(57)【要約】【課題】比較的厚いバンプ電極を有する半導体集積回路装置または半導体装置の製造方法におけるバンプ形成工程では、高粘度のレジストを比較的厚く塗布する工程があり、そのような工程では、塗布装置システム中で気泡を導入しやすい。【解決手段】高粘度レジストポンプのレジスト吸引時に、レジスト容器をレジストの溶媒であるシンナー雰囲気で加圧し、レジスト吸引時の配管内が減圧状態にならない様にすることで、レジストへの気泡の導入を防止する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウエハの第１の主面上にフォトレジスト膜を塗布する工程；
（ｂ）前記フォトレジスト膜に複数の開口部を形成する工程；
（ｃ）前記複数の開口部内にメッキにより、金属部材を埋め込む工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）フォトレジスト容器内のフォトレジスト液をレジスト移送ポンプで吸引することにより、前記フォトレジスト容器から前記レジスト移送ポンプ内に移送する工程；
（ｉｉ）前記レジスト移送ポンプ内の前記フォトレジスト液を、前記レジスト移送ポンプで押し出すことにより、前記ウエハの前記第１の主面上に供給する工程、
ここで、前記下位工程（ｉ）において、前記フォトレジスト容器内はフォトレジスト溶剤の蒸気雰囲気により、前記フォトレジスト容器と前記レジスト移送ポンプ間において気泡が発生しない程度に加圧されている。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記フォトレジスト液に含まれる溶剤と前記加圧溶剤の成分はほぼ同一である。
【請求項３】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記溶剤の蒸気雰囲気における加圧は、５キロ・パスカル以上、３０キロ・パスカル未満である。
【請求項４】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記溶剤の蒸気雰囲気における加圧は、１０キロ・パスカル以上、２０キロ・パスカル未満である。
【請求項５】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記金属部材は金を主要な成分として含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法におけるバンプ形成技術に関し、特に高粘度のレジスト塗布技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２００３−１００５９５号公報（特許文献１）には、高粘度のレジスト塗布装置において、レジスト液容器と送液ポンプ間の負圧の発生を複数のベロー図ポンプを制御することにより回避する技術が開示されている。
【０００３】
日本特開平０４−０１８９５８号公報（特許文献２）には、高粘度のレジスト塗布装置において、レジスト液を気体フィルタを介して供給し、気体フィルタにトラップされた気泡を強制的に排除することによりレジストへの気泡の混入を回避する技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１００５９５号公報
【特許文献２】特開平０４−０１８９５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＬＣＤドライバ等の半導体製品では約１５〜２０μｍの電極形成のためのＢＵＭＰめっき工程がある。ウエハ上へのＢＵＭＰめっき成長用の開口部は、高粘度レジストをスピン塗布し約１９〜２５μｍ程度のレジスト膜を形成した後、感光、現像処理を経て作られる。
【０００６】
レジスト瓶（容器）内のレジストを高粘度用ダイヤフラムポンプにて吸引すると、レジストの粘性が大きいためレジストの吸引力がレジスト入り瓶側まで伝わるのにタイムラグが生じる。そのためレジスト瓶からポンプＩＮ側までの配管中のレジストが減圧状態になり、レジスト中の溶存気体が溶け出しレジスト中で気泡となる。その気泡がレジストポンプＩＮ側から吸い込まれ、レジスト滴下時にポンプＯＵＴ側から吐出される。ウエハ１上に滴下された気泡を含んだレジストは回転成膜の引き伸ばし成膜終了後にウエハ上のレジスト膜中に取り込まれ、（図７）の様なレジストピンホール欠陥となる。レジストの吸引時の発泡現象はレジスト吸引スピードを遅くすると改善される傾向があるが、ダイヤフラムポンプはポンプ吐出、吸引の駆動力にエアーと真空を用いているためレジスト吸引スピードのコントーロールが困難で、レジスト発泡対策には不利である。
【０００７】
高粘度レジスト入り瓶からポンプＩＮ配管までの間には、レジスト配管中の気泡検出センサ７（図１）が設けられているが、センサ以降で発生したレジスト配管中気泡については高粘度レジスト用ダイヤフラムポンプ内に入る。そのポンプ内の気泡はポンプの吐出動作時に伸縮を繰り返すため、吐出力低下となりウエハ上へのレジスト滴下量が減少する。高粘度レジスト用ダイヤフラムポンプに入った気泡は、ポンプ内エアー抜き手動バルブを微小開度開けてレジスト吐出と同時にポンプ外へ排出しているため、レジスト消費が多くなってしまう問題がある。
【０００８】
