(57)【要約】【課題】複数の電子部品を積層させた状態で内蔵する電子部品内蔵基板において、平面寸法を大幅に縮小することが可能で、低コストでの製造が可能な電子部品内蔵基板を提供する。【解決手段】一対の配線基板１０，２０間に、複数段に電子部品３０，６０が積み重ねて搭載された電子部品内蔵基板１００であって、一方の配線基板１０と他方の配線基板２０同士がはんだボール４０を介して電気的に接続され、一方の配線基板１０に第１の電子部品３０が搭載されると共に、第１の電子部品３０の上に第２の電子部品６０が搭載され、他方の配線基板２０には、第２の電子部品６０を収容する開口部２４が設けられ、第２の電子部品６０は、開口部２４内に収容して搭載されると共に、他方の配線基板２０にワイヤボンディングによって電気的に接続され、一対の配線基板１０，２０間が封止樹脂５０によって封止されていることを特徴とする。【選択図】図１
2008159956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の配線基板間に、複数段に電子部品が積み重ねて搭載された電子部品内蔵基板であって、
一方の配線基板と他方の配線基板同士がはんだボールを介して電気的に接続され、
前記一方の配線基板に第１の電子部品が搭載されると共に、該第１の電子部品の上に第２の電子部品が搭載され、
前記他方の配線基板には、前記第２の電子部品を収容する開口部が設けられ、
前記第２の電子部品は、前記開口部内に収容して搭載されると共に、前記他方の配線基板にワイヤボンディングによって電気的に接続され、
前記一対の配線基板間が封止樹脂によって封止されていることを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記第２の電子部品は、ワイヤボンディングされる面が前記他方の配線基板の板厚内に位置するように搭載されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記第１の電子部品は前記封止樹脂により被覆され、前記第２の電子部品は前記封止樹脂の表面に搭載されていることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記第２の電子部品は、前記第１の電子部品に直接接着されていることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記はんだボールは、金属を球状体に形成したコア材の外表面にはんだが被覆されてなるコア入りはんだボールが用いられていることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記コア材は銅により形成されていることを特徴とする請求項５記載の電子部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品内蔵基板に関し、より詳細には、一対の配線基板間に複数の電子部品を積層させた状態で搭載した電子部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
２枚の配線基板間に電子部品を挟み込むように内蔵した電子部品内蔵基板として、図１１に示す形態の製品が提案されている（例えば、特許文献１の段落番号００７３参照）。この製品は、２つの半導体装置３００Ａ，３００Ｂを積み重ねて形成されている。半導体装置３００Ａ、３００Ｂは、電極２１２Ａと２１２Ｂとの間をはんだボール２５０により接合して電気的に接続されている。
【０００３】
半導体装置３００Ａには、配線基板２００Ａの上面に３個の半導体素子２３０Ａ，２３１Ａ，２３２Ａが２段に積み重ねられた配置に搭載されている。具体的には、２つの半導体素子２３０Ａ，２３１Ａが共にフリップチップ方式により配線基板２００Ａの電極２１８Ａに搭載され、半導体素子２３０Ａ，２３１Ａの裏面側を覆うようにして上側に半導体素子２３２Ａが搭載されている。半導体素子２３２Ａはワイヤボンディングにより配線基板２００Ａの接続パッド２１６Ａに電気的に接続されている。半導体素子２３０Ａ，２３１Ａ，２３２Ａは、樹脂２５０により封止されている。
【０００４】
また、半導体装置３００Ｂには、配線基板２００Ｂの上面に３個の半導体素子２３０Ｂ，２３１Ｂ，２３２Ｂが２段に積み重ねられた配置に搭載されている。具体的には、２つの半導体素子２３０Ｂ，２３１Ｂが共にフリップチップ方式により配線基板２００Ｂに搭載され、半導体素子２３０Ｂ，２３１Ｂの裏面側を覆うようにして半導体素子２３２Ｂが搭載されている。半導体素子２３２Ｂは、配線基板２００Ａの下面にフリップチップ接続されている。
