(57)【要約】【課題】発光効率を高めて画質を改善することができる発光装置及び表示装置を提供すること。【解決手段】本発明に係る発光装置１０は、相互に対向配置され、真空容器を構成する第１基板１２及び第２基板１４と、第１基板１２に配置された電子放出ユニット１８と、第２基板１４に配置された発光ユニット２０と、を含み、発光ユニット２０は、相互に離隔して配置された複数の蛍光層３０と、複数の蛍光層３０の間に配置された反射層３２と、蛍光層３０及び反射層３２の一面に配置されたアノード電極３４と、を含む。【選択図】図１
2008060063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向配置され、真空容器を構成する第１基板及び第２基板と；
前記第１基板に配置された電子放出ユニットと；
前記第２基板に配置された発光ユニットと；
を含み、
前記発光ユニットは、
相互に離隔して配置された複数の蛍光層と；
前記複数の蛍光層の間に配置された反射層と；
前記蛍光層及び前記反射層の一面に配置されたアノード電極と；
を含むことを特徴とする、発光装置。
【請求項２】
前記反射層は、金属で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記反射層は、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、及びモリブデン合金からなる群より選択された金属を含むことを特徴とする、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記蛍光層は、四角形に形成され、
前記反射層は、格子パターンで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記アノード電極は、前記第１基板に対向した前記蛍光層及び前記反射層の一面に配置された金属膜から成ることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記アノード電極は、前記第２基板に対向した前記蛍光層及び前記反射層の一面に配置された透明導電膜から成ることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１基板に対向した前記蛍光層及び前記反射層の一面に配置された全面反射層を含むことを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記電子放出ユニットは、
相互に交差する第１電極及び第２電極と、
前記第１電極又は前記第２電極に電気的に連結される電子放出部と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
画像を表示する表示パネルと；
前記表示パネルに向かって光を放出する発光装置と；
を含み、
前記発光装置は、
相互に対向配置され、真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板に配置された電子放出ユニットと、
前記第２基板に配置された発光ユニットと、
を含み、
前記発光ユニットは、
相互に離隔して配置された複数の蛍光層と、
前記複数の蛍光層の間に配置された反射層と、
前記蛍光層及び前記反射層の一面に配置されたアノード電極と、
を含むことを特徴とする、表示装置。
【請求項１０】
前記反射層は、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、及びモリブデン合金からなる群より選択された金属を含むことを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記アノード電極は、前記第１基板に対向した前記蛍光層及び前記反射層の一面に配置された金属膜から成ることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記アノード電極は、前記第２基板に対向した前記蛍光層及び前記反射層の一面に配置された透明導電膜から成ることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記発光ユニットは、前記第１基板に対向した前記蛍光層及び前記反射層の一面に配置された全面反射層を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記電子放出ユニットは、
相互に交差する第１電極及び第２電極と、
前記第１電極又は前記第２電極に電気的に連結される電子放出部と、
を含むことを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記発光装置は、前記表示パネルより少ない数の画素を有し、前記画素別に発光の強さを独立して制御することを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記表示パネルは、液晶表示パネルであることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置及び表示装置に関し、より詳しくは、電子放出部と蛍光層を用いて、光を出す発光装置と、この発光装置を光源として使用する表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルのような受光型表示パネルを備える表示装置は、表示パネルに光を提供する光源を必要とする。一般に、冷陰極蛍光ランプ（Ｃｏｌｄ  Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｌａｍｐ；ＣＣＦＬ）方式の発光装置と、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）方式の発光装置とが、表示装置の光源として幅広く使用されている。
