(57)【要約】【課題】電磁シールド性の高いものを低コストで製造することが容易な電磁シールド構造を得ること。【解決手段】誘電体基板２０Ａに実装された高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを電磁シールド部材で覆って電磁シールド構造を構成するにあたり、誘電体基板には、伝送線路７ａ，７ｂ，９ａ〜９ｃと、内層グランドパターン１１と、擬似同軸形垂直給電線路と、各高周波機能部品を囲むように間隔をおいて配置された複数の中空グランドスルーホール１７ａとを設け、電磁シールド部材３０には、上記複数の中空グランドスルーホールの各々に挿入される複数の柱状導体部２１ａが突設されたシールドリング部２１と、該シールドリング部を覆う蓋体部２３とを設け、互いに隣接する中空グランドスルーホールの距離を、高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満にする。【選択図】        図１
2008244289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホールと、
該複数の中空グランドスルーホールの各々に挿入される複数の柱状導体部が突設され、前記高周波機能部品を収容する空間が形成された枠体形状のシールドリング部と、
該シールドリング部を覆う蓋体部と、
を有し、互いに隣接する中空グランドスルーホールの距離は、前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満である、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
【請求項２】
前記複数の柱状導体部は、前記中空グランドスルーホール内壁面を押圧する凸部を有することを特徴とする請求項１に記載の電磁シールド構造。
【請求項３】
伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中実グランドビアと、
前記複数の中実グランドビアの各々に当接され、前記高周波機能部品を収容する空間が形成された枠体形状のシールドリング部と、
該シールドリング部を覆う蓋体部と、
を有し、互いに隣接する中実グランドビアの距離は、前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満である、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
【請求項４】
伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホールおよび少なくとも１つのグランドビアと、
前記複数の中空グランドスルーホールの各々に挿入される複数の柱状導体部が突設され、前記高周波機能部品を収容する空間が形成された枠体形状のシールドリング部と、
該シールドリング部を覆う蓋体部と、
を有し、前記複数の中空グランドスルーホールおよび前記少なくとも１つのグランドビアは、互いに隣接するもの同士の距離が前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満となるように配置されている、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
【請求項５】
伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホールと、
該複数の中空グランドスルーホールの各々に当接され、前記高周波機能部品を収容する空間を有する枠体形状のシールドリング部が形成された導電性シャーシ部と、
前記複数の中空グランドスルーホールの各々に挿入されて前記誘電体基板を前記シールドリング部に固定する複数の導電性ネジと、
を有し、互いに隣接する中空グランドスルーホールの距離は、前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満である、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
【請求項６】
伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホールおよび少なくとも１つのグランドビアと、
前記複数の中空グランドスルーホールの各々に当接され、前記高周波機能部品を収容する空間を有する枠体形状のシールドリング部が形成された導電性シャーシ部と、
前記複数の中空グランドスルーホールの各々に挿入されて前記誘電体基板を前記シールドリング部に固定する複数の導電性ネジと、
を有し、前記複数の中空グランドスルーホールおよび前記少なくとも１つのグランドビアは、互いに隣接するもの同士の距離が前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満となるように配置されている、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
【請求項７】
