(57)【要約】【課題】欠陥修正工程の作業効率を向上させ、タクトタイムの短縮及び作業者の工数費の削減を図る。【解決手段】過去に実施された欠陥修正手法を含む複数の欠陥修正手法をデータベースに蓄積し、配線基板の検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出する。そして、検出された欠陥の配線基板内における位置に基づいてデータベースから欠陥修正手法を読み出して所定の条件に従い選定し、選定された欠陥修正手法に基づき欠陥の修正を実行する。上記欠陥修正手法は欠陥の特徴を示すテンプレート情報７３と、実際の修正方法及び欠陥の位置を示すオブジェクト情報７４から構成されており、検出された欠陥の情報がテンプレート情報７３及びオブジェクト情報７４の特定の条件に一致しているものを欠陥修正手法として出力する。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で、複数の配線パターン及びその周辺回路が形成された配線基板内の欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する欠陥修正装置において、
配線基板の検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出する欠陥検出部と、
過去に実施された欠陥修正手法を含む複数の欠陥修正手法が蓄積されたデータベースと、
前記欠陥検出部で検出された欠陥の前記配線基板内における位置に基づいて、前記データベースから欠陥修正手法を読み出して所定の条件に従い選定する修正方法生成部と、
前記修正方法生成部で選定された欠陥修正手法に基づき前記欠陥の修正を実行する修正機構部を制御する制御部とを備え、
前記欠陥修正手法が欠陥の特徴を示すテンプレート情報と、実際の修正方法及び欠陥の位置を示すオブジェクト情報から構成されており、
前記修正方法生成部は、前記検出された欠陥の情報が前記テンプレート情報及び前記オブジェクト情報の特定の条件に一致しているものを欠陥修正手法として出力する
ことを備えることを特徴とする欠陥修正装置。
【請求項２】
入力操作が行われる入力部と、
前記各画像及び欠陥修正手法をグラフィカルユーザインタフェースを利用して表示する表示部とを備え、
前記修正方法生成部は、前記入力部からの入力内容に基づいて、前記テンプレート情報の内容を、前記配線基板の性質、前記配線パターンの条件を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項３】
入力される欠陥情報は、前記欠陥修正手法に登録されている配線パターンの原点座標と大きさに対応する位置情報を持ち、入力情報の原点位置に前記欠陥修正方法の基準とする原点を移動させたときの前記オブジェクト情報の位置が欠陥修正を実行する位置である
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項４】
前記修正方法生成部は、前記欠陥情報に含まれる位置情報が実際の欠陥修正対象である配線基板における座標系と異なる場合、選定したテンプレートの座標を配線基板座標へ変換し、欠陥修正処理実行位置として出力する
ことを特徴とする請求項３に記載の欠陥修正装置。
【請求項５】
前記修正方法生成部は、前記入力部からの入力内容に基づいて、前記欠陥修正手法に個々の名称を設定し前記データベースに異なるオブジェクト情報を登録することで、前記テンプレート情報が共通する同一種類の欠陥に対して複数の欠陥修正手法を登録する
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項６】
前記オブジェクト情報の位置は、前記配線パターンの基準となる原点座標からの相対座標で記録されている
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項７】
前記修正方法生成部は、前記入力部からの入力内容に基づいて、前記オブジェクト情報に少なくとも欠陥の種類及び修正箇所の膜材料よりなる付加情報を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項８】
前記オブジェクト情報の修正方法は、特定動作の一連の処理を一つの修正方法として前記データベースに登録される
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項９】
前記データベースは配線パターンの画像を記憶しており、
前記修正方法生成部は、前記入力部からの入力内容に基づいて、前記表示部に表示された配線パターンに重ねてオブジェクト情報を登録、編集する
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項１０】
複数の配線パターン及びその周辺回路が形成された配線基板内の欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する欠陥修正方法において、
過去に実施された欠陥修正手法を含む複数の欠陥修正手法をデータベースに蓄積する工程と、
配線基板の検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出する工程と、
前記検出された欠陥の前記配線基板内における位置に基づいて、前記データベースから欠陥修正手法を読み出して所定の条件に従い選定する工程と、
前記選定された欠陥修正手法に基づき前記欠陥の修正を実行する工程と、を有し、
前記欠陥修正手法が欠陥の特徴を示すテンプレート情報と、実際の修正方法及び欠陥の位置を示すオブジェクト情報から構成されており、
前記検出された欠陥の情報が前記テンプレート情報及び前記オブジェクト情報の特定の条件に一致しているものを欠陥修正手法として出力する
ことを特徴とする欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置の製造工程で行われる欠陥修正の技術に関し、特にフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ；Flat Panel Display）のＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板等の基板上に形成されたデバイスパターンや配線パターンにおける欠陥を修正するのに好適な欠陥修正装置及び欠陥修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ディスプレイ装置として、有機ＥＬ(Electro Luminescence)ディスプレイや液晶ディスプレイなどの所謂フラットパネルディスプレイが広く知られ、普及している。これらのディスプレイ装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やキャパシタなどの素子、及びこれらの素子に電気的に連結された複数の配線（例えば信号配線や電位供給配線）などの様々な導電部材を含む配線基板によって構成される。
【０００３】
このディスプレイ装置を構成する配線基板の量産においては、例えば異物の存在によって、本来互いに離れて設けられる配線や素子が電気的に連結された短絡や、本来連続的に設けられる配線や素子が内部で互いに分離された断線などの、所謂欠陥が生じることがある。このような量産時の欠陥の発生は、ディスプレイ装置が大型化するにつれ、その駆動用の配線基板となるＴＦＴ基板に生じる欠陥箇所が増加して歩留まりが低下するため、欠陥箇所を修正する欠陥修正工程が必須となっている。
【０００４】
このような短絡や断線などの欠陥に対する修正手法としては、例えばレーザ光照射による短絡箇所を切断する手法（レーザリペア）のほか、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法による断線箇所の結線などが挙げられる。欠陥修正を行う装置の一例として、所用の加工形状に整合したビーム形状で均等なエネルギーのレーザ光を対象物に照射して所定箇所を正確に、かつ能率よく加工し、修正を行うレーザ加工装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１８６１００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に記載のように、単純に欠陥画像（被検査画像）と基準パターン画像（参照画像）との差画像を欠陥範囲として修正を行った場合、その欠陥の種類を把握していないと修正に失敗する可能性がある。というのも、欠陥修正手法の選定や欠陥に照射するレーザ光のパルス周期、レーザパワー、レーザ光のスポット形状や発振時間等の各パラメータの選定を作業員のスキルや経験に頼っており、それによってその選定結果が異なってくるからである。
