(57)【要約】【課題】処理カップでの種類の異なる薬液の混触を防止することができる基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置の再起動処理時には、スプラッシュガード３４や遮断板２２が順次に退避位置（原点位置）に復帰される原点復帰動作が行われる（ステップＥ３）。原点復帰動作の完了後は、処理カップ７が洗浄される処理カップ洗浄処理が実行される（ステップＥ５）。処理カップ洗浄処理では、第１〜第４空間８１，８２，８３，８４に対して洗浄液としての純水が供給される。【選択図】図６
2008205311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板に対して、第１薬液を供給する第１薬液供給手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板に対して、第１薬液と種類の異なる第２薬液を供給する第２薬液供給手段と、
前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第１薬液を進入させるための第１開口部、および前記第１開口部から進入した第１薬液が導かれる第１空間、ならびに、前記回転軸線と平行な方向に前記第１開口部と異なる位置において前記回転線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第２薬液を進入させるための第２開口部、および前記第２開口部から進入した第２薬液が導かれる第２空間を有する処理カップと、
所定の起動処理後、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給開始または前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給開始までの間に、前記第１開口部および前記第２開口部からそれぞれ第１空間および第２空間に洗浄液を供給して、前記第１空間内および前記第２空間内を洗浄する洗浄手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記所定の起動処理は、装置の各部を原点復帰させるための原点復帰処理を含むことを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板回転手段と前記処理カップとを前記回転軸線と平行な方向に相対的に移動させる移動手段をさらに含み、
前記洗浄手段は、前記回転手段に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段および前記移動手段を制御して、前記基板回転手段から飛散する洗浄液を、それぞれ第１空間および第２空間に選択的に供給する制御手段とを備えることを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複数種の薬液を用いて基板を処理するための基板処理装置に関する。処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板の表面に薬液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置の中には、基板の処理に用いられる薬液の消費量の低減を図るために、基板の処理に用いた後の薬液を回収して、その回収した薬液を以降の処理に再使用するように構成されたものがある。そして、複数種の薬液を用いた処理が行われる場合に、基板の処理に用いられる複数種の薬液の消費量をそれぞれ低減させるために、複数の薬液を個別に回収して再使用するように構成されたものがある。
【０００３】
複数種の薬液の個別回収可能な構成の基板処理装置は、たとえば、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックを収容した有底円筒形状のカップと、そのカップに対して昇降可能に設けられたスプラッシュガードとを備えている。
カップの底部には、スピンチャックの周囲を取り囲むように、基板の処理に用いられた後の薬液を廃液するための廃液溝が形成されており、さらに、この廃液溝を取り囲むように、たとえば、基板の処理のために用いられた後の薬液を回収するための第１〜第３回収溝が３重に形成されている。廃液溝には、図外の廃液処理設備へと薬液を導くための廃液ラインが接続されており、第１〜第３回収溝には、図外の回収処理設備へと薬液を導くための回収路がそれぞれに接続されている。
【０００４】
スプラッシュガードは、互いに大きさが異なる４つの傘状部材を上下に重ねて構成されている。スプラッシュガードには、たとえば、ボールねじ機構などを含む昇降駆動機構が結合されており、この昇降駆動機構によって、スプラッシュガードをカップに対して昇降させることができるようになっている。
たとえば、最上の第１傘状部材の傾斜面上端とその直下の第２傘状部材の傾斜面上端との間には、基板から飛散する薬液を飛入させるための環状の第１回収開口部が形成され、第２傘状部材の傾斜面上端とその直下の第３傘状部材の傾斜面上端との間には、基板から飛散する薬液を飛入させるための環状の第２回収開口部が形成され、第３傘状部材の傾斜面上端と最下の第４傘状部材の傾斜面上端との間には、基板から飛散する薬液を飛入させるための環状の第３回収開口部が形成されている。また、最下の第４傘状部材とカップの底面との間には、基板から飛散する薬液を飛入させるための廃液開口部が形成されている。そして、第１〜第３回収開口部に飛入する薬液は、それぞれカップ底部の第１〜第３回収溝へ導かれ、廃液開口部に飛入する薬液は、カップ底部の廃液溝へ導かれるようになっている。
【０００５】
すなわち、スピンチャックによって基板を回転させつつ、基板の表面に第１薬液を供給することにより、基板の表面に第１薬液による処理を施すことができる。基板の表面に供給された第１薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の周縁から側方へ飛散する。したがって、このとき、スプラッシュガードを昇降させて、第１回収開口部を基板の端面に対向させておけば、基板の周縁から飛散する第１薬液を、第１回収開口部へ飛入させて、第１回収溝に集めることができ、さらに、その第１回収溝から回収ラインを通して回収することができる。また同様に、基板の表面に第２薬液を供給するときに、第２回収開口部を基板の端面に対向させておけば、基板から飛散する第２薬液を回収することができ、基板の表面に第３薬液を供給するときに、第３回収開口部を基板の端面に対向させておけば、基板から飛散する第３薬液を回収することができる。さらに、スピンチャックによって基板を回転させつつ、基板の表面に純水を供給することにより、基板の表面を純水で洗い流すリンス処理を行うときには、廃液開口部を基板の端面に対向させておけば、その基板の表面を洗い流した純水を、廃液溝に集めることができ、廃液溝から廃液路を通して廃液することができる。
【０００６】
