(57)【要約】【課題】導電性バンプと金属パッドとの接触界面における好適な機械強度を有する半導体装置を、より簡素なプロセスにて製造することのできる半導体装置の製造方法及びその製法にて製造された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置を製造するにあたり、金属パッド形成工程として、半導体基板１０の表面ＲＳのうちの金属パッド３０の周縁部が形成される部分にＬＯＣＯＳ酸化膜１２を形成する第１層間膜形成工程と、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の表面を含む半導体基板１０の表面ＲＳに所定の膜厚にて金属膜を形成する金属膜形成工程と、金属膜の平面視形状を所定の形状に整形する整形工程とを実行する。こうした金属パッド形成工程を通じて、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の表面及び半導体基板１０の表面ＲＳの側面断面視形状を、金属パッド３０の側面断面視形状に転写する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を半導体基板に作製する素子作製工程と、前記半導体基板の表面に金属パッドを形成する金属パッド形成工程と、前記金属パッド形成工程にて形成された金属パッドと導電性バンプとを接合する接合工程とを備え、他の半導体装置あるいは回路基板と当該半導体装置とをこれら導電性バンプ及び金属パッドを介して電気的に接続する、半導体装置の製造方法であって、
前記金属パッド形成工程は、
前記半導体基板の表面のうちの前記金属パッドの周縁部が形成される部分に第１層間膜を形成する第１層間膜形成工程と、
前記第１層間膜形成工程にて形成された第１層間膜の表面を含む前記半導体基板の表面に所定の膜厚にて金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜形成工程にて形成された金属膜の平面視形状を所定の形状に整形する整形工程とを有しており、
前記金属パッド形成工程を通じて、前記第１層間膜及び前記半導体基板の各表面の側面断面視形状を、前記金属パッドの表面の側面断面視形状に転写することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属パッド形成工程を通じて、前記半導体基板の表面に平行な第１平坦面と該第１平坦面に対して傾斜する傾斜面とが組み合わされた側面断面視メサ状の窪みを、前記金属パッドの表面に形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１層間膜形成工程では、前記第１層間膜として、前記半導体基板の表面の熱酸化を通じてＬＯＣＯＳ酸化膜を形成しており、
前記金属パッド形成工程を通じて、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜及び前記半導体基板の各表面の側面断面視形状を前記金属パッド表面の側面断面視形状に転写することで、前記窪みを有する金属パッドを形成することを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１層間膜形成工程では、前記第１層間膜として、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜の上表面に多結晶シリコン膜を形成しており、
前記金属パッド形成工程を通じて、前記多結晶シリコン膜の膜厚を調整することで、前記傾斜面の傾斜角度を調整することを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属パッド形成工程を通じて、前記金属パッドの表面の周縁部が前記導電性バンプを包み込むように該導電性バンプの表面に沿って傾斜し、且つ、前記金属パッドの表面の中央部が前記導電性バンプに向かって凸となる側面断面視形状の窪みを、前記金属パッドの表面に形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属パッド形成工程は、前記半導体基板の表面のうちの、前記凸となる部分に対応する部分に、第２層間膜を形成する第２層間膜形成工程をさらに備えており、
前記金属パッド形成工程を通じて、前記第１層間膜及び前記第２層間膜並びに前記半導体基板の各表面の側面断面視形状を、前記金属パッドの表面の側面断面視形状に転写することを特徴とする、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２層間膜形成工程では、前記第２層間膜として、前記半導体基板の表面の熱酸化を通じてＬＯＣＯＳ酸化膜を形成しており、
前記金属パッド形成工程を通じて、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜及び前記半導体基板の各表面の側面断面視形状を前記金属パッド表面の側面断面視形状に転写することで、前記窪みを有する金属パッドを形成することを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２層間膜形成工程では、前記第２層間膜として、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜の上表面に多結晶シリコン膜を形成しており、
前記金属パッド形成工程を通じて、前記多結晶シリコン膜の膜厚を調整することで、前記第１平坦面の一部の盛り上げられる高さを調整することを特徴とする、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体素子が作製された半導体基板の表面に所定の厚みにて形成される金属パッドと、前記半導体基板と前記金属パッドの周縁部との間に形成される第１層間膜とを備え、前記金属パッドと導電性バンプとが接合されることで、これら金属パッド及び導電性バンプを介して他の半導体装置あるいは回路基板と電気的に接続される半導体装置であって、
前記第１層間膜及び前記半導体基板の各表面の側面断面視形状が、前記金属パッドの表面の側面断面視形状に転写されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記金属パッドには、前記半導体基板の表面に平行な第１平坦面と該第１平坦面に対して傾斜する傾斜面とが組み合わされた側面断面視メサ状の窪みが形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１層間膜は、前記半導体基板の表面を熱酸化することで形成されるＬＯＣＯＳ酸化膜を含んでおり、
