(57)【要約】【課題】  印刷法では位置ずれが生じるため、絶縁膜を介して下部電極と上部電極が良く位置合せされた電極基板を形成できにくい。位置合わせのためにフォトマスクを使用して、飛躍的にコスト低減することである。【解決手段】  開示した技術は、感光性を有し、感光前は撥液性を示し、感光後は親液性を示す自己組織化単分子膜（感光性SAM膜）を基板上に成膜し、  その基板の前記成膜した面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行うものであり、  露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、  前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする感光性SAM膜の露光方法である。【選択図】  図２０
2008277469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光性を有し、感光前は撥液性を示し、感光後は親液性を示す自己組織化単分子膜（感光性SAM膜）を基板上に成膜し、
その基板の前記成膜した面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行うものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする感光性SAM膜の露光方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、前記基板上および前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に導電性材料の溶液状態を原料とし、塗布法により感光性SAM膜を形成し、
前記SAM膜を形成した状態の基板の前記SAM膜を有する面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行い、
前記SAM膜のうち、感光した部分を除去し、除去して露出した前記ゲート絶縁膜上の一対のソース電極およびドレイン電極を形成するものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板と前記絶縁膜を構成する材料は露光光の波長に対して透光性であり、前記ゲート電極を構成する材料は露光光の波長に対して不透光性であり、
前記ソース及びドレイン電極の材料は金属ナノ微粒子溶液又は導電性高分子溶液を原料とし、前記基板裏面からの露光により、前記１対のソース及びドレイン両電極が形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜、前記ゲート電極、前記ソース及びドレイン電極が印刷法により形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記感光性自己組織化単分子膜（感光性SAM）は、露光工程前と後とで、前記基板と、水または有機溶剤との接触角の値が変化することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記感光性自己組織化単分子膜を露光する際の前記液体が、アルカリ水溶液又は有機溶剤であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記１対のソース及びドレイン両電極を形成するための前記露光工程は、
透光性基板上部に不透光性のゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を少なくとも覆ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を少なくとも覆って感光性自己組織化膜（感光性SAM）を形成する工程と、
前記透光性基板を有機アルカリ水溶液もしくは有機溶剤中に浸して前記基板裏面側より露光し電極を作成する工程と、
前記露光後、水により洗浄を行う工程と、
前記露光部に、導電性材料溶液によりソース及びドレイン電極を形成する工程と、
チャネル部を形成する為の有機半導体層を形成する工程を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記１対のソース及びドレイン両電極を形成するための前記露光工程は、
透光性基板上部に不透光性のゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を少なくとも覆ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を少なくとも覆って感光性自己組織化膜（感光性SAM）を形成する工程と、
前記透光性基板を有機アルカリ水溶液もしくは有機溶剤に基板表面を接触させて前記基板裏面側より露光し電極を作成する工程と、
前記露光後、水により洗浄を行う工程と、
前記露光部に、導電性材料溶液によりソース及びドレイン電極を形成する工程と、
