(57)【要約】【課題】レーザスクライブするとき、レーザ光による損傷が防止できる基板及びその分断方法、電気光学装置及びその製造方法、電子機器を提供すること。【解決手段】基板３９に光透過性の導電膜からなる配線４１及び電極端子４２等を形成する。基板３８と基板３９とを接着剤３７にて接合する。基板３８において、配線４１及び電極端子４２と対向する場所に分断予定線５５ａ，５５ｂを設定する。レーザ光５６を集光レンズ８にて集光し、基板３８に設定されている分断予定線５５ａ，５５ｂに沿って、照射する。基板３８内にレーザ光５６が集光して照射される場所には改質部５７が形成される。集光レンズ８と基板３８とを相対的に移動して改質部５７を配列して形成する。改質部５７が配列されているスクライブ面５９ａ，５９ｂに沿って応力を加え、基板３８を分断する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を分断する基板の分断方法であって、
前記基板にレーザ光を透過する導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記基板に前記レーザ光を照射して、前記基板の内部に改質部を形成するスクライブ工程と、
前記改質部を押圧して前記基板を分断する分断工程とを有し、
前記導電膜の少なくとも一部は、前記スクライブ工程において前記レーザ光が照射される場所に、形成されることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項２】
第１の基板と、第２の基板とを接合して、第１の基板を分断する基板の分断方法であって、
前記第２の基板にレーザ光を透過する導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する接合工程と、
前記第１の基板に前記レーザ光を照射して、前記第１の基板の内部に改質部を形成するスクライブ工程と、
前記改質部を押圧して前記第１の基板を分断する分断工程とを有し、
前記導電膜の少なくとも一部は、前記スクライブ工程において前記レーザ光が照射される場所に、形成されることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板の分断方法であって、
前記導電膜はＩＴＯ膜であることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項４】
請求項２〜３のいずれか一項に記載の基板の分断方法であって、
前記第２の基板に金属膜を形成する金属膜形成工程を有し、
前記金属膜の少なくとも一部は、前記スクライブ工程において前記レーザ光が照射されない場所に、形成されることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項５】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、前記スクライブ工程において、前記改質部は、前記基板の少なくとも一つの面の近傍に形成することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項６】
請求項２〜４のいずれか一項に記載の基板の分断方法であって、前記スクライブ工程において、前記改質部は、前記第１の基板の少なくとも一つの面の近傍に形成することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項７】
請求項２〜４，６のいずれか一項に記載の基板の分断方法であって、
前記スクライブ工程では、前記レーザ光は、前記第１の基板を透過して前記第２の基板を照射し、前記第２の基板の内部に改質部を形成することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項８】
光透過性の第１の基板と、第２の基板とを接合して第１の基板を分断する電気光学装置の製造方法であって、
請求項２〜４，６のいずれか一項に記載の基板の分断方法を用いて形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記導電膜は、配線であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記導電膜は、電極端子であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学装置はスイッチング素子を有し、前記導電膜は、前記スイッチング素子と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項２〜７のいずれか一項に記載の基板の分断方法で分断されていることを特徴とする基板。
【請求項１３】
請求項８〜１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板及びその分断方法、電気光学装置及びその製造方法、ならびに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す。）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光点におけるピークパワー密度を１×１０8（Ｗ／ｃｍ2）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。
【０００３】
また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）に対してＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。
【０００４】
液晶表示装置などの表示装置は、外形が矩形の１対の基板を用いて、１対の基板の間に液晶や発光素子を配置して形成されることが多い。その製造方法において、トランジスタなどのスイッチング素子の表示装置に対応するパターンを複数配列した素子マザー基板と、共通電極等の表示装置に対応するパターンを複数配列した対向マザー基板とを貼り合せて、分断する方法が広く採用されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
素子マザー基板と対向マザー基板とを貼り合せて、対向マザー基板にレーザ光を照射して改質部を形成するとき、レーザ光の一部が対向マザー基板を通過して、素子マザー基板を照射する。素子マザー基板には、配線、端子等が配置されており、レーザ光により損傷を受ける可能性があった。
【０００７】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、レーザスクライブするとき、レーザ光による損傷が防止できる基板及びその分断方法、電気光学装置及びその製造方法、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、基板を分断する基板の分断方法であって、基板にレーザ光を透過する導電膜を形成する導電膜形成工程と、基板にレーザ光を照射して、基板の内部に改質部を形成するスクライブ工程と、改質部を押圧して基板を分断する分断工程とを有し、導電膜の少なくとも一部は、スクライブ工程においてレーザ光が照射される場所に、形成されることを特徴とする。
【０００９】
この基板の分断方法によれば、基板に、レーザ光を透過する導電膜を形成する。基板は光透過性を有し、基板の内部にレーザ光を照射して改質部を配列して形成する。分断工程では、改質部を押圧して、基板を分断する。
【００１０】
基板には、導電膜が形成されている。基板にレーザ光を照射するとき、レーザ光の一部は、導電膜を照射する可能性がある。レーザ光が導電膜を照射するとき、レーザ光は導電膜を通過することから、導電膜は、レーザ光により損傷を受けにくくなっている。従って、基板に形成される導電膜は、レーザ光により損傷を殆ど受けることなく、基板はスクライブされ、分断される。
尚、スクライブは、レーザ光を基板内部に集光して照射し、改質部を配列して形成することを示す。
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、第１の基板と、第２の基板とを接合して、第１の基板を分断する基板の分断方法であって、第２の基板にレーザ光を透過する導電膜を形成する導電膜形成工程と、第１の基板と第２の基板とを接合する接合工程と、第１の基板にレーザ光を照射して、第１の基板の内部に改質部を形成するスクライブ工程と、改質部を押圧して第１の基板を分断する分断工程とを有し、導電膜の少なくとも一部は、スクライブ工程においてレーザ光が照射される場所に、形成されることを特徴とする。
【００１２】
この基板の分断方法によれば、第２の基板に、レーザ光を透過する導電膜を形成する。第１の基板と、第２の基板とを接合して、第１の基板をスクライブする。第１の基板は光透過性を有し、第１の基板の内部にレーザ光を照射して改質部を配列して形成する。分断工程では、改質部を押圧して、第１の基板を分断する。
【００１３】
第１の基板にレーザ光を照射するとき、第１の基板は光透過性であることから、レーザ光の一部は、第１の基板を通過する可能性がある。レーザ光が第１の基板を通過する場合、通過するレーザ光は、第２の基板を照射する。第２の基板には、レーザ光を透過する導電膜が形成されており、第２の基板を照射するレーザ光が導電膜を照射するとき、レーザ光は導電膜を通過することから、導電膜は、レーザ光により損傷を受けにくくなっている。従って、第２の基板に形成される導電膜は、レーザ光により損傷を殆ど受けることなく、第１の基板はスクライブされ、分断される。
【００１４】
本発明の基板の分断方法では、導電膜はＩＴＯ膜であることを特徴とする。
【００１５】
この基板の分断方法によれば、導電膜はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜である。ＩＴＯ膜は、酸化亜鉛系、酸化インジウム系、酸化スズ系など、他の透明導電膜に比べて、単位面積当りの抵抗が低いことから、電流を流し易く、電磁波のノイズの影響を受けにくくなる。従って、ノイズに強い導電膜とすることができる。
【００１６】
本発明の基板の分断方法は、第２の基板に金属膜を形成する金属膜形成工程を有し、金属膜の少なくとも一部は、スクライブ工程においてレーザ光が照射されない場所に、形成されることを特徴とする。
【００１７】
この基板の分断方法によれば、第２の基板の導電膜が形成される場所において、レーザ光が照射されない場所の少なくとも一部には、金属膜が形成されている。金属膜が形成される場所において、レーザ光が照射されない場所では、金属膜がレーザ光により損傷を受けることがない。