図７に示すように、塗布後のレジスト内に気泡が閉じ込められるピンホール欠陥が発生すると、その箇所は感光後の現像工程で薄いレジスト膜が溶け（図８）の様に下地の被めっき面が露出しレジスト膜形状異常となる。その後のめっき工程をレジスト膜形状異常のままで処理すると、（図９）の様に本来めっきを成長させる場所以外に金属めっきが成長する。レジスト除去後のＢＵＭＰ電極形状は（図１０）の様になり、配線ショート、ＢＵＭＰ形状不良の原因となる。その為、現像工程完了時に全数外観検査を実施しレジスト中の気泡が発見された場合は、レジストを除去し再度塗布を行っている。この作業工程がロスとなりＴＡＴの増加、原材料の増加となる。
【０００９】
前記特開２００３−１００５９５ではレジスト瓶からポンプＩＮ側までの配管の気泡発生原因となる減圧状態を解消するため、レジスト瓶を窒素加圧、またレジスト瓶からレジストポンプＩＮ側までの配管途中に送液用のベローズポンプ用いて減圧状態とならない様にしている。この方式はレジスト瓶を窒素加圧しているのでレジスト瓶中のレジスト表面付近が乾燥し、レジスト粘度が変化して粘度異常高となる。レジスト瓶内の残量が少量になり、粘度異常高のレジストをウエハ上への滴下に使用すると、ウエハ上へのレジスト滴下量が減少し塗布ムラの原因となる。また、レジスト瓶を常時窒素加圧した場合にはレジストへの窒素気体の溶け込みが加速され、レジスト中の溶存気体が増加しレジストポンプ吸引時に発泡し易くなる問題がある。
【００１０】
前記特開平０４−０１８９５８はレジストポンプＯＵＴ側からレジスト滴下ノズル間の配管にフィルタを設けフィルタ内に気泡を溜め、ポンプ動作回数に連動して定期的にフィルタの気泡抜きドレインを開放しフィルタ内の気泡を除去し滴下ノズルへ行く前に気泡を排出する方式である。この方式の問題点はレジストポンプのレジスト吸引時の減圧によるレジスト配管中の発泡を防止できないこと、また定期的にフィルタ内のレジストを排出するので、レジスト消費量の増大によるコストＵＰとなることである。
【００１１】
本発明の目的は、半導体製造工程における高粘度レジスト塗布で発生するレジスト中のピンホールの低減を図ることにある。
【００１２】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１４】
すなわち、本願発明は高粘度レジストポンプのレジスト吸引時に、レジスト容器をレジストの溶媒であるシンナー雰囲気で加圧し、レジスト吸引時の配管内が減圧状態にならない様にするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１６】
すなわち、レジスト容器をレジストの溶媒であるシンナー雰囲気で加圧することによってレジスト中の発泡を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１８】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウエハの第１の主面上にフォトレジスト膜を塗布する工程；
（ｂ）前記フォトレジスト膜に複数の開口部を形成する工程；
（ｃ）前記複数の開口部内にメッキにより、金属部材を埋め込む工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）フォトレジスト容器内のフォトレジスト液をレジスト移送ポンプで吸引することにより、前記フォトレジスト容器から前記レジスト移送ポンプ内に移送する工程；
（ｉｉ）前記レジスト移送ポンプ内の前記フォトレジスト液を、前記レジスト移送ポンプで押し出すことにより、前記ウエハの前記第１の主面上に供給する工程、
ここで、前記下位工程（ｉ）において、前記フォトレジスト容器内はフォトレジスト溶剤の蒸気雰囲気により、前記フォトレジスト容器と前記レジスト移送ポンプ間において気泡が発生しない程度に加圧されている。
【００１９】
２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記フォトレジスト液に含まれる溶剤と前記加圧溶剤の成分はほぼ同一である。
【００２０】
３．前記１または２項の半導体装置の製造方法において、前記溶剤の蒸気雰囲気における加圧は、５キロ・パスカル以上、３０キロ・パスカル未満である。
【００２１】
４．前記１または２項の半導体装置の製造方法において、前記溶剤の蒸気雰囲気における加圧は、１０キロ・パスカル以上、２０キロ・パスカル未満である。
【００２２】
５．前記１から４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記金属部材は金を主要な成分として含む。
【００２３】
〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数の部分に分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００２４】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。同様に、「酸化シリコン膜」と言っても、比較的純粋な非ドープ酸化シリコン(Undoped Silicon Dioxide)だけでなく、FSG（Fluorosilicate Glass）、TEOSベース酸化シリコン(TEOS-based silicon oxide)、SiOC(Silicon Oxicarbide)またはカーボンドープ酸化シリコン(Carbon-doped Silicon oxide)またはOSG(Organosilicate glass)、PSG(Phosphorus Silicate Glass)、BPSG(Borophosphosilicate Glass)等の熱酸化膜、CVD酸化膜、SOG(Spin ON Glass)、ナノ・クラスタリング・シリカ（Nano-Clustering Silica:NSC）等の塗布系酸化シリコン、これらと同様な部材に空孔を導入したシリカ系Low-k絶縁膜（ポーラス系絶縁膜）、およびこれらを主要な構成要素とする他のシリコン系絶縁膜との複合膜等を含むことは言うまでもない。
