(57)【要約】【課題】リバースチルトの発生に起因したドメイン発生と、表示画像へのラビングスジの発生とを同時に光透過率を低下させることなく防ぐことのできる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】液晶に駆動電圧を印加する画素電極がマトリクス状に設けられた基板を具備する液晶装置の製造方法であって、少なくとも画素電極上に、液晶のプレチルト角を規定して液晶を配向させる第１の配向膜を塗布するステップＳ４と、基板上における画素電極間の平面視した状態で画素電極に重ならない領域の範囲内に、第１の配向膜よりも液晶のプレチルト角を大きく規定して液晶を配向させる第２の配向膜を塗布するステップＳ２と、を具備することを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶に駆動電圧を印加する画素電極がマトリクス状に設けられた基板を具備する液晶装置の製造方法であって、
少なくとも前記画素電極上に、前記液晶のプレチルト角を規定して前記液晶を配向させる第１の配向膜を塗布する第１の配向膜塗布工程と、前記基板上における前記画素電極間の平面視した状態で前記画素電極に重ならない領域の範囲内に、前記第１の配向膜よりも前記液晶のプレチルト角を大きく規定して前記液晶を配向させる第２の配向膜を塗布する第２の配向膜塗布工程と、
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の配向膜塗布工程後、前記第１の配向膜塗布工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の配向膜塗布工程後、塗布した前記第２の配向膜を乾燥させる乾燥工程を行った後、前記第１の配向膜塗布工程を行うことを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の配向膜は、前記第１の配向膜と同じ材料に、前記プレチルト角を大きく規定する添加剤が加えられたものから構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
液晶に駆動電圧を印加する画素電極がマトリクス状に設けられた基板を具備する液晶装置であって、
少なくとも前記画素電極上に塗布された、前記液晶のプレチルト角を規定して前記液晶を配向させる第１の配向膜と、
前記基板上の前記画素電極間における平面視した状態で前記画素電極に重ならない領域の範囲内に塗布された、前記第１の配向膜よりも前記プレチルト角を大きく規定して前記液晶を配向させる第２の配向膜と、
を具備していることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
前記第２の配向膜は、前記第１の配向膜と同じ材料に、前記プレチルト角を大きく規定する添加剤が加えられたものから構成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の液晶装置を具備したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶に駆動電圧を印加する画素電極がマトリクス状に設けられた基板を具備する液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板、シリコン基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、トランジスタを配置した素子基板と、この素子基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。素子基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程とを繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
このようにして形成された素子基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μｍ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程の一例を説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造された素子基板の画素電極上、及び対向基板の対向電極上に、液晶分子を基板面に沿って水平配向させるためのポリイミド等の有機配向膜（以下、単に配向膜と称す）が塗布される。その後、焼成が行われ、さらに配向膜に対し、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するためのラビング処理が施される。
【０００５】
次いで、例えば液晶封入方式により、素子基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、素子基板と対向基板との一方の基板上に、接着剤となるシール材が、一部に注入口となる切り欠きを有するよう略周状に塗布され、このシール材が用いられて素子基板に対し、対向基板が貼り合わされる。
【０００６】
次いで、アライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、真空下において素子基板のシール材の注入口の近傍に、規定量の液晶がそれぞれ滴下され、その後、大気解放されることにより、注入口を介して液晶が素子基板と対向基板との間にそれぞれ注入され、最後に、注入口が、封止材により封止されて、液晶装置が製造される。製造された液晶装置は、その後、プロジェクタ等の電子機器に用いられる。
【０００７】
