(57)【要約】【課題】パターン剥がれやレジスト残りがなくパターン精度が良好で、電子回路等の電極として用いたときに断線を生じない回路パターンを有する回路パターン付き透明基板を製造する方法の提供。【解決手段】前記基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に所望の回路パターンに対応する形状の開口部を形成する工程と、薄膜層を形成する工程と、前記レジスト層と前記レジスト層上に形成された前記薄膜層とを剥離する工程とを具備し、前記レジスト層の開口部における断面形状が、前記レジスト層と前記基板との境界部に隙間を有するひさし型の段面形状を有していて、前記薄膜層形成工程において薄膜層を形成したときに、前記開口部の基板上に形成された薄膜層の端部がレジスト層の裾に乗り上げないように前記隙間の高さおよび奥行きが決められている、回路パターン付き基板の製造方法。【選択図】図１
2008060552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜層からなる所望の回路パターンを形成する回路パターン付き基板の製造方法であって、
前記基板上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層に所望の回路パターンに対応する形状の開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部の基板上および前記レジスト層上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、
前記レジスト層と前記レジスト層上に形成された前記薄膜層とを前記基板から剥離する剥離工程とを具備し、
前記開口部形成工程により前記レジスト層に形成された開口部は、前記レジスト層と前記基板との境界部に高さ（ｈ）で奥行き（ｗ）の隙間を有するひさし型の段面形状を有していて、前記薄膜層形成工程において薄膜層を形成したときに、前記開口部の基板上に形成された薄膜層の端部がレジスト層の裾に乗り上げないように前記高さ（ｈ）および前記奥行き（ｗ）が決められている、回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項２】
前記レジスト層に形成された複数の開口部のうち隣り合う２つの開口部の間隔（２ｃ）、前記薄膜層形成工程において前記基板上に形成される前記薄膜層の厚さ（Ｔ）が、
０．０６×Ｔ≦ｈ≦０．６７×（２ｃ）、かつ、ｈ／４＜ｗ≦（２ｃ）／６
の関係を満たす、請求項１記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項３】
前記レジスト層の前記開口部における断面形状が、さらに逆テーパ形状を有する請求項１または２に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項４】
前記開口部形成工程が、前記レジスト層における開口部形成部位、開口部非形成部位およびこれらの境界領域である境界部位への露光量をそれぞれＰ、Ｑ、Ｒとした場合に、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光し現像する工程を具備する、請求項１、２または３に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項５】
前記開口部形成部位および前記境界部位への露光光を遮るマスクと、前記開口部形成部位への露光光を遮るマスクとを用いて、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する、請求項４に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項６】
前記開口部形成部位への露光光を遮り、前記境界部位への露光光を半透過するマスクを用いて、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する、請求項４に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項７】
前記開口部形成部位および前記境界部位への露光光を遮るマスクを用い、このマスクと前記レジスト層との距離を変化させてＰ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する、請求項４に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項８】
前記開口部形成部位および前記境界部位への露光光を遮るマスクを用い、このマスクと前記レジスト層との距離を一定として、前記マスクの遮光部の周辺部で生じる回折光および回り込み光により前記境界部位を露光して、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する、請求項４に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項９】
露光されたレジスト層を、１、２または３価のいずれかの陽イオンを０．０００５〜５質量％含む水を用いて水洗する、請求項４〜８のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項１０】
前記回路パターンの前記薄膜層が、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｇおよびＮｉからなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする電極層、または、ＳｎＯ２、ＩＴＯおよびＺｎＯからなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする電極層、を含む、請求項１〜９のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項１１】
前記回路パターンの前記薄膜層が３層以上からなり、前記電極層がＣｕを主成分とする層であって、前記Ｃｕを主成分とする電極層の上面および下面にＣｒおよび／またはＴｉを主成分とする層を含む、請求項１０に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項１２】
前記回路パターンの前記薄膜層の上面および側面を覆う保護層を形成する保護層形成工程を具備し、前記保護層が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３およびＳｎＯ２からなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする層を含む、請求項１〜１１のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法により製造される回路パターン付き基板。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法により製造されるＰＤＰ前面基板。
【請求項１５】
請求項１４に記載のＰＤＰ前面基板を用いてなるプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路パターン付き基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、コンピュータ、通信、情報家電、各種表示デバイス等に用いられているあらゆる電子回路には、基板上に金属や絶縁物の薄膜で形成された回路パターンが使用されている。また、急速に進展する高度情報化社会に対応するために、より高集積（高精細化）が求められている。
【０００３】
この回路パターンの形成には、概ね、フォトリソグラフィ・エッチングプロセスを用いた方法が採用されてきた。この方法の典型的なプロセスを図１０〜図１１に示す。図１０〜図１１に示すように、この方法は、基板の表面の少なくとも一部分に回路パターンを形成するための薄膜を成膜した後に、レジストを塗布・乾燥してレジスト層を形成する。そして、マスクを介してレジスト層を露光・現像することによって、回路パターンとは逆のパターン（逆回路パターン）を形成する。その後、エッチング、レジスト層除去を経て所望の回路パターンを形成する方法である。この方法は、パターンの形成精度が良く、同じパターンを何回でも再現できるとともに、同一基板上に複数個の電子回路を形成できるため、量産性を有している点で優れている。
【０００４】
しかしながら、このフォトリソグラフィ・エッチングプロセスを用いた方法は、図１０〜図１１に示すように、多数の工程を繰り返して電子回路の回路パターンを完成させていくものである。図１０〜図１１に示す方法では、基板５０上に薄膜層５１を形成した後に（図１０（ｂ））、レジスト層５２を形成し（図１０（ｃ））、露光・現像処理・エッチング・レジスト層５２剥離を行い（図１０（ｄ）〜（ｅ）、図１１（ａ））、さらに、絶縁層５３を形成した後に（図１１（ｂ））、レジスト層５４の形成・露光・現像・エッチング・レジスト層５４剥離を行っている（図１１（ｃ）〜（ｅ））。
すなわち、この方法では、薄膜層と絶縁層とからなる回路パターンを形成する度に、成膜・レジスト塗布・乾燥・露光・現像・エッチング・レジスト層剥離等からなる約２２工程の非常に多数の工程数を必要とする。このため、製造コストが非常に高くなるという問題があった。さらに、この方法では、上記多数の工程の度に大量の現像液や、エッチング剤等の薬液および洗浄液を使用することとなる。これは、単に歩留まりが悪く製造コストが非常に高くなるということのみならず、昨今、重大な関心事となってきた廃液の処理などの環境負荷が非常に大きいという問題があった。
【０００５】
そこで、上記フォトリソグラフィ・エッチングプロセスと比較して工程数が少なく、環境負荷も小さいリフトオフ法が提案された（例えば、特許文献１〜７参照）。
このリフトオフ法は、一般に、基板上にレジスト層で逆回路パターンを形成し、基板の表面に薄膜層を形成し、次いでレジスト層を剥離することによって、レジスト層の開口部分に薄膜層による回路パターンを形成する方法である。図１２〜図１３は、レジスト層を露光・現像等することによってレジスト層の逆回路パターンを形成する工程を示しており、これは、いわゆる湿式条件（ウェット条件）にて行われるウェットリフトオフ法の工程を示している。
図１２〜図１３に示す方法では、基板６１上にレジスト層６２を形成し（図１２（ｂ））、露光・現像によりレジストパターンを形成する（図１２（ｃ）〜（ｄ））。その後、薄膜層６３を形成した後に、不要なレジスト層６２および薄膜層６３を剥離している（図１２（ｅ）、図１３（ａ））。さらに、基板６１上に再度レジスト層６４を形成し、露光・現像によりレジストパターンを形成し、絶縁層６５を形成した後に（図１３（ｂ）〜（ｃ））、不要なレジスト層６４および絶縁層６５を剥離している（図１３（ｄ））。
【０００６】
そして、このようなリフトオフ法において、所望の微細なパターンを精度よく形成するためには、レジスト層に形成する開口部の断面形状が重要であり、具体的な断面形状として、逆テーパ形状、オーバーハング形状、２層積層型またはＴ字型としてパターンを形成する方法が提案されている（特許文献８〜１２参照）。
【特許文献１】特許第２９８９０６４号明細書
【特許文献２】特許第３０２８０９４号明細書
【特許文献３】特開平７−１６８３６８号公報
【特許文献４】特開平８−３１５９８１号公報
【特許文献５】特開平１１−３１７４１８号公報
【特許文献６】特開２００２−１３４００４号公報
【特許文献７】特開平１１−３３９５７４号公報
【特許文献８】特開昭５６−８１９５４号公報
【特許文献９】特開平１−２３６６５８号公報
【特許文献１０】特開平７−２９８４６号公報
【特許文献１１】特開２００３−２８７９０５号公報
【特許文献１２】特開平９−２１１８６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような断面形状を有する開口部をレジスト層に形成した場合であっても、所望のパターンを精度よく形成することができず、またレジストを剥離するときにパターンを形成する薄膜層と基板との間に隙間を生じたり剥離したりする膜はがれの問題が起きる場合があった。また、例えば、電極とすることを目的に形成した薄膜層の上面に、その保護を目的とした保護層を形成した場合において、薄膜層が保護層により完全に被覆されずに薄膜層の端部（側面）が露出するため、後工程中に劣化したり、これを電極として用いた電子回路等において断線を生じたりする場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、リフトオフ法においてパターン精度が低下し、パターンを形成する薄膜層と基板との間に隙間を生じたり剥離する等の現象が生じるメカニズムを鋭意検討した。そして、レジスト層に形成する開口部の断面形状をひさし型とし、さらにその形状を、形成する薄膜層の厚さ等との関係によって限定することで、上記の課題を解決できることを見出し本発明に至った。
【０００９】
すなわち、本発明は以下の（１）〜（１５）である。
