(57)【要約】【課題】絶縁性のガラス基板を比較的低温度で、十分な吸着力で均一に吸着固定できる静電チャックを提供する。【解決手段】８０〜１５０℃の温度範囲でガラス基板を吸着固定する静電チャックであって、基材１上に溶射により形成された酸化物系セラミックスからなる絶縁体層２と、前記絶縁体層上に溶射により形成された双極の櫛歯電極３と、前記双極の櫛歯電極を被覆するように溶射により形成された酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層４と、を具備し、前記櫛歯電極３の櫛歯幅Ｗが２．５〜５．０ｍｍ、櫛歯間距離Ｌが２．５〜５．０ｍｍ、前記誘電体層４の厚さが１００〜６００μｍであることを特徴とする静電チャック。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板を吸着固定する静電チャックであって、基材上に溶射により形成された酸化物系セラミックスからなる絶縁体層と、前記絶縁体層上に溶射により形成された双極の櫛歯電極と、前記双極の櫛歯電極を被覆するように溶射により形成された酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層と、を具備することを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記双極の櫛歯電極の櫛歯幅が２．５〜５．０ｍｍ、櫛歯間距離が２．５〜５．０ｍｍ、前記誘電体層の厚さが１００〜６００μｍであることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】
８０〜１５０℃の温度範囲でガラス基板を吸着固定することを特徴とする請求項１または２記載の静電チャック
【請求項４】
基材上に酸化物系セラミックスからなる絶縁体層を溶射により形成する工程と、
前記絶縁体層上にマスキング冶具を用いて双極の櫛歯電極を溶射により形成する工程と、
前記双極の櫛歯電極を被覆するように酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層表面を研削加工する工程と、を含むことを特徴とする請求項１〜３記載の静電チャックの製造方法。
【請求項５】
ガラス基板を８０〜１５０℃の温度に加熱して、静電チャックに吸着させることを特徴とする請求項１または２記載の静電チャックを用いたガラス基板の吸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板を吸着固定する静電チャックに関するもので、特に、双極の櫛歯電極と、この櫛歯電極を被覆する誘電体層と、を溶射により形成した静電チャックに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、双極型の静電チャックが多く用いられてきた。双極型の静電チャックは、一対の静電電極それぞれに正負の電圧を印加すると、電極に近接する誘電体表面に正負の電荷が生じ、このとき誘電体表面に載置した導電性基板には誘電体表面と逆電荷が生じるため、互いに引き合う力、すなわちジョンセンラーベック力が発現することを利用したものである。したがって、絶縁性のガラス基板を静電チャックにより吸着固定するときは、ガラス基板に電荷が生じないためＩＴＯ等の導電膜を塗布して吸着させていた。しかし、吸着固定するためだけに導電膜を形成することは手間やコストがかかるため、導電膜を塗布せずに吸着固定する手段が望まれていた。そこで、絶縁性のガラス基板を吸着する静電チャックとして、電界に働く力であるグラディエント力を利用した静電チャックが提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。さらには、ガラス基板を加熱することによってガラス基板の抵抗率を１０１５Ω・ｃｍ以下に変化させて静電吸着させる静電チャックも提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００６−６６８５７号公報
【特許文献２】特開２００６−４９８５２号公報
