(57)【要約】【課題】  蒸着時の低製膜速度におけるコントロール性を高め、かつ、有機林料を高温に晒すことなく有機材料に発生する問題を解決することが可能である製膜方法を提供する。【解決手段】  対向する陽極電極と陰極電極と、両電極の間に配され、二種以上の有機化合物を含有する少なくとも１層の有機層とを備える有機ＥＬ素子の有機層の製造方法であって、上記有機層が、基板からの蒸発源までの距離、または基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が該基板表面となす角度が異なる、蒸発速度の異なる二以上の蒸発源を用いて、真空成膜室内で基板上に蒸着形成される有機ＥＬ素子の有機層の製造方法を提供する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板からの蒸発源までの距離、または基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が該基板表面となす角度が異なる、蒸発速度の異なる二以上の蒸発源を用いて、真空成膜室内で基板上に蒸着層を形成する蒸着層の製造方法。
【請求項２】
対向する陽極電極と陰極電極と、両電極の間に配され、二種以上の有機化合物を含有する少なくとも１層の有機層とを備える有機ＥＬ素子の有機層の製造方法であって、上記有機層が、基板からの蒸発源までの距離、または基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が該基板表面となす角度が異なる、蒸発速度の異なる二以上の蒸発源を用いて、真空成膜室内で基板上に蒸着形成される有機ＥＬ素子の有機層の製造方法。
【請求項３】
上記有機層が、アルカリ金属をドープした有機材料の膜であり、上記蒸発速度の異なる二以上の蒸発源が、該有機材料の蒸発源と該アルカリ金属の蒸発源であり、該アルカリ金属の蒸発速度が、該有機材料の蒸発速度の１／１００から１／１０００の範囲にある請求項２に記載の有機ＥＬ素子の有機層の製造方法。
【請求項４】
上記有機層が、ホスト−ゲストを含んだ複合膜であり、上記蒸発速度の異なる二以上の蒸発源が、ホスト材料の蒸発源とゲスト材料の蒸発源を含み、該ゲスト材料の蒸発速度が、該ホスト材料の蒸発速度の１／１００から１／１０００の範囲にある請求項２に記載の有機ＥＬ素子の有機層の製造方法。
【請求項５】
上記アルカリ金属の蒸発源または上記ゲスト材料の蒸発源が、二以上設けられる請求項３または請求項４に記載の有機ＥＬ素子の有機層の製造方法。
【請求項６】
上記有機層が、上記基板を上記蒸発源に対向しつつ回転させて形成される請求項２〜５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子の有機層の製造方法。
【請求項７】
基板上に蒸着層を形成するための蒸着層の製造装置であって、該基板を支持するための基板ホルダーと、該基板からの蒸発源までの距離、または基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が該基板表面となす角度が異なる、蒸発速度の異なる二以上の蒸発源を収納するための蒸発源ホルダーとを、真空成膜室内に備える蒸着層の製造装置。
【請求項８】
対向する陽極電極と陰極電極と、両電極の間に配され、二種以上の有機化合物を含有する少なくとも１層の有機層を備える有機ＥＬ素子の有機層の製造装置であって、蒸着用の真空成膜室内に、基板を支持するための基板ホルダーと、該基板からの蒸発源までの距離、または基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が該基板表面となす角度が異なる、蒸発速度の異なる二以上の蒸発源を収納するための蒸発源ホルダーとを備える有機ＥＬ素子の有機層の製造装置。
【請求項９】
上記基板を上記蒸発源に対向しつつ回転させる基板回転機構を備える請求項８に記載の有機ＥＬ素子の有機層の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着層の製造方法および製造装置に関するものであり、特には、有機ＥＬ素子における有機層の製造方法および製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信の高速化と応用範囲の拡大が急速に進んでいる。この中で、表示デバイスには携帯性や動画を表示することなどの要求に対応できるような低消費電力で高速応答が可能な高精細表示デバイスが考案されている。