(57)【要約】      （修正有）【課題】改良された回路構造体を提供する。【解決手段】カバーアセンブリ１０は基板１４上に搭載され、基板１４から離間した内面を備えると共に回路アセンブリ１２上の中空チャンバーを画定する。チャンバーには流体を充填可能である。カバーアセンブリ１０は回路アセンブリ１２周りの基板１４に沿って延在する縁部を有し、誘電性カバー、それを貫通する開口およびこの開口を横切って延在する膜を含む。膜はガス種が開口を通過するのを可能とし、かつ液体がそれを通過するのを阻止するよう構成される。電磁シールド１６は誘電性カバーに対して取り付けられ、中空チャンバーを取り囲む。開口は電磁シールド１６を貫通する。カバーアセンブリ１０は誘電性カバーに取り付けられ、かつ回路アセンブリ１２に電気的に接続された導電性アセンブリ３９を含む。【選択図】図２
2008244475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路構造体であって、
基板と、
前記基板上に設けられた回路アセンブリと、
前記基板上に設けられ、かつ中空チャンバーの範囲を定めると共に前記基板および前記回路アセンブリから離間した内面を有するカバーアセンブリと、を具備してなり、
前記カバーアセンブリは、前記回路アセンブリの周囲の前記基板に沿って延在する縁部と、誘電性カバーを含む前記カバーアセンブリを貫通して延在する開口と、前記開口を横切って延在する膜と、を有し、
前記開口は前記中空チャンバーと前記カバーアセンブリの外部との間の流体連通状態をもたらすと共に、前記膜は一つ以上のガス種が前記開口を通過することを可能としかつ液体が前記開口を通過することを阻止するよう構成されていることを特徴とする回路構造体。
【請求項２】
前記膜は前記誘電性カバーの内面に対して接着され、これによって前記開口を覆うようになっていることを特徴とする請求項１に記載の回路構造体。
【請求項３】
前記膜は前記誘電性カバーの外面に対して接着され、これによって前記開口を覆うようになっていることを特徴とする請求項１に記載の回路構造体。
【請求項４】
前記誘電性カバーは、前記中空チャンバーの近位にある第１の誘電層と、前記中空チャンバーの遠位にある第２の誘電層と、を具備してなり、
前記開口は、前記第１の誘電層を貫通して延在する第１の開口部分と、前記第２の誘電層を貫通して延在する第２の開口部分と、を具備してなり、
前記膜は、前記第１の誘電層と前記第２の誘電層との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の回路構造体。
【請求項５】
前記第１の開口部分と前記第２の開口部分とは、前記カバーアセンブリの内面から見た場合に、整列状態となっていることを特徴とする請求項４に記載の回路構造体。
【請求項６】
前記第１の開口部分と前記第２の開口部分とは、前記カバーアセンブリの内面から見た場合に、少なくとも部分的に不整列状態となっており、かつ前記膜は前記第１の開口部分と前記第２の開口部分との間に延在していることを特徴とする請求項５に記載の回路構造体。
【請求項７】
前記膜は少なくとも部分的に前記誘電性カバー内に配置されてなると共に前記カバーアセンブリの表面へと延在しており、かつ前記開口は少なくとも部分的に前記膜に沿って延在していることを特徴とする請求項１に記載の回路構造体。
【請求項８】
前記カバーアセンブリは、前記基板と向かい合う遠位面を有すると共に、前記開口は前記遠位面を貫通して延在していることを特徴とする請求項１に記載の回路構造体。
【請求項９】
前記カバーアセンブリは、前記基板と向き合う遠位面と、前記遠位面と前記基板との間に延在する中間面と、を有すると共に、前記開口は前記中間面の一つを貫通して延在していることを特徴とする請求項１に記載の回路構造体。
【請求項１０】
