(57)【要約】【課題】ストリップ導体の損失を低くすることができるコプレーナ線路分岐構造を得る。【解決手段】第１及び第２のストリップ導体２１、２２と、第１〜第４の地導体４１〜４４と、交差部の近傍で第１のストリップ導体２１をまたいで第１及び第２の地導体４１、４２を接続する第１の接続導体５１と、第２のストリップ導体２２をくぐって第２及び第３の地導体４２、４３を接続する第２の接続導体５２と、第１のストリップ導体２１をまたいで第３及び第４の地導体４３、４４を接続する第３の接続導体５３と、第２のストリップ導体２２をくぐって第１及び第４の地導体４１、４４を接続する第４の接続導体５４とを設け、第１及び第３の接続導体５１、５３の厚さを第２及び第４の接続導体５２、５４の厚さよりも厚くした。【選択図】図１
2008244604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、
前記誘電体基板の一方の面に密着して形成され中央で十字状に相互に交差する交差部を有する第１及び第２のストリップ導体と、
前記第１のストリップ導体の両端に形成された第１及び第２の端子と、
前記第２のストリップ導体の両端に形成された第３及び第４の端子と、
前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第１及び第３の端子に隣接する第１の地導体と、
前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第１及び第４の端子に隣接する第２の地導体と、
前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第２及び第４の端子に隣接する第３の地導体と、
前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第２及び第３の端子に隣接する第４の地導体と、
前記交差部の近傍で前記第１のストリップ導体をまたいで前記第１の地導体及び第２の地導体を接続する第１の接続導体と、
前記交差部の近傍で前記第２のストリップ導体をくぐって前記第２の地導体及び第３の地導体を接続する第２の接続導体と、
前記交差部の近傍で前記第１のストリップ導体をまたいで前記第３の地導体及び第４の地導体を接続する第３の接続導体と、
前記交差部の近傍で前記第２のストリップ導体をくぐって前記第１の地導体及び第４の地導体を接続する第４の接続導体とを備え、
前記第１の接続導体及び第３の接続導体の厚さを前記第２の接続導体及び第４の接続導体の厚さよりも厚くした
ことを特徴とするコプレーナ線路分岐構造。
【請求項２】
前記第１のストリップ導体は、前記第１の端子から前記第２の端子まで連続した第１の導体膜と、この第１の導体膜上の不連続の第２の導体膜とが前記誘電体基板上に積層して構成され、
前記第２のストリップ導体は、前記第３の端子から前記第４の端子まで不連続の第１の導体膜と、この第１の導体膜上の連続した第２の導体膜とが前記誘電体基板上に積層して構成され、
前記第１、第２、第３及び第４の地導体は、第１の導体膜と、この第１の導体膜上の第２の導体膜とが前記誘電体基板上に積層して構成され、
前記第１及び第３の接続導体は、第２の導体膜が中空に延在するように構成され、かつ
前記第２及び第４の接続導体は、第１の導体膜が前記誘電体基板上に延在するように構成された
ことを特徴とする請求項１記載のコプレーナ線路分岐構造。
【請求項３】
誘電体基板と、
前記誘電体基板の一方の面に密着して形成され中央で十字状に相互に交差する交差部を有する第１及び第２のストリップ導体と、
前記第１のストリップ導体の両端に形成された第１及び第２の端子と、
前記第２のストリップ導体の両端に形成された第３及び第４の端子と、
前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第１及び第３の端子に隣接する第１の地導体と、
前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第１及び第４の端子に隣接する第２の地導体と、
前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第２及び第４の端子に隣接する第３の地導体と、