【特許文献３】特開２００５−３２８５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記したグラディエント力を利用した静電チャックでは、ジョンセンラーベック力を利用した静電チャックと比べて十分な吸着力を得ることができないという問題があった。本発明者らの検討によれば、ジョンセンラーベック力を利用した静電チャックの吸着力が数百ｇ／ｃｍ２であるのに対して、グラディエント力を利用した静電チャックの吸着力は数十ｇ／ｃｍ２であり、十分ではない。また、グラディエント力を発揮するには、特許文献１に記載された静電チャックのように櫛歯間距離が小さいことが要求されるため電極間で放電し易く、耐電圧が低くなり絶縁破壊が起きる場合があった。特に特許文献１に記載された静電チャックは、電極が露出しているため電極間の放電による絶縁破壊を防ぐには高真空が要求されることから、処理容器内を所定の真空圧に到達させるまでの低真空時は電圧を印加することができないのでガラス基板の固定ができず位置ずれを起こすことがあった。
また、特許文献２に記載された静電チャックでは、誘電体層を０．２〜２．０ｍｍの厚さに形成することを特徴としておりＣＶＤ等の蒸着法で誘電体層を形成することが困難であるという理由から焼結法を用いて作製している。しかしながら、焼結体中に電極を埋設し、その電極上に薄い誘電体層を精度良く形成することは、小型のガラス基板用の小さい静電チャックであれば可能であっても、近年大型化が著しいガラス基板に対応できる大型の静電チャックを作製することは困難である。
【０００４】
特許文献３による静電チャックも同様に、焼結法により作製しているため大型のガラス基板には適用が難しいことに加え、ガラス基板を最高３５０℃もの高温に加熱するため静電チャックの基材とガラス基板との熱膨張の差により歪が発生して、ガラス基板への成膜やエッチング等の微細で精密な処理が難しいという問題があった。
【０００５】
本発明は、絶縁性の大型のガラス基板を、比較的低温で十分な吸着力で吸着固定できる静電チャックを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した本発明の目的は、ガラス基板を吸着固定する静電チャックであって、基材上に溶射により形成された酸化物系セラミックスからなる絶縁体層と、前記絶縁体層上に溶射により形成された双極の櫛歯電極と、前記双極の櫛歯電極を被覆するように溶射により形成された酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層と、を具備することを特徴とする静電チャックによって達成することができる。
【０００７】
本発明は、従来のように焼結体の誘電体層を用いたものでなく、絶縁体層、櫛歯電極および誘電体層が溶射により形成されている。これによりそれぞれの層がアンカー効果によって結合が強固になり密着性を高めることができる。したがって、本発明のような溶射構造を適用すれば、比較的低い温度範囲で大型のガラス基板を吸着できるような櫛歯電極を備えた静電チャックの作製が可能となる。
【０００８】
また、本発明の静電チャックは、双極の櫛歯電極の櫛歯幅が２．５〜５．０ｍｍ、櫛歯間距離が２．５〜５．０ｍｍ、前記誘電体層の厚さが１００〜６００μｍであることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、櫛歯電極の櫛歯幅および櫛歯間距離を２．５〜５．０ｍｍとし、誘電体層の厚さを１００〜６００μｍとすることで、従来に比べて低温である８０〜１５０℃の温度範囲で絶縁性のガラス基板を吸着することができ、しかも基材に溶射する方法により電極および誘電体層を設けることで大型の静電チャックを作製できる。
【００１０】
また、本発明の静電チャックは、８０〜１５０℃の温度範囲でガラス基板を吸着固定することを特徴とする。上述したような構成とすることにより、従来に比べて比較的低い温度範囲で大型のガラス基板を吸着することができる。
【００１１】
