(57)【要約】      （修正有）【課題】モールド層が設けられない薄型のＷＬ−ＣＳＰからなる半導体装置においても層間膜のハガレを生じさせないようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】所定位置に外部接続用の電極が配置された層間膜１１を有する半導体チップ１０’と、前記電極とそれぞれ導通させて層間膜１１上に設けた再配線１２と、これら再配線１２を被覆した絶縁層１３と、この絶縁層１３の所定位置に設けた開口を介して再配線１２とそれぞれ導通させたパッド１５と、これらパッド１５にそれぞれ設けた半田端子１９とを備えた半導体装置Ａ及びその製造方法において、絶縁層上１３には感光性樹脂膜１７を設けて、この感光性樹脂膜１７で層間膜１１の外周縁を被覆する。【選択図】図１
2008141021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定位置に外部接続用の電極が配置された層間膜を有する半導体チップと、
前記電極とそれぞれ導通させて前記層間膜上に設けた再配線と、
これらの再配線を被覆した絶縁層と、
この絶縁層の所定位置に設けた開口を介して前記再配線にそれぞれ導通させたパッドと、
これらのパッドにそれぞれ設けた半田端子と
を備えた半導体装置において、
前記絶縁層上には感光性樹脂膜を設け、この感光性樹脂膜で前記層間膜の外周縁を被覆したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップの外周縁には、前記層間膜と対向する裏面側の外周縁を、前記層間膜側の外周縁よりも外方に向けて突出させた段差部を設け、
前記半導体チップにおける前記層間膜側の外周縁を前記感光性樹脂膜で被覆したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップにおける前記層間膜側の外周縁を被覆した前記感光性樹脂膜の厚み寸法を、前記層間膜と対向する裏面側の外周縁の突出寸法よりも小さくしたことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記感光性樹脂膜の上面の高さを、前記パッドの上面の高さよりも低くして、前記パッドを前記感光性樹脂膜から突出させたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
スクライブラインによって区分されるウエーハ上の各半導体チップの形成領域に層間膜を設けるとともに、この層間膜上に再配線を設けて、この再配線を前記半導体チップにおける外部接続用の電極に接続するとともに、前記再配線の所定位置に電気的に接続させたパッドを設けた半導体装置の製造方法において、
前記パッドの形成後に前記スクライブラインに沿って前記ウエーハに溝を形成する工程と、
前記溝が形成された前記ウエーハ上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜をパターンニングして前記パッド上の前記感光性樹脂膜に開口を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜をアッシングによって薄膜化する工程と、
前記パッドに半田端子を形成する工程と、
前記溝よりも細幅とした切断溝を前記溝内に形成して前記ウエーハをダイシングする工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記感光性樹脂膜をパターンニングする工程では、前記パッド上の前記感光性樹脂膜を除去するとともに、前記溝内の前記感光性樹脂膜を除去して、前記溝よりは細幅とするとともに前記切断溝よりは太幅とした前記感光性樹脂膜のエッチング溝を前記溝内に形成し、
前記ダイシングでは、前記エッチング溝内に前記切断溝を形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、半導体装置がいわゆるウエーハレベルＣＳＰである半導体装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
昨今、半導体装置の小型化の要求に対応するために、ウエーハレベルＣＳＰ（Chip Scale Package）と呼ばれる形態の半導体装置が用いられている。
【０００３】
