(57)【要約】【課題】反りなどの機械的変形を吸収し複数の回路基板間を良好に接続でき、シールドに効果的な薄型の三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置を提供する。【解決手段】三次元基板間接続構造体２は、内周部６と外周部４とを有する枠状のハウジング８と、ハウジング８の上下面を接続する複数の接続端子電極と、ハウジングの少なくとも一方の面の複数の接続端子電極１８、２０上に設けられたバンプ２２と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内周部と外周部とを有する枠状のハウジングと、
前記ハウジングの上下面を接続する複数の接続端子電極と、
前記ハウジングの少なくとも一方の面の前記複数の接続端子電極上に設けられたバンプと、
を有することを特徴とする三次元基板間接続構造体。
【請求項２】
前記バンプは、前記複数の接続端子電極の位置で、少なくともその高さが異なることを特徴とする請求項１に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項３】
前記複数の接続端子電極の接触領域が千鳥足状に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項４】
前記ハウジングの前記外周部の側面にシールド電極が形成され、
前記ハウジングの上下面に前記シールド電極と接続する接地電極が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項５】
前記複数の接続端子電極が、前記内周部の側面を介して前記ハウジングの上下面に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項６】
前記複数の接続端子電極が、前記内周部および前記外周部の両側面を介して前記ハウジングの上下面に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項７】
前記バンプがスタッドバンプにより形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項８】
前記バンプが前記ハウジングの少なくとも一方の面上に形成された突起を含む基板バンプで構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項９】
前記バンプがはんだバンプにより形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項１０】
内周部と外周部とを有する枠状のハウジングを型成型する工程と、
前記ハウジング上に接続端子電極を形成する工程と、
前記ハウジングの少なくとも一方の面の前記接続端子電極上にバンプを形成する工程と、
を含むことを特徴とする三次元基板間接続構造体の製造方法。
【請求項１１】
内周部と外周部とを有する枠状のハウジングを型成型する工程と、
前記ハウジング上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターン上にめっき層を形成する工程と、
前記ハウジングの少なくとも一方の面の前記めっき層で覆われた前記レジストパターンの開口部にはんだを挿入しはんだバンプを形成する工程と、
前記レジストパターンを除去し接続端子電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする三次元基板間接続構造体の製造方法。
【請求項１２】
少なくとも一方の面の接続端子電極に位置する領域にあらかじめ突起を備えた内周部と外周部とを有する枠状のハウジングを型成型する工程と、
前記ハウジング上にめっき層を形成する工程と、
前記突起を含む前記めっき層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンで覆われた以外の前記めっき層をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを剥離し、前記接続端子電極に基板バンプを形成する工程と、
を含むことを特徴とする三次元基板間接続構造体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の三次元基板間接続構造体を介して、少なくとも第１の回路基板と第２の回路基板とを接続したことを特徴とする立体回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を搭載し複数の回路基板間を接続する三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣチップやチップ部品などの電子部品を搭載した回路基板間を接続するための基板接合部材（以下、「三次元基板間接続構造体」と記す）として、プラグ側とソケット側からなる多極接続タイプコネクタや樹脂製基板に複数個の接続ピンを固定したピンコネクタなどが用いられている。
【０００３】
近年、モバイル機器などの軽薄短小化や高機能化の進展につれて、回路基板間の接続端子数が増加し、ピンコネクタ接続端子の狭ピッチ化が進んでいる。
【０００４】
そこで、例えば、圧接コネクタのハウジングの底部から、電気回路基板の導電部に圧接し、接点を含む弾性変位可能な変位部を有する多数のピン端子をハウジングの長手方向に千鳥足状に露出させて配置したコネクタが開示されている（例えば、特許文献１参照）。これにより、ピン端子相互間のピッチを狭くして圧接コネクタの大型化を回避し、電気回路基板の導電部との安定な接触ができるとしている。
【０００５】
また、端子形状が台形形状で、端子の引き出し線との接続側に台形形状の平行を成す長辺と短辺とが交互に並ぶように配置し、端子の幅の広い部分を外部回路とのコンタクト領域として千鳥足状に配置した回路基板が開示されている（例えば、特許文献２参照）。これにより、接続信頼性を低下させずに端子形成領域を狭小化できる。
【０００６】
一方、携帯情報機器などにおいては、機器の高速、高周波数化に伴い、外来電磁波による誤動作や放射電磁波による他機器への妨害などのＥＭＣ（電磁両立性：Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）に対する要求が厳しくなっている。そのため、電磁シールドを確実に行える回路基板実装技術への要望が高い。そこで、制御ＩＣチップなどの高周波部品を搭載した複数の回路基板間を接続する三次元基板間接続構造体においても、外部からの電磁波や高周波部品などで内部から放射される電磁波を確実に電磁シールドすることが要求される。
【特許文献１】特開平１１−２６５７４７号公報
【特許文献２】特開２００２−３３４７３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１のコネクタによれば、弾性変位可能なピン端子をハウジングの長手方向に千鳥足状に配置し、耐衝撃性を高めるとともに、ピン端子間の狭ピッチを実現している。しかし、コネクタの薄型化が困難であり、製造コストが高くなる課題がある。
【０００８】
