(57)【要約】【課題】静電破壊に対する耐圧の向上を図ることができる圧電振動子を提供すること。【解決手段】基部から複数の振動腕部が伸び出している圧電振動片と、前記振動腕部の主面から側面に亘って励振電極が形成され、前記基部には前記励振電極から引き出された引き出し電極が形成されている圧電振動子において、前記基部の表面に溝部を形成し、この溝部内に前記引き出し電極を形成する。また前記溝部の深さは、当該溝部内に形成される引き出し電極の厚み以上とする。さらに前記基部の表面に、前記溝部に形成された引き出し電極を覆うようにして絶縁膜を形成する。【選択図】図２
2008113238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部から複数の振動腕部が伸び出している圧電振動片と、前記振動腕部の主面から側面に亘って励振電極が形成され、前記基部には前記励振電極から引き出された引き出し電極が形成されている圧電振動子において、
前記基部の表面には溝部が形成され、この溝部内に前記引き出し電極が形成されていることを特徴とする圧電振動子。
【請求項２】
前記溝部の深さは、当該溝部内に形成される前記引き出し電極の厚み以上であることを特徴とする請求項１記載の圧電振動子。
【請求項３】
前記基部の表面には、前記溝部に形成された前記引き出し電極を覆うようにして絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧電振動子。
【請求項４】
圧電基板からエッチングにより複数の圧電振動片に対応する外形部分を得て、請求項１に記載の圧電振動子を製造する方法であって、
前記圧電振動片の外形を形成した後、表面全体に金属膜が形成されている基板に対し、前記振動腕部の溝部に対応する部位に開口部を有するレジストマスクを用いて、前記金属膜を除去する工程と、
しかる後、前記基板をエッチング液に接触させて、基板の表面が露出している部位をエッチングして前記振動腕部に溝部を形成する工程と、
前記圧電振動片の基部に相当する表面に形成されている前記レジストを、前記基部の溝部に対応する部位に開口部を有するようにパターンニングする工程と、
その後、このレジストマスクを用いて、前記基板をエッチング液に接触させて、前記金属膜を除去する工程と、
前記基板をエッチング液に接触させて、前記金属膜をマスクとして、露出している前記基部の表面に溝部を形成すると共に、露出している前記振動腕部の溝部内に新たな溝部を形成する工程と、
前記基板の表面に残っている前記金属膜を全て剥離する工程と、
次に外形が形成されている部分の全面に電極となる金属膜を形成する工程と、
次いで前記振動腕部の主面から側面に亘って前記金属膜を覆う領域を備えたレジスト膜を形成すると共に、前記基部の溝部に対応する部位にレジスト膜を形成し、これらレジスト膜を用いて、前記金属膜をエッチングして、前記振動腕部の主面から側面に亘って励振電極を形成すると共に、前記基部の溝部に引き出し電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
前記振動腕部に励振電極を形成すると共に、前記基部の溝部に引き出し電極を形成する工程の後、導電部材との接続部位を確保するために前記引き出し電極が形成されている部位における少なくとも一部に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする請求項４に記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の方法によって製造されたことを特徴とする圧電振動子。
【請求項７】
請求項１、２、３、６のいずれか一つに記載の圧電振動子と、前記圧電振動子を収納するための容器と、前記容器に形成され、前記基部の引き出し電極に電気的に接続された外部電極と、を備えたことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電振動子、圧電振動子の製造方法及び電子部品に係り、特に静電気放電による圧電振動子及び電子部品の破壊を防止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
