(57)【要約】【課題】歪補償効果を向上させることができる歪補償増幅器を提供する。【解決手段】線形側伝送線路３２−１から位相調整回路３８、及び位相調整回路３８から線形側伝送線路３２−２へのマイクロ波信号の通過を許容するとともに、位相調整回路３８を介することなく線形側伝送線路３２−１から線形側伝送線路３２−２へマイクロ波信号が通過するのを抑える線形側方向性素子に、サーキュレータ３６が用いられている。非線形側伝送線路３４−１から歪発生回路４０へのマイクロ波信号の通過、及び歪発生回路４０から非線形側伝送線路３４−２への歪の通過を許容するとともに、非線形側伝送線路３４−１から非線形側伝送線路３４−２へのマイクロ波信号の通過を抑える非線形側方向性素子にも、サーキュレータ４６が用いられている。【選択図】図１
2008067326.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波信号を増幅する主増幅器と、主増幅器からの出力信号中に含まれる歪が低減するよう歪補償を行う歪補償部と、を備える歪補償増幅器であって、
歪補償部は、
マイクロ波信号を第１線形側伝送路と第１非線形側伝送路とに分配する分配器と、
マイクロ波信号の位相を調整するための位相調整回路と、
第１線形側伝送路から位相調整回路へのマイクロ波信号の通過、及び位相調整回路から第２線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を許容するとともに、位相調整回路を介することなく第１線形側伝送路から第２線形側伝送路へマイクロ波信号が通過するのを抑えるための線形側方向性素子と、
マイクロ波信号が供給されることにより歪を発生する歪発生回路と、
第１非線形側伝送路から歪発生回路へのマイクロ波信号の通過、及び歪発生回路から第２非線形側伝送路への歪の通過を許容するとともに、第１非線形側伝送路から第２非線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を抑えるための非線形側方向性素子と、
第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成して主増幅器へ出力することにより歪補償を行う合成器と、
を有し、
線形側方向性素子及び非線形側方向性素子に同種の方向性素子を用いた、歪補償増幅器。
【請求項２】
マイクロ波信号を増幅する主増幅器と、主増幅器からの出力信号中に含まれる歪が低減するよう歪補償を行う歪補償部と、を備える歪補償増幅器であって、
歪補償部は、
マイクロ波信号を第１線形側伝送路と第１非線形側伝送路とに分配する分配器と、
マイクロ波信号の位相を調整するための位相調整回路と、
第１線形側伝送路から位相調整回路へのマイクロ波信号の通過、及び位相調整回路から第２線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を許容するとともに、位相調整回路を介することなく第１線形側伝送路から第２線形側伝送路へマイクロ波信号が通過するのを抑えるための線形側方向性素子と、
マイクロ波信号が供給されることにより歪を発生する歪発生回路と、
第１非線形側伝送路から歪発生回路へのマイクロ波信号の通過、及び歪発生回路から第２非線形側伝送路への歪の通過を許容するとともに、第１非線形側伝送路から第２非線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を抑えるための非線形側方向性素子と、
第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成する合成器と、
を有し、
主増幅器は、第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号を増幅し、
歪補償部は、主増幅器で増幅されたマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成器で合成することにより歪補償を行い、
線形側方向性素子及び非線形側方向性素子に同種の方向性素子を用いた、歪補償増幅器。
【請求項３】
マイクロ波信号を増幅する主増幅器と、主増幅器からの出力信号中に含まれる歪が低減するよう歪補償を行う歪補償部と、を備える歪補償増幅器であって、
歪補償部は、
マイクロ波信号を第１線形側伝送路と第１非線形側伝送路とに分配する分配器と、
マイクロ波信号の位相を調整するための位相調整回路と、
第１線形側伝送路から位相調整回路へのマイクロ波信号の通過、及び位相調整回路から第２線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を許容するとともに、位相調整回路を介することなく第１線形側伝送路から第２線形側伝送路へマイクロ波信号が通過するのを抑えるための線形側方向性素子と、
マイクロ波信号が供給されることにより歪を発生する歪発生回路と、
第１非線形側伝送路から歪発生回路へのマイクロ波信号の通過、及び歪発生回路から第２非線形側伝送路への歪の通過を許容するとともに、第１非線形側伝送路から第２非線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を抑えるための非線形側方向性素子と、
第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成する合成器と、
を有し、
主増幅器は、第１線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号を増幅し、
歪補償部は、主増幅器で増幅され且つ第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成器で合成することにより歪補償を行い、
線形側方向性素子及び非線形側方向性素子に同種の方向性素子を用いた、歪補償増幅器。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１に記載の歪補償増幅器であって、
第１及び第２非線形側伝送路が、分配器と合成器とを結ぶ直線に関して第１及び第２線形側伝送路とほぼ対称に配置されている、歪補償増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、増幅器からの出力信号中に含まれる歪が低減するよう歪補償を行う歪補償増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
増幅器の非線形性により増幅器からの出力信号に生じる歪成分を低減するよう歪補償を行う歪補償増幅器において、歪を発生させる歪発生回路が用いられている。この歪発生回路を用いた歪補償増幅器においては、歪補償の対象となる被補償増幅器への入力信号または被補償増幅器からの出力信号に歪発生回路で発生させた歪を結合することにより、歪補償が行われている（例えば下記特許文献１参照）。