ここで、素子基板にマトリクス状に設けられた各画素を駆動する際、例えば、全画素の駆動電圧の極性を、一定周期で行毎または列毎に反転させる既知の反転駆動を用いて、各画素を駆動すると、行毎または列毎の画素電極間において、電位差が発生して、その結果、横電界が発生する。尚、画素電極間に発生する横電界は、反転駆動に限らず、素子基板の表示領域の開口率を向上させるため、液晶分子が多方向に傾斜するよう、画素を駆動した場合等にも生じる。
【０００８】
画素電極間に横電界が発生すると、図９に示すように、画素電極９上の配向膜１１６において、画素電極９間に近接する側に位置する配向膜１１６によって配向される液晶分子５０ｂの傾斜角が変化する方向が、画素電極９上の中央の配向膜１１６によって配向される液晶分子５０ｂの傾斜角が変化する方向と異なってしまう、所謂リバースチルトが発生してしまう場合があり、素子基板１００の表示領域において、リバースチルトに起因した光漏れ（以下、ドメインと称す）が発生し、表示領域中の画像の輝度がドメイン領域だけ異なってしまう場合があるといった問題があった。
【０００９】
このような問題に鑑み、特許文献１には、画素電極上に形成される配向膜の膜厚を可変することにより、リバースチルトに起因したドメインの発生を抑制する構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−９９４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示された画素電極上の配向膜の膜厚が可変された素子基板を表示装置に用いると、画素電極上の配向膜の膜厚が不均一なため、表示画像品質が低下してしまうといった問題があった。
【００１１】
ここで、ドメインの発生を抑制する他の手法として、配向膜に上述したラビング処理を行って、液晶分子の既知のプレチルト角を規定する際、液晶分子のプレチルト角が大きくなる、例えば１２°〜１５°となるようラビング処理を行うことにより、上述した横電界の影響を受けて、画素電極上の画素電極間に近接する側に位置する配向膜によって水平配向される液晶分子においてリバースチルトが発生しても、ドメインが発生し難くなることが分かっている。
【００１２】
ところが、プレチルト角が大きくなるようラビング処理が行われると、液晶分子の配列が素子基板と対向基板とを結ぶ方向においてバラツキやすくなることから、プレチルト角を大きく規定する配向膜が塗布された素子基板を表示装置に用いた場合、表示される画像にラビングスジが目立ちやすくなってしまう他、表示領域における光透過率を低減させてしまうといった問題があった。
【００１３】
また、反対に、プレチルト角が小さくなる、例えば１２°〜１５°よりも小さくなるようラビング処理が行われると、上述したような表示画像へのラビングスジの発生を防ぐことや光透過率の低下を防ぐことができる利点がある反面、横電界の影響を受けやすくなってしまい、上述した図９に示すように、特に、画素電極９上の画素電極９間に近接する側に位置する配向膜１１６によって配向される液晶分子５０ｂにおいて、ドメインが発生しやすくなってしまうといった問題があった。
【００１４】
本発明は上記問題に着目してなされたものであり、リバースチルトの発生に起因したドメイン発生と、表示画像へのラビングスジの発生とを同時に光透過率を低下させることなく防ぐことのできる液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために本発明に係る液晶装置の製造方法は、液晶に駆動電圧を印加する画素電極がマトリクス状に設けられた基板を具備する液晶装置の製造方法であって、少なくとも前記画素電極上に、前記液晶のプレチルト角を規定して前記液晶を配向させる第１の配向膜を塗布する第１の配向膜塗布工程と、前記基板上における前記画素電極間の平面視した状態で前記画素電極に重ならない領域の範囲内に、前記第１の配向膜よりも前記液晶のプレチルト角を大きく規定して前記液晶を配向させる第２の配向膜を塗布する第２の配向膜塗布工程と、を具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、基板上における画素電極間の平面視した状態で画素電極に重ならない領域の範囲内に、少なくとも画素電極上に塗布する第１の配向膜よりも液晶のプレチルト角を大きく規定することのできる第２の配向膜を塗布することにより、画素電極上の画素電極間に近接する側に位置する配向膜によって配向される液晶分子における、横電界の影響によるリバースチルトの発生に起因したドメインの発生を防ぐことができる。さらに、画素電極上の中央部は、横電界の影響を受け難いことから、光透過領域となる画素電極上に、第２の配向膜よりも液晶のプレチルト角を小さく規定することのできる第１の配向膜を塗布することにより、表示画像へのラビングスジの発生及び光透過率の低下を防ぐことができる。以上から、リバースチルトの発生に起因したドメイン発生と、表示画像へのラビングスジの発生とを同時に光透過率を低下させることなく防ぐことのできる液晶装置の製造方法を提供することができるといった効果を有する。
【００１７】
また、前記第２の配向膜塗布工程後、前記第１の配向膜塗布工程を行うことを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、基板上における画素電極間の平面視した状態で画素電極に重ならない領域の範囲内に、確実に第２の配向膜を塗布することができるとともに、第２の配向膜塗布後、少なくとも画素電極上に、確実に第１の配向膜を塗布することができる液晶装置の製造方法を提供することができるといった効果を有する。
【００１９】
