(57)【要約】【課題】表示デバイスにおける被駆動層の温度を正確に測定して、表示デバイスにおける画質劣化および表示デバイスの機能劣化の抑制を図ること。【解決手段】本発明は、画素に対応した駆動素子を備える駆動基板（シリコン駆動基板２０）と、駆動基板（シリコン駆動基板２０）上に設けられる被駆動層（液晶３０）と、駆動基板（シリコン駆動基板２０）における被駆動層（液晶３０）の領域内に設けられる温度検出手段（温度センサー５０）とを備える表示デバイス１である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素に対応した駆動素子を備える駆動基板と、
前記駆動基板上に設けられる被駆動層と、
前記駆動基板における前記被駆動層の領域内に設けられる温度検出手段と
を備えることを特徴とする表示デバイス。
【請求項２】
前記駆動基板は半導体基板から成る
ことを特徴とする請求項１記載の表示デバイス。
【請求項３】
前記温度検出手段は、ダイオードを有する
ことを特徴とする請求項１記載の表示デバイス。
【請求項４】
前記温度検出手段は、抵抗器を有する
ことを特徴とする請求項１記載の表示デバイス。
【請求項５】
前記被駆動層は、液晶層である
ことを特徴とする請求項１記載の表示デバイス。
【請求項６】
前記駆動基板はシリコン基板であり、前記被駆動層は液晶層である
ことを特徴とする請求項１記載の表示デバイス。
【請求項７】
前記駆動基板には、前記被駆動層で変調した光を反射する反射膜が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示デバイス。
【請求項８】
表示デバイスが光学部品に取り付けられた光学モジュールにおいて、
前記表示デバイスは、
画素に対応した駆動素子を備える駆動基板と、
前記駆動基板上に設けられる被駆動層と、
前記駆動基板における前記被駆動層の領域内に設けられる温度検出手段とを備える
ことを特徴とする光学モジュール。
【請求項９】
光源と、
少なくとも一つの表示デバイスと、
前記光源から出射された光を前記表示デバイスに導く集光光学系と、
前記表示デバイスで光変調した光を拡大して投射する投射光学系とを有し、
前記表示デバイスが、
画素に対応した駆動素子を備える駆動基板と、
前記駆動基板上に設けられる被駆動層と、
前記駆動基板における前記被駆動層の領域内に設けられる温度検出手段とを備える
ことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１０】
前記温度検出手段によって検出した温度に応じて前記表示デバイスの冷却を制御する冷却制御手段を備えている
ことを特徴とする請求項９記載の投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶を用いた表示デバイス、およびこの表示デバイスと光学素子とを組み合わせた光学モジュールおよびこの表示デバイスを用いた投射型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プロジェクションシステムの高精細化、小型化、高輝度化が進むにつれて、そのディスプレイデバイスとして小型高精細が可能であり、なおかつ高い光利用効率が期待できる反射型デバイスが注目され、実用化されている。これらは、一方に透明電極の形成されたガラス基板、もう一方に例えばＣ−ＭＯＳ半導体回路からなるシリコン基板を駆動素子基板として活用し、これら一対の基板間に液晶を注入したアクティブ型の反射型液晶表示装置である。
【０００３】
シリコン駆動基板の上には、光の反射と液晶への電圧印加をおこなうための画素電極が配置されており、この画素電極は一般にはＬＳＩプロセスで用いられているアルミニウムを主成分とした金属材料で構成される。
【０００４】
これらの素子では、対向電極上に設けられた透明電極と画素電極に電圧を加えることで液晶に対して電圧を印加する。このとき、液晶はそれらの電極間の電位差に応じて液晶の屈折率異方性Δｎが変化し、光学的な特性変化を起こし、入射した光を変調することで階調表示をおこなう。
【０００５】
また、これらの素子では、照射光によって吸収された熱エネルギーを放射するため、シリコン駆動基板の裏側に冷却機構を備える。このシリコン反射型液晶表示装置およびこの表示装置を用いたプロジェクションシステムは、年々高輝度、高精細、高画質が求められている。
【０００６】
