(57)【要約】【課題】デバイス全体の小型化を図ることが可能であり且つデバイス性能の安定化を図れる真空封止デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】気密パッケージＰ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部４により気密パッケージＰ内の真空を維持する真空封止デバイスであり、デバイス本体１の一部とパッケージ用基板２，３とで気密パッケージＰを構成している。ゲッタ部４は、気密パッケージＰ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子４ａと、隣り合うゲッタ粒子４ａ間を繋ぐ多数のバインダ４ｂとを有する複合化層により構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密パッケージ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部により気密パッケージ内の真空を維持する真空封止デバイスであって、ゲッタ部は、気密パッケージ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子と、隣り合うゲッタ粒子間を繋ぐ多数のバインダとを有する複合化層からなることを特徴とする真空封止デバイス。
【請求項２】
前記ゲッタ部と前記所定部位との間に両者それぞれと密着した密着層を備えてなることを特徴とする請求項１記載の真空封止デバイス。
【請求項３】
前記バインダは、前記ゲッタ粒子よりも小さな粒子状に形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の真空封止デバイス。
【請求項４】
前記ゲッタ部は、前記ゲッタ粒子内に前記バインダを分散させた複合粒子を用いて形成されてなり、前記バインダの一部が前記ゲッタ粒子の表面から突出していることを特徴とする請求項３記載の真空封止デバイス。
【請求項５】
前記所定部位は、ゲッタ形成用凹部の内底面からなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の真空封止デバイス。
【請求項６】
請求項１記載の真空封止デバイスの製造方法であって、ゲッタ粒子およびバインダを溶媒と混合したスラリーを気密パッケージの一部を構成するパッケージ用部材における前記所定部位に塗布する途布工程と、塗布工程の後で所定の焼成温度において前記溶媒を蒸発させて除去するとともにゲッタ部の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程と、焼成工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージを形成する接合工程と、接合工程の後で所定の活性化温度において前記焼結体のゲッタ粒子を活性化するとともにゲッタ粒子とバインダとを密着させて隣り合うゲッタ粒子間がバインダで繋がれた複合化層からなるゲッタ部を形成する複合化工程とを有し、前記焼成温度よりもゲッタ粒子とバインダとの密着温度が高く、且つ、当該密着温度よりも前記活性化温度が高いことを特徴とする真空封止デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の真空封止デバイスの製造方法であって、ゲッタ粒子およびバインダを溶媒と混合したスラリーを気密パッケージの一部を構成するパッケージ用部材における前記所定部位に塗布する途布工程と、塗布工程の後で所定の焼成温度において前記溶媒を蒸発させて除去するとともにゲッタ部の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程と、焼成工程の後で所定の密着温度においてゲッタ粒子とバインダとを密着させて隣り合うゲッタ粒子間がバインダで繋がれた複合層からなるゲッタ部を形成する複合化工程と、複合化工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージを形成する接合工程と、接合工程の後で所定の活性化温度において前記ゲッタ部のゲッタ粒子を活性化する活性化工程とを有し、前記焼成温度よりも前記密着温度が高く、且つ、前記密着温度よりも前記活性化温度が高いことを特徴とする真空封止デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記複合化工程では、前記バインダを溶融させることにより前記ゲッタ粒子と前記バインダとを密着させることを特徴とする請求項６または請求項７記載の真空封止デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記複合化工程では、前記ゲッタ粒子と前記バインダとを共晶反応もしくは化合反応させることにより前記ゲッタ粒子と前記バインダとを密着させることを特徴とする請求項６または請求項７記載の真空封止デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の真空封止デバイスの製造方法であって、ゲッタ粒子およびバインダを溶媒と混合したスラリーを気密パッケージの一部を構成するパッケージ用部材における前記所定部位に塗布する途布工程と、塗布工程の後で所定の焼成温度において前記溶媒を蒸発させて除去するとともにゲッタ部の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程と、焼成工程の後で焼結体の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後で所定の密着温度においてゲッタ粒子とバインダとを密着させて隣り合うゲッタ粒子間がバインダで繋がれた複合層からなるゲッタ部を形成する複合化工程と、複合化工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージを形成する接合工程と、接合工程の後で所定の活性化温度において前記ゲッタ部のゲッタ粒子を活性化する活性化工程とを有し、前記焼成温度よりも前記保護膜の形成温度が高く、且つ、前記形成温度よりも前記活性化温度が高く、且つ、前記活性化温度よりも前記密着温度が高いことを特徴とする真空封止デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、加速度センサ、ジャイロセンサ、アクチュエータ、赤外線センサなどの真空封止デバイスおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、マイクロマシニング技術および接合技術を利用して形成された真空封止デバイスが知られている（例えば、特許文献１参照）。なお、この種の真空封止デバイスとしては、例えば、加速度センサ、ジャイロセンサ、アクチュエータ、赤外線センサなどが知られている。
【０００３】
