(57)【要約】【課題】一対の金属板の間に半導体素子を挟んだものをモールド樹脂で封止した後、樹脂封止工程におけるワーク固定用のピンによって形成された穴部を封止材で封止してなる半導体装置の製造方法において、封止材とモールド樹脂との剥離を防止する。【解決手段】ワーク１１０を支持するピンとして、その外周の側面のうち両金属板３、４の内面の間に対応する部位であって且つ第２の金属板４寄りの部位に段差を有するものを用いて樹脂封止工程を行うことによって、穴部１１として、ピンの段差に対応した部位に段差１１ａを有するものを形成し、封止材充填工程では、穴部１１の段差１１ａを越えないように穴部１１に封止材を充填する。【選択図】図４
2008141053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いの内面にて対向する第１の金属板（３）と第２の金属板（４）との間に半導体素子（１、２）を挟んでなるワーク（１１０）を、金型（２００）のキャビティ（２０３）内に設置し、前記キャビティ（２０３）の内面から突出する棒状のピン（２０４）の先端部を前記第１の金属板（３）の内面に押し当てることにより、前記ワーク（１１０）を前記金型（２００）に押し付けた状態とし、この状態で前記キャビティ（２０３）内にモールド樹脂（７）を注入して前記ワーク（１１０）を封止する樹脂封止工程と、
その後、前記モールド樹脂（７）から前記ピン（２０４）を抜くことによって形成され前記モールド樹脂（７）の外面から前記第１の金属板（３）の内面まで到達する穴部（１１）に対して、電気絶縁性の封止材（１２）を充填する封止材充填工程とを備える半導体装置の製造方法において、
前記ピン（２０４）として、その外周の側面のうち前記両金属板（３、４）の内面の間に対応する部位であって且つ前記第２の金属板（４）寄りの部位に段差（２０４ａ）を有するものを用いて前記樹脂封止工程を行うことによって、
前記穴部（１１）として、前記ピン（２０４）の前記段差（２０４ａ）に対応した部位に段差（１１ａ）を有するものを形成し、
前記封止材充填工程では、前記穴部（１１）の前記段差（１１ａ）を越えないように前記穴部（１１）に前記封止材（１２）を充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
互いの内面にて対向する第１の金属板（３）と第２の金属板（４）との間に半導体素子（１、２）を挟んでなるワーク（１１０）を、金型（２００）のキャビティ（２０３）内に設置し、前記キャビティ（２０３）の内面から突出する棒状のピン（２０４）の先端部を前記第１の金属板（３）の内面に押し当てることにより、前記ワーク（１１０）を前記金型（２００）に押し付けた状態とし、この状態で前記キャビティ（２０３）内にモールド樹脂（７）を注入して前記ワーク（１１０）を封止する樹脂封止工程を備える半導体装置の製造方法において、
前記樹脂封止工程の前に、前記第１の金属体（３）の内面のうち前記ピン（２０４）の先端部が押し当てられる部位に、前記ピン（２０４）の先端部の外形よりも大きな電気絶縁性の封止材（１２）を配置しておき、
続いて、前記樹脂封止工程では、前記封止材（１２）の周辺部が前記ピン（２０４）の先端部からはみ出した状態となるように、前記封止材（１２）の中央部寄りの部位に前記ピン（２０４）の先端部を押し当てた状態で、前記モールド樹脂（７）による封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の金属板の間に半導体素子を挟んだものをモールド樹脂で封止してなる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置としては、たとえば、半導体素子の一面側と他面側とに金属板を設け、半導体素子の両面から放熱を可能とした半導体装置が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような半導体装置は、一般には、次のようにして製造される。まず、互いの内面にて対向する第１の金属板と第２の金属板との間に半導体素子を挟んでなるワークを形成する。
【０００４】
