(57)【要約】【課題】実使用時に熱応力を受けても熱電素子と電極との間の剥離が生じにくく、信頼性が優れた熱電モジュール及びそれに使用する熱電用基板部材並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】第１及び第２の基板１，２の対向面上に、夫々複数個の第１及び第２の電極３，４が形成されており、Ｎ型熱電素子５及びＰ型熱電素子６が第１の電極１と第２の電極２との間に挟まれるように配置されている。そして、第１及び第２の電極３，４と第１及び第２の基板１，２との間に、ヤング率が低い応力緩衝層７，８が配置されている。電極３，４は銅めっき層、基板１，２は、アルミナ又は銅板等により形成されている。応力緩衝層７，８としては、ポリイミド系樹脂、アラミド系樹脂又はエポキシ系樹脂を使用することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の基板と、前記基板の対向面上に配置された複数個の電極と、前記電極と前記基板との間に形成されヤング率が前記電極及び前記基板のヤング率よりも低い応力緩衝層と、を有することを特徴とする熱電用基板部材。
【請求項２】
前記応力緩衝層は、ポリイミド系樹脂、アラミド系樹脂又はエポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の熱電用基板部材。
【請求項３】
前記基板は、アルミナ又は銅板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の熱電用基板部材。
【請求項４】
第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板の対向面上に配置された夫々複数個の第１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟まれるように配置され各電極上に夫々１又は複数個接続されたＮ型熱電素子及びＰ型熱電素子と、を有し、前記第１の電極及び第２の電極は、Ｎ型熱電素子の通電方向とＰ型熱電素子の通電方向とが相互に相反するように前記Ｎ型熱電素子及びＰ型熱電素子に接続された熱電モジュールにおいて、前記第１及び第２の電極と夫々前記第１及び第２の基板との間に、ヤング率が前記第１及び第２の電極並びに前記第１及び第２の基板のヤング率よりも低い応力緩衝層が配置されていることを特徴とする熱電モジュール。
【請求項５】
前記応力緩衝層は、ポリイミド系樹脂、アラミド系樹脂又はエポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項６】
前記基板は、アルミナ又は銅板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の熱電モジュール。
【請求項７】
応力緩衝材料からなる応力緩衝層の一面に銅メッキを施すか又は銅板を貼り付け、他の面は銅板又は絶縁基板を貼り付ける工程と、前記一面上の銅メッキ層又は銅板上にマスクを設けて前記銅メッキ層又は銅板をエッチングすることにより前記銅メッキ層又は銅板から複数個の電極をパターン形成する工程と、前記電極間の間隙をとおる線に沿って前記応力緩衝層に切り込みを設けてこれを分断し１個の応力緩衝層に１又は複数個の電極を配置させる工程と、を有することを特徴とする熱電用基板部材の製造方法。
【請求項８】
応力緩衝材料からなる応力緩衝層の一面に銅メッキを施すか又は銅板を貼り付け、他の面は銅板又は絶縁基板を貼り付ける工程と、前記一面上の銅メッキ層又は銅板上にマスクを設けて前記銅メッキ層又は銅板をエッチングすることにより前記銅メッキ層又は銅板から複数個の電極をパターン形成する工程と、前記電極間の間隙をとおる線に沿って前記応力干渉基板に切り込みを設けてこれを分断し１個の応力緩衝層に１又は複数個の電極を配置させる工程と、得られた熱電用基板部材を１対用意しその対向する電極間に熱電素子を介在させて前記電極と前記熱電素子とを接合する工程と、を有することを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱電素子を複数個設けてそのペルチェ効果又はゼーベック効果により、対象物を電子冷却し、又は熱を電力に変換する熱電モジュール及びそれに使用する熱電用基板部材並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱電モジュールは、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも２種の元素を含むｐ型半導体とｎ型半導体の微小チップ（熱電素子）を、電極をパターニングしたセラミクス基板で上下に挟んで接合し、接点に温度差が生じると起電力が発生するゼーベック効果を利用し、熱を電力に変換するものである。