(57)【要約】【課題】歩留まり良く、簡単且つ安価にレチクルを製造する。【解決手段】透明基板と、この透明基板を透過する光に対する遮光マスクパターンとを備えたレチクルの製造方法であって、透明基板上に無機レジスト層を形成する工程と、この無機レジスト層に、前記遮光マスクパターンのパターン形状に応じて光ビームを選択的に照射して、光ビームの照射部分の少なくとも一部の相状態を変化させる工程と、前記無機レジスト層に対してエッチング処理を行って、光ビームの照射による相状態の変化部分または未変化部分を選択的に除去し、残留したレジスト層により遮光マスクパターンを形成する工程を有する。【選択図】図１
2008256838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、該透明基板を透過する光に対する遮光マスクパターンとを備えたレチクルの製造方法であって、
前記透明基板上に無機材料からなるレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に、前記遮光マスクパターンのパターン形状に応じて光ビームを選択的に照射して、該光ビームの照射部分の少なくとも一部の相状態を変化させる工程と、
前記レジスト層に対してエッチング処理を行って、前記光ビームの照射による相状態の変化部分または未変化部分を選択的に除去し、残留したレジスト層により前記遮光マスクパターンを形成する工程とを有するレチクルの製造方法。
【請求項２】
前記無機材料は、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化テルルのいずれかを含む請求項１に記載のレチクルの製造方法。
【請求項３】
前記遮光マスクパターンは、２５０ｎｍ以下の波長を持つ光を透過しない請求項１又は２に記載のレチクルの製造方法。
【請求項４】
透明基板と、該透明基板を透過する光に対する遮光マスクパターンとを備えたレチクルであって
前記遮光マスクパターンは、光ビームの照射により相状態が変化し、この相状態の変化に応じてエッチングレートが変化する無機材料から形成されたレチクル。
【請求項５】
前記無機材料は、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化テルルのいずれかを含む請求項４に記載のレチクル。
【請求項６】
前記遮光マスクパターンは、２５０ｎｍ以下の波長を持つ光を透過しない請求項４又は５に記載のレチクル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レチクル及びレチクルの製造方法に関し、詳しくは、半導体デバイス（ＣＰＵ、ＤＲＡＭ等）、撮像素子（ＣＣＤ等）等の各種デバイスの製造におけるリソグラフィー工程に使用されるレチクル（マスク）及びレチクルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、半導体回路や素子パターンをウェハに転写するためのレチクル（マスク）の作製技術の重要性が高まっている。レチクルの作製に際しては、さらなる微細加工技術が要求されている。
【０００３】
以下、従来のレチクルの作製方法について説明する。
【０００４】
第１の作製方法としては、透明基板上に遮光金属層を形成し、この遮光金属層をリソグラフィー技術とエッチング技術によってパターニングすることで、レチクルを作製している。
【０００５】
まず、石英ガラス基板３１上に遮光金属層３２を形成する（図３（ａ））。次に、この遮光金属層３２上に感光レジストを塗布してレジスト層３３を形成し、次いでプリベークを行う（図３（ｂ））。次に、このレジスト層３３に電子ビーム３４を照射し、次いでポストベークを行う（図３（ｃ））。続いて、現像を行うことでレジスト層３３からなる所定のパターンを得る（図３（ｄ））。次に、前記パターニングされたレジスト層３３をマスクとしてエッチングを行い、レジスト層３３に覆われていない部分の遮光金属層３２を除去する（図３（ｅ））。さらに、残存するレジスト層３３を除去し、遮光金属層３２からなる所定のパターンを得る（図３（ｆ））。以上の工程により、レチクルが作製される。
【０００６】
上述したような従来方法は、レジスト層への電子ビームでの露光・現像、遮光金属層のエッチング、レジスト層の除去、といった多くの煩雑な工程を実施する必要がある。また、レジストの欠陥やレジストの残留は、そのまま遮光金属パターンの欠陥に繋がり、レチクル作製の歩留まりが低下するという問題が発生する。さらに、電子ビーム描画装置が高価であり設備費が高く、また、露光に要する時間が非常に長いという問題もある。
