(57)【要約】【課題】  ウェーハでのゴースト像の生成が少なくとも減少するリソグラフィシステムおよび方法を提供することである。【解決手段】  リソグラフィシステムは、パターニングデバイスから基板の上へパターンを投影する。パターニングデバイスは、第１の領域の上の第１のパターンおよび第２の領域の上の第２のパターンを含む。フィルタ機構は、パターニングデバイスの第２の領域を通して放射の透過率を選択的に減少させて、パターニングデバイスの第２の領域に間接的に入射する放射ビームの一部に起因する第２のパターンの１つまたは複数の像の強度を減少させる。【選択図】  図４
2008252092.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスから基板の上へパターンを投影するリソグラフィ装置およびパターニング機構を備えるリソグラフィシステムであって、リソグラフィ装置は、
放射ビームを調節する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であり、パターニングデバイスの第１の領域の上の第１のパターンおよびパターニングデバイスの第２の領域の上の第２のパターンを含むパターニングデバイスを含む、パターニング機構と、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
を含み、
パターニング機構は、
パターニングデバイスの第２の領域に間接的に入射する放射ビームの一部に起因する第２のパターンの１つまたは複数の像の強度を減少させるように、パターニングデバイスの第２の領域を通して放射の透過率を選択的に減少させるフィルタ機構をさらに含む、リソグラフィシステム。
【請求項２】
リソグラフィ装置は、ビームが第２の領域に直接入射しないようにパターニングデバイスに入射するビームの断面領域を制限するために有効なアパーチャ設定機構を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
第２のパターンはテストパターンである、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
第１のパターンはパターニングデバイスのさらなる領域において繰り返される、請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
フィルタ機構は均質なグレイフィルタを含む、請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
フィルタ機構は不透明または透過な一連のドットを含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
フィルタ機構は、パターニングデバイスのうちの照明システムから離れた面で、パターニングデバイスのサポートに取り付けられる、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
パターニングデバイスから基板の上へパターンを投影するためのリソグラフィシステムで用いるパターニングデバイスを備えるパターニング機構であって、
パターニングデバイスは、パターニングデバイスに入射する放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であり、かつ、第１の領域の上の第１のパターンおよび第２の領域の上の第２のパターンを含み、
パターニングデバイスの第２の領域に間接的に入射する放射ビームの一部に起因する第２のパターンの１つまたは複数の像の強度を減少させるように、パターニングデバイスの第２の領域を通して放射の透過率を選択的に減少させるフィルタ機構をさらに備える、パターニング機構。
【請求項９】
第２のパターンはテストパターンである、請求項８に記載のパターニング機構。
【請求項１０】
第１のパターンはパターニングデバイスのさらなる領域において繰り返される、請求項８に記載のパターニング機構。
【請求項１１】
フィルタ機構は均質なグレイフィルタを備える、請求項８に記載のパターニング機構。
【請求項１２】
フィルタ機構は、不透明または透過な一連のドットを含む、請求項１１に記載のパターニング機構。
【請求項１３】
フィルタ機構は、パターニングデバイスのうちの照明システムから離れた面で、パターニングデバイスのサポートに取り付けられる、請求項８に記載のパターニング機構。
【請求項１４】
パターン付き放射ビームを基板の上へ投影することを含むデバイス製造方法であって、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能でありかつ第１の領域の上の第１のパターンおよび第２の領域の上の第２のパターンを含むパターニングデバイスに、放射ビームを導くこと、および
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分の上へ投影すること
を含み、該方法が、
パターニングデバイスの第２の領域に間接的に入射する放射ビームの一部に起因する第２のパターンの１つまたは複数の像の強度を減少させるように、パターニングデバイスの第２の領域を通して放射の透過率を選択的に減少させること、
をさらに含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与するものである。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造において用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば１つのダイの一部、１つまたはいくつかのダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上での結像を介してなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、およびある特定の方向（「スキャン」方向）の放射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  レチクルは、ウェーハ上ごとに一度だけプリントされるテストパターンを含むことができる。本発明者は、テストパターンの像を有するはずのない基板領域において基板に現れるゴースト像を確認している。ゴースト像が基板上のダイと重なり合うと、ゴースト像は基板上に製造することが要求される実際のダイのクリティカルディメンション（ＣＤ）に影響を与え得るような特有の問題を引き起こす。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  本発明の目的は、ウェーハでのゴースト像の生成が少なくとも減少するリソグラフィシステムおよび方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0005]  本発明のある様態によれば、パターニングデバイスから基板の上へパターンを投影するリソグラフィ装置およびパターニング機構を含むリソグラフィシステムであって、リソグラフィ装置は、
放射ビームを調整する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であり、パターニングデバイスの第１の領域の上の第１のパターンおよびパターニングデバイスの第２の領域の上の第２のパターンを含むパターニングデバイスを含む、パターニング機構と、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
を含み、
パターニング機構は、
パターニングデバイスの第２の領域に間接的に入射する放射ビームの一部に起因する第２のパターンの１つまたは複数の像の強度を減少させるように、パターニングデバイスの第２の領域を通して放射の透過率を選択的に減少させるフィルタ機構をさらに含む、リソグラフィシステムが提供される。
【０００６】
[0006]  本発明の他の様態によれば、パターニングデバイスから基板の上へパターンを投影するためのリソグラフィシステムで用いるパターニングデバイスを備えるパターニング機構であって、
パターニングデバイスは、パターニングデバイスに入射する放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であり、かつ、第１の領域の上の第１のパターンおよび第２の領域の上の第２のパターンを含み、
パターニングデバイスの第２の領域に間接的に入射する放射ビームの一部に起因する第２のパターンの１つまたは複数の像の強度を減少させるように、パターニングデバイスの第２の領域を通して放射の透過率を選択的に減少させるフィルタ機構をさらに備える、パターニング機構が提供される。
【０００７】
