(57)【要約】【課題】太陽電池の裏面電極形成に伴う半導体基板の反りを抑制し、かつ面抵抗が小さく、密着強度が高い裏面電極を形成できる導電性ペーストを提供する。【解決手段】裏面電極５の形成に、電極成分として純度９９．９質量％以上のＡｌ粉末を用いる。高純度であるほど、ヤング率の小さな軟らかい裏面電極５を形成することができるので、焼成後の降温時に、熱膨張率の差に起因する収縮差が緩和され、半導体基板１に反りが生じることが抑制される。さらには、あらかじめ高純度Ａｌ粉末を加熱処理したうえで導電性ペーストを作製するのが好ましい。より軟らかい裏面電極５の形成が可能である。【選択図】図１
2008159879.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストであって、
導電性材料が純度９９．９質量％以上のＡｌ粉末である、
ことを特徴とする光電変換素子用導電性ペースト。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換素子用導電性ペーストであって、
前記Ａｌ粉末が、前記光電変換素子用導電性ペーストの作製に先立って所定の不活性ガス雰囲気で３００℃以上５００℃以下の加熱温度で加熱処理されたものである、
ことを特徴とする光電変換素子用導電性ペースト。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光電変換素子用導電性ペーストを用いて前記半導体基板の一方主面上にＡｌを主成分とする電極層を形成してなる、
ことを特徴とする光電変換素子。
【請求項４】
光電変換素子用の半導体基板と、
前記半導体基板の一方主面上に形成された電極層と、
を備える光電変換素子であって、
前記電極層が、純度９９．９質量％以上のＡｌ粉末を出発原料に用いて形成されてなり、Ａｌ以外の元素の含有比率が１質量％以下であり、ヤング率が４０ＧＰａ以下である、
ことを特徴とする光電変換素子。
【請求項５】
光電変換素子の作製方法であって、
導電性材料が純度９９．９質量％以上のＡｌ粉末である導電性ペーストを作製する工程と、
前記導電性ペーストを用いて塗布法により光電変換素子用の半導体基板の一方主面上に電極層を形成する工程と、
を備え、
前記電極層を、純度９９．９質量％以上のＡｌを主成分とし、Ａｌ以外の元素の含有比率が１質量％以下であるように形成する、
ことを特徴とする光電変換素子の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子用導電性ペーストおよびこれを用いて作製する光電変換素子に関し、特に、太陽電池の裏面電極層とｐ+層との形成に好適な導電性ペースト、およびこれを用いて作製する太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境保護の観点から家庭用の太陽電池の需要が著しく増加する傾向にある。太陽電池の構成としては、ｐ型のＳｉ基板の表面側にｎ+層を設け、裏面側にｐ+層を設けることでｎ+／ｐ／ｐ+接合を形成し、さらに受光面側となるｎ+層側に受光面電極を備え、反対側のｐ+層側には裏面電極を備える態様が、従来より広く採用されている。また、受光面側に反射防止膜を設けることも一般的である。
【０００３】
電極形成には、印刷法（塗布法）が広く用いられる。印刷法は、自動化が容易で生産性が高いという利点を有していることから、種々の電子デバイスの電極形成の手法として一般的な手法である。印刷法は、導電を担う金属粉末を有機バインダーや有機溶剤と混練した導電性ペースト（導体ペースト）をスクリーン印刷などの手法で被形成体に塗布した後、これを熱処理炉内で焼成することで有機成分を蒸発させ、金属粉末の焼結体としての電極を形成する手法である。
【０００４】
太陽電池の場合は、金属Ａｌ粉末を含む導電性ペースト（Ａｌペースト）をＳｉ基板の裏面側に塗布し、これを焼成することで、裏面電極の形成のみならずｐ+層の形成も併せて行える。具体的には、焼成によって裏面電極となるＡｌを主成分とするＡｌ電極層が形成される際に、ＡｌがＳｉ基板に拡散することで、Ａｌを不純物として含むｐ+層が形成される。裏面電極は、太陽電池において発生した電気を取り出す集電電極の役割を果たすものであり、ｐ+層は、いわゆるＢＳＦ（Back Surface Field）効果を生じさせることで、裏面電極における集電効率を高める役割を果たしている。
