(57)【要約】【課題】  医薬および農薬の重要中間体である光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物の安価な製造方法を提供する。【解決手段】  含フッ素α−ケトエステルとアルケンを「光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に」、「含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下の光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒の存在下に」または「光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ含フッ素α−ケトエステル１モルに対して１．０Ｌ（リットル）未満の、ハロゲン化炭化水素系の反応溶媒の存在下に」反応させる。  この方法により光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を安価に製造することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式［１］
【化１】
2008239593.tif 000077
［式中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基を表し、Ｒはアルキル基を表す］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］
【化２】
2008239593.tif 000078
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、置換アルキル基、芳香環基または置換芳香環基を表す］で示されるアルケンを、光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に、反応させることにより、一般式［３］
【化３】
2008239593.tif 000079
［式中、Ｒｆ、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は上記と同じ置換基を表し、＊は不斉炭素を表し（但し、Ｒ４とＲ５が同一の置換基の場合は不斉炭素でない）、波線は二重結合の幾何配置がＥ体またはＺ体を表す］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を製造する方法。
【請求項２】
光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の使用量が、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
式［４］
【化４】
2008239593.tif 000080
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］
【化５】
2008239593.tif 000081
で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００５モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性遷移金属錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に、反応させることにより、式［６］
【化６】
2008239593.tif 000082
［式中、＊は不斉炭素を表す］で示される光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法。
【請求項４】
式［４］
【化７】
2008239593.tif 000083
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］
【化８】
2008239593.tif 000084
で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００３モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性パラジウム錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に、反応させることにより、式［７］
【化９】
2008239593.tif 000085
で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法。
【請求項５】
一般式［１］
【化１０】
2008239593.tif 000086
［式中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基を表し、Ｒはアルキル基を表す］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］
【化１１】
2008239593.tif 000087
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、置換アルキル基、芳香環基または置換芳香環基を表す］で示されるアルケンを、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下の光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、一般式［３］
【化１２】
2008239593.tif 000088
［式中、Ｒｆ、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は上記と同じ置換基を表し、＊は不斉炭素を表し（但し、Ｒ４とＲ５が同一の置換基の場合は不斉炭素でない）、波線は二重結合の幾何配置がＥ体またはＺ体を表す］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を製造する方法。
【請求項６】
一般式［１］
【化１３】
2008239593.tif 000089
［式中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基を表し、Ｒはアルキル基を表す］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］
【化１４】
2008239593.tif 000090
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、置換アルキル基、芳香環基または置換芳香環基を表す］で示されるアルケンを、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下の光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、一般式［３］
【化１５】
2008239593.tif 000091
［式中、Ｒｆ、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は上記と同じ置換基を表し、＊は不斉炭素を表し（但し、Ｒ４とＲ５が同一の置換基の場合は不斉炭素でない）、波線は二重結合の幾何配置がＥ体またはＺ体を表す］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を製造する方法。
【請求項７】
式［４］
【化１６】
2008239593.tif 000092
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］
【化１７】
2008239593.tif 000093
で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００５モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性遷移金属錯体の存在下、かつ芳香族炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、式［６］
【化１８】
2008239593.tif 000094
［式中、＊は不斉炭素を表す］で示される光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法。
【請求項８】
式［４］
【化１９】
2008239593.tif 000095
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］
【化２０】
2008239593.tif 000096