【００２５】
また、シリコン・ナイトライド膜、窒化シリコン膜などというときは、化学量論的なものばかりでなく、水素や酸素等の付加的な成分を若干含む物を含むものとする。
【００２６】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００２７】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００２８】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体集積回路装置（半導体装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００２９】
６．「加圧」というときは、大気圧を基準としている。たとえば、１．１気圧の圧力を加える場合は、０．１気圧の加圧となる。すなわち、大気圧に付加される圧力差分を示す。
【００３０】
〔実施の形態の詳細〕
本願は発明の実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００３１】
図１から５に基づいて、本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するレジスト塗布装置の動作を説明する。図１に本願発明の実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するレジスト塗布装置の構成図を示す。図２は高粘度レジストポンプ２のスタンバイ状態（未動作時）の機構説明図である。図３は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用する高粘度レジストポンプのレジスト吸引時における機構説明図である。図４は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するダイヤフラム型レジスト移送ポンプの吸引状態を示す動作説明模式断面図である。図５は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するダイヤフラム型レジスト移送ポンプの排出状態を示す動作説明模式断面図である。ここで、レジスト溶媒容器２６には、レジスト液３１の溶媒またはレジスト除去液（またはウエハ裏面レジスト洗浄液）と同様の成分を主要な成分とするレジスト溶媒３０が貯蔵されている。レジスト容器９とレジスト移送ポンプ２の間（ポンプイン配管１８）には、誤って気泡が混入した際に、配管内から強制的に気泡を抜くためのガス抜き配管３２およびガス抜きバルブ６が設けられている。
【００３２】
高粘度レジスト入り瓶９（レジスト容器）からフィルタ２０（異物除去フィルタ）、エアー駆動三方弁２１を経てレジスト溶媒シンナー入り瓶２６へ配管が接続されている。三方弁２１のもう片方は大気開放２２としておき、レジストポンプ２(たとえばガス駆動のダイヤフラム型レジスト移送ポンプ)が動作しない時には三方弁２１は常に大気開放側２２となっている。三方弁２１とレジスト溶媒シンナー入り瓶２６間の配管には、誤って入った配管中のシンナーを検出するセンサ２７が設置されており、センサー２７がシンナーを検出するとアラームを出し、レジストの塗布処理を停止させている。これは、シンナー液体等がレジスト容器９に入りレジスト３１の粘度が低下し、ウエハ1上に塗布されたレジスト膜厚が薄くなるのを防止するためである。工場側窒素配管１９はレギュレータ１１にて大気圧＋１０〜２０ｋＰａ程度に圧力調整されレジスト溶媒シンナー入り瓶２６に接続される。その間にはレジスト溶媒シンナー入り瓶にかかる圧力を検知する圧力センサ２８が設置されている。高粘度レジストポンプＩＮ側弁開放用電磁弁５（図２）は、その駆動電圧で接点がＯＮするリレー２５に接続されている。
【００３３】
次にスタンバイ状態を説明する。高粘度レジストポンプ２のポンプＩＮ側ダイヤフラム弁３７が閉の時はエアー駆動三方弁２１内のポート２１ａとポート２１ｂが接続され、高粘度レジスト入り瓶９内の圧力は常圧、雰囲気は大気状態となる。高粘度レジスト入り瓶９内の圧力が常圧のため、レジスト中への気体の溶け込みは少ない。
【００３４】
次にレジスト吸引の際の動作を説明する。図３は高粘度レジストポンプ２がポンプ内へレジストを吸引している時の機構説明図である。高粘度レジストポンプ２にレジストを吸引するため、レジストポンプＩＮ側弁開放用電磁弁５に電磁弁駆動電圧を通電しポンプＩＮ側ダイヤフラム弁３７を真空で引きポンプＩＮ側弁を開ける。レジストポンプＩＮ側弁開放用電磁弁５の駆動電圧はリレー２５に接続されており、リレーの接点がＯＮするとタイマー２４がスタートし設定時間だけ三方弁駆動電磁弁２３のエアーが出力される。三方弁駆動電磁弁２３のエアーが出力されると、エアー駆動の三方弁２１内のポート２１ａと２１ｃが接続され、高粘度レジスト入り瓶内には１０〜２０ｋＰａ程度（加圧）のシンナー雰囲気が供給される。図４の状態でレジストポンプの主ダイヤフラム３９が真空により下側に引かれるとレジスト液３１がレジストポンプ２内に引き込まれる。
