(57)【要約】【課題】光源とそれに対応して配置されるレンズとを高い精度で位置合わせすることで、画像の高品質化を図る。【解決手段】感光体ドラムを露光するＬＥＤプリントヘッド（ＬＰＨ）は、複数のＬＥＤが配置される基板上のＬＥＤ各々に対応して設けられた集光レンズ６４の周囲に、硬化されて集光レンズ６４を構成する液状材質に対する濡れ性が基板よりも低い撥液膜６４Ｔが設けられている。【選択図】図７
2008256933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像保持体と、
前記像保持体を露光する露光手段とを有し、
前記露光手段は、
複数の光源と、
前記複数の光源が配置される基板と、
前記基板上にて前記複数の光源の各々に対応して設けられた集光手段と、
前記基板上の前記集光手段の周囲に配置され、硬化されて当該集光手段を構成する液状材質に対する濡れ性が当該基板よりも低い撥液部と
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記撥液部は、前記光源の中心位置に関して点対称または線対称の領域を囲むように配置されたことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記集光手段は、前記撥液部と接触する位置での接触角が８０°以上に構成されたことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記集光手段は、前記撥液部と接触する位置での接触角が９０°よりも大きく構成されたことを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記基板上に配置され、前記複数の光源各々に対する電力の入力を受け入れる電力入力部をさらに備え、
前記撥液部は、前記電力入力部から離隔して形成されたことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項６】
複数の光源と、
前記複数の光源が配置される基板と、
前記基板上にて前記複数の光源の各々に対応して設けられた集光手段と、
前記基板上の前記集光手段の周囲に配置され、硬化されて当該集光手段を構成する液状材質に対する濡れ性が当該基板よりも低い撥液部と
を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記撥液部は、前記光源の中心位置に関して点対称または線対称の領域を囲むように配置されたことを特徴とする請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記集光手段は、前記撥液部と接触する位置での接触角が８０°以上に構成されたことを特徴とする請求項６記載の露光装置。
【請求項９】
基板に光源を形成する工程と、
前記基板の前記光源が形成された面に、当該光源の中心位置に関する点対称または線対称の領域を除く領域に第１の樹脂材料に対する濡れ性が当該基板よりも低い第２の樹脂材料からなる層を形成する工程と、
前記基板上の前記光源の中心位置に関する点対称または線対称の前記領域に前記第１の樹脂材料を付与する工程と、
前記第１の樹脂材料を硬化させる工程と
を含む露光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の前記光源が形成された面に、前記第１の樹脂材料に対する濡れ性が当該基板よりも低い前記第２の樹脂材料を層状に付着させ、当該光源の中心位置に関する点対称または線対称の前記領域に付着した当該第２の樹脂材料を除去して、当該第２の樹脂材料からなる当該層を形成することを特徴とする請求項９記載の露光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記光源の中心位置に関する点対称または線対称の前記領域に塗布された前記第２の樹脂材料は、レーザ光の照射またはエッチングにより除去されることを特徴とする請求項１０記載の露光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記光源の中心位置に関する点対称または線対称の前記領域に塗布された前記第２の樹脂材料は、当該光源からの光照射後のエッチングにより除去されることを特徴とする請求項１０記載の露光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記基板の前記光源が形成された面に当該光源に対する電力の入力を受け入れる電力入力部を形成する工程をさらに有し、
前記第２の樹脂材料からなる前記層は、前記電力入力部から離隔して形成されることを特徴とする請求項９記載の露光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置、露光装置、および露光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の光源と、複数の光源それぞれに対応して微小なレンズが形成されたレンズアレイとを備えた露光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような露光装置に用いられるレンズアレイは、例えばインクジェットにより透明基板上に液状の透明材料が付与され、これを熱や紫外線等によって硬化させることで形成される（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２１５３３号公報（第６−７頁）
【特許文献２】特開平１１−１４２６０８号公報（第２−３頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、複数の光源それぞれに対応してレンズを設けた露光装置を複写機やプリンタ等の画像形成装置に適用すると、光源とそれに対応して配置されたレンズの光軸との間に位置ずれが存在した場合に、感光体上での結像性能が低下して高品質な画像が得られないという問題があった。
本発明は、光源とそれに対応して配置されるレンズとを高い精度で位置合わせすることで、画像の高品質化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に係る発明は、像保持体と、前記像保持体を露光する露光手段とを有し、前記露光手段は、複数の光源と、前記複数の光源が配置される基板と、前記基板上にて前記複数の光源の各々に対応して設けられた集光手段と、前記基板上の前記集光手段の周囲に配置され、硬化されて当該集光手段を構成する液状材質に対する濡れ性が当該基板よりも低い撥液部とを備えたことを特徴とする画像形成装置である。