前記傾斜面の傾斜角度は、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜のバーズビーク部によって所定角度に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１層間膜は、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜の上表面に形成された多結晶シリコン膜を含んでおり、
前記傾斜面の傾斜角度は、前記多結晶シリコン膜の膜厚によって所定角度に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記金属パッドと前記第１層間膜との間に絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記金属パッドは、前記半導体基板を貫通する貫通電極と一体に形成されていることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記金属パッドには、該金属パッドの表面の周縁部が前記導電性バンプを包み込むように該導電性バンプの表面に沿って傾斜し、且つ、前記金属パッドの表面の中央部が前記導電性バンプに向かって凸となる側面断面視形状の窪みが形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体基板と前記金属パッドの中央部との間に形成される第２層間膜をさらに備え、
前記第１層間膜及び前記第２層間膜並びに前記半導体基板の各表面の側面断面視形状が、前記金属パッドの表面の側面断面視形状に転写されていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第２層間膜は、前記半導体基板の表面を熱酸化することで形成されるＬＯＣＯＳ酸化膜を含んでおり、
前記第１平坦面の一部は、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜によって所定の高さに盛り上げられていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第２層間膜は、多結晶シリコン膜を含んでおり、
前記第１平坦面の一部は、前記多結晶シリコン膜の膜厚によって所定の高さに盛り上げられていることを特徴とする請求項１６または１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記金属パッドと前記第２層間膜との間に絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記第１層間膜は、前記半導体基板の周縁部に形成されていることを特徴とする請求項９〜１９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
当該半導体装置は、前記請求項９〜２０のいずれか一項に記載の半導体装置を２つ有するものであり、これら２つの半導体装置は、各半導体装置が有する電極パッドと前記導電性バンプとが接合されることにより、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及びこの製法にて製造された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造方法及びその製法にて製造された半導体装置として、例えば特許文献１及び２に記載の技術が知られている。以下、特許文献１及び２に記載の技術も含め、従来の技術について説明する。
【０００３】
従来の半導体装置では、パッケージ基板あるいは半導体チップの金属パッド上に形成された導電性バンプを介して、半導体チップを配線基板と電気的に接続している。ここで、金属パッドは、円錐状あるいは半球状の窪みが該金属パッドの表面に形成されている。これにより、球状を有することが多い導電性バンプと金属パッドとの接触界面の面積が増大し、接触界面における機械強度の向上が図られている。
【特許文献１】特開平９−１６２２４０号公報
【特許文献２】特開平１０−５０７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、こうした円錐状あるいは半球状の窪みは、以下のようにして形成される。詳しくは、まず、パッケージ基板又は半導体チップの表面に対し、例えばＣＶＤ（化学気相成長）を通じて金属膜を一定膜厚にて堆積形成する。次に、一定膜厚にて形成された金属膜を例えば平面視矩形状に整形し、平板状の金属パッドを形成する。そして、金属パッドの表面を研削することにより、円錐状あるいは半球状の窪みを形成する。このように、円錐状あるいは半球状の窪みを金属パッドの表面に対して形成しようとすると、一般に、加工プロセスは複雑になってしまう。
【０００５】
また、パッケージ基板又は半導体チップの表面に形成された金属パッドの数が多くなるほど、さらには、半導体装置の体格が小型化するほど（金属パッドの微細化が進展するほど）、こうした従来の構造を有する半導体装置を製造することは難しくなる。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、導電性バンプと金属パッドとの接触界面における好適な機械強度を有する半導体装置を、より簡素なプロセスにて製造することのできる半導体装置の製造方法及びその製法にて製造された半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体素子を半導体基板に作製する素子作製工程と、前記半導体基板の表面に金属パッドを形成する金属パッド形成工程と、前記金属パッド形成工程にて形成された金属パッドと導電性バンプとを接合する接合工程とを備え、他の半導体装置あるいは回路基板と当該半導体装置とをこれら導電性バンプ及び金属パッドを介して電気的に接続する、半導体装置の製造方法として、前記金属パッド形成工程は、前記半導体基板の表面のうちの前記金属パッドの周縁部が形成される部分に第１層間膜を形成する第１層間膜形成工程と、前記第１層間膜形成工程にて形成された第１層間膜の表面を含む前記半導体基板の表面に所定の膜厚にて金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記金属膜形成工程にて形成された金属膜の平面視形状を所定の形状に整形する整形工程とを有しており、前記金属パッド形成工程を通じて、前記第１層間膜及び前記半導体基板の各表面の側面断面視形状を、前記金属パッドの表面の側面断面視形状に転写することとした。
【０００８】
