(57)【要約】【課題】ＣＣＰ型の磁気ヘッドにおいて、磁気シールドに流れるセンス電流によって発生する磁界ノイズを抑制することを課題とする。【解決手段】導電性の磁気遮蔽材料からなる第一の磁気シールドと第二の磁気シールド、および当該二つの磁気シールドに挟まれた磁気抵抗効果膜からなる磁気ヘッドであって、前記磁気シールドと磁気抵抗効果膜とを接続した面の反対面における少なくとも一方の該磁気シールド面上に、浮上面に近接した電流供給部を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の磁気遮蔽材料からなる第一の磁気シールドと第二の磁気シールド、および当該二つの磁気シールドに挟まれた磁気抵抗効果膜からなる磁気ヘッドであって、
前記二つの磁気シールドの前記磁気抵抗効果膜と接続した面に対する反対面における少なくとも一方の磁気シールド面上に、該磁気抵抗効果膜へ電流を供給する電流供給部を磁気ディスクに対向する面である浮上面に近接した位置に有すること
を特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記電流供給部は浮上面に露出することを特徴とする、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記電流供給部と前記磁気抵抗効果膜とは該磁気抵抗効果膜の膜厚方向に並んで配置されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記二つの磁気シールドと前記電流供給部との接触面の面積は、該接触面を含む該磁気シールドの面積よりも小さく、かつ該磁気シールドと前記磁気抵抗効果膜との接触面の面積と等しいかそれ以上であること
を特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを所定の位置に保持するヘッド支持装置とを有する磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果型ヘッド（Magneto Resistive Head：以下、ＭＲヘッドという）は、磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜という）を再生部に用いたヘッドで、外部磁界の変動に応じて電気抵抗が変化するというＭＲ膜の特性を利用しており、磁気の読み取り感度が非常に高い。
【０００３】
近年は磁気ディスク装置の大容量化・小型化に伴い、ＭＲヘッドの高分解能化が求められており、これを実現するために磁気シールド構造が採用されているが、磁気シールドの磁区の安定化が、ＭＲヘッドのノイズ低減には必要な要件となっている。
【０００４】
そこで、磁気シールドの磁区を安定させるため、特許文献１では磁気シールド膜と反強磁性膜とを積層した構造とし、反強磁性膜と磁気シールド膜とを交換結合させて磁気シールド膜の磁化方向を固定することで、磁気シールド膜の磁化変化が起こりにくいようにしている。
【０００５】
また、特許文献２は磁気シールド膜のコア幅方向の両端に高保磁力膜を設けてコア幅方向に磁界を印加することで、磁気シールド膜の磁化方向を制御し、磁気シールド膜の磁区の安定化を行っている。
【特許文献１】特開２００４−１２７４２０
【特許文献２】特開平９−１０２１０９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１のように反強磁性膜を積層して磁区制御を行う場合、交換結合による結合力を調整することは困難である。このため、その結合力によっては磁気シールドの磁化が必要以上に固着され、本来の目的である、隣接信号からのシールドという役割を果たさなくなることがある。また、特許文献２のように磁気シールドの両脇に高保磁力膜を配置する構造において十分な磁界を付与しようとすると、例えば１〜２μｍの膜厚の磁気シールドに対し、高保磁力膜は５〜１０μｍ程度の厚みが必要となり、かつ磁気シールドと高保磁力膜の間隔は数ｎｍとする必要があるため、このような構造はプロセス上困難である。
【０００７】
また、磁気ディスクの高記録密度化に伴い、再生ヘッドをより小型化・高出力化する必要が生じている。これを実現するものとして、ＭＲ膜の膜垂直方向にセンス電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）型構造がある。
