(57)【要約】      （修正有）【課題】エポキシ樹脂組成物とした場合に、良好な硬化性と流動性とを両立し、さらには優れた保存性を与えることができるエポキシ樹脂組成物及び耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】エポキシ樹脂と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と硬化促進剤と硬化遅延成分とを含み、前記硬化遅延成分は一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と一般式（２）で表されるアルコキシシラン化合物とアミン化合物とを反応させて得られるものであることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。2008189824.tif 0000392008189824.tif 000040【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、硬化促進剤（Ｃ）と、硬化遅延成分（Ｇ）と、を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記硬化遅延成分（Ｇ）は、下記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、下記一般式（２）で表されるアルコキシシラン化合物（Ｅ）と、アミン化合物（Ｆ）とを反応させて得られるものであることを特徴とする、エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2008189824.tif 000032
［式中、Ａｒ1は、芳香環又は複素環を有する炭素数５〜３０の有機基を表す。有機基Ａｒ1上の２つのＯＨ基は、前記芳香環又は複素環に直接結合するものである。また、有機基Ａｒ1上の２つのＯＨ基がプロトンを放出して形成される２つの酸素アニオン基は、珪素原子と結合してキレート構造を形成し得るものである。］
【化２】
2008189824.tif 000033
［式中、Ｒ1は、炭素数１〜４の脂肪族基を示し、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｘ1は、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基、又は炭素数１〜１５の脂肪族基を示す。ａは３又は４を示す。］
【請求項２】
前記アミン化合物（Ｆ）が、下記一般式（３）で表わされる芳香族アミン化合物である、請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【化３】
2008189824.tif 000034
［式中、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、水素原子及び炭素数１〜６の有機基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ2とＲ3が互いに結合して環構造を形成してもよい。式中、Ａｒ2は、芳香環を有する有機基を示す。有機基Ａｒ2上の窒素原子は、前記芳香環に直接結合するものである。ｂは１以上６以下の整数を示す。］
【請求項３】
前記硬化遅延成分（Ｇ）が、下記一般式（４）又は下記一般式（５）で表されるアンモニウムシリケート化合物である、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
【化４】
2008189824.tif 000035
【化５】
2008189824.tif 000036
［式中Ｑはアミン化合物がプロトン化されることで形成されるアンモニウムを示す。式中、Ａｒ3は、芳香環又は複素環を有する炭素数５〜３０の有機基を示す。有機基Ａｒ3上の２つの酸素原子は、前記芳香環又は複素環に直接結合するものである。また、有機基Ａｒ3上の２つのＯＨ基がプロトンを放出して形成される２つの酸素アニオン基は、珪素原子と結合してキレート構造を形成し得るものである。式中、Ｘ2は、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基、又は炭素数１〜１５の脂肪族基を示す。ｃは１以上６以下の整数を示す。ｄは１又は２を示す。ｅ及びｆはそれぞれｅ×ｄ＝２ｆを満たす１以上６以下の整数を示す。］
【請求項４】
前記硬化遅延成分（Ｇ）が、下記一般式（６）又は下記一般式（７）で表されるアンモニウムシリケート化合物である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
【化６】
2008189824.tif 000037
【化７】
2008189824.tif 000038
［式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、水素原子及び炭素数１〜６の有機基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ4とＲ5は互いに結合して環構造を形成してもよい。式中、Ａｒ4は、芳香環を有する有機基を示し、有機基Ａｒ4上の窒素原子は、前記芳香環に直接結合するものである。式中、Ａｒ5は、芳香環又は複素環を有する炭素数５〜３０の有機基を示し、有機基Ａｒ5上の２つの酸素原子は、前記芳香環又は複素環に直接結合するものである。また、有機基Ａｒ5上の２つのＯＨ基がプロトンを放出して形成される２つの酸素アニオン基は、珪素原子と結合してキレート構造を形成し得るものである。式中、Ｘ3は、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基、又は炭素数１〜１５の脂肪族基を示す。ｍは１以上６以下の整数を示す。ｎは１又は２を示す。ｐ及びｑはｐ×ｎ＝２ｑを満たす１以上６以下の整数を示す。］
【請求項５】
前記エポキシ樹脂組成物は、さらに無機充填材を含むものである、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品を封止してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エポキシ樹脂組成物および半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の封止に用いられる材料には、生産効率の向上を目的とした速硬化性の向上と、半導体を封止する際の、耐熱性や信頼性の向上のため、無機充填材を高充填しても、損なわれることのない高流動性が求められるようになってきている。
【０００３】
このような電気・電子材料分野向けのエポキシ樹脂組成物には、硬化時における樹脂の硬化反応を促進する目的で、第三ホスフィンとキノン類との付加反応物が、優れた速硬化性を有する硬化促進剤として添加されている（例えば、特許文献１参照。）が、かかる硬化促進剤は、硬化促進効果を示す温度領域が比較的低温にまで及ぶことから、硬化反応の初期において、その反応をわずかずつであるが促進してしまい、この反応が原因となって、樹脂組成物における樹脂成分が高分子量化する。かかる高分子量化は、樹脂組成物の溶融粘度の上昇を引き起こし、結果として、信頼性向上のために充填材を高充填した樹脂組成物においては、流動性の不足を生じ、これにより成型不良などの問題を引き起こす。
【０００４】
また、樹脂組成物の流動性を向上させるべく、硬化促進剤において、硬化性を抑制する成分を用いて、反応性の基質を保護する試みも、さまざまなものが取り組まれてきた。例えば、硬化促進剤の活性点をイオン対により保護することで、潜伏性を発現する研究がなされており、種々の有機酸とホスホニウムイオンとの塩構造を有する潜伏性触媒が知られている（例えば、特許文献２〜４参照。）。しかし、このような、通常の塩構造を有する潜伏性触媒では、硬化反応の初期から終期まで、常に、塩構造に、硬化性抑制成分が存在するために、流動性を得ることができる反面、硬化性は十分に得られず、流動性と硬化性との両立ができないものであった。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２５３３５号公報（第２頁）
【特許文献２】特開２００１−９８０５３号公報（第５頁）
【特許文献３】米国特許第４１７１４２０号明細書（第２−４頁）
【特許文献４】特開平１１−５８２９号公報（第３−４頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、エポキシ樹脂組成物とした場合に、良好な硬化性と流動性とを両立し、さらには優れた保存性を与えることができるエポキシ樹脂組成物及び耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前述したような問題点を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、次のような（ａ）〜（ｂ）の事項を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
（ａ）特定のアルコキシシラン化合物と、特定の芳香族ジヒドロキシ化合物と、アミン化合物とを、反応させて得られた硬化遅延成分を、エポキシ樹脂組成物に含有することにより、エポキシ樹脂組成物が、優れた保存性、流動性と硬化性を両立させることを見出した。
【０００９】
（ｂ）さらに、本発明者らは、上記手法により得られたエポキシ樹脂組成物が、無機充填材を高充填した場合でも、高い流動性と良好な硬化性を発揮できるものであることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち、下記（１）〜（６）項の本発明により達成される。
【００１１】
（１）  エポキシ樹脂（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、硬化促進剤（Ｃ）と、硬化遅延成分（Ｇ）と、を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記硬化遅延成分（Ｇ）は、下記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、下記一般式（２）で表されるアルコキシシラン化合物（Ｅ）と、アミン化合物（Ｆ）とを反応させて得られるものであることを特徴とする、エポキシ樹脂組成物。
【００１２】
【化１】
2008189824.tif 000002
［式中、Ａｒ1は、芳香環又は複素環を有する炭素数５〜３０の有機基を表す。有機基Ａｒ1上の２つのＯＨ基は、前記芳香環又は複素環に直接結合するものである。また、有機基Ａｒ1上の２つのＯＨ基がプロトンを放出して形成される２つの酸素アニオン基は、珪素原子と結合してキレート構造を形成し得るものである。］
【００１３】
【化２】
2008189824.tif 000003
［式中、Ｒ1は、炭素数１〜４の脂肪族基を示し、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｘ1は、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基、又は炭素数１〜１５の脂肪族基を示す。ａは３または４を示す。］
【００１４】
（２）  前記アミン化合物（Ｆ）が、下記一般式（３）で表わされる芳香族アミン化合物である、第（１）項に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００１５】
【化３】
2008189824.tif 000004
［式中、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、水素原子及び炭素数１〜６の有機基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ2とＲ3が互いに結合して環構造を形成してもよい。式中、Ａｒ2は、芳香環を有する有機基を示す。有機基Ａｒ2上の窒素原子は前記芳香環に直接結合するものである。ｂは１以上６以下の整数を示す。］
【００１６】
（３）  前記硬化遅延成分（Ｇ）が、下記一般式（４）又は下記一般式（５）で表されるアンモニウムシリケート化合物である、第（１）項又は第（２）項に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００１７】
【化４】
2008189824.tif 000005
【００１８】
【化５】
2008189824.tif 000006
【００１９】
［式中Ｑはアミン化合物がプロトン化されることで形成されるアンモニウムを示す。式中、Ａｒ3は、芳香環又は複素環を有する炭素数５〜３０の有機基を示す。有機基Ａｒ3上の２つの酸素原子は、前記芳香環又は複素環に直接結合するものである。また、有機基Ａｒ3上の２つのＯＨ基がプロトンを放出して形成される２つの酸素アニオン基は、珪素原子と結合してキレート構造を形成し得るものである。式中、Ｘ2は、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基、又は炭素数１〜１５の脂肪族基を示す。ｃは１以上６以下の整数を示す。ｄは１又は２を示す。ｅ及びｆはそれぞれｅ×ｄ＝２ｆを満たす１以上６以下の整数を示す。］
【００２０】
前記硬化遅延成分（Ｇ）が、下記一般式（６）又は下記一般式（７）で表されるアンモニウムシリケート化合物である、第（１）項乃至第（３）項のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００２１】
【化６】
2008189824.tif 000007
【００２２】
【化７】
2008189824.tif 000008
【００２３】
［式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、水素原子及び炭素数１〜６の有機基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ4とＲ5は互いに結合して環構造を形成してもよい。式中、Ａｒ4は、芳香環を有する有機基を示し、有機基Ａｒ4上の窒素原子は、前記芳香環に直接結合するものである。式中、Ａｒ5は、芳香環又は複素環を有する炭素数５〜３０の有機基を示し、有機基Ａｒ5上の２つの酸素原子は、前記芳香環又は複素環に直接結合するものである。また、有機基Ａｒ5上の２つのＯＨ基がプロトンを放出して形成される２つの酸素アニオン基は、珪素原子と結合してキレート構造を形成し得るものである。式中、Ｘ3は、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基、又は炭素数１〜１５の脂肪族基を示す。ｍは１以上６以下の整数を示す。ｎは１又は２を示す。ｐ及びｑはｐ×ｎ＝２ｑを満たす１以上６以下の整数を示す。］
【００２４】
（５）  前記エポキシ樹脂組成物は、さらに無機充填材を含むものである、第（１）項乃至第（４）項のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
（６）  第（１）項乃至第（５）項のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品を封止してなる半導体装置。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、優れた硬化性、流動性及び保存性を両立したものであり、無機充填材を用いた場合でも良好な流動性を発揮することができる。
