(57)【要約】【課題】  シール効果の高い保護膜を有するエピタキシャルウエーハを、特別な工程が必要なく、低コストで、ウエーハ品質を高く保って製造する方法及びこれにより得られるエピタキシャルウエーハを提供する。【解決手段】  半導体基板の裏面にオートドーピング防止のための保護膜を有し、表面にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハにおいて、前記保護膜が、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材が硬化して形成された酸化膜であるエピタキシャルウエーハ、及び、少なくとも、半導体基板の裏面に保護膜を形成する工程と、前記半導体基板の表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有するエピタキシャルウエーハの製造方法において、前記保護膜形成工程を、前記半導体基板の裏面に液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を塗布し、該液体状のシリカガラス材を硬化して酸化膜を形成することによって行うエピタキシャルウエーハの製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の裏面にオートドーピング防止のための保護膜を有し、前記半導体基板の表面にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハにおいて、前記保護膜が、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材が硬化して形成された酸化膜であることを特徴とするエピタキシャルウエーハ。
【請求項２】
前記酸化膜の厚さは、０．１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャルウエーハ。
【請求項３】
少なくとも、半導体基板の裏面にオートドーピング防止のための保護膜を形成する工程と、前記半導体基板の表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有するエピタキシャルウエーハの製造方法において、
前記保護膜形成工程を、前記半導体基板の裏面に液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を塗布し、該液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を硬化して酸化膜を形成することによって行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。
【請求項４】
前記液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材の塗布を、スピンコート法によって行うことを特徴とする請求項３に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
【請求項５】
前記液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材の硬化を、３００℃以下の熱処理によって行うことを特徴とする請求項３または請求項４に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウエーハ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造技術において、各種の回路素子を形成する場合、例えば、Ｐ型またはＮ型の半導体基板を用い、その半導体基板の上にＰ−型またはＮ−型のエピタキシャル層を形成し、このエピタキシャル層に各種回路素子を形成することが行われている。ところで、このように半導体基板上にエピタキシャル層を形成する場合、オートドーピングの問題を生じる。このオートドーピング現象は、半導体基板からエピタキシャル層への熱による固相拡散にもよるが、半導体基板における裏面（エピタキシャル成長を行う面（表面）とは反対側の主表面）部及び側面部の不純物が気相中に一旦放出され、当該不純物がエピタキシャル層表面に搬送されることによって生じる。このようなオートドーピングが生じるとエピタキシャル層の不純物濃度が変化し、エピタキシャル層内において不純物濃度が不均一化してしまう。特に、半導体基板とエピタキシャル層との界面近傍のエピタキシャル層中の不純物濃度が変動してしまい、所望のエピタキシャル層の不純物濃度までに到達するのにかなりのエピタキシャル層が無駄になる。つまり、半導体基板と同じ導電型のエピタキシャル層を形成する場合にあっては、その界面近傍のエピタキシャル層中の不純物濃度が高くなってしまい、一方、半導体基板と逆導電型のエピタキシャル層を形成する場合にあっては、その界面近傍のエピタキシャル層中の不純物濃度が低くなってしまうことから、所望の不純物濃度のエピタキシャル層を得るには該エピタキシャル層を必要以上に厚くしなければならない。