前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第２及び第３の端子に隣接する第４の地導体と、
前記交差部の近傍で前記第１のストリップ導体をまたいで前記第１の地導体及び第２の地導体を接続する第１の接続導体と、
前記交差部の近傍で前記第２のストリップ導体をくぐって前記第２の地導体及び第３の地導体を接続する第２の接続導体と、
前記交差部の近傍で前記第１のストリップ導体をまたいで前記第３の地導体及び第４の地導体を接続する第３の接続導体と、
前記交差部の近傍で前記第２のストリップ導体をくぐって前記第１の地導体及び第４の地導体を接続する第４の接続導体とを備え、
前記第１の接続導体及び第３の接続導体の厚さを前記第２の接続導体及び第４の接続導体の厚さよりも薄くした
ことを特徴とするコプレーナ線路分岐構造。
【請求項４】
前記第１のストリップ導体は、前記第１の端子から前記第２の端子まで連続した第１の導体膜と、この第１の導体膜上の不連続の第２の導体膜とが前記誘電体基板上に積層して構成され、
前記第２のストリップ導体は、前記第３の端子から前記第４の端子まで不連続の第１の導体膜と、この第１の導体膜上の連続した第２の導体膜とが前記誘電体基板上に積層して構成され、
前記第１、第２、第３及び第４の地導体は、第１の導体膜と、この第１の導体膜上の第２の導体膜とが前記誘電体基板上に積層して構成され、
前記第１及び第３の接続導体は、第２の導体膜が中空に延在するように構成され、かつ
前記第２及び第４の接続導体は、第１の導体膜が前記誘電体基板上に延在するように構成された
ことを特徴とする請求項３記載のコプレーナ線路分岐構造。
【請求項５】
請求項１又は２記載のコプレーナ線路分岐構造と、
一方が前記コプレーナ線路分岐構造の第３の端子に接続され、他方が接地された容量性素子と、
一方が前記コプレーナ線路分岐構造の第４の端子に接続され、他方が接地された誘導性素子と
を備えたことを特徴とする共振回路。
【請求項６】
請求項３又は４記載のコプレーナ線路分岐構造と、
一方が前記コプレーナ線路分岐構造の第１の端子に接続され、他方が接地された容量性素子と、
一方が前記コプレーナ線路分岐構造の第２の端子に接続され、他方が接地された誘導性素子と
を備えたことを特徴とする共振回路。
【請求項７】
前記容量性素子として上部電極と下部電極を有するコンデンサを用い、前記下部電極を第１の導体膜を用いて構成し、前記上部電極を第２の導体膜を用いて構成した
ことを特徴とする請求項５又は６記載の共振回路。
【請求項８】
前記誘導性素子として、先端を前記第２及び第３の地導体、又は前記第２及び第２の地導体に短絡した線路を用い、前記線路を第１及び第２の導体膜を用いて構成した
ことを特徴とする請求項５又は６記載の共振回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、分岐部において良好な高周波伝送特性を実現すコプレーナ線路分岐構造及びこれを用いた共振回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来のコプレーナ線路分岐構造の構成を示す図である（例えば、非特許文献１参照）。図４（ａ）は、上面図であり、図４（ｂ）は、（ａ）においてＡ−Ａ’線からみた断面図である。図４において、従来のコプレーナ線路分岐構造は、基板１０と、２つのストリップ導体２０と、４つの地導体４０と、地導体４０を繋ぐ４つの接続導体５０とが設けられている。図４に示すように、ストリップ導体２０は、接続導体５０をまたぐようにエアブリッジ構造で形成されている。このように、各地導体４０間を接続導体５０で接続している。これらの接続導体５０は、地導体４０を同電位に保ち、高次モードを抑制している。
【０００３】
【非特許文献１】Michael Case 「High-Performance W-Band GaAs PIN Diode Single-Pole Triple-Throw Switch CPW MMIC」IEEE MTT-S Digest 1997 P1047-1050