次に、このワークを金型のキャビティ内に設置し、キャビティの内面から突出する棒状のピンの先端部を第１の金属板の内面に押し当てることにより、ワークを金型に押し付ける。
【０００５】
それにより、モールド成形時に不必要な部位に樹脂が回りこむのを防止したり、金型内でワークが踊らないようにする。そして、この状態でキャビティ内にモールド樹脂を注入してワークを封止する。これが樹脂封止工程である。
【０００６】
その後、ワークを金型から取り出すが、このときモールド樹脂から上記ピンを抜くことによって穴部が形成される。図７は、従来の製造方法において、樹脂封止工程後に形成された当該穴部１１の近傍を示す概略断面図である。
【０００７】
図７では、第１の金属板３と第２の金属板４とが内面にて対向しており、これら両金属板３、４の間には図示しない半導体素子が挟み込まれている。ここにおいて、穴部１１はモールド樹脂７の外面から上記ピンの先端部が押し当てられていた第１の金属板３の内面まで到達する穴であり、その穴形状は上記ピンの外形に一致する。
【０００８】
そして、このままでは、モールド樹脂７の外面から第１の金属板３の内面が露出した状態となるため、半導体装置における絶縁性の確保、沿面距離の確保のために、この穴部１１に、電気絶縁性の封止材１２を充填する。これが封止材充填工程であり、こうして、半導体装置ができあがる。
【特許文献１】特開２００５−１３６０１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、従来では、上記封止材充填工程において、モールド樹脂と熱膨張係数が近い封止材を用いて封止しているものの、温度サイクルが発生した場合、モールド樹脂と封止材との界面にせん断応力が発生し、剥離が懸念される。
【００１０】
特に、この種の半導体装置では、上記図７に示されるように、半導体素子を一対の金属体３、４で両面から挟み込みこむ構造であり、そのため、穴部１１の側部には、穴部１１の底部側の第１の金属板３とは別に第２の金属板４が存在する。
【００１１】
このような構成において、上記温度サイクルが発生した場合、図７中の破線に示されるように、この第２の金属板４が伸縮し、それに伴って当該第２の金属板４の周囲のモールド樹脂７が変形する。そのため、穴部１１内の封止材１２とモールド樹脂７との界面には、大きなせん断応力が発生し、両者が剥離しやすくなる。
【００１２】
そして、このような封止材１２とモールド樹脂７との剥離が起こることにより、上記した半導体装置における絶縁性の確保、沿面距離の確保が困難になる。
【００１３】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、一対の金属板の間に半導体素子を挟んだものをモールド樹脂で封止した後、樹脂封止工程におけるワーク固定用のピンによって形成された穴部を封止材で封止してなる半導体装置の製造方法において、封止材とモールド樹脂との剥離を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、ワーク（１１０）を支持するピン（２０４）として、その外周の側面のうち両金属板（３、４）の内面の間に対応する部位であって且つ第２の金属板（４）寄りの部位に段差（２０４ａ）を有するものを用いて樹脂封止工程を行うことによって、穴部（１１）として、ピン（２０４）の段差（２０４ａ）に対応した部位に段差（１１ａ）を有するものを形成し、封止材充填工程では、穴部（１１）の段差（１１ａ）を越えないように穴部（１１）に封止材（１２）を充填することを、第１の特徴とする。
【００１５】
それによれば、第２の金属板（４）の周囲のモールド樹脂（７）の変形による上記せん断応力を、穴部（１１）の段差（１１ａ）が緩和することで、穴部（１１）における当該段差（１１ａ）より底部側の部分が変形しにくくなるため、封止材（１２）とモールド樹脂（７）との剥離を防止できる。
【００１６】
