(57)【要約】【課題】回路基板間を確実に接続するとともに、電磁シールド機能を備えた薄型の三次元基板間接続構造体とその製造方法とそれを用いた立体回路装置を提供する。【解決手段】第１の回路基板と第２の回路基板とを接続する外周部４と凹部９を設けた内周部６を有する枠状のハウジング８からなる三次元基板間接続構造体２であって、ハウジング８は、ハウジング８の上下面を貫通するスルーホール２１とハウジング８の上下面に設けたスルーホール２１と接続されるランド１８からなる第１端子電極２４と、凹部９に設けた第２端子電極１１と、外周部４の側面に設けたシールド電極１０とハウジング８の上下面に形成しシールド電極１０と接続する接地電極１２ａ、１２ｂと、を少なくとも有する。【選択図】図１
2008159984.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路基板と第２の回路基板とを接続する外周部と凹部を設けた内周部とを有する枠状のハウジングからなる三次元基板間接続構造体であって、
前記ハウジングは、
前記ハウジングの上下面を貫通するスルーホールと前記ハウジングの上下面に設けた前記スルーホールと接続されるランドからなる第１端子電極と、
前記凹部に設けた第２端子電極と、
前記外周部の側面に設けたシールド電極と前記ハウジングの上下面に形成し前記シールド電極と接続した接地電極と、
を少なくとも有することを特徴とする三次元基板間接続構造体。
【請求項２】
前記第１端子電極と前記第２端子電極とを前記枠状のハウジングの上下面で千鳥足状に配置したことを特徴とする請求項１に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項３】
前記ランドの面積が前記枠状のハウジングの上下面の前記第２端子電極の面積より大なることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項４】
前記ランドの面積が前記第１の回路基板または前記第２の回路基板の接続端子の面積より大なることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項５】
前記枠状のハウジングの上下面の前記第２端子電極の面積が前記第１の回路基板または前記第２の回路基板の接続端子の面積より小なることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項６】
前記ハウジングが低熱膨張係数を有する材料からなることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項７】
前記材料が、液晶ポリマーからなることを特徴とする請求項６に記載の三次元基板間接続構造体。
【請求項８】
外周部と凹部を含む内周部とを有する枠状のハウジングを型成型する成型工程と、
前記ハウジングの上下面を貫通するスルーホールと前記ハウジングの上下面に設けた前記スルーホールと接続されるランドからなる第１端子電極と、前記凹部に設けた第２端子電極と、前記外周部の側面に設けたシールド電極と前記ハウジングの上下面に形成し前記シールド電極と接続する接地電極とを形成する電極形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする三次元基板間接続構造体の製造方法。
【請求項９】
前記成型工程で、前記ハウジングに貫通孔を形成することを特徴とする請求項８に記載の三次元基板間接続構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記電極形成工程が、前記ハウジングに貫通孔を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の三次元基板間接続構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記電極形成工程が、
前記ハウジング上にめっき層を形成する工程と、
前記めっき層上に前記第１端子電極、前記第２端子電極、前記シールド電極および前記接地電極のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターン以外の前記めっき層をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の三次元基板間接続構造体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の三次元基板間接続構造体を介して、少なくとも第１の回路基板と第２の回路基板とを接続したことを特徴とする立体回路装置。
【請求項１３】
