(57)【要約】【課題】静電力を利用して容量を可変にしつつ、可変容量比を高める。【解決手段】可動板１２は、基板１１に対して上下動し得るように板ばね部１４により支持される。可動板１２の上方に、基板１１に対して固定された固定板１３が配置される。基板１１上の固定側駆動電極３２が相対的に下で、板ばね部１４に設けられた可動側駆動電極３３が相対的に上に配置される。固定板１３に設けられた固定側容量電極３４が相対的に上で、可動板１２に設けられた可動側容量電極３１が相対的に下に配置される。これにより、駆動電極３２，３３間に生ずる静電力が可動電極３１，３４間の間隔が拡がる方向に生ずるように、電極３１〜３４が配置される。【選択図】図２
2008085022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と、該固定部に対して移動し得るとともに所定位置に復帰しようとするバネ力が生ずるように設けられた可動部とを備え、
前記固定部は、第１の駆動電極部及び第１の容量電極部を有し、
前記可動部は、第２の駆動電極部及び第２の容量電極部を有し、
前記第１及び第２の駆動電極部間に印加される電圧により前記第１及び第２の駆動電極部間に静電力が前記バネ力に抗するように生じ、
前記第１及び第２の容量電極部間に、出力として用いるべき容量が形成され、
前記第１及び第２の駆動電極部間に生ずる前記静電力が前記第１及び第２の容量電極部間の間隔が拡がる方向に生ずるように、前記第１及び第２の駆動電極部及び前記第１及び第２の容量電極部が配置されたことを特徴とする可変キャパシタ。
【請求項２】
前記第１及び第２の駆動電極部間に前記静電力が生じていない状態において、前記第１及び第２の容量電極部間の間隔が前記第１及び第２の駆動電極部間の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項１記載の可変キャパシタ。
【請求項３】
前記固定部又は前記可動部に、前記第１及び第２の容量電極部間の最小間隔を規定する突起が設けられたことを特徴とする請求項１又は２記載の可変キャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクチュエータ及びこれを用いた可変キャパシタに関するものである。この可変キャパシタは、例えば、無線通信装置やＲＦ測定装置等で用いることができるものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機などの無線通信技術の進展に伴い、高周波回路等で用いる可変キャパシタの重要性が高まっている。従来は、このような可変キャパシタとして半導体デバイスであるバラクタが用いられているが、そのＱ値は小さく、種々の不都合を招いていた。
【０００３】
そこで、下記非特許文献１には、Ｑ値の大きい可変キャパシタとして、ＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical System）を用いた可変キャパシタが提案されている。この可変キャパシタは、平行平板をなすように配置された固定電極及び可動電極とを備えている。前記可動部は、両電極間の間隔が変化するよう固定電極に対して移動し得るとともに、両電極間の間隔が所定間隔（初期間隔）となる位置に復帰しようとするバネ力が生ずるように、支持部により支持されている。両電極は、出力として用いるべき容量を形成するための容量電極、及び、前記バネ力に抗した静電力を発生させて両者間の間隔を調整するための駆動電極として、兼用されている。この可変キャパシタでは、静電力を利用して容量を可変にしているので、消費電力が小さいという利点も得られる。
【非特許文献１】Darrin J. Young and Bernhard E. Boser, A micromachined variable capacitor for monolithic low-noise VCOs, Solid-State and Actuator Workshop, Hilton Head, June 1996 pp86-89
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、非特許文献１に開示された可変キャパシタでは、可変容量比（容量変化率）が低かった。その理由について、以下に説明する。
【０００５】