【００１８】
金属膜は、ＩＴＯ膜に比べて、電気抵抗が低いことから、膜に電流を流すときに電圧降下を少なくすることができる。従って、電流を流す場所をＩＴＯ膜で形成する場合に比べて、電力損失を少なくすることができる。
【００１９】
本発明の基板の分断方法では、スクライブ工程において、改質部は、基板の少なくとも一つの面の近傍に形成することを特徴とする。
【００２０】
ここで、「一つの面の近傍」について説明する。基板の厚さ方向にレーザ光を照射して改質部を形成するとき、形成される改質部において基板の厚さ方向の長さを改質部長さとする。「一つの面の近傍」とは、基板の一つの面との距離が改質部長さの２倍以内の領域を示す。照射するレーザ光の強さによって、改質部長さが変わることから、「一つの面の近傍」についても、照射するレーザ光の強さによって変わることとなる。
【００２１】
また、「改質部は、基板の少なくとも一つの面の近傍に形成する。」とは、改質部の一部が、「一つの面の近傍」の領域に形成することを示す。
【００２２】
この基板の分断方法によれば、改質部は基板における一つの面の近傍に形成される。基板の面の近傍に改質部を形成するとき、レーザ光は、面の近傍に集光する為、レーザ光が照射される場所に形成されている導電膜は、損傷を受け易い状態にある。しかし、導電膜は光透過性を有することから、損傷を殆ど受けない。
【００２３】
本発明の基板の分断方法では、スクライブ工程において、改質部は、第１の基板の少なくとも一つの面の近傍に形成することを特徴とする。
【００２４】
この基板の分断方法によれば、改質部は第１の基板における一つの面の近傍に形成される。第１の基板において、第２の基板側の面の近傍に改質部を形成するとき、レーザ光は、面の近傍に集光する為、レーザ光は、第１の基板を通過し易くなる。レーザ光が第１の基板を通過して、第２の基板を照射するとき、第２の基板において、レーザ光が照射される場所に形成されている導電膜は、光透過性を有することから、損傷を殆ど受けない。
【００２５】
改質部が第１の基板における少なくとも一つの面の近傍に形成される。基板を分断するとき、配列して形成される改質部に沿って分断される。基板の面の近傍に、改質部が形成されているとき、改質部に沿って分断される。改質部は配列して形成され、改質部に沿って分断されることから、分断される断面は、改質部が形成されている面の近傍まで、凹凸が少なく分断される。
【００２６】
本発明の基板の分断方法は、スクライブ工程では、レーザ光は、第１の基板を透過して第２の基板を照射し、第２の基板の内部に改質部を形成することを特徴とする。
【００２７】
この基板の分断方法によれば、第２の基板の内部に改質部を形成するとき、レーザ光が第１の基板を透過して、第２の基板を照射する。第２の基板において、レーザ光が照射される場所には、光透過性の導電膜が形成されているが、レーザ光を透過することから損傷を殆ど受けずに、第２の基板の内部を照射する。第１の基板と第２の基板とに、同じ第１の基板側からレーザ光を照射し、第１の基板と第２の基板との内部に改質部を形成することから、第１の基板及び第２の基板を反転する必要がない。従って、反転する工程を必要とする場合に比べて、生産性良くスクライブすることができる。
【００２８】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、光透過性の第１の基板と、第２の基板とを接合して第１の基板を分断する電気光学装置の製造方法であって、上記に記載の基板の分断方法を用いて形成することを特徴とする。
【００２９】
この電気光学装置によれば、電気光学装置は、上記に記載の基板の分断方法を用いて形成される。電気光学装置を構成する第２の基板には光透過性の導電膜が生成される。第１の基板を分断するとき、改質部を形成する為に用いるレーザ光により、第２の基板に形成されている導電膜は、損傷を受けにくくなっている。従って、第１の基板を分断するときに、第２の基板の導電膜は損傷が防止できる電気光学装置の製造方法とすることができる。
【００３０】
本発明の電気光学装置の製造方法では、導電膜は、配線であることを特徴とする。
【００３１】
この電気光学装置によれば、第２の基板に形成されている導電膜は配線であることから、この配線は、光透過性の導電膜となっている。従って、第１の基板を分断するときに、第１の基板に照射するレーザ光により、第２の基板の配線は損傷が防止できる電気光学装置の製造方法とすることができる。
【００３２】
本発明の電気光学装置の製造方法では、導電膜は、電極端子であることを特徴とする。
【００３３】
この電気光学装置によれば、第２の基板に形成されている導電膜は電極端子であることから、この電極端子は、光透過性の導電膜となっている。従って、第１の基板を分断するときに、第２の基板の電極端子は損傷が防止できる電気光学装置の製造方法とすることができる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の製造方法では、電気光学装置はスイッチング素子を有し、導電膜は、スイッチング素子と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３５】
この電気光学装置によれば、電気光学装置はスイッチング素子を有している。スイッチング素子は、電気信号を元に電流の流れを切り替えて、表示素子に流す電流を制御している。個々の表示素子に電流を供給する配線を形成する方法に比べて、配線の数を減らすことができることから、配線の設計をしやすい電気光学装置とすることができる。
【００３６】
スイッチング素子に電気信号を供給する配線のうち少なくとも一部は光透過性の導電膜により形成される。第１の基板を分断するとき、光透過性の導電膜により形成されている配線は、レーザ光により損傷を受けにくくなっていることから、スイッチング素子に品質良く電気信号を供給できる電気光学装置とすることができる。
【００３７】
本発明の基板は、上記に記載の基板の分断方法で分断されていることを特徴とする。
【００３８】
この基板によれば、基板は上記の基板の分断方法で分断されている。基板は、第１の基板と第２の基板とを有し、第２の基板には導電膜が形成されている。この導電膜は、第１の基板を分断するときに用いられるレーザ光により損傷を受けにくい。従って、この基板において、第２の基板に形成される導電膜の損傷が防止できる基板とすることができる。
【００３９】
本発明の電気光学装置は、上記に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする。
【００４０】
この電気光学装置によれば、電気光学装置は上記の電気光学装置の製造方法を用いて製造されている。電気光学装置は、光透過性の導電膜を有し、基板を分断するときに、レーザ光による損傷を受けにくい導電膜となっている。従って、基板を分断するときに、基板に形成されている導電膜の損傷が防止できる基板を備えている電気光学装置とすることができる。
【００４１】
本発明の電子機器は、上記に記載の電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする。
【００４２】
この電子機器によれば、電子機器は上記の電気光学装置を備えている。この電気光学装置は、レーザ光を用いて基板をスクライブして分断するとき、基板に形成されている導電膜は、レーザ光による損傷を受けにくい導電膜となっている。従って、基板に形成されている導電膜は、レーザ光により損傷を受けることが少ない。従って、スクライブ工程で、レーザ光による損傷が防止できる導電膜を備えた電気光学装置を有する電子機器とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００４４】
（第１の実施形態）
本実施形態では、光透過性の導電膜を形成し、レーザスクライブ法によってスクライブして分断する場合の例を説明する。ここでは、本発明の特徴的な製造方法について説明する前にレーザ照射装置について説明する。
【００４５】
（レーザ照射装置）
図１は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。
図１に示すように、レーザ照射装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部３と、光学経路部３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。
【００４６】
レーザ光源２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源２は、本実施形態において、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）のレーザ媒質からなり、第３高調波（波長：３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パルスのレーザ光を出射する発光条件を採用している。
【００４７】
光学経路部３はダイクロイックミラー６を備えている。ダイクロイックミラー６は、レーザ光源２から照射されるレーザ光の光軸７上に配置されている。ダイクロイックミラー６はレーザ光源２から照射されるレーザ光を反射して、光軸７の進行方向を変更する。ダイクロイックミラー６に反射したレーザ光が通過する光軸７上に集光レンズ８が配置されている。テーブル部４にはワーク９が配置され、集光レンズ８を通過したレーザ光がワーク９に照射されるようになっている。
【００４８】
集光レンズ８はレンズ支持部１０により、レンズ移動機構１１に支持されている。レンズ移動機構１１は、図示しない直動機構を有し、集光レンズ８を光軸７方向に移動させて、集光レンズ８を通過したレーザ光が集光する位置を移動可能としている。
【００４９】
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構１１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸７方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００５０】
集光レンズ８とダイクロイックミラー６とを通過する光軸７の延長線上にあって、ダイクロイックミラー６に対して集光レンズ８と反対側には、撮像装置１２を備えている。撮像装置１２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ８を透過してワーク９を照射する。撮像装置１２は、集光レンズ８とダイクロイックミラー６とを通してワーク９を撮像することが可能となっている。
