(57)【要約】      （修正有）【課題】循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置と、当該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置を提供する。【解決手段】基板を保持する保持台１０１と、前記保持台に、前記基板の温度を制御するための媒体を循環させる循環路１０４と、前記循環路に設置された、前記媒体を通過させる微細孔を複数有する、前記媒体の帯電を緩和するための電極１１２と、を有することを特徴とする基板温度制御装置。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持台と、
前記保持台に、前記基板の温度を制御するための媒体を循環させる循環路と、
前記循環路に設置された、前記媒体を通過させる微細孔を複数有する、前記媒体の帯電を緩和するための電極と、を有することを特徴とする基板温度制御装置。
【請求項２】
前記電極は接地されていることを特徴とする請求項１記載の基板温度制御装置。
【請求項３】
前記電極が前記循環路に複数設置されることを特徴とする請求項２記載の基板温度制御装置。
【請求項４】
前記電極と対向する、前記保持台と電気的に接続された対向電極を有することを特徴とする請求項２または３記載の基板温度制御装置。
【請求項５】
前記電極と前記対向電極のうち、前記電極が前記保持台に近い側に設置されることを特徴とする請求項４記載の基板温度制御装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項記載の基板温度制御装置と、
前記基板温度制御装置が設置されたチャンバと、
前記循環路に前記媒体を循環させる循環装置と、を有することを特徴とする半導体検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の媒体を用いて被処理基板の温度制御を行う基板温度制御装置と、該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置の小型化・高性能化に伴い、例えば半導体装置の検査は、ウェハ（基板）レベルで実施されることが多くなってきている。上記の半導体装置の検査は、プローバと呼ばれる半導体検査装置を用いて行われることが一般的である。プローバは、半導体装置が形成された基板を保持して精密な精度で水平方向に移動する保持台を有しており、プローブカードと呼ばれる接触針を介してテスタと呼ばれる検査回路に半導体装置（チップ）を接続する構造を有している。
【０００３】
また、上記の半導体装置の検査にあたっては、半導体装置（基板）の温度を、所定の温度に制御する必要があるため、例えば、基板を保持する保持台には、熱交換のための所定の媒体（液体）が循環されて、基板の温度制御が行われる。
【０００４】
図１は、従来の半導体検査装置に用いられ基板温度制御装置を模式的に示した図である。図１を参照するに、本図に示す基板温度制御装置１０は、内部に温度制御のための媒体が循環する循環路（本図では図示せず）が形成された保持台１１を有している。保持台１１の表面には、真空ポンプなどの減圧手段によって排気される溝部１１Ａが形成され、半導体装置が形成された基板を保持台１１に吸着可能に構成されている。
【０００５】
また、保持台１１内部の循環路に接続される配管１２（供給路１２Ａ、環流路１２Ｂ）には、保持台１１の絶縁性を保持するための、絶縁性を有する配管１３（供給路１３Ａ、環流路１３Ｂ）が接続されている。
【０００６】
上記の保持台１１は半導体装置の電気的な試験を行うにあたって、電気的に隔絶された構成とされる必要があるため、保持台に循環される媒体は、実質的な絶縁材料（高抵抗材料）、例えばフッ素系の液体であることが好ましい。
【０００７】
また、上記の配管１３には、例えばフロロカーボン系の配管が用いられるが、フッ素系の媒体とフロロカーボン系の配管の間で生じる摩擦電気による放電によって、配管が損傷してしまう場合があった。そこで、上記の配管にワイヤーを挿入して配管の帯電を緩和する方法（構造）が提案されていた（特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３６２２１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記の方法によって絶縁性の配管１３の損傷を抑制する程度に帯電を緩和した場合であっても、媒体の循環による保持台１１の帯電を抑制することは困難となっていた。例えば、半導体検査装置において保持台が帯電すると、半導体装置の試験においてプローブカードの接触針が基板に接触（または接近）すると、保持台が有している電荷が一気に放出されて、半導体装置またはテスタに不具合（例えば故障、動作異常など）が発生する場合があった。
