(57)【要約】【課題】半導体装置の高信頼性化。【解決手段】本発明は複数の半導体チップを積層する基台１を具備し、この基台１上に複数の半導体チップを積層する半導体装置及び半導体チップに接着される接着配線部材に関するものである。この第１接着配線部材２０は、表面が接着性を有する絶縁材料層２１と絶縁材料層２１内に埋め込まれた導体配線２２とで構成されている。導体配線２２は絶縁材料層２１の上面に露出する上面電極部２２ａと、絶縁材料層２１の下面に露出する下面電極部２２ｂと、上面電極部２２ａと下面電極部２２ｂを電気的に接続する接続部２２ｃとが一体的に形成された構成を有している。半導体チップの外部引出し電極１４から導体配線２２の下面電極部２２ｂに電気的に接続し接続部２２ｃを中継し、上面電極部２２ａからボンディングワイヤ１５により基台１のボンディングパッド３に電気的に接続することにより、高信頼性な半導体装置が提供できる。【選択図】      図２
2008159786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングパッドを有する基台と、
前記基台上に配置された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップ上に配置され、上面の中央部分に外部引出し電極を有する第２半導体チップと、
前記ボンディングパッドに一端が接続されたボンディングワイヤと、
表面が接着性を有して前記第２半導体チップの上面に固着された絶縁材料層と前記絶縁材料層内に埋め込まれた導体配線とを有する接着配線部材と、
を具備し、
前記接着配線部材の導体配線は、前記絶縁材料層の上面の周縁部分に上面を露出して配置され、且つ前記ボンディングワイヤの他端に電気的に接続された第１電極部と、前記絶縁材料層の下面の中央部分に下面を露出して配置され、且つ前記第２半導体チップの前記外部引出し電極と電気的に接続された第２電極部と、前記第１電極部と前記第２電極部を電気的に接続する接続部とが一体的に形成された構造を有し、前記第１電極部の上面は前記接続部の上面に比べて前記絶縁材料層の上面側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ボンディングパッドを有する基台と、
前記基台上に下面が固着され、上面の中央部分に外部引出し電極を有する第１半導体チップと、
表面が接着性を有して前記第１半導体チップの上面に固着された絶縁材料層と、前記絶縁材料層内に埋め込まれた導体配線とを有する接着配線部材と、
前記接着配線部材の上面に配置された第２半導体チップと、
前記基台のボンディングパッドと一端が電気的に接続されるボンディングワイヤと、
を具備し、
前記接着配線部材の導体配線は、前記絶縁材料層の上面の周縁部分に上面を露出して配置され、且つ前記ボンディングワイヤの他端と電気的に接続された第１電極部、前記絶縁材料層の下面の中央部分に下面を露出して配置され、且つ前記第１半導体チップの前記外部引出し電極と電気的に接続された第２電極部、及び前記第１電極部と前記第２電極部を電気的に接続する接続部が一体的に形成された構造を有し、
前記第１電極部の上面は前記接続部の上面に比較して前記絶縁材料層の上面側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ボンディングパッドを有する基台と、
前記基台上に配置され、上面の中央部分に第１外部引出し電極を有する第１半導体チップと、
表面が接着性を有して前記第１半導体チップの上面に固着された絶縁材料層と、前記絶縁材料層内に埋め込まれた第１及び第２導体配線とを有する接着配線部材と、
上面の中央部分に第２外部引出し電極を有し、上面を下向きにして前記接着配線部材の上面に固着された第２半導体チップと、
前記基台のボンディングパッドに一端が電気的に接続されるボンディングワイヤと、
を具備し、
前記接着配線部材の前記第１導体配線は、前記絶縁材料層の上面の周縁部分に上面を露出して配置され、且つ前記ボンディングワイヤの他端と電気的に接続された第１電極部、及び前記絶縁材料層の下面の中央部分に下面を露出して配置され、且つ前記第１外部引出し電極に電気的に接続された第２電極部、及び前記第１電極部と前記第２電極部を電気的に接続する第１接続部が一体的に形成され、前記第１電極部の上面は前記第１接続部の上面に比較して前記絶縁材料層の上面側に位置した構造を有し、
前記第２導体配線は、前記絶縁材料層の上面の周縁部分に上面を露出して配置され、且つ前記ボンディングワイヤの他端と電気的に接続された第３電極部、前記絶縁材料層の上面の中央部分に上面を露出して配置され、且つ前記第２外部引出し電極に電気的に接続された第４電極部、及び前記第３電極部と前記第４電極部を電気的に接続する第２接続部が一体的に形成され、前記第３電極部及び第４の電極部の各上面は前記第２接続部の上面に比較して前記絶縁材料層の上面側に位置した構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ボンディングパッドを有する基台と、
前記基台上に配置され、上面の周縁部分に外部引出し電極を有する第１半導体チップと、
表面が接着性を有して前記第１半導体チップの上面に固着された絶縁材料層と前記絶縁材料層内に埋め込まれた導体配線とを有する接着配線部材と、
前記接着絶縁部材上に固着され、外部引出し電極を有する複数の第２半導体チップと、
前記ボンディングパッドに一端が接続されたボンディングワイヤとを具備し、
前記接着配線部材の導体配線は、前記絶縁材料層の上面の周縁部分に上面を露出して配置された第１電極部と、前記第１電極より絶縁材料層の中央部分側に上面を露出して配置された第２電極部と、前記第１電極部と前記第２電極部を電気的に接続する接続部とが一体的に形成された構造を有し、前記第１及び第２電極部の上面は、いずれも前記接続部の上面に比べて前記絶縁材料層の上面側に位置してなり、
前記第２半導体チップの１つが、前記絶縁材料層の上面の中央部分に固着され、外部引出し電極が前記第２電極部に接続され、
前記第２半導体チップの他の１つが、前記第１及び第２電極部の間の前記絶縁材料層上に固着され、
前記第１電極が前記ボンディングワイヤの他端に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記導体配線の電極部の厚さが前記接続部の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
電極部と接続部を有する導体配線と、前記導体配線の電極部上に形成された金属層と、前記導体配線と前記金属層を被覆し、前記金属層の表面の少なくとも一部を露出する開口部を有する絶縁材料層で構成された接着配線部材の製造方法であり、
導体板上に金属層を形成する工程と、
前記金属層を選択的に除去して前記導体配線の周縁部分に金属層バンプ部を残存させる工程と、
前記導体板を選択的に薄くし、前記導体配線の接続部と電極部を形成する工程と、
前記導体配線の接続部と電極部及び前記金属層部を絶縁材料層で被覆する工程と、
前記絶縁材料層に前記金属層の表面の少なくとも一部を露出する開口部を形成する工程とを具備することを特徴とする接着配線部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の構造に係わり、特に複数の半導体チップが積層された半導体装置、半導体チップの積層に用いられる接着配線部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化・軽量化・薄型化を実現するために、電子機器に搭載する半導体装置の高密度実装化が要求されている。そこで、複数のＩＣチップを一つのパッケージ中に積層して構成するマルチチップパッケージ技術が重要となってきている。特に、動作電圧上１つのチップに集積させることが困難なメモリー、ロジックといった回路を1つのパッケージにしたシステムインパッケージが注目を集めている。
【０００３】
ここで、マルチチップパッケージにおいて積層される半導体チップの外部引出し電極は通常ワイヤボンディングにより基台のボンディングパッドに電気的に接続する必要があるため、半導体チップの積層は下層の半導体チップの外部引出し電極が上層の半導体チップに覆われないようにする必要がある。さらに、半導体チップの積層は下層の半導体チップから上層の半導体チップになるに従い半導体チップのチップ面積を小さくする必要もある。従って、半導体チップの面積と半導体チップの外部引出し電極の位置によってはマルチチップパッケージ中に積層できない問題があった。また、上層にある半導体チップの外部引出し電極と基台のボンディングパッドとの距離が長くなり、ワイヤボンディングにおけるワイヤ長が長くなる。その結果、ワイヤ強度の低下、樹脂封止時のワイヤ流れ、自重によるワイヤ垂れという問題も発生していた。
【０００４】
そこで、導体配線の両面に表面が接着性を有する絶縁材料層を貼り付けた配線材料を用い、上記問題を解決する提案もされている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
しかし、この提案では、導体配線と基台のボンディングパッドと電気的に接続するための電極が一体的に形成されていない。そのため、配線材料を作成し、この配線材料で半導体チップを固着した後、配線材料の導体配線の露出部に電極としての金属バンプを形成する必要がある。
【０００６】
ここで、金属バンプの形成は、通常、スタッドバンプ法又はメッキ法が用いられるが、スタッドバンプ法では金属バンプ形成箇所に大きな物理的なストレスが加わり、メッキ法では半導体チップと配線材料との間にメッキ液が浸入する問題が生ずる。従って、半導体チップ破壊や半導体チップ剥がれ、信頼性が低下する問題が生ずる。
【特許文献１】特開２００５−２８５９４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記点に鑑み、高信頼性化が可能な半導体装置及び接着配線部材の製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の半導体装置は、ボンディングパッドを有する基台と、前記基台上に配置された第１半導体チップと、前記第１半導体チップ上に配置され、上面の中央部分に外部引出し電極有する第２半導体チップと、前記ボンディングパッドに一端が電気的に接続されるボンディングワイヤと、表面が接着性を有して前記第２半導体チップの上面に固着された絶縁材料層と前記絶縁材料層内に埋め込まれた導体配線とを有する接着配線部材と、を具備し、前記接着配線部材の導体配線は、前記絶縁材料層の上面の周縁部分に上面を露出して配置され、且つ前記ボンディングワイヤの他端と電気的に接続された第１電極部、前記絶縁材料層の上面の中央周縁部分に下面を露出して配置され、且つ前記第２半導体チップの前記外部引出し電極と電気的に接続された第２電極部、及び前記第１電極部と前記第２電極部を電気的に接続する接続部が一体的に形成された構造を有し、前記第１電極部の上面は前記接続部の上面に比べて前記絶縁材料層の上面側に位置していることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高信頼性な半導体装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１１】
