(57)【要約】【課題】沿面放電を容易に防止できる絶縁体及び絶縁接合体を提供すること。【解決手段】絶縁体１は、基体として、絶縁性を有するアルミナ製の円筒状のセラミック部材（アルミナ焼結体）３を備えており、そのアルミナ焼結体３の軸方向の両端に、メタライズ層５と導電層７とが順次積層されたものである。前記メタライズ層５の径方向（軸方向と垂直の方向）における内側及び外側の外縁部１５、１７は、それぞれ全周にわたって、導電層７から幅０．２ｍｍ以上（例えば０．３ｍｍ程度）露出するように形成されている。また、メタライズ層５の抵抗率は、導電層７の抵抗率よりも１．４倍以上大きく設定されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有するセラミック製基体の同一平面又は平行する平面の表面に、少なくとも一対のメタライズ層が被着されるとともに、前記各メタライズ層の上にそれぞれ導電層が被着された絶縁体において、
前記絶縁体は、前記導電層を介して、金属部材に接合される接合用部材であり、
前記メタライズ層の抵抗率が前記導電層の抵抗率より大きく、且つ、前記メタライズ層の外縁部が、前記導電層より外側に露出したことを特徴とする絶縁体。
【請求項２】
前記セラミック製基体は、筒状又は棒状であり、前記絶縁体は、前記導電層を介して、前記セラミック製基体の軸方向の端面にて、金属部材に接合されることを特徴とする請求項１に記載の絶縁体。
【請求項３】
前記セラミック製基体は、角箱形状であり、その表面に、前記メタライズ層及び導電層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の絶縁体。
【請求項４】
前記セラミック製基体は、平板形状であり、その表面に、前記メタライズ層及び導電層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の絶縁体。
【請求項５】
前記絶縁体は、前記導電層を介して、溶融金属接合材によって金属部材に接合される接合用部材であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁体。
【請求項６】
前記メタライズ層の抵抗率が、前記導電層の抵抗率の１．４倍以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁体。
【請求項７】
前記メタライズ層の露出幅が、０．２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の絶縁体。
【請求項８】
前記露出幅は、前記メタライズ層の突出部分における露出幅であることを特徴とする請求項７に記載の絶縁体。
【請求項９】
前記セラミックが、アルミナであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の絶縁体。
【請求項１０】
前記請求項１〜９のいずれかに記載の絶縁体の導体層上に、溶融金属接合材を介して金属部材が接合されたことを特徴とする絶縁接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば絶縁容器、加速管、絶縁基板、端子、絶縁碍子等に利用でき、対峙する導電体との間に電圧がかかり、沿面絶縁を要求される絶縁体及び絶縁接合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、アルミナ等のセラミック部材に金属部材を接合する場合には、例えばセラミック部材の表面にメタライズを施し、このメタライズの表面に、メッキや金属ペースト層を介して、ろう付けや半田付けにより金属部材を接合する方法が提案されていた（特許文献１、２参照）。
【０００３】
上述した特許文献２の技術では、まず、アルミナ焼結体の表面に、スクリーン印刷や筆塗り等によって、モリブデンやタングステン等の高融点金属粉のペーストを塗布した後に、加湿した還元雰囲気にてメタライズ焼成を行い、次に、ろう付けや半田付け等の接合を容易にするために、焼き付けたメタライズ上にニッケル等の電解又は無電解メッキを施していた。そして、これによって金属濡れ性が向上したメッキ層の上にて、ろう付けや半田付け等により金属部材の接合を行っていた。
【０００４】
