(57)【要約】【課題】半田の溶融から冷却の過程で、ヒートシンクの収縮により発生するレーザチップのレーザ素子間に作用する応力の差異を低減し、各発光点間の光出力特性の差異を低減する。【解決手段】片側の光出射端面に３個以上の発光点６を有する端面発光型のレーザチップ1と、それを搭載するサブマウント２と、半田層１２を介してサブマウント２を接合するヒートシンク３を備え、サブマウント２に対するヒートシンク３の線膨張係数比Ｒ、レーザチップ１の光出射端面における両端の発光点間距離をＤ（ｍｍ）とした場合、下記関係式が成立するようにサブマウント２とヒートシンク３の材質ならびに発光点間距離Ｄを設定することを特徴とする。    Ｄ≦５．４８×Ｒ−2.13【選択図】図５
2008141172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
片側の光出射端面に３個以上の発光点を有する端面発光型のレーザチップと、
そのレーザチップを搭載するサブマウントと、
熱伝導性の良い材料から構成され、半田層を介して前記サブマウントを接合するヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置において、
前記サブマウントに対するヒートシンクの線膨張係数比[（ヒートシンクの線膨張係数）／（サブマウントの線膨張係数）]をＲ、
前記レーザチップの光出射端面における両端の発光点間距離をＤ（ｍｍ）とした場合、下記の関係式が成立するように前記サブマウントとヒートシンクの材質ならびに発光点間距離Ｄを設定することを特徴とする半導体レーザ装置。
Ｄ≦５．４８×Ｒ−2.13
【請求項２】
請求項１項に記載の半導体レーザ装置において、前記サブマウントに対するヒートシンクの線膨張係数比Ｒが１以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１または２項に記載の半導体レーザ装置において、前記サブマウントに窒化アルミニウムまたはシリコンカーバイド、前記ヒートシンクに銅タングステンを用いることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置において、前記半田層に銀スズ半田または金スズ半田を用いることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
光源と、その光源からの光線を反射面で偏向走査する回転多面鏡とを備えた光走査装置において、前記光源が請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置であることを特徴とする光走査装置。
【請求項６】
感光体と、その感光体を帯電する帯電装置と、前記感光体上に光線の走査により静電潜像を形成する光走査装置と、前記静電潜像にトナーを付着してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を記録媒体上に転写する転写装置と、転写したトナー像を記録媒体上に定着する定着装置とを備えた画像形成装置において、前記光走査装置が請求項５に記載の光走査装置であることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信やレーザプリンタ等に用いられる、複数のレーザ光を発光する端面発光型のレーザチップを備えた半導体レーザ装置、及びこれを用いる光走査装置、画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
端面発光型のレーザチップを備えた半導体レーザ装置は、例えばガリウム砒素からなる半導体基板の主面に互いに分離溝で電気的に分離された複数のレーザ素子がアレイ状に形成され、前記半導体基板の主面側を下にして、例えばシリコンカーバイトからなるサブマウントの主面の素子搭載領域上に搭載される。サブマウントの素子搭載領域には、レーザチップのそれぞれの電極と対向した位置に複数の電極が配置されている。そして、その複数の電極面上には半田層が形成され、この半田層を介して前記レーザ素子の電極とサブマウントの電極が電気的且つ機械的に接続される。
【０００３】