又は、熱電モジュールは、熱電素子への電圧印加により、熱の流れが電流の方向と同一方向又は逆方向におきるペルチェ効果を利用して、通電により、対象物を冷却又は加熱（電子冷却）するものである。
【０００３】
この場合に、いずれのタイプの熱電モジュールにおいても、モジュールに組み立てられた熱電素子には、温度差が生じており、熱電素子と電極又は基板との間の熱応力により、熱電素子の電極からの剥離が問題となる。
【０００４】
従来の電子冷却素子として、基板を可撓性を有する樹脂シートにして、冷却対象物の形状に合わせることができるようにした電子冷却素子が開示されている（特許文献１）。この公報に記載された熱電モジュールは、図８にその熱電モジュールの構造を模式的に示すように、ポリイミドシートからなる基板２０，２１の対向面に夫々電極２２、２３を形成し、一つの電極２２の長手方向両端部にＮ型熱電素子２４とＰ型熱電素子２５を接続し、隣接する２個の電極２２上に配置された隣接する２個のＮ型熱電素子２４とＰ型熱電素子２５を対向する１個の電極２３により接続して、熱電素子２４，２５が直列に接続されている。この熱電モジュールにおいては、基板がポリイミドシートであるので柔軟性があり、冷却対象物の形状に合わせて変形するようになっている。
【０００５】
また、Ｎ型熱電素子とＰ型熱電素子とを柔軟な絶縁物内に埋め込むようにして、熱電モジュールに柔軟性をもたせたものが提案されている（特許文献２）。この熱電モジュールは、Ｎ型半導体素子３１とＰ型半導体素子３２とが、ゴム、プラスチック又は樹脂等の柔軟な絶縁物３０内に埋め込まれ、必要な箇所に孔３３を形成したものを、導電性プラスチック電極３４が形成された柔軟な絶縁物基板３６と、導電性プラスチック電極３５が形成された柔軟な絶縁性基板３７との間に挟み、電極３４，３５によりＮ型半導体素子３１とＰ型半導体素子３２とを直列に接続して構成されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平７−２０２２７５号公報
【特許文献２】特開平８−２２８０２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の従来技術においては、この熱電モジュールのポリイミド層２１（２０）上に被冷却体を接合する際、基板自体の柔軟性に起因してボイドが発生しやすいという問題点がある。図１０（ａ）はこの被冷却物を基板上に搭載した状態を示す図、図１０（ｂ）はその一部拡大図である。ポリイミド基板２１上にメタライズ層４１を形成し、はんだ層４２によりヒートシンク４０を接合する。このとき、基板２０の柔軟性に起因してはんだ層４２にボイド４３が生成し、このボイド４３は熱伝導が極めて小さいので、このボイドの界面に高い熱抵抗が生じる。このため、熱電モジュールの実使用状態で、モジュール性能が低下するという問題点がある。
【０００８】
また、特許文献２に記載の従来技術においては、上下基板（熱電モジュールとしての低温側基板と高温側基板）の間に、絶縁物があるために、熱電モジュールにとって重要な特性である温度差（ΔＴ）を得にくくなる。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、実使用時に熱応力を受けても熱電素子と電極との間の剥離が生じにくく、信頼性が優れた熱電モジュール及びそれに使用する熱電用基板部材並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る熱電用基板部材は、１対の基板と、前記基板の対向面上に配置された複数個の電極と、前記電極と前記基板との間に形成されヤング率が前記電極及び前記基板のヤング率よりも低い応力緩衝層と、を有することを特徴とする。
【００１１】
