(57)【要約】【課題】エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留りで製造する。【解決手段】ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有するエピタキシャルウエハを液相エピタキシー法により製造する方法であって、成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合は、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われ、前記所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕を前記材料の融点Ｔｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔｍの範囲とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を液相エピタキシー法により順次形成するシングルヘテロ構造エピタキシャルウエハの製造方法、または、
ｐ型ＧａＡｓ基板上に、 ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を液相エピタキシー法により順次形成したダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハの製造方法であって、
成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合が、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われることを特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法において、前記ドーパント材料および／またはアルミニウム材料を投入する所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕が、前記材料の融点Ｔｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔｍであることを特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２に記載の製造方法において、前記ドーパント材料がＺｎであることを特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３に記載した製造方法により製造されたエピタキシャルウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウエハの製造方法に関し、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ）用エピタキシャルウエハに好適な、酸素不純物濃度の低いエピタキシャルウエハの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、屋外用ディスプレイパネルや自動車用ランプとして発光ダイオード（ＬＥＤ）が広く用いられるようになってきたが、これらの用途に用いるためには、白昼でも視認できる程度に輝度が高いことが要求される。そこで、ＬＥＤの高輝度化および低コスト化（歩留り向上）のため、種々の検討が行われてきた。例えば、構造面ではシングルヘテロ構造、ダブルヘテロ構造、裏面反射型ダブルヘテロ構造などヘテロ構造の発光ダイオードが開発されている。
【０００３】
赤色ＬＥＤを例にとると、シングルヘテロ構造のエピタキシャルウエハは、ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を液相エピタキシー法により順次形成して製造される。また、ダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハは、ｐ型ＧａＡｓ基板上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を液相エピタキシー法により順次形成して製造される。
【０００４】
ここで、液相エピタキシー法により赤色ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハを製造する場合、通常、原料としてはＧａ（ガリウム）、ＧａＡｓ（砒化ガリウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｅ（テルル）が用いられ、成長治具にはグラファイト（カーボン）製のものが使用される。Ｚｎはｐ型ドーパントとして、Ｔｅはｎ型ドーパントとして用いられる。
【０００５】
一方、ＬＥＤ用エピタキシャルウエハに混入する不純物のうち、酸素は発光特性に大きく影響を及ぼしていることが知られている。不純物の酸素が成長溶液中のＧａ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｅ等と結合して酸化物が生成されると、エピタキシャル層中に結晶欠陥が増え発光特性が大きく劣化する。
【０００６】