【特許文献１】特開２００５−３１０９８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１１における半導体装置３００Ａの構成について見てみると、下側の半導体素子２３０Ａ，２３１Ａは配線基板２００Ａにフリップチップ接続されているので、半導体素子２３０Ａ，２３１Ａの外周部分にはアンダーフィル樹脂２８０が流れ出したエリアが存在する。したがって、上側の半導体素子２３２Ａと接続パッド２１６Ａとを電気的に接続する場合、ボンディングワイヤ２６０を接続する接続パッド２１６Ａは、少なくともアンダーフィル樹脂２８０の流れ出しエリアより外側領域に配設しなければならず、ボンディングワイヤ２６０が長くなってしまうという課題がある。
【０００６】
また、下側の半導体素子２３０Ａ，２３１Ａの平面寸法に比べ、上側の半導体素子２３２Ａの平面寸法が小さい場合、あるいは、半導体素子２３０Ａ，２３１Ａの搭載領域に比べて上側の半導体素子２３２Ａが小さい場合には、ワイヤ長が長くなるから、半導体素子２３２Ａから配線基板２００の接続パッド２１６Ａまで直接ワイヤボンディングすることができず、下側の半導体素子２３０Ａ，２３１Ａの裏面に中継用のパッドを設けて配線基板２００Ａに接続するといった構成にする必要がある。このような形態においては、ワイヤ長が長くなることに加え、ワイヤボンディング接続をするために余分な加工が必要になるので、電子部品内蔵基板の製造コストが嵩んでしまうといった課題もある。
このように、半導体素子等の電子部品を複数段に積み重ねて搭載する場合は、電子部品内蔵基板４００は、平面寸法（平面積）が大きくなってしまうという課題や製造コストが嵩むといった課題を有している。
【０００７】
そこで本願発明は、複数の電子部品を積層させた状態で内蔵する電子部品内蔵基板において、平面寸法（平面積）を大幅に縮小することが可能で、低コストでの製造が可能な電子部品内蔵基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、一対の配線基板間に、複数段に電子部品が積み重ねて搭載された電子部品内蔵基板であって、一方の配線基板と他方の配線基板同士がはんだボールを介して電気的に接続され、前記一方の配線基板に第１の電子部品が搭載されると共に、該第１の電子部品の上に第２の電子部品が搭載され、前記他方の配線基板には、前記第２の電子部品を収容する開口部が設けられ、前記第２の電子部品は、前記開口部内に収容して搭載されると共に、前記他方の配線基板にワイヤボンディングによって電気的に接続され、前記一対の配線基板間が封止樹脂によって封止されていることを特徴とする電子部品内蔵基板である。
【０００９】
前記第２の電子部品は、ワイヤボンディングされる面が前記他方の配線基板の板厚内に位置するように搭載されていることを特徴とする。これにより、他方の配線基板の接続パッドに対する第２の電子部品のワイヤボンディング面の高さ位置を低くすることができるので、第２の電子部品と他方の配線基板とをワイヤボンディングする際において、ボンディングワイヤにより形成されるワイヤループの頂点高さが低くなり、電子部品内蔵基板の厚さ寸法を小さくすることができる。
【００１０】
また、前記第１の電子部品は前記封止樹脂により被覆され、前記第２の電子部品は前記封止樹脂の表面に搭載されていることを特徴とする。これにより、電子部品内蔵基板の製造が容易になるため安価な電子部品内蔵基板を提供することができる。
【００１１】
また、前記第２の電子部品は、前記第１の電子部品に直接接着されていることを特徴とする。これにより、一方の配線基板と他方の配線基板との間と、第１および第２の電子部品とボンディングワイヤを一括して樹脂封止することが可能な構成になり、樹脂封止工程を少なくすることができる。
【００１２】
また、前記はんだボールは、金属を球状体に形成したコア材の外表面にはんだが被覆されてなるコア入りはんだボールが用いられていることを特徴とする。かかるコア材は銅コアであることが好ましい。これにより、一方の配線基板と他方の配線基板に薄厚の配線基板を用いても十分な機械的強度を有する電子部品内蔵基板を提供することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明にかかる電子部品内蔵基板によれば、他方の配線基板にワイヤボンディング接続する第２の電子部品の電極位置を他方の配線基板の接続パッドに近づけることができるため、ボンディングワイヤ長を大幅に短くすることができ、電気的信頼性の高い電子部品内蔵基板を安価で提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（第１実施形態）
以下、本発明にかかる電子部品内蔵基板の実施の形態について、図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態における電子部品内蔵基板の横断面図である。図２は、図１に示す電子部品内蔵基板の開口部付近の平面図である。図３は本実施形態において用いられるはんだボールの構造を示す断面図である。
