(57)【要約】【課題】高耐熱性を有する化合物を提供すること。【解決手段】式（１）で示される化合物。また、前記式（１）で示される化合物におけるＡｒは、ベンゼン環からｎ1個の水素原子を除いた残基であることが好ましい。すなわち、前記式（１）で示される化合物は、式（２）で示される化合物であることが好ましい。なお、式（１）及び式（２）中、Ａｒはｎ1価のアリール基を表し、ｎ1は２から４までの整数を表し、ｎ2は１又は２の整数を表す。2008222690.tif 000011【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示される化合物。
【化１】
2008222690.tif 000010
（式（１）中、Ａｒはｎ1価のアリール基を表し、ｎ1は２から４までの整数を表し、ｎ2は１又は２の整数を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高耐熱性を有するエチニル化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
末端アルキンは、Ｃ≡Ｃの官能性から、種々の化合物へ誘導され、機能性化学品、医薬品、生理活性物質等の原料、中間体等として有用である。
例えば、特許文献１には、ジイン構造を有する低誘電率材料が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１５５２３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、高耐熱性を有する化合物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、鋭意検討の結果、上記課題が下記の＜１＞の構成により達成できることを見出した。
＜１＞  下記式（１）で示される化合物。
【０００６】
【化１】
2008222690.tif 000002
（式（１）中、Ａｒはｎ1価のアリール基を表し、ｎ1は２から４までの整数を表し、ｎ2は１又は２の整数を表す。）
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、高耐熱性を有する化合物を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の化合物は、下記式（１）で示される化合物であり、エチニル基及びアミド結合を有する化合物である。
【０００９】
【化２】
2008222690.tif 000003
（式（１）中、Ａｒはｎ1価のアリール基を表し、ｎ1は２から４までの整数を表し、ｎ2は１又は２の整数を表す。）
【００１０】
本発明の化合物は、新規な化合物であり、また、高耐熱性であり、耐熱性が必要な様々な用途に用いることができる。具体的には、電子材料、繊維、プリント回路、粘着テープ、磁気記録媒体、電線、耐熱絶縁紙、塗料、注型材料、プリント配船板、成型材料などが例示できる。
【００１１】
式（１）におけるＡｒは、ｎ1価のアリール基を表し、下記に示す芳香族化合物の芳香環からｎ1個の水素原子を除いた残基であることが好ましい。下記に芳香族化合物の具体例を示す。
【００１２】
【化３】
2008222690.tif 000004
【００１３】
これら芳香族化合物の中でも、ベンゼンがより好ましい。すなわち、式（１）で示される化合物は、下記式（２）で示される化合物であることがより好ましい。
【００１４】
【化４】
2008222690.tif 000005
（式（２）中、ｎ1は２から４までの整数を表し、ｎ2は１又は２の整数を表す。）
【００１５】
前記式（１）又は（２）におけるｎ1は、２から４の整数を表し、好ましくは２又は３であり、特に好ましくは３である。
前記式（１）又は（２）におけるｎ2は、１又は２の整数を表し、好ましくは１である。
【００１６】
以下に、本発明の式（１）で示される化合物の具体例を記載するが、本発明はこれらに限定はされない。
【００１７】
【化５】
2008222690.tif 000006
【００１８】
本発明の式（１）で示される化合物は、それを使用して重合体を形成してもよい。
重合形式としては、特に制限はないが、本発明の式（１）で示される化合物のみを重合することにより得られる単独重合体であっても、２種以上の本発明の式（１）で示される化合物を重合することにより得られる共重合体であっても、本発明の式（１）で示される化合物と他の重合性単量体とを重合することにより得られる共重合体であっても、２種以上の本発明の式（１）で示される化合物と他の重合性単量体とを重合することにより得られる共重合体であっても、２種以上の本発明の式（１）で示される化合物と２種以上の他の重合性単量体とを重合することにより得られる共重合体であってもよい。
他の重合性単量体としては、式（１）で示される化合物以外の化合物であり、かつ式（１）で示される化合物と共重合可能であれば特に制限はないが、公知の重合性単量体を用いることができるが、付加重合性単量体であることが好ましく、アルキレン性不飽和基又はエチレン性不飽和基を有する単量体であることがより好ましい。
【００１９】
式（１）で示される化合物を使用した重合方法としては、特に制限はなく、公知の方法を用いることができ、例えば、エネルギー線照射、重合開始剤による重合、遷移金属触媒による重合、加熱処理等が好ましく挙げられる。この中でも、エネルギー線照射による重合方法がより好ましい。
【００２０】
エネルギー線照射におけるエネルギー線としては、電子線、紫外線、Ｘ線などが挙げられる。