[0007]  本発明のさらに他の様態によれば、
パターン付き放射ビームを基板の上へ投影することを含むデバイス製造方法であって、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能でありかつ第１の領域の上の第１のパターンおよび第２の領域の上の第２のパターンを含むパターニングデバイスに、放射ビームを導くこと、および
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分の上へ投影すること
を含み、該方法が、
パターニングデバイスの第２の領域に間接的に入射する放射ビームの一部に起因する第２のパターンの１つまたは複数の像の強度を減少させるように、パターニングデバイスの第２の領域を通して放射の透過率を選択的に減少させること
をさらに含む方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
[0008]以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。
【０００９】
[0009]  図１（ａ）は本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置およびパターニング機構を備えるリソグラフィシステムを概略的に示している。リソグラフィ装置は以下を備える。  
―  放射ビームＢ（たとえばＵＶ照射）を調節する照明システム（イルミネータ）ＩＬ。
−  パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ一定のパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置付けするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ。  
−  基板（たとえばレジストコートされたウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ一定のパラメータにしたがって基板を正確に位置付けするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴ。  
―  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳ。
【００１０】
[0010]  照明システムは、放射を誘導、整形または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組み合わせなどさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１１】
[0011]  サポート構造はパターニングデバイスを支持する、すなわちパターニングデバイスの重みを支えるものである。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといったその他の条件に応じた様態でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、たとえば、投影システムに対して任意の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えてよい。
【００１２】
[0012]  本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射ビームの断面にパターンを付与するために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１３】
[0013]  パターニングデバイスは、透過率型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(Alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(Attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜することができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを与える。
【００１４】
[0014]  本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。
【００１５】
[0015]  図示されるように、装置は透過型（たとえば、透過型マスクを使用する）である。あるいは、装置は反射型（たとえば、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイ、または反射マスクを使用する）であってもよい。
【００１６】
[0016]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００１７】
[0017]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、たとえば水によって、基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の別の空間、たとえば、マスクと投影システムとの間の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は投影システムの開口数を増加させるためのものとして当該技術分野では周知である。本明細書において使われている用語「液浸」は、基板のような構造体を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００１８】
[0018]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射ソースＳＯから放射ビームを受ける。ソースおよびリソグラフィ装置は、たとえば、ソースがエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、ソースは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射ソースＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、ソースは、たとえば、ソースが水銀ランプである場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。ソースＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００１９】
[0019]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調節すれば、放射ビームの断面に任意の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００２０】
[0020]  放射ビームＢは、サポート構造（たとえばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束させる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば干渉デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置づけることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは固定されていてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされていてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分の間の空間（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）内に置くこともできる。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイの間に置かれてもよい。
【００２１】
[0021]  例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができると考えられる。 
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付与されたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、つぎにＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に投影されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同時にスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かすまたはスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２２】