前記高周波機能部品は樹脂封止品または金属封止品であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の電磁シールド構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電磁シールド構造に関し、更に詳しくは、配線基板に実装されてマイクロ波帯またはミリ波帯等の高周波帯で動作する高周波機能部品からの電磁波をシールドする電磁シールド構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯やミリ波帯等の高周波帯の電磁波を使用する無線ＬＡＮ（Local  Area  Network）、車載レーダ等の機器では、マイクロ波集積回路（ＭＩＣ；Microwave  Integrated  Circuit）やモノリシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ；Monolithic  MIC）等の高周波集積回路を備えた高周波機能部品、例えば増幅器、位相器、減衰器等では、他の高周波ノイズ放射源と電磁結合を起こして特性変動や帰還による発振等の不要動作が起こるので、当該高周波機能部品には電磁シールドが施される。
【０００３】
例えば非特許文献１には、外側の面に配置されたマイクロストリップ伝送線路と内側の面に配置されたコプラナー型の導波路とがスルーホール接続されているアルミナ単層基板の下面にＭＭＩＣをフリップチップボンディングし、このＭＭＩＣを覆うようにしてアルミナ単層基板にキャップ部材を固着させることで当該ＭＭＩＣを気密に封止したパッケージ構造が記載されている。
【０００４】
非特許文献２には、薄膜配線技術を用いた多層アルミナ基板の下面に金属フレームを設けると共に、上記多層アルミナ基板の下面にＭＭＩＣ等のミリ波素子をフリップチップボンディングし、多層アルミナ基板の上面に設けたマイクロストリップ線から電磁結合を利用した貫通接続によりミリ波素子に信号を伝達するパッケージ構造が記載されている。
【０００５】
【非特許文献１】Yoji  Ohashi、他３名，「MMIC  Modules  for  76  GHz  Automotive  Radar  Sensors」，MWE  '99  Microwave  Workshop  Digest  [WS12-4]
【非特許文献２】Takehiro  Okumichi、他６名，「Development  of  Millimeter-Wave  Interconnection  Technologies」，MWE  2000  Microwave  Workshop  Digest  [WS5-1]
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
非特許文献１に記載されたパッケージ構造におけるように、アルミナ基板の下面にフリップチップボンディングしたＭＭＩＣをキャップ部材で気密に封止するパッケージ構造では、少なくともキャップ部材が固着される領域でのアルミナ基板の面精度を高めなければならない。また、非特許文献２に記載されたパッケージング構造におけるように、アルミナ基板の下面に金属フレームを設けると共に、当該アルミナ基板の下面にＭＭＩＣ等のミリ波素子をフリップチップボンディングしたパッケージ構造では、アルミナ基板と金属フレームとの気密性を高めるためには少なくともメタルフレームが固着される領域でのアルミナ基板の面精度および接合部の製造精度を高めなければならない。しかしながら、アルミナ基板およびアルミナ基板以外の誘電体基板においては、その面精度および接合部の製造精度を高めようとすると製造コストが嵩む。
【０００７】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、電磁シールド性の高いものを低コストで形成することが容易な電磁シールド構造を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成する本発明の電磁シールド構造は、伝送線路、この伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、この誘電体基板に実装され、擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、この高周波機能部品を囲むように間隔をおいて誘電体基板に形成され、内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホール部と、これら複数の中空グランドスルーホール部の各々に挿入される複数の柱状導体部が突設され、高周波機能部品を収容する空間が形成された枠体形状のシールドリング部と、このシールドリング部を覆う蓋体部とを有し、互いに隣接する中空グランドスルーホールの距離は、高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の電磁シールド構造では、上記の内層グランドパターン、複数の中空グランドスルーホール、複数の柱状導体部、シールドリング部、および蓋体部によって、高周波機能部品を電磁シールドする空間を形成している。