(57)【要約】【課題】  仕切りを別途設けることなく接続パッドにもられた半田が流れてしまうのを防止するとともに、寸法精度の高い多層回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明は、第１の絶縁層とこの第１の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２の絶縁層とが交互に積層され、最上層に第１の絶縁層１１ａが配置されるとともに、前記第１の絶縁層１１ａには端面の少なくとも一部に切欠き部１１ａ１が形成され、かつ、第１の絶縁層１１ａ１に隣接する第２の絶縁層１２ａのうち切欠き部１１ａ１に対応する部位が前記第１の絶縁層１１ａ１よりも高く隆起した厚肉部１２ａ１となっていて、絶縁基板１の上面に形成された接続パッド４と端面導体膜２とを電気的に接続する接続導体５が厚肉部１２ａ１上に配置されている多層回路基板である。【選択図】図３
2008205352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と該第１の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２の絶縁層とが交互に積層され、最上層に前記第１の絶縁層が配置されるとともに、前記最上層に配置された前記第１の絶縁層には端面の少なくとも一部に切欠き部が形成され、かつ、前記最上層に配置された前記第１の絶縁層の直下に配置された前記第２の絶縁層のうち前記切欠き部に対応する部位が前記最上層に配置された前記第１の絶縁層よりも高く隆起した厚肉部となっている絶縁基板と、
前記絶縁基板の少なくとも前記厚肉部の端面に被着形成された端面導体膜と、
前記絶縁基板の上面に形成された電子部品の端子接続用の接続パッドと、
前記絶縁基板の上面に前記接続パッドから前記厚肉部を越えて前記端面導体膜まで形成された接続導体とを含むことを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】
前記絶縁基板の端面には前記厚肉部の端面から最下層の端面まで延びる溝が形成され、該溝内に前記端面導体膜が被着形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板。
【請求項３】
第１のグリーンシートおよび該第１のグリーンシートの焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２のグリーンシートを用意する工程と、
最上層に配置される前記第１のグリーンシートの端面の少なくとも一部に切欠き部を形成する工程と、
最上層に前記第１のグリーンシートを、その直下に前記第２のグリーンシートを配置し、前記第１のグリーンシートおよび前記第２のグリーンシートを交互に積層して複合グリーンシート積層体を形成するとともに、前記複合グリーンシート積層体における端面のうち少なくとも前記切欠き部の直下に位置する第２のグリーンシートの端面に端面導体膜用導体ペーストを塗布する工程と、
前記最上層に配置される第１のグリーンシートの上面に電子部品の端子接続用の接続パッド用導体ペーストを塗布する工程と、
前記最上層に配置される第１のグリーンシートの上面および前記切り欠き部に露出する前記第２のグリーンシートの上面に、前記接続パッド用ペーストおよび前記端面導体膜用ペーストを電気的に接続する接続導体用ペーストを塗布する工程と、
前記端面導体膜用ペースト、前記接続パッド用ペーストおよび前記接続導体用ペーストが形成された前記複合グリーンシート積層体を焼成する工程とを含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記複合グリーンシート積層体における前記切欠き部を有する側の端面に前記切欠き部から最下層まで延びる溝を形成し、該溝内に前記端面導体膜用ペーストを被着形成することを特徴とする請求項３に記載の多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器や通信機器等の各種電子デバイスに組み込まれて用いられる電子部品実装用の多層回路基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や圧電素子、コンデンサ、フィルタ等の電子部品を表面実装する多層回路基板として、図５に示すように、絶縁基板５０の端面に積層方向に延びる溝５１が形成されるとともにこの溝５１の内面に端面導体膜５２が被着形成され、絶縁基板５０の上面には電子部品の端子が半田接合される接続パッド５３が形成され、この接続パッド５３と端面導体膜５２とを電気的に接続する接続導体５４が形成された構成のものが知られている。
【０００３】
