(57)【要約】【課題】比較的低い温度で半導体チップを貼り付ける必要がある基板に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、かつＢステージ化における時間短縮、作業温度を低温化しても、以降の工程が可能であり、さらにＢステージ化における揮発分が少ないダイボンディング用樹脂ペーストを提供する。【解決手段】（Ａ）ブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物、（Ｂ）ブタジエンポリマー、（Ｃ）熱硬化性樹脂及び（Ｄ）フィラーを含有し、不揮発分濃度が９０重量％以上であるダイボンディング用樹脂ペースト組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物、（Ｂ）ブタジエンポリマー、（Ｃ）熱硬化性樹脂及び（Ｄ）フィラーを含有し、不揮発分濃度が９０重量％以上であるダイボンディング用樹脂ペースト組成物。
【請求項２】
（Ｉ）支持部材上に請求項１に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布する工程、（ＩＩ）前記樹脂ペースト組成物を乾燥して樹脂をＢステージ化する工程、（ＩＩＩ）前記Ｂステージ化した樹脂に半導体チップを搭載する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材との接合材料（ダイボンディング材）として用いられるダイボンディング用樹脂ペースト組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子とリードフレームとの接合材料として、従来から、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金、半田あるいは銀ペースト等が知られている。また、特定のポリイミド樹脂を用いた接着フィルム、特定のポリイミド樹脂に導電性フィラーもしくは無機フィラーを加えたダイボンディング用接着フィルムも先に提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。上記Ａｕ−Ｓｉ共晶合金は、耐熱性及び耐湿性は高いが、弾性率が大きいために大型チップに適用した場合に割れやすい。また、高価であるという難点もある。半田は安価であるものの、耐熱性に劣り、その弾性率はＡｕ−Ｓｉ共晶合金と同様に高く、大型チップへの適用は難しい。銀ペーストは、安価で、耐湿性が高く、弾性率はこれらの中では最も低く、３５０℃の熱圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性もあるので、現在はダイボンディング材の主流である。しかし、ＩＣやＬＳＩの高集積化が進み、それに伴ってチップが大型化していくなかで、ＩＣやＬＳＩとリードフレームとを銀ペーストで接合しようとすると、これをチップ全面に広げて塗布しなければならず、それには困難を伴う。
【０００３】
近年のパッケージの小型化・軽量化に伴い、絶縁性支持基板の使用が広範になっており、また、製造コストの低減を目的として、ダイボンディング材を量産性の高い印刷法で供給しようとする方法が注目されている。こうした状況の中で、この接着フィルムを絶縁性支持基板へ効率的に供給・貼付しようとすると、予めチップサイズに切り出して（または打ち抜いて）接着フィルムを貼り付ける必要がある。接着フィルムを切り出し、基板に貼り付ける方法では、生産効率を上げるための貼付装置が必要となる。また、接着フィルムを打ち抜いて複数個のチップ分を一括で貼り付ける方法は、接着フィルムの無駄が生じやすい。さらに、絶縁性支持基板の大部分は、基板内部に内層配線が形成されているため、接着フィルムを貼り付ける表面には凹凸が多く、接着フィルム貼付時に空隙が生じて、信頼性が低下しやすい。
【０００４】
また、あらかじめ基板にダイボンディング材を形成し、半導体チップを貼り付ける工程では、チップを貼り付ける前に、基板に塗布したダイボンディング材を乾燥半硬化（Ｂステージ化）し、半導体チップを圧着し、ダイボンディング材を１８０℃のオーブンで１時間硬化している。従来のダイボンディング材のＢステージ化では、加熱による溶剤成分の揮発、硬化成分の半硬化がなされ、溶剤成分の揮発には少なくとも、８０〜１００℃で１時間程度の加熱が必要である。最近、パッケージ組立時間の短縮や作業裕度の点から、Ｂステージ化工程の時間短縮、低温化が可能なダイボンディング材が求められている。また、パッケージ組立工程における作業環境の汚染を回避する観点から、不揮発分濃度の高いダイボンディング材が求められている。
【特許文献１】特開平０７−２２８６９７号公報
【特許文献２】特開平０６−１４５６３９号公報