前記サブマウントの素子搭載領域と異なる他の領域には、複数のボンディングワイヤ接続のためのボンディングパッドがワイヤ装着時にワイヤがレーザ光を遮断しない位置に形成されている。それらが、ボンディングワイヤの他端側をパッケージのフランジを貫通して設けられ、フランジとは電気的に分離された複数のリードの一端側にそれぞれ接続することにより、パッケージ外部からの半導体レーザ素子への通電を可能にしている。
【０００４】
前記サブマウントは、レーザ素子の発熱を抑えるために、熱伝導性の良い、例えば銅で作られたヒートシンクと接合されており、更に前記ヒートシンクは、フランジ部とロウ付けで機械的に接合している。
【０００５】
しかしながら、半導体レーザ装置の歩留り向上においては、レーザチップを搭載したサブマウントをヒートシンクに接合する際に発生する、サブマウントとヒートシンクの線膨張係数差によって、レーザチップに応力が作用するという問題がある。
【０００６】
レーザチップの主成分にガリウム砒素、サブマウントにシリコンカーバイトや窒化アルミニウム、ヒートシンクに銅や銅タングステン等が用いられている場合は、表１からわかるように、サブマウントとヒートシンクの間で線膨張係数差が大きいことがわかる。
【０００７】
サブマウントとヒートシンクの接合は、ダイボンダを用いた半田による接合が一般に行われる。すなわち、ヒートシンク上に箔状の半田小片を配置した後、前記半田小片を覆うように、サブマウントをヒートシンクに対して適宜位置決めし、サブマウントを押圧冶具にて押圧固定し、サブマウントとヒートシンクを含むワーク全体をヒータにより、半田の融点以上に加熱することで、前記半田小片を溶融させ、サブマウントとヒートシンクを接合するものである。
【０００８】
加熱時は、ヒートシンクとサブマウント間の半田小片が溶けて液体となっており、この時、サブマウントはヒートシンクに接合されていない。このため、ヒートシンクとレーザチップが接合されたサブマウントは、別々に膨張する。一方、レーザチップとサブマウントは既に接合されているため、線膨張係数の大きなレーザチップの膨張に倣ってサブマウントも変形するが、この時のサブマウントに作用する応力は、サブマウントは発光素子でないこと、レーザチップとサブマウントの線膨張係数差が小さいことから問題は生じない。
【０００９】
次に、ヒータの通電を切り、ワークへ窒素ガス噴きつけによる冷却が行われる。温度が半田の融点を下回ると、サブマウントとヒートシンクは半田により接合される。その後も窒素ガス噴きつけはワークの温度が概略１００℃を下回るまで行われ、窒素ガス噴きつけ終了後、ワークは例えば２５℃に設定された室温まで冷却される。
【００１０】
冷却時はヒートシンクとサブマウント間、サブマウントとレーザチップ間が接合されているので、温度の低下に伴い、最も線膨張係数の大きな、ヒートシンクの縮小に倣ってサブマウントとレーザチップも変形し、変形量に比例して応力が発生する。
【００１１】
サブマウントとヒートシンク間の半田が溶融している高温時を基準とすると、温度の低下に伴い図４に示すように、ヒートシンクの中央部に比べ外周部のほうが大きく変形する。
【００１２】
レーザチップとサブマウントも、ヒートシンクの収縮に伴い変形するため、前記レーザチップとサブマウントについても、夫々の中央部に比べ外周部の変形が大きくなる。
【００１３】
図4に示した片側の光出射端面に発光点６が３個ある場合を考えると、中央の発光点と両端の発光点とで変形量が異なることがわかる。変形量に比例してレーザチップ内の発光点を含む活性層には応力が作用するので、中央の発光点と両端の発光点とで応力に差異が生じることになる。
【００１４】
活性層に作用する応力は発振波長やしきい値電流などの光出力特性に影響を及ぼすほか、非特許文献１に記載されているように、寿命などの信頼性に影響を与えることが知られている。このため、中央の発光点と両端の発光点とで発振波長やしきい値電流などの光出力特性や、寿命などの信頼性に差異が生じてしまう。
【００１５】
例えば該半導体レーザ装置をレーザプリンタの書込み光源として適用した場合、発振波長の差異はレーザビームの結像位置や結像スポット径の差異となって現れ、しきい値電流の差異はレーザビームの光出力制御を困難にするという問題がある。
【００１６】
さらに、両端の発光点間距離Ｄが増加するにつれ、中央の発光点と両端の発光点とでの発振波長やしきい値電流などの光出力特性の差異が拡大し、発光点を３個備える半導体レーザ装置としての寿命などの信頼性低下が著しくなるという問題がある。
【００１７】