【０００８】
図１６はＣＰＰ型ＭＲヘッドの構造図である。MR膜１００を挟み込むように2枚の磁気シールド１０１、１０２がある。磁気ディスクの高記録密度化により、ＭＲ膜を小さくする必要がある一方、磁気ディスク上の読み取り対象ビット以外の部分から漏えいする磁界を遮断するため、感磁部であるＭＲ膜は非磁性膜を介してシールド間に配置されるが、記録コイル等からの外部磁場に対して磁気シールドには一定の大きさが必要となる。このため、例えばＭＲ膜が０．１μm角と小さいのに対し、磁気シールドの大きさは数１０μm角と大きい。
【０００９】
通常、ＣＰＰ型ＭＲヘッド上では、浮上面から離れた位置からセンス電流を供給している。例えば図１６では、磁気シールド１０１、１０２とＭＲ膜１００との接続位置に対し、素子高さ方向における他端から、磁気シールドに接続された接続線１０６により、電流源１０５から電流を供給する。図１６に示すように、磁気シールドに対してＭＲ膜の面積が小さいため、供給された電流は、磁気シールドとＭＲ膜とが接触する付近で電流集中をおこす。
【００１０】
磁気シールドの磁化方向は、浮上面と平行な方向に向けておくことが必要であるが、センス電流が磁気シールド内のＭＲ膜と接続される近傍で電流集中し、これにより発生する電流磁界によって、磁化の方向を浮上面と平行に維持しておくことが困難になる。場合によっては、磁気シールドの磁化方向が回転し、浮上面方向に向く。そうすると、磁気シールドの浮上面から磁界が発生し、ＭＲ素子に対してバイアス磁界が印加されてしまう。また、磁気シールドのＭＲ素子近傍に磁壁が発生してしまい、ノイズの原因となるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、ＣＰＰ型ＭＲヘッドの磁気シールドの磁区安定化を図るためのＭＲヘッドの構成を提案するものである。本発明では、上記問題を解決するために、導電性の磁気遮蔽材料からなる第一の磁気シールドと第二の磁気シールド、および当該二つの磁気シールドに挟まれた磁気抵抗効果膜からなる磁気ヘッドであって、前記磁気シールドと磁気抵抗効果膜とを接続した面の反対面における少なくとも一方の該磁気シールド面上に、浮上面に近接した電流供給部を有することを特徴とする磁気ヘッドを提供する。
【発明の効果】
【００１２】
上記構成により、磁気ヘッドの磁気シールドに流れる電流路をＭＲ膜の膜厚方向に一様で、かつＭＲ膜近傍に絞り込み、記録媒体との対向面である磁気シールド表面に周回する電流磁界を発生させることができ、反強磁性膜、高保磁力膜を用いて複雑な構造にすることなく、記録媒体のトラック幅方向に対し安定した磁気シールドの磁化の安定化を図ることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１実施例）図１（ａ）は本発明に係る磁気シールドにおいて、センス電流の供給位置と磁気シールド内に流れる電流の向きとの関係を模式的に表現した、一実施例を示す概略構成図である。ＭＲ膜１００をはさむように磁気シールド１０１、１０２を有し、さらにその外側に電極端子１０３、１０４を有する。この電極端子１０３、１０４に対してセンス電流を印加する。電流源１０５と電極端子１０３、１０４との接続線１０６は、電極端子１０３、１０４と一体となっていても良いし、別の材質でも良い。
【００１４】
ＭＲ膜１００および電極端子１０３、１０４は、それぞれのコア幅方向の中心位置が膜厚方向に対して直線上にならんでおり、ＭＲ膜１００および電極端子１０３、１０４の端面は、ＡＢＳ面に接するように配置されている。ここで、ＡＢＳ（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）面とはＭＲヘッドが磁気記録媒体と向かい合う面のことである。
【００１５】
電流は抵抗値の小さい最短距離を流れるので、上記の構造により、電極端子１０３、１０４の一方から供給されたセンス電流は磁気シールドとＭＲ膜を介して、もう一方の電極端子に流れ込む。図１（ｂ）は、この電流により磁気シールドに発生した電流磁界を膜面方向から観測したものである。この電流磁界の向きは、アンペールの右ねじの法則により記録媒体のトラック幅方向に一様となる。このように、電極端子を磁気シールド上のＭＲ膜近傍に設け、磁気シールド内を流れる電流が広がることなくＭＲ膜に供給されることにより、センス電流により磁化方向が乱されることなく磁化が安定し、記録媒体のトラック幅方向に対し安定したシールドの磁化を有するシールドの磁区制御効果を得ることが出来る。
