(57)【要約】【課題】  抵抗変化率が高く、かつフリー磁性層の磁歪が小さい、トンネル型磁気検出素子を得る。【解決手段】  下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記絶縁障壁層は酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成され、前記フリー磁性層上には、白金（Ｐｔ）あるいはルテニウム（Ｒｕ）のどちらか一方で形成された第１保護層が形成される。これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、高い抵抗変化率を維持しつつ、フリー磁性層の磁歪を効果的に低減できる。前記絶縁障壁層を酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）で形成した場合には、抵抗変化率が減少し、またフリー磁性層の磁歪が効果的に低減できない。【選択図】図１
2008060275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層され、
前記絶縁障壁層は酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成されており、
前記フリー磁性層上には、白金（Ｐｔ）あるいはルテニウム（Ｒｕ）のどちらか一方で形成された第１保護層が形成されていることを特徴とするトンネル型磁気検出素子。
【請求項２】
前記第１保護層と前記フリー磁性層との界面では構成元素の相互拡散が生じ、白金濃度あるいはルテニウム濃度が前記第１保護層の内部から前記フリー磁性層の前記絶縁障壁層との界面方向に向けて徐々に減少する濃度勾配が形成される請求項１記載のトンネル型磁気検出素子。
【請求項３】
前記第１保護層上にタンタル（Ｔａ）からなる第２保護層が形成されている請求項１または２に記載のトンネル型磁気検出素子。
【請求項４】
前記第１保護層と前記第２保護層との界面では構成元素の相互拡散が生じ、白金濃度あるいはルテニウム濃度が前記第１保護層の内部から前記第２保護層の上面方向に向けて徐々に減少する濃度勾配が形成される請求項３記載のトンネル型磁気検出素子。
【請求項５】
前記第１保護層は、前記第２保護層より膜厚が薄い請求項３記載のトンネル型磁気検出素子。
【請求項６】
前記フリー磁性層は、下からＣｏＦｅ合金で形成されたエンハンス層及びＮｉＦｅ合金で形成された軟磁性層の順に積層され、前記エンハンス層は前記絶縁障壁層に接して形成され、前記軟磁性層は前記第１保護層に接して形成されている請求項１ないし５のいずれかに記載のトンネル型磁気検出素子。
【請求項７】
以下の工程を有することを特徴とするトンネル型磁気検出素子の製造方法。
（ａ）  固定磁性層を形成し、前記固定磁性層上にチタン（Ｔｉ）層を形成する工程、
（ｂ）  前記Ｔｉ層を酸化して、酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）からなる絶縁障壁層を形成する工程、
（ｃ）  前記絶縁障壁層上に、フリー磁性層を形成する工程、
（ｄ）  前記フリー磁性層上に、ＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層を形成する工程、
【請求項８】
前記（ｄ）工程は、前記第１保護層を形成した後、前記第１保護層上にタンタル（Ｔａ）からなる第２保護層を形成する工程とする請求項７記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１保護層の膜厚を、前記第２保護層の膜厚より薄く形成する請求項８記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｄ）工程の後、アニール処理を行う請求項７ないし９のいずれかに記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク装置などの磁気再生装置やその他の磁気検出装置に搭載されるトンネル効果を利用した磁気検出素子に係り、特にフリー磁性層の磁歪λが低く、再生ヘッドの安定性に優れ、かつ検出感度に優れたトンネル型磁気検出素子及びその製造方法に係る。
【背景技術】
【０００２】
トンネル型磁気検出素子（トンネル型磁気抵抗効果素子）は、トンネル効果を利用して抵抗変化を生じさせるものであり、固定磁性層の磁化と、フリー磁性層の磁化とが反平行のとき、前記固定磁性層とフリー磁性層との間に設けられた絶縁障壁層（トンネル障壁層）を介してトンネル電流が流れにくくなって、抵抗値は最大になり、一方、前記固定磁性層の磁化とフリー磁性層の磁化が平行のとき、最も前記トンネル電流は流れ易くなり抵抗値は最小になる。
【０００３】
この原理を利用し、外部磁界の影響を受けてフリー磁性層の磁化が変動することにより、変化する電気抵抗を電圧変化としてとらえ、記録媒体からの洩れ磁界が検出されるようになっている。
【０００４】
下記特許文献１には、固定磁性層および自由磁性層を多重層としたトンネル型磁気検出素子が記載されている。
【０００５】
下記特許文献２には、酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）を絶縁障壁層とし、フリー磁性層側から順に内部拡散バリア層、酸素吸着層および上部金属層で構成される保護層を有するトンネル型磁気検出素子が記載されている。
【０００６】
下記特許文献３には、保護層をルテニウム（Ｒｕ）およびタンタル（Ｔａ）の多層膜で形成したスピンバルブ型磁気検出素子およびトンネル型磁気検出素子が記載されている。
【０００７】
下記特許文献４に記載の磁気抵抗効果素子は、保護層をＴａおよびＲｕで形成し、フリー磁性層との界面に白金（Ｐｔ）、Ｒｕなどから選ばれる材料でスピンフィルタ層を形成している。
【特許文献１】特開平１１−１６１９１９号公報
【特許文献２】特開２００６−５３５６号公報
【特許文献３】特開２０００−２２８００３号公報
【特許文献４】特開２００５−１０９３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
トンネル型磁気検出素子における課題の一つに、フリー磁性層の磁歪λ（絶対値）を小さくし、再生ヘッドの安定性を向上させることが挙げられる。また、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることにより検出感度を高め、再生ヘッドの特性を向上させることが挙げられる。
【０００９】
特許文献１に記載のトンネル型磁気検出素子は、フリー磁性層を２層のＮｉＦｅとし、ＮｉＦｅのそれぞれの組成を選択することにより、さらに絶縁障壁層との界面にＣｏもしくはＣｏＦｅを設けることにより、フリー磁性層の磁歪λを低くしている。