この熱電用基板部材において、前記応力緩衝層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アラミド系樹脂又はエポキシ系樹脂である。また、前記基板は、例えば、アルミナ又は銅板である。
【００１２】
本発明に係る熱電モジュールは、第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板の対向面上に配置された夫々複数個の第１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟まれるように配置され各電極上に夫々１又は複数個接続されたＮ型熱電素子及びＰ型熱電素子と、を有し、前記第１の電極及び第２の電極は、Ｎ型熱電素子の通電方向とＰ型熱電素子の通電方向とが相互に相反するように前記Ｎ型熱電素子及びＰ型熱電素子に接続された熱電モジュールにおいて、前記第１及び第２の電極と夫々前記第１及び第２の基板との間に、ヤング率が前記第１及び第２の電極並びに前記第１及び第２の基板のヤング率よりも低い応力緩衝層が配置されていることを特徴とする。
【００１３】
この熱電モジュールにおいて、前記応力緩衝層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アラミド系樹脂又はエポキシ系樹脂である。また、前記基板は、例えば、アルミナ又は銅板である。
【００１４】
本発明に係る熱電用基板部材の製造方法は、応力緩衝材料からなる応力緩衝層の一面に銅メッキを施すか又は銅板を貼り付け、他の面は銅板又は絶縁基板を貼り付ける工程と、前記一面上の銅メッキ層又は銅板上にマスクを設けて前記銅メッキ層又は銅板をエッチングすることにより前記銅メッキ層又は銅板から複数個の電極をパターン形成する工程と、前記電極間の間隙をとおる線に沿って前記応力緩衝層に切り込みを設けてこれを分断し１個の応力緩衝層に１又は複数個の電極を配置させる工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る熱電モジュールの製造方法は、応力緩衝材料からなる応力緩衝層の一面に銅メッキを施すか又は銅板を貼り付け、他の面は銅板又は絶縁基板を貼り付ける工程と、前記一面上の銅メッキ層又は銅板上にマスクを設けて前記銅メッキ層又は銅板をエッチングすることにより前記銅メッキ層又は銅板から複数個の電極をパターン形成する工程と、前記電極間の間隙をとおる線に沿って前記応力干渉基板に切り込みを設けてこれを分断し１個の応力緩衝層に１又は複数個の電極を配置させる工程と、得られた熱電用基板部材を１対用意しその対向する電極間に熱電素子を介在させて前記電極と前記熱電素子とを接合する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、電極と基板との間に応力緩衝層を設けたので、基板に外部から熱が印加されたりして、熱応力が発生しても、この熱応力は応力緩衝層により緩衝されるので、電極と熱電素子との間に大きな力が作用して両者が剥離してしまうことが防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る熱電モジュールの一部を示す正面図、図２は同じくその一部を示す平面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態においては、１対の基板１，２が対向配置され、この基板１，２の対向面に、夫々応力緩衝層７，８が形成され、この応力緩衝層７，８の上に、電極３，４が形成されている。本実施形態においては、図２に示すように、応力緩衝層７，８の形状と、電極３，４の形状とは応力緩衝層７，８の方が若干大きいがほぼ同一であり、１個の応力緩衝層７、８の上に夫々１個の電極３，４が配置されている。そして、電極３，４の間に、Ｎ型熱電素子５とＰ型熱電素子６とが挟まれて、電極３，４と熱電素子５，６とがはんだ合金により接合されている。この場合に、基板１側の電極３上に配置されたＮ型熱電素子５と、この電極３に隣接する電極３上に配置されたＰ型熱電素子６とが、基板２側の１個の電極４により接続されている。同様に、基板２側の１個の電極４に接続されたＮ型熱電素子５及びＰ型熱電素子６は、夫々隣接する他の電極４に接続されたＰ型熱電素子６及びＮ型熱電素子５と、基板１側において、１個の電極３により接続されている。このようにして、Ｎ型熱電素子５とＰ型熱電素子６とが電極３，４により直列に接続され、この直列接続体の一方の端部の電極３と他方の端部の電極４との間に所定の電圧を印加することにより、電流がＮ型熱電素子５とＰ型熱電素子６とを相反する方向に流れ、ペルチェ効果により、熱が一方の基板１又は２から他方の基板２又は１に流れ、吸熱側の基板では対象物を冷却し、放熱側の基板では対象物を加熱する。