【００５１】
テーブル部４は、基台１５を備えている。基台１５の光学経路部３側には、レール１６が凸設して配置されており、レール１６上にはＸ軸スライド１７が配置されている。Ｘ軸スライド１７は、図示しない直動機構を備え、レール１６上のＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構１１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド１７が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００５２】
Ｘ軸スライド１７の光学経路部３側にはレール１８が凸設して配置されており、レール１８上にはＹ軸スライド１９が配置されている。Ｙ軸スライド１９は、Ｘ軸スライド１７と同様な直動機構を備え、レール１８上をＹ方向に移動可能となっている。
【００５３】
Ｙ軸スライド１９の光学経路部３側には、ステージ２０が配置され、ステージ２０の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク９を載置すると、チャック機構によって、ワーク９がステージ２０の上面の所定の位置に位置決めされ固定されるようになっている。
【００５４】
制御装置５は、メインコンピュータ２４を備えている。メインコンピュータ２４は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やメモリーを備えている。ＣＰＵはメモリー内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザ照射装置１の動作を制御するものである。
メインコンピュータ２４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置２５、表示装置２６、レーザ制御装置２７、レンズ制御装置２８、画像処理装置２９、ステージ制御装置３０と接続されている。
【００５５】
入力装置２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置２６はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行い。加工状況を表示装置２６に表示する。操作者が表示装置２６に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況を確認して操作するようになっている。
【００５６】
レーザ制御装置２７は、レーザ光源２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ２４の制御信号により制御される。
レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構１１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置２８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ８の光軸７方向の位置を認識する。レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構１１を所望の位置に移動することができるようになっている。
【００５７】
画像処理装置２９は、撮像装置１２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ２０にワーク９を配置し、撮像装置１２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構１１を操作して、集光レンズ８とワーク９との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光レンズ８を移動して、ワーク９のステージ２０側の面に焦点が合うときと、ワーク９の光学経路部３側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。
【００５８】
集光レンズ８を光軸７の方向に移動して、撮像装置１２が撮像する画像が鮮明になる集光レンズ８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク９の厚みを測定することが可能となる。
【００５９】
撮像装置１２で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光を照射したときに、集光レンズ８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物をワーク９としてステージ２０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置１２の焦点が合うように集光レンズ８を移動する。次に、レーザ光を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部の距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。
【００６０】
集光レンズ８を光軸７方向に移動して、ワーク９の光学経路部３側の面に撮像装置１２の焦点を合わせる。レーザ光を照射したい位置とオフセット距離とで集光レンズ８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光レンズ８を移動させる。この方法でワーク９における所定の深さにレーザ光を集光することが可能となる。
【００６１】
ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置３０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置を検出する。ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報を取得し、メインコンピュータ２４から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して移動する。ステージ制御装置３０はＸ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して、所望の位置にワーク９を移動することが可能となっている。
【００６２】
レーザ制御装置２７がレーザ光源２を制御しレーザ光を発光させる。画像処理装置２９がワーク９の面の光軸方向の位置を検出する。レンズ制御装置２８がレーザ光を集光する光軸方向の位置を制御する。ステージ制御装置３０がワーク９をＸＹ方向に移動して、ワーク９にレーザ光が照射される位置を制御する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ光を集光して照射することが可能となっている。
【００６３】
ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光レンズ８によって集光されたレーザ光は、ワーク９に入射する。そして、ワーク９がレーザ光を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップよりも光子のエネルギーが非常に大きいとき、ワーク９は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と言い、レーザ光のパルス幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収をワーク９の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。
【００６４】
本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果複数のクラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英などの場合には、クラック部は複数のクラックにならず、空洞が形成される場合もある。
【００６５】
このような改質部を形成するためのレーザ光の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光の出力やパルス幅、パルス周期、レーザスキャン速度等の設定が必要になる。特に、レーザ光源２が照射するレーザ光の出力は、ダイクロイックミラー６や集光レンズ８のような光軸７上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。
【００６６】
（基板の分断方法）
次に本発明の基板の分断方法について図２〜図４にて説明する。図２は、基板の分断方法のフローチャートであり、図３〜図４は基板の分断方法を説明する図である。
【００６７】
図２のフローチャートにおいて、ステップＳ１は導電膜形成工程に相当し、第２の基板にレーザ光に対して透過性のある導電膜を配線、電極として形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、接合工程に相当し、第１の基板と第２の基板とを接合する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３はスクライブ工程に相当し、第１の基板にレーザ光を用いて、第１の基板の内部にレーザ光を照射して改質部を配列して形成し、スクライブする工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は分断工程に相当し、配列して形成されている改質部に応力を加えて分断する工程である。
【００６８】
次に、図３〜図４を用いて、図２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図３（ａ）は、本実施形態で形成された接合基板の模式平面図である。図３（ｂ）は接合基板のＡ−Ａ’線から見た模式側面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す様に、接合基板３４は、第１の基板３５と第２の基板３６とが接着剤３７を介して接合されている。第１の基板３５は基板３８を備え、第２の基板３６は基板３９を備えている。基板３８と基板３９とは、レーザ光に透過性のある材質からなり本実施形態では、例えば、石英ガラスを採用している。
