(57)【要約】【課題】電子部品実装体の製造工程において基材表面に導電体を形成する際の位置決めを確実かつ正確に行うことができる製造方法を実現する。【解決手段】本発明の電子部品実装体の製造方法は、突起電極１２を備えた電子部品１０を熱可塑性樹脂からなる基材２０に実装した電子部品実装体の製造方法において、前記突起電極を前記基材中に埋設するとともに、前記電子部品とは反対側の基材表面に前記突起電極の頂部を露出させる電極埋設工程と、前記基材表面側に開口する凹部、又は、前記基板表面側に突出する凸部からなるアライメントマーク２０ｃを形成するマーク形成工程と、前記基材表面に前記突起電極に導電接続された導電体１６を配置する導電体形成工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
突起電極を備えた電子部品を熱可塑性樹脂からなる基材に実装してなる電子部品実装体の製造方法において、
前記突起電極を前記基材中に埋設するとともに、前記電子部品とは反対側の基材表面に前記突起電極の頂部を露出させる電極埋設工程と、
前記基材表面側に開口する凹部、又は、前記基板表面側に突出する凸部からなるアライメントマークを形成するマーク形成工程と、
前記基材表面に前記突起電極に導電接続された導電体を配置する導電体形成工程と、
を具備することを特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【請求項２】
前記凹部は前記基材に設けられた貫通孔で構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項３】
前記マーク形成工程では、前記突起電極を基準として前記アライメントマークを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項４】
前記マーク形成工程では、前記基材表面にレーザ光を照射することにより前記アライメントマークを形成することを特徴とする請求項２又は３に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項５】
前記電極埋設工程と前記導電体形成工程との間に前記基材表面及び前記突起電極の頂部上に金属下地膜を被覆形成する下地膜形成工程をさらに有し、
前記導電体形成工程は、前記アライメントマークを基準として前記金属下地膜上にフォトリソグラフィ法により前記突起電極の上方に開口部を備えたマスクを形成する段階と、前記マスクの開口部内の前記金属下地膜上に前記導電体を形成する段階と、前記導電体間の前記金属下地膜を除去する段階と、を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項６】
前記電極埋設工程は、加熱しながら前記基材に対して前記電子部品を押圧することにより前記突起電極を前記基材中に埋設する段階と、前記電子部品とは反対側の基材表面を除去することにより前記突起電極の頂部を露出させる段階と、を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項７】
突起電極を備えた電子部品を熱可塑性樹脂からなる基材に実装してなる電子部品実装体において、
前記突起電極が前記基材中に埋設されるとともに、前記電子部品とは反対側の基材表面に前記突起電極の頂部が露出し、前記基材表面に前記突起電極に導電接続された導電体が配置され、
前記基材表面側に開口する凹部、又は、前記基板表面側に突出する凸部からなるアライメントマークが形成されていることを特徴とする電子部品実装体。
【請求項８】
突起電極を備えた電子部品を熱可塑性樹脂からなる基材に実装してなる電子部品実装体が直接若しくは他の回路基板を介して実装されてなる電気光学装置の製造方法において、
前記突起電極を前記基材中に埋設するとともに、前記電子部品とは反対側の基材表面に前記突起電極の頂部を露出させる電極埋設工程と、
前記基材表面側に開口する凹部、又は、前記基板表面側に突出する凸部からなるアライメントマークを形成するマーク形成工程と、
前記基材表面に前記突起電極に導電接続された導電体を配置する導電体形成工程と、
前記電子部品実装体を前記電気光学装置に直接若しくは他の回路基板を介して実装する実装工程と、を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品実装体の製造方法、電子部品実装体、及び、電気光学装置の製造方法に係り、特に、電子部品実装体の実装構造部分の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、各種の電子機器においては半導体IC等の電子部品が回路基板などに実装されて電子回路の一部を構成している。このような実装構造体を製造する実装方法としては、電子部品に形成された複数の突起電極を回路基板の配線パターンに合わせて接合させることで、各突起電極が対応する配線に導電接続された状態とし、この状態でアンダーフィル樹脂を電子部品と回路基板との間に充填して封止する方法が知られている。
