(57)【要約】【課題】処理槽内のペルオキソ一硫酸酸濃度の推移を予め検出し、その検出結果を指標として基板上の有機物を除去するための適正な処理時間を設定することを可能にした電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】硫酸を含む処理液が収容され、過酸化水素水の供給でペルオキソ一硫酸を生成する処理槽内で基板表面の有機物を除去する電子デバイスの製造方法で、基板表面の有機物除去時における処理槽内の処理液を逐次サンプリングし、サンプリング液中の硫酸および過酸化水素をキャピラリーゾーン電気泳動分析により検出し、この検出結果からペルオキソ一硫酸の濃度変化を予め測定する工程と、硫酸を含む処理液が収容された処理槽内に過酸化水素水を供給し、有機物が付着された基板を挿入し、取り出す際、過酸化水素水の供給時期を予め測定した前記ペルオキソ一硫酸の濃度変化に基づいて基板の挿入から取り出しの間にペルオキソ一硫酸の濃度ピークが現れるように設定する工程とを含む。【選択図】    図４
2008058591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫酸および過酸化水素を混合して酸化性物質を含む処理液を生成し、この処理液で被処理基板を処理するものであって、
前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程で、前記硫酸と前記過酸化水素を含む混合液の吸光度を所定の回数測定し、この吸光度の測定結果から、前記酸化性物質における前記吸光度に対応する濃度の値を検出し、
前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での各経過時刻において、前記酸化性物質の吸光度を測定し、前記各経過時刻の前記吸光度に対応する前記酸化性物質の濃度を検出して、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での前記酸化性物質の濃度の経時変化を測定し、
前記濃度の経時変化に基づき、前記酸化性物質の濃度ピークが現れる時点に対応させて、前記被処理基板を前記処理液で処理することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
処理槽内に硫酸と過酸化水素を供給して混合させ、酸化性物質を含む処理液を生成し、この処理液を用いて、前記処理槽内で被処理基板を処理するものであって、
前記硫酸と前記過酸化水素を含む混合液の吸光度を所定の回数測定し、この吸光度の測定結果から、前記酸化性物質における、前記吸光度に対応する濃度の値を検出し、
前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での各経過時刻において、前記酸化性物質の吸光度を測定し、前記各経過時刻の前記吸光度に対応する前記酸化性物質の濃度を検出して、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での前記酸化性物質の濃度の経時変化を測定し、
前記被処理基板を前記処理槽に入れてから取り出す間に前記酸化性物質の濃度ピークが現れるように、前記酸化性物質の濃度変化に基づいて前記過酸化水素の供給を制御し、前記被処理基板を処理することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項３】
前記被処理基板を処理して、前記被処理基板上の有機材料を除去することを特徴とする請求項１または２記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記硫酸と前記過酸化水素を含む混合液の吸光度の測定は、キャピラリーゾーン電気泳動分析により行われることを特徴とする請求項１または２記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記酸化性物質は、ペルオキソ一硫酸であることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の基板の処理方法。
【請求項６】
基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上に有機材料のパターンを形成する工程と、
