(57)【要約】【課題】製造歩留まりの向上を図ることができる圧電振動子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る圧電振動子１００の製造方法は，基板２、基板の上方に形成された第１層３、および第１層の上方に形成された第２層４を有する基体１を用意する工程と、基体の上方に駆動部２０を形成する工程と、第２層をパターニングして、支持部４０、支持部の内側を基端とし他端を支持部に接しないように設けられた振動部１０、支持部と振動部を連続させる接続部３０、および第１層を露出させる開口部を形成する工程と、開口部により露出した部分から第１層の一部をウェットエッチングにより除去して、少なくとも振動部の下方に空隙部８０を形成する工程と、空隙部を形成した後に、接続部をドライエッチングにより除去する工程と、を含み、駆動部を形成する工程は、基体の上方に第１電極２２を形成する工程と、第１電極の上方に圧電体層２４を形成する工程と、圧電体層の上方に第２電極２６を形成する工程と，を有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、該基板の上方に形成された第１層、および該第１層の上方に形成された第２層を有する基体を用意する工程と、
前記基体の上方に駆動部を形成する工程と、
前記第２層をパターニングして、支持部、該支持部の内側を基端とし他端を該支持部に接しないように設けられた振動部、該支持部と該振動部を連続させる接続部、および前記第１層を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部により露出した部分から前記第１層の一部をウェットエッチングにより除去して、少なくとも前記振動部の下方に空隙部を形成する工程と、
前記空隙部を形成した後に、前記接続部をドライエッチングにより除去する工程と、を含み、
前記駆動部を形成する工程は、
前記基体の上方に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上方に圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層の上方に第２電極を形成する工程と、を有する、圧電振動子の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１層は、絶縁層であり、
前記第２層は、半導体層である、圧電振動子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記振動部は、１本のビーム部から構成されるように形成され、
前記駆動部は、前記１本のビーム部に対して１つ設けられる、圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記振動部および前記接続部のそれぞれは、矩形の平面形状となるように形成され、
前記振動部および前記接続部は、一体的な矩形の平面形状となるように形成される、圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記振動部および前記接続部のそれぞれは、矩形の平面形状となるように形成され、
前記接続部は、該接続部の前記支持部に接する端の幅が前記振動部の自由端の幅よりも狭くなるように形成される、圧電振動子の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記振動部は、基部および該基部を基端とする２本のビーム部から構成される音叉形状を有するように形成され、
前記駆動部は、各前記ビーム部に対して１対ずつ設けられる、圧電振動子の製造方法。
【請求項７】
基体と、
前記基体の一部からなる支持部と、
前記基体の一部からなり、一端を前記支持部の内側に固定し他端を自由にした振動部と、
前記振動部の屈曲振動を生成する駆動部と、を含み、
前記振動部は、１本のビーム部から構成され、
前記振動部の自由端の幅は、該振動部の固定端の幅よりも狭く、
前記駆動部は、
前記基体の上方に形成された第１電極と、
前記第１電極の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された第２電極と、を有する、圧電振動子。
【請求項８】
請求項７において、
前記振動部の平面形状は、前記自由端と前記固定端とが平行な台形である、圧電振動子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、時計やマイコンなどの情報機器では、クロックモジュールの発振器部分に圧電振動子が用いられている。圧電振動子には、圧電効果で駆動する方式が広く用いられている。最近では、シリコン基板上に、圧電体薄膜を上下の電極で挟んだ駆動部を設けた圧電振動子が開発されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２４９３９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、製造歩留まりの向上を図ることができる圧電振動子の製造方法および該製造方法により得られる圧電振動子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係る圧電振動子の製造方法は、
