(57)【要約】【課題】エッチング、メッキといった工程を大幅に削減することができ、環境負荷の小さな半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】支持体１０１の上に、絶縁樹脂材料を印刷・硬化して絶縁樹脂層を形成する工程と、導電性ペーストにてビアホールを埋めるとともに絶縁樹脂層１１０上に配線パターンを印刷・硬化して配線層１２０、１４０、１６０を形成する配線層形成工程と、配線層１２０、１４０上に、絶縁樹脂材料を印刷・硬化して絶縁樹脂層１３０、１５０を形成する絶縁樹脂層形成工程と、配線層１６０上に、絶縁樹脂材料を印刷・硬化して絶縁樹脂層１７０を形成する工程と、チップ実装用パッド１７１にニッケル／貴金属メッキを施すメッキ工程と、チップ実装工程と、チップ１８２を樹脂封止する工程と、支持体１０１を除去する工程と、支持体１０１を除去した面に半田ボールを実装する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図７
2008084949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、絶縁樹脂材料を、ビアホールを開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して第１の絶縁樹脂層を形成する工程と、
導電性ペーストにて前記ビアホールを埋めるとともに前記絶縁樹脂層上に配線パターンを印刷し、前記導電性ペーストを硬化して配線層を形成する配線層形成工程と、
前記配線層上に、絶縁樹脂材料を、層間接続用のビアホールを開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して絶縁樹脂層を形成する中間絶縁樹脂層形成工程とを有し、
前記配線層形成工程と前記中間絶縁樹脂層形成工程とを、所望の層数となるように繰り返した後に、
最外層に形成された配線層上に、絶縁樹脂材料を、チップ実装用パッドを開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して第２の絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記チップ実装用パッドに、ニッケル／貴金属メッキを施すメッキ工程と、
チップを搭載して前記チップ実装用パッドと電気的に接続をとるチップ実装工程と、
前記チップをモールド樹脂で樹脂封止する樹脂封止工程と、
前記支持体を除去する支持体除去工程と、
前記支持体を除去した面に露出された前記第１外層絶縁樹脂層の前記ビアホール部分に形成された半田ボール実装用パッドに、半田ボールを実装する半田ボール実装工程と、
を備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁樹脂材料は、熱硬化樹脂であることを特徴をする請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記熱硬化樹脂は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、あるいはこれらの樹脂を含有する合成樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記導電性ぺーストは、金属ペーストであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記金属ペーストは、銅、銀、錫の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記支持体は、金属、セラミックス、または樹脂で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記チップ実装工程において、前記チップを、ワイヤーボンディング、または、フリップチップ方式により実装することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
