(57)【要約】【課題】液晶の配向状態を制御する所望の形状からなる構造を備えた液晶表示装置用ＴＦＴアレイパネルを極めて高い精度で容易に製造し、これによって、表示階調レベルによらない一定で且つ早い応答速度を有する液晶表示装置用ＴＦＴアレイパネルを得る。【解決手段】透明電極上に形成する突起の形状データに基づいてマスクデータを作成し、前記突起のパターンを形成するためのミラーデータを前記マスクデータにより補正し、補正されたミラーデータに従ってレーザビームを制御することで、突起の形状に応じた露光量からなるレーザビームを感光性材料に照射して突起を形成する。【選択図】図６
2008256730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶の配向状態を制御する構造を有する液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置であって、
前記構造の形状データに従い、光ビームを変調して前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板上に形成された感光性材料に導く空間光変調素子を備え、
前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板を前記空間光変調素子に対して相対的に移動させ、前記感光性材料を露光することで前記構造を形成することを特徴とする液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記構造は、前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板に形成される高さが徐々に変化する形状からなる突起であり、前記光ビームを変調することで前記感光性材料に導かれる光量が前記高さに応じて制御されることを特徴とする液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置。
【請求項３】
請求項２記載の装置において、
前記光量は、前記感光性材料の略同一位置に導かれる前記光ビームによる露光時間によって制御されることを特徴とする液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置。
【請求項４】
請求項１記載の装置において、
前記構造は、前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板に形成されるスリットであることを特徴とする液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置において、
前記空間光変調素子は、前記形状データに従って前記光ビームを変調する複数の露光要素を二次元状に配列して構成される二次元露光素子であることを特徴とする液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置。
【請求項６】
液晶の配向状態を制御する構造を有する液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造方法であって、
前記構造の形状データに従い、光ビームを変調して前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板上に形成された感光性材料に導くステップと、
前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板を前記光ビームに対して相対的に移動させ、前記感光性材料を露光するステップと、
露光された前記感光性材料から前記構造を形成するステップと、
を含むことを特徴とする液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法において、
前記構造は、前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板に形成される高さが徐々に変化する形状からなる突起であり、前記光ビームを変調することで前記感光性材料に導かれる光量を前記高さに応じて制御することを特徴とする液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、
前記光量は、前記感光性材料の略同一位置に導かれる前記光ビームによる露光時間により制御することを特徴とする液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の方法において、
前記構造は、前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板に形成されるスリットであることを特徴とする液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶の配向状態を制御する構造を有する液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電異方性が負のネマチック液晶を用いた垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置では、電圧無印加時のＯＦＦ状態では、液晶分子が透明電極に略垂直に配向しており、これらが２枚の直交（クロスニコル）した偏光板の間に配置されている場合、入射側の偏光板を透過した偏光に対して位相差を与えず、液晶分子を通過した光は出射側の偏光板で吸収されるため、光が透過しない。一方、電圧印加時のＯＮ状態では、液晶分子が透明電極に対して斜め方向又は水平方向に配向するため、入射側の偏光に対して位相差を与える。これによって出射側の偏光板を光が透過することになる。