本実施の形態における電子部品内蔵基板１００は、一対の配線基板（下層側配線基板１０と上層側配線基板２０）の間に第１の電子部品である第１の半導体素子３０が搭載され、第１の半導体素子３０の上に第２の電子部品である第２の半導体素子６０が搭載された構成となっている。第１の半導体素子３０は一方の配線基板である下層側配線基板１０に電気的に接続されている。第２の半導体素子６０は他方の配線基板である上層側配線基板２０に電気的に接続されている。また、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０同士は、はんだボール４０により電気的に接続され、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に封止樹脂５０が充填されている。
【００１５】
下層側配線基板１０の上下面のそれぞれには、銅等の導体により配線パターン１２が公知の方法で形成されている。下層側配線基板１０の表面はレジスト１３により覆われ、配線パターン１２との接続端子が接合される部位は露出して接続パッド１２Ａ、ワイヤボンディング用接続パッド１２Ｂとなっている。下層側配線基板１０の下面側の接続パッド１２Ａには、外部接続端子１４が接合されている。下層側配線基板１０の下面側に接合された外部接続端子１４と上面側に形成されていている配線パターン１２とはスルーホールＨにより電気的に接続されている。
【００１６】
下層側配線基板１０の上面には第１の半導体素子３０が搭載されている。第１の半導体素子３０は電極面３２に取り付けたはんだバンプや金バンプ等のバンプ３６を介して下層側配線基板１０の接続パッド１２Ｂにフリップチップ方式により搭載されている。第１の半導体素子３０の下面（電極面側）と下層側配線基板１０の上面との間は、アンダーフィル樹脂８０が注入され、電極面３２、バンプ３６、接続パッド１２Ａが封止されている。
【００１７】
上層側配線基板２０もまた、下層側配線基板１０と同様に上下面のそれぞれに、銅等の導体により配線パターン２２が公知の方法で形成されている。上層側配線基板２０の表面はレジスト２３により覆われ、配線パターン２２の接続端子が接合される部位およびワイヤボンディングされる部位はそれぞれ露出させ、接続パッド２２Ａ，ワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂとなっている。上層側配線基板２０の両面に形成された配線パターン２２はスルーホールＨにより電気的に接続されている。
【００１８】
図２は上層側配線基板の開口部分付近を示した平面図である。図２に示すように、上層側配線基板２０には上層側配線基板２０の板厚方向に貫通する開口部２４が設けられている。開口部２４は、第２の電子部品である半導体素子６０の搭載領域を開口するように設けられ、開口部２４は、第２の半導体素子６０の平面寸法よりも大きく開口するように形成されている。
【００１９】
下層側配線基板１０と上層側配線基板２０とは、はんだボール４０を介して電気的に接続されている。下層側配線基板１０の上面側に形成された接続パッド１２Ａと上層側配線基板２０の下面側に形成された接続パッド２２Ａは同一の平面位置に設けられていて、各々の接続パッド１２Ａ，２２Ａがはんだボール４０を介して電気的に接続されている。
【００２０】
本実施形態においては、図３に示すように金属である銅材からなる球体に形成された銅コア４２の外表面をはんだ４４で被覆した銅コア入りのはんだボール４０が、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０同士を接合するはんだボール４０として用いられている。
銅コア４２入りのはんだボール４０を用いることにより、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０は、少なくとも下層側配線基板１０の接続パッド１２Ａと上層側配線基板２０の接続パッド２２Ａの離間距離が銅コア４２の径寸法となる離間距離を維持した状態で電気的に接続される。
【００２１】
また、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間には、封止樹脂５０が充填され、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間と半導体素子３０の裏面まで封止されている。封止樹脂５０の上面の高さ位置は上層側配線基板２０の下面の高さと同一の高さ位置になっている。
【００２２】
第２の半導体素子６０は、接着剤を用いて封止樹脂５０の上に接合して支持される。第２の半導体素子６０の上面（ワイヤボンディングされる面）の高さ位置は、上層側配線基板２０の上面位置よりも低い位置となるように、すなわち、第２の半導体素子６０の上面高さ位置は、上層側配線基板２０の厚さ内に位置すると共に、ワイヤボンディング面が開口部２４の領域内に位置するように搭載されている。
