(57)【要約】【課題】耐電界ノイズ特性についての検査をヘッドスライダについて行うことができるヘッドスライダ検査方法、およびヘッドジンバルアセンブリ製造方法を提供する。【解決手段】トンネル磁気抵抗効果膜と一対の電極膜とを有するセンサ部分とスライダ本体とからなるヘッドスライダを製造するヘッドスライダ製造過程（ステップＳ１０１）と、ヘッドスライダについて、各電極膜とスライダ本体との間のインピーダンスを計測する計測過程（ステップＳ１０２）と、これらのインピーダンスが互いに所定程度以上に一致していることを確認する判定過程（ステップＳ１０３）と、確認済みのヘッドスライダを用いヘッドジンバルアセンブリを組み立てるヘッドジンバルアセンブリ組立過程（ステップＳ１０４）と、そのヘッドジンバルアセンブリを用いハードディスク装置を組み立てるＨＤＤ組立過程（ステップＳ１０５）とを有した。【選択図】        図８
2008084421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜を間に挟んでなる一対の電極膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドが搭載されるヘッドスライダの検査方法において、
前記ヘッドスライダについて、前記一対の電極膜それぞれと前記スライダ本体との間のインピーダンスの差を計測する計測ステップと、
前記計測ステップにおいて、計測したインピーダンスの差が所定値以内であるか否かを判定する判定ステップとを備えることを特徴とするヘッドスライダ検査方法。
【請求項２】
前記磁気抵抗効果型ヘッドが、トンネル磁気抵抗効果型の磁気抵抗効果膜を備えることを特徴とする請求項１記載のヘッドスライダ検査方法。
【請求項３】
前記判定ステップが、前記一対の電極膜それぞれと前記スライダ本体との間の該インピーダンスの絶対値の相違と該インピーダンスの位相の相違との双方について判定するものであることを特徴とする請求項１記載のヘッドスライダ検査方法。
【請求項４】
前記計測ステップにおいて、前記一対の電極膜を介して前記磁気抵抗効果膜に、磁界の方向の検出に用いる所定周波数帯域における最大周波数の２倍の周波数を上限とした周波数帯域内の各周波数の交流電流を供給し、
前記判定ステップが、各周波数における該一対の電極膜それぞれと前記スライダ本体との間のインピーダンスの相違のうち最も大きな相違を用いて、所定の相違以下となっているか否かを確認するものであることを特徴とする請求項１記載のヘッドスライダ検査方法。
【請求項５】
磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜を間に挟んでなる一対の電極膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドが搭載されるヘッドスライダを備えるヘッドジンバルアセンブリを製造するヘッドジンバルアセンブリ製造方法において、
前記ヘッドスライダについて、前記一対の電極膜それぞれと前記スライダ本体との間のインピーダンスの差を計測する計測ステップと、
前記計測ステップにおいて、計測したインピーダンスの差が所定値以内であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで、前記インピーダンスの差が所定値以内であると判定したヘッドスライダを用いて、ヘッドジンバルアセンブリを組み立てる組立ステップとを備えることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁界の方向の正逆変化に応じた抵抗変化を示す磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドが搭載されたヘッドスライダを検査するヘッドスライダ検査方法、及び、そのようなヘッドスライダを備えるヘッドジンバルアセンブリを製造する情報再生装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータの普及に伴って、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっている。このような情報は、多数の物理的な印によって記録媒体に記録されており、その情報は、その記録媒体上の印を読み取って電気的な再生信号を生成する情報再生装置により再生される。
【０００３】
ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）はこのような情報再生装置の一種であり、記録容量が大きく、情報へのアクセス速度が速いという特徴を持つ。このＨＤＤは、一般に、表面が磁性材料からなる磁気ディスク、およびこの磁気ディスクに記録された情報を再生する磁気ヘッドを備えている。磁気ディスクは表面が微小領域（１ビット領域）ごとに磁化されており、１ビットの情報がこの１ビット領域の磁化の方向の形で記録される。また、磁気ヘッドとしては、磁界の方向の正逆変化に応じた抵抗変化を示す磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極膜とを有するタイプの磁気ヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）が採用されることが多い。この磁気抵抗効果型ヘッドが磁気ディスクの表面に近接した状態で動かされると、各１ビット領域における磁化の方向に応じた磁界の方向の正逆変化が、その正逆変化に応じた磁気抵抗効果膜の抵抗変化によって生成される電気信号として一対の電極膜を通じて検出される。これにより、磁気ディスクに記録された情報が再生される。
【０００４】
