(57)【要約】【課題】ビアホール導体が絶縁基板の表面から大きく突出することのない実装性の良好な多層配線基板を提供する。【解決手段】本発明の多層配線基板は、ガラスセラミックスからなる第一の絶縁層と、該第一の絶縁層を構成するガラスセラミックスの焼成収縮の終了よりも高い温度で焼成収縮を開始するガラスセラミックスからなる第二の絶縁層とが交互に積層され、表層に前記第一の絶縁層が配置されてなる絶縁基板１と、絶縁基板１の表面および内部に設けられた配線導体層２，３と、絶縁基板１の内部に設けられたビアホール導体４とを具備してなり、表層ａ１を貫通する第一のビアホール導体４ａの直径が、表層ａ１に隣接する第二の絶縁層ｂ１を貫通し第一のビアホール導体４ａと接続する第二のビアホール導体４ｂの直径よりも小さいことを特徴とする。【選択図】図２
2008085035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミックスからなる第一の絶縁層と、該第一の絶縁層を構成するガラスセラミックスの焼成収縮の終了よりも高い温度で焼成収縮を開始するガラスセラミックスからなる第二の絶縁層とが交互に積層され、表層に前記第一の絶縁層が配置されてなる絶縁基板と、
該絶縁基板の表面および内部に設けられた配線導体層と、
前記絶縁基板の内部に設けられたビアホール導体とを具備してなり、
前記表層を貫通する第一のビアホール導体の直径が、前記表層に隣接する前記第二の絶縁層を貫通し前記第一のビアホール導体と接続する第二のビアホール導体の直径よりも小さいことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記第一のビアホール導体の直径が、前記第二のビアホール導体の直径の０．１５〜０．６倍であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、焼成における収縮曲線（挙動）が異なるガラスセラミックスからなる絶縁層同士を一体にして焼成することにより、互いの絶縁層のＸ−Ｙ方向の焼成収縮を抑制した多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、移動体通信分野などで使用される多層配線基板において、配線導体層の材料として導電率の高い金、銀、銅、アルミニウムあるいはそれらの混合物を用い、絶縁層の材料として配線導体層の材料の融点よりも低い温度で焼成が可能なガラスセラミックスを用いた多層配線基板が広く用いられている。
【０００３】
この多層配線基板は、複数の配線導体層間がビアホール導体により電気的に接続されている。製造に際しては、焼成後に絶縁層となるグリーンシートに貫通孔を形成し、その貫通孔に焼成後にビアホール導体となる導体材料を充填し、貫通孔に導体材料の充填されたグリーンシートの主面に配線導体層となる導体材料を塗布する。そのようにして準備したグリーンシートを複数枚積層して焼成することにより、配線導体層間がビアホール導体により接続された多層配線基板が得られる。
【０００４】
ここで、絶縁層の材料としてガラスセラミックスを用いた多層配線基板は、焼結により体積が４０〜５０％程度収縮する。このとき、多層配線基板の主面と平行な方向（Ｘ−Ｙ方向）における収縮率は１方向において平均１５〜２０％程度ばらついており、この収縮率のばらつきが配線導体層の位置ばらつきにつながり、多層配線基板の寸法精度が悪くなっていた。なお、ここでいう収縮率とは、焼結前の寸法から焼結後の寸法を減じた値を焼結前の寸法で除した値で定義されるものである。
【０００５】
そこで、多層配線基板の寸法精度を向上させる方法として、焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度が異なる２種以上のグリーンシート（２種の場合は、焼成後に第一の絶縁層と第二の絶縁層となる）を積層し焼成することにより、Ｘ−Ｙ方向の焼成収縮を抑制し、主にＺ方向に収縮させる方法が提案されている（例えば特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開２００３−６９２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この特許文献１に記載の方法では、焼成後に第一の絶縁層となるグリーンシートと焼成後に第二の絶縁層となるグリーンシートとが焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度が異なることで、互いにＸ−Ｙ方向への収縮を抑制しあう。具体的には、第一の絶縁層の焼成収縮（焼結）終了後に第二の絶縁層が焼成収縮（焼結）を開始するようになっていることから、第一の絶縁層の焼結時には第二の絶縁層によって第一の絶縁層のＸ−Ｙ方向への収縮が抑制され、第二の絶縁層の焼結時には第一の絶縁層によって第二の絶縁層のＸ−Ｙ方向への収縮が抑制される。したがって、焼結後に第二の絶縁層となるグリーンシートのＺ方向への収縮が大きくなる。
