(57)【要約】【課題】画素アレイ内に配置されるゲート配線上での信号遅延が低減され、フレームレートが高い固体撮像装置を提供する。【解決手段】ゲート配線Ｗｇ１は、複数の中継金属配線１５と複数のポリシリコン配線１６とを中心に構成される。中継金属配線１５の各々は、電源線１１、ＦＤ配線１２、垂直信号線１３及びＧＮＤ配線１４と同一の金属配線層において、フォトダイオード１の列を隔てて隣接する電源線１１及び垂直信号線１３の間に挟まれる各領域内に形成される。一方、ポリシリコン配線１６の各々は、同一列に設けられる金属配線の下方を交差して行方向に延び、一対のコンタクトを介して、当該ポリシリコン配線１６の行方向に隣接する中継金属配線１５に接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像装置であって、
行方向及び列方向に配列される複数のフォトダイオードと、
複数のフローティングディフュージョンと、
前記フォトダイオードから前記フローティングディフュージョンへ電荷を転送する複数の転送トランジスタと、
前記フォトディフュージョンの電位をリセットする複数のリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンの電位に応じた信号を出力する複数の検出トランジスタと、
同一行に整列する前記転送トランジスタのゲートの各々に接続される複数の転送ゲート配線と、リセットトランジスタのゲートの各々に接続される複数のリセットゲート配線とを含む複数のゲート配線とを備え、
前記ゲート配線の各々は、ポリシリコンまたはポリサイドによって形成される複数の第１配線と、金属によって前記第１配線より上層に形成される複数の第２配線とを含む、固体撮像装置。
【請求項２】
前記フォトダイオードの各列の間を列方向に延びる複数の金属配線を更に備え、
前記第２配線は、前記金属配線と同一層において前記金属配線の間の領域に形成されることを特徴とする、請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２配線の各々は、前記フォトダイオードの各行の間において、前記フォトダイオードの各々の外周に沿って行方向に延び、
前記第１配線の各々は、前記金属配線の各々の下方を横断して行方向に延び、行方向に隣接する前記第２配線に接続されることを特徴とする、請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記フォトダイオードの隣接する一対の行の間には、前記ゲート配線が２本ずつ配置されることを特徴とする、請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２配線の各々は、前記フォトダイオードの各行の間において、所定数の列おきに配置される前記フォトダイオードの各々の外周に沿って行方向に延び、
前記第１配線の各々は、前記金属配線の下方を横断して、行方向に隣接する前記第２配線に接続されることを特徴とする、請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記フォトダイオードの隣接する一対の行の間には、前記ゲート配線が２本ずつ配置され、
前記隣接する一対の行の間に配置される２本のゲート配線の一方は、第ｎ（ただし、ｎは自然数）列に配置されるフォトダイオードの外周に沿って延びる前記第２配線と、第ｎ＋１列に配置されるフォトダイオードの外周に沿って延びる前記第１配線との組み合わせを単位とする繰り返しパターンによって構成され、
前記隣接する一対の行の間に配置される２本のゲート配線の他方は、第ｎ列に配置されるフォトダイオードの外周に沿って延びる前記第１配線と、第ｎ＋１列に配置されるフォトダイオードの外周に沿って延びる前記第２配線との組み合わせよりなる単位パターンの繰り返しによって構成されることを特徴とする、請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
列方向に隣接する一対のフォトダイオードの間において、前記第１配線と前記第２配線とが部分的に重なり合うことを特徴とする、請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記検出トランジスタのドレインの各々に接続される複数の選択トランジスタを更に備え、
