(57)【要約】      （修正有）【課題】リニア温度幅が広く、かつ消費電流が小さいサーミスタを提供。【解決手段】絶縁性の基体１１と、この基体１１の表面に設けられた少なくとも一対の電極１２ａ１，１２ａ２と、この基体１１の表面に形成され電極に接続されたサーミスタ膜１３とを有し、サーミスタ膜はＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなり、サーミスタ膜にはトリミングが施されてトリミング溝１４が形成されているものである。従って、リニア温度幅が７０℃以上と広く、かつ消費電流が１００μＡより小さい省電力仕様の温度制御回路に用いることが可能なサーミスタを提供することができる。【選択図】図１
2008141017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基体と、該基体の表面に設けられた少なくとも一対の電極と、前記基体の表面に形成され前記電極に接続されたサーミスタ膜とを有するサーミスタにおいて、前記サーミスタ膜はＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなり、該サーミスタ膜にはトリミングが施されていることを特徴とするサーミスタ。
【請求項２】
前記基体上にさらに抵抗膜が設けられていることを特徴とする請求項１記載のサーミスタ。
【請求項３】
前記抵抗膜にトリミングが施されていることを特徴とする請求項２に記載のサーミスタ。
【請求項４】
絶縁性の基体上に少なくとも一対の電極を形成する工程と、前記基体上にサーミスタ膜を形成する工程と、前記サーミスタ膜にトリミングを施す工程と、を有することを特徴とするサーミスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度検出素子に用いられるサーミスタ及びサーミスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器の温度検出素子として用いられるサーミスタは、電子機器の小型化・薄型化等の要望に応えるために、チップ状電子部品の形態が一般的である。例えば、サーミスタ素体の内部に各サーミスタ層を挟むように複数の内部電極が交互に配設され、前記素体の端面に交互に露出された前記内部電極の端部がそれぞれ前記素体の端面に設けられた端子電極に接続されたサーミスタ（図示省略）が提案されている。また特許文献１（背景技術）には、図８に示されるように、サーミスタ素体３の内部に各サーミスタ層３ａを挟むように複数の内部電極２ａ，２ｂが交互に配置され、前記素体３の表面に抵抗膜５が設けられ、前記素体３の端面に交互に露出された前記内部電極２ａ，２ｂの端部と前記抵抗膜５の端部とがそれぞれ前記素体３の端面に設けられた端子電極２，２に接続されるとともに、前記抵抗膜５にトリミング４が施された複合電子部品１が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−６９４１８号公報そして上記前者の背景技術に記載された構造のチップ型積層サーミスタを製作すると、下記の表１に示すように、一定のＢ定数で得られるリニア温度幅が限られていた。たとえば１００５サイズの積層サーミスタで、Ｂ定数が３０００Ｋ〜５０００Ｋのサーミスタ組成物を用いた場合においては、リニア温度幅が３５〜５５℃であった。
【表１】
2008141017.tif 000003
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、各種電子機器の小型化、薄型化の傾向が強まっており、これに伴いこれらの電子機器が携帯して用いられる機会が増えている。このため、使用温度範囲がより広く、かつ消費電力がより小さい電子部品が望まれるようになっている。しかしながら従来のサーミスタは、Ｂ定数が３０００Ｋ〜５０００Ｋのサーミスタ組成物が用いられており、リニア温度幅が３５〜５５℃と狭く、また、消費電流が１００μＡより大きいという課題があった。一方、温度制御回路に用いられるＩＣの仕様は例えば下記の表２に示すように、温度変化に対する電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴ（ＭＡＸ値）が一般的には０．８％以上であるが、Ｂ定数が極端に小さいサーミスタ組成物を用いた場合には、リニア温度幅が広く、また消費電流を低減できるものの、温度変化に対する電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴが前記温度制御回路に用いられるＩＣの感度より小さいものとなってしまい、温度の変化を検出することができないという課題があった。
【表２】
2008141017.tif 000004
【０００５】