【０００７】
第２のレチクル作製方法として、特許文献１には、レジストレスのパターニング方法が開示されている。
【０００８】
まず、透明基板４１上にクロムまたは酸化クロムからなる遮光金属層４２を形成する（図４（ａ））。次に、遮光金属層４２を酸素プラズマ雰囲気４５中に暴露し（図４（ｂ））、その後、レーザービーム４４を照射する（図４（ｃ））する。これにより、遮光金属層４２の表面に耐腐食性膜４７が形成される（図４（ｄ））。次に、この耐腐食性膜４７が形成された遮光金属層４２を有する透明基板を、遮光金属層が腐食する腐食液（例えば硝酸第二セリウム系の溶液）に浸漬することで、耐腐食性膜４７が形成されている部分以外の遮光金属層を選択的に除去する（図４（ｅ））。さらに、不要になった耐腐食性膜４７を、硫酸などの除去液を用いて除去する（図４（ｆ））。以上の工程により、レチクルが作製される。
【０００９】
上述したような方法は、レジストレスではあるが、その代わりとして酸素プラズマ雰囲気中に暴露することで耐腐食性膜を形成し、最後に耐腐食性膜を除去するという煩雑な工程を実施することが必要となる。このような耐腐食性膜を利用するレチクル作製方法は、レジストを利用する前述の第１の作製方法と同様、歩留まりが低下するという問題が発生する。
【特許文献１】特開昭５８−１８２２３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述したように、従来のレチクルの製造方法では、煩雑な工程が多いため歩留まりが低下するという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたもので、その目的は、歩留まり良く、簡単且つ安価に製造できるレチクル、及びレチクルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、透明基板と、該透明基板を透過する光に対する遮光マスクパターンとを備えたレチクルの製造方法であって、前記透明基板上に無機材料からなるレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に、前記遮光マスクパターンのパターン形状に応じて光ビームを選択的に照射して、該光ビームの照射部分の少なくとも一部の相状態を変化させる工程と、前記レジスト層に対してエッチング処理を行って、前記光ビームの照射による相状態の変化部分または未変化部分を選択的に除去し、残留したレジスト層により前記遮光マスクパターンを形成する工程とを有するレチクルの製造方法が提供される。
【００１３】
また本発明によれば、透明基板と、該透明基板を透過する光に対する遮光マスクパターンとを備えたレチクルであって前記遮光マスクパターンは、光ビームの照射により相状態が変化し、この相状態の変化に応じてエッチングレートが変化する無機材料から形成されたレチクルが提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、歩留まり良く、簡単且つ安価にレチクルを作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１を用いて本発明の好適な実施の形態を説明する。図１は、本発明によるレチクルの製造方法の一実施形態を説明するための模式的断面図である。
【００１６】
まず、図１（ａ）に示すように、透明基板１１上に、最終的に遮光マスクパターンとなる、無機材料からなるレジスト（無機レジスト）層１２を形成する。
【００１７】
透明基板１１としては、本製造方法で得られるレチクルを用いてパターンを露光転写する際に使用する露光光を透過する材料、例えば石英や、蛍石（ＣａＦ２）等の光学材料から形成されたガラス基板を用いることができる。
【００１８】
無機レジストとしては、タングステン（Ｗ）の酸化物（酸化タングステン）、モリブデン（Ｍｏ）の酸化物（酸化モリブデン）、テルル（Ｔｅ）の酸化物（酸化テルル）のいずれかを含む材料を用いることができる。より好ましい材料として、化学量論組成から酸素が欠損した組成の酸化タングステン（ＷＯ）、モリブデンが添加された酸化タングステン（ＷＭｏＯ）、または化学量論組成から酸素が欠損した組成の酸化モリブデン（ＭｏＯ）を用いることができる。ここで、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む無機レジストは成膜条件を調整することで、ポジ型とネガ型の両方のレジストとして機能させることができる。また、ＴｅＯ2よりもアルカリへの溶解性の低い安定化物質を含むテルルの酸化物を用いることができる。この安定化物質は、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂｉおよびこれら元素の化合物で構成されるグループから選ばれる少なくとも一つを用いることができる。
