(57)【要約】【課題】周波数が１０ＭＨｚ以下で、且つ小型でＱ値の大きいラーメモード水晶振動子を得る。【解決手段】励振により輪郭振動する圧電材料からなる圧電基板本体７と、該圧電基板本体主面の輪郭振動の節となる部位の少なくとも片面側に突設した該圧電基板と同一材料から成る突起１０と、から成る圧電基板６と、該圧電基板面の両主面に形成された励振電極と、を備えた圧電振動素子を構成する。突起は、圧電基板本体の中央部、或いは周縁部に位置する輪郭振動の節に突設されている。【選択図】図１
2008294506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振により輪郭振動する圧電材料からなる圧電基板本体と、該圧電基板本体主面の輪郭振動の節となる部位の少なくとも片面側に突設した該圧電基板本体と同一材料から成る突起と、から成ることを特徴とする圧電基板。
【請求項２】
前記突起は、前記圧電基板本体の中央部に位置する前記輪郭振動の節に突設されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電基板。
【請求項３】
前記圧電基板本体の長さ、又は幅Ｌにより基準化して、前記圧電基板本体の中心から０．０７５Ｌ以内の領域に前記突起を設けたことを特徴とする請求項２に記載の圧電基板。
【請求項４】
前記突起は、前記圧電基板本体の周縁部に位置する前記輪郭振動の節のうちの少なくとも一箇所に突設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電基板。
【請求項５】
前記圧電基板本体の長さ、又は幅Ｌにより基準化して、前記圧電基板本体の周縁部に形成された前記突起を四隅の先端から０．０７５Ｌ以内の領域に位置させることを特徴とする請求項４に記載の圧電基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の圧電基板と、該圧電基板面に形成された励振電極と、を備えていることを特徴とする圧電振動素子。
【請求項７】
前記突起には前記励振電極と導通する導体膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の圧電振動素子。
【請求項８】
一方の面に圧電振動素子の少なくとも１つの励振電極と電気的に接続するための複数の素子搭載用パッドを備えると共に、底部に実装端子を備えたパッケージ本体と、何れかの前記実装端子と前記素子搭載用パッドとの間に所定の配線を施すための接続導体と、一方の面に圧電振動素子の少なくとも１つの励振電極と電気的に接続するための複数の素子搭載用パッドを備えると共に、該素子搭載用パッドから端部まで延在する接続導体と、を有し、パッケージ本体上の空間を封止する蓋部材と、を備えたパッケージと、
前記各素子搭載パッドと前記各励振電極とが導通した状態で前記パッケージ内に収容される請求項６又は７に記載の圧電振動素子と、
を備えた表面実装型圧電振動子であって、
前記突起を介して前記パッケージ本体内底面、或いは前記蓋部材に対して前記圧電振動素子を支持したことを特徴とする表面実装型圧電振動子。
【請求項９】
前記突起に形成された導体膜を介して前記各素子搭載パッドと前記各励振電極とを導通させたことを特徴とする請求項８に記載の表面実装型圧電振動子。
【請求項１０】
請求項９に記載の表面実装型圧電振動子と、発振回路部品と、を備えたことを特徴とする表面実装型圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板、圧電振動素子、表面実装型圧電振動子、及び表面実装型圧電発振器に関し、特に輪郭振動をするラーメモード水晶振動子の支持構造、製造方法に係る技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動子は小型で、高精度な周波数が容易に得られるため、携帯電話等の移動体通信機、電波時計、ＩＣカード等の民生用機器の基準周波数源として広く用いられている。特に、広い温度範囲に亘り良好な周波数温度特性を呈するＡＴカット水晶振動子（厚み滑り振動モード）は、大量に利用されている。しかし、周波数が１０ＭＨｚ以下のＡＴカット水晶振動子のＣＩ（クリスタルインピーダンス）値を小さくするには、水晶基板の周縁部にベベル加工を施すか、水晶基板の主面全体にコンベックス加工を施す必要があり、小型化が難しく、コストも上昇する。そこで、この周波帯の圧電振動子として、エッチングで量産化が可能なＧＴカット振動子、ラーメモード水晶振動子等が提案された。