で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００３モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性パラジウム錯体の存在下、かつ反応溶媒としてトルエンの存在下に、反応させることにより、式［７］
【化２１】
2008239593.tif 000097
で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法。
【請求項９】
一般式［１］
【化２２】
2008239593.tif 000098
［式中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基を表し、Ｒはアルキル基を表す］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］
【化２３】
2008239593.tif 000099
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、置換アルキル基、芳香環基または置換芳香環基を表す］で示されるアルケンを、光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して１．０Ｌ（リットル）未満の、ハロゲン化炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、一般式［３］
【化２４】
2008239593.tif 000100
［式中、Ｒｆ、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は上記と同じ置換基を表し、＊は不斉炭素を表し（但し、Ｒ４とＲ５が同一の置換基の場合は不斉炭素でない）、波線は二重結合の幾何配置がＥ体またはＺ体を表す］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を製造する方法。
【請求項１０】
光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の使用量が、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下である、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医薬および農薬の重要中間体である光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明で対象とする光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物は、医薬および農薬の重要中間体である。本発明に関連する公知技術として、トリフルオロピルビン酸エチルと各種アルケンを光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下に反応させる方法が開示されている（非特許文献１〜４）。
【非特許文献１】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ（英国），２００４年，第４５巻，ｐ．１８３〜１８５
【非特許文献２】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ：Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ（英国），２００４年，第１５巻，ｐ．３８８５〜３８８９
【非特許文献３】Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．（ドイツ国），２００５年，第４４巻，ｐ．７２５７〜７２６０
【非特許文献４】Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．（米国），２００６年，インターネット上で閲覧可能（Ｓｉｍｏｎ Ｄｏｈｅｒｔｙ，Ｊｕｌｉａｎ Ｇ．Ｋｎｉｇｈｔら，Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｐｌａｔｉｎｕｍ Ｇｒｏｕｐ Ｍｅｔａｌ−Ｃａｔａｌｙｚｅｄ Ｃａｒｂｏｎｙｌ−Ｅｎｅ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ：Ｃａｒｂｏｎ−Ｃａｒｂｏｎ Ｂｏｎｄ Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｖｅｒｓｕｓ Ｉｓｏｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、医薬および農薬の重要中間体である光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物の安価な製造方法を提供することにある。非特許文献１〜４の方法では、高い触媒活性［満足の行く不斉誘起および収率（変換率）］を達成するために高価な不斉触媒を５モル％程度使用する必要があった。光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を安価に製造するには、高価な不斉触媒の使用量を如何に低減できるかが鍵となり、不斉触媒の使用量を低減しても高い触媒活性が維持できる反応条件を見出す必要があった。非特許文献１〜４においては、この様な反応条件を見出す検討は殆ど行われておらず、よって光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を安価に製造することができなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、不斉触媒の活性が使用する反応溶媒の「種類」や「使用量」に大きく影響されることを見出し、本発明に到達した。本願発明は次の３つの態様を含む。
【０００５】
［態様１：反応溶媒の非存在下に、反応させる態様］
発明者らは、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］で示されるアルケンを反応させて、一般式［３］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を合成する際、光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に、反応を、高い光学純度で収率良く実施できるという、有用な知見を見出した（例えば、実施例２、７〜２０）。高価な不斉触媒の使用量を著しく低減しても、光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物が高い光学純度で収率良く得られることも見出した（例えば、実施例１０、１４〜１５）。
【０００６】
［態様２：比誘電率の低い溶媒中で反応させる態様］
発明者らは、金属錯体への配位能が比較的弱い、比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒、特に炭化水素系の反応溶媒を用いることによっても、高価な不斉触媒の使用量を著しく低減した条件下、光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物が高い光学純度で収率良く得られることを見出した（例えば、実施例１、３、２１〜２８と、比較例１〜１３との比較）。なお、非特許文献４においてトルエンは好ましくない反応溶媒として挙げられているが、本発明の好適な例であるトリフルオロピルビン酸エチルとイソブテンの反応においては特に好ましい反応溶媒であることを見出した。
【０００７】
［態様３：ハロゲン化炭化水素系の溶媒中で反応させる態様］
発明者らは、配位能が比較的強いハロゲン化炭化水素系の反応溶媒であっても、その使用量を制限し、高濃度条件下で反応を行うことにより、反応を好適に実施できることを見出した（例えば、実施例４〜６と、比較例１〜３、９との比較）。高価な不斉触媒の使用量を著しく低減しても、光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物が高い光学純度で収率良く得られることも見出した。
【０００８】
すなわち、本発明は［発明１］〜［発明１０］を含み、光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物の、安価で、大量規模の生産に適した製造方法を提供する。
【０００９】
［発明１］
一般式［１］
【００１０】
【化２５】
2008239593.tif 000002
【００１１】
［式中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基を表し、Ｒはアルキル基を表す］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］