このように、メタライズ層上にメッキを施した場合、通常、メッキは露出したメタライズ層表面全体に析出して被着されるので、メタライズ層を含めた導電部（即ちメタライズ層とメッキ層の積層体）の先端は、メッキ成分となる。
【０００５】
ところが、セラミック等の絶縁体を挟み、これに接触し対峙した導電部材間に電圧をかけた場合、絶縁体の表面にて沿面放電が起き、絶縁体としての機能を損ねることがある。この放電は、導電体、絶縁体、及び気体の３つの異なる相が重なった点（トリプルジャンクション）で生じる。
【０００６】
従って、上述したように、導電部の先端がメッキ成分となった場合には、この沿面放電が起きやすいという問題があった。
この対策として、ろう付けの接合部分に絶縁材料を塗布するという技術が提案されている（特許文献３参照）。
【０００７】
また、これとは別に、絶縁性部材と金属製接合部材とを斜面にてろう付けするという技術が提案されている（特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２００１−３４２０８０号公報
【特許文献２】特開２００２−２３１４９９号公報
【特許文献３】特開平１０−９２３６３号公報
【特許文献４】特開２００２−２３１４９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、この引用文献３の技術の場合は、絶縁材料の塗布は部品組付けをした後になるので、組み付け構造が複雑な場合には、必要な箇所に絶縁材料を塗布する作業が困難であるという問題があった。
【０００９】
また、引用文献４の技術では、斜面で接合するので、高さ方向の寸法精度が低く、加工
し難いという問題があった。
本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、加工が容易であり、しかも、沿面放電を容易に防止できる絶縁体及び絶縁接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）前記目的を達成するための請求項１の発明（絶縁体）は、絶縁性を有するセラミック製基体の同一平面又は平行する平面の表面に、少なくとも一対のメタライズ層が被着されるとともに、前記各メタライズ層の上にそれぞれ導電層が被着された絶縁体において、前記絶縁体は、前記導電層を介して、金属部材に接合される接合用部材であり、前記メタライズ層の抵抗率が前記導電層の抵抗率より大きく、且つ、前記メタライズ層の外縁部が、前記導電層より外側に露出したことを特徴とする。
【００１１】
本発明では、絶縁体は、導電層を介して、同一平面又は平行する平面の表面にて、金属部材に接合される接合用部材であるので、接合の際の高さ方向の寸法精度が高く、加工し易いという利点がある。
【００１２】
特に、本発明では、絶縁体のメタライズ層の抵抗率が導電層の抵抗率より大きく、且つ、メタライズ層の外縁部が、導電層（の外縁部分）より外側に露出しているので、例えば絶縁体を挟んで（或いは同一平面上に並んで）対峙する導電層間に高い電圧が印加された場合に、導電層間に沿面放電が発生することを抑制できる。
【００１３】
つまり、沿面放電は、上述した様に、導電体、絶縁体、及び気体の３つの異なる相が重なったトリプルジャンクションで生じ易いが、本発明では、このようなトリプルジャンクションにおける帯電を緩和するために、（導電層より抵抗率が大きな）メタライズ層の外縁部が導電層の外縁部より外側に露出した構成であるので、対峙する導電層間での沿面放電が発生し難いという効果がある。
【００１４】
なお、本発明では、複数のメタライズ層及び導電層の積層部分（接合積層部と称する）があり、全ての接合積層部が上述した構成であれば好ましいが、少なくとも１箇所（或いは対峙する２箇所）でも効果がある。
【００１５】
（２）請求項２の発明では、前記セラミック製基体は、筒状又は棒状であり、前記絶縁体は、前記導電層を介して、前記セラミック製基体の軸方向の端面にて、金属部材に接合されることを特徴とする。
【００１６】
本発明は、セラミック製基体等の構成を例示したものである。
（３）請求項３の発明では、前記セラミック製基体は、角箱形状であり、その表面（例えば同一平面上）に、前記メタライズ層及び導電層が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明は、セラミック製基体等の構成を例示したものである。