このような多層回路基板において、接続パッド５３に電子部品の端子電極が半田で接続されるとき、リフローの際の溶融した半田が接続パッド５３から接続導体５４を経て端面導体膜５２まで流れてしまうことが多々有る。そうすると、電子部品の実装に必要な適正な半田量を把握しにくく、所定の半田量を使用しても、電子部品の端子電極と接続パッド５３とを接続する半田量が不足してしまうことがある。
【０００４】
また、端面導体膜５２が絶縁基板５０の最下層まで延びて形成されている場合には、リフローの際の溶融した半田が端面導体膜５２を伝って絶縁基板５０の下面に回り込んでしまうこともある。このような場合、多層回路基板を外部回路基板上に実装する際に、多層回路基板と外部回路基板とが完全に面接触できなくなり、実装に不都合をきたす。しかも、端面導体膜５２に既に半田が付着しているため、多層回路基板を外部回路基板上に実装するための半田が端面導体膜５２に濡れ上がったかどうか、すなわち多層回路基板と外部回路基板との間の半田接続が確実になされているかどうかを目視にて判断することが困難となってしまう。
【０００５】
そこで、図５に示すように、電子部品を実装するための半田がリフローの際に端面導体膜５２を伝って流れてしまうことを防止するために、接続パッド５３と端面導体膜５２とを接続する接続導体５４上に、絶縁膜や絶縁フィルムからなる仕切り５５を形成した多層回路基板が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開平１０−７５０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された多層回路基板は、仕切り５５を別途設ける工程を必要とするものであって、製造工程が増えてしまうこととなる。
【０００７】
一方、近年においては、多層配線基板の寸法精度に対する要求も強くなっている。例えば、絶縁基板がガラスセラミックスからなる多層回路基板は、焼成により体積が４０〜５０％程度収縮する。このときの多層回路基板の積層方向に垂直な方向（Ｘ−Ｙ方向）における収縮率（１方向において平均１５〜２０％程度）のばらつきが配線層の位置ばらつきとなり、基板寸法精度が悪くなっていた。なお、ここでいう収縮率は、焼成前の寸法から焼成後の寸法を減じた値を焼成前の寸法で除した値で定義されるものである。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、仕切りを別途設けることなく接続パッドにもられた半田が流れてしまうのを防止するとともに、寸法精度の高い多層回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、第１の絶縁層と該第１の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２の絶縁層とが交互に積層され、最上層に前記第１の絶縁層が配置されるとともに、前記最上層に配置された前記第１の絶縁層には端面の少なくとも一部に切欠き部が形成され、かつ、前記最上層に配置された前記第１の絶縁層の直下に配置された前記第２の絶縁層のうち前記切欠き部に対応する部位が前記最上層に配置された前記第１の絶縁層よりも高く隆起した厚肉部となっている絶縁基板と、前記絶縁基板の少なくとも前記厚肉部の端面に被着形成された端面導体膜と、前記絶縁基板の上面に形成された電子部品の端子接続用の接続パッドと、前記絶縁基板の上面に前記接続パッドから前記厚肉部を越えて前記端面導体膜まで形成された接続導体とを含むことを特徴とする多層回路基板である。
【００１０】
ここで、前記絶縁基板の端面には前記厚肉部の端面から最下層の端面まで延びる溝が形成され、該溝内に前記端面導体膜が被着形成されているのが好ましい。
【００１１】
また本発明は、第１のグリーンシートおよび該第１のグリーンシートの焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２のグリーンシートを用意する工程と、最上層に配置される前記第１のグリーンシートの端面の少なくとも一部に切欠き部を形成する工程と、最上層に前記第１のグリーンシートを、その直下に前記第２のグリーンシートを配置し、前記第１のグリーンシートおよび前記第２のグリーンシートを交互に積層して複合グリーンシート積層体を形成するとともに、前記複合グリーンシート積層体における端面のうち少なくとも前記切欠き部の直下に位置する第２のグリーンシートの端面に端面導体膜用導体ペーストを塗布する工程と、前記最上層に配置される第１のグリーンシートの上面に電子部品の端子接続用の接続パッド用導体ペーストを塗布する工程と、前記最上層に配置される第１のグリーンシートの上面および前記切り欠き部に露出する前記第２のグリーンシートの上面に、前記接続パッド用ペーストおよび前記端面導体膜用ペーストを電気的に接続する接続導体用ペーストを塗布する工程と、前記端面導体膜用ペースト、前記接続パッド用ペーストおよび前記接続導体用ペーストが形成された前記複合グリーンシート積層体を焼成する工程とを含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法である。