【０００３】
非特許文献１に開示されたラーメモード水晶振動子について説明する。基板の４隅が節点となるラーメモード振動子は、面内で等方性の方形基板の幅と長さの比が整数のとき実現できる。水晶振動子では、幅縦モードと長さ縦モードとが結合したＧＴカット振動子で、辺比（長さ／幅）が１のときにラーメモード水晶振動子となることが知られている。
図１４は、エッチング法によって製造されたラーメモード水晶振動子の構成を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図である。図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、ラーメモード水晶振動子は、基部６５から延在した支持部６５ａ、６５ｂと、支持部６５ａ、６５ｂの先端部により、対向する隅部を支持された振動部６０と、を備えている。そして、振動部６０の両主面には電極７０ａ、７０ｂが形成されている。
【０００４】
ラーメモード水晶振動子の水晶基板の切断角度は、ＩＥＥＥ表示で（ＹＸｌｔ）φ／θで表される。つまり、水晶Ｙ板（座標軸はＸ，Ｙ，Ｚ）のＸ軸の回りにφ回転し（座標軸はＸ，Ｙ’，Ｚ’）、Ｙ’軸の回りにθ回転した（座標軸はＸ’，Ｙ’，Ｚ’’）水晶基板を用いる。そして、四隅で変位が零となるラーメモード水晶振動子の共振周波数は、水晶板の幅、又は長さに反比例する。非特許文献１によると、ラーメモード水晶振動子の１次、２次温度係数を夫々α、βとすると、αはカット角φが３６°と１３０°のとき、零になり、βは夫々−５．２×１０-8／℃2、−１．１×１０-8／℃2の値を持つと開示されている。一方、βはカット角φが４５°と１２６°で零になる。θは４５°近傍が用いられる。
【０００５】
また、特許文献１にはＧＴカット振動子のマウント方法が開示されている。ＧＴカット振動素子の一方の電極と、パッケージに焼き付け印刷したリード電極との間に金バンプを挟み、熱圧接して両者の電気的導通を図りつつ固定する。他方の電極はワイヤーボンディングを行い、ＧＴカット振動子を構成する。
【非特許文献１】第２４回ＥＭシンポジウム、１１頁〜１６頁、「エッチング法によって形成されたラーメモード水晶振動子」、川島宏文、松山勝
【特許文献１】特開平９−１３９６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、非特許文献１に開示されたエッチング法によって形成されたラーメモード水晶振動子においては、基部６５から延在した支持部６５ａ、６５ｂと、振動部６０とを一体として形成するため、ラーメモード水晶振動子の小型化が困難であるという問題があった。
また、特許文献１に開示されたＧＴカット振動子は一方の電極はパッケージに形成したリード電極とバンプを介して接続するが、他方の電極はボンディングワイヤを用いるため、やはり小型化には問題があった。
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、周波数が１０ＭＨｚ以下で、且つ小型でＱ値の大きいラーメモード水晶振動子等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、周波数が１０ＭＨｚ以下で、且つ小型でＱ値の大きいラーメモード水晶振動子を得るため、励振により輪郭振動する圧電材料からなる圧電基板本体と、該圧電基板本体主面の輪郭振動の節となる部位の少なくとも片面側に突設した該圧電基板本体と同一材料から成る突起と、から成る圧電基板を構成する。
