(57)【要約】【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じた処理を行い得るプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】プラズマ処理装置１は、プラズマを用いて、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、複数の単位電極４１で構成され、各単位電極４１がそれぞれ第１の電極２に対して接近および離間可能なように、ワーク１００を介して第１の電極２に対向して設置された第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路（通電手段）８と、第１の電極２と第２の電極４との間に、ワーク１００の被処理面１０１を処理する処理ガスを供給するガス供給手段１１と、複数の単位電極４１と第１の電極２との離間距離を規定する離間距離規定手段５とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークの被処理面をプラズマにより処理するプラズマ処理装置であって、
第１の電極と、
複数の単位電極で構成され、各単位電極がそれぞれ第１の電極に対して接近および離間可能なように、前記ワークを介して前記第１の電極に対向して設置された第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加する電源を備えた通電手段と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記プラズマを生成するための処理ガスを供給するガス供給手段と、
複数の前記単位電極と前記第１の電極との離間距離を規定する離間距離規定手段とを備え、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記処理ガスを供給しつつ、電圧を印加することにより、前記ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマにより前記ワークの被処理面が処理されるよう構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ワークの被処理面は、第１の領域と、該第１の領域より目的とする処理の程度が高い第２の領域とを備え、
前記離間距離規定手段は、前記第１の領域に対応する前記単位電極と前記第１の電極との離間距離を、前記第２の領域に対応する前記単位電極と前記第１の電極との離間距離より小さく設定するよう構成されている請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記ガス供給手段により、前記処理ガスを、前記第１の電極を貫通した流路を介して、前記ワークの被処理面に供給する請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１の電極は、前記ワークの被処理面に対向し、かつ当該被処理面を包含するような電極面を備える請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記電極面は、前記ワークの被処理面の表面形状に対応した形状をなしている請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第１の電極を、前記ワークの被処理面と平行な方向に移動する移動手段を有する請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記移動手段は、前記第１の電極と前記第２の電極との相対移動速度を調整する機能を備えるものである請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記第１の電極は、前記第２の電極に対して接近および離間可能に設けられた、複数の単位電極で構成されている請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記電極面には、前記開口が複数形成され、
複数の前記開口は、各前記単位電極に対応して設けられている請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記第１の電極および前記第２の電極のうちの少なくとも一方は、その前記ワークに対面する部分が誘電体材料で構成されている請求項１ないし９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記ワークの前記被処理面の形状を測定する測定手段と、
前記離間距離規定手段および前記測定手段の作動を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記測定手段により測定された前記被処理面の形状を検出し、該検出した結果に応じて、複数の前記単位電極を移動させることにより、各前記単位電極と第１の電極との離間距離を調整するよう構成されている請求項１ないし１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記離間距離規定手段は、前記測定手段により前記ワークの前記被処理面に凸部が検出された領域に対応する前記単位電極を移動させることにより、当該単位電極と前記第１の電極との離間距離を小さくする請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマを発生させ、そのプラズマにより被処理物である基板（ワーク）の表面をプラズマ処理し、基板の表面をエッチング（分解・除去）するプラズマ処理装置が知られている。
このようなプラズマ処理装置は、対向配置される電極を有しており、対をなす電極同士の間に形成される間隙内に所定のガスを供給しつつ、これらの電極間に電圧を印加して放電を生じさせ、プラズマを発生させる。発生したプラズマ中では、電界により加速された電子がガス分子と衝突し、励起分子、ラジカル原子、正イオン、負イオンなどの活性種を生成する。これら活性種を基板の表面に供給すると、この活性種の一部により基板の表面や表面付近で各種反応が生じることとなり、基板の表面が分解・除去されるようになっている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００３】
ところが、特許文献１に記載のプラズマ処理装置では、加工時の電極とワークとの離間距離の関係から、加工速度が遅くなるという問題がある。
一方、特許文献２に記載のプラズマ処理装置では、基板の表面の被処理領域に対して特異的にプラズマを発生させることを目的に、高周波電源や冷却手段が接続された電極を数値制御により３軸にて動作制御する必要があり、装置の複雑化やコスト高とになるという問題、さらには連続使用による信頼性に対する問題等がある。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１６８９２４号公報
【特許文献２】特開平９−３１６７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じて適切な処理量で処理を行い得るプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のプラズマ処理装置は、ワークの被処理面をプラズマにより処理するプラズマ処理装置であって、
第１の電極と、