（１）基板上に薄膜層からなる所望の回路パターンを形成する回路パターン付き基板の製造方法であって、前記基板上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に所望の回路パターンに対応する形状の開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部の基板上および前記レジスト層上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、前記レジスト層と前記レジスト層上に形成された前記薄膜層とを前記基板から剥離する剥離工程とを具備し、前記開口部形成工程により前記レジスト層に形成された開口部は、前記レジスト層と前記基板との境界部に高さ（ｈ）で奥行き（ｗ）の隙間を有するひさし型の段面形状を有していて、前記薄膜層形成工程において薄膜層を形成したときに、前記開口部の基板上に形成された薄膜層の端部がレジスト層の裾に乗り上げないように前記高さ（ｈ）および前記奥行き（ｗ）が決められている、回路パターン付き基板の製造方法。
（２）前記レジスト層に形成された複数の開口部のうち隣り合う２つの開口部の間隔（２ｃ）、前記薄膜層形成工程において前記基板上に形成される前記薄膜層の厚さ（Ｔ）が、０．０６×Ｔ≦ｈ≦０．６７×（２ｃ）、かつ、ｈ／４＜ｗ≦（２ｃ）／６の関係を満たす、上記（１）に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（３）前記レジスト層の前記開口部における断面形状が、さらに逆テーパ形状を有する上記（１）または（２）に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（４）前記開口部形成工程が、前記レジスト層における開口部形成部位、開口部非形成部位およびこれらの境界領域である境界部位への露光量をそれぞれＰ、Ｑ、Ｒとした場合に、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光し現像する工程を具備する、上記（１）、（２）または（３）に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（５）前記開口部形成部位および前記境界部位への露光光を遮るマスクと、前記開口部形成部位への露光光を遮るマスクとを用いて、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する、上記（４）に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（６）前記開口部形成部位への露光光を遮り、前記境界部位への露光光を半透過するマスクを用いて、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する、上記（４）に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（７）前記開口部形成部位および前記境界部位への露光光を遮るマスクを用い、このマスクと前記レジスト層との距離を変化させてＰ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する、上記（４）に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（８）前記開口部形成部位および前記境界部位への露光光を遮るマスクを用い、このマスクと前記レジスト層との距離を一定として、前記マスクの遮光部の周辺部で生じる回折光および回り込み光により前記境界部位を露光して、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する、上記（４）に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（９）露光されたレジスト層を、１、２または３価のいずれかの陽イオンを０．０００５〜５質量％含む水を用いて水洗する、上記（４）〜（８）のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（１０）前記回路パターンの前記薄膜層が、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｇおよびＮｉからなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする電極層、または、ＳｎＯ２、ＩＴＯおよびＺｎＯからなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする電極層、を含む、上記（１）〜（９）のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（１１）前記回路パターンの前記薄膜層が３層以上からなり、前記電極層がＣｕを主成分とする層であって、前記Ｃｕを主成分とする電極層の上面および下面にＣｒおよび／またはＴｉを主成分とする層を含む、上記（１０）に記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（１２）前記回路パターンの前記薄膜層の上面および側面を覆う保護層を形成する保護層形成工程を具備し、前記保護層が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３およびＳｎＯ２からなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする層を含む、上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法。
（１３）上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法により製造される回路パターン付き基板。
（１４）上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の回路パターン付き基板の製造方法により製造されるＰＤＰ前面基板。
（１５）上記（１４）に記載のＰＤＰ前面基板を用いてなるプラズマディスプレイパネル。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、所望の微細な回路パターンをより精度よく形成することができる回路パターン付き基板の製造方法を提供することができる。
また、例えば電極とすることを目的に形成した薄膜層の上面に、その薄膜の保護を目的とした保護層を形成した場合において、薄膜層の端部（側面）が露出せず、保護層が薄膜層を覆うことができ、例えばそのパターニングされた薄膜層を電極として用いた場合に、これを用いた電子回路等において断線が生じ難い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明について説明する。
本発明の製造方法は、基板上に薄膜層からなる所望の回路パターンを形成する回路パターン付き基板の製造方法であって、前記基板上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に所望の回路パターンに対応する形状の開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部の基板上および前記レジスト層上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、前記レジスト層と前記レジスト層上に形成された前記薄膜層とを前記基板から剥離する剥離工程とを具備する。
【００１２】
＜レジスト層形成工程＞
初めに、本発明の製造方法におけるレジスト層形成工程について説明する。
本発明の製造方法においてレジスト層形成工程は、基板上にレジスト層を形成する工程である。ここで基板は特に限定されず、ガラスのような透明な基板であることが好ましく、ガラス基板であることがより好ましい。また、その厚さや大きさも特に限定されない。例えば、板厚１〜３ｍｍ程度のガラス基板であれば、本発明の製造方法により製造した回路パターン付き基板をプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」ともいう）前面または背面基板として好ましく用いることができる。
【００１３】
また、レジスト層を形成するために用いるレジスト材料は、ネガ型レジスト材料であれば特に限定されず、通常のリフトオフ法において用いるものと同様のものを用いることができる。
例えばフェノール性水酸基をもつポリマーまたはこのポリマーに芳香族アシド化合物を添加したものが用いられる。上記のフェノール性水酸基をもつポリマーの例としては、ポリヒドロキシスチレン類、フェノール類またはクレゾール類とアルデヒド類との付加縮合物、ポリヒドロキシベンザール、ポリイソプロペニルフェノールなどを挙げることができる。上記の芳香族アジド化合物の例としては、４，４′−ジアジドジフェニルスルフィド、４，４′−ジアジドジフェニルスルホン、３，３′-ジアジドフェニルスルホン、４，４′−ジアジドジフェニルメタン、３，３′−ジクロロ−４，４′−ジアジドジフェニルメタン、４，４′−ジアジドジフェニルエーテル、４，４′−ジアジドジベンジルなどを挙げることができる。さらには、ポリ（α−メチルスチレン）をクロロメチル化したものを主成分とするもの、アルカリ可溶性ポリビニルフェノールおよびアジドカルコンの組合せ、アルカリ可溶性ポリビニルフェノールおよびアジドシンナムアルデヒドとイソホロンとの縮合物の組合せ、アルカリ可溶性ポリビニルフェノールとアジドジフェニルスルホンとの組合せ、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジアジドとの組合せ、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と光により酸を発生する化合物と酸により架橋を形成する化合物の組合せ、クレゾールノボラック樹脂とトリアジン化合物とアルコキシメチル化尿素との組み合せを含むもの、ヒドロキシスチレンの重合体または共重合体あるいはこれらの部分変性体とトリアジン化合物とアルコキシメチル化アミノ樹脂との組合せ等に例示されるフォトレジストを挙げることができる。
【００１４】
また、前記レジスト材料は、通常用いられる添加剤、例えば熱硬化性樹脂、増感剤、可塑剤、安定剤、界面活性剤、染料を含有することができる。その含有率は特に限定されず、通常に用いられる程度とすることができる。
このようなレジスト材料を用いて前記基板の一方主面上にレジスト層を形成する方法は特に限定されず、通常の方法、例えば、適当な溶剤に溶かし、前記基板上に塗布した後、溶剤を除去することで形成することができる。また、例えば、シート状のレジストを前記基板上に貼り付けて形成することもできる。レジスト層への開口部の好ましい形成方法は、次の開口部形成工程の説明において述べる。
【００１５】
また、このようにして形成される前記レジスト層の厚さＨは特に限定されず、形成する薄膜層や保護層の厚さ等により適宜調整することができる。厚さＨは、２〜４０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。薄膜層等に比較してレジスト層が薄すぎると、剥離工程時にレジスト層とその上面に形成された薄膜層との剥離が困難となり、所望のパターンが得られないおそれがある。レジスト層が厚すぎると所望のパターニング精度が得られないおそれがある。以下、レジスト層の厚さＨという場合、開口部形成前のレジスト層の平均厚さを意味するものとする。
【００１６】
レジスト層の材料および露光と現像の条件は、露光に対する感光閾値、現像液に対する溶解速度、および前記基板との付着力を考慮して選択することが好ましい。レジスト層は１層からなるレジスト層であってもよく、あるいは２層以上からなるレジスト層であってもよい。
【００１７】
＜開口部形成工程＞
次に、本発明の製造方法における開口部形成工程について説明する。
本発明の製造方法において開口部形成工程は、前記レジスト層に所望の回路パターンに対応する形状の開口部を形成する工程である。本工程により形成される、前記レジスト層の前記開口部は、断面形状が、前記レジスト層と前記基板との境界部に高さｈで奥行きｗの隙間を有するひさし型の形状である。
【００１８】
このような前記レジスト層の前記開口部における断面形状について、図１を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の製造方法におけるレジスト層形成工程、開口部形成工程および薄膜層形成工程を経た後に得られる、断面形状がひさし型の開口部が形成されたレジスト層１および薄膜層３（レジスト層１の上面に形成されたものを薄膜層３２、開口部８において基板５の上面に形成されたものを薄膜層３１とする。）を有する基板５の断面を例示する図である。
【００１９】
