(57)【要約】【課題】応答速度を向上せしめた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）と、それを用いた光通信用モジュールの提供。【解決手段】少なくとも陽極３、発光層５、電子輸送層６、陰極８から構成される有機ＥＬ素子１において、前記電子輸送層に半導体材料を用いたことを特徴とする有機ＥＬ素子。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも陽極、発光層、電子輸送層、陰極から構成される有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記電子輸送層に半導体材料を用いたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記電子輸送層に用いる半導体がＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体がＺｎＳであることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記ＺｎＳからなる電子輸送層の膜厚が１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
電子輸送層に用いる半導体材料が還元性ドーパントを含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記還元性ドーパントが２．９ｅＶ以下の仕事関数を有するものであることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記還元性ドーパントが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類元素の酸化物または希土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される１種又は２種以上であることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を送信用光源として用いたことを特徴とする光通信用モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）を用いた発光素子に関し、特に応答速度を向上せしめた有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記す。）と、それを用いた光通信用モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、透明なガラスもしくは透明な樹脂基板の表面に、第１電極層（陽極）、有機層、第二電極層（陰極）が積層された基本構成を有する。有機ＥＬ素子は、コントラスト比が高い、視野角が広い、薄型化が可能であるといった特徴を有しており、ディスプレイなどの分野に応用され始めている。また、有機ＥＬ素子を利用したディスプレイでは、駆動用のトランジスタ回路上に発光部を形成するために、通常の素子構造ではトランジスタ部分で発光した光が吸収もしくは散乱されてしまい、外部への取り出し効率が悪化するという問題がある。この問題を解決するために、ガラス基板上に陰極、有機層、陽極の順番に積層されたトップエミッション構造と呼ばれる構造も検討されている。
【０００３】
第一電極層（陽極）は、ＩＴＯ（スズ添加酸化インジウム）に代表される透明導電材料から形成される。有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数層から構成される。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、これまでに多くの研究機関で研究開発が進められており、その発光特性（発光効率、最大輝度、消費電力など）は飛躍的に向上してきている。例えば、従来の蛍光材料よりも発光効率の高い燐光材料、低い仕事関数を有する陰極材料、電子と正孔のキャリアバランスの最適化など多くの研究開発が行われている。また、低コスト化が実現可能な製造方法として、従来の真空蒸着だけではなくスクリーン印刷やグラビア印刷、インクジェット法などを用いた脱真空プロセスが検討されている。
【０００５】
一方、この有機ＥＬ素子の新しい応用として、光配線モジュール用の光源が期待されている。光配線モジュールは、光ファイバやポリマ光導波路の両端に発光素子や受光素子を実装した構造を成しており、発光素子を用いて電気信号を光信号に変換して、この光信号を光ファイバやポリマ光導波路を通して、受光素子に送る。最後に受光素子で光信号を電気信号に変換し、通信を行っている。
【０００６】
有機ＥＬ素子を用いた光配線モジュールの従来技術として、例えば、特許文献１及び２が挙げられる。