このウエーハレベルＣＳＰ（以下、「ＷＬ−ＣＳＰ」と表記する。）とは、ダイシングによってウエーハの切断を行う前の状態においてパッケージとしての機能を有する構造まで形成している半導体装置であって、ダイシングによる切断後にはそのまま半導体装置となり、実装基板への実装を可能としているものである。したがって、ＷＬ−ＣＳＰでは、従来のいわゆるパッケージと呼ばれている容器状の構造物を設けないことにより、その分だけ小型化が可能となっている。
【０００４】
ＷＬ−ＣＳＰでは、まず、通常の半導体チップの製造工程に基づいて、スクライブラインによって区分されるウエーハ上の各半導体チップの形成領域に所望の半導体回路を形成し、さらに、この半導体回路で用いる信号の入出力あるいは駆動用電圧若しくはグランド電圧の印加などに用いる電極を形成している。
【０００５】
ここで、外部の配線と電気的に接続される電極は平坦面上に配設されていることが望ましいため、ウエーハの上面には酸化膜などによっていわゆる層間膜を形成し、この層間膜の上面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）技術によって平坦化している。
【０００６】
そして、電極は、層間膜の所定位置に金属材料を貫通状に埋込んだいわゆる埋込み電極としており、以下においては、この埋込み電極自体を単に「電極」と呼ぶこととする。なお、場合によっては、埋込み電極には、端部部分にパッド状の金属膜を接続させて設けることもあり、このようなパッド状の金属膜が設けられている場合には、このパッド状の金属膜も含めて単に「電極」と呼ぶこととする。
【０００７】
通常では、電極の形成後、ウエーハはスクライブラインに沿ってダイシングされるが、ＷＬ−ＣＳＰでは、電極の形成後に層間膜上に電極と電気的にそれぞれ接続させた再配線を設け、この再配線を絶縁層で絶縁被覆し、この絶縁層の所定位置に開口を設けて再配線の一部を露出させた接続部を形成し、さらに、絶縁層上面をモールド樹脂で被覆してモールド層を形成し、このモールド層の所定位置に開口を設けて接続部を露出させ、モールド層の開口内に再配線と電気的に接続したポストをそれぞれ設けて、これらのポストにそれぞれ半田端子を装着した後、スクライブラインに沿ってウエーハをダイシングしている。
【０００８】
ここで、ダイシングは、ウエーハを構成する半導体基板だけでなく、層間膜、絶縁層、モールド層もあわせて切断するため、切断によって形成される切断端面には、層間膜及び絶縁層の切断端面が露出することとなっていた。
【０００９】
このように切断端面に層間膜が露出した場合には、ウエーハを構成していた半導体基板からの層間膜のハガレが生じやすくなる傾向があった。
【００１０】
そこで、図９に示すように、昨今のＷＬ−ＣＳＰでは、層間膜110及び電極が形成されたウエーハ100において再配線120を設け、窒化シリコン膜などのパッシベーション膜13a、及びポリイミド膜などのバッファー膜130bなどの絶縁層130を形成した後、太幅のダイシング用ブレードでスクライブラインに沿ってウエーハ100をハーフカットすることにより溝160を形成し、その後、モールド層210、ポスト220、半田端子230を順次形成して、溝160に沿って溝160内をダイシングしている。図９中、200はダイシングによって形成される切断溝である。
【００１１】
このように、スクライブラインに沿ったウエーハ100のハーフカットによって層間膜120をあらかじめ切断する溝160を形成した場合には、この溝160部分がモールド層210によって埋め戻されることにより層間膜110の外周縁をモールド層210で被覆でき、ダイシング後の切断端面に層間膜110が露出することを防止して、層間膜110のハガレの発生を抑制可能としている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００６−１７３５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、昨今、ＷＬ−ＣＳＰにおいてもさらなる小型化の要求が高まるにつれて、モールド層を設けない薄型のＷＬ−ＣＳＰの要求があり、モールド層を設けない場合には、図１０に示すように、層間膜110及び電極が形成されたウエーハ100において再配線120を設け、窒化シリコン膜などのパッシベーション膜130a、及びポリイミド膜などのバッファー膜130bなどによる絶縁層130を形成した後、この絶縁層130の所定位置に開口を設けて再配線120に電気的に接続したパッド150を形成して、このパッド150に半田端子190を形成した後にスクライブラインに沿ってウエーハ100をダイシングするために、ダイシングによって形成された切断端面に層間膜110が露出することとなっていた。