特に有機エレクトロルミネッセンス（以下ＥＬと称する）素子では、１９８７年にイーストマンコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇにより２層積層構成のデバイスで高い効率の有機ＥＬ素子が発表されて以来（非特許文献１)、現在にいたる間に様々な有機ＥＬ素子が開発されて一部実用化し始めている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、発光層を含め、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層および電子注入層等によって構成されており、これらは有機材料からなる有機層によって構成されている。このような有機層の材料には、低分子材料と高分子材料の２種類があり、低分子材料を用いた有機膜の場合、主に真空蒸着法により形成される。高分子系材料は溶剤に溶解させて溶液として用い、主にスピンコーター法、インクジェット法などにより有機膜が形成される。
【０００４】
有機ＥＬ素子の高性能化の一つにホスト−ゲスト系複合膜を発光層に用いることがよく知られている。また、最近では、素子の低電圧化を狙って正孔注入層や正孔輸送層、電子輸送層へのアクセプターやアルカリ金属をドープする技術（ドーピング）が注目されている。
【非特許文献１】Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ，  Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ，  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１，９１３（１９８７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように電極上に有機膜を形成する際、ドーピング濃度や膜厚を制御するために、異なった材料のそれぞれの製膜速度を精密に制御しながら、同時に蒸着する共蒸着技術が非常に重要となる。
ホスト−ゲストを含んだ複合膜や有機膜へのアルカリ金属ドープ層などを形成する場合、以下のような問題点が指摘されている。ホスト材にドープするゲスト材の量は、濃度消光の問題から、０．１〜数ｖｏｌ％が一般的である。この場合、ドープ量はそれぞれの材料の製膜速度によって調整することが可能であり、ゲスト材料の製膜速度はホスト材料の１／１００〜１／１０００という非常に小さな値を制御する必要がある。例えば、ホスト材料の製膜速度を１０Å／ｓとした場合、ゲスト材料の製膜速度は０．１〜０．０１Å／ｓで製膜することになる。アルカリ金属をドープする場合も有機材料とアルカリ金属の分子量の関係から、製膜速度比で１％〜０．１％を精密に制御する必要がある。
一方で、ホスト材料の製膜速度を上げることによって、ゲスト材料の製膜速度を相対的に増加させることが可能だが、有機材料においてむやみに製膜速度を上げることは、蒸着時の材料への熱劣化の観点から好ましいことではない。
本発明は、上記のような蒸着時の低製膜速度におけるコントロール性を高め、かつ、有機林料を高温に晒すことなく有機材料に発生する問題を解決することが可能である製膜方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板からの蒸発源までの距離、または基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が該基板表面となす角度が異なる、蒸発速度の異なる二以上の蒸発源を用いて、真空成膜室内で基板上に蒸着層を形成する蒸着層の製造方法を提供する。
また、本発明は、対向する陽極電極と陰極電極と、両電極の間に配され、二種以上の有機化合物を含有する少なくとも１層の有機層とを備える有機ＥＬ素子の有機層の製造方法であって、上記有機層が、基板からの蒸発源までの距離、または基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が該基板表面となす角度が異なる、蒸発速度の異なる二以上の蒸発源を用いて、真空成膜室内で基板上に蒸着形成される有機ＥＬ素子の有機層の製造方法を提供する。
本発明は、基板上に蒸着層を形成するための蒸着層の製造装置であって、該基板を支持するための基板ホルダーと、該基板からの蒸発源までの距離、または基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が該基板表面となす角度が異なる、蒸発速度の異なる二以上の蒸発源を収納するための蒸発源ホルダーとを、真空成膜室内に備える蒸着層の製造装置を提供する。