【０００６】
例えば、ディスプレイ用のＴＦＴ基板などの場合には、各画素に対応する配線部内に、信号配線や走査配線のみならず複数の電位供給配線が存在するため、画素内の配線密度の増大化や画素構造の複雑化が著しい。
同一の配線に接して生じている欠陥や、配線部内で略同位置に生じている欠陥等の修正においても、周囲に位置している部材の種類や有無に応じてそれぞれ異なる欠陥修正手法を選定することが必要となる。例えば、レーザ光照射による短絡箇所の切断を検討する場合、熱拡散によって周囲の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等に変質が生じることを回避する必要がある。
特に、有機ＥＬディスプレイのように配線部（画素）を構成する配線の種類や配置が複雑な場合とか、配線の両端に電源が接続されている電位供給配線などの両側駆動の配線が他の片側駆動配線と混在して配線部を構成している場合などには、欠陥に対する修正手法の選択肢が極端に増大し、これに伴って適切な修正手法を選びとることも困難となる。
【０００７】
このようにフラットパネルディスプレイのパネル製造においては、欠陥の発生態様とこれに対する修正手法（修正手順）の選択肢が著しく増加している。１つの欠陥の修正を行うために複数箇所にレーザ光照射を行う必要性が生じると、レーザ光照射条件（レーザ加工パラメータ）の設定に手間と時間がかかり作業効率が悪化する。
【０００８】
しかして、パネル製造ラインの欠陥修正工程では、作業者がその場で欠陥を確認して、欠陥修正手法を決定し、レーザリペア等の欠陥修正作業を行うため、タクトタイムがかかりすぎ、欠陥修正工程の作業速度がライン全体の量産速度に追いついていない問題がある。
【０００９】
多くのパネル製造工場では、複数台の欠陥修正装置（レーザリペア機）を購入し、各欠陥修正装置を担当する作業者を増員することで、このような問題を回避している。
【００１０】
しかしながら、このような回避方法を採用した場合、欠陥修正装置や作業者数の著しい増加により、装置コストや作業者の工数費が膨らみ、利益が著しく低下するという深刻な問題が発生する。
【００１１】
本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、欠陥修正工程の作業効率を向上させ、タクトタイムの短縮と作業者の工数費の削減を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は、複数の配線パターン及びその周辺回路が形成された配線基板内の欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する欠陥修正方法において、過去に実施された欠陥修正手法を含む複数の欠陥修正手法をデータベースに蓄積する工程と、配線基板の検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出する工程と、その検出された欠陥の配線基板内における位置に基づいて、データベースから欠陥修正手法を読み出して所定の条件に従い選定する工程と、その選定された欠陥修正手法に基づき欠陥の修正を実行する工程とを有している。そして、欠陥修正手法が欠陥の特徴を示すテンプレート情報と、実際の修正方法及び欠陥の位置を示すオブジェクト情報から構成されており、検出された欠陥の情報がテンプレート情報及びオブジェクト情報の特定の条件に一致しているものを欠陥修正手法として出力することを特徴とする。
【００１３】
上記構成によれば、基板上に形成されたＴＦＴ基板等の配線基板内における欠陥修正対象領域について、基準画像における原点とサイズを指定し、想定される欠陥の箇所と修正方法をテンプレートとして登録し、それぞれに対する付加情報を設定することで最適な欠陥修正手法を自動で選択、実行が可能となる。個々の欠陥修正手法は座標情報を持つだけなので、画像ごとの登録が不必要なためデータベース化がしやすく、付加情報も配線基板ごとに設定ができるため、よりフレキシブル（柔軟）な欠陥修正手法の選択が可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の欠陥修正装置及び欠陥修正方法によれば、欠陥修正工程の作業効率が向上し、タクトタイムの短縮と作業者の工数費の削減が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態例について、図１〜図２０を参照しながら説明する。
本実施形態では、目的とする配線基板がディスプレイ装置を構成する場合について、つまり配線基板を構成する多数の配線部をディスプレイ装置の画素に対応して２次元マトリクス状に多数形成するとともに、これと周辺回路を配線により結線している場合について、説明を行う。
【００１６】
図１は、本発明のディスプレイ装置が適用されたフラットパネルディスプレイの製造過程における基板の一実施の形態の例を示すものである。
この例では、共通の基板３に４台分のフラットパネルディスプレイの配線基板１が形成されている。配線基板１は、後述する繰り返しパターンを有するエリア（繰り返しパターン区域５３、図２参照）、配線５２を介して繰り返しパターンから外部へ接続する周辺回路５１のエリア（周辺回路区域５７、図２０参照）、繰り返しパターン区域５３と周辺回路区域５７の境となるエリア（最外周区域５４、図２０参照）に分けられる。繰り返しパターン区域５３と最外周区域５４は、配線部２の繰り返しにより構成される。
【００１７】
図２に、複数の配線パターン（配線部２）が基板３上に形成されてなる繰り返しパターン区域５３を示す。繰り返しパターン区域５３は、配線部２が繰り返し形成された領域のうちの最外周区域５４を除いた部分である。
【００１８】
図３は、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程のフローチャートである。このフローチャートは、配線パターン形成工程から、欠陥検査工程を経て、欠陥修正工程までの流れを示している。
本実施形態においては、まず、基板３上に、走査配線と、層間絶縁膜と、信号配線及び電位供給配線とを、目的とする配線部２の主要構成として積層形成することによって、配線部形成工程を実施する（ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３）。また、周辺回路５１及び配線５２を形成し、周辺回路５１と最外周区域の配線部２を接続する。この周辺回路５１と配線５２の形成工程は、上記ステップＳ１〜Ｓ３における走査配線、層間絶縁膜、信号配線及び電位供給線を形成する工程の前後いずれでもよい。
【００１９】
続いて、最終的な配線基板１を構成する共通の基板３に対し、多数の配線部２を光学的に観察して欠陥配線部２ａを検出する光学検査工程を実施する（ステップＳ４）。欠陥配線部２ａの基板３における欠陥位置情報が欠陥修正装置のコンピュータ等の制御部に送られる。この光学検査工程においては、図１の欠陥配線部２ａを含む画像（欠陥画像）から、欠陥配線部２ａの存在のみならず、欠陥（パターン欠陥、異物など）及びその位置をはじめとする所謂パターン欠陥分類情報のほか、欠陥のサイズや種類（材料や状態など）等の特徴をも特定する。
【００２０】
そして、欠陥修正工程では、欠陥修正装置が自動的に上記欠陥位置情報を読み込むことにより、欠陥修正装置のステージが制御されて欠陥位置に移動し、観察系で欠陥を確認し、レーザ照射等を行うことにより欠陥を修正する。
【００２１】
後述するように、予めデータベースに蓄積された、又は過去に実施された欠陥修正手法を含む欠陥修正手法（テンプレート）を、光学検査工程で検出された欠陥と、目的とする所定の配線部２を構成する複数の領域との位置関係に対応して選択的に読み出して（ステップＳ５）、選択された適切な欠陥修正手法によって、欠陥配線部２ａを修正し（ステップＳ６）、配線基板１の製造を完了する。
