(57)【要約】【課題】CPP構造のリードヘッドを備える磁気ヘッドにおいて、リード素子近傍のハード膜の特性を制御することを可能とし、これによってハード膜によるバイアス磁場を的確にリード素子に作用させることを可能にする磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する。【解決手段】リード素子１０の側面と下部シールド層１８の表面とが絶縁膜１２により被覆され、該絶縁膜上に下地層を介してハード膜１４が形成されたリードヘッドを備える磁気ヘッドにおいて、前記下地層が、前記絶縁膜１２の前記リード素子１０の側面を被覆する部位１２ａに被着する第１の下地層１６ａと、前記絶縁膜１２の前記リード素子１０の側面から両側に延在する前記下部シールド層１８の表面を被覆する部位１２ｂに被着する第２の下地層１６ｂとからなることを特徴とする。【選択図】図１
2008084448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード素子の側面と下部シールド層の表面とが絶縁膜により被覆され、該絶縁膜上に下地層を介してハード膜が形成されたリードヘッドを備える磁気ヘッドにおいて、
前記下地層が、前記絶縁膜の前記リード素子の側面を被覆する部位に被着する第１の下地層と、
前記絶縁膜の、前記リード素子の側面から両側に延在する前記下部シールド層の表面を被覆する部位に被着する第２の下地層とからなることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
リード素子の側面と下部シールド層の表面が絶縁膜により被覆され、該絶縁膜上に下地層を介してハード膜が形成されたリードヘッドを備える磁気ヘッドにおいて、
前記下地層が、前記リード素子の側面とリード素子の両側に延在する前記下部シールド層の表面とを被覆する前記絶縁膜に被着する第１の下地層と、
前記リード素子の側面から両側に延在する前記下部シールド層の上方で前記第１の下地層に積層して被着する第２の下地層とからなることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の下地層は、前記ハード膜の磁化方向が該第１の下地層の面に垂直方向となるように結晶成長させ、前記第２の下地層は、前記ハード膜の磁化方向が該第２の下地層の面に平行方向に結晶成長させる物質からなることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
リード素子の側面と下部シールド層の表面とが絶縁膜により被覆され、該絶縁膜上に下地層を介してハード膜が形成されたリードヘッドを備える磁気ヘッドの製造方法において、
下部シールド層上に形成された前記リード素子の側面とリード素子の両側の前記下部シールド層の表面とを被覆する前記絶縁膜の表面に第１の下地層を成膜する工程と、
前記リード素子を成形する際に使用するマスクパターンを使用し、前記リード素子の側
面に被着する前記第１の下地層を遮蔽して、前記リード素子の側面から両側に延在する前記絶縁膜の表面から前記第１の下地層を除去する工程と、
前記マスクパターンを使用して、前記リード素子の側面から両側に延在する前記絶縁膜
の表面に第２の下地層を成膜する工程と、
前記第１の下地層および前記第２の下地層を下地層として、前記リード素子の両側にハード膜を成膜する工程とを備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
リード素子の側面と下部シールド層の表面とが絶縁膜により被覆され、該絶縁膜上に下地層を介してハード膜が形成されたリードヘッドを備える磁気ヘッドの製造方法において、
下部シールド層上に形成された前記リード素子の側面とリード素子の両側の前記下部シールド層の表面とを被覆する前記絶縁膜の表面に第１の下地層を成膜する工程と、
前記リード素子を成形する際に使用するマスクパターンを使用し、前記リード素子の側
面に被着する前記第１の下地層を遮蔽して、前記リード素子の側面から両側に延在する前記絶縁膜の表面に第２の下地層を成膜する工程と、