【０００７】
ところが、それぞれのグリーンシートに形成されたビアホール導体は同じ材料であることから焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度に違いはなく、互いに隣接する絶縁層に形成されたビアホール導体同士が接続して形成されていた場合、互いにＸ−Ｙ方向への収縮を抑制しあうことはない。したがって、本来の体積収縮量だけ収縮しようとすると、Ｚ方向への収縮はグリーンシートほど大きくなることはない。
【０００８】
このため、図３に示すように、表層ａ１を貫通するビアホール導体４ａと表層に隣接する絶縁層ｂ１を貫通するビアホール導体４ｂとが接続して形成されていた場合、焼成後にビアホール導体４が配線基板の表面から大きく突出してしまい、多層配線基板の実装性が低下するという問題が発生していた。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ビアホール導体が絶縁基板の表面から大きく突出することのない実装性の良好な多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、ガラスセラミックスからなる第一の絶縁層と、該第一の絶縁層を構成するガラスセラミックスの焼成収縮の終了よりも高い温度で焼成収縮を開始するガラスセラミックスからなる第二の絶縁層とが交互に積層され、表層に前記第一の絶縁層が配置されてなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面および内部に設けられた配線導体層と、前記絶縁基板の内部に設けられたビアホール導体とを具備してなり、前記表層を貫通する第一のビアホール導体の直径が、前記表層に隣接する前記第二の絶縁層を貫通し前記第一のビアホール導体と接続する第二のビアホール導体の直径よりも小さいことを特徴とする多層配線基板である。
【００１１】
ここで、前記第一のビアホール導体の直径が、前記第二のビアホール導体の直径の０．１５〜０．６倍であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
従来の多層配線基板のように、第一および第二のビアホール導体の直径が同じ場合には、ビアホール導体がＸ−Ｙ方向に収縮してビアホール導体と絶縁層との界面に隙間が発生すると同時に絶縁基板表面にビアホール導体の突起が発生していたが、本発明によれば第一の絶縁層によって第二のビアホール導体のＸ−Ｙ方向の収縮が抑制されることで、本来の体積収縮量だけ収縮しようとするために、第二のビアホール導体のＺ方向への収縮が大きくなると考えられる。したがって、ビアホール導体が絶縁基板の表面から大きく突出することがなくなる。
【００１３】
特に、第一のビアホール導体の直径が第二のビアホール導体の直径の０．１５〜０．６倍であることで、ビアホール導体の抵抗値が高くなりすぎず、歩留まりがよく、ビアホール導体の絶縁基板の表面からの突出を大幅に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施形態を説明する。    
図１は、本発明の多層配線基板の構造を示す概略断面図であり、図２は、図１の点線で囲まれる領域の拡大図であって、表層に形成された第一の絶縁層としての絶縁層を貫通する第一のビアホール導体および表層に隣接する第二の絶縁層を貫通する第二のビアホール導体を示している。
【００１５】
多層配線基板は、図１に示すように、ガラスセラミックスからなる第一の絶縁層としての絶縁層ａ１〜ａ５およびガラスセラミックスからなる第二の絶縁層としての絶縁層ｂ１〜ｂ４が交互に積層された絶縁基板１と、配線導体層として絶縁基板１の表面に形成された表面導体層２および絶縁基板１の内部に形成された内部導体層３と、表面導体層２と内部導体層３との間または内部導体層３と内部導体層３との間を接続するためのビアホール導体４を有する。