【特許文献３】特開平０６−２６４０３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、比較的低い温度で半導体チップを貼り付ける必要がある支持部材に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、かつＢステージ化工程の時間を短縮化及び作業温度を低温化しても、Ｂステージ化工程以降の工程に支障がなく、さらに作業環境汚染の少ない、ダイボンディング用樹脂ペースト組成物を提供することにある。また、本発明の課題は、該ダイボンディング用樹脂ペースト組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、（Ａ）ブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物、（Ｂ）ブタジエンポリマー、（Ｃ）熱硬化性樹脂及び（Ｄ）フィラーを含有し、不揮発分濃度が９０重量％以上であるダイボンディング用樹脂ペースト組成物に関する。
【０００７】
また、本発明は、（２）（Ｉ）支持部材上に請求項１に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布する工程、（ＩＩ）前記樹脂ペースト組成物を乾燥して樹脂をＢステージ化する工程、（ＩＩＩ）前記Ｂステージ化した樹脂に半導体チップを搭載する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【０００８】
また、本発明は、（３）前記（２）に記載の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置に関する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、比較的低い温度で半導体チップを貼り付ける必要がある支持部材に対して、印刷法によって容易に供給・塗布できるダイボンディング用樹脂ペースト組成物を提供できる。また、本発明によれば、耐熱性があり、扱いやすく、低応力性および低温接着性に優れたダイボンディング用樹脂ペースト組成物を提供できる。さらに、本発明によれば、Ｂステージ化工程の時間の短縮化及び作業温度を低温化しても、Ｂステージ化工程以降の工程に支障がなく、さらに作業環境汚染の少ないダイボンディング用樹脂ペースト組成物を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物は、（Ａ）ブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物、（Ｂ）ブタジエンポリマー、（Ｃ）熱硬化性樹脂及び（Ｄ）フィラーを含有し、不揮発分濃度が９０重量％以上である。
【００１１】
本発明で用いる（Ａ）ブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物は、室温（２５℃）において液状で、１００〜１８０℃に加熱硬化温度において、ブロック化イソシアネート基のブロック剤が脱ブロックすることにより樹脂成分の硬化反応を促進する効果を有するものであり、２００〜５００の分子量を有する液状ブロック化イソシアネートが好適に用いられる。
【００１２】
ブロック化されていないイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物は、室温でも硬化反応が進行するため、印刷する際に不具合が生じる可能性があるので好ましくない。
【００１３】
前記ブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物は、下記一般式（ａ）で表される化合物を用いることが好ましい。
【化１】
2008277803.tif 000002
【００１４】
（一般式（ａ）中、Ｒは水素原子又はメチル基を示し、Ｂは一価の有機基を示し、ｍは１〜１０の整数を示す。）
一般式（ａ）で示されるブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物の市販品としては、カレンズＭＯＩ−ＢＰ、カレンズＭＯＩ−ＢＭ（いずれも昭和電工株式会社製、商品名）などが挙げられる。これらは単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００１５】
（Ａ）ブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物の配合量は、（Ｃ）熱硬化性樹脂１００重量部に対し、好ましくは５〜８０重量部、より好ましくは１０〜６０重量部である。前記ブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物の配合量が８０重量部を超えると、硬化物の耐熱性が低下し、パッケージの信頼性が低下する恐れがあり、５重量部未満であると十分な硬化性が得られず、必要な接着強度が得られなくなる恐れがある。
【００１６】
本発明で用いる（Ｂ）ブタジエンポリマーは、ブタジエンのホモポリマーまたはコポリマーであり、たとえば好適に使用できるものとして、主鎖にアクリロニトリルを導入した低分子量液状ポリブタジエンであり末端にカルボン酸を有するものであり、下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物が例示される。
【化２】
2008277803.tif 000003
【００１７】
ここで、ｎ、ｐ、ｑ、ｒの範囲は特に限定しないが、一般的には他成分との反応性の点から、ｎが１〜１０、ｐが１〜１００、ｑが１〜１００、ｒが１〜１００の範囲が好ましい。
