(57)【要約】【課題】異種セルタイプを支援する不揮発性メモリにおいて、各セルタイプのメモリ領域に含まれる物理アドレスの特性を考慮して論理アドレスを物理アドレスにマッピングすることによって、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリの性能を向上できる異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング情報管理装置および方法を提供する。【解決手段】ユーザが所定の論理アドレスを用いて所定演算を要請するユーザ要請部と、異種のセルタイプを有する複数のメモリ領域を含む不揮発性メモリと、前記演算要請に用いられた論理アドレスによって前記複数のメモリ領域のうちの前記論理アドレスにマッピングされた物理アドレスを判断するマッピング管理部とを含む。【選択図】図２
2008084317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザが所定の論理アドレスを用いて所定演算を要請するユーザ要請部と、
異種のセルタイプを有する複数のメモリ領域を含む不揮発性メモリと、
前記演算要請に用いられた論理アドレスによって前記複数のメモリ領域のうちの前記論理アドレスにマッピングされた物理アドレスを判断するマッピング管理部とを含む、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置。
【請求項２】
前記不揮発性メモリは、第１セルタイプの第１メモリ領域と、
第２セルタイプ領域の第２メモリ領域とを含む、請求項１に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置。
【請求項３】
前記第１メモリ領域は、ＳＬＣタイプであり、
前記第２メモリ領域は、ＭＬＣタイプからなる、請求項２に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置。
【請求項４】
前記ユーザが用いる論理アドレスは、第１論理アドレス領域および第２論理アドレス領域に分けられ、
前記マッピング管理部は、前記第１論理アドレス領域および前記第２論理アドレス領域に含まれる論理アドレスが各々前記第１メモリ領域および前記第２メモリ領域に含まれる物理アドレスにマッピングする、請求項２に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置。
【請求項５】
前記マッピング管理部は、前記ユーザ要請部を介して周知のアクセスパターンに応じて前記論理アドレスにマッピングされる物理アドレスが含まれるメモリ領域を判断する、請求項２に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置。
【請求項６】
前記第１メモリ領域に格納されるデータは、前記第２メモリ領域に格納されるデータに比べて頻繁なアップデートが行われる、請求項２に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置。
【請求項７】
前記マッピング管理部は、前記第１メモリ領域に含まれる物理アドレスが前記第１論理アドレス領域に含まれる論理アドレスより多い場合、前記第１メモリ領域に残る物理アドレスは、前記第２論理アドレス領域に含まれる論理アドレスにマッピングする、請求項４に記載の  異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置。
【請求項８】
前記マッピング管理部は、前記第１メモリ領域に含まれる物理アドレスが前記第１論理アドレス領域に含まれる論理アドレスより少ない場合、前記第１論理アドレス領域に残る論理アドレスは、前記第２メモリ領域に含まれる物理アドレスにマッピングする、請求項４に記載の異種セルを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置。
【請求項９】
ユーザが所定の論理アドレスを用いて所定演算を要請するステップと、
前記用いられた論理アドレスが含まれる論理アドレス領域を判断するステップと、
異種のセルタイプを有する複数のメモリ領域を含む不揮発性メモリにおいて、前記用いられた論理アドレスにマッピングされる物理アドレスを判断するステップとを含む、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリは、第１セルタイプの第１メモリ領域と、
第２セルタイプ領域の第２メモリ領域を含む、請求項９に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法。
【請求項１１】
前記第１メモリ領域は、ＳＬＣタイプであり、
前記第２メモリ領域は、ＭＬＣタイプからなる、請求項１０に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法。
