(57)【要約】【課題】比較的安価なＣＯ2レーザーを用いて、ＭＥＭＳに適した微小な穴径での穴開け加工を可能とし、被加工物の損傷も無く、さらに、開口した穴の周囲に盛り上がり等を発生させず、穴同士のピッチも小さくできるレーザーを用いた基板への穴開け方法を提供する。【解決手段】ＣＯ2レーザーを照射して基板へ穴を開ける方法において、レーザービーム２８の照射時に被加工物の溶融成分を吸引しながら行うＣＯ2レーザーでの基板への穴開け方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＯ2レーザーを照射して基板へ穴を開ける方法において、レーザービームの照射時に被加工物の溶融成分を吸引しながら行うことを特徴とするＣＯ2レーザーでの基板への穴開け方法。
【請求項２】
穴開け後にアニール処理を施すことを特徴とする請求項１に記載のＣＯ2レーザーでの基板への穴開け方法。
【請求項３】
ＣＯ2レーザーを照射して基板へ穴を開ける装置において、被加工物に対向してレーザービームを照射するノズル部分に、レーザービームの照射時に被加工物の溶融成分を吸引し得る吸引部材を設けたことを特徴とするＣＯ2レーザーでの基板への穴開け装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＯ2レーザー（炭酸ガスレーザー）でガラス、セラミックス等の基板に穴を開ける方法及び装置に関し、さらに詳しくは、ＭＥＭＳ（微少電気機械システム）分野における陽極接合用ガラスに関し、特に貫通電極用ガラスに穴を開ける方法と装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＭＥＭＳ分野においては、圧力センサ、加速度センサ、光デバイス、各種スイッチといった電気的素子と機械的素子の両方を兼ね備えた機能素子（マイクロデバイス）をシリコン基板等の上に形成し、ガラス基板で封止して製作されている。
【０００３】
このガラス基板とシリコン基板等の接着は、従来、接着剤を用いて接着されていたが、接着時の接着剤の揮発成分による機能素子部分の汚染防止や機能素子部分のパッケージ内を真空化させて機能素子の動作の円滑化や酸化防止、断熱効果を得るため、最近では陽極接合と呼ばれる接着剤を使用しない方法で接合されるようになっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
上記陽極接合とは、ガラス基板とシリコン基板を重ねて電圧印加しつつ加熱することにより、ガラス基板とシリコン基板の界面で発生する静電引力等でガラス基板とシリコン基板が接合される接合方法である。
【０００５】
また、最近では上記のＭＥＭＳ部品をさらに微小化するため、ガラス基板に貫通穴を形成し、上記貫通穴を通じて貫通電極を設けて、ガラス基板から直接電極を取る構造とし、電極の取り回しを微小化している。
【０００６】
上記のことから、ＭＥＭＳ部品の製造には、ガラス基板への精度の良い微細な貫通穴の形成が重要となってきている。また、量産性から、高速で低コストでの加工も求められてきている。
【０００７】
このガラス基板への貫通穴の形成は、従来より、以下のような各種の手法が用いられており、例えば、１）スピニングドリル、２）超音波加工、３）サンドブラスト、４）ウエットエッチング、５）ドライエッチング、６）フェムト秒レーザー、によるものがあげられる。
【０００８】
また、ＣＯ2レーザーを用いて、インクジェットヘッド等に用いられるガラスやセラミックス等への穴開け加工も行われている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−３５８６０３号公報（段落００５８）
【特許文献２】特開２００４−２９１０２６号公報（請求項１、請求項２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記した従来のガラス基板への貫通穴の形成法は次のような問題があった。
１）スピニングドリルは、穴開けに時間を要すると共に、ＭＥＭＳ用としてはドリルの径を細くしなければならなかったり、穴間のピッチを狭くできないという問題があった。
２）超音波加工は、小さな穴開けが困難であり（最小穴径が０．３５ｍｍ）、また、穴間のピッチを狭くできないという問題がある。