図１に示すように、レジスト層１の開口部８における断面において、レジスト層１の開口部８に接する面（開口部８を形成するレジスト層１の側面）における基板５と向い合う面をひさし下面１３とする。また、ひさし下面１３と基板５とを繋ぐ面を壁１５とする。また、ひさし下面１３とレジスト層１の上面（レジスト層１の薄膜層３２と接している面）とを繋ぐ面（レジスト層１における開口部８に接する側面であって、ひさし下面１３および壁１５以外の面）をレジスト端面１１とする。
レジスト層１と基板５との境界部の隙間の高さｈは、ひさし下面１３と基板５との距離の平均値とする。また、レジスト層１と基板５との境界部の隙間の奥行きｗは、レジスト端面１１とひさし下面１３との境界線と、ひさし下面１３と壁１５との境界線との水平距離（基板５と平行な方向を水平とする）とする。したがって、図１に示したように、ひさし下面１３が基板５と平行である場合は、奥行きｗはひさし下面１３の水平距離と同じとなる。
【００２０】
また、図１に示すように、レジスト端面１１とひさし下面１３との境界線と、これにレジスト層１を挟んで隣り合う、別の同様の境界線との水平距離を開口部の間隔２ｃとし、開口部８におけるレジスト最上面の水平方向の開口寸法を開口寸法２ａとする。
また、図１のような断面における開口部８の水平方向の中心とは、開口部８を挟む２つのレジスト層１の開口部最上面端部からの水平距離が共にａである点を意味するものとする。また、このような開口部８の水平方向の中心から薄膜層３１へ垂直に下ろした点を薄膜層３１の中心とする。
【００２１】
薄膜層３１の厚さＴは、薄膜層３１の中心での厚さを意味する。また、薄膜層３１の端部であって、ひさし下面１３と基板５との間の隙間に回り込んで形成された薄膜層の端部の水平方向の長さ（ひさし下面１３とレジスト端面１１との境界線からこの薄膜層の最も壁１５に近い先端までの水平距離）を、薄膜層が隙間へ回り込む距離ｄとする。ここで距離ｄは、図１に示したような、本発明の製造方法におけるレジスト層形成工程、開口部形成工程および薄膜層形成工程を経た後に得られるものの断面を、走査型電子顕微鏡などを用いて観察して測定することができる。その他、ｈ、ｗ、Ｔ、τ、２ａ、２ｂ、２ｃについても同様に測定することができる。
【００２２】
開口部の断面形状が上述の隙間を有するひさし型の断面形状を有するので、薄膜層形成工程において基板上に形成された薄膜層の端部がレジスト層の裾に乗り上げるのを抑制することができる。それにより所望の微細な回路パターンを精度よく形成することができるとともに、信頼性の高い回路パターンが得られる。
【００２３】
前記レジスト層に形成された複数の開口部において隣り合う２つの開口部との間隔を２ｃ、前記基板上の前記薄膜層の厚さをＴとしたときに、隙間の奥行きｗおよび高さｈは、０．０６×Ｔ≦ｈ≦０．６７×（２ｃ）、かつ、ｈ／４＜ｗ≦（２ｃ）／６の関係を満たすことが好ましい。高さｈが０．０６×Ｔ以上であると、形成された薄膜層により隙間がふさがるのが抑制される。開口部における隙間の高さｈおよび奥行きｗが、ｈ≦０．６７×（２ｃ）、かつｈ／４＜ｗ≦（２ｃ）／６なる関係を満たすと、薄膜層が隙間へ回り込む距離ｄを隙間の奥行きｗより小さくすることができる。それにより、薄膜層の端部がレジスト層の裾へ乗り上げるのを効果的に抑制されて、図１４でいう裾７２１に乗り上げた回り込み部分７３３のような部分は形成されないので、所望の微細な回路パターンを膜剥がれなく、精度よく形成することができる。この理由には、回り込み現象が影響していると本発明者は考えている。これについて従来の例である図１４を用いて具体的に説明する。
【００２４】
図１４（ａ）は、基板７１上のレジスト層７２に逆テーパ状の開口部を形成し、その上面に薄膜層７３（レジスト層７２上に形成された薄膜層を薄膜層７３２、基板７１上に形成された薄膜層を薄膜層７３１とする）を形成したものの断面図である。また、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に薄膜層７３の上面にさらに保護層７５を形成した後に、レジスト層７２を剥離したものを示す断面図である。
図１４（ａ）において、レジスト層７２に形成された逆テーパ状の開口部の基板７１上に、薄膜層７３１が形成されている。薄膜層７３１はレジスト層７２と接しないように形成することは難く、通常、図１４（ａ）に示すように、レジスト層７２における基板７１と接触している部分の付近で、薄膜層７３１の端部はレジスト層７２に接し、その端部がレジスト層７２に乗り上げるように形成される。
【００２５】
このように、薄膜層７３１が所望の幅よりも大きくなるように、その両端部分が形成される現象が回りこみ現象である。この回り込み現象は、気相蒸着法、特にイオンプレーティング法やスパッタ法などのプラズマを使った気相蒸着法により薄膜層を成膜して形成する場合には、必然的に発生する現象である。成膜物質がターゲット等から基板等に向かって直線的に飛散せず、散乱された成膜物質がある確率分布をもって他の方向からも基板に飛来するからである。
【００２６】
なお、上記のように、基板７１とレジスト層７２とが接触している部分の付近で、レジスト層７２に乗り上げるように形成された薄膜層７３１の一部分（乗り上げた部分）を、以下では「回り込み部分」という（図１４（ａ）においては「回り込み部分７３３」とする）。また、回り込み部分７３３と基板７１との間に挟まれるように存在するレジスト層７２の一部分をレジスト層の裾という（「図１４（ａ）においては「レジスト層の裾７２１」とする）。
【００２７】
このような回り込み現象により、レジスト層７２と接する回り込み部分７３３が形成されると、薄膜層７３１からなるパターンの精度が低下する。例えば、図１４（ａ）に示すように回り込み部分７３３がレジスト層の裾７２１に乗り上げた状態となると、レジスト層７２を剥離した際に、図１４（ｂ）で７３５と示す部分のようにレジスト層の裾７２１が残存する場合がある。すると形成した薄膜層７３１の剥離や接触不良等、電子回路として致命的な不良の原因となりうる。
【００２８】
また、例えば図１４（ｂ）に示すように、薄膜層７３１の上面に他の層、例えば保護層７５を形成した場合、薄膜層７３１を完全に覆うことができない（７３６と示す部分のように回り込み部分７３３の側面７３４が覆われず露出する。）。この露出した部分から薄膜層７３１の劣化が進行しやすい。そして、このように側面が露出したパターンを電極として用いた電子回路等は断線が生じ易い。
【００２９】
これに対して本発明の製造方法では、図１に示したような断面形状を有する開口部を形成して回路パターンを形成するので、図１４に示した回り込み部分７３３が形成されない。それにより、レジスト層の剥離が容易となり、精度よく所望のパターンを形成できるとともに、薄膜層（図１における薄膜層３１）の端部において、図１４（ｂ）に示したような、レジスト層の裾７２１の残存や側面７３４の露出が生じることがない。そのため信頼性の高い電子回路を製造することができる。
【００３０】
薄膜層のパターン幅が狭過ぎたり、薄膜層の厚さが薄過ぎたりすると、薄膜層を電極として用いた場合に電極の抵抗が高くなる。また、パターン幅が広すぎると、一定の幅に配置できる電極の本数が限られる。そのため、特にＰＤＰ等の電極として用いる場合に、パターンの抵抗を低く抑えるとともに、高精細表示を可能とするためには、レジスト層の開口寸法２ａは２０〜２００μｍで、かつ薄膜層の厚さＴは０．１〜５μｍとすることが好ましく、さらに２ａは２５〜１５０μｍで、かつ薄膜層の厚さＴが２〜４μｍであることがより好ましい。
【００３１】
さらに、レジスト層の厚さＨは、２〜４０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。レジスト層の厚さＨが２μｍ未満であると剥離工程でレジスト層を剥離することが比較的難しく、パターニングが困難となる場合がある。４０μｍ超であると回り込む距離ｄが大きくなったり、レジスト層の寸法精度が低下し、十分なパターニング精度得られないおそれがある。
隙間の奥行きｗが（２ｃ）／６より大であると、ひさし型を形成するレジスト層が垂れて隙間がふさがるおそれがある。また、隙間の奥行きｗが２０μｍ超では開口部を設けたレジスト層が剥離工程前に基板から剥がれるおそれがあるので、２０μｍ以下とすることが好ましい。
【００３２】
本発明の製造方法においては、さらに、高さｈを０．１μｍとし、奥行きｗを２０μｍ以下とすると、薄膜層の厚さが１５μｍ以下のときに、回り込む距離ｄを２μｍ以下にすることができる。このような回路パターンは、ＰＤＰの前面板として好ましく用いることができる。
【００３３】
例えば、レジスト層の厚さＨを３３μｍ、レジスト開口部距離２ａを２５μｍとした場合、隙間高さｈを３μｍ以下、隙間の奥行き深さｗを５μｍ超とすると、１２μｍ以下の薄膜層の厚さＴに対して薄膜層が回り込む距離ｄを５μｍ以下とすることができるので、薄膜層がレジスト下端部へ乗り上げることがなく好ましい。
【００３４】
また、薄膜層の厚さＴを８μｍ以下としたとき、隙間高さｈを２μｍ以下とすることで、薄膜層の回り込む距離ｄを３μｍ以下とすることができ、隙間の奥行き深さｗを３μｍ超とすることで薄膜層のレジスト下端部への乗り上げもなく好ましい。
また、薄膜層の厚さＴを４μｍ以下としたとき、隙間高さｈを１μｍ以下とすることで、薄膜層の回り込む距離ｄを１．５μｍ以下とすることができ、隙間の奥行き深さｗを１．５μｍ超とすることで薄膜層のレジスト下端部への乗り上げもなく好ましい。
また、薄膜層の厚さＴを２．８μｍ以下としたとき、隙間高さｈを０．７μｍ以下とすることで、薄膜層の回り込む距離ｄを１．０μｍ以下とすることができ、隙間の奥行き深さｗを１．０μｍ超とすることで薄膜層のレジスト下端部への乗り上げもなく好ましい。
また、薄膜層の厚さＴを１．４μｍ以下としたとき、隙間高さｈを０．４μｍ以下とすることで、薄膜層の回り込む距離ｄを０．５μｍ以下とすることができ、隙間の奥行き深さｗを０．５μｍ超とすることで薄膜層のレジスト下端部への乗り上げもなく好ましい。
【００３５】
本発明の製造方法を、ＰＤＰ用の電極の形成に用いる場合は、隙間への薄膜層の回り込む距離ｄを１μｍ以下とすることが好ましい。それにより、特にＰＤＰ用の電極として用いる場合に、高精細表示に対応することが可能になる。
また、前記ひさし型の開口部が、さらに逆テーパ形状を有する形状であることが好ましい。逆テーパ形状とは、図１に示したように、１つの開口部に接する２つのレジスト層におけるレジスト端面１１とひさし下面１３との境界線の各々の水平距離である２ｂ、および開口寸法２ａが、２ａ＜２ｂを満足する形状をいう。このような逆テーパ形状を有すると、回り込む距離ｄが小さくなるので図１４でいう回り込み部分７３３が形成されず好ましい。また、レジスト端面１１への薄膜層の付着が抑制され、レジスト層の剥離が容易となるので好ましい。
【００３６】
次に、本発明の製造方法における開口部形成工程において、上記のような開口部を前記レジスト層に形成する方法について説明する。
本発明の製造方法における開口部形成工程において、上記のような形状の開口部は、前述のような方法で前記基板上にネガ型レジストを用いて前記レジスト層を形成した後に、前記レジスト層における開口部形成部位、開口部非形成部位およびこれらの境界領域である境界部位への露光量をそれぞれＰ、Ｑ、Ｒとした場合にＰ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光して、部位ごとにレジストの硬化度（すなわち現像液に対する溶解度）、およびレジスト層と基板との密着性を変化させ、その後現像することにより形成することができる。
前記の開口部形成部位、開口部非形成部位およびこれらの境界領域である境界部位へのそれぞれの露光量Ｐ、Ｑ、Ｒを、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する方法は特に限定されないが、次に示す第１〜第４の露光方法で好ましく形成することができる。
【００３７】
まず、第１の露光方法について、図２および図３を用いて説明する。図２（ａ）は、基板２０の上面にレジスト層２２が形成された状態の断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のレジスト層を露光、現像して、開口部を形成した状態の断面図である。
【００３８】
図２（ａ）に示すレジスト層２２において、図２（ｂ）に示す開口部となるＪの領域が開口部形成部位である（「開口部形成部位Ｊ」とする）。同様に、ひさし部分となるＫの領域が境界部位（「境界部位Ｋ」とする）であり、開口部を形成せず、ひさし部分ともならないＬの領域が開口部非形成部位（「開口部非形成部位Ｌ」とする）である。
このような形状の開口部は、これらの部位に対する露光量を変えた後、現像することで形成することができる。具体的には、開口部形成部位Ｊへの露光量をＰ、境界部位Ｋへの露光量をＲ、開口部非形成部位への露光量をＱとした場合に、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する。
【００３９】