また、本発明の半導体装置は、耐半田クラック性及び耐湿信頼性などの特性において信頼性に優れたものを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明のエポキシ樹脂組成物の好適実施形態について説明する。
【００２７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、硬化促進剤（Ｃ）と、硬化遅延成分（Ｇ）と、を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記硬化遅延成分（Ｇ）は、前記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、前記一般式（２）で表されるアルコキシシラン化合物（Ｅ）と、前記アミン化合物（Ｆ）とを反応させて得られるものを用いることにより、特定の温度範囲において、前記エポキシ樹脂（Ａ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との反応を遅延させることができ、これにより、エポキシ樹脂組成物は、硬化性を損なうことなく、優れた流動性や保存性を発現することができるものである。
【００２８】
以下、本発明のエポキシ樹脂組成物における各成分について順次説明する。
【００２９】
本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ）は、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造は特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
【００３０】
本発明に用いる１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）は、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂、ビスフェノール化合物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
【００３１】
本発明に用いる硬化促進剤（Ｃ）としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に使用するものを用いることができる。
このような化合物としては、窒素含有化合物、燐含有化合物、硫黄含有化合物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
【００３２】
上記窒素含有化合物としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール及び２−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール化合物；、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン及び２−（ジメチルアミノメチル）フェノールなどのアミン化合物；、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７及び１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５などの双環式ジアザ化合物；、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラオクチルアンモニウムクロライド、テトラオクチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムフェノラート及びテトラオクチルアンモニウムフェノラートなどのアンモニウム塩化合物；、１−カルボキシル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルメタナミニウムなどのアンモニウムベタイン化合物；、などが挙げられる。また、これらに、カプセル化、包接化、微粉砕化、ナノ分散化などの処理を施した形態などが挙げられる
【００３３】
上記硫黄含有化合物としては、ジフェニルスルホニウムブロマイド、トリフェニルスルホニウムブロマイド、トリフェニルスルホニウムクロライド及びトリフェニルスルホニウムフェノラートなどのスルホニウム塩化合物などが挙げられ、これらに、カプセル化、包接化、微粉砕化、ナノ分散化などの処理を施した形態などが挙げられる
【００３４】
上記燐含有化合物としては、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン及びトリブチルホスフィンなどのホスフィン化合物；、テトラホスホニウムクロライド、テトラホスホニウムブロマイド、テトラフェニルホスホニウムヨーダイド、テトラフェニルホスホニウムとビスフェノールＡなどのビスフェノール類とからなる分子化合物、テトラブチルホスホニウムと２，３−ジヒドロキシナフタレンなどのジヒドロキシナフタレン類とからなる分子化合物、並びにテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート及びテトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレートなどのホスホニウム塩化合物；、２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンの付加物、２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート及び３−（トリフェニルホスホニオ）フェノラートなどのホスホベタイン化合物；などが挙げられる。また、これらに、カプセル化、包接化、微粉砕化、ナノ分散化などの処理を施した形態などが挙げられる。
これらの内、特に、テトラフェニルホスホニウムとビスフェノール類との分子化合物及びテトラフェニルホスホニウムとジヒドロキシナフタレン類との分子化合物などのホスホニウム塩化合物、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物及び２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラートなどのホスホベタイン化合物を使用した場合、エポキシ樹脂組成物は、極めて良好な硬化性と流動性とが両立できるため、好ましい。
【００３５】
本発明に用いる硬化遅延成分（Ｇ）は、一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、一般式（２）で表わされるアルコキシシラン化合物（Ｅ）と、アミン化合物（Ｆ）とを反応させることにより得られる。
【００３６】
本発明に用いる、一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）において、Ａｒ1は、芳香環又は複素環を有する炭素数５〜３０の有機基であり、有機基Ａｒ1上の２つのＯＨ基は、前記芳香環又は複素環に直接結合するものである。また、有機基Ａｒ1上の２つのＯＨ基がプロトンを放出して形成される２つの酸素アニオン基は、珪素原子と結合してキレート構造を形成し得るものである。
【００３７】
このような前記芳香環を有する炭素数５〜３０の有機基Ａｒ1の例としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基及びビナフチレン基などのアリーレン基などが挙げられ、これらの基においては、通常、ＯＨ基を隣接位に有するものであり、前記ビフェニレン基及びビナフチレン基などのビアリーレン基においては、２，２’位に有するものを挙げることができる。また前記複素環を有する炭素数５〜３０の有機基Ａｒ1の例としては、ピリジニル基及びキノキサリル基などの複素環を有する有機基が挙げられる。これらの基においては、通常、ＯＨ基を隣接位に有するものである。前記芳香環を有する炭素数５〜３０の有機基は置換基を有していても良く、前記置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基等の脂肪族アルキル基；、フェニル基等の芳香族基；、メトキシ基及びエトキシ基等のアルコキシ基；、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びオクトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；、ニトロ基、シアノ基、水酸基及びハロゲン基、等を有していても良い。これらの中でも、アルコキシカルボニル基、水酸基を、置換基に有する前記芳香環を有する炭素数５〜３０の有機基が、エポキシ樹脂組成物において、硬化性と流動性の際立った両立が見られるため好ましい。
【００３８】
このような一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（ＨＯ−Ａｒ1−ＯＨ）の例としては、例えば、カテコール、３−メチルカテコール、４−メチルカテコール、４−エチルカテコール、４−プロピルカテコール、４−ブチルカテコール、４−ニトロカテコール、３−メトキシカテコール、３−エトキシカテコール、３−フルオロカテコール、３−クロロカテコール、４−ブロモカテコール、４−クロロカテコール、３’，４’−ジヒドロキシアセトフェノン、４−ｔ−ブチルカテコール、３，４−ジヒドロキシベンゾニトリル、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシベンズアルデヒド、３，４−ジヒドロキシベンジルアルコール、エチル−３，４−ジヒドロキシベンゾエート、ピロガロール、５−メチルピロガロール、１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、２，３，４−トリヒドロキシベンズアルデヒド、２，４，５−トリヒドロキシベンズアルデヒド、２’，３’，４’，−トリヒドロキシアセトフェノン、没食子酸、没食子酸メチル、没食子酸エチル、没食子酸プロピル、没食子酸ブチル、没食子酸イソアミル、没食子酸オクチル、没食子酸ドデシル、没食子酸ステアリル、２，２’−ビフェノール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、１，８−ジヒドロキシナフタレン、１，２−ジヒドロキシアントラキノン、１，２，３−トリヒドロキシアントラキノン、１，２，４−トリヒドロキシアントラキノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシジフェニルメタン及び１，１’−ビ−２−ナフトールなどの芳香環を有する有機基を有する芳香族ヒドロキシ化合物、２，３−ジヒドロキシピリジン及び２，３−ジヒドロキシキノキサリンなどの複素環を有する有機基を有するジヒドロキシ化合物が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、ピロガロール、没食子酸プロピル、２，２’−ビフェノール、１，２−ジヒドロキシナフタレン及び２，３−ジヒドロキシナフタレンが、エポキシ樹脂組成物において、硬化性と流動性の際立った両立が見られるため、より好ましい。
【００３９】
本発明に用いる一般式（２）で表わされるアルコキシシラン化合物（Ｅ）は、前記一般式（２）におけるＲ1として炭素数１〜４の脂肪族基を有するものであり、これらは互いに同一でも異なっていてもよい。
前記一般式（２）におけるＲ1としての前記炭素数１〜４の脂肪族基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、アリル基及びブチル基などが挙げられる。
【００４０】
前記一般式（２）におけるＸ1は、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基、あるいは炭素数１〜１５脂肪族基を示す。
【００４１】
前記一般式（２）におけるＸ1としての、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基としては、例えば、アリール基及びアリールアルキル基等が挙げられる。前記炭素数６〜１５のアリール基の具体例としては、フェニル基、ベンタフルオロフェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、アミノフェニル基、インデニル基、ナフチル基及びビフェニル基等が挙げられる。前記炭素数６〜１５のアリールアルキル基の具体例としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、アニリノメチル基、アニリノエチル基、アニリノプロピル基、Ｎ−フェニルアニリノプロピル基及びアミノフェノキシプロピル基等が挙げられる。前記芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基は置換基を有していても良く、前記置換基としては、例えば、メチル基、エチル基及びプロピル基等の脂肪族アルキル基；、メトキシ基及びエトキシ基等のアルコキシ基；、フルオロ基、クロロ基及びブロモ基等のハロゲン基：、水酸基及びアミノ基等を有していても良い。これらの芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基の中でも、フェニル基、ナフチル基及びアニリノプロピル基が、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力に優れるため好ましい。
【００４２】
また前記一般式（２）におけるＸ1としての炭素数１〜１５の脂肪族基としては、炭素数１〜１５のアルキル基、アルケニル基及びアルキニル基等が挙げられる。前記炭素数１〜１５のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、クロロプロピル基及びシアノプロピル基等が挙げられる。前記炭素数１〜１５のアルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、メタクリロキシメチル基、メタクリロキシプロピル基、ペンタジエニル基及びビシクロヘプテニル基等が挙げられる。前記炭素数１〜１５のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基及びヘキシニル基等が挙げられる。また、前記炭素数１〜１５の脂肪族基は置換基を有していても良く、前記置換基としては、例えば、グリシジル基、メルカプト基、アミノ基、ハロゲン基及びシアノ基などを有していても良い。これらの脂肪族基の中でも、ビニル基、アリル及びグリシジルオキシプロピル基が、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力に優れるため好ましい。
【００４３】
前記一般式（２）におけるａは、３又は４を示すものであり、それぞれの具体例について、以下に説明する。
前記一般式（２）におけるａが４であるアルコキシシラン化合物（Ｅ）の具体例としては、テトラメチルオルソシリケート、テトラエチルオルソシリケート、テトラアリルオルソシリケート、テトライソプロピルオルソシリケート、テトラプロピルオルソシリケート及びテトラブチルオルソシリケート等が挙げられる。これらの中でも、テトラメチルオルソシリケート及びテトラエチルオルソシリケートが、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）との反応性に優れるため好ましい。
【００４４】
