(57)【要約】【課題】  トリミング位置がずれてもトリミング後の抵抗値がそれほどに変化しないロバストな技術を提供する。【解決手段】  第１抵抗層パターン６の一端６ａと第２抵抗層パターン８の他端８ｂは第１給電パターン１２によって電源の高圧側に接続されており、第１抵抗層パターン６の他端６ｂと第２抵抗層パターン８の一端８ａは第２給電パターン１４によって電源の低圧側に接続されている。抵抗値調整用パターン１０は、第１抵抗層パターン６の積層部分１４ｂ側の他端６ｂと第１抵抗層パターン６の中間点１６の間が短絡され、第２抵抗層パターン８の中間点１８と一端８ａの間を短絡させることができる。第１抵抗層パターン６と第２抵抗層パターン８の合成抵抗では、一方の抵抗層パターンにおける抵抗値の増大傾向が他方の抵抗層パターンにおける抵抗値の減少傾向で打ち消され、抵抗値の変化を抑制することができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの表面に、抵抗性物質で形成されている抵抗層と絶縁性物質で形成されている絶縁層と導電性物質で形成されている導電層の積層構造が形成されている半導体装置であって、
前記抵抗層が、平行に配列されている第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンを備えており、
第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンが伸びている一方向に沿って観測したときの一方側の端部を一端とし、他方側の端部を他端としたときに、前記導電層が、第１抵抗層パターンの一端と第２抵抗層パターンの他端を電源の高圧側に接続する第１給電パターンと、第１抵抗層パターンの他端と第２抵抗層パターンの一端を電源の低圧側に接続する第２給電パターンと、第１抵抗層パターンの一端または他端を第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点の双方に短絡させる抵抗値調整用パターンを備えており、
前記第１給電パターンは、絶縁層を貫通して第１抵抗層パターンの一端と第２抵抗層パターンの他端に接続されており、
前記第２給電パターンは、絶縁層を貫通して第１抵抗層パターンの他端と第２抵抗層パターンの一端に接続されており、
前記抵抗値調整用パターンは、絶縁層を貫通して第１抵抗層パターンの一端または他端に接続されており、絶縁層によって第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点の双方から絶縁されおり、
前記絶縁性物質が、外部からエネルギーを加えると破壊ないし導電性に変化する物質で形成されており、
第１抵抗層パターンの一端から第１抵抗層パターンの中間点までの距離と第２抵抗層パターンの一端から第２抵抗層パターンの中間点までの距離が等しいという関係を満たしている第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点に外部からエネルギーを加えることで、第１抵抗層パターンの一端と他端の間の抵抗値が調整されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記抵抗層が、ポリシリコンで形成されており、
前記絶縁層が、酸化シリコンで形成されており、
前記導電層が、金属で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの表面に抵抗層が形成されている半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
抵抗を含む電子回路を形成するために、半導体チップの表面に抵抗層が形成されている半導体装置が開発されている。半導体チップの表面に形成されている抵抗層に処理を施すことによって、その半導体装置を利用して形成する電子回路が必要とする抵抗値に調整する技術も知られている。後で処理を施すことによって抵抗値を調整することをトリミングと称することが多い。半導体チップの表面にトリミング可能な抵抗層が形成されていると、電子回路が必要とする抵抗値が異なる場合にも、一種類の半導体装置で対応することができる。
【０００３】
