(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ベアチップの周囲へのＡｇペースト膜のはみ出しを出来るだけ少なくして、ワイヤの長さを短くする方法を提供する。【解決手段】ダイパッド１０３の表面に、複数の溝１１０−１〜１１０−８が放射状に形成してある。各溝は、ダイパッドの中心から周縁側を見た場合に末広がりとなる向きの三角形が連なった形状であり、終端はダイパッドの周縁よりも内側の位置である。半導体ベアチップ２０が載せられてＡｇペーストが押し広げられるとき、Ａｇペーストは各溝内を終端まで円滑に拡がる。これによって、Ａｇペーストの供給量が従来の場合よりも少なくても、Ａｇペーストの膜が半導体ベアチップ２０の下面の全面に形成されるようになり、半導体ベアチップの周囲へのＡｇペースト膜のはみ出しが少なくなり、端子パッド１０４を従来の場合よりもダイパッド１０３に近い位置に配置することが可能となり、ワイヤ１３０の長さがが従来の場合よりも短くなる。【選択図】図７
2008159742.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドの表面に所定量のペースト状の接着剤を供給し、半導体素子を前記ダイパッド上に載せて前記接着剤を前記半導体素子の下面と前記ダイパッドとの間で押し拡げ、押し拡げられて形成された接着剤膜によって前記半導体素子が前記ダイパッド上に接着してあり、且つ、前記半導体素子と前記ダイパッドの周囲の端子パッドとの間にワイヤが張ってある構成の半導体素子の実装構造において、
前記ダイパッドは、その表面に、前記ダイパッドの中心側より前記ダイパッドの周縁の方向に延びており、前記ダイパッドの周縁よりも内側の位置を終端とされた溝を、複数有する構成としたことを特徴とする半導体素子の実装構造。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子の実装構造において、
前記複数の溝は、放射状に並んでおり、
且つ、各溝は、前記ダイパッドの中心から前記ダイパッドの周縁側を見た場合に末広がりとなる向きの三角形が連なった形状であることを特徴とする半導体素子の実装構造。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体素子の実装構造において、
前記複数の溝は、格子状に並んでいる構成としたことを特徴とする半導体素子の実装構造。
【請求項４】
ダイパッドの表面に所定量のペースト状の接着剤を供給し、半導体素子を前記ダイパッド上に載せて前記接着剤を前記半導体素子の下面と前記ダイパッドとの間で押し拡げ、押し拡げられて形成された接着剤膜によって前記半導体素子が前記ダイパッド上に接着してあり、且つ、前記半導体素子と前記ダイパッドの周囲の端子パッドとの間にワイヤが張ってある構成の半導体素子の実装構造において、
前記ダイパッドは、その表面に、中央に配された略円形の凹部と、前記凹部の全周に並んで放射状に前記ダイパッドの周縁よりも内側の位置まで延びている三角形状の複数の溝とを有する構成としたことを特徴とする半導体素子の実装構造。
【請求項５】
ダイパッドの表面に所定量のペースト状の接着剤を供給し、半導体素子を前記ダイパッド上に載せて前記接着剤を前記半導体素子の下面と前記ダイパッドとの間で押し拡げ、押し拡げられて形成された接着剤膜によって前記半導体素子が前記ダイパッド上に接着してあり、且つ、前記半導体素子と前記ダイパッドの周囲の端子パッドとの間にワイヤが張ってある構成の半導体素子の実装構造において、
前記ダイパッドは、その表面に、凹部或いは凸部が、中央の部分では、並びが密に、周縁の部分では、並びが疎となるようにして形成してある構成としたことを特徴とする半導体素子の実装構造。
【請求項６】
ダイパッドの表面に所定量のペースト状の接着剤を供給し、半導体素子を前記ダイパッド上に載せて前記接着剤を前記半導体素子の下面と前記ダイパッドとの間で押し拡げ、押し拡げられて形成された接着剤膜によって前記半導体素子が前記ダイパッド上に接着してあり、且つ、前記半導体素子と前記ダイパッドの周囲の端子パッドとの間にワイヤが張ってある構成の半導体素子の実装構造において、