本発明の目的は、上記課題を解決して、リニア温度幅が７０℃以上と広く、かつ消費電流が１００μＡより小さい省電力仕様の温度制御回路に用いることが可能なサーミスタを提供することにある。また、本発明の目的は、上記課題を解決して、リニア温度幅が７０℃以上と広く、かつ消費電流が１００μＡより小さい省電力仕様の温度制御回路に用いることが可能なサーミスタを容易に製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明のサーミスタは、（１）絶縁性の基体と、該基体の表面に設けられた少なくとも一対の電極と、前記基体の表面に形成され前記電極に接続されたサーミスタ膜とを有するサーミスタにおいて、前記サーミスタ膜はＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなり、該サーミスタ膜にはトリミングが施されていることを特徴とする。（・・・以下第１の課題解決手段と称する。）
【０００７】
また、上記サーミスタの主要な形態の一つは、（２）前記基体上にさらに抵抗膜が設けられているものである。（・・・以下第２の課題解決手段と称する。）  
【０００８】
また、上記サーミスタの形態の一つは、（３）前記抵抗膜にトリミングが施されているものである。（・・・以下第３の課題解決手段と称する。）  
【０００９】
また、本発明のサーミスタの製造方法は、（４）絶縁性の基体上に少なくとも一対の電極を形成する工程と、前記基体上にサーミスタ膜を形成する工程と、前記サーミスタ膜にトリミングを施す工程と、を有するものである。（・・・以下第４の課題解決手段と称する。）
【００１０】
発明者らは、各種サーミスタ組成物のＢ定数とリニア温度幅の関係を測定した。その結果、Ｂ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物を用いたものでは、リニア温度幅が７０℃以上と比較的広いリニア温度特性を有していることが分かった。また発明者らは、各種構造のサーミスタについて、サーミスタの電気特性と消費電力との関係を測定した。その結果、サーミスタ膜を用い、これにトリミングを施した構造のものがより消費電力を小さくできることが分かった。
【００１１】
そして本発明では、絶縁性の基体の表面に一対の少なくとも一対の電極を設け、前記一対の電極に接続するようにＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなるサーミスタ膜を設けるとともに、該サーミスタ膜にトリミングを施している。これにより、本発明に係るサーミスタは、広いリニア温度幅を有していながら、消費電力が小さい省電力温度制御回路用途として好適なものとなる。
【００１２】
上記第１の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、絶縁性の基体と、該基体の表面に設けられた少なくとも一対の電極と、前記基体の表面に形成され前記電極に接続されたサーミスタ膜とを有するサーミスタであって、前記サーミスタ膜はＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなり、該サーミスタ膜にはトリミングが施されているので、リニアリティ（温度に対する抵抗の直線性）を広くでき、かつ高抵抗で消費電力が小さい省電力の温度制御回路に好適なサーミスタを提供することができる。
【００１３】
上記第２の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記基体上にさらに抵抗膜が設けられているので、サーミスタを搭載する基板上に新たに抵抗器を組み入れる必要がない。
【００１４】
上記第３の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記サーミスタ膜と抵抗膜とにそれぞれトリミングが施されているので、該サーミスタを温度検出素子として用いる場合の特性バラツキを小さくすることができる。
【００１５】
上記第４の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、絶縁性の基体上に少なくとも一対の電極を形成する工程と、前記基体上にサーミスタ膜を形成する工程と、前記サーミスタ膜にトリミングを施す工程と、を有するので、リニアリティ（温度に対する抵抗の直線性）が広く、かつ消費電力の小さいサーミスタを簡便に生産することができる。
【００１６】
