(57)【要約】【課題】蒸着材料の利用効率をたかめ、有機化合物を含む層を有する発光装置の製造コストを低減するとともに、発光装置の製造に要する製造時間を短縮させることを課題とする。【解決手段】成膜室内を減圧下とし、熱源の熱を熱伝導または熱輻射によって、プレートを急速に加熱し、プレート上の材料層を短時間に蒸発させ、被成膜基板に蒸着し、被成膜基板上に材料層を成膜する。なお、急速に加熱するプレートの加熱面積は、被成膜基板と同等のサイズとし、１回の加熱で１枚の被成膜基板への成膜を終了させる。【選択図】図１
2008163457.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室と、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室とを有する成膜装置であり、
前記成膜室内に、
熱源と、
前記熱源の上方に第１の基板支持手段と、
前記第１の基板支持手段に対向する位置に第２の基板支持手段と、を有し、
前記第１の基板支持手段に設置される第１の基板の一方の平面に材料層が形成されており、
前記熱源の加熱により、他方の平面側から前記第１の基板を加熱して、前記第１の基板の上方に対向する第２の基板の下平面に材料層を形成する成膜装置。
【請求項２】
成膜室と、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室とを有する成膜装置であり、
前記成膜室内に、
第１の基板支持手段と、
前記第１の基板支持手段に対向する位置に第２の基板支持手段と、
第２の基板支持手段上方に熱源と、を有し、
前記第２の基板支持手段に設置される第２の基板の一方の平面に材料層が形成されており、
前記熱源の加熱により、他方の平面側から前記第２の基板を加熱して、前記第２の基板の下方に対向する第１の基板の上平面に材料層を形成する成膜装置。
【請求項３】
成膜室と、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室とを有する成膜装置であり、
前記成膜室内に、
熱源と、
第１の基板を縦置きで搬送する搬送手段と、
第１の基板を縦置きで支持する第１の基板支持手段と、
前記熱源と前記第１の基板支持手段の間に第２の基板を縦置きで支持する第２の基板支持手段と、を有し、
前記第２の基板支持手段に設置される第２の基板の一方の平面に材料層が形成されており、
前記熱源の加熱により前記第２の基板を加熱して、前記第２の基板に設けられている材料層に対向する第１の基板の平面に材料層を形成する成膜装置。
【請求項４】
請求項１において、前記第２の基板を冷却する冷却手段、または前記第２の基板を加熱する加熱手段を有する成膜装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、前記第１の基板を冷却する冷却手段、または前記第１の基板を加熱する加熱手段を有する成膜装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、さらに、前記成膜室内にマスクと基板の位置あわせを行うアライメント手段を有する成膜装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、さらに、前記成膜室内に基板間隔を調節する間隔調節手段を有する成膜装置。
【請求項８】
ロード室、該ロード室に連結された第１の成膜室、該第１の成膜室に連結された搬送室、該搬送室に連結された第２の成膜室、該第２の成膜室に連結されたアンロード室とを有する製造装置であり、
前記第１の成膜室は、塗布装置を有し、
前記第２の成膜室は、熱源と、前記熱源上に第１の基板支持手段と、前記第１の基板支持手段に対向する位置に第２の基板支持手段と、を有し、
前記ロード室から導入された第１の基板は、前記第１の成膜室で材料層が塗布され、
材料層が塗布された第１の基板は、前記第２の成膜室で、第２の基板と対向して配置され、
前記第１の基板を前記熱源で加熱して、第１の基板と対向する第２の基板面に材料層を形成し、
材料層が形成された第２の基板を前記アンロード室に搬送する製造装置。
【請求項９】
請求項８において、前記第１の成膜室及び前記第２の成膜室に連結する搬送室は、複数である製造装置。
【請求項１０】
第１の基板の一方の面上に材料層を塗布し、
第２の基板の一方の面を前記第１の基板の一方の面と対向させて配置し、
第１の基板のもう一方の面を加熱して、前記第２の基板の一方の面上に材料層を成膜する成膜方法。
【請求項１１】
第１の基板の一方の面上に材料層を選択的に形成し、
第２の基板の一方の面を前記第１の基板の一方の面と対向させて配置し、
第１の基板のもう一方の面を加熱して、前記第２の基板の一方の面上に材料層を選択的に形成する成膜方法。
【請求項１２】
第１の基板の一方の面上に熱伝導層を選択的に形成し、
前記熱伝導層上に材料層を形成し、
第２の基板の一方の面を前記第１の基板の一方の面と対向させて配置し、
第１の基板のもう一方の面を加熱して、前記第２の基板の一方の面上に材料層を選択的に形成する成膜方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一において、前記熱源は、前記第１の基板の一方の面よりも面積が広い平面を有している成膜方法。
【請求項１４】
第１の基板の一方の面上に有機化合物を含む層を形成し、
熱源を加熱し、
前記熱源に対向する一方の面に第１の電極を有する第２の基板を保持し、
前記第１の基板のもう一方の面を加熱して前記有機化合物を含む層を蒸発させ、前記第１の電極上に有機化合物を含む材料層を形成し、
前記有機化合物を含む材料層上に第２の電極を形成する発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、前記熱源は、ヒータまたはランプである発光装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板上に成膜可能な材料の成膜に用いられる成膜装置および該成膜装置を備えた製造装置に関する。また、その成膜装置を用いて成膜する成膜方法に関する。また、その成膜装置を用いて成膜した有機化合物を含む層を発光層とする発光装置、およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が検討されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００３】
発光素子の発光機構は、一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物を含む層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００４】
このような発光素子をマトリクス状に配置して形成された発光装置には、パッシブマトリクス駆動（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（アクティブマトリクス型）といった駆動方法を用いることが可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。
【０００５】
また、有機化合物を含む層は「正孔輸送層、発光層電子輸送層」に代表される積層構造を有している。また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別され、低分子系材料は、蒸着装置を用いて成膜される。
【０００６】
従来の蒸着装置は基板ホルダに基板を設置し、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、昇華するＥＬ材料の上昇を防止するシャッターと、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒーターとを有している。そして、ヒーターにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、回転する基板に成膜される。このとき、均一に成膜を行うために、基板とルツボとの間の距離を離す必要があった。例えば３００ｘ３６０ｍｍの基板を用いる場合、この距離は１ｍ以上必要であった。扱う基板サイズが大きくなると、この基板とルツボとの間の距離は、比例して大きくする必要がある。このように、従来の蒸着装置は、基板と蒸着源との間隔を広くする必要があるため、成膜速度が遅くなり、成膜室内の排気に要する時間も長時間となってスループットが低下していた。
【０００７】
また、従来の蒸着装置や蒸着方法では、蒸着によりＥＬ層を形成する場合、昇華したＥＬ材料の殆どが蒸着装置の成膜室内の内壁、シャッターまたは防着シールド（蒸着材料が成膜室の内壁に付着することを防ぐための保護板）に付着してしまっていた。そのため、ＥＬ層の成膜時において、高価なＥＬ材料の利用効率が約１％以下と極めて低く、発光装置の製造コストは非常に高価なものとなっていた。また、成膜室内の内壁、及び防着シールドの付着物を除去するクリーニングなどのメンテナンスを定期的に行う必要があり、メンテナンス時は、大量生産をする上でも製造ラインの一部を一時停止することは避けられない状況であった。
【０００８】
さらに、従来の蒸着装置は、均一な膜を得るための膜厚モニタを備え、膜厚モニタで測定される蒸着速度が安定した後に、シャッターを開けて基板への蒸着を開始する。従って、蒸着速度が安定するまでの時間のロスと、蒸着材料を無駄に蒸発させる材料のロスとが生じていた。
【０００９】
加えて、従来の蒸着装置では、大面積基板になると、基板の中央部と周縁部とで蒸着源からの距離が異なるため、基板の中央部と周縁部とで膜厚が不均一になりやすい問題が生じる。さらに、蒸着装置は基板を回転させる構造であるため、大面積基板を目的とする蒸着装置には限界があった。
【００１０】
また、一つのチャンバーでＥＬ層の積層成膜を行おうとする場合、従来の蒸着装置は、基板とルツボとの間の距離を離す必要があり、大容量のチャンバーとなるため、第１のＥＬ層を成膜した後、第２のＥＬ層の成膜を行うと、第２のＥＬ層内に第１のＥＬ層の材料が混入する恐れがあった。
【００１１】
また、耐熱性フィルムの少なくとも一方の面に発光性有機化合物を成膜した有機ＥＬ転写基板を、ヒートバーで加熱して透光性電極を有する透光性基板に発光性有機化合物を転写する技術が特許文献１に開示されている。
【００１２】
また、発色性有機ドナー層を有するドナーシートと、基板とを接触させた状態で輻射線を照射して、基板に有機材料の層を形成する技術が特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開２０００−７７１８２号公報
【特許文献２】特開２００３−３０８９７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、ＥＬ材料に限らず、材料の利用効率を高めることによって製造コストを削減し、且つ、成膜の均一性やスループットの優れた製造装置の一つである成膜装置及び成膜方法を提供するものである。特に、成膜の均一性は、膜厚のバラツキの範囲を３％未満とすることを課題とする。
【００１４】
また、膜厚モニタを用いずとも、成膜の均一性を図ることができる成膜装置を提供する。
【００１５】
蒸着は真空で行うため、成膜室内を真空にすることに長時間を要してしまう問題、処理室毎にそれぞれの工程に要する時間が異なってしまう問題などが生じ、自動化工程として設計することが困難であり、生産性を向上させることに限界がある。特に、有機化合物を含む層を蒸着して積層するには長時間要するため、基板１枚当りの処理時間を短縮することに限界があった。そこで、本発明は、基板１枚当りの処理時間を短縮することも課題としている。
【００１６】
また本発明は、例えば、基板サイズが、３２０ｍｍ×４００ｍｍ、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのような大面積基板に対して、基板のたわみをなくし、基板全面において均一な膜厚が得られる成膜装置を提供するものである。
【００１７】
また、本発明の成膜装置及び成膜方法により作製される発光装置およびその作製方法を提供するものである。
【００１８】
また、従来の大容量のチャンバーである蒸着装置に比べチャンバー容量を小さくした小型の成膜装置を提供する。チャンバー容量を小さくできるため、被成膜基板の大面積化にも対応が可能な成膜装置を実現できる。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の成膜装置は、減圧状態とすることが可能な真空チャンバー内に、少なくとも、材料層が成膜されたプレートと、被成膜基板と、熱源（ホットプレート、フラッシュランプなど）とで構成される。そして、材料層が成膜されたプレートと、被成膜基板とを対向させる。それぞれ、材料層表面および被成膜基板の被成膜面が向かいあうようにセットする。さらに、本発明の成膜装置は、材料層表面と、被成膜基板の被成膜面との間隔距離ｄは、直接接触しない距離から最大でも１００ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下の距離範囲で配置するように調節する機構を備えている。なお、材料層表面と、被成膜基板の被成膜面は互いに平行となるように配置することが好ましい。