複数の前記絶縁樹脂層を、同一の熱収縮率を備えた絶縁樹脂材料で構成することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置に使用される半導体パッケージの製造方法に関し、特に環境配慮と経済性を向上させた半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス産業界においては、高信頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められており、これによる高機能、高密度素子の出現に伴い、高信頼性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対する要求が高まってきている。これにより、新しい素子実装技術の開発が日毎に重要さを増しており、特に半導体パッケージにおける小型化と多層化が重要な課題として開発が進められている。また、近年はＲｏＨＳ（Ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ ｏｆ  Ｈａｚａｒｄｏｕｓ  Ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ）指令などの影響により、環境配慮型の製品が増えていく傾向にあり、環境負荷の大きい工程はできるだけ減らしていくことが望ましい。加えて上記のような諸性能に加えて、製造コストが重要な問題となってくる。
【０００３】
現在、半導体パッケージの製造方法としては、例えば特許文献１に記載されているような工法が一般的である。まず、絶縁層として、電気絶縁性が高く、また熱安定性に優れたポリイミド等の熱可塑性絶縁樹脂を用い、その両面（上下面）にスパッタリング、メッキ、蒸着等により導体層を形成したテープ材から出発する。下面側を選択的にエッチングすることにより、前記絶縁層に、下面側に開口するとともに上面側が導体層により閉塞されたビアホールを形成する。このとき、上面にはアディティブ法またはサブトラクティブ法により上面の配線パターンが形成される。次に、ビアホールの内壁及び上面の導体部がビアホール内で露出する面を含む下面全体にスパッタリング及びメッキにより導体層を形成する。これにより、上面と下面の導体層はビアホール内で互いに導通してブラインドビアを形成する。その後、下面に形成された導体層にプリント配線板と導通を図るためのパットパターンをアディティブ法またはサブトラクティブ法により形成する。
【０００４】
上記の半導体パッケージの製造方法において、絶縁層にビアホールを形成する場合、例えばＣＯ２レーザー等のレーザーによるパターニングが一般的である。レーザーによりパターニングする工法は、それ以前のパンチングによって打ち抜き形成する工法や、アルカリエッチングによってベースフィルムに形成する工法などに比べると、加工の精密度に優れているとともに、さらにはパンチング特有の打ち抜き部分のがさつきやそれを原因としたハンダ濡れ性の劣化等の問題がなく、またアルカリエッチング法のような極端な生産性の低さもないことから、この製法が主流となっている。
しかし、レーザーによるパターニングにおいては、レーザーを使用することによるコストアップ、ポリイミドフィルムを用いることによるコストアップ等の問題がある。
【０００５】
そこで、特許文献２において、金属板からなるベース基板上にビルドアップ積層構造を形成した実装用配線基板が提案されている。
この実装用配線基板の製造工程を示す。まず、金属板上に絶縁層を形成し、この絶縁層にビアホールを形成する。次いで、ビアホールを含む絶縁層上に配線パターンを形成する。次いで、配線パターン上に絶縁層を形成し、この絶縁層に配線パターンに達するフリップチップパッド部を形成する。最後に、金属板を下からエッチングし、基板補強体及び外部電極端子を形成するものである。
【特許文献１】特公平７−８７２０３号公報
【特許文献２】特開２０００−３９８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に開示された方法では、エッチングやメッキといった環境負荷の大きな工程が多くなってしまう。近年はＲｏＨＳ（Ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｈａｚａｒｄｏｕｓ  Ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ）指令などの影響により、環境配慮型の製品が増えていく傾向にあり、このような環境負荷の大きい工程はできるだけ減らしていくことが望ましい。
【０００７】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、エッチング、メッキといった工程を大幅に削減することができ、環境負荷の小さな半導体パッケージの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ね、本発明の半導体パッケージの製造方法を提案する。
【０００９】
