(57)【要約】【課題】有機ＥＬを有する表示部を有する表示装置において、輝度測定用の特別な受光素子を持たずに、予めわかっている有機ＥＬの輝度寿命予測特性を基に、実際に有機ＥＬに電流を流した使用実績により輝度を予測して補正するものであり、特に、消費電流を考慮して輝度を補正することができる表示装置を提供する。【解決手段】制御部は、有機ＥＬを使用中は常時、各画素毎に、電流時間積による使用実績を計算する。その使用実績値が所定値を超えた画素を劣化画素と判断する（Ｂ）。その劣化画素が劣化画素集合体か劣化単独画素かを判断して、劣化画素集合体のみを補正対象画素とする。そして、（Ｃ）の画像データを表示する時に、（Ｂ）の劣化画素の内、補正対象画素とした劣化画素集合体のみの画素の諧調を上げて表示データとして有機ＥＬに表示することにより、（Ｅ）のように目立たない表示とすると共に消費電流増加を従来より抑制することができる。【選択図】図６
2008309895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光画素が配置された表示手段と当該表示手段を制御する制御手段を有する表示装置であって、
前記制御手段は、
前記発光画素の使用履歴値に伴う発光輝度の基準発光電流での予測特性およびこの特性上で使用履歴値が初期の第１発光輝度に比べて所定の第２発光輝度に低下する第２使用履歴値を予め記憶する寿命特性記憶手段と、
前記表示手段の発光画素毎に映像データを表示した使用実績値を計算して発光実績記憶手段に記憶させる発光実績計算手段と、
前記発光実績記憶手段の使用実績値が前記第２使用履歴値を超えかつ集合画素であると判断された場合に、当該集合画素に対応する部分の諧調度を増加させて映像データを前記表示手段に表示させる補正手段を
具備することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記補正手段は、
前記発光実績記憶手段の使用実績値が前記第２使用履歴値を超えたと判断された場合に、当該第２使用履歴値を超えた発光画素のうち所定の比率でランダムに抽出された画素の諧調度を増加させて映像データを前記表示手段に表示させること
を特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
複数の発光画素が配置された表示手段と当該表示手段を制御する制御手段を有する表示装置であって、
前記制御手段は、
前記発光画素の使用履歴値に伴う発光輝度の基準発光電流での予測特性およびこの特性上で使用履歴値が初期の第１発光輝度に比べて所定の第２発光輝度に低下する第２使用履歴値を予め記憶する寿命特性記憶手段と、
前記発光画素の複数の使用履歴値毎に、発光電流を変化させたときの発光輝度の予測特性を予め記憶する電流対輝度特性記憶手段と、
前記表示手段の発光画素毎に映像データを表示した使用実績値を計算して発光実績記憶手段に記憶させる発光実績計算手段と、
前記発光実績記憶手段の使用実績値が前記第２使用履歴値を超えた画素を抽出して劣化画素記憶手段に記憶させる劣化画素抽出手段と、
前記劣化画素記憶手段に記憶された劣化画素の一部または全てを補正対象画素として補正対象画素記憶手段に記憶させる補正対象画素抽出手段と、
前記補正対象画素毎に使用実績値に対応する前記電流対輝度特性記憶手段の使用履歴値での予測特性を基に前記所定の第２発光輝度を保証する電流値を前記基準発光電流比の補正係数として算出して、補正係数記憶手段に記憶させる補正係数算出手段と、
映像データに対して前記補正対象画素毎に前記補正係数を乗算した補正後映像データを作成して、前記表示手段に表示させる補正手段を
具備することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
さらに、前記補正のための電源消費電力の許容値に対応する前記補正係数の平均値を電源許容補正係数として予め記憶する電源許容補正係数記憶手段を備え、
前記補正係数算出手段は、
前記補正対象画素毎に使用実績値に対応する前記電流対輝度特性記憶手段の使用履歴値での予測特性を基に前記所定の第２発光輝度を超える発光輝度を保証する電流値を前記基準発光電流比の補正係数として算出し、全画素の補正係数の総和と平均値を算出し、当該平均値と前記電源許容補正係数を比較して前記電源許容補正係数を超えない範囲で最も高い発光輝度を保証する各画素の補正係数を補正係数記憶手段に記憶させること
を特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
さらに、前記補正のための電源消費電力の許容値に対応する前記補正係数の平均値を電源許容補正係数１．０として予め記憶する電源許容補正係数記憶手段を備え、
前記補正係数算出手段は、
全画素を対象に、使用実績値に対応する前記電流対輝度特性記憶手段の使用履歴値での予測特性を基に、使用履歴値の小さい画素は電流値を前記基準発光電流比の補正係数として１．０より小さく、使用履歴値の大きい画素は補正係数を１．０より大きくし、且つ、使用履歴値の小さい画素と使用履歴値の大きい画素の輝度差が所定の範囲内になるように補正係数を設定し、全画素の補正係数の総和と平均値を算出し、当該平均値が前記電源許容補正係数１．０と略同じになる各画素の補正係数を補正係数記憶手段に記憶させること
を特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記所定の第２発光輝度は、初期の第１発光輝度に比べて９３％以上の発光輝度であることを特徴とする請求項３又は４に記載の表示装置。
【請求項７】
複数の列と複数の行のマトリクス状の交点の各座標位置に画素部が配置され、当該各画素部を前記マトリクス状に配線された制御線上の信号で制御する表示パネルであって、
前記各画素部は、
発光素子、当該発光素子の発光を受光して当該画素部の斜め一方向に隣接する第１斜め隣接座標位置の画素部へ受光信号を送出する受光素子、当該画素部の前記斜め一方向の反対方向に隣接する第２斜め隣接座標位置の画素部の受光素子から送出された受光信号を受信する受信部を有し、
前記制御線は、
各列に第１の列制御線および第２の列制御線と、
各行に第１の行制御線および第２の行制御線とを有し、
任意の１つの列と１つの行それぞれの第１の列制御線と第２の列制御線および第１の行制御線および第２の行制御線の信号により、当該列と行の交点の座標位置の画素部の発光素子が発光し、当該発光を当該画素部の受光素子で受光して受光信号を前記第１斜め隣接座標位置の画素部へ送出し、
前記発光する発光画素部に対する前記第１斜め隣接座標位置の画素部の座標に対応する列と行それぞれの第１の列制御線と第２の列制御線および第１の行制御線および第２の行制御線の信号により、前記発光画素部の受光素子の受光信号が前記発光画素部の発光素子の発光補正用として読み取られる
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項８】
