(57)【要約】【課題】  ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離した際にレジスト残渣が発生しにくいようにする。【解決手段】  まず、電解メッキにより配線８を形成した後に、感光剤を含むノボラック樹脂からなるボジ型の配線形成用メッキレジスト膜を剥離する。次に、配線８を含む下地金属層７の上面に、感光剤を含まないノボラック樹脂からなる被覆膜２４を形成し、次いでアクリル樹脂を含むネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を形成する。次に、アルカリ現像剤を用いて、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５および被覆膜２４に柱状電極９形成用の開口部２５ａ、２４ａを連続して形成する。次に、電解メッキにより、開口部２５ａ、２４ａ内に柱状電極９を形成する。次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５および被覆膜２４をモノエタノールアミン系のレジスト剥離液を用いて同時に剥離する。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の全面に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に配線形成領域に対応する部分に開口部を有する配線形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記配線形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線を形成する工程と、
前記配線形成用メッキレジスト膜を剥離する工程と、
前記配線を含む前記下地金属層上に前記配線の一部を露出する開口部を有する被覆膜および導電体形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の開口部内の前記配線の露出部上に導電体を形成する工程と、
前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜をレジスト剥離液を用いて剥離する工程と、
前記配線下以外の領域における前記下地金属層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記配線形成用メッキレジスト膜はノボラック樹脂を含むポジ型の液状レジストで形成し、前記被覆膜はノボラック樹脂またはアクリル樹脂を含む液状樹脂で形成し、前記導電体形成用メッキレジスト膜はアクリル樹脂を含むネガ型のドライフィルムレジストで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に開口部を形成する工程は、アルカリ現像液を用いて、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に開口部を連続して形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の発明において、前記レジスト剥離液はモノエタノールアミン系のレジスト剥離液であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上の全面に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に配線形成領域に対応する部分に開口部を有するポジ型化学増幅型の配線形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記配線形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線を形成する工程と、
前記配線および前記配線形成用メッキレジスト膜上に前記配線の一部を露出する開口部を有する導電体形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記導電体形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記配線の露出部上に導電体を形成する工程と、
前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記配線形成用メッキレジスト膜をレジスト剥離液を用いて剥離する工程と、
前記配線下以外の領域における前記下地金属層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記配線形成用メッキレジスト膜はノボラック樹脂を含むポジ型の化学増幅型液状レジストで形成し、前記導電体形成用メッキレジスト膜はアクリル樹脂を含むネガ型のドライフィルムレジストで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記レジスト剥離液はモノエタノールアミン系のレジスト剥離液であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＳＰ(chip size package)と呼ばれる半導体装置には、半導体基板上に形成された配線の接続パッド部上面に柱状電極のような導電体を形成したものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、半導体装置の製造方法としては、半導体基板上の全面に形成された下地金属層上に形成された配線を含む下地金属層の上面に、配線の接続パッド部つまり柱状電極（導電体）形成領域に対応する部分に開口部を有するメッキレジスト膜を形成し、下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜の開口部内の配線の接続パッド部上面に柱状電極を形成し、メッキレジスト膜をレジスト剥離液を用いて剥離し、配線をマスクとして配線下以外の領域における下地金属層をエッチングして除去する方法が用いられている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３４９４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法において、柱状電極（導電体）形成用メッキレジスト膜をレジスト剥離液を用いて剥離するとき、柱状電極（導電体）形成用メッキレジスト膜が主としてその上面側からのみ剥離されるため、配線間の間隔が狭くなると、配線間にレジスト残渣が発生することがある。このレジスト残渣は、配線をマスクとして下地金属層をエッチングするとき、マスクとなってエッチング不良を引き起こし、配線間の短絡の原因となってしまう。
【０００５】