３）サンドブラストは、マスクが必要であり、穴開けに時間を要し、また、小さな穴開け加工ができない（深さは開口径を超えることができない）と共に穴間のピッチを狭くできないという問題や開口した穴の内部が荒れ、陽極接合した際に機能素子部分のパッケージ内の気密性が保てない問題があり、陽極接合には向かない問題がある。
４）ウエットエッチングは、マスクが必要であり、穴開けに時間を要し、また穴間のピッチを狭くできず、深い穴開けには向かない（加工深さ：最大０．２ｍｍ）と共に、穴の端がだれるという問題があった。
５）ドライエッチングは、マスクが必要であり、穴開けに時間を要し、また装置が非常に高価であるという問題がある。
６）フェムト秒レーザーは、穴開けに時間を要すると共に、装置が非常に高価であるという問題がある。
【００１０】
また、特許文献２の方法は低コストなＣＯ2レーザーによる穴開け加工に関するものであるが、特許文献２中に記載があるように、通常、単純にＣＯ2レーザーでガラス等に穴開けを行った場合、加工熱によりガラス等に歪みが発生し、クラックが発生することになるため、加工部位の周辺を加工用のレーザー以外のレーザーや赤外線等で加熱し、加工部位とその周辺の温度勾配を低減することにより歪みを軽減し、クラックを防止する方法が開示されている。
【００１１】
しかし、特許文献２のように２種類のレーザーを用いた場合、レーザー部分のコストが倍増したり、それぞれの制御機構が必要になったりするなど装置のコストが高くなる問題や制御機構が複雑化し調整等が困難になる問題がある。
【００１２】
また、特許文献２や一般的なレーザーでの穴開け加工は照射されたレーザーの熱により被加工物を蒸発させ、あるいはアシストガスで溶融成分を飛散させて行われている。
【００１３】
しかし、上記のように加工部分の被加工物を蒸発させる方法や、アシストガスで溶融成分を飛散させる方法では、穴開け部分に大きな熱量を加えなければならず、また、溶融部分の面積も大きなものとなるため、穴径が大きくなったり、溶融部分が加工部分周囲に飛散することにより、穴の周囲に盛り上がり等が生じたりすることになる。
【００１４】
このため、上記方法はＭＥＭＳのような微細加工には適さない問題がある。特に、貫通穴周囲に盛り上がりが発生した場合は貫通電極として使用する場合、その盛り上がりを除去せねばならず加工コストが高くなる問題がある。
【００１５】
また、特許文献２の２種類のレーザーを用いる方法は、被加工物が溶融するまで加熱することと、その周囲を加熱する必要性から、加工に時間を要する問題があり、量産性に適さないという問題があり、更に多数の穴開けを連続して行うと加わる熱量が多く、ガラス基板に歪みが発生してガラス基板にクラックが発生する問題があり、逆に与える熱量を少なくすると、穴が開かないという問題がある。
【００１６】
ここで、従来例のＣＯ2レーザー加工方法を図１５乃至図１７にて説明すると、先ず、図１５に示すように、加工テーブル４１上にある吸着テーブル４２により吸着固定されたガラス基板４３に対し、ノズル４４内部で集光レンズ４５により集光されたレーザービーム４６は、ノズル４４先端の開口を通じてガラス基板４３に対して穴開け加工を行うようになっており、アシストガス導入管４７からはアシストガス４８が導入されている。
【００１７】
図１６にて従来方法によるガラス基板４３の穴開け加工の原理を示すと、ガラス基板４３を構成する通常状態の固体４９は、レーザービー４６が当たった部分を中心として温度が急上昇し、加工物の温度分布に示すように、中心付近でガラスの融点ｍｐを超えて融液５０と化し、この融液５０がレーザービーム４６の照射により更に温度が上昇して中央付近でガラスの沸点ｂｐを超えて気化し、プラズマ蒸気５１と化す。
【００１８】
従来の装置は上記のような構成であり、次に、レーザー光による穴開け加工状態のガラス基板４３の様子を図１７に基づいて説明すると、まず、図１７（ａ）のように、ノズル先端部５２を通じて照射されるレーザービーム４６の焦点付近のガラス基板４３は、温度が融点ｍｐを超えて固体４９から融液５０となり、この融液５０に更にレーザービーム４６が照射されることにより、融液５０の中央部の温度が沸点ｂｐを超えて気化し、プラズマ蒸気５１と化し、ガラス基板４３内から外部に排出されて孔が形成されることになる。
【００１９】
図１７（ｂ）に示すように、融液５０の中心部には更に高温になり沸点ｂｐを超えてプラズマ蒸気５１が形成され、この状態でプラズマ蒸気５１を吹き飛ばすためにノズル先端部５２に設けられた前述のアシストガス導入管４７からアシストガス４８を導入してノズル先端部５２からアシストガス４８を噴射させている。
