(57)【要約】【課題】スクライブするときに、レーザ光による損傷を受けにくい電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、ならびに電子機器を提供すること。【解決手段】基板５２を分断して、端面５５ｄを有する対向短冊基板５５を形成する。次に、対向短冊基板５５と素子マザー基板６２とを接合する。接合後、Ｖ対向切断面６８と、Ｖ素子切断面６７及びＨ素子切断面をスクライブする。スクライブでは、基板５２と基板６３との内部に集光レンズ８を用いてレーザ光５６を集光して照射し、改質部５７を形成する。改質部５７の中心にはクラック部５８が形成され、クラック部５８を配列して形成してスクライブする。このとき、素子マザー基板６２において、対向短冊基板５５のＶ対向切断面６８と対向する場所には、素子、配線、端子のない場所を設定する。その後、配列して形成されたクラック部５８を押圧し、張力を加えて分断する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板とを接合して形成する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板が複数行且つ複数列形成されている第１マザー基板を分断して、前記第１基板が一行形成されている第１短冊基板を形成する第１基板第１形成工程と
前記第１短冊基板と前記第２基板が複数行且つ複数列形成されている第２マザー基板とを接合する接合工程と、
前記第１短冊基板を分断して、前記第１基板を形成する第１基板第２形成工程と、
前記第２マザー基板を分断して前記第２基板を形成する第２基板形成工程とを有し、
第１基板第２形成工程では、前記第１短冊基板にレーザ光を照射して改質部を形成し、分断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１短冊基板において、第１マザー基板を分断して形成される辺の一部と対向する、前記第２マザー基板の場所には、レーザ光の照射により損傷する部材が配置されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記損傷する前記部材は、電極又は配線であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板第１形成工程では、前記第１マザー基板にレーザ光を照射して改質部を形成し、分断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２基板形成工程では、前記第２マザー基板にレーザ光を照射して改質部を形成し、分断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１短冊基板及び前記第２マザー基板にはマークが形成され、
前記接合工程において、前記第１短冊基板に形成されているマークと、前記第２マザー基板に形成されているマークとを用いて、前記第１短冊基板と前記第２マザー基板との相対位置を合わせて接合することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、ならびに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す。）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光点におけるピークパワー密度を１×１０8（Ｗ／ｃｍ2）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。
【０００３】
また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）に対してＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。
【０００４】
液晶表示装置などの表示装置は、外形が矩形の１対の基板を用いて、１対の基板の間に液晶や発光素子を配置して形成されることが多い。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
１対の基板を接合した後に、基板にレーザ光を照射してスクライブするとき、レーザ光により形成される改質部を透過するレーザ光が存在する。集光レンズに近い場所に位置する基板に形成される改質部を透過するレーザ光は、集光レンズから離れている場所に位置する基板を照射する。集光レンズから離れている場所に位置する基板に、配線、端子、電気素子などが配置されているとき、改質部を透過するレーザ光はこれらを照射する。レーザ光を照射される配線、端子、電気素子は、レーザ光により損傷を受ける可能性がある。損傷を受ける配線、端子、電気素子は、電気的機能を正常に機能できなくなる可能性がある。
【０００７】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、スクライブするときに、レーザ光による損傷を受けにくい電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、ならびに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１基板と、第２基板とを接合して形成する電気光学装置の製造方法であって、第１基板が複数行且つ複数列形成されている第１マザー基板を分断して、第１基板が一行形成されている第１短冊基板を形成する第１基板第１形成工程と第１短冊基板と第２基板が複数行且つ複数列形成されている第２マザー基板とを接合する接合工程と、第１短冊基板を分断して、第１基板を形成する第１基板第２形成工程と、第２マザー基板を分断して第２基板を形成する第２基板形成工程とを有し、第１基板第２形成工程では、第１短冊基板にレーザ光を照射して改質部を形成し、分断することを特徴とする。
【０００９】
この電気光学装置の製造方法によれば、第１マザー基板には第１基板が、複数行且つ複数列形成されている。第１基板第１形成工程では、第１マザー基板が分断され、第１短冊基板が形成される。第１マザー基板には第１基板が複数行形成されており、各行毎に分断される為、第１短冊基板には、１行分の第１基板が形成されている状態となる。
【００１０】
第２マザー基板にも、第２基板が複数行且つ複数列形成されており、接合工程では、第１短冊基板と第２マザー基板とを接合する。続いて、第１基板第２形成工程において、第１短冊基板にレーザ光を照射して改質部を形成し、分断して、第１基板を形成する。第２基板形成工程では、第２マザー基板を分断して第２基板を形成する。
【００１１】
一方、第１マザー基板と第２マザー基板とを接合し、第１マザー基板にレーザ光を照射して、電気光学装置の辺を形成する場合には、第１マザー基板を通過するレーザ光が第２マザー基板を照射する。第２マザー基板及び、第２マザー基板に形成されている素子、配線等の部材は、レーザ光が照射され、損傷を受ける可能性がある。
【００１２】
本発明では、第１マザー基板から第１短冊基板が形成された後に、第１短冊基板と第２マザー基板とが接合される。従って、第１短冊基板と第２マザー基板とを接合した後、第１マザー基板を分断して形成された第１短冊基板の辺に、レーザ光を第１短冊基板に照射して改質部を形成する必要がない。
