(57)【要約】【課題】半導体基板が反っていても、フラックスを安定して半導体基板に転写することができるフラックス転写装置を提供する。【解決手段】本発明に係るフラックス転写装置は、複数の転写ピン３６を有し、該複数の転写ピン３６を用いて、複数の半導体チップが形成された半導体基板１の第１のエリアにフラックス２０を転写する第１の転写ピン保持部３５と、複数の転写ピン３６を有し、該複数の転写ピン３６を用いて、半導体基板１の第２のエリアにフラックス２０を転写する第２の転写ピン保持部３５と、第１の転写ピン保持部３５を上下させる第１の上下動部３３と、第２の転写ピン保持部３５の上下させる第２の上下動部３３と、第１及び第２の上下動部３３を互いに独立して制御する制御部４１とを具備する。【選択図】図１
2008159649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の転写ピンを有し、該複数の第１の転写ピンを用いて、複数の半導体チップが形成された半導体基板の第１のエリアにフラックスを転写する第１の転写ピン保持部と、
複数の第２の転写ピンを有し、該複数の第２の転写ピンを用いて、前記半導体基板の第２のエリアにフラックスを転写する第２の転写ピン保持部と、
前記第１の転写ピン保持部を上下させる第１の上下動部と、
前記第２の転写ピン保持部の上下させる第２の上下動部と、
前記第１の上下動部及び前記第２の上下動部を互いに独立して制御する制御部と、
を具備するフラックス転写装置。
【請求項２】
フラックス転写時に前記第１の転写ピン保持部が待機高さから降下すべき量を示す第１の降下量データ、及びフラックス転写時に前記第２の転写ピン保持部が待機高さから降下すべき量を示す第２の降下量データを保持するデータ保持部を具備し、
フラックス転写時に、前記制御部は、前記第１の転写ピン保持部の降下量が前記第１の降下量データが示す量になるまで前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ、前記第２の転写ピン保持部の降下量が前記第２の降下量データが示す量になるまで前記第２の転写ピン保持部を降下させる請求項１に記載のフラックス転写装置。
【請求項３】
前記第１の転写ピン保持部の待機高さから前記第１のエリアまでの距離である第１の距離、及び前記第２の転写ピン保持部の待機高さから前記第２のエリアまでの距離である第２の距離を検出する距離検出部と、
を具備し、
フラックス転写時に、前記制御部は、前記第１の転写ピン保持部の降下量が前記第１の距離になるまで前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ、前記第２の転写ピン保持部の降下量が前記第２の距離になるまで前記第２の転写ピン保持部を降下させる請求項１に記載のフラックス転写装置。
【請求項４】
半導体基板に対する前記第１の転写ピン保持部の押付力を検出する第１の圧力検出部と、
半導体基板に対する前記第２の転写ピン保持部の押付力を検出する第２の圧力検出部と、
を具備し、
フラックス転写時に、前記制御部は、前記第１の圧力検出部による検出値が第１の圧力になるまで前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ、前記第２の圧力検出部による検出値が第２の圧力になるまで前記第２の転写ピン保持部を降下させる請求項１に記載のフラックス転写装置。
【請求項５】
半導体基板に対する前記第１の転写ピン保持部の押付力を検出する第１の圧力検出部と、
半導体基板に対する前記第２の転写ピン保持部の押付力を検出する第２の圧力検出部と、
を具備し、
フラックス転写時に、前記制御部は、前記第１の圧力検出部による検出値が設定値になるまで前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ、前記第２の圧力検出部による検出値が前記設定値になるまで前記第２の転写ピン保持部を降下させる請求項１に記載のフラックス転写装置。
【請求項６】
複数の第１の転写ピンを有する第１の転写ピン保持部と、複数の第２の転写ピンを有する第２の転写ピン保持部とを有するフラックス転写装置を準備する工程と、
前記複数の第１の転写ピン及び前記複数の第２の転写ピンそれぞれに、フラックスを付着させる工程と、
前記第１の転写ピン保持部及び前記第２の転写ピン保持部それぞれの降下量を互いに独立して制御しつつ、複数の半導体チップが形成された半導体基板の第１のエリアに向けて前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ前記半導体基板の第２のエリアに向けて前記第２の転写ピン保持部を降下させることにより、前記複数の第１の転写ピン及び前記複数の第２の転写ピンそれぞれに付着したフラックスを前記半導体基板に転写する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラックス転写装置及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、フラックスを安定して半導体基板に転写することができるフラックス転写装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７の各図は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための図である。本方法は、半導体ウェハ１００の表面に形成されたランド１０２上にフラックス１２０を塗布した後、ハンダボール１０３を載置するものである。半導体ウェハ１００には複数の半導体チップが形成されている。
