(57)【要約】【課題】ヘッドスライダ周りで配線や端子を減少させることができる記憶媒体駆動装置を提供する。【解決手段】ヘッドスライダ３１には、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータ６５、６６が搭載される。第１および第２導電端子７２、７３には制御回路７８から電気信号が供給される。第１ダイオード７５は第１導電端子７２から第２導電端子７３に向かって第１方向に電流の向きを規定する。第２ダイオード７７は第２導電端子７３から第１導電端子７２に向かって第２方向に電流の向きを規定する。第１方向の電流は第１アクチュエータ６５に供給される。第２方向の電流は第２アクチュエータ６６に供給される。制御回路７８および第１および第２アクチュエータ６５、６６では部分的に配線は共通化されることができる。制御回路７８および第１および第２アクチュエータ６５、６６の間で配線は減少する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドスライダと、ヘッドスライダに搭載されるヘッド素子と、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、電気信号を出力する制御回路と、制御回路に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１アクチュエータに並列に第１配線に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第１および第２分岐点の間で第１配線に挿入されて、第１方向に電流の向きを規定する第１整流素子と、第２配線に挿入されて、第１方向に反対向きの第２方向に電流の向きを規定する第２整流素子とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項２】
スライダ本体と、スライダ本体に搭載されるヘッド素子と、スライダ本体に搭載されて、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、スライダ本体上に設置される第１および第２導電端子と、第１および第２導電端子に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１配線に挿入されて、第１導電端子から第２導電端子に向かって電流の向きを規定する第１整流素子と、第１および第２導電端子に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第２配線に挿入されて、第２導電端子から第１導電端子に向かって電流の向きを規定する第２整流素子とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項３】
ヘッドスライダと、ヘッドスライダに搭載されるヘッド素子と、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、電気信号を出力する制御回路と、制御回路に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１アクチュエータに並列に第１配線に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第１および第２分岐点の間で第１配線内に構築されて、第１周波数帯域で信号を通過させる第１フィルタ回路と、第２配線内に構築されて、第１周波数帯域から異なる第２周波数帯域で信号を通過させる第２フィルタ回路とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項４】
請求項３に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１および第２アクチュエータに並列に第１配線に第３アクチュエータを接続する第３配線と、第３配線内に構築されて、前記第１および第２周波数帯域から異なる第３周波数帯域で信号を通過させる第３フィルタ回路とをさらに備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項５】
スライダ本体と、スライダ本体に搭載されるヘッド素子と、スライダ本体に搭載されて、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、スライダ本体上に設置される１対の導電端子と、導電端子に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１アクチュエータに並列に第１配線に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第１および第２分岐点の間で第１配線内に構築されて、第１周波数帯域で信号を通過させる第１フィルタ回路と、第２配線内に構築されて、第１周波数帯域から異なる第２周波数帯域で信号を通過させる第２フィルタ回路とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶媒体駆動装置に関し、特に、ヘッドスライダと、ヘッドスライダに搭載されるヘッド素子と、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する複数のアクチュエータとを備える記憶媒体駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１に記載されるように、ヘッドスライダに関連して複数のアクチュエータを備えるハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）は広く知られる。アクチュエータの働きで例えばヘッド素子のオントラックが維持される。その他、例えば特許文献３に記載されるように、非磁性層の熱膨張に応じて記憶媒体に向かってヘッド素子を突き出させるハードディスク駆動装置は広く知られる。
【特許文献１】特開２００４−２２０８７号公報
【特許文献２】特開２００３−１５７６３７号公報
【特許文献３】特開平５−２０６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ヘッドスライダに関連してアクチュエータが増加すると、ヘッドスライダに関連して配線や端子は増加する。その一方で、ヘッドスライダや、ヘッドスライダを支持するヘッドサスペンションでは空きスペースが限られる。限られた空きスペースに全ての配線や端子は収められなければならない。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、ヘッドスライダ周りで配線や端子を減少させることができる記憶媒体駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、ヘッドスライダと、ヘッドスライダに搭載されるヘッド素子と、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、電気信号を出力する制御回路と、制御回路に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１アクチュエータに並列に第１配線に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第１および第２分岐点の間で第１配線に挿入されて、第１方向に電流の向きを規定する第１整流素子と、第２配線に挿入されて、第１方向に反対向きの第２方向に電流の向きを規定する第２整流素子とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置が提供される。
【０００６】
第１配線に第１方向に電流が供給されると、第１および第２分岐点の間で電流は第１配線を通過する。第２配線では電流の通過は阻止される。したがって、第１方向の電流は第１アクチュエータにのみ供給されることができる。その一方で、第１配線に第２方向に電流が供給されると、第１および第２分岐点の間で電流は第２配線を通過する。第１配線では電流の通過は阻止される。したがって、第２方向の電流は第２アクチュエータにのみ供給されることができる。こうして第１および第２アクチュエータの動作は個別に制御されることができる。第１および第２分岐点の間を除いて電流の通路は共通化されることができる。制御回路および第１および第２アクチュエータの間で配線は減少する。
【０００７】
第１配線には、制御回路および第１分岐点の間に配置されて、ヘッドスライダ上で露出する第１導電端子と、第２分岐点および制御回路の間に配置されて、ヘッドスライダ上で露出する第２導電端子とが挿入されてもよい。こうしてヘッドスライダ上で配線が分岐されれば、ヘッドスライダ上の導電端子は減少する。
【０００８】
制御回路は第１配線に交流電圧を印加すればよい。交流電圧によれば、第１方向および第２方向に交互に電流は供給されることができる。こうして第１および第２アクチュエータの動作は個別に制御されることができる。
【０００９】
ここで、第１および第２アクチュエータは、ヘッド素子に隣接して配置され、任意の熱膨張係数を有する非磁性層と、非磁性層に埋め込まれて、第１および第２配線から電流の供給を受ける電気抵抗要素とを備えればよい。電気抵抗要素に電流が供給されると、電気抵抗要素は発熱する。こういった発熱に基づき非磁性層は膨張する。膨張に基づきヘッド素子は駆動されることができる。
【００１０】