【０００３】
その他の関連技術として、下記特許文献２〜５によるダイオードを用いた歪発生回路、及び下記特許文献６による歪補償増幅器が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特公平８−１５２４５号公報
【特許文献２】特開２０００−１９６３７１号公報
【特許文献３】実開昭６２−１９８１２号公報
【特許文献４】特公平８−３１７４８号公報
【特許文献５】特開平３−１９０３０１号公報
【特許文献６】特公平７−８５５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
歪発生回路を用いた歪補償増幅器において十分な歪補償効果を得るためには、被補償増幅器への入力信号（線形成分）または被補償増幅器からの出力信号（線形成分）に対し、歪発生回路で発生させた歪を逆位相で合成することが望ましい。しかし、被補償増幅器への入力信号または被補償増幅器からの出力信号に歪発生回路で発生させた歪を合成する際に、回路の遅延量のばらつきや回路の温度特性等によりそれらの位相差にばらつきが生じると、それらの信号を適切な位相差で（理想的には逆位相で）合成することが困難となる。その結果、歪補償効果の低下を招くことになる。
【０００６】
本発明は、歪補償効果を向上させることができる歪補償増幅器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る歪補償増幅器は、上述した目的の少なくとも一部を達成するために以下の手段を採った。
【０００８】
本発明に係る歪補償増幅器は、マイクロ波信号を増幅する主増幅器と、主増幅器からの出力信号中に含まれる歪が低減するよう歪補償を行う歪補償部と、を備える歪補償増幅器であって、歪補償部は、マイクロ波信号を第１線形側伝送路と第１非線形側伝送路とに分配する分配器と、マイクロ波信号の位相を調整するための位相調整回路と、第１線形側伝送路から位相調整回路へのマイクロ波信号の通過、及び位相調整回路から第２線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を許容するとともに、位相調整回路を介することなく第１線形側伝送路から第２線形側伝送路へマイクロ波信号が通過するのを抑えるための線形側方向性素子と、マイクロ波信号が供給されることにより歪を発生する歪発生回路と、第１非線形側伝送路から歪発生回路へのマイクロ波信号の通過、及び歪発生回路から第２非線形側伝送路への歪の通過を許容するとともに、第１非線形側伝送路から第２非線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を抑えるための非線形側方向性素子と、第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成して主増幅器へ出力することにより歪補償を行う合成器と、を有し、線形側方向性素子及び非線形側方向性素子に同種の方向性素子を用いたことを要旨とする。
【０００９】
また、本発明に係る歪補償増幅器は、マイクロ波信号を増幅する主増幅器と、主増幅器からの出力信号中に含まれる歪が低減するよう歪補償を行う歪補償部と、を備える歪補償増幅器であって、歪補償部は、マイクロ波信号を第１線形側伝送路と第１非線形側伝送路とに分配する分配器と、マイクロ波信号の位相を調整するための位相調整回路と、第１線形側伝送路から位相調整回路へのマイクロ波信号の通過、及び位相調整回路から第２線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を許容するとともに、位相調整回路を介することなく第１線形側伝送路から第２線形側伝送路へマイクロ波信号が通過するのを抑えるための線形側方向性素子と、マイクロ波信号が供給されることにより歪を発生する歪発生回路と、第１非線形側伝送路から歪発生回路へのマイクロ波信号の通過、及び歪発生回路から第２非線形側伝送路への歪の通過を許容するとともに、第１非線形側伝送路から第２非線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を抑えるための非線形側方向性素子と、第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成する合成器と、を有し、主増幅器は、第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号を増幅し、歪補償部は、主増幅器で増幅されたマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成器で合成することにより歪補償を行い、線形側方向性素子及び非線形側方向性素子に同種の方向性素子を用いたことを要旨とする。
【００１０】
また、本発明に係る歪補償増幅器は、マイクロ波信号を増幅する主増幅器と、主増幅器からの出力信号中に含まれる歪が低減するよう歪補償を行う歪補償部と、を備える歪補償増幅器であって、歪補償部は、マイクロ波信号を第１線形側伝送路と第１非線形側伝送路とに分配する分配器と、マイクロ波信号の位相を調整するための位相調整回路と、第１線形側伝送路から位相調整回路へのマイクロ波信号の通過、及び位相調整回路から第２線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を許容するとともに、位相調整回路を介することなく第１線形側伝送路から第２線形側伝送路へマイクロ波信号が通過するのを抑えるための線形側方向性素子と、マイクロ波信号が供給されることにより歪を発生する歪発生回路と、第１非線形側伝送路から歪発生回路へのマイクロ波信号の通過、及び歪発生回路から第２非線形側伝送路への歪の通過を許容するとともに、第１非線形側伝送路から第２非線形側伝送路へのマイクロ波信号の通過を抑えるための非線形側方向性素子と、第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成する合成器と、を有し、主増幅器は、第１線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号を増幅し、歪補償部は、主増幅器で増幅され且つ第２線形側伝送路を伝搬するマイクロ波信号と第２非線形側伝送路を伝搬する歪とを合成器で合成することにより歪補償を行い、線形側方向性素子及び非線形側方向性素子に同種の方向性素子を用いたことを要旨とする。
【００１１】
本発明の一態様では、線形側方向性素子及び非線形側方向性素子が、いずれもサーキュレータであることが好適である。また、本発明の一態様では、線形側方向性素子及び非線形側方向性素子が、いずれもハイブリッドであることが好適である。
【００１２】