磁気抵抗効果型ヘッドとしては、磁界の方向の正逆変化に応じて大きな抵抗変化を示す巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）効果を持つ巨大磁気抵抗効果膜を有する巨大磁気抵抗効果型ヘッド（ＧＭＲヘッド）が広く用いられている。
【０００５】
ここで、現在、ＨＤＤ等で使われているＧＭＲヘッドの多くは、磁気抵抗効果膜に対して膜面に平行に電流を流すＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  ｉｎ  Ｐｌａｎｅ）型の磁気抵抗効果型ヘッドとなっている。一方、近年では、磁気ディスクに対するさらなる高密度の情報記録の技術が求められており、それに伴って、磁気抵抗効果型ヘッドのさらなる微細化が求められるようになってきている。そこで、磁気抵抗効果膜に対して膜面に垂直に電流を流すことで微細化が図られたＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ）型の磁気抵抗効果型ヘッドの開発が盛んに行われるようになっている。
【０００６】
ＣＰＰ型の磁気抵抗効果型ヘッドとしては、上記のＧＭＲヘッドをＣＰＰ型に構成したＣＰＰ−ＧＭＲヘッドや、上記のＧＭＲ効果よりも抵抗変化が大きいトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ：Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｕｔｉｖｅ）効果を持つトンネル磁気抵抗効果膜を有するトンネル磁気抵抗型ヘッド（ＴＭＲヘッド）が開発されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−８４０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＨＤＤ等の情報再生装置に搭載された磁気抵抗効果型ヘッドは、情報再生装置内の配線等が発する電界ノイズに曝されることが多く、そのような電界ノイズに対して有る程度の耐性を持っていることが望ましい。そこで、情報再生装置の製造時には、磁気抵抗効果型ヘッドが電界ノイズに対して所望の耐性を有しているか否かが検査されることとなる。ここで、このような磁気抵抗効果型ヘッドに対する検査は、テスト用の磁気ディスクを用意し、所定の電界ノイズ下で、そのテスト用の磁気ディスクから情報を再生することで行なわれる。そのため、検査は、情報再生装置の構成要素のうち、所定の検査装置に搭載してこのような磁気ディスクへのアクセスが可能な最小単位で行なわれる。この最小単位としては、磁気抵抗効果型ヘッドが所定の支持体（スライダ本体）に搭載されてなるヘッドスライダが、長尺の金属板で形成されたサスペンションの先端部分に取り付けられ、さらに、磁気抵抗効果型ヘッドが有する一対の電極膜それぞれからサスペンション上にリードが配線されてなるヘッドジンバルアセンブリが採用されることが多い。
【０００８】
ここで、次世代の磁気ヘッドとして期待されている上記のようなＣＰＰ型の磁気抵抗効果型ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリにおいて、電界ノイズ下でのテスト用の磁気ディスクからの情報の再生が正常に行なわれず、耐電界ノイズ特性についての検査における不合格品として廃棄されることがしばしば生じている。上記の最小単位とはいえヘッドジンバルアセンブリを組み立てるにはそれなりの手間や時間を要するが、不合格品として廃棄されたヘッドジンバルアセンブリについてはこのような手間や時間が無駄となってしまう。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑み、耐電界ノイズ特性についての検査をヘッドスライダについて行うことができるヘッドスライダ検査方法、および、そのようなヘッドスライダを備えるヘッドジンバルアセンブリを製造するヘッドジンバルアセンブリ製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成する本発明のヘッドスライダ検査方法は、磁気抵抗効果膜と、上記磁気抵抗効果膜を間に挟んでなる一対の電極膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドが搭載されるヘッドスライダの検査方法において、
上記ヘッドスライダについて、上記一対の電極膜それぞれと上記スライダ本体との間のインピーダンスの差を計測する計測ステップと、
上記計測ステップにおいて、計測したインピーダンスの差が所定値以内であるか否かを判定する判定ステップとを備えることを特徴とする。
【００１１】
上記のように、磁気抵抗効果膜を間に挟んでなる一対の電極膜を有する、いわゆるＣＰＰ型の磁気抵抗効果型ヘッドを有するヘッドスライダでは、磁気抵抗効果型ヘッドからの再生信号は、グランドの役割を果たす上記スライダ本体に対する上記一対の電極膜のうちの一方の電極膜の電位と、そのスライダ本体に対するもう一方の電極膜の電位との間の差という差動形式で取り出される。この差動形式により、例えば電界ノイズ等といった外乱があったときには、一対の電極膜それぞれの電位が、外乱によって互いに同振幅および同位相で変動することで再生信号における外乱の影響が打ち消される。ところが、仮に、上記一対の電極膜それぞれと上記スライダ本体との間のインピーダンスが互いに大きく異なっていると、外乱があったときの各電極膜の電位が互いに異なる振幅あるいは異なる位相で変動して外乱の影響が十分に打ち消されなくなり、磁気抵抗効果型ヘッドからの再生信号に外乱による変動が生じてしまう。
【００１２】
ＣＰＰ型の磁気抵抗効果型ヘッドを有するヘッドスライダにおける耐電界ノイズ特性についての検査の不合格品の発生の多くが、このようなインピーダンスの相違によるものであることが、本発明に先立って本発明の発明者によってなされた実験等によって分かってきた。上記の本発明のヘッドスライダ検査方法によれば、上記判定ステップにおいて、このようなインピーダンスの一致性についての確認が行われることで、ヘッドスライダに対する耐電界ノイズ特性についての検査を行うことができる。
