(57)【要約】【課題】大型基板から複数のＥＬ素子パネルを多面取りする場合に特に有効な、封止基板及びその製造方法、ＥＬ素子パネルの製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】複数のエレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板と、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に設けられている封止基板とを貼り合わせることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のエレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板上に設けるための封止基板であって、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に設けられていることを特徴とする封止基板。
【請求項２】
複数のエレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板上に設けるための封止基板の製造方法であって、接着剤層を転写基材上に形成した後、前記接着剤層を第一基材上に転写して、接着剤層パターンを前記第一基材上の前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に形成することを特徴とする封止基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の封止基板の製造方法であって、前記接着剤層を、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域の外周部に少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非転写層パターンが設けられた前記第一基板上に転写して前記接着剤層パターンを形成することを特徴とする封止基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の封止基板の製造方法であって、前記接着剤層を、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域の外周部に少なくともフッ素樹脂を含む非転写層パターンが設けられた前記第一基板上に転写して前記接着剤層パターンを形成することを特徴とする封止基板の製造方法。
【請求項５】
前記非転写層パターンと前記第一基材の界面強度が、前記接着剤層パターンと前記転写基材の界面強度よりも小さいことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の封止基板の製造方法。
【請求項６】
前記第一基材が透明基材であることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の封止基板の製造方法。
【請求項７】
複数のエレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板と、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に設けられている封止基板とを貼り合わせることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項８】
前記封止基板が、接着剤層を転写基材上に形成した後、前記接着剤層を前記第一基材上に転写して、前記接着剤層パターンを前記第一基材上の前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に形成してなることを特徴とする請求項７に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項９】
前記第一基材が透明基材であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
エレクトロルミネッセンス素子パネル用の封止基板及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法に関する。特には、大型基板で複数のエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する場合（以下、多面取り、ともいう）に有効な封止基板及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯電話やＰＤＡ等の携帯機器やパーソナルコンピューター等の表示部に、エレクトロルミネッセンス（以下、単にＥＬともいう）表示装置を用いたものが開発されている。ＥＬ表示装置は、単独またはアレイ状の発光層を有するＥＬ素子を駆動し、所望の表示を行っている。このようなＥＬ表示装置は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、例えば素子基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型のものとに分類できるが、材料選択の自由度が高い等の理由から、これまで主にボトムエミッション型の構造について研究されてきた。
【０００３】
一方、表示装置の分野では、大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、ＥＬ表示装置についても大型化を目指した研究が盛んに行われている。しかし、上述のボトムエミッション型のＥＬ表示装置を大型化した場合、電極に信号を供給する配線電極を太くする必要があり、画素の開口率が低下するという問題があった。また、このように開口率が低下した場合、画素の輝度を確保するために発光層に大きな電流を流す結果、製品寿命が短くなるという問題も生じていた。このため、近年、画素の開口率が配線等の構造に影響されないトップエミッション型の構造が注目され、盛んに研究されている。