【０００９】
帯電した保持台をコンデンサにみたてると、当該コンデンサに蓄えられるエネルギーは、１／２×Ｃ×Ｖ２の式で与えられる（Ｃは容量、Ｖは電圧）。一般的な２００ｍｍウェハ対応の保持台を例にとると、保持台は、接地に対して１．５ｎＦ程度の容量を持っており、例えば２０００Ｖに帯電すると、保持台は３ｍＪのエネルギーを有することになる。このエネルギーは、高性能半導体装置にダメージを与えるのに十分な値であり、保持台の帯電によって、半導体装置に深刻な影響を与えることが懸念される。
【００１０】
そこで、本発明は、上記の問題を解決した、新規で有用な基板温度制御装置と、該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置を提供することを統括的課題をしている。
【００１１】
本発明の具体的な課題は、循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置と、当該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の観点では、上記の課題を、基板を保持する保持台と、前記保持台に、前記基板の温度を制御するための媒体を循環させる循環路と、前記循環路に設置された、前記媒体を通過させる微細孔を複数有する、前記媒体の帯電を緩和するための電極と、を有することを特徴とする基板温度制御装置により、解決する。
【００１３】
本発明によれば、循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置を提供することが可能となる。
【００１４】
また、前記電極は接地されていると、前記保持台の帯電緩和効果が大きくなり、好ましい。
【００１５】
また、前記電極が前記循環路に複数設置されると、前記保持台の帯電緩和効果が大きくなり、好ましい。
【００１６】
また、上記の基板温度制御装置が、前記電極と対向する、前記保持台と電気的に接続された対向電極を有すると、前記保持台の帯電緩和効果が大きくなり、好ましい。
【００１７】
また、前記電極と前記対向電極のうち、前記電極が前記保持台に近い側に設置されると、前記保持台の帯電緩和効果が大きくなり、好ましい。
【００１８】
また、本発明の第２の観点では、上記の課題を、上記の基板温度制御装置と、前記基板温度制御装置が設置されたチャンバと、前記循環路に前記媒体を循環させる循環装置と、を有することを特徴とする半導体検査装置により、解決する。
【００１９】
本発明によれば、循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置を用いて、信頼性の高い半導体検査装置を構成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置と、当該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明による基板温度制御装置は、基板を保持する保持台と、前記保持台に、前記基板の温度を制御するための媒体を循環させる循環路と、前記循環路に設置された、前記媒体を通過させる微細孔を複数有する、前記媒体の帯電を緩和するための電極と、を有することを特徴としている。
【００２２】
例えば、プローバと呼ばれる半導体検査装置においては、半導体装置（半導体チップ）が形成された基板を保持する保持台は半導体装置の電気的な試験を行うために実質的に電気的に隔絶された構成とされる必要がある。このため、温度制御を目的として保持台に循環される媒体は、実質的な絶縁材料（高抵抗材料）、例えばフッ素系の液体であることが好ましい。上記の媒体を循環させると、循環路と媒体の摩擦によって保持台に電荷が溜まり、半導体装置の検査に問題が生じる場合があった。
【００２３】
上記の基板温度制御装置では、前記循環路に前記電極を設けることによって、前記保持台の帯電を効果的に緩和することが可能となっている。
【００２４】
このため、上記の基板温度制御装置を所定のチャンバに設置し、前記循環路に前記媒体を循環させる循環装置（例えばチラーなど）を接続することで、帯電の影響を抑制した、信頼性の高い半導体検査装置を構成することが可能となる。
【００２５】
次に、まず上記の半導体検査装置の全体の概略を説明し、さらに当該半導体検査装置に用いられる基板温度制御装置の構成の詳細について順次説明する。