【００１３】
ここで、本発明のヘッドスライダ検査方法において、「上記磁気抵抗効果型ヘッドが、トンネル磁気抵抗効果型の磁気抵抗効果膜を備える」という形態は好ましい形態である。
【００１４】
この好ましい形態によれば、ＣＰＰ型の磁気抵抗効果型ヘッドの中でも、特に大きな抵抗変化が得られるトンネル磁気抵抗効果型の磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗効果型ヘッド（ＴＭＲヘッド）を有するヘッドスライダについて、耐電界ノイズ特性についての検査を行うことができる。
【００１５】
また、本発明のヘッドスライダ検査方法において、「上記判定ステップが、上記一対の電極膜それぞれと上記スライダ本体との間の上記インピーダンスの絶対値の相違と上記インピーダンスの位相の相違との双方について判定するものである」という形態も好ましい形態である。
【００１６】
電界ノイズ等の外乱があったときのヘッドスライダの動作不良の原因となる上記インピーダンスの相違には、そのインピーダンスの絶対値の相違と位相の相違とがあるが、この好ましい形態のヘッドスライダ検査方法によれば、これらの相違の双方について判定されるので、良品のヘッドスライダを一層確実に選別することができる。
【００１７】
また、本発明のヘッドスライダ検査方法において、「上記計測ステップにおいて、上記一対の電極膜を介して上記磁気抵抗効果膜に、磁界の方向の検出に用いる所定周波数帯域における最大周波数の２倍の周波数を上限とした周波数帯域内の各周波数の交流電流を供給し、
上記判定ステップが、各周波数におけるその一対の電極膜それぞれと上記スライダ本体との間のインピーダンスの相違のうち最も大きな相違を用いて、所定の相違以下となっているか否かを確認するものである」という形態も好ましい。
【００１８】
この好ましい形態のヘッドスライダ検査方法によれば、周波数依存性を有するインピーダンスが、ヘッドスライダが実際に使用されるときの周波数帯域をある程度の余裕を持って含む周波数帯域内の各周波数について検証されるので、良品のヘッドスライダを一層確実に選別することができる。
【００１９】
また、上記目的を達成する本発明のヘッドジンバルアセンブリ製造方法は、磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜を間に挟んでなる一対の電極膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドが搭載されるヘッドスライダを備えるヘッドジンバルアセンブリを製造するヘッドジンバルアセンブリ製造方法において、
前記ヘッドスライダについて、前記一対の電極膜それぞれと前記スライダ本体との間のインピーダンスの差を計測する計測ステップと、
前記計測ステップにおいて、計測したインピーダンスの差が所定値以内であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで、前記インピーダンスの差が所定値以内であると判定したヘッドスライダを用いて、ヘッドジンバルアセンブリを組み立てる組立ステップとを備えることを特徴とする。
【００２０】
この本発明のヘッドジンバルアセンブリ製造方法によれば、耐電界ノイズ特性についての検査における不合格品の発生が抑えられた上記のようなヘッドスライダを用いてヘッドジンバルアセンブリを製造することができる。
【００２１】
尚、本発明のヘッドジンバルアセンブリ製造方法については、ここではその基本形態のみを示すに止めるが、これは単に重複を避けるためであり、本発明のヘッドジンバルアセンブリ製造方法には、上記の基本形態のみではなく、前述したヘッドスライダ検査方法の各形態に対応する各種の形態が含まれる。
【発明の効果】
【００２２】
以上、説明したように、本発明によれば、耐電界ノイズ特性についての検査をヘッドスライダについて行うことができるヘッドスライダ検査方法、および、そのようなヘッドスライダを備えるヘッドジンバルアセンブリを製造するヘッドジンバルアセンブリ製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態によって製造されるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【００２５】
この図１に示すＨＤＤ１０のハウジング１０１には、回転軸１０２に装着されて回転する磁気ディスク１０３と、磁気ディスク１０３に対して情報記録と情報再生とを行なう磁気ヘッドが支持体であるスライダ本体に搭載されてなるヘッドスライダ２００を有するヘッドジンバルアセンブリ２０と、このヘッドジンバルアセンブリ２０が固着されてアーム軸１０４を中心に磁気ディスク１０３の表面に沿って移動するキャリッジアーム１０５とキャリッジアーム１０５を駆動するアームアクチュエータ１０６とが収納されている。ここで、ヘッドスライダ２００およびヘッドジンバルアセンブリ２０は、それぞれ本発明にいうヘッドスライダおよびヘッドジンバルアセンブリの各一例に相当する。
【００２６】
磁気ディスク１０３への情報の記録および磁気ディスク１０３に記録された情報の再生に当たっては、アームアクチュエータ１０６によってキャリッジアーム１０５が駆動されて、ヘッドスライダ２００の磁気ヘッドが、回転する磁気ディスク１０３上の所望のトラックに位置決めされる。この磁気ヘッドは、磁気ディスク１０３の回転に伴って、磁気ディスク１０３の各トラックに多数並ぶ、各々に１ビットの情報が磁化の方向の形で記録される１ビット領域に順次に近接する。情報の記録時には、このように磁気ディスク１０３に近接した磁気ヘッドに電気的な記録信号が入力され、磁気ヘッドにより、その記録信号に応じて各１ビット領域に磁界が印加されて、その記録信号に担持された情報が１ビット領域に磁化方向として記録される。また、情報の再生時には、磁気ヘッドによって、各１ビット領域の磁化方向として記録された情報が、各１ビット領域の磁化によって発生する磁界の方向に応じた電気的な再生信号として取り出される。