また、本発明は、対向する陽極電極と陰極電極と、両電極の間に配され、二種以上の有機化合物を含有する少なくとも１層の有機層を備える有機ＥＬ素子の有機層の製造装置であって、蒸着用の真空成膜室内に、基板を支持するための基板ホルダーと、該基板からの蒸発源までの距離、または基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が該基板表面となす角度が異なる、蒸発速度の異なる二以上の蒸発源を収納するための蒸発源ホルダーとを備える有機ＥＬ素子の有機層の製造装置を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、いわゆる共蒸着技術によって形成される有機層を有する有機ＥＬディスプレイを良好な再現性および高い歩留まりで作製することが可能となる。例えば、発光層における微量ドーピング、電荷輸送層におけるドーピングにおけるドーピング制御が大きく改善できる。発光層やドーピング技術に適用できうる高精度で制御性が良好な共蒸着技術を提供することにより、有機ＥＬディスプレイの高性能化や歩留まりの向上が見込まれ、低コスト化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
一般的に、蒸発源（０，０，０）からの蒸気流密度は任意の点（ｘ，ｙ，ｚ）からＬａｍｂｅｒｔのｃｏｓ則によって次式で規定される。
φ（α）＝φ0・cosα
（上式中、αは蒸発表面の法線に対する角度を表し、φ（α）は角度αにおける蒸気流密度の分布を表し、φ0は、角度α＝０における蒸気流密度の分布を示す。）
蒸発源と基板面との距離が短いほど、基板面における蒸気流密度は高い。蒸発源と基板面との距離が長くなると、基板面における蒸気流密度は低くなるので、基板上に堆積させる有機膜の製膜速度を固定する場合、蒸発源からの蒸気流量をより多くしなければならない。そのためには、蒸発源の温度を高くすることが必要となる。この場合、基板上に堆積した有機膜に熱ダメージが生じる。したがって、蒸発源と基板面との距離を短くすることで蒸発源の高温化を避け、基板上に堆積した有機膜に掛かる熱ダメージを抑制することができる。しかし、蒸発源と基板面との距離を短くすると、基板面上において上式の角度αが大きく変化するため、基板上での蒸気流密度分布特性が低下し、膜厚分布特性が低下する。そこで、蒸発源を複数配置することによって、膜厚分布特性を低下させることなく、均一な膜厚の有機膜を形成することが可能となる。本発明は、有機膜の主成分であるホスト材料とドーパントとして機能するゲスト材料の共蒸着時の設置方法や配置に関するものである。
【０００９】
本発明に用いる基板としては、好ましくは、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート等の樹脂等が挙げられる。ホウケイ酸ガラス又は青板ガラス等が特に好ましいものである。
【００１０】
有機ＥＬ層素子は、一対の電極の間に少なくとも有機発光層を扶持し、必要に応じ、正孔注入層や電子注入層を介在させた構造を有している。具体的には、例えば下記のような層構成からなるものが採用される。
（ａ）陽極／有機発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（ｃ）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
上記の層構成において、陽極および陰極の少なくとも一方は、有機発光体の発する光の波長域において透明であることが望ましく、および透明である電極を通して光を発して、好ましくは蛍光色変換膜に光を入射させる。当該技術において、陽極を透明にすることが容易であることが知られており、本発明においても陽極を透明とすることが望ましい。
【００１１】
陽極は、正孔の注入を効率よく行うために、好ましくは仕事関数が大きい材料が用いられる。特に通常の有機ＥＬ素子では、陽極を通して光が放出されるために陽極が透明であることが要求され、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性金属酸化物が用いられる。
陰極は、好ましくは、仕事関数が小さい材料であるリチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、又はこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物が用いられる。
【００１２】
有機層は、少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、及び／又は電子注入層を介在させた構造を有する。