【０００３】
そこで、従来、上記のような不都合を回避するため、エピタキシャル層を形成する前に半導体基板の裏面及び側面に酸化膜等からなる保護膜を形成し、当該保護膜によって不純物の気相への放出を抑止し（シール効果）、その状態で半導体基板の表面にエピタキシャル層を形成するようにしていた。このような技術については、例えば、特許文献１や特許文献２に記載されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１においては保護膜の化学的性質及び形成方法については十分な注意がはらわれておらず、保護膜としては比較的容易に形成できる熱酸化膜を主として用いていた。この熱酸化膜による保護膜の形成は、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成し、その後半導体基板の表面側の熱酸化膜のみを除去することによって行っていた。
【０００５】
しかし、熱酸化膜は緻密で硬いため、半導体基板の表面側の熱酸化膜除去を半導体基板の鏡面研磨加工（ポリッシング）の際に行なうとすれば、研磨除去のために多大な時間を要する。そこで、従来は、鏡面研磨加工前に熱酸化膜除去のための特別の工程を設けるのが一般的であった。
【０００６】
また、酸化膜を形成する為には、１０００℃程度の熱処理が必要であり、その工程において、熱処理炉からの汚染やスリップ転位が発生してしまう心配があった。さらに、近年、主流になっている直径３００ｍｍの大口径ウエーハにおいては、酸化膜を形成する為の専用の熱処理炉設備が非常に大型になり、大幅なコスト増につながっていた。
【０００７】
一方、保護膜として熱酸化膜の代わりに低温常圧ＣＶＤ法によって酸化膜を形成させる方法も提案されている(特許文献２)。この方法では熱酸化膜のように高温の処理が必要ないため、熱処理起因の汚染やスリップ転位の発生は抑えられる。さらに、低温常圧ＣＶＤ法による酸化膜は熱処理による酸化膜に比べ、密度が低くやわらかい為、加工も容易である。
【０００８】
しかし、その反面、高温のエピタキシャル工程中に酸化膜が収縮し、体積が小さくなってしまう。その結果、裏面酸化膜に亀裂や小さな孔ができることがあった。そうなると、裏面シール性は低くなりオートドーピングが発生してしまう。また、その亀裂や孔の部分に露呈したウエーハ基材部（半導体基板裏面）にエピタキシャル層が成長してしまい、裏面部への微小半導体結晶の異常成長が発生してしまう問題があった。
【０００９】
また、特許文献３には、珪素化合物及びガラス成形体を含む有機溶剤を半導体基板の裏面に塗布して焼成して保護膜を形成する技術が開示されているが、エピタキシャル層形成時の高温反応で保護膜が剥離することがあるという問題があった。
【００１０】
【特許文献１】特開昭５８−９５８１９号公報
【特許文献２】特公平６−８０６３４号公報
【特許文献３】特開平９−２６６１４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、シール効果の高い保護膜を有するエピタキシャルウエーハを、特別な工程が必要なく、低コストで、ウエーハ品質を高く保って製造する方法及びこれにより得られるエピタキシャルウエーハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、半導体基板の裏面にオートドーピング防止のための保護膜を有し、前記半導体基板の表面にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハにおいて、前記保護膜が、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材が硬化して形成された酸化膜であることを特徴とするエピタキシャルウエーハを提供する（請求項１）。
【００１３】
このように、半導体基板の裏面にオートドーピング防止のための保護膜を有し、半導体基板の表面にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハにおいて、保護膜が、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材が硬化して形成された酸化膜であるエピタキシャルウエーハであれば、低コストで、オートドーピングが防止されており、不純物濃度分布が高精度で管理されたエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハとすることができる。
【００１４】
また、このような液体状シリカガラス材を硬化させて形成された酸化膜であれば、シール効果が高く、オートドーピングを効果的に防止することができる。また、酸化膜に亀裂や孔を生じることを抑制することができるため、裏面に半導体材料が異常析出することを防止することができる。
