(57)【要約】【課題】ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を向上させる。【解決手段】半導体装置の製造方法において、処理カップＷＣ内で半導体ウェハ１の被処理面Ｓに対し、所望の液体７，９を用いた処理を施す工程であって、はじめに、処理カップＷＣ内に載置した半導体ウェハ１を回転させた状態で、処理カップＷＣの開口部５から、液体供給ノズル６によって半導体ウェハ１に液体７，９を供給し、所望の処理を施す。続いて、半導体ウェハ１に回転を施すことで乾燥させるという、一連の工程からなる。そして、上記の工程中、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐようなカバー８を設置することにより、そのカバー８を通じて、処理カップＷＣの外へ飛散しようとする液体７，９を処理容器ＷＣに備えられた液体回収部４に導くことを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板を準備する工程と、
（ｂ）前記半導体基板を処理容器内に収容する工程と、
（ｃ）前記半導体基板を回転させた状態で、液体供給部から供給された所望の液体を、前記処理容器に形成された開口部を通じて、前記半導体基板の被処理面に供給することにより所望の処理を施す工程と、
（ｄ）前記半導体基板に回転を施すことで、前記半導体基板を乾燥させる工程とを有し、
前記処理容器は、前記半導体基板の外周側に、前記所望の液体を回収する液体回収部を有しており、
前記（ｃ），（ｄ）工程においては、前記処理容器の前記開口部を塞ぐようにカバーを配置することにより、前記処理容器の外へ飛散しようとする前記所望の液体を、前記カバーを通じて前記液体回収部に導くことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程は、前記半導体基板の前記被処理面に導体膜を形成する工程を有しており、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記半導体基板の前記被処理面に、前記所望の液体として薬液を供給し、前記導体膜をエッチングする工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）工程後、前記半導体基板の前記被処理面に、前記所望の液体として、薬液に代えて純水を供給し、前記薬液を洗浄する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
前記処理容器は、複数の処理容器を有しており、前記複数の処理容器を、前記所望の液体の種類に応じて切り換えることにより、前記所望の液体の種類毎に分別して回収することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１，２または３記載の半導体装置の製造方法において、
前記カバーは、前記液体供給部と一体的に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記カバーは気体供給部を備え、
前記（ｃ），（ｄ）工程においては、前記カバーの内面に、前記気体供給部から不活性ガスを供給することにより、前記カバーの内面に付着した前記所望の液体を、前記処理容器の液体回収部に導くことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にエッチング技術またはウェットプロセス技術に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高速に大容量の情報を処理する半導体集積回路に代表される半導体装置の製造工程では、例えば単結晶シリコンなどの半導体材料を、半導体ウェハと称される平面略円形の薄板の状態で扱い、その半導体ウェハを同等の領域に分け、各領域間で同じ構造の素子を形成し、後にそれらをチップ状に切断し、単独の半導体装置を形成していく。
【０００３】
その製造工程では、半導体ウェハ自体の加工や、所望の材料を堆積し、これを加工するなど、前工程と称されるプロセスを含む。そして、種々の工程は、薬液によるエッチング、または、純水による洗浄といった、所謂ウェットプロセスを経て行われる。
【０００４】
