(57)【要約】【課題】機械的研磨に起因するピットを除去することにより、研磨均一性を向上させることができるウエハ処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】第１の工程において、機械的研磨されたウエハＷの処理面Ｓ２をフッ硝酸溶液でエッチングすることにより、処理面Ｓ２に生じた研磨痕や結晶欠陥が除去される。したがって、第２の工程において、ウエハＷの処理面Ｓ２を第２の処理液により目的厚さまで化学的研磨しても、ウエハＷの処理面Ｓ２に機械的研磨に起因するピットが生じることを防止できる。その結果、ウエハＷの処理面Ｓ２における面内均一性を向上させることができ、研磨均一性を向上させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを薄化するウエハ処理方法において、
裏面が機械的に研磨されたウエハについて、その裏面を第１の処理液でエッチングする第１の工程と、
第１の処理液で裏面がエッチングされたウエハについて、その裏面を第２の処理液で目的厚さまで化学的に研磨する第２の工程と、
を備えていることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のウエハ処理方法において、
前記第１の処理液は、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨNO３）とを含むフッ硝酸溶液であることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のウエハ処理方法において、
前記第２の処理液は、水酸化カリウム（ＫOH）を含む溶液であることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のウエハ処理方法において、
前記第１の工程は、機械的研磨で生じた研磨痕を除去する厚さまで行われることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のウエハ処理方法において、
前記第１の工程は、ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式であることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のウエハ処理方法において、
前記第２の工程は、複数枚のウエハを一括して処理するバッチ式であることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項７】
ウエハを薄化するウエハ処理装置において、
裏面が所定厚さだけ機械的に研磨されたウエハを、その表面を保護した状態で回転させつつ裏面に第１の処理液を供給してエッチングする第１の処理部と、
第１の処理部で処理されたウエハを、その表面及び端面を保護した状態で第２の処理液に浸漬させて目的厚さまで化学的に研磨する第２の処理部と、
を備えていることを特徴とするウエハ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン半導体や化合物半導体などのウエハを処理液によって薄化（シンニングthinningとも呼ばれる）するウエハ処理方法及びその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のウエハ処理方法として、ベース部材の上面にワックスを塗布して溶融させ、その上に、ウエハの回路等が形成された表面側を下向きにして載置する。そして、冷却することによりウエハをベース部材に固定し、水酸化カリウム(KOH)を含んだエッチング液を貯留した処理槽にウエハをベース部材とともに収容し、エッチング液中にウエハを浸漬させる。このようにしてウエハの裏面を化学的に研磨して、ウエハの厚みを薄くする薄化処理が行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記の化学研磨によると、ウエハの面内におけるエッチング量の均一性を高く処理することができる。その一方、化学的研磨は、機械的研磨に比較して処理に長時間を要するので、機械的研磨と組み合わせることが提案されている。つまり、予めウエハの裏面を機械的研磨して所定の厚みにしておき、その機械的研磨済のウエハを水酸化カリウムを含むエッチング液によって目的厚さまで化学的研磨を行う。