一方、特許文献２によれば、端子形成領域を狭小化するため、回路基板端子のコンタクト領域を千鳥足状に配置する構成については記載されているが、外部回路あるいは三次元基板間接続構造体との接続に関しては開示されていない。
【０００９】
また、特許文献１および特許文献２ともに、例えば接合することによって生じる反りなどの機械的な変形を有する回路基板や三次元基板間接続構造体との良好な接続状態を得る手段に関しては開示されていない。
【００１０】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、反りなどの機械的変形のある複数の回路基板間を薄型で確実に接続するとともに、電磁シールド機能を備えた三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述したような目的を達成するために、本発明の三次元基板間接続構造体は、内周部と外周部とを有する枠状のハウジングと、ハウジングの上下面を接続する複数の接続端子電極と、ハウジングの少なくとも一方の面の複数の接続端子電極上に設けられたバンプと、を有する。
【００１２】
さらに、バンプは、複数の接続端子電極の位置で、少なくともその高さが異なる構成を有する。
【００１３】
このような構成によれば、回路基板間を三次元基板間接続構造体で接続する場合、反りなどにより生じる間隙をバンプによって吸収し両者を良好に接合することが可能となる。
【００１４】
さらに、複数の接続端子電極の接触領域が千鳥足状に配置されている構成であってもよい。
【００１５】
このような構成によれば、複数の接続端子電極を有効に配置でき、端子数を増加した高密度実装用の三次元基板間接続構造体を実現できる。
【００１６】
さらに、ハウジングの外周部の側面にシールド電極が形成され、ハウジングの上下面にシールド電極と接続する接地電極が形成されている構成であってもよい。
【００１７】
さらに、複数の接続端子電極が、内周部の側面を介してハウジングの上下面に設けられている構成であってもよい。
【００１８】
このような構成によれば、回路基板の電気信号が集中する多数の接続端子電極から外部へ発生するノイズや電磁波の放射を防止するとともに、外部からのノイズや電磁波の放射を確実に防止できる。
【００１９】
さらに、複数の接続端子電極が、内周部および外周部の両側面を介してハウジングの上下面に設けられている構成であってもよい。
【００２０】
このような構成によれば、ハウジングの内周部および外周部の側面に形成する複数の接続端子電極間の距離を大きくすることができ、また、接続端子電極の引出し領域が、隣接する接続端子電極の接触領域間を通過することがないため、隣接する接続端子電極の相互間の電気信号の干渉やノイズを減少させることができる。また、接続端子電極を大幅に増加できる端子構造にも展開できる。
【００２１】
さらに、バンプがスタッドバンプにより形成されている構成であってもよい。さらに、バンプがハウジングの少なくとも一方の面上に形成された突起を含む基板バンプで構成されていてもよい。
【００２２】
このような構成によれば、三次元基板間接続構造体に形成したスタッドバンプや基板バンプの先端部を加熱圧接して、回路基板の接続端子電極上に変形接触させ熱収縮性の樹脂によって固定することによって良好な接合状態を実現できる。
【００２３】
さらに、バンプがはんだバンプにより形成されている構成であってもよい。
【００２４】
このような構成によれば、加熱することによってはんだバンプを直接溶融させ回路基板の接続端子電極と接合できる。
【００２５】
また、本発明の三次元基板間接続構造体の製造方法は、内周部と外周部とを有する枠状のハウジングを型成型する工程と、ハウジング上に接続端子電極を形成する工程と、ハウジングの少なくとも一方の面の接続端子電極上にバンプを形成する工程と、を含む。
【００２６】
このような方法によれば、反りなどの機械的な変形を吸収して複数の回路基板間を良好に接合できる薄型の三次元基板間接続構造体を容易に作製できる。
【００２７】
また、本発明の三次元基板間接続構造体の製造方法は、内周部と外周部とを有する枠状のハウジングを型成型する工程と、ハウジング上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターン上にめっき層を形成する工程と、ハウジングの少なくとも一方の面のめっき層で覆われたレジストパターンの開口部にはんだを挿入しはんだバンプを形成する工程と、レジストパターンを除去し接続端子電極を形成する工程と、を含む。
【００２８】
このような方法によれば、レジストの開口部にはんだ量を変えて挿入し、はんだバンプを形成することにより、反りなどの機械的変形を吸収するとともに回路基板の接続端子電極と直接接合するはんだバンプを有する薄型の三次元基板間接続構造体を容易に製造することができる。
【００２９】
また、本発明の三次元基板間接続構造体の製造方法は、少なくとも一方の面の接続端子電極に位置する領域にあらかじめ突起を備えた内周部と外周部とを有する枠状のハウジングを型成型する工程と、ハウジング上にめっき層を形成する工程と、突起を含むめっき層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンで覆われた以外のめっき層をエッチングする工程と、レジストパターンを剥離し、接続端子電極に基板バンプを形成する工程と、を含む。
【００３０】
このような方法によれば、接続端子電極上に、突起を形成したハウジングを一体に成型することによって容易に基板バンプを形成できる。
【００３１】
また、本発明の立体回路装置は、上記三次元基板間接続構造体を介して、少なくとも第１の回路基板と第２の回路基板とを接続する構成である。
【００３２】
このような構成によれば、複数の回路基板間を反りなどの機械的変形を吸収し良好に接続することができるとともに、複数の接続端子電極や回路基板に実装された、三次元基板間接続構造体の内周部内に位置する回路部品を電磁シールドできる立体回路装置が得られる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、回路基板間の接続時の信頼性に優れるとともに、シールド効果を有する薄型の三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３５】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）は本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体の構成を示す平面図、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）および図１（Ｄ）はそれぞれ図１（Ａ）中のＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図である。
【００３６】