前記カバーアセンブリは、前記誘電性カバーに対して取り付けられかつ実質的に前記チャンバーを取り囲む電磁シールドを具備してなり、前記開口は前記電磁シールドを貫通して延在していることを特徴とする請求項１に記載の回路構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２００７年３月２７日付けで出願された米国特許出願第11/692,129号に対する優先権を主張するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子回路コンポーネントは、回路コンポーネントを保護するために、あるいは無線周波数を含む通信周波数で電子回路コンポーネントによって生じる危険なすなわち破壊電磁(ＥＭ)放射線を抑制するために、ハウジングまたはカバーによって覆われてもよい。多くの場合、このカバーは電気的伝導性を有し、しかも回路アースに対して接続可能である。ＥＭシールドは、電子回路を取り囲むチャンバーを形成するような形状とされた中実な金属ハウジングすなわち蓋であってもよい。ＥＭシールドは、基板上に多数の電子コンポーネントを含む密集した電子器機環境での使用のために開発された。そうした回路コンポーネントは、かなりの温度および／または圧力変化が存在し得る環境において使用されるかもしれず、あるいは天候または周囲の汚染物質の影響を受けるかもしれない。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
カバーアセンブリは基板上に搭載可能である。カバーアセンブリは、基板から離間した内面を有していてもよく、しかも回路アセンブリ上で中空チャンバーを画定していてもよい。中空チャンバーは、流体、たとえばガスまたは液体で満たされてもよい。カバーアセンブリは、回路アセンブリの周囲の基板に沿って延在する縁部を有していてもよい。ある実施例では、カバーアセンブリは、誘電性カバー、この誘電性カバーを貫通して延在する開口、およびこの開口を横切って延在する膜を含んでいてもよい。誘電性カバーは、実質的に、この誘電性カバーによって画定された(範囲が定められた)中空チャンバーを取り囲んでいてもよい。開口によって、中空チャンバーと誘電性カバーの外部との間の流体連通状態が実現されてもよい。膜は、一つ以上のガス種が開口を通過することを可能とし、かつ液体がこの開口を通過するのを阻止するよう構成されていてもよい。ある実施例においては、電磁シールドが誘電性カバーに対して取り付けられ、この電磁シールドが実質的に中空チャンバーを取り囲んでもよい。開口は電磁シールドを貫通して延在していてもよい。カバーアセンブリは、誘電性カバーに対して取り付けられかつ回路アセンブリに対して電気的に接続された導電性アセンブリを含んでいてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
図１ないし図４には、カバーアセンブリ１０、すなわち便宜的に単一の複合実施形態に関して図示された、さまざまな特徴部を有するカバーを含む代表的な回路構造体８を簡略化して示す。これらの特徴部はさまざまな形態を有していてもよく、しかもその他のカバーアセンブリにおいて別個に、あるいはさまざまなその他の組み合わせにおいて具現化可能である。本実施形態において使用しているように、カバーアセンブリは、一つ以上の完全な回路、一つ以上の回路の一つ以上の部分、回路の要素またはコンポーネントの一つ以上の組み合わせ、あるいは回路、回路部分および回路コンポーネントの何らかの組み合わせを、個々にあるいは共同で形成可能でありかつ共用回路部分またはコンポーネントを含んでいてもよい、一つ以上の回路アセンブリ１２を収容可能である。
【０００５】