［第１の実施形態］
本発明に係る第1の実施形態のチップオンチップ構造を有するマルチチップパッケージ（以下「ＭＣＰ」と称する）を図１及び図２を参照して説明する。この第１の実施形態は、第２半導体チップである上層半導体チップの外部引出し電極が上面の中央部分に配置され、外部引出し電極から基台のボンディングパッドへのボンディングワイヤ長を短くすることを可能にしたものである。
【００１２】
図１は本発明の第1の実施形態例に係るＭＣＰの模式的な斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図を示したものである。
【００１３】
図１及び図２に示すように、本実施形態のチップオンチップ構造のＭＣＰでは、基台１に接着部材４で固定された第１半導体チップである下層半導体チップ１１と、下層半導体チップ１１上に接着部材４で固定された下層半導体チップ１１よりも小さいチップ面積を有する第２半導体チップである上層半導体チップ１３と、上層半導体チップ１３上に配置された第１接着配線部材２０備えている。
【００１４】
基台１は、無機物質からなる絶縁薄板２と、絶縁薄板２の下面に配置された実装端子（図示せず）と、絶縁薄板２の上面に形成され半導体チップの外部引出し電極と電気的に接続を行なうためのボンディングパッド３と、絶縁薄板２中に配置され、ボンディングパッド３と実装端子とを電気的に接続する導体配線（図示せず）から構成されている。ここで絶縁薄板２には、樹脂フィルム、樹脂を浸透させたガラス布基材、セラミック等が用いられ、導体配線には電気抵抗の低い銅が用いられ、実装端子には半田ボール等が用いられる。
【００１５】
下層、及び上層半導体チップ１１、１３は、通常、シリコン基板内にトランジスタなどの回路素子（図示せず）が形成され、シリコン基板上には多層配線層（図示せず）が形成され、多層配線層の上面には電気信号を外部へ送受信する外部引出し電極１２、１４を備えている。下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は、上面の周縁部分に配置され、上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４は、上面の中央部分に配置されている。下層半導体チップ１１は接着部材４を介して下面が基台１に固定され、上層半導体チップ１３は接着部材４を介して下面が下層半導体チップ１１に固定されている。
【００１６】
接着部材４は表面が接着性を有しており、基台１と下層半導体チップ１１の間に介在されて基台１に下層半導体チップ１１を固着、または下層半導体チップ１１と上層半導体チップ１３の間に介在されて半導体チップ同士を固着する役割を果たしている。この接着部材４は絶縁性と接着性を有する絶縁材料、例えばスチレン−ブタジエンブロック共重合体とスチレン−酢酸ビニル共重合体の混合物（特開平２−３２１８２号公報参照）により構成されている。
【００１７】
第１接着配線部材２０は、表面が接着性を有する絶縁材料層２１と絶縁材料層２１内に埋め込まれた複数の導体配線２２とで構成されている。導体配線２２は絶縁材料層２１の上面に露出する第１電極部である上面電極部２２ａと、絶縁材料層２１の下面に露出する第２電極部である下面電極部２２ｂと、上面電極部２２ａと下面電極部２２ｂを電気的に接続する接続部２２ｃとが一体的に形成された構成を有している。上面電極部２２ａの上面は接続部２２ｃの上面に比べて絶縁材料層２１の上面側に位置し、下面電極部２２ｂの下面は接続部２２ｃの下面に比較して絶縁材料層２１の下面側に位置している。また、上面電極部２２ａは絶縁材料層２１の上面の周辺部分に配置され、下面電極部２２ｂは絶縁材料層２１の下面の中央部分に配置されている。
【００１８】
絶縁材料層２１は上面電極部２２ａの一部を絶縁材料層２１の上面に露出させるための上面開口部２７ａと、下面電極部２２ｂの一部を絶縁材料層２１の下面に露出させるための下面開口部２７ｂとを有している。
【００１９】
第１接着配線部材２０は、上層半導体チップ１３の上面に接着され、下面電極部２２ｂが上層半導体チップ１３の外部取出し電極１４とバンプボンディング法によって電気的に接続されている。バンプボンディング法とは外部引出し電極１４上に、例えば金またはアルミニウムからなる金属バンプをスタッドバンプ法又はメッキ法で形成した後、外部引出し電極１４と下面電極部２２ｂを接触させ、熱または超音波を加えることにより、外部引出し電極１４と下面電極部２２ｂとを電気的に接続する方法である。
【００２０】
そして、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２及び第１接着配線部材２０の上面電極部２２ａと基台１のボンディングパッド３とがボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１５としては一般的に電気抵抗の低い金を用いている。これにより上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４は、第１接着配線部材２０の接続部２２ｃ、上面電極部２２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。
【００２１】
次に、上記第１接着配線部材２０の製造方法を図３乃至図８を参照して説明する。
【００２２】
図３乃至図８は、第１接着配線部材２０の製造工程を模式的に示した図面である。図３乃至図８の（ａ）は第１接着配線部材２０の各工程における平面図であり、（ｂ）は各図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００２３】
図３に示すように、例えば銅からなる厚さが４５ｕｍ程度の導体板２８の上面にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、リソグラフィによりフォトレジストをパターンニングし、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、例えばスパッタリング法によるエッチングにて、導体板２８の上面の周縁部分を除いた部分をエッチングし、後に上面電極部２２ａとなる部分を形成する。その後、フォトレジストを取り除く。
【００２４】
次に、図４（ｂ）に示すように、導体板２８の下面にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、リソグラフィによりフォトレジストをパターンニングし、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、例えばスパッタリング法によるエッチングにて、導体板２８の下面の中央部分を除いた部分をエッチングし、後に下面電極部２２ｂ、接続部２２ｃとなる部分を形成する。その後、フォトレジストを取り除く。また、導体板２８の上面のエッチングと下面のエッチングの順序はどちらが先でも良く、さらにフォトレジストのマスクを上面及び下面の両方に形成しておき、導体板２８の上面及び下面を同時にエッチングすることも可能である。また、導体板２８のエッチングは、例えば希硫酸または過酸化水素水からなるエッチング液をスプレー処理で吹き付ける方法、また、このエッチング液に導体板２８を浸漬する方法でも可能である。
【００２５】
次に、図５（ａ）に示すように、導体板１７をプレス加工により、リードフレーム２９とリードフレーム２９に固定された２組の導体配線２２のパターンＡ、Ｂを形成する。これにより、上面電極部２２ａは、接続部２２ｃより上方に突出した構造を有し、しかも接続部２２ｃよりも肉厚に形成され、また下面電極部２２ｂは、接続部２２ｃより下方に突出した構造を有し、しかも接続部２２ｃよりも肉厚に形成されており、従来の金属バンプの機能を有する。ここで、接続部２２ｃは１５ｕｍ程度の厚さに、下面、上面電極部２２ａ、２２ｂは３０ｕｍ程度の厚さに形成されている。
【００２６】
また、導体配線２２のパターンニングは、例えば希硫酸または過酸化水素水を用いたエッチングにより導体配線２２のパターンを形成することも可能である。さらに、導体配線２２のパターンは、1組であっても、２組以上形成しても良い。
【００２７】
次以降の工程は、便宜上、１組の導体配線２２のパターンＡに着目して説明する。図６乃至図９の各図（ａ）は図５（ａ）に示した導体配線２２のパターンＡの平面図であり、各図（ｂ）は各図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００２８】
次に、図６に示すように、例えば成形金型中に導体板２８を配置し、例えば加熱したスチレン−ブタジエンブロック共重合体とスチレン−酢酸ビニル共重合体の混合物からなる絶縁材料を流し込んで圧縮成形し、絶縁材料層２１で導体板２８を完全に被覆する。また、絶縁材料中に導体板２８を配置し、ローラーを用いて圧縮成形しても良い。
【００２９】
次に、図７に示すように、例えばレーザ光を用い上面電極部２２ａ上の絶縁材料層２１を除去して上面開口部２７ａを形成し、上面電極部２２ａの上面の一部を絶縁材料層２１の上面側に露出させる。同様に、下面電極部２２ｂ上の絶縁材料層２１を除去して下面開口部２７ｂを形成し、下面電極部２２ｂの下面の一部を絶縁材料層２１の下面側に露出させる。
【００３０】
上面開口部２７ａ及び下面開口部２７ｂの幅は、図７（ｃ）に示すように、ワイヤボンディング時におけるボンディングワイヤ１５と絶縁材料層２１が接触しなければ、上面電極部２２ａ及び下面電極部２２ｂの表面の幅よりも小さくても構わない。また、図７（ｃ）に示すように、上面開口部２７ａ及び下面開口部２７ｂは上面電極部２２ａ及び下面電極部２２ｂ表面の全面を露出させても良い。
【００３１】
次に、図８（ａ）に示すように、例えばプレス加工により導体板２８をリードフレーム２９から切り離すことによって、絶縁材料層２１内に、上面電極部２２ａと下面電極部２２ｂと接続部２２ｃとが一体的に形成された導体配線２２が埋め込まれ、上面電極部２２ａの上面が上面開口部２７ａを通じて絶縁材料層２１の上面側に露出され、下面電極部２２ｂの下面が下面開口部２７ｂを通じて絶縁材料層２１の下面側に露出された第１接着配線部材２０を得る。
【００３２】
本実施形態によれば、金属バンプ機能を備えた上面電極部２２ａが接続部２２ｃと一体的に構成されているので、上層半導体チップ１３上に第１接着配線部材２０を配置した後に金属バンプを設ける必要はない。よって、スタッドバンプ法による金属バンプを形成する際の物理的なストレス、またはメッキ法による金属バンプを形成する際の半導体チップ剥がれの問題がなくなる。従って、高信頼性なＭＣＰを提供することができる。
【００３３】
また、金属バンプ機能を備えた上面電極部２２ａが接続部２２ｃと一体的に構成されているので、上層半導体チップ１３を積層した後に金属バンプを付ける工程も無くなる。従って、工期の短いＭＣＰを提供することができる。
【００３４】
