(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置の中に電磁ノイズ除去用のコンデンサを作る構成でありながら、コンデンサの占有面積を小さくすることができ、また、高周波ノイズを十分に除去出来る半導体装置の提供。【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上面に設けられた層間絶縁膜の内部に縦方向に延びるように形成され、グランド電位に接続された対向する複数のグランド用金属板部を備えると共に、層間絶縁膜の内部における前記複数のグランド用金属板部で挟まれる位置に縦方向に延びるように形成され、信号電位に接続された信号用金属板部を備えるように構成したものである。この構成によれば、半導体装置の中に電磁ノイズ除去用のコンデンサを作る構成でありながら、コンデンサの占有面積を小さくすることができ、また、高周波ノイズを十分に除去することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面に多層配線層を設けるように構成された半導体装置において、
前記半導体基板の上面に設けられた層間絶縁膜の内部に縦方向に延びるように形成され、グランド電位に接続された対向する複数のグランド用金属板部と、
前記層間絶縁膜の内部における前記複数のグランド用金属板部で挟まれる位置に縦方向に延びるように形成され、信号電位に接続された信号用金属板部とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部は、前記層間絶縁膜の最外周部に位置して配設されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記信号用金属板部の下端部を、前記半導体基板の上面に対して絶縁するように構成したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記グランド用金属板部の下端部を、前記半導体基板の上面に拡散層を介して接続するように構成したことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板としてＳＯＩ基板を備え、
前記半導体基板の上部において、前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部にそれぞれ対応するように、板状に導体化された板状導体化部を複数縦方向に延びるように形成し、
これら板状導体化部を前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部の下端部にそれぞれ接続するように構成したことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記板状導電部は、高濃度のポリシリコンで構成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板の上面に多層配線層を設けるように構成された半導体装置において、
前記半導体基板の上面に設けられた層間絶縁膜の内部における最外周部に縦方向に延びるように形成され、グランド電位に接続されたグランド用金属板部と、
前記層間絶縁膜の内部における前記グランド用金属板部の内側に縦方向に延びるように形成され、信号電位に接続された信号用金属板部とを備えると共に、
前記半導体基板としてＳＯＩ基板を備え、
前記半導体基板の上部において、前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部にそれぞれ対応するように、板状に導体化された板状導体化部を複数縦方向に延びるように形成し、
これら板状導体化部を前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部の下端部にそれぞれ接続するように構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体基板の上面に多層配線層を設けるように構成された半導体装置において、
前記半導体基板の上面に設けられた層間絶縁膜の内部における最外周部に縦方向に延びるように形成され、信号電位に接続された信号用金属板部と、
前記層間絶縁膜の内部における前記信号用金属板部の内側に縦方向に延びるように形成され、グランド電位に接続されたグランド用金属板部とを備えると共に、
前記半導体基板としてＳＯＩ基板を備え、
前記半導体基板の上部において、前記信号用金属板部及び前記グランド用金属板部にそれぞれ対応するように、板状に導体化された板状導体化部を複数縦方向に延びるように形成し、