【００２０】
なお、間隔距離ｄは、凹凸を有する場合は、材料層が成膜されたプレート面上の材料層の平均的な膜厚の高さを基準とし、被成膜基板面までの距離として定義する。
【００２１】
成膜室内を減圧下とし、熱源の熱を熱伝導または熱輻射によって、プレートを急速に加熱し、プレート上の材料層を短時間に蒸発させ、被成膜基板に蒸着し、材料層を成膜する。
【００２２】
本発明により、蒸着材料の利用効率及びスループットを格段に向上させることができる。
【００２３】
また、材料層が成膜されたプレートと被成膜基板との間に開口を有するマスクを設けてもよい。マスクを用いることによって、選択的な成膜を行うことができる。特に、本発明では、プレートに設けられた材料層と被成膜基板との間隔が狭いため、蒸着方向の広がりが抑えられ、マスクの回り込み蒸着を抑えることができる。マスクの回り込み蒸着とは、マスクの開口領域よりも広い面積に成膜されてしまうことを指しており、従来の蒸着装置は、蒸着源から被成膜基板までの距離が１ｍと離れていたため、マスクの回り込み蒸着が生じやすく、微細な成膜パターンを得ることが困難であった。
【００２４】
本明細書で開示する発明の構成は、フェイスダウン方式の成膜装置であって、成膜室と、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室とを有する成膜装置であり、前記成膜室内に、熱源と、前記熱源の上方に第１の基板支持手段と、前記第１の基板支持手段に対向する位置に第２の基板支持手段とを有し、前記第１の基板支持手段に設置される第１の基板の一方の平面に材料層が形成されており、前記熱源の加熱により、他方の平面側から前記第１の基板を加熱して、前記第１の基板の上方に対向する第２の基板の下面に材料層を形成する成膜装置である。
【００２５】
上記構成により、上記課題の少なくとも一つを解決することができる。
【００２６】
また、上記構成に加え、第２の基板を冷却する冷却手段、または前記第２の基板を加熱する加熱手段を設けてもよい。第２の基板を冷却する冷却手段を設けることで材料層の積層の自由度が広がる。例えば、被成膜基板上に異なる蒸発温度を有する有機材料の積層が可能となる。また、第２の基板を冷却する冷却手段を設けることで、プラスチック基板などの可撓性基板を第２の基板に用いることができる。
【００２７】
また、フェイスアップ方式の成膜装置とすることも可能である。本明細書で開示する発明の他の構成は、成膜室と、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室とを有する成膜装置であり、前記成膜室内に、第１の基板支持手段と、前記第１の基板支持手段に対向する位置に第２の基板支持手段と、第２の基板支持手段の上方に熱源と、を有し、前記第２の基板支持手段に設置される第２の基板の一方の平面に材料層が形成されており、前記熱源の加熱により、他方の平面側から前記第２の基板を加熱して、前記第２の基板の下方に対向する第１の基板の上平面に材料層を形成する成膜装置である。
【００２８】
上記構成により、上記課題の少なくとも一つを解決することができる。
【００２９】
また、上記構成に加え、第１の基板を冷却する冷却手段、または前記第１の基板を加熱する加熱手段を設けてもよい。第１の基板を冷却する冷却手段を設けることで材料層の積層の自由度が広がる。例えば、被成膜基板上に異なる蒸発温度を有する有機材料の積層が可能となる。また、第１の基板を冷却する冷却手段を設けることで、プラスチック基板などの可撓性基板を第１の基板に用いることができる。
【００３０】
大面積基板を従来のようなフェイスダウン方式で蒸着を行う場合には、基板の自重により基板の中心が撓んでしまうため、基板とマスクとの密着性が悪くなり、基板面内において、密着性の違いによるパターンのばらつきが生じる恐れがあった。
【００３１】
そこで、被成膜基板平面を水平面に対して垂直に立てることで被成膜基板（およびマスク）の撓みをなくし、被成膜基板とプレートとの間隔距離を１００ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下の距離範囲に狭め、蒸着材料の利用効率及びスループットを格段に向上させる蒸着装置も提供する。
【００３２】
本明細書で開示する他の構成は、成膜室と、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室とを有する成膜装置であり、前記成膜室内に、熱源と、第１の基板を縦置きで搬送する搬送手段と、第１の基板を縦置きで支持する第１の基板支持手段と、前記熱源と前記第１の基板支持手段の間に第２の基板を縦置きで支持する第２の基板支持手段と、を有し、前記第２の基板支持手段に設置される第２の基板の一方の平面に材料層が形成されており、前記熱源の加熱により前記第２の基板を加熱して、前記第２の基板に設けられている材料層に対向する第１の基板の平面に材料層を形成する成膜装置である。
【００３３】
上記構成により、上記課題の少なくとも一つを解決することができる。
【００３４】
上述したこれらの構成は、プレート裏面側に存在する熱源により、プレート上に形成されている蒸着材料層を、蒸着材料の蒸発温度以上の温度とするように減圧下で加熱し、瞬時に蒸発させることで、プレートに対向する基板の表面に大面積の成膜を行う方法、即ち面蒸着方法を実現する装置である。
【００３５】
従来の蒸着装置に比べて、上述の成膜装置は、蒸着源と基板との間隔が狭いため、蒸着材料の蒸発温度近傍での成膜が可能である。なお、上述の成膜装置では、蒸着材料の蒸発温度を超えて５０℃以内の温度範囲で高めの温度設定することが好ましい。また、被成膜基板との距離や、被成膜基板の材質及び厚さによっては、熱源の輻射熱の影響を緩和するために、上記温度範囲内で低め（ただし蒸発温度以上）に設定することができる。
【００３６】
また、蒸着材料が２つ以上の材料の混合物である場合は、２つ以上の蒸発温度の内、最も高い蒸発温度に対して、これ以上の温度とするような加熱を行うことが好ましい。蒸着材料が２つ以上の材料の混合物である場合も最も高い蒸発温度を超えて５０℃の温度範囲内で高めの温度設定が望ましいが、低い蒸発温度の蒸着材料の分解温度や、被成膜基板との距離や、被成膜基板の材質及び厚さを考慮して、上記温度範囲内で低め（ただし最も高い蒸発温度以上）に設定してもよい。
【００３７】
プレートとしては、石英、セラミック、サファイヤ等の酸化物基板や、金、白金、銅、銀、タングステン、タンタル、チタン、アルミ等の材料や、これらの合金材料からなる導電性基板や、前述の酸化物基板上に、前述した導電性の材料を成膜した基板などを用いることができる。また、プレートとしては、シリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を成膜した導電性基板も用いることができる。また、透光性を有する基板（ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板など）上にアモルファスシリコン膜、微結晶シリコン膜を形成したものをプレートとして用いてもよい。フラッシュランプなどを用いて加熱する場合、光が効率よく吸収され、プレート上の材料層を均一に加熱することができる。
【００３８】
プレート上に成膜する材料としては、蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、印刷法、インクジェット法、スプレイ法、滴下法、またはディスペンス法などによって得られる成膜材料、もしくは成膜材料を含む高分子材料、若しくはこれらの成膜材料を含む無機材料を用いる。
【００３９】
また、材料層が成膜されたプレートとして導電性基板上に形成した導電性の材料層、もしくは酸化物基板上に形成した導電性の材料層は選択的に除去して、材料層をパターニングしてもよい。このパターニングが施された材料プレート上に蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、印刷法、インクジェット法、スプレー法、滴下法、またはディスペンス法などによって得られる材料層を形成した場合、所定の部分のみの材料に集中的に熱を印加して部分成膜を可能とすることも可能となる。この場合、被成膜基板との距離は近い方が望ましい。
【００４０】
また、上記これらの構成に加えて、成膜室内にマスクと基板の位置あわせを行うアライメント手段を設けて、位置精度の高い成膜を行ってもよい。また、上記これらの構成に加えて、成膜室内に基板間隔を調節する間隔調節手段を設けてもよい。間隔調節手段としては、シリンダーやリンク機構又はカム機構などを用いる。
【００４１】
複数のヒートバーで加熱する技術が特許文献１に開示されているが、基板に対して部分的に加熱するもので、その加熱領域は、基板の一辺よりも幅の狭い帯状であり、本発明の概念とは加熱範囲が大きく異なる他、透光性基板と有機ＥＬ転写基板とをスライドさせて位置合わせを行い、再度ヒートバーで加熱する蒸着を繰り返して１枚の透光性基板への成膜処理を行っている。
【００４２】
本発明は、基板に対して広い面積で均一な加熱を行い、１回の加熱で１枚の基板への成膜処理を行う。勿論、位置合わせも１回であり、本発明の成膜装置は、大幅な成膜時間の短縮を図ることができる。また、プレート面積を拡大することも可能であり、その場合は、大面積プレート１枚に対向する複数の被成膜基板を配置して短時間に成膜を行うことも可能である。また、プレート面積を拡大する場合は、加熱範囲もそれに合わせて拡大させる。
【００４３】
また、発色性有機ドナー層を有するドナーシートと、基板とを接触させた状態で輻射線を照射して、基板に有機材料の層を形成する技術が特許文献２に開示されているが、本発明の成膜装置は、対向する面同士が接触しないように間隔を空ける点で大きく異なる。
【００４４】
また、本発明は、新たな成膜方法も開示する。その成膜方法の一つは、第１の基板の一方の面上に材料層を塗布し、第２の基板の一方の面を前記第１の基板の一方の面と対向させて配置し、第１の基板のもう一方の面を加熱して、前記第２の基板の一方の面上に材料層を成膜する成膜方法である。なお、１回の成膜処理で加熱する面積は第１の基板の面積と同程度とする。
【００４５】
また、他の成膜方法の一つは、第１の基板の一方の面上に材料層を選択的に形成し、第２の基板の一方の面を前記第１の基板の一方の面と対向させて配置し、第１の基板のもう一方の面を加熱して、前記第２の基板の一方の面上に材料層を選択的に形成する成膜方法である。なお、１回の成膜処理で加熱する面積は第１の基板の面積と同程度とする。
【００４６】
また、他の成膜方法の一つは、第１の基板の一方の面上に熱伝導層を選択的に形成し、前記熱伝導層上に材料層を形成し、第２の基板の一方の面を前記第１の基板の一方の面と対向させて配置し、第１の基板のもう一方の面を加熱して、前記第２の基板の一方の面上に材料層を選択的に形成する成膜方法である。なお、１回の成膜処理で加熱する面積は第１の基板の面積と同程度とする。
【００４７】
上述したこれらの成膜方法において、前記熱源は、前記第１の基板の一方の面よりも面積が広い平面を有しているため、広い面積の材料層を短時間で成膜することができる。また、上述したこれらの成膜方法において、第１の基板のもう一方の面を加熱する方法は、熱源を近づける方法またはランプで加熱することによって行う。
【００４８】
また、本発明は、発光装置の新たな作製方法も開示する。その作製方法は、第１の基板の一方の面上に有機化合物を含む層を形成し、熱源を加熱し、前記熱源に対向する一方の面に第１の電極を有する第２の基板を保持し、前記第１の基板のもう一方の面を加熱して前記有機化合物を含む層を蒸発させ、前記第１の電極上に有機化合物を含む材料層を形成し、前記有機化合物を含む材料層上に第２の電極を形成する発光装置の作製方法である。この作製方法により、短時間での発光装置の作製が可能である。
【００４９】
さらに上記発光装置の作製方法において、第２の電極も本発明の成膜装置を用いて作製することができる。その場合、第３の基板の一方の面上に導電材料を含む層を選択的に形成し、熱源を加熱し、前記熱源に対向する一方の面に第１の電極及び有機化合物を含む層の積層を有する第２の基板を保持し、前記第２の基板のもう一方の面を加熱して前記導電材料を含む層を蒸発させ、前記有機化合物を含む材料層上に第２の電極を形成する。この作製方法により、短時間での発光装置の作製が可能である。
