(57)【要約】【課題】分割露光を行いつつ、歩留まりの向上や生産性の向上を図ることが可能な配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】導体層と樹脂絶縁層とをこの順番で基板に積層する工程と、前記導体層と前記樹脂絶縁層が積層された前記基板に位置合わせマークを形成する工程と、前記位置合わせマークが形成された基板上に感光性材料を配置する工程と、前記位置合わせマークを基準として、前記位置合わせマークを配置した境界領域によって区分される複数の露光領域の前記感光性材料を順次露光する工程と、前記基板の前記複数の露光領域間を、前記境界領域の幅と略同じ切断幅で前記位置合わせマーク上を切断して、前記位置合わせマークを消失させる工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と樹脂絶縁層とをこの順番で基板に積層する工程と、
前記導体層と前記樹脂絶縁層が積層された基板に位置合わせマークを形成する工程と、
前記位置合わせマークが形成された基板上に感光性材料を配置する工程と、
前記位置合わせマークを基準として、前記位置合わせマークを配置した境界領域によって区分される複数の露光領域の前記感光性材料を順次露光する工程と、
前記基板の前記複数の露光領域間を、前記境界領域の幅と略同じ切断幅で前記位置合わせマーク上を切断して、前記位置合わせマークを消失させる工程と、
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
導体層と感光性を有する樹脂絶縁層とをこの順番で基板に積層する工程と、
前記導体層と前記樹脂絶縁層が積層された基板に位置合わせマークを形成する工程と、
前記位置合わせマークを基準として、前記位置合わせマークを配置した境界領域によって区分される、複数の露光領域の前記樹脂絶縁層を順次露光する工程と、
前記基板の前記複数の露光領域間を、前記境界領域の幅と略同じ切断幅で前記位置合わせマーク上を切断して、前記位置合わせマークを消失させる工程と、
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記位置合わせマークを形成する工程が、前記樹脂絶縁層の主表面にレーザを照射することで前記導体層を露出させる工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記切断幅は、１．０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の作製において、導体層のパターンを形成する際や、ソルダーレジスト層に所定の開口を形成する際に、露光技術がよく用いられる。近年、配線基板の高密度化の要求等に伴い、基板の全露光領域を一度に露光するいわゆる一括露光方法に比べて高精度な露光が可能なことから、基板の露光領域を分割した複数の分割露光領域を順次露光する分割露光方法が試みられている。
分割露光方法を用いた配線基板の製造方法として、ソルダーレジストに所定の開口を形成する際に、基板の周縁部や複数の分割露光領域間に設けられた位置合わせマークを基準として、複数の分割露光領域の感光性のソルダーレジストを順次露光する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−３１５２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような複数の分割露光領域間に配置される位置合わせマークは、通常、分割露光領域間の数ｍｍ幅の余白（以下、「捨てしろ」と称する）内に形成される。
しかしながら、このような捨てしろは、回路が形成されない非製品（非配線基板）部分であるため、最終的に切断除去される。そのため、このような捨てしろを設けると、一枚の基板から取得できる製品（配線基板）数が減少し、歩留まりが低下する可能性があることが判った。
また、一般に、配線基板は、複数の配線基板が連結された連結配線基板として作製され、連結配線基板の切断による配線基板の個分けの際に、この捨てしろ部分を切断除去する。この捨てしろ部分を切断除去する際、捨てしろを挟んで形成された配線基板間を２回切断する必要があるので、生産性が低下する可能性があることが判った。
【０００４】
上記に鑑み、本発明は、分割露光を行いつつ、歩留まりの向上や生産性の向上を図ることが可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る配線基板の製造方法は、導体層と樹脂絶縁層とをこの順番で基板に積層する工程と、前記導体層と前記樹脂絶縁層が積層された基板に位置合わせマークを形成する工程と、前記位置合わせマークが形成された基板上に感光性材料を配置する工程と、前記位置合わせマークを基準として、前記位置合わせマークを配置した境界領域によって区分される複数の露光領域の前記感光性材料を順次露光する工程と、前記基板の前記複数の露光領域間を、前記境界領域の幅と略同じ切断幅で前記位置合わせマーク上を切断して、前記位置合わせマークを消失させる工程と、を具備することを特徴とする。
