(57)【要約】【課題】配向性が充分に高い有機半導体膜を簡便に製造できる有機半導体膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の有機半導体膜の製造方法は、有機半導体化合物Ｂを原料として用いた気相成長により、基板１３の表面に有機半導体膜を形成させる有機半導体膜の製造方法であって、基板１３と有機半導体化合物Ｂとを、隙間Ｎが形成されるように隣接させた状態で、圧力１０−２〜１０６Ｐａの雰囲気下で、有機半導体化合物を加熱する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体化合物を原料として用いた気相成長により、基板の表面に有機半導体膜を形成させる有機半導体膜の製造方法であって、
基板と有機半導体化合物とを、隙間が形成されるように隣接させた状態で、圧力１０−２Ｐａ〜１０６Ｐａの雰囲気下で、有機半導体化合物を加熱することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
【請求項２】
基板と有機半導体化合物の一部とを接触させることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項３】
有機半導体化合物の加熱温度を、有機半導体化合物の融点以下とすることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項４】
基板と有機半導体化合物の全部との間に隙間を有することを特徴とする請求項１に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項５】
有機半導体化合物を加熱する際の雰囲気を窒素雰囲気とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機半導体膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体化合物からなる有機半導体膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの軽量化や可撓化等を目的として、有機半導体化合物からなる有機半導体膜を備えた有機デバイスに関する研究が広く行われている。
有機半導体膜の製造方法としては、例えば、真空蒸着あるいはスパッタにより基板表面に有機半導体膜を形成させる気相成長法、塗布やキャスト等により有機半導体膜を形成させる液相成膜法などが知られている。また、有機半導体化合物の原料を分解用容器内で熱分解させ、その分解物を蒸着用容器内の基板に気相輸送して、基板表面に膜を成長させる気相輸送成長法などが提案されている（非特許文献１参照）。
ところで、有機半導体膜としては、電気特性や光学特性が向上することから、配向性が高いことが求められる。有機半導体膜の配向性を向上させる方法としては、例えば、気相成長法において基板表面を処理したり、温度を適宜選択したりする方法が知られ、液相成膜法においては単分子膜法等の自己配列法が知られている。
【非特許文献１】ブルース・ジェイ・ハンフレイ（Ｂｒｕｃｅ  Ｊ．Ｈｕｍｐｈｒｅｙ），「ジャーナル  オブ  アメリカン  インスティチュート  フォ  コンサヴェイション（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｆｏｒ  Ｃｏｎｓｅｒｖａｔｉｏｎ）」，米国，１９８６年，第２５巻，第１号，ｐ．１５−２９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来知られた有機半導体膜の製造方法はいずれも簡便な方法とはいえず、実用に適していない上に、得られる有機半導体膜の配向性も不充分であった。
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、配向性が充分に高い有機半導体膜を簡便に製造できる有機半導体膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、以下の構成を包含する。
［１］  有機半導体化合物を原料として用いた気相成長により、基板の表面に有機半導体膜を形成させる有機半導体膜の製造方法であって、
基板と有機半導体化合物とを、隙間が形成されるように隣接させた状態で、圧力１０−２Ｐａ〜１０６Ｐａの雰囲気下で、有機半導体化合物を加熱することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
［２］  基板と有機半導体化合物の一部とを接触させることを特徴とする［１］に記載の有機半導体膜の製造方法。
［３］  有機半導体化合物の加熱温度を、有機半導体化合物の融点以下とすることを特徴とする［２］に記載の有機半導体膜の製造方法。