請求項１に係る発明は、支持体上に、絶縁樹脂材料を、ビアホールを開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して第１の絶縁樹脂層を形成する工程と、導電性ペーストにて前記ビアホールを埋めるとともに前記絶縁樹脂層上に配線パターンを印刷し、前記導電性ペーストを硬化して配線層を形成する配線層形成工程と、前記配線層上に、絶縁樹脂材料を、層間接続用のビアホールを開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して絶縁樹脂層を形成する中間絶縁樹脂層形成工程とを有し、前記配線層形成工程と前記中間絶縁樹脂層形成工程とを、所望の層数となるように繰り返した後に、最外層に形成された配線層上に、絶縁樹脂材料を、チップ実装用パッドを開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して第２の絶縁樹脂層を形成する工程と、前記チップ実装用パッドに、ニッケル／貴金属メッキを施すメッキ工程と、チップを搭載して前記チップ実装用パッドと電気的に接続をとるチップ実装工程と、前記チップをモールド樹脂で樹脂封止する樹脂封止工程と、前記支持体を除去する支持体除去工程と、前記支持体を除去した面に露出された前記第１外層絶縁樹脂層の前記ビアホール部分に形成された半田ボール実装用パッドに、半田ボールを実装する半田ボール実装工程と、を備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法である。
【００１０】
この構成の半導体パッケージの製造方法においては、配線層の形成にエッチングやメッキといった環境負荷の大きな工程を必要とせず、また、触媒としてＰｄなどの高価な材料も用いることがないために、大幅なコスト削減が可能である。また、支持体によって全体を支持した状態のまま、後工程であるダイボンディング、ワイヤーボンディングもしくはフリップチップ実装、モールディングを実施するので、最終的に支持体を剥離するまで、伸び、破断等の影響を考慮することなく工程を通すことができる。
【００１１】
請求項２に係る発明は、前記絶縁樹脂材料は、熱硬化樹脂であることを特徴をする請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法である。
【００１２】
請求項３に係る発明は、前記熱硬化樹脂は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、あるいはこれらの樹脂を含有する合成樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージの製造方法である。
【００１３】
絶縁樹脂材料として、例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化樹脂を適用することにより、この絶縁樹脂材料を印刷した後に熱キュアすることで絶縁樹脂層を確実に形成することができる。
なお、前記絶縁樹脂層の厚さとしては、１０〜１００μmの範囲が好ましい。絶縁樹脂層の厚さが１０μmより薄いと、強度が不足し、搬送時に伸び、破断等の不良を起こす原因となる。一方、絶縁樹脂層の厚さが１００μｍを超えると、印刷による膜厚の一定化が困難となるとともに、熱キュアによる絶縁樹脂層の反りが大きくなる。
【００１４】
請求項４に係る発明は、前記導電性ぺーストは、金属ペーストであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法である。
【００１５】
請求項５に係る発明は、前記金属ペーストは、銅、銀、錫の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法である。
【００１６】
導電性ペーストとしては、導電性樹脂ペースト、金属ペースト、カーボンペーストなどを適用できるが、金属ペーストを用いることにより、配線層の強度、電気伝導度を確保することができるので好ましい。また、金属ペーストとしては、銅、銀、錫の少なくとも一つを含むものがさらに好ましい。
なお、配線層の厚さは１０〜５０μｍの範囲が望ましい。配線層の厚さが１０μｍより薄いと、強度の観点から搬送時に伸び、破断等の不良を生じる原因となる。一方、配線層の厚さが５０μｍより厚いと、ファインなパターンを形成することが難しくなる。
【００１７】
請求項６に係る発明は、前記支持体は、金属、セラミックス、または樹脂で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法である。
支持体を金属、セラミックス、または樹脂で構成することにより、支持体の剛性が確保され、後工程での伸びや破断等を確実に防止できる。ここで、支持体の材質については、後工程における熱履歴等から耐熱性を考慮して選択することが好ましい。