また、本発明は、樹脂封止工程の前に、第１の金属体（３）の内面のうちピン（２０４）の先端部が押し当てられる部位に、ピン（２０４）の先端部の外形よりも大きな電気絶縁性の封止材（１２）を配置しておき、続いて、樹脂封止工程では、封止材（１２）の周辺部がピン（２０４）の先端部からはみ出した状態となるように、封止材（１２）の中央部寄りの部位にピン（２０４）の先端部を押し当てた状態で、モールド樹脂（７）による封止を行うことを、第２の特徴とする。
【００１７】
それによれば、樹脂封止工程では、ピン（２０４）からはみ出している封止材（１２）の周辺部が、モールド樹脂（７）によって覆われるように封止されるため、封止材（１２）とモールド樹脂（７）との剥離を防止できる。
【００１８】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２０】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置１００の概略平面構成を示す図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。なお、図１は、図２の上視図であるが、この図１においては、半導体装置１００におけるモールド樹脂７内の各部の平面配置構成をモールド樹脂７を透過して示している。この半導体装置１００は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００２１】
図１、図２に示されるように、本半導体装置１００は、平面的に配置された２個の半導体素子１、２を備える。本例では、第１の半導体素子１はＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）１であり、第２の半導体素子２は、ＦＷＤ（フライホイールダイオード）２である。
【００２２】
そして、これら両半導体素子１、２の両面は、半導体素子１、２の電極および放熱部材として機能する一対の金属板３、４にて挟まれている。これら金属板３、４は、一般的なリードフレーム材料からなるもので、本例では銅合金にニッケルメッキを施した板材により構成されている。
【００２３】
ここで、一対の金属板３、４は、互いの内面にて対向するように配置されているが、図２において、一対の金属板３、４のうち上側に位置する金属板３を、第１の金属板３とし、下側に位置する金属板４を、第２の金属板４とする。また、各金属板３、４において、内面とは反対側の外面は放熱面３ａ、４ａとして構成されている。
【００２４】
また、第１の金属板３は、第２の金属板４よりも一回り大きな平面サイズを有するものであり、第１の金属板３の周辺部が第２の金属板４の端部からはみ出している。ここでは、図１中のＡ−Ａ方向すなわち両半導体素子１、２の配列方向にて、第１の金属板３の方が第２の金属板４よりも長くなっており、同方向における第１の金属板３の両周辺部が第２の金属板４の両端部からはみ出している。
【００２５】
そして、両半導体素子１、２は、これら両金属板３、４の内面の間に挟まれており、両半導体素子１、２の一面と第１の金属板３の内面との間は、はんだ５によって電気的・熱的に接続されている。また、両半導体素子１、２の他面と第２の金属板４との間には、ブロック体６が介在している。
【００２６】
このブロック体６は、電気導電性、熱伝導性に優れた矩形ブロック状のもので、通常銅からなるが、モリブデンなどを用いてもよい。本例では、ブロック体６は銅からなる。そして、各半導体素子１、２とブロック体６との間、および、ブロック体６と第２の金属板４の内面との間は、はんだ５によって電気的・熱的に接続されている。
【００２７】
ここで、各部を接続するはんだ５は、一般的な半導体装置の分野にて採用されるはんだ材料とすることができ、たとえば、すず−銅合金系はんだなどの鉛フリーはんだを採用することができる。
【００２８】
そして、図１、図２に示されるように、本実施形態の半導体装置１００においては、一対の金属板３、４およびこれに挟み込まれた半導体素子１、２、ブロック体６が、モールド樹脂７にて封止されている。このモールド樹脂７はエポキシ樹脂などの通常のモールド材料よりなり、型成形によって形成されたものである。
【００２９】