ところで、基板処理装置には、緊急の場合に装置各部の動作を停止させる緊急停止スイッチが設けられている。緊急停止スイッチが押操作されると、装置各部への電力供給が停止されることにより、装置各部の動作が停止される。その後、装置各部への電力供給が再開され、装置の各部を順に原点復帰させるための原点復帰処理が行われると、基板の処理が可能な状態となる。
【特許文献１】特開２００６−６６８１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
スピンチャックによる基板の回転中に緊急停止スイッチが押操作された場合、スピンチャックへの電力供給が遮断された後も、基板は徐々に速度を下げながら回転し続ける。そのため、たとえば回転状態の基板に対して第１薬液が供給されている途中に緊急停止スイッチが押操作されると、基板から飛散する第１薬液の飛散方向が基板の回転速度にともなって変化し、基板が回転停止するまでの間に、第１薬液の飛入が予定されていない第２回収開口部や第３回収開口部へも第１薬液が飛入して、第２回収開口部や第３回収開口部の内壁に第１薬液が付着してしまうことがある。第２回収開口部の内壁に第１薬液が付着していると、基板の処理が再開されて、第２薬液が第２回収開口部から回収されたときに、第２回収開口部において第１薬液と第２薬液との混触が生じる。また、第３回収開口部の内壁に第１薬液が付着していると、第３薬液が第３回収開口部から回収されたときに、第３回収開口部において第１薬液と第３薬液との混触が生じる。
【０００８】
互いに種類の異なる薬液の混触が生じると、これらの薬液の化学反応によって生じる発熱による処理カップの破損や、有害ガスの発生を招くおそれがある。
そこで、この発明の目的は、処理カップでの種類の異なる薬液の混触を防止することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させる基板回転手段（６）と、前記基板回転手段によって回転される基板に対して、第１薬液を供給する第１薬液供給手段（８）と、前記基板回転手段によって回転される基板に対して、第１薬液と種類の異なる第２薬液を供給する第２薬液供給手段（９）と、前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第１薬液を進入させるための第１開口部（７１）、および前記第１開口部から進入した第１薬液が導かれる第１空間（８１）、ならびに、前記回転軸線と平行な方向に前記第１開口部と異なる位置において前記回転線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第２薬液を進入させるための第２開口部（７２）、および前記第２開口部から進入した第２薬液が導かれる第２空間（８２）を有する処理カップ（７）と、所定の起動処理後、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給開始または前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給開始までの間に、前記第１開口部および前記第２開口部からそれぞれ第１空間および第２空間に洗浄液を供給して、前記第１空間内および前記第２空間内を洗浄する洗浄手段（１１，２５，３１，７５，８０）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、装置の起動処理後、第１薬液の基板への供給または第２薬液の基板への供給が開始されるまでの間に、処理カップの第１空間内および第２空間内が洗浄される。このため、装置の起動処理の前に第１開口部の内壁に第２薬液が付着していても、その第２薬液は、基板から飛散した第１薬液が第１開口部に達する前に洗い流される。また、装置の起動処理の前に第２開口部の内壁に第１薬液が付着していても、その第１薬液は、基板から飛散した第２薬液が第１開口部に達する前に洗い流される。このため、第１空間内および第２空間内で互いに種類の異なる薬液が混触することがない。これにより、処理カップでの互いに種類の異なる薬液の混触を防止することができる。ゆえに、処理カップの損傷の発生や有害ガスの発生を防止することができる。
【００１１】
装置の起動処理は、請求項２のように、装置の各部を原点復帰させるための原点復帰処理であってもよいし、電源オン時に装置で行われる処理（たとえば、装置のウォームアップ処理）であってもよい。
また、請求項３記載の発明は、前記基板回転手段と前記処理カップとを前記回転軸線と平行な方向に相対的に移動させる移動手段（７５）をさらに含み、前記洗浄手段は、前記回転手段に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給手段（１１，２５，３１）と、前記洗浄液供給手段および前記移動手段を制御して、前記基板回転手段から飛散する洗浄液をそれぞれ第１空間および第２空間に選択的に供給する制御手段（８０）とを備えることを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１２】
この構成によれば、洗浄液を基板回転手段に向けて供給しつつ基板回転手段と移動手段とを相対的に移動させるという簡単な構成で、第１空間内および第２空間内への洗浄液の供給を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この基板処理装置は、基板の一例としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置であり、処理部ＰＣと、処理部ＰＣに結合されたインデクサ部ＩＮＤとを備えている。
【００１４】
処理部ＰＣには、搬送路ＴＰと、搬送路ＴＰの両側に、この搬送路ＴＰに沿って並べて並べて形成された複数（この実施形態では、４つ）の処理ユニット１，２，３，４とが配置されている。
搬送路ＴＰには、搬送ロボットＴＲが配置されている。この搬送ロボットＴＲは、処理ユニット１〜４に対してハンドをアクセスさせることでウエハＷを搬入および搬出することができる。
【００１５】
インデクサ部ＩＮＤの処理部ＰＣと反対側には、複数のカセットＣが並べて配置されるカセット載置部ＣＳが設けられている。カセットＣは、複数枚のウエハＷを多段に積層した状態で収容することができる。
インデクサ部ＩＮＤには、インデクサロボットＩＲが配置されている。このインデクサロボットＩＲは、カセット載置部ＣＳに配置された各カセットＣにハンドをアクセスさせて、カセットＣからウエハＷを取り出したり、カセットＣにウエハＷを収納したりすることができる。また、インデクサロボットＩＲは、搬送ロボットＴＲとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００１６】
各処理ユニット１〜４は、ウエハＷの表面に第１薬液、第２薬液および第３薬液による処理を施すための装置である。各処理ユニット１〜４の構成は互いに共通している。各処理ユニット１〜４の構成を、処理ユニット１を例にとって説明する。
