(57)【要約】【課題】  スロット線路の開放端に対して電圧最大点を考慮し、構成が簡易で伝送特性を向上させ、広帯域に対応できる高周波回路を提供する。【解決手段】  誘電体基板の一方の面にスロット線路１、他方の面に直交するマイクロストリップ線路２が形成され、スロット線路１は開放端となっており、スロット線路１とマイクロストリップ線路２が交差する配線結合位置３を、開放端を除いて、スロット線路１上での電圧最大点の位置若しくはその近傍とし、また、開放端から１／８波長以下の位置とし、あるいは、開放端から１／１６波長の位置若しくはその近傍とし、配線結合に電磁結合を用いた高周波回路である。【選択図】        図２
2008085749.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板の一方の面にスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成される高周波回路であって、
前記スロット線路は開放端となっており、
前記スロット線路と前記マイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、前記開放端を除いて、前記スロット線路上での電圧最大点の位置、若しくはその近傍としたことを特徴とする高周波回路。
【請求項２】
誘電体基板の一方の面にスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成される高周波回路であって、
前記スロット線路は開放端となっており、
前記スロット線路と前記マイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、前記開放端を除いて、前記開放端から１／８波長以下の位置としたことを特徴とする高周波回路。
【請求項３】
誘電体基板の一方の面にスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成される高周波回路であって、
前記スロット線路は開放端となっており、
前記スロット線路と前記マイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、前記開放端を除いて、前記開放端から１／１６波長の位置、若しくはその近傍としたことを特徴とする高周波回路。
【請求項４】
スロット線路とマイクロストリップ線路との配線結合に、電磁結合を用いたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の高周波回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波、ミリ波帯の信号を結合する高周波回路に係り、特に、広帯域に対応できる高周波回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、線路間の強い結合を構成するには、開放端で電磁界の放射があるため、当該開放端で結合させるか、あるいは、スタブ等を線路に加えることで電圧最大点を構成するようにしている。
【０００３】
スタブとは、高周波回路において、端部の短絡した１／４波長より短い伝送路、あるいは、端部が開放端になっている１／４波長より短い伝送路は、容量性の負荷にみえるものである。アンテナとの整合をとる場合に用いられる。
【０００４】
従来の第１の高周波回路について図３を参照しながら説明する。図３は、従来の第１の高周波回路の平面説明図である。
従来の第１の高周波回路は、図３に示すように、誘電体基板の裏面にスロット線路１を形成し、基板表面にスロット線路１の開放端で当該スロット線路１に直交してマイクロストリップ線路２を形成し、当該開放端を配線結合位置３として結合させるものである。
【０００５】
また、従来の第２の高周波回路について図４を参照しながら説明する。図４は、従来の第２の高周波回路の平面説明図である。
従来の第２の高周波回路は、電圧最大点で結合させるためにスタブを用いたものであり、図４に示すように、誘電体基板の裏面にスロット線路１を形成し、基板表面にスロット線路１に直交してマイクロストリップ線路２を形成し、直交する部分を配線結合位置３として結合させ、更に直交部分から基板端に向けて距離Ｌ２のスタブ線路４を形成し、基板端の内側でスタブ線路４の端部を短絡端としたものである。
【０００６】
上記距離Ｌ２の位置とは、短絡させた端部からλ（波長）／４長の長さにすると、スロット線路１における電圧最大点を構成できるようになっている。
【０００７】
尚、関連する先行技術として、特開平１１−３４０３７０号公報（特許文献１）、特開２００４−１８７２８１号公報（特許文献２）がある。
【０００８】
特許文献１、特許文献２には、スロット線路を介してマイクロストリップ線路同士を電磁接合する高周波モジュールが示されている。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−３４０３７０号公報
【特許文献２】特開２００４−１８７２８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記従来の第１の高周波回路では、開放端を利用した構成であるため、基板端にマイクロストリップ線路を形成することになって基板端で結合線路をうまく配置できないという問題点があった。
また、開放端は、放射などの影響を受けて、必ずしも電圧最大点になっているとは限らないものである。
【００１１】
また、上記従来の第２の高周波回路では、スタブを形成するため、回路構成が複雑となり、回路面積が大きくなってしまうという問題点があった。
また、スタブの長さで電圧最大点が決まるため、狭帯域の伝送回路になってしまうという問題点があった。つまり、周波数が２倍になると電圧最大点が電圧最小点（ゼロ点）になってしまう。
【００１２】
尚、特許文献１，２では、スロット線路の開放端に対して、電圧最大点を考慮したマイクロストリップ線路との電磁結合を行うための構成となっていないものである。
【００１３】
本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、スロット線路の開放端に対して電圧最大点を考慮し、構成が簡易で伝送特性を向上させ、広帯域に対応できる高周波回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、誘電体基板の一方の面にスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成される高周波回路であって、スロット線路は開放端となっており、スロット線路とマイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、開放端を除いて、スロット線路上での電圧最大点の位置、若しくはその近傍としたことを特徴とする。
【００１５】
本発明は、誘電体基板の一方の面にスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成される高周波回路であって、スロット線路は開放端となっており、スロット線路とマイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、開放端を除いて、開放端から１／８波長以下の位置としたことを特徴とする。
【００１６】