例えば、特開２００３−１３３２７８号公報（特許文献１）には、枚葉式処理装置を用いて、半導体ウェハに薬液によるエッチング処理、水洗（純水リンス）処理、乾燥処理を施す技術などが開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１３３２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置の製造工程において、特に、半導体ウェハ上に形成した導体膜などを薬液によりエッチングする工程の際、本発明者らは、上記特許文献１で開示されている技術の導入を検討した。
【０００６】
図６に、本発明者らが検討した半導体装置の製造工程の説明図を示す。半導体ウェハ１に対して薬液によるエッチングなどを施すための処理室ＷＲ内には、半導体ウェハ１を載置して回転を施すためのウェハ載置台２および可動式の液体供給ノズル６が備えられている。また、処理室ＷＲの底面には傾斜が設けてあり、液体が低部に向かって流れる機構となっている。そして、その傾斜の最低部には液体回収機構Ｐ１が備えられている。液体回収機構Ｐ１には切換バルブＰ２が備えられており、処理中の液体種によって切換バルブＰ２を切り替えることで、液体種毎に所望の分別、回収をすることができる。
【０００７】
半導体ウェハ１に対し、被処理面Ｓに導体膜を形成し、所望のエッチングマスクを形成した後、処理室ＷＲ内のウェハ載置台２に半導体ウェハ１を載置する。そして、半導体ウェハ１に回転を施した状態で、導体膜をエッチングし得る薬液７を液体供給ノズル６より供給する。所望のエッチング時間が経過した後、薬液７の供給を止める。その後、同様にして純水９を供給し、半導体ウェハ１の被処理面Ｓに残った薬液７を洗浄する。所望の洗浄時間が経過した後、純水９の供給を止める。その後、半導体ウェハ１の回転を持続させ、被処理面Ｓを乾燥させる。上記の工程中、処理室ＷＲ内に飛散した薬液７や純水９などの液体は、傾斜を設けた底部を流れ、液体回収機構Ｐ１によって回収される。上記工程中、液体の種別によって切換バルブＰ２を調整して分別し、処理に用いた液体を回収または排水する。
【０００８】
以上の方法によって半導体ウェハ１に形成した導体膜にエッチングを施す工程において、本発明者らは以下に示す課題を見出した。
【０００９】
第１に、処理室ＷＲの上面や側面に付着した薬液７または純水９の回収が困難であるという点である。これにより、薬液７の回収効率が低下する。更に、純水９による洗浄後、乾燥工程中に、処理室ＷＲ上面に付着した薬液７や純水９などが自然落下し、半導体ウェハ１に再付着する可能性があり、これは後の製品不良などをもたらす原因となる。
【００１０】
第２に、切換バルブＰ２の動作タイミングにより、薬液７が排水されてしまうこと、また、薬液７と純水９とが混同して回収されてしまうという点である。これは、上記と同様、薬液７の回収効率を低下させる原因となる。
【００１１】
そこで、本発明者らは、図７に示すように、処理室ＷＲに処理容器ＷＣを設置し、この中で同様の処理を行う方法を検討した。処理容器ＷＣは上部に開口部５を有し、ここから半導体ウェハ１の出し入れや、液体供給ノズル６による薬液の供給を行う。また、処理容器ＷＣは入れ子状に複数あり、これらは上下に可動である。また、各処理容器ＷＣには液体回収部４が備えてあり、処理容器ＷＣ毎に個別に液体を回収できる。これにより、処理に用いる液体種によって用いる処理容器ＷＣを変えることで、薬液７および純水９を正確に分別して回収することができる。
【００１２】
本発明者らの検討によれば、導体膜などのエッチングに用いる薬液７は、回収後、再利用する。しかし、上記の手法では、処理容器ＷＣの開口部５から処理中の薬液７または純水９が外部に飛散してしまい、回収効率が低下する。特に、薬液７の回収効率が低下することは、以下に示す課題をもたらす原因となることを、本発明者らは見出した。
【００１３】
第１に、枚葉処理する半導体ウェハ１毎に、薬液７の品質の均一化が困難になるという課題である。薬液７の回収効率が低下すれば、その都度新しい薬液７を供給しなければならず、これは、薬液７自体の濃度や不純物含有量の変化をもたらす。これは結果として、導体膜に対するエッチングレートの相違などを生じさせ、枚葉処理する各半導体ウェハ１によって特性のばらつきをもたらす原因となる。
【００１４】
第２に、エッチング工程全体のスループットが低下するという課題である。薬液７の回収効率が低下すれば、次の半導体ウェハ１の処理の前にこれを補充しなければならず、その補充時間やプロセス確認時間を要することから、全体のスループットを低下させてしまう。また、補充を要する分だけ、薬液７を多く使用することになる。これは結果として、半導体装置の製造コストを増加させる原因となる。