液相エピタキシー法によるＬＥＤ用エピタキシャルウエハの製造は、通常、水素雰囲気中で行われるため、従来、成長治具や原料に含まれる酸素は還元され、エピタキシャル層中に酸素不純物は殆ど含まれないと考えられていた。しかし実際には、グラファイト製の成長治具中に含まれる水分から酸素が発生し、エピタキシャル層中に酸素不純物が混入することが分かった。この問題を解決するため、成長溶液中の酸素濃度を低減する検討が行われた。
【０００７】
例えば、特許文献１（特開２００１−１５８００号公報）のエピタキシャルウエハは、グラファイト製成長治具に対する前処理として高温空焼きを行い、治具中に含まれる（付着・吸着を含む）水分を除去した後、該治具が大気に触れないようにすることで、治具の水分から発生する酸素不純物の低減を図る製造方法が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１５８００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の従来のエピタキシャルウエハでは、エピタキシャル層原料に含まれる酸素の具体的な除去方法の開示が無く、原料に起因する酸素不純物を低減できる保障が無い。特に、ＡｌとＺｎは酸化し易い物質であり、原料表面に酸化皮膜等を形成しやすい。また、ＺｎとＴｅはＧａよりも融点と密度が高い物質であることから、成長装置内で昇温して原料を溶解する際、ＺｎやＴｅは液体Ｇａに覆われてしまう（Ｚｎ：融点≒４２０℃，密度≒７．１ｇ/ｃｍ３、Ｔｅ：融点≒４５０℃，密度≒６．２ｇ/ｃｍ３、Ｇａ：融点≒３０℃，密度≒５．９ｇ/ｃｍ３）。このため、水素雰囲気中で昇温した場合においても、該原料の酸化皮膜の除去（還元・純化）が不完全になりやすく、酸素不純物の低減が阻害される懸念がある。
【００１０】
従って、本発明の目的は、エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留り（低コスト）で製造する方法を供給することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記目的を達成するため、ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を液相エピタキシー法により順次形成するシングルヘテロ構造エピタキシャルウエハの製造方法、または、
ｐ型ＧａＡｓ基板上に、 ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を液相エピタキシー法により順次形成したダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハの製造方法であって、
成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合が、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われることを特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【００１２】
また、本発明は、上記目的を達成するため、上記の本発明に係る製造方法において、前記ドーパント材料および／またはアルミニウム材料を投入する所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕が、前記材料の融点Ｔｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔｍであることを特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【００１３】
また、本発明は、上記目的を達成するため、上記の本発明に係る製造方法において、前記ドーパント材料がＺｎであることを特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【００１４】
また、本発明は、上記目的を達成するため、上記の本発明に係る製造方法により製造されたエピタキシャルウエハを提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留り（低コスト）で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本実施の形態におけるエピタキシャルウエハの製造方法は、ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を液相エピタキシー法により順次形成するシングルヘテロ（ＳＨ）構造エピタキシャルウエハの製造方法、または、
ｐ型ＧａＡｓ基板上に、 ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を液相エピタキシー法により順次形成したダブルヘテロ（ＤＨ）構造のエピタキシャルウエハの製造方法であって、
成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合が、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われ、前記所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕が、前記材料の融点Ｔｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔｍであることを特徴とする。
【００１７】
（エピタキシャルウエハの構造）