そこで、この発明は、導電体形成用メッキレジスト膜を剥離した際にレジスト残渣が発生しにくいようにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、半導体基板上の全面に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上に配線形成領域に対応する部分に開口部を有する配線形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記配線形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線を形成する工程と、前記配線形成用メッキレジスト膜を剥離する工程と、前記配線を含む前記下地金属層上に前記配線の一部を露出する開口部を有する被覆膜および導電体形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の開口部内の前記配線の露出部上に柱状電極を形成する工程と、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜をレジスト剥離液を用いて剥離する工程と、前記配線下以外の領域における前記下地金属層を除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、半導体基板上の全面に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に配線形成領域に対応する部分に開口部を有するポジ型化学増幅型の配線形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記配線形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線を形成する工程と、前記配線および前記配線形成用メッキレジスト膜上に前記配線の一部を露出する開口部を有する柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記導電体形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記配線の露出部上に柱状電極を形成する工程と、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記配線形成用メッキレジスト膜をレジスト剥離液を用いて剥離する工程と、前記配線下以外の領域における前記下地金属層を除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、配線を含む下地金属層上に形成された被覆膜上にあるいは配線および配線形成用メッキレジスト膜上に導電体形成用メッキレジスト膜を形成しているので、配線間に導電体形成用メッキレジスト膜が入り込む余地がなく、ひいては導電体形成用メッキレジスト膜を剥離した際にレジスト残渣が発生しにくいようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、ＣＳＰと呼ばれるもので、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面中央部には集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。
【０００９】
接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。絶縁膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１０】
保護膜５の上面には銅等からなる下地金属層７が設けられている。下地金属層７の上面全体には銅からなる配線８が設けられている。下地金属層７を含む配線８の一端部は、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。ここで、配線８（下地金属層７を含む）は、接続パッド２に接続された接続部８ａと、先端の接続パッド部８ｂと、その間の引き回し線部８ｃとからなっている。
【００１１】
配線８の接続パッド部８ｂ上面には銅からなる柱状電極９が設けられている。配線８を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１０がその上面が柱状電極９の上面と面一となるように設けられている。柱状電極９の上面には半田ボール１１が設けられている。
【００１２】
（製造方法の第１実施形態）
次に、この半導体装置の製造方法の第１実施形態について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基板）１の上面にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなる絶縁膜３およびポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が形成され、接続パッド２の中央部が絶縁膜３および保護膜５に形成された開口部４、６を介して露出されたものを用意する。
【００１３】
この場合、ウエハ状態のシリコン基板１の上面において各半導体装置が形成される領域には所定の機能の集積回路（図示せず）が形成され、接続パッド２はそれぞれ対応する部分に形成された集積回路に電気的に接続されている。なお、図２において、符号２１で示す領域はダイシングラインに対応する領域である。
【００１４】
次に、図３に示すように、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面全体に下地金属層７を形成する。この場合、下地金属層７は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００１５】
次に、下地金属層７の上面に、ノボラック樹脂と感光剤とそれらを溶解させる溶剤とからなるナフトキノンジアジド（ＮＱＤ）系のポジ型の液状レジストをスピンコート法等により塗布し、未露光の配線形成用メッキレジスト膜２２を形成する。次に、配線形成用露光マスク２３を用意する。この場合、配線形成用露光マスク２３は、図１に示す配線８に対応する部分を透過部２３ａとされ、それ以外を遮光部２３ｂとされたものからなっている。
【００１６】
次に、未露光の配線形成用メッキレジスト膜２２の上側に配線形成用露光マスク２３を位置決めして配置し、配線形成用露光マスク２３の上側から紫外線を照射して露光を行なう。すると、配線形成用メッキレジスト膜２２のうち、配線８形成領域に対応する領域が露光部となり、それ以外の領域が非露光部となる。
【００１７】
次に、図４に示すように、現像を行なうと、配線形成用メッキレジスト膜２２のうち、露光部である配線８形成領域に対応する部分に開口部２２ａが形成される。この場合、配線形成用メッキレジスト膜２２はポジ型であるため、露光部が溶解され、非露光部が残存される。次に、図５に示すように、下地金属層７をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、配線形成用メッキレジスト膜２２の開口部２２ａ内の下地金属層７の上面に配線８が形成される。次に、配線形成用メッキレジスト膜２２をレジスト剥離液を用いて剥離する。
【００１８】
次に、図６に示すように、配線８を含む下地金属層７の上面に、ノボラック樹脂またはアクリル樹脂を溶剤で溶解させた、感光剤を含まない液状樹脂をスピンコート法等により塗布し、被覆膜２４を形成する。この場合、被覆膜２４によって配線８を完全に覆い、配線８間に配線８の厚さよりも厚い被覆膜２４が形成されるようにする。
【００１９】
次に、被覆膜２４の上面に、アクリル樹脂と光重合開始剤とそれらを溶解させる溶剤とからなるネガ型のドライフィルムレジストをラミネートし、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を形成する。次に、柱状電極形成用露光マスク２６を用意する。この場合、柱状電極形成用露光マスク２６は、配線８の接続パッド部８ａ（柱状電極９形成領域）に対応する部分を遮光部２６ａとされ、それ以外を透過部２６ｂとされたものからなっている。
【００２０】