また、図１に示されるように、一対の金属板３、４のそれぞれにおいて放熱面３ａ、４ａが、モールド樹脂７から露出している。これにより、本半導体装置１００は、第１および第２の半導体素子１、２の両面のそれぞれにて、第１の金属板３、第２の金属板４を介した放熱が行われる両面放熱型の構成となっている。
【００３０】
また、一対の金属板３、４は、はんだ５やブロック体６を介して、両半導体素子１、２の各面の図示しない電極に電気的に接続されている。
【００３１】
ここで、図１、図２に示されるように、半導体装置１００においては、半導体素子１、２と電気的に接続された複数の端子３ｂ、４ｂ、８が設けられており、これら各端子３ｂ、４ｂ、８は、その一部がモールド樹脂７から露出するように、モールド樹脂７に封止されている。
【００３２】
ここで、本例では、一対の金属板３、４において第１の金属板３、第２の金属板４は、それぞれ、第１の半導体素子１としてのＩＧＢＴ１のコレクタ側の電極および第２の半導体素子２としてのＦＷＤ２のカソード側の電極、ＩＧＢＴのエミッタ側の電極およびＦＷＤのアノード側の電極となるものである。
【００３３】
そして、上記各端子のうちコレクタリード３ｂは、第１の金属板３と一体に成形されたものであり、第１の金属板３の端面からモールド樹脂７の外側に突出して露出している。また、エミッタリード４ｂは、第２の金属板４と一体に成形されたものであり、第２の金属板４の端面からモールド樹脂７の外側に突出して露出している。
【００３４】
また、図１、図２に示されるように、上記各端子のうち金属板３、４とは別体のリードフレームからなる端子８は、モールド樹脂７の内部にて、ＩＧＢＴ１の周囲に設けられている制御端子８である。
【００３５】
この制御端子８は、ＩＧＢＴ１のゲート端子や各種の検査用端子などとして構成されるものである。そして、ＩＧＢＴ１は、ボンディングワイヤ９を介して、制御端子８と電気的に接続されている。
【００３６】
このような構成において、第２の金属板４と半導体素子１、２との間に介在するブロック体６は、このＩＧＢＴ１と制御端子８とのワイヤボンディングを行うにあたって、ワイヤ９の高さを維持するために、ＩＧＢＴ１のワイヤボンディング面と第２の金属板４との間の高さを確保している。
【００３７】
なお、図２に示されるように、第２の金属板４における内面のうちはんだ５が設置される領域の外周には、このはんだ５の広がりを防止するための溝であるはんだ溝１０が設けられている。このはんだ溝１０は、それぞれ対応するブロック体６の平面サイズよりも一回り大きな環状の溝として構成されている。
【００３８】
このような半導体装置１００において、本実施形態では、モールド樹脂７に対して、モールド樹脂７の外面から第１の金属板３の内面まで到達する穴部１１が形成されている。この穴部１１は、後述する樹脂封止工程におけるピン２０４（後述の図３参照）を抜くことによって形成されるもので、第１の金属板３における第２の金属板４の端部からはみ出した周辺部の内面に達する穴である。
【００３９】
本実施形態では、この穴部１１は、内周の側面に段差１１ａを有する段付内孔としての丸穴形状をなしている。ここで、段差１１ａは、穴部１１の当該側面のうち半導体素子１、２寄りの部位に設けられており、段差１１ａを境として穴部１１の底部側の方が穴部１１の径が細くなっている。
【００４０】
また、この段差１１ａは、穴部１１の深さ方向において、両金属板３、４の内面の間に一致する深さに位置している。つまり、図２に示されるように、穴部１１の底部から段差１１ａまでの距離をｈ１とし、両金属板３、４の内面間の距離をｈ２としたとき、当該段差１１ａまでの距離ｈ１は、当該内面間の距離ｈ２よりも小さいものとなっている。
【００４１】
そして、この穴部１１の内部には、封止材１２が段差１１ａを越えないように充填されている。つまり、封止材１２の上面が穴部１１内における底部と段差１１ａとの間に位置するように、すなわち、封止材１２の深さが上記段差１１ａまでの距離ｈ１（図２参照）よりも浅くなるように、封止材１２は充填されている。
【００４２】
この封止材１２は、エポキシ樹脂など、この種の封止材として使用可能な一般的な電気絶縁性の材料よりなる。そして、この封止材１２によって、穴部１１の底部に位置する第１の金属板３の内面が封止された状態となるため、半導体装置１００における絶縁性の確保、沿面距離の確保が実現されている。
