(57)【要約】【課題】エッチング深さの制御性や再現性に優れた、より選択性の高い窒化物化合物半導体層のエッチング方法、並びに、そのエッチング方法を用いて製造された半導体デバイスを提供すること。【解決手段】Ａｌ含有窒化物化合物半導体層７上に窒化物化合物半導体層８を形成し、Ａｌ含有化合物半導体層７に対する窒化物化合物層８のエッチング選択比が１００以上となる条件で窒化物化合物層８をドライエッチングする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ含有窒化物化合物半導体層上に窒化物化合物半導体層を形成し、前記Ａｌ含有化合物半導体層に対する前記窒化物化合物層のエッチング選択比が１００以上となる条件で前記窒化物化合物層をドライエッチングすることを特徴とする窒化物化合物半導体層のエッチング方法。
【請求項２】
前記Ａｌ含有窒化物化合物半導体層は、ＡｌＮ層又はＡｌＧａＮ層であり、前記窒化物化合物半導体層は、ＧａＮ層又は前記Ａｌ含有窒化物化合物半導体層よりもＡｌ含有率の低いＡｌ含有窒化物化合物半導体層であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物化合物半導体層のエッチング方法。
【請求項３】
前記ドライエッチングは、エッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング圧力が３Ｐａ〜８Ｐａの条件で行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物化合物半導体層のエッチング方法。
【請求項４】
前記ドライエッチングは、エッチングガスとしてさらに酸素ガスを用いることを特徴とする請求項３に記載の窒化物化合物半導体層のエッチング方法。
【請求項５】
前記酸素ガスの添加量は、前記塩素ガスの供給量に対して２０％以下であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物化合物半導体層のエッチング方法。
【請求項６】
Ａｌ含有窒化物化合物半導体からなるエッチングストップ層と、前記エッチングストップ層表面の少なくとも一部に形成された窒化物化合物半導体層とを有し、
請求項１から５のいずれか1項に記載の窒化物化合物半導体層のエッチング方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物化合物半導体層のエッチング方法及びその方法を用いて製造された半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮに代表される窒化物化合物半導体を用いた半導体デバイスとして、半導体レーザ（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）といった光デバイスの研究が進められてきた。また、窒化物化合物半導体は、高い絶縁耐圧、高い熱伝導度、高い飽和電子速度を有していることから、近年では、これを用いた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）やヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）等の電子デバイスの実用化が期待されている。
【０００３】
窒化物化合物半導体を用いた光デバイスとしては、基板上に、ｎ型ＧａＮ層、活性層、及びｐ型ＧａＮ層が積層され、ｐ型ＧａＮ層上にストライブ状の隆起部であるリッジが形成された青紫色半導体レーザが公知である。このリッジは、光及び電流の閉じこめを行うためのものであり、ｐ型ＧａＮ層の一部をエッチングすることで形成される。
【０００４】
また、窒化物化合物半導体を用いた電子デバイスとしては、基板上に、ＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層が積層され、ＡｌＧａＮ層に形成されたリセス内にゲート電極が形成されたＧａＮ／ＡｌＧａＮへテロ構造のＨＥＭＴが公知である。このＡｌＧａＮ層のリセス部分は、ＡｌＧａＮ層の一部をエッチングすることで形成される。
【０００５】
上記のような半導体レーザにおいては、活性層とリッジ底部との距離が光出力−電流特性に影響を及ぼすことから、エッチングの深さ制御が重要である。また、上記のようなＨＥＭＴにおいては、エッチング深さで閾値電圧が制御されるため、半導体レーザと同様に、エッチング深さ制御が極めて重要である。