【００１６】
絶縁基板１における第一の絶縁層としての絶縁層ａ１〜ａ５と第二の絶縁層としての絶縁層ｂ１〜ｂ４とは、互いに焼成収縮の開始温度および終了温度が異なるガラスセラミックスで構成されている。すなわち、第一の絶縁層としての絶縁層ａ１〜ａ５が焼成収縮を終了した後に、第二の絶縁層としての絶縁層ｂ１〜ｂ４が焼成収縮を開始するように、それぞれの絶縁層を構成するガラスセラミックス材料が選定されている。具体的には、ガラスの熱特性として、第一の絶縁層としての絶縁層ａ１〜ａ５に含まれるガラスの結晶化温度が、第二の絶縁層としての絶縁層ｂ１〜ｂ４に含まれるガラスの軟化点より低くなるように選定されている。したがって、第二の絶縁層としての絶縁層ｂ１〜ｂ４が焼成収縮を開始するときには、第一の絶縁層としての絶縁層ａ１〜ａ５の焼成収縮は終了しており、互いのＸ−Ｙ方向の収縮を抑制しあうことが可能である。すなわち、寸法精度が高い多層配線基板を実現することができる。
【００１７】
なお、第一の絶縁層の焼成収縮の終了とは、第一の絶縁層における焼成前の状態から多層配線基板の完成状態（多層配線基板焼成終了後の状態）までの収縮量に対し９０％以上収縮したことをいい、第一の絶縁層の焼成収縮の終了温度とは９０％収縮したときの温度のことをいう。
【００１８】
絶縁基板１における第一の絶縁層としての絶縁層ａ１〜ａ５と第二の絶縁層としての絶縁層ｂ１〜ｂ４との熱膨張係数差が２×１０−６／℃以下であるのが好ましい。この範囲であれば、最高焼成温度からの冷却時において、第一の絶縁層と第二の絶縁層との界面にクラックやデラミネーションの生じるおそれが少なくなるからである。とりわけ、熱膨張係数差は１×１０−６／℃以下が好ましい。
【００１９】
また、第一の絶縁層および第二の絶縁層がいずれも結晶化ガラスを３０質量％以上、特に４０〜９０質量％、更には５０〜８０質量％含むことが焼結性の観点から好ましい。そして、含有する結晶化ガラスのうち、残留ガラス量はいずれも１０体積％以下、特に５体積％以下、更には２体積％以下であることが、Ｘ−Ｙ方向の収縮抑制効果や基板の曲げ強度、誘電損失の観点から望ましい。なお、残留ガラス量は、ＸＲＤ回折パターンからリートベルト解析により決定することができる。ガラスの定量については、試料とＺｎＯ（標準試料）を所定の比率で混合し、試料に形成される全ての結晶相とＺｎＯ標準試料を考慮したプログラム解析より求めることができる。
【００２０】
第一の絶縁層および第二の絶縁層に含まれるセラミックスとしては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣａＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＢａＴｉ４Ｏ９、ＺｒＴｉＯ４、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４などを例示できる。これらの中でも、特に誘電特性の点でＡｌ２Ｏ３、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣａＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＢａＴｉ４Ｏ９が望ましく、強度の点でＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４が望ましく、さらには誘電特性と強度の点でＡｌ２Ｏ３が望ましい。
【００２１】
第一の絶縁層および第二の絶縁層に含まれる結晶化ガラスとしては、ディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト、（スーアナイト）のうち少なくとも１種を形成することが好ましい。これらの中でも、特に誘電特性の点でディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、ウィレマイト、フォルステライトが望ましく、強度の点でディオプサイド、セルシアン、コージェライト、アノーサイトが望ましく、さらには誘電特性と強度の点でディオプサイド、セルシアンが望ましい。
【００２２】
このように、絶縁基体１として結晶化ガラスおよびセラミックスからなるガラスセラミックスが採用されるため、１０００℃以下での焼成が可能である。また、配線導体層としてＣｕ、Ａｇ、Ａｌなどの低抵抗導体を用いることが可能となり、低誘電率化により高速伝送に適している。
【００２３】