［４］  基板と有機半導体化合物の全部との間に隙間を有することを特徴とする［１］に記載の有機半導体膜の製造方法。
［５］  有機半導体化合物を加熱する際の雰囲気を窒素雰囲気とすることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載の有機半導体膜の製造方法。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の有機半導体膜の製造方法によれば、配向性が充分に高い有機半導体膜を簡便に製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
（第１の実施形態例）
本発明の有機半導体膜の製造方法の第１の実施形態例について説明する。
本実施形態例の有機半導体膜の製造方法は、有機半導体化合物を原料として用いた気相成長により、基板表面に有機半導体膜を形成させる方法であって、基板と粉状の有機半導体化合物とを接触させた状態で、有機半導体化合物を加熱する方法である。
以下、具体的に説明する。
【０００７】
本実施形態例の有機半導体膜の製造方法では、まず、図１に示すように、ヒータ１１上に配置された支持台１２上に、粉状の有機半導体化合物Ａを載せ、また、有機半導体化合物Ａの上に基板１３を載せる。ここで、有機半導体化合物Ａは粉状であるため、図２に示すように、有機半導体化合物Ａの一部と基板１３とは接触するが、有機半導体化合物Ａと基板１３との間に隙間Ｎも形成される。
次いで、ヒータ１１を加熱し、支持台１２を介して有機半導体化合物Ａを加熱して、有機半導体化合物Ａを昇華（気化）させる。そして、基板１３の下面に、有機半導体化合物からなる有機半導体膜を形成させる。
【０００８】
この製造方法においては、有機半導体化合物Ａを加熱する際の雰囲気圧力を１０−２Ｐａ〜１０６Ｐａとする。雰囲気の圧力を１０−２Ｐａ未満とすると、得られる有機半導体膜の配向性が低くなる。また、雰囲気の圧力を１０６Ｐａ以下とすることにより、耐圧性の高い容器を用いる必要がなく、有機半導体膜を製造するための装置を簡便な構成にできる。
なお、この製造方法では、雰囲気の圧力を大気圧以上としても、得られる有機半導体膜の配向性を確保できる。
【０００９】
加熱の際の雰囲気は、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気であってもよいし、有機半導体化合物が変質しなければ空気等のように酸素を含む雰囲気であってもよい。中でも、高性能な有機半導体膜を製造できる点では、窒素雰囲気が好ましい。
【００１０】
有機半導体化合物Ａの加熱温度は、有機半導体化合物Ａの融点以下とすることが好ましく、有機半導体化合物Ａの融点より１〜１００℃低いことがより好ましい。ただし、加熱温度は、加熱において温度制御可能な最低温度（具体的には４０℃程度）より低くすることはない。
【００１１】
基板１３の温度は、有機半導体膜が形成しやすくなることから、有機半導体化合物Ａの温度より低いことが好ましい。基板１３の温度を有機半導体化合物Ａの温度より低くするためには、基板１３を冷却しても構わない。
【００１２】
この製造方法で使用される有機半導体化合物Ａは、通常、π共役系の化合物であり、例えば、テトラセン（化学式（１））、ペンタセン（化学式（２））、クアテルフェニル（化学式（３））、キンクエフェニル（化学式（４））、セクシフェニル（化学式（５））などが挙げられる。
【００１３】
【化１】
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【００１４】
【化２】
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【００１５】
【化３】
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【００１６】
【化４】
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【００１７】
【化５】
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【００１８】
また、有機半導体化合物Ａとして、チオフェン−フェニレンコオリゴマーが挙げられる。ここで、チオフェン−フェニレンコオリゴマーとは、チオフェン環とフェニレン（ベンゼン）環とが一次元的に結合した化合物のことである。
チオフェン−フェニレンコオリゴマーの具体例としては、例えば、下記化学式（６）〜（２３）で表されるものが挙げられる。
【００１９】
【化６】
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【００２０】
【化７】