また、第１接着配線部材２０は、接着部材と配線層を兼ねているためインタポーザチップを用いる場合に比べ半導体チップの積層厚さを薄くすることができる。従って、半導体装置の小型、軽量なＭＣＰが提供できる。また、インタポーザチップを積層する工程が不要で、工期の短いＭＣＰが提供できる。
【００３５】
また、上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４と下面電極部２２ｂはボンディングワイヤ１５を必要としないバンプボンディング法で電気的に接続されるため、寄生抵抗やノイズが小さく高速動作可能なＭＣＰを提供できる。
【００３６】
また、第１接着配線部材２０により、上層半導体チップ１３の中央部分に配置された外部引出し電極１４を下面電極部２２ｂ、接続部２２ｃ、上面電極部２２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３に電気的に接続することができる。従って、ボンディングワイヤ１５の長さを短くすることができワイヤ強度の低下、樹脂封止時のワイヤ流れ、自重によるワイヤ垂れがないＭＣＰが提供できる。
【００３７】
なお、上記実施形態において、導体配線２２の表面を酸化防止のための絶縁保護膜で覆った場合であっても、絶縁材料層２１に開口部を形成して絶縁保護膜を露出させた後に、露出された絶縁保護膜を除去して電極部を露出させれば本実施形態と同様の効果が得られる。
【００３８】
また、基台１、導体配線２２、ボンディングワイヤ１５、接着部材４、第１接着部材２０、及び絶縁材料層２１の材質は、本実施形態で挙げた例に限定されるものではなく、他の材質を用いても構わない。
【００３９】
また、更に多くの半導体チップを積層したＭＣＰ、または半導体チップが１層しかない半導体装置でも本実施形態と同様の効果が得られる。また、導体配線２２は少なくとも１本配置されていれば、本実施例と同様の効果が得られる。
【００４０】
また、第１接着配線部材２０中の導体配線２２をダミー配線とすることも可能であり、このダミー配線に形成された電極部は絶縁材料層２１の外部に露出されなくても構わない。また、ダミー配線においては、上面電極部２２ａ、または下面電極部２２ｂ、または接続部２２ｃは形成されなくても良い。
【００４１】
また、第１接着配線部材２０中に放熱用の導体配線２２を形成することも可能である。さらに、この放熱用の導体配線２２は接続部がなく、絶縁材料層２１を貫通するような貫通電極部とすることも可能である。また、第１接着配線部材２０の上面の絶縁材料層２１を全て取り除いて導体配線２２の上面を全て絶縁材料層２１の外部に露出させることも可能である。
【００４２】
［第1の接着配線部材の製造方法の変形例］
図９乃至図１３は本発明の第１の実施形態に示した製造方法と異なる方法で本発明に係る接着部材を製造する模式図である。図９乃至図１３の各図（ａ）は第１接着配線部材２０の各工程における平面図であり、（ｂ）は各図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、説明の便宜上第１の実施形態にて説明した図面と同じ機能を有する部材については同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【００４３】
図９（ｂ）に示すように、例えば銅からなる厚さが４５ｕｍ程度の導体板２８をプレスにて、導体板２８の下面から上面までの高さが６５ｕｍ程度に変形させ、後に上面電極部２２ａ、下面電極部２２ｂ、接続部２２ｃとなる部分を形成する。
【００４４】
次に図１０（ａ）に示すように、導体板２８をプレス加工によりリードフレーム１９とリードフレーム１９に固定された２組の導体配線２２のパターンＡ、Ｂを形成する。これにより、上面電極部２２ａは、接続部２２ｃより上方に突出した構造を有し、また下面電極部２２ｂは、接続部２２ｃより下方に突出した構造を有し、従来の金属バンプの機能を有する。
【００４５】
次以降の工程は便宜上１組の導体配線２２のパターンＡに着目して説明する。図１１乃至図１３の（ａ）は図１０（ａ）に示した点線部の領域の平面図であり、（ｂ）は各図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。次に図１１（ｂ）に示すように、第１の実施形態と同様に圧縮形成により導体板２８を絶縁材料層２１で完全に被覆する。
【００４６】
次に図１２（ｂ）に示すように、例えばレーザ光を用い上面電極部２２ａ上の絶縁材料層２１を除去して上面開口部２７ａを形成し、上面電極部２２ａの上面の一部を絶縁材料層２１の上面側に露出させる。同様に、下面電極部２２ｂ上の絶縁材料層２１を除去して下面開口部２７ｂを形成し、下面電極部２２ｂの下面の一部を絶縁材料層２１の下面側に露出させる。上面開口部２７ａ及び下面開口部２７ｂの幅はワイヤボンディング時におけるボンディングワイヤ１５と絶縁材料層２１が接触しなければ上面電極部２２ａ及び下面電極部２２ｂの露出部の幅よりも小さくても構わない。また、レーザ光でなくてもエッチングにより上面開口部２７ａ及び下面開口部２７ｂを形成することもできる。
【００４７】
次に図１３（ａ）に示すように、導体板２８をリードフレーム１９から切り離すことによって上面電極部２２ａと下面電極部２２ｂと接続部２２ｃとが一体的に形成された導体配線２２が埋め込まれ上面電極部２２ａの上面が上面開口部２７ａを通じて絶縁材料層２１の上面側に露出され、下面電極部２２ｂの下面が下面開口部２７ｂを通じて絶縁材料層２１の下面側に露出された第１接着配線部材２０ができる。
【００４８】
上記変形例においても、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４９】
また、プレス加工にて上面電極部２２ａ、下面電極部２２ｂ、接続部２２ｃとなる部分を形成するため短時間で第１接着配線部材２０を製造することができる。さらに、上面電極部２２ａ、下面電極部２２ｂ、接続部２２ｃとなる部分を形成するプレス加工と、リードフレーム１９とリードフレーム１９に固定された２組の導体配線２２のパターンＡ、Ｂを形成するプレス工程とを同時に行なうことによりさらに短時間で第１接着配線部材２０を製造することができる。
【００５０】
また、プレス加工において第１接着配線部材２０の表面と垂直方向に折り曲がる箇所を３箇所以上にすることにより、１つの導体配線２２に上面電極部２２ａ、下面電極部２２ｂ、接続部２２ｃをそれぞれ２つ以上形成することも可能である。
【００５１】
［第２の実施形態］
本発明に係る第２の実施形態のＭＣＰを図１４及び図１５を参照して説明する。この第２の実施形態は、下層半導体チップの外部引出し電極が上面の中央部分に配置され、その外部引出し電極が上層半導体チップの下面に覆われるＭＣＰにおいて、下層半導体チップの外部引出し電極と基台のボンディングパッドとの電気的接続を可能にするものである。
【００５２】
図１４は本発明の第２の実施形態例に係るＭＣＰの模式的な斜視図であり、図１５は図１４のＡ−Ａ矢視断面図を示したものである。なお、説明の便宜上、前記第１の実施形態のＭＣＰと同じ、または類似の機能を有する部分については同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
【００５３】
図１４及び図１５に示されるように、本実施形態のＭＣＰでは、基台１に接着部材４を介して固着された下層半導体チップ１１と、この下層半導体チップ１１上に接着された第２接着配線部材３０と、第２接着配線部材３０により固着された下層半導体チップ１１よりも小さいチップ面積を有する上層半導体チップ１３と、上層半導体チップ１３上に配置された第１接着配線部材２０とを備えている。
【００５４】
下層半導体チップ１１は上面の中央部部分に外部引出し電極１２を有しており、上層半導体チップ１３を積層した状態において、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は上層半導体チップ１３の下面に隠れる。
【００５５】
この第２接着配線部材３０は、第１接着配線部材２０と同様の構成を有する。すなわち、表面が接着性を有する絶縁材料層３１と絶縁材料層３１内に埋め込まれた複数の導体配線３２とで構成されている。導体配線３２は上面電極部３２ａと、下面電極部３２ｂと、上面電極部３２ａと下面電極部３２ｂを電気的に接続する接続部３２ｃとが一体的に形成された構成を有している。上面電極部３２ａ及び下面電極部３２ｂは接続部３２ｃよりも肉厚に形成され、これにより上面電極部３２ａの上面は接続部３２ｃの上面に比べて絶縁材料層３１の上面側に位置し、下面電極部３２ｂの下面は接続部３２ｃの下面に比べて絶縁材料層３１の下面側に位置している。また、上面電極部３２ａは絶縁材料層３１の周縁部分に配置され、下面電極部３２ｂは絶縁材料層３１の中央部分に配置されている。絶縁材料層３１は上面電極部３２ａの一部を絶縁材料層３１の上面に露出させるための上面開口部３７ａと、下面電極部３２ｂの一部を絶縁材料層３１の下面に露出させるための下面開口部３７ｂとを有している。
【００５６】
下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は第２接着配線部材３０の下面電極部３２ｂとバンプボンディング法により電気的に接続されている。さらに、第２接着配線部材３０の上面電極部３２ａと基台１のボンディングパッド３とがボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。これにより下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は、下面電極部３２ｂ、接続部３２ｃ、上面電極部３２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。また、上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４は、下面電極部２２ｂ、接続部２２ｃ、上面電極部２２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。
【００５７】
本実施形態によれば、前記第１の実施形態と同様に、高信頼性で工期の短いＭＣＰが提供できる効果の他に、第２接着配線部材３０により、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２が上層半導体チップ１３の下面に隠れる積層構造であっても、外部引出し電極１２を、下面電極部３２ｂ、接続部３２ｃ、上面電極部３２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３に電気的な接続が可能である。
【００５８】
［第３の実施形態］
本発明に係る第３の実施形態のＭＣＰを図１６及び図１７を参照して説明する。この第３の実施形態は、上、下層半導体チップの外部引出し電極が上面の中央部分に配置されてなり、しかも下層半導体チップ上に上層半導体チップの上面を下向きにして積層するいわゆるフリップチップ実装を可能としたＭＣＰである。
【００５９】
図１６は本発明の第３の実施形態例に係るＭＣＰの模式的な断面図であり、図１７は第３接着配線部材の模式的な拡大図である。なお、説明の便宜上、前記第１及び第２の実施形態のＭＣＰと同じ、または類似の機能を有する部分については同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