図１は、本発明の実施の結果として得られるＳＨ構造のＧａＡｌＡｓ系赤色ＬＥＤ用エピタキシャルウエハの１例を示す断面模式図である。このエピタキシャルウエハは、ｐ型のＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２と、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３が形成されている。ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２は、例えば、膜厚２５μｍ、Ａｌ混晶比０．３５であり、ｐ型ドーパントとしてＺｎがドープされている。また、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３は、例えば、膜厚４０μｍ、Ａｌ混晶比０．６０であり、ｎ型ドーパントとしてＴｅがドープされている。
【００１８】
図２は、本発明の実施の結果として得られるＤＨ構造のＧａＡｌＡｓ系赤色ＬＥＤ用エピタキシャルウエハの１例を示す断面模式図である。このエピタキシャルウエハは、ｐ型のＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４と、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２’と、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３’が形成されている。ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４は、例えば、膜厚２０μｍ、Ａｌ混晶比０．６であり、ｐ型ドーパントとしてＺｎがドープされている。ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２’は、例えば、膜厚２μｍ、Ａｌ混晶比０．３５であり、ｐ型ドーパントとしてＺｎがドープされている。また、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３’は、例えば、膜厚４０μｍ、Ａｌ混晶比０．６であり、ｎ型ドーパントとしてＴｅがドープされている。
【００１９】
（液相エピタキシー法における成長治具）
図１に示したようなＳＨ構造エピタキシャルウエハの場合を例にして、液相エピタキシー法における成長治具について説明する。なお、図２に示したようなＤＨ構造エピタキシャルウエハの場合は、下記図３に対して、ｐ型クラッド層４用の成長溶液溜、材料投入用容器および付帯治具が追加される。
【００２０】
図３は、本発明を実施するための液相エピタキシー法におけるスライドボート式成長治具およびエピタキシャル層成長方法の１例を示した断面模式図である。成長治具本体１０は、グラファイト素材で形成され、活性層成長溶液溜１２’と、クラッド層成長溶液溜１３’と、活性層ドーパント材料（Ｚｎ）１４および活性層材料（Ａｌ）１６を収容する容器１７と、クラッド層ドーパント材料（Ｔｅ）１５およびクラッド層材料（Ａｌ）１６’を収容する容器１８と、基板１を収容する基板ホルダ１１から構成されている。また、容器１７の底蓋１７’をスライドさせるための押し棒１９と、容器１８の底蓋１８’をスライドさせるための引き棒２０と、基板ホルダ１１をスライドさせるための引き棒２１を有している。なお、成長装置の図示は省略した。
【００２１】
（エピタキシャルウエハの製造方法）
図１に示したようなエピタキシャルウエハの製造は、例えば次のような手順で行われる。基板１を収容した基板ホルダ１１を成長治具本体１０にセットする。成長治具本体１０の活性層成長溶液溜１２’とクラッド層成長溶液溜１３’にエピタキシャル層の原料であるＧａおよびＧａＡｓを収容し、容器１７に活性層ドーパント材料（Ｚｎ）１４および活性層材料（Ａｌ）１６を収容し、容器１８にクラッド層ドーパント材料（Ｔｅ）１５およびクラッド層材料（Ａｌ）１６’を収容する。なお、特開２００１−１５８００号公報に記載されているように、成長治具本体１０にあらかじめ高温空焼きを行い、その後、該治具が大気に触れないようにすることは好ましい。
【００２２】
基板とエピタキシャル層材料が収容された成長治具本体１０を液相エピタキシャル成長装置内の所定の箇所に設置する。押し棒１９および引き棒２０，２１の取り付けは、適宜行えばよい。上記成長治具本体を水素気流中にて１〜５℃／ｍｉｎの割合で８５０〜９５０℃まで加熱する。この昇温途中の所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕において、押し棒１９を用いて容器１７の底蓋１７’を段階的にスライドさせて、活性層ドーパント材料（Ｚｎ）１４および活性層材料（Ａｌ）１６を活性層成長溶液溜１２’中の活性層成長溶液１２に投入する。同様に、所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕において、引き棒２０を用いて容器１８の底蓋１８’を段階的にスライドさせて、クラッド層ドーパント材料（Ｔｅ）１５およびクラッド層材料（Ａｌ）１６’をクラッド層成長溶液溜１３’中のクラッド層成長溶液１３に投入する。Ａｌの融点（約６６０℃）はＺｎの融点（約４２０℃）やＴｅの融点（約４５０℃）よりも高いことから、底蓋１７’，１８’を段階的にスライドさせることが望ましい。
【００２３】