【０００６】
本発明の他の態様に係る配線基板の製造方法は、導体層と感光性を有する樹脂絶縁層とをこの順番で基板に積層する工程と、前記導体層と前記樹脂絶縁層が積層された基板に位置合わせマークを形成する工程と、前記位置合わせマークを基準として、前記位置合わせマークを配置した境界領域によって区分される、複数の露光領域の前記樹脂絶縁層を順次露光する工程と、前記基板の前記複数の露光領域間を、前記境界領域の幅と略同じ切断幅で前記位置合わせマーク上を切断して、前記位置合わせマークを消失させる工程と、
を具備することを特徴とする。
【０００７】
なお、上記における「境界領域の幅と略同じ切断幅」とは、前記境界領域に形成した前記位置合わせマークが、上述した切断を一回行うことで消失できるように設定された幅を意味するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る配線基板の製造方法では、位置合わせマークを配置した境界領域（分割露光領域間の余白）の幅を、連結配線基板に境界領域を挟んで隣り合うように形成された、複数の配線基板間を切断・分離する際の切断幅と略同じにしている。そのため、境界領域の幅が従来よりも狭いので、一枚の基板（配線基板ワーク）から取得できる製品（配線基板）数を増加でき、分割露光を行いつつ歩留まりの向上を図ることが可能である。また、連結配線基板（配線基板ワーク）に境界領域を挟んで隣り合うように形成された複数の配線基板を切断・分離する際に、境界領域上を１回切断すればよく、従来のように複数の配線基板間を２回切断する必要がないので、分割露光を行いつつ生産性を向上させることができる。
【０００９】
また、本発明の他の態様に係る配線基板の製造方法においても、位置合わせマークを配置した境界領域の幅を、連結配線基板に境界領域を挟んで隣り合うように形成された、複数の配線基板間を切断・分離する際の切断幅と略同じにしている。そのため、前述したように、分割露光を行いつつ、歩留まりの向上や生産性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
図１、図２は、本発明の一実施形態に係る配線基板１の第一主面、第一主面とは反対側の第二主面の構成をそれぞれ表す平面図である。また、図３は、配線基板１の断面構造を模式的に示す断面図である。
【００１１】
本発明が適用された配線基板１は、外形が約３５ｍｍ×約３５ｍｍ×約１ｍｍの平面視矩形形状の略板形状である。
配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１（単に導体層ともいう）がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００１２】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第一ビア層（ビルドアップ層：絶縁体層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ金属配線７を有する第一導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第一導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第一導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第二ビア層（ビルドアップ層：絶縁体層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。その表面には、金属端子パッド１０，１７を有する第二導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第一導体層Ｍ２，Ｍ１２と第二導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００１３】
板状コア２の第一主表面ＭＰ１においては、コア導体層Ｍ１、第一ビア層Ｖ１、第一導体層Ｍ２および第二ビア層Ｖ２が第一の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第二主表面ＭＰ２においては、コア導体層Ｍ１１、第一ビア層Ｖ１１、第一導体層Ｍ１２および第二ビア層Ｖ１２が第二の配線積層部Ｌ２を形成している。いずれも、第一主表面ＣＰが絶縁層６にて形成されるように、絶縁層と導体層とが交互に積層されたものであり、該第一主表面ＣＰ上には、複数の金属端子パッド１０ないし１７がそれぞれ形成されている。第一配線積層部Ｌ１側の金属端子パッド１０は、集積回路チップなどをフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）である半田ランドを構成する。また、第二配線積層部Ｌ２側の金属端子パッド１７は、配線基板自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面ランド（ＰＧＡパッド、ＢＧＡパッド）として利用されるものである。
