(57)【要約】【課題】大幅なコスト増大を招来することなく、各処理工程毎に基板の欠損の有無の検査及び／又は基板の受け渡し完了の確認を行うことのできる機構及びそれを備えた基板処理装置を提供する。【解決手段】前段の工程から基板を受け取って搬送し、後段の工程へと引き渡す基板搬送機構において、矩形基板８０の対向する２辺を保持する一対の支持アーム６１，６２を備えた基板支持手段と、前記基板支持手段を移動させる移動手段６５〜６８と、前記支持アーム６１，６２の先端に設けられ、基板８０を検出して信号を発生するセンサ７０ａ，ｂと、前記基板８０の受け取り又は引き渡しの際にセンサ７０ａ，ｂの前を通過する基板８０の辺縁部分について前記センサ７０ａ，ｂから出力される信号に基づいて基板の欠損の有無及び／又は基板の受け渡しの完了を判定する判定手段とを設ける。【選択図】図３
2008277698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前段の工程から基板を受け取って搬送し、後段の工程へと引き渡す基板搬送機構において、
a) 矩形基板の対向する２辺を保持する一対の支持アームを備えた基板支持手段と、
b) 前記基板支持手段を移動させる移動手段と、
c) 前記支持アームの先端に設けられ、基板を検出して信号を発生する検出手段と、
d) 前記基板の受け取り又は引き渡しの間に前記検出手段の前を通過する基板の端縁部分について該検出手段から出力される信号に基づき、該基板の前記２辺における欠損の有無及び／又は基板の受け渡しの完了を判定する判定手段と、
を有することを特徴とする基板搬送機構。
【請求項２】
上記検出手段が、基板に対して光を照射する光源と該基板からの反射光を出力信号に変換する受光素子を有することを特徴とする請求項１に記載の基板搬送機構。
【請求項３】
上記判定手段が、上記基板の２辺について得られた出力信号の差動をとることにより基板の欠損の有無を判定することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板搬送機構。
【請求項４】
基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、請求項１〜３のいずれかに記載の基板搬送機構を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板に対して所定の処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理室に連通する共通搬送室と、各処理室と共通搬送室の間に設けられたゲートバルブとを有し、上記各処理室及び共通搬送室を真空状態として基板の搬送及び処理を行う基板処理装置において、前記共通搬送室内に請求項１〜３のいずれかに記載の基板搬送機構を有し、前記判定手段により欠損が有ると判定された基板を処理室から共通搬送室を介さずに外部に取り出すための欠損基板取り出し手段を有することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板等の脆性基板を搬送する基板搬送機構及び該基板搬送機構を備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶、薄膜太陽電池等の製造工程において用いられるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）装置は、一般に、基板上に所定の薄膜を形成するための複数の処理室と該複数の処理室に連通した共通搬送室を備えており、該共通搬送室には各処理室へ基板を搬送するための基板搬送機構が設けられている。ＣＶＤ装置内に搬入された基板は、該基板搬送機構によって所定の処理室へ搬入されて所定の薄膜形成処理を施された後、前記搬送機構によって再び共通搬送室に取り出され、更に別の処理室へ搬入される。このようにして基板を各処理室へ順番に搬送しながら薄膜形成処理を行うことにより、基板上に複数種類の薄膜が順次形成される。
【０００３】
上記ＣＶＤ装置のような基板処理装置においては、従来より、トレイ状のキャリアの上に基板を載置して該キャリアごと基板を搬送する方式の基板搬送機構が広く用いられてきた。しかし近年では、搬送機構に設けられたアームによって基板の端縁部を直接保持し、該基板のみを処理室に搬入するキャリアレス方式の基板搬送機構が主流になりつつある。しかし、このようなキャリアレス方式の基板搬送機構では、前記アームによって保持される基板の端縁部分に割れや欠けなどの欠損が生じた場合に基板の落下などの搬送トラブルが発生するおそれがあり、場合によっては、システムの誤作動や故障を引き起こす可能性もある。