【０００３】
ＣＣＦＬ方式は線光源を使用し、ＬＥＤ方式は点光源を使用するので、両発光装置は、光拡散のための複数の光学部材を備えている。ところで、線光源又は点光源から放出された光の相当量は、光学部材を経る間に損失されるので、ＣＣＦＬ方式及びＬＥＤ方式は、十分な輝度を得るために消費電力を高めなければならない。
【０００４】
最近になってＣＣＦＬ方式及びＬＥＤ方式を代替する発光装置が提案されている。この発光装置は、後面基板に電子放出部を具備して、前面基板に蛍光層とアノード電極を備える。この発光装置によれば、前面基板と後面基板は、密封部材によって接合され、その内部が排気される。よって、前面基板と後面基板は、真空容器を構成し、電子放出部から放出された電子は、蛍光層を励起させて可視光を放出させる。このような発光装置は、複雑な光学部材を必要とせず、消費電力が低い長所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の発光装置が表示パネルに向かって光を放出する際に、放出された光の一部は、表示パネルによって反射してしまい、観察者方向に透過できずに発光装置に戻ってくる。このように表示パネルで反射した光は、再使用できないので光損失につながるという問題があった。
【０００６】
また、発光装置は、表示装置の駆動時に発光面全体を同じ輝度で発光させるので、表示装置に要求される画質改善、例えばコントラスト比を向上させることが困難であった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、発光効率を高めて画質を改善することが可能な、新規かつ改良された発光装置及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、相互に対向配置され、真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、第１基板に配置された電子放出ユニットと、第２基板に配置された発光ユニットと、を含み、発光ユニットは、相互に離隔して配置された複数の蛍光層と、複数の蛍光層の間に配置された反射層と、蛍光層及び反射層の一面に配置されたアノード電極と、を含むことを特徴とする、発光装置が提供される。
【０００９】
また、反射層は、金属で形成されてもよい。
【００１０】
また、反射層は、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、及びモリブデン合金からなる群より選択された金属を含んでもよい。
【００１１】
また、蛍光層は、四角形に形成され、反射層は、格子パターンで形成されてもよい。
【００１２】
また、アノード電極は、第１基板に対向した蛍光層及び反射層の一面に配置された金属膜から成ってもよい。
【００１３】
また、アノード電極は、第２基板に対向した蛍光層及び反射層の一面に配置された透明導電膜から成ってもよい。
【００１４】
また、第１基板に対向した蛍光層及び反射層の一面に配置された全面反射層を含んでもよい。
【００１５】
また、電子放出ユニットは、相互に交差する第１電極及び第２電極と、第１電極又は第２電極に電気的に連結される電子放出部と、を含んでもよい。
【００１６】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、画像を表示する表示パネルと、表示パネルに向かって光を放出する発光装置と、を含み、発光装置は、相互に対向配置され、真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、第１基板に配置された電子放出ユニットと、第２基板に配置された発光ユニットと、を含み、発光ユニットは、相互に離隔して配置された複数の蛍光層と、複数の蛍光層の間に配置された反射層と、蛍光層及び反射層の一面に配置されたアノード電極と、を含むことを特徴とする、表示装置が提供される。
【００１７】
また、反射層は、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、及びモリブデン合金からなる群より選択された金属を含んでもよい。
【００１８】
また、アノード電極は、第１基板に対向した蛍光層及び反射層の一面に配置された金属膜から成ってもよい。
【００１９】
また、アノード電極は、第２基板に対向した蛍光層及び反射層の一面に配置された透明導電膜から成ってもよい。
【００２０】
また、発光ユニットは、第１基板に対向した蛍光層及び反射層の一面に配置された全面反射層を含んでもよい。
【００２１】
また、電子放出ユニットは、相互に交差する第１電極及び第２電極と、第１電極又は第２電極に電気的に連結される電子放出部と、を含んでもよい。
【００２２】
また、発光装置は、表示パネルより少ない数の画素を有し、画素別に発光の強さを独立して制御してもよい。
【００２３】
また、表示パネルは、液晶表示パネルであってもよい。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように本発明によれば、発光効率を高めて画質を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２６】
＜第１実施形態＞
