(57)【要約】【課題】電気光学装置を小型化し、且つ表示品位を高める。【解決手段】遮光膜５４は、容量電極３００と同層に形成されており、且つ平面的に見て分岐配線Ｅ１、２、・・・、Ｅ６及びデータ線駆動回路１０１に重なるように形成されている。したがって、サンプリング回路２００、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６、及び画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−６は、額縁遮光膜５３及び遮光膜５４の夫々に遮光されているため、液晶装置１の動作時に、これら回路部及び配線のパターンの像が、映写幕に投影されることを低減できる。加えて、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６が、データ線１１４を同層に形成された低抵抗な金属膜であるため、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６を短くできる。【選択図】図１０
2008003382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画素領域で互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記複数の走査線及びデータ線の交差に応じて設けられた複数の画素電極と、
前記複数のデータ線のうちＮ本のデータ線を１群とするデータ線群毎に画像信号を供給するためにＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）系統にシリアル−パラレル変換された画像信号の夫々が供給されるＮ本の画像信号線と、
前記複数のデータ線の各々に対応して配列されており、前記Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本に夫々電気的に接続された複数の分岐配線と、
前記Ｎ本の画像信号線及び前記複数の分岐配線の少なくとも一部に重なる遮光膜とを備え、
前記Ｎ本の画像信号線、前記複数の分岐配線、及び前記遮光膜の夫々は、前記画素領域において互いに異なる層に形成された複数の金属膜の夫々と同層に形成されていること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極に電気的に接続され、且つ前記画像信号を保持する保持容量を備え、
前記複数の金属膜は、前記データ線、及び前記保持容量が有する一対の電極であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記遮光膜は、前記一対の電極のうち固定電位側電極と同層に形成されていること
を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記遮光膜は、前記固定電位側電極に電気的に接続されていること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画像信号を、サンプリング信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、
前記複数のサンプリングスイッチのうち前記データ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング信号を順次供給するデータ線駆動回路とを備えており、
前記サンプリングスイッチは、トランジスタであり、
前記分岐配線は、前記トランジスタのソース電極と同層に形成されていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶パネル等の電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、一般に、シリアル−パラレル変換された画像信号に基づいて駆動される。例えば、液晶装置において、基板上の画像表示領域に配線された複数のデータ線は所定の本数毎にブロック化されており、シリアル−パラレル変換された画像信号は、ブロック単位で、該ブロックに含まれるデータ線にサンプリングスイッチを介して供給される。これにより、所定の本数のデータ線が同時に、且つ複数のデータ線は所定の本数毎に順次駆動される。
【０００３】
この場合、複数の画像信号線は、基板の周辺領域に配列され、更に画像信号線からサンプリングスイッチまでは、導電性ポリシリコン等の比較的高抵抗の導電膜で形成された分岐配線及び分岐配線より低抵抗な補助中継用配線によって接続される。複数の分岐配線は、複数のデータ線の配列に対応して複数の画像信号線の配線方向と交差する方向に配列されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特許３６０３８８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の電気光学装置では、複数の分岐配線夫々の配線長は、画像信号線の配列に応じて相互に異なる。加えて、分岐配線が導電性ポリシリコン等の比較的高抵抗の導電膜で形成されている場合、分岐配線相互の電気抵抗が配線長の相違に応じて異なるため、分岐配線に抵抗部を付加することによって分岐配線相互の電気抵抗を揃え、画素相互における輝度ムラを低減している。
【０００６】
しかしながら、分岐配線に抵抗部を付加した場合、当該抵抗部のサイズに応じて分岐配線及び当該抵抗部を含む配線部の長さが大きくなってしまい、その分電気光学装置のサイズが大きくなってしまう問題点がある。
【０００７】
加えて、基板上におけるこれら画像信号線及び分岐配線が形成された領域に、光源から出射された光、或いは当該基板に対向配置された対向基板側で反射された光が入射した場合、当該電気光学装置を含むプロジェクタ等の電子機器によって画像が投影される映写幕に画像信号線等のパターンの像が写り込んでしまい、表示品位を低下させてしまう問題点もある。
【０００８】
よって、本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、サイズの小型化が可能となり、且つ表示品位の向上が可能な電気光学装置、及びこれを備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の画素領域で互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、前記複数の走査線及びデータ線の交差に応じて設けられた複数の画素電極と、前記複数のデータ線のうちＮ本のデータ線を１群とするデータ線群毎に画像信号を供給するためにＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）系統にシリアル−パラレル変換された画像信号の夫々が供給されるＮ本の画像信号線と、前記複数のデータ線の各々に対応して配列されており、前記Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本に夫々電気的に接続された複数の分岐配線と、前記Ｎ本の画像信号線及び前記複数の分岐配線の少なくとも一部に重なる遮光膜とを備え、前記Ｎ本の画像信号線、前記複数の分岐配線、及び前記遮光膜の夫々は、前記画素領域において互いに異なる層に形成された複数の金属膜の夫々と同層に形成されている。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置によれば、その駆動時には、シリアル−パラレル変換されたＮ個の画像信号が、Ｎ本の画像信号線に供給され、更に、データ線に対応して配列された分岐配線へと供給される。各分岐配線は、例えば、その一端側が、該分岐配線と画像信号線とを層間絶縁する層間絶縁層に開孔されたコンタクトホールを介して、画像信号線に電気的に接続されている。Ｎ個の画像信号は、例えば、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、例えば３相、６相、１２相、２４相、・・・など、複数のパラレルな画像信号に変換されることによって生成される。