図１に示すように、三次元基板間接続構造体２は、例えば四角形状の外周部４と内周部６を有する額縁形の枠状のガラスエポキシ樹脂などからなるハウジング８を備えている。また、ハウジング８の上部面１４と下部面１６で千鳥足状に複数個配設された接続端子電極１８、２０を有する。そして、接続端子電極１８は、上部面１４上に形成された上面接続端子電極１８ａ、下部面１６上に形成された下面接続端子電極１８ｂと内周部６の側面上に形成された側面接続電極１８ｃと一体的に形成して構成される。同様に、接続端子電極２０は、上面接続端子電極２０ａ、下面接続端子電極２０ｂと側面接続電極２０ｃとを一体的に形成して構成される。さらに、上面接続端子電極と下面接続端子電極は、接続する回路基板の接続端子と接触する四角の領域（以下、「接触領域」と記す）と、その接触領域から引き出され側面接続電極と接続する帯状の領域（以下、「引出し領域」と記す）から構成されている。ここで、上面接続端子電極１８ａと上面接続端子電極２０ａとの違いは、接触領域が千鳥足状に配置され、上面接続端子電極１８ａの外周部４側に位置するため引出し領域の長さが、上面接続端子電極２０ａより長いことである。また、下面接続端子電極１８ｂ、２０ｂとの差異も同様である。
【００３７】
また、ハウジング８の外周部４の側面上に全体にわたってシールド電極１０が形成されている。そして、ハウジング８の上部面１４や下部面１６上には、例えばハウジング８の四隅の位置にシールド電極１０と接続する接地電極１２ａ、１２ｂが一体的に形成されている。
【００３８】
そして、以下で説明する、例えばスタッドバンプなどの複数のバンプ２２が、ハウジング８の少なくとも上面接続端子電極１８ａ、２０ａの各々の接触領域上、すなわち回路基板の接続電極（図示せず）に対応する位置に形成されている。この時、以下で図２を用いて詳細に説明するように、バンプ２２のサイズ（大きさ、高さなど）が、三次元基板間接続構造体２の、例えば反りなどの変形に対応した形状で形成される。
【００３９】
これにより、三次元基板間接続構造体を介して、接続される回路基板の反りなどの機械的な変形を有効に吸収し、均一で安定した接続ができる。
【００４０】
以下に、本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体を用いて、回路基板の反りなどの機械的な変形を吸収するメカニズムについて説明する。
【００４１】
図２（Ａ）は本発明の第１の実施の形態における第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板と接続する前の状態を示す断面図で、図２（Ｂ）は第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板に接合した時の状態を示す断面図である。
【００４２】
まず、図２（Ａ）に示すように、第１の回路基板２４の接続電極（図示せず）と三次元基板間接続構造体２の下面接続端子電極１８ｂとをはんだなどによって接合（下面接続端子電極２０ｂも同様）した場合、第１の回路基板２４と三次元基板間接続構造体２の熱膨張係数とが異なる。例えば、第１の回路基板２４の熱膨張係数が三次元基板間接続構造体２よりも大きい場合、三次元基板間接続構造体２は第１の回路基板２４によって引張り力を受けて下方に凸状の形状となる。
【００４３】
そこで、図２（Ａ）に示すように、凸状の三次元基板間接続構造体２と第２の回路基板２６とを接続する際に、バンプ２２の大きさや高さを、凸状の反りの形状に対応させて変化させる。例えば、上記の場合、反りの中心線（Ｄ−Ｄ）から外側に向かうにしたがって接続端子電極の接触領域上（以下、詳細には接続端子電極の接触領域上であるが単に接続端子電極上と表現する）に高さの高いバンプ２２を形成するものである。
【００４４】
ここで、バンプ２２として、以下の製造方法で説明するように、ワイヤボンダを用いて金バンプを形成するスタッドバンプを用いることができる。
【００４５】
つぎに、図２（Ｂ）に示すように、三次元基板間接続構造体２の上面接続端子電極上に形成したバンプ２２と対向する第２の回路基板２６の接続電極（図示せず）面側に、例えば熱硬化性エポキシ樹脂を主成分とする接着層２８を塗布する。
【００４６】
そして、三次元基板間接続構造体２のバンプ２２を接着層２８の上から熱圧着して変形させて、第２の回路基板２６の接続電極（図示せず）と圧接させるとともに、接着層２８を熱硬化させる。この時、接着層２８の熱収縮によって、バンプ２２が第２の回路基板２６の接続電極に押し付けられて、三次元基板間接続構造体２と接続される。これにより、第２の回路基板２６が三次元基板間接続構造体２の反りに沿うように変形する必要がなくなるため、変形からの復元力による応力の発生がなく剥離強度の高い接続が得られる。すなわち、反りなどの機械的な変形をサイズの異なるバンプによって吸収し、第２の回路基板２６と三次元基板間接続構造体２との均一な接続状態を実現できる。その結果、落下衝撃や耐振動性に優れた構造を有する三次元基板間接続構造体が得られる。
【００４７】
ここで、三次元基板間接続構造体２のハウジング８の材料として、例えばガラスエポキシ樹脂や液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレートなどの絶縁性樹脂が用いられる。さらに、高い形状精度や高い伝熱性などが要求される場合には、セラミック基板などの絶縁性基板を用いてもよい。
【００４８】
また、接続端子電極、シールド電極１０や接地電極１２ａ、１２ｂの材料として、例えば銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの導電率の大きな金属材料で形成することが好ましい。さらに、接続の安定性や各電極の経時的な劣化を防止して信頼性を向上させるために、それらの材料の上に、例えば金からなる膜を形成することが望ましい。
【００４９】
なお、本実施の形態では、反りの形状を下方に凸状とした例で説明したが、これに限られない。例えば第１の基板の熱膨張係数が三次元基板間接続構造体の熱膨張係数より小さい場合には凹状になる場合もある。また、回路基板自体が平坦でなくどちらかに反りを発生した形状を有する場合もありうる。その場合においても、三次元基板間接続構造体の接続端子電極上のバンプサイズを回路基板の反り形状に合わせて設計することにより容易に対応できる。例えば、バンプのサイズを接続する回路基板と三次元基板間接続構造体の接触面間距離（接触面間隙）に対応させて、接続端子電極上に配置形成すればよい。
【００５０】
また、本実施の形態では、反りなどの機械的な変形が二次元的に生じる場合を例に説明したが、これに限られない。例えば、三次元的な変形に対しては、ハウジング８の他の枠辺の接続端子電極に形成するバンプの高さなどを変えて配設すればよいことはいうまでもない。
【００５１】
また、本実施の形態では、三次元基板間接続構造体２と第１の回路基板２４とをはんだで接合した例で説明した、これに限られない。例えば、異方導電性シートや異方導電性樹脂を用いてもよい。これにより、さらに接続が容易となる。
【００５２】
本実施の形態によれば、反りなどの変形を有する回路基板間においても、落下や衝撃などの信頼性の高い接続を異なるバンプ形状を備えた三次元基板間接続構造体を実現できる。
【００５３】