こういった記憶媒体駆動装置の実現にあたって特定のヘッドスライダが提供されればよい。このヘッドスライダは、例えば、スライダ本体と、スライダ本体に搭載されるヘッド素子と、スライダ本体に搭載されて、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、スライダ本体上で露出する第１および第２導電端子と、第１および第２導電端子に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１配線に挿入されて、第１導電端子から第２導電端子に向かって電流の向きを規定する第１整流素子と、第１および第２導電端子に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第２配線に挿入されて、第２導電端子から第１導電端子に向かって電流の向きを規定する第２整流素子とを備えればよい。第１および第２配線には第１および第２導電端子から共通に電圧が供給されることができる。第１および第２整流素子の働きで第１および第２配線には個別に電圧が供給されることができる。こうして第１および第２アクチュエータの動作は個別に制御されることができる。第１および第２配線には第１および第２導電端子から共通に電圧が供給されればよく、その結果、ヘッドスライダから引き出される配線は減少する。しかも、ヘッドスライダ上の導電端子は減少する。
【００１１】
第２発明によれば、ヘッドスライダと、ヘッドスライダに搭載されるヘッド素子と、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、電気信号を出力する制御回路と、制御回路に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１アクチュエータに並列に第１配線に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第１および第２分岐点の間で第１配線内に構築されて、第１周波数帯域で信号を通過させる第１フィルタ回路と、第２配線内に構築されて、第１周波数帯域から異なる第２周波数帯域で信号を通過させる第２フィルタ回路とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置が提供される。
【００１２】
第１配線に電流が供給されると、第１周波数帯域の信号は第１および第２分岐点の間で第１配線を通過する。第２配線では第１周波数帯域の信号の通過は阻止される。したがって、第１周波数帯域の信号は第１アクチュエータにのみ供給されることができる。同様に、第２周波数帯域の信号は第１および第２分岐点の間で第２配線を通過する。第１配線では第２周波数帯域の信号の通過は阻止される。したがって、第２周波数帯域の信号は第２アクチュエータにのみ供給されることができる。こうして第１および第２アクチュエータの動作は個別に制御されることができる。第１および第２分岐点の間を除いて電流の通路は共通化されることができる。制御回路および第１および第２アクチュエータの間で配線は減少する。
【００１３】
制御回路は、第１配線に第１周波数帯域の信号および第２周波数帯域の信号の重畳信号を印加すればよい。第１フィルタは重畳信号から第１周波数帯域の信号を取り出す。第２フィルタは重畳信号から第２周波数帯域の信号を取り出す。こうして第１および第２アクチュエータの動作は個別に制御されることができる。
【００１４】
ここで、記憶媒体駆動装置は、第１配線内で第１アクチュエータに直列に接続され、第１アクチュエータの電気抵抗と協働して第１フィルタ回路を構築するキャパシタをさらに備えてもよい。こうして比較的に簡単に第１配線で第１フィルタ回路は構築されることができる。第１アクチュエータは、ヘッド素子に隣接して配置され、任意の熱膨張係数を有する非磁性層と、非磁性層に埋め込まれて、前記第１および第２配線から電流の供給を受ける電気抵抗要素とを備えればよい。こうして第１アクチュエータは電気抵抗として機能することができる。
【００１５】
同時に、記憶媒体駆動装置は、第２配線内で第２アクチュエータに直列に接続され、第２アクチュエータの静電容量と協働して第２フィルタ回路を構築する電気抵抗要素をさらに備えてもよい。こうして比較的に簡単に第２配線で第２フィルタ回路は構築されることができる。第２アクチュエータは、電極同士の間に圧電材料を挟み込む圧電素子を備えればよい。こういった第２アクチュエータは静電容量として機能することができる。
【００１６】
こういった記憶媒体駆動装置の実現にあたって特定のヘッドスライダが提供されればよい。このヘッドスライダは、例えば、スライダ本体と、スライダ本体に搭載されるヘッド素子と、スライダ本体に搭載されて、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、スライダ本体上で露出する１対の導電端子と、導電端子に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１アクチュエータに並列に第１配線に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第１および第２分岐点の間で第１配線内に構築されて、第１周波数帯域で信号を通過させる第１フィルタ回路と、第２配線内に構築されて、第１周波数帯域から異なる第２周波数帯域で信号を通過させる第２フィルタ回路とを備えればよい。
【００１７】
記憶媒体駆動装置は、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１および第２アクチュエータに並列に第１配線に第３アクチュエータを接続する第３配線と、第３配線内に構築されて、第１および第２周波数帯域から異なる第３周波数帯域で信号を通過させる第３フィルタ回路とをさらに備えてもよい。こうして第１、第２および第３アクチュエータの動作は個別に制御されることができる。このとき、記憶媒体駆動装置は、第３配線内で第３アクチュエータに直列に接続される第１電気抵抗要素と、第３配線内で第３アクチュエータおよび第１電気抵抗要素に並列に接続される第２電気抵抗要素と、第３配線内で第３アクチュエータ並びに第１および第２電気抵抗要素に直列に接続されて、第３アクチュエータの静電容量並びに第１および第２電気抵抗要素の電気抵抗と協働で第３フィルタ回路を構築するキャパシタとをさらに備えればよい。こうして第３フィルタ回路は比較的に簡単に構築されることができる。第３アクチュエータは、電極同士の間に圧電材料を挟み込む圧電素子を備えればよい。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように本発明によれば、ヘッドスライダ周りで配線や端子を減少させることができる記憶媒体駆動装置は提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００２０】
図１は記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００２１】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。
【００２２】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００２３】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端にはフレキシャ（図示されず）が張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。ジンバルばねの表面に浮上ヘッドスライダ２２は固定される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。後述されるように、浮上ヘッドスライダ２２には磁気ヘッドすなわち電磁変換素子が搭載される。
【００２４】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００２５】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００２６】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２４といった動力源が接続される。このＶＣＭ２４の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。
【００２７】
図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２５が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２５は、フレキシブルプリント基板２６に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）すなわちプリアンプＩＣ２７を備える。磁気情報の読み出し時には、このプリアンプＩＣ２７から電磁変換素子の読み出しヘッド素子に向けてセンス電流は供給される。同様に、磁気情報の書き込み時には、プリアンプＩＣ２７から電磁変換素子の書き込みヘッド素子に向けて書き込み電流は供給される。フレキシブルプリント基板ユニット２５のプリアンプＩＣ２７には、収容空間内に配置される小型の回路基板２８や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）からセンス電流や書き込み電流は供給される。
【００２８】
こうしたセンス電流や書き込み電流の供給にあたってフレキシブルプリント基板２９が用いられる。フレキシブルプリント基板２９は個々のフレキシャから連続する。フレキシブルプリント基板２９は、例えばステンレス鋼といった金属薄板と、金属薄板上に順番に積層される絶縁層、導電層および保護層とを備えればよい。導電層は、フレキシブルプリント基板２９上で延びる配線パターン（図示されず）を構成する。導電層には例えば銅といった導電材料が用いられればよい。絶縁層および保護層には例えばポリイミド樹脂といった樹脂材料が用いられればよい。