【００５０】
また、本明細書で開示した成膜装置や成膜方法は、発光装置の作製方法に限定されず、様々な膜を形成することができる。例えば、有機トランジスタの活性層となるペンタセンなどを短時間で形成することができる。
【発明の効果】
【００５１】
本発明により、材料の利用効率を高めることによって製造コストを削減できる。１回の成膜につき１回の蒸着源（プレート）交換となり、プレートには被成膜基板に成膜する必要量の材料のみ用意するため、無駄が少ない。また、基板１枚当りの成膜処理時間を大幅に短縮することができる。また、第１の基板（プレート）を再利用することができる。
【００５２】
また、被成膜基板とプレートとの間隔距離を１００ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下の距離範囲に狭めることによって、真空チャンバー内への材料の飛散を抑えることができる。従って、成膜室内のクリーニングなどのメンテナンス間隔を長くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００５４】
（実施の形態１）
本発明の成膜装置の断面図の模式図である図１（Ａ）、図１（Ｂ）、及び図１（Ｃ）を用いて成膜の手順を示す。
【００５５】
図１（Ａ）において、成膜室１０１は、真空チャンバーであり、第１のゲート弁１０２、及び第２のゲート弁１０３によって他の処理室と連結している。また、成膜室１０１内には、第１の基板支持手段１０４であるプレート支持機構と、第２の基板支持手段１０５である被成膜基板支持機構と、熱源１０６として上下移動可能なヒーターとを少なくとも有している。
【００５６】
まず、他の成膜室において、第１の基板１０７であるプレート上に材料層１０８を形成する。ここでは、第１の基板１０７として、銅を主材料とした四角平板状のプレートを用い、材料層１０８は、蒸着可能な材料を用いる。また、第１の基板１０７としては、被成膜基板と面積が同じ、若しくはそれより大きい面積を有していれば特に形状は限定されない。また、材料層１０８の形成方法は特に限定されず、蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、印刷法、またはインクジェット法などを用いる。中でも、スピンコート法は均一性の高い成膜が可能であるため、好ましい。ただし、スピンコート法を用いる場合、第１の基板１０７の端面や裏面の一部に成膜される恐れがあるため、第１の基板１０７の周縁部に対してアセトンを染みこませた布で拭き、第１の基板の周縁部における材料層１０８を除去することが好ましい。
【００５７】
次いで、他の成膜室から第１の基板１０７を成膜室１０１に搬送し、プレート支持機構にセットする。また、第１の基板１０７における材料層の形成されている面と、第２の基板１０９の被成膜面とが、対向するように基板支持機構に固定する。この段階での断面図が図１（Ａ）を示しており、第１の基板１０７と第２の基板１０９の基板間隔Ｄで示している。また、図１（Ａ）に示すように、この構成は、基板の成膜面が下方となるからフェイスダウン方式の例を示している。
【００５８】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、第２の基板支持手段１０５を移動させて、第１の基板１０７と第２の基板１０９の基板間隔Ｄから基板間隔ｄに近づける。ここでは、基板間隔ｄを２ｍｍとする。また、第２の基板１０９が石英基板のように硬く、ほとんど変形（反り、撓みなど）しない材料であれば、基板間隔ｄは０．１ｍｍを下限として近づけることができる。さらに、静電チャックなどを用いて基板の反り、撓みなどを無くせば、ガラス基板であっても石英基板であっても基板間隔ｄの下限は０．０１ｍｍまで可能である。また、図１（Ｂ）では、プレート支持機構を固定し、基板支持機構を移動させる例を示したが、プレート支持機構を移動させ、基板支持機構を固定する構成としてもよい。また、プレート支持機構と基板支持機構の両方を移動させて基板間隔ｄを調節しても良い。
【００５９】
また、プレート支持機構及び基板支持機構は、上下方向だけでなく、水平方向にも移動させる機構としてもよく、精密な位置合わせを行う構成としてもよい。また、精密な位置合わせや基板間隔ｄ測定を行うため、成膜室１０１にＣＣＤなどのアライメント機構を設けてもよい。また、成膜室１０１内を測定する温度センサや、湿度センサなどを設けてもよい。
【００６０】
次いで、図１（Ｃ）に示すように基板間隔ｄを保持した状態で、熱源１０６をプレートに近づける。なお、均一な加熱が行われるように、熱源１０６とプレートは広い面積で接することが好ましい。図１（Ｃ）では、プレートの下方で上下移動可能なヒータを用いている。ヒーターは基本的には所定の温度で一定となるように設定しているが、タクト時間に影響のない範囲での温度の上げ、下げを含む温度制御をしてもよい。
【００６１】
熱源１０６をプレートに近接させると、直接的な熱伝導により短時間にプレート上の材料層１０８を加熱して蒸発させ、対向して配置された第２の基板１０９の被成膜面（即ち、下平面）に蒸着材料が成膜される。また、第２の基板１０９の下平面への成膜の膜厚均一性は３％未満とすることができる。図１（Ｃ）に示す成膜装置において、予め第１の基板に材料層１０８が均一な膜厚で得られていれば、膜厚モニタを設置しなくとも、第２の基板１０９に膜厚均一性の高い成膜を行うことができる。また、従来の蒸着装置は、基板を回転させていたが、図１（Ｃ）に示す成膜装置は、被成膜基板を停止して成膜するため、割れやすい大面積のガラス基板への成膜に適している。また、図１（Ｃ）に示す成膜装置は、成膜中、プレートも停止して成膜する。
【００６２】
また、待機時の熱源１０６（ヒーター）の輻射によるプレート上の材料層１０８への熱の影響を緩和するため、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）における熱源１０６と第１の基板１０７（プレート）との距離を大きく保持してもよい。
【００６３】
また、図１（Ａ）に示す成膜装置は、従来の蒸着装置に比べ大幅にチャンバー内の容積を小さくすることができる。さらに、チャンバー内の容積を小さくするため、熱源１０６と第１の基板１０７（プレート）の間に、断熱化のための開閉式のシャッターを設けても良い。
【００６４】
また、熱源１０６はヒーターに限定されず、短時間に均一な加熱を行える加熱手段であればよい。例えば、図２（Ａ）に示すようにランプ１１０を設けてもよい。なお、図２（Ａ）において、図１（Ｃ）と共通の部分には同じ符号を用いて説明する。図２（Ａ）に示す例では、ランプ１１０は第１の基板１０７の下方に固定して設けられており、ランプ１１０が点灯した直後に第２の基板１０９の下平面に成膜が行われる。
【００６５】
ランプ１１０としては、フラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を用いることができる。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第１の基板１０７の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の間隔を変えることによって第１の基板１０７の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。また、フラッシュランプを用いることにより、急加熱が容易となり、ヒーターを用いた場合の上下機構やシャッター等を簡略化できる。従って、さらなる成膜装置の小型化が図れる。ただし、プレートの材料による加熱温度の調整を目的としてフラッシュランプが上下移動できるような機構としても良い。
【００６６】
また、図２（Ａ）では、ランプ１１０を成膜室１０１内に設置する例を示しているが、成膜室１０１の内壁の一部を透光性部材として、成膜室１０１の外側にランプ１１０を配置してもよい。成膜室１０１の外側にランプ１１０を配置すると、ランプ１１０のライトバルブの交換などのメンテナンスを簡便なものとすることができる。
【００６７】
また、図２（Ｂ）は、第２の基板１０９の温度を調節する機構を備えた成膜装置の例を示す。図２（Ｂ）において、図１（Ｃ）と共通の部分には同じ符号を用いて説明する。図２（Ｂ）では、第２の基板支持手段１０５に冷媒を流すチューブ１１１が設けられている。冷媒を流すチューブ１１１により、第２の基板支持手段１０５は、コールドプレートとすることができる。なお、チューブ１１１は、第２の基板支持手段１０５の上下移動に追随できるようなしくみとなっている。なお、ここでは冷媒ガスや、液体の冷媒を流すチューブを用いた例を示したが、冷却する手段として、ペルチェ素子などを第２の基板支持手段１０５に設けてもよい。
【００６８】
蒸発材料の異なる材料層を積層する場合に、図２（Ｂ）の成膜装置は有用である。例えば、第２の基板１０９に既に第１の蒸着温度の材料層が設けられている場合、その上に第１の蒸着温度よりも高い第２の蒸着温度の材料層を積層することができる。図１（Ｃ）においては、第２の基板１０９と第１の基板１０７が近接するため、第２の基板１０９に予め成膜されている第１の蒸着温度の材料層が、蒸発してしまう恐れがある。そこで、図２（Ｂ）の成膜装置とすると、冷却機構によって第２の基板１０９に予め成膜されている第１の蒸着温度の材料層の蒸発を抑えつつ、第２の蒸着温度の材料層を積層することができる。
【００６９】
また、冷却機構だけでなく、第２の基板支持手段１０５にヒータなどの加熱手段を設けてもよい。第２の基板１０９の温度を調節する機構（加熱または冷却）を設けることで、基板の反りなどを抑えることができる。
【００７０】
また、本実施の形態に示した成膜装置を複数設け、マルチチャンバー型の製造装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した成膜装置を直列に複数並べて、インライン型の製造装置にすることもできる。
【００７１】
（実施の形態２）
実施の形態１では、フェイスダウン方式の成膜装置の例を示したが、ここではフェイスアップ方式の成膜装置の例を図３（Ａ）に示す。
【００７２】
図３（Ａ）において、成膜室２０１は、真空チャンバーであり、第１のゲート弁２０２、及び第２のゲート弁２０３によって他の処理室と連結している。また、成膜室２０１内には、第１の基板支持手段２０５である被成膜基板支持機構と、第２の基板支持手段２０４であるプレート支持機構と、熱源２０６として上下移動可能なヒーターとを少なくとも有している。
【００７３】
成膜の手順は、まず、他の成膜室において、第２の基板２０７であるプレート上に材料層２０８を形成する。また、第２の基板２０７としては、被成膜基板と面積が同じ、若しくはそれより大きい面積を有していれば特に形状は限定されない。また、材料層２０８の形成方法は特に限定されず、蒸着法、スピンコート法、印刷法、またはインクジェット法などを用いる。中でも、スピンコート法は均一性の高い成膜が可能であるため、好ましい。
【００７４】
次いで、他の成膜室から第２の基板２０７を成膜室２０１に搬送し、プレート支持機構にセットする。また、第２の基板２０７における材料層の形成されている面と、第１の基板２０９の被成膜面とが、対向するように基板支持機構に固定する。また、図３（Ａ）に示すように、この構成は、基板の成膜面が上方となるからフェイスアップ方式の例を示している。フェイスアップ方式の場合、撓みやすい大面積のガラス基板をフラットな台に載せる、或いは複数のピンで支持することで基板のたわみをなくし、基板全面において均一な膜厚が得られる成膜装置とすることができる。
【００７５】
次いで、第１の基板支持手段２０５を移動させて、第２の基板と第１の基板の基板間隔Ｄから基板間隔ｄに近づける。ここでは、基板間隔ｄを５ｍｍとする。また、プレート支持機構を固定し、基板支持機構を移動させる例を示したが、プレート支持機構を移動させ、基板支持機構を固定する構成としてもよい。また、プレート支持機構と基板支持機構の両方を移動させて基板間隔ｄを調節しても良い。
【００７６】
次いで、図３（Ａ）に示すように基板間隔ｄを保持した状態で、熱源２０６を近づけてプレートに近接させる。なお、均一な加熱が行われるように、熱源２０６とプレートは広い面積で接することが好ましい。図３（Ａ）では、プレートの上方で上下移動可能なヒータを用いている。
【００７７】
熱源２０６を近づけてプレートに近接させると、直接的な熱伝導により短時間にプレート上の材料層２０８を加熱して蒸発させ、対向して配置された第１の基板２０９の被成膜面（即ち、上平面）に蒸着材料が成膜される。また、第１の基板２０９の上平面への成膜の膜厚均一性は３％未満とすることができる。また、従来の大容量のチャンバーである蒸着装置に比べチャンバー容量を大幅に小さい小型の成膜装置を実現できる。