【００１６】
図２は本実施例におけるＭＲヘッドの概略構成図である。図１と符号の同じものは説明を省略する。２００、２０１はハード膜であり、磁気シールド１０１、１０２間に磁気シールドと絶縁するように構成されている。ハード膜２００、２０１はＭＲ膜１００におけるｆｒｅｅ層（図示せず）の磁区制御を行っている。
【００１７】
図３から図６は本実施例におけるＭＲヘッドの製造工程を説明する断面図である。各図の左側に図示している（ａ１）、（ｂ１）等はＭＲヘッドを磁気媒体側から見た図であり、図２におけるＡ−Ａ断面に対応するものである。また、各図の右側に図示している（ａ２）、（ｂ２）等はＭＲヘッドをトラック幅方向から見た図であり、図２におけるＢ−Ｂ断面に対応するものである。
【００１８】
図３（ａ１）（ａ２）では、Al2Ｏ3−ＴｉＣ基板３００上に、電極端子と電流源とを接続するためのリード３０１を成膜し、リード３０１の上に所望の形状でレジスト３０２を形成する。図３（ｂ１）（ｂ２）では、レジスト３０２をマスクとしてイオンミリング等によりリード３０１をエッチングし、図３（ｃ１）（ｃ２）で絶縁膜３０３を成膜する。
【００１９】
図４（ａ１）（ａ２）では、レジスト３０２を除去した後、電極端子４００を成膜後所望の形状でレジスト４０１を形成し、電極端子４００をエッチング後、絶縁膜４０２を成膜する。ここで電極端子４００とリード３０１との材質を同一にすることにより、電極端子４００とリード３０１との間の電流損失を小さくすることが出来る。また、電極端子４００の形成位置は、電極端子４００から供給され後述のＭＲ膜４０４に流れる電流の経路が膜厚方向軸に水平になるようにするため、膜厚方向に対して電極端子４００、ＭＲ膜４０４のコア幅方向の中心位置が直線上に並ぶことが望ましい。同様の理由により、電極端子４００のトラック幅方向および素子高さ方向の大きさは、ＭＲ膜４０４と同程度とすることが望ましい。
【００２０】
図４（ｂ１）（ｂ２）では、レジスト４０１を除去後、磁気シールド４０３を成膜し、レジスト等をもちいて所望の形状を形成する。磁気シールド膜４０３上にＭＲ膜４０４を成膜し、所望の形状にレジスト４０５を形成しエッチングした後に、絶縁膜４０６を成膜する。
【００２１】
図４（ｃ１）（ｃ２）では、絶縁膜４０６の上にハード膜４０７を成膜し、更にその上に絶縁膜４０８を成膜する。
【００２２】
図５（ａ１）（ａ２）では、図４におけるレジスト４０５を除去後、ＭＲ膜素子高さ方向を規定するためのレジスト５００を成膜しパターニングする。このレジスト４０５をマスクとしてＭＲ膜４０４、ハード膜４０７、絶縁膜４０６、および絶縁膜４０８をエッチングした後に絶縁膜５０１を成膜する。ここで、ＭＲ膜４０４の素子高さ方向の大きさは、電極端子４００から供給されＭＲ膜４０４に流れる電流の経路が膜厚方向軸に水平になるようにするため、電極端子４００と同程度となることが望ましい。
【００２３】
図５（ｂ１）（ｂ２）では、レジスト５００を除去後、磁気シールド５０２を成膜し、レジスト等を用いて所望の形状を形成する。次に電極端子５０３を成膜後、所望の形状にレジスト５０４を形成し、エッチングした後に絶縁膜５０５を成膜する。ここで、電極端子５０３の形成位置は、電極端子５０３から供給されＭＲ膜４０４に流れる電流の経路が膜厚方向軸に水平になるようにするため、膜厚方向に対してＭＲ膜４０４の上方にあることが望ましい。同様の理由により、電極端子５０３のトラック幅方向および素子高さ方向の大きさは、ＭＲ膜４０４と同程度とすることが望ましい。
【００２４】
図６（ａ１）（ａ２）では、レジスト５０４を除去後、リード６００を成膜し、所望の形状にレジスト６０１を形成した後にエッチングし、その後絶縁膜６０２を成膜する。
【００２５】
図６（ｂ１）（ｂ２）では、最終工程としてレジスト６００を除去後、絶縁膜６０３を成膜する。
【００２６】
ここで、ハード膜４０７を磁気シールド膜４０３、５０２と電気的に絶縁した場合について記載したが、ハード膜４０７が磁気シールド膜４０３、５０２のいずれか一方のみと電気的に接触していてもかまわない。
【００２７】