【００２２】
本発明では、予め登録されている過去の欠陥修正手法（欠陥修正手順）のデータファイル（テンプレート）を呼び出せるようにしたことで欠陥修正工程を大幅に効率化できる。さらに、欠陥の位置、サイズ、種類等を検出して、適切な修正データが選択されることで欠陥の修正工程の自動化が可能となるものである。
【００２３】
図３に、配線基板に対する欠陥修正工程を実行する欠陥修正装置の一例の構成図を示す。
本実施形態に係る欠陥修正装置２００は、レーザ光照射により短絡箇所を切断する装置、所謂レーザリペア装置の例であるが、レーザＣＶＤ法などの配線の結線処理を行える装置に適用することも可能である。本実施形態の欠陥修正装置２００は、対物レンズ２０８と基板３との間にレーザＣＶＤ法を実施できる加工装置を備えており、それについては後に詳述する。
【００２４】
図３において、欠陥修正装置２００は、予め欠陥検査装置３００によって行われた欠陥検査の結果として、基板３上の欠陥の位置情報を、欠陥修正装置２００内にある全体制御部（以下、「制御部」という。）２０２により受け取ることができる。この制御部２０２はパーソナルコンピュータ等のコンピュータ（演算処理装置）であり、画像解析及び修正方法生成部２０１とともに修正方法生成手段を構成する。
【００２５】
制御部２０２ではステージ制御部２０７にコマンドを送り、基板３が搭載されたＸＹステージ２０５を動かし、欠陥検査装置３００で検出された欠陥箇所が対物レンズ２０８の真下になるように調整する。次にフォーカスステージ２１０を動かして対物レンズ２０８と基板３の間隔を調整し、撮像装置２１７で光学レンズ２１４ｇを透過した光の合焦点画像が撮像できるようにする。なお、ここではハーフミラー２１５ａ，２１５ｂ、光学レンズ２１４ａ、及びランプ２０９による落射照明により、適切な明るさを持つ画像が得られるようにしている。撮像された欠陥箇所が含まれる画像（欠陥画像）は、欠陥画像メモリ２１８に一旦保存される。
【００２６】
次に、制御部２０２はステージ制御部２０７にコマンドを送ってＸＹステージ２０５を動かし、欠陥箇所の隣接画素もしくは当該欠陥箇所から繰り返しとなるパターン数個分、即ち全く同じ画素パターンとなる位置まで移動した位置が対物レンズ２０８の真下になるようにして、欠陥の無い画像（参照画像）を撮像し、参照画像メモリ２１９に保存する。ここでいう画素は、図１に示した配線部２に相当するものである。
【００２７】
欠陥抽出部（欠陥検出部）２２０は、欠陥画像メモリ２１８に保存された欠陥画像と、参照画像メモリ２１９に保存された参照画像とを位置合わせした後に差画像を生成することで、欠陥部位の画像を抽出し、抽出した欠陥部位の画像を詳細位置情報抽出部２２１及び特徴抽出部２２２に出力する。
【００２８】
詳細位置情報抽出部２２１は、抽出された欠陥の基板３上における正確な位置をＸＹステージ２０５の現在位置及び欠陥画像から算出し、その情報を修正方法生成部２２６に送る。
【００２９】
特徴抽出部２２２は欠陥抽出部２２０で抽出された欠陥の形態及び種類等を特定するための情報である欠陥の色、大きさ、コントラスト、形状等の各種特徴情報を数値化して修正方法生成部２２６へ出力する。
【００３０】
修正方法生成部２２６は、詳細位置情報２２１及び特徴抽出部２２２から得られる詳細位置情報、特徴情報から、修正機構部２０４の各ユニットをどのように動作させるかを規定するための適切な欠陥修正情報（リペアレシピ情報）を修正手法データベース２２５から読み出す。
具体的には、例えば欠陥位置情報抽出部２２１からの詳細位置情報に基づいて、欠陥箇所が後述する複数のエリア（区域）に区分けされた配線基板のどの位置に存在するかを判定し、欠陥位置に適した欠陥修正処理が実施されるような制御を実行する。
【００３１】
制御部２０２は修正方法生成部２２６によって生成された欠陥修正情報に基づく修正手法（テンプレート）を、欠陥画像と重ね合わせてディスプレイ（表示装置）２２７に表示する。なお、制御部２０２は、状況に応じて位置や特徴等の欠陥情報に基づき欠陥修正情報のリペアオブジェクトの一部を補正することができる。また、一つの欠陥修正情報には複数の修正手法が含まれることもある。
【００３２】
作業員はディスプレイ２２７に表示された修正手法を見て問題があると判断すれば、例えばキーボートやマウス等の入力装置（入力部）２２８を操作して別の修正手法を選択することもできるし、修正手法（欠陥修正情報）の一部又は全部を変更することもできる。更に修正方法生成部２２６にて修正手法データベース２２５から複数の欠陥修正手法が読み出された場合、その複数の欠陥修正手法をディスプレイ２２７に表示して作業員に選択を促し、作業員が入力装置２２８を操作して選択した欠陥修正手法に従い、欠陥修正を行う。
【００３３】
制御部２０２は、入力装置２２８から入力された操作信号を受信すると、欠陥修正手法の選択や変更の履歴を、修正手法データベース２２５に記録する。修正手法データベース２２５に蓄積された修正手法は、次回以降の欠陥修正に利用される。
【００３４】
最終的に欠陥修正手法が決定されれば、その欠陥修正手法に従って制御部２０２は、修正機構部制御部２１６にコマンドを送り、修正機構部２０４内の各ユニットを動作させ、欠陥の修正を行う。修正機構部２０４は、レーザ光源２１３から照射されたレーザビームを光学レンズ２１４ｂ，２１４ｃにて補正した後に、可変スリット２１２を通過させることにより、照射サイズ、角度を変更できるようにしてある。
【００３５】
可変スリット２１２は、例えば、ＸＹ−θスリットと呼ばれるもので、長方形のＸ、Ｙ方向の開口長と、回転角θが変更できるスリットであり、修正機構制御部２１６からの駆動信号により駆動できるものとする。
【００３６】
可変スリット２１２によって照射形状を整形されたレーザビームは、光学レンズ２１４ｄを通り、ガルバノミラー２１１ａ，２１１ｂで反射される。ガルバノミラー２１１ａ，２１１ｂは、２次元に角度可変なミラーであり、修正機構制御部２１６の制御に従って駆動することで、ＸＹステージ２０５を動かさずに、対物レンズ２０８の視野範囲内でレーザビームの光軸、すなわち照射位置を動かすことができる。
【００３７】
このような可変スリット２１２、ガルバノミラー２１１ａ，２１１ｂを備える欠陥修正装置２００は、欠陥に対し十分な位置精度を持ってレーザビームを照射できるため、精度よくパターン欠陥の修正が可能となる。
【００３８】
そして、ガルバノミラー２１１ａ，２１１ｂで反射されたレーザビームは、各種光学レンズ２１４ｅ，２１４ｆを透過し、ハーフミラー２１５ａで反射後に、対物レンズ２０８を介して、基板３に照射される。
【００３９】
上記欠陥検査装置３００は、欠陥を探索する方法として光学式検査機を使えるため、導通状態が正常であるパターン欠陥に対しての修正が可能となる。
【００４０】
本実施形態の欠陥修正装置は、過去の修正データ（欠陥修正手法）を呼び出せることで修正工程を大幅に効率化できる。さらに、欠陥位置に見合った適切な欠陥修正手法が選択されることで、欠陥の修正工程の自動化が可能となる。例えば、修正方法生成部２２６によって生成された欠陥修正手法の中の最も優先度の高い修正方法を常に自動で選択、実行することにより、作業員なしに完全自動で欠陥修正することも可能である。
【００４１】
ここで、本実施形態の欠陥修正装置の要部について説明する。図５に、レーザＣＶＤ法やレーザエッチングを実施可能な構成例を示す。この例では、装置の要部、すなわちレーザ光源２１３から出射されたレーザ光が対物レンズ２０８を透過して局所排気装置２３４を経て基板３に照射される構成を示している（その他の全体構成は図４参照）。
【００４２】
本実施形態における欠陥修正加工装置は、少なくとも図５に示すように、ＸＹステージ２０５上の基板３に対向する局所排気装置（局所成膜／エッチングヘッド）２３４を有する。本実施形態では、レーザ光源２１３を用いてレーザパワーの調節等を行っているが、２つの光源装置を用意して使途に応じて使い分けるようにしてもよい。
【００４３】