【特許文献１】特開２００３−３４７２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、機械的研磨は、機械的にウエハの裏面を削り取るので、ウエハの裏面には結晶欠陥や研磨痕が少なからず生じる。その上、水酸化カリウムは異方性のエッチングという特性をもっているので、機械的研磨済のウエハの裏面には多角形状のピット（微小径のくぼみ）が発生する。したがって、処理時間を短縮することができるものの、ウエハの裏面における研磨均一性が低下するという問題がある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、機械的研磨に起因するピットを除去することにより、研磨均一性を向上させることができるウエハ処理方法及びその装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、ウエハを薄化するウエハ処理方法において、裏面が機械的に研磨されたウエハについて、その裏面を第１の処理液でエッチングする第１の工程と、第１の処理液で裏面がエッチングされたウエハについて、その裏面を第２の処理液で目的厚さまで化学的に研磨する第２の工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、第１の工程において、機械的研磨されたウエハの裏面を第１の処理液でエッチングすることにより、裏面に生じた研磨痕や結晶欠陥が除去される。したがって、第２の工程において、ウエハの裏面を第２の処理液により目的厚さまで化学的研磨しても、ウエハの裏面に機械的研磨に起因するピットが生じることを防止できる。その結果、ウエハ裏面の面内均一性を向上させることができ、研磨均一性を向上させることができる。
【０００８】
また、本発明において、第１の処理液は、フッ化水素酸と硝酸とを含むフッ硝酸溶液であることが好ましく（請求項２）、第２の処理液は、水酸化カリウムを含む溶液であることが好ましい（請求項３）。フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）の混合液であるフッ硝酸溶液は、等方性のエッチング特性を備えているので、機械的研磨によりウエハ裏面に生じた研磨痕等を均一にエッチングして平坦性を高くすることができる。
【０００９】
また、本発明において、第１の工程は、機械的研磨で生じた研磨痕を除去する厚さまで行われることが好ましい（請求項４）。研磨痕がなくなる厚さまで第１の工程でエッチングすることで、ウエハ裏面の平坦性を高くすることができる。
【００１０】
また、本発明において、第１の工程は、ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式であることが好ましく（請求項５）、第２の工程は、複数枚のウエハを一括して処理するバッチ式であることが好ましい（請求項６）。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、ウエハを薄化するウエハ処理装置において、裏面が所定厚さだけ機械的に研磨されたウエハを、その表面を保護した状態で回転させつつ裏面に第１の処理液を供給してエッチングする第１の処理部と、第１の処理部で処理されたウエハを、その表面及び端面を保護した状態で第２の処理液に浸漬させて目的厚さまで化学的に研磨する第２の処理部と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１２】
［作用・効果］請求項７に記載の発明によれば、第１の処理部において、機械的研磨されたウエハの裏面を第１の処理液でエッチングすることにより、裏面に生じた研磨痕や結晶欠陥が除去される。したがって、第２の処理部において、ウエハの裏面を第２の処理液により目的厚さまで化学的研磨しても、ウエハの裏面に機械的研磨に起因するピットが生じることを防止できる。その結果、ウエハ裏面の面内均一性を向上させることができ、研磨均一性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るウエハ処理方法によれば、第１の工程において、機械的研磨されたウエハの裏面を第１の処理液でエッチングすることにより、裏面に生じた研磨痕や結晶欠陥が除去される。したがって、第２の工程において、ウエハの裏面を第２の処理液により目的厚さまで化学的研磨しても、ウエハの裏面に機械的研磨に起因するピットが生じることを防止できる。その結果、ウエハ裏面の面内均一性を向上させることができ、研磨均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