次に、前記一般式（２）におけるａが３であるアルコキシシラン化合物（Ｅ）の具体例を挙げる。前記一般式（２）におけるＸ1として、前記芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基を有するアルコキシシラン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、ｐ−トリルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、３−（ｍ−アミノフェノキシ）プロピルトリメトキシシラン、ｍ，ｐ−エチルフェニルエチルトリメトキシシラン、１−ナフチルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン及び３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルアミノ）−プロピルトリメトキシシラン等が挙げられ、前記一般式（２）におけるＸ1として、前記炭素数１〜１５の脂肪族基を有するアルコキシシラン化合物としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−シアノトリエトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン及び５−（ビシクロヘプチル）トリエトキシシラン等が挙げられる。これらの中でも、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、１−ナフチルトリメトキシシラン及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシランが、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力に優れるために好ましい。
【００４５】
本発明に用いるアミン化合物（Ｆ）とは、第一級アミン、第二級アミン又は第三級アミンのモノマー、及びそのポリマー全般であり、その構造、分子量は特に限定されるものではないが、例えば、脂肪族アミン化合物、芳香族アミン化合物、脂環式アミン化合物及び複素環式アミン化合物等が挙げられる。ここで、前記アミン化合物は、１分子内に含有される窒素原子数は１以上６以下であることが好ましく、１以上３以下であることがより好ましい。また、前記アミン化合物は炭素数３〜５０であることが好ましく、３〜２５であることがより好ましい。前記範囲内であると、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力が優れたものとなる。
【００４６】
このようなアミン化合物（Ｆ）の例としては、例えば、前記脂肪族アミン化合物としては、ｎ−プロピルアミン、シクロプロピルアミン、アリルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ｎ−アミルアミン、ｔｅｒｔ−アミルアミン、イソアミルアミン、２−アミノペンタン、シクロペンチルアミン、３−アミノペンタン、１，２−ジメチルプロピルアミン、Ｎ−エチルイソプロピルアミン、Ｎ−エチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ−メチルイソブチルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイソプロピルアミン、トリエチルアミン、３−ジメチルアミノプロピオニトリル、１−ジメチルアミノ−２−プロパノール、３−ジメチルアミノ−１−プロパノール、ｎ−ヘキシルアミン、シクロヘキサンアミン、１，３−ジメチル−ｎ−ブチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジアリルアミン、ジプロピルアミン、Ｎ−ｎ−ブチルエチルアミン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルエチルアミン、Ｎ−ｎ−ブチルジメチルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、アミノメチルシクロヘキサン、シクロヘプチルアミン、４−メチルシクロヘキシルアミン、２−メチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−メチルシクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアリルアミン、３−ジエチルアミノ−１，２−プロパンジオール、１−ジエチルアミノ−２−プロパノール、ｎ−オクチルアミン、２−アミノオクタン、１，５−ジメチルヘキシルアミン、シクロオクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ジブチルアミン、Ｎ−エチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−シクロヘキシルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−イソプロピルシクロヘキシルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ベンジルジメチルアミン、２−ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ，Ｎ−ジエチルシクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−（ジメチル−ｎ−オクチルアミン、３−ジ−ｎ−ブチルアミノー１−プロピン、トリイソブチルアミン、トリブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルメチルアミン、ジヘプチルアミン、トリアミルアミン、トリイソアミルアミン、Ｎ−メチルジ−ｎ−オクチルアミン、トリヘキシルアミン、Ｎ−メチルジ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルヘキサデシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン及びトリ−ｎ−オクチルアミンなどの脂肪族モノアミン化合物、
１，３−ジアミノプロパン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、１，３−ジアミノ−２−プロパノール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレントリアミン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−１，３−ジアミノプロパン、１，２−ジアミノ−２−メチルプロパン、１，３−ジアミノペンタン、Ｎ−メチル−２，２’−ジアミノジエチルアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，３−プロパンジアミン、Ｎ−（３−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、１，４−シクロヘキサンジアミン、１，３−シクロヘキサンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、３，３’−ジアミノジプロピルアミン、トリエチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，２，２−テトラメチル−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３−アミノプロピル）メチルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，６−ジアミノヘキサン、１，３−ビス（アミノエチル）シクロヘキサン、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，４−ジアミノブタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノブタン、１，８−ジアミノオクタン、４−アミノ−１−ジエチルアミノペンタン、Ｎ−（３−アミノプロピル）シクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−１，６−ジアミノヘキサン、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）及び２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の脂肪族ポリアミン化合物が挙げられる。
【００４７】
前記芳香族アミン化合物としては、アニリン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、２−アミノベンゼンチオール、３−アミノベンゼンチオール、４−アミノベンゼンチオール、２−クロロアニリン、３−クロロアニリン、４−クロロアニリン、２−フルオロアニリン、３−フルオロアニリン、４−フルオロアニリン、２−ブロモアニリン、３−ブロモアニリン、４−ブロモアニリン、２−ヨードアニリン、３−ヨードアニリン、４−ヨードアニリン、ｏ−トルイジン、ｐ−トルイジン、Ｎ−メチルアニリン、３，４−メチレンジオキシアニリン、２−アミノ−ｐ−クレゾール、２−アミノベンゾニトリル、３−アミノベンゾニトリル、４−アミノベンゾニトリル、２，６−ジメチルアニリン、３，５−ジメチルアニリン、２，３−ジメチルアニリン、２，４−ジメチルアニリン、２，５−ジメチルアニリン、３，４−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−エチルアニリン、３−エチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−アミノフェノール、４−メトキシ−２−メチルアニリン、４−アミノフタロニトリル、ｏ−エトキシアニリン、ｐ−エトキシアニリン、２，４，６−トリメチルアニリン、Ｎ−イソプロピルアニリン、２−（Ｎ−メチルアニリノ）エタノール、Ｎ−アリルアニリン、Ｎ−エチル−ｏ−トルイジン、Ｎ−エチル−ｐ−トルイジン、４−ジメチルアミノベンズアルデヒド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−トルイジン、２−プロピルアニリン、４−プロピルアニリン、２−イソプロピルアニリン、３−イソプロピルアニリン、４−イソプロピルアニリン、１−ナフチルアミン、Ｎ−ｎ−ブチルアニリン、２−（Ｎ−エチルアニリノ）エタノール、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−メチルアニリン、１−フェニル−２−ピロリドン、４−ブチルアニリン、２−ブチルアニリン、４−ｓｅｃ−ブチルアニリン、４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイジン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノフェノール、Ｎ−ｎ−ペンチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｏ−トルイジン、Ｎ−（４−アミノフェニル）ピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルー２−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−ナフチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−エチル−１−ナフチルアミン、３−アミノビフェニル、２−アミノビフェニル、４−アミノジフェニルエーテル、２−アミノフェニル、２−アミノフェニルフェニルスルフィド、Ｎ−メチルジフェニルアミン、３−メチルジフェニルアミン、４−アミノジフェニルメタン、４−アミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１−ナフチルアミン、ｍ，ｍ’−ジトリルアミン、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン、トリフェニルアミン、Ｎ−ｎ−ドデシルアニリン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミン、４，４’−ジメチルトリフェニルアミン、１，１’−ジナフチレンアミン、１，２’−ジナフチレンアミン及びＮ，Ｎ−ジベンジルアニリン、などの芳香族モノアミン化合物、
１，４−フェニレンジアミン、１，２−フェニレンジアミン、１，３−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、３，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、２−アミノベンジルアミン、３−アミノベンジルアミン、４−アミノベンジルアミン、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、４，５−ジメチル−１，２−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニルエチレンジアミン、２，４，６−トリメチル−１，３−フェニレンジアミン、２，３−ジアミノナフタレン、１，８−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，４−フェニレンジアミン、トリプタミン、Ｎ−１−ナフチルエチレンジアミン、Ｎ−（３−アミノプロピル）−Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−（２−アミノエチル）−Ｎ−エチル−ｍ−トルイジン、３，３’−ジアミノベンジジン、３，３’−ジヒドロキシベンジジン、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（２−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４−ジアミノベンゾフェノン、２，７−ジアミノフルオレン、４，４’−メチレンビス（２−クロロアニリン）、ｏ−トリジン、４，４’−エチレンジアニリン、２，２’−エチレンジアニリン、Ｎ，Ｎ−ジフェニルエチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、ビス［４−（ジメチルアミノ）フェニル］メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、４，４’−メチレンビス（２−エチル−６−メチルアニリン）及びＮ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−１，４−フェニレンジアミン、等の芳香族ポリアミン化合物が挙げられる。
【００４８】