第１の光源装置は、例えば薄膜形成のためのＣＶＤ用レーザ光源を有し、このレーザ光源としては、例えば、波長３５５ｎｍ、パルス幅２５ナノ秒（ｎｓ）、周波数２４ｋＨｚ、出力２Ｗのものを用いることができる。また、第２の光源装置は、例えば薄膜除去のためのエッチング（ザッピング）用レーザ光源を有し、このレーザ光源としては、例えば、波長３９０ｎｍ、パルス幅３ピコ秒（ｐｓ）、周波数１ｋＨｚ、出力１ｍＷのものを用いることができる。この第２の光源装置については、パルス幅が１０ピコ秒以下の短パルスレーザを搭載することが好ましく、これによって従来の（パルス幅がナノ秒のレーザを搭載した）装置におけるような、加工時の熱拡散が原因で生ずる溶融した状態の金属が新たな層間リークを発生させることを回避できる。ＸＹステージ２０５は、例えば基板３上の欠陥部を対物レンズ２０８の視野内に移動し位置決めを行うことが可能である。
【００４４】
レーザ光源２１３からのレーザ光は、各種光学素子を介して、レーザＣＶＤ法やレーザエッチング用のレーザ光Ｌとして基板３上に集光照射される。すなわち、対物レンズ２０８に応じた倍率で縮小されたスリットの投影が基板３上に結像されることにより、この結像形状に対応して加工がなされる。
【００４５】
局所排気装置２３４には、中央に前述したレーザ光Ｌの透過孔２４７及び透明窓２４８と、ＸＹステージ２０５に載置される加工対象物となる基板３の主たる加工部となる局所排気領域（局所成膜／エッチング領域）２５１が設けられ、この局所排気領域２５１に繋がる第１流路２５７が、原料供給部２５５及び局所排気部２５６のいずれか一方に切換手段２５８を介して連通するように設けられる。
ここで、原料供給部２５５及び局所排気部２５６は、それぞれ、ＸＹステージ２０５に載置されるＴＦＴ基板などの加工対象物となる基板３上における薄膜形成及び薄膜除去の補助手段となるものであり、本実施形態においては、それぞれ後述するように、レーザＣＶＤ法とレーザエッチングの補助手段となる。
なお、局所排気領域２５１は、局所排気装置２３４の下面に臨んで、図６に示すように、排気流路２６２及び２６３の端部を構成する吸引溝が形成する略同心環状の内側に、略円筒状空間として透明窓２４８と基板２３３との間に形成される。
【００４６】
本実施形態における局所排気装置２３４においては、更に、例えば圧縮した窒素ガス（Ｎ２）をＸＹステージ２０５側に向けて噴射することによって局所排気装置２３４を静圧浮上させる圧縮ガス供給部２５２と、ＸＹステージ２０５側に向けて噴射された圧縮ガス及び局所排気領域５１からのＸＹステージ２０５側に供給されたうちの余剰ガス（成膜ガス、パージガス等）を、図６の局所排気装置２３４の底面図に示されるようなリング状の排気流路（吸引溝）２６２及び２６３から排気する排気部２５３及び２５４とが設けられる。
また、図示しないが、必要に応じて、局所排気領域２５１にはパージガス供給部につながるパージガス流路が連結され、このパージガスの導入における圧力、速度、位置、角度等を選定することにより、加工によって生じた異物などが透明窓２４８の表面に付着することを抑制することなどが可能となる。
【００４７】
局所排気装置２３４は、ＸＹステージ２０５上の加工対象物である基板３に対して相対的に変位可能とされ、圧縮ガス供給部２５２や排気部２５３及び２５４のほか、原料供給部２５５、局所排気部２５６、パージガス供給手段などによっても浮上剛性の向上を図ることが可能となる。ここで、浮上剛性とは、局所排気装置２３４と加工対象物（例えば基板３）の間の吸着力であり、この浮上剛性が十分でない場合には、局所排気装置２３４の加工対象物に対する高さ（ギャップ）の安定性が不十分となるとか、局所排気装置２３４の機械的もしくは力学的な安定性が不十分になるなどの問題が生じることから、浮上剛性を十分に確保しておくことが望ましい。
本実施形態においては、圧縮ガス供給部２５２からの圧縮ガスが、供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路２６１及びその開口部に配置された多孔質通気膜２６０により、局所排気装置２３４に対向するＸＹステージ２０５に向けて均一に出射され、圧縮ガスの圧力や流量と、各排気部による吸引量のバランスを選定することによって、局所排気装置２３４の浮上量が決定される。すなわち、局所排気装置２３４は静圧浮上パッド構成とされる。
【００４８】
なお、原料供給部及び局所排気部は、それぞれ、加工対象物となる基板上における薄膜形成及び薄膜除去の補助手段となるものであり、本実施形態においては、それぞれ、レーザＣＶＤ法とレーザエッチングの補助手段となる。
また、本実施形態においては、局所排気装置２３４にヒーター２５９が併設されており、このヒーターによって、局所排気領域２５１を中心とするガスの温度、すなわち薄膜パターン形成装置１のチャンバー内の温度を一定に保つことが可能とされる。
【００４９】
ここで、本実施形態における欠陥修正装置の概略動作を説明する。
まず、基板３に対してレーザＣＶＤ法により薄膜を形成する場合には、圧縮ガス供給部（供給源）２５２から圧縮ガスを圧縮ガス供給路２６１に供給し、多孔質通気膜２６０を通して基板２３３側に噴射し、局所排気装置２３４を基板３から所定間隔だけ浮上させる。
この状態で、切換手段２５８を切り換えて、原料供給部（供給源）２５５から成膜用の原料ガスを第１流路２５７及び局所排気領域２５１を通して、基板３の成膜すべき局所に供給する。同時にレーザ光源装置からのレーザ光Ｌを透過孔２４７、透明窓２４８及び局所排気領域２５１を通して基板３の成膜すべき局所に照射し、成膜用の原料ガスを熱分解して基板３の局所にＣＶＤ膜を成膜する。
原料供給部２５５から供給される成膜用の原料ガス、及び必要に応じて供給されるパージガス（キャリアガス）は、プロセス用途としての使用後に、より内側の吸引溝による排気流路２６３から排気部２５４により吸引される。また、多孔質通気膜２６０より放出された圧縮ガスは、局所排気装置２３４の内部に向かっていくが、より外側の吸引溝による排気流路２６２から排気部２５３により排気される。この構成により、外気の遮断と、プロセスを独立化することが可能となる。
【００５０】
一方、基板３の所定の一部を短パルス幅レーザ光の照射によりエッチング除去する場合は、圧縮ガス供給部２５２からの圧縮ガスを多孔質通気膜２６０を通して基板３側に噴射し、局所排気装置２３４を基板３から所定間隔だけ浮上させ、例えばこの状態で切換手段２５８を切り換えることによって第１流路２５７を局所排気部２５６に連通させると共に、レーザ光Ｌを基板３のエッチングすべき領域に照射し、形成されている薄膜パターンの一部を熱的に除去する。
このとき、エッチングにより発生したダスト（削りカス）は第１流路２５７を通して局所排気部２５６によって排出される。また、パージガスを供給した場合には、エッチングによって生じた異物が透明窓２４８の内面に付着されるのが抑制される。
【００５１】
このようにして、本実施形態における欠陥修正装置においては、ＣＶＤ用とエッチング用の２つの種類のレーザを切り替えて適宜選択することにより、基板３に対する加工が可能とされる。
すなわち、例えばエッチング用のレーザを選択した場合には、切換手段２５８を切り換えて第１流路２５７を局所排気部２５６に通じるように排気ポートに切り換えることによって、エッチング時に発生するダスト（削りカス）を排出する構成とすることができる。これにより、局所排気領域２５１内におけるレーザＣＶＤ法による薄膜形成やレーザエッチングによる薄膜除去などの加工が可能となる。
【００５２】
なお、この静圧浮上パッド構成によれば、加工対象物に相当して配置した基板３をスライドさせたところ、基板の反りやうねりに追従して一定の浮上量を確保できたことから、このような局所排気装置２３４の構成により、基板と局所排気装置の間隔を常に一定に保つことができ、かつ成膜プロセス条件を外気の遮断と独立して制御できるため高品質な薄膜を安定に形成することが可能となることが確認できた。
また、各排気部及び各排気流路による排気ユニット内に、圧力制御用のバルブを設置することによって、レーザＣＶＤプロセスの圧力制御と、レーザ照射部のガス分圧及び流速の制御が可能となる。更に、前述したＣＶＤ法及びエッチングの各プロセスに最適な条件を外気遮断とは独立に制御可能とすることもできるし、排気部２５３及び２５４には、有毒ガスを除害する機能を付加した構成とすることもできる。
【００５３】
ここで、検査対象の配線基板の繰り返しパターン区域５３の配線部２（単位画素）の概略構成を、図７Ａに示す。