尚、本発明において、リニア温度範囲（℃）としては、温度変化に対する電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴ（％）が最大値の１００〜８０％にあるものを指し、リニア温度幅としては前記範囲のうちの最高温度と最低温度との差を指すものである。また、本発明において、温度変化に対する電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴ（％）は、前記一般的な温度制御用ＩＣの仕様の範囲で、入力２．４Ｖにおいて０．８Ｖ／℃以上のものを指す。また、消費電流としては、省電力として許容可能な１００μＡ以下を指すものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のサーミスタによれば、リニア温度幅が７０℃以上と広く、かつ消費電流が１００μＡより小さい省電力仕様の温度制御回路に用いることが可能なサーミスタを提供することができる。また、本発明の目的は、上記課題を解決して、リニア温度幅が７０℃以上と広く、かつ消費電流が１００μＡより小さい省電力仕様の温度制御回路に用いることが可能なサーミスタを容易に製造することができる。本発明の前記目的とそれ以外の目的、構成特徴、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明のサーミスタの第１の実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１の実施形態のサーミスタの全体構造を説明するための一部内部構造を透視した外観斜視図である。図２は、前記実施形態のサーミスの内部構造を説明するための前記図１におけるＡ−Ａ線の断面図である。図３は前記実施形態のサーミスタの製造プロセスの一例を示す断面図である。  
【００１９】
図１及び図２に示すように、本実施形態のサーミスタ１０は、絶縁性の基体１１と、該基体１１の表面に設けられた少なくとも一対の電極１２ａ１，１２ａ２と、前記基体１１の表面に形成され前記電極１２ａ１，１２ａ２に接続されたサーミスタ膜１３とを有するサーミスタであって、前記サーミスタ膜１３はＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなり、該サーミスタ膜１３にはトリミングが施されてトリミング溝１４が形成されているものである。
【００２０】
具体的には、絶縁性の基体１１は、２つの角柱部１１ａ１，１１ａ２の間に円柱部１１ｂが同軸状に配設されており、両端の角柱部１１ａ１，１１ａ２の表面をそれぞれ被覆するように電極１２ａ１，１２ａ２が設けられている。そして、前記円柱部１１ｂの外周上に位置する前記一対の電極１２ａ１，１２ａ２のうちの一方の電極１２ａ１の縁部１２ｂ１と他方の電極１２ａ２の縁部１２ｂ２とにそれぞれ接続するように前記円柱部１１ｂの表面にサーミスタ膜１３が設けられている。さらに前記サーミスタ膜１３には、前記円柱部１１ｂの外周を約１．５周するようにトリミングが施されてトリミング溝１４が形成されている。
【００２１】
次に、上記絶縁性の基体１１の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記絶縁性の基体としては、アルミナ系セラミックその他の耐熱性を有するものが好ましいが、これに限定するものではなく、他の公知の絶縁性材料を用いることができる。また、上記絶縁性の基体１１は、一対の角柱部１１ａ，１１ａの間に円柱部１１ｂを同軸上に配設したものが好ましいが、これに限定するものではなく、平板状、角柱状、円柱状等、各種の形状のものを用いることができる。上記絶縁性の基体１１は、前記絶縁性の材料粉末にバインダーを添加して粉末成形プレスを用いて乾式一体成形した後に、１４００〜１６００℃で焼成して得ることができるが、これに限定するものではなく、たとえば乾式成形、湿式押し出し成形、により角柱状の成形体を形成した後、該成形体の焼成に前後して前後外周を部分的に研削して円柱部を形成することもできる。また、ドクターブレード法等により予めシート状に連続する成形体を形成した後、複数に分割して前記角柱状の成形体を得ることもできる。
【００２２】
次に、上記電極１２ａ１，１２ａ２の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記電極１２ａ１，１２ａ２としてはメッキ膜、焼付型の導体膜等の耐熱性を有するものが好ましいが、これに限定するものではなく、導電性樹脂膜等を用いることもできる。また、上記電極１２ａ１，１２ａ２は、前記絶縁性の基体１１の表面全体を被覆するように形成した後にエッチングやサンドブラスト等の手段により部分的に除去して分割するのが好ましいが、これに限定するものではなく、転写法や浸漬法等により前記絶縁性の基体の表面に所定のパターンで部分的に形成することもできる。
【００２３】