これら板状導体化部を前記信号用金属板部及び前記グランド用金属板部の下端部にそれぞれ接続するように構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記板状導電部は、高濃度のポリシリコンで構成されていることを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板としてＳＯＩ基板を備えた半導体装置において、
前記半導体基板の上部における最外周部に、板状に導体化された板状導体化部を縦方向に延びるように２重に形成し、
一方の板状導体化部をグランド電位に接続し、
他方の板状導体化部を信号電位に接続するように構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
半導体基板としてＳＯＩ基板を備えた半導体装置において、
前記半導体基板の上部における最外周部に、板状に導体化された板状導体化部を縦方向に延びるように３重に形成し、
中央の１つの板状導体化部を信号電位に接続し、
両側の２つの板状導体化部をグランド電位に接続するように構成したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車等の車両に搭載する半導体装置、即ち、ＥＭＣ等の電磁ノイズの影響を受けることが多い半導体装置に好適する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
車載用として使用される半導体装置においては、ＥＭＣ等の電磁ノイズにより半導体装置が誤作動したり、破壊したりすることがあった。この対策として、一般的には、半導体装置を実装する配線基板の上にチップコンデンサを取り付けることにより、上記電磁ノイズを除去している。しかし、このノイズ除去構成の場合、チップコンデンサという外付け部品を用いるため、製造コストが高くなるという欠点があった。また、センサの信号処理を行う半導体チップ（半導体装置）を、センサと同一の筐体に実装するような構成の場合、センサの設置場所の制約から外付けのチップコンデンサを取り付けることができないことがあった。
【０００３】
このような問題点を解消するために、半導体チップの中に、ノイズ除去用のコンデンサを作り込む試みがなされているが、ノイズ除去に必要な０．１μＦ〜１μＦ程度の容量のコンデンサを作ろうとすると、半導体チップの中の大面積を占有してしまうという問題点が新たに生ずる。
【０００４】
この問題点を解決する対策としては、例えば特許文献１に記載の構成が知られている。この構成では、メタルキャパの下部電極を凸形状とすることにより、対向面積を増やすと共に、電極の間に高誘電率の誘電体膜を形成することにより、容量値を低減することなく、チップ内の占有面積を小さくするように構成している。
【特許文献１】特開２００４−３５６２６２号公報
【特許文献２】特開２００５−１０１６４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献１に記載された構成の場合、チップ内の占有面積を小さくできるといっても、数分の１程度にしかならず、また、誘電体膜を形成する工程を追加しなければならず、工程数が増加するという不具合がある。
【０００６】
これに対して、特許文献２に記載された構成においては、配線とスルーホールを用いて縦型キャパシタを形成することにより、より少ない面積で工程を追加することなく、電源ノイズを除去できる構成としている。しかし、この構成の場合、単に配線とスルーホールからなる金属構造を電源およびグランド端子に接続しているだけの構成であるため、ＥＭＣで問題となる数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの高周波ノイズを除去することが困難であると考えられる。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、半導体装置の中に電磁ノイズ除去用のコンデンサを作る構成でありながら、コンデンサの占有面積を小さくすることができ、また、高周波ノイズを十分に除去することができる半導体装置を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明によれば、半導体基板の上面に設けられた層間絶縁膜の内部に縦方向に延びるように形成され、グランド電位に接続された対向する複数のグランド用金属板部を備えると共に、層間絶縁膜の内部における前記複数のグランド用金属板部で挟まれる位置に縦方向に延びるように形成され、信号電位に接続された信号用金属板部を備える構成としたので、半導体装置の中に電磁ノイズ除去用のコンデンサを作る構成でありながら、コンデンサの占有面積を小さくすることができ、また、高周波ノイズを十分に除去することができる。