これらの従来技術の技術を用いると、光ファイバやポリマ光導波路に光を伝送するための発光素子として有機ＥＬ素子を利用できる。また、有機ＥＬ素子は、蒸着などの方法を用いて、耐熱性がそれほど良くないポリマ光導波路が形成された基板上に直接形成できるので、複雑な光軸調整や光導波路端面の加工を必要とせずに、簡単に光導波路と有機ＥＬ素子とを結合できるという利点がある。さらに、光導波路や有機ＥＬ素子を一体形成してモノシリックに集積することも可能であり、光配線モジュールの実装工程を大幅に短縮でき、低コスト化を実現できる。
【０００７】
有機ＥＬ素子の応答速度の向上を図った従来技術として、例えば、特許文献３〜５が挙げられる。
特許文献３に開示された方法では、有機ＥＬ素子の静電容量を小さくすることで有機ＥＬ素子の応答速度を向上させることができる。また、特許文献４では、バイアス電圧とパルス電圧を重畳した電圧を印加して１００ＭＨｚの応答速度を実現している。さらに、特許文献５では、発光層の隣に正孔障壁層や電子注入層を設けて応答速度の向上を実現している。
【０００８】
また、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させる従来技術として、例えば、特許文献６及び７が挙げられる。これらの従来技術には、例えば、有機層と陰極との界面に無機化合物層を設けるか、あるいは陰極付近の有機化合物層に無機化合物を混入することが開示されている。この無機化合物としては、アルカリ金属酸化物、希土類金属ハロゲン化物、アルカリ金属錯体の中から選ばれる少なくとも一つの化合物であることが好ましい。また、無機化合物の形態としては、層状又は島状に形成することが望ましい。層状の場合には、電子注入性のアルカリ土類金属酸化物、アルカリ酸化物またはアルカリフッ化物からなり、膜厚が０．４ｎｍ〜１０ｎｍ程度の超薄膜が好ましい。このアルカリ土類金属酸化物としては、例えば、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ及びこれらを混合したＢａｘＳｒ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）や、ＢａｘＣａ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、アルカリ酸化物及びアルカリフッ化物としては、ＬｉＦ，Ｌｉ２Ｏ，ＮａＦ等が挙げられる。アルカリ土類金属酸化物の形成方法としては、抵抗加熱蒸着法によりアルカリ土類金属を蒸着しながら、真空槽内に酸素を導入して真空度を１０−３〜１０−４Ｐａとし、酸素とアルカリ土類金属を反応させながら蒸着させる方法が好ましく、アルカリ土類金属酸化物を電子ビーム蒸着法により成膜する方法を採用することができる。アルカリ酸化物の形成方法としては、前述したアルカリ土類金属酸化物の形成方法と同様の方法を用いることができる。アルカリフッ化物の形成方法としては、電子ビーム蒸着法又は抵抗加熱蒸着法が挙げられる。
【０００９】
また、特許文献８及び９に記載されているように、電子輸送層に無機化合物を含有させることで素子特性を向上させることもできる。このような無機化合物としては、絶縁体又は半導体が好ましい。電子輸送層が絶縁体や半導体を含有することにより、電流のリークを有効に防止でき、電子輸送性を向上させることができる。電子輸送層に含有させることができる絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属ハロゲン化物およびアルカリ土類金属ハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物が好ましい。電子輸送層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等を含有していれば、電子輸送性をさらに向上させることができる。好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ，ＬｉＯ，Ｎａ２Ｓ，Ｎａ２ＳｅおよびＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ，ＢｅＯ，ＢａＳおよびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属ハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ，ＮａＦ，ＫＦ，ＬｉＣｌ，ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属ハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２，ＢａＦ２，ＳｒＦ２，ＭｇＦ２およびＢｅＦ２などのフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。また、電子輸送層に含有させることができる半導体としては、Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｔａ，ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の１種単独又は２種以上の組み合わせが挙げられる。
【特許文献１】特開２００３−１４９５４１号公報
【特許文献２】特開２００３−１４９９５号公報