【０００３】
まず図７（Ａ）に示すように、フラックス転写装置のステージ１１０上にフラックス１２０を塗布し、スキージ（図示せず）を用いてフラックス１２０の表面を平らにする。次いで転写ヘッド１３０をフラックス１２０に向けて降下させ、複数の転写ピン１３１の先端をフラックス１２０に浸漬させる。
【０００４】
次いで図７（Ｂ）に示すように、転写ヘッド１３０を上昇させる。これにより、複数の転写ピン１３１それぞれの先端には、一定量のフラックス１２０が付着する。
次いで図７（Ｃ）に示すように、転写ヘッド１３０の下方に半導体ウェハ１００を位置させる。次いで、転写ヘッド１３０を半導体ウェハ１００の表面に向かって降下させ、転写ピン１３１の先端に付着しているフラックス１２０をランド１０２上に付着させる（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
次いで、図７（Ｄ）に示すように、転写ヘッド１３０を退避させ、各ランド１０２上のフラックス１２０にハンダボール１０３を仮固定させる。その後、ハンダボール１０３をリフローさせて、ランド１０２にハンダボール１０３を溶着させる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３５８７３号公報（第２段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体基板に複数の半導体チップを形成した場合、半導体基板に残留応力が発生し、半導体基板が反ることがある。このような場合、転写ピンから半導体基板のランドにフラックスを転写する時のフラックスとランドの接触面積が、半導体基板のエリアによって異なってくる。このため、フラックスをランドに転写する際に、一部のフラックスが転写ピンの側壁に残留し、かつフラックスの転写不足が生じることがある。
【０００８】
フラックスの転写不足が生じると、リフロー後においてハンダボールとランドの濡れ性が不足することがある。
またフラックスが転写ピンの側壁に残留すると、次回転写ピンがステージ上のフラックス内に浸漬して上昇した場合に、余分なフラックスが転写ピンに付着することになり、次回のフラックス転写後に残留するフラックスを増大させてしまう。これが繰り返されると、転写ピンの相互間に一定量以上のフラックスが溜まり、この溜まったフラックスが半導体装置に転写されることがある。この場合、隣接するランドそれぞれ上に付着したフラックスが、転写ピンの相互間から転写されたフラックスによって繋がってしまう。隣接するランドそれぞれ上に付着したフラックスが相互に繋がった場合、ハンダボールをリフローした時に、隣接するハンダボールが短絡してしまう。
【０００９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、半導体基板が反っていても、フラックスを安定して半導体基板に転写することができるフラックス転写装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係るフラックス転写装置は、複数の第１の転写ピンを有し、該複数の第１の転写ピンを用いて、複数の半導体チップが形成された半導体基板の第１のエリアにフラックスを転写する第１の転写ピン保持部と、
複数の第２の転写ピンを有し、該複数の第２の転写ピンを用いて、前記半導体基板の第２のエリアにフラックスを転写する第２の転写ピン保持部と、
前記第１の転写ピン保持部を上下させる第１の上下動部と、
前記第２の転写ピン保持部の上下させる第２の上下動部と、
前記第１の上下動部及び前記第２の上下動部を互いに独立して制御する制御部とを具備する。
【００１１】
このフラックス転写装置によれば、前記第１の転写ピン保持部の降下量及び前記第２の転写ピン保持部の降下量を、互いに独立して制御することができる。このため、半導体基板が反っていて前記第１のエリアと前記第２のエリアの高さが異なっている場合においても、前記第１の転写ピン保持部の降下量及び前記第２の転写ピン保持部の降下量をそれぞれの最適値に制御することができ、その結果、前記第１のエリア及び前記第２のエリアのいずれに対しても、安定してフラックスを転写することができる。
【００１２】
フラックス転写時に前記第１の転写ピン保持部が待機高さから降下すべき量を示す第１の降下量データ、及びフラックス転写時に前記第２の転写ピン保持部が待機高さから降下すべき量を示す第２の降下量データを保持するデータ保持部を具備してもよい。そして、フラックス転写時に、前記制御部は、前記第１の転写ピン保持部の降下量が前記第１の降下量データが示す量になるまで前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ、前記第２の転写ピン保持部の降下量が前記第２の降下量データが示す量になるまで前記第２の転写ピン保持部を降下させてもよい。
