(57)【要約】【課題】絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部の形状が変化するのを防止することができる凹凸回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】  Ｂステージ状態の絶縁層１に少なくとも１つ以上の貫通した孔部２を設け、この絶縁層１の片面又は両面に金属層３及び基板４から選ばれるものを積層した後、加熱加圧成形することによって絶縁層１を硬化させると共に、この絶縁層１に前記金属層３及び基板４から選ばれるものを接着させるようにした凹凸回路基板Ａの製造方法に関する。加熱加圧成形の前に絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。加熱加圧によって軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させる。加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去する。【選択図】図１
2008244177.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂステージ状態の絶縁層に少なくとも１つ以上の貫通した孔部を設け、この絶縁層の片面又は両面に金属層及び基板から選ばれるものを積層した後、加熱加圧成形することによって絶縁層を硬化させると共に、この絶縁層に前記金属層及び基板から選ばれるものを接着させるようにした凹凸回路基板の製造方法であって、加熱加圧成形の前に絶縁層の孔部を塞ぐように熱可塑性フィルムを積層し、加熱加圧によって軟化した熱可塑性フィルムの樹脂を孔部に充填させ、加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルムを剥離して孔部から樹脂を除去することを特徴とする凹凸回路基板の製造方法。
【請求項２】
金属層及び基板から選ばれるものとして、部品が実装されたものを用い、加熱加圧成形の際に前記部品を絶縁層の内部に埋め込むことを特徴とする請求項１に記載の凹凸回路基板の製造方法。
【請求項３】
基板として、多層回路基板及び凹凸を設けた多層回路基板から選ばれるものを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の凹凸回路基板の製造方法。
【請求項４】
加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルムの流動性が絶縁層の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の凹凸回路基板の製造方法。
【請求項５】
熱可塑性フィルムとして、少なくとも孔部に対向する面に離型層が設けられたものを用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の凹凸回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面が凹凸面として形成された立体回路基板などの凹凸回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
立体回路基板のような凹凸回路基板Ａには孔部２が設けられているので、この孔部２に各種部品６を実装することによって、高密度実装化及び小型薄型化を図ることができる。従来、このような凹凸回路基板Ａは、基本的には図１３に示すような工程を経て製造されている（例えば、特許文献１、２参照。）。すなわち、まず図１３（ａ）のように、表面に回路１１を設けた多層回路基板７にＢステージ状態の絶縁層１を重ね、銅箔等の金属層３を介してこの絶縁層１の側に凸部２４を設けた金型２５を配置する。そして図１３（ｂ）のように、プレス装置（図示省略）を用いて、金属層３を介して金型２５を絶縁層１に押し付けて加熱加圧成形を行った後脱型すると、図１３（ｃ）のような凹凸回路基板Ａを得ることができる。
【０００３】
しかし、上記のような製造方法にあっては、金属層３を介して金型２５を絶縁層１に押し付けるようにしているので、金型２５の凸部２４の形状に沿って絶縁層１を追従させて変形させるのが難しい。そのため、孔部２の開口縁をシャープに形成しようとしても、図１３（ｃ）のように実際には孔部２の開口縁はだれてしまうという問題がある。
【０００４】
このような問題は、例えば図１４に示すような工程を経て一応解決することができる。すなわち、図１４（ａ）（ｂ）のように絶縁層１を介して多層回路基板７及び金属層３を積層成形した後、図１４（ｃ）のように座ぐり加工を行って孔部２を設けるというものである。ところが、一般的に座ぐり加工は時間がかかる上に、図１４（ｃ）のように孔部２の底部に回路形成用金属層１４を平坦に露出させるためには高度の加工精度が要求されるので、実用的であるとはいえない。
【０００５】
そこで、現状は図１５に示すような方法で凹凸回路基板Ａの製造が行われている。すなわち、図１５（ａ）のように貫通孔２６をあらかじめ絶縁層１及び金属層３に設けておき、これらを多層回路基板７と共に加熱加圧して積層成形するというものである。このような方法であれば、短時間で孔部２を設けることができ、しかも孔部２の開口縁を図１５（ｂ）のようにシャープに形成することができるものである。
【特許文献１】特開２００７−０５９８４４号公報
【特許文献２】特開２００７−０５９８４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図１５に示すような方法にあっては、加熱加圧成形の際に図１５（ｂ）のように孔部２の内壁から絶縁層１の樹脂が滲み出し、孔部２の形状が変化するという問題がある。そして滲み出した樹脂が孔部２の底部の回路形成用金属層１４を一部でも覆ってしまうと、これが原因となって回路１１の形成が適切に行われなくなる。この場合、回路１１を形成する前にプラズマ法のようなデスミア処理を行うことも考えられるが、このような処理では不要な樹脂のみを除去するのが難しい。
【０００７】
また、絶縁層１にセラミックを使用することも考えられる。すなわち、あらかじめ貫通孔２６が設けられたグリーンシートを複数枚重ね合わせて焼結するというものである。この場合、孔部２の内壁から樹脂が滲み出すことはないが、そもそもセラミック基板は寸法安定性が悪いという問題がある。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部の形状が変化するのを防止することができる凹凸回路基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の請求項１に係る凹凸回路基板の製造方法は、Ｂステージ状態の絶縁層１に少なくとも１つ以上の貫通した孔部２を設け、この絶縁層１の片面又は両面に金属層３及び基板４から選ばれるものを積層した後、加熱加圧成形することによって絶縁層１を硬化させると共に、この絶縁層１に前記金属層３及び基板４から選ばれるものを接着させるようにした凹凸回路基板Ａの製造方法であって、加熱加圧成形の前に絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層し、加熱加圧によって軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させ、加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１において、金属層３及び基板４から選ばれるものとして、部品６が実装されたものを用い、加熱加圧成形の際に前記部品６を絶縁層１の内部に埋め込むことを特徴とするものである。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２において、基板４として、多層回路基板７及び凹凸を設けた多層回路基板８から選ばれるものを用いることを特徴とするものである。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項１乃至３のいずれか１項において、加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が存在することを特徴とするものである。
【００１３】
請求項５に係る発明は、請求項１乃至４のいずれか１項において、熱可塑性フィルム５として、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の請求項１に係る凹凸回路基板の製造方法によれば、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルムの樹脂が孔部に充填されることによって、絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部の形状が変化するのを防止することができるものである。
【００１５】
請求項２に係る発明によれば、容易に高密度実装化を図ることができるものである。
【００１６】
請求項３に係る発明によれば、容易に多層化を図ることができるものである。
【００１７】
請求項４に係る発明によれば、絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルムの樹脂を孔部に充填させることができ、絶縁層の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【００１８】
