(57)【要約】【課題】光ピックアップにおいて、半導体レーザから筐体への放熱経路を維持することで信頼性と生産性を確保しつつ、筐体以外への熱抵抗の小さな放熱経路を確立して半導体レーザの放熱性を高めることができると共に、樹脂性の筐体においても十分な放熱性を得ること。【解決手段】光ピックアップ５０は、半導体レーザ、光検出器２、半導体レーザの光を光ディスクに導くと共に当該光ディスクからの反射光を光検出器２に導く光学系を収めた筐体３、半導体レーザに電流を供給する配線５、筐体３の外側に設置された金属製のカバー９を備える。半導体レーザは接着剤を介して筐体３に固定されている。半導体レーザの面に金属部材１０の面を熱的に接続して当該半導体レーザに当該金属部材１０が取付けられている。金属部材１０はカバー９に半田を介して熱的に接続されている。【選択図】図１
2008084383.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、光検出器と、前記半導体レーザの光を光ディスクに導くと共に当該光ディスクからの反射光を前記光検出器に導く光学系を収めた筐体と、前記半導体レーザに電流を供給する配線と、前記筐体の外側に設置された金属製のカバーと、を備える光ピックアップにおいて、
前記半導体レーザは接着剤を介して前記筐体に固定され、
前記半導体レーザの面に金属部材の面を熱的に接続して当該半導体レーザに当該金属部材が取付けられ、
前記金属部材は前記カバーに半田を介して熱的に接続されている
ことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】
請求項１の光ピックアップにおいて、前記半導体レーザは、導電性金属からなる円板状のフレームと、このフレームの一方の平坦な側面に設置されてレーザを出すレーザ素子と、前記フレームの他方の平坦な側面から突出されている複数の端子とを備えるステム型半導体レーザで構成され、前記金属部材は前記フレームの他方の平坦な側面に熱的に接続されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項３】
請求項２の光ピックアップにおいて、前記半導体レーザは回転軸となる突出部を設けた支持部品に固定され、前記支持部品は前記突出部を回転軸として回転調整した状態で前記接着剤を介して前記筐体に固定され、前記金属部材は前記突出部の回転軸に平行な方向へ延長され、その延長先で前記カバーと接続されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項４】
請求項３の光ピックアップにおいて、前記金属部材と前記カバーのそれぞれの接続部に櫛歯部を設け、これら櫛歯部が噛み合わさる部分が半田付けされていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項５】
請求項１の光ピックアップにおいて、前記筐体の光ディスク対向面側に放熱ブロックが設けられ、前記半導体レーザは支持部品に固定され、前記支持部品は前記接着剤を介して前記筐体に固定され、前記放熱ブロックは前記支持部品と熱的に接続されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項６】
請求項１の光ピックアップにおいて、前記カバーは、前記光学系の対物レンズが設置された面を除く前記筐体の２つの面に対向する２つの面を有し、前記配線の一部をカバーするように設置されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項７】
請求項６の光ピックアップにおいて、前記カバーは、前記光学系の対物レンズが設置された面を除く前記筐体の２つの面に対向する２つの面を有し、前記配線の一部をカバーするように設置されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項８】
請求項１の光ピックアップにおいて、前記半導体レーザがフレーム型半導体レーザで構成されていることを特徴とする光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップに係り、特に導体レーザへの配線をカバーするように金属性のカバーを設置した光ピックアップに好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク装置内に設置され、半導体レーザにより光ディスクに対して情報の記録・再生を行う光ピックアップにおいて、半導体レーザは、その使用条件によっては高温になることがある。しかし、半導体レーザは、高温下で使用を続けることで、効率や寿命が劣化し信頼性が低下する。このため光ピックアップでは、半導体レーザがその寿命を保証されている温度を超えないように放熱性の高い設計が必要である。