【００１０】
このように、従来のトンネル型磁気検出素子では、フリー磁性層、特に絶縁障壁層と接するエンハンス層の組成や膜厚を調整することにより、フリー磁性層の磁歪λを低減させていた。
【００１１】
しかし、フリー磁性層の磁歪λを大きく低減し、できるだけ０に近い値とするために、前記エンハンス層やエンハンス層に接する軟磁性層の組成や膜厚を変更すると、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の値が小さくなるなど、優れた特性を有する再生ヘッドを得ることができなかった。そこで、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持したままフリー磁性層の磁歪λを低くすることが求められていた。
【００１２】
フリー磁性層の組成を変えずにフリー磁性層の磁歪λを低く抑える方法として、例えば特許文献２に記載のトンネル型磁気検出素子は、保護層をフリー磁性層側から順に、内部拡散バリア層（ルテニウム（Ｒｕ））、酸素吸着層（タンタル（Ｔａ））および上部金属層（Ｒｕ）で形成している。しかしながら磁歪λの低減は十分ではない。
【００１３】
また、特許文献１および２に記載のトンネル型磁気検出素子は、絶縁障壁層がＡｌ−Ｏで形成されており、Ｔｉ−Ｏで絶縁障壁層を形成したトンネル型磁気検出素子に関して、磁歪λを低減する効果は不明である。
【００１４】
特許文献３には、磁気抵抗効果素子において、保護層を多層で形成すると、イオンミリングによる保護層の成分元素のフリー磁性層への拡散が減少するため、フリー磁性層のミリング除去を少なくすることができると記載されている。多層の保護層として、例えばフリー磁性層側から順に、Ｒｕ／Ｔａの２層とすることが記載されているが、磁歪についての記載はない。また、素子はトンネル型磁気検出素子でもよいことが記載されているが、具体例は示されていない。
【００１５】
また、特許文献４に記載の磁気抵抗効果素子は、ＴａおよびＲｕで形成された保護層と、フリー磁性層との界面にＰｔ、Ｒｕなどから選ばれるスピンフィルタ層を形成し、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ているが、磁歪についての記載はない。
【００１６】
このように、磁気抵抗効果素子の保護層をＴａおよびＲｕの多層とすると、フリー磁性層のミリング除去を少なくすることができる、あるいは抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高くすることができるが、磁歪の増減は不明である。特に、絶縁障壁層をＴｉ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子の磁歪及び抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）について全く言及していない。
【００１７】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）をできるだけ高い値とし、かつフリー磁性層の磁歪λを低くすることができるトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明のトンネル型磁気検出素子は、
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層され、
前記絶縁障壁層は酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成されており、
前記フリー磁性層上には、白金（Ｐｔ）あるいはルテニウム（Ｒｕ）のどちらか一方で形成された第１保護層が形成されていることを特徴とするものである。
【００１９】
これにより、従来と同様に高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、従来に比べて、フリー磁性層の磁歪λを非常に小さくできる。
【００２０】
本発明では、前記第１保護層と前記フリー磁性層との界面では構成元素の相互拡散が生じ、白金濃度あるいはルテニウム濃度が前記第１保護層の内部から前記フリー磁性層の前記絶縁障壁層との界面方向に向けて徐々に減少する濃度勾配が形成される構造に出来る。
【００２１】
また本発明では、前記第１保護層上にタンタル（Ｔａ）からなる第２保護層が形成されていることが前記フリー磁性層への酸化保護等を促進でき、好ましい。このとき、前記第１保護層と前記第２保護層との界面では構成元素の相互拡散が生じ、白金濃度あるいはルテニウム濃度が前記第１保護層の内部から前記第２保護層の上面方向に向けて徐々に減少する濃度勾配が形成される構造に出来る。
また本発明では、前記第１保護層は、第２保護層より膜厚が薄いことが好ましい。
【００２２】
また本発明では、前記フリー磁性層は、下からＣｏＦｅ合金で形成されたエンハンス層及びＮｉＦｅ合金で形成された軟磁性層の順に積層され、前記エンハンス層は前記絶縁障壁層に接して形成され、前記軟磁性層は前記第１保護層に接して形成されていることが好ましい。これにより抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）をより効果的に向上できる。従来においてもエンハンス層の挿入により抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上できたが、前記抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）をより向上させるには、前記エンハンス層の組成等を適正化する必要があり、かかる場合、磁歪が大きくなるといった問題があった。これに対し本発明では、特にエンハンス層の組成やその他のフリー磁性層の構成を変えることなく、ＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層を前記フリー磁性層上に設けることで、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、フリー磁性層の磁歪を効果的に低減できる。
【００２３】
また、本発明のトンネル型磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００２４】
（ａ）  固定磁性層を形成し、前記固定磁性層上にチタン（Ｔｉ）層を形成する工程、
（ｂ）  前記Ｔｉ層を酸化して、酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）からなる絶縁障壁層を形成する工程、