【０００６】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る画像形成装置にて、前記撥液部は、前記光源の中心位置に関して点対称または線対称の領域を囲むように配置されたことを特徴とする。
請求項３に係る発明は、請求項１に係る画像形成装置にて、前記集光手段は、前記撥液部と接触する位置での接触角が８０°以上に構成されたことを特徴とする。
請求項４に係る発明は、請求項３に係る画像形成装置にて、前記集光手段は、前記撥液部と接触する位置での接触角が９０°よりも大きく構成されたことを特徴とする。
請求項５に係る発明は、請求項１に係る画像形成装置にて、前記基板上に配置され、前記複数の光源各々に対する電力の入力を受け入れる電力入力部をさらに備え、前記撥液部は、前記電力入力部から離隔して形成されたことを特徴とする。
【０００７】
請求項６に係る発明は、複数の光源と、前記複数の光源が配置される基板と、前記基板上にて前記複数の光源の各々に対応して設けられた集光手段と、前記基板上の前記集光手段の周囲に配置され、硬化されて当該集光手段を構成する液状材質に対する濡れ性が当該基板よりも低い撥液部とを備えたことを特徴とする露光装置である。
請求項７に係る発明は、請求項６に係る露光装置にて、前記撥液部は、前記光源の中心位置に関して点対称または線対称の領域を囲むように配置されたことを特徴とする。
請求項８に係る発明は、請求項６に係る露光装置にて、前記集光手段は、前記撥液部と接触する位置での接触角が８０°以上に構成されたことを特徴とする。
【０００８】
請求項９に係る発明は、基板に光源を形成する工程と、前記基板の前記光源が形成された面に、当該光源の中心位置に関する点対称または線対称の領域を除く領域に第１の樹脂材料に対する濡れ性が当該基板よりも低い第２の樹脂材料からなる層を形成する工程と、前記基板上の前記光源の中心位置に関する点対称または線対称の前記領域に前記第１の樹脂材料を付与する工程と、前記第１の樹脂材料を硬化させる工程とを含む露光装置の製造方法である。
【０００９】
請求項１０に係る発明は、請求項９に係る露光装置の製造方法にて、前記基板の前記光源が形成された面に、前記第１の樹脂材料に対する濡れ性が当該基板よりも低い前記第２の樹脂材料を層状に付着させ、当該光源の中心位置に関する点対称または線対称の前記領域に付着した当該第２の樹脂材料を除去して、当該第２の樹脂材料からなる当該層を形成することを特徴とする。
請求項１１に係る発明は、請求項１０に係る露光装置の製造方法にて、前記光源の中心位置に関する点対称または線対称の前記領域に塗布された前記第２の樹脂材料は、レーザ光の照射またはエッチングにより除去されることを特徴とする。
【００１０】
請求項１２に係る発明は、請求項１０に係る露光装置の製造方法にて、前記光源の中心位置に関する点対称または線対称の前記領域に塗布された前記第２の樹脂材料は、当該光源からの光照射後のエッチングにより除去されることを特徴とする。
請求項１３に係る発明は、請求項９に係る露光装置の製造方法にて、前記基板の前記光源が形成された面に当該光源に対する電力の入力を受け入れる電力入力部を形成する工程をさらに有し、前記第２の樹脂材料からなる前記層は、前記電力入力部から離隔して形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の請求項１によれば、本発明を採用しない場合に比較して、光源とそれに対応して配置される集光手段とを高い精度で位置合わせすることができるので、高い品質の画像を形成することができる。
本発明の請求項２によれば、本発明を採用しない場合に比較して、集光手段の光軸を高い精度で光源に位置合わせすることができる。
本発明の請求項３によれば、本発明を採用しない場合と比較して、集光手段の集光性能を高めることができる。
【００１２】
本発明の請求項４によれば、本発明を採用しない場合と比較して、集光手段の集光性能をさらに高めることができる。
本発明の請求項５によれば、本発明を採用しない場合と比較して、光源に対する電力供給の確実性を高めることができる。
【００１３】
本発明の請求項６によれば、本発明を採用しない場合に比較して、光源とそれに対応して配置される集光手段とを高い精度で位置合わせすることができるので、高い品質の画像を形成することができる。
本発明の請求項７によれば、本発明を採用しない場合と比較して、集光手段の光軸を高い精度で光源に位置合わせすることができる。
本発明の請求項８によれば、本発明を採用しない場合と比較して、集光手段の集光性能をさらに高めることができる。
【００１４】
本発明の請求項９によれば、本発明を採用しない場合に比較して、光源とそれに対応して配置される集光手段とが高い精度で位置合わせされた露光装置を製造することができる。
本発明の請求項１０によれば、本発明を採用しない場合に比較して、集光手段が配置される領域の点対称性または線対称性を高めることができ、光源と集光手段の光軸とを高い精度で位置合わせすることができる。
本発明の請求項１１によれば、光源が配置された領域から光源の発光面が露出するように第２の樹脂材料を除去することができる。
本発明の請求項１２によれば、本発明を採用しない場合に比較して、光源が配置された領域から第２の樹脂材料を除去する工程を簡略化することができる。
本発明の請求項１３によれば、本発明を採用しない場合に比較して、光源に対する電力供給の確実性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
[実施の形態１]
図１は本実施の形態が適用される画像形成装置１の全体構成の一例を示した図である。図１に示す画像形成装置１は、所謂タンデム型のデジタルカラープリンタであり、各色の画像データに対応して画像形成を行う画像形成プロセス部１０、画像形成装置１全体の動作を制御する制御部３０、例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）３や画像読取装置４等といった外部装置から受信された画像データに所定の画像処理を施す画像処理部３５、各部に電力を供給する主電源７０を備えている。
【００１６】
画像形成プロセス部１０には、一定の間隔を置いて並列的に配置される４つの画像形成ユニット１１Ｙ,１１Ｍ,１１Ｃ,１１Ｋ（以下、単に「画像形成ユニット１１」とも総称する）が備えられている。各画像形成ユニット１１は、静電潜像を形成してトナー像を保持する像保持体としての感光体ドラム１２、感光体ドラム１２の表面を所定電位で一様に帯電する帯電器１３、帯電器１３によって帯電された感光体ドラム１２を画像データに基づいて露光する露光手段（露光装置）の一例としてのＬＥＤプリントヘッド（ＬＰＨ）１４、感光体ドラム１２上に形成された静電潜像を現像する現像器１５、転写後の感光体ドラム１２表面を清掃するクリーナ１６を備えている。