【０００４】
ここで、ＥＬ素子は、陽極としての電極と、陰極としての電極との間に、少なくともＥＬ現象を呈する発光層を挟持してなる構造を有し、電極間に電圧が印加されると、発光層に正孔と電子が注入され、この正孔と電子とが発光層で再結合することにより、発光層が発光する自発光型の素子である。さらに、発光効率を増大させるなどの目的から、陽極と発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層、又は、及び、発光層と陰極との間に電子輸送層、電子注入層などが適宜選択して設けられている。そして、発光層とこれら正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを合わせて発光媒体層と呼ばれている。
【０００５】
ＥＬ素子には、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とがあるが、有機ＥＬ素子の発光媒体層の典型的な例としては、正孔注入層に銅フタロシアニン、正孔輸送層にＮ、Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−１、１’−ビフェニル−４、４’−ジアミン、蛍光体層にトリス（８−キノリノール）アルミニウムをそれぞれ積層した低分子型ＥＬ素子や、正孔輸送層にポリチオフェン誘導体、発光層にポリアルキルフルオレン誘導体を積層した高分子型ＥＬ素子がある。
【０００６】
ＥＬ素子は、発光媒体層や陰極層を大気暴露させた状態で放置すると、大気中の水分や酸素により劣化することが知られている。特に水分の影響は顕著で、具体的な代表例として、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生し、時間の経過と共に拡大するといった現象がある。
【０００７】
そこで、水分を遮断する封止構造が必要となるが、従来は水分を遮断するガラス又は金属製の封止缶を接着剤で貼り合わせて中空構造とし、接着剤断面から侵入する水分は、封止缶の内側に設けた乾燥剤で捕集し、素子に到達させない構造（缶封止構造）を一般に用いてきた（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００８】
しかしながら、トップエミッション構造では、表示側に中空の封止缶を被せると、画像の多重化を引き起こすため、好ましくない。従って、平板を密着させて封止するベタ封止が必要となる。ベタ封止の方法として、例えば特許文献３のようにシート状の固体接着剤と平板をＥＬ素子上に貼り合わせる方法が提案されているが、このようなシート状の固体接着剤を複数のＥＬ素子が設けられた多面取り用の素子基板上に貼り合わせた場合、ＥＬ素子の外周部に設けられた配線部も接着剤で覆われてしまい、ＥＬ素子を駆動させることが出来なくなってしまうという問題があった。
【特許文献１】特開平７−１６９５６７号公報
【特許文献２】特開平１０−１２３７６号公報
【特許文献３】特開２００６−１７９３５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題を鑑みてなされたもので、大型基板から複数のＥＬ素子パネルを多面取りする場合に特に有効な、封止基板及びその製造方法、ＥＬ素子パネルの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係る発明は、複数のエレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板上に設けるための封止基板であって、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に設けられていることを特徴とする封止基板である。
【００１１】
第一基材上の少なくともＥＬ素子表示領域に接着剤層パターンが複数設けられていることで、ＥＬ素子をベタ封止できると同時に、ＥＬ素子の配線部はベタ封止されることのない封止基板を提供することができる。
【００１２】
請求項２に係る発明は、複数のエレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板上に設けるための封止基板の製造方法であって、接着剤層を転写基材上に形成した後、前記接着剤層を第一基材上に転写して、接着剤層パターンを前記第一基材上の前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に形成することを特徴とする封止基板の製造方法である。
【００１３】
接着剤層パターンを転写法で形成することにより、膜厚均一性が高く、気泡等の欠陥の無い封止基板を製造することができる。
【００１４】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の封止基板の製造方法であって、前記接着剤層を、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域の外周部に少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非転写層パターンが設けられた前記第一基板上に転写して前記接着剤層パターンを形成することを特徴とする封止基板の製造方法である。
【００１５】
少なくともＥＬ素子表示領域の外周部に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非転写層パターンを設けることで、ＥＬ素子をベタ封止できると同時に、ＥＬ素子の配線部はベタ封止されることのない封止基板の製造方法を提供することができる。
【００１６】
請求項４に係る発明は、請求項２に記載の封止基板の製造方法であって、前記接着剤層を、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域の外周部に少なくともフッ素樹脂を含む非転写層パターンが設けられた前記第一基板上に転写して前記接着剤層パターンを形成することを特徴とする封止基板の製造方法である。