前記ゲート配線は、行方向に整列する選択トランジスタのゲートの各々に接続される複数の選択ゲート配線を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関し、より特定的には、ディジタルカメラ等に使用されるＭＯＳ型の固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、撮像素子の機能の向上や微細化の進展などにより、撮像素子が搭載される固体撮像装置（撮像用チップ）の用途は広がっている。例えば、微細化された撮像素子を有する小型の固体撮像装置が携帯電話などに組み込まれる一方、画質の向上に重点を置いた固体撮像装置は、一眼レフカメラのような高級ディジタルカメラなどに用いられる。これらの固体撮像装置は、各々の用途にかかわらず、基本的な構成として、外光を受ける複数個の画素セルが配置された画素アレイを備える。
【０００３】
図４は、従来のＭＯＳ型固体撮像装置の画素アレイを示す平面図であり、図５は、図４に示されるＭＯＳ型固体撮像装置の回路図である。図４においては、図示の都合上、半導体基板上に形成された活性領域と、ポリシリコン配線層と、金属配線層と、半導体基板及びポリシリコン配線層を金属配線に接続するコンタクトとが重ねて示されている。
【０００４】
図４及び５を併せて参照して、従来の固体撮像装置は、受光強度に応じた量の電荷を蓄積するフォトダイオード（以下、「ＰＤ」という）１ａ及び１ｂと、フォトダイオード１ａ及び１ｂに蓄積された電荷がそれぞれ転送されるフローティングディフュージョン（以下、「ＦＤ」という）６ａ及び６ｂと、転送ゲート配線１０８ａ及び１０８ｂの電位によって制御され、ＰＤ１ａ及び１ｂからＦＤ６ａ及び６ｂへの電荷の転送を制御する転送トランジスタ２ａ及び２ｂと、リセットゲート配線１０７によって制御され、ＦＤ６ａ及び６ｂの電位を初期化するリセットトランジスタ４と、ゲート、ドレイン及びソースがそれぞれＦＤ配線１２、電源線１１及び選択トランジスタ５のドレインに接続され、ソースフォロワを構成する検出トランジスタ３と、ソースが垂直信号線１３に接続される選択トランジスタ５と、検出トランジスタ３のゲートに接続される検出ゲート配線１０と、検出ゲート配線１０と、ＦＤ６ａ及び６ｂと、リセットトランジスタ４のソースとを接続するＦＤ配線１２と、選択トランジスタ５のドレインに接続される垂直信号線１３とを備える。
【０００５】
図４から把握されるように、光電変換によって生成された電荷は、列方向（図４の上下方向）に隣接する２つのフォトダイオード１ａ及び１ｂから、転送トランジスタ２ａ及び２ｂを介して、ＦＤ６ａ及び６ｂにそれぞれ転送される。
【０００６】
ＦＤ６ａ及び６ｂは、ＦＤ配線１２によって、同一のリセットトランジスタ４のソースと、検出ゲート配線１０とに接続されている。したがって、フォトダイオード１ａの蓄積電荷に応じた信号と、フォトダイオード１ｂの蓄積電荷に応じた信号とは、同一の検出トランジスタ３から垂直信号線１３へと出力される。
【０００７】
従来、ＭＯＳ型固体撮像装置の画素セルにおいて、リセットゲート配線１０７と、転送ゲート配線１０８ａ及び１０８ｂと、選択ゲート配線１０９とは、ポリシリコンあるいはポリサイド（ＷＳｉ、ＴｉＳｉ２、Ｃｏｓｉのいずれかとシリコンとの２層構造）によって形成されるのが一般的である。ポリシリコンあるいはポリサイドは、薄いゲート酸化膜上に形成される。したがって、ポリシリコンあるいはポリサイドによってゲート配線を形成することには、ゲート配線を金属配線層に形成する場合に比べて、ゲート配線層を基板の表面近くに形成できる点で利点がある。
【０００８】
一方、ゲート配線を金属配線層に形成する場合を想定する。この場合、ゲート配線を形成することによって、画素アレイ上の金属配線層の数が増加するため、画素上に配置される開口の実効的な大きさが小さくなり、感度低下や感度シェーディング等の問題に繋がる。特に、画素が微細になるにつれて、金属配線層の増加によってもたらされる不具合が顕著に生じる。
【０００９】
これに対し、従来のようにポリシリコンあるいはポリサイドでゲート配線が形成される場合、金属配線層数が増加しないため、実効的な開口が変化せず、このような問題が生じることはない。
【００１０】
画素アレイ内に設けられる複数のトランジスタを接続するゲート配線がポリシリコンによって形成される技術は、例えば特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００４−２７３７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、ポリシリコンやポリサイドの抵抗値は、金属の抵抗値より大きい。従来の固体撮像装置のように、リセットゲート配線１０７と、転送ゲート配線１０８ａ及び１０８ｂと、選択ゲート配線１０９とがポリシリコンあるいはポリサイドで形成される場合、これらのゲート配線に供給される駆動電圧パルスに遅延が生じ、画素動作時間が長くなる。画素動作時間が長くなると、イメージセンサ全体の信号読み出し速度が遅くなるので、イメージセンサのフレームレートが遅くなるという問題が生じる。