前記脂環式アミン化合物としては、ピロリジン、３−ピロリジノール、２−ピロリドン、ピペラジン、１−メチルピロリジン、ピペリジン、４−アミノピペリジン、４−ヒドロキシピペリジン、２−ピペリドン、Ｎ−エチルピロリドン、１−メチルピペリジン、３−ピペコリン、４−ピペコリン、ヘキサメチレンイミン、２−ピペコリン、Ｎ−エチルピロリドン、４−（アミノメチル）ピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、４−ヒドロキシ−１−メチルピペリジン、３，５−ジメチルピペリジン、１−エチルピペリジン、２，６−ジメチルピペリジン、２−エチルピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピペリジン、２−ピペリジンエタノール、１−メチル−２−ピペリジンメタノール、デカヒドロイソキノキサリン、デカヒドロキノリン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１−（３−アミノプロピル）−２−ピペコリン及び１−シクロヘキシルピペラジン、等が挙げられる。
【００４９】
前記複素環式アミン化合物としては、Ｎ−メチルイミダゾール、ピロール、ピラジン、ピリダジン、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、ピリジン、１−メチルピロール、４−アミノピリジン、４−ヒドロキシピリジン、３−ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシピリジン、２−メルカプトピリジン、２，６−ジアミノピリジン、１，２−ジメチルイミダゾール、２−ピコリン、２，５−ジメチルピロール、４−シアノピリジン、４−ピリジンカルボキシアルデヒド、４−メトキシピリジン、４−ピリジンメタノール、４−ピコリルアミン、３−アミノ−４−ピコリン、２−ｎ−プロピル−２−イミダゾリン、２−エチル−４−メチルイミダゾール、４−エチルピリジン、３，５−ルチジン、２，６−ルチジン、２−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、３−エチルピリジン、２−エチルピリジン、４−（２−アミノエチル）ピリジン、２−アセチルピリジン、３−アセチルピリジン、３−エチルピリジン、３−ピリジンアセトニトリル、２−ピリジンアセトニトリル、２−（２−アミノエチル）ピリジン、２−ピリジンエタノール、２−シアノー３−メチルピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、キノキサリン、４−ｎ−プロピルピリジン、２−プロピルピリジン、５−エチル−２−ピコリン、２，４，６−トリメチルピリジン、２，３，５−トリメチルピリジン、インドール、Ｎ−エチル−４−ピコリルアミン、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾ−ル、２−メチルインドール、イソキノリン、キノリン、Ｎ−メチルインドール、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、３−ブチルピリジン、５，６，７，８−テトラヒドロイソキノリン、２−フェニルイミダゾール、４−（３−ペンチル）ピリジン、７−メチルキノリン、４−メチルキノリン、６−メチルキノリン、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、カルバゾール、イミノスチルベン、２−ウンデシルイミダゾール及び１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５、等が挙げられる。
【００５０】
また、これらのアミン化合物のうち、硬化遅延成分（Ｇ）としての硬化遅延能力の観点から、前記一般式（３）で表される芳香族アミン化合物がより好ましい。
【００５１】
前記一般式（３）で表される芳香族アミン化合物において、Ａｒ2は芳香環を有する有機基を示し、有機基Ａｒ2上の窒素原子は前記芳香環に直接結合するものである。
【００５２】
このような有機基Ａｒ2のとしては、アリール基及びアリーレン基等が挙げられる。前記アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ベンズアルデヒド基、フルオレン基及びビフェニル基等が挙げられ、前記アリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ジフェニレンエーテル基、ジフェニレンメタン基、ジフェニレンケトン基、ジフェニレンエタン基、ジフェニレンスルホン基及びジフェニレンスルフィド基等が挙げられる。前記芳香環を有する有機基は置換基を有していても良く、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基等の脂肪族アルキル基；、メトキシ基及びエトキシ基等のアルコキシ基；、シアノ基、チオール基、水酸基、アミノ基、及びハロゲン基などを有していても良い。
【００５３】
また、前記一般式（３）におけるｂは１以上６以下の整数を示し、１以上３以下の整数であることが好ましい。前記範囲内であると、前記硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力が優れたものとなる。
【００５４】
前記一般式（３）で表される芳香族アミン化合物において、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、水素原子及び炭素数１〜６の有機基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ2とＲ3が互いに結合して環構造を形成してもよい。
【００５５】
このような、Ｒ2及びＲ3の例として、炭素数１〜６の有機基としては、アルキル基、アルケニル基及びアリール基等が挙げられ、前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられ、前記アルケニル基としては、アリル基及びブテニル基等が挙げられ、前記アリール基としては、フェニル基が挙げられる。また、Ｒ2及びＲ3が互いに結合して、環構造を形成する場合の窒素原子に対する置換基は、主鎖が炭素数４〜６個の炭化水素基であり、例えば、テトラメチレン及びペンタメチレン基等が挙げられる。前記炭素数１〜６の有機基は置換基を有していても良く、例えば、シアノ基、カルボニル基、水酸基及びアミノ基などを有していても良い。
【００５６】
このような一般式（３）で表される芳香族アミン化合物の例としては、例えば、アニリン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、２−アミノベンゼンチオール、３−アミノベンゼンチオール、４−アミノベンゼンチオール、２−クロロアニリン、３−クロロアニリン、４−クロロアニリン、２−フルオロアニリン、３−フルオロアニリン、４−フルオロアニリン、２−ブロモアニリン、３−ブロモアニリン、４−ブロモアニリン、２−ヨードアニリン、３−ヨードアニリン、４−ヨードアニリン、ｏ−トルイジン、ｐ−トルイジン、Ｎ−メチルアニリン、３，４−メチレンジオキシアニリン、２−アミノ−ｐ−クレゾール、２−アミノベンゾニトリル、３−アミノベンゾニトリル、４−アミノベンゾニトリル、２，６−ジメチルアニリン、３，５−ジメチルアニリン、２，３−ジメチルアニリン、２，４−ジメチルアニリン、２，５−ジメチルアニリン，３，４−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−エチルアニリン、３−エチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−アミノフェノール、４−メトキシ−２−メチルアニリン、４−アミノフタロニトリル、ｏ−エトキシアニリン、ｐ−エトキシアニリン、２，４，６−トリメチルアニリン、Ｎ−イソプロピルアニリン、２−（Ｎ−メチルアニリノ）エタノール、Ｎ−アリルアニリン、Ｎ−（２−ブテニル）アニリン、Ｎ−エチル−ｏ−トルイジン、Ｎ−エチル−ｐ−トルイジン、４−ジメチルアミノベンズアルデヒド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−トルイジン、２−プロピルアニリン、４−プロピルアニリン、２−イソプロピルアニリン、３−イソプロピルアニリン、４−イソプロピルアニリン、１−ナフチルアミン、Ｎ−ｎ−ブチルアニリン、２−（Ｎ−エチルアニリノ）エタノール、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−メチルアニリン、１−フェニル−２−ピロリドン、４−ブチルアニリン、２−ブチルアニリン、４−ｓｅｃ−ブチルアニリン、４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイジン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド、 Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノフェノール、Ｎ−ｎ−ペンチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｏ−トルイジン、Ｎ−（４−アミノフェニル）ピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジーｎ−プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−ナフチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−エチル−１−ナフチルアミン、３−アミノビフェニル、２−アミノビフェニル、４−アミノジフェニルエーテル、２−アミノフェニル、２−アミノフェニルフェニルスルフィド、Ｎ−メチルジフェニルアミン、３−メチルジフェニルアミン、４−アミノジフェニルメタン、４−アミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン及びトリフェニルアミンなどの芳香族モノアミン化合物、
１，４−フェニレンジアミン、１，２−フェニレンジアミン、１，３−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、３，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、２，５−ジメチルー１，４−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、２，４，６−トリメチル−１，３−フェニレンジアミン、２，３−ジアミノナフタレン、１，８−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、Ｎ，Ｎ−ジエチルー１，４−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノベンジジン、３，３’−ジヒドロキシベンジジン、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（２−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４−ジアミノベンゾフェノン、２，７−ジアミノフルオレン、４，４’−メチレンビス（２−クロロアニリン）、ｏ−トリジン、４，４’−エチレンジアニリン、２，２’−エチレンジアニリン、４，４’−ジアミノー３，３’−ジメチルジフェニルメタン、ビス［４−（ジメチルアミノ）フェニル］メタン、４，４’−ジアミノー３，３’−ジエチルジフェニルメタン及び４，４’−メチレンビス（２−エチル−６−メチルアニリン）、等の芳香族ポリアミン化合物が挙げられ、これらの中でも、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン及び４，４’−ジアミノジフェニルメタンが、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力に優れるために好ましい。
【００５７】
ここで、本発明に用いる硬化遅延成分（Ｇ）の合成方法について説明する。
前記硬化遅延成分（Ｇ）の合成方法としては、前記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、前記一般式（２）で表されるアルコキシシラン化合物（Ｅ）と、前記アミン化合物（Ｆ）とを反応させて得られるものであるが、例えば、前記反応を溶媒中で行う方法、前記反応を無溶媒中で行う方法、前記反応を他の成分中で行う方法などが挙げられるが、前記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、前記一般式（２）で表されるアルコキシシラン化合物（Ｅ）と、前記アミン化合物（Ｆ）とを反応させて硬化遅延成分（Ｇ）を得ることができる方法であれば限定されない。
【００５８】
前記反応を溶媒中で行う方法としては、例えば、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）とを、アルコール、アセトニトリルおよびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のこれらの化合物が可溶な有機溶媒中で混合し、更に前記アミン化合物（Ｆ）を直接添加して、０℃以上１５０℃以下の温度領域、好ましくは２０℃以上８０℃以下の温度領域で、反応する方法を挙げることができる。アミン化合物（Ｆ）は、予め有機溶媒に溶解した溶液を用いてもよい。
【００５９】
前記反応を無溶媒中で行う方法としては、例えば、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）と、前記アミン化合物（Ｆ）とを、そのまま混合してから、好ましくは５０℃以上２００℃以下の温度領域、より好ましくは８０℃以上１７０℃以下の温度領域で、加熱無溶媒反応することにより、得ることができる。
このように、加熱条件下で前記３成分を無溶媒反応することにより、硬化遅延成分（Ｇ）の形成が促進されると共に、反応において生成するアルコールなどの脱離成分を気化させ、系外に除去することができる。
上記温度領域において、好適な加熱温度は使用する前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）、前記アミン化合物（Ｆ）の種類により調整されるが、少なくとも脱離するアルコールの反応系内の圧力における沸点を上回る必要がある。例えば、一般式（２）で表わされるアルコキシシラン化合物（Ｅ）におけるＲ1がブチル基であれば、脱離するアルコールはブタノールであるので、ブタノールの沸点である１１７℃を超える条件下で反応を行うことが好ましい。また、加熱温度が２００℃を超えると、形成した硬化遅延成分が、酸化や分解などの反応で変性し、硬化遅延効果に悪影響を与えることがある。
さらに、無溶媒反応時に、アルコールなどの脱離成分を吸引して系外に放出することができる程度の圧力雰囲気に減圧させると、前記脱離成分をより効率的に除去できるようになるため、より好ましい。
【００６０】
前記反応を他の成分と混合して行う方法としては、例えば、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）と前記アミン化合物（Ｆ）とを、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、好ましくは前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）の軟化点温度以上２００℃以下の温度領域、より好ましくは前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）の軟化点温度以上１７０℃以下の温度領域で、溶融混合することにより、得ることができる。