【００１３】
前記第１の転写ピン保持部の待機高さから前記第１のエリアまでの距離である第１の距離、及び前記第２の転写ピン保持部の待機高さから前記第２のエリアまでの距離である第２の距離を検出する距離検出部とを具備してもよい。そしてフラックス転写時に、前記制御部は、前記第１の転写ピン保持部の降下量が前記第１の距離になるまで前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ、前記第２の転写ピン保持部の降下量が前記第２の距離になるまで前記第２の転写ピン保持部を降下させてもよい。
【００１４】
半導体基板に対する前記第１の転写ピン保持部の押付力を検出する第１の圧力検出部と、半導体基板に対する前記第２の転写ピン保持部の押付力を検出する第２の圧力検出部とを具備してもよい。この場合、フラックス転写時に、前記制御部は、前記第１の圧力検出部による検出値が第１の圧力になるまで前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ、前記第２の圧力検出部による検出値が第２の圧力になるまで前記第２の転写ピン保持部を降下させてもよいし、前記第１の圧力検出部による検出値が設定値になるまで前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ、前記第２の圧力検出部による検出値が前記設定値になるまで前記第２の転写ピン保持部を降下させてもよい。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の第１の転写ピンを有する第１の転写ピン保持部と、複数の第２の転写ピンを有する第２の転写ピン保持部とを有するフラックス転写装置を準備する工程と、
前記複数の第１の転写ピン及び前記複数の第２の転写ピンそれぞれに、フラックスを付着させる工程と、
前記第１の転写ピン保持部及び前記第２の転写ピン保持部それぞれの降下量を互いに独立して制御しつつ、複数の半導体チップが形成された半導体基板の第１のエリアに向けて前記第１の転写ピン保持部を降下させ、かつ前記半導体基板の第２のエリアに向けて前記第２の転写ピン保持部を降下させることにより、前記複数の第１の転写ピン及び前記複数の第２の転写ピンそれぞれに付着したフラックスを前記半導体基板に転写する工程と、
を具備する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）及び図２の各図は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。本方法は、半導体ウェハ１の表面に形成されたランド２上にフラックス２０を塗布した後、ハンダボール３を載置するものである。ランド２は、例えば再配置配線により形成されている。なお、半導体ウェハ１には複数の半導体チップが形成されている。
【００１７】
まず図１（Ａ）に示すように、フラックス転写装置のステージ１０上にフラックス２０を塗布する。次いで、スキージ１２を用いてステージ１０上のフラックス２０を平らにならし、フラックス２０の厚さを４０μｍ〜７０μｍにする。
【００１８】
次いで、駆動手段４０を用いて、転写ヘッド３０をステージ１０の上方に位置させる。転写ヘッド３０は、複数の部分転写ヘッド３１をベース部材３２に固定した構成である。部分転写ヘッド３１は、転写ピン保持部３５上に圧力検出部３４（例えばロードセル）を固定し、転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４上に上下駆動機構３３の下部を取り付けた構成である。転写ピン保持部３５の下面には、複数の転写ピン３６が取り付けられている。
【００１９】
圧力検出部３４は、フラックス２０を転写ピン３６からランド２に転写する場合における、転写ピン３６がランド２を押圧する力の合計値を転写ピン保持部３５ごとに検出する。
上下駆動機構３３は、上部がベース部材３２に固定されている。上下駆動機構３３は、上部と下部の間にエアーシリンダーを有しており、このエアーシリンダーが伸縮することにより、転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４をベース部材３２に対して上下させる。転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４の待機高さにする場合、エアーシリンダーは収縮した状態になる。なお、上下駆動機構３３の上下動量は、例えば上下駆動機構３３に内蔵されているセンサ又はエンコーダを用いて検出され、制御部４１に出力される。
【００２０】
図１（Ｂ）は、複数の部分転写ヘッド３１の配置を説明するための図である。本図に示すように、複数の部分転写ヘッド３１は、半導体ウェハ１を複数のエリア（例えば本図に示す例では３×３の９分割）に分割した場合にそれぞれのエリアに対応するように配置されている。すなわち複数の部分転写ヘッド３１によって一枚の半導体ウェハ１にフラックス２０が転写される。