本実施例にかかる再生ヘッドに適した材料として、磁気シールド膜４０３、５０２にはＮｉＦｅ等の軟磁性膜、リード３０１、６００および電極端子４００、５０３にはＣｕ等の非磁性金属膜がある。絶縁膜３０３、４０２、４０６、４０８、５０５、および６０２にはＡｌ2Ｏ3等の絶縁膜、ＭＲ膜には巨大磁気抵抗効果膜であるＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＩｒＭｎ等のスピンバルブ膜、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅＢ／Ｒｕ／ＣｏＦｅＢ／ＰｄＰｔＭｎ等の積層フェリ型スピンバルブ膜、ＮｉＦｅ／Ａｌ2Ｏ3／ＮｉＦｅ／ＰｄＰｔＭｎ等のトンネル接合型ＭＲ膜等がある。ハード膜４０７にはＣｏＣｒＰｔ等の高保磁力膜がある。成膜方法の例としては、磁気シールドにはめっき法や蒸着法を用い、リード、電極端子、ＭＲ膜、ハード膜、および絶縁膜にはスパッタリング法などを用いる。
【００２８】
（第２実施例）図７（ａ）は本実施例における概略構成図である。ＭＲ膜と電極端子との位置関係以外は図１（ａ）と同様なので各符号についての説明は省略する。図７（ａ）において、ＭＲ膜１００に対し電極端子１０３、１０４が素子高さ方向にずれている。各電極端子は素子高さ方向、トラック幅方向においてほぼ同じ座標に位置しており、一方の電極端子から他方の電極端子に流れる電流の方向は膜厚方向に対し水平となる。この電流経路上にＭＲ膜１００が存在していれば、電極端子１０３、１０４がＡＢＳ面から素子高さ方向にずれていても、電流方向は膜厚方向に対し水平の状態を維持できる。なお、電極端子がトラック幅方向にずれている場合であっても同様である。図７（ｂ）は、この電流により磁気シールドに発生した電流磁界を膜面方向から観測したものである。この電流磁界の向きは、アンペールの右ねじの法則により記録媒体のトラック幅方向に一様となるため、記録媒体のトラック幅方向に対し安定したシールドの磁化を有するシールドの磁区制御効果を得ることが出来る。
【００２９】
図８は本実施例におけるＭＲヘッドの概略構成図である。図２と符号の同じものは説明を省略する。前述の通り本実施例では、ＭＲ膜１００に対し電極端子１０３、１０４が素子高さ方向にずれている。
【００３０】
図９から図１１は本実施例における再生ヘッドの製造プロセスを説明する断面図である。各図の左側に図示している（ａ１）、（ｂ１）等はＭＲヘッドを磁気媒体側から見た図であり、図８におけるＡ−Ａ断面に対応するものである。また、各図の右側に図示している（ａ２）、（ｂ２）等はＭＲヘッドをトラック幅方向から見た図であり、図８におけるＢ−Ｂ断面に対応するものである。
【００３１】
図９はリード３０１の形成工程を説明したものであるが、実施例１における図３と同様であるため、説明を省略する。
【００３２】
図１０（ａ１）（ａ２）では、レジスト３０２を除去した後、電極端子４００を成膜後所望の形状でレジスト４０１を形成し、電極端子４００をエッチング後、絶縁膜４０２を成膜する。電極端子４００とリード３０１との材質を同一にすることにより、電極端子４００とリード３０１との間の電流損失を小さくすることが出来る。また、電極端子４００の形成位置は、電極端子４００から供給され後述のＭＲ膜４０４に流れる電流の経路が膜厚方向軸に水平になるようにするため、膜厚方向に対してＭＲ膜４０４の下方にあることが望ましく、同様の理由により、電極端子４００のトラック幅方向および素子高さ方向の大きさは、ＭＲ膜４０４と同程度とすることが望ましい。本実施例では電極端子４００は素子高さ方向にずらした位置に形成されているが、前述の通り電極端子間の電流経路が膜厚方向軸に水平であれば、実施例１と同様の効果を奏することが出来る。
【００３３】
レジスト４０１を除去後、ＭＲ膜４０４およびハード膜４０７を形成するまでの工程は実施例１における図４（ｂ１）（ｂ２）および（ｃ１）（ｃ２）と同様であるので、説明を省略する。また、図１０（ｂ１）（ｂ２）での絶縁膜５０１の形成は図５（ａ１）（ａ２）における絶縁膜５０１の形成と同様なので説明を省略する。
【００３４】
図１０（ｂ１）（ｂ２）では、レジスト５００を除去後、磁気シールド５０２を成膜し、レジスト等を用いて所望の形状を形成する。次に電極端子５０３を成膜後、所望の形状にレジスト５０４を形成し、エッチングした後に絶縁膜５０５を成膜する。ここで、電極端子５０３の形成位置は、電極端子５０３から供給されＭＲ膜４０４に流れる電流の経路が膜厚方向軸に水平になるようにするため、膜厚方向に対してＭＲ膜４０４の上方にあることが望ましく、同様の理由により、電極端子５０３のトラック幅方向および素子高さ方向の大きさは、ＭＲ膜４０４と同程度とすることが望ましい。本実施例では電極端子５０３は素子高さ方向にずらした位置に形成されているが、前述の通り電極端子間の電流経路が膜厚方向軸に水平であれば、実施例１と同様の効果を奏することが出来る。