さらに、前記第２の配向膜塗布工程後、塗布した前記第２の配向膜を乾燥させる乾燥工程を行った後、前記第１の配向膜塗布工程を行うことを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、第２の配向膜塗布後、第１の配向膜を塗布したとしても、第１の配向膜が第２の配向膜に混入してしまうことを確実に防止することができる液晶装置の製造方法を提供することができるといった効果を有する。
【００２１】
また、前記第２の配向膜は、前記第１の配向膜と同じ材料に、前記プレチルト角を大きく規定する添加剤が加えられたものから構成されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、第１の配向膜と同じ材料に、プレチルト角を高く規定する添加剤を加えた第２の配向膜を、基板上における画素電極間の平面視した状態で画素電極に重ならない領域の範囲内に塗布するのみで、第２の配向膜により、少なくとも画素電極上に塗布した第１の配向膜よりも画素電極間の液晶分子のプレチルト角を、大きく規定することができ、画素電極上の画素電極間に近接する側に位置する配向膜によって配向される液晶分子における横電界の影響によるリバースチルトの発生に起因したドメインの発生を防ぐことができる。また、第２の配向膜に第１の配向膜が混入されてしまったとしても、第２の配向膜と第１の配向膜とは、同じ材料から構成されていることから、表示画像への影響や液晶のプレチルト角を規定する際の影響を最小限にすることができる液晶装置の製造方法を提供することができるといった効果を有する。
【００２３】
本発明に係る液晶装置は、液晶に駆動電圧を印加する画素電極がマトリクス状に設けられた基板を具備する液晶装置であって、少なくとも前記画素電極上に塗布された、前記液晶のプレチルト角を規定して前記液晶を配向させる第１の配向膜と、前記基板上の前記画素電極間における平面視した状態で前記画素電極に重ならない領域の範囲内に塗布された、前記第１の配向膜よりも前記プレチルト角を大きく規定して前記液晶を配向させる第２の配向膜と、を具備していることを特徴とする。
【００２４】
本発明によれば、基板上における画素電極間の平面視した状態で画素電極に重ならない領域の範囲内に、少なくとも画素電極上に塗布する第１の配向膜よりも液晶のプレチルト角を大きく規定することのできる第２の配向膜が塗布されていることにより、画素電極上の画素電極間に近接する側に位置する配向膜によって配向される液晶分子における、横電界の影響によるリバースチルトの発生に起因したドメインの発生を防ぐことができる。さらに、画素電極上の中央部は、横電界の影響を受け難いことから、光透過領域となる画素電極上に、第２の配向膜よりも液晶のプレチルト角を小さく規定することのできる第１の配向膜が塗布されていることにより、表示画像へのラビングスジの発生及び光透過率の低下を防ぐことができる。以上から、リバースチルトの発生に起因したドメイン発生と、表示画像へのラビングスジの発生とを同時に光透過率を低下させることなく防ぐことのできる液晶装置を提供することができるといった効果を有する。
【００２５】
また、前記第２の配向膜は、前記第１の配向膜と同じ材料に、前記プレチルト角を高く規定する添加剤が加えられたものから構成されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、第１の配向膜と同じ材料に、プレチルト角を高く規定する添加剤を加えた第２の配向膜が、基板上における画素電極間の平面視した状態で画素電極に重ならない領域の範囲内に塗布されているのみで、第２の配向膜により、少なくとも画素電極上に塗布した第１の配向膜よりも画素電極間の液晶分子のプレチルト角を、大きく規定することができ、画素電極上の画素電極間に近接する側に位置する配向膜によって配向される液晶分子における、横電界の影響によるリバースチルトの発生に起因したドメインの発生を防ぐことができる。また、第２の配向膜に第１の配向膜が混入されてしまったとしても、第２の配向膜と第１の配向膜とは、同じ材料から構成されていることから、表示画像への影響や液晶のプレチルト角を規定する際の影響を最小限にすることができる液晶装置を提供することができるといった効果を有する。
【００２７】
本発明に係る電子機器は、請求項５または６に記載の液晶装置を具備したことを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、基板上における画素電極間の平面視した状態で画素電極に重ならない領域の範囲内に、少なくとも画素電極上に塗布する第１の配向膜よりも液晶のプレチルト角を大きく規定することのできる第２の配向膜が塗布されていることにより、画素電極上の画素電極間に近接する側に位置する配向膜によって配向される液晶分子における、横電界の影響によるリバースチルトの発生に起因したドメインの発生を防ぐことができる。さらに、画素電極上の中央部は、横電界の影響を受け難いことから、光透過領域となる画素電極上に、第２の配向膜よりも液晶のプレチルト角を小さく規定することのできる第１の配向膜が塗布されていることにより、表示画像へのラビングスジの発生及び光透過率の低下を防ぐことができる。以上から、リバースチルトの発生に起因したドメイン発生と、表示画像へのラビングスジの発生とを同時に光透過率を低下させることなく防ぐことのできる液晶装置を具備する電子機器を提供することができるといった効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照にして本実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において液晶装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。
