(57)【要約】      （修正有）【課題】ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒に対して高い溶解性を有し、低コストで容易に製造可能なフラーレン誘導体を提供する。【解決手段】フラーレン骨格の式（Ｉ）で表わされる部分構造において、Ｃ1が例えばクロチル基と結合しており、Ｃ6〜Ｃ8が各々独立に、例えば４−ヒドロキシフェニル基と結合している。2008239595.tif 000020（式（Ｉ）中、Ｃ1〜Ｃ10は何れも、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表わす。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラーレン骨格の下記式（Ｉ）で表わされる部分構造において、Ｃ1が、下記式（II）で表わされる構造の有機基と結合しており、Ｃ6〜Ｃ8が各々独立に、下記式（III）で表わされる構造の有機基と結合していることを特徴とするフラーレン誘導体。
【化１】
2008239595.tif 000017
（式（Ｉ）中、Ｃ1〜Ｃ10は何れも、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表わす。）
【化２】
2008239595.tif 000018
（式（II）中、Ｒ1〜Ｒ4は各々独立に、水素原子又は置換基を表わす。Ｒ1〜Ｒ4のうち任意の二以上が互いに結合して環を形成していてもよい。）
【化３】
2008239595.tif 000019
（式（III）中、ｎは１以上５以下の整数を表わす。）
【請求項２】
式（III）中のｎが１であることを特徴とする、請求項１記載のフラーレン誘導体。
【請求項３】
式（Ｉ）中のＣ6〜Ｃ10が各々独立に、式（III）で表わされる構造の有機基と結合していることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のフラーレン誘導体。
【請求項４】
Ｒ4の少なくとも一方が水素原子であることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載のフラーレン誘導体。
【請求項５】
Ｒ3及びＲ4が何れも水素原子であることを特徴とする、請求項４記載のフラーレン誘導体。
【請求項６】
Ｒ1及びＲ2のうち何れか一方が水素原子であることを特徴とする、請求項５記載のフラーレン誘導体。
【請求項７】
Ｒ1及びＲ2がともに水素原子であることを特徴とする、請求項６記載のフラーレン誘導体。
【請求項８】
式（III）中のフェニル基の少なくとも４位の炭素原子にＯＨ基が結合していることを特徴とする、請求項１〜７の何れか一項に記載のフラーレン誘導体。
【請求項９】
フラーレン骨格がフラーレンＣ60であることを特徴とする、請求項１〜８の何れか一項に記載のフラーレン誘導体。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載のフラーレン誘導体が有機溶媒に溶解してなることを特徴とする、フラーレン誘導体溶液。
【請求項１１】
前記有機溶媒がエステル溶媒であることを特徴とする、請求項１０記載のフラーレン誘導体溶液。
【請求項１２】
請求項１〜９の何れか一項に記載のフラーレン誘導体を製造する方法であって、フラーレン及び／又はフラーレン中間体と少なくとも一種の遷移金属とが存在している反応系にアルケニル化剤を作用させる工程を少なくとも有することを特徴とする、フラーレン誘導体の製造方法。
【請求項１３】
前記遷移金属が長周期型周期表の第１０族及び第１１族に属する金属から選択されることを特徴とする、請求項１２記載のフラーレン誘導体の製造方法。
【請求項１４】
前記遷移金属が銅金属であることを特徴とする、請求項１３記載のフラーレン誘導体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜９の何れか一項に記載のフラーレン誘導体を含むことを特徴とする、膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規のフラーレン誘導体並びにその溶液，製造方法及び膜に関するものである。詳しくは、フラーレン骨格上にフェノール基とアルケニル基とが結合した部分構造を有するフラーレン誘導体と、そのフラーレン誘導体を含有する溶液、そのフラーレン誘導体を製造する方法、さらには、そのフラーレン誘導体を含有する膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１９９０年にＣ60の大量合成法が確立されて以来、フラーレンに関する研究が精力的に展開されている。その結果、数多くのフラーレン誘導体が合成され、その多様な機能が明らかにされてきた。それに伴い、各種用途開発が進められている。
【０００３】
フラーレン誘導体の中でも特に、フラーレン骨格の下記式（Ｉ）で表わされる部分構造において、Ｃ6〜Ｃ10のうち３つの炭素原子（例えばＣ6〜Ｃ8）に置換基が付加された部分構造（これを「３重付加部分構造」という場合がある。）や、Ｃ6〜Ｃ10の全てに置換基が付加された部分構造（これを「５重付加部分構造」という場合がある。）を有するフラーレン誘導体が種々合成され、報告されている。
【０００４】
【化１】
2008239595.tif 000002
【０００５】
上記式（Ｉ）中、Ｃ1〜Ｃ10は何れも、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表わす。
なお、以下の記載では、上記式（Ｉ）で表わされる部分構造のＣ1〜Ｃ10で表わされる炭素原子を、単に「Ｃ1」〜「Ｃ10」で表わす場合がある。
【０００６】
また、以下の記載では、上述の３重付加部分構造及び／又は５重付加部分構造においてＣ6〜Ｃ10に結合する置換基を「付加置換基」という場合がある。
【０００７】
また、上述の３重付加部分構造及び／又は５重付加部分構造を有するフラーレン誘導体を、付加置換基の総数に応じて呼ぶ場合がある。この呼び名に従えば、３重付加部分構造を一つ有するフラーレン誘導体は「３重付加フラーレン誘導体」、５重付加部分構造を一つ有するフラーレン誘導体は「５重付加フラーレン誘導体」、３重付加部分構造を二つ有するフラーレン誘導体は「６重付加フラーレン誘導体」、３重付加部分構造と５重付加部分構造とを一つずつ有するフラーレン誘導体は「８重付加フラーレン誘導体」、５重付加部分構造を二つ有するフラーレン誘導体は「１０重付加フラーレン誘導体」となる。
【０００８】
また、上述の３重付加部分構造及び／又は５重付加部分構造を一つ以上有するフラーレン誘導体を、「多重付加フラーレン誘導体」と総称するものとする。
【０００９】
５重付加フラーレン誘導体のうち、例えばＣ60骨格の５重付加フラーレン誘導体は５０電子系のπ電子共役になっており、６０電子系のπ電子共役である無置換のＣ60とは異なる立体配置や電子的性質を有している。
【００１０】
また、５重付加フラーレン誘導体より置換基の付加数が少ない３重付加フラーレン誘導体として、例えば６６電子系のπ電子共役である３重付加Ｃ70誘導体も合成され報告されているが、これらの３重付加フラーレン誘導体は、無置換のＣ60やＣ70だけでなく上記５重付加Ｃ60誘導体とも異なる物性を有していることから、それぞれのフラーレン誘導体において新たな電子伝導材料、半導体、生理活性物質等として期待されている。
【００１１】
５重付加Ｃ60誘導体や３重付加Ｃ70誘導体等の多重付加フラーレン誘導体は、フラーレンの特定部位に集中的に有機基が付加した独特の構造で、且つ長いπ電子共役を有しているため、その電気化学的物性等に興味が持たれている。
【００１２】
ところで、フラーレン誘導体を電子材料や金属錯体の配位子等に利用したり、他のフラーレン誘導体の中間体として使用するためには、フラーレン誘導体が有機溶媒に対して高溶解性を示すことが好ましい。
【００１３】
多重付加フラーレン誘導体の中には、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒や、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒に溶解性を示すものが開発されている。
【００１４】
更には、安全面や揮発性等の観点から取扱が容易で、一般に工業用途で使用されている、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（以下「ＰＧＭＥＡ」という場合がある。）等に代表されるエステル溶媒に高い溶解性を示す多重付加フラーレン誘導体も開発されている（特許文献１参照）。
【００１５】
しかし、ＰＧＭＥＡへの高溶解性のみならず、アルカリ溶媒への溶解性制御や更なる反応を行なう際の反応制御が容易で、且つコスト的にメリットのある多重付加フラーレン誘導体が望まれている。
【００１６】
一方、特許文献２には、多重付加フラーレン誘導体の酸化に対する安定性を向上させる目的で、Ｃ1上にアルキル基を導入した多重付加フラーレン誘導体が開示されている。
また、非特許文献１には、多重付加フラーレン誘導体の溶解性を向上させる目的で、Ｃ1上にアルキル基を導入した多重付加フラーレン誘導体が開示されている。
【００１７】
ところが、上述の特許文献２及び非特許文献１に記載の技術の場合、多重付加フラーレン誘導体のＣ1上にアルキル基を導入する方法としては、Ｃ1に水素原子が結合した多重付加フラーレン誘導体を単離した後、種々の塩基を作用させた上で、更にアルキル化剤を添加するという方法が用いられていたが、この方法は２段階以上のステップを踏まなければならず、煩雑であった。
【００１８】
なお、上述の特許文献１及び特許文献２の何れにおいても、多重付加フラーレン誘導体のＣ1に結合する置換基として、非芳香族性の不飽和結合を有する基は、空気中での安定性が低いという理由で好ましくないとされていた。
【００１９】
【特許文献１】特開２００６−５６８７８号公報
【特許文献２】特開２００５−１５４７０号公報
【非特許文献１】Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  ２００４年，  ｐ．３２８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
ところで、上述の文献に代表される従来の技術では、各種の溶媒への溶解性を向上させる等の目的で、１又は２以上の水酸基を有するフェニル基（フェノール基）を付加置換基として有する多重付加フラーレン誘導体が合成されてきた。
【００２１】
ところが、水酸基を一つのみ有するフェニル基（１価フェノール基）を付加置換基として有する多重付加フラーレン誘導体の場合、Ｃ1に結合している有機基が水素原子やメチル基だと、ＰＧＭＥＡ等のエステル系有機溶媒に対する溶解性が十分ではなかった。より炭素数が多いアルキル基等の有機基をＣ1に導入すれば、エステル系有機溶媒に対する溶解性は向上するが、上述したように製造上の制約から、Ｃ1に水素原子が結合している多重付加フラーレン誘導体を用いて、水素原子をアルキル基に変換することにより製造していたため、製造が煩雑であり、製造コストが増大するという課題を有していた。また、空気に対して不安定な水素体を経由するため、純度が低下する可能性もあった。
【００２２】
また、二以上の水酸基を有するフェニル基（多価フェノール基）を付加置換基として有する多重付加フラーレン誘導体についても、製造手順の煩雑化や製造コストの増大を招くことなく、更にＰＧＭＥＡ等のエステル系有機溶媒に対する溶解性を向上させる方法が求められていた。
【００２３】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものである。即ち、本発明は、ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒に対して高い溶解性を有し、低コストで容易に製造可能なフラーレン誘導体と、そのフラーレン誘導体を含有する溶液、そのフラーレン誘導体を製造する方法、及びそのフラーレン誘導体を含有する膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明は、上記課題を解決するべく鋭意検討した結果、１又は２以上の水酸基を有するフェニル基（フェノール基）を付加置換基として有する多重付加フラーレン誘導体において、Ｃ1上に特定の構造を有する有機基を導入することによって、ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒に対して高い溶解性を有し、低コストで容易に製造可能なフラーレン誘導体を開発し、本発明を完成させた。
