(57)【要約】【課題】基板上に、斜方蒸着による蒸着膜の未成膜部分が発生するのを防止し、小型化を図りつつより多くの基板を保持することのできる成膜基板の製造装置を提供する。【解決手段】基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、基板１１を載置可能とする載置面１２を複数有した保持治具本体１３と、基板１１を載置面１２に保持する保持部１４と、を備え、複数の載置面１２は、保持治具本体１３の一端側から他端側にかけて並設されるとともに、水平面に対する高さが並設方向で段階的に高くなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、
前記基板を載置可能とする載置面を複数有した保持治具本体と、
前記基板を前記載置面に保持する保持部と、を備え、
前記複数の載置面は、前記保持治具本体の一端側から他端側にかけて並設されるとともに、水平面に対する高さが並設方向で段階的に高くなっていることを特徴とする成膜基板の製造装置。
【請求項２】
前記載置面が水平面に対して所定角度で傾斜していることを特徴とする請求項１記載の成膜基板の製造装置。
【請求項３】
複数の前記載置面は、水平面に対する高さ位置が最も低い載置面から順に、水平面に対する傾斜角度が大きくなっていることを特徴とする請求項１又は２記載の成膜基板の製造装置。
【請求項４】
基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、
前記基板を載置可能とする載置面を複数有した保持治具本体と、
前記基板を保持する保持部と、を備え、
前記複数の載置面は、保持治具本体の一端側から他端側にかけて並設されるとともに、水平面に対して所定角度で傾斜していることを特徴とする成膜基板の製造装置。
【請求項５】
前記載置面の傾斜角度が、並設方向に沿って大きくなっていることを特徴とする請求項４記載の成膜基板の製造装置。
【請求項６】
前記斜方成長膜法は、真空蒸着法による斜方蒸着であることを特徴とする請求項５記載の成膜基板の製造装置。
【請求項７】
前記斜方成長膜法は、イオンビームスパッタ法による斜方スパッタであることを特徴とする請求項５記載の成膜基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜基板の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶パネルは携帯電話、プロジェクターなどにおいて広範囲で行なわれている。なかでも、プロジェクターのライトバルブとして使用される液晶パネルは、点灯に強い光源を用いるため、従来の有機物による配向膜を使用した液晶パネルでは、早期に配向膜が劣化し、表示に影響を及ぼすことが知られている。よって、有機物に代わり、無機配向膜を用いた液晶パネルの開発が行なわれ、その中でイオンビームスパッタ方式ではスパッタ時の成膜分子を基板に対して４５度以下の斜め方向で基板へ入射させることで無機物による柱状構造体の配向膜表面を形成し液晶の配向を実現させている。
【０００３】
従来、イオンビームスパッタ方式を用いて基板に成膜を行なう際には、下記特許文献１，２に示すようなホルダーと呼ばれる基板保持用治具へ基板をセットして、そのホルダーを成膜装置へ投入し、成膜処理を行なうことが一般的であった。
【特許文献１】特開平１０−８８３４３号公報
【特許文献２】特開２００１−２３４３２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、成膜分子が基板に対して斜めに入射される成膜方法においては、基板を保持している保持部が成膜粒子を遮ってしまい、基板の被成膜面上に未成膜部分が発生してしまうという問題があった。そのため、成膜分子が入射する方向側に位置する保持部を除いて、基板の片側のみを保持するようにした方法が提案されている。これにより、未成膜部分が発生することを防止することができる。また、保持部の数が減るので保持部同士の間隔を狭くすることができ、装置の小型化を図ることもできる。ところが、保持部同士の間隔を狭くすることで、成膜分子の入射方向前方に位置する保持部が、該保持部よりも後方に位置する基板の被成膜面への成膜粒子を遮ってしまう虞がある。すると、後続の基板上に未成膜部分が発生し、被成膜面における蒸着膜の膜厚にばらつきが生じてすまうという問題が出てしまう。