チャネル部を形成する為の有機半導体層を形成する工程を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記有機半導体膜を形成する工程が、前記電極材料層を形成する工程後になされることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板が、フレキシブルな基板であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板が珪素化合物又は有機化合物からなることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記透光性基板裏面からの露光光が、当該感光性自己組織化膜（感光性SAM）の光吸収波長であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記塗布法が、インクジェット法、マイクロディスペンス法、キャスト法、ディッピング法又は転写法の群のうち少なくとも１種類を使用することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性SAM膜の露光方法および半導体装置の製造方法に関し、特に有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法、感光性を有する自己組織化膜の露光方法及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）装置を有する表示装置の様々な研究開発が行われている。このＴＦＴは、低消費電力・省スペースであるため、携帯電話、ノートパソコン、ＰＤＡなどの携帯装置の表示装置駆動用トランジスタとして使用され始めている。このようなＴＦＴは、結晶質シリコンや非晶質シリコンを代表とする無機半導体材料により大部分が作製されている。これは、従来の半導体装置の製造工程・製造技術を用いて作製できるためである。しかしながら、半導体製造工程を用いる場合、半導体膜形成時の処理温度が３５０℃以上になるため形成できる基板に制約がある。特に、プラスチックに代表されるフレキシブルな基板は、耐熱温度が３５０℃未満のものが多く通常の半導体製造工程を用いた無機半導体材料のＴＦＴ作製は困難である。
【０００３】
この問題に対して、最近、低温で作製可能な、有機半導体材料を用いたＴＦＴ装置(以下、有機ＴＦＴと略称する)の研究開発が進められている。有機ＴＦＴは、有機半導体膜が低温形成可能であるため、プラスチックなどの耐熱性の低い基板上への形成も可能となる。そのため、従来に無いフレキシブルな新デバイスの作製が可能となる。
【０００４】
有機ＴＦＴを形成する際の有機半導体膜の形成方法としては、有機半導体材料に依って、インクジェットなどの印刷法、回転塗布法、スプレー法、転写法、蒸着法、ディッピング法、キャスト法等の中から最適な方法が用いられている。例えば、ペンタセン誘導体等の低分子化合物は主に蒸着法等で成膜されており、ポリチオフェン誘導体等の高分子化合物は、溶液から成膜される。有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法に関する例としては、例えば特許文献１などをあげることが出来る。この例では、毛細管現象を用いて有機半導体材料の使用量を抑える工夫をなしている。
【０００５】
最近では、インクジェット、マイクロディスペンス、転写法などに代表される印刷工程を用いることによって、無駄なく少量の有機半導体材料でＴＦＴのチャネル部を作製することで更なる低価格化を進める研究開発が行われている。加えて、電極や配線部も印刷により作製する研究開発も行われ始めている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−０８００２６号公報
【特許文献２】特開２００３−１５８１３４号公報
【特許文献３】特開２００３−３２１４７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の様に、印刷技術を用いるＴＦＴ製法は、低価格化できる特徴がある。しかし、現在の通常の印刷技術では位置合わせ精度が１０μｍ程度であり、最新の技術を用いても数μｍ程度である。このため印刷工程による、微細なＴＦＴの作製は困難である。特に、ゲート電極（下部電極）とソース／ドレイン電極（上部電極）の位置ずれが生じると、寄生容量が増えてしまったり、複数のTFTを作成した場合、性能にばらつきが生じてしまったりなどの問題を引き起こしてしまう。この位置ずれは、インクジェット法では、ノズルから噴出した材料が基板までに飛翔する際に起こるといわれている。転写法では、転写ロールから基板へ材料を転写する際に起こるといわれている。
【０００８】
このため、現在、有機半導体膜形成、配線工程などは印刷工程、絶縁膜形成やコンタクトホール形成などは従来の半導体工程、電極形成は印刷もしくは従来の半導体工程を用いている。この場合、両方式の組み合わせであるため、フォトリソグラフィ関連装置、印刷装置、成膜装置、エッチング装置等作製装置が多岐にわたり複雑化することや、コンタクトホール形成工程、電極形成工程などにフォトマスクが必要となるために製造コストが増大してしまう。
【０００９】
この対策として、フォトマスクを必要としない位置ずれの無い方法も検討され始めている。例えば、特許文献２には、感光性組成物を用い、ソース及びドレイン電極をマスクとして裏面からのフォトリソグラフィによって、位置ずれの無いゲートパタン形成を行う方法が開示されている。この方法を用いると、位置ずれの無いパタン形成は可能であるが、感光性組成物フォトリソグラフィ工程が含まれるため、感光性組成物塗布、加熱、露光、現像といった工程が含まれ、それぞれに装置を含めたコストと時間がかかってしまう。また、通常の半導体工程で使われる感光性組成物フォトリソグラフィ工程を用いると、フレキシブル基板などの特殊基板は使用できない可能性がある。また、基板にプラスチックなどの有機系基板を使用すると、感光性組成物溶剤に溶解してしまうという問題もある。
【００１０】