複数の列と複数の行のマトリクス状の交点の各座標位置に画素部が配置され、当該各画素部を前記マトリクス状に配線された制御線上の信号で制御する表示パネルであって、
前記各画素部は、
発光素子、キャパシタ、当該キャパシタに映像信号を書き込む第１のトランジスタ、当該発光素子に電流を流す第２のトランジスタ、当該発光素子の発光を受光して当該画素部の斜め一方向に隣接する第１斜め隣接座標位置の画素部へ受光信号を送出する受光素子、当該画素部の前記斜め一方向の反対方向に隣接する第２斜め隣接座標位置の画素部の受光素子から送出された受光信号を受信する第３のトランジスタを有し、
前記制御線は、
各列に第１の列制御線および第２の列制御線と、
各行に第１の行制御線および第２の行制御線とを有し、
任意の１つの列と１つの行それぞれの第１の列制御線と第２の列制御線および第１の行制御線および第２の行制御線の信号により、当該列と行の交点の座標位置の画素部の第１のトランジスタを経由してキャパシタに映像信号がチャージされ、当該チャージ量に応じた電流が第２のトランジスタを経由して発光素子に流れて発光素子が発光し、当該発光を当該画素部の受光素子で受光して受光信号を前記第１斜め隣接座標位置の画素部へ送出し、
前記発光する発光画素部に対する前記第１斜め隣接座標位置の画素部の座標に対応する列と行それぞれの第１の列制御線と第２の列制御線および第１の行制御線および第２の行制御線の信号により、当該第１斜め隣接座標位置の画素部の第３のトランジスタおよび第１のトランジスタを経由して前記発光画素部の受光素子の受光信号が前記発光画素部の発光素子の発光補正用として読み取られる
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項９】
前記各画素部の内、前記斜め一方向の先端の一列の複数の画素部および前記斜め一方向の先端の一行の複数の画素部は、発光しない、又は、発光して当該発光素子の前記発光補正を受けない画素であることを特徴とする請求項７又は８に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自己発光型の表示装置および表示パネルに関し、特に、経時変化での輝度低下による焼き付き現象などの補正に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の発光輝度を測定する受光素子を備えた表示装置がある（例えば、特許文献１参照。）。この特許文献１の図２の表示パネル１１０ａは、各画素のＥＬ素子ＯＥＬ毎に測定用の受光素子ＰＤを設けている。そして、表示パネル１１０ａの外部回路において、輝度測定値を基に、表示データの階調を補正することにより、初期の輝度まで戻して、各画素間の発光輝度のばらつきを補正している。  
この表示パネル１１０ａは、各画素毎に必要な信号線として、ＧＮＤを除いて、Ｖｓｃａｎ、ＦＬ、ＶＲ、ＤＬ、ＶＬ（Ｖｄｄ）の５本がある。また、各画素毎に、アクティブ回路として、トランジスタが５個使用されている。
【０００３】
また、ＥＬ素子の発光輝度を測定するフォトセンサを備えた表示装置がある（例えば、特許文献２参照。）。この特許文献２の図３では、表示部２１は、各画素の有機ＥＬ素子毎に測定用のフォトセンサを設けている。そして、表示部２１の内部において、アナログ処理により、同じデータ信号Ｖdataを与えて輝度の大きさに応じて有機ＥＬ素子７の発光量を小さくし、全体として輝度の小さい画素に近づけている。これにより、消費電力を低減する方向で輝度ムラを補正している。
【０００４】
また、測定用の受光素子を持たない自発光表示装置がある（例えば、特許文献３参照。）。この特許文献３の表示装置では、同一意味の複数の画像データを切り替えて、同じ発光素子を発光させないようにして焼き付きを低減している。また、画像のネガ／ポジを所定周期で反転表示したり、画像の表示位置を所定周期で数ドットずつずらして表示する方法の記載もある。
【特許文献１】特開２００５−９２０２８号公報（第１０〜２２頁、図２〜図５）
【特許文献２】特開２００６−３０３１７号公報（第８〜１０頁、図３）
【特許文献３】特開２００４−２６４７５１号公報（第８〜１０頁、図１〜図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の表示装置では、各画素あたりの信号線がＧＮＤを除いて５本と多い。また、各画素あたりのトランジスタの個数が５個と多い。それらが、ＥＬ素子の発光経路の一部を塞いで、開口率が低くなるという問題がある。また、劣化した画素の諧調データをアップ、即ち発光電流を増加させて初期の輝度まで戻しているために、消費電流が増えてしまうという問題がある。
【０００６】
特許文献２の有機ＥＬ表示装置では、輝度の大きさに応じて有機ＥＬ素子７の発光量を小さくし、全体として輝度の小さい画素に近づけている。これにより、輝度ムラを補正しているが、画面全体が暗くなる方に補正されてしまう。  
特許文献３の表示装置では、同一意味でパターンが異なる複数の画像データ（例えばアイコン）が切り替わるので、ユーザにとって同一意味に解釈されるとしても違和感がある。
【０００７】
本発明は、ＥＬ素子の劣化が目立たない表示装置および表示パネルを提供することを目的とする。具体的には、測定用の受光素子を備えて外部回路で補正する方式において、各画素あたりの信号線数とトランジスタ数を減らして、ＥＬ素子の発光の開口率を上げることを目的とする。また、消費電流を考慮して最適な補正を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の表示装置は、複数の発光画素が配置された表示手段と当該表示手段を制御する制御手段を有する表示装置であって、前記制御手段は、前記発光画素の使用履歴値に伴う発光輝度の基準発光電流での予測特性およびこの特性上で使用履歴値が初期の第１発光輝度に比べて所定の第２発光輝度に低下する第２使用履歴値を予め記憶する寿命特性記憶手段と、前記表示手段の発光画素毎に映像データを表示した使用実績値を計算して発光実績記憶手段に記憶させる発光実績計算手段と、前記発光実績記憶手段の使用実績値が前記第２使用履歴値を超えかつ集合画素であると判断された場合に、当該集合画素に対応する部分の諧調度を増加させて映像データを前記表示手段に表示させる補正手段を具備することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の表示パネルは、複数の列と複数の行のマトリクス状の交点の各座標位置に画素部が配置され、当該各画素部を前記マトリクス状に配線された制御線上の信号で制御する表示パネルであって、前記各画素部は、発光素子、当該発光素子の発光を受光して当該画素部の斜め一方向に隣接する第１斜め隣接座標位置の画素部へ受光信号を送出する受光素子、当該画素部の前記斜め一方向の反対方向に隣接する第２斜め隣接座標位置の画素部の受光素子から送出された受光信号を受信する受信部を有し、前記制御線は、各列に第１の列制御線および第２の列制御線と、各行に第１の行制御線および第２の行制御線とを有し、任意の１つの列と１つの行それぞれの第１の列制御線と第２の列制御線および第１の行制御線および第２の行制御線の信号により、当該列と行の交点の座標位置の画素部の発光素子が発光し、当該発光を当該画素部の受光素子で受光して受光信号を前記第１斜め隣接座標位置の画素部へ送出し、前記発光する発光画素部に対する前記第１斜め隣接座標位置の画素部の座標に対応する列と行それぞれの第１の列制御線と第２の列制御線および第１の行制御線および第２の行制御線の信号により、前記発光画素部の受光素子の受光信号が前記発光画素部の発光素子の発光補正用として読み取られることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＥＬ素子の劣化が目立たない表示装置を提供することが可能となる。