【０００４】
そこで、このような基板の欠損の有無を検査するための機構を備えた基板搬送機構が提案されている。例えば、特許文献１には、トランスポートチャンバ（上記共通搬送室に相当）と複数の工程モジュール（上記処理室に相当）を備えた基板処理装置において、ガラス基板を認識して信号を発するセンサを前記トランスポートチャンバ又は工程モジュールの入口付近の該ガラス基板のエッジ部分が通過すべき位置の下部に配置し、該基板のエッジ部分が該センサ上を通過する間に基板の検査を行う機能を備えたものが記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１５６５３９号公報（[00037],[0038],図6）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような、基板に対して複数の処理工程を実施する基板処理装置において、基板の欠損による影響を最小限とするには、各処理工程を行う度に基板を検査して欠損の有無を確認することが望ましい。しかし、特許文献１に記載のように各処理室の入口付近にセンサを設ける構成とした場合、処理室の数に応じて必要なセンサの数が増加するため、製造コストが大幅に増大するという問題がある。
【０００７】
また、搬送機構によって搬送された基板は処理室内の所定の処理位置に引き渡され、該引き渡しが正しく完了したことを確認した上で所定の処理動作が開始される。そのため、前記処理位置への基板の受け渡しが正常に完了したことを確認するための手段が必要となるが、各処理室内にそのための検知機構を設けた場合、やはり処理室の数に応じて検知機構の数が必要になるため製造コストの増大が問題となる。
【０００８】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、大幅なコスト増大を招来することなく、ガラス基板等の脆性基板の欠損の有無の検査及び／又は基板の受け渡し完了の確認を各処理工程毎に行うことのできる機構及びそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために成された本発明の第１の態様に係る基板搬送機構は、前段の工程から基板を受け取って搬送し、後段の工程へと引き渡す基板搬送機構において、a) 矩形基板の対向する２辺を保持する一対の支持アームを備えた基板支持手段と、b) 前記基板支持手段を移動させる移動手段と、c) 前記支持アームの先端に設けられ、基板を検出して信号を発生する検出手段と、d) 前記基板の受け取り又は引き渡しの間に前記検出手段の前を通過する基板の端縁部分について該検出手段から出力される信号に基づき、該基板の上記２辺における欠損の有無及び／又は基板の受け渡しの完了を判定する判定手段とを有することを特徴としている。
【００１０】
このような構成によれば、基板の受け渡し（受け取り又は引き渡し）の際に、前記基板と支持アームの相対位置が該アームの延伸方向に沿って変化するのに伴って、該基板の支持アームによって保持される２辺の辺縁部分を、前記検出手段によりその全長に亘って走査することができる。従って、該受け渡しの間に検出手段から送出される出力信号に基づいて基板の欠損の有無を検査することが可能であると共に、該検出手段の前を基板が通過し終わった時点で基板の受け渡しが完了したと判定することができる。
【００１１】
上記課題を解決するために成された本発明の第２の態様に係る基板処理装置は、基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記基板搬送機構を備えたことを特徴としている。
【００１２】
ここで、前記基板処理装置は、基板に対して所定の処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理室に連通する共通搬送室と、各処理室と共通搬送室の間に設けられたゲートバルブとを有し、上記各処理室及び共通搬送室を真空状態として基板の搬送及び処理を行う基板処理装置において、前記共通搬送室内に上記の基板搬送機構を有し、前記判定手段により欠損が有ると判定された基板を処理室から共通搬送室を介さずに外部に取り出すための欠損基板取り出し手段を有するものとすることが望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
