(57)【要約】【課題】  優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることが可能な電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置を提供する。【解決手段】  レジスト剥離処理装置１は、レジスト剥離液Ｈ１の粘度μを測定する粘度計６、粘度μに基いてレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを求め水分率Ｐに基いて水分を調整する水分補給部４、制御部７を備えている。従って、粘度計６により粘度μを求め、粘度μが所定値より大きいときに水分補給部４からレジスト剥離液タンク３に水を補給しレジスト剥離液の粘度μを所定値以下にして、優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることができる。このとき、制御部７により、図２のレジスト剥離液Ｈ１の粘度μと水分率Ｐとの相関関係から、レジストの溶け込み量に依存せずに、粘度計６で測定した粘度μから水分率Ｐを正確に求める。【選択図】  図１
2008244041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記基板に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離液の粘度を測定する粘度測定工程と、
前記粘度に基いて前記レジスト剥離液の水分率を求め、当該水分率に基いて水分を調整する水分調整工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記水分調整工程は前記水分率が所定値より小さいときに前記レジスト剥離液に水を補給する水分補給工程を有し、
該水分補給工程により前記レジスト剥離液に水が補給され、前記粘度測定工程により測定された粘度を所定値以下に調整することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記水分調整工程は、前記水分率が所定値より小さいレジスト剥離液の代りに、粘度が所定値以下である予め用意した他のレジスト剥離液に入れ替えすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記水分調整工程は、前記水分率が所定値以上となるまで、前記レジスト剥離液を前記レジストに供給する流路と異なる循環流路で当該レジスト剥離液を循環させつつ当該レジスト剥離液に水を補給する循環工程を有し、
前記粘度測定工程により測定された粘度を所定値以下に調整することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記水分調整工程により水分調整された前記レジスト剥離液の前記基板に形成されたレジストへの供給を制御する供給制御工程を更に具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
基板を備えた電気光学装置の製造装置であって、
前記基板に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離液の粘度を測定する粘度測定部と、
前記粘度に基いて前記レジスト剥離液の水分率を求め、当該水分率に基いて水分を調整する水分調整部と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記水分調整部は、前記粘度に基いて前記レジスト剥離液の水分率を求める水分率演算部を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記水分調整部は、前記水分率が所定値より小さいときに前記レジスト剥離液に水を補給する水分補給部を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項９】
請求項６から請求項８のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記レジスト剥離液を貯留する貯留部と、
前記基板に形成されたレジストに前記レジスト剥離液を噴霧するレジスト剥離処理部と、
前記貯留部と前記レジスト剥離処理部とを接続する第１の配管とを更に具備し、
前記粘度測定部は、前記貯留部と前記レジスト剥離処理との間で前記第１の配管に配置されていることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項６から請求項９のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記水分調整部は、
当該水分調整部で求めた前記水分率が所定値より小さいレジスト剥離液が前記レジストに供給されることを停止可能なバルブと、
前記バルブにより供給が停止されたときに、粘度が所定値以下である予め用意した他のレジスト剥離液を前記基板に形成されたレジストに供給するための供給部と
を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記水分調整部は、前記バルブを介して前記第１の配管に接続され、前記水分率が所定値より小さい前記レジスト剥離液を前記貯留部に供給するための第２の配管を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等といった電子機器の表示装置として電気光学装置例えば液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置は、例えば２枚の基板間に液晶を封入した液晶パネルを備えている。液晶パネルの一方の基板にはフォトレジスト技術を用いて配線やＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されている。フォトレジスト技術では、基板に塗布したレジストを剥離するためにレジスト剥離液が用いられている。レジスト剥離液は、例えば有機溶剤、水等を含んでいる。レジスト剥離液に適量の水を添加することで優れたレジスト剥離効果を得ている。しかし、レジスト剥離液は、剥離処理によって、水分濃度が低下し、レジスト剥離速度が低下してレジストの剥離残渣等を生じ歩留まりが低下する、という問題があった。
【０００３】
この問題を解決するために、例えばレジスト剥離液処理槽内のレジスト剥離液の水分濃度を吸光光度計により検出してレジスト剥離原液及び純水の少なくとも一方を補給する補給手段を備えるようにする技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−２２２６１号公報（［００１１］）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では、例えばレジスト剥離液中の水分濃度（水分率）を測定するためにレジスト剥離液の吸光度を測定する必要がある。レジスト剥離液の吸光度は、レジスト剥離液の再利用によりレジスト剥離液に溶け込んだレジストの溶け込み量に依存してしまう。このため、レジストの溶け込み量が増加するとレジスト剥離液の水分濃度（水分率）を正確に測定することができず、水分率が所定値未満になったときに水分を補給して水分率を所定値以上にしてレジストに供給することができず、優れたレジスト剥離効果を得ることができない、という問題がある。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることが可能な電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る電気光学装置の製造方法は、基板を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記基板に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離液の粘度を測定する粘度測定工程と、前記粘度に基いて前記レジスト剥離液の水分率を求め、当該水分率に基いて水分を調整する水分調整工程とを有することを特徴とする。