また、測定用の受光素子を備えて外部回路で補正する方式において、各画素あたりの信号線数とトランジスタ数を減らして、ＥＬ素子の発光の開口率を上げることが可能となる。また、消費電流を考慮して最適な補正を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
各実施例について以下説明する。
【実施例１】
【００１２】
実施例１は、１画素内に発光素子と受光素子を備えた例である。発光素子の発光を受光するのは同一画素部内に配置された受光素子で行うが、その受光素子からの受光信号の読出しは、当該画素の斜めの座標位置にある画素部内のアクティブ回路や信号線により行うことを特徴とする。
【００１３】
図１は、本発明の実施例１に係る表示装置のブロック図である。表示装置１００は、映像記憶部２１、測定輝度記憶部２２、初期輝度記憶部２３、制御部２４、ビデオコントローラ２５、列制御部３０、行走査制御部５０、表示パネル６０などから構成される。さらに、列制御部３０は、信号ドライバ・レシーバ３１、電流供給ドライバ３２を有する。行走査制御部５０は、受光走査ドライバ５１、書込読出し走査ドライバ５２を有する。
【００１４】
映像記憶部２１は、表示パネル６０に表示する画像ソースを記憶する。測定輝度記憶部２２は、表示パネル６０の各画素の輝度測定結果を記憶する。初期輝度記憶部２３は、工場出荷前、又は、表示装置１００の使用開始段階での表示パネル６０の各画素の輝度測定結果を記憶する。制御部２４は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ｉ／Ｏ等で構成され、表示装置１００全体の制御を行う。ビデオコントローラ２５は、列制御部３０、行走査制御部５０を制御して、表示パネル６０への映像データの書き込み、各画素の輝度を測定した受光データの読み出しなどを行う。
【００１５】
列制御部３０は、表示パネル６０の列Ｘ（列Ｘ＝１〜ｍ）の制御を行う。行走査制御部５０は、表示パネル６０の行Ｙ（行Ｙ＝１〜ｎ）の制御を行う。表示パネル６０は、列Ｘ＝１〜ｍと、行Ｙ＝１〜ｎのマトリクス構造の画素部分である。
【００１６】
図２は、本発明の実施例１に係る表示装置の列制御部のブロック図である。列制御部３０（信号ドライバ・レシーバ３１、電流供給ドライバ３２）は、表示パネル６０の列Ｘ（列Ｘ＝１〜ｍ）の制御を行う。  
信号ドライバ・レシーバ３１は、双方向のバッファである。ドライバとしては、ビデオコントローラ２５から送信された映像データを、映像アナログ出力３３で列毎に分配し、Ｄ／Ａ変換して、アナログの発光信号（映像信号）として、３ステートドライバ３７を経由して、信号線の列光信号１〜列光信号ｍ（第１の列制御線）ので表示パネル６０に供給する。
【００１７】
信号ドライバ・レシーバ３１は、レシーバとしては、表示パネル６０の列毎の各画素の輝度を測定した受光信号を、信号線の列光信号１〜列光信号ｍから読み出し、３ステートレシーバ３６でマルチプレクスし、更に、Ａ／Ｄ変換器３５でデジタルに変換して受光データとしてビデオコントローラ２５へ送信する。
【００１８】
タイミング制御３４は、ビデオコントローラ２５からの列制御データにより、発光用の列の選択信号である出力１〜出力ｍを出力して、３ステートドライバ３７を制御する。また、受光用の列の選択信号である検出１〜検出ｍを出力して、３ステートレシーバ３６を制御する。
【００１９】
電流供給ドライバ３２は、表示パネル６０の列毎の有機ＥＬに電流を供給し発光させる。タイミング制御３８は、ビデオコントローラ２５からの列制御データにより、発光のための列電流供給の選択信号を出力して、バッファ３９をオンオフ制御する。バッファ３９は、オンオフされて、ＧＮＤレベル又はＶｈレベルの出力を、信号線の列電流供給１〜列電流供給ｍ（第２の列制御線）で表示パネル６０に供給する。Ｖｈレベルを出力した場合、表示パネル６０の有機ＥＬに発光のための電流供給が行われる。
【００２０】
タイミング制御３４、タイミング制御３８は、ランダムロジックな回路でも良いし、シーケンサであってもよい。また、３ステートレシーバ３６、３ステートドライバ３７は、アナログスイッチ等であってもよい。
【００２１】
図３は、本発明の実施例１に係る表示装置の行走査制御部のブロック図である。行走査制御部５０（受光走査ドライバ５１、書込読出し走査ドライバ５２）は、表示パネル６０の行Ｙ（行Ｙ＝１〜ｎ）の制御を行う。  
受光走査ドライバ５１は、表示パネル６０の各画素の輝度を測定した受光信号を信号線の列光信号１〜列光信号ｍ（図２）から読み出す時の、行Ｙ（行Ｙ＝１〜ｎ）の制御を行う。タイミング制御５３は、行Ｙ（行Ｙ＝１〜ｎ）の選択を行い、バッファ５４をオンオフする。バッファ５４は、オンオフされて、ＧＮＤレベル又はＶｈレベルの出力を、信号線の行受光走査１〜行受光走査ｎ（第１の行制御線）で表示パネル６０に供給する。
【００２２】
このバッファ５４がＶｈレベルを出力した場合、表示パネル６０の内部において、受光素子が測定した受光信号のキャパシタへのチャージが行われる。ＧＮＤレベルを出力した場合、受光信号のキャパシタへのチャージは行われない。
【００２３】
書込読出し走査ドライバ５２は、行Ｙ（行Ｙ＝１〜ｎ）に対して、表示パネル６０の各画素への発光信号（映像信号）の書き込み、又は各画素の受光信号の読み出しを行う。タイミング制御５５は、行Ｙ（行Ｙ＝１〜ｎ）の選択を行い、バッファ５６をオンオフする。バッファ５６は、オンオフされて、ＧＮＤレベル又はＶｈレベルの出力を、信号線の行書込読出し走査１〜行書込読出し走査ｎ（第２の行制御線）で表示パネル６０に供給する。
【００２４】
このバッファ５６がＶｈレベルを出力した場合、書込又は読出しが行われる。ＧＮＤレベルを出力した場合、書込も読出しも行われない。
【００２５】
図４は、本発明の実施例１に係る表示装置の表示パネルの回路図である。表示パネル６０の一部の２×２画素分のＧ１〜Ｇ４について図示する。任意の列Ｘ、列Ｘ＋１の２列分と、任意の行Ｙ、行Ｙ＋１の２行分のマトリクスである。Ｘは１〜ｍのいずれかの任意の列、Ｙは１〜ｎのいずれかの任意の行である。
