(57)【要約】【課題】ダマシン構造の多層配線およびＣｏＷＰ等の導電性バリア膜を有する半導体装置において、従来よりも電気特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】下層配線１２に至るビア孔１７を開口する際、下層配線１２表面に残存する導電性バリア膜１３と下層配線１２との間で形成される反応層１４が除去される。よって、ビア１７下面と下層配線１２とが接合する界面において、導電性バリア膜１３と下層配線１２との間で形成される反応層１４が存在しないため、ビア抵抗を十分に下げることができる。【選択図】図1
2008060243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダマシン構造からなる多層配線を有する半導体装置の製造方法であって、
第１の層間絶縁膜に下層配線を形成する工程と、
前記下層配線上に導電性バリア膜を選択的に形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜および導電性バリア膜を覆う第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記第２の層間絶縁膜および導電性バリア膜に、前記下層配線に達するビア孔を開口する工程とを有し、
前記ビア孔を開口する工程は、前記導電性バリアと前記下層配線との間に形成される反応層を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の層間絶縁膜にビア孔を開口する工程よりも後であって少なくとも前記導電性バリア膜にビア孔を開口する前に、
前記第２の層間絶縁膜のビア孔を被覆するように全面にバリアメタル膜を形成する工程と、
前記ビア孔底部のバリアメタル膜を除去する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記下層配線が銅、アルミニウム、銀またはこれらの合金を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電性バリア膜がＣｏＷＰ、またはＣｏＷＢであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜のうち少なくとも一方が比誘電率２．５以下の低誘電率膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜のうち少なくとも一方が多孔質構造の低誘電率膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記バリアメタル膜がＴａ膜、ＴａＮ膜、ＷＮ膜、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜またはこれらの積層膜であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
第１の層間絶縁膜の凹部を埋め込むように形成された下層配線と、
前記下層配線上に選択的に形成された導電性バリア膜と、
前記第１の層間絶縁膜および前記導電性バリア膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
少なくとも前記第２の層間絶縁膜中に形成され前記下層配線に至るビアとを有し、
前記ビアの下面と前記下層配線とが接合している界面に前記導電性バリア膜、および前記導電性バリア膜と前記下層配線との間に形成される反応層が存在しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記ビアの下面が前記下層配線の上面よりも低い位置にあることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の層間絶縁膜中に形成され、前記下層配線と電気的に接続する上層配線をさらに有することを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記上層配線は、前記ビアを介して下層配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記下層配線およびビアのうち少なくとも一方が銅、アルミニウム、銀またはこれらの合金を含むことを特徴とする請求項８ないし１１のうちいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記導電性バリア膜がＣｏＷＰ、またはＣｏＷＢであることを特徴とする請求項８ないし１１のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜のうち少なくとも一方が比誘電率２．５以下の低誘電率膜であることを特徴とする請求項８ないし１１のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜のうち少なくとも一方が多孔質構造の低誘電率膜であることを特徴とする請求項８ないし１１のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関わり、特にダマシン構造からなる多層配線および導電性バリア膜を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｃｕ配線を有する半導体装置においては、エレクトロマイグレーション耐性の向上技術として、例えば特許文献１に記載されているように、コバルトタングステンリン（ＣｏＷＰ）等の導電性バリア膜をＣｕ配線上に形成する技術が知られている。