図２は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理ユニットの構成を図解的に示す断面図である。処理ユニット１の処理チャンバ５内には、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線方向まわりにウエハＷを回転させるスピンチャック６と、このスピンチャック６を収容する処理カップ７と、スピンチャック６に保持されたウエハＷの表面にそれぞれ第１薬液、第２薬液、第３薬液および純水（脱イオン化された純水）を供給するための第１薬液ノズル８、第２薬液ノズル９、第３薬液ノズル１０および純水ノズル１１とを備えている。
【００１７】
スピンチャック６は、ほぼ鉛直に延びたスピン軸１３と、ウエハＷとほぼ同じサイズの上面を有し、スピン軸１３の上端にほぼ水平に取り付けられたスピンベース１４と、このスピンベース１４の上面に立設された複数個の挟持部材１５とを備えている。複数個の挟持部材１５は、スピン軸１３の中心軸線を中心とする円周上にほぼ等角度間隔で配置されており、ウエハＷの端面を互いに異なる複数の位置で挟持することによって、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢で保持することができる。
【００１８】
スピン軸１３には、モータなどの駆動源を含むチャック回転駆動機構１６が結合されている。複数個の挟持部材１５によってウエハＷを保持した状態で、チャック回転駆動機構１６からスピン軸１３に回転力を入力し、スピン軸１３をその中心軸線まわりに回転させることにより、そのウエハＷをスピンベース１４とともにスピン軸１３の中心軸線まわりに回転させることができる。
【００１９】
第１薬液ノズル８は、スピンチャック６の上方で、その吐出口をスピンチャック６に向けて配置されている。この第１薬液ノズル８には、第１薬液バルブ１８を介して、第１薬液が供給されるようになっている。
第２薬液ノズル９は、スピンチャック６の上方で、その吐出口をスピンチャック６に向けて配置されている。この第２薬液ノズル９には、第２薬液バルブ１９を介して、第２薬液が供給されるようになっている。
【００２０】
第３薬液ノズル１０は、スピンチャック６の上方で、その吐出口をスピンチャック６に向けて配置されている。この第３薬液ノズル１０には、第３薬液バルブ２０を介して、第３薬液が供給されるようになっている。
第１薬液、第２薬液および第３薬液は、互いに混触したときに比較的高温の反応熱が発生する薬液である。第１薬液、第２薬液および第３薬液の組合せとして、第１薬液がたとえば王水や、硝酸、塩酸のいずれかである場合には、第２薬液および第３薬液としてそれぞれ硫酸およびＳＣ１（アンアンモニア過酸化水素水）を例示することができる。
【００２１】
純水ノズル１１は、スピンチャック６の上方で、その吐出口をスピンチャック６に向けて配置されている。この純水ノズル１１には、純水バルブ２１を介して、純水が供給されるようになっている。
スピンチャック６の上方には、ウエハＷとほぼ同じ径を有する円板状の遮断板２２が設けられている。遮断板２２の上面には、スピンチャック６のスピン軸１３と共通の軸線に沿う回転軸２３が固定されている。この回転軸２３は中空に形成されていて、その内部には、ウエハＷの表面に純水を供給するための遮断板純水ノズル２４が挿通されている。遮断板純水ノズル２４には、遮断板純水バルブ２５を介して純水が供給されるようになっている。また、回転軸２３の内壁面と遮断板純水ノズル２４の外壁面との間は、ウエハＷの中心部に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス流通路２６を形成している。この窒素ガス流通路２６には、窒素ガスバルブ２７を介して窒素ガスが供給されるようになっている。
【００２２】
回転軸２３は、ほぼ水平に延びて設けられたアーム２８の先端付近から垂下した状態に取り付けられている。そして、このアーム２８に関連して、遮断板２２をスピンチャック６に保持されたウエハＷの表面に近接した近接位置とスピンチャック６の上方に大きく退避した退避位置との間で昇降させるための遮断板昇降駆動機構２９と、遮断板２２をスピンチャック６によるウエハＷの回転にほぼ同期させて回転させるための遮断板回転駆動機構３０とが設けられている。
【００２３】
また、アーム２８には、遮断板２２の上面を洗浄すべく、遮断板２２の上面に純水を供給するための２つの洗浄用純水ノズル３１，３１が保持されている。各洗浄用純水ノズル３１には、洗浄用純水バルブ３２を介して純水が供給されるようになっている。また、各洗浄用純水ノズル３１は、先端（吐出口）が遮断板２２の上面と回転軸２３の外周面との境界部付近に位置するように斜め下方に延びている。このため、洗浄用純水ノズル３１から吐出される純水は、遮断板２２の上面と回転軸２３の外周面との境界部付近に供給される。
【００２４】
処理カップ７は、ウエハＷの処理に用いられた後の第１〜第３薬液および純水を処理するためのものであり、スピンチャック６を収容する有底円筒容器状のカップ３３と、このカップ３３の上方に設けられ、このカップ３３に対して昇降可能なスプラッシュガード３４とを備えている。
カップ３３の底部には、純水とウエハＷの処理に用いられた後の薬液との混合液を廃液するための廃液溝３５が、ウエハＷの回転軸線（スピン軸１３の中心軸線）を中心とする円環状に形成されている。また、カップ３３の底部には、廃液溝３５を取り囲むように、ウエハＷの処理のために用いられた後の第１〜第３薬液をそれぞれ回収するための円環状の第１回収溝３６、第２回収溝３７および第３回収溝３８が３重に形成されている。具体的には、廃液溝３５の外側に第３回収溝３８が形成され、第３回収溝３８の外側に第２回収溝３７が形成され、第２回収溝３７の外側に第１回収溝３６が形成されている。
【００２５】
廃液溝３５には、図外の廃液処理設備へと導くための廃液路１７が接続されている。
第１回収溝３６には、第１回収／廃液路３９が接続されている。第１回収／廃液路３９の先端には、第１分岐回収路４０と第１分岐廃液路４１とが分岐して接続されている。第１回収／廃液路３９の先端には、第１回収／廃液路３９を流通する第１薬液を、第１分岐回収路４０と第１分岐廃液路４１とに選択的に導く第１切換えバルブ４２が介装されている。この第１切換えバルブ４２は、たとえば三方弁により構成されている。第１分岐回収路４０の先端は、図外の第１薬液用の回収処理設備へと延び、また、第１分岐廃液路４１の先端は、図外の廃液処理設備へと延びている。
【００２６】
第２回収溝３７には、第２回収／廃液路４３が接続されている。第２回収／廃液路４３の先端には、第２分岐回収路４４と第２分岐廃液路４５とが分岐して接続されている。第２回収／廃液路４３の先端には、第２回収／廃液路４３を流通する第２薬液を、第２分岐回収路４４と第２分岐廃液路４５とに選択的に導く第２切換えバルブ４６が介装されている。この第２切換えバルブ４６は、たとえば三方弁により構成されている。第２分岐回収路４４の先端は、図外の第２薬液用の回収処理設備へと延び、また、第２分岐廃液路４５の先端は、図外の廃液処理設備へと延びている。
【００２７】