このように圧電基板を構成すると、励振電極を付着して圧電振動素子を製造した際に、従来のラーメモード水晶振動子では必要であった保持部（図１４における基部６５）が不要となるため、小型化ができるのと、Ｑの大きなラーメモード圧電振動素子を得ることができる。
【０００８】
前記突起は、前記圧電基板本体の中央部に位置する前記輪郭振動の節に突設されている圧電基板を構成する。
このように圧電基板を構成すると、励振電極を付着して圧電振動素子を製造した際に、従来のラーメモード水晶振動子では必要であった保持部が不要となるため、小型化ができるのと、Ｑの大きなラーメモード圧電振動素子を得ることができる。
【０００９】
前記圧電基板本体の長さ、又は幅Ｌにより基準化して、前記圧電基板本体の中心から０．０７５Ｌ以内の領域に前記突起を設けた圧電基板を構成する。
このように圧電基板を構成すると、励振電極を付着して圧電振動素子を製造した際に、従来のラーメモード水晶振動子では必要であった保持部が不要となるため、小型化ができるのと、Ｑの大きな、周波数温度特性の良好なラーメモード圧電振動素子を得ることができる。
【００１０】
前記突起は、前記圧電基板本体の周縁部に位置する前記輪郭振動の節のうちの少なくとも一箇所に突設された圧電基板を構成する。
このように圧電基板を構成すると、圧電振動素子を製造した際に、圧電基板の支持の自由度が広がり、客先の要求に応じた圧電振動子が構成できるという利点がある。
【００１１】
前記圧電基板本体の長さ、又は幅Ｌにより基準化して、前記圧電基板本体の周縁部に形成された突起の位置を四隅の先端から０．０７５Ｌ以内の領域に位置させる圧電基板を構成する。
このように圧電基板を構成すると、励振電極を付着して圧電振動素子を製造した際に、従来のラーメモード水晶振動子では必要であった保持部が不要となるため、小型化ができるのと、Ｑの大きな、周波数温度特性の良好なラーメモード圧電振動素子を得ることができる。
【００１２】
上記圧電基板と、該圧電基板面に形成された励振電極と、を備えた圧電振動素子を構成する。
以上のように、圧電振動素子を構成すると、従来のラーメモード水晶振動子では必要であった保持部が不要となるため、小型化ができるのと、Ｑの大きな、周波数温度特性の良好なラーメモード圧電振動子を得ることができる。
【００１３】
前記突起には前記励振電極と導通する導体膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の圧電振動素子を構成する。
以上のように、突起に導体膜が形成されていることにより、圧電基板の支持と、励振電極への導通がはかられるという効果がある。
【００１４】
一方の面に圧電振動素子の少なくとも１つの励振電極と電気的に接続するための複数の素子搭載用パッドを備えると共に、底部に実装端子を備えたパッケージ本体と、何れかの前記実装端子と前記素子搭載用パッドとの間に所定の配線を施すための接続導体と、一方の面に圧電振動素子の少なくとも１つの励振電極と電気的に接続するための複数の素子搭載用パッドを備えると共に、該素子搭載用パッドから端部まで延在する接続導体とを有し、パッケージ本体２１上の空間を封止する蓋部材と、を備えたパッケージと、前記各素子搭載パッドと前記各励振電極とが導通した状態で前記パッケージ内に収容される請求項６、又は７に記載の圧電振動素子と、を備えた表面実装型圧電振動子であって、前記突起を介して前記パッケージ本体内底面、或いは前記蓋部材に対して前記圧電振動素子を支持した表面実装型圧電振動子を構成する。
ラーメモード振動の圧電素子を上記のようなパッケージに収容することにより、小型でＱ値が大きく、周波数温度特性の良好なラーメモード表面実装型圧電振動子が得られるという効果がある。
【００１５】
前記突起に形成された導体膜を介して前記各素子搭載パッドと前記各励振電極とを導通させた表面実装型圧電振動子を構成する。
以上のように、表面実装型圧電振動子を構成すると、支持と導通を兼ねることができ、小型のラーメモード圧電振動子を得ることができる。
【００１６】
上記の表面実装型圧電振動子と、発振回路部品と、を備えた表面実装型圧電発振器を構成する。