【００１９】
而して、本実施形態においては、電極３と基板１との間に応力緩衝層７が配置されており、電極４と基板２との間に応力緩衝層８が配置されている。この応力緩衝層７，８は、電極３，４よりも若干大きく１個の応力緩衝層７，８の上に１個の電極３，４が配置されている。
【００２０】
本発明においては、電極３，４は銅めっき層又は銅板から形成することができる。また、基板１，２は、アルミナ又は銅板等により形成されており、基本的には剛性体である。更に、応力緩衝層としては、ポリイミド系樹脂、アラミド系樹脂又はエポキシ系樹脂を使用することができる。このポリイミド系樹脂、アラミド系樹脂又はエポキシ系樹脂は、電極を構成する銅めっき層及び基板を構成するアルミナ又は銅板よりも、ヤング率が低い。
【００２１】
これにより、基板、電極及び熱電素子に熱応力が作用しても、応力緩衝層７，８により熱電素子５，６と電極３，４との間に剥離等が生じることが防止され、信頼性が高い熱電モジュールを得ることができる。また、本発明は、基板１，２自体は、基本的には、アルミナ又は銅板等の剛性体を使用するので、応力緩衝層７，８は柔軟性を有するにも拘わらず、熱電モジュールを組み立てる際のハンダ付け時に、はんだ層内にボイドが発生することを防止でき、はんだ接合層内において、熱抵抗が増大することを防止できる。
【００２２】
本実施形態にて応力緩衝層として使用しているポリイミド系樹脂及びアラミド系樹脂は、金属及びセラミックス系材料に比して相対的にヤング率が低い。また、これらの材料は、銅メッキが容易であり、電極の形成も容易である。更に、これらの材料は、市販されていて入手しやすいのに加え、ハンダ付け温度において、軟化しないという利点がある。このため、これらの材料は応力緩衝層として有効である。
【００２３】
次に、本発明の実施形態に係る熱電モジュールの製造方法について説明する。図４（ａ）、（ｂ）、図５（ａ）、（ｂ）、図６、図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態に係る熱電モジュールの製造方法を工程順に示す図である。先ず、図４（ａ）に示すように、片面に銅メッキ層１１を形成し、他面に銅板１２を接着したポリイミド層１０を用意するか、図４（ｂ）に示すように、片面に銅メッキ層１１を形成し、他面にアルミナ板１３を接着したポリイミド層１０を用意する。
【００２４】
次に、電極を形成するが、以下、図４（ａ）に示す両面銅メッキポリイミド層を使用した場合の製造方法について説明する。しかし、片面銅メッキ片面アルミナ板接着ポリイミド基板の場合も同様である。図５（ａ）、（ｂ）に示すように、このポリイミド層１０の上の銅メッキ層１１の上に、電極３，４となる部分１１ａを被覆するマスクパターンを形成する。そして、このマスクパターンをマスクとして銅めっき層をエッチングすることにより、電極３，４となる銅部分１１ａを形成する。
【００２５】
次に、図６に示すように、ポリイミド層１０における銅部分１１ａ間の間隙に、縦方向に延びる切り込み１４ａを、ブレードソーにより形成する。
【００２６】
更に、図７に示すように、ポリイミド層１０における銅部分１１ａ間の間隙に、横方向に延びる切り込み１４ｂを、ブレードソーにより形成する。
【００２７】
これにより、ポリイミド層１０が、１個の電極に対して１個のポリイミド層となるように分離され、図１及び図２に示すように、基板１，２（この場合は銅基板）上に、ポリイミドからなる応力緩衝層７，８が形成され、応力緩衝層７，８の上に電極３，４が形成された電極付基板が製造される。この応力緩衝層の分断により更に応力緩和効果を促進することができる。
【００２８】
次に、これらの基板１，２を電極３，４同士が対向するように配置し、電極３，４間に熱電素子５，６を挟み、電極３，４と熱電素子５，６とを導電性接着剤により接合する。これにより、図１，２に示す熱電モジュールが製造される。
【００２９】