【００２７】
図２は、図１に示すヘッドジンバルアセンブリ２０の拡大斜視図である。
【００２８】
この図２では、ヘッドジンバルアセンブリ２０が、図１の磁気ディスク１０３に対向する側が図中で上を向くように示されている。
【００２９】
このヘッドジンバルアセンブリ２０は、ヘッドスライダ２００、長尺な金属板で形成されたサスペンション２１、および４本のリード２２で構成されている。この４本のリード２２は、情報の記録用の２本と、情報の再生用の２本とをあわせたものである。ヘッドスライダ２００は、サスペンション２１の先端に搭載され、上記のリード２２は、サスペンション２１上に配線されると共に、ヘッドスライダ２００が有する磁気ヘッドに接続されている。
【００３０】
ヘッドスライダ２００は、ブロック状のスライダ本体２０１を有し、そのスライダ本体２０１を矢印Ａ方向から見たときの先端面２０１ａ上に磁気ヘッドが搭載されている。ここで、上記のスライダ本体２０１が、本発明にいうスライダ本体の一例に相当する。
【００３１】
図３は、図２に示す先端面２０１ａ上に搭載されている磁気ヘッドを矢印Ａ方向から見たときの拡大図である。尚、この図３では、図中の上方が図２に示すサスペンション２１側に相当し、反対に図中の下方が図１に示す磁気ディスク１０３側に相当する。
【００３２】
また、図４は、図３に示す磁気ヘッドの内部構成を示す模式図である。
【００３３】
以下、図３および図４を参照して磁気ヘッドについて説明する。
【００３４】
スライダ本体２０１の先端面２０１ａ上には、磁気ディスク１０３に対して情報記録と情報再生とを行なう磁気ヘッド２１０が搭載されている。この磁気ヘッド２１０は、磁気ディスク１０３に磁界を印加することで情報記録を行なう記録ヘッド２１１と、磁気ディスク１０３が発する磁界を検知することで情報再生を行なう再生ヘッド２１２からなる。
【００３５】
記録ヘッド２１１は、磁気ディスク１０３に磁界を印加するコイル２１１ａと、このコイル２１１ａに磁界発生用の電流を流すためのコイル線引出しパット２１１ｂとを備えている。
【００３６】
再生ヘッド２１２は、磁界の方向の正逆変化に応じて抵抗変化を示すトンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂを備えている。この再生ヘッド２１２が図１の磁気ディスク１０３に近接し、その磁気ディスク１０３における１ビット領域ごとに磁化された表面に対して相対移動すると、この再生ヘッド２１２の下を順次に各１ビット領域が通過する。各１ビット領域は、その１ビット領域内の磁化の方向に応じた方向の磁界を発しているので、再生ヘッド２１２周辺の磁界に、方向の正逆変化が生じる。その結果、この再生ヘッド２１２のトンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂの抵抗が変化することとなる。このトンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂは、記録ヘッド２１１が有するコイル２１１ａとスライダ本体２０１との間に位置しており、再生ヘッド２１２は、このトンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂを、コイル２１１ａが発する磁界から保護する下部シールド２１２ａ、第１上部シールド２１２ｃ、および第２上部シールド２１２ｄを備えている。再生ヘッド２１２が備えるこれらの要素は、コイル２１１ａとスライダ本体２０１との間に、スライダ本体２０１側から、下部シールド２１２ａ、トンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂ、第１上部シールド２１２ｃ、第２上部シールド２１２ｄの順で積層された構成となっている。尚、図３では、これらの要素のうちコイル２１１ａの直下に位置する第２上部シールド２１２ｄのみが見えている。
【００３７】
また、上記の３つのシールドのうち、トンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂを表裏面から直接に挟む下部シールド２１２ａおよび第１上部シールド２１２ｃは、このトンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂに電流を供給する一対の電極の役割も果たしている。そして、再生ヘッド２１２は、これらの下部シールド２１２ａおよび第１上部シールド２１２ｃに接続され、この再生ヘッド２１２から再生信号を取り出すための再生パット２１２ｅと、再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１との間に接続され、この再生ヘッド２１２を静電破壊から保護するためのシャント抵抗２１２ｆも備えている。
【００３８】
ここで、再生ヘッド２１２は、トンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂを有するいわゆるトンネル磁気抵抗型ヘッド（ＴＭＲヘッド）であり、本発明にいう磁気抵抗効果型ヘッドの一例に相当する。また、そのトンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂは、本発明にいう磁気抵抗効果膜の一例に相当し、このトンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂを表裏面から直接に挟む下部シールド２１２ａおよび第１上部シールド２１２ｃは、本発明にいう一対の電極膜の一例に相当する。