非特許文献１に開示された可変キャパシタでは、可動電極は、固定電極と可動電極との間の静電力と前記バネ力とが釣り合う位置に停止する。前記バネ力は、両電極間の間隔が初期間隔から変化した量に比例する。一方、前記静電力は、両電極間の電圧の２乗に比例しかつ両電極間の間隔の２乗に反比例する。
【０００６】
したがって、両電極間の電圧を増大させていくと、両電極間の間隔が初期間隔からその１／３の間隔となるまでは、前記バネ力と前記静電力とが安定して釣り合い、印加した電圧に応じた電極間隔で可動電極が安定して停止する。一方、両電極間の電圧を増大させ、両電極間の間隔が初期間隔の１／３の間隔よりも狭まると、前記バネ力と前記静電力とが安定して釣り合うことができず、それ以上両電極間の電圧を増大させなくても、両電極間の間隔が１／３の間隔よりも狭いいずれの位置においても前記静電力が前記バネ力を上回ることになる。これにより、両電極間の間隔が初期間隔の１／３の間隔となるような電圧よりも大きい電圧を印加すると、その電圧の大きさに拘わらず、可動電極が固定電極に限界まで近づいてしまういわゆるプルイン現象が生ずる。
【０００７】
このため、両電極間に印加する電圧によって両電極間の間隔を連続的に調整し得る範囲（連続調整範囲）は、初期間隔からその１／３の間隔までの範囲に制限される。
【０００８】
ところが、非特許文献１に開示された可変キャパシタでは、固定電極及び可動電極は、間隔を調整するための駆動電極として用いられるのみならず、出力すべき容量を形成するための容量電極としても兼用されている。両電極間に形成される容量は、両電極間の間隔に反比例する。したがって、両電極間の間隔が初期間隔（もっとも広い間隔）からその１／３の間隔までの範囲において両電極間の容量が変化する量は、両電極間の間隔がゼロに近い側の範囲において両電極間の容量が変化する量に比べて、小さくなってしまう。
【０００９】
したがって、非特許文献１に開示された可変キャパシタでは、可変容量比が低かったのである。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、静電力を利用して容量を可変にしつつ、可変容量比を高めることができる可変キャパシタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するため、本発明の第１の態様による可変キャパシタは、固定部と、該固定部に対して移動し得るとともに所定位置に復帰しようとするバネ力が生ずるように設けられた可動部とを備え、前記固定部は第１の駆動電極部及び第１の容量電極部を有し、前記可動部は第２の駆動電極部及び第２の容量電極部を有し、前記第１及び第２の駆動電極部間に印加される電圧により前記第１及び第２の駆動電極部間に静電力が前記バネ力に抗するように生じ、前記第１及び第２の容量電極部間に、出力として用いるべき容量が形成され、前記第１及び第２の駆動電極部間に生ずる前記静電力が前記第１及び第２の容量電極部間の間隔が拡がる方向に生ずるように、前記第１及び第２の駆動電極部及び前記第１及び第２の容量電極部が配置されたものである。前記可動部は、薄膜で構成してもよい。
【００１２】
本発明の第２の態様による可変キャパシタは、前記第１の態様において、前記第１及び第２の駆動電極部間に前記静電力が生じていない状態において、前記第１及び第２の容量電極部間の間隔が前記第１及び第２の駆動電極部間の間隔よりも狭いものである。
【００１３】
本発明の第３の態様による可変キャパシタは、前記第１又は第２の態様において、前記固定部又は前記可動部に、前記第１及び第２の容量電極部間の最小間隔を規定する突起が設けられたものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、静電力を利用して容量を可変にしつつ、可変容量比を高めることができる可変キャパシタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明による可変キャパシタについて、図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施の形態による可変キャパシタ１を模式的に示す概略平面図である。図２及び図３はそれぞれ図１中のＹ１−Ｙ２線に沿った概略断面図である。図２は、駆動電極３２，３３間に静電力が生じていない状態を示している。図３は駆動電極３２，３３間に静電力が生じている状態を示している。図４は、図１中のＹ３−Ｙ４線に沿った概略断面図である。
【００１７】