【０００７】
本発明では、基板に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離液の粘度を測定する粘度測定工程と、粘度に基いてレジスト剥離液の水分率を求め、当該水分率に基いて水分を調整する水分調整工程とを備えているので、例えば粘度値が所定値より小さいときに、そのレジスト剥離液が優れた剥離効果を得ることが可能なレジスト剥離液であると判断することができる。また、水分率に基いて水分を調整する水分調整工程を備えているので、例えば粘度値が所定値より大きいときに、レジスト剥離液の水分率を所定値以上にして、優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることができる。
【０００８】
例えば、レジストの剥離に用いたレジスト剥離液を再利用する場合には、レジスト剥離処理の回数が増加するにつれ、レジスト剥離液中のレジストの溶け込み量が増加し、レジスト剥離液の不透明度が増す。このとき、例えば水分率を求めるために吸光光度計を用いる場合には、光をレジスト剥離液に照射し透過した光の量を測定する必要があるため、レジスト剥離液中の水分率を正確に求めることができなくなるおそれがある。例えばレジスト剥離液に溶け込んだ材質等によって光が吸収され実態から離れて水分率が測定されてしまうおそれがある。これに対して、粘度を用いる場合には、レジスト剥離液中のレジスト溶け込み量が変化しても、粘度を用いてレジスト剥離液が優れたレジスト剥離効果を有するかを正確に判断することができる。
【０００９】
例えばレジスト剥離液の粘度とレジスト剥離液の水分率とに相関関係が見出されるので、粘度測定工程で測定した粘度から正確に水分率を求めることができる。このように、水分率を求めるために粘度を用いる場合には、レジスト剥離液中のレジスト溶け込み量が変化しても、粘度と水分との関係がレジスト溶け込み量にほとんど依存しないので、粘度を用いて水分率を正確に求めることができる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記水分調整工程は前記水分率が所定値より小さいときに前記レジスト剥離液に水を補給する水分補給工程を有し、該水分補給工程により前記レジスト剥離液に水が補給され、前記粘度測定工程により測定された粘度を所定値以下に調整することを特徴とする。これにより、正確に求めた水分率に基づいて水を補給し、レジスト剥離液の粘度を所定値以下とすることができる。その結果、レジスト剥離液の水分率の低下によるレジスト剥離速度の低下を防止し、適切なレジスト剥離処理を行うことができる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記水分調整工程は、前記水分率が所定値より小さいレジスト剥離液の代りに、粘度が所定値以下である予め用意した他のレジスト剥離液に入れ替えすることを特徴とする。これにより、水分率が所定値より小さいレジスト剥離液がレジストに供給されることを防止し、レジスト剥離効果が低下することを防止することができる。また、例えば粘度が所定値以下である予め用意した他のレジスト剥離液をレジストに供給することができるので、適切なレジスト剥離処理を行うことができる。なお、前記水分調整工程は、前記水分率が所定値より小さいレジスト剥離液の代りに、前記粘度測定工程により測定された粘度が所定値以下である予め用意した他のレジスト剥離液に入れ替えするようにしてもよい。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記水分調整工程は、前記水分率が所定値以上となるまで、前記レジスト剥離液を前記レジストに供給する流路と異なる循環流路で当該レジスト剥離液を循環させつつ当該レジスト剥離液に水を補給する循環工程を有し、前記粘度測定工程により測定された粘度を所定値以下に調整することを特徴とする。これにより、水分率が所定値以上となるまで、循環流路でレジスト剥離液を循環させつつ水を補給することができ、その結果、水分率が所定値より小さいレジスト剥離液がレジストに供給されることを防止できると共にレジスト剥離液の粘度を所定値以下にすることができる。また、循環工程により水分率が所定値以上となったときに、他のレジスト剥離液に代えて水分率が所定値以上になったレジスト剥離液をレジストに供給するので、例えばレジスト剥離処理を中断することなくレジスト剥離処理を続行することができ、製造時間を短縮することができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記水分調整工程により水分調整された前記レジスト剥離液の前記基板に形成されたレジストへの供給を制御する供給制御工程を更に具備することを特徴とする。これにより、水分調整工程により水分調整されたレジスト剥離液の基板に形成されたレジストへの供給を制御し、優れたレジスト剥離効果を得ることができる。
【００１４】
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造装置は、基板を備えた電気光学装置の製造装置であって、前記基板に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離液の粘度を測定する粘度測定部と、前記粘度に基いて前記レジスト剥離液の水分率を求め、当該水分率に基いて水分を調整する水分調整部とを具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明では、基板に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離液の粘度を測定する粘度測定部と、粘度に基いてレジスト剥離液の水分率を求め、当該水分率に基いて水分を調整する水分調整部とを備えているので、例えば粘度値が所定値より小さいときに、そのレジスト剥離液が優れた剥離効果を得ることが可能なレジスト剥離液であると判断することができる。また、水分率に基いて水分を調整する水分調整部を備えているので、例えば粘度が所定値より大きいときに、レジスト剥離液の水分率を所定値以上にして、優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることができる。
【００１６】