また、従来からサブマウントとヒートシンクの接合に良く用いられている鉛スズ半田は、２００６年７月施行の欧州連合ＲｏＨＳ指令にて有害物質に指定されている鉛を含有しており、今後の使用が困難である。このため、半田材としては、銀スズ半田や金スズ半田などが代用されることが多い。鉛スズ半田の融点が約１８０℃であるのに対し、銀スズ半田の融点は約２３０℃、金スズ半田の融点は約２８０℃にも達する。半田の融点上昇に伴って、加熱・冷却の温度変化が拡大するので、冷却時のヒートシンクの収縮も増大する。故に、レーザチップに作用する応力も拡大してしまう。
【００１８】
加えて、レーザチップの多チャンネル化により、レーザチップ内における両端の発光点間距離Ｄがさらに増加する場合があるが、物体の長さＬ、線膨張係数α、温度変化をΔＴとした場合の、温度変化ΔＴ時における物体の長さの変化ΔＬは、
ΔＬ＝Ｌ×α×ΔＴ
で表せることからわかるように、レーザチップ内における両端の発光点間距離Ｄに比例して、作用する応力も拡大してしまう。
【００１９】
一方、図４中には図示しない、片側の光出射端面に発光点が２個ある場合を考える。２個の発光点は図４中には図示しない中央線を境に、対称に配置されるのが通常である。このため、２個の発光点間で温度の低下に伴う変形量の差異は生じない。また片側の光出射端面に発光点が１個ある場合は、発光点はレーザチップの中央に設けられることが通常であるため、温度の低下に伴う変形量が僅少である。
【００２０】
このように、サブマウントとヒートシンクの半田接合における、冷却時の温度低下により発光点を含む活性層への応力の作用、ならびに各発光点間の応力の差異という問題は、片側の光出射端面に発光点が３個以上ある場合に顕著であることが分かる。
【００２１】
これまで述べてきたような問題点は従来から知られており、対策方法の提案も成されている。
【００２２】
特許文献１（特開２００５−２５９８５１号公報）では、サブマウントのヒートシンクとの接触面に溝を設け、サブマウントとヒートシンクの接触面積を減らし、サブマウントとレーザチップの変形を少なくする方法が提案されている。しかしながら、サブマウントの形状が複雑になり、成型の難易度が増加し高価なものとなるだけでなく、サブマウントとヒートシンクの接合時に半田がサブマウント下部の溝部に侵入するために、溝の無い構成のサブマウントに比べて多量の半田を必要とするという問題がある。
【００２３】
特許文献２（特開平５−３１５７０５号公報）では、レーザチップとサブマウントの夫々の線膨張係数に、レーザ素子の共振器長を乗じた値の差が、ある一定の値以下である構成を用いる方法が提案されている。これを本発明の課題に提供する場合、レーザ素子の共振器長を、レーザチップ内における両端の発光点間隔に換えて考えることができる。しかしながら、当該公報のように、レーザチップとサブマウントの線膨張係数差を縮小するだけでは、サブマウント接合時の冷却に伴うヒートシンクの変形に対して有効でない。
【００２４】
尚、サブマウントを介さず、レーザチップがヒートシンクに接合されている構成を有する半導体レーザ装置の場合は、例えばレーザチップにガリウム砒素、ヒートシンクに銅タングステンを使う構成を採ることにより、レーザチップに対するヒートシンクの線膨張係数を低く抑えることが可能であり、レーザチップとヒートシンクの半田接合における、冷却時の温度低下により発光点を含む活性層へ作用する応力は僅少であり、各発光点間の応力の差異も問題とならない。
【非特許文献１】渥美他３名、「車載レーザレーダ用高出力レーザダイオード」、デンソーテクニカルレビュー  Vol．９  No．２  ２００４年
【特許文献１】特開２００５−２５９８５１号公報
【特許文献２】特開平５−３１５７０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
本発明の課題は、片側の光出射端面に３個以上の発光点を有する端面発光型のレーザチップが、サブマウントを介してマウントされているヒートシンクを備える半導体レーザ装置に関し、ヒートシンクにサブマウントを半田接合する際、半田の溶融から冷却の過程において、ヒートシンクの収縮により発生するレーザチップのレーザ素子に作用する応力とレーザ素子間に作用する応力の差異を低減し、各発光点間の光出力特性の差異の低減と、信頼性の向上を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