前記第１の回路基板および前記第２の回路基板の少なくとも一方の、前記三次元基板間接続構造体で囲まれた領域に電子部品を実装したことを特徴とする請求項１２に記載の立体回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を搭載した複数の回路基板間を接続する三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣチップやチップ部品などの電子部品を搭載した回路基板間を接続するための基板接合部材（以下、「三次元基板間接続構造体」と記す）として、プラグ側とソケット側からなる多極接続タイプコネクタや樹脂製基板に複数個の接続ピンを固定したピンコネクタなどが用いられている。
【０００３】
近年、モバイル機器などの軽薄短小化や高機能化の進展につれて、回路基板間の接続端子数の増加や薄型に対応するために、回路基板間を立体的に接続する方法が提案されている。
【０００４】
一例として、電子部品が実装された回路基板の接続端子と、スルーホールを有しその両端に銅箔ランドが形成された中継回路基板とを、はんだ付けにより接続固定することが開示されている（例えば、特許文献１参照）。これにより、高密度実装の立体的回路基板装置が安価に得られるとしている。
【０００５】
また、回路基板間を接続基板を介して電気的に接続するとともに、接続基板自体に回路パターンや電子部品を実装することが開示されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２によれば、互いに平行な配線基板間を方形板状の接続基板を介して接続するものである。そして接続基板は、配線基板と接続する対向する２端面の位置に設けた半分割状の端面スルーホールと、端面スルーホールの間を接続する接続基板の側面に形成した回路パターンを設けた構成を有している。
【０００６】
一方、携帯情報機器などにおいては、機器の高速、高周波数化に伴い、外部からの電磁波による誤動作や放射電磁波による他機器への妨害などのＥＭＣ（電磁両立性：Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）に対する要求が厳しくなっている。そのため、電磁シールドを確実に行える回路基板実装技術への要望が高い。そこで、制御ＩＣチップなどの高周波部品を搭載した複数の回路基板間を接続する三次元基板間接続構造体においても、外部からの電磁波や高周波部品などで内部から放射される電磁波を確実に電磁シールドすることが要求される。
【特許文献１】特開２００２−７６５６１号公報
【特許文献２】特開２００５−２６８５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１によれば、回路基板間を、スルーホールを有しかつ両面に銅箔ランドが形成された中継回路基板を介して、はんだで接続することが述べられている。しかし、接続強度の向上や高密度実装に対応する中継回路基板上の接続端子の配置および構成に関しては開示されていない。
【０００８】
また、特許文献２によれば、接続基板を縦置きで配置し、その側面に設けた回路パターンを介して回路基板間を接続するため、接続基板の側面に回路パターンによる回路形成や電子部品の実装を可能としている。しかし、接続基板を縦置きに配置するため、立体回路装置の薄型が困難である。
【０００９】
また、特許文献１および特許文献２ともに、例えば接合することによって生じる反りなどの機械的な変形を有する回路基板と中継回路基板や接続基板との良好な接続状態を得る手段に関しては開示されていない。さらに、ノイズおよび電磁波に対するシールドに関しては開示されていない。
【００１０】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、回路基板間を確実に接続するとともに、電磁シールド機能を備えた薄型の三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述したような目的を達成するために、本発明の三次元基板間接続構造体は、第１の回路基板と第２の回路基板とを接続する外周部と凹部を設けた内周部とを有する枠状のハウジングからなる三次元基板間接続構造体であって、ハウジングは、ハウジングの上下面を貫通するスルーホールとハウジングの上下面に設けたスルーホールと接続されるランドからなる第１端子電極と、凹部に設けた第２端子電極と、外周部の側面に設けたシールド電極とハウジングの上下面に形成しシールド電極と接続した接地電極と、を少なくとも有する。
【００１２】
さらに、第１端子電極と第２端子電極とを枠状のハウジングの上下面で千鳥足状に配置してもよい。また、ランドの面積が枠状のハウジングの上下面の第２端子電極の面積より大である。また、ランドの面積が第１の回路基板または第２の回路基板の接続端子の面積より大であってもよい。