【０００３】
以下に、従来の導電性バリア膜を用いた半導体装置について、図１０を用いて説明する。
【０００４】
図１０は従来の半導体装置の構造を示す断面図である。Ｓｉ基板（不図示）上には、下層配線溝１ａを有する第１の層間絶縁膜１が形成されている。第１の層間絶縁膜１における下層配線溝１ａには、第１のバリアメタル膜２ａ及び第１のＣｕ膜２ｂが形成された下層配線２が形成されている。下層配線２上には、ＣｏＷＰ等の導電性のバリア膜３が形成されている。
【０００５】
第１の層間絶縁膜１及び導電性バリア膜３の上には、第２の層間絶縁膜４が形成されている。第２の層間絶縁膜４の下部及びバリア膜３には、下層配線２の上面を露出させるビア孔４ａが形成されていると共に、第２の層間絶縁膜４の上部には、ビア孔４ａと連通する上層配線溝４ｂが形成されている。ビア孔４ａ及び上層配線溝４ｂには、第２のバリアメタル膜６ａ及び第２のＣｕ膜６ｂよりなる上層配線６が形成されている。上層配線６には、ビア孔４ａに形成され、第２のバリアメタル膜６ａ及び第２のＣｕ膜６ｂよりなるビア６ｃとなる部分があり、該ビア６ｃを介して下層配線２と上層配線６とが電気的に接続されている。
【０００６】
図１０において、ビア６ｃと下層配線２との接続部に注目すると、ビア６ｃの下面と下層配線２とが接合される界面において導電性バリア膜は存在していない。すなわち、ビア孔４ａを開口する際に、ビア孔４ａ底部の導電性バリア膜は除去されている。
【特許文献１】特開2006-60166号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来技術においては以下の問題が生じていた。
【０００８】
発明者はＣｏＷＰ等の導電性バリア膜と下層配線との間には、反応層が形成されることを新たに見出した。すなわち、従来のように、ビア孔を開口する際にビア孔底部の導電性バリア膜を除去しても、例えばバリア膜としてＣｏＷＰやＣｏＷＢ層を用いた場合には、主としてバリア膜中のＣｏと下層配線を構成するＣｕとの反応層（Ｃｏ−Ｃｕ合金）が下層配線の表面に残存することになる。よって、ビアと下層配線の間に高抵抗な反応層が直列的に挿入されることになり、ビア抵抗を十分に下げることができないという問題が生じていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
ダマシン構造からなる多層配線を有する半導体装置の製造方法であって、第１の層間絶縁膜に下層配線を形成する工程と、前記下層配線上に導電性バリア膜を選択的に形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜および導電性バリア膜を覆う第２の層間絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記第２の層間絶縁膜および導電性バリア膜に、前記下層配線に達するビア孔を開口する工程とを有し、前記ビア孔を開口する工程は、前記導電性バリアと前記下層配線との間に形成される反応層を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
また、第１の層間絶縁膜の凹部を埋め込むように形成された下層配線と、前記下層配線上に選択的に形成された導電性バリア膜と、前記第１の層間絶縁膜および前記導電性バリア膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、少なくとも前記第２の層間絶縁膜に形成され前記下層配線に至るビアとを有し、前記ビア下面と前記下層配線とが接合している界面に前記導電性バリア膜および前記導電性バリア膜と前記下層配線との間に形成される反応層が存在しないことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１１】
本発明によれば、ビア孔を開口する際、下層配線表面に残存する導電性バリア膜と下層配線との間で形成される反応層が除去される。よって、ビアの下面と下層配線とが接合する界面において、導電性バリア膜と下層配線との間で形成される反応層が存在しないため、ビア抵抗を十分に下げることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ビアの下面と下層配線との接合している界面において、導電性バリア膜と下層配線との間で形成される反応層が除去されている。よって、従来よりも電気特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の各実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
【００１５】
