(57)【要約】【課題】基板を汚染することなく基板の周端面を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供する。【解決手段】支持ピンによりスピンベース１５から上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。支持ピンに支持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向部材５が配置され、対向部材５の下面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに窒素ガスが供給される。これにより、基板Ｗが支持ピンに押圧されてスピンベース１５に保持される。また、対向部材５のノズル挿入孔５２に第１ノズル３が挿入された状態で、第１ノズル３から回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けてフッ硝酸を吐出させて該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦに供給する。これにより、基板Ｗの周端面ＥＦが全周にわたってエッチング処理される。【選択図】図１
2008244248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転手段と、
前記回転部材に上方に向けて突設され、基板の下面に当接して前記基板を前記回転部材から離間させて支持する３個以上の支持部材と、
前記支持部材に支持された前記基板の上面に対向する基板対向面を有し、該基板対向面を前記基板上面に対向させながら離間配置された対向部材と、
前記基板対向面と前記基板上面との間に形成される間隙空間にガスを供給して前記基板を前記支持部材に押圧させて前記回転部材に保持させる押圧手段と、
前記基板の上面周縁部に向けてフッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）を吐出して前記基板の上面周縁部から該上面周縁部に連なる前記基板の周端面にフッ硝酸を供給するノズルと
を備え、
前記回転部材に保持された前記基板を回転させながら前記ノズルから前記基板の周端面にフッ硝酸を供給して該周端面に対してエッチング処理を施すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記対向部材には前記基板対向面が前記基板の上面周縁部に対向する位置に開口部を有するノズル挿入孔が設けられ、
前記ノズルは前記ノズル挿入孔に挿入された状態で前記基板の上面周縁部に向けてフッ硝酸を吐出する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板の下面にリンス液を供給することによって前記基板下面を前記リンス液で覆うカバーリンス手段をさらに備える請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板の周端面に酸化膜を含む不要物が形成されている請求項１ないし３のいずれか
に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルからのフッ硝酸の吐出に先立って、前記基板の周端面にフッ酸を供給するこ
とにより該周端面から前記不要物をエッチング除去するフッ酸供給手段をさらに備える基
板処理装置。
【請求項５】
前記フッ酸供給手段は、前記ノズルであり、
前記ノズルはフッ硝酸とフッ酸とを選択的に吐出可能とされ、
前記ノズルからのフッ硝酸およびフッ酸の吐出を制御して前記ノズルからフッ硝酸の吐
出に先立ってフッ酸を吐出させて前記基板の周端面から前記不要物をエッチング除去する
制御手段をさらに備える請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記対向部材は前記基板の周端面から径方向外側に所定の隙間だけ離間配置された端面近接部を有し、
前記ノズルから前記基板の周端面と前記端面近接部との間に形成される空間にフッ硝酸を供給することによって該空間において前記フッ硝酸による液密状態を形成して前記基板の周端面に対してエッチング処理を施す請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
回転部材に上方に向けて突設された３個以上の支持部材を基板の下面に当接させて前記基板を前記回転部材から離間させて支持する基板支持工程と、
基板対向面を有する対向部材を前記支持部材に支持された前記基板の上面に対向して配置する配置工程と、
前記基板対向面と前記基板上面との間に形成される間隙空間にガスを供給して前記基板を前記支持部材に押圧させて前記回転部材に保持させる押圧工程と、
前記回転部材に前記基板を保持させながら前記回転部材を回転させる回転工程と、
前記回転工程と並行して、ノズルから前記基板の上面周縁部に向けてフッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）を吐出して前記基板の上面周縁部から該上面周縁部に連なる前記基板の周端面にフッ硝酸を供給することで該周端面に対してエッチング処理を施す供給工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板を回転させながら基板の周端面に対して所定の表面処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。この製造工程の過程においては、基板の周端面にパーティクル等の不要物が付着しており、このような不要物は他の装置との接触により剥がれたりすることがある。そして、剥がれた不要物が基板の表面中央部（デバイス形成領域）や基板処理装置に付着することが原因となって製造品の歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルを引き起こすことがある。また、搬送機構により基板を装置に搬送する際に基板の周端面と搬送機構とが接触することで基板の周端面にはキズや欠け等の欠陥も存在している。そして、このような欠陥は後工程で基板の割れ等の重大な不具合を引き起こしてしまうこととなる。
【０００３】
そこで、このような課題に対処するために、例えば特許文献１に記載された装置が提案されている。この装置は、基板の周端面に当接して基板を保持するとともに基板を回転させる複数の保持用ローラと、これら保持用ローラによって保持された基板の周端面に対して表面処理（洗浄処理）を行うためのブラシとを備えている。そして、基板の周端面に対して表面処理を施す際には、保持用ローラを回転駆動させることで基板を回転させるとともに、基板の周端面とブラシとを互いに当接させている。これにより、ブラシと基板の周端面との当接位置が変化し、基板の周端面とブラシとが互いに摺動しながら、基板の周端面の全周に対して物理的な表面処理が実行される。
【０００４】