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【００２１】
【化８】
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【００２２】
【化９】
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【００２３】
【化１０】
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【００２４】
【化１１】
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【００２５】
【化１２】
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【００２６】
【化１３】
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【００２７】
【化１４】
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【００２８】
【化１５】
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【００２９】
【化１６】
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【００３０】
【化１７】
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【００３１】
【化１８】
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【００３２】
【化１９】
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【００３３】
【化２０】
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【００３４】
【化２１】
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【００３５】
【化２２】
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【００３６】
【化２３】
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【００３７】
上記有機半導体化合物の中でも、配向性がより高い有機半導体膜を製造できることから、チオフェン−フェニレンコオリゴマーが好ましい。
なお、上記化学式（１）〜（２３）の融点を表１に示す。
【００３８】
【表１】
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【００３９】
基板１３としては、例えば、シリコン基板等の無機半導体基板、ガラス基板、ポリイミド基板などを使用することができる。これらのうち、ポリイミド基板は有機半導体化合物に近い熱膨張係数を有しており、冷却時に有機半導体膜と略同等に収縮するため、基板１３との収縮差の違いによるクラックが生じにくい。そのため、最終的に、ドメインのサイズがより大きい有機半導体膜が得られる。
【００４０】
以上説明した第１の実施形態例の製造方法では、加熱によって昇華した有機半導体化合物が、有機半導体化合物Ａと基板１３との隙間Ｎを通って、基板１３の表面に付着する。したがって、気相成長により、基板１３の表面に有機半導体化合物からなる有機半導体膜を形成させることができる。この製造方法では、高真空等の特殊な雰囲気にする必要がないし、複雑な操作も不要であるため、簡便に有機半導体膜を製造できる。しかも、本発明者らが調べた結果、本実施形態例の製造方法により得られる有機半導体膜は、配向性が充分に高いことが判明した。
【００４１】
（第２の実施形態例）
本発明の有機半導体膜の製造方法の第２の実施形態例について説明する。
本実施形態例の有機半導体膜の製造方法は、有機半導体化合物を原料として用いた気相成長により、基板表面に有機半導体膜を形成させる方法であって、有機半導体化合物と基板とを接触させず、間隔を有した状態で、有機半導体化合物を加熱する方法である。
以下、具体的に説明する。
【００４２】
本実施形態例の有機半導体膜の製造方法では、まず、図３に示すように、ヒータ１１上に配置された支持台１２上に膜状の有機半導体化合物Ｂを載せ、支持台１２上の膜状の有機半導体化合物Ｂの両端側に２つのスペーサ１４ａ，１４ｂを載せ、２つのスペーサ１４ａ，１４ｂの上に基板１３を載せる。ここで、膜状の有機半導体化合物Ｂとしては、例えば、粉状の有機半導体化合物を一旦溶融した後に冷却することにより得られたものなどが挙げられる。