有機層の各層の材料としては、公知のものが使用される。例えば、有機発光層として青色から青緑色の発光を得るためには、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましく使用される。
【００１３】
有機ＥＬ素子は、例えば、以下のように作成される。
まず、スパッタ法にて基板上に透明電極を全面成膜する。
次いで、前記陽極を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜する。具体的には、複数の真空槽を備えた真空蒸着装置を用いた。基板を真空中で搬送し、各層の個別の真空槽にて成膜した。各層の成膜に際して真空槽内圧は１×１０-4Ｐａまで減圧した。有機層各層の厚さはその特性に応じて適宜選択することができるが、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは、数百ｎｍ以下である。
この後、真空を破らずに、陰極をマスクを用いてパターン形成した。陰極が金属材料の場合は蒸着法にて陰極を形成する。陰極が透明電極の場合は、スパッタ法にて形成する。
こうして得られた有機ＥＬ素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気下（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）において、封止ガラスとＵＶ硬化接着剤を用いて封止した。
基板上に多数の画素を形成する場合は、スパッタ法にて基板上に透明電極を全面成膜した後、透明電極上にレジスト剤を塗布した後、フォトリソグラフィー法にてパターニングを行い、ストライプパターンからなる陽極を得る。有機膜形成は上記と同じ手順で行う。
また、陰極形成は、上記陽極のラインと垂直のストライプパターンが得られるマスクを用いて、真空を破らずに、パターン形成する。
【００１４】
上記有機層としては、好ましくは、アルカリ金属をドープした有機材料の膜、ホスト−ゲストを含んだ複合膜が挙げられる。
上記有機層がアルカリ金属をドープした有機材料の膜の場合、有機材料の蒸発源とアルカリ金属の蒸発源を用いるが、アルカリ金属の蒸発速度が、有機材料の蒸発速度の１／１００〜１／１０００の範囲にあるものが好ましい。具体的には、有機材料として、電子輸送層に適したものの例は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（Ａｌｍｑ３）あるいはその誘導体を配位子として少なくとも一つ有する金属錯体、２−（４−ビフェニイル）−５（４−タート−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）等のオキサジアゾール誘導体、３−（ビフェニル−４−イル）−４−フェニル−５−（４−タート−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、３，５−ジフェニル−４−ナフト−１−イル−１，２，４−トリアゾール等が挙げられる。
アルカリ金属として、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等が挙げられる。
【００１５】
上記有機層が、ホスト−ゲストを含んだ複合膜の場合、ホスト材料の蒸発源とゲスト材料の蒸発源を用いるが、ゲスト材料の蒸発速度が、ホスト材料の１／１００〜１／１０００の範囲にあるものが好ましい。具体的には、ホスト材料として、４，４'−ビス（２，２'−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等のジメチリディン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）あるいはその誘電体を配位子として少なくとも一つ有する金属錯体、２−タート−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）等のアントラセン化合物等が挙げられる。ゲスト材料として、４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）等のジスチリルベンゼン系化合物、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）等のクマリン誘導体、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等が挙げられる。
【００１６】
アルカリ金属の蒸発源またはゲスト材料の蒸発源のように、蒸着量の小さい蒸発原は、二以上設けることが好ましい。