【０００３】
特に近年、光ディスク装置においては、情報の記録・再生の短時間化が求められており、これに伴い半導体レーザの高出力化による半導体レーザ自身の温度上昇が非常に大きくなる傾向があり、半導体レーザの放熱性を高めることが重要な課題となっている。
【０００４】
光ピックアップにおける半導体レーザの温度低減を図るには、半導体レーザから筐体への放熱経路の熱抵抗を減らすか、半導体レーザから筐体以外への放熱経路を作る、ことにより放熱量を増加することが必要である。
【０００５】
特開平１０−８３５６４号公報（特許文献１）には、リードフレーム型半導体レーザを金属筐体にかしめて固定することにより、半導体レーザと金属筐体との取付け位置の経時変化を生じることなく、半導体レーザと金属筐体との間の熱抵抗を下げて金属筐体からの放熱特性を優れたものとすることが記述されている。
【０００６】
特開２０００−２５１２９７号公報（特許文献２）には、コモン端子を備えるレーザダイオードと、レーザダイオードに接続されたプリント基板と、プリント基板を及びレーザダイオードの底面を覆うシールドケースとを備え、コモン端子をシールドケースに半田付けすることにより、レーザダイオードから発せられた熱をシールドケースに伝導して放熱することが記述されている。
【０００７】
特開２００５−２３５２８８号公報（特許文献３）には、半導体レーザを熱伝導率の大きい材料からなる第１の支持部材で支持し、この第１の支持部材を当該第１の支持部材よりも熱伝導率の小さい材料からなる第２の支持部材に半田付けしてキャリッジに支持し、この第１の支持部材を熱伝動率の大きい材料で形成された熱伝導部材を介してキャリッジに連結することにより、半導体レーザで生じる熱を第１の支持部材に留めて熱伝導部材を通して半導体レーザから離れた箇所に効率良く伝導することが記述されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−８３５６４号公報
【特許文献２】特開２０００−２５１２９７号公報
【特許文献３】特開２００５−２３５２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前述した特許文献１では、半導体レーザの熱が金属筐体を通してのみ放熱されるものであり、筐体が金属製の材料に制約されて高価なものとならざるを得なかった。また、この特許文献１では、半導体レーザを金属筐体にかしめて固定するものであるため、製造誤差に起因する半導体レーザの発するレーザの軸を調整することができなかった。すなわち、半導体レーザの発するレーザの軸は、製造誤差により半導体レーザの外形寸法に対して僅かにずれてしまうことが多く、半導体レーザを筐体に取付ける際には、レーザの軸ずれの調整が必要であるが、特許文献１ではその調整ができる構造とはなっていない。このため、半導体レーザを筐体に取付ける際には、レーザの軸ずれの調整が必要であり、筐体と半導体レーザとの間の調整代を接着剤を用いて埋める必要がある。
【００１０】
また、前述した特許文献２では、細長いコモン端子の先端部とシールドケースとの熱的接続であるため、この接続部分での熱抵抗が大きくなってしまい、十分な放熱効果が得られないという問題があった。
【００１１】
また、前述した特許文献３では、半導体レーザに支持された第１の支持部材を第２の支持部材に半田付けしてキャリッジに支持しているが、構造部材としての半田の信頼性は低いために、信頼性の高い支持構造とは言えなかった。また、この特許文献３では、半導体レーザの熱がキャリッジを通してのみ放熱されるものであり、キャリッジが金属製の材料に制約されて高価なものとならざるを得なかった。
【００１２】