【００１１】
このような画像信号の供給と並行して、データ線駆動回路によって、例えばデータ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。すると、サンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にＮ個の画像信号が順次供給される。よって、同一のデータ線群に属するデータ線は同時に駆動されることとなる。
【００１２】
このようにデータ線が駆動されると、各画素部では、例えば、走査線駆動回路から走査線を介して供給される走査信号に応じて画素電極が選択状態となり、スイッチング動作を行うＴＦＴ等の画素スイッチング素子を介して、データ線より画像信号が画素電極に供給される。これにより、例えば表示素子である液晶素子は供給された画像信号に基づいて画像表示を行う。
【００１３】
遮光膜は、例えば、ＴＦＴ等のスイッチング素子が形成された基板上における画素領域の周辺に延びる周辺領域において、Ｎ本の画像信号線及び前記複数の分岐配線の少なくとも一部に重なっている。したがって、遮光膜によれば、Ｎ本の画像信号線及び前記複数の分岐配線の少なくとも一部が映写幕に写り込むことを低減できる。
【００１４】
Ｎ本の画像信号線、複数の分岐配線、及び遮光膜の夫々は、画素領域において互いに異なる層に形成された複数の金属膜の夫々と同層に形成されている。より具体的には、Ｎ本の画像信号線、複数の分岐配線、及び遮光膜の夫々は、例えば複数の画素が配列されてなる表示領域である画素領域に形成された各種素子、或いは配線等の一部として形成された複数の金属膜の夫々と同層に形成されている。このような複数の金属膜は、画素領域における各種素子、或いは配線のレイアウトに応じて基板上における画素領域で互いに異なる層に形成されている。
【００１５】
Ｎ本の画像信号線、複数の分岐配線、及び遮光膜の夫々は、例えば、Ｎ本の画像信号線、複数の分岐配線、及び遮光膜の夫々と同層に形成された複数の金属膜の夫々と、共通工程によって同一膜として形成されている。したがって、画素領域に各種素子或いは配線を形成する工程と、Ｎ本の画像信号線、複数の分岐配線、及び遮光膜を形成する工程とを共用でき、電気光学装置の製造プロセスの工程数を低減できる。
【００１６】
このような複数の金属膜は、例えば導電性ポリシリコン等の半導体より低い電気抵抗を有するＡｌ等の金属を含む単層或いは多層構造を有する金属膜である。したがって、このような低抵抗な金属膜によれば、これら分岐配線の電気抵抗は、これら分岐配線の電気抵抗相互の違いを無視できる程度に小さくため、これら分岐配線の配線長の相違（即ち、電気抵抗の相違）に応じて生じる輝度ムラを低減できると共に、分岐配線の配線長を短くすることが可能である。このように、本発明に係る電気光学装置によれば、分岐配線を短くできる分、周辺領域において分岐配線が形成される領域を低減でき、電気光学装置のサイズを小さくできる。
【００１７】
以上、説明したように本発明に係る電気光学装置によれば、当該電気光学装置を含むプロジェクタ等の表示性能を高め、且つ製造コストを低減できると共に、電気光学装置を小型化できる。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記画素電極に電気的に接続され、且つ前記画像信号を保持する保持容量を備え、前記複数の金属膜は、前記データ線、及び前記保持容量が有する一対の電極であってもよい。
【００１９】
この態様によれば、画素領域に設けられたデータ線、及び保持容量が有する一対の電極の夫々と、画像信号線、分岐配線及び遮光膜の夫々とを、互いに同層に形成された同一の金属膜で構成できる。尚、データ線、及び一対の電極と、複数の金属膜との組み合わせは、電気光学装置の設計及びレイアウト等の諸条件に応じて便宜選択可能であるが、より確実に基板を遮光する観点からみれば、遮光膜は、複数の金属膜のうち最上層、或いは最下層に形成された金属膜と同層に形成されているほうが好ましい。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記一対の電極のうち固定電位側電極と同層に形成されていてもよい。
【００２１】
この態様によれば、一対の電極の一方である固定電位側電極を形成する際に、当該固定電位側電極を形成する工程と共通の工程で遮光膜を形成できる。
【００２２】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記固定電位側電極に電気的に接続されていてもよい。
【００２３】
この態様によれば、例えば固定電位を供給する電源に電気的に接続された外部回路接続端子に遮光膜を電気的に接続しておくことによって固定電位側電極に固定電位を供給できる。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記画像信号を、サンプリング信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、前記複数のサンプリングスイッチのうち前記データ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング信号を順次供給するデータ線駆動回路とを備えており、前記サンプリングスイッチは、トランジスタであり、前記分岐配線は、前記トランジスタのソース電極と同層に形成されていてもよい。
【００２５】
この態様によれば、例えばサンプリングスイッチとして基板上に形成されたＴＦＴ等のトランジスタを形成する工程の一部と分岐配線を形成する工程を共用できる。
【００２６】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００２７】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、液晶プロジェクタ等の投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００２８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の一例である液晶装置の全体構成を説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。尚、以下で詳細に説明するように、遮光膜５４が、本発明の「遮光膜」の一例に相当する。
