(57)【要約】【課題】レーザスクライブするとき、レーザ光が構造物による影響を受けにくい基板の分断方法、電気光学装置の製造方法及びレーザスクライブ装置を提供する。【解決手段】基板６６と基板６７とが接合された基板６５に集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｉ，２０ｊからレーザ光７０を集光して光集中部２４に照射する。集光レンズ２０ｆ，２０ｊから照射するレーザ光７０は基板６５に対して基板６５の厚さ方向から照射される。集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｉから照射するレーザ光７０は基板６５の厚さ方向に対して斜めの方向から照射される。レーザ光７０が照射される光集中部２４には改質部７１が形成され、改質部７１の中央にはクラック部７２が形成される。Ｈ切断予定面６８に沿って改質部７１を配列して形成して、レーザスクライブする。基板６５を弾性のある台上に配置し、応力を加えて分断する。【選択図】図５
2008023579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を分断する基板の分断方法であって、
前記基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、
前記基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、
前記スクライブ工程では複数のレーザ光線を、略同じ場所に照射して前記改質部を形成することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記レーザ光線のうち少なくとも一つは、前記レーザ光線の光軸が前記基板の厚さ方向に対して斜めの方向に照射されることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板の分断方法であって、
前記基板の２つの面から複数のレーザ光線を、略同じ場所に照射して前記改質部を形成することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板の分断方法であって、
前記スクライブ工程は、前記基板に対する前記レーザ光線の照射方向を設定する工程と、
前記設定された前記照射方向で前記基板にレーザ光を照射する工程とを有することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板の分断方法であって、
前記スクライブ工程は、複数の前記レーザ光線の光強度を設定する工程と、
設定された前記光強度で前記基板にレーザ光を照射する工程とを有することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項６】
基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、
レーザ光を発光するレーザ光源部と、
前記基板の内部に前記レーザ光を集光する集光部と、
前記基板と前記集光部とを相対移動するテーブル部とを有し、
前記レーザ光は複数のレーザ光線からなり、前記複数の前記レーザ光線のいくつかの前記レーザ光線は前記基板の略同じ場所に照射して改質部を形成することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項７】
請求項６に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記レーザ光源部は、複数のレーザ光源を有することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記光源部が発光する前記レーザ光線を複数の前記レーザ光線に分岐する分岐部を有し、前記集光部に複数の前記レーザ光を供給することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか一項に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記集光部が照射する複数の前記レーザ光線のうち少なくとも一つの前記レーザ光線の照射と非照射とを制御する照射制御部を有することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか一項に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記集光部が照射する複数の前記レーザ光線のうち少なくとも一つの前記レーザ光線の光強度を制御する光強度制御部を有することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれか一項に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記集光部が照射する複数の前記レーザ光線のうち少なくとも一つの前記レーザ光線において、前記基板に入射する前記レーザ光線の入射角を制御する入射角制御部を有することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項１２】
請求項６〜１１のいずれか一項に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記光源部と前記集光部との間に導光管を有し、
前記レーザ光源が出射する前記レーザ光が前記導光管を通って前記集光部を照射することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項１３】
基板を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、
前記基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、
前記スクライブ工程では複数のレーザ光線を、略同じ場所に照射して前記改質部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザ光線のうち少なくとも一つは、前記レーザ光線の光軸が前記基板の厚さ方向に対して斜めの方向に照射されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記基板の２つ面から複数のレーザ光線を、略同じ場所に照射して前記改質部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記スクライブ工程は、前記基板に対する前記レーザ光線の照射方向を設定する工程と、
設定された前記照射方向から前記基板にレーザ光を照射する工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記スクライブ工程は、複数の前記レーザ光線の光強度を設定する工程と、
設定された前記光強度で前記基板にレーザ光を照射する工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の分断方法、電気光学装置の製造方法及びレーザスクライブ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す。）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光部におけるピークパワー密度を１×１０8（Ｗ／ｃｍ2）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。
【０００３】
また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）に対してＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。
【０００４】
電気光学装置の一つに、液晶に表示される画像を投影レンズにより、拡大表示する投射型液晶表示装置がある。投射型液晶表示装置では、液晶パネルの表面付近に塵埃等が付着すると、それが投射レンズ等により拡大されてスクリーン上に投射され、表示品質を著しく低下させてしまうという課題がある。この課題を解決する方法が特許文献２に開示されている。これによると、液晶パネルの表面にガラス基板（以下、防塵ガラスと称す。）を貼付して、解決している。
【０００５】
液晶パネルの表面に防塵ガラスを貼付することで、液晶パネル面に対する塵埃等の付着が防止できる。更に、防塵ガラスの表面に塵埃等が付着しても、この塵埃等と液晶との間の距離が防塵ガラスの厚み分だけ長くなり、塵埃等の像がデフォーカスされ、スクリーン上に大きくぼやけて表示されるので目立たなくすることができる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【特許文献２】特開２００４−２１０５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
矩形に形成されている防塵ガラス等の構造物が貼付された液晶パネルを、レーザスクライブ方法を用いてスクライブすることがある。液晶パネルを分断する分断予定の面と、防塵ガラスの端面が近いとき、集光レンズにより集光して照射するレーザ光の一部が防塵ガラスを照射することがある。防塵ガラスを照射したレーザ光は、防塵ガラス内で屈折して通過又は反射する。集光レンズが集光するレーザ光のうち、防塵ガラスを通過するレーザ光は、防塵ガラスを通過しないレーザ光が集光する光集中部に集光しないことから、光集中部に集光する光のピークパワー密度が低下して改質部が形成されないことがあるという問題点があった。
【０００８】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、レーザスクライブするとき、レーザ光が構造物による影響を受けにくい基板の分断方法、電気光学装置の製造方法及びレーザスクライブ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、基板を分断する基板の分断方法であって、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、スクライブ工程では複数のレーザ光線を、略同じ場所に照射して改質部を形成することを特徴とする。
【００１０】
この基板の分断方法によれば、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、配列して形成された改質部に沿って分断する分断工程とを有している。スクライブ工程では、複数のレーザ光線を略同じ場所に照射して改質部を形成する。
【００１１】
基板上に構造物が配置され、基板に照射するレーザ光の一部が、構造物を照射する場合がある。このとき、構造物を照射するレーザ光は、構造物により反射、吸収もしくは屈折され、改質部を形成する予定の場所を通過しない。構造物を照射しないレーザ光は、改質部を形成する予定の場所を照射する。構造物により改質部を形成する予定の場所を照射するレーザ光が減るとき、改質部を形成する予定の場所におけるレーザ光のエネルギーが減り改質部が形成されにくくなる。
【００１２】
本発明では、改質部を形成する予定の場所に複数のレーザ光線が通過することから、一つのレーザ光線が構造物により反射、吸収もしくは屈折される場合であっても、他のレーザ光線の一部が、構造物により進路を妨げられずに、改質部を形成する予定の場所を照射できるように、照射することができる。改質部を形成する予定の場所に複数のレーザ光線が照射するとき、改質部を形成する予定の場所を照射するレーザ光のエネルギーの和が改質部を形成するのに必要なエネルギーを超えるようにすることで、改質部を形成することができる。従って、基板に構造物が形成されている場合にも、複数のレーザ光線を改質部を形成する予定の場所に照射することにより、改質部を形成してスクライブすることができる。
【００１３】
本発明の基板の分断方法は、レーザ光線のうち少なくとも一つは、レーザ光線の光軸が基板の厚さ方向に対して斜めの方向に照射されることを特徴とする。
【００１４】
この基板の分断方法によれば、レーザ光線のうち少なくとも一つのレーザ光線は、基板の厚さ方向に対して斜めに照射される。レーザ光を集光レンズを用いて集光し、基板の厚さ方向から基板を照射するとき、集光レンズと、集光レンズによりレーザ光が集光する集光部との間に構造物の一部が掛ることがある。このとき、基板の厚さ方向に対して斜めの方向から基板にレーザ光を照射することで、集光レンズと集光部との間で構造物に掛るレーザ光の量を減らせる場合がある。従って、基板の厚さ方向に対して斜めの方向から基板にレーザ光を照射し、構造物に掛るレーザ光の量を減らすことで、集光部に到達する光エネルギーを増やすことができる。その結果、基板内に改質部を品質良く形成することができる。
【００１５】
本発明の基板の分断方法は、基板の２つの面から複数のレーザ光線を、略同じ場所に照射して改質部を形成することを特徴とする。
【００１６】
この基板の分断方法によれば、基板は両面からレーザ光を略同じ場所に照射されて、基板に改質部が形成される。基板の両面に構造物が形成されているとき、基板の一方の面からレーザ光を照射する場合に比べて、基板の両面からレーザ光を照射する場合の方が、レーザ光を直接基板に照射しやすい。つまり、基板内の特定の場所にレーザ光を照射するとき、両面から照射する場合には、基板の片面から構造物を避けて照射できる光のエネルギーに加えて、別の面から構造物を避けて照射できる光のエネルギーの和のエネルギーを集光部に集めることができる。その結果、改質部を形成し易くすることができる。
【００１７】
本発明の基板の分断方法は、スクライブ工程は、基板に対するレーザ光線の照射方向を設定する工程と、設定された照射方向で基板にレーザ光を照射する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