（ｃ）  前記絶縁障壁層上に、フリー磁性層を形成する工程、
（ｄ）  前記フリー磁性層上に、ＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層を形成する工程。
【００２５】
これにより高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、フリー磁性層の磁歪を効果的に小さくできるトンネル型磁気検出素子を適切且つ容易に製造できる。
【００２６】
前記（ｄ）工程は、前記第１保護層を形成した後、前記第１保護層上にタンタル（Ｔａ）から成る第２保護層を形成する工程とすることが好ましい。
【００２７】
また、前記第１保護層の膜厚を、前記第２保護層の膜厚より薄く形成することが好ましい。
また、前記（ｄ）工程の後、アニール処理を行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明のトンネル型磁気検出素子は、従来と同様に、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、従来に比べてフリー磁性層の磁歪λを低くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１は本実施形態のトンネル型磁気検出素子（トンネル型磁気抵抗効果素子）を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した断面図である。
【００３０】
トンネル型磁気検出素子は、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライダのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディスクなどの記録磁界を検出するものである。なお、図中においてＸ方向は、トラック幅方向、Ｙ方向は、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向（ハイト方向）、Ｚ方向は、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向及び前記トンネル型磁気検出素子の各層の積層方向、である。
【００３１】
図１の最も下に形成されているのは、例えばＮｉＦｅ合金で形成された下部シールド層２１である。前記下部シールド層２１上に積層体Ｔ１が形成されている。なお前記トンネル型磁気検出素子は、前記積層体Ｔ１と、前記積層体Ｔ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成された下側絶縁層２２、ハードバイアス層２３、上側絶縁層２４とで構成される。
【００３２】
前記積層体Ｔ１の最下層は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち１種または２種以上の元素などの非磁性材料で形成された下地層１である。この下地層１の上に、シード層２が設けられる。前記シード層２は、ＮｉＦｅＣｒまたはＣｒによって形成される。前記シード層２をＮｉＦｅＣｒによって形成すると、前記シード層２は、面心立方（ｆｃｃ）構造を有し、膜面と平行な方向に{１１１}面として表される等価な結晶面が優先配向しているものになる。また、前記シード層２をＣｒによって形成すると、前記シード層２は、体心立方（ｂｃｃ）構造を有し、膜面と平行な方向に{１１０}面として表される等価な結晶面が優先配向しているものになる。なお、前記下地層１は形成されなくともよい。
【００３３】
前記シード層２の上に形成された反強磁性層３は、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。
【００３４】
これら白金族元素を用いたＸ−Ｍｎ合金は、耐食性に優れ、またブロッキング温度も高く、さらに交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできるなど反強磁性材料として優れた特性を有している。
【００３５】
また前記反強磁性層３は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されてもよい。
【００３６】
前記反強磁性層３上には固定磁性層４が形成されている。前記固定磁性層４は、下から第１固定磁性層４ａ、非磁性中間層４ｂ、第２固定磁性層４ｃの順で積層された積層フェリ構造である。前記反強磁性層３との界面での交換結合磁界及び非磁性中間層４ｂを介した反強磁性的交換結合磁界（ＲＫＫＹ的相互作用）により前記第１固定磁性層４ａと第２固定磁性層４ｃの磁化方向は互いに反平行状態にされる。これは、いわゆる積層フェリ構造と呼ばれ、この構成により前記固定磁性層４の磁化を安定した状態にでき、また前記固定磁性層４と反強磁性層３との界面で発生する交換結合磁界を見かけ上大きくすることができる。なお前記第１固定磁性層４ａ及び第２固定磁性層４ｃは例えば１２〜２４Å程度で形成され、非磁性中間層４ｂは８Å〜１０Å程度で形成される。
【００３７】
前記第１固定磁性層４ａ及び第２固定磁性層４ｃはＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅＮｉなどの強磁性材料で形成されている。また非磁性中間層４ｂは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕなどの非磁性導電材料で形成される。
【００３８】
前記固定磁性層４上に形成された絶縁障壁層５は、酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成される。前記絶縁障壁層５はＴｉ−Ｏからなるターゲットを用いて、スパッタ成膜してもよいが、Ｔｉを１〜１０Åの膜厚で形成した後、酸化させてＴｉ−Ｏとしたものであることが好ましい。この場合、酸化されるので膜厚が厚くなるが、絶縁障壁層５の膜厚は１〜２０Å程度が好ましい。絶縁障壁層５の膜厚があまり大きいと、トンネル電流が流れにくくなり、好ましくない。
【００３９】
前記絶縁障壁層５上には、フリー磁性層６が形成されている。前記フリー磁性層６は、ＮｉＦｅ合金等の磁性材料で形成される軟磁性層６ｂと、前記軟磁性層６ｂと前記絶縁障壁層５との間に例えばＣｏＦｅ合金からなるエンハンス層６ａとで構成される。前記軟磁性層６ｂは、軟磁気特性に優れた磁性材料で形成されることが好ましく、前記エンハンス層６ａは、前記軟磁性層６ｂよりもスピン分極率の大きい磁性材料で形成されることが好ましい。軟磁性層６ｂをＮｉＦｅ合金で形成する場合、磁気特性の点から、Ｎｉの含有量は８１．５〜１００（ａｔ％）であることが好ましい。
【００４０】
