層２１１が形成される。第１二次電子放出層２１１は結晶性で、微細構造は薄膜やナノ構造でなく粉末状であることが好ましい。粉末状の第１二次電子放出層は、二次電子放出効率に優れる。
【００２８】
粉末状の第１二次電子放出層としては、ＭｇＯスパッタリングターゲットを粉砕して得た粉末を使用することが好ましい。この場合、第１二次電子放出層のＭｇＯ粉末の粒子径は、１μｍ以上であることが好ましい。
【００２９】
結晶性ＭｇＯターゲットを粉砕して得た粉末に有機または無機溶媒を混合して、第１基板及び第２基板の少なくとも一方の表面に塗布することで、第１二次電子放出層を形成できる。必要に応じて、ＭｇＯ粉末が塗布された第１基板または第２基板を焼成する工程を更に行うことができる。焼成温度としては、例えば５６０℃を選択できる。
【００３０】
このように塗布によって形成された第１二次電子放出層は、形成方法が簡単なため経済的であり、大面積の面光源装置に適する。面光源装置の駆動中に第１二次電子放出層２１１から二次電子が放出されて内部空間での放電が活発になるため、放電開始電圧が低くなって発光効率も向上する。また、駆動中に発生する熱が減少し、面光源装置の安全性が増す。
【００３１】
本発明の面光源装置用基板では、スパッタリングやその他の物理的または化学的蒸着方法のような高価の製造工程ではない塗布方式によって、二次電子放出層を形成する。
【００３２】
スパッタリングによってＭｇＯを蒸着する場合と比べると、本発明の結晶性ＭｇＯ粉末をスプレーコーティングで塗布する場合、生産性及び費用面で非常に優れた利点がある。
【００３３】
スパッタリングは、高真空のチェンバを使用しなければならず、装備が大型化して、バッチタイプによる連続作業が難しく、生産速度が低下するという短所を有している。スパッタリングによってＭｇＯを蒸着する場合、単原子層／秒という非常に遅い蒸着速度を示すのに比べ、結晶性ＭｇＯ粉末をスプレーコーティングする場合、１〜５μｍ層／秒の高いコーティング速度を有し、生産性の面で非常に優れた利点を有する。
【００３４】
また、スパッタリングでは、蒸着物質に高価な単結晶ターゲットを使用するのに比べ、スプレーによるコーティングでは、安価な単結晶粉末を使用するので、費用の面でも非常に優れた利点を有する。
【００３５】
図６は、各場合での二次電子放出係数を対比した図である。
【００３６】
図示したように、二次電子放出係数は、（ａ）二次電子放出層を形成しない場合＜（ｂ）スパッタリングによってＭｇＯが蒸着された二次電子放出層を形成した場合＜（ｃ）ＭｇＯ多結晶粉末で二次電子放出層を形成した場合＜（ｄ）ＭｇＯ単結晶粉末で二次電子放出層を形成した場合、の順序で優れていることを示している。
【００３７】
下記の表１は、Ｅ−ビーム蒸着、スプレーコーティング及びプリンティングによってＭｇＯ二次電子放出層を形成する場合、それぞれの項目別に比較した結果である。
【００３８】
【表１】
2008060078.tif 000003
【００３９】
表１から分かるように、ＭｇＯ粉末をスプレーコーティングして二次電子放出層を形成することが、性能面で非常に優れることが分かる。
【００４０】
図７及び図８は、第１二次電子放出層２１１及び第２二次電子放出層２１２が形成された基板を示す断面図である。
【００４１】
基板の表面には、結晶性ＭｇＯ粉末を含む第１二次電子放出層が形成され、基板表面下には基板のアルカリイオン（例えば、Ｎａイオン）が他の物質のイオン（例えば、Ｍｇイオン）にイオン交換された第２二次電子放出層が形成される。
【００４２】
第１二次電子放出層は、金属酸化物のみを含んだり、イオン及び酸化物が複合化した構造に形成したりすることができる。
【００４３】
第２二次電子放出層２１２は、図７に示すように基板表面直下に第１二次電子放出層２１１と接して形成することもでき、それとは異なり、図８に示すように基板表面から所定深さ（ｔ）に形成することもできる。第１二次電子放出層と第２二次電子放出層は、所定間隔を置いて形成することが、二次電子放出層の二次電子放出特性及び耐久性の面で有利である。好ましくは、深さ（ｔ）が３〜１０μｍである。イオン交換層は、イオン層だけで形成することもでき、イオン及び酸化物が複合化した構造に形成することもできる。
【００４４】
本発明による面光源装置用基板は、スパッタリングやその他物理的または化学的蒸着方法のような高価な製造工程ではない塗布方式によって二次電子放出層を形成する。
【００４５】