【００１２】
【化２６】
2008239593.tif 000003
【００１３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、置換アルキル基、芳香環基または置換芳香環基を表す］で示されるアルケンを、光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に、反応させることにより、一般式［３］
【００１４】
【化２７】
2008239593.tif 000004
【００１５】
［式中、Ｒｆ、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は上記と同じ置換基を表し、＊は不斉炭素を表し（但し、Ｒ４とＲ５が同一の置換基の場合は不斉炭素でない）、波線は二重結合の幾何配置がＥ体またはＺ体を表す］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を製造する方法。
【００１６】
［発明２］
光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の使用量が、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下である、発明１に記載の方法。
【００１７】
［発明３］
式［４］
【００１８】
【化２８】
2008239593.tif 000005
【００１９】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］
【００２０】
【化２９】
2008239593.tif 000006
【００２１】
で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００５モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性遷移金属錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に、反応させることにより、式［６］
【００２２】
【化３０】
2008239593.tif 000007
【００２３】
［式中、＊は不斉炭素を表す］で示される光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法。
【００２４】
［発明４］
式［４］
【００２５】
【化３１】
2008239593.tif 000008
【００２６】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］
【００２７】
【化３２】
2008239593.tif 000009
【００２８】
で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００３モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性パラジウム錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に、反応させることにより、式［７］
【００２９】
【化３３】
2008239593.tif 000010
【００３０】
で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法。
【００３１】
［発明５］
一般式［１］
【００３２】
【化３４】
2008239593.tif 000011
【００３３】
［式中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基を表し、Ｒはアルキル基を表す］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］
【００３４】
【化３５】
2008239593.tif 000012
【００３５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、置換アルキル基、芳香環基または置換芳香環基を表す］で示されるアルケンを、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下の光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、一般式［３］
【００３６】
【化３６】
2008239593.tif 000013
【００３７】
［式中、Ｒｆ、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は上記と同じ置換基を表し、＊は不斉炭素を表し（但し、Ｒ４とＲ５が同一の置換基の場合は不斉炭素でない）、波線は二重結合の幾何配置がＥ体またはＺ体を表す］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を製造する方法。
【００３８】
［発明６］
一般式［１］
【００３９】
【化３７】
2008239593.tif 000014
【００４０】
［式中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基を表し、Ｒはアルキル基を表す］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］
【００４１】
【化３８】
2008239593.tif 000015
【００４２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、置換アルキル基、芳香環基または置換芳香環基を表す］で示されるアルケンを、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下の光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、一般式［３］
【００４３】
【化３９】
2008239593.tif 000016
【００４４】
［式中、Ｒｆ、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は上記と同じ置換基を表し、＊は不斉炭素を表し（但し、Ｒ４とＲ５が同一の置換基の場合は不斉炭素でない）、波線は二重結合の幾何配置がＥ体またはＺ体を表す］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を製造する方法。
【００４５】
［発明７］
式［４］
【００４６】
【化４０】
2008239593.tif 000017
【００４７】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］
【００４８】
【化４１】
2008239593.tif 000018
【００４９】
で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００５モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性遷移金属錯体の存在下、かつ芳香族炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、式［６］
【００５０】
【化４２】
2008239593.tif 000019
【００５１】
［式中、＊は不斉炭素を表す］で示される光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法。
【００５２】
［発明８］
式［４］
【００５３】
【化４３】
2008239593.tif 000020
【００５４】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］
【００５５】
【化４４】
2008239593.tif 000021
【００５６】
で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００３モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性パラジウム錯体の存在下、かつ反応溶媒としてトルエンの存在下に、反応させることにより、式［７］
【００５７】
【化４５】
2008239593.tif 000022
【００５８】
で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法。
【００５９】
［発明９］
一般式［１］
【００６０】
【化４６】
2008239593.tif 000023
【００６１】