基板、該基板の上方に形成された第１層、および該第１層の上方に形成された第２層を有する基体を用意する工程と、
前記基体の上方に駆動部を形成する工程と、
前記第２層をパターニングして、支持部、該支持部の内側を基端とし他端を該支持部に接しないように設けられた振動部、該支持部と該振動部を連続させる接続部、および前記第１層を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部により露出した部分から前記第１層の一部をウェットエッチングにより除去して、少なくとも前記振動部の下方に空隙部を形成する工程と、
前記空隙部を形成した後に、前記接続部をドライエッチングにより除去する工程と、を含み、
前記駆動部を形成する工程は、
前記基体の上方に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上方に圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層の上方に第２電極を形成する工程と、を有する。
【０００５】
本発明に係る圧電振動子の製造方法では、前記空隙部をウェットエッチングにより形成する工程において、前記振動部は前記接続部によって前記支持部に固定されている。例えば、前記振動部が固定されていない状態でウェットエッチングを行うと、前記振動部の自由端側の下面が前記空隙部の底面または前記振動部の左右のパターンに貼り付いて剥がれなくなる問題（いわゆるスティッキング）が生じる場合がある。これに対し、本発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、前記振動部が前記接続部によって前記支持部に固定されているため、上記の問題が生じることがない。その結果、圧電振動子の製造歩留まりの向上を図ることができる。
【０００６】
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【０００７】
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記第１層は、絶縁層であり、
前記第２層は、半導体層であることができる。
【０００８】
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記振動部は、１本のビーム部から構成されるように形成され、
前記駆動部は、前記１本のビーム部に対して１つ設けられることができる。
【０００９】
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記振動部および前記接続部のそれぞれは、矩形の平面形状となるように形成され、
前記振動部および前記接続部は、一体的な矩形の平面形状となるように形成されることができる。
【００１０】
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記振動部および前記接続部のそれぞれは、矩形の平面形状となるように形成され、
前記接続部は、該接続部の前記支持部に接する端の幅が前記振動部の自由端の幅よりも狭くなるように形成されることができる。
【００１１】
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記振動部は、基部および該基部を基端とする２本のビーム部から構成される音叉形状を有するように形成され、
前記駆動部は、各前記ビーム部に対して１対ずつ設けられることができる。
【００１２】
本発明に係る圧電振動子は、
基体と、
前記基体の一部からなる支持部と、
前記基体の一部からなり、一端を前記支持部の内側に固定し他端を自由にした振動部と、
前記振動部の屈曲振動を生成する駆動部と、を含み、
前記振動部は、１本のビーム部から構成され、
前記振動部の自由端の幅は、該振動部の固定端の幅よりも狭く、
前記駆動部は、
前記基体の上方に形成された第１電極と、
前記第１電極の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された第２電極と、を有する。
【００１３】
本発明に係る圧電振動子において、
前記振動部の平面形状は、前記自由端と前記固定端とが平行な台形であることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１５】
１．  まず、本実施形態に係る圧電振動子１００について説明する。図１は、本実施形態に係る圧電振動子１００を概略的に示す平面図であり、図２は、圧電振動子１００を概略的に示す断面図である。なお、図２は、図１のII−II線断面図である。
【００１６】
圧電振動子１００は、図１および図２に示すように、基体１と、支持部４０と、振動部１０と、駆動部２０と、を含む。
【００１７】
基体１は、例えば図２に示すように、基板２と、基板２上に形成された第１層３と、第１層３上に形成された第２層４と、を有する。第１層３は、例えば絶縁層であり、第２層４は、例えば半導体層である。基体１としては、例えばＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板などを用いることができる。例えば、基板２としてシリコン基板、第１層（以下「絶縁層」ともいう）３として酸化シリコン層、第２層（以下「半導体層」ともいう）４としてシリコン層を用いることができる。半導体層４内には各種の半導体回路を作り込むことができる。半導体層４としてシリコン層を用いることが、一般的な半導体製造技術を利用できる点で有利である。絶縁層３の厚さは、例えば２μｍ〜４μｍであり、半導体層４の厚さは、例えば４μｍ〜２０μｍである。