この基板の分断方法によれば、基板にレーザ光を照射するレーザ光線の進行方向と基板の厚さ方向との成す照射方向を設定し、当該設定する照射方向で、レーザ光を照射する。基板上に構造物がある基板において、基板内の集光部にレーザ光を集光して照射するとき、構造物にレーザ光が掛らずに照射する方が、掛って照射する場合に比べて、高い光エネルギーを集光部に集めることができる。構造物にレーザ光が掛る場合においても、レーザ光が掛る量が少ない方が、レーザ光が掛る量が多い方に比べて、高い光エネルギーを集光部に集めることができる。
【００１９】
基板にレーザ光を照射するときに、構造物にレーザ光が掛る量を少なくできるレーザ光の照射方向を設定して、レーザ光を照射することで、構造物にレーザ光が掛る量を少なくできる。その結果、高い光エネルギーを集光部に集めることができる為、改質部を形成し易くすることができる。
【００２０】
本発明の基板の分断方法は、スクライブ工程では、複数のレーザ光線の光強度を設定する工程と、設定された光強度で基板にレーザ光を照射する工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
この基板の分断方法によれば、基板に複数のレーザ光を照射するときのレーザ光の光強度を設定し、設定した光強度のレーザ光を基板に照射して、改質部を形成する。基板にレーザ光を照射するとき、改質部を形成することができる光エネルギーを集光部に集められれば良く、改質部の形成に必要な光エネルギーを超える強さのレーザ光を照射する必要はない。強すぎるレーザ光を照射するとき、改質部にて乱反射するレーザ光が放射される。基板に形成されている構造物がレーザ光を受光して、損傷を与える可能性がある。従って、照射するレーザ光の光強度を適正に調整することにより、基板に形成されている構造物に損傷を与えにくい基板の分断方法とすることができる。
【００２２】
上記課題を解決するために、本発明のレーザスクライブ装置は、基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、レーザ光を発光するレーザ光源部と、基板の内部にレーザ光を集光する集光部と、基板と集光部とを相対移動するテーブル部とを有し、レーザ光は複数のレーザ光線からなり、複数のレーザ光線のいくつかのレーザ光線は基板の略同じ場所に照射して改質部を形成することを特徴とする。
【００２３】
このレーザスクライブ装置によれば、レーザ光源部が発光するレーザ光を集光部が集光して基板の内部に照射し、改質部を形成する。レーザスクライブ装置は、テーブル部を有し、基板と集光部とを相対移動して、改質部を配列して形成する。複数のレーザ光線が、集光部から略同じ場所に照射され、照射される場所には改質部が形成される。
【００２４】
基板上に構造物が配置され、基板に照射するレーザ光の一部が、構造物を照射する場合がある。このとき、構造物を照射するレーザ光は、構造物により反射、吸収もしくは屈折され、改質部を形成する予定の場所を通過しない。構造物を照射しないレーザ光は、改質部を形成する予定の場所を照射する。構造物により改質部を形成する予定の場所を照射するレーザ光が減るとき、改質部を形成する予定の場所におけるレーザ光のエネルギーが減り改質部が形成されなくなる。
【００２５】
本発明のレーザスクライブ装置では、改質部を形成する予定の場所に複数のレーザ光線が通過することから、一つのレーザ光線が構造物により反射、吸収もしくは屈折される場合であっても、他のレーザ光線の一部が、構造物により進路を妨げられずに、改質部を形成する予定の場所を照射するように照射することができる。改質部を形成する予定の場所に複数のレーザ光線が照射するとき、改質部を形成する予定の場所を照射するレーザ光のエネルギーの和が改質部を形成するのに必要なエネルギーを超えるようにすることで、改質部を形成することができる。従って、基板に構造物が形成されている場合にも、複数のレーザ光線を改質部を形成する予定の場所に照射することにより、改質部を形成してレーザスクライブすることができる。その結果、品質良くレーザスクライブすることができるレーザスクライブ装置とすることができる。
【００２６】
本発明のレーザスクライブ装置は、レーザ光源部は、複数のレーザ光源を有することを特徴とする。
【００２７】
このレーザスクライブ装置によれば、レーザスクライブ装置は、複数のレーザ光源を有している。基板が大きいとき、光源を一つにする場合に比べて、光源を複数にすることにより、光源と集光部との間の光路を短くすることができる。光源と集光部との間の光路に塵や埃が漂っているとき、塵や埃によりレーザ光が減衰してレーザ光の光強度が下がるため、レーザ光を利用する効率が悪くなってしまう。
【００２８】
レーザ光源を複数有することにより、レーザ光源と集光部との距離を短くすることにより、塵や埃の影響を少なくしてレーザ光を利用する効率を良くすることができる。従って、レーザ光の利用効率の良いレーザスクライブ装置とすることができる。
【００２９】
本発明のレーザスクライブ装置は、光源部が発光するレーザ光線を複数のレーザ光線に分岐する分岐部を有し、集光部に複数のレーザ光を供給することを特徴とする。
【００３０】
このレーザスクライブ装置によれば、レーザスクライブ装置は分岐部を有し、分岐部は一つの光源部が発光するレーザ光線を複数のレーザ光線に分岐している。レーザスクライブ装置は、光源部において、照射するレーザ光線の数より少ないレーザ光源の数を有している。レーザスクライブ装置が照射するレーザ光線と同じ数の光源部を有するときに比べて、光源部の数が少ない構成とすることができる。レーザ光源は利用時間に伴い発光に必要な材料が劣化し保守する必要がある。従って、レーザ光源の数の少ないレーザスクライブ装置は、保守性の良い装置とすることができる。
【００３１】
本発明のレーザスクライブ装置は、集光部が照射する複数のレーザ光線のうち少なくとも一つのレーザ光線の照射と非照射とを制御する照射制御部を有することを特徴とする。
【００３２】
このレーザスクライブ装置によれば、集光部は複数のレーザ光を照射可能となっており、複数のレーザ光のうち少なくとも一つのレーザ光線の照射と非照射とを制御している。複数のレーザ光線のいくつかのレーザ光線は基板の略同じ場所に照射し、改質部を形成してレーザスクライブを行う。
【００３３】
基板上に構造物がある基板において、基板内の集光部にレーザ光を集光して照射するとき、構造物にレーザ光が掛るとき、構造物にレーザ光を照射することにより、構造物に損傷を与える危険性がある。また、構造物が光透過性の材料により構成されているとき、構造物を透過するレーザ光は、屈折するため、予定した光路と異なる方向に進行して改質部の形成に寄与せず、予定外の構造物を照射することにより、構造物に損傷を与える危険性がある。
【００３４】
構造物にレーザ光が照射されて、構造物に損傷を与える危険性があるときや、構造物により屈折するレーザ光により予定外の構造物を照射することにより、構造物に損傷を与える危険性があるとき、構造物をレーザ光が照射しないように制御することができる。従って、基板以外の構造物にレーザ光による損傷を与えにくいレーザスクライブ装置とすることができる。
【００３５】
本発明のレーザスクライブ装置は、集光部が照射する複数のレーザ光線のうち少なくとも一つのレーザ光線の光強度を制御する光強度制御部を有することを特徴とする。
【００３６】
このレーザスクライブ装置によれば、基板に複数のレーザ光を照射するときのレーザ光の光強度を制御し、制御した光強度のレーザ光を基板に照射して、改質部を形成する。基板にレーザ光を照射するとき、改質部を形成することができる光エネルギーを集光部に集められれば良く、改質部の形成に必要な光エネルギーを超える強さのレーザ光を照射する必要はない。強すぎるレーザ光を照射するとき、レーザ光が改質部にて乱反射し、レーザ光が放射される。基板に形成されている構造物がレーザ光を照射され、損傷を与える可能性がある。従って、照射するレーザ光の光強度を適正に調整することにより、基板に形成されている構造物に損傷を与えにくいレーザスクライブ装置とすることができる。
【００３７】
本発明のレーザスクライブ装置は、集光部が照射する複数のレーザ光線のうち少なくとも一つのレーザ光線において、基板に入射するレーザ光線の入射角を制御する入射角制御部を有することを特徴とする。
【００３８】
このレーザスクライブ装置によれば、レーザスクライブ装置は、入射角制御部を有し、基板に対するレーザ光の入射角を制御して、レーザ光を照射している。基板に構造物が形成されているとき、構造物にレーザ光を照射しても改質部の形成に寄与しない。レーザスクライブ装置は、構造物を照射することが少なくなるように、レーザ光の入射角を制御している。従って、基板に構造物が形成されているときにも、構造物を避けて基板の内部にレーザ光を照射する為、レーザ光のエネルギー不足による改質部が形成されないことが少なくなる。その結果、信頼性良くレーザスクライブできるレーザスクライブ装置とすることができる。
【００３９】
本発明のレーザスクライブ装置は、光源部と集光部との間に導光管を有し、レーザ光源が出射するレーザ光が導光管を通って集光部を照射することを特徴とする。
【００４０】
このレーザスクライブ装置によれば、レーザスクライブ装置は導光管を有し、レーザ光源が出射するレーザ光が導光管を通って集光部を照射する。導光管は内部でレーザ光が反射又は屈折して伝播することから、導光管を自由に曲げて、光路を曲線形状に配置することができる。従って、光学経路部の配置を設計し易いレーザスクライブ装置とすることができる。
【００４１】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板を有する電気光学装置の製造方法であって、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、基板に配列して形成される改質部に沿って分断する分断工程とを有し、スクライブ工程では複数のレーザ光線を、略同じ場所に照射して改質部を形成することを特徴とする。
【００４２】
この電気光学装置の製造方法によれば、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成するスクライブ工程と、配列して形成された改質部に沿って分断する分断工程とを有している。スクライブ工程では、複数のレーザ光線を略同じ場所に照射して改質部を形成している。
【００４３】
電気光学装置においては、基板に防塵ガラスを積層して配置することがあり、基板に照射するレーザ光の一部が、防塵ガラスを照射する場合がある。このとき、防塵ガラスを照射するレーザ光は、防塵ガラスにより反射、吸収もしくは屈折され、改質部を形成する予定の場所を通過しない。防塵ガラスを照射しないレーザ光は、改質部を形成する予定の場所を照射する。防塵ガラスにより改質部を形成する予定の場所を照射するレーザ光が減るとき、改質部を形成する予定の場所におけるレーザ光のエネルギーが減り改質部が形成されなくなる。
【００４４】
本発明では、改質部を形成する予定の場所に複数のレーザ光線を照射することから、一つのレーザ光線が防塵ガラスにより反射、吸収もしくは屈折される場合であっても、他のレーザ光線の一部が、防塵ガラスにより進路を妨げられずに、改質部を形成する予定の場所を照射可能となるように照射することができる。改質部を形成する予定の場所に複数のレーザ光線を照射するとき、改質部を形成する予定の場所を照射するレーザ光のエネルギーの和が改質部を形成するのに必要なエネルギーを超えるように照射することで、改質部を形成することができる。従って、基板に防塵ガラスが形成されている場合にも、複数のレーザ光線を改質部を形成する予定の場所に照射することにより、改質部を形成してスクライブすることができる。
【００４５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、レーザ光線のうち少なくとも一つは、レーザ光線の光軸が基板の厚さ方向に対して斜めの方向に照射されることを特徴とする。
【００４６】
この電気光学装置の製造方法によれば、レーザ光線のうち少なくとも一つのレーザ光線は、基板の厚さ方向に対して斜めに照射される。レーザ光を集光レンズを用いて集光し、基板の厚さ方向から基板を照射するとき、集光レンズと、集光レンズによりレーザ光が集光する光集中部との間に防塵ガラスの一部が掛ることがある。このとき、基板の厚さ方向に対して斜めの方向から基板にレーザ光を照射することで、集光レンズと光集中部との間に防塵ガラスに掛るレーザ光の量を減らせる場合がある。従って、基板の厚さ方向に対して斜めの方向から基板にレーザ光を照射し、防塵ガラスに掛るレーザ光の量を減らすことで、光集中部に到達する光エネルギーを増やすことができる。その結果、基板内に改質部を形成し易くすることができる。
【００４７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板の２つ面から複数のレーザ光線を、略同じ場所に照射して改質部を形成することを特徴とする。
【００４８】
この電気光学装置の製造方法によれば、基板は両面からレーザ光を略同じ場所に照射されて、基板に改質部が形成される。基板の両面に防塵ガラスが形成されているとき、基板の一方の面からレーザ光を照射する場合に比べて、基板の両面からレーザ光を照射する場合の方が、レーザ光が防塵ガラスに掛からないように集光部を照射しやすい。つまり、基板内の特定の場所にレーザ光を照射するとき、両面から照射する場合には、基板の片面から防塵ガラスを避けて照射できる光エネルギーに加えて、別の面から防塵ガラスを避けて照射できる光エネルギーの和のエネルギーを集光部に集めることができる。その結果、改質部を形成し易くすることができる。
【００４９】
本発明の電気光学装置の製造方法は、スクライブ工程は、基板に対するレーザ光線の照射方向を設定する工程と、設定された照射方向から基板にレーザ光を照射する工程とを有することを特徴とする。
【００５０】
この電気光学装置の製造方法によれば、基板に対するレーザ光を照射するレーザ光線の照射方向を設定し、当該設定する照射方向で、レーザ光を照射する。基板上に防塵ガラスがある基板において、基板内の光集中部にレーザ光を集光して照射するとき、防塵ガラスにレーザ光が掛らずに照射する方が、掛って照射する場合に比べて、高い光エネルギーを光集中部に集めることができる。防塵ガラスにレーザ光が掛る場合においても、レーザ光が掛る量が少ない方が、レーザ光が掛る量が多い方に比べて、高い光エネルギーを光集中部に集めることができる。