この時、所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕は、投入する材料の融点Ｔｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔｍであることが望ましい。より望ましくは０．９Ｔｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔｍであり、さらに望ましくは０．９５Ｔｍ≦Ｔ≦０．９８Ｔｍである。所定の温度ＴがＴ＜０．８Ｔｍであると、投入される材料の還元・純化（酸化物皮膜の除去）が不完全になりやすく、歩留まり低下の要因となる。また、所定の温度Ｔが０．９９Ｔｍ＜Ｔであると、過冷度（例えば、材料表面の曲率半径に起因）による融点降下により、投入される材料が溶融して不完全投入となる場合があり、成長溶液の組成ズレが起きやすく、発光特性劣化の要因となる。
【００２４】
なお、所定の温度Ｔにおいて、保持時間を設けることは好ましい。また、Ａｌ材料は、密度（約２．７ｇ/ｃｍ３）がＧａの密度（約５．９ｇ/ｃｍ３）よりも小さく、液体Ｇａに浮くことから、成長溶液投入後も材料の還元・純化が進行しやすいと考えられるので、ＺｎやＴｅのドーパント材料と同時投入することも可能である。また、あらかじめ活性層成長溶液溜１２’とクラッド層成長溶液溜１３’に収容することも可能である。
【００２５】
上述した８５０〜９５０℃まで昇温した後、２〜５時間保持して成長溶液を安定させる。その後、７００℃まで０．５〜２℃／ｍｉｎの割合で降温させながら、引き棒２１を用いて基板ホルダ１１をスライドさせ、基板１を成長溶液１２，１３に順次接触させて、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層をエピタキシャル成長させる。これによりエピタキシャルウエハが製造される。
【００２６】
（他の成長治具）
図４は、本発明を実施するための液相エピタキシー法におけるスライドボート式成長治具およびエピタキシャル層成長方法の他の１例を示した断面模式図である。成長治具本体３０は、グラファイト素材で形成され、活性層成長溶液溜３２と、クラッド層成長溶液溜３３と、活性層ドーパント材料（Ｚｎ）１４を収容する容器３４と、活性層材料（Ａｌ）１６を収容する容器３６と、クラッド層ドーパント材料（Ｔｅ）１５を収容する容器３５と、クラッド層材料（Ａｌ）１６’を収容する容器３７と、基板１を収容する基板ホルダ３１から構成されている。また、容器３４を回転させるための回し棒３９と、容器３６を回転させるための回し棒３９’と、容器３５を回転させるための回し棒４０と、容器３７を回転させるための回し棒４０’と、基板ホルダ３１をスライドさせるための引き棒４１を有している。なお、成長装置は図示していない。
【００２７】
図４の成長治具を用いたエピタキシャルウエハの製造は、図３の成長治具を用いた場合と同様に行われる。なお、活性層ドーパント材料（Ｚｎ）１４、活性層材料（Ａｌ）１６、クラッド層ドーパント材料（Ｔｅ）１５、クラッド層材料（Ａｌ）１６’を各成長溶液に投入するにあたり、図３の成長治具を用いた場合の「底蓋１７’，１８’を段階的にスライドさせる」の代わりに、回し棒３９〜４０’を用いて容器３４〜３７を投入温度Ｔの低いほうから順次回転させて行われる。
【００２８】
〔実施の形態の効果〕
上記の本発明の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
（１）成長溶液の調合において、ドーパント材料やアルミニウム材料に含まれる酸素成分を効果的に除去できることから、成長溶液中の酸素濃度を低減することができる。
（２）成長溶液中の酸素濃度の低減は、エピタキシャル層中の酸素不純物の低減につながることから、発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留り（低コスト）で製造することができる。
【００２９】
以下、本発明を実施例に基づいて更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００３０】
（実施例１〜３および比較例１〜４の作製）
はじめに、成長治具として図３に示したようなグラファイト製のスライドボート式成長治具を用意した。この成長治具に対し、空焼き（水素雰囲気中、９５０℃で１０時間保持）を行って治具中に含まれる水分を除去した後、該治具が大気に触れないように窒素雰囲気のグローブボックス内に保管した。
【００３１】
次に、グローブボックス内でｐ型ＧａＡｓ基板とエピタキシャル層の原料であるＧａ、ＧａＡｓ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｅを成長治具にセットした。このとき、従来技術と同様に、活性層成長溶液溜にＧａ、ＧａＡｓ、Ａｌ、Ｚｎを収容し、クラッド層成長溶液溜にＧａ、ＧａＡｓ、Ａｌ、Ｔｅを収容したものを比較例１とした。一方、他の比較例（比較例２〜４）および実施例１〜３は、ドーパント原料（Ｚｎ、Ｔｅ）とＡｌ原料をそれぞれ図３に示したように、活性層成長溶液溜やクラッド層成長溶液溜と異なる容器に収容した。その後、大気に触れないようにしながら、各成長治具を液相エピタキシャル成長装置内の所定の箇所に設置した。
【００３２】