（４）請求項４の発明では、前記セラミック製基体は、平板形状であり、その表面（例えば同一平面上）に、前記メタライズ層及び導電層が形成されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明は、セラミック製基体等の構成を例示したものである。
（５）請求項５の発明では、前記絶縁体は、前記導電層を介して、溶融金属接合材（例えばろう材）によって金属部材に接合される接合用部材であることを特徴とする。
【００１９】
本発明は、絶縁体の用途を例示したものであり、この絶縁体にろう材等を用いて金属部材を接合することができる。
（６）請求項６の発明では、前記メタライズ層の抵抗率が、前記導電層の抵抗率の１．４倍以上であることを特徴とする。
【００２０】
本発明では、後述する実験例から明かな様に、メタライズ層の抵抗率が導電層の抵抗率の１．４倍以上であるので、沿面放電による破壊電圧が高いという利点がある。
（７）請求項７の発明では、前記メタライズ層の露出幅が、０．２ｍｍ以上であることを特徴とする。
【００２１】
本発明では、後述する実験例から明かな様に、メタライズ層の露出幅が０．２ｍｍ以上（好ましくは０．３ｍｍ以上）であるので、沿面放電による破壊電圧が高いという利点がある。
【００２２】
なお、この露出幅は、露出部分の全てにおいて確保されていることが好ましい。
（８）請求項８の発明では、前記露出幅は、前記メタライズ層の突出部分における露出幅であることを特徴とする。
【００２３】
メタライズ層が外方向（表面に沿ってメタライズ層から遠ざかる方向）に突出している場合には、そこから沿面放電が生じやすい。よって、少なくともメタライズ層の突出部分における露出幅が前記請求項７に記載の露出幅であると、沿面放電が生じにくいので好適である。
【００２４】
（９）請求項９の発明では、前記セラミックが、アルミナであることを特徴とする。
本発明は、セラミックの材料を例示したものである。
（１０）請求項１０の発明（絶縁接合体）は、前記請求項１〜９のいずれかに記載の絶縁体の導体層上に、溶融金属接合材（例えばろう材）を介して金属部材が接合されたことを特徴とする。
【００２５】
本発明は、絶縁体に金属部材が接合された絶縁接合体を示したものである。
・なお、前記セラミック製基体の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、ムライト等が挙げられる。メタライズ層の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン等が挙げられる。導電層の材料としては、例えば、ニッケル、銅、銀、スズ、金、それらを含む合金等が挙げられる。溶融金属接合材の材料としては、例えば、銀、銅、金、スズ、亜鉛、アルミニウム、それらを含む合金等が挙げられる。金属部材としては、例えば、銅、コバール、ニッケル−鉄合金、ステンレス、アルミニウム、鉄等が挙げられる。
【００２６】
・また、本発明は、前記絶縁接合体を有する真空スイッチに適用できる。この真空スイッチとは、例えばセラミック製の絶縁バルブを用いた電気回路開閉器であり、特に高電圧、大電流の開閉に好適なものである。
【００２７】
更に、本発明は、前記絶縁接合体を有する真空容器（例えば絶縁バルブ）に適用できる
。この真空容器内に電極などを配置することにより、真空スイッチ（電気回路開閉器）を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
次に、本発明の絶縁体及び絶縁接合体の最良の形態の例（実施例）について説明する。（実施例１）
ａ）まず、本実施例の絶縁体の構成について説明する。
【００２９】
図１に模式的に示す様に、本実施例の絶縁体１は、絶縁性を有する円筒状のセラミック製基体（アルミナ焼結体）３を備えており、そのアルミナ焼結体３の軸方向の両端の表面において、図２に示す様に、メタライズ層５と導電層７とが順次積層された構成を備えるものである。なお、メタライズ層５と導電層７の積層部分を、接合積層部８と称する。
【００３０】
詳しくは、アルミナ焼結体３は、例えば内径５０ｍｍ×外径６０ｍｍ×長さ９０ｍｍの円筒状の部材であり、その（軸方向から見て）リング状の両端には、中央部分が軸方向外側に突出して幅４ｍｍのリング状の凸状部９が形成されている。
【００３１】