このように、上記の表面実装型圧電振動子を用い、圧電発振器構成すると、１０ＭＨｚ以下で温度特性の良好な、小型の圧電発振器を実現できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係るラーメモード圧電振動素子１の構成を示す斜視図、同図（ｂ）は、ラーメモード圧電振動素子１をパッケージ２０に収容して構成した表面実装型圧電振動子Ｘの分解断面図である。図１（ａ）に示すラーメモード圧電振動素子１に用いる圧電基板６は、ＬＱ２Ｔカット水晶（（ＹＸｌｔ）φ／θ；φ＝５０°、θ＝４５°）で、励振により輪郭振動する圧電材料からなる圧電基板本体７と、圧電基板本体７の主面の輪郭振動の節となる部位の少なくとも片面側に突設した圧電基板本体７と同一材料から成る突起１０と、から成る。図１（ａ）の例では、突起１０は、圧電基板本体７の両主面の中央部に位置する輪郭振動の節に夫々突設されている圧電基板６を示している。
【００１８】
図１（ａ）に示すラーメモード圧電振動素子１は、圧電基板本体７の両主面に夫々突起１０を有する圧電基板６と、該圧電基板６の両面に真空蒸着、又はスパッタリングで形成した励振電極１５ａ、１５ｂと、を備えている。励振電極１５ａ、１５ｂは、圧電基板本体７の両主面の全面に形成してもよいし、周縁部を除く部分に形成してもよい。そして、ラーメモード振動をする圧電基板本体７の両主面の節に形成した突起１０には、両主面の励振電極１５ａ、１５ｂと導通する、真空蒸着等で形成した導体膜（図示せず）を形成する。突起１０に導体膜を形成することにより、２個の突起１０を介して圧電振動素子１を励振することができる。
【００１９】
図１（ｂ）の分解断面図に示すように、圧電振動子１を収容するパッケージ２０は、一方の面（上面、或いは凹所内底面）に圧電振動素子１の励振電極１５ｂと電気的に接続するための素子搭載用パッド２３を備えると共に、外底部に実装端子２７を備えたパッケージ本体２１と、何れかの実装端子２７と前記素子搭載用パッド２３との間に所定の配線を施すための接続導体２５と、一方の面（下面）に圧電振動素子１の励振電極１５ａと電気的に接続するための素子搭載用パッド２３を備えると共に、該素子搭載用パッド２３から端部まで延在する接続導体２５とを有し、パッケージ本体２１上の空間を封止する蓋部材２２と、を備える。そして、表面実装型圧電振動子Ｘは、各素子搭載パッド２３と各励振電極１５ａ、１５ｂとが導通した状態でパッケージ２０内に圧電振動素子１が収容され、突起１０を介してパッケージ本体２１内底面、或いは蓋部材２２に設けた各素子搭載パッド２３により、圧電振動素子１を支持した構造となっている。なお、突起１０に形成された導体膜と、素子搭載用パッド２３とを電気的に導通し、且つ両者を固定するために導電性接着剤３０を用いている。このように構成すると、実装端子２７と、接続導体２５と、素子搭載用パッド２３と、導電性接着剤３０と、突起１０の導電膜と、励振電極１５ａ、１５とが電気的に接続され、圧電基板本体７にラーメモード振動を励起することができる。
なお、図１（ｂ）に示したパッケージ２０として、パッケージ本体２１に凹陥部が形成され、蓋部材２２が平板状である構成例を示したが、上面が平坦な基板上に圧電振動素子１を搭載した状態で、該圧電振動素子１を含む基板上の空間を逆椀状の蓋部材により気密封止した構造の振動子にも本発明は適用することができる。
【００２０】
図２は、長さ、幅共にＬ、厚さｔの圧電基板本体７と、立方体形状の幅が共にｗで高さｈの突起１０と、からなる圧電基板６の正面図である。励振電極１５ａ、１５ｂは図示しない。圧電基板本体７の長さＬを６００μｍ、厚さｔを１０μｍ、突起１０の幅ｗを５０μｍ、高さｈを４５μｍとした圧電基板に励起されるラーメモードの振動変位を有限要素法を用いて求めることにした。図３（ａ）はＸ’方向の変位、同図（ｂ）はＺ’’方向の変位、同図（ｃ）はＹ’方向の変位を夫々示す。シミュレーション結果を図示する際に色により変位の大きさを表しているが、白黒表示では黒く表される。図３では黒く示されている部分の変位が大きいので、図３（ａ）、（ｂ）よりラーメモード振動では、輪郭方向のＸ’方向、Ｚ’’方向とも両端部の中央で変位が大きいことを示している。また、図３（ｃ）から、ラーメモード振動ではＹ’方向、つまり厚さ方向の変位は無いことを示している。