本発明の一態様では、第１及び第２非線形側伝送路が、分配器と合成器とを結ぶ直線に関して第１及び第２線形側伝送路とほぼ対称に配置されていることが好適である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、線形側方向性素子及び非線形側方向性素子に同種の方向性素子を用いることで、線形側方向性素子と非線形側方向性素子における遅延量のばらつきを抑えることができる。そのため、主増幅器への入力信号（線形成分）または主増幅器からの出力信号（線形成分）に歪発生回路で発生させた歪を合成器にて適切な位相差で合成することができる。その結果、歪補償効果を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態（以下実施形態という）を図面に従って説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る歪補償増幅器の概略構成を示す図であり、本発明をプリディストーション型歪補償増幅器に適用した例を示す。本実施形態に係る歪補償増幅器は、被補償増幅器（主増幅器）１２からの出力信号中に含まれる歪成分が低減するよう歪補償部１６により歪補償を行うものである。なお、本実施形態に係る歪補償増幅器は回路基板上に実装されるものであり、図１は、本実施形態に係る歪補償増幅器が回路基板上に実装されたときの各構成要素の配置（レイアウト）も示している。
【００１６】
入力端子ＩＮに入力されたマイクロ波信号（歪が生じていないマイクロ波線形信号）は、歪補償部１６に入力される。歪補償部１６は、入力端子ＩＮからのマイクロ波線形信号にプリディストーション（前置歪）を与えて出力する。被補償増幅器１２は、歪補償部１６から供給されたマイクロ波信号、つまり前置歪が与えられたマイクロ波信号を増幅して出力端子ＯＵＴへ出力する。このように、歪補償部１６により被補償増幅器１２に入力されるマイクロ波信号にプリディストーションを与えることで、被補償増幅器１２からの出力信号中に含まれる歪成分が低減するよう歪補償が行われる。
【００１７】
次に、歪補償部１６の構成について説明する。歪補償部１６は、以下に説明するドライバ増幅器２２、分配器２４、線形ルート２６、非線形ルート２８、及び合成器３０を備える。
【００１８】
ドライバ増幅器２２は、歪補償部１６に入力されたマイクロ波線形信号を増幅して分配器２４へ出力する。ここでのドライバ増幅器２２としては、線形性に優れたリニアアンプが用いられる。分配器２４は、ドライバ増幅器２２で増幅されたマイクロ波信号を線形ルート２６の線形側伝送線路３２−１と非線形ルート２８の非線形側伝送線路３４−１とに分配する。
【００１９】
線形ルート２６には、入力ポート３６ａと反射ポート３６ｂと出力ポート３６ｃとを有するサーキュレータ３６が線形側方向性素子として配設されている。サーキュレータ３６においては、入力ポート３６ａには線形側伝送線路３２−１が接続され、反射ポート３６ｂにはマイクロ波信号の位相を調整するための位相調整回路３８が接続され、出力ポート３６ｃには線形側伝送線路３２−２が接続されている。サーキュレータ３６は、入力ポート３６ａから反射ポート３６ｂへのマイクロ波信号の通過を許容することで、線形側伝送線路３２−１から位相調整回路３８へのマイクロ波信号の通過を許容する。そして、サーキュレータ３６は、反射ポート３６ｂから出力ポート３６ｃへのマイクロ波信号の通過を許容することで、位相調整回路３８から線形側伝送線路３２−２へのマイクロ波信号の通過を許容する。また、サーキュレータ３６は、入力ポート３６ａから出力ポート３６ｃへのマイクロ波信号の通過を抑えることで、位相調整回路３８を介することなく線形側伝送線路３２−１から線形側伝送線路３２−２へマイクロ波信号が通過するのを抑える（理想的には遮断する）。
【００２０】
ここでの位相調整回路３８については、例えば図２に示すようにオープンスタブ、または図３に示すようにショートスタブにより構成することができる。線形側伝送線路３２−１からサーキュレータ３６を介してオープンスタブ（またはショートスタブ）３８に供給されたマイクロ波線形信号は、オープンスタブ（またはショートスタブ）３８の信号反射端にて反射され、この反射されたマイクロ波線形信号がサーキュレータ３６を介して線形側伝送線路３２−２に供給される。そのため、図２，３に示す例では、オープンスタブ（またはショートスタブ）３８の長さ（電気長）を調整することで、線形ルート２６を伝搬するマイクロ波線形信号の位相を調整することができる。
【００２１】
あるいは、位相調整回路３８は、図４に示すように、互いに並列配置された複数の伝送線路３３−１〜３３−３と、各伝送線路３３−１〜３３−３をグランド５６に接続するための複数のスイッチ３５−１〜３５−３と、を含むこともできる。スイッチ３５−１〜３５−３のいずれか１つを閉じて伝送線路３３−１〜３３−３のいずれか１つをグランド５６に接続することで、グランド５６に接続された伝送線路はショートスタブとして機能する。そして、スイッチ３５−１を閉じたときのサーキュレータ３６の反射ポート３６ｂとグランド５６との間の電気長、スイッチ３５−２を閉じたときのサーキュレータ３６の反射ポート３６ｂとグランド５６との間の電気長、及びスイッチ３５−３を閉じたときのサーキュレータ３６の反射ポート３６ｂとグランド５６との間の電気長がそれぞれ異なる。そのため、図４に示す例では、閉じるスイッチ３５−１〜３５−３、つまりグランド５６に接続する伝送線路３３−１〜３３−３を切り替えることで、線形ルート２６を伝搬するマイクロ波線形信号の位相を調整することができる。
【００２２】
一方、非線形ルート２８には、入力ポート４６ａと反射ポート４６ｂと出力ポート４６ｃとを有するサーキュレータ４６が非線形側方向性素子として配設されている。サーキュレータ４６においては、入力ポート４６ａには非線形側伝送線路３４−１が接続され、反射ポート４６ｂにはマイクロ波信号が供給されることにより歪成分を発生する歪発生回路４０が接続され、出力ポート４６ｃには非線形側伝送線路３４−２が接続されている。サーキュレータ４６は、入力ポート４６ａから反射ポート４６ｂへのマイクロ波信号の通過を許容することで、非線形側伝送線路３４−１から歪発生回路４０へのマイクロ波信号の通過を許容する。そして、サーキュレータ４６は、反射ポート４６ｂから出力ポート４６ｃへの歪成分の通過を許容することで、歪発生回路４０から非線形側伝送線路３４−２への歪成分の通過を許容する。また、サーキュレータ４６は、入力ポート４６ａから出力ポート４６ｃへのマイクロ波信号の通過を抑えることで、非線形側伝送線路３４−１から非線形側伝送線路３４−２へのマイクロ波信号の通過を抑える（理想的には遮断する）。このように、本実施形態では、線形ルート２６に設けられる線形側方向性素子、及び非線形ルート２８に設けられる非線形側方向性素子に、同種の方向性素子（サーキュレータ）を用いている。
