(57)【要約】      （修正有）【課題】フリップチップボンディング方式により、光変調器の多数のマイクロミラーを外部から密閉して保護するためのパッケージおよびパッケージング方法を提供する。【解決手段】電極アレイおよび前記電極アレイに接続されたマイクロアレイが形成されたマイクロ素子２０５と、中央に開口部が形成され、前記電極アレイのそれぞれに接続される第１サブ基板電極アレイおよび前記第１サブ基板電極アレイのそれぞれに接続された第２サブ基板電極アレイが形成され、前記マイクロ素子に固定されるサブ基板と、前記マイクロアレイの周囲に設けられ、前記マイクロ素子と前記サブ基板を粘着させるシール材２０６と、前記サブ基板２１１の開口部を覆い、前記マイクロアレイを密閉させるように、前記サブ基板に接着されるカバーガラス２０２とを含んでなることを特徴とする。【選択図】図５ｃ
2008141208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極アレイおよび前記電極アレイに接続されたマイクロアレイが形成されたマイクロ素子と、
中央に開口部が形成され、前記電極アレイのそれぞれに接続される第１サブ基板電極アレイおよび前記第１サブ基板電極アレイのそれぞれに接続された第２サブ基板電極アレイが形成され、前記マイクロ素子に固定されるサブ基板と、
前記マイクロアレイの周囲に設けられ、前記マイクロ素子と前記サブ基板を粘着させるシール材と、
前記サブ基板の開口部を覆い、前記マイクロアレイを密閉させるように、前記サブ基板に接着されるカバーガラスとを含んでなることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記マイクロ素子、前記サブ基板および前記カバーガラスが実装され、中央に前記サブ基板の開口部に対応する開口部が形成され、前記第２サブ基板電極アレイに接続されたソルダボールアレイが形成されたベース基板をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
多数のマイクロアレイが形成されたマイクロ素子を提供する段階と、
前記マイクロ素子のマイクロ素子アレイの周囲にシール材を塗布する段階と、
中央に開口部が形成されたサブ基板を提供する段階と、
前記サブ基板に、多数の第１サブ基板電極アレイおよび前記第１サブ基板電極アレイに接続された第２サブ基板電極アレイを形成する段階と、
前記サブ基板の開口部を覆うように、透明カバーガラスを前記サブ基板に接着させる段階と、
前記マイクロ素子アレイが前記シール材により外部に対して密閉されるように、前記マイクロ素子を前記サブ基板に接着させる段階とを含んでなることを特徴とする半導体素子パッケージング方法。
【請求項４】
中央に開口部が形成されたベース基板を提供する段階と、
前記ベース基板に前記第２サブ基板電極アレイに対応するソルダボールアレイを形成する段階と、
前記サブ基板の第２サブ基板電極アレイのそれぞれと前記ベース基板のソルダボールアレイが接続されるように、前記サブ基板を前記ベース基板にボンディングする段階とをさらに含むことを特徴とする請求項３記載の半導体素子パッケージング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフリップチップボンディング技術を用いる半導体パッケージおよびパッケージング方法に関し、より詳しくはフリップチップボンディング方式を用い、光変調器の超微細素子である多数のマイクロミラーからなるマイクロミラーアレイを外部から密閉して保護するためのパッケージおよびパッケージング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
極めて精密に設計および製造される半導体素子または微細光素子をパッケージングするための方法が提示されている。このような従来技術の一例として、半導体チップを密閉カバーで密封する方法および装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１によると、図１に示すように、金属導電性および反射性ミラー１０２を含む導電性リボン１００が半導体基板１０４上に形成され、リボン１００および基板１０４間にはエアギャップ１０６が存在する。導電性電極１０８がリボン１００の下に位置し、エアギャップ１０６が導電性電極１０８とリボン１００間に存在する。反射性ミラー１０２は機械的に能動リボン１００の領域を覆い、ボンディングパッドとしての役割もする。保護膜１１４は、ボンディングパッド１１２もリボン構造１００、１０２も覆わない。制御および電力信号が、通常のワイヤーボンディング１１６により、半導体素子に伝達される。