そのため、結局は保持する基板同士の配置間隔を大きくして、全ての基板上に成膜が良好に行なわれるようにしなければならない。このような方法では基板保持治具の小型化が困難となるだけでなく、一度に保持可能な基板が制限されるため処理効率の向上が見込めない。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板上に、斜方蒸着による蒸着膜の未成膜部分が発生するのを防止し、小型化を図りつつより多くの基板を保持することのできる成膜基板の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の成膜基板の製造装置は、上記課題を解決するために、基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、基板を載置可能とする載置面を複数有した保持治具本体と、基板を前記載置面に保持する保持部と、を備え、複数の載置面は、保持治具本体の一端側から他端側にかけて並設されるとともに、水平面に対する高さが並設方向で段階的に高くなっていることを特徴としている。
【０００７】
本発明の成膜基板の製造装置によれば、各載置面の水平面に対する高さが並設方向で段階的に高くなっていることから、他の載置面の保持部が影となって、並設する載置面に搭載される基板の被成膜面に未成膜部分が発生することを防止できる。従来、保持部によって基板に未成膜部分が発生するのを防ぐために、載置面の並設間隔を多くとっていた。しかしながら、本発明のように、基板を載置する載置面の高さ位置を互いに異ならせることによって保持部の影響をなくすことができるので、載置面の並設間隔を小さくすることができる。これにより、載置面を密集させることができるので、より多くの載置面（基板）を設けることができる一方、保持治具本体の小型化を図ることも可能となる。
【０００８】
また、載置面が水平面に対して所定角度で傾斜していることも好ましい。
さらに、複数の載置面は、水平面に対する高さ位置が低い方から順に、水平面に対する傾斜角度が大きくなっていることも好ましい。
このような構成によれば、載置面に対する成膜分子の入射角度を一定にすることができる。その結果、基板上への未成膜部分の発生を防止して、蒸着膜の膜厚均一化を図ることができる。これにより、安定した膜特性を有する蒸着膜を基板上へ成膜することができる。
【０００９】
本発明の成膜基板の製造装置は、基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、基板を載置可能とする載置面を複数有した保持治具本体と、基板を保持する保持部と、を備え、複数の載置面は、保持治具本体の一端側から他端側にかけて並設されるとともに、水平面に対して所定角度で傾斜していることを特徴としている。
【００１０】
本発明の成膜基板の製造装置によれば、保持治具本体の一端側から他端側にかけて並設される載置面が水平面に対して所定の角度で傾斜しているので、各載置面に載置される基板の被成膜面に対して、成膜分子の入射角度を一定にすることができる。これにより、各基板上に所望とする膜性能を有した蒸着膜を形成することができる。また、他の載置面の保持部が影となって、並設する載置面に搭載される基板の被成膜面に未成膜部分が発生することを防止できる。以上のことから、蒸着膜の膜厚分布の均一化が実現される。
従来、保持部による未成膜部分の発生を防ぐために、載置面の並設間隔を多くとっていた。しかしながら、本発明のように、載置面の高さ位置を互いに異ならせることによって保持部の影響をなくすことができるので、載置面同士の並設間隔を狭くすることができる。これにより、載置面を密集させることができるので、より多くの載置面を設けることができる一方、保持治具本体の小型化を図ることも可能となる。
【００１１】
また、載置面の傾斜角度が、並設方向に沿って大きくなっていることも好ましい。
このような構成によれば、成膜分子の入射角度を各基板に対して、より一定にすることができる。その結果、未成膜部分の発生を防止して、蒸着膜の膜厚均一化を効果的に図ることができる。これにより、安定した膜特性を有する蒸着膜を基板上へ成膜することができる。
【００１２】
また、斜方成長膜法は、真空蒸着法による斜方蒸着であることが好ましい。
