(57)【要約】【課題】回路装置が製造される際に生産性を向上できる板状体およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】板状体６０は、積層された複数の配線層が絶縁層を介して積層されて構成されており、複数個のブロック６６が離間して配置された短冊形形状のものである。更に、ブロック６６は支持部により互いに連結されて一枚の板状と成っている。この支持部は、複数のブロック６６を外側から枠状に支持する第１支持部６４と、各ブロック６６どうしの間に位置してブロック６６どうしを連結させる第２支持部６５とから成る。そして、第１支持部６４および第２支持部６５に含まれる各導電膜６８は、ブロック６６のユニット６１どうしの境界線を延長させた延長線６７の周辺に於いては除去されている。【選択図】図１
2008084998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して積層された複数の配線層を含む板状体であり、
回路装置を構成する前記配線層から成るユニットが、マトリックス状に配置されて形成されたブロックと、
前記配線層と同じ導電材料から成る導電膜が絶縁層を介して積層されて成り前記ブロックを周囲から支持する支持部とを具備し、
前記支持部の、前記ユニット同士の境界の延長線上に位置する部位は、前記絶縁層により構成されることを特徴とする板状体。
【請求項２】
金属コア層、前記金属コア層の上面に絶縁層を介して積層された第１配線層および前記金属コア層の下面に絶縁層を介して積層された第２配線層とから成る配線層を有する板状体であり、
回路装置を構成する前記配線層から成るユニットが、マトリックス状に配置されて形成されたブロックと、
前記配線層と同じ導電材料から成る導電膜が絶縁層を介して積層されて成り前記ブロックを周囲から支持する支持部とを具備し、
前記支持部の、前記ユニット同士の境界の延長線上に位置する部位は、前記絶縁層により構成されることを特徴とする板状体。
【請求項３】
複数の前記ブロックが離間して設けられ、
前記支持部は、複数の前記ブロックを周囲から支持する第１支持部と、前記ブロックどうしの間に位置する第２支持部とを具備し、
前記ブロックに含まれる前記ユニット同士の境界線の延長線上に位置する前記第１支持部および前記第２支持部は、前記絶縁層により構成されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の板状体。
【請求項４】
前記導電膜が存在する領域の前記支持部を厚み方向に貫通して貫通孔が設けられることを特徴とする請求項１または請求項２記載の板状体。
【請求項５】
上面または下面に露出する前記配線層は、電気的接続領域を除いてレジストにより被覆されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の板状体。
【請求項６】
前記電気的接続領域は、メッキ膜により被覆されることを特徴とする請求項５記載の板状体。
【請求項７】
前記ブロックどうしの間に位置する前記第２支持部を部分的に除去してスリットが設けられることを特徴とする請求項３記載の板状体。
【請求項８】
前記境界の延長線を挟んで隣接する前記支持部の前記導電膜どうしが離間する距離は、前記ブロックの内部で前記ユニットどうしが離間する距離と等しいことを特徴とする請求項１または請求項２記載の板状体。
【請求項９】
絶縁層を介して積層された複数の配線層から成り、回路装置を構成する前記配線層から成るユニットが、マトリックス状に配置されて形成されたブロックと、前記配線層と同じ導電材料から成る導電膜が絶縁層を介して積層されて成り前記ブロックを周囲から支持する支持部とを具備し、前記支持部の、前記ユニット同士の境界の延長線上に位置する部位が前記絶縁層により構成された板状体を用意する工程と、
各前記ユニットの最上層の前記配線層に回路素子を電気的に接続する工程と、
前記ブロックの内部の前記ユニットどうしの境界および前記支持部の前記絶縁層を切断して、前記ユニットを個別に分離する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項１０】
金属コア層、前記金属コア層の上面に絶縁層を介して積層された第１配線層および前記金属コア層の下面に絶縁層を介して積層された第２配線層とから成る配線層から成り、回路装置を構成する前記配線層から成るユニットが、マトリックス状に配置されて形成されたブロックと、前記配線層と同じ導電材料から成る導電膜が絶縁層を介して積層されて成り前記ブロックを周囲から支持する支持部とを具備し、前記支持部の、前記ユニット同士の境界の延長線上に位置する部位が前記絶縁層により構成される板状体を用意する工程と、
各前記ユニットの最上層の前記配線層に回路素子を電気的に接続する工程と、
前記ブロックの内部の前記ユニットどうしの境界および前記支持部の前記絶縁層を切断して、前記ユニットを個別に分離する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ユニットに配置された前記回路素子をブロック毎に１つの封止樹脂でモールドし、
前記ユニットを個別に分離する工程では、前記板状体と共に前記封止樹脂を切断することを特徴とする請求項９または請求項１０記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状体およびそれを用いた回路装置の製造方法に関し、特に、複数の配線層が絶縁層を介して積層された構成の板状体およびそれを用いた回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の電子機器の小型化および高機能化に伴い、その内部に収納される回路装置においては、多層の配線層を具備するものが主流になっている。図１３を参照して、多層基板１０７を有する回路装置を説明する（下記特許文献１）。
【０００３】
ここでは、多層基板１０７の上面に形成された第１の配線層１０２Ａにパッケージ１０５等の回路素子が実装されることで回路装置が構成されている。
【０００４】
多層基板１０７は、ガラスエポキシ等の樹脂から成る基材１０１の表面及び裏面に配線層が形成されている。ここでは、基材１０１の上面に第１の配線層１０２Ａおよび第２の配線層１０２Ｂが形成されている。第１の配線層１０２Ａと第２の配線層１０２Ｂとは、絶縁層１０３を介して積層されている。基材１０１の下面には、第３の配線層１０２Ｃおよび第４の配線層１０２Ｄが、絶縁層１０３を介して積層されている。また、各配線層は、絶縁層１０３を貫通して設けられた接続部１０４により所定の箇所にて接続されている。
【０００５】
最上層の第１の配線層１０２Ａには、パッケージ１０５が固着されている。ここでは、半導体素子１０５Ａが樹脂封止されたパッケージ１０５が、半田等から成る接続電極１０６を介して面実装されている。多層基板１０７の表面には、パッケージ１０５の他にも、チップコンデンサやチップ抵抗等の受動素子や、ベアの半導体素子等が実装されても良い。ここで、多層基板１０７の厚みは、例えば１ｍｍ程度である。
【０００６】
上記した構成の多層基板１０７の製造方法は次の通りである。先ず、エポキシ樹脂等の樹脂系の材料から成る基材１０１の上面及び下面に第２の配線層１０２Ｂおよび第３の配線層１０２Ｃを形成する。これらの配線層は、貼着された導電膜のエッチングまたは選択的なメッキ処理により形成される。次に、第２の配線層１０２Ｂおよび第３の配線層１０２Ｃを、樹脂から成る絶縁層１０３により被覆する。更に、絶縁層１０３の表面に第１の配線層１０２Ａおよび第４の配線層１０２Ｄを形成する。これらの配線層の形成方法は、上記した第２の配線層１０２Ｂ等と同様である。更に、絶縁層１０３を貫通して第１の配線層１０２Ａと第２の配線層１０２Ｂとを接続する接続部１０４を形成する。
【特許文献１】特開２００３−３２４２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した製造方法では、樹脂から成る基材１０１を採用していたので、製造工程の途中段階に於いて基材１０１にクラックが発生して多層基板１０７が不良となる問題があった。具体的には、多層基板１０１の機械的強度を向上させるために、更には、基板全体の放熱性を向上させるために、基材１０１はアルミナ等のフィラーが高充填された樹脂から成る。このことから、基材１０１が脆くなり、搬送の工程や、多層基板１０７に素子を差し込み実装する工程等に於いて、基材１０１にクラックが多発していた。