複数の単位電極で構成され、各単位電極がそれぞれ第１の電極に対して接近および離間可能なように、前記ワークを介して前記第１の電極に対向して設置された第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加する電源を備えた通電手段と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記プラズマを生成するための処理ガスを供給するガス供給手段と、
複数の前記単位電極と前記第１の電極との離間距離を規定する離間距離規定手段とを備え、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記処理ガスを供給しつつ、電圧を印加することにより、前記ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマにより前記ワークの被処理面が処理されるよう構成されていることを特徴とする。
これにより、装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じて適切な処理量で処理を行い得る。
【０００７】
本発明のプラズマ処理装置では、前記ワークの被処理面は、第１の領域と、該第１の領域より目的とする処理の程度が高い第２の領域とを備え、
前記離間距離規定手段は、前記第１の領域に対応する前記単位電極と前記第１の電極との離間距離を、前記第２の領域に対応する前記単位電極と前記第１の電極との離間距離より小さく設定するよう構成されていることが好ましい。
これにより、ワークの被処理面に対して、より確実に各部に応じた処理が可能である。
【０００８】
本発明のプラズマ処理装置は、前記ガス供給手段により、前記処理ガスを、前記第１の電極を貫通した流路を介して、前記ワークの被処理面に供給することが好ましい。
これにより、ワークの被処理面に均一な処理を行うこと、すなわち処理ムラが生じるのを防止することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極は、前記ワークの被処理面に対向し、かつ当該被処理面を包含するような電極面を備えることが好ましい。
これにより、ワークの被処理面に均一な処理を行うこと、すなわち処理ムラが生じるのを防止することができる。
【０００９】
本発明のプラズマ処理装置では、前記電極面は、前記ワークの被処理面の表面形状に対応した形状をなしていることが好ましい。
これにより、ワークの被処理面の表面形状に沿って、均一な処理が可能となる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極を、前記ワークの被処理面と平行な方向に移動する移動手段を有することが好ましい。
かかる構成のプラズマ処理装置は、大型のワークの処理に好適に適用される。
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置では、前記移動手段は、前記第１の電極と前記第２の電極との相対移動速度を調整する機能を備えるものであることが好ましい。
これにより、処理の程度（密度）を調整したり、全体処理時間（単位時間当たりの処理量）を調整したりすることができ、ワークの各部に対する各種処理の最適化を図ることができる。
【００１１】
本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極は、前記第２の電極に対して接近および離間可能に設けられた、複数の単位電極で構成されていることが好ましい。
これにより、各単位電極と第１の電極との離間距離をより多段階に調整することができ、ワークの被処理面に対するより微細な処理が可能となる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記電極面には、前記開口が複数形成され、
複数の前記開口は、各前記単位電極に対応して設けられていることが好ましい。
これにより、ワークの被処理面に対して部分的には、高い処理速度を実現することができるとともに、被処理面を一括して処理することができる。
【００１２】
本発明のプラズマ処理装置では、前記第１の電極および前記第２の電極のうちの少なくとも一方は、その前記ワークに対面する部分が誘電体材料で構成されていることが好ましい。
これにより、第１の電極と第２の電極との間に電圧を印加してプラズマを発生させた際、アーク放電の発生を防止することができ、良好（均一）なグロー放電を生じさせることができ、その結果、良好なプラズマを発生させることができる。また、ワークの被処理面により軽度（微細）な処理を行いたい場合に、その調整を行うことができる。
【００１３】
本発明のプラズマ処理装置では、前記ワークの前記被処理面の形状を測定する測定手段と、
前記離間距離規定手段および前記測定手段の作動を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記測定手段により測定された前記被処理面の形状を検出し、該検出した結果に応じて、複数の前記単位電極を移動させることにより、各前記単位電極と第１の電極との離間距離を調整するよう構成されていることが好ましい。
これにより、装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じて適切な処理量で処理を行い得る。
本発明のプラズマ処理装置では、前記離間距離規定手段は、前記測定手段により前記ワークの前記被処理面に凸部が検出された領域に対応する前記単位電極を移動させることにより、当該単位電極と前記第１の電極との離間距離を小さくすることが好ましい。
これにより、装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じて適切な処理量で処理を行い得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明のプラズマ処理装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態を模式的に示す断面図（一部ブロック図を含む）、図２は、ワーク載置部を第１の電極側から見た図（一部切り欠いて示す）、図３は、図１に示すプラズマ処理装置の回路構成を示すブロック図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言い、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」と言う。
【００１５】
図１に示すプラズマ処理装置１は、ワーク１００に対して、プラズマＣＶＭ（Chemical Vaporization Machining）のようなエッチング処理、アッシング処理、親水処理、撥水処理および成膜処理等の各種プラズマ処理を施すものである。
以下では、このプラズマ処理装置１により、ワーク１００の被処理面１０１に対してプラズマ処理を施し、その被処理面１０１を分解・除去するエッチング処理を一例に説明する。
【００１６】
図１に示すプラズマ処理装置１は、発生させたプラズマにより、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、この第１の電極２に対向する第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に、ワーク１００が位置するように、ワーク１００を載置するワーク載置部６と、第１の電極２と第２の電極４と間に電圧を印加する電源回路（通電手段）８と、第１の電極２と第２の電極４（ワーク１００）との間に、処理用の所定のガス（処理ガス）を供給するガス供給手段１１と、第１の電極２と第２の電極４（後述する複数の単位電極４１）との離間距離を規定する離間距離規定手段５とを備えている。