この例では、それゆえ、カバーアセンブリ１０は基板１４に対して搭載することが可能である。カバーアセンブリ１０はまた、エンクロージャとも呼ばれる。電磁放射線を遮蔽することが求められる場合、カバーアセンブリ１０は、ＥＭシールド１６を形成する電磁的な導電層を含んでいてもよい。カバーアセンブリ１０は、密閉中空チャンバー２６を形成する、上面すなわち遠位面２０と、側面２２ａ,２２ｂ,２２ｃおよび２２ｄのような中間面２２とを有する。中空チャンバーは、流体、たとえばガスまたは液体で満たされていてもよい。高絶縁性液体が充填された場合、密閉回路の信頼性が改善されるであろう。そうした液体の例としては、ガンマブチロラクトン、Ｎメチル２ピロリジン、ハイドロフルオロカーボンすなわちフッ化ハイドロカーボン、フルオロカーボン、ポリクロロビフェニル、(一般的)変圧器油、鉱物油(数多くの等級が存在する)ならびにシリコーン油などが挙げられる。図２の断面図から分かるように、カバーアセンブリは積層体であってよく、すなわち多数の層から構成されていてもよい。導電層すなわち外層１６はカバーアセンブリの外面全体に沿って広がっていてもよい。シールド１６は電磁的(電気的あるいは磁気的な場合を含む)な導電性素材、たとえばアルミニウム、銅あるいはその他の素材から形成されてもよく、しかも非導電性(誘電性)あるいは半導性物質を備えた導電層のような素材(そのうちの少なくとも一つは導電性を有する)の組み合わせから形成されてもよい。シールド１６に直に隣接して、誘電層すなわち誘電体１７が存在していてもよい。誘電体１７は、一つ以上の層内にさらに配置された複合層であってもよい。
【０００６】
シールド１６はまた、たとえば切欠き２４のような、一つ以上の開口すなわち切欠きを備えていてもよく、これによって、遮蔽機能を損なうことなく、(たとえば信号または電力の形態の)電流がチャンバー２６内に流入しあるいはそこから流出することが可能となっている。この例では切欠きは一つしか示されていないが、ＥＭシールドは一つ以上の切欠きを備えていてもよく、しかもそうした切欠きはカバーアセンブリ１０の上面または側面に配置可能であることを理解されたい。図から明らかであるように、(基板１４上に搭載された状態で示す)伝導体３３は、回路アセンブリ１２をカバーアセンブリの外部に配置された別の回路アセンブリすなわちコンポーネントと電気的に接続するために切欠き２４を通過できる。伝導体３３は、電線、マイクロストリップ線路、あるいは電流を流すことができる、その他のいかなる形態であってもよい。
【０００７】
カバーアセンブリ１０は、チャンバー２６内に閉じ込められた、たとえばアセンブリ１２のような回路アセンブリを、環境ならびに電磁的影響から保護し、かつ／または密閉された回路アセンブリを隔離することが可能である。図示していないが、カバーアセンブリ１０はさらに、二つ以上の回路アセンブリを隔離することが可能であってもよい一つ以上のサブチャンバーへとチャンバー２６を分離できる内壁を備えていてもよい。
【０００８】
回路アセンブリ１２は、さまざまなコンポーネントを含んでいてもよい。例証のためには、回路アセンブリ１２は、適当な相互接続によって、たとえば接続電線３４によって接続された個々の回路要素３０および３２を含んでいてもよい。接続電線３４は、回路要素上に配置されたターミナル３１への結線によって回路要素３０に接続されてもよい。回路要素３０は集中要素あるいは分散要素、すなわち受動的かつ／または能動的な要素、たとえば伝送路、抵抗体、誘導子および半導体デバイスなどの組み合わせあるいはネットワークを含んでいてもよく、しかも誘電性基板、半導体基板または導電性基板を有する回路チップ上に搭載されていてもよい。さらに、回路アセンブリ１２は、たとえばモノリシックマイクロ波集積回路(ＭＭＩＣ)、特定用途向け集積回路(ＡＳＩＣ)などを含む集積回路(ＩＣ)すなわちチップ中にダイオードまたはトランジスタのうちの一方またはその組み合わせを含んでいてもよい。例証のために、回路要素３２は、回路要素３０に対して信号または電力を伝達するための伝導体であってもよい。
【０００９】
図２から分かるように、ＥＭシールド１６は、一つ以上のポイントにおいて、基板１４に対して直に取り付けられていてもよい。この例では、基板１４は導電性を有し、かつシールドのためのアースを提供する。別の形態の基板、たとえば一つ以上の導電層を備えた誘電体を使用することもできる。したがってシールド１６は、導電性接着剤３６を用いて基板１４に対して直に取り付けることができる。導電性接着剤は、導電性エポキシ樹脂、導電性パッド、はんだ、ろう付け材料、異形金属、ｚ軸導電性エラストマー、あるいは類似の導電性あるいは抵抗性物質を含んでいてもよい。さらに、カバーアセンブリ１０の取り付けに複数種類の導電性接着剤が使用されてもよい。カバーアセンブリの面２２ｃは、切欠き２４の領域において、基板１４に対して直に取り付けられていなくてもよいことに留意されたい。