この配線部２は、基板３上に走査配線（破線図示）４が設けられ、この走査配線４上に、層間絶縁膜５を介して、信号配線６，電流供給配線７，グラウンド電極８が、走査配線４とは直交する方向に主として延在して配置されている。
信号配線６は、グラウンド電極８に連結されたキャパシタ（容量素子）１２に対し、第１ＴＦＴ素子７のゲートを介して対向する構成とされ、更にキャパシタ１２は、電流供給配線７がソースとなる第２のＴＦＴ素子１０のゲートとして設けられている。電流供給配線７に対して第２のＴＦＴ素子１０を介して対抗する配線は、発光部となる有機ＥＬ素子（図示せず）のアノード電極１１に連結されている。
【００５４】
この配線部２における動作は、走査配線４をａ１、信号配線６をｂ１、電位供給配線７をｂ２、グラウンド配線８をｂ３、第１及び第２のＴＦＴ素子９及び１０をＴｒ１及びＴｒ２、アノード電極１１を有する発光部をＥＬ、キャパシタ１２をｃとすると、図７Ｂに示す等価回路図に沿ってなされる。
すなわち、電位供給配線ｂ２には常時電流が供給されており、走査配線ａ１に走査パルスが印加されかつ信号配線ｂ１に所要の信号が供給されると、第１のＴＦＴ素子Ｔｒ１がオン状態になり、キャパシタｃに所要の信号が書き込まれる。この書き込まれた信号に基づいて第２のＴＦＴ素子Ｔｒ２がオン状態になり、信号量に応じた電流が電位供給配線ｂ２を通して発光部ＥＬに供給され、発光部ＥＬにおける発光表示がなされる。
【００５５】
図８は、図７に示した配線部２（単位画素）を基板上に複数形成した例（繰り返しパターン例）を示したものである。
本実施形態に係る配線基板の欠陥修正手法においては、配線部の場所で欠陥が生じているかに応じて、つまり光学検査工程で検出された欠陥の位置に応じて、前述した欠陥修正工程で修正手法データベース２２５から読み出す欠陥配線部２ａの修正手法（リペアレシピ）を選定する。
なお以降の説明において、配線部（単位画素）上の欠陥が存在する領域を特に欠陥領域ともいう。
【００５６】
図９に、単位画素（配線部）の座標系を示す。本実施形態に係る配線基板の製造工程では、光学検査工程において欠陥の有無のみならずその位置やサイズ及び種類等を特定するものであるが、欠陥の位置を特定する具体的な手段としては、図９に示すように、単位画素に対応する配線部の一角（例えば左上）を座標原点１８とし、ＸＹ座標系にある欠陥２０ａの座標系情報を（ｘ１，ｙ１）として特定する手法が挙げられる。また、欠陥のサイズや種類を特定する具体的な手法としては、欠陥部における反射率や明暗等の物理的特性の、所定の構成における場合との差を検出する手法などが挙げられる。
【００５７】
ところで、単位画素（配線部）はその位置によって材料などの条件が異なる。図９に示すように、任意の配線部２ａを例えば以下の４つの領域に分割して説明する。
第１領域１４：配線部分（走査線あり）
第２領域１５：配線部分（走査線なし）
第３領域１６：ＴＦＴ素子部（走査線あり）
第４領域１７：キャパシタ及びＴＦＴ素子部（走査線なし）
【００５８】
第１領域１４及び第２領域１５には熱拡散によって変質する部材が存在しないことから、例えば異物などによる短絡箇所にレーザ光を直接照射して完全修正を行うことが可能な領域である。但し、第１領域１４は直下に走査配線４が存在するため、その直上ではレーザ光照射時に注意を要する領域であり、第２領域１５は下層に走査配線が存在しないため、例えばより高いエネルギーでレーザ光の照射を行うことが可能な領域となる。
これに対し、第３領域１６及び第４領域１７は、ＴＦＴ素子ややキャパシタなどの部材が存在する領域であり、これらに新たな欠陥や変質が生じたりすると、完全修復が難しい領域である。更に、第３領域１６では下層に走査配線が存在するため、この第３領域１６は、可能な限り直接的な修正加工を避け、やむを得ない場合にも低いエネルギーでレーザ光照射を行うなどの配慮が必要となる、更に難しい領域となる。
このように、それぞれの領域によって適宜適切な修正手法を用いて欠陥修正を行う必要がある。
【００５９】
ここで、修正手法データベース２２５に登録された欠陥修正情報（テンプレート）を実際の欠陥画像に自動的に反映させる処理について、図１０を参照してより具体的に説明する。
この例では、検査対象の配線基板１は、配線パターン（配線部２）が繰り返し形成されて構成されているとする。配線部（繰り返しパターン）内においては、どの条件（欠陥の位置、大きさ、形状、種類等）の欠陥に対してどのような欠陥修正手法を用いるかという情報をテンプレートとして修正手法データベース２２５に登録しておき、欠陥位置と繰り返しパターンの基準座標、欠陥の種類等の情報を入力することで、修正手法データベース２２５から最適な欠陥修正情報を持つテンプレートを検索し、検索したテンプレートを欠陥画像に重ね合わせて最適な欠陥修正手法を適用する方法などが有効である。
【００６０】
欠陥修正手法を表すテンプレートは、欠陥を模した欠陥オブジェクトと、配線部上における欠陥オブジェクトの位置及びその特徴に応じて修正処置が施される部分を示したリペアオブジェクトとを含むデータファイルである。例えば欠陥オブジェクトは、当該欠陥オブジェクトの位置や属する領域、規模、形状、当該欠陥オブジェクトが位置する回路等を表示したものである。またリペアオブジェクトは、その欠陥に対応するレーザ照射の位置、出力等を表示したものである。
【００６１】
図１０において、欠陥画像（１）の欠陥２０ｂは、配線部分の短絡欠陥の例であり、走査線なしの領域に存在する。まず詳細位置情報抽出部２２１において、繰り返しパターンの原点１８に相当する座標と繰り返しパターン領域を検出する。さらに、原点１８からの相対位置により欠陥２０ｂの繰り返しパターン上での欠陥の位置と条件を絞り込む。そして、修正方法生成部２２６において、欠陥画像（１）の欠陥２０ｂの条件に見合った登録テンプレートを修正手法データベース２２５から読み出す。
【００６２】
この例では、欠陥２０ｂの位置に応じた欠陥修正手法として、テンプレート（１），（２），（３）が修正手法データベース２２５に登録されている。修正方法生成部２２６は、この欠陥位置に基づいて、テンプレート（１）〜テンプレート（３）の中から欠陥２０ｂの修正に最も適した修正手法を選択する。
【００６３】
テンプレート（１）の欠陥オブジェクト３２ａは、欠陥画像の欠陥２０ｂと画素座標系が略同じであり、グラウンド電極８と信号配線６が短絡している欠陥である。テンプレート（２）の欠陥オブジェクト３２ｂは、欠陥画像の欠陥２０ｂと画素座標系が異なる。また、テンプレート（３）の欠陥オブジェクト３２ｃは、画素座標系は略一致するものの欠陥サイズが大きく、電流供給配線７ａ，グラウンド電極８，信号配線６が短絡しているため、やはり異なる。
【００６４】
したがって、修正方法生成部２２６は、欠陥オブジェクト３２ａの画素座標系の一致及び欠陥サイズの一致による、テンプレート（１）に表示された欠陥修正手法が最適であると判断し、修正手法データベース２２５から読み出して制御部２０２へ出力する。そして、制御部２０２へ読み出されたテンプレート（１）が、ディスプレイ２２７に表示される。このとき、当該テンプレート（１）の原点１９を配線パターン（欠陥画像）の原点１８に座標変換して、欠陥画像にリペアオブジェクト３３ａを重ね合わせる（図示略）。
【００６５】
テンプレート（１）のリペアオブジェクト３３ａは、欠陥３２ａによるグラウンド電極８と信号配線６の短絡部分を切断する処理を示している。すなわち、グラウンド電極８と信号配線６を短絡している欠陥２０ｂに対応する欠陥オブジェクト３２ａが表示されている部分にレーザ光を照射して欠陥２０ｂを切断し、完全修正を行う。
【００６６】
なお、テンプレート（２）は、信号配線６の上部及び下部のリペアオブジェクト３３ｂ，３３ｃをレーザ光照射により切断する処理を示す。信号配線６を一部、リペアオブジェクト３３ｂ，３３ｃ間で切断しても、図７Ｂの等価回路に示すように、信号配線６（ｂ１）と第１のＴＦＴ素子９（Ｔｒ１）の接続が維持されるため、最終的に得るディスプレイ装置全体の非点灯や所謂滅線の発生を回避することができる。また、テンプレート（３）のリペアオブジェクト３３ｄ，３３ｅは、それぞれ欠陥３２ｃによる電流供給配線７ａ，グラウンド電極８，信号配線６の短絡部分を切断する処理を示す。