【００１２】
特に、画素が微細な場合、ポリシリコンあるいはポリサイドによって形成されるゲート配線幅が狭いため、ゲート配線の遅延が大きくなる。したがって、微細な画素を有するイメージセンサにおいて、上述の問題が顕著に生じる。あるいは、画素数が多いイメージセンサにおいては、ポリシリコンあるいはポリサイドで形成されるゲート配線が長くなるため、ゲート遅延の問題が顕著に生じる。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の問題を解決するために、本発明に係る固体撮像装置は、ポリシリコンまたはポリサイドによって形成される複数の第１配線と、金属によって第１配線より上層に形成される複数の第２配線とを含む複数のゲート配線を備える。言い換えれば、本発明は、従来ポリシリコンまたはポリサイドによって形成されていたゲート配線の全部を単純に金属配線に置き換えるものではなく、画素内のゲート配線の一部を金属配線に置き換えるものである。
【００１４】
ゲート配線の一部に金属によって形成される第２配線を含む場合、ゲート配線の全部がポリシリコンまたはポリサイドによって形成される場合と比べて、ゲート配線の低抵抗化を図ることができる。この結果、ゲート配線上の信号遅延が低減されるため、ゲート遅延に起因するフレームレートの低下を改善することができる。
【００１５】
また、ゲート配線に含まれる第２配線は、金属配線は画素内にのみ配置されるため、垂直方向（列方向）に延びる金属配線と同一の金属配線層を利用することができる。したがって、ゲート配線の一部を金属によって形成するために、画素アレイ上の金属配線層を新たに増やす必要がない。それ故、本発明に係る固体撮像装置においては、金属配線層の数が増えたときに生じる感度低下や感度シェーディングの問題も起こらない。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、ゲート配線の一部が金属によって形成されるため、ゲート配線上の信号遅延を低減し、高フレームレートで、感度及び感度シェーディング特性の良好な固体撮像装置を提供することができる。本発明は、微細な画素を備える固体撮像装置や、画素数の多い固体撮像装置に適用された場合に、特に効果的であり、高画素数で、フレームレートが高く、感度及びや感度シェーディング特性の良好な固体撮像装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に示される各レイアウト図においては、図示の都合上、半導体基板上に形成された活性領域と、ポリシリコン配線と、金属配線と、半導体基板及びポリシリコン配線を金属配線に接続するコンタクトとが重ねて示されている。互いに重なり合う金属配線とポリシリコン配線とのうち、下層にある部分を指し示す場合には、引き出し線が破線で示されている。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の画素アレイのレイアウトを示す平面図である。より特定的には、図１は、図５に示される従来例と同一の回路から構成される画素アレイのレイアウトを示す。
【００１９】
本実施形態に係る固体撮像装置は、図４及び５に示される従来例に係るものと同様に、行方向及び列方向に配列される複数のフォトダイオード（以下、「ＰＤ」という）１ａ及び１ｂと、複数のフローティングディフュージョン６ａ及び６ｂと、複数の転送トランジスタ２ａ及び２ｂと、フォトディフュージョン６ａ及び６ｂの電位を所定の電位にリセットする複数のリセットトランジスタ４と、フローティングディフュージョン６ａ及び６ｂの電位に応じた信号を出力する複数の検出トランジスタ３と、複数の検出トランジスタ３のドレインに接続される複数の選択トランジスタ５とを備える。
【００２０】