説明の便宜上、図１乃至図４に示すように、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を定義する。可変キャパシタ１の基板１１の面がＸＹ平面と平行となっている。また、Ｚ軸方向のうち矢印の向きを＋Ｚ方向又は＋Ｚ側、その反対の向きを−Ｚ方向又は−Ｚ側と呼び、Ｘ軸方向及びＹ軸方向についても同様とする。なお、Ｚ軸方向の＋側を上側、Ｚ軸方向の−側を下側という場合がある。
【００１８】
なお、以下に説明する材料等は例示であり、その材料等に限定されるものでない。
【００１９】
本実施の形態による可変キャパシタ１は、シリコン基板等の基板１１と、基板１１の上方に配置された可動板１２と、可動板１２の上方に可動板１２と対向するように配置された固定板１３とを備えている。可動板１２及び固定板１３の他、基板１１以外の後述する各構成要素は、薄膜で構成されている。
【００２０】
本実施の形態では、可動板１２は、４本の短冊状の板ばね部１４によって支持されている。各板ばね部１４の一端が接続部１５を介して可動板１２に接続されている。接続部１５は、図１に示すように、幅が狭く構成されることで、ある程度機械的な自由度を持っている。各板ばね部１４の他端は、基板１１上に形成されたＡｌ膜からなる配線パターン１６（図１では省略）を介して基板１１から立ち上がる立ち上がり部を持つ脚部（アンカー部）１７によって、基板１１に固定されている。配線パターン１６は、基板１１に形成された絶縁膜をなす下側のＳｉＮ膜（シリコン酸化膜）１８と保護膜をなす上側のＳｉＮ膜１９との間に、形成されている。
【００２１】
各板ばね部１４は、後述する駆動電極３２，３３間に静電力が生じていない場合、図２に示すように上方に（＋Ｚ方向）湾曲している。本実施の形態では、可動板１２、板ばね部１４及び接続部１５が、基板１１等の固定部に対して上下方向へ移動し得るとともに図２に示す上側位置に復帰しようとするバネ力が生ずるように設けられた可動部を、構成している。４組の板ばね部１４、接続部１５及び脚部１７が、可動板１２に対して図１に示すように配置されることによって、可動板１２は基板１１に対して平行な状態を保ったまま上下動し得るようになっている。可動板１２、板ばね部１４及び接続部１５以外の要素（基板１１、固定板１３等）が、固定部を構成している。
【００２２】
可動板１２は、図２及び図３に示すように、下側から順に積層されたＳｉＮ膜２１、Ａｌ膜２２、Ａｌ膜２３及びＳｉＮ膜２４で構成されている。ただし、上側のＳｉＮ膜２４には、後述する突起３５に対応する箇所に開口が形成されている。本実施の形態では、可動板１２におけるＡｌ膜２２，２３が可動側容量電極（第２の容量電極）３１を構成している。可動板１２の周囲付近には、図２及び図３に示すように、補強のための段差１２ａが形成されている。
【００２３】
接続部１５は、図２及び図３に示すように、下側から順に積層されたＳｉＮ膜２８、可動板１２からそのまま連続して延びたＡｌ膜２３、及び、可動板１２からそのまま連続して延びたＳｉＮ膜２４で構成されている。
【００２４】
板ばね部１４は、下側から順に積層されたＳｉＮ膜２５、Ａｌ膜２６、接続部１５からそのまま連続して延びたＡｌ膜２３、及び、接続部１５からそのまま連続して延びたＳｉＮ膜２４で構成されている。これらの膜２５，２６，２３，２４の内部応力によって、板ばね部１４は、後述する駆動電極３２，３３間に静電力が生じていない場合、図２に示すように上方に（＋Ｚ方向）湾曲している。
【００２５】
板ばね部１４の下方には、板ばね部１４と対向する領域において、Ａｌ膜からなる固定側駆動電極（第１の駆動電極）３２が形成されている。固定側駆動電極３２は、基板１１上のＳｉＮ膜１８，１９間に形成されている。板ばね部１４におけるＡｌ膜２３，２４、特に固定側駆動電極３２と対向する領域のＡｌ膜２３，２４が、可動側駆動電極（第２の駆動電極）３３を構成している。駆動電極３２，３３間に電圧を印加すると、駆動電極３２，３３間に静電力が生ずるため、図３に示すように、可動部（板ばね部１４、接続部１５及び可動板１２）は、下方へ移動し、その静電力と板ばね部１４によるバネ力とが釣り合った位置で停止する。
【００２６】
脚部１７は、板ばね部１４を構成するＳｉＮ膜２５、Ａｌ膜２６、Ａｌ膜２３、ＳｉＮ膜２４がそのまま連続して延びることによって構成されている。Ａｌ膜２６は、脚部１７においてＳｉＮ膜２５に形成された開口を介して配線パターン１６に電気的に接続されている。脚部１７の立ち上がった周囲付近には、図２及び図３に示すように、補強のための段差１７ａが形成されている。
【００２７】