【００３５】
図１１はリード６００および絶縁膜６０３の形成工程であるが、図６と同様であるため説明を省略する。また、本実施例における材料および成膜方法は、実施例１と同様とする。
【００３６】
（第３実施例）図１２は本実施例におけるＭＲヘッドの概略構成図である。ＭＲ膜１００を挟むように磁気シールド１０１、１０２が設けられ、更にその外側の一方にＡＢＳ面に接するように電極端子１０３が設けられている。いずれか一方に電極端子を設けることにより、電流経路をＭＲ膜近傍に絞込み、磁気シールドのＡＢＳ面近傍にトラック幅方向に一様な電流磁界を発生させることが出来る。これにより、磁気シールドの磁化を安定してトラック幅方向に向け、磁区制御を行うことが出来る。
【００３７】
磁気シールド膜、ＭＲ膜、磁気シールド膜と順次積層した場合、ＭＲ膜よりも上層の磁気シールド膜は下層にあるＭＲ膜の凹凸を反映してしまい、ＭＲ膜近傍で平坦にならないため、磁気シールドの磁区が不安定となる。よって、本実施例のように電極端子をいずれか一方に設けるのであれば、上層の磁区を安定させるため、上層の磁気シールド膜側に設けるのが望ましい。
【００３８】
本実施例にかかるＭＲヘッドの形成は、実施例１における図３から図６において、リード３０１、電極端子４００を形成せずに基板上にまず磁気シールド膜４０３を形成する点が異なるが、それ以降の工程は実施例１に記載した工程と同様である。なお、磁気シールド膜４０３と電源とを電気的に接続するリード等は、従来技術の通り磁気シールド膜４０３のＡＢＳ面に対向する後方に設ければよい。
【００３９】
（第４実施例）図１３は本実施例におけるＭＲヘッドの概略構成図である。ＭＲ膜１００を挟むように磁気シールド１０１、１０２が設けられ、ＭＲ膜１００に対し電極端子１０３はＡＢＳ面から素子高さ方向にずれている。いずれか一方に電極端子を設けることにより、電流経路をＭＲ膜近傍に絞込み、磁気シールドのＡＢＳ面近傍にトラック幅方向に一様な電流磁界を発生させることが出来る。これにより、磁気シールドの磁化を安定してトラック幅方向に向け、磁区制御を行うことが出来る。
【００４０】
磁気シールド膜、ＭＲ膜、磁気シールド膜と順次積層した場合、ＭＲ膜よりも上層の磁気シールド膜は下層にあるＭＲ膜の凹凸を反映してしまい、ＭＲ膜近傍で平坦にならないため、磁気シールドの磁区が不安定となる。よって、本実施例のように電極端子をいずれか一方に設けるのであれば、上層の磁区を安定させるため、上層の磁気シールド膜側に設けるのが望ましい。
【００４１】
本実施例にかかるＭＲヘッドの形成は、実施例２における図９から図１１において、リード３０１、電極端子４００を形成せずに基板上にまず磁気シールド膜４０３を形成する点が異なるが、それ以降の工程は実施例２に記載した工程と同様である。なお、磁気シールド膜４０３と電源とを電気的に接続するリード等は、従来技術の通り磁気シールド膜４０３のＡＢＳ面に対向する後方に設ければよい。
【００４２】
（第5実施例）図１４は本実施例におけるＭＲヘッドの一部の概略構成図である。図１４（ａ）は、例えば図６において、磁気シールド膜５０２よりも上の層の概略を表現している。また、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）におけるＣ−Ｃ断面に対応するものである。
【００４３】
実施例の１から４においては、磁気シールドに電気的に接続される電極端子を設け、この電極端子と電気的に接続されるようにリードを形成している。例えば図２において、電極端子１０３と接続線１０６は、図６に示す工程により別個に形成される。これに対し、図１４の実施例においては、図１４（ｂ）の断面図からも分かるとおり、電極端子と接続線が一体形成されている。
【００４４】
かかる一体形成を実現するには、図１４（ａ）において磁気シールド１０１を成膜後、その上に絶縁膜１０７を形成する。絶縁膜１０７の一部を除去した後、除去部を覆うようにリード１０６を形成する。これにより、電極端子を形成することなく磁気シールドにセンス電流を供給するリードを設けることが出来、実施例１から４に比べ、工程を大幅に削減することが出来る。