【００１３】
このような構成によれば、スルーホールを有する第１端子電極と凹部に設けた第２端子電極により、狭ピッチ化を実現できる。また、回路基板の反りなどの機械的変形に対して、外周近傍に設けた第１端子電極の大きな面積を有するランドで、高い接続強度が得られる。また、第２端子電極を凹部に形成することにより、電極面積を大きくし配線抵抗の低下を回避できる。また、各端子電極からのノイズや電磁波の外部への放射や外部からのノイズや電磁波を遮蔽し、高速伝送や誤動作の防止など信頼性に優れた三次元基板間接続構造体を実現できる。
【００１４】
さらに、枠状のハウジングの上下面の第２端子電極の面積が第１の回路基板または第２の回路基板の接続端子の面積より小であってもよい。
【００１５】
このような構成によれば、回路基板の接続端子と第２端子電極の凹部とを大きな面積のフィレット部を形成して高い接続強度で三次元基板間接続構造体と回路基板を接続できる。
【００１６】
さらに、ハウジングが低熱膨張係数を有する材料からなる。そして、材料が、液晶ポリマーからなってもよい。
【００１７】
このような構成によれば、製造工程や環境温度の変化に対して、変形の生じにくい安定な三次元基板間接続構造体を実現できる。
【００１８】
また、本発明の三次元基板間接続構造体の製造方法は、外周部と凹部を含む内周部とを有する枠状のハウジングを型成型する成型工程と、ハウジングの上下面を貫通するスルーホールとハウジングの上下面に設けたスルーホールと接続されるランドからなる第１端子電極と、凹部に設けた第２端子電極と、外周部の側面に設けたシールド電極とハウジングの上下面に形成しシールド電極と接続する接地電極とを形成する電極形成工程と、を少なくとも含む。さらに、成型工程で、ハウジングに貫通孔を形成してもよい。さらに、電極形成工程が、ハウジングに貫通孔を形成する工程をさらに含んでもよい。
【００１９】
さらに、電極形成工程が、ハウジング上にめっき層を形成する工程と、めっき層上に第１端子電極、第２端子電極、シールド電極および接地電極のレジストパターンを形成する工程と、レジストパターン以外のめっき層をエッチングする工程と、レジストパターンを除去する工程と、を含んでもよい。
【００２０】
このような方法によれば、スルーホールを有する第１端子電極と凹部に設けた第２端子電極により、狭ピッチ化を実現するとともに、回路基板の反りなどの機械的変形に対して、外周近傍に設けた第１端子電極の大きな面積を有するランドで、高い接続強度を有する三次元基板間接続構造体を容易に作製できる。
【００２１】
また、本発明の立体回路装置は、上記三次元基板間接続構造体を介して、少なくとも第１の回路基板と第２の回路基板とを接続した構成を有する。さらに、第１の回路基板および第２の回路基板の少なくとも一方の、三次元基板間接続構造体で囲まれた領域に電子部品を実装してもよい。
【００２２】
このような構成によれば、複数の回路基板間を反りなどの機械的変形に対しても高い接続強度で接続することができるとともに、複数の各端子電極や回路基板に実装された、三次元基板間接続構造体の内周部内に配置する電子部品を電磁シールドできる立体回路装置が得られる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、回路基板間を安定で、かつ高い接続強度で接続するとともに、さらにシールド効果を有する薄型の三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）は本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体の構成を示す平面図、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）および図１（Ｄ）はそれぞれ図１（Ａ）中のＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図である。
【００２６】
図１に示すように、三次元基板間接続構造体２は、例えば四角形状の外周部４と内周部６を有する額縁形の枠状の液晶ポリマーからなるハウジング８で構成されている。そして、枠状のハウジング８の内周部６の側面には、その上下面に達する、例えば半円形状の断面を有する凹部９と、その上下面を貫通する貫通孔２２が形成され、凹部９には第２端子電極１１、貫通孔２２には第１端子電極２４の一部を構成するスルーホール２１が設けられている。
【００２７】