本発明の目的は、半導体レーザから筐体への放熱経路を維持することで信頼性と生産性を確保しつつ、筐体以外への熱抵抗の小さな放熱経路を確立して半導体レーザの放熱性を高めることができると共に、樹脂性の筐体においても十分な放熱性が得られる光ピックアップを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前述の目的を達成するために、本発明は、半導体レーザと、光検出器と、前記半導体レーザの光を光ディスクに導くと共に当該光ディスクからの反射光を前記光検出器に導く光学系を収めた筐体と、前記半導体レーザに電流を供給する配線と、前記筐体の外側に設置された金属製のカバーと、を備える光ピックアップにおいて、前記半導体レーザは接着剤を介して前記筐体に固定され、前記半導体レーザの面に金属部材の面を熱的に接続して当該半導体レーザに当該金属部材が取付けられ、前記金属部材は前記カバーに半田を介して熱的に接続されている構成としたことにある。
【００１４】
係る本発明のより好ましい具体的な構成例は次の通りである。
（１）前記半導体レーザは、導電性金属からなる円板状のフレームと、このフレームの一方の平坦な側面に設置されてレーザを出すレーザ素子と、前記フレームの他方の平坦な側面から突出されている複数の端子とを備えるステム型半導体レーザで構成され、前記金属部材は前記フレームの他方の平坦な側面に熱的に接続されていること。
（２）前記半導体レーザは回転軸となる突出部を設けた支持部品に固定され、前記支持部品は前記突出部を回転軸として回転調整した状態で前記接着剤を介して前記筐体に固定され、前記金属部材は前記突出部の回転軸に平行な方向へ延長され、その延長先で前記カバーと接続されていること。
（３）前記金属部材と前記カバーのそれぞれの接続部に櫛歯部を設け、これら櫛歯部が噛み合わさる部分が半田付けされていること。
（４）前記筐体の光ディスク対向面側に放熱ブロックが設けられ、前記半導体レーザは支持部品に固定され、前記支持部品は前記接着剤を介して前記筐体に固定され、前記放熱ブロックは前記支持部品と熱的に接続されていること。
（５）前記カバーは、前記光学系の対物レンズが設置された面を除く前記筐体の２つの面に対向する２つの面を有し、前記配線の一部をカバーするように設置されていること。
（６）前記カバーは、前記光学系の対物レンズが設置された面を除く前記筐体の２つの面に対向する２つの面を有し、前記配線の一部をカバーするように設置されていること。
（７）前記半導体レーザがフレーム型半導体レーザで構成されていること。
【発明の効果】
【００１５】
係る本発明の光ピックアップによれば、半導体レーザから筐体への放熱経路を維持することで信頼性と生産性を確保しつつ、筐体以外への熱抵抗の小さな放熱経路を確立して半導体レーザの放熱性を高めることができると共に、樹脂性の筐体においても十分な放熱性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の複数の実施形態について図を用いて説明する。各実施形態の図における同一符号は同一物または相当物を示す。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の光ピックアップを図１から図４を用いて説明する。
【００１７】
まず、本実施形態の光ピックアップ５０の全体構成に関して図１から図４を参照しながら説明する。図１は本実施形態の光ピックアップの分解斜視図、図２は図１の組み立てた状態における斜視図、図３は本実施形態に用いられる半導体レーザの分解斜視図、図４は本実施形態の光ピックアップにおける半導体レーザ付近の分解斜視図、図５は図４の組み立てた状態における斜視図である。
【００１８】
光ピックアップ５０は、図１及び図２に示すように、半導体レーザ１（図３参照）、光学系、筐体３、支持部品４、配線５、放熱ブロック８、カバー９、金属部材１０、電子基板１１を主な構成要素して備えている。
【００１９】
半導体レーザ１は、その大部分が支持部品４に収納された状態で、支持部品４に支持されている。支持部品４は、筐体３の側面に設置され、接着剤を介して筐体３に固定されている。半導体レーザ１には金属部材１０が熱的に接続して固定されている。この金属部材１０は、平板部材で構成され、半導体レーザ１から下方に延び、その下端部に櫛歯部１０ａを有している。
【００２０】
筐体３は、内部に複数の光学部品からなる光学系を納めた複雑な３次元形状を有しており、樹脂で構成されている。筐体３を樹脂で構成することにより、金属で構成する場合に比較して、放熱性能は低下するものの、安価で軽量なものとすることができる。
【００２１】