【請求項１２】
前記ユーザが用いる論理アドレスは、第１論理アドレス領域および第２論理アドレス領域に分けられ、
前記マッピングされる物理アドレスを判断するステップは、前記第１論理アドレス領域および前記第２論理アドレス領域に含まれる論理アドレスを各々前記第１メモリ領域および前記第２メモリ領域に含まれる物理アドレスにマッピングするステップを含む、請求項１０に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法。
【請求項１３】
前記マッピングされる物理アドレスを判断するステップは、前記演算要請時周知のパターンに応じて前記論理アドレスにマッピングされる物理アドレスが含まれるメモリ領域を判断するステップを含む、請求項１０に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法。
【請求項１４】
前記第１メモリ領域に格納されるデータは、前記第２メモリ領域に格納されるデータに比べて頻繁なアップデートが行われる、請求項１０に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法。
【請求項１５】
前記マッピングされる物理アドレスを判断するステップは、前記第１メモリ領域に含まれる物理アドレスが前記第１論理アドレス領域に含まれる論理アドレスより多い場合、残る物理アドレスは前記第２論理アドレス領域に含まれる論理アドレスにマッピングするステップを含む、請求項１２に記載の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法。
【請求項１６】
前記マッピングされる物理アドレスを判断するステップは、前記第１メモリ領域に含まれる物理アドレスが前記第１論理アドレス領域に含まれる論理アドレスより少ない場合、前記第１論理アドレス領域に残る物理アドレスは、前記第２メモリ領域に含まれる物理アドレスにマッピングするステップを含む、請求項１２に記載の異種セルタイプ異種ベルを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置および方法に関し、より詳しくは、単位セルが表わすことのできるビット数が互いに異なる異種セルタイプを支援する不揮発性メモリにおいて論理アドレスを物理アドレスにマッピングできる異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置および方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、家電機器、通信機器、セットトップボックスなどの埋め込み型システム（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ｓｙｓｔｅｍ）ではデータを格納して処理するための格納媒体として不揮発性メモリが多く用いられている。
【０００３】
不揮発性メモリのうち主に用いられるフラッシュメモリは、電気的にデータを削除したり再び記録したりできる不揮発性記憶素子であって、マグネチックディスクメモリに基づいた格納媒体に比べて電力消耗が少ないながらも、ハードディスクのような速いアクセスタイムを有し、大きさが小さいために携帯機器などに適している。
【０００４】
このようなフラッシュメモリは、ハードウェアの特性上、すでにデータが書き込まれたメモリセクタに書き込み演算を行うためにはそのセクタが含まれるブロック全体を削除する演算が先行しなければならない。このような書き込み前に削除する動作は、フラッシュメモリの性能低下の主要理由となり、これを解決するために論理アドレスと物理アドレスとの概念が導入された。言い換えれば、論理アドレスに対する読み取り／書き込み演算は、多様なマッピングアルゴリズムによって、フラッシュメモリの物理アドレスに対する読み取り／書き込み演算に変更されて演算が行われる。この時、論理アドレスは頻繁にアップデートされるメタデータなどを格納するための領域と、メタデータに比べて相対的に大きく、あまりアップデートされないユーザデータなどを格納する領域とを分けて用いられる特性を有する。
【０００５】
このようなフラッシュメモリは、ハードウェア的特性上、１つのセルが表わすことのできるビット数によりそのタイプが分れるようになる。例えば、１つのセルによって１つのビットを表わすことのできるタイプをＳＬＣ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）タイプと言い、１つのセルによって複数のビットを表わすことのできるタイプをＭＬＣ（Ｍｕｌｔｉ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）タイプという。この時、ＳＬＣタイプは、ＭＬＣタイプに比べて速い読み取り／書き込み性能を有し、ＮＯＰ（Ｎｕｍｂｅｒ  Ｏｆ  Ｐａｒｔｉａｌ  ｐｒｏｇｒａｍｍｉｍｇ）が大きい特徴を有し、同一の物理的大きさである場合、ＭＬＣタイプに比べて格納容量が少ない。