【０００５】
一方、太陽電池のコストダウンを図るべく、Ｓｉ基板の厚みを２００μｍ以下とする薄層化が検討されている。係る薄層化を実現する上での問題点として、Ｓｉ基板を薄くするほど、Ａｌ電極層との熱膨張差に起因した反りがＳｉ基板に生じやすくなるということがある。Ｓｉの熱膨張率は２．５×１０-6／ｄｅｇであるのに対し、Ａｌは２３．２５×１０-6／ｄｅｇと、両者は約１０倍程度異なっている。この問題の解決を意図する技術もすでに公知である（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２２３８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したＳｉ基板の反りは、ＡｌペーストをＳｉ基板上に印刷し、焼成した後の降温時に、Ａｌ電極層とＳｉ基板の熱膨張の違いに起因して生じるものである。このような反りが生じると、その後の工程において自動機へのハンドリングミスが生じやすく、太陽電池素子の割れや欠けを発生させ、製造歩留まりを低下させるという問題がある。
【０００８】
係る問題の解決策として、Ａｌペーストの塗布量を減らしてＡｌ電極層を薄くすることにより、反る力を物理的に軽減する手法が想定される。しかしながらこの手法ではＳｉ基板へのＡｌの拡散量が少なくなり、ｐ+層が形成されにくく、発電効率が低下するという問題がある。
【０００９】
特許文献１には、Ａｌ粉末と、有機ビヒクルと、Ａｌよりも熱膨張率が小さくかつＡｌの融点よりも溶融温度、軟化温度、分解温度のいずれかが高い無機化合物、具体的にはＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などを添加したペーストを用いて、裏面電極を形成する方法が開示されている。
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示の方法では、Ｓｉ基板の反りを低減することはできるものの、ペーストに添加した無機化合物が焼成後もそのままの形で存在するため、裏面電極内のＡｌ粒子同士の結合が弱く、密着強度が低いという問題がある。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、太陽電池その他の光電変換素子の作製に用いる導電性ペーストであって、半導体基板の裏面電極形成に伴う反りを抑制すると共に、面抵抗が小さく、密着強度が高い裏面電極を形成することができる導電性ペースト、およびこれを用いて作製する光電変換素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストであって、導電性材料が純度９９．９質量％以上のＡｌ粉末である、ことを特徴とする。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１に記載の光電変換素子用導電性ペーストであって、前記Ａｌ粉末が、前記光電変換素子用導電性ペーストの作製に先立って所定の不活性ガス雰囲気で３００℃以上５００℃以下の加熱温度で加熱処理されたものである、ことを特徴とする。
【００１４】
請求項３の発明は、光電変換素子において、請求項１または請求項２に記載の光電変換素子用導電性ペーストを用いて前記半導体基板の一方主面上にＡｌを主成分とする電極層を形成してなる、ことを特徴とする。
【００１５】
請求項４の発明は、光電変換素子用の半導体基板と、前記半導体基板の一方主面上に形成された電極層と、を備える光電変換素子であって、前記電極層が、純度９９．９質量％以上のＡｌ粉末を出発原料に用いて形成されてなり、Ａｌ以外の元素の含有比率が１質量％以下であり、ヤング率が４０ＧＰａ以下である、ことを特徴とする。
【００１６】
