(57)【要約】【課題】  安定した信頼性の高い書き込み能力を保障できるライト電流及びオーバーシュートの調整を行うことができる記憶装置等を提供する。【解決手段】  記憶媒体に情報を書き込むためのライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変とすることができる電流パラメータ可変部と、前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出するエラーレイトパラメータ検出部と、前記エラーレイトパラメータ検出部により検出されたエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出部と、前記飽和率算出部により得られた飽和率に基づいて、前記電流パラメータを決定して設定する電流パラメータ設定部とを備えてなる。【選択図】  図１
2008159206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライト電流を用いて記憶媒体に情報を書き込む記憶装置において、
前記記憶媒体に情報を書き込むためのライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変とすることができる電流パラメータ可変部と、
前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出する検出部と、
前記検出部により検出されたエラーレイト又はエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出部と、
前記飽和率算出部により得られた飽和率に基づいて、前記電流パラメータを決定して設定する電流パラメータ設定部と
を備えてなる記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶装置において、
前記検出部は、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の記憶装置において、
前記検出部により、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するか又はサイドイレーズを含まないエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するかについての選択部を備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
ライト電流を用いて記憶媒体に情報を書き込む記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法であって、
ライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変として前記記憶媒体に情報を書き込む書き込みステップと、
前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出されたエラーレイト又はエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出ステップと、
前記飽和率算出ステップにより得られた飽和率に基づいて、前記ライト電流とオーバーシュート量を決定して設定する電流パラメータ設定ステップと
を備えてなる記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法。
【請求項５】
ライト電流を用いて記憶媒体に情報を書き込む記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法をコンピュータに実行させるライト電流オーバーシュート量調整プログラムであって、
ライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変として前記記憶媒体に情報を書き込む書き込みステップと、
前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出されたエラーレイト又はエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出ステップと、
前記飽和率算出ステップにより得られた飽和率に基づいて、前記ライト電流とオーバーシュート量を決定して設定する電流パラメータ設定ステップと
を備えてコンピュータに実行させる記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶装置、記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法およびプログラムに関し、例えば、デスクトップ・パソコン、ノートブック、サーバ、ＡＶ機器、自動車製品等多種の製品へ近年使用されているＨＤＤの記録制御、読み取り制御、並びにＨＤＤの信頼性に関わる技術として、ライト電流及びそのオーバーシュート量を最適値に調整し得るようにした記憶装置、記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法およびプログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＨＤＤの記録密度の向上（面密度の向上）に伴い、線密度（ＢＰＩ）／転送速度が向上しておりライト性能に対しても向上が必要になっている。より高い線密度及び転送速度でライト性能を上げるには、ライト電流の立ち上がり・立下り速度の向上、並びに電流のアップが望まれる。