また、基板の周端面に対して物理的な表面処理を施す以外に、基板の周端面をエッチング液によりエッチングすることで基板の周端面に対して化学的な表面処理を行う方法が提案されている。例えば、特許文献２に記載の技術では、エッチング液としてフッ硝酸を用いて半導体ウエハの周縁部に対して面取り（基板の周縁部に丸みを形成）を行って半導体ウエハを作成している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２１２５２８号公報（第６−７頁）
【特許文献２】特開平５−２９１２１５号公報（第２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１に記載の装置では、基板を回転させながらブラシを基板の周端面に当接させることで基板の周端面に対して表面処理を施すことができるものの、以下に示すような問題があった。すなわち、上記した装置では、基板の周端面とブラシとを互いに摺動させながら表面処理を行っているため、ブラシが磨耗して、あるいは基板が削り取られることによってパーティクルが発生してしまうことがあった。また、保持用ローラによって基板の周端面を保持しながら基板を回転させているので、保持用ローラと基板とが互いに摺動して該摺動部分からパーティクルが発生してしまう。このため、ブラシによって基板の周端面に対して表面処理を施しても、表面処理時に発生したパーティクルにより基板が汚染される結果となり、実質的には基板を汚染させながら処理している状態となっていた。
【０００７】
また、特許文献２に記載の技術は基板自体を作成する際に適用される技術であって、このように作成された基板に対して微細パターンを形成していく製造工程の過程にそのまま適用することはできない。そこで、基板を汚染することなく基板の周端面を良好に処理することができる装置が従来より要望されていた。
【０００８】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板を汚染することなく基板の周端面を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転手段と、回転部材に上方に向けて突設され、基板の下面に当接して基板を回転部材から離間させて支持する３個以上の支持部材と、支持部材に支持された基板の上面に対向する基板対向面を有し、該基板対向面を基板上面に対向させながら離間配置された対向部材と、基板対向面と基板上面との間に形成される間隙空間にガスを供給して基板を支持部材に押圧させて回転部材に保持させる押圧手段と、基板の上面周縁部に向けてフッ硝酸を吐出して基板の上面周縁部から該上面周縁部に連なる基板の周端面にフッ硝酸を供給するノズルとを備え、回転部材に保持された基板を回転させながらノズルから基板の周端面にフッ硝酸を供給して該周端面に対してエッチング処理を施すことを特徴としている。
【００１０】
また、この発明にかかる基板処理方法は、上記目的を達成するため、回転部材に上方に向けて突設された３個以上の支持部材を基板の下面に当接させて基板を回転部材から離間させて支持する基板支持工程と、基板対向面を有する対向部材を支持部材に支持された基板の上面に対向して配置する配置工程と、基板対向面と基板上面との間に形成される間隙空間にガスを供給して基板を支持部材に押圧させて回転部材に保持させる押圧工程と、回転部材に基板を保持させながら回転部材を回転させる回転工程と、回転工程と並行して、ノズルから基板の上面周縁部に向けてフッ硝酸を吐出して基板の上面周縁部から該上面周縁部に連なる基板の周端面にフッ硝酸を供給することで該周端面に対してエッチング処理を施す供給工程とを備えたことを特徴としている。
【００１１】
このように構成された発明（基板処理装置および方法）では、基板がその下面に当接する３個以上の支持部材により支持されるとともに、間隙空間に供給されるガスによって支持部材に押圧されて回転部材に保持される。そして、回転部材が回転されると、支持部に押圧された基板は支持部材と基板との間に発生する摩擦力によって支持部材に支持されながら回転部材とともに回転する。また、ノズルから基板の上面周縁部に向けてフッ硝酸が吐出されて基板の上面周縁部から該上面周縁部に連なる周端面に供給される。これによって、基板の周端面が全周にわたってフッ硝酸によりエッチング処理され、基板の周端面から該周端面に付着する不要物が基板材料ごと除去される。また、基板の周端面にキズや欠け等の欠陥が存在する場合であっても、基板材料がエッチング除去されることで欠陥の度合いを緩和または欠陥を修復することができる。しかも、基板はその周端面に当接する当接部材がない状態で回転されながらエッチング処理される。したがって、基板を汚染することなく基板の周端面を隈なく良好に処理することができる。
【００１２】
ここで、基板対向面が基板の上面周縁部に対向する位置に開口部を有するノズル挿入孔を対向部材に設けて、ノズルをノズル挿入孔に挿入させた状態でノズルから基板の上面周縁部に向けてフッ硝酸を吐出するように構成してもよい。この構成によれば、対向部材を基板上面に対向させながら基板の上面周縁部に向けてノズルから直接にフッ硝酸を吐出させることができる。したがって、対向部材が基板上面を覆うことで基板の上面中央部にフッ硝酸が付着するのを防止しながら、基板の上面周縁部に連なる基板の周端面に確実にフッ硝酸を供給することができる。
【００１３】
また、基板の下面にリンス液を供給することによって基板下面をリンス液で覆うカバーリンス手段をさらに備えるようにしてもよい。この構成によれば、基板下面がリンス液で保護されることから、ノズルから吐出されたフッ硝酸が基板下面へ跳ね返ることがあっても、基板下面にフッ硝酸が付着するのを防止することができる。
【００１４】
また、基板の周端面に酸化膜を含む不要物が形成されている場合には、ノズルからのフッ硝酸の吐出に先立って、フッ酸供給手段から基板の周端面にフッ酸を供給することにより周端面から不要物をエッチング除去することが好ましい。フッ酸は酸化膜に対するエッチング選択性がフッ硝酸に比較して高い。すなわち、フッ硝酸は酸化膜をエッチング除去する際に、酸化膜に対するエッチングレートよりも高いエッチングレートで酸化膜以外の不要物（金属膜や基板材料など）をエッチング除去する。これに対し、フッ酸は酸化膜をエッチング除去する際に、酸化膜以外の不要物（金属膜や基板材料など）はほとんどエッチングせずに、酸化膜を選択的にエッチング除去する。このため、基板の周端面に酸化膜が形成されている場合には、フッ硝酸の基板の周端面への供給に先立ってフッ酸を基板の周端面に供給することにより、酸化膜の膜厚が基板の周端面の全周において異なる場合であっても、酸化膜以外の不要物をほとんどエッチングすることなく酸化膜全体を良好にエッチング除去することができる。その後、フッ硝酸を基板の周端面に供給することによって酸化膜以外の不要物をエッチング除去することができる。これにより、基額の周端面の全周において不要物に対するエッチング処理の均一性を高めることができ、エッチング処理の精度を高めることができる。
【００１５】
また、フッ酸供給手段をフッ硝酸とフッ酸とを選択的に吐出可能とされたノズルとし、制御手段がノズルからのフッ硝酸およびフッ酸の吐出を制御して、フッ硝酸の吐出に先立ってフッ酸をノズルから吐出させて基板の周端面から不要物をエッチング除去するようにしてもよい。
【００１６】