【０００６】
ＧａＮ系材料は化学的に安定していることからウェットエッチングが困難であることは周知である。このため、ＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層のエッチング方法としては、一般に、ドライエッチング法が用いられている。しかしながら、従来のＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層のドライエッチングにおいては、時間を制御することで、エッチング深さを制御する方法が採られており、エッチング深さの制御性や再現性に問題がある。
【０００７】
このように、ＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層のドライエッチングにおいては、ＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層のエッチング深さを正確に制御することが困難であり、所望のエッチング深さでエッチングをストップさせることが可能な、エッチングストップ層を使用した選択エッチングが望まれている。
【０００８】
ＧａＮ層の選択エッチング技術として、下記の非特許文献１には、Cl2（40sccm）/N2（10sccm）/O2（2sccm）の３種のガスを用いたＩＣＰドライエッチングにより、ＧａＮ層と下地ＡｌＧａＮ層との間で約60:1の選択比を達成したことが記載されている。非特許文献１には、Cl2/N2ガスに少量のＯ２ガスを添加することで、ＡｌＧａＮ層表面にアルミニウムの酸化膜、すなわちエッチング抵抗層が形成されるので、このエッチング抵抗層の形成以降のＡｌＧａＮのエッチングレートが低下することが記載されている。また、非特許文献１には、Cl2/N2ガスにＯ２ガスを添加する場合は、Cl2/ArガスにＯ２ガスを添加する場合よりも、ＡｌＧａＮ層がより敏速に酸化されることも記載されている。
【非特許文献１】Yanjun Han, et al. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42 (2003) pp. L1139-L1141, Part 2, No. 10A, 1 October 2003
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
非特許文献１に記載のエッチング方法によれば、ＡｌＧａＮ層をエッチング抵抗層として、ＧａＮ層の選択性の比較的高いドライエッチングが可能となるが、上述のように３種のガスを使用することから、エッチングプロセス安定性の面で不利であり、量産時のエッチング深さの制御性や再現性に関する課題は解消されない。また、ＡｌＧａＮに対するＧａＮのエッチング選択比は最大で６０程度であり、選択性は十分ではない。
【００１０】
本発明の目的は、エッチング深さの制御性や再現性に優れた、より選択性の高い窒化物化合物半導体層のエッチング方法、並びに、そのエッチング方法を用いて製造された半導体デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するための本発明の第１の態様は、Ａｌ含有窒化物化合物半導体層上に窒化物化合物半導体層を形成し、前記Ａｌ含有化合物半導体層に対する前記窒化物化合物層のエッチング選択比が１００以上となる条件で前記窒化物化合物層をドライエッチングすることを特徴とする窒化物化合物半導体層のエッチング方法である。
【００１２】
本発明の第２の態様は、前記第１の態様に係る窒化物化合物半導体層のエッチング方法において、前記Ａｌ含有窒化物化合物半導体層は、ＡｌＮ層又はＡｌＧａＮ層であり、前記窒化物化合物半導体層は、ＧａＮ層又は前記Ａｌ含有窒化物化合物半導体層よりもＡｌ含有率の低いＡｌ含有窒化物化合物半導体層であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第３の態様は、前記第１又は２の態様に係る窒化物化合物半導体層のエッチング方法において、前記ドライエッチングは、エッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング圧力が３Ｐａ〜８Ｐａの条件で行われることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第４の態様は、前記第３の態