エネルギー線として、電子線を使用した場合のエネルギーは、０〜５０ｋｅＶが好ましく、０〜３０ｋｅＶがより好ましく、０〜２０ｋｅＶが特に好ましい。電子線の総ドーズ量は、好ましくは０〜５μＣ／ｃｍ2、より好ましくは０〜２μＣ／ｃｍ2、特に好ましくは０〜１μＣ／ｃｍ2である。電子線を照射する際の温度は、０〜４５０℃が好ましく、０〜４００℃がより好ましく、０〜３５０℃が特に好ましい。電子線を照射する際の圧力は、好ましくは０〜１３３ｋＰａ、より好ましくは０〜６０ｋＰａ、特に好ましくは０〜２０ｋＰａである。
エネルギー線照射時においては、重合体の酸化を防止するという観点から、Ａｒ、Ｈｅ、窒素などの不活性雰囲気下で行うことが好ましい。また、電子線との相互作用で発生するプラズマ、電磁波、化学種との反応を目的に酸素、炭化水素、アンモニアなどのガスを添加してもよい。本発明における電子線照射は複数回行ってもよく、この場合は電子線照射条件を毎回同じにする必要はなく、毎回異なる条件で行ってもよい。
エネルギー線として紫外線を用いてもよい。紫外線を用いる際の照射波長領域は１９０〜４００ｎｍが好ましく、その出力は被重合物の表面において０．１〜２，０００ｍＷｃｍ-2が好ましい。紫外線照射時の温度は２５０〜４５０℃が好ましく、２５０〜４００℃がより好ましく、２５０〜３５０℃が特に好ましい。重合体の酸化を防止するという観点から、Ａｒ、Ｈｅ、窒素などの不活性雰囲気下で行うことが好ましい。また、その際の圧力は０〜１３３ｋＰａが好ましい。
【００２１】
式（１）で示される化合物を使用した重合方法としては、重合開始剤及び／又は遷移金属触媒による重合を行ってもよい。重合開始剤及び遷移金属触媒は、特に制限はなく、公知のものを用いることができる。
式（１）で示される化合物を使用した重合方法としては、加熱処理により行ってもよい。また、加熱処理の際に重合開始剤を使用して重合を行ってもよい。加熱処理は数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理時は、酸素による熱酸化を防ぐために、窒素雰囲気下で行うことが特に好ましい。
【実施例】
【００２２】
＜合成例１：トリス（４−エチニルフェニル）トリメソイル酸アミド（ａ）の合成＞
【００２３】
【化６】
2008222690.tif 000007
【００２４】
窒素気流下、三つ口フラスコに４−エチニルアニリン３重量部、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２２重量部及びトリエチルアミン３．１重量部を反応容器に入れ、均一になるまで撹拌した。その容器を氷浴下で冷却しながら、トリメソイルクロリド２．１重量部をゆっくりと滴下した。滴下終了後、室温で１時間撹拌した。反応後、反応液に酢酸エチルを加え、１Ｎ ＨＮＯ3水溶液及び水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去することにより、化合物（ａ）を３．６重量部（収率：９１％）得た。
1H-NMR(CDCl3) δ = 9.08(br, 3H), 7.94(br, 3H), 7.59(d, 6H), 7.45(d, 6H), 3.10(s, 3H).
【００２５】
＜合成例２：トリス（３−エチニルフェニル）トリメソイル酸アミド（ｂ）の合成＞
【００２６】
【化７】
2008222690.tif 000008
【００２７】
窒素気流下、三つ口フラスコに３−エチニルアニリン１９重量部、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０７重量部及びトリエチルアミン２７．４重量部を反応容器に入れ、均一になるまで撹拌した。その容器を氷浴下で冷却しながら、トリメソイルクロリド１３重量部をゆっくりと滴下した。滴下終了後、室温で１時間撹拌した。反応後、反応液に酢酸エチルを加え、１Ｎ ＨＮＯ3水溶液及び水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去することにより、化合物（ｂ）を２４重量部（収率：９１％）得た。
1H-NMR((CD3)2CO) δ = 10.00(br, 3H), 8.71(s, 3H), 8.10(s, 3H), 7.90(d, 3H), 7.41(t, 3H), 7.29(d, 3H), 3.68(s, 3H).
【００２８】
＜合成例３：１，３−ビス（４−エチニルフェニル）テレフタル酸アミド（ｃ）の合成＞
【００２９】
【化８】
2008222690.tif 000009
【００３０】
窒素気流下、三つ口フラスコに４−エチニルアニリン７重量部、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４１重量部及びトリエチルアミン８．２重量部を反応容器に入れ、均一になるまで撹拌し、その容器を氷浴下で冷却した。それにイソフタル酸クロリド５．５重量部をテトラヒドロフラン９重量部に溶解した溶液をゆっくりと滴下した。滴下終了後、室温で1時間撹拌した。反応後、反応液に酢酸エチルを加え、１Ｎ ＨＮＯ3水溶液及び水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去することにより、化合物（ｃ）を９．５重量部（収率：９５％）得た。
1H-NMR((CD3)2SO) δ = 10.58(br, 2H), 8.52(s, 1H), 8.15(d, 2H), 7.84(d, 4H), 7.71(t, 1H), 7.49(d, 4H), 4.13(s, 2H).
【００３１】
化合物（ａ）〜（ｃ）の耐熱性を、ティー・エイ・インスツルメント社製熱重量測定装置Ｑ６００を用いて評価した。その結果、５％の重量減少が起こる温度はそれぞれ、化合物（ａ）が５２３℃、化合物（ｂ）が５１６℃、化合物（ｃ）が４８４℃であった。