前記ダイパッドの周囲に沿って、半田レジストによって形成されたダムを有する構成としたことを特徴とする半導体素子の実装構造。
【請求項７】
ダイパッドの表面に所定量のペースト状の接着剤を供給し、半導体素子を前記ダイパッド上に載せて前記接着剤を前記半導体素子の下面と前記ダイパッドとの間で押し拡げ、押し拡げられて形成された接着剤膜によって前記半導体素子が前記ダイパッド上に接着してあり、且つ、前記半導体素子と前記ダイパッドの周囲の端子パッドとの間にワイヤが張ってある構成の半導体素子の実装構造において、
前記ダイパッドは、ビアを有し、且つ、前記ビアとは前記ダイパッドの中心点に関して点対称の箇所に、凹部を有する構成としたことを特徴とする半導体素子の実装構造。
【請求項８】
基板本体上に、半導体素子が接着されて実装されるダイパッドと、このダイパッドの近くにワイヤがボンディングされる端子パッドとを有する構成のプリント回路基板において、
前記ダイパッドは、その表面に、前記ダイパッドの中心側より前記ダイパッドの周縁の方向に延びており、前記ダイパッドの周縁よりも内側の位置を終端とされた溝を、複数有する構成としたことを特徴とするプリント回路基板。
【請求項９】
請求項８に記載のプリント回路基板において、
前記複数の溝は、放射状に並んでおり、
且つ、各溝は、前記ダイパッドの中心から前記ダイパッドの周縁側を見た場合に末広がりとなる向きの三角形が連なった形状であることを特徴とするプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子の実装構造に係り、特に、半導体ベアチップが基板上のダイパッド上に接着剤によって接着されており、半導体ベアチップの上面のパッドとダイパッドの近くのパッドとの間にワイヤがボンディングされて張られて接続されている構成の半導体素子の実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
信号の処理を行う電子装置は、内部に電子回路モジュールが組み込んである構成である。また、信号を高速に伝送するコネクタにあっても、その内部にも電子回路モジュールが組み込んである場合がある。この電子回路モジュールは、例えば、プリント回路基板のダイパッド上に半導体ベアチップが接着されており、半導体ベアチップの上面のパッドとダイパッドの近くのパッドとの間にワイヤがボンディングされて張られている構成である。
【０００３】
信号の処理の高速化に伴って、半導体ベアチップの上面のパッドとダイパッドの近くのパッドとの間に張られているワイヤの長さも、信号の伝送の精度を低下させる要因のひとつとして取り上げられるようになってきている。
【０００４】
図１（Ａ），（Ｂ）は従来の一例の半導体ベアチップの実装構造１０を樹脂封止部分を除去した状態で示す。半導体ベアチップの実装構造１０は、プリント回路基板１１の上面に半導体ベアチップ２０がＡｇペーストを利用して接着されて実装してあり、且つ、半導体ベアチップ３０とこの周辺との間にワイヤ３０が張ってある構成である。４０は硬化したＡｇペースト膜である。Ａｇペーストは、Ａｇ粉末がペースト状の熱硬化性の接着剤に混合してある組成であり、導電性の接着剤である。
【０００５】
図２（Ａ）はプリント回路基板１１の一部を示す。基板本体１２の上面に、四角形状のダイパッド１３と、端子パッド１４とが形成してある。端子パッド１４は、ダイパッド１３を囲むように配置してある。二点鎖線で囲む領域は半導体ベアチップ２０を実装するべき領域１５である。端子パッド１４は、半導体ベアチップ実装領域１５より距離Ａ離れた箇所に配置してある。Ａｇペースト膜４０のはみ出し部分４０ａが比較的大きく形成されることを考慮して、距離Ａは１ｍｍ以上としてある。
【０００６】
半導体ベアチップ２０は、ウェハより切り出したチップであり、四角形状であり、上面の周囲に沿って、パッド２１が並んでいる。