【０００３】
しかしながら、立ち上がり・立下り速度についてはPreAmplifier IC (以下Pre Amp)の特性と設定されるライト電流で概ね決定される。また、Pre Ampにおいては、その立ち上がり・立下り特性を決める補助的な機能としてライト電流の立ち上がり時のオーバーシュート量を調整可能なものが一般的になって来ている。
【０００４】
そこで、ライト性能を左右するライト電流のオーバーシュート調整が広く要求されるようになってきている。
【０００５】
例えば一例として、ディスク装置の動作温度に相当するテスト条件下で記録パラメータを変化させながらエラー率を調べる段階と、最も低いエラー率を示す記録パラメータ値を選択する段階と、動作環境で選択された記録パラメータ値を使用して前記ディスク装置の記録電流を最適化する段階とを有するライト電流の調整方法が知られている（例えば下記特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１９９８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記公報に示される従来の技術では、ヘッドの記録性能を保証する限度での最小の書き込み電流及びオーバーシュート電流（ＯＳＣ）をエラーレイトの最小のものを用いて設定するようにしている。この場合、最小値が２つ以上ある場合は、正規化手法を用いていた。
【０００７】
しかし、このような電流パラメータの最小値を選択する調整方法は、全体の傾向からの特性を見ることができず、使用環境変化、経年変化等における信頼性維持に疑問が生じる。
【０００８】
本発明は、飽和率の概念を導入し、飽和特性と隣接トラックからのイレーズによる影響の両方または片方を用いて電流パラメータ（ライト電流及びオーバーシュート量）の最適化を図ることにより、安定した信頼性の高い書き込み能力を保障できるライト電流及びオーバーシュートの調整を行うことができる記憶装置、記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法およびプログラムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するため、本発明は、ライト電流を用いて記憶媒体に情報を書き込む記憶装置において、前記記憶媒体に情報を書き込むためのライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変とすることができる電流パラメータ可変部と、前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出する検出部と、前記検出部により検出されたエラーレイト又はエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出部と、前記飽和率算出部により得られた飽和率に基づいて、前記電流パラメータを決定して設定する電流パラメータ設定部とを備えてなるものである。
【００１０】
また、本発明の記憶装置において、前記検出部は、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の記憶装置において、前記検出部により、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するか又はサイドイレーズを含まないエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するかについての選択部を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、ライト電流を用いて記憶媒体に情報を書き込む記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法であって、ライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変として前記記憶媒体に情報を書き込む書き込みステップと、前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出する検出ステップと、前記検出ステップにより検出されたエラーレイト又はエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出ステップと、前記飽和率算出ステップにより得られた飽和率に基づいて、前記ライト電流とオーバーシュート量を決定して設定する電流パラメータ設定ステップとを備えてなるものである。
【００１３】
また、本発明は、ライト電流を用いて記憶媒体に情報を書き込む記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法をコンピュータに実行させるライト電流オーバーシュート量調整プログラムであって、ライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変として前記記憶媒体に情報を書き込む書き込みステップと、前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出する検出ステップと、前記検出ステップにより検出されたエラーレイト又はエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出ステップと、前記飽和率算出ステップにより得られた飽和率に基づいて、前記ライト電流とオーバーシュート量を決定して設定する電流パラメータ設定ステップとを備えてコンピュータに実行させるものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、エラーレイトが安定的に最小となるライト電流およびオーバーシュートの最適化をはかるとともに、ライト性能または隣接トラックからのイレーズによる影響を最小限に抑えることができる最適パラメータを提供することが可能となる。