【００７８】
また、熱源２０６はヒーターに限定されず、短時間に均一な加熱を行える加熱手段であればよい。例えば、図３（Ｂ）に示すようにランプ２１０を設けてもよい。なお、図３（Ｂ）において、図３（Ａ）と共通の部分には同じ符号を用いて説明する。図３（Ｂ）に示す例では、ランプ２１０は第２の基板２０７の上方に固定して設けられており、ランプ２１０が点灯した直後に第１の基板２０９の上平面に成膜が行われる。
【００７９】
また、本実施の形態に示した成膜装置を複数設け、マルチチャンバー型の製造装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した成膜装置を直列に複数並べて、インライン型の製造装置にすることもできる。
【００８０】
また、フェイスアップ方式である点を除いて、実施の形態１と同じ構成であるため、本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００８１】
（実施の形態３）
実施の形態１では、フェイスダウン方式の成膜装置の例を示したが、ここでは基板縦置き方式の成膜装置の例を図４に示す。
【００８２】
図４において、成膜室３０１は、真空チャンバーである。また、成膜室３０１内には、第１の基板支持手段３０４であるプレート支持機構と、第２の基板支持手段３０５である被成膜基板支持機構と、熱源としてランプ３１０と少なくとも有している。
【００８３】
成膜室３０１は、図示しないが、被成膜基板が縦置きで搬送される第１の搬送室と連結している。また、図示しないが、プレートが縦置きで搬送される第２の搬送室と連結している。また、本明細書では、基板面が水平面に対して垂直に近い角度（７０度〜１１０度）にすることを基板の縦置きと呼ぶ。大面積のガラス基板などは撓みが生じやすいため、縦置きで搬送することが好ましい。
【００８４】
また、熱源は、ヒーターよりもランプ３１０を用いて加熱するほうが、大面積のガラス基板に適している。
【００８５】
成膜の手順は、まず、他の成膜室において、第１の基板３０７であるプレートの一方の面に材料層３０８を形成する。
【００８６】
次いで、他の成膜室から第１の基板３０７を成膜室３０１に搬送し、プレート支持機構にセットする。また、第１の基板３０７における材料層の形成されている面と、第２の基板３０９の被成膜面とが、対向するように基板支持機構に固定する。
【００８７】
次いで、図４に示すように基板間隔ｄを保持した状態で、ランプ３１０から光を照射してプレートを急速に加熱する。プレートを急速に加熱すると、間接的な熱伝導により短時間にプレート上の材料層３０８を加熱して蒸発させ、対向して配置された第２の基板３０９の被成膜面に蒸着材料が成膜される。また、第２の基板３０９の平面への成膜の膜厚均一性は３％未満とすることができる。また、従来の大容量のチャンバーである蒸着装置に比べチャンバー容量を大幅に小さい小型の成膜装置を実現できる。
【００８８】
また、本実施の形態に示した成膜装置を直列に複数並べて、インライン型の製造装置にすることもできる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。
【００８９】
また、基板縦置き方式である点を除いて、実施の形態１と同じ構成であるため、本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００９０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、成膜前後の様子を図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示す斜視図を用いて説明する。
【００９１】
図５（Ａ）は、図１（Ｃ）に示すようなフェイスアップ方式の成膜装置の一部を抜粋して説明した斜視図である。なお、図５（Ａ）は、成膜直前の様子を示しており、第１の基板４０７上に第１の材料層が形成されている。また、第１の基板４０７よりも広い面積を有する平板状の熱源４０６が、第１の基板４０７と接した直後の斜視図である。また、第２の基板４０９が第１の基板の上方に重なるように基板間隔ｄの間隔を空けて配置されている。
【００９２】
また、図５（Ｂ）は、成膜直後の様子を示しており、第１の材料層４０８が蒸発して第２の基板４０９の下面に第２の材料層４００が形成されている。実施の形態１に示す成膜装置を用いると、このように第１の基板４０７と同じ面積の膜を短時間で、第２の基板４０９上に形成することができる。
【００９３】
また、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）では基板と同じ面積の膜を形成する例を示したが、実施の形態１に示す成膜装置を用いて選択的に成膜することができる。
【００９４】
図６（Ａ）、図６（Ｂ）、及び図６（Ｃ）には、選択的に成膜する方法を示している。なお、図６（Ａ）は、実施の形態１の成膜室に導入する前の様子を示しており、第１の基板４０７上にインクジェット法により選択的に第１の材料層５０８が形成されている。なお、図６（Ａ）に示すように、インクジェットのヘッド４１３によって線状のパターンを有する第１の材料層５０８が形成されている。
【００９５】
また、図６（Ｂ）は、成膜直前の様子を示しており、第１の材料層５０８が形成された第１の基板４０７が平板状の熱源４０６上に配置されている。また、第２の基板４０９が第１の基板４０７の上方に重なるように基板間隔ｄの間隔を空けて配置されている。
【００９６】
また、図６（Ｃ）は、成膜直後の様子を示しており、第１の材料層５０８が蒸発して第２の基板４０９の下面に第２の材料層５００が形成されている。実施の形態１に示す成膜装置を用いると、このように蒸着マスクを用いることなく短時間で、第２の基板４０９上に所望のパターンを形成することができる。
【００９７】
また、図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）、及び図７（Ｄ）には、選択的に形成した熱伝導層のパターンを利用して、選択的に材料層のパターンを形成する様子が斜視図で示されている。
【００９８】
なお、図７（Ａ）は、実施の形態１の成膜室に導入する前の様子を示しており、第１の基板５０７上にインクジェット法により選択的に熱伝導層５１８が形成されている。
【００９９】
図７（Ｂ）は、さらに熱伝導層５１８を覆って第１の材料層５１９を形成した様子を示している。
【０１００】
また、図７（Ｃ）は、成膜直前の様子を示しており、第１の材料層５１９が形成された第１の基板５０７が平板状の熱源５０６上に配置されている。また、第２の基板５０９が第１の基板５０７の上方に重なるように基板間隔ｄの間隔を空けて配置されている。
【０１０１】
また、図７（Ｄ）は、成膜直後の様子を示しており、熱伝導層５１８が瞬時に加熱され、第１の材料層５１９が部分的に蒸発して第２の基板５０９の下面に第２の材料層５２０が形成されている。また、成膜後において、一部の第１の材料層５１９が第１の基板５０７上に残存する。実施の形態１に示す成膜装置を用いると、蒸着マスクを用いることなく短時間で、第２の基板上に所望のパターンを形成することができる。
【０１０２】
また、本実施の形態は、実施の形態１だけでなく、実施の形態２または実施の形態３にも応用することが可能である。
【０１０３】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【実施例１】
【０１０４】
ここでは、全自動化したマルチチャンバー方式の製造装置の例を図８、及び図９に示す。
【０１０５】
図８は、マルチチャンバー方式の製造装置の上面図を示しており、鎖線Ａ−Ｂで切断した断面が図９に相当する。
【０１０６】
まず、製造装置の配置について、図８を用いて説明する。第１の基板７２０（プレートとも呼ぶ）をセットする第１ロード室７０１は、第１成膜室７０２に連結されている。また、第１成膜室７０２は、第１ゲート弁７０３を介して第１ストック室７０５と、第２ゲート弁７０４を介して第２ストック室７０６との両方に連結されている。また、第１ストック室７０５は、第３ゲート弁７０７を介して搬送室７０９と連結している。また、第２ストック室７０６は、第４ゲート弁７０８を介して搬送室７０９と連結している。
【０１０７】
第１成膜室７０２は、必要に応じてオゾン数をコントロールした大気環境に、あるいは酸素濃度および露点管理された窒素雰囲気環境にできる。さらに、ホットプレートあるいはオーブンを有しており、塗布後の乾燥等を行う。また必要に応じてＵＶランプ等により表面洗浄や濡れ性の改善を図れる機能を有していることが望ましい。第１成膜室７０２は、大気圧環境でプレート上に成膜を行う成膜装置であり、第１ストック室７０５は、大気圧環境で成膜されたプレートを格納するとともに、真空下に減圧された第２成膜室７１２に受け渡す室である。この構成においては所定の枚数のプレートを処理後、その都度、真空に減圧しなければならない。つまり第１ストック室７０５内をベント、排気に要する時間が、そのまま製造装置のスループットに影響する。そこで、図８に示すように、２系統の搬送経路を設けている。２系統の搬送経路を設けることで、効率よく複数の基板を処理して、基板１枚当りの処理時間を短縮することができる。例えば、第１ストック室７０５内をベント、排気している間に第１成膜室７０２で成膜したプレートを第２ストック室７０６に格納することができる。また、２系統の搬送経路に限定されず、３系統以上の搬送経路を設けてもよい。
【０１０８】
また、搬送室７０９は第５ゲート弁７１０を介して第２成膜室７１２と連結している。また、第２の基板７２９をセットする第２ロード室７１１は、第５ゲート弁７１３を介して第２成膜室７１２と連結している。また、第２成膜室７１２は、第６ゲート弁７１４を介してアンロード室７１５と連結している。
【０１０９】
以下、第１の基板となるプレートを製造装置に搬入し、予め薄膜トランジスタと、陽極（第１の電極）、該陽極の端部を覆う絶縁物とが設けられた第２の基板を図８に示す製造装置に搬入し、発光装置を作製する手順を示す。
【０１１０】
まず、第１ロード室７０１に第１の基板７２０となるプレートをセットする。複数枚のプレートを収納したカセット７１６を設置できるようにする。
【０１１１】
次いで、プレートを第１成膜室７０２内のステージ７１８上に搬送ロボット７１７で搬送する。第１成膜室７０２では、スピンコート法を用いた塗布装置により、プレート上に材料層を形成する。なお、スピンコート法を用いた塗布装置に限定されず、スプレイ法、インクジェット法などを用いた塗布装置を用いることができる。また、必要に応じてプレート表面をＵＶ処理する。また、焼成する必要がある場合は、ホットプレート７２２で行う。図９に第１成膜室７０２の様子を見ることができる。ノズル７１９から材料液が滴下されてステージ７１８上に設置されたプレート７２０上に材料層７２１が形成されている断面が示されている。ここでは、高分子材料中に発光有機材料を分散した材料液を滴下し、焼成して材料層７２１を形成する。
【０１１２】
次いで、第１ストック室７０５内に搬送するため、第２ゲート弁７０３を開けて搬送ロボット７２３でプレートを搬送する。搬送された後は、第１ストック室７０５内を減圧とする。図９に示すように第１ストック室７０５内にプレートを複数枚格納できるような構成、ここでは上下方向に移動できるプレートストックホルダ７２４とすることが好ましい。また、第１ストック室でプレートを加熱できる機構を備えてもよい。第１ストック室７０５は、真空排気処理室と連結されており、真空排気した後、不活性ガスを導入して大気圧にしておくことが好ましい。
【０１１３】
次いで、第１ストック室７０５内を減圧した後、第３ゲート弁７０７を開けて搬送室７０９にプレートを搬入し、第５ゲート弁７１０を開けて第２成膜室７１２に搬入する。搬送室７０９は、真空排気処理室と連結し、搬送室７０９内には極力水分や酸素が存在しないよう、予め、真空排気して真空を維持しておくことが好ましい。搬送室７０９内に設けられた搬送ロボット７２５を用いてプレートの搬入を行う。
【０１１４】
ここまでの手順によって材料層が形成されたプレートが第２の成膜室７１２にセットされる。一方、予め薄膜トランジスタと、陽極（第１の電極）、該陽極の端部を覆う絶縁物とが設けられた第２の基板７３９を第２の成膜室７１２内にセットするまでの手順をここで説明する。まず、複数枚の第２の基板７３９が収納されたカセット７２６を第２ロード室７１１にセットする。第２ロード室７１１は、真空排気処理室と連結されており、真空排気した後、第５ゲート弁７１３を開けて第２の基板７３９を搬送ロボット７２７で第２の成膜室７１２内に搬送する。
【０１１５】
以上の手順で第２の成膜室７１２内にプレート７２０と第２の基板７３９がセットされる。第２の成膜室７１２は、実施の形態１に示す成膜装置に対応している。
