(57)【要約】【課題】同一基板上に、共振器長の異なる複数の半導体レーザ素子部を形成する。【解決手段】半導体基板１０１上の第１素子形成領域に、エッチング促進層１１３、第１ｎ型クラッド層１０２、第１活性層１０３、第１ｐ型クラッド層１０４を堆積して第１積層構造を形成し、第２素子形成領域に、第２ｎ型クラッド層１０８、第２活性層１０９、第２ｐ型クラッド層１１０を堆積し、劈開により、第２素子形成領域上に両端面に反射鏡を有する第２レーザ素子部１２１を形成するとともに、第１素子形成領域上に、片面に反射鏡、他面に端面を有する第１レーザ素子部素材部を形成し、第１レーザ素子部素材部の端面から所定深さ、エッチング促進層１１３を除去し、その除去されたエッチング促進層１１３があった領域上にある第１積層構造の部分を劈開によって除去し、共振方向の長さが第２レーザ素子部１２１よりも短い第１レーザ素子部１２０を形成する。【選択図】図１
2008060272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の第１のレーザ素子形成領域に形成されたエッチング促進層の上に、第１の第１伝導型クラッド層、第１の活性層、および第１の第２伝導型クラッド層を順次堆積して第１の積層構造を形成する第１積層構造形成工程と、
前記半導体基板上の第２のレーザ素子形成領域に、第２の第１伝導型クラッド層、第２の活性層、および第２の第２伝導型クラッド層を順次堆積して第２の積層構造を形成する第２積層構造形成工程と、
劈開により、前記第２のレーザ素子形成領域上に、両端面に反射鏡を有する第２の半導体レーザ素子部を形成するとともに、前記第１のレーザ素子形成領域上に、片面に反射鏡、他面に端面を有する第１の半導体レーザ素子部素材部を形成する第１の劈開工程と、
前記第１の半導体レーザ素子部素材部の前記端面から所定深さ、前記エッチング促進層をエッチングにより除去する促進層エッチング工程と、
前記促進層エッチング工程により除去された前記エッチング促進層があった領域上にある、前記第１の積層構造の部分を、劈開によって除去し、前記第２の半導体レーザ素子部とは共振方向が平行で放出する波長が異なり、共振方向の長さが前記第２の半導体レーザ素子部よりも短い第１の半導体レーザ素子部を形成する第２の劈開工程と、を備えた半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１積層構造形成工程は、前記半導体基板上に、前記エッチング促進層、前記第１の第１伝導型クラッド層、前記第１の活性層、および前記第１の第２伝導型クラッド層を順次堆積した後に、前記半導体基板上の前記第１のレーザ素子形成領域以外の領域上に堆積された、前記エッチング促進層、前記第１の第１伝導型クラッド層、前記第１の活性層、および前記第１の第２伝導型クラッド層を除去して前記第１の積層構造を形成する工程であり、
前記第２積層構造形成工程は、前記第１積層構造形成工程で形成した前記第１の積層構造を含む前記半導体基板の上から、前記第２の第１伝導型クラッド層、前記第２の活性層、および前記第２の第２伝導型クラッド層を順次堆積した後に、前記半導体基板上の前記第２のレーザ素子形成領域以外の領域上に堆積された、前記第２の第１伝導型クラッド層、前記第２の活性層、および前記第２の第２伝導型クラッド層を除去して前記第２の積層構造を形成する工程である、請求項１に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング促進層は、前記半導体基板および前記第１の第１伝導型クラッド層のいずれよりもエッチングレートが速く、
前記促進層エッチング工程では、除去する前記エッチング促進層の部分と、そこに隣接する前記半導体基板の一部および前記第１の第１伝導型クラッド層の一部とを除いた部分をマスクしてエッチングする、請求項１に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング促進層は、前記半導体基板および前記第１の第１伝導型クラッド層のいずれよりもＡｌ組成比が大きい、請求項３に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板上に順に積層された、第１の第１伝導型クラッド層、第１の活性層、および第１の第２伝導型クラッド層を有する第１の半導体レーザ素子部と、