【０００３】
一方、上記の電子部品の突起電極と回路基板の配線パターンとの間に異方性導電膜（ＡＣＦ）を介在させ、電子部品を加熱しながら回路基板上に押し付けることで、異方性導電膜の樹脂を一時的に軟化させ、上記突起電極と、配線パターンの端子との間に異方性導電膜中の導電性粒子が介在した状態とし、異方性導電膜の熱硬化樹脂を硬化させることで上記の導電接続状態を維持するようにした方法も知られている。
【０００４】
ところが、上記の各実装方法では、アンダーフィル樹脂にボイドが発生して電気的信頼性が低下したり、異方性導電膜内の導電性粒子のブリッジにより隣接端子間の短絡不良が発生したりする虞があるため、電子部品の小型化に伴う突起電極の狭ピッチ化が進展するに従って製品歩留まりや実装効率が低下するという問題点がある。そこで、上記問題点を解決するために、電子部品の突起電極を熱可塑性樹脂からなる基材に対して加熱しながら押し付けることで、突起電極を基材中に埋設させるとともに、電子部品とは反対側の基材表面に突起電極の頂部が露出するようにし、その後、突起電極と導電接続された導電体を上記基材表面に形成するといった方法が提案された（例えば、以下の特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３０２８６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前述の特許文献１に記載された実装方法では、電子部品上に突起電極と同時にダミー電極からなるアライメントマークを予め形成しておくとともに、突起電極の頂部が露出してなる上記基材表面に金属下地膜を形成し、この金属下地膜上に上記アライメントマークを基準としてレジストマスクを形成することで、突起電極の頂部の直上部分に接続された導電体を形成するようにしている。この金属下地膜は、導電体の密着性を高めるとともに、導電体を電気めっきで形成する際のめっき用電極ともなり、また、複数の突起電極間を電気的に短絡させることから静電気による電子部品の損傷を防止できるという利点を有する。
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載された方法では、予め形成したダミー電極からなるアライメントマークが金属下地膜で覆われるため、導電体のパターニングを行うためのレジストマスクを形成する際には、アライメントマークによって金属下地膜がわずかに盛り上がった部分をレジストを通して確認し、これに合わせて露光処理を行わざるを得ないことから、正確なパターニングができないという問題点がある。特に、アライメントマークは突起電極と同時に形成されるため、突起電極と同様に電子部品とは反対側の基材表面に露出するだけでほとんど突出していない状態となっていることから、その上を金属下地膜が覆うと周囲との間にほとんど高低差がなくなるため、金属顕微鏡などを用いて僅かな段差を検出しなければならないので、アライメント作業に時間がかかり、アライメント精度も低下し、アライメント不良を生ずる虞もある。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、電子部品実装体の製造工程において基材表面に導電体を形成する際の位置決めを確実かつ正確に行うことができる製造方法を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
斯かる実情に鑑み、本発明の電子部品実装体の製造方法は、突起電極を備えた電子部品を熱可塑性樹脂からなる基材に実装してなる電子部品実装体の製造方法において、前記突起電極を前記基材中に埋設するとともに、前記電子部品とは反対側の基材表面に前記突起電極の頂部を露出させる電極埋設工程と、前記基材表面側に開口する凹部、又は、前記基板表面側に突出する凸部からなるアライメントマークを形成するマーク形成工程と、前記基材表面に前記突起電極に導電接続された導電体を配置する導電体形成工程と、を具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、電極埋設工程後のマーク形成工程で基材表面側（基材表面若しくはこの上に被覆される層の表面）に開口する凹部又は前記基板表面側に突出する凸部をアライメントマークとして設けることにより、基材表面を上述の金属下地膜などで被覆する場合でも当該凹部又は凸部で生じた段差を確実に検出することができるため、アライメントを効率的に、また、確実かつ正確に行うことができる。ここで、従来のアライメントマークの基材表面からの突出量が他の要因、例えば突起電極の基材表面からの突出量によって制約を受けていたこととは異なり、上記凹部の深さ又は凸部の高さは、基材表面に対するその後の処理態様に応じて適宜に設定することができる。また、熱可塑性樹脂からなる基材表面やその上に形成される層の表面に凹部を形成するだけでよいので、きわめて簡単にアライメントマークを形成することができる。
