(57)【要約】【課題】液晶表示装置において、製造コストを抑制しつつ均一なセルギャップにおける低温気泡を抑制しガラスの面押し強度向上させることを課題とする。【解決手段】対向基板２００上において線状に形成された遮光層２１０を部分的にその線幅よりも大きな幅を有する幅大部２１１とする一方で、アレイ基板１００上では第１のスペーサー６００ａを幅大部２１１に対向して配置する。遮光層の幅大部２１１では線状の遮光層よりもカラーフィルタ２２０の着色層の積層量が多くなり対向基板２００上に段差が生じ第１のスペーサー６００ａの実効的な高さがΔｈだけ高くなる。これにより、第１のスペーサー６００ａではセルギャップの均一性を維持しつつ低温気泡の発生を制御し、第２のスペーサー６００ｂでは基板面に対する面押し強度を制御することができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板と、
このアレイ基板上に設けられた複数の信号線、複数の走査線、複数の補助容量配線と、
前記信号線と走査線に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された画素電極及び補助容量層と、
前記スイッチング素子と前記画素電極及び補助容量層のそれぞれに接続するためのコンタクトホールと、
前記アレイ基板に対向配置されている対向基板と、
前記対向基板上に形成されている対向電極と、
前記アレイ基板上の液晶層側に配置された複数のスペーサーと、を備え、
前記複数のスペーサーは、前記信号線、走査線、補助容量配線上のいずれかに配置される第１のスペーサーと、前記コンタクトホール内に設けられている第２のスペーサーからなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２のスペーサーは、前記スイッチング素子と前記画素電極とを接続するためのコンタクトホール内に設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記対向基板上の液晶層側に線状に形成され、且つ、この線幅よりも大きな幅の形状を部分的に有する遮光層と、
前記遮光層に部分的に積層して形成された着色層と、を更に備え、
前記第１のスペーサーは、前記大きな幅の遮光層部分に対向して配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１のスペーサーの密度は、前記第２のスペーサーの密度よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１のスペーサーの断面積は、前記第２のスペーサーの断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１及び第２のスペーサーは前記画素電極毎に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記アレイ基板及び対向基板は、
その両基板の間に前記表示領域を囲むように切れ目なく配置された接着剤により貼り合わせられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に基板上に均一な高さのスペーサーが配置された液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高密度かつ大容量でありながら、高性能、高精細な表示が可能な液晶表示装置の実用化が進められている。このような液晶表示装置としては各種の方式があるが、中でも隣接する画素間でのクロストークが小さく、高コントラストの表示が得られ、透過型表示が可能かつ大面積化も容易などの理由から、アクティブマトリクス型の液晶表示装置が多く用いられている。この液晶表示装置は、互いに交差するように配線された複数の走査線と複数の信号線の各交差部においてスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）及び画素電極をアレイ基板上に備える。
【０００３】
一般的に、液晶表示装置は、アレイ基板とそれに対向する対向基板とのギャップを均一にするためのスペーサーが配置されている。スペーサーは球状と柱状のものがあり、球状スペーサーは両基板を貼り合わせる製造工程で散布される。柱状スペーサーはアレイ基板あるいは、対向基板の製造工程において、フォトリソグラフィー法により基板上に一体的に形成される。柱状スペーサーは画素電極に重ならないように走査線と信号線の交点付近に配置できるので、良好な表示品位を得ることが可能である。また、柱状スペーサーを配置する領域についてはセルギャップの均一性を保つため、アレイ基板、対向基板共に安定した平坦度を確保できる領域を選び、各画素の同一位置に配置する。（例えば、特許文献１、２参照。）