高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満の間隔で上記複数の中空グランドスルーホールが設けられていることから、誘電体基板とシールドリング部と蓋体部とによって高周波機能部品を気密に封止しなくても、高い電磁シールド性を容易に得ることができる。誘電体基板の面精度やシールドリング部の製造公差を緩くすることができるので、本発明によれば、電磁シールド性の高い電磁シールド構造を低コストで形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の電磁シールド構造の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
【００１１】
実施の形態１．
図１は電磁シールド構造の一例を概略的に示す断面図、図２は図１に示した電磁シールド構造を構成する柱状導体部、シールドリング部、および蓋体部を概略的に示す側面図、図３は図１に示した電磁シールド構造を概略的に示す上面図、図４は図１に示した電磁シールド構造を構成するシールドリング部を概略的に示す底面図である。
【００１２】
図１に示す電磁シールド構造Ｓ1は、誘電体基板２０Ａと、誘電体基板２０Ａの下面に実装された高周波機能部品ＭＣ，ＭＣと、導電性材料により形成されて各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを覆う電磁シールド部材３０とを備えている。図示の誘電体基板２０Ａは誘電体層１が複数層積層された多層誘電体基板であり、当該誘電体基板２０Ａは所定パターンの伝送線路やビア等を有している。
【００１３】
具体的には、図１、図３および図４に示すように、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣに高周波信号を伝える信号ビア３ａ，３ｂ、信号ビア３ａを平面視上取り巻くようにして配置された複数のグランドビア５ａ、信号ビア３ｂを平面視上取り巻くようにして配置された複数のグランドビア５ｂ、誘電体基板２０Ａの上面に配置された伝送線路７ａ，７ｂ、誘電体基板２０Ａの下面に配置された伝送線路９ａ〜９ｃ、および図示を省略した内部伝送線路等を有している。信号ビア３ａとその周囲の各グランドビア５ａは擬似同軸形垂直給電線路Ｖｆ1を構成しており、信号ビア３ｂとその周囲の各グランドビア５ｂは擬似同軸形垂直給電線路Ｖｆ2を構成している。
【００１４】
また、誘電体基板２０Ａは、上述した伝送線路以外に、伝送線路と対をなすように形成されて各グランドビア５ａ，５ｂに接続された内部グランドパターン１１、スルーホールＴＨの上側開口端の周囲に配置された表面グランドパターン１３ａ、スルーホールＴＨの下側開口端の周囲に配置された裏面グランドパターン１５ａ、スルーホールＴＨの壁面上に形成された筒状の導電体層からなる中空グランドスルーホール１７ａ等を有している。図１には１つのスルーホールＴＨと該スルーホールＴＨの壁面上に形成された中空グランドスルーホール１７ａとが現れているが、誘電体基板２０Ａには複数のスルーホールと個々のスルーホールの壁面上に形成された中空グランドスルーホール１７ａ〜１７ｇ（図３参照）とが形成されている。各中空グランドスルーホール１７ａ〜１７ｇは、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを囲むように間隔をおいて誘電体基板２０Ａに設けられて、内層グランドパターン１１に接続されている。
【００１５】
各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣには樹脂封止が施された樹脂封止品または金属封止が施された金属封止品であり、当該高周波機能部品ＭＣ，ＭＣのうちの一方の高周波機能部品ＭＣは伝送線路９ａに、また他方の高周波機能部品ＭＣは伝送線路９ｃにはんだＳにより固定されている。伝送線路９ａの一端は信号ビア３ａの下端に接続されており、伝送線路９ｃの一端は信号ビア３ｂの下端に接続されている。そして、２つの高周波機能部品ＭＣ，ＭＣは、伝送線路９ｂにより互いに接続されている。
【００１６】
一方、電磁シールド部材３０は、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを取り囲んで当該高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを収容する空間Ｃｖ（図１参照）を形成する枠体形状のシールドリング部２１と、シールドリング部２１を覆って上記の空間Ｃｖを閉塞する蓋体部２３とを有しており、これらシールドリング部２１および蓋体部２３は金属や合金等の導電性材料により形成されて互いに固着している。シールドリング部２１の上面には、図２〜図４に示すように複数の柱状導体部２１ａ〜２１ｇが突設されており、これらの柱状導体部２１ａ〜２１ｇを中空グランドスルーホール１７ａ〜１７ｇに挿入して当該中空グランドスルーホール１７ａ〜１７ｇに接触させることで、シールドリング部２１が誘電体基板２０Ａに係合される。このとき、１つの中空グランドスルーホールに１つの柱状導体部が挿入される。