以下、本発明の各実施形態に係る電界放出型等の発光装置と、この発光装置をバックライトユニットとして使用する液晶等の表示装置と、について説明する。そこで、まず始めに、図１〜図４を参照して本発明の第１実施形態に係る発光装置について説明する。
図１は、本実施形態に係る発光装置を示した断面図である。
【００２７】
図１に示すように、本実施形態の発光装置１０は、所定の間隔をおいて平行に対向配置される第１基板１２と第２基板１４とを含む。第１基板１２と第２基板１４との周縁には密封部材１６が配置されて、密封部材１６は、両基板を接合させる。そして、内部空間は、約１３３×１０−６Ｐａ（約１０−６Ｔｏｒｒ）の真空度に排気されて、第１基板１２及び第２基板１４と密封部材１６とは、真空容器を構成する。
【００２８】
第１基板１２及び第２基板１４と、密封部材１６との内側に位置する領域は、実際に可視光放出に寄与する有効領域と、有効領域を囲む非有効領域と、に区分することができる。第１基板１２の有効領域には電子放出のための電子放出ユニット１８が配置され、第２基板１４の有効領域には可視光放出のための発光ユニット２０が配置される。
【００２９】
図２は、本発明の第１実施形態に係る発光装置のうち有効領域を示した部分分解斜視図である。
【００３０】
図１及び図２に示すように、電子放出ユニット１８は、第１基板１２上に形成され、絶縁層２４を間に挟んで配置されて互いに交差する方向に沿って帯状パターンで形成される第１電極２２と第２電極２６と、第１電極２２又は第２電極２６のうち何れか１つの電極に電気的に連結される電子放出部２８と、を含む。
【００３１】
電子放出部２８が第１電極２２に形成される場合、第１電極２２は、電子放出部２８に電流を供給するカソード電極となり、第２電極２６は、このカソード電極と間の電圧差によって電界を形成して電子放出を誘導するゲート電極になる。反対に電子放出部２８が第２電極２６に形成される場合、第２電極２６がカソード電極になり、第１電極２２がゲート電極になる。
【００３２】
第１電極２２及び第２電極２６のうち、発光装置１０の行方向（図面のｘ軸方向）に沿って位置する電極が走査電極として機能して、発光装置１０の列方向（図面のｙ軸方向）に沿って位置する電極がデータ電極として機能する。
【００３３】
図１及び図２では、電子放出部２８が第１電極２２上に形成され、第１電極２２が発光装置１０の列方向（ｙ軸方向）に沿って配置され、第２電極２６が発光装置１０の行方向（ｘ軸方向）に沿って位置する場合を示した。この電子放出部２８の位置と第１電極２２及び第２電極２６の配列方向は前述した例に限定されず多様に変形可能である。
【００３４】
第１電極２２と第２電極２６との交差領域毎に、第２電極２６及び絶縁層２４に開口部２６１、２４１が形成され、この開口部２６１、２４１は、第１電極２２の表面一部を露出させる。そして、絶縁層２４の開口部２４１内側の第１電極２２の上に、電子放出部２８が配置される。
【００３５】
電子放出部２８は、真空中で電圧が印可されれば電子を放出する物質、例えば、炭素系物質又はナノメートルサイズ物質で形成することができる。この電子放出部２８は、例えば、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、Ｃ６０、シリコンナノワイヤー、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された物質を含むことができる。また、電子放出部２８は、スクリーン印刷、直接成長、化学気相蒸着又はスパッタリングなどの製造方法によって製造することができる。
【００３６】
他方、電子放出部２８は、モリブデン（Ｍｏ）又はシリコン（Ｓｉ）等を主材質とする先端が尖ったチップ構造物から成ることができる。
【００３７】
前述した構造において、第１電極２２と第２電極２６との交差領域の１つを、発光装置１０の１つの画素領域に対応させることもでき、２つ以上の交差領域を、発光装置１０の１つの画素領域に対応させることもできる。後者の場合、１つの画素領域に対応する２つ以上の第１電極２２及び/又は２つ以上の第２電極２６は、互いに電気的に連結されて、同一な駆動電圧が印加される。
【００３８】
次に、発光ユニット２０について説明する。
発光ユニット２０は、第２基板１４の一面上に所定のパターンで形成されて、互いの間に距離をおいて離隔して配置される蛍光層３０と、蛍光層３０の間において蛍光層３０と並んで配置される反射層３２と、第１基板１２に対向して蛍光層３０と反射層３２との一面に配置されるアノード電極３４と、を含む。
【００３９】
蛍光層３０は、白色光を放出する白色蛍光層から成ることができる。この蛍光層３０は、画素領域毎に１つずつ配置されたり、１つの画素領域に２つ以上の蛍光層３０が配置されたり、１つの蛍光層３０が２ケ以上の画素領域に対応するように配置されてもよい。これらの３つの配置うちどの配置であっても、それぞれの蛍光層３０は、図３に示すように略四角形に形成できる。
【００４０】
反射層３２は、光反射度が高い物質で形成され、望ましく金属膜で形成される。反射層３２は、例えば、アルミニウム、モリブデン及びこれらの合金からなる群から選択された金属を含んでもよい。反射層３２は、蛍光層３０の配列形状に合わせて、それぞれの蛍光層３０の間において格子パターンで形成できる。
【００４１】
アノード電極３４は、蛍光層３０と反射層３２との表面を覆うアルミニウムのような金属膜から成ることができる。アノード電極３４は、電子ビームを引き寄せる加速電極として高電圧を印加され、蛍光層３０を高電位状態に維持させ、蛍光層３０が放射した可視光のうち、第１基板１２に向かって放射した可視光を、第２基板１４側に反射させて輝度を高めることができる。