【００１３】
つまり、第１基板第２形成工程にて、第１短冊基板における辺と対向する第２マザー基板の場所には、レーザ光が照射する必要がない為、第２マザー基板及び、第２マザー基板に素子、配線等の部材が形成されているとき、形成されている素子、配線等の部材には、レーザ光が照射され、損傷を受けることがない。
【００１４】
さらに、第２マザー基板がレーザ光を通過する材料からなり、第２マザー基板において、第１基板と逆側に、第３の基板、素子、配線等の部材が形成されている場合がある。
このときにも、レーザ光を第１短冊基板に照射して改質部を形成する必要がない為、レーザ光が第２マザー基板を透過して、第２マザー基板において、第１基板と逆側に、配置されている第３の基板、素子、配線等の部材を照射して、損傷を与える可能性がない。その結果、電気光学装置は品質の良い装置とすることができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第１短冊基板において、第１マザー基板を分断して形成される辺の一部と対向する、第２マザー基板の場所には、レーザ光の照射により損傷する部材が配置されていることを特徴とする。
【００１６】
この電気光学装置の製造方法によれば、第１短冊基板において、第１基板第１形成工程で形成される辺の一部と対向する、第２マザー基板の場所には、レーザ光の照射により損傷する部材が配置されている。第１短冊基板の辺と対向する、第２基板の場所には、レーザ光を照射する必要がない。従って、第２マザー基板にレーザ光が照射されて、レーザ光の照射による損傷を受ける部材が配置されているときにも、レーザ光の照射により、損傷を受けることがない。その結果、電気光学装置は品質の良い装置とすることができる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法では、損傷する部材は、電極又は配線であることを特徴とする。
【００１８】
この電気光学装置の製造方法によれば、第１短冊基板において、第１基板第１形成工程で形成される辺の一部と対向する、第２マザー基板の場所には、レーザ光を照射する必要がない。従って、第１短冊基板の辺に対向する、第２マザー基板の場所に電極又は配線を配置することができる。従って、電極、配線の配置を設計し易い電気光学装置の製造方法とすることができる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第１基板第１形成工程では、第１マザー基板にレーザ光を照射して改質部を形成し、分断することを特徴とする。
【００２０】
この電気光学装置の製造方法によれば、第１基板第１形成工程では、第１マザー基板にレーザ光が照射され、改質部が形成されて、分断される。従って、第１基板第１形成工程では、乾式で分断することができる。また、分断するときに、基板の破片が分離することが少ないことから、洗浄が不要となる。つまり、第１マザー基板を濡らすことなく外形の一部を形成することができる。第１マザー基板に、洗浄により性能が劣化する可能性のある膜が形成されているときにも、洗浄することなく外形の一部を形成することができる。その結果、電気光学装置は品質の良い装置とすることができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第２基板形成工程では、第２マザー基板にレーザ光を照射して改質部を形成し、分断することを特徴とする。
【００２２】
この電気光学装置の製造方法によれば、第２基板形成工程では、第２マザー基板にレーザ光が照射され、改質部が形成されて、分断される。従って、分断するときに、基板の破片が分離することが少ない。基板の破片が電極及び製造装置等に付着して不具合を生じることを少なくすることができる。その結果、電気光学装置は品質の良い装置とすることができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法では、第１短冊基板及び第２マザー基板にはマークが形成され、接合工程において、第１短冊基板に形成されているマークと、第２マザー基板に形成されているマークとを用いて、第１短冊基板と第２マザー基板との相対位置を合わせて接合することを特徴とする。
【００２４】
この電気光学装置の製造方法によれば、第１短冊基板及び第２マザー基板にはマークが形成されている。接合工程において、第１短冊基板に形成されているマークと、第２マザー基板に形成されているマークとを用いて、第１短冊基板と第２マザー基板とは、相対位置を合わせて接合される。従って、第１短冊基板と第２マザー基板とは位置精度良く所定の位置に接合される。その結果、電気光学装置は品質の良い装置とすることができる。
【００２５】
本発明の電気光学装置は、上記に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする。
【００２６】
この電気光学装置によれば、電気光学装置は、第２基板に素子、配線が形成されているとき、レーザ光により損傷を殆ど受けることなく製造される。従って、品質良く製造される電気光学装置とすることができる。
【００２７】
本発明の電子機器は、上記に記載の電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする。
【００２８】
この電子機器によれば、電子機器は、表示部に上記の電気光学装置を備えている。この電気光学装置は、第２基板がレーザ光により損傷を殆ど受けることなく製造され、品質良く製造されている。従って、この電子機器は、表示部に第２基板がレーザ光により損傷を受けることなく製造され、品質良く製造される電気光学装置を備えている電子機器とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００３０】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るレーザスクライブ方法について図１〜図１０に従って説明する。
【００３１】
最初にレーザ照射装置について説明する。図１は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。
図１に示すように、レーザ照射装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部３と、光学経路部３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。
【００３２】
レーザ光源２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源２は、本実施形態において、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）のレーザ媒質からなり、第３高調波（波長：３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パルスのレーザ光を出射する発光条件を採用している。
【００３３】