【実施例１】
【００２６】
図２は、実施例１による半導体検査装置４００を模式的に示した図である。図２を参照するに、本実施例による半導体検査装置４００の概略は、半導体装置が形成された基板Ｗを保持するとともに、基板Ｗ（半導体装置）の温度制御を行う基板温度制御装置１００と、基板温度制御装置１００が内部に設置されたチャンバ２００と、基板温度制御装置１００に基板の温度制御のための媒体（液体）を循環させるための循環装置３００と、を有する構成となっている。
【００２７】
まず、上記の基板温度制御装置１００についてみると、基板温度制御装置１００は、半導体装置が形成された、検査の対象となる基板Ｗを保持するための保持台１０１を有している。保持台１０１には、基板Ｗ（保持台１０１）の温度を制御するための媒体が循環される循環路１０４が形成されている。例えば、循環路１０４には、後述する循環装置３００によって冷却された媒体（冷媒）が循環され、基板Ｗの温度制御が行われる。また、上記の媒体は加熱されたものであってもよく、これらの加熱または冷却されて所定の温度に制御された媒体と、保持台１０１との熱交換によって保持台１０１が所定の温度に制御され、この結果基板Ｗの温度制御が行われる。
【００２８】
また、基板温度制御装置１００には、例えばヒータなどよりなる加熱手段１０５が設置されていてもよい。例えば、循環路１０４に冷却された媒体が循環される場合、基板の温度制御に加熱手段１０５を併用することで、温度の制御の幅が大きくなる。
【００２９】
なお、上記の基板温度制御装置１００については、一部詳細な構造の図示を省略しており、詳細な構造については図３以下で後述する。
【００３０】
また、基板温度制御装置１００を内部に有するチャンバ２００は、図示を省略する移動手段によって基板温度制御装置１００（保持台１０１）を所定の方向に移動し、テスタに接続されるための接続針に半導体装置を接続させることが可能となるように構成される。また、チャンバ２００内部には、基板温度制御装置１００に接続される、媒体が循環されるフレキシブル配管２０１が設置され、保持台１０１の移動に対応する構成とされている。
【００３１】
また、基板温度制御装置１００に温度制御のための媒体を循環させる循環装置３００は、循環させる媒体（冷媒）を冷却するための冷凍機３０２と、冷凍機３０２で冷却された媒体を保持する低温タンク３０４と、冷凍機３０２から低温タンク３０４へ流れる流量を調整する流量調整弁３０３と、低温タンク３０４に保持された媒体を冷凍機３０２へ環流させるとともに、基板温度制御装置１００へ循環させる循環ポンプ３０５と、循環ポンプ３０５から吐出された媒体を循環ポンプ３０５の吸い込み口側へ戻すためのリリーフ弁３０６と、を備えている。
【００３２】
また、循環装置３００のバルブの開閉、ポンプの稼働、冷凍機の温度制御などの動作は、制御回路を有する制御手段３０１によって行われる構造になっている。また、循環装置３００とチャンバ２００とは、配管３０７で接続され、媒体の循環が可能となるように構成されている。このような循環装置３００は、チラーと呼ばれる場合がある。
【００３３】
上記の循環装置３００を用いた基板温度制御装置１００による温度制御は、以下のようにして行われる。
【００３４】
まず、循環ポンプ３０５が、低温タンク３０４に保持された媒体を冷凍機３０２およびチャンバ２００（基板温度制御装置１００）へと送り出す。上記の媒体としては、フロロカーボン系（フッ素系）の、実質的に絶縁性を有する液体を用いることが好ましい。
【００３５】
また、冷凍機３０２は、循環ポンプ３０５から供給される媒体を冷却し、冷却された媒体は低温タンク３０４に環流される。また、基板温度制御装置１００に供給される媒体の温度は、流量調整弁３０３の開度が調整されることにより、制御される。
【００３６】
また、循環ポンプ３０５からチャンバ２００へと送り出された冷媒は、配管３０７の供給側を通り、フレキシブル配管２０１の供給側を介して循環路１０４に供給される。上記の媒体が循環路１０４を循環することで保持台１０１と媒体の間で熱交換が行われ、保持台１０１が所望の温度に制御される。また、上記の熱交換後の媒体は、フレキシブル配管２０１の環流側から配管３０７の環流側を介して低温タンク３０４に環流される。
【００３７】
このようにして、保持台１０１に保持された基板Ｗが、半導体装置の電気特性の検査に必要な所望の温度に制御される。
【００３８】