上記構成を有する本発明に係る基板搬送機構及びそれを備えた基板処理装置によれば、前段の工程又は後段の工程との間で基板の受け渡しを行う際に、前記基板支持アームに設けられた検知手段によって該基板の端縁部分の欠損の有無を検査することができる。このため、各処理工程毎に検査を行う場合でも、工程数に応じて検出手段の数を増やす必要がなく、製造コストの増大を抑えることができる。また、上記検出手段により、基板の受け渡しの完了を確認することも可能であるため、別途、各処理室内に受け渡し確認のための検知手段を設ける必要がなく、製造コストを一層抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［実施例１］
以下、本発明に係る基板処理装置の一実施例について図面を参照しながら説明する。図１は、本実施例に係る基板処理装置の概略構成図であり、図２は、該基板処理装置における処理室、共通搬送室、及び基板搬送機構を示す上面断面図である。また、図３及び図６，７は図２のａ−ａ矢視断面図であり、図４は図２のｂ−ｂ矢視断面図である。
【００１５】
本実施例に係る基板処理装置は、プラズマ気相成長（ＰＥ−ＣＶＤ：Plasma Enhanced  Chemical Vapor Deposition）によって基板上に薄膜を形成するＰＥ−ＣＶＤ装置であり、それぞれ異なる薄膜の形成を行うための複数の処理室１０と、各処理室１０へガラス基板８０を搬送するための基板搬送機構６０を備えた共通搬送室２０、及び基板８０を基板処理装置内へ出し入れするためのロードロック室３０から構成されている。共通搬送室２０と各処理室１０の境界部、共通搬送室２０とロードロック室３０の境界部、及びロードロック室３０と装置外部の境界部には、それぞれゲートバルブ５１，５２，５３が設けられており、各処理室１０及び共通搬送室２０は図示しない真空ポンプによって真空状態に保たれている。また、本実施例に係る基板処理装置には、更に、上記各部の動作を制御するための制御／処理部４０が設けられている。
【００１６】
共通搬送室２０に設けられた基板搬送機構６０は、２枚のガラス基板８０を互いに平行且つ地面に対して垂直に保持した状態で搬送するものであって、大きく分けて、基板８０を保持するための基板保持部、該基板保持部を処理室１０内に進入又は処理室１０から退出させるための摺動台６５、並びに該基板保持部を各処理室の前に移動させるためのスライド基台６７、レール６８、及び旋回軸６６によって構成される。
【００１７】
基板保持部は、各基板８０の上下２辺を保持するための上側支持アーム６１及び下側支持アーム６２を２組有し、更に、支持アーム６１，６２を図中の矢印Ａの方向に駆動して上下のアーム６１，６２の間隔を広げたり狭めたりするためのアーム開閉部６３を備えている。各支持アーム６１，６２には、基板８０の上端面又は下端面に当接する基板支持駒６９が所定の間隔で設けられており、アーム開閉部６３によって上下の支持アーム６１，６２の間隔を狭めることによって各支持アーム６１，６２に設けられた基板支持駒６９により基板８０が挟持される（図４）。また、各支持アーム６１，６２の先端部には、図８に示すように、基板８０に対して光を照射する光源７１と該基板８０からの反射光を受光して出力信号に変換する受光素子７２から成るセンサ７０ａ，７０ｂが設けられており、該センサ７０ａ，７０ｂからの出力信号は、制御／処理部４０へ送出される（該センサの役割については後述する）。なお、ガラス基板８０は処理室１０内で加熱されて高温になるので、該基板８０が放射する熱線によってセンサ７０ａ，７０ｂが加熱されるのを防止するために、該センサ７０ａ，７０ｂの前面（基板８０との対向する側）には、光源７１と同一波長の光を通過させつつ熱線を反射させることのできるＩＴＯ，ＳｎＯ２等から成る膜を蒸着したカバーガラス７３が配置されている。
【００１８】
上記基板保持部は、支柱６４によって摺動台６５に固定されており、図示しない駆動手段によって摺動台６５を駆動することにより、基板保持部を支持アーム６１，６２の延伸方向（すなわち図中の矢印Ｂの方向）に移動させることができる。更に、摺動台６５は旋回軸６６を介してスライド基台６７に回動自在に固定されており、スライド基台６７は共通搬送室２０に設けられたレール６８上に載置されている。これらのスライド基台６７及び旋回軸６６を図示しない駆動手段によって駆動することにより、基板保持部を前記摺動台６５の移動方向と直交する方向（すなわち図中の矢印Ｃの方向）に移動させることができると共に、旋回軸６６を中心として回動させることができる。
【００１９】