【００１３】
特に、このような薄型のＷＬ−ＣＳＰでは、図１１に示すように所要の基板300に実装した際に、薄型のＷＬ−ＣＳＰと基板300との間にアンダーフィル材400と呼ばれる接合補助材を充填するために、このアンダーフィル材400の硬化にともなう収縮作用によって生じる応力が層間膜110に作用して、半導体基板100'からの層間膜110のハガレの発生率が高まることとなっていた。図１１中、310は基板300上に設けた接続溶パッドである。
【００１４】
本発明者は、このような現状に鑑み、モールド層が設けられない薄型のＷＬ−ＣＳＰにおいても層間膜のハガレを生じさせないようにすべく研究開発を行って、本発明を成すに至ったものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の半導体装置では、所定位置に外部接続用の電極が配置された層間膜を有する半導体チップと、前記電極とそれぞれ導通させて層間膜上に設けた再配線と、これらの再配線を被覆した絶縁層と、この絶縁層の所定位置に設けた開口を介して再配線にそれぞれ導通させたパッドと、これらのパッドにそれぞれ設けた半田端子とを備えた半導体装置において、絶縁層上には感光性樹脂膜を設け、この感光性樹脂膜で層間膜の外周縁を被覆した。
【００１６】
さらに、本発明の半導体装置では、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、
（１）半導体チップの外周縁には、層間膜と対向する裏面側の外周縁を、層間膜側の外周縁よりも外方に向けて突出させた段差部を設け、半導体チップにおける層間膜側の外周縁を感光性樹脂膜で被覆したこと。
（２）半導体チップにおける層間膜側の外周縁を被覆した感光性樹脂膜の厚み寸法を、層間膜と対向する裏面側の外周縁の突出寸法よりも小さくしたこと。
（３）感光性樹脂膜の上面の高さを、パッドの上面の高さよりも低くして、パッドを感光性樹脂膜から突出させたこと。
【００１７】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、スクライブラインによって区分されるウエーハ上の各半導体チップの形成領域に層間膜を設けるとともに、この層間膜上に再配線を設けて、この再配線を半導体チップにおける外部接続用の電極に接続するとともに、再配線の所定位置に電気的に接続させたパッドを設けた半導体装置の製造方法において、パッドの形成後にスクライブラインに沿ってウエーハに溝を形成する工程と、溝が形成されたウエーハ上に感光性樹脂膜を形成する工程と、感光性樹脂膜をパターンニングしてパッド上の感光性樹脂膜に開口を形成する工程と、感光性樹脂膜をアッシングによって薄膜化する工程と、パッドに半田端子を形成する工程と、溝よりも細幅とした切断溝を溝内に形成してウエーハをダイシングする工程とを有することとした。
【００１８】
さらに、感光性樹脂膜をパターンニングする工程では、パッド上の感光性樹脂膜を除去するとともに、溝内の感光性樹脂膜を除去して、溝よりは細幅とするとともに切断溝よりは太幅とした感光性樹脂膜のエッチング溝を溝内に形成し、ダイシングでは、エッチング溝内に切断溝を形成することにも特徴を有するものである。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１記載の発明によれば、所定位置に外部接続用の電極が配置された層間膜を有する半導体チップと、前記電極とそれぞれ導通させて層間膜上に設けた再配線と、これらの再配線を被覆した絶縁層と、この絶縁層の所定位置に設けた開口を介して再配線にそれぞれ導通させたパッドと、これらのパッドにそれぞれ設けた半田端子とを備えた半導体装置において、絶縁層上には感光性樹脂膜を設け、この感光性樹脂膜で層間膜の外周縁を被覆したことによって、層間膜が露出状態となることを防止して、層間膜に半導体チップを構成する半導体基板からのハガレを生じさせることを抑止できる。特に、感光性樹脂膜は比較的薄膜とすることができるので、感光性樹脂膜の形成にともなって半導体装置が大型化することなく層間膜の外周縁を被覆できる。