【０００３】
このような垂直配向型液晶表示装置において、視野角依存性を低下させるため、図２０〜図２５に示すように、透明電極１ａ、１ｂに対して、突起２又はスリット３からなる構造を設けた、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）又はＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）と称されるものが開発されている（特許文献１〜３参照）。なお、これらの図では、偏光板やカラーフィルタ等の液晶表示装置の各構成要素が基板４ａ、４ｂに搭載されているものとする。
【０００４】
ＭＶＡ又はＰＶＡでは、１つの液晶画素を突起２又はスリット３により複数の液晶ドメインに分割し、各液晶ドメイン中の液晶分子５を、図２０、図２２、図２４に示すように、電圧が印加されていない透明電極１ａ、１ｂに略垂直な状態から、図２１、図２３、図２５に示すように、電圧が印加されている透明電極１ａ、１ｂに傾斜した状態に配向させる。この場合、透明電極１ａ、１ｂ間に電圧が印加されると、突起２又はスリット３によって分割された各液晶ドメイン中の液晶分子５が異なる方向に配向されるため、これによって視野角の依存性が低下する。なお、図２４及び図２５に示すように、突起２又はスリット３を＜字形状に形成することで、配向方向をさらに分割させることができる。
【０００５】
ところで、近年、液晶表示装置の高品位化が進むにつれ、垂直配向型液晶表示装置において、応答速度の一層の改善が要望されている。液晶分子５の応答速度を改善するには、各液晶ドメイン中の液晶分子５が流体力学的に一様且つ高速に変化できることが重要である。
【０００６】
液晶分子５は、電圧が印加されることで傾斜するが、電圧の印加とともに速やかに傾斜して水平配向に変化する部分と、やや遅れて傾斜して水平配向に向かう部分とが混在している。従って、液晶表示装置としては、遅い液晶分子５の配向変化に引きずられる形となり、応答の遅い液晶表示装置となってしまう欠点があった。
【０００７】
そこで、非特許文献１では、突起２を山型構造とすることで応答速度を改善し、また、非特許文献２では、スリット３を櫛歯構造とすることで応答速度を改善する手段を提案している。なお、非特許文献２では、山型構造の突起２と櫛歯構造のスリット３とを組み合わせた構造も提案している。これらの構造は、通常、フォトリソグラフィの技術を用いて作成される。
【０００８】
しかしながら、従来からのフォトマスクを用いたアナログ露光では、山型構造からなる突起２の傾斜面の傾き、形状、間隔の精度には限界があった。また、フォトマスクを用いて中間的なレジストの高さや残膜の厚さを調整するため、露光装置の解像度以下のスリットをフォトマスクに形成し、そのスリットによって光の一部を遮光することで中間調の露光を実現するグレートーンマスク、又は、半透過膜をフォトマスクに付与することで中間調を露光するハーフトーンマスクを使用したものがあるが（特許文献４参照）、グレートーンマスクでは、解像度以下のパターンを作成しなければならないため、工業的に極めて難度の高いものであった。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２４２２２５号公報
【特許文献２】特開２００２−５５３４７号公報
【特許文献３】特開２００５−２５２０２号公報
【特許文献４】特開２００２−３３３６４１号公報
【非特許文献１】ＳＩＤ  '０６  ＤＩＧＥＳＴ  ｐｐ．１０６３−１０６６  "Ａ  Ｎｏｖｅｌ  ＶＡ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ  ｆｏｒ  Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｔｉｍｅ"
【非特許文献２】ＳＩＤ  '０１  ＤＩＧＥＳＴ  ｐｐ．１０６６−１０６９  "Ａ  Ｎｅｗ  ＭＶＡ−ＬＣＤ  ｗｉｔｈ  Ｊａｇｇｅｄ  Ｓｈａｐｅｄ  Ｐｉｘｅｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ"
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、前記の不具合を解消するためになされたものであり、液晶の配向状態を制御する所望の形状からなる構造を備えた液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板を極めて高い精度で容易に製造し、これによって、表示階調レベルによらない一定で且つ早い応答速度を有する液晶表示装置を得ることのできる液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の課題を解決するために、本発明は、液晶の配向状態を制御する構造を有する液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置であって、