【００２３】
ここでの歪発生回路４０は、マイクロ波信号が出力端子４８ｂに供給されることにより歪成分を発生する歪発生用トランジスタ増幅器４８を備える。歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂ側にはマイクロ波信号のキャリア周波数に整合している出力端側整合回路５２が配設されている。つまり、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂ側では、マイクロ波信号のキャリア周波数においてインピーダンス整合（マッチング）が取れており、マイクロ波信号の反射が抑えられる。ここでの出力端側整合回路５２は、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂとサーキュレータ４６の反射ポート４６ｂとの間に配置されており、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂは、出力端側整合回路５２を介して反射ポート４６ｂに接続されている。そして、歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａ側にはマイクロ波信号のキャリア周波数に整合している入力端側整合回路５０が配設されている。つまり、歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａ側でも、マイクロ波信号のキャリア周波数においてインピーダンス整合（マッチング）が取れており、マイクロ波信号の反射が抑えられる。さらに、歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａ側には、終端抵抗（終端器）５４が配設されている。ここでの入力端側整合回路５０は、歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａと終端抵抗５４との間に配置されており、歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａは、入力端側整合回路５０及び終端抵抗５４を介してグランド（信号反射端）５６に接続されている。
【００２４】
歪発生用トランジスタ増幅器４８の構成例を図５に示す。図５に示す例では、ＦＥＴ５８のゲート端子５８ａが歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａとなっており、ＦＥＴ５８のドレイン端子５８ｂが歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂとなっている。そして、ＦＥＴ５８のソース端子５８ｃはグランド５６に接続されている。また、ゲートバイアス回路５９は、チョークコイル６０を介してＦＥＴ５８のゲート端子５８ａ（歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａ）にバイアス電圧を印加し、ドレインバイアス回路６１は、チョークコイル６２を介してＦＥＴ５８のドレイン端子５８ｂ（歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂ）にバイアス電圧を印加する。このように、歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａ及び出力端子４８ｂには、別々のバイアス電圧が印加されている。
【００２５】
ドライバ増幅器２２で増幅され且つ非線形側伝送線路３４−１から取り出されたマイクロ波線形信号は、出力端側整合回路５２を介して歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに供給される。歪発生用トランジスタ増幅器４８は、出力端子４８ｂに供給されたマイクロ波線形信号を基に歪成分を発生する。歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに供給されるマイクロ波線形信号は、ドライバ増幅器２２で増幅されているため、歪発生用トランジスタ増幅器４８の線形領域（線形増幅範囲）を超えた電力値を有するマイクロ波線形信号を歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに供給することができる。したがって、歪発生用トランジスタ増幅器４８を非線形領域で動作させることができ、歪発生用トランジスタ増幅器４８で十分な電力値の歪成分を発生させることができる。歪発生用トランジスタ増幅器４８で発生した歪成分は、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂから出力端側整合回路５２及びサーキュレータ４６を介して非線形側伝送線路３４−２へ供給される。通常の増幅器は、入力端子に入力されたマイクロ波信号を増幅して出力端子から出力する（歪発生用トランジスタ増幅器４８も入力端子４８ａに入力されたマイクロ波信号を増幅して出力端子４８ｂから出力することが可能である）が、本実施形態の歪発生用トランジスタ増幅器４８は、通常の増幅器の使用方法とは異なり、マイクロ波信号を出力端子４８ｂ側から逆注入することにより歪成分を発生させ、この発生させた歪成分を出力端子４８ｂから取り出す。
【００２６】
合成器３０は、線形側伝送線路３２−２を伝搬するマイクロ波線形信号と非線形側伝送線路３４−２を伝搬する歪成分とを合成して被補償増幅器１２へ出力する。被補償増幅器１２によりマイクロ波信号を増幅する際には歪成分が発生するが、被補償増幅器１２に入力されるマイクロ波線形信号に歪発生回路４０（歪発生用トランジスタ増幅器４８）で発生させた歪成分を結合することにより、被補償増幅器１２に入力されるマイクロ波信号にプリディストーションを与えることができ、被補償増幅器１２からの出力信号中に含まれる歪成分が低減するよう歪補償を行うことができる。なお、歪補償を行う際には、被補償増幅器１２からの出力信号中に残留する歪成分が最小になるように、位相調整回路３８による位相調整量（オープンスタブやショートスタブの電気長）が調整される。
【００２７】