【００１９】
無機レジスト層は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの周知の方法を用いて形成することができる。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、無機レジスト層１２に光ビーム１３を照射し、この光ビームにより供与される熱により、照射部の少なくとも一部を選択的に変質させる。この変質とは、相状態の変化を示す。相状態とは、例えば、結晶状態、非晶質状態、非晶質状態から結晶性が増して結晶状態へ遷移している過程の遷移状態、または異なる結晶状態が混ざった状態、等が含まれる。非晶質状態には、密度が異なる相状態が混ざった状態が含まれる。相状態の変化には、非晶質状態から結晶状態への変化、結晶状態から非晶質状態への変化、非晶質状態あるいは結晶状態における結晶性の変化、非晶質状態における密度の変化が含まれる。
【００２１】
光ビームを照射する際、光ビームの照射条件（パワー、照射速度、集光条件など）を調整して無機レジストの相状態を変えることができる。
【００２２】
光ビームの照射においては、例えば、半導体レーザーや、アルゴンレーザー等の気体レーザー、ＹＡＧレーザー（固体レーザー）等の高調波発生装置を使用できる。通常、集光スポットの直径ｄは、光ビームの波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、ｄ＝０．６λ／ＮＡで与えられる。例えば、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５の光学系を用いても集光スポットは約３００ｎｍ程度となってしまう。しかし、本発明における無機レジストは、光ビームにより供与される熱により変質させるため、光ビームの集光スポット内の、無機レジスト材料が変質する温度に達した領域のみを選択的に変質させることができる。すなわち、本発明によれば、長波長の光ビームを用いても、そのスポットサイズ以下の微細なパターニングが可能になる。本発明に用いられる光ビームは、波長が１９３ｎｍ〜５１５ｎｍの範囲にあるものを好適に用いることができ、波長が２４０ｎｍ〜４０５ｎｍの範囲にあるものをより好適に用いることができる。
【００２３】
続いて、図１（ｃ）に示すように、光ビーム照射による変質部（相状態の変化部分）または未変質部（相状態の未変化部分）を選択的にエッチングして除去することで無機レジスト層１２からなる所定のパターンを得る。
【００２４】
本発明における無機レジストは、光ビーム照射による変質部と未変質部とで、ウェットエッチングまたはドライエッチングに対するエッチングレートが異なる。ウェットエッチングでは、例えば、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ、ＮａＯＨ等のアルカリ溶液等を用いることができる。ドライエッチングでは、例えばＣＦ4、ＣＦ3、Ａｒ等のガスを用いることができる。これらのエッチングは、無機レジストの変質部と未変質物との間でエッチングレート差が得られるものであれば特に制限されない。光ビーム照射後の無機レジストの変質部と未変質部とのエッチングレート比（高エッチングレート／低エッチングレート）は２．５以上であることが望ましい。無機レジスト材料としては、光ビーム照射による変質部と未変質部とで、例えばＴＭＡＨの０．５質量％溶液に対する前記エッチングレート比が２．５以上にできるものを好適に用いることができる。
【００２５】
エッチング後の無機レジスト層の残留部が、レチクル使用時の露光波長の光に対して透明基板１１より低い光透過率を示す。よって、無機レジスト層の厚さを調整することで、レチクル使用時の露光波長の光に対する残留部の透過率を０％にすることが可能である。また、無機レジスト残留部の透過率は、無機レジストの組成を変えることによっても調整することができる。エッチング後の無機レジスト残留部の膜厚は、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。この無機レジスト残留部の厚みが薄すぎると、組成によっては、レチクル使用時の露光波長において十分な遮光性が得られない可能性が生じる。また、成膜条件やエッチング条件によってはピンホール等の欠陥が発生する可能性が生じる。このような問題が生じなければ、５０ｎｍより薄い膜厚にしてもよい。この無機レジスト残留部の厚みが厚すぎると、エッチング時間が長くなり、良好なパターンが得られない可能性が生じる。このような問題が生じなければ、１５０ｎｍより厚い膜厚にしてもよい。