また、本発明は、基材上に酸化物系セラミックスからなる絶縁体層を溶射により形成する工程と、前記絶縁体層上にマスキング冶具を用いて双極の櫛歯電極を溶射により形成する工程と、前記双極の櫛歯電極を被覆するように酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層表面を研削加工する工程と、を含むことを特徴とする静電チャックの製造方法を提供するものである。絶縁体層、電極層および誘電体層を、溶射により形成することで、それぞれの層が強固に結合されるため剥離することを抑制することができる。
【００１２】
さらに、本発明は、ガラス基板を８０〜１５０℃の温度に加熱して、静電チャックに吸着させることを特徴とする上記静電チャックを用いたガラス基板の吸着方法を提供するものである。絶縁体層、電極および誘電体層を溶射により形成し、電極を櫛歯形状とし、櫛歯幅、櫛歯間距離および誘電体層厚さを最適化することで、低温であっても絶縁性のガラス基板を吸着できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により絶縁性のガラス基板を比較的低温度で、十分な吸着力で均一に吸着固定できる静電チャックを提供することができる。また、電極および誘電体層の形成を溶射法で行っているので、大型ガラス基板に対応できる大型の静電チャックを作製できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１に本発明に係る静電チャックの平面図、およびＡＡ断面図を示した。平面図の点線で示した部分に櫛歯電極が埋設されている。また、図２は本発明の櫛歯電極の構成を示す模式平面図である。
図１および図２に模式的に示すように、本発明の静電チャック１０は、基材１と、この基材１上に溶射により形成された酸化物系セラミックスからなる絶縁体層２と、絶縁体層２上に溶射により形成された双極の櫛歯電極３と、双極の櫛歯電極３を被覆するように溶射により形成された酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層４と、を具備している。図２において、Ｗは櫛歯電極の櫛歯幅であり、Ｌは櫛歯間距離である。図２に示したように、櫛歯間距離とは、双極の一方の電極の櫛歯と、もう一方の電極の櫛歯との間の距離である。
【００１５】
本発明者らは、それまで２枚の平板形状であった双極型電極について、櫛歯形状に変えたところ絶縁性のガラス基板であっても、わずかに吸着力を示すことを見出した。しかしながら、実用可能なものではなかったことから、さらに吸着力を高めるべく温度条件、櫛歯形状、および誘電体層について詳細な検討を行った結果、本発明を知見するに至った。
【００１６】
平板形状から櫛歯形状に変えることにより吸着力が生じたのは、ジョンセンラーベック力に加えてグラディエント力が吸着力に作用したためと考えられる。グラディエント力を作用させるには、櫛歯幅Ｗや櫛歯間距離Ｌを小さくする必要があるが、溶射法による電極形成では精度上困難であった。また、焼結体を用いた静電チャックでは、誘電体層を精度良く形成することが困難であるという問題があった。本発明はこのような問題を一挙に解決し、溶射による電極形成が可能な櫛歯幅Ｗおよび櫛歯間距離Ｌでありながら、グラディエント力が効果的に作用するような静電チャックを提供するものである。
【００１７】
櫛歯電極の櫛歯幅Ｗおよび櫛歯間距離Ｌを２．５〜５．０ｍｍの範囲としたのは、櫛歯幅Ｗおよび櫛歯間距離Ｌが、上記範囲であれば、溶射法によって精度良く電極を形成することができ、櫛歯幅や櫛歯間距離のばらつきが低減され、吸着力を均一にすることができる。特に櫛歯間距離Ｌを小さくすると、溶射の精度不良により生じた櫛歯間距離の小さいところでは、放電が起き易くなるので好ましくない。逆に櫛歯幅Ｗおよび櫛歯間距離Ｌが５．０ｍｍを超えて大きくなると所望の吸着力が得られず好ましくない。これは、５．０ｍｍを超えて大きくなると、グラディエント力が吸着力に寄与しなくなるためである。なお、本発明では、櫛歯間距離Ｌが大きく形成されているため、低真空（例えば０．０５ＭＰａ程度）や大気中でも放電が起き難く、高真空でなくとも静電吸着力を作用させることができるので、より高精度にガラス基板を吸着することができる。また、大気中でも電圧を印加できることから、吸着力やリーク電流の評価が容易である。なお、櫛歯を繋ぐ連結軸の幅については、特に限定しないが、連結軸付近での放電や吸着力を考慮すると、櫛歯の幅と同等であることが望ましく、連結軸と櫛歯の先端との距離も、櫛歯間距離と同等であることが望ましい。