例えば、一般的な半導体装置の電気特性の試験の場合、半導体デバイスが形成された半導体基板（例えば３００ｍｍウェハ）は、−５５℃程度乃至＋１５０℃に制御される。この場合、冷凍機３０２では、上記の基板温度の制御に対応して媒体（冷媒）を冷却することになる。例えば、媒体の温度は、媒体の循環において最も温度が低くなる冷凍機３０４の出口近傍において、−９０℃乃至−７０℃程度にされる。
【００３９】
上記の媒体（冷媒）としては、凝固点が低く、低温でも粘性が低下しないフッ素系の液体を用いることが好ましい。また、フッ素系の液体は電気的な抵抗値が大きく、実質的な絶縁材料であるため、電気特性の試験が実施されるための保持台１０１を、周囲（例えば接地されたチャンバ２００など）から電気的に隔絶するのに好適である。
【００４０】
しかし一方で、上記のフッ素系の液体は、循環に伴って帯電が生じやすい問題を有していた。例えば、冷媒の循環に伴って保持台１０１や基板Ｗが帯電すると、電気特性の試験の精度が低下し、正確な試験を実施することが困難なる懸念があった。また、上記のように媒体の温度が水の凝固点である０℃以下とされると、媒体に不純物として存在していた水が凝固することになり、媒体の帯電が助長されてしまう。
【００４１】
また、上記の媒体の循環による保持台の帯電の程度は、媒体が流れる配管の材質にも依存し、配管の材質が高抵抗（絶縁）材料である場合に特に大きくなる。例えば、フレキシブル配管２０１は、保持台１０１が接地されないようにフッ素系材料（例えばＰＴＦＥなど）に代表される絶縁材料（高抵抗材料）により形成される。
【００４２】
上記の構成において、フッ素系材料よりなるフレキシブル配管２０１内を、フッ素系の液体よりなる媒体が循環すると、摩擦によって容易に帯電が生じ、帯電の問題を助長してしまうことになる。
【００４３】
そこで、本実施例による基板温度制御装置１００では、上記の循環路１０４に、帯電を緩和する帯電緩和構造体１１０を設置していることが特徴である。次に、上記の帯電緩和防止構造体１１０を含む基板温度制御装置１００について説明する。
【００４４】
図３は、上記の半導体検査装置４００に用いられる基板温度制御装置１００を模式的に示した斜視図である。但し、本図においては、加熱手段１０５の図示は省略している。なお、本図（図３）以降の図においては、図中に示した符号で、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。また、図中で矢印は媒体の流れる方向を示している（図３以降の図においても同じ）。
【００４５】
図３を参照するに、基板温度制御装置１００は、例えばステンレスや銅などの材料を接合して構成される、略円板状の保持台１０１を有しており、保持台１０１の表面には、基板を真空吸着するための溝部１０１Ａが形成されている。上記の溝部１０１Ａは、真空ポンプなどの排気手段（図示せず）と接続されて減圧状態とされ、基板を吸着することが可能になっている。
【００４６】
また、保持台１０１には、例えば金属材料により構成される配管１０２が接続されており、配管１０２には、先に説明した高抵抗材料よりなるフレキシブル配管２０１が接続されている。上記の配管１０２は、供給配管１０２Ａと環流配管１０２Ｂよりなり、同様にフレキシブル配管２０１もフレキシブル供給配管２０１Ａとフレキシブル供給配管２０１Ｂとよりなるように構成されている。保持台１０１（基板Ｗ）の温度制御のための媒体は、フレキシブル供給配管２０１Ａから供給配管１０２Ａを介して保持台１０１に供給され、さらに、環流配管１０２Ｂからフレキシブル環流配管２０１Ｂを介して循環装置３００に環流される。
【００４７】
上記の基板温度制御装置１００では、配管１０２（供給配管１０２Ａ）に、帯電を緩和する帯電緩和構造体１１０が設置されていることが特徴である。次に、上記の帯電緩和構造体１１０の構成について、基板温度制御装置１００の断面図を用いて説明する。
【００４８】
図４は、図３に示した基板温度制御装置１００のＸ―Ｘ’断面図である。但し、本図においては構造がわかりやすいように、環流配管１０２Ｂとフレキシブル環流配管２０１Ｂは、供給配管１０２Ａとフレキシブル供給配管２０１Ａと対向する側に配置されるように示してある。
【００４９】
図４を参照するに、基板の温度制御に用いられる媒体が循環される循環路１０４は、保持台１０１の内部から、配管１０２、フレキシブル配管２０１の内部にかけて延伸するように画成されている。
【００５０】
上記の構造において、帯電緩和構造体１１０は、例えば配管１０２（供給配管１０２Ａ）に挿入されるようにして設置されている。帯電緩和構造体１１０は、例えばステンレスなどの金属材料により構成されるフランジ１１１と、フランジ１１１の内部に設置される、導電性材料よりなる電極１１２を有しており、電極１１２は樹脂材料を主成分とする接着剤（エポキシ系接着剤）により、フランジ１１１に固定されている。このため、電極１１２とフランジ１１１は実質的に絶縁された状態になっている。また、上記の電極１１２は、配線１１４によって接地された状態とされている。