請求項５の発明は、光電変換素子の作製方法であって、導電性材料が純度９９．９質量％以上のＡｌ粉末である導電性ペーストを作製する工程と、前記導電性ペーストを用いて塗布法により光電変換素子用の半導体基板の一方主面上に電極層を形成する工程と、を備え、前記電極層を、純度９９．９質量％以上のＡｌを主成分とし、Ａｌ以外の元素の含有比率が１質量％以下であるように形成する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１ないし請求項５の発明によれば、高純度Ａｌを主成分として含む、ヤング率の小さな軟らかい電極層が形成されるので、高純度でないＡｌを主成分として電極層を形成する従来の場合に比して、熱膨張率の差に起因して生じる電極層と半導体基板との収縮差は緩和され、結果として半導体基板の反りが抑制された光電変換素子を実現できる。
【００１８】
特に、請求項２の発明によれば、加熱処理を経た高純度Ａｌを用いることで電極層をより軟らかく（柔らかく）ことができるので、半導体基板の反りがさらに抑制された光電変換素子を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
＜導電性ペースト＞
本実施の形態に係る導電性ペーストは、主として、太陽電池などの光電変換素子の形成に用いる半導体基板に、印刷法（塗布法）によって電極を形成する際に用いるものである。例えば太陽電池を作製する場合であれば、Ｓｉ基板などのｐ型の半導体基板の裏面側に、印刷法によって裏面電極を形成する際に用いるのが、その使用態様の好適な一例である。
【００２０】
係る導電性ペーストは、高純度Ａｌ粉末と、ガラスフリット粉末と、有機バインダーと、有機溶剤とを含む。ここで、高純度Ａｌ粉末とは、該導電性ペーストにおいて導電を担う粒子であり、純度９９．９質量％以上のＡｌ粉末をいう。さらには、純度は９９．９９質量％以上であることが好ましい。高純度Ａｌ粉末としては、平均粒径が１５μｍ以下の粉末を用いるのが、その好適な一態様である。印刷法によって係る導電性ペーストの塗布と焼成とを行うことで、Ａｌを主成分とする裏面電極およびｐ+層を、光電変換素子の裏面側に形成することができる。なお、導電性ペーストに上述の高純度Ａｌ粉末以外のＡｌ粉末を含むことは、本来的には好ましくないが、主として意図的でない要因によって生じる混入は、本願発明の効果が妨げられない程度の微小割合であれば許容される。
【００２１】
本実施の形態において、裏面電極の形成に上述の高純度Ａｌ粉末を含む導電性ペーストを用いるのは、従来の高純度でないＡｌ粉末を用いる場合に比して、硬度が小さい、つまりは軟らかい裏面電極を形成することができるからである。具体的には、ヤング率が４０ＧＰａ以下の裏面電極を形成することができる。さらには、条件をより好適に定めることにより、ヤング率が３０ＧＰａ以下の裏面電極を形成することもできる。このような軟らかい裏面電極が形成された太陽電池においては、焼成後の降温時に、熱膨張率の差に起因する電極層と半導体基板との収縮差は緩和され、半導体基板に反りが生じることが効果的に抑制されてなる。換言すれば、ヤング率が４０ＧＰａ以下であるように裏面電極を形成された太陽電池であれば、実用上、反りが抑制されたとものとして取り扱うことが可能となる。
【００２２】
なお、本実施の形態において、裏面電極のヤング率は、焼成後の裏面電極に対してマルテンス硬さ試験（ＩＳＯ１４５７７）を施すことにより算出するものとする。
【００２３】
半導体基板の反りの抑制の観点からは、高純度Ａｌ粉末を、例えばＮ2などの不活性ガス雰囲気中で３００〜５００℃の温度で加熱処理したうえで導電性ペーストへの調合に供給するのが、より好ましい。係る加熱処理を行うことによって、形成される裏面電極がより軟らかくなる（そのヤング率がより小さくなる）からである。
【００２４】
ガラスフリット粉末、有機バインダー、有機溶剤については従来のＡｌペーストで使用されているものと同等のものを用いることができる。ガラスフリット粉末としては、例えば、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系のガラス材料を用いるのがその好適な一例である。有機バインダーとしては、印刷性の観点からセルロース系やポリメタクリレート系のものを用いるのが好適である。例えば、エチルセルロースがその一例である。有機溶剤としては、多価アルコール系のものを用いるのが好適である。例えば、α−テルピネオールを用いるのがその一例である。