スペーサーの密度は液晶表示装置の基本特性に大きな影響を与える。セルギャップの均一性を保つためには一定の密度が必要となるのに加え、ガラスの面押しに対して高い耐久性を必要とする場合はスペーサーの密度を高くする必要がある。一方で、スペーサー密度を高くすると、低温時に表示装置表面に圧力がかかった場合、液晶の収縮にスペーサーの弾性変形が追随できないため表示装置内部に空洞（以下、低温気泡と呼ぶ）が発生して表示品位が著しく損なわれる。これに対し、最近では基板上に高さの異なる２種類のスペーサーを形成して低温気泡の発生を防止しつつ外部からの局所的な加圧にも耐えうるようにする技術が開示されている。（例えば、特許文献３参照）。
【０００４】
上記以外においても、基板上に高さの異なる２種類の柱状スペーサーの配置構造には、様々な提案がなされている。（例えば、特許文献４参照）。
【特許文献１】特許第３６８０７３０号
【特許文献２】特開２００４−２４５９５２号公報
【特許文献３】特開２００５−１８９６６２号公報
【特許文献４】特許第３３３８０２５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ガラスの面押しに対して高い耐久性を有するためには、スペーサーの密度を高くする必要があり、均一なセルギャップを得るためにも、一定値以上のスペーサー密度が必要となる。一方で、低温気泡に対する性能を改善するためにはスペーサー密度を低くする必要がある。このためガラスの面押しと低温気泡の性能を同時に改善することは非常に困難であるという問題がある。
【０００６】
上記問題点に対し、基板上に高さの異なるスペーサーを形成する構成とした場合には製造工程数が増加するため製造コストが高くなってしまうという問題が新たに生じる。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、液晶表示装置において、製造コストを抑制しつつ均一なセルギャップにおける低温気泡を抑制しガラスの面押し強度向上させることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る液晶表示装置は、アレイ基板と、このアレイ基板上に設けられた複数の信号線、複数の走査線、複数の補助容量配線と、前記信号線と走査線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された画素電極及び補助容量層と、
前記スイッチング素子と前記画素電極及び補助容量層のそれぞれに接続するためのコンタクトホールと、前記アレイ基板に対向配置されている対向基板と、前記対向基板上に形成されている対向電極と、前記アレイ基板上の液晶層側に配置された複数のスペーサーと、を備え、前記複数のスペーサーは、前記信号線、走査線、補助容量配線上のいずれかに配置される第１のスペーサーと、前記コンタクトホール内に設けられている第２のスペーサーからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の液晶表示装置によれば、製造コストを抑制しつつ均一なセルギャップにおける低温気泡を抑制しガラスの面押し強度向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１１】
図１の平面図は、一実施の形態に係る液晶表示装置のアレイ基板の構成を概略的に示している。アレイ基板１００上には点線で示した表示領域３００が設けられる。ここでは表示領域３００を囲むように接着剤１２０が切れ目なく配置される。これにより、接着剤１２０の内壁で囲まれた領域では液晶が領域外に漏れ出すことがないので、液晶滴下注入法により所定量の液晶を滴下してアレイ基板１００と対向する基板とを貼り合わせることが可能となる。
【００１２】
表示領域３００には、ｍ本の走査線Ｙ１〜Ｙｍ（以下ではＹと総称する）及びｎ本の信号線Ｘ１〜Ｘｎ（以下ではＸと総称する）が交差して配線される。その各交差部にスイッチング素子である薄膜トランジスタ１４０（以下、画素ＴＦＴと称する）と、透明な画素電極１３１と、補助容量１５０とが配置される。画素ＴＦＴ１４０にはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を半導体層としたＴＦＴを使用する。具体的には、画素ＴＦＴ１４０のソース端子が信号線Ｘに接続され、ドレイン端子が補助容量１５０及び画素電極１３１に並列に接続され、ゲート端子が走査線Ｙに接続される。液晶層５００を挟んで全ての画素電極１３１に対向して対向電極１７３が配置される。複数のスペーサー６００が画素電極１３１毎に配置される。      