【００１８】
本発明の静電チャックの適用温度は８０〜１５０℃である。高温まで加熱すると絶縁性ガラス基板の体積抵抗率が低下して、静電吸着力を大きくすることができるが不具合も起き易くなる。具体的には、ガラス基板と静電チャックの熱膨張差によって固定精度が低下して、ガラス基板への成膜処理等に影響を及ぼす場合がある。また、静電チャックの誘電体層は酸化物系セラミックスを主成分とした溶射セラミックスに樹脂等の封孔剤を用いた封孔処理を施す場合があり、高温では封孔剤の成分が揮発したり、染み出したりしてガラス基板を汚染するおそれがある。したがって、静電チャックの適用温度としては１５０℃以下の低温が望ましく、さらに１２０℃よりも低温であれば、より望ましい。本発明の静電チャックを用いれば高温まで加熱しなくとも８０〜１５０℃の低温で絶縁性（２３℃における体積抵抗率２．２×１０１５Ω・ｃｍ）のガラス基板を十分な吸着力で吸着することができる。ガラス基板の加熱は、基材にトンネル状の流体経路を設けて所定温度の流体を流せるようにしたり、静電チャックをヒータ上に載せたりする方法で静電チャックを介して行うことができる。また、静電チャック内部にヒータ電極を設けても良い。
【００１９】
誘電体層は、酸化物系セラミックスを主成分とした溶射セラミックスである。酸化物系セラミックスとしては、Ａｌ２Ｏ３、アルミナジルコニア、スピネル、ムライト等を用いることができる。なかでもＡｌ２Ｏ３が溶射膜の密着性、耐食性および体積抵抗率の調整の容易性から好ましい。Ａｌ２Ｏ３に添加する材料としては、ＴｉＯ２やＳｉＣ等の導電材料が適用できる。このような導電材料を添加するのは、体積抵抗率の調整と溶射膜の密着性を高めるためである。溶射膜の密着性の観点からＴｉＯ２が好適である。ＴｉＯ２の添加量は２．５〜２０質量％で調整することにより本発明の静電チャックの適用温度に好適な誘電体層を形成することができる。
【００２０】
誘電体層の厚さは、１００〜６００μｍである。１００μｍより薄いと耐電圧が低くなり絶縁破壊が起こりやすく、６００μmより厚いと吸着力が低下するため好ましくない。これは、誘電体層が厚くなるとジョンセンラーベック力およびグラディエント力が低下するためである。したがって、誘電体層の厚さは５００μｍ以下とすることがより望ましい。このような範囲で溶射セラミックスからなる誘電体層を形成し、さらに櫛歯幅Ｗおよび櫛歯間距離Ｌを上記範囲とし、温度条件を８０〜１５０℃とすることで十分な吸着力が発揮される。
【００２１】
本発明の静電チャックの基材としては、セラミックス、金属または金属基複合材料を用いることができるが、熱伝導性、熱膨張特性、機械的強度、耐熱性、および溶射膜との密着性を総合的に判断すると金属基複合材料が好ましい。特に、本発明の静電チャックは、８０℃〜１５０℃に加熱して使用するため迅速な加熱および均熱性が求められることから、これらの特性に優れた金属基複合材料が好適である。
【００２２】
絶縁体層としては、Ａｌ２Ｏ３、アルミナジルコニア、スピネル、ムライト等、種々の酸化物系セラミックスを用いることができる。なかでも、Ａｌ２Ｏ３が耐食性や絶縁性の点で好ましい。
【００２３】
また、櫛歯電極の電極材料としては、要求特性により選択することが可能で、Ｎｉ、Ｆe、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、およびそれらの合金等を用いることができる。
【００２４】
ここで、図１に示した本発明の静電チャックの製造方法をより詳細に説明する。静電チャックの構成として、基材；金属基複合材料、絶縁体層；Ａｌ２Ｏ３、電極材料；Ｎｉ、誘電体層；主成分Ａｌ２Ｏ３とした例を用いて説明する。まず基材１となる金属基複合材料を用意する。基材の形状は特に限定しないが、ガラス基板を載置する目的上、通常板形状が採用される。次に、この基材１のガラス基板を載置する側である上面に溶射法により、下地層としてのＡｌ２Ｏ３絶縁体層２を５００μｍの厚さで形成する。絶縁体層の厚さにムラができないように、基材の上面は平面度３．０μｍ以下に予め加工しておくことが望ましい。