【００１７】
また、このプラズマ処理装置１は、ワーク載置部６を支持するテーブル（基部）３と、第２の電極４をテーブル３に固定する固定部７とを備えている。
このプラズマ処理装置１によりエッチング処理されるワーク（被処理部材）１００としては、特に限定されないが、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラス、シリコン、ガリウム−ヒ素、ＩＴＯ等の各種半導体材料、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、液晶ポリマー、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等各種プラスチック（樹脂材料）のような誘電体材料で構成されたものが挙げられる。
【００１８】
また、ワーク１００としては、図示のような板状（基板）のものの他、例えば、層状、フィルム状、レンズ状等のものであってもよい。
なお、図示のような平板状のワーク１００としては、例えば、水晶振動子等に用いられるガラスチップおよび水晶基板、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等に用いられるディスプレイパネル、半導体ウェハー、シリコンウェハー等が挙げられる。
【００１９】
また、ワーク１００の形状（平面視での形状）は、円形（楕円形）のものに限らず、例えば、四角形等のものであってもよい。本実施形態では、円盤状のワーク１００を処理する場合を一例に説明する。
ワーク１００の厚さは、特に限定されないが、通常は、０．０３〜１．２ｍｍ程度であるのが好ましく、０．０５〜０．７ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００２０】
ワーク１００の上方（ワーク１００の被処理面１０１側）には、第１の電極２が位置している。
この第１の電極２は、その全体形状が平板状をなし、その下面（ワーク１００の被処理面１０１に対向する電極面）２０が平面であり、この面が第２の電極４の上面とほぼ平行に配置されている。これにより、第１の電極２と、第２の電極４とは、一対の平行平板型電極を構成している。
【００２１】
また、第１の電極２は、ワーク１００の被処理面１０１と、ほぼ平行になるように設置されている。
本実施形態では、平板状（表面形状が平面）のワーク１００を処理するため、第１の電極２の下面が平面とされているが、レンズ状のワーク１００を処理する場合、第１の電極２の下面（電極面）２０は、好ましくはレンズの表面形状に対応して湾曲面とされる。このような構成により、ワーク１００の被処理面１０１の表面形状に沿って、均一な（ムラの少ない）処理が可能となる。
【００２２】
また、第１の電極２の平面視での形状は、例えば、円形（楕円形）、四角形、その他異形のものであってもよい。
なお、本実施形態では、第１の電極２（後述する多孔質部材２２）は、平面視でワーク１００を包含するようなサイズであるのが好ましい。これにより、後述する処理ガスを第１の電極２とワーク１００との間の全体に亘って均一に供給し得ることから、ワーク１００の被処理面１０１全体を確実に処理することができる。
【００２３】
本実施形態の第１の電極２は、図１に示すように、外枠（電極本体）２１と、平板状の多孔質部材２２とで構成されている。
外枠２１は、平板状の天板部２１１と、天板部２１１の外周に沿って設けられた側壁部２１２とを有し、これらが一体的に形成されている。このような構成により、外枠２１には、凹部２１０が形成され、この凹部２１０は、図１中の下側に開口２１０ａで開放している。
【００２４】
天板部２１１には、その厚さ方向に貫通する複数（本実施形態では、２つ）の貫通孔２１１ａが形成されている。この貫通孔２１１ａに、後述するガス供給手段１１の供給管１２が連通するように、外枠２１に接続されている。これにより、ガス供給手段１１から、第１の電極２と第２の電極４（ワーク１００）との間に、処理ガスが供給されるようになっている。
【００２５】
外枠２１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、アルミニウム、鉄、銀等の金属単体、ステンレス鋼、真鍮、アルミニウム合金等の各種合金、金属間化合物、各種炭素材料等の導電性が良好な材料が挙げられる。
この外枠２１の凹部２１０内には、開口２１０ａを塞ぐようにして多孔質部材２２が設けられている。
【００２６】
多孔質部材２２は、複数の空孔が閉鎖（閉塞）していない空孔を有する部材、すなわち隣接する空孔同士が互いに連通した連続空孔を有する部材で構成されている。このような多孔質部材２２は、その上面および下面において連続空孔が開放し、それぞれ複数の開口（ガス流入口およびガス流出口）が形成されている。これにより、外枠２１（第１の電極２）内に供給されたガスは、多孔質部材２２の厚さ方向に拡散しつつ通過（透過）して、第２の電極４側に放出される。このため、第１の電極２からワーク１００の被処理面１０１に向って均一にガスを供給することができる。その結果、ワーク１００の被処理面１０１に均一な処理を行うこと、すなわち処理ムラが生じるのを防止することができる。
【００２７】
すなわち、多孔質部材２２は、ワーク１００に向けて供給するガスの量を、ワーク１００の各部において均一化するガス供給量均一化手段を構成する。
多孔質部材２２は、その空孔率が２０〜９０％程度であるのが好ましく、３５〜８０％程度であるのが好ましい。空孔率を前記範囲内とすることにより、多孔質部材２２の機械的強度を十分に維持しつつ、その厚さ方向にガスを確実に通過させることができる。
【００２８】
また、多孔質部材２２の厚さは、外枠２１の凹部２１０の深さより小さく設定されている。これにより、天板部２１１の下面と多孔質部材２２の上面との間には、隙間２１０ｂが形成されている。これにより、外枠２１内に供給されたガスは、この隙間２１０ｂ内を面方向（図１中の前後左右方向）に広がり、その後、多孔質部材２２を通過することとなる。このため、第１の電極２からワーク１００の被処理面１０１に向かってより均一にガスを供給することができる。
【００２９】
多孔質部材２２の平均厚さの具体的な値は、特に限定されないが、０．１〜１０ｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜７ｃｍ程度であるのがより好ましい。
このような多孔質部材２２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）等の複合酸化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を用いることができる。かかる材料は、誘電体であるため、第１の電極２と後述する第２の電極４との間に電圧を印加してプラズマを発生させた際、アーク放電の発生を防止することができ、良好（均一）なグロー放電を生じさせることができ、その結果、良好なプラズマを発生させることができる。また、ワーク１００の被処理面１０１により軽度（微細）な処理を行いたい場合に、その調整を行うことができる。
【００３０】
本実施形態では、かかる構成により、第１の電極２のワーク１００に対面する部分が誘電体材料で構成され、天板部２１１が備える貫通孔２１１ａと多孔質部材２２とにより第１の電極２を貫通する流路が構成されることとなる。