【００１５】
即ち、本発明者らが検討した技術では、半導体装置の製造工程において、特にウェットエッチングを要する工程で、上記のようなプロセス安定性の面で課題を有していることを、本発明者らは見出した。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を向上させる技術を提供することにある。
【００１７】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１９】
半導体装置の製造方法において、半導体基板の被処理面に所望の液体を用いた処理を施す工程であって、処理容器内で半導体基板を回転させた状態で、処理容器の開口部から所望の液体を供給することで半導体基板の被処理面に所望の処理を施す際、処理容器の開口部を塞ぐようにカバーを設置することにより、そのカバーを通じて、処理容器の外へ飛散しようとする所望の液体を処理容器に備えられた液体回収部に導く。
【発明の効果】
【００２０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２１】
即ち、処理に用いた液体を効率的に回収することで、ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は可能な限り省略するようにしている。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、例えば単結晶シリコンを母材とする半導体ウェハ（半導体基板）１に複数の素子を形成し、それらを導体膜により配線することで所望の機能を有する集積回路を構成している半導体装置の製造工程を例示する。本実施の形態１では、特に、導体膜による配線を形成するための、薬液によるウェットエッチング工程に関し、エッチング処理を行う処理容器に薬液飛散の防止を目的としたカバーを設置することで、薬液の回収効率を向上させ、薬液処理の安定性を向上させる技術を例示する。
【００２４】
図１に、本実施の形態１で例示する半導体装置の製造方法において、特に、半導体ウェハ１に形成した導体膜にエッチングを施す工程のフローを示している。
【００２５】
はじめに、半導体ウェハ１において、所望の回路機能を発現するための複数の素子を形成した被処理面Ｓに、それら複数の素子を配線するための導体膜を形成する（導体膜形成工程１０１）。本実施の形態１において、複数の素子としては、例えばパワートランジスタや抵抗素子などを形成するものとし、導体膜としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を主体とする金属膜であるものとする。導体膜の形成は、通常のスパッタリング法または真空蒸着法などにより行うものとする。
【００２６】
その後、導体膜を例えばフォトレジスト膜で覆い、露光、現像といった一連のフォトリソグラフィ工程によって、フォトレジスト膜に所望の配線パターンを転写する（エッチングマスク形成工程１０２）。そして、配線パターンが転写されたフォトレジスト膜をエッチングマスクとして、導体膜にエッチングを施すことで、導体配線を形成する（導体膜加工工程１０３）。
【００２７】
本実施の形態１で例示する半導体装置の製造方法では、上記の導体膜加工工程１０３に特徴があり、以下にその詳細を説明する。
【００２８】
まず、本実施の形態１で用いた処理装置Ｍを図２により説明する。処理装置Ｍは、１枚の半導体ウェハ１毎に、エッチング、純水洗浄および乾燥処理を順に一貫して行う枚葉式のエッチング処理装置である。
【００２９】
処理装置Ｍの中央には、ウェハ載置台２が設置されている。ウェハ載置台２には、半導体ウェハ１を載置することができる。ウェハ載置台２は半導体ウェハ１の被処理面Ｓに対して交差（直交）する方向に沿って移動可能なように設置されているとともに、半導体ウェハ１の被処理面に水平な面内に沿って回転可能な状態で設置されている。また、ウェハ載置台２は、半導体ウェハ１に対して回転処理を施している最中に、半導体ウェハ１がウェハ載置台２から外れてしまわないように、例えば、半導体ウェハ１の周囲をピン３押圧することで固定するものとする。このようなピン固定方式に代えて、半導体ウェハ１を真空吸着することで固定する真空チャック方式であっても良い。
【００３０】
