(57)【要約】【課題】ダイシング時に保護キャップに作用する応力を低減し、且つ、構造体に対する保護キャップの信頼性の低下を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面にパッドが複数形成され、パッド形成面側に露出する構造体が複数形成された半導体ウェハと、熱剥離層を介して、支持基板の一面上にパッドを露出させつつ構造体を保護するための保護キャップが互いに離間して複数固定されたシートを準備する。支持基板としては半導体ウェハと略同一のものを用いる。次に、半導体ウェハ及び保護キャップのいずれかに接着剤を塗布し、保護キャップが対応する構造体を覆いつつパッドを露出するようように位置決めした状態で、加圧・加熱して半導体ウェハ上に保護キャップを転写し、半導体ウェハを、互いに隣接する保護キャップの間の部位でダイシングして半導体装置とする。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に外部接続端子としてのパッドが複数形成され、パッド形成面側に露出する構造体として少なくとも可動構造体が複数形成された半導体ウェハを準備するウェハ準備工程と、
加熱によって接着力が低下する熱剥離層を介して、支持基板の一面上に、前記パッドを露出させつつ前記構造体を保護するための保護キャップが互いに離間して複数固定されたシートを準備するシート準備工程と、
前記半導体ウェハのパッド形成面及び前記保護キャップの支持基板との対向面の裏面のいずれかに耐熱性を有する接着剤を塗布し、前記保護キャップが対応する前記構造体を覆うように前記半導体ウェハと前記支持基板とを位置決めした状態で、加圧しつつ加熱して前記半導体ウェハ上に前記保護キャップを貼り合わせるとともに前記支持基板を除去する転写工程と、
前記保護キャップを貼り合わせた前記半導体ウェハを、互いに隣接する前記保護キャップの間の部位でダイシングしてチップ化するダイシング工程と、を備え、
前記支持基板として、前記半導体ウェハと前記保護キャップとの積層方向に垂直な方向の線膨張係数が、前記半導体ウェハと略同一のものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記シート準備工程において、前記支持基板の一面上に、前記熱剥離層を介して耐熱性を有する樹脂シートを貼り合わせ、前記樹脂シートに対して、前記構造体を覆うための凹部及び前記パッドを露出するための前記凹部を取り囲む環状の貫通孔を形成して、複数の前記保護キャップとすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウェハは単結晶シリコンからなり、
前記支持基板も単結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハは単結晶シリコンからなり、
前記支持基板はガラスからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板は不透明であり、前記保護キャップの配置面とその裏面に亘って貫通する貫通孔を有することを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持基板は不透明であり、
前記転写工程において、前記支持基板側から赤外線を透過させて前記半導体ウェハと前記支持基板とを位置決めすることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護キャップは、前記支持基板との対向面に、金属からなるアライメントパターンを有することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体で構成された構造体を有する半導体チップにおいて、構造体が保護キャップで覆われてなる半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度センサ、角速度センサ、圧力センサなどの半導体力学量センサや静電アクチュエータなど、半導体基板の表面に外部接続端子としてのパッドが形成され、半導体基板の一部にパッド形成面側に露出する構造体として可動構造体が少なくとも形成された半導体装置が知られている。
【０００３】
このような半導体装置においては、可動構造体を保護するために、保護キャップで可動構造体を覆うことが行われている。例えば特許文献１においては、耐熱性を有する樹脂シートを用いて保護キャップを構成することで、ダイシング時の研削水の侵入を抑制しつつ保護キャップを残したままのワイヤボンディングを可能としている。