【０１１６】
第２の成膜室７１２内には、第１の基板支持手段であるプレート支持台７３４と、第２の基板支持手段である第２の基板支持台７３５と、熱源７３６として上下移動可能なヒーターとを少なくとも有している。また、選択的に成膜を行うためのマスク７３３が第２の基板７３９と重なるように配置されている。予め、マスク７３３と第２の基板７３９は位置合わせを行っておくことが好ましい。
【０１１７】
また、プレート７２０における材料層７２１の形成されている面と、第２の基板７３９の被成膜面とが、対向するように基板支持機構に固定する。次いで、第２の基板支持台７３５を移動させて、材料層７２１と第２の基板７３９の基板間隔ｄとなる位置まで近づける。基板間隔ｄは、１００ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下の距離範囲とする。なお、第２の基板７３９はガラス基板であるため、歪みや撓みを考慮すると基板間隔ｄの下限は、０．５ｍｍである。さらに、静電チャックなどを用いて基板の反り、撓みなどを無くせば、ガラス基板であっても石英基板であっても基板間隔ｄの下限は０．０１ｍｍまで可能である。本実施例では、間にマスクを挟むため、５ｍｍとする。少なくともマスク７３３と第２の基板７３９が接しない距離とする。基板間隔ｄが狭ければ狭いほど、蒸着方向の広がりが抑えられ、マスクの回り込み蒸着を抑えることができる。
【０１１８】
次いで、図９に示すように基板間隔ｄを保持した状態で、熱源７３６をプレート７２０に近づける。熱源７３６としては、プレートの下方で上下移動可能なヒータを用いている。ヒーターは基本的には所定の温度で一定となるように設定しているが、タクト時間に影響のない範囲での温度の上げ、下げを含む温度制御をしてもよい。
【０１１９】
熱源７３６をプレート７２０に近接させると、直接的な熱伝導により短時間にプレート上の材料層７２１を加熱して蒸発させ、対向して配置された第２の基板７３９の被成膜面（即ち、下平面）に蒸着材料が成膜される。なお、本実施例では、材料層７２１中に分散された発光有機材料が蒸発して第２の基板７３９に成膜され、高分子材料がプレート上に残る。マスク７３３の開口を通過した領域のみが選択的に成膜される。また、第２の基板７３９の下平面への成膜の膜厚均一性は３％未満とすることができる。
【０１２０】
こうして、第２の基板７３９上の陽極（第１の電極）上に発光層を形成することができる。また、発光層を形成するまえに、ホール注入層、またはホール輸送層を第２の成膜室で同様の成膜を行い、積層してもよい。また、発光層を形成した後、電子輸送層、または電子注入層を第２の成膜室で同様の成膜を行い、積層してもよい。また、発光層を形成した後、第２の成膜室で同様の成膜を行い、陰極（第２の電極）を積層する。以上の工程で、薄膜トランジスタと、陽極（第１の電極）と、発光層と、陰極（第２の電極）とを少なくとも有する発光素子が第２の基板７３９上に形成できる。
【０１２１】
効率よく発光装置を作製するため、複数の異なる材料層が形成されたプレートをプレートストックホルダ７２４に格納して、第２の基板７３９を第２の基板支持台７３５にセットしたまま、プレートを順次交換して積層を行ってもよい。例えば、ホール注入層となる材料層を設けた第１プレート、ホール輸送層となる材料層を設けた第２プレート、発光層となる材料層を設けた第３プレート、電子輸送層となる材料層を設けた第４プレート、電子注入層となる材料層を設けた第５プレート、陰極となるアルミニウム層を設けた第６プレートを用意して、第２の成膜室７２１内に設置するプレートを順次交換して積層を行ってもよい。このように、異なる材料層を同一成膜室内で積層させても、基板間隔ｄが狭いため、蒸着の広がりが抑えられ、互いの材料の混入を防ぐことができる。
【０１２２】
また、フルカラーの発光装置を作製するため、赤色発光層を設けた第１プレート、青色発光層を設けた第２プレート、緑色発光層を設けた第３プレートを用意して、第２の成膜室７１２内に設置するプレートを順次交換して積層を行ってもよい。ただし、マスク７３３を交換する必要がある。このように、異なる発光層を同一成膜室内で積層させても、基板間隔ｄが狭いため、蒸着の広がりが抑えられ、互いの材料の混入を防ぐことができ、それぞれの発光素子の色純度を得ることができる。
【０１２３】
第２の基板７３９への成膜が終了した後、第６ゲート弁７１４を開けて、アンロード室７１５に第２の基板７３９を搬送する。アンロード室７１５も真空排気処理室と連結されており、第２の基板７３９の搬送時にはアンロード室内を減圧としておく。第２の基板７３９は搬送ロボット７２８を用いてカセット７３０に収納する。なお、成膜された面が下面となるようにカセット７３０にセットして塵などの不純物の付着を防止する。また、第２の基板７３９と同じサイズ、厚さであれば、プレート７２０も搬送ロボット７２８を用いてカセット７３０に収納することができる。また、アンロード室７１５にマスクストックホルダ７２９を設けてもよい。発光層の塗り分けなどを行う場合、発光色毎にマスクを用意することが好ましく、必要な複数のマスクをマスクストックホルダ７２９に格納しておくことができる。
【０１２４】
また、アンロード室７１５に発光素子を封止するための封止室を連結してもよい。封止室では、封止缶や封止基板を搬入するロード室を連結し、封止室内で第２の基板７３９と封止基板とを貼り合わせる。その際、第２の基板７３９を反転するほうが好ましい場合には、搬送ロボット７２８に基板反転機構を備えておくことが好ましい。
【０１２５】
また、上記の真空排気処理室としては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプが備えられている。これにより仕込室と連結された搬送室の到達真空度を１０−５〜１０−６Ｐａにすることが可能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の逆拡散を制御することができる。装置内部に不純物が導入されるのを防ぐため、導入するガスとしては、窒素や希ガス等の不活性ガスを用いる。装置内部に導入されるこれらのガスは、装置内に導入される前にガス精製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純度化された後に蒸着装置に導入されるようにガス精製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に含まれる酸素や水、その他の不純物を予め除去することができるため、装置内部にこれらの不純物が導入されるのを防ぐことができる。
【０１２６】
また、基板やプレートの搬送手段として搬送ロボットを例として挙げたが搬送手段は特に限定されず、ローラなどを用いてもよい。また、搬送ロボットを設ける位置は図８及び図９の配置に特に限定されず、所望の位置に適宜設置すればよい。
【０１２７】
本実施例では、スピンコート法を用いた成膜装置を例に説明したが、スピンコート法を用いた成膜装置に代えて、インクジェット法を用いた液滴吐出装置を成膜室に備えてもよい。
【０１２８】
液滴吐出装置の概略について図１０を用いて簡単に説明する。本装置の必須の構成要素としては、複数のノズルが一軸方向に配列されたヘッド１１２１を具備する液滴吐出手段１１２５、該液滴吐出手段１１２５を制御する制御部１１０３、基板１１２４を固定しＸＹθ方向に移動するステージ１１２２等が挙げられる。このステージ１１２２は、基板１１２４を真空チャック等の手法で固定する機能も有する。そして、液滴吐出手段１１２５が有する各ノズルの吐出口から基板１１２４の方向に組成物が吐出されて、パターンが形成される。
【０１２９】
ステージ１１２２と液滴吐出手段１１２５は、制御部１１０３により制御される。制御部１１０３は、ステージ位置制御部１１０１を有している。また、ＣＣＤカメラなどの撮像手段１１２０も制御部１１０３により制御される。撮像手段１１２０は、マーカーの位置を検出して、その検出した情報を制御部１１０３に供給する。また、検出した情報をモニター１１０２に表示することもできる。制御部１１０３は、アライメント位置制御部１１００を有している。また、液滴吐出手段１１２５にはインクボトル１１２３より組成物が供給される。
【０１３０】
なお、パターンの作製に際し、液滴吐出手段１１２５を移動してもよいし、液滴吐出手段１１２５を固定してステージ１１２２を移動させてもよい。但し、液滴吐出手段１１２５を移動する場合には、組成物の加速度や、液滴吐出手段１１２５に具備されたノズルと被処理物との距離、その環境を考慮して行う必要がある。
【０１３１】
その他、図示しないが、付随する構成要素として、吐出した組成物の着弾精度を向上させるために、ヘッド１１２１が上下に動く移動機構とその制御手段等を設けてもよい。そうすると、吐出する組成物の特性に応じて、ヘッドと基板１１２４の距離を変えることができる。またガス供給手段とシャワーヘッドを設けてもよく、そうすると、組成物の溶媒と同じ気体の雰囲気下に置換することができるため、乾燥をある程度防止することができる。さらに、清浄な空気を供給し、作業領域の埃を低減するクリーンユニット等を設けてもよい。また、図示しないが、基板を加熱する手段、加えて温度、圧力等、種々の物性値を測定する手段を、必要に応じて設置しても良く、これら手段も、筐体の外部に設置した制御手段によって一括制御することが可能である。さらに制御手段をＬＡＮケーブル、無線ＬＡＮ、光ファイバ等で生産管理システム等に接続すれば、工程を外部から一律管理することが可能となり、生産性を向上させることに繋がる。なお、着弾した組成物の乾燥を早め、また組成物の溶媒成分を除去するために、真空排気を行って、減圧下で動作させてもよい。
【０１３２】
実施例の製造装置において、被成膜基板とプレートとの間隔距離を１００ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下の距離範囲に狭めることによって、真空チャンバー内への材料の飛散を抑えることができる。従って、成膜室内のクリーニングなどのメンテナンス間隔を長くすることができる。また、本実施例の製造装置において、第１の成膜室７０２をフェイスアップ方式の成膜装置とし、第２の成膜室７１２をフェイスダウン方式の成膜室としているため、基板搬送途中でプレートや被成膜基板を反転させずにスムーズな成膜処理を行える構造となっている。
【０１３３】
マルチチャンバー方式の製造装置において、少なくとも第２の成膜室７１２を一室有していれば、本発明の効果が十分得られる。従って、公知の成膜方法、例えば蒸着法を用いる成膜室を第２の成膜室７１２に連結して設けてもよい。
【０１３４】
なお、本実施例に示す製造装置は、実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３に示した成膜装置を自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１３５】
例えば、第２の成膜室７１２を実施の形態２に示したフェイスアップ方式の成膜装置とする場合には、第１の成膜室７０２から第２の成膜室７１２の搬送の途中でプレートの表裏を反転させる機構を設ける。また、第１の成膜室７０２として蒸着法を用いたフェイスダウン方式の成膜装置を用いれば、第２の成膜室７１２を実施の形態２に示したフェイスアップ方式の成膜装置とした場合にスムーズな成膜処理を行える構造とすることができる。
【０１３６】
また、第２の成膜室７１２を実施の形態３に示した基板縦置きの成膜装置とする場合には、第１の成膜室７０２から第２の成膜室７１２の搬送の途中でプレート面を水平面に対して垂直にする機構を設ける。また、被成膜基板も第２ロード室７１１から第２の成膜室７１２の搬送の途中で被成膜面を水平面に対して垂直にする機構を設ける。
【実施例２】
【０１３７】
ここではガラス基板にパッシブマトリクス型の発光装置を作製する例を図１１、図１２、及び図１３を用いて説明する。
【０１３８】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型）発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層或いは蛍光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。
【０１３９】
図１１（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図１１（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図１１（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図１１（Ｃ）である。
【０１４０】