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の高周波回路は、２つのコプレーナ伝送線路が交差する十字分岐部において、上記に示すようにストリップ導体の両側に形成された地導体を互いに接続する導体として、すべて同じ導体膜を用いていた。このため、分岐部において、地導体を互いに接続する導体として厚さが厚い導体膜を選択した場合、地導体下部のストリップ導体が厚みの薄い導体膜で形成されるため、その部分でのストリップ導体の抵抗が大きくなり、ストリップ導体の損失が大きくなる。逆に、地導体を互いに接続する導体として厚さが薄い導体膜を選択した場合、ストリップ導体の両側に形成された地導体が厚みの薄い導体膜で形成されるため、この部分に電流が集中し、損失が大きくなるという問題点があった。
【０００５】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、主のストリップ導体がすべての部分で厚さが厚い導体膜を用いて形成されているため、ストリップ導体の損失を低くすることができ、また、主のストリップ導体に流れる電流と相当の電流が主のストリップ導体の両側に形成された２つの接続導体に流れるが、厚さの厚い導体膜を用いて形成されているため、その部分での電流の集中を緩和することができ、コプレーナ線路における分岐部での損失を低減することができるコプレーナ線路分岐構造及び共振回路を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係るコプレーナ線路分岐構造は、誘電体基板と、前記誘電体基板の一方の面に密着して形成され中央で十字状に相互に交差する交差部を有する第１及び第２のストリップ導体と、前記第１のストリップ導体の両端に形成された第１及び第２の端子と、前記第２のストリップ導体の両端に形成された第３及び第４の端子と、前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第１及び第３の端子に隣接する第１の地導体と、前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第１及び第４の端子に隣接する第２の地導体と、前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第２及び第４の端子に隣接する第３の地導体と、前記誘電体基板の前記第１及び第２のストリップ導体と同一面に密着して形成され前記第１及び第２のストリップ導体から所定の距離だけ隔離するとともに前記第２及び第３の端子に隣接する第４の地導体と、前記交差部の近傍で前記第１のストリップ導体をまたいで前記第１の地導体及び第２の地導体を接続する第１の接続導体と、前記交差部の近傍で前記第２のストリップ導体をくぐって前記第２の地導体及び第３の地導体を接続する第２の接続導体と、前記交差部の近傍で前記第１のストリップ導体をまたいで前記第３の地導体及び第４の地導体を接続する第３の接続導体と、前記交差部の近傍で前記第２のストリップ導体をくぐって前記第１の地導体及び第４の地導体を接続する第４の接続導体とを設け、前記第１の接続導体及び第３の接続導体の厚さを前記第２の接続導体及び第４の接続導体の厚さよりも厚くしたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明に係るコプレーナ線路分岐構造は、主のストリップ導体がすべての部分で厚さが厚い導体膜を用いて形成されているため、ストリップ導体の損失を低くすることができ、また、主のストリップ導体に流れる電流と相当の電流が主のストリップ導体の両側に形成された２つの接続導体に流れるが、厚さの厚い導体膜を用いて形成されているため、その部分での電流の集中を緩和することができ、コプレーナ線路における分岐部での損失を低減することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
実施の形態１．
この発明の実施の形態１に係るコプレーナ線路分岐構造について図１を参照しながら説明する。図１は、この発明の実施の形態１に係るコプレーナ線路分岐構造の構成を示す図である。同図（ａ）は、上面図、同図（ｂ）は、（ａ）においてＡ−Ａ’線からみた断面図、同図（ｃ）は、（ａ）においてＢ−Ｂ’線からみた断面図である。なお、以降では、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【０００９】