【００３５】
レジスト溶媒シンナー入り瓶は１０〜２０ｋＰａ程度に微加圧されているので、シンナー雰囲気の窒素で高粘度レジスト入り瓶９内を加圧しレジストポンプ２吸引により配管内が減圧になるのを防止する。高粘度レジスト入り瓶９から高粘度レジスト用ダイヤフラムポンプ２のＩＮ側までの配管が減圧とならないので、レジスト中の気泡の溶け出しを低減することができる。高粘度レジスト入り瓶９へ１０〜２０ｋＰａ程度のシンナー雰囲気の供給は、レジストポンプの吸引工程終了後の約５秒後まで行なわれる。タイマー２４の設定時間はポンプのレジスト吸引工程時間１０秒に吸引工程終了後の５秒を足した約１５秒とすると良い。タイマー２４の設定時間（約１５秒）が経過すると、三方弁２１はシンナー雰囲気加圧側ポート２１ｃから、大気開放側２１ｂへと切り替わり、スタンバイ状態へと戻る。ここで、使用するシンナーとしては、たとえば東京応化工業株式会社(Tokyo Ohka Kogyo Co., LTD.)製のグリコール系溶剤、製品名称「ＯＫ７３シンナー」（成分はプロピレン・グリコール・モノ・メチル・エーテル７０％、プロピレン・グリコール・モノ・メチル・エーテル・アセテート）がある。すなわち、溶剤はレジスト液に含まれる溶剤が望ましいが、同様の成分のものであれば、同一である必要はない。ただ、ほぼ同一のほうがレジストの経時変化を抑制する効果がある。また、溶剤はレジスト塗布後にウエハの裏面に付いたレジストを除去するための裏面除去用レジスト除去剤またはそれに含まれる溶剤でもよい。すなわち、レジストの加圧は、単に窒素ガス等によるものはレジスト内に残留した気体成分の分圧も高めてしまうので、あまり効果が期待できない。しかし、上に説明したように、レジストの溶剤と類似または同一成分の溶剤雰囲気で加圧すると、溶剤分圧の分だけレジストポンプによる負圧に対する障壁が高くなり、気泡の生成を防止することができる。また、上記のように、レジスト吸引時のみ溶剤雰囲気加圧するので、溶剤の消費量を減少させることができる。また、これらによって、ポンプベント配管１７やエア抜き配管３２から捨てるレジスト液の量も大幅に削減することができる。
【００３６】
次に、レジストポンプ２に吸引されたレジスト液３１は図５に示すように、ポンプアウト側ダイヤフラム弁３８が開放状態で主ダイヤフラム３９が加圧により上側に押されるとレジスト液３１がレジストポンプ２の外部へ排出され、アウト配管３２およびサックバックバルブ３（ポンプ２と構造的にほぼ同一でより小型にできている）を通してノズル６７先端からスピンチャック４１上のウエハ１に供給される。ノズル６７先端の過剰なレジスト液３１はサックバックバルブ３によって配管内へ引き戻されることにより、ウエハ１上への不所望なレジスト液の滴下が防止される。
【００３７】
図６は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法による半導体装置（半導体集積回路装置）の一例を示すチップ上面図である。これはLCDドライバー用チップの例であり、チップ５１上には回路領域５２とその周辺の多数のバンプ電極１５が配置されている。
【００３８】
次に、図７から図１０に基づいて、レジストに気泡が混入した場合の問題点を説明する。図７に示すように、レジスト液に気泡が混入すると、完成したレジスト膜１２中にも気泡３６が残留することとなる。そうするとパターニングされた後も図８に示すように、レジスト膜のパターン欠陥１４となることがわかる。この欠陥を放置して、メタルメッキを実行すると図９に示すように、欠陥部分へもメタルが埋め込まれることとなる。これが今度はメタル欠陥パターン１６となる。この欠陥パターン１６はレジスト除去後も残留する。
【００３９】
次に、図１１から図１７に基づいて、本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるバンプ形成プロセスを説明する。図１１に示すように多数のデバイスや配線（酸化シリコン膜や種々のメタル層で形成されている）が形成されたウエハ１の主面上にたとえばシリコンナイトライド等（無機系のみでなく有機系の膜でもよい）のファイナルパッシベーション膜６１が形成されており、そのアルミニウムパッド６２に対応する部分には、パッド開口６３が設けられている。次に図１２に示すようにスパッタリングによりUBM(Under Bump Metal)膜たとえばチタン膜６４（下層）、パラジウム膜６５（上層）が順次形成される（これらのUBM材料はあくまでも例示であって、他の同様の材料を排除するものではない）。図１３に示すように、その上に、前記の塗布システムおよび方法を用いて、たとえば１９から２５ミクロン程度の厚さのポジ型レジスト膜１２が形成される。ここで用いるレジスト液は、たとえば東京応化工業株式会社(Tokyo Ohka Kogyo Co., LTD.)製のジアゾ・ナフトキノン・ノボラック系厚膜用ポジ型レジスト、製品名称「PMER P-LA900PM」等がある。図１４に示すように、レジストを露光、現像することで開口６６を形成する。図１５に示すように、開口６６に電気めっきでバンプ電極１５となる金層を埋め込む。次に図１６に示すように、レジスト膜１２を除去する。最後に図１７に示すように、金バンプ１５をマスクにしてウエットエッチングで不要なUBM膜を選択除去する。これでバンプ電極が一応完成したことになる。
