(57)【要約】【課題】ミュート−オン状態／ミュート−オフ状態に切り換え時に発生するＤＣ段差によるショットノイズを抑えることが可能なミューティング回路を提供するものである。【解決手段】アンプ１０で増幅される音声信号を、一時的にミュートさせることが可能なミューティング回路であって、ミュート動作のオンまたはオフを切り換え可能なコントロール信号が入力される入力端子２と、入力端子２とアンプ１０の出力端子とに接続されているミューティングトランジスタ６とを備え、ミューティングトランジスタ６は、ＭＯＳトランジスタで構成され、ゲートは入力端子２に接続され、ドレインは２つの抵抗７及び１６を介してアンプ１０の出力端子に接続され、ソースは接地され、抵抗７及び１６のノードと接地ラインとの間にダイオード１７が接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンプで増幅される音声信号を、一時的にミュートさせることが可能なミューティング回路であって、
ミュート動作のオンまたはオフを切り換え可能なコントロール信号が入力される入力端子と、
前記入力端子と前記アンプの出力端子とに接続されているミューティングトランジスタとを備え、
前記ミューティングトランジスタは、
ＭＯＳトランジスタで構成され、
ゲートは前記入力端子に接続され、ドレインは２つの抵抗を介して前記アンプの出力端子に接続され、ソースは接地され、
前記２つの抵抗のノードと接地ラインとの間にダイオードが接続されていることを特徴とするミューティング回路。
【請求項２】
基準電源端子と接地端子間に直列接続されている第１の抵抗及び第２の抵抗と、
前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との接続部に接続されている容量と、
前記接続部にゲートが接続されている第４のトランジスタと、
前記第４のトランジスタのソースに、ゲートが接続されている第３のトランジスタとを備え、
前記ミューティングトランジスタのゲートに、前記第３のトランジスタのソースが接続されている、
請求項１記載のミューティング回路。
【請求項３】
ミュート動作のオンまたはオフを切り換え可能なコントロール信号が入力される入力端子と、
前記入力端子と前記アンプの出力端子とに接続されているミューティングトランジスタとを備え、
前記ミューティングトランジスタは、ＭＯＳトランジスタで構成され、ゲートは前記入力端子に接続され、ドレインは２つの抵抗を介して前記アンプの出力端子に接続され、ソースが接地され、
前記２つの抵抗のノードと接地ラインとの間にダイオードが接続されているミューティング回路を備えた半導体集積回路において、
外部回路と接続可能な音声出力端子を備え、
前記音声出力端子は、前記アンプの出力端子に接続されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
前記ミューティングトランジスタに接続されているミュート端子を、さらに備え、
前記ミュート端子は、前記音声出力端子に接続されている請求項３記載の半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一時的に音声出力を遮断させるミューティング回路に関する。また、音声信号をミュート可能なトランジスタが内蔵され、単一電源で駆動する半導体集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
ライン出力端子やヘッドホン出力端子を備えた映像機器や音響機器には、一時的に音声出力を遮断させるミューティング回路が搭載されている。ミューティング回路において、ミュート−オン状態からミュート−オフ状態に切り換える時、またはミュート−オフ状態からミュート−オン状態に切り換える時に、直流電位の段差（以下、ＤＣ段差と称する）を原因とするショットノイズ（ボツ音）が出力されることがあった。
【０００３】
このようなショットノイズを低減させるために、特許文献１（特開平９−４６１４９号公報）に開示されているような構成が提案されている。特許文献１に開示されている構成は、バイポーラトランジスタで一時的にアンプの出力端子を接地させ、音声信号をミュートさせることで、ショットノイズが出力されないようにしている。