また、両端の内側と外側の角部は、斜面となるようにテーパ加工（テーパ角約４５°）されて、リング状の内側テーパ部１１及び外側テーパ部１３が形成されている。
前記メタライズ層５は、例えばモリブデンペースト焼付層からなり、凸状部９の全表面を覆うとともに、内側テーパ部１１及び外側テーパ部１３の一部を覆っている。詳しくは、内側テーパ部１１及び外側テーパ部１３の凸状部９側を、各テーパ部１１、１３の幅の約４／５の幅で覆うように、メタライズ層５が形成されている。
【００３２】
更に、前記導電層７は、例えばニッケルペースト焼付層からなり、メタライズ層５の中央部分を覆う様に、リング状に形成されている。
特に本実施例では、前記メタライズ層５の径方向（軸方向と垂直の方向）における内側及び外側の外縁部１５、１７が、それぞれ全周にわたって、導電層７から幅０．２ｍｍ以上（例えば０．３ｍｍ程度）露出するように形成されている。
【００３３】
また、メタライズ層５の抵抗率は、導電層７の抵抗率よりも１．４倍以上大きく設定されている。例えば、メタライズ層の抵抗率は、１９２×１０-8Ωｍ、導電層の抵抗率は、１２０×１０-8Ωｍに設定されている。
【００３４】
なお、絶縁体１の軸方向において対峙する両端面（軸方向と垂直な端面）１０には、導電層７を介して、例えば後述する金属部材３１（図４参照）などが接合される。
ｂ）次に、本実施例の絶縁体１の製造方法について説明する。
【００３５】
まず、アルミナ粉末をプレス成形し、筒状体（円筒部材）を作製した。
次に、この筒状体を、大気中にて約１６００℃で焼成し、外径６０ｍｍ×内径５０ｍｍ×高さ９０ｍｍのアルミナ焼結体３を得た。
【００３６】
なお、アルミナ焼結体３の両端の内側及び外側の角部には、例えばテーパ角が約４５°の面取りが施してある。
次に、この円筒状のアルミナ焼結体３の軸方向の両端の表面に、高融点金属を主成分と
した第１ペーストを塗布した。詳しくは、両端の突出部の全面を覆うとともに、突出部の内側及び外側の面取り部（内側テーパ部１１及び外側テーパ部１３）の２／３を覆うように、第１ペーストを塗布した。
【００３７】
なお、この第１ペーストは、Ｍｏ粉末、Ｍｎ粉末を用いて混合物を作成し、この混合物の粉末（例えば８７質量％）を粉砕混合し、エチルセルロース等の有機バインダ（例えば１３質量％）と混合して製造した。
【００３８】
次に、第１ペーストを塗布したアルミナ焼結体３を、加湿還元雰囲気（Ｈ2＋Ｎ2）中にて約１４００℃で焼成した。これにより、アルミナ焼結体３の両端にリング状にメタライズ層５を形成した。
【００３９】
次に、焼き付けたメタライズ層５上に、ニッケル粉末を主成分とする第２ペーストを塗布した。この際には、メタライズ層５の内側及び外側の外縁部１５、１７が全周にわたり幅０．２ｍｍ以上露出するように、第２ペーストを塗布した。
【００４０】
なお、この第２ペーストは、Ｎｉ粉末をバインダと共に粉砕混合することにより製造した。
次に、この第２ペーストを塗布したアルミナ焼結体３を、還元雰囲気中にて約１０００℃で焼成した。これにより、リング状のメタライズ層５上に、メタライズ層５の内側及び外側の外縁部１５、１７より幅がそれぞれ０．２ｍｍ以上狭いリング状の導電層７を形成した。なお、導電層７を、ニッケルメッキによって形成してもよい。
【００４１】
上述した製造方法により、アルミナ焼結体３の両端に、メタライズ層５及び導電層７が積層被着された絶縁体１を製造した。
この様に、本実施例では、メタライズ層５の抵抗率が導電層７の抵抗率より大きく、且つ、メタライズ層５の外縁部が、導電層７の外縁部より外側に露出しているので、沿面放電の発生を抑制する効果が高いという利点がある。
（実施例２）
次に、実施例２について説明するが、本実施例２の絶縁体は前記実施例１とは、その製造方法が異なるので、異なる点について説明する。
【００４２】
ａ）本実施例の絶縁体の製造方法では、まず、前記実施例１のアルミナ焼結体の両端に、メタライズ層となる下層として、ニッケルを少量添加した高融点金属を主成分とする第１のペーストを塗布した。
【００４３】
なお、この第１のペーストは、モリブデン粉末、タングステン粉末、ニッケル粉末を混合し、エチルセルロース等のバインダと混合して製造した。
次に、導電層となる上層として、第１のペーストからなる下層の上に、ニッケル、銅を主成分とする合金粉からなる第２のペーストを塗布した。
【００４４】