第３回収溝３８には、第３回収／廃液路４７が接続されている。第３回収／廃液路４７の先端には、第３分岐回収路４８と第３分岐廃液路４９とが分岐して接続されている。第３回収／廃液路４７の先端には、第３回収／廃液路４７を流通する第３薬液を、第３分岐回収路４８と第３分岐廃液路４９とに選択的に導く第３切換えバルブ５０が介装されている。この第３切換えバルブ５０は、たとえば三方弁により構成されている。第３分岐回収路４８の先端は、図外の第３薬液用の回収処理設備へと延びており、また、第３分岐廃液路４９の先端は、図外の廃液処理設備へと延びている。
【００２８】
スプラッシュガード３４は、第１〜第３薬液がウエハＷから外部に飛散することを防止するためのものであり、互いに大きさが異なる４つの傘状部材５１，５２，５３，５４を重ねて構成されている。スプラッシュガード３４には、たとえばサーボモータなどを含むガード昇降駆動機構７５が結合されており、このガード昇降駆動機構７５が制御されることによって、スプラッシュガード３４をカップ３３に対して昇降（上下動）させることができる。
【００２９】
各傘状部材５１〜５４は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有している。
最上の第１傘状部材５１は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする同軸円筒状の円筒部５５，５６と、これら円筒部５５，５６の上端を連結し、外側の円筒部５５の上端から中心側斜め上方（ウエハＷの回転軸線に近づく方向）に延びる傾斜部５７とを備えている。外側の円筒部５５は、カップ３３の外周面の外方に位置し、内側（中心側）の円筒部５６の下端は、第１回収溝３６上に位置している。
【００３０】
第２傘状部材５２は、第１傘状部材５１の内側の円筒部５６に取り囲まれるように設けられ、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする同軸円筒状の円筒部５８，５９と、外側の円筒部５８の上端から中心側斜め上方（ウエハＷの回転軸線に近づく方向）に延びる傾斜部６０とを備えている。外側の円筒部５８の下端は、第１回収溝３６上に位置し、内側（中心側）の円筒部５９の下端は、第２回収溝３７上に位置している。
【００３１】
第３傘状部材５３は、第２傘状部材５２の内側の円筒部５９に取り囲まれるように設けられ、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする同軸円筒状の円筒部６１，６２と、外側の円筒部６１の上端から中心側斜め上方（ウエハＷの回転軸線に近づく方向）に延びる傾斜部６３とを備えている。外側の円筒部６１の下端は、第２回収溝３７上に位置し、内側（中心側）の円筒部６２の下端は、第３回収溝３８上に位置している。
【００３２】
第４傘状部材５４は、第３傘状部材５３の内側の円筒部６２に取り囲まれるように設けられ、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部６４と、円筒部６４の上端から中心側斜め上方（ウエハＷの回転軸線に近づく方向）に延びる傾斜部６５と、円筒部６４の途中部から中心側斜め下方に延びる廃液案内部６６とを備えている。円筒部６４の下端は、第３回収溝３８上に位置し、廃液案内部６６の下端は、廃液溝３５上に位置している。
【００３３】
傘状部材５１〜５４の上端縁は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒面上において、そのウエハＷの回転軸線に沿う方向（鉛直方向）に間隔を空けて位置している。
第１傘状部材５１の上端縁と第２傘状部材５２の上端縁との間には、ウエハＷから飛散する第１薬液を飛入させて、その第１薬液を第１回収溝３６に捕集するための円環状の第１開口部７１が形成されている。第１傘状部材５１の内面と第２傘状部材５２の外面と第１回収溝３６とによって、第１開口部７１から飛入した第１薬液が導かれる第１空間８１が区画されている。
【００３４】
また、第２傘状部材５２の上端縁と第３傘状部材５３の上端縁との間には、ウエハＷから飛散する第２薬液を飛入させて、その第２薬液を第２回収溝３７に捕集するための円環状の第２開口部７２が形成されている。第２傘状部材５２の内面と第３傘状部材５３の外面と第２回収溝３７とによって、第２開口部７２から飛入した第２薬液が導かれる第２空間８２が区画されている。
【００３５】
さらに、第３傘状部材５３の上端縁と第４傘状部材５４の上端縁との間には、ウエハＷから飛散する第３薬液を飛入させて、その第３薬液を第３回収溝３８に捕集するための円環状の第３開口部７３が形成されている。第３傘状部材５３の内面と第４傘状部材５４の外面と第３回収溝３８とによって、第３開口部７３から飛入した第３薬液が導かれる第３空間８３が区画されている。
【００３６】
第４傘状部材５４の傾斜部６５の上端縁と廃液案内部６６の下端縁との間には、ウエハＷから飛散する処理液を捕獲するための第４開口部７４が形成されている。第４傘状部材５４の内面と廃液溝３５とによって、第４開口部７４から飛入した処理液が導かれる第４空間８４が区画されている。
図３は、基板処理装置の制御系の構成を説明するためのブロック図である。
【００３７】
基板処理装置は，ＣＰＵ６７およびメモリ６８を含む構成のメイン制御部７０を備えている。メモリ６８は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディスクドライブその他の外部記憶装置を含むものであり、ＣＰＵ６７によって実行されるプログラムや、当該基板処理装置の各部の制御に必要なデータを記憶している。
メイン制御部７０には、原点復帰スイッチ９５が接続されている。この原点復帰スイッチ９５は、基板処理装置の外側面に配置された操作パネルＰに配設されている。原点復帰スイッチ９５が押操作されることに基づいて、メイン制御部７０に対して原点復帰信号が入力されるようになっている。
【００３８】
処理ユニット１〜４は、同様の電気的構成を有している。処理ユニット１を例にとって、各処理ユニット１〜４の電気的構成を説明する。
処理ユニット１には、ＣＰＵ７７およびメモリ７８を含む構成のローカル制御部８０が設けられている。ローカル制御部８０には、第１薬液バルブ１８、第２薬液バルブ１９、第３薬液バルブ２０、純水バルブ２１、チャック回転駆動機構１６、ガード昇降駆動機構７５、第１切換えバルブ４２、第２切換えバルブ４６、第３切換えバルブ５０、遮断板昇降駆動機構２９、遮断板回転駆動機構３０、遮断板純水バルブ２５、洗浄用純水バルブ３２などが制御対象として接続されている。また、ローカル制御部８０は、メイン制御部７０と接続されており、メイン制御部７０との間で、処理条件や進行状況等を表す各種のデータを授受する。
【００３９】