【特許文献３】特開平５−２９０８０号公報
【特許文献４】特開２００３−２４３１５７号公報
【特許文献５】特開２００２−３１３５５３号公報
【特許文献６】特開平１１−３５４２８３号公報
【特許文献７】特開２０００−１６４３６３号公報
【特許文献８】特開２００２−１６４１７８号公報
【特許文献９】特開２００３−２３８５３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、前述した従来技術には、次のような問題がある。
有機ＥＬ素子の応答速度の向上に関して、特許文献３〜５に開示されている方法を用いることで有機ＥＬ素子の応答速度は向上するが、光配線モジュールとして実用化する為には、未だ応答速度が足りないのが現状である。実用的な応答速度は、遮断周波数で１００ＭＨｚ以上であるが、公知文献に記載の方法では遮断周波数１０ＭＨｚ〜２０ＭＨｚ程度までしか実現できない。
特許文献６および７に開示されているように、有機層と陰極界面に無機化合物層を挿入することによって、有機ＥＬ素子の応答速度は若干向上する。しかし、電子輸送層には有機化合物を用いており、有機材料は電子移動度が低いために、有機ＥＬ素子の応答速度の向上は制限される。
さらに、特許文献８および９に記載されているように、電子輸送層に無機化合物を含有させることにより、若干電子移動度が向上して、これを用いた有機ＥＬ素子では若干応答速度が向上する。しかし、混合する有機材料の影響によって電子移動度の向上は制限されてしまうので、有機ＥＬ素子の応答速度の向上は不十分である。
【００１１】
本発明は、前記事情に鑑みてなされ、応答速度を向上せしめた有機ＥＬ素子と、それを用いた光通信用モジュールの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するため、本発明は、少なくとも陽極、発光層、電子輸送層、陰極から構成される有機ＥＬ素子において、前記電子輸送層に半導体材料を用いたことを特徴とする有機ＥＬ素子を提供する。
【００１３】
本発明の有機ＥＬ素子において、前記電子輸送層に用いる半導体がＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であることが好ましい。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ素子において、前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体がＺｎＳであることが好ましい。
【００１５】
本発明の有機ＥＬ素子において、前記ＺｎＳからなる電子輸送層の膜厚が１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００１６】
本発明の有機ＥＬ素子において、電子輸送層に用いる半導体材料は、還元性ドーパントを含有していることが好ましい。
【００１７】
前記還元性ドーパントとしては、２．９ｅＶ以下の仕事関数を有するものであることが好ましい。
【００１８】
また前記還元性ドーパントは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類元素の酸化物または希土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される１種又は２種以上であることが好ましい。
【００１９】
また本発明は、前述した本発明に係る有機ＥＬ素子を送信用光源として用いたことを特徴とする光通信用モジュールを提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の有機ＥＬ素子は、電子輸送層に高い電子移動度を有する発光層材料を用いることで有機ＥＬ素子の応答速度を向上させることができる。また、２つ以上の有機材料を混合した発光層を用いることで出力光強度も向上できる。そのため、本発明によれば、高出力かつ高速応答可能な有機ＥＬ素子を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図である。本実施形態の有機ＥＬ素子１は、ガラスなどの透明な材料からなる基板２上に、ＩＴＯ薄膜からなる陽極３、正孔輸送層４、発光層５、ＺｎＳなどの無機材料からなる電子輸送層６、電子注入層７、及び金属薄膜からなる陰極８を順に積層した構成になっている。本実施形態の有機ＥＬ素子１は、電子輸送機能を有する電子輸送層７に、無機材料、特にＺｎＳなどの半導体材料を用いていることを特徴としている。
【００２２】
一般に有機ＥＬ素子は、陰極から有機層内部に注入された電子が、発光層で正孔と再結合することで発光する。つまり、有機ＥＬ素子の応答速度は、電子が陰極から注入されてから再結合するまでの時間で決まる。この時間は、電子輸送中を電子が移動する時間が支配的であり、これは電子輸送層に用いている材料の電子移動度と膜厚から求められる。ここで電子輸送層の膜厚は、発光層中での正孔と電子のバランスを最適化するために数１０ｎｍの膜厚が好ましい。そのため、有機ＥＬ素子の応答速度を向上させるためには、電子輸送層の電子移動度を向上させる必要がある。無機材料は有機材料と比較して、電子移動度が高いために無機材料を電子輸送層に用いた有機ＥＬ素子は、有機材料を電子輸送層に用いた有機ＥＬよりも応答速度が向上する。
