(57)【要約】【課題】半導体発光素子からの光は全方向に進む。そのため、照明方向以外に進む光は有効に利用できない。半導体発光素子の側面に傾斜面をつけ、そこに反射層を形成する手段は提案されているものの、エッチングなどの方法で傾斜面をつけるため、加工に時間がかかり、傾斜面の制御が困難といった課題があった。【解決手段】発光層を形成した厚めの基板に反射用の傾斜面を機械的加工で形成し反射層を施す。その後、補強材を充填してから射光面側から、反射膜が表面に現れるまで基板を研削する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面を射光面とする基板と、
前記基板における前記射光面の反対面上に形成されたｎ型層と、
前記ｎ型層に形成されたｎ側電極と、
前記ｎ型層上に形成されたｐ型層と、
前記ｎ型層と前記ｐ型層の間に配された少なくとも１層以上の活性層と、
前記ｐ型層に形成されたｐ側電極と、
前記射光面とのなす角度が０度より大きく９０度より小さく、かつ反射膜が形成された側面とを有する半導体発光素子。
【請求項２】
前記基板は厚さ１００μｍ以下のＧａＮまたはＳｉＣである請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記射光面は全反射防止処理が施されている請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体発光素子と、
前記半導体発光素子のｎ側およびｐ側電極と接続された引出電極が形成されたサブマウントとを有する半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体素子の周囲に蛍光体層が配された請求項４記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記蛍光体層は無機ガラスを含有する請求項５記載の半導体発光装置。
【請求項７】
基板にｎ型層と活性層とｐ型層からなる発光層を形成する工程と、
前記活性層と前記ｐ型層の一部を除去し、前記ｎ型層と前記ｐ型層に引出電極を形成する工程と、
前記基板にノッチを形成する工程と、
前記ノッチに反射層を形成する工程と、
前記発光層が形成されたのと反対側の基板表面を、少なくとも前記ノッチの一部が露出するまで研削する工程を含む半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
基板にｎ型層と活性層とｐ型層からなる発光層を形成する工程と、
前記活性層と前記ｐ型層の一部を除去し、前記ｎ型層と前記ｐ型層にそれぞれｎ側電極およびｐ側電極を形成する工程と、
前記基板にノッチを形成する工程と、
前記ノッチに反射層を形成する工程と、
引出電極を形成したサブマウントに前記ｎ側電極及びｐ側電極を接続する工程と、
前記サブマウントに補強剤を充填する工程と、
前記発光層が形成されたのと反対側の基板表面を、少なくとも前記ノッチの一部が露出するまで研削する工程と、
前記補強剤を除去する工程を含む半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子の側面から放出される光を有効に活用するために、側面に反射層を配した半導体発光素子とそれを用いた半導体発光装置および製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は、活性層を挟み込んだｐ型およびｎ型半導体で形成される発光層から光が放出される。そのため、光は四方八方に出射される。しかし、光源としては、一方向に光を照射させたい場合が多い。その場合は、照射方向とは異なる方向に進む光は無駄になる。光の効率的な活用を考えると、これらの光は半導体発光素子の射光方向に反射させるのが好ましい。
【０００３】
このような課題に対しては半導体発光素子の側面に、射光面側に向かうような傾斜を施したものが提案されている。例えば、特許文献１には、電極上に傾斜加工されかつ反射層をほどこされた側面を有する半導体発光素子が示されている。この半導体発光素子は、発光層の両面に電極が形成されたものである。また、発光層からの光の取り出し効率を上げるために、発光層を形成する際に用いたサファイア基板を、後からレーザーで剥離させたものである。