【００５１】
基板にレーザ光を照射するときに、防塵ガラスにレーザ光が掛る量を少なくできるレーザ光の照射方向を設定して、レーザ光を照射することで、防塵ガラスにレーザ光が掛る量を少なくできる。その結果、高い光エネルギーを集光部に集めることができる為、改質部を品質良く形成することができる。
【００５２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、スクライブ工程は、複数のレーザ光線の光強度を設定する工程と、設定された光強度で基板にレーザ光を照射する工程とを有することを特徴とする。
【００５３】
この電気光学装置の製造方法によれば、基板に複数のレーザ光を照射するときのレーザ光の光強度を設定し、設定した光強度のレーザ光を基板に照射して、改質部を形成する。基板にレーザ光を照射するとき、改質部を形成することができる光エネルギーを集光部に集められれば良く、改質部の形成に必要な光エネルギーを超える強さのレーザ光を照射する必要はない。強すぎるレーザ光を照射するとき、改質部にて乱反射するレーザ光が放射される。基板に形成されている素子、配線、電極、シール等がレーザ光を受光して、損傷を受ける可能性がある。従って、照射するレーザ光の光強度を適正に調整することにより、基板に形成されている素子、配線、電極、シール等に損傷を与えにくい電気光学装置の製造方法とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
本実施形態では、本発明の特徴的なレーザスクライブ装置と、このレーザスクライブ装置を用いてスクライブし、分断する場合の例を説明する。
【００５５】
（レーザスクライブ装置）
最初にレーザスクライブ装置について説明する。図１は、レーザスクライブ装置の構成を示す概略図であり、図２は光学経路を説明する図である。
図１に示すように、レーザスクライブ装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源部としてのレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部３と、光学経路部３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。
【００５６】
レーザ光源２はレーザ光を光軸６ａに沿って出射する。レーザ光源２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源２は、本実施形態において、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）のレーザ媒質からなり、第３高調波（波長：３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パルスのレーザ光を出射する発光条件を採用している。
【００５７】
図１及び図２に示すように、光学経路部３は光軸分岐装置７を備えている。光軸分岐装置７は、全反射鏡８、分岐部としてのハーフミラー９及び光透過窓１０の光学要素を備え、切換装置１１が光軸６ａと交差する光学要素を切り換えるようになっている。切換装置１１は、パルスモータと直動機構を備え、パルスモータを制御して、全反射鏡８、ハーフミラー９及び光透過窓１０と光軸６ａとの相対位置を制御する。つまり、パルスモータを制御することにより、光軸６ａと交差する光学要素を全反射鏡８、ハーフミラー９及び光透過窓１０のなかの一つに設定することが可能になっている。
【００５８】
光軸６ａが通過する場所に、全反射鏡８を選択して配置するとき、光軸６ａは光軸分岐装置７を通過せず、レーザ光は光軸分岐装置７に反射して、光軸６ｂに沿って進行する。つまり、光軸６ａは、光軸６ｂとなり、光軸６ａと略直交する方向（図中Ｘ方向）に進行する。
【００５９】
光軸分岐装置７において、光軸６ａが通過する場所に、ハーフミラー９を選択して配置するとき、光軸分岐装置７は、レーザ光の光軸６ａを光軸６ａと光軸６ｂとに分岐する。光軸６ｂは、光軸分岐装置７に反射して、光軸６ａと略直交する方向（図中Ｘ方向）に進行する。一部のレーザ光は、ハーフミラー９を通過して光軸６ａに沿って直進（図中Ｚ方向の逆方向）する。
【００６０】
光軸６ａが通過する場所に、光透過窓１０を選択して配置するとき、光軸分岐装置７は、レーザ光源２から出射するレーザ光の光軸６ａを、通過させる。レーザ光は光軸６ａに沿って直進（図中Ｚ方向の逆方向）する。
【００６１】
光軸分岐装置７において、光軸分岐装置７に全反射鏡８又はハーフミラー９を選択して配置するとき、光軸６ｂにレーザ光が進行する。光軸６ｂ上には、分岐部としての第１ハーフミラー１２が配置され、光軸６ｂを光軸６ｂと光軸６ｃとに分岐する。光軸６ｃは、第１ハーフミラー１２と反射して、光軸６ｂと略直交する方向（図中Ｙ方向）に進行する。
【００６２】
第１ハーフミラー１２を透過する光軸６ｂ上には、さらに分岐部としての第２ハーフミラー１３が配置され、光軸６ｂを光軸６ｂと光軸６ｄとに分岐する。光軸６ｄは、第２ハーフミラー１３において分岐して、光軸６ｂと略直交する方向（図中Ｙ方向の逆方向）に進行する。
【００６３】
第２ハーフミラー１３を透過する光軸６ｂ上には、さらに分岐部としての第３ハーフミラー１４が配置され、光軸６ｂを光軸６ｂと光軸６ｅとに分岐する。光軸６ｅは、第３ハーフミラー１４において分岐して、光軸６ｂと略直交する方向（図中Ｚ方向の逆方向）に進行する。
【００６４】
第３ハーフミラー１４を透過する光軸６ｂ上には、さらに分岐部としての第４ハーフミラー１５が配置され、光軸６ｂを光軸６ｂと光軸６ｆとに分岐する。光軸６ｆは、第４ハーフミラー１５において分岐して、光軸６ｂと略直交する方向（図中Ｚ方向の逆方向）に進行する。
【００６５】
第４ハーフミラー１５を透過する光軸６ｂは、第１ミラー１６に反射して略直交する方向（図中Ｚ方向の逆方向）に進行する。第１ミラー１６に反射した光軸６ｂを進行するレーザ光は、照射制御部及び入射角制御部としての光シャッタ１７及び光強度制御部としての光強度フィルタ１８を通過する。光シャッタ１７は、レーザ光の通過と遮蔽とを制御する光学装置である。光強度フィルタ１８は、光強度フィルタ１８を透過するレーザ光の光強度を減衰させる装置である。光強度フィルタ１８は、レーザ光の光強度を減衰させるフィルタを複数備え、フィルタを切り換えることにより、減衰の度合いを多段階に渡って調整可能となっている。
【００６６】
光強度フィルタ１８を通過する光軸６ｂ上には、ミラー１９が配置され、光軸６ｂの進行方向が変えられ、光軸６ｂが集光レンズ２０ｂを通過するようになっている。テーブル部４には基板２３が配置され、集光レンズ２０ｂを通過したレーザ光は、基板２３の内部の光集中部２４に集光されて、照射するようになっている。
【００６７】
第３ハーフミラー１４により光軸６ｂと分岐した光軸６ｅも同様に、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過し、ミラー１９により進行方向を変えて集光レンズ２０ｅを通過する。集光レンズ２０ｅを通過したレーザ光は、基板２３の内部の光集中部２４に集光されて、照射する。
【００６８】
第４ハーフミラー１５により光軸６ｂと分岐した光軸６ｆも同様に、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過し、集光レンズ２０ｆを通過する。集光レンズ２０ｆを通過したレーザ光は、基板２３の内部の光集中部２４に集光されて、照射する。
【００６９】
第１ハーフミラー１２により光軸６ｂと分岐した光軸６ｃは、第２ミラー２５により進行方向を図中Ｘ方向に変えられ、第３ミラー２６により進行方向を図中Ｚ方向の逆方向に変えられる。第３ミラー２６により進行方向を変えた光軸６ｃも同様に、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過し、集光レンズ２０ｃを通過する。集光レンズ２０ｃを通過したレーザ光は、基板２３の内部の光集中部２４に集光されて、照射する。
【００７０】
第２ハーフミラー１３により光軸６ｂと分岐した光軸６ｄは、第４ミラー２７により進行方向を図中Ｘ方向に変えられ、第５ミラー２８により進行方向を図中Ｚ方向の逆方向に変えられる。第５ミラー２８により進行方向を変えた光軸６ｄも同様に、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過し、集光レンズ２０ｄを通過する。集光レンズ２０ｄを通過したレーザ光は、基板２３の内部の光集中部２４に集光されて、照射する。
【００７１】
光軸６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆを通るレーザ光は基板２３の上面２３ａから光集中部２４を照射する。光軸６ｆは図中Ｚ方向の逆方向に進行して光集中部２４を照射する。光軸６ｅは図中Ｘ方向及びＺ方向の逆方向に進行して光集中部２４を照射し、光軸６ｂは図中Ｘ方向の逆方向及びＺ方向の逆方向に進行して光集中部２４を照射する。光軸６ｃは図中Ｙ方向及びＺ方向の逆方向に進行して光集中部２４を照射し、光軸６ｄは図中Ｙ方向の逆方向及びＺ方向の逆方向に進行して光集中部２４を照射する。
【００７２】
光軸分岐装置７を通過したレーザ光の光軸６ａは第６ミラー２９に反射して方向を図中Ｘ方向に変える。光軸６ｂと同様に、光軸６ａは、第５ハーフミラー３０、第６ハーフミラー３１、第７ハーフミラー３２及び第８ハーフミラー３３により、光軸６ａ，６ｇ，６ｈ，６ｉ，６ｊに分岐される。
【００７３】
第８ハーフミラー３３を通過したレーザ光の光軸６ａは、第７ミラー３４に反射して、略直交する方向（図中Ｚ方向）に進行する。第７ミラー３４に反射した光軸６ａは、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過する。
【００７４】
光強度フィルタ１８を通過する光軸６ａ上には、ミラー１９が配置され、光軸６ａの進行方向が変えられ、光軸６ａが集光レンズ２０ａを通過するようになっている。集光レンズ２０ａを通過したレーザ光は、集光され、基板２３の内部の光集中部２４を照射するようになっている。
【００７５】
第７ハーフミラー３２により光軸６ａと分岐した光軸６ｉも同様に、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過し、ミラー１９により進行方向を変えて集光レンズ２０ｉを通過する。集光レンズ２０ｉを通過したレーザ光は、集光され、基板２３の内部の光集中部２４を照射する。
【００７６】
第８ハーフミラー３３により光軸６ａと分岐した光軸６ｊも同様に、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過し、集光レンズ２０ｊを通過する。集光レンズ２０ｊを通過したレーザ光は、集光され、基板２３の内部の光集中部２４を照射する。
【００７７】
第５ハーフミラー３０により光軸６ａと分岐した光軸６ｇは、第８ミラー３５により進行方向を図中Ｘ方向に変えられ、第９ミラー３６により進行方向を図中Ｚ方向に変えられる。第９ミラー３６により進行方向を変えた光軸６ｇも同様に、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過し、集光レンズ２０ｇを通過する。集光レンズ２０ｇを通過したレーザ光は、集光され、基板２３の内部の光集中部２４を照射する。
【００７８】
第６ハーフミラー３１により光軸６ａと分岐した光軸６ｈは、第１０ミラー３７により進行方向を図中Ｘ方向に変えられ、第１１ミラー３８により進行方向を図中Ｚ方向の逆方向に変えられる。第１１ミラー３８により進行方向を変えた光軸６ｈも同様に、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過し、集光レンズ２０ｈを通過する。集光レンズ２０ｈを通過したレーザ光は、集光され、基板２３の内部の光集中部２４を照射する。
【００７９】
光軸６ａ，６ｇ，６ｈ，６ｉ，６ｊを通るレーザ光は基板２３の下面２３ｂから光集中部２４を照射する。光軸６ｊは図中Ｚ方向に進行して光集中部２４を照射する。光軸６ｉは図中Ｘ方向及びＺ方向に進行して光集中部２４を照射し、光軸６ｊは図中Ｘ方向の逆方向及びＺ方向に進行して光集中部２４を照射する。光軸６ｇは図中Ｙ方向の逆方向及びＺ方向に進行して光集中部２４を照射し、光軸６ｈは図中Ｙ方向及びＺ方向に進行して光集中部２４を照射する。
【００８０】
レーザ光の光軸６ａ〜６ｊに対応する集光レンズ２０ａ〜２０ｊにより集光されるレーザ光の光集中部２４は同一の場所になるように、集光レンズ２０ａ〜２０ｊが調整されている。
【００８１】
基板２３を照射するレーザ光の光軸は、基板２３の上面２３ａ（図中Ｚ方向を向いた面）側から照射する光軸６ａ，６ｇ，６ｈ，６ｉ，６ｊと基板２３の下面２３ｂ（図中Ｚ方向の逆方向を向いた面）側から照射する光軸６ａ，６ｇ，６ｈ，６ｉ，６ｊとが配置されている。つまり、レーザスクライブ装置１は、基板２３に対して上面２３ａ側と下面２３ｂ側との両面からレーザ光を照射可能となっている。
【００８２】
集光レンズ２０ｆと第４ハーフミラー１５とを通過する光軸６ｆの延長線上にあって、第４ハーフミラー１５に対して集光レンズ２０ｆと反対側には、撮像装置４０を備えている。撮像装置４０は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）とが組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ２０ｆを透過して基板２３を照射する。撮像装置４０は、集光レンズ２０ｆと第４ハーフミラー１５とを通して基板２３を撮像することが可能となっている。
【００８３】
テーブル部４は、基台４１を備えている。基台４１の光学経路部３側には、レール４２が凸設して配置されており、レール４２上にはＸ軸スライド４３が配置されている。Ｘ軸スライド４３は、図示しない直動機構を備え、レール４２上のＸ方向に移動可能となっている。
【００８４】