真空蒸着法により成膜することにより、成膜分子に過大なエネルギーを与えることなく、熱速度程度の運動エネルギーで蒸着を行なうことができる。これにより、成膜分子を斜めに整列させる上で有利になる。
【００１３】
また、斜方成長膜法は、イオンビームスパッタ法による斜方スパッタであることが好ましい。
イオンビームスパッタ法により成膜を行なうことにより、金属、合金、化合物及び有機物等、ほとんど全ての物質を蒸着させることができる。また、基板に対する付着性もよい。
【００１４】
本発明の成膜基板の製造装置は、基板を保持治具本体に設けた状態で処理が行われるため、基板への蒸着膜の形成不良をなくすことができる。また、処理温度が比較的低温なＰＶＤ法によれば、基板の被成膜面に対する熱の影響が少なくて済む。そのため、例えば、基板の被成膜面上に配された配線や電極等が損傷することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。また、以下の説明においては、ｘｙｚ直交座標系を設定し、このｘｙｚ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をｘ方向、水平面内においてｘ方向と直交する方向をｙ方向、ｘ方向及びｙ方向のそれぞれに直交する方向をｚ方向とする。
【００１６】
本発明の成膜基板の製造装置は、成膜基板保持治具を備える成膜装置であって、成膜基板保持治具に保持された基板の表面上に斜方成膜法にて成膜するものである。
【００１７】
まず、成膜基板保持治具について述べる。
以下に述べる各実施形態の成膜基板保持治具は、成膜しようとする基板を後述の成膜装置内で保持するためのものである。
【００１８】
［第１実施形態］
まず、第１実施形態について、図１から図３を用いて説明する。
図１は、成膜基板保持治具の全体の概要を示す斜視図である。図２は、成膜基板保持治具の側断面図である。図３は成膜基板保持治具の分解図である。
本実施形態の成膜基板保持治具１０は、図１，２に示すように、成膜しようとする基板１１を後述の成膜装置内で保持するためのもので、基板１１を載置するための載置面１２を複数有した保持治具本体１３と、載置面１２に載置される基板１１を保持する基板保持部材１４（保持部）と、を有して構成されている。
保持治具本体１３は、平面視略矩形状を呈する板状であるとともに、その断面（ｙ−ｚ断面）は長手方向一端から他端にかけて（ｙ方向に沿って）複数の段差１５を有した階段形状となっている。
【００１９】
載置面１２は、平面視矩形状をなし、複数の基板１１（本実施形態においては２つの基板）を載置可能な大きさを有している。そして、保持治具本体１３の端部１３ａから他端１３ｂにかけて複数、本実施形態においては３つの載置面１２が並設されている。さらに、水平面に対する各載置面１２の高さがそれらの並設方向（ｙ方向）一方に向かって段階的に高くなるように、互いの高さ位置を異ならせている。
【００２０】
詳しくは、図２（ａ）に示すように、第１載置面１２ａに対する第２載置面１２ｂの高さは、第１載置面１２ａ上に搭載される基板１１の被成膜面１１Ａよりも高くなるよう形成されており、第２載置面１２ｂに対する第３載置面１２ｃの高さもこれに同様である。各載置面１２は、互いの面方向が平行なものとなっている。
【００２１】
段差１５は、互いに高さ位置が異なった載置面１２の端部同士を繋ぐようにして各載置面１２間に介在する段差面１６によって形成される。段差面１６は、載置面１２に対して垂直となっている。このような段差１５によって上記階段形状が構成される。
【００２２】
図２（ｂ）及び図３に示すように、基板保持部材１４は、平面視コ字状を呈する上面保持部２１と、該上面保持部２１の外側端縁部から垂直に垂下する側方保持部２２とから構成され、載置面１２上に載置される複数の基板１１を保持するために載置面１２毎に設けられる。この基板保持部材１４は、側方保持部２２の端面２２ａを載置面１２に対向させるとともに、側方保持部２２の背面２２ｂを段差面１６に対向させた姿勢で、載置面１２の所定の箇所に設けられている。載置面１２上における基板保持部材１４は、隣接する載置面１２との段差１５側に配置され、側方保持部２２の背面２２ｂと段差面１６との間に若干の隙間が設けられている。なお、背面２２と段差面１６とは互いに接触させてもよい。また、第３載置面１２ｃに限っては、載置面１２ａ，１２ｂ上における各基板保持部材１４の配置位置と同様の位置に基板保持部材１４が設けられるものとする。