【００６０】
図１６に示すように、本実施形態のチップオンチップ構造のＭＣＰでは、基台１に接着部材４を介して固着された下層半導体チップ１１と、この下層半導体チップ１１上に接着した第３接着配線部材４０と、第３接着配線部材４０により上面を下向きにして下層半導体チップ１１上に固着された下層半導体チップ１１よりも小さいチップ面積を有する上層半導体チップ１３を備えている。下層半導体チップ１１と上層半導体チップ１３は上面の中央部分に外部引出し電極１２、１４を有している。
【００６１】
第３接着配線部材４０は、表面が接着性を有する絶縁材料層４１と、この絶縁材料層４１内に埋め込まれた複数の第１導体配線である下層導体配線４２と、この下層導体配線４２の上方に配置された複数の第２導体配線である上層導体配線４３とで構成されている。
【００６２】
下層導体配線４２は、絶縁材料層４１の上面に露出する第１電極部である第１上面電極部４２ａと、絶縁材料層４１の下面に露出する第２電極部である下面電極部４２ｂと、第１上面電極部４２ａと下面電極部４２ｂを電気的に接続する接続部４２ｃとが一体的に形成された構成を有している。第１上面電極部４２ａは絶縁材料層４１の上面の周縁部分に配置され、下面電極部４２ｂは絶縁材料層４１の下面の中央部分に配置されている。また、本実施形態では、第１上面電極部４２ａ及び下面電極部４２ｂは接続部４２ｃよりも肉厚に形成されており、第１上面電極部４２ａの上面は接続部４２ｃの上面よりも絶縁材料層４１の上面側に位置し、下面電極部４２ｂの下面は、接続部４２ｃの下面よりも絶縁材料層４１の下面側に位置している。また、本実施形態では、第１上面電極部４２ａは下部電極部４２ａ−１とこの下部電極部４２ａ−１上に導電性接着層４４を介して積層された上部電極部４２ａ−２とで接続部４２ｃよりも肉厚に構成されている。
【００６３】
上層導体配線４３は、絶縁材料層４１の上面に露出する第３電極部である第２上面電極部４３ａ及び第４電極部である第３上面電極部４３ｂと、第２上面電極部４３ａと第３上面電極部４３ｂを電気的に接続する接続部４３ｃとが一体的に形成された構成を有している。
【００６４】
第２上面電極部４３ａは第１上面電極部４２ａよりも中央部（内側）よりの絶縁材料層４１の上面の周縁部分に配置され、第３上面電極部４３ｂは絶縁材料層４１の上面の中央部分に配置されている。また、第２上面電極部４３ａ及び第３上面電極部４３ｂは、接続部４３ｃよりも肉厚に形成されており、第２上面電極部４３ａ及び第３上面電極部４３ｂ上面は、接続部４３ｃの上面よりも絶縁材料層４１の上面側に位置している。
【００６５】
絶縁材料層４１には、第１上面電極部４２ａ、第２上面電極部４３ａ及び第３上面電極部４３ｂの一部を絶縁材料層４１の上面に露出させるための上面開口部４７ａと、下面電極部４２ｂの一部を絶縁材料層４１の下面に露出させるための下面開口部４７ｂとを有している。
【００６６】
図１７（ａ）は第３接着配線部材４０を示す拡大断面図で、図１７（ｂ）は第３接着配線部材４０の上部接着配線部材４０ｂを示す拡大断面図、図１７（ｃ）は第３接着配線部材４０の下部接着配線部材４０ａを示す拡大断面図である。
【００６７】
図１７（ａ）に示すように、第３接着配線部材４０は、下部接着配線部材４０ａと上部接着配線部材４０ｂとが積層されて一体形成されてなる。すなわち、上部接着配線部材４０ｂは、図１７（ｂ）に示すように、絶縁材料層４１と、絶縁材料層４１ｂの上下面に露出された下層導体配線４２の第１上面電極部４２ａの上部電極部４２ａ−２と、絶縁材料層４１ｂの上面に露出された第２上面電極部４３ａ及び第３上面電極部４３ｂと、第２上面電極部４３ａ及び第３上面電極部４３ｂを電気的に接続する接続部４３ｃが一体的に形成された複数の上層導体配線４３と、上面上部電極部４２ａ−２の下面に形成された導電性接着層４４ａとで構成されている。
【００６８】
また、下部接着配線部材４０ａは、図１７（ｃ）に示すように、絶縁材料層４１ａと、絶縁材料層４１ａの上面に露出された第１上面電極部４２ａの下部電極部４２ａ−１、絶縁材料層４１ａの下面に露出された下面電極部４２ｂ及び下部電極部４２ａ−１と下面電極部４２ｂを電気的に接続する接続部４２ｃが一体的に形成された複数の下層導体配線４２と、下部電極部４２ａ−１の上面に設けられた導電性接着層４４ａとで構成されている。
【００６９】
ここで、上部接着配線部材４０ｂと下部接着配線部材４０ａとを導電性接着層４４ａ、４４ｂが重なるように重ね合わせて配置し、熱または超音波を加えることにより下部電極部４２ａ−１と上部電極部４２ａ−１を互いに固着することにより、図１７（ａ）に示す第３接着配線部材４０が形成される。
【００７０】
下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は、第３接着配線部材４０の下面電極部４２ｂとバンプボンディング法により電気的に接続され、上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４は、第３接着配線部材４０の第３上面電極部４３ｂとバンプボンディング法により電気的に接続されている。
【００７１】
さらに、第３接着配線部材４０の第１上面電極部４２ａ、及び第２上面電極部４３ａと基台１のボンディングパッド３とが、それぞれボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。これにより下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は、下面電極部４２ｂ、接続部４２ｃ、第１上面電極部４２ａ及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。一方、上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４は、第３上面電極部４３ｂ、接続部４３ｃ、第２上面電極部４３ａ及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。
【００７２】
次に、上記第３接着配線部材４０の製造方法を図１８乃至図１９を参照して説明する。
【００７３】
図１８乃至図１９は、第３接着配線部材４０の下部接着配線部材４０ａの製造工程の模式的な図である。図１８乃至図１９の各図（ａ）は各工程における平面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は各図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、説明の便宜上、第１及び第２の実施形態にて説明した図面と同じ、または類似の機能を有する部分については同じ符号を付記し、その詳細説明を省略する。
【００７４】
図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、例えば銅からなる厚さが３５ｕｍ程度の導体板４８上面に、例えば半田またはアルミニウムまたは金からなる導電性接着層４４を膜厚が５ｕｍ程度になるようメッキ法にて形成する。
【００７５】
次に図１８（ｃ）に示すように、導電性接着層４４の上面にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、リソグラフィによりフォトレジストをパターンニングし、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、例えばスパッタリング法を用い導電性接着層４４の上面の周縁部分を除いた部分をエッチングし、後に導電性接着層４４ａとなる部分を形成する。その後、引き続きフォトレジストをマスクとして導体板４８の上面の周縁部分を除いた部分を、例えばスパッタリング法を用いエッチングし、後に第１上面電極部４２ａの下部電極部４２ａ−１となる部分を形成する。その後、フォトレジストを取り除く。
【００７６】
次に、導体板４８の下面にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、リソグラフィによりフォトレジストをパターンニングし、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、例えばスパッタリング法を用いて導体板４８の下面の中央部分を除いた部分をエッチングし、下面電極部４２ｂと接続部４２ｃとなる部分を形成する。その後、フォトレジストを取り除く。また、導体板４８の上面のエッチングと下面のエッチングの順序はどちらが先でも良く、さらにフォトレジストのマスクを上面及び下面の両方に形成しておき、導体板４８の上面及び下面を同時にエッチングすることも可能である。また、導体板４８と導電性接着層４４のエッチングは、例えば希硫酸または過酸化水素水からなるエッチング液をスプレー処理で吹き付ける方法、また、このエッチング液に導電性接着層４４を備えた導体板４８を浸漬する方法でも可能である。また、導電性接着層４４のパターンを形成後、フォトレジストを除去し、導電性接着層４４をマスクとして導体板４８の上面をエッチングすることも可能である。
【００７７】
次に、図１９（ａ）に示すように、導体板４８及び導電性接着層４４をプレス加工によりリードフレーム４９とリードフレーム４９に固定された２組の下層導体配線４２のパターンＡ、Ｂを形成する。また、下層導体配線４２のパターンニングは、例えば希硫酸または過酸化水素水を用いたエッチングにより下層導体配線４２のパターンを形成することも可能である。さらに、下層導体配線４２のパターンは1組であっても、２組以上形成しても良い。
【００７８】
次に、図示しないが、例えば成形金型中に導体板４８を配置し、絶縁材料を流し込み圧縮成形し、絶縁材料層４１ａで導体板４８を完全に被覆する。以降の絶縁材料層４１ａの被覆工程、プレス加工工程は第１の実施形態における第１接着配線部材２０と同様であるため省略するが、これらの工程を経て図１７（ｃ）に示すような下部接着配線部材４０ａを得る。
【００７９】
また、上部接着配線部材４０ｂも、上記下部接着配線部材４０ａと同様に、導体板４８の下面に導電性接着層４４を形成した後、パターニングして導電性接着層４４ｂを形成し、導体板４８の上下面の所定部分をエッチングして下層導体配線４２の上部電極部４２ａ−２と、第２、第３上面電極４３ａ、４３ｂ及び接続部４３ｃを有する上層導体配線４３とを形成し、絶縁材料層４１ｂの被覆工程、プレス加工工程を経ることにより、図１７（ｂ）に示すような上部接着配線部材４０ｂを得る。その後、下部接着配線部材４０ａと上部接着配線部材４０ｂとを積層して一体化することにより第３接着配線部材４０を得る。
【００８０】