【００１８】
（Ｂ）ブタジエンポリマーの重量平均分子量は、他成分との反応性の点で、１０００〜８０００が好ましく、３０００〜５０００がより好ましい。また、（Ｂ）ブタジエンポリマーの粘度は、他成分との分散性の点で、１０００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、４０〜５００Ｐａ・ｓがより好ましい。
【００１９】
上記（Ｂ）ブタジエンポリマーの市販品としては、例えば、Ｈｙｃｅｒ  ＣＴＢ−２００９×１６２、ＣＴＢＮ−１３００×３１、ＣＴＢＮ−１３００×８、ＣＴＢＮ−１３００×１３、ＣＴＢＮＸ−１３００×９、ＣＴＭＮＸ−１３００Ｘ９（いずれも宇部興産株式会社製、商品名）、ＮＩＳＳＯ−ＰＢ−Ｃ−２０００（日本曹達株式会社製、商品名）、ＣＯＬＮＯＶＡ−ＭＡＨ１（日本シーマ株式会社製、商品名）などが挙げられる。これらは単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００２０】
（Ｂ）ブタジエンポリマーの配合量は、ダイボンディング用樹脂ペースト組成物１００重量部に対し、好ましくは３０〜８０重量部、より好ましくは４０〜６０重量部である。前記（Ｂ）ブタジエンポリマーの配合量が３０重量部を下回ると印刷による塗布ができなくなる可能性があり、８０重量部を超えると樹脂ペースト組成物の強度が低下する可能性がある。
【００２１】
本発明で用いる（Ｃ）熱硬化性樹脂として好ましいものは、エポキシ樹脂であり、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物と、硬化促進剤とを含む樹脂混合物として用いてもよい。
【００２２】
エポキシ樹脂は、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むものであり、硬化性や硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂がより好ましい。さらには硬化物の耐熱性の点から、エポキシ樹脂は室温において固形状のものがより好ましい。このような樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦ、または、ハロゲン化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル等が挙げられる。これらは単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００２３】
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合の配合量は、前記（Ｂ）ブタジエンポリマー１００重量部に対し、好ましくは３００重量部以下、より好ましくは２００重量部以下である。前記エポキシ樹脂の配合量が３００重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の保管安定性が低下する傾向にある。
【００２４】
フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物は、分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するものが好ましく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらは単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００２５】
フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物の配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、好ましくは０〜１５０重量部、より好ましくは０〜１２０重量部である。前記フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物の配合量が１５０重量部を超えると、硬化性が不十分となる可能性がある。
【００２６】
また、エポキシ樹脂の硬化を促進するために、硬化促進剤を用いても良い。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、２種類以上を併用してもよい。
【００２７】
硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、好ましくは０〜５０重量部、より好ましくは０〜２０重量部である。前記硬化促進剤の配合量が５０重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の保管安定性が低下する傾向にある。
【００２８】