ここで、第１端子電極２４は、ハウジング８の上部面１４および下部面１６に、例えば銅などのめっき層などで形成された、例えば五角形状の上面ランド１８ａおよび下面ランド１８ｂからなるランド１８と、それらを接続する貫通孔２２に形成されたスルーホール２１で構成される。また、第２端子電極１１は、ハウジング８の内周部６に形成された凹部９に、例えば銅などのめっき層などで形成され、その上端部２０ａおよび下端部２０ｂはハウジング８の上部面１４および下部面１６に露出させて構成される。このとき、第１端子電極２４の上面ランド１８ａ、下面ランド１８ｂの面積は、第２端子電極１１の上端部２０ａや下端部２０ｂの面積より大きい面積で形成される。さらに、第１端子電極２４と第２端子電極１１は、ハウジング８の上部面１４および下部面１６において、例えば千鳥足状に配置して設けられている。
【００２８】
すなわち、回路基板の変形および落下や衝撃において、応力が集中するハウジング８の外周部に、接続面積を大きくした上面ランド１８ａや下面ランド１８ｂを配置することにより、接続強度を大幅に向上させることができる。その結果、安定で、信頼性の高い接続を実現する三次元基板間接続構造体２が得られる。また、第２端子電極１１を、凹部９で形成するため、狭ピッチで形成しても、電極の幅を大きくでき、配線抵抗を低減することができる。例えば、凹部９を半円形状とすれば、平面状の幅に対して、１．５７倍程度に電極幅を拡大でき、その結果、配線抵抗を１／１．５７程度（幅以外を同じとすれば）に低減できる。さらに、第１端子電極２４と第２端子電極１１をハウジング８の上下面において千鳥足状に配置することにより、狭ピッチ配置を実現し、高密度実装に容易に対応できる。
【００２９】
また、ハウジング８の外周部４の側面上には、全体にわたってシールド電極１０が設けられ、ハウジング８の上部面１４および下部面１６上の、例えば４隅の位置に形成された接地電極１２ａ、１２ｂと接続されている。なお、このシールド電極１０と接地電極１２ａ、１２ｂとにより、以下で説明する回路基板間を接続する第１端子電極２４や第２端子電極１１の高速な信号伝送に伴うノイズや電磁波などの放射をシールドすることができる。さらに、三次元基板間接続構造体２で囲まれた領域の回路基板に実装された電子部品などの、外部のノイズによる誤動作を未然に防止することができる。
【００３０】
以下に、本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体２の第１端子電極２４と第２端子電極１１を介して回路基板と接続する場合の接続状態について、図２を用いて説明する。
【００３１】
図２（Ａ）は、本発明の第１の実施の形態における第１の回路基板２６と第２の回路基板２８とを三次元基板間接続構造体２を介して接続した状態を示す図１（Ａ）のＥ−Ｅ線断面図で、図２（Ｂ）は図１（Ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
【００３２】
すなわち、図２（Ａ）は、第１の回路基板２６の接続端子３０および第２の回路基板２８の接続端子３２と、三次元基板間接続構造体２の第１端子電極２４の上部面１４の上面ランド１８ａおよび下部面１６の下面ランド１８ｂとを位置合わせして、はんだを用いて接続した状態を示している。このとき、第１端子電極２４の上面ランド１８ａの面積を第１の回路基板２６の接続端子３０の面積より大きく形成して、はんだのフィレット部３４を形成し、より広い面積で接続している。同様に、第１端子電極２４の下面ランド１８ｂの面積も第２の回路基板２８の接続端子３２の面積より大きく形成して、はんだのフィレット部３４を形成し、より広い面積で接続している。さらに、スルーホール２１の内面上にもフィレット部３６を形成して接続している。
【００３３】
これにより、第１の回路基板２６の接続端子３０と上面ランド１８ａ間の接続強度および第２の回路基板２８の接続端子３２と下面ランド１８ｂ間の接続強度を大幅に向上させることができる。
【００３４】
また、図２（Ｂ）は、第１の回路基板２６の接続端子４０および第２の回路基板２８の接続端子４２と、三次元基板間接続構造体２の第２端子電極１１の上端部２０ａおよび下端部２０ｂとを位置合わせして、はんだを用いて接続した状態を示している。このとき、各回路基板の接続端子４０、４２の面積と比較して、第２端子電極１１の上端部２０ａおよび下端部２０ｂの接続面積（ここでは、めっき層の断面積に相当）は小さい。しかし、はんだはハウジング８の凹部９に形成された第２端子電極１１と各接続端子間を大きな面積で接続するフィレット部３８を形成する。
【００３５】
これにより、第２端子電極１１の接続面積が小さくても、第１の回路基板２６の接続端子４０および第２の回路基板２８の接続端子４２と第２端子電極１１間とをはんだのフィレット部３８の形成により強固に接続できる。
【００３６】