【００３０】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１では、本発明に係る「基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素が配列されてなる画素領域である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。ＴＦＴアレイ基板１０の下面には、ガラス等の透明材料で構成された防塵用基板１２０ｂが配置されており、対向基板２０の上面には、防塵用基板１２０ｂと同様の材料で構成された防塵用基板１２０ａが配置されている。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａには、後に詳細に説明するようにマトリクス状に配置された複数の画素部７２が形成されている。このような画素部７２は、例えばスイッチング素子としてのＴＦＴ等の半導体素子を含んでおり、画像表示領域１０ａに延びる走査線及びデータ線に電気的に接続されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０は、例えばガラス基板或いは石英基板等の透明基板及びこの透明基板上に絶縁膜を含む多層構造が形成された基板である。対向基板２０も、ＴＦＴアレイ基板１０と同様にガラス基板等の透明基板、及び当該透明基板上に形成された多層構造を有している。
【００３２】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域のうち画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上において、額縁遮光膜５３が形成された額縁領域に重なる領域にサンプリング回路２００及び走査線駆動回路１０４が形成されている。したがって、サンプリング回路２００及び走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３によって遮光されている。
【００３３】
画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に延びる額縁領域に重なるように、サンプリング回路２００が設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に延びる額縁領域に設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これら上下導通端子１０６により、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３４】
図１及び図２において、遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引回配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。尚、図２において、遮光膜５４及びデータ線駆動回路１０１は、不図示の絶縁膜によって相互に電気的に絶縁されている。
【００３５】
遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び遮光膜５４で反射された光が額縁遮光膜５３によって反射され、額縁領域の外側からＴＦＴアレイ基板１０に入射する当該反射光を遮る。したがって、画像表示領域１０ａの周辺領域において、ＴＦＴアレイ基板１０に作り込まれた回路部に含まれる、素子或いは配線等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。例えば、データ線駆動回路１０１及び引回配線９０に照射される光が遮光膜５４によって遮られるため、データ線駆動回路１０１及び引回配線９０のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。尚、遮光膜５４は、遮光膜５３が形成された額縁領域に延在され、サンプリング回路２００を遮光していてもよい。
【００３６】
遮光膜５４は、防塵用基板１２０ａに遮光膜が設けられている場合に、防塵用基板１２０ａに設けられた遮光膜によって反射された反射光が周辺領域に入射したとしても、当該反射光が周辺領域からＴＦＴアレイ基板１０に入射することを低減でき、上述したパターンの像が映写膜に投影されることを低減することが可能である。
【００３７】
遮光膜５４は、画像表示領域１０ａに形成された互いに異なる金属膜の夫々と同層に形成されている。したがって、別途防塵用基板に遮光膜を形成する場合に比べて、遮光膜５４を簡便に形成できる。特に、このような金属膜を形成する工程と共通の工程によって当該金属膜と同一膜として遮光膜５４は形成されているため、一の工程で画像表示領域１０ａに形成された素子等の一部である金属膜及び遮光膜５４の２つの膜を形成でき、別途防塵用基板１２０ａに遮光膜を形成する場合に比べて液晶装置１の製造に要するコストを低減できる。
【００３８】
遮光膜５４は、遮光性を有する金属膜からなる単層或いは複数の金属膜が相互に積層された多層構造を有する膜であってもよいし、当該金属膜に加えて光反射防止膜を含んでいてもよい。遮光膜５４が光反射膜防止膜を含んでいる場合には、金属膜のみによって遮光膜５４が形成されている場合に比べて、遮光膜５４によって反射される反射光を低減できる。したがって、遮光膜によって反射された反射光うちＴＦＴアレイ基板１０に入射する迷光の割合を低減できる。特に、遮光膜５４によって反射される反射光を実践的に十分に低減するためには、遮光膜５４のＯＤ（Optical Density）値を４以上にしておくほうが好ましい。
【００３９】
遮光膜５４及び対向電極２１は、対向電極電位線９９及び上下導通端子１０６を介して相互に電気的に接続されていてもよい。上下導通端子１０６は、外部接続端子１０２のうち固定電位である共通電位（ＬＣＣＯＭ）を供給する電源に電気的に接続された外部接続端子１０２に引回配線９０の一つを介して電気的に接続されていてもよい。したがって、遮光膜５４及び対向電極２１の夫々の電位を固定電位に維持できる。よって額縁領域にある液晶（遮光膜５４と対向電極との間にあり、表示に寄与しない液晶分子）は常に電圧無印加状態であり、画像表示領域１０ａ（特に額縁に沿った領域）の液晶に余分な電圧が印加されることがないので、表示に悪影響を及ぼすことがない。
【００４０】
また、額縁の液晶に直流成分が印加されることがないので、液晶が劣化することがない。何故なら、額縁領域の液晶が劣化すると、画像表示領域１０ａの液晶にも劣化が伝播してしまうからである。
【００４１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、液晶を配向制御するための駆動素子である画素スイッチング素子として用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、画像表示領域１０ａにおける各画素の開口領域、即ち画素において実質的に光が透過する領域を規定する不図示の遮光膜が形成されている。対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０に臨む側の面には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。配向膜１６及び２２の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の夫々に形成されている。