音叉型の水晶振動子は、小型、安価で低消費電力であることから、従来から腕時計の歩度を刻む信号源として採用され、更にその用途が広がろうとしている。この水晶振動子としては、電力損失を抑えるために、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値をより小さくすることが要求され、このため水晶振動子に溝部を形成して振動効率を高めたものが用いられている。
【０００３】
この水晶振動子は図１４に示すように基部１に一対の振動腕部２ａ及び２ｂが設けられ、各振動腕部２ａ，２ｂにおける両主面には溝部３１，３２が夫々設けられている。またこの水晶振動子には、一対をなす一方の電極と他方の電極とが存在する。つまり一方の振動腕部２ａの溝部３１，３２及び両側面には一方の励振電極４１及び他方の励振電極５１が夫々形成され、他方の振動腕部２ｂの溝部３１，３２及び両側面には他方の励振電極５１及び一方に励振電極４１が夫々形成されている。またこれら一方の励振電極４１同士が電気的に接続されるように基部１の表面に引き出し電極４２が形成されていると共に、他方の励振電極５１同士が電気的に接続されるように基部１の表面に引き出し電極５２が形成されている。なお、図１４において励振電極４１，５１は図面を見え易くするために斜線と黒の点在領域とを使い分けて表している。従って、図１４の斜線は水晶片の断面を示すものではない。
【０００４】
そして上述した水晶振動子は、ＳＭＤ（Surface Mounted Device）構造のセラミックスからなるパッケージに格納され、これにより電子部品が構成される。この電子部品は、発振回路の回路部品が搭載されている配線基板に搭載される。
【０００５】
ところで、上述した水晶振動子は静電気放電（electro-static discharge:ESD）により容易に破壊され易い、即ち、ＥＳＤ耐圧が低いという問題がある。静電破壊が起こる要因としては以下の３つがある。１つ目は帯電している作業者が水晶振動子に触れた時に放電が生じることで静電破壊が起こる。２つ目は電子部品を配線基板に搭載する際、配線基板のアースが不十分な時に、配線基板側から電荷が流れることで放電が発生し、この放電により静電破壊が起こる。３つ目は電子部品自らが充電され、この電子部品が金属部品等に触れた時に放電が生じることで静電破壊が起こる。
【０００６】
そしてこのような静電破壊は、水晶振動子の表面に形成されている電極膜と電極膜との間で放電して起こり、電荷の移動経路としては以下の３つの経路がある。１つ目は図１５中のａに示すように引き出し電極４２から基部１の上方側の雰囲気を介して引き出し電極５２に電荷が移動する経路であり、２つ目は図１５中のｂに示すように引き出し電極４２から基部１の表面を通って引き出し電極５２に電荷が移動する経路であり、３つ目は図１５中のｃに示すように引き出し電極４２から基部１内部を通って引き出し電極５２に電荷が移動する経路である。さらに引き出し電極４２と引き出し電極５２との間の水晶振動子の表面に不純物（付着物）が付着した場合にも、基部１の表面において引き出し電極４２と不純物と引き出し電極５２とが横に並んで、これらの間隔が短くなって連続となることで、この不純物を介して電荷の移動が起こる。なお、図１５は、図１４のＦ−Ｆ線に沿った断面部分についての概略拡大図である。また図１５中のｒは電極間４２，５２の沿面距離である。
【０００７】
一方、特許文献１には、逆メサ型の圧電振動片において、枠体と励振部との間の段差部分に形成された配線パターンの断線を防ぐために、前記段差を階段状に形成し、１段あたりの段差寸法を小さくすることが記載されているが、これは上述した課題を解決するものではない。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３７４１３５（段落００１０、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、静電破壊に対する耐圧の向上を図ることができる圧電振動子、圧電振動子の製造方法及びこの圧電振動子を有する電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基部から複数の振動腕部が伸び出している圧電振動片と、前記振動腕部の主面から側面に亘って励振電極が形成され、前記基部には前記励振電極から引き出された引き出し電極が形成されている圧電振動子において、