【００１０】
本発明において、前記凹部は前記基材に設けられた貫通孔で構成されることが好ましい。本発明の上記凹部は、上記基材表面側に開口して表面段差を形成するものであればよく、したがって、基材に設けられた貫通孔をも含む。このような貫通孔を形成することで、アライメントマークによる表面段差を充分に大きく構成できるため、より効率的に、しかも、より確実かつ正確にマーク検出を行うことができるとともに、基材表面に上述の金属下地膜その他の何らかの層が形成される場合でも表面段差そのものがほとんど変化しないため、マーク検出が上記層によって妨げられることがなくなるという利点がある。
【００１１】
本発明において、前記マーク形成工程では、前記突起電極を基準として前記アライメントマークを形成することが好ましい。これによれば、突起電極を基準としてアライメントマークが形成されることで、突起電極に対して正確なアライメントを行うことが可能になる。具体的には、電極埋設工程において上記基材表面に突起電極の頂部が露出した状態とされるため、マーク形成工程で突起電極の位置を基準としてアライメントマークを形成することが可能であるから、マーク形成工程を容易に実施できるとともに、アライメントマークの位置精度そのものを高水準に保つことができる。
【００１２】
本発明において、前記マーク形成工程では、前記基材表面にレーザ光を照射することにより前記アライメントマークを形成することが好ましい。基材表面にレーザ光を照射して凹部を形成することにより、正確かつ短時間にアライメントマークを形成できる。
【００１３】
本発明において、前記電極埋設工程と前記導電体形成工程との間に前記基材表面及び前記突起電極の頂部上に金属下地膜を被覆形成する下地膜形成工程をさらに有し、前記導電体形成工程は、前記金属下地膜上に前記アライメントマークを基準としてフォトリソグラフィ法により前記突起電極の上方に開口部を備えたマスクを形成する段階と、前記マスクの開口部内の前記金属下地膜上に前記導電体を形成する段階と、前記導電体間の前記金属下地膜を除去する段階と、を有することが好ましい。基材表面に金属下地膜を形成した後に、マスクの開口部内に導電体を形成し、その後、導電体間の金属下地膜を除去することで、充分な密着性を有する導電体を容易に形成でき、しかも、製造途中における静電気による電子部品の損傷を防止できる。ここで、マーク形成工程の後に下地膜形成工程を設けることで、アライメントマークを形成した後に金属下地膜を形成するようにしてもよく、或いは、下地膜形成工程の後にマーク形成工程を設けることで、アライメントマークを金属下地膜の表面に開口する凹部又は貫通孔として形成してもよい。
【００１４】
本発明において、前記電極埋設工程は、加熱しながら前記基材に対して前記電子部品を押圧することにより前記突起電極を前記基材中に埋設する段階と、前記電子部品とは反対側の基材表面を除去することにより前記突起電極の頂部を露出させる段階と、を有することが好ましい。本発明では、突起電極の突出高さと同一若しくはこれよりやや厚い（たとえば、１０μｍ以下、或いは、５μｍ以下）基材に対して加熱しながら電子部品を押圧することで、突起電極が基材中に挿入されるとともに突起電極の頂部が電子部品とは反対側の基材表面に露出するようにしてもよい。しかしながら、この場合には、突起電極が挿入されることで、基材の厚みにばらつきが生じ、電子部品とは反対側の基材表面に凹凸が形成されることがある。この凹凸は、基材表面上に形成される導電体のパターン精度を悪化させたり、基材が他の基板等に接着される場合には密着強度を低下させる原因ともなりうる。そこで、突起電極の突出高さより厚い基材中に突起電極を埋設させた後に、電子部品とは反対側の基材表面を除去することで突起電極の頂部を露出させることにより、基材を或る程度厚く形成することで突起電極の挿入による基材の偏在を回避して基材の厚みのばらつきを低減することができ、また、基材表面の除去によって上記基材表面の凹凸を軽減することも可能であるため、上記のような不具合を回避できる。
【００１５】
次に、本発明の電子部品実装体は、突起電極を備えた電子部品を熱可塑性樹脂からなる基材に実装してなる電子部品実装体において、前記突起電極が前記基材中に埋設されるとともに、前記電子部品とは反対側の基材表面に前記突起電極の頂部が露出し、前記基材表面に前記突起電極に導電接続された導電体が配置され、前記基材表面側に開口する凹部、又は、前記基板表面側に突出する凸部からなるアライメントマークが形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、突起電極を備えた電子部品を熱可塑性樹脂からなる基材に実装してなる電子部品実装体が直接若しくは他の回路基板を介して実装されてなる電気光学装置の製造方法において、前記突