前記第１の下地層および前記第２の下地層を下地層として、前記リード素子の両側にハード膜を成膜する工程とを備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第１の下地層として、前記ハード膜の磁化方向が該第１の下地層の面に垂直方向となるように結晶成長させる物質を成膜し、
前記第２の下地層は、前記ハード膜の磁化方向が該第２の下地層の面に平行方向に結晶成長させる物質を成膜することを特徴とする請求項５または６記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記マスクパターンを形成する際に、下層が上層よりも細幅となる形態に形成することを特徴とする請求項５または６記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、より詳細にはCPP（current perpendicular to the plane)構造のリードヘッドを備える磁気ヘッドにおけるハード膜の配置を特徴とする磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、CPP構造のリードヘッドを有する磁気ヘッドの構成を浮上面側から見た状態を示す。CPP構造のリードヘッドは、リード素子の厚さ方向（成膜時の積層方向）にセンス電流を流して磁気情報を検知する。このため、リード素子１０の側面と、リード素子１０の下層に形成される下部シールド層１８の表面とが絶縁膜１２によって被覆して形成される。
リード素子１０の側方にはハード膜１４が配される。ハード膜１４は、リード素子１０に形成されたフリー層の磁区を安定させるため、フリー層にバイアス磁場を作用させるためのもので、CoCrPt、CoPtといった保磁力の大きな磁性材によって形成される。
【０００３】
ハード膜１４は、絶縁膜１２の表面に下地層１６を形成し、下地層１６上にスパッタリングにより成膜して形成される。ハード膜１４は水平方向（リード素子１０のフリー層の面方向と平行方向）に着磁して使用され、下地層１６はハード膜１４の磁化方向を水平方向に揃えるように結晶方向を配向させて成長させる目的で使用されている。すなわち、下地層１６は下地層１６の面方向に平行に磁化方向を揃えるように、ハード膜１４の配向方向を制御する作用を有する。このような作用を備える下地層１６の材料としては、Cr、CrTi等が使用される。
【特許文献１】特開２００５−３８５０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、リード素子１０は、記録媒体の記録密度の高密度化に対応してコア幅をより狭く形成するため、浮上面側から見た端面形状で側面の傾斜角度がより９０度に近づくように形成される。リード素子１０の側面の傾斜角度が９０度に近づくようになると、リード素子１０の側面を被覆する絶縁膜１２は下部シールド層１８の表面を被覆する絶縁膜１２に対して、急峻に立ち上がる形状となるから、絶縁膜１２に被着する下地層１６も、リード素子１０の側面部分では立ち上がり形状となる。
【０００５】
このように、リード素子１０の側面部分で下地層１６が急峻に立ち上がる形状になると、下地層１６はハード膜１４の磁化方向が下地層１６の面に平行となるようにハード膜１４を結晶成長させる作用を有するから、図８の矢印で示したように、リード素子１０の側面から離間した位置ではハード膜１４の磁化方向が水平方向となるように成膜されるのに対して、リード素子１０の側面部分では、ハード膜１４の磁化方向が垂直に近い向きとなるように結晶成長することになる。リード素子１０の側面の近傍でハード膜１４の磁化方向が水平方向からの偏位量は、リード素子１０の側面の傾斜角度が９０度に近くなればなるほど大きくなる。
【０００６】