以上の説明からわかるように、本実施の形態では、可動側容量電極３１及び可動側駆動電極３３は、互いに電気的に共通に接続され、脚部１７において配線パターン１６に接続されている。もっとも、両電極３１，３３を電気的に分離してもよいことは、言うまでもない。
【００２８】
固定板１３は、図１乃至図３に示すように可動板１２の上方に可動板１２と対向するように配置され、図１及び図４に示すように４つの支持部４１によって基板１１に対して動かないように基板１１に固定されている。固定板１３は、基本的に、Ａｌ膜２７からなる固定側容量電極（第１の容量電極）３４で構成されている。固定板１３には、下方に突出したＡｌ膜からなる突起３５が設けられている。突起３５と固定側容量電極３４との間を電気的に絶縁するために、固定側容量電極３４と突起３５との間にＳｉＮ膜からなる突起保持部材３６が設けられている。図２からわかるように、突起３５は、可動板１２と当接することで、可動側容量電極３１と固定側容量電極３４との間の最小間隔を規定するようになっている。突起３５によって固定板１３と可動板１２との間の接触面積が小さくなるので、固定板１３と可動板１２とが貼り付いて離れなくなってしまうスティッキングと呼ばれる現象が生ずるおそれを低減することができる。もっとも、本発明では、突起３５は必ずしも設ける必要はない。なお、このような突起は可動板１２側に設けてもよい。
【００２９】
各支持部４１は、基板１１上に形成されたＡｌ膜からなる配線パターン２０（図１では省略）を介して基板１１から立ち上がる立ち上がり部を持つ２つの脚部（アンカー）４１ａと、これらの脚部４１ａによって基板１１に対して固定された支持本体４１ｂと、支持本体４１ｂと固定板１３とを接続する接続部４１ｃとを有している。配線パターン２０は、基板１１に形成されたＳｉＮ膜１８，１９間に形成されている。
【００３０】
図４に示すように、接続部４１ｃは、固定板１３の固定側容量電極３４を構成するＡｌ膜２７がそのまま連続して延びることによって構成されている。支持本体４１ｂは、下側から順に積層されたＳｉＮ膜５１、Ａｌ膜５２、Ａｌ膜５３、ＳｉＮ膜５４、及び、接続部４１ｃからそのまま連続して延びたＡｌ膜２７で構成されている。なお、ＳｉＮ膜５４とＡｌ膜２７との間には、空隙９１が形成されている。
【００３１】
脚部４１ａは、支持本体４１ｂを構成するＳｉＮ膜５１、Ａｌ膜５２、Ａｌ膜５３、Ａｌ膜２７がそのまま連続して延びることによって構成されている。Ａｌ膜５１は、脚部４１ａにおいてＳｉＮ膜５１に形成された開口を介して配線パターン２０に電気的に接続されている。また、Ａｌ膜２７は、脚部４１ａにおいてＳｉＮ膜５４に形成された開口を介してＡｌ膜５３に電気的に接続されている。脚部４１ａの立ち上がった周囲付近には、補強のための段差が形成されている。
【００３２】
容量電極３１，３４間に、出力として用いるべき容量が形成される。よって、容量電極３１，３４にそれぞれ接続された配線パターン１６，２０が高周波回路等に接続される。
【００３３】
本実施の形態では、駆動電極３２，３３間に静電力が生じていない場合、図２に示すように、可動板１２が固定板１３の突起２４に当接し、しかもその際に板ばね部１４のバネ力により可動板１２が突起３５に押し付けられる力は十分に小さくなるように、板ばね部１４の応力等が設定されている。そして、本実施の形態では、この図２に示す状態において、容量電極３１，３４間の間隔が十分に小さくなるように設計されている。可変容量比を高めるためには、駆動電極３２，３３間に静電力が生じていない状態における容量電極３１，３４間の間隔は狭ければ狭いほど好ましい。したがって、この間隔は、少なくとも、駆動電極３２，３３間の間隔（本実施の形態では、平均間隔）よりも狭いことが好ましい。
【００３４】
次に、本実施の形態による可変キャパシタ１の製造方法の一例について、図５乃至図１２を参照して簡単に説明する。図５乃至図１２は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図２及び図３のほぼ左側半分に対応している。
【００３５】
まず、シリコン基板１１の上面に熱酸化によってＳｉＮ膜１８を成膜し、その上にＡｌ膜を蒸着又はスパッタ法等によりデポした（図５（ａ））後に、フォトリソエッチング法により、そのＡｌ膜を固定側駆動電極３２、配線パターン１６，２０及びその他の配線パターンの形状にパターニングする（図５（ｂ））。
【００３６】
