(57)【要約】【課題】コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を容易に得ることが可能な製造方法と、それにより得られる配線基板を提供する。【解決手段】製造時における補強のための支持基板２０上に形成された下地誘電体層２１の主表面上に、２つの金属箔５ａ、５ｂが密着してなる金属箔密着体５と、かつ該金属箔密着体５の周囲領域２１ｃにて下地誘電体層２１と密着して該金属箔密着体５を封止する第一誘電体シート１１と、第一導体層３１と、第一誘電体シート１１に貫通形成された第一ビア導体４１と、を有する積層シート体１０を形成するとともに、積層シート体１０のうち、金属箔密着体５上の領域を配線基板となるべき配線積層部１００として、その周囲部を除去し、配線積層部１００を片方の金属箔５ｂが付着した状態で、２つの金属箔５ａ、５ｂの界面にて剥離する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を製造するために、製造時における補強のための支持基板上に形成された下地誘電体シートの主表面上に、該主表面に包含されるよう配された、分離可能な２つの金属箔が密着してなる金属箔密着体と、該金属箔密着体を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体の周囲領域にて前記下地誘電体シートと密着して該金属箔密着体を封止する第一誘電体シートと、該第一誘電体シート上に形成された第一導体層と、該第一導体層と前記金属箔密着体とを接続する前記第一誘電体シートに貫通形成された第一ビア導体と、を有する積層シート体を形成するとともに、前記積層シート体のうち、前記金属箔密着体上の領域を前記配線基板となるべき配線積層部として、その周囲部を除去し、該配線積層部の端面を露出させた後、前記配線積層部を前記支持基板から、片方の金属箔が付着した状態で、前記金属箔密着体における２つの金属箔の界面にて剥離することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第一誘電体シートは、前記支持基板側の下部第一誘電体シートと、その上に形成された上部第一誘電体シートとにてなるものであり、前記下部第一誘電体シートの所定の位置に開口を貫通形成し、該開口の壁部および底部を含む領域を覆うように被膜導体部を形成し、該被膜導体部が封止されるように前記上部第一誘電体シートを前記下部第一誘電体シート上に形成し、前記開口の底部をなす部位と接続するように前記上部第一誘電体シートに前記第一ビア導体を貫通形成するとともに、前記配線積層部を前記支持基板から剥離し、該配線積層部の前記第一誘電体シートが構成する主表面に付着した前記金属箔を除去したのちには、当該主表面に露出した前記被膜導体部を金属端子パッドとすることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第一導体層の形成は、前記上部第一誘電体シートにおいて、前記開口及びその近傍を除く領域をマスク材により被膜し、メッキ処理により前記被膜導体部を選択的に形成することを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記積層シート体において前記配線積層部の周囲部を除去する際、該周囲部とともに、前記支持基板及び前記下地誘電体シートの該周囲部下にあたる領域も除去することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線積層部を前記支持基板から剥離した後に、該配線積層部の前記第一誘電体シートが構成する主表面に付着した前記金属箔を除去し、前記第一ビア導体と接続された金属端子を前記主表面に形成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線積層部を前記支持基板から剥離した後に、該配線積層部の前記第一誘電体シートが形成された主表面に付着した前記金属箔を選択的に除去し、前記第一ビア導体と接続され、かつ残存した前記金属箔を一部とした金属端子を形成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記金属箔密着体及び前記第一誘電体シートは、半硬化状態の前記下地誘電体シート上に配されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層され、第一主表面をなす第一誘電体層に貫通形成されたビア孔内に、該第一誘電体層直下の第一導体層と接続されたビア導体が形成されてなるとともに、該ビア導体は、前記第一主表面側の端面が前記ビア孔内に位置してなり、当該端面には、金属端子が接続されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
前記ビア導体の前記端面の、前記第一主表面からの深さ位置をＤ、前記ビア孔の最大径をＷとしたとき、比Ｄ／Ｗが０超過０．５以下であることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層され、第一主表面に、金属箔にて構成される金属端子が形成されてなることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板を有さない配線基板、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器における高機能化並びに軽薄短小化の要求により、ＩＣチップやＬＳＩ等の電子部品では高密度集積化が急速に進んでおり、これに伴い、電子部品を搭載するパッケージ基板には、従来にも増して高密度配線化及び多端子化が求められている。
【０００３】
このようなパッケージ基板としては、現状において、ビルドアップ多層配線基板が採用されている。ビルドアップ多層配線基板とは、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁性のコア基板（ＦＲ−４等のガラスエポキシ基板）のリジッド性を利用し、その両主表面上に、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に配されたビルドアップ層を形成したものである。このようなビルドアップ多層配線基板では、ビルドアップ層において高密度配線化が実現されており、一方、コア基板は補強の役割を果たす。そのため、コア基板は、ビルドアップ層と比べて非常に厚く構成され、またその内部にはそれぞれの主表面に配されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（例えば、スルーホール導体と呼ばれる）が厚さ方向に貫通形成されている。ところが、使用する信号周波数が１ＧＨｚを超える高周波帯域となってきた現在では、そのような厚いコア基板を貫通する配線は、大きなインダクタンスとして寄与してしまうという問題があった。
【０００４】