【０００９】
上記構成の場合、請求項２の発明のように、前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部は、前記層間絶縁膜の最外周部に位置して配設されていることが好ましい。また、請求項３の発明のように、前記信号用金属板部の下端部を、前記半導体基板の上面に対して絶縁するように構成することが良い。更に、請求項４の発明のように、前記グランド用金属板部の下端部を、前記半導体基板の上面に拡散層を介して接続するように構成することがより一層好ましい。
【００１０】
請求項５の発明によれば、前記半導体基板としてＳＯＩ基板を備え、前記半導体基板の上部において、前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部にそれぞれ対応するように、板状に導体化された板状導体化部を複数縦方向に延びるように形成し、これら板状導体化部を前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部の下端部にそれぞれ接続するように構成したので、占有面積を大きくすることなく、コンデンサの容量を大きくすることができる。
【００１１】
上記構成の場合、請求項６の発明のように、前記板状導電部を、高濃度のポリシリコンで構成することが好ましい。
請求項７の発明によれば、半導体基板の上面に設けられた層間絶縁膜の内部における最外周部に縦方向に延びるように形成され、グランド電位に接続されたグランド用金属板部を備え、前記層間絶縁膜の内部における前記グランド用金属板部の内側に縦方向に延びるように形成され、信号電位に接続された信号用金属板部を備え、更に、前記半導体基板としてＳＯＩ基板を備え、そして、前記半導体基板の上部において、前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部にそれぞれ対応するように、板状に導体化された板状導体化部を複数縦方向に延びるように形成し、これら板状導体化部を前記グランド用金属板部及び前記信号用金属板部の下端部にそれぞれ接続するように構成したので、請求項１の発明とほぼ同様な作用効果を得ることができる。
【００１２】
請求項８の発明によれば、半導体基板の上面に設けられた層間絶縁膜の内部における最外周部に縦方向に延びるように形成され、信号電位に接続された信号用金属板部を備え、前記層間絶縁膜の内部における前記信号用金属板部の内側に縦方向に延びるように形成され、グランド電位に接続されたグランド用金属板部を備え、前記半導体基板としてＳＯＩ基板を備え、そして、前記半導体基板の上部において、前記信号用金属板部及び前記グランド用金属板部にそれぞれ対応するように、板状に導体化された板状導体化部を複数縦方向に延びるように形成し、これら板状導体化部を前記信号用金属板部及び前記グランド用金属板部の下端部にそれぞれ接続するように構成したので、請求項７の発明とほぼ同様な作用効果を得ることができる。
【００１３】
この場合、請求項９の発明のように、前記板状導電部を、高濃度のポリシリコンで構成することが好ましい。
請求項１０の発明によれば、半導体基板の上部における最外周部に、板状に導体化された板状導体化部を縦方向に延びるように２重に形成し、一方の板状導体化部をグランド電位に接続し、他方の板状導体化部を信号電位に接続するように構成したので、請求項１の発明とほぼ同様な作用効果を得ることができる。
【００１４】
請求項１１の発明によれば、半導体基板の上部における最外周部に、板状に導体化された板状導体化部を縦方向に延びるように３重に形成し、中央の１つの板状導体化部を信号電位に接続し、両側の２つの板状導体化部をグランド電位に接続するように構成したので、請求項１０の発明とほぼ同様な作用効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の第１の実施例について、図１ないし図３を参照しながら説明する。まず、図１は本実施例の半導体装置１の上面図であり、図２は図１中のII−II線に沿う断面図であり、図３は図１中のIII−III線に沿う断面図である。
【００１６】
これら図１、図２、図３に示すように、半導体装置１は、半導体基板である例えばＳｉ基板２と、このＳｉ基板２の上面に設けられた多層配線層３とを備えて構成されている。Ｓｉ基板２の上面（多層配線層３の下方）には、種々の半導体製造プロセスを実行することにより、所定の集積回路が形成されている。
【００１７】