前記有機材料のパターンをマスクに用いて、前記被加工膜を加工する工程と、
硫酸と過酸化水素を混合して生成された酸化性物質を含む処理液で前記基板を処理して、前記有機材料を除去する工程とを含み、
前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程で、前記硫酸と前記過酸化水素を含む混合液の吸光度を所定の回数測定し、
前記吸光度の測定結果から、前記酸化性物質における、前記吸光度に対応する濃度の値を検出し、
前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での各経過時刻において、前記酸化性物質の吸光度を測定し、
前記各経過時刻の前記吸光度に対応する前記酸化性物質の濃度を検出し、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での前記酸化性物質の濃度の経時変化を測定し、
前記濃度の経時変化に基づき、前記酸化性物質の濃度ピークが現れる時点に対応させて、前記基板を前記処理液で処理し、前記有機材料を除去することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記酸化性物質の濃度は、キャピラリーゾーン電気泳動分析により検出することを特徴とする請求項６記載電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記酸化性物質は、ペルオキソ一硫酸であることを特徴とする請求項６または７記載の基板の処理方法。
【請求項９】
基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上に、有機材料のパターンを形成する工程と、
前記有機材料のパターンをマスクに用いて、被加工膜を加工する工程と、
硫酸を含む処理液が収容された処理槽内に前記基板を入れ、前記処理槽内に過酸化水素を供給して処理液中にペルオキソ一硫酸を生成し、前記基板上の有機材料を除去する工程を含み、
前記処理槽内の処理液をサンプリングし、このサンプリングされた液中の過酸化水素および硫酸をキャピラリーゾーン電気泳動分析により検出し、この検出結果からペルオキソ一硫酸の濃度変化を測定し、
前記硫酸を含む液が収容された処理槽内に、過酸化水素水を供給し、かつ前記有機材料が付着する基板を入れて取り出す際、前記処理槽内に前記基板を入れてから取り出す間にペルオキソ一硫酸の濃度ピークが現れるように、予め測定した前記ペルオキソ一硫酸の濃度変化に基づいて、前記過酸化水素水の供給時期を設定することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記有機材料の付着する基板を前記処理槽に入れて取り出す間の時間に対し、その前記被処理基板を前記処理槽に入れた時点から４０〜６０％経過した時間内に、前記ペルオキソ一硫酸の濃度ピークが現れるように、前記過酸化水素水の供給時期を設定することを特徴とする請求項９記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェハ、液晶ディスプレイ用のガラス基板等の基板の処理方法、または半導体装置、表示装置の有するトランジスタ等の電子デバイスの製造方法に関し、特に基板上のレジストのような有機物を除去する場合等の技術に係わる。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体装置のような電子デバイスの製造において、基板上の各種の導電膜、絶縁膜の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして導電膜または絶縁膜を選択的にエッチング除去して導電膜の場合には配線等、絶縁膜の場合にはコンタクトホール等を形成することが行われている。このような配線等の形成後には基板上に残存する有機物であるレジストを除去し、表面を清浄にした後に次の工程に移行される。
【０００３】
従来、基板上のレジストのような有機物をＳＰＭ（硫酸／過酸化水素）で生成したペルオキソ一硫酸（カロ酸：Ｈ2ＳＯ5）を利用して除去する方法が知られている。
【０００４】
また、特許文献１には超純水に酸素ガスと硫酸過酸化水素および過酸化水素とを溶解した洗浄水を用いて基板上のレジストのような有機物を除去する方法が開示されている。
【０００５】