前記基部の表面には溝部が形成され、この溝部内に前記引き出し電極が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
上述した圧電振動子において、前記溝部の深さは、当該溝部内に形成される前記引き出し電極の厚み以上であることが好ましい。また前記基部の表面に、前記溝部に形成された引き出し電極を覆うようにして絶縁膜を形成するようにしてもよい。
【００１２】
また本発明は、圧電基板からエッチングにより複数の圧電振動片に対応する外形部分を得て、上述の圧電振動子を製造する方法であって、
前記圧電振動片の外形を形成した後、表面全体に金属膜が形成されている基板に対し、前記振動腕部の溝部に対応する部位に開口部を有するレジストマスクを用いて、前記金属膜を除去する工程と、
しかる後、前記基板をエッチング液に接触させて、基板の表面が露出している部位をエッチングして前記振動腕部に溝部を形成する工程と、
前記圧電振動片の基部に相当する表面に形成されている前記レジストを、前記基部の溝部に対応する部位に開口部を有するようにパターンニングする工程と、
その後、このレジストマスクを用いて、前記基板をエッチング液に接触させて、前記金属膜を除去する工程と、
前記基板をエッチング液に接触させて、前記金属膜をマスクとして、露出している前記基部の表面に溝部を形成すると共に、露出している前記振動腕部の溝部内に新たな溝部を形成する工程と、
前記基板の表面に残っている前記金属膜を全て剥離する工程と、
次に外形が形成されている部分の全面に電極となる金属膜を形成する工程と、
次いで前記振動腕部の主面から側面に亘って前記金属膜を覆う領域を備えたレジスト膜を形成すると共に、前記基部の溝部に対応する部位にレジスト膜を形成し、これらレジスト膜を用いて、前記金属膜をエッチングして、前記振動腕部の主面から側面に亘って励振電極を形成すると共に、前記基部の溝部に引き出し電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
上述した圧電振動子の製造方法において、振動腕部に励振電極を形成すると共に、前記基部の溝部に引き出し電極を形成する工程の後、導電部材との接続部位を確保するために前記引き出し電極が形成されている部位における少なくとも一部に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、を備えた構成であってもよい。  
また本発明の圧電振動子は、上述した方法によって製造されたことを特徴とする。
【００１４】
さらに本発明の電子部品は、上述した圧電振動子と、前記圧電振動子を収納するための容器と、前記容器に形成され、前記基部の引き出し電極に電気的に接続された外部電極と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基部の表面に溝部を形成し、この溝部内に引き出し電極を形成しているため、互に隣接する電極間の沿面距離が長くなる。このため基部表面の電極間で発生する放電を抑えることができ、静電破壊に対する耐圧（ＥＳＤ耐圧）が向上する。  
また本発明によれば、基部の溝部内に形成されている引き出し電極を覆うようにして絶縁膜を形成することで、圧電振動子のＥＳＤ耐圧をより一層向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態について説明する。この実施の形態に係る圧電振動子である水晶振動子の構造に関しては、基部の表面に溝部が形成され、この溝部内に引き出し電極が形成されている他は従来技術の項のところで図１４を用いて説明した水晶振動子と同一であるため、同一である部分の説明を省略する。
【００１７】