図１に示すように、トランジスタ等の素子が形成された半導体基板（不図示）上には下層配線１２を有する第１の層間絶縁膜１１が形成されている。下層配線は第１のバリアメタル膜１２ａ、第１のＣｕ膜１２ｂからなる。下層配線１２上にはＣｏＷＰ等の導電性バリア膜１３が形成されている。また、導電性バリア膜１３と下層配線１２との間には、主としてＣｏＷＰ中のＣｏと下層配線を構成するＣｕとからなる反応層（Ｃｏ−Ｃｕ合金）が形成されている。さらに、ＣｏＷＰ層を含む第１の層間絶縁膜上には、例えばＳｉＣＮ等の拡散防止膜１５が形成されている。後述するように、拡散防止膜１５の形成は省略することも可能である。
【００１６】
拡散防止膜１５上には、第２の層間絶縁膜１６が形成されている。第２の層間絶縁膜の下部および導電性バリア膜１３には、下層配線１２に接続されるビア１７が形成されていると共に、第２の層間絶縁膜の上部には、ビア１７と連通する上層配線１８が形成されている。ビア１７および上層配線１８は、第３のバリアメタル膜１８ａ、第２のＣｕ膜１８ｂからなる。
【００１７】
本実施形態に係る半導体装置の特徴は、ビア１７の下面と下層配線１２とが接合する界面において、ＣｏＷＰ層等の導電性バリア膜１３と下層配線１２との間で形成される反応層１４が存在しないことにある。すなわち、図１に示すように、ビア１７の底部を除く下層配線１２上にはＣｏＷＰ層１３および反応層１４が形成されているが、ビア１７の下面と下層配線１２とが接合する界面には反応層１４は存在していない。また、反応層１４が除去されているため、ビア１７の下面は下層配線１２の上面よりも低い位置に形成されている。このことから、従来のような、ビア１７と下層配線１２との間に高抵抗な反応層１４が直列的に挿入されることによる、ビア抵抗の増加を顕著に防止することができる。よって、従来よりもビア抵抗が十分に低い半導体装置を得ることができる。
【００１８】
図２〜図５は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００１９】
まず、トランジスタ等の素子が形成された半導体基板（不図示）上に、第１の層間絶縁膜１１を形成した後、例えばＳｉＯ２よりなるハードマスク膜（不図示）を積層する。続いて、既知のダマシン配線技術により、例えばＴａ/ＴａＮ積層膜からなる第１のバリアメタル膜１２ａおよび第１のＣｕ膜１２ｂからなる下層配線１２を形成する。なお、ハードマスク膜はＣＭＰ時に除去されている。
【００２０】
次に、図２（ａ）に示すように、メッキ法により、導電性のバリア膜であるＣｏＷＰ層１３を下層配線１２の上に選択的に形成する。
【００２１】
続いて、例えばＣＶＤ法によりＳｉＣＮ膜よりなる拡散防止膜１５を形成する。その後、図２（ｂ）に示すように、拡散防止膜１５の上に、第２の層間絶縁膜１６を形成する。続いて、例えばＳｉＯ２よりなるハードマスク膜１９を形成する。
【００２２】
第２の層間絶縁膜１６の成膜の際には、半導体基板に加わる熱により、図２（ｂ）に示すように、下層配線１２とＣｏＷＰ層１３の間に反応層１４が形成される。反応層１４としては、主としてＣｏＷＰ中のＣｏと下層配線中のＣｕが反応することにより、Ｃｏ−Ｃｕ合金が形成される。また、反応層１４は、例えばＣｏＷＰ層を１５ｎｍ堆積すると、５〜１５ｎｍ程度のアモルファス層として形成される。
【００２３】
次に、フォトリソグラフィーにより、ハードマスク膜１９上に、ビア孔２１を開口するためのレジストパターン（不図示）を形成した後、該レジストパターンをマスクに用いて、ハードマスク膜１９および第２の層間絶縁膜１６に対してドライエッチングを行なうことにより、ハードマスク膜１９および第２の層間絶縁膜１６を貫通してＳｉＣＮ膜１５に到達するビア孔２１を開口する（図２（ｃ））。
【００２４】
次に、図３（ａ）に示すように、ビア孔２１の形成方法と同様にして、フォトリソグラフィー法及びドライエッチング法を用いて、ハードマスク膜１９及び第２の層間絶縁膜１６に上層配線溝２２を形成する。なお、ビア孔２１底部のＳｉＣＮ膜１５は該上層配線溝２２を形成する際に、除去される。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、スパッタ法により、Ｔａ/ＴａＮ積層膜よりなる第２のバリアメタル膜２０ａを堆積する。
【００２６】
次に、図４（ａ）に示すように、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを用いたスパッタエッチングにより、ビア孔２１底部の第２のバリアメタル膜２０ａ、およびＣｏＷＰ層１３を除去する。スパッタエッチング条件の一例として、ＲＦ出力６００Ｗ、Ａｒガス流量７．０ｓｃｃｍ、エッチング時間１５．０秒で、ビア孔２１底部の第２のバリアメタル膜２０ａ、およびＣｏＷＰ層１３を順次除去することができる。
【００２７】
次に、図４（ｂ）に示すように、下層配線１２上に残存するＣｏ−Ｃｕ合金からなる反応層１４を除去するために、例えばＡｒガスを用いたスパッタエッチングにより、さらにビア孔２１底部をエッチングする。ここで、スパッタエッチングの条件は、反応層の厚さ等により適宜制御される。上述のとおり、例えばＣｏＷＰ層を１５ｎｍ堆積すると、反応層は５〜１５ｎｍ程度形成されることになる。一例として、ＲＦ出力５００Ｗ、Ａｒガス流量７．０ｓｃｃｍ、エッチング時間６．０秒という条件を用いることで、該反応層１４を完全に除去することができる。ビア孔２１底部の断面形状に注目すると、反応層１４が完全に除去されているため、ビア孔２１下面は下層配線１２の上面よりも低い位置に形成される。