【特許文献１】特開２０００−３１３４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に示される製造方法においては、樹脂シートごと半導体ウェハをダイシングすることで、樹脂シートを分離して各保護キャップとしつつ半導体ウェハを分離して半導体チップとする。したがって、樹脂シート（保護キャップ）にダイシング時の応力が生じてしまう。
【０００５】
これに対し、ダイシング前の状態で、支持基板上に複数の保護キャップを互いに離間して貼り付けたシートを準備し、半導体ウェハに保護キャップを一括で転写する方法が考えられる。ところが、この方法においては、支持基板上において保護キャップが互いに分離されているので、半導体ウェハに保護キャップを転写する（貼り合わせる）際の加熱の影響により、保護すべき構造体に対して保護キャップの位置ずれが生じたりする恐れがある。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑み、ダイシング時に保護キャップに作用する応力を低減し、且つ、構造体に対する保護キャップの信頼性の低下を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成する為に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、表面に外部接続端子としてのパッドが複数形成され、パッド形成面側に露出する構造体として少なくとも可動構造体が複数形成された半導体ウェハを準備するウェハ準備工程と、加熱によって接着力が低下する熱剥離層を介して、支持基板の一面上に、パッドを露出させつつ構造体を保護するための保護キャップが互いに離間して複数固定されたシートを準備するシート準備工程と、半導体ウェハのパッド形成面及び保護キャップの支持基板との対向面の裏面のいずれかに耐熱性を有する接着剤を塗布し、保護キャップが対応する構造体を覆うように半導体ウェハと支持基板とを位置決めした状態で、加圧しつつ加熱して半導体ウェハ上に保護キャップを貼り合わせるとともに支持基板を除去する転写工程と、保護キャップを貼り合わせた半導体ウェハを、互いに隣接する保護キャップの間の部位でダイシングしてチップ化するダイシング工程と、を備え、支持基板として、半導体ウェハと保護キャップとの積層方向に垂直な方向の線膨張係数が、半導体ウェハと略同一のものを用いることを特徴とする。
【０００８】
このように本発明によれば、ダイシング工程の前に、シート準備工程において、支持基板上に複数の保護キャップを互いに離間して貼り付けたシートを準備し、転写工程において、半導体ウェハに保護キャップを一括で転写する。そして、ダイシング工程において、互いに隣接する保護キャップの間の部位で半導体ウェハをダイシングする。したがって、ダイシング時に保護キャップに作用する応力を従来よりも低減することができ、これによって半導体チップに対する保護キャップの接続信頼性を向上することができる。
【０００９】
また、半導体ウェハと保護キャップとの積層方向に垂直な方向の線膨張係数が、支持基板と半導体ウェハとで略同一である。したがって、転写工程において、加圧しつつ加熱して半導体ウェハ上に保護キャップを貼り合わせる際に、半導体ウェハと支持基板との膨張量をほぼ等しくすることができる。すなわち、半導体ウェハと支持基板との膨張によって保護キャップに作用する応力の差を低減し、例えばこれによって保護すべき構造体に対する保護キャップの位置ずれを抑制することができる。このように、構造体に対する保護キャップの信頼性の低下を抑制することができる。
【００１０】
具体的には、請求項２に記載のように、シート準備工程において、支持基板の一面上に、熱剥離層を介して耐熱性を有する樹脂シートを貼り合わせ、樹脂シートに対して、構造体を覆うための凹部及びパッドを露出するための凹部を取り囲む環状の貫通孔を形成して、複数の保護キャップとしても良い。これによれば、支持基板上に、構造体に対応して保護キャップが精度良く固定されたシートとすることができる。
【００１１】