【００２０】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の半導体装置において、半導体チップの外周縁には、層間膜と対向する裏面側の外周縁を、層間膜側の外周縁よりも外方に向けて突出させた段差部を設け、半導体チップにおける層間膜側の外周縁を感光性樹脂膜で被覆したことによって、層間膜の外周縁を被覆した感光性樹脂膜に半導体チップを構成する半導体基板からのハガレを生じさせることを抑止できる。
【００２１】
請求項３記載の発明によれば、請求項２記載の半導体装置において、半導体チップにおける層間膜側の外周縁を被覆した感光性樹脂膜の厚み寸法を、層間膜と対向する裏面側の外周縁の突出寸法よりも小さくしたことによって、ダイシングによるウエーハの切断時に感光性樹脂膜に欠損が生じるおそれがなく、感光性樹脂膜の欠損にともなう半導体基板からの感光性樹脂膜のハガレが生じることを防止できる。
【００２２】
請求項４記載の発明によれば、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置において、感光性樹脂膜の上面の高さを、パッドの上面の高さよりも低くして、パッドを感光性樹脂膜から突出させたことによって、感光性樹脂膜を設けたにもかかわらず、パッドと半田端子との接続状態を良好な状態として接続することができ、半導体装置において信頼性の低下が生じるおそれを解消できる。
【００２３】
請求項５記載の発明によれば、スクライブラインによって区分されるウエーハ上の各半導体チップの形成領域に層間膜を設けるとともに、この層間膜上に再配線を設けて、この再配線を半導体チップにおける外部接続用の電極に接続するとともに、再配線の所定位置に電気的に接続させたパッドを設けた半導体装置の製造方法において、パッドの形成後にスクライブラインに沿ってウエーハに溝を形成する工程と、溝が形成されたウエーハ上に感光性樹脂膜を形成する工程と、感光性樹脂膜をパターンニングしてパッド上の感光性樹脂膜に開口を形成する工程と、パッドに半田端子を形成する工程と、溝よりも細幅とした切断溝を溝内に形成してウエーハをダイシングする工程とを有することによって、層間膜の外周縁を感光性樹脂膜で被覆して層間膜が露出状態となることを防止でき、層間膜に半導体チップを構成する半導体基板からのハガレを生じさせることを抑止できる。
【００２４】
請求項６記載の発明によれば、請求項５記載の半導体装置の製造方法において、感光性樹脂膜をパターンニングする工程では、パッド上の感光性樹脂膜を除去するとともに、溝内の感光性樹脂膜を除去して、溝よりは細幅とするとともに切断溝よりは太幅とした感光性樹脂膜のエッチング溝を溝内に形成し、ダイシングでは、エッチング溝内に切断溝を形成することによって、ダイシングによるウエーハの切断時に感光性樹脂膜が切断されることがなく、感光性樹脂膜に欠損が生じるおそれを解消して、感光性樹脂膜の欠損にともなう半導体基板からの感光性樹脂膜のハガレが生じることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法では、所定位置に外部接続用の電極が配置された層間膜を有する半導体チップと、前記電極とそれぞれ導通させて層間膜上に設けた再配線と、これらの再配線を被覆した絶縁層と、この絶縁層の所定位置に設けた開口を介して再配線にそれぞれ導通させたパッドと、これらのパッドにそれぞれ設けた半田端子とを備えた半導体装置であって、絶縁層上に感光性樹脂膜を設けて、この感光性樹脂膜で層間膜の外周縁を被覆しているものである。
【００２６】
このように、層間膜は、外周縁を感光性樹脂膜によって被覆されることにより、半導体チップを構成する半導体基板からのハガレを生じにくい状態とすることができ、層間膜のハガレにともなう不良の発生を抑止することができる。
【００２７】
以下において、図面に基づいて本発明の実施形態を詳説する。図１は、本実施形態の半導体装置における要部の断面模式図である。
【００２８】
半導体装置Ａは、円盤状の半導体基板であるウエーハの状態で形成され、後述するようにダイシングによってウエーハを切断して平面視矩形状とされた半導体基板を基体としている。
【００２９】
半導体基板には、既知の半導体回路形成技術を用いて所要の半導体回路（図示せず）が形成されており、以下において半導体回路が形成された半導体基板を、説明の便宜上、半導体チップ10'と呼ぶ。
【００３０】
半導体チップ10'の上面には酸化膜などによって層間膜11を設けている。層間膜11には所定位置に図示しない電極を設けており、この電極を介して半導体回路への信号の入力、または半導体回路からの信号の出力、あるいは駆動用電圧またはグランド電圧の印加を行っている。