前記半導体基板上に順に積層された、第２の第１伝導型クラッド層、第２の活性層、および第２の第２伝導型クラッド層を有し、前記第１の半導体レーザ素子部とは共振方向が平行で放出するレーザ光の波長が異なり、共振方向の長さが前記第１の半導体レーザ素子部よりも長い第２の半導体レーザ素子部と、を備えた半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記第１の半導体レーザ素子部は、前記半導体基板と前記第１の第１伝導型クラッド層との間に、前記半導体基板および前記第１の第１伝導型クラッド層のいずれよりもエッチングレートが速いエッチング促進層を有している、請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。例えば、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ、ＣＤ−ＤＡ、ＶＣＤなどの光ディスク装置、あるいは光情報処理、光通信、光計測などに使用する半導体レーザ装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ−ＲＡＭなどの読み込み、書き込みピックアップ光源には波長６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系赤色レーザが用いられる。一方、ＣＤ−Ｒなどの読み込み、書き込みのためのピックアップ光源には波長７８０ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ系赤外レーザが用いられる。これらの両ディスクに対応するためには一つのドライブに赤色、赤外両方のレーザが必要となる。そのためＤＶＤ用とＣＤ用の二つの光集積ユニットを具備したドライブが一般的に普及している。
【０００３】
しかし、近年の小型化、低コスト化、光学系組立工程の簡素化などの要請より、一つの光集積ユニットで対応できるよう、同一基板上に二つのレーザを集積した二波長レーザが実用化されつつある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図７（ａ）は、特許文献１に記載の二波長半導体レーザ装置の斜視図を示している。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図を示している。
【０００５】
この二波長半導体レーザ装置は、同一のＧａＡｓ基板２０１上の異なる領域に、赤外レーザ素子部２２０と赤色レーザ素子部２２１を備えている。
【０００６】
赤外レーザ素子部２２０は、赤外レーザｎ型クラッド層２０２、赤外レーザ活性層２０３、赤外レーザｐ型クラッド層２０４、電流ブロック層２０５、コンタクト層２０６、赤外レーザｐ側電極２０７、および赤色レーザ素子部２２１と共通のｎ側電極２１２で構成されている。また、赤色レーザ素子部２２１は、赤色レーザｎ型クラッド層２０８、赤色レーザ活性層２０９、赤色レーザｐ型クラッド層２１０、電流ブロック層２０５、コンタクト層２０６、赤色レーザｐ側電極２１１、および赤外レーザ素子部２２０と共通のｎ側電極２１２で構成されている。
【０００７】
赤外レーザ素子部２２０を構成している赤外レーザ活性層２０３には、ＡｌＧａＡｓ系材料が用いられており、赤色レーザ素子部２２１を構成している赤色レーザ活性層２０９には、ＡｌＧａＩｎＰ系材料が用いられている。
【０００８】
このように、ＧａＡｓ基板上に６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系赤色レーザと７８０ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ系赤外レーザをモノリシックに集積して、一つの光集積ユニット上にＤＶＤ／ＣＤ用両方のレーザを備えた光ピックアップを実現している。