【０００４】
カバー１２２は光透過性の材料から構成される。カバー１２２はシール領域１１８をカバーするのに適した大きさに形成され、第１および第２ソルダリング可能材料１２０、１２４がカバー１２２の縁部に沿ってリング状に形成される。ソルダ１２６はソルダリング可能材料１２０、１２４上に形成されるので、カバー１２２が半導体素子に結合できる。
【０００５】
前記特許文献１のパッケージ方法においては、マイクロ素子駆動のための電極パターンが密閉用接着層を貫通するので、別途の絶縁層保護層を要求して構造を複雑にする。
【０００６】
また、半導体素子をパッケージングするほかの方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。この特許文献２は、カバーをベース基板に接着する方法として、アノード法、ユテクティック（eutectic）法、ガラスフリット法、ソルダ法、エポキシ法などについて説明している。
【０００７】
前記のような特許文献に開示されたパッケージング方法は多段階の工程を含んでいるため、工程が難しく、不良発生確率が高いし、高価の工程である。
【０００８】
また、前記特許文献に開示されたパッケージング方法は共に、ウエハレベルでない個々の素子単位にパッケージングを行わなければならないため、工程数が多くなり、安価化が困難な問題点が存在する。
【０００９】
また、前記特許文献に開示されたパッケージング方法は共に、ボンディング効率の高いフリップチップボンディングに先立ち、ワイヤーボンディングを先行しなければならない問題点がある。
【００１０】
【特許文献１】米国特許第６，３０３，９８６号明細書
【特許文献２】米国特許第５，２９３，５１１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
したがって、本発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、駆動用電源および制御信号供給用電極パターンが密閉用接着層を貫通しなくて気密特性に優れたパッケージおよびパッケージング方法を提供することをその目的とする。
【００１２】
また、本発明のほかの目的は、ワイヤーボンディングなしで、ボンディング効率の高いフリップチップボンディングのみでパッケージング可能なパッケージおよびパッケージング方法を提供することである。
【００１３】
また、本発明のさらにほかの目的は、素子単位でなくウエハ単位にパッケージング可能なパッケージおよびパッケージング方法を提供することである。
【００１４】
また、本発明のさらにほかの目的は、極めて微細に形成されるマイクロミラーアレイなどのマイクロアレイに対応し得るほどに電極アレイパターンを微細に形成したパッケージおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記のような目的を達成するため、本発明の一実施例による半導体パッケージは、電極アレイおよび前記電極アレイに接続されたマイクロアレイが形成されたマイクロ素子と、中央に開口部が形成され、前記電極アレイのそれぞれに接続される第１サブ基板電極アレイおよび前記第１サブ基板電極アレイのそれぞれに接続された第２サブ基板電極アレイが形成され、前記マイクロ素子に固定されるサブ基板と、前記マイクロアレイの周囲に設けられ、前記マイクロ素子と前記サブ基板を粘着させるシール材と、前記サブ基板の開口部を覆い、前記マイクロアレイを密閉させるように、前記サブ基板に接着されるカバーガラスとを含んでなることを特徴とする。
【００１６】
本発明のほかの実施例による半導体素子パッケージング方法は、多数のマイクロアレイが形成されたマイクロ素子を提供する段階と、前記マイクロ素子のマイクロ素子アレイの周囲にシール材を塗布する段階と、中央に開口部が形成されたサブ基板を提供する段階と、前記サブ基板に、多数の第１サブ基板電極アレイおよび前記第１サブ基板電極アレイに接続された第２サブ基板電極アレイを形成する段階と、前記サブ基板の開口部を覆うように、透明カバーガラスを前記サブ基板に接着させる段階と、前記マイクロ素子アレイが前記シール材により外部に対して密閉されるように、前記マイクロ素子を前記サブ基板に接着させる段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１７】