なお、ガス供給量均一化手段としては、多孔質部材２２に代えて、例えば、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔（細孔）を有する細孔板で構成することもできる。
【００３１】
第１の電極２に対向するように、ワーク１００を介して第２の電極４が設けられている。本発明では、この第２の電極４の構成に特徴を有している。この点（特徴）については、後に詳述する。
また、この第２の電極４のワーク１００に対面する部分に、誘電体材料で構成される誘電体層を設けるようにしてもよい。これにより、第１の電極２と後述する第２の電極４との間に電圧を印加してプラズマを発生させた際、アーク放電の発生を防止することができ、良好（均一）なグロー放電を生じさせることができ、その結果、良好なプラズマを発生させることができる。また、ワーク１００の被処理面１０１により軽度（微細）な処理を行いたい場合に、その調整を行うことができる。
【００３２】
誘電体層の構成材料（誘電体）としては、特に限定されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、石英ガラス等の各種ガラス、無機酸化物等が挙げられる。前記無機酸化物としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）等の複合酸化物等が挙げられる。
【００３３】
誘電体層の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、液相成膜法、気相成膜法、溶射、シート材や膜の接合等、その構成材料に応じた種々の方法が可能である。なお、無機酸化物による誘電体層を形成する場合の好ましい形成方法としては、溶射、アルマイト処理等が挙げられる。
誘電体層の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜４ｍｍ程度であるのが好ましく、１〜２ｍｍ程度であるのがより好ましい。誘電体層の厚さが厚すぎると、プラズマ（所望の放電）を発生させるために高電圧を要することがあり、また、薄すぎると、電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
【００３４】
ここで、誘電体層の構成材料として、２５℃における比誘電率が１０以上である誘電体を用いれば、低電圧で高密度のプラズマを発生させることができ、プラズマ処理の処理効率がより向上するという利点がある。
また、使用可能な誘電体の比誘電率の上限は特に限定されないが、比誘電率が１０〜１００程度のものが好ましい。比誘電率が１０以上である誘電体には、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＢａＴｉＯ３等の複合酸化物が該当する。
【００３５】
この第２の電極４と前記第１の電極２との間に、ワーク１００が位置するように、ワーク１００を載置（保持）するワーク載置部６が設けられている。
ワーク載置部６は、ワーク１００の平面視形状に対応した平面視形状を有する筒状の部材で構成される。本実施形態では、円盤状のワーク１００を処理するため、図１および図２に示すように、ほぼ円筒状の部材で構成されている。
【００３６】
このワーク載置部６は、第２の電極４の外周側を囲むように設けられ、その内側（内周側）において、第２の電極４が露出している。
また、ワーク載置部６の上部には、その内側縁部に、リング状の段差部６１が形成されている。この段差部６１にワーク１００の外周部が嵌合（嵌入）し、これにより、ワーク１００がワーク載置部６に保持される。このような構成とすることにより、簡単な構成で、ワーク１００を容易かつ確実に保持（支持）することができ、処理（プラズマ処理）中にワーク１００がワーク載置部６に対しずれを生じて、例えば処理ムラが生じるという不都合も防止される。また、ワーク載置部６に対するワーク１００の着脱も容易である。
【００３７】
段差部６１の深さ（段差の高さ）は、ワーク１００の厚さと等しいか、または図示のようにワーク１００の厚さより小さいものとされる。後者の場合、ワーク１００の厚さ方向の一部が段差部６１内に挿入され、残部は段差部６１（ワーク載置部６）から突出した状態となる。このように、ワーク１００は、その少なくとも一部が段差部６１内に挿入された状態でワーク載置部６に対し支持・固定され、この状態で被処理面１０１に対し処理がなされる。
【００３８】
このようなワーク載置部６は、テーブル３に支持・固定されている。テーブル３には、厚さ方向に貫通する貫通孔３１が形成されており、この貫通孔３１に沿ってワーク載置部６が固定されている。また、貫通孔３１内には、後に詳述する第２の電極４が設けられている。
テーブル３および前記ワーク載置部６の構成材料としては、特に限定されないが、それぞれ、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、石英ガラス等の各種ガラス、前記金属酸化物、複合酸化物等の各種無機酸化物（セラミックス）、各種金属材料等が挙げられる。
【００３９】
また、これら（特にワーク載置部６）を金属材料で構成する場合、上面（第１の電極２側の面）には、前述したような誘電体層を設けるのが好ましい。これにより、各部の上面とワーク１００との誘電率を近づけることができ、そのため、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加してプラズマを発生させた際、アーク放電の発生を防止することができ、均一で良好なグロー放電を生じさせることができる。その結果、各ワーク１００に対し均一で良好なプラズマ処理を行うことができる。
【００４０】
なお、テーブル３は、第１の電極２およびワーク載置部６を収納する収納容器（チャンバ）の一部を構成するものであってもよい。すなわち、プラズマ処理装置１は、ワーク１００の処理を収納容器内で行う構成とすることもできる。この場合、収納容器内の排気を行える排気手段を設けることにより、処理後のガスを回収して、大気中に排出（散逸）することを防止することができ、環境に優しい。
【００４１】
このようなプラズマ処理装置１では、第１の電極２とワーク１００との間（間隙）に後述するガス供給手段１１から処理ガスが供給され、第１の電極２と第２の電極４との間に、所定の電圧、例えば、高周波電圧（電圧）が印加されると、第１の電極２と第２の電極４との間に電界が発生して、放電、すなわち、グロー放電（バリア放電）が生じる。この放電により供給されたガスが活性化（電離、イオン化、励起等）され、プラズマが発生し、このプラズマにより、ワーク１００の被処理面１０１がエッチング（分解・除去）される。
【００４２】
図１に示すように、第１の電極２は、導線（ケーブル）８１を介して、高周波電源（電源部）９に接続され、また、第２の電極４は、導線８１および導通状態と非導通状態とに切り替えるスイッチ１０を介して、高周波電源９に接続されており、これにより、第１の電極２、第２の電極４との間に電圧（高周波電圧）を印加するための電源回路（通電手段）８が構成されている。この電源回路８は、その一部、すなわち、第２の電極４側の導線８１がアース（接地）されている。
【００４３】
第２の電極４は、スイッチ１０が閉じると導線８１が導通してアースされ、これにより、第２の電極４と第１の電極２との間への高周波電圧（電圧）の印加が可能となり、また、スイッチ１０が開くと、その導線８１が非導通状態（切電状態）となり、第２の電極４と第１の電極２との間には電圧は印加されず、プラズマは発生しない。