図１において、この発明の実施の形態１に係るコプレーナ線路分岐構造は、誘電体基板１０と、第１のストリップ導体２１と、第２のストリップ導体２２と、第１の端子３１と、第２の端子３２と、第３の端子３３と、第４の端子３４と、第１の地導体４１と、第２の地導体４２と、第３の地導体４３と、第４の地導体４４と、第１の接続導体５１と、第２の接続導体５２と、第３の接続導体５３と、第４の接続導体５４とが設けられている。
【００１０】
本構造は、誘電体基板１０上に厚さの異なる２つの金属膜などの導体膜の形成工程を用いて作製されている。誘電体基板１０上に厚さが０．５〜１．０μｍ程度の薄い導体膜をパタニーングし、その上に厚さが５．０μｍ程度の厚い導体膜をパタニーングする。
【００１１】
誘電体基板１０上に、第１のストリップ導体２１と第２のストリップ導体２２が形成されている。第１のストリップ導体２１の両端に第１の端子３１と第２の端子３２が装荷され、第２のストリップ導体２２の両端に第３の端子３３と第４の端子３４が装荷されている。第１のストリップ導体２１は、図１（ｃ）に示すように、第１の端子３１から第２の端子３２まで連続した薄い導体膜と、不連続の厚い導体膜とからなる。また、第２のストリップ導体２２は、図１（ｂ）に示すように、第３の端子３３から第４の端子３４まで不連続の薄い導体膜と、凹凸がある連続した厚い導体膜とからなる。
【００１２】
第１のストリップ導体２１と第２のストリップ導体２２は、交差部で交差し、２本のストリップ導体から所定の距離を隔離して誘電体基板１０上に、第１、第２、第３、及び第４の地導体４１、４２、４３、４４が形成されている。第１〜第４の地導体４１〜４４は、薄い導体膜と厚い導体膜とからなる。第１の地導体４１は、第１の端子３１と第３の端子３３とに隣接している。また、第２の地導体４２は、第１の端子３１と第４の端子３４とに隣接し、第３の地導体４３は、第２の端子３２と第４の端子３４とに隣接し、第４の地導体４４は、第２の端子３２と第３の端子３３とに隣接している。
【００１３】
第１の接続導体５１は、上側の厚い導体膜だけからなり、交差部の近傍で第１のストリップ導体２１をまたいで第１の地導体４１と第２の地導体４２を誘電体基板１０に接しないで真っ直ぐに接続している。また、第２の接続導体５２は、下側の薄い導体膜だけからなり、交差部の近傍で第２のストリップ導体２２をくぐって第２の地導体４２と第３の地導体４３を接続し、第３の接続導体５３は、上側の厚い導体膜だけからなり、交差部の近傍で第１のストリップ導体２１をまたいで第３の地導体４３と第４の地導体４４を誘電体基板１０に接しないで真っ直ぐに接続し、第４の接続導体５４は、下側の薄い導体膜だけからなり、交差部の近傍で第２のストリップ導体２２をくぐって第１の地導体４１と第４の地導体４４を接続している。
【００１４】
第２の接続導体５２と第４の接続導体５４に下側の薄い導体膜を、第１の接続導体５１と第３の接続導体５３に上側の厚い導体膜を用いることで、図１（ｂ）に示すように、第２のストリップ導体２２をすべて厚さが厚い導体膜で形成し、第２のストリップ導体２２の両側に形成された第１の接続導体５１と第３の接続導体５３を厚さが厚い導体膜で形成している。
【００１５】
つぎに、この実施の形態１に係るコプレーナ線路分岐構造の動作について図面を参照しながら説明する。
【００１６】
この実施の形態１によれば、分岐部において、第２のストリップ導体２２がすべての部分で厚さが厚い導体膜を用いて形成されているため、ストリップ導体の損失を低くすることができる。また、第２のストリップ導体２２に流れる電流と相当の電流が第２のストリップ導体２２の両側に形成された第１の接続導体５１と第３の接続導体５３に流れるが、厚さの厚い導体膜を用いて形成されているため、その部分での電流の集中を緩和することができ、コプレーナ線路における分岐部での損失を低減することができる。
【００１７】