なお、支持体の厚さは、５０〜４００μmの範囲が望ましい。支持体の厚さが５０μｍより薄いと、反り、うねり等を緩和できずに支持体としての機能を果たすことができない。一方、支持体の厚さが４００μｍより厚いと、ロールによる搬送がスムーズに行うことができなくなるおそれがある。
【００１８】
さらに、支持体は、配線層及び絶縁樹脂層を保護する機能も果たしており、一定の強度が必要となる。一般的に絶縁樹脂は２０〜７０ＭＰａ程度の引張強度しかなく、搬送時に伸び、破断等が発生しやすい。そのため、ある程度の引張強度を持つ支持体を形成することが必須条件となる。よって、支持体の引張強度は、少なくとも一般の絶縁樹脂の２倍の引張応力、即ち１５０ＭＰａ以上とすることが好ましい。
【００１９】
なお、ワイヤーボンディングによる実装形態の場合、ダイボンディング、ワイヤーボンディング等により１５０〜１８０℃程度の熱処理が加わる。そのため支持体として耐熱性に劣る通常のプラスチックフィルムを適用した場合には、熱収縮により反り、うねり等を発生し、支持体としての機能を果たすことができなくなるので、高温領域での熱収縮を起こしにくいエンジニアリングプラスチックフィルム、金属等を使用することが好ましい。これらの熱処理を考慮して、支持体としては、少なくとも１５０℃における熱収縮率が１．０％以下、好ましくは０．５％以下のものを適用することが好ましい。
また、フリップチップ実装の場合は、２６０℃の熱工程が加わるために、支持体としては樹脂ではなく、金属、セラミックスを用いるのが妥当である。
【００２０】
請求項７に係る発明は、前記チップ実装工程において、前記チップを、ワイヤーボンディング、または、フリップチップ方式により実装することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法である。
これにより、チップを搭載してチップ実装用パッドと電気的に接続することにより、半導体パッケージを製造することができる。
【００２１】
請求項８に係る発明は、複数の前記絶縁樹脂層を、同一の熱収縮率を備えた絶縁樹脂材料で構成することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法である。
絶縁樹脂層において同一の熱収縮率の絶縁樹脂材料で構成することにより、配線層の両面にそれぞれ位置する絶縁樹脂層の熱収縮率が同一とされ、各絶縁樹脂層の熱収縮による内部応力差を軽減することができ、ＰＣＴ信頼性試験等における、内部のクラック等を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、エッチング、メッキといった工程を大幅に削減することができ、環境負荷の小さな半導体パッケージの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。
本実施形態である半導体パッケージ１００の製造方法は、
（Ａ）支持体１０１上に、絶縁樹脂材料を、ビアホール１１１を開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して第１外層絶縁樹脂層１１０（絶縁樹脂層）を形成する第１外層絶縁樹脂層形成工程と、
（Ｂ１）導電性ペーストにて、前記ビアホール１１１を埋めるとともに第１外層絶縁樹脂層１１０上に配線パターンを印刷し、前記導電性ペーストを硬化して第１配線層１２０（配線層）及び半田ボール実装用パッド１２１を形成する第１配線層形成工程と、
（Ｃ１）第１配線層１２０上に、絶縁樹脂材料を、層間接続用ビアホール１３１を開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して第１中間絶縁樹脂層１３０（絶縁樹脂層）を形成する第１中間絶縁樹脂層形成工程と、
（Ｂ２）導電性ペーストにて、層間接続用ビアホール１３１を埋めるとともに第１中間絶縁樹脂層１３０上に配線パターンを印刷し、前記導電性ペーストを硬化して第２配線層１４０及び層間接続部１４１を形成する第２配線層形成工程と、
（Ｃ２）第２配線層１４０上に、絶縁樹脂材料を、層間接続用ビアホール１５１を開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して第２中間絶縁樹脂層１５０を形成する第２中間絶縁樹脂層形成工程と、
（Ｂ３）導電性ペーストにて、層間接続用ビアホール１５１を埋めるとともに第２中間絶縁樹脂層１５０上に配線パターンを印刷し、前記導電性ペーストを硬化して第３配線層１６０及び層間接続部１６１を形成する第３配線層形成工程と、