基板処理装置の外側面には、各処理ユニット１〜４における基板処理動作を緊急停止させるための緊急停止スイッチ（ＥＭＯスイッチ）９２が、各処理ユニット１〜４ごとに、配設されている。緊急停止スイッチ９２は、ローカル制御部８０に接続されている。たとえば処理ユニット１に対応する緊急停止スイッチ９２が押操作されると、ローカル制御部８０にＥＭＯ信号が入力されて、処理ユニット１への電力供給が遮断される。これにより、処理ユニット１における基板処理動作が緊急停止される。
【００４０】
緊急停止スイッチ９２の押操作により電源供給が遮断された処理ユニット1を再起動させるためには、基板処理装置が一度電源オフされる必要がある。その後、基板処理装置が再度電源オンされて、かつ、原点復帰スイッチ９５が操作されることにより、処理ユニット１は基板処理動作可能な状態に復帰する。
図４は、処理ユニットで行われる処理例を説明するためのフローチャートである。以下、処理ユニット１におけるウエハＷの処理について説明する。
【００４１】
ウエハＷの処理は、予め設定されてメモリ６８に記憶されているレシピに基づいて実行される。このレシピには、第１薬液処理、第２薬液処理、第３薬液処理、リンス処理およびスピンドライを実行させるための制御パラメータが設定されている。
処理対象のウエハＷの搬入前は、その搬入の妨げにならないように、スプラッシュガード３４が最下方の退避位置に下げられている。このスプラッシュガード３４の退避位置では、第１傘状部材５１の上端がスピンチャック６によるウエハＷの保持位置の下方に位置している。
【００４２】
処理対象の未処理ウエハＷは、図示しない搬送ロボットＴＲによって処理ユニット１内に搬入されて、その表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック６に保持される（ステップＳ１）。ウエハＷがスピンチャック６に保持されると、チャック回転駆動機構１６が制御されて、スピンチャック６によるウエハＷの回転（スピンベース２２の回転）が開始され、ウエハＷの回転速度がたとえば１５００ｒｐｍまで上げられる（ステップＳ２）。また、ガード昇降駆動機構７５が制御されて、スプラッシュガード３４が、第１開口部７１がウエハＷの端面に対向する第１開口部対向位置まで下降される。
【００４３】
ウエハＷの回転速度が１５００ｒｐｍに達すると、第１薬液バルブ１８が開かれて、第１薬液ノズル８からウエハＷの表面の回転中心に向けて第１薬液が供給される。ウエハＷの表面に供給された第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に第１薬液を用いた第１薬液処理が施される（ステップＳ３）。ウエハＷの周縁に向かって流れる第１薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散し、ウエハＷの端面に対向している第１開口部７１に飛入する。第１開口部７１に飛入した第１薬液は、第１傘状部材５１の内面または第２傘状部材５２の外面を伝って第１回収溝３６に集められる。このとき、第１回収／廃液路３９を流通する液は、第１分岐回収路４０へと導かれるようになっている。そのため、第１回収溝３６に集められた第１薬液は、第１分岐回収路４０を通して、第１薬液用の回収設備に回収される。
【００４４】
予め定める第１薬液処理時間が経過すると、第１薬液バルブ１８が閉じられて、ウエハＷへの第１薬液の供給が停止される。その後、ガード昇降駆動機構７５が駆動されて、スプラッシュガード３４が、ウエハＷの端面に第４開口部７４が対向する第４開口部対向位置まで上昇される。
スプラッシュガード３４が第４開口部対向位置に達すると、純水バルブ２１が開かれて、純水ノズル１１から回転状態にあるウエハＷの表面の回転中心に向けて純水が供給される。ウエハＷの表面に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着している第１薬液を純水によって洗い流すリンス処理が施される（ステップＳ４）。ウエハＷの周縁に向けて流れる純水は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。ウエハＷの周縁から飛散する純水（ウエハＷから洗い流された第１薬液を含む。）は、ウエハＷの端面に対向している第４開口部７４に捕獲され、第４傘状部材５４の内面を伝って廃液溝３５に集められ、その廃液溝３５から廃液路１７を通して図外の廃液処理設備へ導かれる。
【００４５】
予め定めるリンス時間が経過すると、純水バルブ２１が閉じられて、ウエハＷへの純水の供給が停止される。その後、ガード昇降駆動機構７５が駆動されて、スプラッシュガード３４が、ウエハＷの端面に第２開口部７２が対向する第２開口部対向位置まで下げられる。
スプラッシュガード３４が第２開口部対向位置に達すると、第２薬液バルブ１９が開かれて、第２薬液ノズル９から回転状態にあるウエハＷの表面の回転中心に向けて第２薬液が供給される。ウエハＷの表面に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に第２薬液を用いた第２薬液処理が施される（ステップＳ５）。ウエハＷの周縁に向かって流れる第２薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散し、ウエハＷの端面に対向している第２開口部７２に飛入する。第２開口部７２に飛入した第２薬液は、第２傘状部材５２の内面または第３傘状部材５３の外面を伝って第２回収溝３７に集められる。このとき、第２回収／廃液路４３を流通する液は、第２分岐回収路４４へと導かれるようになっている。そのため、第２回収溝３７に集められた第２薬液は、第２分岐回収路４４を通して、第２薬液用の回収設備に回収される。
【００４６】
予め定める第２薬液処理時間が経過すると、第２薬液バルブ１９が閉じられて、ウエハＷへの第２薬液の供給が停止される。その後、ガード昇降駆動機構７５が駆動されて、スプラッシュガード３４が、ウエハＷの端面に第４開口部７４が対向する第４開口部対向位置まで上昇され、ステップＳ４と同様のリンス処理が実行される（ステップＳ６）。これにより、ウエハＷの表面に付着している第２薬液が純水によって洗い流される。ウエハＷの周縁から飛散する純水（ウエハＷから洗い流された第２薬液を含む。）は、ウエハＷの端面に対向している第４開口部７４に飛入して廃液溝３５へと導かれ、その廃液溝３５から廃液路１７を通して図外の廃液処理設備へ導かれる。
【００４７】
予め定めるリンス時間が経過すると、純水バルブ２１が閉じられて、ウエハＷへの純水の供給が停止される。その後、ガード昇降駆動機構７５が駆動されて、スプラッシュガード３４が、ウエハＷの端面に第３開口部７３が対向する第３開口部対向位置まで下げられる。
スプラッシュガード３４が第３開口部対向位置に達すると、第３薬液バルブ２０が開かれて第３薬液ノズル１０から回転状態にあるウエハＷの表面の回転中心に向けて第３薬液が供給される。ウエハＷの表面に供給された第３薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に第３薬液を用いた第３薬液処理が施される（ステップＳ７）。ウエハＷの周縁に向かって流れる第３薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散し、ウエハＷの端面に対向している第３開口部７３に飛入する。第３開口部７３に飛入した第３薬液は、第３傘状部材５３の内面または第４傘状部材５４の外面を伝って第３回収溝３８に集められる。このとき、第３回収／廃液路４７を流通する液は、第３分岐回収路４８へと導かれるようになっている。そのため、第３回収溝３８に集められた第３薬液は、第３分岐回収路４８を通して、第３薬液用の回収設備に回収される。