例えば、レジストの剥離に用いたレジスト剥離液を再利用する場合には、レジスト剥離処理の回数が増加するにつれ、レジスト剥離液中のレジストの溶け込み量が増加し、レジスト剥離液の不透明度が増す。このとき、例えば水分率を求めるために吸光光度計を用いる場合には、光をレジスト剥離液に照射し透過した光の量を測定する必要があるため、レジスト剥離液中の水分率を正確に求めることができなくなるおそれがある。例えばレジスト剥離液に溶け込んだ材質等によって光が吸収され実態から離れて水分率が測定されてしまうおそれがある。これに対して、粘度を用いる場合には、レジスト剥離液中のレジスト溶け込み量が変化しても、粘度を用いてレジスト剥離液が優れたレジスト剥離効果を有するかを正確に判断することができる。
【００１７】
例えばレジスト剥離液の粘度とレジスト剥離液の水分率とに相関関係が見出されるので、粘度測定部で測定した粘度から正確に水分率を求めることができる。このように、水分率を求めるために粘度を用いる場合には、レジスト剥離液中のレジスト溶け込み量が変化しても、粘度と水分率との関係がレジスト溶け込み量にほとんど依存しないので、粘度を用いて水分率を正確に求めることができる。
【００１８】
また、当該水分率に基いて水分を調整する水分調整部を備えているので、レジスト剥離液の水分率を所定値以上にして、優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることができる。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記水分調整部は、前記粘度に基いて前記レジスト剥離液の水分率を求める水分率演算部を有することを特徴とする。これにより、水分調整部は、粘度に基いて水分率演算部によりレジスト剥離液の水分率を求めることができる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記水分調整部は、前記水分率が所定値より小さいときに前記レジスト剥離液に水を補給する水分補給部を有することを特徴とする。これにより、正確に求めた水分率に基づいて水分補給部により水を補給しレジスト剥離液の水分率を所定値以上にすることができる。その結果、レジスト剥離液の水分率の低下によるレジスト剥離速度の低下を防止し、適切なレジスト剥離処理を行うことができる。
【００２１】
本発明の一の形態によれば、前記レジスト剥離液を貯留する貯留部と、前記基板に形成されたレジストに前記レジスト剥離液を噴霧するレジスト剥離処理部と、前記貯留部と前記レジスト剥離処理部とを接続する第１の配管とを更に具備し、前記粘度測定部は、前記貯留部と前記レジスト剥離処理との間で前記第１の配管に配置されていることを特徴とする。これにより、レジスト剥離処理部でレジストに噴霧される前のレジスト剥離液の粘度を粘度測定部で測定することができる。従って、粘度の測定結果に基いて、例えばリアルタイムでレジスト剥離液の供給を適時行うことができる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記水分調整部は、当該水分調整部で求めた前記水分率が所定値より小さいレジスト剥離液が前記レジストに供給されることを停止可能なバルブと、前記バルブにより供給が停止されたときに、粘度が所定値以下である予め用意した他のレジスト剥離液を前記基板に形成されたレジストに供給するための供給部とを有することを特徴とする。これにより、求めた水分率が所定値より小さいレジスト剥離液がレジストへ供給されることをバルブにより防止すると共に、粘度が所定値以下である予め用意した他のレジスト剥離液を供給部によってレジストに供給することができる。その結果、レジスト剥離処理を中断することなくレジスト剥離処理を続行することができるので、製造時間を短縮することができる。なお、前記水分調整部は、当該水分調整部で求めた前記水分率が所定値より小さいレジスト剥離液が前記レジストに供給されることを停止可能なバルブと、前記バルブにより供給が停止されたときに、前記粘度測定部により測定された粘度が所定値以下である予め用意した他のレジスト剥離液を前記基板に形成されたレジストに供給するための供給部とを有するようにしてもよい。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記水分調整部は、前記バルブを介して前記第１の配管に接続され、前記水分率が所定値より小さい前記レジスト剥離液を前記貯留部に供給するための第２の配管を有することを特徴とする。これにより、バルブにより水分率が所定値より小さいレジスト剥離液がレジストに供給されることを防止しつつ、水分率が所定値より小さいレジスト剥離液を第２の配管を介して貯留部に供給することができる。従って、例えば水分補給部により水分率が所定値以上となるまで、第２の配管を用いて、レジスト剥離液を循環させることができる。
【００２４】
本発明の一の形態によれば、前記水分調整部により水分調整された前記レジスト剥離液の前記基板に形成されたレジストへの供給を制御する供給制御部を更に具備することを特徴とする。これにより、水分調整部により水分調整されたレジスト剥離液の基板に形成されたレジストへの供給を制御し、優れたレジスト剥離効果を得ることができる。
【００２５】
本発明の一の形態によれば、前記供給工程は、前記粘度値に基いて前記レジスト剥離液の水分率を求め、当該水分率に基いて前記レジスト剥離液を前記レジストに供給する工程を有することを特徴とする。これにより、例えばレジスト剥離液の粘度とレジスト剥離液の水分率とに相関関係が見出されるので、粘度測定工程で測定した粘度から正確に水分率を求めることができる。このように、水分率を求めるために粘度を用いる場合には、レジスト剥離液中のレジスト溶け込み量が変化しても、粘度と水分率との関係がレジスト溶け込み量にほとんど依存しないので、粘度を用いて水分率を正確に求めることができる。
【００２６】
また、水分率に基いてレジスト剥離液をレジストに供給するので、例えば水分率が所定値以上であり優れたレジスト剥離効果を得ることが可能なレジスト剥離液をレジストに供給することができる。
【００２７】
本発明の一の形態によれば、前記供給工程は、異なる水分率のレジスト剥離液を前記レジストに供給可能であることを特徴とする。これにより、供給工程は、異なる水分率のレジスト剥離液をレジストに供給することができるので、ドライエッチング又はウェットエッチング時にそれぞれ適切な水分率のレジスト剥離液をレジストに供給しレジストを剥離することができる。なお、ドライエッチングされたレジストは表面がウェットエッチングされたレジストより組成が改変されレジスト剥離され難いため、水分率の低いレジスト剥離液を使用する。
【００２８】
本発明の一の形態によれば、前記貯留部は、異なる水分率のレジスト剥離液を貯留可能な異なる第１、第２の貯留部を有することを特徴とする。これにより、例えば第１の貯留部にドライエッチング用のレジスト剥離液を貯留し、第２の貯留部にウェットエッチング用の剥離液を貯留することで、ドライエッチング又はウェットエッチング時にそれぞれ適切な水分率のレジスト剥離液をレジストに供給しレジストを剥離することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置の製造装置としてレジストを剥離するためのレジスト剥離処理装置を備える電気光学装置の製造装置、電気光学装置として液晶装置、具体的には反射半透過型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス方式の液晶装置について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００３０】