半導体ウェハと支持基板との組合せ例としては、例えば請求項３に記載のように、半導体ウェハが単結晶シリコンからなり、支持基板も単結晶シリコンからなる構成を採用することもできるし、請求項４に記載のように、半導体ウェハが単結晶シリコンからなり、支持基板がガラスからなる構成を採用することができる。支持基板としてガラスを用いた場合には、可視光での位置決めが可能となる。
【００１２】
支持基板が不透明である場合には、請求項５に記載のように、支持基板として、保護キャップの配置面とその裏面に亘って貫通する貫通孔を有するものを採用しても良い。これにより、貫通孔を介して可視光での位置決めが可能となる。
【００１３】
また、請求項６に記載のように、転写工程において、支持基板側から赤外線を透過させて半導体ウェハと支持基板とを位置決めしても良い。この場合、請求項７に記載のように、保護キャップの支持基板との対向面に、金属からなるアライメントパターンを設けても良い。それ以外にも、支持基板にアライメントパターンを設けても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置の概略構成を示す断面図である。図２は、図１をマスク部材側から見た平面図である。
【００１５】
図１及び図２に示すように、半導体装置１００は、構造体として可動構造体が少なくとも形成された半導体チップ１１０と、可動構造体を可動可能に保護する保護キャップ１２０と、を有している。
【００１６】
半導体チップ１１０は、半導体基板１１１の表面に外部接続端子としてのパッド１１２が形成され、半導体基板１１１の一部にパッド形成面側に露出する構造体１１４として可動構造体が少なくとも形成されたものである。本実施形態においては、半導体チップ１１０が、本出願人による特開平９−２１１０２２号公報や特開２００６−１５３４８２号公報などに記載されたものと同様の構成となっている。詳細な説明は割愛するが、線膨張係数が３程度の単結晶シリコンからなる半導体基板１１１にトレンチ１１３が形成され、これにより、構造体１１４の一部として、加速度を受けて変位する可動構造体としての梁構造体が構成されている。また、梁構造体に設けられた可動電極と対向するように梁構造の固定電極が構成されている。すなわち、本実施形態においては、可動構造体としての梁構造体と梁構造の固定電極が構造体１１４となっている。また、パッド１１２は、配線部１１５を介して、可動電極及び固定電極とそれぞれ電気的に接続されており、パッド１１２及び配線部１１５の回りにもトレンチ１１６が形成されている。そして、保護キャップ１２０にて保護される構造体１１４周囲のトレンチ１１３と、配線部１１５を介して構造体１１４と電気的に接続されたパッド１１２周囲のトレンチ１１６とが連通され、可動電極及び可動電極用のパッド１１２と固定電極及び固定電極用のパッド１１２とが、互いに絶縁分離されている。このように、半導体チップ１１０は、可動電極と固定電極との間の対向間隔の変化に基づいて加速度を検出するように構成されている。なお、図１においては、構造体１１４のうち、可動電極と固定電極を図示している。
【００１７】
保護キャップ１２０は、半導体基板１１１のパッド形成面に接着固定された状態で、パッド１１２を露出しつつ構造体１１４を保護するものである。そして、接着剤１３０によって半導体チップ１１０上に接着固定されている。保護キャップ１２０や接着剤１３０の構成材料としては、製造工程において、保護キャップ１２０を半導体チップ１１０に貼り合わせる転写工程の熱処理温度（例えば４００℃）より高い耐熱性を有するものを採用することができる。本実施形態においては、保護キャップ１２０を構成する樹脂シートの材料として線膨張係数が約２７ｐｐｍ／℃である熱硬化性ポリイミドを採用し、接着剤１３０として線膨張係数が約５５ｐｐｍ／℃である熱可塑性感光性ポリイミドを含む接着剤を採用している。
【００１８】
保護キャップ１２０には、半導体チップ１１０（半導体基板１１１のパッド形成面）との対向面に、構造体１１４を覆うように凹部１２１（例えば深さ約３０μｍ）が形成されており、これによって構造体１１４のうちの可動構造体が力学量としての加速度を受けて変位可能となっている。また、半導体基板１１１のパッド形成面のうち、パッド１１２を含む環状の周縁領域は保護キャップ１２０から外部に露出されており、パッド１１２は、図１及び図２に示すように、保護キャップ１２０によって隠れない位置に形成されている。そして、半導体基板１１１のパッド形成面に対向する保護キャップ１２０の表面のうち、周縁領域と凹部１２１との間の部位が、構造体１１４を取り囲むように接着剤１３０との接着面１２２となっている。