【００２９】
フレキシブルプリント基板２９上の配線パターンは浮上ヘッドスライダ２２に接続される。フレキシブルプリント基板２９はヘッドサスペンション２１からキャリッジアーム１９に沿って後方に延びる。フレキシブルプリント基板２９は他端でフレキシブルプリント基板ユニット２５に連結される。配線パターンはフレキシブルプリント基板ユニット２５上の配線パターン（図示されず）に接続される。こうして浮上ヘッドスライダ２２はフレキシブルプリント基板ユニット２５に電気的に接続される。
【００３０】
図２は本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出端面には素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。電磁変換素子３３の詳細は後述される。
【００３１】
スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった軟質材料から形成されればよい。スライダ本体３１は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１４に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。
【００３２】
浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアレール３８が形成される。リアレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。
【００３３】
浮上面３４には、空気流出側でベース面３５から立ち上がる左右１対の補助リアレール３９、３９がさらに形成される。補助リアレール３９、３９はベース面３５の左右の縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、補助リアレール３９、３９同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。補助リアレール３９、３９同士の間にリアレール３８は配置される。
【００３４】
フロントレール３７、リアレール３８および補助リアレール３９、３９の頂上面にはいわゆるＡＢＳ（空気軸受け面）４１、４２、４３が規定される。ＡＢＳ４１、４２、４３の空気流入端は段差４４、４５、４６でレール３７、３８、３９の頂上面に接続される。磁気ディスク１４の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差４４、４５、４６の働きでＡＢＳ４１、４２、４３には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。
【００３５】
ＡＢＳ４１、４２、４３ではスライダ本体３１の表面に例えば保護膜（図示されず）が形成される。前述の電磁変換素子３３はＡＢＳ４２の空気流出側でスライダ本体３１の表面から読み出しギャップや書き込みギャップを露出させる。保護膜は電磁変換素子３３の読み出しギャップや書き込みギャップに覆い被さる。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が用いられればよい。なお、浮上ヘッドスライダ２２の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００３６】
図３は電磁変換素子３３の様子を詳細に示す。電磁変換素子３３は、例えば、ＣＰＰ構造読み取り素子４７と薄膜磁気ヘッド素子４８とを備える。ＣＰＰ構造読み取り素子４７は、周知の通り、磁気ディスク１４から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。薄膜磁気ヘッド素子４８は、周知の通り、例えば導電コイルパターン（図示されず）で生起される磁界を利用して磁気ディスク１４に２値情報を書き込むことができる。ＣＰＰ構造読み取り素子４７および薄膜磁気ヘッド素子４８はＡｌ２Ｏ３膜４９とＡｌ２Ｏ３膜５１との間に挟み込まれる。Ａｌ２Ｏ３膜４９は前述のヘッド素子内蔵膜３２の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成する。Ａｌ２Ｏ３膜５１はヘッド素子内蔵膜３２の下側半層すなわちアンダーコート膜を構成する。
【００３７】
ＣＰＰ構造読み取り素子４７は例えばスピンバルブ膜やトンネル接合膜といった磁気抵抗効果膜５２を備える。磁気抵抗効果膜５２は上側電極５３および下側電極５４に挟み込まれる。上側電極５３および下側電極５４は、スライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気抵抗効果膜５２の上側境界面および下側境界面にそれぞれ接触する。上側電極５３および下側電極５４の働きで磁気抵抗効果膜５２にセンス電流は供給される。上側電極５３および下側電極５４は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。上側電極５３および下側電極５４が例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）といった導電性の軟磁性体で構成されると、上側電極５３および下側電極５４は同時にＣＰＰ構造読み取り素子４７の上部および下部シールド層として機能することができる。
【００３８】
誘導書き込みヘッド素子４８は、スライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気ディスク１４に向き合う上部磁極層５６と、同様にスライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気ディスク１４に向き合う下部磁極層５７とを備える。上部および下部磁極層５６、５７は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部および下部磁極層５６、５７は協働して薄膜磁気ヘッド素子４８の磁性コアを構成する。
【００３９】
上部および下部磁極層５６、５７の間には例えばＡｌ２Ｏ３製の非磁性ギャップ層５８が挟み込まれる。周知の通り、後述の薄膜コイルパターンで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層５８の働きで、上部磁極層５６と下部磁極層５７とを行き交う磁束は磁気ディスク１４に向かって漏れ出る。こうして漏れ出る磁束がギャップ磁界すなわち記録磁界を形成する。
【００４０】
図４を併せて参照し、下部磁極層５７は、上側電極５３上で任意の基準平面５９に沿って広がる。この基準平面５９はＡｌ２Ｏ３製の非磁性層６１の表面で規定される。非磁性層６１は上側電極５３上に均一な厚みで積層形成されればよい。非磁性層６１は上側電極５３と下部磁極層５７との間で磁気的な結合を断ち切る。
【００４１】
非磁性ギャップ層５８は下部磁極層５７上で均一な膜厚で広がる。この非磁性ギャップ層５８上には薄膜コイルパターン６２が配置される。薄膜コイルパターン６２は１平面に沿って渦巻き状に広がる。薄膜コイルパターン６２は非磁性ギャップ層５８上で絶縁層６３に埋め込まれる。絶縁層６３の表面に前述の上部磁極層５６が形成される。上部磁極層５６は薄膜コイルパターン６２の中心位置で下部磁極層５７に磁気的に連結される。薄膜コイルパターン６２に電流が供給されると、上部磁極層５６および下部磁極層５７に磁束が流通する。
【００４２】
Ａｌ２Ｏ３膜５１にはＣＰＰ構造読み取り素子４７に隣接して第１電熱線６５が埋め込まれる。同様に、非磁性層６１には薄膜磁気ヘッド素子４８に隣接して第２電熱線６６が埋め込まれる。第１および第２電熱線６５、６６は例えば基準平面５９に平行な仮想平面に沿って広がればよい。第１および第２電熱線６５、６６は本発明に係る電気抵抗要素として機能する。Ａｌ２Ｏ３膜５１および非磁性層６１は比較的に大きな熱膨張係数を有することから、第１および第２電熱線６５、６６に電力が供給されると、Ａｌ２Ｏ３膜５１および非磁性層６１は膨張する。その結果、図５に示されるように、Ａｌ２Ｏ３膜５１および非磁性層６１はベース面３５で盛り上がる。こうしてＣＰＰ構造読み取り素子４７および薄膜磁気ヘッド素子４８は磁気ディスク１４に向かって変位する。ＣＰＰ構造読み取り素子４７の突出量に応じてＣＰＰ読み取り素子４７の浮上高さは決定される。同様に、薄膜磁気ヘッド素子４８の突出量に応じて薄膜磁気ヘッド素子４８の浮上高さは決定される。ここで、第１電熱線６５およびＡｌ２Ｏ３膜５１は第１アクチュエータを構成する。第２電熱線６６および非磁性層６１は第２アクチュエータを構成する。
【００４３】
図６に示されるように、素子内蔵膜３２上には２対の信号用導電端子６７、６７、６８、６８が配置される。１対の信号用導電端子６７、６７は前述の上側電極５３および下側電極５４にそれぞれ接続される。接続にあたって所定の配線パターン６９が利用されればよい。同様に、１対の信号用導電端子６８、６８は前述の薄膜コイルパターン６２に接続される。こうした接続にあたって所定の配線パターン７１が利用されればよい。信号用導電端子６７、６８は素子内蔵膜３２の表面で露出する。
【００４４】
信号用導電端子６７はフレキシブルプリント基板２９上の配線パターンに接続される。接続にあたって例えば金ボールといった接続端子が用いられる。こうして磁気抵抗効果膜５２にはプリアンプＩＣ２７からセンス電流が供給される。同様に、信号用導電端子６８はフレキシブルプリント基板２９上の配線パターンに接続される。接続にあたって例えば金ボールといった接続端子が用いられる。こうして薄膜コイルパターン６２にはプリアンプＩＣ２７から書き込み電流が供給される。