【００３０】
先ず、本実施の形態の液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置の構成を、図１〜図３を用いて説明する。
【００３１】
図１は、本実施の形態を示す液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図、図３は、画素を構成する図１のＴＦＴ基板上の素子の等価回路図である。
【００３２】
図１、図２に示すように、液晶装置１は、例えば、石英基板やガラス基板、シリコン基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板、シリコン基板等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３３】
ＴＦＴ基板１０の液晶５０と接する領域に、液晶装置１の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、ＴＦＴ基板１０上の表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極（ＩＴＯ）９が、図３に示すように、マトリクス状に配置されている。
【００３４】
また、対向基板２０の基板上の液晶５０と接する面の全面に、液晶５０に画素電極９とともに駆動電圧を印加する対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向基板２０のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置における液晶５０と接する領域に、液晶装置１の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００３５】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、液晶５０の既知のプレチルト角を規定して液晶５０を水平配向させる第１の配向膜１６ａ、第２の配向膜１６ｂから構成された、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。
【００３６】
また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、液晶５０の既知のプレチルト角を規定して液晶５０を水平配向させる、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。尚、各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。また、配向膜１６の詳しい構成については、図４〜図６において後述する。
【００３７】
また、図３に示すように、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線１１と複数本のデータ線６とが交差するように配線され、走査線１１とデータ線６とで区画された領域に画素電極９がマトリクス状に配置される。
【００３８】
そして、図３に示すように、走査線１１とデータ線６との各交差部位に対応してスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９が電気的に接続されている。
【００３９】
ＴＦＴ３０は走査線１１のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６に供給された画像信号が画素電極９に供給される。この画素電極９と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００４０】
また、図３に示すように、画素電極９と並列に、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０によって、液晶５０に印加される電圧の保持時間が延長され、例えば画像信号が画素電極９に供給される時間よりも３桁も長い時間の保持が可能となる。
【００４１】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００４２】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。尚、液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶滴下方式で滴下される場合、シール材５２は、途中で欠落することなく連続的に周状に塗布される。
【００４３】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。尚、液晶滴下方式で液晶５０が滴下される場合は、液晶注入口１０８、封止材１０９は不要となる。
【００４４】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００４５】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１及び図示しないゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００４６】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４７】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４８】