例えば、図１の（１）は、４つの抵抗が直列に接続されている場合を例示している。図中Ｅは、抵抗値調整用の導電パターンを示している。抵抗値調整用パターンＥと抵抗を図中のＤで示す点で絶縁しておけば、端子ＡＢ間の抵抗は４Ｒに調整される。抵抗値調整用パターンＥと抵抗を図中のＤで示す点で短絡させれば、端子ＡＢ間の抵抗は３．５Ｒに調整される。一種類の半導体装置で、抵抗４Ｒを必要とする場合と抵抗３．５Ｒを必要とする場合に対応することができる。
この種の抵抗回路は、端子ＡＢ間の抵抗を調整するだけでなく、例えば、端子ＢＣ間の抵抗と端子ＡＢ間の抵抗の比率を調整するために利用されることがある。図１の（１）場合、端子Ａに電圧Ｖａを印加し、端子Ｂを接地したときに、Ｄ点で絶縁しておけば端子Ｃに現れる分圧電圧はＶａ／４となり、Ｄ点で短絡させれば端子Ｃに現れる分圧電圧はＶａ／３．５となる。一種類の半導体装置で、電圧Ｖａ／４を必要とする場合と電圧Ｖａ／３．５を必要とする場合に対応することができる。
【０００４】
図１の（２）は、２つのトリミング用抵抗を備えている場合を例示しており、Ｄ１点とＤ２点で絶縁しておくか短絡させるかを選択することによって、端子ＡＢ間の抵抗を３段階で切換えることができる。
図１の（３）は、４つのトリミング用抵抗を並行に接続した場合を例示しており、Ｄ１点〜Ｄ４点の各々で絶縁しておくか短絡させるかを選択することによって、端子ＡＢ間の抵抗を５段階で切換えることができる。したがって、端子ＢＣ間の抵抗と端子ＡＢ間の抵抗の比率も５段階で切換えることができる。
【０００５】
上記では、端子ＡＢ間に抵抗が４段に直列に接続されている例を示したが、その段数は４段に限定されない。トリミング用抵抗の利用個数は、例示した１,２,４個の例に限られない。トリミング用抵抗は、他の抵抗に対して直列に接続されることもあれば、並列に接続されることもある。分圧回路を構成する場合には、第３の端子（端子Ｃ）が利用されるが、端子ＡＢ間の抵抗を切換えるだけであれば、端子Ｃは存在しない。
【０００６】
半導体チップの表面にトリミング可能な抵抗層を形成するために、半導体チップの表面に、第１絶縁層と抵抗層と第２絶縁層と導電層の積層構造が形成しておく技術が知られている。特許文献１（特許文献１はまだ公開されていない）には、半導体チップの裏側（半導体構造が形成されていない側）の表面に、第１絶縁層と、抵抗性物質であるポリシリコンで形成されている抵抗層と、絶縁性物質である酸化シリコンで形成されている第２絶縁層と、導電性金属で形成されている導電層を積層しておく。この技術では、抵抗層越しに抵抗層と導電層を絶縁している第２絶縁層に赤外線レーザを照射することによって第２絶縁層を局所的に破壊し、その位置で抵抗層と導電層を短絡させる。例えば、図１の（１）のＤ点で、抵抗層と導電層を短絡させる。
【０００７】
【特許文献１】特願２００６−０２７１８６号の明細書と図面
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のトリミング技術では、複数種類が用意されている抵抗値の中から選択できるだけでなく、選択した際に所望の抵抗値が実現される必要がある。例えば、図１の（１）の場合、Ｄ点で短絡させれば、抵抗３．５Ｒに正確に調整されることが好ましく、例えばＤ点で短絡させた結果、端子ＡＢ間の抵抗が３．４Ｒないしは３．６Ｒに調整されるといったことは好ましくない。
しかしながら、Ｄ点で短絡させるときに、正確に３．５Ｒに調整されるという結果を得ることは難しい。トリミングのためには、外部からエネルギーを局所的に加えることによって絶縁層を局所的に破壊ないし導電性物質に変化させ、抵抗層と導電層を局所的に短絡させる。このとき、短絡位置を正確に調整することが難しい。
例えば、図１の（１）の場合、トリミング用抵抗の全長に対して、短絡位置が予定位置よりも１０％だけ下方にずれると、トリミング後の端子ＡＢ間の抵抗は３．６Ｒとなる。短絡位置が予定位置よりも１０％だけ上方にずれると、トリミング後の端子ＡＢ間の抵抗は３．４Ｒとなる。
トリミング位置がずれてもトリミング後の抵抗値がそれほどに変化しないロバストな技術が必要とされている。
【０００９】