しかしながら、従来法および特許文献１ではカロ酸濃度を直接的に測定する手法が確立されていない現状から、制御すべき指標についての着目がなされず、処理時間を闇雲に長くして基板表面の有機物の除去、清浄化を図っていたため、スループットが低下して半導体装置のような電子デバイスの生産性が低下する問題がある。
【特許文献１】特開２０００-３１９６８９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ペルオキソ一硫酸（カロ酸）の濃度の変化を予め検出し、その検出結果を指標として基板の適正な処理を設定することを可能にするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１態様によると、硫酸および過酸化水素を混合して酸化性物質を含む処理液を生成し、この処理液で被処理基板を処理するものであって、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程で、前記硫酸と前記過酸化水素を含む混合液の吸光度を所定の回数測定し、この吸光度の測定結果から、前記酸化性物質における、前記吸光度に対応する濃度の値を検出し、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での各経過時刻において、前記酸化性物質の吸光度を測定し、前記各経過時刻の前記吸光度に対応する前記酸化性物質の濃度を検出して、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での前記酸化性物質の濃度の経時変化を測定し、この濃度の経時変化に基づき、前記酸化性物質の濃度ピークが現れる時点に対応させて、前記被処理基板を前記処理液で処理することを特徴とする基板処理方法が提供される。
【０００８】
本発明の第２態様によると、処理槽内に硫酸と過酸化水素を供給して混合させ、酸化性物質を含む処理液を生成し、この処理液を用いて、前記処理槽内で被処理基板を処理するものであって、前記硫酸と前記過酸化水素を含む混合液の吸光度を所定の回数測定し、この吸光度の測定結果から、前記酸化性物質における、前記吸光度に対応する濃度の値を検出し、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での各経過時刻において、前記酸化性物質の吸光度を測定し、前記各経過時刻の前記吸光度に対応する前記酸化性物質の濃度を検出して、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での前記酸化性物質の濃度の経時変化を測定し、前記被処理基板を前記処理槽に入れてから取り出す間に前記酸化性物質の濃度ピークが現れるように、前記酸化性物質の濃度変化に基づいて前記過酸化水素の供給を制御し、前記被処理基板を処理することを特徴とする基板処理方法が提供される。
【０００９】
本発明の第３態様によると、基板上に被加工膜を形成する工程と、この被加工膜上に有機材料のパターンを形成する工程と、この有機材料のパターンをマスクに用いて、前記被加工膜を加工する工程と、硫酸と過酸化水素を混合して生成された酸化性物質を含む処理液で前記基板を処理して、前記有機材料を除去する工程とを含み、
前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程で、前記硫酸と前記過酸化水素を含む混合液の吸光度を所定の回数測定し、この吸光度の測定結果から、前記酸化性物質における、前記吸光度に対応する濃度の値を検出し、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での各経過時刻において、前記酸化性物質の吸光度を測定し、前記各経過時刻の前記吸光度に対応する前記酸化性物質の濃度を検出し、前記硫酸と前記過酸化水素を混合する過程での前記酸化性物質の濃度の経時変化を測定し、この濃度の経時変化に基づき、前記酸化性物質の濃度ピークが現れる時点に対応させて、前記基板を前記処理液で処理し、前記有機材料を除去することを特徴とする電子デバイスが提供される。
【００１０】
本発明の第４態様によると、基板上に被加工膜を形成する工程と、この被加工膜上に、有機材料のパターンを形成する工程と、この有機材料のパターンをマスクに用いて、被加工膜を加工する工程と、硫酸を含む処理液が収容された処理槽内に前記基板を入れ、前記処理槽内に過酸化水素を供給して処理液中にペルオキソ一硫酸を生成し、前記基板上の有機材料を除去する工程を含み、