前記本発明による半導体素子パッケージング方法は、中央に開口部が形成されたベース基板を提供する段階と、前記ベース基板に前記第２サブ基板電極アレイに対応するソルダボールアレイを形成する段階と、前記サブ基板の第２サブ基板電極アレイのそれぞれと前記ベース基板のソルダボールアレイが接続されるように、前記サブ基板を前記ベース基板にボンディングする段階とをさらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の半導体パッケージング方法によると、付加のワイヤーボンディングを省略し、実装性能に優れたフリップチップボンディングのみでパッケージングを可能にする。
【００１９】
本発明のパッケージおよびパッケージング方法によると、駆動用電源供給のための電極パターンが密閉用接着層を貫通せず、優れた気密特性を保障することができる。
【００２０】
また、本発明によるパッケージおよびパッケージング方法によると、素子単位でなくウエハ単位にパッケージ可能であるので、費用節減が可能である。
【００２１】
また、本発明によると、極めて微細に形成されるマイクロミラーアレイなどの素子の精度に対応し得るほどに電極アレイパターンを微細に形成したパッケージおよびパッケージング方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図面に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００２３】
図２ａないし図５ｄは本発明の一実施例による半導体パッケージおよびパッケージング方法を示す。
【００２４】
図２ａおよび図２ｂと図２ｃおよび図２ｄはそれぞれ本発明の一実施例によるマイクロミラー用半導体パッケージに使用されるカバーガラス用ウエハの平面図および側面図を示す。
【００２５】
図２ａおよび図２ｂに示すような通常の半導体ウエハ状のカバーガラス用ウエハ２０１を準備する。
【００２６】
図２ｃおよび図２ｄに示すように、カバーガラス用ウエハ２０１に、マイクロ素子に対応する複数のカバーガラス２０２のパターンを形成する。カバーガラス２０２は後述する図３ｃおよび図３ｄのマイクロ素子２０５に対応するもので、その大きさも同一に形成される。
【００２７】
その後、カバーガラス２０２ごとに、サンドブラストにより、それぞれ多数の電極アレイと接続すべきビアホール２０３を形成する。この際、ビアホール２０３は、図２ｄの断面図に示すように、サンドブラストが加わる側面での幅は大きいが、反対側面での幅は小さく形成される。
【００２８】
図３ａおよび図３ｂと図３ｃおよび図３ｄはそれぞれ本発明の一実施例による半導体パッケージに使用されるマイクロ素子用ウエハの平面図および側面図を示す。
【００２９】
図３ａのマイクロ素子用ウエハ２０４には、入射光を印加電圧によって反射または回折させる多数のマイクロ素子２０５が形成され、各マイクロ素子２０５には、多数のマイクロアレイまたはデジタルマイクロメカニカルミラーアレイなどのマイクロアレイが形成される。図３ａにおいては、図面の明瞭さのため、マイクロアレイまたはデジタルマイクロケミカルミラーアレイなどのマイクロアレイは省略されている。
【００３０】
デジタルマイクロメカニカルミラーアレイは数百万個のミラーからなるもので、所定の制御回路により制御される電圧の大きさに比例して各ミラーが駆動して、入射光を回折または反射させる光素子である。
【００３１】
マイクロミラーアレイは数百万個のミラーからなり、入射光を反射または回折させる光素子である。
【００３２】
前記マイクロ素子用ウエハ２０４上の前記多数のマイクロミラーアレイまたはデジタルマイクロメカニカルミラーアレイなどのマイクロアレイは、エッチング、鍍金または積層などによる公知の多数の半導体製造法で形成できる。
【００３３】
マイクロ素子２０５は図２ｃのカバーガラス２０２と対応し、その大きさも同一に形成される。
【００３４】