【００１４】
図１に示すように、半田ランド１０は配線基板１の第一主表面の略中央部分に格子状に配列し、各々その上に形成された半田バンプ１１（図３）とともにチップ搭載部４０を形成している。また、図２に示すように、第二導体層Ｍ１３内の裏面ランド１７も、格子状に配列形成されている。そして、各第二導体層Ｍ３，Ｍ１３上には、それぞれ、感光性を有する樹脂絶縁材料よりなるソルダーレジスト層８，１８（ＳＲ１，ＳＲ１１）が形成されている。いずれも半田ランド１０あるいは裏面ランド１７を露出させるために、各ランドに一対一に対応する形で開口部８ａ，１８ａが形成されている。第一配線積層部Ｌ１側に形成されたソルダーレジスト層８の半田バンプ１１は、たとえばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田にて構成することができる。他方、第二配線積層部Ｌ２側の金属端子パッド１７はソルダーレジスト層１８の開口１８ａ内に露出するように構成されている。
【００１５】
以下、配線基板１の製造方法について説明する。
まず、外周が約４００ｍｍ×約４００ｍｍの平面視矩形形状の板形状の耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）または繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）を、コア２として用意する。ドリリング等の方法でスルーホール１２を穿孔する。パターンメッキにより第一導体層Ｍ１，Ｍ１１およびスルーホール導体３０を形成し、スルーホール１２に樹脂製穴埋め材３１を充填する。
【００１６】
次に、第一導体層Ｍ１，Ｍ１１に粗化処理を施したのち、第一導体層Ｍ１，Ｍ１１を被覆するように樹脂フィルムをラミネート（貼り合わせ）および硬化させて、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１を得る。樹脂フィルムは、シリカフィラー等を混入した熱硬化性樹脂組成物をフィルム化したものである。板状コア２上に第一導体層Ｍ１，Ｍ１１と絶縁層Ｖ１，Ｖ１１とをこの順番で積層したのち、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１（ビア層）に対してその主表面からレーザを照射し、所期のパターンにてビアホール３４ｈを形成する（いわゆるレーザビアプロセス）。このビアホール３４ｈを穿孔するレーザ加工工程において、一層上の導体層Ｍ２，Ｍ１２を形成するための位置合わせマーク５０（図４参照）を形成することができる。
【００１７】
図４は、製造途中の配線基板１ａが複数連結された配線基板ワーク１’の全体模式図である。一般に、図３に示すような配線基板１は、複数の配線基板１が連結された連結配線基板として作製される。すなわち、図４に示すごとく、本実施形態で説明する各工程は、製造途中の配線基板１ａ（以下、単に「配線基板１ａ」とも表現する）が複数連結された配線基板ワーク１’に対して行なうこととなる。
【００１８】
配線基板ワーク１’は、外周が約４００ｍｍ×約４００ｍｍの平面視矩形形状の略板形状である。配線基板ワーク１’は、その中央に製品部１１５を有し、この製品部１１５の周縁に周縁部１２１を有する。このうち製品部１１５は、１０×１０＝１００個（図中では簡略化して１６個）の製造途中の配線基板１ａ、或いは切断・分離前の配線基板１（以下、単に「配線基板１」とも表現する）が連結部１１９を介して連結した連結製品部とされている。
配線基板１ａは、その外周が約３５ｍｍ×約３５ｍｍの平面視略矩形状の略板形状である。配線基板１ａは、本実施形態で説明する各工程を経た後、配線基板１となる部分である。
また、連結部１１９（後述する境界領域１５１を含む）は、後に行われる切断・分離工程（後述する）において、配線基板ワーク１’から配線基板１を個分けする際に切断される部分である。連結部１１９（後述する境界領域１５１を含む）は、切断・分離工程において複数の配線基板１間を一回の切断回数で分離可能なように、この切断の際の切断幅（約０．３ｍｍ）と略同じ幅（約０．３ｍｍ）に形成されている。
【００１９】
なお、通常、切断・分離工程における切断幅は、１．０ｍｍ以下であることが好ましく、さらには、０．５ｍｍ以下であることがより好ましい。これによって、１回の切断によって位置合わせマーク５０を歩留まり良く消失させることができる。なお、上記具体例で述べているように、特には０．３〜０．４ｍｍ程度である。
【００２０】
本明細書中において、連結部１１９（境界領域１５１を含む）の幅が、切断・分離工程における切断幅と略同じとは、連結部１１９の幅と切断幅との差が、連結部１１９の幅に対して１０％以下であることをいう。切断・分離工程における切断の位置精度（例えば、０．０５ｍｍ）は、通常、切断幅に対して１０％を超えるので、連結部１１９の幅と切断幅との差が、連結部１１９の幅に対して１０％以下であれば、連結部１１９の幅は切断幅と略同じとみなし得る。