ここで、液晶の光学的特性の変化は、上記のように液晶への印加電圧により液晶の屈折率ne、noを変化させ屈折率差によって起こるが、液晶の屈折率ne、noには温度依存性もある。このような液晶表示素子を搭載したプロジェクションシステムでは環境変化によるデバイス温度が変化により表示映像の輝度変化や色度変化を起こすことが懸念されるため、デバイスの近傍に温度センサーを設けて測定値をフィードバックしデバイス冷却条件のコントロールを行い、デバイス温度の変化を制御している。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１５６７１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、温度センサーはデバイスの外部に設置するため被駆動層である液晶の温度を正確に測定することができない。温度センサーがデバイス至近に設置できた場合でも、デバイス外部にあるため、常にデバイス本来の温度とセンサー温度には差が発生する。したがって、例えばデバイスへの照射光量が急激に増加した場合、センサー測定値がデバイスの温度上昇に追従せず十分に冷却できなくなり、色度や輝度変化といった画質劣化だけなくデバイス自体の劣化を生じさせる原因となる。
【０００９】
また、前記のような画質やデバイスの劣化を避けるために常にデバイスを過剰に冷却する手法を用いた場合、例えば冷却ファン風量が大きくなるためセット全体のノイズや消費電力が大きくなるといった問題も生じる。
【００１０】
したがって、本発明では、表示デバイスにおける被駆動層の温度を正確に測定でき、画質劣化およびデバイスの機能劣化の回避を的確に行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記目的を達成するために成されたものである。すなわち、本発明は、画素に対応した駆動素子を備える駆動基板と、駆動基板上に設けられる被駆動層と、駆動基板における被駆動層の領域内に設けられる温度検出手段とを備える表示デバイスである。
【００１２】
このような本発明では、温度検出手段が駆動基板における被駆動層の領域内に設けられているため、被駆動層の温度を直接的に測定することができるようになる。
【００１３】
例えば、本発明を実現する表示デバイスとしては、一方が透明電極基板、もう一方が反射電極を有したシリコン反射型液晶表示装置において、直接デバイス温度を測定するため、温度を感知する素子をシリコン駆動基板内の回路の一部として盛り込む。
【００１４】
温度を感知する素子の一例としては、例えばサーミスタを組み込む。サーミスタはデバイス温度により抵抗値が変化するため、その抵抗値のデータをデバイスのI/Oラインからデータを得ることでデバイス温度が測定できる。
【００１５】
また、温度を感知する素子の一例として、ダイオードを組み込むようにしてもよい。ダイオードには温度特性があることから、この特性を利用してダイオードに対する電流、電圧から温度を検知することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように本発明では、被駆動層の温度を直接的に測定することができることから、表示デバイスにおける被駆動層の温度を正確に測定して、表示デバイスにおける画質劣化および表示デバイスの機能劣化の回避を的確に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００１８】
＜表示デバイス＞
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る表示デバイス１の一例であるシリコン反射型液晶表示装置の模式断面図である。透明電極が形成されたガラス基板１０とシリコン駆動基板２０とが所定の間隔で貼り合わされ、その間に駆動層である液晶３０が注入されている。
【００１９】
シリコン反射型液晶表示装置にはガラス基板１０側から光が入射するが、そのエネルギーの約１０〜２５％が液晶表示装置に熱として吸収されるためデバイス温度は上昇する。この熱エネルギーの吸収による温度上昇を防ぐために、反射型液晶表示装置にはシリコン駆動基板２０の後ろ側にフィン形状の冷却機構４０を備えている。
【００２０】
図２は、本実施形態の表示デバイスで適用されるシリコン駆動基板の概略平面図である。すなわち、被駆動層である液晶３０の注入領域内（液晶３０が注入されるシール材の枠内）において、例えば映像表示面の中心に温度測定機能（温度センサー５０）を付加した画素を形成し、デバイス温度を検知できるようにする。前記シリコン駆動基板２０内には前記検知された信号を外部より読み取り可能となる信号取り出し用の配線５００を形成し、これをシリコン駆動基板２０の端部まで引き回して読み取り用端子６０と接続する。
【００２１】
温度センサー５０で検出した信号は読み取り用端子６０から取り出すことができ、この検出データに基づき例えば冷却機構４０へ送る冷却風の量を制御して、シリコン反射型液晶表示装置の温度を一定に保つよう調整する。本実施形態では、映像表示面に温度センサー５０が設けられていることから、映像表示に直接かかわる液晶３０の温度をより正確に測定でき、的確な温度制御へフィードバックできることになる。