本実施形態によれば、前記第１の実施形態と同様に、高信頼性で工期の短いＭＣＰが提供できる効果の他に次のような効果が得られる。すなわち、下層導体配線４２と上層導体配線４３とを有する第３接着配線部材４０を下層半導体チップ１１及び上層半導体チップ１３との間に配置し、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２を、下層導体部材４２の下面電極部４２ｂに電気的に接続し、下層導体部材４２の第１上面電極部４２ａを基台１のボンディングパッド３にボンディングワイヤ１５で電気的に接続しており、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は、下面電極部４２ｂ、接続部４２ｃ、第１上面電極部４２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３に電気的に接続される。
【００８１】
また、上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４を上層導体配線４３の第３上面電極部４３ｂに電気的に接続し、上層導体配線４３の第２上面電極部４３ａを基台１のボンディングパッド３にボンディングワイヤ１５で電気的に接続しており、上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４は、第３上面電極部４３ｂ、接続部４３ｃ、第２上面電極部４３ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３に電気的に接続される。
【００８２】
従って、上層半導体チップ１３が下面を上向にして積層されるいわゆるフリップチップ実装構造であっても、上下層半導体チップにおけるボンディングワイヤ長を短くできる。
【００８３】
上記実施形態において、さらに多くの半導体チップを積層する場合、２以上の半導体チップをフリップチップ実装することも可能である。
【００８４】
また、第３接着配線部材４０は２層以上の配線部材を接着して形成することも可能であり、導体配線は２層構造以上の多層構造にすることも可能である。
【００８５】
また、半導体チップを積層した状態で下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２と上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４とが重ならなければ、第３接着配線部材４０中の下層導体配線４２と上層導体配線４３を１層構造にすることも可能である。
【００８６】
また、導電性接着層４４ａ、４４ｂのいずれか一方を形成することにより下部電極部４２ａ−１と上部電極部４２ａ−２を互いに固着することも可能である。
【００８７】
また、例えば下層半導体チップ１１のグランド電位が接続された下層導体配線４２と上層半導体チップ１３のグランド電位が接続された上層導体配線４３を短絡させて電気的に接続することも可能であり、下層半導体チップ１１の電源電位が接続された下層導体配線４２と上層半導体チップ１３の電源電位が接続された上層導体配線４３を短絡させて電気的に接続することも可能であり、第３接着配線部材４０中の複数配置された下層導体配線４２同士を短絡させることも可能であり、上層導体配線４３同士を短絡させることも可能である。
【００８８】
［第４の実施形態］
本発明に係る第４の実施形態のＭＣＰを図２０を参照して説明する。この実施形態では、下層半導体チップ上に３つの上層半導体チップを並列に配置されたＭＣＰにおいて、中央に配置された上層半導体チップの外部引出し電極から基台のボンディングパッドへの電気的な接続を可能としたものである。
【００８９】
図２０は本発明の第４の実施形態に係るＭＣＰの模式的な図面であり、図２０（ａ）はＭＣＰの平面図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図を示したものである。なお、説明の便宜上、第１乃至第３の実施形態のＭＣＰと同じ、または類似の機能を有する部分については同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
【００９０】
図２０に示されるように、本実施形態のＭＣＰでは、基台１に接着部材４で固着された下層半導体チップ１１と、この下層半導体チップ１１上に接着された第４接着配線部材５０と、この第４接着配線部材５０の上面の中央部に固着された下層半導体チップ１１よりも小さいチップ面積を有する第１上層半導体チップ１３ａと、この第１上層半導体チップ１３ａを挟むようにＸ方向に配置され、第４接着配線部材５０上に固着された第２上層半導体チップ１３ｂ及び第３上層半導体チップ１３ｃとで構成されている。
【００９１】
下層半導体チップ１１は上面のＸ方向の両端部に外部引出し電極１２を有し、第１上層半導体チップ１３ａは上面のＸ方向の両端部に外部引出し電極１４ａを有し、第２上層半導体チップ１３ｂは上面のＹ方向の一端部に外部引出し電極１４ｂを有し、第３上層半導体チップ１３ｃは上面のＹ方向の一端部に外部引出し電極１４ｃを有する。
【００９２】
第４接着配線部材５０は、表面が接着性を有する絶縁材料層５１と、この絶縁材料層５１内に埋め込まれた複数の第１導体配線５２とで構成されている。第１導体配線５２は絶縁材料層５１の上面の周縁部分に上面を露出して配置された第１電極部である第１上面電極部５２ａと、この第１上面電極部５２ａよりも絶縁材料層５１の中央部側上面に露出して配置された第２電極部である第２上面電極部５２ｂと、第１上面電極部５２ａと第２上面電極部５２ｂを電気的に接続する接続部５２ｃとが一体的に形成された構成を有している。
【００９３】
第１上面電極部５２ａ及び第２上面電極部５２ｂはいずれも接続部５２ｃよりも肉厚に形成されており、第１及び第２上面電極部５２ａ、５２ｂの上面は、いずれも接続部５２ｃの上面に比べて絶縁材料層５１の上面側に位置している。絶縁材料層５１は第１上面電極部５２ａ及び第２上面電極部５２ｂの一部を絶縁材料層５１の上面に露出させるための上面開口部５７を有している。
【００９４】
第１上層半導体チップ１３ａは、第４接着配線部材５０上面の中央部分の絶縁材料層５１部分上に固着され、第２及び第３上層半導体チップ１３ｂ、１３ｃは、第１上面電極部５２ａと第２上面電極部５２ｂとの間の絶縁材料層５１部分上に固着されている。そして、第１上層半導体チップ１３ａの外部引出し電極１４ａは第４接着配線部材５０の第２上面電極部５２ｂとボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。さらに、第４接着配線部材５０の第１上面電極部５２ａと基台１のボンディングパッド３とがボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。これにより、第１上層半導体チップ１３ａの外部引出し電極１４ａは、第２上面電極部５２ｂ、接続部５２ｃ、第１上面電極部５２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１ボンディングパッド３と電気的に接続されている。
【００９５】
なお、第２及び第３上層半導体チップ１３ｂ、１３ｃの外部引出し電極１４ｂ、１４ｃは、それぞれボンディングワイヤ１５により、基台１のボンディングパッド３に電気的に接続されている。
【００９６】
本実施形態によれば、第２及び第３上層半導体チップ１３ｂ、１３ｃを第１上面電極部５２ａと第２上面電極部５２ｂとの間の絶縁材料層５１部分上に配置し、絶縁材料層５１の中央部分に配置された第１上層半導体チップ１３ａの外部引出し電極１４ａを第２上面電極部５２ｂにボンディングワイヤ１５を介して電気的に接続し、第１上面電極部５２ａをボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３に電気的に接続している。これにより、第１上層半導体チップ１３ａの外部引出し電極１４ａは、第２上面電極部５２ｂ、接続部５２ｃ、第１上面電極部５２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３に電気的に接続する。そのため、第１上層半導体チップ１３ａの外部引出し電極１４ａから第２上層半導体チップ１３ｂ及び第３上層半導体チップ１３ｃの上方を跨いでボンディングワイヤ１５を通す場合に比べてボンディングワイヤの長さを短くすることができ、ワイヤ強度の低下、封止時のワイヤ流れ、自重によるワイヤ垂れがないＭＣＰが提供できる。
【００９７】
また、上記実施形態において、第１上層半導体チップ１３ａの上面を下向きに配置して外部引出し電極１４ａと第２上面電極部５２ｂをバンプボンディングにより接続することもできる。
【００９８】
また、複数の下層半導体チップを並列に配置することも可能であるし、下層半導体チップ上にさらに多くの上層半導体チップを並列に配置することもできる。また、本実施形態と第１から第３の実施形態を組み合わせて積層することも可能である。
【００９９】
［第４の実施形態の変形例］
図２１は本発明の第４の実施形態に係るＭＣＰの変形例の模式的な断面図である。なお、説明の便宜上、第４の実施形態のＭＣＰと同じ、または類似の機能を有する部分については同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。この変形例が第４の実施形態と異なる点は、第４接着配線部材５０上に第１乃至第３の上層半導体チップ１３ａ、１３ｂ、１３ｃを上面を下向き配置し、第１上層半導体チップ１３ａの一方の外部引出し電極１４ａを第２上層半導体チップ１３ｂの一方の外部引出し電極１４ｂに電気的に接続し、第２上層半導体チップ１３ｂの他方の外部引出し電極１４ｂを第４接着配線部材５０の配線導体を介して基台１のボンディングパッド３に電気的に接続する構成にしたことにある。
【０１００】
図２１に示すように、変形例のＭＣＰでは、第４接着配線部材５０は、表面が接着性を有する絶縁材料層５１と、この絶縁材料層５１内に埋め込まれた複数の第１乃至第３導体配線５２、６２、７２とで構成されている。第１導体配線５２は、絶縁材料層５１の上面の周縁部分に上面が露出して配置された第１電極部である第１上面電極部５２ａと、この第１上面電極部５２ａよりも絶縁材料層５１の中央部分側上面に露出して配置された第２電極部である第２上面電極部５２ｂと、この第１上面電極部５２ａと第２上面電極部５２ｂを電気的に接続する接続部５２ｃとが一体的に形成された構成を有している。第２導体配線６２は、絶縁材料層５１の上面の周縁部分に上面が露出して配置された第１電極部である第３上面電極部６２ａと、この第３上面電極部６２ａよりも絶縁材料層５１の中央部分側上面に露出して配置された第２電極部である第４上面電極部６２ｂと、この第３上面電極部６２ａと第４上面電極部６２ｂを電気的に接続する接続部６２ｃとが一体的に形成された構成を有している。第３導体配線７２は、第１導体配線５２と第２導体配線６２との間の絶縁材料層５１の上面に露出して配置された第２電極部である第５及び第６上面電極部７２ａ、７２ｂと、この第５上面電極部７２ａと第６上面電極部７２ｂを電気的に接続する接続部７２ｃとが一体的に形成された構成を有している。第１乃至第６上面電極部５２ａ、５２ｂ、６２ａ、６２ｂ、７２ａ、７２ｂは、それぞれ接続部５２ｃ、５２ｃ、７２ｃよりも肉厚に形成されており、各上面電極部５２ａ、５２ｂ、６２ａ、６２ｂ、７２ａ、７２ｂの上面は接続部５２ｃ、６２ｃ、７２ｃの上面に比較して絶縁材料層５１の上面側に位置し、絶縁材料層５１に設けた開口部５７によりの絶縁材料層５１の表面に露出されている。