【００３１】
層間膜11上には、前記電極と電気的に接続した再配線12を設け、さらに、この再配線12を被覆する窒化シリコン膜などのパッシベーション膜13a、及びポリイミド膜などのバッファー膜13bなどで構成した絶縁層13を設けている。パッシベーション膜13aは基本的に絶縁を目的として設けているものであり、バッファー膜13bは応力緩和を目的として設けているものである。
【００３２】
パッシベーション膜13a及びバッファー膜13bで構成された絶縁層13には所定位置に開口を設け、この開口部分に前記再配線12と電気的に接続したパッド15を設けている。
【００３３】
さらに、バッファー膜13b上には、前記パッド15は露出させる一方で、層間膜11、パッシベーション膜13a、バッファー膜13bを被覆する感光性樹脂膜17を設けている。
【００３４】
特に、半導体チップ10'の外周縁には、層間膜11と対向する裏面側の外周縁を、層間膜11側の外周縁よりも外方に向けて突出させた段差部10'aを設けており、この段差部10'aを利用して半導体チップ10'における層間膜11側の外周縁を感光性樹脂膜17で被覆することにより、層間膜11の外周縁を感光性樹脂膜17で確実に被覆している。
【００３５】
このように、感光性樹脂膜17で層間膜11の外周縁を被覆したことによって、層間膜11が露出状態となることを防止でき、層間膜11に半導体チップ10'を構成する半導体基板からのハガレを生じさせることを抑止できる。
【００３６】
ここで、半導体チップ10'における層間膜11側の外周縁を被覆した感光性樹脂膜17の厚み寸法L1は、層間膜11と対向する裏面側の外周縁の突出寸法L2よりも小さくしている。したがって、ウエーハをダイシングして半導体チップ10'毎に切断する際に、ダイシング用のブレードが感光性樹脂膜17に接触して感光性樹脂膜17に欠損を生じさせるおそれがなく、感光性樹脂膜17の欠損にともなって感光性樹脂膜に17半導体基板からのハガレが生じることを防止できる。
【００３７】
感光性樹脂膜17から露出したパッド15には、半田で構成された半田端子19を設けている。特に、感光性樹脂膜17は、その上面の高さをパッド15の上面の高さよりも低くして、パッド15を感光性樹脂膜17から突出させた状態としている。したがって、パッド15と半田端子19とは、良好な接続状態とすることができ、半導体装置Ａにおいて信頼性の低下が生じるおそれを解消できる。
【００３８】
半田端子19は、いわゆる半田ボールであって、所定粒径の半田ボールをパッド15にそれぞれ溶着させて半田端子19としてもよいし、半田ペーストの塗布あるいは半田めっきによる半田被膜の形成後に加熱溶融させてボール状とした半田端子19としてもよい。
【００３９】
以下において、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。
【００４０】
半導体装置はウエーハの状態で製造しており、ウエーハの状態の半導体基板に碁盤目状に設けられるスクライブラインによって区分される各半導体チップの形成領域には、既知の半導体製造技術によって所定の半導体回路を形成している。
【００４１】
半導体回路の形成後、図２に示すように、半導体回路が形成されたウエーハ10の上面には酸化膜などの絶縁膜による層間膜11を形成している。層間膜11は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの適宜の製膜技術によって所定厚みに形成し、その後、ＣＭＰ技術によって平坦化している。なお、層間膜11は必ずしも平坦化する必要はなく、必要に応じて平坦化処理を行ってよい。
【００４２】
ここで、平坦化処理の前には、層間膜11は所定位置に図示しない埋込み電極を形成して、半導体回路の外部接続用の電極を形成している。この電極は、層間膜11の上面にレジストマスクを形成して層間膜11をエッチングすることにより層間膜11の所定位置に埋込み電極形成用の開口を形成し、層間膜11の上面にスパッタリングなどによって金属膜を形成することにより前記埋込み電極形成用の開口内に金属を充填して形成している。そして、金属膜の形成後、ＣＭＰによって層間膜11とともに金属膜を削り取りながら層間膜11を平坦化している。
【００４３】