前記構造の形状データに従い、光ビームを変調して前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板上に形成された感光性材料に導く空間光変調素子を備え、
前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板を前記空間光変調素子に対して相対的に移動させ、前記感光性材料を露光することで前記構造を形成することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、液晶の配向状態を制御する構造を有する液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造方法であって、
前記構造の形状データに従い、光ビームを変調して前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板上に形成された感光性材料に導くステップと、
前記液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板を前記光ビームに対して相対的に移動させ、前記感光性材料を露光するステップと、
露光された前記感光性材料から前記構造を形成するステップと、
を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置及び製造方法では、液晶の配向状態を制御する所望の形状からなる構造を備えた液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板を極めて高い精度で容易に製造することができる。この結果、表示階調レベルによらない、一定で且つ早い応答速度を有する液晶表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明の液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造装置及び製造方法が適用される実施形態である露光装置１０を示す。露光装置１０は、複数の脚部１２によって支持された変形の極めて小さい定盤１４を備え、この定盤１４上には、２本のガイドレール１６を介して露光ステージ１８が矢印方向に往復移動可能に設置される。露光ステージ１８には、感光性材料が塗布された矩形状のパネルＦが吸着保持される。なお、ここでのパネルＦとは、例えば、図２０又は図２２に示す液晶表示装置を構成する基板４ａ、４ｂ上に透明電極１ａ、１ｂを形成するべく、透明電極を4a、４ｂの基板全面に成膜し、感光性材料を塗布したものである。
【００１５】
定盤１４の中央部には、ガイドレール１６を跨ぐようにして門型のコラム２０が設置される。このコラム２０の一方の側部には、露光ステージ１８に対するパネルＦの装着位置を検出するＣＣＤカメラ２２ａ及び２２ｂが固定され、コラム２０の他方の側部には、パネルＦに対して突起２又はスリット３（図２４、図２５）となるパターンを露光する複数の露光ヘッド２４ａ〜２４ｊが位置決め保持されたスキャナ２６が固定される。露光ヘッド２４ａ〜２４ｊは、パネルＦの走査方向（露光ステージ１８の移動方向）と直交する方向に２列で千鳥状に配列される。ＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂには、ロッドレンズを介してストロボが装着される。ストロボは、パネルＦを感光することのない赤外光からなる照明光をＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂの撮像域に照射する。
【００１６】
図２は、各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊの構成を示す。露光ヘッド２４ａ〜２４ｊには、例えば、各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊに接続される光源ユニット２８ａ〜２８ｊを構成する複数の半導体レーザから出力されたレーザビームＬＢが合波され、光ファイバ３０を介して導入される。レーザビームＬＢが導入された光ファイバ３０の出射端には、ロッドレンズ３２、反射ミラー３４及びデジタル・マイクロ・ミラーデバイス（ＤＭＤ）３６（空間光変調素子）が順に配列される。
【００１７】
ＤＭＤ３６は、図３に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）３８の上にマトリクス状に配列された多数のマイクロミラー４０（露光要素）を揺動可能な状態で配置したものであり、各マイクロミラー４０の表面には、アルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。ＳＲＡＭセル３８にＤＭＤコントローラ４２から突起２又はスリット３の形状データに従ったデジタル信号が書き込まれると、その信号に応じて各マイクロミラー４０が所定方向に傾斜し、その傾斜状態に従ってレーザビームＬＢのＯＮ／ＯＦＦ状態が実現される。
【００１８】
ＯＮ／ＯＦＦ状態が制御されたＤＭＤ３６によって反射されたレーザビームＬＢの射出方向には、拡大光学系である第１結像光学レンズ４４、４６、ＤＭＤ３６の各マイクロミラー４０に対応して多数のレンズを配設したマイクロレンズアレー４８、ズーム光学系である第２結像光学レンズ５０、５２が順に配列される。なお、マイクロレンズアレー４８の前後には、迷光を除去するとともに、レーザビームＬＢを所定の径に調整するためのマイクロアパーチャアレー５４、５６が配設される。