【０００７】
ワイヤ３０は、Ａｕ製であり、一端をパッド２１にボンディングされ、他端を端子パッド１４にボンディングされて、半導体ベアチップ２０と端子パッド１４との間に張ってある。
【０００８】
半導体ベアチップ２０は、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ポッティング装置（図示せず）によって所定容積のＡｇペーストをダイパッド１３の中央に供給し、略団子状のＡｇペースト塊４１を形成し、図３（Ａ）、（Ｂ）及び図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、半導体ベアチップ２０を上方から降ろて載せる。Ａｇペースト塊４１は半導体ベアチップ２０によって押し潰されて、Ａｇペーストがダイパッド１３の上面上を図３（Ａ）に矢印５０で示すように周囲に押し延ばされて、Ａｇペースト膜４２を経て最終的なＡｇペースト膜４３とされる。この後、加熱すると、Ａｇペースト膜４３が硬化され、半導体ベアチップ２０は、硬化したＡｇペースト膜４０によってダイパッド１３上に接着されて実装された状態となる。硬化されたＡｇペースト膜４０は半導体ベアチップ２０の下面の全面に拡がっており、更には、半導体ベアチップ２０の周縁を越えて拡がっている。
【特許文献１】特開平１−２９７８２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ダイパッド１３はその上面が平滑な面である。このため、ダイパッド１３の上面に供給されたＡｇペーストの表面張力は大きく、よって、Ａｇペーストが膜状とされるときの周囲に押し延ばされる動作は十分に円滑であるとは言えず、ある方向については不十分となる虞れもある。
【００１０】
そこで、Ａｇペースト塊４１のＡｇペーストの容積Ｖ１が、理論上必要とされる容積Ｖ０を幾分越えた容積となるようにしてある。これによって、Ａｇペースト膜４３が半導体ベアチップ２０の周縁を越えて、即ち半導体ベアチップ２０の周縁よりはみだして形成されるようにし、このはみ出しが存在することによって、半導体ベアチップ２０の下面の全面がダイパッド１３と接着されたことを保障するようにしてある。
【００１１】
図４（Ａ）、（Ｂ）中、符号６０ははみ出し部分であり、Ａｇペースト膜４３のうち半導体ベアチップ２０の周縁より外側にはみ出ている部分である。
【００１２】
従来は、上記のように、Ａｇペースト４０が膜状とされるときの周囲に押し延ばされる動作は十分に円滑であるとは言えず、ある方向については不十分となる虞れもあるので、Ａｇペースト塊４１のＡｇペーストの容積Ｖ１については、安全を見込んで、理論上必要とされる量Ｖ０を越える余分量Ｖ１０を多めにしている。このため、半導体ベアチップ２０の各辺より外側にはみ出ているはみ出し部のうち、最もはみ出しているはみ出し部分６０の幅Ｗ１は０．２〜０．５ｍｍ程度であり、比較的大きくなっていた。
【００１３】
また、端子パッド１４の表面がＡｇペーストで覆われると、ワイヤボンディングが出来なくなってしまう。このため、端子パッド１４の箇所ははみ出し部分６０の影響を受けない場所に定める必要があり、端子パッド１４の位置は、実装された半導体ベアチップ２０の周縁より１ｍｍ以上離れた箇所となっており、図１（Ｂ）中、寸法Ａは０．５〜０．８ｍｍ程度であった。このため、個々のワイヤ３０は長さＬ１が約１．２ｍｍとなってしまっていた。この結果、将来的に現在よりも更に高速の信号を伝送する場合に、ワイヤ３０の箇所での信号の伝送の特性の劣化が問題となる虞があった。
【００１４】
なお、ポッティング装置は使用しないで、この代わりに、圧膜印刷装置を使用する方法がある。圧膜印刷装置を使用すると、ダイパッドの上面のうち半導体ベアチップが実装される領域に限ってＡｇペースト膜が印刷でもって形成される。よって、半導体ベアチップを実装した場合に、前記のはみ出し部が殆ど形成されなくなり、端子パッドの位置も、実装された半導体ベアチップの周縁に近づいた箇所となって、個々のワイヤの長さもより短く出来る。しかし、圧膜印刷装置を使用すると、印刷用スクリーン等の専用の治具が必要となり、電子回路モジュールのコストが高くなってしまう、また、半導体ベアチップの変更があると印刷用スクリーンを新たに作ることが必要となり、設計の変更への対応が遅れてしまうという問題がある。