また、ハウジング８の外周部の側面上に配設したシールド電極１０および上下面に配設した接地電極１２ａ、１２ｂにより、接続端子電極や回路基板に実装された高周波部品などから発生するノイズや電磁波などの放射や外部からのノイズを有効にシールドすることができる。
【００５４】
以下に、本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法について説明する。
【００５５】
図３は、本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法の主な工程図である。そして、図３（Ａ）、図３（Ｄ）、図３（Ｇ）、図３（Ｊ）は、三次元基板間接続構造体の各製造工程における平面図である。また、図３（Ｂ）、図３（Ｅ）、図３（Ｈ）、図３（Ｋ）は、各平面図中のＢ−Ｂ線断面図、図３（Ｃ）、図３（Ｆ）、図３（Ｉ）、図３（Ｌ）は、同Ｅ−Ｅ線断面図である。なお、Ｂ−Ｂ線は図１（Ａ）中に示す複数の上面接続端子電極１８ａ上に配設したバンプの中心を通る線と同一であり、Ｅ−Ｅ線の位置は内周部の一側面の位置を示している。
【００５６】
まず、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）に示すように、例えばガラスエポキシ樹脂などを型成型して絶縁性基板（ハウジング）３０を用意する。
【００５７】
つぎに、図３（Ｄ）、図３（Ｅ）、図３（Ｆ）に示すように、絶縁性基板３０の上部面、下部面、外周部側面、内周部側面を粗化して、例えばパラジウム塩などのめっき触媒を全体に塗布する。そして、例えば無電解銅めっき法を用いて、絶縁性基板３０上に所定の厚みの銅めっき層３２を形成する。具体的には、例えば絶縁性基板３０を、以下に示す無電解銅めっき液に２時間浸漬し、約１０μｍ厚の銅を析出させ、全面に銅めっき層３２が形成される。ここで、無電解銅めっき液としては、例えば硫酸銅・５水和物／エチレンジアミン４酢酸／ポリエチレングリコール／ｌ２．２−ジビリジル／ホルムアルデヒド混合液を水酸化ナトリウムでＰＨ１２．５に調整したものが用いられ、液温７０℃で使用される。なお、無電解めっきと電解銅めっきを組み合わせても効果的であり、銅めっき層３２を短時間で形成できる。
【００５８】
つぎに、図３（Ｇ）、図３（Ｈ）、図３（Ｉ）に示すように、形成した銅めっき層３２上の全体にエッチング用のレジストを塗布し、紫外線を照射して所定のパターンで露光処理する。この時、エッチング用のレジストとしては、例えば電着レジスト（例えば、日本ペイント株式会社製の「フォトＥＤ  Ｐ−１０００」）を用い、２５℃で５０ｍＡ／ｄｍ２で３分間電着させ、約８μｍの厚さに塗布する。そして、フォトマスクを装着し、紫外線（散乱光）を約４００ｍｊ／ｃｍ２で照射し、所定のパターンを露光した。その後、３２℃の１％メタ珪酸ナトリウムをスプレー装置を用いて１２０秒間スプレーしてレジストを現像する。これにより、最終的に上面接続端子電極、下面接続端子電極、側面接続電極、接地電極およびシールド電極上を覆うレジストパターン３４が得られる。
【００５９】
つぎに、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３（Ｌ）に示すように、レジストパターン３４を形成した後、４０℃の塩化第２鉄の３６％溶液に２〜３分間浸漬して銅めっき層３２をエッチングする。その後、５０℃の５％メタ珪酸ナトリウムを１２０秒間スプレーしてレジストを剥離し所定の上面接続端子電極１８ａ、２０ａ、下面接続端子電極１８ｂ、２０ｂ、側面接続電極１８ｃ、２０ｃ、シールド電極１０および接地電極１２ａ、１２ｂを形成する。
【００６０】
その後、少なくとも上面接続端子電極１８ａ、２０ａ上に、ワイヤボンダを用いて金バンプなどのバンプ２２を形成する。具体的には、金ワイヤの先端を放電溶融させてボールを形成し、上面接続端子電極１８ａ、２０ａ上に超音波を加えながら加圧加熱して接合させてワイヤを切断することによりバンプ２２は形成される。この時、放電溶融を行う際に放電印加電圧を変化させることによってボールの大きさを変えることができる。これにより、例えば図３（Ｋ）に示す反りの中心線（Ｄ−Ｄ）から遠ざかるにつれ上面接続端子電極上のサイズ（大きさ、高さなど）を変化させたバンプ２２が形成される。
【００６１】
以上の工程により、例えば、ハウジングの寸法として、長さ１０．６ｍｍ、幅９ｍｍ、厚み０．４５ｍｍで、接続端子電極の引き出し線幅は約７５μｍ、上面接続端子電極のピッチが約３００μｍ程度の高密度実装に対応した三次元基板間接続構造体が作製される。
【００６２】
なお、本実施の形態では、上面接続端子電極、下面接続端子電極、側面接続電極、接地電極およびシールド電極などを同時に一括して形成する例で説明したがこれに限られず、相前後して形成してもよい。
【００６３】
また、本実施の形態においては、絶縁性基板の全面にわたって、例えばエポキシ樹脂と合成ゴム、架橋剤、硬化剤、フィラーを組み合わせた接着促進層を形成しその表面を粗化した後、めっき処理工程をしてもよい。これにより、絶縁性基板の表面へのめっきの固着強度を向上させることができる。
【００６４】
また、本実施の形態においては、上面接続端子電極、下面接続端子電極、側面接続電極、接地電極およびシールド電極の表面を金めっきすることが望ましい。これにより、接続の安定性や耐湿性などの信頼性を向上できる。
【００６５】
また、本実施の形態では、上面接続端子電極、下面接続端子電極、側面接続電極、接地電極およびシールド電極の形成方法として、無電解めっき法、フォトリソ技術とエッチング技術を用いて形成する例で説明したが、これに限られない。例えば、所定の膜厚でパターン形成できる方法であれば、特に制限されずに適用することができる。
【００６６】
なお、上記製造方法では、めっき層を形成後、レジストパターンで各電極を形成する例で説明したが、これに限られない。例えば、レジストパターンを形成後、めっき層を形成して、各電極をリフトオフ法などで形成してもよい。この場合、レジストパターンの位置が最終的に得られる各電極以外の領域を覆う形で形成される。
【００６７】
（第２の実施の形態）
以下に、本発明の第２の実施の形態における三次元基板間接続構造体について説明する。
【００６８】
図４（Ａ）は本発明の第２の実施の形態における三次元基板間接続構造体３６の構成を示す平面図、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）および図４（Ｄ）はそれぞれ図４（Ａ）中のＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図である。
【００６９】
本発明の第２の実施の形態は、バンプとして、はんだバンプを設ける点で第１の実施の形態とは異なるものである。そこで、以下では、第１の実施の形態の構成および製造方法の異なる点について主として説明する。なお、第１の実施の形態と同じ要素には同一符号を付し説明する。
【００７０】
図４に示すように、三次元基板間接続構造体３６は、第１の実施の形態と同様、ガラスエポキシ樹脂のハウジング８の上部面１４上に上面接続端子電極１８ａ、２０ａ、接地電極１２ａ、下部面１６上に下面接続端子電極１８ｂ、２０ｂ、接地電極１２ｂ、外周部４の側面上にシールド電極１０、内周部６の側面上に側面接続電極１８ｃ、２０ｃなどを備えている。