本実施形態では、図１に示すように、線形側伝送線路３２−１及び非線形側伝送線路３４−１が、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４（より具体的には分配器２４における信号分配点と合成器３０における信号合成点とを結ぶ直線１０４）に関して互いに対称（あるいはほぼ対称）に配置され、線形側伝送線路３２−２及び非線形側伝送線路３４−２が、直線１０４に関して互いに対称（あるいはほぼ対称）に配置されている。そして、サーキュレータ３６，４６が、直線１０４に関して互いに対称（あるいはほぼ対称）に配置されている。このように、本実施形態では、非線形側伝送線路３４−１，３４−２を含む非線形ルート２８が、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４に関して線形側伝送線路３２−１，３２−２を含む線形ルート２６と対称（あるいはほぼ対称）に配置されている。なお、ここでの直線１０４は、分配器２４と合成器３０とを電気的に接続するための線ではなく、線形側伝送線路３２−１，３２−２、非線形側伝送線路３４−１，３４−２、及びサーキュレータ３６，４６の相対位置関係を規定するための仮想的な直線である。
【００２８】
歪補償増幅器において十分な歪補償効果を得るためには、被補償増幅器１２に入力されるマイクロ波線形信号に対し、歪発生回路４０で発生させた歪成分を逆位相で合成することが望ましい。しかし、線形ルート２６を伝搬するマイクロ波線形信号に歪発生回路４０で発生させた歪成分を合成器３０にて合成する際に、線形ルート２６と非線形ルート２８における遅延時間のばらつきや線形ルート２６と非線形ルート２８の温度特性差等によりそれらの位相差にばらつきが生じると、それらの信号を合成器３０にて適切な位相差で（理想的には逆位相で）合成することが困難となる。その結果、歪補償効果の低下を招くことになる。
【００２９】
これに対して本実施形態では、線形ルート２６に設けられる線形側方向性素子、及び非線形ルート２８に設けられる非線形側方向性素子に、同種の方向性素子（サーキュレータ）を用いることで、サーキュレータ３６，４６における遅延時間のばらつきやサーキュレータ３６，４６の温度特性差を抑えることができる。そのため、線形ルート２６と非線形ルート２８における遅延時間のばらつきや線形ルート２６と非線形ルート２８の温度特性差を抑えることができるので、線形ルート２６を伝搬するマイクロ波線形信号に歪発生回路４０で発生させた歪成分を合成器３０にて逆位相で（あるいはほぼ逆位相で）合成することができる。その結果、歪補償効果を向上させることができる。
【００３０】
さらに、本実施形態では、非線形側伝送線路３４−１，３４−２（非線形ルート２８）が、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４に関して線形側伝送線路３２−１，３２−２（線形ルート２６）と対称（あるいはほぼ対称）に配置されていることで、線形ルート２６と非線形ルート２８の電気長のばらつきを抑えることができる。そのため、線形ルート２６と非線形ルート２８における遅延時間のばらつきをさらに抑えることができる。したがって、線形ルート２６を伝搬するマイクロ波線形信号と歪発生回路４０で発生させた歪成分とを合成器３０にて逆相合成する際の位相誤差（逆位相で誤差０）をさらに低減することができ、歪補償効果をさらに向上させることができる。
【００３１】
また、本実施形態の歪発生回路４０では、歪発生用トランジスタ増幅器４８にマイクロ波線形信号を供給して歪成分を発生させることで、歪発生用トランジスタ増幅器４８に供給するマイクロ波線形信号の電力レベルを増大させることができ、歪発生用トランジスタ増幅器４８で発生させる歪成分の電力レベルを増大させることができる。さらに、本実施形態では、通常の増幅器の使用方法とは異なり、マイクロ波線形信号を歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに逆注入することにより、歪発生用トランジスタ増幅器４８から出力される線形成分の電力レベルを抑えながら、歪発生用トランジスタ増幅器４８から出力される歪成分の電力レベルを増大させることができる。さらに、出力端側整合回路５２はマイクロ波信号のキャリア周波数に整合している（歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂ側ではマイクロ波信号のキャリア周波数においてインピーダンスマッチングが取れている）ため、非線形側伝送線路３４−１から取り出したマイクロ波線形信号を歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに供給する際に、マイクロ波線形信号が反射して非線形側伝送線路３４−２に供給されるのを抑えることができる。このように、本実施形態によれば、非線形側伝送線路３４−２に供給される（歪発生回路４０から出力される）線形成分の電力レベルを抑えることができるとともに、歪発生回路４０から出力される歪成分の電力レベルを増大させることができる。したがって、被補償増幅器１２で発生する歪成分を打ち消すのに十分な電力レベルの歪成分を歪発生回路４０で発生させることができ、歪補償効果をさらに向上させることができる。
【００３２】
また、本実施形態の歪発生回路４０では、歪発生用トランジスタ増幅器４８にマイクロ波線形信号を供給して歪成分を発生させることで、歪発生用トランジスタ増幅器４８の歪特性（非線形特性）を被補償増幅器１２の歪特性（非線形特性）に近づけることができる。したがって、歪補償効果をさらに向上させることができる。なお、歪発生用トランジスタ増幅器４８の歪特性を被補償増幅器１２の歪特性に一致させるようにより近づけるためには、歪発生用トランジスタ増幅器４８を被補償増幅器１２と同一プロセスで製造し、被補償増幅器１２に対しスケールダウンされた増幅器を歪発生用トランジスタ増幅器４８として用いることが好ましい。さらに、歪発生用トランジスタ増幅器４８と被補償増幅器１２とで、動作級（Ａ級、ＡＢ級、Ｃ級等）を一致させることが好ましい。
【００３３】
また、被補償増幅器１２の歪特性は、メモリ効果の影響を受けることがある。ここでのメモリ効果とは、被補償増幅器１２への入力信号の包絡線振幅の影響でバイアスが変動し、被補償増幅器１２の歪特性が時変となる現象である。本実施形態では、歪発生回路４０に歪発生用トランジスタ増幅器４８を利用しているため、被補償増幅器１２と類似のメモリ効果を歪発生用トランジスタ増幅器４８に持たせることが可能となる。より具体的には、歪発生用トランジスタ増幅器４８と被補償増幅器１２とで、バイアス回路のインピーダンス周波数特性を一致させる。メモリ効果が発生すると歪補償効果の低下を招きやすくなるが、本実施形態では、被補償増幅器１２にメモリ効果が生じても十分な歪補償効果を得ることができる。
【００３４】