【００４２】
液晶層５０は、画素電極９ａ及び対向電極２１間の電位差、即ち液晶に印加される印加電圧に応じて配向状態が制御され、画像表示領域１０ａに所定の画像が表示される。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４３】
＜１−２：電気光学装置の電気的な接続構成＞
次に、図３及び図４を参照しながら、液晶装置１の電気的な接続構成を説明する。図３は、液晶装置１をその周辺回路部と共に示したブロック図であり、図４は、液晶装置１の電気的な構成を示すブロック図である。図５は、画像信号線及び分岐配線と、サンプリング回路及びデータ線駆動回路との電気的な接続構成を示すブロック図である。
【００４４】
図３において、液晶装置１は、外部回路として設けられた画像信号供給回路１３００、タイミング制御回路１４００、及び電源回路７００に電気的に接続されている。
【００４５】
タイミング制御回路１４００は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路１４００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＸＣＬｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。
【００４６】
画像信号供給回路１３００には、外部から１系統の入力画像データＶＩＤが入力される。画像信号供給回路１３００は、１系統の入力画像データＶＩＤをシリアル−パラレル変換して、Ｎ相、本実施形態では６相（Ｎ＝６）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を生成する。更に、画像信号供給回路１３００において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々の電圧が、所定の基準電位に対して正極性及び負極性に反転され、このように極性反転された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が出力されるようにしてもよい。
【００４７】
電源回路７００は、固定電位である共通電位ＬＣＣＯＭを、図２に示す対向電極２１に供給する。本実施形態において、対向電極２１は、図２に示す対向基板２０の下側に、複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。
【００４８】
次に、液晶装置１の電気的な接続構成を説明する。
【００４９】
図４に示すように、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路２００を含む内部駆動回路が設けられている。
【００５０】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍを順次生成して出力する。
【００５１】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを順次生成して出力する。
【００５２】
サンプリング回路２００は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ２０２を複数備える。
【００５３】
液晶装置１は更に、そのＴＦＴアレイ基板の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２を備え、それらの交点に対応する各画素部７２に、マトリクス状に配列された液晶素子１１８に電圧を印加するための画素電極９ａ、及び画素電極９ａとデータ線１１４の導通をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０を備える。尚、本実施形態では特に、走査線１１２の総本数をｍ本（但し、ｍは２以上の自然数）とし、データ線１１４の総本数をｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）として説明する。
【００５４】
液晶装置１は、画像信号供給回路１３００で６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が供給される６本（即ち、Ｎ＝６）の画像信号線１７１を備えている。ｎ本のデータ線１１４は、以下に説明するように、画像信号線１７１の本数に対応する６本のデータ線１１４を１群とするデータ線群毎に、順次駆動される。
【００５５】
データ線駆動回路１０１から、データ線群に対応するサンプリングスイッチ２０２毎にサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が順次供給され、サンプリング信号Ｓｉに応じて各サンプリングスイッチ２０２はオン状態となる。後述するように、各サンプリングスイッチ２０２は、分岐配線を介して画像信号線１７１に接続されている。
【００５６】
よって、６本の画像信号線１７１から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、オン状態となったサンプリングスイッチ２０２を介して、データ線群に属するデータ線１１４に同時に、且つデータ線群毎に順次供給され、データ線群に属するデータ線１１４は互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態では、ｎ本のデータ線１１４をデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数を低減できる。
【００５７】
図４中、一つの画素部７２の構成に着目すれば、ＴＦＴ３０のソース電極には、画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、・・・、６）が供給されるデータ線１１４が電気的に接続されている。ＴＦＴ３０のゲート電極には、走査信号Ｙｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｍ）が供給される走査線１１２が電気的に接続されている。ＴＦＴ３０のドレイン電極には、画素電極９ａが電気的に接続されている。ここで、各画素部７２において、液晶素子１１８は、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。従って、各画素部７２は、走査線１１２とデータ線１１４との各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。
【００５８】