【０００４】
また、特許文献２には、透明基板の一方に電極を形成し、その電極に発光層が生成した光が当たらないように、出射面の反対面となる底面に角度をつけた斜面を形成した半導体発光素子が示されている。
【特許文献１】特開２００６−１２８６５９号公報
【特許文献２】特開平６−２６８２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体発光装置が放出する光を効率よく利用しようとすると、側面を傾斜面として反射層を施した構造は望ましい。しかし、傾斜面を形成するのに特許文献１のようにエッチングといった手法をとるのでは、作製に手間がかかってしまう。一方機械的に傾斜面を形成するには、発光層を加工時の衝撃から保護するために、厚い基板が必要となる。すなわち、薄い基板を使って機械的な加工で側面に傾斜面を形成するのは困難であるという課題がある。特に基板がＧａＮやＳｉＣといった劈開性を有する結晶の場合は、その厚みが薄い場合、機械的な加工で側面に傾斜をつけるのは、基板が割れやすくなり低い歩留まりという結果を招く。
【０００６】
その点、特許文献２で開示されているように、十分に厚みのある基板を用いた場合では、光を反射させる傾斜面を形成するのは容易である。しかし、側面部分に反射層が形成されない部分が残ってしまう。この反射面が形成されなかった側面から漏れる光は単に損失光となるだけである。
【０００７】
従って、光がもれるような側面構造は、光の有効利用という観点から好ましくない。また、光の取り出し効率を向上させるという観点からは、射光面上に電極を形成するのも好ましくない。本発明は以上のような課題を解決すべく想到されたものであり、側面に機械的な加工で傾斜面を形成し、またその傾斜面はすべて反射面とする半導体発光素子、それを用いた半導体発光装置、そしてその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、厚みのある基板上に発光層を設け、機械的な加工により傾斜面を形成し、その傾斜面に反射層を形成する。そして、さらに基板を発光層を設けたのと反対側から、斜面部分まで研削することによって作製する。また、電極はｐ側電極もｎ側電極も射光面となる基板の反対側に形成する。
【０００９】
このような作製方法によって、一方の面を射光面とする基板と、前記基板における前記射光面の反対面上に形成されたｎ型層と、前記ｎ型層に形成されたｎ側電極と、前記ｎ型層上に形成されたｐ型層と、前記ｎ型層と前記ｐ型層の間に配された少なくとも１層以上の活性層と、前記ｐ型層に形成されたｐ側電極と、前記射光面とのなす角度が０度より大きく９０度より小さく、かつ反射膜が形成された側面とを有する半導体発光素子を得る。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体発光素子の製造方法によって、発光層から横方向に発せられる光を射光面側に反射させる傾斜面を機械的加工によって作製することができ、なおかつ、側面が全て反射面となっているので、単に損失となる側面からの漏れ光も発生しない半導体発光素子を得る事ができる。
【００１１】
また、ｐ側ｎ側両電極が基板の一方に形成されているので、電極で射光面の面積を減少させることはない。
【００１２】
さらに、基板を研削する際に反射膜の現れ程度で研削量を知ることができ、加工が容易になるという効果もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施の形態１）
図１に本発明の半導体発光装置１を示す。半導体発光装置１は、サブマウント２１上に、半導体発光素子１０が固定されている構造である。
【００１４】
サブマウント２１には、引出電極２２，２３が形成されている。引出電極は半導体発光素子１０へ電流を印加するための電極である。半導体発光素子のｎ型層の側に接続するｎ側引出電極２２とｐ型層の側に接続されるｐ側引出電極２３がある。さらに図１では、引出電極は、スルーホール２６，２７を介して裏面電極２８，２９へ接続されている。これによって裏面電極２８，２９から半導体発光素子へ電流を流す事が出来る。なお、裏面電極もｎ側裏面電極２８とｐ側裏面電極２９がある。
