(57)【要約】【課題】座屈やクラックのような僅かな異常をも検知でき、かつ、僅かな異常を、処理装置を停止させずに検知することが可能な同軸ケーブルの異常検知システムを提供すること。【解決手段】一端をＲＦジェネレータ１の出力１１に接続し、他端を整合器４の入力４１に接続した同軸ケーブル３と、同軸ケーブル３のＲＦジェネレータ１の出力１１における反射波Ｒを検出する第１の反射波検出手段１２と、同軸ケーブル３の整合器４の入力における反射波ｒを検出する第２の反射波検出手段４３と、反射波Ｒと反射波ｒとを比較し、反射波Ｒと反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、反射波Ｒと反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに同軸ケーブル３中の異常発生を検知する検知器６とを具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端をＲＦジェネレータの出力に接続し、他端を整合器の入力に接続した同軸ケーブルと、
前記同軸ケーブルの前記ＲＦジェネレータの出力における反射波Ｒを検出する第１の反射波検出手段と、
前記同軸ケーブルの前記整合器の入力における反射波ｒを検出する第２の反射波検出手段と、
前記反射波Ｒと前記反射波ｒとを比較し、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに前記同軸ケーブル中の異常発生を検知する検知器と、
を具備することを特徴とする同軸ケーブルの異常検知システム。
【請求項２】
前記第１の反射波検出手段は前記ＲＦジェネレータに備えられた定在波比検出基板であり、
前記第２の反射波検出手段は前記整合器に備えられた定在波比検出基板であり、
前記反射波Ｒは、前記ＲＦジェネレータに備えられた定在波比検出基板が検出した反射波を利用し、前記反射波ｒは、前記整合器に備えられた定在波比検出基板が検出した反射波を利用することを特徴とする請求項１に記載の同軸ケーブルの異常検知システム。
【請求項３】
前記検知器が前記同軸ケーブル中の異常発生を検知したときに、この異常発生を表示するディスプレイ、及びこの異常発生を報知する警報器の少なくともいずれか一つを備えていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の同軸ケーブルの異常検知システム。
【請求項４】
前記規定値は、１００Ｗ以上２００Ｗ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか一項に記載の同軸ケーブルの異常検知システム。
【請求項５】
前記同軸ケーブルは、内部導体として中空状の導体が用いられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４いずれか一項に記載の同軸ケーブルの異常検知システム。
【請求項６】
前記同軸ケーブルの異常検知は、前記ＲＦジェネレータからの高周波電力を使用する処理装置による被処理基体への処理と、並行して実行されることを特徴とする請求項１乃至請求項５いずれか一項に記載の同軸ケーブルの異常検知システム。
【請求項７】
同軸ケーブルの一端をＲＦジェネレータの出力に接続し、
前記同軸ケーブルの他端を整合器の入力に接続し、
前記同軸ケーブルの前記ＲＦジェネレータの出力における反射波Ｒを検出し、
前記同軸ケーブルの前記整合器の入力における反射波ｒを検出し、
前記反射波Ｒと前記反射波ｒとを比較し、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに前記同軸ケーブル中の異常発生を検知することを特徴とする同軸ケーブルの異常検知方法。
【請求項８】
前記規定値は、１００Ｗ以上２００Ｗ以下であることを特徴とする請求項７に記載の同軸ケーブルの異常検知方法。
【請求項９】
前記同軸ケーブルの異常検知は、前記ＲＦジェネレータからの高周波電力を使用する処理装置による被処理基体への処理と、並行して実行されることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の同軸ケーブルの異常検知方法。
【請求項１０】
高周波電力を発生するＲＦジェネレータと、
被処理基体に処理を施す処理装置と、
前記ＲＦジェネレータの出力に一端を接続する、前記ＲＦジェネレータからの高周波電力を前記処理装置に給電する給電線としての同軸ケーブルと、
入力を前記同軸ケーブルの他端に接続し、出力を前記処理装置に接続する、前記同軸ケーブルのインピーダンスと前記処理装置のインピーダンスとを整合させる整合器と、