かかる課題を解決するために、本発明の第１の手段は、片側の光出射端面に３個以上の発光点を有する端面発光型のレーザチップと、そのレーザチップを搭載するサブマウントと、熱伝導性の良い材料から構成され、半田層を介して前記サブマウントを接合するヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置において、
前記サブマウントに対するヒートシンクの線膨張係数比[（ヒートシンクの線膨張係数）／（サブマウントの線膨張係数）]をＲ、前記レーザチップの光出射端面における両端の発光点間距離をＤ（ｍｍ）とした場合、下記の関係式が成立するように前記サブマウントとヒートシンクの材質ならびに発光点間距離Ｄを設定することを特徴とするものである。
【００２７】
Ｄ≦５．４８×Ｒ−2.13
本発明の第２の手段は前記第１の手段において、前記サブマウントに対するヒートシンクの線膨張係数比Ｒが１以上であることを特徴とするものである。
【００２８】
本発明の第３の手段は前記第１または第２の手段において、前記サブマウントに窒化アルミニウムまたはシリコンカーバイト、前記ヒートシンクに銅タングステンを用いることを特徴とするものである。
【００２９】
本発明の第４の手段は前記第１ないし第３の手段において、前記半田層に銀スズ半田または金スズ半田を用いることを特徴とするものである。
【００３０】
本発明の第５の手段は、光源と、その光源からの光線を反射面で偏向走査する回転多面鏡とを備えた光走査装置において、前記光源が前記第１ないし第４の手段の半導体レーザ装置であることを特徴とするものである。
【００３１】
本発明の第６の手段は、感光体と、その感光体を帯電する帯電装置と、前記感光体上に光線の走査により静電潜像を形成する光走査装置と、前記静電潜像にトナーを付着してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を記録媒体上に転写する転写装置と、転写したトナー像を記録媒体上に定着する定着装置とを備えた画像形成装置において、前記光走査装置が前記第５の手段の光走査装置であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、片側の光出射端面に３個以上の発光点を有する端面発光型のレーザチップが、サブマウントを介してマウントされているヒートシンクを備える半導体レーザ装置に関し、ヒートシンクにサブマウントを半田接合する際、半田の溶融から冷却の過程において、ヒートシンクの収縮により発生するレーザチップのレーザ素子に作用する応力とレーザ素子間に作用する応力の差異を低減し、各発光点間の光出力特性の差異の低減と、信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
次に本発明の実施形態を図と共に説明する。図１は本実施形態における半導体レーザ装置のうちのレーザチップ付近の拡大斜視図、図２はその半導体レーザ装置の全体の斜視図、図３はその半導体レーザ装置の一部拡大断面図である。
【００３４】
図３に示すように半導体基板の主面に互いに分離溝８で電気的に分離された複数のレーザ素子９がアレイ状に設けられて、レーザチップ１を構成している。このレーザチップ１は、前記半導体基板の主面を下にして、サブマウント２のレーザチップ搭載領域７上に搭載される。本実施形態では分離溝を設けたが、分離溝を設けない場合もある。
【００３５】
サブマウント２のレーザチップ搭載領域７には、レーザチップ１の夫々の電極１０と対向した位置に複数の電極１１が形成され、その電極１１の上には半田層１２が予め形成される。そしてこの半田層１２により、前記電極１０と電極１１が電気的且つ機械的に接続される。
【００３６】
このようにしてレーザチップ１を搭載したサブマウント２は、レーザチップ１（レーザ素子９）の発熱を抑えるために、熱伝導性の良い材料で作られたヒートシンク３と半田層１３を介して機械的に接合され（図３参照）、更にヒートシンク３はフランジ５とロウ付けで機械的に接合している（図２参照）。図３において符号１４は、コモン電極である。
【００３７】