（Ｄ）第３配線層１６０上に、絶縁樹脂材料を、チップ実装用パッド１７１を開口したパターンに印刷し、前記絶縁樹脂材料を硬化して第２外層絶縁樹脂層１７０を形成する第２外層絶縁樹脂層形成工程と、
（Ｅ）前記チップ実装用パッド１７１に、ニッケル／貴金属メッキを施すメッキ工程と、
（Ｆ）半導体素子１８２（チップ）を搭載して前記チップ実装用パッド１７１と電気的に接続をとるチップ実装工程と、
（Ｇ）半導体素子１８２をモールド樹脂１８４で樹脂封止する樹脂封止工程と、
（Ｈ）支持体１０１を除去する支持体除去工程と、
（Ｉ）支持体１０１を除去した面に露出された第１外層絶縁樹脂層１１０のビアホール１１１部分に形成された半田ボール実装用パッド１２１に、半田ボール１８５を実装する半田ボール実装工程と、
を有しており、３つの配線層１２０、１４０、１６０を備えた半導体パッケージ１００を製造するものである。
【００２４】
（Ａ）第１外層絶縁樹脂層形成工程
まず、支持体１０１を準備する。支持体１０１は、銅、アルミニウム、鉄、銅を含む合金、アルミニウムを含む合金、鉄を含む合金、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ガラスエポキシ樹脂、セラミックス等が利用でき、厚さは１０〜４００μｍの範囲が望ましい。
その上に、図１に示すように、ビアホール１１１が開口したパターンで、絶縁樹脂材料を印刷法によって印刷する。このときの絶縁樹脂材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、あるいはこれらの樹脂を含有する混合樹脂等の熱硬化樹脂が望ましく、厚さは１０〜５０μｍの範囲内とすることが望ましい。そして、熱キュアして前記絶縁樹脂材料を硬化させて、支持体１０１の上に第１外層絶縁樹脂層１１０を形成する。
【００２５】
（Ｂ１）第１配線層形成工程
次に、図２に示すように、第１外層絶縁樹脂層１１０の上に、導電性ペーストを所定のパターンで印刷する。このとき、前記ビアホール１１１にも導電性ペーストを埋め込んでおく。ここで、導電性ペーストとしては、カーボンペースト、導電性樹脂ペースト等が選択できるが、樹脂中に、例えば、銅、銀、錫等の金属微粒子が分散された金属ペーストが好ましい。
そして、この導電性ペーストを熱硬化させることで第１配線層１２０及び半田ボール実装用パッド１２１を形成する。ここで、第１配線層１２０の厚さは１０〜５０μｍの範囲内とすることが好ましい。
【００２６】
（Ｃ１）第１中間絶縁樹脂層形成工程
次に、図３に示すように、第１配線層１２０の上に、絶縁樹脂材料を、層間接続用ビアホール１３１を開口したパターンに印刷する。このときの絶縁樹脂材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、あるいはこれらの樹脂を含有する混合樹脂などの熱硬化樹脂が望ましく、厚さは１０〜５０μｍの範囲内とすることが望ましい。そして、熱キュアして前記絶縁樹脂材料を硬化させて、第１配線層１２０の上に第１中間絶縁樹脂層１３０を形成する。ここで、第１外層絶縁樹脂層１１０と第１中間絶縁樹脂層１３０とは、同じ組成の絶縁樹脂材料を用いている。
【００２７】
（Ｂ２）第２配線層形成工程
第１中間絶縁樹脂層１３０の上に導電性ペーストを所定のパターンで印刷するとともに前記層間接続用ビアホール１３１に導電性ペーストを埋め込む。そして、この導電性ペーストを熱硬化させることで第２配線層１４０及び層間接続部１４１を形成する。
（Ｃ２）第２中間絶縁樹脂層形成工程
第２配線層１４０の上に、絶縁樹脂材料を、層間接続用ビアホール１５１を開口したパターンに印刷し、熱キュアして前記絶縁樹脂材料を硬化させ、第２配線層１４０の上に第２中間絶縁樹脂層１５０を形成する。ここで、第１中間絶縁樹脂層１３０と第２中間絶縁樹脂層１５０とは、同じ組成の絶縁樹脂材料を用いている。
（Ｂ３）第３配線層形成工程
第２中間絶縁樹脂層１５０の上に導電性ペーストを所定のパターンで印刷するとともに前記層間接続用ビアホール１５１に導電性ペーストを埋め込む。そして、この導電性ペーストを熱硬化させることで第３配線層１６０及び層間接続部１６１を形成する。
【００２８】
（Ｄ）第２絶縁樹脂層形成工程
そして、第３配線層１６０上に、絶縁樹脂材料を、チップ実装用パッド１７１部分を開口したパターンに印刷する。そして、熱キュアして前記絶縁樹脂材料を硬化させ、第３配線層１６０の上に第２外層絶縁樹脂層１７０を形成する。ここで、第２中間絶縁樹脂層１５０と第２外層絶縁樹脂層１７０とは、同じ組成の絶縁樹脂材料を用いている。
