(57)【要約】【課題】  抵抗値制御や高ＥＳＲ化が容易で、製造コストも削減することが可能な電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】  積層セラミックコンデンサ２の内部電極層２２と接続される下地電極層３が形成されるとともに、下地電極層３上にガラス層４及び外部電極層５が形成されている。ガラス層４には下地電極層３または外部電極層５の少なくとも一方に含まれる導電成分が含まれ、抵抗体層として機能する。導電成分はＡｇまたはＰｄの少なくとも1種である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層セラミックコンデンサの内部電極層と接続される下地電極層が形成されるとともに、当該下地電極層上にガラス層及び外部電極層が形成されてなる電子部品であって、
前記ガラス層には前記下地電極層または外部電極層の少なくとも一方に含まれる導電成分が含まれ、前記導電成分がＡｇまたはＰｄの少なくとも1種であることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
積層セラミックコンデンサの内部電極層の端部と重なる位置に下地電極層を形成する下地電極層形成工程と、
前記下地電極層上にガラス層を形成するガラス層形成工程と、
前記ガラス層上に外部電極層を形成する外部電極層形成工程とを有し、
前記ガラス層形成工程または外部電極層形成工程の少なくとも一方において、下地電極層または外部電極層に含まれるＡｇまたはＰｄの少なくとも1種を導電成分としてガラス層に拡散させることを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサの電極部分に抵抗体層が形成されてなる電子部品（ＣＲ複合部品）に関するものであり、さらにはその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＤＣ−ＤＣコンバータやスイッチング電源等の２次側回路では、平滑回路の等価直列抵抗（ＥＳＲ）が帰還ループの位相特性に大きな影響を与え、特にＥＳＲが極端に低くなると問題が生ずることがある。すなわち、平滑コンデンサとしてＥＳＲの低い積層セラミックコンデンサを使用すると、２次側平滑回路が等価的にＬとＣ成分のみで構成されてしまい、回路内に存在する位相成分が±９０°及び０°のみとなり、位相の余裕がなくなり容易に発振してしまう。同様な現象は３端子レギュレータを用いた電源回路においても負荷変動時の発振現象として現れる。
【０００３】
あるいは、ＣＲ回路等においても、低電流化に伴って周波数によってインピーダンスが変化し、電圧変動が生ずることが課題となっている。例えば、近年のＣＰＵのデュアルコア化等に伴い、数ｋＨｚ〜１００ＭＨｚの周期で電流変動が生じ、電源のインピーダンスによって電圧変動が生じている。そこで、これらの不都合に対処するために、積層セラミックコンデンサの下地電極に抵抗層を形成し、これを抵抗として機能させることによりＥＳＲをある程度高めるようにしたＣＲ複合部品等の電子部品が提案されている（例えば特許文献１等を参照）。
【０００４】
特許文献１には、内部電極が形成された積層セラミックコンデンサ素体と、該コンデンサ素体の内部電極が表出する端面に、該内部電極と導通するように設けられた下地電極層と、該下地電極層上に設けられた抵抗層と、該抵抗層上に設けられ、該下地電極層に対して非接触となっている下地電極層とを備えてなるＣＲ素子が開示されている。このようなＣＲ素子を用い、抵抗層の抵抗値を適正に制御することで、周波数に関わらず電圧変動を抑えることが可能である。