【００２１】
なお、駆動手段４０は、制御部４１によって制御される。また複数の上下駆動機構３３は、制御部４１によって互いに独立に制御される。制御部４１は、データ保持部４２に保持されているデータ、及び複数の圧力検出部３４それぞれの検出値を用いて、複数の上下駆動機構３３を制御する。
【００２２】
データ保持部４２は、例えばフラックス２０をランド２に転写する場合における、転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４の待機高さからの降下量を示すデータを、複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４ごとに保持している。これら降下量は、半導体ウェハ１の反りに起因した半導体ウェハ１の表面高さのばらつきを吸収するように設定されている。例えば半導体ウェハ１の中心部に対して半導体ウェハ１の周縁部が下側に沿っており、かつその反り量が常にある一定の範囲の値をとる場合、半導体ウェハ１の中心部にフラックス２０を転写する転写ピン保持部３５の降下量は、半導体ウェハ１の周縁部にフラックス２０を転写する転写ピン保持部３５の降下量に対して、上記した反り量に相当する値ほど少なくなる。
【００２３】
次いで図２（Ａ）に示すように、複数の部分転写ヘッド３１それぞれが有する転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４を、ベース部材３２に対して互いに略同じ量ほど降下させ、複数の転写ピン保持部３５それぞれが有する複数の転写ピン３６の先端をフラックス２０内に浸漬させる。ここでの降下量は、例えばデータ保持部４２に保持されている。
【００２４】
次いで図２（Ｂ）に示すように、転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４を上昇させる。このとき、複数の転写ピン３６それぞれの先端には、フラックス２０が付着する。
【００２５】
次いで図２（Ｃ）に示すように、駆動手段４０を用いて転写ヘッド３０を、ステージ（図示せず）上に配置された半導体ウェハ１の上方に位置させ、その後、複数の部分転写ヘッド３１それぞれが有する転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４を降下させる。これにより、複数の転写ピン３６それぞれの先端に付着していたフラックス２０は、半導体ウェハ１の表面に形成されたランド２に付着する。なお、降下量を制御する方法の詳細については、フローチャートを用いて後述する。
【００２６】
次いで、図２（Ｄ）に示すように、転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４を上昇させる。これにより、複数の転写ピン３６それぞれの先端に付着していたフラックス２０はランド２に転写される。
【００２７】
次いで、駆動手段４０を用いて転写ヘッド３０を退避させ、各ランド２上のフラックス２０にハンダボール３を仮固定させる。この仮固定は、例えば多数のハンダボール３を半導体ウェハ１の表面上を転がし、一部のハンダボール３をフラックス２０の粘性によりトラップさせることにより、行われる。その後、ハンダボール３をリフローさせて、ランド２にハンダボール３を溶着させる。
【００２８】
図３は、図２（Ｃ）を用いて説明した工程における、転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４の降下量を制御する方法の第１例を説明するためのフローチャートである。まず制御部４１は、データ保持部４２から、複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４それぞれ別の降下量を読み出す（Ｓ２）。次いで制御部４１は、読み出した降下量に従って複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４それぞれを降下させる（Ｓ４）。
【００２９】
上記したように、データ保持部４２にデータとして保持されている降下量は、半導体ウェハ１の反りに起因した半導体ウェハ１の表面高さのばらつきを吸収するように設定されている。このため、転写ピン３６とランド２の距離（又は押下量）は、いずれの転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４においても略同じ値になる。そして、本実施形態における降下量の設定値は、転写ピン３６とランド２の距離（又は押下量）がフラックス２０をランド２に転写する為の最適値となるように設定されている。従って、ランド２に転写されるフラックス２０の量が不足することを抑制できる。また、転写ピン３６にフラックスが残留することを抑制できる。
【００３０】