【００１２】
ここで、前記複合グリーンシート積層体における前記切欠き部を有する側の端面に前記切欠き部から最下層まで延びる溝を形成し、該溝内に前記端面導体膜用ペーストを被着形成するのが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の多層回路基板によれば、第１の絶縁層と第１の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２の絶縁層とが交互に積層され、最上層に配置された絶縁層の端面の一部に切欠き部が形成され、これに隣接する第２の絶縁層の切欠き部に対応する部位が第１の絶縁層よりも高く隆起した厚肉部となっているので、接続パッドにもられた半田が端面導体膜まで流れてしまうのを防止することができる。その為、電子部品と接続パッドとの導通を確実にとることができる。また、第２の絶縁層の焼成収縮の開始温度が第１の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも高いので、Ｘ−Ｙ方向の焼成収縮が抑制された寸法精度の高い多層回路基板を実現できる。
【００１４】
また本発明の多層回路基板の製造方法によれば、仕切りを別途設けずに半田流れを防止するための厚肉部を有する多層回路基板を製造することができる。
【００１５】
特に、絶縁基板（複合グリーンシート積層体）の端面に溝を形成した場合には、いわゆる多数個取りの製造において表面配線と端面導体膜とを同時に形成することができる。また、端面導体膜が絶縁基板の最下層まで延びて形成されている場合において、リフローの際の溶融した半田が端面導体膜を伝って絶縁基板の下面に回り込んでしまい、実装に不都合をきたすということもなくなる。さらに、多層回路基板と外部回路基板との間の半田接続がなされているかどうかを目視にて判断することが困難となることもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
図１は、図１は本発明の一実施形態に係る多層回路基板の概略斜視図、図２は図１に示す多層回路基板の一点鎖線で囲まれた領域の拡大平面図、図３は図１に示す多層回路基板の一点鎖線で囲まれた領域の拡大断面図である。
【００１８】
本発明の多層回路基板は、図１に示すように、第１の絶縁層と第２の絶縁層とが交互に積層された絶縁基板１を有している。この絶縁基板１は、第１の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇが７層形成され、第２の絶縁層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆが６層形成されていて、最上層に第１の絶縁層１１ａが配置された構成になっている。なお、第１の絶縁層と第２の絶縁層とが交互に積層されたとは、必ずしも１層ずつ入れ替わっていなくてもよく、例えば２層ずつ入れ替わるような形態であってもよい。
【００１９】
第１の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇおよび第２の絶縁層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆは、異なるセラミック焼結体で形成されている。セラミック焼結体としては、ガラスセラミックス、アルミナ質セラミックス、ムライト質セラミックス等が挙げられるが、配線導体として金、銀、銅等の低抵抗導体を使用できる点でガラスセラミックスが好ましい。
【００２０】
以下、第１の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇおよび第２の絶縁層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆがそれぞれガラスセラミックスで構成された場合について説明する。
【００２１】
第１の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇを構成するガラスセラミックスと第２の絶縁層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆを構成するガラスセラミックスとは、焼成時の焼成収縮の開始温度が異なっている。具体的には、第２の絶縁層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆを形成するためのグリーンシートの焼成収縮の開始温度は、第１の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇを形成するためのグリーンシートの焼成収縮の終了温度よりも高くなっている。
【００２２】