また、ライト電流およびオーバーシュートの最適化により、特にヒータ付きヘッドを備えた装置においてヘッドの信頼性や寿命を向上させるのに効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図を用いて説明する。
【００１６】
実施の形態１．
以下、本発明の実施の形態を記憶装置として磁気ディスク装置を例にとって説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施の形態における磁気ディスク装置（ＨＤＤ）１を示すブロック図である。このＨＤＤ１は、ＨＤＤ１の制御並びにＨＯＳＴ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅとの交信制御を行うプリント板回路（ＰＣＡ）２側に、主にインターフェース・プロトコル制御、データバッファ制御、ディスク・フォーマット制御を行うＨＤＣ（Hard Disc Controller）３と、ＨＤＣ３、後述するＲＤＣ、ＳＶＣを制御すると共にＲＡＭ（Random  Access Memory）４、ＲＯＭ（Flash ROM）５を管理するＭＣＵ（Micro  Control Unit）６とを備える。また、データの書き込み／読み出し制御（データ変調／復調）を行うＲＤＣ（Read Chanel）７と、後述するＶＣＭ制御、ＳＰＭ制御を行うＳＶＣ（Servo Control IC）８とを備える。
【００１８】
また、ＨＤＤ１は、ディスク筐体９側にヘッドに対して書き込み動作及びヘッドからのリード動作等を行う固定アンプであり、ヘッドの本数（Ｎ）に応じてチャネルを持つプリアンプ（Pre Amprifier）１０を備えている。
【００１９】
プリアンプ１０においては、ライトドライバ（Write Driver）１１、リードプリアンプ（Read Preamplifier）１２、ヒータドライバ（HEATER Driver）１３とその制御回路１４を備えている。
【００２０】
また、このＨＤＤ１は、ヘッドを支えるアクチュエータの動作制御を行うボイスコイルモータ（Voice Coil Motor）ＶＣＭ１５と、データの書き込みが行われ記録保持される記録媒体（Media）である磁気ディスク１６を保持するスピンドル軸の回転制御を行うスピンドルモータ（Spindle Motor）ＳＰＭ１７と、データの書き込み用ライトヘッドおよび読み出し用ＭＲヘッドをもつ複合型ヘッドであるヘッド１８とを備えている。また温度センサ１９を備えている。
【００２１】
実施の形態におけるＨＤＤ１は本発明の記憶装置に対応し、実施の形態におけるヘッド１８及びプリアンプ１０は本発明の書き込み部及び電流パラメータ可変部を構成している。また、ＲＡＭ４、ＲＯＭ５及びＭＣＵ６等は、ヘッド及びプリアンプ１０と協働して、本発明の検出部、飽和率算出部、電流パラメータ設定部を構成する。
【００２２】
以下、本発明の実施の形態における動作概要について説明する。図２乃至図４にライト電流設定とエラーレイトの相関関係である飽和特性を示している。図２は、設定４０ｍＡ以降はエラーレイトが変わらず、ほぼ飽和している特性を示している。図３は、設定８０ｍＡでも飽和しきれておらず、未飽和特性を示している。図４は、設定２５ｍＡでほぼ飽和しており、その後電流の増加と共にエラーレイトは悪化しており過飽和特性を示している。
【００２３】
図４に示すような現象は、磁気ディスク媒体に記録されたデータが過度な電流印加によって、既に書き込み済みのデータが磁界消去されたような現象であるため記録減磁と一般に呼ばれる。
【００２４】
図５はライト電流のオーバーシュート設定値を示している。オーバーシュート量はライト電流０-Ｐ値のパーセント(％)値で与えられる。この例の場合は、５段階の設定値例（ＯＶＳ設定１〜ＯＶＳ設定５）を示している。図６は、それぞれのオーバーシュート設定値に対してライト電流を変化させた場合のエラーレイトとの相関図である。
【００２５】
オーバーシュート設定値が大きい（すなわち％値が高い）程、飽和が速く低いライト電流値で最小エラーレイトに到達していることがわかる。ライト電流は、ヘッド１８に対しては発熱作用があるためヘッド素子の温度上昇を招くので、高い温度で使用した場合には寿命に影響を与えることとなる。そこで、なるべく低いライト電流で使用することが望ましい。
【００２６】
また、発熱によってヘッド素子部が膨張し、媒体（磁気ディスク）とのスペースを縮める方向に作用するため、ヘッド−媒体間で発生する干渉作用（HDI:HEAD DISK INTERFERANCE)、 即ちヘッドクラッシュに対するマージンが減少する方向に働く。このためにも、ライト電流値は低めに使用することが望ましい。
【００２７】
図６に示した例で最適なオーバーシュート設定値を求める方法の一例を以下に説明する。本実施の形態では、以下の式で定義される飽和率を導入して図６に適用し、電流パラメータの最適値を決定する。
【００２８】
飽和率＝
[（エラーレイト最小値）- (ある規定ライト電流値でのエラーレイト）]／
[（エラーレイト最小となるライト電流値）−（ある規定ライト電流値）]
・・・（１）
