(57)【要約】【課題】セラミック基板をダイシングにより分割する際、分割後の子基板の欠けを低減するセラミック基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックグリーンシートを準備する工程と、導電ペーストを注入するためのビア孔と前記セラミックグリーンシートを分割するためのダイシング分割線上に複数の孔を形成する工程と、前記ビア孔に導電性ペーストを注入してビアを形成する工程と、前記セラミックグリーンシートに導電性ペーストを用いて所定の導体パターンを形成する工程と、前記セラミックグリーンシートを複数枚積層して積層体を作成する工程と、前記積層体を焼成し焼結されたセラミック多層基板集合体を得る工程と、前記セラミック多層基板集合体を複数のセラミック多層基板にダイシングを用いて分割する工程とからなるセラミック多層基板の製造方法。【選択図】図１
2008141082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックグリーンシートを準備する工程と、
導電ペーストを注入するためのビア孔と前記セラミックグリーンシートを分割するためのダイシング分割線上に複数の孔とを形成する工程と、
前記ビア孔に導電性ペーストを注入してビアを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートに導電性ペーストを用いて所定の導体パターンを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートを複数枚積層して積層体を作成する工程と、
前記積層体を焼成し焼結されたセラミック多層基板集合体を得る工程と、
前記セラミック多層基板集合体を複数のセラミック多層基板にダイシングを用いて分割する工程とからなるセラミック多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記ダイシング分割線上の孔の直径が０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの場合には前記孔と孔とのピッチは０．５ｍｍ〜１．０ｍｍであり、
前記ダイシング分割線上の孔の直径が０．２ｍｍ〜０．３ｍｍの場合には前記前記孔と孔とのピッチは１．０ｍｍ〜１．５ｍｍで配設されている請求項１に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記セラミック多層基板集合体を得た時に、前記ダイシング分割線上の孔が貫通孔となるように前記セラミックグリーンシートを配置した請求項１及び２に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項４】
前記セラミック多層基板集合体を構成する前記ダイシング分割線上に孔を有する前記セラミックグリーンシートの厚みの総和をＡとし、前記セラミック多層基板集合体を構成する前記セラミックグリーンシートの厚みの総和をＢとすると、Ａ／Ｂが５０％以上であり、且つ前記セラミック多層基板集合体の厚みが０．６ｍｍ〜１．２ｍｍである請求項１及び２に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項５】
前記ダイシング分割線の幅が、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍである請求項１から４に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項６】
前記ダイシングに用いるブレ−ドの幅が、前記孔の直径より大きい請求項１から５に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項７】
セラミックグリーンシートを準備する工程と、
導電ペーストを注入するためのビア孔と前記セラミックグリーンシートを分割するためのダイシング分割線上に複数の孔とを形成する工程と、
前記ビア孔に導電性ペーストを注入してビアを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートに導電性ペーストを用いて所定の導体パターンを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートを複数枚積層する工程と、
前記セラミックグリーンシートの両面にセラミックグリーンシートの焼結温度では実質的には焼結収縮しない拘束シートを配置して積層体を作成する工程と、
前記積層体を焼成し焼結する工程と、
前記積層体から前記拘束シートを取り除きセラミック多層基板集合体を得る工程と、