［式中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基を表し、Ｒはアルキル基を表す］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］
【００６２】
【化４７】
2008239593.tif 000024
【００６３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、置換アルキル基、芳香環基または置換芳香環基を表す］で示されるアルケンを、光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して１．０Ｌ（リットル）未満の、ハロゲン化炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、一般式［３］
【００６４】
【化４８】
2008239593.tif 000025
【００６５】
［式中、Ｒｆ、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は上記と同じ置換基を表し、＊は不斉炭素を表し（但し、Ｒ４とＲ５が同一の置換基の場合は不斉炭素でない）、波線は二重結合の幾何配置がＥ体またはＺ体を表す］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を製造する方法。
【００６６】
［発明１０］
光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の使用量が、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下である、発明９に記載の方法。
【発明の効果】
【００６７】
本発明の製造方法では、非特許文献１〜４の問題点（高価な不斉触媒を多量に用いることによる高い製造コスト）を解決できるだけでなく、反応溶媒として工業的な使用が制限されている塩化メチレン（非特許文献１〜４で多用されている反応溶媒）の使用量を削減でき、または一切用いずに反応を行うこともできる。このような条件であっても、高い収率かつ高い不斉収率で、目的物を製造することができ、分離の難しい不純物が生成することもない。特に反応溶媒を用いない場合は、反応の生産性や後処理の操作性を格段に改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
本発明の光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物の製造方法について詳細に説明する。初めに「態様１」〜「態様３」に共通する事項につき説明する。
【００６９】
一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステルのパーフルオロアルキル基としては、炭素数が１〜６のものが挙げられ、炭素数が３以上のものは直鎖または分枝を採ることができる。一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステルのアルキル基としては、炭素数が１〜６のものが挙げられ、炭素数が３以上のものは直鎖または分枝を採ることができる。
【００７０】
含フッ素α−ケトエステルの中でも容易に製造でき工業的な利用も可能な、Ｒｆがトリフルオロメチル基で、かつＲがメチル基またはエチル基のものが好ましく、光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物の製造に好適である。
【００７１】
一般式［２］で示されるアルケンのアルキル基としては、炭素数が１〜６のものが挙げられ、炭素数が３以上のものは直鎖または分枝を採ることができる。また２つのアルキル基が共有結合によってシクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロペンテン環、シクロヘキセン環やシクロヘプテン環等を形成することもできる。
【００７２】
一般式［２］で示されるアルケンの置換アルキル基としては、ヒドロキシル基の保護体等がアルキル基に置換することができる。ヒドロキシル基の保護基としては、Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ，１９９９，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．に記載されたものを適宜使用することができ、その中でもベンジル基やｔ−ブチルジフェニルシリル基が好ましい。
【００７３】
一般式［２］で示されるアルケンの芳香環基としては、フェニル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００７４】
一般式［２］で示されるアルケンの置換芳香環基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子やメチル基等の低級アルキル基等が芳香環基に置換することができる。また芳香環基とアルキル基が共有結合を形成することもできる。
【００７５】
アルケンの中でも反応性の高い１，１−二置換オレフィンが好ましく、得られる生成物の医薬中間体としての重要性を考慮するとイソブテンが好適である。従来の技術では、式［６］で示される光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物、特に式［７］で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物の工業的な製造方法が、対応するラセミ体を合成し光学分割する二工程からなる方法に限られていたことを考慮すると、本発明の製造方法が一工程からなる極めて優れた方法であることを明らかにした。
【００７６】
一般式［２］で示されるアルケンの使用量としては、特に制限はないが、通常は一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．７モル以上を使用すれば良く、０．８〜１０モルの使用が好ましく、特に０．９〜７モルの使用がより好ましい。
【００７７】
光学活性な配位子を有する遷移金属錯体としては、一般式［８］
【００７８】
【化４９】
2008239593.tif 000026
【００７９】
［式中、Ｘ−＊−Ｘは光学活性ＳＥＧＰＨＯＳ誘導体（図Ａ）、光学活性ＢＩＮＡＰ誘導体（図Ｂ）、光学活性ＢＩＰＨＥＰ誘導体（図Ｃ）、光学活性Ｐ−Ｐｈｏｓ誘導体（図Ｄ）、光学活性ＰｈａｎｅＰｈｏｓ誘導体（図Ｅ）、光学活性１，４−Ｅｔ２−ｃｙｃｌｏ−Ｃ６Ｈ８−ＮＵＰＨＯＳ（図Ｆ）または光学活性ＢＯＸ誘導体（図Ｇ）等を表し、ＹはＮｉ、Ｐｄ、ＰｔまたはＣｕを表し、ＺはＳｂＦ６、ＣｌＯ４、ＢＦ４、ＯＴｆ（Ｔｆ；ＣＦ３ＳＯ２）、ＡｓＦ６、ＰＦ６またはＢ（３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３）４を表す］で示される二価カチオン性錯体
【００８０】
【化５０】
2008239593.tif 000027
【００８１】
【化５１】
2008239593.tif 000028
【００８２】
【化５２】
2008239593.tif 000029
【００８３】
【化５３】
2008239593.tif 000030
【００８４】
【化５４】
2008239593.tif 000031
【００８５】
【化５５】
2008239593.tif 000032
【００８６】
【化５６】
2008239593.tif 000033
【００８７】
または、一般式［９］
【００８８】
【化５７】
2008239593.tif 000034
【００８９】
［式中、Ｒは水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子またはトリフルオロメチル基を表し、Ｍｅはメチル基を表す］で示されるＢＩＮＯＬ−Ｔｉ錯体等が挙げられる。その中でも二価カチオン性錯体が好ましく、特に二価カチオン性パラジウム錯体がより好ましい（光学活性な配位子としては代表的なものを挙げており、ＣＡＴＡＬＹＴＩＣ ＡＳＹＭＭＥＴＲＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ，Ｓｅｃｏｎｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ，２０００，Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ，Ｉｎｃ．に記載されたものを適宜使用することができる。またＺとしては、ＳｂＦ６、ＢＦ４、ＯＴｆおよびＢ（３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３）４が好ましく、特にＳｂＦ６、ＯＴｆおよびＢ（３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３）４がより好ましい）。