【００４０】
図１８は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するレジスト塗布装置の塗布部を示す斜視図である。ノズル６７から滴下されたレジスト液は、ウエハ１上でスピンチャック４１が高速回転することによって、所定の厚さのレジスト膜１２に伸ばされる。
【００４１】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて金バンプを形成する際のレジスト塗布を例にとって具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００４２】
例えば、金以外の半田バンプ、銀バンプ等の形成において同様に適用できることは言うまでもない。また、バンプ形成に限定されるものではなく、粘度の高い塗布材料を扱う際に広く適用できることは言うまでもない。また、ここではスピン塗布を例にとり説明したが、それ以外のスキャン塗布等にも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するレジスト塗布装置の構成図である。
【図２】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用する高粘度レジストポンプのスタンバイ状態（未動作時）における機構説明図である。
【図３】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用する高粘度レジストポンプがポンプ内へレジストを吸引している時の機構説明図である。
【図４】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するダイヤフラム型レジスト移送ポンプの吸引状態を示す動作説明模式断面図である。
【図５】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するダイヤフラム型レジスト移送ポンプの排出状態を示す動作説明模式断面図である。
【図６】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法による半導体装置（半導体集積回路装置）の一例を示すチップ上面図である。
【図７】レジストに気泡が混入した場合の状況を説明するためのレジスト塗布完了段階の模式断面図である。
【図８】レジストに気泡が混入した場合の状況を説明するためのレジスト現像完了段階の模式断面図である。
【図９】レジストに気泡が混入した場合の状況を説明するための金属層メッキ完了段階の模式断面図である。
【図１０】レジストに気泡が混入した場合の状況を説明するためのレジスト除去完了段階の模式断面図である。
【図１１】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるバンプ形成処理前のデバイス構造を示す模式断面図である。
【図１２】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるUBM(Under Bump Metal)形成工程のデバイス構造を示す模式断面図である。
【図１３】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるフォトレジスト塗布工程が完了したデバイス構造を示す模式断面図である。
【図１４】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるフォトレジスト現像工程が完了したデバイス構造を示す模式断面図である。
【図１５】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるメッキ工程が完了したデバイス構造を示す模式断面図である。
【図１６】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジスト除去工程が完了したデバイス構造を示す模式断面図である。
【図１７】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるUBMエッチ工程が完了したデバイス構造を示す模式断面図である。
【図１８】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するレジスト塗布装置の塗布部を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  ウエハ
２  レジスト移送ポンプ
９  フォトレジスト容器
１２  フォトレジスト膜
１５  金属部材
３０  フォトレジスト溶剤
３１  フォトレジスト液
６６  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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