【００４８】
予め定める第３薬液処理時間が経過すると、第３薬液バルブ２０が閉じられて、ウエハＷへの第３薬液の供給が停止される。その後、ガード昇降駆動機構７５が駆動されて、スプラッシュガード３４がウエハＷの端面に第４開口部７４が対向する第４開口部対向位置まで上昇される。また、遮断板昇降駆動機構２９が駆動されて、遮断板２２がウエハＷの上面に近接する近接位置まで下降される。そして、遮断板純水バルブ２５が開かれて、遮断板純水ノズル２４からウエハＷに対して純水が供給される。ウエハＷの表面に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着している第３薬液を純水によって洗い流すリンス処理が施される（ステップＳ８）。ウエハＷの周縁に向けて流れる純水は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。ウエハＷの周縁から飛散する純水（ウエハＷから洗い流された第３薬液を含む。）は、ウエハＷの端面に対向している第４開口部７４に飛入し、第４傘状部材５４の内面を伝って廃液溝３５に集められ、その廃液溝３５から廃液路１７を通して図外の廃液処理設備へ導かれる。
【００４９】
予め定めるリンス処理が終了すると、遮断板純水バルブ２５が閉じられて、ウエハＷへの純水の供給が停止される。その後、ガード昇降駆動機構７５が駆動されて、スプラッシュガード３４が退避位置まで上げられる。スプラッシュガード３４が退避位置に達すると、ウエハＷの回転速度がたとえば３０００ｒｐｍに上げられて、リンス処理後のウエハＷの表面に付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させるためのスピンドライが行われる（ステップＳ９）。このスピンドライ時には、遮断板回転駆動機構３０が駆動されて、遮断板２２がウエハＷと同じ方向にほぼ同速度で高速回転される。また、窒素ガスバルブが開かれて、窒素ガス流通路２６の開口から、ウエハＷと遮断板２２との間の空間に窒素ガスが供給される。これにより、ウエハＷと遮断板２２との間の空間に窒素ガスの安定した気流が生じ、ウエハＷの表面に純水の跡などを残すことなく、ウエハＷを良好に乾燥させることができる。予め定めるスピンドライ時間が経過すると、遮断板昇降駆動機構２９が駆動されて、遮断板２２が退避位置まで上昇される。また、ウエハＷの回転が停止されて（ステップＳ１０）、処理済みのウエハＷが図示しない搬送ロボットにより搬出されていく（ステップＳ１１）。
【００５０】
この基板処理装置では、各処理ユニット１〜４ごとに、予め定める枚数のウエハＷの処理が行われる度に、後述する処理カップ洗浄処理が行われる。つまり、前回の処理カップ洗浄処理が行われてからの処理枚数が予め定める枚数未満の場合は（ステップＳ１２でＮＯ）、処理カップ洗浄処理は行われず、この一連の処理は終了する。一方、今回のウエハＷの処理により、前回の処理カップ洗浄処理が行われてからの処理枚数が予め定める枚数に達した場合には（ステップＳ１２でＹＥＳ）、次に述べる処理カップ洗浄処理が実行される。
【００５１】
図５は、処理カップ洗浄処理の流れを示すフローチャートである。
処理カップ洗浄処理では、回転状態にあるスピンベース１４の上面に対して洗浄液としての純水が供給される。スピンベース１４の上面の周縁から飛散する純水は、ウエハＷに対する処理時におけるウエハＷの周縁から飛散する純水および第１〜第３薬液とほぼ同じ方向に向けて飛散する。これにより、スプラッシュガード３４が第１開口部対向位置にあるとき、スピンベース１４の上面の周縁から飛散する純水は、第１開口部７１に飛入し、スプラッシュガード３４が第２開口部対向位置にあるとき、スピンベース１４の上面の周縁から飛散する純水は第２開口部９２に飛入する。また、スプラッシュガード３４が第３開口部対向位置にあるとき、スピンベース１４の上面の周縁から飛散する純水は第３開口部９２に飛入し、スプラッシュガード３４が第４開口部対向位置にあるとき、スピンベース１４の上面の周縁から飛散する純水は第４開口部７４に飛入する。
【００５２】
第１切換えバルブ４２、第２切換えバルブ４６および第３切換えバルブ５０が切換え制御され、これにより、第１回収／廃液路３９を流通する液は第１分岐廃液路４１に導かれ、第２回収／廃液路４３を流通する液は第２分岐廃液路４５に導かれ、第３回収／廃液路４７を流通する液は第３分岐廃液路４９に導かれるようになる（ステップＴ１）。その後、チャック回転駆動機構１６が制御されて、スピンチャック６（スピンベース１４）の回転が開始される（ステップＴ２）。
【００５３】
スピンチャック６の回転速度が５００〜１００ｒｐｍの間の所定の回転速度に達すると、純水バルブ２１が開かれて、純水ノズル１１からスピンベース１４の上面の回転中心に向けて純水が供給される（ステップＴ３）。スピンベース１４の上面に供給された純水は、スピンベース１４の回転による遠心力によって、スピンベース１４の周縁に向けて流れ、スピンベース１４の周縁から側方へ飛散する。このとき、スプラッシュガード３４は退避位置に位置されており、スピンベース１４の上面の周縁から側方へ飛散する純水は、第１傘状部材５１の外面を伝って図示しない廃液路から図外の廃液処理設備へ導かれる。これにより、第１傘状部材５１の外面が純水で洗浄される。
【００５４】
予め定める洗浄時間（たとえば、５秒間〜１０秒間）が経過すると（ステップＴ４でＹＥＳ）、ガード昇降駆動機構７５が制御されて、スプラッシュガード３４が退避位置から第１開口部対向位置へと上昇される（ステップＴ５）。これにともなって、スピンベース１４の上面の周縁から側方へ飛散する純水は、第１開口部７１に飛入する。第１開口部７１から飛入した純水は、第１傘状部材５１の内面または第２傘状部材５２の外面を伝って第１回収溝３６に集められ、その第１回収溝３６から第１回収／廃液路３９へと送られる。これにより、第１傘状部材５１の内面、第２傘状部材５２の外面および第１回収溝３６、すなわち第１空間８１の内壁が純水で洗浄される。また、ステップＴ１における第１切換えバルブ４２の切換えによって、第１回収／廃液路３９を流通する液が第１分岐廃液路４０に導かれるようになっているので、第１回収／廃液路３９を流通する純水は第１分岐廃液路４０を通して図外の廃液処理設備へ導かれる。
【００５５】