半導体装置の製造方法としてのこのような方法では、第１層間膜形成工程を通じて、半導体基板の表面のうちの金属パッドの周縁部を形成する部分に第１層間膜を形成し、金属膜形成工程を通じて、第１層間膜の表面を含む半導体基板の表面に所定の膜厚にて金属膜を形成し、整形工程を通じて、金属膜の平面視形状を所定の形状に整形することで、金属パッドを完成する。これにより、金属パッドの側面断面視形状は、第１層間膜及び半導体基板の各表面の側面断面視形状が転写されることになる。ここで、平坦面を有することの多い半導体基板の表面に第１層間膜が形成されるため、第１層間膜及び半導体基板の各表面の側面断面視形状は凹凸を有する形状となる。そうした凹凸が金属パッドの側面断面視形状に転写されるため、背景技術の欄に記載した従来技術と同様に、金属パッドと導電性バンプとの接触界面の面積が増大し、接触界面における機械強度は向上している。ただし、上記製法は、従来技術とは異なり、金属パッドの表面を研削することで該金属パッドの表面に凹凸を形成するわけではないため、加工プロセスが煩雑にならない。すなわち、上記製法では、より簡素なプロセスにて、金属パッドを形成し、ひいては半導体装置を製造することができるようになる。
【０００９】
上記請求項１に記載の発明において、例えば請求項２に記載の発明では、前記金属パッド形成工程を通じて、前記半導体基板の表面に平行な第１平坦面と該第１平坦面に対して傾斜する傾斜面とが組み合わされた側面断面視メサ状の窪みを、前記金属パッドの表面に形成することとした。
【００１０】
上記製法にて製造される半導体装置では、金属パッドは、半導体基板の表面に平行な第１平坦面と該第１平坦面に対して傾斜する傾斜面とが組み合わされた側面断面視メサ状の窪みを有し、導電性バンプはそうした窪みに収められることになる。そのため、導電性バンプは、金属パッドと接合する際、金属パッドの第１平坦面だけでなく、金属パッドの傾斜面にも接触するようになり、導電性バンプと金属パッドとの接触面積が大きくなる。したがって、導電性バンプと金属パッドとの接触界面における機械強度が向上する。接触界面における機械強度がこのように向上すると、当該製法にて製造された半導体装置が例えば自動車等に搭載され、自動車の運転中に生じる振動が加えられたとしても、導電性バンプと金属パッドとが振動に耐え切れず互いに乖離するようなことは抑制されるようになる。
【００１１】
また、導電性バンプと金属パッドとの接触界面に例えば水分が浸入するようなことがあると、接触界面の腐食を招き、ひいては、接触界面の機械強度を低下させてしまうことにもなりかねない。その点、上記製法にて製造される半導体装置では、導電性バンプは、金属パッドの第１平坦面だけでなく、金属パッドの傾斜面とも接触しているため、導電性バンプと金属パッドの第１平坦面との接触界面に水分が浸入することがそもそも抑制されている。したがって、導電性バンプと金属パッドの第１平坦面との接触界面の腐食を防止することができるようになり、導電性バンプと金属パッドとの接触界面に水分が浸入するようなことがあっても、導電性バンプと金属パッドの第１平坦面との接触界面の機械強度を維持することができるようになる。
【００１２】
さらに、上記製法にて製造された半導体装置では、接合工程を通じて金属パッドと導電性バンプとを接合するにあたり、金属パッドの所望とする位置に導電性バンプが正確に載置されないようなことがあったとしても、導電性バンプは、傾斜面に誘導されて、金属パッド中央部（所望位置）に形成された側面断面視メサ状の窪みに自ら収まるようになる。すなわち、自己アライメント補正効果を得ることができるようになる。なお、半導体装置の体格が小さくになるにつれて導電性バンプを所望位置に載置することが難しくなるため、こうした自己アライメント補正効果は、半導体装置の体格の小型化を図る際により有用となる。
【００１３】
上記請求項２に記載の方法において、例えば請求項３に記載の発明のように、前記第１層間膜形成工程では、前記第１層間膜として、前記半導体基板の表面の熱酸化を通じてＬＯＣＯＳ酸化膜を形成しており、前記金属パッド形成工程を通じて、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜及び前記半導体基板の各表面の側面断面視形状を前記金属パッド表面の側面断面視形状に転写することで、前記窪みを有する金属パッドを形成することが望ましい。
【００１４】
ＬＯＣＯＳ酸化膜は一般に知られた技術であり、一般的な半導体プロセスを通じて形成することができるため、上記製法によれば、第１層間膜を形成するための特別な半導体プロセスを新たに追加することなく、一般的な半導体プロセスを通じて第１層間膜を容易に形成することができるようになる。また、そうしたＬＯＣＯＳ酸化膜は半導体基板の構成材料よりも硬度が大きいため、上記製法にて製造された半導体装置は、当該装置全体としての硬度が向上するようになる。そのため、例えば半導体装置に外力が加わったとしても、半導体基板に作製された半導体素子が所定の機能を維持することができるようになる。
【００１５】
また、例えば請求項４に記載の発明のように、前記第１層間膜形成工程では、前記第１層間膜として、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜の上表面に多結晶シリコン膜を形成しており、前記金属パッド形成工程を通じて、前記多結晶シリコン膜の膜厚を調整することで、前記傾斜面の傾斜角度を調整することが望ましい。上記ＬＯＣＯＳ酸化膜と同様に、多結晶シリコン膜も一般に知られた技術であるため、一般的な半導体プロセスを通じて傾斜面の傾斜角度を調整することができるようになる。
【００１６】
上記請求項１に記載の方法において、例えば請求項５に記載の発明では、前記金属パッド形成工程を通じて、前記金属パッドの表面の周縁部が前記導電性バンプを包み込むように該導電性バンプの表面に沿って傾斜し、且つ、前記金属パッドの表面の中央部が前記導電性バンプに向かって凸となる側面断面視形状の窪みを、前記金属パッドの表面に形成することが望ましい。こうした製法にて製造される半導体装置では、上記請求項２に記載の製法にて製造される半導体装置に準じた効果が得られるようになる。ただし、導電性バンプは、金属パッドと接続される際、金属パッドの表面に沿って変形する。そのため、金属パッドの表面の中央部が導電性バンプに向けて凸となっているため、導電性バンプと金属パッドとの接触界面の面積はより大きくなる。
【００１７】
上記請求項５に記載の方法において、例えば請求項６に記載の発明のように、前記金属パッド形成工程は、前記半導体基板の表面のうちの、前記凸となる部分に対応する部分に、第２層間膜を形成する第２層間膜形成工程をさらに備えており、前記金属パッド形成工程を通じて、前記第１層間膜及び前記第２層間膜並びに前記半導体基板の各表面の側面断面視形状を、前記金属パッドの表面の側面断面視形状に転写することとした。