起電極を前記基材中に埋設するとともに、前記電子部品とは反対側の基材表面に前記突起電極の頂部を露出させる電極埋設工程と、前記基材表面側に開口する凹部、又は、前記基板表面側に突出する凸部からなるアライメントマークを形成するマーク形成工程と、前記基材表面に前記突起電極に導電接続された導電体を配置する導電体形成工程と、前記電子部品実装体を前記電気光学装置に直接若しくは他の回路基板を介して実装する実装工程と、を具備することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１乃至図４は本発明に係る第１実施形態の電子部品実装体の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態の製造方法では、図１（ａ）に示すように、最初に電子部品１０と基材２０とを用意する。電子部品１０は、たとえば半導体ＩＣチップ等で構成され、本体１１の表面（能動面）１１ａ上に複数の突起電極１２が配列されている。これらの複数の突起電極１２は好ましくは等間隔に配列されている。
【００１８】
突起電極１２は、例えばＣｕ、Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ等の金属材料で構成される。また、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ等からなる芯体の表面上にＡｕ，Ａｇ，Ｓｎ等の薄膜を形成したものであってもよい。突起電極１２は、めっき法、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等により形成できる。突起電極１２の寸法としては、例えば幅が１０〜２０μｍ程度、突出高さ１２ｈが１０〜２５μｍ程度であり、１５〜３０μｍ程度のピッチで形成される。なお、電子部品１０の上記突起電極１２以外の表面は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等よりなる保護絶縁膜により覆われている。
【００１９】
基材２０は熱可塑性樹脂よりなるものであり、その構成材料としては、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、テトラフルオロエチレン、ポリイミド樹脂等を用いることができる。基材２０はシート状であり、均一な厚み２０ｄを有している。本実施形態の場合、基材２０の厚み２０ｄは、上記突起電極１２の突出高さ１２ｈ以上、好ましくは２倍以上、望ましくは３倍以上とされる。特に、厚み２０ｄは突出高さ１２ｈの２倍以上３．５倍以下であることが望ましい。この厚み２０ｄの具体的値としては、例えば２０〜６０μｍ、或いは、これ以上であることが好ましく、特に、３０〜９０μｍの範囲内であることが望ましい。
【００２０】
上記の電子部品１０は、加熱加圧ツール１０Ｐにより加熱された状態で表面１１ａ側が支持台２０Ｐ上に配置された基材２０の表面２０ａに押し付けられ、加熱されて基材２０が軟化することにより、図１（ｂ）に示すように、突起電極１２が基材２０の内部に挿入され、埋設された状態とされる。この場合、電子部品１０の表面１１ａと基材２０の表面２０ａとは完全に密着された状態となる。この段階における基材２０の加熱温度は、基材２０の材質にもよるが、基材２０を構成する樹脂の軟化点以上、突起電極１２の溶融温度未満であり、通常は１２０〜４５０℃の範囲内である。この段階では、突起電極１２が完全に基材２０の内部に埋設され、しかも、突起電極１２の頂部が基材２０の電子部品１０とは反対側の表面２０ｂには露出しない状態とされる。
【００２１】
なお、上記電極埋設工程においては電子部品１０を加熱しながら基材２０に押圧しているが、基材２０が加熱された状態で電子部品１０が押圧されればよいので、例えば、基材２０を直接加熱してもよく、或いは、突起電極を加熱することで基材２０が加熱されるようにしてもよい。また、電子部品１０と基材２０とが相対的に押圧されればよいので、電子部品１０を固定し、基材２０を電子部品１０に対して押圧するようにしてもよい。
【００２２】
図示例の場合には、基材２０の厚み２０ｄが突起電極１２の突出高さ１２ｈの２倍以上とされていることにより、電子部品１０とは反対側の基材２０の表面２０ｂには凹凸がほとんど発生せず、平坦に維持されている。これは、本実施形態の場合、突起電極１２が基材２０の内部に挿入される時点で基材２０の樹脂が流動するが、挿入される突起電極１２の下方においても基材２０内に十分な厚み範囲が残されていることから、突起電極１２の配置されない厚み範囲内の樹脂が流動することで、表面２０ｂに凹凸が生ずることを防止しているものと考えられる。
【００２３】