本発明は、誘電体基板の一方の面にスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成される高周波回路であって、スロット線路は開放端となっており、スロット線路とマイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、開放端を除いて、開放端から１／１６波長の位置、若しくはその近傍としたことを特徴とする。
【００１７】
本発明は、上記高周波回路において、スロット線路とマイクロストリップ線路との配線結合に、電磁結合を用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、誘電体基板の一方の面にスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成される高周波回路であって、スロット線路は開放端となっており、スロット線路とマイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、開放端を除いて、スロット線路上での電圧最大点の位置、若しくはその近傍としたものであり、構成が簡易で伝送特性を向上させ、広帯域に対応できる効果がある。
【００１９】
本発明によれば、誘電体基板の一方の面にスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成される高周波回路であって、スロット線路は開放端となっており、スロット線路とマイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、開放端を除いて、開放端から１／８波長以下の位置としたものであり、構成が簡易で伝送特性を向上させ、広帯域に対応できる効果がある。
【００２０】
本発明によれば、誘電体基板の一方の面にスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成される高周波回路であって、スロット線路は開放端となっており、スロット線路とマイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、開放端を除いて、開放端から１／１６波長の位置、若しくはその近傍としたものであり、構成が簡易で伝送特性を向上させ、広帯域に対応できる効果がある。
【００２１】
本発明によれば、スロット線路とマイクロストリップ線路との配線結合に、電磁結合を用いた上記高周波回路としているので、回路構成を簡易にできる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
本発明に係る高周波回路は、誘電体基板の一方の面に開放端のスロット線路、他方の面に直交するマイクロストリップ線路が形成され、スロット線路とマイクロストリップ線路が交差する配線結合位置を、開放端を除いて、スロット線路上での電圧最大点の位置、若しくはその近傍としたものであり、構成が簡易で伝送特性を向上させ、広帯域に対応できるものである。
【００２３】
また、上記配線結合位置を、開放端を除いて、開放端から１／８波長以下の位置としたものであり、あるいは、開放端を除いて、開放端から１／１６波長の位置、若しくはその近傍としたものであり、構成が簡易で伝送特性を向上させ、広帯域に対応できるものである。
【００２４】
本発明の実施の形態に係る高周波回路について説明する前に、本発明の原理について図１を参照しながら説明する。図１は、基板上における開放端のスロット線路に対する電界分布を示す概略図である。
図１において、点Ａがスロット線路１の開放端であるが、開放端は放射等の影響で電圧最大点になっていない。
【００２５】
開放端から基板内側のスロット線路１上の点Ｂが電圧最大点となっている。
本発明の実施の形態では、電圧最大点が開放端の点Ａではなく、基板内側の点Ｂにあることを考慮して、開放端より内側であって伝送効率が高い点で配線間結合が行われるようマイクロストリップ線路２を配置したものである。
【００２６】
図１の横方向の長さがλ（信号長）／４の長さであり、電圧最大点の位置は、開放端からλ／８の長さの間にある。
そして、マイクロストリップ線路２の配置が基板の端部に近すぎると、マイクロストリップ線路２の製造が困難になるため、製造の容易な場所をも考慮する必要がある。
【００２７】
従って、開放端は除いて、開放端からλ／８以下の位置が配線結合を行わせるのに望ましい位置となる。
図１では、電圧最大点Ｂの位置がλ／１６以下となっているので、配線結合位置は、開放端からλ／１６の付近が妥当である。
【００２８】
基板端近傍にマイクロストリップ線路を形成する配線加工技術に問題がなければ、図１における電圧最大点Ｂの位置を、配線結合位置とするのが最も伝送効率がよいものとなる。
【００２９】
本発明の実施の形態に係る高周波回路について図２を参照しながら説明する。図２は、本発明の実施の形態に係る高周波回路の平面説明図である。
本発明の実施の形態に係る高周波回路（本回路）は、図２に示すように、テフロン（登録商標）等の導電体基板の裏面に形成されたスロット線路１と、基板表面にスロット線路１の開放端から特定の距離Ｌ１の位置で当該スロット線路１に直交して形成されたマイクロストリップ線路２とを有し、スロット線路１とマイクロストリップ線路２の交差する部分を配線結合位置３として配線結合させるものとなっている。
【００３０】
そして、特定の距離Ｌ１は、図１で説明したように、開放端を除いて、開放端からλ／８以下の位置となる。尚、開放端からλ／１６以下の位置でもよいし、λ／１６付近でもよい。
更に、スロット線路１における電圧最大点の位置若しくは近傍を配線結合位置３としてもよい。
【００３１】
本回路によれば、スロット線路１における電圧最大点となる位置若しくは近傍にマイクロストリップ線路２との配線結合位置３として配線結合させるようにしているので、回路伝送特性を向上させることができる効果がある。
【００３２】
具体的には、本回路では、開放端を除いて、開放端からλ／８以下の位置を配線結合位置３としており、信号の周波数が変動して波長λが変動したとしても、その変動を受けにくく、広帯域に対応できる効果がある。
【００３３】
また、本回路によれば、マイクロストリップ線路２を基板端に形成していないため、配線形成が容易であり、製造を容易にできる効果がある。
【００３４】
また、本回路によれば、誘電体基板の両面を利用して、一方の面にスロット線路、他方の面にマイクロストリップ線路を形成するようにしているため、回路を小型化できる効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、スロット線路の開放端に対して電圧最大点を考慮し、構成が簡易で伝送特性を向上させ、広帯域に対応できる高周波回路に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】基板上における開放端のスロット線路に対する電界分布を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る高周波回路の平面説明図である。
【図３】従来の第１の高周波回路の平面説明図である。
【図４】従来の第２の高周波回路の平面説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…スロット線路、  ２…マイクロストリップ線路、  ３…配線結合位置、  ４…スタブ線路
【図１】
2008085749.tif 000003
【図２】
2008085749.tif 000004
【図３】
2008085749.tif 000005
【図４】
2008085749.tif 000006