図４は、図２（Ｃ）を用いて説明した工程における、転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４の降下量を制御する方法の第２例を説明するためのフローチャートである。まず制御部４１は、データ保持部４２から、複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４それぞれ別の降下量を読み出す（Ｓ２）。次いで制御部４１は、読み出した降下量に従って複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４それぞれを降下させる（Ｓ４）。本実施形態において、データ保持部４２に保持されている降下量は、転写ピン３６とランド２の距離がフラックス２０をランド２に転写する為の最適値よりわずかに上になるように設定されている。このため、Ｓ４の段階では、フラックス２０はランド２に接触していないか、接触していたとしてもわずかである。
【００３１】
次いで制御部４１は、各圧力検出部３４が検出する押圧力が設定値になるまで複数の部分転写ヘッド３１それぞれをさらに降下させる（Ｓ６）。圧力検出部３４の検出する押圧力の設定値は、フラックス２０をランド２に転写する為の最適値となるように設定されている。従って、本例においても、ランド２に転写されるフラックス２０の量が不足することを抑制できる。また、転写ピン３６にフラックスが残留することを抑制できる。
【００３２】
以上、本発明の第１の実施形態によれば、複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４それぞれの降下量を互いに独立して制御することができる。このため、半導体ウェハ１が反っていても、いずれの転写ピン３６からも、フラックス２０を半導体ウェハ１に安定して転写することができる。このため、フラックス２０の転写不足に起因してハンダボール３がランド２に対して濡れ不足になること、及びフラックス２０の過剰転写に起因して隣接するハンダボール３が互いに短絡することそれぞれを抑制し、半導体チップの品質を安定させて歩留まりを向上させることができる。
【００３３】
また、従来は転写ピン保持部が分割されていなかった為、転写ピン３６の一部が破損した場合、転写ピン保持部の全体を交換する必要があったが、本実施形態によれば、破損した転写ピン３６を有する転写ピン保持部３５のみを交換すればよい。このため、フラックス転写装置のランニングコストも削減できる。
【００３４】
次に、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。本実施形態に係るフラックス転写装置の構成は、データ保持部４２が保持しているデータが異なる点を除いて第１の実施形態と同様である。また本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態の図２（Ｃ）に相当する制御フローの詳細を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３５】
データ保持部４２は、フラックス２０をランド２に転写する場合における、転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４の待機高さからの降下量及び圧力検出部３４の検出値の設定値を、複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４ごとに保持している。上記した降下量は、半導体ウェハ１の反りに起因した半導体ウェハ１の表面高さのばらつきを吸収するように、かつ転写ピン３６とランド２の距離がフラックス２０をランド２に転写する為の最適値よりわずかに上になるように設定されている。
【００３６】
また上記した圧力検出部３４の検出値の設定値は、フラックス２０をランド２に転写する為の最適値となるように設定されている。これら設定値は、複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４別に設定されている。例えば図１（Ｂ）に示すように、半導体ウェハ１を３×３の９分割し、部分転写ヘッド３１がそれぞれのエリアに対応するように配置されており、かつ半導体ウェハ１が、周辺部が中心部に対して下側に位置するように反る場合、半導体ウェハ１の中心に位置するエリアに対応する部分転写ヘッド３１の設定値が最も大きく、角部に位置する４つのエリアに対応する４つの部分転写ヘッド３１の設定値が最も小さい。逆に半導体ウェハ１が、周辺部が中心部に対して上側に位置するように反る場合、半導体ウェハ１の中心に位置するエリアに対応する部分転写ヘッド３１の設定値が最も小さく、角部に位置する４つのエリアに対応する４つの部分転写ヘッド３１の設定値が最も大きい。
【００３７】
図５は、本実施形態における、第１の実施形態の図２（Ｃ）に相当する制御フローの詳細を説明するためのフローチャートである。まず制御部４１は、データ保持部４２から、複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４それぞれ別の降下量及び圧力検出部３４の検出値の設定値を読み出す（Ｓ１）。次いで制御部４１は、読み出した降下量に従って複数の転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４それぞれを降下させる（Ｓ４）。この段階では、フラックス２０はランド２に接触していないか、接触していたとしてもわずかである。次いで制御部４１は、各圧力検出部３４が検出する押圧力がそれぞれの設定値になるまで、複数の部分転写ヘッド３１それぞれをさらに降下させる（Ｓ６）。