【００１０】
任意選択で、ＥＭシールド１６は、当該シールド１６を局所回路アースに接地するための一つ以上の電気的アースコネクター(図示せず)を含んでいてもよい。このアースコネクターは、シールドの一つ以上の部分から、基板内に、隣接するＥＭシールド内に、あるいはアース接続が利用可能であるならば何にでも延在する金属帯片の形態であってもよい。
【００１１】
伝導体３２および３３は、絶縁層３８を用いて基板１４上に搭載可能である。絶縁層は、絶縁エポキシ樹脂あるいはその他の接着剤、あるいは絶縁パッドの形態であってもよい。これら絶縁層は、伝導体を導電性基板から絶縁する。回路アセンブリ１２の回路要素３０は、それが接地されることを要するかもしれないが、この場合、回路要素３０の背面は、導電性接着剤３６を用いて基板１４に対して取り付けてもよい。
【００１２】
カバーアセンブリ１０はさらに、シールド１６に対して誘電体１７によって支持された導電性アセンブリ３９を含んでいてもよい。導電性アセンブリ３９は、カバーアセンブリを通ってあるいはそれに沿って、連続した電気的経路４１を提供可能である。経路４１は、信号を運ぶよう構成されるにせよ電力を運ぶよう構成されるにせよ、ブランチおよび多重経路を有していてもよい。導電性アセンブリのコンポーネントは誘電体１７の表面に沿って延在していても、あるいはそれに埋め込まれていてもよい。誘電体１７は、単一の誘電層であっても、あるいは複数の誘電層から形成された複合層であってもよく、これらの層は一つ以上の非誘電物質からなる層によって分離されていてもよく、あるいはそのようになっていなくてもよい。この例では、誘電体１７は第１の誘電層４２および第２の誘電層４６を含む。第１および第２の誘電層４２および４６は、ＥＭシールド１６に沿って連続したものであって、カバーアセンブリの上面２０ならびに側面２２ａ,２２ｂ,２２ｃおよび２２ｄに沿って広がっていてもよい。誘電体１７はまたシールド１６の一つ以上の部分にわたってのみ延在していてもよい。ある領域においては、第１および第２の誘電層４２および４６は、非誘電物質によって分離されていない一つの層へと変化してもよい。第２の誘電層４６は、チャンバー２６を画定する内部表面すなわち内側表面４８を有していてもよい。誘電層４２および４６はカバーアセンブリの上面の端から端まで、そしてその側面を下って広がるように示されているが、たとえば、側面を構成している誘電体の一部を形成するために別体の誘電層を使用することもできる。
【００１３】
導電性アセンブリ３９は誘電層１７を通ってあるいはその上に延在可能な導電性帯片４４を含んでいてもよい。図示する形態では、導電性帯片４４は第１の誘電層４２と第２の誘電層４６との間に挟み込まれている。導電性帯片４４は、上述した導電性金属を含む適当な導電性素材から形成可能である。
【００１４】
カバーアセンブリの中間側面２２ａおよび２２ｃは、第１および第２の誘電層４２および４６間で延在する、ビア(via)５０ａおよび５０ｃのような一つ以上のビア５０を含んでいてもよい。このビアは、ドリリング、エッチング、あるいは別の方法で孔５２ａおよび５２ｃのような個々の長尺なビア孔５２を作り出すことによって形成可能である。そうしたビアホールすなわちトンネルは、第１および第２の誘電層４２および４６間で延在していてもよく、あるいは別個の層を貫通して延在していてもよい。これらビアホールは、その場合、ビアを形成するために、電磁的導電性物質によって覆われるか、あるいは部分的または完全に電磁的導電性物質が充填される。
【００１５】