また、各画像形成ユニット１１は、現像器１５に収納されたトナーを除いて、略同様に構成されている。そして、画像形成ユニット１１Ｙ,１１Ｍ,１１Ｃ,１１Ｋは、それぞれイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、黒（Ｋ）のトナー像を形成する。
【００１７】
さらに、画像形成プロセス部１０は、各画像形成ユニット１１の感光体ドラム１２にて形成された各色トナー像が多重転写される中間転写ベルト２０、各画像形成ユニット１１の各色トナー像を中間転写ベルト２０に順次転写（一次転写）する一次転写ロール２１、中間転写ベルト２０上に転写されたトナー像を記録材（記録紙）である用紙Ｐに一括転写（二次転写）する二次転写ロール２２、二次転写されたトナー像を用紙Ｐ上に定着させる定着器５０を備えている。
【００１８】
ここで、各画像形成ユニット１１においては、感光体ドラム１２と帯電器１３とクリーナ１６とが一体化されたモジュール（以下、「感光体モジュールＭＯＤ」と称す）として構成されている。そして、感光体モジュールＭＯＤは、画像形成装置１に対して着脱自在に構成され、感光体ドラム１２の寿命等に応じて交換される。なお、感光体モジュールＭＯＤは、感光体ドラム１２のみの構成や、また、上記構成要素に加えて現像器１５を一体化した構成を採用してもよい。すなわち、寿命が他の構成要素に比較して短い感光体ドラム１２を含んだものであれば、如何なる構成要素との組み合わせによって感光体モジュールＭＯＤを構成してもよい。しかし、比較的長い寿命を有するＬＰＨ１４を感光体モジュールＭＯＤと同時に交換する構成は、経済的に無駄が多いことから、本実施の形態の画像形成装置１では、ＬＰＨ１４と感光体モジュールＭＯＤとは別体に構成している。
【００１９】
本実施の形態の画像形成装置１では、画像形成プロセス部１０は、制御部３０から供給される各種の制御信号に基づいて画像形成動作を行う。すなわち、制御部３０による制御の下で、ＰＣ３や画像読取装置４から入力された画像データは、画像処理部３５によって所定の画像処理が施され、不図示のインターフェースを介して各画像形成ユニット１１に供給される。そして、例えば黒（Ｋ）色の画像形成ユニット１１Ｋでは、感光体ドラム１２が矢印Ａ方向に回転しながら、帯電器１３により所定電位で一様に帯電され、画像処理部３５から送信された画像データに基づいて発光するＬＰＨ１４により露光される。それにより、感光体ドラム１２上には、黒（Ｋ）色画像に関する静電潜像が形成される。そして、感光体ドラム１２上に形成された静電潜像は現像器１５により現像され、感光体ドラム１２上には黒（Ｋ）色のトナー像が形成される。同様に、画像形成ユニット１１Ｙ,１１Ｍ,１１Ｃにおいても、それぞれイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）の各色トナー像が形成される。
【００２０】
各画像形成ユニット１１で形成された各色トナー像は、一次転写ロール２１が配置された一次転写部Ｔ１において、矢印Ｂ方向に循環移動する中間転写ベルト２０上に順次静電吸引される。それにより、中間転写ベルト２０上には各色トナーが重畳された合成トナー像が形成される。中間転写ベルト２０上の合成トナー像は、中間転写ベルト２０の移動に伴って二次転写ロール２２が配置された二次転写部Ｔ２に搬送される。また、トナー像が二次転写部Ｔ２に搬送されるタイミングに合わせて用紙Ｐが用紙保持部４０から二次転写部Ｔ２に搬送される。そして、二次転写部Ｔ２では、二次転写ロール２２により形成される転写電界により、合成トナー像が用紙Ｐ上に一括して静電転写される。
【００２１】
合成トナー像が静電転写された用紙Ｐは、中間転写ベルト２０から剥離され、搬送ガイド２３に導かれて定着器５０まで搬送される。定着器５０では、熱および圧力による定着処理を受けることで、合成トナー像が定着される。そして、定着処理された用紙Ｐは、画像形成装置１の排出部に設けられた排紙積載部４５に搬送される。
一方、二次転写後に中間転写ベルト２０に付着しているトナー（転写残トナー）は、二次転写の終了後に中間転写ベルト２０表面からベルトクリーナ２５によって除去され、次の画像形成サイクルに備えられる。
画像形成装置１では、このような画像形成サイクルがプリント枚数分だけ繰り返して実行される。
【００２２】
次に、図２は、ＬＥＤプリントヘッド（ＬＰＨ）１４の構成を示した断面構成図である。図２において、ＬＰＨ１４は、支持体としてのハウジング６１、自己走査型ＬＥＤアレイ（ＳＬＥＤ）６３、ＳＬＥＤ６３やＳＬＥＤ６３を駆動する信号生成回路１００（後段の図３参照）等を搭載するＬＥＤ回路基板６２、ＳＬＥＤ６３から出射された光を集光する集光手段の一例としての集光レンズ６４、集光レンズ６４を介してＳＬＥＤ６３から出射された光を感光体ドラム１２表面に結像させるロッドレンズアレイ６５、ロッドレンズアレイ６５を支持するとともにＳＬＥＤ６３および集光レンズ６４を外部から遮蔽するホルダー６６、ハウジング６１をロッドレンズアレイ６５方向に加圧する板バネ６７を備えている。
【００２３】
ハウジング６１は、アルミニウム、ＳＵＳ等の金属のブロックまたは板金で形成され、ＬＥＤ回路基板６２を支持している。また、ホルダー６６は、ハウジング６１およびロッドレンズアレイ６５を支持し、ＳＬＥＤ６３および集光レンズ６４とロッドレンズアレイ６５とが所定の光学的な位置関係を保持するように設定している。さらに、ホルダー６６はＳＬＥＤ６３および集光レンズ６４を密閉するように構成されている。それにより、ＳＬＥＤ６３や集光レンズ６４に外部からゴミが付着することを防いでいる。一方、板バネ６７は、ＳＬＥＤ６３および集光レンズ６４とロッドレンズアレイ６５との光学的な位置関係を保持するように、ハウジング６１を介してＬＥＤ回路基板６２をロッドレンズアレイ６５方向に加圧している。
このように構成されたＬＰＨ１４は、調整ネジ（図示せず）によってロッドレンズアレイ６５の光軸方向に移動可能に構成され、ロッドレンズアレイ６５の結像位置（焦点面）が感光体ドラム１２表面上に位置するように調整される。
【００２４】
ＬＥＤ回路基板６２には、図３（ＬＥＤ回路基板６２の平面図）に示したように、例えば５８個のＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）からなるＳＬＥＤ６３が、感光体ドラム１２の軸線方向と平行になるように精度良くライン状に配置される。この場合、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）に配置された発光素子（ＬＥＤ）の配列（ＬＥＤアレイ）の端部境界において、各ＬＥＤアレイがＳＬＥＤチップ同士の連結部で連続的に配列されるように、各ＳＬＥＤチップは交互に千鳥状に配置されている。