【００１９】
露光ヘッド２４ａ〜２４ｊを構成するＤＭＤ３６は、図４及び図５に示すように、高い解像度を実現すべく、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊの走査方向に対して所定角度傾斜した状態に設定される。すなわち、ＤＭＤ３６をパネルＦの移動方向（矢印ｙ方向）に対して傾斜させることで、ＤＭＤ３６を構成するマイクロミラー４０の配列方向の間隔ｍよりもパネルＦの移動方向と直交する方向（矢印ｘ方向）の間隔Δｘを狭くし、解像度を高く設定することができる。
【００２０】
また、図５に示すように、ＤＭＤ３６による走査方向の同一の走査線５７上には、複数のマイクロミラー４０が配置されており、パネルＦには、これらの複数のマイクロミラー４０によって略同一位置に導かれたレーザビームＬＢにより１つの画素が多重露光される。この場合、略同一位置に導かれるレーザビームＬＢの本数をマイクロミラー４０のＯＮ／ＯＦＦ状態によって制御することで、当該画素に供給されるレーザビームＬＢによるパネルＦの露光量（積分光量）を調整することができる。なお、各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊによる露光エリア５８ａ〜５８ｊは、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊ間の継ぎ目が生じることのないよう、矢印ｘ方向に重畳するように設定される（図４参照）。
【００２１】
図６は、露光装置１０の制御回路ブロック図である。
【００２２】
露光装置１０は、パネルＦに塗布された感光性材料に対して、図２４又は図２５に示す所定の二次元パターンからなる突起２又はスリット３を形成するためのパターンデータを記憶するパターンデータメモリ６６と、パターンデータに基づき、ＤＭＤ３６を構成する各マイクロミラー４０をＯＮ／ＯＦＦ制御するミラーデータを生成するミラーデータ生成部６８と、パネルＦに塗布された感光性材料の厚み方向に対する突起２又はスリット３の周縁部の形状を規定する形状データを記憶する形状データメモリ７０と、形状データに基づき、ミラーデータの一部をＯＦＦ状態に設定することで感光性材料の露光量を調整するためのマスクデータを算出するマスクデータ算出部７２と、マスクデータに基づき、ミラーデータを補正するミラーデータ補正部７４と、補正されたミラーデータに従い、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊを構成する各ＤＭＤ３６のマイクロミラー４０を制御するＤＭＤコントローラ４２とを備える。
【００２３】
本実施形態の露光装置１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次に、その動作を説明する。
【００２４】
先ず、露光ステージ１８上にパネルＦを載置した後、露光ステージ１８をスキャナ２６側に移動させる。このとき、コラム２０に固定されているＣＣＤカメラ２２ａ及び２２ｂを用いて、例えば、パネルＦのコーナ部の画像を撮影し、その画像情報を処理することで、露光ステージ１８に対するパネルＦの載置位置情報を取得する。
【００２５】
パネルＦの載置位置情報を取得した後、露光ステージ１８をＣＣＤカメラ２２ａ及び２２ｂ側の矢印ｙ方向（図１）に移動させながら、スキャナ２６を用いて、パネルＦの感光性材料に対し突起２又はスリット３のパターンを露光する。
【００２６】
ミラーデータ生成部６８は、パターンデータメモリ６６から突起２又はスリット３の二次元パターンに係るパターンデータを読み出し、ＤＭＤ３６を構成する各マイクロミラー４０をパターンデータに従ってＯＮ／ＯＦＦ制御するミラーデータを生成する。なお、パターンデータは、ＣＣＤカメラ２２ａ及び２２ｂを用いて取得したパネルＦの載置位置情報に従って補正され、ミラーデータに変換される。生成されたミラーデータは、マスクデータ算出部７２に供給されるとともに、ミラーデータ補正部７４に供給される。
【００２７】
一方、マスクデータ算出部７２は、形状データメモリ７０から読み出した突起２の高さ又はスリット３の周縁部の高さを規定する形状データに基づき、突起２又はスリット３の二次元パターンを規定しているミラーデータの一部をＯＦＦ状態に設定するためのマスクデータを算出する。なお、図５において、黒丸で示すマイクロミラー４０は、マスクデータによってＯＦＦ状態に設定されたマイクロミラー４０を例示したものである。
【００２８】
図７は、１つの画素（パターン上の点）に照射されるレーザビームＬＢの本数である多重度と、レーザビームＬＢの積分光量との関係を表すグラフである。多重度が少ないと、パネルＦに供給される積分光量が実線で示す場合よりも少なくなり、多重度が多いと、積分光量が多くなる。一方、図８は、パネルＦに塗布されているポジ型レジストである感光性材料を露光現像した後の膜厚と露光量との関係を示すグラフである。なお、この関係は、感光性材料の特性（γ特性）によって異なる。この場合、ポジ型レジストでは、露光量が多くなれば、現像処理によって除去される感光性材料が多くなるため、膜厚が薄くなる。従って、パネルＦに対するレーザビームＬＢの露光量を制御することで、現像後における感光性材料の膜厚を調整することができる。例えば、感光性材料に対するレーザビームＬＢの露光位置をずらしながら露光量を徐々に変えることにより、厚さ方向に対して所望の形状の傾斜面を有する突起２又はスリット３の周縁部を形成することができる。