【００７１】
そして、図４（Ｃ）と図４（Ｄ）に示すように、この三次元基板間接続構造体３６の上面接続端子電極１８ａ、２０ａには、反りの中心線（Ｄ−Ｄ）から遠ざかるにしたがって、サイズの異なるはんだバンプ３８が複数形成される。この時、以下で図５を用いて詳細に説明するように、はんだバンプ３８のサイズ（大きさ、高さなど）が、三次元基板間接続構造体３６の、例えば反りなどの変形に対応した形状で形成される。
【００７２】
これにより、三次元基板間接続構造体を介して、接続される回路基板の反りなどの機械的な変形を有効に吸収することができる。
【００７３】
以下に、本発明の第２の実施の形態における三次元基板間接続構造体を用いて、回路基板の反りなどの機械的な変形を吸収するメカニズムについて、第１の実施の形態と同様な反りを想定し説明する。
【００７４】
図５（Ａ）は本発明の第２の実施の形態における第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板と接続する前の状態を示す断面図で、図５（Ｂ）は第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板に接合した時の状態を示す断面図である。
【００７５】
図５（Ａ）に示すように、第１の回路基板２４の接続電極（図示せず）と三次元基板間接続構造体３６の下面接続端子電極１８ｂとをはんだなどによって接合（下面接続端子電極２０ｂも同様）した場合、第１の回路基板２４と三次元基板間接続構造体３６の熱膨張係数とが異なる。例えば、第１の回路基板２４の熱膨張係数が三次元基板間接続構造体３６よりも大きい場合、三次元基板間接続構造体３６は第１の回路基板２４によって引張り力を受けて下方に凸状の形状となる。
【００７６】
そこで、図５（Ａ）に示すように、凸状の三次元基板間接続構造体３６と第２の回路基板２６とを接続する際に、はんだバンプ３８の大きさや高さを、凸状の反りの形状に対応させて変化させる。例えば、上記の場合、反りの中心線（Ｄ−Ｄ）から外側に向かうにしたがって接続端子電極上に高さの高い、例えば錫、銀、銅（ＳｎＡｇＣｕ）系などのはんだバンプ３８を形成するものである。
【００７７】
なお、はんだバンプ３８は、以下の製造方法で説明するように、製造時のレジストパターンの開口部に挿入するはんだ量によってそのサイズ（高さや大きさなど）を制御することができる。
【００７８】
つぎに、図５（Ｂ）に示すように、三次元基板間接続構造体３６の上面接続端子電極上に形成したはんだバンプ３８を加熱加圧し、第２の回路基板２６の接続電極（図示せず）にはんだを溶融させて接合する。この場合、第１の実施の形態とは異なり第２の回路基板２６の接続端子とは直接に接合される。
【００７９】
これにより、反りなどの機械的な変形をサイズの異なるはんだバンプ３８によって吸収し、強固な接続を得ることができる。さらに、第１の実施の形態のように、第２の回路基板２６の接続電極（図示せず）の周囲に熱硬化性エポキシ樹脂を主成分とする接着層２８を塗布して硬化させてもよい。
【００８０】
以下に、本発明の第２の実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法について説明する。
【００８１】
図６は、本発明の第２の実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法の主な工程図である。そして、図６（Ａ）、図６（Ｄ）、図６（Ｇ）、図６（Ｊ）は、三次元基板間接続構造体の各製造工程における平面図である。また、図６（Ｂ）、図６（Ｅ）、図６（Ｈ）、図６（Ｋ）は、各平面図中のＢ−Ｂ線断面図、図６（Ｃ）、図６（Ｆ）、図６（Ｉ）、図６（Ｌ）は、同Ｅ−Ｅ線断面図である。
【００８２】
まず、図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）に示すように、例えばガラスエポキシ樹脂などを型成型して絶縁性基板（ハウジング）３０を用意する。
【００８３】
つぎに、図６（Ｄ）、図６（Ｅ）、図６（Ｆ）に示すように、型成型した絶縁性基板３０の全面にエッチング用のレジストを塗布し、紫外線を照射して所定のパターンで露光・現像処理を行いレジストパターン３４を得る。
【００８４】
つぎに、図６（Ｇ）、図６（Ｈ）、図６（Ｉ）に示すように、レジストパターン３４が形成されていない絶縁性基板３０が露出した面を粗化して、例えばパラジウム塩などのめっき触媒を全体に塗布する。そして、無電解銅めっき法を用いて、全面に所定の厚みの銅めっき層３２を形成する。その後、少なくとも上面接続端子電極の位置に相当する開口部に、レジストパターン３４で形成された開口部中の銅めっき層３２上に、ＳｎＡｇＣｕ系などのはんだ量を、反りの中心線（Ｄ−Ｄ）から遠ざかる上面接続端子電極１８ａ、２０ａほど多く挿入し、はんだバンプ３８のサイズを制御する。すなわち、はんだバンプ３８のサイズを反りの中心ほど小さく、遠ざかるほど大きく形成する。レジストパターン３４の開口部中にはんだが挿入されるため、隣接する上面接続端子電極に流動して電気的に接触するなどの問題が発生することがない。
【００８５】
つぎに、図６（Ｊ）、図６（Ｋ）、図６（Ｌ）に示すように、レジストパターンをリフトオフして、上面接続端子電極、下面接続端子電極、側面接続電極、接地電極およびシールド電極を形成する。
【００８６】
以上の工程により、図４に示す三次元基板間接続構造体３６が作製される。
【００８７】
なお、レジストの塗布、露光条件や材料、無電解銅めっき法の条件や材料などは第１の実施の形態と同様である。
【００８８】
（第３の実施の形態）
以下に、本発明の第３の実施の形態における三次元基板間接続構造体について説明する。
【００８９】
図７（Ａ）は本発明の第３の実施の形態における三次元基板間接続構造体３６の構成を示す平面図、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）および図７（Ｄ）はそれぞれ図７（Ａ）中のＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図である。
【００９０】
本発明の第３の実施の形態は、スタッドバンプやはんだバンプの代わりに絶縁性基板自体に形状（特に、高さ）の異なる突起を形成しバンプ（以下、「基板バンプ」と記す）とする点で、第１の実施の形態や第２の実施の形態とは異なるものである。そこで、以下では、第１の実施の形態や第２の実施の形態の構成および製造方法と異なる点について主として説明する。なお、第１の実施の形態や第２の実施の形態と同じ要素には同一符号を付し説明する。
【００９１】
図７に示すように、三次元基板間接続構造体４０は、ガラスエポキシ樹脂のハウジング４６の少なくとも上部面１４上に突起４４を形成し、その突起４４を覆うように上面接続端子電極１８ａ、２０ａが形成されて基板バンプ４２を備えた構成を有する。そして、第１の実施の形態と同様に、ハウジング４６の上部面１４上には、上面接続端子電極１８ａ、２０ａ、接地電極１２ａ、下部面１６上には下面接続端子電極１８ｂ、２０ｂ、接地電極１２ｂ、外周部４の側面上にはシールド電極１０、内周部６の側面上に側面接続電極１８ｃ、２０ｃなどを備えている。
