(57)【要約】【課題】熱安定性に優れる上に導電性を有し、且つ量子井戸構造及び又はｐｎ接合を有している結晶性の良い窒化物粒子を含んでいる粒子状の半導体蛍光体を提供すること。【解決手段】基材粒子表面にｐｎ接合を有する半導体結晶を形成して粒子状の半導体蛍光体とした。半導体結晶がダブルへテロ接合を有する構成でもよいし、量子井戸構造を有する構成でもよい。基材粒子は単結晶粒子が好ましく、板状のＡｌ2 Ｏ3 粒子であればより好ましい。半導体結晶は単結晶粒子上に低温バッファ層を介さずに結晶成長させても良い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子表面に半導体結晶を形成して成る半導体蛍光体であって、前記半導体結晶がヘテロ接合を有することを特徴とする半導体蛍光体。
【請求項２】
基材粒子表面に半導体結晶を形成して成る半導体蛍光体であって、前記半導体結晶がｐｎ接合を有することを特徴とする半導体蛍光体。
【請求項３】
基材粒子表面に半導体結晶を形成して成る半導体蛍光体であって、前記半導体結晶がダブルへテロ接合を有することを特徴とする半導体蛍光体。
【請求項４】
基材粒子表面に半導体結晶を形成して成る半導体蛍光体であって、前記半導体結晶が量子井戸構造を有することを特徴とする半導体蛍光体。
【請求項５】
前記基材粒子が単結晶粒子であり、該単結晶粒子上に前記半導体結晶が結晶成長されて成る請求項１、２、３又は４に記載の半導体蛍光体。
【請求項６】
前記単結晶粒子がＡｌ2 Ｏ3 であり、前記半導体結晶が３−５族窒化物系化合物半導体である請求項５に記載の半導体蛍光体。
【請求項７】
前記半導体結晶が、前記単結晶粒子上に低温バッファ層を介さずに結晶成長されて形成されている請求項５又は６に記載の半導体蛍光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は粒子状の半導体蛍光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
蛍光体は、例えば、青色光を発するＬＥＤと組み合わせて白色ＬＥＤなどの可視光励起発光素子を構成したり、近紫外線〜青紫色光を発するＬＥＤと組み合わせて近紫外線〜青紫色光励起発光素子を構成するのに用いられている。このほか、液晶用バックライト及び蛍光灯などの紫外線励起発光素子、プラズマディスプレイパネル及び希ガスランプなどの真空紫外線励起発光素子、ブラウン管やＦＥＤ（Field Emission Display）などの電子線励起発光素子、Ｘ線撮像装置などのＸ線励起発光素子、無機ＥＬディスプレイなどの電界励起発光素子等のさまざまな発光素子と組み合わされる等して広く用いられている。
【０００３】
上述の如く、他の素子と組み合わせて蛍光体を用いる場合、蛍光体は組み合わせる素子、例えば発光素子により様々な特性が要求される。例えば、白色ＬＥＤと組み合わせる場合には、１００℃近くあるいはそれ以上の温度で使用されることになるため、熱的安定性及び化学的安定性も求められる。また、ＦＥＤとの組み合わせの場合には、帯電を防ぐために導電性を持つことが求められる。このような様々な要求を満たしうる蛍光体として、窒化物蛍光体を挙げることができる。
【０００４】
窒化物蛍光体は、熱安定性に優れている上に導電性であるため、酸化物蛍光体や硫化物蛍光体を用いることが困難とされていた発光素子への適用が期待されていた。しかしながら、一般に、窒化物蛍光体を合成するには高温高圧が必要で特殊な装置が必要なため、コスト高となる。特にＧａＮ系の蛍光体は高温での窒素分圧が高くて分解しやすいので、良質の蛍光体を得るのは困難とされていた。また、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition ）を用いてサファイア基板上にＧａＮ薄膜を成長させる方法によると、良質の蛍光体膜が得られるが、光を膜から取出す効率が悪いため輝度が不十分であった。特許文献１には、化学気相成長法により微粒子上にＧａＮ薄膜を成長させ、粉末蛍光体として使用する方法が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−２７９５５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１において提案されている技術は、ＡｌＮの粒子の表面に蛍光物質をＣＶＤ法を用いて形成しようとするものである。したがって、ＡｌＮの粒子の粒径を揃えたとしても、得られた蛍光体は発光効率が悪く、輝度が不充分なものとならざるを得ないという問題点を有している。さらに、この提案された技術は、従来の蛍光体材料をＡｌＮ粒子の表面に形成するというものであり、発光効率をより一層改善することができるであろうと考えられるヘテロ構造及び又は量子井戸構造を内部に含む蛍光体及び又はｐｎ接合を有する蛍光体はこれまで開発されていない。