ハード膜１４は、リード素子１０のフリー層に対して、水平方向のバイアス磁場を作用させるためのものであるから、ハード膜１４の磁化方向が水平方向からずれると、ハード膜１４によるバイアス磁場がリード素子１０のフリー層を磁区制御する作用が阻害され、リード素子１０の安定性が損なわれる。とくに、ハード膜１４でリード素子１０の側面に対向する部位は、リード素子１０にもっとも近接している部位であるから、この部分でのハード膜１４の磁化方向が水平方向から傾くことは、リードヘッドの特性に大きく影響を及ぼすようになる。
【０００７】
本発明は、CPP構造のリードヘッドを備える磁気ヘッドにおいて、リード素子近傍のハード膜の特性を制御することを可能とし、これによってハード膜によるバイアス磁場を的確にリード素子に作用させるようにするといったことを可能にする磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を備える。
すなわち、リード素子の側面と下部シールド層の表面とが絶縁膜により被覆され、該絶縁膜上に下地層を介してハード膜が形成されたリードヘッドを備える磁気ヘッドにおいて、前記下地層が、前記絶縁膜の前記リード素子の側面を被覆する部位に被着する第１の下地層と、前記絶縁膜の、前記リード素子の側面から両側に延在する前記下部シールド層の表面を被覆する部位に被着する第２の下地層とからなることを特徴とする。
【０００９】
また、リード素子の側面と下部シールド層の表面が絶縁膜により被覆され、該絶縁膜上に下地層を介してハード膜が形成されたリードヘッドを備える磁気ヘッドにおいて、前記下地層が、前記リード素子の側面とリード素子の両側に延在する前記下部シールド層の表面とを被覆する前記絶縁膜に被着する第１の下地層と、前記リード素子の側面から両側に延在する前記下部シールド層の上方で前記第１の下地層に積層して被着する第２の下地層とからなることを特徴とする。
なお、第１の下地層と第２の下地層とは異なる物質からなり、ハード膜を成膜する下地層として異なる作用、たとえばハード膜を成膜させる際の配向方向を制御したり、膜の緻密度を制御したりするといった作用を有するものである。
【００１０】
また、前記第１の下地層は、前記ハード膜の磁化方向が該第１の下地層の面に垂直方向となるように結晶成長させ、前記第２の下地層は、前記ハード膜の磁化方向が該第２の下地層の面に平行方向に結晶成長させる物質からなることにより、ハード膜のバイアス磁化を的確にリード素子に作用させることが可能となる。
【００１１】
また、リード素子の側面と下部シールド層の表面とが絶縁膜により被覆され、該絶縁膜上に下地層を介してハード膜が形成されたリードヘッドを備える磁気ヘッドの製造方法において、下部シールド層上に形成された前記リード素子の側面とリード素子の両側の前記下部シールド層の表面とを被覆する前記絶縁膜の表面に第１の下地層を成膜する工程と、前記リード素子を成形する際に使用するマスクパターンを使用し、前記リード素子の側面に被着する前記第１の下地層を遮蔽して、前記リード素子の側面から両側に延在する前記絶縁膜の表面から前記第１の下地層を除去する工程と、前記マスクパターンを使用して、前記リード素子の側面から両側に延在する前記絶縁膜の表面に第２の下地層を成膜する工程と、前記第１の下地層および前記第２の下地層を下地層として、前記リード素子の両側にハード膜を成膜する工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
また、リード素子の側面と下部シールド層の表面とが絶縁膜により被覆され、該絶縁膜上に下地層を介してハード膜が形成されたリードヘッドを備える磁気ヘッドの製造方法において、下部シールド層上に形成された前記リード素子の側面とリード素子の両側の前記下部シールド層の表面とを被覆する前記絶縁膜の表面に第１の下地層を成膜する工程と、前記リード素子を成形する際に使用するマスクパターンを使用し、前記リード素子の側面に被着する前記第１の下地層を遮蔽して、前記リード素子の側面から両側に延在する前記絶縁膜の表面に第２の下地層を成膜する工程と、前記第１の下地層および前記第２の下地層を下地層として、前記リード素子の両側にハード膜を成膜する工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