【０１０１】
第１上層半導体チップ１３ａの外部引出し電極１４ａは、それぞれ第１導体配線５２の第２上面電極部５２ｂ及び第３導体配線７２の第６上面電極部７２ｂとバンプボンディングにより電気的に接続されている。第２上層半導体チップ１３ｂの外部引出し電極１３ｂは、それぞれ第２導体配線６２の第４上面電極部６２ｂ及び第３導体配線７２の第５上面電極部７２ａとバンプボンディングにより電気的に接続されている。そして、第１導体配線５２の第１上面電極部５２ａ及び第２導体配線６２の第３上面電極部６２ａは、それぞれボンディングワイヤ１５で基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。
【０１０２】
本実施形態においても、第４の実施形態と同様の効果が得られる。また、第３導体配線７２を用い、同一層に積層された第１上層半導体チップ１３ａの外部引出し電極１４ａと第２上層半導体チップ１３ｂの外部引出し電極１４ｂを電気的に接続することにより、外部に引出し電極の共有化ができる。従って、ボンディングワイヤの数を減らすことができ小型で軽量なＭＣＰが提供できる。
【０１０３】
また、第３上層半導体チップ１３ｃの外部引出し電極１４ｃも共有化することが可能である。また、下層半導体チップ１１上にさらに多くの半導体チップを第１乃至第３上層半導体チップ１３ａ、１３ｂ、１３ｃと並列に配置することも可能であるし、この追加配置された半導体チップの外部引出し電極の共有化することも可能である。
【０１０４】
また、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２を第３の実施形態のように絶縁材料層５１内に埋め込まれた導体配線と電気的に接続することも可能であるし、外部引出し電極１２を第１乃至第３上層半導体チップ１３ａ、１３ｂ、１３ｃの外部引出し電極１４ａ、１４ｂ、１４ｃと共有化することも可能である。
【０１０５】
［第５の実施形態］
本発明に係る第５の実施形態の半導体装置を図２２、図２３を参照して説明する。この第５の実施形態は半導体チップの外部引出し電極の配列順番と、この外部引出し電極と電気的に接続されている接着部材中の導体配線の上面電極部の順番が入れ替わっていることを特徴としている。
【０１０６】
図２２、図２３は本発明の第５の実施形態例に係るＭＣＰの模式的な図面であり、図２２（ａ）は第５の実施形態例に係るＭＣＰの平面図であり、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図を示したものであり、図２３（ａ）は図２２（ｂ）のＢ−Ｂ矢視平面図、図２３（ｂ）はＣ−Ｃ矢視平面図を示したものである。なお、説明の便宜上、第１乃至第４の実施形態のＭＣＰと同じ、または類似の機能を有する部分については同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
【０１０７】
図２２(ａ)、（ｂ）に示すように、半導体装置は基台１に第１接着部材４を介して固着された下層半導体チップ１１と、この下層半導体チップ１１上に接着された第５接着配線部材８０とを備えている。
【０１０８】
第５接着配線部材８０は第１接着配線部材２０と類似する構成を有する。すなわち、表面が接着性を有する絶縁材料層８１と、この絶縁材料層８１内に埋め込まれた複数の第１乃至第３導体配線８２、９２、１０２とで構成されている。第１導体配線８２は、第１上面電極部８２ａと、第１下面電極部８２ｂと、第１上面電極部８２ａと第１下面電極部８２ｂを電気的に接続する接続部８２ｃとが一体的に形成された構成を有している。第２導体配線９２は、第２上面電極部９２ａと、第２下面電極部９２ｂと、第２上面電極部９２ａと第２下面電極部９２ｂを電気的に接続する接続部９２ｃとが一体的に形成された構成を有している。第３導体配線１０２は、第３上面電極部１０２ａと、第３下面電極部１０２ｂと、第３上面電極部１０２ａと第３下面電極部１０２ｂを電気的に接続する接続部１０２ｃとが一体的に形成された構成を有している。
【０１０９】
第１乃至第３上面電極部８２ａ、９２ａ、１０２ａ及び第１乃至第３下面電極部８２ｂ、９２ｂ、１０２ｂはいずれも接続部８２ｃ、９２ｃ、１０２ｃよりも肉厚に形成されており、第１乃至第３上面電極部８２ａ、９２ａ、１０２ａの上面は、いずれも接続部８２ｃ、９２ｃ、１０２ｃの上面に比べて絶縁材料層８１の上面側に位置している。絶縁材料層８１は第１乃至第３上面電極部８２ａ、９２ａ、１０２ａの一部を絶縁材料層８１の上面に露出させるための上面開口部８７を有している。
【０１１０】
この上面電極部はＹ向き＋側から第１上面電極部８２ａ、第２上面電極部９２ａ、第３上面電極部１０２ａの順に配置されている。
【０１１１】
図２３(ａ)に示すように、下層半導体チップ１１はＹ向の＋側から順に外部引出し電極１２ｃ、外部引出し電極１２ｂ、外部引出し電極１２ａを有している。
【０１１２】
図２３(ｂ)に示すように、複数の第１乃至第３導体配線８２、９２、１０２は互いに接触することなく配置され、第１乃至第３下面電極部８２ｂ、９２ｂ、１０２ｂはＹ向き＋側から第３下面電極部１０２ｂ、第２下面電極部９２ｂ、第１下面電極部８２ｂの順に配置されている。
【０１１３】
本実施形態によれば、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２ａは第５接着配線部材８０の第１下面電極部８２ｂとバンプボンディングにより電気的に接続されている。さらに、第５接着配線部材８０の第１上面電極部８２ａと基台１のボンディングパッド３とがボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。これにより下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２ａは、第１下面電極部８２ｂ、接続部８２ｃ、第１上面電極部８２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。同様に、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２ｂは第５接着配線部材８０の第２下面電極部９２ｂとバンプボンディングにより電気的に接続されている。さらに、第５接着配線部材８０の第２上面電極部９２ａと基台１のボンディングパッド３とがボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。これにより下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２ｂは、第２下面電極部９２ｂ、接続部９２ｃ、第２上面電極部９２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。同様に、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２ｃは第５接着配線部材８０の第３下面電極部１０２ｂとバンプボンディングにより電気的に接続されている。さらに、第５接着配線部材８０の第３上面電極部１０２ａと基台１のボンディングパッド３とがボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。これにより下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２ｃは、第３下面電極部１０２ｂ、接続部１０２ｃ、第３上面電極部１０２ａ、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。つまり、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃのＹ向の＋側からの順番と、この外部引出し電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃが電気的に接続している第１乃至第３上面電極部８２ａ、９２ａ、１０２ａのＹ向の＋側からの順番とが入れ替わっている。従って、外部引出し電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃから基台５のボンディングパッド３への電気的接続の際にボンディングワイヤ１５が交差することない高信頼性な半導体装置が提供できる。
【０１１４】
また、上層半導体チップ１３を第５接着配線部材８０で固着し、本実施形態に係る半導体装置をＭＣＰとすることも可能である。
【０１１５】
また、下層半導体チップ１１の外部引出し電極の数を更に増やすことも可能であるし、第５接着配線部材８０の第１乃至第３導体配線８２、９２、１０２の本数を更に増やすことも可能であるし、この第１乃至第３導体配線８２、９２、１０２を多層構造にすることも可能である。
【０１１６】
また、第１乃至第３上面電極部８２ａ、９２ａ、１０２ａのＹ向の＋側からの順番は本実施形態に示した順番以外でも可能であるし、Ｘ方向の順番を変更することも可能であるし、Ｘ向とＹ向の順番を合せて変更することも可能である。
【０１１７】
また、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間の間隔が短くワイヤボンディングした時にボンディングワイヤ１５同士が接触してしまう場合でも、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間の間隔より外部引出し電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃが電気的に接続された第１乃至第３上面電極部８２ａ、９２ａ、１０２ａ間の間隔を広くすることが可能である。従って、半導体チップの外部引出し電極の間隔に左右されない半導体装置が提供できる。
【０１１８】
［第６の実施形態］
本発明に係る第６の実施形態のＭＣＰを図２４を参照して説明する。この実施形態では、接着配線部材中の導体配線上に導体配線とは異なる材質の金属層によるバンプ部を一体的に形成して上面電極部を構成したものである。
【０１１９】
図２４は本発明の第６の実施形態例に係るＭＣＰの模式的な断面図である。なお、説明の便宜上、第１乃至第５の実施形態のＭＣＰと同じ、または類似の機能を有する部分については同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
【０１２０】
図２４に示すように、本実施形態のＭＣＰでは、基台１に接着部材４で固着された下層半導体チップ１１と、この下層半導体チップ１１上に接着された第６接着配線部材１１０と、この第６接着配線部材１１０上に固着された下層半導体チップ１１よりも小さいチップ面積を有する上層半導体チップ１３とを備えている。
【０１２１】