【００９０】
これらの錯体は公知の方法により調製することができ（例えば、非特許文献１〜４、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（米国），１９９９年，第１２１巻，ｐ．６８６〜６９９、ｎａｔｕｒｅ（英国），１９９７年，第３８５巻，ｐ．６１３〜６１５等）、単離した錯体（例えば、参考例１〜２；ｉｓｏｌａｔｅｄ）以外に、反応系中で予め調製し単離せずに用いることもできる（例えば、実施例の方法Ｃ〜Ｄ−２、Ｆ；ｉｎ ｓｉｔｕ）。これらの錯体には水やアセトニトリル等の有機溶媒が配位（溶媒和）したものを用いることもできる［本発明では不斉触媒の使用量が極めて少ないため、錯体に配位した溶媒分は無視することができ「反応溶媒」としては扱わない（換算しない）］。またｉｎ ｓｉｔｕ錯体としては、反応溶媒を一切用いる必要のない、新規な方法Ｄ、Ｄ−２またはＦにより簡便に調製でき、かつ不斉触媒の活性が極めて高い、一般式［１０］
【００９１】
【化５８】
2008239593.tif 000035
【００９２】
［式中、Ｘ−＊−Ｘ、ＹおよびＺは一般式［８］と同じものを表し、ＲｆとＲは一般式［１］と同じものを表す］で示される含フッ素α−ケトエステルを配位子として有する二価カチオン性錯体が好適である。
【００９３】
また一般式［１１］
【００９４】
【化５９】
2008239593.tif 000036
【００９５】
［式中、Ｘ−＊−Ｘ、ＹおよびＺは一般式［８］と同じものを表す］で示されるカチオン性二核錯体も、一般式［８］で示される二価カチオン性錯体と同様に用いることができる場合がある。
【００９６】
光学活性な配位子の立体化学［（Ｒ）、（Ｓ）、（Ｒ，Ｒ）、（Ｓ，Ｓ）等］としては、目的とする光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物の立体化学に応じて適宜使い分けることができ、得られる生成物の医薬中間体としての重要性を考慮すると（Ｒ）−含フッ素カルボニル−エン生成物を与える光学活性な配位子の立体化学が好適である。光学活性な配位子の光学純度としては、目標とする光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物の光学純度に応じて適宜設定すれば良く、通常は９５％ｅｅ（エナンチオマー過剰率）以上を使用すれば良く、９７％ｅｅ以上の使用が好ましく、特に９９％ｅｅ以上の使用がより好ましい。
【００９７】
これらの光学活性な配位子の中でも、ＢＩＮＡＰ誘導体が両エナンチオマーを最も安価に入手でき、かつ不斉触媒に誘導した時の活性も極めて高いため好適であり、ＢＩＮＡＰおよびＴｏｌ−ＢＩＮＡＰが好ましく、特にＢＩＮＡＰがより好ましい。
【００９８】
光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の使用量としては、本発明の効果を最大限に引き出すには（可能な限り安価に製造するには）、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下を使用すれば良く、０．０００５モル以下の使用が好ましく、特に０．０００３モル以下の使用がより好ましい。当然、製造コストを考慮せず０．００１モルより多い使用量で行うこともできる。但し、本発明における「態様２」においては、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して、０．００１モル以下の不斉触媒（遷移金属錯体）を使用する。
【００９９】
反応温度としては、特に制限はないが、通常は−６０〜＋６０℃の範囲で行えば良く、−５０〜＋５０℃の範囲で行うのが好ましく、特に−４０〜＋４０℃の範囲で行うのがより好ましい。さらに本発明の好適な例であるトリフルオロピルビン酸エチルとイソブテンの反応においては、不斉触媒が存在しなくても反応が進行しラセミ体を与える反応経路が存在したり（目的とする光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物の光学純度を低下させる）、反応終了液に残存するイソブテンが副反応を起こしたりする（目的とする光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物の化学純度を低下させる）。よって本反応では、通常は−６０〜＋３０℃の範囲で行えば良く、−５０〜＋２０℃の範囲で行うのが好ましく、特に−４０〜＋１０℃の範囲で行うのがより好ましい。
【０１００】
また原料基質、不斉触媒および反応溶媒の仕込み順序は実施例に記載した［方法Ａ］〜［方法Ｆ］に限定されるものではないが、原料基質の一つであるアルケンを最後に加える場合は、上記の反応温度以下に制御して徐々に加えることにより、光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を高い光学純度で得ることができる。
【０１０１】
反応時間としては、特に制限はないが、通常は２４時間以内で行えば良く、原料基質、不斉触媒および反応条件等により異なるため、ガスクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー、核磁気共鳴（ＮＭＲ）等の分析手段により反応の進行状況をモニターし、原料基質が殆ど消失した時点を終点とすることが好ましい。
【０１０２】
次に、本発明の「態様１」〜「態様３」の個別の事項につき、説明を行う。
【０１０３】
まず、［態様１］について説明する。本発明の「態様１」は、対象とする反応を「反応溶媒の非存在下」に実施させる方法である。
【０１０４】
ここで「反応溶媒の非存在下に、反応させる」とは、反応系内に実質的に反応溶媒が存在しないこと（ニートの状態）を意味するが、具体的には、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対する、反応溶媒が０．１０Ｌ未満の状態を指し、０．０５Ｌ未満の状態が好ましく、特に０．０１Ｌ未満の状態がより好ましい。より典型的には、反応基質と遷移金属錯体以外に、液体化合物を系外から自発的に加えずに反応を実施すればよく、それが「態様１」の最も好ましい態様である。
【０１０５】
反応系内に実質的に反応溶媒が存在しないことにより、反応の生産性が格段に高まるだけでなく、後処理において反応溶媒に由来する廃液が出ないため、環境への負荷低減の観点からも極めて有利である。この様に、反応溶媒の非存在下においても、対象とする反応が高収率かつ高光学純度で進行することが、本発明の重要な知見の一つである。
【０１０６】
さらに、発明者らは、このような無溶媒な条件において、反応が極少量の不斉触媒の存在によって、良好に進行することを見出した。これらの知見によって、本発明の対象とする反応が、従来に比べて経済的に格段に有利に、実施できることとなった。
【０１０７】
「態様１」の中でも、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００５モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性遷移金属錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に、反応させることにより、式［６］で示される光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法は、生成物の有用性、原料入手の容易性、反応が好適に実施できる点などから、特に好ましい。
【０１０８】
また、「態様１」の中でも、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００３モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性パラジウム錯体の存在下、かつ反応溶媒の非存在下に、反応させることにより、式［７］で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法は、反応が一層経済的に有利に実施できることなどから、一層好ましい。
【０１０９】
次いで、「態様２」について説明する。本発明の「態様２」は、対象とする反応を「比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒の存在下に、反応させる」というものである。
【０１１０】