【００１５】
また、特に、実装する半導体ベアチップの数が少ない場合には、Ａｇペーストの供給のためにポッティング装置を使用することが有利となる。コネクタの内部に組み込んである電子回路モジュールは、実装する半導体ベアチップの数は数個と少なく、ポッティング装置を使用している。
【００１６】
そこで、本発明は、ポッティング装置を使用してＡｇペーストを供給する方式を採用して半導体ベアチップを実装した場合に、Ａｇペーストの半導体ベアチップの周縁からのはみ出しの程度を従来に比較して小さくするようにした半導体素子の実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
そこで、本発明は、ダイパッドの表面に所定量のペースト状の接着剤を供給し、半導体素子を前記ダイパッド上に載せて前記接着剤を前記半導体素子の下面と前記ダイパッドとの間で押し拡げ、押し拡げられて形成された接着剤膜によって前記半導体素子が前記ダイパッド上に接着してあり、且つ、前記半導体素子と前記ダイパッドの周囲の端子パッドとの間にワイヤが張ってある構成の半導体素子の実装構造において、
前記ダイパッドは、その表面に、前記ダイパッドの中心側より前記ダイパッドの周縁の方向に延びており、前記ダイパッドの周縁よりも内側の位置を終端とされた溝を、複数有する構成としたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体素子が載せられて接着剤が押し広げられるとき、接着剤は各溝内を終端まで円滑に拡がる。これによって、ダイパッド上への接着剤の供給量が従来よりも少なくても、接着剤が半導体素子の下面の全面に形成されるようになり、よって、半導体ベアチップの周囲への接着剤の膜のはみ出しが従来よりも少なくなる。また、接着剤が半導体素子の下面の全面に一様に拡がることによって、実装状態における半導体素子の傾きが改善される。
【００１９】
これによって、端子パッドを従来よりも半導体素子実装領域に近づけて配置することが可能となり、張ってあるワイヤの長さが従来よりも短くなり、よって、高速信号の処理により適した構造となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に本発明の実施の形態について説明する。
【実施例１】
【００２１】
図５及び図６（Ａ），（Ｂ）は本発明の実施例１になる半導体ベアチップの実装構造１００を封止のための樹脂部分を除去した状態で示す。半導体ベアチップの実装構造１００は、プリント回路基板１０１の上面に、図１に示す半導体ベアチップ２０と同じ半導体ベアチップ２０がＡｇペーストを利用して接着されて実装してあり、且つ、半導体ベアチップ２０とこの周辺との間にワイヤ１３０が張ってある構成である。Ｘ１−Ｘ２は半導体ベアチップ２０及び後述するダイパッド１０３の長手方向であり、Ｙ１−Ｙ２はこれと直交する方向である。半導体ベアチップ２０は「半導体素子」の一例であり、Ａｇペーストは「接着剤」の一例である。
【００２２】
図７（Ａ）はプリント回路基板１０１の一部を示す。プリント回路基板１０１は、エポキシ製基板本体１０２の上面に、四角形状のダイパッド１０３と、端子パッド１０４とが形成してある構成である。端子パッド１０４は、ダイパッド１０３を囲むように配置してある。１５は半導体ベアチップ実装領域、１０６はＡｇペースト塊が供給される領域である。
【００２３】