【００２５】
即ち、本発明の要旨は、フラーレン骨格の下記式（Ｉ）で表わされる部分構造において、Ｃ1が、下記式（II）で表わされる構造の有機基と結合しており、Ｃ6〜Ｃ8が各々独立に、下記式（III）で表わされる構造の有機基と結合していることを特徴とする、フラーレン誘導体に関する。
【化２】
2008239595.tif 000003
（式（Ｉ）中、Ｃ1〜Ｃ10は何れもフラーレン骨格を構成する炭素原子を表わす。）
【化３】
2008239595.tif 000004
（式（II）中、Ｒ1〜Ｒ4は各々独立に、水素原子又は置換基を表わす。Ｒ1〜Ｒ4のうち任意の二以上が互いに結合して環を形成していてもよい。）
【化４】
2008239595.tif 000005
（式（III）中、ｎは１以上５以下の整数を表わす。）
【００２６】
ここで、式（III）中のｎが１であることが好ましい（請求項２）。
【００２７】
また、式（Ｉ）中のＣ6〜Ｃ10が各々独立に、式（III）で表わされる構造の有機基と結合していることが好ましい（請求項３）。
【００２８】
また、Ｒ4の少なくとも一方が水素原子であることが好ましい（請求項４）。
【００２９】
更には、Ｒ3及びＲ4が何れも水素原子であることが好ましい（請求項５）。
【００３０】
特に、Ｒ1及びＲ2のうち何れか一方が水素原子であることが好ましい（請求項６）。
【００３１】
更には、Ｒ1及びＲ2がともに水素原子であることが好ましい（請求項７）。
【００３２】
また、式（III）中のフェニル基の少なくとも４位の炭素原子にＯＨ基が結合していることが好ましい（請求項８）。
【００３３】
また、フラーレン骨格がフラーレンＣ60であることが好ましい（請求項９）。
【００３４】
また、本発明の別の要旨は、上述のフラーレン誘導体が有機溶媒に溶解してなることを特徴とする、フラーレン誘導体溶液に存する（請求項１０）。
【００３５】
ここで、前記有機溶媒がエステル溶媒であることが好ましい（請求項１１）。
【００３６】
また、本発明の別の要旨は、上述のフラーレン誘導体を製造する方法であって、フラーレン及び／又はフラーレン中間体と少なくとも一種の遷移金属とが存在している反応系にアルケニル化剤を作用させる工程を少なくとも有することを特徴とする、フラーレン誘導体の製造方法に存する（請求項１２）。
【００３７】
ここで、前記遷移金属が長周期型周期表の第１０族及び第１１族に属する金属から選択されることが好ましい（請求項１３）。
【００３８】
更には、前記遷移金属が銅金属であることが好ましい（請求項１４）。
【００３９】
また、本発明の別の要旨は、上述のフラーレン誘導体を含むことを特徴とする、膜に存する（請求項１５）。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒に対して高い溶解性を有し、低コストで容易に製造可能なフラーレン誘導体が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【００４２】
［Ｉ．フラーレン誘導体］
本発明のフラーレン誘導体は、特定の部分構造を有するフラーレン誘導体である。
ここで、「フラーレン」とは、閉殻構造を有する炭素クラスターである。フラーレンの炭素数は、通常６０〜１３０の偶数である。
【００４３】
フラーレンの具体例としては、Ｃ60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ78、Ｃ82、Ｃ84、Ｃ90、Ｃ94、Ｃ96及びこれらよりも多くの炭素を有する高次の炭素クラスター等が挙げられる。
なお、本明細書では、炭素数ｉ（ここでｉは任意の自然数を表わす。）のフラーレン骨格を適宜、一般式「Ｃi」で表わす。
【００４４】
また、「フラーレン誘導体」とは、フラーレン骨格を有する化合物又は組成物の総称である。即ち、フラーレン誘導体には、フラーレン骨格上に置換基を有したものの他、フラーレン骨格の内部に金属や化合物等を内包するもの及び他の金属原子や化合物と錯体を形成したもの等も含まれる。
【００４５】
本発明のフラーレン誘導体が有するフラーレン骨格は制限されないが、Ｃ60又はＣ70が好ましく、Ｃ60がより好ましい。Ｃ60及びＣ70はフラーレンの製造時に主生成物として得られるので、入手が容易であるという利点がある。即ち、本発明のフラーレン誘導体は、Ｃ60又はＣ70の誘導体であることが好ましく、Ｃ60の誘導体であることがより好ましい。
【００４６】
本発明のフラーレン誘導体は、フラーレン骨格の下記式（Ｉ）で表わされる部分構造において、Ｃ1が下記式（II）で表わされる構造の有機基（アルケニル基）と結合しており、Ｃ6〜Ｃ8が各々独立に、下記式（III）で表わされる構造の有機基（フェノール基）と結合していることを特徴とする。
【００４７】
【化５】
2008239595.tif 000006
（式（Ｉ）中、Ｃ1〜Ｃ10は何れも、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表わす。）
【００４８】
【化６】
2008239595.tif 000007
（式（II）中、Ｒ1〜Ｒ4は各々独立に、水素原子又は置換基を表わす。Ｒ1〜Ｒ4のうち任意の二以上が互いに結合して環を形成していてもよい。）
【００４９】
【化７】
2008239595.tif 000008
（式（III）中、ｎは１以上５以下の整数を表わす。）
【００５０】
以下、まず式（II）で表わされる有機基（以下「Ｒ10」と表記する場合がある。）について、詳細に説明する。
【００５１】
式（II）中、Ｒ1〜Ｒ4は各々独立に、水素原子又は置換基を表わす。Ｒ1〜Ｒ4が置換基の場合、本発明のフラーレン誘導体の優れた物性を大幅に損ねるものでなければ、その種類に制限は無い。また、Ｒ1〜Ｒ4のうち任意の二以上が互いに結合して、環を形成していてもよい。
【００５２】
Ｒ1〜Ｒ4が置換基の場合、その例としては、ハロゲン原子、有機基、その他の置換基が挙げられる。
【００５３】
Ｒ1〜Ｒ4がハロゲン原子の場合、その具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００５４】
Ｒ1〜Ｒ4が有機基の場合、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基等の直鎖又は分岐状の鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基；アリル基等のアルケニル基；ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基；フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、トルイル基等のアリール基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基等のアリーロキシ基；モノメチルアミノ基、ジメチルアミノ基、モノジエチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アリーロキシカルボニル基；チエニル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、フリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基等の５員複素環基；ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピペリジル基、ピペラジル基、モルホリル基等の６員複素環基；チオホルミル基、チオアセチル基、チオベンゾイル基等のチオカルボニル基；トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、モノメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジエチルシリル基、モノエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジイソプロピルシリル基、モノイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、モノフェニルシリル基等の置換シリル基；等が挙げられる。
【００５５】
また、Ｒ1〜Ｒ4が他の置換基の場合、その具体例としては、水酸基（ヒドロキシ基）、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基、シアノ基、シリル基、ニトロ基等が挙げられる。
【００５６】
また、Ｒ1〜Ｒ4が有機基の場合には、本発明のフラーレン誘導体の優れた物性を大幅に損なわない限り、更に別の置換基を有していてもよい。Ｒ1〜Ｒ4の有機基が有していてもよい置換基の例としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、水酸基（ヒドロキシ基）、アミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子等が挙げられる。また、これらの置換基が更に一以上の置換基によって多重に置換されていてもよい。
【００５７】
Ｒ1〜Ｒ4の各々の炭素数は、通常０以上、また、通常３０以下、好ましくは２０以下、より好ましくは６以下の範囲である。Ｒ1〜Ｒ4が置換基を有する場合には、全ての置換基を含めた炭素数が、上記規定の範囲を満たすことが好ましい。
【００５８】
上記のうち、Ｒ1〜Ｒ4として好ましい基としては、水素原子；ハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基等のヒドロキシアルキル基；フェニル基；カルボキシル基；アルコキシカルボニル基；等が挙げられる。
中でも、Ｒ1〜Ｒ4としては、水素原子又は直鎖状のアルキル基が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
【００５９】
なお、これらのＲ1〜Ｒ4は全て同一の基であってもよいが、Ｒ1〜Ｒ4のうち二以上の基が互いに異なっていてもよい。Ｒ1〜Ｒ4が異なる二種以上の基を含む場合、その組み合わせも任意である。
【００６０】
また、Ｒ1〜Ｒ4のうち任意の二以上が互いに結合して、環を形成している場合、環の種類は制限されないが、例としては脂肪族炭化水素環、芳香族炭化水素環、複素環が挙げられる。中でもベンゼン環が好ましい。
【００６１】
上記式（II）のアルケニル基の原子数（炭素原子、水素原子、酸素原子、ハロゲン原子等、式（II）のアルケニル基を構成している全ての原子の総数）に制限はないが、合成上の容易さや原料調達の観点から、通常１００以下、好ましくは５０以下、より好ましくは２５以下である。
【００６２】
上記式（II）のアルケニル基におけるＲ1〜Ｒ4の組み合わせのうち、好ましい例は以下の通りである。
即ち、合成上の容易さから、Ｒ4のうち少なくとも一方、好ましくは両方が水素原子であることが望ましく、Ｒ4に加えてＲ3も水素原子であることがより望ましい。また、Ｒ1及びＲ2のうち少なくとも一方、好ましくは両方が水素原子であることが望ましい。特に、コスト低減化の観点からは、Ｒ1〜Ｒ4の全てが水素原子であることがとりわけ望ましい。この場合、上記式（II）のアルケニル基は、アリル基となる。
また、Ｒ1とＲ3とが結合してベンゼン環を形成し、Ｒ2及びＲ4が全て水素原子であることも好ましい。この場合、上記式（II）のアルケニル基は、ベンジル基となる。
【００６３】
続いて、式（III）で表わされる有機基（以下適宜「Ｒ20」と表記する。）について、詳細に説明する。
【００６４】
式（III）において、ｎはフェニル基に結合する水酸基の数を示し、通常１以上、５以下の整数を表わす。即ち、式（III）で表わされる有機基Ｒ20は、１以上５以下の水酸基（ＯＨ基）を有するフェニル基、即ち、１価〜５価のフェノール基である。
【００６５】
中でも、式（III）において、ｎは通常３以下であることが好ましく、１であることが最も好ましい。従来知られていた、水酸基が２個以上結合したフェニル基を付加置換基として有するフラーレン誘導体は、ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒に対して非常に高い溶解性を有するため、高い溶解性を必要とする用途に関してはこれら水酸基が２個以上結合したフェニル基を付加置換基とするフラーレン誘導体が好ましいが、これらを使って更に目的物を得る原料中間体とした場合には、水酸基の数が多過ぎて反応制御が困難になる場合があった。このため、式（III）において、フェニル基に結合する水酸基の数は、１である
ことが最も好ましい。
【００６６】