【００２３】
このように基板保持部材１４を設けることにより、該基板保持部材１４と載置面１２との間に、基板１１を保持するための保持溝２３が形成されることになる。基板１１の保持は、載置面１２と対向する基板保持部材１４の内側に、その形状に沿って連続的に形成される上記保持溝２３によって可能となる。
【００２４】
保持溝２３は、基板１１の寸法に応じて形成されていて、基板１１の端部を挿入できるようになっている。より詳しくは、図２に示すように、保持溝２３を形成している上面保持部２１の内面２１ｃと側方保持部２２の内面２２ｃのうち、側方保持部２２の内面２２ｃの幅寸法（ｚ方向長さ）は、基板１１の厚さ寸法と略同等、或いはそれ以下の寸法となっている。
【００２５】
一方、上面保持部２１の内面２１ｃの幅寸法は挿入される基板１１を確実に保持可能とする寸法であるとともに、保持溝２３に挿入されることで隠れてしまう基板１１の被成膜面１１Ａ上の領域を最小限に抑える寸法とする。さらに、この内面２１ｃは、保持溝２３の開口側が広がるように、側方保持部２２の内面２２ｃ側から外方側にかけて上面保持部２１の厚さ方向に傾斜している。上面保持部２１の内面２１ｃ全体を傾斜させる構成の場合、側方保持部２２の内面２２ｃにおける幅寸法を基板１１の厚さ寸法よりも若干短く形成しておくことが好ましい。
【００２６】
本実施形態の成膜基板保持治具１０によれば、各載置面１２の水平面に対する高さが並設方向で段階的に高くなっていることから、全ての載置面１２に載置される基板１１の被成膜面１１Ａに未成膜部分Ｂが発生することを防止することができる。また、また、他の載置面１２の基板保持部材１４が影となって、並設する載置面１２に搭載される基板１１の被成膜面１１Ａに未成膜部分Ｂが発生することを防止できる。さらに、載置面１２の高さ位置を異ならせることによって基板保持部材１４の影響をなくすことができるので、載置面１２の並設間隔を小さくすることができる。これにより、載置面１２を密集させることができるので、より多くの載置面１２（基板１１）を設けることができる一方、治具全体の小型化を図ることも可能となる。
【００２７】
また、上面保持部２１の内面２１ｃ全体を傾斜させるのではなく、開口側の端部のみを傾斜させるようにしてもよい。
【００２８】
これにより、保持溝２３内へ基板１１の端部を容易に挿入させることができると同時に、基板１１を保持溝２３内へ挿入させるだけで基板１１を確実に保持することができる。その保持力は、成膜基板保持治具１０を傾斜させた状態で長時間使用した場合であっても、成膜基板保持治具１０から基板１１が脱落しない程の力とする。
【００２９】
なお、上述したように、保持治具本体１３の段差面１６と、基板保持部材１４の側方保持部２２とを互いに接触させるようにして設けてもよい。これにより、載置面１２上をより有効に活用でき、成膜基板保持治具１０全体の小型化をより促進することができる。
【００３０】
本実施形態の成膜基板保持治具１０は、後述の成膜装置に設置した際、保持する全ての基板１１に対する成膜分子の入射角度が同じ角度となるように構成されるものとする。上記実施形態においては、水平面に対する各載置面１２の高さ位置を調整する等して適宜対応することが可能である。
【００３１】
次に、本実施形態における成膜基板保持治具の他の実施形態について述べる。
図４（ａ）に示す成膜基板保持治具３８は、各載置面１２が水平面に対して所定の角度θで傾斜している。載置面１２は、その幅方向において、保持治具本体１３の端部１３ａ側よりも端部１３ｂ側の端部の方が高くなるように、水平面に対して角度θで傾斜している。各載置面１２の傾斜角度θは全て同じ角度とする。
【００３２】
図４（ｂ）に示す成膜基板保持治具３９は、各載置面１２の傾斜角度がｘ方向で変化している。つまり、ｘ方向において第１載置面１２ａから順に、水平面に対する各々の傾斜角度θが段階的に大きくなるように構成されている。つまり、第１載置面１２ａの傾斜角度θ１よりも第２載置面１２ｂの傾斜角度θ２の方が水平面に対する傾斜角度が大きく、第２載置面１２ｂの傾斜角度θ２よりも第３載置面１２ｃの傾斜角度θ３の方が水平面に対する傾斜角度が大きくなっている。
【００３３】