【０００６】
本発明の目的は、従来技術における上述の問題点を解決することができる、粒子状の半導体発光体を提供することにある。
【０００７】
本発明の目的は、また、発光効率に優れた粒子状の半導体発光体を提供することにある。
【０００８】
本発明の目的は、また、熱安定性に優れる上に導電性を有し、且つ量子井戸構造及び又はｐｎ接合を有している結晶性の良い窒化物粒子を含んでいる粒子状の半導体蛍光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、蛍光体となるべき窒化物系の蛍光材料を粒子の表面に形成することによって発光特性に優れた蛍光体を得るため、蛍光材料の結晶性の改善に着目すると共に、その蛍光体の構成をも改善するべく鋭意研究を重ねた結果得られた知見に基づいて、本発明をなすに至ったものである。
【００１０】
請求項１の発明によれば、基材粒子表面に半導体結晶を形成して成る半導体蛍光体であって、前記半導体結晶がヘテロ接合を有することを特徴とする半導体蛍光体が提案される。
【００１１】
請求項２の発明によれば、基材粒子表面に半導体結晶を形成して成る半導体蛍光体であって、前記半導体結晶がｐｎ接合を有することを特徴とする半導体蛍光体が提案される。
【００１２】
請求項３の発明によれば、基材粒子表面に半導体結晶を形成して成る半導体蛍光体であって、前記半導体結晶がダブルへテロ接合を有することを特徴とする半導体蛍光体が提案される。
【００１３】
請求項４の発明によれば、基材粒子表面に半導体結晶を形成して成る半導体蛍光体であって、前記半導体結晶が量子井戸構造を有することを特徴とする半導体蛍光体が提案される。
【００１４】
請求項５の発明によれば、請求項１、２、３又は４に記載の発明において、前記基材粒子が単結晶粒子であり、該単結晶粒子上に前記半導体結晶が結晶成長されて成る半導体蛍光体が提案される。
【００１５】
請求項６の発明によれば、請求項５記載の発明において、前記単結晶粒子がＡｌ2 Ｏ3 であり、前記半導体結晶が３−５族窒化物系化合物半導体である半導体蛍光体が提案される。
【００１６】
請求項７の発明によれば、請求項５又は６に記載の発明において、前記半導体結晶が前記単結晶粒子上に低温バッファ層を介さずに結晶成長されて形成されている半導体蛍光体が提案される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による半導体蛍光体は、熱安定性に優れるため、白色ＬＥＤ用に有用である。また、本発明による半導体蛍光体は導電性であるため、ＦＥＤ用に有効に使用することができる。さらに、本発明による半導体蛍光体は、結晶性が良い上に量子井戸構造及び又はｐｎ接合を有するので、高い輝度の発光を示し、工業的に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態の一例につき詳細に説明する。
【００１９】
本発明による半導体蛍光体の一実施形態は、基材粒子として用意したＡｌ2 Ｏ3 粒子の表面に、３−５族窒化物系化合物半導体結晶の形態で窒化系化合物半導体が蛍光層（蛍光粒子）として形成されて成る、全体として粒子状の半導体蛍光体である。蛍光層には、ヘテロ接合、又はｐｎ接合又は量子井戸層のいずれか一方、あるいはヘテロ接合、及びｐｎ接合及び量子井戸層の複数あるいは全部が含まれている。蛍光層を３−５族窒化物系化合物半導体結晶を用いて形成するのは一例であり、これに限定されない。例えば、３−５族窒化物系化合物半導体結晶に代えて、砒化物、燐化物あるいはこれら５族元素の混晶であっても同様に製造することが可能である。
【００２０】
蛍光層の層構造は、例えば従来の化合物半導体発光素子において採用されているヘテロ構造、ｐｎ接合構造、量子井戸構造のための従来の層構造をそのまま用いることができる。
【００２１】
蛍光層の結晶性、すなわち、基材粒子として用意されたＡｌ2 Ｏ3 粒子の表面に設けられる３−５族窒化物系化合物半導体結晶の結晶性を良好なものにすることが、蛍光層の蛍光特性を良好にするために必要である。その結晶性が悪いと、蛍光体としての発光効率が悪く、充分な輝度の蛍光発光を得ることができない。