また、従来知られていた、水酸基に保護基を導入したフェノール基を付加有機基として有するフラーレン誘導体は、エステル溶媒に対して高溶解性を示すものの、その化合物自身がアルカリ溶媒に溶解しないことや、水酸基が保護されることにより反応中間体としての役割を担うことができないといった課題を有していた。これに対し本発明のフラーレン誘導体は、Ｃ1に上述のＲ10が存在することにより、Ｒ20のフェノール基が有する水酸基に保護基を導入しなくとも、エステル溶媒に対して高溶解性を示すため、従来技術に伴うこのような課題も有していない。
【００６７】
式（III）においてｎが１の場合、水酸基がフェニル基に結合する位置は限定されず任意であるが、原料調達の観点から、フェニル基の４位の炭素原子に結合していることが好ましい。すなわち、Ｒ20は、水酸基が４位に結合しているフェノール基であることが最も好ましい。
【００６８】
一方、式（III）においてｎが２以上の場合も、個々の水酸基がフェニル基に結合する位置や、複数の水酸基の相対的な位置関係は、制限されず任意である。
【００６９】
なお、式（III）では１以上５以下の水酸基を有するフェニル基を示しているが、フェニル基に換えてビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の他の芳香環基を用いることも可能である。この場合、芳香環基に結合する水酸基の数は、芳香環基の種類に応じて適宜調整することが可能である。但し、原料調達の観点からはフェニル基が好ましい。
【００７０】
本発明のフラーレン誘導体では、式（Ｉ）のＣ6〜Ｃ8は各々独立に、上記式（III）で表わされる有機基（Ｒ20）と結合している。エステル溶媒に対する溶解性を高める観点からは、Ｃ6〜Ｃ8のみならず、Ｃ6〜Ｃ10の全てが各々独立にＲ20と結合していることが望ましい。なお、Ｒ20は互いに同一であっても異なっていてもよいが、合成が容易である点から、Ｒ20は全て同一の基であることが好ましい。
【００７１】
本明細書では、式（Ｉ）のＣ1が式（II）で表わされる有機基（Ｒ10）と結合し、Ｃ6〜Ｃ8が各々独立に式（III）で表される有機基（Ｒ20）と結合した部分構造を、「本発明の３重付加部分構造」という場合がある。また、式（Ｉ）のＣ1が式（II）で表わされる有機基（Ｒ10）と結合し、Ｃ6〜Ｃ10が各々独立に式（III）で表される有機基（Ｒ20）と結合した部分構造を、「本発明の５重付加部分構造」という場合がある。
【００７２】
本発明のフラーレン誘導体の例を以下に挙げる。但し、本発明のフラーレン誘導体は、以下に挙げる例に制限されるものではない。
・フラーレン骨格上に本発明の３重付加部分構造を１つ有する、一般式Ｃi（Ｒ20）3（Ｒ10）で表わされる３重付加フラーレン誘導体。
・フラーレン骨格上に本発明の５重付加部分構造を１つ有する、一般式Ｃi（Ｒ20）5（Ｒ10）で表わされる５重付加フラーレン誘導体。
・フラーレン骨格上に本発明の３重付加部分構造を２つ有する、一般式Ｃi（Ｒ20）6（Ｒ10）2で表わされる６重付加フラーレン誘導体。
・フラーレン骨格上に本発明の３重付加部分構造を１つ、本発明の５重付加部分構造を１つ有する、一般式Ｃi（Ｒ20）8（Ｒ10）2で表わされる８重付加フラーレン誘導体。
・フラーレン骨格上に本発明の５重付加部分構造を２つ有する、一般式Ｃi（Ｒ20）10（Ｒ10）2で表わされる１０重付加フラーレン誘導体。
【００７３】
これらの中でも、本発明のフラーレン誘導体としては、フラーレン骨格上に本発明の５重付加部分構造を１つ有する、一般式Ｃi（Ｒ20）5（Ｒ10）で表わされる５重付加フラーレン誘導体が、製造が容易であるため好ましい。
【００７４】
なお、本発明のフラーレン誘導体において、上記式（Ｉ）の部分構造は、フラーレン骨格の閉殻構造の内側から観察される構造であってもよく、外側から観察される構造であってもよい。言い換えれば、あるフラーレン誘導体を、そのフラーレン骨格の閉殻構造の内側又は外側から観察した場合に、本発明の３重付加部分構造及び／又は５重付加部分構造が少なくとも１つ存在すれば、本発明のフラーレン誘導体に該当するものとする。
【００７５】
本発明のフラーレン誘導体は、エステル溶媒に可溶、即ち、エステル溶媒に対する溶解性が高いという特徴を有する。
なお、本明細書において、フラーレン誘導体が「エステル溶媒に可溶」であるとは、フラーレン誘導体をエステル溶媒に混合し、超音波照射を１０分かけた後、目視で沈殿物や不溶分が検出されないことを意味する。具体的には、２５℃、常圧下において、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）又は乳酸エチルの何れかのエステル溶媒に対して、エステル溶媒の単位体積（１ｍＬ）あたり、フラーレン誘導体が１０ｍｇ以上溶解する場合には、そのフラーレン誘導体はエステル溶媒に対して可溶、即ち、エステル溶媒に対する溶解性が高いと判断する。
【００７６】
本発明のフラーレン誘導体をエステル溶媒に溶解させて用いる場合、エステル溶媒の種類は、本発明のフラーレン誘導体が溶解するものであれば制限されないが、例としては酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸フェニル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸フェニル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、乳酸メチル、乳酸エチル等の直鎖状のエステル類；γ−ブチロラクトン、カプロラクトン等の環状エステル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール−１−モノエチルエーテルアセテート等のエーテルエステル類等が挙げられる。中でも直鎖状のエステル類やエーテルエステル類が好ましく、具体的にはプロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）、乳酸エチルが好ましい。なお、これらのエステル溶媒は、何れか１種を単独で用いても、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても構わない。
【００７７】
これらのエステル溶媒は、ＤＶＤ、ＣＤ等の光ディスク材料の製造、半導体集積回路の作製、半導体集積回路作製用マスクの製造、液晶用集積回路の作製、液晶画面製造用レジスト材料用等の溶媒として一般的に使用されているエステル溶媒である。特に、従来開発されているＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーに加えて、ＥＵＶ（極端紫外光）やＥＢなどの光源短波長化に適応したフォトレジストや反射防止膜の機能を有した下層膜材料としてのフォトレジスト、ナノインプリント及び層間絶縁膜用として好適に用いられる溶媒である。従って、これらのエステル溶媒に可溶であること、即ち、これらのエステル溶媒に対する溶解性が高いことは、本発明のフラーレン誘導体を、上記のような産業上広く使用されている溶媒に溶解することが可能であることを示している。また、これらエステル溶媒に溶解する場合、同様に他の有機溶媒に可溶である場合が多く、色素増感太陽電池、有機薄膜太陽電池等の有機太陽電池や有機トランジスタ・ダイオード、有機ＥＬ、非線形光学材等の有機デバイス全般、樹脂添加剤、潤滑剤、絶縁膜やキャパシタ等のコーティング材、燃料電池、金属添加剤、触媒用など多方面での産業分野に使用できることを示している。
【００７８】
上述のエステル溶媒に対するフラーレン誘導体の好ましい溶解度の値は、フラーレン誘導体の用途によって異なるが、例えば、半導体集積回路作製、半導体集積回路作製用マスクの製造、液晶用集積回路作製及び液晶画面製造用レジスト材料用途の塗膜を本発明のフラーレン誘導体を用いて形成するためには、本発明のフラーレン誘導体はエステル溶媒に対して、通常１０ｍｇ／ｍＬ以上、好ましくは５０ｍｇ／ｍＬ以上、より好ましくは１００ｍｇ／ｍＬ以上の溶解度を有することが望ましい。
【００７９】
本発明のフラーレン誘導体がエステル溶媒に対する高い溶解性を有する理由は定かでは無いが、本発明者が推察するところによると、Ｒ20のフェノール基が有する水酸基の酸性度に加え、炭素数が３以上のアルケニル基であるＲ10をＣ1上に導入することにより、フラーレン誘導体同士の積み重ねが抑制され、分子相互作用が低下するためであると考えられる。
【００８０】
また、Ｒ20が多価フェノール基である場合、高い酸性度による従来の高溶解性に加え、炭素数が３以上のアルケニル基であるＲ10をＣ1上に導入することによりフラーレン誘導体同士の分子相互作用が低減化され、これが多価フェノール基（Ｒ20）の導入による効果と相俟って相乗効果を生じることにより、どちらか一方の効果のみの場合から予想される程度を上回るエステル溶媒への高い溶解性を発現しているものと考えられる。
【００８１】
ところで、本発明のフラーレン誘導体は、そのエステル溶液を用いて製膜した場合に、当該膜が特定の吸収スペクトルを有する。このように、上記溶解性に加えて、膜状態での特定の吸収スペクトルを有することで、本発明のフラーレン誘導体は、製造装置で使われる光源波長や装置に対して、全体として効率的な製造を実現する設計が可能になる。更に、液浸装置や洗浄装置においては、特定の接触角を有することで処理効果や液混合・拡散を防止する設計を可能とする。これら特定吸収スペクトルは、その他に光学フィルター等の光学部品等に、また、特定接触角は、塗布による保護膜等への応用が可能である。
【００８２】
また、本発明のフラーレン誘導体は、アルカリ溶媒に可溶、即ち、アルカリ溶媒に対する溶解性が高いという特徴を有する。
なお、本明細書において、フラーレン誘導体が「アルカリ溶媒に可溶」であるとは、フラーレン誘導体をアルカリ溶媒に混合し、超音波照射を１０分かけた後、目視で沈殿物や不溶分が検出されないことを意味する。具体的には、２５℃、常圧下において、水酸化ナトリウム水溶液に対して、水酸化ナトリウム水溶液の単位体積（１ｍＬ）あたり、フラーレン誘導体が５０ｍｇ以上溶解する場合には、そのフラーレン誘導体はアルカリ溶媒に対して可溶、即ち、アルカリ溶媒に対する溶解性が高いと判断する。
【００８３】
本発明のフラーレン誘導体をアルカリ溶媒に溶解させて用いる場合、アルカリ溶媒の種類は、本発明のフラーレン誘導体が溶解するものであれば制限されないが、例としては、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、メチルジエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ−（５，４，０）−７−ウンデセン、ジメチルエタノールアミン等のアルカリ有機溶媒や、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化リチウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸リチウム水溶液、炭酸カルシウム水溶液、アンモニア水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等のアルカリ水溶液等が挙げられる。アルカリ水溶液の場合、その溶質の濃度は任意である。
【００８４】
中でも、アルカリ溶媒としては、アルカリ水溶液が好ましく、製品への金属混入を避ける必要がある用途に関しては、非金属系のアルカリ水溶液であるアンモニア水溶液やテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等の水溶液が好ましい。
なお、これらのアルカリ溶媒は、何れか１種を単独で用いても、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても構わない。
【００８５】
また、上述のアルカリ溶媒に対するフラーレン誘導体の好ましい溶解度の値は、フラーレン誘導体の用途によって異なるが、アルカリ溶媒に対して、通常５０ｍｇ／ｍＬ以上、好ましくは１００ｍｇ／ｍＬ以上の溶解度を有することが望ましい。
【００８６】
本発明のフラーレン誘導体がアルカリ溶媒に対する高い溶解性を有する理由は、本発明者が推察するところによると、フェノール性の水酸基を含む基であるＲ20が３個以上、局所的且つ位置選択的にフラーレン骨格に結合していることにより、疎水性のフラーレン骨格を有していながらアルカリ溶媒に対する親和性が上がっているためと考えられる。
【００８７】