【００２６】
点線で隔てられた部分が各画素の領域である。画素Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４はそれぞれの領域に、アクティブ回路としてのトランジスタＪ（第１のトランジスタ）、トランジスタＫ（第２のトランジスタ）、トランジスタＴ（第３のトランジスタ）、トランジスタＵの４個のトランジスタが配置される。また、それぞれの領域に、キャパシタＣ、有機ＥＬの発光素子Ｅ、受光素子Ｐ（Ｐｈｏｔｏ  Ｓｅｎｃｅｒ）、抵抗Ｒが配置される。
【００２７】
この同一画素部内で、ジグザクの矢印で示されるように、発光素子Ｅの発光量が受光素子Ｐで測定される。この構造は、例えば、特開２００６−５８３５２号公報の図６、頁２０に開示されている有機ＥＬ層（６２）の発光の一部を受光素子（ＰＳ）で直接受ける構造と同様であり、詳細説明は省略する。
【００２８】
ジグザクの矢印で示される受光のための光路は、各画素内で完結している。例えば、画素Ｇ２領域の発光素子Ｅの発光は、受光用光路としては、画素Ｇ２領域の受光素子Ｐにのみ到達する。他の画素の受光素子間とは受光用光路としては遮蔽している。
【００２９】
各画素部に配線される信号線は、ＧＮＤを除いては、各画素部毎に、列制御用の列光信号（第１の列制御線）、列電流供給（第２の列制御線）、それに行制御用の行受光走査（第１の行制御線）、行書込読出し走査（第２の行制御線）の計４本が配線される。例えば、画素Ｇ１については、列と行の座標（Ｘ、Ｙ）に相当する列光信号Ｘ、列電流供給Ｘ、行受光走査Ｙ、行書込読出し走査Ｙである。画素Ｇ２については、列と行の座標（Ｘ＋１、Ｙ）に相当する列光信号Ｘ＋１、列電流供給Ｘ＋１、行受光走査Ｙ、行書込読出し走査Ｙである。画素Ｇ３については、列と行の座標（Ｘ、Ｙ＋１）に相当する列光信号Ｘ、列電流供給Ｘ、行受光走査Ｙ＋１、行書込読出し走査Ｙ＋１である。画素Ｇ４については、列と行の座標（Ｘ＋１、Ｙ＋１）に相当する列光信号Ｘ＋１、列電流供給Ｘ＋１、行受光走査Ｙ＋１、行書込読出し走査Ｙ＋１である。
【００３０】
各画素の座標の信号線により各画素が制御されるが、受光素子Ｐからの受光信号の読出しについては、各画素の座標とは異なる座標の信号線により読み出しを行う。これが、実施例１の最大の特徴である。
【００３１】
例えば、画素Ｇ２領域の発光素子Ｅの発光量は、同じ画素Ｇ２領域の受光素子Ｐで測定され、光量に見合った電流が図の右から左へと発生する。しかし、この受光素子Ｐの配線は、画素Ｇ２の左下斜めの座標位置の画素Ｇ３領域のトランジスタＴと抵抗Ｒに導かれている。そして、画素Ｇ２領域の受光素子Ｐの受光信号は、画素Ｇ３の座標の信号線により、外部へと読み出される。
【００３２】
同様に、画素Ｇ２領域のトランジスタＴと抵抗Ｒには、右上斜めの座標位置の画素領域の受光素子Ｐからの受光信号が配線されている。
【００３３】
これらの相関関係は、全ての画素に適用され、図に示したように、各画素の受光素子Ｐの配線は、各画素の左下斜めの座標位置の画素部の抵抗Ｒに導かれている。
【００３４】
受光素子Ｐは、左下斜めの座標への配線が必要だが、斜め最短の距離の配線であり、列制御、行制御の信号線とは異なり、発光素子Ｅの発光の開口率低下への影響はほとんどない。
【００３５】
なお、この配線は、左下斜めの座標位置としたが、全画素統一された方向であれば、左上斜め、右上斜め、右下斜めのいずれであってもよく、それらの方向にある座標の信号線により、外部へ読み出すようにしてもよい。
【００３６】
［各画素の動作］
次に、各画素における信号線と構成要素の動作の詳細を説明する。  
列光信号は、双方向のアナログ信号であり、発光時は、信号ドライバ・レシーバ３１（図２）からのアナログの発光信号（映像信号）が、トランジスタＪを経由してキャパシタＣに書き込まれて保持され、発光信号（映像信号）の諧調に見合ったＥＬ発光が行われる。受光時は、右上斜め方向の画素の測定結果の受光信号がトランジスタＪと列光信号を逆方向に経由して、信号ドライバ・レシーバ３１へと読み出される。トランジスタＪは、発光信号（映像信号）のキャパシタＣへの書込み用と、受光信号の読出し用として兼用される。  
列電流供給は、Ｖｈレベルにおいて、発光のために有機ＥＬに電流を供給する。
【００３７】
行受光走査は、行受光走査＝Ｖｈレベル、且つ、列電流供給＝ＧＮＤレベルにおいて、トランジスタＴオン、トランジスタＵオンとなる。そして、斜め右上の画素の受光素子Ｐで測定した受光量に見合う電流が抵抗Ｒに流れ、それに見合う電圧が受光信号として得られる。この受光信号がトランジスタＴを経由してトランジスタＪに供給される。
【００３８】
行書込読出し走査１〜３は、ＶｈレベルでトランジスタＪをオンにして、発光信号（映像信号）のキャパシタＣへの書き込みを行う。また、ＶｈレベルでトランジスタＪをオンにして、前述のトランジスタＴからの受光信号を読み出す。
【００３９】
［全体動作］
図２、図３、図４により、全体の動作を説明する。  
［発光］
最初に、発光について座標（Ｘ＋１、Ｙ）の画素Ｇ２で説明する。  
（発光ステップ１：発光素子Ｅの発光動作の起動）
列制御部３０（図２）は、画素Ｇ２の列と行の座標（Ｘ＋１、Ｙ）の信号線について、列光信号Ｘ＋１からアナログの発光信号（映像信号）を供給する。列電流供給Ｘ＋１＝Ｖｈレベルにする。また、行走査制御部５０（図３）は、行受光走査Ｙ＝ＧＮＤレベル、行書込読出し走査Ｙ＝Ｖｈレベルにする。
【００４０】
この状態では、画素Ｇ２の中で、トランジスタＪとＫがオン、トランジスタＴとＵはオフである。これにより、列光信号Ｘ＋１からアナログの発光信号（映像信号）がトランジスタＪの左から右へ流れてキャパシタＣをチャージする。列電流供給Ｘ＋１＝ＶｈレベルからトランジスタＫを経由して発光素子Ｅに、キャパシタＣのチャージ電圧に見合う電流が流れて、発光信号（映像信号）に見合った輝度で発光する。
【００４１】
（発光ステップ２：発光素子Ｅの発光動作のホールド）
次に、行走査制御部５０は、行書込読出し走査Ｙ＝ＧＮＤレベルに落として、トランジスタＪはオフになり、Ｃのチャージがそのままホールドされる。列制御部３０は、列電流供給Ｘ＋１＝Ｖｈレベルは継続する。この状態では、画素Ｇ２の中で、トランジスタＫのみがオンである。これにより、列電流供給Ｘ＋１＝ＶｈレベルからトランジスタＫを経由して発光素子Ｅに、キャパシタＣのチャージ電圧に見合う電流が継続して流れ、同じ輝度を継続して発光する。通常の画像表示処理では、この処理が画像の１フレーム分継続される。
【００４２】
［輝度測定］
次に、画素Ｇ２の発行素子Ｅの発光輝度を測定する動作について説明する。画素Ｇ２の発行素子Ｅの発光は、画素Ｇ２の受光素子Ｐで受光されている。この受光素子Ｐの配線は、Ｇ２の左下斜めの座標位置の画素Ｇ３の抵抗Ｒに導かれている。
【００４３】
画素Ｇ２（Ｘ＋１、Ｙ）に対しては、列制御部３０、行走査制御部５０は、前述の（発光ステップ２：発光素子Ｅの発光動作のホールド）を継続する。  