次に、本発明の他の実施形態に係る熱電モジュールについて説明する。図３はこの他の実施形態に係る熱電モジュールの一部を示す平面図である。本実施形態においては、基板１、２上の電極３，４と、熱電素子５，６との関係は、図１及び図２に示す第１実施形態と同一であるが、電極３，４と応力緩衝層７，８との関係が異なる。即ち、本実施形態においては、１個の応力緩衝層７上に、６個の電極３が配置されており、６個の電極３に対して、共通に１個の応力緩衝層７が設けられている。このようにしても、熱応力による熱電素子と電極との剥離防止等には有効であり、ダイシングソーによる分離工程が少なくて済む分、製造工程が簡略化される。
【００３０】
なお、本発明は上記実施形態に限らず、例えば、一の電極上に、複数個のＮ型熱電素子と、複数個のＰ型熱電素子とを設置してもよい。
【００３１】
また、応力緩衝層７の分断は、ダイシングソーの他に、紫外線（ＵＶ）レーザ、又は炭酸ガス（ＣＯ２）レーザによる分離方法を使用することもできる。
【実施例】
【００３２】
次に、本発明の実施例の効果について、本発明の範囲から外れる比較例の特性と比較して説明する。
【００３３】
（試験例１）
供試熱電モジュールは、１辺長が４０ｍｍの正方形の面をもち、厚さが１．５ｍｍである。搭載する熱電素子の数は１２０対である。また、熱電素子の材料は、Ｐ型熱電素子がＢｉ０．５Ｓｂ１．５Ｔｅ３、Ｎ型熱電素子がＢｉ１．９Ｓｂ０．１Ｔｅ２．６Ｓｅ０．４の組成を有する。これらの熱電材料はホットプレスにより焼結したものである。実施例１乃至４の基板構造は、図２に示すように、電極と応力緩衝層とが１：１に対応するものである。応力緩衝層としてのポリイミド層の厚さは２０μｍ、この応力緩衝層の一面に形成される銅メッキ層（銅電極）の厚さは１００μｍ、応力緩衝層の他面に貼り付けられるものがアルミナの場合は厚さが１２０μｍ、銅板の場合は厚さが１４０μｍである。比較例１の熱電モジュールは、外形寸法は実施例と同一であるが、基板には、０．２ｍｍ厚のアルミナ板の一面に銅電極をメタライズ（厚さ１００μｍ）したものを使用した。このアルミナ板の他面には、銅のベタ層（１００μｍ）をメッキにより形成した。この比較例１の熱電モジュールは従来の一般的な構造を有する。なお、実施例１乃至４と比較例１とは熱電素子と銅電極との接合に、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだを使用した。
【００３４】
この供試材に対し、信頼性試験のために温度差付加試験を実施した。熱電モジュールの上下基板に１５０Ｋの温度差を付加した後、温度差を０に戻す熱サイクル試験を繰り返した。そして、熱応力による破壊の進展を熱電モジュールのＡＣＲ変化率及び最大温度差ΔＴ変化率で評価した、１熱サイクルに要する時間は、昇温２分間、保持１分間、降温３分間の計６分間である。
【００３５】
その結果、下記表１に熱電モジュールのＡＣＲ（交流抵抗値）増加率を示す。また、下記表２は、熱電特性の劣化による熱電モジュールのΔＴ（最大温度差）の低下率を示す。
【００３６】
【表１】
2008277584.tif 000003
【００３７】
【表２】
2008277584.tif 000004
【００３８】
上記表１及び表２に示すように、本発明の実施例１乃至６の場合は、熱サイクルを繰り返しても、ＡＣＲ増加率及び最大温度差の低下率が小さく、熱電特性の劣化が極めて少ない。また、試験したサイクル数の範囲では、熱電モジュールの破壊が発生することがなかった。これに対し、比較例１の場合は、ＡＣＲ増加率及び最大温度差の低下率が大きく、熱サイクルによる熱電特性の劣化が大きく、１５００サイクルで熱電モジュールが破壊した。なお、モジュールの破壊判断基準は５％の変化として考えられる。即ち、ＡＣＲ増加率又は最大温度差の低下率が５％を超えると、経験的に、ジュール熱が高くなりすぎ、熱電材料自体及び熱電材料とはんだ層との界面等に亀裂が生じて使用できなくなる。
【００３９】
（試験例２）
供試熱電モジュールは、１辺長が４０ｍｍの正方形の面をもち、厚さが１．５ｍｍである。搭載する熱電素子の数は１２０対である。また、熱電素子の材料は、Ｐ型熱電素子がＢｉ０．５Ｓｂ１．５Ｔｅ３、Ｎ型熱電素子がＢｉ１．９Ｓｂ０．１Ｔｅ２．６Ｓｅ０．４の組成を有する。これらの熱電材料はホットプレスにより焼結したものである。実施例５乃至８の基板構造は、図３に示すように、電極と応力緩衝層との数の比が６：１に対応するものである。但し、基板はアルミナ板であり、その厚さは０．２ｍｍである。