上記ウェハ載置台２の外周には、それを取り囲むように処理カップ（処理容器）ＷＣが設置されている。処理カップＷＣは、その中で行われる、所望の液体を用いたウェットプロセス処理中に、外部に飛散する液体の一部を受け止めるための機構部である。半導体ウェハ１の回転時に被処理面Ｓから飛散した液体のうち、処理カップＷＣに受け止められたものは、処理カップＷＣの壁面を通じて液体回収部４に流れ、外部に回収される。液体回収部４は、処理カップＷＣの最も低い位置に設けられた、外部に繋がる管状の機構部であるとする。液体回収部４により回収された液体は、適切な処理を施して再利用することができる。このような処理カップＷＣは、入れ子状に複数あり、それぞれが可動である。更に、個々に液体回収部４が備えられている。そして、処理カップＷＣの中で行う処理に用いられている液体の種類に応じて、適用する処理カップＷＣを切り換えることにより、液体の種類毎に分別して回収することができる機構となっている。
【００３１】
処理カップＷＣは、ウェハ載置台２の上方に開口部５を有している。この開口部５より、半導体ウェハ１を出し入れすることができる。
【００３２】
また、ウェハ載置台２の上方には、液体供給ノズル（液体供給部）６が設置されている。液体供給ノズル６は、半導体ウェハ１の被処理面Ｓに対して所望の液体を供給するための機構部である。処理に用いる液体は、処理カップＷＣの開口部５を通じて半導体ウェハ１の被処理面Ｓに供給されるため、液体供給ノズル６は、ウェハ載置台２の上方の開口部５に設置されている。特に、回転が施される半導体ウェハ１に供給される液体が、被処理面Ｓ上にできるだけ長く留まるように、液体供給ノズル６は遠心力の小さい回転軸上に設置される。また、前述のように、半導体ウェハ１は開口部５より出し入れされるので、これを妨げないように、液体供給ノズル６は可動となっている。即ち、液体供給ノズル６は、ウェット処理中は開口部５に、半導体ウェハ１の出し入れ工程中はそれを妨げない位置に移動して設置される。
【００３３】
半導体ウェハ１の被処理面Ｓには複数の処理が施されるため、用いる液体も単種ではないことが多い。従って、液体供給ノズル６も、用いる液体種によって変更される。
【００３４】
次に、上記のような処理装置Ｍを用いて上記エッチング処理を行う方法の一例を、図３により説明する。
【００３５】
導体膜のエッチング工程は、半導体ウェハ１をウェハ載置台２に載置することで、半導体ウェハ１を処理カップＷＣ内に収容することから始まる（図１における工程３０１）。本実施の形態１では、半導体ウェハ１において、導体膜を形成した被処理面Ｓが処理カップＷＣの開口部５側を向くように、半導体ウェハ１を載置する。
【００３６】
その後、半導体ウェハ１に回転を施す。この状態で、可動式である液体供給ノズル６が開口部５に配置され、液体供給ノズル６より、導体膜をエッチングするための薬液（所望の液体）７が、半導体ウェハ１の被処理面Ｓに供給される。本実施の形態１では、導体膜であるＡｌをエッチングする薬液７として、例えば、酢酸、硝酸、および、燐酸を混合した混酸薬液を用いるものとする。これにより、フォトレジスト膜によるエッチングマスクが施されていない、露出した部分の導体膜がエッチングされる（図１における工程３０２）。本実施の形態１において、液体供給ノズル６は液体吐出口に向かって次第に幅広となるコーン型ノズルとしているが、幅に変化の無いストレート型ノズル、または、スプレー式のノズルでも良い。
【００３７】
このとき、本発明者らが検討した手法によれば、薬液７は、回転している半導体ウェハ１に振り切られ、特に、開口部５から外部に飛散したものは回収できず、薬液７の回収効率は低下する。これは、プロセスの安定性を損なう原因となっていた。
【００３８】
そこで、本実施の形態１では、図３に示すように、液体供給ノズル６より半導体ウェハ１に薬液７を供給している間、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐようなカバー８を設置することで、開口部５から外部への薬液７の飛散を防止している。
【００３９】
カバー８は断面円弧状に形成されている。即ち、カバー８の内面が、外周に向かって次第にウェハに近付く方向に曲率を持って形成されている。そして、カバー８が終端する外周部は、処理カップＷＣに設けられた液体回収部４の上方に達するように形成されている。これにより、カバー８の内面に付着した薬液７は自重によって弧状内面に沿って移動し、カバー８が終端する外周部で処理カップＷＣ内に落ち、液体回収部４に導かれるようになっている。また、カバー８の弧状内面に沿った薬液７の移動を妨げないように、液体供給ノズル６は、カバー８の最も高い位置に配置されるように設置されている。
【００４０】