【００９２】
そして、図７（Ｃ）と図７（Ｄ）に示すように、この三次元基板間接続構造体４０は反りの中心線（Ｄ−Ｄ）から遠ざかるにしたがってサイズの大きくなる基板バンプ４２が複数設けられている。この時、基板バンプ４２のサイズ（大きさ、高さなど）は、回路基板の変形量に対応して、ハウジング４６の面上の突起４４のサイズをあらかじめ型成型時に、設定して成型される。
【００９３】
これにより、三次元基板間接続構造体を介して、接続される回路基板の反りなどの機械的な変形に対して、均一な接触を実現できる。
【００９４】
以下に、本発明の第３の実施の形態における三次元基板間接続構造体を用いて、回路基板の反りなどの機械的な変形を吸収するメカニズムについて、第１の実施の形態と同様な反りを想定し説明する。
【００９５】
図８（Ａ）は本発明の第３の実施の形態における第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板と接続する前の状態を示す断面図で、図８（Ｂ）は第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板に接合した時の状態を示す断面図である。
【００９６】
図８（Ａ）に示すように、第１の回路基板２４の接続電極（図示せず）と三次元基板間接続構造体４０の下面接続端子電極１８ｂとをはんだなどによって接合（下面接続端子電極２０ｂも同様）した場合、第１の回路基板２４と三次元基板間接続構造体４０の熱膨張係数とが異なる。例えば、第１の回路基板２４の熱膨張係数が三次元基板間接続構造体４０よりも大きい場合、三次元基板間接続構造体４０は第１の回路基板２４によって引張り力を受けて下方に凸状の形状となる。
【００９７】
そこで、図８（Ａ）に示すように、凸状の三次元基板間接続構造体４０と第２の回路基板２６とを接続する際、基板バンプ４２の大きさや高さを、凸状の反りの形状に対応させて変化させる。例えば、上記の場合、反りの中心線（Ｄ−Ｄ）から外側に向かうにしたがって接続端子電極上にサイズの大きい基板バンプ４２を形成したものである。
【００９８】
つぎに、図８（Ｂ）に示すように、三次元基板間接続構造体４０上で、例えば銅めっき層３２の上面接続端子電極１８ａ、２０ａで覆われて形成された基板バンプ４２と対向する第２の回路基板２６の接続電極（図示せず）の面側に、例えば熱硬化性エポキシ樹脂を主成分とする接着層２８を塗布する。
【００９９】
そして、三次元基板間接続構造体４０の基板バンプ４２を接着層２８の上から熱圧着して、基板バンプ４２の先端を覆う銅めっき層３２を変形させ第２の回路基板２６の接続端子電極（図示せず）に圧接させるとともに、接着層２８を熱硬化させる。この時、接着層２８の熱収縮によって、基板バンプ４２が第２の回路基板２６の接続端子電極に押し付けられて、三次元基板間接続構造体４０と均一に接続する。すなわち、反りなどの機械的な変形を有する回路基板に対しても、サイズの異なる基板バンプで均一に接続させることができる。また、均一に接続できるため、バンプを部分的に変形させる必要がなく、低荷重での接続が可能となる。
【０１００】
以下に、本発明の第３の実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法について説明する。
【０１０１】
図９は、本発明の第３の実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法の主な工程図である。そして、図９（Ａ）、図９（Ｄ）、図９（Ｇ）、図９（Ｊ）は、三次元基板間接続構造体の各製造工程における平面図である。また、図９（Ｂ）、図９（Ｅ）、図９（Ｈ）、図９（Ｋ）は、各平面図中のＢ−Ｂ線断面図、図９（Ｃ）、図９（Ｆ）、図９（Ｉ）、図９（Ｌ）は、同Ｅ−Ｅ線断面図である。
【０１０２】
まず、図９（Ａ）、図９（Ｂ）、図６（Ｃ）に示すように、例えばガラスエポキシ樹脂などを型成型して複数のサイズの異なる突起４４が一体的に形成された絶縁性基板（ハウジング）４７を用意する。この時、突起４４は、回路基板などの反りに対応して、例えば下向きで凸状の場合には、反りの中心線（Ｄ−Ｄ）に近いほどサイズが小さく、遠ざかるほどサイズが大きく形成される。
【０１０３】
つぎに、図９（Ｄ）、図９（Ｅ）、図９（Ｆ）に示すように、突起４４を含む絶縁性基板４７の上部面、下部面、外周部側面、内周部の側面を粗化して、例えばパラジウム塩などのめっき触媒を全体に塗布する。そして、無電解銅めっき法を用いて、所定の厚みの銅めっき層３２を形成する。
【０１０４】
つぎに、図９（Ｇ）、図９（Ｈ）、図９（Ｉ）に示すように、形成した銅めっき層３２上の全体にわたってエッチング用のレジストを塗布し、紫外線を照射して所定のパターンで露光・現像処理する。これにより、最終的に上面接続端子電極、下面接続端子電極、側面接続電極、接地電極およびシールド電極上を覆うレジストパターン３４が得られる。
【０１０５】
つぎに、図９（Ｊ）、図９（Ｋ）、図９（Ｌ）に示すように、レジストパターン３４を形成した後、所定の溶液で銅をエッチングする。そして、レジストパターン３４を剥離し所定の上面接続端子電極１８ａ、２０ａ、下面接続端子電極１８ｂ、２０ｂ、側面接続電極１８ｃ、２０ｃ、シールド電極１０および接地電極１２ａ、１２ｂを形成する。この時、銅めっき層３２で覆われた突起４４を含む基板バンプ４２が、所定の形状で形成される。上記工程により、図７に示す三次元基板間接続構造体４０が作製される。
【０１０６】
なお、レジストに用いる条件および材料、無電解銅めっき法に用いる条件および材料などは第１の実施の形態と同様である。
【０１０７】
また、上記製造方法では、第１の実施の形態と同様に、めっき層を形成後、レジストパターンで各電極を形成する例で説明したが、これに限られない。例えば、レジストパターンを形成後、めっき層を形成して、各電極をリフトオフ法などで形成してもよい。この場合、レジストパターンの位置が最終的に得られる各電極以外の領域を覆う形で形成される。
【０１０８】
以下に、本発明の第３の実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法の別の例について、図１０を用いて説明する。なお、図１０（Ａ）から図１０（Ｆ）は、上述した製造工程と同じであるため説明は省略する。
【０１０９】
すなわち、図１０（Ｇ）、図１０（Ｈ）、図１０（Ｉ）に示すように、絶縁性基板（ハウジング）４７の全面に、例えば銅めっき層３２を形成した後、レーザビームを用いて、直接、上面接続端子電極、下面接続端子電極、側面接続電極、接地電極およびシールド電極以外の箇所の銅めっき層３２を除去しパターンニングする。
【０１１０】
これにより、図７に示すような基板バンプ４２が形成された三次元基板間接続構造体４０を容易に作製できる。
【０１１１】
上記実施の形態によれば、レジスト処理・現像工程を省くことができ、工程を簡略化でき、生産性を高めることができる。