レジスト層への露光量と現像後のレジスト層の厚さとの間には、露光量を増すと現像後のレジスト層厚さは増加していくが、ある露光量以上ではレジスト層厚さが実質的に一定値となる関係がある。本明細書では、現像後のレジスト層厚さが実質的に一定値となる最小の露光量を飽和露光量というものとする。飽和露光量は、レジスト層の材料や厚さ、現像液の濃度や液温などによって異なるが、概ね１０ｍＪ／ｃｍ２〜５００ｍＪ／ｃｍ２である。
【００４０】
本発明の製造方法では、露光量Ｐ、Ｑ、Ｒは、上記の飽和露光量に対してそれぞれ以下の範囲であることが好ましい。すなわち、露光量Ｐは、飽和露光量に対して０％〜２０％であることが好ましく、０％〜１０％であることがより好ましい。露光量Ｒは飽和露光量に対して５％〜１５０％であることが好ましく、１０％〜１００％であることがより好ましい。露光量Ｑは飽和露光量に対して２５％〜５００％であることが好ましく、５０％〜２００％であることがより好ましい。
【００４１】
露光量Ｐ、Ｑ、ＲがＰ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光する方法は限定されないが、開口部形成部位Ｊおよび境界部位Ｋへの露光光を遮るマスクと、開口部形成部位Ｊへの露光光を遮るマスクとを用いて、Ｐ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光することが好ましい。
これについて図３を用いて具体的に説明する。図３（ａ）は、レジスト層２２が基板面に形成された基板２０の断面形状を示す図であり、前述の図２（ａ）と同様に、開口部形成部位Ｊ、境界部位Ｋおよび開口部非形成部位Ｌを有する。
まず、図３（ａ）のレジスト層２２に対して、開口部形成部位Ｊおよび境界部位Ｋへの露光光２６の透過を遮る完全遮光部４０ａと、開口部非形成部位Ｌへ露光光２６を透過させる完全透過部４０ｂとを具備するマスク４０を用いて露光する（図３（ｂ））。この場合、レジスト層２２における開口部非形成部位Ｌが露光され、開口部形成部位Ｊおよび境界部位Ｋが露光されない。次に、開口部形成部位Ｊへの露光光２７の透過を遮る完全遮光部４２ａと開口部非形成部位Ｌおよび境界部位Ｋへ露光光２７を透過させる完全透過部４２ｂとを具備するマスク４２を用いて露光する。この場合、レジスト層２２における開口部非形成部位Ｌおよび境界部位Ｋが露光され、開口部形成部位Ｊは露光されない。
【００４２】
上記の露光工程を施すことにより、開口部非形成部位Ｌは２回露光され、境界部位Ｋは１回露光されることとなる。このようにして、開口部形成部位Ｊ、境界部位Ｋおよび開口部非形成部位Ｌの露光量Ｐ、Ｒ、ＱをＰ＜Ｒ＜Ｑである所望の露光量とすることができる。そして、これを現像し、水洗することで、レジスト層２２に図３（ｄ）に示すような所望のひさし型の断面形状を有する開口部を形成することができる。
露光光２６および２７の強度または露光時間を調整することで、境界部位Ｋへの露光量Ｒを調整してレジストの硬化度（現像液に対する溶解度）、およびレジスト層と基板との密着性を場所によって変化させ、前述した開口部における隙間の奥行きｗと高さｈを調整することができる。なお、図３（ｂ）に示す工程と図３（ｃ）に示す工程とは順番が逆であっても良い。
【００４３】
次に、ひさし型の開口部を形成するための第２の露光方法について図４を用いて具体的に説明する。第２の露光方法では、開口部形成部位Ｊへの露光光を遮り、境界部位Ｋへの露光光を半透過するマスクを用いる。図４（ａ）は、レジスト層２２が基板面に形成された基板２０の断面形状を示す図であり、前述の図２（ａ）と同様に、開口部形成部位Ｊ、境界部位Ｋおよび開口部非形成部位Ｌを有する。そして、図４（ｂ）は、開口部形成部位Ｊへの透過を遮り境界部位Ｋへ半透過させるマスク４４を用いて、露光光２８により露光している様子を示す断面図であり、図４（ｃ）は、図４（ｂ）に示した露光の後に、現像して得られるひさし型の断面形状を有する開口部の断面図である。
【００４４】
まず、図４（ａ）のレジスト層２２に対して、図４（ｂ）に示すように、開口部形成部位Ｊへの露光光２８の透過を遮る完全遮光部４４ａと、境界部位Ｋへ露光光２８を半透過させる半透過部４４ｂと、開口部非形成部位Ｌへ露光光２８を透過させる完全透過部４４ｃとを具備するマスク４４を用いて露光する。このような露光工程を施すことにより、開口部形成部位Ｊ、境界部位Ｋおよび開口部非形成部位Ｌへの露光量Ｐ、Ｒ、ＱをＰ＜Ｒ＜Ｑとすることができる。そして、これを現像し、水洗することで、レジスト層に図４（ｃ）に示すような所望のひさし型の断面形状を有する開口部を形成することができる。
ここで、所望の透過率を有する半透過部４４ｂは、例えば、露光光２８を一部吸収しつつ透過させる材料からなる薄膜を、膜厚を調整して形成したり、開口率を調整した微小パターンを有する遮光性の薄膜を形成したりすることにより形成できる。このような半透過するマスクを用いることにより、境界部位Ｋにおける露光量Ｒを調整してレジストの硬化度（現像液に対する溶解度）、およびレジスト層と基板との密着性を場所によって変化させ、前述した開口部における隙間の奥行きｗと高さｈを調整することができる。
【００４５】
次に、ひさし型の開口部を形成するための第３の露光方法について、図５を用いて説明する。第３の露光方法では、前記開口部形成部位および前記境界部位への露光光を遮るマスクを用い、このマスクと前記レジスト層との距離を変化させて露光する。図５（ａ）は、レジスト層２２が基板面に形成された基板２０の断面形状を示す図であり、前述の図２（ａ）と同様に、開口部形成部位Ｊ、境界部位Ｋおよび開口部非形成部位Ｌを有する。本露光方法で用いるマスク４６は、図５（ｂ）に示すように、開口部形成部位Ｊおよび境界部位Ｋへの露光光２９の透過を遮る完全遮光部４６ａと、開口部非形成部位Ｌへ露光光２９を透過させる完全透過部４６ｂとを具備する。
【００４６】
本露光方法では、まず、図５（ａ）のレジスト層２２に、マスク４６をレジスト層２２に近づけた状態で露光する（図５（ｂ））。ここで「近づけた状態」とは、後述する「離れた状態」よりも近い状態を意味するが、レジスト層２２とマスク４６との距離は、概ね０〜２００μｍ程度である。このとき、レジスト層２２における開口部非形成部位Ｌが露光光２９により露光され、開口部形成部位Ｊおよび境界部位Ｋは露光されない。
【００４７】
次に、マスク４６とレジスト層２２を離した状態（マスク４６´）として、再度、露光する（図５（ｃ））。ここでマスク４６がレジスト層２２から離れた状態とは、本発明におけるひさし型の開口部をレジスト層に形成することができる程度に、露光光２９がマスクの遮光部４６ａのエッジにより回折される状態を意味する。レジスト層２２とマスク４６とを離して露光すると、図５（ｃ）に示したように、露光光２９の一部は露光光２９´のように回折されて、開口部非形成部位Ｌだけでなく境界部位Ｋも露光される。レジスト層２２とマスク４６´との距離は、概ね５０〜４００μｍとされる。露光はマスク４６を移動させながら行ってもよい。
【００４８】
このような方法により、開口部形成部位Ｊ、境界部位Ｋおよび開口部非形成部位Ｌの露光量Ｐ、Ｒ，ＱをＰ＜Ｒ＜Ｑとして、レジストの硬化度（現像液に対する溶解度）、およびレジスト層と基板との密着性を場所によって変化させることができる。そして、これを現像し、水洗することで、レジスト層に図５（ｄ）に示すような所望の断面形状の開口部を形成することができる。前述した開口部における隙間の奥行きｗと高さｈは、マスク４６（マスク４６´）のレジスト層２２からの距離を調整することで、境界部位Ｋにおける露光の程度を変化させることにより、調整することができる。
【００４９】
なお、上記の図５を用いた説明では、初めにマスク４６をレジスト層２２に近づけた状態で露光し、その後、レジスト層２２から離して露光する方法を示したが、逆の順序であってもよい。すなわち、図５を用いて説明すれば、図５（ａ）に示した基板上のレジスト層を、まず図５（ｃ）に示したようにマスク４６をレジスト層２２から離した状態で露光し、その後図５（ｂ）に示したようにマスク４６をレジスト層２２に近づけて露光してもよい。この場合でも、図５（ｄ）に示したような開口部を形成することができる。
【００５０】
次に、ひさし型の開口部を形成するための第４の露光方法について説明する。第４の露光方法では、第３の露光方法と同様の前記開口部形成部位および前記境界部位への露光光を遮るマスクを用いるが、マスク４６とレジスト層２２との距離を変化させずに一定として露光をおこなう。露光の後、現像し、水洗することで、レジスト層に図５（ｄ）に示したような所望のひさし型の断面形状を有する開口部を形成することができる。
本露光方法では、図５（ｃ）に記したように、レジスト層２２における開口部非形成部位Ｌは、マスク４６の完全透過部４６ｂにより透過された露光光２９により露光され、レジスト層２２における開口部形成部位Ｊは、マスク４６の完全遮光部４６ａにより露光光の透過が遮られて露光が抑制され、レジスト層２２における境界部位Ｋは、マスク４６の完全遮光部４６ａの周辺部で生じる回折光２９’により露光される。
【００５１】
境界部位Ｋへの露光量Ｒは、開口部非形成部位Ｌへの露光量Ｑに応じて、例えば露光時のマスク４６とレジスト層２２との距離を変えることにより調整できる。露光時のマスク４６とレジスト層２２との距離は、用いる露光光学系の条件により、マスク４６をレジスト層２２に密着させて露光するコンタクト露光をおこなうときの実質的にゼロを下限として５００μｍまでの範囲から適宜選ぶことが好ましい。さらに、露光光がマスク４６およびレジスト層に入射する入射角を傾けて入射させたり、マスク４６とレジスト層２２の間の距離を調整したりすることにより、回り込み光や多重反射光などをさらに利用して、レジスト層２２における境界部位Ｋに対する露光量Ｒをさらに調整することができる。前記入射角の傾きは、１〜５°の範囲から選ぶことが好ましい。このようにして、開口部形成部位Ｊ、境界部位Ｋおよび開口部非形成部位Ｌの露光量Ｐ、Ｒ，ＱがＰ＜Ｒ＜Ｑとなるように露光することができる。
【００５２】
本露光方法を用いる場合は、開口部非形成部位Ｌにおける露光量Ｑを飽和露光量の２５〜１００％とし、境界部位Ｋにおける露光量Ｒを飽和露光量の１０〜８０％とし、開口部形成部位Ｊにおける露光量Ｐを飽和露光量の０〜２０％とすることがより好ましい。
上述の条件で露光することにより、開口部形成部位Ｌのレジスト層は、表面および層内の大部分で充分硬化される一方、境界部位Ｋのレジスト層は、基板界面近傍で露光量がとくに低い半硬化状態とすることができる。そのため、この露光の後、現像すると、露光部のレジスト層は実質的に溶出されないが、露光部位と非露光部位との境界部位のレジスト層は、露光量がとくに低い基板界面近傍部分が溶出して、レジスト層に所望の断面形状を有する開口部を形成することができる。
【００５３】
開口部非形成部位Ｌへの露光量Ｐは、飽和露光量の２５％未満では、レジスト層と基板との密着力が不十分となって現像工程や薄膜層形成工程などの後工程でレジスト層が剥離する恐れがあり、飽和露光量の１００％超では、境界部位Ｋへの適切な露光量Ｒが得られなくて適切な高さｈおよび奥行きｗを持つ前記隙間を形成できないおそれがある。すなわち、後述の薄膜層形成工程で形成した薄膜層の端部がレジスト層の裾に乗り上げて後述する剥離工程でレジスト層を基板から剥離できなかったり、得られた回路パターン付基板を用いる電子回路装置の信頼性が不十分となる恐れがある。
【００５４】
本発明の製造方法における開口部形成工程において、第１〜第４の露光方法による露光の後おこなう現像は、通常の方法で行なうことができる。すなわち、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのような無機アルカリの水溶液や、炭酸ナトリウム水溶液や、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンに代表される第四級アンモニウム塩のような有機塩基の水溶液を現像液として用いて浸漬やスプレーなどの手段で処理をおこなわれる。現像液の温度、添加剤、現像処理をおこなう時間等は、所望の開口部の断面形状が得られるように適宜調整または選択することが好ましい。
とくに第４の露光方法を用いた場合は、現像処理をおこなう時間は、現像開始から、非露光部のレジスト層が溶出して基板表面が露出するまでの時間であるブレークポイントの２倍〜１０倍の範囲から選ばれることが好ましい。
【００５５】
現像に次いでおこなわれる水洗は、純水やイオン交換水を用いておこなわれ、未硬化状態のレジスト材を除去すればよく、現像時間の０．０５〜３倍の範囲の時間おこなうことが好ましい。水洗に用いる水に１〜３価の金属イオンを含有させると、レジスト端部の膨順を抑制することができて好ましい。１〜３価の金属イオンの水に対する含有量は０．０００５〜５質量％が好ましい。０．０００５質量％未満ではレジストの膨潤の抑制効果を得られないおそれがあり、５質量％超では溶出したレジストが凝集して異物を形成し欠点を生じる恐れがある。水洗に用いる水に含有させる金属イオンは、Ｃａ２＋イオン、Ｍｇ２＋イオン、Ｂａ２＋イオンなどの２価の金属イオンが好ましく、Ｃａ２＋イオン、Ｍｇ２＋イオンがより好ましい。２価の金属イオンの含有量は水に対して０．００５〜０．５質量％が好ましい。０．００５質量％未満ではレジストの膨潤の抑制効果を得られないおそれがあり、０．５質量％超では溶出したレジストの凝集による欠点が生じるおそれがある。