（実施形態）
【００３１】
以下、後述する液晶装置の製造装置に備えられたレジスト剥離処理装置について図面を参照しながら説明する。
【００３２】
図１は本発明に係る実施形態のレジスト剥離処理装置のブロック図である。
【００３３】
本発明に係るレジスト剥離処理装置１は、例えば後述する液晶装置の配線等をフォトレジスト技術を用いて製造するときに、レジストを剥離するために用いられる装置である。
【００３４】
レジスト剥離処理装置１は、図１に示すように、後述するレジスト剥離液Ｈ１を噴霧するためのレジスト剥離処理部２、レジスト剥離液Ｈ１等を貯留するレジスト剥離液タンク３、レジスト剥離液タンク３に水Ｈ２を補給するための水分補給部４、レジスト剥離液タンク３に新しいレジスト剥離液である新レジスト剥離液Ｈ３を供給するための第１の新レジスト剥離液供給部５、レジスト剥離液Ｈ１の粘度μを測定するための粘度測定部としての粘度計６、供給制御部としてや粘度μから水分率Ｐを求める水分率演算部としての制御部７を備えている。
【００３５】
レジスト剥離処理部２は、図１に示すように、後述する基板に塗布されたレジストにレジスト剥離液Ｈ１を噴霧しレジストを剥離する処理を行うための処理部である。レジスト剥離処理部２は、レジスト剥離処理部２内に配置された基板上のレジストに、上方からレジスト剥離液Ｈ１をスプレーする噴霧部２Ａと、噴霧されたレジスト剥離液Ｈ１にレジストが溶解した使用済みのレジスト剥離液Ｈ１を収容するレジスト剥離液貯留槽２Ｂとを備えている。レジスト剥離液Ｈ１は、使用前においては、例えば、水、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）、ブチルジグリコール（ＢＤＧ）がそれぞれ６０％、２０％、１０％、１０％含まれた液である。レジスト剥離処理部２の底面部には、レジスト剥離処理により溶解したレジストを含んだ使用済みのレジスト剥離液Ｈ１をレジスト剥離液タンク３に戻すための循環配管８が接続されている。レジスト剥離処理装置１は、レジスト剥離処理部２を２個備えており、それぞれの底面部に接続された循環配管８は合流点Ｇにおいて合流している。なお、本実施形態では、レジスト剥離処理部２を２個備えている例を示したが、これに限定されるものではなく、３個以上のレジスト剥離処理部２を備えるようにしてもよい。
【００３６】
レジスト剥離液タンク３は、レジスト剥離液Ｈ１等を貯留するために用いられている。レジスト剥離液タンク３は、水分補給部４から水が補給されるようになっている。また、レジスト剥離液タンク３は、未使用のレジスト剥離液Ｈ１と同様の新レジスト剥離液Ｈ３が補給される（入れ替えられる）ようになっている。更に、レジスト剥離液タンク３は、レジスト剥離処理部２で使用済みのレジスト剥離液Ｈ１が循環配管８を介して供給されるようになっている。レジスト剥離液タンク３は、貯留されたレジスト剥離液Ｈ１等をレジスト剥離処理部２に配管９を介して図示を省略したポンプにより供給するように構成されている。レジスト剥離液タンク３は、例えば貯留されたレジスト剥離液Ｈ１の温度を調整することができるように構成されている。
【００３７】
水分補給部４は、レジスト剥離液タンク３に水Ｈ２を供給するために用いられる図示しないポンプや水を貯留する水槽等を備えている。この図示しないポンプは、例えば制御部７からの後述する信号により駆動し、水槽内の水をレジスト剥離液タンク３に供給する。
【００３８】
第１の新レジスト剥離液供給部５は、レジスト剥離液タンク３に新レジスト剥離液Ｈ３を供給する（入れ替える）ために用いられる図示しないポンプや新レジスト剥離液Ｈ３を貯留するための貯留槽等を備えている。
【００３９】
粘度計６は、レジスト剥離液タンク３とレジスト剥離処理部２とを接続する配管９の途中に配置されている。以下、粘度計６とレジスト剥離処理部２とを接続する配管を配管１０という。粘度計６は、配管９を流れるレジスト剥離液Ｈ１等の粘度μを測定するために用いられている。粘度計６で測定された粘度μの情報は、制御部７に送ることができるようになっている。
【００４０】
制御部７は、粘度計６で測定された粘度μの情報からレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを求める演算処理部である。例えば、制御部７は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やレジスト剥離液Ｈ１の粘度μと水分率Ｐとの関係を示す式が記憶された記億部等を備えている。また、制御部７は、例えばレジスト剥離液Ｈ１をレジストに供給するための図示しないポンプを制御するために用いられている。
【００４１】
図２はレジスト剥離液Ｈ１の粘度μと水分率Ｐとの関係を示すグラフである。
【００４２】
図２は、縦軸にレジスト剥離液の粘度μ（ｍ・Ｐａ・ｓ）をとり、横軸にレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐ（％）をとったグラフである。例えば図１に示すレジスト剥離処理装置１と、レジスト剥離処理装置１と同一の不図示のレジスト剥離処理装置とを用いて、レジスト剥離処理を２段階で行う場合がある。２段階目（後半）のレジスト剥離処理は、仕上げ処理である。この場合、１段階目（前半）の使用済みのレジスト剥離液Ｈ１には、２段階目（後半）の使用済みのレジスト剥離液中より多くのレジストが溶け込んでいる（レジストの溶け込み量が多くなっている）。図２では、前半の使用済みレジスト剥離液Ｈ１についての測定結果を黒丸で示し、後半の使用済みレジスト剥離液についての測定結果を黒四角で示した。図２に示すように、レジスト剥離液の粘度μと水分率Ｐとの間には、レジストの溶け込み量に依存しない強い相関関係（直線関係）がある。例えば、相関係数Ｒ２が０．９９４７である。図２に示すように、レジスト剥離液の粘度μと水分率Ｐとの間には、例えば粘度μが減少するにつれ水分率Ｐが増加する関係がある。
【００４３】
図３はレジスト剥離処理装置１を用いて製造される液晶装置の概略斜視図である。
【００４４】
（液晶装置の構成）
【００４５】
液晶装置１１は、図３に示すように、液晶パネル１２と、液晶パネル１２に接続された回路基板１３とを備えている。なお、液晶装置１１は、液晶パネル１２を支持するフレーム１４等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００４６】
液晶パネル１２は、基板１６と、基板１６に対向するように設けられた基板１７と、基板１６、１７の間に設けられたシール材１８及び基板１６、１７により封止された図示しない液晶とを備えている。液晶には、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）が用いられている。
【００４７】
基板１６及び基板１７は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材である。基板１６の液晶側には、ゲート電極１９、ソース電極２０、薄膜トランジスタ素子Ｔ及び画素電極２１が形成されており、基板１７の液晶側には、共通電極１７ａが形成されている。