その後、プラズマアッシング（酸素プラズマ処理）等のドライエッチング法、エッチング液を用いたウエットエッチング法、或いは、化学研摩法（ＣＭＰ法）などにより、基材２０の表面２０ｂ側の一部が除去され、図１（ｃ）に示すように、基材２０の表面２０ｂに上記突起電極１２の頂部が露出した状態とされる。この段階では、突起電極１２の頂部を露出させるに必要な基材の除去量と、使用される除去方法による基材の除去速度とを予め求めておき、時間管理処理により上記突起電極１２の露出状態を得ることができるが、例えば、電気的又は磁気的なセンサ、或いは、チャンバ内の元素ディテクタ等で突起電極１２の露出状態を検出することで、除去処理を停止するようにしてもよい。
【００２４】
本実施形態では、上記の電極埋設段階において基材２０の表面２０ｂにほとんど凹凸が形成されず平坦性が確保されているので、上記の基材除去段階において均一性の高い除去方法を用いることで表面２０ｂの平坦性が維持され、基材除去段階後に上述のように突起電極１２の頂部が露出した状態でもほとんど凹凸のない表面となる。なお、本実施形態では上記の電極埋設段階と基材除去段階とにより電極埋設工程が構成されるが、例えば、基材２０の厚み２０ｄを突起電極１２の突出高さ１２ｈより１０μｍ以下（好ましくは５μｍ以下）厚い範囲とし、上記電極埋設段階にて電子部品とは反対側の表面２０ｂに突起電極１２の頂部が露出するように構成しても構わない。この場合には基材２０の厚み２０ｄに多少のばらつきが生ずるが、電極埋設工程の工程時間を短縮できるため製造効率を高めることができ、また、製造コストを低減できる。
【００２５】
次に、図１（ｄ）に示すように、基材２０の表面２０ｂにアライメントマーク２０ｃを形成する。このアライメントマーク２０ｃは、表面２０ｂに開口する凹部であればよいが、図示例では表面２０ｂから表面２０ａに貫通する貫通孔となっている。このアライメントマーク２０ｃは表面２０ｂの上方から見た突起電極１２の位置を基準として形成されているので、突起電極１２と高い位置整合性を有するように構成される。アライメントマーク２０ｃは、例えば、基材２０に対して短波長レーザ等から出射されるレーザ光Ｌを照射することにより、基材２０の被照射部分が分解除去されることで形成される。アライメントマーク２０ｃの形成位置は、図示例の場合、電子部品１０の平面範囲より外側に設定されているので、マーク形成時において電子部品１０に損傷を与える虞がない。
【００２６】
図２（ａ）は、図１（ｃ）に示す構造の一部を拡大して示す拡大工程図である。この状態では、突起電極１２の頂部１２ａは基材２０の表面２０ｂに露出している。頂部１２ａと表面２０ｂとは同じ高さに形成されていてもよいが、上記基材除去工程で全ての突起電極１２の頂部１２ａを確実に露出させるには、頂部１２ａが表面２０ｂより僅かに突出するように構成することが好ましい。その突出量は、高々３μｍであることが好ましく、特に０．５〜１．５μｍの範囲内、或いは、１μｍ程度であることが望ましい。上記突出量が大きくなると、折角、表面２０ｂの平坦性を確保しても、その上のパターン形成時の精度が悪化するからである。
【００２７】
次に、図２（ｂ）に示すように、上記突起電極１２の頂部１２ａ及び基材２０の表面２０ｂ上に、金属下地膜１４をスパッタリング法や蒸着法などによって形成する。この金属下地膜１４は、Ｃｕ、ＴｉＷ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ａｕ，Ａｇ等の金属材料で構成できる。金属下地膜１４は後述する導電体の密着性を上げるための下地膜として機能するとともに、導電体が電気めっきで形成される場合にはそのめっき用の電極端子としても機能する。さらに、当該金属下地膜１４は突起電極１２間を短絡しているので、製造工程中に静電気が発生しても電子部品（ＩＣ）の障害を回避できるという利点をももたらす。
【００２８】
なお、この段階において、金属下地膜１４はアライメントマーク２０ｃ上には形成されず、貫通孔のままとされる。したがって、金属下地膜１４によるアライメントマーク２０ｃの視認性の悪化は全く生じない。アライメントマーク２０ｃが貫通孔ではなく単なる凹穴である場合には当該凹穴の底面上に上記金属下地膜１４が成膜されるが、凹穴の周囲の表面２０ｂと上記底面との間に充分な高低差を設けることで、アライメントマーク２０ｃの視認性の悪化を防止できる。
【００２９】
また、上記の金属下地膜１４を形成した後に、上記のアライメントマークを形成するようにしてもよい。ただし、マーク形成工程においてアライメントマークは基材表面２０ｂ側（すなわち、図示例では金属下地膜１４の表面）に開口している必要がある。この場合のアライメントマークとしては、例えば金属下地膜１４のみがレーザ光Ｌ等により除去されて開口部として構成されたものであってもよく、或いは、金属下地膜１４とともにその下方の基材２０が除去されることで凹穴若しくは貫通孔として構成されたものであってもよい。
【００３０】