【０００６】
現在生産されている不揮発性メモリを有する装置は、単一種のセルタイプからのみ構成されているため、すべての物理アドレスが均等な性能と同一の物理的な特徴を有する。したがって、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリを有する装置を用いる場合には、論理アドレスを物理アドレスにマッピングさせる時、各セルタイプの物理アドレスに対する特性を考慮しないため性能を向上させるのに限界があるという問題点がある。
【０００７】
特許文献１では、ユーザ物理ブロックと消去物理ブロックを有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、データの量と物理ブロックの消去状態によってデータフローを変更する方法を開示しているが、未だ異種セルタイプを共に用いる不揮発性メモリにおけるマッピング方法は提案していない。
【特許文献１】日本公開特許第２００４−０６２３２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリにおいて、各セルタイプのメモリ領域に含まれる物理アドレスの特性を考慮して論理アドレスを物理アドレスにマッピングすることによって、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリの性能を向上できる異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング情報管理装置および方法を提供することにその目的がある。
【０００９】
本発明の目的は、以上で言及した目的に制限されず、言及していないまた他の目的は下記記載によって当業者が明確に理解できるものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明の一態様に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング情報管理装置は、ユーザが所定の論理アドレスを用いて所定演算を要請するユーザ要請部と、異種のセルタイプを有する複数のメモリ領域を含む不揮発性メモリと、前記演算要請に用いられた論理アドレスによって前記複数のメモリ領域のうちの前記論理アドレスにマッピングされた物理アドレスを判断するマッピング管理部とを含む。
【００１１】
また、前記目的を達成するために、本発明の他の態様に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法は、ユーザが所定の論理アドレスを用いて所定演算を要請するステップ、前記用いられた論理アドレスが含まれる論理アドレス領域を判断するステップ、および異種のセルタイプを有する複数のメモリ領域を含む不揮発性メモリにおいて、前記用いられた論理アドレスにマッピングされる物理アドレスを判断するステップを含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置および方法によれば、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリで各セルタイプにともなうメモリ領域に含まれる物理アドレスの特性を考慮して演算性能を向上させられる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
その他、実施形態の具体的な事項は、詳細な説明および図面に含まれている。
【００１４】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本発明は以下にて開示する実施形態に限定されず、互いに異なる多様な形態によって実施され、単に本実施形態は本発明の開示が完全なものとなるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであって、本発明は請求項の範疇によってのみ定義されるものである。明細書の全体に亘り、同一参照符号は同一構成要素を示す。
【００１５】
以下、本発明の実施形態によって、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング情報管理装置および方法を説明するためのブロック図または処理フローチャートに対する図面を参考にして、本発明について説明する。この時、処理フローチャートの各ブロックとフローチャートの組合せは、コンピュータプログラムインストラクションによって行われることが理解できる。これらコンピュータプログラムインストラクションは、汎用コンピュータ、特殊用コンピュータ、またはその他のプログラム可能なデータプロセシング装備のプロセッサに搭載することができるため、コンピュータまたはその他のプログラム可能なデータプロセシング装備のプロセッサを介して行われるそのインストラクションがフローチャートブロックで説明する機能を行う手段を生成するようになる。