また、本発明のフラーレン誘導体は、熱的安定性が非常に高い。これは、本発明のフラーレン誘導体がフラーレン骨格のπ電子共役を大量に保持しているうえ、炭素―炭素結合で置換基が結合しているためである。本発明のフラーレン誘導体は、通常の有機物では熱分解が始まる温度においても、分解することなく安定に存在することができる。そのため、通常の有機物では分解して用いることができない耐熱性を要する用途に関しても、本発明のフラーレン誘導体を好適に用いることができる。
【００８８】
なお、本発明のフラーレン誘導体の熱安定性に関する評価は、高温による耐熱性試験を行なってもよいし、迅速に測定できるＴＧ−ＤＴＡ（示差熱熱重量同時測定）を用いて評価してもかまわない。なお、ＴＧ−ＤＴＡで評価する場合、流通させるガスの種類や量、パンの種類、昇温速度や測定上限温度、サンプル量などは測定したい物性に併せて、任意に選択することができる。
【００８９】
［II．フラーレン誘導体の製造方法］
本発明のフラーレン誘導体を製造する方法には制限は無く、任意の方法により製造することができる。以下に本発明のフラーレン誘導体の製造方法の例を示すが、本発明のフラーレン誘導体を製造する方法は、以下の例に限定されるものではない。
【００９０】
従来、Ｃ1に有機基が結合した３重付加部分構造及び／又は５重付加部分構造を有するフラーレン誘導体の一般的な製造方法は既に確立されており、具体的には上記の特許文献２（特開２００５−１５４７０号公報）、非特許文献１（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  ２００４年，  ｐ．３２８）に記載されている方法等を参照することができる。この方法は上述のように、Ｃ1に水素原子が結合した３重付加部分構造及び／又は５重付加部分構造を有するフラーレン誘導体（これを以下「水素化体」と言うことがある。）を一度単離した後、適当な塩基で処理した上で、有機基を導入する製法である。
【００９１】
本発明のフラーレン誘導体も上記文献記載の方法で製造することは可能であり、その場合の反応温度、溶媒の種類、試薬の添加順序、反応時間等の諸条件としては、上記文献記載の条件を採用することが可能である。しかし、上記文献記載の方法は、不安定な水素化体を経由しなければいけないことや、水素化体を一度単離した後、適当な塩基で処理した上で有機基を導入する必要がある等、化合物純度の観点でも製造コストの観点でも課題が残る製法であった。
【００９２】
本発明では、式（II）の有機基（Ｒ10）を導入し得る原料として特定のアルケニル化剤を用い、これをフラーレン及び／又はフラーレン中間体（ここでフラーレン中間体とは、本発明のフラーレン誘導体の製造の中間体となり得るフラーレン誘導体を指す。）と少なくとも一種の遷移金属とが存在している反応系に作用させる工程を有する製造方法（これを「本発明の製造方法」という場合がある。）によって、不安定な水素化体を単離することなく本発明のフラーレン誘導体を製造することができる。
【００９３】
以下、本発明の製造方法について詳しく説明する。
本発明の製造方法の原料としては、フラーレン、遷移金属、グリニャール（Ｇｒｉｇｎａｒｄ）試薬、及び式（II）の有機基（Ｒ10）を導入し得る原料（アルケニル化剤）を用いる。
【００９４】
フラーレンとしては、上記［Ｉ．フラーレン誘導体］の欄でフラーレンの具体例として挙げた各種のフラーレンを用いることができる。フラーレンは何れか一種を単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００９５】
式（II）の有機基（Ｒ10）を導入する原料（アルケニル化剤）としては、通常、前記式（II）の有機基（Ｒ10）と脱離基Ｘとが結合した構造の化合物を用いる。
脱離基Ｘとしては、求核置換反応の脱離基となり得る基であればその種類に制限はないが、例としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基等のアシロキシ基；メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基等のスルホニルオキシ基；等が挙げられる。中でも、反応性や原料調達の観点から、脱離基Ｘとしてはハロゲン原子が好ましく、特に臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。
【００９６】
式（II）の有機基（Ｒ10）の具体的な構造（Ｒ1〜Ｒ4の種類と組み合わせ）は、上述の通り任意であり、目的とする本発明のフラーレン誘導体の構造に合わせて選択すればよい。
【００９７】
本発明の製造方法に使用可能なアルケニル化剤のうち、合成の容易さから好ましいものとしては、式（II）のＲ1〜Ｒ4が全て水素原子であるアリルブロマイドやアリルアイオダイド；式（II）のＲ1及びＲ2の何れか１つがメチル基に置換されたクロチルブロマイド、クロチルアイオダイド；式（II）のＲ1及びＲ2がともにメチル基に置換された１−ブロモ−３−メチル−２−ブテン、１−ヨード−３−メチル−２−ブテン；式（II）のＲ1及びＲ2の何れか１つがフェニル基に置換されたシンナミルブロマイド、シンナミルイオダイド；Ｒ1とＲ3とがベンゼン環を形成したベンジルブロマイド、ベンジルアイオダイド；等が挙げられる。中でも、コスト的に有利なアリルブロマイドやアリルアイオダイドが特に好ましい。
【００９８】
これらのアルケニル化剤は、何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよいが、単一の化合物を得るためには、何れか１種のみを単独で使用することが好ましい。
【００９９】
アルケニル化剤の使用量は、フラーレンに対して、通常１倍モル以上、好ましくは５倍モル以上、また、通常１００倍モル以下、好ましくは５０倍モル以下とすることが望ましい。アルケニル化剤の量が多過ぎると、製造コストの点で不利となる場合があり、アルケニル化剤の量が少な過ぎると、反応系中に残存しているグリニャール試薬と反応して、反応が途中で停止してしまい、目的とする化合物（本発明のフラーレン誘導体）が得られなくなる場合がある。
【０１００】
本発明の製造方法では、反応系に少なくとも一種の遷移金属を存在させる。
遷移金属の種類は制限されないが、長周期型周期表の第１０族及び第１１族に属する金属から選択される遷移金属であることが好ましく、中でも反応性の観点から、第１１族金属である銅金属が特に好ましい。
なお、反応系に存在させる遷移金属としては、何れか一種のみを単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１０１】
これらの遷移金属としては、反応が進行すれば、遷移金属の単体を使用してもよく、遷移金属の化合物又は錯体を使用してもよい。
遷移金属の化合物又は錯体の例としては、臭化銅ジメチルスルフィド錯体、臭化銅ジブチルスルフィド錯体、ヨウ化銅ジメチルスルフィド錯体、ヨウ化銅ジブチルスルフィド錯体、塩化銅ジメチルスルフィド錯体、塩化銅ジブチルスルフィド錯体、シアン化銅、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、有機銅−ホスフィン錯体、フッ化銀、塩化銀、臭化銀、ヨウ化銀、フッ化金、塩化金、ヨウ化金、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケル、塩化白金、臭化白金、ヨウ化白金、ニッケルシクロオクタジエン錯体、パラジウムシクロオクタジエン錯体、白金シクロオクタジエン錯体、ニッケル−ホスフィン錯体、パラジウム−ホスフィン錯体、白金−ホスフィン錯体等が挙げられるが、反応性の観点から、第１１族金属で且つ１価の金属錯体である臭化銅、臭化銅ジメチルスルフィド錯体が好ましい。
遷移金属の単体、化合物及び錯体は、何れか一種のみを単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１０２】
反応系中の遷移金属の含有量は、原料フラーレンに対する比率で、通常４倍モル以上、好ましくは６倍モル以上、また、通常３２倍モル以下、好ましくは１６倍モル以下とすることが望ましい。遷移金属の含有量が多過ぎると製造上コストが増大するうえ、フラーレン誘導体との分離が困難となる場合があり、少な過ぎると反応が完結しない場合がある。なお、二種以上の遷移金属を併用する場合には、それらの合計量が上記範囲を満たすようにすることが望ましい。
【０１０３】
本発明の製造方法では、少なくとも上述のフラーレン、遷移金属、グリニャール試薬及びアルケニル化剤を使用すればよいが、更に反応溶媒を使用してもよい。
【０１０４】
反応溶媒を使用する場合、上述のフラーレン及び／又はフラーレン中間体、アルケニル化剤、及び遷移金属を好適に溶解及び又は分散させることが可能な溶媒であれば、その種類は、制限されないが、例としてはオルトジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）、クロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン置換芳香族溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等の芳香族溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン炭化水素溶媒；ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、メチルシクロペンチルエーテル等のエーテル溶媒；ピリジン、メチルピリジン、ジメチルピリジン等のピリジン溶媒が挙げられる。中でもフラーレン及び／又はフラーレン中間体を好適に溶解させるハロゲン置換芳香族溶媒とグリニャール試薬を安定に溶解させるエーテル溶媒の組み合わせが好ましく、具体的にはＯＤＣＢとＴＨＦを同時に用いることが好ましい。
なお、上述の反応溶媒は、何れか一種のみを単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１０５】
反応溶媒を使用する場合、その使用量は、原料フラーレンに対する比率で、通常１ｍｇ／ｍＬ以上、好ましくは５ｍｇ／ｍＬ以上、また、通常４０ｍｇ／ｍＬ以下、好ましくは２０ｍｇ／ｍＬ以下とすることが望ましい。反応溶媒の使用量が多過ぎると原料濃度が薄くなり、反応速度が遅くなる場合があり、少な過ぎると原料並びに生成物が溶解できず、反応が完全に進行しない場合がある。なお、二種以上の反応溶媒を併用する場合には、それらの合計量が上記範囲を満たすようにすることが望ましい。
【０１０６】
また、本発明の製造方法では、通常上述のアルケニル化剤を作用させる反応の前に、式（Ｉ）の部分構造のＣ6〜Ｃ8やＣ6〜Ｃ10に式（III）の有機基（Ｒ20）を付加する反応を行なうことが望ましい。Ｒ20の付加は、上記の特許文献２や非特許文献１に記載されている手法に従って、反応系にグリニャール試薬を共存させ、フラーレン及び／又はフラーレン中間体に作用させることにより行なう。
【０１０７】
グリニャール試薬としては、例えば、Ｒ20−ＭＸ’で表わされる化合物を使用することができる。
ここで、Ｒ20については上述の通りであり、目的とする本発明のフラーレン誘導体の構造に応じて選択すればよい。
Ｍは、金属元素を表わす。例としてはＭｇ、Ｚｎ、Ｈｇ、Ｌｉ等が挙げられるが、Ｍｇ（マグネシウム）が好ましい。
また、Ｘ’は、ハロゲン原子を表わす。例としては塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられるが、臭素原子、ヨウ素原子が好まく、臭素原子が特に好ましい。
【０１０８】
また、通常は、上述のＲ20−ＭＸ’において、Ｒ20が有する水酸基に保護基を導入した化合物を、グリニャール試薬として使用することが望ましい。
Ｒ20が有する水酸基に導入される保護基の例としては、メチル基、テトラヒドロピラニル基、シリル基等が挙げられる。
保護基の導入方法としては、保護基によって異なるが、例えばテトラヒドロピラニル基の場合は、弱酸存在下でジヒドロピランを作用させる等の手法が挙げられる。
【０１０９】
上述のグリニャール試薬を使用する場合、その使用量は、原料フラーレンに対する比率で、通常４倍モル以上、好ましくは６倍モル以上、また、通常３２倍モル以下、好ましくは１６倍モル以下とすることが望ましい。グリニャール試薬の使用量が多過ぎると製造上コストが増大する上、反応停止に使用するアルケニル化剤を大量に必要とする場合があり、少な過ぎると反応が完結しない場合がある。
なお、グリニャール試薬は、何れか一種のみを単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。二種以上のグリニャール試薬を併用する場合には、それらの合計量が上記範囲を満たすようにすることが望ましい。
【０１１０】