前記整合器を制御するコントローラと、
前記同軸ケーブルの前記ＲＦジェネレータの出力における反射波Ｒを検出する第１の反射波検出手段と、
前記同軸ケーブルの前記整合器の入力における反射波ｒを検出する第２の反射波検出手段と、
前記反射波Ｒと前記反射波ｒとを比較し、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに前記同軸ケーブル中の異常発生を検知する検知器と、
を具備することを特徴とする同軸ケーブルの異常検知システムを備えた処理装置。
【請求項１１】
前記規定値は、１００Ｗ以上２００Ｗ以下であることを特徴とする請求項１０に記載の同軸ケーブルの異常検知システムを備えた処理装置。
【請求項１２】
前記同軸ケーブルの異常検知は、前記ＲＦジェネレータからの高周波電力を使用する前記処理装置による被処理基体への処理と、並行して実行されることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の同軸ケーブルの異常検知システムを備えた処理装置。
【請求項１３】
前記処理装置は、プラズマドライエッチング装置、又はプラズマＣＶＤ装置であることを特徴とする請求項１０乃至請求項１２いずれか一項に記載の同軸ケーブルの異常検知システムを備えた処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、同軸ケーブルの異常を検知する同軸ケーブルの異常検知システムとその異常検知方法、及びその異常検知システムを備えた処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイや半導体デバイスの製造においては、プラズマエッチング処理やＣＶＤ成膜処理等、高周波電力を使用する処理装置を用いた工程が存在する。高周波電力は、ＲＦジェネレータで発生され、発生された高周波電力は給電線としての同軸ケーブルに入力され、同軸ケーブルのインピーダンスと処理装置のインピーダンスとを整合させる整合器を介した後、処理装置に供給される。
【０００３】
フラットパネルディスプレイや半導体デバイスの製造に使用される処理装置は大きく、処理装置本体に設置された整合器からＲＦジェネレータまでの距離も遠くなることがある。特に、フラットパネルディスプレイの製造に使用される処理装置の同軸ケーブルの長さは２０ｍから３０ｍに及ぶことが多々ある。同軸ケーブルの長さが長くなると、工場内への装置施工の際や、同軸ケーブルを移動させたとき等に、同軸ケーブルが不用意に折れ曲がり、同軸ケーブル中の内部導体が断線してしまうことがある。内部導体が断線すると、高周波電力を処理装置に供給できなくなり、処理装置においてはプラズマが発生しなくなる。
【０００４】
内部導体が断線した同軸ケーブルは、断線した箇所において特性インピーダンスがずれる、という現象を持つ。この現象を利用し、外部測定機器、例えば、ネットワークアナライザを用いて同軸ケーブルの特性インピーダンスを測定すると、断線発生の有無、及び断線した箇所を検知することができる。
【０００５】
この測定及び検知においては、同軸ケーブルをＲＦジェネレータ及び整合器から取り外し、同軸ケーブルの一端をネットワークアナライザにつなぎ、その他端を、終端抵抗を介して接地する。同軸ケーブルの特性インピーダンスが５０Ωならば、終端抵抗を５０Ωとして同軸ケーブルの特性インピーダンスを測定する。この際に、特性インピーダンスが５０Ωから大きく変化する箇所が見られるときがある。このような同軸ケーブルは内部導体に断線を生じたものであり、特性インピーダンスが大きく変化した箇所が断線した箇所である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ネットワークアナライザを用いた測定及び検知では、同軸ケーブルの内部導体が断線する等、完全に異常な状態にならないと、その異常を検知することができない。
【０００７】
同軸ケーブルの折れ曲がりは、内部導体が完全に異常な状態に至らないような座屈やクラックを発生させることがある。内部導体に座屈やクラックを生じた同軸ケーブルは、完全な異常をきたした同軸ケーブルとは異なり、正常な同軸ケーブルと同じように処理装置に対して高周波電力を供給できる。即ち、処理装置においては正常にプラズマが発生する。このため、内部導体に座屈やクラックを生じた同軸ケーブルは、正常な同軸ケーブルと見分けがつかない。
【０００８】
座屈やクラックは僅かな異常であるのかもしれないが、座屈やクラックは同軸ケーブルにとっては特異点には違いない。特異点を有した同軸ケーブルを使い続けていると、やがて同軸ケーブルに不具合を発生させてしまう可能性がある。