【００２５】
これらの高純度Ａｌ粉末、ガラスフリット粉末、有機バインダー、有機溶剤を、所定の重量ずつ、例えば高純度Ａｌ粉末を７０重量％程度、ガラスフリット粉末を０．１重量％程度、有機バインダーを４重量％程度、有機溶剤を２６重量％程度それぞれ秤量し、ボールミルや攪拌器で混合した後、三本ロールにて混練することにより、本実施の形態に係る導電性ペーストを得ることが出来る。
【００２６】
＜太陽電池＞
次に、上述の導電性ペーストを用いて作製されてなる、本実施の形態に係る光電変換素子の一態様としての太陽電池について説明する。図１は、本実施の形態に係る太陽電池１０の構成を概略的に示す断面模式図である。
【００２７】
太陽電池１０は、半導体基板１と、半導体基板１の表面側（受光面側）に形成されてなり、ｎ型不純物を有するｎ+層２と、半導体基板１の裏面側に形成されてなり、ｐ型不純物を有するｐ+層３と、ｎ+層２の表面に（図１においてはｎ+層２の上に）形成されてなる、Ａｇ等からなる受光面電極４と、半導体基板１の裏面側にｐ+層３を介在させて（図１においてはｐ+層３の下に）形成されてなる、上述のＡｌ合金等からなる裏面電極５とから、主として構成される。係る太陽電池１０は、受光面への所定の波長範囲の光の入射に応答して、電流を取り出すことができるように構成されている。すなわち、太陽電池１０は、ｎ+層２と、半導体基板１と、ｐ+層３とによって形成されてなるｎ+／ｐ／ｐ+接合を有し、その表面に受光面電極４が、裏面に裏面電極５が、それぞれ形成されてなる構造を有するともいえる。
【００２８】
半導体基板１としては、例えばＳｉ系のＩＶ族半導体を用いるのが好適な一例である。例えば、外形が１５０ｍｍ□の、Ｂ（ボロン）などがｐ型のドーパントとして添加されてなる多結晶Ｓｉのインゴットを１５０〜２００μｍの範囲内の任意の厚みにスライシング加工して得られるＳｉ基板を、半導体基板１として用いることができる。係るＳｉ基板の比抵抗は１〜５Ω・ｃｍ程度であるのがその好適な一例である。なお、加工により生じたダメージ層や汚染層を除去すべく、ＮａＯＨやＫＯＨ、あるいはフッ酸やフッ硝酸などで表面をわずかにエッチングすることが望ましい。また、受光した光の閉じ込め効率を高めるべく、ドライエッチング法やウェットエッチング法によって、半導体基板１の表面に微小な凹凸を形成するのが望ましい。
【００２９】
また、半導体基板１の材質は上述のものに限定されるものではなく、単結晶Ｓｉを用いてもよい。あるいは、上述の導電性ペーストを用いてＡｌ合金からなる裏面電極を形成しうる半導体であれば、他の半導体を用いてもよい。
【００３０】
ｎ+層２は、いわゆる逆導電型拡散領域である。ｎ+層２は、半導体基板１の一方の主面側に、公知のイオン打ち込み法によってＰ（リン）を打ち込むことによって形成される。ｎ+層２が形成された側が、太陽電池の受光面側となる。ｎ+層２は、例えば、１．５×１０-3Ω・ｃｍ程度の比抵抗と、０．３〜０．５μｍ程度の厚みを有するように形成されるのが、その好適な一例である。あるいは、ＰＯＣｌ3（オキシ塩化リン）などのガス中で熱処理する、いわゆる気相拡散法によってｎ+層２を形成するようにしても良い。
【００３１】
ｐ+層３と裏面電極５とは、上述の高純度Ａｌ粉末を含む導電性ペーストを用いて、印刷法により形成される。例えば、ｎ+層２を形成した後の半導体基板１の略全面にスクリーン印刷法により導電性ペーストを塗布し、１５０℃、数分間の乾燥処理を施した後、空気中で最高温度が７００〜８５０℃の焼成温度で１分〜３０分間程度焼成すると、Ａｌを主成分とするとともにガラス成分を含む裏面電極５が形成されると共に、Ａｌが半導体基板１に向けて拡散することによりｐ+層３が形成される。
【００３２】