ビア５０ａおよび５０ｃは、図示するように、側面２２ａおよび２２ｃの全高にわたって延びていてもよい。カバーアセンブリ１０は、基板１４と当接する下側縁部５４を有していてもよい。ビア５０ａおよび５０ｃは、したがって下端部すなわちカバーアセンブリの下側縁部５４ａおよび５４ｃ付近に位置する部分を有しており、かつ個々の交差ポイント５６ａおよび５６ｃにおいて導電性帯片４４と当接する上側部分まで延在している。ビアの下端部は、たとえば導電性接着剤３６を使用するなど適当な手段で、信号伝導体３２および３３に対して、それぞれ接続することができる。
【００１６】
ビア５０ａおよび５０ｃは、カバーアセンブリ１０内で導電性アセンブリ３９を形成するために導電性帯片４４と接続可能である。導電性アセンブリ３９は回路の一部として使用可能であってもよい。たとえば、導電層３３は、回路アセンブリ１２の回路要素３０によって使用されるかあるいは発生させられる電流または信号を伝えることが可能であってもよい。電流は、回路要素３０から、ターミナル３１、接続電線３４、信号伝導体３２、ビア５０ａ、導電性帯片４４、ビア５０ｃおよび伝導体３３を経て伝えることが可能である。したがって、伝導体３３を経て、信号または電力は、回路アセンブリ１２と遮蔽されたチャンバー２６の外部の回路との間を伝わることができる。
【００１７】
図１ないし図４に示すのは、カバーアセンブリ１０に埋め込まれかつ交差ポイント５６ａおよび５６ｃにおいてそれぞれビア５２ａおよび５２ｃとつながる一つの導電性帯片４４のみを含むカバーアセンブリの実施形態である。カバーアセンブリ１０は一つ以上の導電性帯片あるいは導電性アセンブリを含んでいてもよく、しかもそうした帯片はさらに二つ以上の分離誘電層間に埋め込まれていても、あるいは誘電層または誘電体上に延在していてもよい。同様に、図１ないし図４はカバーアセンブリの二つの側面に形成されたビアを示しているが、そうしたビアは、カバーアセンブリの側面の全てあるいはその何らかの組み合わせに含まれていてもよい。ある実施例では、ビアの代わりにあるいはそれに加えて、側面２２に沿って一つ以上の導電性帯片を含んでいてもよい。さらに、いずれか一つの側面に多数のビアおよび／または多数の導電性帯片が存在していてもよい。導電性アセンブリ３９を具現化するために、その他の形態または構造を利用可能である。
【００１８】
カバーアセンブリ１０は、チャンバー２６内の望ましくない電気的伝搬を減衰するのに効果的であろう抵抗性物質６０からなる部分を含んでいてもよい。チャンバー２６のようなエンクロージャは、チャンバー２６内で回路アセンブリ１２の適切な動作を妨げるかもしれない、さまざまな周波数における共振を伴うことがある。抵抗性物質６０は、そうした共振を低減させることが、すなわちそうした共振を減衰させることができ、しかも抵抗性物質６０の層は誘電層４６の全てあるいはその一部に沿って広がっていてもよい。
【００１９】
抵抗性物質６０は、抵抗性インク、フィルム、塗料、その他の抵抗性被覆、あるいはその組み合わせからなる層であってもよい。この物質は、シルクスクリーニング、スクリーン印刷、吹き付け、噴射、塗装、インクジェットプリント、リソグラフィー、オフセット印刷、あるいはその他都合のよい手法によって設けることができる。任意選択で、抵抗性物質６０は、この抵抗性物質からなる多数の領域を形成するために、ある分布パターンに従って不連続に設けることができる。
【００２０】
図２に示すように、内部カバーアセンブリ表面４８は、均一であってかつカバーアセンブリ１０の上面２０および側面２２ａの両方に沿って内部カバーアセンブリ表面の一部を覆う第１の抵抗性物質領域６２を含んでいてもよい。この内面はまた、側面２２ｃの一部のみを覆う第２の抵抗性物質領域６４を含んでいてもよい。抵抗性物質は均一な厚みを有していてもよく、厚みは均一でなくてもよい。抵抗性物質のある領域は、導電性接着剤３６を用いて、基板１４に対して接続可能である。
【００２１】
代替実施形態を図４に示す。この断面図から分かるように、内部カバーアセンブリ表面は、一様にパターン化された抵抗性物質６０によって覆われていてもよい。こうしたパターン７０は、被覆された抵抗性物質領域６８に対する開放された絶縁領域６６の所定の比率を有していてもよい。この抵抗性物質のパターン７０は、メッシュを含んでいてもよいシートまたはフィルムに設けることができる。そうしたフィルムは、１０オーム／スクェアないし１０００オーム／スクェアの平均抵抗率を有するものとして規定することができる。