なお、この第２のペーストは、ニッケル−銅の合金粉末をバインダと粉砕混合して製造した。
この第２のペーストの塗布の際にも、前記実施例１と同様に、下層の内側及び外側の外縁部が上層より所定の幅（例えば０．３ｍｍ）で露出するようにした。
【００４５】
次に、下層の上に上層を積層したアルミナ焼結体を、約１１４０℃の還元雰囲気中で加熱して、上下層を同時焼成した。
これによって、アルミナ焼結体の両端にて、メタライズ層の上に導電層が積層されるとともに、メタライズ層の内側及び外側の外縁部が例えば０．３ｍｍの幅で露出した絶縁体が得られた。また、比較例として、同様に露出のない絶縁体も製作した。
【００４６】
また、本実施例では、（ニッケル含有高融点金属からなる）メタライズ層の抵抗率は、１７５×１０-8Ωｍであり、（ニッケル合金からなる）導電層の抵抗率は、１２３×１０-8Ωｍである。
【００４７】
そして、後述する実験例２と同様な実験条件にて、沿面放電の発生する電圧を測定したところ、本実施例２の絶縁体は、約５９ｋＶ（５６〜６１ｋＶ）にて放電が発生し、比較例の絶縁体は、約４９ｋＶ（４７〜５３ｋＶ）にて放電が発生した。
【００４８】
この結果から明らかな様に、本実施例２の絶縁体は、沿面放電を抑制する能力が高く好適である。
つまり、本実施例においても、メタライズ層の抵抗率が導電層の抵抗率より大きく、且つ、メタライズ層の外縁部が、導電層の外縁部より外側に露出しているので、沿面放電の発生を抑制する効果が高いという利点がある。
（実施例３）
次に、実施例３について説明するが、前記実施例１、２と同様な箇所の説明は省略する。
【００４９】
本実施例は、前記実施例１のような絶縁体にろう材によって金属部材を接合した絶縁接合体である。
図４に示す様に、絶縁接合体２１は、前記実施例１と同様な絶縁体２３（即ちアルミナ焼結体２５の軸方向の端部の表面にメタライズ層２７と導電層２９を積層したもの）を備えるとともに、その絶縁体２３の軸方向の端面（軸方向と垂直な端面）２４に、例えばコバールからなる金属部材３１をろう材３３にて接合したものである。なお、接合に寄与するメタライズ層２７と導電層２９とろう材３３を、接合部３４と称する。
【００５０】
このろう材３３は、金属部材３１の下端側の外周から、導電層２９の表面を覆うように広がっているが、導電層２９の内側及び外側にて露出する外縁部３５、３７の表面には広がっていない。
【００５１】
従って、本実施例においても、前記実施例１、２と同様に、沿面放電を抑制する能力が高いという利点がある。
（実施例４）
次に、実施例４について説明するが、前記実施例３と同様な箇所の説明は省略する。
【００５２】
本実施例は、前記実施例３のような絶縁体接合体を用いた真空スイッチである。即ち、本実施例の真空スイッチは、真空容器内に電極等を内蔵し、高電圧、大電流の開閉に適した高負荷開閉器である。
【００５３】
詳しくは、図５（Ａ）に示す様に、真空負荷開閉器４１においては、外管をなす円筒状のアルミナ焼結体４３を備えており、そのアルミナ焼結体４３の内側には金属製の筒状のアークシールド部材４５が配置されている。なお、アルミナ焼結体４３の外周面は図示し
ない釉薬層にて覆われている。
【００５４】
また、アルミナ焼結体４３には、各端部側を遮蔽する円板蓋状の１対の遮蔽部材４７、４９が設けられ、内部にスイッチ遮蔽空間５１が形成され、このスイッチ遮蔽空間５１内にて、アークシールド部材４５に囲まれるように、固定電極５１と可動電極５３とが配置されている。
【００５５】
また、図５（Ｂ）に拡大して示す様に、前記遮蔽部材４７、４９は、（アルミナ焼結体４３の軸方向の端部にエッジシール構造にて接合される）円筒状の金属部材５５、５７の端部を塞ぐ形にて設けられている。また、金属部材５５、５７は、アルミナ焼結体４３の端部にろう材５９を介してエッジシール形態により突合せ接合されている。
【００５６】
つまり、本実施例においても、アルミナ焼結体４３の端部の表面には、前記実施例１と同様なメタライズ層及び導電層（図示せず）が形成されているので、この導電層にろう材５５が接合することにより、アルミナ焼結体４３と金属部材５５、５７とが接合されている。
【００５７】
なお、金属部材５５、５７と遮蔽部材４７、４９とも、図示しないろう材により接合されている。
従って、本実施例においても、前記実施例１〜３と同様に、沿面放電を抑制する能力が高いという利点がある。