【特許文献１】特開平１０−３０３０６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前記ＣＲ複合部品では、導電材料として酸化ルテニウム等を用い、これを絶縁物であるガラス成分と混合して焼成し、抵抗体層を形成している。しかしながら、酸化ルテニウム等を用いて抵抗体層を形成する場合、酸化ルテニウムが高価であることから製造コストの上昇を招くという問題がある。また、他の導電材料を用いた場合には、例えば１００ｍΩ以下の抵抗値を得ることは難しく、抵抗値制御や高ＥＳＲ化が難しいという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、抵抗値制御や高ＥＳＲ化が容易で、製造コストも削減することが可能な電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述の目的を達成するために、本発明の電子部品は、積層セラミックコンデンサの内部電極層と接続される下地電極層が形成されるとともに、当該下地電極層上にガラス層及び外部電極層が形成されてなる電子部品であって、前記ガラス層には前記下地電極層または外部電極層の少なくとも一方に含まれる導電成分が含まれ、前記導電成分がＡｇまたはＰｄの少なくとも1種であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の電子部品の製造方法は、積層セラミックコンデンサの内部電極層の端部と重なる位置に下地電極層を形成する下地電極層形成工程と、前記下地電極層上にガラス層を形成するガラス層形成工程と、前記ガラス層上に外部電極層を形成する外部電極層形成工程とを有し、前記ガラス層形成工程または外部電極層形成工程の少なくとも一方において、下地電極層または外部電極層に含まれるＡｇまたはＰｄの少なくとも1種を導電成分としてガラス層に拡散させることを特徴とする。
【０００９】
下地電極層上にガラス層及び外部電極層を形成し、下地電極層や外部電極層に含まれるＡｇやＰｄをガラス層中に拡散させることで、ガラス層が抵抗体層として機能する。ＡｇやＰｄはガラスに良く拡散する特性を有し、酸素を含む雰囲気中での焼成により、下地電極層や外部電極層に含まれるＡｇやＰｄがガラス層中に容易に拡散する。この際、焼き付け条件等を制御することにより、抵抗値制御が可能であり、例えば１００ｍΩ以下の抵抗値が得られる。また、ガラス層を抵抗体層として機能させるに際し、酸化ルテニウム等の高価な材料を用いる必要もない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、抵抗値制御や高ＥＳＲ化が容易で、製造コストも削減することが可能な電子部品（ＣＲ複合部品）を提供することが可能である。また、本発明の製造方法によれば、前記特徴を有する電子部品を工程をほとんど変更することなく簡単に製造することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を適用した電子部品（ＣＲ複合部品）及びその製造方法ついて、図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１はＣＲ複合部品の一例を示すものである。ＣＲ複合部品１は、セラミック積層体である積層セラミックコンデンサ２を素子本体とし、その側面に下地電極層３及びガラス層４、さらには外部電極層５を形成することにより構成されている。
【００１３】
前記積層セラミックコンデンサ２においては、複数の誘電体セラミック層２１と内部電極層２２とが交互に積層されている。そして、内部電極層２２は、素子本体の対向する２端面に各側端面が交互に露出するように積層されており、素子本体の両側端部には一対の下地電極３がこれら内部電極層２２と電気的に導通されるように形成されている。素子本体の形状は特に制限されるものではないが、通常は直方体形状である。その寸法も特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法に設定すればよい。
【００１４】
積層セラミックコンデンサ２を構成する前記誘電体セラミック層２１は、誘電体磁器組成物により構成され、誘電体磁器組成物の粉末（セラミック粉末）を焼結することにより形成される。前記誘電体磁器組成物は、例えば組成式ＡＢＯ３（式中、Ａサイトは、Ｓｒ、Ｃａ及びＢａから選ばれる少なくとも１種の元素で構成される。Ｂサイトは、Ｔｉ及びＺｒから選ばれる少なくとも１種の元素で構成される。）で表されるペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体酸化物を主成分として含有するもの等を挙げることができる。前記誘電体酸化物の中でも、Ａサイト元素をＢａとし、Ｂサイト元素をＴｉとしたチタン酸バリウム等が好ましい。