光学経路部３はダイクロイックミラー６を備えている。ダイクロイックミラー６は、レーザ光源２から照射されるレーザ光の光軸７上に配置されている。ダイクロイックミラー６はレーザ光源２から照射されるレーザ光を反射して、光軸７の進行方向を変更する。ダイクロイックミラー６に反射したレーザ光が通過する光軸７上に集光レンズ８が配置されている。テーブル部４にはワーク９が配置され、集光レンズ８を通過したレーザ光がワーク９に照射されるようになっている。
【００３４】
集光レンズ８はレンズ支持部１０により、レンズ移動機構１１に支持されている。レンズ移動機構１１は、図示しない直動機構を有し、集光レンズ８を光軸７方向に移動させて、集光レンズ８を通過したレーザ光が集光する位置を移動可能としている。
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構１１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸７方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００３５】
集光レンズ８とダイクロイックミラー６とを通過する光軸７の延長線上にあって、ダイクロイックミラー６に対して集光レンズ８と反対側には、撮像装置１２を備えている。撮像装置１２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ８を透過してワーク９を照射する。撮像装置１２は、集光レンズ８とダイクロイックミラー６とを通してワーク９を撮像することが可能となっている。
【００３６】
テーブル部４は、基台１５を備えている。基台１５の光学経路部３側には、レール１６が凸設して配置されており、レール１６上にはＸ軸スライド１７が配置されている。Ｘ軸スライド１７は、図示しない直動機構を備え、レール１６上のＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構１１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド１７が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００３７】
Ｘ軸スライド１７の光学経路部３側にはレール１８が凸設して配置されており、レール１８上にはＹ軸スライド１９が配置されている。Ｙ軸スライド１９は、Ｘ軸スライド１７と同様な直動機構を備え、レール１８上をＹ方向に移動可能となっている。
【００３８】
Ｙ軸スライド１９の光学経路部３側には、ステージ２０が配置され、ステージ２０の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク９を載置すると、チャック機構によって、ワーク９がステージ２０の上面における所定の位置に位置決めされて固定されるようになっている。
【００３９】
制御装置５は、メインコンピュータ２４を備えている。メインコンピュータ２４は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やメモリーを備えている。ＣＰＵはメモリー内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザ照射装置１の動作を制御するものである。
メインコンピュータ２４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置２５、表示装置２６、レーザ制御装置２７、レンズ制御装置２８、画像処理装置２９、ステージ制御装置３０と接続されている。
【００４０】
入力装置２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置２６はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行い、加工状況を表示装置２６に表示する。操作者が表示装置２６に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況を確認して操作するようになっている。
【００４１】
レーザ制御装置２７は、レーザ光源２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ２４の制御信号により制御される。
レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構１１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置２８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ８の光軸７方向の位置を認識する。レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構１１を所望の位置に移動することができるようになっている。
【００４２】
画像処理装置２９は、撮像装置１２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ２０にワーク９を配置し、撮像装置１２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構１１を操作して、集光レンズ８とワーク９との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光レンズ８を移動して、ワーク９のステージ２０側の面に焦点が合うときと、ワーク９の光学経路部３側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。
【００４３】
集光レンズ８を光軸７の方向に移動して、撮像装置１２が撮像する画像が鮮明になるときの集光レンズ８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク９の厚みを測定することが可能となる。
【００４４】
撮像装置１２で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光を照射したときに、集光レンズ８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物をワーク９としてステージ２０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置１２の焦点が合うように集光レンズ８を移動する。次に、レーザ光を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部との距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。
【００４５】
集光レンズ８を光軸７方向に移動して、ワーク９の光学経路部３側の面に撮像装置１２の焦点を合わせる。レーザ光を照射したい位置とオフセット距離とで集光レンズ８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光レンズ８を移動させる。この方法でワーク９における所定の深さにレーザ光を集光することが可能となる。
【００４６】
ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置３０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置を検出する。ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報を取得し、メインコンピュータ２４から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して移動する。ステージ制御装置３０はＸ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して、所望の位置にワーク９を移動することが可能となっている。
【００４７】
レーザ制御装置２７がレーザ光源２を制御しレーザ光を発光させる。画像処理装置２９がワーク９の面に対する光軸方向の位置を検出する。レンズ制御装置２８がレーザ光を集光する光軸方向の位置を制御する。ステージ制御装置３０がワーク９をＸＹ方向に移動して、ワーク９にレーザ光が照射される位置を制御する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ光を集光して照射することが可能となっている。
【００４８】
ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光レンズ８によって集光されたレーザ光は、ワーク９に入射する。そして、ワーク９がレーザ光を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップより光子のエネルギーが非常に大きいときには、ワーク９は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と呼び、レーザ光のパルス幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収をワーク９の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。
【００４９】
本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果、クラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英ガラスなどの場合には、クラック部は、空洞状のクラックが形成される場合もある。
【００５０】
このような改質部を形成するためのレーザ光の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光の出力やパルス幅、パルス周期、レーザスキャン速度等の設定が必要になる。特に、レーザ光源２が照射するレーザ光の出力は、ダイクロイックミラー６や集光レンズ８のような光軸７上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。
【００５１】
（液晶表示装置）
次に液晶表示装置について説明する。図２は、液晶表示装置の模式平面図であり、図３は、図２の液晶表示装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。
【００５２】
図２及び図３において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置３３は、対をなす第２基板としてのＴＦＴアレイ基板３４と第１基板としての対向基板３５とが熱硬化性の封止材であるシール３６によって貼り合わされ、このシール３６によって区画される領域内に封入された液晶３７からなる液晶層を狭持している。シール３６は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。
【００５３】
シール３６を形成する場所の内側で対向基板３５の液晶３７側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り３８が形成されている。シール３６の外側の場所には、データ線駆動回路３９及び電極としての実装端子４０がＴＦＴアレイ基板３４の辺３４ａ（図２中下側の辺）に沿って形成されており、この辺３４ａに隣接する辺３４ｂ及び辺３４ｃ（図２中左右の辺）に沿って走査線駆動回路４１が形成されている。データ線駆動回路３９、実装端子４０及び走査線駆動回路４１はアルミニウムを素材とする配線４２ａにより電気的に接続されている。ＴＦＴアレイ基板３４の残る辺３４ｄ（図２中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路４１の間を接続するための配線４２ｂが設けられている。また、対向基板３５のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板３４と対向基板３５との間で電気的導通をとるための基板間導通材４３が配設されている。
【００５４】
また、液晶表示装置３３はカラー表示用として構成しており、対向基板３５において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂが図示しない保護膜とともに形成されている。カラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの各フィルタ素子の間には、遮光膜４５が形成されており、カラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂを通過しない光は遮光膜４５が遮断するようになっている。さらに、カラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４ＢのＴＦＴアレイ基板３４側には対向電極４６と配向膜４７とが配置されている。
【００５５】
液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶分子の液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、ＴＦＴのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。それにより、透過した光は、画素毎に相対して設置される赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の色フィルタを有するカラーフィルタを透過することで、画素毎に対応する各色フィルタの色を色光として透過する。なお、光が液晶により遮られた画素に対応する色フィルタには当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させることにより、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、カラー映像を表示させることができる。
【００５６】