予め定める洗浄時間（たとえば、５秒間〜１０秒間）が経過すると（ステップＴ６でＹＥＳ）、ガード昇降駆動機構７５が制御されて、スプラッシュガード３４が、前述の第２開口部対向位置まで上昇される（ステップＴ７）。これにともなって、スピンベース１４の上面の周縁から側方へ飛散する純水は、第２開口部７２に飛入する。第２開口部７２から飛入した純水は、第２傘状部材５２の内面または第３傘状部材５３の外面を伝って第２回収溝３７に集められ、その第２回収溝３７から第２回収／廃液路４３へと送られる。これにより、第２傘状部材５２の内面、第３傘状部材５３の外面および第２回収溝３７、すなわち第２空間８２の内壁が純水で洗浄される。また、ステップＴ１における第２切換えバルブ４６の切換えによって、第２回収／廃液路４３を流通する液が第２分岐廃液路４５に導かれるようになっているので、第２回収／廃液路４３を流通する純水は第２分岐廃液路４５を通して図外の廃液処理設備へ導かれる。
【００５６】
予め定める洗浄時間（たとえば、５秒間〜１０秒間）が経過すると（ステップＴ８でＹＥＳ）、ガード昇降駆動機構７５が制御されて、スプラッシュガード３４が、前述の第３開口部対向位置まで上昇される（ステップＴ９）。これにともなって、スピンベース１４の上面の周縁から側方へ飛散する純水は、第３開口部７３に飛入する。第３開口部７３から飛入した純水は、第３傘状部材５３の内面または第４傘状部材５４の外面を伝って第３回収溝３８に集められ、その第３回収溝３８から第３回収／廃液路４７へと送られる。これにより、第３傘状部材５３の内面、第４傘状部材５４の外面および第３回収溝３８、すなわち第３空間８３の内壁が純水で洗浄される。また、ステップＴ１における第３切換えバルブ５０の切換えによって、第３回収／廃液路４７を流通する液は第３分岐廃液路４９に導かれるようになっているので、第３回収／廃液路４７を流通する純水は第３分岐廃液路４９を通して図外の廃液処理設備へ導かれる。
【００５７】
予め定める洗浄時間（たとえば、５秒間〜１０秒間）が経過すると（ステップＴ１０でＹＥＳ）、ガード昇降駆動機構７５が制御されて、スプラッシュガード３４が、前述の第４開口部対向位置まで上昇される（ステップＴ１１）。回転状態にあるスピンベース１４の上面の周縁から側方へ飛散する純水は、前述の第４開口部７４に飛入する。第４開口部７４から飛入した純水は、第４傘状部材５４の内面を伝って廃液溝３５に集められ、その廃液溝３５から廃液路１７へと送られる。これにより、第４傘状部材５４の内面および廃液溝３５、すなわち第４空間８４の内壁が純水で洗浄される。廃液路１７に送られた純水は図外の廃液処理設備へと導かれる。
【００５８】
予め定める洗浄時間（たとえば、５秒間〜１０秒間）が経過すると（ステップＴ１２でＹＥＳ）、純水バルブ２１が閉じられて、スピンベース１４の上面への純水の供給が停止される（ステップＴ１３）。また、スピンベース１４の回転が停止される（ステップＴ１４）。
その後、ガード昇降駆動機構７５が駆動されて、スプラッシュガード３４が退避位置へと下降される（ステップＴ１５）。また、第１切換えバルブ４２、第２切換えバルブ４６および第３切換えバルブ５０が切換え制御され、これにより、その後に第１回収／廃液路３９を流通する液は第１分岐回収路４０に導かれ、第２回収／廃液路４３を流通する液は第２分岐回収路４４に導かれ、第３回収／廃液路４２を流通する液は第３分岐回収路４８に導かれるようになる（ステップＴ１６）。
【００５９】
図６は、基板処理装置の再起動処理時における処理を説明するためのフローチャートである。
緊急停止スイッチ９２の押操作により電源供給が遮断された処理ユニット1を再起動させるためには、基板処理装置が一度電源オフされる必要がある。その後、基板処理装置が再度電源オンされて、かつ、原点復帰スイッチ９５が操作されることにより、処理ユニット１は基板処理動作可能な状態に復帰する。
【００６０】
図示しない電源投入スイッチが押操作された後（ステップＥ１）、原点復帰スイッチ９５が押操作されるか否かが監視される。原点復帰スイッチ９５が押操作されると（ステップＥ２でＹＥＳ）、各ユニット１〜４でスプラッシュガード３４や遮断板２２が順次に退避位置（原点位置）に復帰される原点復帰処理が行われる（ステップＥ３）。原点復帰処理の完了後には、基板処理装置の各ユニット１〜４においてウエハＷに対する処理が可能な状態となる。
【００６１】
ところで、前回の処理ユニット１の緊急停止のタイミングが回転中のウエハＷへの第１薬液の供給の途中であると、第１薬液の飛入が予定されていない第２開口部７２、第３開口部７３および第４開口部７４の内壁に第１薬液が付着していることがある。
具体的に説明すると、スピンチャック６によるウエハＷの回転中に緊急停止スイッチ９２が押操作されると、スピンチャック６への電力供給が遮断された後も、ウエハＷは徐々に速度を下げながら回転し続ける。そのため、たとえば回転状態のウエハＷに対して第１薬液が供給されている途中に緊急停止スイッチ９２が押操作されると、ウエハＷから飛散する第１薬液の飛散方向がウエハＷの回転速度にともなって変化し、ウエハＷが回転停止するまでの間に、第２〜第４開口部７２〜７４へも第１薬液が飛入して、第２〜第４開口部７２〜７４の内壁に第１薬液が付着する。
【００６２】
第２開口部７２の内壁に第１薬液が付着していると、ウエハＷの処理が再開されて、第２薬液が第２開口部７２に飛入したときに、第２開口部７２において第１薬液と第２薬液との混触が生じる。また、第３開口部７３の内壁に第１薬液が付着していると、第３薬液が第３開口部７３から飛入したときに、第３開口部７３において第１薬液と第３薬液との混触が生じる。
【００６３】
そこで、ステップＥ３の原点復帰処理が完了してから、ウエハＷの処理が行われるまでの間に、図５の処理カップ洗浄処理が実行される（ステップＥ５）。この実施形態ではステップＥ３の原点復帰処理の完了後には、メイン制御部７０のメモリ６８から、処理カップ洗浄処理のためのレシピが読み出され（ステップＥ４）、その後処理カップ洗浄処理が実行される。これにより、第２〜第４開口部７２〜７４の内壁に付着している第１薬液は洗い流される。
【００６４】
基板処理装置の再起動処理時には、全ての処理ユニット１〜４で同時に原点復帰処理が行われる。このため全ての処理ユニット１〜４では、処理カップ洗浄処理が一斉に行われることとなる。
以上のようにこの実施形態によれば、原点復帰処理の完了後、ウエハＷの処理が開始されるまでの間に処理カップ洗浄処理が実行される。前回の処理ユニット１の緊急停止の際に第１〜第４開口部７１〜７４のいずれかの内壁に付着した薬液は、ウエハＷから飛散した薬液（第２薬液）が第２開口部７２に達する前に洗い流される。このため、第１〜第４空間８１〜８４で互いに種類の異なる薬液が混触することがない。これにより、処理カップ７での互いに種類の異なる薬液の混触を防止することができる。ゆえに、処理カップ７の損傷の発生や有害ガスの発生を防止することができる。
【００６５】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することができる。
前述の説明では、全ての処理ユニット１〜４で処理カップ洗浄処理が一斉に行われるとして説明したが、電源供給および原点復帰処理を、処理ユニット１〜４ごとに行うことができる場合には、処理ユニット１〜４ごとに処理カップ洗浄処理を行ってもよい。