前記セラミック多層基板集合体をダイシングして小片に分割する工程とからなるセラミック多層基板の製造方法。
【請求項８】
前記ダイシング分割線上の孔の直径が０．１ｍｍφ〜０．２ｍｍφの場合には前記孔と孔とのピッチが０．５ｍｍ〜１．０ｍｍであり、
前記ダイシング分割線上の孔の直径が０．２ｍｍφ〜０．３ｍｍφの場合には前記孔と孔とのピッチが１．０ｍｍ〜１．５ｍｍで配設されている請求項７に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項９】
前記セラミック多層基板集合体を得た時に、前記ダイシング分割線上の孔が貫通孔となるように前記セラミックグリーンシートを配置した請求項７及び８に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミック多層基板集合体を構成する前記ダイシング分割線上に孔を有する前記セラミックグリーンシートの厚みの総和をＡとし、前記セラミック多層基板集合体を構成する前記セラミックグリーンシートの厚みの総和をＢとすると、
Ａ／Ｂが５０％以上であり、且つ前記セラミック多層基板集合体の厚みが０．６ｍｍ〜１．２ｍｍである請求項７及び８に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ダイシング分割線の幅が、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの範囲である請求項７から１０に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ダイシングに用いるブレ−ドの幅が、前記孔の直径より大きい請求項７から１１に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック多層基板の製造方法に関するものである。特に、ダイシングによる分割の際に発生するセラミック多層基板の欠けの発生を低減する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のセラミック多層基板の製造方法について説明する。従来のセラミック多層基板の製造方法を図７に示す。セラミック多層基板集合体をダイシングソ−を用いて複数のセラミック多層基板に分割する際には、図７に示す様に、ダイシング用ブレ−ド２２を用い、セラミック多層基板集合体１を一方向の面から一度に切断していた。一般にセラミック多層基板集合体は、粘着テ−プ２１を用いて固定される。そして、切断に際しては、１００〜４００μｍ程度の幅のダイシング用ブレ−ド２２を用い、粘着テ−プ２１に切り込む深さまでダイシングが行われて貫通溝２３が形成されていた。ダイシングは、予め定められたパタ−ンに沿って順次繰り返される。
【０００３】
ダイシング用ブレ−ドは、通常、ダイヤモンド微粒子を混在させた、金属、樹脂または金属と樹脂との混合物から形成されている。一般にセラミック多層基板集合体をダイシング用ブレ−ドを用いて切断する場合は、１００〜４００μｍ程度の幅のダイシング用ブレ−ドを使用することが多い。セラミック多層基板の材質は硬く、ダイシング用ブレ−ドの幅が１００μｍ未満の場合は、ダイシング用ブレ−ドの破損が発生するため、ダイシング用ブレ−ドの幅を１００μｍ以上にする必要がある。またダイシングを行う為には、ダイシング用ブレ−ドの幅に合わせた分割線が必要になる。分割線の幅が大きくなると、セラミック多層基板集合体内の取り数が少なくなり、生産性低下につながる為、４００μｍ以下程度にする場合が多い。
【０００４】
また、切断するパタ−ンに沿って溝が形成されたダイシング用テ−ブルを用いてダイシングを行う場合もある。
【０００５】
ダイシングブレードは数万ｒｐｍの高速で回転しているので、ブレ−ドのブレを抑えることは困難である。また、セラミック多層基板集合体の材質は硬く、ブレードの振動を十分に吸収できない。さらに、セラミック多層基板集合体には反りがあるので、セラミック多層基板集合体をダイシング用テ−ブルに完全に固定できず、ダイシング用テ−ブルから浮いた部分が振動することにより、セラミック多層基板には欠けが生じやすくなる。これらの理由のため、ダイシングの際にはセラミック多層基板集合体１の切断開始面とは反対側の面に大きな欠けが発生することになる。この欠けを示したものが、図８の３２であり、これは図７のＣを拡大したものである。
【０００６】