【００２２】
図３は、本実施形態で適用されるシリコン駆動基板の温度測定機能を備えた画素の回路構成の概念図である。通常の画素表示回路の他に数１に示すような温度上昇により抵抗値が減少するＮＴＣ（negative temperature coefficient）型のサーミスタ回路５１を加える。
【００２３】
【数１】
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【００２４】
図３に示すサーミスタ回路５１を付加した画素と図２に示す信号取り出し用の配線５００をシリコン駆動基板２０内に設けることにより、液晶３０の温度変化を抵抗値の変化として直接的に検出でき、この検出値に基づき冷却機構４０を制御できるようになる。つまり、検出した温度に応じて冷却機構４０を適正に制御することが可能となる。これにより、デバイスを一定の温度に保つことが可能となり、温度変化による輝度や色度といった画質変化や、急激な温度上昇によるデバイスの劣化を防ぐことが可能となる。
【００２５】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る表示デバイスでは、シリコン反射型液晶表示装置の概略断面図（図１）、およびシリコン駆動基板の概略平面図（図２）は第１実施形態と同様である。
【００２６】
図４は、本実施形態に関わるシリコン駆動基板の温度測定機能を備えた画素の回路構成の概念図である。通常の画素表示回路の他に２つのシリコン半導体のダイオードＤ１，Ｄ２から成るダイオード回路５２を加える。
【００２７】
ダイオード回路５２の２つのダイオードＤ１もしくはＤ２の電圧は温度により変化する。したがって、図４に示すダイオード回路５２を付加した画素と、図２に示す信号取り出し用の配線５００をシリコン駆動基板内に設けることにより、液晶３０の温度変化をダイオードＤ１もしくはＤ２の電圧変化として直接的に検出でき、この検出値に基づきを冷却機構４０を制御できるようになる。つまり、検出した温度に応じて冷却機構４０を適正に制御することが可能となる。これにより、デバイスを一定の温度に保つことが可能となり、温度変化による輝度や色度といった画質変化や、急激な温度上昇によるデバイスの劣化を防ぐことが可能となる。
【００２８】
（第３実施形態）
第３実施形態に係る表示デバイスでは、シリコン反射型液晶表示装置の概略断面図（図１）は第１実施形態と同様である。
【００２９】
図５は、本実施形態に関わるシリコン駆動基板に設けられた外部と信号を入出力する端子の構成を示した図である。すなわち、シリコン駆動基板３０の端部には、パネル内部回路への信号入力を行うための入力端子が設けられており、この入力端子には入力信号への静電気を防止するための２つのダイオードＤ１，Ｄ２が設けられている。
【００３０】
ここで、入力端子には、実際の駆動に使用しないもの（動作チェックだけに用いるものや予備的なもの）があることから、本実施形態の温度センサーとしてこのような空きとなっている入力端子およびその保護ダイオードを流用する。
【００３１】
この２つのダイオードＤ１もしくはＤ２の電圧はデバイス温度により変化する。したがって、端子間の電圧の読み取りにより、デバイス温度の変化を外部冷却装置に送ることが可能となるため、冷却機構４０を適正に制御することが可能となる。これにより、電圧を検知することでデバイスを一定の温度に保つことが可能となり、温度変化による輝度や色度といった画質変化や、急激な温度上昇によるデバイスの劣化を防ぐことが可能となる。
【００３２】
なお、第１実施形態に示すサーミスタ回路を付属した画素は、シリコン駆動基板における液晶領域内に複数個あってもよい。
【００３３】
また、第１実施形態に示すサーミスタ回路を付属した画素は、シリコン駆動基板における液晶領域内の中央以外に形成されていてもよい。
【００３４】
また、第２実施形態に示す温度検知用ダイオードを付属した画素は、シリコン駆動基板における液晶領域内に複数個あってもよい。
【００３５】
また、第１実施形態に示す温度検知用ダイオードを付属した画素は、シリコン駆動基板における液晶領域内の中央以外に形成されていてもよい。
【００３６】
また、第３実施形態に示す端子は、シリコン駆動基板内の適当な位置に複数個形成されていてもよい。
【００３７】
また、第１〜第３実施形態に関わるシリコン反射型液晶表示装置の模式断面図（図１）の概念において、表示デバイス１の冷却機構４０はフィンに限定されることなく、ペルチエ、液冷機構、水冷機構などあらゆる冷却装置を示す。
【００３８】
また、第１〜第３実施形態において、被駆動層を駆動するための駆動基板としては、シリコン以外の半導体であっても、ガラス基板に反射膜（被駆動層で変調した光を反射する膜）が形成されたものであっても、また光を透過できるガラス基板であってもよい。