露光処理の前または後あるいはその両方でレジスト層を熱処理すると、基板との密着性を安定化させるので好ましい。この露光前の熱処理は、通常８０〜１５０℃の範囲の温度で０．５〜３分間、露光後の熱処理は、通常８０〜２００℃の温度において１〜１０分間行うことが好ましい。
【００５６】
レジスト層は、前述のように、２層以上からなるレジスト層であっても良い。その場合、前記基板の表面に接するレジスト層は（「レジスト層Ｆ」とする）、その他の部分のレジスト層（「レジスト層Ｇ」とするより現像時の現像液に対する溶解速度が速い材料で構成することが好ましい。前記基板の表面に接するレジスト層Ｆは、通常の感光性を有するもの、または後述の層に比較して低感度な感光性を有するものとし、その他のレジスト層Ｇ」は、カーボンブラック微粒子などを含有し適当な遮光性を有するもの、またはレジスト層Ｆと比較して高感度な感光性を有するものとすることが好ましい。レジスト層Ｆおよびレジスト層Ｇの厚さはそれぞれ０．１〜５μｍおよび２〜４０μｍとすることが好ましい。
【００５７】
レジスト層Ｆは複数の層からなってもよい。つまり、２層以上からなるレジスト層において、これらの中の前記基板の表面に接する１層のレジスト層と、この層に接する１以上のレジスト層とであって、さらにその上に積層するレジスト層Ｇよりも相対的に現像液に対する溶解速度が早い材料からなる複数の層を、レジスト層Ｆをみなすことができる。
そして、前述のレジスト層形成工程において説明した方法で、レジスト層Ｆおよびレジスト層Ｇの各々のレジスト層を形成し露光した後、現像液を用いて開口部を形成する。より具体的には、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのような無機アルカリの水溶液や、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンに代表される第四級アンモニウム塩のような有機塩基の水溶液を現像液として用い、浸漬やスプレーなどの手段で処理して現像することができる。
【００５８】
所望により露光処理の前または後あるいはその両方でフォトレジスト層を熱処理することができる。露光前の熱処理は、８０〜１５０℃の範囲の温度で３０秒〜３分間、露光後の熱処理は、通常８０〜２００℃の温度において１〜１０分間行うことが好ましい。このような場合、レジスト層Ｆの現像液への溶解速度がレジスト層Ｇへのそれと比較して早いので、前記ひさし型の断面形状の開口部を形成することができる。各々のレジスト層に用いる材料の種類を変化させることで、開口部の断面形状におけるひさし型の隙間の奥行きｗおよび高さｈを調整することができる。
【００５９】
図１５は、本発明の回路パターン付き基板の製造方法により開口部を形成したレジスト層の開口部周辺の断面のＳＥＭ写真であって、２ａが２７．０μｍ、２ｂが３０．０μｍの開口部に、高さｈが２．０μｍ、奥行きｗが４．０μｍの隙間が形成されていることがわかる。図１６は、図１５の開口部とレジスト層上に、膜厚１００ｎｍのＣｒ層、膜厚２８００ｎｍのＣｕ層、膜厚１００ｎｍのＣｒ層がこの順番で積層された、膜厚Ｔが３．０μｍの薄膜層を形成した、レジスト層の開口部周辺の断面のＳＥＭ写真であって、薄膜層の端部が隙間に回り込んでいるが、前述の寸法の隙間を有しているのでレジスト層の裾へ乗り上げが生じていないことがわかる。
【００６０】
＜薄膜層形成工程＞
次に、本発明の製造方法における薄膜層形成工程について説明する。薄膜層形成工程は、前記基板上および前記レジスト層上に薄膜層を形成する工程である。
薄膜層形成工程で形成する薄膜層の材質は特に限定されない。後述する方法により前記基板上および前記レジスト層上に薄膜層を形成することができるものであればよい。またこの薄膜層は１層からなってもよいし、複数の層からなってもよい。また、その厚さも限定されず、例えば、０．１〜１０μｍ程度とすることができる。基板への好ましい付着力を確保するとともに、好ましい導電性を確保するという観点から、回路パターンの薄膜層の厚さは、０．１〜５μｍであることが好ましい。
【００６１】
前記薄膜層は、１層または２層以上からなり、それらの中の１層以上が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、ＳｎＯ２、ＩＴＯおよびＺｎＯからなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする層であることが好ましい。この層は電気を容易に通すので電極層として好ましく用いることができる（以下、単に「電極層」ともいう）。なお、ここでいう「主成分」とは電極層においてこれらの成分が５０質量％以上含有されることを意味する。この含有率は８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９９質量％であることがさらに好ましい。以下、「主成分」とは、同様な意味に用いる。
なお、前記電極層を形成する材料は、Ｃｕを主成分とするときは他の含有成分としてＣｒ、ＴｉやＭｎを、Ａｇを主成分とするときは、他のＰｄやＡｕを用いることが好ましい。また、導電性の向上のため、ＳｎＯ２を主成分とするときは他の含有成分としてＴａ、ＮｂやＳｂを、ＺｎＯを主成分とするときは他の含有成分としてＡｌ、ＧａやＩｎを用いることが好ましい。
【００６２】
電極層が、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｇおよびＮｉからなる群から選ばれる少なくと１つを主成分とする層からなる場合には、前記薄膜層が、Ｃｒ、Ｔｉ、ＭｏおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする層をさらに含むことが好ましい。この層は前記電極層や、後述する保護層や基板等との密着性が高く、接着層として好ましく用いることができる（以下、「接着層」ともいう）。また、前記薄膜層が３層を有し、その中の１層が前記電極層であり、その電極層を挟むように２層の前記接着層を有する構造であることが好ましい。つまり、電極層の一方主面および他方主面の各々に、前記接着層を有する構造（接着層／電極層／接着層）であることが好ましい。また、前記接着層が電極層側面をも同時に被覆していることが耐久性向上の点から特に好ましい。以下では、このような構造の３層を積層電極層ともいう。
【００６３】
前記薄膜層としては、特に、Ｃｒを主成分とする接着層とＣｕを主成分とする電極層とが積層された積層電極層、およびＴｉを主成分とする接着層とＣｕを主成分とする電極層とが積層された積層電極層が好ましい。また、これらの薄膜層は、さらに低反射層や他の接着層などの他の層を有する構造であっても、同様に好ましい。このような積層電極層を含む薄膜層は、ＰＤＰ前面基板におけるバス電極として好ましく用いることができる。
また、電極層が、ＳｎＯ２、ＩＴＯおよびＺｎＯからなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする導電性透明導電材料からなる層（以下、透明電極層という）であってもよい。このような透明電極層を含む薄膜は、ＰＤＰ前面基板における放電維持電極として好ましく用いることができる。
【００６４】
本発明の製造方法における薄膜層形成工程において、前記基板上および前記レジスト層上に薄膜層を形成する方法として通常の気相蒸着法、例えば、物理的蒸着法（電子ビームや抵抗加熱等による真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法）、化学的蒸着法（熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法）等を適用することができる。
【００６５】
例えば、スパッタリングにより、Ｃｕを主成分とする層を形成するためには、Ｃｕターゲットを用い、アルゴン等の不活性雰囲気下で、スパッタリングを行なえばよい。Ｃｒ、Ｔｉ等を主成分とする層を形成する場合も同様である。ここでアルゴン等にＮ２やＣＨ４などを混合させてスパッタリングを行ってもよい。また、薄膜層として酸化物の層を形成する場合は、酸素を含む雰囲気下でスパッタリングを行なってもよい。
【００６６】
薄膜層を所望の厚さ、例えば、上記のような好ましい厚さとするためには、従来公知の方法、例えばスパッタリングや蒸着法等の気相蒸着法における成膜時間等を制御することで調整することができる。また、この薄膜層上に引き続いて後述する保護層を成膜してもよい。
【００６７】
＜剥離工程＞
次に、本発明の製造方法における剥離工程について説明する。本発明の製造方法において剥離工程は、前記レジスト層と前記レジスト層上に形成された前記薄膜層とを前記基板から剥離する工程である。ここで、前記レジスト層と前記基板とを剥離する方法は特に限定されず、例えば、従来公知の方法である湿式剥離法や機械的剥離法を適用することができる。
【００６８】
湿式剥離法としては、従来公知の剥離用の溶剤に浸漬させる方法が挙げられる。この溶剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸ナトリウムなどの水溶性剥離液が挙げられる。このような水溶性剥離液であって数パーセント質量濃度のものを３０〜８０℃に加温制御し、バット状の容器等中で揺動しながら浸漬、またはフルコーンノズル等を用い、吹き付け圧力を０．１〜０．５ＭＰａで制御しスプレー処理することで、前記レジスト層と前記基板とを好ましく剥離することができる。
【００６９】
また、機械的剥離法としては、例えば、前記レジスト層の端部から引き剥がす方法、前記レジスト層上に成膜された前記薄膜層に接着する部材を用いて剥離させる方法、減圧状態で吸引して剥離させる方法、高圧の気体や液体を吹き付けて前記レジスト層を吹き飛ばして剥離させる方法、ブラシ等でこすることにより剥離させる方法等を挙げることができる。
【００７０】
前記レジスト層の端部から引き剥がす方法としては、具体的には、前記レジスト層の端部を摘み、端部から徐々に剥がしていく方法や、ローラ等を用いて前記レジスト層上に成膜された前記薄膜層をローラに吸着させた後に、ローラを回転させて前記レジスト層を前記薄膜層ごと剥離させる方法を挙げることができる。また、前記レジスト層上に成膜された前記薄膜層に接着する部材を用いて剥離させる方法としては、具体的には、接着テープ等の接着部材を用いて前記薄膜層を接着テープに接着させて剥離させる方法や、接着テープをローラに取り付け、接着テープに前記薄膜層を接着させながらローラを回転することによって剥離させる方法を挙げることができる。
【００７１】
また、減圧状態で吸引して剥離させる方法は、前記レジスト層上に前記薄膜層を成膜した後に減圧することにより、前記レジスト層を前記薄膜層ごと剥離させる方法である。この場合、前記レジスト層および前記薄膜層を剥離させることができる程度に減圧すればよい。また、高圧の気体や液体を吹き付けて前記レジスト層を吹き飛ばす方法とは、前記レジスト層上に前記薄膜層を成膜した後に、気体や液体を吹き付けることにより、前記レジスト層を前記薄膜層ごと剥離させる方法である。この場合、前記レジスト層および前記薄膜層を剥離させることができる程度の圧力で気体や液体を吹き付ければよい。
【００７２】
本発明の製造方法は、以上に説明したレジスト層形成工程と、開口部形成工程と、薄膜層形成工程と、剥離工程とを具備する回路パターン付き基板の製造方法である。
なお、本発明の製造方法は、以上に説明したレジスト層形成工程と、開口部形成工程と、薄膜層形成工程と、剥離工程と、を複数具備してもよい。例えば、前記基板を前記レジスト層形成工程、前記開口部形成工程、前記薄膜層形成工程および前記剥離工程に供し、前記基板上に薄膜層からなる回路パターンを形成した後、さらに前記レジスト層形成工程、開口部形成工程に供した後、後述する保護層や、前記薄膜層形成工程とは異なるパターンの薄膜層を形成し、その後、剥離工程に供したりして、回路パターンを形成してもよい。
【００７３】
＜保護層形成工程＞
このような本発明の製造方法において、さらに、前記薄膜層の表面および側面を覆う保護層を形成する保護層形成工程を具備することが好ましい。保護層形成工程は、前記薄膜層形成工程の後に具備される。そして、前記剥離工程の後に具備されても、前に具備されてもよい。例えば、前記基板に前記レジスト層形成工程、前記開口部形成工程、および前記薄膜層形成工程を施し、引き続き保護層形成工程を施し、その後、前記レジスト層とその上に形成された薄膜層および保護層を剥離することができる。
【００７４】
本発明の製造方法が保護層形成工程を具備すると、本発明の製造方法により製造された回路パターン付き基板の回路パターンを保護する保護層を形成することができて、後工程での特性の劣化を抑えたり、信頼性に優れた回路パターン付き基板が得られるので好ましい。
【００７５】