【００３９】
以上、説明した磁気ヘッド２１０における上記のコイル線引出しパット２１１ｂや再生パット２１２ｅそれぞれには、図２示すリード２２が接続されている。そして、このリード２２の端子２２ａに接続される不図示の制御部とこの磁気ヘッド２１０との間で、記録情報を表わし上記の磁界発生用の電流として与えられる記録信号や、再生信号のやり取りが行われる。この磁気ヘッド２１０における再生ヘッド２１２が本発明にいう磁気抵抗効果型ヘッドの一例に相当し、以下、この再生ヘッド２１２に注目して説明を続ける。
【００４０】
まず、この再生ヘッド２１２における電気的な動作について説明する。
【００４１】
図５は、再生ヘッド２１２の等価回路を示す図である。
【００４２】
この図５に示す等価回路では、トンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂは、磁界の方向の正逆変化に応じて抵抗値が変化する可変抵抗Ｒと、このトンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂが有するキャパシタンス成分Ｃ１との並列接続で表現されている。
【００４３】
また、再生ヘッド２１２では、例えば、下部シールド２１２ａとスライダ本体２０１の間や第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間等は、アルミナ皮膜からなるシールド分離層によって絶縁されているが、これにより下部シールド２１２ａとスライダ本体２０１の間や第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間等にキャパシタンス成分が生じる。
【００４４】
図５に示す等価回路では、第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間のキャパシタンス成分Ｃ２、第１上部シールド２１２ｃから再生パット２１２ｅまでを繋ぐ配線パターンとスライダ本体２０１との間のキャパシタンス成分Ｃ３、第１上部シールド２１２ｃ側のシャント抵抗２１２ｆのパターンとスライダ本体２０１との間のキャパシタンス成分Ｃ４、および、第１上部シールド２１２ｃ側の再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１との間のキャパシタンス成分Ｃ５が、第１上部シールド２１２ｃ側の再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１との間にシャント抵抗２１２ｆと共に並列接続されて示されている。さらに、下部シールド２１２ａとスライダ本体２０１の間のキャパシタンス成分Ｃ６、下部シールド２１２ａから再生パット２１２ｅまでを繋ぐ配線パターンとスライダ本体２０１との間のキャパシタンス成分Ｃ７、下部シールド２１２ａ側のシャント抵抗２１２ｆのパターンとスライダ本体２０１との間のキャパシタンス成分Ｃ８、および、下部シールド２１２ａ側の再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１との間のキャパシタンス成分Ｃ９が、下部シールド２１２ａ側の再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１との間にシャント抵抗２１２ｆと共に並列接続されて示されている。
【００４５】
ここで、この図５の等価回路が表わす再生ヘッド２１２では、動作時には、２つの再生パット２１２ｅの間に所定周波数帯域内の周波数の交流電流が供給される。そして、再生ヘッド２１２が、回転する磁気ディスク１０３の表面に近づくと、この再生ヘッド２１２の下を、各々が１ビットの情報が磁化の方向の形で記録された複数の１ビット領域が順次に通過することで、この再生ヘッド２１２近傍の磁界の方向に正逆変化が生じる。その結果、トンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂの抵抗Ｒが変化し、この変化に応じてトンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂの両端の電圧が変化する。この電圧の変化は、再生ヘッド２１２の下を順次に通過した１ビット領域に記録された１ビットの情報の並びを表わす再生信号に相当する。この再生ヘッド２１２では、トンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂの両端のうちの一端に繋がる再生パット２１２ｅの、グランドの役割を果たすスライダ本体２０１に対する電位と、そのスライダ本体２０１に対するもう一方の再生パット２１２ｅの電位とが取り出され、これら２つの電位の差が上記の再生信号として求められる。このように、この再生ヘッド２１２では、再生信号がいわゆる差動形式で扱われる。差動形式によれば、例えば電界ノイズ等といった外乱があったときには、２つの電位が、外乱によって互いに同振幅および同位相で変動することで再生信号における外乱の影響が打ち消されることとなる。ここで、トンネル磁気抵抗効果膜２１２ｂの抵抗変化に基づいて得られる再選信号は微弱であり、ＨＤＤ１０内の配線等を発する電界ノイズ等の影響を受けやすい。そこで、この再生ヘッド２１２では、再生信号を差動形式で扱うことで耐電界ノイズ特性の向上が図られている。
【００４６】