【００１５】
この場合、前記酸化膜の厚さは、０．１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい（請求項２）。
このように、酸化膜の厚さが０．１μｍ以上であれば、十分に高いシール効果を得ることができ、オートドーピングを防止することができる。また、酸化膜の厚さが３μｍ以下であれば、液体状シリカガラス材を節約でき、また、液体状シリカガラス材の硬化に必要な時間をより短時間とすることができる。また、酸化膜にクラックが入るようなことをより確実に防止することができる。
【００１６】
また、本発明は、少なくとも、半導体基板の裏面にオートドーピング防止のための保護膜を形成する工程と、前記半導体基板の表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有するエピタキシャルウエーハの製造方法において、前記保護膜形成工程を、前記半導体基板の裏面に液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を塗布し、該液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を硬化して酸化膜を形成することによって行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する（請求項３）。
【００１７】
このように、保護膜形成工程を、半導体基板の裏面に液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を塗布し、該液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を硬化して酸化膜を形成することによって行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法であれば、シール効果の高い保護膜を有し、オートドーピングが抑制されたエピタキシャルウエーハを、特別な工程が必要なく、低コストで、ウエーハ品質を高く保って製造することができる。
【００１８】
この場合、前記液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材の塗布を、スピンコート法によって行うことが好ましい（請求項４）。
このように、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材の塗布を、スピンコート法によって行えば、簡便な方法により、大口径の半導体基板の裏面のみに液体状シリカガラス材を塗布することができる。
【００１９】
また、前記液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材の硬化を、３００℃以下の熱処理によって行うことが好ましい（請求項５）。
このように、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材の硬化を、３００℃以下の熱処理によって行えば、短時間で液体状シリカガラス材の硬化を行うことができる。また、高温の熱処理を行わないので、その保護膜の形成のための大規模な熱処理設備が不要であり、熱処理時の汚染やスリップ転位の発生を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係るエピタキシャルウエーハであれば、オートドーピングが防止されており、不純物濃度分布が高精度で管理されたエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハとすることができる。
また、本発明に係るエピタキシャルウエーハの製造方法であれば、シール効果の高い保護膜を有するエピタキシャルウエーハを、特別な工程を必要とせず、低コストで、ウエーハ品質を高く保って製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
半導体基板の裏面にオートドーピングを防止するための保護膜を形成し、表面にエピタキシャル層を成長させる方法において、従来、前述したような問題があった。すなわち、熱酸化膜を保護膜とする場合には、半導体基板の表面側の熱酸化膜除去工程が必要になること、また、高温熱処理による熱処理炉からの汚染やスリップ転位の発生、設備の大型化等の問題があった。また、低温常圧ＣＶＤ法による酸化膜を保護膜とする場合には、酸化膜に亀裂や小さな孔が発生しやすく、シール性が低下し、また、その亀裂や孔の部分に露呈した半導体基板裏面に微小シリコン結晶が成長してしまうという問題があった。そこで、本発明者は、これらの問題を解決するような裏面保護膜形成方法を見出すべく鋭意検討を行った。
【００２２】