これらコンピュータプログラムインストラクションは、特定方式で機能を具現するために、コンピュータまたはその他のプログラム可能なデータプロセシング装備が備えられるコンピュータによって利用可能または読取可能なメモリに格納されることも可能であるため、そのコンピュータによって利用可能または読取可能なメモリに格納されたインストラクションは、フローチャートブロックで説明する機能を行うインストラクション手段を含む製造品目の生産に用いることも可能である。コンピュータプログラムインストラクションは、コンピュータまたはその他のプログラム可能なデータプロセシング装備上に搭載することも可能であるため、コンピュータまたはその他のプログラム可能なデータプロセシング装備上で一連の動作ステップが行われ、コンピュータで実行されるプロセスを生成して、コンピュータまたはその他のプログラム可能なデータプロセシング装備の機能を行うインストラクションはフローチャートブロックで説明する各ステップの機能を実行することも可能である。
【００１６】
また、各ブロックは、特定された論理的機能を実行するための１つ以上の実行可能なインストラクションを含むモジュール、セグメント、またはコードの一部を示すことができる。また、複数の代替実行例ではブロックで言及された機能が順序から外れて行われることも可能であることに注目しなければならない。例えば、連続して図示されている２つのブロックは、実質的に同時に行われることも可能で、またはそのブロックが時には該当機能により逆順に行われることも可能である。
【００１７】
一般的に異種セルタイプを支援する不揮発性メモリを有する装置を用いる場合には、論理アドレスを物理アドレスにマッピングさせる時、各セルタイプの物理アドレスに対する特性を考慮しないため、所定演算のために用いられた論理アドレスをセルタイプの区分なしに単一セルのセルタイプを支援する不揮発性メモリを有する装置のようなマッピングアルゴリズムを介してマッピングを行っている。
【００１８】
例えば、不揮発性メモリがＳＬＣタイプとＭＬＣタイプとを支援する場合、各セルタイプを区分せずに、図１のように所定演算のために用いられた論理アドレスを単一セルのセルタイプを支援する不揮発性メモリのようなマッピングアルゴリズムを用いるようになる。この時、マッピング単位は、セクタ、ページ、およびブロックなどであり得るが、これらに限定されない。
【００１９】
このように、各セルタイプの物理アドレスに対する特性を考慮しない場合、ＳＬＣタイプの特性である速い読み取り／書き取り／削除の速度と大きいＮＯＰと、ＭＬＣタイプの特性である大きい格納容量とを適切に用いることができないため、不揮発性メモリの性能向上に限界がある。
【００２０】
したがって、本発明の実施形態に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのマッピング装置および方法は、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリにおいて各セルタイプの物理的な特性を考慮して性能向上を図ることによって、図２は、本発明の実施形態に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置が示された図面である。以下、本発明の実施形態においては、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置を「マッピング装置」と称することにする。
【００２１】
図に示すように、本発明の実施形態に係るマッピング装置１００は、ユーザが所定の論理アドレスを用いて所定演算を要請するユーザ要請部１１０、第１セルタイプの第１メモリ領域１２１、および第２セルタイプの第２メモリ領域１２２を含む不揮発性メモリ１２０、およびユーザが要請した演算が不揮発性メモリ１２０で行われるようにユーザが用いた論理アドレスを不揮発性メモリ１２０における物理アドレスにマッピングするマッピング管理部１３０を含むことができる。
【００２２】
ユーザ要請部１１０は、ファイルシステムまたはＤＭＢＳ（Ｄａｔａ  Ｂａｓｅ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｓｙｓｔｅｍ）などのように、格納装置を論理アドレスを介して用いる主体であるアプリケーションとして理解することができる。したがって、ユーザはアプリケーションを介して、所定論理アドレスを用いて不揮発性メモリ１２０における所定演算を要請することができる。
【００２３】