このような構造を有する液晶表示装置３３の画像を表示する領域には、複数の画素がｍ行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素の各々には、画素信号をスイッチングするＴＦＴ（スイッチング素子）が形成されている。画素信号を供給するデータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に画素電極４８が電気的に接続されている。画素電極４８はカラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの各フィルタ素子と対向する場所に形成されている。走査線が接続されるＴＦＴのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。
【００５７】
画素電極４８は、ＴＦＴのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素の画素電極４８に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極４８に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、図３に示す対向基板３５の対向電極４６との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶３７の光透過量が変化する。液晶表示装置３３はカラーフィルタを備えており、カラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂを透過する光を液晶３７からなる液晶層を挟持する電極に印加する画像信号により制御することで、液晶表示装置３３はカラー画像を表示することができる。
【００５８】
画素電極４８の対向基板３５側には配向膜４９が配置されている。配向膜４７と配向膜４９とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜４７と配向膜４９との間に充填された液晶３７は、溝状の凹凸に沿って配列して形成される。
【００５９】
ＴＦＴアレイ基板３４及び対向基板３５において、液晶３７と反対側の面には、図示しない偏光シートが配置され、偏光シート及び液晶３７の作用により、液晶表示装置３３を透過する光透過量が変化するようになっている。
【００６０】
（基板の分断方法）
次に上述した液晶表示装置３３における基板の分断方法について図４〜図１０にて説明する。図４は、基板の分断方法のフローチャートであり、図５〜１０は基板の分断方法を説明する図である。
【００６１】
図４のフローチャートにおいて、ステップＳ１は対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向基板３５をスクライブする工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は対向マザー基板の第１分断工程に相当し、対向基板３５を分断する工程である。ステップＳ１及びステップＳ２を合わせて、ステップＳ１１とする。ステップＳ１１は第１基板第１形成工程に相当し、対向基板３５における外形の一部分を形成する工程である。次にステップＳ３に移行する。
【００６２】
ステップＳ３は接合工程に相当し、ＴＦＴアレイ基板３４と対向基板３５とを接合する工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は対向短冊基板の第２スクライブ工程に相当し、対向基板３５の外形が形成されていない場所をスクライブする工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は素子マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイ基板３４の一部をスクライブする工程である。次にステップＳ６に移行する。ステップＳ６は素子マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイ基板３４において、ステップＳ５でスクライブされた部分以外の残りの部分をスクライブする工程である。次にステップＳ７に移行する。
【００６３】
ステップＳ７は素子マザー基板の第１分断工程に相当し、ステップＳ６にてスクライブされている場所を分断する工程である。次にステップＳ８に移行する。ステップＳ８は対向短冊基板の第２分断工程に相当し、ステップＳ４にてスクライブされている場所を分断する工程である。次にステップＳ９に移行する。ステップＳ９は素子マザー基板の第２分断工程に相当し、ステップＳ５にてスクライブされている場所を分断する工程である。ステップＳ４及びステップＳ８とを合わせて、ステップＳ１２とする。ステップＳ１２は第１基板第２形成工程に相当し、対向短冊基板をスクライブして分断する工程である。又、ステップＳ５〜ステップＳ７、及びステップＳ９とを合わせて、ステップＳ１３とする。ステップＳ１３は第２基板形成工程に相当し、素子マザー基板をスクライブして分断する工程である。以上の工程で、液晶表示装置３３が形成される。
【００６４】
次に、図５〜図１０を用いて、図４に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図５（ａ）は、対向基板が区画形成されたマザー基板である対向マザー基板を示す模式図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った模式断面図である。
【００６５】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１マザー基板としての対向マザー基板５１は円板状に形成されている基板５２に周辺見切り３８、カラーフィルタ４４、遮光膜４５が形成されている。さらに、周辺見切り３８、カラーフィルタ４４、遮光膜４５の表面には、光透過性及び通電性のある対向電極４６が形成されている。対向電極４６の表面には、配向膜４７が形成され、表面に凹凸を形成する配向処理が施されている。基板５２は、光透過性のある材質であれば良く、例えば、本実施形態では石英ガラスを採用している。
【００６６】
対向マザー基板５１に配列して形成される周辺見切り３８において、両端の周辺見切り３８の外側には、一対のマークとしての位置決めマーク５３が形成されており、ステップＳ３において用いられる。
【００６７】
本実施形態においては、対向マザー基板５１から第１短冊基板としての対向短冊基板５５を形成する。対向マザー基板５１から対向短冊基板５５を切出すために分断する予定の面をＨ対向切断面５４とする。Ｈ対向切断面５４は一点鎖線で示した基板５２の切断面であり、図５（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ，５４ｅはそれぞれＨ対向切断面５４であり、５５ａ，５５ｂ，５５ｃはそれぞれ対向短冊基板５５である。
【００６８】
ステップＳ１１では、対向マザー基板５１をＨ対向切断面５４に沿って分断し、第１基板としての対向短冊基板５５を形成する。対向短冊基板５５のＨ対向切断面５４ａは、図３に示す対向基板３５の辺３５ｄに対応し、Ｈ対向切断面５４ｂは対向基板３５の辺３５ａに対応する。図３に示す液晶表示装置３３の対向基板３５は、図５の対向基板片３５ｂと対応し、対向短冊基板５５には、対向基板片３５ｂが一列に配列して形成されるように、Ｈ対向切断面５４が設定される。
【００６９】