共通搬送室２０から各処理室１０へ基板８０を搬入する際には、まず、図３に示すように、基板８０を支持アーム６１，６２で保持した状態で共通搬送室２０と搬入先の処理室１０の間に設けられたゲートバルブ５１を開放し、摺動台６５を駆動して基板保持部を処理室１０内に進入させる（図６）。処理室１０内には、電極板１１とその両側に配置されたヒータ板１２が設けられており、該電極板１１と各ヒータ板１２との間の放電空間に各ガラス基板８０が搬入される。各ヒータ板１２の基板８０と対向する面には、基板８０の上下２辺に対応する位置に沿って複数の基板支持爪１３が設けられており、基板８０がヒータ板１２の正面に到達すると基板支持爪１３によって基板８０が把持され、ヒータ板１２の表面に固定される。なお、基板支持爪１３は、図示しない駆動手段によって回転駆動されるものであり、その回転角度に応じて基板を把持したり（図５（ａ））解放したり（図５（ｂ））することができる。その後、アーム開閉部６３によって上下の支持アーム６１，６２の間隔が広げられて基板保持部による基板８０の保持が解除され、摺動台６５の駆動によって基板保持部を処理室１０から共通搬送室２０へ退出させる（図７）。基板保持部が処理室１０から完全に退出するとゲートバルブ５１が閉鎖され、処理室１０内において各基板８０上に所定の薄膜が形成される。
【００２０】
その後、処理室１０内での基板８０の処理が完了すると、上記搬入時とは逆の手順によってガラス基板８０が処理室１０から共通搬送室２０へ搬出される。すなわち、まずゲートバルブ５１が開放され、基板保持部が処理室１０内に進入する。各支持アーム６１，６２がヒータ板１２の正面に到達すると、アーム開閉部６３によって上下の支持アーム６１，６２の間隔が狭められ、各基板支持駒６９によって基板８０が挟持される。続いて、ヒータ板１２に設けられた基板支持爪１３による基板８０の把持が解除され、ガラス基板８０を保持した基板保持部が処理室１０から退出する。なお、該基板８０を、更に他の処理室１０で処理する場合には、共通搬送室２０に敷設されたレール６８に沿ってスライド基台６７を移動させて後段の処理室１０の前に基板保持部を移動させ、上記と同様にして基板８０の搬入出を行う。
【００２１】
上記のような基板搬送機構６０とヒータ板１２の間での基板８０の受け渡しに伴い、各支持アーム６１，６２の先端に設けられたセンサ７０ａ，７０ｂによって基板８０の上下２辺の端縁部が走査される。すなわち、上記基板搬入時において基板８０の保持を解除した基板保持部を処理室１０から退出させる際や、基板搬出時において基板保持部を処理室１０内に進入させる際には、各支持アーム６１，６２が基板８０の前を該基板８０の上下２辺に沿って並進する。従って、支持アーム６１，６２の先端に設けられたセンサ７０ａ，７０ｂにより、基板搬入時には図中の右から左に向かって、基板搬出時には図中の左から右に向かって各基板８０の上下の端縁部がその全長に亘って走査される。
【００２２】
このため、例えば、上側の支持アーム６１に設けられたセンサ（上側センサ）７０ａ及び下側の支持アーム６２に設けられたセンサ（下側センサ）７０ｂの少なくとも一方における出力信号が所定の閾値以上になった時点でセンサ７０ａ，７０ｂが基板８０の前を通過し始め、上側センサ７０ａ及び下側センサ７０ｂの両方における出力信号が所定の閾値以下となった時点でセンサ７０ａ，７０ｂが基板８０の前を通過し終わったと判定することができ、更に、この間に上記受光素子７２で検出された反射光の光量に基づいて基板８０の上下の端縁部における欠損の有無を判定することができる。
【００２３】
図９は、基板８０の受け渡し時において、上側センサ７０ａと下側センサ７０ｂによって検出される反射光量の時間変化を示した図である。図９（ａ）のように、ガラス基板８０の端縁部に欠損がない場合は、センサ７０ａ，７０ｂが基板８０の前に差し掛かった時点（ｔ＝０）から基板８０の前を通過し終わる時点（ｔ＝１）までの間には、各センサからの出力信号はほぼ一定の大きさとなる。一方、図９（ｂ）のように、ガラス基板８０の端縁部に欠損が有る場合には、該欠損箇所において出力信号が他の箇所に比べて著しく低下又は増大する。
【００２４】
従って、制御／処理部４０に設けられた差動アンプ（図示せず）によって両センサ７０ａ，７０ｂからの出力信号の差動をとることにより欠損の有無を判定することができる。すなわち、上記ｔ＝０からｔ＝１における差動アンプの出力が予め定められた範囲内にある場合は、該基板８０の端縁部に欠損がないものと判定し、ｔ＝１の時点で基板８０の受け渡しが正常に完了したと判定される。一方、ｔ＝０からｔ＝１までの間において差動アンプの出力が当該範囲を逸脱した場合は端縁部に欠損が有ると判定される。
【００２５】