【００４５】
素子内蔵膜３２上には第１および第２導電端子７２、７３がさらに配置される。第１導電端子７２は第１配線７４で第２導電端子７３に接続される。この第１配線７４内に前述の第１電熱線６５が挿入される。第１配線７４には同時に第１整流素子すなわち第１ダイオード７５が挿入される。同様に、第２導電端子７３は第２配線７６で第１導電端子７２に接続される。第２配線７６は第１配線７４に並列に延びる。第２配線７６内に前述の第２電熱線６６が挿入される。第２配線７６には同時に第２整流素子すなわち第２ダイオード７７が挿入される。第１および第２導電端子７２、７３は素子内蔵膜３２の表面で露出する。
【００４６】
第１および第２導電端子７２、７３はフレキシブルプリント基板２９上の配線パターンに接続される。接続にあたって例えば金ボールといった接続端子が用いられる。図７に示されるように、こうして第１および第２導電端子７２、７３には制御回路７８が接続される。ここでは、フレキシブルプリント基板２９上の配線パターンは第１配線７４とともに本発明に係る第１配線を構成する。第１および第２導電端子７２、７３は本発明に係る第１および第２分岐点として機能する。第１ダイオード７５は第１導電端子７２から第２導電端子７３に向かって電流の向きを規定する。第２ダイオード７７は第２導電端子７３から第１導電端子７２に向かって電流の向きを規定する。制御回路７８は例えば回路基板２８上に実装されればよい。
【００４７】
いま、制御回路７８からフレキシブルプリント基板２９上の配線パターンに交流電圧が印加される場面を想定する。このとき、第１および第２アクチュエータの駆動特性は次式の伝達関数で特定される。
【００４８】
【数１】
2008084412.tif 000003
【００４９】
ここで、Ｚはアクチュエータの駆動量［ｎｍ］を示す。Ｗはアクチュエータの消費電力［Ｗ］を示す。αは駆動ゲイン［ｎｍ／Ｗ］を示す。τは時定数［ｓ］を示す。例えば駆動ゲインα＝１００［ｎｍ／Ｗ］が設定され、時定数τ＝１．０［ｍｓ］が設定されると、図８に示されるように、アクチュエータではゲイン特性および位相特性が確立される。
【００５０】
図９（ａ）に示されるように、交流電圧の波形は例えば矩形波に設定される。電圧の振幅は±１．０［Ｖ］に設定される。周波数は１．０［ＭＨｚ］に設定される。正負のデューティー比は例えば７対３に設定される。ここでは、正の電圧は第１ダイオード７５を通過する。負の電圧は第１ダイオード７５で遮られる。したがって、図９（ｂ）に示されるように、第１電熱線６５には正の電圧のみが作用する。その一方で、負の電圧は第２ダイオード７７を通過する。正の電圧は第２ダイオード７７で遮られる。したがって、図９（ｃ）に示されるように、第２電熱線６６には負の電圧のみが作用する。こうして第１アクチュエータは正の電圧に基づき制御される。第２アクチュエータは負の電圧に基づき制御される。第１および第２アクチュエータの抵抗に１０［Ω］が設定されると、図９（ｄ）および図９（ｅ）に示されるように、第１および第２アクチュエータの消費電力は特定される。その結果、図１０および図１１に示されるように、第１および第２アクチュエータの駆動量はそれぞれ特定される。第１および第２アクチュエータの駆動量は７対３のデューティー比を反映する。図５から明らかなように、浮上中の浮上ヘッドスライダ２２ではＣＰＰ構造読み取り素子４７で大きな突出量が実現される。一方、薄膜磁気ヘッド素子４８では比較的に小さな突出量が実現される。ＣＰＰ構造読み取り素子４７および薄膜磁気ヘッド素子４８はともに磁気ディスク１４に最大限に接近することができる。こうして第１および第２アクチュエータは個別に制御される。
【００５１】
以上のようなハードディスク駆動装置１１では、第１および第２アクチュエータの駆動にあたって浮上ヘッドスライダ２２上で２対の配線が形成されれば済む。制御回路７８および浮上ヘッドスライダ２２の間では第１および第２アクチュエータに共通に１対の配線が確立されれば済む。配線は減少する。フレキシブルプリント基板２９上では限られたスペースに十分に配線は配置されることができる。しかも、第１および第２アクチュエータの駆動にあたって浮上ヘッドスライダ２２上には１組の導電端子が配置されれば済む。第１および第２アクチュエータに個別に導電端子が配置される場合に比べて導電端子は減少する。浮上ヘッドスライダ２２では限られたスペースに十分に導電端子は配置されることができる。
【００５２】
以上のような浮上ヘッドスライダ２２では、例えば図１２に示されるように、いわゆるＤＣオフセットの調整に基づきＣＰＰ構造読み取り素子４７および薄膜磁気ヘッド素子４８の突出量が個別に調整されてもよい。制御回路７８ではオフセット分の直流電圧に交流電圧が重畳されればよい。この場合には、デューティー比は１対１に設定されてもよく任意の比率で設定されてもよい。
【００５３】
その他、例えば図１３に示されるように、制御回路７８から出力される交流電圧では一定の周期Ｔ／２内で電圧の印加時間が調整されてもよい。印加電圧の振幅は一定に維持されればよい。こういった矩形波の生成にあたって、例えば図１４に示されるように、２つのパルス幅変調（ＰＷＭ）信号発生回路８１ａ、８１ｂが利用されればよい。個々のＰＷＭ信号発生回路８１ａ、８１ｂにはデューティー指示信号および所定のクロック信号が供給される。デューティー指示信号でパルス幅は特定される。ＰＷＭ信号発生回路８１ａ、８１ｂは指定のパルス幅でパルス信号を出力する。パルス信号は電力増幅回路８２ａ、８２ｂで増幅される。ダイオード８３の働きで一方のＰＷＭ信号発生回路８１ａのパルス信号は一方の出力端子８４に供給される。同様に、ダイオード８５の働きで他方のＰＷＭ信号発生回路８１ｂのパルス信号は他方の出力端子８６に供給される。こうして一定の周期Ｔ／２内で電圧の印加時間は調整される。
【００５４】
なお、以上のようなハードディスク駆動装置１１では、前述のように、第１および第２アクチュエータの時定数よりも十分に短い周期の高周波で制御回路７８から交流電圧が出力されることが望まれる。こういった高周波の交流電圧によれば、第１および第２アクチュエータの変位が交流電圧の波形に追随することは回避されることができる。反対に、第１および第２アクチュエータに低周波の交流電圧が印加されると、第１および第２アクチュエータの動きは交流電圧の波形に追随する。すなわち、第１および第２アクチュエータは波形の動きに応じて振動してしまう。
【００５５】
ここで、ダイオード７５、７７の製造方法を簡単に説明する。図１５に示されるように、最初にｎ形Ｓｉ膜８７が用意される。ｎ形Ｓｉ膜８７は例えば任意の基板上に形成されればよい。ｎ型Ｓｉ膜８７の形成にあたって例えばＳｉ結晶に少量のリン（Ｐ）が加えられればよい。ｎ型Ｓｉ膜８７の表面には酸化膜８８が形成される。酸化膜８８の形成にあたっていわゆる熱酸化法が用いられればよい。続いて酸化膜（ＳｉＯ２膜）８８の表面にはフォトレジスト８９が塗布される。
【００５６】
図１６に示されるように、フォトレジスト８９は感光される。感光にあたってフォトレジスト８９に紫外線が照射される。このとき、特定領域ではフォトマスク９１の働きで紫外線の照射が遮られる。こうしてフォトレジスト８９は部分的に感光される。
【００５７】
その後、図１７に示されるように、未感光のフォトレジスト８９は除去される。除去にあたって所定の現像液が用いられる。感光されたフォトレジスト８９は酸化膜８８上に残存する。続いて酸化膜８８はエッチング液に曝される。エッチング液には例えばフッ化水素酸水溶液が用いられればよい。こうしてフォトレジスト８９以外の領域で酸化膜８８は除去される。フォトレジスト８７の合間でｎ型Ｓｉ膜８７は露出する。
【００５８】
図１８に示されるように、ｎ型Ｓｉ膜８７にホウ素（Ｂ）の熱拡散が施される。熱拡散に応じてｎ型Ｓｉ膜８７はｐ型半導体９１に変化する。こうしてｐｎ接合が確立される。その後、図１９に示されるように、全面にアルミニウム９２が蒸着される。蒸着にあたって例えばスパッタリングが用いられる。アルミニウム９２の表面には再びフォトレジスト９３が塗布される。図２０に示されるように、フォトレジスト９３は紫外線に曝される。特定領域ではフォトマスク９４の働きで紫外線の照射が遮られる。フォトレジスト９３は部分的に感光される。
【００５９】
その後、図２１に示されるように、未感光のフォトレジスト９３は除去される。除去にあたって所定の現像液が用いられる。感光されたフォトレジスト９３はアルミニウム９２上に残存する。続いてアルミニウム９２はエッチング液に曝される。エッチング液には例えばリン酸系水溶液が用いられればよい。図２２に示されるように、ｐ型半導体９１上にアルミニウム９２が残存する。アルミニウム９２は電極として機能する。こういったダイオード７５、７７が前述の浮上ヘッドスライダ２２上に貼り付けられればよい。
【００６０】
その他、Ｓｉ膜８７は直接に浮上ヘッドスライダ２２上に形成されてもよい。こうしたＳｉ膜８７の形成にあたっていわゆるＣＶＤ（化学気相成長法）が用いられればよい。ＣＶＤに基づきＳｉ膜８７は浮上ヘッドスライダ２２上でエピタキシャル成長する。その後、Ｓｉ膜８７にホウ素（Ｂ）が注入されればよい。注入にあたって例えばイオン注入法が用いられればよい。その後、前述と同様に、アルミニウムの電極が形成されればよい。こうして第１および第２ダイオード７５、７７は浮上ヘッドスライダ２２上に作り込まれることができる。
【００６１】