【００４３】
次に、上記半導体装置１００の製造方法について、述べる。まず、上記図１、図２においてモールド樹脂７が無いもの、すなわち、モールド樹脂７によって樹脂封止されるワーク（後述の図３参照）を作製する。
【００４４】
第１の金属板３の内面の上に、はんだ泊を介して、半導体素子１、２を搭載する。そして、この半導体素子１、２の上に、はんだ泊を介して、ブロック体６を搭載する。次に、このようにして各部１、２、３、６がはんだ箔を介して積層されたものにおいて、はんだ泊をリフローさせることにより各部１、２、３、６をはんだ付けする。
【００４５】
そして、上記制御端子８となるリードフレームとＩＧＢＴ１との間でワイヤボンディングを行い、上記ワイヤ９による結線を行う。なお、このワイヤボンディングは、ブロック体６を積層する前のＩＧＢＴ１において、ＩＧＢＴ１と第１の金属板３とをはんだ付けした状態で行い、続いて、ブロック体６の積層を行ってもよい。
【００４６】
こうして、制御端子８と接続されたものにおいて、ブロック体６にはんだ５を施しておき、ブロック体６と第２の金属板４の内面とを、当該はんだ５を介して組み付け、続いて、はんだリフローを行う。これによって、上記図１、図２においてモールド樹脂７が無い状態のワークができあがる。
【００４７】
次に、このワークをモールド樹脂７により封止し、さらに封止材１２の充填を行う。図３は、本製造方法における樹脂封止工程を示す工程図であり、金型２００および金型２００内の当該ワーク１１０の概略断面を示している。また、図４は樹脂封止工程後のワーク１１０を示す図であり、（ａ）は第２の金属板４側の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。また、図５は封止材充填工程を示す工程図である。
【００４８】
図３に示されるように、ワーク１１０は、第１の金属板３の周辺部が第２の金属板４の端部からはみ出した状態で互いの内面にて対向する第１の金属板３と第２の金属板４との間に、半導体素子１、２を挟んでなるものである。
【００４９】
金型２００は、一般的なトランスファーモールド法に用いられるものと同様に、上型２０１と下型２０２とを合致させることにより、これら上型２０１と下型２０２との間にキャビティ２０３を形成するものである。
【００５０】
そして、この金型２００のキャビティ２０３の内面には、当該内面から突出する棒状のピン２０４が設けられている。このピン２０４は、上記したモールド樹脂７の穴部１１の穴形状に対応した外形を有するものであり、本実施形態では、段付き丸棒形状をなすものである。
【００５１】
そして、当該ピン２０４の外周の側面のうち両金属板３、４の内面の間に対応する部位であって且つ半導体素子１、２寄りの部位すなわち第２の金属板４寄りの部位には、上記穴部１１の段差１１ａに対応する段差２０４ａが形成されている。
【００５２】
つまり、このピン２０４の段差２０４ａは、当該段差２０４ａを境としてピン２０４の先端部側の方がピン２０４の径が細くなるように設けられている。そして、このピン２０４の突出方向において、両金属板３、４の内面の間に一致する高さに位置する部分に、ピン２０４の段差２０４ａが設けられている。
【００５３】
さらに言うならば、図３に示されるように、ピン２０４の先端部から段差２０４ａまでの距離ｈ３は、上記穴部１１の底部から段差までの距離ｈ１（図２参照）と同じ大きさであり、両金属板３、４の内面間の距離ｈ２よりも小さいものとなっている。このピン２０４は、たとえば金型２００に一体に成形されたものとして構成されるが、金型２００に対して強固に接合された別体のものであってもよい。
【００５４】
このような金型２００のキャビティ２０３内に、ワーク１１０を設置して樹脂封止工程を行う。このとき、図３に示されるように、ピン２０４の先端部を第１の金属板３の内面、すなわち第１の金属板３における第２の金属板４の端部からはみ出した周辺部の内面に押し当てることにより、ワーク１１０を金型２００に押し付けた状態とする。
【００５５】