また、基板の周端面から径方向外側に所定の隙間だけ離間配置された端面近接部を対向部材に設けて、ノズルから基板の周端面と端面近接部との間に形成される空間にフッ硝酸を供給することによって該空間においてフッ硝酸による液密状態を形成して基板の周端面に対してエッチング処理を施すようにしてもよい。この構成によれば、基板の周端面と端面近接部との間に形成される空間にフッ硝酸による液密状態が形成されるので基板の周端面にフッ硝酸を滞留させることができる。つまり、基板はその周端面に当接する当接部材がない状態で回転されながら処理されることから、フッ硝酸による液密状態の形成を可能としてノズルから供給されるフッ硝酸を基板の周端面に滞留させることができる。したがって、基板の周端面に対するエッチング処理の進行を促進させることができる。すなわち、フッ硝酸によるエッチング処理を効率良く進行させるためには、被処理面となる基板の周端面にフッ硝酸を所定時間だけ滞留させるのが好ましい。そこで、上記のように基板の周端面と端面近接部との間に形成される空間にフッ硝酸による液密状態を形成することにより、基板の周端面にフッ硝酸を滞留させて基板の周端面に供給されたフッ硝酸が該周端面に接触している時間が長くなり、エッチング処理の効率を高めることができる。
【発明の効果】
【００１７】
この発明によれば、基板はその周端面に当接する当接部材がない状態で回転されながら基板の周端面にフッ硝酸が供給され、該基板の周端面が全周にわたってエッチング処理される。したがって、基板を汚染することなく基板の周端面を良好に処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜第１実施形態＞
図１はこの発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の略円形基板Ｗの表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ（以下、基板Ｗの表面周縁部ＴＲおよび周端面ＥＦを併せて「基板端部」という）に対して膜除去処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）を施して基板Ｗの周端面ＥＦに存在する薄膜（不要物）をエッチング除去する装置である。なお、この実施形態では、基板表面Ｗｆとはデバイスパターンが形成されるパターン形成面を意味している。
【００１９】
この基板処理装置は、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック１と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の中央部に向けて処理液を供給する下面処理ノズル２と、基板表面側からスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けてエッチング液を供給する第１ノズル３（本発明の「ノズル」に相当）と、基板表面側から基板Ｗの表面周縁部ＴＲにリンス液を供給する第２ノズル４と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向配置された対向部材５とを備えている。
【００２０】
スピンチャック１では、中空の回転支軸１１がモータを含むチャック回転機構１３の回転軸に連結されており、チャック回転機構１３の駆動により回転中心Ａ０を中心に回転支軸１１が回転可能となっている。この回転支軸１１の上端部にはスピンベース１５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット８からの動作指令に応じてチャック回転機構１３を駆動させることによりスピンベース１５が回転中心Ａ０を中心に回転する。このように、この実施形態では、チャック回転機構１３が本発明の「回転手段」として、スピンベース１５が本発明の「回転部材」として機能する。
【００２１】
また、中空の回転支軸１１には処理液供給管２１が挿通されており、その上端に下面処理ノズル２が結合されている。処理液供給管２１はリンス液供給ユニット１６と接続されており、リンス液としてＤＩＷが供給される。また、回転支軸１１の内壁面と処理液供給管２１の外壁面の隙間は、環状のガス供給路２３を形成している。このガス供給路２３はガス供給ユニット１８と接続されており、基板裏面Ｗｂと該基板裏面Ｗｂに対向するスピンベース１５の上面とに挟まれた空間に窒素ガスを供給できる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット１８から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。
【００２２】
図３はスピンベースを上方から見た平面図である。スピンベース１５の中心部には開口が設けられている。また、スピンベース１５の周縁部付近には複数個（この実施形態では６個）の第１支持ピンＦ１〜Ｆ６と、複数個（この実施形態では６個）の第２支持ピンＳ１〜Ｓ６とが本発明の「支持部材」として昇降自在に設けられている。第１支持ピンＦ１〜Ｆ６は回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されているとともに、第２支持ピンＳ１〜Ｓ６が円周方向に沿って各第１支持ピンＦ１〜Ｆ６の間に位置するように、回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されている。つまり、第１および第２支持ピンからなる一対の支持ピンが円周方向に沿って回転中心Ａ０を中心として放射状に６対、スピンベース１５の周縁部に上方に向けて設けられている。
【００２３】
第１支持ピンＦ１〜Ｆ６および第２支持ピンＳ１〜Ｓ６の各々は基板裏面Ｗｂと当接することによって、スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って１つ置きに配置された６個の第１支持ピンＦ１〜Ｆ６は第１支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。一方で、残る６個の第２支持ピンＳ１〜Ｓ６は第２支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。なお、基板Ｗを水平に支持するためには、各支持ピン群が有する支持ピンの個数は少なくとも３個以上であればよいが、各支持ピン群が有する支持ピンの個数を６個とすることで安定して基板Ｗを支持できる。
【００２４】