【０１１２】
なお、上記製造方法では、レーザビームを用いたが、電子ビームも有効である。
【０１１３】
（第４の実施の形態）
以下に、本発明の第４の実施の形態における三次元基板間接続構造体について説明する。
【０１１４】
図１１（Ａ）は本発明の第４の実施の形態における三次元基板間接続構造体４８の構成を示す平面図、図１１（Ｂ）、図１１（Ｃ）および図１１（Ｄ）はそれぞれ図１１（Ａ）中のＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図である。
【０１１５】
本発明の第４の実施の形態は、ハウジングの外周部側面にシールド電極を配設しない点で、上記各実施の形態とは異なるものである。以下では、上記各実施の形態の構成と異なる点について主として説明する。なお、上記各実施の形態と同じ要素には同一符号を付し説明する。
【０１１６】
一般に、シールド電極は、回路基板で扱われる信号の種類によっては必ずしも必要ではない。そのため、シールド電極が必要でない場合には、本実施の形態のように同じサイズの額縁形の枠状のハウジング８の外周部４と内周部６の側面上の両方に、側面接続電極を設けることができる。なお、以下では、第１の実施の形態と同様に、上面接続端子電極上にバンプとしてスタッドバンプを用いた例で説明する。そして、三次元基板間接続構造体の製造方法に関しても、各電極を形成するレジストパターンが異なるが、基本的に第１の実施の形態と同様であるので、説明は省略する。
【０１１７】
図１１に示すように、三次元基板間接続構造体４８は、例えば四角形状の外周部４と内周部６を有する額縁形の枠状のガラスエポキシ樹脂などからなるハウジング８を備えている。また、ハウジング８の上部面１４と下部面１６で千鳥足状に複数個配設された接続端子電極１８、５０を有する。そして、接続端子電極１８は、上部面１４に形成された上面接続端子電極１８ａ、下部面１６上に形成された下面接続端子電極１８ｂと内周部６の側面上に形成された側面接続電極１８ｃと一体的に形成して構成される。一方、接続端子電極５０は、上面接続端子電極５０ａ、下面接続端子電極５０ｂと外周部４の側面上に形成された側面接続電極５０ｃとを一体的に形成して構成される。さらに、上面接続端子電極と下面接続端子電極は、接続する回路基板の接続端子と接触する千鳥足状に配置された接触領域と、その接触領域から引き出され側面接続電極と接続する引出し領域から構成されている。
【０１１８】
そして、第１の実施の形態と同様に、例えばスタッドバンプなどの複数のバンプ２２が、ハウジングの少なくとも上面接続端子電極１８ａ、５０ａの各々の接触領域上に（回路基板の接続電極（図示せず）に対応する位置に）形成されている。この時、バンプ２２のサイズ（大きさ、高さなど）が、三次元基板間接続構造体４８の、例えば反りなどの変形に対応して形状で形成される。
【０１１９】
これにより、三次元基板間接続構造体を介して、接続される回路基板の反りなどの機械的な変形を有効に吸収することができる。
【０１２０】
また、ハウジングの上部面から下部面にいたる側面接続電極間の間隔を広くできるとともに、第１の実施の形態のような隣接する上面接続端子電極の間に配線する引出し領域を除くことができる。その結果、隣接する側面接続電極相互間のノイズ、電磁波放射などの相互干渉を低減するとともに、接続端子電極の数を増すことができる。
【０１２１】
また、接地電極を省略できるため、その領域にさらに接続端子電極を形成し、接続端子電極の数を増加させることができる。
【０１２２】
なお、さらに接続端子電極数を増加させるには、以下で説明する図１２の接続端子電極構成とすることができる。
【０１２３】
図１２（Ａ）は、本発明の第４の実施の形態における三次元基板間接続構造体の別の例を示す平面図、図１２（Ｂ）、図１２（Ｃ）および図１２（Ｄ）はそれぞれ図１２（Ａ）中のＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図である。
【０１２４】
図１２に示すように、三次元基板間接続構造体５２は、上部面１４で上面接続端子電極２０ａと上面接続端子電極５０ａとを、下部面１６上で下面接続端子電極２０ｂと下面接続端子電極５０ｂとを相対するように配置したものである。そして、上面接続端子電極２０ａと下面接続端子電極２０ｂは内周部６の側面上の側面接続電極２０ｃと接続し、上面接続端子電極５０ａと下面接続端子電極５０ｂは外周部４の側面上の側面接続電極５０ｃと電気的に接続している。
【０１２５】
これにより、接続端子電極の数を大幅に増加させた三次元基板間接続構造体５２を実現できる。同様に、図１２に示すようにハウジング８の四隅の領域にも接続端子電極を配置することによってさらに増すことも可能である。
【０１２６】
なお、本実施の形態では、バンプとしてスタッドバンプを例に説明したが、はんだバンプ、基板バンプの場合も同様に構成することができる。
【０１２７】
なお、上記各実施の形態では、三次元基板間接続構造体の片面だけにバンプを配置したが、必要に応じて両面にバンプを設けてもよいことは説明するまでもない。
【０１２８】
（第５の実施の形態）
以下に、本発明の第５の実施の形態における立体回路装置について説明する。
【０１２９】
図１３（Ａ）は本発明の第５の実施の形態における立体回路装置の構成を示す斜視図で、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の部分拡大断面図である。
【０１３０】
なお、以下では、第１の実施の形態で説明した三次元基板間接続構造体２を用い、第１の実施の形態と同じ要素には同一符号を付し説明する。また、図１３（Ａ）において、説明を分かりやすくするために、回路基板の配線パターンを一部省略し、かつ回路基板間に挟まれた三次元基板間接続構造体２を透視して図示している。
【０１３１】
図１３に示すように、立体回路装置５４は、第１の回路基板２４と第２の回路基板２６とを三次元基板間接続構造体２を間に挟んで対向して接続した構成を有する。
【０１３２】
ここで、第１の回路基板２４には三次元基板間接続構造体２の内周部６内に収まるように、例えば高周波回路などのＩＣチップからなる回路部品５６が、第１の回路基板２４に形成した配線パターン６０の接続端子（図示せず）と、例えばはんだで接続し、所定の位置に実装されている。
【０１３３】
そして、三次元基板間接続構造体２の下面接続端子電極１８ｂ、２０ｂと第１の回路基板２４の所定の配線パターン６０の接続端子（図示せず）がはんだなどで接続されている。さらに、三次元基板間接続構造体２の上面接続端子電極１８ａ、２０ａ上のバンプ２２と第２の回路基板２６に設けた所定の配線パターン６２の接続端子（図示せず）とが接続されている。
【０１３４】
また、三次元基板間接続構造体２に設けられた接地電極１２ａと第１の回路基板２４、接地電極１２ｂと第２の回路基板２６にそれぞれ設けた接地配線パターン６４、６６間とを接続してアース電位に接地されている。
【０１３５】
さらに、接地電極１２ａ、１２ｂは、三次元基板間接続構造体２に設けたシールド電極１０と接続される。
【０１３６】