【０００４】
また、近年のポータブル機器においては、機器の小型化が進むにつれ、音声信号のミュートが可能なトランジスタを単体で搭載するのではなく、半導体集積回路に内蔵させることが必須となってきている。トランジスタを半導体集積回路に内蔵させる際に、トランジスタがバイポーラ素子で構成されている場合、半導体集積回路の製造プロセスによっては、飽和電圧が大きくなってしまう可能性がある。トランジスタの飽和電圧が大きくなると、ミュートのオン／オフ切り換え時にＤＣ段差が発生し、ショットノイズが発生する可能性がある。
【０００５】
以下、従来のミューティング回路について説明する。
【０００６】
図６は、従来のミューティング回路２００を示す。図６において、ミューティングトランジスタ部１００は、ＮＰＮ型トランジスタで構成された第１のトランジスタ１０１及び第２のトランジスタ１０２で構成されている。第１のトランジスタ１０１は、エミッタがミュート端子１２０に接続され、コレクタは第２のトランジスタ１０２のコレクタに接続され、ベースは抵抗１１１に接続されている。第２のトランジスタ１０２は、コレクタが第１のトランジスタ１０１のコレクタに接続され、ベースが抵抗１１２に接続され、エミッタが接地されている。
【０００７】
第３のトランジスタ１０３は、ＰＮＰ型トランジスタで構成され、エミッタは電源ＶＣＣに接続され、ベースは第５のトランジスタ１０５のコレクタに接続され、コレクタは第４のトランジスタ１０４のベースに接続されている。
【０００８】
第４のトランジスタ１０４は、ＮＰＮ型トランジスタで構成され、コレクタが電源ＶＣＣに接続され、ベースが第３のトランジスタ１０３のコレクタに接続され、エミッタが抵抗１１１を介して第１のトランジスタ１０１のベースに接続されているとともに、抵抗１１２を介して第２のトランジスタ１０２のベースに接続されている。
【０００９】
第５のトランジスタ１０５及び第６のトランジスタ１０６は、ＰＮＰ型トランジスタで構成され、カレントミラーを構成し、各々エミッタが電源Ｖｃｃに接続されている。第５のトランジスタ１０５のコレクタが第３のトランジスタ１０３のベースに接続され、抵抗１１４を介して接地されている。第６のトランジスタ１０６は、コレクタがスイッチ１１５を介して電流源１１６に接続されている。
【００１０】
アンプ１１７は、音声信号処理回路（不図示）から出力される音声信号を増幅して出力している。アンプ１１７の出力音声信号は、半導体集積回路２００の音声出力端子１２１から外部へ出力される。
【００１１】
以下、動作について説明する。
【００１２】
図６に示すミュート回路において、ミュート−オフ状態のときは、スイッチ１１５がオンになっており、電流源１１６において電流Ｉmuteが流れ、抵抗１１４にも電流Ｉmuteが流れる。抵抗１１４に電流Ｉmuteが流れることにより、第３のトランジスタ１０３のベース電圧が上がり、第３のトランジスタ１０３はオフになっている。そのため第４のトランジスタ１０４のベースに電流が供給されず、第４のトランジスタ１０４もオフになっている。第４のトランジスタ１０４がオフになっていることにより、第１のトランジスタ１０１と第２のトランジスタ１０２のベースには、電流が供給されておらずオフになっている。これにより、ミュート端子１２０は高インピーダンスとなり、音声出力端子１２１から出力される音声信号への影響はなく、音声出力端子１２１から出力される音声信号は負荷側へ出力されている。
【００１３】
また、ミュート−オン状態のときは、図６に示すようにスイッチ１１５がオフになっており、電流Ｉmuteが流れず、第３のトランジスタ１０３のベース電圧が抵抗１１４によりプルダウンされるため、第３のトランジスタ１０３はオンになっている。第３のトランジスタ１０３がオンになっていることにより、第４のトランジスタ１０４のベースに電流が供給されているため、第４のトランジスタ１０４はオンになっている。第４のトランジスタ１０４がオンになっていることにより、第１のトランジスタ１０１および第２のトランジスタ１０２のベースに電流が供給されるため、第１のトランジスタ１０１と第２のトランジスタ１０２はオンになっている。第１のトランジスタ１０１及び第２のトランジスタ１０２がオンになっていることにより、音声出力端子１２１に一端が接続された容量１１８の他端が接地されている。これにより、音声出力端子１２１から出力される音声信号は、負荷側へは出力されない、