【００６７】
本実施形態の繰り返しパターン区域における欠陥修正方法によれば、欠陥箇所の繰り返しパターン（配線部）内における位置に基づいて、最適なテンプレートを選択することができる。それにより、位置関係に対応して選択される欠陥修正手法の読み込みによって欠陥修正工程を自動化することができ、人為的に区別を行う煩雑さを回避することが可能となる。
【００６８】
なお、欠陥修正データベース２２５からの修正手順読み出しの際に、テンプレート（１）〜（３）の中に該当する欠陥修正手法がない場合は、最も優先度の高い、例えば使用頻度の高い欠陥修正手法のテンプレートあるいは修正難易度が低い欠陥修正手法のテンプレートなどが自動的に選択され、ディスプレイ２２７に表示される。そして、表示されたテンプレートによる修正手法を自動的に実行するか、もしくは作業員が目視確認した後に実行する。
【００６９】
また、対象となる欠陥に対して、適した加工設定ファイル（テンプレート）が無い場合は、作業員が入力装置２２８を操作してマニュアルでレーザ加工条件を設定することが可能であり、更に修正手法データベース２２７にその設定ファイルを追加することもできる。
【００７０】
また、欠陥が複数の配線部に跨って存在する場合には、欠陥の基準画素に係る主領域及び近接画素に係る副領域と、データベースに蓄積されている欠陥修正手法に紐つけられた主領域及び副領域とが一致する欠陥修正手法を、データベースから優先的に読み出して表示するようにすることで、最適な欠陥修正処理が実施できる。
【００７１】
ところで、回路的な意味合いは等しくても、欠陥の位置によってテンプレートが適用できない問題が起こりうる。例えば、図１１に示す欠陥画像（２），（３），（４）はいずれの欠陥２０ｃ，２０ｄ，２０ｅもグラウンド電極８と信号配線６を短絡するものである。これらの欠陥２０ｃ，２０ｄ，２０ｅは全て特徴が同じだが、テンプレート（４）は欠陥画像（３）の欠陥２０ｄの欠陥修正しか行えない。それ以外は、テンプレート（４）のリペアオブジェクト３３ｆが中段に位置するのに対して、欠陥画像（２）の欠陥２０ｃが上段、欠陥画像（４）の欠陥２０ｅが下段に位置しており、座標が異なるので適用できない。
【００７２】
そのような場合には、図１２に示すように、修正箇所に多少の無駄があっても一つのテンプレート（５）で複数欠陥の位置の違いをカバーする方法がある。テンプレート（５）のように縦長に生成されたリペアオブジェクト３３ｇであれば、図１１の欠陥画像（２）〜（４）の上段から下段までの欠陥に対応でき、各欠陥を修正することができる。このように、テンプレートの欠陥修正対象範囲を広げることで、多くの欠陥に対応可能なテンプレートとなる。
【００７３】
あるいは、図１３に示すように、欠陥修正処理の無駄を省き、かつ、基板３へのダメージを最小限に抑えるため、複数のテンプレートを用意する方法が挙げられる。図１３に示す例では、欠陥画像（２）の上段に位置する欠陥２０ｃに対応可能なリペアオブジェクト３３ｈを持つテンプレート（６）を用意する。また、欠陥画像（３）の中段に位置する欠陥２０ｄに対応可能なリペアオブジェクト３３ｉを持つテンプレート（７）を用意する。さらに、欠陥画像（４）の下段に位置する欠陥２０ｅに対応可能なリペアオブジェクト３３ｊを持つテンプレート（８）を用意する。
【００７４】
図１３の例の場合、一つのテンプレートで対応できる欠陥の位置は限定されるが、欠陥修正箇所（レーザ照射範囲）が最小限になるため、配線基板へのダメージが少ない。しかしながら、いずれのテンプレートの修正手法も回路的な条件は一致するため、テンプレートの選択にあたり他のテンプレートと混同しやすくなる。そのため付加情報（以下、「テンプレート情報」とする）をつけて、管理する方法が有効となる。
【００７５】
付加情報（テンプレート情報）としては、以下のような例が考えられる。
・電気回路上の欠陥の特徴情報（オープン、ショートなど）
・リペア後の回路状態の情報（輝点、滅点など）
・配線基板内での繰り返しパターンの位置、何番目の画素かの番号、ＲＧＢ情報（色情報）
・欠陥が目視で確認できるものかどうか
・同一条件のテンプレートがある場合の優先順位
・過去に実際に欠陥修正を行った回数（実績のあるものを優先するなど）
【００７６】
上記テンプレート情報は、実際に欠陥修正を行う欠陥修正方法の情報（繰り返しパターンの任意の原点からの欠陥と欠陥修正手法の大きさや相対座標）（以下、「オブジェクト情報」とする）とは別に管理できるため、配線基板や繰り返しパターンの条件によって情報の内容を任意に変更できる。配線基板ごとに条件付けを変えることで最適な欠陥修正手法の選出が可能となる。
【００７７】
また、オブジェクト情報ごとにも同様に付加情報を登録することで、欠陥（以下、「欠陥オブジェクト」とする）と修正手法（以下、「リペアオブジェクト」とする）の各々の位置情報とテンプレート情報だけのテンプレートの選別をさらに最適化することもできる。
【００７８】
オブジェクト情報に対する付加情報としては以下のような例が考えられる。
＜欠陥オブジェクト＞
・欠陥の位置と面積
・欠陥として適用できる範囲
・欠陥が異物であればその構成材料
・色（輝度）
＜リペアオブジェクト＞
・リペアオブジェクトの形状、角度
・レーザパワー
・リペアオブジェクトが複数ある場合は実行する順番
・膜材料名
【００７９】
リペアオブジェクトに関しては、よく使用される形状や手法のものをある程度グループ化して登録することでさらにタクトの短縮が見込める。グループ化登録の一例として、レーザＣＶＤ法による成膜結線が挙げられる。
【００８０】
レーザＣＶＤ法による成膜結線では、結線ラインの始点、終点に、結線される配線との電気的なコンタクトを得るために、結線を行う前にザッピング（Ｚａｐｐｉｎｇ）機能を用いて、表面部を軽く削るライトザッピングが必要である。実際の作業においては、ザッピング機能を用いて２回（始点と終点）のザッピング加工を施した後、修正部の結線ライン形状（直線が主流）および位置をマウス操作もしくはキーボード等からの数値入力で行うとともに、材料ガスの流量・圧力、レーザパワー・周波数等のパラメータを入力して結線修正を行う必要がある。これらの一連の処理をグループ化することで作業効率が向上する。
【００８１】
修正方法生成部２２６が実際にテンプレートを選択する場合、テンプレート情報とオブジェクト情報を実欠陥と比較し、条件が一致するものを最適テンプレートとして制御部２０２へ出力する。その際、欠陥オブジェクトの位置情報をどのように比較するかで最適なテンプレートが変化する。
【００８２】
上記の比較方法としては以下のような例が考えられる。
・欠陥の中心座標の位置
・欠陥オブジェクトと実欠陥が重なるか、また重なっている場合は重なっている面積
・欠陥自体の大きさが近いか
・近接するパターンをまたがっているか。その場合上下左右のどの位置に重なるか。
【００８３】
図１１のように複数の欠陥を同一テンプレートでリペアするような場合、欠陥が実際に重なっているかが重要となるが、図１３の例のように複数の欠陥位置に対応してテンプレートを複数用意するような場合は中心座標で比較した方が正確にテンプレートの選択ができる。また、特定の位置の欠陥のみを特定して修正したい場合などは欠陥の中心位置と大きさを比較することが有効である。
【００８４】
そこで、同一の欠陥位置情報で修正方法が複数ある場合、比較方法としては以下のような例が考えられる。
・リペアオブジェクトの数や大きさ
・リペアオブジェクトの種類
・テンプレートでカバーできる欠陥の範囲
【００８５】
これらは修正処理する際にタクトを重視するか等の条件によって優先順位が変わってくる。例えばレーザＣＶＤにおいて、ライトザッピング後に結線ラインを大きく繋ぐより小さく繋ぐ方のが、タクトが少なくなることがある。このように登録したテンプレートの特徴に合わせて有効な比較方法は変化するため、比較方法は限定せず、配線基板の情報とテンプレートの内容によって有効にするかどうか、どのような順番で比較するか、どの方法に重点を置くかを切り替えられるようにしておく。
【００８６】
さらに、これらの比較方法を用いて欠陥との比較を行っても特定のテンプレートに限定できない場合、もしくは欠陥が目視では発見できず、欠陥の位置の特定や比較が不可能なものの場合、もしくは欠陥に該当するテンプレートが存在しない場合には以下のような対処方法が考えられる。