なお、第一の絶縁層を構成するガラスセラミックスと第二の絶縁層を構成するガラスセラミックスとは、焼結収縮挙動の相違のみならず、目的に応じて、比誘電率、曲げ強度、誘電損失、熱伝導率、嵩密度、温度係数などの他の特性が異なっていてもよい。
【００２４】
そして、表層には、焼成収縮の開始温度および終了温度が第二の絶縁層よりも低く、第二の絶縁層が焼成収縮を開始する前に焼成収縮を終了する第一の絶縁層（図では絶縁層ａ１）が配置されている。後述のビアホール導体４が絶縁基板１の表面から突出するのを防ぐ効果を発現するためには、隣接する絶縁層の焼成収縮開始よりも前に焼成収縮が終了する絶縁層を表層に配置することが重要だからである。
【００２５】
絶縁基板１の表面には配線導体層としての表面導体層２が形成されており、絶縁基板１の内部には配線導体層としての内部導体層３とビアホール導体４が形成されている。
【００２６】
表面導体層２、内部導体層３、ビアホール導体４を形成する導体材料としては、金、銀、銅、アルミニウムのうち少なくとも１種以上を主成分とすることが好ましく、特に、価格及び導通抵抗の観点から、銀及び銅が好ましい。また、これらの主成分に対して、電気抵抗、熱伝導性を劣化させない範囲で、他の金属、酸化物、ガラス、セラミックス等の無機分を含んでいてもよい。
【００２７】
そして、本発明においては、第一の絶縁層のうちの表面に配置された絶縁層ａ１（表層）を貫通する第一のビアホール導体４ａの直径が、この絶縁層ａ１（表層）に隣接する第二の絶縁層を貫通し第一のビアホール導体４ａと接続する第二のビアホール導体４ｂの径よりも小さくなっていることが重要である。
【００２８】
この構成によれば、絶縁層ａ１（表層）によって、第二のビアホール導体４ｂのＸ−Ｙ方向への焼成収縮が抑制されるものと考えられる。したがって、本来の体積収縮量だけ収縮しようとするために、第二のビアホール導体４ｂのＺ方向への収縮が大きくなると考えられる。これにより、Ｚ方向の収縮量がグリーンシートのＺ方向の収縮量に比して大幅に少なくなることはなくなり、ビアホール導体４が絶縁基板１の表面から大きく突出することのない実装性の良好な多層配線基板を得ることができる。従来の第一のビアホール導体４ａおよび第二のビアホール導体４ｂの直径が同じ場合に生じていた現象、すなわちビアホール導体４がＸ−Ｙ方向に収縮してビアホール導体４と絶縁層ａ１、ｂ１との界面に隙間が発生すると同時に絶縁基板１表面にビアホール導体４の突起が発生していたという現象は抑制できる。なお、実装性が良好であるとは、表面導体層２を平坦に形成でき、容易にこの部分に半田ボールなどを接合できる状態にあることをいう。
【００２９】
特に、この第一のビアホール導体４ａの直径が第二のビアホール導体４ｂの直径の０．６倍以下であるのが好ましく、これによりビアホール導体４の絶縁基板の表面からの突出を大幅に抑制することができる。なお、ビアホール導体４の抵抗値が高くなりすぎず、歩留まりをよくするためには、第一のビアホール導体４ａの直径が第二のビアホール導体４ｂの直径の０．１５倍以上であるのが好ましい。
【００３０】
また、表層が厚い（第一のビアホール導体４ａの長さが長い）ほうが、突起高さを抑える効果が高く、その厚さは４〜３０μｍであるのが好ましく、さらに６〜３０μｍであるのが好ましい。
【００３１】
また、第一のビアホール導体４ａの直径および第二のビアホール導体４ｂの直径が短いほうが突起高さを抑える効果があり、抵抗値および歩留まりを考慮しつつ、直径を短くするように形成するのが好ましい。
【００３２】
次に、上記多層配線基板の製造方法について説明する。    
まず、ガラスセラミックスに含まれるガラスの熱特性が上記関係にある２種の無機材料からなるグリーンシートを作製する。
【００３３】
例えば焼成後に第一の絶縁層となるグリーンシート材料として、ＳｉＯ２を１０〜３０質量％と、Ａｌ２Ｏ３を１〜９質量％と、ＭｇＯを５〜３０質量％と、ＢａＯを２１〜３５質量％と、Ｂ２Ｏ３を１０〜３０質量％と、Ｙ２Ｏ３，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＺｎＯ，ＴｉＯ２，Ｎａ２Ｏ，ＳｎＯ２，Ｐ２Ｏ５，ＺｒＯ２およびＬｉ２Ｏから選ばれる少なくとも１種を０〜２０質量％とからなる４０〜９０質量％のガラスと、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＭｇＴｉＯ３，ＣａＺｒＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＢａＴｉ４Ｏ９，ＳｒＴｉＯ３，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，ＡｌＮおよびＳｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも1種を含む１０〜６０質量％のセラミックスとから構成される材料が採用される。