本発明では（Ｃ）熱硬化性樹脂として、１分子中に少なくとも２個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物を使用することもできる。そのような化合物の例としては、オルトビスマレイミドベンゼン、メタビスマレイミドベンゼン、パラビスマレイミドベンゼン、１，４−ビス（ｐ−マレイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイミドクミル）ベンゼンのほか、下記の式（ＩＩＩ）〜（ＩＶ）で表されるイミド化合物等がある。これらは単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。さらに、下記の式（ＩＩＩ）〜（Ｖ）で表されるイミド化合物等を用いることも好ましい。
【化３】
2008277803.tif 000004
【００２９】
〔式中、Ｘ及びＹは、Ｏ、ＣＨ２、ＣＦ２、ＳＯ２、Ｓ、ＣＯ、Ｃ（ＣＨ３）２またはＣ（ＣＦ３）２を示し；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素または臭素を示し；Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示し；ｍは０〜４の整数を示す。〕
イミド化合物を用いる場合の配合量は、（Ｂ）ブタジエンポリマー１００重量部に対して、好ましくは０〜２００重量部、より好ましくは０〜１００重量部である。前記イミド化合物の配合量が２００重量部を超えると樹脂ペースト組成物の保管安定性が低下する傾向にある。
【００３０】
式（ＩＩＩ）のイミド化合物としては、例えば、４，４−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミド−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルホン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルフィド、４，４−ビスマレイミドジフェニルケトン、２，２’−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４，４−ビスマレイミドジフェニルフルオロメタン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン等が挙げられる。
【００３１】
式（ＩＶ）のイミド化合物としては、例えば、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕フルオロメタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕ケトン、２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン等が挙げられる。
【００３２】
これらイミド化合物の硬化を促進するため、ラジカル重合剤を使用してもよい。ラジカル重合剤としては、アセチルシクロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。このとき、ラジカル重合剤の配合量は、イミド化合物１００重量部に対して概ね０．０１〜１．０重量部が好ましい。
【００３３】
本発明で用いられる（Ｄ）フィラーとしては、導電性（金属）フィラーまたは無機物質フィラーであり、導電性、伝熱性又はチキソトロピー性を付与する目的の場合は導電性フィラーが用いられ、低熱膨張性、低吸湿率、チキソトロピー性を付与する目的の場合は無機物質フィラーが用いられる。導電性フィラーとしては銀粉、金粉、銅粉等が例示され、無機物質フィラーとしてはシリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等が例示される。これらのなかでも、無機物質フィラーが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、例えば、アエロジル５０、３８０、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７２ＣＦ、Ｒ９７４、ＲＸ２００、ＲＹ２００、Ｒ８０５（いずれも日本アエロジル株式会社、商品名）などが挙げられる。これら導電性フィラー又は無機物質フィラーは、単独で、又は２種以上を混合して用いることもできる。また、物性を損なわない範囲で導電性フィラーと無機物質フィラーとを混合して用いてもよい。
【００３４】
また、半導体装置の電気的信頼性を向上させるフィラーとして、無機イオン交換体を加えてもよい。樹脂ペースト組成物の硬化物を熱水中で抽出したとき、水溶液中に抽出されるイオン、例えば、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｌ−、Ｆ−、ＲＣＯＯ−、Ｂｒ−等のイオン捕捉作用が認められるものが有効である。このようなイオン交換体としては、天然に産出されるゼオライト、沸石類、酸性白土、白雲石、ハイドロタルサイト類などの天然鉱物、人工的に合成された合成ゼオライトなどが例示される。
【００３５】
（Ｄ）フィラーの配合量は、（Ｂ）ブタジエンポリマー１００重量部に対して、好ましくは１〜１００重量部、より好ましくは２〜５０重量部である。前記フィラーの配合量が１重量部未満では、樹脂ペースト組成物に十分なチキソトロピー性（チキソトロピー指数：１．５以上）を付与しにくい。前記フィラーの配合量が１００重量部を超えると、接着性が低下する可能性があり、また、硬化物の弾性率が高くなり、その結果、ダイボンディング材の応力緩和能が低くなり半導体装置の実装信頼性が低下する可能性がある。