第２の半導体素子６０の電気的接続は、他方の配線基板である上層側配線基板２０の上面に設けられたワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂと、第２の半導体素子６０に形成された電極６２とをボンディングワイヤ７０により接続することにより行われる。
【００２３】
開口部２４は第２の半導体素子６０の平面寸法よりも大きく形成されているので、開口部２４は、半導体素子６０の外周縁を取り囲んだ状態で開口している。上層側配線基板２０のワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂを開口部２４の周縁部に近接させて設けることにより、半導体素子６０の電極６２と上層基板２０のワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂとの離間距離を短くすることができる。これにより、電極６２とワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂとを容易にボンディングワイヤ７０で接続することが可能になる。このように、ワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂを半導体素子６０に近付けて配設することにより、電子部品内蔵基板１００の平面寸法（平面積）を小さくすることができると共に、半導体素子６０と上層側配線基板２０との電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００２４】
また、第１の半導体素子３０に対し第２の半導体素子６０の平面寸法が大幅に小さい場合であっても、第１の半導体素子３０の平面領域内に開口部２４を設けることにより、第２の半導体素子６０と上層側配線基板２０を簡単に接続することができ、ボンディングワイヤ７０を中継するパッドを設けたりする必要が無い。さらには、金線をボンディングワイヤ７０として用いている場合には、金の使用量を減らすことができるので、低コストで電子部品内蔵基板１００を提供することができる。
【００２５】
次に、第１実施形態における電子部品内蔵基板１００の製造方法について説明する。図４〜図８は、電子部品内蔵基板の製造工程において各工程における状態を示した説明図である。ここで、下層側配線基板１０や上層側配線基板２０の配線パターンの形成方法およびレジスト１３，２３による皮膜形成方法と、接続パッド１２Ａ，１２Ｂ，２２Ａ、および、ワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂの露出方法のそれぞれについては、公知の方法を採用することができるため、ここでは詳細な説明を省略している。
【００２６】
まず、図４に示すように、一方の配線基板である下層側配線基板１０に第１の電子部品である第１の半導体素子３０を搭載する。第１の半導体素子３０の電極面３２にははんだバンプや金バンプ等のバンプ３６が取り付けられている。第１の半導体素子３０は、バンプ３６を下層側配線基板１０の上面に形成した接続パッド１２Ｂに位置合わせしてフリップチップ方式により下層側配線基板１０に搭載する。第１の半導体素子３０を下層側配線基板１０にフリップチップ接続した後、第１の半導体素子３０と下層側配線基板１０の上面との間にアンダーフィル樹脂８０を注入する。
【００２７】
アンダーフィル樹脂８０を注入した後、図５に示すように、接続パッド２２Ａにはんだボール４０を取り付けた上層側配線基板２０を、下層側配線基板１０に位置合わせして重ね合わせる。このようにして下層側配線基板１０に上層側配線基板２０を積層した後、リフロー工程によりはんだボール４０をリフローさせて下層側配線基板１０と上層側配線基板２０とを接合し、図６に示す状態にする。
図６に示すように、リフロー後のはんだボールは、銅コア４２の外周を被覆していたはんだ４４が溶融し、はんだ４４および銅コア４２により下層側配線基板１０の接続パッド１２Ａと上層側配線基板２０の接続パッド２２Ａとを電気的に接続すると共に、銅コア４２がストッパとして作用して互いの配線基板間１０，２０の離間距離を維持した状態になる。
【００２８】
はんだボール４０のリフローが完了した後、フラックス洗浄を行い、次いで、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に封止樹脂５０を充填する（図７）。