【０００９】
しかし、座屈やクラックは同軸ケーブルの特性インピーダンスを大きく変化させない。このため、座屈やクラックは、ネットワークアナライザでは検知することが困難である。しかも、ネットワークアナライザのような外部測定機器を用いた測定及び検知では、同軸ケーブルをＲＦジェネレータ及び整合器から取り外し、外部測定機器につなぎ直さなければならない。このため、処理装置は停止せざるを得ない。
【００１０】
この発明は、座屈やクラックのような僅かな異常をも検知でき、かつ、僅かな異常を、処理装置を停止させずに検知することが可能な同軸ケーブルの異常検知システムと該異常検知方法、及び該異常検知システムを備えた処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、この発明の第１態様に係る同軸ケーブルの異常検知システムは、一端をＲＦジェネレータの出力に接続し、他端を整合器の入力に接続した同軸ケーブルと、前記同軸ケーブルの前記ＲＦジェネレータの出力における反射波Ｒを検出する第１の反射波検出手段と、前記同軸ケーブルの前記整合器の入力における反射波ｒを検出する第２の反射波検出手段と、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとを比較し、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに前記同軸ケーブル中の異常発生を検知する検知器と、を具備する。
【００１２】
また、この発明の第２態様に係る同軸ケーブルの異常検知方法は、同軸ケーブルの一端をＲＦジェネレータの出力に接続し、前記同軸ケーブルの他端を整合器の入力に接続し、前記同軸ケーブルの前記ＲＦジェネレータの出力における反射波Ｒを検出し、前記同軸ケーブルの前記整合器の入力における反射波ｒを検出し、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとを比較し、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに前記同軸ケーブル中の異常発生を検知する。
【００１３】
また、この発明の第３態様に係る同軸ケーブルの異常検知システムを備えた処理装置は、高周波電力を発生するＲＦジェネレータと、被処理基体に処理を施す処理装置と、前記ＲＦジェネレータの出力に一端を接続する、前記ＲＦジェネレータからの高周波電力を前記処理装置に給電する給電線としての同軸ケーブルと、入力を前記同軸ケーブルの他端に接続し、出力を前記処理装置に接続する、前記同軸ケーブルのインピーダンスと前記処理装置のインピーダンスとを整合させる整合器と、前記整合器を制御するコントローラと、前記同軸ケーブルの前記ＲＦジェネレータの出力における反射波Ｒを検出する第１の反射波検出手段と、前記同軸ケーブルの前記整合器の入力における反射波ｒを検出する第２の反射波検出手段と、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとを比較し、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、前記反射波Ｒと前記反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに前記同軸ケーブル中の異常発生を検知する検知器と、を具備する。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、座屈やクラックのような僅かな異常をも検知でき、かつ、僅かな異常を、処理装置を停止させずに検知することが可能な同軸ケーブル異常検知システムと該異常検知方法、及び該異常検知システムを備えた処理装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照してこの発明の一実施形態について具体的に説明する。
【００１６】
図１は、この発明の一実施形態に係る同軸ケーブルの異常検知システムを備えた処理装置の一例を示す構成図である。
【００１７】
図１に示すように、一実施形態に係る同軸ケーブルの異常検知システムを備えた処理装置は、高周波電力を発生するＲＦジェネレータ１と、被処理基体に処理を施す処理装置２と、ＲＦジェネレータ１からの高周波電力を処理装置２に給電する給電線としての同軸ケーブル３と、同軸ケーブル３のインピーダンスと処理装置２のインピーダンスとを整合させる整合器４と、この整合器４を制御するコントローラ５と、同軸ケーブル中の異常発生を検知する検知器６とを備える。