【０００８】
また、基材１０１の材料として金属を採用する方法もある。しかしながら、この場合は、多数の基板１０１を一枚の板状体から形成すると、個別の基板１０１をダイシングにより分離する工程にて、金属から成る基板をダイサーにより切断する必要がある。このことから、基板１０１を分離するダイシングの工程に於けるダイサーの摩耗が著しくなり、更に金属材料をダイシングすることによりバリが発生する等の問題が生じる。
【０００９】
本発明は上記問題点を鑑みて成されたものであり、その主な目的は、配線基板や回路装置が製造される際に生産性を向上できる板状体およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、絶縁層を介して積層された複数の配線層を含む板状体であり、回路装置を構成する前記配線層から成るユニットが、マトリックス状に配置されて形成されたブロックと、前記配線層と同じ導電材料から成る導電膜が絶縁層を介して積層されて成り前記ブロックを周囲から支持する支持部とを具備し、前記支持部の、前記ユニット同士の境界の延長線上に位置する部位は、前記絶縁層により構成されることを特徴とする。
【００１１】
更に本発明は、金属コア層、前記金属コア層の上面に絶縁層を介して積層された第１配線層および前記金属コア層の下面に絶縁層を介して積層された第２配線層とから成る配線層を有する板状体であり、回路装置を構成する前記配線層から成るユニットが、マトリックス状に配置されて形成されたブロックと、前記配線層と同じ導電材料から成る導電膜が絶縁層を介して積層されて成り前記ブロックを周囲から支持する支持部とを具備し、前記支持部の、前記ユニット同士の境界の延長線上に位置する部位は、前記絶縁層により構成されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の回路装置の製造方法は、絶縁層を介して積層された複数の配線層から成り、回路装置を構成する前記配線層から成るユニットが、マトリックス状に配置されて形成されたブロックと、前記配線層と同じ導電材料から成る導電膜が絶縁層を介して積層されて成り前記ブロックを周囲から支持する支持部とを具備し、前記支持部の、前記ユニット同士の境界の延長線上に位置する部位が前記絶縁層により構成された板状体を用意する工程と、各前記ユニットの最上層の前記配線層に回路素子を電気的に接続する工程と、前記ブロックの内部の前記ユニットどうしの境界および前記支持部の前記絶縁層を切断して、前記ユニットを個別に分離する工程とを具備することを特徴とする。
【００１３】
更に、本発明の回路装置の製造方法は、金属コア層、前記金属コア層の上面に絶縁層を介して積層された第１配線層および前記金属コア層の下面に絶縁層を介して積層された第２配線層とから成る配線層から成り、回路装置を構成する前記配線層から成るユニットが、マトリックス状に配置されて形成されたブロックと、前記配線層と同じ導電材料から成る導電膜が絶縁層を介して積層されて成り前記ブロックを周囲から支持する支持部とを具備し、前記支持部の、前記ユニット同士の境界の延長線上に位置する部位が前記絶縁層により構成される板状体を用意する工程と、各前記ユニットの最上層の前記配線層に回路素子を電気的に接続する工程と、前記ブロックの内部の前記ユニットどうしの境界および前記支持部の前記絶縁層を切断して、前記ユニットを個別に分離する工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の板状体は、複数層の配線層からユニットが構成され、互いに離間されてマトリックス状に配置されたユニットからブロックが構成されている。そして、複数層の導電膜が絶縁層を介して積層して形成された支持部によりこのブロックは支持されており、ブロックに含まれるユニットどうしの境界の延長線上に対応する領域の支持部は絶縁層から構成されている。即ち、ブロックの内部においてはユニットどうしの間は、絶縁層のみから形成されて配線層を構成する導電材料が存在しない。更に、支持部に於いては、ブロックのユニットどうしの境界の延長線上に位置する部分は、絶縁層から構成されており導電膜が位置していない。
【００１５】
上記のことから、本発明の板状体を用いて回路装置を製造して、ユニットどうしの境界でダイシングを行い個別の回路装置に分離すると、ブロックの内部に於いても支持部においても、ダイシングに於いて切断されるのはダイシングし易い絶縁材料のみである。即ち、銅等の導電材料がダイシングに際に用いられるダイサーにより切断されないので、ダイサーの摩耗が抑制され、更に、バリの発生が抑制される。従って、ダイサーの摩耗が抑制されることにより回路装置を製造する際のコストが低減される。更に、バリが発生しないのでバリ除去等を行う必要が無く、生産性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
＜第１の実施の形態＞
本形態では、図１を参照して板状体６０の構成を説明する。図１（Ａ）は板状体６０を全体的に示す平面図であり、図１（Ｂ）は板状体６０に含まれる１つのブロック６６を拡大した平面図であり、図１（Ｃ）はブロック６６の内部における板状体６０の断面図であり、図１（Ｄ）は支持部に於ける板状体６０の断面図である。
【００１７】
図１（Ａ）を参照して、本形態の板状体６０は、複数の配線層が絶縁層を介して積層されて構成されており、複数個のブロック６６が離間して配置された短冊形状のものである。更に、ブロック６６は支持部により互いに連結されて一枚の板状と成っている。この支持部は、複数のブロック６６を外側から枠状に支持する第１支持部６４と、各ブロック６６どうしの間に位置してブロック６６どうしを連結させる第２支持部６５とから成る。ここでは、１つの板状体６０に、５個のブロック６６が等間隔に離間して配置されているが、板状体６０の内部にマトリックス状（行列状）に複数のブロック６６が配置されても良い。
【００１８】
図１（Ｂ）は１つのブロック６６を拡大して示す平面図であり、この図に於いて斜線のハッチングにより示される領域は銅等の導電材料から成る部位であり、細かいドットのハッチングにより示される領域は各配線層同士の間に介在する絶縁層が露出する部位であり、白抜きの領域は板状体６０が厚み方向に貫通して除去された部位である。
【００１９】
ブロック６６は、等間隔に離間されてマトリックス状に配置された複数のユニット６１から構成されている。ここで、ユニット６１とは１つの回路装置を構成する部位である。図では、縦方向に３個のユニット６１が配列され、横方向に３個のユニット６１が配列され、合計で９個のユニット６１により１つのブロック６６が構成されている。ここで、１つのユニット６１に設けられるユニット６１の数は任意であり、数十個〜数百個のユニット６１が１つのブロック６６の内部に配置されても良い。ユニット６１どうしが離間する距離（Ｌ１）は、例えば１００μｍから５００μｍ程度である。
【００２０】
上述したように、ブロック６６は支持部により支持されており、具体的には、ブロック６６の上側側辺および下側側辺は、第１支持部６４により支持されている。更に、ブロック６６の左側側辺および右側側辺は、第２支持部６５により支持されている。各支持部は、ブロック６６の内部と同様に、導電性材料から成る導電膜が絶縁層を介して積層された構成となっており、この構成は図１（Ｄ）を参照して後述する。
【００２１】
スリット６９は、第２支持部６５が設けられた領域の板状体６０を部分的に除去して設けられている。スリット６９を設けることにより、モールド工程や実装工程に於いて板状体６０が加熱されて熱応力が発生しても、スリット６９が変形することによりこの応力が吸収され、板状体６０に生じる変形を小さくすることができる。
【００２２】
貫通孔６３は、第１支持部６４が設けられた領域の板状体６０を厚み方向に円状に貫通して設けられている。貫通孔６３は、回路装置を製造する際に板状体６０の位置決めや搬送を行う際に用いられる。例えば、回路装置製造用機械の突起部を貫通孔６３に挿入して移動させることで、板状体６０の輸送や位置決めを行うことができる。ここでは、第１支持部６４の導電膜６８が設けられた領域を貫通して貫通孔６３が形成されている。