＜処理の概要＞
まず、図１及び図２を参照して本発明に係るウエハ処理方法の概略について説明する。なお、図１は、ウエハ処理の概略フローを示す図であり、図２は、ウエハの断面図の模式図であり、（ａ）が機械的研磨後を、（ｂ）がエッチング後を、（ｃ）が化学的研磨後を示す。
【００１５】
ウエハＷは、回路等が形成された回路形成面Ｓ１（表面）と、その反対面にあたる処理面Ｓ２（裏面）のうち、処理面Ｓ２が既に機械的研磨により研磨されているものとする。なお、図２に示すように、ウエハＷの研磨後の厚さをｔｈ１＝２００μｍとし、研磨痕や結晶欠陥が存在する厚さを処理面Ｓ２からｔｈ２であるとする。このウエハＷより大径のベース部材１を用意し、この上面に液晶ワックス３を溶かしつつ、ウエハＷの回路形成面Ｓ１に液晶ワックス３を接触させてウエハＷをベース部材１に固着させる。液晶ワックス３が冷えてウエハＷがベース部材１に強固に固定された後、次の処理を行う。なお、ベース部材１としては、例えば、規格上、処理対象のウエハＷよりも一つ上にあたる径のダミーウエハを用いるようにしてもよい。
【００１６】
（第１の工程）
ウエハＷが固着されたベース部材１を回転させつつ、その上面（処理面Ｓ２）にフッ硝酸溶液Ｑ１を供給する。このフッ硝酸溶液は、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）とを含む第１の処理液である。その混合比は、例えば、重量比で５０：５０である。また、その供給流量は２０リットル／分、ベース部材１の回転数は１０００ｒｐｍ程度、処理時間は１分が例示される。このエッチング処理は、機械的研磨によりウエハＷの処理面Ｓ２に形成された研磨痕や結晶欠陥が除去される程度の厚さ、厚さｔｈ２を若干越える厚さｔｈ３、例えばウエハＷの処理面Ｓ２から５０μｍがエッチングされるように行われる。
【００１７】
上記第１の処理液であるフッ硝酸溶液は、等方性のエッチング特性を備えているので、機械的研磨によりウエハＷの処理面Ｓ２に生じた研磨痕等を均一にエッチングして平坦性を高くすることができる。
【００１８】
（第２の工程）
次に、エッチング済のウエハＷに端縁保護治具５を取り付け、複数枚のウエハＷをカセットＣに収容する。そして、カセットＣごと水酸化カリウム（KOH）を含む溶液（第２の処理液）に浸漬させて、ウエハＷが目的厚さｔｈ４となるまで化学的に９０〜１００μｍ程研磨させる。なお、溶液の温度は７０℃程度、浸漬時間は４時間が例示される。これにより、ウエハＷの処理面Ｓ２が化学的に研磨され、例えば、目的厚さｔｈ４＝６０μｍまで薄化される。
【００１９】
上記のように処理した場合、第１の工程において、機械的研磨されたウエハＷの処理面２をフッ硝酸溶液でエッチングすることにより、処理面Ｓ２に生じた研磨痕や結晶欠陥が除去される。したがって、第２の工程において、ウエハＷの処理面Ｓ２を第２の処理液により目的厚さｔｈ４まで化学的研磨しても、ウエハＷの処理面Ｓ２に機械的研磨に起因するピットが生じることを防止できる。その結果、ウエハＷの処理面Ｓ２における面内均一性を向上させることができ、研磨均一性を向上させることができる。
【００２０】
＜ウエハ処理装置＞
次に、上述した処理を行うための具体的なウエハ処理装置について、図３〜図７を参照しつつ説明する。なお、図３は、ウエハ処理装置の概略構成を示す模式図であり、図４は、エッチング装置の概略構成を示す縦断面図であり、図５は、端縁保護治具を示す斜視図であり、図６は、端縁保護治具着脱装置の概略構成を示す平面図であり、図７は、ウエハ薄化装置の概略構成を示す平面図である。
【００２１】
このウエハ処理装置は、図３に示すように、エッチング装置７（第１の処理部）と、端縁保護治具着脱装置９と、ウエハ薄化装置１１（第２の処理部）とを備えている。
【００２２】
エッチング装置７は、回転処理部１３と収容部１５とを備えている。
収容部１５は薄化処理前または薄化処理後のウエハＷを収容しているカセットＣが載置される。裏面が機械的研磨後で薄化処理前のウエハＷを収容したカセットＣからは、各ウエハＷが取り出されて回転処理部１３に搬送され、ウエハＷが一枚ずつ枚葉式でエッチング処理される。そして、エッチング済のウエハＷが別のカセットＣに収容される。
【００２３】