【特許文献１】特開２０００−１１４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載のような同一基板上に複数のレーザ素子部を設けた構成の半導体レーザ装置では、各レーザ素子部毎に、共振器長を最適化することができなかった。この問題について、以下に説明する。
【００１０】
図７に示すような、同一の基板２０１上に複数のレーザ素子部２２０、２２１を設けた構成の二波長半導体レーザ装置の製造工程において、共振器を形成する際には、レーザ素子部を１つだけ設けた構成の従来のレーザ装置と同じく、劈開により共振器を形成する。その場合、複数のレーザ素子部２２０、２２１が共通の基板２０１上に設けられているために、複数のレーザ素子部２２０、２２１に対して、同時に同一の面で劈開することになる。各レーザ素子部の共振器長は両端の劈開位置により決まるため、赤色レーザ素子部２２１と赤外レーザ素子部２２０の共振器長は必然的に同一となる。
【００１１】
共振器長は最大光出力、発振閾値電流、効率などレーザ特性を左右するパラメータの一つであるが、図７に示すような二波長レーザ装置の場合、赤色レーザ素子部２２１と赤外レーザ素子部２２０とで独立に共振器長を最適化することができない、という制約があった。
【００１２】
図８（ａ）および（ｂ）は、図７のような赤色レーザ素子部と赤外レーザ素子部をモノリシックに集積した二波長半導体レーザ装置において、共振器長を１０００μｍおよび１８００μｍとした場合の、それぞれの電流−光特性を示している。
【００１３】
図８（ａ）を見ると、共振器長が１０００μｍの場合には、赤色レーザ素子部では、３６０ｍＷ付近で熱飽和のため所望の光出力を得ることができないことがわかる。つまり、４００ｍＷ以上の光出力を得るためには、赤色レーザ素子部の共振器長をさらに長くする必要がある。
【００１４】
そして、図８（ｂ）に示すように共振器長を１８００μｍにした場合には、赤外レーザ素子部、赤色レーザ素子部のいずれも所望の光出力を得てはいるが、赤外レーザ素子部の動作電流が、活性層体積の増加に伴い、共振器長が１０００μｍの場合に比べて増加していることがわかる。これによる消費電力増加のため、電池駆動によるポータブル機器への搭載時における動作可能時間などが単体レーザに比べて不利となる。
【００１５】
このように、図７に示すような二波長半導体レーザ装置において、赤色レーザ素子部で４００ｍＷ級の高出力を実現しようとした場合、共振器長は少なくとも１８００μｍ以上必要であるが、赤外レーザ素子部の共振器長が１８００μｍ以上になると、従来のレーザ素子部を１つだけ設けた構成のレーザ装置に比べて動作電流が大きく増加し、消費電力の増大、発熱による素子劣化の促進などの悪影響を及ぼす可能性がある。このような事情から、図７に示すような構成の二波長半導体レーザ装置では、高出力化が困難であった。
【００１６】
本発明は、上述した従来の課題を解決するもので、それぞれ最適な共振器長を有する複数の半導体レーザ素子部を同一基板上に備えた半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上述した課題を解決するために、第１の本発明は、
半導体基板上の第１のレーザ素子形成領域に形成されたエッチング促進層の上に、第１の第１伝導型クラッド層、第１の活性層、および第１の第２伝導型クラッド層を順次堆積して第１の積層構造を形成する第１積層構造形成工程と、
前記半導体基板上の第２のレーザ素子形成領域に、第２の第１伝導型クラッド層、第２の活性層、および第２の第２伝導型クラッド層を順次堆積して第２の積層構造を形成する第２積層構造形成工程と、
劈開により、前記第２のレーザ素子形成領域上に、両端面に反射鏡を有する第２の半導体レーザ素子部を形成するとともに、前記第１のレーザ素子形成領域上に、片面に反射鏡、他面に端面を有する第１の半導体レーザ素子部素材部を形成する第１の劈開工程と、
前記第１の半導体レーザ素子部素材部の前記端面から所定深さ、前記エッチング促進層をエッチングにより除去する促進層エッチング工程と、