請求項５に係る発明によれば、離型層によって熱可塑性フィルムの剥離を容易に行うことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
（実施形態１）
図１は実施形態１を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、熱可塑性フィルム５を用意する。
【００２１】
Ｂステージ状態の絶縁層１としては、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂に無機充填材を５０〜９５質量％配合して調製した樹脂組成物や熱可塑性樹脂単体を厚み１０〜１０００μｍのシート状に成形したもの（有機グリーンシート）や、上記樹脂組成物をガラスクロス等の基材に含浸させて乾燥させたプリプレグを用いることができる。ここで、熱硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等を用いることができる。また熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができる。また無機充填材としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブデン化合物、スズ酸亜鉛、タルク、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、雲母粉等を用いることができる。また樹脂組成物にはジシアンジアミド、フェノール、酸無水物等の硬化剤を配合することができる。そしてこのＢステージ状態の絶縁層１には少なくとも１つ以上の貫通した孔部２が設けられている。孔部２は例えば平面視長孔状に形成することができるが、これに限定されるものではない。
【００２２】
また金属層３としては、例えば、厚み０．００１〜３ｍｍのアルミニウム、銅、ＳＵＳ等の金属板を用いることができる。
【００２３】
また熱可塑性フィルム５としては、例えば、ポリオレフィン樹脂等の熱可塑性樹脂を厚み１０〜１０００μｍのシート状に成形したものを用いることができるが、厚みはこの範囲に限定されるものではない。特に熱可塑性フィルム５としては、後述する加熱加圧成形の際にその流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在するようなものを用いるのが好ましい。具体的には、例えば、Ｂステージ状態の絶縁層１として上述した有機グリーンシートを用いる場合には、熱可塑性フィルム５としてポリオレフィン樹脂で成形されたものを用いるのが好ましい。さらに熱可塑性フィルム５の片面又は両面には、図１１（ａ）（ｂ）のように厚み１〜２００μｍの離型層９が設けられているのが好ましい。この離型層９は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリメチルペンテン等の離型性を有するポリオレフィン樹脂で形成することができる。
【００２４】
ここで、熱可塑性フィルム５とＢステージ状態の絶縁層１の流動性の大小関係は、次のようにして事前に確認することができる。例えば、図１２（ａ）のように円形の熱可塑性フィルム５（１００ｍｍφ、厚み２００μｍ）を２枚の離型フィルム２８で挟み、さらにこれを２枚の成形プレート２７で挟んで、これをプレス装置（図示省略）によって加熱加圧成形する。このときの成形条件は、例えば、温度７０℃、圧力５ＭＰａ（５１．０ｋｇ／ｃｍ２）、時間１０分に設定する。そして流動性は、成形前後の熱可塑性フィルム５の面積を算出し、これらの面積を用いて、次式のように数値化することができる。
【００２５】
流動性（％）＝〔成形後の面積／成形前の面積〕×１００
このようにして熱可塑性フィルム５の流動性を数値として求めることができる。一方、Ｂステージ状態の絶縁層１の流動性についても同様にして数値として求めることができる。下記［表１］は、温度７０℃、９０℃、１１０℃、１３０℃において、熱可塑性フィルム５とＢステージ状態の絶縁層１の流動性の大小関係の一例を示すものである。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
上記のように、温度のみならず、圧力、時間を適宜に変更することによって、熱可塑性フィルム５とＢステージ状態の絶縁層１の流動性の大小関係を事前に確認することができる。
【００２８】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図１（ａ）のように絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【００２９】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、必要に応じて積層物とプレートとの間に離型シートや金属箔を介在させ、プレス装置（図示省略）によって図１（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３を接着させる。加熱加圧成形の工程は１次工程（主として熱可塑性フィルム５の樹脂を充填する工程）と２次工程（主として絶縁層１を硬化させる工程）とに分けることができる。１次工程における成形条件は、例えば、７０〜１５０℃、１〜１０ＭＰａ、５分〜１時間に設定することができる。なお、積層物のズレ防止のため、１次工程の温度に達するまでの間、０．１〜１ＭＰａ程度の圧力をかけてもよい。一方、２次工程における成形条件は、例えば、１５０〜２３０℃、１〜１０ＭＰａ、３０分〜５時間に設定することができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。なお、加熱加圧成形は、熱可塑性フィルム５の充填性や絶縁層１のボイド低減の点から、真空雰囲気下で行うのが好ましい。
【００３０】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図１（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【００３１】
（実施形態２）
図２は実施形態２を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、２枚の金属層３、熱可塑性フィルム５を用意する。
【００３２】
Ｂステージ状態の絶縁層１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００３３】
また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの２枚の金属層３には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。
【００３４】
また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００３５】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図２（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の両面に金属層３を積層すると共に、片面において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【００３６】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図２（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【００３７】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図２（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【００３８】
（実施形態３）
図３は実施形態３を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、２枚の金属層３、熱可塑性フィルム５を用意する。
【００３９】
Ｂステージ状態の絶縁層１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００４０】
また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの２枚の金属層３のうち１枚には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。残り１枚の金属層３には孔１０は設けられていないが、絶縁層１に設けた孔部２に対応する箇所にメッシュが設けられていてもよい。このメッシュは電磁遮蔽などに利用することができる。
【００４１】