【００１７】
少なくともＥＬ素子表示領域の外周部に、少なくともフッ素樹脂を含む非転写層パターンを設けることで、ＥＬ素子をベタ封止できると同時に、ＥＬ素子の配線部はベタ封止されることのない封止基板の製造方法を提供することができる。
【００１８】
請求項５に係る発明は、前記非転写層パターンと前記第一基材の界面強度が、前記接着剤層パターンと前記転写基材の界面強度よりも小さいことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の封止基板の製造方法である。
【００１９】
非転写層パターンと第一基材の界面強度が、接着剤層パターンと転写基材の界面強度よりも小さいことで、接着剤層が第一基材上に転写される時、非転写層パターンは接着剤層に転写され、所望の接着剤層パターンを第一基材上により効率良く転写することができる。
【００２０】
請求項６に係る発明は、前記第一基材が透明基材であることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の封止基板の製造方法である。
【００２１】
第一基材が透明基材であることで、トップエミッション型ＥＬ素子用の封止基板の製造方法を提供することができる。
【００２２】
請求項７に係る発明は、複数のエレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板と、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に設けられている封止基板とを貼り合わせることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００２３】
複数のＥＬ素子を有する素子基板と、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくともＥＬ素子表示領域に設けられている封止基板とを貼り合わせことで、ＥＬ素子をベタ封止できると同時に、ＥＬ素子の配線部はベタ封止されることのないエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法を提供することができる。
【００２４】
請求項８に係る発明は、前記封止基板が、接着剤層を転写基材上に形成した後、前記接着剤層を前記第一基材上に転写して、前記接着剤層パターンを前記第一基材上の前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に形成してなることを特徴とする請求項７に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００２５】
接着剤層パターンを転写法で形成した封止基板により、膜厚均一性が高く、気泡等の欠陥の無い、エレクトロルミネッセンス素子パネルを製造することができる。
【００２６】
請求項９に係る発明は、前記第一基材が透明基材であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００２７】
第一基材が透明基材であることで、トップエミッション型ＥＬ素子用のＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくともＥＬ素子表示領域に設けられていることを特徴とすることで、ＥＬ素子をベタ封止できると同時に、ＥＬ素子の配線部はベタ封止されることのない封止基板を提供することができた。
【００２９】
また、接着剤層を転写基材上に形成した後、接着剤層を第一基材上の少なくともＥＬ素子表示領域に転写して接着剤層パターンを形成することで、膜厚均一性が高く、気泡等の欠陥の無い封止基板の製造することができた。
【００３０】
さらには、複数のＥＬ素子を有する素子基板と、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくともＥＬ素子表示領域に設けられている封止基板とを貼り合わせることを特徴とすることで、ＥＬ素子をベタ封止できると同時に、ＥＬ素子の配線部はベタ封止されることのないＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の実施の形態の説明において参照する図面は、本発明の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さ、寸法等は、実際のものとは異なる。また、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３２】
図１に、封止基板１０の一例を示す。図１は断面の模式図である。第一基材１１上に接着剤層パターン１２が、複数設けられている。
【００３３】
ここで、接着剤層パターンは、図２に示す様に封止基板１０と、基材２１上に複数のＥＬ素子２２が設けられた素子基板２０とを対向配置した時の、少なくともＥＬ素子表示領域に設けられている。これにより、ＥＬ素子をベタ封止できると同時に、ＥＬ素子の配線部２３を接着剤層パターンで完全に覆うことのない封止基板を得ることができる。ここで、配線部２３は外付けの駆動ＩＣとのコンタクト部や内蔵駆動回路と外部とのコンタクト部が接着剤層パターンに覆われなければ良く、配線の一部又は大部分が接着剤層パターンに覆われていても良い。図２では、ＥＬ素子として、ライン状の第一電極３１上に直交して発光媒体層３２及び第２電極３３と隔壁３４が設けられたものを例示したが、これに限られるものではない。
【００３４】
図３に本発明の封止基板の製造方法の一例を示す。まず転写基材４１上に接着剤層１２’を形成する（図３（ａ））。
【００３５】
後工程で接着剤層１２’を転写基材４１から第一基材１１に転写することから、転写基材４１はフィルム状であることが好ましい。さらには表面が平滑であることが好ましい。例えば、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ＰＥＴ等のプラスチックフィルムが挙げられるがこれらに制限されるものではない。膜厚は１０μｍから１００μｍが好ましい。