【００１８】
半導体装置の製造方法としてのこのような方法では、第２層間膜形成工程を通じて、半導体基板の表面のうちの、盛り上げられた部分に対応する部分に第２層間膜を形成し、金属膜形成工程を通じて、第１層間膜及び第２層間膜の表面を含む半導体基板の表面に所定の膜厚にて金属膜を形成し、整形工程を通じて、金属膜の平面視形状を所定の形状に整形することで、金属パッドを完成する。これにより、金属パッドの表面の側面断面視形状は、第１層間膜及び第２層間膜並びに半導体基板の各表面の側面断面視形状が転写されることになる。ここで、平坦面を有することの多い半導体基板の表面に、第１層間膜及び第２層間膜が形成されるため、第１層間膜及び第２層間膜並びに半導体基板の各表面の側面断面視形状はより多くの凹凸を有する形状となる。したがって、金属パッドと導電性バンプとの接触界面の面積がさらに増大し、接触界面における機械強度はさらに向上するようになる。
【００１９】
上記請求項６に記載の方法において、例えば請求項７に記載の発明のように、前記第２層間膜形成工程では、前記第２層間膜として、前記半導体基板の表面の熱酸化を通じてＬＯＣＯＳ酸化膜を形成しており、前記金属パッド形成工程を通じて、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜及び前記半導体基板の各表面の側面断面視形状を前記金属パッド表面の側面断面視形状に転写することで、前記窪みを有する金属パッドを形成することとしてもよい。ＬＯＣＯＳ酸化膜は一般に知られた技術であり、一般的な半導体プロセスを通じて形成することができることは既述した通りである。そのため、上記製法によれば、第２層間膜を形成するための特別な半導体プロセスを新たに追加することなく、一般的な半導体プロセスを通じて第２層間膜を容易に形成することができるようになる。また、第２層間膜は半導体基板の構成材料よりも硬度が大きいため、上記製法にて製造された半導体装置も、当該装置全体としての硬度が向上するようになる。そのため、例えば半導体装置に外力が加わったとしても、半導体基板に作製された半導体素子が所定の機能を維持することができるようになる。
【００２０】
上記請求項７に記載の方法において、例えば請求項８に記載の発明のように、前記第２層間膜形成工程では、前記第２層間膜として、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜の上表面に多結晶シリコン膜を形成しており、前記金属パッド形成工程を通じて、前記多結晶シリコン膜の膜厚を調整することで、前記第１平坦面の一部の盛り上げられる高さを調整することが望ましい。上記ＬＯＣＯＳ酸化膜と同様に、多結晶シリコン膜も一般に知られた技術であるため、一般的な半導体プロセスを通じて第１平坦面の一部の盛り上げ高さを調節することができるようになる。
【００２１】
一方、上記目的を達成するため、請求項９に記載の発明では、半導体素子が作製された半導体基板の表面に所定の厚みにて形成される金属パッドと、前記半導体基板と前記金属パッドの周縁部との間に形成される第１層間膜とを備え、前記金属パッドと導電性バンプとが接合されることで、これら金属パッド及び導電性バンプを介して他の半導体装置あるいは回路基板と電気的に接続される半導体装置として、前記第１層間膜及び前記半導体基板の各表面の側面断面視形状が、前記金属パッドの表面の側面断面視形状に転写されていることとした。こうした構成の半導体装置は、上記請求項１に記載の製法を通じて製造される。そのため、上記構成によれば、上記請求項１に記載の効果に準じた効果を得ることができるようになる。
【００２２】
上記請求項９に記載の構成において、例えば請求項１０に記載の発明では、前記金属パッドには、前記半導体基板の表面に平行な第１平坦面と該第１平坦面に対して傾斜する傾斜面とが組み合わされた側面断面視メサ状の窪みが形成されていることとした。こうした構成の半導体装置は、上記請求項２に記載の製法を通じて製造される。そのため、上記構成によれば、上記請求項２に記載の効果に準じた効果を得ることができるようになる。
【００２３】
上記請求項１０に記載の構成において、例えば請求項１１に記載の発明では、前記第１層間膜は、前記半導体基板の表面を熱酸化することで形成されるＬＯＣＯＳ酸化膜を含んでおり、前記傾斜面の傾斜角度は、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜のバーズビーク部によって所定角度に形成されていることとした。こうした構成を有する半導体装置は、上記請求項３に記載の製法を通じて製造される。そのため、上記構成によれば、上記請求項３に記載の効果に準じた効果を得ることができるようになる。
【００２４】
上記請求項１１に記載の構成において、例えば請求項１２に記載の発明では、前記第１層間膜は、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜の上表面に形成された多結晶シリコン膜を含んでおり、前記傾斜面の傾斜角度は、前記多結晶シリコン膜の膜厚によって所定角度に形成されていることとした。こうした構成を有する半導体装置は、上記請求項４に記載の製法を通じて製造される。そのため、上記構成によれば、上記請求項４に記載の効果に準じた効果を得ることができるようになる。
【００２５】
また、上記請求項９〜１２のいずれかに記載の構成において、例えば請求項１３に記載の発明のように、前記金属パッドと前記第１層間膜との間に絶縁膜が形成されていることとすれば、導電性を有することの多い半導体基板を、電極パッド（ひいては導電性バンプ）と電気的に絶縁することができるようになる。なお、上記請求項９〜１３のいずれかに記載の構成において、例えば請求項１４に記載のように、前記金属パッドは、前記半導体基板を貫通する貫通電極と一体に形成されていることとしてもよい。
【００２６】
また、上記請求項９に記載の構成において、例えば請求項１５に記載の発明では、前記金属パッドには、該金属パッドの表面の周縁部が前記導電性バンプを包み込むように該導電性バンプの表面に沿って傾斜し、且つ、前記金属パッドの表面の中央部が前記導電性バンプに向かって凸となる側面断面視形状の窪みが形成されていることとした。こうした構成を有する半導体装置は、上記請求項５に記載の製法を通じて製造される。そのため、上記構成によれば、上記請求項５に記載の効果に準じた効果を得ることができるようになる。
【００２７】