より具体的には、第２の絶縁層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆに含まれるガラスの軟化点が、第１の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇに含まれるガラスの結晶化温度よりも高くなっていて、第１の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇを形成するためのグリーンシートの焼成収縮の終了後に第２の絶縁層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆを形成するためのグリーンシートが焼成収縮を開始するようになっている。
【００２３】
したがって、第１の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇを形成するためのグリーンシートが焼成収縮を開始する際には、まだ焼成収縮を開始していない第２の絶縁層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆを形成するためのグリーンシートにより拘束され、第２の絶縁層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆを形成するためのグリーンシートが焼成収縮を開始する際には、すでに焼成収縮を終了している第１の絶縁層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇにより拘束されるため、結果として焼成によるＸ−Ｙ方向の収縮が抑制される。
【００２４】
なお、ここでいう焼成収縮の開始温度とは、対象とするグリーンシート（材料）を単独で焼成した時に、０．３％体積収縮するときの温度で定義されるものである。また、ここでいう焼成収縮の終了温度とは、焼成前の状態から焼成終了後の状態までの収縮量に対し９０％以上収縮したときの温度をいう。体積収縮は、それぞれを単独でプレス成形し、ＴＭＡ（熱機械分析）により決定されるものである。このとき、それぞれは等方的に収縮するものとし、ＴＭＡの線収縮から体積収縮に換算する。
【００２５】
絶縁基板１には厚肉部１２ａ１の端面から最下層１ｇの端面まで延びる溝３が形成され、溝３内に端面導体膜２が被着形成されているが、このように溝３を形成するのが、端面導体膜２を形成するのに好ましい形態である。すなわち、図１乃至図３に示す溝３は、積層方向から見て円弧状をなすように形成されていて、後述のように多数個取りの手法によって製造される場合に、複数の複合グリーンシート積層体領域を含む大型のグリーンシート積層体において、隣り合う複合グリーンシート積層体の境界となる部分に境界をまたぐようにスルーホールを形成し、表面配線（接続パッド４、接続導体５）用の導体ペーストの塗布とスルーホール内への端面導体膜２用の導体ペーストの塗布を同時に行い、焼成した後、スルーホールを真っ二つに分割するようにして複数個の多層回路基板を得ることができるからである。
【００２６】
この端面導体膜２は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等を主成分とする導電材料からなり、本発明の多層回路基板を外部回路基板（図示せず）に搭載する際に、外部回路基板上の接続パッドと半田等の導電性接着剤で電気的・機械的に接続するための端子として機能する。多層回路基板をマザーボード等の外部回路基板に搭載する際、この溝３内に被着形成された端面導体膜２と外部回路基板上のパッドとが半田で接合されるが、このとき半田はちょうど溝３に収容されるような状態となる。
【００２７】
また、絶縁基板１の上面には、電子部品の端子接続用の接続パッド４が形成されている。具体的には、第1の絶縁層１１ａの上面の電子部品実装領域にチップコンデンサの端子電極と対応する接続パッド４が一対ずつ複数個形成されている。
【００２８】
そして、一対の接続パッド４のうち端面導体膜２と端面導体膜２に近い側の接続パッド４とを電気的に接続するように接続導体５が形成されている。このように端面導体膜２に近接して接続パッド４が設けられている場合に、特に半田流れの問題が発生する。そして、この接続導体５が絶縁基板１の上面に接続パッド４から厚肉部１２ａ１を越えて端面導体膜２まで形成されていることが重要である。接続パッド４や接続導体５は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等を主成分とする導電材料からなる。
【００２９】
そして、最上層に配置された第１の絶縁層１１ａにおける端面の少なくとも一部に切欠き部１１ａ１が形成されているとともに、最上層に配置された第１の絶縁層１１ａの直下に配置された第２の絶縁層１２ａのうち切欠き部１１ａ１に対応する部位が最上層に配置された第１の絶縁層１１ａよりも高く隆起した厚肉部１２ａ１となっていることが重要である。ここで、切欠き部１１ａ１は少なくとも接続導体５が形成される領域において端面からの距離（円弧上に形成されている場合は半径）が３０〜３００μｍ程度までに形成されていれば、小型の多層回路基板であって後述の厚肉部１２ａ１を形成するのに十分な領域を確保することができる。なお、後述するように絶縁基板１の端面に溝３が形成されている場合には、切欠き部１１ａ１は少なくとも接続導体５が形成される領域において溝３から３０〜３００μｍ程度切り欠かれたように形成するのが好ましい。