このとき、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）の量としては、少なくとも前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）と、前記アミン化合物（Ｆ）を反応しやすくできる量であれば良く、本発明のエポキシ樹脂組成物に用いる量の一部又は全部を用いることができる。これにより、得られる硬化遅延成分（Ｇ）が、硬化剤としての前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）中に均一に分散され、より優れた硬化遅延能力を示すようになるので好ましい。
より具体的には、各成分を溶融混合する条件としては、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）を溶融するため、その軟化点以上であればよいが、例えば、前記軟化点より１０℃以上１００℃以下の高い温度領域で、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）を溶融させ、その中に、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）と前記アミン化合物（Ｆ）を添加し、反応させることで硬化遅延成分（Ｇ）を得ることができる。
さらに、前記反応において生成するアルコールなどの脱離成分を吸引して系外に放出することができる程度の圧力雰囲気に減圧させると、前記脱離成分をより効率的に除去できるようになるため、より好ましい。
【００６１】
上記反応において、前記一般式（２）におけるａの数によりモル比が調整され、ａが４であるアルコキシシラン化合物（Ｅ）を用いる場合、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）との仕込みモル比は、（Ｄ）／（Ｅ）＝１．５〜６の範囲で反応させることが好ましく、２〜４の範囲で反応させることがより好ましい。前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、前記アミン化合物（Ｆ）との仕込みモル比は、前記アミン化合物（Ｆ）１モルの中に含まれる窒素原子のモル数によるが、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、前記アミン化合物（Ｆ）中に含まれる窒素原子のモル比（Ｍ）が（Ｄ）／（Ｍ）＝０．５〜４の範囲で反応させることが好ましく、１〜２の範囲で反応させることがより好ましい。
【００６２】
前記一般式（２）におけるａが３であるアルコキシシラン化合物（Ｅ）を用いる場合、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）との仕込みモル比は、（Ｄ）／（Ｅ）＝０．５〜５の範囲で反応させることが好ましく、１．５〜２．５の範囲で反応させることがより好ましい。前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、前記アミン化合物（Ｆ）との仕込みモル比は、前記アミン化合物（Ｆ）１モルの中に含まれる窒素原子モル数によるが、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と、前記アミン化合物（Ｆ）中に含まれる窒素原子（Ｍ）のモル比が（Ｄ）／（Ｍ）＝０．７５〜５の範囲で反応させることが好ましく、１．５〜２．５の範囲で反応させることがより好ましい。
【００６３】
上記の合成方法により、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）と、前記アミン化合物（Ｆ）とが反応し、前記アミン化合物（Ｆ）より形成されるカチオンと、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）におけるプロトンが２個放出され、前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）におけるアルコキシ基が脱離したケイ素原子とキレートを形成することにより形成されるアニオンとから構成されるアンモニウムシリケート化合物を得ることができる。前記アンモニウムシリケート化合物は、カチオン部に少なくとも１個以上のプロトンを有しており、前記プロトンが前記硬化促進剤（Ｃ）における前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との硬化を促進する活性点を保護することで、前記硬化反応を抑制し、硬化が遅延されることから、硬化遅延成分として機能する。
このような上記反応により得られるアンモニウムシリケート化合物としては、一般式（４）及び（５）で表される、アンモニウムシリケート化合物であることが好ましい。
【００６４】
ここで、前記一般式（４）及び（５）で表されるアンモニウムシリケート化合物を構成するカチオン部において、Ｑはアミン化合物がプロトン化されることで形成されるアンモニウムを示す。
このようなアミン化合物のプロトン化は、前記芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）と前記アルコキシシラン化合物（Ｅ）とが反応する際に生じるプロトンが、アミン化合物に付加することにより生じる。
【００６５】
これらのアンモニウムとしては、前記アミン化合物（Ｆ）がプロトン化されることで形成されるアンモニウムを挙げることができる。このようなアンモニウムに含有される窒素原子の数は１以上６以下が好ましく、１以上３以下がより好ましい。また、前記アンモニウムは炭素数３〜５０であることが好ましく、３〜２５であることがより好ましい。前記範囲内であると、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力が優れたものとなる。
【００６６】
また、前記一般式（４）及び（５）で表されるアンモニウムシリケート化合物を構成するシリケートアニオン部において、Ａｒ3は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する炭素数５〜３０の有機基を表す。有機基Ａｒ3上の２つの酸素原子は、前記芳香環又は複素環に直接結合するものである。また、有機基Ａｒ3上の２つのＯＨ基がプロトンを放出して形成される２つの酸素アニオン基は、珪素原子と結合してキレート構造を形成し得るものである。上記Ａｒ3としては、前記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）におけるＡｒ1と同様のものを挙げることができる。
【００６７】
このような一般式（４）及び（５）で表されるアンモニウムシリケート化合物におけるＯ−Ａｒ3−Ｏで示される基は、プロトン供与性置換基を有する化合物が、プロトンを放出してなる基であり、前記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（ＨＯ−Ａｒ1−ＯＨ）がプロトンを放出してなる基と同様のものを挙げることができ、これらの中でも、カテコール、ピロガロール、没食子酸プロピル、２，２’−ビフェノール、１，２−ジヒドロキシナフタレン及び２，３−ジヒドロキシナフタレンがプロトンを放出してなる基が、硬化性と流動性の際立った両立が見られるため、より好ましい。
【００６８】
また、一般式（４）で表されるアンモニウムシリケート化合物を構成するシリケートアニオン部におけるＸ2は、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基、あるいは炭素数１〜１５の脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、前記一般式（２）で表わされるアルコキシシラン化合物（Ｅ）におけるＸ1と同様のものを挙げることができる。これらの中でも、ビニル基、フェニル基、ナフチル基及びアニリノプロピル基が硬化遅延能力に優れるために好ましい。
【００６９】
また、前記一般式（４）及び（５）で表されるアンモニウムシリケート化合物において、ｃは１以上６以下の整数を示し、１以上３以下の整数であることが好ましい。ｅおよびｆはそれぞれｅ×ｄ＝２ｆを満たす１以上６以下の整数を示し、１以上３以下の整数であることが好ましい。前記範囲内であると、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力は優れたものとなる。ｄは１または２を示す。
【００７０】
上記の合成方法により得られる硬化遅延成分としては、一般式（６）及び（７）で表される、アンモニウムシリケート化合物であることがさらに好ましい。
【００７１】
ここで、前記一般式（６）及び（７）で表されるアンモニウムシリケート化合物を構成するカチオン部において、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、水素原子及び炭素数１〜６の有機基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ4とＲ5が互いに結合して環構造を形成してもよい。これらの具体的な例としては、前記一般式（３）で表わされる芳香族アミン化合物におけるＲ2及びＲ3と同様のものを挙げることができる。
【００７２】
また、前記一般式（６）及び（７）で表されるアンモニウムシリケート化合物を構成するカチオン部において、Ａｒ4は芳香環を有する有機基を示し、これらの具体的な例としては、前記一般式（３）で表わされる芳香族アミン化合物におけるＡｒ2と同様のものを挙げることができる。また、前記有機基Ａｒ4上の窒素原子は、前記芳香環に直接結合するものである。
【００７３】
このような前記一般式（６）及び（７）で表されるアンモニウムシリケート化合物を構成するカチオン部の例としては、前記一般式（３）で表わされる芳香族アミン化合物がプロトン化されることで形成されるアンモニウムと同様のものを挙げることができ、これらの中でも、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタンがプロトン化されることで形成されるアンモニウムカチオンが、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力に優れるために好ましい。
【００７４】
また、前記一般式（６）及び（７）で表されるアンモニウムシリケート化合物を構成するシリケートアニオン部において、Ａｒ5は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する炭素数５〜３０の有機基を表す。有機基Ａｒ5上の２つの酸素原子は、前記芳香環又は複素環に直接結合するものである。また、有機基Ａｒ5上の２つのＯＨ基がプロトンを放出して形成される２つの酸素アニオン基は、珪素原子と結合してキレート構造を形成し得るものである。上記Ａｒ5としては、前記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物におけるＡｒ1と同様のものを挙げることができる。
【００７５】
このような一般式（６）及び（７）で表されるアンモニウムシリケート化合物におけるＯ−Ａｒ5−Ｏで示される基は、プロトン供与性置換基を有する化合物が、プロトンを放出してなる基であり、前記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物（ＨＯ−Ａｒ1−ＯＨ）がプロトンを放出してなる基と同様のものを挙げることができ、これらの中でも、カテコール、ピロガロール、没食子酸プロピル、２，２’−ビフェノール、１，２−ジヒドロキシナフタレン及び２，３−ジヒドロキシナフタレンがプロトンを放出してなる基が、エポキシ樹脂組成物とした場合、硬化性と流動性の際立った両立が見られるため、より好ましい。
【００７６】
また、一般式（６）で表されるアンモニウムシリケート化合物を構成するシリケートアニオン部におけるＸ3は、芳香環を有する炭素数６〜１５の有機基、あるいは炭素数１〜１５の脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、前記一般式（２）で表わされるアルコキシシラン化合物（Ｅ）におけるＸ1と同様のものを挙げることができる。これらの中でも、ビニル基、フェニル基、ナフチル基及びアニリノプロピル基が、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力に優れるために好ましい。
【００７７】
また、前記一般式（６）及び（７）で表されるアンモニウムシリケート化合物において、ｍは１以上６以下の整数を示し、整数１以上３以下であることが好ましい。ｐおよびｑはそれぞれｐ×ｎ＝２ｑを満たす１以上６以下の整数を示し、１以上３以下の整数であることが好ましい。前記範囲内であると、硬化遅延成分（Ｇ）として硬化遅延能力が優れたものとなる。ｎは１または２を示す。
【００７８】
本発明において、上記硬化遅延成分（Ｇ）は、上述の硬化遅延成分としての機能において、アニオン成分におけるキレート環が加熱により崩壊し、前記アンモニウムシリケート化合物のカチオン部が有するプロトンが失われることによって、硬化遅延作用を徐々に失っていくものと考えられる。
前記キレート構造が崩壊する温度は、前記硬化遅延成分を構成する成分の種類により調整することができ、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて成形する際に、成形温度として、好ましくは１００〜２３０℃の温度範囲で、より好ましくは１４０〜２００℃の温度範囲でキレート構造が崩壊され硬化が促進するように調整することができる。
一方、硬化反応を、反応の初期から終期まで、一貫して阻害し続け、十分な硬化性が得られないような、従来の硬化阻害成分と比較した場合、本発明によれば、前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との硬化反応において、加熱の初期段階では、潜伏性を有し、前記硬化反応が進行し硬化遅延機能が弱くなる段階においては、エポキシ樹脂組成物は十分な硬化度を迅速に得ることができる。
【００７９】
本発明のエポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂（Ａ）と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との含有量（配合比率）としては、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ基１モルに対し、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）のフェノール性水酸基が０．５〜２モル程度となるように用いるのが好ましく、０．７〜１．５モル程度となるように用いるのが、より好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の諸特性のバランスを好適なものに維持しつつ、諸特性が、より向上する。
【００８０】
また、硬化促進剤（Ｃ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、エポキシ樹脂（Ａ）及び１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）より構成される樹脂成分に対して０．０１〜２０重量％程度であるのが好ましく、０．１〜１０重量％程度であるのが、より好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の硬化性、保存性、流動性及び硬化物特性がバランスよく発現する。