【００２３】
アライメントマーク６２は、最上層または最下層の配線層の一部から成り、回路装置の製造工程に於いて各ユニット６１を分離するときに、位置合わせを行うために用いられるものである。ここでは、ユニット６１の外周に於いて、各ユニット６１の境界線の延長線６７を両側から挟むように２つが設けられている。ここで、アライメントマーク６２は矩形形状であるが、アライメントマーク６２の長手方向は延長線６７が延在する方向と並行である。このように、ユニット６１どうしの境界に対応してアライメントマーク６２を設けることで、各ユニット６１を分離する際の位置精度を向上させることができる。
【００２４】
上述したように、第１支持部６４および第２支持部６５は、絶縁層を介して積層された導電膜から成る。これらの支持部が積層される構造（各導電膜や絶縁層の組成や厚さ）は、ブロック６６の内部と同様である。そして、第１支持部６４および第２支持部６５に含まれる各導電膜６８は、ブロック６６のユニット６１どうしの境界線を延長させた延長線６７の周辺に於いては除去されている。即ち、延長線６７の周辺部に於ける第１支持部６４および第２支持部６５では、導電膜の間に介在される絶縁層のみが存在し、全ての層の導電膜６８は除去されている。ここで、第１支持部６４および第２支持部６５に於いて、導電膜６８どうしが離間する距離（Ｌ２）は、ブロック６６内部にてユニット６１どうしが離間する距離（Ｌ１）と同等で良く、例えば１００μｍ〜５００μｍ程度である。
【００２５】
図１（Ｃ）を参照して、ユニット６１の断面は、金属コア層として機能する厚い導電パターン１１と、導電パターン１１の上面を被覆する第１絶縁層１２の上面に形成された第１配線層１４と、導電パターン１１の下面を被覆する第２絶縁層１３の下面に形成された第２配線層１５とから構成されている。
【００２６】
導電パターン１１は、充分な機械的強度を有し且つ放熱性を向上させる金属コア層として機能している。従って、導電パターン１１は、他の配線層よりも厚く形成され、その厚みは例えば１００μｍ〜２００μｍ程度である。導電パターン１１の材料としては、銅を主材料とする金属、アルミニウムを主材料とする金属、合金等を採用することができる。また、導電パターン１１の材料として、圧延された銅箔等の圧延金属を採用すると、導電パターン１１の機械的強度や放熱性を更に向上させることができる。圧延金属は、メッキ膜と比較すると熱伝導率が数％程度優れている。
【００２７】
導電パターン１１同士は、第１分離溝１７および第２分離溝１８から成る分離溝１６により所定の間隔で離間されている。分離溝１６の幅は例えば１００μｍ〜３００μｍ程度である。ここで、第１分離溝１７は導電パターン１１の材料である導電箔を上面から選択的にハーフエッチングすることにより設けられ、第２分離溝１８はこの導電箔の裏面を選択的にエッチングすることにより設けられる。また、第１分離溝１７には、導電パターン１１の上面を被覆する第１絶縁層１２が充填され、第２分離溝１８には導電パターン１１の下面を被覆する第２絶縁層１３が充填される。
【００２８】
ここで、第１分離溝１７および第２分離溝１８の側面は湾曲形状となっており、内部に充填される絶縁層との密着強度が向上されている。また、等方性で進行するウェットエッチングにより形成される第１分離溝１７および第２分離溝１８により、分離溝１６が構成されることで、分離溝１６の中央部付近は括れた構成（導電パターン１１の側面が外側に突出する構成）となる。このことによっても、第１絶縁層１２および第２絶縁層１３と導電パターン１１との密着強度が向上されている。
【００２９】
更に、分離溝１６は、ユニット６１の内部に於いて導電パターン１１どうしの間に設けられるものと、ユニット６１どうしの間に設けられるものに分別できる。ここで、ユニット６１の内部に設けられる分離溝１６よりも、ユニット６１どうしの間に設けられる分離溝１６の幅を広くしても良い。
【００３０】
第１絶縁層１２および第２絶縁層１３は、導電パターン１１の上面および下面を被覆している。また、第１絶縁層１２は第１分離溝１７に充填され、第２絶縁層１３は第２分離溝１８に充填されている。第１絶縁層１２および第２絶縁層１３が導電パターン１１を被覆する厚みは、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。また、第１絶縁層１２および第２絶縁層１３の材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリエチレン樹脂等の熱可塑性樹脂を採用することができる。
【００３１】
更に、繊維状または粒子状のフィラーが充填された樹脂材料を第１絶縁層１２および第２絶縁層１３の材料として採用すると、これらの樹脂層の熱抵抗が低減されて、配線基板５０の放熱性を向上させることができる。フィラーの材料としてはシリコン酸化物やシリコン窒化物を採用することができる。また、これらのフィラーが第１絶縁層１２および第２絶縁層１３に混入されることにより、絶縁層の熱膨張係数が導電パターン１１等の導電材料に接近して、温度変化が作用した際の板状体６０の反りが抑制される。更には、板状体６０の機械的強度（特に第１支持部６４と第２支持部６５の機械的強度）を向上させて、回路装置の製造工程の途中段階に於ける板状体６０の変形を抑止することができる。
【００３２】
第１配線層１４は、第１絶縁層１２の上面に形成された配線層であり、第１絶縁層１２に貼着された導電膜またはメッキ膜を選択的にエッチングして形成される。薄い導電膜等をエッチングしてパターニングされるため、第１配線層１４は微細化が可能であり、その配線幅は２０μｍ〜５０μｍ程度に細くすることができる。また、第１配線層１４は、第１絶縁層１２を貫通して設けた層間接続部１９を経由して、導電パターン１１と電気的に接続される。
【００３３】
第２配線層１５は、第２絶縁層１３の下面に形成された配線層であり、上記した第１配線層１４と同様に、配線幅を２０μｍ〜５０μｍ程度に細くすることができる。また、第２配線層１５は、第２絶縁層１３を貫通して設けた層間接続部２０を介して、導電パターン１１の下面と導通している。第２配線層１５には、半田等の導電性接着材から成る外部電極を溶着させても良い。
【００３４】
層間接続部１９および層間接続部２０は、絶縁層を除去して設けた貫通孔に形成されたメッキ膜等の導電材料から成り、各配線層と導電パターン１１とを接続する働きを有する。ここでは、第１絶縁層１２を貫通して設けた層間接続部１９により第１配線層１４と導電パターン１１とが接続される。また、第２絶縁層１３を貫通して設けた層間接続部２０により、第２配線層１５と導電パターン１１とが接続される。ここで、各層間接続部は、電気信号が通過する経路して機能しても良いし、電気信号が通過しない所謂ダミーのものでも良い。層間接続部１９等が電気信号を通過させないものであっても、熱が通過するサーマルビアホールとして用いることができる。
【００３５】
上記した第１配線層１４と第２配線層１５とは、層間接続部１９等を経由して導通させることができる。この場合は、第１配線層１４→層間接続部１９→導電パターン１１→層間接続部２０→第２配線層１５の経路で、両配線層が電気的に接続される。更には、分離溝１６に充填された絶縁層を貫通して貫通孔を設け、この貫通孔に充填された導電材料（貫通電極）により、導電パターン１１を経由せずに第１配線層１４と第２配線層１５とが接続されても良い。
【００３６】
ここで、上記した第１配線層１４および第２配線層１５は、外部と接続される箇所や回路素子が実装される箇所（電気的接続領域）を除いて、レジスト５３（ソルダーレジスト）により被覆されても良い。ここでは、最下層の第２配線層１５は略全面的にソルダーレジスト５３により被覆され、部分的にこのレジスト５３が除去されることで、第２配線層１５が部分的に露出している。更に、レジスト５３から露出する第１配線層１４、第２配線層１５の下面は、金メッキ等のメッキ膜３５により被覆されている。
【００３７】
更に、ここでは、第１配線層１４、導電パターン１１および第２配線層１５から成る３層の多層配線が構成されているが、絶縁層を介して更に多層の配線層を積層させることにより、４層以上の配線層を構築しても良い。
【００３８】