【００１８】
支持部４０は、基体１の一部からなる。支持部４０は、例えば図示のように、半導体層４の一部からなる。支持部４０は、振動部１０を支持することができる。支持部４０は、例えば図示のような矩形の枠状に形成される。
【００１９】
振動部１０は、基体１の一部からなる。振動部１０は、例えば図示のように、半導体層４の一部からなる。振動部１０の一端は、支持部４０の内側に固定されており、他端は自由にされている。振動部１０は、例えば図示のように、１本のビーム部から構成されている。振動部１０の平面形状は、例えば矩形（長方形および正方形）であり、図示の例では長方形である。振動部１０は、図２に示すように、基体１の絶縁層３の一部を除去して形成された空隙部８０上に形成されている。空隙部８０の平面形状は、例えば矩形であり、図示の例では長方形であり、その長手方向は、振動部１０の長手方向と同じ方向（Ｘ方向）である。振動部１０の周りには、振動部１０の振動を許容する開口部４２が形成されている。開口部４２および振動部１０は、平面視（図１）において一体的に見ると、例えば空隙部８０に一致している。
【００２０】
駆動部２０は、振動部１０の屈曲振動を生成する。駆動部２０は、図１に示すように、１本のビーム部に対して１つ設けられている。駆動部２０の平面形状は、例えば矩形であり、図示の例では長方形であり、その長手方向は、振動部１０の長手方向と同じ方向（Ｘ方向）である。駆動部２０は、図２に示すように、基体１（より具体的には半導体層４）の上方に形成された第１電極２２と、第１電極２２上に形成された圧電体層２４と、圧電体層２４上に形成された第２電極２６と、を有する。駆動部２０は、さらに、半導体層４と第１電極２２との間に形成された下地層５を有することができる。駆動部２０の主要部は、例えば図１および図２に示すように、振動部１０の固定端側の上に形成されており、駆動部２０の一部（より具体的には下地層５および第１電極２２）は、例えば支持部４０の上にも形成されている。
【００２１】
下地層５は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）層、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層等の絶縁層である。下地層５は、例えば２層以上の複合層で構成されていても良い。下地層５の厚さは、例えば１μｍである。
【００２２】
第１電極２２は、例えばＰｔなどの電極材料からなることができる。第１電極２２の厚さは、十分に低い電気抵抗値が得られる厚さであれば良く、例えば１０ｎｍ以上５μｍ以下とすることができる。
【００２３】
圧電体層２４は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ３：ＰＺＴ）、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３：ＰＺＴＮ）などの圧電材料からなることができる。圧電体層２４の厚さは、例えば０．１μｍ〜２０μｍとすることができる。
【００２４】
第２電極２６は、例えばＰｔなどの電極材料からなることができる。第２電極２６の厚さは、十分に低い電気抵抗値が得られる厚さであれば良く、例えば１０ｎｍ以上５μｍ以下とすることができる。
【００２５】
なお、図示の例では、駆動部２０において、第１電極２２と第２電極２６の間には圧電体層２４のみが存在するが、両電極２２，２６間に圧電体層２４以外の層を有していても良い。圧電体層２４の膜厚は、共振条件に応じて適宜変更することができる。
【００２６】
本実施形態に係る圧電振動子１００では、駆動部２０に交互に逆向きの電界を印加することにより、振動部１０を上下方向（Ｚ方向）に屈曲振動させることができる。
【００２７】
２．  次に、本実施形態に係る圧電振動子１００の製造方法の一例について図面を参照しながら説明する。図３は、本実施形態の圧電振動子１００の一製造工程を概略的に示す断面図であり、図４は、圧電振動子１００の一製造工程を概略的に示す平面図であり、図５〜図８は、圧電振動子１００の一製造工程を概略的に示す断面図である。なお、図３、図７、および図８は、図２に示す断面図に対応しており、図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図であり、図６は、図４のVI−VI線断面図である。
【００２８】
（１）まず、図３に示すように、基板２上に絶縁層３および半導体層４がこの順に配置された基体１を用意する。
【００２９】
（２）次に、基体１上に、駆動部２０を形成する。具体的には、基体１上に駆動部２０を構成する下地層５、第１電極２２、圧電体層２４、および第２電極２６を順次形成する。
【００３０】
下地層５は、熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタ法などにより形成される。下地層５は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされ、所望の形状に形成されることができる。