・その欠陥に対するリペア処理をスキップする
・すべての欠陥に対応できる滅点化処理等のテンプレートを用意し、適用する。
・複数候補がある場合は作業者が最適なものを選択できるようにする。
・候補が存在しない場合は作業者がテンプレートを作成して適用できるようにする。
【００８７】
どういった修正処理を行うかは作業者のスキルや用意されたテンプレートの特徴、要求されるタクトタイム等によって変化する。個々のテンプレートは基準原点からの位置情報と回路上の特徴等の情報のみを記録しておけばよいが、作業者がテンプレートの候補を選択したり、新たにテンプレートを作成するためには視覚的にテンプレートの情報を認識しやすくすることも重要となってくる。
【００８８】
図１４は、テンプレート情報画面の表示例の説明に供する図であり、Ａは欠陥画像、Ｂは表示テンプレート選択ダイアログである。図１４Ａ，Ｂは、欠陥画像７０にオブジェクトのモデル図（見本）を重ねることで、実際にテンプレートを適用させた場合にどの位置が修正されるかをイメージしやすくした例である。図１４Ａに示すように、選択したテンプレートのリペアオブジェクト３３ｋのモデル図のみを欠陥画像７０に重ねて表示している。これにより実物の欠陥２０ｆに対するアプローチと共に繰り返しパターンエリア７１の位置と原点１８が確認できるようになっている。
【００８９】
また、図１４Ｂにおいて、選択したテンプレートのオブジェクト（欠陥オブジェクト３２ｉ、リペアオブジェクト３３ｋ）のモデル図を繰り返しパターン画像（テンプレート画像）７２に重ねて表示するとともに、テンプレート情報７３とオブジェクト情報７４が確認できる。このテンプレート選択ダイアログ（テンプレート情報画面）には、「テンプレート名」表示部７５があり、プルダウン機能７５ａなどにより所望のテンプレートを検索して表示させることができる。この例では、信号配線６とグラウンド電極８の短絡欠陥を表す「Vsig-Vini Short」という名称のテンプレートが表示されている。テンプレート情報７３には、電気式欠陥検出方法を用いた欠陥の検出結果を示す電気式結果表示部と、欠陥が目視で確認できるものかどうかを表すView Mode表示部がある。オブジェクト情報７４は、画素画像表示位置表示部７４ａを備え、例えば３×３の９つの升目が表示されており、図１４Ｂのテンプレート画像に表示される繰り返しパターンが一つの場合には、中央のみ凹んでいるような表示になる。リペア番号表示部７４ｂは、テンプレートの管理に用いられるリペア番号を表示する。
【００９０】
図１５は、テンプレート情報画面の他の例の説明に供する図であり、Ａは欠陥画像、Ｂは表示テンプレート選択ダイアログである。図１５Ａは、欠陥画像８０にオブジェクトのモデル図（見本）を重ねることで、実際にテンプレートを適用させた場合にどの位置が修正されるかをイメージしやすくしたものである。また図１５Ｂは、欠陥画像８０内に繰り返しパターンすべての情報を含まないときでもどのようにテンプレートが適用されているかをイメージしやすくした例である。図１５Ａにおいて、繰り返しパターンエリア８１の全範囲が欠陥画像８０内にすべて入っていない場合、もしくは欠陥２０ｇが近接する繰り返しパターンエリア８１ａに重なっている場合、欠陥の中心部が存在する繰り返しパターンエリア８１に加えて隣接する繰り返しパターンエリア８１ａも表示する。この例では、欠陥の中心部が存在する繰り返しパターン８１を含め４つの繰り返しパターンを表示している。
【００９１】
また、図１５Ｂのテンプレート画像８２において、欠陥オブジェクト３２ｊの中心部が存在する繰り返しパターンエリア８３だけでなく近接する繰り返しパターンエリア８３ａを表示する。本例では、繰り返しパターンエリア８３を指定された３箇所にコピー（拡張）して表示している。そのようにすることで、欠陥２０ｇが近接する繰り返しパターンエリア８１ａに重なっている場合等に、欠陥オブジェクト３２ｊの大きさ、形状が把握でき、適切なテンプレートの選択が行える。この場合、画素画像表示位置表示部７４ａの表示は、図１５Ｂに示すように、９枡のうちの４枡が凹んでいるような表示となる。また、図１５Ｂは、２つのリペアオブジェト３３ｍ，３３ｎにより欠陥修正を実行する例を示しているが、それらの実行順を表す実行順表示部８４が設けられている。
【００９２】
図１６は、テンプレート編集画面の一例を示す図であり、テンプレート登録作業時の表示方法を応用した例である。図１６において、テンプレート情報編集部９１とオブジェクト情報編集部９２が用意してある。テンプレート情報編集部９１は、例えばテンプレート情報、電気式結果、View Modeなどの項目があり、アイコン表示された追加ボタン、編集ボタン、削除ボタンをマウス等を用いて操作することで所望の設定・編集が行える。
【００９３】
オブジェクト情報編集部９２は、複数の欠陥オブジェクト９３とともにテンプレートに頻繁に使われるリペアオブジェクト９４，９５，９６の形式を登録、選択して繰り返しパターン画像に重ねて表示し、マウス操作等で大きさや角度を任意で変更することができる。この例では、欠陥オブジェクト９３の種類として、ショート欠陥が３種類、オープン欠陥が１種類登録されている。また、リペアオブジェクト９４，９５には、ライン状のレーザＣＶＤ法、Ｕ字状のレーザＣＶＤ法などが登録されている。このリペアオブジェクト９４，９５は、レーザＣＶＤ法で実施する処理をグループ化して表示している。すなわち、一つのリペアオブジェクトの表示で、ライトザッピングを行うＣＶＤ結線ラインの始点９５ａと終点９５ｂを表示するとともに、結線ライン部９５ｃを表示する。このようにグループ化することにより、一つのリペアオブジェクトの表示を見るだけで複数の処理工程が把握できる。また、リペアオブジェクト９６は、短絡箇所のレーザ照射処理（ザッピング）を示すものである。また、膜材料９７は、欠陥部分の膜材料を表している。この例では、欠陥オブジェクト３２ｊがＴＡＴ膜上に存在することを示している。その他、オブジェクト情報編集部９２では、画素画像表示位置の設定、リペア番号等の設定が行える。
【００９４】
図１７は、テンプレート管理画面の一例を示すものである。テンプレート登録作業時に、図１６で登録したテンプレートについて共通項目１０４をソートして、優先順位が同一のものをサムネイル表示し、テンプレート同士を視覚的にチェックしやすくした例である。本例では、本例では、ほぼ同じ修正内容（ショート欠陥修正）の３つのテンプレート１０１，１０２，１０３が表示されている。重複するものを削除したり、同じ内容のテンプレートをコピーして図１６のテンプレート編集画面で編集することにより、重複登録を防止したり、類似した条件のテンプレートを複数作成したい場合に既存のテンプレートから容易に作成することが可能である。
【００９５】
例えば、図１７の例では、共通項目１０４には、テンプレート情報７３とオブジェクト情報７４から構成される。テンプレート情報７３は、例えば電気式結果、View Mode、リペア結果などの項目が用意されている。リペア結果は、リペア後の回路状態の情報を表すものである。また、オブジェクト情報部７４は、欠陥の区別に用いられる欠陥情報、近接エリアの有無や近接エリア数を表す近接エリア、その近接エリアの位置を設定する項目などがある。なお、「Vsig-Vini Short_1」，「Vsig-Vini Short_2」，「Vsig-Vini Short_3」のようにテンプレート１０１，１０２，１０３毎に名称を表示すると区別がしやすくなる。
【００９６】
また、テンプレートを選択するにあたり、図１８に示す選別オプション画面を用いて、どういった条件を有効にするかを切り替えられるようにすることで、テンプレートの作成状況や基板による選別正解率のばらつきを防ぐこともできる。この例では、入力装置２２８を用いてアイコン表示された編集ボタン又は優先順位編集ボタンをクリックすると、図１８に示す選別オプション画面に遷移する。
【００９７】
図１８に示す選別オプション画面の例では、テンプレート情報タブ１１１とオブジェクト情報タブ１１２が用意されている。有効項目として、例えば電気式結果、View Mode、基板内回路位置、ＲＧＢ情報、リペア後回路状態（リペア結果）、リペア実績などがある。また、詳細項目として、リペア後回路優先順位、リペア実績詳細等の項目が用意され、優先順位付けを行うこともできる。それぞれのタブを開いて、入力装置２２８を用いて有効にしたい項目のチェックボックス１１３をオンにしたり、詳細項目を登録したりすることにより、テンプレート選別時に有効とする所望の条件を設定、編集できる。