更に、本形態では、第１配線層１４、導電パターン１１、第２配線層１５により複数の配線層が構成されているが、それぞれの層はその役割に応じて異なる形状と成っている。具体的には、第１配線層１４は、上面に載置される回路素子および構成される電気回路に応じて所定の形状にパターニングされる。また、導電パターン１１はパターニングされてないベタの形状でも良いし、電位が異なる複数の領域が設けられるように分割されても良い。第２配線層１５は、複数の外部電極が溶着されるパッド形状の領域が設けられるようにパターニングされる。
【００３９】
図１（Ｄ）は、第１支持部６４または第２支持部６５の断面図である。この断面の基本的な構成は図１（Ｃ）に示したものと同様であり、相違点はパターニングの形状が異なることにある。ここでは、図１（Ｂ）に示す延長線６７に対応する領域のみが除去されており、他の領域の第１導電膜３１、導電パターン１１および第２導電膜３２は除去されていない。上記したように、延長線６７に対応する領域付近の第１導電膜３１等を除去することで、ブロック６６と共に第１支持部６４および第２支持部６５を切断しても、バリの発生やダイサーの摩耗が抑制されている。更に、他の領域の第１導電膜３１等を除去しないでベタの状態に残すことで、第１支持部６４および第２支持部６５に於いて機械的強度に優れる導電材料が占める部分が大きくなり、結果的に支持部および板状体６０全体の機械的強度が向上される。
【００４０】
上記した構成の板状体を回路装置の製造方法に適用させることにより、図１（Ｂ）の延長線６７の部分で板状体６０を切断しても、切断に用いるダイサーは第１配線層１４等の金属材料は切断せずに、第１絶縁層１２等の絶縁材料のみを切断する。従って、ブロック６６を板状体６０の支持部から分離せずに、板状体６０全体をダイシングシートに貼着させてダイシングを行っても、ダイサーの摩耗およびバリの発生を抑制できる。
【００４１】
更に、図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、各ブロック６６に含まれるユニット６１の、板状体６０の短手方向の位置は同じである。従って、図１（Ｂ）の横方向に延在する延長線６７は、板状体６０に配置された複数のブロック６６に於いて共通している。即ち、紙面上にて横方向に延在する延長線６７沿いにダイシングを行うと、板状体６０に含まれる全てのブロック６６に含まれるユニット６１を一度のダイシングにより分離することができる。このことにより、ユニット６１を分離する工程が簡素化される。
【００４２】
＜第２の実施の形態＞
本形態では、図２から図５を参照して、上記した構成の板状体を用いる回路装置の製造方法を説明する。ここで、下記する一連の工程が１つの工場にて一貫して行われても良いし、上記した構成の板状体６０が製造されるまでの工程と、それ以降の工程が別々の工場にて行われても良い。即ち、他の工場で製造されて用意された板状体を用いて回路装置が製造されても良い。
【００４３】
図２（Ａ）を参照して、先ず、導電箔３０の表面を部分的にエッチングすることにより第１分離溝１７を形成する。導電箔３０は、銅またはアルミニウムを主材料とする金属もしくは合金から成り、その厚みは例えば１００μｍ〜２００μｍ程度である。また、導電箔３０の材料として、圧延処理が施された圧延金属を採用すると、圧延金属は機械的強度に優れているため、製造工程の途中段階に於いて基板の割れや変形が発生することを抑制することができる。
【００４４】
ここでは、第１分離溝１７が形成される予定の領域を除外した導電箔３０の上面をレジスト（不図示）にて被覆した後に、このレジストをエッチングマスクとして用いて導電箔３０を上面からエッチングしている。本工程では、塩化鉄または塩化銅を含むエッチャントを用いて、導電箔３０をウェットエッチングする。
【００４５】
本工程で形成される第１分離溝１７の深さは、導電箔３０の厚みの半分程度が好適である。このことにより、等方性に進行するウェットエッチングで形成される第１分離溝１７および第２分離溝１８により分離溝１６を構成でき、分離溝１６の幅を分離溝の厚みの半分程度に狭くすることができる。結果的に、配線基板全体に占める導電パターンの面積が増大し、配線基板の機械的強度および放熱特性が向上される。
【００４６】
例えば、導電箔３０の厚みが１００μｍ〜２００μｍの範囲であれば、第１分離溝１７の深さは５０μｍ〜１００μｍ程度でよい。また、本工程のウェットエッチングが等方性に進行することを考慮すると、導電箔３０の厚みに応じて、第１分離溝１７の幅は５０μｍ〜１００μｍとなる。
【００４７】
上記工程により第１分離溝１７が形成された後に、エッチングマスクとして用いた不図示のレジストは導電箔３０から剥離されて除去される。
【００４８】
図２（Ｂ）を参照して、次に、第１分離溝１７に充填されるように導電箔３０の上面を第１絶縁層１２により被覆して、第１絶縁層１２の上面に第１導電膜３１を貼着する。第１絶縁層１２の製造方法としては、半固形状または液状の樹脂材料を導電箔３０の上面に塗布した後に加熱硬化しても良いし、フィルム状の樹脂材料を導電箔３０の上面に真空プレスで密着させても良い。本工程では、第１分離溝１７は導電箔３０を貫通せずに厚み方向の途中で終端しているので、液状または半固形状の第１絶縁層１２を導電箔３０に塗布しても、第１分離溝１７からの樹脂材料の漏れ等の問題は発生しない。また、第１分離溝１７の側面はウェットエッチングにより形成される湾曲面と成っているので、第１絶縁層１２は第１分離溝１７の側面と嵌合して、両者の密着強度は強固である。
【００４９】
更に、第１絶縁層１２の上面は全面的に第１導電膜３１により被覆される。ここで、第１導電膜３１が貼着された第１絶縁層１２を、導電箔３０に積層させても良いし、第１絶縁層１２が導電箔３０に密着された後に、第１導電膜３１を第１絶縁層１２に貼着しても良い。また、第１導電膜３１は、圧延金属から構成しても良いしメッキ法により形成されても良い。第１導電膜３１の厚みは、例えば２０μｍ〜５０μｍ程度である。
【００５０】
第１絶縁層１２を構成する樹脂材料としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂の両方が採用可能である。また、繊維状または粒子状のフィラーが混入された樹脂材料を第１絶縁層１２として採用しても良い。導電箔３０の上面を被覆する第１絶縁層１２の厚みは、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。
【００５１】
図２（Ｃ）を参照して、次に、導電箔３０の裏面から選択的にエッチングして第２分離溝１８を形成して、導電箔３０を分離して各導電パターン１１を得る。具体的な方法は、先ず、第１分離溝１７に対応する領域の導電箔３０の裏面が露出されるようにレジスト（不図示）を形成する。次に、不図示のレジストから露出する部分の導電箔３０の裏面をウェットエッチングして、第２分離溝１８を形成する。ここでは、第１分離溝１７に充填された第１絶縁層１２が露出するまで、ウェットエッチングにより第２分離溝１８が形成される。換言すると、第２分離溝１８は第１分離溝１７に到達するまで形成され、第１分離溝１７に充填された第１絶縁層１２は、第２分離溝１８から露出する。
【００５２】
第２分離溝１８の深さは、少なくとも第１分離溝１７に充填された第１絶縁層１２が露出する深さ以上である必要がある。従って、例えば、導電箔３０の厚みが１００μｍ〜２００μｍであり、第１分離溝１７の深さが５０μｍ〜１００μｍである場合は、第２分離溝１８の深さは５０μｍ〜１００μｍ程度である。即ち、第１分離溝１７の深さと第２分離溝１８の深さとを加算した距離は、導電箔３０の厚み以上である必要がある。更に、第１分離溝１７に充填された第１絶縁層１２を、確実に第２分離溝１８から露出させるためには、第１分離溝１７の深さと第２分離溝１８の深さとを加算した距離は、導電箔３０の厚みよりも数十μｍ程度長い方が好適である。
【００５３】
上記工程により、図１（Ｂ）に示すような形状の導電パターンが得られる。更に、図１（Ｂ）に示す第１支持部６４および第２支持部６５に関しても、延長線６７沿いの領域が上記工程と同様にエッチングにより除去される。
【００５４】
ここで、第２分離溝１８は必ずしも設けられる必要はない。例えば、本工程でエッチングマスクを用いずに導電箔３０を裏面から全面的に除去して、第１分離溝１７に充填された第１絶縁層１２を下方に露出させても良い。この場合は、第１分離溝１７のみによって導電パターン１１が分離される。