上記請求項１５に記載の構成において、例えば請求項１６に記載の発明のように、前記半導体基板と前記金属パッドの中央部との間に形成される第２層間膜をさらに備え、前記第１層間膜及び前記第２層間膜並びに前記半導体基板の各表面の側面断面視形状が、前記金属パッドの表面の側面断面視形状に転写されていることとしてもよい。こうした構成を有する半導体装置は、上記請求項６に記載の製法を通じて製造される。そのため、上記構成によれば、上記請求項６に記載の効果に準じた効果を得ることができるようになる。
【００２８】
上記請求項１６に記載の構成において、例えば請求項１７に記載の発明では、前記第２層間膜は、前記半導体基板の表面を熱酸化することで形成されるＬＯＣＯＳ酸化膜を含んでおり、前記第１平坦面の一部は、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜によって所定の高さに盛り上げられていることとした。こうした構成を有する半導体装置は、上記請求項７に記載の製法を通じて製造される。そのため、上記構成によれば、上記請求項７に記載の効果に準じた効果を得ることができるようになる。
【００２９】
上記請求項１６または１７に記載の構成において、例えば請求項１８に記載の発明では、前記第２層間膜は、多結晶シリコン膜を含んでおり、前記第１平坦面の一部は、前記多結晶シリコン膜の膜厚によって所定の高さに盛り上げられていることとした。こうした構成を有する半導体装置は、上記請求項８に記載の製法を通じて製造される。そのため、上記構成によれば、上記請求項８に記載の効果に準じた効果を得ることができるようになる。
【００３０】
上記請求項１５〜１８のいずれかに記載の構成において、例えば請求項１９に記載の発明のように、前記金属パッドと前記第２層間膜との間に絶縁膜が形成されていることとすれば、導電性を有することの多い半導体基板を、電極パッド（ひいては導電性バンプ）と電気的に絶縁することができるようになる。
【００３１】
上記請求項９〜１９のいずれかに記載の構成において、例えば請求項２０に記載の発明では、前記第１層間膜は、前記半導体基板の周縁部に形成されていることとした。半導体装置としてのこのような構成によれば、半導体基板の周縁部に形成された硬度の大きな第１層間膜がフレームとして機能するため、例えば当該半導体装置に外力が加わったとしても、半導体基板に作製された半導体素子を好適に保護することができるようになる。
【００３２】
なお、例えば請求項２１に記載の発明のように、当該半導体装置は、前記請求項９〜２０のいずれか一項に記載の半導体装置を２つ有するものであり、これら２つの半導体装置は、各半導体装置が有する電極パッドと前記導電性バンプとが接合されることにより、互いに電気的に接続されていることとしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置の一実施の形態について、図１〜図３を参照して説明する。なお、図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施の形態について、その製造プロセスを示す側面断面図であり、図２（ａ）及び（ｂ）は、図１（ａ）〜（ｄ）に示す製造プロセスに続く製造プロセスを示す側面断面図である。また、図３は、本発明に係る半導体装置の一実施の形態について、その断面構造を側面から示す側面断面図である。
【００３４】
はじめに、図１及び図２を併せ参照しつつ、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施の形態について説明する。なお、この製法を用いることで、図３にその側面断面構造を示す後述の半導体装置が製造されることになる。
【００３５】
まず、半導体装置を製造するにあたり、準備工程として、例えば単結晶シリコン（Ｓｉ）から構成された所定の厚さの半導体基板１０を準備する。
【００３６】
半導体基板１０を準備すると、熱酸化マスク形成工程として、半導体基板１０の表面ＲＳの全面に対し、例えばＣＶＤ（化学気相成長）等を通じて、耐酸化性を有する例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）４０を所定の膜厚にて形成する。そして、半導体基板１０の表面ＲＳ全面に形成されたシリコン窒化膜４０を、図１（ａ）に示すように、所望の位置（本実施の形態では略中央）を残してエッチング除去する。こうして形成されたシリコン窒化膜４０は、続く熱酸化工程において、熱酸化マスクとして機能する。
【００３７】
熱酸化マスク形成工程を終えると、続く熱酸化工程として、シリコン窒化膜４０が形成された半導体基板１０を酸化性雰囲気に晒すことで、シリコンと酸素、あるいは、シリコンと水分を化学反応させる。こうした熱酸化により、図１（ｂ）に示すように、半導体基板１０の表面ＲＳのうちのシリコン窒化膜４０に覆われていない部分に、ＬＯＣＯＳ酸化膜（ＳｉＯ２）１２が形成される。ちなみに、半導体基板１０の表面ＲＳのうちのシリコン窒化膜４０に覆われている部分は基本的に熱酸化されない。ただし、シリコン窒化膜４０に覆われているとはいえ、シリコン窒化膜４０端部の直下においては、該シリコン窒化膜４０と半導体基板１０の表面ＲＳとの間に上記酸化性雰囲気が入り込むため、半導体基板１０を構成するシリコンは熱酸化される。こうしたＬＯＣＯＳ酸化膜１２の形成過程に起因して、同図１（ｂ）中に一点鎖線で囲むように、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の中央部から端部に向けて徐々に膜厚が薄くなる、いわゆるバーズビーク部１２ａが形成されることになる。なお、この熱酸化工程では、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の形成後、半導体基板１０の表面ＲＳの略中央に形成されていたシリコン窒化膜４０をエッチング除去する。このようにして、所望の位置で開口するＬＯＣＯＳ酸化膜１２が半導体基板１０の上表面に形成されることになる。なお、図１（ａ）及び（ｂ）にそれぞれ示す熱酸化マスク形成工程及び熱酸化工程によって、特許請求の範囲に記載の第１層間膜形成工程が構成されている。
【００３８】
半導体基板１０の表面ＲＳにＬＯＣＯＳ酸化膜１２が形成されると、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜形成工程として、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の表面を含む半導体基板１０の表面ＲＳに所定の膜厚にて絶縁膜を形成する。詳しくは、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の上表面、及び、半導体基板１０の表面ＲＳのうちのＬＯＣＯＳ酸化膜１２に形成された孔を介して露出する部分に対し、例えばＣＶＤ（化学気相成長）を通じて、電気的な絶縁性を有する例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）２０を所定の膜厚にて形成する。このようにして形成されたシリコン酸化膜２０は、図１（ｃ）に示すように、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の上表面並びに半導体基板１０の表面ＲＳを均一の膜厚にて覆うこととなる。