上述のフラーレン及び／又はフラーレン中間体、アルケニル化剤、遷移金属の単体及び／又は錯体、グリニャール試薬並びに、必要に応じて用いられる反応溶媒等を混合する順序や反応条件は、アルケニル化反応が進行する限り、任意である。
【０１１１】
但し、通常は、反応溶媒中に遷移金属の単体及び／又は錯体が懸濁している状態で、グリニャール試薬を入れた後、フラーレン及び／又はフラーレン中間体を加え、次いでアルケニル化剤を加えることが好ましい。この手順によれば、アルケニル化剤を加える段階で、Ｒ20が付加されたフラーレン誘導体と遷移金属とが錯体構造を有する中間体を形成していると考えられるので、その段階でアルケニル化剤を加えることが効果的である。
なお、Ｃ60誘導体及び／又はＣ70誘導体と銅金属とで形成される中間体に関しては、「季刊・化学総説４３  炭素第三の同素体  フラーレンの化学」１６９〜１７０ページに、その推定構造が記載されている。
【０１１２】
反応時の温度条件は制限されないが、一般的には、反応系にアルケニル化剤を加えた後の反応系の温度を、通常０℃以上、好ましくは１５℃以上、また、通常１００℃以下、好ましくは７０℃以下とすることが望ましい。
反応時間も制限されないが、一般的には、反応系にアルケニル化剤を加えた後、通常３０分以上、好ましくは２時間以上、また、通常数十時間以下、好ましくは１０時間以下に亘って反応させることが望ましい。
【０１１３】
アルケニル化剤は、通常、フラーレンの転化率が所定の数値以上になった段階で反応系中に加えられるが、生成物の酸化防止のために、窒素バブリングや真空脱気等脱気操作を行なってから反応系に加えることが好ましい。製造に関する他の操作は、これまで上述の特許文献２や非特許文献１等で報告されている方法を採用することが出来る。
【０１１４】
なお、これら特定のアルケニル化剤を反応系に存在させるだけで、Ｒ10をフラーレン骨格に導入できる明確な理由は分かっていないが、中間体として存在すると考えられるフラーレン誘導体−銅錯体の中間体に対してアルケニル化剤がπ−アリル配位した後、選択的に還元脱離するためと考えられる。特に、上述の式（II）で表わされる特定の構造の有機基（Ｒ10）を選択することにより、特異な反応性を示すものと推測される。
【０１１５】
上述の反応において、グリニヤール試薬としてＲ20の水酸基に保護基が導入された化合物を用いた場合、反応により生成する本発明のフラーレン誘導体は、Ｒ20の水酸基に保護基が導入された状態となっている（これを以下「水酸基保護フラーレン誘導体」という場合がある）。よって、得られた水酸基保護フラーレン誘導体に対し、保護基の種類に対応した脱保護剤を作用させ、保護基を脱離させる（この反応を「脱保護反応」という場合がある。）ことで、目的とする本発明のフラーレン誘導体を製造することができる。
【０１１６】
保護基がメチル基である場合、脱保護剤の例としては、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三塩化アルミニウム、トリメチルシリルヨージド等が挙げられる。中でも、反応性の観点から、三臭化ホウ素、トリメチルシリルヨージドが好ましい。なお、これらの脱保護剤の取扱が困難な場合は、ｉｎ  ｓｉｔｕで発生させる方法を用いても構わない。
これらの脱保護剤の使用量は、対応する保護基（メチル基）に対する割合で、通常１倍モル以上、好ましくは１．２倍モル以上、より好ましくは１．４倍モル以上、また、通常１０倍モル以下、好ましくは５倍モル以下、より好ましくは３倍モル以下とすることが望ましい。脱保護剤の使用量が多過ぎると、製造コストの点で不利となる場合があり、脱保護剤の使用量が少な過ぎると、反応が完結しない場合がある。
【０１１７】
また、保護基がテトラヒドロピラニル基の場合、脱保護剤の例としてはパラトルエンスルホン酸、メタトルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、硫酸等の酸性物質が挙げられる。中でも、反応性の観点から、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸が好ましい。
これらの脱保護剤は、対応する保護基（テトラヒドロピラニル基）に対する割合で、通常０．０１倍モル以上、好ましくは０．０３倍モル以上、また、通常２倍モル以下、好ましくは１倍モル以下とすることが望ましい。脱保護剤の使用量が多過ぎると、製造コストの点で不利となったり、化合物へのコンタミ影響が大きくなったりする場合があり、脱保護剤の使用量が少な過ぎると、反応時間が長くなる場合がある。
【０１１８】
上記の脱保護反応は、通常、水酸基保護フラーレン誘導体を有機溶媒に溶解又は懸濁させた状態で行なう。反応に使用する有機溶媒は、脱保護反応を阻害したり、好ましからぬ反応を生じるものでない限り、任意に選択して構わない。有機溶媒の具体例としては、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、塩化メチレン等のハロゲン系炭化水素；トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；等が挙げられる。これらの有機溶媒は、何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１１９】
水酸基保護フラーレン誘導体に対して使用する有機溶媒の量は任意であるが、有機溶媒中における水酸基保護フラーレン誘導体の濃度が、通常１ｍｇ／ｍＬ以上、好ましくは１０ｍｇ／ｍＬ以上、より好ましくは１５ｍｇ／ｍＬ以上、また、通常１０００ｍｇ／ｍＬ以下、好ましくは５００ｍｇ／ｍＬ以下、より好ましくは１００ｍｇ／ｍＬ以下となるようにすることが望ましい。
【０１２０】
また、何れの脱保護反応に関しても、反応が進行すれば、水酸基保護フラーレン誘導体、脱保護剤、有機溶媒等の混合順序は問わない。更に、脱保護反応が進行すれば、反応条件も任意である。
但し、その温度条件は、脱保護反応の種類によって大きく異なるが、通常０℃以上、好ましくは１５℃以上、また、通常１８０℃以下、好ましくは１２０℃以下とすることが望ましい。
また、反応時間は、通常３０分以上、好ましくは２時間以上、また、通常数十時間以下、好ましくは１０時間以下とすることが望ましい。
【０１２１】
反応終了後、通常は、生成した本発明のフラーレン誘導体を反応液から常法により単離する。単離操作は、各反応の種類によって異なるが、例えば、反応液をそのままヘキサン等の貧溶媒で晶析したり、反応液にイオン交換水や亜硫酸水溶液等を加えて反応を停止させ、そのまま適当な溶媒で抽出した後、分液し溶媒を留去することにより、生成物を単離することができる。
【０１２２】
得られた本発明のフラーレン誘導体は、必要に応じて適宜、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、アルミナカラムクロマトグラフィー、再結晶等の手法で精製してもよい。単離収率は、上述の好ましい反応条件で行なえば、通常６０％以上、好ましくは８０％以上である。
【０１２３】
なお、本発明のフラーレン誘導体は、通常、プロトン核磁気共鳴スペクトル法（以下適宜「1Ｈ−ＮＭＲ」という。）、カーボン核磁気共鳴スペクトル法（以下適宜「13Ｃ−ＮＭＲ」という。）、赤外線吸収スペクトル法（以下適宜、「ＩＲ」という）、質量分析法（以下適宜「ＭＳ」という。）、元素分析等の一般的な有機分析により、その構造を確認することができる。この他、フラーレン誘導体の結晶性がよい場合は、Ｘ線結晶回折法によって構造を確認できる場合もある。
【０１２４】
［III．フラーレン誘導体溶液］
本発明のフラーレン誘導体は、適切な溶媒に溶解させて溶液とすることにより、上記記載の様々な用途に用いることができる。本発明のフラーレン誘導体を溶媒に溶解させた溶液を、適宜「本発明のフラーレン誘導体溶液」或いは単に「本発明の溶液」という。
【０１２５】
本発明の溶液において、本発明のフラーレン誘導体は溶媒に完全溶解していることが好ましいが、一部溶解できずに懸濁していてもよく、或いは沈殿していても構わない。
【０１２６】
本発明の溶液における溶媒の種類は任意であるが、好ましい例としては、有機溶媒が挙げられる。
有機溶媒としては、これまで公知になっている任意の溶媒を用いることができるが、本発明のフラーレン誘導体は水酸基を有することから、極性有機溶媒に対して高い溶解性を示すことが特徴である。
【０１２７】
極性有機溶媒の種類は制限されないが、例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル類（エステル溶媒）；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール等のエーテルアルコール類；前記エーテルアルコール類と酢酸等の酸とのエステル化合物であるエーテルエステル類（エステル溶媒）；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシド；等が挙げられる。これらの極性有機溶媒は、何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１２８】
中でも、本発明の溶液の溶媒としては、工業的な用途で用いられることが多い観点で、エステル溶媒を使用することが好ましく、特に、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）、乳酸エチル等の高沸点エステル溶媒を用いることが好ましい。
【０１２９】
また、本発明の溶液における溶媒として、アルカリ溶媒も好ましく用いられる。
アルカリ溶媒の種類は、本発明のフラーレン誘導体が溶解するものであれば制限されないが、例としては、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、メチルジエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ−（５，４，０）−７−ウンデセン、ジメチルエタノールアミン等のアルカリ有機溶媒や、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化リチウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸リチウム水溶液、炭酸カルシウム水溶液、アンモニア水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等のアルカリ水溶液等が挙げられる。アルカリ水溶液の場合、その溶質の濃度は任意である。これらのアルカリ溶媒は、何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１３０】
また、本発明のフラーレン誘導体の優れた物性を大幅に損ねるものでなければ、本発明の溶液は、本発明のフラーレン誘導体及び溶媒に加えて、その他の成分を含有していてもよい。その他の成分は１種単独で含有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で含有していてもよい。
【０１３１】
なお、本発明のフラーレン誘導体を溶媒に溶解させることができれば、本発明の溶液の調製方法に制限はないが、通常、所定の装置で攪拌しながら溶解させる手法や、超音波を照射する手法等が挙げられる。また、本発明のフラーレン誘導体及び溶媒、並びに必要に応じて用いられるその他の成分の混合順序も、特に制限はない。
【０１３２】
本発明の溶液は、安定性や操作性の観点から、通常２５℃程度で調製されるが、溶媒の沸点以下であれば、加熱しながら溶解させ、保管することができる。
また、本発明のフラーレン誘導体が析出する可能性があるが、２５℃以下の低温下で調製、保管することもできる。
【０１３３】
［IV．フラーレン誘導体膜］
本発明のフラーレン誘導体は、上述した溶媒、特にエステル溶媒、ケトン溶媒、エーテル溶媒等の有機溶媒に高溶解性を示すため、上記フラーレン誘導体溶液を塗布し、乾燥することでフラーレン誘導体を含む膜（以下適宜、「フラーレン誘導体膜」という）を製造することができる。この際用いるフラーレン誘導体溶液には、フラーレン誘導体及び溶媒のほか、本発明のフラーレン誘導体が有する優れた物性を大幅に損ねるものでなければ、他の任意の化合物が含有されていてもかまわない。
【０１３４】
塗布方法は任意であるが、例えば、スプレー法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法などを用いることができる。