図３ｃおよび図３ｄに示すように、マイクロ素子用ウエハ２０４のマイクロ素子２０５の各縁部にシール材２０６を印刷する。シール材２０６はマイクロ素子２０５とカバーガラス２０２を接着させる接着剤としての役割をするとともに、マイクロ素子２０５の内側に形成された多数のマイクロアレイ（図示せず）が外部から密閉されるよう、多数のマイクロアレイを取り囲む形態に印刷される。好ましくは、シール材２０６としてはエポキシ樹脂を使用し得るが、その代わりにソルダ（はんだ）を使用してもよい。
【００３５】
次いで、図４ａおよび図４ｂに示すように、図２ｃおよび図２ｄのサンドブラスト処理を受けたカバーガラス用ウエハ２０１および図３ｃおよび図３ｄのマイクロ素子用ウエハ２０４を仮接した後、加熱すると、シール材２０６が溶融することにより、カバーガラス用ウエハ２０１とマイクロ素子用ウエハ２０４が接着される。この際、カバーガラス用ウエハ２０１のカバーガラス２０２の大きさとマイクロ素子用ウエハ２０４のマイクロ素子２０５の大きさは同一であることが好ましい。
【００３６】
その後、接着されたカバーガラス用ウエハ２０１およびマイクロ素子用ウエハ２０４のうち、カバーガラス用ウエハ２０１のカバーガラス２０２に形成されたビアホール２０３の内部を金属などの導電材２０７で埋め込む。この際、カバーガラス用ウエハ２０１側に導電材２０７でスパッタリングを行うことで、ビアホール２０３を埋め込むことになる。
【００３７】
スパッタリング法には、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、バイアススパッタリング、マグネトロンスパッタリングなどがあるが、高速スパッタリング法のマグネトロンスパッタリングが好ましい。
【００３８】
スパッタリング処理後には、カバーガラス用ウエハ２０１およびマイクロ素子用ウエハ２０４の表面とスパッタリング処理されたビアホール２０３にクリーニング処理を行うことが好ましい。
【００３９】
その後、図４ｃおよび図４ｄに示すように、各ユニット２０８別に切断する。
【００４０】
図４ｅおよび図４ｆは図４ｃおよび図４ｄの切断された１ユニット２０８の平面図および断面図である。
【００４１】
図４ｅのマイクロアレイ２１０は電極アレイ２０９に入力される信号に応じて駆動され、電極アレイ２０９がカバーガラス２０２のビアホール２０３に対応する位置に形成される。
【００４２】
本発明の一実施例において、好ましくは、マイクロアレイ２１０はマイクロミラーアレイまたはデジタルマイクロメカニカルミラーアレイである。
【００４３】
マイクロアレイ２１０は、公知の多数の半導体パターン形成方法により、前記電極アレイ２０９間に形成され、電極アレイ２０９を介して供給される電圧によって駆動して、入射光を回折または反射させる。ビアホール２０３は電極アレイ２０９に対応し、カバーガラス２０２とマイクロ素子２０５を接着させることにより、ビアホール２０３に埋め込まれた導電材２０７と電極アレイ２０９が電気的に導通される。
【００４４】
図４ｅまたは図４ｆに示すように、マイクロアレイ２１０は、導電材２０７および電極アレイ２０９を介して印加される電圧によって上下に駆動される。
【００４５】
本発明のほかの実施例において、マイクロアレイ２１０は、光を反射または回折させるマイクロミラーアレイでなく、ほかの機能を果たす任意の素子アレイまたはパターンアレイと成り得る。
【００４６】
図５ａは前記マイクロパッケージ２０８が実装されるベース基板２１１を示す。ベース基板２１１の中央には開口部２１５が形成され、そのほかの半導体動作のためのＩＣチップ２１２とそのほかの素子が実装され、コネクタ２１３が実装されている。ＩＣチップ２１２およびコネクタ２１３は、図５ａに示す形態のほかにも、パッケージの動作によって多様な形態に設計できる。
【００４７】
また、ベース基板２１１には、マイクロパッケージ２０８のフリップチップボンディングのためのソルダボールアレイ２１４が形成されている。ソルダボールアレイ２１４は、前記マイクロパッケージ２０８のカバーガラス２０２に形成されたビアホール２０３に対応する。
【００４８】
図５ｂに示すように、前記マイクロパッケージ２０８をフリップチップボンディング方式によりベース基板２１１に実装する。この際、図４ｅまたは図４ｆに示すマイクロパッケージ２０８は、カバーガラス２０２がベース基板２１１に向かうように実装される。マイクロパッケージ２０８のカバーガラス２０２に形成されたビアホール２０３はそれぞれベース基板２１１のソルダボールアレイ２４１に対応する。