そして、本発明者は、低温の処理で良質の酸化珪素膜に転化させることができる液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を保護膜形成に採用することに想到した。そして、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を半導体基板の裏面に塗布し、これを硬化させて保護膜を形成した上でエピタキシャル成長を行えば、シール効果の高い保護膜を有するエピタキシャルウエーハを、特別な工程が必要なく、低コストで、ウエーハ品質を高く保って製造できることを見出し、本発明を完成させた。
【００２３】
本発明は種々の半導体基板について適用することができるが、以下では、主に、特に好適な一例としてシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長を行う場合を例に挙げて説明する。
図１は、本発明に係るエピタキシャルウエーハの製造方法の一例を示す工程図である。
【００２４】
まず、半導体基板１１を準備する（工程ａ）。半導体基板１１としては、例えば、Ｐ型又はＮ型のシリコン単結晶基板を用いることができる。半導体基板１１の直径は特に限定されず、直径８インチ（２００ｍｍ）程度以上、さらには直径１２インチ（３００ｍｍ）程度以上のような大直径の基板に対しても本発明を適用することができる。
【００２５】
次に、半導体基板１１の裏面（エピタキシャル成長を行おうとする主表面とは反対側の主表面）に液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材（本明細書中では、単に液体状シリカガラス材と言うことがある）１２を塗布し（工程ｂ）、これを硬化させて酸化珪素膜とし、保護膜１３とする（工程ｃ）。
【００２６】
液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材１２としては、ポリシラザン等のＯＨ基を有しない無機ポリマーが有機溶剤に溶けているもの等を用いることができる。また、必要に応じてアミン、Ｐｄ等の脱水素、酸化機能等を有する触媒等の添加剤を含有する。具体的には、市販の液体状シリカコート材を用いることができ、例えば、（有）エクスシア社製シリカコート型番ＥＰＰ等が挙げられる。
【００２７】
液体状シリカガラス材１２の塗布方法は特に限定されないが、スピンコート法によれば、簡便な方法で半導体基板１１の裏面のみに液体状シリカガラス材を塗布することができるので好ましい。その他、スプレー法等種々の方法によって塗布することができる。
【００２８】
液体状シリカガラス材１２の塗布厚さは、後述する理由により、液体状シリカガラス材１２を硬化させて保護膜１３としたときに保護膜１３の厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下となるようにすることが好ましい。このような保護膜の厚さになるような塗布厚さは、条件等によって異なるが、実験等により適宜決定することができる。
【００２９】
また、液体状シリカガラス材１２の硬化（酸化珪素膜への転化）方法は、特に限定されず、液体状シリカガラス材の組成等に応じて選択することができる。例えば、空気中に放置することによって有機溶剤が揮発し、無機ポリマーが空気中の水分や酸素と反応して酸化膜（アモルファス酸化珪素膜；シリカ）となる。その他、加湿することによっても硬化を行うことができるが、加熱によって硬化させることが特に好ましい。加熱による硬化によれば、短時間でほぼ完全に酸化膜への転化を行うことができるので生産性を向上させる上で好ましい。加熱温度は３００℃程度以下とすることが好ましく、２００℃程度以下とすることがさらに好ましい。また、このような温度であっても、液体状シリカガラス材の組成を適宜選択すれば、短時間で十分に硬化させることができる。例えば、上述した（有）エクスシア社製シリカコート型番ＥＰＰを用いれば、３μｍ程度以下の厚さの塗布膜を加熱温度２００℃、加熱時間６０分でほぼ完全に硬化させることができる。
【００３０】
このような保護膜１３の形成方法によれば、裏面の保護膜としての酸化膜形成に、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を塗布して３００℃程度以下、２００℃程度の低温での熱処理を施しているだけなので、一般の熱酸化膜形成を行うための１０００℃程度以上の高温熱処理で懸念される基板の重金属汚染やスリップ転位を低減することができ、ウエーハ品質を高く保つことができる。また、大規模な熱処理炉の設備等が必要にはならず、コスト増加を抑えることができる。
【００３１】
また、容易な方法により、半導体基板１１の片面のみに保護膜１３を形成することができるので、熱酸化膜を形成した場合のように、エピタキシャル成長を行う面の酸化膜を特別な工程により除去する必要もない。
【００３２】
保護膜１３の形成後、半導体基板１１の表面（保護膜１３を形成した面とは反対側の面）にエピタキシャル層１４を形成する（工程ｄ）。