なお、アシストガス４８は、上記の他、酸素ガス等を噴射させて、穴開けを促進させたり、ノズル先端部５２からプラズマ蒸気５１が侵入して集光レンズ４５を曇らせることを防止したりするために使用されている。
【００２０】
熱により融液５０から形成されるプラズマ蒸気５１とその周囲の融液５０の２層構造のままガラス基板４３の溶融が下方に進行するが、熱せられた時間が長い上面に近い方が溶融面積が広がり、全体として逆円錐形状で溶融が進行する。
【００２１】
ガラス基板４３に対するレーザービーム４６の照射による固体４９の融液５０化により、ガラス基板４３の固体４９が除去されて逆円錐形状の穴が形成されてゆき、図１７（ｃ）に示すように穴がガラス基板４３の下面まで達すれば、レーザービーム４６の照射を終了するが、その際、穴の周壁に溜まっていた融液５０が重力又はアシストガス４８の吹きつけにより下がり、逆円錐形の下部に溜まってから冷えて固まり、ガラス基板４３を貫通して形成された穴部５３の形状を崩したり、下部貫通部を塞いでしまうことになる。
【００２２】
このように、比較的安価なＣＯ2レーザーによる従来の加工方法は、微細加工や量産性に適さない問題があるし、また、前記したＣＯ2レーザー以外の各種方法も、量産性、コスト面等種々の問題によってＭＥＭＳ部品に適した方法がなかった。
【００２３】
そこで、本発明の課題は、各種レーザーの中でも比較的安価でビームの質も良いＣＯ2レーザーを用い、しかも、ＭＥＭＳに適した微小な穴径での穴開け加工が可能で、被加工物の損傷も無く、さらに、開口した穴の周囲に盛り上がり等を発生させず、穴同士のピッチも小さくできるＣＯ2レーザーでの基板への穴開け方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記のような課題を解決するため、請求項１の発明は、ＣＯ2レーザーを照射して基板へ穴を開ける方法において、レーザービームの照射時に被加工物の溶融成分を吸引しながら行うＣＯ2レーザーでの基板への穴開け方法である。
【００２５】
請求項２の発明は、請求項１に記載のＣＯ2レーザーでの基板への穴開け方法において、穴開け後にアニール処理を施す構成を採用したものである。
【００２６】
請求項３の発明は、ＣＯ2レーザーを照射して基板へ穴を開ける装置において、被加工物に対向してレーザービームを照射するノズル部分に、レーザービームの照射時に被加工物の溶融成分を吸引し得る吸引部材を設けたＣＯ2レーザーでの基板への穴開け装置である。
【００２７】
上記各発明における基板とは例えばガラス基板やセラミックス基板、特にＭＥＭＳ分野における陽極接合用ガラス製の基板に関し特に適用可能であるが、これらに限定されるものではなく、ＣＯ2レーザーによる穴開け加工が可能な材料からなるもの全般を含む。
【００２８】
また、アニール処理とは、基板のガラス転移点近傍（例えばガラス基板で約６００℃）で加熱し、穴開け加工に伴う基板内の歪みを矯正するものである。
【発明の効果】
【００２９】
上記請求項１又は請求項３の発明によれば、レーザービームの照射時に穴開け部分を吸引することで、被加工物を完全溶融させる前に水飴状の状態で吸引除去でき、穴径が広がらず、盛上りも生じさせることなく、短時間で加工できる。
【００３０】
また、加工時に必要以上に熱量を加える必要がないので、被加工物への熱による歪みの発生を最小限にできると共に、加工後の穴の状態も変質が少なく、なめらかで精度の良いものとなる。
【００３１】
また、被加工物の歪みが少ないため、穴間のピッチを小さくしても被加工物に割れ、欠け等も生じないので、上記した短時間になめらかで精度良い貫通穴が形成できる点からも、例えばＭＥＭＳ分野におけるガラス基板に適用すれば、導電用に適した微小な貫通穴が形成される。
【００３２】
更に、使用するのが比較的低コストとなるＣＯ2レーザーを用い、また、他に熱源等を使用せずとも被加工物に歪み等が発生しないので、低コストで穴開け加工が行える。
【００３３】
請求項２の発明によれば、穴開け後に基板をアニール処理することで、更に基板の加工時の歪みを少なくでき、例えばＭＥＭＳ等に適した貫通穴が形成されたガラス基板等を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、この発明の実施の形態を、図１乃至図８に基づいて説明する。