次に、上記サーミスタ膜１３の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記サーミスタ膜１３としては、Ｂ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなることが好ましい。上記Ｂ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物としては、例えば、マンガン、コバルトの中から選択される少なくとも一種類の元素の酸化物に酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウムの中の少なくとも一種類を添加したものが好ましく、具体的には、酸化マンガン及び酸化コバルトの内の少なくとも一種類を３０モル％以上５０モル％以下、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウムの中から選択される少なくとも一種類をそれぞれＹＯ３／２、ＬａＯ３／２、ＮｄＯ３／２に換算して５０モル％以上７０モル％以下含有するものが好ましい。また、必要によりこれにさらにガラスフリットを５〜５０重量％添加したものが好ましい。上記のように、ガラスフリットを添加することにより、サーミスタ膜と基体との密着性が良好になるという効果が得られる。また、上記サーミスタ組成物は、以下のように示される。基本組成は  一般式  ａＭ１＋ｂＭ２  で示され、但し、Ｍ１は、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウムの中から選択される少なくとも１種類をそれぞれＹＯ３／２、ＬａＯ３／２、ＮｄＯ３／２に換算したものであり、      Ｍ２は、Ｍｎ、Ｃｏから選択される少なくとも１種類の元素の酸化物であり、      ａ＋Ｂ＝１００モル％、５０モル％≦ａ≦７０モル％、３０モル％≦ｂ≦５０モル％である。また、上記基本組成１００重量部に対し、さらにガラスフリットを５〜５０重量部添加することが好ましい。上記ガラスフリットとしては、例えばホウ珪酸亜鉛系のガラスフリットが好ましい。また、上記サーミスタ組成物からなるサーミスタ膜の形成は、具体的には、上記ガラスフリットとして例えばホウ珪酸亜鉛系のガラスフリットを用い、これらの混合物をスパッタにより塗布してサーミスタ膜１３を形成、もしくは前記混合物にさらにバインダー及び溶剤を添加混合してペースト状にした後、前記絶縁性の基体１１の円柱部１１ｂの表面に、インクジェット法、ローラー転写法等の手段により塗布し、例えば８５０℃で焼付して膜厚１０〜１００μｍのサーミスタ膜１３を得ることができる。
【００２４】
次に、上記サーミスタ膜１３に施すトリミングの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、前記トリミングとしては、トリミング速度、トリミング精度の点でレーザトリミングが好ましいがこれに限定するものではなく、トリミング溝１３を形成できるものであればよい。具体的には、サンドブラスト等の他の公知のトリミング手段を用いることもできる。
【００２５】
次に、上記サーミスタ膜１３を被覆する外装１７の好ましい実施形態は、次の通りである。すなわち、前記外装１７としては、エポキシ樹脂等の絶縁性の樹脂が好ましいが、これに限定するものではなく、熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂等の中から適宜選択して用いることができる。また、前記外装１７は、単層に限るものではなく、多層構造としてもよい。
【００２６】
次に、本実施形態のサーミスタ１０の製造方法の一例について図３を用いて説明する。本実施形態のサーミスタ１０の製造方法は、絶縁性の基体１１上に少なくとも一対の電極１２ａ１，１２ａ２を形成する工程と、前記基体１１上にサーミスタ膜１３を形成する工程と、前記サーミスタ膜１３にトリミングを施す工程と、を有するものである。具体的には、まず図３（Ａ）に示すように、両端に角柱部１１ａ１，１１ａ２、その間に円柱部１１ｂが同軸上に配設された絶縁性の基体１１を準備する。次に図３（Ｂ）に示すように、前記基体１１の表面を覆うように無電解メッキ法によりＣｕメッキ膜からなる電極１２を形成する。次に図３（Ｃ）に示すように、前記基体１１の円柱部１１ｂの外周上の電極１２を部分的に除去して一対の電極１２ａ１，１２ａ２に分割する。次に図３（Ｄ）に示すように、前記基体１１の円柱部１１ｂの表面に前記電極１２ａ１，１２ａ２の縁部１２ｂ１，１２ｂ２とそれぞれ接するように前記サーミスタ組成物のペーストをローラー転写により塗布し、焼付してサーミスタ膜１３を形成する。次に図３（Ｅ）に示すように、前記サーミスタ膜１３にレーザトリミングを施しトリミング溝１４を形成する。次に図３（Ｆ）に示すように前記トリミング溝１４が  形成されたサーミスタ膜１３を被覆するように例えばエポキシ樹脂のペーストを塗布し、加熱・硬化させて外装１７を形成してサーミスタ１０が得られる。
【実施例】
【００２７】