前記処理槽内の処理液をサンプリングし、このサンプリングされた液中の過酸化水素および硫酸をキャピラリーゾーン電気泳動分析により検出し、この検出結果からペルオキソ一硫酸の濃度変化を測定し、前記硫酸を含む液が収容された処理槽内に、過酸化水素水を供給し、かつ前記有機材料が付着する基板を入れて取り出す際、前記処理槽内に前記基板を入れてから取り出す間にペルオキソ一硫酸の濃度ピークが現れるように、予め測定した前記ペルオキソ一硫酸の濃度変化に基づいて、前記過酸化水素水の供給時期を設定することを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ペルオキソ一硫酸（カロ酸）の濃度を予め検出し、その検出結果を指標として基板の処理時間を設定することを可能にする。従って、基板の処理時間の短縮によるスループットの向上、薬液の低減によるコストの低減化が可能となり、また電子デバイスの製造において、その生産性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法での有機物除去のための処理装置を示す概略図、図２は既知の試料および図１の処理装置の洗浄槽からサンプリングした処理液のキャピラリーゾーン電気泳動分析に用いる分析装置を示す概略図である。
【００１４】
図１に示す処理装置は、内槽１と外槽２の二重構造を有する処理槽３を備えている。前記内槽１内には、処理液が収容され、例えば図示しないカセットに収納されたウェハＷが挿入、浸漬される。前記外槽２は、前記内槽１内の処理液（主に硫酸水溶液）のオーバーフロー部として機能する。前記外槽２にオーバーフローした処理液は、配管４、分岐配管５ａ，５ｂおよび前記内槽１内に配置されたノズル６ａ，６ｂを通して前記内槽１に返送される。インラインヒータ７、第１ポンプ８およびフィルター９は、前記配管４に外槽２側からこの順序で介装されている。過酸化水素水（例えば３５重量％濃度の過酸化水素水）供給源１０は、その過酸化水素水を配管１１および前記内槽１内に配置されたノズル１２を通して前記内槽２に供給する。第２ポンプ１３は、前記配管１１に介装されている。この第２ポンプ１３には、後述する過酸化水素水の供給タイミングを制御するための制御信号１４が入力される。硫酸水溶液（例えば９６〜９８重量％濃度の硫酸水溶液）供給源１５は、その硫酸水溶液を配管１６および前記内槽１内に配置されたノズル１７を通して前記内槽１に供給する。第３ポンプ１８は、前記配管１６に介装されている。
【００１５】
前記制御信号１４は、例えば図示しないマイクロコンピュータから出力される。このマイクロコンピュータには、後述する手法で予め測定されたシリコンウェハＷの有機物除去過程でのカロ酸の濃度変化の情報が入力され、この情報に基づいてマイクロコンピュータから制御信号１４が第２ポンプ１３に出力されると、第２ポンプ１３が駆動して過酸化水素水供給源１０から過酸化水素水が前記内槽１に供給され、生成されたカロ酸の濃度ピークを前記シリコンウェハＷの内槽１への挿入から取り出しの間に位置させる処理スケジュールが実現される。
【００１６】
また、図２に示す分析装置はそれぞれ緩衝液２１，２２が収容される陽極槽２３と陰極槽２４を備えている。前記陽極槽２３には、試料液が供給される。陽極板２５は、前記陽極槽２３の緩衝液２１に浸漬されている。陰極板２６は、前記陰極槽２４の緩衝液２２に浸漬されている。前記陽極板２５は、高圧電源２７のプラス極に前記陰極板２６は高圧電源のマイナス極に接続されている。例えば石英ガラスからなるキャピラリー２８は、一端が前記陽極槽２３の緩衝液２１に、他端が前記陰極槽２４の緩衝液２２に浸漬されている。光源、例えば紫外線ランプ２９は、前記キャピラリー２８に近接して配置され、かつ検出器３０は前記キャピラリー２８を挟んで前記光源２９に対向して配置されている。
【００１７】
前述した図１および図２の装置を参照して、本実施形態に係る電子デバイス（例えば、半導体装置）の製造方法を説明する。
【００１８】
まず、半導体装置等の電子デバイスを形成すべく、シリコンウェハＷを用意する。このシリコンウェハＷには、例えば、公知の技術、即ちリソグラフィー技術、およびドライエッチング技術等を用いて、電子デバイスを構成する各部分のパターンを形成することができる。