なお、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂにマイクロ波信号を供給すると、歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａからは、歪成分を含むマイクロ波信号が出力される。ただし、入力端子４８ａから出力された歪成分を含むマイクロ波信号は、終端抵抗５４で吸収される。これによって、入力端子４８ａから出力されたマイクロ波信号がグランド５６にて反射して歪発生用トランジスタ増幅器４８で増幅されて非線形側伝送線路３４−２へ供給されるのを抑制することができる。さらに、入力端側整合回路５０はマイクロ波信号のキャリア周波数に整合している（歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａ側ではマイクロ波信号のキャリア周波数においてインピーダンスマッチングが取れている）ため、入力端子４８ａから出力されたマイクロ波信号を終端抵抗５４で吸収する際に、マイクロ波信号が反射するのを抑えることができる。なお、歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａから出力されるマイクロ波信号の電力レベルについては、歪発生用トランジスタ増幅器４８のＳ12パラメータにより調整可能である。
【００３５】
ここで、本願発明者が行った実験結果を図６に示す。図６は、マイクロ波線形信号を歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａに順注入した場合に出力端子４８ｂから取り出される線形信号及び非線形信号（歪成分）のレベルと、マイクロ波線形信号を歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに逆注入した場合に出力端子４８ｂから取り出される線形信号及び非線形信号（歪成分）のレベルと、を示す。被補償増幅器１２で発生する−３０ｄＢ（−４０ｄＢｃ）の歪成分を補償するためには、歪発生回路４０でほぼ同レベル比の歪成分を発生させることが望ましい。ただし、順注入によりほぼ同レベル比の歪成分を発生させようとすると、線形信号のレベルも増大するため、被補償増幅器１２に入力されるプリディストーション信号の生成が複雑となる。これに対して逆注入によりほぼ同レベル比の歪成分を発生させて出力端子４８ｂから取り出す場合は、図６に示すように、順注入よりも線形信号のレベルを抑圧（４０−２２＝１８ｄＢ）することができるので、プリディストーション信号の生成が容易となる。なお、出力端子４８ｂに逆注入して出力端子４８ｂから取り出すことによる線形信号の抑圧量については、歪発生用トランジスタ増幅器４８のＳ22パラメータにより調整可能である。
【００３６】
次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
【００３７】
本実施形態では、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂの電圧（ＦＥＴ５８のドレイン〜ソース間電圧）、あるいは歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂの電流（ＦＥＴ５８のドレイン〜ソース間電流）を制御する制御回路を設けることもできる。制御回路により出力端子４８ｂの電圧（ＦＥＴ５８のドレイン電圧）や出力端子４８ｂの電流（ＦＥＴ５８のドレイン電流）を制御することで、歪発生用トランジスタ増幅器４８で発生させる歪成分のレベルを制御することができる。
【００３８】
また、図７に示す構成例では、図１に示す構成例と比較して、線形側方向性素子及び非線形側方向性素子としてサーキュレータ３６，４６の代わりにハイブリッド６６，７６がそれぞれ設けられている。図７は、本実施形態に係る歪補償増幅器が回路基板上に実装されたときの各構成要素の配置（レイアウト）も示している。ハイブリッド６６は、線形側伝送線路３２−１に接続された入力ポート６６ａと、位相調整回路３８に接続された反射ポート６６ｂと、線形側伝送線路３２−２に接続された出力ポート６６ｃと、を有する。そして、ハイブリッド６６は、線形側伝送線路３２−１（入力ポート６６ａ）から位相調整回路３８（反射ポート６６ｂ）へのマイクロ波信号の通過、及び位相調整回路３８（反射ポート６６ｂ）から線形側伝送線路３２−２（出力ポート６６ｃ）へのマイクロ波信号の通過を許容するとともに、位相調整回路３８（反射ポート６６ｂ）を介することなく線形側伝送線路３２−１（入力ポート６６ａ）から線形側伝送線路３２−２（出力ポート６６ｃ）へマイクロ波信号が通過するのを抑える（理想的には遮断する）。また、ハイブリッド７６は、非線形側伝送線路３４−１に接続された入力ポート７６ａと、歪発生回路４０（出力端側整合回路５２）に接続された反射ポート７６ｂと、非線形側伝送線路３４−２に接続された出力ポート７６ｃと、を有する。そして、ハイブリッド７６は、非線形側伝送線路３４−１（入力ポート７６ａ）から歪発生回路４０（反射ポート７６ｂ）へのマイクロ波信号の通過、及び歪発生回路４０（反射ポート７６ｂ）から非線形側伝送線路３４−２（出力ポート７６ｃ）への歪成分の通過を許容するとともに、非線形側伝送線路３４−１（入力ポート７６ａ）から非線形側伝送線路３４−２（出力ポート７６ｃ）へのマイクロ波信号の通過を抑える（理想的には遮断する）。図７に示すように、ハイブリッド６６，７６は、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４に関して互いに対称（あるいはほぼ対称）に配置されている。
【００３９】
図７に示す構成例でも、線形ルート２６に設けられる線形側方向性素子、及び非線形ルート２８に設けられる非線形側方向性素子に、同種の方向性素子（ハイブリッド）を用いている。そのため、ハイブリッド６６，７６における遅延時間のばらつきやハイブリッド６６，７６の温度特性差を抑えることができ、線形ルート２６と非線形ルート２８における遅延時間のばらつきや線形ルート２６と非線形ルート２８の温度特性差を抑えることができる。したがって、線形ルート２６を伝搬するマイクロ波線形信号に歪発生回路４０で発生させた歪成分を合成器３０にて逆位相で（あるいはほぼ逆位相で）合成することができ、歪補償効果を向上させることができる。さらに、非線形側伝送線路３４−１，３４−２（非線形ルート２８）が、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４に関して線形側伝送線路３２−１，３２−２（線形ルート２６）と対称（あるいはほぼ対称）に配置されていることで、線形ルート２６と非線形ルート２８における遅延時間のばらつきをさらに抑えることができる。
【００４０】