【００２２】
別の実施形態を図５に示す。この断面図から分かるように、抵抗性物質６０は第２の誘電体１７内に配置されている。誘電体１７は、たとえば第１および第２の誘電層４２および４６を形成することによって多数の段すなわち層に形成可能である。抵抗性物質は、中間表面に対して、シルクスクリーニング、スクリーン印刷、吹き付け、噴射、塗装、インクジェットプリント、リソグラフィー、オフセット印刷、あるいはその他都合のよい手法によって設けることができる。この抵抗性物質６０は、図４に示すパターンのような、抵抗性物質からなる多数の領域を形成するために、ある分布パターンに従って不連続に設けることができる。その場合、抵抗性物質６０は、完全にカバーアセンブリの内面上に存在しても、完全にカバーアセンブリ内に存在しても、あるいは部分的にカバーアセンブリ内に存在しても、そして部分的にカバーアセンブリの表面上に存在してもよいことを理解されたい。
【００２３】
上述したように、そうした抵抗性物質の層の付加によって、所望の周波数範囲にわたってチャンバー２６内の共振ならびに外部結合の減衰がもたらされるであろう。この減衰を改善するために、抵抗性物質６０は抵抗率、および当該物質が設けられる厚みおよびパターンに応じて選択可能である。さらに、減衰は、カバーアセンブリ１０の第１および第２の誘電層４２および４６に含まれる誘電物質、およびこの誘電物質の厚みを適切に選択することによって改善可能である。
【００２４】
カバーアセンブリ１０は、導電性物質および誘電物質を含む、回路基板素材から製造可能である。カバーアセンブリ１０および／または基板１４、あるいはカバーアセンブリ１０、基板１４および回路アセンブリ１２のような関連回路を含む回路構造体８は、パネル上に配置された物品と一緒に実施できる。それゆえ、パネル上での大規模生産の後には、アセンブリを個々のものに分けるための作業を行うことができる。
【００２５】
そうした組み立て作業によって、各チャンバー２６内には多数の回路アセンブリ１２が存在することになり、しかも各カバーアセンブリ１０内には多数のチャンバー２６が存在することになるであろう。さらに、所与のカバーアセンブリは、減衰のための物質６０を含んでいてもあるいはそれが省かれていてもよく、導電性アセンブリ３９を含んでいてもあるいはそれが省かれていてもよく、そしてＥＭシールド１６を含んでいてもあるいはそれが省かれていてもよい。
【００２６】
図５にはまた、部分的にカバーアセンブリ１０の内面４８上にかつ部分的に誘電層４６を通って配置された、ビア５０ａに代わる導電性要素５０ａを破線で示す。内面上の導電性要素５０ａの一部は、抵抗層を設けるのに用いた技術と同様の技術を用いて設けることができる。誘電層４６内で延在している導電性要素５０ａの一部は、ビアの形態であってもよい。それゆえ、導電性アセンブリ３９は、それが電気的に電磁シールド１６から分離されている限り、カバーアセンブリの内面または外面上に部分的にまたは完全に配置可能であることを理解されたい。
【００２７】
中空チャンバー２６はガス状物質によって満たすことが、すなわちそれを含むことができる。ある例では、一つ以上のガス種は、接着剤、インクなどのような物質から発生するものであってもよく、あるいは別の方法で中空チャンバー内に発生させられてもよい。カバーアセンブリの完全な状態を維持するために、アセンブリは、図６および図７に示すように、中空チャンバーとカバーアセンブリの外部との間で延在する一つ以上の開口８０を備えていてもよい。膜８２によって、この開口を閉塞しても、すなわちそれを覆ってもよい。ある実施例においては、膜によって、一つ以上のガス種が、中空チャンバーとカバーアセンブリの外部との間を行き来できるようになっていてもよい。これに加えて、あるいはこれに代えて、膜によって、液体が、中空チャンバーとカバーアセンブリの外部との間を行き来できないようになっていてもよい。