【００３０】
最上層に配置された第１の絶縁層１１ａ（第１のグリーンシート）が切欠き部１１ａ１を有していることで、第１の絶縁層１１ａを形成するためのグリーンシートおよび第２の絶縁層１２ａを形成するためのグリーンシートが焼成される際に、この切欠き部１１ａ１の形成された部位において互いのグリーンシートが焼成収縮抑制力を与えることはない。これにより、最上層に配置された第１の絶縁層１１ａの直下に配置された第２の絶縁層１２ａのうち切欠き部１１ａ１に対応する部位は、Ｘ−Ｙ方向に焼成収縮することで、Ｚ方向の収縮量が少なくなり、焼結後のこの部位は最上層に配置された第１の絶縁層１１ａよりも高く隆起した厚肉部１２ａ１となる。そして、この厚肉部１２ａ１の表面に接続導体５を形成するようにしたので、接続パッド４に電子部品を半田付けする際に半田が接続導体５を伝って端面導体膜２に流れ出すことを防止できる。
【００３１】
半田流れを防止するための厚肉部１２ａ１の表面形状としては、どのような表面形状を有していても問題ないが、通常は最上層に配置された第１の絶縁層１１ａ（第１のグリーンシート）から遠ざかるにしたがって（端面に近づくにしたがって）隆起するような形状に形成される。第１の絶縁層１１ａの上面からの厚肉部１２ａ１の突出高さは、５〜３０μｍの範囲で形成されているのが好ましく、この範囲であれば、十分に半田流れを防止することができる。
【００３２】
上述のように、絶縁基板１の上面に接続パッド４および接続導体５が形成されるとともに、絶縁基板１の端面に端面導体膜２が形成された構成において、最上層に配置された第１の絶縁層１１ａの直下に配置された第２の絶縁層１２ａが、第１の絶縁層１１ａよりも高く隆起した厚肉部１２ａ１を有していることで、別途仕切りを設けることなく、後述のように電子部品を実装する際（リフロー時）に溶融半田が端面導体膜２まで流動してしまうのをせき止めることができる。
【００３３】
なお、絶縁基板１の内部には、第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に介在された内部配線（図示せず）、第１の絶縁層または第２の絶縁層に形成されたビアホール導体（図示せず）等によって所定の電気回路が形成されている。
【００３４】
次に、上述した多層回路基板の製造方法について説明する。
【００３５】
本実施形態においては、複数の複合グリーンシート積層体領域を含む大型のグリーンシート積層体から複数個の多層回路基板を得るいわゆる多数個取りの手法によって多層回路基板を製造する場合を例に説明する。
【００３６】
まず、第１の絶縁層となる第１のグリーンシートを用意するとともに、第１のグリーンシートの焼成収縮の終了温度よりも焼成収縮の開始温度が高い第２の絶縁層となる第２のグリーンシートを用意する。第１のグリーンシートは焼成後に第１の絶縁層となり、第２のグリーンシートは焼成後に第２の絶縁層となる。
【００３７】
これらのグリーンシートを形成する原料としては、１０００℃未満の低温で焼成できるように、ガラス粉末３０〜１００質量％、セラミック粉末０〜７０質量％の割合で調合したものを用いるのが好ましく、これらの原料を用いれば低温で焼成できるガラスセラミックスからなる絶縁層を形成することができる。
【００３８】
ガラス粉末としては、少なくともＳｉＯ２を含み、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。これらのガラスとしては、焼成後も非晶質ガラスであるもの、あるいは焼成後に、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、エンスタタイト、コ−ジェライト、ムライト、アノ−サイト、セルジアン、スピネル、ガ−ナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、ディオプサイドやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類析出するもののどちらを用いても構わない。
【００３９】
具体的には、第１のグリーンシートに用いられるガラス粉末としては、低温で焼成収縮を開始させるとともに結晶を多く析出させるために、例えばＳｉをＳｉＯ２換算で１〜３０質量％、ＡｌをＡｌ２Ｏ３換算で５〜２５質量％、ＭｇをＭｇＯ換算で２５〜６０質量％、ＣａをＣａＯ換算で０〜１０質量％、ＢａをＢａＯ換算で０〜２０質量％、ＢをＢ２Ｏ３換算で５〜２５質量％、ＰをＰ２Ｏ５換算で０〜１０質量％、ＳｎをＳｎＯ２換算で０〜１０質量％、ＮａをＮａ２Ｏ換算で０〜３質量％を含むものが挙げられる。