また、図８に示す構成例では、図１に示す構成例と比較して、線形側方向性素子及び非線形側方向性素子としてサーキュレータ３６，６６の代わりに９０°ハイブリッド８６，９６がそれぞれ設けられている。図８は、本実施形態に係る歪補償増幅器が回路基板上に実装されたときの各構成要素の配置（レイアウト）も示している。９０°ハイブリッド８６は、線形側伝送線路３２−１に接続された入力ポート８６ａと、位相調整回路３８に接続された反射ポート８６ｂ，８６ｃと、線形側伝送線路３２−２に接続された出力ポート８６ｄと、を有する。ここでの位相調整回路３８は、反射ポート８６ｂに接続された可変容量ダイオード３９−１と、反射ポート８６ｃに接続された可変容量ダイオード３９−２と、可変容量ダイオード３９−１とグランド５６との間に設けられたコイル３７−１と、可変容量ダイオード３９−２とグランド５６との間に設けられたコイル３７−２と、を有する。そして、９０°ハイブリッド８６は、線形側伝送線路３２−１（入力ポート８６ａ）から可変容量ダイオード３９−１（反射ポート８６ｂ）へのマイクロ波信号の通過、可変容量ダイオード３９−１（反射ポート８６ｂ）から線形側伝送線路３２−２（出力ポート８６ｄ）へのマイクロ波信号の通過、線形側伝送線路３２−１（入力ポート８６ａ）から可変容量ダイオード３９−２（反射ポート８６ｃ）へのマイクロ波信号の通過、及び可変容量ダイオード３９−２（反射ポート８６ｃ）から線形側伝送線路３２−２（出力ポート８６ｄ）へのマイクロ波信号の通過を許容する。また、９０°ハイブリッド８６は、位相調整回路３８（反射ポート８６ｂ，８６ｃ）を介することなく線形側伝送線路３２−１（入力ポート８６ａ）から線形側伝送線路３２−２（出力ポート８６ｄ）へマイクロ波信号が通過するのを抑える（理想的には遮断する）とともに、反射ポート８６ｂ，８６ｃ間をマイクロ波信号が通過するのを抑える（理想的には遮断する）。線形側伝送線路３２−１から９０°ハイブリッド８６の反射ポート８６ｂ，８６ｃに分配されて供給されたマイクロ波線形信号は、位相調整回路３８で位相が調整されてから、９０°ハイブリッド８６で合成されて線形側伝送線路３２−２に供給される。ここでは可変容量ダイオード３９−１，３９−２の容量を調整することで、線形ルート２６を伝搬するマイクロ波信号の位相を調整することができる。
【００４１】
さらに、図８に示す構成例では、歪発生回路４０は、複数の歪発生用トランジスタ増幅器４８−１，４８−２を備える。歪発生用トランジスタ増幅器４８−１の入力端子４８−１ａ側にはマイクロ波信号のキャリア周波数に整合している入力端側整合回路５０−１が配設され、歪発生用トランジスタ増幅器４８−１の出力端子４８−１ｂ側にはマイクロ波信号のキャリア周波数に整合している出力端側整合回路５２−１が配設されている。さらに、歪発生用トランジスタ増幅器４８−１の入力端子４８−１ａ側には、終端抵抗５４−１が配設されている。入力端側整合回路５０−１は、歪発生用トランジスタ増幅器４８−１の入力端子４８−１ａと終端抵抗５４−１との間に配置されており、歪発生用トランジスタ増幅器４８−１の入力端子４８−１ａは、入力端側整合回路５０−１及び終端抵抗５４−１を介してグランド５６に接続されている。同様に、歪発生用トランジスタ増幅器４８−２の入力端子４８−２ａ側にはマイクロ波信号のキャリア周波数に整合している入力端側整合回路５０−２が配設され、歪発生用トランジスタ増幅器４８−２の出力端子４８−２ｂ側にはマイクロ波信号のキャリア周波数に整合している出力端側整合回路５２−２が配設されている。さらに、歪発生用トランジスタ増幅器４８−２の入力端子４８−２ａ側には、終端抵抗５４−２が配設されている。入力端側整合回路５０−２は、歪発生用トランジスタ増幅器４８−２の入力端子４８−２ａと終端抵抗５４−２との間に配置されており、歪発生用トランジスタ増幅器４８−２の入力端子４８−２ａは、入力端側整合回路５０−２及び終端抵抗５４−２を介してグランド５６に接続されている。
【００４２】
９０°ハイブリッド９６は、非線形側伝送線路３４−１に接続された入力ポート９６ａと、歪発生回路４０（出力端側整合回路５２−１）に接続された反射ポート９６ｂと、歪発生回路４０（出力端側整合回路５２−２）に接続された反射ポート９６ｃと、非線形側伝送線路３４−２に接続された出力ポート９６ｄと、を有する。そして、９０°ハイブリッド９６は、非線形側伝送線路３４−１（入力ポート９６ａ）から出力端側整合回路５２−１（反射ポート９６ｂ）へのマイクロ波信号の通過、出力端側整合回路５２−１（反射ポート９６ｂ）から非線形側伝送線路３４−２（出力ポート９６ｄ）への歪成分の通過、非線形側伝送線路３４−１（入力ポート９６ａ）から出力端側整合回路５２−２（反射ポート９６ｃ）へのマイクロ波信号の通過、及び出力端側整合回路５２−２（反射ポート９６ｃ）から非線形側伝送線路３４−２（出力ポート９６ｄ）への歪成分の通過を許容する。また、９０°ハイブリッド９６は、非線形側伝送線路３４−１（入力ポート９６ａ）から非線形側伝送線路３４−２（出力ポート９６ｄ）へのマイクロ波信号の通過、及び反射ポート８６ｂ，８６ｃ間のマイクロ波信号の通過を抑える（理想的には遮断する）。図８に示すように、９０°ハイブリッド８６，９６は、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４に関して互いに対称（あるいはほぼ対称）に配置されている。
【００４３】
ドライバ増幅器２２で増幅され且つ非線形側伝送線路３４−１から取り出されたマイクロ波線形信号は、９０°ハイブリッド９６の反射ポート９６ｂ，９６ｃに分配されて供給され、反射ポート９６ｂに分配されたマイクロ波線形信号が出力端側整合回路５２−１を介して歪発生用トランジスタ増幅器４８−１の出力端子４８−１ｂに供給（逆注入）され、反射ポート９６ｃに分配されたマイクロ波線形信号が出力端側整合回路５２−２を介して歪発生用トランジスタ増幅器４８−２の出力端子４８−２ｂに供給（逆注入）される。歪発生用トランジスタ増幅器４８−１は、出力端子４８−１ｂに供給されたマイクロ波線形信号を基に歪成分を発生し、歪発生用トランジスタ増幅器４８−２は、出力端子４８−２ｂに供給されたマイクロ波線形信号を基に歪成分を発生する。歪発生用トランジスタ増幅器４８−１で発生した歪成分は、歪発生用トランジスタ増幅器４８−１の出力端子４８−１ｂから出力端側整合回路５２−１を介して９０°ハイブリッド９６の反射ポート９６ｂに供給され、歪発生用トランジスタ増幅器４８−２で発生した歪成分は、歪発生用トランジスタ増幅器４８−２の出力端子４８−２ｂから出力端側整合回路５２−２を介して９０°ハイブリッド９６の反射ポート９６ｃに供給される。９０°ハイブリッド９６は、反射ポート９６ｂ，９６ｃに供給された歪成分を合成して非線形側伝送線路３４−２へ供給する。ここでは、歪発生用トランジスタ増幅器４８−１の出力端子４８−１ｂの電圧、及び歪発生用トランジスタ増幅器４８−２の出力端子４８−２ｂの電圧を制御することで、非線形側伝送線路３４−２へ供給される歪成分のレベルを制御することができる。また、歪発生用トランジスタ増幅器４８−１の出力端子４８−１ｂの電流、及び歪発生用トランジスタ増幅器４８−２の出力端子４８−２ｂの電流を制御することによっても、非線形側伝送線路３４−２へ供給される歪成分のレベルを制御することができる。
【００４４】