【００３９】
ちなみに、シリコン酸化膜２０は、後述する金属パッド形成工程を通じて形成される金属パッドと半導体基板１０との電気的な絶縁が、当該半導体装置の動作時においても維持することができる膜厚に設定されている。さらに、シリコン酸化膜２０は、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２及びバーズビーク部１２ａ並びに半導体基板１０の各上表面の側面断面視形状がシリコン酸化膜２０の上表面の側面断面視形状に転写されるだけの膜厚に設定されている。
【００４０】
こうして絶縁膜形成工程を終えると、金属膜形成工程として、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の上表面、及び、半導体基板１０の表面ＲＳのうちのＬＯＣＯＳ酸化膜１２の開口を介して露出する部分（正確には、シリコン酸化膜２０の上表面）の全面に対して、例えばＣＶＤ（化学気相成長）を通じて、例えばアルミニウム膜を所定膜厚に成膜する。そして、続く整形工程として、図１（ｄ）に示すように、シリコン酸化膜２０上表面の全面に形成されたアルミニウム膜を所定の形状（本実施の形態では平面視正方形）に整形することで、金属パッドを完成する（整形工程）。なお、図１（ａ）及び（ｂ）に示す第１層間膜形成工程、図１（ｃ）に示す絶縁膜形成工程、並びに、図１（ｄ）に示す金属膜形成工程及び整形工程によって、特許請求の範囲に記載の金属パッド形成工程が構成されている。
【００４１】
ちなみに、金属膜形成工程にて形成される金属膜も、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２及びバーズビーク部１２ａ並びに半導体基板１０の各上表面の（正確には、シリコン酸化膜２０の上表面の）側面断面視形状が金属膜の上表面の側面断面形状に転写されるだけの膜厚に設定されている。
【００４２】
したがって、図１（ｄ）に示すように、金属パッド３０の中央部には、半導体基板１０の表面ＲＳに平行な第１平坦面ＦＳ１と該第１平坦面ＦＳ１に対して傾斜する傾斜面ＳＳとが組み合わされた側面断面視メサ状の窪み３０ａが形成されることになる。さらに、金属パッド３０の周縁部には、半導体基板１０の表面に平行な第２平坦面ＦＳ２が形成され、中央部の第１平坦面ＦＳ１と周縁部の第２平坦面ＦＳ２との間には、半導体基板１０の厚み方向に段差Ｄが生じることになる。
【００４３】
次に、図２（ａ）に示すように、導電性バンプ載置工程として、球状の導電性バンプ５０を金属パッド３０の窪み３０ａに載置する。ここで、本実施の形態では、金属パッド３０の所望とする位置に導電性バンプ５０が正確に載置されず、載置位置が所望位置から僅かにずれるようなことがあったとしても、金属パッド３０に上記段差Ｄ（正確には傾斜面ＳＳ）が形成されているため、導電性バンプ５０は、傾斜面ＳＳによって誘導され、金属パッド３０の窪み３０ａに自ら収まる。すなわち、金属パッド３０は、自己アライメント補正効果を奏することになる。
【００４４】
こうして導電性バンプ５０が金属パッド３０の所望位置に載置されると、次に、接合工程を実行する。接合工程では、図２（ｂ）に示すように、先の図１（ｄ）に示した半導体基板１０と全く同一の構造を有する半導体基板１０を上下反転して保持する。そして、導電性バンプ５０が載置された半導体基板１０を、図中に矢指するように図中の下方から上方に向けて近づけ、導電性バンプ５０と金属パッド３０とを接触させ、これら導電性バンプ５０と金属パッド３０とを接合する。なお、保持された半導体基板１０が有する金属パッド３０に導電性バンプ５０を接触させる際、その金属パッド３０にも窪み３０ａが形成されているため、接触位置が僅かにずれたとしても、導電性バンプ５０は、傾斜面ＳＳによって誘導され、金属パッド３０の窪み３０ａに自ら収まることになる。すなわち、金属パッド３０は、ここでも、自己アライメント補正効果を奏することになる。ちなみに、半導体装置の体格が小さくなるにつれて、導電性バンプを所望位置に正確に載置すること並びに導電性バンプと金属パッドとを正確に所望位置にて接触させることは難しくなる。こうした自己アライメント補正効果は、半導体装置の体格の小型化を図る際により有用となる。
【００４５】
また、本実施の形態では、実際には、所定の機能を有する半導体素子を半導体基板に作製する素子作製工程も実行されるが、そうした素子作製工程では、例えば半導体基板１０内部に不純物を導入するウェル形成工程等、一般に知られた技術を通じて素子を作成するため、ここでの詳細な説明を割愛する。
【００４６】
以上説明した半導体装置の製造方法によって製造される、本実施の形態の半導体装置は、図３に示す構造を有することになる。
【００４７】
詳しくは、図３に示すように、半導体装置１は、基本的に、例えば単結晶シリコン（Ｓｉ）から構成された所定の厚さの半導体基板１０を備えており、この半導体基板１０には、上記素子作製工程を通じて、所定の機能を有する図示しない半導体素子が複数作製されている。
【００４８】
また、図３に示すように、金属パッド３０の中央部には、半導体基板１０の表面ＲＳに平行な第１平坦面ＦＳ１と該第１平坦面ＦＳ１に対して傾斜する傾斜面ＳＳとが組み合わされた側面断面視メサ状の窪み３０ａが形成されている。さらに、金属パッド３０の周縁部には、半導体基板１０の表面に平行な第２平坦面ＦＳ２が形成されている。
【００４９】
これにより、導電性バンプ５０は、金属パッド３０と接合する際、第１平坦面ＦＳ１だけでなく傾斜面ＳＳにも接触するようになり、導電性バンプ５０と金属パッド３０との接触面積が大きくなる。したがって、導電性バンプ５０と金属パッド３０との接触界面における機械強度が向上する。そのため、当該半導体装置１を例えば自動車等に搭載しても、導電性バンプ５０と金属パッド３０とが自動車の運転中に生じる振動に耐え切れず互いに乖離するようなことは抑制されるようになる。
【００５０】