薄膜層と保護層のパターンが異なる場合には、前記レジスト層形成工程、前記開口部形成工程、前記薄膜層形成工程に引き続いて、前記剥離工程を施し、薄膜層からなる回路パターンを形成し、その後再び、前記レジスト層形成工程、前記開口部形成工程を施し、引き続いて保護層形成工程を施して保護層を形成し、前記剥離工程を施して、前記レジスト層とその上に形成された保護層を剥離することで、所望のパターンの薄膜層と所望のパターンの保護層とを積層して形成することができる。
【００７６】
この保護層の材質は特に限定されないが、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３およびＳｎＯ２からなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とすることが好ましい。前記保護層がこのような材質からなると、本発明の製造方法によって製造される回路パターン付き基板を、表面にさらに誘電体層等を形成して例えばＰＤＰ前面基板として用いる場合に、前記薄膜層がその誘電体層等を形成する高温過程で酸化したり、あるいは誘電体層そのものから侵食されることを、前記保護層で保護することができるので好ましい。なかでもＳｎＯ２が、保護性能がより優れているので好ましい。
【００７７】
さらに、前記保護層が２層以上からなり、その中の少なくとも２層として、ＳｎＯ２を主成分とする層と、その上面のＳｉＯ２を主成分とする層とを含むことが好ましい。保護性能がより優れるからである。前記保護層は、Ｔａ、ＮｂおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１つを含有したＳｎＯ２とすることがさらに好ましい。Ｔａ、ＮｂおよびＳｂの前記ＳｎＯ２保護層における含有率は特に限定されないものの、０．５〜１５質量％が好ましく、３〜１０質量％がより好ましい。このような含有率であると前記保護層にも高い電気伝導特性を付与できるからである。
【００７８】
前記保護層の厚さは特に限定されず所望の厚さとすることができるが、０．０５〜１μｍが好ましく、０．１〜０．５μｍがより好ましい。前記保護層の厚さの定義、測定方法およびその調整方法は、前記薄膜層の場合と同様である。また、前記保護層の形成方法も、前記薄膜層の形成方法と同様に気相蒸着法を適用することができる。
【００７９】
本発明の製造方法において、前記薄膜層形成工程が、前記基板上および前記レジスト層上にＣｒおよび／またはＴｉを主成分とする接着層を形成し、その接着層の上面にＣｕを主成分とする電極層を形成し、さらにその電極層の上面にさらにＣｒおよび／またはＴｉを主成分とする接着層を形成する工程であり、前記保護層形成工程が、前記薄膜層の表面にＳｎＯ２を主成分とする保護層を形成する工程であることが好ましい。
このような本発明の製造方法によって製造される回路パターン付き基板は、ＰＤＰ前面基板として好ましく用いることができる。
【００８０】
＜低反射層形成工程＞
また、本発明の製造方法において、前記回路パターンの前記薄膜層と前記基板との間に、さらに、低反射層を形成する低反射層形成工程を具備することが好ましい。この低反射層形成工程は、前記開口部形成工程の後であって前記薄膜層形成工程の前であることが好ましい。例えば、前記レジスト層形成工程および前記開口部形成工程を経た後に、この低反射層形成し、さらに、前記薄膜層形成の後に、前記剥離工程に供することで、後述する好ましい本発明の回路パターン付き基板を製造することができる。
【００８１】
このような材質からなる前記低反射層が前記基板に形成されると、本発明の製造方法によって製造された回路パターン付き基板を形成して例えばＰＤＰ前面基板として用いる場合に、薄膜層を基板側より観察したとき、前記低反射層が反射防止層として機能し、コントラストが向上するので好ましい。
【００８２】
また、前記低反射層はクロム酸化物および／またはチタン酸化物を主成分することが好ましい。ここで言う主成分とは、前記低反射層における含有率が５０質量％以上であるものを意味し、７０〜１００質量％が好ましく、８０〜１００質量％がより好ましく、９０〜１００質量％がさらに好ましい。前記低反射層を形成するこの主成分以外の材料としては、例えば、窒素や炭素を含有させることが好ましい。前記反射防止性能を向上できるからである。
【００８３】
前記低反射層の厚さは特に限定されない。所望の厚さとすることができるが、０．０３〜０．１μｍが好ましく、０．０４〜０．０７μｍがより好ましい。前記低反射層の厚さの定義、測定方法およびその調整方法は、前記薄膜層の場合と同様である。前記低反射層の形成方法も、前記薄膜層の形成方法と同様に気相蒸着法を適用することができる。
【００８４】
本発明の製造方法において、前記薄膜層形成工程が、前記基板上および前記レジスト層上にＣｒおよび／またはＴｉを主成分とする接着層を形成し、その接着層の上面にＣｕを主成分とする電極層を形成し、さらにその電極層の上面にさらにＣｒおよび／またはＴｉを主成分とする接着層を形成する工程であり、前記保護層形成工程が、前記薄膜層の表面にＳｎＯ２を主成分とする保護層を形成する工程であり、前記低反射層形成工程が、さらに、クロム酸化物および／またはチタン酸化物を主成分とする低反射層を形成する工程であることが好ましい。
【００８５】
このような本発明の製造方法によって製造される回路パターン付き基板は、ＰＤＰ前面基板として好ましく用いることができる。
【００８６】
＜第２薄膜層形成工程＞
本発明の製造方法は、さらに、前記薄膜層と前記基板との間に、第２薄膜層を形成する第２薄膜層形成工程を具備することができる。この第２薄膜層形成工程は、前記薄膜層形成工程の前に具備される。そして、前記レジスト層形成工程の前であってもよいし、前記開口部形成工程の後であって前記薄膜層形成工程の前であってもよい。
例えば、前記レジスト層形成工程および前記開口部形成工程を経た後に、この第２薄膜層形成工程に供し、前記基板上に第２薄膜層からなる回路パターンを形成した後、さらにレジスト層形成工程に供し、その第２薄膜層からなる回路パターンの上面にレジスト層を形成して、さらに開口部形成工程を経た後に、前記薄膜層形成工程に供し、その後前記剥離工程に供することで、後述する好ましい態様の本発明の回路パターン付き基板を製造することができる。
【００８７】
この第２薄膜層の材質は特に限定されないが、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、ＳｎＯ２、ＩＴＯおよびＺｎＯからなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とすることが好ましい。本発明の製造方法によって製造された回路パターン付き基板を形成して例えばＰＤＰ前面基板として用いる場合に、第２薄膜層を前記薄膜層とは別の電極として用いることができるからである。特にＰＤＰの用途では、第２薄膜層としてのＳｎＯ２、ＩＴＯおよびＺｎＯからなる群から選ばれる少なくとも１つを主成分とする透明導電材料を用いると、透明なサステイン電極として用いることができるので好ましい。この場合に、さらに前記保護層がＳｉＯ２を主成分とすることが、さらに好ましい。前記第２薄膜層の厚さの定義、測定方法およびその調整方法は、前記薄膜層と場合と同様である。前記第２薄膜層の形成方法も、前記薄膜層の形成方法と同様に気相蒸着法を適用することができる。
【００８８】
前記薄膜層は、図６と図７に示すように、前記接着層および／または前記保護層によって、基板と接する面と反対面と側面が被覆されていることが好ましい。
【００８９】
図６は、本発明の製造方法により得られる回路パターン付き基板に、さらに誘電体層を形成したものの概略断面図である。図６に示した回路パターン付き基板は、ガラス基板８０の上面にＣｒ２Ｏ３層８１、Ｃｒ層８２、Ｃｕ層８３、Ｃｒ層８４、ＳｎＯ２層８５を積層した薄膜層からなるパターンを有し、さらにその上面に誘電体層８６を有している。ここで、Ｃｒ２Ｏ３層とはＣｒ２Ｏ３を主成分とする層を意味する。Ｃｒ層、Ｃｕ層、Ｃｒ層、ＳｎＯ２層も同義である。
【００９０】
図７は、図６に示した誘電体層を形成した回路パターン付き基板を用いて製造した、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の概略断面図である。図７に示したＰＤＰは、図６と同様に、ガラス基板８７の上面にＣｒ２Ｏ３層８８、Ｃｒ層８９、Ｃｕ層９０、Ｃｒ層９１、ＳｎＯ２層９２を積層した薄膜層からなるパターンを有し、さらにその上面に誘電体層９３を有し、ガラス対向基板９５と密着シール材９４を介して対向している。
【００９１】
本発明の製造方法によれば、前記薄膜層が前記接着層および／または前記保護層によって被覆されるので、酸化や腐食から薄膜層が保護される。例えば、ＰＤＰ前面板や背面板は、積層電極層（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）の上面に保護層としてＳｎＯ２膜が形成され、さらにその上に誘電体層が形成された構成を有するが、従来における製造方法は、ガラス基板上に積層電極層を形成した後に、その上にレジスト層を形成し、露光、現像、電極層のウエットエッチング工程を経て、所望の電極パターニングを行う方法である。したがって、図１０(ｅ)に示したように、積層電極層の側面部分にＣｕ層が露出し、その後の高温プロセスでＣｕ層が酸化したり、腐食したりする。これに対して本発明の製造方法では、前記接着層および／または前記保護層により、積層電極層の側面も被覆することができるので、積層電極層の酸化や誘電体層との反応による劣化を抑制できるので非常に好ましい。
【００９２】
このような積層電極層に保護層を有する構成は、本発明の製造方法によって容易に実現できる。具体的には、例えば、基板上にレジストを塗布し、上記のように露光、現像した後、接着層としてＣｒ、電極層としてＣｕ、保護層としてＳｎＯ２を成膜する。そして、レジスト層ごとＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／ＳｎＯ２からなる薄膜層をリフトオフすることでＣｕ層側面がＣｒからなる接着層とＳｎＯ２からなる保護層によって被覆された所望の電極パターンが得られる。
【００９３】
また、別の製造方法として、次に図８および図９を用いて説明する方法でも、上記のような積層電極層に保護層を有する構成を得ることができる。この方法では、ＳｎＯ２からなる保護層のパターンが、積層電極層のパターンと異なる。
【００９４】
図８（ａ）は、本発明の製造方法によって基板１００の上面に積層電極層を形成したものを示す概略断面図である。基板１００の上面にパターンが形成されている。パターンは、Ｃｒ２Ｏ３を主成分とする低反射層１０１、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる積層電極層（Ｃｒを主成分とする接着層１０２／Ｃｕを主成分とする電極層１０３／Ｃｒを主成分とする接着層１０４）からなっている。図８（ｂ）は、図８（ａ）により得られたものを前記レジスト工程および前記開口部形成工程に供した後、さらに前記保護層形成工程に供した後に得られるものの概略断面図である。開口部が形成されたレジスト層１０５、および保護層１０６、１０７が形成されている。図８（ｃ）は、図８（ｂ）で得られるものを、さらに剥離工程に供して得られるものの概略断面図である。積層電極層の上面および側面が保護層１０６で覆われている。このような図８（ａ）〜（ｃ）に示した方法により、ＳｎＯ２からなる保護層のパターンが積層電極層のパターンと異なるものを製造することができる。
【００９５】
図９（ａ）は、本発明の製造方法によって基板１１０の上面に積層電極層を形成したものを示す概略断面図である。基板１１０の上面にパターンが形成されている。パターンは、Ｃｒ２Ｏ３を主成分とする低反射層１１１、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる積層電極層（Ｃｒを主成分とする接着層１１２／Ｃｕを主成分とする電極層１１３／Ｃｒを主成分とする接着層１１４）からなっている。図９（ｂ）は、図９（ａ）により得られたものの上面の全面に、さらに保護層１１５を形成したものの概略断面図である。図９（ｃ）は、図９（ｂ）で得られるものを、ＹＡＧレーザ等を用いたレーザパターニングにより保護層の所望のパターンを形成することを示す図（概略断面図）である。レーザパターニングを用いた方法は、リフトオフ工程が一度で済むという点で好ましい。このようにして得られるものは、積層電極層の上面および側面が保護層１１５で覆われている。このような図９（ａ）〜（ｃ）に示した方法により、ＳｎＯ２からなる保護層のパターンが積層電極層のパターンと異なるものを製造することができる。
【００９６】
図６、図７で示した誘電体層は、例えばこのような図８、図９のような方法で保護層を形成した後に、具体的には次のような方法で形成する。前述のようなスクリーン印刷法を用いて所望のパターンで（例えば、図７のようにプラズマ放電部分は誘電体に被覆され（Ｂ−ａ）、電極外部取り出し部分は被覆されない（Ｂ−ｂ））、ガラス誘電体フリットペーストを印刷、塗布し、高温焼成する。この時、図６、図７に示すように酸化や腐食の激しいＣｕ層は、Ｃｒ接着層やＳｎＯ２保護層によって完全に被覆されているので、誘電体下部や誘電体に被覆されていない電極外部取り出し部分のいずれも安定した状態を確保することが可能である。
