(57)【要約】【課題】投光手段の投光時間を制御して検出期間における受光手段の受光量を一定のレベルにする変位センサ及び光電センサにおいて、検出期間における投光時間を極力短く設定することが可能な変位センサ及び光電センサを提供する。【解決手段】制御回路は、駆動パルスＳ０１〜Ｓ０３を出力し、投光素子を所定時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）、投光させる。また、制御回路は、モニタ用駆動パルスＳ３１を出力し、投光素子を非検出期間中に投光させ、モニタ用受光素子での受光量（モニタ用受光信号Ｓ２１）を確保する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出物に向けて投光を行うための投光手段と、
複数の画素からなり、前記被検出物で反射された反射光を受光して前記複数の画素の各受光量から受光分布を得るイメージセンサと、
前記イメージセンサでの前記受光分布に基づいて前記被検出物の変位を検出する検出手段と、
前記検出手段での前記被検出物の検出を可能とする検出期間とその検出を不能とする非検出期間とのいずれかに切り替える検出期間設定手段と、
前記投光手段からの照射光を直接受光可能に配置されたモニタ用受光手段と、
前記モニタ用受光手段での受光に基づいて前記投光手段の投光強度を所定強度に設定する投光強度設定手段と、
前記イメージセンサが受光した検出受光量に応じて前記投光手段の投光時間を制御する投光時間制御手段と
を備えた変位センサにおいて、
前記投光時間制御手段は、前記非検出期間中に前記投光手段を投光させることを特徴とする変位センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の変位センサにおいて、
前記投光時間制御手段は、前記非検出期間における前記投光手段の投光時間が前記検出期間における前記投光手段の投光時間に連続するように前記投光手段を投光させることを特徴とする変位センサ。
【請求項３】
請求項２に記載の変位センサにおいて、
前記投光時間制御手段は、前記非検出期間における前記投光手段の投光時間が前記検出期間における前記投光手段の投光時間の前となるよう前記投光手段を投光させることを特徴とする変位センサ。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の変位センサにおいて、
前記モニタ用受光手段は、フォトダイオードで構成されることを特徴とする変位センサ。
【請求項５】
被検出物に向けて投光を行うための投光手段と、
前記被検出物で反射された反射光を受光する検出用受光手段と、
前記検出用受光手段での検出受光量に基づいて前記被検出物を検出する検出手段と、
前記検出手段での前記被検出物の検出を可能とする検出期間とその検出を不能とする非検出期間とのいずれかに切り替える検出期間設定手段と、
前記投光手段からの照射光を直接受光可能に配置されたモニタ用受光手段と、
前記モニタ用受光手段での受光に基づいて前記投光手段の投光強度を所定強度に設定する投光強度設定手段と、
前記検出用受光手段が受光した検出受光量に応じて前記投光手段の投光時間を制御する投光時間制御手段と
を備えた光電センサにおいて、
前記投光時間制御手段は、前記非検出期間中に前記投光手段を投光させることを特徴とする光電センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検出物を非接触で検出する変位センサ及び光電センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
光電センサには、被検出物に向けて投光を行うための投光素子と、被検出物で反射された反射光を受光するイメージセンサと、そのイメージセンサの受光量を周期的に検出しそのイメージセンサ上で得た受光分布における被検出物からの反射光に対応したピーク位置の検出に基づいて被検出物の位置（距離）等を検出する制御回路とを備えた変位センサがある。
【０００３】
ところで、被検出物の反射面の反射率などによりイメージセンサに入射する反射光の強度が異なるため、例えば特許文献１に示される変位センサには、イメージセンサでの受光量がある一定のレベルとなるように投光時間を制御するデューティーサイクル制御回路が設けられている。デューティーサイクル制御回路は、検出期間におけるイメージセンサの受光量に基づいて、被検出物からの反射光に対応したピーク位置が的確に検出できるように、次の検出期間における投光素子の投光時間を設定する。