【００１８】
処理装置２の例としては、フラットパネルディスプレイや半導体デバイスの製造に使用されるプラズマドライエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置等をあげることができる。図１では、一例としてフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）プラズマドライエッチング装置を示す。ＦＰＤプラズマドライエッチング装置は、例えば、被処理基体２１であるガラス基板上の薄膜を除去し、回路パターンをエッチングにより形成する工程等に使用される。高周波電力は、被処理基体２１、本例ではガラス基板が載置される載置台２２に供給される。エッチングガスは、被処理基体２１の上方に設けられたシャワーヘッド２３からチャンバ２４の内部に供給される。シャワーヘッド２３は接地されており、載置台２２の対向電極として機能する。
【００１９】
同軸ケーブル３は、一端をＲＦジェネレータ１の出力１１に接続し、他端を整合器４の入力４１に接続する。整合器４の出力４２は、処理装置２に接続される。
【００２０】
検知器６は、同軸ケーブル３のＲＦジェネレータ１の出力１１における反射波Ｒと、同じく同軸ケーブル３の整合器４の入力４１における反射波ｒとを比較する。検知器６は、反射波Ｒと反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、かつ、反射波Ｒと反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに、同軸ケーブル３中に異常が発生したことを検知する。
【００２１】
反射波Ｒおよび反射波ｒは、これらを検出する反射波検出手段を別途設け、別途設けた検出手段を用いて検出しても良いが、本例では、ＲＦジェネレータ１および整合器４に備えられている定在波比検出基板（ＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ
Ｓｔａｎｄｉｎｇ Ｗａｖｅ Ｒａｔｉｏ）基板）が検出した反射波を利用する。即ち、本例では、反射波ＲはＲＦジェネレータ１に備えられた定在波比検出基板（ＶＳＷＲ基板）１２が検出した反射波Ｒを利用し、反射波ｒは整合器４に備えられた定在波比検出基板（ＶＳＷＲ基板）４３が検出した反射波ｒを利用する。
【００２２】
また、規定値の一例は、次の通りである。
【００２３】
同軸ケーブル３が正常な状態では、反射波Ｒと反射波ｒとの関係は“Ｒ≒ｒ”である。反射波Ｒと反射波ｒとの差分は、同軸ケーブル３の長さや高周波電力の強さで変わるが、おおよそ１００Ｗ未満である。
【００２４】
対して、同軸ケーブル３の内部導体に異常がある状態では、反射波Ｒと反射波ｒとの関係が“Ｒ＞ｒ”となる。さらに、反射波Ｒと反射波ｒとの差分が、同軸ケーブル３の長さや高周波電力の強さで変わるが、おおよそ１００Ｗ以上２００Ｗ程度まで拡大する。よって、規定値は１００Ｗ以上２００Ｗ以下とする。例えば、規定値を１０１Ｗに設定した場合には、検知器６は、反射波Ｒと反射波ｒとの関係がＲ＞ｒとなり、反射波Ｒと反射波ｒとの差分が１０１Ｗ以上、又は１０１Ｗを超えたときに同軸ケーブル３中に異常が発生した、と検知する。
【００２５】
同軸ケーブル３の内部導体に異常があると、反射波Ｒと反射波ｒとの関係が“Ｒ＞ｒ”となり、かつ、反射波Ｒと反射波ｒとの差分が１００Ｗ以上に拡大する理由の一つを、以下に示す。
【００２６】
図２Ａは同軸ケーブル３が正常な状態のときの反射波Ｒと反射波ｒとの関係を示す図、図２Ｂは同軸ケーブル３の内部導体に異常があるときの反射波Ｒと反射波ｒとの関係を示す図である。
【００２７】
図２Ａに示すように、同軸ケーブル３が正常な状態のときには、ＲＦジェネレータ１からの高周波電力は、ほぼそのまま整合器４の入力４１に入力される。このとき、入力４１の部分において反射波ｒが生ずるが、この反射波ｒも、ほぼそのままＲＦジェネレータ１の出力１１に届く。このため、ＲＦジェネレータ１の出力１１における反射波Ｒと、整合器４の入力における反射波ｒとは、ほぼ等しくなる。つまり、ＲＦジェネレータ１側の定在波比検出基板（ＶＳＷＲ基板）１２が検出する反射波Ｒと、整合器４側の定在波比検出基板４３が検出する反射波ｒとの関係は“Ｒ≒ｒ”となる。
【００２８】
対して、同軸ケーブル３の内部導体に異常があるときには、図２Ｂに示すように、ＲＦジェネレータ１からの高周波電力の一部が、異常箇所７において反射する。このため、整合器４の入力４１に入力される高周波電力は、正常な状態の場合と比較して減少する。この結果、反射波ｒも正常な状態の場合と比較して減少する。