【００１７】
図２に示すように、対応する中空グランドスルーホール１７ａ〜１７ｇに各柱状導体部２１ａ〜２１ｇを確実に接触させるために、個々の柱状導体部２１ａ〜２１ｇには中空グランドスルーホール内壁側に突出した凸部が形成されている。ただし、図２においては、柱状導体部２１ａに形成された凸部２２ａと柱状導体部２１ｅに形成された凸部２２ｅの計２つの凸部のみが現れている。各凸部は、柱状導体部を中空グランドスルーホールに挿入したときに、中空グランドスルーホールの内壁面を押圧する。
【００１８】
各中空グランドスルーホール１７ａ〜１７ｇに所定の柱状導体部２１ａ〜２１ｇが係合された電磁シールド部材３０は、その後、各柱状導体部２１ａ〜２１ｇを中空グランドスルーホール１７ａ〜１７ｇにはんだＳ（図１参照）あるいは導電性接着剤で固定することにより、誘電体基板２０Ａに固定される。内層グランドパターン１１、各中空グランドスルーホール１７ａ〜１７ｇ、各柱状導体部２１ａ〜２１ｇ、シールドリング部２１、および蓋体部２３によって、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを電磁シールドするシールド空間が形成される。
【００１９】
このような構造を有する電磁シールド構造Ｓ1では、互いに隣接する２つの中空グランドスルーホール１７ａ〜１７ｇの距離Ｄ（図３参照）が、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣで使用される高周波信号の基板内実効波長（誘電体基板２０Ａ内での実効波長）の１／２未満以下に選定されている。上記の距離Ｄをこのように選定すると、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣに対する高い電磁シールド性を電磁シールド部材３０によって容易に得ることができる。そのため、上記のシールド空間外にある線路不連続部やワイヤ接続部等の高周波ノイズ放射源と、上記のシールド空間内にある高周波ノイズ放射源とが電磁結合することによって各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣに生じる特性変動や帰還による発振等の不要動作を、抑制することができる。なお、電磁シールド部材３０によって高い電磁シールド性を得るうえからは上記の距離Ｄをできるだけ小さな値とすることが好ましく、所望の内径を有する２つのスルーホールＴＨ，ＴＨを互いに隣接（近接）させて形成する際の当該２つのスルーホールＴＨ，ＴＨ同士の間隔については、製造上の限界値がその下限値となる。
【００２０】
また、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを気密に封止しなくてもよいことから、誘電体基板２０Ａの面精度、特に下面の面精度や、電磁シールド部材３０の製造公差、特にシールドリング部２１の製造公差を緩くすることができ、結果として誘電体基板２０Ａや電磁シールド部材３０の製造コストを抑えることができる。シールドリング部２１に柱状導体部２１ａ〜２１ｇが設けられているので、誘電体基板２０Ａに電磁シールド部材３０を装着する際には当該柱状導体部２１ａ〜２１ｇにより電磁シールド部材３０の位置決めを行うことができ、はんだＳ（図１参照）や導電性接着剤等による電磁シールド部材３０の固定作業が容易である。
【００２１】
したがって、上述の電磁シールド構造Ｓ1によれば、電磁シールドが求められる機器の製造コストを低減させることが容易になる。また、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを誘電体基板２０Ａの下面に実装して電磁シールドするので、誘電体基板２０Ａの上面には、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣの上方にあたる位置であっても大形のキャパシタＣ（図１および図３参照）や制御用デジタル／アナログ回路等を実装することができ、電子部品の実装密度を高めて当該誘電体基板２０Ａの小型化を図ることも容易である。
【００２２】
実施の形態２．
図５は、電磁シールド構造の他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す電磁シールド構造Ｓ2では、中実グランドビア１８ａ，１８ｂが設けられた誘電体基板２０Ｂの下面に高周波機能部品ＭＣ，ＭＣが実装され、これらの高周波機能部品ＭＣ，ＭＣが電磁シールド部材４０により電磁シールドされている。図５に示す構成要素のうちで図１に示した構成要素と共通するものについては、図１で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００２３】