回転処理部１３は、図４に示すように、回転ユニット１７と保護ユニット１９とを備えている。回転ユニット１７は、ウエハＷより若干大径のベース板２１と、ベース板２１の上面周辺部に立設された複数本の支持ピン２３と、ベース板２１の中心部に貫通形成された吐出口２５と、吐出口２５に連通するとともに、ベース板２１の下面に配設された回転軸２７とを備えている。回転軸２７は、図示しない駆動手段によって回転されるとともに、図示しない供給手段から第１の処理液としてのフッ硝酸溶液Ｑ１、またはリンス液としての純水が供給される。なお、フッ硝酸溶液は、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）とを例えば、重量比で５０：５０で混合したものである。
【００２４】
保護ユニット１９は、ウエハＷより若干大径の保護板２９と、保護板２９の中心部に貫通形成された供給口３１と、供給口３１に連通するとともに、保護板２９の上面に配設された回転軸３３とを備えている。回転軸３３は、図示しない駆動手段により、回転軸２７と同方向に回転されるとともに、図示しない供給手段から不活性ガス（例えば、窒素ガス）が供給される。なお、この保護ユニット１９は、ウエハＷが回転ユニット１７との間で受け渡される際には、側方の待機位置に待避する。
【００２５】
ウエハＷは、その処理面Ｓ２がベース板２１側に向けられた姿勢で回転ユニット１７に載置され、その処理面Ｓ２がベース板２１から離間した状態で支持ピン２３により当接支持される。そして、所定の回転数（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転軸２７，３３が回転駆動され、回転数が安定した後、吐出口２５からフッ硝酸溶液が供給（例えば、２０リットル／分）されるとともに、供給口３１から不活性ガスが供給される。ウエハＷは、処理面Ｓ２にフッ硝酸溶液が供給されて厚さｔｈ３（図２参照）のエッチングがされるが、そのときに周囲に飛散したフッ硝酸溶液のミストが回路形成面Ｓ１に付着すると回路形成面Ｓ１に悪影響が及ぶ。保護ユニット１７の保護板１９と不活性ガスの流れは、そのような悪影響が生じないように、フッ硝酸溶液のミストが回路形成面Ｓ１に付着することを防止する。
【００２６】
なお、保護ユニット１９を省略して、ウエハＷの回路形成面Ｓ１側に保護テープを貼り付けてミストから保護するようにしてもよい。または、処理方法において上述したように、ベース部材１にウエハＷを貼り付け、処理面Ｓ２を上方に向けた姿勢で回転ユニット１７に載置し、上方から処理面Ｓ２に対してフッ硝酸溶液を供給して処理するようにしてもよい。
【００２７】
エッチングを終えた後、吐出口２５から純水がリンス液として供給され、ウエハＷの処理面Ｓ２に付着しているフッ硝酸溶液が洗い流される。その後、回転軸２７を高速回転（例えば４０００ｒｐｍ）させて、純水を振り切ってウエハＷを乾燥させる。
【００２８】
このようにエッチングが行われたウエハＷには、例えば、図５に示す端縁保護治具５が取り付けられる。
【００２９】
この端縁保護治具５は、ウエハＷの回路形成面Ｓ１の全面と、外周面と、処理面Ｓ２のうち処理面Ｓ２の中央部にあたる平面視円形状の処理円ＣＲを除いて、ウエハＷの外周面から中心側へ入り込んだ所定幅とを覆って第２の処理液に触れないようにするための治具である。
【００３０】
具体的には、ウエハＷよりやや大きなベース部材３５と、ベース部材３５の上方からウエハＷを挟んで載置されるシールリング３７とを備えている。ベース部材３５は、その中央部に、ウエハＷの外形に合わせて形成され、ウエハＷの厚さと同程度の浅溝３９が形成されている。この浅溝３９には、ウエハＷが、その回路形成面Ｓ１を向けて載置される。シールリング３７の下面には、処理面Ｓ２のうち第１の処理液が触れる領域である処理円ＣＲにリップパッキン４０が配設されている。シールリング３７の上面の一部位には、リップパッキン４０の吸引空間に連通したバルブ４１が取り付けられている。バルブ４１は、逆止弁及び真空破壊弁を備え、図示しない吸引手段に連通されてリップパッキン４０の吸引空間が負圧にされた状態で吸引を解除しても、吸引空間の負圧が維持される。これにより、ベース部材３５にウエハＷを載置し、その上からシールリング３７を載置して吸引手段により吸引させるだけで、吸引を解除してもシールリング３７がベース部材３５と一体的に保持される。そして、ウエハＷの薄化処理を終えた後に、バルブ４１の真空破壊弁を作動させることにより、リップパッキン４０の吸引空間の負圧を解消させて、シールリング３７をベース部材３５から離脱させることができる。
【００３１】