図６（ａ）及び図６（ｂ）はステップＳ１に対応する図である。図６（ａ）に示すように、集光レンズ８を用いて、レーザ光５６を対向マザー基板５１の内部に集光して照射する。レーザ光５６が集光される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。
【００７０】
集光レンズ８と対向マザー基板５１とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。このとき、集光レンズ８と対向マザー基板５１とは、対向マザー基板５１の平面方向に図５に示すＨ対向切断面５４に沿って相対移動する。続いて、レーザ光５６を集光する場所を基板５２の厚み方向に移動する。移動した後、集光レンズ８と対向マザー基板５１とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。これを繰り返し、対向マザー基板５１における総てのＨ対向切断面５４に改質部５７を配列して形成する。
【００７１】
図６（ｂ）に示す様に、その結果、対向マザー基板５１における総てのＨ対向切断面５４に改質部５７が形成され、改質部５７の中央部にはクラック部５８が形成される。これにより、Ｈ対向切断面５４にクラック部５８が配列して形成されたクラック面５９が形成される。
【００７２】
図６（ｃ）及び図６（ｄ）はステップＳ２に対応する図である。図６（ｃ）に示す様に、続いて、対向マザー基板５１を弾性材からなる台６０の上に配置し、クラック面５９と対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。対向マザー基板５１は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。対向マザー基板５１は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
【００７３】
図６（ｄ）に示す様に、その結果、対向マザー基板５１は、いくつかの対向短冊基板５５に分断される。対向短冊基板５５は分断されて、辺としての端面５５ｄが形成される。
【００７４】
図７（ａ）及び図７（ｂ）はステップＳ３に対応する図である。図７（ａ）は液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す模式図である。図７（ａ）は、対向基板側から見た平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った模式断面図である。
【００７５】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す様に、第２マザー基板としての素子マザー基板６２は円板状に形成されている基板６３に画素電極４８が形成され、画素電極４８の表面には配向膜４９が配置されている。配向膜４９には配向処理が施されている。基板６３には図示しないトランジスタ素子が形成され、各画素電極４８とデータ線駆動回路３９及び図２に示す走査線駆動回路４１と電気的に接続されている。基板６３には、実装端子４０が形成されており、データ線駆動回路３９及び図２に示す走査線駆動回路４１と電気的に接続されている。
【００７６】
基板６３上にシール３６の材料であるシール材３６ａを枠形状に塗布する。シール材３６ａを塗布する方法は、シール３６を所望の形状に塗布できれば良く、例えば、本実施形態においては、スクリーン印刷法を採用している。シール材３６ａは、固化後に接着力が得られ、液晶３７に接触して劣化しない材料であれば良く、例えば、本実施形態においては、熱硬化性のエポキシ樹脂を採用している。
【００７７】
枠形状にシール材３６ａを塗布した後、シール材３６ａの内側にディスペンサを用いて液晶３７を塗布する。図示しない真空チャンバに基板６３を配置して、真空チャンバ内を脱気して真空にする。真空中で、対向短冊基板５５と素子マザー基板６２との相対位置を合わせて押圧する。
このとき、基板６３には、図５に示す位置決めマーク５３と対応する場所にマークとしての位置決めマーク６４が形成されている。対向短冊基板５５に形成されている位置決めマーク５３と素子マザー基板６２に形成されている位置決めマーク６４とを合わせて、対向短冊基板５５と素子マザー基板６２との相対位置を合わせる。
【００７８】
一つの素子マザー基板６２には、複数の対向短冊基板５５に対応する形状にシール材３６ａが塗布されており、一つの素子マザー基板６２に複数の対向短冊基板５５を配置する。素子マザー基板６２に対向短冊基板５５を押圧した後、真空チャンバ内に空気を流入する。大気圧により対向短冊基板５５と素子マザー基板６２とが加圧される。
【００７９】
対向短冊基板５５と素子マザー基板６２との相対位置を保持した状態で加熱し、シール材３６ａを固化してシール３６を形成する。対向短冊基板５５と素子マザー基板６２とがシール３６を介して接合されているマザー基板６５が完成し、ステップＳ３が完了する。
【００８０】
マザー基板６５から液晶表示装置３３を切出すために分断する予定の面をそれぞれ、Ｈ素子切断面６６、Ｖ素子切断面６７、Ｖ対向切断面６８と表記する。Ｈ素子切断面６６は、一点鎖線で示した素子マザー基板６２の切断面であり、図７（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｖ素子切断面６７は、一点鎖線で示した素子マザー基板６２の切断面であり、図７（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。Ｖ対向切断面６８は、一点鎖線で示した対向短冊基板５５の切断面であり、図７（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図７（ａ）に示した、６６ａ，６６ｂ，６６ｃは、それぞれＨ素子切断面６６であり、６７ａ，６７ｂ，６７ｃは、それぞれＶ素子切断面６７であり、６８ａ，６８ｂ，６８ｃは、それぞれＶ対向切断面６８である。
【００８１】
図８（ａ）及び図８（ｂ）はステップＳ４に対応する図である。図８（ａ）に示すように、集光レンズ８を用いて、レーザ光５６を対向短冊基板５５の内部に集光して照射する。レーザ光５６が集光される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。
【００８２】
集光レンズ８と対向短冊基板５５とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。このとき、集光レンズ８と対向短冊基板５５とは、対向短冊基板５５の平面方向に図７に示すＶ対向切断面６８に沿って相対移動する。続いて、レーザ光５６を集光する場所を基板５２の厚み方向に移動する。移動した後、集光レンズ８と対向短冊基板５５とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。これを繰り返し、対向短冊基板５５における総てのＶ対向切断面６８に改質部５７が配列して形成されたクラック面７０を形成する。
【００８３】
図８（ｂ）に示す様に、その結果、対向短冊基板５５における総てのＶ対向切断面６８に改質部５７が配列して形成されたクラック面７０が形成される。
【００８４】