【００２３】
また、有機ＥＬ素子は、一般的には蒸着法を用いて作製される。電子輸送層だけ異なる製法で成膜することは、コストの増加につながるので好ましくない。蒸着法としては、抵抗線加熱の蒸着や電子ビーム蒸着などの方法があるが、これらの蒸着法で成膜が可能な無機材料としては周期律表のＩＩ−ＶＩ族の半導体材料か挙げられる。特に蒸着時の膜厚再現性などの点から亜鉛（Ｚｎ）と硫黄（Ｓ）の化合物が好ましい。また、電子輸送層に無機材料を用いることで、酸素や水分による有機ＥＬ素子の劣化を防ぐことができ、有機ＥＬ素子の長寿命化にも繋がる。
【実施例】
【００２４】
（実施例１）
具体的な実施例を元に本発明の効果を説明する。
３２ｍｍ×２５ｍｍ×１ｍｍ厚のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極を形成したガラス基板をイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄を行った後、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。洗浄後のガラス基板を基板ホルダーに固定して、抵抗線加熱の蒸着機を用いて有機層および陰極を成膜した。
有機層および陰極の構成は、４−４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（α−ＮＰＤ）からなり、厚さ５０ｎｍの正孔輸送層と、０．５質量％の５，６，１１，１２−テトラフェニルテトラセン（ルブレン）をドープしたトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）からなり、厚さ２０ｎｍの発光層と、ＺｎＳからなり、厚さ５０ｎｍの電子輸送層と、ＬｉＦからなり、厚さ０．４ｎｍの電子注入層と、Ａｌからなり、厚さ１５０ｎｍの陰極である。
作製した有機ＥＬ素子について応答速度を評価した。応答速度の評価には、周波数を変化させた振幅５Ｖ、バイアス電圧５Ｖの正弦波電圧を印加したときの出力光強度が半分に減少する周波数（遮断周波数）を測定した。図２に測定結果を示す。
図２からわかるように、実施例１の素子において遮断周波数は２０ＭＨｚとなった。
【００２５】
（比較例１）
電子輸送層として用いているＺｎＳをＡｌｑ３層（膜厚５０ｎｍ）に代えたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１の有機ＥＬ素子を作製し、この素子について応答速度を評価した。この素子においては正弦波電圧の振幅５Ｖ、バイアス電圧５Ｖのときに遮断周波数が５ＭＨｚとなった。
【００２６】
前記実施例１と比較例１の結果を比較すると、実施例１の有機ＥＬ素子では、電子輸送層にＺｎＳを用いたことで、応答速度が大きく向上していることが分かる。
また、図２は、実施例１と比較例１でそれぞれ作製した有機ＥＬ素子の出力光強度の周波数依存性を示すグラフである。この図２からわかるように、実施例１の有機ＥＬ素子は、比較例１の素子に比べ、高い周波数でもある程度の出力光強度が得られることが実証された。
【００２７】
（実施例２〜８、比較例２〜３）
実施例の素子構造において、ＺｎＳの膜厚を表１中に示すように変化させた実施例２〜８および比較例２〜３の有機ＥＬ素子を作製し、それぞれの遮断周波数を評価した。このときの正弦波電圧の振幅は５Ｖ，バイアス電圧は５Ｖとした。前記実施例１の結果と合わせ、測定結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
表１に示した通り、ＺｎＳの膜厚が３００ｎｍを超えた有機ＥＬ素子（比較例３）では、発光を観測できなかった。これは、ＺｎＳの膜厚が厚いために、陰極から発光層への電子の移動が起こりにくくなったことが原因であると考えられる。また、ＺｎＳの膜厚が５ｎｍの有機ＥＬ素子(比較例２）では、電圧印加時に素子が破壊されてしまい、発光を観測することができなかった。これは、電子輸送層が薄すぎるために、キャリア（正孔や電子）が大量に流れすぎてしまい、素子が破壊されたものと考えられる。
一方、ＺｎＳの膜厚が１０ｎｍから３００ｎｍの範囲の有機ＥＬ素子（実施例１〜８）では、正常に発光が可能であり、比較例１の素子と比較して遮断周波数が向上しており、ＺｎＳを挿入したことによる応答速度の向上効果が確認された。
【００３０】