様に係る窒化物化合物半導体層のエッチング方法において、前記ドライエッチングは、エッチングガスとしてさらに酸素ガスを用いることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第５の態様は、前記第４の態様に係る窒化物化合物半導体層のエッチング方法において、前記酸素ガスの添加量は、前記塩素ガスの供給量に対して２０％以下であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第６の態様は、Ａｌ含有窒化物化合物半導体からなるエッチングストップ層と、前記エッチングストップ層表面の少なくとも一部に形成された窒化物化合物半導体層とを有し、前記第１から５のいずれかの態様に係る窒化物化合物半導体層のエッチング方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体デバイスである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、下地層のＡｌ含有窒化物化合物半導体層に対する窒化物化合物半導体層のエッチング選択比が１００以上となる条件で窒化物化合物半導体層をドライエッチングすることで、Ａｌ含有窒化物化合物半導体層がエッチングストップ層として機能する。したがって、窒化物化合物層を、下地のＡｌ含有窒化物化合物層に対してより選択的にエッチングすることができ、エッチング深さの制御性及び再現性に優れたエッチングが可能となる。
【００１８】
また、エッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング圧力が３Ｐａ〜８Ｐａの条件でドライエッチングを行うことにより、プラズマ中の塩素イオンと塩素ラジカルのバランスが適正化され、窒化物化合物半導体層をより選択的にエッチングすることができる。すなわち、ドライエッチングでは、原料ガスをプラズマ化することによってイオンとラジカルとを発生させてエッチングを行うが、（１）加速された塩素イオンの運動エネルギーによって窒化物化合物半導体層表面の原子を跳ね飛ばす物理的なエッチングと、（２）塩素イオン及び塩素ラジカルと窒化物化合物半導体層表面の原子との化学反応によるエッチングとが進行する。このイオンによる物理的エッチングでは、物質に対する選択性が低いため、窒化物化合物半導体層だけでなく下地のＡｌ含有窒化物化合物半導体層をも削ってしまい、選択的なエッチングは困難である。一方、イオン及びラジカルによる化学反応エッチングでは、エッチング速度が遅いものの、物質に対する選択性の高いエッチングが可能である。したがって、エッチング圧力を上記の範囲に制御することにより、塩素ガスをプラズマ化した際の塩素イオンと塩素ラジカルのバランスが適正化され、窒化物化合物半導体層を選択的にエッチングすることが可能となり、選択比１００以上を実現することができる。
【００１９】
また、エッチングガスとしてさらに酸素ガスを用いることにより、下地のＡｌ含有窒化物化合物半導体層の表面が露出した際に、アルミニウム酸化膜が形成されるので、より確実なエッチングストップ層として用いることができる。
【００２０】
また、本発明のエッチング方法を、例えば半導体レーザのリッジ形成工程やＨＥＭＴのリセス形成工程に適用すれば、それらの工程においてエッチング深さを正確に制御することができ、信頼性の高い半導体デバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
以下に、図面を参照しながら本発明の半導体デバイスとその製造方法及びエッチング方法について説明する。
図１は、本発明の半導体デバイスの一実施形態である半導体レーザ素子の製造工程を示す断面図である。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示すように、ｎ-ＧａＮ基板１上に、ｎ-ＧａＮ層２、ｎ-ＡｌＧａＮ層３、ＩｎＧａＮ/ＧａＮ多重量子井戸活性層４、ｐ-ＡｌＧａＮ層５、ｐ-ＧａＮ層６、ｐ-ＡｌＮエッチングストップ層７、及びｐ-ＧａＮ層８を、順次エピタキシャル成長させる。各層の層厚は、例えば、ｎ-ＧａＮ層２が２μｍ、ｎ-ＡｌＧａＮ層３が０．５μｍ、ＩｎＧａＮ/ＧａＮ活性層４が５０ｎｍ、ｐ-ＡｌＧａＮ層５が０．５μｍ、ｐ-ＧａＮ層６が１．７μｍ、ｐ-ＡｌＮ層エッチングストップ層７が３ｎｍ、ｐ-ＧａＮ層８が０．３μｍである。
【００２３】