図８に示す構成例でも、線形ルート２６に設けられる線形側方向性素子、及び非線形ルート２８に設けられる非線形側方向性素子に、同種の方向性素子（９０°ハイブリッド）を用いている。そのため、９０°ハイブリッド８６，９６における遅延時間のばらつきや９０°ハイブリッド８６，９６の温度特性差を抑えることができ、線形ルート２６と非線形ルート２８における遅延時間のばらつきや線形ルート２６と非線形ルート２８の温度特性差を抑えることができる。その結果、歪補償効果を向上させることができる。さらに、非線形側伝送線路３４−１，３４−２（非線形ルート２８）が、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４に関して線形側伝送線路３２−１，３２−２（線形ルート２６）と対称（あるいはほぼ対称）に配置されていることで、線形ルート２６と非線形ルート２８における遅延時間のばらつきをさらに抑えることができる。
【００４５】
また、図９に示す構成例では、図１に示す構成例と比較して、被補償増幅器１２がサーキュレータ３６と合成器３０との間の線形側伝送線路３２−２に設けられており、ドライバ増幅器７２がサーキュレータ４６と合成器３０との間の非線形側伝送線路３４−２に設けられている。図９は、本実施形態に係る歪補償増幅器が回路基板上に実装されたときの各構成要素の配置（レイアウト）も示している。被補償増幅器１２は線形側伝送線路３２−２を伝搬するマイクロ波線形信号を増幅し、ドライバ増幅器７２は非線形側伝送線路３４−２を伝搬する歪成分を増幅する。図９に示すように、被補償増幅器１２及びドライバ増幅器７２は、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４に関して互いに対称（あるいはほぼ対称）に配置されている。歪補償部１６は、被補償増幅器１２で増幅されたマイクロ波信号（歪成分を含む）と非線形側伝送線路３４−２を伝搬する歪成分（歪発生回路４０で発生しドライバ増幅器７２で増幅された歪成分）とを合成器３０で合成することにより、被補償増幅器１２からの出力信号中に含まれる歪成分が低減するよう歪補償を行うことができる。
【００４６】
また、図１０に示す構成例では、図１に示す構成例と比較して、被補償増幅器１２が分配器２４とサーキュレータ３６との間の線形側伝送線路３２−１に設けられており、ドライバ増幅器７２が分配器２４とサーキュレータ４６との間の非線形側伝送線路３４−１に設けられている。図１０は、本実施形態に係る歪補償増幅器が回路基板上に実装されたときの各構成要素の配置（レイアウト）も示している。被補償増幅器１２は線形側伝送線路３２−１を伝搬するマイクロ波線形信号を増幅し、ドライバ増幅器７２は非線形側伝送線路３４−１を伝搬するマイクロ波線形信号を増幅する。図１０に示すように、被補償増幅器１２及びドライバ増幅器７２は、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４に関して互いに対称（あるいはほぼ対称）に配置されている。歪補償部１６は、被補償増幅器１２で増幅され且つ線形側伝送線路３２−２を伝搬するマイクロ波信号と非線形側伝送線路３４−２を伝搬する歪成分とを合成器３０で合成することにより歪補償を行うことができる。
【００４７】
図９，１０に示す構成例でも、線形ルート２６に設けられる線形側方向性素子、及び非線形ルート２８に設けられる非線形側方向性素子に、同種の方向性素子（サーキュレータ）を用いることで、線形ルート２６と非線形ルート２８における遅延時間のばらつきや線形ルート２６と非線形ルート２８の温度特性差を抑えることができ、歪補償効果を向上させることができる。さらに、非線形側伝送線路３４−１，３４−２（非線形ルート２８）が、分配器２４と合成器３０とを結ぶ直線１０４に関して線形側伝送線路３２−１，３２−２（線形ルート２６）と対称（あるいはほぼ対称）に配置されていることで、線形ルート２６と非線形ルート２８における遅延時間のばらつきをさらに抑えることができる。このように、本発明をプリディストーション型歪補償増幅器以外の歪補償増幅器に適用することもできる。
【００４８】
なお、図９，１０に示す構成例でも、サーキュレータ３６，４６の代わりに、図７に示す構成例のハイブリッド６６，７６をそれぞれ設けることもできる。また、サーキュレータ３６，４６の代わりに、図８に示す構成例の９０°ハイブリッド８６，９６をそれぞれ設けることもできる。
【００４９】
以上の実施形態の説明では、歪発生回路４０が歪発生用トランジスタ増幅器４８を利用して歪成分を発生させるものとした。ただし、本実施形態では、歪発生回路４０がダイオードを利用して歪成分を発生させることもできる。なお、ダイオードを利用した歪発生回路の具体的構成例については、例えば特許文献２〜５を参照されたい。
【００５０】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施形態に係る歪補償増幅器の概略構成を示す図である。
【図２】位相調整回路の構成例を示す図である。
【図３】位相調整回路の他の構成例を示す図である。
【図４】位相調整回路の他の構成例を示す図である。
【図５】歪発生用トランジスタ増幅器の構成例を示す図である。
【図６】本願発明者が行った実験結果を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る歪補償増幅器の他の概略構成を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る歪補償増幅器の他の概略構成を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る歪補償増幅器の他の概略構成を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る歪補償増幅器の他の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１２  被補償増幅器、１６  歪補償部、２２，７２  ドライバ増幅器、２４  分配器、２６  線形ルート、２８  非線形ルート、３０  合成器、３２−１，３２−２  線形側伝送線路、３４−１，３４−２  非線形側伝送線路、３６，４６  サーキュレータ、３８  位相調整回路、４０  歪発生回路、４８  歪発生用トランジスタ増幅器、４８ａ  入力端子、４８ｂ  出力端子、５０  入力端側整合回路、５２  出力端側整合回路、５４  終端抵抗、５６  グランド、５８  ＦＥＴ、６６，７６  ハイブリッド、８６，９６  ９０°ハイブリッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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