そこで、そのような問題を解決するため、特許文献１に示されるような、コア基板を有さず、高密度配線化が可能なビルドアップ層を主体とした配線基板が提案されている。このような配線基板では、コア基板が省略されているため、全体の配線長が短く構成され、高周波用途に供するのに好適である。このような配線基板を製造するためには、段落００１２〜００２９及び図１〜４に記載されているように、金属板上にビルドアップ層を形成した後、該金属板をエッチングすることにより薄膜のビルドアップ層のみを得る。そして、このビルドアップ層が配線基板とされる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２６１７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載された製造方法の場合、ビルドアップ層が形成される金属板は、製造時における補強の役割を担うことが可能な程度の厚さ（例えば、銅板にして０．８ｍｍ程度）に設定されるが、ビルドアップ層を形成後にそれを全てエッチングすることは、時間が掛かり過ぎる（例えば、銅板０．８ｍｍに対して３０分程度）など工程上の無駄が多いという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明では、コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を容易に得ることが可能な製造方法と、それにより得られる信頼性の高い配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の配線基板の製造方法では、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を製造するために、製造時における補強のための支持基板上に形成された下地誘電体シートの主表面上に、該主表面に包含されるよう配された、分離可能な２つの金属箔が密着してなる金属箔密着体と、該金属箔密着体を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体の周囲領域にて下地誘電体シートと密着して該金属箔密着体を封止する第一誘電体シートと、該第一誘電体シート上に形成された第一導体層と、該第一導体層と金属箔密着体とを接続する第一誘電体シートに貫通形成された第一ビア導体と、を有する積層シート体を形成するとともに、積層シート体のうち、金属箔密着体上の領域を配線基板となるべき配線積層部として、その周囲部を除去し、該配線積層部の端面を露出させた後、配線積層部を支持基板から、片方の金属箔が付着した状態で、金属箔密着体における２つの金属箔の界面にて剥離することを特徴とする。
【０００９】
上記本発明によると、本発明の配線基板の製造方法は、図１を参照して簡略に説明すると、（ａ）支持基板２０（特許文献１における金属板に該当する）上に形成された下地誘電体シート２１上に、配線基板となるべき配線積層部１００（図２参照）を含有する積層シート体１０を形成し、（ｂ）積層シート体１０のうち配線積層部１００の周囲部（図中の破線部）を除去することにより、配線積層部１００の端面１０３を露出させて、（ｃ）配線積層部１００を支持基板２０（及び下地誘電体シート２１）から剥離する。このように、配線積層部と支持基板との分離を剥離により行うことで、容易に配線基板を得ることが可能となっている。また、配線積層部と支持基板との分離をエッチングにより行わないため、支持基板の両主表面に積層シート体を形成することもでき、ひいては配線基板の量産が可能となる。
【００１０】
以下、図１のそれぞれの工程に関して詳細な説明を行う。図１（ａ）では、支持基板２０上に形成された下地誘電体シート２１上に、配線基板となるべき配線積層部１００（図２参照：詳細は後述）を含有する積層シート体１０が形成されている。積層シート体１０では、下地誘電体シート２１の主表面に包含されるように、分離可能な２つの金属箔５ａ、５ｂが密着してなる金属箔密着体５が配され、該金属箔密着体５を包むように第一誘電体シート１１が配されている。なお、積層シート体１０は、この他に、第一誘電体シート１１上に形成された第一導体層３１と、該第一導体層３１と金属箔密着体５とを接続する第一誘電体シート１１に貫通形成された第一ビア導体４１と、も有するが、これらに関しては後述する。そして、該金属箔密着体５を包むよう形成された第一誘電体シート１１は、金属箔密着体５（上側金属箔５ｂ）に密着するとともに、金属箔密着体５の周囲領域２１ｃにて下地誘電体シート２１と密着しており、これによって、金属箔密着体５は第一誘電体シート１１に封止された状態とされている。
【００１１】
このように金属箔密着体５が第一誘電体シート１１に封止されていることにより、金属箔密着体５（下側金属箔５ａ）と下地誘電体シート２１との界面に膨れや剥れが生じることなく、積層シート体１０を形成することができる。そしてその後、図１（ｂ）において、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃが除去されるので、図１（ｃ）において、金属箔密着体５の界面で配線積層部１００の剥離を容易に行うことが可能となる。つまり、このように構成することにより、密着性が要求される積層シート体の形成（図１（ａ））と、剥離容易性が要求される配線積層部の剥離（図１（ｃ））とを、どちらも良好に行うことが可能となる。
【００１２】
なお、図２に示すように、積層シート体１０のうち、金属箔密着体５上の領域は、配線積層部１００とされている。配線積層部１００は、図１（ｃ）の剥離により上側金属箔５ｂが付着した状態で得られ、その後配線基板となるべきものである。すなわち、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された構造を有する（詳細な構造については後述する）。
【００１３】
また、積層シート体１０の形態は、配線積層部１００（金属箔密着体５上の領域）を有していればよく、図１（ａ）の形態に限定されない。例えば、図３（ａ）のように、金属箔密着体５上に誘電体シート１１１、１１２が配され、それらをまとめて第一誘電体シート１１が封止する形態であってもよい。なお、この場合、最下層の誘電体シート１１に形成され、金属箔密着体５に接続されるビア導体を第一ビア導体４１とし、第一誘電体シート１１上に形成された導体層を第一導体層３１として、その間には導体層及びビア導体が配される。また、図３（ｂ）のように、第一誘電体シート１１上に形成される他の誘電体シートが、配線積層部１００となる部分のみにより構成されていてもよい。
【００１４】
次に、図１（ｂ）では、積層シート体１０のうち、配線積層部１００の周囲部（図中の破線部）を除去し、該配線積層部１００の端面１０３を露出させる。つまり、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃが取り除かれ、金属箔密着体５の端面が露出することになる。これにより、図１（ｃ）のように、配線積層部１００を支持基板２０から、金属箔密着体５の界面（すなわち、下側金属箔５ａと上側金属箔５ｂとの界面）にて容易に剥離することができる。なお、積層シート体１０において配線積層部１００の周囲部（図中の破線部）を除去する際、該周囲部とともに、支持基板２０及び下地誘電体シート２１の該周囲部下にあたる領域も除去するようにすれば、配線積層部１００の端面１０３の露出が容易に行うことができる。