所定位置に電極が配置された層間膜11の形成後、この層間膜11の上面にはスパッタリングなどによって金属膜を形成し、この金属膜を所定のパターンにパターンニングして前記電極とそれぞれ電気的に接続された再配線12を形成している。本実施形態では、再配線12はアルミニウムによって形成している。
【００４４】
再配線12の形成後、ウエーハ10の上面にはＣＶＤによって窒化シリコン膜で構成したパッシベーション膜13aを形成している。なお、パッシベーション膜13aは窒化シリコン膜に限定するものではなく、適宜の絶縁膜としてよい。パッシベーション膜13aの形成後、このパッシベーション膜13aをパターンニングして、後述する半田端子の配設位置部分に前記再配線12の一部を露出させる開口を形成している。パッシベーション膜13aのパターンニングの際には、ウエーハ10におけるスクライブライン領域14のパッシベーション膜も除去している。
【００４５】
パッシベーション膜13aの形成後、ウエーハ10の上面にはスピンコーティングなどによってポリイミド膜などのバッファー膜13bを形成している。なお、バッファー膜13bはポリイミド膜に限定するものではなく、適宜の絶縁膜としてよい。バッファー膜13bの形成後、このバッファー膜13bをパターンニングして、パッシベーション膜13aに設けた開口と連通する開口を形成し、前記再配線12の一部を露出させている。バッファー膜13bのパターンニングの際にも、ウエーハ10におけるスクライブライン領域14のバッファー膜13bを除去している。本実施形態では、パッシベーション膜13aとバッファー膜13bとによって絶縁層13を構成している。
【００４６】
バッファー膜13bの形成後、ウエーハ10の上面にはスパッタリングなどによって金属膜を形成し、この金属膜をパターンニングして後述する半田端子の形成位置にパッド15を形成している。パッド15は、パッシベーション13a膜及びバッファー膜13bに設けた開口部分に設けており、再配線12と電気的に接続している。本実施形態では、パッド15は銅で形成している。
【００４７】
パッド15の形成後、図３に示すように、ウエーハ10には、広幅のダイシング用ブレードを用いてスクライブラインに沿ってハーフカットを行い、ウエーハ10にスクライブラインに沿った溝16を形成している。この溝16は、層間膜11をスクライブラインに沿って完全に切断するものであり、溝16の深さは、ウエーハ10のハンドリング時に溝に沿ったウエーハ10の破断が生じない程度が望ましく、通常、ウエーハ10の厚みの５０％以内としている。
【００４８】
溝16の形成後、図４に示すように、ウエーハ10には感光性樹脂を塗布して、前記パッド15を被覆する感光性樹脂膜17を形成している。感光性樹脂は、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールなどを用いることができる。
【００４９】
感光性樹脂膜17の形成後、図５に示すように、感光性樹脂膜17をパターンニングしてパッド15上の感光性樹脂膜17に開口を形成し、この開口を介してパッド15を感光性樹脂層17から露出させている。このとき、感光性樹脂膜17は、既知のフォトリソグラフィー技術による露光に基づいて硬化させ、未露光部分をエッチングによって除去することにより極めて容易にパターンニングすることができる。
【００５０】
さらに、感光性樹脂膜17をパターンニングする場合には、パッド15部分だけでなく、前記溝16部分の感光性樹脂膜17もパターンニングし、溝16に沿って感光性樹脂膜17を除去することにより溝16内に感光性樹脂膜17のエッチング溝18を形成している。すなわち、エッチング溝18はウエーハ10に形成した溝16よりも細幅としている。さらに、エッチング溝18は、後述するウエーハ10のダイシング時に使用するダイシング用ブレードによってウエーハ10に形成される切断溝20よりは太幅としている（図８参照）。
【００５１】
感光性樹脂膜17のパターンニング後、感光性樹脂膜17をアッシングによって薄膜化している。このアッシングの処理時間は、図６に示すように、感光性樹脂膜17の上面が、パッド15の上面よりも低くなって、パッド15が感光性樹脂膜17に対して突出状となるまでとしている。
【００５２】
このように、パッド15は感光性樹脂膜17に対して突出状としておくことによって、後述するようにパッド15に半田端子19を装着した際に、半田端子19の接続強度や長期信頼性を高めやすくすることができる（図７参照）。
【００５３】