上記特許文献１には、図７に示すように、真空封止デバイスの一種である静電型アクチュエータ４０１を備えたインクジェットヘッド４００が開示されている。
【０００４】
図７に示した構成のインクジェットヘッド４００は、インクを噴出するノズル４５１が厚み方向に貫設されたノズル形成基板４５０と、ノズル形成基板４５０側の一表面にインク吐出室形成用凹部４２１を設けることにより形成された薄肉の振動板部４２２を有する振動板部形成基板４２０と、一表面に振動板部形成基板４２０の振動板部４２２の変位を可能とする変位空間形成用凹部４３１が形成されるとともに変位空間形成用凹部４３１の内底面に固定電極４３２が形成された固定電極形成基板４３０とを備えており、振動板部形成基板４２０と固定電極形成基板４３０とで静電型アクチュエータ４０１の気密パッケージＰ’が構成されている。
【０００５】
上述の図７に示した構成のインクジェットヘッド４００では、振動板部４２２が可動電極を兼ねており、固定電極４３２と振動板部４２２との間に電圧を印加したときに固定電極４３２と振動板部４２２との間に発生する静電力によって振動板部４２２を固定電極４３２側に凸となる形で撓ませるようになっており、固定電極４３２と振動板部４２２との間に電圧を印加していない状態では、振動板部４２２が撓む前の状態に戻るようになっている。
【０００６】
ところで、静電型アクチュエータ４０１は、振動板部形成基板４２０がシリコン基板を用いて形成されるとともに、固定電極形成基板４３０がガラス基板を用いて形成されており、振動板部形成基板４２０と固定電極形成基板４３０とが陽極接合技術を利用して接合されている。ここにおいて、静電型アクチュエータ４０１は、固定電極形成基板４３０の上記一表面に、変位空間形成用凹部４３１に連通するゲッタ材収納凹部４３３が形成され、ゲッタ材収納凹部４３３の内底面に、ＴｉとＺｒとの合金からなる非蒸発型のゲッタ材４４０が載置されており、振動板部形成基板４２０と固定電極形成基板４３０とで構成される気密パッケージＰ’内にゲッタ材４４０が設けられているので、当該気密パッケージＰ’内で発生した気体がゲッタ材４４０により吸着されるので、気密パッケージＰ’内の真空度を所望の真空度に保つことができ、安定した特性が得られる。
【０００７】
しかしながら、上述の静電型アクチュエータ４０１のようにゲッタ材収納凹部４３３の内底面にゲッタ材４４０を載置した構成の真空封止デバイスでは、製造時に、ペレット状のゲッタ材４４０をゲッタ材収納凹部４３３の内底面に載置する必要があるので、ゲッタ材４４０のサイズに起因して気密パッケージＰ’の小型化が制限されてしまうという問題があった。
【０００８】
そこで、真空封止デバイスの気密パッケージの構成部材の所定部位に微細なゲッタ部を形成する方法として、粉末のゲッタ粒子を溶媒に溶かしたり分散させたスラリーを所定部位に塗布する塗布工程を行ってから、所定の焼成温度において溶媒を蒸発させて除去することで層状のゲッタ部を形成する焼成工程を行い、その後、ゲッタ部の不要部分を除去するパターニング工程を行う方法が考えられる。
【特許文献１】特許第３５６７４６４号公報（第４頁第３２行−第５頁第３４行、図１−図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述のゲッタ部の形成方法により形成されたゲッタ部を備えた真空封止デバイスでは、ゲッタ部において隣り合うゲッタ粒子同士の密着力が弱く、所定部位へ固定することができなかったり、一部のゲッタ粒子が剥離したりゲッタ部全体が所定部位から剥離したりして、気密パッケージ内の他の部位に付着して、真空封止デバイスのデバイス性能（特性）が変化してしまう（品質が劣化してしまう）ことがあった。
【００１０】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、デバイス全体の小型化を図ることが可能であり且つデバイス性能の安定化を図れる真空封止デバイスおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の発明は、気密パッケージ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部により気密パッケージ内の真空を維持する真空封止デバイスであって、ゲッタ部は、気密パッケージ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子と、隣り合うゲッタ粒子間を繋ぐ多数のバインダとを有する複合化層からなることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、気密パッケージ内の真空を維持するためのゲッタ部が気密パッケージ内の所定部位に層状に形成されているので、デバイス全体の小型化を図れ、当該ゲッタ部が、気密パッケージ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子と、隣り合うゲッタ粒子間を繋ぐ多数のバインダとを有する複合化層により構成されているので、ゲッタ部がゲッタ粒子のみにより形成されている場合に比べて、一部のゲッタ粒子が剥離するのをより確実に防止でき、ゲッタ部そのものの信頼性および耐久性が向上するとともに、ゲッタ部の密着性が向上し、デバイス性能の安定化を図れる。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記ゲッタ部と前記所定部位との間に両者それぞれと密着した密着層を備えてなることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、前記ゲッタ部と前記所定部位との間に両者それぞれと密着した密着層を備えているので、前記ゲッタ部が前記所定部位上に直接形成されている場合に比べて、前記ゲッタ部が剥離するのをより確実に防止することができ、信頼性および耐久性が向上する。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記バインダは、前記ゲッタ粒子よりも小さな粒子状に形成されてなることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、前記バインダが前記ゲッタ粒子よりも大きな粒子状に形成されている場合に比べて、前記ゲッタ粒子の露出表面積を大きくでき、前記ゲッタ部の吸着性能の向上を図れる。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、前記ゲッタ部は、前記ゲッタ粒子内に前記バインダ用の粒子を分散させた複合粒子を用いて形成されてなり、前記バインダ用の粒子の一部が前記ゲッタ粒子の表面から突出していることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、前記ゲッタ部の破壊強度を高めることができる。