係る課題を解決するため、本発明では、平行に配置された１対の抵抗パターンを利用する。本発明では、トリミング位置がすれたときに、一方の抵抗パターンが抵抗値を増大させるように作用し、他方の抵抗パターンが抵抗値を減少させるように作用し、抵抗値の増大傾向が抵抗値の減少傾向で打ち消されて抵抗値の変化が抑制される技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体装置では、半導体チップの表面に、抵抗性物質で形成されている抵抗層と絶縁性物質で形成されている絶縁層と導電性物質で形成されている導電層の積層構造が形成されている。抵抗層は、平行に配列されている第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンを備えている。以下では、第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンが伸びている一方向に沿って観測したときの一方側の端部を一端とし、他方側の端部を他端とする。導電層は、第１抵抗層パターンの一端と第２抵抗層パターンの他端を電源の高圧側に接続する第１給電パターンと、第１抵抗層パターンの他端と第２抵抗層パターンの一端を電源の低圧側に接続する第２給電パターンと、第１抵抗層パターンの一端または他端を第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点の双方に短絡させる抵抗値調整用パターンを備えている。第１給電パターンは、絶縁層を貫通して第１抵抗層パターンの一端と第２抵抗層パターンの他端に接続されている。第２給電パターンは、絶縁層を貫通して第１抵抗層パターンの他端と第２抵抗層パターンの一端に接続されている。抵抗値調整用パターンは、絶縁層を貫通して第１抵抗層パターンの一端または他端に接続されており、絶縁層によって第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点の双方から絶縁されている。絶縁性物質は、外部からエネルギーを加えると破壊ないし導電性に変化する物質で形成されている。上記の積層構造を備えていると、第１抵抗層パターンの一端から第１抵抗層パターンの中間点までの距離と第２抵抗層パターンの一端から第２抵抗層パターンの中間点までの距離が等しいという関係を満たしている第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点に外部からエネルギーを加えることで、第１抵抗層パターンの一端と他端の間の抵抗値が調整される。
【００１１】
第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンは、第１給電パターンおよび第２給電パターンによって電源に接続される。第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンは、第１給電パターンと第２給電パターンによって並列接続されている。第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンの一端はそれぞれ電源の高圧側と低圧側に接続され、第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンの他端についても、それぞれ電源の低圧側と高圧側に接続されている。平行に配列された２つの抵抗層パターンは、その電圧の印加方向が互いに逆になるように並列に接続されている。
上記において、抵抗層と絶縁層と導電層の積層方向は一意に決定されない。例えば、半導体チップが赤外線レーザに対して透明であり、半導体チップを透過して赤外線レーザを照射する場合には、半導体チップ側に抵抗層を設けることができる。抵抗層が外部から加えるエネルギーに対して透明であれば、その抵抗層を表面側に積層し、表面側からエネルギーを加えることもできる。導電性材料の耐熱性が高い場合には、導電層を表面側に積層し、表面側からエネルギーを加えることもできる。
【００１２】
抵抗値調整用パターンは、その一端が絶縁層を貫通して第１抵抗層パターンの一端または他端に接続されており、その他端側は第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点にまたがって伸びている。第１抵抗層パターンの一端から第１抵抗層パターンの中間点までの距離と第２抵抗層パターンの一端から第２抵抗層パターンの中間点までの距離が等しいという関係を満たしている。