【００２５】
次に、Ａｌ２Ｏ３絶縁体層２の上に溶射法により双極の櫛歯電極３を形成する。所望の櫛歯形状の開口部を有するマスキング冶具をＡｌ２Ｏ３絶縁体層２上に載置してからＮｉの溶射を行う。ここで、櫛歯電極３の厚さとしては、３０〜４０μm程度が好ましい。溶射により電極層を形成することで、下地層となるＡｌ２Ｏ３絶縁体層２および後述するＡｌ２Ｏ３を主成分とする誘電体層４との密着性を高めることができる。これは、前記櫛歯電極３とＡｌ２Ｏ３絶縁体層２とＡｌ２Ｏ３を主成分とする誘電体層４をいずれも溶射により形成するので、溶射層に存在するポアに、別の溶射層が入り込むことによってアンカー効果を発揮するためである。すなわち、櫛歯電極を溶射するとＡｌ２Ｏ３絶縁体層に存在するポアに櫛歯電極の一部が入り込み、誘電体層を溶射するとＡｌ２Ｏ３絶縁体層および櫛歯電極に存在するポアに誘電体層の一部が入り込むことによって各層間の結合が強固になり密着性が高まる。
【００２６】
櫛歯電極３を溶射により形成した後、Ａｌ２Ｏ３を主成分とする誘電体層４を溶射する。誘電体層４は、櫛歯電極３を被覆するように形成されれば良く、副次的にＡｌ２Ｏ３絶縁体層２も、櫛歯電極３の被覆に伴って被覆されて良い。したがって、図１に示された静電チャックように、双極の櫛歯電極３およびＡｌ２Ｏ３絶縁体層２を被覆するように誘電体層４が形成された構造を採用することができる。また、図３に示された静電チャックのように櫛歯電極の一部が電源との接続のために露出した構造とすることも可能である。
【００２７】
ここで、静電チャックの表面となるＡｌ２Ｏ３を主成分とする誘電体層は公知の方法にて封孔処理されていても良い。封孔処理で充填する処理材としては、シリカゾル、アルミナゾル、マグネシアゾルなどのコロイダル状のスラリ−、あるいは、SiO2、Al2O3、TiO2等の金属アルコキシド系ポリマ−及びこれらのポリマ−とメラミン、アクリル、フェノ−ル、フッ素、シリコン、アクリル樹脂等の各種樹脂を含有するものを使用することができる。
【００２８】
次に、静電チャックの表面の研削加工、ラッピング加工を行い、所望の表面粗さ（Ｒａ：０．１〜２．０μｍ程度）となるようにする。
外部電源５と櫛歯電極３との接続は、図１の例のように、端子接続用の穴を開けた基材に端子６を接続しても良いし、図３のように櫛歯電極３の一部を露出させて、その部分に接続しても良い。基材の穴に端子を挿入する場合、基材に導電性があると短絡してしまうおそれがあるので、端子周りを絶縁管７で保護すると良い。絶縁管７の部分は、他の形態、例えば絶縁性の充填材を入れたり、何もいれずに間隙としたりする方法も採用できる。なお、図３の断面図においては双極の片方のみ電源に接続されているが、双極のもう一方の電極が電源に接続されていることは言うまでも無い。
【００２９】
以下、試験例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
（１）静電チャックの作製
基材として金属基複合材料（寸法：２０９×１５７ｍｍ、厚さ４０ｍｍ、ＳｉＣ７０質量％、Ａｌ合金加圧浸透品）を用いた。まず、金属基複合材料の表面のブラスト処理を行った。次に、この基材の上面に溶射法により下地層としてのＡｌ２Ｏ３絶縁体層を５００μｍの厚さで形成した。その後、櫛歯形状の開口部を有するマスキング冶具をＡｌ２Ｏ３絶縁体層上に載置してから厚さ４０μｍのＮｉの電極を溶射した。櫛歯電極の形状はマスキング冶具の開口部を変えて櫛歯幅Ｗおよび櫛歯間距離Ｌを調整した（表１参照）。なお、櫛歯を繋ぐ連結軸の幅は３ｍｍで一定とし、双極の一方の連結軸と他方の櫛歯の先端との距離は櫛歯間距離と同一とした。また、櫛歯電極形成の範囲は、櫛歯電極を模式的に示した図２におけるＤに相当する幅を１５０ｍｍとし、櫛歯幅および櫛歯間距離によって多少の差はあるもののＣをおよそ１８０ｍｍの幅とした。
次に、櫛歯電極およびＡｌ２Ｏ３絶縁体層を被覆するように誘電体層（５質量％のＴｉＯ２を含むＡｌ２Ｏ３）を形成した。その後、誘電体層を研削加工、ラップ処理を実施し、誘電体層の厚さ（表１参照）および表面粗さ（Ｒａ０．２μｍ）を調整し静電チャックを作製した。電極との接続は、図３に示したように、櫛歯電極の一部を露出させ、露出部に導線を接続した。なお、評価に使用するガラス基板は露出部にかからない大きさのものを用いた。