図４は支持ピンの構成を示す部分拡大図である。なお、支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６の各々はいずれも同一構成を有しているため、ここでは１つの支持ピンＦ１の構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。支持ピンＦ１は、基板Ｗの下面に離当接可能な当接部６１と、当接部６１を昇降可能に支持する可動ロッド６２と、この可動ロッド６２を昇降させるモータ等を含む昇降駆動部６３と、可動ロッド６２を取り囲むように設けられ可動ロッド６２と昇降駆動部６３とを外部雰囲気から遮断するベローズ６４とを有している。ベローズ６４は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）より形成され、エッチング液により基板Ｗを処理する際に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）またはアルミニウム等から形成される可動ロッド６２を保護する。また、当接部６１は耐薬性を考慮して、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）で形成されるのが好ましい。ベローズ６４の上端部は当接部６１の下面側に固着される一方、ベローズ６４の下端部はスピンベース１５の上面側に固着されている。
【００２５】
上記した構成を有する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６では、昇降駆動部６３が制御ユニット８からの駆動信号に基づき図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド６２を１〜数ｍｍのストロークで駆動させることにより、次のように基板Ｗを支持する。すなわち、昇降駆動部６３を駆動させない状態では、所定の高さ位置（基板処理位置）で基板Ｗを支持するように支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６の各々はコイルばね等の付勢手段（図示せず）によって上向きに付勢されており、基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群と、支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により支持される。一方で、支持ピンＳ１〜Ｓ６を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＳ１〜Ｓ６の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群のみにより支持される。また、支持ピンＦ１〜Ｆ６を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＦ１〜Ｆ６の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群のみにより支持される。
【００２６】
図１に戻って説明を続ける。スピンチャック１の上方には、スピンチャック１に保持された基板Ｗに対向する円盤状の対向部材５が水平に配設されている。対向部材５はスピンチャック１の回転支軸１１と同軸上に配置された回転支軸５１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支軸５１には対向部材回転機構５３が連結されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて対向部材回転機構５３のモータを駆動させることで対向部材５を回転中心Ａ０を中心に回転させる。また、制御ユニット８は対向部材回転機構５３をチャック回転機構１３と同期するように制御することで、スピンチャック１と同じ回転方向および同じ回転速度で対向部材５を回転駆動できる。
【００２７】
また、対向部材５は対向部材昇降機構５５と接続され、対向部材昇降機構５５の昇降駆動用アクチュエータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、対向部材５をスピンベース１５に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。例えば基板処理装置に対して基板Ｗが搬入出される際には、制御ユニット８はスピンチャック１から上方に十分に離れた離間位置に対向部材５を上昇させる。その一方で、基板Ｗに対して膜除去処理を施す際には、制御ユニット８はスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された対向位置まで対向部材５を下降させる。これにより、対向部材５の下面５０１（本発明の「基板対向面」に相当）と基板表面Ｗｆとが近接した状態で対向配置される。
【００２８】
この対向部材５の中心の開口および回転支軸５１の中空部には、ガス供給路５７が形成されている。このガス供給路５７はガス供給ユニット１８と接続されており、対向部材５の下面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに窒素ガスを供給可能となっている。
【００２９】
図５は対向部材の下面を見た図である。また、図６はノズルとノズル挿入孔とを示す部分斜視図である。また、図７はノズル挿入孔に挿入された第１および第２ノズルの様子を示す断面図である。この対向部材５の下面５０１は基板Ｗの直径と同等以上の平面サイズを有している。このため、対向部材５が対向位置に配置されると基板表面全体を覆って基板表面Ｗｆ上の雰囲気を外部雰囲気から遮断可能となっている。
【００３０】
この対向部材５の下面５０１には、複数のガス吐出口５０２が形成されている。これらのガス吐出口５０２はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面中央部、つまり表面周縁部ＴＲより径方向内側の非処理領域ＮＴＲ（図１）に対向する位置に、回転中心Ａ０を中心とする円周に沿って等角度間隔に形成されている。これらのガス吐出口５０２は対向部材５の内部に形成されたガス流通空間５０３に連通しており、ガス供給ユニット１８からガス流通空間５０３に窒素ガスが供給されると、複数のガス吐出口５０２を介して窒素ガスが間隙空間ＳＰに供給される。
【００３１】
そして、対向部材５が対向位置に位置決めされた状態で、複数のガス吐出口５０２およびガス供給路５７から間隙空間ＳＰに窒素ガスが供給されると、間隙空間ＳＰの内部圧力が高まり基板Ｗがその裏面Ｗｂに当接する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧される。この押圧状態のまま制御ユニット８の動作指令に応じてスピンベース１５が回転すると、基板裏面Ｗｂと支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６との間に発生する摩擦力によって基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に支持されながらスピンベース１５とともに回転する。なお、間隙空間ＳＰに供給された窒素ガスは基板Ｗの径方向外側へと流れていく。このように、この実施形態では、ガス供給ユニット１８が本発明の「押圧手段」として機能する。
【００３２】