抵抗値調整用パターンは、絶縁層によって第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点の双方から絶縁されている。よって、この状態において第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンに電圧が印加されても、抵抗値調整用パターンと抵抗層の中間点は絶縁層によって電気的接続が遮断されている。
【００１３】
第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点に外部からエネルギーを加えることで、抵抗層の中間点と抵抗値調整用パターンを絶縁している絶縁層を局所的に破壊ないし導電性物質に変化させ、抵抗層の中間点と導電層を導通させることができる。中間点で導通することにより、第１抵抗層パターンの一端と他端の間の抵抗値が調整される。第２抵抗層パターンについても、その中間点で短絡が生じることにより、その一端と他端の間の抵抗値が調整される。第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンの合成抵抗値についても、トリミングの前後で異なる抵抗値となる。
仮に、第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンのトリミング位置にずれが生じたとしても、第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンが電圧の印加方向が互いに逆になるように並列に接続されていることから、一方の抵抗層パターンが抵抗値を増大させるように作用する一方で、他方の抵抗層パターンが抵抗値を減少させるように作用する。第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンの合成抵抗は、一方の抵抗層パターンにおける抵抗値の増大傾向が他方の抵抗層パターンにおける抵抗値の減少傾向で打ち消されるために、抵抗値の変化を抑制することができる。トリミング位置がずれても、トリミング位置のずれに起因する抵抗値のずれを大幅に小さくすることができる。
【００１４】
本発明の半導体装置は、抵抗層がポリシリコンで形成されており、絶縁層が酸化シリコンで形成されており、導電層が金属で形成されていることが好ましい。
【００１５】
例えば、シリコン製の半導体チップの表面に、絶縁層と抵抗層と絶縁層と導電層を形成して、半導体チップ越しにＹＡＧレーザ等の赤外線レーザを用いて第１抵抗層パターンの中間点と第２抵抗層パターンの中間点に外部からエネルギーを加えると、赤外線はシリコン系材料で形成されている半導体チップと絶縁層と抵抗層と絶縁層を透過し、金属系材料で形成されている導電層に照射される。赤外線レーザが照射された部位では導電層に熱が発生し、導電層と抵抗層を隔てていた絶縁層が破壊されるか、あるいは導電性に変化する。この結果、導電層と抵抗層が短絡される。この結果、例えば、抵抗回路が形成された面を実装基板に対向させた状態で半導体装置を面実装した後であっても、赤外線レーザを照射することによって抵抗値を調整することができる。半導体装置を実装した後に、システムに合わせて半導体装置の抵抗値を調整することができる。
本発明によると、このときにトリミング位置がずれても、並列に接続された第１抵抗層パターンと第２抵抗層パターンがずれによる影響を抑制しあうため、抵抗値を正確かつ容易に調整することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、各抵抗層パターンのトリミング位置がずれでも合成抵抗は変化しづらくすることができる。トリミング処理を容易に実施することができ、かつ抵抗値を正確にトリミングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
最初に、以下に説明する実施例の主要な特徴を列記する。
（特徴１）赤外線レーザを照射してトリミングを行う。
（特徴２）  抵抗値調整用パターンは、第１給電パターンあるいは第２給電パターンと一体に形成されている。
（特徴３）  抵抗値調整用パターンは、分圧端子に接続されている。
（特徴４）  絶縁層は、ＣＶＤ酸化膜で形成されている。
【実施例】
【００１８】