【００４２】
そして、第１基板１２と第２基板１４との間には、真空容器に加えられる圧縮力を支持して両基板の間隔を一定に維持させるスペーサ（図示せず）が配置されてもよい。
【００４３】
上記の構成を有する発光装置１０は、真空容器外部から第１電極２２と第２電極２６とに所定の駆動電圧を印加し、アノード電極３４に数千ボルトの正の直流電圧を印加して駆動する。図１において、符号３６は、第２電極から延長された第２電極リード部を示し、符号３８は、アノード電極から延長されたアノードリード部を示す。
【００４４】
このように構成した発光装置１０によれば、第１電極２２と第２電極２６との電位差が臨界値以上である画素では、電子放出部２８の周囲に電界が形成され、この電子放出部２８から電子が放出される。そして、放出された電子は、アノード電圧に引かれて、対応する蛍光層３０部位に衝突する。この衝突によって蛍光層３０が発光して、可視光を放出することができる。この際、画素別の蛍光層３０の発光の強さは、当該画素の電子ビーム放出量に対応する。
【００４５】
図４は、本発明の第１実施形態に係る発光装置のうち第２基板と発光ユニットを示した部分拡大断面図である。
【００４６】
図４に示すように、前述した駆動過程において発光装置１０から放出された光の一部は、発光装置１０の前方に配置された部材（例えば、後述する表示パネル又は拡散板等）によって反射して、発光装置１０に再び入射されうる。図４に示すように、この際、蛍光層３０の間に配置された反射層３２は、この光を第２基板１４の外部に再反射することができる。
【００４７】
従って、本実施形態によれば、発光装置１０が放出する光量は、蛍光層３０から第２基板１４に向かって放出される光量と、アノード電極３４が反射する光量及び反射層３２が反射する光量と、を加算した光量となり、比較例の反射層３２を備えない発光装置と比較すると、同一な駆動条件下において、輝度を高めることができる。
【００４８】
＜第２実施形態＞
次に、図５を参照して、本発明の第２実施形態に係る発光装置について説明する。
図５は、本発明の第２実施形態に係る発光装置のうち第２基板と発光ユニットを示した部分拡大断面図である。
【００４９】
図５に示すように、本実施形態において、発光ユニット２０’は、第２基板１４’の一面に形成されて例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）のような透明導電膜等から成るアノード電極３４’と、第１基板１２に対向したアノード電極３４’の一面において所定のパターンを有して相互に離隔して配置された蛍光層３０’と、蛍光層３０’の間において蛍光層３０’と並んで配置された反射層３２’と、を含む。
【００５０】
そして、発光ユニット２０’において、第１基板１２に対向した蛍光層３０’及び反射層３２’の一面には、前面反射層４０が更に形成される。
【００５１】
蛍光層３０’及び反射層３２’の材料及び形状などは、前述した第１実施形態と同様である。また、前面反射層４０は、例えばアルミニウムのような金属膜等によって形成される。本実施形態において反射層３２’は、発光装置の前方に配置された部材によって反射して戻った光と共に、アノード電極３４’が反射した光を、第２基板１４’の外部に再反射して輝度を高めることができる。
【００５２】
一方、前述した実施形態において、第１基板１２と第２基板１４とは、５〜２０ｍｍの比較的大きい間隔で配置することができる。そしてアノード電極３４は、アノードリード部３８を通じて、約１０ｋＶ以上、望ましくは約１０〜１５ｋＶ程度の高電圧を提供できる。本実施形態の発光装置１０は、前述した構成によって、有効領域中央部でほぼ１０、０００ｃｄ/ｍ２以上の最大輝度を実現できる。
【００５３】
＜表示装置＞
以上、本発明の第１実施形態及び第２実施形態に係る発光装置１０について説明した。
次に、図６を参照して、この発光装置１０を備えた表示装置の一例について説明する。
【００５４】
図６は、本発明の一実施形態に係る表示装置を示した分解斜視図である。図６に示した表示装置は、本発明を例示するためのものであり、本発明は、この例に限定されるものではない。
【００５５】
図６に示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、発光装置１０と、発光装置１０の前方に配置された表示パネル５０とを含む。発光装置１０と表示パネル５０との間には、発光装置１０で射出した光を均等に拡散させて表示パネル５０に供給する拡散板６０が配置されても良い。拡散板６０と発光装置１０とは、間に所定の距離をおいて離隔配置される。表示パネル５０の前方と発光装置１０の後方とには、それぞれトップシャーシ６２とボトムシャーシ６４とが配置される。
【００５６】
表示パネル５０は、液晶表示パネル又は他の受光型表示パネルから成る。以下、例えば表示パネル５０は、液晶表示パネルである場合について説明する。
【００５７】
表示パネル５０は、多数の薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板５２と、ＴＦＴ基板５２上部に配置されたカラーフィルター基板５４と、このＴＦＴ基板５２とカラーフィルター基板５４との間に注入される液晶層（図示せず）と、を含む。カラーフィルター基板５４の上部とＴＦＴ基板５２の下部には偏光板（図示せず）が配置されて表示パネル５０を通過する光を偏光させる。
【００５８】