なお、上記実施の形態では、スルーホール２１や第２端子電極１１にめっき層を形成した例で説明したが、これに限られない。例えば、スルーホール２１や凹部９に導電性樹脂などの導電体を埋め込んで形成してもよい。
【００３７】
また、上記実施の形態では、回路基板の接続端子を、第１端子電極２４の面積（図面上では、幅）より小さくした例で説明したが、これに限られない。例えば、回路基板の接続端子を、第１端子電極の面積より大きくしてもよい。さらに、回路基板に形成した接続端子の大きさは、必ずしも同じである必要はなく、三次元基板間接続構造体２の第１端子電極２４や第２端子電極１１に対応した異なる大きさで設けてもよい。
【００３８】
本発明の第１の実施の形態によれば、回路基板に反りなどの機械的変形、落下や衝撃などにより、三次元基板間接続構造体と回路基板の接続部に応力が加わっても、三次元基板間接続構造体の外周部近傍に設けた面積の広い第１端子電極により接続強度を向上させ、安定で信頼性の高い接続が得られる。また、第２端子電極を凹部に形成し、さらに千鳥足状に配置することにより、狭ピッチ化による配線抵抗の増加を抑制するとともに、高密度実装を実現できる。
【００３９】
ここで、三次元基板間接続構造体２のハウジング８の材料としては、例えば液晶ポリマーのように熱膨張係数が小さく温度変化に対して安定な材料を用いることが好ましい。また、使用する環境に応じては、例えばガラスエポキシ樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレートなどの絶縁性樹脂を用いてもよい。さらに、形状精度や高い伝熱性などが要求される場合には、セラミック基板などの絶縁性基板を用いてもよい。
【００４０】
また、第１端子電極、第２端子電極、シールド電極および接地電極の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの導電率の大きな金属材料で形成することが好ましい。さらに、それらの材料の上に、例えば金（Ａｕ）からなる膜を形成することが望ましい。これにより、接続の安定性や経時的による劣化を防止して、さらに信頼性を向上させることができる。
【００４１】
以下に、本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体２の製造方法について説明する。
【００４２】
図３は、本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体２の製造方法の主な工程図である。そして、図３（Ａ）、図３（Ｄ）、図３（Ｇ）、図３（Ｊ）は、三次元基板間接続構造体２の各製造工程における平面図である。また、図３（Ｂ）、図３（Ｅ）、図３（Ｈ）、図３（Ｋ）は、各平面図中のＢ−Ｂ線断面図、図３（Ｃ）、図３（Ｆ）、図３（Ｉ）、図３（Ｌ）は、Ｃ−Ｃ線断面図である。なお、Ｂ−Ｂ線は図１（Ａ）中に示す複数の第１端子電極２４の上面ランド１８ａ上を通る線と同一であり、Ｃ−Ｃ線の位置は内周部の一側面の位置を示している。
【００４３】
まず、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）に示すように、例えば液晶ポリマーなどを型成型して外周部４と厚み方向に複数の凹部９が形成された内周部６を有する額縁形状の絶縁性基板（ハウジング）４４を用意する。さらに、複数の貫通孔２２を、例えばレーザ法やドリリング法により所定の位置に形成する。なお、貫通孔２２は、型成型によって同時に絶縁性基板４４に形成してもよい。これにより、工程をさらに簡略化し、短時間で形成することができる。
【００４４】
つぎに、図３（Ｄ）、図３（Ｅ）、図３（Ｆ）に示すように、絶縁性基板４４の上部面、下部面、外周部側面、凹部を含む内周部側面および貫通孔を、例えば粗化して、例えばパラジウム塩などのめっき触媒を全体に塗布する。そして、例えば無電解銅めっき法を用いて、絶縁性基板４４上に所定の厚みの銅のめっき層４６を形成する。具体的には、例えば絶縁性基板４４を、以下に示す無電解銅めっき液に２時間浸漬し、約１０μｍ厚の銅を析出させ、全面に銅のめっき層４６が形成される。ここで、無電解銅めっき液としては、例えば硫酸銅・５水和物／エチレンジアミン４酢酸／ポリエチレングリコール／ｌ２．２−ジビリジル／ホルムアルデヒド混合液を水酸化ナトリウムでＰＨ１２．５に調整されたものが用いられ、液温７０℃で使用される。なお、無電解めっきと電解めっきを組み合わせても効果的であり、短時間で銅のめっき層４６が形成できる。
【００４５】