さらに、上述の突起電極１２と同時にダミー電極を形成しておき、このダミー電極の周囲にレーザ光等で凹部を形成することでアライメントマークを構成してもよい。この場合には、アライメントマークの視認性がダミー電極とその周囲の凹部の外観差及び高低差によって確保される。特に、上記金属下地膜１４を形成する場合でも、ダミー電極の外縁の段差量が凹部によって増大し、ダミー電極の外形が強調されるので、アライメントマークの視認性を維持することができる。
【００３１】
その後、上記金属下地膜１４上には図２（ｃ）に示すようにフォトレジスト１５を塗布や貼着（ドライレジストの場合）する。このフォトレジスト１５は表面上に所定パターンを形成するためのマスク材を形成するものである。なお、本実施形態ではポジ型レジストを用いる場合について以下説明するが、ネガ型レジストを用いても構わない。このフォトレジスト１５は図示しない露光マスクを介して露光処理が施されることで、図３（ａ）に示すように感光部１５ｘが形成される。この感光部１５ｘは、突起電極１２の頂部１２ａの露出領域を含む範囲、例えば、上記露出領域を含み、当該露出領域以外の領域をも含む範囲、に形成される。そして、このフォトレジスト１５に現像処理を施すことにより、図３（ｂ）に示すように感光部１５ｘが除去されて開口部１５ａが形成され、この開口部１５ａにより金属下地膜１４の一部１４ａが露出した状態となる。
【００３２】
なお、上記露光処理に際しては、アライメントマーク２０ｃを位置決め基準として用いる。具体的には、２箇所以上のアライメントマーク２０ｃの位置を基準として露光マスクを位置決めした状態で露光を行う。この場合、アライメントマーク２０ｃは突起電極１２を基準として形成されたマークであるので、突起電極１２に対して正確なパターニングを行うことができる。また、上述のようにアライメントマーク２０ｃは従来より格段に視認性が向上しているため、フォトレジスト１５を通しても充分な視認性が確保され、これによって迅速にアライメント作業を行うことができるので効率的となり、しかも確実かつ正確に位置決めを行うことが可能になる。
【００３３】
続いて、図３（ｃ）に示すように、めっき法を用いて上記一部１４ａ上に導電体１６を形成する。この導電体１６は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ等で構成できる。この導電体１６は上記金属下地膜１４を介さず、突起電極１２の頂部１２ａ上に直接形成することもできるが、上述のように金属下地膜１４を設けることで、密着性が向上したり電気めっき法を用いたりすることが可能になるため、導電体１６の構成材料の自由度を高めることができると同時に、密着性や導電性を高めて信頼性を向上させることが可能になる。
【００３４】
その後、図４（ａ）に示すようにフォトレジスト１５を除去し、次いで図４（ｂ）に示すように導電体１６に覆われていない範囲（すなわち、突起電極１２間にある部分）の金属下地膜１４をスパッタエッチング等で除去する。このとき、導電体１６をマスクとして金属下地膜１４がエッチング除去される。最後に、図４（ｃ）に示すように、導電体１６の表面に例えば電解めっき等によって表面保護膜１７を形成する。表面保護膜１７は、例えば、Ａｕ等の安定な金属材料を用いることができる。この表面保護膜１７は、導電体１６の劣化や腐食を防止したり、実装時の導電接触性を高めたり、電気抵抗を低減したりする目的で設けられる。したがって、これらの目的で導電体１６上に表面保護膜１７を形成する必要がなければ、省略してもよい。また、表面保護膜１７を導電体１６の一部上にのみ形成してもよい。
【００３５】
なお、上記のように構成された電子部品実装体において、導電体１６及び表面保護膜１７の一部又は全部を他の導電体に接続する必要がない場合には、それらの上に絶縁材料（例えば樹脂）からなる保護絶縁膜を形成することが好ましい。
【００３６】
図５は、上記電子部品実装体の一例を示す底面図である。この電子部品実装体３０は、上記電子部品１０と基材２０よりなり、基材２０の表面２０ｂ上に露出した上記突起電極１２の頂部１２ａに導電体１６が導電接続された状態で配線パターンとして形成され、その端部に端子１８が形成されている。なお、本実施形態の場合、端子１８は電子部品１０の平面範囲外に形成されているが、これに限定されるものではなく、電子部品１０の平面範囲内に形成されていても構わない。
【００３７】
また、特に支障がなければ、図６に示す電子部品実装体３０のように、基材２０の電子部品１０の平面範囲内にアライメントマーク２０ｃ′を形成しても構わない。一般的には、アライメントマーク２０ｃ、２０ｃ′の位置が突起電極１２が配列されてなる電極形成領域に近いほど、基材２０の熱膨張等に起因する位置ずれの影響を低減することができる上で好ましい。
【００３８】