製造工程を詳しくみると、まず、可視光に対して透光性のある基板を準備する。この基板は、平板型基板であってもよく、あらかじめ表面に所定形状の放電チャンネルが形成されている基板であってもよい。基板の一表面または表面の局部的領域に、例えばＭｇを含む物質、例えば結晶性ＭｇＯ粉末と、適切な溶媒とを混合した溶液を塗布する。その後、基板を熱処理する。熱処理温度は、形成しようとする二次電子放出層の構造によって変わり得る。熱処理温度及び熱処理雰囲気、圧力その他の工程条件等を制御して基板表面下部にイオン交換層である第２二次電子放出層を形成して、基板表面に第１二次電子放出層を形成できる。熱処理温度等の制御によって第２二次電子放出層は、イオンのみを含んだり、イオン及び酸化物が複合化した構造に形成したりすることができる。また、第１二次電子放出層は、工程条件によって結晶性酸化物のみを含んだり、イオン及び結晶性酸化物が複合化した構造に形成したりすることができる。
【００４６】
二次電子放出層の形成後、基板表面に付加的な層（例えば、蛍光層、保護膜、反射膜）を形成できる。
【００４７】
上述したように、第１二次電子放出層及び第２二次電子放出層は、同時に一工程で形成することもできるが、それぞれの構成成分を異にしたり厚さ等をより精密に制御したりするために、別工程で形成することもできる。例えば、第１物質でイオン交換層である第２二次電子放出層をまず基板表面内部に形成し、その後、基板表面に第２物質で第１二次電子放出層を形成できる。
【００４８】
本発明による二次電子放出層は、基板内部にイオン交換層を含んでいるだけではなく、基板表面に酸化物で存在する表面層を含むことにより、耐久性に優れかつ安定的に基板表面に存在する。その結果、面光源装置の長期間使用においても二次電子放出特性に優れる。
【００４９】
本発明による第１二次電子放出層は、図２に示すように第１基板と第２基板がすべて平板型の構造だけではなく、図１に示すようにどちらか一方の基板が、屈曲した構造に形成され、複数の放電チャンネルを有する面光源装置にも適用可能である。また、図示していないが、内部に他の隔壁を形成して放電空間を複数のチャンネルに区切った面光源装置にも適用できる。
【００５０】
本発明の好ましい実施形態による面光源装置は、第１基板及び第２基板によって形成される光源体の外部表面に、大面積の平板型電極を形成する。図９は、図２のＸ−Ｘ’線断面図であり、図１０は図９のＡ部分の拡大図である。図示によると、第１基板２１０と第２基板２２０の外部表面には、それぞれ第１表面電極部２５０と第２表面電極部２６０が形成されている。第１表面電極部２５０と第２表面電極部２６０は、実質的に基板面積全体をカバーする平板形の面電極で形成されている。
【００５１】
第１表面電極部２５０と第２表面電極部２６０の少なくとも一方では、光源体から放電によって出射される光の透過度を高めるために、基板を露出させる開口率が６０％以上であることが好ましい。
【００５２】
第１基板２１０と第２基板２２０は、平板型であり、第１基板、第２基板、及びシーリング部材によって画定される内部は、既存の面光源装置のように隔壁によって区画された個別的な放電空間ではなく一つの開かれた構造の放電空間２４０を形成する。第１基板と第２基板との間隔は、基板面積と対比すると非常に小さく、内部空間が一つの開かれた構造に形成され、真空排気及び放電ガスの注入が非常に容易である。更に、放電ガスとして水銀以外のガス、例えば、ゼノン、アルゴン、ネオン、その他不活性ガスまたはそれらの混合ガス等を使用して面光源装置を構成するのに適合する。
【００５３】
第１基板２１０と第２基板２２０との間の放電空間２４０は、スペーサ２３５によって上下の高さを決定することもできる。スペーサ２３５の数及び間隔は、面光源装置から出射される光の輝度特性を阻害しない範囲で決定できる。それ以外にも、上板を一定部分成形して人為的にスペーサの特性を付加することもできる。
【００５４】
それとは異なって、第１基板または第２基板の内面に一体的に形成される突出部（図示せず）によって放電空間２４０の高さを確定することもできる。
【００５５】
本実施形態による面光源装置において、第１表面電極部２５０と第２表面電極部２６０は、透明性電極（例えばＩＴＯ）を使用することもでき、所定パターンの電極を使用することができる。図１１は、本発明の一実施形態による電極部を示す断面図で、図示によると、下部のベース層２５２と、該ベース層上に形成された電極パターン２５６及びベース層と、電極パターン上に形成された保護層２５４の多層構造の電極部とを確認できる。ベース層及び保護層は、可視光に対して透過性を有することが好ましい。
【００５６】
電極パターンだけを含む電極部の場合、ガラス基板との接合が難しくて耐久性が落ちることがあり得るが、多層構造の電極部は基板との接合が容易で電極パターンの耐久性を確保でき、多様な形態の電極パターンを形成できるという長所を有する。
【００５７】
本発明の面光源装置に使用される平板型電極部の電極パターンとしては、多様な形態を適用できる。例えば、図１２に示すような網目構造のパターンや、図１３及び図１４に示すストライプ形態のパターンが可能である。第１基板２１０及び第２基板２２０にそれぞれ形成される第１表面電極部２５０及び第２表面電極部２６０の各電極パターン形態を互いに異なるようにして、面光源装置の放電特性を変化できる。
