(57)【要約】【課題】垂直転送路で電子増倍を行うＣＣＤ型固体撮像素子で、撮像画像中の電子増倍に起因する固定パターンを抑制する。【解決手段】  半導体基板表面に二次元アレイ状に形成された複数のフォトダイオードから夫々信号電荷を読み出す複数の垂直電荷転送路を備え、フォトダイオードから読み出された信号電荷を垂直電荷転送路上で電子増倍するＣＣＤ型固体撮像素子で撮像されたデータを補正するとき、垂直電荷転送路の電子増倍を行う箇所毎に検出された該電子増倍の増倍率データを予め取得しておき、ＣＣＤ型固体撮像素子から出力される撮像画像データを前記増倍率データで補正して増倍率のバラツキを抑制する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面に二次元アレイ状に形成された複数のフォトダイオードから夫々信号電荷を読み出す複数の垂直電荷転送路を備え、前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を前記垂直電荷転送路上で電子増倍するＣＣＤ型固体撮像素子において、前記垂直電荷転送路の前記電子増倍を行う箇所毎に検出された該電子増倍の増倍率を示すデータを保存する記憶手段を備えることを特徴とするＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項２】
半導体基板表面に二次元アレイ状に形成された複数のフォトダイオードから夫々信号電荷を読み出す複数の垂直電荷転送路を備えるＣＣＤ型固体撮像素子と、前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を前記垂直電荷転送路上で電子増倍する駆動手段とを備える撮影装置において、前記垂直電荷転送路の前記電子増倍を行う箇所毎に検出された該電子増倍の増倍率を示すデータを保存する記憶手段を備えることを特徴とする撮影装置。
【請求項３】
前記記憶手段内のデータにより前記ＣＣＤ型固体撮像素子から出力される撮像画像データを補正して前記電子増倍率のバラツキを補正する画像データ補正手段を備えることを特徴とする請求項２に記載の撮影装置。
【請求項４】
前記増倍率を示すデータは、信号量に依存した複数のパラメータ値で構成されることを特徴とする請求項３に記載の撮影装置。
【請求項５】
前記パラメータ値は、複数の信号量に依存したパラメータ値の間を補間するデータを含むことを特徴とする請求項４に記載の撮影装置。
【請求項６】
電子増倍回数別に前記信号量に依存した複数のパラメータ値を持つことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の撮影装置。
【請求項７】
前記電子増倍を起こすパルス電圧の電圧値別にパラメータ値を持つことを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の撮影装置。
【請求項８】
前記記憶手段に保存するデータは、前記電子増倍を行う箇所毎の増倍率のうち周囲の増倍率と所定閾値以上異なる増倍率と、該所定閾値範囲内の増倍率の平均値とで構成されることを特徴とする請求項２乃至７のいずれかに記載の撮影装置。
【請求項９】
前記記憶手段に保存される前記像倍率は、前記フォトダイオードから信号電荷を前記垂直電荷転送路に読み出さない状態で前記駆動手段を動作させ、暗電流の電子増倍を行うことで検出することを特徴とする請求項２乃至請求項８のいずれかに記載の撮影装置。
【請求項１０】
所定照度の光を前記ＣＣＤ型固体撮像素子に照射して前記増倍率を検出する所定量の前記信号電荷を前記フォトダイオードに蓄積させる光源を内蔵することを特徴とする請求項２乃至請求項９のいずれかに記載の撮影装置。
【請求項１１】
前記信号電荷を前記垂直電荷転送路に読み出さない状態で前記駆動手段を動作させ、暗電流の電子増倍を行うことで増倍率を求め該増倍率で前記記憶手段に保存されているデータを補正する増倍率補正手段を備えることを特徴とする請求項２乃至請求項１０のいずれかに記載の撮影装置。
【請求項１２】
前記増倍率補正手段は、使用環境温度が所定温度以上のとき前記駆動手段を動作させることを特徴とする請求項９に記載の撮影装置。
【請求項１３】
前記記憶手段に保存されているデータは、前記ＣＣＤ型固体撮像素子が室温以下の温度のときに検出されることを特徴とする請求項２乃至請求項１２のいずれかに記載の撮影装置。