【００９７】
このように本発明の製造方法は、前記レジスト層形成工程と、前記開口部形成工程と、前記薄膜層形成工程と、前記剥離工程とを具備する。そして、好ましくは前記保護層形成工程、前記低反射層形成工程および前記第２薄膜層形成工程からなる群から選ばれる少なくとも１つの工程を具備する回路パターン付き基板の製造方法である。
【００９８】
本発明の製造方法は、前述のように、前記レジスト層形成工程、前記開口部形成工程および前記剥離工程を、各々複数具備してもよい。同様に、前記薄膜層形成工程、前記保護層形成工程、前記低反射層形成工程および前記第２薄膜層形成工程を、各々複数具備してもよい。さらに、他の工程、例えば、他の薄膜層を形成する工程や、前記レジスト層形成工程の前に、前記レジスト層を剥離し易くする接着力低下工程等を具備してもよい。
【００９９】
このような本発明の製造方法により、回路パターン付き基板を製造することができる。
そして、この回路パターン付き基板を用いてＰＤＰ前面基板およびＰＤＰ背面基板を製造することができる。さらに、このような本発明の製造方法により、ＰＤＰ前面基板およびＰＤＰ背面基板を製造することができる。また、これらのＰＤＰ前面基板および／またはＰＤＰ背面基板を用いてＰＤＰが得られる。
【０１００】
本発明の製造方法による回路パターン付き基板は、プラズマディスプレイパネルの製造に好ましく用いることができるが、プラズマディスプレイパネルの他の同様なディスプレイや電子回路に対しても好ましく適用できることは言うまでも無い。また、パターンの形状についても、相対的に小さく薄いパターンあるいはより大きく厚いパターンに対しても同様に適用できる。
【実施例】
【０１０１】
以下、例１〜１０の実施例を用いて本発明について説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１０２】
＜例１＞
基板として１００ｍｍ角で厚さ２．８ｍｍのガラス基板（商品名：ＰＤ２００、旭硝子社製）を用意する。そして、この基板の表面にレジストフィルム（東京応化工業社製）を貼り付けてレジスト層を形成した。このレジスト層は厚さが２５μｍであって、飽和露光量が８０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０１０３】
次に、このレジスト層付き基板のレジスト層を、上記図３を用いて説明した方法と同様な方法で加工して開口部を形成した。すなわち、露光光源として超高圧水銀灯を用いてレジスト層に対して、まず完全遮光部と完全透過部とを具備し、開口部形成部位Ｊおよび境界部位Ｋへの露光光を遮るライン／スペース＝３０／２７０μｍのマスクパターンを有するマスク４０を通して露光をおこない、次に、完全遮光部と完全透過部とを具備し、開口部形成部位Ｊへの露光光のみを遮るライン／スペース＝２５／２７５μｍのマスクパターンを有するマスク４２を用いて露光を行った。このとき、開口部形成部位Ｊへの積算露光量は０、境界部位Ｋへの積算露光量は１００ｍＪ／ｃｍ２、開口部非形成部位Ｌへの積算露光量は２００ｍＪ／ｃｍ２、すなわち飽和露光量のそれぞれ０％、１２５％、２５０％とした。
露光の後、１％炭酸ナトリウムアルカリ水溶液を用いて現像する。現像温度は３０℃とし、現像時間は、非露光部のレジスト層が溶出して基板表面が露出するまでの時間であるブレークポイントの２倍とした。
【０１０４】
以上により厚さ２５μｍレジスト層に図１に示したような、隙間を有するひさし型の断面形状を有する開口部を形成することができた。この開口部は、開口寸法２ａが２１．８μｍ、幅２ｂが３０．０μｍで、隙間は高さｈが１．１μｍ、奥行きｗが２．０μｍであった。形成された断面形状は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察して測定をおこなった。
【０１０５】
次に、基板上および開口部を有するレジスト層上に薄膜層を形成する。まず、Ｃｒペレット（純度：９９．９９質量％）を用い、アルゴンの不活性雰囲気下でイオンプレーティング法により膜厚１００ｎｍのＣｒ層を形成する。次いで、このＣｒ層の上に、Ｃｕペレット（純度：９９．９９質量％）を用いた以外は同様の方法で、膜厚１０００ｎｍのＣｕ層を積層し、さらにＣｕ層の上に、膜厚１００ｎｍのＣｒ層を同様にして形成する。以上により、Ｃｒ層からなる接着層、Ｃｕ層からなる電極層、Ｃｒ層からなる接着層が積層された薄膜層（積層電極層）が形成される。
【０１０６】
薄膜層を形成した後、レジスト層の開口部の断面を走査型電子顕微鏡を用いて観察すると、薄膜層の厚さＴ＝１．２μｍに対して、レジスト層のひさし型の隙間入り口（レジスト端面とひさし下面との境界線から薄膜層へ垂直に下ろした点）での薄膜層の厚さτは、０．１３μｍで、隙間に回り込んだ距離ｄは０．３３μｍであった（この位置での回り込み膜厚は数ｎｍである。）。
【０１０７】
次に、レジスト層と、レジスト層上に形成された薄膜層とを基板から剥離した。具体的には５０℃に加熱した３％水酸化ナトリウム水溶液を圧力０．２ＭＰaで６０秒間、フルコーンノズルよりスプレー噴射して、剥離工程を行なった。
以上の方法により得られた回路パターン付き基板は、薄膜層がレジスト層のひさしの隙間に入り込んだ距離ｄが０．３３μｍと非常に小さいため、良好な精度を有していた。また、形成された回路パターンは、断面形状が台形で、薄膜層は層状に積層されており、さらに、Ｃｕからなる電極層の側面がＣｒからなる接着層で覆われて露出していない。また、回路パターン端部において、基板との間に隙間やレジスト残りが生じたり、剥離が生じなかった。
【０１０８】
＜例２＞
例１と同様にして、基板上に同様の開口部を有するレジストパターンを形成し、次いで、基板上および開口部を有するレジスト層上に、酸化クロムからなる膜厚５０ｎｍの低反射層を形成する。酸化クロム層は、Ｃｒペレット（純度：９９．９９％）を用い、酸素を含む雰囲気下でイオンプレーティング法により形成することができる。
【０１０９】
次に、Ｃｒ層からなる接着層、Ｃｕ層からなる電極層、Ｃｒ層からなる接着層が積層された、３層構成の薄膜層（積層電極層）を形成する。薄膜層の形成方法、構成条件は、Ｃｕ層からなる電極層の厚さを２８００ｎｍとした以外は、例１と同様である。
【０１１０】
次に、例１と同様に剥離工程を施して、例２の回路パターン付き基板を得る。得られた回路パターンは、薄膜層の水平方向の中心における低反射層の厚さが５０ｎｍ、薄膜層の厚さＴが３．０μｍであって、厚さτは０．３２μｍである。また、回り込む距離ｄが０．４μｍと非常に小さく（この位置での回り込み膜厚は数ｎｍである。）、良好な精度を有している。また、形成された回路パターンは、断面形状が台形で、各薄膜層が層状に積層されているとともに、Ｃｕからなる電極層の側面がＣｒからなる接着層で覆われて露出していなかった。また、回路パターン端部において、基板との間に隙間やレジスト残りが生じたり、剥離が生じなかった。
【０１１１】
＜例３＞
例１と同様に、基板に対してレジストフィルムを貼り付けてレジスト層を形成する。
このレジスト層に対して、図４に示した方法により開口部を形成する。すなわち、幅２５μｍの完全遮光部（露光光透過率０％）とその両側に幅２．５μｍの半透過部（露光光透過率４５％）と幅２７０μｍの完全透過部（露光光透過率９０％）のライン／スペースパターンを具備するマスク４４を用いて、例１と同様の超高圧水銀灯を用いて露光し、例１と同様の現像処理を行って開口部を形成する。なお、開口部形成部位Ｊ、境界部位Ｋおよび開口部非形成部位Ｌへの露光量はそれぞれ、０ｍＪ／ｃｍ２、１００ｍＪ／ｃｍ２、２００ｍＪ／ｃｍ２とする。現像条件および水洗条件は、例１と同様とする。
【０１１２】
以上により厚さ２５μｍレジスト層に図１に示したような、隙間を有するひさし型の断面形状を有する開口部を形成することができる。この開口部は、開口寸法２ａが２２．０μｍ、幅２ｂが３０．０μｍで、隙間は高さｈが１．２μｍ、奥行きｗが２．２μｍである。形成された断面形状は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察することができる。
【０１１３】
次に、基板上および開口部を有するレジスト層上に、例２と同様にして膜厚５０ｎｍの低反射層を形成する。
次いで、低反射層上に、例２と同様にして、Ｃｒ層からなる接着層、Ｃｕ層からなる電極層、Ｃｒ層からなる接着層が積層された３層構成の薄膜層（積層電極層）を形成する。
各層の組成、厚さも例２と同様である。
さらに、薄膜層（積層電極層）の最上面である接着層の上面にＳｎＯ２を主成分とする保護層を積層する。ＳｎＯ２を主成分とする保護層は、ＳｎＯ２を９７質量％、Ｔａを３質量％含有するターゲットを用いて、アルゴンに酸素を１％添加した雰囲気下で、スパッタリング法により形成し、厚さ２００ｎｍとする。
【０１１４】
次に、レジスト層と、レジスト層上に形成された低反射層、薄膜層（電極層）および前記保護層からなる薄膜層とを例２と同様にして前記基板から剥離する。
上記の方法で得られた例３の回路パターン付き基板は、薄膜層の水平方向の中心での低反射層の厚さが５０ｎｍ、薄膜層の厚さＴが３．０μｍ、保護層の厚さが２００ｎｍであって、τは０．４μｍである。また、回り込む距離ｄが０．４μｍと非常に小さく（この位置での回り込み膜厚は数ｎｍである。）、良好な精度を有している。また、形成された回路パターンは、断面形状が台形で、各薄膜層が層状に積層されているとともに、Ｃｕからなる電極層の側面がＣｒからなる接着層で覆われて露出していない。積層電極層の上面および側面が、ＳｎＯ２を主成分とする保護層により覆われて露出していない。また、回路パターン端部において、基板との間に隙間やレジスト残りが生じたり、剥離が生じない。
【０１１５】
＜例４＞
さらに、例２で得られた回路パターン付き基板の上面に低融点ガラスとセルロースを含む有機溶剤からなる誘電体ペーストをスクリーン印刷法により所望の厚み、パターンに印刷し、６００℃で大気中で加熱、焼結する。この時の焼結後の誘電体膜厚は２０μｍである。
例４の誘電体層を積層した回路パターン付き基板では、従来法の課題であった誘電体被膜により電極層が侵食されたり導電性が低下する劣化や、誘電体中での泡の発生が生じない。また、図７に示したような誘電体層塗布界面においても良好な特性が得られる。
【０１１６】
＜例５＞
例３の回路パターン付き基板の回路パターン上に、さらに１８μｍの厚さの誘電体層を、例４と同様にして形成し積層する。本例の誘電体層を積層した回路パターン付き基板では、従来法の課題であった誘電体被膜により電極層が侵食されたり導電性が低下する劣化や、誘電体中での泡の発生が生じない。また、図７に示したような誘電体層塗布界面においても良好な特性が得られる。
【０１１７】
＜例６＞
例１と同様にして作製した、レジスト層付きガラス基板のレジスト層に、開口部形成部位Ｊへの積算露光量を０ｍＪ／ｃｍ２、境界部位Ｋへの積算露光量を２５ｍＪ／ｃｍ２、開口部非形成部位Ｌへの積算露光量を５０ｍＪ／ｃｍ２、すなわち飽和露光量をぞれぞれ０％、３２％、６３％とする以外は、例１と同様にして露光をおこなった。その後、１％炭酸ナトリウムアルカリ水溶液を用いて、現像温度３０℃で、現像時間をブレークポイントの２．５倍として現像をおこなった。
【０１１８】
以上により厚さ２５μｍレジスト層に図１に示したような開口部を形成することができた。この開口部は、開口寸法２ａが３２．０μｍ、幅２ｂが３７．０μｍであって、ひさし型の隙間は高さｈが７．０μｍで奥行きｗが８．０μｍである断面形状を有していた。
次に、例１と同様にして、基板上および開口部を有するレジスト層上に、膜厚１００ｎｍのＣｒ層からなる接着層、膜厚１０００ｎｍのＣｕ層からなる電極層、膜厚１００ｎｍのＣｒ層からなる接着層が積層された３層構成で、厚さＴ＝１．２μｍの薄膜層（積層電極層）を形成した。
【０１１９】
形成した薄膜層は、レジスト層のひさし型の隙間入り口（レジスト端面とひさし下面との境界線から薄膜層へ垂直に下ろした点）での薄膜層の厚さτは、０．１３μｍであって、隙間に回り込んだ距離ｄは０．３３μｍであった（この位置での回り込み膜厚は数ｎｍである。）。
【０１２０】
次に、例１と同様にして、剥離工程をおこなって、本例の回路パターン付き基板を得た。本例の回路パターン付き基板は、薄膜層がレジスト層のひさしの隙間に入り込んだ距離ｄが０．３３μｍと非常に小さいため、良好な精度を有していた。また、形成された回路パターンは、断面形状が台形で、薄膜層は層状に積層されており、さらに、Ｃｕからなる電極層の側面がＣｒからなる接着層で覆われて露出していなかった。また、回路パターン端部において、基板との間に隙間やレジスト残りが生じたり、剥離が生じなかった。
【０１２１】
＜例７＞
例１と同様にして形成したレジスト層付き基板のレジスト層に対して、開口部形成部位Ｊ、境界部位Ｋおよび開口部非形成部位Ｌへの露光量を、それぞれ０ｍＪ／ｃｍ２、２０ｍＪ／ｃｍ２、２５ｍＪ／ｃｍ２とした以外は例３と同様にして開口部を形成した。