受光信号の読み出しについては、画素Ｇ３の列と行の座標（Ｘ、Ｙ＋１）の信号線により行う。列制御部３０は、列光信号Ｘに対して、３ステートドライバ３７をオフにし、３ステートレシーバ３６による入力状態にする。また、列電流供給Ｘ＝ＧＮＤレベルにする。行走査制御部５０は、行受光走査Ｙ＋１＝Ｖｈレベル、行書込読出し走査Ｙ＋１＝Ｖｈレベルにする。
【００４４】
これにより、画素Ｇ３のトランジスタＪ、Ｔ、Ｕがオン、トランジスタＫがオフになる。画素Ｇ３の発光素子Ｅは発光しない。画素Ｇ２の受光素子Ｐは、画素Ｇ２の発光素子Ｅの発光を受光して受光量に見合う電流を、画素Ｇ３の抵抗Ｒ、トランジスタＵへと流す。そして、抵抗Ｒに発生した電圧は受光信号として、トランジスタＴ、Ｊを右から左方向へ経由して列光信号Ｘへと出力される。
【００４５】
列制御部３０は、３ステートレシーバ３６の列Ｘに該当する素子のみオンにして、この列光信号Ｘの受光信号を読み取り、Ａ／Ｄ変換器３５で変換して受光データとして、ビデオコントローラ２５（図１）へ送信する。そして、測定輝度記憶部２２に画素Ｇ２の発光輝度データとして記録される。なお、使い始めの初期段階では、初期輝度記憶部２３に初期輝度データとして記録される。
【００４６】
なお、画素Ｇ２の列Ｘ＋１と画素Ｇ３の行Ｙ＋１が交差する座標位置にある画素Ｇ４において、列電流供給Ｘ＋１＝Ｖｈレベル、行受光走査Ｙ＋１＝Ｖｈレベル、行書込読出し走査Ｙ＋１＝Ｖｈレベルであるため、画素Ｇ４の発光素子Ｅが意図せずに発光するおそれがあるが、この発光は、画素Ｇ２の受光素子Ｐへは影響せず、問題ない。
【００４７】
また、輝度測定ではない通常の画像表示の場合は、行受光走査は常時ＧＮＤレベルなので、意図しない画素が発光することはない。  
以上により、画素Ｇ２の発光輝度の測定が終わる。同様の処理を全画素について行い、全画素の発光輝度測定が完了する。
【００４８】
なお、画素１個ごとの測定ではなく、複数個同時に測定してもよい。例えば、行Ｙの２個置きの画素である画素Ｇ２（Ｘ＋１、Ｙ）、画素（Ｘ＋３、Ｙ）（図示せず）、画素（Ｘ＋５、Ｙ）（図示せず）などを同時発光させる。そして、それらの画素の左下斜めの座標位置の画素Ｇ３の列と行の座標（Ｘ、Ｙ＋１）、座標（Ｘ＋２、Ｙ＋１）、座標（Ｘ＋４、Ｙ＋１）の信号線により同時測定を行う。受光信号は、列光信号Ｘ、列光信号Ｘ＋２、列光信号Ｘ＋４から同時に信号ドライバ・レシーバ３１（図２）へと出力される。信号ドライバ・レシーバ３１では、これらの複数の列光信号をマルチプレクスして時系列にＡ／Ｄ変換して受光データとして送出する。
【００４９】
［通常の画像表示における補正］
次に、通常の画像表示において、前述の測定した発光輝度を基に、発光を補正する処理について説明する。  
表示装置１００の工場出荷段階や、ユーザの使い始めの段階において、設定者やユーザ等は、発光輝度を測定し、初期輝度として、初期輝度記憶部２３に記録するように操作指示する。制御部２４は、これを初期輝度記憶部２３に記録する。このとき、各画素の発光輝度および受光素子の感度のばらつきなどにより絶対値は若干ばらつくが、各画素毎に初期値１００％として記憶しておく。このデータは、以降は書き換えない。
【００５０】
次に、制御部２４は、表示装置１００の使い始め以降、適宜な時期に再測定を繰り返す。毎日でもよいし、毎週でも、毎月でもよい。そのデータは、測定輝度記憶部２２に記録され、再測定毎に上書き記録される。
【００５１】
制御部２４は、各画素について、初期輝度に対する再測定輝度の比率を算出し、測定輝度記憶部２２の別エリアに比率記憶部として記録する。例えば、画素Ｇ２は比率９５％と記録する。
【００５２】
次に、制御部２４は、通常の画像表示において、映像記憶部２１にある表示すべき映像ソースの各画素の諧調データについて、測定輝度記憶部２２の該当画素の比率で徐算する。例えば、画素Ｇ２の諧調データを比率９５％で除算して、諧調が明るくなるように補正し、その補正後のデータを映像データとする。これにより、初期の発光輝度を再現することができる。この補正の程度は、初期の発光輝度まで戻さずに適宜調整してもよい。
【００５３】
なお、実施例１では、発光画素に対して、測定は左下斜めの座標位置の信号線により受光信号を読み出している。そのため、最左端の列の画素群および最下端の行の画素群の発光輝度を測定することはできない。したがって、当該画素群は、発光なしで受光信号読出しのためだけのダミー画素として配置する。すなわち、トランジスタＫ、発光素子Ｅ、受光素子Ｐは設けなくてもよいか、設けても使用しない。
【００５４】
または、通常の画像表示で最も端の当該画素群の発光頻度が低いようであれば、劣化を危惧する必要はないので、そのまま発光画素として補正なしで使用するようにしてもよい。すなわち、受光素子Ｐは設けなくてもよいか、設けても使用しない。
【００５５】
また、実施例１では、受光素子は、発光素子の発光を受光するが、表示パネル６０の外部の光を受光する可能性もある。したがって、発光素子を発光させないで受光素子の受光信号を測定することにより外光の受光量がわかり、バックグラウンド輝度としてその影響を考慮することができる。
【００５６】
例えば、発光素子を発光時に測定した受光量から外光の受光量を差し引く演算を行うことにより、発光素子の発光輝度を正確に測定できる。または、外光の受光量が一定以上の場合、発光素子の発光輝度を測定しないようにしてもよい。または、折り畳み式の携帯端末などに適用した場合、折り畳まれた状態では、表示パネル６０が蓋をされて暗い状態になるので、その条件で測定するようにしてもよい。
【００５７】
本発明の実施例１によれば、従来の特許文献１の表示装置の各画素あたりの信号線がＧＮＤを除いて５本、また、各画素あたりのトランジスタの個数が５個に比べて、信号線がＧＮＤを除いて４本、トランジスタの個数を４個にすることができ、ＥＬ素子の発光の開口率を上げることが可能となる。
【実施例２】
【００５８】
実施例２は、輝度測定用の特別な受光素子を持たずに、予めわかっている有機ＥＬの輝度寿命特性を基に、実際に有機ＥＬに電流を流した使用実績により輝度を予測して補正するものであり、特に、消費電流を考慮して輝度を補正するものである。
【００５９】
図５は、本発明の実施例２に係る有機ＥＬの輝度寿命特性を説明する図である。  
（A）は、有機ＥＬの輝度寿命を表す特性カーブである。横軸は、有機ＥＬに流す電流値と発光時間の積を累積した電流時間積であり、縦軸は、同一電流Ｉ１条件における発光輝度である。すなわち寿命は、電流が大きい程、また、電流を流す時間が累積する程、劣化して輝度が徐々に連続的に低下していく。この寿命カーブは、予め実験やメーカーデータとして得られる。
【００６０】