この対向部材５の周縁部には、対向部材５を上下方向（鉛直軸方向）に貫通するノズル挿入孔５２（図１）が形成され、対向部材５の下面５０１に開口部５２１が形成されている。第１ノズル３と第２ノズル４は同一のノズル外径を有しており、ノズル挿入孔５２は第１および第２ノズル３，４を個別に挿入可能に形成されている。そして、このノズル挿入孔５２に第１ノズル３または第２ノズル４が挿入されて該挿入状態でノズル挿入孔５２から基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けてエッチング液またはリンス液をそれぞれ吐出して表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦに供給することができる。ここでは、第１ノズル３とノズル挿入孔５２の構成について図１、図２、図６および図７を参照しつつさらに詳述する。
【００３３】
第１ノズル３は水平方向に延びるノズルアーム３１の一方端に取り付けられている。このノズルアーム３１の他方端は第１ノズル移動機構３３（図２）に接続されている。さらに、第１ノズル移動機構３３は第１ノズル３を水平方向に所定の回動軸回りに揺動させるとともに、第１ノズル３を昇降させることができる。このため、制御ユニット８からの動作指令に応じて第１ノズル移動機構３３が駆動されることで、第１ノズル３を対向部材５のノズル挿入孔５２に挿入して表面周縁部ＴＲに向けてエッチング液を供給可能な供給位置Ｐ１と、基板Ｗから離れた待機位置Ｐ２１とに移動させることができる。
【００３４】
第１ノズル３は対向部材５に設けられたノズル挿入孔５２の形状に合わせた形状を有している。すなわち、第１ノズル３のノズル外径は必要以上にノズル挿入孔５２の孔径を大きくすることのないように、例えばφ５〜６ｍｍ程度に形成される。また、第１ノズル３では、略円筒状に形成されたノズル胴部の断面積がノズル先端側と後端側で異なるように構成されている。具体的には、ノズル先端側の胴部３０２の断面積がノズル後端側の胴部３０３の断面積より小さくなるように構成されており、ノズル先端側の胴部３０２とノズル後端側の胴部３０３との間に段差面３０４が形成されている。すなわち、ノズル先端側の胴部３０２の外周面（側面）とノズル後端側の胴部３０３の外周面（側面）は段差面３０４を介して結合されている。この段差面３０４はノズル先端側の胴部３０２を取り囲むように、しかもスピンチャック１に保持された基板表面Ｗｆに略平行に形成されている。
【００３５】
また、第１ノズル３の内部には液供給路３０１が形成されている。この液供給路３０１はノズル後端部においてミキシングユニット１７（図２）に接続されている。ミキシングユニット１７はフッ酸を供給するフッ酸供給ユニット１７Ａと硝酸を供給する硝酸供給ユニット１７Ｂとに接続されており、フッ酸供給ユニット１７Ａおよび硝酸供給ユニット１７Ｂからそれぞれフッ酸と硝酸の供給を受けることが可能となっている。したがって、制御ユニット８からの動作指令に応じてフッ酸供給ユニット１７Ａおよび硝酸供給ユニット１７Ｂが作動することでミキシングユニット１７においてフッ酸と硝酸とが所定の比率（例えば、ＨＦ：ＨＮＯ３＝１：５〜１０）で混合され、フッ酸と硝酸との混合液（フッ硝酸）が生成される。これにより、フッ硝酸がエッチング液としてミキシングユニット１７から液供給路３０１に供給される。一方、液供給路３０１の先端部（下端部）には、第１ノズル３の吐出口３０１ａが形成されている。この吐出口３０１ａは基板Ｗの径方向外側に向けて開口している。このため、ミキシングユニット１７からフッ硝酸が液供給路３０１に圧送されると、第１ノズル３からフッ硝酸が吐出されて表面周縁部ＴＲに供給される。こうして供給されたフッ硝酸は基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、表面周縁部ＴＲから該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦを伝って基板外に排出される。したがって、フッ硝酸の供給位置よりも径方向内側の非処理領域ＮＴＲにはフッ硝酸は供給されず、基板Ｗの周端面ＥＦおよび該周端面ＥＦから内側に向かって一定の幅（周縁エッチング幅）の表面領域から不要物がエッチング除去される（図７（ａ））。
【００３６】
一方、ノズル挿入孔５２は次のように構成されている。このノズル挿入孔５２の内壁には、図６に示すように、第１ノズル３の段差面３０４と当接可能な円環状の当接面５２２が形成されている。そして、第１ノズル３がノズル挿入孔５２に挿入されると、段差面３０４と当接面５２２とが当接することで、第１ノズル３が供給位置Ｐ１に位置決めされる。また、この位置決め状態で第１ノズル３の先端面は対向部材５の下面（基板対向面）５０１と面一になっている。なお、当接面５２２は対向部材５の下面５０１と略平行に、つまり基板表面Ｗｆと略平行に形成されており、第１ノズル３の段差面３０４と面接触するようになっている。このため、第１ノズル３を供給位置Ｐ１に位置決めする際に、第１ノズル３が対向部材５に当接して位置固定され、第１ノズル３を安定して位置決めすることができる。
【００３７】
次に第２ノズル４の構成について説明する。第１および第２ノズル３，４は吐出する液の種類が異なる点を除いて同一に構成されていることから、ここでは、相違点を中心に説明する。第２ノズル移動機構４３（図２）はノズルアーム４１の先端に取り付けられた第２ノズル４を水平方向に所定の回動軸回りに揺動させるとともに、第２ノズル４を昇降させることができる。このため、制御ユニット８からの動作指令に応じて第２ノズル移動機構４３が駆動されることで、第２ノズル４を対向部材５のノズル挿入孔５２に挿入して表面周縁部ＴＲに向けてリンス液を供給可能な供給位置Ｐ１と、基板Ｗから離れた待機位置Ｐ２２とに移動させることができる。
【００３８】
また、第２ノズル４はリンス液供給ユニット１６と接続されており、制御ユニット８からの動作指令に応じてリンス液供給ユニット１６からリンス液としてＤＩＷを第２ノズル４に圧送可能となっている。第２ノズル４にＤＩＷが圧送されると、第２ノズル４からＤＩＷが基板Ｗの径方向外側に向けて吐出される。これにより、表面周縁部ＴＲにＤＩＷが供給されるとともに、基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、表面周縁部ＴＲから該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦを伝って基板外に排出される。したがって、基板端部に残留するエッチング液を洗い流し、基板Ｗから除去することができる（図７（ｂ））。なお、リンス液としては、ＤＩＷの他、炭酸水、水素水、希薄濃度（例えば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水および希薄濃度の塩酸などであってもよい。
【００３９】
ノズル挿入孔５２の孔径は第１および第２ノズル３，４の外径よりも大きく形成されている。このため、ノズル挿入孔５２の内部空間で第１および第２ノズル３，４を水平方向に互いに異なる位置に位置決めすることが可能となっている。そこで、この実施形態では、供給位置Ｐ１として第１ノズル３の供給位置Ｐ１１（エッチング液供給位置）に対して第２ノズル４の供給位置Ｐ１２（リンス液供給位置）を基板Ｗの径方向内側に設定している。ノズル挿入孔５２の孔径としては、第１および第２ノズル３，４の外径に対して１〜２ｍｍ程度大きく形成することが好ましく、第２ノズル４の供給位置Ｐ１２は第１ノズル３の供給位置Ｐ１１に対して、例えば０．２〜０．５ｍｍだけ基板Ｗの径方向内側の位置に設定される。