【特許文献１】特開平１−３１６０３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、第１のトランジスタ１０１及び第２のトランジスタ１０２は、バイポーラトランジスタで構成されているため、ショットノイズが発生するという問題がある。
【００１５】
すなわち、バイポーラトランジスタは、飽和電圧が大きくなる可能性があり、飽和電圧が大きくなるとミュート−オン／オフの切り換え時にＤＣ段差が発生し、そのＤＣ段差によりショットノイズが発生する。
【００１６】
図７は、従来のミュート回路におけるミュート切り換え時の信号波形を示す。図７（ａ）は、スイッチ１５のオン／オフを切り換えを示す。図７（ｂ）は、ミュート端子１２０の電圧を示す。図７（ｃ）は、出力音声信号を示しており、出力音声が無い状態を一例に挙げている。図７に示すように、ミュート−オン状態からミュート−オフ状態へ切り換える際に、スイッチ１５がオンからオフへ切り替わると、ミューティングトランジスタ１００の飽和電圧により、ミュート端子１２０には飽和電圧によるＤＣ段差が発生する（図７（ｂ）参照）。このＤＣ段差により、ショットノイズが発生する（図７（ｃ）参照）。このようにして発生したショットノイズは、聴取者が聴取可能な音量で出力され、聴取者へ不快感を与えてしまう。
【００１７】
本発明は、上記問題点に鑑み、ミュート−オン状態／ミュート−オフ状態に切り換え時に発生するＤＣ段差によるショットノイズを抑えることが可能なミューティング回路を提供することであるとともに、そのようなミューティング回路を搭載した半導体集積回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために本発明のミュート回路は、アンプで増幅される音声信号を、一時的にミュートさせることが可能なミューティング回路であって、ミュート動作のオンまたはオフを切り換え可能なコントロール信号が入力される入力端子と、前記入力端子と前記アンプの出力端子とに接続されているミューティングトランジスタとを備え、前記ミューティングトランジスタは、ＭＯＳトランジスタで構成され、ゲートは前記入力端子に接続され、ドレインは２つの抵抗を介して前記アンプの出力端子に接続され、ソースは接地され、前記２つの抵抗のノードと接地ラインとの間にダイオードが接続されているものである。
【００１９】
また、本発明の半導体集積回路は、ミュート動作のオンまたはオフを切り換え可能なコントロール信号が入力される入力端子と、前記入力端子と前記アンプの出力端子とに接続されているミューティングトランジスタとを備え、前記ミューティングトランジスタは、ＭＯＳトランジスタで構成され、ゲートは前記入力端子に接続され、ドレインは２つの抵抗を介して前記アンプの出力端子に接続され、ソースが接地され、前記２つの抵抗のノードと接地ラインとの間にダイオードが接続されているミューティング回路を備えた半導体集積回路において、外部回路と接続可能な音声出力端子を備え、前記音声出力端子は、前記アンプの出力端子に接続されているものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ミュート−オン状態またはミュート−オフ状態に切り換えるときのＤＣ段差を抑え、ショットノイズを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明のミュート回路は、基準電源端子と接地端子間に直列接続されている第１の抵抗及び第２の抵抗と、前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との接続部に接続されている容量と、前記接続部にゲートが接続されている第４のトランジスタと、前記第４のトランジスタのソースに、ゲートが接続されている第３のトランジスタとを備え、前記ミューティングトランジスタのゲートに、前記第３のトランジスタのソースが接続されている構成とすることができる。この構成により、半導体集積回路の電源オフ時には、ミューティング回路において電源オフを検出し、容量と第１の抵抗と第２の抵抗とによってしばらくの間回路のオン状態を維持し、その間ミュート−オン状態にすることができる。よって、電源オフへの切り換え時のショットノイズを抑えることができる。