図１及び図２は本発明の実施の形態に係る水晶振動子の概略正面図及び概略斜視図であり、図３は図１及び図２のＡ−Ａ線に沿った断面部分についての拡大図であり、図４は図１及び図２のＣ−Ｃ線に沿った断面部分についての概略拡大図である。図２及び図３に示すように、基部１の表裏両面には溝部５が形成されており、この溝部５の深さｄは例えば、０．２μｍ〜１０μｍに設定されている。そしてこの溝部５内に、後述する引き出し電極４２，５２が形成される。この引き出し電極４２，５２の厚さｅは、前記溝部の深さｄと同じか、あるいは前記溝部の深さｄよりも小さく設定してある。図２では、基部１の溝部５内に形成される電極４２，５２を斜線で示してある。また、図２に示すように振動腕部２ａ，２ｂの溝部３２，３２と基部１の溝部５とは連接している。そして基部１の溝部５に形成された引き出し電極４２，５２と振動腕部２ａ，２ｂの溝部３２，３２に形成された励振電極４１，５１とが接続される。このように基部１の表面に溝部５を形成し、この溝部５内に引き出し電極４２，５２を形成することで図４に示すように互いに隣接する電極間４２，５２の沿面距離ｒが基部１の表面に引き出し電極４２，５２を形成した場合の電極間４２，５２の沿面距離ｒ（図１５参照）に比べて長くなる。この沿面距離ｒが長くなると破壊耐圧（Break Down Voltage）が大きくなる。また引き出し電極４２，５２が基部１の表面より低いと引き出し電極４２から基部１上部の雰囲気を介して発生する放電を抑えることができる。
【００１８】
図１及び図２に説明を戻すと、この水晶振動子には、一対をなす一方の電極と他方の電極とが存在する。先ず振動腕部２ａに着目すると、振動腕部２ａの２つの溝部３１，３２の内面全体とこれら溝部３１，３２の間に一方の励振電極４１が形成されている。即ち、溝部３１，３２の間に相当するいわば橋部に形成された励振電極４１により、振動腕部２ａの各溝部３１，３２内の励振電極４１同士が互に接続されている。そしてこの振動腕部２ａの両側面には他方の励振電極５１が形成されている。また振動腕部２ａにおける先端部には、その重量を調整することにより発振周波数を調整するための金属膜である調整用錘５０が設けられている。
【００１９】
また振動腕部２ｂに着目すると、振動腕部２ｂの２つの溝部３１，３２の内面全体と、これら溝部３１，３２の各々の間に他方の励振電極５１が形成されている。そしてこの振動腕部２ｂの両側面には一方の励振電極４１が形成されている。なお、振動腕部２ａにおける先端部においても、同様にその重量を調整することにより発振周波数を調整するための調整用錘４０が設けられている。また振動腕部２ａ，２ｂに設けられた電極の配置は、励振電極４１，５１が互に逆の関係であることを除くと互に同一である。そしてこれら一方の励振電極４１同士が電気的に接続されるように基部１の表面に形成された溝部５内に引き出し電極４２が形成されると共に、他方の励振電極５１同士が接続されるように基部１の表面に形成された溝部５内に引き出し電極５２が形成される。なお、図１及び図２において励振電極４１，５１及び引き出し電極４２，５２は図面を見え易くするために斜線と黒の点在領域とを使い分けて表している。従って、図１及び図２の斜線は水晶片の断面を示すものではない。
【００２０】
次に、図１及び図２に示す水晶振動子の製造方法について図５〜図９を参照しながら説明する。なお、図５〜図８は一枚の圧電基板のある一部分に作成される一個の水晶振動子について説明したものである。また図５〜図６は図１及び図２のＢ−Ｂ線に沿った断面部分についての製造工程を示す図であり、図７〜図８は図１及び図２のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿った断面部分についての製造工程を示す図である。先ず切り出された圧電基板である水晶ウエハ６０を研磨加工して洗浄した後に、スパッタ法で金属膜６１を形成する（図５（ａ））。この金属膜６１は例えばクロム（Ｃｒ）の下地膜に金（Ａｕ）を積層したものが用いられる。
【００２１】