【００５５】
図２（Ｄ）を参照して、上記工程により形成される分離溝１６により、各ユニット６１の導電パターン１１が分離される。ここで、パターニングされていないベタの導電パターン１１が形成される場合は、各ユニット６１の境界にのみ分離溝１６が形成される。
【００５６】
図３（Ａ）を参照して、次に、導電パターン１１の裏面を第２絶縁層１３により被覆し、第２絶縁層１３の表面に第２導電膜３２を貼着する。ここでは、導電パターン１１の下面が被覆され、更に第２分離溝１８が充填されるように第２絶縁層１３が形成される。第２絶縁層１３の厚み、組成および形成方法は、上述した第１絶縁層１２と同様でよい。更に、第２絶縁層１３の下面に形成される第２導電膜３２の厚み、組成および形成方法も、上述した第１導電膜３１と同様でよい。
【００５７】
図３（Ｂ）を参照して、次に、導電パターン１１と接続される予定の領域の第１導電膜３１および第２導電膜３２を部分的に除去する。具体的には、第１導電膜３１の上面全域にエッチングマスクとして機能するレジスト４５を塗布した後に、露光・現像の処理を行い、導電パターン１１と接続される箇所の第１導電膜３１の表面を露出させる。更に、ウェットエッチングを行い、レジスト４５から露出する第１導電膜３１を除去する。同様の工程を、第２導電膜３２に対しても行い、第２導電膜３２を部分的に除去する。本工程が終了した後に、レジスト４５は剥離して除去される。
【００５８】
更に、本工程では、導電パターン１１の上面および下面から第１接続孔４０および第２接続孔４１を設け、円筒状に除去して設けた接続孔４２の上方および下方に対応する領域の第１導電膜３１および第２導電膜３２も部分的に除去される。
【００５９】
図３（Ｃ）を参照して、次に、第１導電膜３１をマスクとして用いたレーザー処理を行い、第１導電膜３１の露出部から露出する第１絶縁層１２を除去して、露出孔３３を形成する。ここでは、露出孔３３の底部から導電パターン１１の上面が露出するように、第１導電膜３１から露出する第１絶縁層１２をレーザーエッチングする。更に、本工程では、第２導電膜３２から露出する第２絶縁層１３を除去して、底部に導電パターン１１が露出する露出孔３４を形成する。本工程のレーザー照射により、露出孔３３等の底部に蒸発された樹脂材料等の残渣が残存する場合は、デスミア処理を行ってこの残渣を除去する。本工程で形成される露出孔３３等の側面は、外側に向かって開口面積が増大する傾斜面である。従って、メッキ処理を行う次工程にて、露出孔３３内部に於けるメッキ液の流動が促進され、露出孔３３の内壁に容易にメッキ膜が付着できる利点がある。更に、接続孔４２の内部に充填された第１絶縁層１２および第２絶縁層１３を除去して貫通孔２４が形成される。ここで、貫通孔２４の内壁は接続孔４２から離間している。
【００６０】
図３（Ｄ）を参照して、次に、露出孔３３の内部に層間接続部１９等を形成して、各配線層と導電パターンとを導通させる。層間接続部１９は、メッキ法により露出孔３３内部に形成される金属膜から構成しても良いし、半田や導電性樹脂ペースト等の導電材料を露出孔３３に埋め込んでも良い。メッキ法により層間接続部１９が形成される場合は、先ず、無電解メッキ法による薄い金属膜（シード層）を少なくとも露出孔３３の内壁に設けた後に、このシード層に電圧を印加して電解メッキ法により厚みが数μｍ程度の銅から成るメッキ膜を形成する。同様の方法により、第２絶縁層１３を貫通する露出孔３４の側面に層間接続部２０を設ける。ここで、フィリングメッキを行うと、露出孔３３、露出孔３４が埋め込まれるようにメッキ膜を生成することができる。更に、上記と同様の手法により貫通孔２４の内部に金属材料を形成して、導電パターン１１を経由せずに、第１配線層１４と第２配線層１５とを電気的に接続する貫通接続部２３を形成する。
【００６１】
層間接続部１９、２０が形成された後に、第１導電膜３１および第２導電膜３２を選択的にエッチングして、第１配線層１４および第２配線層１５をパターニングする。第１導電膜３１および第２導電膜３２の厚みは例えば１０μｍ程度で薄いため、その配線幅は２０μｍ〜５０μｍ程度に微細にすることができる。
【００６２】
なお、ここでは、導電パターン１１の上方に第１配線層１４が積層され、下方に第２配線層１５が積層されて３層の多層配線が実現されているが、絶縁層を介して更に配線層を積層させることにより、４層以上の配線層を実現しても良い。積層される配線層の数を増加させることにより、より大規模な電気回路を配線基板に組み込むことができる。
【００６３】
図３（Ｅ）を参照して、次に、第１配線層１４および第２配線層１５を、樹脂から成るレジスト５３により全面的に被覆する。更に、電気的接続領域となる第１配線層１４および第２配線層１５が露出されるように、レジスト５３を部分的に除去する。次に、レジスト５３から露出する第１配線層１４および第２配線層１５をメッキ膜３５（例えば金メッキ膜）により被覆する。
【００６４】
以上が板状体６０の製造方法である。実際は、図１を参照して、上記した第１配線層１４および第２配線層１５と共に、アライメントマーク６２が形成される。更に、第１支持部６４および第２支持部６５が形成される領域では、延長線６７沿いの第１配線層１４および第２配線層１５が除去される。また、板状体６０をプレス加工するなどして、貫通孔６３およびスリット６９が設けられる。
【００６５】
図４（Ａ）を参照して、次に、第１配線層１４に回路素子を実装して電気的に接続する。ここでは、チップ素子２２が半田等の接合材を介して第１配線層１４に接続される。更に、ＬＳＩ等である半導体素子２１の裏面が接合材を介してランド状の第１配線層１４に実装され、表面の電極は金属細線を介して第１配線層１４と接続される。この実装は、図１に示す全てのブロック６６のユニット６１に関して一括して行われる。
【００６６】
図４（Ｂ）および図４（Ｃ）を参照して、次に、先工程で実装された回路素子および板状体６０の上面が被覆されるように封止樹脂４９を形成する。この工程は、樹脂のポッティング、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールド、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールド等で実現できる。
【００６７】
図４（Ｃ）を参照して、金型７０を用いてトランスファーモールドにより封止樹脂４９を形成する例を説明する。先ず、下金型７２の上面に回路素子が実装された板状体６０を載置する。次に、下金型７２と上金型７１を当接させて、板状体６０の各ブロック６６を１つのキャビティ７３の内部に収納させる。更に、キャビティ７３の内部にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を注入して、各ブロック６６毎に１つの封止樹脂４９により封止する。ここでは、２つのブロックのみが示されているが、実際は図１（Ａ）に示す全てのブロック６６に関して同時にトランスファーモールドが行われる。
【００６８】
図５を参照して、次に、各ブロック６６のユニット６１をダイシングやレーザー照射等の除去方法を用いて分離する。図５（Ａ）はモールド工程が終了して本工程にて分離される板状体６０の平面図であり、図５（Ｂ）はその断面図である。
【００６９】
図５（Ａ）を参照して、本工程では、ブロック６６をユニット毎に分離する際に、ブロック６６の封止樹脂４９を第１支持部６４等から分離していない。即ち、本工程では、ブロック６６の封止樹脂４９と板状体６０とを一括してダイシングすることで各ユニット６１を分離している。
【００７０】
更に、本工程では、ブロック６６の内部において、各ユニット６１の境界に対応して設けたアライメントマーク６２の位置を認識してダイシングを行っている。ここで、図では、封止樹脂４９の上面にアライメントマーク６２が描かれているが、実際は、アライメントマーク６２は、板状体６０の封止樹脂４９が形成される面とは対向する面に位置している。
【００７１】
紙面上にて縦方向に関しては、板状体６０の上側側辺から下側側辺まで連続してダイシングによる切断が行われる。即ち、板状体６０の第１支持部６４およびブロック６６、さらに封止樹脂４９が縦方向の延長線６７（ダイシングライン）に沿って切断される。上記したように、延長線６７沿いには板状体６０の絶縁層や封止樹脂４９等の絶縁材料のみが位置しており、配線層等の導電材料が延在していない。従って、バリの発生やダイサーの摩耗が抑制される。