【００５１】
上記の電極１１２が循環路１０４に挿入されていることで、本実施例による基板温度制御装置１００では、媒体の帯電を効果的に抑制することが可能となり、保持台１０１の帯電を緩和することが可能となっている。このため、上記の基板温度制御装置１００を用いた半導体検査装置４００（図２）においては、良好な精度で信頼性の高い半導体装置の試験を行うことが可能になっている。
【００５２】
図５は、図４に示した帯電緩和構造体１１０の拡大図である。媒体が循環される循環路１０４に設置（挿入）された電極１１２は、媒体を通過させるための微細孔を多数有する構造になっている。上記の電極１１２は、媒体を循環させるために、媒体の圧力損失ができるだけ小さくなる構造であることが好ましく、また、媒体の帯電を緩和するために媒体との接触面積ができるだけ大きくなる構造であることが好ましい。
【００５３】
このため、例えば、上記の電極１１２は、細線が編み込まれてなるメッシュ状の構造とされることが好ましい。メッシュ状の構造は、媒体の圧力損失が小さくなり、かつ、媒体と電極との接触面積が大きくなる構造であるため、上記の電極として好適である。
【００５４】
例えば、通常の板状の材料に微細孔を加工して形成した電極と、メッシュ状に形成された電極とを比較した場合、メッシュ状の電極は圧力損失が小さく、また、媒体との接触面積が大きくなる特徴がある。
【００５５】
また、上記のメッシュ状の電極を構成する材料としては、例えばステンレスなどの金属を用いることができる。金属材料により構成される金属メッシュは、金属よりなる細線が編み込まれてなる構造を有している。
【００５６】
また、電極１１２を構成する材料は、導電性材料であることが好ましいが、必ずしも金属に代表される低抵抗材料に限定されるものではない。摩擦により発生する電気は、電圧が高いものの電流は微弱である。したがって、電極１１２の電気抵抗が、通常の配線材料として考えられる材料よりも高い場合であっても十分に帯電緩和の機能を果たす場合がある。
【００５７】
このため、電極１１２を構成する材料としては、金属に比べて抵抗値の高いカーボンなどの材料や、または、金属と他の高抵抗材料との複合材料、もしくは絶縁材料の表面に導電材料を形成したものであってもよい。
【実施例２】
【００５８】
また、図６は、実施例２による基板温度制御装置１００Ａを示す断面図である。本図は実施例１の図４に相当し、また特に説明しない部分の構造は実施例１の場合と同様とする。また、本実施例による基板温度制御装置１００Ａも図２に示した半導体検査装置４００に用いることが可能である。
【００５９】
図６を参照するに、本実施例による基板温度制御装置１００Ａでは、実施例１の帯電緩和構造体１１０に相当する帯電緩和構造体１１０Ａが、２つの電極１１２，１１２Ａを有していることが特徴である。電極１１２と電極１１２Ａは、対向するように平行に循環路１０４に設置され、さらに電極１１２と電極１１２Ａはともに配線１１４で接地されている。また、電極１１２Ａは、先に説明した電極１１２と同様の構造、材質で構成することが可能である。
【００６０】
このように、循環路１０４に挿入される電極を複数とすることで、保持台の帯電緩和の効果をさらに大きくすることができる。
【実施例３】
【００６１】
また、図７は、実施例３による基板温度制御装置１００Ｂを示す断面図である。本図は実施例１の図４に相当し、また特に説明しない部分の構造は実施例１の場合と同様とする。また、本実施例による基板温度制御装置１００Ｂも図２に示した半導体検査装置４００に用いることが可能である。
【００６２】
図７を参照するに、本実施例による基板温度制御装置１００Ｂは、実施例１の帯電緩和構造体１１０に相当する帯電緩和構造体１１０Ｂを有している。上記の帯電緩和構造体１１０Ｂは、配線１１４で接地された電極１１２に加えて、配線１１５で保持台１０１に電気的に接続された、電極１１２に対向する対向電極１１２Ｂをさらに有していることが特徴である。上記の対向電極１１２Ｂは、先に説明した電極１１２と同様の構造、材質で形成することができる。
【００６３】
図８は、図７に示した帯電緩和構造体１１０Ｂの拡大図である。図８を参照するに、電極１１２と対向電極１１２Ｂは、ともに接着剤１１３でフランジ１１１に固定され、互いに絶縁された構造になっている。また、電極１１２と対向電極１１２Ｂは、互いに対向するように、循環路１０４内で実質的に平行になるように設置されている。