光学系は、半導体レーザ１の発するレーザの軸が所定の範囲に入力されたとき、レーザを対物レンズ１８を通して光ディスクに導き、光ディスクからの反射光を光検出器２に導くようになっている。対物レンズ１８は筐体３の上面に設置され、光検出器２は支持部品４の側面に設置されている。
【００２２】
電子基板１１は、筐体３の前面に設置され、螺子１９により筐体３に固定されている。電子基板１１には、レーザドライバ１２が搭載されている。
【００２３】
配線５は、電子基板１１の配線と半導体レーザ１の端子１５とを連結するフレキシブルプリント配線板であり、電子基板１１の下部から筐体３の下面下方を通り、金属部材１０の側面外方から端子１５に接続されている。
【００２４】
カバー９は、筐体３の２つの面（図示例では、前面と下面）に対向する面を有して配置され、螺子２０により筐体３に固定されている。従って、カバー９は広い面積を有している。具体的には、カバー９は、筐体３及び電子基板１１の前面側に配置される前面部９ａと、筐体３及び配線５の下面側に配置される下面部９ｂと、櫛歯部９ｃとからなる金属板で構成されている。このカバー９は、金属平板からプレス成形により製作されている。カバー９の前面部９ａは、レーザドライバ１２と熱的に接続されている。カバー９の下面部９ｂは、筐体３の下面下方に延びる配線５の部分をカバーするように配置されている。カバー９の櫛歯部９ｃは、金属部材１０の櫛歯部１０ａと係合され、半田を介して固定されている。
【００２５】
半導体レーザ１は、図３から図５に示すように、ステム型半導体レーザで構成されている。この半導体レーザ１は、レーザを出すレーザ素子１３と、導電性金属からなる円板状のフレーム１４と、複数の端子１５とを備えている。レーザ素子１３はフレーム１４の一方の平坦な側面に設置されている。複数の端子１５は、レーザ素子１３への入力を行うＬＤ端子１５ａとコモン端子１５ｂとからなり、フレーム１４の他方の平坦な側面から大きく突出されている。ＬＤ端子１５ａはフレーム１４に絶縁物を介して取付けられており、レーザ素子１３とは細い配線でつながっている。フレーム１４とコモン端子１５ｂとは、多くの場合、構造的に直接接触しているか、電気的にほぼ同電位となっている。
【００２６】
半導体レーザ１の発熱部はレーザ素子１３である。レーザ素子１３による熱の大部分はフレーム１４に伝わる。筐体３と接着する支持部品４側には壁が必要なことと、端子１５が出ているフレーム１４の端子面には後に配線５を取付ける必要があることから、半導体レーザ１は、支持部品４へ端子面が外側になるように取付けられ、支持部品４とフレーム１４の外周面で接触している。このため、レーザ素子１３からフレーム１４に伝わった熱は、フレーム１４の外周面から支持部品４へ伝わる。しかし、レーザ素子１３はフレーム１４の中央部分に取付けられているため、フレーム１４の外周面よりも、端子面の方が発熱部に近く放熱しやすい。
【００２７】
そこで、本実施形態では、図４に示すように、半導体レーザ１のフレーム１４の端子面に金属部材１０を取付け、効率よく半導体レーザ１の熱を逃がす構造としている。フレーム１４とコモン端子１５ｂとは金属部材１０と電気的に接していても良いが、ＬＤ端子１５ａとは直接接することはできない。そこで、予めＬＤ端子１５ａとは接触しないように金属部材１０には、大き目の端子穴を開けておくか、ＬＤ端子１５ａに予めスペーサ１６を取付けておき、金属部材１０と電気的に短絡しないようにしてある。
【００２８】
コモン端子１５ｂまたはスペーサ１６を取付けたＬＤ端子１５ａを用いて金属板の位置決めに用いれば、半導体レーザ１に対する金属部材１０の取付け誤差は、ある程度の範囲に抑えることが可能であり、また半導体レーザ１を筐体３に取付ける際の調整にともなう変位量もある程度範囲がわかるので、櫛歯部１０ａ、９ｃの噛み合わせの間隔をどの程度とれば良いかは設計が可能である。
【００２９】
金属部材１０には半田付けが可能な金属を選ぶことで、半導体レーザ１の端子面に金属部材１０を半田付けすることが可能となり、高い放熱性を得ることができる。また、金属部材１０を半導体レーザ１の端子面に接着剤を用いて接着する場合にも、半導体レーザ１の平らな端子面に金属部材１０の平らな面を接着するので、接着剤の層は非常に薄くする事が可能であり、熱抵抗は小さく抑えることが可能である。
【００３０】