走査線駆動回路１０４から出力される走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍによって、各走査線１１２は線順次に選択される。選択された走査線１１２に対応する画素部７２において、ＴＦＴ３０に走査信号Ｙｊが供給されると、ＴＦＴ３０はオン状態となり、当該画素部７２は選択状態となる。画素電極９ａには、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線１１４より画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とし、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として画像表示領域１０ａの各画素からは画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５９】
ここで、液晶装置１は、画像信号がリークすることを防ぐために、画像信号に応じた電位を保持する保持容量７０を備えている。保持容量７０は、液晶素子１１８と並列に付加されている。保持容量７０によれば、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００６０】
図５において、画像信号線１７１−１、・・・、１７１−６は、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・Ｅ６を介して対応する第ｉデータ線群に画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を供給する。同様に、画像信号線１７１−１、・・・、１７１−６は、第ｉデータ線群に隣接する第（ｉ−１）データ線群及び第（ｉ＋１）データ線群にも画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を供給する。分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・Ｅ６は、画像供給線１７１−１、・・・、１７１−６と層間絶縁膜を介して異なる層上に配設されているため、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・Ｅ６の夫々は、これら分岐配線と電気的に接続されるべき画像信号線以外の画像信号線と電気的に絶縁されている。より具体的には、例えば、コンタクトホールを介して画像供給線１７１−１と電気的に分岐された分岐配線Ｅ１は、画像信号線１７１−２、・・・、１７１−６と交差するが、これら画像信号線と交差する領域で電気的に絶縁されている。
【００６１】
６本の分岐配線Ｅ１〜Ｅ６は、第ｉデータ線群に属するデータ線１１４ｅ（１１４ｅ−１〜１１４ｅ−６）の配列に対応して配列されている。６本の画像信号線１７１−１〜１７１−６は、データ線１１４ｅの配列方向に交差する方向に沿って配列されている。６本の分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・Ｅ６の夫々の一端は、６本の画像信号線１７１−１〜１７１−６のうち対応する一本に、夫々電気的に接続されると共に、これら６本の分岐配線Ｅ１〜Ｅ６の他端は夫々サンプリングスイッチ２０２を介してデータ線１１４ｅに電気的に接続される。各サンプリングスイッチを構成するＴＦＴ２０２は、ソースが分岐配線Ｅｋ（ｋ＝１、２、・・・、６）に接続されていると共に、ドレインがデータ線１１４ｅに電気的に接続されている。各ＴＦＴ２０２のゲートは、制御配線Ｘ１〜Ｘ６を介してデータ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉは、液晶装置１の動作時に、データ線駆動回路１０１から制御配線Ｘ１〜Ｘ６に供給され、ＴＦＴ２０２がオフ状態からオン状態に切り換えられる。
【００６２】
＜１−３：画素部の具体的な構成＞
次に、図６乃至図９を参照しながら、液晶装置１の画素部の具体的な構成を説明する。図６乃至図８は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。図６及び図７の夫々は、後述する積層構造のうち下層部分（図６）と上層部分(図７)に相当する。図８は、積層構造を拡大した平面図であり、図６及び図７を重ね合わせた平面図である。図９は、図６及び図７を重ね合わせたＩＸ−ＩＸ´線断面図である。尚、図９では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００６３】
図６乃至図９では、上述した画素部７２の各回路要素は、下から順に、走査線１１２を含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線１１４等を含む第３層、保持容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図６に示され、第４層から第５層が上層部分として図７に示されている。
【００６４】
（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１２で構成されている。走査線１１２は、図６のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線１１４が延在する図６中のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。走査線１１２は、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。本実施形態では特に、走査線１１２は、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａに対向する領域を含むように配置された導電膜である。したがって、走査線１１２は、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、液晶装置をライトバルブとして用いて複板式のプロジェクタを構築した場合に、他の液晶装置から発せられプリズム等の合成光学系を突き抜けてくる光等の戻り光について、チャネル領域１ａを下層側から遮光できる。
【００６５】
（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０を含んで構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６６】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１２に電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもかまわない。
【００６７】
（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線１１４及び中継層６００を含んで構成されている。
【００６８】
データ線１１４は、アルミニウム等の金属膜を含む単層或いは多層構造を有する金属膜である。また、データ線１１４は、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されていてもよい。データ線１１４は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を部分的に覆うように形成されている。このため、チャネル領域１ａ´に近接配置可能なデータ線１１４によって、上層側からの入射光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を遮光できる。データ線１１４は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【００６９】