ここで「比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒」としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、１，４−ジオキサン等のエーテル系（但し、テトラヒドロフランを除く）等が挙げられる［本発明においては、反応溶媒の２０℃付近（２０〜２５℃）の比誘電率εｒの値を意味する］。その中でも炭化水素系が好ましく、特に芳香族炭化水素系がより好ましく、さらにトルエンが極めて好ましい。これらの比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒は単独または組み合わせて用いることができる。
【０１１１】
比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒の使用量としては、特に制限はないが、通常は一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して３．０Ｌ以下を使用すれば良く、２．０Ｌ以下の使用が好ましく、特に１．０Ｌ以下の使用がより好ましい。
【０１１２】
また「反応溶媒（比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒）の存在下に、反応させる」とは、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．１０Ｌ以上を使用する状態を指す。
【０１１３】
また「態様２」においては、「比誘電率εｒが５．０よりも大きい反応溶媒」と「比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒」を組み合わせて混合溶媒として用いることもできる。この場合には「比誘電率εｒが５．０よりも大きい反応溶媒」が本来持つ金属錯体への配位能が弱められ、実質的に「比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒の存在下に、反応させる」のと同じ効果が期待できる。例えば「炭化水素系の反応溶媒をハロゲン化炭化水素系の反応溶媒に対して同容積以上使用する場合」は、「ハロゲン化炭化水素系の反応溶媒」の使用量が一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して１．０Ｌ以上であっても、少量の不斉触媒で目的生成物を高い光学純度で収率良く得ることができる。よって本発明では「比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒」と言及する場合は、「比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒と比誘電率εｒが５．０よりも大きい反応溶媒の混合溶媒であって、前者が後者に対して同容積以上使用された混合溶媒」も含まれるものとする。
【０１１４】
「態様２」の中でも、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステルと、一般式［２］で示されるアルケンを、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して０．００１モル以下の光学活性な配位子を有する遷移金属錯体の存在下、かつ炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、一般式［３］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を製造する方法は、反応性が良好なことから、好ましい。
【０１１５】
「態様２」の中でも、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００５モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性遷移金属錯体の存在下、かつ芳香族炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させることにより、式［６］で示される光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法は、生成物の有用性、原料入手の容易性、反応性が良好なことなどから、特に好ましい。
【０１１６】
「態様２」の中でも、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、式［５］で示されるイソブテンを、式［４］で示されるトリフルオロピルビン酸エチル１モルに対して０．０００３モル以下の光学活性な配位子を有する二価カチオン性パラジウム錯体の存在下、かつ反応溶媒としてトルエンの存在下に、反応させることにより、式［７］で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を製造する方法は、生成物の有用性、原料入手の容易性、反応性が一層良好なことなどから、一層好ましい。
【０１１７】
次に「態様３」について説明する。「態様３」は「一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して１．０Ｌ未満の、ハロゲン化炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させる」というものである。
【０１１８】
ここで「ハロゲン化炭化水素系の反応溶媒」としては、塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等が挙げられる。その中でも塩化メチレンおよび１，２−ジクロロエタンが好ましく、特に塩化メチレンがより好ましい。これらのハロゲン化炭化水素系の反応溶媒は単独に、または組み合わせて用いることができる。当然、比誘電率εｒが５．０以下の反応溶媒と組み合わせて用いることもできる。
【０１１９】
ハロゲン化炭化水素系の反応溶媒の使用量としては、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して１．０Ｌ未満を使用するが、０．７Ｌ未満の使用が好ましく、特に０．５Ｌ未満の使用がより好ましい。
【０１２０】
本発明において「ハロゲン化炭化水素系の反応溶媒の存在下に、反応させる」とは、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して、ハロゲン化炭化水素系の反応溶媒を０．１０Ｌ以上使用する状態を指す。
【０１２１】
次に、「態様１」〜「態様３」に共通する「後処理工程」について、説明する。
【０１２２】
後処理としては、特に制限はないが、反応終了液に通常の操作を行うことにより、目的とする一般式［３］で示される光学活性含フッ素カルボニル−エン生成物を得ることができる。粗生成物は必要に応じて活性炭処理、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の操作により高い純度に精製することができる。さらに本発明の好適な例であるトリフルオロピルビン酸エチルとイソブテンの反応においては、反応終了液に残存するイソブテンを低温下で系外に取り除いて副反応を制御することが極めて重要である。よって本後処理では、通常は−６０〜＋３０℃の範囲で行えば良く、−５０〜＋２０℃の範囲で行うのが好ましく、特に−４０〜＋１０℃の範囲で行うのがより好ましく、系外への取り除き方としては、特に制限はないが、窒素やアルゴン等の不活性ガスを吹き込み同伴させて系外に取り除く方法や、反応終了液から減圧下で直接取り除く方法が好ましい。また本後処理では、反応終了液から上記の方法でイソブテンを取り除き副反応が起こらない状態にした後、連続的に目的生成物を分別蒸留（必要に応じて減圧下に行うこともできる）で回収することができるため（反応溶媒を用いた場合は反応溶媒も回収できる）、後処理の操作性を格段に改善することができる（好適な後処理の例）。また反応終了液に残存するイソブテンの副反応を制御する方法としては、反応終了液に、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、プロピオニトリル、アセトン、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル等の、比誘電率εｒが５．０よりも大きい反応溶媒や、トリフェニルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン等のホスフィン配位子等を加える手法も有効である。
【０１２３】
本発明においては、不斉触媒の回収・再利用が可能であり、回収・再利用の方法としては、特に制限はないが、上記の好適な後処理の例においては蒸留残渣として不斉触媒を回収し、再びトリフルオロピルビン酸エチルとイソブテンを加えて再利用する方法や、反応終了液から析出［必要に応じて冷却下で放置または貧溶媒（例えば、脂肪族炭化水素系の溶媒等）を添加］した不斉触媒をデカンテーションまたは濾過等で回収し、前出と同様に再利用する方法が好ましい。特に後者は熱的に不安定な不斉触媒の回収にも適用できるためより好ましい。また前者の場合は、バス温を７０℃以下（好ましくは６０℃以下、より好ましくは５０℃以下）に制御して減圧蒸留することにより、熱的に不安定な不斉触媒も比較的高い活性を保持した状態で回収することができる。