また、前記感光性組成物として、感光性自己組織化膜（以下、感光性SAM; Self-Assembled Monolayer）を用いた方法も検討されている。前記感光性SAMは、未露光部分は撥液性であり、露光した部分が親液性になる特徴を持つ。この特長を用いて、親液部に導電性材料溶液を選択的に印刷し電極や配線を形成する。感光性SAMとしては、パーフルオロアルキル基を有するシランカップリング剤、レジストに代表される感光性組成物の感光基を有するシランカップリング剤等が報告されている。パーフルオロ基を有する感光性SAMは、親液性を発現させるために200nm程度の極短波長の光を用いて主鎖を切断する反応を用いており、通常のフレキシブル基板では300nm以下の光は透過しないために、フレキシブル基板を用いた前記裏面露光では反応しない。また、レジスト感光基を有する感光性SAMは、感光基を変えることによって露光波長を調整できるため、フレキシブル基板を透過する光で反応できうる物もある。しかし、これまでは、感光性SAMの親液性を発現させるためには、照射量が通常のレジストフォトリソグラフィ工程の10倍程度必要であり、時間がかかってしまうといった問題点があった。
【００１１】
このような問題に対して、本発明の目的は、印刷法を用いて、短時間で、２０μｍ程度の微細なパタン形状を有し、フォトマスクを使用することなくお互いにずれが１μｍ以内に位置合せされた下部電極と上部電極が絶縁膜を介して対峙する電極を有する高性能有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の要旨の一つは次の通りである。
感光性を有し、感光前は撥液性を示し、感光後は親液性を示す自己組織化単分子膜（感光性SAM膜）を基板上に成膜し、
その基板の前記成膜した面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行うものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする感光性SAM膜の露光方法。
（１）ここで、露光光としては、当該基板を透過する光であればよいが、具体的には、露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であることが望ましい。露光光の波長の数値限定は、基板を透過する光として望ましい波長範囲を特定したものである。
（２）また、前記液体は、感光後、SAMより切断された基が可溶な液体であればよい。より具体的には、芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることが望ましい。
本発明は、印刷技術を用いて当該装置が形成され、下部電極をマスクとして裏面からの露光によるフォトリソグラフィ工程により下部電極直上とその他の部分の水または有機溶剤の接触角の違いを用いることにより上部電極が下部電極と自己整合して配置されている様々な基板に対応した有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【００１３】
本発明の代表的な形態は、上部電極と下部電極の位置合わせ工程のみをフォトマスクを用いずにソース及びドレイン電極材料を露光により変化した水または有機溶剤の接触角の差を用いて形成する工程を用い、その他全ての工程を印刷法で形成する製造方法を用いる。透光性の基板を用い、その透光性基板上に導電性材料を用いて印刷、焼成することにより不透光性のゲート電極（下部電極）を作製する。その上に、透光性の絶縁膜、露光により水または有機溶剤の接触角の変わる感光性自己組織化膜溶液を必要な面積に、順次印刷法により積層する。次に、基板をアルカリ水溶液または有機溶剤に浸しながら、もしくは基板表面（感光性自己組織化膜を形成した面）をアルカリ水溶液または有機溶剤に接触させながら、下部電極をマスクとし基板裏面より感光性自己組織化膜を露光し、その後、水でリンスを行うことによって露光部と未露光部の水または有機溶剤の接触角差を大きくし、その差を利用して印刷により導電性材料溶液を印刷することで、下部電極に位置合わせされたソース及びドレイン電極パタンが形成できる。こうして、下部電極と上部電極の精密な位置合わせが可能となる。その後、下部電極直上に有機半導体材料を印刷または蒸着することによって、有機薄膜トランジスタを形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の実施例によれば、印刷法を用いて、１μｍ以内に正確に位置合せされた下部電極と上部電極が絶縁膜を介して対峙する電極を有する有機薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本願発明の諸形態を具体的に説明するに先立って、本発明の主な形態並びに使用する具体的材料等につき詳細に説明する。
【００１６】
本発明の骨子は、透光性材料からなる基板上に、有機半導体で構成されたチャネル部と、前記チャネル部に接した透光性材料からなる絶縁膜と、前記絶縁膜に接した不透光性材料からなるゲート電極と、前記チャネル部で離間された１対のソース及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記ゲート電極をマスク領域とした、前記基板を、アルカリ水溶液もしくは有機溶剤に浸した状態もしくは基板表面がアルカリ水溶液もしくは有機溶剤に接触した状態で、基板裏面からの露光により、前記１対のソース及びドレイン両電極のゲート電極側の端部が設定されることを特徴とする。更に、好ましくは、前記チャネル部、前記絶縁膜、前記ゲート電極、前記ソース及びドレイン電極が印刷法により形成されるのが良い。
【００１７】