突出部６を支持部品４に設け、支持部品４が図５中の矢印Ａ方向に示すような回転調整のみ行うようにすることで、調整にともなう変位量は小さく抑えることができる。また、金属部材１０をこの突出部６の突出方向、つまりは調整の回転軸方向に伸ばし、この軸方向に延長した先でカバー９と接続できるようにすれば、カバー９の変形にともなう半導体レーザ１への負荷は、調整の回転成分以外にはかからなくなる。このためカバー９の変形による半導体レーザ１の位置ズレへの影響を小さく抑えることができる。ここで、カバー９の変形は、高温時および低温時における部品の膨張率の違いによって起こる変形のことである。図１に示すカバー９では、さらにカバー９の櫛歯構造７の手前に折り曲げを設けることで、カバー９の表面積を増やすとともに、カバー９の変形にともなう応力が半導体レーザ１へ伝わることを緩衝するようになっている。
【００３１】
図５に示すように、まず半導体レーザ１に金属部材１０を半田付けして取付け、この半導体レーザ１を支持部品４に取付ける。図６にあるような組みあがったものを、筐体３に調整しながら接着剤により固定する。接着剤には紫外線により硬化するものを使用することで、半導体レーザの位置が治具により調整できたと同時に紫外光を当てることで、素早く筐体への固定が可能であり、生産時間が短縮でき量産性が高い。
【００３２】
また、半導体レーザ１から筐体３への放熱性を高めるには、接着後、筐体３と支持部品４もしくは半導体レーザ１の間に、熱伝導シリコーンのような熱伝導率の高い流動体で充填することで、固定した半導体レーザ１の取付け位置をずらすことなく放熱性が高められる。ここでは、半導体レーザ１と筐体３間の隙間を、固定した半導体レーザ１に対して大きな荷重を与えることなく、空気以外の物質で充填することが重要であり、放熱性の高い流動体とは、シリコーンに熱伝導性のフィラーを混ぜた混合物だけでなく、後に硬化するような接着剤なども含む。
【００３３】
半導体レーザ１を筐体３に取付けた後、電子基板１１を筐体３に取付けると共に配線５を半導体レーザ１に取付ける。電子基板１１には、半導体レーザ１を駆動する集積回路であるレーザドライバ１２が搭載されており、配線５も取付けられている。
【００３４】
電子基板１１及び配線５を取付けた後、カバー９を筐体３に取付ける。配線３を取付けた後にカバー９を取付けることで、このカバー９で配線５が垂れることを防ぐという効果を得ることができる。またカバー９には、製品管理情報が記載されたシールを貼るという目的もある。このためにカバー９は、ある程度の面積が必要であるため光ピックアップ５０のディスク対向面とは逆側に取付けられる。
【００３５】
ここで、光ピックアップ５０のディスク対向面とは、光ピックアップ５０よりレーザが光ディスクに放出される面（図示例では上面）であり、この面には対物レンズ１８が存在するため、小型化を目指す光ピックアップにおいては、この面に製品管理情報シールを貼るだけの平らな面を有するカバーを設けることは困難である。
【００３６】
本実施形態では、光ピックアップ５０の小型化を維持するために、カバー９はディスク対向面とは逆側に配置されている。また、同時にカバー９を光ピックアップ５０の前面に立て、前面に配置されているレーザドライバ１２の冷却にも用いている。表面積の大きいカバー９は放熱部として非常に有効であり、レーザドライバ１２の放熱にも利用できる。
【００３７】
特に、本実施形態の金属部材１０による放熱効果を高めるには、カバー９の放熱性を高めることが有効であり、カバー９に折り曲げ構造を多く適用することで表面積を拡大し、さらには表面の放射率を高めている。なお、前述した製品管理情報シールは、多くの場合で金属表面よりも放射率が高く、カバーの放熱性向上に役立つ。
【００３８】
本実施形態では、カバー９と金属部材１０の双方に櫛歯部９ｃ、１０ａを設けた櫛歯構造７を有している。カバー９を取付ける際には、これらの櫛歯部９ｃ、１０ａ櫛歯構造が噛み合わさって組み立つように設計してある。この金属部材１０の櫛歯部１０ａとカバー９の櫛歯部９ｃとの間の隙間は、半導体レーザ１の調整に伴う金属部材１０の変位を吸収できるようになっており、組みあがった状態ではこの金属部材１０とカバー９とは接触していない。
【００３９】