本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。図４に、本実施例の半導体装置２の平面図を示す。半導体チップ４の表面には、酸化シリコンで形成されている絶縁層と、ポリシリコンで形成されている抵抗層と、酸化シリコンで形成されている絶縁層と、アルミニウムで形成されている導電層の積層構造が形成されている。半導体チップ４の材質は特に限定されない。半導体チップ４は赤外線レーザが透過する性質を有する材質であればよく、Ｓｉ基板であってもよく、あるいは、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板等の化合物半導体であってもよい。
【００１９】
図４の半導体チップ４の表面には、抵抗層が形成されている。抵抗層は、平行に配列されている第１抵抗層パターン６と第２抵抗層パターン８を備えている。第１抵抗層パターン６と第２抵抗層パターン８はそれぞれ同じ抵抗幅および抵抗長を有するポリシリコンで形成されている。
絶縁層の外面には、第１給電パターン１２と第２給電パターン１４と抵抗値調整用パターン１０を備えている導電層が形成されている。第１抵抗層パターン６の一端６ａと第２抵抗層パターン８の他端８ｂは、第１給電パターン１２によって図示しない電源の高圧側（端子Ａ側）に接続されている。第１抵抗層パターン６の他端６ｂと第２抵抗層パターン８の一端８ａは、第２給電パターン１４によって図示しない電源の低圧側（端子Ｂ側）に接続されている。抵抗層と抵抗値調整用パターン１０の積層部分にはシリコン酸化膜等で構成される絶縁層が備えられている。
絶縁層を形成する絶縁性物質は外部から赤外線レーザを加えると破壊ないし導電性に変化する物質で形成されていればよく、酸化シリコンあるいは窒化シリコン等で形成される絶縁膜であってもよい。導電層を形成する導電性物質は、アルミニウムや銅等の金属で形成されていてもよい。
【００２０】
図４の抵抗値調整用パターン１０は、第１抵抗層パターン６の１２ａ側の一端６ａから第１抵抗層パターンの中間点１６までの距離と、第２抵抗層パターン８の１２ｂ側の一端８ｂから第２抵抗層パターンの中間点１８までの距離が等しいという関係を満たす位置おいて、第１抵抗層パターン６の中間点１６と第２抵抗層パターン８の中間点１８にまたがって伸びている。中間点１６，１８の位置には、抵抗層と導電層の間に絶縁層が形成されている。この状態では、第１抵抗層パターン６と第２抵抗層パターン８に電圧が印加されても、抵抗値調整用パターン１０、中間点１６，１８は導通しない。この抵抗値調整用パターン１０は、第１抵抗層パターン６の積層部分１４ｂ側の他端６ｂと第２抵抗層パターン８の積層部分１４ａ側の一端８ａに導通している。第１抵抗層パターン６の中間点１６と第２抵抗層パターン８の中間点１８の双方において抵抗層と導電層を短絡させると、第１抵抗層パターン６の中間点１６と他端６ｂの間が短絡され、第２抵抗層パターン８の中間点１８と一端８ａの間が短絡される。
ことができる。
【００２１】
図４の半導体装置２では、抵抗値調整用パターン１０の一端が第２給電パターン１４と一体に形成されているが、特にこの構造に限定されない。例えば、抵抗値調整用パターン１０は第１給電パターン１２に接続していてもよい。この場合は、第１抵抗層パターン６の中間点１６と一端６ａの間が短絡され、第２抵抗層パターン８の中間点１８と他端８ｂの間が短絡される。また、図４ではトリミング後に抵抗値調整用パターン１０を流れる電流は第２給電パターンと同一の電源の低圧側へと流れていくが、抵抗値調整用パターン１０の形態はこれに限られない。例えば、抵抗値調整用パターン１０と第２給電パターン１４は、絶縁層を貫通して第１抵抗層パターン６の一端または他端と接続しており、その他端は第１給電パターン１２と第２給電パターン１４とは別の分圧用端子に接続されていてもよい。
【００２２】
図４の半導体装置２が通電すると、電流は高圧側に配置されている第１給電パターン１２から、抵抗層を介して低圧側に配置されている第２給電パターン１４の方向へと流れる。このとき、電流は第１抵抗層パターン６に対しては１２ａ側から１４ｂ側へと流れ、第２抵抗層パターン８に対しては１２ｂ側から１４ａ側へと流れていく。すなわち、平行に配列されている第１抵抗層パターン６と第２抵抗層パターン８は、第１給電パターン１２と第２給電パターン１４により、電圧の印加方向が互いに逆になるように並列に接続されている。
【００２３】