【００２９】
即ち、飽和率は、「単位ライト電流値に対するエラーレイト変化」を示している。
【００３０】
図７は、図６に対して飽和率を算出したものである。すなわち、図７に示すテーブルは、オーバーシュート（ＯＶＳ設定値１〜５）に対して、それぞれ、「ライト電流値１０ｍＡ時のエラーレイト」、「エラーレイト最小値」、「エラーレイト最小となるライト電流値」、「飽和率」を示したものである。飽和率を定めた（１）式との関係において、「ある規定ライト電流値」が１０ｍＡに相当している。
【００３１】
こうして、得られた図７において、飽和率に対してある一定基準を設けると選択されるオーバーシュート設定値が決定される。上記の場合、飽和率≦-0.08とした場合、ＯＶＳ設定値４又は、ＯＶＳ設定値５が選択される。
【００３２】
さらに最適解を求める必要があるので、飽和率が一番低く、かつエラーレイトが最小となる場合を選択すれば、この場合「ＯＶＳ設定値５でライト電流２５ｍＡ」が選択される。
【００３３】
以下、動作について、図８のフローチャートを用いて説明する。図８はサイドイレーズを考慮しない（含まない）電流パラメータ調整方法の動作を示すフローチャートである。
【００３４】
まず、温度センサ１９により温度が検出され、その温度に応じた調整（常温、低温、高温調整）が行われる（ステップＳ１，Ｓ２）。ここでは、常温下において行われる常温調整について説明する。
【００３５】
常温調整が選択され常温使用のレンジ設定（調整用のテーブル選択）が行われライト電流及びオーバーシュート範囲が設定される（ステップＳ３）。まず、測定ヘッド及び測定トラックが選択され（ステップＳ４）、一つのライト電流の値及びオーバーシュート量が設定され書き込みが行われる（ステップＳ５）。次に書き込んだデータに対してエラーレイト（例えばＶＭＭ（Viterbi Metric Margin））が測定され（ステップＳ６）、メモリへ格納する（ステップＳ７）。以上の動作をライト電流値及びオーバーシュート量の測定ポイントに対して繰り返すと共に（ステップＳ８，Ｓ９）、異なる測定トラック、異なる測定ヘッドに対して同様に行う（ステップＳ１０、Ｓ１１）。なお、ＶＭＭ（Viterbi Metric Margin）はＣＳＭ（Channel Statistics Measurement）と呼ばれることがあるが、本明細書においては、ＶＭＭという用語をもちいることとする。ＶＭＭは２つのパスによるメトリック値の差がある閾値を下回った場合の数で定義され、１００セクタ（約４０万ビット）読み出し時の総和で与えられる。
【００３６】
こうして、図７に示したようなデータが採取されると、次にこのテーブルを用いて飽和率を算出し（ステップＳ１２）、その最小値が選択され、電流パラメータの設定値としてメモリに格納される（ステップＳ１３）。
【００３７】
実施の形態２．
次に本発明の実施の形態２として、サイドイレーズを考慮した場合について説明する。
【００３８】
図９は磁気ディスクの複数のトラック（シリンダ）を示す図である。実施の形態２では、図９に示すように、測定シリンダ（トラック）Ｎの両側のシリンダＮ−１,Ｎ＋１にシリンダＮとは別なデータを書き込んだ場合に、サイドイレーズの影響によってエラーレイトが変化する場合の対策（電流パラメータ調整）について説明する。図１０は、Ｎ−１,Ｎ＋１のシリンダへｍ回の書き込みを行った場合のエラーレイトの変化の様子を示している。
【００３９】
この図１０の測定結果に対して、実施の形態１と同様に、サイドイレーズ後でのエラーレイト最小値、飽和率を求めると図１１のようになる。こうして、得られた図１１において、飽和率が最小となる最適値は、「ＯＶＳ設定値４でライト電流２５ｍＡ」である。
【００４０】
以上のように、隣接トラックにライトをしない場合の最適解は、実施の形態１で示したように、「ＯＶＳ設定値５でライト電流２５ｍＡ」であったが、上記例で隣接トラックをライト（サイドイレーズ）した場合での最適解は、「ＯＶＳ設定値４でライト電流２５ｍＡ」であった。
【００４１】
以下、動作について、図１２のフローチャートを用いて説明する。図１２は図８と異なり、サイドイレーズを考慮した（含む）電流パラメータ調整方法の動作を示すフローチャートである。
【００４２】
まず、温度センサ１９により温度が検出され、その温度に応じた調整（常温、低温、高温調整）が行われる（ステップＳ２１，Ｓ２２）。ここでは、常温下において行われる常温調整について説明する。
【００４３】
常温調整が選択され常温使用のレンジ設定（調整用のテーブル選択）が行われライト電流及びオーバーシュート範囲が設定される（ステップＳ２３）。まず、測定ヘッド及び測定トラックが選択され（ステップＳ２４）、一つのライト電流の値及びオーバーシュート量が設定される（ステップＳ２５）。
【００４４】
まず、トラックＮにデータをライトし（ステップＳ２６）、測定トラック±α（１，２，３・・・ｎ）にＭ回（任意回数）データをライトする（ステップＳ２７）。次に書き込んだデータに対してエラーレイト（例えばＶＭＭ）を測定し（ステップＳ２８）、メモリへ格納する（ステップＳ２９）。
【００４５】
以上の動作をライト電流値及びオーバーシュート量の測定ポイントに対して繰り返すと共に（ステップＳ３０，Ｓ３１）、異なる測定トラック、異なる測定ヘッドに対して同様に行う（ステップＳ３２、Ｓ３３）。
【００４６】
こうして、図１１に示したようなデータが採取されると、次にこのテーブルを用いて飽和率を算出し（ステップＳ３４）、その最小値が選択され、電流パラメータの設定値としてメモリに格納される（ステップＳ３５）。
【００４７】