従来、基板１１の被成膜面１１Ａに斜方蒸着する場合、例えば、図１０（ａ）中に示すように、基板１１の右斜め上方に示す点Ｐから成膜分子が入射してくるものとする。すると、基板１１の被成膜面１１Ａ上では図中ｘ方向において、成膜分子の入射角度θが異なっていることが分かる。点Ｐから最も遠い地点Ｈでは入射角度がθａとなっており、点Ｐから最も近い地点Ｊでは入射角度がθｃとなっている。このように、点Ｐに近い地点ほど入射角度が大きくなっている。
【００３４】
図１０（ｂ）に示す従来の成膜基板保持治具５０では、基板１１の両端側を保持部５１によって保持する構成となっていたため、被成膜面１１Ａに対して図中の矢印Ｔで示す方向から成膜分子が入射してくると、成膜分子の入射方向側にある基板保持部材５１が成膜分子を遮ってしまっていた。すると、被成膜面１１Ａ上に未成膜領域Ｂが発生してしまい、これに起因する膜性能の低下が懸念されていた。また、上述したように、成膜基板保持治具５０に対する成膜分子の入射角度は、図中ｙ方向において異なっていることから、ｙ方向に並ぶ各基板１１では、膜厚にばらつきが生じる虞もあった。
【００３５】
これに対して、成膜基板保持治具３８，３９は、保持する全ての基板１１に対する成膜分子の入射角度が同じ角度となるように、水平面に対する載置面１２の傾斜角度θを適宜調整可能となっている。なお、図４において基板保持部材の図示は省略してある。
【００３６】
このように、ｘ方向で並設する載置面１２ａ，１２ｂ，１２ｃの傾斜角度を変化させることによって、各載置面１２に対する成膜分子の入射角度を一定にすることができる。その結果、未成膜部分が発生することを防止して、蒸着膜の膜厚均一化を図ることができる。これにより、安定した膜特性を有する蒸着膜を各基板１１上へ成膜することができる。
【００３７】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について図５を用いて説明する。
図５は、本実施形態における成膜基板保持治具３０の概略を示す側断面図である。
本施形態において、上記実施形態と同様の構成については同符号を付与し、その説明は省略するものとする。
【００３８】
成膜基板保持治具３０は、複数の載置面１２と各載置面１２に載置される基板１１を保持する基板保持部３１とを有して構成された保持治具本体３２からなる。本実施形態における基板保持部３１は、保持治具本体３２に一体形成されている。
【００３９】
保持治具本体３２には、基板１１を載置する載置面１２が図中ｘ方向に複数設けられている。各載置面１２は、水平方向に対して角度θで傾斜している。載置面１２の幅寸法は、基板１１の幅寸法と同等かそれ以上に設定され、長手方向（ｙ方向）に複数の基板１１を載置可能とする大きさで形成されている。
【００４０】
基板保持部３１は、各載置面１２に対向するようにそれぞれ設けられ、載置面１２との間に基板１１を挿入するための保持溝３３を形成している。図５に示すように、各基板保持部３１のうち、第２載置面１２ｂに対応する第２基板保持部３１ｂは、第１載置面１２ａと第２載置面１２ｂとの間に設けられている。同様に、第３載置面１２ｃに対応する第３基板保持部３１ｃは、第２載置面１２ｂと第３載置面１２ｃとの間に設けられている。各基板保持部３１は、保持治具本体３２の上面３４から載置面１２に対して垂直をなすよう垂下する面３５と、該面３５と載置面１２の基部側（保持治具本体の下面側）から載置面１２に対して垂直をなす面３６とを繋ぐ内面３７と、から構成されている。
【００４１】
内面３７は、保持溝３３の開口が外方へ向かって広がるように、載置面１２に対して所定の角度で傾斜している。この場合、面３６の幅寸法を基板１１の厚さよりも短い寸法で形成しておくことが好ましい。これにより、保持溝３３内へ基板１１を挿入させるだけで基板１１を着脱可能に固定することができる。
なお、内面３７全体を傾斜させるのではなく、開口側の端部のみを傾斜させるようにしてもよい。
【００４２】
また、基板保持部３１は、保持溝３３内に挿入される基板１１を確実に保持可能とするとともに、保持溝３３に挿入されることで隠れてしまう基板１１の被成膜面１１Ａ上の領域を最小限に抑えた構成とする。
【００４３】
このような構成により、保持治具本体３２と基板保持部３１とが一体形成されるので、部品点数が削減されてコストを抑えることができる。また、基板１１をより密集させて設けることができるので、成膜基板保持治具３０の更なる小型化を図ることができる。