スピン分極率の大きいＣｏＦｅ合金で前記エンハンス層６ａを形成することで、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができる。特にＦｅ含有量が高いＣｏＦｅ合金は、スピン分極率が高いため、素子の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させる効果が高い。ＣｏＦｅ合金のＦｅ含有量には特に制限はないが、１０〜９０ａｔ％の範囲とすることができる。
【００４１】
また、エンハンス層６ａは、形成される膜厚があまり厚いと、軟磁性層６ｂの磁気検出感度に影響を与え、検出感度の低下につながるので、前記軟磁性層６ｂより薄い膜厚で形成される。前記軟磁性層６ｂは例えば４０Å程度で形成され、前記エンハンス層６ａは１０Å程度で形成される。なお、前記エンハンス層６ａの膜厚は６〜２０Åが好ましい。
【００４２】
なお前記フリー磁性層６は、複数の磁性層が非磁性中間層を介して積層された積層フェリ構造であってもよい。また前記フリー磁性層６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法でトラック幅Ｔｗが決められる。
前記フリー磁性層６上には保護層７が形成されている。
【００４３】
以上のようにして積層体Ｔ1が前記下部シールド層２１上に形成されている。前記積層体Ｔ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面１１，１１は、下側から上側に向けて徐々に前記トラック幅方向の幅寸法が小さくなるように傾斜面で形成されている。
【００４４】
図１に示すように、前記積層体Ｔ１の両側に広がる下部シールド層２１上から前記積層体Ｔ１の両側端面１１上にかけて下側絶縁層２２が形成され、前記下側絶縁層２２上にハードバイアス層２３が形成され、さらに前記ハードバイアス層２３上に上側絶縁層２４が形成されている。
【００４５】
前記下側絶縁層２２と前記ハードバイアス層２３間にバイアス下地層（図示しない）が形成されていてもよい。前記バイアス下地層は例えばＣｒ、Ｗ、Ｔｉで形成される。
【００４６】
前記絶縁層２２，２４はＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の絶縁材料で形成されたものであり、前記積層体Ｔ１内を各層の界面と垂直方向に流れる電流が、前記積層体Ｔ１のトラック幅方向の両側に分流するのを抑制すべく前記ハードバイアス層２３の上下を絶縁するものである。前記ハードバイアス層２３は例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金などで形成される。
【００４７】
前記積層体Ｔ１上及び上側絶縁層２４上にはＮｉＦｅ合金等で形成された上部シールド層２６が形成されている。
【００４８】
図１に示す実施形態では、前記下部シールド層２１及び上部シールド層２６が前記積層体Ｔ１に対する電極層として機能し、前記積層体Ｔ１の各層の膜面に対し垂直方向（図示Ｚ方向と平行な方向）に電流が流される。
【００４９】
前記フリー磁性層６は、前記ハードバイアス層２３からのバイアス磁界を受けてトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に磁化されている。一方、固定磁性層４を構成する第１固定磁性層４ａ及び第２固定磁性層４ｃはハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に磁化されている。前記固定磁性層４は積層フェリ構造であるため、第１固定磁性層４ａと第２固定磁性層４ｃはそれぞれ反平行に磁化されている。前記固定磁性層４は磁化が固定されている（外部磁界によって磁化変動しない）が、前記フリー磁性層６の磁化は外部磁界により変動する。
【００５０】
前記フリー磁性層６が、外部磁界により磁化変動すると、第２固定磁性層４ｃとフリー磁性層との磁化が反平行のとき、前記第２固定磁性層４ｃとフリー磁性層６との間に設けられた絶縁障壁層５を介してトンネル電流が流れにくくなって、抵抗値は最大になり、一方、前記第２固定磁性層４ｃとフリー磁性層６との磁化が平行のとき、最も前記トンネル電流は流れ易くなり抵抗値は最小になる。
【００５１】
この原理を利用し、外部磁界の影響を受けてフリー磁性層６の磁化が変動することにより、変化する電気抵抗を電圧変化としてとらえ、記録媒体からの洩れ磁界が検出されるようになっている。
【００５２】
本実施形態のトンネル型磁気検出素子は、前記絶縁障壁層５が酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成され、前記フリー磁性層６上にＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層７ａと前記第１保護層７ｂ上にＲｔ及びＲｕ以外の非磁性材料で形成された第２保護層７ｂとの積層構造から成る保護層７が形成されている。
【００５３】
これにより、従来構造と同様に高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、従来構造に比べてフリー磁性層６の磁歪λを低減できる。
【００５４】
ここで言う「従来構造」とは、本実施形態の構成から第１保護層７ａを除いた構造を指す。以下、「従来構造」といえば全てこの意味を指す。
【００５５】
ところで、前記絶縁障壁層５には、酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）がよく用いられる。しかし、後述する実験結果に示すように、前記絶縁障壁層５を酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）とし、前記第１保護層７ａとしてＰｔあるいはＲｕを使用して実験を行ったところ、従来構造に対する抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の低下率が、前記絶縁障壁層５を酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）とした場合に比べて大きくなり、また、フリー磁性層６の磁歪λも、前記絶縁障壁層５を酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）とした場合に比べて効果的に低減できなかった。
【００５６】