【請求項１４】
半導体基板表面に二次元アレイ状に形成された複数のフォトダイオードから夫々信号電荷を読み出す複数の垂直電荷転送路を備え前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を前記垂直電荷転送路上で電子増倍するＣＣＤ型固体撮像素子で撮像されたデータを補正する撮像画像データ補正方法において、前記垂直電荷転送路の前記電子増倍を行う箇所毎に検出された該電子増倍の増倍率データを予め取得しておき、前記ＣＣＤ型固体撮像素子から出力される撮像画像データを前記増倍率データで補正して該増倍率の前記電子増倍する箇所毎のバラツキを抑制することを特徴とする撮像画像データ補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＣＣＤ型固体撮像素子等に係り、特に、垂直電荷転送路でインパクトイオン化現象を起こすことで信号電荷の増幅を行うＣＣＤ型固体撮像素子及び撮影装置並びに撮像画像データ補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のＣＣＤ型固体撮像素子は素子の微細化が進み、一画素一画素の飽和電荷量が小さくなってきており、暗いシーンを高感度撮影すると、各画素に蓄積される信号電荷量は非常に小さくなってしまう。このため、信号増幅が必要となるが、ＣＣＤ型固体撮像素子の出力段に設けられたフローティングディフュージョンアンプ（ＦＤＡ）やその後段回路ではノイズの影響を受け易く、出力段で信号増幅してもＳ／Ｎの高い増幅出力を得ることはできない。
【０００３】
このため、ＣＣＤ型固体撮像素子の出力段ではなく、信号電荷の転送経路上流側で信号増幅を行うのが好ましく、下記の特許文献１記載の従来技術では、信号電荷を発生させる画素（フォトダイオード）に近い垂直電荷転送路上で信号増幅を行っている。この信号増幅は、インパクトイオン化現象を利用することで行われる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２―２９０８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インパクトイオン化現象を利用することで、信号電荷の電荷量を増幅させることができる。しかも、信号電荷の転送経路上の上流側で行うため、信号電荷の転送中に混入する暗電流分が少ない時に増幅ができるという利点がある。
【０００６】
しかし、垂直電荷転送路は、半導体基板表面に二次元アレイ状に形成された多数の画素の画素列毎に設けられているため、垂直電荷転送路毎に信号増幅率が異なると、この信号増幅率の差が固定パターンとなり、撮像画像信号の画質を低下させてしまう。この差が生じないように固体撮像素子を製造するのは非常に困難であり、固体撮像素子の製造コストが嵩んでしまうという問題がある。
【０００７】
本発明の目的は、垂直電荷転送路上で信号電荷量の増幅を行っても固定パターンによる画質劣化が抑制されしかも低コストのＣＣＤ型固体撮像素子及び撮影装置並びに撮像画像データ補正方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、半導体基板表面に二次元アレイ状に形成された複数のフォトダイオードから夫々信号電荷を読み出す複数の垂直電荷転送路を備え、前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を前記垂直電荷転送路上で電子増倍するＣＣＤ型固体撮像素子において、前記垂直電荷転送路の前記電子増倍を行う箇所毎に検出された該電子増倍の増倍率を示すデータを保存する記憶手段を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の撮影装置は、半導体基板表面に二次元アレイ状に形成された複数のフォトダイオードから夫々信号電荷を読み出す複数の垂直電荷転送路を備えるＣＣＤ型固体撮像素子と、前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を前記垂直電荷転送路上で電子増倍する駆動手段とを備える撮影装置において、前記垂直電荷転送路の前記電子増倍を行う箇所毎に検出された該電子増倍の増倍率を示すデータを