この櫛歯部１０ａ、９ｃの噛み合わさった部分を半田付けすることで、半導体レーザ１の熱をカバー９へ低い熱抵抗で伝えることができる。また、櫛歯構造７は表面積が広いため、確実な半田付けが可能であるとともに、半田付けの作業性が良い。そして、半導体レーザ１の調整を可能としながら、カバー９への放熱経路を確立している。特に半田付けによりカバー９と半導体レーザ１のフレーム１４を電気的に接続できることによって、コモン端子１５ｂ側の電位をカバー９と同電位にすることと近い効果が得られ半導体レーザ１の電気的特性を有利にすることが可能である。
【００４０】
なお、金属部材１０とカバー９の間を熱伝導シリコーンのような熱伝導性の良い流動材で充填すことによっても、半導体レーザ１の調整に伴う変位の吸収と、放熱性の確保は可能である。この場合、半導体レーザ１の調整に伴う変位量を吸収するために、金属部材１０とカバー９との間にある程度の間隔が必要となってしまう。この間隔が広がることで熱抵抗が大きくなることを、熱伝導面積を拡大することで解消するため、金属部材１０には予めカバー９と向き合う広い面を用意しておき、この向き合う面の間を放熱シリコーンで充填することで放熱性を確保することが可能である。
【００４１】
また、半導体レーザ１の放熱性を高めるために、ディスク対向面側に放熱ブロック８を設置し、この放熱ブロック８の端と支持部品４とが直接もしくは放熱シリコーンなどの熱伝導性の良い流動体を介して接しており、半導体レーザ１の熱をディスク対向面側でも冷却できるようにしている。特に、筐体３が樹脂製の場合には、筐体３での放熱性は落ちるため、少しでも筐体３以外の部品に放熱面を設けることで半導体レーザ１の温度上昇を抑制することが重要であり、フィン状の放熱ブロック８をディスク対向面側に設置することは効果が大きい。特に光ディスク近傍においては、ディスク回転に伴う風の影響が大きく放熱性が良好となるため、放熱ブロック８はなるべく対物レンズ１８と同じ高さにまで高くすることによって高い放熱性を得ることができる。
【００４２】
本実施形態における半導体レーザ１の放熱経路は、従来どおりの接着剤や流動性の放熱材を用いて筐体３へ熱を逃がす経路と、ディスク対向面側に設置した放熱ブロック８へ熱を逃がす経路と、そして金属部材１０を介して半導体レーザ１からカバー９へ熱を逃がす３つの経路が用意されており、半導体レーザ１の温度上昇を小さく抑えることが可能である。
【００４３】
以上に述べたように、半導体レーザ１において最も放熱に適した面に、金属部材１０を取付け、この金属部材１０とカバー９を半導体レーザ１の調整に伴う変位を吸収できるように取付けることで、半導体レーザ１の筐体３への取付けは、信頼性と量産性の高い従来の構造を維持したまま、半導体レーザ１の放熱性を高める事ができる。また、半導体レーザ１の熱を積極的にカバー９で放熱できるため、筐体３に樹脂が使用されることで筐体３での放熱性が低下した場合にも、半導体レーザ１の放熱性を確保する事ができる。さらに、光ピックアップ５０のディスク対向面側に放熱ブロック８を設け、半導体レーザ１を支持する支持部材４と直接もしくは熱伝導部材を介して接続することで、筐体３の材質によらず、半導体レーザ１の放熱性を確保する事ができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について図６を用いて説明する。図６は本発明の第２実施形態に係る光ピックアップにおける金属部材とカバーとの接続構造の説明図である。この第２実施形態は、次に述べる点で第１実施形態と相違するものであり、その他の点については第１実施形態と基本的には同一であるので、重複する説明を省略する。
【００４４】
この第２実施形態における金属部材１０とカバー９との接続構造は、調整による変位を吸収でき、かつ熱抵抗の小さな接続構造としたものであり、具体的には、金属部材１０とカバー９との間をグラファイトシート１７で結んだ構造である。グラファイトシート１７は、熱伝導性が高く柔軟性があるため、半導体レーザ１の調整に伴う変位を吸収しながら熱を伝える素材としては優れている。なお、グラファイトシート１７の代用として、多数の細い銅線をよったものなども考えられる。グラファイトシート１７は、両面テープもしくは接着剤を用いて金属部材１０及びカバー９に固定されるが、銅線を用いた場合には半田付けによる固定が可能となる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について図７を用いて説明する。図７は本発明の第３実施形態に係る光ピックアップにおける金属部材とカバーとの接続構造の説明図である。この第３実施形態は、次に述べる点で第１実施形態と相違するものであり、その他の点については第１実施形態と基本的には同一であるので、重複する説明を省略する。