【００８１】
本発明のエポキシ樹脂組成物において、硬化遅延成分（Ｇ）の含有量（添加量）は、所望する硬化遅延の度合いに応じて、その添加量を調節することができる。より具体的な例としては、本発明のエポキシ樹脂組成物を保存する温度、例えば、常温〜６０℃において、硬化遅延成分（Ｇ）の効力が発揮され、保存安定性が発現し、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて成形する際に、成形温度として、好ましくは１００〜２３０℃の温度範囲で、より好ましくは１４０〜２００℃の温度範囲で硬化遅延成分（Ｇ）の効力が抑制され硬化が促進するように調整することができる。
【００８２】
使用される硬化促進剤（Ｃ）と硬化遅延成分（Ｇ）の種類によって最適な量は変化するが、一般的には、前記硬化促進剤（Ｃ）１モルに対し、前記硬化遅延成分（Ｇ）に含有されるケイ素モル量が、０．１〜５モルの範囲になるよう添加することが好ましく、０．５〜２モルの範囲で添加することがより好ましい。前記含有量（添加量）の範囲であると、硬化性、流動性及び保存性が両立したエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
【００８３】
本発明において、任意に用いる無機充填材としては、一般に半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができる。例えば、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、チタンホワイト、窒化珪素等が挙げられ、最も好適に使用されるものとしては、球状溶融シリカ（、破砕状溶融シリカ）である。これらの無機充填剤は、単独でも混合して用いても差し支えない。また、これらがカップリング剤により表面処理されていてもかまわない。無機充填材の形状としては、流動性改善のために、できるだけ真球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ましい。
【００８４】
また、無機充填材の含有量（配合量）は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部程度であるのが好ましく、４００〜１４００重量部程度であるのが、より好ましい。無機充填材の含有量は、前記範囲外でも使用できるが、前記下限値未満の場合、無機充填材による補強効果が充分に発現しないおそれがあり、一方、無機充填材の含有量が前記上限値を超えた場合、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、エポキシ樹脂組成物の成形時（例えば半導体装置の製造時等）に、充填不良等が生じるおそれがある。
【００８５】
なお、無機充填材の含有量（配合量）が、前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、４００〜１４００重量部であれば、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率がより低くなり、半田クラックの発生を防止することができるので、より好ましい。かかるエポキシ樹脂組成物は、加熱溶融時の流動性も良好であるため、半導体装置内部の金線変形を引き起こすことが好適に防止される。
【００８６】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物中には、前記エポキシ樹脂（Ａ）、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、硬化遅延成分（Ｇ）、さらに任意に、無機充填材の他に、必要に応じて、例えば、３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランなどのエポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプトシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイドシラン、アルキルシラン、ビニルシラン及びフェニルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム／ジルコニウムカップリング剤等のカップリング剤、カーボンブラック及びベンガラ等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム及び酸化亜鉛及びリン系化合物等の難燃剤、シリコーンオイル及びシリコーンゴム等の低応力成分、カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸、該高級脂肪酸の金属塩類及びパラフィン等の離型剤、マグネシウム、アルミニウム、チタン及びビスマス系等のイオンキャッチャー、ビスマス酸化防止剤等の各種添加剤を配合（混合）するようにしてもよい。
【００８７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記成分を、また、必要に応じて、その他の添加剤等を、ミキサーを用いて、均一に混合して得られ、さらには、常温で混合したものを、ロール、ニーダー、コニーダー及び二軸押出機等の混練機を用いて、加熱混練した後、冷却、粉砕することによっても得ることができる。また、上記で得たエポキシ樹脂組成物は、紛体である場合、使用にあたっての作業性を向上させるために、プレス等により加圧して、タブレット化して使用することもできる。
【００８８】
本発明のエポキシ樹脂組成物の用い方としては、例えば、これをモールド樹脂として用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造する場合には、トランスファーモールド、コンプレッションモールド及びインジェクションモールド等の従来からの成形方法により、硬化成形して、半導体素子等の各種の電子部品を封止すればよい。これにより、本発明の半導体装置が得られる。
【００８９】
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、ＳＩＰ（Single Inline Package）、ＨＳＩＰ（SIP with Heatsink）、ＺＩＰ（Zig-zag Inline Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＳＤＩＰ（Shrink Dual Inline Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＳＯＰ（Shrink Small Outline Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＱＦＰ(ＦＰ）（QFP Fine Pitch）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）、ＱＦＪ（ＰＬＣＣ）（Quad Flat J-leaded Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等が挙げられる。
このようにして得られた本発明の半導体装置は、耐半田クラック性及び耐湿信頼性に優れる。
【００９０】
以上、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体装置の好適実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
【実施例】
【００９１】
次に、本発明の具体的実施例について説明するが、本発明は何らこれらに限定されない。
【００９２】
まず、硬化促進剤として使用する化合物Ｃ１〜Ｃ４を用意した。
【００９３】
［硬化促進剤の合成］
各化合物Ｃ１〜Ｃ４は、それぞれ、以下のようにして合成した。
【００９４】
（化合物Ｃ１の合成）
撹拌装置付きのビーカー（容量：１０００ｍＬ）に、テトラフェニルホスホニウムブロマイド２５．２ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、ビスフェノールＡ ２７．４ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、及びメタノール２００ｍＬを仕込み、攪拌しながらよく溶解させた後、１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液６０ｍｌ、及び純水６００ｍＬを順次添加した。析出した粉末を純水で洗浄後、濾過・乾燥し、白色の粉末を得た。
【００９５】
この化合物をＣ１とした。化合物Ｃ１を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（８）で表される目的のホスホニウム分子化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ１の収率は、８３％であった。
【００９６】
【化８】
2008189824.tif 000009
【００９７】
（化合物Ｃ２の合成）
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、ベンゾキノン６．４９ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１７．３ｇ（０．０６６ｍｏｌ）及びアセトン４０ｍＬを仕込み、攪拌下室温で反応した。析出した結晶をアセトンで洗浄後、濾過・乾燥し、褐色結晶２０．０ｇを得た。
【００９８】
この化合物をＣ２とした。化合物Ｃ２を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（９）で表される目的のホスホベタインであることが確認された。得られた化合物Ｃ２の収率は、８２％であった。
【００９９】
【化９】
2008189824.tif 000010
【０１００】
（化合物Ｃ３の合成）
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、２−ブロモフェノール１０．４ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１７．３ｇ（０．０６６ｍｏｌ）、塩化ニッケル０．６５ｇ（５ｍｍｏｌ）及びエチレングリコール４０ｍＬ仕込み、攪拌下１６０℃で加熱反応した。反応液を冷却後、純水４０ｍＬを滴下し、析出した粉末をトルエンで洗浄後、濾過・乾燥し、白色の粉末を得た。
【０１０１】
次に、得られた粉末をメタノール１００ｍｌに溶解し、１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液６０ｍｌと、純水５００ｍｌを順次投入した。得られた結晶をろ過、洗浄し、淡黄色結晶１２．７ｇを得た。
【０１０２】
この化合物をＣ３とした。化合物Ｃ３を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１０）で表される目的のホスホベタインであることが確認された。得られた化合物Ｃ３の収率は、７９％であった。
【０１０３】
【化１０】
2008189824.tif 000011
【０１０４】
（化合物Ｃ４の合成）
撹拌装置付きのビーカー（容量：１０００ｍＬ）に、トリフェニルスルホニウムクロリド１７．９ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、ビスフェノールＡ ２７．４ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、及びメタノール２００ｍＬを仕込み、攪拌しながらよく溶解させた後、１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液６０ｍｌ、及び純水４００ｍＬを順次添加した。析出した粉末を純水で洗浄後、濾過・乾燥し、黄色の粉末を得た。
【０１０５】
この化合物をＣ４とした。化合物Ｃ４を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１１）で表される目的のスルホニウム分子化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ４の収率は、５８％であった。
【０１０６】
【化１１】
2008189824.tif 000012
【０１０７】
［硬化遅延成分の合成］
芳香族ジヒドロキシ化合物（Ｄ）、アルコキシシラン化合物（Ｅ）と分子内に窒素原子を１個以上有するアミン化合物（Ｆ）を反応させて得られる硬化遅延成分（Ｇ）は、以下の様にして調製した。
【０１０８】
（調製例１）
［硬化遅延成分１］
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、カテコール２２．０ｇ（０．２０ｍｏｌ）、フェニルトリメトキシシラン１９．８ｇ（０．１０ｍｏｌ）、及びエタノール１５０ｍＬを仕込み、攪拌下で均一溶解した。予めアニリン９．３ｇ（０．１０ｍｏｌ）を２０ｍＬのエタノールに溶解した溶液を、攪拌下のフラスコ内に滴下した。室温で１時間反応させた後、反応溶液をしばらく静置して、結晶を十分に析出させた後、析出した結晶を濾過、洗浄及び真空乾燥することにより精製し、硬化遅延成分１を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（１２）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１０９】
【化１２】
2008189824.tif 000013
【０１１０】
（調製例２）
［硬化遅延成分２］
フェニルトリメトキシシランに代わり、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン２５．５ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた他は、調製例１と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分２を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（１３）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１１１】
【化１３】
2008189824.tif 000014
【０１１２】
（調製例３）
［硬化遅延成分３］
カテコールに代わり、２，３−ジヒドロキシナフタレン３２．０ｇ（０．２ｍｏｌ）を用いた他は、調製例１と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分３を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（１４）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１１３】
【化１４】
2008189824.tif 000015
【０１１４】
（調製例４）
［硬化遅延成分４］