【００２６】
本発明によれば、２５０ｎｍ以下の波長を持つ光を透過しない遮光マスクパターンを備えたレチクルを提供できる。
【００２７】
また、本発明によれば、無機レジストの形成、光ビームを用いたパターニング、およびエッチング、という簡単なプロセスで安価に、歩留まり良くレチクルを作製することができる。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明によるレチクル及びその製造方法を、実施例を挙げて説明するが、これらの実施例の構成に限定するものではない。
【００２９】
（実施例１）
本実施例では、タングステン（Ｗ）の酸化物からなる無機レジストを用いる例を説明する。
【００３０】
まず、図１（ａ）に示すように、洗浄済み石英基板１１上に、無機レジスト層１２を形成する。ＷターゲットをＡｒガス５０ｓｃｃｍ（standard cm3/min）とＯ2ガス１０ｓｃｃｍ（standard cm3/min）の雰囲気中でスパッタリングすることで無機レジスト層１２を形成した。この無機レジスト層は、現像後に残留レジスト部分の厚さが１５０ｎｍとなるような厚さとした。本実施例の無機レジストはポジ型として機能する。ここで、極微電子線回折測定を行ったところ、成膜後の無機レジストは非晶質状態であることが分かった。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、形成すべき転写用パターン（遮光マスクパターン）に対応して、無機レジスト層１２に光ビーム１３を照射して、無機レジスト層のパターニングを行った。
【００３２】
図２は、本発明に適用できる光ビーム照射パターニング装置の一例を示す模式図である。図２は、パターニング前レチクル１０の基板表面に対する垂直方向に沿った模式的断面図であり、紙面に垂直な方向をＹ軸、紙面に平行かつ基板表面に垂直な方向をＺ軸、紙面および基板表面に平行かつＹ軸に垂直な方向をＸ軸とする。この光ビーム照射パターニング装置は、レチクルの位置を制御するステージ装置２７、及び光ビーム照射を行う光ビーム照射部２８からなる。
【００３３】
このステージ装置２７のテーブル２１上に、パターニング前レチクル１０をマスクホルダー（不図示）を介して真空吸着によって保持する。テーブル２１は、Ｚ方向の位置を制御するためのＺステージ２２上に固定する。Ｚステージ２２は、ＸＹ方向の位置を制御するためのＸＹステージ２３上に固定する。ＸＹステージ２３は、ＸＹ平面上を平滑にＸ方向およびＹ方向に移動できるように例えばエアベアリングを介して定盤２４上に搭載される。ＸＹステージ２３は、リニアモーター等の駆動機構（不図示）を用いて駆動する。テーブル２１のＸ位置およびＹ位置は、レーザー干渉計（不図示）等によって１ｎｍ程度の分解能で計測する。このようなステージの駆動系は、コンピューターを用いて制御する。
【００３４】
光ビーム照射部２８は、パターニング前レチクル１０に対してステージ装置２７の上方に配置する。この光ビーム照射部２８は、光ビーム照射装置２５と、この光ビーム照射装置２５から照射された光ビーム１３をレチクル表面（無機レジスト層１２）に集光させる凸レンズ等からなる集光光学系２６から構成される。本実施例ではＮＡ０．８５の凸レンズを用い、光ビームの光源として波長が４０５ｎｍの半導体レーザーを用いた。光ビーム照射部２８は、集光光学系２６の駆動系（不図示）、及び集光光学系２６から照射される検出光をレジスト層にフォーカスさせるためのフォーカス制御系（不図示）を備えている。このフォーカス制御系からの信号に基づいて、常に光ビームが無機レジスト層に集光されるように駆動系が制御される。
【００３５】
以上のように構成された光ビーム照射パターニング装置を用いて、次のように、形成すべき転写用パターンに対応して、無機レジスト層１２に光ビーム１３を照射して、パターニングを行うことができる。
【００３６】