セラミック多層基板集合体は、導体による回路パタ−ンが形成され、一般的にはさらに半導体素子等の各種電子部品が実装された後に分割される。あるいは、導体による回路パタ−ンが形成され、半導体素子等の各種電子部品の実装をする前に分割される場合もある。いずれの場合でも、セラミック多層基板集合体を分割する際の大きな欠けは、単に外形状の不良にとどまらず、セラミック多層基板表面における、導体パタ−ンの欠損による不良（オ−プン不良）、抵抗値の上昇による抵抗値不良、導体パタ−ンを保護するガラスや樹脂の欠損に伴う絶縁性の低下等の回路不良を引き起こす。またセラミック多層基板であるため、内部導体の欠損による不良（オ−プン不良）、抵抗値の上昇による抵抗値不良、セラミック絶縁体の欠損に伴う絶縁性の低下等の回路不良を引き起こす。これらの不良は、導体パタ−ン形成後に部品実装した後に生じるため、セラミック多層基板の欠けは部品品質を大きく低下させ、製造歩留まりを低下させる要因となっていた。
【０００７】
この課題を解決するために、図９に示すような従来技術がある。図９に示すように、セラミック多層基板集合体１を複数のセラミック多層基板へ分割する際に、第1の工程２７において、第１のダイシング用ブレ−ド２４を用いてセラミック多層基板集合体１の第１の面２５に複数の溝２６を形成し、第２の工程３１において、前記第１のダイシング用ブレ−ド２４より幅が小さい第２のダイシング用ブレ−ド２８を用いて、前記第１の面２５と反対側の第２の面２９から前記溝２６に沿って切削して前記セラミック多層基板集合体１を分割する方法が開示されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−７５９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら従来の技術では、セラミック多層基板の欠けの低減には効果があるが、ダイシング工程を２度行う必要があり、基板分割工程の工数が増加する。例えば、セラミック多層基板集合体は硬いので、ダイシングスピ−ドを速くすることが出来ない。通常は、速くても１０ｍｍ／ｓｅｃ程度であり、多数個取りされたセラミック多層基板集合体であれば、カット時間だけで大幅な工数の増加を招く。また、ダイシング工程では、ダイシング用ブレ−ドによる切削加工を行うため、セラミック基板の切削屑がセラミック多層基板集合体表面に付着する。そのため、それぞれ第１及び第２のダイシング工程の直後に、セラミック多層基板の洗浄工程を必要とするため、さらに工程工数が増加するという問題があった。
【０００９】
本発明は前記従来の課題を解決するもので、ダイシングによる基板分割において、工程や工数の増加を抑えると供に、分割時に発生する基板欠けの発生を低減する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記従来の課題を解決する為に、本発明のセラミック多層基板の製造方法は、セラミックグリーンシートを準備する工程と、導電ペーストを注入するためのビア孔と前記セラミックグリーンシートを分割するためのダイシング分割線上に複数の孔とを形成する工程と、前記ビア孔に導電性ペーストを注入してビアを形成する工程と、前記セラミックグリーンシートに導電性ペーストを用いて所定の導体パターンを形成する工程と、前記セラミックグリーンシートを複数枚積層して積層体を作成する工程と、前記積層体を焼成し焼結されたセラミック多層基板集合体を得る工程と、前記セラミック多層基板集合体を複数のセラミック多層基板にダイシングを用いて分割する工程とからなることを特徴としたものである。
【００１１】
さらに、本発明のセラミック多層基板の製造方法は、セラミックグリーンシートを準備する工程と、導電ペーストを注入するためのビア孔と前記セラミックグリーンシートを分割するためのダイシング分割線上に複数の孔とを形成する工程と、前記ビア孔に導電性ペーストを注入してビアを形成する工程と、前記セラミックグリーンシートに導電性ペーストを用いて所定の導体パターンを形成する工程と、前記セラミックグリーンシートを複数枚積層する工程と、前記セラミックグリーンシートの両面にセラミックグリーンシートの焼結温度では実質的には焼結収縮しない拘束シートを配置して積層体を作成する工程と、前記積層体を焼成し焼結する工程と、前記積層体から前記拘束シートを取り除きセラミック多層基板集合体を得る工程と、前記セラミック多層基板集合体をダイシングして小片に分割する工程とからなることを特徴としたものである。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本願発明によれば、少ない工数で焼成されたセラミック多層基板をダイシングして子基板に分割でき、さらに分割の際に発生する基板欠けを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面と表を用いて説明する。なお、従来と同じものについては、同符号を用い説明を簡略化している。