また、図１に示される固体撮像装置は、従来例と同様に、検出トランジスタ３のゲートに接続される複数の検出ゲート配線１０と、複数の電源線１１と、複数のＦＤ配線１２と、複数の垂直信号線１３と、複数のＧＮＤ配線１４とを含んでいる。電源線１１の各々は、同一列に整列する検出トランジスタ３のソースの各々に接続されている。また、ＦＤ配線１２の各々は、電源線１１の一部に沿って列方向に延び、リセットトランジスタ４のドレインと、フローティングディフュージョン６ａ及び６ｂと、検出トランジスタ３のゲートとを接続する。垂直信号線１３の各々は、同一列に整列するＦＤ配線１２の各々に沿って列方向に延び、同一列に整列する選択トランジスタ５のドレインの各々に接続される。尚、検出ゲート配線１０は、ゲート酸化膜上にポリシリコンによって形成され、電源線１１、ＦＤ配線１２、垂直信号線１３及びＧＮＤ配線１４は、ポリシリコン配線より上層の金属配線層に形成されている。
【００２１】
ただし、本実施形態においては、リセットゲート配線７と、転送ゲート配線８ａ及び８ｂと、選択ゲート配線９との構成が従来例に係るものと相違する。以下においては、説明の便宜上、本実施形態に係るリセットゲート配線７と、転送ゲート配線８ａ及び８ｂと、選択ゲート配線９とを併せて、「ゲート配線Ｗｇ１」という。
【００２２】
本実施形態に係るゲート配線Ｗｇ１は、複数の中継金属配線１５と複数のポリシリコン配線１６とを中心に構成されている。
【００２３】
中継金属配線１５の各々は、電源線１１、ＦＤ配線１２、垂直信号線１３及びＧＮＤ配線１４と同一の金属配線層において、フォトダイオード１の列を隔てて隣接する電源線１１及び垂直信号線１３の間に挟まれる各領域内に形成されている。そして、中継金属配線１５の各々は、平面視において、フォトダイオード１ａ及び１ｂの外周に沿って行方向に延びるように形成されている。
【００２４】
一方、ポリシリコン配線１６の各々は、同一列に設けられる金属配線の下方を横断して行方向に延び、一対のコンタクトを介して、当該ポリシリコン配線１６の行方向に隣接する中継金属配線１５と電気的に接続されている。
【００２５】
本実施形態に係る固体撮像装置においては、ゲート配線Ｗｇ１の一部が中継金属配線１５によって形成されているため、ゲート配線Ｗｇ１の全部がポリシリコンによって形成される従来の固体撮像装置と比べて、ゲート配線Ｗｇ１の抵抗を低減することができる。この結果、ゲート配線Ｗｇ１上の信号遅延が抑制されるので、フレームレートの低下が防止された固体撮像装置を実現することが可能となる。
【００２６】
また、図１に示されるように、中継金属配線１５の各々は、行方向に隣接する画素を跨がないように、画素内のみに配置されている。このようなレイアウトであれば、中継金属配線１５を、フォトダイオードの各列の間に形成される電源線１１、ＦＤ配線１２、垂直信号線１３及びＧＮＤ配線１４と同一の金属配線層に形成することができる。したがって、ゲート配線Ｗｇ１の一部を中継金属配線１５に置き換えるために、画素アレイ上の金属配線層の数を増やす必要がない。光を遮蔽する金属配線層の層数が増えないので、フォトダイオード上に設けられる開口の実効的な開口率が減少せず、それ故、感度及び感度シェーディング特性の劣化は生じない。
【００２７】
更に、本実施形態に係る固体撮像装置においては、図１に矢印で示されるフォトダイオード分離領域１７上に形成されるポリシリコン配線の面積が減少するため、フォトダイオード分離領域１７の幅を狭く設計する事が可能となる。フォトダイオード分離領域１７の幅が狭くなれば、フォトダイオード１ａ及び１ｂの面積を増加させることが可能となる。よって、本実施形態によれば、フォトダイオード１ａ及び１ｂの飽和電子数を増加させて、イメージセンサのダイナミックレンジを大きくすることも可能となる。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態によれば、ゲート配線Ｗｇ１の一部が中継金属配線１５によって構成されているため、良好な感度と、感度シェーディング特性とを維持しつつ、固体撮像装置の高フレームレート化を図ることができる。また、飽和電子増加によって、固体撮像装置のダイナミックレンジの向上を図ることも可能となる。
【００２９】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の画素アレイのレイアウトを示す平面図である。
【００３０】
本実施形態に係る固体撮像装置の基本的な構成は、第１の実施形態に係るものと同様であるので、以下においては、本実施形態と第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００３１】
本実施形態に係る固体撮像装置は、リセットゲート配線７と、転送ゲート配線８ａ及び８ｂと、選択ゲート配線９との構成において、第１の実施形態に係る固体撮像装置と相違する。以下においては、説明の便宜上、本実施形態に係るリセットゲート配線７と、転送ゲート配線８ａ及び８ｂと、選択ゲート配線９とを併せて、「ゲート配線Ｗｇ２」という。