【００２８】
なお、通常、ビア底部のエッチングを行うと、下層配線のＣｕ等がビア孔や配線溝側壁に再付着し、結果として、隣接配線間の絶縁耐性やＴＤＤＢ（Time Dependent Dielectric Breakdown）の劣化を引き起こす場合のあることが知られている。特に、本実施の形態においては、ＣｏＷＰ層１３、および反応層１４をエッチングにより除去しているため、ＣｏやＣｕ等の飛散が問題となるが、上述のように第２の層間絶縁膜１６の側壁は第２のバリアメタル膜２０ａにより覆われているため、ＣｏやＣｕ等が第２の層間絶縁膜１６の側壁に再付着することはない。よって、これらの金属が第２の層間絶縁膜１６中に侵入することによる隣接配線間の絶縁耐性やＴＤＤＢ劣化を防止することができる。
【００２９】
次に、図５（ａ）に示すように、スパッタ法によりＴａ／ＴａＮ積層膜からなる第３のバリアメタル膜１８ａ、シードＣｕ膜（不図示）を形成する。ここで、第３のバリアメタル１８ａの下には第２のバリアメタルも一部残存する（不図示）。続いて、電解メッキ法により、第２のＣｕ膜１８ｂを形成する。続いて、ＣＭＰ法により、上層配線溝の外側にはみ出した第２のバリアメタル膜１８ａ及び第２のＣｕ膜１６ｂを除去し、上層配線１８を形成する。ハードマスク膜１９はＣＭＰ時に除去される。上層配線１８は、該上層配線１８と同時に形成されるビア１７を介して下層配線１２と電気的に接続される。
【００３０】
以上のような製造工程を用い、これを適宜繰り返すことにより所望の配線層を有する半導体装置を得ることができる。
【００３１】
本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法の特徴は、下層配線１２に至るビア孔２１を開口する際に、ビア孔２１底部における導電性バリア膜１３と下層配線１２との間に形成される反応層１４を除去することにある。このように、該反応層１４を除去することにより、ビア１７と下層配線１２との間に高抵抗な層が直列的に挿入されることによる、ビア抵抗の増加を顕著に防止することができる。よって、従来よりもビア抵抗が十分に低い半導体装置を得ることができる。
【００３２】
上記実施の形態では、ビアファーストのデュアルダマシン法を用いた場合について記載したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ハードマスクプロセスやトレンチファーストプロセスを用いても良い。また、シングルダマシン法を用いても良い。
【００３３】
また、導電性バリア膜１３としてＣｏＷＰを用いた場合について説明したが、他の導電性バリア膜としてＣｏＷＢ等を用いても良い。
【００３４】
また、配線（下層配線１２、上層配線１８）材料としてＣｕを用いた場合について説明したが、本実施形態においては、配線材料はこれに限定されるものではなく、銅、アルミニウム、銀またはこれらの合金を用いても良い。
【００３５】
また、上記実施の形態では、バリアメタル膜（第１のバリアメタル１２ａ、第２のバリアメタル２０ａ、第３のバリアメタル１８ａ）としてＴａ/ＴａＮ積層膜を用いた場合について説明したが、本発明の実施においてはこれに限定されるものではなく、Ｔａ膜、ＴａＮ膜、ＷＮ膜、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜またはこれらの積層膜を用いても良い。
【００３６】
また、第１の層間絶縁膜１１および第２の層間絶縁膜１６には、配線間の寄生容量を低減するために比誘電率が２．５以下の低誘電率膜を用いることができる。
【００３７】
また、第１の層間絶縁膜１１および第２の層間絶縁膜１６には、多孔質構造を有する層間絶縁膜を用いることができる。ここで、多孔質構造を有する層間絶縁膜とは、分子構造内にＳｉＯ２よりも多くの細孔を有する層間絶縁膜を意味する。
【００３８】
また、上記実施の形態では、拡散防止膜１５としてＳｉＣＮ膜を用いた場合について説明したが、本発明の実施においてはこれに限定されるものではなく、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＮ膜またはこれらの積層膜を用いても良い。さらに、拡散防止膜１５の形成自体を省略することも可能である。
【００３９】
また、上記実施の形態では、ハードマスク膜１９としてＳｉＯ２膜を用いた場合について説明したが、本発明の実施においてはこれに限定されるものではなく、ＳｉＯ２膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜またはこれらの積層膜を用いても良い。
【００４０】
（比較例）
図６、図７を用いて、上記実施の形態の比較例に係る半導体装置について説明する。
【００４１】