表示領域３００の周辺の領域には走査線駆動回路１２１と、信号線駆動回路１２２と、対向電極駆動回路１２３とが配置される。走査線駆動回路１２１は走査線Ｙに接続され各走査線を順次駆動する。信号線駆動回路１２２は信号線Ｘに接続され映像信号を供給する。対向電極駆動回路１２３は各補助容量１５０及び対向電極１７３に接続され所定の電位を供給する。
【００１３】
以下、本実施の形態による液晶表示装置ついて、実施例を用いてより具体的に説明する。
【００１４】
［実施例１］
以下において、本実施の形態の実施例１による液晶表示装置について説明する。
【００１５】
図２、図３を用いて対向基板２００の構成について説明する。図２の平面図に示すように、表示領域３００では遮光層２１０が線状に形成される。周辺の領域では遮光層２１０は額縁状に形成される。遮光層２１０の間にはカラーフィルタ２２０が形成される。図３の平面図に示すように、カラーフィルタ２２０の着色層は、遮光層２１０に部分的に積層して形成される（同図では点線で示している）。着色層は赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の順番で繰り返し形成される。ここで遮光層２１０は、線幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２の形状２１１（以下では幅大部２１１と称する）を部分的に有する。ここで線幅Ｗ１は例えば５μｍとし、幅大部２１１の形状は例えば１辺の長さＷ２が１５μｍの正方形とする。
【００１６】
図４は、図３のＡ−Ａ’部に対応した液晶表示装置の断面を示している。液晶表示装置は、対向して配置されたアレイ基板１００および対向基板２００と、両基板の間隙に挟持された液晶層５００とを備える。
【００１７】
アレイ基板１００では、ガラス基板１０１上に第１の絶縁層１０２及び第２の絶縁層１０３が形成される。また同図では省略したが、これら絶縁層には例えば画素ＴＦＴに接続されたポリシリコンからなる補助容量層及び透明電極等が形成される。第１の絶縁層１０２及び第２の絶縁層１０３の上には柱状のスペーサー６００が液晶層５００側に形成される。ここではスペーサー６００としての柱状の突起が例えばフォトリソグラフィー法により基板上に均一な高さで一体的に形成される。これにより、高さの異なる突起を形成する場合と比べて、アレイ基板の製造時における製造工程数を削減することができ製造コストを抑制することができる。また、スペーサー６００は第２の絶縁層１０３に設けられたコンタクトホール７００を避けて、第２の絶縁層１０３上の平坦な領域に配置される。ガラス基板１０１上の液晶層５００と反対側には偏光板１０４が配置されている。アレイ基板１００の背面側には表示の際に表示領域３００に光を照射する図示しないバックライトが配置される。
【００１８】
対向基板２００では、液晶層５００と反対側のガラス基板２０１上に偏光板２０３が配置される。ガラス基板２０１上の液晶層５００側に遮光層２１０が形成される。遮光層２１０の線と線の間にはカラーフィルタ２２０が形成される。ここでは着色層のパターニング精度に起因して光漏れや混色が起きることを防止するために、着色層は線状の遮光層２１０及び遮光層の幅大部２１１に部分的に積層している。更に、遮光層２１０、幅大部２１１、およびカラーフィルタ２２０を覆うようにして平坦化のためにオーバーコート層２０２が積層される。また、同図では省略したが、オーバーコート層２０２の上に対向電極が形成される。
【００１９】
遮光層の幅大部２１１では線状の遮光層２１０よりも着色層の積層量が多くなるので、対向基板上に段差が生じる。ここでは、複数のスペーサーのうちのいくつかを第１のスペーサー６００ａとして遮光層の幅大部２１１に対向してアレイ基板１００上に配置する。一方で遮光層の幅大部２１１に対向しないスペーサーを第２のスペーサー６００ｂとして例えば遮光層２１０が着色層に重ならないカラーフィルタ２２０領域に対向して配置する。
【００２０】
第１のスペーサー６００ａは対向基板２００に接触し、第２のスペーサー６００ｂは対向基板２００に接触しないので、第１のスペーサー６００ａの実効的な高さは第２のスペーサー６００ｂの高さと比べてΔｈだけ高くなる。ここで例えば第１のスペーサー６００ａと第２のスペーサー６００ｂの実効的な高さの差Δｈは０．５μｍとする。
【００２１】