【００２２】
本発明の半導体集積回路は、前記ミューティングトランジスタに接続されているミュート端子を、さらに備え、前記ミュート端子は、前記音声出力端子に接続されている構成とすることができる。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１におけるミューティング回路の構成を示す。ミューティング回路は、半導体集積回路１３の内部に配されている。本実施の形態の半導体集積回路１３は、例えば携帯型オーディオ機器やカムコーダーにおける音声信号処理回路に搭載される。
【００２４】
図１において、端子２には、ミュートのオン／オフ切り換えのタイミングを決定するミュート制御回路（不図示）が接続され、ミュート制御回路から出力されるミュート制御信号（電圧）が入力されている。ミュート制御信号は、例えば、このミューティング回路が搭載される機器において、キー操作のタイミングに同期した信号になっている。
【００２５】
ミューティングトランジスタ６は、ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタで構成されている。ミューティングトランジスタ６において、ゲートはインバータ４と抵抗５とを介して端子２に接続され、ミュート制御信号が入力されている。ドレインはミュート端子１５に接続され、ソースは接地され、バックゲートは抵抗７の一端に接続されている。
【００２６】
抵抗７の他端は、抵抗１６を介してミュート端子１５に接続されている。
【００２７】
抵抗１６は、ミュート端子１５と抵抗７との間に接続されている。抵抗７及び抵抗１６は、ミュート端子１５にマイナス信号が入力された時に、ミューティングトランジスタ６のバックゲート−ドレイン間のダイオードがオンになることを防いでいる。
【００２８】
ダイオード１７は、アノードが抵抗７及び抵抗１６のノードに接続され、カソードが接地されている。
【００２９】
アンプ１０は、端子９に供給されている音声信号を増幅して出力している。アンプ１０で増幅された音声信号は、音声出力端子１４から容量１１を介して、負荷側へ出力される。なお、端子９は、音声信号処理回路（不図示）に接続され、アナログ音声信号が供給されている。
【００３０】
半導体集積回路１３は、本実施の形態では音声信号処理ＩＣで構成され、少なくとも、アンプ１０から出力される音声信号を外部負荷へ出力するための音声出力端子１４と、容量１１の出力側に接続され出力される音声信号をミュートするためのミュート端子１５とを備えている。また、容量１１は必須ではない。
【００３１】
出力端子１２は、ライン、ヘッドホン、他の音響機器などの、外部負荷へ接続されている。本実施の形態では、ライン出力されている構成を一例に挙げて説明する。
【００３２】
図２は、ミュート回路において、ミュート−オフ状態からミュート−オン状態へ切り換える時の信号波形を示す。図２（ａ）は、端子２から入力されるミュート制御信号（MUTE-CTL）を示す。図２（ｂ）は、ミューティングトランジスタ６のゲート電圧を示す。図２（ｃ）は、ミュート端子１５の電圧を示す。図２（ｄ）は、出力音声信号を示す。なお、図２はアンプ１０からの出力音声が無い状態を一例として示す。
【００３３】
図３は、ミューティングトランジスタ６の構成を示す断面図である。図３に示すように、ミューティングトランジスタ６には、ソース（Ｓ）、ゲート（Ｇ）、ドレイン（Ｄ）、及びバックゲート（ＢＧ）の４個の端子が備えられている。
【００３４】
以下、動作について説明する。
【００３５】