【００２１】
本実施形態では、後述する分割露光工程（ドライフィルム分割露光工程、ソルダーレジスト層分割露光工程）において、５行５列（図中では簡略化して２行２列）の配線基板１ａとこれらの配線基板１ａ間に配置される連結部１１９からなる、斜線を引いた領域を分割露光領域１５０としている。配線基板ワーク１’には、境界領域１５１によって区分される、４つの分割露光領域１５０が設けられている（すなわち、４分割で分割露光する。
）。なお、分割露光工程の詳細については、後述する。
境界領域１５１は、連結部１１９のうち、複数の分割露光領域１５０間に配置されるものである。
本明細書中において、分割露光領域１５０は、分割露光がなされる領域又は分割露光がなされた領域をいう。分割露光がなされた領域には、ドライフィルムレジストＤＦ等の感光性材料（後述する）や無電解Ｃｕメッキ層５６（後述する）が除去された後の、感光性材料に分割露光がなされた領域を厚さ方向に投影した領域も含むものとする。
【００２２】
そして、配線基板ワーク１’の周縁部１２１、及び境界領域１５１には、リング状（またはドーナツ状）の位置合わせマーク５０（５０ａ，５０ｂ）が複数設けられている。本実施形態では、周縁部１２１には、周縁部１２１の四隅及びこの四隅間のそれぞれの略中央部に、位置合わせマーク５０ａが１つずつ合計８個設けられている。境界領域１５１には、十字形状の境界領域１５１の交差する位置に位置合わせマーク５０ｂが１つ設けられている。したがって、分割露光領域１５０ごとに、分割露光領域１５０の４つのコーナー部の近傍に一つずつ位置合わせマーク５０（５０ａ，５０ｂ）が配置されている。周縁部１２１の四隅間の略中央部にそれぞれ配置される４つの位置合わせマーク５０ａは、近傍の２つの分割露光領域１５０をそれぞれ露光する際の位置合わせに共通して使用される。
また、境界領域１５１に配置される位置合わせマーク５０ｂは、４つの分割露光領域１５０をそれぞれ露光する際の位置合わせに共通して使用される。
この位置合わせマーク５０（５０ａ，５０ｂ）を基準にして、配線基板ワーク１’の分割露光領域１５０と露光用マスクとの相対位置合わせを行なうことができる。
【００２３】
図５は、位置合わせマーク５０（５０ａ，５０ｂ）を表す断面模式図及び上面図である。位置合わせマーク５０は、絶縁層Ｖ１がリング状に掘削されてなる溝５０ｃを有する。溝５０ｃ内には、導体層Ｍ１を構成する下地導体６０が露出している。位置合わせマーク５０を構成する溝５０ｃの内径Ｄ１と外径Ｄ２との差は、たとえば２０μｍ以上１００μｍ未満に調整するとよい。溝５０ｃの幅が狭すぎると、溝５０ｃの認識性が低下し位置合わせマーク５０の認識精度低下を招く。逆に、溝５０ｃの幅が大きすぎても、後述するごとく、メッキレジストとしてドライフィルムレジストをパターニングする工程において（図７参照）、ドライフィルムレジストが撓んで溝５０ｃ内に入り込み、位置合わせマーク５０の認識精度低下を招く。
【００２４】
位置合わせマーク５０の大きさは、外径Ｄ２が０．１ｍｍ以上であることが好ましい。外径Ｄ２が０．１ｍｍ未満であると、位置合わせマーク５０の形成が困難な場合や、ＣＣＤカメラ５４による認識が困難な場合がある。
また、位置合わせマーク５０の外径Ｄ２の大きさは、後述する切断・分離工程における切断幅（例えば、０．３ｍｍ）から、切断の位置精度（通常、±０．０５ｍｍ）を２倍した値（通常０．１ｍｍ）を差し引いた値（この例では０．２ｍｍ）以下にすることが好ましい。切断の位置精度を考慮すると、切断・分離工程における境界領域１５１上の切断によって、位置合わせマーク５０を完全に消失できない場合があるためである。
【００２５】
上記のような位置合わせマーク５０は、次のようにして形成するとよい。図６は、レーザを照射するべき掘削予定領域５８および照射位置Ｋｍ，ｋｎ（ｍ，ｎ：自然数）を示す概念図である。図６に示すごとく、位置合わせマーク５０を形成する工程では、周方向に沿って照射位置をずらしながら掘削予定領域５８にレーザを照射する。具体的には、掘削予定領域５８上に周方向に沿って内外二列の基準線Ｔ１，Ｔ２（基準円）を定め、各基準線Ｔ１，Ｔ２上に所定の角度間隔でレーザの照射位置Ｋｍ，ｋｎを設定し、設定した照射位置Ｋｍ，ｋｎに順次的にレーザを照射していく。この結果、レーザの照射スポットがリング状の掘削予定領域５８の周方向と径方向とに重なりを有する。
【００２６】