また、厚さの異なる少なくとも３層以上の導体膜の形成工程を用いて作製された場合、例えば３層構造のときには下側の１層を薄い導体層、上側の２層を厚い導体層に分けたり、５層構造のときには下側の２層を薄い導体層、上側の３層を厚い導体層に分けたり、同じく５層構造のときには下側の１層を薄い導体層、上側の４層を厚い導体層に分けたりするように、厚さが薄い導体層と厚い導体層とに分けて、第１の接続導体５１と第３の接続導体５３を厚い導体層で形成し、第２の接続導体５２と第４の接続導体５４を薄い導体層で形成することで、この実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００１８】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２に係るコプレーナ線路分岐構造について図２を参照しながら説明する。図２は、この発明の実施の形態２に係るコプレーナ線路分岐構造の構成を示す図である。同図（ａ）は、上面図、同図（ｂ）は、（ａ）においてＡ−Ａ’線からみた断面図、同図（ｃ）は、（ａ）においてＢ−Ｂ’線からみた断面図である。
【００１９】
図２において、この発明の実施の形態２に係るコプレーナ線路分岐構造は、誘電体基板１０と、第１のストリップ導体２１と、第２のストリップ導体２２と、第１の端子３１と、第２の端子３２と、第３の端子３３と、第４の端子３４と、第１の地導体４１と、第２の地導体４２と、第３の地導体４３と、第４の地導体４４と、第１の接続導体５１と、第２の接続導体５２と、第３の接続導体５３と、第４の接続導体５４とが設けられている。
【００２０】
構造は、誘電体基板１０上に厚さの異なる２つの金属膜などの導体膜の形成工程を用いて作製されている。誘電体基板１０上に厚さが５．０μｍ程度の厚い導体膜をパタニーングし、その上に厚さが０．５〜１．０μｍ程度の薄い導体膜をパタニーングする。
【００２１】
誘電体基板１０上に、第１のストリップ導体２１と第２のストリップ導体２２が形成されている。第１のストリップ導体２１の両端には、第１の端子３１と第２の端子３２が装荷され、第２のストリップ導体２２の両端には、第３の端子３３と第４の端子３４が装荷されている。第１のストリップ導体２１は、図２（ｃ）に示すように、第１の端子３１から第２の端子３２まで連続した厚い導体膜と、不連続の薄い導体膜とからなる。また、第２のストリップ導体２２は、図２（ｂ）に示すように、第３の端子３３から第４の端子３４まで不連続の厚い導体膜と、凹凸がある連続した薄い導体膜とからなる。
【００２２】
第１のストリップ導体２１と第２のストリップ導体２２は、交差部で交差し、２本のストリップ導体から一定の距離をおいて誘電体基板１０上に、第１、第２、第３、及び第４の地導体４１、４２、４３、４４が形成されている。第１〜第４の地導体４１〜４４は、厚い導体膜と薄い導体膜とからなる。第１の地導体４１は、第１の端子３１と第３の端子３３とに隣接している。また、第２の地導体４２は、第１の端子３１と第４の端子３４とに隣接し、第３の地導体４３は、第２の端子３２と第４の端子３４とに隣接し、第４の地導体４４は、第２の端子３２と第３の端子３３とに隣接している。
【００２３】
第１の接続導体５１は、上側の薄い導体膜だけからなり、交差部の近傍で第１のストリップ導体２１をまたいで第１の地導体４１と第２の地導体４２を真っ直ぐに接続している。また、第２の接続導体５２は、下側の厚い導体膜だけからなり、交差部の近傍で第２のストリップ導体２２をくぐって第２の地導体４２と第３の地導体４３を接続し、第３の接続導体５３は、上側の薄い導体膜だけからなり、交差部の近傍で第１のストリップ導体２１をまたいで第３の地導体４３と第４の地導体４４を真っ直ぐに接続し、第４の接続導体５４は、下側の厚い導体膜だけからなり、交差部の近傍で第２のストリップ導体２２をくぐって第１の地導体４１と第４の地導体４４を接続している。
【００２４】
第１の接続導体５１と第３の接続導体５３に厚さが薄い導体膜を、第２の接続導体５２と第４の接続導体５４に厚さが厚い導体膜を用いることで、図２（ｂ）に示すように、第１のストリップ導体２１をすべて厚さが厚い導体膜で形成し、第１のストリップ導体２１の両側に形成された第２の接続導体５２と第４の接続導体５４を厚さが厚い導体膜で形成している。
【００２５】
つぎに、この実施の形態２に係るコプレーナ線路分岐構造の動作について図面を参照しながら説明する。
【００２６】