【００４８】
ゲート電極１９はＸ方向に、ソース電極２０はＹ方向に、それぞれ例えばアルミニウム等の金属材料等によって形成されている。ソース電極２０は、例えば図３に示すように上半分が左側に、下半分が右側に引き回されて形成されている。なお、ゲート電極１９及びソース電極２０の本数は、液晶装置１１の解像度や表示領域の大きさに応じて適宜変更可能である。
【００４９】
薄膜トランジスタ素子Ｔは、ゲート電極１９、ソース電極２０及び画素電極２１にそれぞれ接続される３つの端子を備えている。薄膜トランジスタ素子Ｔは画素電極２１、ゲート電極１９、ソース電極２０に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極１９に電圧を印加したときにソース電極２０から画素電極２１に又はその逆に電流が流れるように構成されている。
【００５０】
また、基板１６は、基板１７の外縁から張り出した領域（以下、「張り出し部」と表記する）１６ａを備えている。張り出し部１６ａの面上には、出力配線２２〜２４、入力配線２５〜２７が付設されていると共に、例えば液晶を駆動するためのドライバＩＣ２８が実装されている。
【００５１】
出力配線２２は、一端部がドライバＩＣ２８の図示しないドライバ側出力端子に接続され、他側がゲート電極１９に繋がっている。出力配線２３及び出力配線２４は、一端部がドライバＩＣ２８の図示しないドライバ側出力端子に接続され、他側がソース電極２０に繋がっている。
【００５２】
入力配線２５は、一端部が回路基板１３の可撓性基材３３の一面側に付設された配線３４の一端部に図示しないＡＣＦを介して接続され、ドライバＩＣ２８側の他端部がドライバＩＣ２８の図示しないドライバ側入力端子に接続されている。なお、入力配線２６、２７は、それぞれ一端部がドライバＩＣ２８の図示しないドライバ側入力端子に接続され、他端部が可撓性基材３３の一面側に付設された図３に示す配線３７、３８に図示しないＡＣＦを介して接続されている。
【００５３】
回路基板１３は、図３に示すように、一端部が張り出し部１６ａに例えば図示しないＡＣＦを介して接続されていると共に曲げて設けられて、他端部が図示しない反射板に接続されている。
【００５４】
回路基板１３は、可撓性基材３３と、可撓性基材３３の一面（内面）側に設けられた配線３４、３７及び３８とを備えている。可撓性基材３３には、例えばこの他にも図示しない半導体ＩＣ等が実装されている。
【００５５】
可撓性基材３３は、回路基板１３の基材として用いられており、例えば構成材料には樹脂材料等が用いられている。樹脂材料としては、例えばポリイミドが用いられている。
【００５６】
配線３４、３７及び３８は、可撓性基材３３の一面（内面）側に設けられている。配線３４は、張り出し部１６ａ側の一端部が図示しないＡＣＦを介して入力配線２５の一端部に接続されており、他端部は図示しない半導体ＩＣに接続されている。配線３７、３８は、一端部が図示しないＡＣＦを介して入力配線２６、２７に接続されており、他端部は例えば図示しない半導体ＩＣに接続されている。
【００５７】
（液晶装置１１の製造方法）
【００５８】
次に、液晶装置１１の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００５９】
図４は液晶装置１１の製造工程を示すフローチャートである。
【００６０】
まず、液晶パネル１２を製造する（Ｓ１）。
【００６１】
図５は図４の液晶パネル１２の製造工程（Ｓ１）の詳細を示すフローチャートである。
【００６２】
液晶パネル１２の製造工程（Ｓ１）について図５を用いて説明する。
【００６３】
まず、図５に示すように、基板１６の一面側に形成された図示しない金属膜上にレジストを塗布し（Ｓ１１）、露光処理を施し（Ｓ１２）、後述するレジスト剥離処理工程（Ｓ１３）を実行する。
【００６４】
図６は図５のレジスト剥離処理工程（Ｓ１３）の詳細を示すフローチャートである。
【００６５】
レジスト剥離処理工程（Ｓ１３）について図６を参照しながら説明する。
【００６６】
まず、例えば制御部７により図示しないポンプを駆動することで、レジスト剥離液Ｈ１を配管９に流入させ、配管９内を流動するレジスト剥離液Ｈ１の粘度μを粘度計６により測定する（Ｓ２１）。
【００６７】
次いで、制御部７は、測定された粘度μを用いてレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを求める（Ｓ２２）。
【００６８】
次に、求めた水分率Ｐが所定値（例えばドライエッチングの場合には１０％、ウェットエッチングの場合には５５％）未満か否かを判断する（Ｓ２３）。これにより、水分率Ｐが所定値未満と判断（肯定判断）したときには、水分が不足しているので、制御部７は水分補給部４の図示しないポンプを駆動し、レジスト剥離液タンク３に水を補給し、例えばレジスト剥離液タンク３内のレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを所定値（例えばドライエッチングの場合には１０％、ウェットエッチングの場合には５５％）以上にする（粘度を所定値以下にする）（Ｓ２４）。なお、ステップ２１〜ステップ２４は、水分調整工程である。
【００６９】
ステップ２４で水を補給した後、又は、ステップ２３で水分率Ｐが所定値以上と判断したときには、ステップ２５に進み、水分率Ｐが所定値以上（粘度が所定値以下）になっているレジスト剥離液Ｈ１をレジスト剥離処理部２に供給し、基板１６上の図示しないレジストに噴霧する（Ｓ２５）。これにより、レジストを剥離する等して、基板１６の一面にゲート電極１９等を形成する。
【００７０】
なお、レジスト剥離処理部２内でレジストの剥離処理に用いられた使用済みのレジスト剥離液Ｈ１は、循環配管８を介して再びレジスト剥離液タンク３内に貯留され、再利用される。レジスト剥離液Ｈ１の粘度μと、水分率Ｐとの間には、図２に示すように、レジスト溶け込み量に依存しない相関関係があるので、この再利用時にも、粘度計６を用いて測定した使用済みレジスト剥離液Ｈ１の粘度μから図２の相関関係を用いて正確な水分率Ｐが求められ、水分が不足している場合に、水を補給し、水分率Ｐが所定値以上になっているレジスト剥離液Ｈ１をレジスト剥離処理部２に供給する。このように、ステップ２１からステップ２５を繰り返すことで、レジスト剥離液処理中において、常にレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを所定値以上（粘度を所定値以下）に保つことができる。
【００７１】
以上でレジスト剥離液処理工程（Ｓ１３）を終了する。
【００７２】
その後、図５に示すように、基板１６と基板１７とをシール材１８を介して接着材により接着し（Ｓ１４）、両基板１６、１７の間に液晶を注入する等して液晶パネル１２を製造する（Ｓ１５）。
【００７３】
以上で、液晶パネル１２の製造工程（Ｓ１）を終了する。
【００７４】
液晶パネル１２を製造する一方で、図４に示すように、回路基板１３を製造し（Ｓ２）、図示しないＡＣＦを介して回路基板１３を液晶パネル１２に接続する（Ｓ３）。
【００７５】