【００３６】
接着剤層材料としては、例えば、ポリエステルアクリレート，ポリエーテルアクリレート，エポキシアクリレート，ポリウレタンアクリレートなどの各種アクリレートを主成分とする光ラジカル重合性樹脂や、エポキシ，ビニルエーテルなどの樹脂を主成分とする光カチオン重合性樹脂や、チオール・エン付加型樹脂などの光硬化性樹脂や、ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリメチルメタクリレート，ポリスチレン，ポリエーテルスルホン，ポリアリレート，ポリカーボネート，ポリウレタン，アクリル樹脂，ポリアクリルニトリル，ポリビニルアセタール，ポリアミド，ポリイミド，ジアクリルフタレート樹脂，セルロース系プラスチック，ポリ酢酸ビニル，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデンなどや、これらの２つまたは３つ以上の共重合体などの熱可塑性樹脂や、熱硬化型樹脂などが挙げられる。接着剤層１２’を形成する樹脂は、ＥＬ素子の作製工程の中で劣化原因となるアウトガスを発生しない、または発生量が少なく、温度や経時で変形、収縮、膨張などの変化が小さいものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、第一基材１１やＥＬ素子２２への密着性及び接着性が良好であるという点から、接着剤層１２’を形成する樹脂としては、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂が好ましい。また、転写基材４１上に接着剤層１２’を形成したものの膜厚均一性や貯蔵安定性、転写容易性を考慮すれば、接着層はシート状（フィルム）状が望ましく、その為に接着剤は常温で非流動性を示し、固体もしくは軟質固体であり、５０〜１００℃で溶融する樹脂であることが望ましい。また、さらにはトップエミッション型のＥＬ素子に適用する場合には、透明な接着剤が望ましい。
【００３７】
接着剤層１２’の形成方法としては、ロール法、ダイコート、グラビア印刷、コンマコータ等の各種コーティング法を好適に使用できるが、これらに限られるものではない。膜厚は１０μｍから１００μｍが好ましい。
【００３８】
一方、第一基板上のＥＬ素子表示領域の外周部に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属またはフッ素樹脂を含む非転写層パターンを形成する（図３（ｂ））。
【００３９】
第一基材１１は、第一基材側が表示側となる、トップエミッション型ＥＬ素子に適用する場合には、透明基材であることが好ましく、さらには平滑性が高いことが好ましい。例えばソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス板等の無機材料、またはフィルム上に成形が可能な樹脂基板等を用いることができる。このような樹脂基板に用いられる樹脂としては、ＥＬ素子に影響を与える揮発成分を含まない耐溶媒性、耐熱性の比較的高い高分子材料が好ましく、具体的には、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリミクロイキシレンジメチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリルニトリル−スチレン樹脂、シリコーン樹脂、非昌質ポリオレフィン等が挙げられ、これらを１種、または２種類以上の共重合体として用いても良い。また、ＥＬ素子は、酸素や水分によってダークスポットの発生又は拡大や端部劣化するので、樹脂基板は水分、酸素に対するバリア性があることが望ましい。厚さとしては、高透過率を有する厚さであればよく、特に制限されるものではないが、ガラス等については、０．５ｍｍから１．８ｍｍが好ましく、また、樹脂基板等については、１０μｍから５００μｍが好ましい。
【００４０】
非転写層パターン１３の材料としては、非転写層パターンと前記第一基材の界面強度が、前記接着剤層パターンと前記転写基材の界面強度よりも小さいものであれば限定しないが、パターニングが容易であることから、フォトレジスト材料、金属材料等が望ましい。フォトレジスト材料はポジ型でフッ素を含んだ樹脂であることがより好ましい。金属材料は、典型金属元素、遷移金属元素であれば限定しないが、より好ましくは、真空蒸着法で蒸発し始める温度が低い材料、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含むことがより好ましい。蒸着法は、蒸発した原子や分子の持つエネルギーとして基板に輸送されるエネルギーが小さい、薄膜材料と基板との間に強固な結合が出来ないなどの理由から好ましい。形成方法としては、フォトレジスト材料の場合は、スピンコート法、スリットコータ法により塗布した後、フォトマスクを使用し、露光・現像しパターニング形成を行うことができる。金属材料の場合は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、高周波誘導加熱蒸着法などの真空蒸着法で膜形成した後、ケミカルエッチングによりパターニング形成を行うことができる。膜厚としては、１０ｎｍから１０μｍが好ましい。
【００４１】
次に、転写基材４１上の接着剤層１２’を非転写層パターン１３の設けられた第一基材上に転写する（図３（ｃ）、図３（ｄ））。転写は熱ラミネータ、真空ラミネータ等の公知のラミネータ方法を用いることができる。
【００４２】
このとき、非転写層パターンと第一基材の界面強度が、接着剤層パターンと転写基材の界面強度よりも小さいことが好ましい。非転写層パターンと第一基材の界面強度が、接着剤層パターンと転写基材の界面強度よりも小さいことで、接着剤層が第一基材上のＥＬ素子表示領域に転写される時、非転写層パターンは接着剤層に転写され、所望の接着剤層パターンをＥＬ素子表示領域により効率良く転写される。このとき、非転写層パターンと接着剤層の界面強度は、非転写層パターンと第一基材の界面強度よりも大きい必要がある。