【００２９】
さらに、ＲＦジェネレータ１の出力１１には反射波ｒに加えて、異常箇所７において反射した反射波ｒ´が届く。この結果、ＲＦジェネレータ１の出力１１における反射波Ｒは、反射波ｒよりも大きくなる。よって、ＲＦジェネレータ１側の定在波比検出基板（ＶＳＷＲ基板）１２が検出する反射波Ｒと、整合器４側の定在波比検出基板４３が検出する反射波ｒとの関係は“Ｒ＞ｒ”となり、反射波Ｒと反射波ｒとの差分も、例えば、１００Ｗ以上に拡大する。
【００３０】
このように、本一実施形態においては、図２Ａおよび図２Ｂに示した関係を利用して、同軸ケーブル３の内部導体に異常が発生したか否かを検知する。
【００３１】
また、図２Ｂに示した異常箇所７における反射現象は、内部導体に生じた僅かな異常、例えば、座屈やクラックでも起きるので、座屈やクラックのような僅かな異常でも検知することができる。
【００３２】
検知器４で異常が検知されたときには、例えば、ＲＦジェネレータ１、及び処理装置２を停止させて同軸ケーブル３を交換する。ＲＦジェネレータ１、及び処理装置２は、検知器６からの直接の命令によって停止させても良いし、例えば、処理装置２を操作する操作装置８のディスプレイ８１に“異常の発生”を表示したり、又は警報器１０を鳴動させて“異常の発生”を報知したりして“異常の発生”を操作者に知らせ、操作者自身によりＲＦジェネレータ１、及び処理装置２を停止させるようにしても良い。
【００３３】
上記“異常の発生”の表示や、上記“異常の発生”の発報は必要に応じて採用されれば良く、採用する場合には、いずれか一つのみ、又は双方を採用しても良い。
【００３４】
また、本例の検知器６は、整合器４を制御するコントローラ５に、検知器６の機能を付加し、検知器６をコントローラ５に内蔵するようにしたが、検知器６は、例えば、コントローラ５の外付け機器としても良い。
【００３５】
図１に示す装置においては、同軸ケーブルの異常検知システム１００として機能する部分は、同軸ケーブル３、同軸ケーブル３のＲＦジェネレータ１の出力１１における反射波Ｒを検出する第１の反射波検出手段（本例では定在波比検出基板（ＶＳＷＲ基板）１２）、同軸ケーブル３の整合器４の入力４１における反射波ｒを検出する第２の反射波検出手段（本例では定在波比検出基板（ＶＳＷＲ基板）４３）、及び反射波Ｒと反射波ｒとを比較し、反射波Ｒと反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、反射波Ｒと反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに同軸ケーブル３中の異常発生を検知する検知器６の部分である。
【００３６】
このような異常検知システム１００には、上述したように“異常の発生”を表示するディスプレイ８１や、“異常の発生”を報知する警報器１０を必要に応じて取り付けることができる。
【００３７】
次に、異常検知システム１００の操作手順の一例について説明する。
【００３８】
図３は、異常検知システム１００の操作手順の一例を示す流れ図である。
【００３９】
まず、ＲＦジェネレータ１のオンからのディレイ時間を設定する（ＳＴ．１）。
【００４０】
このディレイ時間は、ＲＦジェネレータ１がオンし、高周波電力が安定して整合器４に供給されるようになるまでの待ち時間である。ディレイ時間は、同軸ケーブル３の長さや高周波電力の強さに応じて変わるが、一例を挙げるならば１０秒である。
【００４１】
次に、反射波Ｒと反射波ｒとの差分、即ち、規定値を設定する（ＳＴ．２）。
【００４２】
規定値は、上述した通り、同軸ケーブル３の長さや高周波電力の強さに応じて変わるが、一例を挙げるならば１００Ｗ以上２００Ｗ以下である。
【００４３】
次に、検出時間を設定する（ＳＴ．３）
検出時間は、反射波Ｒと反射波ｒとを比較し、反射波Ｒと反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、反射波Ｒと反射波ｒとの差分が規定値を超えたか否かをモニタする時間である。この検出時間も、同軸ケーブル３の長さや高周波電力の強さに応じて変わるが、一例を挙げるならばおおよそ５秒以上１０秒以下である。
【００４４】
このような手順ＳＴ．１〜ＳＴ．３を踏むことで、異常検知システム１００に、ディレイ時間、規定値、及び検出時間の検知データがセットされる。これらのデータは、例えば、図１に示す操作装置８の入力手段（例えばキーボード）８２から入力され、異常検知システム１００の検知器６にセットされる。
【００４５】