【００１５】
誘電体磁器組成物中には、主成分の他、各種副成分が含まれていてもよい。副成分としては、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｖ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｓｉ及びＰの酸化物から選ばれる少なくとも１種が例示される。副成分を添加することにより、例えば主成分の誘電特性を劣化させることなく低温焼成が可能となる。また、誘電体セラミック層２１を薄層化した場合の不良の発生が低減され、長寿命化が可能となる。
【００１６】
前記誘電体セラミック層２１の積層数や厚み等の諸条件は、要求される特性や用途等に応じ適宜決定すればよい。誘電体セラミック層２１の厚みについては、１μｍ〜５０μｍ程度であり、通常は５μｍ〜２０μｍ程度であるが、５μｍ以下とすることも可能である。例えば、積層セラミックコンデンサ２の小型化、大容量化を図る観点では、誘電体セラミック層２１の厚さは３μｍ以下とすることが好ましい。誘電体セラミック層２の積層数は、２層〜３００層程度であるが、特性を考慮すると１５０層以上とすることが好ましい。
【００１７】
前記内部電極層２２には、任意の金属材料を用いることができる。例えば、ＡｇやＰｄ、ＡｇＰｄ合金、Ｐｔ、Ａｕ等の貴金属を用いてもよいし、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ合金又はＣｕ合金等の卑金属を用いてもよい。内部電極層２２にＮｉ、Ｃｕ、Ｎｉ合金又はＣｕ合金等の卑金属を用いることで、貴金属を用いた場合に比べて製造コストを削減することが可能である。なお、内部電極層２２の厚みは、用途等に応じて適宜決定すればよく、例えば０．５μｍ〜５μｍ程度であり、好ましくは１．５μｍ以下である。
【００１８】
積層セラミックコンデンサ２の側面に形成される下地電極層３は、前記積層セラミックコンデンサ２の内部電極層２２の端部と重なる位置に形成されており、これら内部電極層２２と電気的に接続されている。下地電極層３の形成には、導電金属材料とガラス成分とを含む電極形成用組成物を用いる。ここで、導電金属材料としては、電気的導通が可能なものであれば如何なる金属材料であってもよいが、耐酸化性に優れ緻密な下地電極層３の形成が可能で、且つ内部電極層２２の保護機能に優れる貴金属材料が好適である。具体的には、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、あるいはこれらの合金を挙げることができる。
【００１９】
特に、内部電極層２２が卑金属（例えばＮｉ）により形成されている場合、当該内部電極層２２と電気的に確実に接続するためには、下地電極層３がＰｄ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。下地電極層３にＰｄ、Ａｕ、Ｐｔのいずれかが含まれていれば、内部電極層２２上に下地電極層３を形成した時に、その一部が内部電極層２２に含まれるＮｉと置換され、電気的な接続が確実なものとなる。
【００２０】
ガラス層４上に形成される外部電極層５は、ＣＲ複合部品１の外部端子としての機能を果たすものであり、リード線の取り付けや実装時のはんだ付け等を考慮すると、抵抗値が小さく、はんだ濡れ性が良好であることが好ましい。したがって、少なくとも外部電極層５の一部（表面部）がめっき膜により形成されていることが好ましい。例えばＡｇやＰｄ、ＡｇＰｄ合金を含む導電ペースト等を焼成して焼結金属層５ａを形成し、さらにＮｉやＳｎ、スズ−鉛合金はんだ等をめっきすることでめっき膜５ｂを形成し、これら焼結金属層５ａとめっき膜５ｂを外部電極層５とすればよい。また、めっき膜５ｂについては、例えば内側をＮｉめっき膜、外側をスズ−鉛合金はんだめっき膜とすることも可能である。めっき膜５ｂの膜厚としては、例えば０．１μｍ〜２０μｍ程度である。
【００２１】