さらに、図７に示すように、基材２０に基材表面２０ｂ側に突出する凸部からなるアライメントマーク２０ｃ″を形成してもよい。この場合、上記のように金属下地膜１４を形成しても、凸部からなるアライメントマーク２０ｃ″による凸部形状そのものは残存するため、アライメントマークが視認しにくくなることはない。ここで、実装を容易にするためには、アライメントマーク２０ｃ″の突出高さが導電体１６の高さ以下となるように構成されることが好ましい。なお、このアライメントマーク２０ｃ″についても、図５及び図６に示すのと同様に、電子部品１０の平面範囲内と平面範囲外のいずれに形成してもよい。また、図７は図４（ａ）に対応する工程断面図であるが、アライメントマーク２０ｃ″は上記の図４に示す工程を有する製造方法や当該製造方法によって製造された電子部品実装体に用いられる場合に限られるものではない。
【００３９】
上述のアライメントマーク２０ｃ″は、例えば、図１（ｂ）に示す電極埋設工程において支持台２０Ｐの支持面に図示しない凹部を形成しておき、この支持面形状が基材２０に転写されることを利用して凸状に形成することができる。また、図１（ｃ）に示す基材除去工程において基材２０の平面領域の一部を除去しなかったり、或いは、除去量を低減したりすることで凸状に形成することもできる。もちろん、上記電極埋設工程や基材除去工程とは別のマーク形成工程（上記図１（ｄ）に示すマーク形成工程の代わりとなる工程）において基材２０の表面２０ｂ上に基材２０と同一若しくは別の素材を配置すること、或いは、表面２０ｂの所定部位の周囲をレーザ光等で除去することなどで凸状のアライメントマークを形成しても構わない。
【００４０】
ここで、アライメントマーク２０ｃ、２０ｃ′２０ｃ″は、平面視円形などの方向要素を有しない平面形状を備えている場合、平面方向の位置決めを完全に行うために２つ以上設けられることが好ましい。また、上述のアライメントマーク２０ｃ、２０ｃ′、２０ｃ″は電子部品実装体３０の完成体にも残存するため、このアライメントマーク２０ｃ、２０ｃ′、２０ｃ″を基準として、当該電子部品実装体３０を別の基板やパネル等へ実装するときの位置決めを行うようにしてもよい。
【００４１】
次に、上記のようにして形成された電子部品実装体３０を実装してなる電気光学装置の構成について説明する。電子部品実装体３０は、基材２０を従来のアンダーフィル樹脂の代わりに用いて別の回路基板上に実装して用いることができ、また、電子部品１０が実装され、基材２０をベース材として備えた回路基板として用いることができるとともに、さらに、二以上の電子部品を導電接続する配線基板として用いることも可能である。
【００４２】
図８乃至図１０は、電子部品実装体３０を搭載した電気光学装置１００、１００′、１００″の概略斜視図である。ここで、電気光学装置１００、１００′、１００″内に設けられた電気光学パネル１１０は、図６に示すように、ガラス等の基板１１１と１１２がシール材１１３で貼り合わされ、その基板及びシール材で囲まれた領域に液晶１１４が封入されてなる液晶パネルを例として示してある。ただし、本発明の電気光学パネルとしては、例えば、有機ルミネッセンスパネル、プラズマディスプレイパネル、電気泳動パネル等の種々の電気光学パネルを用いることができる。
【００４３】
上記電気光学パネル１１０においては、駆動領域（表示領域）１１０Ａ内において、例えば基板１１１上に複数の配線１１１ａがストライプ状に形成され、各配線１１１ａにＴＦＴ等の能動素子を介して接続された画素電極１１１ｂによって構成される多数の画素が縦横に配列されている。一方、基板１１１には、基板１１２の外形より外側へ張り出してなる基板張出部１１１Ｔが設けられ、上記配線１１１ａは基板張出部１１１Ｔ上に形成された配線１１５に導電接続されている。
【００４４】
図８に示す実施形態の電気光学装置１００では、配線１１５は、基板張出部１１１Ｔの端部に実装された配線基板（例えば、フレキシブル配線基板）１２０の配線パターン１２１に導電接続されている。配線基板１２０上には、他の電子部品１２３，１２４とともに、上記の電子部品実装体３０が実装されている。すなわち、配線基板１２０の上記配線パターン１２１の一部に、上記導電体１６の端子１８が導電接続されている。配線基板１２０への電子部品実装体３０の実装工程では、アライメントマーク２０ｃを基準として位置合わせを行い、加熱しながら電子部品実装体３０を配線基板１２０上に押し付けることで、基材２０が軟化して配線基板１２０に接着される。すなわち、この場合には基材２０が電子部品１０と配線基板１２０の実装状態を維持する接着層として機能する。
【００４５】
この場合、アライメントマーク２０ｃが電子部品１０の平面範囲の外側に設けられた貫通孔として構成されているので、電子部品１０側から基材２０の表面２０ａに開口する様子が視認できるため、アライメント作業を容易に行うことができる。
【００４６】