保存する記憶手段を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の撮影装置は、前記記憶手段内のデータにより前記ＣＣＤ型固体撮像素子から出力される撮像画像データを補正して前記電子増倍率のバラツキを補正する画像データ補正手段を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の撮影装置における前記増倍率を示すデータは、信号量に依存した複数のパラメータ値で構成されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の撮影装置における前記パラメータ値は、複数の信号量に依存したパラメータ値の間を補間するデータを含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の撮影装置は、電子増倍回数別に前記信号量に依存した複数のパラメータ値を持つことを特徴とする。
【００１４】
本発明の撮影装置は、前記電子増倍を起こすパルス電圧の電圧値別にパラメータ値を持つことを特徴とする。
【００１５】
本発明の撮影装置における前記記憶手段に保存するデータは、前記電子増倍を行う箇所毎の増倍率のうち周囲の増倍率と所定閾値以上異なる増倍率と、該所定閾値範囲内の増倍率の平均値とで構成されることを特徴とする。
【００１６】
本発明の撮影装置の前記記憶手段に保存される前記像倍率は、前記フォトダイオードから信号電荷を前記垂直電荷転送路に読み出さない状態で前記駆動手段を動作させ、暗電流の電子増倍を行うことで検出することを特徴とする。
【００１７】
本発明の撮影装置は、所定照度の光を前記ＣＣＤ型固体撮像素子に照射して前記増倍率を検出する所定量の前記信号電荷を前記フォトダイオードに蓄積させる光源を内蔵することを特徴とする。
【００１８】
本発明の撮影装置は、前記信号電荷を前記垂直電荷転送路に読み出さない状態で前記駆動手段を動作させ、暗電流の電子増倍を行うことで該増倍率を求め該増倍率で前記記憶手段に保存されているデータを補正する増倍率補正手段を備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明の撮影装置の前記増倍率補正手段は、使用環境温度が所定温度以上のとき前記駆動手段を動作させることを特徴とする。
【００２０】
本発明の撮影装置の前記記憶手段に保存されるデータは、前記ＣＣＤ型固体撮像素子が室温以下の温度のときに検出されることを特徴とする。
【００２１】
本発明の撮像画像データ補正方法は、半導体基板表面に二次元アレイ状に形成された複数のフォトダイオードから夫々信号電荷を読み出す複数の垂直電荷転送路を備え前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を前記垂直電荷転送路上で電子増倍するＣＣＤ型固体撮像素子で撮像されたデータを補正する撮像画像データ補正方法において、前記垂直電荷転送路の前記電子増倍を行う箇所毎に検出された該電子増倍の増倍率データを予め取得しておき、前記ＣＣＤ型固体撮像素子から出力される撮像画像データを前記増倍率データで補正して該増倍率の前記電子増倍を行う箇所毎のバラツキを抑制することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、電子増倍率の場所依存性を補正できるため、撮像画像データの固定パターンノイズを抑制することができ、高品質の画像を撮像することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態を適用するＣＣＤ型固体撮像素子の表面模式図である。図１（ａ）は、奇数行の画素（フォドタイオード：ＰＤ）行が偶数行の画素行に対して１／２ピッチづつずらして配置された所謂ハニカム画素配列の固体撮像素子である。各画素列に沿って垂直方向に延びる垂直電荷転送路１１は各画素１２を避けるように蛇行して設けられ、各垂直電荷転送路１１の端部に沿って水平電荷転送路１３が設けられ、その出力段に信号電荷量を電圧値信号に変換するアンプ１４が設けられる。Ｖ１，Ｖ２，…，Ｖ８は、転送電極膜を示し、同一番号の転送電極膜には同一転送パルスが印加される。
【００２５】
