(57)【要約】【課題】高温での抵抗劣化を抑制することで積層セラミックコンデンサの高温信頼性を向上させることを目的とするものである。【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、誘電体層４と内部電極５を交互に積層してなる積層体２と、この積層体２の両端面に設けられるとともに前記内部電極５と電気的に交互に接続された一対の外部電極３を有し、前記誘電体層４は、平均粒径が０．２〜０．２５μｍの粒子からなるものとしたものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と内部電極を交互に積層してなる積層体と、この積層体の両端面に設けられるとともに前記内部電極と電気的に交互に接続された一対の外部電極を有し、前記誘電体層は、平均粒径が０．２〜０．２５μｍの粒子からなる積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
誘電体層の一層あたりの厚み方向に有する平均粒子数は４以上である請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層セラミックコンデンサを説明する。図６は、従来の積層セラミックコンデンサの一部切り欠き斜視図である。
【０００３】
図６において、誘電体層２１と内部電極２２を交互に積層して積層体２３が構成されており、この積層体２３の両端面には外部電極２４が設けられている。この一対の外部電極２４は前記内部電極２２と交互に接続されており積層セラミックコンデンサが構成されている。
【０００４】
この積層セラミックコンデンサの信頼性、特に、高温での信頼性を向上させるために様々な検討がなされている。特に、積層セラミックコンデンサの高温信頼性は誘電体層に大きく依存しており、この誘電体層（主としてチタン酸バリウムからなる）の材料も含めた様々な検討がなされている。
【０００５】
近年の電子機器の高性能化により積層セラミックコンデンサも高容量化が要望されており、その施策として誘電体層の誘電率の向上が挙げられ、一例として誘電体層を形成する粒子の粒径を大きくすることが挙げられる。
【０００６】
なお、本出願の発明に関する先行技術文献情報としては特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１１−３１７３２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、粒径を大きくすると誘電体層の誘電率の向上には効果があるものの、高温での抵抗劣化が発生しやすくなり積層セラミックコンデンサとしての高温信頼性が低下するという課題があった。
【０００８】
そこで本発明は、高温での抵抗劣化を抑制することで積層セラミックコンデンサの高温信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的を達成するために、本発明は、誘電体層と内部電極を交互に積層してなる積層体と、この積層体の両端面に設けられるとともに前記内部電極と電気的に交互に接続された一対の外部電極を有し、前記誘電体層は、平均粒径が０．２〜０．２５μｍの粒子からなるものとしたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、平均粒径が０．２〜０．２５μｍの粒子を誘電体層に用いることで電圧印加による電界集中を抑制し、高温での抵抗劣化を抑制することができるという作用効果を有するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、一実施の形態および図面を用いて、本発明の積層セラミックコンデンサを説明する。
【００１２】
図１は、本発明の積層セラミックコンデンサの斜視図、図２は、同断面図である。
【００１３】
図１、図２において、誘電体層４と内部電極５を交互に積層して積層体２が構成されている。前記誘電体層４は、チタン酸バリウム、バインダ、添加剤、溶媒等からなるスラリーを用いたグリーンシートを焼成してなるもので、平均粒径が０．２〜０．２５μｍの粒子からなっている。誘電体層４の一層あたりの厚みは、例えば、１．０μｍである。
【００１４】
ここで、平均粒径が０．２５μｍの場合、誘電体層の一層あたりの厚み方向に有する平均粒子数（誘電体層の一層の厚みを平均粒径で割った値）は４となるが、高温による抵抗劣化を抑制するという観点からすると一層あたりの厚み方向に有する粒子数は４以上であることが望ましい。
【００１５】
前記内部電極はＮｉ金属を主成分とし、その厚みは、例えば、1．0μｍである。
【００１６】
この積層体２の両端面には外部電極３が設けられている。この外部電極３は前記内部電極５と同様の成分を用いてもよい。この一対の外部電極３は前記内部電極５と交互に接続されており積層セラミックコンデンサ１が構成されている。
【００１７】
こうして得られた積層セラミックコンデンサと従来からの積層セラミックコンデンサを用いて高温での抵抗の経時変化を比較すると一例として図３に示すような結果になる。
【００１８】
図３は、信頼性試験における積層セラミックコンデンサの抵抗値の経時変化を示す概念図である。すなわち、８５℃の環境下にて積層セラミックコンデンサに定格電圧（例えば、６．３Ｖ）を印加し放置する。そして、初期から１０００時間までの間で２５０時間ごとに試料を取り出し、その抵抗値を測定して、その結果をプロットしたものである。
【００１９】
従来の積層セラミックコンデンサの場合、時間を追うごとに抵抗値は低下していくとともにばらつきが多くなっていく。一方、本発明の積層セラミックコンデンサは抵抗の劣化を抑制することができるとともにばらつきも抑制することができる。
【００２０】
さて、この高温による積層セラミックコンデンサの抵抗劣化のメカニズムは現時点で必ずしも明確にはなってはいないが、本発明者は以下のように推測している。
【００２１】
図４（ａ）、（ｂ）は、それぞれ粒径の異なる粒子を用いたときの誘電体層の断面を模式的に示した概念図、図５（ａ）は抵抗劣化前の粒子の断面図、（ｂ）は抵抗劣化後の粒子の断面図である。
【００２２】
図４、図５において、内部電極１０に挟まれた誘電体層１１を形成する粒子１２、１３はそれぞれコアシェル構造となっており、コア部１４はチタン酸バリウム、シェル部１５は希土類金属などの添加剤からなっている。前記コア部１４は抵抗が比較的低く、前記シェル部１５は比較的抵抗が高くなっている。高温環境において印加を行うと誘電体層１１に電界が印加されるが、このとき、印加時間が長くなるにつれてシェル部１５に欠陥１６が発生し、この欠陥１６により比較的抵抗が低い前記コア部１４が露出した状態になり、その結果、誘電体層としての抵抗が劣化するのではないかと考えている。そして、粒径が大きいものは粒径の小さいものに比較して表面積が大きいためこの欠陥１６が多く発生しやすいのではないかと推測している。
【００２３】
よって、粒径を小さくすることにより欠陥数を少なくすることができ、その結果、高温による抵抗劣化を抑制することができる。その一方、粒径が小さすぎると誘電率という観点から不十分なものになってしまう。
【００２４】
したがって、誘電体層を平均粒径が０．２〜０．２５μｍの粒子とすることによって、誘電率を大きく犠牲にすることなく高温による抵抗劣化を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明は、特に、高温での信頼性が要求される積層セラミックコンデンサに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施の形態における積層セラミックコンデンサの斜視図
【図２】同断面図
【図３】信頼性試験における積層セラミックコンデンサの抵抗値の経時変化を示す概念図
【図４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、粒径の異なる粒子を用いたときの誘電体層の断面を模式的に示した概念図
【図５】（ａ）は高温劣化前の粒子の断面図、（ｂ）は高温劣化後の粒子の断面図
【図６】従来の積層セラミックコンデンサの一部切り欠き斜視図
【符号の説明】
【００２７】
１  積層セラミックコンデンサ
２  積層体
３  外部電極
４、１１  誘電体層
５、１０  内部電極
１２、１３  粒子
１４  コア部
１５  シェル部
１６  欠陥
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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