不揮発性メモリ１２０は、互いに異なる読み取り／書き取り／削除性能およびＮＯＰを有する異種のセルタイプを有する第１メモリ領域１２１および第２メモリ領域１２２を含むことができる。この時、本発明の実施形態で第１メモリ領域１２１はＳＬＣタイプであり、第２メモリ領域１２２はＭＬＣタイプである場合を例に挙げて説明しているが、これに限定されず、第１メモリ領域１２１および第２メモリ領域１２２は互いに異なる読み取り／書き取り／削除性能およびＮＯＰを有する条件下で多様なセルタイプを有することができる。また、本発明の実施形態では第１メモリ領域１２１がＳＬＣタイプであるため、ＭＬＣタイプを有する第２メモリ領域１２２に比べて速い読み取り／書き取り／削除性能を有し、大きいＮＯＰを有することを知ることができる。
【００２４】
マッピング管理部１３０は、ユーザ要請部１１０で演算要請時に用いられた論理アドレスを第１メモリ領域１２１および第２メモリ領域１２２のうちのいずれか１つの物理アドレスにマッピングする役割を行うことができる。この時、本発明の実施形態での論理アドレス領域は、頻繁にアップデートされるアプリケーションのメタデータのための第１論理アドレス領域およびメタデータに比べてあまりアップデートが行われず、相対的に大きさが大きいアプリケーションユーザデータのための第２論理アドレス領域に分けられた場合を例に挙げて説明することにする。また、本発明の実施形態においてマッピング管理部１３０によってマッピングされるマッピング単位は、セクタ、ページおよびブロック単位であり得、これらに限定されない。
【００２５】
したがって、マッピング管理部１３０は、ユーザ要請部１１０で演算要請時用いた論理アドレスによって第１メモリ領域１２１および第２メモリ領域１２２のうちの、いずれの領域に含まれる物理アドレスにマッピングさせるかを判断することができる。例えば、論理アドレスの全体領域が０−１０００であり、第１論理アドレス領域が０−１００で、第２論理アドレス領域１０１−１０００である場合、ユーザ要請部１１０で用いた論理アドレスが５０である場合、第１論理アドレス領域に含まれるため、マッピング管理部１３０は第１メモリ領域１２１の物理アドレスにマッピングさせることができる。このような論理アドレス領域に対する情報は、本発明の実施形態に係るマッピング装置１００が初期化実行時に論理アドレス領域に対する情報を得て、不揮発性メモリ１２０の所定領域に格納することができる。この時、論理アドレス領域に対する情報が格納される領域は、第１メモリ領域１２１または第２メモリ領域１２２に格納されたり、別途に形成されたメモリ領域に格納されたりすることができる。
【００２６】
一方、ユーザ要請部１１０が演算要請時に用いた論理アドレスが５００である場合、第２論理アドレス領域に含まれるため、マッピング管理部１３０は第２メモリ領域１２２の物理アドレスにマッピングさせることができる。この時、本発明の実施形態では、第１論理アドレス領域に含まれる論理アドレスは第１メモリ領域１２１にマッピングさせ、第２論理アドレス領域に含まれる論理アドレスは第２メモリ領域１２２にマッピングさせる場合の例を挙げて説明しているが、これらに限定されず、第１メモリ領域１２１に含まれる物理アドレスが第１論理アドレス領域に含まれる論理アドレスに比べて多い場合、マッピング管理部１３は第１メモリ領域１２１に含まれる物理アドレスを第２論理アドレス領域に含まれる論理アドレスにマッピングさせることもできる。
【００２７】
具体的に、マッピング管理部１３０は、図３のように、論理アドレス領域２００のうちの第１論理アドレス領域２１０に含まれる論理アドレスは第１メモリ領域１２１に含まれる物理アドレスにマッピングさせ、第２論理アドレス領域２２０に含まれる論理アドレスは第２メモリ領域１２２にマッピングさせることができる。
【００２８】
また、図４のようにマッピング管理部１３０は、第１論理アドレス領域２１０の大きさが第１メモリ領域１２１より小さい場合、第１メモリ領域１２１で残る物理アドレスは、第２論理アドレス領域２２０に含まれる論理アドレスにマッピングできる。この時、本発明の実施形態では第１論理アドレス領域２１０の大きさが第１メモリ領域２１２より小さい場合を例に挙げて説明しているが、これらに限定されず、第１論理アドレス領域２１０の大きさが第１メモリ領域１２１より大きい場合、第１論理アドレス領域２１０に含まれる論理アドレスは第２メモリ領域１２２に含まれる物理アドレスにマッピングされることもできる。
【００２９】
このように、マッピング管理部１３０は、ユーザ要請部１１０で用いた論理アドレスが含まれる論理アドレス領域により第１メモリ領域１２１および第２メモリ領域１２２のうちのいずれか１つのメモリ領域に含まれる物理アドレスにマッピングさせる場合を例に挙げて説明しているが、これらに限定されず、ユーザ要請部１１０を介して周知のアクセスパターンに応じてマッピングされる物理アドレスが含まれるメモリ領域を判断できる。以下、本発明の実施形態でメタデータに対するアクセスパターンを「パターン１」と称し、ユーザデータに対するアクセスパターンを「パターン２」と称することにする。
【００３０】