図１（ｂ）は、画素１２が正方格子配列された固体撮像素子を示し、各画素列に沿って直線上に延びる垂直電荷転送路１１が設けられ、各垂直電荷転送路１１の端部に沿って水平電荷転送路１３が設けられ、その出力段に信号電荷量を電圧値信号に変換するアンプ１４が設けられる。Ｖ１，Ｖ２，…，Ｖ８は上記と同様にも転送電極膜を示し、同一番号の転送電極膜には同一転送パルスが印加される。
【００２６】
図２は、垂直電荷転送路による転送の様子を示す図である。時刻Ｔ＝０で電極Ｖ３に０Ｖが印加され、電極Ｖ３下に形成された電位井戸内に信号電荷１６が収納される。時刻Ｔ＝１で電極Ｖ４にも０Ｖが印加され、電位井戸が電極Ｖ４下まで伸び、次のＴ＝２で電極Ｖ３に−８Ｖが印加されると、電位井戸は電極Ｖ４下だけとなる。これにより、Ｔ＝０の状態から、信号電荷は１電極分だけ進むことになる。このように、電位井戸の長さを伸縮しながら、信号電荷は、水平電荷転送路１３まで転送される。
【００２７】
図３（ａ）（ｂ）は夫々、図１（ａ）（ｂ）に示す転送電極膜Ｖ３，Ｖ４が隣接するフォトダイオード（画素）１２の拡大図である。各画素１２には転送電極膜Ｖ３，Ｖ４が隣接して設けられるが、転送電極膜Ｖ３は、画素１２方向に延設して設けられているため、読出電極を兼用している。電極Ｖ４は読出電極を兼用しないため、電極Ｖ４に１５Ｖ程度の高電圧を印加しても、画素１２から信号電荷が電極Ｖ４下の電位井戸に読み出されることはない。
【００２８】
図４は、インパクトイオン化現象で信号電荷量を増幅する様子を示す図である。画素から読み出された信号電荷１６は、時刻Ｔ＝０で読出電極兼用の転送電極Ｖ３下に形成される電位井戸内に存在する。このとき、電極Ｖ３には０Ｖの電圧が印加されている。
【００２９】
次の時刻Ｔ＝１で、転送電極Ｖ４に＋１５Ｖの電圧を印加する。これにより、電極Ｖ４下に深い電位井戸が形成され、信号電荷１６は、この深い電位井戸内に落ちる。この電位差１５Ｖでもアバランシェ効果（インパクトイオン化現象）により電子増倍が起こり、信号電荷１６はある増幅率で増倍する。増倍された信号電荷１６，１７を再び電極Ｖ３下の浅い電位井戸内に収納し、再び電極Ｖ４下に深い電位井戸内に落とすことで電子増倍を起こす。
【００３０】
１回のインパクトイオン化現象による電子増倍率が「１．０１」であっても、１００回繰り返すと、２．７倍まで増幅することができる。
【００３１】
ＣＣＤ型固体撮像素子を半導体集積回路製造技術を用いて製造した場合、全ての垂直電荷転送路，転送電極の構造を全く同一に製造することは不可能である。従って、各画素毎の信号電荷増倍を行う箇所の構造に製造バラツキが生じ、これが、電子増倍率のバラツキとなって現れる。
【００３２】
図５は、各画素対応の信号電荷増倍を行う箇所の電子増倍率を例示する図である。図４で説明したインパクトイオン化現象を１００回繰り返すことで、２．７倍程度に増倍しているが、多少のバラツキが生じている。図６は、インパクトイオン化現象を起こす回数を更に増やしたときの電子増倍率のバラツキを示す図である。
【００３３】
図７は、インパクイオン化現象を起こす増倍回数と信号電荷の増幅率との関係を例示するグラフである。ほぼ、線形関係を有するが、非線形関係となる場合もある。これは検査によって固体撮像素子毎に求めるのが良い。
【００３４】
そこで例えば、電子増倍を行う箇所毎の、電子増倍を１００回繰り返したときの図５に示す数値と、更に増倍回数を増やした図６に示す数値とから求めた図７の関係式とをＣＣＤ固体撮像素子製造後の検査等で求め、これをＣＣＤ固体撮像素子を形成したチップ上のメモリに書き込んでおき、あるいはこのＣＣＤ固体撮像素子を搭載した撮影装置を制御するＣＰＵのメモリ内に保存しておき、ＣＣＤ型固体撮像素子の出力画像信号をこのメモリ格納データに基づき補正することで、電子増倍率が場所毎にバラツクことで生じる固定パターンノイズを無くすことが可能となる。
【００３５】
図５，図６は、電子増倍回数別の増幅率のパラメータ値を示しているが、電子増倍率は、電子増倍用電位井戸を形成する電圧、つまり、ＶＬ電圧とＶＨ電圧との差（上記例では１５Ｖ）にも依存するため、電位像倍用のパルス電圧値別に像倍率を持っていても良い。尚、これらのメモリ格納データは、ＣＣＤ型固体撮像素子を使用してデジタルカメラを製造するメーカ側が独自に検査しメモリに格納することでも良い。
【００３６】