このような構成としたことで、第１のスペーサー６００ａではセルギャップの均一性を維持しつつ低温気泡の発生を制御することができると共に、第２のスペーサー６００ｂでは基板面に対する面押し強度を制御することができる。
【００２２】
図５の平面図は、液晶表示装置の表示領域３００におけるスペーサーの密度を概略的に示している。同図では表示領域を構成する画素をマトリクス状に示し、第１のスペーサー６００ａが配置された画素を斜線で示し、第２のスペーサー６００ｂが配置された画素を白で示している。ここでは第１のスペーサー６００ａを１２画素に１個の割合で配置し、第２のスペーサー６００ｂを１２画素に１１個の割合で配置している。その結果、第１のスペーサー６００ａの密度は、第２のスペーサー６００ｂの密度よりも５倍強小さくなる。
【００２３】
このように第１のスペーサー６００ａの密度を、第２のスペーサー６００ｂの密度よりも小さくすることで、第１のスペーサーにより均一なセルギャップを得るために必要最低限度な密度を維持して低温気泡の発生頻度を大幅に減少させることが可能となる。一方で、第２のスペーサーを配置可能な上限だけ配置して最大限密度を大きくしてガラスの面押し強度も大幅に増強させることが可能となる。
【００２４】
尚、第１のスペーサー６００ａの基板と平行な方向の断面積を、第２のスペーサー６００ｂの断面積よりも約２倍大きくして効率良くスペーサーを配置している。このような構成とすることで、第１のスペーサー６００ａの寸法ばらつきを高い精度で管理すると共に個数を少なくして必要最低限度な密度を維持し、第２のスペーサー６００ｂの個数をより多く配置して高密度を維持することが可能となる。
【００２５】
したがって、本実施例によれば、対向基板２００上において線状に形成された遮光層２１０を部分的にその線幅よりも大きな幅を有する幅大部２１１とする一方で、アレイ基板１００上では第１のスペーサー６００ａを幅大部２１１に対向して配置する。遮光層の幅大部２１１では線状の遮光層よりもカラーフィルタ２２０の着色層の積層量が多くなり対向基板２００上に段差が生じ第１のスペーサー６００ａの実効的な高さがΔｈだけ高くなる。これにより、第１のスペーサー６００ａではセルギャップの均一性を維持しつつ低温気泡の発生を制御し、第２のスペーサー６００ｂでは基板面に対する面押し強度を制御することができる。尚、アレイ基板上には均一な高さでスペーサーを配置するので、高さの異なる２種類のスペーサーを配置する構成と比べて製造工程数を削減することができる。
【００２６】
また、本実施例によれば、表示領域３００において第１のスペーサー６００ａの密度を、第２のスペーサー６００ｂの密度よりも小さくすることで、第１のスペーサー６００ａにより均一なセルギャップを得るために必要最低限度な密度を維持して低温気泡の発生頻度を大幅に減少させることが可能となる。一方で、第２のスペーサー６００ｂを配置可能な上限だけ配置して最大限密度を大きくしてガラスの面押し強度も大幅に増強させることが可能となる。
【００２７】
更に、本実施例によれば、表示領域３００において第１のスペーサー６００ａの１個あたりの断面積を、第２のスペーサー６００ｂの１個あたりの断面積よりも大きくすることで、第１のスペーサー６００ａの寸法ばらつきを高い精度で管理すると共に個数を少なくして必要最低限度な密度を維持し、第２のスペーサー６００ｂの個数をより多く配置して高密度を維持することが可能となる。
【００２８】
尚、本実施例では、第１のスペーサー６００ａと第２のスペーサー６００ｂの実効的な高さの差Δｈは０．５μｍとしたが、これに限られるものではない。例えば、Δｈは０．３μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内であれば、本実施例と同様な効果を奏することが可能である。Δｈを上記範囲の値とするためには、例えば遮光層の幅大部２１１の面積、オーバーコートを塗布する条件などを調整することが有効である。更には、第２のスペーサー６００ｂを線状の遮光層２１０に対向して配置し、対向基板上に小さな段差を設けてΔｈの値を０．５μｍ（本実施例のΔｈ）よりも小さな値となるように調整してもよい。
【００２９】
また、本実施例では遮光層に部分的に設けられた幅大部２１１の形状は、正方形としたが、これに限られるものではない、少なくともその線幅よりも大きな幅の形状であれば、幅大部２１１の形状は、例えば長方形などの矩形であってもよいし、ひし形、円形などでも良い。
【００３０】
［実施例２］
次に、本実施の形態の実施例２による液晶表示装置について説明する。尚、実施例１と同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。
【００３１】