【００６９】
第２の基板３６において、基板３９の表面には、基板３９の長手方向と直交する方向に一対の電極端子４０ａ，４０ｂが形成され、導電膜としての配線４１により電気的に接続されている。同様に、電極端子４０ａ，４０ｂの隣には、一対の導電膜としての電極端子４２ａ，４２ｂが形成され、配線４３により電気的に接続されている。電極端子４０ａ，４０ｂ，４２ａ，４２ｂ及び、配線４１，４３はレーザ光に対して光透過性の導電膜により形成されている。光透過性の導電膜は、酸化亜鉛系、酸化インジウム系、酸化スズ系などの膜で光が透過する厚みであれば良く、本実施形態では、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜を採用している。
【００７０】
基板３９の表面には、３端子のトランジスタ４４とトランジスタ４５とが形成されている。トランジスタ４４とトランジスタ４５とは、配線４６ａにより電気的に接続されている。基板３９の端面３９ａ側には、電極端子４７及び電極端子４８が配置されている。電極端子４７とトランジスタ４４とは、配線４６ｂ及び配線４９を介して電気的に接続されている。同様に、電極端子４８とトランジスタ４５とは、配線４６ｅ及び配線５０を介して電気的に接続されている。
【００７１】
基板３９の端面３９ａ側には、電極端子５１及び電極端子５２が配置されている。電極端子５１は、トランジスタ４４と配線４６ｃを介して電気的に接続され、電極端子５２は、トランジスタ４５と配線４６ｄを介して電気的に接続されている。
【００７２】
基板３９の端面３９ｂ側には、電極端子５３が配置され、電極端子５３とトランジスタ４４及びトランジスタ４５とは、配線４６ａ及び配線５４を介して電気的に接続されている。
【００７３】
金属膜としての配線４６ａ〜配線４６ｅと、電極端子４７と、電極端子４８と、電極端子５３とは金属からなる膜により形成されている。本実施形態においては、例えば、アルミニウムを採用している。また、導電膜としての配線４９と、配線５０と、配線５４と、電極端子５１及び電極端子５２とは、レーザ光に対して光透過性の導電膜により形成されている。光透過性の導電膜は、本実施形態では、例えば、ＩＴＯ膜を採用している。
【００７４】
図３（ｃ）及び図３（ｄ）は、ステップＳ１に対応する図である。図３（ｃ）は基板３９の平面図であり、図３（ｄ）は基板３９の側面図である。図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示す様に、基板３９に、トランジスタ４４，４５及び、電極端子４０ａ，４０ｂ，４２ａ，４２ｂ，４７，４８，５１，５２，５３及び、配線４１，４３，４６ａ〜４６ｅ，４９，５０，５４を形成する。トランジスタ４４，４５及び、電極端子４０ａ，４０ｂ，４２ａ，４２ｂ，４７，４８，５１，５２，５３及び、配線４１，４３，４６ａ〜４６ｅ，４９，５０，５４の形成方法は、フォトリソグラフィ法等の公知の方法を用いて形成可能であり、説明を省略する。
【００７５】
図３（ａ）に示す基板３８にて分断されている線に相当する線を分断予定線とし、基板３８を分断する分断予定線を図３（ｃ）に示す分断予定線５５ａ及び分断予定線５５ｂとする。分断予定線５５ａ及び分断予定線５５ｂは、基板３９の長手方向に延在する仮想線であり、一点鎖線で示す線である。
【００７６】
図３（ｅ）及び図４（ａ）はステップＳ２に対応する図である。図３（ｅ）に示す様に、基板３９に接着剤３７を塗布する。接着剤３７は、図３（ｃ）に示す分断予定線５５ａと分断予定線５５ｂとに挟まれた領域に塗布する。塗布方法は、塗布厚みと塗布位置が精度良く塗布できれば良く、本実施形態では、例えば、スクリーン印刷法を採用している。接着剤３７は、基板と基板とを接着できるものであれば良く、基板の材質に合わせて選択する。本実施形態では、例えば、接着剤３７にエポキシ系接着剤を採用している。
【００７７】
図４（ａ）に示すように、基板３９に塗布した接着剤３７に重ねて基板３８を配置し押圧する。続いて、押圧されて形成された接合基板３４を乾燥して、接着剤３７を固化する。
【００７８】
図４（ｂ）及び図４（ｃ）はステップＳ３に対応する図である。図４（ｂ）に示す様に、集光レンズ８で集光したレーザ光５６を基板３８の内部に照射する。基板３８の内部において、レーザ光５６が照射された場所には、改質部５７が形成される。改質部５７の中央部には、空洞となったクラック部５８が形成される。
【００７９】
集光レンズ８と基板３８とを相対的に移動して、レーザ光５６を基板３８の内部に照射して改質部５７を配列して形成する。基板３８において、第２の基板３６側の面３８ａに近い場所には１段目の改質部５７ａが形成される。１段目の改質部５７ａは、クラック部５８が面３８ａと交差しない範囲で近くに形成するのが、望ましい。少なくとも、クラック部５８と面３８ａとの距離は、クラック部５８の長手方向の長さの１０倍以内に形成するのが望ましい。クラック部５８と面３８ａとの距離は、クラック部５８の長手方向の長さの２倍以内（面の近傍）に形成するのがさらに望ましい。
【００８０】
形成されている１段目の改質部５７ａに対して、基板３８の厚み方向に隣接する場所に、２段目の改質部５７ｂを形成する。２段目の改質部５７ｂについても、集光レンズ８からレーザ光５６を基板３８の内部に集光して照射し、２段目の改質部５７ｂ形成する。同様に、３段目、４段目と配列の段数を重ねて配列する。
【００８１】
図４（ｃ）に示すように、その結果、改質部５７が配列した面が形成される。レーザ光５６は、図３（ｃ）に示す分断予定線５５ａ及び分断予定線５５ｂに沿って照射される。その結果、分断予定線５５ａに沿って形成されるスクライブ面５９ａと分断予定線５５ｂに沿って形成されるスクライブ面５９ｂが形成される。
【００８２】
図４（ｄ）はステップＳ４に対応する図である。図４（ｄ）に示す様に、第１の基板３５を弾性材からなる台６０の上に配置する。分断予定線５５ａに形成されたスクライブ面５９ａに対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。基板３８は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。基板３８は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
【００８３】
同様に、分断予定線５５ｂに形成されたスクライブ面５９ｂに対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。基板３８は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。基板３８は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
【００８４】
図３（ｂ）に示す様に、その結果、第１の基板３５は図４（ｃ）に示すスクライブ面５９ａ及びスクライブ面５９ｂで分断され接合基板３４が形成される。
【００８５】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第２の基板３６において、電極端子４２ａ，４２ｂ，５１，５２及び、配線４１，４９，５０，５４はレーザ光を透過する導電膜から形成されている。第１の基板３５にレーザ光５６を照射するとき、第１の基板３５は光透過性であることから、レーザ光５６の一部は、第１の基板３５を通過する可能性がある。レーザ光５６が第１の基板３５を通過する場合、通過するレーザ光５６は、第２の基板３６を照射する。第２の基板３６において、分断予定線５５ａ及び分断予定線５５ｂと対向する場所には、レーザ光５６を透過する導電膜により形成されている電極端子４２ａ，４２ｂ，５１，５２及び配線４１，４９，５０，５４が配置されている。第２の基板３６を照射するレーザ光５６が電極端子４２ａ，４２ｂ，５１，５２及び、配線４１，４９，５０，５４を照射するとき、レーザ光５６は電極端子４２ａ，４２ｂ，５１，５２及び、配線４１，４９，５０，５４を通過することから、電極端子４２ａ，４２ｂ，５１，５２及び、配線４１，４９，５０，５４は、レーザ光５６により損傷を受けにくくなっている。従って、第２の基板３６に形成される電極端子４２ａ，４２ｂ，５１，５２及び、配線４１，４９，５０，５４は、レーザ光５６により損傷を殆ど受けることなく、第１の基板３５はスクライブされ、分断される。
【００８６】
（２）本実施形態によれば、電極端子４０ａ，４０ｂ，４２ａ，４２ｂ，５１，５２及び、配線４１，４３，４９，５０，５４は導電膜により形成されている。本実施形態においては、導電膜は、ＩＴＯ膜を採用している。ＩＴＯ膜は、酸化亜鉛系、酸化インジウム系、酸化スズ系など、他の透明導電膜に比べて、単位面積当りの抵抗が低いことから、電流を流し易く、電磁波のノイズの影響を受けにくくなる。従って、ノイズに強い導電膜とすることができる。
【００８７】
（３）本実施形態によれば、第２の基板３６のレーザ光が照射されない場所には、金属膜からなる電極端子４７，４８，５３及び配線４６ａ〜配線４６ｅが形成されている。電極端子４７，４８，５３及び配線４６ａ〜配線４６ｅが形成されている場所には、レーザ光５６が照射されないことから、電極端子４７，４８，５３及び配線４６ａ〜配線４６ｅがレーザ光５６により損傷を受けることがない。
【００８８】
金属膜は、ＩＴＯ膜に比べて、電気抵抗が低いことから、膜に電流を流すときに電圧降下を少なくすることができる。従って、電流を流す場所をＩＴＯ膜で形成する場合に比べて、電力損失を少なくすることができる。
【００８９】
（４）本実施形態によれば、改質部５７は第１の基板３５における面３８ａに近い場所に形成される。第１の基板３５において、第２の基板３６側の面３８ａに近い場所に１段目の改質部５７ａを形成するとき、レーザ光５６は、面３８ａに近い場所に集光する為、レーザ光５６は、第１の基板３５を通過し易くなる。レーザ光５６が第１の基板３５を通過して、第２の基板３６を照射するとき、第２の基板３６において、レーザ光５６が照射される場所に形成されている導電膜は、光透過性を有することから、損傷を受けにくくなっている。
【００９０】
改質部５７が第１の基板３５における少なくとも一つの面３８ａに近い場所に形成される。第１の基板３５が改質部５７に沿って分断されるとき、改質部５７が面３８ａに近い場所まで形成されている為、分断される断面は凹凸が少なく分断される。
【００９１】