【００１９】
具体的には、先ず、導電膜、または絶縁膜が形成されたシリコンウェハＷを用意する。その後、このシリコンウェハＷ上に、リソグラフィー技術を用いて、フォトレジストのパターンを形成し、次いで、このフォトレジストのパターンをマスクにして、ドライエッチング技術等を用い、シリコンウェハ上に、マスクパターンに対応するパターンを形成する。このように所定の各工程を施し、電子デバイスを構成すべく、シリコンウェハＷ上に、所謂個々のデバイスパターンを形成する。
【００２０】
本実施の形態では、例えば、このようにしてデバイスパターンが形成されたシリコンウェハＷを所定の処理液で処理する。ここでは、具体的には、シリコンウェハＷはペルオキソ一硫酸（カロ酸）を含む処理液を用いて、下記の手順、要領で処理する。
【００２１】
まず、図２に示すキャピラリーゾーン電気泳動分析装置を用いて吸光度とペルオキソ一硫酸（カロ酸）濃度の検量線を作成する。
【００２２】
すなわち、図２の陽極槽２３および陰極槽２４に所望組成の緩衝液２１，２２をそれぞれ収容する。つづいて、９６〜９８重量％濃度の硫酸水溶液および３５重量％濃度の過酸化水素水を所定の重量比で混合した試料を前記陽極槽２３の緩衝液２１に混合する。高圧電源２７から陽極板２５および陰極板２６に直流電圧を印加して試料中の成分をキャピラリー２８に電気泳動する。直流電圧の印加後に紫外線ランプ２９から紫外線をキャピラリー２８に向けて照射し、キャピラリー２８を通過した紫外線を検出器３０で検出して硫酸、過酸化水素およびＳＰＭ（過酸化水素／硫酸）の吸光度をそれぞれ測定する。
【００２３】
硫酸水溶液と過酸化水素水の混合比を変えた試料について同様なキャピラリーゾーン電気泳動分析を行って保持時間に対する各成分の吸光度を求める。
【００２４】
カロ酸の濃度は、ＳＰＭの吸光度に相関することから、得られた複数の試料の吸光度測定により横軸に吸光度、縦軸にカロ酸濃度の関係を示す検量線を作成する。
【００２５】
次に、前述した図１に基づいて、基板（例えばシリコンウェハ）表面に付着された有機物をカロ酸で剥離除去する際のカロ酸濃度変化の測定を説明する。
【００２６】
まず、第３ポンプ１８を駆動して硫酸水溶液供給源１５から室温で９６〜９８重量％濃度の硫酸水溶液を配管１６およびノズル１７を通して処理槽３の内槽１に供給して硫酸水溶液で満たす。第２ポンプ１３を駆動し、過酸化水素水供給源１０から室温で３５重量％濃度の過酸化水素水を配管１１およびノズル１２を通して処理槽３の内槽１に所定量供給する。この過酸化水素水の供給後に、複数枚のシリコンウェハＷが収納されたカセット（図示せず）を前記内槽１内に浸漬し、一定時間経過後に内槽１からカセットを取り出す。前記シリコンウェハＷの浸漬時にその表面に付着した有機物を過酸化水素水の供給で生成されたカロ酸により剥離除去する。
【００２７】
このようなシリコンウェハＷの有機物除去に際し、過酸化水素水の供給前、供給後、カセットの挿入後からカセット取り出しまでの間およびカセット取り出し後の処理液を逐次サンプリングし、サンプリング液を図２に示すキャピラリーゾーン電気泳動分析装置を用い、前述した検量線の作成時と同じ条件で吸光度測定を行う。得られた吸光度測定結果を予め作成した吸光度とカロ酸濃度の関係を示す検量線に照合させてカロ酸濃度の変化を測定する。このシリコンウェハＷの有機物除去過程でのカロ酸の濃度変化の情報を例えば図示しないマイクロコンピュータに入力する。
【００２８】
次いで、次回のシリコンウェハの有機物除去、すなわち前記処理槽３の内槽１内に有機物が付着されたシリコンウェハＷを挿入し、取り出す処理において、前記情報に基づいてマイクロコンピュータから制御信号１４を第２ポンプ１３に出力して第２ポンプ１３を駆動し、過酸化水素水供給源１０から過酸化水素水を前記内槽１に供給することにより、生成されたカロ酸の濃度ピークを前記シリコンウェハＷの内槽１への挿入から取り出しの間に位置させる処理スケジュールを実行する。
【００２９】
本実施の形態では、シリコンウェハＷの表面に付着された有機物としては、例えば、各種のレジストを挙げることができる。また、本実施の形態では、被処理基板としては、シリコンウェハに限らない。ここでは、液晶表示装置のような表示装置の場合であれば、トランジスタ等が形成されるガラス基板が用いられる。