【００１５】
また、図１（ｂ）では配線積層部１００の周囲部を除去する際に、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃを取り除き、金属箔密着体５の端部を露出させることで配線積層部１００の剥離が可能となるが、金属箔密着体５の端部をより確実に露出させるため、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線積層部１００を、金属箔密着体５のうち外縁端付近を除いた部分及び該部分上の領域によって構成し、その周囲領域を除去、すなわち金属箔密着体５の外縁端付近も除去するようにすることができる。
【００１６】
次に、積層シート体１０は、その他、第一誘電体シート１１上に形成された第一導体層３１と、該第一導体層３１と金属箔密着体５とを接続する第一誘電体シート１１に貫通形成された第一ビア導体４１と、を有する。そのため、図１（ｃ）に示す金属箔５ｂが付着した配線積層体１００は、例えば図１０に示すように、金属端子８を形成するために金属箔５ｂを除去すると、その面に第一導体層３１と接続された第一ビア導体４１を有する開口１１ａが現れ、そこに金属端子８を直接形成することができる。これにより、剥離後の薄く軟らかい配線積層部１００に対して、第一誘電体シート１１´の穿孔したり、その孔を導体（例えば、予備ハンダ）で充填する等の作業を行うことなく金属端子８を形成することが可能となる。
【００１７】
また、図１（ｃ）に示す金属箔５ｂが付着した配線積層体１００は、該金属箔５ｂが第一ビア導体４１を介して第一導体層３１と接続されているので、例えば図１５に示すように、該金属箔５ｂを一部とした金属端子８を形成することもできる。
【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、第一誘電体シートは、支持基板側の下部第一誘電体シートと、その上に形成された上部第一誘電体シートとにてなるものであり、下部第一誘電体シートの所定の位置に開口を貫通形成し、該開口の壁部および底部を含む領域を覆うように被膜導体部を形成し、該被膜導体部が封止されるように上部第一誘電体シートを下部第一誘電体シート上に形成し、前記開口の底部をなす部位と接続するように上部第一誘電体シートに第一ビア導体を貫通形成するとともに、配線積層部を支持基板から剥離し、該配線積層部の第一誘電体シートが構成する主表面に付着した金属箔を除去したのちには、当該主表面に露出した前記被膜導体部を金属端子パッドとすることを特徴とするものであってもよい。
【００１９】
これにより、形成された配線基板の金属端子となるパッド導体は、密着する誘電体シートとの密着面積が広く形成される。これにより、パッド導体と誘電体シートとの界面を起点に生じる誘電体シート内のクラック等を効果的に防止することができる。強度支持部分であるコア基板を有さない薄い配線基板においては、それらの防止効果を有するパッド構造は有効である。また、本発明の配線基板の製造方法では、前記第一導体層の形成は、前記上部第一誘電体シートにおいて、前記開口及びその近傍を除く領域をマスク材により被膜し、メッキ処理により前記被膜導体部を選択的に形成することを特徴とするものであってもよい。上記被膜導体部として形成されるパッド構造は、複雑な立体構造をなすが、所定パターンのマスク材を被覆した上で、電解メッキ処理を行うことによって、本パッド構造を容易に形成することが可能となる。
【００２０】
また、本発明の配線基板の製造方法は、金属箔密着体をなす２つの金属箔のうち、主表面が配線積層部の第一誘電体シートに付着する金属箔が、第一ビア導体または被膜導体部とは異なる金属材料からなることを特徴とするものであってもよい。これにより、配線積層部を支持基板から剥離した後、該配線積層部の第一誘電体シート側の主表面に付着した金属箔を除去するときに、露出する導体部（例えば、被膜導体部、ビア導体など）の端面に対して、金属箔を選択的に除去することができるため、表れる露出面（導体部と第一誘電体層からなる面）を平坦とすることができる。これらは、例えばウェットエッチングによる選択エッチングにより行うことができる。
【００２１】
また、本発明の配線基板は、ビア導体の端面が、第一誘電体層の第一主表面と同一平面をなすことを特徴とするものであってもよい。上記のように、金属箔に導体層とは異なる金属材料を用いる場合、金属箔を除去した際に現れる導体部と第一誘電体層とからなる露出面を、平坦に形成することができる。また、オーバーエッチングによる導体部表面の粗れを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。図５は、本発明の配線基板の製造方法により得られる配線基板１の断面構造の概略を表す図である。配線基板１は、高分子材料からなる誘電体層（Ｂ１〜Ｂ３、ＳＲ）と導体層（Ｍ１、Ｍ２、ＰＤ）とが交互に積層された構造を有する。その第一主表面ＭＰ１は電子部品を搭載するための搭載面とされ、主表面をなす第一誘電体層Ｂ１には、電子部品と接続するための、周知のハンダで構成された突起状の金属端子（ハンダバンプ）ＦＢが形成されている。また、第二主表面ＭＰ２は、外部基板へ接続するための接続面とされ、主表面をなす誘電体層（ソルダーレジスト層）ＳＲには開口が形成されており、該開口内には外部基板への接続を担うハンダボール（後述）を設置するための金属端子（金属パッド）ＰＤが露出している。
【００２３】
また、金属層Ｍ１、Ｍ２において配線ＣＬが形成されており、誘電体層Ｂ１〜Ｂ３内には該配線ＣＬに接続されるビア導体ＶＡが埋設形成されている。そして、配線ＣＬ及びビア導体ＶＡにより、電気導通路（例えばハンダバンプＦＢから金属パッドＰＤへの）が形成される。なお、誘電体層Ｂ１〜Ｂ３、ＳＲは、例えばエポキシ樹脂を主成分とする材料にて構成することができ、また配線ＣＬ、ビア導体ＶＡ及び金属パッドＰＤは、例えば銅を主成分とする材料にて構成することができる。また、金属パッドＰＤは、その表面に例えばＮｉ−Ａｕメッキによる表面メッキを施すことができる。
【００２４】
以上のような配線基板１は、図６に示すように、第二主表面ＭＰ２の金属パッドＰＤに外部基板への接続を担うハンダボールＳＢが設置され、一方、第一主表面ＭＰ１には、補強枠（スティフナー）ＳＴが設置されるとともに、電子部品ＩＣがハンダバンプＦＢにフリップチップ接続され、また電子部品ＩＣ下の隙間がアンダーフィル材ＵＦにて充填されることで、半導体装置３００となる。
【００２５】