【００４９】
実装はいわゆるリフロー工程により行うことが好ましい。すなわち、ソルダボール２１４を加熱して適切な粘性を有するように溶融させる。この際、マイクロパッケージ２０８とベース基板２１１間に適切な圧力を加えてから冷却させる。
【００５０】
図５ｃはこのような実装方式により実装された本発明の一実施例による半導体パッケージの断面図を示す。
【００５１】
前述したような工程の後、より完全なパッケージングのため、付加的な工程を行うことができる。図５ｄに示すように、放熱板２１６などの素子をさらに実装し、外部ケーシング２１７をパッケージ前面上に被せると、完全なパッケージングがなされる。外部ケーシング２１７は金属製のケースまたはＥＭＣ（Epoxy Molding Compound）となり得る。
【００５２】
図６ａないし図６ｄは本発明のほかの実施例による半導体パッケージおよびパッケージング方法を示す。
【００５３】
図６ａはマイクロアレイ３０２および電極アレイ３０３を含むマイクロ素子３０１を示す。マイクロ素子３０１上には、マイクロアレイ３０２および駆動用電極アレイ３０３を取り囲むよう、シール材３０４が印刷または分配されている。好ましくは、前記シール材３０４はエポキシ樹脂またはソルダ（はんだ）である。
【００５４】
本発明の実施例において、前記マイクロアレイ３０２は入射光を回折または反射させるための素子であって、デジタルマイクロメカニカルミラーアレイまたはマイクロミラーアレイからなり得る。
【００５５】
デジタルマイクロメカニカルアレイは数百万個のミラーからなり、所定の制御回路により制御される電圧の大きさに比例して各ミラーが駆動して、入射光を回折または反射させる光素子である。
【００５６】
マイクロミラーアレイは、数百万個のミラーからなり、入射光を入射または回折させる光素子である。
【００５７】
図６ｂは前記マイクロ素子３０１が実装されるサブ基板３０５を示す。このサブ基板３０５はシリコンからなるもので、中央に開口部３０６が形成され、第１サブ基板電極アレイ３０７、および前記第１サブ基板電極アレイ３０７にそれぞれ接続された第２サブ基板電極アレイ３０８がさらに形成される。
【００５８】
第１サブ基板電極アレイ３０７は、サンドブラストを除く、微細パターン形成の可能な回路パターン形成方法であればどんなものでも使用して形成することができる。例えば、パターンの印刷されたエッチングレジストを塗布した後、エッチングを行い、エッチングレジストを除去することにより、パターンを形成することができる。第２サブ基板電極アレイ３０８も第１サブ基板電極アレイ３０７と同様な方法で形成することができる。
【００５９】
第２サブ基板電極アレイ３０８は、図６ｂに示すように、第１サブ基板電極アレイ３０７より広い領域に分布するように形成され、第１サブ基板電極アレイ３０７は相対的に密集して形成される。
【００６０】
第１サブ基板電極アレイ３０７は、図２ａないし図５ｄに示す実施例のカバーガラス２０２のビアホール２０３に代わって、マイクロ素子３０１の電極アレイ３０３に接続される。図２ａないし図５ｄに示す実施例において、カバーガラス２０２のビアホール２０３は、マイクロアレイの駆動用電極に連結されるカバーガラス２０２にサンドブラストにより形成されるので、ビアホール２０３の集積に限界があるが、図６ａないし図６ｄに示す実施例によると、第１サブ基板電極アレイ３０７はエッチングにより形成されるので、高密度のパッドを形成することができ、これに接続されるマイクロアレイの駆動用電極アレイ３０３を高密度に集積することができる。
【００６１】
図７ａはサンドブラストにより形成されたビアホール４０３の断面を示し、図７ｂはエッチングにより形成されたビアホール５０３の断面を示す。
【００６２】
図７ａに示すように、ガラス基板４０１の上面にサンドブラストを施すと、Ｖ字形のビアホール４０３が形成され、ビアホール４０３の周囲には回路パターン４０２が形成される。この場合、ビアホール４０３の密集に限界があるので、回路パターン４０２の微細化に支障をきたす。この際、ガラス基板４０１にビアホール４０３を形成するためには、サンドブラストのみが可能である。
【００６３】