前記１対のソース及びドレイン両電極のゲート電極側の端部を設定する為の露光の工程の例を述べれば、次の通りである。即ち、透光性基板上部に不透光性のゲート電極（下部電極）を形成する工程と、前記ゲート電極を少なくとも覆って透光性ゲート絶縁膜を形成する工程と感光性自己組織化膜を塗布する工程と、前記基板をアルカリ水溶液もしくは有機溶剤に浸す工程もしくは前記基板表面をアルカリ水溶液もしくは有機溶剤に接触させる工程と、前記透光性基板裏面より露光する工程と、前記露光後、水によりリンス洗浄する工程と、露光部に導電性材料溶液を印刷し、焼成することによりソース及びドレイン電極（上部電極）を形成する工程と、チャネル部を形成する為の有機半導体層を形成する工程と、を有する。
【００１８】
この場合、具体的な手順として、代表的には次の２つがある。即ち、第１は、前記有機半導体膜を形成する工程が、前記上部電極材料層を形成する工程より前になされるものである。第２は、前記有機半導体膜を形成する工程が、前記上部電極材料層を形成する工程より後になされるものである。
【００１９】
又、不透光性のゲート電極を形成する工程、前記ゲート絶縁膜を形成する工程、前記少なくとも前記ゲート絶縁膜上に電極材料層を形成する工程のいずれもが、印刷法を用いてなされることは、本発明の目的を達成するにより好ましい。
【００２０】
前記塗布法は、インクジェット法、マイクロディスペンス法、ディップ法、回転塗布法、及び転写法などが代表的な例である。本発明の目的に、諸部分の形成に、これらの内の少なくとも一つを用いるのが、実際的である。
【００２１】
次に、本発明の実施例に使用する具体的材料等につき説明する。
【００２２】
前記透光性基板の代表例は、珪素化合物或いは有機化合物である。更に、透光性基板の具体例を例示すれば、ガラス板や石英基板、フレキシブルな樹脂製シートいわゆるプラスチックフィルムである。プラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエテールスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアクリレート、ポリイミド、ポリカーボネイト、セルローストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネート等を例としてあげることが出来る。プラスチックフィルムはフレキシブルに曲がる特徴を有する。装置のフレキシブルな特徴を要請される各種応用に有利である。
【００２３】
上記導電性材料としては、ナノ微粒子、錯体、高分子の形態をとり、溶媒中に分散して液体材料を形成できる金属、金属酸化物、または導電性高分子材料からなるインクである。
【００２４】
上記透光性絶縁膜材料としては、有機絶縁高分子類であり、ポリイミド誘導体、ベンゾシクロブテン誘導体、フォトアクリル誘導体、ポリスチレン誘導体、ポリビニルフェノール誘導体、ポリエステル誘導体、ポリカーボネイト誘導体、ポリエステル誘導体、ポリ酢酸ビニル誘導体、ポリウレタン誘導体、ポリスルフォン誘導体、アクリレート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などを例としてあげることが出来る。加えて、絶縁材料としては、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン窒酸化物、金属酸化物、金属窒化物、金属窒酸化物などの無機材料も挙げることができる。また、前記絶縁膜は、単層膜でも多層膜でも良く、感光性自己組織化膜形成用に表面を金属酸化物で覆っても良い。
【００２５】
上記有機半導体材料としては、ペンタセン、ルブレンに代表されるポリアセン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリエチレンビニレン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリイソチアナフテン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリジアセチレン誘導体、ポリアズレン誘導体、ポリピレン誘導体、ポリカルバゾール誘導体、ポリセレノフェン誘導体、ポリベンゾフラン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリインドール誘導体、ポリピリダジン誘導体、金属フタロシアニン誘導体、フラーレン誘導体、または、これらの繰り返し単位を2種類以上混合したポリマーもしくはオリゴマーなど例としてあげることが出来る。又、必要に応じてこれらの有機半導体材料にドーピング処理を施しても良い。また、有機半導体トランジスタ性能を向上させるために、有機半導体を印刷する以前の工程により、有機半導体と基板の接着面に表面処理を施しても良い。また、必要ならこれらの有機半導体を積層しても良い。
【００２６】
上記感光性自己組織化膜材料としては、シランカップリング剤を末端に有する化合物であり、露光により水酸基が発現する置換基を有するものである。例えば、特許文献３に記載の一連のシランカップリング剤を有する化合物がある。
【００２７】
上記有機アルカリ水溶液としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドに代表される水酸化アンモニウム化合物の２ｗ％から２５ｗ％水溶液、好ましくは２ｗ％から５ｗ％水溶液を上げることが出来る。
【００２８】
上記有機溶剤としては、トルエン、キシレン、フェノール、アニリンに代表される芳香族化合物、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランに代表されるエーテル類、メタノール、エタノールに代表されるアルコール類、アセトンに代表されるケトン類、アンモニア、トリエチルアミンに代表されるアミン類、クロロホルム、パーフルオロヘキサンなどのハロゲン化有機化合物類を挙げることができる。もちろん、これらの溶剤を単独もしくは、複数種混合して使用することもできる。