上記のようにレーザを照射することにより、形成される溝５０ｃの開口端５０ｐ，５０ｑ（図５参照）は、滑らかでバラツキの少ない輪郭を持つようになるとともに、その輪郭の真円度が増す。こうした輪郭が得られると、露光装置の撮像機器（ＣＣＤカメラ等）による画像認識精度の向上を期待できる。特に、反射光で位置合わせマーク５０を撮像して得られた像と、予め登録しておいた人工モデルとをパターンマッチングする画像処理を行って、配線基板ワーク１’ の分割露光領域１５０と露光用マスクとの相対位置合わせを行なう場合、位置合わせマーク５０の輪郭の鮮明性や真円度が画像認識精度に及ぼす影響は大きいので、本実施形態のようなレーザ加工の採用が推奨される。さらに、こうした位置合わせマーク５０の複数を反射方式にて撮像して複数の位置情報を得るとともに、これら位置情報を平均化して得られる位置情報に基づき、配線基板ワーク１’ の分割露光領域１５０と露光用マスクとの相対位置合わせを行なうようにすることも好適である。
【００２７】
また、レーザ加工による穿孔工程では、同じ位置にレーザを２パルス照射することがしばしば行なわれる。同じ場所に２パルス照射するよりも、同じ順序の走査を巡回するサイクル加工を行なう方が、局所的な加熱が小さくなって加工精度が高くなる。図６に示すごとく基準線Ｔ１，Ｔ２を定めている場合には、まず基準線Ｔ１上に所定間隔で設定された照射位置Ｋｍに順次的にレーザを照射していき、次に、基準線Ｔ２上に所定間隔で設定された照射位置ｋｎに順次的にレーザを照射していき、これらの走査を２度繰り返すという方法を、好適な例として示せる。
【００２８】
また、位置合わせマーク５０およびビアホール３４ｈを形成するレーザ加工工程においては、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザなど、種々のレーザ加工機を使用することができる。位置合わせマーク５０を形成する際は、照射位置Ｋｍ，ｋｎおよび掘削予定領域５８の面積等を勘案して、レーザのスポット径を調整する。たとえば、図６の例では、絶縁層Ｖ１の主表面でのレーザのスポット径を、位置合わせマーク５０の溝５０の幅（径方向）の２／３程度に調整している。また、図６の例では、一の照射位置にかかる照射スポットの外周縁が、その隣の照射位置（ビームの中心）を通過する形態となっている。この場合、隣り合う一対の照射位置の照射スポットが重なっている割合（重なり率）は約４割程度であるから好適である。
【００２９】
上記のごとく、レーザ加工により位置合わせマーク５０を形成した後、クロム酸溶液やアルカリ性過マンガン酸カリ溶液などを用いて溝５０ｃ内、ならびにビアホール３４ｈ内を洗浄する（デスミア工程）。これにより、ビアホール３４ｈおよび溝５０ｃ内に残余したスミアが除去される。デスミア工程の終了後、位置合わせマーク５０の溝５０ｃ内に露出した下地導体６０の表層部、ならびにビアホール３４ｈに露出したビアパッド３４ｐの表層部をソフトエッチングにより除去する。導体層Ｍ１は、絶縁層Ｖ１の接着性向上のための粗化処理が施している。導体層Ｍ１の表層部をなす粗化層を予め除去しておくと、無電解Ｃｕメッキ工程でのメッキ析出性が良化し、ひいてはビアの導通接続性に寄与する。このソフトエッチングには、たとえば硫酸や塩酸を用いることができる。また、Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２やＮａ２Ｓ２Ｏ８などの酸化性溶液により、導体層Ｍ１を構成するＣｕのマイクロエッチングを行ない、次いで、硫酸や塩酸により酸洗するといった方法を採用できる。
【００３０】
次に、絶縁層Ｖ１の表面に無電解Ｃｕメッキ層５６を形成する。そして電解メッキ層形成用のドライフィルムレジストＤＦを無電解Ｃｕメッキ層５６の上にラミネートする（図７参照）。このドライフィルムレジストＤＦは、感光性材料であり、露光・現像を経てパターニングされ、電解Ｃｕメッキに対するメッキレジストとして使用されるものである。
図７は、反射光により位置合わせマーク５０を撮像し、配線基板ワーク１’ の分割露光領域１５０と露光用マスクとの相対位置合わせを行う工程を示す模式図である。ドライフィルムレジストＤＦを露光する工程は、次のようにして行なうことができる。すなわち、分割露光領域１５０の４つのコーナー部の近傍に一つずつ配置される４つの位置合わせマーク５０に、絶縁層Ｖ１の主表面側から位置検出用の光を照射し、ＣＣＤカメラ５４等の撮像機器で反射光を検出する。絶縁層Ｖ１の表面は、前述したデスミア工程で使用した薬液（アルカリ性過マンガン酸カリ溶液など）によって粗化されている。位置合わせマーク５０の溝５０ｃ部分の反射率は周囲よりも高くなるので、位置合わせマーク５０を高精度で認識することができる。
【００３１】
ＣＣＤカメラ５４によって４つの位置合わせマーク５０が撮像され、像を処理して得られる位置情報に基づいて、配線基板ワーク１’の分割露光領域１５０と露光用マスク５２との相対位置合わせを行なう。ここで、反射光を検出するＣＣＤカメラ５４のフォーカスは、絶縁層Ｖ１の主表面に合わせることができる。そして、ドライフィルムレジストＤＦ越しに位置合わせマーク５０を撮像し、位置合わせマーク５０の溝５０ｃの開口端５０ｐ，５０ｑ（図５参照）を認識するようにするとよい。
【００３２】