なお、感光性樹脂膜17に形成したエッチング溝18は、アッシングにともなう感光性樹脂膜17の減肉分を考慮したうえで、ウエーハ10に形成した溝16よりは細幅とするとともに、ウエーハ10に形成する切断溝20よりは太幅としてもよい。
【００５４】
感光性樹脂膜17のアッシングによる薄膜化後、図７に示すように、パッド15にはそれぞれ半田端子19を形成している。本実施形態では、各パッド15に所定粒径の半田ボールを装着し、この半田ボールを溶融させてパッド15に溶着して半田端子19としている。なお、半田端子19は半田ボールの溶着によって形成する場合だけでなく、パッド部分に半田ペーストを塗布して形成してもよいし、パッド部分に半田めっきによる半田被膜を設けて形成してもよい。
【００５５】
半田端子19の形成後、図８に示すように、ウエーハ10に設けた溝16に沿ってウエーハ10をダイシングすることにより、個々に分離された半導体装置Ａとしている。
【００５６】
ウエーハ10をダイシングする際には、ダイシング用のブレードは、エッチング溝18の幅寸法よりも細幅としたブレードとし、エッチング溝18内を切断することにより、エッチング溝18内に切断溝20を形成している。
【００５７】
このように、スクライブラインに沿ってウエーハ10には層間膜11を切断する溝16を形成し、この溝16を感光性樹脂膜17で埋め戻し、溝16よりも細幅とした切断溝20を溝16内に形成してウエーハ10をダイシングすることによって、層間膜11の外周縁を感光性樹脂膜17で被覆した半導体装置を極めて容易に製造でき、感光性樹脂膜17によって層間膜11に半導体チップ10'を構成する半導体基板からのハガレを生じさせることを抑止できる。
【００５８】
特に、層間膜11の外周縁の被覆を感光性樹脂膜17で行うことにより、半導体装置Ａが大型化することなく層間膜11の外周縁の確実な被覆を行うことができる。
【００５９】
さらに、ウエーハ10をダイシングする場合には、エッチング溝18内に切断溝20を形成することによって、ダイシングによるウエーハ10の切断時に感光性樹脂膜17に切断による欠損が生じることがなく、感光性樹脂膜17の欠損にともなう半導体基板からの感光性樹脂膜17のハガレが生じることを防止できる。
【００６０】
また、このようにウエーハ10にはスクライブラインに沿って溝16を設けるとともに、この溝16よりも細幅の切断溝20を溝16内に形成することにより、ダイシングされた半導体装置Ａの外周縁には段差が形成されることとなり、溝16内には、この溝16よりは細幅で、切断溝20よりは太幅のエッチング溝18を設けて、この切断溝20内に切断溝20を形成することによって、半導体チップ10'における層間膜11側の外周縁を被覆した感光性樹脂膜17の厚み寸法L1を、層間膜11と対向する裏面側の外周縁の突出寸法L2よりも小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の要部断面模式図である。
【図２】半導体装置の要部断面模式図による製造工程説明図である。
【図３】半導体装置の要部断面模式図による製造工程説明図である。
【図４】半導体装置の要部断面模式図による製造工程説明図である。
【図５】半導体装置の要部断面模式図による製造工程説明図である。
【図６】半導体装置の要部断面模式図による製造工程説明図である。
【図７】半導体装置の要部断面模式図による製造工程説明図である。
【図８】半導体装置の要部断面模式図による製造工程説明図である。
【図９】従来の半導体装置の要部断面模式図である。
【図１０】従来の半導体装置の要部断面模式図である。
【図１１】従来の半導体装置の実装基板への実装状態における要部断面模式図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ａ   半導体装置
10   ウエーハ
10'  半導体チップ
10'a 段差部
11   層間膜
12   再配線
13   絶縁層
13a  パッシベーション膜
13b  バッファー膜
14   スクライブライン領域
15   パッド
16   溝
17   感光性樹脂膜
18   エッチング溝
19   半田端子
20   切断溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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