[0022]  上述の使用モードの組み合わせおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２３】
[0023]  次に図２を参照すると、マスクＭＡは、基板Ｗの異なる領域に同時に投影される、多数の別個の有効なパターンを包含することが多い。このパターンは、マスクＭＡに対して数回にわたり繰り返され得るメインパターンＭＰを含むことができる。わかりやすくするために、メインパターンＭＰのみ図示される。マスクはまた、別のダイまたは装置の較正に用いられるテストパターンに対応し得る補助パターンＳＰを含むことができる。通常、メインパターンＭＰは、その一部のみ図示されるクロムボーダ(chromium border)ＣＲに包囲される。  
【００２４】
[0024]  本発明者は、マスクＭＡの補助パターンＳＰがウェーハＷ上に投影された像内にゴースト像ＧＩを生成し得ることを確認した。本発明者は特に、マスクＭＡに入射するビームＢの領域を制限して補助パターンＳＰがマスクＭＡを通してダイレクトビーム経路内に入り込まないようにするために、正方形または矩形のアパーチャを有するレチクルマスクＲＭがイルミネータＩＬとマスクＭＡとの間に挟まれるときにも、上述のゴースト像が生じ得ることに注目した。本発明者は、レチクルマスクＲＭのアパーチャサイズを変え、またマスクＭＡ上の補助パターンＳＰの位置に対するアパーチャの位置を変えて多くの実験を行った。本発明者はこの実験から、ウェーハＷ上のゴースト像はマスクＭＡ、特にクロムボーダＣＲから照明システムＩＬの光学素子のさまざまな表面上に反射した迷光から生成されることを推測した。図２において、迷光の例がグレイの矢印により示される。図２において照明システムＩＬは単一のレンズとして描かれているが、図１に関連して上述されるように、照明システムＩＬは実際には非常に多くの光学面を含み、これらの光学面のうちのいずれかにおいて上述の反射が生じることは明らかであろう。光学面からマスクＭＡの補助パターンＳＰ上に反射した光はその後、投影システムＰＳにより結像してウェーハＷ上にゴースト像ＧＩを形成する。
【００２５】
[0025]  図３において、発明者により明らかになったゴースト像の問題を克服するために、本発明によりマスクＭＡの補助パターンＳＰを含む領域の下にフィルタＦＩが挿入される。フィルタＦＩはｘ％の透過率を有するように配置される。ｘの値は任意に選択できるが、通常は５％である。フィルタはウェーハＷ上に投影された補助パターンＳＰのゴースト像を１００〜ｘ％、本実施例においては９５％まで抑制する。
【００２６】
[0026]  フィルタＦＩは、好ましくは均質なグレイフィルタである。均質なグレイフィルタを効率的に製造するために、例として図３に示されるような透過的なバックグラウンド上の不透明なドットのパターン、または不透明なバックグラウンド上の透過的なドットのパターンを用いることができる。この場合、ドットのサイズはリソグラフィシステムの解像度より小さくなければならない。
【００２７】
[0027]  図４にフィルタＦＩの効果を見ることができる。この図から分かるように、ウェーハＷに投影されたゴースト像ＧＩの効果は、フィルタＦＩがあることにより減少している。ある場合には、ゴースト像ＧＩが実質的に除去されることが分かっている。
【００２８】
[0028]  補助パターンＳＰが、全てのウェーハに、または全ての露光においてプリントされる必要のないテストパターンである場合には、マスクＭＡに入射するビームＢのサイズを縮小して補助パターンが直接照射しないように、かつフィルタＦＩを含むことで処理時間に影響が出ないようにするために、レチクルマスクＲＭを用いてよいことは明らかである。補助パターンＳＰをマスクＭＡにプリントする必要がある場合は、補助パターンＳＰがウェーハＷに結像されるように露光時間を増やす必要もあり得る。しかしながら、ウェーハＷ上のゴースト像ＧＩの発生は相対的に減少するであろう。
【００２９】
[0029]  当然のことながら、本発明に従ってリソグラフィシステムを使用することにより、リソグラフィシステムのユーザは、補助マスクパターンＳＰの透過率とフィルタＦＩの透過率との組み合わせがメインマスクパターンＭＰの透過率と実質的に等しくなるようにフィルタＦＩの透過率を決めることによって、他のいかなる演算も必要とせずに、ダイにおけるフィーチャのクリティカルディメンション（ＣＤ）のゴースト像に起因する変動を修正することが可能である。
【００３０】
[0030]  本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途を有することは明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えてよい。本明細書に記載されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば積層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３１】
[0031]  本明細書では、光リソグラフィに関連した本発明の実施形態の使用について上記に具体的に言及されたが、本発明は、たとえばインプリントリソグラフィといった他の用途にも使用可能であり、状況が許す場合には光リソグラフィに限定されないことが明らかである。インプリントリソグラフィの場合、パターニングデバイスにおけるトポグラフィが基板上に形成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工されてよく、その場合電磁放射、熱、圧力、またはこれらの組み合わせを与えることによってレジストは硬化される。レチクルが硬化された後、パターンはレチクルに残した状態でパターニングデバイスはレジストから外へ移動される。
【００３２】
[0032]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（たとえば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｍｍ、あるいはその前後の波長を持つもの）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（たとえば、５−２０ｍｍの範囲の波長を持つもの）を含むあらゆる種類の電磁放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームといった粒子ビームを包含する。
【００３３】
[0033]  「レンズ」という用語は、状況が許す場合、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、および静電型光コンポーネントを含む各種光コンポーネントのうちの１つまたは組み合わせを指すことができる。
【００３４】
[0034]  以上、本発明の特定の実施形態を説明してきたが、本発明は説明された以外にも実施可能であることは明らかである。たとえば、本発明は上述された方法を示す機械読取可能な命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、もしくはそのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態とすることができる。
【００３５】
[0035]  以上の説明は、制限ではなく例示を目的としたものである。したがって、当業者にとって明らかであるように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本発明に変更を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】リソグラフィ装置およびパターニング機構を含むリソグラフィシステムを示す。
【図２】図１のシステムにおけるウェーハ上のゴースト像の生成を模式的に表す。
【図３】本発明によりリソグラフィシステムに組み込まれるパターニング機構の平面模式図である。
【図４】図３のパターニング機構を含む発明の実施形態に従ったリソグラフィシステムを表す。
【図１】
2008252092.tif 000003
【図２】
2008252092.tif 000004
【図３】
2008252092.tif 000005
【図４】
2008252092.tif 000006
【外国語明細書】
2008252092000001.pdf