図６、図７を用いて対向基板２００の構成について説明する。図６の平面図に示すように、表示領域３００では遮光層２１０が線状に形成される。周辺の領域では遮光層２１０は額縁状に形成される。実施例１と異なる点は、本実施例では、遮光層２１０において、線幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２の形状２１１（幅大部２１１）部分が無いことである。図７は、図６の表示領域３００の任意の箇所の拡大図である。図７に示すとおり、遮光層２１０の線幅はＷ１のみである。
【００３２】
図８は、Ｂ−Ｂ’部に対応した液晶表示装置の断面を示している。液晶表示装置は、対向して配置されたアレイ基板１００および対向基板２００と、両基板の間隙に挟持された液晶層５００とを備える。ここで、液晶層５００の厚みは、３μｍである。
【００３３】
アレイ基板１００では、ガラス基板１０１上に第１の絶縁層１０２及び第２の絶縁層１０３が形成される。これら絶縁層上には、図示しない画素電極が形成されている。また、これら絶縁層には、画素ＴＦＴ１４０のドレイン電極５９と画素電極とを接続するためのコンタクトホール７００が設けられている。このコンタクトホールの深さは、約２μｍ程度である。
【００３４】
第１の絶縁層１０２及び第２の絶縁層１０３の上には第１のスペーサー６００ｃが液晶層５００側に形成される。
【００３５】
更に、第２のスペーサー６００ｄは、コンタクトホール７００の内部に埋設して形成される。尚、第１のスペーサー６００ｃと第２のスペーサー６００ｄは同一工程で形成される。これにより、高さの異なる突起を別工程で形成する場合と比べて、アレイ基板の製造時における製造工程数を削減することができ製造コストを抑制することができる。
【００３６】
図９は、アレイ基板１００の平面図であり、特に、図７の対向基板２００Ｂ−Ｂ’部分の対向配置されたアレイ基板１００の平面図である。また、図１で説明した表示領域３００の任意の画素ＴＦＴ１４０の部分および近傍付近のアレイ基板１００の概略図でもある。
【００３７】
画素ＴＦＴ１４０は、ソース電極５８、ゲート電極５６、ドレイン電極５９から構成されている。このドレイン電極５９は、コンタクトホール７００を介して画素電極と接続されている。また、ドレイン電極５９は、別のコンタクトホール８００を介してポリシリコンからなる補助容量層１６０にも接続されている。そして、この補助容量層１６０と補助容量配線１５５とにより補助容量１５０を構成する。
【００３８】
第１のスペーサー６００ｃは、信号線Ｘｎ−１と補助容量配線１５５との交差部に配置されている。また、第２のスペーサー６００ｄは、ドレイン電極５９と画素電極とを接続するためのコンタクトホール７００内に埋設して配置されている。
【００３９】
図９に示す本実施例のスペーサーの断面形状において、第１のスペーサー６００ｃの断面積は第２のスペーサー６００ｄの断面積よりも大きくている。
【００４０】
このようにすれば、表示領域において第１のスペーサーの断面積を、第２のスペーサーの断面積よりも大きくすることで、第１のスペーサーの寸法ばらつきを高い精度で管理すると共に個数を少なくして必要最低限度な密度を維持し、第２のスペーサーの個数をより多く配置して高密度を維持することが可能となる。
【００４１】
尚、第１のスペーサー６００ｃの断面積と第２のスペーサー６００ｄの断面積は同一であっても良い。
【００４２】
上述のように、絶縁層上に形成された第１のスペーサー６００ｃと、コンタクトホール７００に形成された第２のスペーサー６００ｄによって、第１のスペーサー６００ｃと第２のスペーサー６００ｄの実効的な高さの差Δｈは、コンタクトホールの深さに起因し、本実施例では、０．５μｍとなる。言い換えれば、本実施例では、スペーサー形成工程において、スペーサー材を基板に一様に塗布した際に、コンタクトホールの窪みによって、この塗布材に凹部ができる。そして、これを露光して柱状スペーサーを形成することによって、自ずと高さの異なる第１の柱状スペーサー６００ｃ及び第２の柱状スペーサー６００ｄが形成される。
【００４３】
したがって、このような構成としたことで、実施例１と同様に、第１のスペーサー６００ｃではセルギャップの均一性を維持しつつ低温気泡の発生を制御することができると共に、第２のスペーサー６００ｄでは基板面に対する面押し強度を制御することができる。
【００４４】
また、第１のスペーサー６００ｃにより均一なセルギャップを得るために必要最低限度な密度を維持して低温気泡の発生頻度を大幅に減少させることが可能となる。一方で、第２のスペーサー６００ｄを配置可能な上限だけ配置して最大限密度を大きくしてガラスの面押し強度も大幅に増強させることが可能となる。