【００３１】
第１電極２２は、蒸着法、スパッタ法、めっき法などにより形成される。第１電極２２は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされ、所望の形状に形成されることができる。
【００３２】
圧電体層２４は、レーザーアブレーション法、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、溶液法（ゾルゲル法）などにより形成される。例えば、レーザーアブレーション法を用いてチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層２４を形成する場合には、レーザー光をＰＺＴ用ターゲット、例えばＰｂ１．０５Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８ＮｂＯ３のターゲットに照射する。そして、このターゲットから鉛原子、ジルコニウム原子、チタン原子、および酸素原子をアブレーションによって放出させ、レーザーエネルギーによってプルームを発生させ、このプルームを基体１に向けて照射する。これにより、第１電極２２上にＰＺＴからなる圧電体層２４が成膜される。圧電体層２４は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされ、所望の形状に形成される。
【００３３】
第２電極２６は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより形成される。第２電極２６は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされ、所望の形状に形成される。
【００３４】
（３）次に、図４〜図６に示すように、基体１の半導体層４を所望の形状にパターニングして、支持部４０、振動部１０、接続部３０、および第１開口部４４を形成する。支持部４０、振動部１０、および接続部３０は、半導体層４を刳り貫いて絶縁層３を露出させる第１開口部４４を形成することにより得られる。振動部１０は、支持部４０の内側を基端として、振動部１０のその他の端が支持部４０に接しないように設けられる。接続部３０は、支持部４０と振動部１０を連続させ、かつ、後述する絶縁層３のウェットエッチング工程において、空隙部８０が所望の位置に形成されるように設けられれば良い。具体的には、例えば図４および図５に示すように、接続部３０は、振動部１０の自由端１０ａと支持部４０とをＸ方向に沿って連続させるように設けられる。振動部１０および接続部３０は、例えば図４に示すような一体的な矩形の平面形状となるように形成される。振動部１０の幅（短手方向の長さ）と接続部３０の幅（短手方向の長さ）は、例えば図４に示すように、同じである。
【００３５】
半導体層４は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされる。エッチング技術としては、ドライエッチング法やウェットエッチング法を用いることができる。本パターニング工程においては、基体１の絶縁層３をエッチングストッパ層として用いることができる。即ち、半導体層４をエッチングする際には、絶縁層（第１層）３のエッチング速度は、半導体層（第２層）４のエッチング速度よりも遅い。
【００３６】
（４）次に、第１開口部４４により露出した部分から基体１の絶縁層３をウェットエッチングして、図７に示すように、少なくとも振動部１０の下に空隙部８０を形成する。空隙部８０は、接続部３０を除去した状態（接続部３０の除去については後述する）で振動部１０が屈曲振動できるように形成される。空隙部８０は、例えば、振動部１０、接続部３０、および第１開口部４４の下に形成される。絶縁層３が酸化シリコンからなる場合には、例えばフッ化水素酸を用いて絶縁層３をウェットエッチングすることができる。本工程では、例えば、基板２および半導体層４をエッチングストッパ層として用いることにより、フォトリソグラフィ技術を用いることなく絶縁層３をウェットエッチングすることができる。即ち、絶縁層３をエッチングする際には、半導体層（第２層）４のエッチング速度は、絶縁層（第１層）３のエッチング速度よりも遅い。
【００３７】
（５）次に、接続部３０をドライエッチングにより除去する。まず、基体１上の全面にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、図８に示すように、接続部３０以外の領域を覆うレジスト層９０を形成する。接続部３０上には、レジストに開けられたレジスト開口部９２が形成される。レジスト層９０は、例えば空隙部８０および第１開口部４４を埋め込むことができる。次に、レジスト層９０をマスクとして、ドライエッチングにより接続部３０を除去する。その後、レジスト層９０をアッシングにより除去する。
【００３８】
本工程において、接続部３０を除去することにより、振動部１０の自由端１０ａに対する機械的拘束力が無くなり、振動部１０が十分に振動できるようになる。また、本工程により、図１および図２に示すように、開口部（第２開口部）８０が形成される。
【００３９】