図１２は、本発明の配線基板の製造方法により得られる配線基板１の第二実施形態の断面構造の概略を表す図である。なお、ここでは、上記第一実施形態の配線基板１と異なる点についてのみ説明し、同じ点については図中に同符号を付することで説明を省略する。第二実施形態では、電子部品を搭載するための搭載面とされる第一主表面ＭＰ１上に、金属箔ＣＦにて構成される金属端子ＴＢが形成されている。金属端子ＴＢは、裏面にビア導体ＶＡが接続された金属箔ＣＦと、該金属箔ＣＦの表面に形成されたメッキ層ＮＭとにより構成されている。メッキ層ＮＭは、金属箔ＣＦの表面を保護するものであり、例えばＮｉ−Ａｕメッキ等を用いることができる。また、言い換えると、金属箔ＣＦは、ビア導体ＶＡとメッキ層ＮＭとの間に介在しており、このような構造は、ビア導体上に直接メッキ層が形成された場合と比べて、良好な接続信頼性を有する。
【００２６】
そのような金属端子８は、例えばワイヤボンディング用の端子またはＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用の端子、チップキャパシター搭載用の端子等として形成することができる。そして、図１３に示すように、搭載面となる第一主表面ＭＰ１上に電子部品ＩＣが搭載され、かつ電子部品ＩＣと金属端子８とがボンディングワイヤＹＢ等により接続されることで半導体装置３００となる。
【００２７】
以下、本発明の実施形態である配線基板の製造方法の一例を説明する。図７〜図１０は製造工程を表す図である。工程１〜５に示す支持基板２０上に積層シート体１０を形成していく工程は、周知のビルドアップ法等により行うことができる。まず、図７の工程１に示すように、製造時における補強のための支持基板２０上に下地誘電体シート２１を形成する。支持基板２０は、下地誘電体シート２１が密着するものであれば特には限定されないが、例えばＦＲ−４等のガラスエポキシ基板（上述のようにコア基板に用いられる材料である）にて構成することができる。また、下地誘電体シート２１も、特には限定されないが、例えば後述する第一誘電体シート１１と同材料、すなわちエポキシを主成分とする材料にて構成することができる。
【００２８】
次に、工程２に示すように、下地誘電体シート２１の主表面上に、該主表面に包含されるよう配され、分離可能な２つの金属箔５ａ、５ｂが密着してなる金属箔密着体５を配す。なお、金属箔密着体５は、半硬化状態の下地誘電体シート２１上に配すようにすることができる。これにより、以降の工程で金属箔密着体５（下側金属箔５ａ）が下地誘電体シート２１から剥れない程度の密着性が得られやすくなる。また、金属箔密着体５は、例えば２つの銅箔を金属メッキ（例えばＣｒ）を介して密着させたものを用いることができる。
【００２９】
次に、工程３に示すように、金属箔密着体５を包むように第一誘電体シート１１を形成する。そして、第一誘電体シート１１は、金属箔密着体５（上側金属箔５ｂ）とともに、金属箔密着体５の周囲領域にて下地誘電体シート２１と密着して、金属箔密着体５を封止する。なお、誘電体シートの形成は、例えば周知の真空ラミネーション法を用いることができる。
【００３０】
次に、図８の工程４に示すように、第一誘電体シート１１上に第一導体層３１をパターン形成し、また第一誘電体シート１１には該第一導体層３１と金属箔密着体５とを接続する第一ビア導体４１を形成する。なお、導体層の形成は、例えば周知のセミアディティブ法により形成することができる。また、ビア導体は、例えば周知のフォトビアプロセスによりビア孔を形成し、該ビア孔を、上記セミアディティブ法における無電解メッキによって充填することにより得ることができる。ただし、第一導体層３１および第一部ビア導体４１は必ずしも本工程４において形成されなくてもよい。工程４にて第一導体層３１および第一ビア導体４１を形成しない場合は、後述する工程８において配線積層部１００を支持基板２０から剥離した後、その際に該配線積層部１００に付着して残る金属箔５ｂ側から、第一誘電体シート１１であった第一誘電体層１１´に第一ビア導体４１を形成することができる。なお、この場合、配線基板には第一導体層３１が形成されず、第一ビア導体４１の端面が露出して表れる。
【００３１】
次に、第一誘電体シート１１（及び第一導体層３１）上に第二誘電体シート１２を形成し、該第二誘電体シート１２内にビア導体４２を形成するとともに、該第二誘電体シート１２上に第二導体層３２を形成する。そして、同様の工程を繰り返して、誘電体シート１３、１４、ビア導体４３、導体層３３を形成していき、工程５に示すような積層シート体１０を形成する。なお、本実施形態では、積層シート体１０は、金属箔密着体５及び４層の誘電体シート１１〜１４にて構成されているが、誘電体シートの層数はこれに限られることはない。以上により、下地誘電体シート２１の主表面上に、該主表面に包含されるよう配された金属箔密着体５と、該金属箔密着体５を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体５の周囲領域にて下地誘電体シート２１と密着して該金属箔密着体５を封止する第一誘電体シート１１と、を有する積層シート体１０が形成される。
【００３２】
なお、誘電体シート１１〜１４は、エポキシを主成分とする材料にて構成することができる。また、導体層３１〜３３とビア導体４１〜４３は銅を主成分として構成することができる。
【００３３】
本実施形態では、積層シート体１０の上側の露出した主表面が、図５及び図１２に示す配線基板１の第二主表面ＭＰ２となるように形成されている。したがって、積層シート体１０の上側主表面をなす誘電体シート１４は、図５の配線基板１のソルダーレジスト層ＳＲに該当し、またその開口１４ａ内に露出する導体層３３は、図５及び図１２の配線基板１の金属パッドＰＤに該当する。なお、これとは反対に上側主表面を、図５に示す配線基板１の第一主表面ＭＰ１とすることもできる。その場合は、上側主表面をなす誘電体シート１４に、図５に示すハンダバンプＦＢを形成する。
【００３４】
次に、積層シート体１０は、金属箔密着体５上の領域が、配線基板１（図５参照）となるべき配線積層部１００となるよう形成されている。そこで、工程６に示すように、配線積層部１００の周囲領域を除去し、端面１０３を露出させる（図９の工程７）。その際、配線積層部１００と周囲部との境界において、その下の下地誘電体シート２１及び支持基板２０ごと、例えばブレード刃等により切断する。このようにして、配線積層部１００の周囲領域とともに、支持基板２０及び下地誘電体シート２１のうちの該周囲部下にあたる領域も除去するようにすると、端面１０３の露出が容易である。
【００３５】
次に、工程８に示すように、配線積層部１００を支持基板２０から、片方の金属箔（上側金属箔５ｂ）が付着した状態で、金属箔密着体５における２つの金属箔５ａ、５ｂの界面にて剥離する。
【００３６】
そして、配線積層部１００を支持基板２０から剥離した後に、図１０に示すように、該配線積層部１００の第一誘電体シート１１が構成する主表面に付着した金属箔５ｂを除去し（工程９）、第一ビア導体４と接続された金属端子５（図５の配線基板１ではハンダバンプＦＢ）を形成する（工程１０）。これにより、図５に示す配線基板１が得られる。
【００３７】