【００１９】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、前記所定部位は、ゲッタ形成用凹部の内底面からなることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、前記ゲッタ部がゲッタ形成用凹部の内底面に形成されているので、前記ゲッタ部が剥離してしまっても前記ゲッタ部が移動するのを抑制することができる。
【００２１】
請求項６の発明は、請求項１記載の真空封止デバイスの製造方法であって、ゲッタ粒子およびバインダを溶媒と混合したスラリーを気密パッケージの一部を構成するパッケージ用部材における前記所定部位に塗布する途布工程と、塗布工程の後で所定の焼成温度において前記溶媒を蒸発させて除去するとともにゲッタ部の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程と、焼成工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージを形成する接合工程と、接合工程の後で所定の活性化温度において前記焼結体のゲッタ粒子を活性化するとともにゲッタ粒子とバインダとを密着させて隣り合うゲッタ粒子間がバインダで繋がれた複合層からなるゲッタ部を形成する複合化工程とを有し、前記焼成温度よりもゲッタ粒子とバインダとの密着温度が高く、且つ、当該密着温度よりも前記活性化温度が高いことを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、塗布工程、焼成工程、接合工程、複合化工程を行うことにより、気密パッケージ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子と隣り合うゲッタ粒子間を繋ぐ多数のバインダとを有する複合化層からなるゲッタ部を気密パッケージ内の所定部位に形成することができ、しかも、前記焼成温度よりもゲッタ粒子とバインダとの密着温度が高く、且つ、当該密着温度よりも前記活性化温度が高いので、焼成工程においてゲッタ粒子が活性化されるのを防止することができ、ゲッタ部の性能低下を防止することができるから、小型で且つデバイス性能の安定性の高い真空封止デバイスを提供することが可能となる。
【００２３】
請求項７の発明は、請求項１記載の真空封止デバイスの製造方法であって、ゲッタ粒子およびバインダを溶媒と混合したスラリーを気密パッケージの一部を構成するパッケージ用部材における前記所定部位に塗布する途布工程と、塗布工程の後で所定の焼成温度において前記溶媒を蒸発させて除去するとともにゲッタ部の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程と、焼成工程の後で所定の密着温度においてゲッタ粒子とバインダとを密着させて隣り合うゲッタ粒子間がバインダで繋がれた複合層からなるゲッタ部を形成する複合化工程と、複合化工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージを形成する接合工程と、接合工程の後で所定の活性化温度において前記ゲッタ部のゲッタ粒子を活性化する活性化工程とを有し、前記焼成温度よりも前記密着温度が高く、且つ、前記密着温度よりも前記活性化温度が高いことを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、塗布工程、焼成工程、複合化工程、接合工程、活性化工程を行うことにより、気密パッケージ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子と隣り合うゲッタ粒子間を繋ぐ多数のバインダとを有する複合化層からなるゲッタ部を気密パッケージ内の所定部位に形成することができ、しかも、前記焼成温度よりもゲッタ粒子とバインダとの密着温度が高く、且つ、当該密着温度よりも前記活性化温度が高いので、焼成工程や複合化工程においてゲッタ粒子が活性化されるのを防止することができ、ゲッタ部の性能低下を防止することができるから、小型で且つデバイス性能の安定性の高い真空封止デバイスを提供することが可能となる。
【００２５】
請求項８の発明は、請求項６または請求項７の発明において、前記複合化工程では、前記バインダを溶融させることにより前記ゲッタ粒子と前記バインダとを密着させることを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、前記複合化工程において前記バインダを溶融させることにより前記ゲッタ粒子と前記バインダとが密着するので、前記ゲッタ粒子と前記バインダとの密着性を高めることができる。
【００２７】
請求項９の発明は、請求項６または請求項７の発明において、前記複合化工程では、前記ゲッタ粒子と前記バインダとを共晶反応もしくは化合反応させることにより前記ゲッタ粒子と前記バインダとを密着させることを特徴とする。
【００２８】
この発明によれば、前記複合化工程において前記ゲッタ粒子と前記バインダとを共晶反応もしくは化合反応させることにより前記ゲッタ粒子と前記バインダとを密着させるので、前記ゲッタ粒子と前記バインダとの密着性を高めることができる。
【００２９】
請求項１０の発明は、請求項１記載の真空封止デバイスの製造方法であって、ゲッタ粒子およびバインダを溶媒と混合したスラリーを気密パッケージの一部を構成するパッケージ用部材における前記所定部位に塗布する途布工程と、塗布工程の後で所定の焼成温度において前記溶媒を蒸発させて除去するとともにゲッタ部の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程と、焼成工程の後で焼結体の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後で所定の密着温度においてゲッタ粒子とバインダとを密着させて隣り合うゲッタ粒子間がバインダで繋がれた複合層からなるゲッタ部を形成する複合化工程と、複合化工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージを形成する接合工程と、接合工程の後で所定の活性化温度において前記ゲッタ部のゲッタ粒子を活性化する活性化工程とを有し、前記焼成温度よりも前記保護膜の形成温度が高く、且つ、前記形成温度よりも前記活性化温度が高く、且つ、前記活性化温度よりも前記密着温度が高いことを特徴とする。
【００３０】
この発明によれば、塗布工程、焼成工程、保護膜形成工程、複合化工程、接合工程、活性化工程を行うことにより、気密パッケージ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子と隣り合うゲッタ粒子間を繋ぐ多数のバインダとを有する複合化層からなるゲッタ部を気密パッケージ内の所定部位に形成することができ、しかも、前記焼成温度よりも前記保護膜の形成温度が高く、且つ、前記形成温度よりも前記活性化温度が高いので、焼成工程や複合化工程においてゲッタ粒子が活性化されるのを防止することができ、また、複合化工程よりも前に保護膜が形成されているので、複合化工程においてゲッタ粒子が悪影響を受けるのを防止することができ、また、接合工程よりも前に複合化工程を行うので、複合化工程がデバイス性能に悪影響を与えるのを防止することができるから、小型で且つデバイス性能の安定性の高い真空封止デバイスを提供することが可能となる。