図２３は本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２ａを示す。この浮上ヘッドスライダ２２ａではスライダ本体３１とフレキシャ９６との間に圧電アクチュエータ９７が挟み込まれる。圧電アクチュエータ９７は第２アクチュエータとして機能する。ここでは、前述の第１電熱線６５およびＡｌ２Ｏ３膜５１または第２電熱線６６および非磁性層６１は第１アクチュエータを構成する。
【００６２】
圧電アクチュエータ９７は、圧電セラミック薄板９８の積層体から構成される圧電素子９９を備える。圧電セラミック薄板９８は、スライダ本体３１の表面に平行に順番に重ね合わせられる。圧電セラミック薄板９８は例えばＰＮＮ−ＰＴ−ＰＺといった圧電材料から構成されればよい。
【００６３】
圧電セラミック薄板９８同士の間には第１電極層１０１および第２電極層１０２が交互に挟み込まれる。積層体の一端には第１取り出し電極層１０３が接合される。全ての第１電極層１０１は第１取り出し電極層１０３に接続される。同様に、積層体の他端には第２取り出し電極層１０４が接合される。全ての第２電極層１０２は第２取り出し電極層１０４に接続される。第１および第２電極層１０１、１０２や第１および第２取り出し電極層１０３、１０４は例えばＰｔといった導電性金属材料から構成されればよい。
【００６４】
例えば第１および第２取り出し電極層１０３、１０４に駆動電圧が供給されると、第１電極層１０１および第２電極層１０２の間に電位差が生み出される。個々の圧電セラミック薄板９８では、第１および第２電極層１０１、１０２の間に確立される電圧の向きに応じて分極が引き起こされる。同時に、この分極方向に電圧は印加される。その結果、圧電素子９９は気流の向きに沿って前後方向に収縮する。スライダ本体３１は反り返る。浮上面３４の曲率は増大する。こうして浮上ヘッドスライダ２２ａの浮上量は増大することができる。
【００６５】
こういった圧電素子９９の製造にあたって例えばＰＮＮ−ＰＴ−ＰＺのグリーンシートは利用される。個々のグリーンシート上には第１および第２電極層１０１、１０２が形成される。形成にあたって例えばスクリーン印刷が用いられればよい。第１および第２電極層１０１、１０２の素材には例えばＰｔといった導電材料が用いられればよい。グリーンシートは順番に積層された後に大気中で焼成される。グリーンシートは例えば１０５０℃程度の高温に曝される。焼成後、第１および第２取り出し電極１０３、１０４が形成される。その他、圧電アクチュエータ９７はＰＮＮ−ＰＴ−ＰＺペーストやＰｔペーストの印刷法に基づき形成されてもよい。この場合には、圧電セラミック薄板９８や第１および第２電極１０１、１０２はスライダ本体３１の表面に直接に形成されていく。
【００６６】
図２４に示されるように、素子内蔵膜３２上には、前述の信号用導電端子６７、６８に加えて第１および第２導電端子１０５、１０６が配置される。第１導電端子１０５は第１配線１０７で第２導電端子１０６に接続される。第１配線１０７内に例えば第１電熱線６５または第２電熱線６６が挿入される。第１配線１０７には同時にキャパシタ１０８が挿入される。キャパシタ１０８は第１または第２電熱線６５、６６に直列に接続される。同様に、第２導電端子１０６は第２配線１０９で第１導電端子１０５に接続される。第２配線１０９は第１配線１０７に並列に延びる。第２配線１０９内に前述の圧電アクチュエータ９７が挿入される。圧電アクチュエータ９７の接続にあたって第１および第２取り出し電極１０３、１０４はボンディングワイヤ１１１、１１２で素子内蔵膜３２上の第２配線１０９に接続されればよい。第２配線１０９には同時に電気抵抗要素１１３が挿入される。電気抵抗要素１１３は圧電アクチュエータ９７に直列に接続される。電気抵抗要素１１３は所定の電気抵抗を発揮する。第１および第２導電端子１０５、１０６は素子内蔵膜３２の表面で露出する。
【００６７】
第１および第２導電端子１０５、１０６はフレキシブルプリント基板２９上の配線パターン（図示されず）に接続される。接続にあたって例えば金ボールといった接続端子が用いられる。図２５に示されるように、こうして第１および第２導電端子１０５、１０６には制御回路１１４が接続される。ここでは、フレキシブルプリント基板２９上の配線パターンは第１配線１０７とともに本発明に係る第１配線を構成する。同様に、ボンディングワイヤ１１１、１１２は第２配線１０９とともに本発明に係る第２配線を構成する。第１および第２導電端子１０５、１０６は本発明に係る第１および第２分岐点として機能する。キャパシタ１０８の静電容量は第１または第２電熱線６５、６６の電気抵抗と協働して第１フィルタ回路を構築する。電気抵抗要素１１３の電気抵抗は圧電アクチュエータ９７の静電容量と協働して第２フィルタ回路を構築する。その他、前述の第１実施形態と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００６８】
いま、制御回路１１４からフレキシブルプリント基板２９上の配線パターンに交流電圧が印加される場面を想定する。このとき、第１アクチュエータの駆動特性は前述と同様に次式の伝達関数で特定される。
【００６９】
【数２】
2008084412.tif 000004
【００７０】
例えば駆動ゲインα＝１００［ｎｍ／Ｗ］が設定され、時定数τ＝１．０［ｍｓ］が設定されると、図２６に示されるように、第１アクチュエータではゲイン特性および位相特性が確立される。加えて、第２アクチュエータすなわち圧電アクチュエータ９７の駆動特性は次式の伝達関数で特定される。
【００７１】
【数３】
2008084412.tif 000005
【００７２】
ここで、Ｘは圧電アクチュエータ９７の駆動量［ｎｍ］を示す。Ｖは圧電アクチュエータ９７に加えられる印加電圧［Ｖ］を示す。βは駆動ゲイン［ｎｍ／Ｖ］を示す。ωは共振周波数[ｒａｄ／ｓ]を示す。ζは減衰率を示す。例えば駆動ゲインβ＝１００［ｎｍ／Ｖ］が設定され、共振周波数ω＝６２．８ｘ１０３［ｒａｄ／ｓ］（＝１０ｋＨｚ）が設定され、減衰率ζ＝０．１が設定されると、図２７に示されるように、圧電アクチュエータ９７ではゲイン特性および位相特性が確立される。
【００７３】
ここでは、電熱線６５、６６の電気抵抗は１００［Ω］に設定され、キャパシタ１０８の静電容量は１６［ｎＦ］に設定され、電気抵抗要素１１３の電気抵抗は１６［ｋΩ］に設定され、圧電アクチュエータ９７の静電容量は１．０［ｎＦ］に設定されると仮定する。例えば図２８に示されるように、第１フィルタ回路ではゲイン特性および位相特性が確立される。その結果、第１フィルタ回路では１００［ｋＨｚ］以下の周波数成分は除去される。いわゆるハイパスフィルタが確立される。同様に、図２９に示されるように、第２フィルタ回路ではゲイン特性および位相特性が確立される。その結果、第２フィルタ回路では１０［ｋＨｚ］以上の周波数成分は除去される。いわゆるローパスフィルタが確立される。
【００７４】
図３０（ａ）に示されるように、交流電圧には高周波信号および低周波信号の重畳信号が利用される。高周波信号では１．０［ＭＨｚ］の周波数および±５［Ｖ］の振幅が設定される。低周波信号では１［ｋＨｚ］の周波数および±５［Ｖ］の振幅が設定される。ここでは、高周波信号は第１フィルタ回路を通過する。低周波信号は第１フィルタ回路で遮られる。したがって、図３０（ｂ）に示されるように、電熱線６５、６６には高周波信号のみが作用する。その一方で、低周波信号は第２フィルタ回路を通過する。高周波信号は第２フィルタ回路で遮られる。したがって、図３０（ｃ）に示されるように、圧電アクチュエータ９７には低周波信号のみが作用する。こうして第１アクチュエータは高周波信号に基づき制御される。第２アクチュエータすなわち圧電アクチュエータ９７は低周波信号に基づき制御される。第１アクチュエータの抵抗に１００［Ω］が設定されると、図３０（ｄ）に示されるように、第１アクチュエータの消費電力は特定される。その結果、図３１に示されるように、第１アクチュエータの駆動量は特定される。例えば図３２に示されるように、圧電アクチュエータ９７の駆動量は電圧値に基づき特定される。浮上中の浮上ヘッドスライダ２２ａでは、ＣＰＰ構造読み取り素子４７または薄膜磁気ヘッド素子４８で任意の突出量が実現されると同時に、スライダ本体３１の反りは実現される。こうして第１および第２アクチュエータは個別に制御される。
【００７５】
図３３は本発明の第３実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２ｂを示す。この浮上ヘッドスライダ２２ｂではスライダ本体３１とフレキシャ９６との間に第１および第２圧電アクチュエータ９７ａ、９７ｂが挟み込まれる。第１圧電アクチュエータ９７ａは第２アクチュエータとして機能する。第２圧電アクチュエータ９７ｂは第３アクチュエータとして機能する。ここでは、前述の第１電熱線６５およびＡｌ２Ｏ３膜５１または第２電熱線６６および非磁性層６１は第１アクチュエータを構成する。個々の圧電アクチュエータ９７ａ、９７ｂは前述の圧電アクチュエータ９７と同様に構成されればよい。
【００７６】
例えば第１圧電アクチュエータ９７ａに駆動電圧が供給されると、第１圧電アクチュエータ９７ａは気流の向きに沿って前後方向に収縮する。同様に、第２圧電アクチュエータ９７ｂに駆動電圧が供給されると、第２圧電アクチュエータ９７ｂは気流の向きに沿って前後方向に収縮する。こうしてスライダ本体３１では局所的に反り返りが確立される。局所的に浮上面３４の曲率は増大する。浮上ヘッドスライダ２２ａの浮上量が調整されるだけでなく、スライダ本体３１のロール角は調整されることができる。
【００７７】