実施の形態１、２のどちらの調整方法を採用するかについては、高ＴＰＩ化（トラックの高密度化）が進んだ場合には隣接トラックからの影響をより受けやすくなるので、実施の形態２のサイドイレーズを考慮した調整方法を採用することが望ましい。一方、高ＴＰＩ化がなされていない媒体に対しては、処理時間の優位性から実施の形態１の調整方法を採用することが望ましい。
【００４８】
実施の形態３．
実施の形態３として、実施の形態１で説明したように、サイドイレーズを含まない飽和率について閾値以下となる電流パラメータの候補を取得し、これら取得された候補の電流パラメータとしてさらにサイドイレーズを含む場合の飽和率を算出して、最終的に電流パラメータを決定するようにすることもできる。
【００４９】
図１３は実施の形態３の動作を示すフローチャートである。
まず、電流パラメータの候補を取得する（ステップＳ４１）。この処理は、図８に示したステップＳ１〜ステップＳ１２の処理に加え、ステップＳ１２で得られた飽和率から所定の飽和率を満たす電流パラメータを選択取得する処理により行われる。こうして電流パラメータの候補が取得されると、これらの候補に対して、次に、サイドイレーズを考慮した電流パラメータの設定が行われる（ステップＳ４２）。この処理は、取得された電流パラメータの候補に対して、図１２で示したステップＳ２４〜ステップＳ３５までの処理により行われる。
【００５０】
実施の形態３によれば、最終的には、サイドイレーズを考慮した飽和率の算出（電流設定）を少ない電流パラメータについて行うことができるため、処理時間の短縮を図ることができる。
【００５１】
実施の形態４．
実施の形態４として、サイドイレーズを含む飽和率の算出からの電流パラメータの設定と、サイドイレーズを含まない飽和率の算出からの電流パラメータの設定を、使用される磁気ディスクに応じて選択するようにする場合について説明する。図１４は実施の形態４の動作を示すフローチャートである。
【００５２】
実施の形態４では、実施の形態１の動作（調整モード）と実施の形態２の動作（調整モード）を選択可能にしたものであり、高密度化されていない磁気ディスクに対してはサイドイレーズを考慮する必要性に乏しく、この場合は、実施の形態１の動作（サイドイレーズ不採用モード）を選択する（ステップＳ５１，５２，５３）。一方、高密度化された磁気ディスクに対しては、サイドイレーズを考慮したほうが信頼性向上のために望ましく、この場合は実施の形態２の動作(サイドイレーズ採用モード)を選択する（ステップＳ５１，５２，５４）。
【００５３】
実施の形態４によれば、必要に応じて電流パラメータの調整モード（サイドイレーズ採用／不採用モード）を選択することができるので、使用勝手に優れたものとなる。
【００５４】
実施の形態５．
以下、エラーレイトとして、簡易エラーレイト測定手段（ビタビ検出回路におけるトレリス・マージン）を用いてエラーレイトを示した例について説明する。先に「ＶＭＭは２つのパスによるメトリック値の差がある閾値を下回った場合の数で定義され、１００セクタ（約４０万ビット）読み出し時の総和で与えられる。」と記したが、トレリスマージンとはある閾値を下回った数を対数表示して与えられる。例えば、1000個の場合はLOG(1000)=3.0,  10000個の場合はLOG(10000)=4.0と表記される。図１５、図１６の縦軸表記がこの意味を示している。
【００５５】
図１５は、オーバーシュートを５段階に設定した例であり、ＯＶＳ１〜ＯＶＳ５まで変化させている。この場合、各ＯＶＳ設定に対してトレリス・マージンは単調減少するような飽和特性を示している。
【００５６】
これに対して図１６では、ＯＶＳ１〜ＯＶＳ４までは、単調減少ではあるが、ＯＶＳ５の場合は、一旦トレリス・マージンが最小となりながら、再度増加するような特性を示している。
【００５７】
この減少は、図４にも示したような記録減磁と呼ばれるものであり、ライト電流増加に伴いエラーレイトが悪化するという好ましく無い現象である。この二者の場合において、飽和率を電流設定１５ｍＡ〜２５ｍＡ,２５ｍＡ〜４０ｍＡの区間で求めた場合をそれぞれ図１７、図１８に示す。
【００５８】
飽和率は、「単位ライト電流値に対するエラーレイト変化」であるから、トレリス・マージンの場合はその変化量が小さいほど良い。図１７の場合は、１５〜２５ｍＡの区間および２５〜４０ｍＡの区間においてもＯＶＳ５が最小であるから、ＯＶＳ設定はＯＶＳ５が選ばれる。
【００５９】
これに対して図１８では、１５〜２５ｍＡの区間では、ＯＶＳ５が最小値を示しているが、２５〜４０ｍＡの区間におけるＯＶＳ５設定での値はマイナスを示しており、記録減磁の様子が見える。
【００６０】
飽和率がマイナスを示す場合は、エラーレイトが逆に悪化している現象を示しているので、この場合は選択対象から除外される。したがって、１５〜２５ｍＡの区間および２５〜４０ｍＡの区間の両者において正の最小値であるＯＶＳ４がこの場合は選択される。
【００６１】
実施の形態５では、飽和率を求めるに際して、ライト電流の範囲を複数区間（区間）に分け、各範囲における飽和率から正の最小値をもつライト電流とオーバーシュート量を決定するようにした。このような構成によれば、より精度の高い電流パラメータの設定が可能となる。なお、この複数区間の分割は図１５、図１６に示したグラフで視認できるように、あるオーバーシュート量の設定（ＯＶＳｎ）に対し、ライト電流に対するエラーレイト（トレリス・マージン）の変化率が急変するポイント（例えば極性の変更点）により自動的に区分けするように構成することができる。
【００６２】
