(57)【要約】【課題】  シリコン基板の下面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成したとき、シリコン基板の下面側に不要物が形成されても、シリコン基板の下面に不要物が残らないようにする。【解決手段】  シリコン基板１の下面に、ポリビニルアルコールなどからなる水溶性で速乾性の液状材料を塗布し、乾燥させることにより、保護膜２２を形成する。次に、保護膜２２を含むシリコン基板１の下面に、レーザ照射によるレーザ加工を行うことにより、凹部２３からなる文字などのマークを形成する。この場合、凹部２３の深さをマーク（例えば、文字）として認識し得る程度の深さにすると、シリコン溶融物が飛散して凹部２３の周囲における保護膜２２の下面にシリコン屑２４が付着する。そこで、次に、シリコン基板１の下面側にシャワーなどを用いて水を吹き付けて水洗を行なうと、水溶性材料からなる保護膜２２がその下面に付着されたシリコン屑２４と共に除去される。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一面に保護膜を形成し、前記保護膜を含む前記半導体基板の一面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成し、この後、前記保護膜を該保護膜の表面に前記レーザ加工により形成された不要物と共に除去することを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記保護膜は水溶性材料によって形成し、前記保護膜を前記不要物と共に水洗により除去することを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記半導体基板はウエハ状態のシリコン基板であり、前記不要物は前記保護膜の表面に付着したシリコン屑であることを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記保護膜を前記シリコン屑と共に除去した後に、前記シリコン基板の一面をダイシング用の粘着テープに貼り付け、ダイシングを行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置のマーク形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置のマーク形成方法には、シリコン基板上に設けられたシリコン酸化膜に、ＹＡＧレーザを照射するレーザ加工によりレーザ照射部を溶融、蒸発させて、凹部からなるマークを形成する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平４−１２３４１７号公報
【０００４】
しかしながら、上記従来の半導体装置のマーク形成方法では、シリコン基板上に設けられたシリコン酸化膜に凹部からなるマークを形成するため、このマークを有する半導体装置をフェースダウン状態で実装すると、マークが見えなくなってしまう。そこで、シリコン基板の下面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成することが考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、シリコン基板の下面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成した場合には、レーザ照射部におけるシリコンを溶融、蒸発させて凹部を形成するため、レーザ照射部におけるシリコン溶融物が完全に蒸発せずに飛散して凹部の周囲におけるシリコン基板の下面にシリコン屑として付着してしまう。
【０００６】
ところで、半導体装置を製造する場合、一般的に、ウエハ状態のシリコン基板に対して加工を行い、ダイシング前にシリコン基板の下面をダイシング用の粘着テープに貼り付け、ダイシングにより個々の半導体装置に切断し、この後、半導体装置を粘着テープから剥がしている。
【０００７】
この場合、シリコン基板の下面に形成されたマーク用の凹部の周囲におけるシリコン基板の下面にシリコン屑が付着していると、粘着テープの粘着剤がシリコン屑に引っ掛かって剥がれて付着する粘着剤残りが生じ、その部分の外観を大きく損ねてしまうばかりでなく、個片化された半導体装置を実装用トレイなどの容器内に収容したとき、個片化された半導体装置が粘着剤残りを介して容器に付着して容器から取り出せなくなる作業不良を生じる要因となり、また個片化された半導体装置を回路基板上に実装した後に粘着剤残りが異物となって電気的不良を生じる要因となる。
【０００８】
そこで、この発明は、半導体基板の一面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成しても、凹部の周囲における半導体基板の一面にシリコン屑などからなる不要物が残らないようにすることができる半導体装置のマーク形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、上記目的を達成するため、半導体基板の一面に保護膜を形成し、前記保護膜を含む前記半導体基板の一面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成し、この後、前記保護膜を該保護膜の表面に前記レーザ加工により形成された不要物と共に除去することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、半導体基板の一面に保護膜を形成し、保護膜を含む半導体基板の一面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成し、この後、保護膜を該保護膜の表面にレーザ加工により形成された不要物と共に除去しているので、半導体基板の一面にレーザ加工により凹部からなるマークを形成しても、凹部の周囲における半導体基板の一面に不要物が残らないようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１はこの発明のマーク形成方法を含む製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の下面の所定の箇所には、図１では図示していないが、凹部からなる文字などのマークが設けられている。