なお、検知データの設定順序は、図３に示す順序に限らず、任意で良い。
【００４６】
また、設定された検知データをコントローラ５、または走査装置８に記憶させることにより、データの変更が無い限り、手順ＳＴ．１〜ＳＴ．３は、一度の実施で良い。
【００４７】
検知データをセットした後、ＲＦジェネレータ１をオンし（ＳＴ．４）、高周波電力を処理装置２に供給し、被処理基体２１に対する処理を開始する（ＳＴ．５）、また、ＲＦジェネレータ１がオンした後、ディレイ時間経過後に、同軸ケーブル３に対する異常検知を開始する（ＳＴ．６）。本一実施形態では、同軸ケーブル３に対する異常検知が、被処理基体２１に対する処理と並行して実行される。
【００４８】
このように、本一実施形態に係る異常検知システム１００は、同軸ケーブル３に対する異常検知を、被処理基体２１の処理と並行して実行することができるので、座屈やクラックのような僅かな異常を検知できるばかりでなく、この僅かな異常を、処理装置２を停止させずに検知できる。しかも、同軸ケーブル３に対する異常検知を、被処理基体２１に対する処理と並行して実行するので、処理装置２のスループットも妨げない。
【００４９】
なお、異常検知システム１００は、被処理基体２１に対する処理の間、検知を繰り返しながら常時稼働させても良く、間欠的に、例えば、数分おきに稼働させても良い。
【００５０】
次に、同軸ケーブル３の一例について説明する。
【００５１】
図４は、同軸ケーブル３の一例を示す斜視図である。
【００５２】
フラットパネルディスプレイや半導体デバイスの製造に使用されるプラズマドライエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置に使用する同軸ケーブル３の一つとして、軽量化のため、内部導体３１を中空状とした同軸ケーブル３´がある。この同軸ケーブル３´の一例を図４に示す。中空状の導体としては、銅パイプや、アルミパイプなどが使われる。
【００５３】
しかし、内部導体３１を中空状の導体とした同軸ケーブル３´は、図５Ａに示すように極端に折れ曲がってしまうと、図５Ｂに示すように折れ曲がった箇所において、座屈３２を起こしやすい。座屈３２が起きてしまうと、元の状態に戻ることは、ほとんど考えられないので、同軸ケーブル３´中の特異点として、ほぼ永久的に残ってしまう。
【００５４】
このような内部導体３１が座屈しやすい同軸ケーブル３´においても、本一実施形態に係る異常検知システム１００を用いれば、座屈３２が発生したか否かを簡単に検知することができるので、座屈しやすい同軸ケーブル３´であっても安全に使用することができる。
【００５５】
以上、この発明を一実施形態により説明したが、この発明は上記一実施形態に限定されることなく種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【００５６】
例えば、上記一実施形態では、処理装置２として、フラットパネルディスプレイや半導体デバイスの製造に使用されるプラズマドライエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置を説明したが、高周波電力を使用する処理装置であれば、上記装置に限られるものではない。
【００５７】
その他、上記一実施形態は、この発明の主旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１はこの発明の一実施形態に係る同軸ケーブルの異常検知システムを備えた処理装置の一例を示す構成図
【図２】図２Ａは同軸ケーブル３が正常な状態のときの反射波Ｒと反射波ｒとの関係を示す図、図２Ｂは同軸ケーブル３の内部導体に異常があるときの反射波Ｒと反射波ｒとの関係を示す図
【図３】図３は異常検知システム１００の操作手順の一例を示す流れ図
【図４】図４は同軸ケーブル３の一例を示す斜視図
【図５】図５Ａは同軸ケーブル３´が折れ曲がった状態を示す断面図、図５Ｂは折れ曲がった同軸ケーブル３´に座屈３２が生じた状態を示す断面図
【符号の説明】
【００５９】
１…ＲＦジェネレータ、２…処理装置、３、３´…同軸ケーブル、４…整合器、５…コントローラ、６…検知器、８…操作装置、１０…警報器、１１…ＲＦジェネレータの出力、１２…定在波比検出基板、３１…内部導体、３２…座屈した箇所、４１…整合器の入力、４２…整合器の出力、４３…定在波比検出基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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