（実施例５）
次に、実施例５について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
【００５８】
本実施例は、角箱形状の絶縁接合体である封止接点装置に関するものである。
図６に示す様に、この封止接点装置６１は、角箱形状のアルミナ製の絶縁体であるセラミック製封止容器６３に、ろう材によって銅合金製の接点用部材６５、６７や４２アロイ製のフランジ６９等の金属部材が接合されたものである。
【００５９】
本実施例では、図７に示す様に、セラミック製封止容器６３の上面と各接点用部材６５、６７とは、接合部７１、７３にて接合されている（なお、図８では、各接合部７１、７３における環状のメタライズ層７５、７７を示してある）。また、セラミック製封止容器６３の側面の下端面とフランジ６９とは四角枠状の同様な接合部７９にて接合されている。
【００６０】
ここで、前記接合部７１の構成について、図９に示す。なお、他の接合部７３、７９も同様な構成である。
同図に示す様に、接合部７１は、前記実施例１と同様に、セラミック製封止容器６３の凸状部８１の表面に、（外縁部８２が露出する）メタライズ層７５が形成されるとともに、その上に導電層８３が積層され、更にその上に、接点用部材６５がろう材８５によって接合されたものである。
【００６１】
従って、本実施例においても、前記実施例１と同様に、沿面放電を抑制する能力が高いという利点がある。
（実施例６）
次に、実施例６について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
【００６２】
本実施例は、平板形状の絶縁接合体に関するものである。
図１０に示す様に、この絶縁接合体９１は、平板形状のアルミナ製のセラミック基板９３の一方の表面に、ろう材によって複数の素子（金属部材）９５〜９９が接合されるとともに、他方の表面に、ヒートシンク（金属部材）１０１が接合されたものである。
【００６３】
本実施例では、素子９５〜９９及びヒートシンク１０１は、それぞれ接合部１０３〜１０９にて接合されている（なお、図１１では、各接合部１０３〜１０７における長方形状のメタライズ層１１１〜１１５を示してある）。
【００６４】
ここで、前記接合部１０３の構成について、図１２に示す。なお、他の接合部１０５〜１０９も同様な構成である。
同図に示す様に、接合部１０３は、前記実施例１と同様に、セラミック基板９３の凸状部８１の表面に、（外縁部１１０が露出する）メタライズ層１１１が形成されるとともに、その上に導電層１１７が積層され、更にその上に、素子９５がろう材１１９によって接合されたものである。
【００６５】
従って、本実施例においても、前記実施例１と同様に、沿面放電を抑制する能力が高いという利点がある。
＜実験例１＞
次に、実験例１について説明する。
【００６６】
本実験例１は、絶縁体として、板状のテストピースを作成して、メタライズ層及び導電層の抵抗率を測定したものである。なお、各メタライズ層及び導電層の代表サンプルとしてテストピースを作製する。
【００６７】
具体的には、本実験例１では、焼成済みのアルミナ基板上に、メタライズ層となる第１ペーストを塗布し（幅１ｍｍ×長さ２５ｍｍ×厚み約１５μｍ）、各ペーストに適した焼成条件にて焼成して４種のテストピース（試料No.１〜３、７〜９と、No.４〜６、１０〜１２と、No.１３〜１５と、No.１６〜１８の４種）を作成した。なお、試料No.１〜３、
７〜９の金属成分の組成（質量比）は、Ｍｏ：Ｍｎ＝９３：７であり、No.１３〜１５の
金属成分の組成は、Ｍｏ：Ｎｉ＝９７：３であり、No.１６〜１８の金属成分の組成は、
Ｍｏ：Ｗ：Ｎｉ＝６５：３２：３である。
【００６８】
そして、このテストピースのメタライズ層に対して、接触式抵抗計（端子間距離２０ｍｍ）によって抵抗を測定した。また、工具顕微鏡を用いてメタライズ層の寸法を測定し、蛍光Ｘ線膜厚計を用いてメタライズ層の厚みを測定した。
【００６９】
更に、上述した測定結果から、下記式（１）を用いて抵抗率を算出した。
抵抗値＝（長さ／（幅×厚み））×抵抗率  ・・・（１）
その結果を、下記表１に記す。
【００７０】
また、同様にして第２ペーストを用いて導電層のテストピース（試料No.７〜１２と、No.１３〜１８の２種）を作成し、同様な測定を行った。その結果も、下記表１に記す。なお、試料No.１３〜１８の金属成分の組成（質量比）は、Ｎｉ：Ｃｕ＝４３：５７である