多層配線層３は、例えば３層の層間絶縁膜４、５、６と、最上層のパッシベーション膜７とを備えている。各層間絶縁膜４、５、６には、例えばＡｌやCu等からなる配線層や、例えばＡｌやW等からなるコンタクトや、ビアホールや、ビアホールに埋め込まれた金属（例えばＷやCu等）や、パッド等が設けられている。
【００１８】
さて、層間絶縁膜４、５、６の内部における最外周部、即ち、Ｓｉ基板２に形成された素子分離膜８の外側部位には、所定距離だけ離れて対向する複数例えば２つのグランド用金属板部９、１０が縦方向に延びると共に角筒状をなすように設けられている。この対向するグランド用金属板部９、１０の間には、１つの信号用金属板部１１が縦方向に延びると共に角筒状をなすように設けられている。
【００１９】
これらグランド用金属板部９、１０及び信号用金属板部１１は、層間絶縁膜４、５、６に形成された配線層、層間絶縁膜４、５、６に形成されたコンタクト、層間絶縁膜４、５、６に形成されたビアホールに埋め込まれた金属等により構成されており、周知の多層配線技術を適宜用いて形成されている。
【００２０】
図１及び図２に示すように、グランド用金属板部９、１０の上端部は、電源パッド１２に配線１３を介して接続されている。グランド用金属板部９、１０の下端部は、Ｓｉ基板２の上面に接続されている。更に、グランド用金属板部９、１０のうちの内側のグランド用金属板部１０は、図１に示すように、Ｓｉ基板２に形成された回路（集積回路）１４のグランド端子に配線１５を介して接続されている。即ち、グランド用金属板部９、１０は、グランド電位に接続されている。
【００２１】
また、信号用金属板部１１の上端部は、電源または信号入力用パッド１６に配線１７を介して接続されている。信号用金属板部１１の下端部は、層間絶縁膜４を介することによりＳｉ基板２の上面に対して絶縁されている。更に、信号用金属板部１１は、図１に示すように、Ｓｉ基板２に形成された回路（集積回路）１４の信号端子に配線１８を介して接続されている。即ち、信号用金属板部１１は、信号電位に接続されている。
【００２２】
上記構成の場合、グランド用金属板部９、１０と、信号用金属板部１１と、これら金属板部９、１０、１１の間に存在する層間絶縁膜４、５、６とからノイズ除去用のコンデンサ１９、即ち、３端子コンデンサ１９が構成されている。
【００２３】
このような構成の本実施例においては、Ｓｉ基板２の上面に設けられた層間絶縁膜４，５，６の内部に縦方向に延びるように形成され、グランド電位に接続された対向する２つのグランド用金属板部９、１０を備えると共に、層間絶縁膜４、５、６の内部における前記２つのグランド用金属板部９、１０で挟まれる位置に縦方向に延びるように形成され、信号電位に接続された信号用金属板部１１を備え、半導体装置１の中に電磁ノイズ除去用のコンデンサ１９を作り込むように構成した。この構成によれば、半導体装置１におけるコンデンサ１９の占有面積を小さくすることができ、また、高周波ノイズを十分に除去することができる。
【００２４】
特に、上記実施例の場合、グランド用金属板部９、１０及び信号用金属板部１１を、層間絶縁膜４、５、６の最外周部に位置して配設して、角筒状をなすように構成したので、グランド用金属板部９、１０と信号用金属板部１１とが対向する面積を十分に大きくすることができ、コンデンサ１９の容量を十分大きくすることができる。そして、半導体装置１（半導体チップ）内に占めるコンデンサ１９の占有面積を最小限にすることができる。
【００２５】
また、上記実施例では、信号用金属板部１１を２つのグランド用金属板部９、１０で挟むように構成してコンデンサ１９、即ち、３端子コンデンサ１９を形成するように構成したので、１０ＭＨｚ以上の高周波ノイズを十分に除去することができる。
【００２６】
図４は、本発明の第２の実施例を示すものである。尚、第１の実施例と同一構成には同一符号を付している。この第２の実施例では、図４に示すように、信号用金属板部１１の下端部とＳｉ基板２との間を絶縁するに際して、Ｓｉ基板２の上面に絶縁層２０を形成し、この絶縁層２０を介して信号用金属板部１１をＳｉ基板２に対して絶縁している。
【００２７】
尚、上述した以外の第２の実施例の構成は、第１の実施例と同じ構成となっている。従って、第２の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第２の実施例によれば、信号用金属板部１１の下端部とＳｉ基板２との間を絶縁層２０により確実に絶縁できると共に、信号用金属板部１１の面積を大きくすることができ、コンデンサ１８の容量を大きくすることが可能となる。
【００２８】