次いで、例えば液晶パネル１２にフレーム１４及び図示しない反射板を固定し、回路基板１３を曲げて回路基板１３の他端部を例えば図示しない反射板に接着する等して液晶装置１１を製造する（Ｓ５）。
【００７６】
以上で液晶装置１１の製造方法についての説明を終了する。
【００７７】
このように本実施形態によれば、レジスト剥離処理装置１は、レジストに供給されるレジスト剥離液Ｈ１の粘度μを測定する粘度計６、粘度μに基いてレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを求め水分率Ｐに基いて水分を調整する水分調整部としての水分補給部４、制御部７を備えている。従って、例えば粘度μが所定値より小さいときに、そのレジスト剥離液Ｈ１が優れた剥離効果を得ることが可能なレジスト剥離液であると判断することができる。また、例えば粘度計６により粘度μを求め、粘度μが所定値より大きいときに、水分補給部４からレジスト剥離液タンク３に水を補給しレジスト剥離液の水分率を所定値以上（粘度μを所定値以下）にして、優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることができる。
【００７８】
また、測定された粘度μからレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを求める制御部７を備えているので、例えば図２に示すレジスト剥離液Ｈ１の粘度μと水分率Ｐとの相関関係を用いて、粘度計６で測定した粘度μから水分率Ｐを制御部７により求めることができる。
【００７９】
例えば、レジストの剥離に用いた使用済みのレジスト剥離液Ｈ１を再利用する場合には、レジスト剥離処理の回数が増加するにつれ、レジスト剥離液Ｈ１中のレジストの溶け込み量が増加し、レジスト剥離液Ｈ１の不透明度が増す。このとき、例えば水分率Ｐを求めるために吸光光度計を用いる場合には、光をレジスト剥離液Ｈ１に照射し透過した光の量を測定する必要があるため、レジスト剥離液Ｈ１中の水分率を正確に求めることができなくなるおそれがある。
【００８０】
これに対して、水分率Ｐを求めるために粘度計６を用いる場合には、レジスト剥離液Ｈ１中のレジスト溶け込み量が変化しても、図２に示すように粘度μと水分率Ｐとの関係がレジスト溶け込み量にほとんど依存しないので、粘度μを用いて制御部７により水分率Ｐを正確に求めることができる。
【００８１】
また、レジストへのレジスト剥離液Ｈ１の供給を制御する制御部７、レジスト剥離液Ｈ１を供給するために制御部７により制御される図示しないポンプ、レジスト剥離液供給部２を備えているので、水分率Ｐが所定値以上のレジスト剥離液Ｈ１を基板１６上のレジストに噴霧し、レジストを剥離する等して、基板１６の一面にゲート電極１９等を正確な間隔で形成することができる。
【００８２】
更に、レジスト剥離液タンク３とレジスト剥離処理部２との間で配管９に粘度計６が配置されているので、レジストに供給される前のレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを粘度計６を介して制御部７により把握し、水分率Ｐが所定値以上のレジスト剥離液Ｈ１をレジスト剥離処理部２により確実にレジストに供給することができる。
【００８３】
また、第１の新レジスト剥離液供給部５を備えているので、例えば、レジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐが大きく減少したときやより短時間で水分率Ｐを増加させる必要がある場合等に、第１の新レジスト剥離液供給部５から新レジスト剥離液Ｈ３をレジスト剥離液タンク３に供給し水分率Ｐを所定値以上にすることができる。
【００８４】
（第１の変形例）
【００８５】
次に、第１の変形例のレジスト剥離処理装置を図面を参照しながら説明する。なお、本変形例以降においては、実施形態の構成要素と共通する構成要素等については、実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略し異なる箇所を中心的に説明する。
【００８６】
図７は第１の変形例のレジスト剥離処理装置のブロック図である。
【００８７】
本変形例のレジスト剥離処理装置４０は、実施形態のレジスト剥離処理装置１に比べて、粘度計６とレジスト剥離処理部２との間で配管１０に配置されたバルブ４１と、バルブ４１を介して配管１０に接続されると共に循環配管８に接続された循環配管４２と、バルブ４１とレジスト剥離処理部２との間で配管１０に配置されたバルブ４３と、バルブ４３を介して配管１０に接続された配管４４と、配管４４に接続された新レジスト剥離液Ｈ４を供給するための供給部としての第２の新レジスト剥離液供給部４５とを備えている。
【００８８】
バルブ４１は、図７に示すように、粘度計６を通過したレジスト剥離液Ｈ１の流路を、配管１０を介してレジスト剥離処理部２に向かう流路又は循環配管４２を介してレジスト剥離液タンク３に向かう流路に切り替えるための切り替え弁である。
【００８９】
循環配管４２は、図７に示すように、粘度計６の下流側の配管１０と循環配管８とを接続している。
【００９０】
バルブ４３は、図７に示すように、バルブ４１とレジスト剥離処理部２との間で配管１０に配置されている。バルブ４３は、第２の新レジスト剥離液供給部４５から配管４４に供給された新レジスト剥離液Ｈ４が配管１０に流れる状態と流れない状態とを切り替えるための弁である。
【００９１】
第２の新レジスト剥離液供給部４５は、例えば新しい新レジスト剥離液Ｈ４を貯留する図示を省略した貯留槽と、新レジスト剥離液Ｈ４を押し出すための図示しないポンプとを備えている。
【００９２】
次に、本変形例の液晶装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本変形例では、上記実施形態に比べて、レジスト剥離処理工程が異なるので異なる工程を中心に説明する。
【００９３】
図８は第１の変形例のレジスト剥離処理工程のフローチャートである。
【００９４】
まず、例えば制御部７により図示しないポンプを駆動することで、レジスト剥離液Ｈ１を配管９に流入させ、配管９内を流動するレジスト剥離液Ｈ１の粘度μを粘度計６により測定する（Ｓ３１）。
【００９５】
次いで、制御部７は、測定された粘度μを用いてレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを求める（Ｓ３２）。
【００９６】
次に、求めた水分率Ｐが所定値（例えばドライエッチングの場合には１０％、ウェットエッチングの場合には５５％）未満か否かを判断する（Ｓ３３）。これにより、水分率Ｐが所定値未満と判断（肯定判断）したときには、水分が不足しているので、バルブ４１、バルブ４３を切り替える（Ｓ３４）。これにより、粘度計６を通過したレジスト剥離液Ｈ１がレジスト剥離処理部２に向かう流れをバルブ４１により遮断（停止）し、循環配管４２を介して循環配管８にレジスト剥離液Ｈ１を流れ込ませ、レジスト剥離液タンク３に貯留させる。
【００９７】
続いて、第２の新レジスト剥離液供給部４５から配管４４を介して粘度が所定値以下である予め用意した新レジスト剥離液Ｈ４を配管１０に流入させる（Ｓ３５）。新レジスト剥離液Ｈ４は、水分率Ｐが所定値以上（粘土が所定値以下）の未使用のレジスト剥離液であり例えばレジスト剥離液Ｈ１と同じ成分である。これにより、レジスト剥離液Ｈ１による供給を停止した状態でも、新レジスト剥離液Ｈ４がレジスト剥離処理部２に供給される。