直動機構は、例えばＸ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＸ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＸ軸モータに入力されると、Ｘ軸モータが正転又は反転して、Ｘ軸スライド４３が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００８５】
Ｘ軸スライド４３の光学経路部３側にはレール４４が凸設して配置されており、レール４４上にはＹ軸スライド４５が配置されている。Ｙ軸スライド４５は、Ｘ軸スライド４３と同様な直動機構を備え、レール４４上をＹ方向に移動可能となっている。
【００８６】
Ｙ軸スライド４５の光学経路部３側には、中間台４６が配置され、中間台４６にはＺ軸方向に延在するレール４７が対向して配置されている。対向して配置されているレール４７の間には、Ｚ軸スライド４８が配置されている。Ｚ軸スライド４８は、Ｘ軸スライド４３と同様な直動機構４９を備え、レール４７上をＺ方向に移動可能となっている。
【００８７】
Ｚ軸スライド４８の光学経路部３側には、箱状のステージ５０が配置されている。ステージ５０において、図中Ｘ方向の逆側の側面５０ａは開かれており、光軸６ａのレーザ光が通過可能となっている。ステージ５０の内部は中空となっており、第７ハーフミラー３２、第８ハーフミラー３３、光シャッタ１７、光強度フィルタ１８、ミラー１９、集光レンズ２０等が配置されている。ステージ５０において、図中Ｚ方向の上面５０ｂの一部は孔部５０ｃが形成されており、基板２３を照射する光軸６ａ，６ｇ，６ｈ，６ｉ，６ｊのレーザ光が通過可能となっている。
【００８８】
ステージ５０の上面５０ｂには図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、基板２３を載置すると、チャック機構によって、基板２３がステージ５０の上面５０ｂの所定の位置に位置決めされ固定されるようになっている。
【００８９】
制御装置５は、メインコンピュータ５４を備えている。メインコンピュータ５４は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やメモリーを備えている。ＣＰＵはメモリー内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザスクライブ装置１の動作を制御するものである。
メインコンピュータ５４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置５５、表示装置５６、レーザ制御装置５７、光路制御装置５８、光強度制御装置５９、ステージ制御装置６０、画像処理装置６１と接続されている。
【００９０】
入力装置５５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置５６はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行い、加工状況を表示装置５６に表示する。操作者が表示装置５６に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況を確認して操作するようになっている。
【００９１】
レーザ制御装置５７は、レーザ光源２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ５４の制御信号により制御される。
【００９２】
光路制御装置５８は、光軸分岐装置７を制御する装置である。レーザ光の光軸６ａの通過する場所に、配置する光学要素を全反射鏡８、ハーフミラー９及び光透過窓１０の中から選択して配置する装置であり、メインコンピュータ５４の制御信号により制御される。
【００９３】
光軸分岐装置７の光軸６ａの通過する場所に、全反射鏡８を配置するとき、レーザ光は、基板２３に対して上面２３ａ側から照射される。光軸分岐装置７の光軸６ａの通過する場所に、光透過窓１０を配置するとき、レーザ光は、基板２３に対して下面２３ｂ側から照射される。光軸分岐装置７の光軸６ａの通過する場所に、ハーフミラー９を配置するとき、レーザ光は、基板２３に対して上面２３ａ及び下面２３ｂの両面から照射されるようになる。
【００９４】
光強度制御装置５９は、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を制御する装置である。光シャッタ１７は、レーザ光の通過と遮蔽とを制御する光学装置であり、光強度フィルタ１８は、通過するレーザ光の光強度を減衰させる装置である。光強度制御装置５９は、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を制御して、光シャッタ１７及び光強度フィルタ１８を通過するレーザ光の通過、減衰、遮断を制御することが可能となっている。
【００９５】
光シャッタ１７は、光軸６ａ〜６ｊの各々の光軸に対して配置されている。光シャッタ１７を通過する光軸６ａ〜６ｊを通過するレーザ光は、集光レンズ２０ａ〜２０ｊに入射する。集光レンズ２０ａ〜２０ｊから出射されるレーザ光の光軸６ａ〜６ｊは光集中部２４を通過するようになっている。集光レンズ２０ａ〜２０ｊから出射されるレーザ光の光軸６ａ〜６ｊの方向は光軸６ａ〜６ｊ毎に設定されている。
【００９６】
光強度制御装置５９は、光シャッタ１７を制御して、光軸６ａ〜６ｊの各々の光軸に対してレーザ光の通過と遮蔽とを制御する。基板２３を照射するときの照射方向は光軸６ａ〜６ｊ毎に設定されていることから、光強度制御装置５９は、基板２３を照射するときの照射方向を選択して制御することとなる。照射角制御部は、光シャッタ１７及び光強度制御装置５９により構成され、基板２３に対してレーザ光を照射する方向を選択可能となっている。
光強度制御装置５９は、メインコンピュータ５４の制御信号により制御される。従って、照射するレーザ光の光軸とレーザ光の強度はメインコンピュータ５４により制御されるようになっている。
【００９７】
ステージ制御装置６０は、Ｘ軸スライド４３、Ｙ軸スライド４５及びＺ軸スライド４８の位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド４３とＹ軸スライド４５とＺ軸スライド４８とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置６０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド４３とＹ軸スライド４５とＺ軸スライド４８との位置を検出する。ステージ制御装置６０は、Ｘ軸スライド４３とＹ軸スライド４５とＺ軸スライド４８とから取得する位置情報と、メインコンピュータ５４から指示される位置情報とを比較し、位置情報の差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド４３とＹ軸スライド４５とＺ軸スライド４８とを駆動して移動する。ステージ制御装置６０はＸ軸スライド４３とＹ軸スライド４５とＺ軸スライド４８とを駆動して、所望の位置に基板２３を移動することが可能となっている。
【００９８】
画像処理装置６１は、撮像装置４０から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ５０に基板２３を配置し、撮像装置４０で撮像した画像を観察するとき、Ｚ軸スライド４８を操作して、集光レンズ２０ｆと基板２３との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。Ｚ軸スライド４８を移動して、基板２３の上面２３ａに焦点が合うときと、基板２３の下面２３ｂに焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が上面２３ａと下面２３ｂの中間にあるとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。
【００９９】
集光レンズ２０ｆを光軸６ｆの方向（図中Ｚ方向）に移動して、撮像装置４０が撮像する画像が鮮明になるＺ軸スライド４８の位置を、Ｚ軸スライド４８に内蔵する位置センサで検出することにより、基板２３の厚みを測定することが可能となる。
【０１００】
撮像装置４０で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光を照射したときに、集光レンズ２０により集光される光集中部２４との差の距離を計測することで、合焦点位置と光集中部２４の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物を基板２３としてステージ５０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置４０の焦点が合うように集光レンズ２０ｆを移動する。次に、レーザ光を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部の距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。
【０１０１】
集光レンズ２０ｆを光軸６ｆ方向（図中Ｚ方向）に移動して、基板２３の上面２３ａに撮像装置４０の焦点を合わせる。レーザ光を照射したい位置とオフセット距離とで集光レンズ２０ｆの移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光レンズ２０ｆを移動させる。この方法で基板２３における所定の深さにレーザ光を集光することが可能となる。
【０１０２】
レーザ制御装置５７がレーザ光源２を制御しレーザ光を発光させる。画像処理装置６１が基板２３の面の光軸方向の位置を検出する。ステージ制御装置６０が基板２３をＸＹＺ方向に移動して、基板２３にレーザ光が照射される位置を制御する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ光を集光して照射することが可能となっている。さらに、光路制御装置５８及び、光強度制御装置５９がレーザ光を照射する光軸を選択して、光軸６ａ〜６ｊのうち所望の光軸からレーザ光を照射することが可能となっている。
【０１０３】
ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光レンズ２０ａ〜２０ｊによって集光されたレーザ光は、基板２３に入射する。そして、基板２３がレーザ光を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップよりも光子のエネルギーが非常に大きいとき、基板２３は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と言い、レーザ光のパルス幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収を基板２３の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。
【０１０４】
本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果複数のクラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英などの場合には、クラック部は複数のクラックにならず、空洞が形成される場合もある。
【０１０５】
このような改質部を形成するためのレーザ光の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光の出力やパルス幅、パルス周期等の設定が必要になる。特に、レーザ光源２が照射するレーザ光の出力は、ハーフミラー群や集光レンズ２０ａ〜２０ｊのような光軸６ａ〜６ｊ上に配置される光学要素による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。
【０１０６】
（基板の分断方法）
次に本発明の基板の分断方法について図３〜図８にて説明する。図３は、分断する基板の模式図であり、図４は、基板の分断方法のフローチャートである。図５〜図８は基板の分断方法を説明する図である。
【０１０７】
まず、分断する基板の説明をする。図３（ａ）は分断する基板の模式平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡ−Ａ’から見た側面であり、図３（ｃ）は、Ｂ−Ｂ’から見た側面図である。図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、基板６５は、矩形に形成されている。基板６５上面６５ａには、４個の矩形に形成された基板６６が２列に配列され、接着されており、下面６５ｂにも、同様に、４個の矩形に形成された基板６７が２列に配列され、接着されている。基板６６と基板６７とは、平面方向において、略同じ大きさに形成され、対向する位置に配置されている。基板６５，６６，６７は、光透過性の基板であれば良く、本実施形態においては、例えば、石英ガラスを採用している。
【０１０８】
基板６５において、配列されている基板６６の間に切断する予定のＨ切断予定面６８及びＶ切断予定面６９を設定する。Ｈ切断予定面６８は、図中Ｘ方向に延在し、上面６５ａと下面６５ｂとの間の仮想面であり、Ｖ切断予定面６９は図中Ｙ方向に延在し、上面６５ａと下面６５ｂとの間の仮想面である。
【０１０９】
図４のフローチャートにおいて、ステップＳ１はスクライブ工程に相当し、レーザ光を用いて、基板の内部にレーザ光を照射して改質部を配列して形成し、レーザスクライブする工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は分断工程に相当し、配列して形成されている改質部に応力を加えて、基板を分断する工程である。
【０１１０】
次に、図５〜図８を用いて、図４に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