続いてこのような金属膜６１の上にフォトレジストを例えばスピンコート法で塗布した後（図５（ｂ））、このフォトレジストを水晶片の形状、即ち音叉形状のパターンとなるように露光及び現像し、音叉形状のレジスト膜６２を形成する（図５（ｃ））。そしてこの後、前記レジスト膜６２をマスクにして水晶ウエハ６０をヨウ化カリウム（ＫＩ）溶液中に浸漬してウエットエッチングを行って、レジスト膜６２に覆われていない金属膜６１の部分を除去する（図５（ｄ））。  
しかる後、レジスト膜６２が金属膜６１に載ったまま、当該金属膜６１をマスクにして水晶ウエハ６０をエッチング液であるフッ酸中に浸漬してウエットエッチングを行って、水晶片６５の外形を形成する（図５（ｅ））。こうして圧電基板である水晶ウエハ６０に複数個の水晶片６５が形成される。  
続いて水晶ウエハ６０に残っているレジスト膜６３を全て除去する（図６（ｆ））。しかる後、水晶ウエハ６０の全面にフォトレジストを例えばスプレー法で塗布し、レジスト膜６３を形成する（図６（ｇ））。  
次いで図１に示す溝部３１，３２に相当する部分のレジスト膜６３を剥離する（図６（ｈ））。続いて前記レジスト膜６３をマスクにして水晶ウエハ６０をＫＩ溶液中に浸漬してウエットエッチングを行って、レジスト膜６３が剥離した箇所の金属膜６１を除去する（図６（ｉ））。  
しかる後、レジスト膜６３が金属膜６１に載ったまま、当該金属膜６１をマスクにして水晶ウエハ６０をエッチング液であるフッ酸中に浸漬してウエットエッチングを行って、水晶ウエハ６０の両主面に溝部３１，３２を形成する（図６（ｊ））。
【００２２】
次に、水晶片６５において図１及び図２に示す基部１に相当する表面に溝部５を形成する工程について説明する。先ず、水晶片６５の基部１に相当する表面に形成されているレジスト膜６３を所定形状のパターンとなるように露光及び現像する（図７（ｋ））。なお、この例では基部１の表面に形成されているレジスト膜６３以外のレジスト膜６３は露光及び現像されない。そしてこの後、所定の形状にパターンニングされたレジスト膜６３をマスクにして水晶ウエハ６０をヨウ化カリウム（ＫＩ）溶液中に浸漬してウエットエッチングを行って、レジスト膜６３に覆われていない金属膜６１の部分を除去する（図７（ｌ））。そして水晶ウエハ６０に残っているレジスト膜６３を全て剥離した後、前記金属膜６１をマスクにして水晶ウエハ６０をエッチング液であるフッ酸中に浸漬してウエットエッチングを行って、水晶片６５の基部１に相当する表面に溝部５を形成する（図７（ｍ））。なお、この例では、基部１の表面に溝部５を形成する際に、図７（ｍ）に示すように水晶ウエハ６０の両主面に形成されている溝部３１，３２内に、基部１に形成された溝部５と同じ深さの溝が形成されることになる。このように振動腕部２ａ，２ｂに形成される溝部３１，３２を多段溝とすることで、後述するように溝部３１，３２内に形成される電極を振動腕部２ａ，２ｂの表面よりも下に埋め込むことができる。こうすることで溝部３１，３２に形成された励振電極４１，５１と振動腕部２ａ，２ｂの側面に形成された励振電極４１，５１との沿面距離が長くなり、破壊耐圧（Break Down Voltage）を大きくすることができる。従って、ＥＳＤ耐圧が向上する。その後、水晶ウエハ６０に残っている金属膜６１を全て剥離する（図７（ｎ））。以上の工程により、図９に示すように基部１の表面に溝部５が形成された原型６が製造される。なお、図９では基部１の表面に溝部５が形成される部分を斜線で表している。
【００２３】
続いて、水晶片６５の振動腕部２及び基部１に相当する部分に電極膜を形成する工程について説明する。図７（ｎ）に示す工程の後、原型６の両面にスパッタ法で電極となる金属膜６６を形成する（図８（ｏ））。この金属膜６６は例えばクロム（Ｃｒ）の下地膜に金（Ａｕ）を積層したものが用いられる。  
続いてこのような金属膜６６の上にフォトレジストをスプレー法で塗布する（図８（ｐ））。そしてフォトリソグラフィーによって水晶片６５の振動腕部２に相当する部分では電極パターンとなるレジスト膜６７以外のレジスト膜６７を剥離すると共に、水晶片６５の基部１に相当する部分では基部１の溝部５に対応する部位に形成されるレジスト膜６７以外のレジスト膜６７を剥離する（図８（ｑ））。次に、レジスト膜６７が剥離された箇所の金属膜６６をエッチングして振動腕部２の主面から側面に亘って金属膜６６（励振電極４１，５１）を形成すると共に、基部１内に金属膜６６（引き出し電極４２，５２）を形成する（図８（ｒ））。なお、溝部３１，３２内の電極は、振動腕部２ａ，２ｂの表面よりも下に埋め込まれている。その後、原型６に残っているレジスト膜６７を全て剥離する（図８（ｓ））。  