【発明の効果】
【００３１】
請求項１〜５の発明では、デバイス全体の小型化を図ることが可能になるとともにデバイス性能の安定化を図れるという効果がある。
【００３２】
請求項６〜１０の発明では、小型で且つデバイス性能の安定性の高い真空封止デバイスを提供することが可能となるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
（実施形態１）
本実施形態の真空封止デバイスは、図１（ａ）に示すように、第１のシリコン基板を用いて形成されたデバイス本体１と、第２のシリコン基板を用いて形成されデバイス本体１の一表面側（図１（ａ）における上面側）に封着された第１のパッケージ用基板２と、第３のシリコン基板を用いて形成されデバイス本体１の他表面側（図１（ａ）における下面側）に封着された第２のパッケージ用基板３とを備えている。ここにおいて、デバイス本体１および第１のパッケージ用基板２および第２のパッケージ用基板３の外周形状は矩形状であり、各パッケージ用基板２，３はデバイス本体１と同じ外形寸法に形成されている。
【００３４】
本実施形態の真空封止デバイスは、静電容量型の加速度センサであり、センサ本体を構成するデバイス本体１は、枠状（本実施形態では、矩形枠状）のフレーム部１１の内側に配置される重り部１２が当該デバイス本体１の一表面側において可撓性を有する薄肉の撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されており、重り部１２が第１のパッケージ用基板２に設けられた固定電極２５に対向する可動電極を兼ねている。ここにおいて、重り部１２の周囲には撓み部１３を除いてフレーム部１１との間にスリット１４が形成されている。なお、デバイス本体１の上述のフレーム部１１、重り部１２、各撓み部１３は、リソグラフィ技術およびエッチング技術などのマイクロマシニング技術を利用して形成すればよい。
【００３５】
また、デバイス本体１は、当該デバイス本体１の上記一表面側においてフレーム部１１上に、上記可動電極に電気的に接続された通電用電極１９が形成されており、当該通電用電極１９が、第１のパッケージ用基板２に設けられている２つの貫通孔配線２４のうちの一方の貫通孔配線２４（図１（ａ）における左側の貫通孔配線２４）の一端側（図１（ａ）における下端側）に設けられた内部接続用電極２９と接合されて電気的に接続されている。なお、本実施形態では、上述のように重り部１２が可動電極を兼ねているが、重り部１２における第１のパッケージ基板２側に可動電極を形成し、当該可動電極と通電用電極１９とを金属配線や拡散層配線などにより適宜接続するようにしてもよい。
【００３６】
また、デバイス本体１は、当該デバイス本体１の上記一表面側においてフレーム部１１の周部の全周に亘って封止用接合金属層１８が形成されており、上述の通電用電極１９が、フレーム部１１において封止用接合金属層１８よりも内側に配置されている。
【００３７】
ここにおいて、デバイス本体１は、上記一表面側および上記他表面側それぞれにシリコン酸化膜からなる絶縁膜１６，１７が形成されており、封止用接合金属層１８および通電用電極１９は上記一表面側の絶縁膜１６上に形成されている。ここで、封止用接合金属層１８および通電用電極１９は、絶縁膜１６上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。
【００３８】
第１のパッケージ用基板２は、デバイス本体１側（図１（ａ）における下面側）の表面に、デバイス本体１の重り部１２と撓み部１３とで構成される可動部の変位空間を確保する変位空間形成用凹部２１が形成されている。また、第１のパッケージ用基板２は、変位空間形成用凹部２１の周部に厚み方向に貫通する複数（本実施形態では、２個）の貫通孔２２が形成されており、厚み方向の両面と貫通孔２２の内面とに跨って熱絶縁膜（シリコン酸化膜）からなる絶縁膜２３が形成され、貫通孔２２の内側に形成された貫通孔配線２４と貫通孔２２の内面との間に絶縁膜２３の一部が介在している。ここにおいて、変位空間形成用凹部２１は、リソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して形成してある。また、貫通孔配線２４の材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。
【００３９】
また、第１のパッケージ用基板２は、変位空間形成用凹部２１の内底面に、デバイス本体１の可動電極に対向する上述の固定電極２５が形成されており、固定電極２５が、他方の貫通孔配線２４（図１（ａ）における右側の貫通孔配線２４）の一端側（図１（ａ）における下端側）に設けられた内部接続用電極２９と金属配線２６を介して電気的に接続されている。
【００４０】
また、第１のパッケージ用基板２は、デバイス本体１側の表面の周部の全周に亘って封止用接合金属層２８が形成されており、上述の２つの内部接続用電極２９は、封止用接合金属層２８よりも内側に配置されている。ここで、封止用接合金属層２８および内部接続用電極２９は、絶縁膜２３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。
【００４１】
また、第１のパッケージ用基板２は、各貫通孔配線２４の他端側（図１（ａ）における上端側）に外部接続用電極（パッド）２７が形成されている。要するに、第１のパッケージ用基板２は、デバイス本体１側とは反対側の表面に、各貫通孔配線２４それぞれと電気的に接続された複数の外部接続用電極２７が形成されている。
【００４２】
第２のパッケージ用基板３は、デバイス本体１側の表面（図１（ａ）における上面）に周辺部位に比べて凹んだ所定深さのゲッタ形成用凹部３１が形成され、ゲッタ形成用凹部３１の内底面からなる所定部位に層状のゲッタ部４が形成されている。ここにおいて、ゲッタ形成用凹部３１は、リソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して形成してある。また、第２のパッケージ用基板３は、デバイス本体１側に熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる絶縁膜３２が形成され、デバイス本体１側とは反対側に熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる絶縁膜３３が形成されている。なお、本実施形態では、ゲッタ形成用凹部３１が重り部１２の第２のパッケージ用基板３側での変位空間を形成する変位空間形成用凹部を兼ねている。
【００４３】