工程９において、金属箔５ｂの除去は、例えばエッチングにより行うことができる。金属箔５ｂが除去された第一誘電体シート１´の主表面には、内部に第一ビア導体４１が露出したビア孔１１ａが現れる。第一ビア導体４１は、金属箔５ｂのエッチングにより多少エッチングされるので、その端面がビア孔内（例えば、開口１１ａの近傍）に位置することになる。つまり、完成した配線基板は、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層１１´〜１４´と導体層３１〜３３とが交互に積層され、第一主表面をなす第一誘電体層１１´に貫通形成されたビア孔１１ａ内に、該第一誘電体層１１´直下の第一導体層３１´と接続されたビア導体４１が形成されてなるとともに、該ビア導体４１は、第一主表面側の端面がビア孔１１ａ内に位置してなり、当該端面には、金属端子８が接続された構成となる。このように、ビア導体４１の端面がビア孔１１ａ内に位置すれば、例えばハンダからなる金属端子（ハンダバンプ）８の形成が容易となるうえ、接続信頼性も確保できる。
【００３８】
なお、図１４に示すように、ビア導体４１の端面の、第一主表面からの深さ位置をＤ、ビア孔の最大径をＷとしたとき、比Ｄ／Ｗが０超過０．５以下となるよう設定することが好ましい。比Ｄ／Ｗが０．５を超えると、ビア導体４１と、接続される金属端子８との間にボイドが発生し、接続信頼性が多少低下する場合がある。
【００３９】
一方、図１５の工程９´及び１０´に示すように、金属箔５ｂの一部５ｂ´を利用した金属端子８を形成することもできる。すなわち、配線積層部１００を支持基板２０から剥離した後に、該配線積層部１００の第一誘電体シート１１が形成された主表面に付着した金属箔５ｂを選択的に除去し（工程９´）、第一ビア導体４１と接続され、かつ残存した金属箔５ｂ´を一部とした金属端子８を形成する（工程１０´）。つまり、完成した配線基板では、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層１１´〜１４´と導体層３１〜３とが交互に積層され、第一主表面に、金属箔５ｂ´にて構成される金属端子８が形成された構成となる。
【００４０】
なお、以上の製造工程では、図１１に示すように、積層シート体１０に含まれる配線積層部１００は、一つの配線基板に対応する個体１００´が複数連結されたもの、つまり、配線基板１の多数個取りワーク基板として構成することができる。
【００４１】
また、上記実施形態の工程２（図７）にて形成される金属箔密着体５のうち、導体層側をなす金属箔５ｂが、該金属箔５ｂに接続されるビア導体４１と、異なる金属材料で構成することもできる。上記実施形態では導体層３１〜３３とビア導体４１〜４３とは銅を主成分として構成され、金属箔密着体５は２つの銅箔５ａ，５ｂを密着させたものを用いることが例示されているが、このときの金属箔密着体５の金属箔５ｂを、第一ビア導体４１に対して選択エッチング性を有する金属材料を用いるとしてもよい。例えば、第一ビア導体がＣｕを主成分として構成し、主表面に前記配線積層部１００側の第一誘電体シート１１が付着した前記金属箔５ｂが、Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｎのうち少なくとも１種以上からなる金属材料とすることができる。工程８（図８）において、支持基板２０側の剥離後、配線積層部１００には金属箔５ｂが付着して残るが、この金属箔５ｂはエッチングによって除去される。このとき、金属箔５ｂが上記金属材料にて構成されていれば、銅に対して選択的にエッチングすることが可能となる。したがって、第一ビア導体４１はエッチングされずにそのままの状態を保ちつつ、その端面が露出するため、このとき露出する配線基板の主表面は、第一ビア導体４１の露出面と第一誘電体層１１´の主表面とが同一平面をなし、極めてフラットな平面を形成できる。
【００４２】
また、本発明は、上記配線基板およびその製造方法に限定されるものではなく、請求項の記載に基づく技術的範囲を逸脱しない限り、種々の変形ないし改良を付加することができる。そこで、上記実施形態を第一実施形態（図５〜図１０）と第二実施形態（図１２、図１５）とした上で、本発明に係わる他の実施形態の代表的なものを以下に説明する。
【００４３】
上記第一実施形態の配線基板の製造方法においては、図７〜図１０に示されているように、電子部品搭載面側を支持基板２０側とし、その搭載面を金属箔密着体５と密着するように積層形成されているが、電子部品搭載面の逆側の主表面を支持基板２０側となるように積層する製造方法であってもよい。この場合、例えば図１６のような配線基板１ａを形成することが可能となる。図１６では、上記第一実施形態（図７〜図１０）の導体層１４のような広面積の導体部ＰＤ１（他の基板やマザーボード等と接続される金属端子部である）が、第一導体層Ｍ１として第一誘電体層Ｂ１に形成され、上記実施形態（図７〜図１０）の第一ビア導体４１（電子部品搭載面側のビア導体）に対応するビア導体ＶＡが、第三誘電体層Ｂ３に形成されている。また、図１６では、第三誘電体層Ｂ３に形成されるビア導体ＶＡ上には導体部ＰＤ２が形成され、該第三誘電体層上の誘電体層（ソルダーレジスト層）ＳＲの開口から露出し、その露出部にはメッキ層を介してハンダバンプＦＢが形成されている。
【００４４】
このときの図１６に示す配線基板１ａの製造方法を、図１７〜図１９にて主要な製造工程を示しつつ、説明する。図１７に示す工程１ａ，２ａは、上記第一実施形態の工程１,２（図７）と同様である。工程３ａでは、金属箔密着体５上に第一導体層３１をパターン形成した上で、第一誘電体シート１１を金属箔密着体５と第一導体層３１とが封止されるようにラミネートする。図１８の工程４ａでは、周知のビルドアップ法に基づき配線積層部１００ａ（図１９）を含む積層シート体１０ａを形成し、工程５ａでは上記第一実施形態の工程７（図９）のように、配線積層部１００ａの端面が露出するように切断する。図１９の工程６ａでは、上記実施形態の工程８（図９）と同様に、配線積層部１００ａを支持基板２０から、片方の金属箔（上側金属箔５ｂ）が付着した状態で、金属箔密着体５における２つの金属箔５ａ、５ｂの界面にて剥離する。そして、工程７ａが示すように、配線積層部１００ａの第一誘電体シート１１が構成する主表面に付着した金属箔５ｂを除去し、第三ビア導体４３と接続された第四導体層３４の導体部に金属端子８（図１６の配線基板１ａではハンダバンプＦＢ）を形成する。これにより、図１６に示す配線基板１ａが得られる。なお、ここで述べた配線基板の製造方法および該製造方法によって形成されうる配線基板を、本発明の第三実施形態とする。
【００４５】
本発明の配線基板の金属端子は、図２０に示すような導体部ＰＤ１のような、上記第一、第二、および第三実施形態とは異なる導体構造であってもよく、以下、図２０に示す実施形態について説明する。この場合、第一誘電体層Ｂ１となるべき第一誘電体シート１１は、下地誘電体層側をなす下部第一誘電体シート１１ａ（後、下部第一誘電体層Ｂ１ａとなる）と配線積層部側をなす上第一誘電体シート１１ｂ（後、上部第一誘電体層Ｂ１ｂとなる）とからなる。以下、図２０に示す配線基板１ｂの製造方法を、図２１〜図２４にて主要な製造工程を示しつつ、簡単に説明する。
【００４６】