ダイパッド１０３には、溝１１０−１〜１１０−８がダイパッド１０３の中心から八方向に延びて放射状に形成してある。八方向は、ダイパッド１０３の長手方向と、短手方向と、対角線の方向である。各溝１１０−１〜１１０−８は、ダイパッド１０３の周縁までは到っていない、即ち、ダイパッド１０３の周縁を突き抜けてはいない。各溝１１０−１〜１１０−８は、半導体ベアチップ実装領域１５に形成してある。溝１１０−１〜１１０−８は、図７（Ｂ）に併せて示すように、略、ダイパッド１０３の中心からダイパッド１０３の周縁側を見た場合に末広がりとなる向きの三角形、即ち、ダイパッド１０３の中心側が頂点であり、ダイパッド１０３の周縁側が底辺となる向きの三角形が連なった形状であり、各溝の内側の両側に、角状に凹んだ部分１１０−１ａを多数有する。各溝の始端１１０−１ｂは、Ａｇペースト塊供給領域１０６内に位置しており、各溝の終端１１０−１ｃ〜１１０−８ｃは、図７（Ｃ）に併せて示すように、半導体ベアチップ実装領域１５より僅かに外側に位置しており、尖った角状となっている。各溝１１０−１〜１１０−８は、後述するように、半導体ベアチップ２０によってＡｇペースト塊が押しつぶされて放射状に押し拡げられるときに、Ａｇペーストを毛細管現象等によって外側の方向に導いて、Ａｇペースト塊が押し拡げられるのを助ける役割を有し、最終的には、Ａｇペースト膜のうち半導体ベアチップより外側へはみ出した部分の幅寸法を短くする役割を有する。また、角状に凹んだ部分１１０−１ａは、Ａｇペーストを毛細管現象によってＡｇペーストをその箇所に引き込む作用をする。また、各溝１１０−１〜１１０−８の平均的な幅Ｗ１０は０．０５〜０．１ｍｍ程度である。なお、溝１１０−１〜１１０−８の形成方法については後述する。
ダイパッド１０３は、上記の溝１１０−１〜１１０−８が形成してあることによって、換言すれば、硬化Ａｇペースト膜のみ出し部分の幅寸法を短くできることによって、図１に示すダイパッド１３より一回り小さい大きさとしてある。
【００２４】
ダイパッド１０３のサイズが小さくなった分、端子パッド１０４は、半導体ベアチップ実装領域１５に接近して配置してある。端子パッド１０４の半導体ベアチップ実装領域１５からの距離はＢであり、Ｂは前記のＡよりも短く、Ｂ<Ａである。
【００２５】
再度、図５及び図６（Ａ），（Ｂ）を参照するに、１４０は硬化したＡｇペースト膜であり、半導体ベアチップ２０の下面の全面に亘っている。半導体ベアチップ２０は、この硬化したＡｇペースト膜１４０によって、ダイパッド１０３と電気的に接続された状態で、ダイパッド１０３上に接着されている。１４０ａは、はみ出し部分であり、硬化したＡｇペースト膜１４０のうち半導体ベアチップ２０の周縁より外側にはみ出ている部分である。このはみ出し部分１４０ａの最大の幅Ｗ２は、０．１ｍｍ程度であり、従来の幅Ｗ１よりも小さくなっている。
【００２６】
Ａｕ製のワイヤ１３０は、一端を端子パッド２１にボンディングされ、他端を端子パッド１４にボンディングされて、半導体ベアチップ２０と端子パッド１４との間に張ってある。このワイヤ１３０は長さＬ２が従来の場合よりも０．２ｍｍ程度短くなって、１．０ｍｍ程度である。この０．２ｍｍはワイヤ１３０の長さＬ２（１．０ｍｍ）の２０％と大きく、将来的に現在よりも更に高速の信号を伝送する場合に、ワイヤ１３０の箇所での信号の伝送の特性の劣化が問題が改善されている。
【００２７】
また、Ａｇペースト膜が半導体ベアチップ２０の下面の全面に亘って拡がっているため、実装された半導体ベアチップ２０の傾きも改善されている。
【００２８】
次に、はみ出し部分１４０ａを小さく出来る理由について説明する。
【００２９】
理由は、第１には、Ａｇペーストが押し拡げられ易くする溝１１０−１〜１１０−８が形成してあることであり、第２には、Ａｇペーストが溝１１０−１〜１１０−８に沿って半導体ベアチップ実装領域１５の周縁まで円滑に押し拡げられることによって、Ａｇペーストの理論量Ｖ０を越える余分量を従来よりも少なくできるからである。
【００３０】
先ず、Ａｇペーストが押し拡げられるときの状態について説明する。図８は前半を示し、図９は後半を示す。
【００３１】
図８（Ａ），（Ｂ）は、プリント回路基板１０１が水平に固定されており、ポッティング装置（図示せず）によって所定容積のＡｇペーストをダイパッド１０３の中央に供給されて、団子状のＡｇペースト塊１４１が形成された状態を示す。Ａｇペーストの粘度は例えば約３６，０００ｍｐａ・ｓであり、練り状の歯磨き粉程度である。