次に本発明の実施例について説明する。図３（Ａ）に示されるように長さ０．９０ｍｍ、幅０．４５ｍｍ、高さ０．４５ｍｍのアルミナ系セラミックス製の基体１１を準備し、図３（Ｂ）に示されるように該基体１１の表面全面にＣｕ無電解メッキを施してＣｕ電極１２を形成した後、該基体１１の円柱部１１ｂの外周のＣｕ電極１２を部分的に除去して図３（Ｃ）に示されるように電極１２を分割する。次に、下記の表３に示すように酸化マンガン、酸化コバルトからなる複合酸化物に酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウムの内、何れか１種を添加したもの１００重量部、及びこれにさらにガラスフリットを添加したサーミスタ組成物にそれぞれバインダーとしてエチルセルロース５％、αターピネオール９５％の混合物を６０重量部添加してサーミスタ材料ペーストを準備し、前記基体１１の前記円柱部１１ｂの表面に前記一対の電極１２ａ１、１２ａ２の縁部１２ｂ１，１２ｂ２に接続
するようにローラー転写法により前記サーミスタ材料ペーストを塗布し、８５０℃で焼付してサーミスタ膜１３を形成した。得られたサーミスタ膜１３のＢ定数を測定し、得られた結果を表３に示した。
【表３】
2008141017.tif 000005
表３より明らかなように、基本組成が  一般式  ａＭ１＋ｂＭ２  で示される但し、Ｍ１は、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウムの中から選択される少なくとも１種類をそれぞれＹＯ３／２、ＬａＯ３／２、ＮｄＯ３／２に換算したものであり、      Ｍ２は、Ｍｎ、Ｃｏから選択される少なくとも１種類の元素の酸化物であり、      ａ＋Ｂ＝１００モル％５０モル％≦ａ≦７０モル％３０モル％≦ｂ≦５０モル％サーミスタ組成物からなるサーミスタ膜を有するサーミスタ試料Ｎｏ．５〜１９、２４〜３１においては、いずれもＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下であった。また、上記基本組成１００重量部に対し、さらにガラスフリットを５〜５０重量部添加したサーミスタ組成物からなるサーミスタ膜を有するサーミスタ試料Ｎｏ．３２〜３７においても、いずれもＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下であった。上記ａが５０モル％より小さい（換言すれば、ｂが５０モル％を超える）試料Ｎｏ．１〜４においては、いずれもＢ定数が２２００Ｋより大きくなるため好ましくない。また、ａが７０モル％より大きい（換言すれば、ｂが３０モル％より小さい）試料Ｎｏ．２０〜２３においては、いずれもＢ定数が１５００Ｋより小さいため好ましくない。次に、上記サーミスタ試料Ｎｏ．２０、１６、５、９、１について、それぞれ前記サーミスタ膜にレーザ光を照射してトリミング溝１４を形成し、抵抗値（Ｒ２５）が１００ＫΩ、５００ＫΩとなるように抵抗値を調整した後、図７に示す温度測定回路のＮＴＣサーミスタとして実装し、それぞれ電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴ、消費電流、リニア温度幅を測定した結果を表４に示した。
【表４】
2008141017.tif 000006
表４から明らかなように、Ｂ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなるサーミスタ膜を有するサーミスタ試料Ｎｏ．１６ａ，５ａ，９ａ，１６ｂ，５ｂ，９ｂについては、いずれも、温度変化に対する電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴが０．８％以上、２５℃における消費電流が１６μＡ以下、リニア温度幅が７０℃以上であることが確認された。これに対し、Ｂ定数が２２００Ｋより大きいサーミスタ組成物からなるサーミスタ膜を有するサーミスタ試料Ｎｏ．１ａ，１ｂについては、いずれもリニア温度幅が７０℃より小さく、使用温度範囲が狭くなるため好ましくない。また、Ｂ定数が１５００Ｋより小さいサーミスタ組成物からなるサーミスタ膜を有するサーミスタ試料Ｎｏ．２０ａ，２０ｂについては、いずれも温度変化に対する電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴが、上記温度制御回路用ＩＣの温度変化に対する電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴの０．８％より小さいため、温度変化の検出が困難となり好ましくない。また、本発明の実施例のＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなるサーミスタ膜を有するサーミスタ試料Ｎｏ．６〜８、１０〜１５、１７〜１９、２４〜３７について、上記と同様にそれぞれ前記サーミスタ膜にレーザ光を照射してトリミング溝１４を形成し、抵抗値（Ｒ２５）が１００ＫΩ、５００ＫΩとなるように抵抗値を調整した後、図７に示す温度測定回路のＮＴＣサーミスタとして実装し、それぞれ電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴ、消費電流、リニア温度幅を測定した結果、いずれも、温度変化に対する電圧変化の割合ΔＶ／ΔＴが０．８％以上、２５℃における消費電流が１６μＡ以下、リニア温度幅が７０℃以上であることが確認された。