以上、本発明の実施の形態によれば、飽和率の概念導入とエラーレイト[その代替手段(例えば、簡易エラーレイト測定手段としてビタビ検出回路におけるトレリス・マージン）]を用いて、エラーレイトが安定的に最小となるライト電流およびオーバーシュートの最適化をはかるとともに、ライト性能および隣接トラックからのイレーズによる影響を最小限に抑えることができる最適パラメータを提供することが可能となる。
【００６３】
なお、本実施の形態で図示したフローチャートやステップに示された各動作をコンピュータにより実行させるプログラムを提供することにより、本発明の調整プログラムを提供することができる。これらプログラムはコンピュータにより読取可能な媒体に記録されてコンピュータにより実行させることができる。コンピュータは、パーソナルコンピュータのようなホスト装置、試験装置のコントローラ、記憶装置のＭＰＵやＣＰＵのようなコントローラなどを含む。ここで、コンピュータにより読取可能な媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスク、ＤＶＤディスク、光磁気ディスク、ＩＣカード等の可搬型記憶媒体や、コンピュータプログラムを保持するデータベース、或いは、他のコンピュータ並びにそのデータベースや、更に回線上の伝送媒体をも含むものである。
（付記１）
ライト電流を用いて記憶媒体に情報を書き込む記憶装置において、
前記記憶媒体に情報を書き込むためのライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変とすることができる電流パラメータ可変部と、
前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出する検出部と、
前記エラーレイトパラメータ検出部により検出されたエラーレイト又はエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出部と、
前記飽和率算出部により得られた飽和率に基づいて、前記電流パラメータを決定して設定する電流パラメータ設定部と
を備えてなる記憶装置。
（付記２）
付記１に記載の記憶装置において、
前記検出部は、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出することを特徴とする記憶装置。
（付記３）
付記１に記載の記憶装置において、
前記検出部により、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するか又はサイドイレーズを含まないエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するかについての選択部を備えることを特徴とする記憶装置。
（付記４）
付記１に記載の記憶装置において、
前記検出部によりサイドイレーズを含まない第１エラーレイトパラメータを検出させて、該第１エラーレイトパラメータに基づいて、前記飽和率算出部に第１飽和率を算出させて、該第１飽和率から電流パラメータの候補を取得し、
さらに該電流パラメータの候補について前記検出部によりサイドイレーズを含む第２エラーレイトパラメータを検出させ、該第２エラーレイトパラメータに基づいて、前記飽和率算出部に第２飽和率を算出させて、該第２飽和率に基づいて前記電流パラメータ設定部により電流パラメータを設定させる電流パラメータ設定制御部を備えることを特徴とする記憶装置。
（付記５）
付記１に記載の記憶装置において、
前記検出部は、前記エラーレイトに対応するパラメータとして、ＶＭＭを検出することを特徴とする記憶装置。
（付記６）
付記１に記載の記憶装置において、
前記飽和率算出部は、前記検出部により得られたライト電流とエラーレイト又はエラーレイトパラメータとの関係に基づいて前記飽和率を算出する区間を設定し、各区間において前記飽和率を算出し、
前記電流パラメータ設定部は、前記各区間において得られた複数の飽和率に基づいて前記電流パラメータを決定することを特徴とする記憶装置。
（付記７）
付記１に記載の記憶装置において、
前記記憶装置は、記憶媒体として磁気ディスクを用いる磁気ディスク装置であることを特徴とする記憶装置。
（付記８）
ライト電流を用いて記憶媒体に情報を書き込む記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法であって、
ライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変として前記記憶媒体に情報を書き込む書き込みステップと、
前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出されたエラーレイト又はエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出ステップと、
前記飽和率算出ステップにより得られた飽和率に基づいて、前記ライト電流とオーバーシュート量を決定して設定する電流パラメータ設定ステップと
を備えてなる記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法。
（付記９）
付記８に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法において、
前記検出ステップは、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出することを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法。