また、塗布する対象に制限は無いが、通常は基板に塗布される。その基板にも制限はなく、例えば、有機被膜、シリコン基板、ポリシリコン膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜などのシリコン被膜、金属配線などの無機被膜などが挙げられる。
【０１３５】
形成した塗布膜の乾燥方法に制限は無いが、通常は加熱乾燥を行なう。具体的な加熱乾燥処理の内容は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常は、８０〜３００℃で１０秒から３００秒の範囲で加熱を行なうことが好ましい。本発明のフラーレン誘導体は通常の有機化合物に比べて熱安定性に優れるため、熱分解することなく安定な膜を形成することができる。また、加熱は大気下や、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下で行なうことが好ましい。
【０１３６】
本発明のフラーレン誘導体膜における膜厚は、用途によって大きく異なり一律に限定することはできないが、通常１０ｎｍ以上、好ましくは３０ｎｍ以上であり、また、通常１，０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。
【０１３７】
本発明のフラーレン誘導体膜は、通常は均一な膜となる。また、本発明のフラーレン誘導体膜は、分光エリプソメーターなどで屈折率（ｎ値）及び消衰係数（ｋ値）を測定することができる。また、これらの測定値を用い、本発明のフラーレン誘導体膜の誘電率や反射率を計算することができる。これらの光学定数は、そのフラーレン誘導体膜の用途によって求められる数値が大きく異なっている。さらに、前記の光学特性は、同じ用途でも、プロセスの種類や、フラーレン誘導体膜に含有される他の成分の種類や量によっても、求められる数値が大きく異なっている。よって、本発明のフラーレン誘導体膜が有する優れた物性を効果的に活用できる用途に用いることが好ましい。なかでも、本発明のフラーレン誘導体膜は、その成分であるフラーレン誘導体が、フラーレン骨格のπ電子共役を大量に保持しているうえ、置換基としてフェニル環が導入されているため、高エッチング耐性が期待できることから、フォトレジスト用途に好適に用いられる。
【０１３８】
［Ｖ．フラーレン誘導体、フラーレン誘導体溶液及びフラーレン誘導体膜の用途］
本発明のフラーレン誘導体、本発明の溶液及び本発明のフラーレン誘導体膜は、前述した用途に用いることができる。以下に、いくつかの用途の例に関して具体的に説明するが、本発明のフラーレン誘導体の機能が発揮できる用途に関しては、以下の記載に限定されるものではない。
【０１３９】
［Ｖ−Ｉ．フォトレジスト用途］
従来、フォトレジストは、被膜形成成分として（メタ）アクリル系、ポリヒドロキシスチレン系またはノボラック系の樹脂等の樹脂成分と、露光により酸を発生する酸発生剤や感光剤とを組み合わせた組成物が広く用いられている。本発明のフラーレン誘導体は、通常、フォトレジストに使用される有機溶媒への溶解度が高いことにより、特殊な溶媒を用いることなく、より高濃度でフォトレジストに複合化が可能である。また、フラーレン誘導体単独でもレジスト膜を形成することが可能である。
【０１４０】
このように本発明のフラーレン誘導体又は本発明の溶液をフォトレジストの分野に用いた場合、フラーレン骨格を有する事により、超芳香族分子としての高耐熱性、高エッチング耐性を有し、エッジラフネスの低減が可能であり、高解像度のフォトレジストの再現ができる。また、本発明のフラーレン誘導体又は本発明の溶液を用いて形成したレジスト膜は、吸収スペクトルから明らかなように反射防止膜としての機能も有するので、多層膜の一層としても優れた機能を発揮することが期待される。
【０１４１】
［Ｖ−II．半導体製造用途］
半導体製造等の分野では、例えば５００μｍ以下の微細パターンを生産効率良く形成する方法としてナノインプリント法が検討されている。ナノインプリント法とは、微細パターンを有するモールドのパターンを転写層に転写する微細パターンの形成方法である。
【０１４２】
このようなナノインプリント法としては、例えば、熱可塑性重合体からなる転写層を加熱して軟化させる工程と、転写層とモールドとを圧着してモールドのパターンを転写層に形成する工程と、モールドを転写層から離脱させる工程とを順次行なう方法；硬化性単量体からなる転写層をモールドに接触させる工程と、硬化性単量体を硬化させる工程と、硬化性単量体の硬化物からモールドを離脱させる工程とを順次行なう方法；などが知られている。本発明のフラーレン誘導体は、通常、上記熱可塑性重合体や硬化性物質に使用される有機溶媒への溶解度が高いことにより、特殊な溶媒を用いることなく、上記熱可塑性重合体に高濃度で充填することが可能である。
【０１４３】
このように本発明のフラーレン誘導体又は本発明の溶液をナノインプリント法に用いた場合、有機溶媒に対する本発明のフラーレン誘導体の溶解性が高いことから、本発明のフラーレン誘導体の熱可塑性重合体中での凝集が抑制され、分子状分散となる。このため、高解像度を実現することが可能である。さらに、本発明のフラーレン誘導体又は本発明の溶液をナノインプリント法に用いることにより、転写層の機械的強度、耐熱性及びエッチング耐性を向上させることが可能であることから、従来のナノインプリント材料の特性を大幅に改善することが可能となる。
【０１４４】
［Ｖ−III．低誘電率絶縁材料用途］
近年、コンピュータの中央処理装置（ＣＰＵ）用回路基盤には、樹脂薄膜を層間絶縁膜とする高密度かつ微細な多層配線に適した樹脂薄膜配線が適用されるようになってきた。将来のより高速な処理能力を有するコンピュータを実現するには、高密度かつ繊細な多層配線を活かし、かつ信号の高速伝播に適した低誘電率絶縁材料の開発が求められている。本発明のフラーレン誘導体は、通常、上記用途に使用される有機溶媒への溶解度が高いことより、特殊な溶媒を用いることなく、より高濃度で他の材料と複合化することが可能である。また、フラーレン誘導体単独で成膜することも可能である。この際、本発明のフラーレン誘導体は、フラーレン構造が本質的に有する高抵抗、低誘電率の性質を保持しており、複合化して用いる際にはフィラーとしての機械的強度の向上効果を有することができ、これにより、従来にない優れた性能の低誘電率の層間絶縁膜の実現が可能となる。
【０１４５】
［Ｖ−IV．太陽電池用途］
有機太陽電池への応用も可能である。この分野においては、シリコン系の無機太陽電池と比較して、優位な点が多数あるもののエネルギー変換効率が低く、実用レベルに十分には達していない。この点を克服するためのものとして、最近、電子供与体である導電性高分子と、電子受容体であるフラーレン並びにフラーレン誘導体とを混合した活性層を有するバルクヘテロ接合型有機太陽電池が提案されている。このバルクヘテロ接合型有機太陽電池では、導電性高分子とフラーレン誘導体それぞれとが分子レベルで混じり合い、その結果非常に大きな界面を作り出すことに成功し、変換効率の大幅な向上が実現されている。
【０１４６】
本発明のフラーレン誘導体は、上記用途で使用される有機溶媒への溶解度が高いため、ｐ型半導体と効率的なバルクへテロ接合構造を構成することが容易である。また、本発明のフラーレン誘導体は、本質的にｎ型半導体としてのフラーレンの性質は保持している。これらのことにより、本発明のフラーレン誘導体又は本発明の溶液を用いれば、極めて高性能な有機太陽電池の実現が可能となる。
さらにこの高溶解性を利用し、本発明のフラーレン誘導体は、導電性高分子等を含有した電子供与体層との層分離制御や、誘導体分子の整列配向性・細密充填性などのモルフォロジー制御などを可能にし、これにより特性の向上が実現できる上、デバイス設計において高い柔軟性を与える。また、本発明のフラーレン誘導体を用いれば、製造上も通常の印刷法やインクジェットによる印刷、更にはスプレー法等により、低コストで容易に大面積化を実現する事が可能である。
【０１４７】
［Ｖ−Ｖ．半導体用途］
光センサー、整流素子等への応用が期待できる電界効果トランジスタの有機材料として、フラーレン及びフラーレン誘導体を使用することが研究されている。一般的にフラーレン及びフラーレン誘導体を半導体に用いて電界効果トランジスタを作製した場合、当該電界効果トランジスタはｎ型のトランジスタとして機能することが知られている。本発明のフラーレン誘導体は、上記用途で使用される有機溶媒への溶解度が高いことにより、塗布による成膜が容易であり、また、ｎ型半導体としてのフラーレンの本質的な性質は保持している。これにより、本発明のフラーレン誘導体は、低コスト、高性能な有機半導体として期待できる。
【０１４８】
［Ｖ−VI：原料中間体としての用途］
本発明のフラーレン誘導体を出発原料として、その水酸基に特定の有機基（保護基）を導入する工程を経て、新たな機能を有するフラーレン誘導体を製造することができる。以下、その有機基の導入方法に関して代表例を記すが、以下の例に限定されるものではない。
【０１４９】
具体的な有機基の導入方法は、導入する有機基の種類に応じて様々である。その例を挙げると、以下のようなものが挙げられる。
（１）本発明の水酸基含有フラーレン誘導体をエステル化剤と反応させて、エステル化する。
（２）本発明の水酸基含有フラーレン誘導体をカーボネート化剤と反応させて、カーボネート化する。
（３）本発明の水酸基含有フラーレン誘導体をエーテル化剤と反応させて、エーテル化する。
（４）本発明の水酸基含有フラーレン誘導体をウレタン化剤と反応させて、ウレタン化する。
【０１５０】
上記（１）〜（４）の方法をはじめとして、本発明のフラーレン誘導体に有機基を導入する条件は、特開２００６−５６８７８号公報他既存の方法を参照することができる。
【実施例】
【０１５１】
以下、実施例を示して本発明を更に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら制限されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。なお、本明細書の記載において、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表わし、ＴＨＦはテトラヒドロフランを表わし、ＯＤＣＢはオルトジクロロベンゼンを表わし、ＤＭＳＯはジメチルスルホキシドを表わし、Ｍｅはメチル基を表わす。
【０１５２】
［実施例１：Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ2）の製造］
臭化銅（Ｉ）ジメチルスルフィド錯体（６．４８ｇ、３１．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ懸濁液（５６ｍＬ）を５℃まで冷却した後、４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4ＭｇＢｒ／ＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、３４ｍＬ）を加え、２５℃まで昇温した。そこにＣ60（２．０ｇ、２．７８ｍｍｏｌ）のＯＤＣＢ溶液（９０ｍＬ）を加え、２時間攪拌した。そこに、アリルブロマイド（３ｍＬ、３５ｍｍｏｌ）を加え、更に３時間攪拌した。反応液を濾過し、ＴＨＦを除去した後、トルエンで希釈し、アルミナカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン）を行なった。溶液を濃縮し、メタノール（５００ｍＬ）、ヘキサン（２００ｍＬ）で晶析を行ない、５０℃で真空乾燥を行なうことで、Ｃ60（４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ2）をオレンジ色固体（３．８２ｇ、２．３２ｍｍｏｌ、収率８３．３％）の生成物として得た。
【０１５３】
次に、Ｃ60（４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ2）（２．５０ｇ、１．５２ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（３５ｍＬ）、メタノール（３５ｍＬ）混合溶液を調製し、メタンスルホン酸（１６μＬ）を加え、室温下で３時間攪拌した。反応液を塩化メチレン（１００ｍＬ）で希釈したあと、ヘキサン（４００ｍＬ）で晶析を行なった。その後、５０℃真空乾燥を３時間行なうことで、表題化合物Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ2）をオレンジ色固体（１．４９ｇ、１．２１ｍｍｏｌ、収率８０．０％）の生成物として得た。
【０１５４】
得られた生成物を1Ｈ−ＮＭＲ及びＨＰＬＣにて測定した。なお、1Ｈ−ＮＭＲはＤＭＳＯ−ｄ6を溶媒とし、２７０ＭＨｚにて測定した。また、ＨＰＬＣは、０．５ｍｇ／ｍＬのメタノール溶液を調製し、以下の測定条件で測定した。