【００４４】
次に、本実施形態における成膜基板保持治具の他の実施形態について述べる。
図６に示す成膜基板保持治具４０のように、各載置面１２に与える傾斜角度θを変化させるようにしてもよい。すなわち、ｘ方向において第１載置面１２ａから順に、水平面に対する各載置面１２の傾斜角度が段階的に大きくなるように構成してもよい。つまり、第１載置面１２ａの傾斜角度θ１よりも第２載置面１２ｂの傾斜角度θ２の方が水平面に対する傾斜角度が大きく、第２載置面１２ｂの傾斜角度θ２よりも第３載置面１２ｃの傾斜角度θ３の方が水平面に対する傾斜角度が大きくなっている。
【００４５】
本実施形態の成膜基板保持治具は、成膜装置に用いられるものであるが、その取り付け方法については特に詳述はしない。成膜保持治具本体に保持されている全ての基板１１の被成膜面１１Ａに対する成膜分子の入射角度が、同じ角度となるように取り付けられればよい。
【００４６】
水平面に対する載置面１２の傾斜角度θは、所望とする膜性能、基板１１の大きさや数、成膜基板保持治具が後述の成膜装置へ装着されるときの条件等が考慮される。
【００４７】
以上述べた成膜基板保持治具は、斜方成膜法により成膜を行なう基板を保持するものである。斜方成膜法としては、斜方蒸着或いは斜方スパッタ等が挙げられる。よって、以下では斜方蒸着により成膜を行なう成膜装置、及び斜方スパッタにより成膜を行なう成膜装置について述べる。
【００４８】
上記成膜基板保持治具を備える成膜装置について図７及び図８を用いて説明する。
図７に示すイオンビームスパッタ装置１００は、成膜室としての成膜チャンバ１０１と、該成膜チャンバ１０１内に設けられ成膜材料の成膜分子を射出させるイオンガン１０２と、成膜チャンバ１０１内に具備されるとともに複数の基板１１を保持した成膜基板保持治具とを備えている。そして、イオンガン１０２からターゲット１０３にイオンビームを照射し、ターゲット１０３をスパッタリングすることにより該ターゲット１０３から放出されたスパッタ粒子を、成膜基板保持治具に保持されている全ての基板１１上に、一定の入射角度θｓ（傾斜角度）で堆積させて成膜を行っている。このようなターゲット１０３の材料としては、基板１１上に成膜する所望の材料を適宜採用することができる。そして、成膜チャンバ１０１には、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための真空ポンプ１０４が接続されている。
【００４９】
イオンビームスパッタ装置１００に具備される成膜基板保持治具は、ターゲット２２と基板１１の基板面重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１と、基板１１の被成膜面と垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が、所定値となるように成膜チャンバ１１１内に保持される。
【００５０】
図８に示す真空蒸着装置１１０は、成膜室としての成膜チャンバ１１１と、該成膜チャンバ１１１内に設けられ成膜材料の蒸気流を発生させる蒸着源１１２と、成膜チャンバ１０１の内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための真空ポンプ１１４と、成膜チャンバ１１１内に具備されるとともに複数の基板１１を保持した成膜基板保持治具と、を備えている。図中矢印Ｙ１で示すように、蒸着源１１２から昇華した成膜材料が、成膜基板保持治具に保持されている全ての基板１１に対して一定の入射角度θｓ（傾斜角度）で連続入射する。これにより、基板１１に成膜材料が斜め柱状に堆積しさせて成膜を行なっている。成膜材料としては、基板１１上に成膜する所望の材料を適宜採用することができる。
【００５１】
真空蒸着装置１１０に具備される成膜基板保持治具は、蒸着源１１２と基板１１の基板面重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１と、基板１１の被成膜面と垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が、所定値となるように、保持機構に保持される。
【００５２】