【００４０】
また、第２のグリーンシートに用いられるガラス粉末としては、第１のグリーンシートの焼成収縮の終了後に第２のグリーンシートが焼成収縮を開始するように、例えばＳｉをＳｉＯ２換算で２５〜４５質量％、ＡｌをＡｌ２Ｏ３換算で１０〜２５質量％、ＭｇをＭｇＯ換算で１０〜２４質量％、ＢをＢ２Ｏ３換算で５〜２０質量％、ＺｎをＺｎＯ換算で５〜２０質量％、およびＣａをＣａＯ換算で０．５〜４質量％を含むものが挙げられる。
【００４１】
また、セラミック粉末としては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ２や、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、コージェライト、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア等が好適に用いられる。これらのうち、高強度化、低コスト化等の点でアルミナが、また高熱膨張化の点でクォーツを用いることが好ましい。
【００４２】
上述した原料粉末を所定量秤量し、さらに有機バインダー、有機溶剤、および所望により可塑剤等を加えてスラリーを調製した後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法等の周知の成形法によりシート状に成形して厚さ１０〜５００μｍのグリーンシートを作製する。
【００４３】
そして、最上層に配置される第１のグリーンシートの端面の少なくとも一部に切欠き部１１ａ１を形成する。具体的には、複数の第１のグリーンシート領域を含む大型シートにおける隣り合う第１のグリーンシートの境界となる部分に境界をまたぐように大きな孔を形成しておく。孔の大きさは、後述のように複数の複合グリーンシート積層体領域を含む大型のグリーンシート積層体における隣り合う複合グリーンシート積層体の境界となる部分に形成されるスルーホールよりも３０〜３００μｍ程度大きな半径を有しているのが好ましい。この孔は、後に隣り合う第１のグリーンシートが分割されることで、一個の第１のグリーンシートに着目すれば切欠き部１１ａ１となる。なお、この切欠き部１１ａ１が形成される第１のグリーンシートとしては、最上層に配置されるものに限られず、複数層に配置してもよい。なお、本実施形態では、後述のようにスルーホール（溝）を形成して導体ペーストを印刷・塗布することで端面導体膜を被着形成しているが、スルーホール（溝）を形成せずに端面導体膜を被着形成する場合には、切欠き部は少なくとも接続導体が形成される領域において端面から３０〜３００μｍ程度切り欠かれたように形成するのが好ましい。なお、切欠き部１１ａ１は焼成後においてもＸ−Ｙ方向にほとんど収縮しないため、焼成前のグリーンシート積層体の端面からの距離と焼成後の絶縁基板の端面からの距離とはほぼ等しい。
【００４４】
その後、第１のグリーンシートおよび第２のグリーンシートを圧着した一対の複合グリーンシートを層単位として、内部配線としてのビアホール導体などが形成される。
【００４５】
そして、図４に示すように、この複合グリーンシートを積層して、最上層に前記第１のグリーンシートを、その直下に前記第２のグリーンシートを配置し、第１のグリーンシートおよび第２のグリーンシートが交互に積層された複合グリーンシート積層体１０を得る。グリーンシートの積層には、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。なお、複合グリーンシート積層体１０は、大型のグリーンシート積層体にマトリックス状に複数の基板領域として配置されていて、焼成され分割されて多層回路基板における絶縁基板となる。
【００４６】
そして、複合グリーンシート積層体１０における切欠き部１１ａ１を有する側の端面に切欠き部１１ａ１から最下層まで延びる溝３を形成する。具体的には、複数個に分割される前の大型のグリーンシート積層体における隣り合う複合グリーンシート積層体の境界となる部分に境界をまたぐようにパンチングなどによって直径６０〜２００μｍ程度のスルーホールを形成する。大型のグリーンシート積層体には複数の複合グリーンシート積層体１０領域が含まれていて、一個の複合グリーンシート積層体１０に着目し、隣り合う複合グリーンシート積層体１０が後に分割されることを考慮すれば、端面に溝３が形成されることになる。
【００４７】
さらに、この溝３内に端面導体膜を被着形成する。この端面導体膜は、端面導体膜用導体ペースト２０を印刷・塗布した後、乾燥処理し、焼成することによって形成される。
【００４８】
このように、いわゆる多数個取りの製造方法においては、スルーホール（溝）を形成した後に、端面導体膜用導体ペースト２０の印刷・塗布により端面導体膜を被着形成するのが好ましい。
【００４９】