各ＴＦＴのソース端子にはデータラインが連結され、ゲート端子にはゲートラインが連結され、ドレーン端子には画素電極が連結される。ゲートライン及びデータラインにそれぞれ回路ボードアセンブリー５６、５８から電気的な信号を入力すれば、ＴＦＴのゲート端子とソース端子に電気的な信号が入力される。この信号入力によりＴＦＴは、導通又は遮断されて、画素電極駆動に必要な電気的な信号が、ドレーン端子に出力される。
【００５９】
カラーフィルター基板５４には赤色と緑色及び青色のカラーフィルターと共通電極とが配置される。ＴＦＴが導通すれば、画素電極と共通電極との間に電界が形成される。この電界によって、液晶層を構成する液晶分子の配列角が変化して、変化された配列角により画素別に光透過度が変化する。
【００６０】
表示パネル５０の回路ボードアセンブリー５６、５８は、それぞれの駆動集積回路（ＩＣ）パッケージ５６１、５８１と接続される。表示パネル５０を駆動するために、ゲート回路ボードアセンブリー５６は、ゲート駆動信号を伝送し、データ回路ボードアセンブリー５８は、データ駆動信号を伝送する。
【００６１】
発光装置１０には、表示パネル５０より少ない数の画素が形成されて、発光装置１０の１つの画素が、２つ以上の表示パネル５０の画素に対応するようにする。発光装置１０の各画素は、対応する複数の表示パネル５０の画素のうちの最も高い階調に対応して発光できる。発光装置１０は、画素別に２〜８ビットの階調を表現できる。
【００６２】
便宜上、表示パネル５０の画素を第１画素といって、発光装置１０の画素を第２画素といい、１つの第２画素に対応する複数の第１画素を第１画素群と称する。
【００６３】
発光装置１０の駆動過程は、表示パネル５０を制御する信号制御部（図示せず）により、第１画素群の第１画素のうちの最も高い階調を検出し、検出した階調により第２画素発光に必要な階調を算出し、この階調をデジタルデータに変換し、このデジタルデータを用いて発光装置１０の駆動信号を生成する段階を含める。発光装置１０の駆動信号は、走査駆動信号とデータ駆動信号とを含む。
【００６４】
発光装置１０の回路ボードアセンブリー（図示せず）、つまり、走査回路ボードアセンブリーとデータ回路ボードアセンブリーは、それぞれの駆動ＩＣパッケージ４４１、４６１と接続する。発光装置１０を駆動するために、走査回路ボードアセンブリーは、走査駆動信号を伝送し、データ回路ボードアセンブリーは、データ駆動信号を伝送する。
【００６５】
発光装置１０の第２画素は、対応する第１画素群に映像が表示される際に、第１画素群に同期されて所定の階調で発光する。このように発光装置１０は、画素別に輝度を独立的に制御することができ、各画素に対応する表示パネル５０画素に適切な強さの光を提供する。従って、本実施形態の表示装置１００は、動的コントラスト比が優れた画面を表示でき、より鮮明な画質を実現できる。
【００６６】
＜上記実施形態による効果＞
以上、各実施形態に係る発光装置１０及び発光装置１０を備えた表示装置１００について説明した。この発光装置１０によれば、反射層３２等を備えることによって発光装置１０の外部から発光装置１０に入射する外光を反射することができるので、発光効率を向上させることができる。更に、発光装置１０は、複数の領域に分割されて、この領域毎に発光の強さ等を独立して制御することができるため、この発光装置１０を備えた表示装置１００によれば、画面の動的コントラスト比を向上させることができ、結果として画質を改善することができる。
【００６７】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置を示した断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る発光装置のうち有効領域を示した部分分解斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る発光装置のうち発光ユニットを示した部分平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る発光装置のうち第２基板と発光ユニットを示した部分拡大断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る発光装置のうち第２基板と発光ユニットを示した部分拡大断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置を示した分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０      発光装置
１２      第１基板
１４      第２基板
１６      密封部材
１８      電子放出ユニット
２０      発光ユニット
２２      第１電極
２４      絶縁層
２６      第２電極
２８      電子放出部
３０      蛍光層
３２      反射層
３４      アノード電極
３６      第２電極リード部
３８      アノードリード部
４０      前面反射層
５０      表示パネル
５２      ＴＦＴ基板
５４      カラーフィルター基板
５６，５８      回路ボードアセンブリー
６０      拡散板
６２      トップシャーシ
６４      ボトムシャーシ
２４１，２６１      開口部
４４１，４６１      駆動ＩＣパッケージ
５６１，５８１      駆動集積回路パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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