ここで、成膜装置に用いられる成膜基板保持治具として、上記した第１実施形態の成膜基板保持治具１０を用いた場合を例にあげて説明する。図９において矢印Ｙ１によって示される、成膜分子の進行方向（成膜材料の成膜方向）と、成膜が施される基板１１（被成膜面１１Ａ）とのなす角度θｓ（入射角度）が、成膜基板保持治具１０に備えられている全ての基板１１において一定となるように、成膜基板保持治具１０の取り付け方向が適宜調整可能となっている。本実施形態では斜方蒸着を行うことから、各基板１１の被成膜面１１Ａに対する入射角度θｓは９０°未満で設定される。
【００５３】
このとき、成膜基板保持治具１０は、基板保持部材１４が成膜分子の入射方向側に向かないようにして設けられる。こうして、基板保持部材１４によって被成膜面１１Ａに入射する成膜分子を遮ることがないようにすることが重要である。
【００５４】
本発明に係る各実施形態の成膜基板保持治具を用いれば、イオンビームスパッタ装置１００及び真空蒸着装置１１０によって成膜処理を行なう際、基板１１を保持している基板保持部材が成膜分子を遮ることがない。また、成膜基板保持治具に保持される全ての基板１１の被成膜面１１Ａに対して、同じ入射角度θで成膜分子を蒸着させることができる。
【００５５】
したがって、成膜基板保持治具に保持される全ての基板１１の被成膜面１１Ａに対して、未成膜領域Ｂを発生させることなく全面的に均一な蒸着膜を形成することが可能となる。よって、基板１１への蒸着膜の形成不良をなくすことができ、成膜形成処理精度を向上させることができる。
【００５６】
また、成膜分子の入射が、４５°以下の低角度入射であっても、未成膜領域Ｂを発生させることなく、良好な膜性能を有した蒸着膜を形成することができる。また、成膜基板保持治具には、複数の基板１１を載置させることができるので、一度に多くの基板１１を処理することが可能になることから作業効率が良い。
【００５７】
さらに、処理温度が比較的低温なＰＶＤ法を用いて成膜を行なうことから、基板１１の被成膜面１１Ａに対する熱の影響が少なくて済む。そのため、例えば、基板１１の被成膜面１１Ａ上に配された配線や電極等が損傷することを防止することができる。
【００５８】
真空蒸着法により成膜処理を行なうことにより、成膜分子に過大なエネルギーを与えることなく、熱速度程度の運動エネルギーで蒸着を行なうことができる。これにより、成膜分子を斜めに整列させる上で有利になる。
【００５９】
一方、イオンビームスパッタ法により成膜処理を行なうことにより、金属、合金、化合物及び有機物等、ほとんど全ての物質を蒸着させることができる。また、基板１１に対する付着性もよい。
【００６０】
なお、本実施形態はこれに限定されるものではなく、各請求項に記載した範囲を逸脱しない限り、各請求項の記載文言に限定されず、当業者がそれらから容易に置き換えられる範囲にも及び、且つ当業者が通常有する知識に基づく改良を適宜付加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１実施形態に係る成膜基板保持治具の概略構成を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る成膜基板保持治具の概略構成を示す側断面図である。
【図３】第１実施形態に係る成膜基板保持治具の分解図である。
【図４】第１実施形態に係る成膜基板保持治具の他の実施形態を示す側断面図である。
【図５】第２実施形態に係る成膜基板保持治具の概略構成を示す側断面図である。
【図６】第２実施形態に係る成膜基板保持治具の他の実施形態を示す側断面図である。
【図７】イオンビームスパッタ装置の概略構成図である。
【図８】蒸着装置の概略構成図である。
【図９】各基板の被成膜面に対する成膜分子の入射角度を示す説明図である。
【図１０】従来の成膜基板保持治具を用いて成膜する際の課題を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０…成膜基板保持治具、１１…基板、１１Ａ…被成膜面、１２…載置面、１３…保持治具本体、１４…基板保持部材、１５…段差、１６…段差面、１００…イオンビームスパッタ装置、１１０…蒸着装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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