また、上述の加速度センサにおけるデバイス本体１と第１のパッケージ用基板２とは、封止用接合金属層１８，２８同士が接合されるとともに、対応する通電用電極１９と内部接続用電極２９とが接合されて電気的に接続されている。これに対して、デバイス本体１と第２のパッケージ用基板３とは、互いの対向面の周部同士が全周に亘って接合されている。
【００４４】
ここにおいて、本実施形態では、デバイス本体１と第１のパッケージ用基板２および第２のパッケージ用基板３との接合方法として、デバイス本体１の残留応力を少なくするために、より低温での直接接合が可能な常温接合法を採用している。常温接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、常温（例えば、２５℃）下で直接接合する。本実施形態では、上述の常温接合法により、常温下で適宜の荷重を印加して、デバイス本体１の封止用接合金属層１８と第１のパッケージ用基板２の封止用接合金属層２８とを直接接合するのと同時に、デバイス本体１の通電用電極１９と第２のパッケージ用基板２の一方の内部接続用電極２９とを直接接合しており、また、上述の常温接合法により、常温下でデバイス本体１のフレーム部１１と第２のパッケージ用基板３の周部とを直接接合している。
【００４５】
上述の説明から分かるように、本実施形態の加速度センサの製造にあたっては、デバイス本体１と第１のパッケージ用基板２とが金属−金属の常温接合により接合されており、金属−金属の組み合わせが、化学的に安定な材料であるＡｕ−Ａｕの組み合わせなので、製造歩留まりを向上できるとともに接合安定性を向上できる。ここにおいて、金属−金属の組み合せは、Ａｕ−Ａｕに限らず、例えば、Ｃｕ−Ｃｕの組み合わせや、Ａｌ−Ａｌの組み合わせでもよい。また、本実施形態では、デバイス本体１および第１のパッケージ用基板２それぞれに封止用接合金属層１８，２８を形成してあるが、封止用接合金属層１８，２８を形成せずに、デバイス本体１と第１のパッケージ用基板２との周部同士がＳｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＳｉＯ２、ＳｉＯ２−ＳｉＯ２の群から選択される１組の組み合わせの常温接合により接合され、通電用電極１９と内部接続用電極２９とが金属−金属の常温接合により接合されるようにしてもよい。また、デバイス本体１と第２のパッケージ用基板３とは、ＳｉＯ２−ＳｉＯ２の組み合わせの常温接合により接合されているが、ＳｉＯ２−ＳｉＯ２の組み合わせに限らず、Ｓｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＳｉＯ２、ＳｉＯ２−ＳｉＯ２の群から選択される１組の組み合わせの常温接合により接合されるようにしてもよい。
【００４６】
なお、デバイス本体１と各パッケージ用基板２，３との接合工程が終了するまでの全工程をデバイス本体１および各パッケージ用基板２，３それぞれについてウェハレベルで行うことで加速度センサを複数備えたウェハレベルパッケージ構造体を形成するようにし、当該ウェハレベルパッケージ構造体から個々の加速度センサに分割する分割工程を行うようにすれば、気密パッケージＰの平面サイズをデバイス本体１の平面サイズに合わせることができるから、より小型の加速度センサを提供でき、また、量産性を高めることができる。また、本実施形態では、第２のシリコン基板を用いて第１のパッケージ用基板２を形成してあるが、第２のシリコン基板の代わりに、デバイス本体１の基礎となる第１のシリコン基板との線膨張率が略等しいガラス基板を用いて形成してもよい。また、第２のパッケージ用基板３についても第３のシリコン基板の代わりに、ガラス基板を用いて形成してもよい。ここにおいて、この種のガラス基板としては、例えば、パイレックス（登録商標）のようなガラス基板を用いればよい。
【００４７】
ところで、本実施形態の加速度センサは、デバイス本体１の上記一表面側に接合された第１のパッケージ用基板２と、デバイス本体１の上記他表面側に接合された第２のパッケージ用基板３と、デバイス本体１のフレーム部１１とで、気密パッケージＰを構成しており、上述のゲッタ部４により気密パッケージＰ内の真空が維持されている。なお、本実施形態では、第２のパッケージ用基板３がパッケージ用部材を構成し、デバイス本体１のフレーム部１１と第１のパッケージ用基板２とでパッケージ要素を構成している。
【００４８】
ゲッタ部４は、図１（ｂ）に示すように、気密パッケージＰ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子４ａと、隣り合うゲッタ粒子４ａ間を繋ぐ多数の粒子状のバインダ４ｂとを有する複合化層により構成されている。ここにおいて、ゲッタ粒子４ａの材料としては、例えば、ジルコニウム合金、Ｚｒ−Ｃｏ合金、Ｚｒ−Ｃｏ−希土類元素合金、Ｚｒ−Ｆｅ合金、Ｚｒ−Ｎｉ合金、Ｔｉ合金などの非蒸発ゲッタ材料を採用すればよく、バインダ４ｂの材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｐｂなどのゲッタ粒子４ａと共晶化もしくは化合物化する材料を採用すればよい。また、ゲッタ形成用凹部３１の内底面とゲッタ部４との間には両者それぞれとの密着性の良い材料（例えば、Ｉｎなど）からなり両者それぞれと密着した密着層５を介在させてある。
【００４９】
また、ゲッタ部４の各バインダ４ｂは、ゲッタ粒子４ａよりも粒径が小さな粒子状に形成されており、バインダ４ｂがゲッタ粒子４ａよりも大きな粒子状に形成されている場合に比べて、各ゲッタ粒子４ａの露出表面積を大きくでき、ゲッタ部４の吸着性能の向上を図れる。
【００５０】
本実施形態の加速度センサからなる真空封止デバイスの製造方法に関して、特に、ゲッタ部４の形成方法について説明するが、ゲッタ粒子４ａの活性化温度がバインダ４ｂの融点よりも高い場合と、ゲッタ粒子４ａの活性化温度がバインダ４ｂの融点よりも低い場合とで形成方法が相違するので、先に前者の場合について説明し、その後で、後者の場合について説明する。
【００５１】
ゲッタ粒子４ａの活性化温度がバインダ４ｂの融点よりも高い例（例えば、ゲッタ粒子４ａとして活性化温度が５００℃程度のジルコニウム合金を用い、バインダ４ｂとして融点が１５７℃程度のＩｎを用いる例）では、まず、図２に示すように粉体のゲッタ粒子４ａおよび粉体のバインダ４ｂを溶媒（例えば、テトラデカンとメタノールとの混合物で適当な粘度を調節したものなど）４ｃと混合したスラリーを気密パッケージＰの一部を構成するパッケージ用部材である第２のパッケージ用基板３における所定部位に塗布する途布工程を行う。塗布工程では、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット法、メタルマスクを利用した塗布法などによって、スラリーを塗布すればよい。そして、塗布工程の後で例えば窒素雰囲気中で所定の焼成温度（例えば、１２０℃程度）、所定の焼成時間（例えば、２時間程度）において溶媒４ｃを蒸発させて除去するとともにゲッタ部４の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程を行い。