図８（ｃ）及び図８（ｄ）はステップＳ５に対応する図である。図８（ｃ）に示すように、集光レンズ８を用いて、レーザ光５６を素子マザー基板６２の内部に集光して照射する。レーザ光５６が集光される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。
【００８５】
集光レンズ８と素子マザー基板６２とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。このとき、集光レンズ８と素子マザー基板６２とは、素子マザー基板６２の平面方向に図７に示すＶ素子切断面６７に沿って相対移動する。続いて、レーザ光５６を集光する場所を基板６３の厚み方向に移動する。移動した後、集光レンズ８と素子マザー基板６２とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。これを繰り返し、素子マザー基板６２における総てのＶ素子切断面６７に改質部５７が配列して形成されたクラック面７１を形成する。
【００８６】
図８（ｄ）に示す様に、その結果、素子マザー基板６２における総てのＶ素子切断面６７に改質部５７が配列して形成されたクラック面７１が形成される。
【００８７】
図９（ａ）及び図９（ｂ）はステップＳ６に対応する図である。図９（ａ）に示すように、集光レンズ８を用いて、レーザ光５６を素子マザー基板６２の内部に集光して照射する。レーザ光５６が集光される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。
【００８８】
集光レンズ８と素子マザー基板６２とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。このとき、集光レンズ８と素子マザー基板６２とは、素子マザー基板６２の平面方向に図７に示すＨ素子切断面６６に沿って相対移動する。続いて、レーザ光５６を集光する場所を基板６３の厚み方向に移動する。移動した後、集光レンズ８と素子マザー基板６２とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。これを繰り返し、素子マザー基板６２における総てのＨ素子切断面６６に改質部５７が配列して形成されたクラック面７２を形成する。
【００８９】
図９（ｂ）に示す様に、その結果、素子マザー基板６２における総てのＨ素子切断面６６に改質部５７が配列して形成されたクラック面７２が形成される。
【００９０】
図９（ｃ）及び図９（ｄ）はステップＳ７に対応する図である。図９（ｃ）に示す様に、素子マザー基板６２を弾性材からなる台６０の上に配置し、クラック面７２と対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。素子マザー基板６２は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。素子マザー基板６２は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
【００９１】
図９（ｄ）に示す様に、その結果、素子マザー基板６２は、いくつかの短冊基板７３に分断される。
【００９２】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）はステップＳ８に対応する図である。図１０（ａ）に示す様に、続いて、対向短冊基板５５を弾性材からなる台６０の上に配置し、クラック面７０と対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。対向短冊基板５５は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。対向短冊基板５５は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
図１０（ｂ）に示す様に、その結果、対向短冊基板５５に形成されている総てのＶ対向切断面６８のクラック面７０が分断される。
【００９３】
図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）はステップＳ９に対応する図である。図１０（ｃ）に示す様に、続いて、素子マザー基板６２を弾性材からなる台６０の上に配置し、クラック面７１と対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。素子マザー基板６２は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。素子マザー基板６２は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
【００９４】
図１０（ｄ）に示す様に、その結果、素子マザー基板６２に形成されているＶ素子切断面６７のクラック面７１が分断され、短冊基板７３からいくつかの液晶表示装置３３が形成される。
【００９５】
図３に示すＴＦＴアレイ基板３４及び対向基板３５に図示しない偏光シートを貼り付けて液晶表示装置３３が完成する。
【００９６】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ステップＳ１１の第１基板形成工程では、対向マザー基板５１において、端面５５ｄを含む外形の一部が形成され、対向短冊基板５５が形成される。続いて、対向短冊基板５５と素子マザー基板６２とが接合される。対向短冊基板５５と素子マザー基板６２とが接合された後、対向短冊基板５５をスクライブする為に、ステップＳ１１でスクライブ及び分断して形成した図７（ｂ）に示す端面５５ｄにレーザ光を照射してスクライブすることは無い。
【００９７】
素子マザー基板６２において、端面５５ｄと対向する場所には、配線４２ａが形成されている。この配線４２ａには、端面５５ｄを形成するためにレーザ光を照射されることがない為、配線４２ａが損傷を受けることがない。
【００９８】
（２）本実施形態によれば、データ線駆動回路３９、実装端子４０及び走査線駆動回路４１はアルミニウムを素材とする配線４２ａにより電気的に接続されており、レーザ光の照射を受けると損傷して断線する可能性がある。本実施形態の効果（１）に記載の通り、この配線には、端面５５ｄを形成するためにレーザ光を照射されることがない為、損傷を受けることがない。従って、端面５５ｄを形成するために、配線４２ａが断線されることがない。
【００９９】
（３）本実施形態によれば、対向短冊基板５５に位置決めマーク５３が形成され、素子マザー基板６２に位置決めマーク６４が形成されている。ステップＳ３において、位置決めマーク５３と位置決めマーク６４とを用いて、対向短冊基板５５と素子マザー基板６２との相対位置を合わせることから、位置精度よく位置合わせをすることができる。
【０１００】
（４）本実施形態によれば、ステップＳ１１で対向短冊基板５５を形成して、ステップＳ３において、素子マザー基板６２と接合している。対向短冊基板５５には、複数の液晶表示装置３３に対応するカラーフィルタ４４、遮光膜４５、対向電極４６等が形成されている。対向基板３５を個々に分断してから素子マザー基板６２に接合する場合に比べて、１回の接合工程により複数の対向基板３５を接合できることから、対向基板３５を接合する回数を減らすことができる為、生産性良く製造できる。
【０１０１】