ワーク１００に処理（プラズマ処理）を施すときは、高周波電源９が作動し、かつスイッチ１０が閉じて、第２の電極４と第１の電極２との間に電圧が印加される。このとき、その第２の電極４と第１の電極２との間には、電界が発生し、後述するガス供給手段１１よりガスが供給されると、放電が生じて、プラズマが発生する。
【００４４】
高周波電源９の周波数は、特に限定されないが、１０〜５０ＭＨｚであるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚであるのがより好ましい。
なお、図示されていないが、電源回路８は、高周波電源９の周波数を変える周波数調整手段（回路）や、高周波電源９のパワー（電力）調整手段を有していてもよい。これにより、必要に応じ、ワーク１００に対する処理の処理条件を調整することができる。
【００４５】
ガス供給手段１１は、その下流端側（ガス流出口）が第１の電極２（外枠２１）の貫通孔２１１ａに連通する供給管１２と、供給管１２の上流端側に接続され、処理ガスを充填し供給するガスボンベ（ガス供給源）１３と、ガスボンベ１３から供給されるガスの流量を調整するレギュレータ（流量調整手段）１４とを有している。
レギュレータ１４は、ガスボンベ１３よりガス流出口側（下流側）に配置されている。また、供給管１２のレギュレータ１４よりガス流出口側には、供給管１２内の流路を開閉するバルブ（流路開閉手段）１５が設けられている。
【００４６】
バルブ１５が開いた状態で、ガスボンベ１３からは処理ガスが送出され、このガスは、供給管１２内を流れ、レギュレータ１４で流量を調節された後、供給管１２の下流端に形成されたガス流出口から、第１の電極２を介して、第１の電極２とワーク１００との間に導入（供給）される。
このようなプラズマ処理に用いる処理ガスには、処理目的により種々のガスを用いることができる。本実施形態のようにエッチング処理やダイシング処理を目的とする場合には、例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素原子含有化合物ガスやＣｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４等の塩素原子含有化合物ガスなどの各種ハロゲン系ガスが用いられる。
また、その他の処理目的の場合には、目的別に以下示すような処理ガスを用いることができる。
【００４７】
（ａ）ワーク１００の被処理面１０１を加熱することを目的とする場合、例えば、Ｎ２、Ｏ２等が用いられる。
（ｂ）ワーク１００の被処理面１０１を撥水（撥液）化することを目的とする場合、例えば、前記フッ素原子含有化合物ガスが用いられる。
（ｃ）ワーク１００の被処理面１０１を親水（親液）化することを目的とする場合、例えば、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、空気等の酸素原子含有化合物、Ｎ２、ＮＨ３等の窒素原子含有化合物、ＳＯ２、ＳＯ３等の硫黄原子含有化合物が用いられる。これにより、ワーク１００の被処理面１０１にカルボニル基、水酸基、アミノ基等の親水性官能基を形成させて表面エネルギーを高くし、親水性表面を得ることができる。また、アクリル酸、メタクリル酸等の親水基を有する重合性モノマーを用いて親水性重合膜を堆積（形成）することもできる。
【００４８】
（ｄ）ワーク１００の被処理面１０１に電気的、光学的機能を付加することを目的とする場合、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の金属酸化物薄膜をワーク１００の被処理面１０１に形成するために、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ等の金属の金属−水素化合物、金属−ハロゲン化合物、金属アルコキシド（有機金属化合物）等が用いられる。
（ｅ）レジスト処理や有機物汚染の除去を目的とする場合は、例えば酸素系ガスが用いられる。
【００４９】
このような処理ガスは、一般に、この処理ガスに、キャリアガスを添加して用いられる。なお、「キャリアガス」とは、放電開始と放電維持のために導入するガスのことを言う。
この場合、ガスボンベ１３内に、処理ガスおよびキャリアガスを充填して用いてもよいし、処理ガスとキャリアガスとがそれぞれ別のガスボンベに充填され、供給管１２の途中でこれらが所定の混合比で混合されるような構成であってもよい。
【００５０】
キャリアガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いることができる。これらは、単独でも２種以上を混合した形態でも用いることができる。
キャリアガスを添加したガス中における処理ガスの占める割合（混合比）は、処理の目的によっても若干異なり、特に限定されないが、例えば、処理ガスの占める割合が
０．１〜１０％程度であるのが好ましく、０．３〜４％程度であるのがより好ましい。これにより、効率的に放電が開始され、処理ガスにより、所望のプラズマ処理を施すことができる。
【００５１】
処理ガスの流量は、ガスの種類、処理の目的、処理の程度等に応じて適宜決定される。通常は、３０ＳＣＣＭ〜２ＳＬＭ程度であるのが好ましい。これにより、ワーク１００の被処理面１０１を効率的にプラズマ処理することができる。
さて、本発明では、第２の電極４を、複数の単位電極４１で構成し、この単位電極４１がそれぞれ第１の電極２に対して接近および離間可能なように設置した。換言すれば、各単位電極４１と第１の電極２との電極間距離を変更可能なように、第２の電極４を複数の単位電極４１で構成した。
【００５２】
本実施形態では、第２の電極４は、図２に示すように、平面視形状が正方形をなす単位電極４１を格子状（碁盤の目状）に複数配列した形態となっている。
この単位電極４１は、それぞれ、角柱状をなしており、各単位電極４１は、互いに圧接した状態で摺動可能となっている。このような構成により、一つの単位電極４１に電源回路８の導線８１を接続することにより、第２の電極４全体に通電し得るようになっている。
【００５３】
各単位電極４１の平面視形状は、図示した正方形の他、例えば、三角形、六角形等であってもよい。
また、各単位電極４１の平面視での面積は、ワーク１００の平面視での面積を１００としたとき、０．００５〜１０程度であるのが好ましく、０．１〜１程度であるのがより好ましい。
【００５４】
各単位電極４１の構成材料としては、第１の電極２の外枠２１の構成材料で挙げた材料と同様のものを用いることができる。
また、第２の電極４の外周には、各単位電極４１を密着させる（圧接する）機能とともに、第２の電極４をテーブル３に固定する機能を有する固定部７が設けられている。
【００５５】
この固定部７の構成材料としては、絶縁性材料を用いるのが好ましい。これにより、第２の電極４とテーブル３等とを絶縁することができる。
かかる絶縁性材料としては、特に限定されないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、チタニアのような無機酸化物材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリビニルアルコールのような熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂のような熱硬化性樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５６】