【００２２】
蛍光層は、Ａｌ2 Ｏ3 粒子の表面に３−５族窒化物系化合物半導体結晶を成長させて形成する。すなわち、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy ）、ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy ）、ＭＢＥ（Molcular Beam Epitaxy ）などの方法により良質な結晶を育成する方法が挙げられる。
【００２３】
本実施の形態においては、Ａｌ2 Ｏ3 粒子は、六方晶構造を有しており、そのＣ面上に３−５族窒化物系化合物半導体結晶を結晶成長させるのが、より結晶性の良好な３−５族窒化物系化合物半導体結晶を得るのに好ましい。Ａｌ2 Ｏ3 粒子の表面に低温バッファ層を予め形成しておき、該低温バッファ層上に所要の３−５族窒化物系化合物半導体結晶を成長させてもよいが、低温バッファ層を形成することなしに、Ａｌ2 Ｏ3 粒子の表面に、直接３−５族窒化物系化合物半導体結晶を形成してもよい。
【００２４】
このように、Ａｌ2 Ｏ3 粒子を用いると、その粒径がある範囲内に入るよう粒径を揃えることが容易なことは勿論、Ａｌ2 Ｏ3 粒子を六方晶構造のものとすることもできるので、蛍光層を極めて結晶性よくＡｌ2 Ｏ3 粒子の表面に形成することができる。この結果、得られた半導体蛍光体の発光効率は、従来の粒子状、粉末状の蛍光体に比べて大幅に改善される。ＡｌＮ粒子を使用する従来技術の場合には、粉末化によりＡｌＮ粒子を用意することになるが、粉末化されたＡｌＮ粒子はその結晶方位がランダムであるため、ＡｌＮ粒子の表面にＧａＮ薄膜を結晶性良く成長させることが極めて困難である。この結果、得られた蛍光体は効率が悪く、輝度が不充分なものとならざるを得ない。
【００２５】
また、蛍光層にはヘテロ接合及び又はｐｎ接合及び又は量子井戸構造が含まれているので、外部からの電界付与によりそこでの電子と正孔との再結合による発光が期待できる。この結果、更なる輝度の改善が図られる。  
【００２６】
上記実施の形態の説明において、基材粒子としてＡｌ2 Ｏ3 粒子を用いた例を説明し、Ａｌ2 Ｏ3 粒子を用いることの優位性についても説明したが、以下に、蛍光層が形成される基材である基材粒子についてさらに具体的に詳しく説明する。
【００２７】
基材粒子に上述の如き発光層を気相成長法により形成する場合、例えば予めサファイア基板を用意しておき、サファイア基板上に多数の基材粒子を配置し、この状態で各基材粒子の表面に蛍光層を形成した後、蛍光層が形成されている基材粒子をサファイア基板から分離して半導体蛍光体を得ることができる。
【００２８】
したがって、基板から半導体蛍光体を分離するためには、基板上には蛍光層が形成されない方が望ましい。蛍光層が形成されない基板の一例としては安価な石英基板を挙げることができるが、ＳｉＯ2 薄膜をサファイア基板等の上に形成したのものを用いてもよい。
【００２９】
蛍光層を形成するために用いる基材粒子はプロセスに耐えられるものでなければならない。すなわち、窒化物蛍光体を形成する条件として、１０００℃近い高温と、ＮＨ3 などの還元雰囲気とが必要となる。また、蛍光体がその粒子に選択的に形成される必要がある。これらの条件を満足する基材粒子の材料としては、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 、ＬｉＴａＯ3 などがあり、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ、ＳｉＣが好ましく、さらに好ましくはＡｌ2 Ｏ3 であり、α−アルミナが特に好ましい。基材粒子の形状は、特に限定されないが、板状であるのが好ましい。
【００３０】
α−アルミナとしては、「スミコランダム」（直径が２００ｎｍから１８μｍ）の商品名で住友化学株式会社より販売されている。また開発品として直径が３０ｎｍ、５０ｎｍ、７０ｎｍ、１００ｎｍのα−アルミナの微粒子が入手可能である。これらの微粒子は単結晶であり、粒径の揃ったものを得ることができる。一般に３−５族窒化物系化合物半導体は単結晶サファイア基板上に低温バッファ層を形成した後エピタキシャル成長することで単結晶を得ることができるが、サファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）との結晶格子のミスフィットにより多数の欠陥が発生する。これに対し、直径３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度のサイズのα−アルミナを基板として用いることで低温バッファ層なしでも高品質の結晶を得ることが可能である。