第１の基板１５０１上には、下地膜として絶縁膜１５０４を形成する。なお、下地膜が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁膜１５０４上には、ストライプ状に複数の第１の電極１５１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極１５１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁１５１４が設けられ、開口部を有する隔壁１５１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域１５２１となる。
【０１４１】
開口部を有する隔壁１５１４上に、第１の電極１５１３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁１５２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁１５２２はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。
【０１４２】
また、平行な複数の逆テーパ状の隔壁１５２２を形成した直後における斜視図を図１２に示す。なお、図１１と同一の部分には同一の符号を用いている。
【０１４３】
逆テーパ状の隔壁１５２２の高さは、発光層を含む積層膜及び導電膜の膜厚より大きく設定する。図１２に示す構成を有する第１の基板１５０１に対して発光層を含む積層膜と、導電膜とを積層形成すると、図１１に示すように電気的に独立した複数の領域に分離され、発光層を含む積層膜１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂと、第２の電極１５１６とが形成される。第２の電極１５１６は、第１の電極１５１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁１５２２上にも発光層を含む積層膜及び導電膜が形成されるが、発光層を含む積層膜１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂ及び第２の電極１５１６とは分断されている。
【０１４４】
ここでは、発光層を含む積層膜１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂを選択的に形成し、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。発光層を含む積層膜１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂはそれぞれ互いに平行なストライプパターンで形成されている。
【０１４５】
本実施例では、実施例１に示した第２の成膜室７１２を用いて発光層を含む積層膜を順次形成する。赤色の発光が得られる発光層を形成した第１プレート、緑色の発光が得られる発光層を形成した第２プレート、青色の発光が得られる発光層を形成した第３プレートをそれぞれ用意して、実施例１に示した第２の成膜室７１２に搬入する。そして、第１の電極１５１３が設けられた基板も第２の成膜室７１２に搬入する。そして、基板と同じもしくはそれより広い面積で加熱する熱源により第１プレート面を加熱して蒸着を行う。次いで、第２プレート、第３プレートと適宜、蒸着を選択的に行う。実施例１に示した第２の成膜室を用いることでマスクの回り込みを防ぐことができるため、逆テーパ状の隔壁１５２２を不要とすることができる。また、第２の成膜室７１２は、膜厚均一性が３％未満と優れているため、所望の膜厚の発光層を得ることができ、発光装置の色ムラを低減することができる。従って、実施例１に示す第２の成膜室は、パッシブマトリクス型の発光装置の製造装置として有用である。
【０１４６】
また、全面に同じ発光色を発光する発光層を含む積層膜を形成し、単色の発光素子を設けてもよく、モノクロ表示可能な発光装置、或いはエリアカラー表示可能な発光装置としてもよい。また、白色発光が得られる発光装置として、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【０１４７】
また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。ここでは、第２の基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて第１の基板１５０１と第２の基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。また、発光装置の信頼性を向上させるために、第１の基板１５０１と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【０１４８】
ただし、発光素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合には、乾燥材は、特に設けなくともよい。
【０１４９】
次いで、ＦＰＣなどを実装した発光モジュールの上面図を図１３に示す。
【０１５０】
なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【０１５１】
図１３に示すように画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０１５２】
図１１における第１の電極１５１３が図１３の走査線１６０３に相当し、第２の電極１５１６がデータ線１６０２に相当し、逆テーパ状の隔壁１５２２が隔壁１６０４に相当する。データ線１６０２と走査線１６０３の間には発光層が挟まれており、領域１６０５で示される交差部が画素１つ分となる。
【０１５３】
なお、走査線１６０３は配線端で接続配線１６０８と電気的に接続され、接続配線１６０８が入力端子１６０７を介してＦＰＣ１６０９ｂに接続される。また、データ線１６０２は入力端子１６０６を介してＦＰＣ１６０９ａに接続される。
【０１５４】
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１５５】
以上の工程でフレキシブルなパッシブマトリクス型の発光装置を作製できる。本発明の成膜装置を用いて、逆テーパー形状の隔壁を不要とすることができれば、大幅に素子構造を簡素化でき、また作製工程に要する時間を短縮できる。
【０１５６】
また、図１３では、駆動回路を基板上に設けていない例を示したが、以下に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。
【０１５７】
ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。
【実施例３】
【０１５８】
本実施例では、本発明の成膜装置を用いて形成された発光装置について図１４を用いて説明する。なお、図１４（Ａ）は発光装置を示す上面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された１７０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、１７０２は画素部、１７０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、１７０４は封止基板、１７０５はシール材であり、シール材１７０５で囲まれた内側である１７０７は、空間になっている。
【０１５９】
なお、１７０８はソース側駆動回路１７０１及びゲート側駆動回路１７０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１６０】
次に、断面構造について図１４（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１７１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路１７０１と、画素部１７０２が示されている。
【０１６１】
なお、ソース側駆動回路１７０１はｎチャネル型ＴＦＴ１７２３とｐチャネル型ＴＦＴ１７２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成する回路は、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０１６２】
また、画素部１７０２はスイッチング用ＴＦＴ１７１１と、電流制御用ＴＦＴ１７１２とそのドレインに電気的に接続された陽極１７１３とを含む複数の画素により形成される。なお、陽極１７１３の端部を覆って絶縁物１７１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【０１６３】
また、膜被覆性を良好なものとするため、絶縁物１７１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１７１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物１７１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１７１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化珪素、酸窒化珪素等、の両者を使用することができる。
【０１６４】
陽極１７１３上には、発光素子１７１５および陰極１７１６がそれぞれ形成されている。ここで、陽極１７１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、ＩＴＳＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。また、陽極１７１３をＩＴＯ膜とし、陽極１７１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１７１２の配線を、窒化チタン、アルミニウムを主成分とする膜との積層構造、または窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極１７１３を陽極として機能させることができる。また、陽極１７１３は、発光素子１７１５における第１の陽極と同一の物質で形成されていても良い。もしくは、陽極１７１３は発光素子１７１５の第１の陽極と接して積層されていても良い。
【０１６５】
また、発光素子１７１５は、陽極１７１３と有機化合物を含む層１７００と陰極１７１６とを積層した構成であり、具体的には、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、または電子注入層を適宜、積層する。実施の形態１乃至実施の形態３のいずれか一の成膜装置を用いて形成すればよい。本実施例では、実施例１に示す製造装置を用いて作製する。また、実施例１に示す製造装置は、膜厚均一性が３％未満と優れているため、所望の膜厚を得ることができ、発光装置の輝度バラツキを低減することができる。
【０１６６】
さらに、陰極１７１６に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）を用いればよいが、これらに限定されることはなく、適切な電子注入材料を選択することにより、多様な導電膜を適用することができる。なお、発光素子１７１５からの発光を陰極１７１６を透過させる場合には、陰極１７１６として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透光性導電膜ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、ＩＴＳＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いる手法が考えられる。また、陰極１７１６は、発光素子１７１５における第２の陰極と同一の物質で形成されていても良い。もしくは、陰極１７１６は発光素子１７１５の第２の陰極と接して積層されていても良い。
【０１６７】
さらにシール材１７０５で封止基板１７０４を素子基板１７１０と貼り合わせることにより、素子基板７１０、封止基板１７０４、およびシール材１７０５で囲まれた空間１７０７に発光素子１７１５が備えられた構造になっている。なお、空間１７０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１７０５で充填される構成も含むものとする。
【０１６８】
なお、シール材１７０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１７０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１６９】