図５，図６の電子増倍率のデータは、１６×１６個の画素しか持たない固体撮像素子の例に過ぎない。実際の固体撮像素子は、近年では１０００万画素以上にもなり、全ての電子増倍箇所毎のデータを持つと、データ量が膨大になり、これを保存するメモリ容量も大きくなり、コストが嵩んでしまう。
【００３７】
そこで、図８に示す様に、周りに比べて特異な数値を示す箇所のデータは個々に保存し、それ以外のデータとしては、特異な数値を除いた平均値を使用することで、必要となるデータ量を削減することも可能である。平均値は、電子増倍を行う領域の全平均値でも良く、あるいは、電子増倍を行う領域を複数領域に分割し、各分割領域毎の平均値でも良い。
【００３８】
電子増倍率を求める場合、増倍対象とする電荷量の中に含まれる暗電流分が少ない方が精度を高くすることができる。このため、暗電流分が少なくなるように、より低温で電子増倍率を検出するのが良い。しかし、あまり低すぎると、検出が容易にできなくなるため、撮影装置を通常使用する環境温度より低温度で検査するのが良い。例えば室温以下の１０℃〜２０℃であれば十分な精度の電子増倍率を求めることができる。
【００３９】
より精度の高い電子増倍率Ｋを算出するには、次の図９で説明する方法を採用するのが良い。垂直電荷転送路上で信号電荷の電子増倍を行うと、暗電流分も電子増倍してしまうため、暗電流分の補正を次の様にして行う。
【００４０】
図９（ａ）では、フォトダイオード１２が蓄積した信号電荷を、転送電極Ｖ３に例えば＋１０Ｖの読出電圧を印加することで電極Ｖ３下の電位井戸内に読み出す。そして、図４で説明した様に、電極Ｖ３，Ｖ４間でインパクトイオン化現象を所定数回繰り返し、電子増倍を行う。しかし、増幅された電荷量には電子増倍された暗電流分も含まれる。増幅後の電荷量をＡ（ｎ，ｍ）とすると、これは、電子増倍した信号電荷＋電子増倍した暗電流となる。尚、（ｎ，ｍ）は、図５のｎ行ｍ列目の位置を示す。
【００４１】
図９（ｂ）では、フォトダイオードからの信号読出を行わず、電子増倍を所定数回繰り返す。得られた電荷量は、暗電流分を電子増倍した電荷量であり、これをＢ（ｎ，ｍ）とする。
【００４２】
図９（ｃ）では、図９（ａ）と同様にしてフォトダイオードの蓄積電荷を電極Ｖ３下の電位井戸内に読み出す。しかし、電子増倍は行わず、電位井戸の長さの短縮だけを所定数回繰り返し、得られた電荷量を、Ｃ（ｎ，ｍ）とする。この電荷量は、信号電荷量＋暗電流分となる。
【００４３】
図９（ｄ）では、フォトダイオードから垂直電荷転送路への信号電荷の読み出しは行わず、電極Ｖ３下の電位井戸の長さの短縮だけを所定数回繰り返す。得られた電荷量を、Ｄ（ｎ，ｍ）とする。この電荷量は、暗電流分である。
【００４４】
｛Ａ（ｎ，ｍ）−Ｂ（ｎ，ｍ）｝を算出することで、信号電荷だけの電子増倍量を求めることができ、｛Ｃ（ｎ，ｍ）−Ｄ（ｎ，ｍ）｝を算出することで、暗電流分を差し引いた信号電荷量を求めることができる。
【００４５】
そこで、
Ｋ＝｛Ａ（ｎ，ｍ）−Ｂ（ｎ，ｍ）｝／｛Ｃ（ｎ，ｍ）−Ｄ（ｎ，ｍ）｝
を算出すれば、信号電荷だけの電子増倍率が得られる。
【００４６】
上述した電子増倍率Ｋのパラメータ値を検査で求める場合、ＣＣＤ型固体撮像素子に対し一様光源から光を照射して行い、この光の照度即ち信号電荷量を精度良く調整できる光源を用意する必要がある。
【００４７】
また、一度検査した電子増倍率のパラメータ値は、固体撮像素子の経年変化によって変動する場合もある。そこで、例えば、撮影装置内部に図１０に示す様な固体撮像素子撮像面２１を一様に照明するフラッシュ光源やＬＥＤ光源２２を設置しておき、撮影装置で撮影を行っていないときに、この光源２２で撮像面２１を照明して信号電荷をフォトダイオードに蓄積させ、図９で説明した電位井戸の伸縮やインパクトイオン化動作を行うことで、固体撮像素子の経年変化に対応した電子増倍率のパラメータ値の更新を行うことが可能となる。
【００４８】
上述した実施形態では、電子増倍率を、信号電荷を主体として求めているが、暗電流分だけで、簡易的に電子増倍率を検出することも可能である。図１１は、通常のＣＣＤ型固体撮像素子の駆動タイミングチャートである。この通常の駆動中にも、垂直電荷転送路上に暗電流分が発生し、蓄積される。暗電流は、非常に小さいため、図１２に示す様に、垂直転送を止めている時間を長くすることで、垂直電荷転送路上の暗電流分を増加させても良い。
【００４９】