まず、パターニング前レチクル１０をテーブル２１上に保持した後、光ビーム１３の集光スポットが無機レジスト層上でパターンの始点に位置するように、Ｚステージ２２及びＸＹステージ２３を用いてテーブル２１を移動する。次に、無機レジスト層上に光ビーム１３を集光させ、同時に転写用パターンに対応してＸＹステージを移動させる。ここで本実施例では、光ビームはＤＣ照射し、パワーは５ｍＷとし、ステージ移動の速さは４．９１ｍ／ｓとした。光ビームの集光スポットがパターンの終点に達した時点で、光ビーム照射装置をオフにする。この操作を繰り返し、パターニングを完成する。本実施例においては、ＤＣ照射を例に説明したが、パターン形状の最適化のためにパルス照射光を用いてもよい。ここで、ＴＥＭ（透過型電子線顕微鏡）測定、及び極微電子線回折測定を行ったところ、無機レジスト層の光ビーム照射部に、非晶質状態であるが成膜後光ビーム照射前と比べて密度が低くなっている領域が形成されていることが分かった。
【００３７】
次に、無機レジスト層に対してエッチング処理を行った。アルカリ現像液を用いて光ビーム照射部のレジストを除去し、残留部のレジストの厚さが１５０ｎｍになるようにエッチングを行った。アルカリの現像液としては、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：水酸化テトラメチルアンモニウム）の０．５％溶液を用いた。
【００３８】
エッチング後、純水で洗浄を行い乾燥することで、レジスト層の残留部分による転写用パターンが形成されたレチクルを得た。残留レジスト部の断面形状を観察したところ、線幅が８０ｎｍ、厚さ１５０ｎｍの矩形性の良い転写用パターンが形成されていた。
【００３９】
レジスト残留部は、２５０ｎｍ以下の波長光を透過しないため、半導体露光に用いられる１９３ｎｍの波長の光に対してマスクとして機能することができる。本実施例のレチクルを用いた半導体露光において、良好な転写パターンが得られた。
【００４０】
このように、本発明によれば、無機材料の形成、光ビームを用いたパターニング、およびエッチング、という簡単な工程で安価にレチクルを作製することができる。
【００４１】
（実施例２）
本実施例では、光ビームの照射パワーを４．５ｍＷとした以外は実施例１と同様にしてレチクルを作製した。
【００４２】
本実施例では、残留レジスト部分により線幅が７０ｎｍ、厚さ１５０ｎｍの矩形性の良い、転写用パターンが形成されたレチクルを得た。
【００４３】
本発明における無機材料からなるレジストは、光ビームにより供与される熱により変質させるため、光ビームの集光スポット内において無機材料が変質する温度に達した領域のみを選択的に変質させることができる。よって、本実施例のように、光ビームの照射条件を調整することによってパターニングで得られる線幅を変えることが可能である。
【００４４】
（実施例３）
本実施例では、洗浄済みの石英基板上に、ＷターゲットをＡｒガス１５ｓｃｃｍ（standard cm3/min）とＯ2ガス１０ｓｃｃｍ（standard cm3/min）の雰囲気中でスパッタリングすることで無機レジスト層１２を形成した。この無機レジスト層は、現像後に残留レジスト部分の厚さが５０ｎｍとなるような厚さとした。本実施例の無機レジストはネガ型として機能する。ここで、極微電子線回折測定を行ったところ、成膜後の無機レジストは非晶質状態であることが分かった。
【００４５】
次に、実施例１で説明した光ビーム照射パターニング装置を用いて、形成すべき転写用パターンに対応して、無機レジスト層に光ビームを照射して、無機レジスト層のパターニングを行った。本実施例では、集光光学系としてＮＡ０．９の凸レンズを用い、光ビームの光源として３５１ｎｍのＡｒレーザーを用いた。また、本実施例では、光ビームはＤＣ照射し、パワーは３．２ｍＷとし、ステージ移動の速さは１ｍ／ｓとした。
【００４６】
上述の他は、実施例１と同様にして無機レジスト層をパターニングした。ここで極微電子線回折測定を行ったところ、光ビーム照射部の無機レジストは結晶性があることが分かった。
【００４７】
次に、無機レジスト層に対してエッチング処理を行った。本実施例の無機レジストは、光ビーム非照射部のレジストが除去され、ネガ型のレジストとして機能する。残留部のレジストの厚さが５０ｎｍになるようにエッチングを行った以外は実施例１と同様に現像を行った。残留レジスト部分による線幅が７０ｎｍ、厚さ５０ｎｍの転写用パターンが形成されたレチクルを得た。
【００４８】
レジスト残留部は、２５０ｎｍ以下の波長光を透過しないため、半導体露光に用いられる１９３ｎｍの波長の光に対してマスクとして機能することができる。
【００４９】
（実施例４）
本実施例では、ドライエッチングによって無機レジスト層をエッチングした以外は、実施例３と同様にしてレチクルを作製した。
【００５０】