【００４０】
電極の応力緩衝層としてのポリイミド層の厚さは２０μｍ、銅電極の厚さは１００μｍ、銅メタライズ層の厚さは１００μｍである。比較例１の熱電モジュールは、前述のとおり、外形寸法は実施例５乃至８と同一であるが、基板には、０．２ｍｍ厚のアルミナ板の一面に銅電極をメタライズ（厚さ１００μｍ）したものを使用した。このアルミナ板の他面には、銅のベタ層（１００μｍ）をメッキにより形成した。この比較例１の熱電モジュールは従来の一般的な構造を有する。なお、実施例５乃至８と比較例１とは熱電素子と銅電極との接合に、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだを使用した。
【００４１】
この供試材に対し、信頼性試験のために温度差付加試験を実施した。熱電モジュールの上下基板に試験例１と同様に１５０Ｋの温度差を付加した後、温度差を０に戻す熱サイクル試験を繰り返した。そして、熱応力による破壊の進展を熱電モジュールのＡＣＲ変化率及び最大温度差ΔＴ変化率で評価した、１熱サイクルに要する時間は、前述と同様に、昇温２分間、保持１分間、降温３分間の計６分間である。
【００４２】
その結果、下記表２に熱電モジュールのＡＣＲ（交流抵抗値）増加率を示す。また、下記表２は、熱電特性の劣化による熱電モジュールのΔＴ（最大温度差）の低下率を示す。
【００４３】
【表３】
2008277584.tif 000005
2008277584.tif 000006
【００４４】
【表４】
2008277584.tif 000007
【００４５】
上記表３及び表４に示すように、本発明の実施例７乃至１２の場合は、熱サイクルを繰り返しても、ＡＣＲ増加率及び最大温度差の低下率が小さく、熱電特性の劣化が極めて少ない。また、試験したサイクル数の範囲では、熱電モジュールの破壊が発生することがなかった。これに対し、比較例１の場合は、ＡＣＲ増加率及び最大温度差の低下率が大きく、熱サイクルによる熱電特性の劣化が大きく、１５００サイクルで熱電モジュールが破壊した。これにより、本発明による熱電モジュールの信頼性向上効果が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る熱電モジュールを示す正面図である。
【図２】同じく第１実施形態の熱電モジュールの平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る熱電モジュールを示す平面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は本発明の実施形態に係る熱電モジュールの製造方法を示す図である。
【図５】同じく、図４の次の工程を示す図である。
【図６】同じく、図５の次の工程を示す図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、同じく、図６の次の工程を示す図である。
【図８】特許文献１に記載の熱電モジュールを示す正面図である。
【図９】特許文献２に記載の熱電モジュールを示す図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、特許文献１に記載の熱電モジュールの欠点を説明する図である。
【符号の説明】
【００４７】
１，２：基板
３，４：電極
５，６：熱電素子
７，８：応力緩衝層
１０：ポリイミド層
１１：銅めっき層
１１ａ：銅部分
１２：銅板
１４ａ、１４ｂ：切り込み
【図１】
2008277584.tif 000008
【図２】
2008277584.tif 000009
【図３】
2008277584.tif 000010
【図４】
2008277584.tif 000011
【図５】
2008277584.tif 000012
【図６】
2008277584.tif 000013
【図７】
2008277584.tif 000014
【図８】
2008277584.tif 000015
【図９】
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【図１０】
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