【００３９】
次に、具体的な温度センサーの構成例について説明する。図６は温度センサーの設置例を説明する模式平面図であり、（ａ）は、温度センサーを２つの有効画素Ｇ１、Ｇ２の間に設置する例、（ｂ）は、温度センサーを４つの有効画素Ｇ１〜Ｇ４の間に設置する例を示している。
【００４０】
図６（ａ）に示す例では、２つの有効画素Ｇ１、Ｇ２の間に温度センサー５０を設置するため、有効画素Ｇ１、Ｇ２を図中左右方向にオフセットさせて温度センサー５０の設置スペースを確保している。
【００４１】
また、図６（ｂ）に示す例では、４つの有効画素Ｇ１〜Ｇ４の間に温度センサー５０を設置するため、４つの有効画素Ｇ１〜Ｇ４に対応する各画素電極とその下の回路とをオフセットさせて温度センサー５０の設置スペースを確保している。また、温度センサー５０の配線は、２本のデータ線の間に形成している。
【００４２】
図７は、温度センサーを設ける部分を説明する模式断面図である。シリコン駆動基板２０には、各画素に対応してトランジスタ２１および容量２２が形成されている。図７に示す例では、温度センサーとしてダイオード回路５２をトランジスタ２１の近傍（図示しない隣りの画素領域との間）に形成している。そして、ダイオード回路５２と接続される配線を、トランジスタ２１のデータ線の横（図示しない隣りの画素のデータ線との間）に形成する。
【００４３】
トランジスタ２１や容量２２，ダイオード回路５２を形成した後は、第１メタル層（１）としてゲート線、接地線を形成し、次に第２メタル層（２）としてデータ線、接地線を形成、次いで第３メタル層（３）として遮光層を形成し、最後に第４メタル層（４）として画素電極を形成する。
【００４４】
図８は、配線構造を説明する模式平面図である。図８における左図は温度センサーが設けられていない通常の配線構造（第１メタル層、第２メタル層、最上層）である。これに対し、図８における右図は温度センサーであるダイオード回路５２が設けられている場合の配線構造である。第１の構成では、図中上下の画素をオフセットしてダイオード回路５２を形成し、第２メタル層の２本のデータ線の間にダイオード回路５２の配線５２０を設けたものである。
【００４５】
また、第２の構造では、図中左右の画素をオフセットしてダイオード回路５２を形成し、第１メタル層の２本のゲート線の間にダイオード回路５２の配線を設けたものである。いずれの例でも、隣接する画素のトランジスタ２１の間にダイオード回路５２を配置し、２本のゲート線もしくはデータ線の間にダイオード回路５２の配線５２０を設置している。
【００４６】
図９は、温度センサーを構成する別なダイオード回路の例を説明する回路構成図である。図９（ａ）は、ダイオードの一端側に電圧検出端子を設ける構成、図９（ｂ）は、ダイオードの一端側から電圧検出を行い、これをアナログ・デジタル変換回路５２ａによってデジタル信号に変換し、出力端子より取り出す構成である。
【００４７】
ここで、ダイオードの温度特性に関する理論式を数２に示す。
【００４８】
【数２】
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【００４９】
このようなダイオードの温度特性を利用して、液晶の温度を直接的に検出して正確な温度制御を行うことができるようになる。特に、表示デバイスの一方の基板としてシリコン駆動基板を用いる場合、温度センサー５０を構成する抵抗やダイオードの形成は通常のＴＦＴ形成とともに容易に行うことが可能である。しかも、反射型液晶表示装置であれば、画像表示領域内に温度センサー５０が設けられていても、表示映像へ写り込みの影響は非常に小さいものとなる。
【００５０】
図１０は、冷却制御手段を説明する模式図である。冷却制御手段は、表示デバイス１の温度センサー５０から出力される信号を変換するＤ／Ａ（デジタルアナログ変換器）もしくはデコーダ２５と、温度センサー出力値によって温度調整器４１を制御するコントローラ２６とから構成される。なお、この冷却制御手段は、表示デバイス１の外部にあっても、またシリコン駆動基板２０に内蔵されていてもよい。
【００５１】
温度センサー５０で検出した信号は冷却制御手段のＤ／Ａもしくはデコーダ２５でアナログ信号に変換され、コントローラ２６でそのアナログ信号に基づく制御信号が生成される。この制御信号によって温度調整器４１が制御され、表示デバイス１の冷却もしくは加熱を制御して温度を正確にコントロールする。
【００５２】
温度調整器４１としては、冷却機構４０がフィンである場合にはこのフィンに冷却風を送るファンであったり、冷却機構４０がペルチエ、液冷機構、水冷機構である場合にはこれらに対する制御機構であったりする。
【００５３】