また、ＬＥＤ回路基板６２には、ＳＬＥＤ６３を駆動する信号（駆動信号）を生成する信号生成回路１００およびレベルシフト回路１０８、所定の電圧を出力する３端子レギュレータ１０１、ＳＬＥＤ６３の光量補正データ等を記憶するＥＥＰＲＯＭ１０２、制御部３０および画像処理部３５との間での信号の送受信や主電源７０からの電力供給を受けるハーネス１０３が備えられている。
【００２５】
ここで図４は、ＳＬＥＤ６３を説明する図である。本実施の形態のＳＬＥＤ６３は、信号生成回路１００およびレベルシフト回路１０８から各種駆動信号が供給される。すなわち、信号生成回路１００は、ＳＬＥＤ６３を構成する各ＳＬＥＤチップに配置されたＬＥＤ各々をＬＥＤの配列に沿って順次点灯可能状態に設定する転送信号ＣＫ１Ｒ,ＣＫ１Ｃおよび転送信号ＣＫ２Ｒ,ＣＫ２Ｃと、画像処理部３５からの画像データに基づきＬＥＤ各々を順次点灯する点灯信号ΦＩとを生成する。そして、転送信号ＣＫ１Ｒ,ＣＫ１Ｃおよび転送信号ＣＫ２Ｒ,ＣＫ２Ｃをレベルシフト回路１０８に出力し、点灯信号ΦＩをＳＬＥＤ６３に出力する。
レベルシフト回路１０８は、抵抗Ｒ１ＢとコンデンサＣ１、および抵抗Ｒ２ＢとコンデンサＣ２がそれぞれ並列に配置された構成を有し、それぞれの一端がＳＬＥＤ６３を構成する各ＳＬＥＤチップの入力端子に接続され、他端が信号生成回路１００の出力端子に接続されている。そして、レベルシフト回路１０８は、信号生成回路１００から出力される転送信号ＣＫ１Ｒ,ＣＫ１Ｃおよび転送信号ＣＫ２Ｒ,ＣＫ２Ｃに基づいて転送信号ＣＫ１および転送信号ＣＫ２を生成し、各ＳＬＥＤチップに出力する。
【００２６】
一方、本実施の形態のＳＬＥＤ６３を構成する各ＳＬＥＤチップは、例えば、スイッチ素子としての１２８個のサイリスタＳ１〜Ｓ１２８、光源の一例としての１２８個のＬＥＤ Ｌ１〜Ｌ１２８、１２８個のダイオードＤ１〜Ｄ１２８、１２８個の抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８、さらには信号ラインΦ１,Φ２に過剰な電流が流れるのを防止する転送電流制限抵抗Ｒ１Ａ,Ｒ２Ａを主な構成要素としている。
そして、各サイリスタＳ１〜Ｓ１２８のアノード端子（入力端）Ａ１〜Ａ１２８は電源ライン５５に接続され、電源ライン５５を介して３端子レギュレータ１０１（図３参照）から駆動電圧ＶＤＤ（ＶＤＤ＝＋３．３Ｖ）が供給される。
一方、各サイリスタＳ１〜Ｓ１２８のゲート端子（制御端）Ｇ１〜Ｇ１２８は、各サイリスタＳ１〜Ｓ１２８に対応して設けられた抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８を介して電源ライン５６に各々接続され、電源ライン５６を介して接地（ＧＮＤ）されている。
【００２７】
また、奇数番目のサイリスタＳ１,Ｓ３,…,Ｓ１２７のカソード端子（出力端）Ｋ１,Ｋ３,…,Ｋ１２７には、信号生成回路１００およびレベルシフト回路１０８からの転送信号ＣＫ１が転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを介して送信される。偶数番目のサイリスタＳ２,Ｓ４,…,Ｓ１２８のカソード端子（出力端）Ｋ２,Ｋ４,…,Ｋ１２８には、信号生成回路１００およびレベルシフト回路１０８からの転送信号ＣＫ２が転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介して送信される。
さらには、ＬＥＤ Ｌ１〜Ｌ１２８のカソード端子は、信号生成回路１００に接続されて点灯信号ΦＩが送信される。
【００２８】
そして、本実施の形態の信号生成回路１００は、転送信号ＣＫ１Ｒ,ＣＫ１Ｃおよび転送信号ＣＫ２Ｒ,ＣＫ２Ｃをそれぞれ所定のタイミングでハイレベル（以下、「Ｈ」と記す）からローレベル（以下、「Ｌ」と記す）、「Ｌ」から「Ｈ」に設定する。それにより、レベルシフト回路１０８から出力される転送信号ＣＫ１の電位を「Ｈ」から「Ｌ」、「Ｌ」から「Ｈ」に繰り返し設定し、かつ、それに交互して出力される転送信号ＣＫ２の電位を「Ｈ」から「Ｌ」、「Ｌ」から「Ｈ」に繰り返し設定する。それによって、例えば各ＳＬＥＤチップでは、奇数番目のサイリスタＳ１,Ｓ３,…,Ｓ１２７において順次オフ→オン→オフの転送動作を行わせる。また、偶数番目のサイリスタＳ２,Ｓ４,…,Ｓ１２８において順次オフ→オン→オフの転送動作を行わせる。それにより、サイリスタＳ１〜Ｓ１２８をＳ１→Ｓ２→,…,→Ｓ１２７→Ｓ１２８の順番で順次オフ→オン→オフの転送動作を行わせ、それに同期させて、点灯信号ΦＩを出力する。それによって、ＬＥＤ Ｌ１〜Ｌ１２８は、Ｌ１→Ｌ２→,…,→Ｌ１２７→Ｌ１２８の順番で順次点灯される。
【００２９】
このように、本実施の形態のＬＰＨ１４では、ＬＥＤ回路基板６２に設けられたすべてのＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）において、転送信号ＣＫ１,ＣＫ２と点灯信号ΦＩとにより、各ＬＥＤ Ｌ１〜Ｌ１２８がＬ１→Ｌ２→,…,→Ｌ１２７→Ｌ１２８の順番に点灯され、感光体ドラム１２上に対して画像データに基づく走査露光が行われる。
それにより、本実施の形態のＬＰＨ１４においては、ＬＥＤ回路基板６２上での信号生成回路１００およびレベルシフト回路１０８から各ＳＬＥＤチップへの配線の基本構成は、転送信号ＣＫ１,ＣＫ２を送信する２本の信号線および点灯信号ΦＩを送信する１本の信号線で構成される。
【００３０】
続いて、本実施の形態のＬＰＨ１４において構成される光学系について説明する。
本実施の形態のＬＰＨ１４では、例えば開口角９°に構成された従来よりも小さな開口角を有するロッドレンズアレイ６５を用いる。ここでの開口角とは、光軸上の物点（ＳＬＥＤ６３に配置されたＬＥＤ）に対して入射瞳が張る角度をいう。したがって、例えば開口角９°のロッドレンズアレイ６５においては、光軸に対して±９°以内の角度で入射される光がロッドレンズアレイ６５を通過して像面（感光体ドラム１２表面）に達することとなる。
図５は、ロッドレンズアレイ６５の焦点深度とＭＴＦ（Modulation Transfer Function）との関係を示した図である。図５では、開口角９°および開口角１７°のロッドレンズアレイ６５についての焦点深度を、空間周波数１２ｌｐ／ｍｍ（１ｍｍ当たり１２のラインとスペースとが交互に形成されたもの）に対するＭＴＦにより表している。
図５に示したように、従来の開口角１７°のロッドレンズアレイ６５を用いた場合には、ＭＴＦ≧６０％を実現する焦点深度は、±８０μｍである。これに対して、本実施の形態の開口角９°のロッドレンズアレイ６５を用いた場合には、ＭＴＦ≧６０％を実現する焦点深度は、±１５０μｍに拡大する。本実施の形態のＬＰＨ１４では、ロッドレンズアレイ６５の開口角を例えば９°に小さく構成して、例えば±１５０μｍという従来よりも大きな焦点深度に設定している。