また、前記第１の下地層として、前記ハード膜の磁化方向が該第１の下地層の面に垂直方向となるように結晶成長させる物質を成膜し、前記第２の下地層は、前記ハード膜の磁化方向が該第２の下地層の面に平行方向に結晶成長させる物質を成膜することは、ハード膜によるバイアス磁場をリード素子に的確に作用させる方法として有効である。
また、前記マスクパターンを形成する際に、下層が上層よりも細幅となる形態に形成することにより、前記リード素子の側面から両側に延在する前記絶縁膜の表面に第２の下地層を成膜する等の処理を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、リード素子の両側にハード膜を成膜する際に使用する下地層を、リード素子の側面とリード素子の側面から両側に延在する下部シールド層の表面とで、異なる物質からなる第１の下地層と第２の下地層として形成することにより、リード素子の側面部分とリード素子の両側に延在する下部シールド層の部分で、ハード膜の配向方向等の特性を別個に制御することが可能になる。
この方法によれば、リード素子の傾斜面に形成される側面の傾斜角度が９０度に近くなる場合でも、ハード膜の磁化方向を全体としてリード素子のフリー層と平行となる向きに補正することができ、リード素子に的確にバイアス磁場を作用させ、リードヘッドの特性を向上させ、磁気記録媒体の高密度化に好適に対応することが可能になる等の作用効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る磁気ヘッドの好適な実施の形態について、添付図面にしたがって詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明に係る磁気ヘッドのリードヘッドを、磁気ヘッドの浮上面の方向から見た構成を示す。本実施形態のリードヘッドの基本的な構成は、図８に示す従来のリードヘッドと同様である。すなわち、リード素子１０を厚さ方向に挟む配置に下部シールド層１８と上部シールド層２０が配置され、リード素子１０の側面とリード素子１０の両側の下部シールド層１８の表面が絶縁膜１２によって被覆され、リード素子１０の両側方にハード膜１４が配置されている。ハード膜１４は、リード素子１０に形成されているフリー層にバイアス磁場を作用させ、フリー層を単磁区に制御するためのものである。
【００１６】
本実施形態のリードヘッドの構成において特徴的な構成は、絶縁膜１２上にハード膜１４を形成する際に用いる下地層についての構成である。すなわち、本実施形態においては、リード素子１０の側面部分を被覆する絶縁膜１２ａの部分に第１の下地層１６ａを設け、下部シールド層１８の表面を被覆する絶縁膜１２ｂの部分については第１の下地層１６ａとは異なる材料からなる第２の下地層１６ｂを設ける。
【００１７】
ここで、第１の下地層１６ａは、ハード膜１４の磁化方向が第１の下地層１６ａの面方向に対して垂直方向となるように結晶成長させるものであり、第２の下地層１６ｂは、ハード膜１４の磁化方向が第２の下地層１６ｂの面方向と平行となるように結晶成長させるものである。第２の下地層１６ｂは、前述した従来のリードヘッドに使用している下地層１６と同じ配向特性を備えるもので、CrあるいはCrTi等の材料が用いられる。これに対して、第１の下地層１６ａは下地層の面方向に垂直方向にハード膜１４の磁化方向を揃えるもので、このような配向特性はたとえばRuを成膜することによって得られる。
【００１８】
本実施形態のように、絶縁膜１２の表面に下地層を形成する場合に、リード素子１０の側面部分に対応する部位については、ハード膜１４の磁化方向を垂直方向に揃える作用を有する第１の下地層１６ａを設け、下部シールド層１８の表面に対応する部位については、ハード膜１４の磁化方向を平行方向に揃える作用を有する第２の下地層１６ｂを設けることにより、ハード膜１４を着磁した際には、図１の矢印で示すように、ハード膜１４全体として水平方向に磁化されるようになる。
【００１９】