次に、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の上側に柱状電極形成用露光マスク２６を位置決めして配置し、柱状電極形成用露光マスク２６の上側から紫外線を照射して露光を行なう。すると、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のうち、配線８の接続パッド部８ａ（柱状電極９形成領域）に対応する領域が非露光部となり、それ以外の領域が露光部となる。
【００２１】
ここで、被覆膜２４は、後述の如く、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を剥離する際にレジスト残渣が発生しにくいようにするためのものである。この場合、この被覆膜２４の代わりに、図５に示す、開口部２２ａを有する配線形成用メッキレジスト膜２２をそのまま残存させて用いることが考えられる。
【００２２】
しかしながら、開口部２２ａを有する配線形成用メッキレジスト膜２２は、感光剤を含む非露光部からなっているので、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を紫外線を照射して露光するとき、紫外線が照射され、感光反応により感光剤から窒素（Ｎ２）が離脱し、この離脱された窒素が配線形成用メッキレジスト膜２２と柱状電極形成用メッキレジスト膜２５との間に気泡として介在され、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の不要な剥離の原因となり、好ましくない。
【００２３】
これに対し、被覆膜２４は、感光剤を含んでいないので、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を紫外線を照射して露光するとき、紫外線が照射されても、ガスが発生することがなく、配線形成用メッキレジスト膜２２と柱状電極形成用メッキレジスト膜２５との間に気泡が介在されることがなく、この気泡に起因する柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の不要な剥離が生じないようにすることができる。
【００２４】
次に、図７に示すように、現像を行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のうち、非露光部である配線８の接続パッド部８ｂ（柱状電極９形成領域）に対応する部分に開口部２５ａが形成される。この場合、アルカリ現像液を用いると、アルカリ可溶なノボラック樹脂またはアクリル樹脂からなる被覆膜２４も溶解され、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の開口部２５ａに対応する部分における被覆膜２４に開口部２４ａが連続して形成され、配線８の接続パッド部８ｂ上面が露出される。
【００２５】
次に、図８に示すように、下地金属層７をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５および被覆膜２４の開口部２５ａ、２４ａ内の配線８の接続パッド部８ｂ上面に柱状電極９が形成される。
【００２６】
次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５および被覆膜２４を同時に剥離する。例えば、モノエタノールアミン系のレジスト剥離液は、アクリル樹脂を含むネガ型の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５およびノボラック樹脂またはアクリル樹脂からなる被覆膜２４の双方を剥離することができる。そこで、モノエタノールアミン系のレジスト剥離液を用いて、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５および被覆膜２４を同時に剥離する。
【００２７】
この第１実施形態においては、図６に示す工程において、配線８を含む下地金属層７の上面に被覆膜２４を形成し、被覆膜２４の上面に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を形成しているので、配線８間に配線８の厚さよりも厚い被覆膜２４が存在し、配線８間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５が入り込む余地はない。
【００２８】
そして、ノボラック樹脂またはアクリル樹脂からなる被覆膜２４は、レジスト剥離液に対して溶解して剥離される。一方、アクリル樹脂を含むネガ型の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５は、レジスト剥離液に対して膨潤して剥離される。この場合、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５は、レジスト剥離液と接触している表面から膨潤して剥離されると同時に、被覆膜２４が溶解して剥離されることにより、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５下に空洞が形成されるため、浮き上がり、いわゆるリフトオフ法により剥離される。
【００２９】
したがって、配線８間の間隔が狭くなった場合であっても、配線８間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のレジスト残渣が発生することがなく、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のレジスト残渣に起因する配線８間でのショートの発生を確実に防止することができる。
【００３０】
このようにして、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５および被覆膜２４を剥離したら、次に、配線８をマスクとして配線８下以外の領域における下地金属層７をエッチングして除去すると、図９に示すように、配線８下にのみ下地金属層７が残存される。次に、図１０に示すように、配線８および柱状電極９を含む保護膜５の上面にエポキシ系樹脂等からなる封止膜１０をその厚さが柱状電極９の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極９の上面は封止膜１０によって覆われている。
【００３１】
次に、封止膜１０の上面側を適宜に研磨することにより、図１１に示すように、柱状電極９の上面を露出させるとともに、この露出された柱状電極９の上面を含む封止膜１０の上面を平坦化する。次に、図１２に示すように、柱状電極９の上面に半田ボール１１を形成する。次に、図１３に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１等をダイシングライン２１に沿って切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３２】
（製造方法の第２実施形態）
次に、図１に示す半導体装置の製造方法の第２実施形態について説明する。まず、図３に示すように、下地金属層７の上面に未露光の配線形成用メッキレジスト膜２２を形成する。ただし、この場合、配線形成用メッキレジスト膜２２は、ポジ型化学増幅型であり、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）の水酸基をｔ−ブトキシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）で保護した溶解阻害剤、光により酸発生する光酸発生剤、それらを溶解させる溶剤によって構成されている。
【００３３】