以上の（Ａ）〜（Ｄ）の工程により、図４に示すように、３つの配線層１２０、１４０、１６０及び４つの絶縁樹脂層１１０、１３０、１５０，１７０を交互に積層するように形成する。
【００２９】
（Ｅ）メッキ工程
続いて、図５に示すように、第２外層絶縁樹脂層１７０のチップ実装用パッド１７１（ワイヤーボンディング用パットもしくはフリップチップパット）部分に、ニッケル/貴金属メッキを施してメッキ層１８０を形成する。
（Ｆ）チップ実装工程
次に、図６に示すように、第２外層絶縁樹脂層１７０上の一部に接着剤１８１を介して半導体素子１８２（チップ）を搭載し、半導体素子１８２の接続端子と前記チップ実装用パッド１７１とを金線１８３にて結線し、電気的接続をとる。これにより、半導体素子１８２が実装される。なお、フリップチップ実装の場合は、チップ実装用パッド１７１に直接半田を載せて実装する。
【００３０】
（Ｇ）樹脂封止工程
その後、図７に示すように、モールド樹脂１８４により前記半導体素子１８２を覆うようにして樹脂封止を行う。
（Ｈ）支持体除去工程
そして、図８に示すように、支持体１０１を物理的処理、あるいは、エッチングなどの化学的処理により剥離する。これにより、第１外層絶縁樹脂層１１０が最外層に配置されることになる。
（Ｉ）半田ボール実装工程
最後に、図９に示すように、第１外層絶縁樹脂層１１０のビアホール１１１部分に形成された半田ボール実装用パッド１２１に、半田ボール１８５を実装する。
【００３１】
以上により、３つの配線層１２０、１４０、１６０を備えた半導体パッケージ１００が製造される。
この構成の半導体パッケージ１００の製造方法によれば、配線層１２０、１４０、１６０を、導電性ペーストを印刷、硬化することにより形成しているので、エッチングやメッキといった環境負荷の大きな工程が不要となるとともに、触媒としてＰｄなどの高価な材料を用いることがなくなり、大幅なコスト削減が可能となる。
さらに、導電性ペーストをビアホール１１１、１３１、１５１に埋め込むことにより、層間接続部１４１、１６１、半田ボール実装用パッド１２１を形成することができる。
【００３２】
さらに、支持体１０１によって全体を支持した状態で、（Ｆ）チップ実装工程、（Ｇ）樹脂封止工程を実施することができるので、支持体１０１を剥離するまで、伸び、破断等の影響を考慮することなく工程を通すことができる。
また、支持体１０１の厚さが１０〜４００μｍの範囲とされているので、反り、うねり等を緩和することができるとともに、ロールによる搬送をスムーズに行うことができる。
【００３３】
また、導電性ペーストとして、銅、銀、錫の少なくとも一つを含む金属ペーストを用いているので、形成される配線層１２０、１４０、１６０の強度、電気伝導度を確保することができる。
さらに、配線層１２０、１４０、１６０の厚さは１０〜５０μｍの範囲とされているので、強度を確保して搬送時の伸び、破断等の不良を防止できるとともに、ファインなパターンを形成することが可能である。
【００３４】
また、絶縁樹脂材料として、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、あるいはこれらの樹脂を含有する混合樹脂などの熱硬化樹脂が適用されているので、熱キュアにより硬化させて、確実に絶縁樹脂層１１０、１３０、１５０、１７０を形成することができる。
さらに、これら絶縁樹脂層１１０、１３０、１５０、１７０の厚さは１０〜５０μｍの範囲内とされているので、強度を確保して搬送時の伸びや破断等を防止できる。また、印刷時の膜厚を一定にしやすく、熱キュアによる反りを防止できる。
【００３５】
また、第１外層絶縁樹脂層１１０、第１中間絶縁樹脂層１３０、第２中間絶縁樹脂層１５０、第２外層絶縁樹脂層１７０に、それぞれ同一組成の絶縁樹脂材料を使用しているので、互いの熱収縮率が同一となり、反り、クラックなどを低減した半導体パッケージ１００を作成することができる。
【００３６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、３つの配線層を設けた半導体パッケージとしたが、これに限定されることはなく、配線層の数は任意に設定することができる。
【実施例１】
【００３７】
以下に、本発明の半導体パッケージの製造方法について実施例を挙げてより具体的に説明する。
【００３８】
最初に、厚さ２５０μｍの銅板２０１（支持体）を準備し、その一方の面に、ビアホール２１１が開口したパターンを用いて、絶縁樹脂材料（アサヒ化研製  ＣＣＲ２３２：熱収縮率１．８１）を厚さ２５μｍで印刷した。その後、前記絶縁樹脂材料を硬化させるために、熱風オーブンにて１３０℃、５分間の熱キュアを行った。これにより、図１０に示すように、銅板（支持体２０１）の上に第１外層絶縁樹脂層２１０を形成した。