【００１７】
本発明によれば、被蒸着基板からの距離が近接化されることにより、蒸着時のゲスト材料のフラックス量を低減することが可能となる。
有機層としてホスト−ゲストを含んだ複合膜を形成する場合を例にとり、図面を参照して本発明を説明するが、アルカリ金属をドープした有機材料の膜等でも同様である。
図１は、本発明を実施態様の一例として蒸着装置を示す。
この蒸着装置は、真空チャンバー１０内に、ホスト材料を収容する蒸発源６、ゲスト材料を収容する蒸発源５ａと５ｂおよびそれぞれを加熱するための電源１６、１５ａと１５ｂ、基板（例えばガラス基板）１を支持する基板ホルダー２、膜厚センサー３、蒸着材料の蒸着容器壁を汚染することを防ぐ防着板４、真空ポンプ７を備えている。このとき、蒸着容器内は、蒸着に際し、真空ポンプ７によって真空に保たれる。それぞれの蒸発源は蒸着容器外に加熱用電源を備え、それぞれ個別に温度制御を行うことができる。
【００１８】
ホスト用蒸発源は、図１に示すように、蒸着容器の下部に材料を仕込んで、設置する。
本発明においては、蒸着する有機化合物は、昇華性材料や、融解しながら気化する（溶融性材料）などを用いることができる。ゲスト用蒸発源には、ホスト用蒸発源と同様に蒸着する有機材料を収容し、図１に示すように、基板近傍の位置に設置する。すなわち、本発明基板とゲスト用蒸発源の距離は、基板とホスト用蒸発源の距離よりも短くする。なお、基板と各蒸発源との距離は、基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心を結ぶ距離とする。
本発明基板とゲスト用蒸発源の距離と、基板とホスト用蒸発源の距離は、使用される材料の蒸着速度、すなわち物性（沸点等）により変えることができる。
【００１９】
図１では、基板からの蒸発源までの距離を変化させているが、基板表面の中心と蒸発源の蒸発表面の中心とを結ぶ線が基板表面となす角度を換えてもよい。基板からの蒸発源までの距離を同一にして角度を変えると、基板表面の中心を円の中心とする同心円上に二以上の蒸発源を配置することになる。基板からの蒸発源までの距離を異ならせて角度を変えてもよい。
本発明基板とゲスト用蒸発源の角度、基板とホスト用蒸発源の角度は、使用される材料の蒸着速度、すなわち物性（沸点等）により変えることができる。
【００２０】
基板１に有機化合物を蒸着するには、まず、真空ポンプ７を稼動して真空チャンバー１０内部を真空に保ち、それぞれの蒸発源を加熱する。それぞれの蒸発源を加熱すると内部の有機材料は内壁部から熱が伝搬して加熱される。有機材料が一定温度に達すると、有機化合物粉体は昇華（気化）し、蒸気が上部の開口部より蒸気流が発生し、基板１に付着し有機材料の薄膜が形成される。この場合、ホスト用蒸発源とゲスト用蒸発源は個別に制御可能であり、ゲスト用蒸発源においては、複数個を容器内に設置しているために、各蒸発源から発生する蒸気流は単独で設置した場合と比較して、少ない量で規定の蒸気流に達することができる。
また、基板と蒸発源との距離が短いことから、規定の蒸気流に達するための蒸発源の温度を低減することができる。
【００２１】
本発明における蒸発源は、２個以上配置することによって任意に変更することが可能である。図２は、蒸発源５ａ〜５ｄと６の５つの蒸発源を示す。なお、蒸発源の配置の仕方は、記載したものが単に一例であり、その他の配置も有効であることは言うまでもない。
【００２２】
本発明によれば、基板を蒸発源に対向しつつ回転させる基板回転機構を備えてもよい。
一例として、図３は、真空容器内に、ガラス基板を回転させる回転機構１７を示す。
回転機構は、基板を蒸発源に対向しつつ回転できるものであれば、特に限定されない。
【実施例】
【００２３】
実施例１
本発明による各蒸発源中に有機材料を搭載し、有機ＥＬデバイスを作製した。
基板は２００ｍｍ×２００ｍｍの範囲に５０ｍｍ×５０ｍｍＩＴＯ付きガラスを用いた。本実験で供した真空容器内における基板−蒸発源間距離は、ホスト蒸発源間距離が４００ｍｍ、ゲスト蒸発源間が２００ｍｍであった。ゲスト蒸発源は図２のように配置した。作製した素子の構造は、ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極とした。ホール輸送層には４０ｎｍのα−ＮＰＤ、発光層（電子輸送層も兼ねる）には３０ｎｍのＡｌｑ３に０．１ｖｏｌ％クマリン６をドープ、電子輸送層にはＡｌｑ３を２０ｎｍとした。各製膜速度は０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。