【００１２】
シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属などからなる複数の接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコンなどからなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。
【００１３】
絶縁膜３の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などからなる保護膜５が設けられている。絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。保護膜５の上面には銅などからなる下地金属層７が設けられている。下地金属層７の上面全体には銅からなる配線８が設けられている。下地金属層７を含む配線８の一端部は、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。
【００１４】
配線８の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極９が設けられている。配線８を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などからなる封止膜１０がその上面が柱状電極９の上面と面一となるように設けられている。柱状電極９の上面には半田ボール１１が設けられている。
【００１５】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１の上面に接続パッド２が形成され、接続パッド２を含むシリコン基板１の上面に絶縁膜３および保護膜５が形成され、保護膜５の上面に下地金属層７を含む配線８が絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されて形成され、配線８の接続パッド部上面に柱状電極９が形成され、配線８を含む保護膜５の上面に封止膜１０がその上面が柱状電極９の上面と面一となるように形成されたものを用意する。なお、図２において、符号２１で示す領域はダイシングストリートに対応する領域である。
【００１６】
次に、図３に示すように、シリコン基板１の下面に、スピンコート法やスプレー法などにより、ポリビニルアルコールなどからなる水溶性で速乾性の液状材料を塗布し、乾燥させることにより、保護膜２２を形成する。保護膜２２の膜厚は、後述するレーザ加工による凹部の形成および水洗による除去を考慮すると、厚過ぎるのは好ましくなく、１０μｍ以下が好ましい。
【００１７】
次に、図４において矢印で示すように、保護膜２２を含むシリコン基板１の下面の所定の箇所にＹＡＧレーザやＣＯ２レーザの照射によるレーザ加工を行うと、図４のＡ部を詳細に示す部分拡大断面図である図５に示すように、保護膜２２を含むシリコン基板１の下面の所定の箇所に凹部２３からなる文字などのマークが形成される。
【００１８】
この場合、シリコン基板１のレーザ照射部におけるシリコン溶融物が完全に蒸発せずに飛散して、凹部２３の周囲におけるシリコン基板１の下面にシリコン屑２４として付着する。また、凹部２３の縁部がやや盛り上がる。一方、ポリビニルアルコールなどからなる保護膜２２のレーザ照射部は溶融、蒸発して完全に除去される。
【００１９】
次に、シリコン基板１の下面側にシャワーなどを用いて水を吹き付けて水洗を行なうと、水溶性材料からなる保護膜２２がその下面に付着されたシリコン屑２４と共に除去され、図５と同様な部分拡大断面図である図６に示すように、凹部２３を含むシリコン基板１の下面がきれいになる。この場合、シリコン基板１は水に溶けないので、凹部２３およびその縁部の盛り上がり部はそのままの状態に保たれ、変形しない。
【００２０】
次に、図７に示すように、柱状電極９の上面に半田ボール１１を形成する。次に、シリコン基板１の下面を、ベーステープ２５ａの上面に粘着剤２５ｂが設けられた構造のダイシング用の粘着テープ２５の粘着剤２５ｂの上面に貼り付ける。次に、図８に示すように、ダイシングストリート２１に沿ってダイシングブレードにより、封止膜１０、保護膜５、絶縁膜３およびシリコン基板１を切断し（この場合、粘着テープ２５の途中まで切断し）、個々に分離された半導体装置を粘着テープ２５の粘着剤２５ｂから剥がすと、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００２１】
このようにして得られた半導体装置では、図６に示すように、凹部２３を含むシリコン基板１の下面がきれいになっているので、粘着テープ２５の粘着剤２５ｂから剥がすとき、粘着テープ２５の粘着剤２５ｂが剥がれてシリコン基板１の下面に付着することはなく、凹部２３からなるマークの部分の外観をきれいにすることができる。
【００２２】
なお、上記実施形態では、封止膜１０を有し、且つ、外部接続用電極としての柱状電極９を有する場合について説明したが、これに限らず、例えば、封止膜１０および柱状電極９を有せず、外部接続用電極としての接続パッド部を有する配線８を有するものとしてもよい。この場合、配線８の接続パッド部以外を覆うオーバーコート膜を有するものとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明のマーク形成方法を含む製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４のＡ部を詳細に示す部分拡大断面図。
【図６】図５に続く工程の部分拡大断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【符号の説明】
【００２４】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  絶縁膜
５  保護膜
７  下地金属層
８  配線
９  柱状電極
１０  封止膜
１１  半田ボール
２２  保護膜
２３  凹部
２４  シリコン屑
２５  ダイシング用の粘着テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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