【００３２】
Ａｇペースト塊１４１のＡｇペーストの容積Ｖ２は、理論上必要とされる量Ｖ０を越える余分量Ｖ１１を従来の場合（Ｖ１０）よりも少なめにしてある。このようにしてもよい理由は、半導体ベアチップ２０の下面の全面に亘るＡｇペースト膜の形成が従来に比べて円滑になされるからである。
【００３３】
半導体ベアチップ２０は、ダイボンディング装置（図示せず）によって支持されて水平の姿勢で、図９（Ｅ），（Ｆ）に示す最終高さＨ０まで下降される。
【００３４】
図８（Ｃ），（Ｄ）は、半導体ベアチップ２０がＨ３にまで下降され、その下面がＡｇペースト塊１４１に接触して、Ａｇペースト塊１４１の押しつぶしを開始したときの状態を示す。半導体ベアチップ２０が以後最終位置Ｈ０まで下降される過程において、Ａｇペースト塊１４１は半導体ベアチップ２０によって押しつぶされ、ダイパッド１０３の上面と半導体ベアチップ２０の下面との間で押し拡げられて、膜状となる。
【００３５】
図９（Ａ），（Ｂ）は、半導体ベアチップ２０がＨ２にまで下降されたときの状態を示す。ここで、Ａｇペーストは、溝１１０−１〜１１０−８内の方が、ダイパッド１０３の表面よりも拡がり易くなっている。このため、ダイパッド１０３の表面では、Ａｇペーストは、押しつぶしに対応して外側にすこし拡がり、溝１１０−１〜１１０−８内では、Ａｇペーストは、ダイパッド１０３の表面の部分よりも早く拡がって、溝１１０−１〜１１０−８の終端１１０−１ｃ〜１１０−８ｃまで到った状態となる。
【００３６】
半導体ベアチップ２０は、図９（Ｃ），（Ｄ）に示すＨ１を経て、図９（Ｅ），（Ｆ）に示す最終高さＨ０まで下降される過程では、ダイパッド１０３の表面のＡｇペーストが外側に押し広げられて膜を形成すると共に、溝１１０−１〜１１０−８の終端側の部分からＡｇペーストが溢れ出て半導体ベアチップ２０の周縁近くの下面側の隙間を埋めて膜を形成し、且つ、半導体ベアチップ２０の周面と接触してフィラー１４０ｂを形成する。特に溝１１０−１〜１１０−８の先端１１０−１ｃ〜１１０−８ｃから溢れ出たＡｇペーストがフィラー１４０ｂを形成する。
【００３７】
このフィラー１４０ｂの部分が、半導体ベアチップ２０の周縁からのはみ出し部１４０ａを形成し、よって、はみ出し部の幅Ｗ２は０．１ｍｍ程度であり、従来に比較して小さい。
【００３８】
上記のように、Ａｇペースト膜１４０は、ダイパッド１０３の中心側から外方向に広がって形成されると共に、ダイパッド１０３の周縁近くの部分からも広がって形成されることになり、半導体ベアチップ２０の下面の全面に亘るＡｇペースト膜１４０は、従来に比較して円滑に形成される。
【００３９】
このように、半導体ベアチップ２０の下面の全面に亘るＡｇペースト膜１４０が円滑に形成されるため、ポッティング装置（図示せず）を適宜調整することによって、Ａｇペースト塊１４１のＡｇペーストの容積Ｖ２については、前記のように、理論上必要とされる量Ｖ０を越える余分量Ｖ１１を従来の場合（Ｖ１０）よりも少なめにしてある。これによって、半導体ベアチップ２０の周縁からはみ出した部分は、上記のフィラー１４０ａだけに留まり、はみ出し部の幅Ｗ２は従来に比較して小さくなる。
【００４０】
なお、前記の溝１１０−１〜１１０−８は、その先端が、半導体ベアチップ実装領域１５よりも外側に達していなくてもよく、半導体ベアチップ実装領域１５の内側であって半導体ベアチップ実装領域１５の縁の近くであってもよい。
【００４１】
また、前記の放射状の溝は、ジグザグ形状の溝でもよい。
【００４２】
また、本発明は、Ａｇペースト以外の接着剤であっても適用が可能である。
【００４３】
図１０は、Ａｇペーストの理論上必要とされる量Ｖ０と、これを越える余分量Ｖ１１との関係を示す。ハッチングで示す断面部分が理論上必要とされる量Ｖ０を決定し、クロスハッチングで示す断面部分が余分量Ｖ１１を決定する。
【００４４】
図１１は、プリント回路基板１０１の製造工程、特に、溝１１０−１〜１１０−８の製造工程を示す。