【００２１】
ラーメモード振動をする水晶基板を支持する場合、振動の節、つまり変位ベクトルの零の部分を支持すれば振動モードに影響を及ぼさない。そこで、長さ（幅）Ｌを６００μｍ、突起１０の幅ｗを５０μｍ、高さｈを４５μｍとし、圧電基板本体７の厚さｔを１０μｍから、１０μｍ刻みで６０μｍまで変化させたときのラーメモードの変位ベクトルを有限要素法を用いて求めた。厚さｔを１０μ、２０μｍ、３０μｍとした場合の変位ベクトルの大きさを示す図が、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）である。図３と異なり、図４ではの黒色の部分は変位ベクトルが零の状態を表している。厚さｔを１０μ、２０μｍ、３０μｍと変化させた場合、圧電基板６の中央部と４隅で変位ベクトルが零であることを示している。
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、厚さｔを４０μ、５０μｍ、６０μｍと変化させた場合のラーメモードの変位ベクトルを示した図で、黒色が変位が零の状態である。これらの場合も圧電基板６の中央部と四隅で変位が零となることを示している。
【００２２】
図６は、圧電基板６の長さ（幅）Ｌを６００μｍ、厚さｔを１０μｍ、突起１０の高さｈを４５μｍとし、立方体形状の突起１０の幅ｗを５０μｍから、１０μｍ刻みで１００μｍまで変化させたときのラーメモードの変位ベクトルを有限要素法を用いて求めた。図６（ａ）〜（ｃ）は、突起１０の幅ｗを５０μｍ〜７０μｍまで変化させた場合で、変位ベクトルが零である部分は圧電基板６の中央部と、四隅であるが、突起１０の幅ｗを広くするにつれて四隅の変位ベクトルが零となる領域の面積は小さくなる。図７（ａ）〜（ｃ）は、突起１０の幅ｗを８０μｍ〜１００μｍまで変化させた場合で、突起１０の幅ｗが８０μｍより広くなると四隅の変位ベクトルが零となる領域は極めて小さくなり、突起１０の幅ｗが１００μｍでは四隅も変位するようになる。
【００２３】
図８（ａ）〜（ｃ）は、圧電基板６の長さ（幅）Ｌを６００μｍ、厚さｔを１０μｍ、突起１０の幅ｗを５０μｍとし、突起１０の高さｈを４５μｍから６５μｍ、９０μｍと変化させた場合のラーメモードの変位ベクトルを求めた。変位ベクトルが零である領域は圧電基板６の中央部と、四隅であるが、高さｈを９０μｍと高くすると四隅の変位ベクトルは零であるものの、その近傍の輪郭に変位が若干生じるのが分かる。
以上、圧電基板の諸パラメータを変化させた場合のラーメモードの変位ベクトルのシミュレーション結果を示した。このシミュレーションより圧電基板の中央部の変位ベクトルは、諸パラメータを変化させても安定的に零となるが、四隅の変位ベクトルは影響を受けることが判明した。特に突起１０の幅ｗを７０μｍより広くすると、変位ベクトルが零となる部分の面積は極めて小さくなる。
【００２４】
次に、図９（ａ）に示すように圧電基板の支持位置を、圧電基板の中心座標（０、０）に対し横に±ｐ、縦に±ｐの範囲内に設定するものとする。以上のシミュレーション結果より、支持位置ｐを圧電基板の長さ（幅）Ｌで基準化（ｐ／Ｌ）して、圧電基板の中心（０、０）より縦、横に±０．０７５Ｌの範囲内Ｑ０に位置させれば、ラーメモードの振動に影響を及ぼさないことになる。また、四隅に関しては、四隅より横、縦にｄの範囲内を支持位置とすれば、圧電基板の長さ（幅）Ｌで基準化（ｄ／Ｌ）して、支持位置を四隅の位置より横、縦に０．０７５Ｌの範囲内Ｑ１に位置させれば、ラーメモードの振動モードに影響を及ぼさないことになる。
また、図９（ｂ）に示すように、圧電基板の四隅より基準化した長さで縦、横に夫々０．０７５Ｌ広げた範囲内Ｑ２を支持位置としてもラーメモードの振動に影響を及ぼさないことになる。
【００２５】