図４の半導体装置２は、抵抗値調整用パターン１０と抵抗層が積層されている中間点１６，１８にＹＡＧレーザ等の赤外線レーザを照射して、第１抵抗層パターン６の１４ｂ側の他端６ｂを第１抵抗層パターン６の中間点１６と第２抵抗層パターン８の中間点１８の双方に短絡させることで、トリミングを行うことができる。中間点１６で短絡が生じると、第１抵抗層パターン６の実質的な長さは、一端６ａから中間点１６までの長さに調整される。この一方で、中間点１８で短絡が生じると、第２抵抗層パターン８の実質的な長さは一端８ｂから中間点１８までの長さに調整される。図４に示す一対の抵抗層パターン６，８を用いることで、給電パターン１２，１４間の抵抗を２段階に切換えることができる。
【００２４】
図７に、プリント基板５０に面実装された半導体装置２の断面図を示す。半導体装置２は、半導体チップ４の外面に酸化シリコンで形成された絶縁層３６を備えている。絶縁層３６の外面には、第２抵抗層パターン８と導電層が形成されている。第２抵抗層パターン８と導電層の間には、絶縁層３４が形成されている。第２抵抗層パターン８と第１給電パターン１２および第２給電パターン１４が積層されている部分の絶縁層３４にはコンタクトホールが形成されている。第２抵抗層パターン８は、積層部分１４ａにおいて第２給電パターン１４と接続し、積層部分１２ｂにおいて第１給電パターン１２と接続している。抵抗値調整用パターン１０と第２抵抗層パターン８は抵抗層３４によって絶縁されている。なお、図７の抵抗層と導電層を絶縁する絶縁層３４は抵抗層と導電層の積層部分にのみ図示しているが、絶縁層３４は抵抗層の外面全面に形成されていてもよい。
第１給電パターン１２は、再配線リード４２とはんだボール４４によってプリント基板５０の配線４８に接続されている。第２給電パターン１４は、再配線リード３８とはんだボール４０によってプリント基板５０の配線４６に接続されている。配線４８は図示しない電源の高圧側（図４の端子Ａ側）に接続されている。配線４６は図示しない電源の低圧側（図４の端子Ｂ側）に接続されている。
【００２５】
この半導体装置２に対して、中間点１８の位置で抵抗値調整用パターン１０と第２抵抗層パターン８の間に形成されている絶縁層３４と抵抗値調整用パターン１０の界面部分で焦点を結ぶようにして、図に示す矢印Ｌの方向から赤外線レーザを照射することができる。レーザはシリコンで形成されている半導体チップ４と、酸化シリコンで形成されている絶縁層３６と、ポリシリコンで形成されている第２抵抗層パターン８と、酸化シリコンで形成されている絶縁層３４を透過し、アルミニウムで形成されている抵抗値調整用パターン１０に照射される。抵抗値調整用パターン１０はレーザによって加熱される。アルミニウムは変質しないが、隣接する酸化シリコンが前述の界面部分において熱で破壊される。このため、絶縁層３４が破壊された位置（中間点１８）で抵抗値調整用パターン１０と第２抵抗層パターン８が導通する。中間点１８の位置において、第２抵抗層パターン８の実質的な抵抗長が調整される。図示していない半導体装置２の第１抵抗層パターン６についても、中間点１６にレーザを照射することで絶縁層３４が破壊され、その位置において抵抗値調整用パターン１０と第１抵抗層パターン６が導通し、第１抵抗層パターン６の実質的な抵抗長が調整される。半導体装置２が実装基板５０に面実装後であっても、抵抗層の抵抗値を容易に調整することができる。
【００２６】
図６に、赤外線レーザの照射スポットの様子を表わす図を示す。例えば、図６（ａ）に示すように、抵抗値調整用パターン２４と抵抗体２２が積層された部分において、トリミング位置２０に赤外線レーザを照射することで、トリミング後の抵抗長をＬμｍに調整しようとする場合がある。このようなときに、赤外線レーザの照射位置がずれてしまうことや、レーザが焦点を結ぶ位置（深さ）がずれてしまうことがある。例えば、図６（ｂ）に示すようにトリミング位置２０が下方にずれてしまうと、トリミング後の抵抗長はＬ＋Ｎ１μｍとなり、所望の抵抗値よりも増加傾向になってしまう。この一方で、図６（ｃ）に示すようにトリミング位置２０で積層配置されている絶縁層と金属の界面部分に照射されるレーザのスポット径が大きくなるとトリミング後の抵抗長はＬ−Ｎ２μｍとなり、所望の抵抗値よりも減少傾向になってしまう。
【００２７】