すなわち、リード素子１０の両側の、下部シールド層１８の表面に対応する部位では、ハード膜１４の磁化方向が第２の下地層１６ｂの面方向と平行になり、ハード膜１４の磁化方向がリード素子１０に対して水平方向（リード素子１０に形成されているフリー層の面に平行方向）となる。また、リード素子１０の側面部分では、第１の下地層１６ａの面方向に対して垂直方向にハード膜１４が磁化するから、ハード膜１４の磁化方向が水平方向に向くようになる。リード素子１０の側面は下部シールド層１８の面に垂直方向からいくぶん傾斜しているから、リード素子１０の側面部分でのハード膜１４の磁化方向は完全には水平方向にならないが、リード素子１０の側面の傾斜角度が９０度に近づけば近づくほど、リード素子１０の側面部分でのハード膜１４の磁化方向は水平方向に近づくようになる。
【００２０】
図１に示す、本実施形態の磁気ヘッドにおけるハード膜１４の磁化方向（バイアス磁場の方向）を示す矢印の向きと、図８に示す従来の磁気ヘッドにおけるハード膜１４の磁化方向（バイアス磁場の方向）を示す矢印の向きを対比して見ると、本実施形態の磁気ヘッドでは、ハード膜１４が全体として水平方向に磁化され、リード素子１０に効果的にバイアス磁場を作用させることができることがわかる。
【００２１】
このように、本実施形態の磁気ヘッドでは、ハード膜１４の磁化方向を全体として水平方向に揃えることができ、リード素子１０に対し水平方向にバイアス磁場を作用させることができることから、磁気ヘッドの安定性を向上させることができ、磁気記録媒体の磁気記録情報の検知特性を向上させることができる。リード素子１０にもっとも近接するリード素子１０の側面に対向する部位のハード膜１４の磁化方向を水平方向に揃えることは、リード素子１０の特性改善に有効である。
【００２２】
（磁気ヘッドの製造方法）
図２、３は、第１の実施の形態における磁気ヘッドのリードヘッド部分の製造工程を示す。
図２（ａ）は、アルチック基板上に下部シールド層１８を成膜した後、下部シールド層１８の表面の全面に、リード素子１０となる磁気抵抗効果膜１０ａを形成した状態を示す。下部シールド層１８はNiFe等の軟磁性材によって形成される。
磁気抵抗効果膜１０ａは、磁化方向が固定されたピン層と、磁気記録媒体からの磁界によって磁化方向が変化するフリー層とを備える。磁気抵抗効果膜１０ａは、ピン層やフリー層を構成する強磁性層、ピン層の磁化方向を固定する反強磁性層、非磁性層等を複数層に積層して形成され、製品によって多様な形態が提案されている。本発明は、これら磁気抵抗効果膜１０ａの膜構成について限定されるものではない。
【００２３】
図２（ｂ）は、磁気抵抗効果膜１０ａの表面にフォトレジストを塗布し、フォトレジストをパターニングしてリード素子１０となる部位を被覆するマスクパターン３０を形成した工程を示す。レジストはエッチングによる侵食速度が異なる２層構造のものを使用し、レジストをエッチングした後に、マスクパターン３０の下部が上部よりも細幅に形成されるようにする。
図２（ｃ）は、ワークにイオンミリング加工を施し、磁気抵抗効果膜１０ａをエッチングして断面形状が台形状にリード素子１０を形成した状態を示す。このイオンミリング加工ではワークに対して斜め方向からイオンミリングし、側面の傾斜角度が下部シールド層１８の面に対して９０度に近い角度となるように形成するのがよい。
【００２４】
図２（ｄ）は、スパッタリングによりリード素子１０の側面と下部シールド層１８の表面に絶縁膜１２を形成した工程を示す。絶縁膜１２は、たとえばアルミナをスパッタリングして形成する。
図２（ｅ）は、次に、絶縁膜１２の表面に第１の下地層１６ａを成膜した工程を示す。第１の下地層１６ａは、たとえばRuをスパッタリングして形成する。この工程では、ワークの表面に対して斜め方向からスパッタリングし、リード素子１０の側面を被覆する絶縁膜１２ａの表面に第１の下地層１６ａが付着するようにする。このスパッタリング工程では、下部シールド層１８の表面に被着している絶縁膜１２の表面にも第１の下地層１６ａが付着する。
【００２５】