（付記１０）
付記８に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法において、
前記検出ステップにより、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するか又はサイドイレーズを含まないエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するかについての選択ステップを備えることを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法。
（付記１１）
付記８に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法において、
前記検出ステップによりサイドイレーズを含まない第１エラーレイトパラメータを検出させて、該第１エラーレイトパラメータに基づいて、前記飽和率算出ステップに第１飽和率を算出させて、該第１飽和率から電流パラメータの候補を取得する電流パラメータ候補取得ステップを備え、
前記電流パラメータ設定ステップは、前記電流パラメータ候補取得ステップにより取得された電流パラメータ候補について、前記検出ステップによりサイドイレーズを含む第２エラーレイトパラメータを検出させ、該第２エラーレイトパラメータに基づいて、前記飽和率算出ステップに第２飽和率を算出させて、該第２飽和率に基づいて前記電流パラメータを設定することを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法。
（付記１２）
付記８に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法において、
前記エ検出ステップは、前記エラーレイトに対応するパラメータとして、ＶＭＭを検出することを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法。
（付記１３）
付記８に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法において、
前記飽和率算出ステップは、前記検出部により得られたライト電流とエラーレイト又はエラーレイトパラメータとの関係に基づいて前記飽和率を算出する区間を設定し、各区間において前記飽和率を算出し、
前記電流パラメータ設定ステップは、前記各区間において得られた複数の飽和率に基づいて前記電流パラメータを決定することを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法。
（付記１４）
付記８に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法において、
前記記憶装置は、記憶媒体として磁気ディスクを用いる磁気ディスク装置であることを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法。
（付記１５）
ライト電流を用いて記憶媒体に情報を書き込む記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整方法をコンピュータに実行させるライト電流オーバーシュート量調整プログラムであって、
ライト電流と、該ライト電流に対するオーバーシュート量を可変として前記記憶媒体に情報を書き込む書き込みステップと、
前記電流パラメータ可変部により変更された前記ライト電流とオーバーシュート量の複数の組み合わせに対しエラーレイト又はそれに対応するエラーレイトパラメータを検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出されたエラーレイト又はエラーレイトパラメータから単位ライト電流値に対するエラーレイト変化を表す飽和率を算出する飽和率算出ステップと、
前記飽和率算出ステップにより得られた飽和率に基づいて、前記ライト電流とオーバーシュート量を決定して設定する電流パラメータ設定ステップと
を備えてコンピュータに実行させる記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラム。
（付記１６）
付記１５に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラムにおいて、
前記検出ステップは、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出することを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラム。
（付記１７）
付記１５に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラムにおいて、
前記検出ステップにより、サイドイレーズを含むエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するか又はサイドイレーズを含まないエラーレイト又はそれに対応するパラメータを検出するかについての選択ステップを備えることを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラム。
（付記１８）
付記１５に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラムにおいて、