尚、半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜等の各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０を構成する基板の表面上に、上述したＴＦＴ３０や画素電極９の他、これらを含む各種薄膜の構成が積層構造をなして備えられているが、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、その説明及び図示は省略する。
【００４９】
次に、ＴＦＴ基板１０に形成された配向膜１６の詳しい構成について、図４〜図６を用いて説明する。図４は、図１のＴＦＴ基板上に形成された画素電極及び配向膜の構成を示す部分拡大断面図、図５は、図４の第２の配向膜が、第２の配向膜塗布領域の全範囲に形成された状態を示す部分拡大断面図、図６は、図４の第２の配向膜が、第２の配向膜形成領域の範囲内において、各画素電極から離間した図４よりも小さな領域に形成された状態を示す部分拡大断面図である。
【００５０】
尚、図４〜図６においても、ＴＦＴ基板１０上に形成された半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜等の各種薄膜は、画素電極９及び配向膜１６以外は、図面を簡略化するため省略して示してある。
【００５１】
図４に示すように、画素電極９上、及びＴＦＴ基板１０上における画素電極９間の平面視した状態で画素電極９に重ならない領域である第２の配向膜塗布領域Ｓの各画素電極９に近接する側の一部に、即ち、画素電極９上及び画素電極９の側面を覆うように、液晶５０のプレチルト角を、例えば７°〜８°に規定して液晶５０を水平配向させる、例えばポリイミドから構成された第１の配向膜１６ａが形成されている。
【００５２】
また、ＴＦＴ基板１０上における第２の配向膜塗布領域Ｓの範囲内において、略中央部に、第１の配向膜１６ａよりも液晶５０のプレチルト角を大きく規定して液晶５０を水平配向させる、例えばポリイミドから構成された第２の配向膜１６ｂが形成されている。尚、第２の配向膜１６ｂは、第１の配向膜１６ａよりも、例えば約１．５倍の値に、具体的には１２°〜１５°に、液晶５０に対するプレチルト角を規定する。
【００５３】
尚、ＴＦＴ基板１０上における第２の配向膜塗布領域Ｓは、ＴＦＴ基板１０上において、図３に示すように、表示領域１０ｈ内における走査線１１及びデータ線６等が設けられている領域であることから、光が透過しない領域、即ち、直接、表示に影響のない領域となっている。
【００５４】
第２の配向膜１６ｂは、上述したように、例えばポリイミドから構成されることにより、第１の配向膜１６ａと同一材料から構成されているが、ポリイミドに、液晶５０のプレチルト角を大きく規定することができる添加剤が加えられることにより構成されている。尚、添加剤としては、ポリイミドの硬度を上げてラビングカスの発生を防ぐ添加剤が適している。
【００５５】
また、ポリイミドに対する添加剤の添加量を変化させることにより、ラビング処理後の配向膜によって、液晶５０に対するプレチルト角が可変できることが周知である。また、液晶５０に対するプレチルト角を可変させる他の方法としては、形成後の配向膜に対して行う焼成の焼成条件を変化させる手法が周知である。
【００５６】
また、図５に示すように、第２の配向膜１６ｂは、ＴＦＴ基板１０上における第２の配向膜塗布領域Ｓの範囲内において、第２の配向膜塗布領域Ｓの全範囲に形成されていても構わない。この場合、第１の配向膜１６ａは、画素電極９上のみに形成されている。
【００５７】
さらに、図６に示すように、第２の配向膜１６ｂは、ＴＦＴ基板１０上における第２の配向膜塗布領域Ｓの範囲内において、各画素電極９から離間した図４よりも小さな領域に形成されていても構わない。以上から、第２の配向膜１６ｂは、第２の配向膜塗布領域Ｓの範囲内において、少なくとも一部に形成されていればよい。
【００５８】
次に、このように構成された液晶装置の製造方法を、図７を用いて説明する。図７は、液晶装置の製造方法を概略的に示すフローチャートである。尚、以下に示す製造工程以外の液晶装置の製造工程は周知であるため、その説明は省略する。
【００５９】
図７に示すように、先ず、ステップＳ１において、複数の薄膜が積層されて形成されたＴＦＴ基板１０上に、画素電極９を、図３に示すようにマトリクス状に形成する画素電極形成工程を行う。
【００６０】
次いで、ステップＳ２において、ＴＦＴ基板１０上における画素電極９間の第２の配向膜塗布領域Ｓの範囲内に、具体的には、図４〜図６に示す位置に、例えばインクジェット等により、第２の配向膜１６ｂを塗布する第２の配向膜塗布工程を行う。
【００６１】
次いで、ステップＳ３において、塗布後の第２の配向膜１６ｂを真空下において乾燥させる乾燥工程を行う。その結果、第２の配向膜１６ｂは、乾燥され、所定の形状に硬化される。
【００６２】
次いで、ステップＳ４において、上述した図４〜図６に示すように、画素電極９上、または画素電極９上及びＴＦＴ基板１０の第２の配向膜塗布領域Ｓの一部に、例えばインクジェット等により第１の配向膜１６ａを塗布する第１の配向膜塗布工程を行う。
【００６３】
尚、第１の配向膜塗布工程に先立って、乾燥工程が行うことにより、塗布後の第２の配向膜は硬化していることから、第２の配向膜１６ｂ塗布後に、第１の配向膜１６ａを塗布したとしても、第１の配向膜１６ａが第２の配向膜１６ｂに混入してしまうことを確実に防止することができる。
【００６４】
第１の配向膜塗布工程後は、ＴＦＴ基板１０を、焼成炉に投入し、焼成処理した後、続いてステップＳ５において、ＴＦＴ基板１０上に形成された第１の配向膜１６ａ及び第２の配向膜１６ｂから構成された配向膜１６全体にラビング処理するラビング処理工程を行う。