図３（ａ）は、ワークにイオンミリングを施し、リード素子１０の側面の絶縁膜１２ａの部分にのみ第１の下地層１６ａを残す工程を示す。ワークの表面に垂直方向からイオンミリングを施すと、マスクパターン３０によってリード素子１０の側面部分が遮蔽されてリード素子１０の側面に第１の下地層１６ａが残る一方、マスクパターン３０によって遮蔽されていない、リード素子１０の両側の下部シールド層１８の表面に被着した第１の下地層１６ａが除去される。
【００２６】
図３（ｂ）は、リード素子１０の両側の下部シールド層１８の表面を被覆する絶縁膜１２ｂの表面に、第２の下地層１６ｂをスパッタリングにより成膜する工程を示す。ワークの表面に対して垂直方向からスパッタリングすることにより、リード素子１０の側面に被着している第１の下地層１６ａはマスクパターン３０により遮蔽され、リード素子１０の両側の下部シールド層１８の表面に被着する絶縁膜１２ｂの部位に第２の下地層１６ｂが成膜される。
【００２７】
図３（ｃ）は、ハード膜１４を成膜する工程を示す。ハード膜１４は、絶縁膜１２の表面に形成された第１の下地層１６ａと第２の下地層１６ｂを下地層として成膜される。ハード膜１４は、CoCrPtあるいはCoPt等の保磁力の大きな強磁性材によって形成する。
図３（ｄ）は、マスクパターン３０を除去した後、スパッタリングにより上部シールド層２０を形成した状態を示す。上部シールド層２０もNiFe等の軟磁性材からなる。
こうして、リード素子１０の側面部分については第１の下地層１６ａを下地層とし、リード素子１０の両側の下部シールド層１８の部分については第２の下地層１６ｂを下地層としてハード膜１４が成膜された、図１に示す、リードヘッドが得られる。
【００２８】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明に係る磁気ヘッドの第２の実施の形態の構成を示す。本実施の形態に示す磁気ヘッドは、ハード膜１４の下地層として、リード素子１０の両側面に第１の下地層１６ａを設け、リード素子１０の両側の下部シールド層１８上に第２の下地層１６ｂを設けた点については第１の実施の形態と同様である。本実施形態の磁気ヘッドが第１の実施の形態における磁気ヘッドの構成と相違する点は、第２の下地層１６ｂを、リード素子１０の側面から下部シールド層１８上まで延在させた第１の下地層１６ａの上に設けた点にある。すなわち、本実施形態においては、リード素子１０の側面から側方に離間した部位では、絶縁膜１２上に第１の下地層１６ａと第２の下地層１６ｂが積層して形成される。
【００２９】
なお、第１の下地層１６ａは、ハード膜１４の磁化方向が下地層の面に垂直方向となるようにハード膜１４を結晶成長させ、第２の下地層１６ｂは、ハード膜１４の磁化方向が下地層の面に平行方向となるようにハード膜１４を結晶成長させる。
したがって、本実施形態においても、図４に示すように、第２の下地層１６ｂ上に成長するハード膜１４の部位では磁化方向が水平方向（リード素子１０のフリー層と平行方向）に揃うようになり、第１の下地層１６ａ上で成長するハード膜１４の部位では、磁化方向が垂直方向に揃うようになることから、リード素子１０の側面近傍においてもハード膜１４の磁化方向が水平方向に向くようになる。
【００３０】
こうして、本実施形態の磁気ヘッドにおいても、図４（矢印）に示すように、ハード膜１４の磁化方向は全体として水平方向となり、リード素子１０にバイアス磁場が水平向きに作用するようになり、磁気ヘッドの安定性を向上させることができ、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供することが可能となる。
【００３１】
（磁気ヘッドの製造方法）
図５に、本実施形態の磁気ヘッドの製造工程を示す。
図５（ａ）は、下部シールド層１８上にリード素子１０を形成し、絶縁膜１２を形成した後、第１の下地層１６ａを形成した状態を示す。この第１の下地層１６ａを製造するまでの工程は図２に示す工程と同一であり、図５（ａ）は図２（ｅ）の状態に対応する。
【００３２】