第６接着配線部材１１０は、表面が接着性を有する絶縁材料層１１１と、この絶縁材料層１１１内に埋め込まれた複数の導体配線１１２とで構成されている。導体配線１１２は、絶縁材料層１１１の上面の周縁部分に上面が露出する上面電極部１１２ａと、絶縁材料層１１１の下面の中央部分に下面が露出する下面電極部１１２ｂと、上面電極部１１２ａと下面電極部１１２ｂを電気的に接続する接続部１１２ｃとが一体的に形成された構成を有している。上部電極部１１２ａは導体配線１１２の周縁部分上にバンプ部を形成する金属層１１３を導体配線１１２と一体的に形成することにより構成し、下面電極部１１２ｂは導体配線１１２の接続部１１２ｃに比較して肉厚に形成している。また、絶縁材料層１１１は金属層１１３の一部の上面を絶縁材料層１１１の上面に露出させる上面開口部１１７ａと、下面電極部１１２ｂの一部を絶縁材料層１１１の下面に露出させる下面開口部１１７ｂとを有している。
【０１２２】
下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は第６接着配線部材１１０の下面電極部１１２ｂとバンプボンディング法により電気的に接続されており。さらに、第６接着配線部材１１０の金属層１１３と基台１のボンディングパッド３とが逆ボンディング法と称される方法によりボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。これにより、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は、下面電極部１１２ｂ、接続部１１２ｃ、金属層１１３、及びボンディングワイヤ１５を介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。
【０１２３】
逆ボンディング法とは低い位置にあるパッドにファーストボンドを行なった後、ボンディングワイヤを引出しながら高い位置にあるパッドにセカンドボンドを行なうワイヤボンディングの方法である。通常ファーストボンドにはボールボンディングが用いられ、セカンドボンドにはウェッジボンディングが用いられる。そのため、セカンドボンドするパッド上にはボンド時のダメージを軽減させるバンプ部を形成する必要がある。本実施形態において基台１のボンディングパッド３にファーストボンドを行なった後に、ボンディングワイヤ１５を引出しながら第６接着配線部材１１０の導体配線１１２の上面の一部に形成された金属層１１３にセカンドボンドを行ない、金属層１１３と基台１のボンディングパッド３を電気的に接続している。
【０１２４】
次に、この第６の実施形態に係る第６接着配線部材１１０の製造方法を図２５及び図２６を参照して説明する。
【０１２５】
図２５乃至図２６は、第６の実施形態に係る第６接着配線部材１１０の製造工程を模式的に示した図面である。図２５乃至図２６の各図（ａ）は各工程における平面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は各図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、説明の便宜上、第１乃至第５の実施形態のＭＣＰと同じ、または類似の機能を有する部分については同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
【０１２６】
図２５（ｂ）に示すように、例えば銅からなる厚さが３５ｕｍ程度の導体板１１８上に、例えば金またはアルミニウムまたは半田からなる金属層１１３を膜厚が１０ｕｍ程度になるようメッキ法にて形成する。
【０１２７】
次に、図２５（ｃ）に示すように、金属層１１３の上面にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、リソグラフィによりフォトレジストをパターンニングし、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、例えばスパッタリング法を用いて金属層１１３の上面の周縁部分を除いた部分をエッチングし、後に金属層１１３となる部分を形成する。その後、フォトレジストを取り除く。
【０１２８】
次に、導体板１１８の下面にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、リソグラフィによりフォトレジストをパターンニングし、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、例えばスパッタリング法を用い導体板１１８の下面の中央部分を除いた部分をエッチングし、下面電極部１１２ｂと接続部１１２ｃとなる部分を形成する。その後、フォトレジストを取り除く。また、導体板１１８の上面のエッチングと下面のエッチングの順序はどちらが先でも良く、さらにフォトレジストのマスクを導体板１１８の上面及び下面に形成しておき、導体板１１８と金属層１１３を同時にエッチングすることも可能である。また、導体板１１８と金属層１１３は、例えば希硫酸または過酸化水素水からなるエッチング液をスプレー処理で吹き付ける方法、また、このエッチング液に導体板１１８を浸漬する方法でも可能である。また、金属層１１３のパターニング後、フォトレジストを除去し、金属層１１３をマスクとして導体板１１８の上面をエッチングすることも可能である。
【０１２９】
次に、導体板１１８及び金属層１１３をプレス加工により、リードフレームとリードフレームに固定された２組の導体配線１１２のパターンＡ、Ｂを形成する工程から導体板１１８を絶縁材料層１１１で被覆する工程までは、第１の実施形態における第１接着配線部材２０と同様であるため省略する。
【０１３０】
次に、図２６（ｂ）に示すように、例えばレーザ光を用い金属層１１３の上面の一部を絶縁材料層１１１の上面に露出するための上面開口部１１７ａと、絶縁材料層１１１の下面に下面電極部１１２ｂの下面を露出するための下面開口部１１７ｂを形成する。また、金属層１１３の上面は接続部１１２ｃの上面に比較して絶縁材料層１１１の上面側に位置し、下面電極部１１２ｂの下面は接続部１１２ｃの下面に比較して絶縁材料層１１１の下面側に位置している。以降の工程は第１の実施形態における第１接着配線部材２０と同様であるため省略する。
【０１３１】
本実施形態によれば、導体配線１１２の周縁部分上に、上面電極部１１２ａとなるバンプ状の金属層１１３が形成されているため、下層半導体チップ１１上に第６接着配線部材１１０を配置した後に金属バンプを形成する必要はない。よって、スタッドバンプ法による金属バンプを作成する際の物理的なストレス又はメッキ法による金属バンプを作成する際の半導体チップ剥がれの問題がなくなるだけでなく、金属バンプを付ける工程も無くなる。従って、高信頼性で工期の短いＭＣＰを提供することができる。
【０１３２】
また、上面電極部１１２ａがバンプ状の金属層１１３を有することにより、逆ボンディング法によるワイヤボンディングが可能となり、ボンディングワイヤ１５は基台１のボンディングパッド３からがほぼ垂直に立ち上がる形状にできる。従って、下層半導体チップ１１と基台１のボンディングパッド３間の距離を短くすることができ小型で軽量なＭＣＰが提供できる。
【０１３３】
また、ボンディングワイヤ１５の肩状の屈曲を持たせるためにファーストボンド時にキャピラリをセカンドボンドするボンディングパッドと反対の方向に異動させる必要がある。通常のボンディングでは、ファーストボンドが半導体チップの金属バンプ部であるためにキャピラリを上層半導体チップの方向に移動する。しかし、逆ボンディング法では、ファーストボンドが基台１のボンディングパッド３であるため、キャピラリが上層半導体チップ１１と逆方向に移動する。従って、上層半導体チップ１３のチップ面積及び積層位置に左右されずワイヤボンディングができる。
【０１３４】
また、上層半導体チップ１３も逆ボンディング法により、ワイヤボンディングすることも可能で、更に複数の半導体チップを積層して逆ボンディング法により、ワイヤボンディングすることも可能である。
【０１３５】
なお、上記実施形態では、導体配線１１２と金属層１１３を同じ材質で構成することも可能である。
【０１３６】
また、金属層１１３は、図２７（ａ）に示すように、導体配線１１２の周縁部分に接続部１１２ｃよりも肉厚の上面電極部１１２ａを形成し、この上面電極部１１２ａ上に形成することも可能で、金属層１１３の側面を絶縁材料層１１１から露出させることも可能である。また、図２７（ｂ）に示すように、絶縁材料層１１１が熱可逆性を有しボンディング時の熱により軟化する場合、または金属層１１３を押しつぶさないようにウェッジボンディングできる場合は、金属層１１３の側面を露出させない形状にすることも可能であり、図２７（ｃ）に示すように、金属層１１３を接続部１１２ｃの上面にも設けた構造とすることも可能である。
【０１３７】
［第７の実施形態］
本発明に係る第７の実施形態のＭＣＰを図２８を参照して説明する。この第７の実施形態は基台と半導体チップを本発明に係る接着部材で固定したものである。なお、説明の便宜上第１から第６の実施形態にて説明した図面と同じ機能を有する部材については同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１３８】
図２８は本発明の第７の実施形態例に係るＭＣＰの模式的な断面図である。なお、説明の便宜上第１から第６の実施形態にて説明した図面と同じ機能を有する部材については同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１３９】
図２８に示されるように、本実施形態のＭＣＰでは、基台１に第７接着配線部材１２０を介して上面を下向きにして固着された下層半導体チップ１１と、この下層半導体チップ１１上に接着された接着部材４と、接着部材４により固着された下層半導体チップ１１とほぼ同じチップ面積を有する上層半導体チップ１３とを備えている。
【０１４０】
基台１のボンディングパッド３は下層半導体チップ１１を積層した状態において、基台１のボンディングパッド３は下層半導体チップ１１の下面に隠れてしまう。
【０１４１】
第７接着配線部材１２０は表面が接着性を有する絶縁材料層１２１と絶縁材料層１２１内に埋め込まれた第１導体配線１２２と第２導体配線１３２で構成されている。第１導体配線１２２は第１上面電極部１２２ａと、第１下面電極部１２２ｂと、第１上面電極部１２２ａと第１下面電極部１２２ｂを電気的に接続する接続部１２２ｃとが一体的に形成された構成を有している。同様に第２導体配線１３２は第２上面電極部１３２ａと、第２下面電極部１３２ｂと、第２上面電極部１３２ａと第２下面電極部１３２ｂを電気的に接続する接続部１３２ｃとが一体的に形成された構成を有している。
【０１４２】
第１及び第２上面電極部１２２ａ、１３２ａは接続部１２２ｃ、１３２ｃよりも肉厚に形成され、これにより第１及び第２上面電極部１２２ａ、１３２ａの上面は接続部１２２ｃの上面に比べて絶縁材料層１２１の上面側に位置し、第１及び第２下面電極部１２２ｂ、１３２ｂは接続部１２２ｃ、１３２ｃよりも肉厚に形成され、これにより第１及び第２下面電極部１２２ｂ、１３２ｂの下面は接続部１２２ｃの下面に比べて絶縁材料層１２１の下面側に位置している。
【０１４３】
また、第１上面電極部１２２ａは下層半導体チップ１１の下面に隠れない絶縁材料層１２１の周縁部分に配置され、第１下面電極部１２２ｂは下層半導体チップ１１の下面に隠れる位置に配置され、第２上面電極部１３２ａは絶縁材料層１２１の中央に配置され、第２下面電極部１３２ｂは下層半導体チップ１１の下面に隠れる位置に配置されている。
【０１４４】