以上のようにして、本発明の発光素子を有する発光装置を得ることができる。アクティブマトリクス型の発光装置は、ＴＦＴを作製するため、１枚あたりの製造コストが高くなりやすいが、実施例１に示す本発明の製造装置に大面積基板を用いて基板１枚当りの成膜処理時間を大幅に短縮し、発光装置１つ当たりの大幅な低コスト化を図ることができる。従って、実施例１に示す本発明の製造装置は、アクティブマトリクス型の発光装置の製造装置として有用である。
【０１７０】
なお、本実施例に示す発光装置は、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、に示した成膜装置、または実施の形態４に示した成膜方法を自由に組み合わせて実施することが可能である。さらに本実施例に示す発光装置は、必要に応じてカラーフィルター等の色度変換膜を用いてもよい。
【実施例４】
【０１７１】
本実施例では、本発明の成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置を用いて完成させた様々な電気器具について、図１５を用いて説明する。
【０１７２】
本発明の成膜装置を用いて形成された電気器具として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）、照明器具などが挙げられる。これらの電気器具の具体例を図１５に示す。
【０１７３】
図１５（Ａ）は表示装置であり、筐体８００１、支持台８００２、表示部８００３、スピーカー部８００４、ビデオ入力端子８００５等を含む。本発明を用いて形成される発光装置をその表示部８００３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。本発明の製造装置により大幅な製造コストの低減を図ることができ、安価な表示装置を提供することができる。また、本発明の成膜装置は、膜厚均一性が３％未満と優れているため、所望の膜厚を得ることができ、表示部８００３の表示バラツキを低減することができる。
【０１７４】
図１５（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、キーボード８１０４、外部接続ポート８１０５、ポインティングデバイス８１０６等を含む。本発明の成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置をその表示部８１０３に用いることにより作製される。本発明の製造装置により大幅な製造コストの低減を図ることができ、安価なノート型パーソナルコンピュータを提供することができる。また、本発明の成膜装置は、膜厚均一性が３％未満と優れているため、所望の膜厚を得ることができ、表示部８１０３の表示バラツキを低減することができる。
【０１７５】
図１５（Ｃ）はビデオカメラであり、本体８２０１、表示部８２０２、筐体８２０３、外部接続ポート８２０４、リモコン受信部８２０５、受像部８２０６、バッテリー８２０７、音声入力部８２０８、操作キー８２０９、接眼部８２１０等を含む。本発明の成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置をその表示部８２０２に用いることにより作製される。本発明の製造装置により大幅な製造コストの低減を図ることができ、安価なビデオカメラを提供することができる。また、本発明の成膜装置は、膜厚均一性が３％未満と優れているため、所望の膜厚を得ることができ、表示部８２０２の表示バラツキを低減することができる。
【０１７６】
図１５（Ｄ）は卓上照明器具であり、照明部８３０１、傘８３０２、可変アーム８３０３、支柱８３０４、台８３０５、電源８３０６を含む。本発明の成膜装置を用いて形成される発光装置を照明部８３０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。本発明の製造装置により大幅な製造コストの低減を図ることができ、安価な卓上照明器具を提供することができる。また、本発明の成膜装置は、膜厚均一性が３％未満と優れているため、所望の膜厚を得ることができ、発光装置の輝度バラツキを低減することができる。
【０１７７】
ここで、図１５（Ｅ）は携帯電話であり、本体８４０１、筐体８４０２、表示部８４０３、音声入力部８４０４、音声出力部８４０５、操作キー８４０６、外部接続ポート８４０７、アンテナ８４０８等を含む。本発明の成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置をその表示部８４０３に用いることにより作製される。本発明の製造装置により大幅な製造コストの低減を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。また、本発明の成膜装置は、膜厚均一性が３％未満と優れているため、所望の膜厚を得ることができ、表示部８４０３の表示バラツキを低減することができる。
【０１７８】
以上のようにして、本発明の成膜装置を用いて形成された発光素子を用いた電気器具や照明器具を得ることができる。本発明の成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電気器具に適用することが可能である。
【０１７９】
なお、本実施例に示す発光装置は、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、に示した成膜装置、または実施の形態４に示した成膜方法を自由に組み合わせて実施することが可能である。また、実施例１乃至３のいずれか一を自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例５】
【０１８０】
本実施例では、本発明の成膜装置の一例について図１６および図１７を用いて説明する。なお、図１６（Ａ）は成膜装置の断面図、図１６（Ｂ）は成膜装置の上面図である。
【０１８１】
図１６において、成膜室８０１は、真空チャンバーであり、第１のゲート弁８０２、及び第２のゲート弁８０３によって他の処理室と連結している。また、成膜室８０１内には、第１の基板支持手段である基板支持機構８１３と、第２の基板支持手段である被成膜基板支持機構８０５と、熱源としてハロゲンランプ８１０を有している。ハロゲンランプ８１０は、急速加熱が可能であり、また、発光させる時間の間隔を変化させることにより、第１の基板８０７の加熱の制御が可能である。また、急速加熱が可能であるため、ヒーターを用いた場合の上下機構やシャッター等を簡略化できる。従って、さらなる成膜装置の小型化が図れる。
【０１８２】
まず、他の成膜室において、支持基板である第１の基板８０７上に材料層８０８を形成する。本実施例では、第１の基板８０７として、チタン膜を成膜したガラス基板を用いる。チタンは、熱源であるハロゲンランプの発光波長である１１００ｎｍ〜１２００ｎｍ付近の光を効率良く吸収することができるため、チタン膜上に形成した材料層８０８を効率良く加熱することができる。また、材料層８０８としては、蒸着可能であり、蒸着温度が異なる複数の材料が積層された層を用いる。なお、本実施例では、第１の基板８０７として、被成膜基板と面積が同じ基板を用いる。また、本実施例では、材料層８０８は、湿式法を用いて、正孔輸送性の高い物質を含む層上に、金属酸化物を含む層を積層する。正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とは、同じ溶媒に溶解して混合溶液を調整することが困難であるため、湿式法で混合層を直接形成することが難しい。よって、正孔輸送性の高い物質を含む層上に金属酸化物を含む層を湿式法により積層することは容易である。そして、本発明の成膜方法を用いることにより、混合層を容易に作製することができる。
【０１８３】
図１６（Ａ）において点線で示したように、他の成膜室から第１の基板８０７を成膜室８０１に搬送し、基板支持機構８１３にセットする。搬送する際には、可動手段８１５によりリフレクタシャッター８０４を開け、そこから基板支持機構８１３にセットする。また、第１の基板８０７における材料層８０８の形成されている面と、被成膜基板である第２の基板８０９の被成膜面とが、対向するように、第１の基板８０７を基板支持機構８１３に固定する。
【０１８４】
なお、成膜室８０１内は、真空排気しておくことが好ましい。具体的には、真空度が５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−４Ｐａ乃至１０−６Ｐａ程度の範囲まで真空排気する。成膜室に連結して設けられる真空排気手段は、大気圧から１Ｐａ程度をオイルフリーのドライポンプで真空排気し、それ以上の圧力は磁気浮上型のターボ分子ポンプまたは複合分子ポンプにより真空排気する。このようにすることで、排気手段から主に油などの有機物による汚染を防止している。内壁面は、電解研磨により鏡面処理し、表面積を減らしてガス放出を防いでいる。
【０１８５】
第２の基板８０９は、固定手段８１７により、被成膜基板支持機構８０５に固定される。被成膜基板支持機構８０５の内部には熱媒体を流すチューブ８１１が設けられている。熱媒体を流すチューブ８１１により、被成膜基板支持機構８０５は、適切な温度を保つことができる。例えば、冷水を流すことにより被成膜基板を冷やしてもいいし、温水を流すことにより、被成膜基板を加熱してもよい。
【０１８６】
次に、図１７に示すように、第１の基板８０７と第２の基板８０９の基板間隔が距離ｄとなるように近づける。なお、距離ｄは、第１の基板８０７上に形成された材料層８０８の表面と、第２の基板８０９の表面との距離で定義する。また、第２の基板８０９上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁層等）が形成されている場合、距離ｄは、第１の基板８０７上の材料層８０８の表面と、第２の基板８０９上に形成された層の表面との距離で定義する。ただし、第２の基板８０９或いは第２の基板８０９上に形成された層の表面に凹凸を有する場合は、距離ｄは、第１の基板８０７上の材料層８０８の表面と、第２の基板８０９或いは第２の基板８０９上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義する。なお、図１６及び図１７で示す装置の基板間隔である距離ｄは、０．０５ｍｍを下限として近づけることができる。さらに、静電チャックなどを設けて基板の反り、撓みなどを無くせば、ガラス基板であっても石英基板であっても基板間隔ｄは０．０１ｍｍまで可能である。
【０１８７】
また、本実施例で示す成膜装置では、基板間隔の制御は、被成膜基板支持機能８０５が上下すること、および第１の基板支持機構８１３である基板リフトピンが第１の基板８０７を持ち上げて上下することより行う。可動手段８１４により、石英で形成された基板リフトピンが上下し、第１の基板８０７を持ち上げる。
【０１８８】
なお、本実施例では、待機時の熱源（ヒーター）の輻射による支持基板上の材料層８０８への熱の影響を緩和するため、待機時（蒸着処理前）は熱源であるハロゲンランプ８１０と第１の基板８０７（支持基板）との距離を５０ｍｍとしている。
【０１８９】
基板間隔を距離ｄに保持した状態で、ハロゲンランプ８１０により加熱処理を行う。まず、予備加熱として、ランプヒーターの出力を１５秒間６０℃に保つ。予備加熱を行うことにより、ハロゲンランプの出力が安定する。その後、加熱処理を行う。加熱処理は、５００℃〜８００℃を７〜１５秒間程度保持する。加熱処理に要する時間は蒸着材料により異なるため、適宜設定する。なお、ハロゲンランプ８１０からの光が散乱して成膜室全体が加熱されないように、リフレクタ８１６およびリフレクタシャッター８０４が設けられている。
【０１９０】
ハロゲンランプ８１０からの光を第１の基板８０７上に形成されているチタン膜が吸収し、加熱されることにより、チタン膜上の材料層８０８が加熱され蒸発し、対向して配置された第２の基板８０９の被成膜面（すなわち、下平面）に蒸着材料が成膜される。図１６および図１７に示す成膜装置において、予め第１の基板８０７に材料層８０８が均一な膜厚で得られていれば、膜厚モニターを設置しなくとも、第２の基板８０９に膜厚均一性の高い成膜を行うことができる。また、従来の蒸着装置は、基板を回転させていたが、図１１および図１６に示す成膜装置は、被成膜基板を固定して成膜するため、割れやすい大面積のガラス基板への成膜に適している。また、図１６および図１７に示す成膜装置は、成膜中、支持基板も停止して成膜する。
【０１９１】
本実施例で示した成膜装置を用いることにより、本発明に係る発光装置を作製することが可能である。本発明は、蒸着源を湿式法で容易に準備できる。また、蒸着源をそのまま蒸着すればよいため、膜厚モニターを不要にできる。よって、成膜工程を全自動化でき、スループットの向上を図ることができる。また、成膜室内壁に蒸着材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。