【００６４】
このように、接地された電極１１２と保持台１０１に接続された対向電極１１２Ｂを対向するように設置することで、保持台１０１の帯電緩和の効果をさらに大きくすることができる。これは、電極１１２と対向電極１１２Ｂとが互いに対向するようにして近接して設置されることで、保持台１０１に溜まった電荷が接地側に逃げやすくなるためである。
【００６５】
また、上記の場合において、接地された電極１１２と保持台に接続された対向電極１１２Ｂのうち、接地された電極１１２が保持台１０１に近い側に設置されることが好ましく、この場合に帯電緩和効果が特に大きくなる。なお、このような帯電緩和効果の傾向を調べた結果については後述する。
【実施例４】
【００６６】
また、図９は、実施例４による基板温度制御装置１００Ｃを示す断面図である。本図は実施例３の図７に相当し、また特に説明しない部分の構造は実施例３の場合と同様とする。また、本実施例による基板温度制御装置１００Ｃも図２に示した半導体検査装置４００に用いることが可能である。
【００６７】
図９を参照するに、本実施例による基板温度制御装置１００Ｃは、実施例３の帯電緩和構造体１１０Ｂに加えて、帯電緩和構造体１１０Ｂと同様の構造を有する帯電緩和構造体１２０Ｂを有していることが特徴である。このため、実施例３よりもさらに帯電緩和の効果が大きくなっている。
【００６８】
上記の場合、帯電緩和構造体１１０Ｂは供給配管１０２Ａ側（媒体の供給側）に、帯電緩和構造体１１０Ｃは環流配管１０２Ｂ側（媒体の環流側）に設置されている。帯電緩和防止構造体１１０Ｃの、フランジ１２１、電極１２２、対向電極１２２Ｂ、接着剤１２３、および配線１２４、１２５は、それぞれ、帯電緩和構造体１１０Ｂの、フランジ１１１、電極１１２、対向電極１１２Ｂ、接着剤１１３、および配線１１４、１１５に相当する構造になっている。
【００６９】
このように、帯電緩和防止構造体（電極）は、循環路１０４の供給側（保持台１０１の上流側）か、または、循環路１０４の環流側（保持台１０１の下流側）のいずれに設置してもよく、また、これらの双方に設置してもよい。
【００７０】
また、帯電緩和構造体１１０Ｃにおいても、接地された電極１２２と保持台１０１に接続された対向電極１２２Ｂのうち、接地された電極１２２が保持台１０１に近い側に設置されることが好ましく、この場合に帯電緩和効果が特に大きくなる。
【実施例５】
【００７１】
また、電極は実施例１乃至実施例４に記載したような平面的な構造に限定されず、例えば以下に示すように立体的な筒状とすることも可能である。
【００７２】
図１０は、本実施例による帯電緩和構造体１１０Ｄを示したものである。帯電緩和構造体１１０Ｄは、筒状のフランジ１３１の内部に、筒状の電極１３２が形成され、さらに電極１３２の内部に筒状の対向電極１３２Ｂが形成されてなる構造を有している。また、電極１３２と対向電極１３２Ｂは、ともに接着剤１３３でフランジ１３１に固定され、互いに絶縁された構造になっている。また、上記の構造において電極１３２は接地され、対向電極１３２Ｂは保持台１０１に電気的に接続される（これの配線は図示を省略）。
【００７３】
本実施例による電極１３２，対向電極１３２Ｂは、筒状に形成されているために、媒体との接触面積をより大きくすることができる。このため、本実施例では、帯電緩和の効果がさらに良好となっている。
【００７４】
次に、上記の帯電緩和防止構造体（電極）の帯電緩和の効果を調べた結果について説明する。図１１は、図７に示した構造において、配線１１４、１１５の接続先（電極１１２，対向電極１１２Ｂの接続先）の変更による保持台１０１の電位（帯電）の違いを調べた結果を示す図である。なお、図中で、実験Ａは、電極１１２，対向電極１１２Ｂの双方を保持台１０１に接続した状態、実験Ｂは、電極１１２，対向電極１１２Ｂの双方を接地した状態、実験Ｃは、電極１１２を接地して対向電極１１２Ｂを保持台１０１に接続した状態、実験Ｄは、電極１１２は保持台１０１に接続し、対向電極１１２Ｂを接地した状態で、それぞれ保持台１０１の電位（電圧）を調べている。
【００７５】
また、保持台の帯電は正の場合と負の場合があり、実験結果を統計的にみると、保持台が正に帯電した場合と保持台が負に帯電した場合で、電圧の絶対値は殆ど同じであることが確認されている。
【００７６】
このため、図中の電圧は絶対値（正の値）で示してある。また、以下の説明においても、帯電の電圧を正の値として説明している場合であっても、電圧の絶対値が同じであって帯電の極性が負の場合も発生するものとする。