【００４５】
更に、本実施例では、従来のスペーサーの配置位置である絶縁層上に加え、コンタクトホール内部に配置するのみであるため、従来の製造工程において、容易にスペーサーの実効的な高さの差Δｈを作り出すことができる。また、第１のスペーサーと第２のスペーサーの密度を容易に変更することができるので設計の自由度が向上する。
【００４６】
尚、上述のコンタクトホールは、画素ＴＦＴと画素電極の接続用途であるが、これに限定されるものではない。例えば、画素ＴＦＴと補助容量配線とを接続するためのコンタクトホールであっても良い。
【００４７】
また、対向基板側の遮光層の形状を図２、図３のようにすることによって、更に実効的な高さの差Δｈを調整することが可能となる。
【００４８】
カラーフィルタ２２０の着色層は、遮光層２１０に部分的に積層して形成される。着色層は赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の順番で繰り返し形成される。ここで遮光層２１０は、線幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２の形状２１１（以下では幅大部２１１と称する）を部分的に有する。ここで線幅Ｗ１は例えば５μｍとし、幅大部２１１の形状は例えば１辺の長さＷ２が１５μｍの正方形とする。
【００４９】
そして、遮光層の幅大部２１１では線状の遮光層２１０よりも着色層の積層量が多くなるので、対向基板上に段差が生じる。この段差は、０．５μｍである。
【００５０】
したがって、本実施例において、図２のような対向基板側の遮光層の形状を用いることによって、元々の第１のスペーサー６００ｃと第２のスペーサー６００ｄの実効的な高さの差Δｈ０．５μｍに、上記段差０．５μｍを加え、実効的な高さの差Δｈを１．０μｍとすることができる。
【００５１】
上述のようにすれば、実効的な高さの差Δｈは０．３μｍ以上１．０μｍ以下の範囲にすることができ、低温気泡の発生を抑制しつつ基板面に対する面押し強度を増し、更に、製造コストを抑制しつつ容易に実現することができる。
【００５２】
尚、第１のスペーサー６００ｃ及び第２のスペーサー６００ｄは画素電極毎に配置されることが望ましい。また、上記液晶表示装置におけるアレイ基板及び対向基板は、その両基板の間に表示領域を囲むように切れ目なく配置された接着剤により貼り合わせられる。これにより、接着剤の内壁で囲まれた領域では液晶が領域外に漏れ出すことがないので、液晶滴下注入法により所定量の液晶を滴下すると共に、基板面に対して均一な圧力をかけて両基板を貼り合わせることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】一実施の形態に係る液晶表示装置のアレイ基板の構成を概略的に示した平面図である。
【図２】実施例１に係る液晶表示装置の対向基板の構成を概略的に示した平面図である。
【図３】実施例１に係る対向基板を一部拡大して示した平面図である。
【図４】上記平面図のＡ−Ａ’部に対応した液晶表示装置の断面図である。
【図５】実施例１に係る液晶表示装置の表示領域におけるスペーサーの密度を概略的に示した平面図である。
【図６】実施例２に係る液晶表示装置の対向基板の構成を概略的に示した平面図である。
【図７】実施例２に係る対向基板を一部拡大して示した平面図である。
【図８】上記平面図のＢ−Ｂ’部に対応した液晶表示装置の断面図である。
【図９】実施例２に係る液晶表示装置のアレイ基板の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１００…アレイ基板
１０１…ガラス基板
１０２…第１の絶縁層
１０３…第２の絶縁層
１０４…偏光板
１２０…接着剤
１２１…走査線駆動回路
１２２…信号線駆動回路
１２３…対向電極駆動回路
１３１…画素電極
１４０…ＴＦＴ
１５０…補助容量
１７３…対向電極
２００…対向基板
２０１…ガラス基板
２０２…オーバーコート層
２０３…偏光板
２１０…遮光層
２１１…幅大部（遮光層）
２２０…カラーフィルタ
３００…表示領域
５００…液晶層
６００…柱状スペーサー
６００ａ、６００ｃ…第１のスペーサー
６００ｂ、６００ｄ…第２のスペーサー
７００、８００…コンタクトホール
Ｘ：Ｘ１〜Ｘｎ…信号線
Ｙ：Ｙ１〜Ｙｍ…走査線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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