前記促進層エッチング工程により除去された前記エッチング促進層があった領域上にある、前記第１の積層構造の部分を、劈開によって除去し、前記第２の半導体レーザ素子部とは共振方向が平行で放出する波長が異なり、共振方向の長さが前記第２の半導体レーザ素子部よりも短い第１の半導体レーザ素子部を形成する第２の劈開工程と、を備えた半導体レーザ装置の製造方法である。
【００１８】
また、第２の本発明は、
前記第１積層構造形成工程は、前記半導体基板上に、前記エッチング促進層、前記第１の第１伝導型クラッド層、前記第１の活性層、および前記第１の第２伝導型クラッド層を順次堆積した後に、前記半導体基板上の前記第１のレーザ素子形成領域以外の領域上に堆積された、前記エッチング促進層、前記第１の第１伝導型クラッド層、前記第１の活性層、および前記第１の第２伝導型クラッド層を除去して前記第１の積層構造を形成する工程であり、
前記第２積層構造形成工程は、前記第１積層構造形成工程で形成した前記第１の積層構造を含む前記半導体基板の上から、前記第２の第１伝導型クラッド層、前記第２の活性層、および前記第２の第２伝導型クラッド層を順次堆積した後に、前記半導体基板上の前記第２のレーザ素子形成領域以外の領域上に堆積された、前記第２の第１伝導型クラッド層、前記第２の活性層、および前記第２の第２伝導型クラッド層を除去して前記第２の積層構造を形成する工程である、第１の本発明の半導体レーザ装置の製造方法である。
【００１９】
また、第３の本発明は、
前記エッチング促進層は、前記半導体基板および前記第１の第１伝導型クラッド層のいずれよりもエッチングレートが速く、
前記促進層エッチング工程では、除去する前記エッチング促進層の部分と、そこに隣接する前記半導体基板の一部および前記第１の第１伝導型クラッド層の一部とを除いた部分をマスクしてエッチングする、第１の本発明の半導体レーザ装置の製造方法である。
【００２０】
また、第４の本発明は、
前記エッチング促進層は、前記半導体基板および前記第１の第１伝導型クラッド層のいずれよりもＡｌ組成比が大きい、第３の本発明の半導体レーザ装置の製造方法である。
【００２１】
また、第５の本発明は、
半導体基板と、
前記半導体基板上に順に積層された、第１の第１伝導型クラッド層、第１の活性層、および第１の第２伝導型クラッド層を有する第１の半導体レーザ素子部と、
前記半導体基板上に順に積層された、第２の第１伝導型クラッド層、第２の活性層、および第２の第２伝導型クラッド層を有し、前記第１の半導体レーザ素子部とは共振方向が平行で放出するレーザ光の波長が異なり、共振方向の長さが前記第１の半導体レーザ素子部よりも長い第２の半導体レーザ素子部と、を備えた半導体レーザ装置である。
【００２２】
また、第６の本発明は、
前記第１の半導体レーザ素子部は、前記半導体基板と前記第１の第１伝導型クラッド層との間に、前記半導体基板および前記第１の第１伝導型クラッド層のいずれよりもエッチングレートが速いエッチング促進層を有している、第５の本発明の半導体レーザ装置である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、それぞれ最適な共振器長を有する複数の半導体レーザ素子部を同一基板上に備えた半導体レーザ装置およびその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
図１（ａ）は、本発明の実施の形態における光出力４００ｍＷ級の二波長高出力レーザ装置の斜視図を示している。図１（ｂ）は、図１（ａ）の共振方向に垂直なＡ−Ａ矢視断面図を示している。
【００２６】
本実施の形態の二波長高出力レーザ装置は、同一のｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、７８０ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ系赤外レーザ光を放出する赤外レーザ素子部１２０と、６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系赤色レーザ光を放出する赤色レーザ素子部１２１を備えている。
【００２７】