【特許文献１】特開平１０−２６７６４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、検出期間における受光素子の受光量は投光素子の投光時間と投光素子の投光強度（単位時間あたりの投光量、照度）とによって決定される。そのため、投光時間を設定して受光量を調整するものには照射光を直接受光するモニタ用受光素子が設けられ、そのモニタ用受光素子によって投光素子の投光強度が検出されるようになっている。しかしながら、検出期間における投光素子の投光時間が短くなると、投光素子の投光強度がモニタ用受光素子で検出可能な閾値（モニタ用受光素子により検出可能な投光強度）に到達する前に投光が停止されるため、投光素子の投光強度を検出することができなくなってしまう。即ち、受光素子の受光量を適切に制御するためには、投光素子の投光強度がモニタ用受光素子により検出可能な閾値以上となるまでに必要とされる時間、投光素子を投光させる必要がある。よって、検出期間における投光時間の下限値が投光素子の立ち上がり時間やモニタ用受光素子の閾値により制限され、検出処理の高速化の妨げとなる。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、投光手段の投光時間を制御して検出期間における受光手段の受光量を一定のレベルにする変位センサ及び光電センサにおいて、検出期間における投光時間を極力短く設定することが可能な変位センサ及び光電センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、被検出物に向けて投光を行うための投光手段と、複数の画素からなり、前記被検出物で反射された反射光を受光して前記複数の画素の各受光量から受光分布を得るイメージセンサと、前記イメージセンサでの前記受光分布に基づいて前記被検出物の変位を検出する検出手段と、前記検出手段での前記被検出物の検出を可能とする検出期間とその検出を不能とする非検出期間とのいずれかに切り替える検出期間設定手段と、前記投光手段からの照射光を直接受光可能に配置されたモニタ用受光手段と、前記モニタ用受光手段での受光に基づいて前記投光手段の投光強度を所定強度に設定する投光強度設定手段と、前記イメージセンサが受光した検出受光量に応じて前記投光手段の投光時間を制御する投光時間制御手段とを備えた変位センサにおいて、前記投光時間制御手段は、前記非検出期間中に前記投光手段を投光させる。
【０００７】
同構成によれば、投光時間制御手段は非検出期間中に投光手段を投光させるため、検出期間における投光手段の投光時間に関わらず、モニタ用受光手段での受光量を確保することができる。よって、投光手段の立ち上がり時間やモニタ用受光手段の閾値に制限されることなく検出期間における投光手段の投光時間を極力短く設定することが可能となり、検出処理の高速化に貢献することができる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の変位センサにおいて、前記投光時間制御手段は、前記非検出期間における前記投光手段の投光時間が前記検出期間における前記投光手段の投光時間に連続するように前記投光手段を投光させる。
【０００９】
同構成によれば、投光時間制御手段は、非検出期間における投光手段の投光時間が検出期間における投光手段の投光時間に連続するように投光手段を投光させるため、点灯及び消灯を繰り返すことによる投光手段の無駄な消耗を低減することができる。また、非検出期間における投光手段の投光時間を検出期間における投光手段の投光時間に連続させない場合と比較して、検出期間における投光手段の投光時間の分、非検出期間における投光手段の投光時間を短くすることが可能となる。従って、このことによっても、投光手段の無駄な消耗を低減することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の変位センサにおいて、前記投光時間制御手段は、前記非検出期間における前記投光手段の投光時間が前記検出期間における前記投光手段の投光時間の前となるよう前記投光手段を投光させる。
【００１１】
同構成によれば、投光時間制御手段は、非検出期間における投光手段の投光時間が検出期間における投光手段の投光時間の前となるよう投光手段を投光させるため、比較的不安定な投光初期の投光手段の投光がイメージセンサに受光され難くなる。よって、検出期間中にイメージセンサが単位時間あたりに受光する検出受光量を安定させることが可能となり、検出期間における投光手段の投光時間の変化を検出期間におけるイメージセンサの検出受光量の変化に好適に反映させることができる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の何れか１項に記載の変位センサにおいて、前記モニタ用受光手段は、フォトダイオードで構成される。