上述したように、本実施の形態においては、裏面電極の形成に高純度Ａｌ粉末を含む導電性ペーストを用いるので、得られる裏面電極５のヤング率が４０ＧＰａ以下であり、これは従来の高純度でないＡｌ粉末を用いた導電性ペーストにて形成される裏面電極よりも軟らかいものである。太陽電池１０においては、この裏面電極５がこのように軟らかく形成されることで、裏面電極５と半導体基板１との熱膨張率の差に起因する収縮差は、従来よりも緩和されてなり、半導体基板１に反りが生じることが効果的に抑制されてなる。
【００３３】
また、裏面電極５の面抵抗は、従来と同程度あるいはそれよりも小さい。すなわち、太陽電池１０は、従来と同程度あるいはそれ以上に良好な電極特性を有しているといえる。一方、裏面電極５においてはＡｌ以外の金属又は半金属の存在比率が１質量％以下であること、およびＡｌ粒子の表面に酸化層が形成されることでＡｌが不導態となっていることが確認されており、これらが、上述の良好な電気特性の実現に寄与していると考えられる。また、裏面電極５のピール強度は少なくとも従来と同程度である。
【００３４】
受光面電極４は、Ａｇペーストを用いて、印刷法により形成される。例えば、ｐ+層３および裏面電極５を形成した後、スクリーン印刷によりｎ+層２の上に櫛歯状にＡｇペーストを塗布し、１５０℃、数分間の乾燥処理を施した後、空気中で最高温度が６００℃程度の焼成温度で１分〜１０分間程度焼成することで、Ａｇからなる櫛歯状の受光面電極４が形成される。
【００３５】
本実施の形態においては、太陽電池１０をこのように構成することで、従来の高純度でないＡｌ粉末を用いる場合よりも裏面電極と半導体基板との熱膨張率の差に起因する収縮差を緩和することができるので、従来よりも薄層化された半導体基板を用いつつも、その反りを低減すると共に、面抵抗が小さく、かつ密着強度が大きな裏面電極を有する太陽電池を実現することができる。
【００３６】
なお、本発明の実施形態は上述の例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加え得ることはもちろんである。例えば、半導体基板の受光面側に窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる反射防止膜（不図示）を設けたほうが好ましい。
【００３７】
さらに、裏面電極としては、上述のように裏面のほぼ全面に形成したＡｌを主成分とする電極に加えて、出力を取り出すための、Ａｇを主成分とする電極を、さらに形成したほうが好ましい。
【実施例】
【００３８】
純度が９９．９９８質量％と９９．９質量％と、９９．８５質量％の３種類のＡｌ粉末につき、加熱処理の有無が異なる２水準のものを用意し、それぞれについて導電性ペーストを作製した。すなわち、Ａｌ粉末の純度と加熱処理の組合せが異なる６水準の導電性ペーストを用意した。
【００３９】
それぞれの導電性ペーストの作製においては、まず、アトマイズ法によりほぼ球状の平均粒径５μｍのＡｌ粉末を得た。加熱処理を施すものについては、Ｎ2ガス雰囲気中で、最高温度５００℃で３０分間の加熱を行った。
【００４０】
次に平均粒径が５μｍで軟化点３８０℃のガラス粉末を用意し、Ａｌ粉末とガラス粉末とを、後者の重量比率が０．１％となるように混合して無機原料を得た後、更に有機バインダーとしてエチルセルロースを無機原料１００重量部に対して５重量部、有機溶剤としてαテルピネオールを２０重量部加え、攪拌器により混合した。これを３本ロール処理して、導電性ペーストを得た。
【００４１】
得られた計６種の導電性ペーストをそれぞれを用いて、６種の太陽電池を作製した。
【００４２】
それぞれの太陽電池の作製においては、半導体基板１として、外形１５０ｍｍ□の多結晶Ｓｉのインゴットを１８０μｍ厚みにスライシング加工したＳｉ基板を用いた。このＳｉ基板の表面に、イオン打ち込み法によりＰを打ち込むことにより、深さ０．５μｍで、比抵抗が約１．５×１０-3Ω・ｃｍのｎ+層２を形成した。
【００４３】
その後、Ｓｉ基板の裏面にスクリーン印刷法により導電性ペーストを略全面に塗布し、１５０℃、１０分間の乾燥処理を行った後に、空気中で最高温度７５０℃に加熱して、１０分間焼成し、裏面電極５およびｐ+層３を形成した。
【００４４】