【００２８】
以上のように、本発明の第１実施形態のサーミスタは、絶縁性の基体１１と、該基体１１の表面に設けられた少なくとも一対の電極１２ａ１，１２ａ２と、前記基体１１の表面に形成され前記電極１２ａ１，１２ａ２に接続されたサーミスタ膜１３とを有するサーミスタ１０であって、前記サーミスタ膜１３はＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなり、該サーミスタ膜１３にはトリミングが施されてトリミング溝１４が形成されているので、広いリニア温度範囲が得られ、かつ消費電流が小さいものである。
【００２９】
次に、本発明のサーミスタの第２の実施形態について、図４〜図６を参照して説明する。図４は第２の実施形態のサーミスタの全体構造を説明するための一部内部構造を透視した外観斜視図である。図５は、前記実施形態のサーミスの内部構造を説明するための前記図４におけるＢ−Ｂ線の断面図である。図６は前記実施形態のサーミスタの製造プロセスの一例を示す断面図である。  
【００３０】
図４及び図５に示すように、本実施形態のサーミスタ２０は、絶縁性の基体２１と、該基体２１の表面に設けられた少なくとも一対の電極２２ａ１，２２ａ２と、前記基体２１の表面に形成され前記電極２２ａ１，２２ａ２に接続されたサーミスタ膜２３とを有するサーミスタであって、前記サーミスタ膜２３はＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなり、該サーミスタ膜２３にはトリミングが施されてトリミング溝２４が形成されているものである。
【００３１】
また、本実施形態のサーミスタ２０は、前記基体２１上にさらに抵抗膜２５が設けられているものである。
【００３２】
また、本実施形態のサーミスタ２０は、前記抵抗膜２５にトリミングが施されているものである。
【００３３】
具体的には、絶縁性の基体２１は、３つの角柱部２１ａ１，２１ａ２，２１ａ３の間に円柱部２１ｂ１，２１ｂ２が同軸状に配設されており、前記３つの角柱部２１ａ１，２１ａ２，２１ａ３の表面をそれぞれ被覆するように電極２２ａ１，２２ａ２，２２ａ３が設けられている。そして、前記基体２１の一方の円柱部２１ｂ１の外周上に位置する前記一対の電極２２ａ１，２２ａ２のうちの一方の電極２２ａ１の縁部２２ｂ１と他方の電極２２ａ２の縁部２２ｂ２とにそれぞれ接続するように前記円柱部２１ｂ１の表面にサーミスタ膜２３が設けられている。また、前記基体２１の他方の円柱部２１ｂ２の外周上に位置する前記一対の電極２２ａ２，２２ａ３のうちの一方の電極２２ａ２の縁部２２ｂ３と他方の電極２２ａ３の縁部２２ｂ４とにそれぞれ接続するように前記円柱部２１ｂ２の表面に抵抗膜２５が設けられている。さらに前記サーミスタ膜２３には、前記基体２１の一方の円柱部２１ｂ１の外周を約１．５周するようにトリミングが施されてトリミング溝２４が形成されている。また、前記抵抗膜２５には、前記基体２１の他方の円柱部２１ｂ２の外周を約１．３周するようにトリミングが施されてトリミング溝２６が形成されている。
【００３４】
次に、上記絶縁性の基体２１の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記絶縁性の基体としては、先の第１の実施形態と同様に、アルミナ系セラミックその他の耐熱性を有するものが好ましいが、これに限定するものではなく、他の公知の絶縁性材料を用いることができる。また、上記絶縁性の基体２１は、３つの角柱部２１ａ１，２１ａ２，２１ａ３の間に円柱部２１ｂ１，２１ｂ２を同軸上に配設したものが好ましいが、これに限定するものではなく、平板状、角柱状、円柱状等、各種の形状のものを用いることができる。
【００３５】
次に、上記抵抗膜２５の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記抵抗膜２５としては、酸化ルテニウム系抵抗体が好ましいが、これに限定するものではなく、市販の各種抵抗体ペーストを用いて形成することができる。より具体的には、上記サーミスタ膜と同様に必要によりガラスフリットとして例えばホウ珪酸亜鉛系のガラスフリットを用い、これらの混合物をスパッタにより塗布、もしくは前記混合物にさらにバインダー及び溶剤を添加混合してペースト状にした後、前記絶縁性の基体２１の他方の円柱部２１ｂ２の表面に、インクジェット法、ローラー転写法等の手段により塗布し、例えば８５０℃で焼付して膜厚１０〜５０μｍの抵抗膜２５を得ることができる。
【００３６】