【００３１】
本発明に用いる基材粒子は、蛍光層の形成しやすさの面から、特定の結晶構造を有し、しかも成長方向を適切に選択することが重要である。結晶構造は六方晶系であることが好ましい。なお、基材粒子は、所定の基板上に重なることなく均一に分布させることが望まれる。
【００３２】
基材粒子の表面に蛍光層（蛍光体）を形成する方法としては、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）、ハイドライド気層成長法（ＨＶＰＥ）、パルスレーザー積層法（ＰＬＤ）などがある。しかし、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法が好ましい。
【００３３】
次に、本発明による半導体蛍光体を製造する方法の一実施形態について説明する。先ず、石英基板を用意し、該石英基板上に基材粒子を配置する。石英基板上への基材粒子の配置は、例えば微粒子である基材粒子を超純水などでスラリー状にし、スピンコーターなどで石英基板上に塗布する方法が挙げられる。このような方法で、微粒子である基材粒子は石英基板上に重なり合うことなく配列される。また、基材粒子と媒体を含むスラリー中へ石英基板を浸漬する方法、又は、スラリー石英基板に塗布や噴霧する方法で行ってもよい。石英基板の代わりにサファイアなどの基板に蒸着によりＳｉＯ2 薄膜を形成したものを用いてもよい。
【００３４】
基材粒子としてはＡｌ2 Ｏ3 粒子が好ましい。Ａｌ2 Ｏ3 粒子が板状の形状であればなお好ましい。Ａｌ2 Ｏ3 粒子の場合、どの様な形状であっても、石英基板上にスラリーを塗布することで、比較的平坦面で石英基板上に配置することが可能である。用いる媒体は、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等であり、好ましくは水である。乾燥後、Ａｌ2 Ｏ3 の如き基材粒子は石英基板に分子間力により固定される。
【００３５】
基材粒子表面に蛍光層を形成するための３−５族窒化物系化合物半導体結晶のエピタキシャル成長には、例えばＭＯＶＰＥ装置が用いられる。３−５族窒化物系化合物半導体結晶のエピタキシャル成長のためには、基材粒子としては六方晶構造を有しているＡｌ2 Ｏ3 粒子が好ましい。その理由は、既に述べた通りである。
【００３６】
蛍光層として、多重量子井戸層を含んだ３−５族化合物半導体微結晶を製造する場合のエピタキシャル結晶成長の一実施形態に関して説明する。先ず、Ａｌ2 Ｏ3 粒子を石英基板あるいはＳｉＯ2 を蒸着したサファイアなどの基板上に基材粒子として配置し、基材粒子表面上に、バッファ層なしでｎ型ＧａＮを形成した後、多重量子井戸構造を形成し、半導体蛍光体とする。
【００３７】
蛍光層として、ｐｎ接合を含んだ３−５族化合物半導体微結晶を製造する場合、上述の如くして多重量子井戸構造を積層した蛍光体の上に、ｐ型ＡｌＧａＮ層、ｐ型ＧａＮ層を積層し、ｐｎ接合を有する蛍光体微粒子を作製する。この時トンネル注入層（薄膜ｎ型層）を積層してもよい。このプロセスでは、Ａｌ2 Ｏ3 単結晶微粒子は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の粒径のものを用いることができる。
【００３８】
上述したエピタキシャル結晶成長の為の原料について説明する。２族原料ガスとしては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群より選ばれた１種以上の元素の有機金属化合物を混合して用いる。有機金属基としては、ジメチル基、ジエチル基、ビスシクロペンタジエニル基、ビスメチルシクロペンタジエニル基、ビスエチルシクロペンタジエニル基などが例示される。
【００３９】
ガリウム原料ガス、アルミニウム原料ガス、インジウム原料ガスとしては、各金属原子に炭素数が１から３のアルキル基もしくは水素が結合した、トリアルキル化物もしくは三水素化物が、通常用いられる。例えばＧａの原料としてはトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、トリエチルガリウム（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）などを用いることができる。