この途中の数ポイントについて説明する。有機ＥＬは、使用開始初期時の電流時間積Ｔ１においては、電流Ｉ１に対して初期輝度１００％を発光している。使用するにつれて徐々に劣化し、電流時間積Ｔ２では、同じ電流Ｉ１でも輝度が低下して、９３％超しか発光しなくなる。電流時間積Ｔ３では、同じ電流Ｉ１で、輝度９３％となるポイントである。電流時間積Ｔ４では、同じ電流Ｉ１で、輝度９０％となる。電流時間積Ｔ５では、同じ電流Ｉ１で、輝度８７％となる。
【００６１】
（B）は、有機ＥＬに流す電流を変化させたときの発光輝度の特性カーブである。有機ＥＬの使用開始初期時の電流時間積Ｔ１においては、太線で示したＴ１特性を有し、電流Ｉ１で初期輝度１００％で発光し、電流を変化させた時には、この太線Ｔ１特性上で輝度が変化する。
【００６２】
電流時間積がＴ２となった時には、有機ＥＬが劣化して、太線Ｔ２特性となり、同じ電流Ｉ１では輝度９３％超しか発光しない。電流を変化させた時には、この太線Ｔ２特性上で輝度が変化する。
【００６３】
電流時間積がＴ３となった時には、さらに有機ＥＬが劣化して、太線Ｔ３特性となり、同じ電流Ｉ１では輝度９３％しか発光しない。電流を変化させた時には、この太線Ｔ３特性上で輝度が変化する。
【００６４】
電流時間積がＴ４となった時には、さらに有機ＥＬが劣化して、太線Ｔ４特性となり、同じ電流Ｉ１では輝度９０％しか発光しない。電流を変化させた時には、この太線Ｔ４特性上で輝度が変化する。
【００６５】
電流時間積がＴ５となった時には、さらに有機ＥＬが劣化して、太線Ｔ５特性となり、同じ電流Ｉ１では輝度８７％しか発光しない。電流を変化させた時には、この太線Ｔ５特性上で輝度が変化する。
【００６６】
これらの太線の特性カーブは、予め寿命試験などのデータとして得られる。例として、Ｔ１（電流Ｉ１で輝度１００％）、Ｔ２（電流Ｉ１で輝度９３％超）、Ｔ３（電流Ｉ１で輝度９３％）、Ｔ４（電流Ｉ１で輝度９０％）、Ｔ５（電流Ｉ１で輝度８７％）特性を図示したが、更に細かく、電流Ｉ１での輝度が９９％、９８％、９７％、９６％、９５％、９４％、９３％、９２％、９１％・・・と１％毎の特性カーブを予め備えるようにしてもよい。
【００６７】
次に、表示画像例について説明する。  
図６は、本発明の実施例２に係る表示装置の有機ＥＬ表示部の表示画面を説明する図である。有機ＥＬ表示部を構成する各画素の電流時間積は、表示される画像次第で各画素毎に異なるので、各画素の劣化の度合いは異なることになり、その差が大きくなると人の目に認識されて、いわゆる焼き付きとして認識される。
【００６８】
例えば、（Ａ）のようなアイコン画像データは、表示装置では、常時表示されることが多いためにアイコン表示部分の画素の劣化が進みやすい。また、色々な画像次第で、劣化の進んだ画素が発生する。
【００６９】
（Ｂ）は、劣化が進んだ状態において、全画面真っ白画像データを表示したときの画面である。アイコンのような劣化画素集合体や、劣化単独画素が発生する。この劣化が進んだ状態では、その部分は、真っ白画像データであっても、輝度が低下して薄いグレー表示になってしまい、焼き付きとして認識されてしまう。
【００７０】
（Ｃ）は、白い子犬の画像データである。（Ｄ）は、（Ｂ）のような劣化が進んだ状態において、（Ｃ）の画像データを表示した画面である。白い子犬の部分に、劣化画像が認識されてしまう。
【００７１】
この焼き付きがどの程度であれば人の眼に認識されるかについて、人の視覚系による主観評価試験を行った。その結果、劣化しない初期の輝度１００％に対して、輝度９３％以上であれば、焼き付きが目立たないことがわかった。
【００７２】
（Ｅ）、（Ｆ）は、（Ｂ）のような劣化が進んだ状態において、本発明の実施例２の焼き付き補正を行った後の（Ｃ）の画像データを表示した画面であり、図７、図８で詳しく述べる。
【００７３】
図７は、本発明の実施例２に係る表示装置のブロック図である。表示装置２００は、制御部７０、有機ＥＬ表示部９０などから構成される。制御部７０は、有機ＥＬの劣化を補正する映像データを算出して、補正後映像データを有機ＥＬ表示部９０に供給する。
【００７４】
制御部７０は、発光実績計算部７１、全画素発光実績記憶部７２、寿命予測特性記憶部７３、劣化画素抽出部７４、劣化画素記憶部７５、補正対象画素抽出部７６、補正対象画素記憶部７７、電流ＶＳ輝度予測特性記憶部７８、補正係数算出部７９、全画素補正係数記憶部８０、映像記憶部８１、乗算器８２などから構成される。
【００７５】
発光実績計算部７１は、有機ＥＬ表示部９０を使用中は常時、有機ＥＬ表示部９０に表示されるデータである補正後映像データを基に、各画素の電流時間積を計算し、全画素発光実績記憶部７２に各画素毎に記録する。補正後映像データは諧調データであり、諧調が有機ＥＬに流す電流値に相関している。寿命予測特性記憶部７３は、図５（Ａ）の寿命特性を予め記憶したメモリである。
【００７６】
劣化画素抽出部７４は、全画素発光実績記憶部７２の各画素毎に、輝度９３％未満、すなわち、電流時間積がＴ３を超える画素を抽出し、その画素毎の発光実績と共に、劣化画素記憶部７５に記憶する。有機ＥＬの劣化は急速に進むことはないので、劣化画素抽出部７４は、例えば、１日、1週間、１カ月等の間隔で処理を行ってもよい。
【００７７】
補正対象画素抽出部７６は、劣化画素記憶部７５に劣化画素（輝度９３％未満）が記憶されていることをトリガとして、これらの劣化画素（輝度９３％未満）の内、どの画素を補正するかを抽出し、その画素毎の発光実績と共に、補正対象画素記憶部７７に記憶する。この補正対象画素抽出部７６の動作は、後で動作フローチャート（図８）で詳細に説明する。
【００７８】
電流ＶＳ輝度予測特性記憶部７８は、図５（Ｂ）の電流ＶＳ輝度予測特性を予め記憶したメモリである。  
補正係数算出部７９は、補正対象画素記憶部７７の劣化各画素について、その画素の発光実績と、その発光実績に対応する電流ＶＳ輝度予測特性記憶部７８の対応特性（図５（Ｂ））を基に、補正係数を算出し、全画素補正係数記憶部８０に記憶する。この補正係数算出部７９の動作は、後で動作フローチャート（図９、図１０）で詳細に説明する。
【００７９】
有機ＥＬの劣化は急速に進むことはないので、以上説明した劣化画素抽出部７４、補正対象画素抽出部７６、補正係数算出部７９の処理は、例えば、１日、1週間、１カ月等の間隔で処理を行ってもよい。
【００８０】
映像記憶部８１は、有機ＥＬ表示部９０に表示させる映像ソースの記憶部である。乗算器８２は、有機ＥＬ表示部９０を使用時は常時、映像記憶部８１の映像データの各画素毎に、全画素補正係数記憶部８０の各画素毎の補正係数を乗算して補正後映像データを作成し、有機ＥＬ表示部９０に送信する。有機ＥＬ表示部９０は、補正後映像データに見合った電流を各画素に流して、見合った輝度の表示を行う。
【００８１】
図８は、本発明の実施例２に係る補正対象画素抽出部の動作フローチャートである。  
図８（Ａ）は、実施例２の補正対象画素抽出方法１である。この補正対象画素抽出方法１では、劣化画素の内、劣化単独画素を除いた劣化画素集合体を抽出して、補正対象とするものである。
【００８２】