一方、前記下地電極層３と外部電極層５の間に形成されるガラス層４は、基本的にはガラス材料により形成された層であるが、先の下地電極層３や外部電極層５に含まれる導電成分が拡散され、ある程度の導電性を示す。すなわち、ガラス材料により形成されるガラス層４は、本来は絶縁層であるが、拡散された導電成分を含むことによって導電性を示し、抵抗体層として機能する。したがって、下地電極層３上に前記ガラス層４を形成することで、抵抗体層が積層された形になり、その結果、コンデンサＣ（積層セラミックコンデンサ２）と抵抗Ｒ（ガラス層４）とが直列に接続され、ＣＲ複合部品としての機能が付与される。
【００２２】
前記ガラス層４を構成するガラス材料としては、任意のガラス材料を用いることができる。具体的には、Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３ガラスや、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３ガラス等を使用することができる。
【００２３】
前記ガラス層４に拡散して導電性を付与する導電成分としては、ＡｇやＰｄを挙げることができる。ＡｇやＰｄは、ガラス材料により形成されたガラス層４中に容易に拡散する。前記導電成分は、前記下地電極層３から拡散されたものであってもよいし、外部電極層５から拡散されたものであってもよい。あるいは、下地電極層３と外部電極層５の両者から拡散されたものであってもよい。例えば、下地電極層３がＡｇあるいはＰｄを含有していれば、下地電極層３に含まれるＡｇやＰｄがガラス層４中に導電成分として拡散する。外部電極層５がＡｇあるいはＰｄを含有していれば、外部電極層５に含まれるＡｇやＰｄがガラス層４中に導電成分として拡散する。下地電極層３と外部電極層５の両者がＡｇあるいはＰｄを含有していれば、これら両者に含まれるＡｇやＰｄがガラス層４中に導電成分として拡散する。したがって、下地電極層３と外部電極層５の少なくとも一方がＡｇあるいはＰｄを含有していることが必要である。
【００２４】
前記ガラス層４の厚さは任意であるが、例えば５μｍ〜５０μｍとすることが好ましい。ガラス層４の厚さが薄すぎると、抵抗値が低くなり過ぎるおそれがある。逆に、ガラス層４の厚さが厚すぎると、前記拡散によっても十分な導電性を付与することができず、絶縁層のまま存在することになる。
【００２５】
前記ガラス層４において、その厚さを制御し、さらには下地電極層３や外部電極層５からの導電成分の拡散を制御することにより、抵抗値を制御することが可能である。これらを制御することにより、例えば１００ｍΩ以下の抵抗値を得ることができる。
【００２６】
以上の構成を有する本実施形態の電子部品（ＣＲ複合部品）においては、下地電極層３や外部電極層５に含まれた導電成分（ＡｇやＰｄ）が拡散されたガラス層４が抵抗体層として機能するので、酸化ルテニウム等の高価な導電材料を使用する必要がなく、製造コストを大幅に削減することが可能である。また、ガラス層４の厚さや導電成分の拡散を制御することで、抵抗値を制御することが可能であり、例えばＥＳＲを高めることが可能である。
【００２７】
次に、前述のＣＲ複合部品１の製造方法の形成方法について説明する。前記ＣＲ複合部品１において、積層セラミックコンデンサ２に下地電極層３を形成するには、先ず、図２（ａ）に示すように、下地電極前駆体層形成工程において、セラミック積層体である積層セラミックコンデンサ２の側面に下地電極前駆体層１１を形成する。下地電極前駆体層１１は、導電金属材料及びガラス成分を含む導電ペーストをディッピングや印刷法等の手法を用いて積層セラミックコンデンサ２の内部電極層２２が臨む端面に塗布することにより形成する。ガラス層４に下地電極層３に含まれる導電成分を拡散する場合には、ＡｇまたはＰｄの少なくとも１種を含む導電金属材料を使用する。
【００２８】
前記下地電極前駆体層１１を焼成して下地電極層３とするが、積層セラミックコンデンサ２の内部電極層２２がＡｇやＰｄ等の貴金属により形成されている場合には、酸素を含む雰囲気中（例えば大気中）で焼き付けを行えばよい。すなわち、前記導電ペーストは有機ビヒクル等の有機物を含有しているので、先ず下地電極前駆体層１１に含まれる有機物を分解除去する脱バインダ工程を行う。脱バインダ工程は、大気中、例えば４００℃程度の温度で行う。前記脱バインダ工程の後、焼き付けを行うが、焼き付けのための焼成工程は、例えば大気中、７５０℃程度の温度で行う。