【０１９２】
なお、本実施例に示す成膜装置は、実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３に示した成膜装置を自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例６】
【０１９３】
図１６および図１７に示した成膜装置を用いて成膜の均一性を比較する実験を行った。
【０１９４】
まず、スピンコート法により、Ａｌｑを含む材料液を滴下して第１の基板を回転（１０００ｒｐｍ、成膜時間３３秒）させ、第１の基板上に第１の有機層を形成した。Ａｌｑを含む材料液は、溶媒としてクロロホルムを用い、Ａｌｑを分散させた材料液を用意した。重量比（クロロホルム：Ａｌｑ）が１：０．００２５となるようにする。
【０１９５】
そして、第１の基板の周縁部に対してアセトンを染みこませた布で拭き、第１の基板の周縁部における第１の有機層を除去した。
【０１９６】
第１の基板上に成膜された第１の有機層のうち、８ｃｍ×８ｃｍのエリア内の９点で膜厚測定を行った結果を次に示す。
【０１９７】
第１の基板上に成膜された第１の有機層の第１ポイントは２２．２ｎｍ、第２ポイントは２３．４ｎｍ、第３ポイントは２３．１ｎｍ、第４ポイントは２２．６ｎｍ、第５ポイントは２４．８ｎｍ、第６ポイントは２３．５ｎｍ、第７ポイントは２２．５ｎｍ、第８ポイントは２１．３ｎｍ、第９ポイントは２３．１ｎｍと測定された。
【０１９８】
測定された結果から算出される平均膜厚は、２２．９４ｎｍとなり、膜厚分布は７．５９％となった。
【０１９９】
次に、第２の基板としてガラス基板を用意し、第１の基板の第１の有機層が設けられている面に対向するように配置する。第１の基板と第２の基板の間隔ｄは、１ｍｍとした。そして１２秒のランプによる加熱を行った。
【０２００】
加熱後、第２の基板上に第２の有機層が均一な膜厚で形成された。第２の基板上に成膜された第２の有機層のうち、８ｃｍ×８ｃｍのエリア内の９点で膜厚測定を行った結果を次に示す。
【０２０１】
第２の基板上に成膜された第２の有機層の第１ポイントは２１．８ｎｍ、第２ポイントは２２．２ｎｍ、第３ポイントは２２．５ｎｍ、第４ポイントは２２．８ｎｍ、第５ポイントは２２．２ｎｍ、第６ポイントは２２．３ｎｍ、第７ポイントは２２．５ｎｍ、第８ポイントは２２．８ｎｍ、第９ポイントは２２．８ｎｍと測定された。
【０２０２】
測定された結果から算出される平均膜厚は、２２．４３ｎｍとなり、膜厚分布は２．２４％となった。
【０２０３】
このように、本発明の成膜装置を用いることにより、第２の基板上に形成される第２の有機層の膜厚分布は±３％未満とすることができる。
【実施例７】
【０２０４】
本実施例では、実施例６に示した成膜装置を用いて成膜を行った場合、距離ｄの条件を振って成膜の様子を確認する実験を行った。
【０２０５】
第１の基板上にチタン膜（膜厚４００ｎｍ）を成膜し、さらにその上に膜厚５０ｎｍのＮＰＢ膜を成膜した。
【０２０６】
図１６及び図１７の装置にそれぞれ第１の基板と、第２の基板とを距離ｄ空けて配置し、ハロゲンランプによる８秒間の加熱処理を行って、第２の基板上に成膜を行った。
【０２０７】
距離ｄは３条件（１ｍｍ、３００μｍ、５０μｍ）振り、それぞれ第２の基板上に成膜を行った。
【０２０８】
第２の基板上に得られたＮＰＢからなる成膜パターンの端部を距離ゼロとし、端部（エッジ）からの距離（ｍｍ）を横軸とし、縦軸を膜厚（ｎｍ）として測定した結果を図１８に示す。
【０２０９】
距離ｄが１ｍｍの場合、膜端部から膜中心部に向かって膜厚が厚くなっており、約６ｍｍ程度まで膜厚が増加していることがわかる。発光素子に用いる薄膜は均一な膜であることが望ましいため、距離ｄを１ｍｍとして成膜した場合、エッジから６ｍｍまでの不均一な膜厚部分を除いた領域に発光素子を作製する。
【０２１０】
また、距離ｄが１ｍｍよりも小さくなる、即ち、距離ｄが３００μｍ、５０μｍとなると不均一な膜厚部分は、エッジから約０．５ｍｍと狭くなっている。従って、距離ｄが小さければ小さいほど、発光素子を作製することが可能な膜厚均一領域が拡大でき、有効に材料を使用することができると言える。
【０２１１】
また、図１８の結果から、距離ｄが小さければ小さいほど第２の基板上に成膜されるＮＰＢの膜厚が厚いことが読み取れる。このことから、第１の基板に成膜した５０ｎｍのＮＰＢを用いて、第２の基板上に５０ｎｍに近いＮＰＢの成膜を得ている。即ち、距離ｄが小さければ小さいほど成膜材料のロスを低減できていると言える。
本実施例では、実施例６に示した成膜装置を用いて成膜を行った場合、距離ｄの条件を振って成膜の様子を確認する実験を行った。
【０２１２】
第１の基板上にチタン膜（膜厚４００ｎｍ）を成膜し、さらにその上に膜厚５０ｎｍのＮＰＢ膜を成膜した。第１の基板として５インチ基板を用い、１０８ｍｍ×１０８ｍｍの面積にＮＰＢ膜の成膜を行った。
【０２１３】
図１６及び図１７の装置にそれぞれ第１の基板と、第２の基板とを距離ｄ空けて配置し、ハロゲンランプによる８秒間の加熱処理を行って、第２の基板上に成膜を行った。
【０２１４】
距離ｄは３条件（１ｍｍ、３００μｍ、５０μｍ）振り、それぞれ第２の基板上に成膜を行った。
【０２１５】
第２の基板上に得られたＮＰＢからなる成膜パターンの端部を距離ゼロとし、端部（エッジ）からの距離（ｍｍ）を横軸とし、縦軸を膜厚（ｎｍ）として測定した結果を図１８に示す。
【０２１６】
図１８中に示したＴ／Ｓ間距離とは、距離ｄに相当するパラメータであり、距離ｄが１ｍｍの場合、膜端部から膜中心部に向かって膜厚が厚くなっており、約６ｍｍ程度まで膜厚が増加していることがわかる。発光素子に用いる薄膜は均一な膜であることが望ましいため、距離ｄを１ｍｍとして成膜した場合、エッジから６ｍｍまでの不均一な膜厚部分を除いた領域に発光素子を作製する。
【０２１７】
また、距離ｄが１ｍｍよりも小さくなる、即ち、距離ｄが３００μｍ、さらに距離ｄが５０μｍとなると不均一な膜厚部分は、エッジから約０．５ｍｍと狭くなっている。従って、距離ｄが小さければ小さいほど、発光素子を作製することが可能な膜厚均一領域が拡大でき、有効に材料を使用することができると言える。
【０２１８】
また、図１８の結果から、距離ｄが小さければ小さいほど第２の基板上に成膜されるＮＰＢの膜厚が厚いことが読み取れる。このことから、第１の基板に成膜した５０ｎｍのＮＰＢを用いて、第２の基板上に５０ｎｍに近いＮＰＢの成膜を得ている。即ち、距離ｄが小さければ小さいほど成膜材料のロスを低減できていると言える。
【図面の簡単な説明】
【０２１９】
【図１】成膜装置の断面を示す図。
【図２】成膜装置の断面を示す図。
【図３】成膜装置の断面を示す図。
【図４】成膜装置の断面を示す図。
【図５】成膜の様子を示す斜視図。
【図６】成膜の様子を示す斜視図。
【図７】成膜の様子を示す斜視図。
【図８】製造装置の上面を示す図。
【図９】製造装置の断面を示す図。
【図１０】成膜室の断面を示す図。
【図１１】パッシブマトリクス型発光装置の上面図および断面図。
【図１２】パッシブマトリクス型発光装置の斜視図。
【図１３】パッシブマトリクス型発光装置の上面図。
【図１４】発光装置の構造を示す図。
【図１５】電気器具の例を示す図。
【図１６】成膜装置の例を示す図。
【図１７】成膜装置の例を示す図。
【図１８】成膜パターンの端部からの膜厚分布を示すグラフ。
【符号の説明】
【０２２０】
１０１：成膜室
１０２：第１のゲート弁
１０３：第２のゲート弁
１０４：第１の基板支持手段
１０５：第２の基板支持手段
１０６：熱源
１０７：第１の基板
１０８：材料層
１０９：第２の基板
１１０：ランプ
１１１：チューブ
２０１：成膜室
２０２：第１のゲート弁
２０３：第２のゲート弁
２０４：第２の基板支持手段
２０５：第１の基板支持手段
２０６：熱源
２０７：第２の基板
２０８：材料層
２０９：第１の基板
２１０：ランプ
３０１：成膜室
３０４：第１の基板支持手段
３０５：第２の基板支持手段
３０７：第１の基板
３０８：材料層
３０９：第２の基板
３１０：ランプ
４００：第２の材料層
４０６：熱源
４０７：第１の基板
４０８：第１の材料層
４０９：第２の基板
４１３：ヘッド
５０６：熱源
５０７：第１の基板
５０８：第１の材料層
５０９：第２の基板
５１８：熱伝導層
５１９：第１の材料層
５２０：第１の材料層
７０１：第１ロード室
７０２：第１成膜室
７０３：第１ゲート弁
７０４：第２ゲート弁
７０５：第１ストック室
７０６：第２ストック室
７０７：第３ゲート弁
７０８：第４ゲート弁
７０９：搬送室
７１０：第５ゲート弁
７１１：第２ロード室
７１２：第２成膜室
７１３：第５ゲート弁
７１４：第６ゲート弁
７１５：アンロード室
７１６：カセット
７１７：搬送ロボット
７１８：ステージ
７１９：ノズル
７２０：プレート
７２１：材料層
７２２：ホットプレート
７２３：搬送ロボット
７２４：プレートストックホルダ
７２５：搬送ロボット
７２６：カセット
７２７：搬送ロボット
７２８：搬送ロボット
７２９：マスクストックホルダ
７３０：カセット
７３３：マスク
７３４：プレート支持台
７３５：第２の基板支持台
７３６：熱源
７３９：第２の基板
８０１：成膜室
８０２：第１のゲート弁
８０３：第２のゲート弁
８０４：リフレクタシャッター
８０５：被成膜基板支持機構
８０７：第１の基板
８０８：材料層
８０９：第２の基板
８１０：ハロゲンランプ
８１１：チューブ
８１３：基板支持機構
８１４：可動手段
８１５：可動手段
８１６：リフレクタ
８１７：固定手段
１１００：アライメント位置制御部
１１０１：ステージ位置制御部
１１０２：モニター
１１０３：制御部
１１２０：撮像手段
１１２１：ヘッド
１１２２：ステージ
１１２３：インクボトル
１１２４：基板
１１２５：液滴吐出手段
１５０１：第１の基板
１５０４：絶縁膜
１５１３：第１の電極
１５１４：隔壁
１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂ：発光層を含む積層膜
１５１６：第２の電極
１５２１：発光領域
１５２２：逆テーパ状の隔壁
１６０１：第１の基板
１６０２：データ線
１６０３：走査線
１６０４：隔壁
１６０５：領域
１６０７：入力端子
１６０８：接続配線
１６０９ａ、１６０９ｂ：ＦＰＣ
１７００：有機化合物を含む層
１７０１：ソース側駆動回路
１７０２：画素部
１７０３：ゲート側駆動回路
１７０４：封止基板
１７０５：シール材
１７０７：空間
１７０９：ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１７１０：素子基板
１７１１：スイッチング用ＴＦＴ
１７１２：電流制御用ＴＦＴ
１７１３：陽極
１７１４：絶縁物
１７１５：発光素子
１７１６：陰極
１７２３：ｎチャネル型ＴＦＴ
１７２４：ｐチャネル型ＴＦＴ
８００１：筐体
８００２：支持台
８００３：表示部
８００４：スピーカー部
８００５：ビデオ入力端子
８１０１：本体
８１０２：筐体
８１０３：表示部
８１０４：キーボード
８１０５：外部接続ポート
８２０１：本体
８２０２：表示部
８２０３：筐体
８２０４：外部接続ポート
８２０５：リモコン受信部
８２０６：受像部
８２０７：バッテリー
８２０８：音声入力部
８２０９：操作キー
８３０１：照明部
８３０２：傘
８３０３：可変アーム
８３０４：支柱
８３０５：台
８３０６：電源
８４０１：本体
８４０２：筐体
８４０３：表示部
８４０４：音声入力部
８４０５：音声出力部
８４０６：操作キー
８４０７：外部接続ポート
８４０８：アンテナ
【図１】
2008163457.tif 000003
【図２】
2008163457.tif 000004
【図３】
2008163457.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008163457.tif 000009
【図８】
2008163457.tif 000010
【図９】
2008163457.tif 000011
【図１０】
2008163457.tif 000012
【図１１】
2008163457.tif 000013
【図１２】
2008163457.tif 000014
【図１３】
2008163457.tif 000015
【図１４】
2008163457.tif 000016
【図１５】
2008163457.tif 000017
【図１６】
2008163457.tif 000018
【図１７】
2008163457.tif 000019
【図１８】
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