同構成によれば、モニタ用受光手段は安価なフォトダイオードで構成されるため、製造コストの増加を抑えることができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、被検出物に向けて投光を行うための投光手段と、前記被検出物で反射された反射光を受光する検出用受光手段と、前記検出用受光手段での検出受光量に基づいて前記被検出物を検出する検出手段と、前記検出手段での前記被検出物の検出を可能とする検出期間とその検出を不能とする非検出期間とのいずれかに切り替える検出期間設定手段と、前記投光手段からの照射光を直接受光可能に配置されたモニタ用受光手段と、前記モニタ用受光手段での受光に基づいて前記投光手段の投光強度を所定強度に設定する投光強度設定手段と、前記検出用受光手段が受光した検出受光量に応じて前記投光手段の投光時間を制御する投光時間制御手段とを備えた光電センサにおいて、前記投光時間制御手段は、前記非検出期間中に前記投光手段を投光させる。
【００１４】
同構成によれば、投光時間制御手段は非検出期間中に投光手段を投光させるため、検出期間における投光手段の投光時間に関わらず、モニタ用受光手段での受光量を確保することができる。よって、投光手段の立ち上がり時間やモニタ用受光手段の閾値に制限されることなく検出期間における投光手段の投光時間を極力短く設定することが可能となり、検出処理の高速化に貢献することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、投光手段の投光時間を制御して検出期間における受光手段の受光量を一定のレベルにする変位センサ及び光電センサにおいて、検出期間における投光時間を極力短く設定することが可能な変位センサ及び光電センサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施の形態の変位センサ（光電センサ）１を示す。変位センサ１は、赤色半導体レーザダイオード等からなる投光素子２を備えた投光素子駆動回路（投光手段）３と、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等からなる受光素子４を備えた受光素子駆動回路（検出用受光手段）５と、フォトダイオード等からなるモニタ用受光素子６を備えた検出回路（モニタ用受光手段）７とを備えている。また、変位センサ１は、各種制御信号を出力しそれらの回路３，５，７を制御する検出手段、検出期間設定手段、投光強度設定手段及び投光時間制御手段としての制御回路８を備えている。
【００１７】
図２に示すように、投光素子駆動回路３は、制御回路８からのＨレベルの駆動パルスＳ０１〜Ｓ０３に基づいて投光素子２に駆動電流を供給し、投光素子２に所定時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）、被検出物Ｗへ光を照射（投光）させる。受光素子４は、前記投光素子２から被検出物Ｗへ向けて照射され該被検出物Ｗで反射された光を受光する。受光素子駆動回路５は、制御回路８から前記駆動パルスＳ０１〜Ｓ０３と同時に出力された受光制御信号に基づいて、所定時間（検出期間）、受光素子４の各画素で受光された光の受光量に応じた電荷を蓄積させ、その間（検出期間）に受光素子４に受光された（入射した）光の検出受光量が検出されるようにする。そして、受光素子駆動回路５は、受光素子４の全画素に蓄積された電気信号を出力するのに必要な時間（非検出期間）、受光素子４の各画素における電気信号の蓄積を禁止し、その間（非検出期間）に受光素子４に受光された（入射した）光の受光量が検出されないようにする。そして、受光素子駆動回路５は、受光素子４の各画素に蓄積された電気信号を増幅させて制御回路８に出力する。
【００１８】
また、投光素子２の近傍には、該投光素子２からの照射光を直接受光可能にモニタ用受光素子６が配置されている。モニタ用受光素子６は、その投光素子２の投光強度（単位時間あたりの投光量、照度）に応じたアナログ受光信号Ｓ１１を検出回路７に出力する。検出回路７は、アナログ受光信号Ｓ１１、即ち投光素子２の投光強度が所定の閾値ＴＨ以上となっている間、Ｈレベルのモニタ用受光信号Ｓ２１を出力する。なお、検出回路７は、Ｈレベルのモニタ用受光信号Ｓ２１とともに投光素子２の投光強度に対応した信号も出力している。