中継層６００は、データ線１１４と同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線１１４とは、図６に示したように、夫々が分断されるように形成されている。中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００７０】
第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００７１】
（第４層の構成―保持容量等―）
第４層は、保持容量７０を含んで構成されている。保持容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。容量電極３００及び下部電極７１が、本発明に係る「一対の電極」の一例である。容量電極３００の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。
【００７２】
容量電極３００及び下部電極７１は、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属のうち少なくとも一種の金属を含む単層或いは多層構造を有する金属膜である。また容量電極３００及び下部電極７１は、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライドこれらを積層したものであってもよい。データ線１１４上に層間絶縁膜４２を介してＴＦＴ３０に近接して配置された保持容量７０は、上層側からの入射光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を確実に遮光できる。
【００７３】
加えて、図７に示すように、容量電極３００は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、下部電極７１よりも小さい領域に形成されている。即ち、下部電極７１の縁付近において、誘電体膜７５を介して対向する側に容量電極３００が形成されていないので、縁付近における製造不良でショートが生じる可能性や、電界集中により欠陥が生じる可能性を低減できる。
【００７４】
図７に示すように、誘電体膜７５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている。即ち、誘電体膜７５は、開口領域に殆ど形成されていない。よって、誘電体膜７５が、仮に不透明な膜であっても、開口領域における光の透過率を低下させないで済む。従って、誘電体膜７５は、透過率を考慮せず、誘電率が高いシリコン窒化膜等から形成されている。このため更に、誘電体膜７５は、水分や湿気を防ぐための膜としても機能させることが可能となり、耐水性、耐湿性を高めることも可能となる。尚、誘電体膜としては、シリコン窒化膜の他、例えば、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。
【００７５】
（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、第２層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。
【００７６】
画素電極９ａ（図７中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線１１４及び走査線１１２が格子状に配列するように形成されている（図６及び図７参照）。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる。
【００７７】
画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、容量電極３００の延在部と電気的に接続されている（図９参照）。よって、画素電極９ａの直下の導電膜である容量電極３００の電位は、画素電位となっている。従って、液晶装置の動作時に、画素電極９ａとその下層の導電膜との間の寄生容量により、画素電位が悪影響を受けることはない。
【００７８】
更に上述したように、容量電極３００の延在部及び中継層６００と、中継層６００及びＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００の延在部を中継して中継接続されている。従って、画素電極及びドレイン間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を回避できる。しかも、積層構造及び製造工程の複雑化を招かない。画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。
【００７９】
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図９では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【００８０】
このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【００８１】
以上説明した画素部の構成は、図６及び図７に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置１では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８２】
このような画素部７２を有する液晶装置１において、容量電極３００、下部電極７１及びデータ線１１４が、本発明の「複数の金属膜」の一例である。容量電極３００、下部電極７１及びデータ線１１４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において互いに異なる層に形成されている。
【００８３】
図１乃至図２に示した遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、容量電極３００と同層に同一膜として形成されている。したがって、遮光膜５４によれば、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域において、下部電極７１及びデータ線１１４の夫々と同層に同一膜として形成された金属膜で構成された配線或いは当該金属膜を含む各種素子に照射される光を遮ることが可能である。したがって、遮光膜５４は、これら配線或いは各種素子のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。
【００８４】