【００１５】
引出電極にはバンプ２４，２５が形成されている。引出電極同様、バンプもｎ型層に接続されるｎ側バンプ２４とｐ型層に接続されるｐ側バンプ２５がある。図１ではｐ側バンプは複数あるが、まとめて符号２５で表す。もちろんｎ側バンプが複数個あってもよい。
【００１６】
このバンプによって引出電極と半導体発光素子は直接接続されている。従って、このバンプは接続線である。サブマウント、引出電極、裏面電極、スルーホール、バンプを含めて支持体２０と呼ぶ。なお、実施形態によっては、裏面電極や、スルーホール、バンプが支持体２０から省略される場合もある。
【００１７】
サブマウント２１は、シリコンツェナーダイオード、シリコンダイオード、シリコン、窒化アルミニウム、アルミナ、その他のセラミック等を用いることができる。
【００１８】
スルーホールはサブマウントに穿たれた貫通孔で、内部に銅、アルミニウム、金等の導電材料を含む。裏面電極２８，２９は、スルーホールと電気的に接合しており、銅、銀、金などの導電材料で作製される。引出電極は、銅、アルミニウム、金、銀といった導電性の材料を用いる。
【００１９】
バンプは半導体発光素子１０をサブマウント２１上に固定し、また引出電極２２、２３との間を電気的に結合させる役割を有する。
【００２０】
バンプの材料としては、金、金−錫、半田、インジウム合金、導電性ポリマーなどを用いることができるが、特に金や金を主成分とする材料が好ましい。これらの材料を用いて、メッキ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法、液滴射出法、ワイヤーバンプ法等を用いて形成することができる。
【００２１】
例えば、ワイヤーバンプ法で金ワイヤーを作成し、その一端をボンダーにてサブマウント上の引出電極に接着した後、ワイヤーを切断することで金バンプを形成する。また、金などの高導電性材料の微粒ナノ粒子を揮発性溶剤に分散した液をインクジェット印刷と同様な手法で印刷し、溶剤を揮発除去してナノ粒子の集合体としてのバンプを形成する液滴射出法を用いることもできる。
【００２２】
図２に半導体発光素子１０の断面図を、図３に基板上部方向からの平面図を示す。半導体発光素子１０は、基板１１、ｎ型層１２、活性層１３、ｐ型層１４、ｎ側電極１６、ｐ側電極１７からなる。
【００２３】
基板１１は、発光層を保持する役目を負う。材質としては、絶縁性のサファイアを用いることができる。しかし、発光効率や発光する部分が窒化ガリウム（ＧａＮ）を母材とすることから、ｎ型層１２と基板１１との界面での光の反射を少なくするために発光層と同等の屈折率を有するＧａＮやＳｉＣ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮを用いるのが好適である。
【００２４】
発光層となるｎ型層１２と活性層１３とｐ型層１４は基板１１上に順次積層される。材質は特に制限はないが、窒化ガリウム系化合物であれば好ましい。具体的には、それぞれ、ＧａＮのｎ型層１２、ＩｎＧａＮの活性層１３、ＧａＮのｐ型層１４である。なお、ｎ型層１２やｐ型層１４としては、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮを用いてもよいし、ｎ型層１２と、基板１１との間に、ＧａＮやＩｎＧａＮで構成したバッファ層を用いることも可能である。また、例えば、活性層１３は、ＩｎＧａＮとＧａＮが交互に積層した多層構造（量子井戸構造）としてもよい。
【００２５】
このように基板１１上に積層したｎ型層１２と活性層１３とｐ型層１４の一部から、活性層１３とｐ型層１４を除去し、ｎ型層１２を露出させる。この露出させたｎ型層１２上に形成されたのが、ｎ側電極１６である。また、ｐ型層１４上に同じくｐ側電極１７が形成される。つまり、活性層１３とｐ型層１４を除去し、ｎ型層１２を露出させることで、発光層とｐ側電極およびｎ側電極は基板に対して同じ側の面に形成することができる。
【００２６】