【００２９】
そこで、マスクデータ算出部７２は、１つの画素を形成するミラーデータの多重度を突起２又はスリット３の形状に応じて調整するべく、ミラーデータの一部をＯＦＦ状態に設定するマスクデータを算出する。ミラーデータ補正部７４は、算出されたマスクデータに従ってミラーデータを補正してＤＭＤコントローラ４２に供給する。なお、マスクデータを用いてレーザビームＬＢの露光量を調整する代わりに、突起２又はスリット３の形状データに基づき、１つの画素を露光するレーザビームＬＢの露光時間を調整することで、レーザビームＬＢの積分光量を調整するようにしてもよい。
【００３０】
ＤＭＤコントローラ４２は、補正されたミラーデータに従い、ＤＭＤ３６を構成する各マイクロミラー４０をＯＮ／ＯＦＦ制御することにより、光源ユニット２８ａ〜２８ｊから出力されたレーザビームＬＢをパネルＦに照射し、パネルＦに突起２又はスリット３のパターンを露光記録する。
【００３１】
突起２又はスリット３のパターンが露光記録されたパネルＦは、露光ステージ１８から取り外された後、現像処理、又は現像処理及びエッチング処理が施されることで、所望の形状からなる突起２又はスリット３が形成されたＴＦＴアレイ基板が製造される。
【００３２】
図９〜図１１は、パネルＦに対して突起２を形成する処理の手順の説明図である。この場合、パネルＦは、液晶表示装置を構成する基板７６であって、図示しないＴＦＴアレイを有する。ＴＦＴアレイ上には、突起２を形成する透明電極７８が成膜されている。この透明電極７８の上に感光性材料であるレジスト８０を塗布して構成される。
【００３３】
先ず、露光装置１０を用いて、図９に示すパネルＦのレジスト８０に対し、突起２の二次元パターン及び形状に従って設定されたレーザビームＬＢを照射する。この場合、図１０に示すように、レジスト８０を残存させる突起２の頂点に対応する部分には、レーザビームＬＢが照射されないように、マスクデータ算出部７２で算出されたマスクデータによってＤＭＤ３６のマイクロミラー４０がＯＦＦ状態となるように制御する。また、突起２の傾斜面に対応する部分には、レーザビームＬＢの露光量が徐々に多くなるように、マスクデータを調整してマイクロミラー４０のＯＮ／ＯＦＦ状態を制御し、レーザビームＬＢを照射して露光する。このようにして露光されたパネルＦを現像処理することにより、レーザビームＬＢの露光量に応じてレジスト８０が除去され、所望の形状からなる突起２が残存したＴＦＴアレイ基板を得ることができる（図１１）。
【００３４】
図１２〜図１６は、パネルＦに対してスリット３を形成する処理の手順の説明図である。
【００３５】
露光装置１０を用いて、図１２に示すパネルＦ（ＴＦＴアレイは図示せず）のレジスト８０に対し、スリット３の二次元パターン及び周縁形状に従って設定されたレーザビームＬＢを照射する。ポジ型レジストの場合、図１３に示すように、スリット３に対応する部分８２にのみレーザビームＬＢが照射されるようにマスクデータを算出し、マイクロミラー４０を制御する。また、スリット３の周縁部に対しては、必要に応じて、レーザビームＬＢの露光量が徐々に少なくなるように、マスクデータを調整してマイクロミラー４０のＯＮ／ＯＦＦ状態を制御する。露光処理が終了した後、パネルＦを現像処理することで、レーザビームＬＢが照射された部分８２のレジスト８０を除去し（図１４）、次いで、エッチング処理を行うことにより、レジスト８０の除去された部分８２に対応する透明電極７８を除去する（図１５）。最後に、レジスト８０を除去することにより、所望の形状からなるスリット３が形成されたスリット付きＴＦＴアレイ基板を得ることができる（図１６）。
【００３６】
このように、ミラーデータを補正するマスクデータを調整することにより、階調間において液晶分子を略一様な配向速度で配向させることのできる形状からなる突起２又はスリット３を容易且つ高精度に製造することができる。例えば、図１７に示すように、傾斜面が凹面形状からなる突起８４や、図１８に示すように、傾斜面が凸面形状からなる突起８６を容易に形成することができる。また、図１９に示すように、所望の周期からなる微細な凹凸形状を有するスリット８８を容易に形成することができる。
【００３７】
なお、突起８４又はスリット８８の形状は、階調表示を行うある特定の階調数、例えば、８階調の透過率を実現する場合の液晶分子の配向状態を液晶層の３次元シミュレーションによって求める。その８種類の配向状態への変化時間が略同一となるＯＦＦ状態での配向状態を実現することのできる形状とすればよい。このようにして、黒表示から中間調表示までの応答速度を揃え、表示品位の高い表示装置を実現することができる。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
形状データによって露光される点毎に露光量（積分光量）を変化させて、基板に残るレジストの高さを制御できることを検証した。
【００３９】