しかる後、振動腕部２における先端部において、当該先端部に形成されている金属膜６６の表面をレーザー等で削って、その重さを調整することで発振周波数の調整を行う。そして電極パターンが形成された原型６から、図１及び図２に示す水晶振動子が切り出されることになる。
【００２４】
そして上述した水晶振動子は、例えば図１０に示すように、ＳＭＤ（Surface Mounted Device）構造のセラミックスからなるパッケージ７に格納される。このパッケージ７は、上面が開口している例えばセラミック製のケース体７ａと、例えば金属製の蓋体７ｂとから構成される。前記ケース体７ａと蓋体７ｂとは、例えば溶接材からなるシール材７ｃを介してシーム溶接され、その内部は真空状態となっている。上述した音叉型の水晶振動子７０は、このパッケージ７内の台座７１部分に基部１の溝部５内に形成された引き出し電極４２，５２が導電性接着剤７ｄに固定され、振動腕部２ａ，２ｂがパッケージ７内部の空間に伸び出した横向きの姿勢で台座７１に固定される。また前記台座７１の表面には、導電路７２，７３（７３は紙面奥側の導電路である）が配線されており、基部１の溝部５内に形成された引き出し電極４２，５２が導電性接着剤７ｄを介して前記導電路７２，７３に接続される。また前記導電路７２，７３は、ケース体７ａの外部底面の長手方向に対向するように設けられた電極７４，７５に夫々接続されており、この結果、電極７４，７５、導電路７２，７３及び導電性接着剤７ｄを通って基部１の溝部５内に形成された引き出し電極４２，５２に電圧が印加されることで、前記水晶振動子７０が振動するようになっている。こうして電子部品が構成され、この電子部品は、発振回路の回路部品が搭載されている図示しない配線基板に搭載される。
【００２５】
上述した実施の形態によれば、基部１の表面に溝部５を形成し、この溝部５内に引き出し電極４２，５２を形成しているため、図４に示すように互いに隣接する電極間４２，５２の沿面距離ｒが長くなる。この沿面距離ｒが長くなると破壊耐圧（Break Down Voltage）が大きくなる。また引き出し電極４２，５２が基部１の表面より低いと引き出し電極４２から基部１上部の雰囲気を介して発生する放電を抑えることができる。また基部１の表面に不純物（付着物）が付着していても、引き出し電極４２，５２は基部１の表面に埋設されているため、引き出し電極４２，５２と不純物との距離が長くなり不純物を介して電荷が移動するおそれがない。その結果、静電破壊に対する耐圧（ＥＳＤ耐圧）が向上する。本発明者は、従来の水晶振動子のＥＳＤ耐圧に比べて１．５倍以上となることを実験で確認している。  
また、上述の実施の形態によれば、振動腕部２ａ，２ｂに溝部３１，３２を形成した後、基部１に溝部５を形成しているので、水晶振動子の機械的強度を保つことができる。
【００２６】
続いて本発明の他の実施の形態について説明する。この実施の形態は、図１に示す水晶振動子において、図１１に示すように振動腕部２の主面から側面に亘って絶縁膜９が形成されると共に、基部１の溝部５内に形成された引き出し電極４２，５２の部位に開口部９１を有し、この開口部９１以外の基部１の表面全体に絶縁膜９が形成される他は、上述した水晶振動子と全く同じ構成にある。この絶縁膜９に形成された開口部９１は、図１０に示す電子部品において、引き出し電極４２，５２と導電部材例えば導電性接着剤７ｄとを電気的に接続するために形成されたものであり、この開口部９１の大きさは引き出し電極４２，５２と導電性接着剤７ｄとが電気的に充分に接続できる程度の大きさであればよい。つまり導電性接着材７ｄと接続される引き出し電極４２，５２以外の引き出し電極４２，５２は絶縁膜９で覆われることになる。またこの絶縁膜９としては例えば窒化シリコン膜（ＳｉＮ4）が用いられる。なお、図１２に図１１のＤ−Ｄ線に沿った断面部分を示すと共に、図１３に図１１のＥ−Ｅ線に沿った断面部分を示す。