図５（ｂ）は、次に、第１の下地層１６ａの表面に第２の下地層１６ｂをスパッタリングにより形成する工程を示す。第２の下地層１６ｂは、CrあるいはCrTiといった、ハード膜１４の磁化方向を下地層の面に平行に配向させる材料を用いて形成する。ワークの面に対して垂直方向からスパッタリングすることにより、リード素子１０の側面に被着する第１の下地層１６ａについてはマスクパターン３０によって遮蔽され、リード素子１０の側面から両側に延在する領域部分（下部シールド層１８の表面に平行な領域）に第２の下地層１６ｂが成膜される。
【００３３】
図５（ｃ）は、第１の下地層１６ａと第２の下地層１６ｂの上に、スパッタリングによりハード膜１４を成膜する工程を示す。ハード膜１４はCoCrPtあるいはCoPt等の保磁力の大きな強磁性材によって形成される。ハード膜１４は、リード素子１０よりも若干厚めとなるように成膜する。
図５（ｄ）は、マスクパターン３０を除去した後、スパッタリングにより上部シールド層２０を形成した状態を示す。こうして、図４に示す磁気ヘッドが得られる。
【００３４】
（磁気ディスク装置）
図６は、上述した記録ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の例を示す。この磁気ディスク装置５０は、矩形の箱状に形成されたケーシング５１内に、スピンドルモータ５２によって回転駆動される複数の磁気記録ディスク５３を備える。磁気記録ディスク５３の側方には、ディスク面に平行に揺動可能に支持されたキャリッジアーム５４が配置されている。キャリッジアーム５４の先端には、キャリッジアーム５４の延長方向にヘッドサスペンション５５が取り付けられ、ヘッドサスペンション５５の先端にヘッドスライダー６０が取り付けられる。ヘッドスライダー６０は、ヘッドサスペンション５５ののディスク面に対向する面に取り付けられる。
【００３５】
図７は、ヘッドスライダー６０の斜視図を示す。ヘッドスライダー６０の磁気ディスクに対向する面（ＡＢＳ面）には、スライダー本体６１の側縁に沿ってヘッドスライダー６０を磁気ディスク面から浮上させるための浮上用レール６２ａ、６２ｂが設けられている。上述したリードヘッドを備える磁気ヘッド６３は、ヘッドスライダー６０の前端側（気流が流出する側）に磁気ディスクに対向して配置される。磁気ヘッド６３は保護膜６４によって被覆して保護されている。
【００３６】
ヘッドスライダー６０は、スピンドルモータ５２により磁気記録ディスク５３が回転駆動されると、磁気記録ディスク５３の回転によって生じた気流によってディスク面から浮上し、アクチュエータ５６によりシーク動作がなされて、磁気記録ディスク５３との間で磁気ヘッド６３により情報を記録し、再生する処理がなされる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】磁気ヘッドの第１の実施の形態の構成を示す断面図である。
【図２】第１の実施の形態の磁気ヘッドの製造工程を示す説明図である。
【図３】第１の実施の形態の磁気ヘッドの製造工程を示す説明図である。
【図４】磁気ヘッドの第２の実施の形態の構成を示す断面図である。
【図５】第２の実施の形態の磁気ヘッドの製造工程を示す説明図である。
【図６】磁気ディスク装置の平面図である。
【図７】ヘッドスライダーの斜視図である。
【図８】従来の磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０  リード素子
１０ａ  磁気抵抗効果膜
１２、１２ａ、１２ｂ  絶縁膜
１４  ハード膜
１６  下地層
１６ａ  第１の下地層
１６ｂ  第２の下地層
１８  下部シールド層
２０  上部シールド層
３０  マスクパターン
５０  磁気ディスク装置
６０  ヘッドスライダー
【図１】
2008084448.tif 000003
【図２】
2008084448.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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