第２の電極４の第１の電極２との反対側には、各単位電極４１と第１の電極２との離間距離を規定する離間距離規定手段５が設けられている。
離間距離規定手段５は、複数のピン５１と、各ピン５１をそれぞれ第１の電極２に向って（図１中の上方向）に移動させ、所定の位置で固定する駆動部５２とを有している。
各ピン５１は、それぞれ各単位電極４１に対応して設けられている。なお、ピン５１の先端は、単位電極４１の下面に固定されていても、固定されていなくてもよい。
【００５７】
なお、ピン５１の先端を単位電極４１の下面に固定し、駆動部５２により図１中の上下方向に移動可能な構成とすると、駆動部５２の駆動により各単位電極４１を第１の電極２に接近および離間させることができる。また、駆動部５２による各ピン５１の上下方向への移動は、単位電極４１側の先端と反対側に設けられた、例えば、エアシリンダーおよび油圧シリンダーのようなシリンダー、ステッピングモータのようなモーター等により行うことができる。
【００５８】
本発明によれば、各単位電極４１と第１の電極２との離間距離をそれぞれ設定することができるようになる。ここで、単位電極４１と第１の電極２との間に発生する電界の強度は、これらの間に同一の電圧を印加した場合には、これらの離間距離に依存する。そのため、単位電極４１と第１の電極２との間を短くすると、より強度の高い電界が発生し、これに起因して、発生するプラズマの密度が高くなることから、ワーク１００の被処理面１０１のエッチング量が向上する。このことから、各単位電極４１と第１の電極２との離間距離に応じて、発生するプラズマの密度（濃度）を調整して、ワーク１００の被処理面１０１の各部におけるエッチング量（処理量）を調整することができる。
【００５９】
具体的には、離間距離規定手段５は、ワーク１００の被処理面１０１に、第１の領域Ａａと、この第１の領域Ａａより目的とする処理の程度が高い（処理量が大きい）第２の領域Ａｂとがある場合（図１参照）、すなわち第１の領域Ａａと、この第１の領域Ａａの厚さより、その厚さが薄くなっている第２の領域Ａｂとがある場合、第１の領域Ａａに対応する単位電極４１ａと第１の電極２との離間距離Ｄａを、第２の領域Ａｂに対応する単位電極４１ｂと第１の電極２との離間距離Ｄｂより小さくなるように設定する。
【００６０】
換言すれば、離間距離規定手段５は、ワーク１００の被処理面１０１において、基準面からの第１の領域Ａａの厚さが、基準面からの第２の領域Ａｂの厚さよりも厚くなっている場合に、第１の領域Ａａに対応する単位電極４１ａと第１の電極２との離間距離Ｄａを、第２の領域Ａｂに対応する単位電極４１ｂと第１の電極２との離間距離Ｄｂより小さくなるように設定する。
【００６１】
この状態で、処理ガスとしてエッチング処理用のガスを用いてワーク１００をエッチングすると、第１の領域Ａａが第２の領域Ａｂより速いエッチン速度でエッチング（分解・除去）されることから、上述したような基準面からの第１の領域Ａａの厚さが、第２の領域Ａｂの厚さより厚いワーク１００を処理した場合、ワーク１００の被処理面１０１の平坦化（平滑化）を図ることができる。
【００６２】
なお、この状態で、処理ガスとしてエッチング処理用のガスに代えて成膜用のガスを用いると、第１の領域Ａａに第２の領域Ａｂより速い成膜速度で成膜されるので、第１の領域Ａａが厚くなった膜厚分布を有する膜をワーク１００の被処理面１０１に形成することができる。
また、平坦なワーク１００の被処理面１０１に所定のパターンの処理（例えば、所定のパターンの溝加工）を行う場合、離間距離規定手段５により、複数の単位電極４１のうちの所定のパターンに対応した単位電極４１と、第１の電極２との離間距離を、それ以外の単位電極４１と、第１の電極２との離間距離よりも接近するように規定すると、ワーク１００の被処理面１０１に目的とするパターンの溝を加工することができる。
【００６３】
なお、第１の電極２とワーク１００との間隙距離（第１の電極２の下面とワーク１００の被処理面１０１との距離）は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜決定することができるが、通常は、０．２〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｍｍ程度であるのがより好ましい。これにより、第１の電極２とワーク１００との間に必要かつ十分なプラズマを発生させることができ、適正なプラズマ処理が可能となる。
【００６４】
次に、ワーク１００の被処理面１０１にエッチングを行って平坦化する際のプラズマ処理装置１の作用（動作）について図３に示すブロック図を用いて説明する。
図３に示すように、このプラズマ処理装置１は、第１の電極２と各単位電極４１との離間距離を調整する駆動部５２と、ワーク１００の被処理面１０１の形状を測定する測定手段１４０と、入力等の各操作を行う操作部（入力手段）１５０と、ワーク１００の被処理面１０１の形状の情報等を記憶する記憶手段１６０と、駆動部５２と測定手段１４０の作動を制御する制御部（制御手段）１７０とを備えている。
【００６５】
測定手段１４０は、例えば、ワーク１００の母材から切り出されたワーク１００の被処理面１０１の表面の状態（凹凸の状態）を測定するものである。
測定手段１４０としては、例えば、接触式の探査計、光学系による各種干渉計、ＡＦＭ、顕微干渉系等が挙げられる。また、測定手段１４０により測定される表面の状態としては、例えば、表面粗さ、うねり（平滑度）等が挙げられる。
【００６６】
この測定手段１４０によれば、被処理面１０１に凸部（うねり）がある場合には、その存在および程度（高さ、大きさ等）を検出することができる。
また、操作部１５０としては、例えば、キーボード、液晶表示パネル、ＥＬ表示パネル等を備えたタッチパネル等を用いることができ、この場合は、操作部４０は、各種の情報を表示（報知）する表示手段（報知手段）も兼ねる。
【００６７】
また、記憶手段１６０は、ワーク１００の被処理面１０１の凸部の存在、凸部の情報（位置情報、存在領域、高さ等）などの各種の情報、データ、演算式、テーブル、プログラム等が記憶（記録とも言う）される記憶媒体（記録媒体とも言う）を有しており、この記憶媒体は、例えば、ＲＡＭ等の揮発性メモリー、ＲＯＭ等の不揮発性メモリー、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリー等の書き換え可能（消去、書き換え可能）な不揮発性メモリー等、各種半導体メモリー、ＩＣメモリー、磁気記録媒体、光記録媒体、光磁気記録媒体等で構成される。この記憶手段１６０における書き込み（記憶）、書き換え、消去、読み出し等の制御は、制御部１７０によりなされる。
【００６８】
また、制御部１７０は、例えば、演算部やメモリー等を内蔵するマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、制御部１７０には、測定手段１４０からの検出信号（検出値）、操作部１５０からの信号（入力）が、それぞれ、随時入力される。そして、制御部１７０は、測定部５０からの検出信号、操作部１５０からの信号等に基づき、予め設定されたプログラムに従って、プラズマ処理装置１の各部の作動（駆動）、例えば、駆動部５２等の作動をそれぞれ制御する。
【００６９】
なお、この制御部１７０により、モード自動選択手段および係数自動決定手段の主機能が達成される。
このように、プラズマ処理装置１は、制御部１７０が測定手段１４０により測定されたワーク１００の被処理面１０１の形状に応じて、被処理面１０１の処理を実行するように前記駆動部５２の作動を制御するよう構成されている。