なお、「リップパッキン」とは、流体に圧力がかかるとリップパッキンのリップ先端に流体圧よりも大きな圧力がかかり、当接面に圧着する部分が生じ、セルフシール作用によって圧着が維持される種類のパッキンをいう。このようなリップパッキンとしては、Ｕパッキン、Ｖパッキン、Ｌパッキン、Ｊパッキン等が挙げられ、ダストシールやスクレーパとも呼ばれる。
【００３２】
上述した端縁保護治具５は、図６に示す端縁保護治具着脱装置５により、処理面Ｓ２がエッチングされた複数枚のウエハＷに対して自動的に取り付けられるとともに、薄化処理後に自動的に取り外される。
【００３３】
端縁保護治具着脱装置９は、薄化処理前のウエハＷを収容したカセットＣが載置される載置台４３と、端縁保護治具５のうちベース部材３５だけを収容したカセットＣが載置される載置台４５と、これらに沿って移動可能に配置された第１搬送アーム４７と、端縁保護治具５をウエハＷに装着する装着部４９と、装着部４９に隣接して配置され、薄化処理後のウエハＷから端縁保護治具５を取り外す解除部５１と、装着部４９と解除部５１に隣接し、シールリング３７だけを収納する領域と、端縁保護治具５を収納する領域とを有する収納部５３とを備えている。
【００３４】
装着部４９に隣接した位置には、端縁保護治具５が装着されたウエハＷがカセットＣごと載置される載置台５５が配設されている。このカセットＣは、ウエハ薄化装置１１に搬送される。
【００３５】
解除部５１に隣接した位置には、薄化処理後のウエハＷ（端縁保護治具５付）がカセットＣごと載置される載置台５７が配設されている。このカセットＣは、ウエハ薄化装置１１から搬送されてくる。また、載置台５７に隣接する位置には、端縁保護治具５が解除されたウエハＷをカセットＣごと載置される載置台５９が配設されている。
【００３６】
上述した装着部４９は、第１搬送アーム４７によって載置台４５上のカセットＣから搬送されたベース部材３５が載置されるとともに、ベース部材３５の上に、第１搬送アーム４７によって載置台４３上のカセットＣから搬送されたウエハＷが積層される積層台６１を備えている。積層台６１から見て収納部５３側には、一体化台６３が配設されている。一体化台６３は、ウエハＷが載置されたベース部材３５を載置され、その上に載置されたシールリング３７とともに水平方向における位置合わせを行うとともに、シールリング３７のバルブ４１（図５参照）を介して吸引を行ってウエハＷと端縁保護治具５の一体化を図る。積層台６１と一体化台６３との間には、積層台６１に載置されたベース部材３５及びウエハＷを、積層台６１から一体化台６３へ搬送する第２搬送アーム６５が配設されている。積層台６１と載置台５５との間には、一時収納部６７が配設されている。一時収納部６７にはカセットＣが、その収納棚を水平姿勢にした状態で載置される。ここに載置されたカセットＣには、一体化台６３に隣接する位置に配設されている第３搬送アーム６９によってウエハＷ（端縁保護治具５付）が一体化台６３から搬送される。一時収納部６７のカセットＣがウエハＷ（端縁保護治具５付）で満杯となった場合には、カセットＣを水平姿勢から垂直姿勢へと姿勢変換を行って載置台５５にカセットＣごと移載される。
【００３７】
収納部５３のシールリング３７は、装着部４９及び解除部５１側に配設された第４搬送アーム７１によって一体化台６３に搬送される。また、収納部５３には、解除部５１でウエハＷから解除された後、シールリング３７及びベース部材３５（端縁保護治具５）が第４搬送アーム７１によって収納部５３に搬送される。
【００３８】
解除部５１は、載置台５７に隣接する位置に一時載置部７３を備えている。ここには、載置台５７に載置された、薄化処理後のウエハＷ（端縁保護治具５付）を収納したカセットＣが垂直姿勢から水平姿勢へと姿勢変換を行って移載される。解除部５１の収納部５３側であって装着部４９側には、別体化台７５が配設されている。この別体化台７５は、ウエハＷに装着されたシールリング３７のバルブ４１を介してリップパッキン４０内の負圧を解消して、シールリング３７をベース部材３５及びウエハＷから解除可能にする。別体化台７５と載置台５９との間には、第５搬送アーム７７が配設されている。この第５搬送アーム７７は、一時載置部７３のカセットＣからウエハＷ（端縁保護治具５付）を取り出して別体化台７５に搬送する。また、別体化台７５で別体化されたシールリング３７が第４搬送アーム７１によって収納部５３に搬送された後、第５搬送アーム７７は、ウエハＷだけを載置台５９のカセットＣに搬送する。別体化台７５に残されたベース部材３５は、第４搬送アーム７１によって収納部５３に搬送される。
【００３９】