ここで、カバー８の形状としては、内面に付着した薬液７などが、カバー８の終端する外周部に、自重により移動しやすい形状であることが要件であり、例えば円錐状などであっても良く、上記に示した断面円弧状に限定されるものではない。その際、カバー８が終端する外周部は、処理カップＷＣに備えられた液体回収部４の上部に達している必要がある。
【００４１】
図４には、本実施の形態１で例示した、薬液７の飛散を防止するカバー８を用いなかった場合と、用いた場合との効果の違いを示している。カバー８を用いなかった場合、薬液７が処理カップＷＣの外部に飛散する量が、処理する半導体ウェハ１枚あたり７８１ｃｃであるのに対し、カバー８を用いた場合、同５ｃｃと低減されているのが分かる。
【００４２】
上記のように、本実施の形態１において例示した薬液７の飛散防止カバー８を適用することで、処理に用いた薬液７は処理カップＷＣの外部に飛散し難くなり、液体回収部４によって高効率に回収される。これにより、枚葉処理として次に扱う半導体ウェハ１の同様の処理の際に、新たに薬液７を補充する必要性が低減される。結果として、処理毎に用いる薬液７の品質は均一化され、また、薬液７の使用量が低減されることから、このエッチングプロセスの安定性が向上する。
【００４３】
導体膜のエッチング工程は、その後、純水（所望の液体）９による薬液７の洗浄（所謂リンス）工程に移る（図１における工程３０３）。前の工程で薬液７を供給した液体供給ノズル６を、純水９を供給するための別の液体供給ノズル６に変える。その後、上記と同様にして、半導体ウェハ１を回転させた状態で、被処理面Ｓに純水９を供給することで、薬液７の洗浄を行う。このとき、処理カップＷＣは薬液７によるエッチング工程で用いたものとは違う処理カップＷＣに切り換える。また、上記と同様に、この工程でも、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐようなカバー８を設置することで、純水９の外部への飛散を防止することができる。このようなカバー８を用いて効率よく純水９を回収することで、外部に飛散、付着して残った純水９が、後に自然落下して半導体ウェハ１に再付着する可能性を低減できる。
【００４４】
ここで、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐカバー８は、液体供給ノズル６と一体的に備えられたものであっても良い。前述のように、液体供給ノズル６は可動であり、各液体（薬液７または純水９）を供給する処理の前に、開口部５に移動して配置されるため、開口部５からの液体の飛散を防止するという目的は達成される。
【００４５】
純水９による所望の洗浄時間が経過した後、半導体ウェハ１を乾燥させる工程に移る（図１における工程３０４）。ここでは、液体の供給を止め、半導体ウェハ１に引き続き回転を施した状態とすることで、前の工程で半導体ウェハ１に付着した純水９を振り切り、乾燥させる。この工程中においても、半導体ウェハ１が乾燥するまでは、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐカバー８を設置することで、飛散する純水９を効率的に回収し、半導体ウェハ１への再付着を防ぐことができる。
【００４６】
半導体ウェハ１が乾燥するまでの所望の時間が経過した後、半導体ウェハ１に施した回転を止め、処理カップＷＣの開口部５から半導体ウェハ１を取り出す。当該半導体ウェハ１は次の所望の工程に移り、枚葉処理に伴う別の半導体ウェハ１に同様の処理を施す場合は、ウェハ載置台２に同様に載置して、以上の工程を繰り返す。
【００４７】
上記のように、本実施の形態１で例示した、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐカバー８を導入したウェットエッチングプロセスによって、処理に用いた液体を高効率に回収することができる。結果として、ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を向上させることができる。
【００４８】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、半導体装置の製造方法におけるウェットエッチング工程に際し、上記実施の形態１で例示した、処理中の液体の飛散を防止するカバー８を設けることで液体の回収効率を向上させる技術に加え、カバー８に付着した液体を効果的に離脱させる技術を例示する。
【００４９】