【００２９】
上記感光性自己組織化膜材料の反応例を示す。例として、特許文献３に示されている
【００３０】
【化１】
2008277469.tif 000003
【００３１】
（化１）（5-methoxy-2-nitro-benzyl 4-(trimethoxysilyl)butanesulfonate）を用いて説明する。上記（化１）は、トリメトキシシリル基を使って金属酸化物表面に結合を作る。基板表面にきれいに並んだ状態で、水の接触角は９５度を示した。（化１）を基板表面にきれいに並べた状態で、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（2.38w%）に表面を下にして浸し、350nmの光を基板裏面から照射すると結合が切れて、
【００３２】
【化２】
2008277469.tif 000004
【００３３】
（化２）を経て、
【００３４】
【化３】
2008277469.tif 000005
【００３５】
（化３）の化合物が形成された。この時点での水の接触角は、２０度であった。また、未露光部分は、すべての処理を通して、水の接触角は、９５度であった。
【００３６】
上記導電性材料の溶媒としては、導電性材料が可溶な溶剤であり、例としては、水、または有機溶媒としては、メチルアミルケトン、乳酸エチル、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールー１−モノメチルエーテルー２−アセタート等の一般的な感光性組成物用溶剤や、ジエチルエーテル、アセトン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、トルエン、クロロホルム、エタノールなどのアルコール類などが使用できる。必要なら、2種類以上の混合溶媒でも良い。
【００３７】
上記感光性自己組織化膜の成膜方法は、インクジェット法、マイクロディスペンス法、ディップ法、回転塗布法、及び転写法などが代表的な例である。
【００３８】
次に、本発明の幾つかの実施例について具体的に説明する。本実施例において、使用したインクジェット印刷装置は、位置精度、描画線幅最小値共に２０μｍであったため、ゲート電極線幅は２０μｍとした。
【００３９】
上記露光時の、基板の状態を説明する。まずは、基板をアルカリ水溶液もしくは有機溶剤に浸して露光する場合の基板の状態を図２１に示す。露光用容器２９の中に、アルカリ水溶液もしくは有機溶剤31を入れる。その中に基板30全体がそのアルカリ水溶液もしくは有機溶剤に浸るように配置する。この場合、基板を何らかの方法で固定することを、必要に応じて行う。また、基板の表裏はどちらが上向きでもかまわない。好ましくは、ホトマスクを使って露光をおこなう場合は、基板表面を上向き、基板内に配置されたパタンをマスクとして裏面露光をおこなう場合は基板表面を下向きに配置する。次に、基板と液体を接触させた状態での露光時の基板状態を図２２に示す。露光用容器２９の中に、アルカリ水溶液もしくは有機溶剤31を入れる。この状態で、基板30の表面を下向きにし、アルカリ水溶液もしくは有機溶剤に基板表面が接触するように基板を配置する。この場合、基板30は表面張力によってアルカリ水溶液もしくは有機溶剤に浮かせても良い。
【００４０】
上記露光時の露光方法を図２３に示す。基板の状態は、図２１、図２２に示した状態どちらでも可能である。図２３の場合は、図２１の基板状態で記載してあるが、図２２の状態でもなんら問題はない。感光性ＳＡＭの吸収波長を含む光を出す光源３２を用意し、その光源からの光３５をレンズ系３３を使用して平行光とする。光源自身がレーザーの様に平行光である場合には、レンズ系は必要ない場合もある。この平行光の大きさは、基板内のパタン必要面積以上である必要がある。この平行光を、ミラー系３４を使い基板に垂直に照射する。ここで、光源が基板の真上に位置する場合は、ミラー系が必要ない。また、フォトマスクを使用する場合は、光源とレンズ系の間、レンズ系内、レンズ系とミラー系の間、ミラー系内、ミラー系と基板間のどこに配置しても良い。
【００４１】
（実施例１）
シリコンウエハを、感光性自己組織化膜材料（5-methoxy-2-nitro-benzyl 4-(trimethoxysilyl)butanesulfonate）の0.1w%トルエン溶液に２０分間浸漬させることによって、シリコンウエハ上に感光性ＳＡＭ膜を形成した。この時点での、基板表面の水の接触角は９５度であった。この基板を３枚用意し。一枚は、大気中で露光を行い、他の２枚はトルエン中・テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド２．３８ｗ％水溶液（ＴＭＡＨ）中で図２３の露光システムで光源には高圧水銀灯を用いて露光をおこなった。
【００４２】
その結果を図２４に示す。図２４の横軸は高圧水銀灯の光の照射量、縦軸は基板表面の水の接触角を示す。接触角が下がりきるには大気中では、40J/cm2の照射量が必要であった。トルエン、TMAH中での露光では、大気中と比較しておよそ6分の1の照射量である６J/cm2で照射量が20度に落ち着くことが分かった。このように、液体中で露光することにより、照射量が6分の１に出来ることがわかった。なお、トルエン中露光の場合は、露光後リンス前にTMAHに1分間浸漬させた。
【００４３】
（実施例２）
図１から図８は、基板裏面からの露光によりソース及びドレイン電極を形成する本例の製造工程順に示した装置の平面図及び断面図である。各図において、（ａ）は上面図、（ｂ）は図の（ａ）における線ＡＡ’での断面図である。以下、本願明細書における製造工程順に示した装置の上面図及び断面図では、各図の（ａ）を上面図、（ｂ）を断面図で示した。