【００３６】
フィラーの混合・混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミルなどの分散機を適宜、組み合わせて行う。
【００３７】
本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物には、必要に応じてシランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系添加剤等を適宜加えてもよい。
【００３８】
本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物のチキソトロピー指数は、好ましくは１．０〜８．０、より好ましくは２．０〜６．０である。前記チキソトロピー指数が１．０未満では、印刷法によって供給・塗布された樹脂ペースト組成物にダレ等が発生し、印刷形状を良好に保ち難くなる。また、前記チキソトロピー指数が８．０を超えると、印刷法によって供給・塗布された樹脂ペースト組成物に「欠け」やカスレ等が発生しやすくなる。
【００３９】
上記チキソトロピー指数は、Ｅ型回転粘度計を用いて、２５℃で、回転数１ｒｐｍ及び回転数１０ｒｐｍでの粘度を測定し、下記式により求めた値とする。
【００４０】
チキソトロピー指数＝（回転数１ｒｐｍでの粘度）／（回転数１０ｒｐｍでの粘度）
本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物の粘度（２５℃）は、印刷作業性の観点から５〜１０００Ｐａ・ｓであることが好ましい。ダイボンディング用樹脂ペースト組成物の粘度は、印刷法の種類により適宜調整することが好ましく、例えば、スクリーンメッシュ版等のようにマスク開口部にメッシュ等が張ってある場合は、メッシュ部の抜け性を考慮して５〜１００Ｐａ・ｓの範囲であることが好ましく、ステンシル版等の場合は２０〜５００Ｐａ・ｓの範囲であることが好ましい。また、乾燥後の樹脂ペーストに残存するボイドが多く見られる場合は、ダイボンディング用樹脂ペースト組成物の粘度を１５０Ｐａ・ｓ以下に調整することが有効である。
【００４１】
上記粘度は、Ｅ型回転粘度計を用いて、２５℃で、回転数０．５ｒｐｍで測定したときの値とする。
【００４２】
本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物の不揮発分濃度は、９０重量％以上であり、９２〜１００重量％であることが特に好ましい。前記不揮発分濃度が９０重量％未満であると、作業環境の汚染を回避できず、また、低温、短時間でＢステージ化した際に、ペースト中に溶剤が残り、残存する溶剤による接着強度の低下を引き起こす恐れがある。
【００４３】
本発明の半導体装置の製造方法は、（Ｉ）支持部材上に請求項１に記載のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布する工程、（ＩＩ）前記樹脂ペースト組成物を乾燥して樹脂をＢステージ化する工程、（ＩＩＩ）前記Ｂステージ化した樹脂に半導体チップを搭載する工程を含むものである。
【００４４】
上記（Ｉ）の工程では、本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を、４２アロイリードフレームや銅リードフレーム等のリードフレーム；または、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックフィルム；さらには、ガラス不織布等の基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させたもの；あるいは、アルミナ等のセラミックス製の支持部材等に、印刷法によって供給・塗布する。
【００４５】
次いで上記（ＩＩ）の工程で、樹脂ペースト組成物を加熱または光照射等により樹脂を乾燥半硬化させる（Ｂステージ化する）。それによりＢステージ化した樹脂付き支持部材が得られる。
【００４６】
その後、上記（ＩＩＩ）の工程で、Ｂステージ化した樹脂に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップ（素子）を貼り付け、加熱してチップを支持部材に接合し、樹脂を後硬化させることにより、チップを支持部材に搭載する。この樹脂の後硬化は、実装組立工程での問題がない場合は、封止材の後硬化工程（１８０℃で５時間加熱）の際に併せて行ってもよい。
【００４７】
本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物は、比較的低い温度で樹脂を硬化することが可能である。かかる樹脂の硬化温度は、好ましくは１４０〜２００℃、より好ましくは１５０〜１８０℃である。前記樹脂の硬化温度が１４０℃未満では硬化性が不十分であり、必要な接着強度が得られない恐れがあり、２００℃を超えると酸化による硬化物の脆弱化が起こり、必要な信頼性を得られない恐れがある。また、硬化時間は、好ましくは30分〜180分、より好ましくは６０分〜１２０分である。