このとき、ドライフィルムレジストＤＦは、溝５０ｃにしっかりと張られていることが好ましい。仮に、ドライフィルムレジストＤＦが溝５０ｃ内に撓んで入り込んでいたりすると、位置合わせマーク５０のエッジ（溝５０ｃの開口端５０ｐ，５０ｑ）の認識精度低下を招く。したがって、位置合わせマーク５０を形成する工程では、ドライフィルムレジストＤＦがレーザによって掘削された溝５０ｃ内に追従することが抑制されるように掘削予定領域５８（溝５０ｃの幅）を設定する。
【００３３】
上記のようにして、配線基板ワーク１’の分割露光領域１５０と露光用マスク（図示省略）との相対位置合わせを行ない、分割露光領域１５０のドライフィルムレジストＤＦを露光する。
以上の手順を繰り返し、４つの分割露光領域１５０のドライフィルムレジストＤＦを順次露光し（ドライフィルム分割露光工程）、続いて現像する。
【００３４】
その後、電解Ｃｕメッキ工程を行なう。ドライフィルムレジストＤＦに被覆されていない部分に、電解Ｃｕメッキ層が選択的に形成される。電解Ｃｕメッキ工程が終了したら、薬液でドライフィルムレジストＤＦを除去する。そして、電解Ｃｕメッキ層を形成するための通電経路として利用した無電解Ｃｕメッキ層５６をクイックエッチングにより除去する。このようにして、所期のパターンを持った導体層Ｍ２を形成することができる。
【００３５】
なお、図８に示すように、ドライフィルムレジストＤＦを薄い支持フィルム５１で支持した状態を保持し、位置合わせマーク５０を認識するための光をドライフィルムレジストＤＦ、支持フィルム５１および露光用マスク５２の三者越しに照射するようにしてもよい。続く露光工程も、図８の状態で行なうことができる。このようにすれば、露光用マスク５２にゴミ等が付着し難いので好ましい。配線基板ワーク１’が認識性に優れる位置合わせマーク５０を有するので、ドライフィルムレジストＤＦと露光用マスク５２との間に支持フィルム５１が介在したとしても位置合わせ精度に大きな支障は生じない。なお、支持フィルム５１は、位置合わせマークを撮像するときに使用する光（たとえば白色光）と、ドライフィルムレジストＤＦを露光するときに使用する光（ｉ線、ｈ線、ｇ線など）に対して良い透光性（具体的には透過率８０％以上）を有することが望ましい。たとえば、薄いＰＥＴフィルムは好適である。
【００３６】
また、図９に示すように、位置合わせマーク５０を避ける形でドライフィルムレジストＤＦを配線基板ワーク１’にラミネートし、さらに、位置合わせマーク５０を避ける形で露光用マスク５２を配置することが可能である。このようにすれば、位置合わせマーク５０とＣＣＤカメラ５４との間に障害が介在しないので、コントラストの低下がなくなり、位置合わせマーク５０の認識性は極めて良好なものとなる。
【００３７】
以上の手順を繰り返し行ない、第一配線積層部Ｌ１および第二配線積層部Ｌ２を形成したのち、感光性材料である感光性エポキシ樹脂で構成されるソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１を形成する。次に、図４に示すように、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１の所定の位置に、前述したレーザ加工により複数の位置合わせマーク５０（５０ａ，５０ｂ）を形成する。続いて、分割露光領域１５０近傍の４つの位置合わせマーク５０を基準として、所定の露光用マスク（図示せず）と配線基板ワーク１’の分割露光領域１５０との相対位置合わせを行い、分割露光領域１５０のソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１を露光する。
以上の手順により、複数の分割露光領域１５０のソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１を順次露光し（ソルダーレジスト層分割露光工程）、現像して、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１に開口８ａ，１８ａを設ける。
【００３８】
なお、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１を、位置合わせマーク５０ａ，５０ｂの形成領域上に配置しない場合には、ドライフィルム分割露光工程で既に形成した位置合わせマーク５０ａ，５０ｂを使用して、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１に対して分割露光を行ってもよい。
【００３９】
また、本実施形態では、導体層Ｍ２，Ｍ３，Ｍ１２，Ｍ１３の配線パターンを形成するためのすべてのドライフィルム分割露光工程や、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１に所定の開口８ａ，１８ａを形成するためのソルダーレジスト層分割露光工程において、分割露光領域１５０、境界領域１５１を図４に示す同じ領域に設定している。
【００４０】