【００３２】
ゲート配線Ｗｇ２は、中継金属配線１５ａ〜１５ｄと、ポリシリコン配線１６ａ〜１６ｈとを中心に構成される。ただし、ゲート配線Ｗｇ２は、第ｎ列及び第ｎ＋１列のレイアウトを単位パターンとする繰り返しパターンによって構成される（ただし、ｎは２以上の自然数である）。
【００３３】
まず、リセットゲート配線７及び転送ゲート配線８ｂの各々は、第ｎ列に形成されるポリシリコン配線と、第ｎ＋１列に形成される金属配線とが交互に繰り返されている。
【００３４】
より詳細には、リセットゲート配線７は、第ｎ列のフォトダイオード１ａに沿って行方向に延び、第ｎ列の電源線１１及び垂直信号線１３の下方を横断するポリシリコン配線１６ａと、ポリシリコン配線１６ａに接続され、第ｎ＋１列のフォトダイオード１ａの外周に沿って行方向に延びる中継金属配線１５ａとの組み合わせよりなる繰り返しパターンの繰り返しによって構成されている。中継金属配線１５ａは、第ｎ＋２列のフォトダイオード（図示せず）に沿って、第ｎ＋１列の電源線１１及び垂直信号線１３の下方を横切って延びるポリシリコン配線１６ｂに接続されている。
【００３５】
同様に、転送ゲート配線８ｂは、第ｎ列のフォトダイオード１ｂに沿って行方向に延び、第ｎ列の電源線１１及び垂直信号線１３の下方を横切るポリシリコン配線１６ｅと、ポリシリコン配線１６ｅに接続され、第ｎ＋１列のフォトダイオード１ｂの外周に沿って行方向に延びる中継金属配線１５ｃとの組み合わせよりなる繰り返しパターンの繰り返しによって構成されている。中継金属配線１５ｃは、第２ｎ＋１列のフォトダイオード（図示せず）に沿って、第ｎ＋１列の電源線１１及び垂直信号線１３の下方を横切って延びるポリシリコン配線１６ｆに接続されている。
【００３６】
次に、転送ゲート配線８ａ及び選択ゲート配線９の各々は、第ｎ列に形成される金属配線と、第ｎ＋１列に形成されるポリシリコン配線との交互の繰り返しによって形成されている。
【００３７】
より詳細には、転送ゲート配線８ａは、第ｎ列のフォトダイオード１ａの外周に沿って行方向に延びる中継金属配線１５ｂと、中継金属配線１５ｂに接続され、第ｎ列の電源線１１及び垂直信号線１３の下方を横切って行方向に延びるポリシリコン配線１６ｄとの組み合わせよりなる繰り返しパターンの繰り返しによって構成されている。中継金属配線１５ｂは、第２ｎ−２列のフォトダイオード（図示せず）に沿って行方向に延びるポリシリコン配線１６ｃに接続されている。
【００３８】
同様に、選択ゲート配線９は、第ｎ列のフォトダイオード１ｂの外周に沿って行方向に延びる中継金属配線１５ｄと、中継金属配線１５ｄに接続され、第ｎ列の電源線１１及び垂直信号線１３の下方を横切って行方向に延びるポリシリコン配線１６ｈとの組み合わせよりなる繰り返しパターンの繰り返しによって構成されている。中継金属配線１５ｄは、第２ｎ−２列のフォトダイオード（図示せず）に沿って行方向に延びるポリシリコン配線１６ｇに接続されている。
【００３９】
以上のように、本実施形態に係る固体撮像装置においても、ゲート配線Ｗｇ２の一部が金属によって形成されているため、第１の実施形態と同様に、ゲート配線Ｗｇ２の抵抗が低減される。よって、本実施形態によれば、ゲート配線Ｗｇ２上での信号遅延が抑制され、フレームレート低下を防止することが可能となる。
【００４０】
また、本実施形態に係る固体撮像装置においては、フォトダイオード分離領域１７上に形成されるポリシリコン配線の面積は、図４に示される従来の固体撮像装置に比べて減少する。フォトダイオード分離領域１７上のポリシリコン配線の減少に伴い、フォトダイオード１ａ及び１ｂの面積を拡大することが可能となるので、フォトダイオード１ａ及び１ｂの飽和電子数を増加させて、固体撮像装置のダイナミックレンジを向上させることができる。
【００４１】
更に、本実施形態においては、ゲート配線Ｗｇ２の一部である中継金属配線が各列毎に設けられるのではなく、１列おきに設けられている。したがって、本実施形態に係る固体撮像装置において、中継金属配線とポリシリコン配線とを接続するために必要なコンタクトの数は、第１の実施形態に係る固体撮像装置に必要な数の半分に低減される。製造プロセス上の制約から、中継金属配線及びポリシリコン配線上のコンタクト形成領域は、コンタクトの横断面の面積に対して、所定のマージンを含むように設計される必要がある。したがって、コンタクト数の増加は、画素の微細化を妨げてしまう。
【００４２】