次に、図７を参照して、ウエハ薄化装置１１について説明する。
【００４０】
複数枚のウエハＷを一括して処理するバッチ式のウエハ薄化装置１１は、処理面Ｓ２が機械的研磨及びエッチングされ、端縁保護治具着脱装置９により端縁保護治具５が装着された複数枚のウエハＷを収容したカセットＣが載置される載置台７９と、載置台７９に沿って配置され、カセットＣを移載する移載アーム８１と、移載アーム８１側とは反対側から、薄化処理部８３、リンス処理部８５、乾燥処理部８７を備えた処理部８９と、移載部８１との間でカセットＣを受け渡すとともに、処理部８９に沿って移動可能であり、各処理部８３，８５，８７にカセットＣを移動させる処理アーム９１とを備えている。処理アーム９１は、２個のカセットＣを直列状態で保持可能に構成されているが、一つのカセットＣを保持する構成であってもよい。
【００４１】
薄化処理部８３は、２個のカセットＣを収納可能な処理槽９３を備え、例えば、高温に加熱された第２の処理液として水酸化カリウム（ＫＯＨ）を含む溶液を貯留している。ここへ処理アーム９１がカセットＣを浸漬させる。浸漬時間は、ウエハＷの厚さが目的厚さｔｈ４（図２参照）になるまでであり、例えば４時間程度である。リンス処理部８５は、温純水を貯留するリンス槽９５を備え、処理槽９３から引き上げられたウエハＷを純水で洗浄する。乾燥処理部８７は、乾燥チャンバー９７を備え、純水で洗浄されたウエハＷから液滴を乾燥除去する。処理を終えたウエハＷは、カセットＣごと移載アーム８１を介して載置台７９に戻される。
【００４２】
上記のようなウエハ処理装置では、機械的研磨されたウエハＷの処理面Ｓ２をエッチング装置７においてフッ硝酸溶液でエッチングすることにより、処理面Ｓ２に生じた研磨痕や結晶欠陥が除去される。したがって、ウエハ薄化装置１１において、ウエハＷの処理面Ｓ２を水酸化カリウムを含む溶液により目的厚さｔｈ４まで化学的研磨しても、ウエハＷの処理面Ｓ２に機械的研磨に起因するピットが生じることを防止できる。その結果、ウエハＷの処理面Ｓ２における平坦度の面内均一性を向上させることができ、研磨均一性を向上させることができる。
【００４３】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４４】
（１）上述した実施例では、第１の処理液としてフッ硝酸溶液を例示したが、ウエハＷの裏面をエッチングでき、かつ等方性のエッチング特性を備えた溶液であれば他の溶液を用いてもよい。
【００４５】
（２）上述した実施例では、第２の処理液として水酸化カリウム(KOH)の溶液を例示したが、他の処理液によって薄化を行うようにしてもよい。
【００４６】
（３）上述した実施例では、吸着によって一体化される端縁保護治具５が装着されたウエハＷを処理する例を説明したが、この端縁保護治具５に代えて、機械的なロック機構を備えた端縁保護治具を採用してもよい。
【００４７】
（４）上述した実施例では、エッチング装置７を枚葉式としたがバッチ式としてもよい。また、ウエハ薄化装置１１をバッチ式としたが枚葉式としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】ウエハ処理の概略フローを示す図である。
【図２】ウエハの断面図の模式図であり、（ａ）が機械的研磨後を、（ｂ）がエッチング後を、（ｃ）が化学的研磨後を示す。
【図３】ウエハ処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図４】エッチング装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図５】端縁保護治具を示す斜視図である。
【図６】端縁保護治具着脱装置の概略構成を示す平面図である。
【図７】ウエハ薄化装置の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４９】
Ｗ  …  ウエハ
Ｓ１  …  回路形成面
Ｓ２  …  処理面
ｔｈ４  …  目的厚さ
Ｑ１  …  フッ硝酸溶液
５  …  端縁保護治具
Ｃ  …  カセット
７  …  エッチング装置（第１の処理部）
９  …  端縁保護治具着脱装置
１１  …  ウエハ薄化装置（第２の処理部）
１３  …  回転処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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