【００２９】
積層セラミックコンデンサ２の内部電極層２２がＮｉ等の卑金属により形成されている場合には、還元焼成を行う。すなわち、前記脱バインダ工程の後、還元処理工程において下地電極前駆体層を還元処理する。還元処理は、水素等の還元性ガスを含む雰囲気中で所定の還元温度まで加熱することにより行う。この前記還元処理工程において、水素還元処理を施す場合、室温にて試料を雰囲気焼成可能な反応炉にセットし、密封する。炉内の雰囲気を水素含有雰囲気、例えば９５％Ｎ２−５％Ｈ２混合ガス（Ｎ２−５％Ｈ２）に置換し、所定温度まで昇温し、一定時間経た後、降温する。水素濃度としては、０．１％〜１０％程度に設定すればよい。先の脱バインダ工程により卑金属により形成された内部電極層２２が酸化されるが、この還元処理工程を行うことにより還元され、内部電極層２２本来の機能を回復する。
【００３０】
なお、前記還元処理工程における還元温度は、２５０℃〜５００℃とすることが好ましい。前記還元温度が２５０℃未満であると、十分に内部電極層２２の還元が進まなくなるおそれがある。逆に、還元温度が５００℃を越えると、積層セラミックコンデンサ２を構成する誘電体セラミック層２１が還元されて特性が劣化するおそれがある。
【００３１】
前記還元処理工程の後、焼き付け工程を行う。焼き付け工程は、窒素雰囲気やＡｒガス雰囲気等、不活性ガス雰囲気中で行う。また、その温度は、焼き付けに必要な温度とすればよく、形成される下地電極層３を緻密なものとするためには、例えば８５０℃以上に設定することが好ましい。
【００３２】
下地電極前駆体層１１の焼き付けにより下地電極層３を形成した後、ガラス層４を形成する。ガラス層４は、図２（ｂ）に示すように、所定のガラス材料を含むガラスペーストを塗布してガラスペースト層１２を形成した後、これを焼成することにより形成する。
【００３３】
前記焼成は酸素を含む雰囲気中（例えば大気中）で行う必要がある。酸素を含む雰囲気中で前記焼成を行えば、下地電極層３に含まれるＡｇやＰｄが速やかにガラス層４中に拡散する。この時、ガラスペースト層１２の厚さや焼成温度、焼成時間等を制御することにより、導電成分のガラス層４への拡散濃度を制御することができ、ガラス層４の抵抗値制御が可能である。なお、前記焼成の際には、下地電極層３が酸素透過防止膜として機能するため、内部電極層２２がＮｉ等の卑金属により形成されている場合にも酸化されることはない。
【００３４】
前記ガラス層４の形成の後、図２（ｃ）に示すように、外部電極前駆体層形成工程においてＡｇペーストやＰｄペースト、ＡｇＰｄペースト等の導電ペーストをディッピング等の手法により塗布して外部電極前駆体層１３を形成し、これを焼成工程において焼成することで外部電極層５を形成する。焼成工程は、例えば大気中、７００℃〜８５０℃程度の温度で行えばよい。
【００３５】
前記外部電極層５の焼成の際にもガラス層４へ導電成分を拡散することが可能である。すなわち、ＡｇやＰｄを含む導電ペーストを用い、これを酸素を含む雰囲気中（例えば大気中）で焼成することにより、外部電極層５に含まれるＡｇやＰｄが速やかにガラス層４中に拡散する。
【００３６】
前記拡散においても、焼成温度、焼成時間等を制御することにより、導電成分のガラス層４への拡散濃度を制御することができるが、さらに外部電極前駆体層１３の形成の際に用いる導電ペーストに含まれる導電粒子（Ａｇ粒子あるいはＰｄ粒子、ＡｇＰｄ粒子等）の粒径によっても拡散濃度（すなわち抵抗値）を制御することが可能である。例えば、使用する導電粒子の粒径が小さいほど抵抗値（ＥＳＲ）を小さくすることができ、焼成温度が高いほどやはり抵抗値（ＥＳＲ）を小さくすることが可能である。
【００３７】
以上がＣＲ複合部品の基本的な製造方法であるが、前述の製造方法においては、ガラス層４を形成し、下地電極層３や外部電極層５を形成する際に導電成分（Ａｇ、Ｐｄ）を拡散させて抵抗体層として機能するようにしているので、工程に変更を加えることなく、抵抗体層（ガラス層４）の形成が可能である。また、ガラス層４はガラスペーストにより形成することができ、製造コストの削減が可能である。さらに、下地電極層３や外部電極層５の焼成条件により抵抗値制御が可能である。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