この実施の形態２によれば、分岐部において、第１のストリップ導体２１がすべての部分で厚さが厚い導体膜を用いて形成されているため、ストリップ導体の損失を低くすることができる。また、第１のストリップ導体２１に流れる電流と相当の電流が第１のストリップ導体２１の両側に形成された第２の接続導体５２と第４の接続導体５４に流れるが、厚さの厚い導体膜を用いて形成されているため、その部分での電流の集中を緩和することができ、コプレーナ線路における分岐部での損失を低減することができる。
【００２７】
また、厚さの異なる少なくとも３層以上の導体膜の形成工程を用いて作製された場合、例えば３層構造のときには下側の２層を厚い導体層、上側の１層を薄い導体層に分けたり、５層構造のときには下側の３層を厚い導体層、上側の２層を薄い導体層に分けたり、同じく５層構造のときには下側の４層を厚い導体層、上側の１層を薄い導体層に分けたりするように、厚さが厚い導体層と薄い導体層に分けて、第１の接続導体５１と第３の接続導体５３を厚さが薄い導体層で形成し、第２の接続導体５２と第４の接続導体５４を厚さが厚い導体層で形成することで、この実施の形態２と同様の効果が得られる。
【００２８】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３に係る共振回路について図３を参照しながら説明する。図３は、この発明の実施の形態３に係る共振回路の構成を示す図である。同図（ａ）は、上面図、同図（ｂ）は、（ａ）においてＡ−Ａ’線からみた断面図である。
【００２９】
この実施の形態３は、上記の実施の形態１に係るコプレーナ線路分岐構造おける第３の端子３３に容量性素子を装荷し、第４の端子３４に誘導性素子を装荷した共振回路である。
【００３０】
図３において、この発明の実施の形態３に係る共振回路は、コプレーナ線路分岐構造１１と、容量性素子１２と、誘導性素子１３とが設けられている。本構造は、誘電体基板１０上に厚さの異なる２つの金属膜などの導体膜の形成工程を用いて作製されている。誘電体基板１０上に厚さが０．５〜１．０μｍ程度の薄い導体膜をパタニーングし、その上に厚さが５．０μｍ程度の厚い導体膜をパタニーングする。
【００３１】
図３において、コプレーナ線路分岐構造１１は、誘電体基板１０と、第１のストリップ導体２１と、第２のストリップ導体２２と、第１の端子３１と、第２の端子３２と、第３の端子３３と、第４の端子３４と、第１の地導体４１と、第２の地導体４２と、第３の地導体４３と、第４の地導体４４と、第１の接続導体５１と、第２の接続導体５２と、第３の接続導体５３と、第４の接続導体５４とが設けられている。
【００３２】
また、容量性素子１２は、誘電体基板１０と、第５の地導体４５と、下部電極６１及び上部電極６２を有するコンデンサとが設けられている。
【００３３】
さらに、誘導性素子１３は、誘電体基板１０と、第６の地導体４６と、誘導性素子を構成する線路７１とが設けられている。
【００３４】
誘電体基板１０、第１のストリップ導体２１、第２のストリップ導体２２、第１の端子３１、第２の端子３２、第３の端子３３、第４の端子３４、第１の地導体４１、第２の地導体４２、第３の地導体４３、第４の地導体４４、第１の接続導体５１、第２の接続導体５２、第３の接続導体５３、及び第４の接続導体５４は、上述したように、上記の実施の形態１に記載されたコプレーナ線路分岐構造の構成要素である。
【００３５】
第５の地導体４５は、図３に示すように、第１の地導体４１及び第４の地導体４４に接続され、第６の地導体４６は、第２の地導体４２及び第３の地導体４３に接続されている。
【００３６】
容量性素子１２は、第２の接続導体５２及び第４の接続導体５４と同じ薄い導体膜を用いて形成された下部電極６１と、第１の接続導体５１及び第３の接続導体５３と同じ厚い導体膜を用いて形成された上部電極６２から構成され、一方が第３の端子３３に、他方が第５の地導体４５に接続されている。
【００３７】
誘導性素子１３は、第１の接続導体５１及び第３の接続導体５３と同じ厚い導体膜を用いて形成された線路７１から構成され、一方が第４の端子３４に、他方が第６の地導体４６に接続されている。
【００３８】
つぎに、この実施の形態３に係る共振回路の動作について図面を参照しながら説明する。
【００３９】