次に、焼結体に不要部分がある場合には、リソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して不要部分を除去するパターニング工程を行う。次に、パッケージ用部材とともに気密パッケージＰを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを上述の常温接合により接合することで気密パッケージＰを形成する接合工程を行う。そして、接合工程の後で所定の活性化温度において焼結体のゲッタ粒子４ａを活性化するとともにゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとを密着させて隣り合うゲッタ粒子４ａ間がバインダ４ｂで繋がれた複合層からなるゲッタ部４を形成する複合化工程を行う。ここにおける複合化工程では、バインダ４ｂの温度が融点を超えてバインダ４ｂが溶融することでゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとが密着する（ゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとが密着する温度を密着温度と称する）ので、焼成温度よりもゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとの密着温度が高く、且つ、当該密着温度よりもゲッタ粒子４ａの活性化温度が高いという条件を満足させる必要である。なお、溶媒４ｃは、上述の例に限らず、水や有機溶剤、例えば、アルコール（メタノール、デカノールなど）、テトラデカンなどを用いてもよい。
【００５２】
上述のゲッタ部４の形成方法（以下、第１の形成方法と称する）によれば、塗布工程、焼成工程、接合工程、複合化工程を行うことにより、気密パッケージＰ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子４ａと隣り合うゲッタ粒子４ａ間を繋ぐ多数のバインダ４ｂとを有する複合化層からなるゲッタ部４を気密パッケージＰ内の所定部位に形成することができ、しかも、焼成温度よりもゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとの密着温度が高く、且つ、当該密着温度よりもゲッタ粒子４ａの活性化温度が高いので、焼成工程においてゲッタ粒子４ａが活性化されるのを防止することができ、ゲッタ部４の性能低下を防止することができるから、小型で且つデバイス性能の安定性の高い真空封止デバイスを提供することが可能となる。また、接合工程において常温接合を行っているので、例えば陽極接合技術や半田などを用いた接合技術を利用する場合に比べて低温での接合が可能であり、接合工程においてゲッタ粒子４ａが悪影響を受けるのを防止することができ、ゲッタ粒子４ａの高い吸着性能を得ることが可能となる。また、上述のように、焼成工程を窒素雰囲気中で行うことにより、ゲッタ粒子４ａの酸化を防止することができ、焼成工程でのゲッタ粒子４ａの性能低下を防止することができる。また、焼成工程を減圧下で行うようにすればより確実に焼成することができ、常温（例えば、２５℃）で行うようにすれば酸化などによるゲッタ粒子４ａの性能低下をより確実に防止することができる。
【００５３】
また、ゲッタ粒子４ａの活性化温度がバインダ４ｂの融点よりも高い例では、上述のゲッタ部４の第１の形成方法に限らず、塗布工程、焼成工程を順次行った後で、所定の密着温度においてゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとを密着させて隣り合うゲッタ粒子４ａ間がバインダ４ｂで繋がれた複合層からなるゲッタ部４を形成する複合化工程を行い、複合化工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージＰを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージＰを形成する接合工程を行い、接合工程の後で所定の活性化温度においてゲッタ部４のゲッタ粒子４ａを活性化する活性化工程を行うようにするゲッタ部４の第２の形成方法を採用してもよく、このようなゲッタ部４の第２の形成方法では、焼成温度よりも密着温度が高く、且つ、密着温度よりも活性化温度が高いという条件を満足させる必要がある。ここにおいて、密着温度は、バインダ４ｂの融点以上、ゲッタ粒子４ａの活性化温度未満の温度範囲で適宜設定すればよい。
【００５４】
上述のゲッタ部４の第２の形成方法によれば、複合化工程においてバインダ４ｂを溶融させることによりゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとが密着するので、ゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとの密着性を高めることができるから、塗布工程、焼成工程、複合化工程、接合工程、活性化工程を行うことにより、ゲッタ部４を気密パッケージＰ内の所定部位に形成することができ、しかも、焼成温度よりもゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとの密着温度が高く、且つ、当該密着温度よりもゲッタ粒子４ａの活性化温度が高いので、焼成工程や複合化工程においてゲッタ粒子４ａが活性化されるのを防止することができ、ゲッタ部４の性能低下を防止することができるから、小型で且つデバイス性能の安定性の高い真空封止デバイスを提供することが可能となる。
【００５５】
なお、上述のゲッタ部４の第１の形成方法や第２の形成方法では、ゲッタ粒子４ａを活性化する際に、バインダ４ｂが溶融して他の部位へ流出しないように、ゲッタ部４に占めるバインダ４ｂの体積パーセントをより小さくすることが望ましく、ゲッタ形成用凹部３１のような凹部に形成することが望ましい。
【００５６】
一方、ゲッタ粒子４ａの活性化温度がバインダ４ｂの融点よりも低い例（例えば、ゲッタ粒子４ａとして活性化温度が５００℃程度のジルコニウム合金を用い、バインダ４ｂとして融点が１０６４℃程度のＡｕを用いる例）では、バインダ４ｂとして、ゲッタ粒子４ａと共晶化もしくは化合物化することで密着可能な材料を適宜選択し、上述のゲッタ部４の第２の形成方法において、複合化工程で、ゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとを共晶反応もしくは化合反応させることによりゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとを密着させるようにするゲッタ部４の第３の形成方法を採用すればよい。
【００５７】