つぎに、図３（Ｇ）、図３（Ｈ）、図３（Ｉ）に示すように、形成した銅のめっき層４６上の全体にエッチング用のレジストを塗布し、紫外線を照射して所定のパターンで露光処理する。このとき、エッチング用のレジストとしては、例えば電着レジスト（例えば、日本ペイント株式会社製の「フォトＥＤ  Ｐ−１０００」）を用い、２５℃で５０ｍＡ／ｄｍ２で３分間電着させ、約８μｍの厚さに塗布する。そして、フォトマスクを装着し、紫外線（散乱光）を約４００ｍｊ／ｃｍ２で照射し、所定のパターンを露光した。その後、３２℃の１％メタ珪酸ナトリウムをスプレー装置を用いて１２０秒間スプレーしてレジストを現像する。これにより、最終的に第１端子電極、第２端子電極、接地電極およびシールド電極上を覆うレジストパターン４８が得られる。
【００４６】
つぎに、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３（Ｌ）に示すように、レジストパターン４８を形成した後、４０℃の塩化第２鉄の３６％溶液に２〜３分間浸漬して銅のめっき層４６をエッチングする。その後、５０℃の５％メタ珪酸ナトリウムを１２０秒間スプレーしてレジストを剥離し所定の第１端子電極２４、第２端子電極１１、シールド電極１０および接地電極１２ａ、１２ｂを形成する。
【００４７】
以上の工程により、例えば、ハウジング８の寸法として、長さ１０．６ｍｍ、幅９ｍｍ、厚み０．４５ｍｍの極めて厚みの薄い三次元基板間接続構造体２が得られる。さらに、例えば、第２端子電極１１の最大径（半円の直径）は約７５μｍ、第１端子電極２４の上面ランド１８ａ−１８ａ間は約０．３ｍｍ程度の高密度実装に対応した三次元基板間接続構造体２が作製される。
【００４８】
なお、本実施の形態は、平面図上で見た凹部９の断面形状（上端部２０ａおよび下端部２０ｂ）が半円形を例に説明したが、これに限られない。例えば、四角、三角などの多角形など任意の形状としてもよい。また、上面ランド１８ａや下面ランド１８ｂの形状として五角形を例に説明したが、これに限られない。例えば、第２端子電極１１と千鳥足状に配置できるものであれば、特に限定されるものではなく任意の形状とすることができる。
【００４９】
また、本実施の形態では、第１端子電極２４、第２端子電極１１、接地電極１２ａ、１２ｂおよびシールド電極１０などを同時に一括して形成する例で説明したがこれに限られず、相前後して形成してもよい。
【００５０】
また、本実施の形態において、絶縁性基板４４の全面にわたって、例えばエポキシ樹脂と合成ゴム、架橋剤、硬化剤、フィラーを組み合わせた接着促進層を形成しその表面を粗化した後、めっき処理をしてもよい。これにより、絶縁性基板４４の表面へのめっきの付着強度を向上させることができる。
【００５１】
また、第１端子電極２４、第２端子電極１１、シールド電極１０および接地電極１２ａ、１２ｂの表面を金（Ａｕ）めっきすることが好ましい。これにより、接続の安定性や耐湿性など耐環境性に対する信頼性を向上できる。
【００５２】
また、本実施の形態では、第１端子電極２４、第２端子電極１１、シールド電極１０および接地電極１２ａ、１２ｂの形成方法として、無電解めっき法、フォトリソ技術とエッチング技術を用いて形成する例で説明したが、これに限られない。例えば、レーザ加工など所定の膜厚でパターン形成できる方法であれば、特に制限されずに適用することができる。
【００５３】
なお、上記製造方法では、めっき層を形成後、レジストパターンで各電極を形成する例で説明したが、これに限られない。例えば、レジストパターンを形成後、めっき層を形成して、各電極をリフトオフ法などで形成してもよい。この場合、レジストパターンの位置が最終的に得られる各電極以外の領域を覆う形で形成される。
【００５４】
（第２の実施の形態）
以下に、本発明の第２の実施の形態における立体回路装置について説明する。
【００５５】
図４（Ａ）は本発明の第２の実施の形態における立体回路装置５０の構成を示す斜視図で、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の部分拡大断面図である。なお、以下では、第１の実施の形態で説明した三次元基板間接続構造体２を用い、第１の実施の形態と同じ要素には同一符号を付し説明する。また、図４（Ａ）において、説明を分かりやすくするため、回路基板の配線パターンを一部省略し、かつ回路基板間に挟まれた三次元基板間接続構造体２を透視した状態で図示している。
【００５６】
図４に示すように、立体回路装置５０は、第１の回路基板２６と第２の回路基板２８とを三次元基板間接続構造体２を間に挟んで対向して接続した構成を有する。
【００５７】
ここで、第１の回路基板２６には三次元基板間接続構造体２の内周部６内に収まるように、例えば高周波回路などのＩＣチップからなる電子部品５２が、第１の回路基板２６に形成した配線パターン５４の接続端子（図示せず）と、例えばはんだで接続され、所定の位置に実装されている。
【００５８】