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した基板の分断方法の一実施形態について、図２及び図５〜図７にて説明する。図２は、基板の分断方法のフローチャートであり、図５〜図７は基板の分断方法を説明する図である。第２の実施形態が、第１の実施形態と異なる点は、第１の基板に加えて、第２の基板についても、レーザ光を用いてスクライブし、分断する点である。
【００９２】
図２のフローチャートにおいて、各ステップの内容は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【００９３】
図５（ａ）は、ステップＳ１に対応する図であり、第１の実施形態における、図３（ｃ）に対応する図である。図５（ａ）に示す様に、第２の基板６５には、同じパターンが２つ並べて形成されている。又、第１の実施形態の図３（ｃ）においては、金属膜からなる電極端子４７，４８，５３が、基板３９に形成されている。一方、第２の実施形態の図５（ａ）においては、第２の基板６５は、光透過性の導電膜であるＩＴＯ膜からなる導電膜としての電極端子６６，６７，６８が基板６９に形成されている。
【００９４】
ステップＳ２にて接合する第１の基板７２を分断する予定線を設定し、分断予定線７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，７０ｄとする。同様に、第２の基板６５を分断する予定線を設定し、分断予定線７１とする。分断予定線７０ａ〜分断予定線７０ｄ及び分断予定線７１は、基板６９の長手方向に延在する仮想線であり、一点鎖線で示す線である。
【００９５】
図５（ｂ）はステップＳ２に相当する図である。基板６９に接着剤３７を塗布する。接着剤３７は、分断予定線７０ａと分断予定線７０ｂとに挟まれた領域及び、分断予定線７０ｃと分断予定線７０ｄとに挟まれた領域に塗布する。続いて、第１の基板７２と第２の基板６５とを接着し、乾燥する。第１の基板７２は、光透過性の性質を有し、外形寸法が基板６９と同じ寸法となっている。
【００９６】
図５（ｃ）及び図６（ａ）〜図６（ｃ）はステップＳ３に相当する図である。図５（ｃ）に示す様に、集光レンズ８を用いてレーザ光５６を集光し、基板６９の内部に照射する。レーザ光５６が集光して照射される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中心にはクラック部５８が形成される。集光レンズ８と基板６９とを相対移動し、改質部５７を配列して形成する。レーザ光５６は、図５（ａ）に示す分断予定線７１に沿って照射され、改質部５７は、分断予定線７１に沿って基板６９の厚さ方向に多段に形成される。
【００９７】
図６（ａ）に示す様に、その結果、分断予定線７１に沿って、改質部５７が多段に配置されているスクライブ面７３が形成される。
【００９８】
図６（ｂ）に示す様に、続いて、集光レンズ８を用いてレーザ光５６を集光し、第１の基板７２の内部に照射する。レーザ光５６は、図５（ａ）に示す分断予定線７０ａ〜分断予定線７０ｄに沿って照射され、改質部５７は、分断予定線７０ａ〜分断予定線７０ｄに沿って第１の基板７２の厚さ方向に多段に形成される。
【００９９】
図６（ｃ）に示す様に、その結果、分断予定線７０ａ〜分断予定線７０ｄに沿って、改質部５７が多段に形成され、分断予定線７０ａ〜分断予定線７０ｄに対応して、スクライブ面７４ａ〜スクライブ面７４ｄが形成される。
【０１００】
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、ステップＳ４に対応する図である。図７（ａ）に示す様に、基板６９を弾性材からなる台６０の上に配置する。分断予定線７１に沿って形成されたスクライブ面７３に対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。基板６９は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。基板６９は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
【０１０１】
図７（ｂ）に示す様に、続いて、第１の基板７２を弾性材からなる台６０の上に配置する。分断予定線７０ａ〜分断予定線７０ｄに沿って形成されたスクライブ面７４ａ〜スクライブ面７４ｄに対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。第１の基板７２は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。第１の基板７２は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。以上の工程により、第１の基板７２と第２の基板６５とが接合され、分断されて、分離される。
【０１０２】
上述したように、本実施形態によれば、第１の実施形態における効果（１）〜効果（４）に加え、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第２の基板６５の内部に改質部５７を形成するとき、レーザ光５６が第１の基板７２を透過して、第２の基板６５を照射する。第２の基板６５において、レーザ光５６が照射される場所には、光透過性の導電膜からなる電極端子４０ａ，４０ｂ，４２ａ，４２ｂ，５１，５２，６６，６７，６８が形成されている。電極端子４０ａ，４０ｂ，４２ａ，４２ｂ，５１，５２，６６，６７，６８は、レーザ光５６を透過することから損傷を殆ど受けずに、レーザ光５６は、第２の基板６５の内部を照射する。第１の基板７２と第２の基板６５とを同じ第１の基板７２側からレーザ光５６を照射して、第１の基板７２と第２の基板６５との内部に改質部５７を形成することから、第１の基板７２及び第２の基板６５を反転する必要がない。従って、反転する工程を必要としないことから生産性良くスクライブすることができる。
【０１０３】
（第３の実施形態）
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図８〜図１６を用いて説明する。
本実施形態では、本発明の基板の分断方法を用いて液晶表示装置を製造する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、液晶表示装置について順次説明する。
【０１０４】
（液晶表示装置）
まず、液晶表示装置について説明する。図８は、液晶表示装置の模式平面図であり、図９は、図８の液晶表示装置のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図である。
【０１０５】
図８及び図９において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置８１は、対をなすＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３とが熱硬化性の封止材であるシール８４によって貼り合わされ、このシール８４によって区画される領域内に封入された液晶８５からなる液晶層を備えている。シール８４は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。
【０１０６】
シール８４の内側で対向基板８３の液晶８５側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り８６が形成されている。シール８４の外側の場所には、データ線駆動回路８７及び電極端子８８がＴＦＴアレイ基板８２の辺８２ａ（図８中下側の辺）に沿って形成されており、この辺８２ａに隣接する辺８２ｂ及び辺８２ｃ（図８中左右の辺）に沿って走査線駆動回路８９が形成されている。データ線駆動回路８７、電極端子８８及び走査線駆動回路８９は光透過性の導電膜である配線９０ａにより電気的に接続されている。ＴＦＴアレイ基板８２の残る辺８２ｄ（図８中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路８９の間を接続するための光透過性の導電膜である配線９０ｂが設けられている。電極端子８８及び配線９０ａ，９０ｂは、レーザ光に対して光透過性のある導電膜であれば良く、本実施形態では、例えば、ＩＴＯ膜を採用している。また、対向基板８３のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３との間で電気的導通をとるための基板間導通材９１が配設されている。
【０１０７】
また、液晶表示装置８１はカラー表示用として構成しており、対向基板８３において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ９２Ｒ，９２Ｇ，９２Ｂが保護膜とともに形成されている。カラーフィルタ９２Ｒ，９２Ｇ，９２Ｂの各フィルタ素子の間には、遮光膜９３が形成されており、カラーフィルタ９２Ｒ，９２Ｇ，９２Ｂを通過しない光は遮光膜９３が遮断するようになっている。さらに、カラーフィルタ９２Ｒ，９２Ｇ，９２Ｂの保護膜のＴＦＴアレイ基板８２側には対向電極９４と配向膜９５とが配置されている。
【０１０８】
液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶分子の液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、ＴＦＴのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。それにより、透過した光は、画素毎に相対して設置される赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の色フィルタを有するカラーフィルタを透過することで、画素毎に対応する各色フィルタの色を色光として透過する。なお、光が液晶により遮られた画素に対応する色フィルタには当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させることにより、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、カラー映像を表示させることができる。
【０１０９】