また、導電性バンプ５０と金属パッド３０との接触界面に例えば水分等の異物が浸入するようなことがあると、接触界面の腐食を招き、ひいては、接触界面の機械強度を低下させてしまうことにもなりかねないところ、本実施の形態の半導体装置１では、導電性バンプ５０と金属パッド３０の第１平坦面ＦＳ１との接触界面にそうした水分が浸入することがそもそも抑制されている。したがって、少なくとも、導電性バンプ５０と金属パッド３０の第１平坦面ＦＳ１との接触界面の腐食を防止することができるようになり、導電性バンプ５０と金属パッド３０との接触界面に水分が浸入するようなことがあっても、導電性バンプ５０と金属パッド３０の第１平坦面ＦＳ１との接触界面の機械強度を維持することができる。
【００５１】
また、図３に示すように、半導体装置１では、金属パッド３０に窪み３０ａを形成するために用いられたＬＯＣＯＳ酸化膜１２が、金属パッド３０の周縁部と半導体基板１０との間に残されている。ＬＯＣＯＳ酸化膜１２は、半導体基板１０を構成する材料である単結晶シリコン（Ｓｉ）よりも硬度が大きい。そうした硬度の大きいＬＯＣＯＳ酸化膜１２が半導体基板１０に残されているため、半導体装置１全体としての硬度が向上する。そのため、例えば当該半導体装置１に外力が加えられたとしても、半導体基板１０に作製された半導体素子が所定の機能を維持することができるようになる。
【００５２】
本実施の形態では、こうした効果を有する半導体装置１を既述した製法にて製造している。すなわち、背景技術の欄に記載した従来技術とは異なり、金属膜形成工程にて形成された金属膜の表面を研削するという複雑な加工プロセスを通じて金属パッドの表面に断面メサ状の窪み３０ａを形成しているわけではなく、半導体基板１０の表面ＲＳにＬＯＣＯＳ酸化膜１２を予め形成しておき、金属膜形成工程ではこれら半導体基板１０の表面ＲＳ及びＬＯＣＯＳ酸化膜１２上表面に一定膜厚にて金属膜を形成するという簡素なプロセスを通じて、金属パッド３０の表面に断面メサ状の窪み３０ａを形成している。換言すれば、上記効果を有する半導体装置を、より簡素なプロセスにて製造することができるようになる。
【００５３】
なお、本発明に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置は、上記実施の形態で例示した方法及び構成に限られるものではなく、本実施の形態を適宜変更した例えば次の形態として実行することもできる。
【００５４】
上記実施の形態では、先の図１（ｃ）に示したように、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の表面を含む半導体基板１０の表面ＲＳに所定の膜厚にてシリコン酸化膜（絶縁膜）２０を形成する絶縁膜形成工程を備えていたが、こうしたシリコン酸化膜２０については、必要に応じて形成したり割愛したりしてもよい。例えば、半導体基板１０及び金属パッド３０を同一の電位にしたいのであれば、こうしたシリコン酸化膜２０を形成する絶縁膜形成工程を割愛することとしてもよい。こうした製法にて製造される半導体装置は、シリコン酸化膜２０が割愛された構成を有することになる。
【００５５】
また、上記実施の形態では、先の図１（ｄ）に示したように、シリコン酸化膜２０は略均一の厚みに形成されるため、第１平坦面ＦＳ１と第２平坦面ＦＳ２との段差Ｄは、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２の厚みに主に依存して一定に定められていた。しかしながら、こうした段差Ｄを必要に応じて小さくしたり大きくしたりしてもよい。具体的には、図１（ｄ）に対応する図として例えば図４（ａ）に示すように、例えば多結晶シリコン膜（第１層間膜）６０をＬＯＣＯＳ酸化膜１２の上表面に形成することで、段差Ｄ１を調整することとしてもよい。ちなみに、多結晶シリコン膜６０の膜厚を厚くするほど、段差Ｄ１が大きくなるため、第１平坦面ＦＳ１に対する傾斜面ＳＳの傾斜角度は大きくなる。一方、多結晶シリコン膜６０の膜厚を薄くするほど、段差Ｄ１が小さくなるため、第１平坦面ＦＳ１に対する傾斜面ＳＳの傾斜角度は小さくなる。このように、傾斜角度が所望の角度となるように、多結晶シリコン膜６０の膜厚を調整することとしてもよい。こうした製法にて製造される半導体装置は、第１平坦面ＦＳ１に対する傾斜面ＳＳの傾斜角度が所望の角度に形成された構造を有することとなる。
【００５６】
また、上記実施の形態において、例えば図４（ｂ）に示すように、半導体基板１０の表面ＲＳから裏面ＢＳに至る貫通電極３５を、金属パッド３０と一体になるように形成する貫通電極形成工程をさらに備えることとしてもよい。具体的には、半導体基板１０の表面ＲＳに金属パッド３０を形成した後、半導体基板１０の裏面ＢＳから金属パッド３０に向けて例えばドライエッチングを通じて貫通孔１０ａを形成する。そして、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料をスパッタリングを通じて貫通孔１０ａに埋め込むことにより、金属パッド３０と一体となるように貫通電極３５を形成する。こうした製法にて製造される半導体装置は、金属パッド３０と一体に形成された貫通電極３５を有することとなる。
【００５７】
また、上記実施の形態において、例えば図５（ａ）に示すように、半導体基板１０の表面ＲＳのうちの金属パッド３１の中央部が形成される部分にＬＯＣＯＳ酸化膜１３を形成することで、第１平坦面ＦＳ１の一部を導電性バンプ５０に向けて盛り上げて第３平坦面ＦＳ３としてもよい。既述したように、導電性バンプ５０は、金属パッド３１と接合される際、金属パッド３１の表面に沿って変形する。そのため、こうした製法にて製造された半導体装置では、導電性バンプ５０と金属パッド３１との接触界面の面積をより大きくすることができるようになる。
【００５８】
なお、こうした変形例では、図５（ａ）に示したように、シリコン酸化膜２０は略均一の厚みに形成されるため、第１平坦面ＦＳ１と該第１平坦面ＦＳ１の一部が盛り上げられた第３平坦面ＦＳ３との高さの差は、ＬＯＣＯＳ酸化膜１３の厚みに主に依存して一定に定められる。しかしながら、必要に応じて、こうした盛り上がり高さを高くしたり低くしたりしてもよい。すなわち、例えば多結晶シリコン（第２層間膜）膜をＬＯＣＯＳ酸化膜１３の上表面に形成することで、盛り上がり高さを調整することとしてもよい。ちなみに、多結晶シリコン膜の膜厚を厚くするほど、盛り上がり高さは高くなるため、導電性バンプ５０と金属パッド３１との接触界面の面積をより大きくすることができるようになる。一方、多結晶シリコン膜の膜厚を薄くするほど、盛り上がり高さは低くなるため、導電性バンプ５０と金属パッド３１との接触界面の面積をより小さくすることができるようになる。このように、盛り上がり高さが所望の高さとなるように、多結晶シリコン膜の膜厚を調整することとしてもよい。こうした製法にて製造される半導体装置は、第１平坦面の一部が導電性バンプ５０に向けて盛り上げられた構造を有することとなる。