【００７２】
紙面上にて横方向に関しては、板状体６０の左側側辺から右側側辺まで連続して切断が行われる。各ブロック６６に含まれるユニット６１は、紙面上にて上下方向に対して同じ位置にあるため、ユニット６１どうしの境界線である延長線６７（横方向）は各ブロック６６で共通している。このことから、複数のブロック６６に対して一括して上記と同様のダイシングが可能である。
【００７３】
図５（Ｂ）を参照して、本工程は、封止樹脂４９が形成される面をダイシングシート等に貼着した後に行っても良い。更に、レジスト５３から露出する第２配線層１５の露出部には、上記分離を行う前に半田を溶着して外部電極５４が構成されても良い。
【００７４】
以上の工程により各ユニットが分離されて回路装置が製造される。更に、テスターを使用して各回路装置の良否判定を行い、良品のみが選別されてダイシングシートから剥離される。
【００７５】
ここで、封止樹脂４９を形成する工程は必ずしも必要とされず、配線基板の上面に回路素子が実装された構成の回路装置が形成されても良い。
【００７６】
更に、上記した製造方法では、膜状の導電膜（第１導電膜３１および第２導電膜３２）をエッチングすることにより配線層を形成したが、導電膜に替えてメッキ膜を用いることもできる。この場合は、第１導電膜３１および第２導電膜３２は設けられずに、図３（Ｃ）に示す露出孔３３等を形成した後に、メッキ法により第１絶縁層１２および第２絶縁層１３を被覆する金属膜を設ける。その後にこの金属膜を選択的にエッチングして、図３（Ｄ）に示す第１配線層１４および第２配線層１５を形成する。このメッキ膜により配線層を設ける製造方法によると、厚みが５μｍ〜１０μｍ程度の薄い金属膜をエッチングすることにより配線層を形成するので、幅が４０μｍ程度以下の微細な配線層を構成することができる。
【００７７】
＜第３の実施の形態＞
本実施の形態では、上記した製造方法により製造される回路装置の構成を説明する。ここで、以下の説明では、配線基板５０の上面に回路素子が実装された構造の回路装置を説明するが、回路素子が被覆されるように配線基板の上面に封止樹脂が形成された回路装置が構成されても良い。
【００７８】
図６（Ａ）を参照して、回路装置１０Ａは、金属コア層を有する配線基板５０の上面に半導体素子２１等の回路素子が実装されて構成されている。更に、配線基板５０は、金属コア層として機能する導電パターン１１と、第１絶縁層１２を介して導電パターン１１の上面に積層された第１配線層１４と、第２絶縁層１３を介して導電パターン１１の下面に積層された第２配線層１５とを主要に具備している。そして、配線基板５０の第１配線層１４に半導体素子２１等の回路素子が実装されている。
【００７９】
本形態の回路装置１０Ａは、半導体素子２１やチップ素子２２等の多数の回路素子が内蔵されるＳＩＰ型のものである。従って、一つの半導体素子が内蔵されるディスクリート型のものと比較すると、本形態の回路装置１０Ａは、装置全体の発熱量は非常に大きく、より大規模且つ複雑な電気回路が内蔵される。このことから、金属コア層である導電パターン１１を互いに分離して電位を異ならせることで、放熱性の向上以外の機能を金属コア層に持たせることが可能となり、装置全体の高機能化および小型化を実現できる。
【００８０】
更に、導電パターン１１は、上面および下面がサーマルビアとして機能する層間接続部１９、層間接続部２０を介して各配線層と熱的に結合されて、放熱を向上させるためのパターンとして用いられても良い。ここでは、半導体素子２１の下方に複数のサーマルビアホール４６が設けられており、半導体素子２１はサーマルビアホール４６を介して直下の導電パターン１１と熱的に結合されている。このことにより、半導体素子２１として発熱量が大きいパワー系のトランジスタが採用されても、発生する多量の熱は、サーマルビアホール４６および導電パターン１１を経由して外部に良好に放出される。
【００８１】
図６（Ｂ）に、配線基板５０に埋め込まれる導電パターン１１の平面的な形状の一例を示す。ここでは、略等間隔の分離溝１６により、多数個の導電パターン１１が離間されている。換言すると分離溝１６に充填された第１絶縁層１２および第２絶縁層１３により各導電パターン１１同士は電気的に分離（絶縁）されている。従って、各導電パターン１１を層間接続部１９、２０を経由して、第１配線層１４または第２配線層１５と接続することで、各導電パターン１１の電位を異ならせることができる。例えば、これらの導電パターン１１は、第１配線層１４と第２配線層１５に入出力される電気信号が通過する信号パターンとして用いられても良いし、所定の箇所にて固定電位（例えば電源電位や接地電位）を取り出すためのパターンとして用いられても良い。
【００８２】
更にまた、図６（Ｂ）を参照して、金属コア層である導電パターン１１の外周端部は、絶縁層５１（第１絶縁層１２および第２絶縁層１３）から離間した内部に位置している。即ち、図６（Ａ）に示すように、導電パターン１１の最外周部の側面は、第１絶縁層１２および第２絶縁層１３から成る絶縁層５１により被覆されて、外部に露出していない。このことにより、全ての導電パターン１１が絶縁層５１により包み込まれて外部に露出しない構造が実現され、導電パターン１１を外部から絶縁することができる。
【００８３】
また、上記した配線基板５０に於いては、各層の残存率（基板全体の面積に対するパターンまたは配線層の面積の比率）は、略一定にした方がよい。例えば、第１配線層１４、導電パターン１１および第２配線層１５の残存率は、８０％±１０％程度が好ましい。このように各層の残存率を略一定にすることで、ワイヤボンディングの工程等の加熱が伴う工程に於ける、配線基板５０（第１の実施の形態に於ける板状体６０）の反り上がりを防止することができる。また、金属コア層が図７に示すようにパターニングされていないベタのものである場合は、第１配線層１４および第２配線層１５の残存率を上記した範囲で略同等にしたらよい。
【００８４】
更に、基板全体の放熱性を考慮すると、金属材料から成る第１配線層１４等の方が、樹脂材料から成る第１絶縁層１２等よりも熱伝導率が良いので、第１配線層１４等の各層の残存率は高い方がよい。例えば、第１配線層１４、導電パターン１１および第２配線層１５の残存率は、５０％以上が好ましく、更に好ましいのは７０％以上であり、特に好ましいのは８０％以上である。このように第１配線層１４等の各層の残存率を大きくすることで、定常熱抵抗を小さくし、半導体素子２１等の回路素子から発生する熱を、配線基板５０（第１の実施の形態に於ける板状体６０）を経由して良好に外部に放出させることができる。ここで、金属コア層が図７に示すようにパターニングされていないベタのものである場合は、第１配線層１４および第２配線層１５の残存率を上記した範囲で高くしたらよい。
【００８５】
次に、図７を参照して、他の形態の回路装置１０Ｂの構成を説明する。図７（Ａ）は回路装置１０Ｂの断面図であり、図７（Ｂ）は内蔵される導電箔２５を示す平面図である。回路装置１０Ｂの基本的な構成は上述した回路装置１０Ａと同様であり、相違点は貫通接続部２３を有している点にある。この相違点を中心に回路装置１０Ｂの構成を説明する。
【００８６】
図７（Ａ）を参照して、回路装置１０Ｂでは、金属コア層としてパターニングされていないベタの導電箔２５を具備している。導電箔２５の厚み及び材料は、上述した導電パターン１１と同様でよい。導電箔２５は、第１配線層１４に実装された回路素子に入出力される電気信号が通過しても良いし、所定の箇所にて固定電位（接地電位や電源電位）が層間接続部を介して取り出されても良いし、電気的にフローティングにして放熱の為のみに用いられても良い。このような導電箔２５を金属コア層として採用することで、導電箔２５により配線基板５０全体の機械的強度が向上される。更に、任意の箇所で、層間接続部１９、層間接続部２０を経由して、導電箔２５から所定の電位（接地電位や電源電位）を取り出すことができるので、第１配線層１４および第２配線層１５を設計する際の自由度を向上させることができる。
【００８７】