【００４４】
透光性基板１として有機化合物であるポリカーボネイトを用い、インクジェット印刷法により金ナノ微粒子をトルエン溶液に分散させたものをインクとして線幅２０μｍのゲート電極形状を印刷し、それを２００℃で５分間過熱し金ゲート電極２を形成した（上面図：図１の（ａ）、断面図：図１の（ｂ））。作成したゲート電極の高さは、約１０μｍであった。当該金ナノ微粒子の金属核の粒径は平均3.5nmであり、金属核の周りはブタンチオレートで覆っている。尚、図１の（ａ）の上面図における、金ゲート電極２は、Ｔ字型をし、且つ縦横の２つの部分に分けられたように描かれている。当該金ゲート電極２はこれらが一体としてゲート電極部を構成している。従って、Ｔ字型を一体として形成するか、少なくとも２つの部分で形成するかは任意であり、その製造方法にも適不適がある。本例のインクジェット印刷では、２つの部分に分けてスキャンして構成する方が適している。他方、例えば転写法などの場合は、Ｔ字型を一体として転写するのが得策である。以下の各上面図、例えば、図２の（ａ）、図３の（ａ）、図４の（ａ）、図５の（ａ）、図６の（ａ）（以下、全ての図番を例示しないが）などにおいても、同じ状況で、図面では２つの部分に分けられたように描かれている。
【００４５】
次に、Poly(methyl silsesquioxane)の１０ｗ％メチルイソブチルケトン溶液を用い、インクジェット印刷法によりゲート絶縁膜形状を形成し、１５０℃２０分間熱処理を行いゲート絶縁膜３を必要部位に形成した(上面図：図２の（ａ）、断面図：図２（ｂ）)。ゲート絶縁膜３の膜厚は約１００ｎｍであった。又、位置ずれを考え、後から形成するソース／ドレイン電極の幅よりも２０μｍ大きめにパターニングした。次に、感光性自己組織化膜材料（5-methoxy-2-nitro-benzyl 4-(trimethoxysilyl)butanesulfonate）の0.1w%トルエン溶液に基板を10分間ディップし、トルエンでリンス、乾燥後、110℃で10分間焼成し感光性自己組織化膜４を絶縁膜３上に形成した(上面図：図３の（ａ）、断面図：図３（ｂ）)。露光前の自己組織化膜の水の接触角は９５度であった。
【００４６】
基板を図２１の状態として、図２３の露光システムを用いて、基板裏面より光源高圧水銀灯を用いて２０分間露光を行った(上面図：図４の（ａ）、断面図：図４の（ｂ）)。この際基板を浸漬させる液体として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド２．３８ｗ％水溶液を用いた。露光後、脱イオン水流水で2分間洗浄した。（上面図：図５の（ａ）、断面図：図５の（ｂ））。この工程終了時に露光部の自己組織化膜の水の接触角は２０度、未露光部は変化無く９５度であった。露光部に、インクジェット法でゲート作成材料と同じ金ナノ微粒子溶液でソース及びドレイン電極７を印刷し、２００℃で、5分間焼成した(上面図：図６の(ａ)、断面図：図６（ｂ）)。電極パタン７の膜厚は約５μｍであった。この時点での、ゲート電極とソース及びドレイン電極の位置ずれは、０．５μｍとなっていた。
【００４７】
次に、ゲート電極と同様の金ナノ微粒子トルエン溶液を用いてインクジェット印刷法にて、配線８、配線９を印刷し２００℃５分間加熱処理した（上面図：図７の（ａ）、断面図：図７（ｂ））。この時、配線の膜厚は０．５μｍであった。次に、ゲート電極２直上のソース電極７とドレイン電極７の間に有機半導体（Ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２、５−ｄｉｙｌ）Ｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ）のクロロホルム５％溶液を用いインクジェット印刷法によりチャネル部１０を印刷し、１８０℃２分間熱処理を行った（上面図：図８（ａ）、断面図：図８（ｂ））。チャネル部９の厚さは、５μｍであった。
【００４８】
このトランジスタの移動度を求めたところ０．０８５ｃｍ２／Ｖｓとなった。この値は、上下部両電極相互の位置ずれないと考えられる有機薄膜トランジスタの特性である。
【００４９】
前記絶縁膜３、有機半導体層１０の形成は、回転塗布によっても実施することが出来る。回転塗布法による有機薄膜トランジスタの移動度は同等であった。しかし、前述の印刷法は、回転塗布によって形成した場合と比較し、それぞれ溶液の使用量に無駄がなく有利である。
【００５０】
（実施例３）
本例は、実施例２と同様の方法により有機半導体トランジスタを２個（19,20）を形成した例である。図９、図１０に本例の上面図及び断面図を示す。各トランジスタの形成方法は前述の実施例１と同様であるが、本例の構成は、各トランジスタの形成後、一方の第１のトランジスタ１９のドレイン電極６と他方のトランジスタ２０の第２のゲート電極２を配線１１により結線している。図９に上面図、図１０に図９でのＡＡ’断面での断面図を示す。両トランジスタの性能は、まったく同じであり、性能ばらつきの無いトランジスタが作成できた。
【００５１】
上記実施例２、３は、コスト及び性能の両面で特に高性能であった代表的な諸例を示した。以下に、その他上記実施例の材料の変更等を行った諸例を説明する。
【００５２】
＜基板について＞実施例２における透光性基板を珪素化合物であるガラス基板とする以外は、全て実施例２と同様に行い有機薄膜トランジスタを形成した。このトランジスタの移動度は、プラスチック基板と同等な０．１１ｃｍ２／Ｖｓであった。
【００５３】