【００３５】
図１及び図２は、この発明を適用したＭＥＭＳ用ガラス基板への穴開け装置を例とした一実施形態を示すものであり、機台１上に図示左右方向に延設されたレール２上に、搬送ロボット３が図示しない適宜手段にてこのレール２に沿って移動可能に設けられており、この搬送ロボット３のアームを用いて、同じく機台１上に配置された加工前ガラス基板収納部４、吸着回転テーブル５、加工テーブル６、及び加工済ガラス基板収納部７の各部分に、ガラス基板８を搬送、受け渡し、及び受け取りが可能となっている。
【００３６】
前記加工前ガラス基板収納部４は、加工前のガラス基板８を搬送ロボット３に受け渡すためにガラス基板８を重ねて収納し、順次上面から搬送ロボット３へ受け渡し可能となっている。
【００３７】
前記加工済ガラス基板収納部７は、加工テーブル６上にて穴開け加工され次工程へ運ぶためのガラス基板８′を搬送ロボット３から受け取り、重ねて収納している。
【００３８】
前記吸着回転テーブル５は、搬送ロボット３により加工前ガラス基板収納部４より搬送されたガラス基板８を吸着して回転し、アライメントセンサ９を用いて既知の手段により穴開け加工のために必要となるガラス基板８の位置決めが行われる。
【００３９】
前記加工テーブル６は、機台１上に設けられた機枠１０内に設けられた昇降シリンダ１１により昇降動自在になっており、加工テーブル６上に吸着テーブル１２が固定され、位置決め後のガラス基板８を上面に吸着固定するようになっており、吸着されたガラス基板８に対してレーザーによる穴開け加工が行われる。
【００４０】
機枠１０内の加工テーブル６付近に、隣り合って２本の支柱１３、１３が立設され、両支柱１３、１３間に支柱の上端部を繋ぐように水平方向に延びるレール１４が設けられ、このレール１４に摺動自在に嵌合されたスライダ１５と一体となった固定枠１６が設けられており、固定枠１６はスライダ１５と共に図示しない適宜手段にてレール１４に沿って移動自在となっている。
【００４１】
また固定枠１６には、水平方向かつ前記レール１４と直交するレール１７が固定され、このレール１７の前端は固定枠１６より前方へ延設されており、このレール１７に摺動自在に嵌合されたスライダ１８には、上下方向に延設されたレール１９が設けられており、レール１９はスライダ１８と共に図示しない適宜な駆動手段にてレール１７に沿って水平方向に移動自在となっている。
【００４２】
このレール１９に摺動により上下動自在に嵌合されたスライダ２０には、レーザー光によりガラス基板８に穴開け加工を行うための、レーザー発振器２１が固定されており、このレーザー発振器２１の下部には、レーザー光を遮断するシャッター２２、レーザー光を反射して所定位置に導くミラー２３、ガラス基板８の穴開け加工する部分に対向するノズル２４、ノズル２４の先端部でガラス基板８に吸着するシリコーンゴム等からなる吸引部材としての吸着パッド２５、アシストガスを導入するためのアシストガス導入管２６、吸引部材の吸引作用を行うための吸引管２７が上記レーザー発振器２１と共にスライダ２０と一体に設けられている。
【００４３】
前記レール１４、レール１７、レール１９上で、それぞれスライダ１５、スライダ１８、スライダ２０を制御された駆動手段にて移動させることで、ノズル２４はＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動自在となり、吸着パッド２５を吸着テーブル１２上のガラス基板８表面に接近させて吸着させたり、ガラス基板８の穴開け加工を行うべき複数の所定位置に加工後順次水平方向にノズル２４を移動させたり、加工が終了したガラス基板８からノズル２４を離反させるようになっている。
【００４４】
図３は、加工テーブル６上の吸着テーブル１２上に吸着固定されたガラス基板８に対して穴開け加工を行う際のノズル２４の先端付近の拡大図であり、前記レーザー発振器２１により照射され、シャッター２２とミラー２３によりノズル２４内に導かれたレーザービーム２８は、ノズル２４内の集光レンズ２９にて集光し、ノズル２４の先端開口部を通り、更に、ノズル２４先端に固定された吸着パッド固定ホルダ３０及び吸着パッド２５の中心の開孔部３１を通じて吸着パッド２５に吸着されたガラス基板８表面付近で焦点を結ぶように調整される。
【００４５】