２，３−ジヒドロキシナフタレンに代わり、２，３−ジヒドロキシピリジン２２．２ｇ（０．２ｍｏｌ）を、アニリンに代わり、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン１２．１ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた他は、調製例１と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分４を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（１５）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１１５】
【化１５】
2008189824.tif 000016
【０１１６】
（調製例５）
［硬化遅延成分５］
２，３−ジヒドロキシナフタレン３２．０ｇ（０．２ｍｏｌ）に代わり、２，３−ジヒドロキシナフタレン６４．１ｇ（０．４ｍｏｌ）を、フェニルトリメトキシシランに代わり、ビニルトリメトキシシラン２９．６ｇ（０．２ｍｏｌ）を、アニリンに代わり、１，３−ジアミノプロパン７．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた他は、調製例３と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分５を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（１６）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１１７】
【化１６】
2008189824.tif 000017
【０１１８】
（調製例６）
［硬化遅延成分６］
２，３−ジヒドロキシナフタレンに代わり、没食子酸プロピル８４．９ｇ（０．４ｍｏｌ）を、１，３−ジアミノプロパンに代わり、４−（アミノメチル）ピペリジン１１．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた他は、調製例５と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分６を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（１７）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１１９】
【化１７】
2008189824.tif 000018
【０１２０】
（調製例７）
［硬化遅延成分７］
カテコールに代わり没食子酸プロピル４２．４ｇ（０．２ｍｏｌ）を、フェニルトリメトキシシランに代わりビニルトリメトキシシラン１４．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を、アニリンに代わりピリジン７．９ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた他は、調製例１と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分７を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（１８）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１２１】
【化１８】
2008189824.tif 000019
【０１２２】
（調製例８）
［硬化遅延成分８］
カテコールに代わり、ピロガロール５０．４ｇ（０．４ｍｏｌ）を、フェニルトリメトキシシラン１９．８ｇ（０．１ｍｏｌ）に代わりフェニルトリメトキシシラン３９．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、アニリンに代わり４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン２５．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた他は、調製例１と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分８を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（１９）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１２３】
【化１９】
2008189824.tif 000020
【０１２４】
（調製例９）
［硬化遅延成分９］
ピロガロールに代わり、２，３−ジヒドロキシナフタレン６４．１ｇ（０．４ｍｏｌ）を用いた他は、調製例８と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分９を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（２０）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１２５】
【化２０】
2008189824.tif 000021
【０１２６】
（調製例１０）
［硬化遅延成分１０］
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、カテコール３３．０ｇ（０．３０ｍｏｌ）、テトラエチレンオルソシリケート２０．８ｇ（０．１０ｍｏｌ）、及びエタノール１５０ｍＬを仕込み、攪拌下で均一溶解した。予めアニリン１８．６ｇ（０．２０ｍｏｌ）を２０ｍＬのエタノールに溶解した溶液を、攪拌下のフラスコ内に滴下した。室温で１時間反応させた後、反応溶液をしばらく静置して、結晶を十分に析出させた後、析出した結晶を濾過、洗浄及び真空乾燥することにより精製し、硬化遅延成分１０を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（２１）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１２７】
【化２１】
2008189824.tif 000022
【０１２８】
（調製例１１）
［硬化遅延成分１１］
アニリンに代わり、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン２４．２ｇ（０．２０ｍｏｌ）を用いた他は、調製例１０と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分１１を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（２２）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１２９】
【化２２】
2008189824.tif 000023
【０１３０】
（調製例１２）
［硬化遅延成分１２］
カテコールに代わり、没食子酸プロピル６３．７ｇ（０．３０ｍｏｌ）を、アニリンに代わり１，３−ジアミノプロパン７．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）用いた他は、調製例１０と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分１２を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（２３）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１３１】
【化２３】
2008189824.tif 000024
【０１３２】
（調製例１３）
［硬化遅延成分１３］
カテコールに代わり、ピロガロール３７．８ｇ（０．３０ｍｏｌ）を、アニリンに代わり、４−（アミノメチル）ピペリジン１１．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）用いた他は、調製例１０と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分１３を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（２４）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１３３】
【化２４】
2008189824.tif 000025
【０１３４】
（調製例１４）
［硬化遅延成分１４］
カテコールに代わり、２，３−ジヒドロキシナフタレン４８．１ｇ（０．３０ｍｏｌ）を、アニリンに代わりピリジン１５．８ｇ（０．２０ｍｏｌ）用いた他は、調製例１０と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分１４を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（２５）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１３５】
【化２５】
2008189824.tif 000026
【０１３６】
（調製例１５）
［硬化遅延成分１５］
カテコールに代わり、２，３−ジヒドロキシナフタレン４８．１ｇ（０．３０ｍｏｌ）を、アニリンに代わり４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン２５．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）用いた他は、調製例１０と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分１５を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（２６）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１３７】
【化２６】
2008189824.tif 000027
【０１３８】
（調製例１６）
［硬化遅延成分１６］
カテコールに代わり、没食子酸プロピル６３．７ｇ（０．３０ｍｏｌ）を、アニリンに代わり４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン２５．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）用いた他は、調製例１０と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分１６を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（２７）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１３９】
【化２７】
2008189824.tif 000028
【０１４０】
（調製例１７）
［硬化遅延成分１７］
カテコールに代わり、ピロガロール３７．８ｇ（０．３０ｍｏｌ）を、アニリンに代わり４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン２５．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）用いた他は、調製例１０と同様に合成し、精製結晶として硬化遅延成分１７を得た。分析結果より、得られた化合物は下記式（２８）で表されるアンモニウムシリケートであることが確認された。
【０１４１】
【化２８】
2008189824.tif 000029
【０１４２】
（調製例１８）
［硬化遅延成分１８］
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、２，３−ジヒドロキシナフタレン６４．１ｇ（０．４０ｍｏｌ）、フェニルトリメトキシシラン３９．６ｇ（０．２０ｍｏｌ）、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン２５．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）、エポキシ樹脂硬化剤である、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成（株）製ＭＥＨ−７８５１ＳＳ）２００ｇを投入し、攪拌下１３０℃、３０分溶融状態で反応した。反応において、１７．８（理論量の９３％）のメタノールが気相生成物としてトラップされたことより、反応が十分に進行していることが確認できた。これを冷却後、粉砕し、得られた反応物を、硬化遅延成分１８（軟化点４７℃）とした。
【０１４３】
（調製例１９）
［硬化遅延成分１９］
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、２，３−ジヒドロキシナフタレン４８．１ｇ（０．３０ｍｏｌ）、テトラエチレンオルソシリケート２０．８ｇ（０．１０ｍｏｌ）、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン２５．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）、エポキシ樹脂硬化剤である、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成（株）製ＭＥＨ−７８５１ＳＳ）２００ｇを投入し、攪拌下１３０℃、３０分溶融状態で反応した。反応において、１６．３ｇ（理論量の８８％）のエタノールが気相生成物としてトラップされたことより、反応が十分に進行していることが確認できた。これを冷却後、粉砕し、得られた反応物を、硬化遅延成分１９（軟化点４７℃）とした。
【０１４４】
［エポキシ樹脂組成物の調製］
以下のようにして、前記硬化遅延成分１〜１９含むエポキシ樹脂組成物を調製し、半導体装置を製造した。
【０１４５】
（実施例１）
まず、化合物（Ａ）としてビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＸ−４０００Ｋ、融点：１０５℃、エポキシ当量：１９３、１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度：０．１５ｐｏｉｓｅ）、化合物（Ｂ）として三井化学（株）製ＸＬＣ−ＬＬ、軟化点：７７℃、水酸基当量：１７２、１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度：３．６ｐｏｉｓｅ）、トリフェニルホスフィン、硬化遅延成分１、無機充填材として溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、その他の添加剤としてカーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びカルナバワックスを、それぞれ用意した。
【０１４６】
次に、前記ビフェニル型エポキシ樹脂：５２重量部、前記フェノールアラルキル樹脂：４８重量部、トリフェニルホスフィン：１．３１重量部、硬化遅延成分１：２．０８重量部、溶融球状シリカ：７３０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて９５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物を得た。
【０１４７】
次に、このエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用い、１００ピンＴＱＦＰのパッケージ（半導体装置）を８個、及び、１６ピンＤＩＰのパッケージ（半導体装置）を１５個、それぞれ製造した。
【０１４８】