【００４５】
プリント回路基板１０１は、図１１（Ａ）はプリント回路基板１０１の素材１５０を示す。素材１５０は、エポキシ樹脂であるＦＲ−４製の本体１０２の上下の全面が、Ｃｕ膜１５１，１５２によって覆われている構成である。
【００４６】
素材１５０の表面にレジスト膜を形成し、マスク（図示せず）を当て、露光し、マスクを外して現像し、エッチングし、残っているレジスト膜を除去する。図１１（Ｂ）はこれらの工程が完了したときの状態を示す。マスクは、ダイパッド１０３、端子パッド１０４に加えて、溝１１０−１〜１１０−８に対応するパターンを有する。
【００４７】
よって、ダイパッド本体１５５及び端子パッド本体１５６を形成する工程でもって、溝１１０−１〜１１０−８も形成される。
【００４８】
最後に、Ａｕメッキをして、図１１（Ｃ）に示すようにプリント回路基板１０１が完成する。１５７はＡｕメッキ膜である。
【００４９】
次に、上記ダイパッド１０３の変形例について説明する。
【００５０】
図１２は、第１の変形例になるダイパッド１０３Ａを示す。
【００５１】
ダイパッド１０３Ａは、Ｘ方向に延在する複数の溝２００と、Ｙ方向に延在する複数の溝２０１とが交差して格子状をなすように配置してあり、溝２００と溝２０１とが交差する各点２０２に交差する二つの斜めの短い溝２０３，２０４を有する構成の溝パターンを有する構成である。
【００５２】
溝２００はＡｇペーストをＸ方向に導き、溝２０１はＡｇペーストをＹ方向に導くように機能する。即ち、溝２００，２０１は、Ａｇペーストをダイパッド１０３Ａの周縁側に導くように機能する。溝２０３，２０４は、Ａｇペーストを各点２０２の周囲に導くように機能する。
【００５３】
図１３は、第２の変形例になるダイパッド１０３Ｂを示す。
【００５４】
ダイパッド１０３Ｂは、略円形の凹部２１０と、この凹部２１０の全周に並んで放射状に延びている三角形状の溝部２１１とよりなる溝パターンを有する構成である。
【００５５】
溝部２１１は、Ａｇペーストを外周側に導くように機能する。
【００５６】
図１４は、第３の変形例になるダイパッド１０３Ｃを示す。
【００５７】
ダイパッド１０３Ｂは、微小な凹部２２０が粗密に並んだパターンを有する。微小凹部２２０は、中央部が密に、周囲に行くほど疎に配置してある。
【００５８】
ダイパッド１０３Ｂ上のＡｇペーストの表面張力は、微小凹部２２０の並びが密である領域では小さく、微小凹部２２０の並びが疎となる程に、大きくなる。
【００５９】
よって、半導体ベアチップ２０が実装される過程でＡｇペースト塊がは押しつぶされて押し拡げられるときに、周辺に拡がってくるとＡｇペーストの拡がり具合が遅くなる。この結果、Ａｇペーストの半導体ベアチップ２０の周縁から外側へのはみ出し量が小さく抑えられる。
【００６０】
微小凹部２２０に代えて、微小凸部が並んだ構成でもよい。
【００６１】
微小凹部２２０或いは微小凸部は、前記の溝と同様に、エッチングによって、ダイパッド１０３Ｂの輪郭を形成する工程で、形成される。
【００６２】
図１５（Ａ）、（Ｂ）は、第４の変形例になるダイパッド構造を示す。
【００６３】
ダイパッド構造は、ダイパッド１０３Ｃ自体は、従来と同じであり、このダイパッド１０３Ｃの周囲と端子パッド１０４との間の箇所については、半田レジスト膜を通常よりも厚くして、レジスト製のダム２３０を矩形状に形成した構成である。半田レジスト膜は、プリント回路基板の表面にダイパッド１０３Ｃ及び端子パッド１０４の箇所を除いて塗布されて形成してある膜である。よって、このダム２３０は特別の部材を使用しないで形成してある。
【００６４】
端子パッド１０４はダム２３０の外側に沿って並んでいる。
【００６５】
このダム２３０は、Ａｇペーストの半導体ベアチップ２０の周縁から外側へのはみ出しを制限する。
【００６６】
ダイパッド１０３Ｃを、図７にのように、表面に溝１１０−１〜１１０−８を有する構成としてもよい。
【００６７】
図１６（Ａ）、（Ｂ）は、第５の変形例になるダイパッドを示す。