前記サブマウント２のレーザチップ搭載領域７と異なる他の領域には、複数のボンディングパッド（図示せず）が形成されている。一方、パッケージのフランジ５には、それと電気的に分離された複数のリード４が貫通して設けられ、そのリード４の一端と前記ボンディングパッドをボンディングワイヤでそれぞれ接続することにより、パッケージ外部からのレーザ素子９への通電を可能にしている。
【００３８】
ヒートシンク３にサブマウント２を半田接合する際、半田層１３の溶融から冷却の過程において、予めサブマウント２とレーザチップ１間が接合されているので、温度の低下に伴い、最も線膨張係数の大きなヒートシンク３の縮小に倣ってサブマウント２とレーザチップ１が変形し、変形量に比例して応力が作用する。
【００３９】
図４は、サブマウント３とヒートシンク２間の半田接合に伴う各部材の変化を示す説明図で、同図（ａ）は半田溶融時、同図（ｂ）は半田硬化後の状態を示している。
【００４０】
同図（ａ）に示すサブマウント３とヒートシンク２間の半田が溶融している高温時を基準とすると、温度の低下に伴い同図（ｂ）に示すように、ヒートシンク３の中央部に比べてその両側の外周部の方が大きく変形する。レーザチップ１とサブマウント２もヒートシンク３の収縮に伴い、レーザチップ１とサブマウント２も、夫々の中央部に比べてその両側の外周部の変形が大きくなる。
【００４１】
図4に示した片側の光出射端面に発光点６ａ〜6ｃが３個一直線上に等間隔に配置されている場合、中央の発光点６ｂと両端の発光点６ａ，６ｃとは、半田溶融時から半田硬化に伴っての変形量が異なる。この変形量に比例してレーザチップ１内の発光点６ａ〜6ｃを含む活性層に応力が作用するので、中央の発光点６ｂと両端の発光点６ａ，６ｃとで応力に差異が生じる。
【００４２】
表１に半導体レーザ装置に用いる半導体レーザアレイ素子（レーザチップ）、サブマウント、ヒートシンクの材質とその線膨張係数を示す。
【表１】
2008141172.tif 000003
【００４３】
前記レーザチップ１内の発光点６ａ〜6ｃに対する応力の差異について、本発明ではレーザチップに対するヒートシンクの線膨張係数比に注目するのではなく、サブマウントに対するヒートシンクの線膨張係数比Ｒ［＝（ヒートシンクの線膨張係数）／（サブマウントの線膨張係数）］に注目した。その理由は、レーザチップの変形はサブマウントの変形に倣って起こるため、レーザチップに対するヒートシンクの線膨張係数比よりもサブマウントに対するヒートシンクの線膨張係数比が支配的であるためである。
【００４４】
各種材質のサブマウントとヒートシンクの組み合わせから線膨張係数比Ｒを求めると下記の通りである。  
（銅タングステン）／（窒化アルミニウム）＝１．７３
（銅タングステン）／（シリコンカーバイト）＝２．２４
（鉄）／（窒化アルミニウム）＝２．５２
（鉄）／（シリコンカーバイト）＝３．２７
（銅）／（窒化アルミニウム）＝３．６９
（銅）／（シリコンカーバイト）＝４．７８
このように本発明ではサブマウントに対するヒートシンクの線膨張係数比ＲはＲ≧1、好ましくは１〜４、さらに好ましくは１．７〜３．７の範囲である。サブマウントとヒートシンクの材質の組み合わせによっては線膨張係数比Ｒの値が大きくなるが、そうなると後述する図５の結果から許容発光点幅Ｄが極端に狭くなり、特に発光点の数が増えるとレーザチップの製作が困難になる傾向にあるから、線膨張係数比Ｒの値は前述の範囲に留める方が得策である。
【００４５】
次に線膨張係数比Ｒとレーザチップ内における両端の発光点間距離Ｄとの関係について説明する。サブマウントとヒートシンクの材質を各種組み合わせるとともに前記発光点間距離Ｄを種々変えて、表２の通り各種の半導体レーザ装置を組み立てた。
【表２】
2008141172.tif 000004
【００４６】
図５は線膨張係数比Ｒと発光点間距離Ｄとの関係を示す図で、表２中の各半導体レーザ装置の試料No.を図中に付した。本発明者等の他の予備実験から、サブマウントとヒートシンクの半田接合に伴ってレーザ素子に作用する応力が３５ｋｇｆ／ｍｍ2を上回らなければ、光出力特性の悪化や寿命の低下などに影響を及ぼさないことを究明している。
【００４７】
試料No.１〜１３の半導体レーザ装置のレーザ素子に作用する応力を求め、それが３５ｋｇｆ／ｍｍ2以下のものには○印を、応力が３５ｋｇｆ／ｍｍ2を超えるものには●印をそれぞれ付して区別した。
【００４８】