図５（ａ）〜図７（ｂ）は、ステップＳ１に対応する図である。図１及び図２に示すステージ５０に基板６５を配置し、固定する。光軸分岐装置７に光軸６ａが通過する場所にはハーフミラー９を配置して、基板６５の上面６５ａと下面６５ｂとの両面からレーザ光を照射可能となるようにする。レーザ光の光軸６ａ，６ｂ，６ｅ，６ｆ，６ｉ，６ｊに対応する光シャッタ１７を開き、レーザ光の光軸６ｃ，６ｄ，６ｇ，６ｈに対応する光シャッタ１７を閉じる。この工程は、レーザ光を照射する光軸を選択し、基板６５に対して、照射するレーザ光線の照射方向を設定する工程に相当する。
【０１１１】
続いて、光強度フィルタ１８を制御して、レーザ光の光軸６ａ，６ｂ，６ｅ，６ｆ，６ｉ，６ｊから出射されるレーザ光の光強度を設定する。光強度を設定することにより、強すぎるレーザ光が基板６５の内部で乱反射して、レーザスクライブ装置１が乱反射するレーザ光に照射され、レーザスクライブ装置１が損傷を与えることを防止している。
【０１１２】
レーザ光源２からレーザ光を光学経路部３に出射する。光シャッタ１７が開かれているレーザ光の光軸６ａ，６ｂ，６ｅ，６ｆ，６ｉ，６ｊ上に配置されている集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｉ，２０ｊにレーザ光が到達する。
【０１１３】
図５（ａ）に示すように、集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｉ，２０ｊで集光したレーザ光７０を基板６５の内部に照射する。基板６５の内部において、レーザ光７０が照射される光集中部２４には、改質部７１が形成される。改質部７１の中央部には、空洞となったクラック部７２が形成される。
【０１１４】
集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｉ，２０ｊと基板６５とを相対的に移動して、レーザ光７０を基板６５の内部に照射する。基板６５のＨ切断予定面６８に沿って、改質部７１を配列して形成する。基板６５において、下面６５ｂに近い場所には１段目の改質部７１ａが形成される。続いて、図１に示すステージ５０を図中Ｚ方向の逆方向に移動する。１段目の改質部７１ａに対して、基板６５の厚み方向に隣接する場所に、図示しない２段目の改質部７１を形成する。２段目の改質部７１についても、集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｉ，２０ｊからレーザ光７０を基板６５の内部に集光して照射し、２段目の改質部７１を形成する。同様に、３段目、４段目と配列の段数を重ねて配列する。
【０１１５】
図５（ｂ）に示すように、集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｇ，２０ｈからはレーザ光が照射されない。これは、レーザ光が照射されても基板６６及び基板６７の影響を受けて、集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｉ，２０ｊから照射されるレーザ光が集光する光集中部２４と同じ場所に集光しないため、改質部７１の形成に寄与しないためである。つまり、改質部７１の形成に寄与する方向からのみレーザ光７０を照射する。
【０１１６】
集光レンズ２０ｆから照射されるレーザ光７０の一部は基板６６を照射し、基板６６に入射するレーザ光７０は屈折するため、改質部７１の形成に寄与しない。集光レンズ２０ｆから照射されるレーザ光７０のみでは、光集中部２４における光子のエネルギー不足のため改質部７１が形成されないとき、集光レンズ２０ｆに加え、集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｉ，２０ｊからレーザ光７０を照射することにより改質部７１を形成することができる。
【０１１７】
図６（ａ）に示すように、その結果、Ｈ切断予定面６８に沿って改質部７１が配列したＨスクライブ面７３が形成される。
【０１１８】
図６（ｂ）に示すように、続いて、基板６５のＶ切断予定面６９に沿ってスクライブを行う。このとき、集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｊで集光したレーザ光７０を基板６５の内部に照射する。基板６５の内部において、レーザ光７０が照射される光集中部２４には、改質部７１が形成される。改質部７１の中央部には、空洞となったクラック部７２が形成される。
【０１１９】
図５（ａ）に示すＨ切断予定面６８と同様に、集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｊと基板６５とを相対的に移動して、レーザ光７０を基板６５の内部に照射する。基板６５のＶ切断予定面６９に沿って、改質部７１を配列して形成する。下面６５ｂ側から順に改質部７１の配列を複数段形成する。
【０１２０】
図７（ａ）に示すように、集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｉからはレーザ光が照射されない。これは、レーザ光が照射されても基板６６及び基板６７の影響を受けて、集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｊから照射されるレーザ光が集光する光集中部２４と同じ場所に集光しないため、改質部７１の形成に寄与しないためである。つまり、改質部７１の形成に寄与する方向からのみレーザ光７０を照射する。
【０１２１】
集光レンズ２０ｆから照射されるレーザ光７０の一部は基板６６を照射し、基板６６に入射するレーザ光７０は屈折するため、改質部７１の形成に寄与しない。集光レンズ２０ｆから照射されるレーザ光７０のみでは、光集中部２４における光子のエネルギー不足のため改質部７１が形成されないとき、集光レンズ２０ｆに加え、集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｊからレーザ光７０を照射することにより改質部７１を形成することができる。
【０１２２】
図７（ｂ）に示すように、その結果、Ｖ切断予定面６９に沿って改質部７１が配列したＶスクライブ面７４が形成される。
【０１２３】
図８（ａ）はステップＳ２に対応する図である。図８（ａ）に示すように、基板６５を弾性材からなる台７５の上に配置する。Ｈ切断予定面６８に形成されたＨスクライブ面７３に対向する場所を、加圧部材７６を用いて押圧する。基板６５は台７５に沈み込み、クラック部７２に張力が作用する。基板６５は、台７５と接する面に近いクラック部７２を起点として破断が進行し、分断する。
図８（ｂ）に示すように、その結果、Ｈ切断予定面６８に形成されたＨスクライブ面７３が分断される。
【０１２４】
図８（ｃ）に示すように、同様に、Ｖ切断予定面６９に形成されたＶスクライブ面７４に対向する場所を、加圧部材７６を用いて押圧する。基板６５は台７５に沈み込み、クラック部７２に張力が作用する。基板６５は、台７５と接する面に近いクラック部７２を起点として破断が進行し、分断する。
【０１２５】
図８（ｄ）に示すように、その結果、Ｖ切断予定面６９に形成されたＶスクライブ面７４が分断され、基板６５が４つの片に分断される。
【０１２６】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、基板６５にレーザ光７０を照射して、改質部７１を配列して形成するスクライブ工程と、配列して形成された改質部７１に沿って分断する分断工程とを有している。スクライブ工程では、複数のレーザ光線からなるレーザ光７０を光集中部２４に照射して改質部７１を形成している。
【０１２７】
基板６５の上面６５ａに基板６６が配置され、下面６５ｂに基板６７が配置されている。基板６５に照射するレーザ光７０の一部が、基板６５を照射する場合がある。このとき、基板６５を照射するレーザ光７０は、基板６５により反射、吸収もしくは屈折される為、光集中部２４を通過しない。基板６６，６７を照射しないレーザ光７０は、光集中部２４を照射する。基板６６，６７により光集中部２４を照射するレーザ光が減るとき、光集中部２４におけるレーザ光のエネルギーが減り改質部７１が形成されなくなる可能性がある。
【０１２８】
光集中部２４には、複数のレーザ光線からなるレーザ光７０が通過することから、レーザ光７０の一部が基板６６，６７により反射、吸収もしくは屈折される場合であっても、集光レンズ２０から照射されるレーザ光７０の一部が、基板６６，６７により進路を妨げられずに、光集中部２４を照射するように、レーザ光７０の照射を制御している。光集中部２４に複数のレーザ光線を照射するとき、光集中部２４を照射するレーザ光７０のエネルギーの和が改質部７１を形成するのに必要なエネルギーを超えるようにすることで、改質部７１を形成することができる。従って、基板６５に基板６６，６７が配置されている場合にも、複数のレーザ光線からなるレーザ光７０を光集中部２４に照射することにより、改質部７１を形成してスクライブすることができる。その結果、品質良くスクライブすることができる。又、レーザスクライブ装置１は複数のレーザ光７０を光集中部２４に集光できることから、品質良くスクライブできる装置とすることができる。
【０１２９】
（２）本実施形態によれば、基板６５は両面からレーザ光７０を光集中部２４に照射されて、基板６５に改質部７１が形成される。基板６５の両面に基板６６，６７が配置されているとき、基板６５の一方の面からレーザ光を照射する場合に比べて、基板６５の両面からレーザ光７０を照射する場合の方が、レーザ光７０を直接基板６５の光集中部２４を照射し易い。つまり、基板６５内の光集中部２４にレーザ光７０を照射するとき、両面から照射する場合には、基板６５の上面６５ａから基板６６を避けて照射できる光のエネルギーに加えて、下面６５ｂから基板６７を避けて照射できる光のエネルギーの和のエネルギーを光集中部２４に集めることができる。その結果、品質良く改質部７１を形成することができる。
【０１３０】
（３）本実施形態によれば、光学経路部３は、基板６５に対して、照射するレーザ光７０の照射方向を光軸６ａ〜６ｊ毎に設定されており、メインコンピュータ５４が照射するレーザ光７０の光軸６ａ〜６ｊを選択して、レーザ光７０を基板６５に照射する。基板６５には、基板６６，６７が配置されている。基板６５内の光集中部２４にレーザ光７０を集光して照射するとき、基板６６，６７にレーザ光７０が掛らずに照射する方が、基板６６，６７にレーザ光７０が掛って照射する場合に比べて、高い光エネルギーを光集中部２４に集めることができる。基板６６，６７にレーザ光７０が掛る場合においても、レーザ光７０が掛る量が少ない方が、レーザ光が掛る量が多いときに比べて、高い光エネルギーを光集中部２４に集めることができる。
【０１３１】
例えば、図５（ｂ）においては、集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｉ，２０ｊからレーザ光７０を照射し、集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｇ，２０ｈからはレーザ光７０を照射しないようにしている。同様に、図７（ａ）においては、集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｊからレーザ光７０を照射し、集光レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｉからはレーザ光７０を照射しないようにしている。
【０１３２】
基板６５にレーザ光７０を照射するときに、基板６６，６７にレーザ光７０が掛る量を少なくできるレーザ光７０の照射方向を設定して、レーザ光７０を照射することで、基板６６，６７にレーザ光７０が掛る量を少なくできる。その結果、高い光エネルギーを光集中部２４に集めることができる為、品質良く、改質部７１を形成することができる。また、レーザスクライブ装置１は、品質良く、改質部７１を形成することができる機能を持ったレーザスクライブ装置１とすることができる。
【０１３３】
（４）本実施形態によれば、基板６５に複数のレーザ光７０を照射するときのレーザ光７０の光強度を設定し、設定した光強度のレーザ光７０を基板６５に照射して、改質部７１を形成している。基板６５にレーザ光７０を照射するとき、改質部７１を形成することができる光エネルギーのレーザ光７０を光集中部２４に照射すれば良く、改質部７１の形成に必要な光エネルギーを超える強さのレーザ光７０を照射する必要はない。強すぎるレーザ光を照射するとき、改質部７１にてレーザ光７０が乱反射し、強いエネルギーのレーザ光７０が放射される。基板６５に素子や配線等が形成されているとき、素子や配線等がレーザ光を受光して、損傷を与える可能性がある。従って、照射するレーザ光の光強度を適正に調整することにより、基板に形成されている素子や配線等に損傷を与えにくい基板の分断方法とすることができる。
【０１３４】
（５）本実施形態によれば、レーザスクライブ装置は第１ハーフミラー１２〜第８ハーフミラー３３を有し、第１ハーフミラー１２〜第８ハーフミラー３３はレーザ光源２が発光するレーザ光の光軸６ａをレーザ光の光軸６ｂ〜６ｊ線に分岐している。レーザスクライブ装置１は、照射するレーザ光の光軸６ａ〜６ｊの数より少ないレーザ光源２を備える構成となっている。つまり、レーザスクライブ装置１は、レーザ光の光軸６ａ〜６ｊと同じ数のレーザ光源２を有するときに比べて、レーザ光源２の数が少ない構成となっている。レーザ光源２は利用時間に伴い発光に必要な材料が劣化し保守する必要がある。従って、レーザ光源２の数の少ないレーザスクライブ装置１は、保守性の良い装置とすることができる。
【０１３５】
（６）本実施形態によれば、レーザスクライブ装置１は、レーザ光７０が進行する複数の光軸６ａ〜６ｊを備えている。レーザスクライブ装置１は、複数の光軸６ａ〜６ｊの各々において、光シャッタ１７を備え、光シャッタ１７は、レーザ光の照射と非照射とを制御している。
【０１３６】
基板６５上に素子や配線がある場合には、基板６５内の光集中部２４にレーザ光７０を集光して照射するとき、素子や配線にレーザ光７０が掛るとき、素子や配線にレーザ光７０を照射することにより、素子や配線に損傷を与える危険性がある。また、基板６６，６７を透過するレーザ光７０は、屈折するため、予定した光路と異なる方向に進行して、素子や配線を照射することにより、素子や配線に損傷を与える危険性がある。