そして、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１の開口８ａ，１８ａ内に露出した導体層Ｍ３，Ｍ１３にＮｉ／Ａｕメッキを施し、端子パッド１０，１７を得る。Ｎｉ／Ａｕメッキ工程の終了後、ソルダーレジスト層ＳＲ１の開口８ａ内にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕなどの鉛フリー半田ペースト若しくはＳｎ−Ｐｂ共晶ペーストをスクリーン印刷法などの手法により充填し、リフロー工程を行なう。これにより、端子パッド１０の上に半田バンプ１１が形成される。
【００４１】
以上のようにして作成された配線基板１が複数連結された配線基板ワーク１’の連結部１１９（連結部１１９には境界領域１５１も含まれる）上を切断することで、多数の配線基板１を得ることができる（切断・分離工程）。
以上のようにして図３に示す配線基板１が作製される。
【００４２】
（露光工程の別実施形態）
図７〜図９で説明した実施形態は、露光用マスク５２を配線基板ワーク１’に密着または十分接近させる露光方法、いわゆるコンタクト露光を前提としているが、本発明がコンタクト露光に限定されるわけではない。たとえば、図１０に示すごとく、配線基板ワーク１’と露光用マスク５３との間に投影レンズ５５が介在する露光方法、いわゆる投影露光も好適に採用することができる。ＣＣＤカメラ５４で位置合わせマーク５０を撮像し、その撮像結果に基づいて配線基板ワーク１’と露光用マスク５３との相対位置合わせを行なう点については、投影露光とコンタクト露光との間に相違は無い。
【００４３】
以上の本実施形態の配線基板１の製造方法（露光工程の別実施形態も含む）によれば、以下の利点（効果）を得ることができる。
【００４４】
本実施形態の製造方法では、位置合わせマーク５０ｂを配置した境界領域１５１の幅を、切断・分離工程において、境界領域１５１を挟んで隣り合って形成された配線基板１間を切断・分離する際の切断幅と略同じにしている。そのため、回路が形成されない非製品（非配線基板）部分であり、最終的に切断除去される境界領域１５１の幅が従来よりも狭いので、一枚の配線基板ワーク１’から取得できる製品（配線基板１）数を増加でき、歩留まりの向上を図ることが可能である。
また、本実施形態によれば、境界領域１５１を挟んで隣り合って形成された複数の配線基板１を切断・分離する切断・分離工程の際に、境界領域１５１上を１回切断すればよく、従来のように複数の配線基板間を２回切断する必要がない。これにより、配線基板１の生産性を向上させることができる。
【００４５】
また、本実施形態では、切断・分離工程の際に、位置合わせマーク５０ｂが配置され、切断幅と略同じ幅の境界領域１５１上を切断する。そのため、位置合わせマーク５０ｂを消失させることが可能であり、配線基板１の仕上がり外観を向上させることができる。
【００４６】
また、本実施形態では、ドライフィルム分割露光工程において、分割露光を行って導体層Ｍ２，Ｍ３，Ｍ１２，Ｍ１３の配線パターンを形成している。そのため、配線基板ワーク１’や、露光用マスクの温度や湿度の変化による寸法変化の影響を低減して高精度な露光が可能であり、配線パターンの微細化に対応することができる。
また、本実施形態では、ソルダーレジスト層分割露光工程において、分割露光を行って、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１に所定の開口８ａ，１８ａを形成している。そのため、配線基板ワーク１’や、露光用マスクの温度や湿度の変化による寸法変化の影響を低減して高精度な露光が可能であり、ソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１の開口８ａ，１８ａをより高い精度で形成して端子パッド１０，１７の狭ピッチ化に対応することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、位置合わせマーク５０を反射光で撮像している。通常、絶縁層Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２にはシリカ等のフィラーを混入するので、光の透過率を高めることが難しい。そのため、絶縁層Ｖ１等を透過させずに反射光で位置合わせマーク５０を読み取ることによって、位置合わせマーク５０の検出精度を向上させることが可能であり、ひいては配線基板ワーク１’の分割露光領域１５０に対する露光用マスクの位置合わせ精度を向上させることができる。
【００４８】