図５に現れている中実グランドビアは中実グランドビア１８ａ，１８ｂの２つであるが、誘電体基板２０Ｂには、例えば実施の形態１で説明した誘電体基板２０Ａにおけるのと同様に７つの中実グランドビアが各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを囲むように間隔をおいて設けられている。そして、互いに隣接する中実グランドビアの距離Ｄ（図３参照）は、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣで使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満に選定されている。また、個々の中実グランドビアの下端は裏面グランドパターンにより覆われている。同図には２つの裏面グランドパターン１９ａ，１９ｂが現れている。
【００２４】
一方、上記の電磁シールド部材４０は、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを取り囲んで当該高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを収容する空間Ｃｖを形成するシールドリング部３１と、シールドリング部３１を覆って上記の空間Ｃｖを閉塞する蓋体部３３とを有しており、これらシールドリング部３１および蓋体部３３は金属や合金等の導電性材料により形成されて互いに固着している。シールドリング部３１の上面は平坦面になっている。電磁シールド部材４０は、シールドリング部３１の上面が各裏面グランドパターン１９ａ，１９ｂを介して各中実グランドビア１９ａ，１９ｂに当接した状態で、例えばはんだペーストを用いて形成されたはんだＳにより、あるいは導電性接着剤により、誘電体基板２０Ｂに固定されている。
【００２５】
上述の構成を有する電磁シールド構造Ｓ2では、実施の形態１で説明した電磁シールド構造Ｓ1におけるのと同様の理由から、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣに対する高い電磁シールド性を電磁シールド部材４０によって容易に得ることができる。また、誘電体基板２０Ｂの面精度、特に下面の面精度や、電磁シールド部材４０の製造公差、特にシールドリング部３１の製造公差を緩くすることができ、結果として誘電体基板２０Ｂや電磁シールド部材４０の製造コストを抑えることができる。したがって、上述の電磁シールド構造Ｓ2によれば、電磁シールドが求められる機器の製造コストを低減させることが容易になる。
【００２６】
実施の形態３．
図６は、電磁シールド構造の更に他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す電磁シールド構造Ｓ3では、中空グランドスルーホール１７ａ，１７ｂを有する誘電体基板２０Ｃの下面に高周波機能部品ＭＣ，ＭＣが実装され、これらの高周波機能部品ＭＣ，ＭＣが電磁シールド部材５０により電磁シールドされている。誘電体基板２０Ｃの構成要素のうちで図１に示した構成要素と機能が共通するものについては、図１で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００２７】
図６に現れている中空グランドスルーホールは中空グランドスルーホール１７ａ，１７ｂの２つであるが、誘電体基板２０Ｃには、例えば実施の形態１で説明した誘電体基板２０Ａにおけるのと同様に各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを囲むように間隔を開けて７つの中空グランドスルーホールが設けられている。個々の中空グランドスルーホールは、実施の形態１で説明した誘電体基板２０Ａ（図１参照）での各中空グランドスルーホールと同様に、誘電体基板２０Ｃに設けられたスルーホールＴＨの壁面上に形成された筒状の導電体層からなる。また、互いに隣接する２つの中空グランドホールの距離Ｄ（図３参照）は、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣで使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満に選定されている。
【００２８】
一方、電磁シールド部材５０は、誘電体基板２０Ｃを支持する導電性シャーシ部４１を有し、この導電性シャーシ４１には、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを取り囲んで当該高周波機能部品ＭＣ，ＭＣを収容する空間Ｃｖ（図６参照）を形成する枠体形状のシールドリング部４３が削りだしにより形成されている。導電性シャーシ部４１が上記の空間Ｃｖを閉塞している。誘電体基板２０Ｃは、個々の中空グランドスルーホールに挿入された導電性ネジにより電磁波シールド部材５０に、具体的にはシールドリング部４３に、ネジ止めされている。図６には、中空グランドスルーホール１７ａに挿入された導電性ネジ５０ａと、中空グランドスルーホール１７ｂに挿入された導電性ネジ５０ｂとが現れている。なお、これらの導電性ネジは、高周波機能部品ＭＣ，ＭＣの動作に伴って生じる熱を空間Ｃｖの外に放散させる放熱体としても機能する。
【００２９】