【００４０】
窒素原料としてはアンモニアを通常使用するが、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、１，２−ジメチルヒドラジン、ｔ−ブチルアミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。これらは単独でまたは任意の組み合わせで混合して用いることができる。これらの原料のうち、アンモニアとヒドラジンは、分子中に炭素原子を含まないため、半導体中への炭素の汚染が少なく好適である。
【００４１】
成長時雰囲気ガス及び有機金属原料のキャリアガスとしては、窒素、水素、アルゴン、ヘリウムなどの気体を単独あるいは混合して用いることができる。水素ガス、ヘリウムガス雰囲気中では、原料の前分解が抑制されるため、より好ましい。
【００４２】
ＭＯＶＰＥ法により、本発明による半導体蛍光体を製造するのに使用される気相成長半導体製造装置の一例の概略を図１に示す。気相成長半導体製造装置は、図示していない原料供給装置から原料ガスが原料供給ライン１を通じて供給される反応炉２を備えている。反応炉２内には基板３を加熱するためのサセプタ４が設けられている。サセプタ４は多角柱体であり、その表面には基板３が複数枚取り付けられている。この場合、基板３の各表面の図示しないＳｉＯ2 層上には、それぞれ、基材粒子（図示せず）が上述の如くして均一に塗布された状態となっている。
【００４３】
サセプタ４は回転装置５によって回転できる構造となっている。サセプタ４の内部には、サセプタ４を加熱するための赤外線ランプ６が備えられている。赤外線ランプ６に加熱用電源７から加熱用の電流を流すことにより、基板３を所望の成長温度に加熱することができる。この加熱により、原料供給ライン１を通じて反応炉２に供給される原料ガスが基板３上で熱分解し、基板３上に塗布されている図示しない基材粒子の表面、好ましくは所定の表面にのみ所望の化合物を気相成長させ蛍光層を形成する。反応炉２に供給された原料ガスのうち未反応の原料ガスは、排気ポート８より反応器の外部に排出され、排ガス処理装置へ送られる。
【００４４】
こうして基板３上の基材粒子の表面に成長、形成させた蛍光層は、基板３の表面のＳｉＯ2 層上に載置されているため、弗酸などの酸により基材粒子と共に半導体蛍光体として剥離することができる。剥離によって得られた半導体蛍光体はそのまま各種発光素子用として使用することもできる。さらに、この半導体蛍光体を基板上から削り取らずに、レーザアブレーション、マグネトロンスパッタ、プラズマＣＶＤなどの手法で発光素子上への積層してもよい。なお、蛍光層の層構造は、例えば従来の化合物半導体発光素子において発光層として用いられている、ヘテロ接合構造、ｐｎ接合構造、量子井戸構造、ダブルヘテロ接合構造等の従来の層構造をそのまま用いることができる。
【００４５】
本発明の半導体蛍光体は単独でも用いることができる。しかし、本発明による半導体蛍光体として、種々の発光色のものを用意し、発光色の異なるものを組み合わせて発光素子の発光面に設置し、様々な発光色の発光装置とすることができる。蛍光層の発光色を、例えば青色と黄色、赤色と緑色、赤色と緑色と青色を組合せて色を調整することができる。特に、混合した発光色の光が目視で白色となるように各色の半導体蛍光体の量を調整し、発光素子の発光面に設置することにより、輝度の高い白色発光装置を製造することができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００４７】
（実施例１）
基板として石英を用いた。この石英基板上に板状粒子のαアルミナ（平均粒径７０ｎｍ）（住友化学社開発品）を超純水によりスラリー状にしたものをスピンコーターにより塗布した。この水スラリーを塗布した石英基板を、別のサファイア基板で挟み込み、後者のサファイア基板をスライドさせて除去した。乾燥後、石英基板を気相成長装置に導入した。αアルミナ表面への気相成長には常圧ＭＯＶＰＥ法を用いた。成長方法については、低温成長バッファ層を介さない成長法を用いた。
【００４８】