絶縁材料層１２１は第１及び第２上面電極１２２ａ、１３２ａの一部を絶縁材料層１２１の上面に露出させるための上面開口部１２７ａと、第１及び第２下面電極部１２２ｂ、１３２ｂの一部を絶縁材料層１２１の下面に露出させるための下面開口部１２７ｂとを有している。
【０１４５】
本実施形態によれば、下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は第７接着配線部材１２０の第２上面電極部１３２ａとバンプボンディングにより電気的に接続されている。さらに、第７接着配線部材１２０の第２下面電極部１３２ｂと基台１のボンディングパッド３とがバンプボンディングにより電気的に接続されている。これにより下層半導体チップ１１の外部引出し電極１２は、第２上面電極部１３２ａ、接続部１３２ｃ及び第２下面電極部１３２ｂを介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。
【０１４６】
上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４は第７接着配線部材１２０の第１上面電極部１２２ａとボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。さらに、第７接着配線部材１２０の第１下面電極部１２２ｂと基台１のボンディングパッド３とがバンプボンディングにより電気的に接続されている。これにより上層半導体チップ１３の外部引出し電極１４は、ボンディングワイヤ１５、第１上面電極部１２２ａ、接続部１２２ｃ及び第１下面電極部１２２ｂを介して基台１のボンディングパッド３と電気的に接続されている。
【０１４７】
従って、基台１のボンディングパッド３の位置に左右されず下層半導体チップ１１と上層半導体チップ１３の積層が可能なＭＣＰが提供できる。
【０１４８】
また、下層半導体チップ１１と上層半導体チップ１３のチップ面積が等しい場合であっても外部引出し電極１２、１４と基台１のボンディングパッド３を電気的に接続することができる。
【０１４９】
基台を構成する基台の絶縁層中に配置された導体配線（図示せず）を第７接着配線部材１２０の第１導体配線１２２及び第２導体配線１３２で代用することができる。従って、基台１の厚さを薄くすることができ、小型なＭＣＰが提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わるＭＣＰを示す模式的な斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の第１の実施形態に係わる第２接着部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図４】図４（ａ）は図３に続く、本発明の第１の実施形態に係わる第２接着部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図５】図５（ａ）は図４に続く、本発明の第１の実施形態に係わる第２接着部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図６】図６（ａ）は図５に続く、本発明の第１の実施形態に係わる第２接着部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図７】図７（ａ）は図６に続く、本発明の第１の実施形態に係わる第２接着部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、図７（ｃ）は第１の実施形態に係わる第２接着部材の上面開口部の形状の１例を示す模式的な断面図である。
【図８】図８（ａ）は図７に続く、本発明の第１の実施形態に係わる第２接着部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図９】図９（ａ）は本発明の第１の実施形態に係わる第１接着配線部材の変形例の製造工程を示す模式的な平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は図９に続く、本発明の第１の実施形態に係わる第１接着配線部材の製造方法の変形例の製造工程を示す模式的な平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は図１０に続く、本発明の第１の実施形態に係わる第１接着配線部材の製造方法の変形例の製造工程を示す模式的な平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は図１１に続く、本発明の第１の実施形態に係わる第１接着配線部材の製造方法の変形例の製造工程を示す模式的な平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１３】図１３（ａ）は図１２に続く、本発明の第１の実施形態に係わる第１接着配線部材の製造方法の変形例の製造工程を示す模式的な平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係わるＭＣＰの構成を示す模式的な斜視図である。
【図１５】図１５のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態に係わるＭＣＰの構成を示す模式的な断面図である。
【図１７】図１７(ａ)は本発明の第３の実施形態に係る第３接着部材の模式的な断面図であり、図１７（ｂ）は第３接着部材の上部である上部配線部材を示す模式的な断面図であり、図１７（ｃ）は第３接着部材の下部である下部配線部材を示す模式的な断面図である。
【図１８】図１８(ａ)は本発明の第３の実施形態に係わる第３接着部材の下部である下部配線部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、図１８（ｃ）は図１８（ｂ）に続く本発明の第３の実施形態に係わる第３接着部材の下部である下部配線部材の製造工程を示す模式的な断面図である。
【図１９】図１９（ａ）は図１８に続く、本発明の第３の実施形態に係わる第３接着部材の下部である下部配線部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図２０】図２０（ａ）は本発明の第４の実施形態に係わるＭＣＰの構成を示す模式的な平面図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図２１】本発明の第５の実施形態に係わるＭＣＰを示す模式的な断面図である。
【図２２】図２２(ａ)は本発明の第５の実施形態における半導体装置の構成を示す模式的な平面図であり、図２２(ｂ)は図２２(ａ)のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図２３】図２３(ａ)は図２２（ｂ）のＢ−Ｂ矢視平面図であり、図２３（ｂ）は図２２（ｂ）のＣ−Ｃ矢視平面図である。
【図２４】本発明の第６の実施形態に係わるＭＣＰを示す模式的な断面図である。
【図２５】図２５（ａ）は本発明の第６の実施形態に係わる第６接着部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図２５（ｂ）は図２５（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図であり、図２５（ｃ）は図２５（ｂ）に続く本発明の第６の実施形態に係わる第６接着部材の製造工程を示す模式的な断面図である。
【図２６】図２６（ａ）は図２５に続く、本発明の第６の実施形態に係わる第６接着部材の製造工程を示す模式的な平面図であり、図２６（ｂ）は図２６（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図２７】図２７(ａ)は本発明の第７の実施形態に係わる第６接着部材の導体配線に上面電極部を設けた１例を示す模式的な断面図であり、図２７(ｂ)は本発明の第７の実施形態に係わる第６接着部材のバンプ部の側面を露出させない１例を示す模式的な断面図であり、図２７（ｃ）は本発明の第７の実施形態に係わる第６接着部材のバンプ部が導体配線の接続部の一部を形成する１例を示す模式的な断面図である。
【図２８】本発明の第７の実施形態に係わるＭＣＰを示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０１５１】
１…基台、２…絶縁薄板、３…ボンディングパッド、４…接着部材、１１…下層半導体チップ、１２…外部引出し電極、１３…上層半導体チップ、１３ａ…第１上層半導体チップ、１３ｂ…第２上層半導体チップ、１３ｃ…第３上層半導体チップ、１４…外部引出し電極、１４ａ…外部引出し電極、１４ｂ…外部引出し電極、１４ｃ…外部引出し電極、１５…ボンディングワイヤ、２０…第１接着配線部材、２１…絶縁材料、２２…導体配線、２２ａ…上面電極部、２２ｂ…下面電極部、２２ｃ…接続部、２７ａ…上面開口部、２７ｂ…下面開口部、２８…導体板、３０…第２接着配線部材、３１…絶縁材料層、３２…導体配線、３２ａ…上面電極部、３２ｂ…下面電極部、３２ｃ…接続部、３７ａ…上面開口部、３７ｂ…下面開口部、３８…導体板、４０…第３接着配線部材、４０ａ…下部接着配線部材、４０ｂ…上部接着配線部材、４１…絶縁材料層、４２…下層導体配線、４２ａ…第１上面電極部、４２ｂ…下面電極部、４２ｃ…接続部、４２ａ−１…下部電極部、４２ａ−２…上部電極部、４３…上層導体配線、４３ａ…第２上面電極部、４３ｂ…第３上面電極部、４３ｃ…接続部、４４…導電性接着層、４４ａ…導電性接着層、４４ｂ…導電性接着層、４７ａ…上面開口部、４７ｂ…下面開口部、４８…導体板、４９…リードフレーム、５０…第４接着配線部材、５１…絶縁材料層、５２…第１導体配線、５２ａ…第１上面電極部、５２ｂ…第２上面電極部、５２ｃ…接続部、５７…開口部、５７ａ…上面開口部、５７ｂ…下面開口部、５８…導体板、５９…リードフレーム、６２…第２導体配線、６２ａ…第３上面電極部、６２ｂ…第４上面電極部、６２ｃ…接続部、７２…第３導体配線、７２ａ…第５上面電極部、７２ｂ…第６上面電極部、７２ｃ…接続部、８０…第５接着配線部材、８１…絶縁材料層、８２…第１導体配線、８２ａ…第１上面電極部、８２ｂ…第１下面電極部、８２ｃ…接続部、８７…上面開口部、９２…第２導体配線、９２ａ…第２上面電極部、９２ｂ…第２下面電極部、９２ｃ…接続部、１０２…第３導体配線、１０２ａ…第３上面電極部、１０２ｂ…第３下面電極部、１０２ｃ…接続部、１１０…第６接着配線部材、１１１…絶縁材料層、１１２…導体配線、１１２ａ…上面電極部、１１２ｂ…下面電極部、１１２ｃ…接続部、１１３…金属層、１１７ａ…上面開口部、１１７ｂ…下面開口部、１１８…導体板、１２０…第７接着配線部材、１２１…絶縁材料層、１２２…第１導体配線、１２２ａ…第１上面電極部、１２２ｂ…第１下面電極部、１２２ｃ…接続部、１３２…第２導体配線、１３２ａ…第２上面電極部、１３２ｂ…第２下面電極部、１３２ｃ…接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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