なお、共蒸着時のホストおよびゲストの温度はＡｌｑ３が製膜速度１．０Å／ｓにおいて３００℃、各クマリン蒸発源の製膜速度が０．００２５Å／ｓとして１８０℃であった。次に、電子注入層および陰極としてＡｇ−Ｍｇを１００ｎｍ積層した。このように作製した素子を評価した結果、素子の平均電流効率は、８ｃｄ／Ａであり、そのバラツキはΔ５％以内であった。
【００２４】
比較例１
比較例として、図４に示す従来の装置を用いて、有機ＥＬデバイスを作製した。この装置は、基板１０１、基板支持部１０２、膜厚センサー１０３、防着板１０４、ゲスト用蒸発源１０５とその加熱用電源１１５、ホスト用蒸発源１０６とその加熱用電源１１６および真空ポンプ１０７を真空チャンバー１１０内に備えた。基板は２００ｍｍ×２００ｍｍの範囲に５０ｍｍ×５０ｍｍＩＴＯ付きガラスを用いた。本実験で供した真空容器内における基板−蒸発源間距離は、ホスト蒸発源間距離が４００ｍｍ、ゲスト蒸発源間が４００ｍｍであった。作製した素子の構造は、ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極とした。ホール輸送層には４０ｎｍのα−ＮＰＤ、発光層（電子輸送層も兼ねる）には３０ｎｍのＡｌｑ３に０．１ｖｏｌ％クマリン６をドープ、電子輸送層にはＡｌｑ３を２０ｎｍとした。各製膜速度は０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。なお、共蒸着時のホストおよびゲストの温度はＡｌｑ３が製膜速度１．０Å／ｓにおいて３００℃、各クマリン蒸発源の製膜速度が０．００１Å／ｓとして２２０℃であった。実施例と比較して、蒸着温度は４０℃上昇した。次に、電子注入層および陰極としてＡｇ−Ｍｇを１００ｎｍ積層した。このように作製した素子を評価した結果、素子の平均電流効率は、７ｃｄ／Ａであり、そのバラツキはΔ１５％以内であった。このように電流効率の低下およびバラツキが増加した要因は、ゲスト材料の制御が困難であったこと、ゲスト材料の膜厚分布の均一性が低下した結果と考えられる。
【００２５】
実施例２
本発明による各蒸発源中に有機材料を搭載し、有機ＥＬデバイスを作製した。
基板は２００ｍｍ×２００ｍｍの範囲に５０ｍｍ×５０ｍｍＩＴＯ付きガラスを用いた。本実験で供した真空容器内には、ガラス基板を回転させる機構が具備されている。基板−蒸発源間距離は、ホスト蒸発源間距離が４００ｍｍ、ゲスト蒸発源間が１００ｍｍであった。ゲスト蒸発源は図３のように配置した。作製した素子の構造は、ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極とした。ホール輸送層には４０ｎｍのα−ＮＰＤ、発光層（電子輸送層も兼ねる）には３０ｎｍのＡｌｑ３に０．１ｖｏｌ％クマリン６をドープ、電子輸送層にはＡｌｑ３を２０ｎｍとした。各製膜速度は０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。なお、基板回転は３０ｒｐｍとした。共蒸着時のホストおよびゲストの温度はＡｌｑ３が製膜速度１．０Å／ｓにおいて３３０℃、各クマリン蒸発源の製膜速度が０．０１Å／ｓとして２００℃であった。次に、電子注入層および陰極としてＡｇ−Ｍｇを１００ｎｍ積層した。このように作製した素子を評価した結果、素子の平均電流効率は、８ｃｄ／Ａであり、そのバラツキはΔ５％以内であった。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明による蒸着装置の例である。
【図２】本発明の蒸発源配置の一例である。
【図３】本発明による回転機構を具備した蒸発装置の一例である。
【図４】従来技術の蒸着装置の一例である。
【符号の説明】
【００２７】
１  基板
２  基板ホルダー
３  膜厚センサー
４  防着板
５，５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ  ゲスト用蒸発源
６  ホスト用蒸発源
７  真空ポンプ
１０  真空チャンバー
１５ａ，１５ｂ  加熱用電源
１６  加熱用電源
１７  回転機構
１０１  基板
１０２  基板ホルダー
１０３  膜厚センサー
１０４  防着板
１０５  ゲスト用蒸発源
１０６  ホスト用蒸発源
１０７  真空ポンプ
１１０  真空チャンバー
１１５  加熱用電源
１１６  加熱用電源
【図１】
2008108611.tif 000002
【図２】
2008108611.tif 000003
【図３】
2008108611.tif 000004
【図４】
2008108611.tif 000005