【００３４】
また、例えば焼成後に第二の絶縁層となるグリーンシート材料として、ＳｉＯ２を２０〜６０質量％と、Ａｌ２Ｏ３を１０〜２５質量％と、ＭｇＯを８〜３５質量％、ＢａＯを１０〜２０質量％と、Ｂ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣａＯ，ＳｒＯ，Ｎａ２Ｏ，ＳｎＯ２，Ｐ２Ｏ５，ＺｒＯ２およびＬｉ２Ｏから選ばれる少なくとも１種を０〜２０質量％とからなる３０〜１００質量％のガラスと、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＭｇＴｉＯ３，ＣａＺｒＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＢａＴｉ４Ｏ９，ＳｒＴｉＯ３，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも1種を含む０〜７０質量％のセラミックスとから構成される材料が採用される。
【００３５】
グリーンシートは、上記材料と焼成途中で容易に揮発する揮発性有機バインダーと有機溶剤及び必要に応じて可塑剤とを混合してスラリー化し、このスラリーを用いてリップコーター法やドクターブレード法などによってテープ成形を行い、所定寸法に切断して作製される。尚、第一の絶縁層と第二の絶縁層のうちのどちらか一方をペースト状（絶縁体ペースト）にしておいてもよい。
【００３６】
次に、このグリーンシートにパンチングなどによって貫通孔を形成する。このとき、焼成後に第一の絶縁層となるグリーンシートのうち表層に配置するグリーンシートに形成する貫通孔の大きさは、焼成後に第二の絶縁層となるグリーンシートに形成する貫通孔の大きさよりも小さくする。
【００３７】
そして、貫通孔内に導体ペーストを充填する。導体ペーストとして、金粉末、銀粉末、銅粉末、アルミニウム粉末のいずれかに対して、有機バインダー、有機溶剤、必要に応じて、有機物や無機物の添加剤を加えて、３本ロールで混練したものを用いる。充填には、ビアホール導体形成位置に一致する箇所に穿孔されたメタルマスク、あるいは、エマルジョンメッシュスクリーンマスクを用いて、スクリーン印刷する方法を用いる。このとき、マスクを通して導体ペーストを押し出す方法として、通常のポリウレタン製等の板状（あるいは剣状）のスキージを用いる方法でもよく、ペースト押し出し式のスキージヘッドを用いて、ペーストを貫通孔に加圧注入する方法でもよい。また、導体ペーストの粘度や印刷条件を調整して、充填した導体ペーストが貫通孔上でグリーンシート表面から突出するように過充填する。その後、必要に応じて、突出した導体ペーストをプレスして、貫通孔に押し込む。さらに、表面導体層や内部導体層を導体ペーストのスクリーン印刷法などによって被着形成する。
【００３８】
このようにして得られた各グリーンシートまたは絶縁体ペーストを所定の積層順序に応じて積層して積層成形体を形成した後、焼成する。
【００３９】
焼成にあたっては、低温側で焼成収縮が開始する第一の絶縁層の収縮開始温度と第一の絶縁層に含まれるガラスの結晶化温度との間の温度で一旦保持する多段焼成でもよいが、単一キープ温度においても同時焼成することでＸ−Ｙ方向への焼成収縮が抑制されＺ方向に焼成収縮した寸法精度の高い多層配線基板を作製することができる。
【実施例】
【００４０】
まず、焼成後に第一の絶縁層（絶縁層ａ１〜ａ５）を形成するガラスセラミック材料Ａとして、２３．８質量％のＳｉＯ２，８．４質量％のＡｌ２Ｏ３，１５．４質量％のＭｇＯ，２６．５質量％のＢａＯ，１７．９質量％のＢ２Ｏ３、４．９質量％のＣａＯ，０．４質量％のＳｒＯ，１．０質量％のＳｎＯ２，１．７質量％のＺｒＯ２からなる６０質量％のガラスと、４０質量％のＡｌ２Ｏ３とから構成されるガラスセラミック材料を用意した。
【００４１】