ところで、図５に示す差動形式の回路構成において、外乱の影響が良好に打ち消されるためには、２つの再生パット２１２ｅそれぞれとスライダ本体２０１との間のインピーダンスＺ１，Ｚ２が互いにある程度一致している必要がある。これらのインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致を図るための方法としては、図５に示す回路構成において再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１との間に接続されている様々なキャパシタンス成分を、例えば、そのキャパシタンス成分の原因となっているシールド分離層の厚みを調整する等といったことにより適宜に調整する方法が考えられる。
【００４７】
以下、構造上、調整が容易な、第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間のシールド分離層（上部シールド分離層）の厚みと、上記のインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性との関係について説明する。
【００４８】
尚、インピーダンスＺ１，Ｚ２の一致を図るために厚みが調整されるシールド分離層は、第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間のキャパシタンス成分Ｃ２に対応する上部シールド分離層に限られず、例えば、図５の等価回路における他のキャパシタンス成分Ｃ３，…，Ｃ９に対応するシールド分離層等であっても良い。また、インピーダンスＺ１，Ｚ２の一致を図るためにキャパシタンス成分を調整する方法も、ここでの例のようにシールド分離層の厚みを調整する方法に限られず、例えば、上記の第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄのようにシールド分離層を挟んでいる部分の面積を調整する方法であっても良く、あるいは、シールド分離層の材質をアルミナ以外の他の適切な材質に変更する方法等であっても良い。
【００４９】
以下、第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間の上部シールド分離層の厚みと、上記のインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性との関係について説明する。
【００５０】
図６は、第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間の上部シールド分離層の厚みが互いに異なる３種類のスライダヘッド２０１におけるインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性を示すグラフである。
【００５１】
図６のパート（Ａ）には、０．２２μｍの厚みの上部シールド分離層を有するスライダヘッド２０１におけるインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性を示すグラフＧ１が示され、パート（Ｂ）には、０．２６μｍの厚みの上部シールド分離層を有するスライダヘッド２０１におけるインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性を示すグラフＧ２が示され、パート（Ｃ）には、０．３０μｍの厚みの上部シールド分離層を有するスライダヘッド２０１におけるインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性を示すグラフＧ３が示されている。
【００５２】
尚、この図６に示す各グラフでは、上記の再生ヘッド２１２に実際の動作時に供給される交流電流の周波数がとり得る所定周波数帯域の最大周波数の２倍の周波数（ここでの例では１ＧＨｚ）を上限とした、１ＭＨｚから１ＧＨｚまでの周波数帯域内の各周波数に対応するインピーダンスが示されている。
【００５３】
各グラフでは、横軸に周波数がとられ、左側の縦軸にインピーダンスの絶対値がとられ、右側の縦軸にインピーダンスの位相がとられている。また、各グラフでは、図４に示す第１上部シールド側の再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１との間のインピーダンスＺ１の絶対値及び位相が、それぞれ四角印及び丸印でプロットされ、下部シールド側の再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１との間のインピーダンスＺ２の絶対値及び位相が、それぞれ三角印及び菱形印でプロットされている。
【００５４】
このパート（Ａ）からパート（Ｃ）までのグラフを見比べると分かるように、３種類のスライダヘッド２０１ではインピーダンスの絶対値については良好な一致性が得られているが、インピーダンスの位相については、０．２２μｍの厚みの上部シールド分離層を有するスライダヘッド２０１が最も一致性が低く、０．３０μｍの厚みの上部シールド分離層を有するスライダヘッド２０１が最も一致性が高くなっている。
【００５５】
以上の、３種類のスライダヘッド２０１の中では、インピーダンスの絶対値および位相の双方についての一致性が最も高い０．３０μｍの厚みの上部シールド分離層を有するスライダヘッド２０１が、最も良好な帯電界ノイズ特性を有していると予想される。
【００５６】
以下、スライダヘッド２０１における第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間の上部シールド分離層の厚みと耐電界ノイズ特性との間の関係について説明する。
【００５７】
図７は、図６の説明で参照された３種類のスライダヘッド２０１についての耐電界ノイズ特性を示すグラフである。
【００５８】