【００１９】
制御回路８は、受光素子４が受光した検出受光量を受光素子駆動回路５から出力された電気信号に基づいて検出し、受光素子４上の受光分布を取得する。受光素子４各画素における受光量が該受光素子４の各画素で蓄積可能なレンジ内にあるとき、受光分布には、被検出物Ｗからの反射光に対応する位置に受光ピークが生じる。そして、制御回路８は、その受光ピークの位置に基づいて被検出物Ｗの位置を検出（測定）する。制御回路８は、所定の周期（測定周期Ｔ１〜Ｔ３）で前記駆動パルスＳ０１〜Ｓ０３及び受光制御信号を出力し、被検出物Ｗの位置の検出を繰り返す。
【００２０】
また、制御回路８は、検出受光量が飽和しない所定レベルとなるような投光素子２の投光量、即ち検出期間における投光素子２の投光強度と投光時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）とを設定する。
【００２１】
詳述すると、制御回路８は、検出回路７から出力されたＨレベルのモニタ用受光信号Ｓ２１に基づいて、現在の測定周期Ｔ１の検出期間における投光素子２の投光強度が所定強度で一定となるように投光素子２に供給する駆動電流の値（大きさ）を設定する。また、制御回路８は、現在の測定周期Ｔ１の検出期間における受光素子４の受光量（検出受光量）を取得する。この時、現在の測定周期Ｔ１の検出期間における受光素子４の受光量（検出受光量）が最適な値よりも大きい場合、制御回路８は、現在の測定周期Ｔ１の検出期間における検出用投光時間ｔ０１よりも短い検出用投光時間ｔ０２を設定する。そして、その設定された駆動電流の値（所定の投光強度）で検出用投光時間ｔ０２、投光素子２を投光させるための駆動パルスＳ０２を次の測定周期Ｔ２の開始時に出力する。因みに、現在の測定周期Ｔ１の検出期間における受光素子４の受光量（検出受光量）が最適な値よりも小さい場合、制御回路８は、現在の測定周期Ｔ１の検出期間における検出用投光時間ｔ０１よりも長い検出用投光時間ｔ０２を設定する。そして、その設定された駆動電流の値（所定の投光強度）で検出用投光時間ｔ０２、投光素子２を投光させるための駆動パルスＳ０２を次の測定周期Ｔ２の開始時に出力する（図示略）。即ち、制御回路８は、受光素子４の検出受光量が飽和しない所定レベルとなるよう、検出期間における投光素子２の投光時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）を変更する。
【００２２】
また、本実施の形態において、投光素子駆動回路３は、制御回路８からのモニタ用駆動パルスＳ３１に基づいて投光素子２に駆動電流を供給し、非検出期間中に投光素子２を投光させる。その際、図２に示すように、制御回路８は、非検出期間における投光素子２の投光時間（モニタ用投光時間ｔ２１）が検出期間における投光素子２の検出用投光時間ｔ０２に連続するようにモニタ用駆動パルスＳ３１を出力する。また、制御回路８は、非検出期間における投光素子２の投光時間（モニタ用投光時間ｔ２１）が検出期間における投光素子２の検出用投光時間ｔ０２の前となるよう、投光素子２を次の測定周期Ｔ２の検出期間の開始時刻よりも前、即ち現在の測定周期Ｔ１の非検出期間中にモニタ用駆動パルスＳ３１を出力する。なお、モニタ用投光時間ｔ２１は、投光素子２の投光が開始されてからモニタ用受光素子６のモニタ受光量が前記検出回路７における所定の閾値ＴＨ以上となるまでに要する立ち上がり時間ｔ１１よりも長く設定されている。これは、従来の変位センサで起きていた問題を解決するためである。
【００２３】
即ち、従来の変位センサでは、図４に示すように、先の測定周期Ｔ１の検出期間における受光素子４の検出受光量に応じて次の測定周期Ｔ２の検出期間における投光素子２の検出用投光時間ｔ０２が立ち上がり時間ｔ１１よりも短く設定されると、モニタ用受光素子６から出力されるアナログ受光信号Ｓ４１の立ち上がりが鈍いため、Ｈレベルのモニタ用受光信号Ｓ５１が出力されない。そのため、現在の測定周期Ｔ１の検出期間における投光素子２の投光強度（照度）に基づいて次の測定周期Ｔ２の検出期間における投光素子２に供給される駆動電流の値を所定の投光強度になるように設定することが不可能となり、受光素子４の受光量を適切に制御することができなくなってしまう。
【００２４】