以上の構成によって、本実施形態の表示デバイスによれば次のような実施の効果がある。
（１）直接デバイス本来の温度が感知できるため、外付けの温度測定デバイスが不要となる。それによりセットのコスト低減が可能となる。
（２）デバイス本来の温度を測定できるため冷却装置を正確に連動できるようになり、デバイスを常に適正な温度に制御することが可能となる。
（３）デバイス温度を一定に保てるため、例えば、デバイスへの急激な照度変化発生時もデバイス温度を適正に保つことでき画質を常に一定レベルに保つことが可能となり、画質劣化やデバイスの劣化を回避できる。
（４）デバイス寿命の長期化およびデバイス特性の信頼性保持の長期化が可能となる。
（５）表示装置の設置環境の温度に左右されることなくデバイス温度を適正に保つことできるため、画質を常に一定レベルに保つことが可能となり、画質劣化やデバイスの劣化を回避できる。
（６）突発的な温度上昇があっても冷却機構への迅速なフィードバックによって過剰冷却が不要となり、静音化が可能になるばかりでなく、過剰冷却による消費電力も抑制できるため省電力化も可能となる。
【００５４】
＜投射型表示装置＞
図１１は、本実施形態の表示デバイスである液晶表示装置を用いた液晶プロジェクタ（投射型表示装置）の例を示す模式図である。すなわち、液晶プロジェクタ１０００は、ランプ光源１０１、レンズ部１０２、ダイクロイック色分離フィルタ１０３、ビームスプリッタ１０４ｒ、１０４ｇ、１０４ｂ、液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂ、駆動回路１０５ｒ、１０５ｇ、１０５ｂ、プリズム（ダイクロイックミラー）１０６および投射レンズ１０７を備えた構成となっている。
【００５５】
この液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂとしては上記説明した温度センサー付きの反射型液晶表示装置を用いている。
【００５６】
このシステムでは、ランプ光源１０１から出射した光をレンズ部１０２からダイクロイック色分離フィルタ１０３に送り、ここで２方向へ分離する。２方向へ分離された光は、全反射ミラー１０８、１０９、ビームスプリッタ１０４ｒ、１０４ｇ、１０４ｂ、ダイクロイックミラー１１０、プリズム１０６によってＲ（RED）、Ｇ（GREEN）、Ｂ（BLUE）３色に対応した反射型の液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂから成る表示部に各々送られる。
【００５７】
例えば、Ｒ（RED）に対応した液晶表示装置１ｒには、ダイクロイック色分離フィルタ１０３から全反射ミラー１０８、ビームスプリッタ１０４ｒを介してランプ光源１０１からの光が入射し、Ｇ（GREEN）に対応した液晶表示装置１ｇには、ダイクロイック色分離フィルタ１０３から全反射ミラー１０８、ダイクロイックミラー１１０およびビームスプリッタ１０４ｇを介してランプ光源１０１からの光が入射し、Ｂ（BLUE）に対応した液晶表示装置１ｂには、ダイクロイック色分離フィルタ１０３から全反射ミラー１０９、ビームスプリッタ１０４ｂを介してランプ光源１０１からの光が入射する。
【００５８】
各液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、ダイクロイックミラーであるプリズム１０６の複数の面に各々対応する状態で、ビームスプリッタ１０４ｒ、１０４ｇ、１０４ｂを介して設けられている。また、各液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂは各々対応する駆動回路１０５ｒ、１０５ｇ、１０５ｂによって駆動され、入射した光を液晶層で映像にして反射し、プリズム１０６によって合成して投射レンズ１０７に送る。これにより、Ｒ（RED）、Ｇ（GREEN）、Ｂ（BLUE）３色に対応した映像が図示しないスクリーンに投影され、カラー画像として再現されることになる。
【００５９】
また、各液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂには、先に説明したような温度センサー５０（図２参照）が設けられているため、ランプ光源１０１から出射される光による温度上昇があっても的確に温度を検出し、迅速なフィードバックによって液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂを一定の温度の保つことができる。
【００６０】
これにより、環境変化や経時変化等で液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂの温度が変化しても、液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂへの的確な温度コントロールによって常に安定した変調性能を保つことができ、液晶プロジェクタ１０００から安定して映像を提供できるようになる。