【０１３７】
素子や配線にレーザ光７０が照射されて、素子や配線に損傷を与える危険性があるとき、素子や配線をレーザ光７０が照射しないように光シャッタ１７を用いてレーザ光７０の照射を制御することができる。従って、基板６５以外の素子や配線にレーザ光７０による損傷を与えにくいレーザスクライブ装置１とすることができる。
【０１３８】
（７）本実施形態によれば、基板６５に複数のレーザ光７０を照射するとき、光強度フィルタ１８がレーザ光７０の光強度を制御し、制御されている光強度のレーザ光７０を基板６５に照射して、改質部７１を形成する。基板６５にレーザ光７０を照射するとき、改質部７１を形成することができる光エネルギーを集光部に集められれば良く、改質部７１の形成に必要な光エネルギーを超える強さのレーザ光７０を照射する必要はない。強すぎるレーザ光７０を照射するとき、レーザ光７０が改質部７１にて乱反射し、レーザ光７０が放射される。基板に素子や配線等が形成されている場合には、素子や配線などがレーザ光７０を照射され、損傷を与える可能性がある。従って、照射するレーザ光７０の光強度を適正に調整することにより、基板６５に形成されている素子や配線などに損傷を与えにくいレーザスクライブ装置１とすることができる。
【０１３９】
（８）本実施形態によれば、レーザスクライブ装置１は、光強度制御装置５９を有し、光強度制御装置５９は光シャッタ１７を制御して、基板６５に対して、集光レンズ２０ａ〜２０ｊからレーザ光７０を照射するか、非照射とするかを制御している。集光レンズ２０ａ〜２０ｊの各レンズから照射されるレーザ光７０の出射方向は、各レンズ毎に固定されていることから、光強度制御装置５９はレーザ光７０を照射する方向の制御をすることとなっている。
【０１４０】
基板６５に基板６６，６７が配置されているとき、基板６６，６７にレーザ光７０を照射しても改質部７１の形成に寄与しない。レーザスクライブ装置１は、レーザ光７０を基板６６，６７に照射することが少なくなるように、レーザ光７０の出射方向を制御している。従って、基板６５に基板６６，６７が形成されているときにも、基板６６，６７を避けて基板６５の内部にレーザ光７０を照射可能となる照射方向を制御する為、改質部７１を形成するのに必要な光エネルギーのレーザ光７０を照射することができる。その結果、信頼性良くレーザスクライブできるレーザスクライブ装置１とすることができる。
【０１４１】
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図９〜図１８を用いて説明する。
本実施形態では、本発明の基板を分断方法を用いて液晶表示装置を製造する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、液晶表示装置及び液晶表示装置のマザー基板について順次説明する。
【０１４２】
（液晶表示装置）
図９（ａ）は、液晶表示装置の模式平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の液晶表示装置のＣ−Ｃ’線に沿う模式断面図である。
【０１４３】
図９（ａ）及び図９（ｂ）において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置８１は、対をなすＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３とが熱硬化性の封止材であるシール８４によって貼り合わされ、このシール８４によって区画される領域内に封入された液晶８５からなる液晶層を備えている。シール８４は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。
【０１４４】
シール８４の内側で対向基板８３の液晶８５側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り８６が形成されている。シール８４の外側の場所には、データ線駆動回路８７及び電極端子８８がＴＦＴアレイ基板８２の辺８２ａ（図９中下側の辺）に沿って形成されており、この辺８２ａに隣接する辺８２ｂ及び辺８２ｃ（図９中左右の辺）に沿って走査線駆動回路８９が形成されている。データ線駆動回路８７、電極端子８８及び走査線駆動回路８９は配線９０ａにより電気的に接続されている。ＴＦＴアレイ基板８２の残る辺８２ｄ（図９中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路８９の間を接続するための配線９０ｂが設けられている。また、対向基板８３のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３との間で電気的導通をとるための基板間導通材９１が配設されている。対向基板８３のＴＦＴアレイ基板８２側には対向電極９２が配置され、基板間導通材９１と電気的に接続されている。さらに、対向電極９２のＴＦＴアレイ基板８２側には配向膜９３が配置されている。
【０１４５】
液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶分子の液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、ＴＦＴのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。なお、光が液晶により遮られた画素には当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させることにより、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、映像を表示させることができる。
【０１４６】
このような構造を有する液晶表示装置８１の画像を表示する領域には、複数の画素９４がｍ行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素９４の各々には、画素信号をスイッチングするスイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されている。画素信号を供給するデータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に画素電極９６が電気的に接続されている。走査線が接続されるＴＦＴのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。
【０１４７】
画素電極９６は、ＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続されており、ＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素９４の画素電極９６に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極９６に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、図９（ｂ）に示す対向基板８３の対向電極９２と画素電極９６との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶８５の光透過量が変化する。
【０１４８】
画素電極９６の対向基板８３側には配向膜９７が配置されている。配向膜９３と配向膜９７とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜９３と配向膜９７との間に充填された液晶８５は、配向膜９３と配向膜９７とに形成されている溝状の凹凸に沿って配列して形成される。
【０１４９】
ＴＦＴアレイ基板８２において、液晶８５と反対側の面には、防塵ガラス９８が配置され、対向基板８３において、液晶８５と反対側の面には、防塵ガラス９９が配置されている。防塵ガラス９８，９９は、ＴＦＴアレイ基板８２及び対向基板８３に塵及び埃が付着することを防止している。又、防塵ガラス９８，９９に塵及び埃が付着しても、この塵埃等と液晶との間の距離が防塵ガラスの厚み分だけ長くなる。外部の配置された投影レンズにより液晶表示装置８１の画素９４により形成される画像を投影するとき、塵埃等の像がデフォーカスされ、スクリーン上に大きくぼやけて表示されるので目立たなくすることができる。
【０１５０】
液晶表示装置８１を通過する光の光軸上には偏光シートが配置され、この偏光シート及び液晶８５の作用により、液晶表示装置８１を透過する光透過量が変化するようになっている。
【０１５１】
（マザー基板）
図１０（ａ）は、マザー基板を示す模式平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った模式断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、マザー基板１０１は基板としてのＴＦＴアレイマザー基板１０２と基板としての対向マザー基板１０３との間に液晶８５が封入され、シール８４により接合されて、形成されている。ＴＦＴアレイマザー基板１０２には、ＴＦＴアレイ基板８２が複数配列して形成され、対向マザー基板１０３には、対向基板８３が複数配列して形成されている。ＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３とには、防塵ガラス９８と防塵ガラス９９とがそれぞれ接合されていることから、ＴＦＴアレイマザー基板１０２と対向マザー基板１０３とには、防塵ガラス９８と防塵ガラス９９とがそれぞれ配列して配置されている。
尚、マザー基板１０１の形成方法は公知の方法により製造されており、説明を省略する。
【０１５２】
図９に示す液晶表示装置８１を形成する為に、対向マザー基板１０３を分断する予定の面をＨ対向切断面１０４、Ｖ対向切断面１０５とし、ＴＦＴアレイマザー基板１０２を分断する予定の面をＨ素子切断面１０６、Ｖ素子切断面１０７と表記する。
Ｈ対向切断面１０４は、一点鎖線で示した対向マザー基板１０３の切断面であり、図１０（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１０（ａ）に示した、１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄ，１０４ｅは、それぞれＨ対向切断面１０４である。
【０１５３】
Ｖ対向切断面１０５は、一点鎖線で示した対向マザー基板１０３の切断面であり、図１０（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図１０（ａ）に示した、１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃは、それぞれＶ対向切断面１０５である。
【０１５４】
Ｈ素子切断面１０６は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板１０２の切断面であり、図１０（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１０（ａ）に示した、１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃは、それぞれＨ素子切断面１０６である。
【０１５５】
Ｖ素子切断面１０７は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板１０２の切断面であり、図１０（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。Ｖ素子切断面１０７は、Ｖ対向切断面１０５と対向する場所に位置し、図１０（ａ）に示した、１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃは、それぞれＶ素子切断面１０７である。
【０１５６】
（液晶表示装置の製造方法）
次に、上述した液晶表示装置８１における基板の分断方法について図１１〜図１８にて説明する。図１１は、液晶表示装置の製造方法のフローチャートであり、図１２〜１８は液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【０１５７】
図１１のフローチャートにおいて、ステップＳ１１は対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向マザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ１２に移行する。ステップＳ１２は対向マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、対向マザー基板において、ステップＳ１１でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ１３に移行する。ステップＳ１３はＴＦＴアレイマザー基板の第１スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ１４に移行する。ステップＳ１４はＴＦＴアレイマザー基板の第２スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板において、ステップＳ１３でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ１５に移行する。ステップＳ１５は対向マザー基板の分断工程に相当し、対向マザー基板を分断する工程である。次にステップＳ１６に移行する。ステップＳ１６はＴＦＴアレイマザー基板の分断工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板を分断する工程である。以上の工程により、液晶表示装置８１が形成される。
【０１５８】