これに対し、本実施の形態の変位センサ１によれば、上述したように、投光素子駆動回路３は制御回路８からのモニタ用駆動パルスＳ３１に基づいて非検出期間中に投光素子２を投光させる。そのため、先の測定周期Ｔ１の検出期間における受光素子４の受光量（検出受光量）に基づいて設定された次の測定周期Ｔ２の検出期間における投光素子２の検出用投光時間ｔ０２が立ち上がり時間ｔ１１よりも短く設定されても、モニタ用受光素子６での受光量が確保される。よって、次の測定周期Ｔ２中にＨレベルのモニタ用受光信号Ｓ２１が出力され、制御回路８は、その測定周期Ｔ２の検出期間における投光素子２の投光強度と受光素子４の受光量（検出受光量）とを取得し、さらに次の測定周期Ｔ３の検出期間における投光素子２に供給する駆動電流の値と駆動電流の供給時間（投光時間（検出用投光時間ｔ０３）とを設定する。そして、さらに次の測定周期Ｔ３の開始時刻において、制御回路８は、新たに設定された駆動電流の値で検出用投光時間ｔ０３、投光素子２を投光させるための駆動パルスＳ０３を出力する。即ち、受光素子４の検出受光量に応じた最適な投光素子２の投光強度と検出用投光時間ｔ０３とが設定される。なお、非検出期間中に投光された光は受光素子４に受光されないため、検出期間における受光素子４の受光量に影響が及ぶことはない。
【００２５】
また、その際、制御回路８は、非検出期間における投光素子２の投光時間（モニタ用受光時間ｔ２１）が検出期間における投光素子２の検出用投光時間ｔ０２に連続するようにモニタ用駆動パルスＳ３１を出力する。従って、検出期間及び非検出期間における投光時間（検出用投光時間ｔ０２及びモニタ用投光時間ｔ２１）を合わせた時間、投光素子２から光が連続して投光される。
【００２６】
さらに、制御回路８は、非検出期間における投光素子２の投光時間（モニタ用受光時間ｔ２１）が検出期間における投光素子２の検出用投光時間ｔ０２の前となるよう、投光素子２を次の測定周期Ｔ２（検出期間）の開始時刻よりも前、即ち現在の測定周期Ｔ１の非検出期間中にモニタ用駆動パルスＳ３１を出力する。よって、現在の測定周期Ｔ１の非検出期間において投光素子２の投光量が十分安定するレベルまで増加し、次の測定周期Ｔ２の検出期間において、比較的不安定な投光初期の投光素子２の投光が受光素子４に受光され難くなる。
【００２７】
次に、上記実施の形態の作用効果を以下に記載する。
（１）制御回路８は、非検出期間中に投光素子２を投光させるため、検出期間における投光素子２の投光時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）に関わらず、モニタ用受光素子６での受光量を確保することができる。よって、投光素子２の立ち上がり時間やモニタ用受光素子６の閾値に制限されることなく検出期間における投光素子２の投光時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）を極力短く設定することが可能となり、検出処理の高速化に貢献することができる。また、検出期間における投光素子２の投光時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）をより短く設定することができるため、例えば被検出物Ｗがより近くに配置され受光素子への入光量が大きくなった場合にその入光量の増加に応じて投光素子２の投光量をより小さくすることが可能となり、より近い位置に配置された被検出物Ｗを検出することができる。
【００２８】
（２）制御回路８は、非検出期間における投光素子２の投光時間（モニタ用投光時間ｔ２１）が検出期間における投光素子２の投光時間（検出用投光時間ｔ０２）に連続するように投光素子２を投光させるため、点灯及び消灯を繰り返すことによる投光素子２の無駄な消耗を低減することができる。また、本実施の形態ではモニタ用投光時間ｔ２１が立ち上がり時間ｔ１１よりも長く設定されているが、モニタ用投光時間ｔ２１を検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３に連続させているため、モニタ用投光時間ｔ２１及び検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３を合わせた投光時間が立ち上がり時間ｔ１１よりも長くなるようにモニタ用投光時間ｔ２１が設定されればよい。即ち、モニタ用投光時間ｔ２１を検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３に連続させない場合と比較して、検出期間における投光素子２の投光時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）の分、非検出期間における投光素子２の投光時間（モニタ用投光時間ｔ２１）を短くすることが可能となる。従って、このことによっても、投光素子２の無駄な消耗を低減することができる。