図３４に示されるように、素子内蔵膜３２上には、前述の信号用導電端子６７、６８に加えて第１および第２導電端子１１５、１１６が配置される。第１および第２導電端子１１５、１１６は素子内蔵膜３２の表面で露出する。第１導電端子１１５は第１配線１１７で第２導電端子１１６に接続される。第１配線１１７内に例えば第１電熱線６５または第２電熱線６６が挿入される。第１配線１１７には同時にキャパシタ１１８が挿入される。キャパシタ１１８は第１または第２電熱線６５、６６に直列に接続される。
【００７８】
同様に、第１導電端子１１５は第２配線１１９で第２導電端子１１６に接続される。第２配線１１９は第１配線１１７に並列に延びる。第２配線１１９内に前述の第１圧電アクチュエータ９７ａが挿入される。第１圧電アクチュエータ９７ａの接続にあたって第１および第２取り出し電極１０３、１０４はボンディングワイヤ１２１、１２２で素子内蔵膜３２上の第２配線１１９に接続されればよい。第２配線１１９には同時に第１電気抵抗要素１２３が挿入される。第１電気抵抗要素１２３は第１圧電アクチュエータ９７ａに直列に接続される。第１電気抵抗要素１２３は所定の電気抵抗を発揮する。
【００７９】
同様に、第１導電端子１１５は第３配線１２４で第２導電端子１１６に接続される。第３配線１２４は第１および第２配線１１７、１１９に並列に延びる。第３配線１２４内に前述の第２圧電アクチュエータ９７ｂが挿入される。第２圧電アクチュエータ９７ｂの接続にあたって第１および第２取り出し電極１０３、１０４はボンディングワイヤ１２５、１２６で素子内蔵膜３２上の第３配線１２４に接続されればよい。第３配線１２４には同時に第２および第３電気抵抗要素１２７、１２８が挿入される。第２電気抵抗要素１２７は第２圧電アクチュエータ９７ｂに直列に接続される。第３電気抵抗要素１２８は、第２圧電アクチュエータ９７ｂおよび第２電気抵抗要素１２７に並列に接続される。第２および第３電気抵抗要素１２７、１２８はそれぞれ所定の電気抵抗を発揮する。同時に、第３配線１２４にはキャパシタ１２９が挿入される。キャパシタ１２９は第２圧電アクチュエータ９７ｂ並びに第２および第３電気抵抗要素１２７、１２８に直列に接続される。
【００８０】
第１および第２導電端子１１５、１１６はフレキシブルプリント基板２９上の配線パターン（図示されず）に接続される。接続にあたって例えば金ボールといった接続端子が用いられる。図３５に示されるように、こうして第１および第２導電端子１１５、１１６には制御回路１３１が接続される。ここでは、フレキシブルプリント基板２９上の配線パターンは第１配線１１７とともに本発明に係る第１配線を構成する。同様に、ボンディングワイヤ１２１、１２２は第２配線１１９とともに本発明に係る第２配線を構成する。ボンディングワイヤ１２５、１２６は第３配線１２４とともに本発明に係る第３配線を構成する。第１および第２導電端子１１５、１１６は本発明に係る第１および第２分岐点として機能する。キャパシタ１１８の静電容量は第１または第２電熱線６５、６６の電気抵抗と協働して第１フィルタ回路を構築する。第１電気抵抗要素１２３の電気抵抗は第１圧電アクチュエータ９７ａの静電容量と協働して第２フィルタ回路を構築する。キャパシタ１２９は第２圧電アクチュエータ９７ｂの静電容量並びに第２および第３電気抵抗要素１２７、１２８の電気抵抗と協働して第３フィルタ回路を構築する。その他、前述の第１実施形態と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００８１】
いま、制御回路１３１からフレキシブルプリント基板２９上の配線パターンに交流電圧が印加される場面を想定する。このとき、第１アクチュエータの駆動特性は前述と同様に次式の伝達関数で特定される。
【００８２】
【数４】
2008084412.tif 000006
【００８３】
例えば駆動ゲインα＝１００［ｎｍ／Ｗ］が設定され、時定数τ＝１．０［ｍｓ］が設定されると、図３６に示されるように、第１アクチュエータではゲイン特性および位相特性が確立される。加えて、第２および第３アクチュエータすなわち第１および第２圧電アクチュエータ９７ａ、９７ｂの駆動特性は前述と同様に次式の伝達関数で特定される。
【００８４】
【数５】
2008084412.tif 000007
【００８５】
例えば駆動ゲインβ＝１０［ｎｍ／Ｖ］が設定され、共振周波数ω＝６．２８ｘ１０３［ｒａｄ／ｓ］（＝１．０ｋＨｚ）が設定され、減衰率ζ＝０．５が設定されると、図３７に示されるように、第１圧電アクチュエータ９７ａではゲイン特性および位相特性が確立される。同様に、例えば駆動ゲインβ＝１０［ｎｍ／Ｖ］が設定され、共振周波数ω＝３．１４ｘ１０５［ｒａｄ／ｓ］（＝５０ｋＨｚ）が設定され、減衰率ζ＝０．１が設定されると、図３８に示されるように、第２圧電アクチュエータ９７ｂではゲイン特性および位相特性が確立される。
【００８６】
ここでは、電熱線６５、６６の電気抵抗は１００［Ω］に設定され、キャパシタ１１８の静電容量は１６［ｎＦ］に設定され、第１および第２圧電アクチュエータ９７ａ、９７ｂの静電容量はそれぞれ１０［ｎＦ］および１．０［ｎＦ］に設定され、第１〜第３電気抵抗要素１２３、１２７、１２８の電気抵抗はそれぞれ１６０［ｋΩ］、１．６［ｋΩ］および１６０［ｋΩ］に設定されると仮定する。例えば図３９に示されるように、第１フィルタ回路ではゲイン特性および位相特性が確立される。その結果、第１フィルタ回路では１００［ｋＨｚ］以下の周波数成分は除去される。いわゆるハイパスフィルタが確立される。同様に、図４０に示されるように、第２フィルタ回路ではゲイン特性および位相特性が確立される。その結果、第２フィルタ回路では１００［Ｈｚ］以上の周波数成分は除去される。いわゆるローパスフィルタが確立される。同時に、図４１に示されるように、第３フィルタ回路ではゲイン特性および位相特性が確立される。その結果、第３フィルタ回路では１［ｋＨｚ］以下の周波数成分および１００［ｋＨｚ］以上の周波数成分は除去される。いわゆるバンドパスフィルタが確立される。
【００８７】
図４２（ａ）に示されるように、交流電圧には高周波信号および低周波信号並びに中間周波数信号の重畳信号が利用される。高周波信号では１［ＭＨｚ］の周波数および±５［Ｖ］の振幅が設定される。低周波信号では５０［Ｈｚ］の周波数および±２［Ｖ］の振幅が設定される。同様に、中間周波数信号では３［ｋＨｚ］の周波数および±２［Ｖ］の振幅が設定される。ここでは、高周波信号は第１フィルタ回路を通過する。低周波信号および中間周波数信号は第１フィルタ回路で遮られる。したがって、図４２（ｂ）に示されるように、電熱線６５、６６には高周波信号のみが作用する。その一方で、低周波信号は第２フィルタ回路を通過する。高周波信号および中間周波数信号は第２フィルタ回路で遮られる。したがって、図４２（ｃ）に示されるように、第１圧電アクチュエータ９７ａには低周波信号のみが作用する。中間周波数信号は第３フィルタ回路を通過する。高周波信号および低周波信号は第３フィルタ回路で遮られる。したがって、図４２（ｄ）に示されるように、第２圧電アクチュエータ９７ｂには中間周波数信号のみが作用する。こうして第１アクチュエータは高周波信号に基づき制御される。第２アクチュエータすなわち第１圧電アクチュエータ９７ａは低周波信号に基づき制御される。第３アクチュエータすなわち第２圧電アクチュエータ９７ｂは中間周波数信号に基づき制御される。第１アクチュエータの抵抗に１０［Ω］が設定されると、図４２（ｅ）に示されるように、第１アクチュエータの消費電力は特定される。その結果、図４３に示されるように、第１アクチュエータの駆動量は特定される。例えば図４４および図４５に示されるように、第１圧電アクチュエータ９７ａおよび第２圧電アクチュエータ９７ｂの駆動量は電圧値に基づき特定される。浮上中の浮上ヘッドスライダ２２ｂでは、ＣＰＰ構造読み取り素子４７または薄膜磁気ヘッド素子４８で任意の突出量が実現されると同時に、スライダ本体３１の反りは局所的に実現される。こうして第１〜第３アクチュエータは個別に制御される。
【００８８】
ここで、キャパシタ１０８、１１８の製造方法を簡単に説明する。こういったキャパシタ１０８、１１８はスライダ本体３１上に直接に形成されることができる。例えば図４６に示されるように、予めＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣの基板１３２上にＡｌ２Ｏ３膜１３３が形成される。Ａｌ２Ｏ３膜１３３の表面にはアルミニウム膜１３４が形成される。形成にあたって例えば高周波スパッタリングが用いられればよい。
【００８９】
その後、図４７に示されるように、アルミニウム膜１３４は所定の形状に加工される。こういった加工にあたって前述と同様にフォトレジストが用いられればよい。形状の加工後、アルミニウム膜１３４上には再びＡｌ２Ｏ３膜１３５が形成される。形成には例えばスパッタリングが用いられればよい。図４８に示されるように、アルミニウム膜１３４およびＡｌ２Ｏ３膜１３５の形成は繰り返される。こうしてキャパシタ１０８、１１８は確立される。キャパシタ１０８、１１８の静電容量はアルミニウム膜１３４の面積に比例しアルミニウム膜１３４同士の間隔に反比例する。その他、Ａｌ２Ｏ３に代えて誘電率の高い物質が利用されれば、静電容量は高められることができる。
【００９０】
なお、以上の実施形態で利用されるフィルタ回路は前述の形態に限定されるものではない。フィルタ回路の構築にあたって適宜に電気抵抗やキャパシタ、コイルその他の電気素子が組み合わせられればよい。こういった場合には、通過帯域の設定にあたって個々の電気素子の電気抵抗値や静電容量値が調整されればよい。
【００９１】