すなわち絶縁障壁層５を酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）とした場合、ＰｔあるいはＲｕからなる第１保護層７ａを前記フリー磁性層６上に設けても、絶縁障壁層５を酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成した本実施形態に比べて、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、フリー磁性層６の磁歪λを低減する効果が小さく、特に抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）が従来構造に対して大きく低下してしまうことがわかっている。
【００５７】
一方、本実施形態のように、絶縁障壁層５が、酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成され、前記フリー磁性層６上にＰｔあるいはＲｕで形成された前記第１保護層７ａを設けた場合、後述の実験結果からわかるように、従来構造に比べて、フリー磁性層の磁歪λが大きく減少し、ほとんど０に近い値であった。また、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）は若干減少したが、前記従来構造とほとんど変わらないほどであった。
【００５８】
なお、後述する実験では酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）の絶縁障壁層５を用いたトンネル型磁気検出素子において、前記第１保護層７ａとしてＰｔやＲｕの他に様々な材質を用いてフリー磁性層６の磁歪λ及び抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を測定している。
【００５９】
例えば、前記第１保護層７ａが銅（Ｃｕ）で形成される場合、従来構造に比べて、フリー磁性層の磁歪λは減少したが、減少幅は本実施形態に比べて小さく、また本実施形態よりも抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）が小さくなった。
【００６０】
また前記第１保護層７ａがチタン（Ｔｉ）あるいはイリジウム−マンガン（ＩｒＭｎ）で形成された場合、従来構造よりフリー磁性層の磁歪λは大きい値を示した。さらに、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）は従来構造に比べて大きく減少した。また、前記第１保護層７ａをアルミニウム（Ａｌ）で形成した場合も、従来構造に比べて、フリー磁性層の磁歪λは大きい値を示した。さらに抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）は大きく低下し、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を正しく評価できないほどであった。
【００６１】
このように、前記絶縁障壁層５が酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成され、第１保護層７ａがＰｔあるいはＲｕで形成された本実施形態の場合、従来構造に比べて、フリー磁性層の磁歪λが大きく減少するが、他の金属、例えばＣｕ、Ｔｉ、ＩｒＭｎなどで第１保護層７ａを形成した場合は、フリー磁性層の磁歪λを低減する効果を有していない、あるいは低減する効果が本実施形態に比べて小さい。よって、前記第１保護層７ａはＰｔあるいはＲｕで形成されることにより、フリー磁性層の磁歪λを低減し、再生ヘッドの安定性を高めることができる。
【００６２】
さらに、本実施形態では、従来構造に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）はやや減少するが、第１保護層７ａをＣｕ、Ｔｉ、ＩｒＭｎで形成した場合に比べて、従来構造に対する減少率は小さい。しかも従来構造に対する前記減少率は、絶縁障壁層５を酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）で形成した場合に比べて小さくでき、したがって、前記絶縁障壁層５を酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成し、且つ前記第１保護層７ａをＰｔあるいはＲｕで形成することで、従来構造とほとんど変わらない高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能となり、再生ヘッドの検出感度にほとんど影響を与えない。
【００６３】
以上のように、前記絶縁障壁層５を酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成し、且つ前記第１保護層７ａをＰｔあるいはＲｕで形成することで、従来構造と同様の高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、従来構造に比べてフリー磁性層６の磁歪λを大きく低減することができるので、優れた特性を有し、しかも安定性に優れた再生ヘッドを得ることができる。
【００６４】
本実施形態のトンネル型磁気検出素子は、例えば、図１に示すように、保護層７を第１保護層７ａおよび第２保護層７ｂの２層としているが、前記保護層７は２層に限られず、多層とすることができる。その場合、ＰｔあるいはＲｕは第１保護層７ａとして前記フリー磁性層６上に接して形成される。
【００６５】
前記第２保護層７ｂは従来より保護層として用いられている、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖなどの金属またはこれらの酸化物あるいは窒化物などを用いることができるが、酸化されにくいこと、電気抵抗が低いこと、また機械的な保護の観点から、Ｔａを好適に用いることができる。
【００６６】
本実施形態では、前記第２保護層７ｂを設けない形態、すなわち保護層７を第１保護層７ａだけで構成する形態を含むが、ＲｕあるいはＰｔで形成された第１保護層７ａは後述するように数十Åの薄い膜で形成されるので、前記第１保護層７ａが酸化されると、酸化の影響がフリー磁性層６にまで及ぶ可能性があり、かかる場合、特性が劣化する。よって、前記第１保護層７ａ上に前記第１保護層７ａよりも厚膜のＴａからなる第２保護層７ｂを設けることで、前記フリー磁性層６にまで酸化の影響が及ぶのを抑制でき安定した特性を有するトンネル型磁気検出素子に出来る。
【００６７】
前記第１保護層７ａは、フリー磁性層６の上に例えばＰｔあるいはＲｕをスパッタすることにより形成される。前記第１保護層７ａの膜厚は、２〜１００Åが好ましく、４〜３０Åがより好ましい。前記第１保護層７ａの膜厚がこの範囲から外れると、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）が得られず、またフリー磁性層６の磁歪低減効果も小さいと考えられる。
【００６８】