【００２８】
図６においては、上面すなわち遠位面２０および側面２２ａはそれぞれ、電磁シールド１６および誘電体１７を含むカバーアセンブリを貫通して延在する開口８０を備えている。ガス透過性膜８２が、たとえば、それによって開口を覆うように内面４８に対して張り付けられることで、開口を横って延在していてもよい。図６に破線で示すように、膜は、任意選択で、それによって開口を覆うように、外面８４に対して張り付けられてもよい。
【００２９】
図７において、上面すなわち遠位面２０ならびに側面２２ａは、おおむね膜８２'および８２''の少なくとも一部を取り囲む、つまりそれを包埋する第１の誘電層８６ならびに第２の誘電層８８から形成されている。側面２２ａに形成された開口８０'は、第１の誘電層８６を貫通して延在する開口部分９０と、第２の誘電層８８および(もしそれがカバーアセンブリに含まれる場合には)電磁シールド１６を貫通して延在する開口部分９２とを含む。図７からわかるように、開口８０'の開口部分９０および９２は概して互いに整列しており、かつカバーアセンブリの内面と外面との間でカバーアセンブリを貫通して延在する一様な開口８０'の一部を形成している。膜８２'によって、一つ以上のガス種が、開口８０'の隅々まで延在するこの膜８２'を経て、中空チャンバーから直に流出することが可能となっている。
【００３０】
任意選択で、膜は、図７に開口膜８２''によって示すように、一つ以上の誘電層開口部分の境界を完全に越えて延在していてもよい。ある実施例では、膜８２''は、外面８４のような、カバーアセンブリの表面の一つまで延在していてもよい。こうした実施例では、一つ以上のガス種は、たとえば内側開口部分において膜に浸入でき、しかも露出部分９４(この場所において一つ以上のガス種が放出される)まで拡張された開口８０'''に沿って膜内を移動できる。
【００３１】
別の実施例においては、外側の第２の開口部分９２'は第１の開口部分９０'の近位に配置できるが、部分的にあるいは完全にこの第１の開口部分９０'とは不整列状態、つまりオフセット状態とされてもよい。ある実施例では、開口８０''の開口部分９０'および９２'は、図７に示すように完全にオフセットしている(開口部分９０'は、その一部においても、カバーアセンブリの表面間で延在する開口８０''の開口部分９２'と整列していない)。そうした実施例においては、一つ以上のガス種は、第１の開口部分９０'において膜に浸入し、開口部分９０'と開口部分９２'との間の膜を含む開口部分に沿って移動し、そして開口部分９２'に浸入することができる。
【００３２】
別の実施例においては、開口部分は、たとえば一つの面から膜を含むチャネルすなわち流路まで、カバーアセンブリを通って部分的にのみ延在していてもよい。したがって、ある実施例では、両方ではなく開口部分９０'または開口部分９２'のみが存在していてもよく、しかも膜は、開口８０'''内におけるように、カバーアセンブリの表面まで、さらなる開口部分に沿って延在する。
【００３３】
膜８２は、ガス透過性を有しかつ／または撥液性を有する適当な素材、たとえば、Delaware、NewarkのW. L. Gore＆AssociatesからGORE-TEX(登録商標)の商品名で販売されているポリテトラフルオロエチレン(ｅＰＴＦＥ)などの多孔質ポリマーおよび／またはフルオロポリマーフィルム、パラジウム箔のような金属箔などから形成できる。膜は、全てのガス種が均等に通過することを可能とするものであってもよく、あるいは、あるガス種、たとえば水素ガスなどのような小さい分子量を持つ種が、水蒸気のようなより大きな分子量を持つ種よりも容易に通過することを可能とするものであってもよい。ある実施形態においては、膜は導電性を有していてもよく、あるいは電磁シールド１６または導電性アセンブリに対して接続された導電性部分を含んでいてもよい。
【００３４】