（６）以上の工程により、図１および図２に示すように、本実施形態の圧電振動子１００が形成される。
【００４０】
３．  本実施形態の圧電振動子１００の製造方法では、空隙部８０をウェットエッチングにより形成する工程において、振動部１０は接続部３０によって支持部４０に固定されている。例えば、振動部１０が固定されていない状態でウェットエッチングを行うと、振動部１０の自由端１０ａ側の下面が空隙部８０の底面（基板２の上面）または振動部１０の左右のパターンに貼り付いて剥がれなくなる問題（いわゆるスティッキング）が生じる場合がある。これに対し、本実施形態の圧電振動子１００の製造方法によれば、振動部１０が接続部３０によって支持部４０に固定されているため、上記の問題が生じることがない。その結果、圧電振動子１００の製造歩留まりの向上を図ることができる。
【００４１】
また、本実施形態の圧電振動子１００の製造方法によれば、接続部３０の長手方向（Ｘ方向）の長さを適宜変更することにより、振動部１０の長さを変更することができる。即ち、接続部３０をドライエッチングにより除去する工程において、レジスト開口部９２の長手方向の長さを変更することにより、振動部１０の長さを自由に変更することができる。振動部１０の長さを変更することにより、圧電振動子１００の屈曲振動の共振周波数を変更することができる。従って、本実施形態の圧電振動子１００の製造方法によれば、空隙部８０を形成するウェットエッチング工程までを共通のプロセスとして、その後のドライエッチング工程のレジストパターンを変えるだけで、任意の共振周波数に対応する圧電振動子１００を容易に提供することができる。
【００４２】
４．  次に、本実施形態の圧電振動子およびその製造方法の変形例について、図面を参照しながら説明する。なお、上述した圧電振動子１００およびその製造方法（以下「圧電振動子１００の例」という）と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００４３】
（１）まず、第１の変形例について説明する。図９は、本変形例の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す平面図である。
【００４４】
本変形例では、接続部３０の支持部４０に接する端の幅が振動部１０の自由端１０ａの幅よりも狭くなるように形成されることができる。例えば図９に示すように、振動部１０および接続部３０は、共に矩形（より具体的には長方形）の平面形状となるように形成され、接続部３０の幅（短手方向の長さ）が、振動部１０の幅（短手方向の長さ）よりも狭くなるように形成されることができる。接続部３０は、振動部１０の自由端１０ａと支持部４０とをＸ方向に沿って連続させている。
【００４５】
本変形例によれば、平面視における接続部３０の面積が、圧電振動子１００の例などに比べて小さくなり、ドライエッチングにより除去する領域を少なくすることができる。これにより、ドライエッチングによる圧電振動子へのダメージを抑制することができる。
【００４６】
（２）次に、第２の変形例について説明する。図１０は、本変形例の圧電振動子３００を概略的に示す平面図である。なお、図１０では、便宜上、除去された接続部３３０の領域を斜線で示してある。
【００４７】
本変形例では、第１の変形例と同様、接続部３０の支持部４０に接する端の幅が振動部１０の自由端１０ａの幅よりも狭くなるように形成されることができる。例えば図１０に示すように、接続部３３０の平面形状は、支持部４０に接する端３３０ａと振動部１０に接する端３３０ｂとが平行であって、支持部４０に接する端３３０ａの幅（短手方向の長さ）が、振動部１０に接する端３３０ｂの幅よりも狭い台形であることができる。図示の例では、振動部３１０の平面形状も、自由端３１０ａと固定端３１０ｂとが平行であって、自由端３１０ａの幅（短手方向の長さ）が、固定端３１０ｂの幅よりも狭い台形である。また、振動部３１０の幅は、固定端３１０ｂから自由端３１０ａに向かって徐々に狭くなっている。また、接続部３３０の振動部１０に接する端３３０ｂの幅と振動部３１０の自由端３１０ａの幅は同じである。また、接続部３３０および振動部３１０は、一体的な台形の平面形状を構成している。
【００４８】
本変形例によれば、第１の変形例と同様、平面視における接続部３３０の面積が、圧電振動子１００の例などに比べて小さくなり、ドライエッチングにより除去する領域を少なくすることができる。これにより、ドライエッチングによる圧電振動子へのダメージを抑制することができる。
【００４９】
また、図１１は、本変形例に係る圧電振動子３００の動作時における振動部３１０の歪みエネルギーのシミュレーション結果を示す図である。図１１に示すように、圧電振動子３００の動作時には、振動部３１０の歪みエネルギーは、固定端３１０ｂ付近のうちの中央部において高くなることが分かる（図１１に示すＡ部）。例えば図１２に示すように、振動部１０の幅が長手方向に均一である場合には、振動部１０の歪みエネルギーは、固定端付近のうちの両端部において高くなることが分かる（図１２に示すＢ部）。なお、図１２は、この場合の振動部１０の歪みエネルギーのシミュレーション結果を示す図である。
【００５０】
本変形例によれば、振動部３１０の歪みエネルギーが固定端付近の中央部に集中するため、両端部に集中する場合に比べ、振動部３１０が固定端付近から折れる問題を生じにくくすることができる。