このようなゲッタ部４の第３の形成方法によれば、第２の形成方法と同様に、塗布工程、焼成工程、複合化工程、接合工程、活性化工程を行うことにより、ゲッタ部４を気密パッケージＰ内の所定部位に形成することができ、しかも、焼成温度よりもゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとの密着温度が高く、且つ、当該密着温度よりもゲッタ粒子４ａの活性化温度が高いので、焼成工程や複合化工程においてゲッタ粒子４ａが活性化されるのを防止することができ、ゲッタ部４の性能低下を防止することができるから、小型で且つデバイス性能の安定性の高い真空封止デバイスを提供することが可能となる。しかも、複合化工程においてゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとを共晶反応もしくは化合反応させることによりゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとを密着させるので、ゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとの密着性を高めることができるだけでなく、バインダ４ｂが流出するのを防止することができる。また、ゲッタ粒子４ａの活性化温度がゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとの共晶温度もしくは化合反応温度よりも高く且つバインダ４ｂの溶融温度よりも低ければ、複合化工程においてゲッタ粒子４ａが活性化されるのを防止することができ、ゲッタ部４の性能低下を防止することができる。なお、第３の形成方法では、ゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとを共晶反応もしくは化合反応させることによりゲッタ粒子４ａとバインダ４ｂとを密着させるので、図３に示すようにゲッタ粒子４ａの表面全体がバインダ４ｂにより覆われてしまうのを確実に防止することが可能となる。
【００５８】
また、上述のゲッタ部４の第３の形成方法において、焼成工程と複合化工程との間に、焼成工程にて形成した焼結体の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程を行うようにするゲッタ部４の第４の形成方法を採用してもよく、このようなゲッタ部４の第４の形成方法では、焼成温度よりも保護膜の形成温度が高く、且つ、保護膜の形成温度よりもゲッタ粒子の活性化温度が高く、且つ、ゲッタ粒子４ａの活性化温度よりも密着温度が高い条件を満足させる必要がある。ここにおいて、保護膜の形成にあたっては、焼成工程にて形成された焼結体のゲッタ粒子４ａをＯ２ガス雰囲気中で酸化することで酸化膜からなる保護膜を形成したり、あるいは、焼結体のゲッタ粒子４ａをＮ２雰囲気中で窒化することで窒化膜からなる保護膜を形成するようにすればよく、活性化工程においてゲッタ粒子４ａの吸着性能を回復させる。
【００５９】
このようなゲッタ部４の第４の形成方法によれば、塗布工程、焼成工程、保護膜形成工程、複合化工程、接合工程、活性化工程を行うことにより、ゲッタ部４を気密パッケージＰ内の所定部位に形成することができ、しかも、焼成温度よりも保護膜の形成温度が高く、且つ、保護膜の形成温度よりもゲッタ粒子４ａの活性化温度が高いので、焼成工程や複合化工程においてゲッタ粒子４ａが活性化されるのを防止することができ、また、複合化工程よりも前に保護膜が形成されているので、複合化工程においてゲッタ粒子４ａが悪影響を受けるのを防止することができ、また、接合工程よりも前に複合化工程を行うので、複合化工程がデバイス性能に悪影響を与えるのを防止することができるから、小型で且つデバイス性能の安定性の高い真空封止デバイスを提供することが可能となる。
【００６０】
以上説明した本実施形態の加速度センサからなる真空封止デバイスでは、気密パッケージＰ内の真空を維持するためのゲッタ部４が気密パッケージＰ内の所定部位に層状に形成されているので、デバイス全体の小型化を図れ、当該ゲッタ部４が、気密パッケージＰ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子４ａと、隣り合うゲッタ粒子４ａ間を繋ぐ多数のバインダ４ｂとを有する複合化層により構成されているので、ゲッタ部４がゲッタ粒子４ａのみにより形成されている場合に比べて、一部のゲッタ粒子４ａが剥離するのをより確実に防止でき、ゲッタ部４そのものの信頼性および耐久性が向上するとともに、ゲッタ部４の密着性（ゲッタ部４と当該ゲッタ部４の下地との密着性）が向上し、デバイス性能の安定化を図れる。また、ゲッタ部４と所定部位との間に両者それぞれと密着した密着層５を介在させてあるので、ゲッタ部４が所定部位上に直接形成されている場合に比べて、ゲッタ部４が剥離するのをより確実に防止することができ、信頼性および耐久性が向上する。また、本実施形態では、ゲッタ部４がゲッタ形成用凹部３１の内底面に形成されているので、ゲッタ部４が剥離してしまってもゲッタ部４が移動するのを抑制することができる。また、本実施形態では、ゲッタ部４をデバイス本体１の近傍に設けてあり、デバイス本体１付近で発生した気体をゲッタ部４にて速やかに吸着することができ、デバイス特性が安定するという利点がある。
【００６１】
なお、ゲッタ部４は、図４に示すように、ゲッタ粒子４ａ内にゲッタ粒子４ａよりも粒子径の小さなバインダ４ｂ（厳密には、バインダ４ｂ用の粒子）を分散させた複合粒子を用いて形成されてなり、バインダ４ｂの一部がゲッタ粒子４ａの表面から突出したものでもよく、このような構造を採用することにより、ゲッタ部４の破壊強度を高めることができる。
【００６２】
（実施形態２）
以下、本実施形態の真空封止デバイスについて図５（ａ），（ｂ）を参照しながら説明するが、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００６３】
本実施形態の真空封止デバイスは、赤外線センサであり、第１のシリコン基板を用いて形成されてセンサ本体を構成するデバイス本体１０１は、フレーム部１１１の内側においてフレーム部１１１に連続した２つの支持脚部１１３を介して支持されたベース部１１２に熱型の赤外線検出部１１５が形成されている。なお、支持脚部１１３は、デバイス本体１０１の一表面（図５（ａ）における上面）に平行な面内で蛇行する形状に形成されている。ベース部１１１および支持脚１１３は、フレーム部１１１に比べて薄肉に形成されている。なお、デバイス本体１１１は、マイクロマシニング技術などを利用して形成されている。
【００６４】
デバイス本体１０１の赤外線検出部１１５は、温度に応じて電気抵抗値が変化するサーミスタ型のセンシングエレメントにより構成されているが、赤外線検出部１１５は、サーミスタ型のセンシングエレメントに限らず、サーモパイル型のセンシングエレメント、抵抗ボロメータ型のセンシングエレメント、焦電型のセンシングエレメントなどのように、温度変化を電気信号変化に変換できるものであればよい。また、本実施形態では、デバイス本体１１０が上述の支持脚部１１３を備えたマイクロブリッジ構造を利用して赤外線検出部１１５を周囲と熱絶縁してあるが、赤外線検出部１１５を周囲と熱絶縁するための構造はマイクロブリッジ構造に限らず、ダイヤフラム状の膜で形成された断熱構造を利用してもよい。