図１０は第２の実施例のラーメモード圧電振動子Ｘの構成を示す図であって、図１０（ａ）はラーメモード圧電振動素子２の斜視図、同図（ｂ）はラーメモード圧電振動素子２をパッケージ２０に収容した表面実装型圧電振動子Ｘの分解断面図である。第２の実施例のラーメモード圧電振動素子２は、圧電基板本体７の周縁部に位置する輪郭振動の節のうちの少なくとも一箇所に突設された突起１０を有する圧電基板６を用いて構成されている。図１０では、圧電基板本体７の四隅に突起１０を形成した例を示している。真空蒸着、又はスパッタリングを用いて、圧電基板本体７の両主面には励振電極１５ａ、１５ｂを、四隅に設けた立方体形状の各突起１０の表面に導電膜を形成する。
【００２６】
圧電振動素子２を収容するパッケージ２０は、上面に圧電振動素子２の励振電極１５ｂと電気的に接続するための４個の素子搭載用パッド２３を備えると共に、底部に実装端子２７を備えたパッケージ本体２１と、何れかの実装端子２７と素子搭載用パッド２３との間に所定の配線を施すための接続導体２５と、一方の面（下面）に圧電振動素子２の励振電極１５ａと電気的に接続するための４個の素子搭載用パッド２３を備えると共に、該素子搭載用パッド２３の何れかから端部まで延在する接続導体２５とを有し、パッケージ本体２１上の空間を封止する蓋部材２２と、を備えたパッケージ２０である。
そして、表面実装型圧電振動子Ｘは、各素子搭載パッド２３と各励振電極１５ａ、１５ｂとが導通した状態で圧電振動素子２がパッケージ２０内に収容され、突起１０を介してパッケージ本体２１内底面、或いは蓋部材２２に対して圧電振動素子２を支持した構造となっている。なお、突起１０に形成された導体膜と、素子搭載用パッド２３とを電気的に導通し、且つ両者を固定するために導電性接着剤３０を用いている。
【００２７】
図１１は、第３の実施例のラーメモード圧電振動子Ｘの構成を示す図であって、図１１（ａ）はラーメモード圧電振動素子３の斜視図、同図（ｂ）はラーメモード圧電振動素子３をパッケージ２０に収容した表面実装型圧電振動子Ｘの分解断面図である。図１０に示す第２の実施例のラーメモード圧電振動子Ｘと異なる点は、圧電振動素子２の突起１０の圧電基板６の上面に突き出た部分を取り除いたことである。これにより、蓋部材２２に設けた各素子搭載パッド２３と、接続導体２５とが不要になり、より簡単な構造とすることが可能となる。
【００２８】
以上では、圧電基板の長さと幅とを等しく設定した、最低次（ｍ＝１、ｎ＝１）のラーメモード振動の圧電振動子について述べたが、図１２は、第４の実施例で高次（ｍ＝３、ｎ＝１）のラーメモード圧電振動素子４の構成を示す斜視図である。圧電基板本体７の長さと幅の比は３：１であり、圧電基板本体７の主面上には同じ大きさの３個の励振電極１５ａ、１５ｂ、１５ａ（裏面には１５ｂ、１５ａ、１５ｂ）が、長さ方向に形成され、励振電極１５ａと１５ｂとには異符号の電圧を供給して、高次（ｍ＝３、ｎ＝１）ラーメモードを励起する。圧電基板本体７の四隅でラーメモードの節には突起１０を形成し、圧電振動素子４のパッケージへの支持と、上記励振電極１５ａ、１５ｂへの電圧供給を図っている。
【００２９】
図１３は、圧電基板６の製造方法と、励振電極１５ａ、１５ｂを形成する方法を説明するためのフロー図である。図１３（ａ）のように平板の矩形状の水晶基板５０を洗浄・乾燥した後、同図（ｂ）のように、真空装置の中に入れ、所定の温度に保ちながら蒸着、あるいはスパッタ等の方法で、水晶基板５１の両主面にクロムを蒸着し、続いて金を蒸着しての金属薄膜５１を形成する。次に、図１３（ｃ）に示すように金属薄膜５１の上にレジスト膜５２を塗布し、乾燥する。レジスト膜５２を、マスクを介して露光、現像し、露光した部分のレジスト膜５２を剥離すると、図１３（ｄ）に示すようにレジスト膜５２が所望の形状に加工される。次に、図１３（ｅ）に示すようにレジスト膜５３を塗布し、図１３（ｆ）に示すようにレジスト膜５３のパターニングを行う。図１３（ｆ）に示すように圧電基板をエッチングし、次に図１３（ｉ）に示すようにレジスト膜５３を剥離して、（ｊ）に示すように所定の金属膜５１を溶解する。この後、水晶をエッチングすると、図１３（ｋ）に示すような形状となる。レジスト膜５２を剥離し、金属膜５１を溶解すると、所望の圧電基板５０が得られる。