【００１４】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板集合体の平面図を図１に示す。セラミック多層基板集合体１は、複数のセラミック多層基板２を多数個取りしたものである。また、各セラミック多層基板２の間のダイシング分割線上に、孔３が複数個配置される。
【００１５】
次に本発明のセラミック多層基板の製造方法を図５に示す。第１の工程６は、セラミックグリーンシート４にダイシング分割線上の孔３と、ビア用の孔５を形成する工程である。具体的にはセラミックグリーンシート４はアルミナ粉末を約５０ｗｔ％、ガラス粉末を約５０ｗｔ％の割合で混合した粉末に有機バインダ−と溶剤を加えたスラリ−をドクターブレード法により成形を行った。
【００１６】
ダイシング分割線上の孔３と、ビア用の孔５の形成は、一般にＮＣパンチ、レーザーパンチ、金型一括パンチが使用される。今回はＮＣパンチを使用して、ダイシング分割線上の孔３とビア用の孔５は同時に形成し、セラミックグリーンシート４ａ〜４ｄを得た。ダイシング分割線上の孔３とビア用の孔５の直径は０．１ｍｍφとした。
【００１７】
第２の工程８は、ビア用の孔５に導体ペ−ストを充填して、ビア７を得る工程である。具体的にはビア用の導体は、Ａｇを主成分とし、印刷工法により形成した。第３の工程１０は、セラミックグリーンシート４ｂ〜４ｄの表面に内部導体９を形成する工程である。具体的には内部導体９は、Ａｇを主成分とし、印刷工法により形成した。
【００１８】
第４の工程１２は、ビア７及び内部導体９が形成されたセラミックグリーンシート４ａ〜４ｄを積層し焼成することでセラミック多層基板集合体１１を得る工程である。セラミック多層基板集合体１１を得る為の焼成温度は約９００℃で行った。
【００１９】
本実施例でのダイシング分割線上の孔３を形成する条件について説明する。尚、サンプルのセラミック多層基板１は、焼成後１００μｍ／層となるセラミックグリーンシートを１０枚積層して、１．０ｍｍの厚みとした。
【００２０】
セラミック多層基板集合体１の切断は、ダイシング用ブレ−ドを用いて行った。ブレ−ドは、ダイヤモンド微粒子を混在させた樹脂製の材料から成り、ブレ−ドの幅は、ダイシング分割線上の孔３の直径より１００μｍ広いものを使用した。例えば、ダイシング分割線上の孔３の直径が０．１ｍｍであれば、ダイシング用ブレ−ドの幅は２００μｍになり、ダイシング分割線上の孔３の直径が０．３ｍｍであれば、ダイシング用ブレ−ドの幅は４００μｍになる。ダイシング用ブレ−ドの幅が、ダイシング分割線上の孔３の直径より小さい場合、その孔３の一部が、セラミック多層基板２の端面部に残ることになる。この場合は、端面部に残った孔３の一部を避けるために、導体パタ−ンをさらにセラミック多層基板内に配置することになり、セラミック多層基板の小型化を阻害するので好ましくない。
【００２１】
次に切断条件について説明する。一般にダイシングは、数万ｒｐｍの高速回転で行うが、今回は、２万ｒｐｍで回転させて切断を行った。また切断の方向は、一般にセラミック多層基板１の上面から下面方向に回転するダウンカットと、下面から上面方向に回転するアップカットがある。今回はダウンカットを行った。セラミック多層基板集合体１の固定方法としては、粘着テ−プ２１を用いて、真空吸着により固定を行った。粘着テ−プ２１は、一般に使用される粘着性のテ−プを使用した。粘着テ−プ２１の厚みは、２００μｍのものを使用した。通常、ダイシングを行う場合は、粘着テ−プ２１に切り込む深さ（約５０〜１００μｍ程度）までダイシングが行われるため、例えば１００μｍ程度の厚みの粘着テ−プを使用すると、ダイシング用テ−ブルを切断するおそれがある。また、２００μｍより厚い場合、例えば３００μｍ程度の厚みの粘着テ−プを使用すると、粘着テ−プ自身が柔らかいため、セラミック多層基板が振動を起こし、欠けを発生しやすくなるので好ましくない。表１に、セラミックグリーンシートの、ダイシング分割線上の孔３の直径及びピッチと、セラミック多層基板２の欠けの状態を評価した結果を示す。
【００２２】
【表１】
2008141082.tif 000003
【００２３】
最初に、基板焼成後の評価結果を示す。表１より、ダイシング分割線上の孔３は、直径が０．０５ｍｍφの場合は、セラミックグリーンシートへの孔形成ができなかった。直径が０．５ｍｍφの場合は、セラミック多層基板集合体１１の焼成後、ダイシング分割線上の孔３周辺部に一部クラックが発生したため、形成不可とした。ダイシング分割線上の孔３のピッチが０．２ｍｍの条件では、孔３の直径が０．１ｍｍの時は孔と孔の間にクラックが発生し、孔３の直径が０．１５以上では、孔同士がつながるため、形成不可とした。また、孔３のピッチが０．５ｍｍの条件では、孔３の直径が０．２５ｍｍを超えると、孔と孔の間にクラックが発生した。その他の組み合わせでは、クラック等の不具合は見られなかった。