なお、端面導体膜を被着形成するための端面導体膜用導体ペースト２０の印刷・塗布とともに、複合グリーンシート積層体１０の最上層に配置される第１のグリーンシートの上面に電子部品の端子接続用の接続パッドを形成するための接続パッド用導体ペースト４０を印刷・塗布し、さらに複合グリーンシート積層体の最上層に配置される第１のグリーンシートの上面および切欠き部から露出する第２のグリーンシートの上面に接続パッドおよび端面導体膜を電気的に接続する接続導体を形成するための接続導体用導体ペースト５０を所定パターンに印刷・塗布するのが好ましい。なお、接続パッド用導体ペースト４０および接続導体用導体ペースト５０の印刷・塗布は、複合グリーンシート積層体１０を得る前に第１のグリーンシートまたは第２のグリーンシートに塗布するようにしてもよい。
【００５０】
そして、端面導体膜を形成するための端面導体膜用導体ペースト２０、接続パッドを形成するための接続パッド用導体ペースト４０および接続導体を形成するための接続導体用導体ペースト５０が印刷・塗布された複合グリーンシート積層体１０をプレス成形する。なお、プレス成形の後、大型のグリーンシート積層体の上面に、各複合グリーンシート積層体１０領域を区画するスクライブライン（分割溝）をカッター等で形成しておくことが好ましい。
【００５１】
その後、焼成する。焼成は、十分に焼結させるとともに過焼結を防止する点から、８００〜１０００℃、特に８５０〜９５０℃で同時焼成するのが好ましい。焼成に先立って、所望によりグリーンシートまたは複合グリーンシート積層体を１００〜８００℃、特に４００〜７５０℃で加熱処理して積層体中の有機成分を分解除去してもよい。
【００５２】
焼成にあたっては、以下のような温度管理がなされる。昇温して第１のグリーンシートの焼成収縮開始温度への到達後に徐々に昇温するか、または第１のグリーンシートの焼成収縮開始温度以上かつ第２のグリーンシートの焼成収縮開始温度未満の温度で、一次的に炉内温度を保持して第１のグリーンシートが最終焼成体積収縮量の９０％以上焼成収縮が進行するまで保持する。
【００５３】
このとき、第１のグリーンシートは、その温度で焼成収縮を開始しない第２のグリーンシートによってＸ−Ｙ方向の収縮が抑制されＺ方向に焼成収縮する。その後、第１のグリーンシートが最終焼成体積収縮量の９０％以上収縮した後、第２のグリーンシートの焼成収縮開始温度以上に昇温して焼成する。この焼成によって、第２のグリーンシートは、焼結がほぼ完了した第１のグリーンシートによってＸ−Ｙ方向の焼成収縮が抑制されＺ方向に焼成収縮する。その結果、第１のグリーンシートおよび第２のグリーンシートともにＸ−Ｙ方向の焼成収縮が抑制されて方向に焼成収縮した寸法精度の高い多層回路基板を作製することができる。
【００５４】
そして、最上層の第１のグリーンシートに隣接する第２のグリーンシートにおける切欠き部１１ａ１から露出する領域は、最上層の第１のグリーンシートから焼成収縮抑制力を受けないので、Ｚ方向の焼成収縮量が少なく、最終的には図３に示すように第１の絶縁層１１ａよりも高く隆起した厚肉部１２ａ１を形成することとなる。
【００５５】
最後に、スクライブラインに沿って個々の多層回路基板領域毎に分割し、これによって図１〜図３に示すような複数個の多層回路基板が同時に得られる。
【００５６】
なお、少なくとも切欠き部の下側に隣接する第２のグリーンシートの端面に端面導体膜を被着形成するものであれば、端面導体膜へ溶融半田が流れてしまうのを防止できることから、本実施形態のように溝を形成して溝内に端面導体膜を被着形成するものに限定はされない。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態に係る多層回路基板の概略斜視図である。
【図２】図１に示す多層回路基板の一点鎖線で囲まれた領域の拡大平面図である。
【図３】図１に示す多層回路基板の一点鎖線で囲まれた領域の拡大断面図である。
【図４】図１乃至図３に示す多層回路基板の製造方法の説明図である。
【図５】従来の多層回路基板の概略斜視図である。
【符号の説明】
【００５８】
１・・・絶縁基板
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇ・・・第１の絶縁層
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ・・・第２の絶縁層
１１ａ１・・・切欠き部
１２ａ１・・・厚肉部
２・・・端面導体膜
３・・・溝
４・・・接続パッド
５・・・接続導体
１０・・・複合グリーンシート積層体
２０・・・端面導体膜用導体ペースト
４０・・・接続パッド用導体ペースト
５０・・・接続導体用導体ペースト
【図１】
2008205352.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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