【００５１】
（３）次に、第３の変形例について説明する。図１３は、本変形例の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す平面図である。
【００５２】
本変形例では、接続部３０を複数設けることができる。例えば図１３に示すように、接続部３０は２つ設けられる。また、本変形例では、例えば図１３に示すように、２つの接続部３０は、振動部１０のＸ方向に沿う両端１０ｃ，１０ｄの一部（例えば振動部１０の自由端１０ａ側）と支持部４０とをＹ方向に沿って連続させるように設けられる。
【００５３】
（４）次に、第４の変形例について説明する。図１４は、本変形例の圧電振動子５００を概略的に示す平面図である。なお、図１４では、便宜上、除去された接続部５３０の領域を斜線で示してある。
【００５４】
本変形例では、振動部５１０が、基部５１２および基部５１２を基端とする２本のビーム部５１４，５１６から構成される音叉形状を有するように形成されている。基部５１２は、支持部４０とビーム部５１４，５１６とを接続している。基部５１２の平面形状は、例えば図１４に示すような矩形である。２本のビーム部５１４，５１６は、長手方向（Ｘ方向）に平行に所定間隔（基部５１２のＹ方向の長さ）をおいて配置されている。ビーム部５１４，５１６の平面形状は、例えば図１４に示すような矩形である。
【００５５】
駆動部５２０は、各ビーム部５１４，５１６に対して１対ずつ設けられる。第１ビーム部５１４上には、第１駆動部５２０ａと第２駆動部５２０ｂとが、第１ビーム部５１４の長手方向に沿って、互いに平行に形成されている。同様に、第２ビーム部５１６上には、第３駆動部５２０ｃと第４駆動部５２０ｄとが、第２ビーム部５１６の長手方向に沿って、互いに平行に形成されている。第１ビーム部５１４の外側に配置された第１駆動部５２０ａと、第２ビーム部５１６の外側に配置された第３駆動部５２０ｃとは、配線（図示せず）により電気的に接続されている。第１ビーム部５１４の内側に配置された第２駆動部５２０ｂと、第２ビーム部５１６の内側に配置された第４駆動部５２０ｄとは、配線（図示せず）により電気的に接続されている。
【００５６】
本変形例によれば、駆動部５２０が空隙部８０の外縁から離れて設けられているため、空隙部８０を形成する工程において、ウェットエッチングによるサイドエッチングの影響を駆動部５２０が受けるのを防ぐことができる。
【００５７】
（５）なお、上述した変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【００５８】
５．  上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本実施形態に係る圧電振動子を概略的に示す平面図。
【図２】本実施形態に係る圧電振動子を概略的に示す断面図。
【図３】本実施形態の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図４】本実施形態の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す平面図。
【図５】本実施形態の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図６】本実施形態の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図７】本実施形態の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図８】本実施形態の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図９】本実施形態に係る圧電振動子の変形例を概略的に示す平面図。
【図１０】本実施形態に係る圧電振動子の変形例を概略的に示す平面図。
【図１１】動作時における振動部の歪みエネルギーのシミュレーション結果。
【図１２】動作時における振動部の歪みエネルギーのシミュレーション結果。
【図１３】本実施形態に係る圧電振動子の変形例を概略的に示す平面図。
【図１４】本実施形態に係る圧電振動子の変形例を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【００６０】
１  基体、２  基板、３  第１層、４  第２層、５  下地層、１０  振動部、２０  駆動部、２２  第１電極、２４  圧電体層、２６  第２電極、３０  接続部、４０  支持部、４２  開口部、４４  第１開口部、８０  空隙部、９０  レジスト層、９２  レジスト開口部、１００  圧電振動子、３００  圧電振動子、３１０  振動部、３３０  接続部、５００  圧電振動子、５１０  振動部、５１２  基部、５１４  第１ビーム部、５１６  第２ビーム部、５２０  駆動部，５３０  接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１１】
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【図１２】
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