【００４３】
図４に、ＥＬ素子パネルの製造方法の一例を示す。
複数のＥＬ素子２２を有する素子基板２０と、複数の接着剤層パターン１２が第一基材１１上の少なくともＥＬ素子表示領域に設けられている封止基板１０とを貼り合わせる（図４（ａ））ことにより、ＥＬ素子パネル１００（図４（ｂ））を製造することができる。
【００４４】
貼り合わせ方法は公知の方法を用いることができるが、例えば、熱ミネートあるいは真空ラミネート等が挙げられる。
【００４５】
素子基板の基材２１としては、ガラスや石英、プラスチックシート等の透光性基材の他に、アルミニウムやステンレスなどの金属箔やシート、シリコン基板、プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。
【００４６】
また、これらに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成しても良い。ＴＦＴの半導体材料としては、ポリチオフェンやポリアニリン、銅フタロシアニンやペリレン誘導体等の有機半導体材料や、アモルファスシリコンやポリシリコンのケイ素半導体材料が挙げられるが特に制限はなく、好適に用いることができる。
【００４７】
ＥＬ素子としては、例えば、図５に示すように、ライン状の第一電極３１、発光媒体層３２、発光媒体層を隔てるための隔壁３４を設け、第一電極３１と直交するように第２電極３３を積層して設けられたものを例示したが、これに限られるものではない。
【００４８】
例えば、第１電極の形状は好適に設定することができ、ライン状でもデルタ配列でもセグメント状でも画素状でも良い。
【００４９】
第１電極３１の材料や形成方法としては、公知のものを好適に使用でき、例えば、第１電極が陽極の場合、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料等を抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法で成膜してパターニング処理するか、金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散液をグラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いてパターン印刷して得ることができる。
【００５０】
なお、必要に応じ、外付けの駆動ＩＣとのコンタクト部や内蔵駆動回路と外部とのコンタクト部となる配線部２３の配線抵抗を低減させるために第１電極上に銅、クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこれらの積層物をバス電極３５として部分的に設けることもできる。
【００５１】
隔壁３４は必要に応じ形成することができる。第１電極３１が形成された基板２１上に例えば、アクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂をベース樹脂とした感光性樹脂溶液をロールコート、スピンコート、スクリーン印刷、スプレーコート等のコーティング法を用いて、所定厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、所定位置に隔壁３４を形成することができる。隔壁３４は、特に、多色の有機の発光媒体層をウエットプロセスで塗り分ける際、混色を防ぐ場合に有効である。
【００５２】
発光媒体層３２は、発光層を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。発光媒体層３２を多層膜で形成する場合の例としては、正孔注入輸送層と電子輸送性発光層や、正孔輸送性発光層と電子輸送層の２層構成の他、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層からなる３層構成、さらには、必要に応じて、電子ブロック層や正孔ブロック層などを挿入することにより、さらに多層で形成することも可能である。材料は無機、有機の公知の材料を好適に使用することができ、形成方法も、特に制限は無く、公知のドライプロセスやウエットプロセスを材料に応じて好適に使用することができる。
【００５３】
第２電極３３は、公知の材料を好適に用いることができるが、例えば、第２電極３３が陰極で、表示側の場合、仕事関数が低いＬｉ、Ｃａ、Ｂａを薄く設けた後に、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物のような透明性材料を使用することができる。また、発光媒体層３２に、仕事関数が低いＬｉ、Ｃａなどの金属を少量ドーピングして、ＩＴＯなどの金属酸化物を積層しても良い。第２電極３３の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。
【００５４】
なお、必要に応じ、外付けの駆動ＩＣとのコンタクト部や内蔵駆動回路と外部とのコンタクト部となる配線部の配線抵抗を低減させるために第２電極上に銅、クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこれらの積層物をバス電極３５として部分的に併設することもできる。また、第２電極の表示領域以外の下部に取り出し電極用の補助電極３６をＩＴＯ等で予め設けておくこともできる。さらには、この補助電極３６上にバス電極３５を設けることもできる。
【００５５】
さらには、上記ＥＬ素子上にＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ポリパラキシレン等の材料からなるパッシベーション膜を好適に設けることもできる。
【実施例】
【００５６】
（実施例１）
【００５７】
まず、室温で非流動性かつ５０〜１００℃で流動性を示す熱硬化型エポキシ樹脂をエタノールに溶解したものを、ＰＥＴフィルムの転写基材４１上にロール法で延展し、エタノールを揮発させて厚み２０μｍの接着剤層１２’を形成した（図３（ａ）参照）。