【００１９】
次に、図１及び図２に示す半導体装置１００の製造方法について、図３〜図１３を用いて説明する。図３は、半導体装置の製造工程のうち、ウェハ準備工程を示す断面図である。図４は、図３をパッド形成面側から見た平面図である。図５〜図７は、半導体装置の製造工程のうち、シート準備工程を示す図であり、図５は保護キャップ形成前の断面図、図６は保護キャップ形成後の断面図を示している。図７は、図６を樹脂シート側から見た平面図である。図８〜図１０は、半導体装置の製造工程のうち、転写工程を示す図であり、図８は接着剤を塗布した状態の断面図、図９は半導体ウェハ状に保護キャップを位置決め載置して加熱・加圧した状態の断面図、図１０は、転写工程終了後の状態を示す断面図である。図１１は、比較例として、支持基板と半導体ウェハの線膨張係数差が大きい場合の加熱・加圧した状態を示す断面図であり、図１２は、転写工程終了後の状態を示す断面図である。図１３は、半導体装置の製造工程のうち、ダイシング工程を示す断面図である。
【００２０】
先ず、図３及び図４に示すように、ウェハ準備工程を実施する。このウェハ準備工程においては、シリコンウェハとしての半導体基板１１１の表面に、各半導体チップ１１０の位置に対応して、例えばＡｌからなるパッド１１２、トレンチ１１３、構造体１１４などを公知の半導体技術によって形成する。なお、図４においては、便宜上、構造体１１４のみを矩形枠で示している。これにより、ダイシングによって複数の半導体チップ１１０となる半導体ウェハが準備される。
【００２１】
また、図５〜図７に示すように、シート準備工程を実施する。このシート準備工程においては、支持基板１４０の一面に、転写工程の加熱によって、接着性が低下する公知材料からなる熱剥離層１５０を介して、後に加工されて保護キャップ１２０となる樹脂シート１２３を貼り合わせる。支持基板１４０としては、転写工程の熱処理温度（例えば４００℃）より高い耐熱性を有し、且つ、線膨張係数（少なくとも半導体基板１１１と保護キャップ１２０の積層方向に垂直な方向の線膨張係数）が半導体基板１１１と略同一であるものであれば採用することができる。なお、数ｐｐｍ／℃程度のズレは、線膨張係数が略同一であるとする。本実施形態においては、支持基板１４０として線膨張係数が３程度のガラスを採用している。また、樹脂シート１２３として、熱硬化性ポリイミドからなる樹脂シートを採用し、熱剥離層１５０として、発泡剤を有するアクリル系等の熱膨張性粘着剤を採用している。
【００２２】
次に、樹脂シート１２３をパターニングして、複数の保護キャップ１２０に分離する。保護キャップ１２０の形成に際しては、公知の異方性エッチングや等方性エッチングを採用することができる。本実施形態においては、異方性エッチング（反応性イオンエッチング）により樹脂シート１２３の不要部を除去して、構造体１１４を保護する凹部１２１を有し、互いに離間された複数の保護キャップ１２０を形成する。これにより、支持基板１４０に、熱剥離層１５０を介して、複数の保護キャップ１２０が固定されたシート１６０が準備される。
【００２３】
ウェハ準備工程とシート準備工程の後、図８〜図１０に示すように、転写工程を実施する。この転写工程においては、先ず半導体基板１１１のパッド形成面の接着部位及び保護キャップ１２０の接着面１２２のいずれかに耐熱性を有する接着剤１３０を塗布する。本実施形態においては、図８に示すように、保護キャップ１２０の接着面１２２に、熱可塑性感光性ポリイミドからなる接着剤１３０を塗布する。
【００２４】
次に、構造体１１４が保護キャップ１２０の凹部１２１に収まるように、シート１６０の保護キャップ１２０と半導体基板１１１のパッド形成面とを向かい合わせて位置決めする。この位置決め方法としては種々の方法を採用することができる。本実施形態においては、支持基板１４０が可視光を透過するガラスからなるので、可視光により、支持基板１４０を介して図示されないアライメントパターン同士を位置決めするようにしている。そして、位置決め状態で、図９に示すように、シート１６０を支持基板１４０側から加圧（図９に示す白抜き矢印）して保護キャップ１２０を半導体基板１１１のパッド形成面に押し付けて加熱（本実施形態においては４００℃程度）する。これにより、接着剤１３０は軟化され、加熱終了後の冷却硬化により、保護キャップ１２０を半導体基板１１１のパッド形成面に貼り合わせることができる。
【００２５】