【０１２４】
［実施例］
実施例により本発明の実施の形態を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また実施例を補足説明するために参考例および比較例も記載する。表１および表３の反応溶媒の濃度表示は、一般式［１］で示される含フッ素α−ケトエステル１モルに対して、反応溶媒を４．０Ｌ、２．０Ｌ、１．０Ｌ、０．５Ｌ、０．２５Ｌ、０．２Ｌ、０．１６７Ｌまたは０．１２５Ｌ使用した場合を、それぞれ０．２５Ｍ、０．５Ｍ、１．０Ｍ、２．０Ｍ、４．０Ｍ、５．０Ｍ、６．０Ｍまたは８．０Ｍと表す。
【０１２５】
［参考例１］
反応容器に、下記式
【０１２６】
【化６０】
2008239593.tif 000037
【０１２７】
で示される（Ｓ）−ＳＥＧＰＨＯＳ−ＰｄＣｌ２ ８５．７ｍｇ（０．１０９ｍｍｏｌ，１ｅｑ）を加え、アルゴンで置換した。アセトン５．４ｍｌ（５０ｍｌ／（Ｓ）−ＳＥＧＰＨＯＳ−ＰｄＣｌ２１ｍｍｏｌ）、水５．１ｍｇ（０．２８３ｍｍｏｌ，２．６ｅｑ）とＡｇＳｂＦ６８２．４ｍｇ（０．２４０ｍｍｏｌ，２．２ｅｑ）を加え、室温で１時間攪拌した。
【０１２８】
調製終了液をセライト濾過し、減圧濃縮し、濃縮残渣に塩化メチレンを加え、１日放置した。塩化メチレン溶液を再びセライト濾過し、減圧濃縮し、真空乾燥し、乾燥残渣を塩化メチレンとｎ−ヘキサンから再結晶することにより、下記式
【０１２９】
【化６１】
2008239593.tif 000038
【０１３０】
で示される（Ｓ）−ＳＥＧＰＨＯＳ−Ｐｄ（２＋）（ＯＨ２）２・２ＳｂＦ６−（ｉｓｏｌａｔｅｄ）を９２．０ｍｇ（固体、収率６９％）得た。
【０１３１】
［参考例２］
反応容器に、下記式
【０１３２】
【化６２】
2008239593.tif 000039
【０１３３】
で示される（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−ＰｄＣｌ２ １６０．０ｍｇ（０．２００ｍｍｏｌ，１ｅｑ）を加え、窒素で置換した。アセトン１０．０ｍｌ（５０ｍｌ／（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−ＰｄＣｌ２１ｍｍｏｌ）、水９．４ｍｇ（０．５２０ｍｍｏｌ，２．６ｅｑ）とＡｇＳｂＦ６１５１．２ｍｇ（０．４４０ｍｍｏｌ，２．２ｅｑ）を加え、室温で１時間攪拌
した。
【０１３４】
調製終了液をセライト濾過し、減圧濃縮し、濃縮残渣に塩化メチレン５．０ｍｌを加え、終夜攪拌した。塩化メチレン溶液を再びセライト濾過し、減圧濃縮し、真空乾燥し、乾燥残渣を塩化メチレン２．０ｍｌとｎ−ヘキサン１５．０ｍｌから再結晶（終夜攪拌）することにより、下記式
【０１３５】
【化６３】
2008239593.tif 000040
【０１３６】
で示される（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−Ｐｄ（２＋）（ＯＨ２）２・２ＳｂＦ６−（ｉｓｏｌａｔｅｄ）を２１３．２ｍｇ（黄色固体、収率８６％）得た。
【０１３７】
［実施例１〜２８］および［比較例１〜１３］
実施例および比較例の一般的製造方法Ａ〜Ｆを示し、これらの結果を表１〜３に纏める。また代表的な後処理操作も記載する。
【０１３８】
［方法Ａ］
反応容器に、下記式
【０１３９】
【化６４】
2008239593.tif 000041
【０１４０】
で示される（Ｓ）−ＳＥＧＰＨＯＳ−Ｐｄ（２＋）（ＯＨ２）２・２ＳｂＦ６−（ｉｓｏｌａｔｅｄ：単離されたものとの意味。以下同じ。）を加え、アルゴンで置換した（反応溶媒を用いる場合はこの段階で加えた）。所定の基質添加温度に冷却し、下記式
【０１４１】
【化６５】
2008239593.tif 000042
【０１４２】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、下記式
【０１４３】
【化６６】
2008239593.tif 000043
【０１４４】
で示されるイソブテンを加え、所定の反応温度で所定の反応時間攪拌した。
【０１４５】
反応終了液を後処理することにより、下記式
【０１４６】
【化６７】
2008239593.tif 000044
【０１４７】
で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を得た。
【０１４８】
［方法Ｂ］
反応容器に、下記式
【０１４９】
【化６８】
2008239593.tif 000045
【０１５０】
で示される（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−Ｐｄ（２＋）（ＯＨ２）２・２ＳｂＦ６−（ｉｓｏｌａｔｅｄ）を加え、窒素で置換した。室温で、下記式
【０１５１】
【化６９】
2008239593.tif 000046
【０１５２】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルを加え（反応溶媒を用いる場合はこの段階で加えた）、所定の基質添加温度に冷却し、下記式
【０１５３】
【化７０】
2008239593.tif 000047
【０１５４】
で示されるイソブテンを加え、所定の反応温度で所定の反応時間攪拌した。
【０１５５】
反応終了液を後処理することにより、下記式
【０１５６】
【化７１】
2008239593.tif 000048
【０１５７】
で示される（Ｓ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を得た。
【０１５８】
［方法Ｃ］
反応容器に、下記式
【０１５９】
【化７２】
2008239593.tif 000049
【０１６０】
で示される（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−ＰｄＣｌ２（１ｅｑ）とＡｇＳｂＦ６（２．２ｅｑ）を加え、真空乾燥し、窒素で置換した。乾燥残渣にアセトン（２００ｍｌ／（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−ＰｄＣｌ２１ｍｍｏｌ）と水（２．６ｅｑ）を加え、室温で１時間攪拌した。
【０１６１】
調製終了液を減圧濃縮し、真空乾燥することにより、下記式
【０１６２】
【化７３】
2008239593.tif 000050
【０１６３】
で示される（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−Ｐｄ（２＋）（ＯＨ２）２・２ＳｂＦ６−（ｉｎ ｓｉｔｕ）を得た（黄色固体、収率は１００％と仮定した）。
【０１６４】
反応容器を窒素で置換し、室温で、下記式
【０１６５】
【化７４】
2008239593.tif 000051
【０１６６】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルを加え、所定の基質添加温度に冷却し、下記式
【０１６７】
【化７５】
2008239593.tif 000052
【０１６８】
で示されるイソブテンを加え、所定の反応温度で所定の反応時間攪拌した。
【０１６９】
反応終了液を後処理することにより、下記式
【０１７０】
【化７６】
2008239593.tif 000053
【０１７１】
で示される（Ｓ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を得た。
【０１７２】
［方法Ｄ］
反応容器に、下記式
【０１７３】
【化７７】
2008239593.tif 000054
【０１７４】
で示される（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−ＰｄＣｌ２（１ｅｑ）を加え、窒素で置換した。室温で、下記式
【０１７５】
【化７８】
2008239593.tif 000055
【０１７６】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルとＡｇＳｂＦ６（２．２ｅｑ）を加え、室温で１時間攪拌した。
【０１７７】
調製終了液として、下記式
【０１７８】
【化７９】
2008239593.tif 000056
【０１７９】
で示される（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−Ｐｄ（２＋）−ＣＦ３ＣＯＣＯ２Ｃ２Ｈ５・２ＳｂＦ６−（ｉｎ ｓｉｔｕ）のトリフルオロピルビン酸エチル溶液を得た（黄色懸濁液体、収率は１００％と仮定した）。