【００９８】
次いで、制御部７は水分補給部４の図示しないポンプを駆動し、水分率Ｐが所定値以上と判断されるまで（Ｓ３７）、レジスト剥離液タンク３に水を補給し（Ｓ３６）、例えばレジスト剥離液タンク３内のレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを所定値以上にする。
【００９９】
ステップ３７で、水分率Ｐが所定値以上（粘度が所定値以下）と判断されたときには、バルブ４１、バルブ４３を切り替える（Ｓ３８）。これにより、粘度計６を通過したレジスト剥離液Ｈ１の循環配管４２への流入がバルブ４１により遮断され、レジスト剥離液Ｈ１が配管１０を介してレジスト剥離処理部２に供給されるようにする。また、第２の新レジスト剥離液供給部４５から配管１０への新レジスト剥離液Ｈ４の流入を遮断する。その結果、再び水分率Ｐが所定値以上のレジスト剥離液Ｈ１を配管１０を介してレジスト剥離処理部２に供給する。
【０１００】
水を補給した後（Ｓ３８の後）、又は、ステップ３３で水分率Ｐが所定値以上と判断したときには、ステップ３９に進み、水分率Ｐが所定値以上になっているレジスト剥離液Ｈ１をレジスト剥離処理部２に供給し、基板１６上の図示しないレジストに噴霧する（Ｓ３９）。これにより、レジストを剥離する等して、基板１６の一面にゲート電極１９等を形成する。
【０１０１】
なお、レジスト剥離処理部２内でレジストの剥離処理に用いられた使用済みのレジスト剥離液Ｈ１は、循環配管８を介して再びレジスト剥離液タンク３内に貯留され、再利用される。レジスト剥離液Ｈ１の粘度μと、水分率Ｐとの間には、図２に示すように、レジスト溶け込み量に依存しない相関関係があるので、この再利用時にも、粘度計６を用いて測定した使用済みレジスト剥離液Ｈ１の粘度μから図２の相関関係を用いて正確な水分率Ｐが求められ、水分が不足している場合に、水を補給し、水分率Ｐが所定値以上（粘度が所定値以下）になっているレジスト剥離液Ｈ１をレジスト剥離処理部２に供給する。このように、ステップ３１からステップ３９を繰り返すことで、レジスト剥離液処理中において、常にレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを所定値以上に保つことができる。
【０１０２】
以上でレジスト剥離液処理工程（Ｓ１３）を終了する。
【０１０３】
このように本変形例によれば、制御部７で求めた水分率Ｐが所定値より小さいときに（Ｓ３３で肯定判断）、レジスト剥離液Ｈ１のレジストへの供給を停止し（Ｓ３４）、レジスト剥離液Ｈ１に代えて、水分率Ｐが所定値以上（粘度が所定値以下）である新レジスト剥離液Ｈ４をレジストに供給する（Ｓ３５）第２の新レジスト剥離液供給部４５を備えている。これにより、制御部７により求めた水分率Ｐが所定値より小さいレジスト剥離液Ｈ１がレジストへ供給されることを防止すると共に、水分率Ｐが所定値以上（粘度が所定値以下）である新レジスト剥離液Ｈ４をレジストに供給することができる。その結果、レジスト剥離処理を中断することなくレジスト剥離処理を続行することができるので、製造時間を短縮することができる。
【０１０４】
また、水分率Ｐが所定値以上となるまで（Ｓ３７で否定判断）、水をレジスト剥離液Ｈ１に補給し（Ｓ３６）、配管９（１０）と異なる循環用の循環配管４２を用いてレジスト剥離液Ｈ１を循環させる。これにより、水分率Ｐが所定値以上となるまで、循環配管４２でレジスト剥離液Ｈ１を循環させることができ、その結果、水分率Ｐが所定値より小さいレジスト剥離液Ｈ１がレジストに供給されることを防止することができる。また、レジスト剥離液Ｈ１を循環させることにより水分率Ｐが所定値以上となったときに（Ｓ３７で肯定判断）、予め用意された他のレジスト剥離液に代えて、この水分率Ｐが所定値以上になったレジスト剥離液Ｈ１をレジストに供給するので（Ｓ３９）、例えばレジスト剥離処理を中断することなくレジスト剥離処理を続行することができ、製造時間を短縮することができる。
【０１０５】
なお、第１の変形例において、バルブ４３、配管４４及び第２の新レジスト剥離液供給部４５を備えずに、バルブ４１及び循環配管４２を備えるようにしてもよい。この場合においても、少なくともレジスト剥離処理部２に、水分率Ｐが所定値未満のレジスト剥離液Ｈ１が供給されることを防止し、例えばゲート配線等の歩留まりが低下することを防止することができる。
【０１０６】
なお、バルブ４１、４２の代わりに、これらのバルブの機能を備えた一つの図示しないバルブを備えるようにしてもよい。
【０１０７】
（第２の変形例）
【０１０８】
次に、第２の変形例のレジスト剥離処理装置を図面を参照しながら説明する。
【０１０９】
図９は第２の変形例のレジスト剥離処理装置のブロック図である。
【０１１０】
本変形例のレジスト剥離処理装置５０は、実施形態のレジスト剥離処理装置１に比べて、第２のレジスト剥離液タンク５３、循環配管８の合流点Ｇに配置されたバルブ５４、バルブ５４を介して循環配管８に接続された配管５５等を備えている。
【０１１１】
レジスト剥離液タンク３は、例えば第１の新レジスト剥離液供給部５から水分率Ｐが５５％以上である未使用の新レジスト剥離液Ｈ５が補給されるようになっている。
【０１１２】
第２のレジスト剥離液タンク５３は、レジスト剥離液タンク３と同様の構成を有している。第２のレジスト剥離液タンク５３は、例えば第１の新レジスト剥離液供給部５から水分率Ｐが１０％以上である未使用の新レジスト剥離液Ｈ６が補給されるようになっている。第２のレジスト剥離液タンク５３は、バルブ５４の切り替えによって、レジスト剥離処理部２で使用済みのレジスト剥離液Ｈ１が循環配管８、配管５５を介して供給されるようになっている。第２のレジスト剥離液タンク５３は、貯留されたレジスト剥離液Ｈ１等を配管５６、配管９を介して図示を省略したポンプによりレジスト剥離処理部２に供給するように構成されている。第２のレジスト剥離液タンク５３は、例えば貯留されたレジスト剥離液Ｈ１等の温度を調整することができるように構成されている。
【０１１３】
バルブ５４は、循環配管８の合流点Ｇに配置されている。バルブ５４は、レジスト剥離処理部２から循環配管８に流れ込むレジスト剥離液Ｈ１の流路を、循環配管８を介してレジスト剥離液タンク３に向かう流路又は配管５５を介して第２のレジスト剥離液タンク５３に向かう流路に切り替えるための切り替え弁である。
【０１１４】
配管５５は、循環配管８の合流点Ｇに接続されており、第２のレジスト剥離液タンク５３にレジスト剥離液Ｈ１を供給するように配置されている。
【０１１５】
次に、本変形例の液晶装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本変形例では、上記実施形態に比べて、レジスト剥離処理工程が異なるので異なる工程を中心に説明する。
【０１１６】
図１０は第２の変形例のレジスト剥離処理工程のフローチャートである。
【０１１７】
まず、例えば制御部７により図示しないポンプを駆動することで、レジスト剥離液Ｈ１を配管９に流入させ、配管９内を流動するレジスト剥離液Ｈ１の粘度μを粘度計６により測定する（Ｓ４１）。