以上により厚さ２５μｍレジスト層に図１に示したような開口部を形成することができた。この開口部は、開口寸法２ａが３２．０μｍ、幅２ｂが３７．０μｍであって、ひさし型の隙間は高さｈが１０．０μｍで奥行きｗが１１．０μｍである断面形状を有していた。
【０１２２】
次に、基板上および開口部を有するレジスト層上に、膜厚０．１μｍのＳｎＯ２を主成分とする透明電極層である薄膜層を形成した。ＳｎＯ２を主成分とする透明電極層は、ＳｎＯ２を９７質量％、Ｔａを３質量％含有するターゲットを用いて、アルゴンに酸素を１％添加した雰囲気下で、スパッタリング法により形成した。
次に、レジスト層と、レジスト層上に形成された薄膜層とを例１と同様にして前記基板から剥離した。
【０１２３】
上記の方法で得られた本例の回路パターン付き基板は、薄膜層の厚さＴが０．１μｍであって、τは０．０５μｍ以下であった。また、回り込む距離ｄが４．０μｍと非常に小さく（この位置での回り込み膜厚は数ｎｍである。）、良好な精度を有していた。また、形成された回路パターンは、断面形状が台形で、回路パターン端部において、基板との間に隙間やレジスト残りが生じたり、剥離が生じなかった。
【０１２４】
＜例８＞
例１と同様にして形成したレジスト層付き基板のレジスト層に対して、遮光部と透過部とがライン／スペース＝３０／２７０μｍのマスクパターンを有するマスクを通して、例１と同様の超高圧水銀灯を用いて露光をおこなった。このとき、開口部非形成部位への露光量は１５０ｍＪ／ｃｍ２すなわち飽和露光量の１８８％とし、境界部位への露光量は４０ｍＪ／ｃｍ２すなわち飽和露光量の５０％とし、開口部形成部位への露光量は０ｍＪ／ｃｍ２すなわち飽和露光量の０％とした。また、露光時のレジスト層とマスクとの距離は７５μｍとし、基板面の法線方向に対する、露光光の入射角の傾きを２．５°とした。
次いで、１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像した。現像液温度は３０℃とし、現像時間はブレークポイントの３倍とした。次いで、純水に塩化カルシウム０．０１質量％を添加した水洗水を用いて水洗をおこなった。
【０１２５】
得られた開口部は、開口寸法２ａが２７．０μｍ、幅２ｂが３０．０μｍであって、高さｈが２．０μｍで奥行きｗが４．０μｍの隙間を有するひさし型の断面形状を有していた。
次いで、開口部のガラス基板上およびレジスト層上に、Ｃｕ層の膜厚を膜厚２８００ｎｍ、３層構成の厚さＴを３μｍとした以外は同様にしてＣｒ層／Ｃｕ層／Ｃｒ層なる薄膜層を形成した。レジスト層のひさし型の隙間入り口（レジスト端面とひさし下面との境界線から薄膜層へ垂直に下ろした点）での薄膜層の厚さτは、０．７μｍであって、隙間に回り込んだ距離ｄは２．０μｍであった（この位置での回り込み膜厚は数ｎｍである。）。
次に、例１と同様にして、レジスト層と、レジスト層上に形成された薄膜層とを基板から剥離する剥離工程を行った。
【０１２６】
以上の方法により得られた回路パターン付き基板は、薄膜層がレジスト層のひさしの隙間に入り込んだ距離ｄが２．０μｍと非常に小さく、良好な精度を有していた。また、形成された回路パターンは、断面形状が台形で、薄膜層は層状に積層されており、さらに、Ｃｕからなる電極層の側面がＣｒからなる接着層で覆われて露出していなかった。また、回路パターン端部と基板との間に、隙間やレジスト残り、剥離が見られなかった。
【０１２７】
＜例９＞
例１と同様にして形成したレジスト層付き基板のレジスト層に対して、開口部非形成部位への露光量を３０ｍＪ／ｃｍ２すなわち飽和露光量の３８％とし、境界部位への露光量は１６ｍＪ／ｃｍ２すなわち飽和露光量の２０％とし、開口部形成部位への露光量は０ｍＪ／ｃｍ２すなわち飽和露光量の０％とした。また、露光時のレジスト層とマスクとの距離は７５μｍとし、基板面の法線方向に対する、露光光の入射角の傾きを２．５°とした以外は例８と同様にして露光をおこなった。次いで、現像液温度を１５℃とし、現像時間はブレークポイントの６倍とした以外は例８と同様に現像および水洗をおこなった。得られた開口部は、開口寸法２ａが３１．０μｍ、幅２ｂが３８．０μｍであって、高さｈが１．５μｍで奥行きｗが３．０μｍの隙間を有するひさし型の断面形状を有していた。
【０１２８】
次いで、開口部のガラス基板上およびレジスト層上に、膜厚１００ｎｍのＣｒ層、膜厚２８００ｎｍのＣｕ層、膜厚１００ｎｍのＣｒ層薄膜層をこの順で、例１と同様にして形成して、Ｃｒ層／Ｃｕ層／Ｃｒ層なる３層構成の厚さＴ＝３．０μｍの薄膜層を形成した。レジスト層のひさし型の隙間入り口（レジスト端面とひさし下面との境界線から薄膜層へ垂直に下ろした点）での薄膜層の厚さτは、０．０５μｍであって、隙間に回り込んだ距離ｄは１．５μｍであった（この位置での回り込み膜厚は数ｎｍである。）。
【０１２９】
次に、５０℃に加熱した３％水酸化ナトリウム水溶液を用いてブラシ洗浄をおこなって、レジスト層と、レジスト層上に形成された薄膜層とを基板から剥離して（剥離工程）、回路パターン付き基板が得られた。
得られた回路パターン付き基板は、薄膜層がレジスト層のひさしの隙間に入り込んだ距離ｄが１．５μｍと小さく、良好な精度を有していた。また、形成された回路パターンは、断面形状が台形で、薄膜層は層状に積層されており、さらにＣｒ、Ｃｕからなる電極層の側面がＣｒからなる接着層で覆われて露出していなかった。また、回路パターン端部において、基板との間に隙間やレジスト残りが生じたり、剥離が生じなかった。
【０１３０】
＜例１０＞
例１と同様にして形成したレジスト層付き基板のレジスト層に対して、開口部非形成部位への露光量を５０ｍＪ／ｃｍ２すなわち飽和露光量の６３％とし、境界部位への露光量は２０ｍＪ／ｃｍ２すなわち飽和露光量の２５％とし、開口部形成部位への露光量は０ｍＪ／ｃｍ２すなわち飽和露光量の０％とした。また、露光時のレジスト層とマスクとの距離は７５μｍとし、基板面の法線方向に対する、露光光の入射角の傾きを２．５°とした以外は例８と同様にして露光をおこなった。次いで、現像液として０．１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、現像時間をブレークポイントの６倍とした以外は例８と同様にして、現像および水洗をおこなって、レジスト層に開口部を形成した。
【０１３１】
得られた開口部は、開口寸法２ａが２７．０μｍ、幅２ｂが３５．０μｍであって、高さｈが２．０μｍで奥行きｗが４．０μｍの隙間を有するひさし型の断面形状を有していた。
次いで、開口部のガラス基板上およびレジスト層上に、膜厚Ｔ＝０．２μｍのＳｎＯ２層を形成した。レジスト層のひさし型の隙間入り口（レジスト端面とひさし下面との境界線から薄膜層へ垂直に下ろした点）での薄膜層の厚さτは、０．０６μｍであって、隙間に回り込んだ距離ｄは１．８μｍであった（この位置での回り込み膜厚は数ｎｍである。）。
次に、レジスト層と、レジスト層上に形成された薄膜層とを、例７と同様の方法で基板から剥離して（剥離工程）、回路パターン付き基板が得られた。
【０１３２】
得られた回路パターン付き基板は、薄膜層がレジスト層のひさしの隙間に入り込んだ距離ｄが１．８μｍと小さく、良好な精度を有していた。また、形成された回路パターンは、断面形状が台形で、回路パターン端部において、基板との間に隙間やレジスト残りが生じたり、剥離が生じない。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】本発明の回路パターン付き基板の製造方法におけるレジスト開口部を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の回路パターン付き基板の製造方法におけるレジスト開口部形成工程を説明するための概略断面図である。
【図３】本発明の回路パターン付き基板の製造方法のレジスト開口部形成工程における開口部形成方法を説明するための概略断面図である。
【図４】本発明の回路パターン付き基板の製造方法のレジスト開口部形成工程における別の開口部形成方法を説明するための概略断面図である。
【図５】本発明の回路パターン付き基板の製造方法のレジスト開口部形成工程における別の開口部形成方法を説明するための概略断面図である。
【図６】本発明の回路パターン付き基板の好ましい態様を示す概略断面図である。
【図７】本発明のＰＤＰの好ましい態様を示す概略断面図である。
【図８】本発明の回路パターン付き基板の好ましい態様を示す概略断面図である。
【図９】本発明の回路パターン付き基板の好ましい態様を示す概略断面図である。
【図１０】従来の薄膜回路パターンを形成する工程の一部を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は、電子回路の概略構成を示す断面図である。
【図１１】図１０の工程の続きを示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は、電子回路の概略構成を示す断面図である。
【図１２】従来の薄膜回路パターンを形成する工程の一部を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は、電子回路の概略構成を示す断面図である。
【図１３】図１２の工程の続きを示すものであり、（ａ）〜（ｄ）は、電子回路の概略構成を示す断面図である。
【図１４】従来の回路パターン付き基板の製造方法の薄膜層形成工程において形成される薄膜層を説明するための薄膜層断面図である。
【図１５】本発明の回路パターン付き基板の製造方法により開口部を形成したレジスト層の開口部周辺の断面のＳＥＭ写真である。
【図１６】本発明の回路パターン付き基板の製造方法により開口部を形成して、次いで開口部とレジスト層上に薄膜層を形成した、レジスト層の開口部周辺の断面のＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【０１３４】
１    レジスト層
１１    レジスト端面
１３    ひさし下面
１５    壁
３、３１、３２    薄膜層
５    基板
８    開口部
ｗ    ひさし型の隙間の奥行き
ｈ    ひさし型の隙間の高さ
ｄ    レジスト隙間への薄膜の回り込む距離
２ａ  開口寸法
２ｂ  幅（水平距離）
２ｃ  幅（水平距離）
Ｔ    薄膜層の中心部での厚さ
Ｈ    レジスト厚さ
τ    レジスト隙間入口での薄膜の厚さ
２０    基板
２２、２２´    レジスト層
２６、２７、２８、２９    露光光
２９´    回折した露光光
４０    マスク
４０ａ  完全遮光部
４０ｂ  完全透過部
４２    マスク
４２ａ  完全遮光部
４２ｂ  完全透過部
４４    マスク
４４ａ  完全遮光部
４４ｂ  半透過部
４４ｃ  完全透過部
４６、４６´    マスク
４６ａ、４６´ａ    完全遮光部
４６ｂ、４６´ｂ    完全透過部
Ｊ    開口部形成部位
Ｋ    境界部位
Ｌ    開口部非形成部位
５０    基板
５１    薄膜層
５２、５４    レジスト層
５３    絶縁層
６１    基板
６２、６４    レジスト層
６３    薄膜層
６５    絶縁層
７１    基板
７２    レジスト層
７２１  レジスト層の裾
７３、７３１、７３２    薄膜層
７３３  回り込み部分
７３４  側面
７３５、７３６  薄膜層の端部付近の部分
７５    保護層
８０    ガラス基板
８１    Ｃｒ２Ｏ３層
８２、８４    Ｃｒ層
８３    Ｃｕ層
８５    ＳｎＯ２層
８６    誘電体層
８７    ガラス基板
８８    Ｃｒ２Ｏ３層
８９、９１    Ｃｒ層
９０    Ｃｕ層
９２    ＳｎＯ２層
９３    誘電体層
９４    密着シール材
９５    ガラス対向基板
Ｂ−ａ  誘電体被覆部分
Ｂ−ｂ  誘電体非被覆部分
１００  基板
１０１  低反射層
１０２、１０４  Ｃｒを主成分とする接着層
１０３  Ｃｕを主成分とする接着層
１０５  レジスト層
１０６、１０７  保護層
１１０  基板
１１１  低反射層
１１２、１１４  Ｃｒを主成分とする接着層
１１３  Ｃｕを主成分とする接着層
１１５  保護層
１１６  レーザパターニング用遮光マスク
１１７  レーザ光
【図１】
2008060552.tif 000003
【図２】
2008060552.tif 000004
【図３】
2008060552.tif 000005
【図４】
2008060552.tif 000006
【図５】
2008060552.tif 000007
【図６】
2008060552.tif 000008
【図７】
2008060552.tif 000009
【図８】
2008060552.tif 000010
【図９】
2008060552.tif 000011
【図１０】
2008060552.tif 000012
【図１１】
2008060552.tif 000013
【図１２】
2008060552.tif 000014
【図１３】
2008060552.tif 000015
【図１４】
2008060552.tif 000016
【図１５】
2008060552.tif 000017
【図１６】
2008060552.tif 000018