【００３０】
（２）評価
上記のようにして得られた静電チャックをヒータ上に設置し、静電チャックの誘電体層上に□１５０ｍｍ×２ｍｍのガラス基板(２３℃における体積抵抗率が２．２×１０１５Ω・ｃｍ)を載置した後、ウエハを所定温度に加熱し、大気中で櫛歯電極間に±２０００Ｖの電圧を印加したときの各静電チャックの吸着力を評価した。
吸着力の測定は、静電吸着させたガラス基板を垂直方向に引き上げて、ガラス基板が静電チャックの吸着面から外れたときの力を測定した。その結果を、表１にまとめて示した。
【００３１】
【表１】
2008244147.tif 000003
【００３２】
表１の結果からわかるように、櫛歯幅、櫛歯間距離及び誘電体層厚さが、本発明の範囲内であるＮｏ．２〜５、８〜１１では１００ｇ／ｃｍ２以上の吸着力が得られた。
一方、本発明の範囲外であるＮｏ.１、６、７、１２では十分な吸着力が得られないか、不具合により吸着力の評価ができない結果となった。櫛歯幅および櫛歯間距離が小さい試験例１では、櫛歯電極に電圧を印加したところ絶縁破壊が起こり、吸着力の評価ができなかった。また、櫛歯幅および櫛歯間距離が大きい試験例６では、十分な吸着力が得られなかった。誘電体層厚さが小さい試験例７では、絶縁破壊が発生し、また、誘電体層厚さの大きい試験例１０では、十分な吸着力が得られなかった。
【００３３】
以上説明したように、本発明によれば、絶縁性のガラス基板を比較的低温で、十分な吸着力で吸着固定できる静電チャックが得られることが分かった。
【００３４】
次に、図４および図５に示した大型ガラス基板用の静電チャックについて実施例を示す。図４は本実施例で作製した静電チャックの櫛歯電極形状を示した全体図であり、図５は６分割された電極領域のうち、一領域を拡大して示した図である。基材（１３６０ｍｍ×８２１ｍｍ×５０ｍｍ、金属基複合材料；ＳｉＣ７０質量％、Ａｌ合金加圧浸透品）に絶縁体層（厚さ５００μｍ）、６分割電極（櫛歯幅３ｍｍ、櫛歯間距離３ｍｍ、電極形成範囲３７５ｍｍ×３１２．４ｍｍ）および誘電体層（厚さ５００μｍ、表面粗さ０．２μｍ）を形成した。電極との接続は、図５の電極領域の対角に存在する端子接続部（図５において、寸法；３０ｍｍ×２７ｍｍの領域）に接続できるように基材に端子挿入穴を設けて、図１のように金属端子（低熱膨張合金；ニレジスト）を挿入し、その周りの絶縁管７に相当する部分にエポキシ樹脂を充填し固定する構成とした。静電チャックをヒータ上に載せ、櫛歯電極間に±２０００Ｖの電圧を印加し、真空中（０．０５ＭＰａ）、１１５℃で６箇所の分割電極が埋設された誘電体層上にガラス基板（４０５ｍｍ×３４２ｍｍ×２ｍｍ）を吸着させて吸着力を測定したところ、平均１８０ｇ／ｃｍ２であった。さらに、同条件で大型ガラス基板（１２２０ｍｍ×６８５ｍｍ×２ｍｍ）を吸着させたところ、問題なく吸着することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る静電チャックの平面図およびＡＡ模式断面図である。
【図２】本発明に係る静電チャックの櫛歯電極形状を示す模式的平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態を示す平面図およびＢＢ模式断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る静電チャックの電極形状を示す平面図である（数値は寸法ｍｍを示す）。
【図５】本発明の実施例に係る静電チャックの電極形状を示す拡大図である（数値は数法ｍｍを示す）。
【符号の説明】
【００３６】
１；基材
１０；静電チャック
２；絶縁体層
３；双極の櫛歯電極
４；誘電体層
５；電源
６；電極端子
７；絶縁管
Ｗ；櫛歯幅
Ｌ；櫛歯間距離
【図１】
2008244147.tif 000004
【図２】
2008244147.tif 000005
【図３】
2008244147.tif 000006
【図４】
2008244147.tif 000007
【図５】
2008244147.tif 000008