このような構造を有する液晶表示装置８１の画像を表示する領域には、複数の画素がｍ行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素の各々には、画素信号をスイッチングするスイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されている。画素信号を供給するデータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に画素電極９６が電気的に接続されている。画素電極９６はカラーフィルタ９２Ｒ，９２Ｇ，９２Ｂの各フィルタ素子と対向する場所に形成されている。走査線が接続されるＴＦＴのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。
【０１１０】
画素電極９６は、ＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続されており、ＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素の画素電極９６に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極９６に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、図９に示す対向基板８３の対向電極９４との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶８５の光透過量が変化する。液晶表示装置８１はカラーフィルタを備えており、カラーフィルタ９２Ｒ，９２Ｇ，９２Ｂを透過する光を液晶８５からなる液晶層を挟持する電極に印加する画像信号により制御することで、液晶表示装置８１はカラー画像を表示することができる。
【０１１１】
画素電極９６の対向基板８３側には配向膜９７が配置されている。配向膜９５と配向膜９７とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜９５と配向膜９７との間に充填された液晶８５は、溝状の凹凸に沿って配列して形成される。
【０１１２】
ＴＦＴアレイ基板８２及び対向基板８３において、液晶８５と反対側の面には、偏光シート９８，９９が配置され、偏光シート９８，９９及び液晶８５の作用により、液晶表示装置８１を透過する光透過量が変化するようになっている。
【０１１３】
（液晶表示装置の製造方法）
次に、上述した液晶表示装置８１における基板の分断方法について図１０〜図１７にて説明する。図１０は、液晶表示装置の製造方法のフローチャートであり、図１１〜１７は液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【０１１４】
図１０のフローチャートにおいて、ステップＳ１１はＴＦＴアレイマザー基板の素子、配線、電極形成工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板に素子、配線、電極等を形成する工程である。次にステップＳ１２に移行する。ステップＳ１２は接合工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板と対向マザー基板とを接合する工程である。次にステップＳ１３に移行する。ステップＳ１３は対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向マザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ１４に移行する。ステップＳ１４は対向マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、対向マザー基板において、ステップＳ１３でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ１５に移行する。
【０１１５】
ステップＳ１５はＴＦＴアレイマザー基板の第１スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ１６に移行する。ステップＳ１６はＴＦＴアレイマザー基板の第２スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板において、ステップＳ１５でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ１７に移行する。ステップＳ１７は対向マザー基板の分断工程に相当し、対向マザー基板を分断する工程である。次にステップＳ１８に移行する。ステップＳ１８はＴＦＴアレイマザー基板の分断工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板を分断する工程である。以上の工程により、液晶表示装置８１が形成される。
【０１１６】
次に、図１１〜図１７を用いて、図１０に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図１１（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板が区画形成されたマザー基板であるＴＦＴアレイマザー基板を示す模式図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った模式断面図である。
【０１１７】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）はステップＳ１１に対応する図である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、基板及び第２の基板としてのＴＦＴアレイマザー基板１０２は円板状に形成されている基板１０３の一つの面１０３ａには、画素電極９６が配列して形成され、画素電極９６を覆う様に、配向膜９７が形成され、表面に凹凸を形成する配向処理が施されている。基板１０３は、光透過性のある材質であれば良く、例えば、本実施形態では石英ガラスを採用している。
【０１１８】
ＴＦＴアレイマザー基板１０２には、各画素電極９６に対応して図示しないＴＦＴが配列して形成され、画素電極９６とＴＦＴとが電気的に接続されている。ＴＦＴに信号を送信するデータ線駆動回路８７及び走査線駆動回路８９とが形成され、ＴＦＴと、データ線駆動回路８７及び走査線駆動回路８９とを電気的に接続する配線１０４が形成されている。配線１０４は、アルミニウムを素材として採用されている。データ線駆動回路８７と走査線駆動回路８９とに対して外部から信号を入力する為の電極端子８８が形成され、データ線駆動回路８７及び走査線駆動回路８９と電極端子８８とを電気的に接続する配線９０ａが形成されている。配線９０ａ，９０ｂ及び電極端子８８は光透過性の導電膜により形成され、本実施形態では、導電膜にＩＴＯ膜が採用されている。
【０１１９】
ＴＦＴアレイマザー基板１０２に形成されている以上の回路、素子、配線等は公知の方法により製造されており、説明を省略する。
【０１２０】
図１２〜図１３はステップＳ１２に対応する図である。図１２（ａ）に示す様に、基板１０３にシール材１０５を塗布する。シール材１０５は固化時に基板を接着可能であり、液晶に対して、影響を及ぼさない材料であれば良く、本実施形態では熱硬化性のエポキシ樹脂を採用している。シール材１０５は図８に示すシール８４の様に、枠形状に塗布する。
【０１２１】
図１２（ｂ）に示す様に、基板１０３において、枠形状に塗布されているシール材１０５の内側にディスペンサを用いて液晶８５を塗布する。図示しない真空チャンバに、液晶８５が塗布されている基板１０３を配置して、真空チャンバ内を脱気して真空にする。
【０１２２】
図１３（ａ）は、マザー基板を示す模式図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った模式断面図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、真空にした真空チャンバ中で、第１の基板としての対向マザー基板１０６とＴＦＴアレイマザー基板１０２との相対位置を合わせて押圧する。対向マザー基板１０６には、図９に示すカラーフィルタ９２Ｒ，９２Ｇ，９２Ｂ、遮光膜９３、対向電極９４が基板１０７に形成されている。ＴＦＴアレイマザー基板１０２に対向マザー基板１０６を押圧した後、真空チャンバ内に空気を流入する。大気圧によりＴＦＴアレイマザー基板１０２と対向マザー基板１０６とが加圧される。
【０１２３】
対向マザー基板１０６とＴＦＴアレイマザー基板１０２との相対位置を保持した状態で加熱して乾燥し、シール材１０５を固化してシール８４を形成する。対向マザー基板１０６とＴＦＴアレイマザー基板１０２とがシール８４を介して接合されたマザー基板１０８が完成し、ステップＳ１２が終了する。
【０１２４】
図８に示す液晶表示装置８１を形成する為に、対向マザー基板１０６を分断する予定の面をＨ対向切断面１０９、Ｖ対向切断面１１０とし、ＴＦＴアレイマザー基板１０２を分断する予定の面をＨ素子切断面１１１、Ｖ素子切断面１１２と表記する。
Ｈ対向切断面１０９は、一点鎖線で示した対向マザー基板１０６の切断面であり、図１３（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１３（ａ）に示した、１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃ，１０９ｄ，１０９ｅは、それぞれＨ対向切断面１０９である。
【０１２５】
Ｖ対向切断面１１０は、一点鎖線で示した対向マザー基板１０６の切断面であり、図１３（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図１３（ａ）に示した、１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃは、それぞれＶ対向切断面１１０である。
【０１２６】
Ｈ素子切断面１１１は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板１０２の切断面であり、図１３（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１３（ａ）に示した、１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃは、それぞれＨ素子切断面１１１である。
【０１２７】