【００３９】
実施例１
卑金属であるＮｉ内部電極を有するチップコンデンサ（容量１０μＦ±２０％）の下地電極形成部分にＡｇＰｄ合金（Ｐｄ３０質量％含有）を導電金属材料とする導電ぺーストを印刷し、大気中３５０℃で脱バインダを行った。さらに、３２０℃で水素還元処理を行い、窒素中、９５０℃で焼き付けを行って下地電極層を形成した。
【００４０】
次に、ガラスペーストを下地電極層上に印刷し、大気中、８５０℃で焼成してガラス層を形成した。ガラス層の厚さは５μｍとした。また、ガラスペーストに含まれるガラス材料は、Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３ガラスであり、軟化点Ｔｓ４５０℃である。その後、ガラス層上にＡｇペーストを塗布、焼成してＡｇ焼結層を外部電極層として形成した。
【００４１】
前記外部電極層の形成の際、Ａｇペーストに含まれるＡｇ粒子の平均粒径、焼成温度を変え、種々のＣＲ複合部品を作製した。作製したＣＲ複合部品のＥＳＲを表１に示す。
【００４２】
【表１】
2008159965.tif 000003
【００４３】
この表１から、前記Ａｇ粒子の平均粒径、焼成温度によりＥＳＲを制御できることがわかる。また、ＥＳＲ１００ｍΩ以下が達成されている。
【００４４】
実施例２
ガラス層に形成にＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３ガラス（軟化点Ｔｓ５５０℃）をガラス材料とするガラスペーストを用い、他は実施例１と同様、外部電極層の形成に使用するＡｇ粒子の平均粒径、外部電極層形成の際の焼成温度を変え、ＣＲ複合部品を作製した。作製したＣＲ複合部品のＥＳＲを表２に示す。
【００４５】
【表２】
2008159965.tif 000004
【００４６】
表２から、本実施例においても、Ａｇ粒子の平均粒径、焼成温度によりＥＳＲを制御できることが確認された。
【００４７】
実施例３
ガラス層上にＰｄペーストを塗布、焼成してＰｄ焼結層を外部電極層として形成し、他は実施例１と同様、ＣＲ複合部品を作製した。外部電極層の形成に使用するＰｄ粒子の平均粒径、外部電極層形成の際の焼成温度を変えて作製したＣＲ複合部品のＥＳＲを表３に示す。
【００４８】
【表３】
2008159965.tif 000005
【００４９】
表３から、本実施例においても、Ｐｄ粒子の平均粒径、焼成温度によりＥＳＲを制御できることが確認された。
【００５０】
実施例４
ガラス層に形成にＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３ガラス（軟化点Ｔｓ５５０℃）をガラス材料とするガラスペーストを用いるとともに、ガラス層上にＰｄペーストを塗布、焼成してＰｄ焼結層を外部電極層として形成し、他は実施例１と同様、ＣＲ複合部品を作製した。外部電極層の形成に使用するＰｄ粒子の平均粒径、外部電極層形成の際の焼成温度を変えて作製したＣＲ複合部品のＥＳＲを表４に示す。
【００５１】
【表４】
2008159965.tif 000006
【００５２】
表４から、本実施例においても、Ｐｄ粒子の平均粒径、焼成温度によりＥＳＲを制御できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】ＣＲ複合部品の一例を示す概略断面図である。
【図２】ＣＲ複合部品の製造工程の一例を示す概略断面図であり、（ａ）は下地電極前駆体層形成工程、（ｂ）はガラスペースト層形成工程、（ｃ）は外部電極層前駆体層形成工程をそれぞれ示す。
【符号の説明】
【００５４】
１  ＣＲ複合部品、２  積層セラミックコンデンサ、３  下地電極層、４  ガラス層、５  外部電極層、１１  下地電極前駆体層、１２  ガラスペースト層、１３  外部電極前駆体層、２１  誘電体セラミック層、２２  内部電極層
【図１】
2008159965.tif 000007
【図２】
2008159965.tif 000008