ガラス基板（コーニング＃１７３７）の大きさ１００×１００ｍｍ上にスピンコータによってポジ型レジスト（東京応化工業（株）ＴＦＲ−６０００）を厚さ２．２μｍ塗布した。この基板に１１０℃、９０ｓｅｃのプリベークを行った後、上記実施形態の露光装置１０によって、中心付近に１０×３ｍｍの領域毎に時間積分された露光量が０．６ｍＪ／ｃｍ2から１２．５ｍＪ／ｃｍ2まで段階的に変化する露光を行った。これをＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａｍａｔｈｙｌ−ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）２．３８％のアルカリ水溶液にて、自動現像機（滝沢産業（株）ＡＤ−１２００）を用いて現像した。現像したレジストの高さ（残膜）をレーザ顕微鏡（（株）キーエンス  ＶＫ−９５００）にて測定した。この積分光量とレジストの高さの関係から、配向分割用山型突起を作成するための各点の露光量を求めた。
【００４０】
ガラス基板（コーニング＃１７３７）の大きさ１００×１００ｍｍ上に透明導電膜（ＩＴＯ）を１５００Åスパッタ蒸着し、その上にスピンコータによってポジ型レジスト（東京応化工業（株）ＴＦＲ−６０００）を厚さ１．５μｍ塗布した。９０μ×２８０μｍの長方形を１サブピクセルに見立て、この中に上記実施形態の露光装置１０よって、最も高さの高い部分は露光量０．６ｍＪ／ｃｍ2、最も高さ低い部分は、１２．５ｍＪ／ｃｍ2の露光量（積分光量）となる様に想定したサブピクセル内に露光する。これをＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａｍａｔｈｙｌ−ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）２．３８％のアルカリ水溶液にて、自動現像機（滝沢産業（株）ＡＤ−１２００）を用いて現像した。基板をガラス切機にて切断して、断面を走査型電子顕微鏡（ＴＯＰＣＯＭ  ＣＭ−３５０）にて観察した。その結果、液晶表示装置にあるＭＶＡ用配向分割突起と同様のものが、レジストによって基板上に露光マスクを使用せずに製作できていることが確認できた。
【００４１】
（実施例２）
実施例１と同様の透明電極の成膜された１００×１００ｍｍの基板にスピンコータによりポジ型レジスト（東京応化工業（株）製ＴＦＲ−６０００）を厚さ１．５μｍに塗布し、３μｍの細線をサブピクセルに見立てた領域内に約１０本露光した。露光された基板をＴＭＡＨ２．３５％のアルカリ水溶液にて、自動現像機を用いて現像し、基板上のレジスト像をエッチングマスクとしたエッチングを実施した。その基板をエッチング液（関東化学（株）製ＩＴＯ−０６Ｎ）に浸した。形成された透明電極からなる細線パターンがＰＶＡ型液晶表示装置に用いられるスリットと同様のものであることを走査型電子顕微鏡による観察によって確認した。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本実施形態の露光装置の外観斜視図である。
【図２】本実施形態の露光装置における露光ヘッドの概略構成図である。
【図３】露光ヘッドを構成するＤＭＤの説明図である。
【図４】露光ヘッドによる露光記録状態の説明図である。
【図５】露光ヘッドを構成するＤＭＤ及びマイクロミラーの説明図である。
【図６】本実施形態の露光装置における制御回路ブロック図である。
【図７】レーザビームによる積分光量と多重度との関係説明図である。
【図８】露光量と膜厚との関係説明図である。
【図９】ＴＦＴアレイ基板に対して突起を形成する工程の説明図である。
【図１０】ＴＦＴアレイ基板に対して突起を形成する工程の説明図である。
【図１１】ＴＦＴアレイ基板に対して突起を形成する工程の説明図である。
【図１２】ＴＦＴアレイ基板に対してスリットを形成する工程の説明図である。
【図１３】ＴＦＴアレイ基板に対してスリットを形成する工程の説明図である。
【図１４】ＴＦＴアレイ基板に対してスリットを形成する工程の説明図である。
【図１５】ＴＦＴアレイ基板に対してスリットを形成する工程の説明図である。
【図１６】ＴＦＴアレイ基板に対してスリットを形成する工程の説明図である。
【図１７】突起の形状の説明図である。
【図１８】突起の形状の説明図である。
【図１９】スリットの形状の説明図である。
【図２０】ＭＶＡにおけるＯＦＦ状態の説明図である。
【図２１】ＭＶＡにおけるＯＮ状態の説明図である。
【図２２】ＰＶＡにおけるＯＦＦ状態の説明図である。
【図２３】ＰＶＡにおけるＯＮ状態の説明図である。
【図２４】突起又はスリットとＯＦＦ状態の液晶分子との関係説明図である。
【図２５】突起又はスリットとＯＮ状態の液晶分子との関係説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
２、８４、８６…突起                ３、８８…スリット
５…液晶分子                        １０…露光装置
１８…露光ステージ                  ２４ａ〜２４ｊ…露光ヘッド
２８ａ〜２８ｊ…光源ユニット        ３６…ＤＭＤ
４０…マイクロミラー                ４２…ＤＭＤコントローラ
７６…基板                          ７８…透明電極
８０…レジスト                      Ｆ…パネル
ＬＢ…レーザビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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