第１の端子３１から信号が入力されると、第３の端子３３を介して装荷された下部電極６１と上部電極６２で形成される容量性素子１２と、第４の端子３４を介して装荷された線路７１で形成される誘導性素子１３が共振する。この共振状態においては、容量性素子１２及び誘導性素子１３の間に大きな電流が流れる。このため、容量性素子１２及び誘導性素子１３を装荷するストリップ導体の抵抗が大きいとエネルギー損失が大きくなる。
【００４０】
従って、上記の実施の形態１に係るコプレーナ線路分岐構造１１おける損失の小さい第２のストリップ導体２２の両端にある第３の端子３３と第４の端子３４に容量性素子１２と誘導性素子１３を装荷することで共振回路の損失を低くすることができる。
【００４１】
さらに、容量性素子１２を構成する下部電極６１を第２の接続導体５２と第４の接続導体５４と同じ薄い導体膜で形成し、上部電極６２を第１の接続導体５１と第３の接続導体５３と同じ厚い導体膜で形成することで、同一プロセスを用いて共振回路を構成することができる。
【００４２】
厚さの異なる少なくとも３層以上の導体膜の形成工程を用いて作製された場合、例えば３層構造のときには下側の１層を薄い導体層、上側の２層を厚い導体層に分けたり、５層構造のときには下側の２層を薄い導体層、上側の３層を厚い導体層に分けたり、同じく５層構造のときには下側の１層を薄い導体層、上側の４層を厚い導体層に分けたりするように、厚さが厚い導体層と薄い導体層に分けて、第１の接続導体５１と第３の接続導体５３を厚さが厚い導体層で形成し、第２の接続導体５２と第４の接続導体５４を厚さが薄い導体層で形成することで、この実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００４３】
また、コプレーナ線路分岐構造に上記の実施の形態２を用いた場合でも、損失の小さい第１のストリップ導体２１の両端にある第１の端子３１と第２の端子３２に容量性素子と誘導性素子を装荷することで同様の効果が得られる。
【００４４】
上記の実施の形態２を用いた場合、容量性素子を構成する下部電極を第２の接続導体５２と第４の接続導体５４と同じ厚い導体膜で形成し、上部電極を第１の接続導体５１と第３の接続導体５３と同じ薄い導体膜で形成することで、同一プロセス上で共振回路を構成することができる。
【００４５】
上記の実施の形態２を用いた場合、厚さの異なる少なくとも３層以上の導体膜の形成工程を用いて作製された場合、例えば３層構造のときには下側の２層を厚い導体層、上側の１層を薄い導体層に分けたり、５層構造のときには下側の３層を厚い導体層、上側の２層を薄い導体層に分けたり、同じく５層構造のときには下側の４層を厚い導体層、上側の１層を薄い導体層に分けたりするように、厚さが厚い導体層と薄い導体層に分けて、第１の接続導体５１と第３の接続導体５３を厚さが薄い導体層で形成し、第２の接続導体５２と第４の接続導体５４を厚さが厚い導体層で形成することで、この実施の形態３と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の実施の形態１に係るコプレーナ線路分岐構造の構成を示す図である。
【図２】この発明の実施の形態２に係るコプレーナ線路分岐構造の構成を示す図である。
【図３】この発明の実施の形態３に係る共振回路の構成を示す図である。
【図４】従来のコプレーナ線路分岐構造の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  誘電体基板、１１  コプレーナ線路分岐構造、１２  容量性素子、１３  誘導性素子、２１  第１のストリップ導体、２２  第２のストリップ導体、３１  第１の端子、３２  第２の端子、３３  第３の端子、３４  第４の端子、４１  第１の地導体、４２  第２の地導体、４３  第３の地導体、４４  第４の地導体、４５  第５の地導体、４６  第６の地導体、５１  第１の接続導体、５２  第２の接続導体、５３  第３の接続導体、５４  第４の接続導体、６１  下部電極、６２  上部電極、７１  線路。
【図１】
2008244604.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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