この結果から明らかなように、図中の曲線Ａより下の斜線を付した領域のもの、すなわち線膨張係数比Ｒと発光点間距離Ｄとの関係が下式で示されるものは、サブマウントとヒートシンクの半田接合に伴ってレーザ素子に作用する応力が３５ｋｇｆ／ｍｍ2を上回らず、そのため光出力特性の悪化や寿命の低下などの少ない半導体レーザ装置である。
【００４９】
Ｄ≦５．４８×Ｒ−2.13
本発明の実施形態に係る端面発光型のレーザチップの場合、例えば３〜２０個程度の発光点を有するものが使用される。
【００５０】
図６は、前記実施形態の半導体レーザ装置を使用した光走査装置の概略構成図である。前記半導体レーザ装置を光走査装置３０の書き込み光源２０として用い、そこから出射したレーザ光線２１は、副走査方向のみに所定の曲率を有するシリンドリカルレンズ２２を通り、回転多面鏡２３によって偏向走査され、Ｆθレンズ２４を通り、折り返しミラー２５で図の下方に反射し、折り返しミラー２５の下方に配置された感光体（図示せず）上に結像され静電潜像を作成する。この静電潜像に基づいて後述するようにして画像を形成することができる。図中の矢印Ｘは、レーザ光線２１の走査方向（主走査方向）を示している。なお、偏向走査されたレーザ光線２１の一部は、ミラー２６によって光学センサ２７に導かれ、そこからの出力信号により、書き込み光源２０から発せられる光線の書き込みのための変調を開始する。
【００５１】
図７は、この光走査装置３０を使用した画像形成装置の概略構成図である。  
トナー像を形成するためのドラム状の感光体３１は、図示しないモータによって一定の周速度で回転駆動している。この感光体３１は、帯電装置３２によって一様に帯電された後、前記光走査装置３０からのレーザ光線２１により露光され、記録されるべき画像情報に対応した静電潜像が形成される。この露光位置の回転方向下流側には現像装置３３が配置され、それからのトナーの付着により感光体３１上にトナー像が形成される。
【００５２】
印刷用紙３４は、搬送ローラなどの搬送装置３５で搬送される。転写装置３６で印刷用紙３４の背面にトナーと逆極性の帯電を行うことにより、感光体３１上のトナー像を印刷用紙３４上に転写する。転写後、転写されなかった残留トナーは、清掃装置３７によって除去される。トナー像が転写された印刷用紙３４は、定着装置３８へ搬送される。
【００５３】
定着装置３８は、一定温度に加熱制御したヒートローラ３８ａと、それに圧接する加圧ローラ３８ｂとから構成されている。定着装置３８を通過するときに、印刷用紙３４上に保持されているトナー像は、加熱溶融されて印刷用紙３４に定着される。定着後、印刷用紙３４は画像形成装置の外部に排出、ストックされる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置のうちのレーザチップ付近の拡大斜視図である。
【図２】その半導体レーザ装置の全体の斜視図である。
【図３】その半導体レーザ装置の一部拡大断面図である。
【図４】サブマウントとヒートシンク間の半田接合に伴う各部材の変化を示す説明図である。
【図５】線膨張係数比Ｒと発光点間距離Ｄとの関係を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る光走査装置の概略構成図である。
【図７】本発明の実施形態に係る画像形成装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００５５】
１：レーザチップ、２：サブマウント、３：ヒートシンク、４：リード、５：フランジ、６ａ〜６ｃ：発光点、７：レーザチップ搭載領域、８：分離溝、９：レーザ素子、１０、１１：電極、１２，１３：半田層、１４：コモン電極、２０：書込み光源、２１：レーザ光、２２：シリンドリカルレンズ、２３：回転多面鏡、２４：Ｆθレンズ、２５：折り返しミラー、２６：ミラー、２７：光学センサ、３０：光走査装置、３１：感光体、３２：帯電装置、３３：現像装置、３４：印刷用紙、３５：搬送装置、３６：転写装置、３７：清掃装置、３８：定着装置。
【図１】
2008141172.tif 000005
【図２】
2008141172.tif 000006
【図３】
2008141172.tif 000007
【図４】
2008141172.tif 000008
【図５】
2008141172.tif 000009
【図６】
2008141172.tif 000010
【図７】
2008141172.tif 000011