１００ピンＴＱＦＰは、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
【０１４９】
なお、この１００ピンＴＱＦＰのパッケージサイズは、１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。
【０１５０】
また、１６ピンＤＩＰは、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
【０１５１】
なお、この１６ピンＤＩＰのパッケージサイズは、６．４×１９．８ｍｍ、厚み３．５ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、３．５×３．５ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。
【０１５２】
（実施例２）
まず、化合物（Ａ）としてビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製ＮＣ−３０００、軟化点：６０℃、エポキシ当量：２７２、１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度：１．３ｐｏｉｓｅ）、化合物（Ｂ）としてビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成（株）製ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点：６８℃、水酸基当量：１９９、１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：０．９ｐｏｉｓｅ）、トリフェニルホスフィン、硬化遅延成分２、無機充填材（Ｄ）として溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、その他の添加剤としてカーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びカルナバワックスを、それぞれ用意した。
【０１５３】
次に、前記ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂：５７重量部、前記ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：４３重量部、トリフェニルホスフィン：１．３１重量部、硬化遅延成分２：２．３６重量部、溶融球状シリカ：６５０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて１０５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物を得た。
【０１５４】
次に、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１５５】
（実施例３）
硬化遅延成分１に代わり、硬化遅延成分３：２．５８重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１５６】
（実施例４）
硬化遅延成分２に代わり、硬化遅延成分４：２．２３重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１５７】
（実施例５）
硬化遅延成分１に代わり、硬化遅延成分５：２．０５重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１５８】
（実施例６）
硬化遅延成分２に代わり、硬化遅延成分６：２．７０重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１５９】
（実施例７）
硬化遅延成分１に代わり、硬化遅延成分７：３．０３重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６０】
（実施例８）
硬化遅延成分２に代わり、硬化遅延成分８：２．４１重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６１】
（実施例９）
硬化遅延成分１に代わり、硬化遅延成分９：２．７５重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６２】
（実施例１０）
硬化遅延成分２に代わり、硬化遅延成分１０：１．３５重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６３】
（実施例１１）
硬化遅延成分１に代わり、硬化遅延成分１１：１．４９重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６４】
（実施例１２）
硬化遅延成分２に代わり、硬化遅延成分１２：１．０７重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６５】
（実施例１３）
硬化遅延成分１に代わり、硬化遅延成分１３：１．２９重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６６】
（実施例１４）
硬化遅延成分２に代わり、硬化遅延成分１４：２．０５重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６７】
（実施例１５）
硬化遅延成分１に代わり、硬化遅延成分１５：１．９０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６８】
（実施例１６）
硬化遅延成分２に代わり、硬化遅延成分１６：２．２９重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１６９】
（実施例１７）
硬化遅延成分１に代わり、硬化遅延成分１７：１．６４重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７０】
（実施例１８）
硬化遅延成分２に代わり、硬化遅延成分１８：７．７５重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７１】
（実施例１９）
硬化遅延成分２に代わり、硬化遅延成分１９：６．９０重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７２】
（実施例２０）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ１：３．９７重量部、硬化遅延成分１５：０．９５重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７３】
（実施例２１）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ１：３．９７重量部、硬化遅延成分１５：１．９０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７４】
（実施例２２）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ１：３．９７重量部、硬化遅延成分１５：２．８５重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７５】
（実施例２３）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ１：３．９７重量部、硬化遅延成分１５：３．８０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７６】
（実施例２４）
トリフェニルホスフィンに代わり２−メチルイミダゾール：０．４１重量部、硬化遅延成分１に代わり硬化遅延成分１５：１．９０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７７】
（実施例２５）
トリフェニルホスフィンに代わり１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７：０．７６重量部、硬化遅延成分１に代わり硬化遅延成分１５：１．９０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７８】
（実施例２６）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ２：１．７７重量部、硬化遅延成分１に代わり硬化遅延成分１５：１．９０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１７９】
（実施例２７）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ３：１．８５重量部、硬化遅延成分１に代わり硬化遅延成分１５：１．９０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８０】
（実施例２８）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ４：２．４５重量部、硬化遅延成分１に代わり硬化遅延成分１５：１．９０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８１】
（比較例１）
硬化遅延成分１を加えなかった以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８２】
（比較例２）
硬化遅延成分２を加えなかった以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８３】
（比較例３）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ１：３．９７重量部、硬化遅延成分１を加えなかった以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８４】
（比較例４）
トリフェニルホスフィンに代わり２−メチルイミダゾール：０．４１重量部、硬化遅延成分１を加えなかった以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８５】
（比較例５）
トリフェニルホスフィンに代わり１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７：０．７６重量部、硬化遅延成分１を加えなかった以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８６】
（比較例６）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ２：１．７７重量部、硬化遅延成分１を加えなかった以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８７】
（比較例７）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ３：１．８５重量部、硬化遅延成分１を加えなかった以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８８】
（比較例８）
トリフェニルホスフィンに代わり化合物Ｃ４：２．４５重量部、硬化遅延成分１を加えなかった以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【０１８９】
［特性評価］
実施例１〜２８及び比較例１〜８で得られたエポキシ樹脂組成物の特性評価（１）〜（３）、及び、実施例１〜２８及び比較例１〜８で得られた半導体装置の特性評価（４）及び（５）を、それぞれ、以下のようにして行った。
（１）スパイラルフロー
ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。
このスパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい程、流動性が良好であることを示す。
（２）硬化トルク
キュラストメーター（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーターＩＶ  ＰＳ型）を用い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定した。
この硬化トルクは、数値が大きい程、硬化性が良好であることを示す。
（３）フロー残存率
得られたエポキシ樹脂組成物を、大気中４０℃で１週間保存した後、前記特性評価（１）と同様にしてスパイラルフローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する百分率（％）を求めた。
このフロー残存率は、数値が大きい程、保存性が良好であることを示す。
（４）耐半田クラック性
１００ピンＴＱＦＰを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後、２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。
その後、顕微鏡下に、外部クラックの発生の有無を観察し、クラック発生率＝（クラックが発生したパッケージ数）／（全パッケージ数）×１００として、百分率（％）で表示した。
また、シリコンチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率＝（剥離面積）／（シリコンチップの面積）×１００として、８個のパッケージの平均値を求め、百分率（％）で表示した。
これらのクラック発生率及び剥離率は、それぞれ、数値が小さい程、耐半田クラック性が良好であることを示す。
（５）耐湿信頼性
１６ピンＤＩＰに、１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を印加し、断線不良を調べた。１５個のパッケージのうち８個以上に不良が出るまでの時間を不良時間とした。
なお、測定時間は、最長で５００時間とし、その時点で不良パッケージ数が８個未満であったものは、不良時間を５００時間超（＞５００）と示す。
この不良時間は、数値が大きい程、耐湿信頼性に優れることを示す。
各特性評価（１）〜（５）の結果を、表１及び表２に示す。
【０１９０】
【表１】
2008189824.tif 000030
【０１９１】
【表２】
2008189824.tif 000031
【０１９２】
表１〜表２に示すように、比較例で示される、硬化促進剤のみを使用した樹脂組成物に対し、実施例で得られたエポキシ樹脂組成物（本発明のエポキシ樹脂組成物）は、いずれも、硬化性を損なうことなく、流動性及び保存性が大きく向上させている。さらに、この硬化物で封止された各実施例のパッケージ（本発明の半導体装置）は、いずれも、耐半田クラック性、耐湿信頼性が良好なものであった。また、硬化遅延成分の分量を調整することにより、実用に十分たる硬化性を維持しつつも、流動性や保存性を調整することに成功している。
これに対し、比較例１〜２で得られたエポキシ樹脂組成物は、硬化遅延成分を混合していないため、いずれも、流動性、保存性に劣り、得られたパッケージは耐半田クラック性に劣るものであった。また、比較例３〜８で得られたエポキシ樹脂組成物は、流動性、保存性に劣るものであった。さらに、比較例４、５、７、８で得られたエポキシ樹脂組成物は、耐湿信頼性が極めて低いものであった。