例えば、ユーザデータとメタデータが混ざり合っており、ユーザデータとメタデータの論理アドレスが決定されないデータベースの場合、ユーザがデータベースからユーザデータに該当する論理アドレスおよびメタデータに該当する論理アドレスに従うパターン１またはパターン２を知らせれば、マッピング管理部１３０は周知のパターンに応じてマッピングする物理アドレスを判断できる。
【００３１】
具体的に、図５のようにマッピング管理部１３０は、ユーザによって知らされたパターン、例えばメタデータであることを知らせるパターン１、ユーザデータであることを知らせるパターン２などによって、マッピング管理部１３０は論理アドレス領域２００で利用される論理アドレスが含まれる論理アドレス領域を判断でき、判断された論理アドレス領域により論理アドレスを第１メモリ領域１２１および第２メモリ領域１２２のうちのいずれか１つのメモリ領域に含まれる物理アドレスにマッピングさせるかを判断できる。
【００３２】
また、本発明の実施形態では、マッピング管理部１３０が各々論理アドレスおよびパターンに応じてマッピングする物理アドレスを判断する場合を例に挙げて説明しているが、これに限定されず、論理アドレスおよびパターンにともなうマッピングを混合してマッピングする物理アドレスを判断することもできる。
【００３３】
以下の図面は、本発明の実施形態に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法を示す図面である。以下、本発明の実施形態に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法を「マッピング方法」と称することにする。また、本発明の実施形態に係るマッピング方法は、第１論理アドレス領域および第２論理アドレス領域に対する情報によってマッピングする第１マッピング方法およびユーザのアクセスパターンによってマッピングする第２マッピング方法に分けることができる。
【００３４】
図６は、本発明の実施形態に係る第１マッピング方法が示された図面である。
図に示すように、本発明の実施形態に係る第１マッピング方法は、先ず前述した図２のマッピング装置１００の初期化を実行し、論理アドレスに対する情報を不揮発性メモリ１２０の所定領域に格納するようになる（Ｓ１１０）。この時、本発明の実施形態で初期化はマッピング管理部１３０が行う場合を例に挙げて説明することにし、これに限定されず、初期化実行のための別途の構成要素を用いることもできる。この時、格納された論理アドレスに対する情報は、メタデータのために用いられる第１論理アドレス領域およびユーザデータのために用いられる第２論理アドレス領域に対する情報を含めるが、これに限定しない。この時、Ｓ１１０ステップのような初期化段階が所定演算を行う前に行われる場合を例に挙げて説明しているが、演算途中にも行われ得る。
【００３５】
ユーザは、ユーザ要請部１１０を介して、所定の論理アドレスを用いて所定演算（例えば、読み取り／書き取り／削除演算など）を要請するようになる（Ｓ１２０）。
【００３６】
マッピング管理部１３０は、所定演算要請時に用いられた論理アドレスが含まれる論理アドレス領域を前述したＳ１１０ステップで格納された論理アドレスに対する情報から判断して要請された演算が行われるメモリ領域を判断するようになる（Ｓ１３０）。
【００３７】
判断の結果、要請した演算に用いられた論理アドレスが第１論理アドレス領域に含まれる場合、マッピング管理部１３０は要請した演算に用いられた論理アドレスに第１メモリ領域１２１に含まれる物理アドレスをマッピングさせるようになる（Ｓ１４０）。
【００３８】
判断の結果、要請した演算に用いられた論理アドレスが第２論理アドレス領域に含まれる場合、マッピング管理部１３０は要請した演算に用いられた論理アドレスに、第２メモリ領域１２２に含まれる物理アドレスをマッピングさせるようになる（Ｓ１５０）。
【００３９】
図７は、本発明の実施形態に係る第２マッピング方法が示された図面である。
図に示すように、本発明の実施形態に係る第２マッピング方法は、先ず前述した図１のマッピング装置１００初期化を実行して、論理アドレスに対する情報を不揮発性メモリ１２０の所定領域に格納するようになる（Ｓ２１０）。この時、本発明の実施形態において、初期化は前述した図６のようにマッピング管理部１３０が行う場合を例に挙げて説明することにし、これに限定されず、初期化実行のための別途の構成要素を用いることもできる。この時、格納された論理アドレスに対する情報は、メタデータのために用いられる第１論理アドレス領域およびユーザデータのために用いられる第２論理アドレス領域に対する情報を含めるが、これに限定しない。
【００４０】
ユーザは、ユーザ要請部１１０を介して、所定の論理アドレスを用いて所定演算（例えば、読み取り／書き取り／削除演算など）を要請するようになる（Ｓ２２０）。
【００４１】