次に、水素気流中３℃／ｍｉｎの割合で上記成長装置を９００℃まで加熱した。昇温途中の所定の温度において、ドーパント原料（Ｚｎ、Ｔｅ）とＡｌ原料を活性層成長溶液およびクラッド層成長溶液に投入した。このとき、活性層ドーパント原料（Ｚｎ）の投入温度を変化させ、２００℃で投入（比較例２）、２５０℃で投入（比較例３）、３００℃で投入（実施例１）、３５０℃で投入（実施例２）、４００℃で投入（実施例３）、４５０℃で投入（比較例４）とした。また、クラッド層ドーパント原料（Ｔｅ）とＡｌ原料の投入温度は、比較例２〜４および実施例１〜３をとおして、それぞれ４００℃、６００℃で統一した。
【００３３】
９００℃に到達後、３時間保持して成長溶液を安定させた。次に、７００℃まで１℃／ｍｉｎの割合で降温させながらｐ型ＧａＡｓ基板を順次成長溶液に接触させて、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層をエピタキシャル成長させ、各条件で複数枚のＬＥＤ用エピタキシャルウエハを作製した。
【００３４】
（発光特性評価）
上記で作製した各エピタキシャルウエハに対し、発光特性の評価を行った。まず、グルービング測定装置（株式会社オプト・システム製、型式：ＷＧ−１０５）を用いて、エピタキシャルウエハ表面にリング状の溝加工（外径φ０．９ｍｍ、内径φ０．６ｍｍ、ｐｎ界面の深さ以上）を多数施した。次に、溝加工中央の島部上面（外径φ０．６ｍｍ）に電極針を接触させ、ウェハ裏面電極（別途形成）との間で通電し発光特性を測定した。通電電流は２０ｍＡとし、各作製条件（実施例１〜３および比較例１〜４）で１０００箇所ずつ測定した。発光特性が１０ｍｃｄ未満であるものを不良品と判定し、不良発生率を求めた。結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
2008244065.tif 000002
【００３６】
表1の結果から明らかなように、ドーパント材料およびアルミニウム材料を投入する所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕が、該材料の融点Ｔｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔｍであるエピタキシャルウエハを用いたＬＥＤ（実施例１〜３）は、低い不良発生率を示し、歩留まり良く製造できたことが判る。これは、成長装置の昇温過程において、ドーパント材料およびアルミニウム材料に含まれる酸素成分を効果的に除去（還元・純化）できたことから、成長溶液中の酸素濃度を低減することができ、その結果、エピタキシャル層中の酸素不純物が低減したためと考えられる。
【００３７】
これに対し、本発明の規定から外れて製造されたＬＥＤ用エピタキシャルウエハ（比較例１〜４）では、不良発生率がほとんど改善されていないことが判る。これは、ドーパント材料およびアルミニウム材料に含まれる酸素成分の除去（還元・純化）が不十分であったためと考えられる。
【００３８】
なお、比較例４においては、ドーパント材料（Ｚｎ）投入温度がＺｎの融点を超えており、Ｚｎが容器内（言い換えると、活性層成長溶液溜の外）で溶融したことに伴ってドーパント投入量に不足が生じ、不良発生率が増大したものと考えられる。
【００３９】
上記の実施例は、シングルヘテロ構造のエピタキシャルウエハにおいて実施したものであるが、ダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハにおいても同様の効果が期待できる。また、本発明は、ダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハからＧａＡｓ基板を除去して作製される裏面反射型の発光ダイオードにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の結果として得られるＳＨ構造のＧａＡｌＡｓ系赤色ＬＥＤ用エピタキシャルウエハの１例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の実施の結果として得られるＤＨ構造のＧａＡｌＡｓ系赤色ＬＥＤ用エピタキシャルウエハの１例を示す断面模式図である。
【図３】本発明を実施するための液相エピタキシー法におけるスライドボート式成長治具およびエピタキシャル層成長方法の１例を示した断面模式図である。
【図４】本発明を実施するための液相エピタキシー法におけるスライドボート式成長治具およびエピタキシャル層成長方法の他の１例を示した断面模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…基板、２，２’…活性層、３，３’…クラッド層、４…クラッド層、１０…成長治具本体、１１…基板ホルダ、１２…活性層成長溶液、１２’…活性層成長溶液溜、１３…クラッド層成長溶液、１３’…クラッド層成長溶液溜、１４…活性層ドーパント材料、１５…クラッド層ドーパント材料、１６…活性層材料、１６’…クラッド層材料、１７，１８…容器、１７’，１８’…底蓋、１９…押し棒、２０，２１…引き棒、３０…成長治具本体、３１…基板ホルダ、３２…活性層成長溶液溜、３３…クラッド層成長溶液溜、３４，３５，３６，３７…容器、３９，３９’，４０，４０’…回し棒、４１…引き棒。
【図１】
2008244065.tif 000003
【図２】
2008244065.tif 000004
【図３】
2008244065.tif 000005
【図４】
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