【００４０】
また、対向部材５のノズル挿入孔５２の内壁には、ガス導入口５０５が開口されており、ガス導入口５０５からノズル挿入孔５２の内部空間に窒素ガスを供給可能となっている。ガス導入口５０５はガス流通空間５０３を介してガス供給ユニット１８に連通している。したがって、ガス供給ユニット１８から窒素ガスが圧送されると、ノズル挿入孔５２の内部空間に窒素ガスが供給される。これにより、第１および第２ノズル３，４が待機位置Ｐ２１、Ｐ２２に位置決めされた状態、つまり、第１および第２ノズル３，４がノズル挿入孔５２に未挿入の状態では、ノズル挿入孔５２の上下双方の開口から窒素ガスが噴出される。このため、ノズル挿入孔５２にノズルが未挿入の状態でも、エッチング液およびリンス液がノズル挿入孔５２の内壁に付着するのが防止される。
【００４１】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図８を参照しつつ説明する。図８はこの発明の第１実施形態にかかる基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この装置では、未処理の基板Ｗが装置内に搬入されると、制御ユニット８が装置各部を制御して該基板Ｗに対して一連の膜除去処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）が実行される。ここでは、基板表面Ｗfに薄膜ＴＦ（図７）が形成された基板Ｗに対して所定の処理を行う動作について説明する。つまり、基板表面Ｗfが薄膜形成面になっている。そこで、この実施形態では、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗが装置内に搬入される。なお、基板搬入時においては、対向部材５は離間位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。
【００４２】
未処理の基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に載置されると、離間位置にある対向部材５のガス吐出口５０２から窒素ガスを吐出させるとともに、ガス供給路５７から窒素ガスを吐出する（ステップＳ１：基板支持工程）。次に、対向部材５を回転させて、ノズル挿入孔５２が所定位置となるように対向部材５を回転方向に関して位置決めする（ステップＳ２）。その後、対向部材５が対向位置まで降下され基板表面Ｗｆに近接配置される（ステップＳ３：配置工程）。これによって、間隙空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面（裏面Ｗｂ）に当接する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧されてスピンベース１５に保持される（押圧工程）。また、基板表面Ｗｆは対向部材５の下面５０１に覆われて基板周囲の外部雰囲気から確実に遮断される。なお、上記のように基板Ｗはすべての支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６で支持してもよいし、支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群のみにより支持してもよく、あるいは支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群のみにより支持してもよい。
【００４３】
次に、対向部材５を停止させた状態で基板Ｗを回転させる（ステップＳ４：回転工程）。このとき、支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧された基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６と基板裏面Ｗｂとの間に発生する摩擦力でスピンベース１５に保持されながらスピンベース１５とともに回転する。また、第１ノズル３が待機位置Ｐ２１から供給位置Ｐ１１に位置決めされる（ステップＳ５）。具体的には、第１ノズル３を水平方向に沿って対向部材５のノズル挿入孔５２の上方位置に移動させる。そして、第１ノズル３を降下させてノズル挿入孔５２に挿入する。
【００４４】
そして、基板Ｗの回転速度が所定速度に達すると、第１ノズル３からフッ硝酸を吐出させて回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに連続的に供給する（供給工程）。これにより、表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦから薄膜ＴＦ（不要物）が基板材料（シリコン基板である場合にはシリコン）ごと全周にわたってエッチング除去される（ステップＳ６）。また、基板Ｗの周端面ＥＦにキズや欠け等の欠陥が存在する場合であっても、基板材料がエッチング除去されることで欠陥の度合いが緩和または欠陥が修復される。なお、フッ硝酸により不要物を確実にエッチング除去するために、基板Ｗの回転速度はフッ硝酸を基板端部に所定時間だけ滞留させることを考慮して設定される。つまり、エッチングが進行する前にフッ硝酸が基板端部から排出されない程度に基板Ｗの回転速度が設定される。
【００４５】
また、基板端部へのフッ硝酸の供給に先立って下面処理ノズル２から回転する基板Ｗの裏面Ｗｂに比較的小流量のＤＩＷが供給され、裏面Ｗbの全面がＤＩＷにより覆われる。これにより、第１ノズル３から吐出されたフッ硝酸が基板裏面Ｗｂへ跳ね返ることがあっても、基板裏面Ｗｂにフッ硝酸が付着するのを防止することができる。下面処理ノズル２からのＤＩＷの供給は基板端部に対するエッチング処理またはリンス処理が完了するまで継続される。このように、この実施形態では下面処理ノズル２が本発明の「カバーリンス手段」として機能する。
【００４６】
こうして所定時間のエッチング処理が完了するとフッ硝酸の供給が停止され、第１ノズル３が供給位置Ｐ１１から待機位置Ｐ２１に位置決めされる（ステップＳ７）。続いて、第２ノズル４が待機位置Ｐ２２から供給位置Ｐ１２に位置決めされる（ステップＳ８）。その後、回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けて第２ノズル４からＤＩＷが吐出される。その結果、表面周縁部ＴＲに供給されたＤＩＷが基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、周端面ＥＦを伝って基板外に排出される。そして、基板端部の全周にわたってＤＩＷが供給されることにより、基板端部に対してリンス処理が施される（ステップＳ９）。ここで、第２ノズル４から吐出されたＤＩＷは、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの径方向外向きに流れることから、第２ノズル４が供給位置Ｐ１１に対して基板Ｗの径方向内側に位置する供給位置Ｐ１２に位置決めされることで、フッ硝酸の供給範囲を含み、しかもフッ硝酸の供給範囲よりも広い範囲にＤＩＷを供給することができる。このため、表面周縁部ＴＲ（処理領域）と表面中央部（非処理領域ＮＴＲ）との界面に付着するフッ硝酸をＤＩＷによって容易に洗い流すことができる。