マッピング管理部１３０は、所定演算要請時に用いられた論理アドレスが含まれる論理アドレス領域を前述したＳ１１０ステップで格納された論理アドレスに対する情報およびユーザによって知られたパターンから要請された演算が行われるメモリ領域を判断するようになる（Ｓ２３０）。
【００４２】
判断の結果、要請した演算に用いられたアクセスパターンが第１パターンである場合、用いられる論理アドレスが第１論理アドレス領域に含まれるものと判断し、マッピング管理部１３０は要請した演算に用いられた論理アドレスに第１メモリ領域１２１に含まれる物理アドレスをマッピングさせるようになる（Ｓ２４０）。
【００４３】
判断の結果、要請した演算に用いられたアクセスパターンが第２パターンである場合、用いられる論理アドレスが第２論理アドレス領域に含まれるものと判断し、マッピング管理部１３０は要請した演算に用いられた論理アドレスに第２メモリ領域１２２に含まれる物理アドレスをマッピングさせるようになる（Ｓ２５０）。
【００４４】
このように、前述した図６および図７で所定演算実行時に用いられる論理アドレス、すなわち格納されるデータの種類（例えば、アプリケーションメタデータおよびアプリケーションユーザデータなど）により第１メモリ領域１２１および第２メモリ領域１２２のうちのいずれか１つのメモリ領域でマッピングされる物理アドレスを判断するため、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリで各メモリ領域の物理的な特性を十分に考慮できるため、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリにおける性能向上を試みられるようになる。
【００４５】
本発明の本実施形態で用いられる用語のうち「〜部」は、ソフトウェアまたはＦＰＧＡまたはＡＳＩＣのようなハードウェア構成要素を意味し、「〜部」はある役割を行う。ところが「〜部」は、ソフトウェアまたはハードウェアに限定される意味ではない。「〜部」は、アドレッシングできる格納媒体にあるように構成することもでき、１つまたはそれ以上のプロセッサを再生させるように構成することもできる。したがって、一例として「〜部」はソフトウェア構成要素、オブジェクト指向ソフトウェア構成要素、クラス構成要素およびタスク構成要素のような構成要素と、プロセス、関数、属性、プロシージャ、サブルーチン、プログラムコードのセグメント、ドライバ、ファームウェア、マイクロコード、回路、データ、データベース、データ構造、テーブル、アレイ、および変数を含む。構成要素と「〜部」の中で提供されている機能は、さらに小さい数の構成要素および「〜部」に結合したり、追加的な構成要素と「〜部」にさらに分離したりすることができる。
【００４６】
以上のように本発明に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置および方法を例示する図面を参照して説明したが、本明細書に開示された実施形態と図面によって本発明は限定されず、発明の技術思想の範囲内で当業者によって多様な変形がなされることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】一般的な不揮発性メモリでのマッピング方法が示された図である。
【図２】本発明の実施形態に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング装置が示された図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリで演算実行時に用いられる論理アドレスによって物理アドレスをマッピングする方法が示された図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリで演算実行時に用いられる論理アドレスによって物理アドレスをマッピングする方法が示された図である。
【図５】本発明の実施形態に係るユーザ要請部のアクセスパターンに応じて用いられる論理アドレスが決定される図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法が示された図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング方法が示された図である。
【符号の説明】
【００４８】
１１０      ユーザ要請部
１２０      不揮発性メモリ
１２１      第１メモリ領域
１２２      第２メモリ領域
１３０      マッピング管理部
【図１】
2008084317.tif 000003
【図２】
2008084317.tif 000004
【図３】
2008084317.tif 000005
【図４】
2008084317.tif 000006
【図５】
2008084317.tif 000007
【図６】
2008084317.tif 000008
【図７】
2008084317.tif 000009