このグラフに示す耐電界ノイズ特性は、検査対象のスライダヘッド２０１が組み込まれたヘッドジンバルアセンブリ２０が用いられて従来の検査装置で得られたものである。ヘッドジンバルアセンブリ２０には、再生ヘッド２１２用の電流が供給されて、そのヘッドジンバルアセンブリ２０に１４５ＭＨｚの周波数の電界ノイズが照射され、その照射下において、上記の再生パット２１２ｅに接続されているリード２２の端子２２ａ（図２参照）に現れる電圧が、再生信号に対する外乱による変動分として計測される。この計測された電圧が大きいほど、電界ノイズの影響を受け易く耐電界ノイズ特性が悪いと判断される。尚、ここでの検査では、上部シールド分離層の３種類の厚みそれぞれについて、３つのサンプルが作成され、各サンプルについて計測が行なわれている。
【００５９】
図７のパート（Ａ）には、図４に示す第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間の上部シールド分離層の厚みが横軸にとられ、検査において計測された電圧が縦軸にとられ、各サンプルについての計測結果がプロットされたグラフＧ４が示されている。また、パート（Ｂ）には、それらの計測結果が記載された表Ｔ１が示されている。この図７から分かるように、各サンプルの中では、０．３０μｍの厚みのものが耐電界ノイズ特性が最も良好で、後は、０．２６μｍ、０．２２μｍの順で耐電界ノイズ特性が悪くなっている。
【００６０】
以上、図６および図７を参照して説明したように、図３から図５に示す再生ヘッド２１２の耐電界ノイズ特性が良好であることと、２つの再生パット２１２ｅそれぞれとスライダ本体２０１との間のインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性が良好であることとの間には相関がある。そこで、再生ヘッド２１２の設計時には、インピーダンスの一致性が良好となるような最適な上部シールド分離層の厚みに設計される。
【００６１】
次に、上部シールド分離層が上記のような最適な厚みに設計されたヘッドスライダを備えるヘッドジンバルアセンブリが搭載されたＨＤＤを製造する、本発明の一実施形態であるＨＤＤ製造方法について説明する。
【００６２】
図８は、本発明の一実施形態であるＨＤＤ製造方法の一例を示すフローチャートである。
【００６３】
この図８のフローチャートが示すＨＤＤ製造方法では、まず、上記のヘッドスライダ２００が製造される（ステップＳ１０１）。このとき、図４に示す第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間の上部シールド分離層の厚みは、設計上は上記の最適な厚みであるが、実際に製造されたものは、製造誤差等により、この上部シールド分離層の厚みや、図４の等価回路に示すさまざまな回路要素の値が必ずしも設計どおりに製造されていない場合がある。そこで、本実施形態では、まず、確認対象のヘッドスライダ２００の耐電界ノイズ特性の良し悪しが確認される。このヘッドスライダの確認は、本発明のヘッドスライダ検査方法の一実施形態に相当し、次のようなインピーダンスの計測過程（ステップＳ１０２）と、計測結果の判定過程（ステップＳ１０３）とに分けることができる。ここで、計測過程（ステップＳ１０２）が本発明にいう計測ステップの一例に相当し、判定過程（ステップＳ１０３）が本発明にいう判定ステップの一例に相当する。このヘッドスライダ２００の耐電界ノイズ特性の良し悪しは、上述したように２つの再生パット２１２ｅそれぞれとスライダ本体２０１との間のインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性に依存している。そこで、本実施形態では、このヘッドスライダ２００の耐電界ノイズ特性の良し悪しが、計測過程（ステップＳ１０２）において、このインピーダンスＺ１，Ｚ２を計測し、判定過程（ステップＳ１０３）において、このインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性を確認することで間接的に確認される。本実施形態では、このインピーダンスＺ１，Ｚ２の計測および一致性の確認が、以下に説明するインピーダンスプローブを使って行なわれる。
【００６４】
図９は、インピーダンスプローブを示す模式図である。
【００６５】
この図９のパート（Ａ）には、インピーダンスプローブ３００の透視図が示されており、図９のパート（Ｂ）には、インピーダンスプローブ３００を２つに分離した図が示されており、図９のパート（Ｃ）には、再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１との間のインピーダンスが計測される様子が模式的に示されている。
【００６６】
このインピーダンスプローブ３００は、ヘッドスライダ２００が搭載される搭載部３０１を備えた第１部分３００ａと、ヘッドスライダ２００が有するスライダ本体２０１に接触する接触ブロック３０３を備えた第２部分３００ｂと、両者を結合するネジ３０２と、グランド端子３０４ａ及びプローブ端子３０４ｂを有する同軸プローブ３０４とを備えている。
【００６７】
まず、２つに分離されたインピーダンスプローブ３００の第１部分３００ａの搭載部３０１にヘッドスライダ２００が搭載されると、その第１部分３００ａが有する２つのガイドピン３００ａ＿１が、第２部分３００ｂに設けられた２つの凹部３００ｂ＿１に挿入され、さらに、ネジ３０２が締められて両者が一体化される。この状態で、同軸プローブ３０４のグランド端子３０４ａとプローブ端子３０４ｂとが、それぞれ接触ブロック３０３と再生パット２１２ｅとに当てられ、この同軸プローブ３０４を介して、プローブ端子３０４ｂが当てられた再生パット２１２ｅとスライダ本体２０１間のインピーダンスが計測される。また、このインピーダンスプローブ３００は、上記の再生ヘッド２１２に実際の動作時に供給される交流電流の周波数がとり得る所定周波数帯域の最大周波数の２倍の周波数（ここでの例では１ＧＨｚ）を上限とした、１ＭＨｚから１ＧＨｚまでの周波数帯域内の各周波数に対応するインピーダンスを計測するように設定されている。