【００３８】
本実施例においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、半導体ウェハ１が転写ヘッド３０に対して斜めに配置されていた場合でも、いずれの転写ピン３６からも、フラックス２０を半導体ウェハ１に安定して転写することができる。
【００３９】
なお本実施形態において、Ｓ１に示す工程において制御部４１が、データ保持部４２から圧力検出部３４の検出値の設定値のみを読み出してもよい。この場合、Ｓ４に示した工程が省略され、制御部４１は、各圧力検出部３４が検出する押圧力がそれぞれの設定値になるまで、複数の部分転写ヘッド３１それぞれを待機位置から降下させる。
【００４０】
次に、図６を用いて、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図６に示すように本実施形態に係るフラックス転写装置は、ステージ上に配置された半導体ウェハ１の各エリアから転写ピン３６の待機高さまでの距離を測定する測定部５０を有する点、測定部５０による各エリア別の測定値をデータ保持部４２が保持する点を除いて、第１の実施形態に係るフラックス転写装置と同様である。以下、第１の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４１】
測定部５０は、例えば光学式の距離センサであり半導体ウェハ１それぞれ毎に、転写ピン３６の待機高さまでの距離をエリア別に測定する。半導体ウェハ１の各エリアから転写ピン３６の待機高さまでの距離は、例えば各エリアの代表点（例えば各エリアの中心）から転写ピン３６の待機高さまでの距離であってもよいし、各エリアの複数の点それぞれから転写ピン３６の待機高さまでの距離の平均値であってもよい。
【００４２】
また本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態の図２（Ｃ）に相当する制御フローにおいて、制御部４１が、データ保持部４２に保持された各エリア別の測定値を転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４の降下量として設定し、この設定値に従って転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４を降下させる点を除いて、第１の実施形態と同様である。
【００４３】
以上、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また半導体ウェハ１それぞれ毎に転写ピン３６の降下量をエリア別に設定することができるため、いずれの転写ピン３６からも、フラックス２０を半導体ウェハ１にさらに安定して転写することができる。また、半導体ウェハ１が転写ヘッド３０に対して斜めに配置されていた場合でも、いずれの転写ピン３６からも、フラックス２０を半導体ウェハ１に安定して転写することができる。
【００４４】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば上記した各実施形態における、転写ピン３６にフラックス２０を付着させる為に、ステージ１０上のフラックス２０内に転写ピン３６の先端を浸漬させる工程において、圧力検出部３４の検出値が設定値になるまで転写ピン保持部３５及び圧力検出部３４を降下させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（Ａ）は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図、（Ｂ）は部分転写ヘッド３１の配置を説明するための図。
【図２】各図は図１の次の工程を説明するための図。
【図３】図２（Ｃ）の制御フローの第１例を説明するためのフローチャート。
【図４】図２（Ｃ）の制御フローの第２例を説明するためのフローチャート。
【図５】第２の実施形態に係る制御フローの詳細を説明するためのフローチャート。
【図６】第３の実施形態で用いられるフラックス転写装置の構成を説明するための図。
【図７】各図は従来の半導体装置の製造方法を説明するための図。
【符号の説明】
【００４６】
１，１００…半導体ウェハ、２，１０２…ランド、３，１０３…ハンダボール、１０，１１０…ステージ、１２…スキージ、２０，１２０…フラックス、３０，１３０…転写ヘッド、３１…部分転写ヘッド、３２…ベース部材、３３上下駆動機構、３４…圧力検出部、３５…転写ピン保持部、３６，１３１…転写ピン、４０…駆動手段、４１…制御部、４２…データ保持部、５０…測定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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