図７ｂに示すように、基板５０１にエッチングでビアホール５０３を形成すると、ビアホール５０３の内壁が垂直となるので、微細化が可能であり、よって回路パターン５０２の微細化も可能である。この際、エッチングによりビアホール５０３を形成するためには、基板５０１はがエッチング可能な基板でなければならない。
【００６４】
再び図６ｃに示すように、図６ｂのサブ基板３０５の開口部３０６を覆うように、カバーガラスをサブ基板３０５に固定させる。その後、図６ａのマイクロ素子３０１を図６ｂのサブ基板３０５にボンディングする。マイクロ素子３０１は、入射光を印加電圧によって反射または回折させる役割をする。
【００６５】
マイクロ素子３０１をサブ基板３０５にボンディングするときには、シリコン材質のウエハを接合させ得るアノードボンディング法が好ましい。そのほかにも、接着剤で接着するか、またはソルダリングで接着する方法も可能である。
【００６６】
ウエハ接合法はシリコンウエハ同士あるいはシリコンウエハとほかの（主に水晶およびガラス）ウエハを密閉接合させる方法であって、一般のＩＣ生産よりはマイクロマシーン分野に多く使用される技術である。一般に、ウエハ接合技術には、高温（１０００℃以上）を加える融合接合（fusion bonding）と高電圧（数百ボルト）をかけるアノードボンディングがある。また、前記両者の組合せで、所要温度および電圧を低下させる方法が研究されている。ウエハ接合技術は、マイクロ加工されたそれぞれのウエハを接合して一体的にすることにより、１個体の加工のみで解決できない限界を克服させることができる。もちろん、高温および高電圧により生じる新たな問題点と整列の難しさなどが問題となればいけない。
【００６７】
アノードボンディングとは、マイクロセンサ素子の製作に広く使用されるシリコン基板と熱膨張係数が似ているガラス板を接合させる方法である。一般に、アノードボンディングに使用されるパイレックス（登録商標）ガラス（コーニングガラス７７４０）には一定量のナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）などが含まれているので、２００℃以上の温度に加熱すると、元素が電荷を帯び、電圧によって易く移動する。シリコンとガラス板を整列させ、両側に６００Ｖ以上の電圧を印加すると、移動性電荷は急速に動き、シリコンとガラス間の界面に強い帯電現象が発生することにより、シリコン基板とガラス基板が接合される。多くのＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）にはアノードボンディング方法を用いているが、このようなアノード接合により安定したシリコン構造物が具現化される。
【００６８】
図６ｄは前記マイクロ素子３０１が実装されるベース基板３１０を示す。ベース基板３１０の中央には開口部３１１が形成され、そのほかの半導体動作のためのＩＣチップ３１３、およびそのほかの素子が実装され、ほかの基板またはチップとの接続のための接続パッド３１４が実装されている。また、ベース基板３１０には、マイクロ素子３０１のフリップチップボンディングのためのソルダボールアレイ３１２が形成されている。ソルダボールアレイ３１２はサブ基板３０５の第２サブ基板電極アレイ３０８に対応する。
【００６９】
図６ｅに示すように、図６ｃのマイクロ素子３０１およびサブ基板３０５をフリップチップボンディング方式でベース基板３１０に実装する。すなわち、サブ基板３０５に形成された第２サブ基板電極アレイ３０８はそれぞれベース基板３１０のソルダボールアレイ３１２に対応し、リフロー工程により互いに接続される。
【００７０】
図６ｆは本発明の第２実施例による半導体パッケージの断面図を示す。
【００７１】
この実施例によると、エッチング法などの回路パターン形成方法により、マイクロアレイ３０２および電極パッド３０３の密集度に対応して第１サブ基板電極アレイ３０７をさらに密集させることができるので、高密度のマイクロアレイ３０２の製造が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来技術によるマイクロ素子パッケージの断面図である。
【図２ａ】本発明の一実施例によるマイクロミラー用半導体パッケージに使用されるカバーガラスウエハの平面図および側面図である。
【図２ｂ】本発明の一実施例によるマイクロミラー用半導体パッケージに使用されるカバーガラスウエハの平面図および側面図である。