さらに、ｎ+層２の表面にＡｇペーストをスクリーン印刷法により櫛歯状に塗布し、１５０℃、１０分間の乾燥処理を行った後に、空気中で最高温度６００℃に加熱して、１０分間焼成し、受光面電極４を形成した。これにより、６種類の太陽電池が得られた。
【００４５】
このようにして作製したそれぞれの太陽電池について、半導体基板の反り量、裏面電極の面抵抗、裏面電極のピール強度、ヤング率を測定した。図２は、本実施例にかかる半導体基板の反り量の評価方法について説明するための図である。本実施の形態においては、半導体基板１の厚さを含んだ値で反り量を評価した。具体的には、図２に示すように、水平面に載置した場合の最低部（水平面）と最高部との高さの差で反り量を評価した。その際、２ｍｍ以上を不可と判定することとした。また、Ａｌ電極部の面抵抗は４端子法で測定し、１５ｍΩ／□以上を不可と判定することとした。Ａｌ電極部のピール強度は、セロハンテ−プによる引き剥がし試験で評価し、はがれのあるものを、密着強度が充分ではないとして不可と判定することとした。ヤング率は、マルテンス硬さ試験により測定した。マルテンス硬さ試験とは、ナノインデンターを用いたスクラッチ試験による評価であり、スクラッチの深さの測定結果よりヤング率を換算して求めることができる。ナノインデンターとはダイアモンドチップからなる微小な三角錘の圧子を用いて、超低荷重（最大荷重２０ｍＮ、荷重分解能１ｎＮ）、高精度（変位分解能０．０１ｎｍ）で押し込み試験ができる装置である。
【００４６】
このようにして得られた、６種類の太陽電池についての、評価結果を表１として示す。
【００４７】
【表１】
2008159879.tif 000003
【００４８】
表１に示すように、Ａｌ面抵抗およびピール強度については、不可と判定されるものはなかった。一方、反り量とヤング率については、Ａｌの純度が高い方が、また、高純度加熱処理を施したものの方が、反り量もヤング率も小さい、という結果が得られた。そして、Ａｌの純度が９９．８５質量％で加熱処理を施さないＮｏ．６の太陽電池についてのみ、反り量が２ｍｍを上回り、不可と判定された。ヤング率に着目すると、このＮｏ．６の太陽電池のみ４０ＧＰａを上回っており、他は４０ＧＰａを下回っていた。特に、Ａｌの純度が９９．９９８質量％であるＮｏ．１およびＮｏ．２の太陽電池については、ヤング率が３０ＧＰａを下回っていた。また、加熱処理を行うことによって、形成される裏面電極のヤング率がより小さくなる（裏面電極がより軟らかくなる）ことが確認された。
【００４９】
以上の結果は、高純度Ａｌ粉末を導電性ペーストに用いることで、十分な密着強度と、小さな面抵抗とを維持しつつ、ヤング率の小さな軟らかい裏面電極を形成することができること、および、このように軟らかい裏面電極を形成することで、半導体基板の反りが低減できることを示すものである。
【００５０】
また、表１の結果からは、高純度Ａｌ粉末を用いたものほど面抵抗およびＡｌ以外の不純物の合計量が少ないといえ、裏面電極の面抵抗との間に正の相関があることが確認される。すなわち、Ａｌ粉末の純度が高いほど、裏面電極の電極特性が向上するといえる。
【００５１】
以上の結果より、薄層化された半導体基板を用いた太陽電池の裏面電極を、高純度Ａｌ粉末を導電性材料として含む導電性ペーストにて作製することで、半導体基板の反りが低減できると共に、裏面電極の密着強度が高く、かつ面抵抗が小さい太陽電池が得られることが確認された。また、高純度Ａｌ粉末に加熱処理を施すことが、より効果的であることも確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施の形態に係る太陽電池１０の構成を概略的に示す断面模式図である。
【図２】半導体基板の反り量の評価方法について説明するための図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体基板
２  ｎ+層
３  ｐ+層
４  受光面電極
５  裏面電極
１０  太陽電池
【図１】
2008159879.tif 000004
【図２】
2008159879.tif 000005