また、本実施形態の位置合わせマーク５０は、照射位置を少しずつずらしながらレーザを照射して形成する。一つ一つの照射位置にはレーザ加工機の加工精度が及ぶものの、位置合わせマーク５０全体としては、バラツキが平均化された形となるので、レーザ加工機の加工精度が反映されにくく、形成される位置合わせマーク５０の位置精度を向上させることができる。そのため、切断・分離工程における切断幅（例えば、０．３ｍｍ）と略同じ幅（例えば、０．３ｍｍ）の狭い境界領域１５１内に、位置合わせマーク５０（例えば、外径Ｄ２（直径）が０．２ｍｍ）を、例えば境界領域１５１の幅方向の略中心に位置精度よく配置できる。これにより、切断・分離工程における境界領域１５１上の切断において、切断の位置精度（通常±０．０５ｍｍ）に起因する切断位置のずれが生じても、境界領域１５１内に配置された位置合わせマーク５０をより確実に消失させることができる。これにより、配線基板１の仕上がり外観をより確実に向上させることができる。
【００４９】
また、本実施形態の位置合わせマーク５０は、リング状の掘削予定領域５８の周方向と径方向とに重なりを有するようにレーザを照射していくので、位置合わせマーク５０の溝５０ｃの内側開口端および外側開口端の両方において、滑らかな環状の開口端を形成することができる。このように、位置合わせマーク５０は、位置合わせマーク５０自体の形成精度の向上が図られているので、反射光による位置合わせマーク５０の検出精度を向上でき、配線基板ワーク１’の分割露光領域１５０の位置の識別精度を向上できる。そのため、よりいっそうの配線パターンの微細化に対応することができる。
【００５０】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は、上記の実施形態に限られず拡張、変更可能であり、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００５１】
例えば、電解Ｃｕメッキに対するメッキレジストとして使用する、無電解Ｃｕメッキ層５６上に配置する感光性材料としては、図７等に例示したドライフィルムレジストだけでなく、配線基板ワークに直接塗布する液状レジストであってもよい。配線基板ワーク１’の全面に液状レジストを塗布する場合、位置合わせマーク５０を構成する溝５０ｃの中に液状レジストが入り込むが、液状レジストは溝５０ｃを均一に充填する態様をとるので、光の反射が大きく妨げられることはないから、位置合わせマーク５０の認識精度は良好に保たれる。ただし、液状レジストであっても溝５０ｃの中に入り込まないに越したことは無いので、位置合わせマーク５０を避ける形で配線基板ワーク１’に塗布することが望ましい。
【００５２】
また、位置合わせマークとしては、図５等に示したリング状の位置合わせマーク５０だけでなく、十字形状等の他の形状を適用することもできる。
また、分割露光領域１５０ごとに配置される位置合わせマーク５０は、分割露光時の位置合わせ精度を考慮して２個以上であれば広く適用することができる。
また、位置合わせマーク５０は、分割露光領域１５０の４つのコーナー部の近傍に限定されず、周縁部１２１や境界領域１５１の他の位置に配置してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の第一主面の構成を表す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線基板の第二主面の構成を表す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る配線基板の断面構造を模式的に示す断面図である。
【図４】製造途中の配線基板が複数連結された配線基板ワークの全体模式図である。
【図５】位置合わせマークを表す断面模式図及び上面図である。
【図６】レーザを照射するべき掘削予定領域および照射位置を示す概念図である。
【図７】反射光により位置合わせマークを撮像し、配線基板ワークの分割露光領域と露光用マスクとの相対位置合わせを行う工程を示す模式図である。
【図８】ドライフィルムレジストを薄い支持フィルムで支持したまま位置合わせ工程、露光工程を行う実施形態を示す模式図である。
【図９】露光用フィルムおよびドライフィルムレジストを介在させずに位置合わせマークを撮像する実施形態を示す模式図である。
【図１０】分割投影による露光工程を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…配線基板、１ａ…製造途中の配線基板、１’…配線基板ワーク、５０（５０ａ，５
０ｂ）…位置合わせマーク、５０ｃ…溝、５４…ＣＣＤカメラ、５８…掘削予定領域、Ｍ
１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ１１，Ｍ１２，Ｍ１３…導体層、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２…絶縁
層、Ｌ１，Ｌ２…配線積層部、ＤＦ…ドライフィルムレジスト、ＳＲ１，ＳＲ１１…ソル
ダーレジスト層、１１５…製品部、１１９…連結部、１２１…周縁部、１５０…分割露光
領域、１５１…境界領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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