そして、三次元基板間接続構造体２の第１端子電極２４の上面ランド１８ａおよび第２端子電極１１の上端部２０ａと第２の回路基板２８の所定の配線パターン５６の接続端子（図示せず）がはんだなどで接続されている。同様に、第１端子電極２４の下面ランド１８ｂおよび第２端子電極１１の下端部２０ｂと第１の回路基板２６の所定の配線パターン５４の接続端子（図示せず）がはんだなどで接続されている。
【００５９】
また、三次元基板間接続構造体２に設けられた接地電極１２ａ、１２ｂは第１の回路基板２６と第２の回路基板２８にそれぞれ設けた接地配線パターン５８、６０間とに接続されアース電位に接地されている。
【００６０】
さらに、接地電極１２ａ、１２ｂは、三次元基板間接続構造体２に設けたシールド電極１０と接続される。これにより、三次元基板間接続構造体２で囲まれた領域の回路基板上に実装された電子部品５２や第１端子電極２４、第２端子電極１１などの各電極をシールドし、外部からのノイズや各電極および電子部品５２で発生する内部ノイズの放射などを効率よく遮蔽する。
【００６１】
本実施の形態によれば、三次元基板間接続構造体２を介して、複数の回路基板間を、反りなどの機械的変形に対して剥離などの生じにくい高い接続強度で接続できる。さらに、ノイズなどによる誤動作を生じない信頼性に優れた薄型の立体回路装置５０を実現できる。
【００６２】
なお、本実施の形態において、第１の回路基板２６に電子部品５２を実装する例で説明したが、これに限らない。例えば、第２の回路基板２８や、第１の回路基板２６と第２の回路基板２８の両方に電子部品を実装してもよい。これにより、シールドが必要な電子部品を多数実装することができる。
【００６３】
また、本実施の形態では、三次元基板間接続構造体２を介して第１の回路基板２６、第２の回路基板２８を２枚接続する例で説明したが、これに限られない。例えば、３枚以上の複数枚をそれぞれ三次元基板間接続構造体２を介して多段で接続してもよい。これにより、シールドが必要な電子部品を独立にシールドできるため、電磁波干渉を未然に防ぐことができる。また、複数の回路基板間を別々に中継して接続できるため、複雑な回路基板配置などに容易に対応できる。さらに、複数の三次元基板間接続構造体２により、立体回路装置５０の機械的な強度の向上や取り扱いが容易な構成とすることができる。
【００６４】
また、上記各実施の形態において、第１端子電極２４、第２端子電極１１をハウジング８の全周にわたって設けた例で説明したが、これに限られない。例えば、ハウジング形状が四角形の場合、一辺、対向する辺または三辺など部分的に設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明における三次元基板間接続構造体とその製造方法およびそれを用いた立体回路装置は、軽薄短小化が進む情報携帯機器などの技術分野において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】（Ａ）本発明の第１の実施の形態における三次元基板間接続構造体の構成を示す平面図（Ｂ）図１（Ａ）のＡ−Ａ線断面図（Ｃ）図１（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図（Ｄ）図１（Ａ）のＣ−Ｃ線断面図
【図２】（Ａ）同実施の形態における第１の回路基板と第２の回路基板とを三次元基板間接続構造体を介して接続した状態を示す図１（Ａ）のＥ−Ｅ線断面図（Ｂ）図１（Ａ）のＦ−Ｆ線断面図
【図３】同実施の形態における三次元基板間接続構造体の製造方法の主な工程図
【図４】（Ａ）本発明の第２の実施の形態における立体回路装置の構成を示す斜視図（Ｂ）図４（Ａ）の部分拡大断面図
【符号の説明】
【００６７】
２    三次元基板間接続構造体
４    外周部
６    内周部
８    ハウジング
９    凹部
１０    シールド電極
１１    第２端子電極
１２ａ，１２ｂ    接地電極
１４    上部面
１６    下部面
１８    ランド
１８ａ    上面ランド
１８ｂ    下面ランド
２０ａ    上端部
２０ｂ    下端部
２１    スルーホール
２２    貫通孔
２４    第１端子電極
２６    第１の回路基板
２８    第２の回路基板
３０，３２，４０，４２    接続端子
３４，３６，３８    フィレット部
４４    絶縁性基板
４６    めっき層
４８    レジストパターン
５０    立体回路装置
５２    電子部品
５４，５６    配線パターン
５８，６０    接地配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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