これに対し、本実施形態に係る固体撮像装置に必要なコンタクト数は、第１の実施形態に係る固体撮像装置に必要な数より少ないため、画素の微細化の点で有利である。それ故に、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様にゲート遅延による影響を防止することができると共に、第１の実施形態より更に画素の微細化が可能となる。
【００４３】
（第２の実施形態の変形例）
図３は、第２の実施形態の変形例に係る固体撮像装置の画素アレイのレイアウトを示す平面図である。
【００４４】
以下の説明では、本変形例に係るリセットゲート配線７、転送ゲート配線８ａ及び８ｂ、選択ゲート配線９を併せて、「ゲート配線Ｗｇ３」という。
【００４５】
図３に示される固体撮像装置の基本的な構成は、第２の実施形態に係るものと同様である。すなわち、第２の実施形態において説明したように、リセットゲート配線７及び転送ゲート配線８ｂの各々は、第ｎ列に形成されるポリシリコン配線と、第ｎ＋１列に形成される金属配線との交互の繰り返しによって形成され、転送ゲート配線８ａ及び選択ゲート配線９の各々は、第ｎ列に形成される金属配線と、第ｎ＋１列に形成されるポリシリコン配線との交互の繰り返しによって形成されている。
【００４６】
ただし、本変形例は、ゲート配線Ｗｇ３の平面形状が第２の実施形態と異なる。より詳細には、列方向に隣接する一対のフォトダイオード１ａ及び１ｂの間に配置される中継金属配線の一部とポリシリコン配線の一部は、互いに重なり合うように形成されている。例えば、図３において、第ｎ列の中継金属配線１５ｂ及びポリシリコン配線１６ｅが部分的に重なり合うように配置され、第ｎ＋１列の中継金属配線１５ｃ及びポリシリコン配線１６ｄが部分的に重なり合うように配置されている。
【００４７】
図３に示されるように、隣接するフォトダイオードの行間において、中継金属配線とポリシリコン配線とが部分的に重なり合うように配置される場合、フォトダイオード分離領域１７上をゲート配線Ｗｇ３が占める面積が更に低減される。したがって、行方向に隣接する一対の中継金属配線（例えば、中継金属配線１５ｂ及び１５ｄ）間に開口を広くすることができる。この結果、本変形例によれば、第２の実施形態に係る固体撮像装置と同様の効果に加えて、更に、感度特性及び感度シェーディングの特性を向上させることが可能となる。
【００４８】
尚、上記の各実施形態においては、ゲート配線は、ポリシリコン配線と中継金属配線とを中心に構成されているが、ポリシリコン配線の代わりに、ポリサイド配線が用いられても良い。ゲート配線がポリサイド配線と中継金属配線とを中心に構成される場合であっても、上記の各実施形態に係るものと同様の効果が発揮される。
【００４９】
また、上記の各実施形態において、本発明は、列方向に隣接する２つのフォトダイオードが、リセットトランジスタ、検出トランジスタ及び選択トランジスタを共有する固体撮像装置に適用されているが、本発明は、フォトダイオードの各々に対して、リセットトランジスタ及び検出トランジスタが設けられる固体撮像装置にも同様に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、例えば、ディジタルカメラ等の撮像機器に用いられる固体撮像装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の画素アレイのレイアウトを示す平面図
【図２】本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の画素アレイのレイアウトを示す平面図
【図３】第２の実施形態の変形例に係る固体撮像装置の画素アレイのレイアウトを示す平面図
【図４】従来のＭＯＳ型固体撮像装置の画素アレイを示す平面図
【図５】図４に示されるＭＯＳ型固体撮像装置の回路図
【符号の説明】
【００５２】
１  フォトダイオード
２  転送トランジスタ
３  検出トランジスタ
４  リセットトランジスタ
５  選択トランジスタ
６  フローティングディフュージョン（ＦＤ）
７  リセットゲート配線
８  転送ゲート配線
９  選択ゲート配線
１０  検出ゲート配線
１１  電源線
１２  ＦＤ配線
１３  垂直信号線
１４  ＧＮＤ配線
１５  中継金属配線
１６  ポリシリコン配線
【図１】
2008060481.tif 000003
【図２】
2008060481.tif 000004
【図３】
2008060481.tif 000005
【図４】
2008060481.tif 000006
【図５】
2008060481.tif 000007