基板１０，２０間に封止樹脂５０を充填する方法としては、例えば図７に示すように、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の一方側の側面をダム９０により覆い、他方側の下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の側面から下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に液状の封止樹脂５０を注入する方法がある。液状の封止樹脂５０は、毛細管現象により下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に注入される。封止樹脂５０を注入した後、封止樹脂５０を加熱して硬化させる。
【００２９】
封止樹脂５０が硬化させた後、ダム９０を外すと共に、開口部２４内の封止樹脂５０の表面に、接着剤等により第２の電子部品である第２の半導体素子６０を接着する。次いで第２の半導体素子６０の上面に設けられた電極６２と他方の配線基板である上層側配線基板２０の上面に設けられたワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂとを金ワイヤ等のボンディングワイヤ７０によりワイヤボンディングする。
最後に下層側配線基板１０の下面の接続パッド１２Ａへはんだボール等の外部接続端子１４を接合する。
【００３０】
以上のようにして本実施形態にかかる電子部品内蔵基板１００を形成することができる。図８は、本製造方法において説明した基板間に樹脂が充填され、基板間に搭載された２つの半導体素子が各々別の基板に電気的に接続された電子部品内蔵基板を示す横断面図である。
なお、本製造方法の説明においては、１つの電子部品内蔵基板１００を図示して説明しているが、実際の製造方法においては、大判の下層側配線基板１０および上層側配線基板２０を用いて、複数の電子部品内蔵基板１００，１００，１００，・・・を同時に樹脂封止した後、個々の基板外形に沿って個片に切断することによって個片の電子部品内蔵基板１００を得ることができる。
【００３１】
以上に説明したように、本実施形態にかかる電子部品内蔵基板１００は、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０に挟み込んで搭載する２つの半導体素子３０，６０のうち、上側に搭載する第２の半導体素子６０を上層側配線基板２０の開口部２４に収容させているので、第１の半導体素子３０の大きさには左右されずに、第２の半導体素子６０の電極６２を上層側配線基板２０の接続パッド２２Ａに接近させた状態で搭載することができる。
【００３２】
この構成を採用することにより、第２の半導体素子６０の電極６２と上層側配線基板２０のワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂとを接続するボンディングワイヤ７０の長さを短くすることができる。この結果、電子部品内蔵基板１００を小型化することができると共に、電気的接続の信頼性を向上させることができる。さらには、低コストでの製造も可能である。
図９は図８に示した状態から上層側配線基板の表面全体を第２の半導体素子を含めて樹脂により封止した状態を示す横断面図である。
【００３３】
（第２実施形態）
図１０は本発明にかかる電子部品内蔵基板の第２実施形態における構造を示す横断面図である。具体的には、第１の半導体素子３０の裏面側に直接、第２の半導体素子６０を搭載して構成された電子部品内蔵基板１００である。
【００３４】
本実施形態において、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に封止樹脂５０を充填する前の工程（すなわち、下層側配線基板１０に上層側配線基板２０をはんだボールを介して接合した状態）で、上層側配線基板２０が第２の半導体素子６０との間でワイヤボンディングできる機械的強度を有していれば、第２の半導体素子６０と上層側配線基板２０のワイヤボンディング用接続パッド２２Ｂをワイヤボンディング接続した後に、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０および、第２の半導体素子６０を封止樹脂５０により一括して封止することができる。
【００３５】
一方、下層側配線基板１０および上層側配線基板２０の機械的強度が不十分な場合は、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に封止樹脂５０を充填し、樹脂硬化させた後にワイヤボンディングをし、その後、第２の半導体素子６０と第２の半導体素子６０と上層側配線基板２０とのワイヤボンディング部分を封止樹脂５０により別途樹脂封止する形態とすればよい。
図１０に示すように、上層側配線基板２０で第２の半導体素子６０が搭載される領域部分を封止樹脂５０によって封止した場合は、上層側配線基板２０の上の他の領域にチップコンデンサやチップ抵抗等の回路部品（図示せず）を搭載することもできる。
【００３６】
