(57)【要約】【課題】低抵抗化による性能の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】モールド樹脂６には、切り欠き部９が設けられている。切り欠き部９は、ソース側リード電極４の上部に位置するモールド樹脂６の端部から、このソース側リード電極４に接続されたコネクタ８に沿って溝状に形成されており、この切り欠き部９の部分において、ソース側リード電極４の上面及びコネクタ８の上面は外部に露出した状態となっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム上に搭載された半導体チップの電極と、リード電極とを金属製部材からなるコネクタで接続し、モールド樹脂にて封止された半導体装置において、
前記リード電極及び当該リード電極に接続されている部分を含む前記コネクタの上面の少なくとも一部が露出するように、前記モールド樹脂の一部に切り欠き部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記コネクタの少なくとも一部が、板状に形成され、変形可能とされていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記コネクタが、銅又はアルミニウムから構成され、前記板状に形成されている部分の板厚が０．０８ｍｍ〜０．４ｍｍとされていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記切り欠き部は、前記モールド樹脂の端部から、前記コネクタに沿って溝状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
露出されている前記リード電極及び前記コネクタ部分は、前記リード電極を外部の接続先に半田接続する際に、前記リード電極から前記コネクタにかけて前記半田が這い上がるように露出されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に係り、特に半導体チップの上面電極とリードフレームのリード端子とを金属部材からなるコネクタで接続した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームに、半導体チップをはんだや金属共晶により接合し、半導体チップ上のソース電極とゲート電極を、ボンディングワイヤによりソース側リード電極、ゲート側リード電極と結線し、その後モールド樹脂により封止した構造の半導体装置が知られている。この場合、半導体チップが搭載されているリードフレームは、ドレインとなる。
【０００３】
一方、ボンディングワイ３の替わりに、板状の導電性金属部材からなるコネクタを使用し、コネクタによって、半導体チップ上部のソース電極とソース側リード電極とを電気的に接続した半導体装置も知られている（例えば、特許文献１参照。）。このように、コネクタを使用した半導体装置では、コネクタの板厚を厚くすることによって、導体断面積を大きし、ボンディングワイヤよりも低抵抗化を図ることができる。
【０００４】
上記構成の半導体装置において、さらなる低抵抗化を図るためには、コネクタの板厚を厚くすることによって、導体断面積を大きくする必要がある。ところが、このコネクタの板厚を厚くすると、コネクタの変形性能が悪くなり、半導体装置の組立時、例えば、コネクタの取り付け時や樹脂モールド時等にコネクタが熱応力を受けると、半導体チップに力が加わり半導体チップに損傷を与えてしまう等の事態が生じる可能性が増大し、低抵抗化を図ることに限界があった。
【特許文献１】特開２００４−２２１２９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、低抵抗化による性能の向上を図ることが可能な半導体装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、リードフレーム上に搭載された半導体チップの電極と、リード電極とを金属製部材からなるコネクタで接続し、モールド樹脂にて封止された半導体装置において、前記リード電極及び当該リード電極に接続されている部分を含む前記コネクタの上面の少なくとも一部が露出するように、前記モールド樹脂の一部に切り欠き部が形成されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、低抵抗化による性能の向上を図ることが可能な半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図１〜３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１０の構成を模式的に示すものである。図１は半導体装置１０の上面図であり、図２は図１の半導体装置１０の樹脂モールド内の状態を示す透視図、図３は図１のＡ−Ａ方向に沿った断面図である。
【０００９】
図１〜３に示すように、本実施形態における半導体装置１０は、リードフレーム（ドレインリード）１を具備しており、このリードフレーム１上に、半導体チップ２が、半田や金属共晶によって接合されて搭載されている。この半導体チップ２の上面側に形成されたソース電極とソース側リード電極４とは、導電性の板状金属部材からなるコネクタ８によって電気的に接続されている。
【００１０】
このコネクタ８の厚さ（板厚）は、半導体装置１０の組立工程において、例えば、コネクタ８の取り付け時や樹脂モールド時等に熱応力を受けた場合においても、柔軟に変形することにより、半導体チップ２に、損傷を与えるような強い力が働かない程度の厚さであって、かつ、導体断面積をある程度確保して高抵抗とならない厚さに設定されている。このようなコネクタ８の厚さは、例えば、材質が銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の場合、０．０８〜０．４ｍｍ程度である。
【００１１】
また、ゲート側リード電極５は、ボンディングワイヤ３によって、半導体チップ２の上面に形成されたゲート電極に電気的に接続されている。そして、半導体装置の主要部は、モールド樹脂６によって封止されており、このモールド樹脂６には、切り欠き部９が設けられている。
【００１２】
上記切り欠き部９は、ソース側リード電極４の上部に位置するモールド樹脂６の端部から、このソース側リード電極４に接続されたコネクタ８に沿って溝状に形成されており、この切り欠き部９の部分において、ソース側リード電極４の上面及びリード電極４に接続されている部分のコネクタ８の上面は外部に露出した状態となっている。なお、この切り欠き部９は、モールド樹脂６をモールドする際の型に、切り欠き部９に相当する形状の凸部を設けておくこと等によって形成することができる。
【００１３】
上記構成の半導体装置１０では、上記したように、コネクタ８の板厚が、変形性を考慮して厚過ぎないように設定されており、コネクタ８の変形能力が高いので、半導体装置１０の組立工程において、半導体チップ２へ加わるダメージを少なくすることができる。すなわち、例えばコネクタ８の取り付け時や樹脂モールド時等に熱応力を受けた場合においても、コネクタ８が柔軟に変形することにより、半導体チップ２に、損傷を与えるような強い力が働く事態が発生する可能性を低減することができる。
【００１４】
しかも、上記構成の半導体装置１０によれば、この半導体装置１０を基板等の外部接続先へ実装するに際して、モールド樹脂６に切り欠き部９が設けられていることから、基板等の電極にソース側リード電極４を半田付けする時に、ソース側リード電極４からコネクタ８にかけて実装用の半田が拡散してコネクタ８まで這い上がるように付着させることが可能となる。これにより、実質的にコネクタ８の導体部分の断面積が大きくなり、コネクタ８全体としての電気抵抗をより低くすることができる。
【００１５】
以上のように、本実施形態の半導体装置１０によれば、半導体装置１０の組立時に半導体チップ２に損傷を与えることなく、また、コネクタ８の板厚を厚くしなくとも外部接続先である基板等への実装時において、コネクタ８の断面積を大きくすることが可能となり、低抵抗化による性能の向上を図ることが可能となる。なお、本発明は、上記した各実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは、勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の構成を示す上面図。
【図２】図１の半導体装置の樹脂モールド内の状態を示す透視図。
【図３】図１の半導体装置のＡ−Ａ方向に沿った断面図。
【符号の説明】
【００１７】
１……リードフレーム、２……半導体チップ  ３……ボンディングワイヤ、４……ソース側リード電極、５……ゲート側リード電極、６……モールド樹脂、８……コネクタ、９……切り欠き部、１０……半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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