また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００４２】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図３（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の両面に金属層３を積層すると共に、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【００４３】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図３（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【００４４】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図３（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【００４５】
（実施形態４）
図４は実施形態４を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。
【００４６】
Ｂステージ状態の絶縁層１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００４７】
また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの金属層３には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。
【００４８】
また基板４としては、例えば、多層回路基板７を用いることができる。この多層回路基板７の片面には回路１１が形成され、他の片面には全面にわたって金属層１２が設けられていると共に、回路１１及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。このような多層回路基板７は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。
【００４９】
また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００５０】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図４（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板７を積層する。このとき多層回路基板７の回路１１が形成された面は絶縁層１の側に向けている。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【００５１】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図４（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板７を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【００５２】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図４（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【００５３】
本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、多層回路基板７が用いられているので、容易に多層化を図ることができるものである。その後、図４（ｄ）のように凹凸回路基板Ａの最外層に回路１１を形成した後、図４（ｅ）のように孔部２の内部及び外部にチップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６を実装することができる。
【００５４】
（実施形態５）
図５は実施形態５を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。
【００５５】
Ｂステージ状態の絶縁層１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００５６】
また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの金属層３には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。
【００５７】
また基板４としては、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６が実装・内蔵された多層回路基板７を用いることができる。この多層回路基板７の片面には回路１１が形成され、この面に部品６が実装されている。また他の片面には面一となるように回路１１が埋め込まれて形成され、この回路１１と導通するように部品６が多層回路基板７に内蔵されている。さらに多層回路基板７の両面の回路１１は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。
【００５８】
また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００５９】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図５（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板７を積層する。このとき多層回路基板７の部品６が実装された面は絶縁層１の側に向けている。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【００６０】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図５（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板７を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【００６１】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図５（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【００６２】
本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、部品６が実装された多層回路基板７が用いられているので、加熱加圧成形の際に部品６が絶縁層１の内部に埋め込まれることによって、容易に高密度実装化及び多層化を図ることができるものである。その後、図５（ｄ）のように凹凸回路基板Ａの最外層に回路１１を形成することができる。
【００６３】
（実施形態６）
図６は実施形態６を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。
【００６４】
Ｂステージ状態の絶縁層１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００６５】
また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの金属層３には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。
【００６６】
また基板４としては、例えば、多層回路基板７を用いることができる。この多層回路基板７の片面には回路１１及び回路形成用金属層１４が形成され、他の片面には全面にわたって金属層１２が設けられていると共に、回路１１、回路形成用金属層１４及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。このような多層回路基板７は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。
【００６７】
また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００６８】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図６（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板７を積層する。このとき多層回路基板７の回路１１が形成された面は絶縁層１の側に向けており、回路形成用金属層１４は絶縁層１の孔部２に納まるようにしてある。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【００６９】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図６（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板７を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【００７０】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図６（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【００７１】
本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板として、多層回路基板７が用いられているので、容易に多層化を図ることができるものである。その後、図６（ｄ）のように凹凸回路基板Ａの最外層に回路１１を形成すると共に、孔部２の内部の回路形成用金属層１４をエッチングすることによって回路１１を形成した後、図６（ｅ）のように孔部２の内部及び外部にチップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６を実装することができる。