次いで、図５（ｂ）に示す状態の基板の上に、ＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法などによりデポジションし、所定のフォトリソエッチング工程を施して、そのＳｉＮ膜を前記ＳｉＮ膜１９の形状にパターニングする（図６（ａ））。その後、犠牲層となるフォトレジスト１０１，１０２をコーティングし、これらのフォトレジスト１０１，１０２に所定のフォトリソエッチング工程を施す（図６（ｂ））。
【００３７】
引き続いて、補強用の段差を形成するための犠牲層となるフォトレジスト１０３をコーティングし、これに所定のフォトリソエッチング工程を施す（図７（ａ））。
【００３８】
その後、図７（ａ）に示す状態の基板の上に、ＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法などによりデポジションし、所定のフォトリソエッチング工程を施して、そのＳｉＮ膜を前記ＳｉＮ膜２１，２５，５１の形状にパターニングする（図７（ｂ））。
【００３９】
次に、図７（ｂ）に示す状態の基板の上に、Ａｌ膜をスパッタリングなどにより成膜し、そのＡｌ膜を前記Ａｌ膜２２，２６，５２の形状にパターニングする（図８（ａ））。
【００４０】
次いで、図８（ａ）に示す状態の基板の上に、ＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法などによりデポジションし、所定のフォトリソエッチング工程を施して、そのＳｉＮ膜を接続部１５の下側のＳｉＮ膜２８の形状にパターニングする（図８（ｂ））。
【００４１】
引き続いて、図８（ｂ）に示す状態の基板の上に、Ａｌ膜をスパッタリングなどにより成膜し、そのＡｌ膜を前記Ａｌ膜２３，５３の形状にパターニングする（図９（ａ））。
【００４２】
その後、図９（ａ）に示す状態の基板の上に、ＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法などによりデポジションし、所定のフォトリソエッチング工程を施して、そのＳｉＮ膜を前記ＳｉＮ膜２１，２５，５４の形状にパターニングする（図９（ｂ））。
【００４３】
次に、穴埋めのため、犠牲層となるフォトレジスト１０４をコーティングし、これに所定のフォトリソエッチング工程を施す（図１０（ａ））。
【００４４】
次いで、犠牲層となるフォトレジスト１０５をコーティングし、これに所定のフォトリソエッチング工程を施す（図１０（ｂ））。
【００４５】
引き続いて、補強用の段差を形成するための犠牲層となるフォトレジスト１０６をコーティングし、これに所定のフォトリソエッチング工程を施す（図１１（ａ））。
【００４６】
その後、図１１（ａ）に示す状態の基板の上に、Ａｌ膜をスパッタリングなどにより成膜し、そのＡｌ膜を前記Ａｌ膜２７及び突起３５の形状にパターニングする（図１１（ｂ））。
【００４７】
次に、図１１（ｂ）に示す状態の基板の上に、ＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法などによりデポジションし、所定のフォトリソエッチング工程を施して、そのＳｉＮ膜を前記突起保持部材３６の形状にパターニングする（図１２（ａ））。
【００４８】
最後に、犠牲層であるフォトレジスト１０１〜１０６を酸素プラズマでアッシング除去する（図１２（ｂ））。これにより、本実施の形態による可変キャパシタ１が完成する。なお、フォトレジスト１０１〜１０６の除去によって、板ばね部１４は図２に示すように上方へ湾曲するが、理解を容易にするため、図１２（ｂ）では板ばね部１４は湾曲しないものとして示している。
【００４９】
なお、フォトレジスト１０１〜１０６の除去後に前記膜２３〜２４の内部応力によって板ばね部１４が図２に示すように上方に湾曲するように、各膜２３〜２６の成膜条件等を設定する。
【００５０】
なお、図面には示していないが、フォトレジスト１０１〜１０６の除去を完全に行うことができるように、適当な箇所にエッチング用の孔を設けておく。例えば、固定板１３の固定側容量電極３４を構成するＡｌ膜２７には、エッチング用の孔を設けておく。
【００５１】
なお、固定板１３を支持する支持部４１は、図５乃至図１２には示していないが、先の説明からわかるように、図５乃至図１２に示す工程と並行して同時に形成される。
【００５２】
本実施の形態では、先の説明からわかるように、駆動電極３２，３３と容量電極３１，３４とが別々に設けられている。そして、本実施の形態では、固定側駆動電極３２が相対的に下で可動側駆動電極３３が相対的に上に配置されているのに対し、固定側容量電極３４が相対的に上で可動側容量電極３１が相対的に下に配置されており、駆動電極と可動電極とで、固定側と可動側の上下の位置関係が逆になっている。本実施の形態では、これにより、駆動電極３２，３３間に生ずる静電力が可動電極３１，３４間の間隔が拡がる方向に生ずるように、電極３１〜３４が配置されている。