加えて、以上の実施形態で利用されるアクチュエータは前述の形態に限定されるものではない。アクチュエータには静電アクチュエータや電磁アクチュエータが利用されてもよい。静電アクチュエータは電気回路中でキャパシタとして機能することができる。同様に、電磁アクチュエータは電気回路中でコイルとして機能することができる。
【００９２】
その他、本発明はいわゆるトラッキング制御用のアクチュエータに適用されてもよい。こういったアクチュエータは例えば磁気ディスク１４の半径方向に微小振幅で電磁変換素子３３を変位させることができる。こうした微小変位の働きで電磁変換素子３３は正確に磁気ディスク１４上の記録トラックを追従し続けることができる。加えて、ヘッドスライダには前述の浮上ヘッドスライダ２２に代えて接触摺動のヘッドスライダが用いられてもよい。
【００９３】
（付記１）  ヘッドスライダと、ヘッドスライダに搭載されるヘッド素子と、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、電気信号を出力する制御回路と、制御回路に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１アクチュエータに並列に第１配線に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第１および第２分岐点の間で第１配線に挿入されて、第１方向に電流の向きを規定する第１整流素子と、第２配線に挿入されて、第１方向に反対向きの第２方向に電流の向きを規定する第２整流素子とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００９４】
（付記２）  付記１に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第１配線には、制御回路および第１分岐点の間に配置されて、ヘッドスライダ上で露出する第１導電端子と、第２分岐点および制御回路の間に配置されて、ヘッドスライダ上で露出する第２導電端子とが挿入されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００９５】
（付記３）  付記１に記載の記憶媒体駆動装置において、前記制御回路は前記第１配線に交流電圧を印加することを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００９６】
（付記４）  付記１に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第１および第２アクチュエータは、前記ヘッド素子に隣接して配置され、任意の熱膨張係数を有する非磁性層と、非磁性層に埋め込まれて、前記第１および第２配線から電流の供給を受ける電気抵抗要素とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００９７】
（付記５）  スライダ本体と、スライダ本体に搭載されるヘッド素子と、スライダ本体に搭載されて、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、スライダ本体上に設置される第１および第２導電端子と、第１および第２導電端子に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１配線に挿入されて、第１導電端子から第２導電端子に向かって電流の向きを規定する第１整流素子と、第１および第２導電端子に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第２配線に挿入されて、第２導電端子から第１導電端子に向かって電流の向きを規定する第２整流素子とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００９８】
（付記６）  ヘッドスライダと、ヘッドスライダに搭載されるヘッド素子と、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、電気信号を出力する制御回路と、制御回路に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１アクチュエータに並列に第１配線に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第１および第２分岐点の間で第１配線内に構築されて、第１周波数帯域で信号を通過させる第１フィルタ回路と、第２配線内に構築されて、第１周波数帯域から異なる第２周波数帯域で信号を通過させる第２フィルタ回路とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００９９】
（付記７）  付記６に記載の記憶媒体駆動装置において、前記制御回路は、前記第１配線に前記第１周波数帯域の信号および前記第２周波数帯域の信号の重畳信号を印加することを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１００】
（付記８）  付記６に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第１および第２フィルタ回路は電気抵抗要素、キャパシタおよびコイルのいずれかと組み合わせられて構成されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１０１】
（付記９）  付記６に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第１配線内で前記第１アクチュエータに直列に接続され、第１アクチュエータの電気抵抗と協働して前記第１フィルタ回路を構築するキャパシタをさらに備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１０２】
（付記１０）  付記９に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第１アクチュエータは、前記ヘッド素子に隣接して配置され、任意の熱膨張係数を有する非磁性層と、非磁性層に埋め込まれて、前記第１および第２配線から電流の供給を受ける電気抵抗要素とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１０３】
（付記１１）  付記６に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第２配線内で前記第２アクチュエータに直列に接続され、第２アクチュエータの静電容量と協働して前記第２フィルタ回路を構築する電気抵抗要素をさらに備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１０４】
（付記１２）  付記１１に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第２アクチュエータは、電極同士の間に圧電材料を挟み込む圧電素子を備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１０５】
（付記１３）  付記６に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１および第２アクチュエータに並列に第１配線に第３アクチュエータを接続する第３配線と、第３配線内に構築されて、前記第１および第２周波数帯域から異なる第３周波数帯域で信号を通過させる第３フィルタ回路とをさらに備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１０６】
（付記１４）  付記１３に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第３フィルタ回路は電気抵抗要素、キャパシタおよびコイルのいずれかと組み合わせられて構成されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１０７】
（付記１５）  付記１３に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第３配線内で前記第３アクチュエータに直列に接続される第１電気抵抗要素と、前記第３配線内で第３アクチュエータおよび第１電気抵抗要素に並列に接続される第２電気抵抗要素と、前記第３配線内で第３アクチュエータ並びに第１および第２電気抵抗要素に直列に接続されて、第３アクチュエータの静電容量並びに第１および第２電気抵抗要素の電気抵抗と協働で前記第３フィルタ回路を構築するキャパシタとをさらに備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１０８】
（付記１６）  付記１５に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第３アクチュエータは、電極同士の間に圧電材料を挟み込む圧電素子を備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【０１０９】
（付記１７）  スライダ本体と、スライダ本体に搭載されるヘッド素子と、スライダ本体に搭載されて、ヘッド素子の変位を生み出す駆動力を発揮する第１および第２アクチュエータと、スライダ本体上に設置される１対の導電端子と、導電端子に第１アクチュエータを接続する第１配線と、第１および第２分岐点で第１配線に接続され、第１アクチュエータに並列に第１配線に第２アクチュエータを接続する第２配線と、第１および第２分岐点の間で第１配線内に構築されて、第１周波数帯域で信号を通過させる第１フィルタ回路と、第２配線内に構築されて、第１周波数帯域から異なる第２周波数帯域で信号を通過させる第２フィルタ回路とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一具体例に係るハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスライダの拡大斜視図である。