次に、図１３（ｍ）に示すように得られた圧電基板５０にアルミニウム膜５５を成膜し、（ｎ）のようにレジスト膜５６を塗布する。図１３（Ｏ）に示すようにレジスト膜５６のパターニングを行い、アルミニウム膜５５をエッチングすると図１３（ｐ）に示すような形状となる。レジスト膜５６を剥離すると、圧電基板に励振電極５５を備えた圧電振動素子が得られる。
【００３０】
以上の説明では、圧電振動子の一例として水晶振動子を例示したが、本発明は水晶以外の圧電材料を用いた圧電デバイス一般に適用することができる。また、上記の突起の形状は角柱に限らず、円柱や三角柱などでも良い。
上記の表面実装型圧電振動子Ｘと、発振回路部品と、ケースと、を備えることにより表面実装型圧電発振器を構成することができる。
なお、上記構成例は一例に過ぎず、ＩＣ部品をパッケージに組み付ける際の組付け構造は種々変形可能である。例えば、水晶振動子のキャビティ内にＩＣ部品を収容することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１の実施例の表面実装型圧電振動子の構成を示す図であり、（ａ）は圧電振動素子１の斜視図、（ｂ）は表面実装型圧電振動子の分解断面図。
【図２】圧電基板の正面図。
【図３】ラーメモード振動子の変位を示す図であり、（ａ）はＸ’方向の変位、（ｂ）はＺ’’方向の変位、（ｃ）はＹ’方向の変位を示す図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は圧電基板の厚さｔを変化（ｔ＝１０μｍ〜３０μｍ）させた場合の変位ベクトルの大きさを示す図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は圧電基板の厚さｔを変化（ｔ＝４０μｍ〜６０μｍ）させた場合の変位ベクトルの大きさを示す図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は圧電基板の突起の幅ｗを変化（ｗ＝５０μｍ〜７０μｍ）させた場合の変位ベクトルの大きさを示す図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は圧電基板の突起の幅ｗを変化（ｗ＝８０μｍ〜１００μｍ）させた場合の変位ベクトルの大きさを示す図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は圧電基板の突起の高さｈを変化（ｈ＝４５μｍ〜９０μｍ）させた場合の変位ベクトルの大きさを示す図。
【図９】（ａ）は突起１０を設ける位置を示すための圧電基板の平面図、（ｂ）は圧電基板の四隅に設ける支持部分を示す平面図。
【図１０】第２の実施例の表面実装型圧電振動子の構成を示す図であり、（ａ）は圧電振動素子２の斜視図、（ｂ）は表面実装型圧電振動子の分解断面図。
【図１１】第３の実施例の表面実装型圧電振動子の構成を示す図であり、（ａ）は圧電振動素子３の斜視図、（ｂ）は表面実装型圧電振動子の分解断面図。
【図１２】第４の実施例の圧電振動素子４の構成を示す斜視図。
【図１３】（ａ）〜（ｑ）は圧電基板の製造方法と、励振電極を形成する方法を説明するためのフロー図。
【図１４】従来のラーメモード水晶振動子の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【符号の説明】
【００３２】
１、２、３、４  圧電振動素子、６  圧電基板、７  圧電基板本体、１０  突起、１５ａ、１５ｂ  励振電極、２０  パッケージ、２１  パッケージ本体、２２  蓋部材、２３  素子搭載用パッド、２５  接続導体、２７  実装端子、３０  導電性接着剤、Ｘ  表面実装型圧電振動子、ｔ  厚さ、Ｌ長さ、ｗ  突起の幅、ｈ  突起の高さ、Ｑ０、Ｑ１、Ｑ２  支持領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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