次に、図１２〜図１８を用いて、図１１に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図１２（ａ）〜１３（ｃ）はステップＳ１１に対応する図である。図１に示すレーザスクライブ装置１のステージ５０にマザー基板１０１を配置し固定する。図１２（ａ）に示すように、対向マザー基板１０３の内部に、集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆからレーザ光７０を集光して照射する。レーザ光７０が集光して照射される光集中部２４には、改質部７１が形成され、改質部７１の中央にはクラック部７２が形成される。集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆから照射されるレーザ光７０は、その光エネルギーの和が図１に示す光強度制御装置５９により調整されて、照射される。
【０１５９】
集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆと対向マザー基板１０３とを相対的に移動してレーザ光７０を照射し、改質部７１を配列して形成する。まず、対向マザー基板１０３において、ＴＦＴアレイマザー基板１０２側の面１０３ｂの近くに改質部７１を配列して１段目の改質部７１ｂを、対向マザー基板１０３のＶ対向切断面１０５に沿って形成する。続いて、１段目と隣接する場所に改質部７１を配列して２段目の改質部７１ｃを形成する。３段目以降についても、同様の方法で、改質部７１を配列して形成する。このとき、集光レンズ２０ｆから照射するレーザ光７０のエネルギーでは改質部７１が形成できない場合には、集光レンズ２０ｃ，２０ｄからもレーザ光７０を照射することにより改質部７１を形成する。
【０１６０】
図１２（ｂ）に示すように、このとき、集光レンズ２０ｂ，２０ｅからはレーザ光７０を照射しない。集光レンズ２０ｂ，２０ｅと光集中部２４との間には防塵ガラス９９が配置されているので、集光レンズ２０ｂ，２０ｅからレーザ光７０を照射しても防塵ガラス９９を通過して屈折することから光集中部２４に集光しなくなり、改質部７１の形成に寄与しない。光集中部２４に集光しないレーザ光７０は、シール８４、配線９０、走査線駆動回路８９を照射して損傷を与える可能性がある。従って、集光レンズ２０ｂ，２０ｅからはレーザ光７０を照射しないことにより、シール８４、配線９０、走査線駆動回路８９に損傷を与えることを防止している。
【０１６１】
図１２（ｃ）に示すように、その結果、対向マザー基板１０３のＶ対向切断面１０５総てに改質部７１が配列して形成され、改質部７１の中央にはクラック部７２が形成される。
【０１６２】
図１３（ａ）〜１４（ｂ）はステップＳ１２に対応する図である。図１３（ａ）に示すように、対向マザー基板１０３の内部に、集光レンズ２０ｂ，２０ｅ，２０ｆからレーザ光７０を集光して照射する。レーザ光７０が集光して照射される光集中部２４には、改質部７１が形成され、改質部７１の中央にはクラック部７２が形成される。
【０１６３】
集光レンズ２０ｂ，２０ｅ，２０ｆと対向マザー基板１０３とを相対的に移動してレーザ光７０を照射し、改質部７１を配列して形成する。ステップＳ１１と同様に、改質部７１を複数段、配列して形成する。このとき、集光レンズ２０ｆから照射するレーザ光７０のエネルギーでは改質部７１が形成できない場合には、集光レンズ２０ｂ，２０ｅからもレーザ光７０を照射することにより改質部７１を形成する。
【０１６４】
図１３（ｂ）に示すように、Ｈ対向切断面１０４ｂ，１０４ｄをレーザスクライブするとき、集光レンズ２０ｃからはレーザ光７０を照射しない。集光レンズ２０ｃと光集中部２４との間には防塵ガラス９９が配置されているので、集光レンズ２０ｃからレーザ光７０を照射しても防塵ガラス９９を通過して屈折することから光集中部２４に集光しなくなり、改質部７１の形成に寄与しない。光集中部２４に集光しないレーザ光７０は、シール８４、配線９０、データ線駆動回路８７を照射して損傷を与える可能性がある。従って、集光レンズ２０ｃからはレーザ光７０を照射しないことにより、シール８４、配線９０、走査線駆動回路８９に損傷を与えることを防止している。
【０１６５】
一方、集光レンズ２０ｄからはレーザ光７０を集光して照射する。集光レンズ２０ｄと光集中部２４との間には防塵ガラス９９が配置されていないので、集光レンズ２０ｄから照射されるレーザ光７０は光集中部２４に集光して、改質部７１を形成するのに寄与する。Ｈ対向切断面１０４ｂ，１０４ｄにおいては、４方向からレーザ光を照射できることから、改質部７１を形成するのに十分なエネルギーを供給することができる。このとき、集光レンズ２０ｂ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆから照射されるレーザ光７０はその光エネルギーの和を図１に示す光強度制御装置５９に調整され、照射される。
【０１６６】
図１４（ａ）に示すように、Ｈ対向切断面１０４ｃ，１０４ｅをレーザスクライブするとき、集光レンズ２０ｄからはレーザ光７０を照射しない。集光レンズ２０ｄと光集中部２４との間には防塵ガラス９９が配置されているので、集光レンズ２０ｄからレーザ光７０を照射しても防塵ガラス９９を通過して屈折することから光集中部２４に集光しなくなり、改質部７１の形成に寄与しない。光集中部２４に集光しないレーザ光７０は、シール８４、配線９０、データ線駆動回路８７を照射して損傷を与える可能性がある。従って、集光レンズ２０ｄからはレーザ光７０を照射しないことにより、シール８４、配線９０、走査線駆動回路８９に損傷を与えることを防止している。
【０１６７】
一方、集光レンズ２０ｃからはレーザ光７０を集光して照射する。集光レンズ２０ｃと光集中部２４との間には防塵ガラス９９が配置されているが、レーザ光７０が防塵ガラス９９に掛る割合が少ないので、集光レンズ２０ｃから照射されるレーザ光７０は光集中部２４に集光して、改質部７１を形成するのに寄与する。Ｈ対向切断面１０４ｃ，１０４ｅにおいては、４方向からレーザ光を照射できることから、改質部７１を形成するのに十分なエネルギーを供給することができる。このとき、集光レンズ２０ｂ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｆから照射されるレーザ光７０はその光エネルギーの和を図１に示す光強度制御装置５９に調整され、照射される。
【０１６８】
図１４（ｂ）に示すように、その結果、対向マザー基板１０３のＨ対向切断面１０４総てに改質部７１が配列して形成され、改質部７１の中央にはクラック部７２が形成される。
【０１６９】
図１５（ａ）〜１５（ｃ）はステップＳ１３に対応する図である。図１５（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイマザー基板１０２の内部に、集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆからレーザ光７０を集光して照射する。レーザ光７０が集光して照射される光集中部２４には、改質部７１が形成され、改質部７１の中央にはクラック部７２が形成される。集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆから照射するレーザ光７０は、その光エネルギーの和を図１に示す光強度制御装置５９に調整されて、照射される。
【０１７０】
集光レンズ２０ｃ，２０ｄ，２０ｆとＴＦＴアレイマザー基板１０２とを相対的に移動してレーザ光７０を照射し、改質部７１を配列して形成する。ステップＳ１１と同様に、改質部７１を複数段、配列して形成する。このとき、集光レンズ２０ｆから照射するレーザ光７０のエネルギーでは改質部７１が形成できない場合には、集光レンズ２０ｄ，２０ｃからもレーザ光７０を照射することにより改質部７１を形成する。
【０１７１】
図１５（ｂ）に示すように、Ｖ素子切断面１０７をレーザスクライブするとき、集光レンズ２０ｂ，２０ｅからはレーザ光７０を照射しない。集光レンズ２０ｂ，２０ｅと光集中部２４との間には防塵ガラス９８が配置されているので、集光レンズ２０ｂ，２０ｅからレーザ光７０を照射しても防塵ガラス９８を通過して屈折することから光集中部２４に集光しなくなり、改質部７１の形成に寄与しない。光集中部２４に集光しないレーザ光７０は、シール８４、配線９０、走査線駆動回路８９を照射して損傷を与える可能性がある。従って、集光レンズ２０ｂ，２０ｅからはレーザ光７０を照射しないことにより、シール８４、配線９０、走査線駆動回路８９に損傷を与えることを防止している。
【０１７２】
図１５（ｃ）に示すように、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板１０２のＶ素子切断面１０７総てに改質部７１が配列して形成され、改質部７１の中央にはクラック部７２が形成される。
【０１７３】
図１６（ａ）〜１６（ｃ）はステップＳ１４に対応する図である。図１６（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイマザー基板１０２の内部に、集光レンズ２０ｂ，２０ｅ，２０ｆからレーザ光７０を集光して照射する。レーザ光７０が集光して照射される光集中部２４には、改質部７１が形成され、改質部７１の中央にはクラック部７２が形成される。
【０１７４】
図１６（ｂ）に示すように、Ｈ素子切断面１０６をレーザスクライブするとき、集光レンズ２０ｄからはレーザ光７０を照射しない。集光レンズ２０ｄと光集中部２４との間には防塵ガラス９８が配置されているので、集光レンズ２０ｄからレーザ光７０を照射しても防塵ガラス９８を通過して屈折することから光集中部２４に集光しなくなり、改質部７１の形成に寄与しない。光集中部２４に集光しないレーザ光７０は、シール８４、配線９０、データ線駆動回路８７を照射して損傷を与える可能性がある。従って、集光レンズ２０ｄからはレーザ光７０を照射しないことにより、シール８４、配線９０、データ線駆動回路８７に損傷を与えることを防止している。
【０１７５】
一方、集光レンズ２０ｃからはレーザ光７０を集光して照射する。集光レンズ２０ｃと光集中部２４との間には防塵ガラス９８が配置されているが、レーザ光７０が防塵ガラス９８に掛る割合が少ないので、集光レンズ２０ｃから照射されるレーザ光７０は光集中部２４に集光して、改質部７１を形成するのに寄与する。Ｈ素子切断面１０６においては、４方向からレーザ光を照射できることから、改質部７１を形成するのに十分なエネルギーを供給することができる。このとき、集光レンズ２０ｂ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｆから照射するレーザ光７０はその光エネルギーの和を図１に示す光強度制御装置５９に調整され、照射される。
【０１７６】
図１６（ｃ）に示すように、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板１０２のＨ素子切断面１０６総てに改質部７１が配列して形成され、改質部７１の中央にはクラック部７２が形成される。
【０１７７】
図１７（ａ）〜１７（ｄ）はステップＳ１５に対応する図である。図１７（ａ）に示すように、続いて、マザー基板１０１を弾性材からなる台７５の上に配置する。マザー基板１０１の防塵ガラス９９が台７５と接する様に配置し、ＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｈ対向切断面１０４に沿って配列して形成されているクラック部７２と対向する場所を、加圧部材７６を用いて押圧する。防塵ガラス９９は台７５に沈み込み、対向マザー基板１０３に形成されているクラック部７２に張力が作用する。対向マザー基板１０３は、台７５に近いクラック部７２を起点として破断が進行し、分断する。
【０１７８】
図１７（ｂ）に示すように、その結果、対向マザー基板１０３は、総てのＨ対向切断面１０４におけるクラック部７２が分断される。
【０１７９】
図１７（ｃ）に示すように、続いて、ＴＦＴアレイマザー基板１０２において、Ｖ対向切断面１０５に配列して形成されているクラック部７２と対向する場所を、加圧部材７６を用いて押圧する。防塵ガラス９９は台７５に沈み込み、Ｖ対向切断面１０５に沿って配列して形成されているクラック部７２に張力が作用する。対向マザー基板１０３は、台７５に近いクラック部７２を起点として破断が進行し、分断する。
【０１８０】
図１７（ｄ）に示すように、その結果、対向マザー基板１０３は、総てのＶ対向切断面１０５で分断される。
【０１８１】
図１８（ａ）〜１８（ｄ）はステップＳ１６に対応する図である。図１８（ａ）に示すように、続いて、マザー基板１０１の防塵ガラス９８が台７５と接する様に配置する。対向マザー基板１０３において、Ｈ素子切断面１０６に配列して形成されているクラック部７２と対向する場所を、加圧部材７６を用いて押圧する。防塵ガラス９８は台７５に沈み込み、Ｈ素子切断面１０６に沿って配列して形成されているクラック部７２に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板１０２は、台７５に近いクラック部７２を起点として破断が進行し、分断する。
【０１８２】
図１８（ｂ）に示すように、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板１０２は、総てのＨ素子切断面１０６で分断される。
【０１８３】
図１８（ｃ）に示すように、続いて、対向マザー基板１０３において、Ｖ素子切断面１０７に配列して形成されているクラック部７２と対向する場所を、加圧部材７６を用いて押圧する。防塵ガラス９８は台７５に沈み込み、Ｖ素子切断面１０７に沿って配列して形成されているクラック部７２に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板１０２は、台７５に近いクラック部７２を起点として破断が進行し、分断する。
【０１８４】
図１８（ｄ）に示すように、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板１０２は、総てのＶ素子切断面１０７で分断される。以上の工程により、マザー基板１０１が分割されて、図９に示す液晶表示装置８１の形状に形成され、液晶表示装置８１が完成する。