エピタキシャル層１４の形成方法には種々の公知の方法を適用することができる。緻密な酸化珪素膜からなる保護膜１３によって半導体基板１１の裏面が覆われているため、半導体基板１１の裏面部から気相への不純物の放出を防止することができる。従って、気相中に放出された不純物が再びエピタキシャル層１４に取り込まれることを効果的に防止することができる。すなわち、効果的にオートドーピングを防止してエピタキシャル成長を行うことができる。
また、本発明のように液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を硬化させた場合、保護膜１３中に有機物がほとんど含まれず、半導体基板１１との密着性が高く、エピタキシャル成長工程中の高温処理中に剥がれるようなこともない。
【００３３】
前述したように、液体状シリカガラス材１２の塗布厚さを調節して保護膜１３の厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下となるようにすることが好ましい。本発明に係る保護膜１３、すなわち、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材が硬化して形成された酸化膜の場合、０．１μｍ以上の厚さであれば、より確実にオートドーピングを防止できる。また、３μｍ以下であれば、液体状シリカガラス材の使用量の増加や硬化に必要な時間の増加によるコスト増を抑えることができ、また、保護膜１３を厚くすることによるクラックの発生を抑制することができる。ただし、この範囲に限定されるものではなく、目的に応じて３μｍを超える厚さで保護膜１３を形成するようにしてもよい。
【００３４】
このような工程ａ〜ｄを経て製造されたエピタキシャルウエーハは、図１（ｄ）に示したように、半導体基板１１の裏面に、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材１２が硬化して形成された酸化膜の保護膜１３を有し、半導体基板１１の表面にエピタキシャル層１４を有するエピタキシャルウエーハ１０１となる。そして、保護膜１３はほぼ完全な二酸化珪素膜であり、有機物及びＯＨ基を含まない。
そして、このようなエピタキシャルウエーハ１０１であれば、保護膜１３によりオートドーピングが防止されており、不純物濃度分布が高精度で管理されたエピタキシャル層１４を有している。
【００３５】
ところで、前述したように、オートドーピングを防止するための保護膜を、ＣＶＤ法により形成した酸化膜とした場合、エピタキシャル工程中に酸化膜が収縮し、体積が小さくなってしまう。その結果、裏面酸化膜に亀裂や小さな穴ができることがあった。このため、裏面シール性は低くなりオートドーピングが発生してしまうとともに、その亀裂や穴の部分に露呈した半導体基板にエピタキシャル層が成長してしまい、裏面部への微小半導体結晶の異常成長が発生してしまっていた。
【００３６】
このような裏面に析出した微小シリコン結晶はシリコン単結晶基板と結晶学的に結合しているため、洗浄工程では取り去ることができず、デバイス工程内での露光不良の原因となってしまう。
なお、ＣＶＤ酸化膜が高温のエピタキシャル成長工程で体積収縮してしまう理由は、酸化膜中に多量のＯＨ基を含んでいるからである。
【００３７】
一方、本発明に係る保護膜１３の材料である液体状シリカガラス材には、ＯＨ基は含まれておらず、高温のエピタキシャル工程で体積が収縮することがない。そのため、エピタキシャルウエーハ１０１の裏面に微小シリコン結晶が析出することはなく、デバイス工程において露光不良等の原因とならない。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３９】
（実施例１）
以下のように、図１に示したような方法に従ってエピタキシャルウエーハを製造した。
まず、基板抵抗率０．０１〜０．０２Ωｃｍ、結晶方位＜１００＞、直径８インチ（２００ｍｍ）のＰ＋型シリコン単結晶基板を半導体基板１１として準備した（工程ａ）。
【００４０】
次に、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材（（有）エクスシア社製シリカコート型番ＥＰＰ）１２をシリコン単結晶基板１１の裏面にスピンコート法により塗布した（工程ｂ）。
次に、上記液体状シリカガラス材１２が塗布されたシリコン単結晶基板１１に対して２００℃、６０分の熱処理を行い、液体状シリカガラス材１２を硬化させて酸化膜とし、保護膜１３を形成した（工程ｃ）。保護膜１３の厚みは約０．１μｍであった。
【００４１】
次に、この保護膜１３を形成したシリコン単結晶基板１１を、エピタキシャル成長装置の反応炉内に入れ、反応炉の中にキャリアガスとして水素ガスを導入して反応炉内を加熱し、シリコン単結晶基板１１の温度が所定温度（１１５０℃）までに達した後にトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）とジボラン（Ｂ２Ｈ６）とを導入して、Ｐ型エピタキシャル層１４を４．０μｍ／分の成膜速度で１０μｍの厚さに形成した（工程ｄ）。