【００６６】
また、処理カップ洗浄処理は、原点復帰処理の完了後ではなく、電源オン時のウォームアップ処理時に実行されていてもよい。
たとえば、基板処理装置では、リモコンを各処理ユニット１〜４に選択的に接続することによって各処理ユニット１〜４の各部をマニュアル操作することが可能である。たとえば、ウエハＷから飛散する第１薬液が第１開口部７１に飛入するか否かを確認する検査では、オペレータは、スピンチャック６の回転および第１薬液ノズル８からの第１薬液の供給をマニュアル操作により行いつつ、スプラッシュガード３４の高さ位置を調整する。
【００６７】
この検査の終了後、基板処理装置が電源オフされると、メイン制御部７０のメモリ６８がリセットされる。これにより、検査時に第１薬液を使用していたという履歴が消去される。検査時には、スプラッシュガード３４の高さ位置の調整過程において第２開口部７２などに第１薬液などが飛入し、第２開口部７２などの内壁に第１薬液が付着することがある。そこで、電源オン時のウォームアップ処理時に処理カップ洗浄処理が実行され、これにより、種類の異なる薬液の混触を防止することができる。
【００６８】
さらに、前述の説明では、各処理ユニット１〜４ごとに、予め定める枚数のウエハＷの処理が行われる度に処理カップ洗浄処理が行われるとして説明したが、予め定める数のカセットＣ数に相当する枚数のウエハＷの処理や、予め定める数のプロダクト数（処理に用いられるレシピ数）の処理が行われる度に、前述の処理カップ洗浄処理が行われてもよい。また、処理ユニット１〜４の稼動時間が予め定められた時間に達する度に、前述の処理カップ洗浄処理を行ってもよい。さらにまた、この処理カップ洗浄処理が、基板処理装置全体の処理枚数が予め定める枚数に達したときに実行される場合には、基板処理装置の全ての処理ユニット１〜４で処理カップ洗浄処理が同時に実行される。
【００６９】
前述の実施形態では、処理カップ洗浄処理において純水ノズル１１が用いられるとして説明したが、純水ノズル１１に代えて遮断板２２の遮断板純水ノズル２４が処理カップ洗浄処理に用いられてもよい。この場合、遮断板２２を近接位置まで下降させつつ、遮断板純水ノズル２４からスピンベース１４の上面に向けて洗浄液としての純水が供給される。
また、遮断板２２の洗浄用純水ノズル３１を用いて処理カップ洗浄処理を行うこともできる。再び図２を参照して、処理カップ洗浄処理では、洗浄用純水バルブ３２が開かれて、洗浄用純水ノズル３１から遮断板２２の上面に純水が供給される。また、遮断板回転駆動機構３０が制御されて遮断板２２が回転される。洗浄用純水ノズル３１から遮断板２２の上面と回転軸２３の外周面との境界部付近に供給された純水は、遮断板２２の回転による遠心力によって遮断板２２の上面を周縁に向けて流れ、遮断板２２の周縁から側方へ飛散する。
【００７０】
遮断板２２が、第１開口部７１が遮断板２２の端面に対向する位置にあるとき、遮断板２２の周縁から飛散する純水は、第１開口部７１に飛入する。遮断板２２が、第２開口部７２が遮断板２２の端面に対向する位置にあるとき、遮断板２２の周縁から飛散する純水は、第２開口部７２に飛入する。また、遮断板２２が、第３開口部７３が遮断板２２の端面に対向する位置にあるとき、遮断板２２の周縁から飛散する純水は、第３開口部７３に飛入する。さらにまた、遮断板２２が、第４開口部７４が遮断板２２の端面に対向する位置にあるとき、遮断板２２の周縁から飛散する純水は、第４開口部７４に飛入する。このため、遮断板昇降駆動機構２９が制御されて、遮断板２２が退避位置と近接位置との間で繰り返し昇降されることにより、第１〜第４開口部７１〜７４から純水を飛入させることができ、これにより、処理カップ７の第１〜第４空間８１〜８４の内壁を純水で洗浄することができる。
【００７１】
この遮断板２２の洗浄用純水ノズル３１を用いた処理カップ洗浄処理は、処理カップ７だけを洗浄するものに限られず、処理チャンバ５の隔壁の内面や各種ノズル８〜１１なども併せて洗浄する構成であってもよい。
また、前述の説明では、回転するスピンベース１４の上面に対して洗浄液が供給され、スピンベース１４の回転による遠心力によってスピンベース１４の周縁から側方へ飛散した洗浄液によって、処理カップの洗浄処理が行われるとしたが、スピンベース１４の上方においてスピンチャック６に保持されて回転されているウエハＷの上面に対して洗浄液が供給され、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷの周縁から側方へ飛散した洗浄液によって、処理カップの洗浄処理が行われてもよい。これは、たとえば、ウエハＷ処理中のトラブルによって装置が停止された後に、ウエハＷがスピンチャック６に残留されたまま装置を再起動した場合に行われてもよい。また、この場合において、装置停止後にはウエハＷ上に前回の処理薬液が残留しており、このウエハＷ上の残留薬液を洗い流すことにより、ウエハＷ上での混触を防止することもできる。
【００７２】
さらにまた、前述の説明では、処理カップ７の洗浄に用いられる洗浄液として純水を用いるとして説明したが、洗浄液としてこれ以外に電解イオン水、炭酸水、還元水、有機溶剤、過酸化水素水、希塩酸を例示することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。
【図２】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理ユニットの構成例を図解的に示す断面図である。
【図３】基板処理装置の制御系の構成を説明するためのブロック図である。
【図４】処理ユニットにおいて行われる処理例を説明するためのフローチャートである。
【図５】処理カップ洗浄処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】基板処理装置の再起動処理時における処理を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００７４】
１，２，３，４  処理ユニット
５  処理チャンバ
６  スピンチャック（基板回転手段）
７  処理カップ
８  第１薬液ノズル（第１薬液供給手段）
９  第２薬液ノズル（第２薬液供給手段）
１０  第３薬液ノズル
１１  純水ノズル（洗浄液供給手段）
２５  遮断板純水ノズル（洗浄液供給手段）
３１  洗浄用純水ノズル（洗浄液供給手段）
７１  第１開口部
７２  第２開口部
７３  第３開口部
７４  第４開口部
７５  ガード昇降駆動機構（移動手段）
８０  ローカル制御部（制御手段）
８１  第１空間
８２  第２空間
８３  第３空間
８４  第４空間
Ｗ  ウエハ（基板）
【図１】
2008205311.tif 000003
【図２】
2008205311.tif 000004
【図３】
2008205311.tif 000005
【図４】
2008205311.tif 000006
【図５】
2008205311.tif 000007
【図６】
2008205311.tif 000008