そして、この状態で、キャビティ２０３内にモールド樹脂７を注入してワーク１１０を封止する。ここまでが、樹脂封止工程であり、その後、金型２００から樹脂封止されたワーク１１０を取り出すと、図４に示される状態となる。
【００５６】
ここで、金型２００からワーク１１０を取り出すときには、ピン２０４がモールド樹脂７から抜かれることにより、取り出されたワーク１１０においては、ピン２０４を抜いた跡として当該ピン２０４の外形と一致した段付き内孔形状をなす穴部１１が形成される。図４に示されるように、穴部１１をその開口部から眺めたとき、段差１１ａと底部に位置する第１の金属板３の内面とが確認される。
【００５７】
つまり、樹脂封止工程後には、ピン２０４の段差２０４ａに対応した部位に段差１１ａを有する穴部１１が形成され、この穴部１１は、上述したように、両金属板３、４の内面の間に一致する深さに位置する穴部１１の部分の内周側面のうち、第２の金属板４の端面寄りの部位に設けられるとともに、段差１１ａを境として穴部１１の底部側の方が穴部１１の径が細くなるような段形状を有するものである。
【００５８】
続いて、図５に示される封止材充填工程では、このワーク１１０に対して、穴部１１内に封止材１２を充填する。ここで、上述したように、充填後の封止材１２の上面が、穴部１１内における底部と段差１１ａとの間に位置するように、封止材１２の充填を行う。
【００５９】
なお、この充填は、たとえば、封止材１２を滴下する滴下治具などを用いて穴部１１に封止材１２を注入した後、これを加熱などにより硬化させることにより行われる。こうして、穴部１１への封止材１２の充填が完了すると、本実施形態の半導体装置１００ができあがる。
【００６０】
ところで、本実施形態の上記製造方法によれば、ワーク１１０を支持するピン２０４として、その外周の側面のうち両金属板３、４の内面の間に対応する部位であって且つ第２の金属板４寄りの部位に段差２０４ａを有するものを用いて樹脂封止工程を行い、それによって、当該ピン２０４の跡としての穴部１１として、ピン２０４の段差２０４ａに対応した部位に段差１１ａを有するものを形成し、封止材充填工程では、穴部１１の段差１１ａを越えないように封止材１２を充填している。
【００６１】
それによれば、上記図７に示したようなせん断応力、すなわち、温度サイクルによる第２の金属板４の周囲のモールド樹脂７の変形によって封止材１２とモールド樹脂７との界面に発生するせん断応力が、穴部１１の段差１１ａによって緩和される。
【００６２】
そのため、穴部１１における当該段差１１ａより底部側の部分が変形しにくくなり、段差１１ａよりも底部側に設けられている封止材１２においては、モールド樹脂７と間の剥離を防止することができる。
【００６３】
なお、上記製造方法において、モールド樹脂７が無い状態の上記ワーク１１０を作製した後に、上記図３〜図５に示される樹脂封止工程および封止材充填工程を行う代わりに、次の、図６に示されるような工程を行ってもよい。図６は、本実施形態の製造方法のもう一つの例を断面的に示す工程図である。
【００６４】
この例では、上記と同様のワーク１１０を作製した後に、図６（ａ）に示されるように、このワーク１１０において、第１の金属体３の内面のうち次の樹脂封止工程においてピン２０４の先端部が押し当てられる部位に、ピン２０４の先端部の外形よりも大きな外形の封止材１２を配置しておく。
【００６５】
たとえば、図６（ａ）において、円柱状のピン２０４の直径をｄ１としたとき、封止材１２は、この直径ｄ１よりも大きな直径ｄ２を有する円盤状のものとすればよい。この場合の封止材１２は、上記したものと同様のエポキシ樹脂などを塗布して硬化させるものでもよいが、シート状に成形されたものを、第１の金属体３の内面に貼り付けることにより設置してもよい。
【００６６】
続いて、このワーク１１０を図６（ｂ）に示されるように、上記したものと同様の金型２００内に設置し、樹脂封止工程を行う。このとき、封止材１２の周辺部がピン２０４の先端部からはみ出した状態となるように、封止材１２の中央部寄りの部位にピン２０４の先端部を押し当てる。
【００６７】