【００３９】
なお、前記熱収縮率の測定には、熱機械的分析装置（エスアイアイ−ナノテクノロジー株式会社製  ＴＭＡ／ＳＳ６１００）を用いた。４ｍｍ×１５ｍｍ大の短冊上に切断した厚さ１００μｍの試験片の長手方向両端をそれぞれクランプし、互いに逆方向に５０ｍＮの力で引っ張る。これを常温から２２０℃まで加熱し、その後、常温に戻したときの長手方向長さの変化から熱収縮率を測定している。
【００４０】
次いで、図１１に示すように、第１外層絶縁樹脂層２１０の上に、所定のパターンで銀ペーストを厚さ３０μｍで印刷した。また、ビアホール２１１部分に銀ペーストを埋め込んだ。これを１２０℃、１時間の熱キュアにより硬化させ、第１配線層２２０及び半田ボール実装用パッド２２１を形成した。
【００４１】
この第１配線層２２０の上に、層間接続用ビアホール２３１が開口したパターンを用いて、絶縁樹脂材料（太陽インキ製  ＣＦ−３０Ｇ：熱収縮率−０．４０５）を印刷した。そして、熱風オーブンにて１５０℃、２０分間の熱キュアを行い、中間絶縁樹脂層２３０を形成した。
続いて、中間絶縁樹脂層２３０の上に、所定のパターンで銅ペーストを印刷した。このとき、層間接続用ビアホール２３１内部に前記銅ペーストが埋まるように印刷した。そして、１２０℃、１時間の熱キュアを行い、図１２に示すように、第２配線層２４０及び層間接続部２４１を形成した。
【００４２】
その後、第２配線層２４０の上に、ボンディングパッドパターン２７１が露出されるように、厚さ２５μｍの絶縁樹脂材料（太陽インキ製  Ｓ−２２２：熱収縮率−０．３２６）を印刷し、熱風オーブンにて１４０℃、２０分間の熱キュアを行い、第２外層絶縁樹脂層２７０を形成した。
そして、露出したボンディングパッドパターン２７１に、電解メッキにより、ニッケルメッキ、金メッキを行い、図１３に示すように、メッキ層２８０を形成した。
【００４３】
次いで、図１４に示すように、第２外層絶縁樹脂層２７０上の一部に接着シート２８１を配置し、その上に半導体素子２８２（チップ）を固着し、ワイヤーボンディングにより、半導体素子２８２のＡｌパッドとボンディングパッドパターン２７１とを金線２８３で結線した。その後、図１５に示すように、モールド樹脂２８４により樹脂封止を行った。
そして、図１６に示すように、常温で銅板２０１（支持体）をエッチングにて除去し、半田ボール２８５を搭載することにより、半導体パッケージ２００を形成した。なお、この半導体パッケージ２００は、前記半田ボール２８５を介して外部の配線と接続される。
【００４４】
ここで、前述の実施例１の半導体パッケージ２００及び、前記実施例１のうち第２絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂材料として熱収縮率が−１５．３である絶縁樹脂材料（日本ポリテック製  ＮＰＲ−５）を用いて形成した半導体パッケージ２９０（図１７参照）を準備し、これら半導体パッケージ２００，２９０の内部観察をＳＡＴを用いて行った。その結果、熱収縮率の差が小さな実施例１の半導体パッケージ２００では、クラックが確認されず、熱収縮率が大きく異なる樹脂を用いた半導体パッケージ２９０では、クラックが観察された。これにより、絶縁樹脂材料として同等の熱収縮率を有するものを適用することが好ましいことが確認された。
【実施例２】
【００４５】
最初に、厚さ１００μｍのＰＥＴ３０１（支持体）を準備し、その一方の面に、ビアホール３１１が開口したパターンを用いて、絶縁樹脂材料（アサヒ化研製  ＣＣＲ２３２：熱収縮率１．８１）を厚さ２５μｍで印刷した。その後、熱オーブンで１３０℃、５分間の熱キュアを行い、図１８に示すように、第１外層絶縁樹脂層３１０を形成した。
【００４６】
次いで、第１外層絶縁樹脂層３１０の上に、銀ペーストを厚さ３０μｍで印刷するとともに前記ビアホール３１１部分に銀ペーストを埋め込んだ。これに１２０℃、１時間の熱キュアを行い、図１９に示すように、第１配線層３２０及び半田ボール実装用パッド３２１を形成した。
この第１配線層３２０の上に、層間接続用ビアホール３３１が開口したパターンを用いて、絶縁樹脂材料（アサヒ化研製  ＣＣＲ２３２：熱収縮率１．８１）を厚さ３０μｍで印刷し、１３０℃、５分間の熱キュアを行い、第１中間絶縁樹脂層３３０を形成した。
続いて、第１中間絶縁樹脂層３３０の上に、銀ペーストを、層間接続用ビアホール３３１内部にも銀ペーストが埋まるように印刷し、１２０℃、１時間の熱キュアを行い、図２０に示すように、第２配線層３４０及び層間接続部３４１を形成した。
【００４７】