補正対象画素抽出部７６は、劣化画素記憶部７５に劣化画素（輝度９３％未満）が記憶されているかをチェックする（ステップＳ１１）。そして、輝度９３％未満の劣化画素があれば、その画素は、劣化画素集合体か劣化単独画素かをチェックする（ステップＳ１２）。
【００８３】
集合体か単独かの判断は、劣化画素の配置が所定個数連続しているかなどの判断により行う。これにより、例えば、図６（Ｂ）のような劣化状態の場合は、アイコン表示のように集合画素が常時表示されるような場合に劣化が進むと、劣化画素集合体として検出され、その画素が補正対象画素記憶部７７に記録する（ステップＳ１３）。図６（Ｂ）の劣化単独画素は、補正対象画素記憶部７７に記録しない。
【００８４】
この補正対象画素記憶部７７に記録された劣化画素集合体に対してのみ、後述（図９、図１０）の補正係数算出部７９の輝度向上の補正処理を行い、その結果、図６（Ｅ）に示すように、アイコン部分の劣化が見えない状態で、劣化単独画素のみが焼き付きとして残る状態で表示される。
【００８５】
実施例２の補正対象画素抽出方法１によれば、人の目には劣化単独画素自体は目立たないので気にならない。また、輝度向上の処理は電源の消費電流が増える処理であるが、劣化単独画素は補正しないことにより、劣化補正に伴う消費電流の増加程度を抑えることができる。
【００８６】
図８（Ｂ）は、実施例２の補正対象画素抽出方法２である。この補正対象画素抽出方法２では、劣化画素の内、ランダムに所定の個数の劣化画素を選んで補正対象とするものである。
【００８７】
補正対象画素抽出部７６は、劣化画素記憶部７５に劣化画素（輝度９３％未満）が記憶されているかをチェックする（ステップＳ２１）。輝度９３％未満の劣化画素があれば、それらの劣化画素の内、例えば、９０％の個数の画素をランダムに抽出して補正対象として、補正対象画素記憶部７７に記録する（ステップＳ２２）。残り１０％は補正対象としない。
【００８８】
この補正対象画素記憶部７７に記録された９０％の個数の劣化画素に対してのみ、後述（図９、図１０）の補正係数算出部７９の輝度向上の補正処理を行い、その結果、図６（Ｆ）に示すように、９０％の個数の劣化画素が見えない状態で、残り１０％の個数の劣化画素のみが焼き付きとして残る状態で表示される。
【００８９】
実施例２の補正対象画素抽出方法２によれば、人の目には、目立たない状態となり、気にならない。また、例えば１０％の個数の劣化画素を補正しないことにより、劣化補正に伴う消費電流の増加程度を抑えることができる。
【００９０】
図９は、本発明の実施例２に係る補正係数算出部の動作フローチャートである。  
図９（Ａ）は、実施例２の補正係数算出方法１である。この補正係数算出方法１では、劣化画素に対して輝度９３％を保証する補正係数を算出して、焼き付きを目立たなくする方法である。図５（Ｂ）の電流ＶＳ輝度予測特性（電流ＶＳ輝度予測特性記憶部７８に様々な特性が記憶されている）も用いて説明する。
【００９１】
補正係数算出部７９は、補正対象画素記憶部７７に記憶されている補正対象画素毎に、輝度９３％保証の補正係数を算出する（ステップＳ３１）。
【００９２】
具体的には、補正対象画素の１つが補正対象画素記憶部７７に発光履歴Ｔ４として記録されていれば、図５（Ｂ）の太線Ｔ４上で、電流がＩ１（補正係数１．０）のままだと、輝度９０％で、人の目に劣化が目立ってしまう。したがって、１．０より大きい補正係数Ｕとすることで、Ｉ１に補正係数Ｕを乗じた電流をこの画素に流せば、輝度９３％で発光し、人の目に目立たなくすることができる。
【００９３】
補正対象画素の１つが発光履歴Ｔ５であったとすると、太線Ｔ５において、Ｉ１に補正係数Ｘを乗じた電流をこの画素に流せば、輝度９３％で発光し、人の目に目立たなくすることができる。
【００９４】
これらを、補正対象画素記憶部７７に記憶されている画素すべてに対して算出し、全画素補正係数記憶部８０に記憶することにより（ステップＳ３２）、補正対象画素の輝度９３％を保証する。全画素補正係数記憶部８０には、補正対象でない画素については、補正係数１．０として記憶する（ステップＳ３２）。
【００９５】
従来は、劣化画素に対して輝度１００％まで保証、すなわち、発光履歴Ｔ４の画素に対して補正係数Ｗ、発光履歴Ｔ５の画素に対して補正係数Ｚにしていた。  
それに比べて、本発明の実施例２の補正係数算出方法１によれば、輝度９３％保証の補正係数であり、焼き付きが目立たなくなると共に、補正のための消費電流の増加を従来に比べて抑えることができる。
【００９６】
図９（Ｂ）は、実施例２の補正係数算出方法２である。この補正係数算出方法２では、電源の消費電流に余裕がある場合に、輝度９３％より明るい輝度９３％超を保証するための補正係数を算出して、焼き付きを更に目立たなくする方法である。
【００９７】
補正係数算出部７９は、補正対象画素記憶部７７に記憶されている補正対象画素毎に、輝度ｎ％保証の補正係数を算出する。まず、輝度ｎ％＝９３％から開始する（ステップＳ４１）。次に、補正対象画素の輝度ｎ％＝９３％保証の補正係数と、他の画素の補正しない補正係数（１．０）の総和を算出し、総和／全画素数＝平均値（全画素補正係数平均値）を算出する（ステップＳ４２）。
【００９８】
一方、有機ＥＬ表示部９０の消費電流は、例えば、特定の映像データにおいて、かつ輝度補正なし、すなわち、全画素補正係数平均値＝１．０と同義での消費電流が予め実験などにより決められている。そして、それを参考にして所定の容量の電源が用意される。この電源容量のマージンなどから、例えば電源許容補正係数＝１．３に予め決められている。
【００９９】
補正係数算出部７９は、ステップＳ４２で算出した全画素補正係数平均値と、予め決められている電源許容補正係数＝１．３を比較する（ステップＳ４３）。輝度ｎ％＝９３％保証で算出した全画素補正係数平均値が電源許容補正係数＝１．３より小さければ、ステップＳ４１、Ｓ４２で、輝度ｎ％＝９４％保証にアップして再計算する。
【０１００】
具体的には、発光履歴Ｔ４（図５（Ｂ））の画素については補正係数Ｖとし、発光履歴Ｔ５の画素については補正係数Ｙとし、全画素補正係数平均値を求める。そして、再度比較し（ステップＳ４３）、電源許容補正係数＝１．３を超えない範囲で最も大きい全画素補正係数平均値での各画素それぞれの補正係数を最終確定として、全画素補正係数記憶部８０に記憶する（ステップＳ４４）。
【０１０１】
本発明の実施例２の補正係数算出方法２によれば、電源の消費電流に余裕がある場合に、輝度９３％より明るい輝度９３％超を保証するための補正係数を算出して、焼き付きを更に目立たなくすることができる。
【０１０２】
図１０は、本発明の実施例２に係る補正係数算出部の動作フローチャートであり、実施例２の補正係数算出方法３である。この補正係数算出方法３では、電源の消費電流に余裕がなく、補正のための平均電流を増やせない場合に、焼き付きを目立たなくする補正方法である。
【０１０３】