。
【００７１】
なお、試料No.１〜６のテストピースに関しては、導電層をメッキで形成したが、この
場合には、ステンレス（ＳＵＳ）上にメッキを施した後に、メッキ被膜を剥がし、樹脂に埋め込み、１ｍｍ×２０ｍｍ×約０．１５ｍｍのテストピースを作成した。そして、テストピースに対して、前記と同様な測定を行った。その結果も、下記表１に記す。
【００７２】
＜実験例２＞
次に、実験例２について説明する
本実験例２は、絶縁体として、円筒状のテストピースを作成して、沿面破壊電圧を測定したものである。
【００７３】
本実験例２では、まず、周知の方法によりアルミナ製の円筒焼成体を作製した（外径６０ｍｍ×内径５０ｍｍ×高さ９０ｍｍ）。次に、円筒焼成体の両端の表面に、下記表１に示す材料を用い、同表１の露出幅となるように、前記実施例１、２に記載した方法にて、メタライズ層及び導電層を形成してテストピースを作成した。
【００７４】
そして、図３に示す様に、大気中にて、このテストピースの両端の導電層に、交流電圧（６０Ｈｚ、昇圧速度：約５ｋＶ／秒）を印加し、その際の短絡電圧（沿面破壊電圧）を測定した。この測定は３回実施した。
【００７５】
その結果を、下記表１に記す。
【００７６】
【表１】
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【００７７】
表１の抵抗率の単位は、（×１０-8）Ωｍであり、抵抗率比は、「メタライズ層の抵抗率／導電層の抵抗率」である。また、判定の◎は１回でも６０ｋVを上回ることを示し、
○は５５ｋＶを上回り６０ｋＶ以下を示し、△は５２ｋＶを上回り５５ｋＶ以下を示し、×は５２ｋＶ以下を示している。更に、試料No.１、４、７、１０、１３、１６は比較例
であり、試料No.２、３、５、６はマスキングを利用して導電層の露出幅を調節したもの
である。
【００７８】
この表１から明かな様に、本発明の様に所定の抵抗率を設定するとともに露出幅を設定したものは、沿面破壊電圧が高く好適であることが分かる。
なお、前記表１の実験例の試料のうち、No.７〜１２が、実施例１（上層と下層を順次
焼成する例）に相当するものであり、試料No.１〜６がその変形例（上層をメッキで形成
する例）であり、試料No.１３〜１８が実施例２（上層と下層を同時焼成する例）に相当
するものである。
【００７９】
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
例えば本発明は、筒状の絶縁体以外に棒状の絶縁体にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】実施例１の絶縁体を示す斜視図である。
【図２】実施例１の絶縁体を軸方向に破断し拡大して示す説明図である。
【図３】実験例２による沿面破壊強度の測定方法を示す説明図である。
【図４】実施例３の絶縁接合体の断面を示す説明図である。
【図５】（Ａ）は実施例４の真空スイッチを破断して示す説明図、（Ｂ）はその要部を拡大して示す説明図である。
【図６】実施例５の接点封止装置を示す斜視図である。
【図７】実施例５のＡ−Ａ端面を模式的に示す説明図である。
【図８】実施例５におけるセラミック製封止容器を示す斜視図である。
【図９】実施例５における接合部の断面を模式的に示す説明図である。
【図１０】実施例６の平板形状の絶縁接合体の断面を示す説明図である。
【図１１】実施例６におけるセラミック製基板を示す斜視図である。
【図１２】実施例６における接合部の断面を模式的に示す説明図である。示す説明図である。
【符号の説明】
【００８１】
１、２３…絶縁体
３、２５、４３…セラミック製基体（アルミナ焼結体）
５、２７、７５、７７、１１１、１１３、１１５…メタライズ層
７、２９、８３、１１７…導電層
１０、２４…（絶縁体の軸方向の）端面
１５、１７、８２、１１０…外縁部
２１、９１…絶縁接合体
３１、５５、５７…金属部材
３３、５５、８５、１１９…ろう材
６１…接点封止装置
６３…セラミック製封止容器
９３…セラミック基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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