ここで、本実施形態においては、半導体基板１１１と保護キャップ１２０の積層方向に垂直な方向において、半導体基板１１１と支持基板１４０とがほぼ等しい大きさとなっている。また、上述したように、半導体基板１１１と支持基板１４０の線膨張係数（少なくとも半導体基板１１１と保護キャップ１２０の積層方向に垂直な方向の線膨張係数）が、略同一となっている。すなわち、同一の保護キャップ１２０を間に挟む部位において、半導体基板１１１の膨張量と支持基板１４０の膨張量とが、図９に示す実線矢印のようにほぼ等しいものとなる。また、膨張する方向も外周側に向けて等しくなっている。したがって、半導体基板１１１と支持基板１４０の膨張によって、両者の間に介在される保護キャップ１２０に作用する応力の差を低減し、これによって、図１０に示すように、保護すべき構造体１１４に対する保護キャップ１２０の位置ずれを抑制することができる。
【００２６】
また、加熱によってシート１６０を構成する熱剥離層１５０の接着力が低下するので、接着剤１３０を介して半導体基板１１１に固定された保護キャップ１２０と、熱剥離層１５０を含む支持基板１４０とを分離することができる。以上により、保護キャップ１２０を半導体基板１１１に転写することができる。
【００２７】
なお、半導体基板１１１と支持基板１４０の線膨張係数に大きな差（例えば１０ｐｐｍ／℃以上）がある場合、同一の保護キャップ１２０を間に挟む部位において、半導体基板１１１の膨張量と支持基板１４０の膨張量とが、図１１に示す実線矢印のように異なるものとなる。図１１においては、一例として、支持基板１４０の方が半導体基板１１１よりも線膨張係数が大きい例を示している。この場合、半導体基板１１１と支持基板１４０の膨張によって、両者の間に介在される保護キャップ１２０に作用する応力差が大きいので、例えば図１１に示すように、保護キャップ１２０のうち、膨張量の大きい支持基板１４０側が支持基板１４０に引っ張られてより外周側に位置ずれし、保護キャップ１２０が変形する。そして、変形により保護キャップ１２０内に生じる応力を解消するように、例えば保護キャップ１２０のうち、膨張量の小さい半導体基板１１１側も外周側に位置ずれする。このようにして保護キャップ１２０の位置ずれが生じる。なお、支持基板１４０の方が半導体基板１１１よりも線膨張係数が小さい場合には、保護キャップ１２０のうち、膨張量の大きい半導体基板１１１側が半導体基板１１１に引っ張られてより外周側に位置ずれし、保護キャップ１２０が変形する。そして、変形により保護キャップ１２０内に生じる応力を解消するように位置ずれが生じる。このような位置ずれは、半導体基板１１１と支持基板１４０の対向部位において端部側ほど大きく、例えば図１２に示すように、保護すべき構造体１１４を保護できない程度（保護キャップ１２０が構造体１１４上に位置したり、構造体１１４が外部に露出する）まで保護キャップ１２０が位置ずれすることも考えられる。
【００２８】
転写工程後、図１３に示す破線（スクライブ線）に沿ってダイシング工程を実施する。これにより、半導体基板１１１が各半導体チップ１１０に分割され、図１及び図２に示した半導体装置１００が形成される。
【００２９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００３０】
本実施形態においては、半導体装置１００として、加速度センサの例を示した。しかしながら、半導体装置１００は上記例に限定されるものではない。半導体基板１１１に構成された構造体として可動構造体を少なくと含むもの（保護キャップ１２０による保護が必要なもの）であれば採用することができる。例えば、角速度センサや圧力センサを採用することができる。
【００３１】
本実施形態においては、保護キャップ１２０の半導体基板１１１と対向する面に、構造体１１４に対応して凹部１２１が形成される例を示した。しかしながら、接着剤１３０の厚さが厚い場合や可動構造体がパッド形成面よりもパッド形成面の裏面側に位置する場合には、凹部１２１のない保護キャップ１２０を採用することもできる。
【００３２】
本実施形態においては、支持基板１４０としてガラスを用いる例を示した。しかしながら、支持基板１４０としては、上述したように、転写工程の熱処理温度より高い耐熱性を有し、且つ、線膨張係数（少なくとも半導体基板１１１と保護キャップ１２０の積層方向に垂直な方向の線膨張係数）が半導体基板１１１と略同一であるものであれば採用することができる。本実施形態に示すように半導体基板１１１が単結晶シリコンからなる場合、ガラス以外にも、単結晶シリコンウェハや金属板（Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの合金であるコバール）を採用することができる。