ドライエッチングは、ＣＦ4ガスプラズマ中で行った。本実施例の無機レジスト層は、このドライエッチングにおいて、光ビーム非照射部（未変化領域）がエッチングされるネガ型として機能する。無機レジスト層の未変化領域が除去され、残留部の厚さが５０ｎｍになるまでエッチングを行うことで、残留レジスト部分による線幅が７０ｎｍ、厚さ５０ｎｍの転写用パターンが形成されたレチクルを得た。
【００５１】
（実施例５）
本実施例では、モリブデン（Ｍｏ）の酸化物からなる無機レジストを用いる例を説明する。
【００５２】
まず、洗浄済みの石英基板上に、ＭｏターゲットをＡｒガス５０ｓｃｃｍ（standard cm3/min）とＯ2ガス１０ｓｃｃｍ（standard cm3/min）の雰囲気中でスパッタリングすることで無機レジスト層を形成した。この無機レジスト層は、現像後に残留レジスト部分の厚さが１００ｎｍとなるような厚さとした。本実施例の無機レジストはポジ型として機能する。
【００５３】
以降、光ビームの照射パワーを０．８ｍＷとし、残留部のレジストの厚さが１００ｎｍになるようにエッチングした以外は、実施例３と同様の装置及び手順でレチクルを作製した。無機レジスト層の光ビーム照射部が除去され、残留レジスト部分による線幅が７０ｎｍ、厚さ１００ｎｍの転写用パターンが形成されたレチクルを得た。ＴＥＭ（透過型電子線顕微鏡）測定、及び極微電子線回折測定を行ったところ、成膜後の光ビーム照射前のレジストは非晶質状態であり、無機レジスト層の光ビーム照射部に、非晶質状態であるが成膜後光ビーム照射前と比べて密度が低くなっている領域が形成されていることが分かった。
【００５４】
レジスト残留部は、２５０ｎｍ以下の波長光を透過しないため、半導体露光に用いられる１９３ｎｍの波長の光に対してマスクとして機能することができる。
【００５５】
（実施例６）
本実施例では、テルル（Ｔｅ）の酸化物を含み、さらにＴｅＯ2よりもアルカリへの溶解性の低い安定化物質としてパラジウム（Ｐｄ）を含む無機レジストを用いる例を説明する。本実施例の無機レジストはポジ型として機能する。
【００５６】
まず、洗浄済みの石英基板上に、ＴｅとＰｄが７４対２６の比率（原子数比）で混合されたターゲットを、ＡｒガスとＯ2ガスの混合雰囲気中でスパッタリングすることでＴｅＯXＰｄYレジスト層を形成した。本実施例のレジスト中の組成としては、Ｘ＝１．０で、Ｙ＝０．３５（原子数比：Ｐｄ／Ｔｅ＝２６／７４）とした。このレジスト層は、現像後に残留レジスト部分の厚さが１００ｎｍとなるような厚さとした。
【００５７】
光ビームの照射パワーを１．５ｍＷとし、残留部のレジストの厚さが１００ｎｍになるようにエッチングした以外は、実施例３と同様の装置及び手順でレチクルを作製した。無機レジスト層の光ビーム照射部が除去され、残留レジスト部分による線幅が７０ｎｍ、厚さ１００ｎｍの転写用パターンが形成されたレチクルを得た。極微電子線回折測定を行ったところ、成膜後の光ビーム照射前の無機レジストは非晶質状態であり、光ビーム照射部の無機レジストは結晶性があることが分かった。
【００５８】
レジスト残留部は、２５０ｎｍ以下の波長光を透過しないため、半導体露光に用いられる１９３ｎｍの波長の光に対してマスクとして機能することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明によるレチクルの製造方法の一実施形態を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明に適用できる光ビーム照射パターニング装置の一例を示す模式図である。
【図３】従来のレチクルの製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図４】従来のレジストレスのパターニング方法を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０  パターニング前レチクル
１１  透明基板
１２  無機レジスト層
１３  光ビーム
２１  テーブル
２２  Ｚステージ
２３  ＸＹステージ
２４  定盤
２５  光ビーム照射装置
２６  集光光学系
２７  ステージ装置
２８  光ビーム照射部
３１  石英ガラス基板
３２  遮光金属層
３３  レジスト層
３４  電子ビーム
４１  透明基板
４２  遮光金属層
４５  酸素プラズマ雰囲気
４７  耐腐食性膜
【図１】
2008256838.tif 000003
【図２】
2008256838.tif 000004
【図３】
2008256838.tif 000005
【図４】
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