【０１５５】
カラム種類：ＯＤＳ
カラムサイズ：１５０ｍｍ×４．６ｍｍφ
溶離液：トルエン／メタノール＝２／８
検出器：ＵＶ２９０ｎｍ
【０１５６】
ＨＰＬＣ測定の結果、リテンションタイム４．２１ｍｉｎに、９８．１（Ａｒｅａ％）のピークが観測された。
【０１５７】
また、1Ｈ−ＮＭＲの測定結果は、以下の通りであった。
2008239595.tif 000009
【０１５８】
以上の結果から、得られた生成物が表題化合物Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ2）であることが確認された。
【０１５９】
更に、得られた生成物を、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させ、溶解度を測定した。結果を下記表１に示す。
【０１６０】
また、得られた生成物のＰＧＭＥＡ溶液を調製し（５重量％）、アドバンテック製０．２μｍのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって塗布液を調製した。そして、当該溶液をシリコン基板上に塗布して、回転速度５００ｒｐｍで１０秒間、続いて１５００ｒｐｍで４０秒間回転させた後、コンタクトベーク１００℃で１分間乾燥させ、膜厚８０ｎｍの薄膜を形成した。このとき、目視でその鏡面状態により膜塗布性を評価した。
【０１６１】
また、上記膜について、Ｊ．Ａ．ウーラム社の入射角度可変の分光エリプソメーター（Ｍ−２０００）で、波長１９３〜１６８０ｎｍにおける屈折率（ｎ値）及び消衰係数（ｋ値）を測定した。また、これらの測定値により、誘電率（実数部のみ記載）及び入射角４５度の反射率（１９３ｎｍの数値は１９５ｎｍのデータを記載。単位は０〜１の絶対値表示）を計算で求めた。その結果を下記表２に示す。また、屈折率及び消衰係数の波長スペクトルを図１に示す。
【０１６２】
また、得られた生成物のＴＧ−ＤＴＡを測定した。その結果を図２に示す。なお、以下の条件で測定した。
【０１６３】
サンプル質量：５．０９０ｍｇ
ガス流量：窒素ガス、２００ｍＬ／ｍｉｎ
パン：Ｐｔ
昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
測定温度：３０〜９００℃
【０１６４】
また、得られた生成物のＰＧＭＥＡ溶液を調整し（５重量％）、１時間もしくは未溶解のものが無くなるまで攪拌した後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターでろ過した。次に、３０ｍｍφ（厚さ２ｍｍ）の石英基板（円盤状）に上記溶液をスピンコートした（回転数は、最初５００ｒｐｍで１０ｓｅｃ、続いて３０００ｒｐｍで４０ｓｅｃ）。その後、減圧乾燥機にて、４０℃で２時間かけて溶媒除去・乾燥させた。
これにより製膜したフラーレン誘導体薄膜の膜厚を測定し補正に使用するため、一部をアセトンにて剥離させ、剥離部分と健全部の段差を段差計（テンコール社製、ａｌｆａ  ｓｔｅｐ５００）にて測定した。次に、膜が形成された石英板を、可視・紫外分光光度計（島津社製、ＵＶ−１７０１０）にて、１９０ｎｍ〜１５００ｎｍの領域をダブルビーム方式、光源はハロゲンランプと重水素ランプの切替方式、検出器はシリコンフォトダイオードにて測定した。そのデータを、測定した膜厚を使って、５０ｎｍ膜厚の吸光データへ補正した。その結果を図３に示す。
【０１６５】
更に、得られたフラーレン誘導体のＰＧＭＥＡ溶液を調整し（５重量％）、１時間もしくは未溶解のものが無くなるまで攪拌した後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターでろ過した。次に、４インチのＳｉウェハーに上記溶液をスピンコートした（回転数は、最初５００ｒｐｍで１０ｓｅｃ、続いて１５００ｒｐｍで４０ｓｅｃ）。その後、ホットプレートにて、１００℃で６０秒のコンタクトベークによる膜を形成させた。その膜上に超純水を滴下し、接触角計（協和界面科学社製ＣＡ−Ｘ１５０型）にて接触角を測定した。また、対照のため、４インチのＳｉウェハーの接触角も同様に測定した。その結果を下記表３に示す。なお、測定は、滴下１分後の条件で繰り返し２測定を行い、その平均値で評価した。
【０１６６】
［実施例２：Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））の製造］
臭化銅（Ｉ）ジメチルスルフィド錯体（６．４８ｇ、３１．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ懸濁液（５６ｍＬ）を５℃まで冷却した後、４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4ＭｇＢｒ／ＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、３４ｍＬ）を加え、２５℃まで昇温した。そこにＣ60（２．０ｇ、２．７８ｍｍｏｌ）のＯＤＣＢ溶液（９０ｍＬ）を加え、１時間攪拌した。そこに、クロチルブロマイド（８ｍＬ、７８ｍｍｏｌ）を加え、更に１０時間攪拌した。反応液を濾過し、ＴＨＦを除去した後、トルエンで希釈し、アルミナカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン）を行なった。溶液を濃縮し、メタノール（５００ｍＬ）、ヘキサン（２００ｍＬ）で晶析を行ない、５０℃で真空乾燥を行なうことで、Ｃ60（４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））をオレンジ色固体（３．７２ｇ、２．２４ｍｍｏｌ、収率８０．６％）の生成物として得た。
【０１６７】
次に、Ｃ60（４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））（３．００ｇ、１．８１ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（３８ｍＬ）、メタノール（３８ｍＬ）混合溶液を調製し、メタンスルホン酸（１９μＬ）を加え、室温下で６時間攪拌した。反応液を塩化メチレン（７０ｍＬ）で希釈したあと、ヘキサン（４００ｍＬ）で晶析を行なった。その後、５０℃真空乾燥を３時間行なうことで、表題化合物Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））をオレンジ色固体（２．００ｇ、１．６１ｍｍｏｌ、収率８９．１％）の生成物として得た。
【０１６８】
得られた生成物を、実施例１と同様の手順により、ＨＰＬＣ及び1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）にて測定した。
【０１６９】
ＨＰＬＣ測定の結果、リテンションタイム３．７８ｍｉｎに、９８．９（Ａｒｅａ％）のピークが観測された。
【０１７０】
また、1Ｈ−ＮＭＲの測定結果は、以下の通りであった。
2008239595.tif 000010
【０１７１】
以上の結果から、得られた生成物が表題化合物Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））であることが確認された。
【０１７２】
更に、得られた生成物について、実施例１と同様にして、溶解度を測定した。結果を下記表１に示す。
【０１７３】
［実施例３：Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（Ｃ6Ｈ5））の製造］
臭化銅（Ｉ）ジメチルスルフィド錯体（６．４８ｇ、３１．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ懸濁液（５６ｍＬ）を５℃まで冷却した後、４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4ＭｇＢｒ／ＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、３４ｍＬ）を加え、２５℃まで昇温した。そこにＣ60（２．０ｇ、２．７８ｍｍｏｌ）のＯＤＣＢ溶液（９０ｍＬ）を加え、２時間攪拌した。そこに、シンナミルブロマイド（７．７０ｇ、３９ｍｍｏｌ）のＯＤＣＢ溶液（１０ｍＬ）を加え、更に１０時間攪拌した。反応液を濾過し、ＴＨＦを除去した後、トルエンで希釈し、アルミナカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン）を行なった。溶媒を濃縮し、メタノール（５００ｍＬ）、ヘキサン（１００ｍＬ）で晶析を行ない、５０℃で真空乾燥を行なうことで、Ｃ60（４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（Ｃ6Ｈ5））をオレンジ色固体（４．４５ｇ、２．５８ｍｍｏｌ、収率９３．０％）の生成物として得た。
【０１７４】
次に、Ｃ60（４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（Ｃ6Ｈ5））（３．００ｇ、１．７４ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（３８ｍＬ）、メタノール（３８ｍＬ）混合溶液を調製し、メタンスルホン酸（１９μＬ）を加え、室温下で６時間攪拌した。反応液を塩化メチレン（７０ｍＬ）で希釈したあと、ヘキサン（３００ｍＬ）で晶析を行なった。その後、５０℃真空乾燥を３時間行なうことで、表題化合物Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（Ｃ6Ｈ5））をオレンジ色固体（１．７４ｇ、１．３２ｍｍｏｌ、収率７５．９％）の生成物として得た。
【０１７５】
得られた生成物を、実施例１と同様の手順により、ＨＰＬＣ及び1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）にて測定した。
【０１７６】
ＨＰＬＣ測定の結果、リテンションタイム３．７９ｍｉｎに、９６．３（Ａｒｅａ％）のピークが観測された。
【０１７７】
また、1Ｈ−ＮＭＲの測定結果は、以下の通りであった。
2008239595.tif 000011
【０１７８】
以上の結果から、得られた生成物が表題化合物Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（Ｃ6Ｈ5））であることが確認された。
【０１７９】
更に、得られた生成物について、実施例１と同様にして、溶解度を測定した。結果を下記表１に示す。
【０１８０】
［実施例４：Ｃ60（３−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））の製造］
臭化銅（Ｉ）ジメチルスルフィド錯体（６．４８ｇ、３１．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ懸濁液（５６ｍＬ）を５℃まで冷却した後、３−ＯＣＨ3−Ｃ6Ｈ4ＭｇＢｒ／ＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、３４ｍＬ）を加え、２５℃まで昇温した。そこにＣ60（２．０ｇ、２．７８ｍｍｏｌ）のＯＤＣＢ溶液（９０ｍＬ）を加え、２時間攪拌した。そこに、クロチルブロマイド（１０ｍＬ、９８ｍｍｏｌ）を加え、更に１０時間攪拌した。反応液を濾過し、ＴＨＦを除去した後、トルエンで希釈し、シリカカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン）を行なった。溶媒を濃縮し、メタノール（７００ｍＬ）で晶析を行ない、５０℃で真空乾燥を行なうことで、Ｃ60（３−ＯＣＨ3−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））をオレンジ色固体（２．７８ｇ、２．１２ｍｍｏｌ、収率７６．３％）の生成物として得た。
【０１８１】
次に、Ｃ60（３−ＯＣＨ3−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））（１．５０ｇ、１．１５ｍｍｏｌ）のＯＤＣＢ（５０ｍＬ）溶液を調製し、５℃まで冷却した後ＢＢｒ3塩化メチレン溶液（１ｍｏｌ／Ｌ；９ｍＬ）を加え、室温下で８時間攪拌した。反応液を５℃まで冷却した後、イオン交換水（２０ｍＬ）でクエンチし、酢酸エチル（１００ｍＬ）で抽出した。有機相をイオン交換水で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶液を濃縮した後ヘキサン（３００ｍＬ）で晶析した。その後、５０℃真空乾燥を３時間行なうことで、表題化合物Ｃ60（３−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））をオレンジ色固体（１．１６ｇ、０．９４ｍｍｏｌ、収率８１．７％）の生成物として得た。