【００３３】
本実施形態においては、転写工程において、半導体基板１１１とシート１６０との位置決めをする際に、シート１６０の支持基板１４０側から可視光を透過させて位置決めする例を示した。しかしながら、位置決め方法は上記例に限定されるものではない。例えば半導体基板１１１上に離間してシート１６０を配置した状態で、両者の間にカメラを挿入して位置決めすることもできる。また、支持基板１４０が不透明な場合（可視光を透過しない場合）、シート１６０の支持基板１４０側から赤外光を透過させて位置決めすることもできる。さらには、支持基板１４０が不透明な場合（可視光を透過しない場合）、例えば図１４に示すように、支持基板１４０に貫通孔１４１を設けることで、貫通孔１４１を介して可視光を透過させて位置決めすることもできる。なお、図１４において、貫通孔１４１の位置を保護キャップ１２０と重ならない位置としているが、保護キャップ１２０と重なる位置に貫通孔１４１を設けても良い。図１４は、転写工程の変形例を示す断面図である。なお、シート１６０の支持基板１４０側から赤外光を透過させて位置決めする場合には、シート１６０側に赤外光を反射するアライメントパターンを設ける必要がある。このアライメントパターンは支持基板１４０の表面に設けても良いし、保護キャップ１２０の表面に設けても良い。例えば図１５においては、保護キャップ１２０の接着面１２２の裏面（支持基板１４０との対向面）に、金属からなるアライメントパターン１７０を設けている。このように、保護キャップ１２０の表面に金属からなるアライメントパターン１７０を設けた場合には、アライメントパターン１７０をＧＮＤ電位に固定することで、アライメントパターン１７０に電磁シールドとしての機能を持たせることもできる。図１５は、転写工程の変形例を示す断面図である。
【００３４】
本実施形態においては、半導体基板１１１として単結晶シリコンからなる単層基板の例を示した。しかしながら、ＳＯＩ基板や化合物半導体基板を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法により形成される半導体装置の概略構成を示す断面図である
【図２】図１をマスク部材側から見た平面図である。
【図３】半導体装置の製造工程のうち、ウェハ準備工程を示す断面図である。
【図４】図３をパッド形成面側から見た平面図である。
【図５】半導体装置の製造工程のうち、シート準備工程を示す図であり、保護キャップ形成前の断面図である。
【図６】半導体装置の製造工程のうち、シート準備工程を示す図であり、保護キャップ形成後の断面図を示している。
【図７】図６を樹脂シート側から見た平面図である。
【図８】半導体装置の製造工程のうち、転写工程を示す図であり、接着剤を塗布した状態の断面図である。
【図９】半導体装置の製造工程のうち、転写工程を示す図であり、半導体ウェハ状に保護キャップを位置決め載置して加熱・加圧した状態の断面図である。
【図１０】半導体装置の製造工程のうち、転写工程を示す図であり、転写工程終了後の状態を示す断面図である。
【図１１】比較例として、支持基板と半導体ウェハの線膨張係数差が大きい場合の加熱・加圧した状態を示す断面図である。
【図１２】比較例として、支持基板と半導体ウェハの線膨張係数差が大きい場合の転写工程終了後の状態を示す断面図である。
【図１３】半導体装置の製造工程のうち、ダイシング工程を示す断面図である。
【図１４】転写工程の変形例を示す断面図である。
【図１５】転写工程の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１００・・・半導体装置
１１０・・・半導体チップ
１１１・・・半導体基板
１１２・・・パッド
１１４・・・構造体
１２０・・・保護キャップ
１２１・・・凹部
１３０・・・接着剤
１４０・・・支持基板
１５０・・・熱剥離層
１６０・・・シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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