次いで、第２配線層３４０の上に、層間接続用ビアホール３５１が開口したパターンを用いて、絶縁樹脂材料（アサヒ化研製  ＣＣＲ２３２：熱収縮率１．８１）を厚さ３０μｍで印刷し、１３０℃、５分間の熱キュアを行い、第２中間絶縁樹脂層３５０を形成した。
さらに、この第２中間絶縁樹脂層３５０の上に、銀ペーストを厚さ３０μｍで層間接続用ビアホール３５１内部にも銀ペーストが埋まるように印刷し、１３０℃、５分間の熱キュアを行い、図２１に示すように、第３配線層３６０及び層間接続部３６１を形成した。
【００４８】
その後、第３配線層３６０の上に、フリップチップパッドパターン３７１が露出されるように、厚さ２５μｍの絶縁樹脂材料（アサヒ化研製  ＣＣＲ２３２：熱収縮率１．８１）を印刷し、熱風オーブンにて１３０℃、５分間の熱キュアを行い、第２外層絶縁樹脂層３７０を形成した。
そして、露出したフリップチップパッドパターン３７１に、電解メッキにより、ニッケルメッキ、金メッキを行い、図２２に示すように、メッキ層３８０を形成した。
【００４９】
そして、図２３に示すように、第２外層絶縁樹脂層３７０の上に、半導体素子３８２（チップ）を鉛フリー半田３８１にてフリップチップ実装した。その後、図２４に示すように、モールド樹脂３８４により半導体素子３８２を樹脂封止した。
最後に、ＰＥＴ３０１（支持体）を剥離にて除去し、露出された半田ホール実装用パッド３２１に半田ボール３８５を実装した。
以上により、３つの配線層３２０、３４０、３６０を備えた半導体パッケージ３００を製造することができた。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態である半導体パッケージの製造方法における第１外層絶縁樹脂層形成工程の説明図である。
【図２】第１配線層形成工程の説明図である。
【図３】第１中間絶縁樹脂層形成工程の説明図である。
【図４】第２配線層形成工程、第２中間絶縁樹脂層形成工程、第３配線層形成工程及び第２外層絶縁樹脂層形成工程の説明図である。
【図５】メッキ工程の説明図である。
【図６】チップ実装工程の説明図である。
【図７】樹脂封止工程の説明図である。
【図８】支持体除去工程の説明図である。
【図９】半田ボール実装工程の説明図である。
【図１０】実施例１の半導体パッケージの製造方法における第１外層絶縁樹脂層形成工程の説明図である。
【図１１】第１配線層形成工程の説明図である。
【図１２】第１中間絶縁樹脂層形成工程及び第２配線層形成工程の説明図である。
【図１３】第２外層絶縁樹脂層形成工程及びメッキ工程の説明図である。
【図１４】チップ実装工程の説明図である。
【図１５】樹脂封止工程の説明図である。
【図１６】支持体除去工程及び半田ボール実装工程の説明図である。
【図１７】実施例１において第２外層絶縁樹脂層の材質を変更した半導体パッケージの説明図である。
【図１８】実施例２の半導体パッケージの製造方法における第１外層絶縁樹脂層形成工程の説明図である。
【図１９】第１配線層形成工程の説明図である。
【図２０】第１中間絶縁樹脂層形成工程及び第２配線層形成工程の説明図である。
【図２１】第２中間絶縁樹脂層形成工程及び第３配線層形成工程の説明図である。
【図２２】第２外層絶縁樹脂層形成工程及びメッキ工程の説明図である。
【図２３】チップ実装工程の説明図である。
【図２４】樹脂封止工程の説明図である。
【図２５】支持体除去工程及び半田ボール実装工程の説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１００、２００、３００  半導体パッケージ
１０１、２０１、３０１  支持体
１１０、２１０、３１０  第１外層絶縁樹脂層
１１１、２１１、３１１  ビアホール
１２０、２２０、３２０  第１配線層
１２１、２２１、３２１  半田ボール実装用パッ
１３０、２３０、３３０  第１中間絶縁樹脂層
１３１、２３１、３３１  層間接続用ビアホール
１４０、２４０、３４０  第２配線層
１４１、２４１、３４１  層間接続部
１５０、３５０  第２中間絶縁樹脂層
１５１、３５１  層間接続用ビアホール
１６０、３６０  第３配線層
１６１、３６１  層間接続部
１７０、２７０、３７０  第２外層絶縁樹脂層
１７１、２７１、３７１  チップ実装用パッド
１８０、２８０、３８０  メッキ層
１８２、２８２、３８２  半導体素子（チップ）
１８４、２８４、３８４  モールド樹脂
１８５、２８５、３８５  半田ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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