なお、図８の実施形態において、電子部品実装体３０の基材２０そのものが配線基板１２０を構成するようにしてもよい。すなわち、基材２０の表面２０ｂ上に、電気光学パネル１１０の上記配線１１５と導電接続される配線パターンを上記導電体１６として形成することで、この基材２０を直接電気光学パネル１１０に実装することができる。また、この基材２０の表面２０ｂ上に突起電極１２と導電接続される導電体１６とは別の配線パターンを形成し、当該配線パターンで、他の電子部品１２３、１２４や図示しない制御回路からの信号を伝送するように構成してもよい。この場合でも、基材２０を電気光学パネル１１０へ実装するための接着層として用いることができる。
【００４７】
図９に示す実施形態の電気光学装置１００′では、電子部品実装体３０′を基板張出部１１１Ｔ上に上述のアライメントマーク（図示省略）を基準とした位置合わせにより直接実装している。この場合、導電体１６の端子１８が上記配線１１５に導電接続された状態とされる。また、このときに上記と同様に基材２０′が電子部位１０を基板張出部１１１Ｔ上に保持するための接着層として機能させることが可能である。本実施形態では、基板張出部１１１上に配線基板１２０′もまた実装され、この配線基板１２０′の配線パターン１２１は、基板張出部１１１上に別途形成された入力端子１１６に導電接続され、この入力端子１１６が上記端子１８の一部と導電接続されるようになっている。すなわち、配線基板１２０′から入力端子１１６に入力される信号は電子部品１０′に供給され、電子部品１０′から出力された信号が電気光学パネル１１０′に供給されるように構成されている。
【００４８】
図１０に示す実施形態の電気光学装置１００″では、電子部品実装体３０″を基板張出部１１１Ｔ上にアライメントマーク（図示省略）を用いて実装するとともに、配線基板１２０″にも同アライメントマークを用いて実装している。すなわち、一部の上記端子１８を電気光学パネル１１０の配線１１５に導電接続するとともに、残部の上記端子１８を配線基板１２０″の配線１２１に導電接続している。この場合でも、基材２０″は、電子部品１０″と基板張出部１１１Ｔとを接着するとともに、電子部品１０″と配線基板１２０″とを接着する。
【００４９】
図１１は、上記のように構成された電気光学装置１００、１００′、１００″を有する電子機器２００の一例を示す概略斜視図である。電子機器２００は、本体部２０１と表示部２０２とを有し、本体部２０１から出力される表示信号（指令）に基づいて、表示部２０２内に収容された上記電気光学装置１００（１００′、１００″でもよい。）の上記駆動領域１００Ａ内に画像が形成され、この画像が表示部２０２の表示画面２０２ａ上にて視認できるように構成されている。
【００５０】
以上説明した電子部品実装体若しくは電気光学装置の製造方法においては、電極埋設工程後に突起電極１２を基準として基板表面２０ｂ側に開口するアライメントマーク２０ｃを形成するマーク形成工程を設け、その後に、アライメントマーク２０ｃを基準として基板表面２０ｂ上に導電体１６を配置する導電体形成工程を設けることにより、導電体１６を突起電極１２に確実かつ正確に整合させて形成することができる。また、このアライメントマーク２０ｃは電子部品実装体３０を他の基板やパネル等に実装する際にも用いることができる。
【００５１】
尚、本発明の電子部品実装体の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】電子部品実装体の製造方法を示す工程断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図２】同製造方法を示す拡大工程断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図３】同製造方法を示す拡大工程断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図４】同製造方法を示す拡大工程断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図５】電子部品実装体を裏側から見た様子を示す底面図。
【図６】異なる電子部品実装体の底面図。
【図７】異なるアライメントマークの形状を示す工程断面図。
【図８】電子部品実装体を実装してなる電気光学装置を示す概略斜視図。
【図９】電子部品実装体を実装してなる別の電気光学装置を示す概略斜視図。
【図１０】電子部品実装体を実装してなるさらに別の電気光学装置を示す概略斜視図。
【図１１】電気光学装置を実装した電子機器の概略斜視図。
【符号の説明】
【００５３】
１０…電子部品、１１…本体、１２…突起電極、１２ａ…頂部、１４…金属下地膜、１５…フォトレジスト、１６…導電体、１８…端子、２０…基材、２０ｂ…（電子部品とは反対側の）表面、２０ｃ、２０ｃ′、２０ｃ″…アライメントマーク、３０…電子部品実装体、１００…電気光学装置、１１０…電気光学パネル、１２０…配線基板、Ｌ…レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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