図２１に示すに示す工程１ｂ，２ｂ，３ｂは、上記第一実施形態の工程１,２，３（図７）と同様である。ただし、工程３ｂにて形成される誘電体シートは第一誘電体シート１１となるべき下部第一誘電体シート１１ａである。図２２の工程４ｂでは、下部第一誘電体シート１１ａに開口を形成して、パターニングされた下部第一誘電体シート１１ａと開口とからなる最表層の露出面全面を覆うように、無電解メッキ処理を行う。さらにその無電解メッキ層３１ｂ上にメッキレジスト６を形成し、これをパターニング処理する。次いで工程５ｂでは、パターニングされたメッキレジスト６をマスクとして電解メッキ処理を行った後、メッキレジスト６を除去し、次いで電解メッキ層（被膜導体部）をメッキレジスト（図示なし）によりマスクして、マスクされていない領域の無電解メッキ層３１ｂを除去し、メッキレジスト層（図示なし）を除去する。これにより、導体パターン３１ａ（図２０の導体部ＰＤ１）を形成することができる。このように形成された導体パターン３１ａは、下部第一誘電体シート１１ａの開口の壁部の側面側と上面側とを覆うように形成され、この壁部を覆っている壁面導体部は鉤型形状をなしている。工程６ｂでは、この導体パターン３１ａを覆うように上部第一誘電体シート１１ｂをラミネートする。該上部部第一誘電体シート１１ｂには、ビア用開口部を形成する。このビア用開口部は、開口内に形成されるビア導体４１が導体部３１ａの底部の中央と接続するように形成される。これにより、第一誘電体シート１１が、下部第一誘電体シート１１ａと上第一誘電体シート１１ｂとにより形成され、導体部３１ａが、図２０のように下部第一誘電体シート１１ａの開口の底部を覆うパッド本体ＰＤ１ａと壁部を覆う壁面導体部ＰＤ１ｂとにて構成される構造を有する。
【００４７】
工程６ｂ以降は、図２３に示すように、工程７ｂでは、周知のビルドアップ法に基づき配線積層部１００ｂを含む積層シート体１０ｂを形成し、工程８ｂでは上記第一実施形態の工程７（図９）のように、配線積層部１００ｂの端面が露出するように切断する。図２４の工程９ｂでは、上記実施形態の工程８（図９）と同様に、配線積層部１００ｂを支持基板２０から、片方の金属箔（上側金属箔５ｂ）が付着した状態で、金属箔密着体５における２つの金属箔５ａ、５ｂの界面にて剥離する。そして、工程１０ｂが示すように、配線積層部１００ｂの第一誘電体シート１１が構成する主表面に付着した金属箔５ｂを除去し、第三ビア導体４３と接続された第四導体層３４の導体部に金属端子８（図２０の配線基板１ではハンダバンプＦＢ）を形成する。これにより、図２０に示す配線基板１ｂが得られる。この配線基板１ｂは、両主表面が誘電体層にて構成されるよう、導体層と誘電体層とが積層されるとともに、少なくとも一方の主表面をなす前記誘電体層の開口に形成された金属端子パッドを有する配線基板であって、前記金属端子パッドは、前記開口に露出面を有し、かつ該露出面の裏面で前記配線基板内部の前記導体層とビア接続されるパッド本体と、該パッド本体の外縁から前記配線基板の内層方向に、前記開口の壁部に沿って形成される壁面導体部と、にて構成されることを特徴とするものである。なお、ここで述べた配線基板の製造方法およびそれによって形成されうる配線基板を本発明の第四実施形態とする。
【００４８】
本発明に限らず、このような薄い配線基板の製造においては、ビルドアップ層（配線積層部を含む積層シート体）の積層時、支持体（積層時の補強部）時、及びその除去後の工程において発生する外力が、支持体と密着する導体部と、その直上に形成される誘電体層との界面に集中しやすくなる。そのため、そうした界面から、クラック等の欠陥が誘起されやすい。従って、薄いビルドアップ層を有する配線基板の製造方法においては、このようなクラック発生の問題に対して、何らかの対策が必要とされる場合がある。本発明の上記第三実施形態はそうした問題を解決する一つの実施形態を示すものであり、これによれば、第一導体層Ｍ１の導体部と第一誘電体層Ｂ１（第一誘電体シート１１）との接着面積が、図５に示す第一実施形態および図１６に示す第二実施形態よりも大きく確保され、外力の集中を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の配線基板の製造方法の工程を簡略的に示す図。
【図２】積層シート体１０に含まれる配線積層シート体１００を示す図。
【図３】積層シート体１０の変形例を表す図。
【図４】積層シート体１０における配線積層部１００とする領域の変形例。
【図５】本発明の一実施形態である配線基板の断面構造の概略を表す図。
【図６】図５の配線基板１を用いた半導体装置。
【図７】本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の工程を表す図。
【図８】図７に続く図。
【図９】図８に続く図。
【図１０】図９に続く図。
【図１１】多数個取りワーク基板とされた配線積層部１００を上部より見た図。
【図１２】本発明の第二実施形態である配線基板の断面構造の概略を表す図。
【図１３】図１２の配線基板１を用いた半導体装置。
【図１４】ビア孔内に露出する第一ビア導体４１の端面位置を表す図。
【図１５】第二実施形態の配線基板を製造するための工程を表す図。
【図１６】本発明の第三実施形態である配線基板の断面構造の概略を表す図。
【図１７】第三実施形態の配線基板を製造するための工程を表す図。
【図１８】図１７に続く図。
【図１９】図１８に続く図。
【図２０】本発明の第四実施形態である配線基板の断面構造の概略を表す図。
【図２１】第四実施形態の配線基板を製造するための工程を表す図。
【図２２】図２１に続く図。
【図２３】図２２に続く図。
【図２４】図２３に続く図。
【符号の説明】
【００５０】
１配線基板
５金属箔密着体
１０積層シート体
１１第一誘電体シート
２０支持基板
２１下地誘電体シート
１００配線積層シート体
【図１】
2008244491.tif 000003
【図２】
2008244491.tif 000004
【図３】
2008244491.tif 000005
【図４】
2008244491.tif 000006
【図５】
2008244491.tif 000007
【図６】
2008244491.tif 000008
【図７】
2008244491.tif 000009
【図８】
2008244491.tif 000010
【図９】
2008244491.tif 000011
【図１０】
2008244491.tif 000012
【図１１】
2008244491.tif 000013
【図１２】
2008244491.tif 000014
【図１３】
2008244491.tif 000015
【図１４】
2008244491.tif 000016
【図１５】
2008244491.tif 000017
【図１６】
2008244491.tif 000018
【図１７】
2008244491.tif 000019
【図１８】
2008244491.tif 000020
【図１９】
2008244491.tif 000021
【図２０】
2008244491.tif 000022