図６（ａ）〜６（ｃ）は下層配線１２とビア１７の接続部の断面構造を示している。図６（ａ）は、ビア１７の下面と下層配線１２とが接合する界面においてＣｏＷＰ層１３、および反応層１４が存在する場合（以下、比較例１）、図６（ｂ）は該界面において反応層のみが存在する場合（以下、比較例２）である。また、図３（ｃ）は本発明に係る上記実施形態に係るものであり、ビア開口時にＣｏＷＰ層１３、および反応層１４を除去しており、該界面にはＣｏＷＰ層も反応層も存在しない（以下、本実施形態）。なお、各構造はビア１７の下面と下層配線１２の接合部のみ異なり、他は全て同じ構造となっている。
【００４２】
図７は、図６（ａ）〜６（ｃ）に示した各構造でのビア抵抗値を比較した結果である。ビア抵抗は既知のビアチェーン測定パターンを用いて求めた。上下配線間に所定の電圧を加え、電流値を測定することにより求めている。
【００４３】
図７を参照して、各構造でのビア抵抗値を比較する。ビア抵抗値は、比較例１、比較例２、本実施形態の順に小さくなっていることがわかる。
【００４４】
本実施の形態の適用により、ビア抵抗値は、比較例の場合よりも明らかに低くなっていることがわかる。
【００４５】
このように、本実施形態におけるビア抵抗は、比較例に対して、低くなることが確認された。これは、比較例１、２ではビア下面と下層配線とが接合している界面にＣｏＷＰ層または反応層が存在するのに対し、本実施形態ではこのようなビア抵抗を増加させる要因となる層が存在しないからである。本発明に係る製造方法において説明したように、ビア孔を開口する際に、ビア孔底部のＣｏＷＰ層および反応層を除去することにより、ビア抵抗の増加を防止している。
【００４６】
以上、図６、図７を用いて説明したように、本実施形態によれば、比較例に対して、ビア抵抗を十分に下げることができる。
【００４７】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図８、図９を参照しながら説明する。
【００４８】
第１の実施の形態において説明したように、第１の層間膜１１に下層配線１２を形成し、下層配線１２にＣｏＷＰよりなる導電性バリア膜１３、拡散防止膜１５、第２の層間絶縁膜１６を順次積層する。なお、この場合も下層配線１２と導電性バリア膜１３の間には反応層１４が形成される。次に、第１の実施の形態の場合と同様に、図８（ａ）に示すように、導電性バリア膜１３に至るビア孔２１、上層配線溝２２を形成する。
【００４９】
次に、図８（ｂ）に示すように、例えば塩素系のガスを用いたドライエッチングにより、導電性バリア膜１３、反応層１４を順次除去する。
【００５０】
次に、図９（ａ）に示すように、スパッタ法により例えばＴａ／ＴａＮよりなる第２のバリアメタル膜２０ａ、第２のシードＣｕ膜（不図示）を全面に形成する。
【００５１】
続いて、電解メッキ法により、ビア孔２１、上層配線溝２２を埋め込むように第２のＣｕ膜２０ｂを形成する。図９（ｂ）に示すように、ＣＭＰ法により上層配線溝２２の外側にはみ出した第２のバリアメタル膜２０ａ、第２のＣｕ膜２０ｂを除去し、上層配線２０を形成する。ハードマスク膜１９はＣＭＰの際に除去される。
【００５２】
以上説明した製造工程を用い、これを適宜繰り返すことにより所望の配線層を有する半導体装置を得ることができる。
【００５３】
本実施の形態では、ビア孔２１を開口する工程において、ビア孔２１底部の導電性バリア膜１３に加えて反応層１４を除去している。よって、ビア１７の下面と下層配線１２とが接合する界面に導電性バリア膜１３と反応層１４が存在しないため、ビア抵抗が十分に低い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図４】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図６】本発明の第1の実施形態と比較例の半導体装置を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態と比較例の電気特性を示すグラフである。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１０】従来技術に係る半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  第１の層間絶縁膜
１ａ  下層配線溝
２  下層配線
３  第１のバリアメタル膜
４  第２の層間絶縁膜
４ａ  ビア孔
４ｂ  上層配線溝
６  上層配線
６ａ  第２のバリアメタル膜
６ｂ  第２のＣｕ膜
６ｃ  ビア
１１  第１の層間絶縁膜
１２  下層配線
１２ａ  第１のバリアメタル
１２ｂ  第１のＣｕ膜
１２  下層配線
１３  導電性バリア膜（ＣｏＷＰ層）
１４  反応層
１５  拡散防止膜
１６  第２の層間絶縁膜
１７  ビア
１８  上層配線
１８ａ  第３のバリアメタル
１８ｂ  第２のＣｕ膜
１９  ハードマスク膜
２０  上層配線
２０ａ  第２のバリアメタル膜
２０ｂ  第２のＣｕ膜
２１  ビア孔
２２  上層配線溝
【図１】
2008060243.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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