【００４７】
リンス処理が完了した後、第２ノズル４が供給位置Ｐ１２から待機位置Ｐ２２に位置決めされる（ステップＳ１０）。また、対向部材５の回転を開始させるとともに（ステップＳ１１）、基板Ｗおよび対向部材５を高速（例えば１５００ｒｐｍ）に回転させる。これにより、基板Ｗの乾燥が実行される（ステップＳ１２）。このとき、基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せてガス供給路２３からも窒素ガスを供給して基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂに窒素ガスを供給することで、基板Ｗの乾燥処理が促進される。
【００４８】
基板Ｗの乾燥処理が終了すると、対向部材５の回転を停止させる同時に、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１３）。そして、対向部材５が上昇された後（ステップＳ１４）、ガス供給路５７およびガス吐出口５０２からの窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ１５）。これにより、基板Ｗの支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６への押圧保持が解除され、処理済の基板Ｗが装置から搬出される。
【００４９】
以上のように、この実施形態によれば、第１ノズル３から回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けてフッ硝酸を吐出させて表面周縁部ＴＲから該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦに供給している。このため、基板Ｗの周端面ＥＦが全周にわたってフッ硝酸によりエッチング処理され、周端面ＥＦから不要物を基板材料ごと除去することができる。また、周端面ＥＦにキズや欠け等の欠陥が存在する場合であっても、このような欠陥の度合いを緩和または欠陥を修復することができる。
【００５０】
しかも、基板Ｗはその周端面ＥＦに当接する当接部材がない状態で回転されながらフッ硝酸によりエッチング処理されるので、パーティクルの発生を防止することができる。すなわち、周端面ＥＦはブラシ等と摺動することなく全周にわたって処理されるので、摺動部分からのパーティクル発生を防止することができる。したがって、基板Ｗを汚染させることなく基板Ｗの周端面ＥＦを隈なく良好に処理することができる。
【００５１】
また、基板Ｗの周端面ＥＦから内側に切り欠かれたノッチ等の切欠部が基板Ｗに形成されている場合には、ブラシ等を用いて処理すると周端面ＥＦにおいて切欠部が形成されている部位とそれ以外の部位とでは周端面ＥＦに対するブラシの接触圧が変化してしまう。その結果、切欠部を良好に処理することができない場合があった。これに対して、この実施形態によれば、切欠部が形成されている部位にもそれ以外の部位と同様にしてフッ硝酸が供給されてエッチング処理が実行されることで、切欠部が形成されている部位を良好に処理することができる。
【００５２】
さらに、この実施形態では、基板Ｗの周端面ＥＦに対するエッチング処理時に基板裏面Ｗｂにリンス液（ＤＩＷ）を供給することによって基板裏面Ｗｂをリンス液で覆っている。このため、基板裏面Ｗｂがリンス液で保護され、フッ硝酸が基板裏面Ｗｂへ跳ね返ることがあっても、基板裏面Ｗｂにフッ硝酸が付着するのを防止することができる。
【００５３】
＜第２実施形態＞
図９はこの発明の第２実施形態にかかる基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。また、図１０はこの発明の第２実施形態にかかる基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この第２実施形態にかかる基板処理装置の動作が第１実施形態と大きく相違する点は、フッ硝酸によるエッチング処理に加えてフッ酸によるエッチング処理を実行している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様である。
【００５４】
この実施形態では、第１ノズル３からフッ硝酸とフッ酸とを選択的に吐出させることが可能となっている。すなわち、制御ユニット８からの動作指令に応じてフッ酸供給ユニット１７Ａおよび硝酸供給ユニット１７Ｂが作動することで、ミキシングユニット１７を介してフッ硝酸が第１ノズル３に圧送される一方、フッ酸供給ユニット１７Ａからフッ酸が第１ノズル３に圧送される。これにより、第１ノズル３からフッ硝酸とフッ酸とが選択的に吐出される。したがって、制御ユニット８からの動作指令に応じて第１ノズル３からフッ硝酸およびフッ酸を選択的に基板Ｗの表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ（基板端部）に供給することができる。このように、この実施形態では、第１ノズル３が本発明の「フッ酸供給手段」として機能する。
【００５５】
ここで、基板Ｗの周端面ＥＦに酸化膜を含む不要物が形成されている際に、酸化膜の膜
厚が基版Ｗの周端面ＥＦの全周において異なる場合がある。この場合、フッ硝酸で酸化膜
を含む不要物のエッチング処理を行うと、酸化膜の膜厚の違いによって酸化膜およびそれ
以外の不要物（金属膜や基板材料など）のエッチング処理の進行速度が基板Ｗの周端面Ｅ
Ｆの各箇所で異なってしまい、基板Ｗの周端面ＥＦの全周においてエッチング処理を均一
に行うことが困難となる。そこで、この実施形態では、次のようにして基板Ｗの周端面Ｅ
Ｆから不要物をエッチング除去している。ここでは、不要物として金属膜および酸化膜が
基板端部に形成されている場合について説明する。
【００５６】
この実施形態では、第１実施形態と同様に、第１ノズル３が供給位置Ｐ１１に位置決めされると（ステップＳ５）、第１ノズル３から回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けてフッ酸を吐出させる。これにより、基板端部から酸化膜が比較的高いエッチングレートで除去され、金属膜はほとんど除去されない（ステップＳ６−１：第１エッチング処理）。これに続いて、第１ノズル３からフッ酸に代えてフッ硝酸を吐出させる。これにより、基板端部から金属膜および基板材料が比較的高いエッチングレートで除去される（ステップＳ６−２：第２エッチング処理）。また、第１および第２エッチング処理が実行される間、基板裏面Ｗｂがリンス液（ＤＩＷ）で覆われることによって保護され、基板裏面Ｗｂにフッ硝酸およびフッ酸が付着するのを防止している。
【００５７】