導電箔２５を部分的に厚み方向に貫通して接続孔４２が設けられている。接続孔４２は、導電箔２５の上面から設けた第１接続孔２７と、導電箔２５の下面から設けた第２接続孔２８とから成る。また、第１接続孔２７には第１絶縁層１２が充填され、第２接続孔２８には第２絶縁層１３が充填されている。平面的に円形の形状を呈する接続孔４２の径は、例えば、１００μｍ〜２００μｍ程度である。
【００８８】
図７（Ａ）および図７（Ｂ）を参照して、貫通接続部２３は、接続孔４２の内部に充填された樹脂材料を貫通して設けられ、上層の第１配線層１４と下層の第２配線層１５とを導通させる働きを有する。具体的には、貫通接続部２３は、平面的に貫通孔２４の内部に位置する第１絶縁層１２および第２絶縁層１３が貫通されるように貫通孔を設け、この貫通孔に銅等の導電材料を埋め込むことにより形成される。貫通接続部２３の直径は、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。貫通接続部２３を設けることにより、導電箔２５を経由せずに第１配線層１４と第２配線層１５とを電気的に接続させることができる。
【００８９】
図７（Ｂ）を参照して、金属コア層である導電箔２５の外周端部は、配線基板５０の外周端部よりも内側に位置している。即ち、導電箔２５の側面は、絶縁層５１により被覆されているので、導電箔２５は外部と絶縁されており耐圧が充分に確保されている。
【００９０】
図８を参照して、更なる他の構成の回路装置１０Ｃを説明する。図８（Ａ）は回路装置１０Ｃの断面図であり、図８（Ｂ）は回路装置１０Ｃに内蔵される導電パターン１１の平面図である。
【００９１】
この図に示す回路装置１０Ｃは、上述した回路装置１０Ａと回路装置１０Ｂとを組み合わせたものである。即ち、導電パターン１１に設けた接続孔４２の内部に貫通接続部２３が設けられている。この構成により、より複雑な電気回路を回路装置１０Ｃに構成することができる。
【００９２】
図８（Ａ）を参照して、第１配線層１４は、第１絶縁層１２を貫通する層間接続部１９を介して、導電パターン１１と電気的または熱的に接続される。同様に、第２配線層１５は、第２絶縁層１３を貫通する層間接続部２０を介して、電気的または熱的に導電パターン１１と接続される。
【００９３】
また、接続孔４２が設けられた領域の第１絶縁層１２および第２絶縁層１３を貫通する貫通接続部２３を介して、第１配線層１４と第２配線層１５が電気的に接続されている。具体的には、図８（Ｂ）を参照して、回路装置１０Ｃの右側下側に設けた導電パターン１１Ａに接続孔４２を設け、この接続孔４２の内部に貫通接続部２３が形成されている。ここで、貫通接続部２３は、必ずしも接続孔４２の内部に設けられる必要はなく、分離溝１６の内部に位置する第１絶縁層１２および第２絶縁層１３を貫通するように貫通接続部２３を設けても良い。
【００９４】
図９の断面図を参照して、他の構成の回路装置１０Ｄを説明する。回路装置１０Ｄの基本的な構成は上述した回路装置１０Ａと同様であり、相違点は絶縁層に回路素子が内蔵された点にある。
【００９５】
ここでは、導電パターン１１の下面を被覆する第２絶縁層１３の内部に内蔵素子２６が内蔵されている。ここでは、内蔵素子２６はチップコンデンサやチップ抵抗であるチップ型素子であり、半田等の接合材を介して両端の電極が導電パターン１１に接続されている。ここで、内蔵素子２６としては、チップ型素子の他にも、ＬＩＳ等の能動素子や受動素子を全般的に採用できる。内蔵素子２６は、第２絶縁層１３に内蔵されても良いし、第１絶縁層１２に内蔵されても良いし、両者に内蔵されても良い。内蔵素子２６を採用することで、回路装置１０Ｄの実装密度を向上させることができる。このような構造の回路装置１０Ｄが製造される場合は、図１に示す板状体６０の絶縁層に、内蔵素子２６が内蔵される。
【００９６】
図１０を参照して、次に、他の構成の回路装置１０Ｅの構造を説明する。図１０（Ａ）は回路装置１０Ｅの断面図であり、図１０（Ｂ）は分離溝１６Ａの部分を拡大した断面図である。
【００９７】
図１０（Ａ）を参照して、回路装置１０Ｅの基本的な構成は、上述した回路装置１０Ａと基本的には同様であり、相違点は、分離溝１６Ａを構成する第１分離溝１７Ａと第２分離溝１８Ａとの大きさが異なる点になる。
【００９８】
即ち、図１０（Ａ）の左側に示す分離溝１６では、上部に設けた第１分離溝１７と第２分離溝１８の深さや幅は略同一である。このような構成にすることで、例えば分離溝１６の幅を１５０μｍ程度に狭くすることができる。しかしながら、この構成であると、回路装置１０Ｅを上方から見た場合、分離溝１６が設けられた幅が１５０μｍの領域がデッドスペースとなる。即ち、この領域に層間接続部１９や層間接続部２０を設けることができず、これらの層間接続部の設計の自由度が低かった。
【００９９】
そこで、この図に示す回路装置１０Ｅでは、分離溝１６を構成する第１分離溝１７と第２分離溝１８の大きさを異ならせて、配線密度を向上させている。具体的には、回路装置１０Ｅの中央部付近に設けた分離溝１６Ａでは、上部の第１分離溝１７Ａを小さく形成し、下部の第２分離溝１８Ａを第１分離溝１７Ａよりも大きく形成している。このことにより、分離溝１６Ａが専有する面積を小さくして、層間接続部１９の設計の自由度を向上させ、更に、第１配線層１４のパターンレイアウトの自由度を向上させることができる。
【０１００】
図１０（Ｂ）を参照して、分離溝１６Ａの構造を詳述する。導電パターン１１間に設けられる分離溝１６Ａは、上部の第１分離溝１７Ａと下部の第２分離溝１８Ａから成り、第１分離溝１７Ａよりも第２分離溝１８Ａの方が大きな構成となっている。具体的な大きさの一例を述べると、第１分離溝１７Ａの幅Ｌ５は１００μｍであり、深さＬ３は例えば５０μｍ程度である。それに対して、第２分離溝１８Ａの幅Ｌ６は３００μｍであり、深さＬ４は１００μｍ程度である。
【０１０１】
上記のように構成することで、上部に位置する第１分離溝１７Ａの幅を狭くすることができる。例えば、上述した第１分離溝１７と第２分離溝１８の幅が同一の場合、分離溝１６の幅は１５０μｍ程度である。それに対して、ここでは、上部に位置する第１分離溝１７Ａの幅を比較的小さくすることで、分離溝１６Ａの上端の幅Ｌ５は、１００μｍ程度となる。即ち、本形態の構成により、分離溝１６Ａの上端部の幅が５０μｍ狭くなり、その分だけ層間接続部１９が形成可能な導電パターン１１上面の有効面積が増大する。図１０（Ｂ）を参照すると、第２分離溝１８Ａの上方に対応する導電パターン１１の上面に層間接続部１９Ａが形成されている。
【０１０２】
このことにより、層間接続部１９の設計の自由度が大きくなり、更に、層間接続部１９を介して導電パターン１１と接続される第１配線層１４の設計の自由度も向上する。特に、第１配線層１４は、半導体素子２１等が実装される配線層であるので、微細なパターンが多数必要になる場合が多い。従って、この分離溝１６Ａの構成により、第１配線層１４の設計の自由度を増すことで、より多機能な半導体素子２１を実装することができる。
【０１０３】
ここで、上記した分離溝１６Ａは、コア層である導電パターン１１同士を電気的に分離するためのものであったが、この構成は、図８（Ａ）に示した接続孔４２にも適用可能である。この場合は、第１接続孔２７が第２接続孔２８よりも小さく形成される。このような構成によっても、層間接続部１９の位置的制約を少なくして、更に、第１配線層１４の設計の自由度を向上させることができる。
【０１０４】
更に、上記説明では、第１分離溝１７Ａよりも第２分離溝１８Ａを大きく形成したが、この大小関係を逆にして、第１分離溝１７Ａを第２分離溝１８Ａよりも大きく形成しても良い。このことにより、導電パターン１１の下面の有効面積が増大し、図１０（Ａ）に示す層間接続部２０および第２配線層１５の設計の自由度が大きくなる。
【０１０５】
図１１を参照して、次に、他の形態の回路装置１０Ｆの構成を説明する。回路装置１０Ｆが上述した回路装置１０Ａと異なる点は、配線基板５０に堀込み部５２Ａ、５２Ｂを設けた点にある。
【０１０６】
堀込み部５２Ａは、部分的に第１配線層１４および第１絶縁層１２を除去して設けられており、堀込み部５２Ａの下面には導電パターン１１の上面が露出されている。そして、堀込み部５２Ａの上面には、半田等の接合材を用いて半導体素子２１が実装されている。更に、半導体素子２１の上面の電極は、第１配線層１４から成り堀込み部５２Ａの周辺に設けたパッドに、金属細線を用いて電気的に接続される。このように、堀込み部５２Ａを設けて、導電パターン１１の上面に直に半導体素子２１を実装することにより、半導体素子２１から発生する熱を、導電パターン１１を経由して良好に外部に放出させることができる。