任意選択で、膜を含むプラグ(図示せず)を、ネジまたは類似の保持機構を用いて、開口内に取り外し可能に挿入することもできる。たとえば、周知のように、プラグを貫通するチャネルを覆う、そうしたガス透過性素材を有するプラグは、雨水あるいは周囲の汚染物質が入り込まないようにしながらハウジングの換気を可能とするために、マイクロ波通信機を収容する屋外ユニット用のハウジングにおいて使用されている。この種の膜通気プラグは、W. L. Gore＆Associatesから入手可能である。
【００３５】
以上のとおり回路構造体の実施形態を詳しく図示説明してきたが、さまざまな変更を施すことが可能である。特徴部、機能、要素および／または特性のその他の組み合わせおよび部分的な組み合わせを利用可能である。そうした変形例はまた(それが異なる組み合わせを目的としたものであるか、あるいは同一の組み合わせを目的としたものであるかにかかわらず、範囲が異なるか、より広いか、より狭いか、あるいは均等であるかにかかわらず)、本明細書の対象事項に包含されるものと見なされる。上記実施形態は例示であり、単一の特徴部または要素は、本願または後の出願に関して特許請求されるかもしれない全ての可能な組み合わせにとって必須のものではない。したがって特許請求の範囲の記載は本明細書中に開示された発明を規定するものである。特許請求の範囲に記載の「ある」または「第１の」要素あるいはその相当語句に関して、これは一つ以上のそうした要素を含むことを意味し、二つ以上のそうした要素が必要であるとするものでも、あるいは二つ以上のそうした要素の存在を排除するものでもない。さらに、区別された要素に関する順序を表す表示、たとえば第１、第２あるいは第３は、これら要素同士を区別するために用いており、しかもそうした要素の必要なあるいは限定された数を示唆するものではなく、特に言及しない限り、そうした要素の特定のポジションあるいは順序を示唆するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】基板上に搭載されたカバーアセンブリを含む回路構造体の平面図である。
【図２】図１の２‐２線での断面図である。
【図３】図２の３‐３線での断面図である。
【図４】図２の４‐４線での断面図である。
【図５】カバーアセンブリの別の例に関する図２と同様の部分的な断面図である。
【図６】カバーアセンブリの別の例に関する図２と同様の部分的な断面図である。
【図７】カバーアセンブリの別の例に関する図２と同様の部分的な断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
８  回路構造体
１０  カバーアセンブリ
１２  回路アセンブリ
１４  基板
１６  ＥＭシールド(電磁シールド)
１７  誘電層(誘電体)
２０  上面(遠位面)
２２  中間面
２２ａ〜２２ｄ  側面
２４  切欠き
２６  密閉中空チャンバー
３０,３２  回路要素
３１  ターミナル
３３  伝導体
３４  接続電線
３６  導電性接着剤
３８  絶縁層
３９  導電性アセンブリ
４１  電気的経路
４２  第１の誘電層
４４  導電性帯片
４６  第２の誘電層
４８  内部カバーアセンブリ表面(内面)
５０  ビア
５２  ビア孔
５４  下側縁部
５６ａ,５６ｃ  交差ポイント
６０  抵抗性物質
６２  第１の抵抗性物質領域
６４  第２の抵抗性物質領域
６６  開放された絶縁領域
６８  被覆された抵抗性物質領域
７０  パターン
８０,８０',８０'',８０'''  開口
８２,８２',８２''  膜
８４  外面
８６  第１の誘電層
８８  第２の誘電層
９０  開口部分
９０'  第１の開口部分
９２  開口部分
９２'  第２の開口部分
９４  露出部分
【図１】
2008244475.tif 000003
【図２】
2008244475.tif 000004
【図３】
2008244475.tif 000005
【図４】
2008244475.tif 000006
【図５】
2008244475.tif 000007
【図６】
2008244475.tif 000008
【図７】
2008244475.tif 000009