次に、上記抵抗膜２５に施すトリミングの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、前記トリミングとしては、前記サーミスタ膜と同様に、トリミング速度、トリミング精度の点でレーザトリミングが好ましいがこれに限定するものではなく、トリミング溝２６を形成できるものであればよい。具体的には、サンドブラスト等の他の公知のトリミング手段を用いることもできる。
【００３７】
次に、本実施形態のサーミスタ２０の製造方法の一例について図６を用いて説明する。本実施形態のサーミスタ２０の製造方法は、前記第１の実施形態と同様に、絶縁性の基体２１上に少なくとも一対の電極２２ａ１，２２ａ２を形成する工程と、前記基体２１上にサーミスタ膜２３を形成する工程と、前記サーミスタ膜２３にトリミングを施す工程と、を有するものである。  具体的には、まず図６（Ａ）に示すように、両端及び中央に角柱部２１ａ１，２１ａ２，２１ａ３、その間に円柱部２１ｂ１，２１ｂ２が同軸上に配設された絶縁性の基体２１を準備する。次に図６（Ｂ）に示すように、前記基体２１の表面を覆うように無電解メッキ法によりＣｕメッキ膜からなる電極２２を形成する。次に図６（Ｃ）に示すように、前記基体２１の円柱部２１ｂ１，２１ｂ２の外周上の電極２２を部分的に除去して３つの電極２２ａ１，２２ａ２、２２ａ３に分割する。次に図６（Ｄ）に示すように、前記基体２１の一方の円柱部２１ｂ１の表面に前記電極２２ａ１，２２ａ２の縁部２２ｂ１，２２ｂ２とそれぞれ接するように前記サーミスタ材料のペーストをローラー転写により塗布する。次に図６（Ｅ）に示すように、前記基体２１の他方の円柱部２１ｂ２の表面に前記電極２２ａ２，２２ａ３の縁部２２ｂ３，２２ｂ４とそれぞれ接するように前記抵抗体ペーストをローラー転写により塗布し、焼付して前記サーミスタ膜２３及び抵抗膜２５を形成する。次に図６（Ｆ）に示すように、前記サーミスタ膜２３にレーザトリミングを施しトリミング溝２４を形成するとともに、前記抵抗膜２５にレーザトリミングを施しトリミング溝２６を形成する。次に図６（Ｇ）に示すように前記トリミング溝２４が形成されたサーミスタ膜２３及び前記トリミング溝２６が形成された抵抗膜２５をそれぞれ被覆するように例えばエポキシ樹脂のペーストを塗布し、加熱・硬化させて外装２７を形成してサーミスタ２０が得られる。本実施形態のサーミスタ２０と先の実施形態のサーミスタ１０とで異なる点は、本実施形態のサーミスタ２０が前記図７に示す測温回路における直列抵抗及び該直列抵抗と前記ＮＴＣサーミスタとの間の電圧出力端子Ｖｏｕｔとを有する点にあり、前記図７に示す測温回路を１つのチップ状電子部品で構成することができる点にあり、その他の作用効果は先の第１の実施形態のサーミスタと同様であるため説明を省略する。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明によれば、小型・薄型の各種電子機器に用いられるサーミスタに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明のサーミスタの第１の実施形態の全体構造を示す一部内部構造を透視した外観斜視図である。
【図２】前記第１の実施形態のサーミスタの内部構造を示す前記図１におけるＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】前記第１の実施形態のサーミスタの製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図４】本発明のサーミスタの第２の実施形態の全体構造を示す一部内部構造を透視した外観斜視図である。
【図５】前記第２の実施形態のサーミスタの内部構造を示す前記図４におけるＢ−Ｂ線の断面図である。
【図６】前記第２の実施形態のサーミスタの製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図７】本発明のサーミスタを用いたリニア化回路の一例を示す図である。
【図８】背景技術の一例を示す外観斜視図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０：サーミスタ１１：絶縁性の基体１１ａ１，１１ａ２：角柱部１１ｂ：円柱部１２：電極１２ａ１，１２ａ２：電極１２ｂ１，１２ｂ２：縁部１３：サーミスタ膜１４
：トリミング溝１７：外装２０：サーミスタ２１：絶縁性の基体２１ａ１，２１ａ２，２１ａ３：角柱部２１ｂ１，２１ｂ２：円柱部２２：電極２２ａ１，２２ａ２，２２ａ３：電極２２ｂ１，２２ｂ２，２２ｂ３，２２ｂ４：縁部２３：サーミスタ膜２４：トリミング溝２５：抵抗膜２６：トリミング溝２７：外装
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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