【００３１】
また、本実施の形態のＬＰＨ１４では、例えば作動距離１４ｍｍといった従来よりも大きな作動距離を有するロッドレンズアレイ６５を用いる。ここでの作動距離とは、ロッドレンズアレイ６５の出射面（感光体ドラム１２側の面）から像側焦点位置（感光体ドラム１２表面）までの距離をいう。本実施の形態のロッドレンズアレイ６５においては、ロッドレンズアレイ６５を構成する各ロッドレンズにおける開口径や光軸を中心とした半径方向の屈折率分布等を適宜調整することで、作動距離１４ｍｍに構成している。
【００３２】
ここで図６は、感光体モジュールＭＯＤを画像形成装置１本体に設置した状態を示した図である。図６においては、図面左側が画像形成装置１の正面側であって、感光体モジュールＭＯＤが着脱操作される側である。また、図面右側が画像形成装置１の背面側であって、回転駆動する駆動モータからの駆動が感光体ドラム１２等に伝達される側である。
本実施の形態のロッドレンズアレイ６５は、上記のように作動距離が例えば１４ｍｍと大きく構成されている。それにより、図６に示したように、ロッドレンズアレイ６５の出射面と感光体ドラム１２との距離（クリアランス）や、ロッドレンズアレイ６５の出射面と感光体モジュールＭＯＤの背面側のフレームＦＲＡとの距離（クリアランス）が大きい。そのため、感光体モジュールＭＯＤを着脱操作するに際して、感光体ドラム１２や感光体モジュールＭＯＤの背面側のフレームＦＲＡがロッドレンズアレイ６５と干渉しないので、ＬＰＨ１４を感光体モジュールＭＯＤから離隔するリトラクト機構を設けていない。
また、作動距離が例えば１４ｍｍと大きいことから、ロッドレンズアレイ６５と感光体ドラム１２との間に、ロッドレンズアレイ６５の出射面を清掃する清掃部材３４を配置している。
さらに、本実施の形態のロッドレンズアレイ６５は、上記のように焦点深度が例えば±１５０μｍと大きく構成されているため、本実施の形態のＬＰＨ１４では、ＬＰＨ１４とロッドレンズアレイ６５との光軸方向の位置を定めるための位置設定部材を設けていない。
【００３３】
続いて、本実施の形態のＬＰＨ１４に配置される集光レンズ６４について説明する。
本実施の形態のＬＰＨ１４では、ＳＬＥＤ６３を構成するＳＬＥＤチップの基板上に、ＳＬＥＤ６３を構成する各ＳＬＥＤチップに配置されたＬＥＤ（以下、単に「ＬＥＤ」とも称する）各々に対応させて集光レンズ６４を配置している（図２参照）。そして、ＳＬＥＤチップの基板上の集光レンズ６４が配置される位置の周囲には、撥液部が形成されている。
ここでの撥液部は、集光レンズ６４を構成する樹脂材料が硬化される前の状態（液状状態）にある場合に、液状状態の樹脂材料の接触角を大きくする性質を有する材質で構成されている。すなわち、撥液部は、液状状態の樹脂材料に対する濡れ性が低い材質で構成されている。撥液部を構成する具体的な材質（第２の樹脂材料）として、例えばＰＦＡ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体）等のフッ素樹脂が使用される。
【００３４】
図７は、本実施の形態の集光レンズ６４の断面図である。図７に示したように、本実施の形態の集光レンズ６４は、周囲が撥液部の一例としての撥液膜６４Ｔで囲まれるように配置されている。撥液膜６４Ｔは、ＳＬＥＤチップに配置されたＬＥＤ各々を囲む領域の周囲を囲むように形成されている。そして、撥液膜６４Ｔに周囲を囲まれる領域は、中心が各ＬＥＤの中心位置とほぼ一致し、ＬＥＤの中心位置に対して点対称、またはＬＥＤの中心位置を通るＳＬＥＤチップの基板上の直線に対して線対称に形成されている。なお、本明細書では、各ＬＥＤの中心位置を通るＳＬＥＤチップの基板と直交する垂線を「中心軸」と称する。
本実施の形態のＬＰＨ１４では、ＬＥＤ各々の周囲のＳＬＥＤチップの基板上に撥液膜６４Ｔを配置することで、集光レンズ６４の光軸とＬＥＤとを高い精度で位置合わせしている。それにより、集光レンズ６４から出射される光のロッドレンズアレイ６５の入射面における集光性能を高めている。すなわち、集光レンズ６４の結像面（ロッドレンズアレイ６５の入射面）において、集光スポット径の集約度が高められ、ＬＥＤから出射された光の結像性能が向上する。それにより、ロッドレンズアレイ６５から出射される光の感光体ドラム１２表面（ロッドレンズアレイ６５の結像面）での高い結像性能を得ている。
【００３５】
また、本実施の形態の集光レンズ６４では、ＳＬＥＤ６３に配置された各ＬＥＤに対して集光レンズ６４の出射面の曲率中心Ｃ（以下、単に「曲率中心Ｃ」と称する）よりも出射面から離れた方向の位置において、ＬＥＤの発光面と接触するように配置される。それにより、ロッドレンズアレイ６５に入射可能なＬＥＤからの出射光の出射角（集光レンズ６４の光軸とのなす角）がロッドレンズアレイ６５の狭い開口角（９°）によって制限されることや、作動距離が１４ｍｍと長いことに起因してＬＥＤからの出射光が拡散することに対応させて、ロッドレンズアレイ６５への入射光量が低下することを抑えている。
【００３６】
図８は、ＳＬＥＤ６３に配置されたＬＥＤから集光レンズ６４を通過して出射される光の光路の一例を示した図である。図８に示したように、集光レンズ６４は、ＬＥＤの発光面に接触するように配置されるので、ＬＥＤからの出射光が集光レンズ６４の入射面で反射されることが抑えられる。それにより、ＬＥＤからの出射光の殆どが集光レンズ６４の内部を通過して、出射面から感光体ドラム１２方向に出射される。
また、ＬＥＤは集光レンズ６４の曲率中心Ｃよりも出射面から離れた方向の位置に配置されるので、ＬＥＤから出射された光は、集光レンズ６４の出射面に対して出射面の法線（図中破線）よりも光軸側とは反対側の方向から入射する。それにより、集光レンズ６４の出射面では、ＬＥＤから出射された光は収束する方向に偏向される。そのため、開口角９°のロッドレンズアレイ６５に入射する光には、ＬＥＤから出射された光の中の出射角９°よりも大きな出射角を持った光も含まれることとなり、ロッドレンズアレイ６５への入射光の光量を増加させる。
【００３７】
このように、本実施の形態の集光レンズ６４は、集光レンズ６４の曲率中心Ｃよりも出射面から離れた方向の位置にてＬＥＤの発光面と接触するように配置される。それにより、ＬＥＤからの出射光が集光レンズ６４の入射面で反射されることを抑え、さらには、ＬＥＤからの出射角が９°よりも大きな出射角の光を開口角９°のロッドレンズアレイ６５に入射させることとなり、ロッドレンズアレイ６５への入射光の光量を増加させる。