なお、吸着テーブル１２はガラス基板８の穴開け加工を行う部位の下部には存在しないようにし、ガラス基板８の下面と加工テーブル６との間に適宜隙間（１〜３ｍｍ）を空けておくようにする。
【００４６】
また、吸引管２７にて吸着パッド固定ホルダ３０内を吸引し、アシストガス導入管２６の噴射圧より高い負圧を発生させて、ガラス基板８表面から発生するガラス基板８が水飴状となった溶融成分を吸着パッド２５及び吸着パッド固定ホルダ３０の中心の開孔部３１を通じて吸引して外部に排出しており、この吸引負圧は例えば約４００ｍｍＨｇから７６０ｍｍＨｇで行われるが、これに限定される訳ではなく、吸着パッド２５部分に負圧を働かせ、溶融成分を吸引できればよく、穴開け加工の条件によって適宜変更される。
【００４７】
またアシストガス導入管２６より、空気、窒素、酸素、アルゴンガス等からなるアシストガス３２がノズル２４内に導入されており、ノズル２４の先端から吸着パッド固定ホルダ３０に向かって噴出することで、吸着パッド２５で吸い上げられた溶融成分が集光レンズ２９を曇らせないようにしている。
【００４８】
図４にてレーザー光線によるガラス基板８の穴開け加工の原理を示すと、ガラス基板８を構成するガラスは通常状態の固体３３であるのに対して、レーザービーム２８の焦点付近は焦点を中心としてガラス基板８の温度は急上昇し、加工物の温度分布に示すように、中心付近でガラスの融点ｍｐを超えて水飴状の融液３４と化すが、融液３４は前述のように吸引管２７の負圧により吸着パッド２５を通じて吸い取られており、沸点ｂｐを超えて気化することはない。
【００４９】
この発明の装置は上記のような構成であり、次に、レーザー光による穴開け加工状態のガラス基板８の様子を図５に基づいて説明すると、まず、図５（ａ）のように、吸着パッド固定ホルダ３０と吸着パッド２５の開孔部３１を通じて照射されるレーザービーム２８の焦点付近のガラス基板８は、温度が融点ｍｐを超えて固体３３から融液３４となり、レーザービーム２８の照射と同時に行われている吸引管２７による吸引により、融液３４が図示矢印のように開孔部３１を通じて上方へ吸引される。
【００５０】
図５（ｂ）に示すように、融液３４が吸引された後にはガラス基板８のガラスが除去された穴部３５が形成されさらに穴部３５の底部にはレーザービーム２８が照射されてガラスの温度上昇により固体３３が融液３４と化してゆき、融液３４は引き続き上方に吸収されることになる。
【００５１】
ガラス基板８に対するレーザービーム２８の照射による固体３３の融液３４化と融液３４の上部への吸引により、ガラスが除去されて穴部３５が形成されてゆき、図５（ｃ）に示すように穴部３５がガラス基板８の下面まで達すれば貫通穴となり、この部分の穴開け加工は終了し、吸着パッド２５は次の加工部位まで移動し、所定部分、回数の穴開け加工を繰り返すことになる。
【実施例】
【００５２】
ＣＯ2レーザーによる３００μｍの厚みのガラス基板の穴開け加工の実施例を、表１に示すとおりの条件（実施例１〜４）で行った。また、比較例として同じく３００μｍの厚みのガラス基板に対して、表１に示すとおりの条件（比較例１〜５）で行った。
【００５３】
また、実施例１乃至４及び比較例１乃至５を行ったガラス基板の拡大断面写真を図６乃至図１４に示した。
【００５４】
【表１】
2008119698.tif 000003
【００５５】
表１記載の欄中、「ガラス」の欄の「パイレックス（登録商標）」は硼珪酸ガラスの１種でコーニング社の登録商標、「リチウム含有」は硼珪酸ガラスの１種でリチウムを含有する比較的硬いガラス（旭硝子株式会社製：ＳＷ−ＹＹ）である。
「上部吸引」は、本発明の吸引部材による吸引を行ったものである。
「下部吸引」は、基板下面の貫通穴下方より融液の吸引を行ったものである。
「上部ブロー」は、アシストガスにて基板上面にて溶融成分やガスを吹き飛ばすものである。
「アニール処理」は、約６００℃にて行った。
「穴開き」は、貫通穴が開いたものを○、貫通穴が開いていないものを×とした。
「使用レベル」は、ＭＥＭＳ用への使用適正（穴の状態、穴径、割れ、盛上り、歪みの総合評価）を表し、極めて良好を◎、良好を○、使用困難△（使用用途によっては加工等を施し使用できる）、使用不可を×とした。
【００５６】
表１の記述及び図６乃至図９に示した断面写真に示すように、本発明の実施例１のものは、上部穴径と下部穴径との差が少なく、穴もなめらかであり、ＭＥＭＳ用としての使用適正に優れたものであった。