【００６５】
デバイス本体１１１は、上記一表面側においてフレーム部１１１上に、赤外線検出部１１５に電気的に接続された２つの通電用電極１１９が形成されており、各通電用電極１１９が、第１のパッケージ用基板２に設けられている２つの貫通孔配線２４の各一端側の内部接続用電極２９と接合されて電気的に接続されている。
【００６６】
また、デバイス本体１０１は、当該デバイス本体１０１の上記一表面側においてフレーム部１１１の周部の全周に亘って封止用接合金属層１１８が形成されており、各通電用電極１１９が、フレーム部１１１において封止用接合金属層１１８よりも内側に配置されている。
【００６７】
ここにおいて、デバイス本体１０１は、上記一表面側にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１６が形成されており、封止用接合金属層１１８および各通電用電極１１９は上記一表面側の絶縁膜１１６上に形成されている。ここで、封止用接合金属層１１８および各通電用電極１１９は、絶縁膜１１６上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。
【００６８】
第１のパッケージ用基板２は、デバイス本体１側（図５（ａ）における下面側）の表面に、赤外線検出部１１５を熱絶縁する熱絶縁用凹部２６が形成されている。ここにおいて、第１のパッケージ用基板２は、実施形態１と同様に第２のシリコン基板を用いて形成されており、熱絶縁用凹部２６を設けることにより他の部位に比べて薄肉の赤外線透過窓２０ｂが形成されている。
【００６９】
第１のパッケージ用基板２におけるデバイス本体１０１側の表面には、実施形態１と同様に封止用接合金属層２８および内部接続用電極２９が形成されており、デバイス本体１０１の封止用接合金属層１１８と第１のパッケージ用基板２の封止用接合金属層２８とが全周に亘って接合され、デバイス本体１０１の各通電用電極１１９と第１のパッケージ用基板２の各内部接続用電極２９とが接合されて電気的に接続されている。
【００７０】
また、実施形態１と同様のゲッタ部４が形成された第２のパッケージ用基板３とデバイス本体１０１とは、互いの周部同士が、Ｓｉ−ＳｉＯ２の組み合わせで常温接合されているが、Ｓｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＳｉＯ２、ＳｉＯ２−ＳｉＯ２の群から選択されるいずれか１組の組み合わせで常温接合するようにすればよい。なお、本実施形態においても、デバイス本体１０１のフレーム部１１１と各パッケージ用基板２，３とで気密パッケージＰを構成している。
【００７１】
以上説明した赤外線センサでは、上述のゲッタ部４が設けられていることにより、実施形態１と同様に、気密パッケージＰ内の真空度が安定して、断熱特性が安定するので、高品質化を図れる。なお、本実施形態の赤外線センサを２次元アレイ状に配置して、各赤外線センサごとにゲッタ部４を設ければ、高品質のアレイセンサを実現することが可能となる。また、１つのデバイス本体１０１に対して赤外線検出部１１５を２次元アレイ状に設けるようにしてもよい。
【００７２】
ところで、本実施形態では、真空封止デバイスとして、光学デバイスの一種である赤外線センサについて例示したが、光学デバイスは赤外線センサに限定するものではなく、気密パッケージＰの一部により赤外線透過窓２０ｂのような光透過部を形成するとともに気密パッケージＰ内にゲッタ部４を設けることにより、気密パッケージＰ内での光路が安定するので、光学特性が安定し高品質化を図れる。
【００７３】
また、上記各実施形態１，２の真空封止デバイスは、気密パッケージＰが２枚のパッケージ用基板２，３を備えているが、デバイス本体１，１０１の構造によっては、必ずしも２枚のパッケージ用基板２，３を備えている必要はなく、ゲッタ部４を形成した１枚のパッケージ用基板のみでもよい。また、上記各実施形態１，２では、ゲッタ部４を第２のパッケージ用基板３に形成しているが、ゲッタ部４は、第２のパッケージ用基板３に限らず、第１のパッケージ用基板２やデバイス本体１，１０１に形成するようにしてもよい。
【００７４】
また、上記各実施形態１，２では、真空封止デバイスのパッケージＰの平面サイズがデバイス本体１，１０１と同じ平面サイズに形成されているが、本発明の技術思想は、例えば、図６に示すように、ＩＣチップからなるデバイス本体２０１が実装される金属ベース（ステム）２０２と、デバイス本体２０１を覆うように金属ベース２０２に封着される金属製のキャップ２０３とで構成されるパッケージＰを備えた真空封止デバイスにも適用できる。ここにおいて、キャップ２０３および金属ベース２０２は、鋼板により形成されており、キャップ２０３の後端縁から外方に延設された外鍔部を金属ベース２０２に溶接により封着してある。また、金属ベース２０２には、デバイス本体２０１のパッド（図示せず）とボンディングワイヤ２０４を介して電気的に接続する複数本の端子ピン２２４が挿通される複数の端子用孔２０２ａが厚み方向に貫設されており、端子ピン２２４，２２４が端子用孔２０２ａに挿通された形で絶縁性を有する封着用のガラスからなる封止部２０２ｂにより封着されている。端子ピン２２４の材料としては、封着合金の一種であるコバールを採用しているが、他の封着合金や封着金属などを採用してもよい。
【００７５】
また、本発明の技術思想は、加速度センサや赤外線センサに限らず、例えば、ジャイロセンサ、アクチュエータなどの他の真空封止デバイスにも適用可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】実施形態１を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は要部概略断面図である。
【図２】同上におけるゲッタ部の形成方法の説明図である。
【図３】同上におけるゲッタ部の他の構成例の概略断面図である。
【図４】同上におけるゲッタ部の他の構成例の概略断面図である。
【図５】実施形態２を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は要部概略断面図である。
【図６】他の構成例を示す概略断面図である。
【図７】従来例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１  デバイス本体
２  第１のパッケージ用基板
３  第２のパッケージ用基板
４  ゲッタ部
４ａ  ゲッタ粒子
４ｂ  バインダ
５  密着層
３１  ゲッタ形成用凹部
Ｐ  気密パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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