次に、図１（ｂ）に示すように、ｐ-ＧａＮ層８上に、エッチングマスクとして、幅１．５ｎｍのストライプ状にパターニングされたにＳｉＯ２層を形成する。ＳｉＯ２層９の厚さは、例えば３００ｎｍである。
【００２４】
次に、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２層９をエッチングマスクとして用い、ＩＣＰ−ＲＩＥドライエッチング装置にてｐ-ＧａＮ層８をドライエッチングする。このとき、エッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング圧力が３Ｐａ〜８Ｐａの条件でドライエッチングを行うことにより、プラズマ中の塩素イオンと塩素ラジカルのバランスが適正化され、ｐ-ＡｌＮエッチングストップ層７に対してｐ-ＧａＮ層８をより選択的にエッチングすることができる。このため、図１（ｃ）で示すように、エッチングはｐ-ＡｌＮエッチングストップ層７で停止され、その結果、活性層とリッジ底部との距離が所望に制御されたリッジストライプを形成することができる。
【００２５】
次に、エッチングマスクであるＳｉＯ２層９を緩衝フッ酸で除去した後、新たにＳｉＯ２層１０を、例えば３００ｎｍの厚さで成膜する。次いで、レジストを使用したエッチバック法により、リッジの頂上のＳｉＯ２層を除去する。その後、リッジを含む基板上に、Ｎｉ（５０ｎｍ）／Ａｕ（３００ｎｍ）からなるｐ-ＧａＮ用電極１１を形成し、さらに、基板裏面にＴｉ（２５ｎｍ）／Ａｌ（５００ｎｍ）からなるｎ-ＧａＮ用電極１２を形成する。これにより、半導体レーザ素子が完成する。
【００２６】
エッチング圧力を変化させた場合の、ＧａＮ層とＡｌＮ層の各エッチングレートと選択比との関係を調べた実験結果を、表１及び図２に示す。実験条件は下記である。
実験条件：
ＩＰＣパワー：５００（Ｗ）
バイアス：７５（Ｗ）
塩素ガス流量：４０（ｓｃｃｍ）
エッチング圧力：１、２、３、４、５、６、７、８（Ｐａ）
基板温度：２０℃
【００２７】
【表１】
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【００２８】
表１及び図２の実験結果から明らかなように、エッチング圧力が３Ｐａ未満では、エッチング選択比１００以上を達成することができなかった。これは、プラズマ中の塩素イオンによってＧａＮ層だけでなくＡｌＮ層の物理的エッチングも進むためと考えられる。
一方、エッチング圧力３Ｐａ〜８Ｐａの範囲では、選択比１００以上が達成され、選択性の高いエッチングが可能であることがわかる。この範囲では、塩素イオンと塩素ラジカルのバランスが適正化されていると推定される。
なお、エッチング圧力が８Ｐａ超の場合は、選択比１００以上を達成したとしてもエッチング形状不良が発生しやすい。
【００２９】
以上で説明したように、第１の実施形態によれば、選択比１００以上の選択性の高いＧａＮ層のエッチングが可能であり、エッチング深さを正確に制御することができる。したがって、信頼性の高い半導体レーザ素子を得ることができる。
【００３０】
また、選択比１００以上の選択エッチングができることから、エッチングストップ層であるＡｌＮ層を薄く形成することが可能となる。例えば、選択比１００のエッチング条件の場合には、３００ｎｍのＧａＮ層に対して３ｎｍのＡｌＮ層を形成すればよく、選択比が２００のエッチング条件の場合には、６００ｎｍのＧａＮ層に対して３ｎｍのＡｌＮ層を形成すればよい。
このように、バンドギャップの大きいＡｌＮ層を薄く形成することで、半導体レーザの直列抵抗の増大を抑制し、半導体レーザ全体の特性を向上させることができるという効果がある。
【００３１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
前記第1の実施形態と異なる点は、主に、ｐ-ＧａＮ層８のドライエッチング工程において、エッチングガスとして塩素ガスと酸素ガスを用いることである。エッチングガスとして塩素ガスに少量の酸素ガスを添加することにより、ｐ-ＡｌＮエッチングストップ層７の表面が露出した際に、アルミニウム酸化膜が形成される。このため、エッチングはｐ-ＡｌＮエッチングストップ層７で停止され、その結果、活性層とリッジ底部との距離が所望に制御されたリッジストライプを形成することができる。
【００３２】
酸素ガスの添加量を変化させた場合の、ＧａＮ層とＡｌＮ層の各エッチングレートと選択比との関係を調べた実験結果を、表２及び図３に示す。実験条件は下記である。