【図３】媒体対向面すなわち空気軸受け面で観察される電磁変換素子の拡大正面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図である。
【図５】第１および第２アクチュエータの動作を概略的に示す部分断面図である。
【図６】浮上ヘッドスライダの空気流出側端面すなわち素子内蔵膜の表面を概略的に示す拡大斜視図である。
【図７】第１および第２アクチュエータの制御系を概略的に示すブロック図である。
【図８】第１および第２アクチュエータのゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図９】第１および第２アクチュエータの制御の仕組みを概略的に示すグラフ群である。
【図１０】第１アクチュエータの駆動量を示すグラフである。
【図１１】第２アクチュエータの駆動量を示すグラフである。
【図１２】ＤＣオフセットに基づき第１および第２アクチュエータの制御の仕組みを概略的に示すグラフ群である。
【図１３】他の具体例に係る矩形波を概略的に示す波形図である。
【図１４】矩形波を生成する回路を概略的に示すブロック図である。
【図１５】ダイオードの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図１６】ダイオードの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図１７】ダイオードの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図１８】ダイオードの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図１９】ダイオードの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図２０】ダイオードの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図２１】ダイオードの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図２２】ダイオードの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図２３】本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドスライダの拡大斜視図である。
【図２４】浮上ヘッドスライダの空気流出側端面すなわち素子内蔵膜の表面を概略的に示す拡大斜視図である。
【図２５】第１および第２アクチュエータの制御系を概略的に示すブロック図である。
【図２６】第１アクチュエータのゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図２７】第２アクチュエータすなわち圧電アクチュエータのゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図２８】第１フィルタ回路のゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図２９】第２フィルタ回路のゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図３０】第１および第２アクチュエータの制御の仕組みを概略的に示すグラフ群である。
【図３１】第１アクチュエータの駆動量を示すグラフである。
【図３２】第２アクチュエータの駆動量を示すグラフである。
【図３３】本発明の第３実施形態に係る浮上ヘッドスライダの拡大斜視図である。
【図３４】浮上ヘッドスライダの空気流出側端面すなわち素子内蔵膜の表面を概略的に示す拡大斜視図である。
【図３５】第１、第２および第３アクチュエータの制御系を概略的に示すブロック図である。
【図３６】第１アクチュエータのゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図３７】第２アクチュエータのゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図３８】第３アクチュエータのゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図３９】第１フィルタ回路のゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図４０】第２フィルタ回路のゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図４１】第３フィルタ回路のゲイン特性および位相特性を示すグラフである。
【図４２】第１および第２アクチュエータの制御の仕組みを概略的に示すグラフ群である。
【図４３】第１アクチュエータの駆動量を示すグラフである。
【図４４】第２アクチュエータの駆動量を示すグラフである。
【図４５】第３アクチュエータの駆動量を示すグラフである。
【図４６】キャパシタの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図４７】キャパシタの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【図４８】キャパシタの製造方法を概略的に示す垂直断面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１１  記憶媒体駆動装置、２２  ヘッドスライダ、２２ａ  ヘッドスライダ、２２ｂ  ヘッドスライダ、３１  スライダ本体、３３  ヘッド素子、５１  非磁性層、６１非磁性層、６５  第１アクチュエータの電気抵抗要素（第１電熱線）、６６  第２アクチュエータの電気抵抗要素（第２電熱線）、７８  制御回路、７４  第１配線の一部、７５  第１整流素子（第１ダイオード）、７６  第２配線、７７  第２整流素子（第２ダイオード）、７２  第１導電端子（第１分岐点）、７３  第２導電端子（第２分岐点）、９７  第２アクチュエータ（圧電アクチュエータ）、９７ａ  第２アクチュエータ（第１圧電アクチュエータ）、９７ｂ  第３アクチュエータ（第２圧電アクチュエータ）、９８  圧電材料（圧電セラミック薄板）、９９  圧電素子、１０１  電極、１０２  電極、１０５  第１分岐点（第１導電端子）、１０６  第２分岐点（第２導電端子）、１０７  第１配線の一部、１０８  第１フィルタ回路を確立するキャパシタ、１０９  第２配線、１１３  第２フィルタ回路を確立する電気抵抗要素、１１４  制御回路、１１５  第１分岐点（第１導電端子）、１１６  第２分岐点（第２導電端子）、１１７  第１配線の一部、１１９  第２配線、１２３  第２フィルタ回路を確立する電気抵抗要素、１２４  第３配線、１２７  第１電気抵抗要素、１２８  第２電気抵抗要素、１２９  第３フィルタ回路を確立するキャパシタ、１３１  制御回路。
【図１】
2008084412.tif 000008
【図２】
2008084412.tif 000009
【図３】
2008084412.tif 000010
【図４】
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【図５】
2008084412.tif 000012
【図６】
2008084412.tif 000013
【図７】
2008084412.tif 000014
【図８】
2008084412.tif 000015
【図９】
2008084412.tif 000016
【図１０】
2008084412.tif 000017
【図１１】
2008084412.tif 000018
【図１２】
2008084412.tif 000019
【図１３】
2008084412.tif 000020
【図１４】
2008084412.tif 000021
【図１５】
2008084412.tif 000022
【図１６】
2008084412.tif 000023
【図１７】
2008084412.tif 000024
【図１８】
2008084412.tif 000025
【図１９】
2008084412.tif 000026
【図２０】
2008084412.tif 000027
【図２１】
2008084412.tif 000028
【図２２】
2008084412.tif 000029
【図２３】
2008084412.tif 000030
【図２４】
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【図２５】
2008084412.tif 000032
【図２６】
2008084412.tif 000033
【図２７】
2008084412.tif 000034
【図２８】
2008084412.tif 000035
【図２９】
2008084412.tif 000036
【図３０】
2008084412.tif 000037
【図３１】
2008084412.tif 000038
【図３２】
2008084412.tif 000039
【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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