【００７０】
＜１＞  被処理面１０１のエッチングに際しては、まず、ワーク１００を搬送アーム等の搬送手段を用いて、ワーク載置部６の段差部６１に嵌入（セット）する。
＜２＞  次に、このワーク１００について、被処理面１０１の凸部の位置、高さおよび大きさ等を測定することにより、この凸部の形状を検出する。そして、これらの測定（検出）データを記憶手段１６０に記憶させておく。
【００７１】
すなわち、図２において、第２の電極４の紙面左右方向をＸ軸、紙面上下方向をＹ軸とし、この第２の電極４に対向するようにワーク載置部６の段差部６１に嵌入されたワーク１００について、各単位電極４１の上面の中心点４２の位置を各座標（Ｘ軸およびＹ軸）で規定し、この中心点４２に対応する被処理面１０１の基準点からの高さを測定する。そして、各座標と、その座標で測定された高さをそれぞれ記憶手段１６０に記憶させる。
【００７２】
なお、ここで、基準点としては、特に限定されないが、例えば、最初に測定された中心点４２に対応する位置の被処理面１０１が基準点とされる。
かかる構成とすることにより、ワーク１００に存在する凸部が、格子状に設けられた複数の単位電極４１のうちのいずれに対応するように形成されているかを記録することができるとともに、その単位電極４１に対応する中心点４２における凸部の高さを記憶手段１６０に記録することができる。
【００７３】
＜３＞  次に、前記工程＜２＞において入力された被処理面１０１の凸部の位置、高さおよびその大きさ等の測定値に基づいて、離間距離規定手段５を作動させて、各単位電極４１と第１の電極２との離間距離を設定する。
すなわち、前記工程＜２＞において、被処理面１０１に凸部が形成されている位置に対応する単位電極４１を第１の電極２に対して接近させる。なお、このとき、各単位電極４１に対応する位置の凸部の高さが高いものほど、単位電極４１を第１の電極２に対してより接近させるようにする。
【００７４】
かかる構成とすることにより、被処理面１０１の凸部の形状に対応するように、凸部が存在する領域では単位電極４１と第１の電極２とが接近し、凸部が存在しない領域では単位電極４１と第１の電極２とが離間する第２の電極４が形成されることとなる。
なお、各単位電極４１と第１の電極２との離間距離は、予め実験的に測定しておいた、電極２、４間の離間距離とワーク１００のエッチング速度（エッチング量）との関係に基づいて、駆動部５２の作動によりピン５１を介して単位電極４１を連続的に移動させることにより位置決めされる。
【００７５】
＜４＞  次に、高周波電源９を作動させるとともに、スイッチ１０を閉じる。
また、このとき、バルブ１５を開き、レギュレータ１４によりガスの流量を調整し、ガスボンベ１３から処理ガス（エッチング用の処理ガス）を送出する。
これにより、ガスボンベ１３から送出された処理ガスは、供給管１２内を流れ、第１の電極２の下面に形成された開口（ガス流出口）から所定の流量で流出し、第１の電極２とワーク１００との間に導入（供給）される。
このとき、ガスは、多孔質部材２２を通過することにより、ワーク１００の被処理面１０１の各部に均一に供給される。
【００７６】
＜５＞  一方、高周波電源９の作動により、第１の電極２と第２の電極４（各単位電極４１）との間に高周波電圧が印加され、これらの間に電界が発生する。
第１の電極２とワーク１００との間に流入した処理ガスは、放電によって活性化され、プラズマが発生する。
このプラズマは、電界が発生している部位、すなわち、第１の電極２と第２の電極４との間に発生する。そして、発生したプラズマ（活性化された処理ガス）は、ワーク１００の被処理面１０１に接触し、その被処理面１０１がエッチングされる。
【００７７】
このとき、単位電極４１と第１の電極２との離間距離がより小さい（近い）箇所では、電界強度が高くなることに起因して、より被処理面１０１のエッチング速度（処理速度）が速く、当該箇所では、エッチング量が大きくなる。そのため、前記工程＜３＞において、被処理面１０１に凸部が存在する領域に対応するように、単位電極４１と第１の電極２との離間距離を小さく設定していることから、この凸部が存在する領域の被処理面１０１が優先的にエッチング（分解・除去）されることとなる。その結果、ワーク１００の被処理面１０１の平坦化が行われる。
以上のように、本実施形態のプラズマ処理装置１によれば、ワーク１００の被処理面１０１を一括して、かつ各部に応じたエッチング量で処理することができる。
【００７８】
＜６＞  次に、ワーク１００をワーク載置部６から取り外して、移送する。
＜７＞  次に、ピン５１が単位電極４１に固定されている場合、駆動部５２を作動させ、各単位電極４１を元の位置に戻す。また、ピン５１が単位電極４１に固定されていない場合、平坦度の高い標準サンプルを第２の電極４上に配置し、この標準サンプルを下側に向かって押圧することにより、各単位電極４１をほぼ元の位置に戻す。
【００７９】
以上のような工程を経て、ワーク１００の被処理面１０１の平坦化が行われる。このようなプラズマ処理装置１によれば、ワーク１００の被処理面１０１がどのような形状であったとしても、被処理面１０１を均一、確実かつ自動的に加工することができる。
なお、本実施形態では、単位電極４１は、駆動部５２の作動により、第１の電極２に対して連続的に移動し得るものとして説明したが、このような場合に限定されず、例えば、１〜５段階のように段階的に第１の電極２に対して移動（変位）し得るものであってもよい。
【００８０】
＜第２実施形態＞
図４は、本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態を模式的に示す断面図（一部ブロック図を含む）、図５は、第２実施形態の第１の電極の構成を模式的に示す斜視図である。なお、以下の説明では、図４および図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【００８１】
第２実施形態のプラズマ処理装置１は、第１の電極２側の構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、図４に示すプラズマ処理装置１は、第１の電極２が、第２の電極４（ワーク１００）の一部と対向し、第２の電極４に向かう方向（図２中の上下方向）とほぼ垂直な方向（図２中の左右方向）に、移動手段（図示さず）により第２の電極４に対して相対的に移動可能とされている。すなわち、第１の電極２は、ワーク１００の被処理面１０１と平行な方向（被処理面１０１に沿った方向）に、移動手段により移動可能とされている。
【００８２】
本実施形態では、第１の電極２は、図５（ａ）に示すように、全体形状が細長い形状をなしており、ほぼ中央部にスリット状の貫通孔２１１ａが形成されている。これにより、図１中の紙面前後方向に（ライン状に）、ワーク１００の被処理面１０１をエッチングすることができる。
そして、第１の電極２を図２中のＸ方向（左右方向）に走査することにより、ワーク１００の被処理面１０１を全体にわたって処理することができる。
【００８３】
このように、ワーク１００の被処理面１０１を部分的に処理していく構成とすることにより、第１の電極２と第２の電極４との間における処理ガスのプラズマ化をより効率良く行うことができ、被処理面１０１のエッチング速度等を高めることができ、歩留まりの向上を図ることができる。
なお、第１の電極２を移動させる移動手段としては、公知のいずれの構成のものを用いてもよく、例えば、コンベア（ベルト駆動、チェーン駆動等）、スクリュー軸を備えた送り機構、ローラ送り機構、Ｘ−Ｙステージ等が挙げられる。