次に、配線形成用露光マスク２３を用いて、紫外線の照射による露光を行なう。すると、配線８形成領域に対応する部分における配線形成用メッキレジスト膜２２中の光酸発生剤からパターン形成に必要な触媒としての酸が発生する。次に、この発生した酸をＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理によって配線８形成領域に対応する部分における配線形成用メッキレジスト膜２２中に拡散させ、酸の触媒作用による化学反応を促進させる。すなわち、酸の触媒作用により、ｔ−ＢＯＣ基が脱離し、ＰＨＳが生成され、配線８形成領域に対応する部分における配線形成用メッキレジスト膜２２がアルカリ現像液に可溶となる。
【００３４】
次に、図４に示すように、アルカリ現像液を用いて現像を行うと、配線８形成領域に対応する部分における配線形成用メッキレジスト膜２２に開口部２２ａが形成される。次に、図５に示すように、下地金属層７をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、配線形成用メッキレジスト膜２２の開口部２２ａ内の下地金属層７の上面に配線８が形成される。
【００３５】
次に、図１４に示すように、配線形成用メッキレジスト膜２２をそのまま残存させた状態で、配線８および配線形成用メッキレジスト膜２２の上面に、上記と同様のネガ型のドライフィルムレジストをラミネートし、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を形成する。次に、柱状電極形成用露光マスク２６を用いて、紫外線の照射による露光を行なう。
【００３６】
この場合、非露光部からなる配線形成用メッキレジスト膜２２は、化学増幅型であるので、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を紫外線を照射して露光するとき、紫外線が照射されても、ガスが発生することがなく、配線形成用メッキレジスト膜２２と柱状電極形成用メッキレジスト膜２５との間に気泡が介在されることがなく、この気泡に起因する柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の不要な剥離が生じないようにすることができる。
【００３７】
次に、図１５に示すように、現像を行なうと、配線８の接続パッド部８ｂ（柱状電極９形成領域）に対応する部分における柱状電極形成用メッキレジスト膜２５に開口部２５ａが形成される。次に、図１６に示すように、下地金属層７をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の開口部２５ａ内の配線８の接続パッド部８ｂ上面に柱状電極９が形成される。
【００３８】
次に、両柱状電極形成用メッキレジスト膜２５、２２を同時に剥離する。例えば、モノエタノールアミン系のレジスト剥離液は、アクリル樹脂を含むネガ型の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５およびノボラック樹脂を含むポジ型の配線形成用メッキレジスト膜２２の双方を剥離することができる。そこで、モノエタノールアミン系のレジスト剥離液を用いて、両柱状電極形成用メッキレジスト膜２５、２２を同時に剥離する。以下、上記と同様の工程を経ると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３９】
この第２実施形態では、図１４に示す工程において、配線形成用メッキレジスト膜２２をそのまま残存させた状態で、配線８および配線形成用メッキレジスト膜２２の上面に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を形成しているので、配線８間に配線形成用メッキレジスト膜２２が存在し、配線８間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５が入り込む余地はない。
【００４０】
そして、ノボラック樹脂を含むポジ型の配線形成用メッキレジスト膜２２は、レジスト剥離液に対して溶解して剥離される。一方、アクリル樹脂を含むネガ型の柱状電極形成用メッキレジスト膜２５は、レジスト剥離液に対して膨潤して剥離される。この場合、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５は、レジスト剥離液と接触している表面から膨潤して剥離されると同時に、配線形成用メッキレジスト膜２２が溶解して剥離されることにより、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５下に空洞が形成されるため、浮き上がり、いわゆるリフトオフ法により剥離される。
【００４１】
したがって、配線８間の間隔が狭くなった場合であっても、配線８間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のレジスト残渣が発生することがなく、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のレジスト残渣に起因する配線８間でのショートの発生を確実に防止することができる。
【００４２】
なお、上記の実施形態においては、配線８上に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を形成し、この柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の開口部２５ａ内に柱状電極９を形成するものとしたが、本発明は配線８上に柱状電極９を形成する場合に限られるものではない。例えば、メッキレジスト膜の開口部を配線のパターンとして、上層配線を形成したり、銅等からなるインダクタを形成したり、あるいは高抵抗金属からなる抵抗体等の電子部品などの導電体を形成する場合にも幅広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の第１実施形態において、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１に示す半導体装置の製造方法の第２実施形態において、所定の工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【符号の説明】
【００４４】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  絶縁膜
５  保護膜
７  下地金属層
８  配線
９  柱状電極
１０  封止膜
１１  半田ボール
２２  配線形成用メッキレジスト膜
２４  被覆膜
２５  柱状電極形成用メッキレジスト膜
【図１】
2008084919.tif 000003
【図２】
2008084919.tif 000004
【図３】
2008084919.tif 000005
【図４】
2008084919.tif 000006
【図５】
2008084919.tif 000007
【図６】
2008084919.tif 000008
【図７】
2008084919.tif 000009
【図８】
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【図９】
2008084919.tif 000011
【図１０】
2008084919.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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