次いで、ヒータ１１を加熱し、支持台１２を介して膜状の有機半導体化合物Ｂを加熱して、有機半導体化合物を昇華（気化）させる。そして、基板１３の下面に、有機半導体化合物からなる有機半導体膜を形成させる。
【００４３】
この製造方法において、第１の実施形態例と同様の理由から、膜状の有機半導体化合物Ｂを加熱する際の雰囲気圧力を１０−２Ｐａ〜１０６Ｐａとする。
有機半導体化合物および基板１３としては、第１の実施形態例と同様のものを使用することができる。
【００４４】
膜状の有機半導体化合物Ｂの加熱温度は、有機半導体化合物の融点以下であってもよいし、融点を超えてもよい。ただし、有機半導体化合物の充分な昇華量を確保するためには、加熱温度を、融点以下で（融点−１００℃）以上とすることが好ましい。
【００４５】
本実施形態例では、膜状の有機半導体化合物Ｂの両端側の２つのスペーサ１４ａ，１４ｂによって基板１３と膜状の有機半導体化合物Ｂとを接触させずに、隙間Ｎを設けている。基板１３と膜状の有機半導体化合物Ｂとの間隔は１０μｍ〜１ｃｍであることが好ましい。基板１３と膜状の有機半導体化合物Ｂとの間隔が１０μｍ以上であれば、膜厚を容易に均一にでき、１ｃｍ以下であれば、結晶サイズを大きくすることができる。
スペーサの材質としては、例えば、ガラス、金属、セラミックスなどが挙げられる。
【００４６】
以上説明した第２の実施形態例の製造方法では、加熱によって昇華した有機半導体化合物が、膜状の有機半導体化合物Ｂと基板１３との隙間Ｎを通って、基板１３の表面に付着する。したがって、本実施形態例でも、気相成長により、基板１３の表面に有機半導体化合物からなる有機半導体膜を簡便に形成させることができる。しかも、本発明者らが調べた結果、本実施形態例の製造方法により得られる有機半導体膜も、配向性が充分に高いことが判明した。
また、上述した第２の実施形態例では、原料の有機半導体化合物を膜状としているため、有機半導体化合物を均一に昇華させることができ、得られる有機半導体膜の膜厚を容易に均一にできる。
【００４７】
なお、本発明は上述した実施形態例に限定されない。例えば、上述した第１の実施形態例における有機半導体化合物は粉状であったが、図４に示すように、表面に凹凸を有する膜状の有機半導体化合物Ｃであってもよい。この場合でも、有機半導体化合物Ｃの一部が基板１３と接触して、隙間Ｎが形成される。
また、上述した第２の実施形態例における有機半導体化合物の形態は、膜状であったが、粉状であってもよい。
また、第２の実施形態例では、スペーサを用いて有機半導体化合物と基板との間に間隔を設けたが、基板を固定する治具を用いて、有機半導体化合物と基板との間に間隔を設けてもよい。
【実施例】
【００４８】
（実施例１）
実施例１は第１の実施形態例に対応する例であり、支持台１２として１８ｍｍ×１８ｍｍのカバーガラスを用い、有機半導体化合物Ａとして、上記化学式（２２）で表される化合物（５，５''''−ジフェニル−２，２’：５’，２”：５”，２'''：５'''，２''''−キンクエチオフェン、以下、Ｐ５Ｔと表記する。）の粉末を用い、基板１３として、１５ｍｍ×１５ｍｍの酸化膜付シリコン基板を用いた。
本例の製造方法では、まず、ヒータ１１上に配置した支持台１２上に粉状のＰ５Ｔを載せ、Ｐ５Ｔの上に基板１３を載せた。次いで、ヒータ１１により、支持台１２上のＰ５Ｔを、大気圧の窒素雰囲気下、ヒータ温度２９０℃、４時間加熱して昇華させ、粉状のＰ５Ｔの上方に位置する酸化膜付シリコン基板表面に、有機半導体膜であるＰ５Ｔの結晶膜を形成させた。
【００４９】
図５，６に、実施例１の製造方法により得たＰ５Ｔの結晶膜の顕微鏡像を示し、図７，８に偏光顕微鏡像を示す。なお、図６の顕微鏡像は図５の顕微鏡像を４５度回転させた像であり、図８の偏光顕微鏡像は図７の偏光顕微鏡像を４５度回転させたものである。
これらの像より、数十μｍ四方の範囲にわたって配向していることが確認できる。また、図７の偏光顕微鏡像において線で囲った白く見えている部分が、４５度回転後の図８の偏光顕微鏡像では暗くなっていた。したがって、得られた結晶膜は高い偏光性を持っており、高い配向性を有している。
【００５０】
（実施例２）
実施例２は第２の実施形態例に対応する例であり、支持台１２として１８ｍｍ×１８ｍｍのカバーガラスを用い、有機半導体化合物Ａとして、上記化学式（２３）で表される化合物（５，５'''''−ジフェニル−２，２’：５’，２”：５”，２'''：５'''，２''''：５''''，２'''''−セクシチオフェン、以下、Ｐ６Ｔと表記する。）の膜を用い、基板１３として、２．９ｍｍ×２０ｍｍの酸化膜付シリコン基板を用いた。