【００４８】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上の各工程を含むものであり、本発明の半導体装置は、以上の各工程を含む製造方法により製造されるものである。
【００４９】
本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物は不揮発分濃度が９０重量％以上であり、ダイボンディング層にボイドの少ない、良好な実装信頼性をもつ半導体装置を組み立てることができる。一方、ダイボンディング用樹脂ペースト組成物を印刷法によって支持部材上に供給・塗布した後に、パッケージ信頼性に影響が無ければ、乾燥半硬化させることなく半導体チップを貼り付け、その後、加熱してチップを支持部材に接合することもできる。したがって、別の本発明に係る半導体装置の製造方法は、指示部材上に所定量の上記ダイボンディング用樹脂ペースト組成物を塗布し、樹脂ペースト組成物に半導体チップを搭載する各工程を含むものであり、別の本発明に係る半導体装置は、以上の各工程を含む製造方法により製造されるものである。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれによって制限されるものではない。
【００５１】
実施例１〜３
固形重量比で表１に示す割合となるように、各成分をらいかい機に入れ、混練した後、５Ｔｏｒｒ以下で１時間脱泡混練を行い、ダイボンディング用樹脂ペーストを得た。
【００５２】
比較例１
エポキシ樹脂（ＶＧ３１０１Ｌ）１２．４重量部及びフェノール樹脂（Ｐ５０１）１０重量部のカルビトールアセテート（３０重量部）溶液を予め用意しておき、固形重量比で表１に示す割合となるように、各成分と共に、らいかい機に入れ、混練した後、５Ｔｏｒｒ以下で１時間脱泡混練を行い、ダイボンディング用樹脂ペーストを得た。
【００５３】
実施例１〜３及び比較例１で得られたダイボンディング用樹脂ペースト組成物の特性として、熱時ダイシェア強度と不揮発分濃度を以下の方法により調べた。その結果を表１に示す。
【００５４】
熱時ダイシェア強度：ダイボンディング用樹脂ペースト組成物を１０ｍｍ×
１２ｍｍの４２アロイリードフレーム上に１０ｍｍ×１２ｍｍの大きさで２枚印刷し、片方を１４０℃のオーブンで１０分、もう片方を６０℃のオーブンで１時間、それぞれ乾燥半硬化させてＢステージ化した。その後、Ｂステージ化した樹脂上に５ｍｍ×５ｍｍのシリコンチップ（厚さ０．５ｍｍ）を、３０℃の熱盤上で１．５ｋｇの荷重を掛けて０．５秒間圧着させた。その後、１８０℃のオーブンで５時間加熱硬化した。これを、自動接着力試験機（デイジ社製）を用い、２５０℃におけるせん断強さ（ｋｇｆ／チップ）を測定した。
【００５５】
不揮発分濃度：金属シャーレ（直径６０ｍｍ、深さ１０ｍｍ）にダイボンディング用樹脂ペースト組成物を２．０ｇ精秤し、１８０℃のオーブンで１時間加熱した後の重量を精秤した。次式により不揮発分濃度を計算した。
【数１】
2008277803.tif 000005
【００５６】
Ｗ１：シャーレの重量（ｇ）
Ｗ２：加熱前の重量（シャーレを含む）（ｇ）
Ｗ３：加熱後の重量（シャーレを含む）（ｇ）
表１に、ダイボンディング用樹脂ペースト組成物の配合と、特性の評価結果を示す（表中の％は重量％である）。
【表１】
2008277803.tif 000006
【００５７】
表１において、種々の記号は下記の意味である。
【００５８】
ＭＯＩ−ＢＭ：昭和電工株式会社製商品名、下記一般式（ａ１）で表されるブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物
【化４】
2008277803.tif 000007
【００５９】
ＭＯＩ−ＢＰ：昭和電工株式会社製商品名、下記一般式（ａ２）で表されるブロック化イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物
【化５】
2008277803.tif 000008
【００６０】
ＣＴＢＮＸ−１３００×９：宇部興産株式会社製商品名、カルボン酸末端液状ポリブタジエン、官能基数２．３／ｍｏｌ
ＣＯＬＮＯＶＡ−ＭＡＨ１：日本シーマ株式会社製商品名、ポリブタジエン無水カルボン酸付加物
ＶＧ−３１０１Ｌ：三井化学株式会社製商品名、エポキシ当量２２０（ｇ/ｅｑ）
Ｐ５０１：荒川化学工業株式会社製商品名、シラン変性フェノール樹脂、ＯＨ当量２７０（ｇ/ｅｑ）
Ａｅｒｏｓｉｌ５０：日本アエロジル株式会社製商品名、シリカフィラー
表１に示すとおり、本発明のダイボンディング用樹脂ペースト組成物を用いた実施例１〜３は、印刷後、１４０℃で１０分、又は６０℃で１時間、Ｂステージ化した際に、従来の樹脂ペースト組成物を用いた比較例１に比較して、２５０℃での熱時ダイシェア強度で良好な結果を示した。また、比較例１の樹脂ペースト組成物の不揮発分濃度が６７．８重量％であるのに対し、実施例１〜３の樹脂ペースト組成物の不揮発分濃度は９０重量％以上であり、作業環境性の点でも優れていた。