＜導電性材料について＞実施例２における金ナノ微粒子を銀ナノ微粒子に代える以外はすべて実施例２と同様に行いトランジスタを形成した。このトランジスタの移動度は０．０７７ｃｍ２／Ｖｓであった。白金ナノ微粒子を用いた場合、移動度は０．１ｃｍ２／Ｖｓ、銅ナノ微粒子の場合、移動度は０．０８ｃｍ２／Ｖｓとなり、金ナノ微粒子使用時と同等の性能となった。前記各種材料において、例えば金と銀の仕事関数の差による特性上の差異はあるが、十分本願発明の目的を達成することが出来る。これらの材料中、金ナノ微粒子は、性能上、或いは合成の容易さ、更には保存安定性の諸側面から、最も有利な材料である。また、導電性高分子であるドープされているＰＥＤＯＴを用いた場合、移動度は０．０８ｃｍ２／Ｖｓとなり、上記金属ナノ微粒子を用いた場合と同等の性能を有した。
【００５４】
＜有機半導体材料について＞実施例３の金ナノ微粒子溶液を、例えばエメラルディン塩をドープしたポリアニリン溶液に代える以外はすべて実施例１と同様に行い、トランジスタを形成した。このトランジスタの移動度は０．０５ｃｍ２／Ｖｓであった。こうした例も、十分本願発明の目的を達することが出来た。
【００５５】
又、実施例２の有機半導体Ｐｏｌｙ（ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）/ｐｏｌｙ（ｓ，３−ｄｉｈｙｄｒｏｔｈｉｅｎｏ−［３，４−ｂ］−１，４−ｄｉｏｘｉｎ）の１．３ｗｔ％水溶液を用いてトランジスタを形成した。このトランジスタの移動度は０．０７８ｃｍ２／Ｖｓであった。この例はコスト的には若干有利である。
【００５６】
また、蒸着法を用いてペンタセンを使った場合は、移動度は０．０９ｃｍ２／Ｖｓとなった。この場合印刷法ではないが、一部分の置き換えのため、コスト的には大差が無かった。
【００５７】
＜絶縁膜について＞実施例２の絶縁膜をエポキシ化ポリブタジエンの０．５％キシレン溶液を用いた場合、移動度は０．０９ｃｍ２／Ｖｓであった。この値は、実施例２の値とほぼ同等である。本例は、コスト的には若干有利である。
【００５８】
又、絶縁膜をポリヒドロキシスチレンの２％メチルアミルケトン溶液を用いた場合の移動度は０．０７ｃｍ２／Ｖｓであり、本発明の目的を達することが出来る。本例のポリヒドロキシスチレンは安価であり、安全溶剤のメチルアミルケトンが使用できるメリットがある。また、ポリイミドの３％メチルアミルケトン溶液を用いた場合の移動度は０．０７ｃｍ２／Ｖｓであり、本発明の目的を達することが出来る。この場合、若干透過率が下がるため感光性自己組織化膜露光時間が増加する。
これらの有機高分子化合物を絶縁膜として使用する場合は、感光性自己組織化膜を形成するために、絶縁膜表面に、シロキサン化合物膜やシラザン化合物膜を形成する必要があり、コスト、工程が若干増加する。
【００５９】
以上、上述した諸材料のいくつかの例を具体的に説明した。
【００６０】
以上、本願発明を詳細に説明した。本発明によれば、有機半導体製造工程において、（１）印刷法により必要面積に必要材料を描き、（２）下部電極と上部電極の位置合わせの必要な部位は、下部電極と上部電極を自己整合して位置合せして作成する。この為、印刷法を用いて、絶縁膜を介して下部電極と上部電極が正確に位置合せされた電極基板を形成できる。本発明の印刷法を用いれば最小限の面積に必要材料を用いるだけですみ、加えてフォトマスクやレジストリソグラフィ工程が必要なく、スルーホール作成などのエッチング工程などが必要ない。従って、製造コストが大幅に削減できる。
【００６１】
本発明においては、すべての工程が低温形成できるため、基板がプラスチックなどのフレキシブルで、熱によって変形しえる熱可塑性を有する材質で形成されている場合にも、上部配線／電極を下部電極に対して自己整合して形成できる。このような基板を用いたフレキシブルな電子ペーパーのようなディスプレイを作る基板に好適である。
（実施例４）
本実施例では、下部電極の少なくとも一部をなすｍ本のゲート電極配線と、上部電極の少なくとも一部をなすｎ本の信号配線の交差部に形成されたｍ×ｎ個の薄膜トランジスタからなる、ｍ行ｎ列アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ基板およびその製法を、図１１から図１４を用いて説明する。基本的な作成手順は実施例３と同じである。まず、隣接配置された開口を有するリング状のｎ個の矩形が互いに少なくとも１ヶ所以上の接続部１７（本例では２ヶ所）で接続されたｍ本のゲート配線／電極２が、間隙１８を介して互いに近接配置される（上面図：図１１（ａ）、断面図：図１１（ｂ））。特に、間隙１８の幅ｂと、個々の接続部１７の幅ａを、リング状の開口を有する矩形同士の間隙ｃ以下にすると、この間隙ｃに導電性材料溶液を塗布焼成して、信号配線／ドレイン電極として機能するｎ本の上部電極２３を、接続部１７上の親水領域を乗り越えて下部電極に連続して自己整合した直線形状に形成できる。間隙１８に導電性材料溶液が浸透して、上部電極２３同士がショートすることもない。
【００６２】
また、本実施例では、下部電極２の一部として、一体形成された端子形成用下部電極２１が、ｍ本のゲート配線／電極２の外周を取り囲むように配置される。端子形成用下部電極２１より外側の基板１の端部に上部電極２３が形成されるのを防止するには、この部分にシールマスクを貼り付けて、上部電極２３形成後に剥がせば良い。また、本実施例では、端子形成用下部電極２１の信号端子部２２の幅を上部電極幅ｃよりも大きく取った。これは、単に上部電極端子の面積を大きくして、後述する信号回路との接触抵抗を下げるためばかりでなく、比較的長い信号配線２３を導電性材料溶液で塗布形成するためのインク溜めに利用するためである。すなわち、信号配線２３形成用に幅ｃの間隙に沿って滴下した導電性材料溶液が多過ぎる場合は、この信号端子部２２に導電性材料溶液が流れ込み、また、少な過ぎる場合は、この信号端子２２から導電性材料溶液が供給され、適量の導電性材料溶液で上部電極２３が形成されるように作用する（上面図：図１２（ａ）、断面図：図１２（ｂ））。