ＴＭＧの供給を一旦停止し、１０９０℃まで昇温し、ＴＭＧとアンモニアとシランを原料とし、キャリアガスとして水素を用いて、αアルミナの表面（Ｃ面）に２００ｎｍのｎ型ＧａＮ層を成長した後シランの供給を停止し１００ｎｍのノンドープＧａＮ層を成長した。ＴＭＧとシランの供給を停止し、７８５℃まで降温したのち、ＴＥＧとアンモニアを原料とし、キャリアガスとして窒素を用いて１００ｎｍのＧａＮ層を成長し、引き続きＴＭＧ、ＴＭＩとアンモニアを原料として、キャリアガスとして窒素を用いて５０ｋＰａの圧力下、３ｎｍのＩｎＧａＮ層と１５ｎｍのＧａＮ層を５回繰り返して成長した。詳しい成長の手順は、アンモニアとＴＥＧ、ＴＭＩを供給して、ＩｎＧａＮ層を３ｎｍ成長した。この後、ＴＭＩとＴＭＧの供給を停止し、アンモニアとキャリアガスのみ供給し、成長中断を１５分実施した。引き続きノンドープＧａＮ層を１５ｎｍ成長した。
【００４９】
この手順を５回繰り返した後、連続してＴＭＧとアンモニアを供給し、ノンドープＧａＮ層を３ｎｍ成長し、ノンドープＧａＮ層の膜厚を最終的に１８ｎｍとした。ただし、ｓｌｍ及びｓｃｃｍとは気体の流量の単位で１ｓｌｍは１分当たり、標準状態で１リットルの体積を占める重量の気体が流れていることを示し、１０００ｓｃｃｍは１ｓｌｍに相当する。
【００５０】
このようにして、αアルミナの表面に量子井戸構造を含む３−５族窒化物系化合物半導体結晶を蛍光層として形成し、半導体蛍光体を作製した。得られた半導体蛍光体の発光特性を調べるため、Ｈｅ−Ｃｄレーザ（３２５ｎｍ）を励起光源とするフォトルミネッセンスを室温で測定した。井戸層からの発光が４５４ｎｍにピークを持つスペクトルとして観測され、そのピーク強度は相対強度０．９８であった。発光強度は半導体蛍光体が基板全面を覆いつくした値に換算した。
【００５１】
（実施例２）
実施例１と同様の手順で多重量子井戸構造を３層積層した後、９４０℃まで昇温し、ＴＭＧ、ＴＭＡとアンモニアとｐ型ドーパント原料としてビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムを供給し、マグネシウムドープＡｌＧａＮ層を３０ｎｍ成長した。ＴＭＧ、ＴＭＡ、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムの供給を停止した後、１０１０℃まで昇温し、ＴＭＧとアンモニアとｐ型ドーパント原料としてビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムを供給し、ｐ型ＧａＮ層を１００ｎｍ成長した。
【００５２】
このようにして多重量子井戸構造を３層積層した半導体蛍光体を製造し、得られた半導体蛍光体の発光特性を、Ｈｅ−Ｃｄレーザ（３２５ｎｍ）を励起光源とするフォトルミネッセンスを室温で測定した。井戸層からの発光が４９８ｎｍにピークを持つスペクトルとして観測され、そのピーク強度は相対強度１．４４であった。発光強度は蛍光体粒子が基板全面を覆いつくした値に換算した。
【００５３】
（比較例１）
サファイア基板のみを用いる以外は実施例１と同様にして、半導体蛍光体を得た。この蛍光体を、実施例１と同様に励起スペクトル及び発光スペクトルにより評価した。
【００５４】
（比較例２）
サファイア基板のみを用いる以外は実施例２と同様にして、半導体蛍光体を得た。この蛍光体を、実施例２と同様に励起スペクトル及び発光スペクトルにより評価した。
【００５５】
実施例１、２及び比較例１、２において得られた各半導体蛍光体の発光波長と相対強度とを下に纏めて示す。
発光波長、ｎｍ              相対強度
実施例１（蛍光体１）          ４５５                  ０．９８
実施例２（蛍光体２）          ４９８                  １．４４
比較例１（蛍光体３）          ４７６                  ０．５７
比較例２（蛍光体４）          ４８８                  ０．４７
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明による半導体蛍光体を製造するのに使用される気相成長半導体製造装置の一例の概略を示す図。
【符号の説明】
【００５７】
１  原料供給ライン
２  反応炉
３  基板
４  サセプタ
５  回転装置
６  赤外線ランプ
７  加熱用電源
８  排気ポート
【図１】
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