また、上記した各実施例においては、グランド用金属板部９、１０の下端部をＳｉ基板２の上面に直接接続するように構成したが、これに代えて、Ｓｉ基板２の上面に拡散層を形成し、この拡散層を介してグランド用金属板部９、１０の下端部をＳｉ基板２の上面に接続するように構成しても良い。
【００２９】
図５、図６、図７は、本発明の第３の実施例を示すものである。尚、第１の実施例と同一構成には同一符号を付している。この第３の実施例では、図５、図６、図７に示すように、グランド用金属板部９、１０の上端部を電源パッド１２に接続する配線２１の形状を、矩形枠状をなすように形成し、該配線２１によりグランド用金属板部９、１０の各上端部をほぼ全周にわたって互いに接続するように構成した。
【００３０】
尚、上述した以外の第３の実施例の構成は、第１の実施例と同じ構成となっている。従って、第３の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第３の実施例によれば、配線２１によりグランド用金属板部９、１０の各上端部をほぼ全周にわたって互いに接続したので、コンデンサ１８の容量を大きくすることができると共に、コンデンサ１８の電磁ノイズの除去性能を高めることができる。
【００３１】
また、上記した各実施例においては、２つのグランド用金属板部９、１０と１つの信号用金属板部１１を形成したが、これに限られるものではなく、図８に示す第４の実施例のように、３つのグランド用金属板部９、１０、２２と、２つの信号用金属板部１１、２３を形成するように構成しても良い。
【００３２】
また、図９に示す第５の実施例のように、４つのグランド用金属板部９、１０、２２、２４と、２つの信号用金属板部１１、２３を形成するように構成しても良い。即ち、グランド用金属板部及び信号用金属板部の個数は、２つのグランド用金属板部が１つの信号用金属板部を挟む形態となるように適宜設定すれば良い。
【００３３】
図１０は、本発明の第６の実施例を示すものである。尚、第１の実施例と同一構成には同一符号を付している。この第６の実施例では、図１０に示すように、半導体基板としてＳＯＩ基板２５を備え、この半導体基板２５の上部において、グランド用金属板部９、１０及び信号用金属板部１１にそれぞれ対応するように、板状に導体化された板状導体化部２６、２７、２８を縦方向に延びると共に角筒状をなすように形成した。
【００３４】
この場合、板状導体化部２６、２７、２８は、トレンチ絶縁膜２９で分離されたＳＯＩ層で構成されており、導電性を高めるために通常の半導体工程で使用するリンやボロン等の不純物をドープする。さらには、例えば高濃度ポリシリコン（リンドープポリシリコン）を埋め込んで形成することにより、より導電性を高めることが好ましい。そして、上記板状導体化部２６、２７、２８をグランド用金属板部９、１０及び信号用金属板部１１の下端部にそれぞれ接続している。尚、図１０において、符号３０は埋込酸化膜である。
【００３５】
上述した以外の第６の実施例の構成は、第１の実施例と同じ構成となっている。従って、第６の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第６の実施例においては、板状導体化部２６、２７、２８をグランド用金属板部９、１０及び信号用金属板部１１の下端部にそれぞれ接続するように構成したので、コンデンサ１９の中の導体板の対向面積を大きくすることができ、コンデンサ１９の容量をより一層大きくすることが可能となる。
【００３６】
図１１は、本発明の第７の実施例を示すものである。尚、第６の実施例と同一構成には同一符号を付している。この第７の実施例では、図８に示すように、１つのグランド用金属板部９を外側に設けると共に、その内側に信号用金属板部１１を設けている。更に、グランド用金属板部９及び信号用金属板部１１にそれぞれ対応するように、板状に導体化された板状導体化部２６、２７を縦方向に延びると共に角筒状をなすように形成した。
【００３７】
尚、上述した以外の第７の実施例の構成は、第６の実施例と同じ構成となっている。従って、第７の実施例においても、第６の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
図１２は、本発明の第８の実施例を示すものである。尚、第７の実施例と同一構成には同一符号を付している。この第８の実施例では、図１２に示すように、１つのグランド用金属板部９を内側に設けると共に、その外側に信号用金属板部１１を設けている。更に、グランド用金属板部９及び信号用金属板部１１にそれぞれ対応するように、板状に導体化された板状導体化部２６、２７を縦方向に延びると共に角筒状をなすように形成した。
【００３８】