この電極基板上に、半導体膜１０を実施例３と同様の方法、同様な材料で形成して、ｍ本のゲート配線２とｎ本の信号配線２３の交差部にｍ×ｎ個の薄膜トランジスタが形成される（上面図：図１３（ａ）、断面図：図１３（ｂ））。さらにこの上に、保護膜２６を形成する。このとき、スルーホール２５を形成し、配線を行う。このようにして、自己整合配置されたアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ基板を形成できる（上面図：図１４（ａ）、断面図：図１４（ｂ））。このようにして、トランジスタのマトリックスを作成し、それぞれのトランジスタの性能を比較したところ、ばらつきが無く、まったく同じ性能のものが作成できたことが分かった。
（実施例５）
スルーホール２７加工のみを行ったプリント基板１（エポキシ樹脂製）（上面図：図１５（ａ）、断面図：図１５（ｂ））を用意して、配線部分の作成を行った。Poly(methyl silsesquioxane)の２ｗ％メチルイソブチルケトン溶液を回転塗布により基板上に塗布し、１５０℃で２０分間熱処理を行った（上面図：図１６（ａ）、断面図：図１６（ｂ））。その後、感光性自己組織化膜材料（5-methoxy-2-nitro-benzyl 4-(trimethoxysilyl)butanesulfonate）の0.1w%トルエン溶液に基板を10分間ディップし、トルエンでリンス、乾燥後、110℃で10分間焼成し感光性自己組織化膜４を形成した（上面図：図１７（ａ）、断面図：図１７（ｂ））。パタン描画機能を持つレーザー露光機を用い、３５５ｎｍの波長により、スルーホール間の露光を行った。その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド２．３８ｗ％水溶液に基板を１分間浸し、水により洗浄を行った（上面図：図１８（ａ）、断面図：図１８（ｂ））。露光部に、インクジェット法で銅ナノ微粒子をトルエン溶液に分散させたものをインクとしてパタンを描き、１８０℃１０分間焼成してスルーホール間に配線２８を形成した（上面図：図１９（ａ）、断面図：図１９（ｂ））。市販されている配線基板と差異無く使用できた。
【００６３】
なお、本願図面で使用する符号の説明は次の通りである。
１…基板、２…下部電極、ゲート配線／電極、３…ゲート絶縁膜、４…感光性自己組織化膜、５…露光光、６…感光後有機アルカリ処理し水の接触角が小さくなった自己組織化膜、７…上部電極、ソース及びドレイン電極、８…配線、９…配線、１０…有機半導体、１１…配線、１７…ゲート配線の接続部、１８…隣接するゲート配線／電極間の間隙、２１…信号端子形成用下部電極、２２…信号端子、２３…ソース電極、２４…ドレイン電極、２５…スルーホール、２６…保護膜、２７…スルーホール、２８…配線、２９…露光用容器、３０…感光性SAMまで形成した基板、３１…アルカリ水溶液または有機溶剤、３２…露光光源、３３…レンズ系、３４…ミラー系、３５…露光光。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】図１は、本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図９】図９は、本発明の実施例３のトランジスタのを有する半導体装置の製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施例３のトランジスタを有する半導体装置の製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施例４のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施例４のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施例４のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施例４のトランジスタの製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施例５の配線基板の製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施例５の配線基板の製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施例５の配線基板の製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施例５の配線基板の製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施例５の配線基板の製造工程順に示した平面図及び断面図である。
【図２０】本発明のプロセス工程図である。
【図２１】本発明の感光性自己組織化膜の液中露光時の基板状態である。
【図２２】本発明の感光性自己組織化膜の液接触露光時の基板状態である。
【図２３】本発明の露光に用いた装置配置図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２３】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図２１】
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【図２２】
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