【００７２】
（実施形態７）
図７は実施形態７を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。
【００７３】
Ｂステージ状態の絶縁層１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００７４】
また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの金属層３には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。
【００７５】
また基板４としては、例えば、凹凸を設けた多層回路基板８を用いることができる。この多層回路基板８の片面には回路１１が形成され、他の片面には全面にわたって金属層１２が設けられていると共に、回路１１及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。さらにこの多層回路基板８には、絶縁層１の孔部２の内径以下の内径を有する貫通孔１５が打ち抜き加工（パンチング）等によって設けられている。このような多層回路基板８は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。
【００７６】
また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００７７】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図７（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板８を積層する。このとき多層回路基板８の回路１１が形成された面は絶縁層１の側に向けており、貫通孔１５は絶縁層１の孔部２と連通するようにしてある。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【００７８】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図７（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板８を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填し、さらに多層回路基板８の貫通孔１５に入り込んでこの貫通孔１５も充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【００７９】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図７（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【００８０】
本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、多層回路基板８が用いられているので、容易に多層化を図ることができるものである。
【００８１】
（実施形態８）
図８は実施形態８を示すものであるが、本実施形態ではまず２枚のＢステージ状態の絶縁層１，１６、２枚の金属層３，１８、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。
【００８２】
基板４としては、例えば、凹凸を設けた多層回路基板８を用いることができる。この多層回路基板８の両面には回路１１が形成されていると共に、この両面の回路１１は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。さらにこの多層回路基板８には、貫通孔１５が打ち抜き加工（パンチング）等によって設けられている。このような多層回路基板８は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。
【００８３】
また２枚のＢステージ状態の絶縁層１，１６としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。ただし、一方の絶縁層１に設けられた孔部２の内径は多層回路基板８の貫通孔１５の内径以上の大きさであり、他方の絶縁層１６に設けられた孔部１７の内径は多層回路基板８の貫通孔１５の内径以下の大きさである。
【００８４】
また金属層３，１８としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの２枚の金属層３，１８にはそれぞれ、各絶縁層１，１６に設けた孔部２，１７と同形状・同数の孔１０，１９が設けられている。
【００８５】
また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００８６】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図８（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板８を積層する。このとき多層回路基板８の貫通孔１５は絶縁層１の孔部２と連通するようにしてある。また、孔部１７と孔１９を一致させながら絶縁層１６の片面に金属層１８を積層すると共に、他の片面を多層回路基板８の側に向けて積層する。このとき絶縁層１６の孔部１７は多層回路基板８の貫通孔１５と連通するようにしてある。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２、多層回路基板８の貫通孔１５、絶縁層１６の孔部１７を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【００８７】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図８（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１，１６をＣステージ状態となるまで硬化させ、絶縁層１に金属層３及び多層回路基板８を接着させると共に、絶縁層１６に金属層１８及び多層回路基板８を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填した後、多層回路基板８の貫通孔１５に入り込んでこの貫通孔１５も充填し、さらに絶縁層１６の孔部１７に入り込んでこの孔部１７も充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２，１７に充填されることによって、絶縁層１，１６の樹脂が孔部２，１７の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２，１７の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１，１６の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１，１６の樹脂が孔部２，１７の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２，１７に充填させることができ、絶縁層１，１６の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【００８８】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図８（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２，貫通孔１５，孔部１７から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【００８９】
本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、多層回路基板８が用いられているので、容易に多層化を図ることができるものである。
【００９０】
（実施形態９）
図９は実施形態９を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。
【００９１】
Ｂステージ状態の絶縁層１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００９２】
また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの金属層３には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。
【００９３】
また基板４としては、例えば、断面視階段状に形成された貫通孔２０によって凹凸を設けた多層回路基板８を用いることができる。この多層回路基板８の片面（貫通孔２０の開口が大きい方）には回路１１及び回路形成用金属層１４が形成され、他の片面（貫通孔２０の開口が小さい方）には全面にわたって金属層１２が設けられている。さらに多層回路基板８の内部にも回路１１が形成され、貫通孔２０の途中に形成された段差部２１には回路形成用金属層１４が形成されている。そして回路１１、回路形成用金属層１４及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。このような多層回路基板８は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。