特に、ＳＬＥＤ６３に配置されるＬＥＤとして、例えば本実施の形態のような面発光するＬＥＤを用いる場合には、面発光するＬＥＤは発光領域が広く出射角が大きいという特性を有することから、本実施の形態の集光レンズ６４の構成を適用することが好ましい。
【００３８】
ここで図９は、ロッドレンズアレイ６５へ入射角９°で入射する光の集光レンズ６４内での光路の一例を示した図である。図９では、集光レンズ６４の光軸上に位置するＬＥＤの位置をＱ、ロッドレンズアレイ６５へ入射角９°で入射する光の出射面での位置をＰとする。また、出射面上の位置Ｐでの法線（図中破線）と光軸とのなす角をα、ＬＥＤからの出射角をβ、位置Ｐに入射する光の法線とのなす角をθ１、位置Ｐから出射する光の法線とのなす角をθ２、集光レンズ６４の屈折率をｎとする。
図９に示した三角形ＣＰＱの内角から、
θ１＋β＝α                                                      …（１）
さらに、
α＝９＋θ２                                                      …（２）
したがって、（１）式および（２）式より、
β＝９＋（θ２−θ１）                                            …（３）
【００３９】
一方、スネルの法則から、空気の屈折率を１として、
ｎ・ｓｉｎθ１＝ｓｉｎθ２                                        …（４）
集光レンズ６４の材質である樹脂やガラス等の屈折率ｎは、一般にｎ＝１．４〜１．８であるので、（４）式より、θ２＞θ１の関係が成り立つ。したがって、（３）式ではθ２−θ１＞０となるので、β＞９となる。したがって、ＬＥＤから出射角９°よりも大きな出射角で出射する光も開口角９°のロッドレンズアレイ６５へ入射する。
【００４０】
ところで、図９において例えば角θ１が１５°となる位置にＬＥＤが配置されたと仮定する。その場合に、ｎ＝１．６の材質を用いた集光レンズ６４を用いたとすると、ｓｉｎ１５°＝０．２５８８であるので、（４）式より、１．６×０．２５８８＝ｓｉｎθ２となる。
したがって、この場合には、θ２＝２４．１°となり、θ２−θ１≒９°となるので、（３）式からＬＥＤからの出射角β≒１８°となる。すなわち、開口角９°のロッドレンズアレイ６５において、ＬＥＤからの出射角１８°の光を利用できる。このことは、開口角１８°のロッドレンズアレイ６５を用いる場合と同等の光量を使用できることを意味している。
このように、ＬＥＤの配置位置および集光レンズ６４の出射面の曲率、屈折率ｎ等を適宜設定することで、従来の開口角１７°のロッドレンズアレイ６５を用いた場合と同等、またはそれ以上の光量をロッドレンズアレイ６５に入射させることができる。特に、ロッドレンズアレイ６５への入射光量を増加させるという観点からは、屈折率ｎの大きな材質で集光レンズ６４を構成することが好ましい。
【００４１】
引き続いて、本実施の形態のＳＬＥＤ６３を構成する各ＳＬＥＤチップの製造方法を説明する。
図１０は、（ａ）ＳＬＥＤチップが形成される半導体基板２００の平面図であり、（ｂ）半導体基板２００上の（ａ）の破線円内で示した領域のＳＬＥＤチップの部分平面図である。まず、例えばｎ形ＧａＡｓからなる半導体基板２００（図１０（ａ）参照）上にｐｎｐｎ半導体層（ＡｌＧａＡｓ単結晶層）を積層し、アノード電極形成、アノード島形成、ゲート電極形成、分離エッチング工程、電極上へのコンタクトホールの形成、ボンディングパッド用のアルミ膜の形成・パターニング、ＳｉＯ２保護膜の形成、ボンディングパッド上のＳｉＯ２保護膜の除去等の工程を経て、ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ）にＬＥＤや電力入力部の一例としてのボンディングパッド２０２等が形成される（図１０（ｂ）参照）。
【００４２】
そして次の工程において、半導体基板２００に形成された各ＬＥＤに集光レンズ６４を形成する。図１１は、集光レンズ６４の作製工程を説明する図である。図１１（ａ）に示したように、表面にＬＥＤが形成された基板の一例としての半導体基板２００上に、第２の樹脂材料の一例としてのＰＦＡを蒸着等により厚さ数１０ｎｍ〜数μｍ（例えば、０．５μｍ）で塗布し、撥液層２１０を形成する。
次に、図１１（ｂ）に示したように、撥液層２１０の表面に対して、中心が各ＬＥＤの中心位置（中心軸）とほぼ一致し、ＬＥＤの中心軸に対して点対称、またはＬＥＤの中心軸を通る半導体基板２００上の直線に対して線対称の領域をエキシマレーザで照射する。ここでは、ＬＥＤの中心軸を中心とする円形状の領域をエキシマレーザで照射する。また、ボンディングパッド２０２を中心とする円形状の領域も、同時にエキシマレーザで照射する。
図１２は、撥液層２１０の表面をエキシマレーザで照射した後の状態を示した図である。ＬＥＤの中心軸を中心とする円形状の領域Ｈ１と、ボンディングパッド２０２を中心とする円形状の領域Ｈ２とがエキシマレーザにより照射されたことで、領域Ｈ１および領域Ｈ２の撥液層２１０を形成するＰＦＡは蒸発する。そのため、領域Ｈ１および領域Ｈ２では、半導体基板２００が露出される。それにより、ＬＥＤの中心軸を中心とする円形状の領域Ｈ１の周囲には、ＰＦＡからなる撥液層２１０が残存して撥液膜６４Ｔを形成する。また、領域Ｈ１は、ＬＥＤの発光領域を構成する。
【００４３】
次いで、図１１（ｃ）に示したように、領域Ｈ１に対して集光レンズ６４を構成する樹脂材料を例えばインクジェットを用いて付与する。すなわち、インクジェット噴射装置のノズル２２０から第１の樹脂材料の一例としての紫外線硬化樹脂の所定量を領域Ｈ１に吐出させる。紫外線硬化樹脂は、ノズル２２０から安定して吐出するように、吐出時の粘度が３〜２０ｍＰａ・ｓ程度に調整される。ここで、領域Ｈ１での濡れ性は領域Ｈ１の周囲を囲む撥液膜６４Ｔ（撥液層２１０）の濡れ性よりも高いので、領域Ｈ１に吐出された紫外線硬化樹脂は領域Ｈ１に集まる。すなわち、ノズル２２０からの紫外線硬化樹脂の吐出方向がＬＥＤの中心軸から外れていたり、インクジェットと半導体基板２００上のＬＥＤとの間に位置ずれが生じて、紫外線硬化樹脂の着弾位置が領域Ｈ１から外れた場合にも、紫外線硬化樹脂は領域Ｈ１に集まることとなる。
【００４４】
図１３は、領域Ｈ１に集まった状態の紫外線硬化樹脂を示した図である。図１３に示したように、紫外線硬化樹脂の着弾位置が領域Ｈ１から外れた場合でも、領域Ｈ１と撥液膜６４Ｔとの濡れ性の差により、紫外線硬化樹脂は領域Ｈ１に集まる。それにより、領域Ｈ１を底面とする部分球からなる集光レンズ６４が形成される。かかる領域Ｈ１を底面とする部分球は、領域Ｈ１の中心軸を対称軸として形成されることから、集光レンズ６４の中心は、領域Ｈ１の中心軸上に位置する。それにより、集光レンズ６４の光軸は、領域Ｈ１（ＬＥＤの発光領域）の中心軸と一致する。