図２に示すトリミング用抵抗２６の抵抗値を０．５Ｒに調整しようとするときに、トリミング用抵抗２６の中間点３０において、図６に示したようなレーザの照射位置等のばらつきが生じてしまうと、トリミング後に得られる抵抗長が変化してしまう。例えば、トリミング用抵抗２６の全長に対して、短絡位置が予定位置よりも１０％だけ下方にずれると、トリミング後の端子ＡＢ間の抵抗は０．６Ｒとなる。短絡位置が予定位置よりも１０％だけ上方にずれると、トリミング後の端子ＡＢ間の抵抗は０．４Ｒとなる。トリミング後の抵抗値のずれは、トリミング位置のずれに比例して増大してしまう。
【００２８】
これに対し、図３の半導体装置２の抵抗層の合成抵抗を０．５Ｒに調整しようとするときに第１抵抗層パターン６と第２抵抗層パターン８を各々の中間点１６，１８において図６に示したようなレーザの照射位置等のばらつきが生じると、トリミング後に各抵抗層パターンで得られる抵抗長が変化する。例えば、短絡位置が予定位置よりも１０％だけ下方にずれると、トリミング後の端子ＡＢ間の第１抵抗層パターン６の抵抗は１．２Ｒとなり、第２抵抗層パターン８の抵抗は０．８Ｒとなる。短絡位置が予定位置よりも１０％だけ上方にずれると、トリミング後の端子ＡＢ間の第１抵抗層パターン６の抵抗は０．８Ｒとなり、第２抵抗層パターン８の抵抗は１．２Ｒとなる。半導体装置２では、第１抵抗層パターン６と第２抵抗層パターン８の電圧の印加方向が互いに逆になるように並列に接続されていることから、一方の抵抗層パターンが抵抗値を増大させるように作用するのと同時に、他方の抵抗層パターンが抵抗値を減少させるように作用する。このため、トリミング後の抵抗層の合成抵抗は０．４８Ｒとなる。抵抗長をＬに調整する際に、トリミング位置がＮだけずれると、図２の場合はＮ／Ｌ％だけ抵抗値がずれるのに対し、図３の場合は（Ｎ／Ｌ）２％のずれで抑えられる。
【００２９】
本実施例の半導体装置２によると、第１抵抗層パターン６と第２抵抗層パターン８の合成抵抗では、一方の抵抗層パターンにおける抵抗値の増大傾向が他方の抵抗層パターンにおける抵抗値の減少傾向で打ち消され、抵抗値の変化を抑制することができる。トリミング位置にずれが生じても、トリミング後の抵抗値のずれがトリミング位置のずれに比例して増大してしまうことはない。第１抵抗層パターン６と第２抵抗層パターン８の合成抵抗値の誤差を極めて小さく保つことができる。
【００３０】
図５に、図２の半導体装置３２と図４の半導体装置２におけるトリミング位置のずれとトリミング後の抵抗値のずれの関係を表わす図を示す。図２に示した半導体装置３２の場合、（１）に示すように、トリミング位置がずれるほど、トリミング後の抵抗値に対する誤差が増大していく。これに対し、本実施例の半導体装置２によると、（２）に示すように、トリミング位置のずれが大きくなっても、トリミング後の抵抗値のずれを格段に小さくすることができる。トリミング精度を向上させることができる。
【００３１】
図３〜４に示した半導体装置２の端子ＡＢ間の低抗層を、図１の（１）〜（３）に示すように、複数の抵抗層を用いて構成することもできる。半導体装置の抵抗値をより他段階に切換えることが可能となる。レーザの照射位置のずれ等に起因する抵抗値のずれを抑制しながら、半導体装置の抵抗値を多段階で切換えることができる。繊細な調整を行うことができる。
【００３２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来の抵抗回路の回路図。
【図２】半導体装置３２の回路図。
【図３】半導体装置２の回路図。
【図４】半導体装置２の平面図。
【図５】トリミング位置のずれとトリミング後の抵抗値の誤差の関係を表わす図。
【図６】赤外線レーザの照射スポットの様子を表わす図。
【図７】半導体装置２の断面図。
【符号の説明】
【００３４】
２，３２：半導体装置
４：半導体チップ
６：第１抵抗層パターン
８：第２抵抗層パターン 
１０，２４，２８：抵抗値調整用パターン
１２：第１給電パターン
１４：第２給電パターン
１６，１８，３０：中間点
２０：トリミング位置
２２，２６：トリミング用抵抗
３４，３６，３７：絶縁層
３８，４２：再配線リード
４０，４４：はんだボール
４６，４８：配線
５０：プリント基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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