【００５８】
図１２〜図１４のように、電極部が基板の表面全体に形成される面光源装置では、それに対応して第１二次電子放出層及び／または第２二次電子放出層も基板の全面にわたって形成することが好ましい。
【００５９】
しかし、図１のように、電極部が基板の外面の端に沿って形成された面光源装置では、第１二次電子放出層及び／または第２二次電子放出層もそれに対応するように基板の内面の縁に沿って形成することが好ましい。
【００６０】
図１５は、本発明の超薄型面光源装置を含むバックライトユニットを示した分解斜視図である。図示によると、バックライトユニットは、面光源装置２００、上部ケース１１００及び下部ケース１２００、光学シート９００及びインバータ１３００を含む。下部ケース１２００は、面光源装置２００を収納するために、底部１２１０と、この底部１２１０の端から収納空間を形成するために延長する複数の側壁部１２２０とからなる。面光源装置２００は、下部ケース１２００の収納空間に収納される。
【００６１】
インバータ１３００は、下部ケース１２００の背面に配置され、面光源装置２００を駆動するための放電電圧を発生させる。インバータ１３００から発生された放電電圧は、第１電源線１３５２及び第２電源線１３５４を通じて面光源装置２００の電極部にそれぞれ印加される。光学シート９００は、面光源装置２００から出射される光を均一に拡散させるための拡散板と、拡散した光に直進性を付与するためのプリズムシート等からなり得る。上部ケース１１００は、下部ケース１２００に結合されて面光源装置２００と光学シート９００を支持する。上部ケース１１００は、面光源装置２００が下部ケース１２００から離脱することを防止する。
【００６２】
図示とは異なり、上部ケース１１００及び下部ケース１２００を一つの一体型ケースに形成することもできる。一方、本発明によるバックライトユニットは、面光源装置の輝度及び輝度均一度が優秀であるので、光学シート９００を含まないこともあり得る。
【００６３】
以上で、本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、当技術分野の熟練した当業者または当技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の技術思想及び技術的範囲内で、本発明を多様に修正及び変更できるだろう。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の面光源装置及びバックライトユニットは、二次電子放出層が形成されているので、二次電子放出が容易で放電開始電圧を低めて放電効率が大きく向上し、駆動中の発熱が減少する効果を得ることができる。また、面光源装置の製造費用を減らすことができ、量産性にすぐれ、大量生産に有利である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】面光源装置の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明の面光源装置を示した斜視図である。
【図３】本発明の面光源装置を示した側面図である。
【図４】第１二次電子放出層が形成された基板を示した断面図である。
【図５】図４のＳ部分の拡大図である。
【図６】各場合での二次電子放出係数を対比した図である。
【図７】第１二次電子放出層及び第２二次電子放出層が形成された他の実施形態の基板を示した断面図である。
【図８】第１二次電子放出層及び第２二次電子放出層が形成された更に他の実施形態の基板を示した断面図である。
【図９】図２のＸ−Ｘ’線断面図である。
【図１０】図９のＡ部分の拡大図である。
【図１１】本発明の多層構造の電極部を示した断面図である。
【図１２】本発明の電極部の電極パターンの一例を示した平面図である。
【図１３】本発明の電極部の電極パターンの一例を示した平面図である。
【図１４】本発明の電極部の電極パターンの一例を示した平面図である。
【図１５】本発明の面光源装置を含むバックライトユニットを示した分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６６】
１１０  光源体
１２０  放電チャンネル
１４０  隔壁部
１５０  放電空間
１６０  電極部
２００  面光源装置
２１０  第１基板
２１１  第１二次電子放出層
２１２  第２二次電子放出層
２２０  第２基板
２３０  シーリング部材
２３５  スペーサ
２４０  放電空間
２５０  第１表面電極部
２５２  ベース層
２５４  保護層
２５６  電極パターン
２６０  第２表面電極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図６】
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