【００８４】
また、移動手段は、移動速度（第１の電極２と第２の電極４との相対移動速度）を調節可能とするものが好ましい。これにより、処理の程度（密度）を調整したり、全体処理時間（単位時間当たりの処理量）を調整したりすることができ、ワーク１００の各部に対する各種処理の最適化を図ることができる。
例えば、他の条件を固定し、第１の電極２に対する第２の電極４（ワーク１００）の相対移動速度（処理速度）を遅くした場合には、プラズマ処理の処理の程度（密度）を大とすること、すなわち、より緻密な処理を行うことができる。
【００８５】
また、第１の電極２は、図４中の紙面前後方向に短い形状、すなわち、図５（ｂ）に示すように、四角形筒状であってもよい。この場合、移動手段による第１の電極の移動方向は、２次元方向（Ｘ方向およびこれに直交するＹ方向）とすることにより、ワーク１００の被処理面１０１を全体にわたって処理することができる。
なお、この場合、第１の電極２は、円形筒状（円筒状）であってもよい。
このような第２実施形態によっても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られるが、特に、大型のワーク１００の処理に好適に適用される。また、本実施形態によれば、ワーク１００の被処理面１０１に対して局所的に処理ガスを供給することから、ワーク１００の平坦化に要する処理ガスの消費量の低減を図ることができる。
【００８６】
＜第３実施形態＞
図６は、本発明のプラズマ処理装置の第３実施形態を模式的に示す断面図（一部ブロック図を含む）である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第３実施形態について説明するが、前記第１実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【００８７】
第３実施形態のプラズマ処理装置１は、第１の電極２側の構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、図６に示すプラズマ処理装置１は、第２の電極４に対して接近および離間可能に設けられた、複数の単位電極２３で構成されている。
各単位電極２３は、それぞれ、各単位電極４１に対向して設けられるとともに、貫通孔２１１ａが形成されている。換言すれば、第１の電極２の下面２０には、処理ガスをワーク１００に向って供給する開口が複数形成され、各開口は、それぞれ第２の電極４を構成する各単位電極４１に対応して設けられている。
【００８８】
このような構成により、前記第１実施形態の利点と、前記第２実施形態の利点とを併有すること、すなわち、ワーク１００の被処理面１０１に対して部分的には、高いエッチング速度を実現することができるとともに、被処理面１０１を一括して処理することができる。
また、このような構成により、各単位電極４１と第１の電極２（各単位電極２３）との離間距離をより多段階に調整することができ、ワーク１００の被処理面１０１に対するより微細な処理が可能となる。
【００８９】
具体的には、第３の領域Ａｃにおいて、第１の領域Ａａより、単位電極４１と第１の電極２との離間距離をより接近させることができる。
第３実施形態のプラズマ処理装置１では、第１の電極２を支持する支持板３０が設けられている。この支持板３０は、前記テーブル３と同様の構成とすることができる。
支持板（基部）３０には、厚さ方向に貫通する貫通孔３１０が形成されており、この貫通孔３１０内には、第１の電極２が設けられている。
【００９０】
また、第１の電極２の外周には、各単位電極２３を密着させるとともに、第１の電極２を支持板３０に固定する機能を有する固定部７０が設けられている。この固定部７０は、前記固定部７と同様とすることができる。
なお、前述したように、支持板３０は、テーブル３とともに、ワーク載置部６を収納する収納容器（チャンバ）の一部を構成するものであってもよい。この場合、収納容器内の排気を行える排気手段を設けることにより、処理後のガスを回収して、大気中に排出（散逸）することを防止することができ、環境に優しい。
【００９１】
また、離間距離規定手段５は、複数のピン５３と、各ピン５３をそれぞれ第２の電極４に向って（図６中の下方向）に移動させ、所定の位置で固定する駆動部５４とを有している。
各ピン５３は、それぞれ各単位電極２３に対応して設けられている。なお、ピン５３の先端は、単位電極２３の上面に固定されていても、固定されていなくてもよい。
【００９２】
このような第３実施形態によっても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
以上、本発明のプラズマ処理装置を、図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
【００９３】
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、各前記各実施形態では、プラズマ処理装置は、大気圧下において、ワークの表面（被処理面）にエッチング処理（プラズマ処理）を施すことを想定しているが、本発明では、減圧または真空状態においてワークの表面に処理を施してもよい。
【００９４】
また、第１の電極と第２のとの間に印加される電圧は、高周波によるものに限られず、例えば、パルス波やマイクロ波によるものであってもよい。
また、第１の電極自体に排気手段を接続するようにしてもよい。
また、処理用のガスは、第１の電極を介することなく、直接、第１の電極と第２の電極（ワーク）との間に供給するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】ワーク載置部を第１の電極側から見た図である。
【図３】図１に示すプラズマ処理装置の回路構成を示すブロック図である。
【図４】本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態を模式的に示す断面図である。
【図５】第２実施形態の第１の電極の構成を模式的に示す斜視図である。
【図６】本発明のプラズマ処理装置の第３実施形態を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１……プラズマ処理装置  ２……第１の電極  ２０……下面  ２１……外枠  ２１０……凹部  ２１０ａ……開口  ２１０ｂ……隙間  ２１１……天板部  ２１１ａ……貫通孔  ２１２……側壁部    ２２……多孔質部材  ３……テーブル  ３１……貫通孔  ３０……支持板  ３１０……貫通孔  ４……第２の電極  ２３、４１、４１ａ、４１ｂ……単位電極  ４２……中心点  ５……離間距離規定手段  ５１、５３……ピン  ５２、５４……駆動部  ６……ワーク載置部  ６１……段差部  ７、７０……固定部  ８……電源回路  ８１……導線  ９……高周波電源  １０……スイッチ  １１……ガス供給手段  １２……供給管  １３……ガスボンベ  １４……レギュレータ  １５……バルブ  １００……ワーク  １０１……被処理面  Ａａ……第１の領域  Ａｂ……第２の領域  Ａｃ……第３の領域  １４０……測定手段  １５０……測定部  １６０……記憶手段  １７０……制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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