Ｐ６Ｔの膜は次のようにして作製した。まず、ヒータ上に９ｍｍ×２３ｍｍのシリコン基板を載せ、その上にＰ６Ｔの粉末５．０３ｍｇを載せ、Ｐ６Ｔの粉末の上に１８ｍｍ×１８ｍｍのカバーガラスを載せた。次いで、Ｐ６Ｔの粉末を融点である３９２℃まで加熱して溶融させた後、室温まで冷却して膜を形成した。なお、有機半導体膜の製造の際には、シリコン基板とカバーガラスとを引き剥がした後の、カバーガラスに付着した膜（厚さ約３０μｍ）を用いた。
【００５１】
本例の製造方法では、まず、ヒータ１１上に配置した支持台１２上にＰ６Ｔの膜を載せ、支持台１２上のＰ６Ｔの膜の両端側に厚さ１４５μｍの２つのガラス製スペーサ１４ａ，１４ｂを配置させ、また、２つのガラス製スペーサ１４ａ，１４ｂの上に基板１３を載せた。次いで、ヒータ１１により、支持台１２上のＰ６Ｔを、大気圧の空気雰囲気下、ヒータ温度３７０℃、１時間加熱して昇華させ、Ｐ６Ｔの膜の上方に位置する酸化膜付シリコン基板表面に、有機半導体膜であるＰ６Ｔの結晶膜を形成させた。
図９に、実施例２の製造方法により得たＰ６Ｔの結晶膜の顕微鏡像を示す。この像より、配向性の高い膜が得られたことが判明した。
【００５２】
（実施例３）
スペーサとして厚さ２９０μｍのものを用い、酸化膜付きシリコン基板として２．３ｍｍ×２０ｍｍのものを用いたこと以外は実施例２と同様にして、Ｐ６Ｔの結晶膜を製造した。
図１０に、実施例３の製造方法により得たＰ６Ｔの結晶膜の顕微鏡像を示す。この像より、配向性の高い膜が得られたことが判明した。
【００５３】
（実施例４）
実施例４は第２の実施形態例に対応する例であり、支持台１２として１８ｍｍ×１８ｍｍのカバーガラスを用い、有機半導体化合物Ａとして、上記化学式（１９）で表される化合物（１，４−ビス（５’−フェニルチオフェン−２’−イル）ベンゼン、以下、ＡＣ５と表記する。）の膜を用い、基板１３として、１０ｍｍ×１０ｍｍの酸化膜付シリコン基板を用いた。
ＡＣ５の膜は次のようにして作製した。まず、ヒータ上に６．５ｍｍ×１８ｍｍのシリコン基板を載せ、その上にＡＣ５の粉末を約５ｍｇ載せ、ＡＣ５の粉末の上に１８ｍｍ×１８ｍｍのカバーガラスを載せた。次いで、ＡＣ５の粉末を融点である３０６℃まで加熱して溶融させた後、室温まで冷却して膜を形成した。なお、有機半導体膜の製造の際には、シリコン基板とカバーガラスとを引き剥がした後の、カバーガラスに付着した膜（厚さ約３０μｍ）を用いた。
【００５４】
本例の製造方法では、まず、ヒータ１１上に配置した支持台１２上にＡＣ５の膜を載せ、支持台１２上のＡＣ５の両端側に厚さ１５０μｍの２つのスペーサ１４ａ，１４ｂを配置させ、また、両端の２つのガラス製スペーサ１４ａ，１４ｂの上に基板１３を載せた。次いで、ヒータ１１により、支持台１２上のＡＣ５を、大気圧の空気雰囲気下、ヒータ温度２２０℃、１時間加熱して昇華させ、ＡＣ５の膜の上方に位置する酸化膜付シリコン基板表面に、有機半導体膜であるＡＣ５の結晶膜を形成させた。
図１１に、実施例４の製造方法により得たＡＣ５の結晶膜の顕微鏡像を示す。
【００５５】
（実施例５）
ヒータ温度を２３０℃としたこと以外は実施例４と同様にして、ＡＣ５の結晶膜を製造した。図１２に、実施例５の製造方法により得たＡＣ５の結晶膜の顕微鏡像を示す。
【００５６】
（実施例６）
ヒータ温度を２４０℃とし、酸化膜付きシリコン基板として８．５ｍｍ×１９ｍｍのものを用いたこと以外は実施例４と同様にして、ＡＣ５の結晶膜を製造した。図１３に、実施例６により得たＡＣ５の結晶膜の顕微鏡像を示す。
【００５７】
（実施例７）
ヒータ温度を２５０℃とし、酸化膜付きシリコン基板として７．５ｍｍ×１９ｍｍのものを用いたこと以外は実施例４と同様にして、ＡＣ５の結晶膜を製造した。図１４に、実施例７により得たＡＣ５の結晶膜の顕微鏡像を示す。
【００５８】
（実施例８）
ヒータ温度を２６０℃とし、酸化膜付きシリコン基板として１０ｍｍ×１８ｍｍのものを用いたこと以外は実施例４と同様にして、ＡＣ５の結晶膜を製造した。図１５に、実施例８の製造方法により得たＡＣ５の結晶膜の顕微鏡像を示す。
【００５９】
図１１〜１５に示す顕微鏡像より、いずれも明瞭な６角形の結晶が存在しており、ＡＣ５結晶に特徴的な結晶面が現れていることを確認できた。また、いずれの例でも、数１００μｍサイズで配向性の高い結晶膜を作製できることが判明した。
また、実施例４〜８の結果より、加熱温度が低くなる程、得られる有機半導体膜の量が少なくなることが判明した。
【００６０】
（実施例９）
実施例９は第２の実施形態例に対応する例であり、支持台１２として１８ｍｍ×１８ｍｍのカバーガラスを用い、有機半導体化合物Ａとして、上記化学式（１７）で表される化合物（２，５−ビス（４−ビフェニリル）−２，２’：５’，２”−ターチオフェン、以下、ＢＰ３Ｔと表記する。）の膜を用い、基板１３として、３．５ｍｍ×２２ｍｍの酸化膜付シリコン基板を用いた。