【００６５】
最後に、ステップＳ６において、配向膜１６全体にラビング処理が施されたＴＦＴ基板１０を、配向膜２６が形成され、該配向膜２６にラビング処理が施された対向基板２０に対し、上述したように、シール材５２を介して貼り合わせる、貼り合わせ工程を行う。その結果、液晶装置１は製造される。
【００６６】
このように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０上における画素電極９間の第２の配向膜塗布領域Ｓの範囲内に、第１の配向膜１６ａよりも液晶５０に対するプレチルト角を大きく規定して液晶５０を水平配向させる第２の配向膜１６ｂが形成されていると示した。
【００６７】
このことによれば、第２の配向膜１６ｂ上の液晶分子５０ｂのプレチルト角を、第１の配向膜１６ａ上の液晶分子５０ｂのプレチルト角よりも大きく規定することができることから、画素電極９間に、横電界Ｙが作用したとしても、横電界Ｙの影響による画素電極９上の第２の配向膜塗布領域Ｓの近傍に位置する第１の配向膜１６ａによって水平配向される液晶分子５０ｂにおけるリバースチルトの発生に起因したドメインの発生を防ぐことができる。
【００６８】
また、第２の配向膜１６ｂが形成される第２の配向膜塗布領域Ｓは、ＴＦＴ基板１０における光透過領域を避けた領域となることから、プレチルト角を大きく規定してラビングスジが発生したとしても、表示画像への影響がないため、表示画像へのラビングスジの発生を防ぐことができる他、プレチルト角を大きくして光透過率が低減したとしても、ＴＦＴ基板１０における表示領域１０ｈの光透過率への影響を避けることができる。
【００６９】
さらに、画素電極９上の中央部は、横電界Ｙの影響を受け難いことから、光透過領域となる画素電極９上に、第２の配向膜１６よりも液晶のプレチルト角を小さく規定することのできる第１の配向膜１６ａが塗布されていることにより、表示画像へのラビングスジの発生及び光透過率の低下を防ぐことができる。
【００７０】
以上から、リバースチルトの発生に起因したドメイン発生と、表示画像へのラビングスジの発生とを同時に光透過率を低下させることなく防ぐことのできる液晶装置の製造方法及び液晶装置を提供することができる。
【００７１】
また、本実施の形態においては、第２の配向膜１６ｂは、第１の配向膜１６ａと同じ材料、例えばポリイミドに、プレチルト角を大きく規定する添加剤が加えられたものから構成されていると示した。
【００７２】
このことによれば、上述した効果の他、塗布後、第２の配向膜１６ｂに第１の配向膜１６ａが混入されてしまったとしても、第２の配向膜１６ｂと第１の配向膜１６ａとは、同じ材料から構成されていることから、表示画像への影響や液晶５０のプレチルト角を規定する際の影響を最小限にすることができる。
【００７３】
尚、本実施の形態においては、第２の配向膜１６ｂを塗布した後、第１の配向膜１６ａを塗布すると示したが、これに限らず、第１の配向膜１６ａを塗布した後、第２の配向膜１６ｂを塗布しても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【００７５】
さらに、本実施の形態においては、液晶装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【００７６】
また、液晶装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【００７７】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図８は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【００７８】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１Ｒ，１Ｇ，１Ｂ）配設されている。
【００７９】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１Ｒ，１Ｇ，１Ｂに各々導かれる。
【００８０】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００８１】
そして、ライトバルブ１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本実施の形態を示す液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】画素を構成する図１のＴＦＴ基板上の素子の等価回路図。
【図４】図１のＴＦＴ基板上に形成された画素電極及び配向膜の構成を示す部分拡大断面図。
【図５】図４の第２の配向膜が、第２の配向膜塗布領域の全範囲に形成された状態を示す部分拡大断面図。
【図６】図４の第２の配向膜が、第２の配向膜形成領域の範囲内において、各画素電極から離間した図４よりも小さな領域に形成された状態を示す部分拡大断面図。
【図７】液晶装置の製造方法を概略的に示すフローチャート。
【図８】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【図９】従来のＴＦＴ基板上に形成された画素電極及び配向膜の構成を示す部分断面図。
【符号の説明】
【００８３】
１…液晶装置
９…画素電極
１０…ＴＦＴ基板
１６ａ…第１の配向膜
１６ｂ…第２の配向膜
５０…液晶
１１００…プロジェクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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