このように、この実施形態では、第１ノズル３からフッ硝酸の供給に先立ってフッ酸を基板Ｗの周端面ＥＦに供給することにより、酸化膜の膜厚が基板Ｗの周端面ＥＦの全周において異なる場合であっても、酸化膜以外の不要物をほとんどエッチングすることなく酸化膜全体を良好にエッチング除去することができる。その後、フッ硝酸を基板Ｗの周端面ＥＦに供給することによって酸化膜以外の不要物をエッチング除去することができる。これにより、基板Ｗの周端面ＥＦの全周において不要物に対するエッチング処理の均一性を高めることができ、エッチング処理の精度を高めることができる。
【００５８】
＜第３実施形態＞
図１１はこの発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。この第３実施形態にかかる基板処理装置が第１実施形態と大きく相違する点は、対向部材５に基板Ｗの周端面ＥＦから径方向外側に所定の隙間だけ離間配置された端面近接部５０６が設けられている点である。なお、その他の構成および動作は第１実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
【００５９】
この実施形態では、対向部材５の周縁にスピンチャック１に保持された基板Ｗの周端面ＥＦに近接して対向する対向面が形成された端面近接部５０６が設けられている。このため、制御ユニット８からの動作指令に応じてミキシングユニット１７からフッ硝酸が圧送されると、第１ノズル３からフッ硝酸が吐出され、回転駆動される基板Ｗの周端面ＥＦと端面近接部５０６との間に形成される微小空間ＧＰにおいてフッ硝酸による液密状態が形成される。そして、このようにフッ硝酸による液密状態を形成しつつ、基板Ｗの周端面ＥＦに対してエッチング処理が行われる。
【００６０】
このように、この実施形態では、微小空間ＧＰにフッ硝酸による液密状態が形成されるので基板Ｗの周端面にフッ硝酸を滞留させることができる。つまり、基板Ｗはその周端面ＥＦに当接する当接部材がない状態で回転されながら処理されることから、微小空間ＧＰへのフッ硝酸による液密状態の形成を可能として第１ノズル３から供給されるフッ硝酸を基板Ｗの周端面ＥＦに滞留させることができる。これにより、次のような作用効果が得られる。すなわち、フッ硝酸によるエッチング処理を効率良く進行させるために、被処理面となる基板Ｗの周端面ＥＦにフッ硝酸を所定時間だけ滞留させることが好ましい。そこで、上記のように微小空間ＧＰにフッ硝酸による液密状態を形成し、基板Ｗの周端面ＥＦにフッ硝酸を滞留させて周端面ＥＦにフッ硝酸が接触している時間を長くしている。これにより、エッチング処理の効率を高めて基板Ｗの周端面ＥＦに対するエッチング処理の進行を促進させることができる。
【００６１】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第１実施形態では、第１および第２ノズル３，４を供給位置Ｐ１１，Ｐ１２に位置決めする際に、対向部材５に形成されたノズル挿入孔５２に第１および第２ノズル３，４を選択的に挿入しているが、ノズル挿入孔５２に第１および第２ノズル３，４を挿入することは必ずしも必要でない。例えば基板Ｗの平面サイズよりも小さな平面サイズを有する対向部材を基板表面Ｗｆに対向配置して、基板Ｗの表面中央部を覆いながら第１および第２ノズル３，４を対向部材の側壁に近接させて配置してもよい。
【００６２】
また、上記第１、３実施形態では、第１ノズル３からフッ硝酸を供給して、第２ノズル４からリンス液（ＤＩＷ）を供給する構成としているが、単一ノズルからフッ硝酸およびリンス液が選択的に供給されるようにしてもよい。すなわち、第１ノズル３にミキシングユニット１７およびリンス液供給ユニット１６が接続され、制御ユニット８からの動作指令に応じて、第１ノズル３からフッ硝酸およびリンス液（ＤＩＷ）が選択的に供給されるようにしてもよい。そして、第１ノズル３からフッ硝酸を供給してエッチング処理が行われる際には、供給位置Ｐ１１（エッチング液供給位置）に第１ノズル３が位置決めされ、その後、リンス液を供給してリンス処理が行われる際には、第１ノズル３を移動させて、供給位置Ｐ１２（リンス液供給位置）に第１ノズル３が位置決めされるようにしてもよい。上記第２実施形態の場合も同様、第１ノズル３からフッ酸およびフッ硝酸を供給して、第２ノズル４からリンス液（ＤＩＷ）を供給する構成としているが、第１ノズル３からフッ酸、フッ硝酸およびリンス液（ＤＩＷ）が選択的に供給されるようにしてもよい。
【００６３】
また、上記第２実施形態では、第１ノズル３からフッ硝酸とフッ酸とを選択的に吐出可能とし、第１ノズル３からフッ酸およびフッ硝酸を順に供給しているが、フッ硝酸およびフッ酸を基板Ｗの表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦに対して別々のノズルから吐出するようにしてもよい。
【００６４】
また、上記第２実施形態では、第１エッチング処理として基板端部にフッ酸を供給した後、第２エッチング処理として基板端部にフッ硝酸を供給しているが、基板端部に付着している不要物の種類等によっては、第１エッチング処理として基板端部にフッ硝酸を供給した後、第２エッチング処理として基板端部にフッ酸を供給してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板などを含む各種基板の周端面に対してエッチング処理を施す基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。
【図３】スピンベースを上方から見た平面図である。
【図４】支持ピンの構成を示す部分拡大図である。
【図５】対向部材の下面を見た図である。
【図６】ノズルとノズル挿入孔とを示す部分斜視図である。
【図７】ノズル挿入孔に挿入された第１および第２ノズルの様子を示す断面図である。
【図８】この発明の第１実施形態にかかる基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図９】この発明の第２実施形態にかかる基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。
【図１０】この発明の第２実施形態にかかる基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１１】この発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
３…第１ノズル（ノズル）
５…対向部材
８…制御ユニット（制御手段）
１３…チャック回転機構（回転手段）
１５…スピンベース（回転部材）
１８…ガス供給ユニット（押圧手段）
５２…ノズル挿入孔
５０１…対向部材の下面（基板対向面）
５０６…端面近接部
５２１…開口部
ＥＦ…（基板の）周端面
Ｆ１〜Ｆ６…支持ピン（支持部材）
ＧＰ…微小空間（基板の周端面と端面近接部との間に形成される空間）
Ｓ１〜Ｓ６…支持ピン（支持部材）
ＳＰ…間隙空間
ＴＲ…表面周縁部（上面周縁部）
Ｗ…基板
Ｗｂ…基板裏面（基板下面）
Ｗｆ…基板表面（基板上面）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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