実験条件：
ＩＰＣパワー：５００（Ｗ）
バイアス：７５（Ｗ）
塩素ガス流量：３８（ｓｃｃｍ）
酸素添加量：０，５，１０，２０，２５，５０，７５（％）
エッチング圧力：５（Ｐａ）
基板温度：２０℃
【００３３】
【表２】
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【００３４】
表２及び図３に示すように、酸素ガスを添加することで、ＡｌＮ層のエッチングレートは、極めて低いレベルに維持されおり、確実なエッチングストップ層として機能することがわかる。
酸素ガスの添加量が５％〜２０％の範囲で、選択比１００以上が達成され、選択性の高いエッチングが可能である。
一方、酸素ガスの添加量が２０％を超えると、ＧａＮ層のエッチングレートも低下し、エッチング選択比も１００未満となり、良好な選択エッチングを行うには不十分であることが分かる。これは、酸素分圧が高いと、ＧａＮ表面のＧａ酸化物の成長レートが早くなって、エッチングが追いつかず、極端にＧａＮのエッチングレートが落ちる為と推測される。
【００３５】
（第３の実施形態）
図４は、本発明の半導体デバイスの一実施形態であるＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ構造を有するＨＥＭＴの断面図である。
【００３６】
図示のように、サファイアからなる基板４１上に、ＧａＮからなるバッファ層４２、チャネル層としてのＧａＮ層４３、キャリア供給層である第１のｎ型ＡｌＧａＮ層４４、エッチングストップ層であるＡｌＮ層４５、及び、ＡｌＮ層４５よりもＡｌ含有率の低い第２のｎ型ＡｌＧａＮ層４６とが形成されている。第２のＡｌＧａＮ層４６のＡｌ含有率は、例えば、ＡｌＮ層４５のＡｌ含有率の１／５程度である。また、第２のＡｌＧａＮ層４６をエッチングすることによってＡｌＮ層４５の一部が露出したリセス内部に、ゲート電極４７が形成されている。さらに、第２のＡｌＧａＮ層２６上には、ゲート電極４７を挟むようにしてソース電極４８とドレイン電極４９とが形成されている。
【００３７】
上記構成において、第１のｎ型ＡｌＧａＮ層４４、ＡｌＮ層４５、及び、第２のｎ型ＡｌＧａＮ層４６の厚さは、例えば、それぞれ２０ｎｍ、２ｎｍ、１０ｎｍである。
【００３８】
次に、ＨＥＭＴの製造方法について説明する。
まず、サファイア基板１を設置したＭＯＣＶＤ装置内に、ＧａＮの原料となるトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアンモニア（ＮＨ３）とを、それぞれ１４μｍｏｌ／ｍｉｎ、１２ｌ／ｍｉｎの流量で導入し、成長温度５５０℃で、層厚４０ｎｍのＧａＮからなる低温バッファ層４２を基板１上にエピタキシャル成長させる。次に、ＴＭＧａとＮＨ３とを、それぞれ５８μｍｏｌ／ｍｉｎ、１２ｌ／ｍｉｎの流量で導入し、成長温度１０５０℃で、層厚３０００ｎｍのＧａＮからなる高温バッファ層４３を低温バッファ層４２上にエピタキシャル成長させる。
【００３９】
次に、ＴＭＧａとＮＨ３とを、それぞれ１９μｍｏｌ／ｍｉｎ、１２ｌ／ｍｉｎの流量で導入し、成長温度１０５０℃で、層厚５０ｎｍのＧａＮからなる電子走行層４４をバッファ層上にエピタキシャル成長させる。さらに、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）とＴＭＧａとＮＨ３とを、それぞれ１００μｍｏｌ／ｍｉｎ、１９μｍｏｌ／ｍｉｎ、１２ｌ／ｍｉｎの流量で導入し、成長温度１０５０℃で、層厚２０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる第１の電子供給層４５を電子走行層４４上にエピタキシャル成長させる。
【００４０】
次に、ＴＭＡｌとＮＨ３とを導入し、層厚２ｎｍのＡｌＮからなるエッチングストップ層４６を第１のＡｌＧａＮ電子供給層４５上にエピタキシャル成長させる。さらに、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）とＴＭＧａとＮＨ３とを導入し、層厚１０ｎｍのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎからなる第２の電子供給層４７をＡｌＮエッチングストップ層４６上にエピタキシャル成長させる。
なお、これら各層の形成工程におけるＴＭＡｌ、ＴＭＧａ、ＮＨ３の導入では、１００％水素がキャリアガスとして用いられる。