【００５３】
したがって、本実施の形態では、駆動電極３２，３３間に電圧が印加されずに駆動電極３２，３３間に静電力が生じていない場合は、図２に示すように、容量電極３１，３４間の間隔は最小となり、容量電極３１，３４間の静電容量は最大となる。一方、駆動電極３２，３３間の電圧を増大させていくと、駆動電極３２，３３間の間隔が初期間隔からその１／３の間隔となるまでは、前記バネ力と駆動電極３２，３３間に生ずる静電力とが安定して釣り合い、図３に示すように、印加した電圧に応じて狭まった電極３２，３３間の間隔で可動側駆動電極３３が安定して停止し、これにより、印加した電圧に応じて拡がった電極３１，３４間の間隔で可動側容量電極３１が安定して停止する。
【００５４】
いわゆるプルイン現象のために、駆動電極３２，３３間の間隔を連続的に調整し得る範囲は、初期間隔（最大間隔）からその１／３の間隔までの範囲に制限される。ところが、本実施の形態では、その範囲に従って、容量電極３１，３４間の間隔は、最小間隔からある拡がった間隔までの範囲で連続的に調整し得ることになる。
【００５５】
よって、本実施の形態によれば、容量電極３１，３４間の最小間隔（すなわち、駆動電極３２，３３間に電圧が印加されずに駆動電極３２，３３間に静電力が生じていない場合の、容量電極３１，３４間の間隔）を十分に狭めておけば、プルイン現象の制約を受けることなく、容量電極３１，３４間の間隔がゼロに近い側の範囲において、容量電極３１，３４間の容量を連続的に調整することができる。このため、前述した非特許文献１に開示された可変キャパシタに比べて、可変容量比を高めることができる。
【００５６】
なお、必要に応じて、駆動電極３２，３３間にイニシャルバイアス電圧を印加して、容量電極３１，３４間の初期間隔を調整することもできる。
【００５７】
以上、本発明の一実施の形態について説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。
【００５８】
例えば、各部の膜構成（層数、材料等）は、前述した例に限定されるものではない。
【００５９】
また、前記実施の形態とは逆に、固定側駆動電極３２を相対的に上で可動側駆動電極３３を相対的に下に配置し、固定側容量電極３４を相対的に下で可動側容量電極３１を相対的に上に配置することによって、駆動電極３２，３３間に生ずる静電力が可動電極３１，３４間の間隔が拡がる方向に生ずるように、電極３１〜３４を配置してもよい。
【００６０】
本発明による可変キャパシタの用途は特に限定されるものではないが、例えば、インピーダンス整合、可変フィルタ、移相器、ＶＣＯ（電圧制御発振器）などにおいて用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の一実施の形態による可変キャパシタを模式的に示す概略平面図である。
【図２】駆動電極間に静電力が生じていない状態における図１中のＹ１−Ｙ２線に沿った概略断面図である。
【図３】駆動電極間に静電力が生じている状態における図１中のＹ１−Ｙ２線に沿った概略断面図である。
【図４】図１中のＹ３−Ｙ４線に沿った概略断面図である。
【図５】図１に示す可変キャパシタの製造方法を示す工程図である。
【図６】図５に引き続く工程を示す工程図である。
【図７】図６に引き続く工程を示す工程図である。
【図８】図７に引き続く工程を示す工程図である。
【図９】図８に引き続く工程を示す工程図である。
【図１０】図９に引き続く工程を示す工程図である。
【図１１】図１０に引き続く工程を示す工程図である。
【図１２】図１１に引き続く工程を示す工程図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  可変キャパシタ
１１  基板
１２  可動板
１３  固定板
１４  板ばね部
３１  可動側容量電極（第２の容量電極）
３２  固定側駆動電極（第１の駆動電極）
３３  可動側駆動電極（第２の駆動電極）
３４  固定側容量電極（第１の容量電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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