尚、遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された複数の金属膜のうち最上層に形成された容量電極３００と同層に形成されていなくてもよく、例えば、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域において、下部電極７１或いはデータ線１１４と同層に同一膜として形成されていてもよい。遮光膜５４が、複数の金属膜のうち最上層に形成された金属膜より下層側に形成された金属膜と同層に形成された膜であっても、周辺領域に設けられた配線或いは各種素子等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減する効果は相応に得られる。
【００８５】
加えて、遮光膜５４は、不図示の配線を介して上下導通端子１０６に電気的に接続されているため、固定電位を供給する電源に電気的に接続された外部接続端子１０２を介して固定電位が供給されている。したがって、遮光膜５４が下部電極７１と同層に形成されている場合、下部電極７１及び遮光膜５４を電気的に接続しておくことにより、固定電位を供給する配線として遮光膜５４を共用し、下部電極７１に固定電位を供給することも可能である。
【００８６】
＜１−４：周辺領域におけるサンプリング回路及び配線等の具体的な構成＞
次に、図１０及び図１１を参照しながら、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域におけるサンプリング回路及び配線等の具体的な構成を説明する。図１０は、周辺領域におけるサンプリング回路及び各種配線の構成を示す平面図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ´線断面図である。
【００８７】
図１０において、画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−６は、コンタクトホール９１−１、９１−２、・・・、９１−６を介して分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６に電気的に接続されている。分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６の一端は、ＴＦＴ２０２のソース電極として共用されている。したがって、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６及びＴＦＴ２０２のソース電極は同層に形成されており、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６及びＴＦＴ２０２のソース電極を共通の工程で形成可能である。このような分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６及びソース電極によれば、液晶装置１の製造プロセスにおける工程数を低減でき、液晶装置１の製造に要する製造コストを低減できる。尚、ＴＦＴ２０２のソース電極として共用される分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６の一端は、ＴＦＴ２０２が有する半導体層のソース領域にコンタクトホールＣＮＴＳを介して電気的に接続されている。
【００８８】
サンプリング回路２００を構成するＴＦＴ２０２のゲートと、データ線駆動回路１０１とは、制御線１７２、コンタクトホール９２及び制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ６を介して電気的に接続されている。制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ６及び制御線１７２は、ＴＦＴアレイ基板１０上において互いに異なる層に形成されており、コンタクトホール９２を介して相互に電気的に接続されている。制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ６の夫々は、制御線１７２のうち画像信号線１７１に沿って延びる部分から分岐し、ＴＦＴ２０２のゲート電極と共用されている。
【００８９】
データ線１１４の一端は、ＴＦＴ２０２のドレイン電極として共用されており、ＴＦＴ２０２が有する半導体層のドレイン領域にコンタクトホールＣＮＴＤを介して電気的に接続されている。したがって、制御線１７２を介してサンプリング信号ＳｉがＴＦＴ２０２のゲートに供給されると、ＴＦＴ２０２がオフ状態からオン状態に切り換わる。この状態で、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６を介して各ＴＦＴ２０２のソースに供給された画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、・・・、ＶＩＤ６がデータ線１１４に供給される。
【００９０】
額縁遮光膜５３は、平面的に見てサンプリング回路２００に重なるように形成されている。遮光膜５４は、平面的に見て分岐配線Ｅ１、２、・・・、Ｅ６及びデータ線駆動回路１０１に重なるように形成されている。したがって、サンプリング回路２００、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６、及び画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−６は、額縁遮光膜５３及び遮光膜５４の夫々に遮光されているため、液晶装置１の動作時に、これら回路部及び配線のパターンの像が、映写幕に投影されることを低減できる。
【００９１】
尚、額縁遮光膜５３を設けることなく、遮光膜５４をサンプリング回路２００に重なるように形成してもよい。即ち、遮光膜５４によって、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定することも可能である。遮光膜５４は、サンプリング回路２００、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６、及び画像信号線１７１−１、１７１−２、１７１−６の少なくとも一つに重なっていれば、映写幕に投影されるパターンの像を相応に低減できる。
【００９２】
図１１において、分岐配線Ｅ１は、第１層間絶縁膜４１上に形成されている。同様に、分岐配線Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ６も、第第１層間絶縁膜４１上に形成されている。したがって、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６は、金属膜であるデータ線１１４と同層に形成されている。このような分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６及びデータ線１１４は、第第１層間絶縁膜４１上に共通工程によって同種の金属を含む金属膜を形成した後、当該金属膜を所定のパターンにパターニングすることによって分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・Ｅ６及びデータ線１１４が形成される。したがって、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・Ｅ６及びデータ線１１４を共通の工程で形成できる。
【００９３】