Ｖ素子切断面１１２は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板１０２の切断面であり、図１３（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。Ｖ素子切断面１１２は、Ｖ対向切断面１１０と対向する場所に位置し、図１３（ａ）に示した、１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは、それぞれＶ素子切断面１１２である。
【０１２８】
図１４（ａ）〜図１４（ｂ）はステップＳ１３に対応する図である。図１４（ａ）に示す様に、対向マザー基板１０６の基板１０７の内部に、集光レンズ８でレーザ光５６を集光して照射する。レーザ光５６が集光して照射される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。集光レンズ８と基板１０７とを相対的に移動してレーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。まず、基板１０７において、ＴＦＴアレイマザー基板１０２側の面１０７ｂの近くに改質部５７を配列して１段目の改質部５７ａを、基板１０７のＶ対向切断面１１０に沿って形成する。続いて、１段目と隣接する場所に改質部５７を配列して２段目の改質部５７ｂを形成する。３段目以降についても、同様の方法で、改質部５７を配列して形成する。
【０１２９】
図１３（ａ）に示す様に、ＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｖ対向切断面１１０と対向する場所の近くには配線９０ａと配線９０ｂとが形成されている。レーザ光５６をＶ対向切断面１１０に沿って照射するとき、対向マザー基板１０６を通過するレーザ光５６が、配線９０ａと配線９０ｂとを照射する可能性がある。配線９０ａと配線９０ｂとは、光透過性の導電膜により形成されていることから、レーザ光５６は、配線９０ａと配線９０ｂとを通過する。従って、配線９０ａと配線９０ｂとが、レーザ光５６により損傷を受けにくくなっている。
【０１３０】
図１４（ｂ）に示す様に、その結果、基板１０２のＶ対向切断面１１０総てに改質部５７が配列して形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。
【０１３１】
図１４（ｃ）〜１４（ｄ）はステップＳ１４に対応する図である。図１４（ｃ）に示す様に、対向マザー基板１０６の基板１０７の内部に、集光レンズ８でレーザ光５６を集光して照射する。レーザ光５６が集光して照射される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。ステップＳ１３と同様に、集光レンズ８と基板１０７とを相対移動して、レーザ光５６を照射し、改質部５７が、基板１０７のＨ対向切断面１０９に沿って配列して形成される。
【０１３２】
図１３（ａ）に示す様に、ＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｈ対向切断面１０９と対向する場所の近くには電極端子８８と配線９０ｂとが形成されている。レーザ光５６をＨ対向切断面１０９に沿って照射するとき、対向マザー基板１０６を通過するレーザ光５６が、電極端子８８と配線９０ｂとを照射する可能性がある。電極端子８８と配線９０ｂとは、光透過性の導電膜により形成されていることから、レーザ光５６は、電極端子８８と配線９０ｂとを通過する。従って、電極端子８８と配線９０ｂとが、レーザ光５６により損傷を受けにくくなっている。
【０１３３】
図１４（ｄ）に示す様に、その結果、基板１０６のＨ対向切断面１０９総てに改質部５７が配列して形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。
【０１３４】
図１５（ａ）〜１５（ｂ）はステップＳ１５に対応する図である。図１５（ａ）に示す様に、ＴＦＴアレイマザー基板１０２の基板１０３の内部に、集光レンズ８でレーザ光５６を集光して照射する。レーザ光５６が集光して照射される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。ステップＳ１３と同様に、集光レンズ８と基板１０３とを相対移動して、レーザ光５６を照射し、改質部５７が、基板１０３のＶ素子切断面１１２に沿って配列して形成される。
【０１３５】
図１３（ａ）に示す様に、ＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｖ素子切断面１１２の近くには配線９０ａと配線９０ｂとが形成されている。レーザ光５６をＶ素子切断面１１２に沿って照射するとき、ＴＦＴアレイマザー基板１０２を通過するレーザ光５６が、配線９０ａと配線９０ｂとを照射する可能性がある。配線９０ａと配線９０ｂとは、光透過性の導電膜により形成されていることから、レーザ光５６は、配線９０ａと配線９０ｂとを通過する。従って、配線９０ａと配線９０ｂとが、レーザ光５６により損傷を受けにくくなっている。
【０１３６】
図１５（ｂ）に示す様に、その結果、基板１０３のＶ素子切断面１１２総てに改質部５７が配列して形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。
【０１３７】
図１５（ｃ）〜１５（ｄ）はステップＳ１６に対応する図である。図１５（ｃ）に示す様に、ＴＦＴアレイマザー基板１０２の基板１０３の内部に、集光レンズ８でレーザ光５６を集光して照射する。レーザ光５６が集光して照射される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。ステップＳ１３と同様に、集光レンズ８と基板１０３とを相対移動して、レーザ光５６を照射し、改質部５７が、基板１０３のＨ素子切断面１１１に沿って配列して形成される。
【０１３８】
図１３（ａ）に示す様に、ＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｈ素子切断面１１１の近くには電極端子８８と配線９０ｂとが形成されている。レーザ光５６をＨ素子切断面１１１に沿って照射するとき、ＴＦＴアレイマザー基板１０２を通過するレーザ光５６が、電極端子８８と配線９０ｂとを照射する可能性がある。電極端子８８と配線９０ｂとは、光透過性の導電膜により形成されていることから、レーザ光５６は、電極端子８８と配線９０ｂとを通過する。従って、電極端子８８と配線９０ｂとが、レーザ光５６により損傷を受けにくくなっている。
【０１３９】
図１５（ｄ）に示す様に、その結果、基板１０３のＨ素子切断面１１１総てに改質部５７が配列して形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。ステップＳ１３〜ステップＳ１６の工程により、Ｈ対向切断面１０９、Ｖ対向切断面１１０、Ｈ素子切断面１１１、Ｖ素子切断面１１２の総ての面に沿って改質部５７が配列して形成される。
【０１４０】
図１６（ａ）〜１６（ｄ）はステップＳ１７に対応する図である。図１６（ａ）に示す様に、続いて、マザー基板１０８を弾性材からなる台６０の上に配置する。マザー基板１０８の対向マザー基板１０６が台６０と接する様に配置し、ＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｖ対向切断面１１０に配列して形成されているクラック部５８と対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。対向マザー基板１０６は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。対向マザー基板１０６は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
図１６（ｂ）に示す様に、その結果、対向マザー基板１０６は、Ｖ対向切断面１１０で分断される。
【０１４１】
図１６（ｃ）に示す様に、続いて、ＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｈ対向切断面１０９に配列して形成されているクラック部５８と対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。対向マザー基板１０６は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。対向マザー基板１０６は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
【０１４２】
図１６（ｄ）に示す様に、その結果、対向マザー基板１０６は、Ｈ対向切断面１０９で分断され、いくつかの対向基板片１０７ａに分割される。
【０１４３】
図１７（ａ）に示す様に、続いて、マザー基板１０８のＴＦＴアレイマザー基板１０２が台６０と接する様に配置する。対向マザー基板１０６において、Ｖ素子切断面１１２に配列して形成されているクラック部５８と対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板１０２は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板１０２は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
図１７（ｂ）に示す様に、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板１０２は、Ｖ素子切断面１１２で分断される。
【０１４４】
図１７（ｃ）に示す様に、続いて、対向マザー基板１０６において、Ｈ素子切断面１１１に配列して形成されているクラック部５８と対向する場所を、加圧部材６１を用いて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板１０２は台６０に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板１０２は、台６０と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
【０１４５】
図１７（ｄ）に示す様に、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板１０２は、Ｈ素子切断面１１１で分断され、いくつかのＴＦＴアレイ基板片１０３ｂに分割される。以上の工程により、マザー基板１０８が分割されて、図８に示す液晶表示装置８１の形状に形成され、図９に示す偏光シート９８，９９を接着して液晶表示装置８１が完成する。