【０１８５】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、図１３（ｂ）において、集光レンズ２０ｄから照射されるレーザ光線７０は、対向マザー基板１０３の厚さ方向に対して斜めに照射される。レーザ光７０を集光レンズ２０ｆを用いて集光し、対向マザー基板１０３の厚さ方向から対向マザー基板１０３を照射するとき、集光レンズ２０ｆと、光集中部２４との間に構造物の一部が掛ることがある。このとき、集光レンズ２０ｄから照射するときの様に、対向マザー基板１０３の厚さ方向に対して斜めの方向から対向マザー基板１０３にレーザ光７０を照射することで、集光レンズ２０ｄと光集中部２４との間で防塵ガラス９９に掛るレーザ光７０の量を減らせる場合がある。従って、基板の厚さ方向に対して斜めの方向から基板にレーザ光を照射し、構造物に掛るレーザ光の量を減らすことで、光集中部２４に到達する光エネルギーを増やすことができる。その結果、対向マザー基板１０３内に改質部７１を品質良く形成することができる。
【０１８６】
（２）本実施形態によれば、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、対向マザー基板１０３の内部に、集光レンズ２０ｂ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆからレーザ光７０を集光して照射している。一つの集光レンズ２０ｆからレーザ光７０を照射するとき、レーザ光７０の一部が防塵ガラス９９に掛かるときにも、光集中部２４に複数のレーザ光７０が照射される。複数のレーザ光７０が照射されるとき、光集中部２４を照射するレーザ光７０のエネルギーの和が改質部７１を形成するのに必要なエネルギーを超えるようにすることで、改質部７１を形成することができる。従って、対向マザー基板１０３に防塵ガラス９９が形成されている場合にも、複数のレーザ光線を光集中部２４に照射することにより、改質部７１を形成してスクライブすることができる。
【０１８７】
（３）本実施形態によれば、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、集光レンズ２０ｂ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆからレーザ光７０を照射して、集光レンズ２０ｃからはレーザ光７０を照射していない。つまりレーザ光７０を照射する方向を選定して、その方向から照射可能な集光レンズ２０ｂ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆからレーザ光７０を照射している。
【０１８８】
つまり、対向マザー基板１０３にレーザ光７０を照射するときに、防塵ガラス９９にレーザ光７０が掛る量を少なくできるレーザ光７０の照射方向を設定して、レーザ光７０を照射することで、防塵ガラス９９にレーザ光７０が掛る量を少なくできる。その結果、高い光エネルギーを光集中部２４に集めることができる為、改質部７１を品質良く形成することができる。
【０１８９】
（４）本実施形態によれば、ＴＦＴアレイマザー基板１０２及び対向マザー基板１０３に複数のレーザ光７０を照射するときのレーザ光７０の光強度を設定し、設定した光強度のレーザ光７０をＴＦＴアレイマザー基板１０２及び対向マザー基板１０３に照射して、改質部７１を形成する。ＴＦＴアレイマザー基板１０２及び対向マザー基板１０３にレーザ光７０を照射するとき、改質部７１を形成することができる光エネルギーを光集中部２４に集められれば良く、改質部７１の形成に必要な光エネルギーを超える強さのレーザ光を照射する必要はない。強すぎるレーザ光を照射するとき、改質部７１にて乱反射するレーザ光７０が放射される。ＴＦＴアレイマザー基板１０２に形成されているシール８４、データ線駆動回路８７、実装端子８８、走査線駆動回路８９、配線９０等がレーザ光７０の照射を受けて、損傷を受ける可能性がある。従って、照射するレーザ光７０の光強度を適正に調整することにより、ＴＦＴアレイマザー基板１０２に形成されているシール８４、データ線駆動回路８７、実装端子８８、走査線駆動回路８９、配線９０等に損傷を与えにくい液晶表示装置８１の製造方法とすることができる。
【０１９０】
（第３の実施形態）
次に、本発明を具体化したレーザスクライブ装置の一実施形態について、図１９にて説明する。図１９は、レーザスクライブ装置を示す概略図である。第３の実施形態が、第１の実施形態と異なる点は、レーザ光源を複数備え集光レンズに、グラスファイバを用いてレーザ光を誘導している点である。
【０１９１】
図１９に示すように、レーザスクライブ装置１１１は複数のレーザ光源１１２ａ〜１１２ｊを備えている。制御装置５には、光強度制御装置１１３を有し、光強度制御装置１１３はレーザ制御装置５７を制御して、レーザ光源１１２ａ〜１１２ｊが出射するレーザ光の光強度を制御している。又、光強度制御装置１１３は、メインコンピュータ５４により制御される。つまり、メインコンピュータ５４は、光強度制御装置１１３及びレーザ制御装置５７を制御してレーザ光源１１２ａ〜１１２ｊから出射されるレーザ光の光強度を制御するようになっている。
【０１９２】
レーザ光源１１２ａ〜１１２ｊから出射するレーザ光はグラスファイバなどからなる導光管１１４を介して出射口１１５から出射する。出射口１１５から出射するレーザ光は集光レンズ２０ａ〜２０ｊを照射し、集光レンズ２０ａ〜２０ｊにより集光されて光集中部２４を照射する。
【０１９３】
このとき、集光レンズ２０ａ〜２０ｊは非球面レンズに成形して、出射口１１５から照射されるレーザ光を光集中部２４に精度良く集光できるようにするのが望ましい。
【０１９４】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、レーザスクライブ装置１１１は、複数のレーザ光源１１２ａ〜１１２ｊを有している。基板２３が大きいとき、レーザ光源を一つにする場合に比べて、レーザ光源を複数にすることにより、レーザ光源１１２ａ〜１１２ｊと集光レンズ２０ａ〜２０ｊとの間の光路を短くすることができる。レーザ光源１１２ａ〜１１２ｊと集光レンズ２０ａ〜２０ｊとの間の導光管１１４によりレーザ光が減衰してレーザ光の光強度が下がるため、レーザ光を利用する効率が悪くなってしまう。導光管１１４を用いない場合は、光路に漂っている塵や埃によりレーザ光が減衰してレーザ光の光強度が下がる可能性がある。
【０１９５】
レーザ光源１１２ａ〜１１２ｊを複数有することにより、レーザ光源１１２ａ〜１１２ｊと集光レンズ２０ａ〜２０ｊとの距離を短くすることにより、導光管１１４、塵及び埃の影響を少なくしてレーザ光を利用する効率を良くすることができる。従って、１つのレーザ光源から分岐して複数の集光レンズ２０から照射する方法に比べて、レーザ光の利用効率の良いレーザスクライブ装置１１１とすることができる。
【０１９６】
（２）本実施形態によれば、レーザスクライブ装置は導光管１１４を有し、レーザ光源１１２ａ〜１１２ｊが出射するレーザ光が導光管１１４を通って集光レンズ２０ａ〜２０ｊを照射する。導光管１１４は内部でレーザ光が反射又は屈折して伝播することから、導光管１１４を自由に曲げて、光路を曲線形状に配置することができる。従って、光学経路部の配置を設計し易いレーザスクライブ装置とすることができる。
【０１９７】
尚、本発明は上述した第１〜第３の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
【０１９８】
（変形例１）
前記第２の実施形態では、ＴＦＴアレイマザー基板１０２及び対向マザー基板１０３に対して、片面側からレーザ光７０を照射したが、両面からレーザ光７０を照射してスクライブしても良い。両面からレーザ光７０を照射することから、光集中部２４に光エネルギーを集め易い為、品質よく改質部７１を形成することができる。
【０１９９】
（変形例２）
前記第２の実施形態では、ＴＦＴアレイマザー基板１０２及び対向マザー基板１０３に対して、レーザスクライブ装置１の撮像装置４０側からレーザ光７０を照射したが、テーブル部４側からレーザ光７０を照射しても良い。マザー基板１０１を反転する工程が省けることから生産性良くスクライブすることができる。
【０２００】
（変形例３）
前記第１〜第３の実施形態では、集光レンズ２０ａ〜２０ｊは各々別のレンズにて構成したが、図２０に示すように、集光レンズ１１６ｂ〜レンズ１１６ｆを一体としたレンズ１１６としてもよい。集光レンズ１１６ｂ〜レンズ１１６ｆを形状精度良く製造することで、集光レンズ２０ａ〜２０ｊの位置合わせを容易に行うことができる。
【０２０１】
（変形例４）
前記第１の実施形態におけるレーザスクライブ装置１及び、前記第３の実施形態におけるレーザスクライブ装置１１１では、集光レンズ２０が照射するレーザ光の照射方向が固定となっていたがこれに限らない。図２１に示すように、例えば、多関節ロボット１２０を備えたレーザスクライブ装置１２１としても良い。多関節ロボット１２０は、ハンド部１２２に集光レンズ２０ｋを備えている。レーザ光源１１２ｋがレーザ光を出射し、導光管１１４を介して集光レンズ２０ｋから基板２３にレーザ光７０を照射する。制御装置５は、入射角制御部としてのロボット制御装置１２３を備え、ハンド部１２２の位置と基板２３に対する角度を制御する。
【０２０２】
これによれば、集光レンズ２０ｋは基板２３に対して所望の場所及び入射角で基板２３にレーザ光７０を照射することができる。従って、基板２３に構造物が配置されているときにも、構造物を避けてレーザ光７０を照射することができる。その結果、品質良くレーザスクライブすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２０３】
【図１】第１の実施形態に係るレーザスクライブ装置の構成を示す概略図。
【図２】レーザスクライブ装置の光学経路を説明する図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、分断する基板の模式図。
【図４】基板の分断方法のフローチャート。
【図５】（ａ）〜（ｂ）は、基板の分断方法を説明する図。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、基板の分断方法を説明する図。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、基板の分断方法を説明する図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、基板の分断方法を説明する図。
【図９】（ａ）〜（ｂ）は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の模式図。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す模式図。
【図１１】液晶表示装置の製造方法のフローチャート。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１３】（ａ）〜（ｂ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１４】（ａ）〜（ｂ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１７】（ａ）〜（ｄ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１８】（ａ）〜（ｄ）は、液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１９】第３の実施形態に係るレーザスクライブ装置の構成を示す概略図。
【図２０】変形例３に係る集光レンズを示す概略斜視図。
【図２１】変形例４に係るレーザスクライブ装置の構成を示す模式概略図。
【符号の説明】
【０２０４】
２…レーザ光源部としてのレーザ光源、４…テーブル部、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ，６ｈ，６ｉ，６ｊ…レーザ光線としての光軸、９…分岐部としてのハーフミラー、１２…分岐部としての第１ハーフミラー、１３…分岐部としての第２ハーフミラー、１４…分岐部としての第３ハーフミラー、１５…分岐部としての第４ハーフミラー、１７…照射制御部及び入射角制御部としての光シャッタ、１８…光強度制御部としての光強度フィルタ、２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｉ，２０ｊ…集光部としての集光レンズ、２３，６５…基板、５９…照射制御部及び光強度制御部及び入射角制御部としての光強度制御装置、７０…レーザ光、７１…改質部、８１…電気光学装置としての液晶表示装置、１０２…基板としてのＴＦＴアレイマザー基板、１０３…基板としての対向マザー基板、１１４…導光管、１２３…入射角制御部としてのロボット制御装置。
【図１】
2008023579.tif 000003
【図２】
2008023579.tif 000004
【図３】
2008023579.tif 000005
【図４】
2008023579.tif 000006
【図５】
2008023579.tif 000007
【図６】
2008023579.tif 000008
【図７】
2008023579.tif 000009
【図８】
2008023579.tif 000010
【図９】
2008023579.tif 000011
【図１０】
2008023579.tif 000012
【図１１】
2008023579.tif 000013
【図１２】
2008023579.tif 000014
【図１３】
2008023579.tif 000015
【図１４】
2008023579.tif 000016
【図１５】
2008023579.tif 000017
【図１６】
2008023579.tif 000018
【図１７】
2008023579.tif 000019
【図１８】
2008023579.tif 000020
【図１９】
2008023579.tif 000021
【図２０】
2008023579.tif 000022
【図２１】
2008023579.tif 000023