【００４５】
この第３実施形態では、突出部６を有する支持部品４を用いて、半導体レーザ１の調整を１軸の回転調整のみ行う場合、金属部材１０とカバー９との間に回転調整と中心を同じくする曲面を設けることによって、金属部材１０とカバー９との間に半導体レーザ１の調整を吸収するための間隔を設ける必要が無い構造としたものである。ただし、この場合も完全に面で接触させることは困難であるので、金属部材１０とカバー９との間に放熱シリコーンのような流動性の放熱部材を充填することが望ましい。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について図８から図１０を用いて説明する。図８は本発明の第４実施形態に係る光ピックアップに用いる半導体レーザの斜視図、図９は第４実施形態の光ピックアップにおける半導体レーザ付近の分解斜視図、図１０は図９の組み立て状態における斜視図である。この第４実施形態は、次に述べる点で第１実施形態と相違するものであり、その他の点については第１実施形態と基本的には同一であるので、重複する説明を省略する。
【００４６】
この第４実施形態では、半導体レーザとしてフレーム型半導体レーザ１を適用したものである。フレーム型半導体レーザ１の場合フレーム１４がレーザ素子１の真下の板状物であり、レーザ素子１の真下にフレーム１４があるため、フレーム１４からの放熱がしやすいようになっている。ステム型の半導体レーザと異なり端子面は発熱源から若干離れておりまた、その薄型の形状から表面積も小さい。
【００４７】
そこで、この第４実施形態では、図９及び図１０に示すように、金属部材１０はレーザ素子１の下面のフレーム１４に取付け、金属部材１０と半導体レーザ１とを支持部品４へ取付けたものである。支持部品４は、ダイカスト製であることが多く、フレーム１４とは半田付けできないが、金属部材１０はフレーム１４と半田付け可能であるため、半田付けによる放熱性の高い接合が可能である。また、金属部材１０を介して支持部品４への熱が伝わるため、筐体３への放熱も維持できる。また、ステム型半導体レーザ１の場合には、端子を位置決めに利用できたが、ステム型半導体レーザ１では端子面は使用しないため、金属部材１０に折り曲げ部や突起を設け、半導体レーザ１の外形形状より位置決めが可能となるようにする必要がある。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１実施形態の光ピックアップの分解斜視図である。
【図２】図１の組み立てた状態における斜視図である。
【図３】第１実施形態に用いられる半導体レーザの分解斜視図である。
【図４】第１実施形態の光ピックアップにおける半導体レーザ付近の分解斜視図である。
【図５】図４の組み立てた状態における斜視図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る光ピックアップにおける金属部材とカバーとの接続構造の説明図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る光ピックアップにおける金属部材とカバーとの接続構造の説明図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る光ピックアップに用いる半導体レーザの斜視図である。
【図９】第４実施形態の光ピックアップにおける半導体レーザ付近の分解斜視図である。
【図１０】図９の組み立て状態における斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…半導体レーザ、２…光検出器、３…筐体、４…支持部品、５…配線、６…突出部、７…櫛歯構造、８…放熱ブロック、９…カバー、９ａ…前面部、９ｂ…下面部、９ｃ…櫛歯部、１０…金属部材、１０ａ…櫛歯部、１１…電子基板、１２…レーザドライバ、１３…レーザ素子、１４…フレーム、１５…端子、１６…スペーサ、１７…グラファイトシート、１８…対物レンズ、１９、２０…螺子、５０…光ピックアップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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