トンネル型磁気検出素子は、後述するように製造工程においてアニール処理（熱処理）が施される。アニール処理は２４０〜３１０℃の温度で行われる。このアニール処理は、固定磁性層４を構成する第１固定磁性層４ａと前記反強磁性層３との間で交換結合磁界（Ｈｅｘ）を生じさせるための磁場中アニール処理等である。
【００６９】
前記アニール処理の温度が２４０℃より低い温度、あるいは２４０℃〜３１０℃の範囲内であっても、アニール時間が４時間未満であると、前記第１保護層７ａと前記フリー磁性層６との界面及び、前記第１保護層７ａと前記第２保護層７ｂとの界面での構成元素の相互拡散は生じず、あるいは相互拡散が生じても小規模（例えば界面の全域で拡散が生じず、間欠的に生じている等）であり、ほぼ界面の状態を保っていると考えられる。
【００７０】
一方、前記アニール処理の温度が３１０℃より高い温度、あるいはアニール時間が４時間以上であると、前記第１保護層７ａと前記フリー磁性層６との界面及び、前記第１保護層７ａと前記第２保護層７ｂとの界面での構成元素の相互拡散が生じて、前記界面の存在が無くなり、Ｒｕ濃度あるいはＰｔ濃度が、前記第１保護層７ａの内部、例えば膜厚中心から前記フリー磁性層６の絶縁障壁層５との界面方向（すなわち図示下方向）、及び前記第２保護層７ｂの上面方向（すなわち図示上方向）に向けて徐々に小さくなる濃度勾配が形成される。
【００７１】
後述する実験結果（実施例および比較例）から、ＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層７ａの前記フリー磁性層６へ与える影響は以下のように考えられる。
【００７２】
ＰｔあるいはＲｕで形成した前記第１保護層７ａを設けた本実施形態は、従来構造に比べて、フリー磁性層６の磁歪λがかなり小さい。前記磁歪λの絶対値をほぼゼロに出来る。また、本実施形態では、従来構造とほぼ同等の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。
【００７３】
このことから、前記第１保護層７ａのＰｔあるいはＲｕは前記フリー磁性層６に接しているため、フリー磁性層６、特に第１保護層７ａとの界面に位置する軟磁性層６ｂの結晶構造に何らかの影響を与え、磁歪を抑える効果があると考えられる。また、熱処理によりフリー磁性層６に接するＰｔあるいはＲｕの一部が拡散し、例えば軟磁性層６ｂとの界面での結晶格子の変形が起きるなど、フリー磁性層６の結晶構造に影響を与えていることも考えられる。一方、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）は、本実施形態も従来構造もほとんど変わらないことから、本実施形態における前記第１保護層７ａのＰｔあるいはＲｕは、エンハンス層６ａ、特にエンハンス層６ａの絶縁障壁層５との界面近傍には影響を与えていないと考えられる。また、熱処理によりＰｔあるいはＲｕの一部はフリー磁性層６、特に軟磁性層６ｂに拡散するが、エンハンス層６ａまでは拡散していないと考えられる。
【００７４】
ＰｔあるいはＲｕが前記フリー磁性層６の軟磁気特性に与える影響を調べるため、本実施形態と従来構造の前記フリー磁性層６の保磁力（Ｈｃ）を測定した。本実施形態の前記フリー磁性層６の保磁力は、従来構造と比較して、ほとんど変わらない値を示している。このことから、ＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層７ａを設けても、また、熱処理によりＰｔあるいはＲｕが一部フリー磁性層６に拡散しても、フリー磁性層６の軟磁気特性にほとんど影響を与えないと考えられる。
【００７５】
また、本実施形態と従来構造のフリー磁性層６と固定磁性層４間に作用する層間結合磁界（Ｈｉｎ）を測定した。本実施形態の層間結合磁界（Ｈｉｎ）は、従来構造と比較して、ほとんど変わらない値を示している。このことから、ＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層７ａを設けても、前記フリー磁性層６の軟磁気特性にほとんど影響を与えないと考えられる。また、熱処理によりＰｔあるいはＲｕは一部前記フリー磁性層６へ拡散しても、フリー磁性層６の軟磁気特性には影響を与えないと考えられる。さらに、ＰｔあるいはＲｕは、前記保護層７に接している前記フリー磁性層６に拡散しても、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）が従来構造とほとんど変わらないことから、前記絶縁障壁層５さらには前記絶縁障壁層５に接している前記固定磁性層４まで拡散していないと考えられる。
【００７６】
また、前記第１保護層７ａをＰｔあるいはＲｕなどの比較的重い金属で形成すると、同じように比較的重い金属で形成される前記第２保護層７ｂを形成する元素がフリー磁性層６へ拡散しにくい。
【００７７】
本実施形態では前記フリー磁性層６はエンハンス層６ａと軟磁性層６ｂとの積層構造であることが好ましい。エンハンス層６ｂはＣｏＦｅ合金で形成されスピン分極率が軟磁性層６ａに比べて高く抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させる効果がある。よって従来構造においてもエンハンス層６ｂの挿入により抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上できたが、前記エンハンス層６ｂの挿入より大きくなった磁歪を低減するには、膜厚、組成等の改善が必要で、また磁歪の改善によって抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）が低下する可能性があることから、従来では高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、磁歪を小さくすることが難しかった。これに対し本実施形態では、特にエンハンス層６ａの組成やその他のフリー磁性層６の構成を変えることなく、ＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層７ａを前記フリー磁性層６上に設けることで、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、フリー磁性層６の磁歪λを効果的に低下させることが出来る。
【００７８】
本実施形態のトンネル型磁気検出素子の製造方法について説明する。図２ないし図４は、製造工程中におけるトンネル型磁気検出素子を図１と同じ方向から切断した部分断面図である。
【００７９】
図２に示す工程では、下部シールド層２１上に、下地層１、シード層２、反強磁性層３、第１固定磁性層４ａ、非磁性中間層４ｂ、及び第２固定磁性層４ｃを連続成膜する。