【００３０】
前記処理槽への過酸化水素の供給は、カロ酸の濃度ピークが前記基板の挿入から前記処理槽への全挿入期間の４０〜６０％内に現れるように設定されることが好ましい。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態によれば、前記硫酸を含む処理液が収容された処理槽内に過酸化水素水を供給して、その処理槽内に有機物が付着された基板を挿入し、その後この基板を取り出す際、前記過酸化水素水の供給時期を予め測定した基板の有機物除去過程でのカロ酸の濃度変化に基づいて、前記基板の挿入から取り出しの間にペルオキソ一硫酸の濃度ピークが現れるように設定する。このように設定することによって、例えば５分間程度の短い処理で有機物の除去効率を著しく向上することができる。その結果、処理のスループットを大幅に向上することができる。
【００３２】
また、最適なタイミングで過酸化水素水を供給できることによって、１回の処理で使用する過酸化水素水の量も低減できる。その結果、カロ酸生成のために使用する薬液使用量を削減することができ、大幅なコスト削減を達成できる。
【００３３】
以下、本発明の実施例を説明する。
【００３４】
（実施例１）
＜キャピラリーゾーン電気泳動分析装置による吸光度とペルオキソ一硫酸（カロ酸）濃度との検量線作成＞
まず、図２の陽極槽２３および陰極槽２４にキノリン酸、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（１０％溶液）および２-アミノ−２−ヒドロキシメチル−１，３−プロパンジオールを蒸留水に溶解した溶液を緩衝液２１，２２としてそれぞれ収容した。つづいて、９６〜９８重量％濃度の硫酸水溶液および３５重量％濃度の過酸化水素水を
１：１の重量比で混合した試料を前記陽極槽２３の緩衝液２１に混合した。高圧電源２７から陽極板２５および陰極板２６に−１０ｋＶ，−１８μＡの直流電圧を印加した。直流電圧の印加後に紫外線ランプ２９から紫外線をキャピラリー２８に向けて照射し、キャピラリー２８を通過した紫外線を検出器３０で検出して吸光度を測定した。
【００３５】
このようなキャピラリーゾーン電気泳動分析による保持時間に対する硫酸、過酸化水素およびＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4・Ｈ2Ｏ2）の各成分の吸光度を図３に示す。なお、図３のＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4・Ｈ2Ｏ2）はカロ酸生成に相関する化合物である。
【００３６】
硫酸水溶液と過酸化水素水の混合比を変えた試料について同様なキャピラリーゾーン電気泳動分析を行って保持時間に対する各成分の吸光度を求めた。
【００３７】
カロ酸の濃度は、ＳＰＭの吸光度に相関することから、得られた複数の試料の吸光度測定結果に基づいて横軸に吸光度、縦軸にカロ酸濃度の関係を示す検量線を作成した。
【００３８】
＜シリコンウェハ表面に付着されたレジストをカロ酸で剥離除去する過程でのカロ酸濃度変化の測定＞
表面にノボラック系のｉ線レジストパターンが形成された複数枚の３００ｍｍシリコンウェハＷをカセット（図示せず）内に収納し、このカセットを図１に示す処理装置で処理して各シリコンウェハのレジストパターンを剥離・除去する操作を複数回行った。この処理操作において、処理槽３の内槽１内から外槽２にオーバーフローした高濃度の硫酸を含む処理液を第１ポンプ８の駆動により配管４および分岐配管５ａ，５ｂおよびノズル６ａ，６ｂを通して内槽１に返送した。処理液が配管４を通過する間、処理液はインラインヒータ７で加熱され、フィルター９で微細なパーティクルが除去された。また、内槽１内の処理液の硫酸濃度を所期の値まで高めるために第３ポンプ１８を駆動して硫酸水溶液供給源１５から室温で９６〜９８重量％濃度の硫酸水溶液を配管１６およびノズル１７を通して内槽１に供給した。
【００３９】
次いで、第２ポンプ１３を駆動して過酸化水素水供給源１０から室温で３５重量％濃度の過酸化水素水を配管１１およびノズル１２を通して処理槽３の内槽１に所定量供給した。この過酸化水素水の供給後に表面にノボラック系のｉ線レジストパターンが形成された複数枚の３００ｍｍシリコンウェハＷを収納したカセット（図示せず）を前記内槽１内に浸漬し、約５分間経過後に内槽１からカセットを取り出した。シリコンウェハＷの浸漬時にその表面に形成されたレジストパターンを過酸化水素水の供給で生成されたペルオキソ一硫酸（カロ酸）により剥離除去した。