【００２４】
次に、ダイシング分割後の評価結果を示す。欠けの評価は、○：１００μｍ以上の欠け無し、△：１００μｍ以上２００μｍ未満の欠け有り、×：２００μｍ以上の欠け有り、の３段階とした。この根拠は以下の通りである。一般にセラミック多層基板を作成する場合、表面の導体パタ−ンや、表面導体保護用のガラスや樹脂、内部導体は、基板端面より２００μｍ程度の距離を有する。そのため、導体パタ−ンの欠損が確実に抑えられ、絶縁性も保たれる１００μｍ未満の欠けについては問題なしとした。また、２００μｍ以上の欠けについては、導体パタ−ンの欠損、絶縁性が保たれないことより、不可とした。また、１００μｍ以上２００μｍ未満の欠けについては、その発生場所によっては問題なしとなるが、今回の評価では不可とした。
【００２５】
表１に示すように、ダイシング分割線上の孔３のピッチが０．５ｍｍの場合では、孔３の直径が０．１ｍｍ〜０．２ｍｍにおいて良好であった。また、ダイシング分割線上の孔３のピッチが１．０ｍｍの場合では、孔３の直径が０．１ｍｍ〜０．３ｍｍにおいて良好であった。また、ダイシング分割線上の孔３のピッチが１．５ｍｍの場合では、孔３の直径が０．２ｍｍ〜０．３ｍｍにおいて良好であった。ダイシング分割線上の孔３のピッチが２．０ｍｍの場合においては、欠けの大きさが１００μｍ以上であり、孔３の直径によらず不可となった。
【００２６】
（実施の形態２）
本発明の他の実施の形態２を、図１に示す。セラミック多層基板集合体１は、複数のセラミック多層基板２を多数個取りしたものである。また、各セラミック多層基板２の間のダイシング分割線上に、孔３が配置される。セラミック多層基板の作成方法は、実施の形態１と同様なので省略する。実施の形態１とは異なるのは、孔３が、セラミック多層基板集合体１の上下を貫通していない点である。セラミック多層基板集合体１のＢ−Ｂ’部分の断面図の一例を図３、４に示す。図３に示すように、孔３は、セラミック基板集合体１の上面から連続３層、下面から連続２層のみに連通しており、セラミック多層基板集合体１の上下を貫通していない。また図４に示すように、孔３はセラミック基板集合体１の交互の層に配置されており、セラミック多層基板集合体１の上下を貫通していない。
【００２７】
焼成後セラミック多層基板集合体１における、ダイシング分割線上に孔を有するセラミックグリーンシートの厚みの総和をＡ、焼成後のセラミック多層基板集合体１を構成するセラミックグリーンシートの厚みの総和をＢとした場合、表２〜表６に、Ａ／Ｂとセラミック多層基板集合体の厚みと孔の直径と欠けとの関係を評価した結果を示す。表２〜表６に示すサンプルのセラミック多層基板の厚みは、それぞれ０．５ｍｍ、０．６ｍｍ、１．０ｍｍ、１．２ｍｍ、１．４ｍｍである。表２〜表６に示すサンプルは、焼成後１００μｍ／層となるセラミックグリーンシートを使用して作成した。ダイシング分割線上の孔３の配置については、図３に示すタイプと図４に示すタイプの双方について行った。また、ダイシング分割線上の孔３のピッチは１．０ｍｍに固定し、ダイシング切断条件と評価方法は実施の形態１と同様に行った。
【００２８】
【表２】
2008141082.tif 000004
【００２９】
【表３】
2008141082.tif 000005
【００３０】
【表４】
2008141082.tif 000006
【００３１】
【表５】
2008141082.tif 000007
【００３２】
【表６】
2008141082.tif 000008
【００３３】
実験結果より、０．５ｍｍ厚みの場合は、ダイシング分割線上の孔３が無い場合でも、欠けの無い良好なセラミック多層基板２を得ることができた。また、１．４ｍｍ厚みの場合は、ダイシング分割線上の孔３を８６％まで形成しないと、欠けを抑えられなかった。よって、ダイシング分割線上に孔を有する、セラミックグリーンシートの厚みの総和をＡ、セラミック多層基板集合体１を構成するセラミックグリーンシートの厚みの総和をＢとすると、Ａ／Ｂ≧５０％であり、ダイシング分割線上の孔３が０．１ｍｍφ〜０．３ｍｍであり、セラミック多層基板集合体１の厚みが０．６ｍｍ〜１．２ｍｍとすればクラックの無い良好な結果が得られた。
【００３４】
（実施の形態３）
図１は、本発明の他の実施の形態３を示す図である。セラミック多層基板集合体１は、複数のセラミック多層基板２を多数個取りしたものである。また、各セラミック多層基板２の間のダイシング分割線上に、ダイシング分割線上の孔３が配置される。このセラミック多層基板の製造方法を図６に示す。