画像信号線１７１は、第２層間絶縁膜４２上に形成されている。したがって、画像信号線１７１は、金属膜である下部電極７１と同層に形成されている。このような画像信号線１７１及び下部電極７１は、第２層間絶縁膜４２上に共通工程によって同種の金属を含む金属膜を形成した後、当該金属膜を所定のパターンにパターニングすることによって画像信号線１７１及び下部電極７１が形成される。したがって、画像信号線１７１及び下部電極７１を共通の工程で形成できる。
【００９４】
遮光膜５４は、層間絶縁膜として機能する誘電体膜７５上に形成されている。したがって、遮光膜５４は、容量電極３００と同層に形成されている。このような遮光膜５４及び容量電極３００は、誘電体膜７５上に同一工程によって同種の金属を含む金属膜を形成した後、当該金属膜を所定のパターンにパターニングすることによって遮光膜５４及び容量電極３００が形成される。したがって、遮光膜５４及び容量電極３００を共通の工程で形成できる。
【００９５】
加えて、画像信号線１７１−１、・・・、１７１−６、及び分岐配線Ｅ１、・・・、Ｅ６は、アルミニウム等の金属材料を含む金属膜である。したがって、画像信号線１７１−１、・・・、１７１−６、及び分岐配線Ｅ１、・・・、Ｅ６は、導電性ポリシリコン等の半導体で構成されるゲート電極３ａに比べて相対的に電気的抵抗が小さい低抵抗膜である。
【００９６】
このような低抵抗膜とされる分岐配線Ｅ１、・・・、Ｅ６の電気抵抗は、導電性ポリシリコン等の半導体によって分岐配線を構成する場合に比べて分岐配線相互の電気抵抗の違いを無視できる程度に小さい。したがって、各ＴＦＴ２０２から各画像信号線１７１に延びる分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６の夫々の配線長の相違（即ち、電気抵抗の相違）に応じて、画像表示領域１０ａに生じる輝度ムラを低減できる。
【００９７】
加えて、画像表示領域１０ａに生じる輝度ムラを低減する目的で、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６相互の電気抵抗が揃うように各分岐配線に抵抗部を設けなくてもよいため、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６の配線長を短くすることが可能である。したがって、液晶装置１によれば、分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６の配線長を短くできる分、周辺領域のうち分岐配線Ｅ１、Ｅ２、・・・、Ｅ６が形成される領域を低減でき、液晶装置１のサイズを小さくできる利点がある。
【００９８】
尚、遮光膜５４は、下部電極７１と同層に形成されたアルミニウム等の金属を含む金属膜であってもよい。このような遮光膜５４は、遮光膜５４と同層に形成された下部電極７１に電気的に接続され、且つ保持容量７０の固定電位を供給されていてもよい。下部電極７１に電気的に接続された遮光膜５４によれば、固定電位を供給する電源に電気的に接続された外部回路接続端子１０２に遮光膜５４を電気的に接続しておくことによって、固定電位側電極とされる下部電極７１に固定電位を供給できる。
【００９９】
保持容量７０に含まれる一対の電極のうち固定電位が供給される固定電位側電極は、画素電極が供給される画素電位側電極より上層に形成されていてもよい。画素電位電極より上層に形成された固定電位側電極と遮光膜５４とを同層に形成することによって、互いに異なる層を相互に電気的に接続するコンタクトホール等の接続手段を用いることなく固定電位側電極及び遮光膜５４を電気的に接続することも可能である。
【０１００】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、電気光学装置の表示品位を高めることができると共に、当該電気光学装置の製造に要するコストを低減することが可能であり、且つ電気光学装置を小型化できる。
【０１０１】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置を各種電子機器に適用する場合について説明する。
【０１０２】
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１２は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。図１２に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１０３】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０４】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１０５】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１０６】
このようなプロジェクタ１１００によれば、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに形成されたデータ線駆動回路等のパターンの像が映写幕に写り込むことが低減されているため、高品位の画像表示が可能である。加えて、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇを小型化できるため、プロジェクタ１１００全体のサイズを小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る電気光学装置をその周辺回路部と共に示したブロック図である。
【図４】本実施形態に係る電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図５】画像信号線及び分岐配線と、サンプリング回路及びデータ線駆動回路との電気的な接続構成を示すブロック図である。
【図６】本実施形態に係る電気光学装置の積層構造のうち下層部分を示す平面図である。
【図７】本実施形態に係る電気光学装置の積層構造のうち上層部分を示す平面図である。
【図８】図６及び図７を重ね合わせた平面図である。
【図９】図６及び図７の夫々におけるＩＸ−ＩＸ´線断面図である。
【図１０】本実施形態に係る電気光学装置の周辺領域におけるサンプリング回路及び各種配線の構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ´線断面図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の一実施形態に係る液晶プロジェクタの構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、７２・・・画素部、５３・・・額縁遮光膜、５４・・・遮光膜、７０・・・保持容量、７１・・・下部電極、１１２・・・走査線、１１４・・・データ線、１７１・・・画像信号線、Ｅ１，Ｅ２，・・・，Ｅ６・・・分岐配線、３００・・・容量電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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