実施例２のものは、硬質のリチウム含有ガラスを加工したものであるが、これについても上部穴径と下部穴径との差が少なく、穴もなめらかであり、ＭＥＭＳ用としての使用適正に優れたものであった。
実施例３のアニール処理を施したものは、形成された貫通穴の周囲にガラス基板の歪みによる層が見あたらなかった（図８写真参照）。
実施例４のものは、１００μｍピッチで連続して穴開けを実行したものであり、穴間ピッチを小さくしても、精度良く穴開けでき、また、ガラス基板に歪み等が生じず、割れや欠けも生じなかった（図９写真参照）。
【００５７】
表１の記述及び図１０乃至図１４に示した断面写真に示すように、比較例１のものは、上部穴径と下部穴径との差が実施例より大きく、ＭＥＭＳ用としての使用には穴内部の形状補正等の加工が必要であり、また、連続して穴開けする場合、ピッチ間を狭くできない問題があった。
比較例２のものは、下部吸引により下方に盛上りが形成されてしまい、ＭＥＭＳ用としての使用にはガラス基板表面の研磨加工等が必要であり、時間とコストがかかる問題があった。
比較例３のものは、アシストガスによるブローを行ったが、上部穴径と下部穴径との差が実施例より大きく、ＭＥＭＳ用としての使用には加工による穴内部の形状補正等の加工が必要であり、また、連続して穴開けする場合、ピッチ間を狭くできない問題があった。
【００５８】
また、比較例４のものは、硬質のリチウム含有ガラスを加工したもので、比較例５は更に上部ブローを加えたものであるが、両方とも融液が形成した穴を塞いでしまい、使用することができなかった。
このように、硬質のリチウム含有のガラスは、従来の加工方法では穴を開けることが非常に困難である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明装置の一実施形態を表す装置平面図である。
【図２】図１のII−II方向矢視断面図である。
【図３】本発明の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の原理を表す説明図である。
【図５】（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明を表す拡大説明図である。
【図６】実施例１の穴開け加工を行ったガラス基板の断面写真である。
【図７】実施例２の穴開け加工を行ったガラス基板の断面写真である。
【図８】実施例３の穴開け加工を行ったガラス基板の断面写真である。
【図９】実施例４の穴開け加工を行ったガラス基板の断面写真である。
【図１０】比較例１の穴開け加工を行ったガラス基板の断面写真である。
【図１１】比較例２の穴開け加工を行ったガラス基板の断面写真である。
【図１２】比較例３の穴開け加工を行ったガラス基板の断面写真である。
【図１３】比較例４の穴開け加工を行ったガラス基板の断面写真である。
【図１４】比較例５の穴開け加工を行ったガラス基板の断面写真である。
【図１５】従来のレーザー加工方法を表す拡大断面図である。
【図１６】従来の加工原理を表す説明図である。
【図１７】（ａ）（ｂ）（ｃ）は従来の加工方法を表す説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１    機台
２    レール
３    搬送ロボット
４    加工前ガラス基板収納部
５    吸着回転テーブル
６    加工テーブル
７    加工済ガラス基板収納部
８    ガラス基板
８′  加工済ガラス基板
９    アライメントセンサ
１０  機枠
１１  昇降シリンダ
１２  吸着テーブル
１３  支柱
１４  レール
１５  スライダ
１６  固定枠
１７  レール
１８  スライダ
１９  レール
２０  スライダ
２１  レーザー発振器
２２  シャッター
２３  ミラー
２４  ノズル
２５  吸着パッド
２６  アシストガス導入管
２７  吸引管
２８  レーザービーム
２９  集光レンズ
３０  吸着パッド固定ホルダ
３１  開孔部
３２  アシストガス
３３  固体
３４  融液
３５  穴部
ｍｐ  融点
ｂｐ  沸点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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