【００２７】
またこの絶縁膜９は、図８（ｓ）に示す工程の後に水晶ウエハ６０の表面に形成される。つまり、振動腕部２に励振電極４１，５１を形成すると共に、基部１の溝部５内に引き出し電極４２，５２を形成した後、振動腕部２の先端部分と引き出し電極４２，５２の所定の部位とを覆うマスクを水晶ウエハ６０の上方側に位置させ、このマスクを介して水晶ウエハ６０の表面に絶縁膜９を例えばスッパタ法やＣＶＤ法等で形成する。この絶縁膜９の厚さは０．５μｍ以上必要である。
【００２８】
このように振動腕部２に形成されている励振電極４１，５１及び基部１の溝部５内に形成されている引き出し電極４２，５２を絶縁膜９で覆うことで、水晶振動子のＥＳＤ耐圧をより一層向上させることができる。特に、基部１の溝部５内に形成されている引き出し電極４２，５２を絶縁膜９で覆うことで、引き出し電極４２から引き出し電極５２に基部１上部の雰囲気を介して発生する放電を抑えることができる。
【００２９】
また上述した水晶振動子において、振動腕部２ａ，２ｂの両側面に溝部を形成し、この溝部内に励振電極４１，５１を形成してもよい。このように引き出し電極４２，５２を基部１表面に埋め込むと共に、励振電極４１，５１を振動腕部２ａ，２ｂ表面に埋め込むことで、水晶振動子のＥＳＤ耐圧がより一層向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態に係る音叉型水晶振動子を示す概略正面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る音叉型水晶振動子を示す概略斜視図である。
【図３】前記音叉型水晶振動子の基部に形成されている溝部箇所の断面図である。
【図４】前記音叉型水晶振動子の基部に形成された電極間の沿面距離を示す概略拡大断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る音叉型水晶振動子の製造方法を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る音叉型水晶振動子の製造方法を示す概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る音叉型水晶振動子の製造方法を示す概略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る音叉型水晶振動子の製造方法を示す概略断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る音叉型水晶振動子の製造工程において製造される水晶振動子の原型の一例を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る音叉型水晶振動子を格納した電子部品の一例を示す概略縦断面図及び裏面図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る音叉型水晶振動子の他の例を示す概略正面図である。
【図１２】前記音叉型水晶振動子の振動腕部に形成されている溝部箇所の断面図である。
【図１３】前記音叉型水晶振動子の基部に形成されている溝部箇所の断面図である。
【図１４】従来の音叉型水晶振動子を示す概略断面図である。
【図１５】前記音叉型水晶振動子の基部箇所の断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１    基部
２ａ，２ｂ  振動腕部
５    溝部
７    パッケージ
９    絶縁膜
３１，３２  溝部
４０，５０  調整用錘
４１，５１  励振電極
４２，５２  引き出し電極
６０  水晶ウエハ
６１，６６  金属膜
６２，６３，６７  レジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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