【０１８２】
得られた生成物を、実施例１と同様の手順により、ＨＰＬＣ及び1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）にて測定した。
【０１８３】
ＨＰＬＣ測定の結果、リテンションタイム２．４６ｍｉｎに、９４．４（Ａｒｅａ％）のピークが観測された。
【０１８４】
また、1Ｈ−ＮＭＲの測定結果は、以下の通りであった。
2008239595.tif 000012
【０１８５】
以上の結果から、得られた生成物が表題化合物Ｃ60（３−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））であることが確認された。
【０１８６】
更に、得られた生成物について、実施例１と同様にして、溶解度を測定した。結果を下記表１に示す。
【０１８７】
［実施例５：Ｃ60（３，４−（ＯＨ）2−Ｃ6Ｈ3）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））の製造］
臭化銅（Ｉ）ジメチルスルフィド錯体（６．４８ｇ、３１．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ懸濁液（５６ｍＬ）を５℃まで冷却した後、３，４−ＯＣＨ2Ｏ−Ｃ6Ｈ3ＭｇＢｒ／ＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、３４ｍＬ）を加え、２５℃まで昇温した。そこにＣ60（２．０ｇ、２．７８ｍｍｏｌ）のＯＤＣＢ溶液（９０ｍＬ）を加え、７時間攪拌した。そこに、クロチルブロマイド（７ｍＬ、６８ｍｍｏｌ）を加え、更に１０時間攪拌した。反応液を濾過し、ＴＨＦを除去した後、トルエンで希釈し、シリカカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン）を行なった。溶液を濃縮し、メタノール（５００ｍＬ）で晶析を行ない、５０℃で真空乾燥を行なうことで、Ｃ60（３，４−ＯＣＨ2Ｏ−Ｃ6Ｈ3）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））をオレンジ色固体（３．３１ｇ、２．４０ｍｍｏｌ、収率８６．３％）の生成物として得た。
【０１８８】
次に、Ｃ60（３，４−ＯＣＨ2Ｏ−Ｃ6Ｈ3）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））（２．００ｇ、１．４５ｍｍｏｌ）のＯＤＣＢ（８０ｍＬ）溶液を調製し、５℃まで冷却した後、三臭化ホウ素（ＢＢｒ3）の塩化メチレン溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、１２ｍＬ）を加え、室温下で８時間攪拌した。反応液を５℃まで冷却した後、イオン交換水（４０ｍＬ）でクエンチし、酢酸エチル（１５０ｍＬ）で抽出した。有機相をイオン交換水で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶液を濃縮した後ヘキサン（５００ｍＬ）で晶析した。得られた粗生成物をＴＨＦ（４０ｍＬ）とメタノール（４０ｍＬ）に再溶解させ、室温下で１０時間攪拌した。反応液を濃縮し、イオン交換水と酢酸エチルで分液操作をした後、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過で硫酸マグネシウムを取り除き、溶液を濃縮したあとヘキサン（３００ｍＬ）で晶析を行ない、５０℃で真空乾燥を行なうことで、Ｃ60（３，４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ3）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））をオレンジ色固体（１．３７ｇ、１．０４ｍｍｏｌ、収率７１．８％）の生成物として得た。
【０１８９】
得られた化合物を、ＨＰＬＣ及びＨＰＬＣ−ＭＳにより測定した。なお、ＨＰＬＣ及びＨＰＬＣ−ＭＳは、得られた化合物の０．５ｍｇ／ｍＬのメタノール溶液を調製し、以下の条件で測定した。
【０１９０】
（ＨＰＬＣ測定条件）
カラム種類：Ｌ−Ｃｏｌｕｍｎ（ＯＤＳ：３μｍ）
カラムサイズ：１００ｍｍ×４．６ｍｍφ
溶離液：メタノール／水／リン酸  ＝  ９５０／５０／１
検出器：ＵＶ２９０ｎｍ
【０１９１】
ＨＰＬＣ測定の結果、リテンションタイム５．９８ｍｉｎに７５．７（Ａｒｅａ％）、７．２４ｍｉｎに１２．２（Ａｒｅａ％）、８．０４ｍｉｎに１０．９（Ａｒｅａ％）の３つのピークが観測された。
【０１９２】
（ＨＰＬＣ−ＭＳ測定条件）
カラム種類：Ｌ−Ｃｏｌｕｍｎ（ＯＤＳ：３μｍ）
カラムサイズ：１００ｍｍ×４．６ｍｍφ
溶離液：メタノール／水／トリフルオロ酢酸  ＝  ９５０／５０／１
検出器：ＵＶ２９０ｎｍ
ＭＳ  ：ＴＯＦ−ＭＳ  ＥＳ−
【０１９３】
ＨＰＬＣ−ＭＳ測定の結果、リテンションタイム５．９８ｍｉｎのピークは、ＭＳ１３２０（Ｍ）並びにＭＳ１４３３（Ｍ＋ＣＦ3ＣＯＯ-）で観測され、得られた生成物のメイン化合物は表題化合物Ｃ60（３，４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ3）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））であることが確認された。
【０１９４】
リテンションタイム７．２４ｍｉｎのピークも５．９８ｍｉｎのピーク同様、ＭＳ１３２０（Ｍ）並びにＭＳ１４３３（Ｍ＋ＣＦ3ＣＯＯ-）で観測されたことから、メイン化合物の異性体であると考えられる。考えられる構造としては、アルケニル部位のｃｉｓ／ｔｒａｎｓ異性体の他、原料のクロチルブロマイドに含有されている３−ブロモ−１−ブテンが反応したＣ60（３，４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ3）5（−ＣＨ（ＣＨ3）−ＣＨ＝ＣＨ2）と推定される。
【０１９５】
リテンションタイム８．０４ｍｉｎのピークは、ＭＳ１４０１（Ｍ）並びにＭＳ１５１４（Ｍ＋ＣＦ3ＣＯＯ-）で観測され、得られた表題化合物又はその異性体の２重結合部位に対してＨＢｒ（ＭＳ：８０．９）が付加した構造と考えられる。
【０１９６】
以上の結果から、得られた混合物の中に表題化合物Ｃ60（３，４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ3）5（−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ3））が主成分として含有されていることが確認された。
【０１９７】
更に、得られた生成物について、実施例１と同様にして、溶解度を測定した。結果を下記表１に示す。
【０１９８】
また、得られた生成物のＰＧＭＥＡ溶液を調製し（５重量％）、アドバンテック製０．２μｍのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって塗布液を調製した。そして、当該溶液をシリコン基板上に塗布して、回転速度５００ｒｐｍで１０秒間、続いて１５００ｒｐｍで４０秒間回転させた後、コンタクトベーク１００℃で１分間乾燥させ、膜厚８０ｎｍの薄膜を形成した。このとき、目視でその鏡面状態により膜塗布性を評価した。
【０１９９】
また、上記膜について、Ｊ．Ａ．ウーラム社の入射角度可変の分光エリプソメーター（Ｍ−２０００）で、波長１９３〜１６８０ｎｍにおける屈折率（ｎ値）及び消衰係数（ｋ値）を測定した。また、これらの測定値により誘電率（実数部のみ記載）及び入射角４５度の反射率（１９３ｎｍの数値は１９５ｎｍのデータを記載。単位は０〜１の絶対値表示）を計算で求めた。その結果を表４に示す。また、屈折率及び消衰係数の波長スペクトルを図４に示す。
【０２００】
［比較例１：Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（ＣＨ3）の製造］
Ｎａｔｕｒｅ，  ４１９，  ７０２−７０５，  ２００２（以下「Ｎａｔｕｒｅ文献」という。）のＳｕｐｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎに記載の方法で、Ｃ60（４−ＯＴＨＰ−Ｃ6Ｈ4）5（Ｈ）を合成した。この水素化体に対して、特許文献２（実施例８）に記載の方法（ＴＨＦ中でカリウム−ｔ−ブトキシド（ｔＢｕＯＫ）を作用させた後、ヨウ化メチル（ＭｅＩ）を添加）によってメチル基を導入し、上記Ｎａｔｕｒｅ文献に記載の方法で脱保護反応を行ない、上記表題化合物を合成した。
ＨＰＬＣ測定サンプルの溶媒をＴＨＦに変えた以外は、実施例１と同様にして、得られた生成物をＨＰＬＣ及び1Ｈ−ＮＭＲにて測定した。
【０２０１】
ＨＰＬＣ測定の結果、リテンションタイム４．１１ｍｉｎに９９．００（Ａｒｅａ％）のピークが観測された。
【０２０２】
更に、1Ｈ−ＮＭＲの測定結果は、以下の通りであった。
［1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6，２７０ＭＨｚ）］
９．６０ｐｐｍ（ｓ，ＯＨ，４Ｈ），９．４８ｐｐｍ（ｓ，ＯＨ，１Ｈ），７．５８ｐｐｍ（ｍ，Ｐｈ，８Ｈ），６．９６ｐｐｍ（ｄ，Ｐｈ，２Ｈ），６．７７ｐｐｍ（ｍ，Ｐｈ，８Ｈ），６．４９ｐｐｍ（ｄ，Ｐｈ，２Ｈ），１．４７ｐｐｍ（ｓ，Ｍｅ，３Ｈ）
【０２０３】
以上の結果から、得られた生成物が表題化合物Ｃ60（４−ＯＨ−Ｃ6Ｈ4）5（ＣＨ3）であることが確認された。
【０２０４】
更に、得られた生成物について、実施例１と同様にして、溶解度を測定した。結果を下記表１に示す。
また、比較例１で製造した化合物を用いて実施例１と同様に薄膜を形成しようとしたが、比較例１の化合物は溶解性が不足していたため、成膜ができなかった。
【０２０５】
なお、下記表１において、「＜１」との表記は、溶解度が１ｍｇ／ｍＬ未満であることを表わし、「＞１０」という表記は、溶解度が１０ｍｇ／ｍＬより大きいことを表わす。
【０２０６】
【表１】
2008239595.tif 000013
【０２０７】
【表２】
2008239595.tif 000014
（＊）反射率は、４５°反射の計算データを表わす。また、波長１９３ｎｍの欄の数値は、波長１９５ｎｍにおける計算データを表わす。
【０２０８】
【表３】
2008239595.tif 000015
【０２０９】
【表４】
2008239595.tif 000016
（＊）反射率は、４５°反射の計算データを表わす。また、波長１９３ｎｍの欄の数値は、波長１９５ｎｍにおける計算データを表わす。
【産業上の利用可能性】
【０２１０】
本発明のフラーレン誘導体は、任意の分野で使用することが可能であるが、ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒に対して高い溶解性を有し、且つ、低コストで容易に製造可能であるという特徴を有することから、例えば、ＤＶＤ、ＣＤ等の光ディスク材料の製造、半導体集積回路の作製、半導体集積回路作製用マスクの製造、液晶用集積回路の作製、液晶画面製造用レジスト材料等の用途に好ましく使用することができる。中でも、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーに加えて、ＥＵＶ（極端紫外光）やＥＢ等の光源短波長化に適応したフォトレジストや反射防止膜の機能を有した下層膜材料としてのフォトレジスト、ナノインプリント及び層間絶縁膜等の用途に特に好ましく使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２１１】
【図１】本発明の実施例１のフラーレン誘導体膜の屈折率及び消衰係数の波長スペクトルを示す図である。
【図２】本発明の実施例１のフラーレン誘導体のＴＧ−ＤＴＡの結果を示す図である。
【図３】本発明の実施例１のフラーレン誘導体膜の吸光度の波長スペクトルを示す図である。
【図４】本発明の実施例５のフラーレン誘導体膜の屈折率及び消衰係数の波長スペクトルを示す図である。
【図１】
2008239595.tif 000021
【図２】
2008239595.tif 000022
【図３】
2008239595.tif 000023
【図４】
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