【００５８】
次に第一基板１１にソーダガラスを使用し、Ａｌを真空蒸着法で膜形成し、ケミカルエッチング法にて、ＥＬ素子表示領域の外周部に非接着層パターン１３を形成した（図３（ｂ）参照）。
【００５９】
次に上記の転写基材４１上の接着剤層１２’を、上記の第一基材１１上に熱ローラ熱ローラ（大成ラミネータ社製、ＭＡ  ＩＩ−５５０）を使って転写し（図３（ｃ）参照）、接着剤層パターン１２が第一基板１１に転写された封止基材１０を形成した（図３（ｄ）参照）。このときの接着剤層転写条件は、温度８５℃、圧力０．２ＭＰａであった。
【００６０】
この時の、非転写層パターンと第一基材の界面強度は、ＪＩＳ  Ｋ  ６８５４−３に従い、測定した結果、非転写層パターンと第一基材の界面強度は、接着剤層パターンと転写基材の界面強度よりも小さかった。また、非転写層パターンと接着剤層の界面強度は、非転写層パターンと第一基材の界面強度よりも大きかった。
【００６１】
一方、ガラスからなる基板２１上にインジウム・錫合金酸化物、クロムを順次スパッタリングにより成膜し、それぞれ１５０ｎｍ、３００ｎｍの膜を得た。その後、ケミカルエッチングにより、ライン状の第１電極３１とバス電極３５を形成した。次に、第１電極３１が形成された基板２１上にポリイミド樹脂からなる感光性樹脂溶液をスピンコーターにて塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等の１連のパターニング処理を行って、画素の土手として１μｍ厚の隔壁３４を形成した。
【００６２】
次に、隔壁３４の間にポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物からなる２０ｎｍの正孔輸送層と、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシロキシ）−１、４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨＰＰＶ）からなる８０ｎｍ厚の発光体層とからなる２層構成の１００ｎｍ厚の有機発光媒体層３２を印刷法で形成した。
【００６３】
次に、真空蒸着でカルシウムを５ｎｍ、インジウム・錫合金化合物をスパッタリングして５０ｎｍ厚のＩＴＯ膜をパターニング成膜することで有機発光媒体層３２上に第２電極３３を形成し、素子基板２０を作製した（図５参照）。
【００６４】
最後に、上記の素子基板２０と封止基板１０を対向配置し（図４（ａ）参照）、真空ラミネータで貼り合わせた。貼り合わせ条件は、温度８５℃、時間３分、圧力０．１ＭＰａで行った。その後、熱キュアを１２０℃、１ｈ行って、有機ＥＬ素子パネル１００を得た（図４（ｂ）参照）。
【００６５】
（実施例２）
【００６６】
室温で非流動性かつ５０〜１００℃で流動性を示す熱硬化型エポキシ樹脂をエタノールに溶解したものを、ＰＥＴフィルムの転写基材４１上にロール法で延展し、エタノールを揮発させて厚み２０μｍの接着剤層１２’を形成した（図３（ａ）参照）。
【００６７】
次に第一基板１１にソーダガラスを使用し、Ｆ２レジスト用フッ素樹脂をロール法で厚み２００ｎｍのレジスト膜を形成し、Ｆ２レーザーを照射し、剥離液で露光部を除去し、ＥＬ素子表示領域の外周部に非接着層パターン１３を形成した（図３（ｂ）参照）。
【００６８】
次に上記の転写基材４１上の接着剤層１２’を、上記の第一基材１１上に熱ローラ（大成ラミネータ社製、ＭＡ  ＩＩ−５５０）を使って転写し（図３（ｃ）参照）、接着剤層パターン１２が第一基板１１に転写された封止基材１０を形成した（図３（ｄ）参照）。このときの接着剤層転写条件は、温度８５℃、圧力０．２ＭＰａであった。
【００６９】
この時の、非転写層パターンと第一基材の界面強度は、ＪＩＳ  Ｋ  ６８５４−３に従い、測定した結果、非転写層パターンと第一基材の界面強度は、接着剤層パターンと転写基材の界面強度よりも小さかった。また、非転写層パターンと接着剤層の界面強度は、非転写層パターンと第一基材の界面強度よりも大きかった。
【００７０】
素子基板は実施例１と示す方法と同様に作製した。
【００７１】
最後に、上記の素子基板２０と封止基板１０を対向配置し（図４（ａ）参照）、真空ラミネータで貼り合わせた。貼り合わせ条件は、温度８５℃、時間３分、圧力０．１ＭＰａで行った。その後、熱キュアを１２０℃、１ｈ行って、有機ＥＬ素子パネル１００を得た（図４（ｂ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の封止基板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の封止基板と素子基板の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の封止基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】本発明のＥＬ素子パネルの製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の素子基板の一例を示す断面図及び平面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０……封止基板
１１……第一基材
１２……接着剤層パターン
１２’  ……接着剤層
１３……非転写層パターン
２０……素子基板              
２１……基板
２２……ＥＬ素子
２３……配線部
３１……第１電極
３２……発光媒体層
３３……第２電極
３４……隔壁
３５……バス電極
３６……補助電極
４１……転写基材
１００……ＥＬ素子パネル
【図１】
2008108545.tif 000003
【図２】
2008108545.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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