【図２１】
2008244491.tif 000023
【図２２】
2008244491.tif 000024
【図２３】
2008244491.tif 000025
【図２４】
2008244491.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板の製造方法であって、
支持基板を用意する工程と、
前記支持基板の上部に配置されると共に、互いに密着し、かつ、分離可能な複数の金属箔を含む金属箔密着体と、前記支持基板の上部に前記金属箔密着体を介して配置された第一誘電体シートと、前記第一誘電体シートを貫通する第一ビア導体と、前記第一誘電体シート上に配置されると共に前記第一ビア導体を介して前記金属箔密着体と接続する第一導体層と、を含む積層シート体を形成する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、さらに、
前記積層シート体の周囲部を除去して前記金属箔密着体の端部を露出させる工程を備える、配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
除去されるべき前記積層シート体の前記周囲部は、前記金属箔密着体の外縁端付近を含む、配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の配線基板の製造方法であって、さらに、
前記金属箔密着体に含まれる互いに密着する２つの金属箔を界面にて剥離して、前記積層シート体における前記金属箔密着体上の領域である配線積層部を前記金属箔が付着した状態で前記支持基板から分離する工程を備える、配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、
前記金属箔密着体は、金属メッキを介して互いに密着させた２つの銅箔により構成される、配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このように金属箔密着体５が第一誘電体シート１１に封止されていることにより、金属箔密着体５（下側金属箔５ａ）と下地誘電体シート２１との界面に膨れや剥れが生じることなく、積層シート体１０を形成することができる。そしてその後、図１（ｂ）において、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃが除去されるので、図１（ｃ）において、金属箔密着体５の界面（すなわち、下側金属箔５ａと上側金属箔５ｂとの界面）で配線積層部１００の剥離を容易に行うことが可能となる。つまり、このように構成することにより、密着性が要求される積層シート体の形成（図１（ａ））と、剥離容易性が要求される配線積層部の剥離（図１（ｃ））とを、どちらも良好に行うことが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、積層シート体１０の形態は、配線積層部１００（金属箔密着体５上の領域）を有していればよく、図１（ａ）の形態に限定されない。例えば、図３（ａ）のように、金属箔密着体５上に誘電体シート１１１、１１２が配され、それらをまとめて第一誘電体シート１１が封止する形態であってもよい。なお、この場合、最下層の誘電体シート１１１に形成され、金属箔密着体５に接続されるビア導体を第一ビア導体４１とし、第一誘電体シート１１上に形成された導体層を第一導体層３１として、その間には導体層及びビア導体が配される。また、図３（ｂ）のように、第一誘電体シート１１上に形成される他の誘電体シートが、配線積層部１００となる部分のみにより構成されていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
そのような金属端子ＴＢは、例えばワイヤボンディング用の端子またはＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用の端子、チップキャパシター搭載用の端子等として形成することができる。そして、図１３に示すように、搭載面となる第一主表面ＭＰ１上に電子部品ＩＣが搭載され、かつ電子部品ＩＣと金属端子ＴＢとがボンディングワイヤＹＢ等により接続されることで半導体装置３００となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、積層シート体１０は、金属箔密着体５上の領域が、配線基板１（図５参照）となるべき配線積層部１００となるよう形成されている。そこで、工程６に示すように、配線積層部１００の周囲領域を除去し、端面１０３を露出させる（図９の工程７、図１および図２参照）。その際、配線積層部１００と周囲部との境界において、その下の下地誘電体シート２１及び支持基板２０ごと、例えばブレード刃等により切断する。このようにして、配線積層部１００の周囲領域とともに、支持基板２０及び下地誘電体シート２１のうちの該周囲部下にあたる領域も除去するようにすると、端面１０３の露出が容易である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
そして、配線積層部１００を支持基板２０から剥離した後に、図１０に示すように、該配線積層部１００の第一誘電体シート１１’が構成する主表面に付着した金属箔５ｂを除去し（工程９）、第一ビア導体４１と接続された金属端子８（図５の配線基板１ではハンダバンプＦＢ）を形成する（工程１０）。これにより、図５に示す配線基板１が得られる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
工程９において、金属箔５ｂの除去は、例えばエッチングにより行うことができる。金属箔５ｂが除去された第一誘電体シート１１’の主表面には、内部に第一ビア導体４１が露出したビア孔１１ａが現れる。第一ビア導体４１は、金属箔５ｂのエッチングにより多少エッチングされるので、その端面がビア孔内（例えば、開口１１ａの近傍）に位置することになる。つまり、完成した配線基板は、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層１１´〜１４´と導体層３１〜３３とが交互に積層され、第一主表面をなす第一誘電体層１１´に貫通形成されたビア孔１１ａ内に、該第一誘電体層１１´直上の第一導体層３１と接続されたビア導体４１が形成されてなるとともに、該ビア導体４１は、第一主表面側の端面がビア孔１１ａ内に位置してなり、当該端面には、金属端子８が接続された構成となる。このように、ビア導体４１の端面がビア孔１１ａ内に位置すれば、例えばハンダからなる金属端子（ハンダバンプ）８の形成が容易となるうえ、接続信頼性も確保できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