図１において、ミュート−オフ状態からミュート−オン状態に切り換える時は、端子２にＬｏｗのミュート制御信号（図２（ａ）参照）が入力され、インバータ４で反転される。インバータ４から出力されるＨｉｇｈのミュート制御信号は、ミューティングトランジスタ６のゲート電圧を上昇させる（図２（ｂ）参照）。これにより、ミューティングトランジスタ６はオンになる。ミューティングトランジスタ６がオンになると、容量１１の負荷側端子がミュート端子１５を介して接地される。ミューティングトランジスタ６はＭＯＳトランジスタで構成されているため、飽和電圧がほとんどなく、図２（ｃ）に示すようにミュート端子１５の電圧をほぼゼロにすることができる。これにより、音声出力端子１４から出力される音声信号は、出力端子１２へ供給されず、ライン出力から音声が出力されない状態になる。
【００３６】
図２（ｃ）に示すように、ミュート−オフ状態からミュート−オン状態に切り換える時に、ミュート端子１５においてＤＣ段差が生じないため、図２（ｄ）に示すようにショットノイズの発生を抑えることができる。
【００３７】
また、ミュートオン状態からミュート−オフ状態に切り換える時は、端子２にＨｉｇｈのミュート制御信号が入力され、インバータ４で反転される。インバータ４から出力されるＬｏｗのミュート制御信号は、ミューティングトランジスタ６のゲート電圧を低下させる。これにより、ミューティングトランジスタ６はオフになる。ミューティングトランジスタ６がオフになると、ミュート端子１５は高インピーダンスとなり、音声出力端子１４から出力される音声信号は、容量１１と出力端子１２とを介して外部負荷へ供給される。
【００３８】
図１に示すミューティング回路は、ミューティングトランジスタ６がオンなることにより、ミュート端子１５を接地させる構成であるため、ミューティングトランジスタ６におけるゲート電圧及びバックゲート電圧を制御する構成が必要になる。ミューティング回路がミュート−オフ状態のときに、バックゲートをＧＮＤ電位にした場合、ミュート端子１５にマイナス信号が入力されると、ミューティングトランジスタ６のバックゲート−ドレイン間のダイオードがオンになり、音声信号が約−０．７Ｖでクリップされてしまう。
【００３９】
音声信号のクリップを防止するため、図１に示すように、ミューティングトランジスタ６のバックゲートとミュート端子１５との間に、抵抗７及び抵抗１６が接続されている。このような構成により、ミュート端子１５にマイナス信号が入力されたときに、ミューティングトランジスタ６のバックゲート電位を、ドレイン電位と同電位に下げて、ミューティングトランジスタ６におけるバックゲート−ドレイン間のダイオードがオンになることを防止している。
【００４０】
また、ミュート端子１５に、約１．４Ｖp-p以上のＳＩＮ波が入力された場合、図３に示すＤ−ＢＧ−Ｓを３端子とする寄生ラテラルＮＰＮトランジスタがＯＮになる可能性がある。しかし、本実施の形態では、抵抗７及び抵抗１６のノードとＧＮＤとの間に、Ｖbeが小さいダイオード１７が接続されているため、寄生ラテラルＮＰＮトランジスタがＯＮになるよりも、先にダイオード１７がＯＮになる。したがって、寄生ラテラルＮＰＮトランジスタがＯＮにならず、音声信号が＋０．７Ｖでクランプされてしまうことを防止することができる。
【００４１】
以上のように本実施の形態によれば、ミューティングトランジスタ６をＭＯＳトランジスタで構成したことにより、ミューティングトランジスタ６がオフの時のドレイン電圧（飽和電圧）をほぼ０Ｖにすることができるので、ミュート−オン状態においてミュート端子１５の電圧をほぼ０Ｖにすることができる。よって、ミュート−オン状態からミュート−オフ状態への切り換え時に発生するＤＣ段差を抑えることができ、ショットノイズを抑えることができる。
【００４２】
また、ミューティングトランジスタ６をＭＯＳトランジスタで構成したことにより、バイポーラトランジスタで構成されたミューティング回路に比べて、回路を小規模化することができる。
【００４３】
また、ミューティングトランジスタ６のバックゲートとミュート端子１５との間に、抵抗７及び抵抗１６を接続したことにより、音声信号のクリップを防止することができる。
【００４４】
また、抵抗７及び抵抗１６のノードとＧＮＤとの間にダイオード１７を接続したことにより、ミュート端子１５に約１．４Ｖp-p以上のＳＩＮ波が入力された場合に、音声信号がクランプされてしまうことを防止することができる。