【００９８】
なお、オブジェクト情報タブ１１２について詳細の記載は省略しているが、既述の欠陥オブジェクト及びリペアオブジェクトに関する情報を用いて、所望の選別オプションを設定する。
【００９９】
ところで、基板３上に複数の配線基板１が複数個配置されている場合に、配線基板の向きが異なるときのテンプレート適用方法について説明する。
【０１００】
図１９に、基板３上に基板原点５８を中心として配線基板１が４つ配置されている例を示す。この例では、配線基板Ａ，Ｂと、配線基板Ｃ，Ｄでは、向きが１８０度逆になっている。欠陥画像をテンプレートと比較する際に、配線基板Ａ，Ｂ内で取得した欠陥画像の向きとテンプレートの向きが一致していても、配線基板Ｃ、Ｄで取得した欠陥画像はそのままテンプレートを重ね合わせることはできない。また、メカ設計の仕様によっては配線基板の向きが変わる等の事項は起こりうることであり、必ずテンプレートと同じ向きで欠陥画像が運ばれてくるとも限らない。
【０１０１】
例えば、図１９の例では、配線基板Ａ内で取得されたある配線部６０ａの基準画像６１と、配線基板Ｃ内で取得されたある配線部６０ｃの基準画像６４とは向きが１８０度異なる。このような場合、配線部６０ａのテンプレート６２の原点１９の座標と登録されているオブジェクト３２ｋ，３３ｏを座標変換し、回転させる。そして、回転後のテンプレート６３と基準画像６４を重ね合わせることで、配線基板の向きが異なっていてもテンプレートを共有化できる。
【０１０２】
配線基板Ａに対して配線基板Ｃが角度θ回転しているとき、配線基板Ａのテンプレートの座標（Ｘａ，Ｙａ）に対応する配線基板Ｃのテンプレートの座標（Ｘｃ，Ｙｃ）は、
Ｘｃ＝Ｘａ＊ｃｏｓθ−Ｙａ＊ｓｉｎθ
Ｙｃ＝Ｘａ＊ｓｉｎθ＋Ｙａ＊ｃｏｓθ
で求められる。
【０１０３】
このように、同一基板３に複数の配線基板１が形成されている場合、個々の配線基板１の基板３上での位置情報（座標）及び向き（角度）を指定して座標変換を行うことにより、異なる配線基板間で欠陥修正手法（テンプレート）とオブジェクトの設定を共有できる。
【０１０４】
以上説明したように、繰り返しパターン画像と基準画像を登録し、修正手法と修正条件を設定することで、適切な修正手法を自動選択、実行することができるようになる。
【０１０５】
上記構成において、基準画像における原点とサイズを指定し、想定される欠陥の箇所と修正方法をテンプレートとして登録し、それぞれに対する付加情報を設定することで最適な欠陥修正手法を自動で選択、実行が可能となる。この場合、個々のテンプレートは座標情報を持つだけなので、画像ごとの登録が不必要なためデータベース化がしやすく、付加情報も配線基板ごとに設定ができるため、よりフレキシブル（柔軟）なテンプレートの選択が可能となる。
また、テンプレートを編集、登録、決定する際に基準画像を登録して重ね合わせることで、視覚的にテンプレートが選びやすくなる。
また、同一条件でテンプレートを検索、サムネイル表示を行い、比較、編集することで重複登録等を防止し、より精度の高いテンプレートの作成が可能となる。
さらに同一基板内に複数の基板が存在する場合は、個々の基板のテンプレートを共有化することで、基板の向きが異なっていたり、取得画像が回転していても、欠陥修正方法の取得が可能となる。
【０１０６】
したがって、適切な欠陥修正手法が容易かつ精度良く決定され、欠陥修正工程の作業効率が大幅に向上し、タクトタイムを短縮できるとともに作業員の工数費を削減できる。
【０１０７】
また、欠陥修正手法を表すテンプレートを欠陥画像と重ね合わせて表示できるようにしたので、作業員が表示された内容を容易かつ明確に視認でき、呼び出された欠陥修正手法が適切かどうかを簡単に判別できる。
【０１０８】
なお、以上の説明で挙げた使用材料及びその量、処理時間及び寸法などの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法形状及び配置関係も概略的なものである。すなわち、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【０１０９】
さらに、上述した実施形態では、フラットパネルディスプレイのガラス基板上に形成されたデザインパターンの欠陥修正を行なう場合について説明したが、修正対象はこの例に限定されるものではなく、例えば半導体ウェハ、フォトマスク、磁気ディスク等、修正対象基板上に所定パターンが形成されたものに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板の構成例を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る繰り返しパターン区域の説明に供する図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る配線基板の製造工程を示すフローチャートである。
【図４】本発明の一実施の形態に係る欠陥修正装置の一例の構成図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係るレーザＣＶＤに用いられる局所排気装置の断面図である。
【図６】図５に示した局所排気装置の下面図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係る単位画素の説明に供する図であり、Ａは本発明の一実施の形態に係る単位画素の概略構成、Ｂはその等価回路を示す。
【図８】本発明の一実施の形態に係る単位画素の繰り返しパターン例を示す図である。
【図９】本発明の一実施の形態に係る画素座標系の説明に供する図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に係るテンプレート選択の説明に供する図である。
【図１１】本発明の一実施の形態に係るテンプレート選択の説明に供する図である。
【図１２】本発明の一実施の形態に係るテンプレートの例を示す説明図である。
【図１３】本発明の一実施の形態に係るテンプレートの例を示す説明図である。
【図１４】本発明の一実施の形態に係るテンプレート情報画面の説明に供する図であり、Ａは欠陥画像、Ｂは表示テンプレート選択ダイアログである。
【図１５】本発明の一実施の形態に係るテンプレート情報画面の説明に供する図であり、Ａは欠陥画像、Ｂは表示テンプレート選択ダイアログである。
【図１６】本発明の一実施の形態に係るテンプレート編集画面の一例を示す図である。
【図１７】本発明の一実施の形態に係るテンプレート管理画面の一例を示す図である。
【図１８】本発明の一実施の形態に係る選択オプション画面の一例を示す図である。基板の構成例を示す図である。
【図１９】本発明の一実施の形態に係る基板の構成例を示す図である。
【図２０】本発明の一実施の形態に係るテンプレートの座標変換の説明に供する図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１…配線基板、２…配線部（単位画素）、２ａ…欠陥配線部、３…基板、１８…原点、１９…原点、２０ａ〜２０ｇ…欠陥、７０，８０…欠陥画像、３２ａ〜３２ｋ…欠陥オブジェクト、３３ａ〜３３ｏ…リペアオブジェクト、５６…配線基板原点、５８…基板原点、６０ａ，６０ｃ…配線部、７１…繰り返しパターンエリア、７２…テンプレート画像、７３…テンプレート情報、７４…オブジェクト情報、７４ａ…画素画像表示位置表示部、９１…テンプレート情報編集部、９２…オブジェクト情報編集部、９３…欠陥オブジェクト、９４，９５，９６…リペアオブジェクト、９７…膜材料、１０４…共通項目、２００…欠陥修正装置、２０２…全体制御部、２２５…修正手法データベース、２２６…修正方法生成部、２２７…ディスプレイ、２２８…入力装置、３００…欠陥検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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