上述の構成を有する電磁シールド構造Ｓ3では、実施の形態１で説明した電磁シールド構造Ｓ1におけるのと同様の理由から、各高周波機能部品ＭＣ，ＭＣに対する高い電磁シールド性を電磁シールド部材５０によって容易に得ることができる。また、誘電体基板２０Ｃの面精度、特に下面の面精度や、電磁シールド部材５０の製造公差、特にシールドリング部４３の製造公差を緩くすることができ、結果として誘電体基板２０Ｃや電磁シールド部材５０の製造コストを抑えることができる。さらには、高周波機能部品が実装された誘電体基板は一般に導電性シャーシに固定されて使用されるので、電磁シールド構造Ｓ3におけるように導電性シャーシ４１にシールドリング部４３を予め形成することで電磁シールド部材５０を構成すれば、導電性シャーシ４１とは別に電磁シールド用の蓋体部を設ける場合に比べて部品点数を少なくすることができる。したがって、上述の電磁シールド構造Ｓ3によれば、電磁シールドが求められる機器の製造コストを低減させることが容易になる。
【００３０】
以上、本発明の電磁シールド構造について実施の形態を挙げて説明したが、前述のように、本発明は上述の形態に限定されるものではない。例えば、高周波機能部品は誘電体基板の上面および下面のいずれに実装されていてもよい。また、誘電体基板における層構成や伝送線路の配置パターン、あるいは中空グランドスルーホールの形状等は、適宜選定可能である。中空グランドスルーホールと電磁シールド部材との係合形態や、中実グランドビアと電磁シールド部材との係合形態についても、適宜選定可能である。例えば、シールドリング部の上面を中空グランドスルーホールまたは中実グランドビアの下面に直接、当接させることもできる。
【００３１】
１つの誘電体基板に複数の中空グランドスルーホールと少なくとも１つのグランドビアとを設けることもできる。この場合も、各中空グランドスルーホールおよびグランドビアは、それぞれ、内層グランドパターンに接続される。また、上記複数の中空グランドスルーホールおよび上記少なくとも１つのグランドビアは、互いに隣接（近接）するもの（中空グランドスルーホールまたはグランドビア）同士の距離が高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の１／２未満となるように配置される。図１に示した電磁シールド構造Ｓ1におけるのと同様に、電磁シールド部材を構成するシールドリング部の上面に複数の柱状導体部が突設され、１つの中空グランドスルーホールに１つの柱状導体部を挿入してはんだや導電性接着剤で固着することにより上記の誘電体基板に電磁シールド部材が固定される。あるいは、図６に示した電磁シールド構造Ｓ3におけるのと同様に、個々の中空グランドスルーホールに挿入された導電性ネジにより上記の誘電体基板が電磁波シールド部材に、具体的にはシールドリング部にネジ止めされる。
【００３２】
また、シールドリング部と蓋体部とを有する電磁シールド部材は、シールドリング部と蓋体部とを別々に作製してから所定形状に組み立てたものであってもよいし、これらシールドリング部と蓋体部とを一体成形したものであってもよい。例えば板金をプレス加工して柱状導体部とシールドリング部と蓋体部とを有する電磁シールド部材に一体成形すると、当該電磁シールド部材の製造コストが抑えられると共にシールドリング部の形状を複雑化することが容易になる。シールドリング部の形状を複雑化することができれば、電磁シールド部材でのキャビティの形状を高周波機能部品の配置形態に合った形状とすることができるので、電磁シールド部材の小型化を図ることも容易になる。本発明の電磁シールド構造については、上述したもの以外にも種々の変形、修飾、組み合わせ等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施の形態１の電磁シールド構造を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に示した電磁シールド構造を構成する柱状導体部、シールドリング部、および蓋体部を概略的に示す側面図である。
【図３】図１に示した電磁シールド構造を概略的に示す上面図である。
【図４】図１に示した電磁シールド構造を構成するシールドリング部を概略的に示す底面図である。
【図５】実施の形態２の電磁シールド構造を概略的に示す断面図である。
【図６】実施の形態３の電磁シールド構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
７ａ，７ｂ，９ａ〜９ｃ  伝送線路
１１  内層グランドパターン
１７ａ〜１７ｇ  中空グランドスルーホール
１８ａ，１８ｂ  中実グランドビア
１９ａ，１９ｂ  裏面グランドパターン
２０Ａ〜２０Ｃ  誘電体基板
２１，３１，４３  シールドリング部
２１ａ  柱状導体部
２３，３３  蓋体部
３０，４０，５０  電磁シールド部材
４１  導電性シャーシ
Ｄ  互いに隣接する中空グランドスルーホールの距離
ＴＨ  スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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