赤外レーザ素子部１２０は、サイドエッチング促進層１１３、赤外レーザｎ型クラッド層１０２、赤外レーザ活性層１０３、赤外レーザｐ型クラッド層１０４、電流ブロック層１０５、コンタクト層１０６、赤外レーザｐ側電極１０７、および赤色レーザ素子部１２１と共通のｎ側電極１１２で構成されている。ここで、サイドエッチング促進層１１３は、基板１０１および赤外レーザｎ型クラッド層１０２のいずれよりもＡｌ組成比が大きい材料で構成されている。
【００２８】
また、赤色レーザ素子部１２１は、赤色レーザｎ型クラッド層１０８、赤色レーザ活性層１０９、赤色レーザｐ型クラッド層１１０、電流ブロック層１０５、コンタクト層１０６、赤色レーザｐ側電極１１１、および赤外レーザ素子部１２０と共通のｎ側電極１１２で構成されている。
【００２９】
なお、本実施の形態の二波長高出力レーザ装置が、本発明の半導体レーザ装置の一例にあたり、赤外レーザ素子部１２０および赤色レーザ素子部１２１が、それぞれ、本発明の
第１の半導体レーザ素子部および第２の半導体レーザ素子部の一例にあたる。
【００３０】
また、サイドエッチング促進層１１３、赤外レーザｎ型クラッド層１０２、赤外レーザ活性層１０３、赤外レーザｐ型クラッド層１０４が、それぞれ本発明の、エッチング促進層、第１の第１伝導型クラッド層、第１の活性層、第１の第２伝導型クラッド層の一例にあたる。また、赤色レーザｎ型クラッド層１０８、赤色レーザ活性層１０９、赤色レーザｐ型クラッド層１１０が、それぞれ本発明の、第２の第１伝導型クラッド層、第２の活性層、第２の第２伝導型クラッド層の一例にあたる。
【００３１】
赤外レーザ素子部１２０および赤色レーザ素子部１２１の各層の材料、伝導型、膜厚、キャリア濃度は、表１のとおりである。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
赤外レーザ素子部１２０の赤外レーザ活性層１０３にはＡｌＧａＡｓ系材料を用いているのに対し、赤色レーザ素子部１２１の赤色レーザ活性層１０９にはＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いている。
【００３４】
なお、赤外レーザｐ型クラッド層１０４および赤色レーザｐ型クラッド層１１０には、それぞれストライプ状メサ構造が形成されており、これらのメサの幅は上部１μｍ、下部３μｍである。
【００３５】
赤外レーザ素子部１２０および赤色レーザ素子部１２１は、それぞれ１０００μｍおよび１８００μｍの異なる共振器長であり、互いに共振方向が平行になるように配置されている。なお、本発明において、「２つの半導体素子部の共振方向が平行」とは、±１度以下の範囲で平行であることが望ましい。
【００３６】
本実施の形態の二波長高出力レーザ装置の特徴は、赤外レーザ素子部１２０と赤色レーザ素子部１２１の共振器長が異なる点にある。
【００３７】
図６に、本実施の形態の二波長高出力レーザ装置の、赤外レーザ素子部１２０および赤色レーザ素子部１２１の、それぞれの電流−光特性を示す。
【００３８】
図８の従来の二波長半導体レーザ装置の電流−光特性と比較すると、本実施の形態の二波長高出力レーザ装置では、赤色レーザの光出力は４００ｍＷを達成しながら、赤外レーザの動作電流は共振器長１０００μｍの素子と遜色ない値を示していることがわかる。
【００３９】
次に、図２〜図５を用いて、本実施の形態の二波長高出力レーザ装置の製造方法について説明する。
【００４０】
図２〜図５は、本実施の形態の二波長高出力レーザ装置の製造工程を示す模式構造図である。それぞれ、図１（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図または斜視図で示している。
【００４１】
まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、サイドエッチング促進層１１３、赤外レーザｎ型クラッド層１０２、赤外レーザ活性層１０３、赤外レーザｐ型クラッド層１０４を順次積層する。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板１０１上の、赤外レーザ素子部１２０を形成させる領域（以下、赤外レーザ素子形成領域という）以外の領域において、サイドエッチング促進層１１３、赤外レーザｎ型クラッド層１０２、赤外レーザ活性層１０３、赤外レーザｐ型クラッド層１０４を除去する。