ここで、端縁部の欠損が搬送トラブルに繋がるような大きなものであれば、基板処理装置の動作を停止させて該基板を外部に取り出す必要がある。しかしながら、装置を一旦停止させるとその後の復旧に時間を要するため、ごく軽微な欠損であれば、そのまま処理を継続する方が処理効率の点で望ましい。そこで、本実施例の基板処理装置は、差動アンプの信号処理に任意の遅延時間を設定できるものとし、該差動アンプの出力信号が所定の時間以上に亘って上記所定範囲を逸脱した場合にのみ欠損有りと判定されるようにすることが望ましい。このような構成とすれば、軽微な欠損や誤信号によって差動アンプの出力信号がごく短時間だけ上記所定範囲を逸脱したような場合には、これを無視して搬送動作及び処理動作を継続させることができる。
【００２６】
なお、ここでは、各センサから送出される信号の差動をとることにより基板の欠損の有無を判定する例を示したが、この他に、各センサ７０ａ，７０ｂの出力信号をそれぞれ予め定められた基準値と比較することにより欠損の有無を判定する構成としてもよい。
【００２７】
また、本実施例では、センサ７０ａ，７０ｂによって基板の端縁部を走査する際に、基板８０に対して支持アーム６１，６２を移動させる例を示したが、これとは逆に、支持アーム６１，６２に対して基板８０を移動させることによりセンサ７０ａ，７０ｂと基板の相対位置を変化させるものとしてもよい。以下、このような搬送機構を備えた基板処理装置について説明する。
【００２８】
［実施例２］
図１０及び図１１に、本発明の第２の実施例に係る基板処理装置を示す。図１０は、本実施例の基板処理装置における処理室１０、共通搬送室２０、及び基板搬送機構を示す断面図である。実施例１と同一又は対応する構成には同一符号を付し、適宜説明を省略する。また、図１１(a)は、図１０のｃ−ｃ矢視断面図であり、図１１(b)は、図１１(a)の拡大図である。
【００２９】
本実施例の基板処理装置は、実施例１の基板処理装置における基板支持爪１３及び基板支持駒６９の代わりに、基板８０の上下２辺を支持する糸巻き状のローラ９０を複数設けたものである。ローラ９０は、図１１(b)に示すように、基板８０の端面に当接する円柱形の筒状部９１と、筒状部９１の両端に設けられ基板の脱落を防止するためのフランジ部９２を備えている。各ローラ９０の回転軸９３は、それぞれ支持アーム６１，６２に設けられたローラ駆動部（図示略）又はヒータ板１２に設けられたローラ駆動部９４に接続されており、これらのローラ駆動部９４によって各ローラ９０を所定の向きに回転させることにより、基板８０をローラ９０の配列方向に沿って移動させることができる。
【００３０】
本実施例の基板処理装置において共通搬送室２０から処理室１０へ基板８０を搬入する際には、まず、基板８０を支持した基板搬送機構６０を目的の処理室１０の前に移動させ、共通搬送室２０と該処理室１０の間のゲートバルブ５１を開放した上で、各ローラ９０を所定の向きに回転させる。これにより支持アーム６１，６２によって保持された基板８０が処理室１０の方向（図中の右方向）へと送り出される。処理室１０内へ進入した基板８０は、その上下の端面がヒータ板１２上のローラ９０によって保持され、該ローラ９０の回転によって更に処理室１０の奥へと導かれる。なお、処理室１０の奥にはストッパ９５が設けられており、基板８０の先端がストッパ９５と当接することによって基板８０の移動が停止する。一方、処理室１０から共通搬送室２０へ基板８０を搬出する際には、ゲートバルブ５１を開放した上で、ヒータ板１２及び支持アーム６１，６２に設けられたローラ９０を上記搬入時とは逆の向きに回転させることにより、ヒータ板１２から支持アーム６１、６２へ基板８０が引き渡される。
【００３１】
このように、本実施例に係る基板搬送機構６０は、支持アーム６１，６２を処理室１０へ進入させることなく、基板８０のみを共通搬送室２０から処理室１０、又は処理室１０から共通搬送室２０へと移動させるものである。このため、基板搬送機構６０には、実施例１のような摺動台６５及びアーム開閉部６３を設ける必要はない。
【００３２】
本実施例においても支持アーム６１、６２の先端には、実施例１と同様のセンサ７０ａ，７０ｂが設けられており、上記のような基板８０の受け渡し時における支持アーム６１、６２とガラス基板８０の相対位置の変化に伴って基板８０の上下２辺の端縁部が該センサ７０ａ，７０ｂによって走査される。すなわち、基板搬入時には図中の右から左に向かって、基板搬出時には図中の左から右に向かって各基板８０の上下の端縁部がその全長に亘って走査され、その際に該センサ７０ａ，７０ｂから送出される信号に基づいて、上記実施例１と同様に基板８０の欠損の有無の検査及び受け渡し完了の判定が行われる。
【００３３】
［実施例３］