【００２９】
（３）制御回路８は、非検出期間における投光素子２の投光時間（モニタ用投光時間ｔ２１）が検出期間における投光素子２の投光時間（検出用投光時間ｔ０２）の前となるよう投光素子２を投光させるため、比較的不安定な投光初期の投光素子２の投光が受光素子４に受光され難くなる。よって、検出期間中に受光素子４が単位時間あたりに受光する検出受光量を安定させることが可能となり、投光時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）の変化を受光素子４の検出受光量の変化に好適に反映させることができる。なお、本実施の形態では、モニタ用投光時間ｔ２１は、立ち上がり時間ｔ１１よりも長く設定されているため、次の測定周期Ｔ２の検出期間における投光素子２の投光量（照度）がより安定する。
【００３０】
（４）モニタ用受光素子６は安価なフォトダイオードで構成されるため、製造コストの増加を抑えることができる。
尚、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
【００３１】
・上記実施の形態では、制御回路８は、非検出期間における投光素子２の投光時間（モニタ用投光時間ｔ２１）を次の測定周期Ｔ２の検出期間における投光素子２の投光時間（検出用投光時間ｔ０２）に連続させるモニタ用駆動パルスＳ３１を出力するとした。しかし、例えば図３に示すように、制御回路８は、非検出期間における投光素子２の投光時間（モニタ用投光時間ｔ２１）を次の測定周期Ｔ２の検出期間における投光素子２の投光時間（検出用投光時間ｔ０２）に連続させないモニタ用駆動パルスＳ６１を出力するとしてもよい。
【００３２】
・上記実施の形態では、被検出物Ｗの位置を検出する変位センサ１（光電センサ）を示したが、例えば、フォトダイオードからなる受光素子（検出用受光手段）を用いて被検出物Ｗの有無を検出する光電センサなどに適用してもよい。
【００３３】
・上記実施の形態では、制御回路８は投光素子２の投光強度が所定強度で一定となるように駆動電流の値を設定し、受光素子４の検出受光量が飽和しない所定レベルとなるように投光素子２の検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３を変更している。しかし、制御回路８は受光素子４の検出受光量が飽和しない所定レベルとなるように投光素子２の投光強度と投光素子２の検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３とを変更する構成としてもよい。また、上記実施の形態では、制御回路８により投光素子２に供給される駆動電流の値が設定されているが、投光強度設定手段としてＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路を設け、制御回路８は駆動電流の供給時間（検出用投光時間ｔ０１〜ｔ０３）のみを設定する構成としてもよい。
【００３４】
・上記実施の形態では、モニタ用受光素子６としてフォトダイオードを用いたが、例えばフォトトランジスタ等、その他の素子を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本実施の形態の変位センサの概略構成を示すブロック図。
【図２】本実施の形態のモニタ用受光信号の出力タイミングを示すタイミングチャート。
【図３】別例のモニタ用受光信号の出力タイミングを示すタイミングチャート。
【図４】従来のモニタ用受光信号の出力タイミングを示すタイミングチャート。
【符号の説明】
【００３６】
１…変位センサ（光電センサ）、２…投光手段を構成する投光素子、３…投光手段を構成する投光素子駆動回路、４…検出用受光手段を構成する受光素子、５…検出用受光手段を構成する受光素子駆動回路、６…モニタ用受光手段を構成するモニタ用受光素子、７…モニタ用受光手段としての検出回路、８…検出手段、検出期間設定手段、投光強度設定手段及び投光時間制御手段としての制御回路、Ｗ…被検出物、ｔ０１〜ｔ０３…検出用投光時間、ｔ２１…モニタ用投光時間。
【図１】
2008058195.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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