【図２ｃ】本発明の一実施例によるマイクロミラー用半導体パッケージに使用されるカバーガラスウエハの平面図および側面図である。
【図２ｄ】本発明の一実施例によるマイクロミラー用半導体パッケージに使用されるカバーガラスウエハの平面図および側面図である。
【図３ａ】本発明の一実施例による半導体パッケージに使用されるマイクロ素子ウエハの平面図および側面図である。
【図３ｂ】本発明の一実施例による半導体パッケージに使用されるマイクロ素子ウエハの平面図および側面図である。
【図３ｃ】本発明の一実施例による半導体パッケージに使用されるマイクロ素子ウエハの平面図および側面図である。
【図３ｄ】本発明の一実施例による半導体パッケージに使用されるマイクロ素子ウエハの平面図および側面図である。
【図４ａ】本発明の一実施例によるマイクロ素子の製造方法を示す図である。
【図４ｂ】本発明の一実施例によるマイクロ素子の製造方法を示す図である。
【図４ｃ】本発明の一実施例によるマイクロ素子の製造方法を示す図である。
【図４ｄ】本発明の一実施例によるマイクロ素子の製造方法を示す図である。
【図４ｅ】本発明の一実施例によるマイクロ素子の製造方法を示す図である。
【図４ｆ】本発明の一実施例によるマイクロ素子の製造方法を示す図である。
【図５ａ】本発明の一実施例において、マイクロ素子をベース基板に実装する方法を示す図である。
【図５ｂ】本発明の一実施例において、マイクロ素子をベース基板に実装する方法を示す図である。
【図５ｃ】本発明の一実施例において、マイクロ素子をベース基板に実装する方法を示す図である。
【図５ｄ】本発明の一実施例において、マイクロ素子をベース基板に実装する方法を示す図である。
【図６ａ】本発明のほかの実施例による半導体パッケージおよびパッケージング方法を示す図である。
【図６ｂ】本発明のほかの実施例による半導体パッケージおよびパッケージング方法を示す図である。
【図６ｃ】本発明のほかの実施例による半導体パッケージおよびパッケージング方法を示す図である。
【図６ｄ】本発明のほかの実施例による半導体パッケージおよびパッケージング方法を示す図である。
【図６ｅ】本発明のほかの実施例による半導体パッケージおよびパッケージング方法を示す図である。
【図６ｆ】本発明のほかの実施例による半導体パッケージおよびパッケージング方法を示す図である。
【図７ａ】サンドブラストにより形成されたビアホールの断面を示す断面図である。
【図７ｂ】エッチングにより形成されたビアホールの断面を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
２０１  カバーガラス用ウエハ
２０２  カバーガラス
２０３  ビアホール
２０４  チップウエハ
２０５  マイクロ素子
２０６  シール材
２０７  導電材
２０８  ユニット
２０９  電極アレイ
２１０  マイクロアレイ
２１１  ベース基板
２１２  ＩＣチップ
２１３  開口部
２１６  放熱板
２１７  ケーシング
３０１  マイクロ素子用ウエハ
３０２  マイクロアレイ
３０３  電極アレイ
３０４  シール材
３０５  サブ基板
３０６  開口部
３０７  第１サブ基板電極アレイ
３０８  第２サブ基板電極アレイ
３１０  ベース基板
３１１  開口部
３１２  ソルダボールアレイ
３１３  ＩＣチップ
３１４  接続パッド
【図１】
2008141208.tif 000003
【図２ａ】
2008141208.tif 000004
【図２ｂ】
2008141208.tif 000005
【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図４ｆ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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【図６ｅ】
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【図６ｆ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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