ＢＰ３Ｔの膜は次のようにして作製した。まず、ヒータ１１上に配置したヒータ上に７ｍｍ×１８ｍｍのシリコン基板を載せ、その上にＢＰ３Ｔの粉末を３．９５ｍｇ載せ、ＢＰ３Ｔの粉末の上に１８ｍｍ×１８ｍｍのカバーガラスを載せた。次いで、ＢＰ３Ｔの粉末を融点である３８８℃まで加熱して溶融させた後、室温まで冷却して膜を形成した。なお、有機半導体膜の製造の際には、シリコン基板とカバーガラスとを引き剥がした後の、カバーガラスに付着した膜（厚さ約２０μｍ）を用いた。
【００６１】
本例の製造方法では、まず、支持台１２上にＢＰ３Ｔの膜を載せ、ＢＰ３Ｔの膜の両端側に厚さ１４５μｍの２つのガラス製スペーサ１４ａ，１４ｂを配置させ、また、２つのスペーサ１４ａ，１４ｂの上に基板１３を載せた。次いで、ヒータ１１により、支持台１２上のＢＰ３Ｔを、大気圧の空気雰囲気下、ヒータ温度３３０℃、１時間加熱して昇華させ、ＢＰ３Ｔの膜の上方に位置する酸化膜付シリコン基板表面に、有機半導体膜であるＢＰ３Ｔの結晶膜を形成させた。
図１６に、実施例９の製造方法により得たＢＰ３Ｔの結晶膜の顕微鏡像を示す。この顕微鏡像より求めた平均結晶サイズは１００μｍであった。また、得られた結晶膜は配向性が高かった。
【００６２】
（実施例１０）
ＢＰ３Ｔの加熱時間を３時間とし、酸化膜付きシリコン基板として４．０ｍｍ×２２ｍｍのものを用いたこと以外は実施例９と同様にして、ＢＰ３Ｔの結晶膜を製造した。図１７に、実施例１０の製造方法により得たＢＰ３Ｔの結晶膜の顕微鏡像を示す。この顕微鏡像より求めた平均結晶サイズは３００μｍであった。また、得られた結晶膜は配向性が高かった。
【００６３】
（実施例１１）
ＢＰ３Ｔの加熱時間を７時間とし、酸化膜付きシリコン基板として２．５ｍｍ×２２ｍｍのものを用いたこと以外は実施例９と同様にして、ＢＰ３Ｔの結晶膜を製造した。図１８に、実施例１１の製造方法により得たＢＰ３Ｔの結晶膜の顕微鏡像を示す。この顕微鏡像より求めた平均結晶サイズは４００μｍであった。また、得られた結晶膜は配向性が高かった。
【００６４】
実施例９〜１１に示すように、加熱時間が長くなる程、結晶の平均サイズが大きくなることが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の有機半導体膜の製造方法の第１の実施形態例を説明する図である。
【図２】図１に示す実施形態例において、粉状の有機半導体化合物に基板が接触する部分を拡大した図である。
【図３】本発明の有機半導体膜の製造方法の第２の実施形態例を説明する図である。
【図４】膜状の有機半導体化合物に基板が接触する部分を拡大した図である。
【図５】実施例１における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図６】図５に示す顕微鏡像を４５度回転させた状態の像である。
【図７】実施例１における有機半導体膜の偏光顕微鏡像である。
【図８】図７に示す偏光顕微鏡像を４５度回転させた状態の像である。
【図９】実施例２における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図１０】実施例３における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図１１】実施例４における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図１２】実施例５における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図１３】実施例６における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図１４】実施例７における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図１５】実施例８における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図１６】実施例９における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図１７】実施例１０における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【図１８】実施例１１における有機半導体膜の顕微鏡像である。
【符号の説明】
【００６６】
１１  ヒータ
１２  支持台
１３  基板
１４ａ，１４ｂ  スペーサ
Ａ，Ｂ，Ｃ  有機半導体化合物
Ｎ  隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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