【０１４６】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、液晶表示装置８１を構成するＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｈ対向切断面１０９及びＶ対向切断面１１０と対向する場所の近くには、電極端子８８及び配線９０ａ，９０ｂが形成されている。電極端子８８及び配線９０ａ，９０ｂは、光透過性の導電膜により形成されている。
【０１４７】
対向マザー基板１０６を分断するとき、改質部５７を形成する為に用いるレーザ光５６を照射するとき、ＴＦＴアレイマザー基板１０２に形成されている電極端子８８及び配線９０ａ，９０ｂは、光透過性であることから損傷を受けにくくなっている。従って、対向マザー基板１０６を分断するときに、ＴＦＴアレイマザー基板１０２に形成されている電極端子８８及び配線９０ａ，９０ｂの損傷が防止できる液晶表示装置８１の製造方法とすることができる。
【０１４８】
（２）本実施形態によれば、液晶表示装置８１を構成するＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｈ素子切断面１１１及びＶ素子切断面１１２の近くには、電極端子８８及び配線９０ａ，９０ｂが形成されている。電極端子８８及び配線９０ａ，９０ｂは、光透過性の導電膜により形成されている。
【０１４９】
ＴＦＴアレイマザー基板１０２を分断するとき、改質部５７を形成する為に用いるレーザ光５６を照射するとき、ＴＦＴアレイマザー基板１０２に形成されている電極端子８８及び配線９０ａ，９０ｂは、光透過性であることから損傷を受けにくくなっている。従って、ＴＦＴアレイマザー基板１０２を分断するときに、ＴＦＴアレイマザー基板１０２に形成されている電極端子８８及び配線９０ａ，９０ｂの損傷が防止できる液晶表示装置８１の製造方法とすることができる。
【０１５０】
（３）本実施形態によれば、液晶表示装置８１はスイッチング素子（ＴＦＴ）を有している。スイッチング素子は、電気信号を元に電流の流れを切り替えて、画素電極９６に流す電流を制御している。画素電極９６個々に電流を供給する配線を形成する方法に比べて、配線の数を減らすことができることから、配線の設計をしやすい液晶表示装置８１とすることができる。
（第４の実施形態）
【０１５１】
次に、上記の第３の実施形態の液晶表示装置８１を備えた電子機器について説明する。
図１８は、パーソナルコンピュータに液晶表示装置を搭載した例を示す概略斜視図である。図１８に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピュータ１２０の本体は、情報を表示する表示部に、表示装置１２１を備えている。この表示装置１２１に、第３の実施形態により製造された液晶表示装置８１が配置されている。パーソナルコンピュータ１２０に配置されている表示装置１２１は上記した第３の実施形態により製造され、表示装置１２１における基板は、基板に配置されている素子等がレーザ光により損傷を殆ど受けずにスクライブされて分断されている。従って、パーソナルコンピュータ１２０は、基板に配置されている素子等がレーザ光により損傷を殆ど受けずにスクライブされて分断されている液晶表示装置８１を、表示部に備えた電子機器となっている。
【０１５２】
尚、本発明は上述した第１〜第４の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
【０１５３】
（変形例１）
前記第１及び、第２の実施形態では、第１の基板３５，７１と第２の基板３６，６５との２枚の基板を接合して実施しているが、基板を３枚以上接合して実施するときにも、同様の方法にて実施できる。そのとき、前記第１及び第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１５４】
（変形例２）
前記第１及び、第２の実施形態では、第１の基板３５，７１にレーザ光５６を照射する場所と対応する第２の基板３６，６５の近くの場所に形成する配線及び実装端子を、光透過性の導電膜により形成している。第２の基板３６，６５に限らず、第１の基板３５，７１において、配線及び実装端子を形成し、その配線及び実装端子のうち、レーザ光５６が照射される可能性のある場所の配線及び実装端子は、光透過性の導電膜により形成しても良い。そのとき、前記第１及び第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１５５】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、第１の基板３５及び、第２の基板３６に石英ガラスを用い、前記第２の実施形態では、第１の基板７１及び、第２の基板６５に石英ガラスを用いている。前記第３の実施形態では、対向マザー基板１０６とＴＦＴアレイマザー基板１０２に石英ガラスを用いている。これに限らず、光透過性があり、液晶表示装置８１を構成できる脆性材料であれば良い。例えば、石英ガラスの他に、ソーダ石灰ガラス、パイレックス（登録商標）等のホウ珪酸ガラス、ＯＡ−１０（日本電気硝子社製）等の無アルカリガラス、ネオセラム（登録商標）等の耐熱結晶化ガラス、光学ガラス、水晶等を挙げることができる。
【０１５６】
（変形例４）
前記第３の実施形態では、液晶表示装置８１に本発明の基板の分断方法を用いたが、液晶表示装置８１以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（ＥＬＥＣＴＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における基板の分断手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、基板を分断する工程でレーザ光５６により配線や実装端子の損傷が防止できる基板を備えた電気光学装置を提供することができる。
【０１５７】
（変形例５）
前記第４の実施形態で、液晶表示装置８１をパーソナルコンピュータ１２０の表示装置１２１に用いたが、これに限定されない。例えば、電子ブック、携帯電話、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の電子機器の画像表示手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、表示装置１２１に、基板を分断する工程でレーザ光５６により配線や実装端子の損傷が防止できる基板を備えた液晶表示装置８１を有する電子機器を提供することができる。
【０１５８】
（変形例６）
前記第１〜第２の実施形態では、レーザ光源２にＹＡＧレーザを用いたが、フェムト秒レーザを用いても良い。出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用しても良い。発光条件及び集光レンズの条件の例としては、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。集光レンズは、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ  Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズを採用しても良い。
【０１５９】
（変形例７）
前記第３の実施形態では、ステップＳ１３及びステップＳ１４において、対向マザー基板１０６をスクライブした後、マザー基板１０８を反転して、ＴＦＴアレイマザー基板１０２をスクライブした。対向マザー基板１０６をスクライブした後、マザー基板１０８を反転せず、マザー基板１０８側からＴＦＴアレイマザー基板１０２にレーザ光５６を照射してスクライブしても良い。マザー基板１０８を反転する工程を削減できることから、生産性良く製造する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】第１の実施形態に係るレーザ照射装置の構成を示す概略図。
【図２】基板の分断方法のフローチャート。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、基板の分断方法を説明する図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、基板の分断方法を説明する図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係る基板の分断方法を説明する図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、基板の分断方法を説明する図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、基板の分断方法を説明する図。
【図８】第３の実施形態に係る液晶表示装置の模式平面図。
【図９】液晶表示装置の模式断面図。
【図１０】液晶表示装置の製造方法のフローチャート。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、液晶表示パネルが区画形成されたＴＦＴアレイマザー基板を示す模式図。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す模式図。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１７】（ａ）〜（ｄ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１８】第４の実施形態に係るパーソナルコンピュータを示す概略斜視図。
【符号の説明】
【０１６１】
３５，７２…第１の基板、３６，６５…第２の基板、４１，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ，４６ｅ，４９，５０，５４，９０ａ，９０ｂ…導電膜としての配線、４２ａ，４２ｂ，４７，４８，５１，５２，５３，６６，６７，６８，８８…導電膜としての電極端子、５６…レーザ光、５７…改質部、８１…電気光学装置としての液晶表示装置、１０２…基板及び第２の基板としてのＴＦＴアレイマザー基板、１０６…第１の基板としての対向マザー基板、１２０…電子機器としてのパーソナルコンピュータ。
【図１】
2008000770.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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