【００３５】
第１の工程１３は、セラミックグリーンシート４にダイシング分割線上の孔３と、ビア用の孔５を形成する工程である。具体的にはセラミックグリーンシート４はアルミナ粉末を約５０ｗｔ％、ガラス粉末を約５０ｗｔ％の割合で混合した粉末に有機バインダ−と溶剤を加えたスラリ−をドクターブレード法により成形を行った。ダイシング分割線上の孔３と、ビア用の孔５の形成は、一般にＮＣパンチ、レーザーパンチ、金型一括パンチが使用される。今回はＮＣパンチを使用して、ダイシング分割線上の孔３とビア用の孔５は同時に形成し、セラミックグリーンシート４ａ〜４ｄを得た。ダイシング分割線上の孔３とビア用の孔５の直径は０．１ｍｍφとした。
【００３６】
第２の工程１４は、ビア用の孔５に導体ペーストを充填して、ビア７を得る工程である。具体的にはビア導体は、Ａｇを主成分とし、印刷工法により形成した。
【００３７】
第３の工程１５は、セラミックグリーンシート４ｂ〜４ｄの表面に内部導体９を形成する工程である。具体的には内部導体９は、Ａｇを主成分とし、印刷工法により形成した。
【００３８】
第４の工程１８は、ビア７及び内部導体９が形成されたセラミックグリーンシート４ａ〜４ｄを積層し、その上下にセラミックグリーンシート４の焼結温度では焼結しない拘束用シ−ト１６を積層して焼成し、焼結体１７を得る工程である。拘束用シート１６は、アルミナ粉末に有機バインダ−と溶剤を加えたスラリ−をドクターブレード法により成形を行った。焼結体１７を得る為の焼成温度は約９００℃で行った。
【００３９】
第５の工程２０は、焼結体１７の表面の拘束用シ−ト１６を除去し、セラミック多層基板集合体１９を得る工程である。実施の形態１の構成と異なるところは、セラミック多層基板が平面方向に収縮しない無収縮セラミック多層基板であることである。
【００４０】
ダイシング分割線上の孔３の直径、ピッチ及び切断条件については、実施の形態１と同様に決定した。無収縮セラミック多層基板においても同様の結果が得られた。
【００４１】
（実施の形態４）
図１は、本発明の他の実施の形態４を示す図である。セラミック多層基板集合体１は、複数のセラミック多層基板２を多数個取りしたものである。また、各セラミック多層基板２の間のダイシング分割線上に、ダイシング分割線上の孔３が配置される。セラミック多層基板集合体１のＢ−Ｂ’部分の断面図の一例を図３、４に示す。セラミック多層基板の作成方法は、実施の形態３と同様なので省略する。
【００４２】
ダイシング分割線上の孔３の直径、セラミック多層基板集合体１の作成方法及び切断条件については、実施の形態２と同様に決定した。無収縮セラミック多層基板においても同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明にかかるセラミック多層基板の製造方法は、ダイシングによる分割において、工程の増加を抑え、分割の際に発生する、完成品の特性に影響を及ぼす欠けの発生を低減することができ、実装部品が実装されたセラミック多層基板を効率良く製造する方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明により製造されたセラミック多層基板集合体の平面図
【図２】図１記載のＢ−Ｂ’部分の第１の断面図
【図３】図１記載のＢ−Ｂ’部分の第２の断面図
【図４】図１記載のＢ−Ｂ’部分の第３の断面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるセラミック多層基板の製造工程の図
【図６】本発明の実施の形態３におけるセラミック多層基板の製造工程の図
【図７】従来のセラミック多層基板の製造工程の図
【図８】図７記載のＣ部分の拡大図
【図９】特許文献１のセラミック多層基板の製造工程の図
【符号の説明】
【００４５】
１、１１、１９  セラミック多層基板集合体
２  セラミック多層基板
３  ダイシング分割線上の孔
４  セラミックグリーンシート
５  ビア用の孔
７  ビア
９  内部導体
１７  焼結体
１６  拘束用シ−ト
２１  粘着シ−ト
２２、２４、２８  ダイシング用ブレ−ド
３２  基板欠け
【図１】
2008141082.tif 000009
【図２】
2008141082.tif 000010
【図３】
2008141082.tif 000011
【図４】
2008141082.tif 000012
【図５】
2008141082.tif 000013
【図６】
2008141082.tif 000014
【図７】
2008141082.tif 000015
【図８】
2008141082.tif 000016
【図９】
2008141082.tif 000017