【００４５】
（実施の形態２）
図４は、実施の形態２におけるミューティング回路の構成を示す。ミューティング回路は、半導体集積回路５０の内部に配されている。
【００４６】
図４において、ミューティング回路は、ミューティングトランジスタ２１、第１のトランジスタ２０、第２のトランジスタ２２、第３のトランジスタ２３、第４のトランジスタ２４，インバータ２５、容量２６、抵抗３０，３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８，３９，６１、およびダイオード６２を備えている。ミューティングトランジスタ２１、第２のトランジスタ２２、第３のトランジスタ２３、及び第４のトランジスタ２４は、ＭＯＳトランジスタで構成されている。第１のトランジスタ２０は、バイポーラトランジスタで構成されている。
【００４７】
端子４１には、基準電源Ｖｃｃが供給されている。端子４２には、Ｖｃｃの半分の電圧を有する１／２Ｖｃｃが供給されている。端子４３は、ミュートのオン／オフ切り換えのタイミングを決定するミュート制御回路（不図示）に接続され、ミュート制御信号（MUTE-CTL）が入力されている。ミュート制御信号は、例えば、ミューティング回路が搭載される機器において、キー操作のタイミングに同期した信号である。
【００４８】
ミューティングトランジスタ２１において、ゲートは、インバータ２５と抵抗３７とを介して端子４３に接続され、ミュート制御信号が入力されている。ドレインはミュート端子５２に接続されている。ソースは接地されている。バックゲートは、抵抗３１の一端に接続されている。
【００４９】
抵抗３１の他端は、抵抗６１を介してミュート端子５２に接続されている。抵抗３１は、ミュート端子５２にマイナス信号が入力された時に、ミューティングトランジスタ２１のバックゲート−ドレイン間のダイオードがオンになることを防いでいる。これにより、出力音声信号が−０．７Ｖでクリップされることを防止している。
【００５０】
抵抗６１は、ミュート端子５２と抵抗３１との間に接続されている。抵抗３１及び抵抗６１は、ミュート端子５２にマイナス信号が入力された時に、ミューティングトランジスタ２１のバックゲート−ドレイン間のダイオードがオンになることを防いでいる。
【００５１】
ダイオード６２は、アノードが抵抗３１及び抵抗６１のノードに接続され、カソードが接地されている。
【００５２】
アンプ２７は、音声信号処理回路（不図示）に接続されている端子４５から供給される音声信号を増幅して出力している。アンプ２７で増幅された音声信号は、容量２８を介して、音声出力端子５１から負荷側へ出力される。なお、容量２８は必須ではない。
【００５３】
半導体集積回路５０は、本実施の形態では音声信号処理ＩＣで構成され、少なくとも、アンプ２７から出力される音声信号を外部負荷へ出力するための音声出力端子と、容量２８の出力側に接続され出力される音声信号をミュートするためのミュート端子５２とを備えている。
【００５４】
出力端子４６は、ラインやヘッドホンなどの外部負荷へ接続されている。
【００５５】
なお、本実施の形態では、以下のように各素子の定数を設定している。抵抗３１は８００ｋΩ、抵抗３２は１ｋΩ、抵抗３３は３００ｋΩ、抵抗３４は１０ｋΩ、抵抗３５は１ｋΩ、抵抗３６は３００ｋΩ、抵抗３７は２００ｋΩ、抵抗３８は６００ｋΩ、抵抗３９は６００ｋΩ、容量２６は１μＦである。ただし、これらの定数は一例である。
【００５６】
以下、動作について説明する。
【００５７】
まず、ミュート−オン状態、またはミュート−オフ状態における動作について説明する。
【００５８】
図４において、ミュート−オン状態の時は、端子４３にＬｏｗのミュート制御信号が入力され、インバータ２５で反転される。インバータ２５から出力されるＨｉｇｈのミュート制御信号は、抵抗３７を介してミューティングトランジスタ２１のゲートに入力され、ミューティングトランジスタ２１はオンになる。ミューティングトランジスタ２１がオンになると、容量２８の負荷側端子がミュート端子５２を介して接地される。これにより、音声出力端子５１から出力される音声信号は、出力端子４６へ供給されず、ライン出力からは音声が出力されない状態になる。