一方、図１５の工程９´及び１０´に示すように、金属箔５ｂの一部５ｂ´を利用した金属端子８を形成することもできる。すなわち、配線積層部１００を支持基板２０から剥離した後に、該配線積層部１００の第一誘電体シート１１’が形成された主表面に付着した金属箔５ｂを選択的に除去し（工程９´）、第一ビア導体４１と接続され、かつ残存した金属箔５ｂ´を一部とした金属端子８を形成する（工程１０´）。つまり、完成した配線基板では、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層１１´〜１４´と導体層３１〜３３とが交互に積層され、第一主表面に、金属箔５ｂ´にて構成される金属端子８が形成された構成となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、上記実施形態の工程２（図７）にて形成される金属箔密着体５のうち、導体層側をなす金属箔５ｂが、該金属箔５ｂに接続されるビア導体４１と、異なる金属材料で構成することもできる。上記実施形態では導体層３１〜３３とビア導体４１〜４３とは銅を主成分として構成され、金属箔密着体５は２つの銅箔５ａ，５ｂを密着させたものを用いることが例示されているが、このときの金属箔密着体５の金属箔５ｂを、第一ビア導体４１に対して選択エッチング性を有する金属材料を用いるとしてもよい。例えば、第一ビア導体がＣｕを主成分として構成し、主表面に前記配線積層部１００側の第一誘電体シート１１が付着した前記金属箔５ｂが、Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｎのうち少なくとも１種以上からなる金属材料とすることができる。工程８（図９）において、支持基板２０側の剥離後、配線積層部１００には金属箔５ｂが付着して残るが、この金属箔５ｂはエッチングによって除去される。このとき、金属箔５ｂが上記金属材料にて構成されていれば、銅に対して選択的にエッチングすることが可能となる。したがって、第一ビア導体４１はエッチングされずにそのままの状態を保ちつつ、その端面が露出するため、このとき露出する配線基板の主表面は、第一ビア導体４１の露出面と第一誘電体層１１´の主表面とが同一平面をなし、極めてフラットな平面を形成できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、本発明は、上記配線基板およびその製造方法に限定されるものではなく、請求項の記載に基づく技術的範囲を逸脱しない限り、種々の変形ないし改良を付加することができる。そこで、上記実施形態を第一実施形態（図５〜図１０）と第二実施形態（図１２、図１３、図１５）とした上で、本発明に係わる他の実施形態の代表的なものを以下に説明する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
上記第一実施形態の配線基板の製造方法においては、図７〜図１０に示されているように、電子部品搭載面側を支持基板２０側とし、その搭載面を金属箔密着体５と密着するように積層形成されているが、電子部品搭載面の逆側の主表面を支持基板２０側となるように積層する製造方法であってもよい。この場合、例えば図１６のような配線基板１ａを形成することが可能となる。図１６では、上記第一実施形態（図７〜図１０）の導体層３３のような広面積の導体部ＰＤ１（他の基板やマザーボード等と接続される金属端子部である）が、第一導体層Ｍ１として第一誘電体層Ｂ１に形成され、上記実施形態（図７〜図１０）の第一ビア導体４１（電子部品搭載面側のビア導体）に対応するビア導体ＶＡが、第三誘電体層Ｂ３に形成されている。また、図１６では、第三誘電体層Ｂ３に形成されるビア導体ＶＡ上には導体部ＰＤ２が形成され、該第三誘電体層上の誘電体層（ソルダーレジスト層）ＳＲの開口から露出し、その露出部にはメッキ層を介してハンダバンプＦＢが形成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
このときの図１６に示す配線基板１ａの製造方法を、図１７〜図１９にて主要な製造工程を示しつつ、説明する。図１７に示す工程１ａ，２ａは、上記第一実施形態の工程１,２（図７）と同様である。工程３ａでは、金属箔密着体５上に第一導体層３１をパターン形成した上で、第一誘電体シート１１を金属箔密着体５と第一導体層３１とが封止されるようにラミネートする。図１８の工程４ａでは、周知のビルドアップ法に基づき配線積層部１００ａ（図１９）を含む積層シート体１０ａを形成し、工程５ａでは上記第一実施形態の工程７（図９）のように、配線積層部１００ａの端面が露出するように切断する。図１９の工程６ａでは、上記実施形態の工程８（図９）と同様に、配線積層部１００ａを支持基板２０から、片方の金属箔（上側金属箔５ｂ）が付着した状態で、金属箔密着体５における２つの金属箔５ａ、５ｂの界面にて剥離する。そして、工程７ａが示すように、配線積層部１００ａの第一誘電体シート１１’が構成する主表面に付着した金属箔５ｂを除去し、第三ビア導体４３と接続された第四導体層３４の導体部に金属端子８（図１６の配線基板１ａではハンダバンプＦＢ）を形成する。これにより、図１６に示す配線基板１ａが得られる。なお、ここで述べた配線基板の製造方法および該製造方法によって形成されうる配線基板を、本発明の第三実施形態とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
工程６ｂ以降は、図２３に示すように、工程７ｂでは、周知のビルドアップ法に基づき配線積層部１００ｂを含む積層シート体１０ｂを形成し、工程８ｂでは上記第一実施形態の工程７（図９）のように、配線積層部１００ｂの端面が露出するように切断する。図２４の工程９ｂでは、上記実施形態の工程８（図９）と同様に、配線積層部１００ｂを支持基板２０から、片方の金属箔（上側金属箔５ｂ）が付着した状態で、金属箔密着体５における２つの金属箔５ａ、５ｂの界面にて剥離する。そして、工程１０ｂが示すように、配線積層部１００ｂの第一誘電体シート１１’が構成する主表面に付着した金属箔５ｂを除去し、第三ビア導体４３と接続された第四導体層３４の導体部に金属端子８（図２０の配線基板１ではハンダバンプＦＢ）を形成する。これにより、図２０に示す配線基板１ｂが得られる。この配線基板１ｂは、両主表面が誘電体層にて構成されるよう、導体層と誘電体層とが積層されるとともに、少なくとも一方の主表面をなす前記誘電体層の開口に形成された金属端子パッドを有する配線基板であって、前記金属端子パッドは、前記開口に露出面を有し、かつ該露出面の裏面で前記配線基板内部の前記導体層とビア接続されるパッド本体と、該パッド本体の外縁から前記配線基板の内層方向に、前記開口の壁部に沿って形成される壁面導体部と、にて構成されることを特徴とするものである。なお、ここで述べた配線基板の製造方法およびそれによって形成されうる配線基板を本発明の第四実施形態とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１  配線基板
５  金属箔密着体
１０  積層シート体
１１  第一誘電体シート
２０  支持基板
２１  下地誘電体シート
１００  配線積層部
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2008244491.tif 000027