【００４３】
なお、赤外レーザ素子形成領域が、本発明の第１のレーザ素子形成領域の一例にあたり、図２（ｂ）の赤外レーザ素子形成領域上に形成された積層構造が、本発明の第１の積層構造の一例にあたる。また、図２（ａ）および（ｂ）に示す工程が、本発明の第１積層構造形成工程の一例にあたる。
【００４４】
次に、図２（ｃ）に示すように、赤外レーザ素子形成領域も含めた基板１０１の上から、赤色レーザｎ型クラッド層１０８、赤色レーザ活性層１０９、赤色レーザｐ型クラッド層１１０を順次積層する。
【００４５】
次に、図３（ｄ）に示すように、赤色レーザ素子部１２１を形成させる領域（以下、赤色レーザ素子形成領域という）以外の領域において、赤色レーザｎ型クラッド層１０８、赤色レーザ活性層１０９、赤色レーザｐ型クラッド層１１０を除去する。
【００４６】
なお、赤色レーザ素子形成領域が、本発明の第２のレーザ素子形成領域の一例にあたり、図３（ｄ）の赤色レーザ素子形成領域上に形成された積層構造が、本発明の第２の積層構造の一例にあたる。また、図２（ｃ）および図３（ｄ）に示す工程が、本発明の第２積層構造形成工程の一例にあたる。
【００４７】
そして、図３（ｅ）に示すように、赤外レーザｐ型クラッド層１０４および赤色レーザｐ型クラッド層１１０の一部をエッチングし、それぞれストライプ状メサ構造を形成する。
【００４８】
次に、図３（ｆ）に示すように、メサ構造の上部以外の部分に電流ブロック層１０５の選択再成長を行った後、図４（ｇ）に示すように、基板１０１の上から、コンタクト層１０６の再成長を行う。
【００４９】
次に、図４（ｈ）に示すように、赤外レーザ素子形成領域と赤色レーザ素子形成領域の境界近傍を基板１０１までエッチングして素子分離を行った後、赤外レーザ素子形成領域および赤色レーザ素子形成領域のそれぞれのコンタクト層１０６上に、赤外レーザｐ側電極１０７および赤色レーザｐ側電極１１１を形成する。さらに、基板１０１の裏面にｎ側電極１１２を形成する。なお、図４（ｈ）には、ｎ側電極１１２を形成した後の斜視図も示している。
【００５０】
続いて、劈開により、赤外レーザ素子部１２０となる部分の積層構造および赤色レーザ素子部１２１となる部分の積層構造のそれぞれに、共振器長が１８００μｍとなるように、両端面を形成する。このときの劈開により、赤色レーザ素子部１２１となる部分の積層構造の両端面には反射鏡が形成されて、赤色レーザ素子部１２１は完成する。また、このときの劈開により、赤外レーザ素子部１２０となる部分の積層構造の光出射側の端面（図５（ｉ）の左側の端面）にも反射鏡が形成される。
【００５１】
なお、ここでの劈開の処理が、本発明の第１の劈開工程の一例にあたる。また、劈開により両端面が形成された赤色レーザ素子部１２１となる部分の積層構造が、本発明の、第１の半導体レーザ素子部素材部の一例にあたる。
【００５２】
そして、図５（ｉ）に示すように、赤外レーザ素子部１２０となる部分の積層構造の、光出射面の反対側のサイドエッチング促進層１１３およびそれに隣接するｎ型ＧａＡｓ基板１０１と赤外レーザｎ型クラッド層１０２の一部を含む領域のみ露出するように、それ以外の領域をポリイミド塗布によりマスキングする。図５（ｉ）および（ｊ）の灰色で示した部分は、ポリイミドによりマスキングした部分を示している。
【００５３】
そして、図５（ｊ）に示すように、ＨＦ：Ｈ２Ｏ２＝１:１０の溶液に浸着することにより、赤外レーザ素子部１２０となる部分の積層構造の光出射面の反対側から共振器方向へ約９００μｍ分、サイドエッチング促進層１１３のエッチングを行う。このとき、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１と赤外レーザｎ型クラッド層１０２も溶液に曝されるが、よりＡｌ組成の高いサイドエッチング促進層１１３のエッチング速度（エッチングレート）に比べて遅いため、サイドエッチング促進層１１３のみが選択的にエッチングされる。
【００５４】