【００６８】
図８に示す計測過程（ステップＳ１０２）では、このようなインピーダンスプローブ３００に確認対象のヘッドスライダ２００が搭載されて、１ＭＨｚから１ＧＨｚまでの周波数帯域内の各周波数についてインピーダンスが測定される。そして、判定過程（ステップＳ１０３）において、インピーダンスの絶対値が最も相違しているところでのその絶対値の差が所定の閾値を下回っているか否かの確認と、インピーダンスの位相が最も相違しているところでのその位相の差が所定の閾値を下回っているか否かの確認とが行われる。これら２つの条件を共に満たすヘッドスライダ２００のみが良品として次の過程に供される。
【００６９】
そして、この判定過程（ステップＳ１０３）で良品であると確認されたヘッドスライダ２００を用いて、図２に示すサスペンション２１およびリード２２等を組み合わせてヘッドジンバルアセンブリ２０が組み立てられる（ステップＳ１０４）。このステップＳ１０４のヘッドジンバルアセンブリ組立過程は、本発明にいう組立ステップの一例に相当する。
【００７０】
最後に、このヘッドジンバルアセンブリ組立過程（ステップＳ１０３）で得られたヘッドジンバルアセンブリ２０を用いて、図１に示すハウジング１０１や回転軸１０２や磁気ディスク１０３やアーム軸１０４やキャリッジアーム１０５やアームアクチュエータ１０６等を組み合わせてＨＤＤ１０が組み立てられる（ステップＳ１０４）。
【００７１】
ここで、この図８に示すＨＤＤ製造方法におけるヘッドスライダ製造過程（ステップＳ１０１）、計測過程（ステップＳ１０２）、判定過程（ステップＳ１０３）、およびヘッドジンバルアセンブリ組立過程（ステップＳ１０４）を合わせたものが本発明のヘッドジンバルアセンブリ製造方法の一実施形態に相当する。
【００７２】
この図８に示すＨＤＤ製造方法によれば、ヘッドスライダ２００における上述したようなインピーダンスの一致性を確認することで耐電界ノイズ特性の良し悪しが確認され、良品のヘッドスライダ２００のみが後の製造過程に供されることとなる。これにより、耐電界ノイズ特性が悪い不良品のヘッドスライダ２００を使ってヘッドジンバルアセンブリ２０を組み立ててしまい結果的にヘッドジンバルアセンブリ２０の耐電界ノイズ特性についての検査における不合格品を製造してしまう等といった事態が概ね回避される。つまり、本実施形態によれば、耐電界ノイズ特性についての検査における不合格品の発生が抑えられたヘッドジンバルアセンブリ２０を製造することができ、延いては、そのような良品のヘッドジンバルアセンブリ２０を備えたＨＤＤ１０を製造することができる。
【００７３】
尚、上記では、本発明にいう磁気抵抗効果型ヘッドの一例として、トンネル磁気抵抗効果膜を有するいわゆるトンネル磁気抵抗型ヘッド（ＴＭＲヘッド）である再生ヘッド２１２を例示したが、本発明はこれに限るものではない。本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば、巨大磁気抵抗効果膜を有する巨大磁気抵抗効果型ヘッド（ＧＭＲヘッド）をＣＰＰ型に構成したＣＰＰ−ＧＭＲヘッド等であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の一実施形態によって製造されるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【図２】図１に示すヘッドジンバルアセンブリ２０の拡大斜視図である。
【図３】図２に示す先端面２０１ａ上に搭載されている磁気ヘッドを矢印Ａ方向から見たときの拡大図である。
【図４】図３に示す磁気ヘッドの内部構成を示す模式図である。
【図５】再生ヘッド２１２の等価回路を示す図である。
【図６】第１上部シールド２１２ｃと第２上部シールド２１２ｄとの間の上部シールド分離層の厚みが互いに異なる３種類のスライダヘッド２０１におけるインピーダンスＺ１，Ｚ２の一致性を示すグラフである。
【図７】図６の説明で参照された３種類のスライダヘッド２０１についての耐電界ノイズ特性を示すグラフである。
【図８】本発明の一実施形態であるＨＤＤ製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図９】インピーダンスプローブを示す模式図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０    ＨＤＤ
１０１    ハウジング
１０２    回転軸
１０３    磁気ディスク
１０４    アーム軸
１０５    キャリッジアーム
１０６    アームアクチュエータ
２０    ヘッドジンバルアセンブリ
２１    サスペンション
２２    リード
２２ａ    端子
２００    ヘッドスライダ
２０１    スライダ本体
２０１ａ    先端面
２１０    磁気ヘッド
２１１    記録ヘッド
２１１ａ    コイル
２１１ｂ    コイル線引出しパット
２１２    再生ヘッド
２１２ａ    下部シールド
２１２ｂ    トンネル磁気抵抗効果膜
２１２ｃ    第１上部シールド
２１２ｄ    第２上部シールド
２１２ｅ    再生パット
２１２ｆ    シャント抵抗
３００    インピーダンスプローブ
３００ａ    第１部分
３００ａ＿１    ガイドピン
３００ｂ    第２部分
３００ｂ＿１    凹部
３０１    搭載部
３０２    ネジ
３０３    接触ブロック
３０４    同軸プローブ
３０４ａ    グランド端子
３０４ｂ    プローブ端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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