【００６８】
ダイパッド１０３Ｄは、ビア２４０を有している。ビア２４０の上面は凹部２４０ａとなっており、Ａｇペーストは凹部２４０ａを埋める。
【００６９】
このダイパッド１０３Ｄには、その中心点２４２に関してビア２４０と点対称の箇所に、凹部２４１が形成してある。この凹部２４１は、ビア２４０の上面の凹部２４０ａと同じ形状であり、エッチングによって形成してある。
【００７０】
Ａｇペーストが硬化するときの収縮の程度は、Ａｇペースト膜の厚さに応じて相違し、Ａｇペースト膜が厚いほど大きくなる。よって、上記の凹部２４１が形成されていない場合には、凹部２４０ａの箇所ではＡｇペーストが他の場所よりも大きく収縮し、半導体ベアチップ２０はＸ２側が下がるように傾く虞れがある。
【００７１】
しかし、本発明では、凹部２４１が形成してあるため、図１６（Ｃ）に示すように、凹部２４１の箇所についても、Ａｇペースト膜が凹部２４０ａの箇所と同様に厚く形成され、凹部２４１の箇所でもＡｇペーストが凹部２４０ａの箇所と同様に他の場所よりも大きく収縮し、Ａｇペーストの硬化時に半導体ベアチップ２０に作用する力がバランスして、半導体ベアチップ２０は水平状態を維持する。
【００７２】
ダイパッド１０３Ｄを、図７にのように、表面に溝１１０−１〜１１０−８を追加して有する構成としてもよい。
【００７３】
なお、本発明は、ダイパッドが基板以外のもの、例えばモールド成形物の面に形成されている場合でも適用が可能である。また、本発明は、接着剤の供給をポッティング装置を使用しないで、例えば作業者がシリンジを使用して手作業で行う場合にも適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】従来の半導体ベアチップ実装構造を示す図である。
【図２】図１中、プリント回路基板を示す図である。
【図３】半導体ベアチップを載せるときのＡｇペーストの押し拡がりを説明する図である。
【図４】半導体ベアチップを載せてＡｇペーストが膜となったときの状態を示す図である。
【図５】本発明の実施例１になる半導体ベアチップ実装構造を示す斜視図である。
【図６】（Ａ）は図５の半導体ベアチップ実装構造の平面図、（Ｂ）は（Ａ）中、VIB- VIB断面図である。
【図７】図５中のダイパッドを拡大して示す図である。
【図８】半導体ベアチップを載せるときのＡｇペーストの押し拡がりを説明する図である。
【図９】図８に続く、Ａｇペーストの押し拡がりを説明する図である。
【図１０】Ａｇペーストの量を説明する図である。
【図１１】図５中のダイパッドの溝の形成を説明する図である。
【図１２】第１の変形例になるダイパッドを示す図である。
【図１３】第２の変形例になるダイパッドを示す図である。
【図１４】第３の変形例になるダイパッドを示す図である。
【図１５】第４の変形例になるダイパッドを示す図である。
【図１６】第５の変形例になるダイパッドを示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１５  半導体ベアチップ実装領域
２０  半導体ベアチップ
１００  半導体ベアチップ実装構造
１０１  プリント回路基板
１０２  エポキシ製基板本体
１０３、１０３Ａ〜１０３Ｄ  ダイパッド
１０４  端子パッド
１０６  Ａｇペースト塊が供給される領域
１１０−１〜１１０−８  溝
１１０−１ａ  角状に凹んだ部分
１１０−１ｂ  始端
１１０−１ｃ〜１１０−８ｃ  終端
１３０  ワイヤ
１４０  硬化したＡｇペースト膜
１４０ａ  はみ出し部分
１４０ｂ  フィラー
１４１  Ａｇペースト塊
２００、２０１、２０３、２０４  溝
２１０  略円形の凹部
２１１  三角形状の溝部
２２０  微小な凹部
２３０  レジスト製のダム
２４０  ビア
２４０ａ，２４１  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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