【００４１】
次に、フォトリソグラフィを利用したパターンニングによって、第２の電子供給層４７上にＳｉＯ２膜からなるマスクを形成し、ソース電極およびドレイン電極を形成すべき領域に各電極形状に対応した開口部を形成する。そして、この開口部にＡｌ、ＴｉおよびＡｕをこの順に蒸着して、ソース電極４９およびドレイン電極５０を形成する。
【００４２】
次に、第２の電子供給層４７上のマスクを一旦除去し、再び電子供給層４７上にＳｉＯ２膜からなるマスクを形成し、このマスクを用いて、ＡｌＧａＮからなる第２の電子供給層４７をエッチングすることにより、ゲート電極４８を配置するためのリセスを形成する。このリセスを形成する工程で、本発明のエッチング方法を用いる。
具体的には、ＩＣＰ−ＲＩＥドライエッチング装置にて、エッチングガスとして塩素ガスと酸素とを用い、以下の条件にてドライエッチングを行った。
ＰＣパワー：５００（Ｗ）
バイアス：７５（Ｗ）
塩素ガス流量：３８（ｓｃｃｍ）
酸素添加量：２（ｓｃｃｍ）
エッチング圧力：５（Ｐａ）
基板温度：２０℃
【００４３】
次に、形成されたリセスにＰｔおよびＡｕをこの順に蒸着して、ゲート電極４８を形成する。これにより、図４に示すＨＥＭＴが完成する。
【００４４】
本実施形態においても、エッチングガスとして塩素ガスに少量の酸素ガスを添加することにより、下地のＡｌＮ層４５の表面にアルミニウム酸化膜が形成され、ＡｌＮ層４５がエッチングストップ層として機能する。また、本実施形態においては、エッチング対象である第２のＡｌＧａＮ層４６もＡｌを含有する混晶であることから、第２のＡｌＧａＮ層４６表面に露出したＡｌと酸素が反応して、第２のＡｌＧａＮ層４６表面にもアルミニウム酸化膜が形成されることとなる。このため、エッチング対象がＡｌを含有しないＧａＮ層である場合に比して、エッチングレートが低下することは避けられない。しかしながら、上述したように、第２のＡｌＧａＮ層４６はＡｌＮ層４５よりもＡｌ含有率が低いため、アルミニウム酸化膜の形成の度合いも低くなる。このようなＡｌ含有率の違いに起因する酸化膜の形成度合いの違いを利用することで、本実施形態においても、選択比１００以上の選択性の高いエッチングが可能である。
【００４５】
上記のようにして形成されたＨＥＭＴにおいては、ゲート電極４７に所定の電圧を印加することにより、ＧａＮ層４３と第１のｎ型ＡｌＧａＮ層４４とのヘテロ界面近傍に２次元電子ガスが形成される。この２次元電子ガスの濃度は、ゲート電極２７と２次元電子ガスが形成されるヘテロ界面との距離で決まり、その結果ＦＥＴの閾値電圧が決定される。
本実施形態によれば、選択比１００以上の選択性の高いエッチングが可能であるので、エッチング深さを正確に制御することができ、閾値電圧の制御に極めて有利である。
【００４６】
なお、本実施形態においては、前記第２の実施形態と同様に、エッチングガスとして塩素ガスに少量の酸素ガスを添加するエッチング方法を適用したが、前記第１の実施形態のように、エッチングガスとして塩素ガスのみを用い、エッチング圧力を制御するエッチング方法を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る半導体デバイスである半導体レーザ素子の製造工程を示す断面図である。
【図２】図２は、エッチング圧力を変化させた場合の、ＧａＮ層とＡｌＮ層の各エッチングレートと選択比との関係を示すグラフである。
【図３】図３は、酸素ガスの添加量を変化させた場合の、ＧａＮ層とＡｌＮ層の各エッチングレートと選択比との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、本発明の実施形態に係る半導体デバイスであるＨＦＥＴを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１：ｎ-ＧａＮ基板
２：ｎ-ＧａＮ層
３：ｎ-ＡｌＧａＮ層
４：ＩｎＧａＮ/ＧａＮ多重量子井戸活性層
５：ｐ-ＡｌＧａＮ層
６：ｐ-ＧａＮ層
７：ｐ-ＡｌＮエッチングストップ層
８：ｐ-ＧａＮ層８
９：ＳｉＯ２層
１０：ＳｉＯ２層
１１：ｐ-ＧａＮ用電極
１２：ｎ-ＧａＮ用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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