【００８０】
そして、前記第２固定磁性層４ｃ上に、金属層１５をスパッタ法等で成膜する。金属層１５は後の工程で酸化されるので、酸化後の膜厚が絶縁障壁層５の膜厚となるように、金属層１５を形成する。本実施形態では、金属はＴｉを用いる。
【００８１】
次に、真空チャンバー内に酸素を流入する。これにより前記金属層１５は酸化されて、絶縁障壁層５が形成される。
【００８２】
次に、図３に示すように、前記絶縁障壁層５上に、エンハンス層６ａ及び軟磁性層６ｂから成るフリー磁性層６を成膜する。さらに、前記フリー磁性層６上に、ＰｔあるいはＲｕで第１保護層７ａを形成し、さらに第２保護層７ｂを成膜する。以上により下地層１から保護層７までが積層された積層体Ｔ１を形成する。
【００８３】
次に、前記積層体Ｔ１上に、リフトオフ用レジスト層３０を形成し、前記リフトオフ用レジスト層３０に覆われていない前記積層体Ｔ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端部をエッチング等で除去する（図４を参照）。
【００８４】
次に、前記積層体Ｔ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側であって前記下部シールド層２１上に、下から下側絶縁層２２、ハードバイアス層２３、及び上側絶縁層２４の順に積層する（図５を参照）。
【００８５】
そして前記リフトオフ用レジスト層３０を除去し、前記積層体Ｔ１及び前記上側絶縁層２４上に上部シールド層２６を形成する。
【００８６】
上記したトンネル型磁気検出素子の製造方法では、その形成過程でアニール処理を含む。代表的なアニール処理は、前記反強磁性層３と第１固定磁性層４ａ間に交換結合磁界（Ｈｅｘ）を生じさせるためのアニール処理であり、２４０〜３１０℃の温度で行われる。
【００８７】
前記アニール処理の温度が２４０℃より低い温度、あるいは２４０℃〜３１０℃の範囲内であっても、アニール時間が４時間未満であると、前記第１保護層７ａと前記フリー磁性層６との界面及び、前記第１保護層７ａと前記第２保護層７ｂとの界面での構成元素の相互拡散は生じず、あるいは相互拡散が生じても小規模（例えば界面の全域で拡散が生じず、間欠的に生じている等）であり、ほぼ界面の状態を保っていると考えられる。
【００８８】
一方、前記アニール処理の温度が３１０℃より高い温度、あるいはアニール時間が４時間以上であると、前記第１保護層７ａと前記フリー磁性層６との界面及び、前記第１保護層７ａと前記第２保護層７ｂとの界面での構成元素の相互拡散が生じて、前記界面の存在が無くなり、Ｒｕ濃度あるいはＰｔ濃度が、前記第１保護層７ａの内部、例えば膜厚中心から前記フリー磁性層６の絶縁障壁層５との界面方向（すなわち図示下方向）、及び前記第２保護層７ｂの上面方向（すなわち図示上方向）に向けて徐々に小さくなる濃度勾配が形成される。
【００８９】
なお、絶縁障壁層５を金属層１５の酸化によって形成する場合、酸化の方法としては、ラジカル酸化、イオン酸化、プラズマ酸化あるいは自然酸化等を挙げることができる。
【００９０】
上記により、従来構造のトンネル型磁気検出素子と同様に高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、従来構造に比べて、フリー磁性層６の磁歪λが小さいトンネル型磁気抵抗効果素子を適切且つ簡単に製造できる。
【実施例】
【００９１】
図１に示すトンネル型磁気検出素子を形成した。
下から、下地層１；Ｔａ（８０）／シード層２；ＮｉＦｅＣｒ（５０）／反強磁性層３；ＩｒＭｎ（７０）／固定磁性層４［第１固定磁性層４ａ；Ｃｏ７０at%Ｆｅ３０at%（１４）／非磁性中間層４ｂ；Ｒｕ（９．１）／第２固定磁性層４ｃ；Ｃｏ９０at%Ｆｅ１０at%（１８）］／金属層１５；Ｔｉ（５．６）の順に積層した。次いで、酸化を行い、金属層を酸化してＴｉ−Ｏからなる絶縁障壁層５を形成した。形成した絶縁障壁層５上に、フリー磁性層６[エンハンス層６ａ；Ｃｏ５０at%Ｆｅ５０at%（１０）／軟磁性層６ｂ；Ｎｉ８６at%Ｆｅ１４at%（４０）]／保護層７［第１保護層；Ｐｔ（２０）／第２保護層；Ｔａ（１８０）］の順に積層し、積層体Ｔ1を形成した。
【００９２】
前記積層体Ｔ１を形成した後、２７０℃で３時間３０分、アニール処理を行った（実施例１）。また同様にして、第１保護層７ａをＲｕで形成した積層体Ｔ１を形成し、アニール処理を行った（実施例２）。
【００９３】
抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）およびフリー磁性層６の磁歪λを測定した結果を、表１に示す。また、フリー磁性層の保磁力（Ｈｃ）および層間結合磁界（Ｈｉｎ）の測定結果と合わせて示す。
【００９４】
前記第１保護層７ａの材質を変えた場合の結果を比較例に示す。比較例１は前記第１保護層７ａをＣｕで、比較例２は第１保護層７ａをＴｉで、比較例３は第１保護層７ａをＩｒＭｎで、比較例４は第１保護層７ａをＡｌで、形成した場合である。膜厚は第１保護層７ａをＰｔあるいはＲｕで形成した実施例１または実施例２と同じ、２０Åである。また、比較例５は、前記第１保護層７ａを形成しない従来構造であり、前記第２保護層を形成するＴａのみで前記保護層７を膜厚２００Åの厚さに形成した。なお、第１保護層７ａがＡｌの場合（比較例４）、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）が低すぎ、正しく評価できなかった。
【００９５】
【表１】
2008060275.tif 000003
【００９６】
表１より、第１保護層７ａがＰｔあるいはＲｕで形成されたトンネル型磁気検出素子は、第１保護層を形成せず第２保護層のみで保護層を構成した従来構造の比較例５に比べて、フリー磁性層の磁歪λ（絶対値）が非常に小さく、０に近い値を示した。また、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）は、比較例５とほとんど変わらない高い値を示した。
【００９７】
一方、第１保護層７ａがＣｕで形成されたトンネル型磁気検出素子（比較例１）は、比較例５に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）はほぼ変わらないが、フリー磁性層の磁歪λの値はあまり減少しなかった。また、第１保護層７ａがＴｉ、ＩｒＭｎ、Ａｌで形成されたトンネル型磁気検出素子は、比較例５に比べて、フリー磁性層の磁歪λが大きく、しかも抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）も大きく減少した。
【００９８】