ｐ側電極１７は発光層で発した光を基板１１の側に反射するために反射率の高いＡｇやＡｌ、Ｒｈ等の第１の電極を用いる。すなわち、基板１１の天面側が射光面５５となる。ｐ型層１４とｐ側電極１７のオーミック接触抵抗を小さくするためにｐ型層１４とｐ側電極の間にＰｔやＮｉ、Ｃｏ、ＩＴＯ等の電極層を用いるとより望ましい。また、ｎ側電極１６はＡｌやＴｉ等を用いることができる。ｐ側電極１７およびｎ側電極１６の表面にはバンプとの接着強度を高めるためにＡｕやＡｌを用いることが望ましい。これらの電極は真空蒸着法、スパッタリング法などによって、形成することができる。
【００２７】
半導体発光素子１０のサイズは、特に限定はないが、光量が大きく面発光に近い光源とするには、全面積が広い方がよく、好ましくは一辺が６００μｍ以上であることが望ましい。
【００２８】
半導体発光素子１０の側面は、発光層側から射光面に向かって長さＬが広がるような角度で傾斜面３１が形成される。傾斜面３１には、傾斜面全面に渡って反射層３３が形成される。反射層３３は、Ａｌ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｚｎなどの反射率の高い材料を用い、主としてスパッタ、蒸着、メッキといった手法で作製される。もちろん、反射層は、これらの微小粒を樹脂などの媒質に分散した塗料を塗布や印刷などの手法で形成してもよい。
【００２９】
傾斜面３１は、発光層から発せられた側面方向への光を射光面５５方向へ反射させる。従って、射光面５５と傾斜面３１とのなす角度３４は、９０度より小さい。この角度３４が、大きくなると反射光が、射光面に対して浅い角度で入射することになるので、全反射する光が多くなる。つまり、半導体発光素子からの光取出し効率が低下する。
【００３０】
一方、角度３４が小さいと、基板の発光層が形成された側の長さと射光面側の長さが著しく異なることとなり、半導体発光素子の強度が低下する。従って角度３４は、２０度から７０度、好ましくは、３０度から６０度の範囲がより好ましい。
【００３１】
図４には、本発明の半導体発光素子及び半導体発光装置の製造方法を示す。まず、基板１１となる材料上にｎ型半導体１２と、活性層１３とｐ型半導体１４を形成する（図４（Ａ））。なお、基板となる材料はウェハ４１と呼ぶ。次にｐ型半導体１４と活性層１３の一部をエッチングで取り去り、ｎ型半導体を露出させる（図４（Ｂ））。
【００３２】
露出したｎ型半導体上と、ｐ型半導体上にそれぞれｎ側電極１６、ｐ側電極１７を形成する（図４（Ｃ））。そして、半導体発光素子となる部分ごとにノッチ４２を入れる。ノッチ４２は、刃先にテーパー角度のついたダイシングブレードで、切れ目を入れる（図４（Ｄ））。ノッチ４２の深さは、最終的に作製される発光素子の厚さと同等かこれ以上になるように調整するが、発光素子の機械的強度を保つ観点から１０μｍ以上、また、ダイシングブレードの磨耗を低減する観点から１００μｍ以下の深さとすることが望ましい。したがって、発光素子の厚さの大半を占める基板の厚さは１００μｍ以下であるべきである。
【００３３】
次にノッチ４２の部分に反射層３３を形成する（図４（Ｅ））。この反射層を真空処理で行う場合は、ノッチの部分以外にフォトレジストを形成しておくのはいうまでもない。ノッチ４２の谷の底４３には、レーザースクライブでメタル層を切り、基板に切り欠きを入れておく。こうすることで、基板の裏面側から切り欠き部に沿ってカッターを当てる等により分離する際に、反射層が谷の底４３以外の箇所で分断されることを防止することができる（図４（Ｆ））。この分離された部分は発光素子部９とする。なお、半導体発光素子だけを得る場合は、図４（Ｅ）の状態で、ウェハ４１を反射層が出てくるまで研削する。
【００３４】
図５には、図４で作製した発光素子部９を用いて半導体発光装置を作製する製造方法を示す。サブマウント２１となる材料上に、引出電極２２，２３を形成する。必要に応じてスルーホールや、裏面電極も形成しておく。引出電極２２，２３にはバンプ２４，２５を形成しておく。そして、発光素子部９を溶着させる（図５（Ａ））。
【００３５】
次にサブマウント上全体を補強材４４で充填する（図５（Ｂ））。補強材４４は、一定以上の強度があり、また除去しやすい材料がよい。例えば、エレクトロンワックスなどの樹脂材が好適である。