図１２は、本発明に係る基板処理装置の別の実施例を示す概略構成図であり、図１と同一又は対応する構成については同一符号を付し、適宜説明を省略する。上述の検査によって基板８０に欠損が発見された場合、共通搬送室２０の真空を破って基板８０を取り出そうとすると基板処理装置全体の動作を停止させる必要がある。そこで、本実施例に係る基板搬送装置は、基板８０に欠損が発見された場合に、共通搬送室２０を介さずに処理室１０から直接外部へ欠損基板を取り出せるようにしたものである。
【００３４】
本実施例の基板処理装置に係る各処理室１０には、共通搬送室２０と連通する開口とは別に欠損基板取り出し口１４が設けられており、該欠損基板取り出し口１４には、ゲートバルブ５４が設けられている。共通搬送室２０から処理室１０への基板８０の搬入の際、又は処理室１０から共通搬送室２０への基板８０の搬出の際に、上記センサ７０ａ，７０ｂによる検査によって基板８０に欠損が見つかった場合には、共通搬送室２０と処理室１０の間のゲートバルブ５１を閉鎖し、欠損基板取り出し口１４のゲートバルブ５４を開放して基板８０を直接外部へ取り出すことができる。なお、基板８０の取り出しは作業者が手動で行うようにしてもよく、あるいは、別途設けられた基板取り出し装置によって自動的に行われるようにしてもよい。
【００３５】
このように、本実施例に係る基板処理装置によれば、１つの処理室１０のみを大気圧状態として欠損基板を取り出すことができるため、基板に欠損が発見された場合でも他の処理室１０の動作を継続させることができる。
【００３６】
以上、実施例を用いて本発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で適宜変更が可能である。例えば、本発明に係る基板搬送機構は、半導体、フラットパネルディスプレイ製品、薄膜太陽電池等の脆性基板を使用する製品の製造工程において用いられるいかなる装置に適用してもよく、例えば、上記ＰＥ−ＣＶＤ装置や熱ＣＶＤ装置等のＣＶＤ装置の他、スパッタ装置、真空蒸着装置等のＰＶＤ装置等にも適用することができる。また、本発明に係る基板搬送機構は、上記のような脆性基板使用製品の製造ラインにおいて該脆性基板を複数の装置間で移動させる際に用いるものとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図。
【図２】同実施例の基板処理装置における共通搬送室、処理室、及び基板搬送機構を示す上面断面図。
【図３】同実施例の基板処理装置における共通搬送室、処理室、及び基板搬送機構を示す正面断面図（図２のａ−ａ矢視断面図）。
【図４】支持アームによる基板の保持方法を説明する図（図２のｂ−ｂ矢視断面図）。
【図５】基板支持爪の動作を説明する図であり、(a)は基板を把持した状態を示し、(b)は基板を解放した状態を示す。
【図６】同実施例の基板処理装置において基板保持部全体を処理室に進入させた状態を示す正面断面図。
【図７】同実施例の基板処理装置において、基板保持部を処理室から退出させている状態を示す正面断面図。
【図８】同実施例の基板処理装置において、基板搬送機構に設けられたセンサの構造を示す模式図。
【図９】同実施例の基板処理装置において、基板の受け渡し時に各センサによって検出される反射光量の時間変化を示す図であり、(a)は基板に欠損がない場合を、(b)は欠損が有る場合を示す。
【図１０】本発明の第２の実施例に係る基板処理装置における共通搬送室、処理室、及び基板搬送機構を示す正面断面図。
【図１１】同実施例に係る基板処理装置を示す図であって、(a)は図１０のｃ−ｃ矢視断面図であり、(b)はローラ部分の拡大図である。
【図１２】本発明の第３の実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図。
【符号の説明】
【００３８】
１０…処理室
１１…電極板
１２…ヒータ板
１３…基板支持爪
１４…欠損基板取り出し口
２０…共通搬送室
３０…ロードロック室
４０…制御／処理部
５１、５２、５３、５４…ゲートバルブ
６０…基板搬送機構
６１、６２…支持アーム
６３…アーム開閉部
６５…摺動台
６６…旋回軸
６７…スライド基台
６８…レール
６９…基板支持駒
７０ａ…上側センサ
７０ｂ…下側センサ
７１…光源
７２…受光素子
７３…カバーガラス
８０…ガラス基板
９０…ローラ
９４…ローラ駆動部
【図１】
2008277698.tif 000003
【図２】
2008277698.tif 000004
【図３】
2008277698.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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