【００９４】
また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【００９５】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図９（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板８を積層する。このとき多層回路基板８の回路１１が形成された面は絶縁層１の側に向けており、貫通孔２０は絶縁層１の孔部２と連通するようにしてある。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【００９６】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図９（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板８を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填し、さらに多層回路基板８の貫通孔２０に入り込んでこの貫通孔２０も充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【００９７】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図９（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【００９８】
本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、多層回路基板８が用いられているので、容易に多層化を図ることができるものである。その後、図９（ｄ）のように凹凸回路基板Ａの最外層に回路１１を形成すると共に、孔部２の内部の回路形成用金属層１４をエッチングすることによって回路１１を形成した後、図９（ｅ）のように孔部２の内部及び外部にチップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６を実装することができる。
【００９９】
（実施形態１０）
図１０は実施形態１０を示すものであるが、本実施形態ではまず２枚のＢステージ状態の絶縁層１，２１、金属層３、２枚の基板４，２２、熱可塑性フィルム５を用意する。
【０１００】
２枚のＢステージ状態の絶縁層１，２１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。ただし、１枚の絶縁層２１には孔部２が設けられていない。
【０１０１】
また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの金属層３には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。
【０１０２】
また基板４としては、例えば、多層回路基板７を用いることができ、基板２２としては、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６が実装された多層回路基板２３を用いることができる。一方の多層回路基板７の両面には回路１１が形成されていると共に、この両面の回路１１は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。他方の多層回路基板２２の片面には回路１１が形成されて部品６が実装され、他の片面には全面にわたって金属層１２が設けられていると共に、回路１１及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。このような多層回路基板７，２３は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。
【０１０３】
また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。
【０１０４】
そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図１０（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板７を積層する。また、多層回路基板７に絶縁層２１を介して他方の多層回路基板２３を積層する。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。
【０１０５】
その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図１０（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１，２１をＣステージ状態となるまで硬化させ、絶縁層１に金属層３及び多層回路基板７を接着させると共に、絶縁層２１に多層回路基板７，２３を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
【０１０６】
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図１０（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。
【０１０７】
本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、多層回路基板７のほか、部品６が実装された多層回路基板２３が用いられているので、加熱加圧成形の際に部品６が絶縁層２１の内部に埋め込まれることによって、容易に高密度実装化及び多層化を図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】実施形態１を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。
【図２】実施形態２を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。
【図３】実施形態３を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。
【図４】実施形態４を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。
【図５】実施形態５を示すものであり、（ａ）〜（ｄ）は断面図である。
【図６】実施形態６を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。
【図７】実施形態７を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。
【図８】実施形態８を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。
【図９】実施形態９を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。
【図１０】実施形態１０を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。
【図１１】熱可塑性フィルムの他の一例を示すものであり、（ａ）（ｂ）は断面図である。
【図１２】流動性の評価方法を示すものであって、熱可塑性フィルム単体又はＢステージ状態の絶縁層単体を加圧する場合の断面図である。
【図１３】従来の技術の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。
【図１４】従来の技術の他の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。
【図１５】従来の技術のさらに他の一例を示すものであり、（ａ）（ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
Ａ  凹凸回路基板
１  絶縁層
２  孔部
３  金属層
４  基板
５  熱可塑性フィルム
６  部品
７  多層回路基板
８  多層回路基板
９  離型層
【図１】
2008244177.tif 000004
【図２】
2008244177.tif 000005
【図３】
2008244177.tif 000006
【図４】
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【図５】
2008244177.tif 000008
【図６】
2008244177.tif 000009
【図７】
2008244177.tif 000010
【図８】
2008244177.tif 000011
【図９】
2008244177.tif 000012
【図１０】
2008244177.tif 000013
【図１１】
2008244177.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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