【００４０】
このようなシリコンウェハＷ表面のレジストパターンの剥離除去に際し、過酸化水素水の供給前、供給後、カセットの挿入後からカセット取り出しまでの間およびカセット取り出し後の処理液を逐次サンプリングした。サンプリング液は、図２に示すキャピラリーゾーン電気泳動分析装置を用い、前述した検量線の作成時と同じ条件で吸光度測定を行った。
【００４１】
得られた吸光度測定結果を予め作成した前記吸光度とカロ酸濃度の関係を示す検量線に照合させてペルオキソ一硫酸（カロ酸）濃度の変化を測定した。この結果を図４に示す。このようなシリコンウェハＷのレジストパターンの剥離除去過程でのカロ酸の濃度変化の情報を例えば図示しないマイクロコンピュータに入力した。
【００４２】
＜シリコンウェハ表面のレジスト剥離・除去の実施＞
表面にノボラック系のｉ線レジストパターンが形成された複数枚の３００ｍｍシリコンウェハＷを収納したカセット（図示せず）を処理槽３の内槽１内の処理液に挿入し、約５分間後に処理液から取り出す処理において、マイクロコンピュータから前記情報に基づいて第２ポンプ１３への制御信号１４の出力タイミングを設定した。このとき、第２ポンプ１３が駆動され、過酸化水素水供給源１０から過酸化水素水を前記内槽１に供給してシリコンウェハ表面のレジストパターンを剥離、除去した。この過酸化水素水の供給タイミングにより、生成されたカロ酸の濃度ピークがカセットの内槽１への挿入から取り出しの中間に現れた。
【００４３】
（比較例１）
表面にノボラック系のｉ線レジストパターンが形成された複数枚の３００ｍｍシリコンウェハＷを収納したカセット（図示せず）を処理槽３の内槽１内の処理液に挿入し、約５分間後に処理液から取り出す処理において、第２ポンプ１３を駆動して過酸化水素水供給源１０から過酸化水素水を内槽１に供給するタイミングを、生成されたカロ酸の濃度ピークがカセットの内槽１への挿入前に現れるようにし、シリコンウェハ表面のレジストパターンを剥離、除去した。
【００４４】
（比較例２）
表面にノボラック系のｉ線レジストパターンが形成された複数枚の３００ｍｍシリコンウェハＷを収納したカセット（図示せず）を処理槽３の内槽１内の処理液に挿入し、約５分間後に処理液から取り出す処理において、第２ポンプ１３を駆動して過酸化水素水供給源１０から過酸化水素水を内槽１に供給するタイミングを、生成されたカロ酸の濃度ピークがカセットを内槽１から取り出した後に現れるようにし、シリコンウェハ表面のレジストパターンを剥離、除去した。
【００４５】
このような実施例１および比較例１，２によるレジストの剥離処理後にシリコンウェハ表面全体を顕微鏡で１３ｍｍ径の視野にて観察し、パーティクル数をカウントした。その結果を下記表１に示す。
【表１】
2008058591.tif 000003
【００４６】
前記表１から明らかなように実施例１は、レジスト剥離処理後のシリコンウェハ表面のパーティクル数が比較例１，２に比べて激減され、極めて高い有機物除去性能を有することがわかる。
【００４７】
なお、本実施の形態は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施形態に係る電子デバイスの製造方法での有機物除去のための処理装置を示す概略図。
【図２】既知の試料および図１の処理装置の洗浄槽からサンプリングした処理液のキャピラリーゾーン電気泳動分析に用いる分析装置を示す概略図。
【図３】本発明の実施例１におけるキャピラリーゾーン電気泳動分析による保持時間に対する各成分の吸光度を示す図。
【図４】スケジューリングのためにシリコンウェハを処理槽内で処理したときの処理液中のペルオキソ一硫酸（カロ酸）濃度の変化を示す図。
【符号の説明】
【００４９】
１…内槽、２…外槽、３…処理槽、８，１３，１８…ポンプ、１０…過酸化水素水供給源、１５…硫酸水溶液供給源、Ｗ…シリコンウェハ、２３…陽極槽、２４…陰極槽、２７…高圧電源、２８…キャピラリー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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