そして、図９（ｂ）の駆動モードで暗電流分の増倍を行い、得られた電荷量を、図９（ｄ）の駆動モードで得られた暗電流で割れば、電子増倍率を算出することが可能となる。
【００５０】
図１３は、暗電流を用いた電子増倍率の検出を行うときの駆動タイミングを示す図であり、この例では、固体撮像素子から２フィールド読み出しを行っており、２フィールド読み出し後に、各画素からの信号電荷の読み出しは行わずに、暗電流による電子増倍率のデータ取得を行っている。
【００５１】
この暗電流分の電子増倍から求める簡易的な電子増倍率の検出は、固体撮像素子を撮影装置に搭載した後でも実施でき、予め検出されメモリ内に保存されている、図５に示す様な、低温で検査したため暗電流分を考慮していない電子増倍率を、暗電流から求めた電子増倍率で補正することで、固体撮像素子の経年変化を補正することも可能である。
【００５２】
或いは経年変化でなく、そのときの撮影装置の使用環境温度によって暗電流分を考慮する必要が生じたとき、図５の電子増倍率を、暗電流により得られた電子増倍率で補正することも可能である。暗電流分を考慮する必要があるのは、周囲温度が高温で暗電流の発生率が高い状態のときであるため、温度センサで所定温度以上を検知したときや、暗電流分が所定以上多いときに、図１３に示す暗電流による電子増倍率の検出を行い、それ以外のとき暗電流による電子増倍率の検出は行わず撮影時間の短縮を図るのが良い。
【００５３】
尚、上述した実施形態では、フォトダイオードから垂直電荷転送路に信号電荷を読み出すときにインパクトイオン化現象を起こさせていないが、読み出し時にインパクトイオン化現象を起こさせ、更に垂直電荷転送路でインパクトイオン化現象を起こさせることでも良い。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明によれば、垂直電荷転送路上で電子増倍を繰り返し信号電荷量を増幅するＣＣＤ型固体撮像素子等で固定パターンノイズを除去するため、信号電荷量の少ない高感度モードを搭載したデジタルカメラ等に適用すると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像素子の表面模式図である。
【図２】ＣＣＤ型固体撮像素子における垂直転送の説明図である。
【図３】図１に示すフォトダイオード（ＰＤ）の拡大表面図である。
【図４】垂直電荷転送路で行う電子増倍の説明図である。
【図５】垂直電荷転送路で電子増倍を行ったときの電子増倍率のバラツキを示す図である。
【図６】垂直電荷転送路で行う電子増倍回数を増加させたときの電子増倍率のバラツキを示す図である。
【図７】電子増倍回数と増倍率との関係の一例を示すグラフである。
【図８】電子増倍率の特異値を例示する図である。
【図９】暗電流の影響を除去した電子増倍率の検出説明図である。
【図１０】撮影装置内に検査用光源を設置した説明図である。
【図１１】通常のＣＣＤ型固体撮像素子の駆動タイミングを示すチャートである。
【図１２】垂直転送を止めている時間を長くしたときの駆動タイミングチャートである。
【図１３】２フィールド読み出し時の暗電流による電子増倍率の検出タイミングを示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１  垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）
１２  フォトダイオード（ＰＤ：画素）
１３  水平電荷転送路（ＨＣＣＤ）
１４  アンプ
１６  信号電荷
【図１】
2008252851.tif 000003
【図２】
2008252851.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008252851.tif 000008
【図７】
2008252851.tif 000009
【図８】
2008252851.tif 000010
【図９】
2008252851.tif 000011
【図１０】
2008252851.tif 000012
【図１１】
2008252851.tif 000013
【図１２】
2008252851.tif 000014
【図１３】
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