【００４５】
（第６実施例）図１５は実施例１から５のいずれかに示したＭＲヘッドをもちいた磁気ヘッド装置を有する磁気記録再生装置の概略的平面図である。スピンドルモータ３１に回転自在に固定され、裏打層を有する磁気ディスク３２、磁気ヘッドを備えたスライダ３３を支持固定するヘッドサスペンション（スイングアーム）３４、及び、ヘッドサスペンション３４を駆動する電磁アクチュエータ３５によって構成されている。このスライダ３３に実装するＭＲヘッドとして、上述の実施例１乃至実施例５の本発明に特有なＭＲヘッドを用いたものである。
【００４６】
この場合、電磁アクチュエータ３５によってスライダ３３を支持固定したヘッドサスペンション３４を回転させて、磁気ヘッドを構成する書込ヘッドにより磁気ディスク３２に情報を記録したり、或いは、磁気ヘッドを構成する再生ヘッドによって磁気ディスク３２に記録された情報の再生を行うことになる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施例１の動作説明のための概略構成図である。
【図２】実施例１におけるＭＲヘッドの概略構成図である。
【図３】実施例１におけるＭＲヘッドの製造工程の一部を説明する断面図である。
【図４】実施例１におけるＭＲヘッドの製造工程の一部を説明する断面図である。
【図５】実施例１におけるＭＲヘッドの製造工程の一部を説明する断面図である。
【図６】実施例１におけるＭＲヘッドの製造工程の一部を説明する断面図である。
【図７】実施例２の動作説明のための概略構成図である。
【図８】実施例２におけるＭＲヘッドの概略構成図である。
【図９】実施例２におけるＭＲヘッドの製造工程の一部を説明する断面図である。
【図１０】実施例２におけるＭＲヘッドの製造工程の一部を説明する断面図である。
【図１１】実施例２におけるＭＲヘッドの製造工程の一部を説明する断面図である。
【図１２】実施例３におけるＭＲヘッドの概略構成図である。
【図１３】実施例４におけるＭＲヘッドの概略構成図である。
【図１４】実施例５おけるＭＲヘッドの一部の概略構成図である。
【図１５】実施例６気記録再生装置の概略的平面図である。
【図１６】従来技術の動作説明のための概略構成図である。
【符号の説明】
【００４８】
３１          スピンドルモータ
３２          磁気ディスク
３３          スライダ
３４          ヘッドサスペンション
３５          電磁アクチュエータ
１００        ＭＲ膜
１０１        磁気シールド
１０２        磁気シールド
１０３        電極端子
１０４        電極端子
１０５        電源
１０６        接続線
１０７        絶縁膜
２００        ハード膜
３００        基板
３０１        リード
３０２        レジスト
３０３        絶縁膜
４００        電極端子
４０１        レジスト
４０２        絶縁膜
４０３        磁気シールド
４０４        ＭＲ膜
４０５        レジスト
４０６        絶縁膜
４０７        ハード膜
４０８        絶縁膜
５００        レジスト
５０１        絶縁膜
５０２        磁気シールド
５０３        電極端子
５０４        レジスト
５０５        絶縁膜
６００        リード
６０１        レジスト
６０２        絶縁膜
６０３        絶縁膜
【図１】
2008159087.tif 000003
【図２】
2008159087.tif 000004
【図３】
2008159087.tif 000005
【図４】
2008159087.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008159087.tif 000008
【図７】
2008159087.tif 000009
【図８】
2008159087.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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