本実施の形態２で例示するウェットエッチングプロセスは、上記実施の形態１で図１を用いて説明した方法と同様であり、ここでの詳細な説明は省略する。本実施の形態２では、処理カップＷＣ中におけるウェットエッチング工程中に、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐカバー８に、新しい構成を加えたものであり、その説明図を図５に示す。
【００５０】
即ち、処理カップＷＣの開口部５を塞ぎ、薬液７または純水９の飛散を防ぐカバー８は、気体を供給するガスブローノズル（気体供給部）１０を備えている。このガスブローノズル１０は、液体供給ノズル６付近、即ち、カバー８の最も高い位置周辺から、処理カップＷＣの液体回収部４に向かって、カバー８の内面に送風することができるように設置されている。本実施の形態２において、ガスブローノズル１０から供給される気体は、例えば窒素ガスまたはアルゴンガスなどの不活性気体であるものとする。
【００５１】
上記の構成によって、薬液によるエッチング工程（図１の工程３０２）から乾燥工程（図１の工程３０４）までの、液体の飛散を生じる処理工程中、カバー８の内面に付着した薬液７または純水９の、カバー８の内面に沿った移動を促進させ、カバー８の内面に留まり難くすることで、より効率的に処理カップＷＣの液体回収部４に導くことができる。
【００５２】
また、カバー８に種々の液体が留まることは、それらが後の工程で半導体ウェハ１に再付着する可能性を有することを意味する。本実施の形態２で例示したガスブローノズル１０を用い、カバー８の内面の液体を効果的に除去できることは、前述のような再付着を起こし難くし、製品の品質向上にも効果をもたらす。
【００５３】
以上のように、本実施の形態２において例示した、ウェットエッチングプロセス中に処理液体の飛散を防止するカバー８に、内面に送風を施すことのできるガスブローノズル１０を備えた構成を適用することで、上記実施の形態１で例示した手法よりも更に効率的に、液体の回収を行うことができる。結果として、ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を更に向上させることができる。
【００５４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５５】
例えば、本実施の形態１，２では、半導体ウェハ１に形成した導体膜のエッチングプロセスを例示したが、例えば、素子を形成した半導体ウェハ１の主面と反対側の裏面に、電極形成する工程において、電極形成前の半導体ウェハ１自体のエッチングなど、薬液７や純水９を用いたウェットエッチングプロセスであれば、適用して有効な技術である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、例えばパーソナルコンピュータやモバイル機器等において、情報処理を行うために必要な半導体産業に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を示すフロー図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【図３】図２に続く半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施の形態の効果を示す説明図である。
【図５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【図６】本発明者が検討した半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【図７】本発明者が検討した半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  半導体ウェハ（半導体基板）
２  ウェハ載置台
３  ピン
４  液体回収部
５  開口部
６  液体供給ノズル（液体供給部）
７  薬液（所望の液体）
８  カバー
９  純水（所望の液体）
１０  ガスブローノズル（気体供給部）
Ｍ  処理装置
Ｐ１  液体回収機構
Ｐ２  切換バルブ
Ｓ  被処理面
ＷＣ  処理カップ（処理容器）
ＷＲ  処理室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008277605.tif 000008
【図７】
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