そして、この状態でモールド樹脂７の注入を行い、モールド樹脂７によるワーク１１０の封止を行うと、図６（ｃ）に示されるように、ピン２０４からはみ出している封止材１２の周辺部が、モールド樹脂７によって覆われるように封止される。こうして、図６（ｃ）に示されるような半導体装置１００’が完成する。
【００６８】
ここで、図６（ｃ）に示される半導体装置１００’においては、ピン２０４を抜いた跡としての穴部１１および封止材１２の形状が、上記図１、図２に示される半導体装置１００とは相違するが、それ以外の部分については同様である。
【００６９】
図６（ｃ）に示される半導体装置１００’では、穴部１１は従来と同様のストレートな内周側面を有するものである。また、封止材１２を見てみると、その周辺部がモールド樹脂７によって覆われており、あたかも穴部１１の内周側面に封止材１２の周辺部が食い込んだ形となっている。
【００７０】
つまり、この場合、従来のようなストレートな穴部の内周側面が封止材とモールド樹脂との界面となっている構成（上記図７参照）に比べて、明らかに剥離しにくい構成となっている。そのため、この場合においても、封止材１２とモールド樹脂７との剥離を防止することができる。
【００７１】
また、この場合、図６（ｃ）に示されるように、穴部１１の深さ方向において両金属板３、４の内面の間に対応する部位に、封止材１２の上面が位置するように、封止材１２の厚さを決めることが望ましい。
【００７２】
それによれば、封止材１２は、穴部１１の深さ方向の底部寄りすなわち第１の金属板３寄りに配置された形となり、第２の金属板４の周囲のモールド樹脂７の変形による応力が実質的に及ばない部位に、封止材１２が配置されたものにできる。
【００７３】
また、この図６に示される方法では、従来の樹脂封止後に行う封止材充填工程を、実質的に樹脂封止前に行うものとなるが、金型２００のピン２０４については、従来の構成のようなストレートのものでよい。
【００７４】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、ピン２０４は円柱形状、穴部は丸穴形状であったが、ピン２０４を角柱形状とし穴部を角穴形状としてもよい。その場合でも、上記実施形態の各製造方法を採用して、同様の効果を発揮できることは明らかである。
【００７５】
また、一対の金属板３、４に挟まれる半導体素子としては、両面に配置される一対の金属板３、４を電極や放熱板として用いることが可能なものであれば、上記したＩＧＢＴ１やＦＷＤ２でなくてもよい。また、半導体素子は２個に限定されるものではなく、１個でもよいし、３個以上でもよい。
【００７６】
また、上記実施形態では、キャビティ２０３内でワーク１１０を支持するピン２０４としては、２本であったが、ピン２０４の本数は１本でもよいし、３本以上でもよい。このような場合にも、それぞれのピン２０４に関する部位について、上記各製造方法を適用すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ概略断面図である。
【図３】上記実施形態に係る製造方法における樹脂封止工程を示す工程図である。
【図４】樹脂封止工程後のワークを示す図であり、（ａ）は第２の金属板側の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ概略断面図である。
【図５】封止材充填工程を示す工程図である。
【図６】上記実施形態に係る半導体装置の製造方法のもう一つの例を示す工程図である。
【図７】従来の製造方法において樹脂封止工程後に形成された穴部の近傍を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１…半導体素子としてのＩＧＢＴ、２…半導体素子としてのＦＷＤ、
３…第１の金属板、４…第２の金属板、７…モールド樹脂、
１１…穴部、１１ａ…穴部の段差、１２…封止材、１１０…ワーク、
２００…金型、２０３…キャビティ、２０４…ピン、２０４ａ…ピンの段差。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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