以上に、本発明にかかる電子部品内蔵基板（半導体装置）１００について、実施形態に基づいて詳細に説明してきたが、本願発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で各種の改変を行っても本願発明の技術的範囲に属することはいうまでもない。
例えば、以上の実施形態においては、第１の電子部品３０，および第２の電子部品６０としてそれぞれ半導体素子を用いて説明しているが、第１の電子部品３０，および第２の電子部品６０は半導体素子に限定されるものではなく、他の電子部品を用いてもよい。
【００３７】
また、本実施形態においては、第１の半導体素子３０と第２の半導体素子６０をそれぞれ１個ずつ搭載している形態について説明しているが、第１の半導体素子３０とは、上下２段に重ねて搭載された電子部品のうち下側に搭載された電子部品を指し、第２の半導体素子６０とは、第１の半導体素子３０の上に重ねて搭載されている電子部品を指している。第１の半導体素子３０および第２の半導体素子６０は、いずれか一方又は両方が複数個搭載される形態の電子部品内蔵基板１００もあり得る。
【００３８】
はんだボール４０はコア材として銅コア材４２を採用しているが、導体であり、かつ、軟化温度がはんだの融点よりも十分に高い物質であれば、銅以外の金属および物質によりコア材４２を形成したはんだボール４０を採用することができる。
さらにまた、第１の半導体素子３０は下層側配線基板１０にフリップチップボンディングに替えて、ワイヤボンディングにより下層側配線基板１０に電気的に接続しても良い。
【００３９】
また、以上の実施形態においては、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０間に充填する封止樹脂５０に液状樹脂を用い、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０間に液状の封止樹脂５０を注入する製造方法について説明しているが、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０間への封止樹脂５０の充填は他の充填形態を採用することもできる。
例えば、下層側配線基板１０の下面側と上層側配線基板２０の上面側のそれぞれから下層側配線基板１０と上層側配線基板２０をクランプする上型と下型からなるトランスファーモールドを用い、トランスファーモールドのゲートから封止樹脂５０を下層側配線基板１０と上層側配線基板２０間に圧入する形態もありうる。この場合上型は、開口部２４に対応する部位に入子部分を設け、開口部２４部分に封止樹脂５０が入り込まないようにしておけばよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】第１実施形態における電子部品内蔵基板の横断面図である。
【図２】図１の電子部品内蔵基板における開口部付近の平面図である。
【図３】第１実施形態において用いられるはんだボールの構造を示す断面図である。
【図４】電子部品内蔵基板の製造工程の途中経過状態を示す説明図である。
【図５】電子部品内蔵基板の製造工程の途中経過状態を示す説明図である。
【図６】電子部品内蔵基板の製造工程の途中経過状態を示す説明図である。
【図７】電子部品内蔵基板の製造工程の途中経過状態を示す説明図である。
【図８】基板間に樹脂が充填され、基板間に搭載された２つの半導体素子が各々別の基板に電気的に接続された電子部品内蔵基板を示す横断面図である。
【図９】図８に示した状態から上層側配線基板の表面全体を第２の半導体素子を含めて樹脂により封止した状態を示す横断面図である。
【図１０】第２実施形態における電子部品内蔵基板の構造を示す横断面図である。
【図１１】従来技術における電子部品内蔵基板の説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  下方側基板
１２，２２  配線パターン
１２Ａ，２２Ａ  接続パッド
１３，２３  レジスト
１４  外部接続端子
２０  上層側配線基板
２２Ｂ  ワイヤボンディング用接続パッド
２４  開口部
３０，６０  電子部品（半導体素子）
３２，６２  電極
３６  バンプ
４０  はんだボール
４２  銅コア
４４  はんだ
５０，５２  樹脂
８０  アンダーフィル樹脂
９０  ダム
１００  電子部品内蔵基板
【図１】
2008159956.tif 000003
【図２】
2008159956.tif 000004
【図３】
2008159956.tif 000005
【図４】
2008159956.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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