ここで、撥液層２１０の厚さを所定値以上に形成し、領域Ｈ１と撥液膜６４Ｔとの間に所定の段差を設けることにより、紫外線硬化樹脂は、重力の作用によっても領域Ｈ１に集まる。そのため、紫外線硬化樹脂は領域Ｈ１に集まり易くなることから、より好ましい。
【００４５】
また、その際に、紫外線硬化樹脂の吐出量を適宜設定すると、紫外線硬化樹脂が撥液膜６４Ｔと接触する位置である領域Ｈ１と撥液膜６４Ｔとの境界において、集光レンズ６４の接触角は８０°以上で構成される。それにより、集光レンズ６４の出射面の曲率が大きく構成されて、集光レンズ６４の集光性能が高まる。さらには、集光レンズ６４の接触角を９０°よりも大きく構成すれば、上記したロッドレンズアレイ６５への入射光の光量を増加させるための条件である、集光レンズ６４の曲率中心Ｃよりも出射面から離れた方向の位置においてＬＥＤの発光面（領域Ｈ１）と接触する配置構成が設定される。
なお、ＳＬＥＤチップに配置されるＬＥＤが１２００ｄｐｉ（dot per inch）のピッチで配列した場合に、ＬＥＤは１辺が約１８μｍの正方形で形成される。その場合に、紫外線硬化樹脂の吐出量を適宜設定することで、集光レンズ６４は、半径が１３．３μｍで、領域Ｈ１と撥液膜６４Ｔとの境界での集光レンズ６４の接触角が１０８°に構成される。
【００４６】
そして、すべてのＬＥＤ上の領域Ｈ１に紫外線硬化樹脂が付与されると、紫外線硬化樹脂に対して紫外線ランプ等から紫外線を照射して硬化させる。それにより、各ＬＥＤのそれぞれに集光レンズ６４が形成される。
各ＬＥＤのそれぞれに集光レンズ６４が形成された後、半導体基板２００に形成されたＳＬＥＤチップは、それぞれがダイシングされる。そして、ＬＥＤ回路基板６２上にＳＬＥＤ６３を構成するＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）として配置される。
【００４７】
ここで、本実施の形態の集光レンズ６４を構成する樹脂材料（第１の樹脂材料）としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリシクロヘキシルメタクリレート等のアクリル系樹脂、ポリジエチレングリコールビスアリルカーボネート、ポリカーボネート等のアリル系樹脂、メタクリル樹脂等の加熱硬化型樹脂やエネルギー硬化型樹脂等が用いられる。
なお、上記のインクジェットを用いた領域Ｈ１への吐出に対応するために、上記の樹脂材料の粘度は３〜２０ｍＰａ・ｓ程度に調整される。また、上記の樹脂材料は比較的低粘度であるモノマーで使用することが望ましいが、予め重合されたオリゴマーの状態で用いてもよい。
【００４８】
以上説明したように、本実施の形態の画像形成装置１では、感光体ドラム１２を画像データに基づいて露光するＬＰＨ１４において、ＬＥＤ各々の周囲のＳＬＥＤチップの基板上に撥液膜６４Ｔを形成し、集光レンズ６４を撥液膜６４Ｔの内側においてＬＥＤ各々に対応させて配置している。それにより、本実施の形態のＬＰＨ１４では、集光レンズ６４の光軸とＬＥＤとが高い精度で位置合わせされ、集光レンズ６４から出射される光のロッドレンズアレイ６５の入射面における集光性を向上している。それによって、ＬＰＨ１４から出射された光の感光体ドラム１２表面での結像性能が高められる。
【００４９】
[実施の形態２]
実施の形態１では、集光レンズ６４の周囲を囲む撥液部（撥液膜６４Ｔ）を、ＬＥＤの中心軸を中心とする領域に対してエキシマレーザを照射することで形成する方法について説明した。本実施の形態では、ＬＥＤの中心軸を中心とする領域をフォトリソグラフィを用いて形成することで、撥液部（撥液膜６４Ｔ）を形成する方法について説明する。なお、実施の形態１と同様な構成については同様な符号を用い、その詳細な説明を省略する。
【００５０】
本実施の形態の撥液部（撥液膜６４Ｔ）の作製工程を説明する。図１４は、フォトリソグラフィを用いた撥液膜６４Ｔの作製工程を説明する図である。図１４（ａ）に示したように、表面にＬＥＤが形成された半導体基板２００上に、実施の形態１と同様に、第２の樹脂材料の一例としてのＰＦＡを蒸着等により厚さ数１０ｎｍ〜数μｍ（例えば、０．５μｍ）で塗布し、撥液層２１０を形成する。その際には、ボンディングパッド２０２を中心とする領域Ｈ４に関して予めマスキングしておき、領域Ｈ４には、撥液層２１０を形成しない（後段の図１５参照）。
次に、図１４（ｂ）に示したように、フィルム状のエッチングレジストであるドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を塗付して、フォトレジスト層２１１を形成する。ドライフィルムレジストは、感光性樹脂（フォトレジスト）をフィルム化し、ベースフィルム（例えば、ＰＥＴフィルム）と保護フィルム（例えば、ＰＥフィルム）の間に挟み込んだ構造を有する。
【００５１】
次いで、図１４（ｃ）に示したように、フォトレジスト層２１１の表面に、撥液膜６４Ｔを形成する領域を覆うように作製されたマスク２１２が配置（マスキング）される。すなわち、マスク２１２には、各ＬＥＤに対応して、各ＬＥＤの中心位置で直交する直線Ｌ１と直線Ｌ２とに関して線対称の正方形からなる開口（領域Ｈ３）が形成されている（後段の図１５参照）。ここでは、光が照射されると分解して現像液に溶けるポジ型フォトレジストを用いることとし、マスク２１２は、撥液膜６４Ｔを形成する領域を覆うように作製される。そして、例えば紫外線照射により露光処理が行われる。
さらに、図１４（ｄ）に示したように、現像液でフォトレジスト層２１１を現像し、所定時間に亘る現像を行った後にリンス液で現像を止め、さらに洗浄を行う。それにより、マスク２１２が存在する領域（すなわち、撥液膜６４Ｔに対応する領域）以外のフォトレジスト層２１１（すなわち、領域Ｈ３）は除去される。
そして、図１４（ｅ）に示したように、プラズマ処理によるエッチング処理によって撥液膜６４Ｔに対応する領域以外の撥液層２１０を除去する。さらに、フォトレジスト層２１１を除去する。それにより、撥液膜６４Ｔが形成される。このように、撥液膜６４Ｔは、フォトリソグラフィを用いて作製してもよい。
【００５２】
次いで、上記した図１１（ｃ）に示したのと同様に、領域Ｈ３に対して集光レンズ６４を構成する樹脂材料（第１の樹脂材料）が例えばインクジェットを用いて付与される。それにより、撥液膜６４Ｔの内側に集光レンズ６４が形成される。
【００５３】