よって、第１保護層７ａをＰｔあるいはＲｕで形成することにより、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持したまま、フリー磁性層６の磁歪λを大きく低減することができることがわかった。
【００９９】
さらに、第１保護層７ａがＰｔあるいはＲｕで形成される場合、前記第１保護層７ａを設けない従来構造の比較例５に比べて、フリー磁性層の保磁力（Ｈｃ）および層間結合磁界（Ｈｉｎ）はほとんど変わらない値を示し、ＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層７ａをフリー磁性層上に設けても、トンネル型磁気検出素子の軟磁気特性に影響を与えないことがわかった。
【０１００】
次に、上記の実験で使用した基本膜構成の金属層１５をＡｌで形成し、１Ｔｏｒｒで１５分間、Ａｌを酸化して酸化アルミニウムから成る絶縁障壁層５を有するトンネル型磁気検出素子を形成した。
【０１０１】
実験では、第１保護層７ａをＰｔで形成した試料（比較例７）、Ｒｕで形成した試料（比較例８）、前記第１保護層を形成しなかった試料（比較例６）の３つのトンネル型磁気検出素子を形成し、各トンネル型磁気検出素子の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）及びフリー磁性層６の磁歪λを測定した。
【０１０２】
【表２】
2008060275.tif 000004
【０１０３】
表２の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の欄を見ると、絶縁障壁層５を酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）で形成し、第１保護層７ａをＰｔで形成した比較例７、及び第１保護層７ａをＲｕで形成した比較例８は、第１保護層７ａを形成していない比較例６に対する抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の減少率が、非常に大きくなることがわかった。「減少率」とは、例えば比較例７を例にとると、［（比較例６の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）−比較例７の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ））／比較例６の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）］×１００（％）で計算される。
【０１０４】
一方、絶縁障壁層５を酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成し、第１保護層７ａをＰｔで形成した実施例１（表１の実施例１と同じ）、及び第１保護層７ａをＲｕで形成した実施例２（表１の実施例２と同じ）は、第１保護層７ａを形成していない比較例５（表１の比較例５と同じ）に対し、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）が低下するものの、その減少率は、比較例７，８に比べて十分に小さくできることがわかった。
【０１０５】
また表２のフリー磁性層６の磁歪λの欄を見ると、絶縁障壁層５を酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）で形成した比較例７、及び比較例８は、比較例６に対して前記磁歪λを低減できるものの、絶縁障壁層５を酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成した実施例１，実施例２のほうがゼロに近い磁歪を得られることがわかった。特に、第１保護層７ａを設けていない比較例５及び６のフリー磁性層６の磁歪λはほとんど同じであることからすると、絶縁障壁層５を酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成した実施例１，２の磁歪低減効果は、絶縁障壁層５を酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）で形成した比較例７，８に比べて大きいことがわかった。
【０１０６】
よって、フリー磁性層６上にＰｔあるいはＲｕで形成された第１保護層７ａを設けた際の、高抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持する効果、及びフリー磁性層６の磁歪低減効果は、絶縁障壁層５を酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成したときに有効であることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本実施形態のトンネル型磁気検出素子を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した断面図、
【図２】本実施形態のトンネル型磁気検出素子の製造方法を示す一工程図（製造工程中の前記トンネル型磁気検出素子を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した断面図）、
【図３】図２の次に行われる一工程図（製造工程中の前記トンネル型磁気検出素子を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した断面図）、
【図４】図３の次に行われる一工程図（製造工程中の前記トンネル型磁気検出素子を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した断面図）、
【図５】図４の次に行われる一工程図（製造工程中の前記トンネル型磁気検出素子を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した断面図）、
【符号の説明】
【０１０８】
３  反強磁性層
４  固定磁性層
４ａ  第１固定磁性層
４ｂ  非磁性中間層
４ｃ  第２固定磁性層
５  絶縁障壁層
６ａ  エンハンス層
６ｂ  軟磁性層
６  フリー磁性層
７ａ  第１保護層
７ｂ  第２保護層
７  保護層
１５  金属層
２１  下部シールド層
２２，２４  絶縁層
２３  ハードバイアス層
２６  上部シールド層
【図１】
2008060275.tif 000005
【図２】
2008060275.tif 000006
【図３】
2008060275.tif 000007
【図４】
2008060275.tif 000008
【図５】
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