さらに電子輸送層には、還元性ドーパントを含有させることで、さらに応答特性や発光効率を向上させることができる。特に、仕事関数が２．９ｅＶ以下の材料を用いることで、応答特性及び発光効率の向上の効果を実現できる。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送材料（電子輸送性化合物）を還元できる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものを用いることができ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．４ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．３ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．２ｅＶ）、Ｃｓ（仕事関数：２．０ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．５ｅＶ）、及びＢａ（仕事関数：２．５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる。仕事関数が２．９ｅＶ以下の材料を電子輸送層のドーパントに用いることで、発光効率や応答速度が向上する。これらの材料のうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ，Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、更に好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましくは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入層への比較的少量の添加で、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化を図ることができる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含めることにより、還元能力を効率的に発揮させることができ、電子輸送層へのドープにより、有機ＥＬ素子の応答特性と発光効率を向上させることができる。
【００３１】
（実施例９，１０）
３２ｍｍ×２５ｍｍ×１ｍｍ厚のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極を形成したガラス基板をイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄を行った後、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。洗浄後のガラス基板を基板ホルダーに固定して、抵抗線加熱の蒸着機を用いて有機層および陰極を成膜した。
有機層および陰極の構成は、α−ＮＰＤからなり、厚さ５０ｎｍの正孔輸送層と、０．５質量％のルブレンをドープしたＡｌｑ３からなり、厚さ２０ｎｍの発光層と、１０質量％のアルカリ金属をドープしたＺｎＳからなり、厚さ５０ｎｍの電子輸送層と、ＬｉＦからなり、厚さ０．４ｎｍの電子注入層と、Ａｌからなり、厚さ１５０ｎｍの陰極である。ここで、アルカリ金属としてＬｉＦ（実施例９）とＣｓＦ（実施例１０）を用いた。
作製した有機ＥＬ素子について応答速度を評価した。応答速度の評価には、周波数を変化させた振幅５Ｖ、バイアス電圧５Ｖの正弦波電圧を印加したときの出力光強度が半分に減少する周波数（遮断周波数）を測定した。遮断周波数は両方の有機ＥＬ素子において２５ＭＨｚとなり、アルカリ金属をドープしたＺｎＳを電子輸送層に用いることで応答速度の向上を実現することができた。
【００３２】
（実施例１１〜１６）
上記実施例９，１０の有機ＥＬ素子において、電子輸送層にドープしたアルカリ金属をそれぞれＮａ、Ｋ、Ｎｂ、Ｃｓ、Ｓｒ、Ｂａとしたこと以外は実施例９，１０と同様に作製し、これを実施例１１〜１６の有機ＥＬ素子とした。なお、Ｎａをドープしたものが実施例１１、Ｋをドープしたものが実施例１２、Ｎｂをドープしたものが実施例１３、Ｃｓをドープしたものが実施例１４、Ｓｒをドープしたものが実施例１５、Ｂａをドープしたものが実施例１６である。
作製した実施例１１〜１６と実施例１の有機ＥＬ素子において、実施例１〜１０と同様に遮断周波数を測定することにより応答速度を評価した。その結果を、表２に示す。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
表２から、実施例１１〜１６の有機ＥＬ素子において、遮断周波数は２２ＭＨｚ〜２８ＭＨｚとなり実施例１の遮断周波数よりも大きくなった。したがって、アルカリ金属として、Ｎａ、Ｋ、Ｎｂ、Ｃｓ、Ｓｒ、ＢａをそれぞれドープしたＺｎＳを電子輸送層に用いることで、応答速度の向上を実現できることができた。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す断面図である。
【図２】実施例１と比較例１の出力高強度の周波数依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３６】
１…有機ＥＬ素子、２…基板、３…陽極、４…正孔輸送層、５…発光層、６…電子輸送層、７…電子注入層、８…陰極。  
【図１】
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【図２】
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