尚、上述した以外の第８の実施例の構成は、第７の実施例と同じ構成となっている。従って、第８の実施例においても、第７の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
図１３は、本発明の第９の実施例を示すものである。尚、第７の実施例と同一構成には同一符号を付している。この第９の実施例は、図１３に示すように、第７の実施例においてグランド用金属板部９と信号用金属板部１１を設けないように構成したものである。即ち、板状導体化部２６、２７とトレンチ絶縁膜２９とからノイズ除去用のコンデンサ１９が構成されている。
【００３９】
尚、上述した以外の第９の実施例の構成は、第７の実施例とほぼ同じ構成となっている。従って、第９の実施例においても、第７の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
【００４０】
図１４は、本発明の第１０の実施例を示すものである。尚、第６の実施例と同一構成には同一符号を付している。この第１０の実施例は、図１４に示すように、第６の実施例においてグランド用金属板部９、１０と信号用金属板部１１を設けないように構成したものである。即ち、板状導体化部２６、２７、２８とトレンチ絶縁膜２９とからノイズ除去用のコンデンサ１９が構成されている。
【００４１】
尚、上述した以外の第１０の実施例の構成は、第５の実施例と同じ構成となっている。従って、第１０の実施例においても、第５の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
【００４２】
また、上記した各実施例においては、ノイズ除去用のコンデンサ１９（グランド用金属板部９、１０）のグランドと、半導体装置の回路１４内部のグランドとを同電位とするように構成したが、これに代えて、両者を別電位とするように構成しても良い。例えば、コンデンサ１９のグランドをボディ接地とし、半導体装置の回路１４内部のグランドを外部からの基準電位とするように構成しても良い。尚、通信用のＩＣにおいては、基準電位が外部から与えられることがよくあり、このように構成しても良い。その場合、グラウンド用金属板部９、１０は、必ずしも上記各実施例に示したようにＳｉ基板２と電気的に接続する必要はなく、例えばＳｉ基板２上面に形成した絶縁層２０で絶縁しても良い。
【００４３】
また、グラウンド用金属板部９、１０および信号用金属板部１１の平面形状は、上記各実施例では角筒型としたが、コーナー部はラウンド形状でも良く、また、四以上の多角形であっても良い。さらに、チップ全体を囲んでいる必要もない。
さらに、グラウンド用金属板部９、１０は、Ｓｉ基板２上に形成された他の素子、例えば、抵抗体や、ダイオード、他のキャパシタ等と接続することでよりノイズ除去性能を高めるよう設計することもできる。
【００４４】
上記各実施例に示したように、信号用金属板部１１は縦方向に長く形成することが好ましいが、少なくとも一部を単層の配線層で形成しても一定の効果を得ることが期待できるため、必ずしも限定するものではない。
いずれの場合も、グラウンド用金属板部が、信号用金属板部とキャパシタンスを形成していることが重要である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１の実施例を示す半導体装置の上面図
【図２】図１中II−II線に沿う断面図
【図３】図１中III−III線に沿う断面図
【図４】本発明の第２の実施例を示す図２相当図
【図５】本発明の第３の実施例を示す図１相当図
【図６】図２相当図
【図７】図３相当図
【図８】本発明の第４の実施例を示す半導体装置の部分上面図
【図９】本発明の第５の実施例を示す図８相当図
【図１０】本発明の第６の実施例を示す図２相当図
【図１１】本発明の第７の実施例を示す図２相当図
【図１２】本発明の第８の実施例を示す図２相当図
【図１３】本発明の第９の実施例を示す図２相当図
【図１４】本発明の第１０の実施例を示す図２相当図  図面中、１は半導体装置、２はＳｉ基板（半導体基板）、３は多層配線層、４、５、６は層間絶縁膜、７はパッシベーション膜、９、１０はグランド用金属板部、１１は信号用金属板部、１２はグランドパッド、１３は配線、１４は回路、１６は電源パッド、１７は配線、１９はコンデンサ、２１は配線、２２はグランド用金属板部、２３は信号用金属板部、２４はグランド用金属板部、２５はＳＯＩ基板（半導体基板）、２６、２７、２８は板状導体化部、２９はトレンチ絶縁膜を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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