【００７７】
図１１を参照するに、まず、実験Ａの場合には、２つの電極が保持台１０１に接続されており、実質的に電極による帯電緩和が行われていない状態である。この場合、保持台１０１の電位の絶対値は１ｋＶ以上（＋１ｋＶ以上または−１ｋＶ以下）となり、非常に大きな帯電が生じていることがわかる。
【００７８】
次に、実験Ｂの結果についてみると、電極１１２および対向電極１１２Ｂがともに接地されることで、保持台１０１の電位の絶対値は、約１００Ｖ以下（−１００Ｖ以上＋１００Ｖ以下）となっている。すなわち、実験Ｂの結果からは、電極を接地することによる帯電防止効果が確認された。
【００７９】
また、実験Ｃの結果についてみると、電極１１２が接地され、対向電極１１２Ｂが保持台１０１に接続されることで、保持台１０１の電位の絶対値は、約５０Ｖ以下（−５０Ｖ以上＋５０Ｖ以下）となっている。
【００８０】
このことから、接地された電極と保持台に接続された電極を対向させることで、帯電防止効果が大きくなることがわかる。また、このように電極を対向させる場合、接地された電極と保持台に接地された電極のうち、接地された電極が保持台に近い側に設置されることが好ましく、この場合に帯電緩和効果が特に大きくなる。このことは、実験Ｃの結果と、後述する実験Ｄの結果を比較することで確認できる。
【００８１】
実験Ｄでは、接地された電極（対向電極１１２Ｂ）が保持台１０１から遠い側に、保持台に接続された電極（電極１１２）が保持台１０１から近い側になるように構成されている。この結果、保持台１０１の電位の絶対値は、約２００Ｖ以下（−２００Ｖ以上＋２００Ｖ以下）となり、帯電緩和効果は確認されたものの、その効果は実験Ｂ，実験Ｃの場合より小さいことがわかった。
【００８２】
すなわち、複数の電極を媒体の循環路に設置する場合には、一方を接地し、他方を保持台に接続し、さらに、当該２つの電極のうち、接地された電極を保持台に近い側に設置することで帯電緩和効果をより大きくできることが確認された。
【００８３】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【００８４】
例えば、上記の実施例に記載した基板温度制御装置は、半導体検査装置のみに限定されず、基板を保持して温度制御を行う、他の様々な基板処理装置（成膜装置、エッチング装置、表面処理装置など）に用いることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明によれば、循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置と、当該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】従来の基板温度制御装置を示す図である。
【図２】実施例１による半導体検査装置を示す図である。
【図３】図２の半導体検査装置に用いる基板温度制御装置を示す図である。
【図４】図２の断面図である。
【図５】図４の一部拡大図である。
【図６】実施例２による基板温度制御装置を示す図である。
【図７】実施例３による基板温度制御装置を示す図である。
【図８】図７の一部拡大図である。
【図９】実施例４による基板温度制御装置を示す図である。
【図１０】実施例５による帯電緩和構造体を示す図である。
【図１１】基板を保持する保持台の電圧を調べた結果を示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ  基板温度制御装置
１０１  保持台
１０１Ａ  溝部
１０２  配管
１０２Ａ  供給配管
１０２Ａ  環流配管
１０４  循環路
１０５  加熱手段
１１０，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ，１１０Ｄ  帯電緩和構造体
１１１，１２１，１３１  フランジ
１１２，１１２Ａ，１２２，１３２  電極
１１２Ｂ，１２２Ｂ，１３２Ｂ  対向電極
１１３，１２３，１３３  接着剤
１１４，１１５，１２４，１２５  配線
２００  チャンバ
２０１  フレキシブル配管
２０１Ａ  フレキシブル供給配管
２０１Ｂ  フレキシブル環流配管
３００  循環装置
３０１  制御手段
３０２  冷凍機
３０３  流量調整弁
３０４  低温タンク
３０６  リリーフ弁
３０７  配管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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