【００６１】
＜光学モジュール＞
本実施形態に係る表示デバイスは、光学部品と組み合わせることで光学モジュールとして適用することが可能である。すなわち、光学モジュールは、本実施形態に係る表示デバイスと光学部品とを組み合わせたもので、例えば、図１１に示す液晶プロジェクタ１０００の構成のうち、本実施形態に係る各表示デバイス（液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂ）と、これに対応する光学部品である各ビームスプリッタ１０４ｒ、１０４ｇ、１０４ｂとを各々組み合わせたものや、液晶表示装置１ｒ、１ｇ、１ｂ、各ビームスプリッタ１０４ｒ、１０４ｇ、１０４ｂよびこれらをプリズム１０６に取り付けたものが考えられる。なお、これ以外の組み合わせてであっても光学モジュールとして構成可能である。
【００６２】
＜有機ＥＬ素子＞
本実施形態に係る表示デバイスは、有機ＥＬ素子への適用も可能である。図１２は、本実施形態の表示デバイスを適用した有機ＥＬ素子の一例を説明する模式断面図である。すなわち、この有機ＥＬ素子は、ガラス基板１００１上に、ゲート電極１００３、ゲート絶縁膜１００５、および半導体層１００７を順に積層してなる薄膜トランジスタＴｒを形成する。また、本実施形態では、薄膜トランジスタＴｒの形成とともに、隣接するスペースに温度センサー５０を形成する。
【００６３】
この薄膜トランジスタＴｒおよび温度センサー５０を層間絶縁膜１００９で覆い、層間絶縁膜１００９に形成した接続孔を介して薄膜トランジスタＴｒに接続された配線１０１１を設けて画素回路を形成する。以上のようにして、駆動基板であるいわゆるＴＦＴ基板１０２０を形成する。
【００６４】
ＴＦＴ基板１０２０上を平坦化絶縁膜１０２１で覆い、平坦化絶縁膜１０２１に配線１０１１に達する接続孔を形成する。平坦化絶縁膜１０２１上に接続孔を介して配線１０１１に接続された画素電極（第１電極）１０２３を例えば陽極として形成し、画素電極１０２３の周縁を覆う形状の絶縁膜パターン１０２５を形成する。
【００６５】
画素電極１０２３の露出面を覆う状態で有機ＥＬ材料層１０２７を積層成膜する。絶縁性パターン１０２５と有機ＥＬ材料層１０２７とによって、画素電極１０２３に対して絶縁性を保った状態で対向電極（第２電極）１０２９を形成する。この対向電極１０２９は、例えば透明導電性材料からなる陰極として形成されるとともに、全画素に共通のベタ膜状に形成される。
【００６６】
その後、対向電極１０２９上に光透過性を有する接着剤層１０３１を介して透明基板１０３３を貼り合わせ、有機ＥＬ素子１０４０を完成させる。このような有機ＥＬ素子１０４０であっても、本実施形態のような温度センサー５０を形成することで、被駆動層である有機ＥＬ材料層１０２７の温度変化を直接的に検出することができ、迅速なフィードバックによって有機ＥＬ素子１０４０の温度を一定に保つことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本実施形態に係る表示デバイス１の一例であるシリコン反射型液晶表示装置の模式断面図である。
【図２】本実施形態の表示デバイスで適用されるシリコン駆動基板の概略平面図である。
【図３】本実施形態で適用されるシリコン駆動基板の温度測定機能を備えた画素の回路構成の概念図である。
【図４】本実施形態に関わるシリコン駆動基板の温度測定機能を備えた画素の回路構成の概念図である。
【図５】本実施形態に関わるシリコン駆動基板に設けられた外部と信号を入出力する端子の構成を示した図である。
【図６】温度センサーの設置例を説明する模式平面図である。
【図７】温度センサーを設ける部分を説明する模式断面図である。
【図８】配線構造を説明する模式平面図である。
【図９】温度センサーを構成する別なダイオード回路の例を説明する回路構成図である。
【図１０】冷却制御手段を説明する模式図である。
【図１１】本実施形態の表示デバイスである液晶表示装置を用いた液晶プロジェクタ（投射型表示装置）の例を示す模式図である。
【図１２】本実施形態の表示デバイスを適用した有機ＥＬ素子の一例を説明する模式断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１…表示デバイス、１０…ガラス基板、２０…シリコン駆動基板、３０…液晶、４０…冷却機構、５０…温度センサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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