【００５９】
また、上記変形例では、ＬＯＣＯＳ酸化膜１３上表面に例えば多結晶シリコン膜を形成していたが、これらＬＯＣＯＳ酸化膜１３及びシリコン膜を必ずしも併用する必要はない。すなわち、例えば図５（ｂ）に示すように、半導体基板１０の表面ＲＳのうちの金属パッド３１の中央部が形成される部分に例えば多結晶シリコン膜１４のみを形成することで、第１平坦面ＦＳ１の一部を導電性バンプ５０に向けて盛り上げて第３平坦面ＦＳ３としてもよい。これによっても、ＬＯＣＯＳ酸化膜１３及び多結晶シリコン膜を併用した場合に準じた効果を得ることができる。なお、こうしたＬＯＣＯＳ酸化膜１３及び多結晶シリコン膜が特許請求の範囲に記載した第２層間膜に相当する。
【００６０】
さらに、上記変形例では、先の図５（ａ）及び（ｂ）に示したように、金属パッド３１と第２層間膜（ＬＯＣＯＳ酸化膜１３あるいは多結晶シリコン膜１４）との間に、所定の膜厚にて例えばシリコン酸化膜２０（絶縁膜）を形成していたが、こうしたシリコン酸化膜２０については、既述したように、必要に応じて形成したり割愛したりしてもよい。
【００６１】
またさらに、上記変形例では、半導体基板１０の表面ＲＳに平行な第１平坦面ＦＳ１とこの第１平坦面ＦＳ１に対して傾斜する傾斜面ＳＳとが組み合わさるとともに、平坦面ＦＳ１の一部が導電性バンプ５０に向けて盛り上げられた側面断面視形状の窪みとしていたが、第１平坦面ＦＳ１及び第３平坦面ＦＳ３については、平坦でなくともよい。要は、金属パッドの表面の周縁部が導電性バンプを包み込むように該導電性バンプの表面に沿って傾斜し、且つ、金属パッドの表面の中央部が前記導電性バンプに向かって凸となる側面断面視形状の窪みであれば、所期の目的を達成することはできる。
【００６２】
上記実施の形態では、金属パッド３０または３１の周縁部にのみ、ＬＯＣＯＳ酸化膜１２を形成していたが、これに限らない。例えば半導体基板１０の周縁部に金属パッド３０または３１を複数形成する必要がある場合には、図７にその斜視構造を示すように、半導体基板１０の向かい合う１組の対辺に沿ってＬＯＣＯＳ酸化膜１２が形成された半導体装置としてもよい。ＬＯＣＯＳ酸化膜１２は、半導体基板１０よりも硬度が大きいことは既述した通りである。したがって、上記構造を採用することにより、半導体基板１０に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１２がフレームとして機能するため、例えば当該半導体装置に外力が加わったとしても、半導体基板１０に作製された半導体素子を好適に保護することができるようになる。なお、半導体基板１０の向かい合う１組の対辺に沿ってのみＬＯＣＯＳ酸化膜１２を形成することに限らず、半導体基板１０の向かい合う２組の対辺に沿ってＬＯＣＯＳ酸化膜１２を形成することとしてもよい。逆に、半導体基板１０の１辺に沿ってのみＬＯＣＯＳ酸化膜１２を形成することとしてもよい。要は、半導体基板１０の周縁部にＬＯＣＯＳ酸化膜１２を形成すれば、上記効果に準じた効果を得ることはできる。
【００６３】
上記実施の形態では、半導体装置１は、先の図３に示したように、先の図１（ｄ）に示した半導体基板１０を２つ有しており、これら半導体基板がそれぞれ有する金属パッド３０と導電性バンプ５０とが接合されることにより、互いに電気的に接続されていたが、半導体装置の構造はこれに限らない。他に例えば、図３に対応する図として図６に示すように、先の図５（ａ）に示した、金属パッド３１の中央部が盛り上げられた構造を有する半導体基板と、先の図４（ｂ）に示した、貫通電極３５と一体となった金属パッド３０を有する半導体基板とを２つ有し、これら半導体基板がそれぞれ有する金属パッド３１及び３０と導電性バンプ５０とを接合することにより、互いに電気的に接続された半導体装置１ａとしてもよい。要は、こうした２つの半導体基板の組み合わせは任意であり、上述したような、適宜変更が加えられた半導体基板を２つ用いて、半導体装置を製造することとしてもよい。
【００６４】
上記実施の形態では、上記整形工程において、金属膜のうちの金属パッド３０あるいは３１の周縁部となる部分を除去せず残したため、金属パッド３０あるいは３１の周縁部は、半導体基板１０の表面ＲＳに平行な第２平坦面ＦＳ２となっていたが、こうした第２平坦面ＦＳ２を形成しなくてもよい。換言すれば、第１平坦面ＦＳ１及び傾斜面ＳＳのみが金属パッド３０あるいは３１に形成されていることとしてもよい。これによっても、所期の目的を達成することはできる。
【００６５】
上記実施の形態では、第１層間膜として、半導体基板１０の表面ＲＳにＬＯＣＯＳ酸化膜１２を形成していたがこれに限らない。他に例えば、ＴＥＯＳ膜等を形成し、これを用いて金属パッドに窪みを形成することとしてもよい。これによっても、所期の目的を達成することはできる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施の形態について、（ａ）〜（ｄ）は、その製造プロセスを示す側面断面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、同実施の形態の半導体装置の製造方法について、図１に続く製造プロセスを示す側面断面図。
【図３】本発明に係る半導体装置の一実施の形態について、その断面構造を側面方向から示す側面断面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、同実施の形態の半導体装置の変形例について、その断面構造側面方向から示す側面断面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、同実施の形態の半導体装置の他の変形例について、その断面構造を側面方向から示す側面断面図。
【図６】同実施の形態の半導体装置のさらに他の変形例について、その断面構造を側面方向から示す側面断面図。
【図７】同実施の形態の半導体装置のさらに他の変形例について、その斜視構造を示す斜視図。
【符号の説明】
【００６７】
１…半導体装置、１０…半導体基板、１０ａ…貫通孔、１２…ＬＯＣＯＳ酸化膜（第１層間膜）、１２ａ…バーズビーク部、１３…ＬＯＣＯＳ酸化膜（第２層間膜）、１４…多結晶シリコン膜（第２層間膜）、２０…シリコン酸化膜（絶縁膜）、３０、３１…金属パッド、３０ａ…窪み、３５…貫通電極、４０…シリコン窒化膜、５０…導電性バンプ、６０…多結晶シリコン膜（第１層間膜）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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