【００４２】
このようにして製造したエピタキシャルウエーハ１０１について、エピタキシャル層内の９点、すなわち、中心（１点）、中心から半径の半分（５０ｍｍ）だけ離れた点について４点（図２中ではＲ／２と表記）、周縁から５ｍｍの点について４点（図２中では５ｍｍと表記）のシート抵抗の測定を行なった。この結果を、図２中に、エピタキシャル層内において同一直線上にある５点のデータを黒丸で示した。なお、他の４点は対応するＲ／２、周辺５ｍｍの点のシート抵抗の値とほぼ同等の値であった。
エピタキシャル層の面内においてほぼ均一のシート抵抗が得られており、不純物の濃度分布もほぼ均一と考えられ、オートドーピングを十分に抑制できたと考えられる。
【００４３】
また、エピタキシャルウエーハ１０１の裏面の外観をハロゲン灯下で観察してスケッチした模式図を図３に示す。裏面において微小シリコン結晶の析出は全く観察されなかった。これは、本発明に係る保護膜１３には、ＯＨ基は含まれておらず、高温のエピタキシャル成長工程で体積が収縮することがないためと考えられる。
【００４４】
（実施例２）
実施例１と同様に、ただし、保護膜１３の厚みが０．０５μｍとなるようにして液体状シリカガラス材１２を塗布してエピタキシャルウエーハ１０１の製造を行った。
このようにして製造したエピタキシャルウエーハ１０１のエピタキシャル層１３の面内のシート抵抗分布を実施例１と同様にして測定し、結果を図２中に白丸で示した。オートドーピング防止の効果は得られているが、実施例１に比べるとシート抵抗分布がやや不均一である。この結果より、保護膜１３の厚みは０．１μｍ程度以上とすることが望ましいことが明らかとなった。
なお、エピタキシャルウエーハ１０１の裏面のスケッチは実施例１と同様であった。このような薄さの保護膜１３であっても、裏面における微小シリコン結晶の析出の防止効果は十分であると考えられる。
【００４５】
（比較例）
実施例１と同様に、ただし、シリコン単結晶基板１１の裏面のオートドーピングを防止するための保護膜をＣＶＤ法により厚さ３μｍで形成して、エピタキシャルウエーハの製造を行った。
【００４６】
このようにして製造したエピタキシャルウエーハの裏面のスケッチを実施例１と同様に行い、模式図を図４に示した。図４中の黒い点で模式的に描いた位置に、微小なシリコン粒の成長が観察されている。これを走査型電子顕微鏡で拡大して観察した結果を図５に示した。このような微小シリコン結晶は、ＣＶＤ酸化膜がエピタキシャル成長工程中に収縮して微小な孔が開き、そこにシリコン結晶が成長したことによるものと考えられる。
【００４７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４８】
例えば、上記実施例では半導体基板がシリコン単結晶ウエーハである場合について主に述べたが、半導体基板に対しエピタキシャル成長を行うのであれば、本発明を適用することができる。
また、上記実施例では、Ｐ型半導体基板の上にＰ−型エピタキシャル層を形成する場合について説明したが、Ｐ型半導体基板の上にＮ型エピタキシャル層を形成するものにも適用することができる。また、Ｎ型半導体基板の上にＰ−型またはＮ−型エピタキシャル層を形成するものにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係るエピタキシャルウエーハの製造工程を示すフロー図である。
【図２】シール酸化膜の膜厚を変えた場合のエピタキシャル層中の抵抗率分布を示すグラフである。
【図３】本発明に係る酸化膜による裏面保護膜を形成したシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長したエピタキシャルウエーハの裏面外観観察模式図である。
【図４】ＣＶＤ酸化膜による裏面保護膜を形成したシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長したエピタキシャルウエーハの裏面外観観察模式図である。
【図５】ＣＶＤ酸化膜による裏面保護膜を形成したシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長したエピタキシャルウエーハの裏面に観察された微小シリコン結晶の走査型電子顕微鏡観察写真である。
【符号の説明】
【００５０】
１１…半導体基板（シリコン単結晶基板）、  １２…液体状シリカガラス材、
１３…保護膜、  １４…エピタキシャル層、  １０１…エピタキシャルウエーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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