【００３６】
そして、これを研削する。研削はラップマスターなどを用いる事ができる。研削は、反射層３３が研磨面４７に現れるまで研削する（図５（Ｃ））。このようにすることで、半導体発光素子の側面は全て反射層を備えた傾斜面とすることができる。反射層が研磨面に現れるまで研削するということは、研削の目標が分かるという効果もある。また、高い歩留まりで、基板を薄くすることができ、発光効率を高くすることもできる。
【００３７】
最後に補強材を除去して本発明の半導体発光装置１を得る（図５（Ｄ））。その後、サブマウントを切断して、個々の半導体発光装置を得ることもできるし、複数個がつながったまま半導体発光装置としてもよい。
【００３８】
（実施の形態２）
図６に本実施の形態の半導体発光装置２の構成を示す。半導体発光装置２は、射光面５５に反射防止処理５７が施される。反射防止処理を行なうことで、基板内を進む光で射光面に浅い角度で入射する光が全反射するのを防止し、半導体発光素子からの光取出し効率が向上する。
【００３９】
図７に半導体発光装置２の製造方法を示す。発光素子部９を引出電極やバンプが形成されたサブマウント上に溶着し、補強材を充填した後、研磨するのは図５の場合と同じである（図７（Ｃ））。
【００４０】
次に研磨した射光面５５に微小な凹凸構造を形成する（図７（Ｄ））。微小な凹凸構造は射光面での全反射を防ぎ、光の取り出し効率を向上させる。
【００４１】
微小凹凸構造は、ナノインプリント技術を用いた微細加工を用いれば、光の波長と同程度若しくは、使う光の波長によっては、それ以下のスケールの微細パターンを形成することもできる。また形状も溝形状、錘状、半円球状など、さまざまなパターンの形成が可能である。なお、ナノインプリントを行う面は平坦であることが必要であるが、半導体発光装置２と補強材４４からなる研削面は非常に平坦に形成されるので、精度良く微細パターンを形成することができる。ナノインプリントを行なう場合は、射光面５５にＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などのポリマーレジストを塗布して乾燥、ベークした後、モールド面に形成された凹凸形状を転写する。
【００４２】
エッチングによる表面の凹凸形状の形成は、工程が簡単であり、また光取り出し効果も向上する。しかし、凹凸形状の正確な制御が困難であり、また全く同じ凹凸形状を多くの基板表面上に形成できないという特性がある。エッチングはウェットエッチングでもドライエッチングでも利用する事ができる。ドライエッチングでは、イオンミリング法や塩素ガス法などがある。ウェットエッチングでは、アルカリを主体としたエッチャントを用いてエッチングを行うことができる。
【００４３】
また、研削する工程の最後に用いる砥石の粒度を調節して、研削が終わった状態で、ある範囲の表面粗さに仕上げ、基板表面の凹凸構造とすることもできる。
【００４４】
また、インクジェット印刷法により基板表面に凹凸構造を作成することもできる。この方法は基板をエッチングする工程を含まないので簡便に行うことができる。作成する凹凸構造自体の屈折率を調整することで、光取出し効果を得る事ができる。そして、射光面５５に微小凹凸構造を形成した後、補強材４４を除去することで、半導体発光装置２を得る（図７（Ｅ））。
【００４５】
（実施の形態３）
図８に本実施の形態の半導体発光装置３の構成を示す。半導体発光装置３は、半導体発光装置２の周囲に蛍光体含有封止層５９を形成した構造になっている。図９には、その製造方法を示す。射光面５５に微小な凹凸構造からなる反射防止処理５７を施すまでは図７（Ｅ）と同じである（図９（Ｄ））。そして半導体発光装置３はその後、蛍光体含有封止層５９を半導体発光素子１０の周囲に形成する。形成する方法は特に限定はないが、蛍光体含有封止層用の塗料を印刷で塗布するのが、作製時間も短く簡単である。
【００４６】
蛍光体含有封止層５９は、無機若しくは有機の蛍光体材料の粒子を樹脂もしくはガラスといった透明媒体中に分散したものである。
【００４７】