図１５は、本実施の形態の作製工程により撥液膜６４Ｔが形成された半導体基板２００を示した図である。図１５に示したように、各ＬＥＤの中心位置で直交する直線Ｌ１と直線Ｌ２とに関して線対称の正方形からなる領域Ｈ３は、フォトリソグラフィによって半導体基板２００が露出される。それにより、ＬＥＤの中心軸を中心とする領域Ｈ３の周囲には、ＰＦＡからなる撥液層２１０が残存して撥液膜６４Ｔを形成する。また、領域Ｈ３は、ＬＥＤの発光領域を構成する。
また、ボンディングパッド２０２を中心とする領域Ｈ４には、撥液層２１０が当初から形成されていないので、半導体基板２００が露出されている。このように、ボンディングパッド２０２における撥液層２１０の残存やエッチング処理時のボンディングパッド２０２へのダメージを抑え、ワイヤーボンディングの確実性を高めるためには、撥液層２１０が当初から形成されないことが好ましい。
【００５４】
[実施の形態３]
実施の形態１では、集光レンズ６４の周囲を囲む撥液部（撥液膜６４Ｔ）を、ＬＥＤ回路基板６２に搭載する前の段階で形成する方法について説明した。本実施の形態では、撥液部（撥液膜６４Ｔ）をＬＥＤ回路基板６２に搭載した後の段階で形成する方法について説明する。なお、実施の形態１と同様な構成については同様な符号を用い、その詳細な説明を省略する。
【００５５】
本実施の形態の撥液部（撥液膜６４Ｔ）の作製工程を説明する。本実施の形態では、上記した図１０に示したように、例えばｎ形ＧａＡｓからなる半導体基板２００（図１０（ａ）参照）上にＬＥＤやボンディングパッド２０２等が形成された段階で（図１０（ｂ）参照）、それぞれのＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ）がダイシングされる。そして、ＬＥＤ回路基板６２上にＳＬＥＤ６３を構成するＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）として配置される。そして、ＬＥＤ回路基板６２上にＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）が配置された状態で、撥液膜６４Ｔが形成される。さらには、集光レンズ６４が形成される。
【００５６】
図１６は、ＬＥＤ回路基板６２上にＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）が配置された状態で、撥液部（撥液膜６４Ｔ）が作製される工程を説明する図である。図１６（ａ）に示したように、表面にＬＥＤが形成されたＣＨＩＰ上に、実施の形態１と同様に、第２の樹脂材料の一例としてのＰＦＡを蒸着等により厚さ数１０ｎｍ〜数μｍ（例えば、０．５μｍ）で塗布し、撥液層２１０を形成する。この場合には、ボンディングパッド２０２を中心とする領域Ｈ４に関して予めマスキングしておき、領域Ｈ４には、撥液層２１０を形成しない（図１５参照）。
次に、図１６（ｂ）に示したように、ＬＥＤの発光波長である近赤外光（例えば、波長６５０ｎｍ）に感度を有するフォトレジストを塗付して、フォトレジスト層２１１を形成する。
【００５７】
次いで、図１６（ｃ）に示したように、ＣＨＩＰ上の各ＬＥＤを発光させることで露光処理が行われる。それにより、各ＬＥＤから各ＬＥＤの中心軸を露光強度の最大値とする露光強度分布（図中破線）を有する露光が行われる。そのため、各ＬＥＤの中心軸を中心とする円形状の領域では、フォトレジスト層２１１を露光する充分な光量が露光され、かかる円形状の領域の外部周辺領域では、フォトレジスト層２１１を露光するのに充分ではない光量で露光されることとなる。
さらに、図１６（ｄ）に示したように、現像液でフォトレジスト層２１１を現像し、所定時間に亘る現像を行った後にリンス液で現像を止め、さらに洗浄を行う。それにより、充分な光量が露光された各ＬＥＤの中心軸を中心とする円形状の領域のフォトレジスト層２１１は除去され、充分ではない光量で露光されたかかる円形状の領域の外部周辺領域では、フォトレジスト層２１１は残存する。
そして、図１６（ｅ）に示したように、プラズマ処理によるエッチング処理によってフォトレジスト層２１１が残存する以外の撥液層２１０を除去する。さらに、フォトレジスト層２１１を除去する。それにより、撥液膜６４Ｔが形成される。
このように、撥液膜６４Ｔは、ＬＥＤ回路基板６２にＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）を搭載した後の段階で形成してもよい。
【００５８】
次いで、上記した図１１（ｃ）に示したのと同様に、領域Ｈ３に対して集光レンズ６４を構成する樹脂材料（第１の樹脂材料）が例えばインクジェットを用いて付与される。それにより、撥液膜６４Ｔの内側に集光レンズ６４が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明が適用される画像形成装置の全体構成の一例を示した図である。
【図２】ＬＥＤプリントヘッド（ＬＰＨ）の構成を示した断面構成図である。
【図３】ＬＥＤ回路基板の平面図である。
【図４】ＳＬＥＤを説明する図である。
【図５】ロッドレンズアレイの焦点深度とＭＴＦとの関係を示した図である。
【図６】感光体モジュールを画像形成装置本体に設置した状態を示した図である。
【図７】集光レンズの断面図である。
【図８】ＳＬＥＤに配置されたＬＥＤから集光レンズを通過して出射される光の光路の一例を示した図である。
【図９】ロッドレンズアレイへ入射角９°で入射する光の集光レンズ内での光路の一例を示した図である。
【図１０】（ａ）ＳＬＥＤチップが形成された半導体基板の平面図であり、（ｂ）半導体基板上の（ａ）の破線円内で示した領域のＳＬＥＤチップの部分平面図である。
【図１１】集光レンズの作製工程を説明する図である。
【図１２】撥液層の表面をエキシマレーザで照射した後の状態を示した図である。
【図１３】領域Ｈ１に集まった状態の紫外線硬化樹脂を示した図である。
【図１４】フォトリソグラフィを用いた撥液膜の作製工程を説明する図である。
【図１５】撥液膜が形成された半導体基板を示した図である。
【図１６】ＬＥＤ回路基板上にＳＬＥＤチップが配置された状態で撥液膜が作製される工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…画像形成装置、１０…画像形成プロセス部、１１（１１Ｙ,１１Ｍ,１１Ｃ,１１Ｋ）…画像形成ユニット、１２…感光体ドラム、１４…ＬＥＤプリントヘッド(ＬＰＨ)、６１…ハウジング、６２…ＬＥＤ回路基板、６３…自己走査型ＬＥＤアレイ（ＳＬＥＤ）、６４…集光レンズ、６４Ｔ…撥液膜、６５…ロッドレンズアレイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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