なお、図５（ｊ）のサイドエッチング促進層１１３をエッチングする処理が、本発明の促進層エッチング工程の一例にあたる。また、このときの光出射面の反対側からエッチングする距離９００μｍが、本発明のエッチングする所定深さの一例にあたる。
【００５５】
そして、図５（ｋ）に示すように、ポリイミドを除去した後、赤外レーザ素子部１２０となる部分の積層構造の上部から、共振器長が１０００μｍになるようマイクロクリーブを行う。このマイクロクリーブによる劈開により、赤外レーザ素子部１２０となる部分の積層構造の光出射面の反対側に反射鏡が形成され、共振器長が１０００μｍの赤外レーザ素子部１２０が完成する。
【００５６】
マイクロクリーブとは、基板を分断することなく、積層の一部を劈開する技術のことである。劈開しようとする積層構造の下に形成させた層をエッチングにより取り除き、その取り除いた部分の上部の積層構造部分を劈開する方法であり、特開平５−２４３６８３号公報などにおいて開示されている。
【００５７】
なお、図５（ｋ）における、マイクロクリーブによる劈開の処理が、本発明の第２の劈開工程の一例にあたる。
【００５８】
この後、チップ分離、パッケージングを施して、二波長高出力レーザ装置を完成させる。
【００５９】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、赤色、赤外それぞれの光出射端の反対側に対して、マイクロクリーブ技術の活用により、異なる位置で劈開を行うので、それぞれの半導体レーザ素子部に最適な共振器長を設定でき、それぞれのレーザ特性を高めることが可能となる。
【００６０】
本発明の半導体レーザ装置は、このように複数の半導体レーザ素子部の共振器長をそれぞれ独立に制御することが可能なので、それぞれの半導体レーザ素子部の構造設計の自由度が増し、レーザ特性を高めることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明に係る半導体レーザ装置およびその製造方法は、同一基板上にそれぞれ最適な共振器長を有する複数の半導体レーザ素子部を備えているので、ＤＶＤ／ＣＤを中心とした光ディスクのピックアップ用光源、およびその他の光情報処理、光通信、光計測の光源等に用いる半導体レーザ装置およびその製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態における二波長高出力レーザ装置の斜視図、（ｂ）本発明の実施の形態における二波長高出力レーザ装置のＡ−Ａ矢視断面図
【図２】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施の形態における二波長高出力レーザ装置の製造工程を示す模式構造図
【図３】（ｄ）〜（ｆ）本発明の実施の形態における二波長高出力レーザ装置の製造工程を示す模式構造図
【図４】（ｇ）、（ｈ）本発明の実施の形態における二波長高出力レーザ装置の製造工程を示す模式構造図
【図５】（ｉ）〜（ｋ）本発明の実施の形態における二波長高出力レーザ装置の製造工程を示す模式構造図
【図６】本発明の実施の形態における二波長高出力レーザ装置の電流−光出力特性を示す図
【図７】（ａ）従来の二波長半導体レーザ装置の斜視図、（ｂ）従来の二波長半導体レーザ装置のＡ−Ａ矢視断面図
【図８】（ａ）従来の共振器長１０００μｍの二波長レーザ装置の電流−光出力特性、（ｂ）従来の共振器長１８００μｍの二波長レーザ装置の電流−光出力特性
【符号の説明】
【００６３】
１０１  基板
１０２  赤外レーザｎ型クラッド層
１０３  赤外レーザ活性層
１０４  赤外レーザｐ型クラッド層
１０５  電流ブロック層
１０６  コンタクト層
１０７  赤外レーザｐ側電極
１０８  赤色レーザｎ型クラッド層
１０９  赤色レーザ活性層
１１０  赤色レーザｐ型クラッド層
１１１  赤色レーザｐ側電極
１１２  ｎ側電極
１１３  サイドエッチング促進層
１２０  赤外レーザ素子部
１２１  赤色レーザ素子部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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