例えば、半導体発光素子１０が青色を発光し、半導体発光装置３自体の発光色を白色にする場合は、半導体発光素子１０からの青色の光を受けて、黄色に波長を変換し放出する蛍光体である。このような蛍光体材料としては、希土類ドープ窒化物系、または、希土類ドープ酸化物系の蛍光体が好ましい。より具体的には、希土類ドープアルカリ土類金属硫化物希土類ドープガーネットの(Ｙ・Ｓｍ)3(Ａｌ・Ｇａ)5Ｏ12：Ｃｅや（Ｙ0.39Ｇｄ0.57Ｃｅ0.03Ｓｍ0.01）3Ａｌ5Ｏ12、希土類ドープアルカリ土類金属オルソ珪酸塩、希土類ドープチオガレート、希土類ドープアルミン酸塩等を好適に用いることができる。また、珪酸塩蛍光体（Ｓｒ1-a1-b2-xＢａa1Ｃａb2Ｅｕx）２ＳｉＯ4やアルファサイアロン（α−ｓｉａｌｏｎ:Ｅｕ）Ｍｘ(Ｓｉ，Ａｌ)12(Ｏ，Ｎ)16を黄色発光の蛍光体材料として用いても良い。
【００４８】
媒体としては、シリコン樹脂、エポキシ樹脂及びフッ素樹脂を主成分とする樹脂を用いることができる。特に非シリコン樹脂としては、シロキサン系の樹脂やポリオレフィン、シリコーン・エポキシハイブリッド樹脂などが好適である。
【００４９】
なお、樹脂の代わりにゾルゲル法で作成されるガラス材料を用いることもできる。具体的には、一般式Ｓｉ（Ｘ）n（Ｒ）4-n（ｎ＝１〜３）で表される化合物である。ここで、Ｒはアルキル基であり、Ｘはハロゲン（Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、アルコキシ基（−ＯＲ）から選ばれる。このガラス材の中にも蛍光体や一般式がＭ（ＯＲ）nで表されるアルコキシドを添加することもできる。アルコキシドを添加することによって凹凸構造の屈折率を変えることができる。
【００５０】
また、これらのガラス材料は硬化反応温度が摂氏２００度程度のものもあり、バンプや電極各部に用いる材料の耐熱性を考慮しても好適な材料と言える。蛍光体材料と媒体を混ぜ合わせた状態を蛍光体塗料と呼ぶ。
【００５１】
なお、本明細書を通じてＡｌはアルミニウム、Ｎは窒素、Ｏは酸素、Ａｇは銀、Ｒｈはロジウム、Ｐｔは白金、Ｎｉはニッケル、Ｃｏはコバルト、Ｔｉはチタン、Ａｕは金、Ｙはイットリウム、Ｓｍはサマリウム、Ｃｅはセリウム、Ｓｒはストロンチウム、Ｂａはバリウム、Ｃａはカルシウム、Ｅｕはユウロピウム、Ｍｇはマグネシウムを表す。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、側面に反射層を形成し、発光効率の高い半導体発光装置に利用する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の半導体発光装置の構成を表す図
【図２】本発明の半導体発光素子の断面を示す図
【図３】本発明の半導体発光素子を射光面側から見た平面図
【図４】本発明の半導体発光素子の製造方法を示す図
【図５】本発明の半導体発光装置の製造方法を示す図
【図６】本発明の半導体発光装置の他の構成を示す図
【図７】図６の本発明の半導体発光装置の製造方法を示す図
【図８】本発明の半導体発光装置の他の構成を示す図
【図９】図８の本発明の半導体発光装置の製造方法を示す図
【符号の説明】
【００５４】
１  半導体発光装置
１０  半導体発光素子
１１  基板
１２  ｎ型層
１３  活性層
１４  ｐ型層
１６  ｎ側電極
１７  ｐ側電極
２０  支持体
２１  サブマウント
２２  ｎ側引出電極
２３  ｐ側引出電極
２４  ｎ側バンプ
２５  ｐ側バンプ
２６、２７  スルーホール
３３  反射層
４２  ノッチ
４４  補強材
５５  射光面
５７  全反射防止処理を施した射光面
５９  蛍光体含有封止層
【図１】
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【図２】
2008205229.tif 000004
【図３】
2008205229.tif 000005
【図４】
2008205229.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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