【００５９】
上記のように、ミュート切り換え時に、ミュート端子１５においてＤＣ段差が生じないため、ショットノイズの発生を抑えることができる。
【００６０】
また、ミュート−オフ状態の時は、端子４３にＨｉｇｈのミュート制御信号が入力され、インバータ２５で反転される。インバータ２５から出力されるＬｏｗのミュート制御信号は、抵抗３７を介してミューティングトランジスタ２１のゲートに入力され、ミューティングトランジスタ２１はオフになる。ミューティングトランジスタ２１がオフになると、ミュート端子５２は高インピーダンスとなり、音声出力端子５１から出力される音声信号は、容量２８と出力端子４６とを介して外部負荷へ供給される。
【００６１】
次に、音声信号のクリップ防止動作について説明する。
【００６２】
図４において、ミューティングトランジスタ２１がオフ（つまりミュート−オフ）になることにより、ミュート端子５２にはマイナス電圧が印加され、出力される音声信号が−０．７Ｖでクリップされる可能性がある。
【００６３】
本実施の形態では、図４に示すように、ミューティングトランジスタ２１のバックゲートは抵抗３１及び抵抗６１を介して、ミュート端子５２に接続されている。さらに、ミューティングトランジスタ２１のゲートは、抵抗３５と第２のトランジスタ２２と第１のトランジスタ２０とを介して、ミュート端子５２に接続されている。これにより、ミューティングトランジスタ２１のゲート電圧を低下させることができるため、ミュート端子５２がマイナス電圧になっても、出力音声信号の波形がクリップされることを防ぎ、ミュートトランジスタ２１がオンになることを防止している。
【００６４】
すなわち、本実施の形態では、ミューティングトランジスタ２１がオンになることにより、ミュート端子５２を接地させる構成にしているため、ミューティングトランジスタ２１におけるゲート電圧及びバックゲート電圧を制御する構成が必要になる。ミュート−オフ状態のときに、バックゲートをＧＮＤ電位にした場合、ミュート端子５２における電圧がマイナスになると、ミューティングトランジスタ２１におけるバックゲート−ドレイン間のダイオードがオンになる。この時、例えば２Ｖｐ−ｐのＳＩＮ波が入力された場合に、出力される音声信号が約−０．７Ｖでクリップされてしまう。
【００６５】
本実施の形態では、ミューティングトランジスタ２１のバックゲートとミュート端子５２とを、抵抗３１及び抵抗６１を介して接続することにより、マイナス信号が入力されたときに、バックゲート電位をドレイン電位と同様に下げて、バックゲート−ドレイン間のダイオードがオンになることを防止している。よって、ミュート端子５２は高インピーダンスとなり、出力音声信号への影響はなくなる。
【００６６】
また、ミュート端子５２に、約１．４Ｖp-p以上のＳＩＮ波が入力された場合、ミューティングトランジスタ２１におけるドレイン−バックゲート−ソースを３端子とする寄生ラテラルＮＰＮトランジスタがＯＮになる可能性がある。しかし、本実施の形態では、抵抗３１及び抵抗６１のノードとＧＮＤとの間に、Ｖbeが小さいダイオード６２が接続されているため、ミューティングトランジスタ２１における寄生ラテラルＮＰＮトランジスタがＯＮになるよりも、先にダイオード６２がＯＮになる。したがって、寄生ラテラルＮＰＮトランジスタがＯＮにならず、音声信号が＋０．７Ｖでクランプされてしまうことを防止することができる。
【００６７】
次に、半導体集積回路５０の電源がオンからオフへ切り換えられた時の動作について説明する。
【００６８】
図４において、半導体集積回路５０の内部において、ＶｃｃとＧＮＤ端子４４との間に接続されている抵抗３８と抵抗３９とのノードに、容量２６が接続されている。容量２６を接続したことにより、半導体集積回路５０が電源オン状態から電源オフ状態に切り換えられたとき、抵抗３８と抵抗３９の間のノードの電圧は、容量２６と抵抗３８と抵抗３９とにより決まる時定数によって、１／２Ｖｃｃからゆっくりと立ち下がる。すなわち、半導体集積回路５０は、１／２Ｖｃｃがオフになってもすぐにオフ状態に移行されずに、しばらくオン状態を続け、ゆっくりとオフ状態に移行される。