また、焼成後に第二の絶縁層（絶縁層ｂ１〜ｂ４）を形成するガラスセラミック材料Ｂとして、４３．３質量％のＳｉＯ２，１２．９質量％のＡｌ２Ｏ３，１８．０質量％のＭｇＯ，１４．１質量％のＢａＯ，７．５質量％のＢ２Ｏ３、１．０質量％のＹ２Ｏ３，１．７質量％のＣａＯ，０．５質量％のＳｒＯ，１．０質量％のＺｒＯ２からなる６０質量％のガラスと、４０質量％のＡｌ２Ｏ３とから構成されるガラスセラミック材料を用意した。
【００４２】
これらのガラスセラミック材料Ａ、Ｂに、アクリル有機バインダー、可塑剤、有機溶剤を添加して、スラリーを作製し、ドクターブレード法により薄層化し、絶縁基板用のグリーンシートＡ、Ｂを作製した。このとき、グリーンシートＡの厚みは、６μｍおよび１８μｍの２種類とし、グリーンシートＢの厚みは、７４μｍとした。
【００４３】
また、部分的に６μｍのグリーンシートＡ１枚と７４μｍのグリーンシートＢ１枚を加熱圧着して複合グリーンシートＣを作製した。
【００４４】
次に、銀粉末に、β石英、バリウムホウ珪酸ガラス及び有機ビヒクルを添加し、これらを攪拌した後、銀粉末及び有機バインダーの凝集体がなくなるまで３本ロールミルで混合し、ペースト化し、導体ペーストを作製した。有機ビヒクルは、有機バインダーとして、エチルセルロースを５質量部、有機溶剤としてα−テルピネオールを９５質量部とから構成し、この有機ビヒクルを、銀粉末１００質量部に対して１５質量部添加した。
【００４５】
次に、上記のグリーンシートＡおよびＢ、Ｃにビアホール導体を形成すべく、３０μｍ、５０μｍ、９０μｍ、１２０μｍ、１５０μｍ、２００μｍの直径の貫通孔をレーザーによって形成し、上記の導体ペーストをこの貫通孔に充填した。導体ペーストの充填には、ペースト押出式のヘッドを備えたオンコンタクト印刷機を用いた。
【００４６】
次に、貫通孔に導体ペーストを充填したグリーンシートＡおよびＢ、Ｃを平板金型でプレスし、導体ペーストのグリーンシート表面から突出した部分を、貫通孔に押し込んだ。
【００４７】
上記のグリーンシート表面に、表面導体層及び内部導体層となる導体パターンをスクリーン印刷により形成した。その後、これらのグリーンシートＡおよびＢ、Ｃを位置合わせした後、積層して積層体を作製し、これを大気中４００℃で脱バインダー処理し、さらに、大気中９１０℃で焼成して多層配線基板を作製した。
【００４８】
焼成後の多層配線基板において、基板端部付近の表面の凹凸を3次元レーザー変位計で測定した。測定領域は、多層配線基板表面のうち、基板端部の稜線を含む3ｍｍ×３ｍｍとした。このとき、得られた測定データのうち、基板端部の稜線以外の基板表面における最低点と最高点との差を突起高さと定義して測定した。その結果を表１に示す。なお、表１には５つの基板を測定した結果における突起高さの最高値を記した。
【表１】
2008085035.tif 000003
【００４９】
表１より、本発明の多層配線基板である試料Ｎｏ．１〜８においては、突起高さの最高値が１６μｍであった。例えば、第一のビアホール導体４ａの直径が３０μｍ、第二のビアホール導体４ｂの直径が２００μmである試料Ｎｏ．５の場合、突起高さの最高値が５μｍと非常に良好であった。また、試料Ｎｏ．６は突起高さの最高値が３μｍと非常に良好ではあるが、歩留まりが悪くなる傾向がある。また、試料Ｎｏ．７のように第一のビアホール導体４ａの直径および第二のビアホール導体４ｂの直径がともに短くなると突起高さの最高値が低下する傾向にあった。また、試料Ｎｏ．８のように第一の絶縁層の厚みが１８μｍと厚い場合、試料Ｎｏ．２の第一の絶縁層の厚みが６μｍである場合と比較して突起高さの最高値が低下する傾向にあった。
【００５０】
これに対し、本発明の範囲外である試料Ｎｏ．９〜１０については、突起高さが著しく上昇した。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の多層配線基板の構造を示す概略断面図である。
【図２】図１の点線で囲まれる領域の拡大図であって、表層に形成された第一の絶縁層としての絶縁層を貫通する第一のビアホール導体および表層に隣接する第二の絶縁層を貫通する第二のビアホール導体を示している。
【図３】従来の多層配線基板の説明図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・・絶縁基板
２・・・表面導体層
３・・・内部導体層
４・・・ビアホール導体
【図１】
2008085035.tif 000004
【図２】
2008085035.tif 000005
【図３】
2008085035.tif 000006