【０１８０】
所定の基質添加温度に冷却し、下記式
【０１８１】
【化８０】
2008239593.tif 000057
【０１８２】
で示されるイソブテンを加え、所定の反応温度で所定の反応時間攪拌した。
【０１８３】
反応終了液を後処理することにより、下記式
【０１８４】
【化８１】
2008239593.tif 000058
【０１８５】
で示される（Ｓ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を得た。
【０１８６】
［方法Ｄ−２］
方法Ｄにおいて（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ−ＰｄＣｌ２の替わりに、下記式
【０１８７】
【化８２】
2008239593.tif 000059
【０１８８】
で示される（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ−ＰｄＣｌ２を用いて同様に実施し、下記式
【０１８９】
【化８３】
2008239593.tif 000060
【０１９０】
で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を得た。
【０１９１】
［方法Ｅ］
反応容器に、下記式
【０１９２】
【化８４】
2008239593.tif 000061
【０１９３】
で示される（Ｓ）−ＳＥＧＰＨＯＳ−Ｐｄ（２＋）（ＯＨ２）２・２ＳｂＦ６−（ｉｓｏｌａｔｅｄ）を加え、アルゴンで置換した。所定の基質添加温度に冷却し、下記式
【０１９４】
【化８５】
2008239593.tif 000062
【０１９５】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルと、下記式
【０１９６】
【化８６】
2008239593.tif 000063
【０１９７】
で示されるメチレンシクロヘキサンを加え、所定の反応温度で所定の反応時間攪拌した。
【０１９８】
反応終了液を後処理することにより、下記式
【０１９９】
【化８７】
2008239593.tif 000064
【０２００】
で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を得た。
【０２０１】
［方法Ｆ］
反応容器に、下記式
【０２０２】
【化８８】
2008239593.tif 000065
【０２０３】
で示される（Ｓ）−Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰ−ＰｄＣｌ２（１ｅｑ）を加え、窒素で置換した。室温で、下記式
【０２０４】
【化８９】
2008239593.tif 000066
【０２０５】
で示されるトリフルオロピルビン酸エチルとＡｇＳｂＦ６（２．２ｅｑ）を加え、室温で１．５時間攪拌した。
【０２０６】
調製終了液として、下記式
【０２０７】
【化９０】
2008239593.tif 000067
【０２０８】
で示される（Ｓ）−Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰ−Ｐｄ（２＋）−ＣＦ３ＣＯＣＯ２Ｃ２Ｈ５・２ＳｂＦ６−（ｉｎ ｓｉｔｕ）のトリフルオロピルビン酸エチル溶液を得た（橙色〜黄色懸濁液体、収率は１００％と仮定した）。
【０２０９】
所定の基質添加温度に冷却し、下記式
【０２１０】
【化９１】
2008239593.tif 000068
【０２１１】
で示されるイソブテンを加え、所定の反応温度で所定の反応時間攪拌した。
【０２１２】
反応終了液を後処理することにより、下記式
【０２１３】
【化９２】
2008239593.tif 000069
【０２１４】
で示される（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物を得た。
【０２１５】
変換率は、条件−１及び条件−２のガスクロマトグラフィーを測定し、下記式により算出した。Ａ、Ｂ及びＣの相対面積値は、それぞれの測定条件においてＣの面積値（条件−２の場合は、Ｒ体とＳ体の合計面積値）を基準として求めた（条件−１；Ｂの面積値とＣの面積値の比較、条件−２；Ａの面積値とＣの面積値の比較）。
【数１】
2008239593.tif 000070
但し、比較例７の変換率は、条件−２の測定において反応溶媒のプロピオニトリルとトリフルオロピルビン酸エチルのピークが重なるため、条件−１の測定結果から下記式により算出した。
【数２】
2008239593.tif 000071
また、実施例１、２、１２及び比較例１の変換率は、１Ｈ−ＮＭＲにより決定した。
光学純度は、条件−２のガスクロマトグラフィーを測定し、下記式により算出した。
【数３】
2008239593.tif 000072
または
【数４】
2008239593.tif 000073
条件−１）
カラム；ＤＢ−５（Ｉ．Ｄ．０．２５ｍｍ×３０ｍ，フィルム０．２５μｍ）、キャリアガス；Ｈｅ、流量；１６３ｋＰａ（カラム入口圧）、温度条件；５０℃（５分保持）→１０℃／分（昇温）→２５０℃（５分保持）／トータル３０分、インジェクション；２５０℃、検出器（ＦＩＤ）；２５０℃、スプリット比；５０、保持時間；トリフルオロピルビン酸エチル水和体・約６分、光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物（イソブテン由来）・約９分。
条件−２）
カラム；Ｃｙｃｌｏｄｅｘ−β（Ｉ．Ｄ．０．２５ｍｍ×３０ｍ，フィルム０．２５μｍ）、キャリアガス；Ｈｅ、流量；１６３ｋＰａ（カラム入口圧）、温度条件；５０℃（５分保持）→１０℃／分（昇温）→１５０℃（１０分保持）／トータル２５分、インジェクション；２００℃、検出器（ＦＩＤ）；２００℃、スプリット比；５０、保持時間；トリフルオロピルビン酸エチル・約２分、光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物（イソブテン由来）Ｒ体・１１．６分、Ｓ体・１１．７分。
光学活性トリフルオロカルボニル−エン生成物（イソブテン由来）の機器データを示す。
１Ｈ−ＮＭＲ［基準物質；（ＣＨ３）４Ｓｉ，重溶媒；ＣＤＣｌ3］，δ ｐｐｍ；１．３４（ｔ，７．１Ｈｚ，３Ｈ），１．７８（ｓ，３Ｈ），２．５８（ｄ，１４．０Ｈｚ，１Ｈ），２．７５（ｄ，１４．０Ｈｚ，１Ｈ），３．８６（ｂｒ，１Ｈ），４．３４（ｍ，２Ｈ），４．８１（ｓ，１Ｈ），４．９１（ｓ，１Ｈ）、
１３Ｃ−ＮＭＲ［基準物質；（ＣＨ３）４Ｓｉ，重溶媒；ＣＤＣｌ3］，δ ｐｐｍ；１３．９，２３．９，３８．７，６３．７，７８．１（ｑ，ＪＣ−Ｆ＝２８．７Ｈｚ），１１６．１，１２３．３（ｑ，ＪＣ−Ｆ＝２８６．８Ｈｚ），１３８．７，１６９．５、
比旋光度［光学純度９７．９％ｅｅ（Ｒ）］；［α］２３．７Ｄ＝−６．８（ＣＨＣｌ３，ｃ＝２．４７）。
【０２１６】
【表１】
2008239593.tif 000074
【０２１７】
【表２】
2008239593.tif 000075
【０２１８】
【表３】
2008239593.tif 000076
【０２１９】
［実施例２の後処理操作］
反応終了液を直接、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ｎ−ペンタン：ジエチルエーテル＝８：１）に付すことにより（Ｒ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物（イソブテン由来）を４．４３３ｇ（無色澄明液体、収率９８％、化学純度９９％、光学純度９８％ｅｅ）得た。
【０２２０】
［実施例７の後処理操作］
反応終了液に残存するイソブテンを−１０〜−５℃で減圧濃縮し、引き続いて減圧蒸留（バス温度；〜＋７０℃）することにより（Ｓ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物（イソブテン由来）を１０．９０ｇ（無色澄明液体、収率９６％、化学純度９９％、光学純度９５％ｅｅ）得た。
【０２２１】
［実施例１４の後処理操作］
反応終了液に残存するイソブテンを０℃で減圧濃縮し、引き続いて減圧蒸留（バス温度；〜５０℃）することにより（Ｓ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物（イソブテン由来）を１２．８９ｇ（無色澄明液体、収率９１％、化学純度９９％、光学純度９６％ｅｅ）得た。
【０２２２】
［実施例２１の後処理操作］
反応終了液に残存するイソブテンとジエチルエーテルを０℃で減圧濃縮し、引き続いて減圧蒸留（バス温度；〜５０℃）することにより（Ｓ）−トリフルオロカルボニル−エン生成物（イソブテン由来）を１１．２１ｇ（無色澄明液体、収率９９％、化学純度＞９９％、光学純度９７％ｅｅ）得た。