【０１０７】
堀込み部５２Ｂは、第２絶縁層１３および第２配線層１５を部分的に除去して設けられており、その上面からは、半導体素子２１が実装された導電パターン１１の裏面が露出している。更に、堀込み部５２Ｂの内部に露出する導電パターン１１の下面には、半田等から成る外部電極５４が溶着されている。このようにすることで、半導体素子２１から発生する熱は、樹脂材料を経由することなく、導電パターン１１および外部電極５４を経由して、良好に外部に放出される。
【０１０８】
図１２を参照して、他の形態の回路装置１０Ｇの構成を説明する。図１２（Ａ）は回路装置１０Ｇの断面図であり、図１２（Ｂ）は平面図である。回路装置１０Ｇの構成の特徴的な部分は配線４７Ｂ等の構成にある。この相違点を以下に説明する。
【０１０９】
紙面上にて左側に形成される導電パターン１１Ｂの上面には、内蔵素子２６が固着されている。ここで、内蔵素子２６としては、チップコンデンサやチップ抵抗等が採用される。導電パターン１１Ｂの上面は、第１分離溝１７Ｂの深さに応じて、上面の位置が他の導電パターン１１よりも低く形成されている。更に、導電パターン１１Ｂの左右両側は、第２分離溝１８Ｂおよび第２分離溝１８Ｃにより囲まれている。従って、内蔵素子２６を実装することによる配線基板５０の厚みの増加が抑制される。
【０１１０】
更に、紙面上の右側には、２つの配線４７Ｂ、４７Ｃが接近して形成されている。上部に位置している配線４７Ｂは、第１分離溝１７Ｃ、１７Ｄにより分離されており、第１分離溝１７Ｄは、第１分離溝１７Ｃよりも幅が広く形成されている。更に、下部に位置する配線４７Ｃは、第２分離溝１８Ｄ、１８Ｅにより分離されており、第２分離溝１８Ｄの方が第２分離溝１８Ｅよりも幅が広く形成されている。
【０１１１】
ここでは、上部の第１分離溝１７Ｄと下部の第２分離溝１８Ｄとを平面的に重畳するように配置することで、配線４７Ｂと配線４７Ｃとを極めて接近させることができる。例えば、配線４７Ｂと配線４７Ｃとが離間する距離Ｄ１は、２０μｍ程度まで短くすることができる。このことは、パターンの微細化に大きく寄与する。
【０１１２】
図１２（Ｂ）を参照して、配線４７Ｂの両端部は層間接続部１９を経由して第１配線層１４と接続される。更に、配線４７Ｃの両端部は、層間接続部２０を経由して第２配線層１５と電気的に接続される。このように、導電パターン１１の一部分を配線４７Ｂ等に形成することで、導電パターン１１を経由して回路素子どうしを電気的に接続することが可能となり、より高機能な電気回路を回路装置１０Ｇに内蔵させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の板状体を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は平面図であり、（Ｃ）は断面図であり、（Ｄ）は断面図である。
【図２】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図であり、（Ｄ）は平面図である。
【図３】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｅ）は断面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置の一例を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置の一例を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置の一例を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図９】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置の一例を示す断面図である。
【図１０】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置の一例を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
【図１１】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置の一例を示す断面図である。
【図１２】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置の一例を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図１３】背景技術の多層基板の構成および製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ  回路装置
１１、１１Ａ、１１Ｂ    導電パターン
１２                    第１絶縁層
１３                    第２絶縁層
１４                    第１配線層
１５                    第２配線層
１６、１６Ａ            分離溝
１７、１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ、１７Ｄ            第１分離溝
１８、１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、１８Ｅ            第２分離溝
１９、１９Ａ、２０      層間接続部
２１                    半導体素子
２２                    チップ素子
２３                    貫通接続部
２４                    貫通孔
２５                    導電箔
２６                    内蔵素子
２７                    第１接続孔
２８                    第２接続孔
３０                    導電箔
３１                    第１導電膜
３２                    第２導電膜
３３、３４              露出孔
３５                    メッキ膜
４０                    第１接続孔
４１                    第２接続孔
４２                    接続孔
４５                    レジスト
４６                    サーマルビアホール
４７Ａ、４７Ｂ、４７Ｃ  配線
４９                    封止樹脂
５０                    配線基板
５１                    絶縁層
５２Ａ、５２Ｂ          堀込み部
５３                    レジスト
５４                    外部電極
６０                    板状体
６１                    ユニット
６２                    アライメントマーク
６３                    貫通孔
６４                    第１支持部
６５                    第２支持部
６６                    ブロック
６７                    延長線
６８                    導電膜
６９                    スリット
７０                    金型
７１                    上金型
７２                    下金型
７３                    キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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