前記エラーレイトパラメータ検出ステップによりサイドイレーズを含まない第１エラーレイトパラメータを検出させて、該第１エラーレイトパラメータに基づいて、前記飽和率算出ステップに第１飽和率を算出させて、該第１飽和率から電流パラメータの候補を取得する電流パラメータ候補取得ステップを備え、
前記電流パラメータ設定ステップは、前記電流パラメータ候補取得ステップにより取得された電流パラメータ候補について、前記エラーレイトパラメータ検出ステップによりサイドイレーズを含む第２エラーレイトパラメータを検出させ、該第２エラーレイトパラメータに基づいて、前記飽和率算出ステップに第２飽和率を算出させて、該第２飽和率に基づいて前記電流パラメータを設定することを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラム。
（付記１９）
付記１５に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラムにおいて、
前記エラーレイトパラメータ検出ステップは、前記エラーレイトに対応するパラメータとして、ＶＭＭを検出することを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラム。
（付記２０）
付記１５に記載の記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラムにおいて、
前記飽和率算出ステップは、前記エラーレイトパラメータ検出部により得られたライト電流とエラーレイト又はエラーレイトパラメータとの関係に基づいて前記飽和率を算出する区間を設定し、各区間において前記飽和率を算出し、
前記電流パラメータ設定ステップは、前記各区間において得られた複数の飽和率に基づいて前記電流パラメータを決定することを特徴とする記憶装置のライト電流オーバーシュート量の調整プログラム。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態における磁気ディスク装置（ＨＤＤ）１を示すブロック図である。
【図２】ライト電流設定とエラーレイトの相関関係である飽和特性を示した図であり、設定４０ｍＡ以降はエラーレイトが変わらず、ほぼ飽和している特性を示した図である。
【図３】ライト電流設定とエラーレイトの相関関係である飽和特性を示した図であり、設定８０ｍＡでも飽和しきれておらず、未飽和特性を示した図である。
【図４】ライト電流設定とエラーレイトの相関関係である飽和特性を示した図であり、設定２５ｍＡでほぼ飽和し、その後電流の増加と共にエラーレイトが悪化している過飽和特性を示した図である。
【図５】ライト電流のオーバーシュート設定値を示した図である。
【図６】それぞれのオーバーシュート設定値に対してライト電流を変化させた場合のエラーレイトとの相関図である。
【図７】オーバーシュート（ＯＶＳ設定値１〜５）に対して、それぞれ、「ライト電流値１０ｍＡ時のエラーレイト」、「エラーレイト最小値」、「エラーレイト最小となるライト電流値」、「飽和率」を示したテーブルである。
【図８】実施の形態１の動作として、サイドイレーズを考慮しない（含まない）電流パラメータ調整方法の動作を示すフローチャートである。
【図９】磁気ディスクの複数のトラック（シリンダ）を示す図である。
【図１０】Ｎ−１,Ｎ＋１のシリンダへｍ回の書き込みを行った場合のエラーレイトの変化の様子を示した図である。
【図１１】図１０の測定結果に対して、サイドイレーズ後でのエラーレイト最小値、飽和率を示したテーブルである。
【図１２】実施の形態２の動作として、サイドイレーズを考慮した（含んだ）電流パラメータ調整方法の動作を示すフローチャートである。
【図１３】実施の形態３の動作を示すフローチャートである。
【図１４】実施の形態４の動作を示すフローチャートである。
【図１５】実施の形態５において、オーバーシュートを５段階に設定して各ライト電流とＶＭＭを示したグラフ（その１）である。
【図１６】実施の形態５において、オーバーシュートを５段階に設定して各ライト電流とＶＭＭを示したグラフ（その２）である。
【図１７】図１５における飽和率を電流設定１５ｍＡ〜２５ｍＡ,２５ｍＡ〜４０ｍＡの区間で求めた場合を示すテーブルである。
【図１８】図１６における飽和率を電流設定１５ｍＡ〜２５ｍＡ,２５ｍＡ〜４０ｍＡの区間で求めた場合を示すテーブルである。
【符号の説明】
【００６５】
１  磁気ディスク装置（ＨＤＤ）、２  プリント板回路（ＰＣＡ）、３  ＨＤＣ、４  ＲＡＭ、５  ＲＯＭ、６  ＭＣＵ、７  ＲＤＣ、８  ＳＶＣ、１０  プリアンプ、１８  ヘッド、１９  温度センサ。
【図１】
2008159206.tif 000003
【図２】
2008159206.tif 000004
【図３】
2008159206.tif 000005
【図４】
2008159206.tif 000006
【図５】
2008159206.tif 000007
【図６】
2008159206.tif 000008
【図７】
2008159206.tif 000009
【図８】
2008159206.tif 000010
【図９】
2008159206.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2008159206.tif 000013
【図１２】
2008159206.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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