これにより、三次元基板間接続構造体２で内包された回路部品５６や上面接続端子電極１８ａ、２０ａ、下面接続端子電極１８ｂ、２０ｂ、側面接続電極１８ｃ、２０ｃをシールドし、外部からのノイズや接続端子電極および回路部品５６で発生する内部ノイズの放射などを効率よく遮蔽する。
【０１３７】
本実施の形態によれば、サイズの異なるバンプを有しシールド電極を備えた三次元基板間接続構造体を介して、複数の回路基板間を、反りなどの機械的な変形を有効に吸収して良好に接続できる。さらに、ノイズなどによる誤動作を生じない信頼性に優れた薄型の立体回路装置を実現できる。
【０１３８】
なお、本実施の形態において、第１の回路基板に回路部品を実装する例で説明したが、これに限らない。例えば、第２の回路基板や、第１の回路基板と第２の回路基板の両方に回路部品を実装してもよい。これにより、シールドが必要なる回路部品を多数実装することができる。
【０１３９】
また、本実施の形態では、第１の実施の形態の三次元基板間接続構造体２を用いて説明したが、上記各実施の形態で説明した三次元基板間接続構造体を用いてもよく、同様な効果を奏するものである。
【０１４０】
また、本実施の形態では、三次元基板間接続構造体を介して回路基板を２枚接続する例で説明したが、これに限られない。例えば、３枚以上の複数枚をそれぞれ三次元基板間接続構造体を介して多段接続してもよい。これにより、シールドが必要な回路部品を独立にシールドできるため、電磁波干渉を未然に防ぐことができる。また、複数の回路基板間を別々に中継できるため、複雑な回路基板配置などに容易に対応できる。さらに、複数の三次元基板間接続構造体により、立体回路装置の機械的な強度の向上や取り扱いが容易な構成とすることができる。
【０１４１】
また、上記各実施の形態において、接続端子電極をハウジングの全周にわたって設けた例で説明したが、これに限られない。例えば、ハウジング形状が四角形の場合、一辺、対向する辺または三辺など部分的に設けてもよい。
【０１４２】
また、上記各実施の形態において、枠状のハウジングを例に説明したが、これに限られない。例えば、円形、多角形など接続する構成に合わせた任意の形状としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１４３】
本発明に係る三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置は、軽薄短小化が進む情報携帯機器などの技術分野において有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】（Ａ）本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体の構成を示す平面図（Ｂ）図１（Ａ）のＡ−Ａ線断面図（Ｃ）図１（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図（Ｄ）図１（Ａ）のＣ−Ｃ線断面図
【図２】（Ａ）同実施の形態における第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板と接続する前の状態を示す断面図（Ｂ）第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板に接合した時の状態を示す断面図
【図３】同実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法の主な工程図
【図４】（Ａ）本発明の第２の実施の形態における三次元基板間接続構造体の構成を示す平面図（Ｂ）図４（Ａ）のＡ−Ａ線断面図（Ｃ）図４（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図（Ｄ）図４（Ａ）のＣ−Ｃ線断面図
【図５】（Ａ）同実施の形態における第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板と接続する前の状態を示す断面図（Ｂ）第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板に接合した時の状態を示す断面図
【図６】同実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法の主な工程図
【図７】（Ａ）本発明の第３の実施の形態における三次元基板間接続構造体の構成を示す平面図（Ｂ）図７（Ａ）のＡ−Ａ線断面図（Ｃ）図７（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図（Ｄ）図７（Ａ）のＣ−Ｃ線断面図
【図８】（Ａ）同実施の形態における第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板と接続する前の状態を示す断面図（Ｂ）第１の回路基板と接合した三次元基板間接続構造体を第２の回路基板に接合した時の状態を示す断面図
【図９】同実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法の主な工程図
【図１０】同実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法の別の例を示す工程図
【図１１】（Ａ）本発明の第４の実施の形態における三次元基板間接続構造体の構成を示す平面図（Ｂ）図１１（Ａ）のＡ−Ａ線断面図（Ｃ）図１１（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図（Ｄ）図１１（Ａ）のＣ−Ｃ線断面図
【図１２】（Ａ）本発明の第４の実施の形態における三次元基板間接続構造体の別の例を示す平面図（Ｂ）図１２（Ａ）のＡ−Ａ線断面図（Ｃ）図１２（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図（Ｄ）図１２（Ａ）のＣ−Ｃ線断面図
【図１３】（Ａ）本発明の第５の実施の形態における立体回路装置の構成を示す斜視図（Ｂ）図１３（Ａ）の部分拡大断面図
【符号の説明】
【０１４５】
２，３６，４０，４８，５２    三次元基板間接続構造体
４    外周部
６    内周部
８，４６    ハウジング
１０    シールド電極
１２ａ，１２ｂ    接地電極
１４    上部面
１６    下部面
１８，２０，５０    接続端子電極
１８ａ，２０ａ，５０ａ    上面接続端子電極
１８ｂ，２０ｂ，５０ｂ    下面接続端子電極
１８ｃ，２０ｃ，５０ｃ    側面接続電極
２２    バンプ
２４    第１の回路基板
２６    第２の回路基板
２８    接着層
３０，４７    絶縁性基板
３２    銅めっき層
３４    レジストパターン
３８    はんだバンプ
４２    基板バンプ
４４    突起
５４    立体回路装置
５６    回路部品
６０，６２    配線パターン
６４，６６    接地配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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