【００６９】
ここで、１／２Ｖｃｃがオフになった時、第３のトランジスタ２３のゲート電圧が、電源オフによって低下し、第３のトランジスタ２３はオンになる。よって、第３のトランジスタ２３に接続されたミューティングトランジスタ２１は、ゲート電圧が上昇し、ミューティングトランジスタ２１はオンになる。
【００７０】
これにより、電源オフ時、抵抗３８と抵抗３９の間のノードの電圧はゆっくりと立ち下がるため、半導体集積回路５０はすぐにオフにならない。そのため、回路がオフになるまでの間、ミューティングトランジスタ２１をオンにしてミュート−オン状態にすることができる。よって、バイアスの変動や内部回路がオフになる時などに生じるショットノイズを抑えることができる。
【００７１】
以上のように本実施の形態によれば、ミューティングトランジスタ２１をＭＯＳトランジスタで構成したことにより、ミューティングトランジスタ２１がオフの時のドレイン電圧（飽和電圧）をほぼ０Ｖにすることができるので、ミュート−オン状態からミュート−オフ状態への切り換え時に発生するＤＣ段差を抑えることができ、ショットノイズを抑えることができる。
【００７２】
また、ミューティングトランジスタ２１をＭＯＳトランジスタで構成したことにより、バイポーラトランジスタで構成されたミューティング回路に比べて、回路を小規模化することができる。
【００７３】
また、ミューティングトランジスタ２１とミュート端子５２との間に、抵抗３１及び抵抗６１を接続したことにより、ミュート−オフ状態における出力音声信号のクリップを抑えることができる。
【００７４】
また、抵抗３１及び抵抗６１のノードとＧＮＤとの間にダイオード６２を接続したことにより、ミュート端子５２に約１．４Ｖp-p以上のＳＩＮ波が入力された場合に、音声信号がクランプされてしまうことを防止することができる。
【００７５】
さらに、半導体集積回路５０の電源オフ時には、ミューティング回路において電源オフを検出し、容量２６と抵抗３８と抵抗３９とによってしばらくの間回路のオン状態を維持し、その間ミュート−オン状態にすることができる。これにより、電源オフへの切り換え時のショットノイズを抑えることができる。
【００７６】
また、電源オフを検出した時、ミュートトランジスタ２１は自動的にオンにされる。
【００７７】
なお、図４に示す構成では、半導体集積回路５０にミュート端子５２を備えているが、本実施の形態のミューティング回路は、ミュート端子を備えていない半導体集積回路にも搭載が可能である。
【００７８】
図５は、ミュート端子を備えていない半導体集積回路の構成を示す。図５において、図４の回路と異なるのは、ミュート端子５２を無くすとともに、ミューティングトランジスタ２１のドレインや抵抗６１などが接続されている信号線を、アンプ２７の出力に接続した点である。このように構成することで、実施の形態２と同様に動作し、同様の作用効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明に係るミューティング回路は、単一電源で稼動する半導体集積回路内部にミューティングトランジスタを内蔵する構成に有用である。例えば、カムコーダーなどの携帯型映像機器や、携帯型オーディオ機器に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】実施の形態１におけるミュート回路の回路図
【図２】実施の形態１におけるミュート回路における各信号のタイミングチャート
【図３】実施の形態１におけるミューティングトランジスタの構成を示す模式図
【図４】実施の形態２におけるミュート回路の回路図
【図５】実施の形態２におけるミュート回路の他例を示す回路図
【図６】従来のミュート回路を示す回路図
【図７】従来のミュート回路における各信号のタイミングチャート
【符号の説明】
【００８１】
６、２１  ミューティングトランジスタ
７、１６、３１、６１  抵抗
１７、６２  ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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