【０１１８】
次いで、制御部７は、測定された粘度μを用いてレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを求める（Ｓ４２）。
【０１１９】
次に、例えばドライエッチングかウェットエッチングかを判断する（Ｓ４３）。
【０１２０】
次に、ステップ４３でドライエッチングと判断した場合には、レジスト剥離処理部２から循環配管８に流入した使用済みのレジスト剥離液Ｈ１が配管５５に流れるようにバルブ５４を切り替える（Ｓ４４）。
【０１２１】
続いて、求めた水分率Ｐが所定値（例えば１０％）未満か否かを判断する（Ｓ４５）。これにより、水分率Ｐが所定値（１０％）未満と判断したときには、水分が不足しているので、制御部７は水分補給部４の図示しないポンプを駆動し、第２のレジスト剥離液タンク５３に水を補給し、例えば第２のレジスト剥離液タンク５３内のレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを所定値（１０％）以上にする（Ｓ４６）。
【０１２２】
ステップ４６で水を補給した後、又は、ステップ４５で水分率Ｐが所定値（１０％）以上と判断したときには、ステップ４７に進み、水分率Ｐが所定値（１０％）以上になっているレジスト剥離液Ｈ１をレジスト剥離処理部２に供給し、噴霧部２Ａから基板１６上の図示しないレジストに噴霧する（Ｓ４７）。これにより、レジストを剥離する等して、基板１６の一面にゲート電極１９等を形成する。
【０１２３】
なお、レジスト剥離処理部２内でレジストの剥離処理に用いられた使用済みのレジスト剥離液Ｈ１は、循環配管８、配管５５を介して第２のレジスト剥離液タンク５３内に貯留され、再利用される。レジスト剥離液Ｈ１の粘度μと、水分率Ｐとの間には、図２に示すように、レジスト溶け込み量に依存しない相関関係があるので、この再利用時にも、粘度計６を用いて測定した使用済みレジスト剥離液Ｈ１の粘度μから図２の相関関係を用いて正確な水分率Ｐが求められ、水分が不足している場合に、水を補給し、水分率Ｐが所定値以上（粘度μが所定値以下）になっているレジスト剥離液Ｈ１をレジスト剥離処理部２に供給する。
【０１２４】
一方、ステップ４３でウェットエッチングと判断した場合には、レジスト剥離処理部２から循環配管８に流入した使用済みのレジスト剥離液Ｈ１がレジスト剥離液タンク３に向かう循環配管８に流れるようにバルブ５４を切り替える（Ｓ４８）。
【０１２５】
続いて、求めた水分率Ｐが所定値（例えば５５％）未満か否かを判断する（Ｓ４９）。これにより、水分率Ｐが所定値（５５％）未満と判断（肯定判断）したときには、水分が不足しているので、制御部７は水分補給部４の図示しないポンプを駆動し、レジスト剥離液タンク３に水を補給し、例えばレジスト剥離液タンク３内のレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを所定値（５５％）以上にする（Ｓ５０）。
【０１２６】
ステップ５０で水を補給した後、又は、ステップ４９で水分率Ｐが所定値（５５％）以上と判断したときには、ステップ５１に進み、水分率Ｐが所定値（５５％）以上（粘度μが所定値以下）になっているレジスト剥離液Ｈ１をレジスト剥離処理部２に供給し、噴霧部２Ａから基板１６上の図示しないレジストに噴霧する（Ｓ５１）。これにより、レジストを剥離する等して、基板１６の一面にゲート電極１９等を形成する。
【０１２７】
以上でレジスト剥離液処理工程を終了する。
【０１２８】
このように本変形例によれば、水分補給部４により水分率Ｐが１０％以上に調整されたレジスト剥離液タンク３及び水分補給部４により水分率Ｐが５５％以上に調整された第２のレジスト剥離液タンク５３とを備えている。これにより、ドライエッチング又はウェットエッチング時にそれぞれ適切な水分率Ｐのレジスト剥離液Ｈ１をレジストに供給しレジストを剥離することができる。このように、レジスト剥離処理装置５０は、ドライエッチング及びウェットエッチングに用いることができるので、製造コストを低下させることができる。なお、ドライエッチングされたレジストは表面がウェットエッチングされたレジストより組成が改変されレジスト剥離され難いため、水分率の低いレジスト剥離液を使用する。
【０１２９】
なお、本発明は上述した実施形態及び変形例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態及び変形例を組み合わせ得る。
【０１３０】
例えば上述した実施形態では、液晶装置の一例として薄膜トランジスタ素子アクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えば、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型やパッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明に係る実施形態のレジスト剥離処理装置のブロック図である。
【図２】レジスト剥離液の粘度と水分率との関係を示すグラフである。
【図３】レジスト剥離処理装置を用いて製造される液晶装置の概略斜視図である。
【図４】液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】図４の液晶パネルの製造工程（Ｓ１）の詳細を示すフローチャートである。
【図６】図５のレジスト剥離処理工程（Ｓ１３）の詳細を示すフローチャートである。
【図７】第１の変形例のレジスト剥離処理装置のブロック図である。
【図８】第１の変形例のレジスト剥離処理工程（Ｓ１３）のフローチャートである。
【図９】第２の変形例のレジスト剥離処理装置のブロック図である。
【図１０】第２の変形例のレジスト剥離処理工程のフローチャートである。
【符号の説明】
【０１３２】
Ｈ１  レジスト剥離液、  Ｈ２  水、  Ｈ３  新レジスト剥離液、  Ｈ４，Ｈ５，Ｈ６  新レジスト剥離液、  μ  粘度、  Ｐ  水分率、  Ｇ  合流点、  Ｔ  薄膜トランジスタ素子、  １，４０，５０  レジスト剥離処理装置、  ２  レジスト剥離処理部、  ２Ａ  噴霧部、  ２Ｂ  レジスト剥離液貯留槽、  ３  レジスト剥離液タンク、  ４  水分補給部、  ５  第１の新レジスト剥離液供給部、  ６  粘度計、  ７  制御部、  ８，４２  循環配管、  ９，１０，４４，５５，５６  配管、  １１  液晶装置、  １２  液晶パネル、  １３  回路基板、  １４  フレーム、  １６，１７  基板、  １６ａ…張り出し部、  １７ａ  共通電極、  １８  シール材、  １９  ゲート電極、  ２０  ソース電極、  ２１  画素電極、  ２２〜２４  出力配線、  ２５〜２７  入力配線、  ２８  ドライバＩＣ、  ３３  可撓性基材、  ３４，３７，３８  配線、  ４１，４３，５４  バルブ、  ４５…第２の新レジスト剥離液供給部、  ５３  第２のレジスト剥離液タンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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