（５）本実施形態によれば、ステップＳ１２の第１基板第２形成工程において、レーザ光を照射する光軸上に配線、素子、実装端子４０、シール３６等が配置されない状態で、レーザ光を照射している。従って、この液晶表示装置３３は、配線、素子、実装端子４０、シール３６等がレーザ光により損傷を受けることなく製造され、品質良く製造される電気光学装置とすることができる。
【０１０２】
（６）本実施形態によれば、レーザ光を用いて基板の内部にクラック部５８を配列して形成し、スクライブしている。従って、ガラス粉の発生を少なくスクライブすることができる。
（第２の実施形態）
【０１０３】
次に、上記の第１の実施形態の液晶表示装置３３を備えた電子機器について説明する。
図１１は、パーソナルコンピュータに液晶表示装置を搭載した例を示す概略斜視図である。図１１に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピュータ８０の本体は情報を表示する表示装置８１を備えている。この表示装置８１に、第１の実施形態により製造された液晶表示装置３３が配設されている。パーソナルコンピュータ８０に配置されている表示装置８１は上記の実施形態により製造され、表示装置８１における基板は、基板に配置されている素子等がレーザ光により損傷を受けずにスクライブされて分断されている。従って、パーソナルコンピュータ９０は、基板に配置されている素子等がレーザ光により損傷を受けずにスクライブされて分断されている液晶表示装置３３を、表示部に備えた電子機器となっている。
【０１０４】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、対向マザー基板５１にレーザ光を用いてスクライブし、対向短冊基板５５を形成したが、これに限らない。ガラスカッタ（ガラススクライバ）を用いて対向マザー基板５１を分断しても良い。ここで、ガラスカッタは、ダイヤモンド片又は、超硬合金片や表面にダイヤモンドや超硬合金等の硬質の素材を備えて形成された輪を用いて、基板上を加圧しながら移動することで、基板に傷をつけ、クラックを形成する刃工具を示す。
【０１０５】
ガラスカッタを用いてスクライブする方法は、基板の表面にクラックを形成するだけであり、レーザ光を用いて改質部を配列して形成し、スクライブする方法に比べて短い時間で製造することができる。その結果、生産性良くスクライブして分断することができる。
【０１０６】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、対向マザー基板５１にレーザ光を用いてスクライブし、対向短冊基板５５を形成したが、これに限らない。ダイサー式切断機を用いて切断しても良い。切断する端面を位置精度良く形成することができる。
【０１０７】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、ステップＳ３の接合工程で素子マザー基板６２と対向短冊基板５５とを接合している。素子マザー基板６２において、対向短冊基板５５の端面５５ｄと対向する場所には、配線が配置されていたが、これに限らない。データ線駆動回路３９、実装端子４０、走査線駆動回路４１等のいずれの素子があっても、レーザ光を照射されないことから、損傷を受けずにスクライブして、分断することができる。
【０１０８】
（変形例４）
前記第１の実施形態では、対向マザー基板５１から対向短冊基板５５を形成して、素子マザー基板６２と接合したが、これに限らない。対向マザー基板５１から個々の液晶表示装置３３に対応する対向基板３５を形成して、素子マザー基板６２と接合しても良い。
【０１０９】
（変形例５）
前記第１の実施形態では、ステップＳ４〜ステップＳ６でスクライブして、ステップＳ７〜ステップＳ９で分断したが、これに限らない。ステップＳ４の後、ステップＳ８を行って、対向短冊基板５５を分断する。つぎに、ステップＳ５〜ステップＳ７を行い、ステップＳ９を行って、素子マザー基板６２を分断しても良い。つまり、スクライブする工程と分断する工程を交互に行っても良い。改質部５７が経時変化する前に分断できることから、品質良く分断できる。
【０１１０】
（変形例６）
前記第１の実施形態では、ＴＦＴアレイ基板３４及び対向基板３５に石英ガラスを用いたが、これに限らない。光透過性があり、液晶表示装置３３を構成できる脆性材料であれば良く、例えば、石英ガラスの他に、ソーダ石灰ガラス、パイレックス（登録商標）等のホウ珪酸ガラス、ＯＡ−１０（日本電気硝子社製）等の無アルカリガラス、ネオセラム（登録商標）等の耐熱結晶化ガラス、光学ガラス、水晶等を挙げることができる。
【０１１１】
（変形例７）
前記第１の実施形態では、液晶表示装置３３に本発明の基板の分断方法を用いたが、液晶表示装置３３以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（ＥＬＥＣＴＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における基板の分断手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、基板を分断する工程で面取りされる基板を備えた電気光学装置を提供することができる。
【０１１２】
（変形例８）前記第２実施形態で、液晶表示装置３３をパーソナルコンピュータ８０の表示部８１に用いたが、これに限定されない。例えば、電子ブック、携帯電話、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の電子機器の画像表示手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、表示部に低いレーザ光強度でスクライブして分割された液晶表示装置３３を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】第１の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を示す概略図。
【図２】液晶表示装置の模式平面図。
【図３】液晶表示装置の模式断面図。
【図４】基板の分断方法のフローチャート。
【図５】対向マザー基板の模式図。
【図６】基板の分断方法を説明する図。
【図７】マザー基板の模式図。
【図８】基板の分断方法を説明する図。
【図９】基板の分断方法を説明する図。
【図１０】基板の分断方法を説明する図。
【図１１】第２の実施形態に係るパーソナルコンピュータを示す概略斜視図。
【符号の説明】
【０１１４】
３３…電気光学装置としての液晶表示装置、３４…第２の基板としてのＴＦＴアレイ基板、３５…第１の基板としての対向基板、４０…電極としての実装端子、４２ａ…配線、５１…第１マザー基板としての対向マザー基板、５３，６４…マークとしての位置決めマーク、５５…第１短冊基板としての対向短冊基板、５５ｄ…辺としての端面、５６…レーザ光、５７…改質部、６２…第２マザー基板としての素子マザー基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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