補正係数算出部７９は、全画素を対象に、発光実績が小さい画素（例えばＴ１）は補正係数＜１．０として輝度を下げ、発光実績が大きい画素（例えばＴ５）は補正係数＞１．０として輝度を上げ、その輝度差が７％以内に入るように、補正係数を決める（ステップＳ５１）。そのために、補正対象画素記憶部７７には、劣化してない画素も含めて全画素の発光実績を記録しておく。
【０１０４】
具体的には、発光履歴Ｔ１（図５（Ｂ））の画素については補正係数Ｑとして、輝度１００％から輝度９３％に落とす。発光履歴Ｔ５の画素については補正係数Ｒとして、輝度８７％から輝度９０％にアップする。これにより、両者の輝度の差異は７％以内に入る。このようにして、全画素について、最大輝度と最低輝度の差が７％以内に入るように、補正係数をそれぞれ決める。
【０１０５】
次に、全画素の補正係数の総和と平均値（全画素補正係数平均値）を算出する（ステップＳ５２）。そして、この全画素補正係数平均値と、電源許容補正係数＝１．０を比較する（ステップＳ５３）。この両者が異なっていれば、ステップＳ５１に戻り、全画素補正係数平均値が１．０に近づくように、各画素の補正係数を変更する。
【０１０６】
そして、両者が一致(略一致も含むようにしてもよい)すれば、その時の各画素それぞれの補正係数を最終確定として、全画素補正係数記憶部８０に記憶し（ステップＳ５４）、補正係数算出部７９の処理を終了する。
【０１０７】
本発明の実施例２の補正係数算出方法３によれば、電源の消費電流に余裕がなく、補正のための平均電流を増やせない場合に、発光実績が小さくて劣化してない画素の輝度を下げ、発光実績が大きくて劣化した画素の輝度を上げて、焼き付きを目立たなくすることができる。
【０１０８】
この後、乗算器８２は、有機ＥＬ表示部９０を使用時は常時、映像記憶部８１の映像データの各画素毎に、全画素補正係数記憶部８０の各画素毎の補正係数を乗算して補正後映像データを作成し、有機ＥＬ表示部９０に送信する。
【０１０９】
映像記憶部８１の映像データは中間調を含む諧調データであり、中間調データに対しても補正係数が乗算される。例えば、図９（Ａ）の実施例２の補正係数算出方法１の場合、図５（Ｂ）で発光履歴Ｔ４の画素に対して、補正係数Ｕ（輝度９３％保証）を適用した場合、この画素の発光は、太線Ｔ４上で、補正係数Ｕのポイントを真っ白の映像データとして、補正係数Ｕ以下の範囲で諧調に従った発光がなされる。
【０１１０】
発光履歴Ｔ５の画素に対して、補正係数Ｕ（輝度９３％保証）を適用した場合、この画素の発光は、太線Ｔ５上で、補正係数Ｘのポイントを真っ白の映像データとして、補正係数Ｘ以下の範囲で諧調に従った発光がなされる。
【０１１１】
発光履歴Ｔ１の画素に対しては、補正しないので（補正係数１．０）、太線Ｔ１上で、補正係数１．０のポイント（輝度１００％）を真っ白の映像データとして、補正係数１．０以下の範囲で諧調に従った発光がなされる。
【０１１２】
発光履歴Ｔ２の画素に対しては、補正しないので（補正係数１．０）、太線Ｔ２上で、補正係数１．０のポイント（輝度９３％超）を真っ白の映像データとして、補正係数１．０以下の範囲で諧調に従った発光がなされる。
【０１１３】
発光履歴Ｔ３の画素に対しては、補正しないので（補正係数１．０）、太線Ｔ３上で、補正係数１．０のポイント（輝度９３％）を真っ白の映像データとして、補正係数１．０以下の範囲で諧調に従った発光がなされる。
【０１１４】
発光履歴Ｔ４やＴ５の画素であっても、単独劣化画素のように補正対象とならない場合は、それぞれ、太線Ｔ４上や太線Ｔ５上で、補正係数１．０のポイント（それぞれ、輝度９０％、８７％）を真っ白の映像データとして、補正係数１．０以下の範囲で諧調に従った発光がなされる。
【０１１５】
有機ＥＬ表示部９０は、図５（Ｂ）の横軸の左側、すなわち、真っ黒の諧調データから、右側の真っ白を更に最大の補正係数Ｚで補正した値までの範囲の電流変化が得られるダイナミックレンジ特性を有する構成である。
【０１１６】
なお、実施例２では、補正処理を行うトリガ条件は、輝度９３％未満に劣化した画素が存在することを条件としたが、例えば、輝度９５％未満まで劣化した時点をトリガ条件として、電源の消費電流に余裕があれば、輝度９５％超の補正を行うようにしてもよい。
【０１１７】
また、補正対象画素抽出部７６が抽出（補正対象画素抽出方法１又は２）した補正対象の劣化画素に対して、補正係数算出部７９の補正処理（補正係数算出方法１、２、又は３）を行ったが、例えば、補正対象画素抽出部７６が抽出（補正対象画素抽出方法１又は２）した補正対象の劣化画素に対して、従来行われている輝度１００％の補正処理を行ってもよい。それにおいても、消費電流を従来より抑えることができる。  
また、補正対象画素を全ての劣化画素を対象として、補正係数算出部７９の補正処理（補正係数算出方法１、２、又は３）を行ってもよい。それにおいても、消費電流を従来より抑えることができる。
【０１１８】
また、有機ＥＬの寿命は、図５の寿命カーブに示すように、電流時間積が大きくなるにつれて劣化するとしたが、他の要因として温度が高いほど劣化する特性も有する。この温度も含めた寿命カーブを予め実験やメーカーデータとして得ることができる。そして、有機ＥＬの温度を測定する手段を設け、使用温度実績も考慮して補正を行うようにしてもよい。
【０１１９】
本発明の実施例２によれば、消費電流を考慮して輝度を補正することができる。  
なお、表示装置１００は、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯電話機などに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の実施例１に係る表示装置のブロック図。
【図２】本発明の実施例１に係る表示装置の列制御部のブロック図。
【図３】本発明の実施例１に係る表示装置の行走査制御部のブロック図。
【図４】本発明の実施例１に係る表示装置の表示パネルの回路図。
【図５】本発明の実施例２に係る有機ＥＬの輝度寿命特性を説明する図。
【図６】本発明の実施例２に係る表示装置の有機ＥＬ表示部の表示画面を説明する図。
【図７】本発明の実施例２に係る表示装置のブロック図。
【図８】本発明の実施例２に係る補正対象画素抽出部の動作フローチャート。
【図９】本発明の実施例２に係る補正係数算出部の動作フローチャート。
【図１０】本発明の実施例２に係る補正係数算出部の動作フローチャート。
【符号の説明】
【０１２１】
２１  映像記憶部
２２  測定輝度記憶部
２３  初期輝度記憶部
２４  制御部
２５  ビデオコントローラ
３０  列制御部
３１  信号ドライバ・レシーバ
３２  電流供給ドライバ
３３  映像アナログ出力
３４  タイミング制御
３５  Ａ／Ｄ変換器
３６  ３ステートレシーバ
３７  ３ステートドライバ
３８  タイミング制御
３９  バッファ
５０  行走査制御部
５１  受光走査ドライバ
５２  書込読出し走査ドライバ
５３  タイミング制御
５４  バッファ
５５  タイミング制御
５６  バッファ
６０  表示パネル
７０  制御部
７１  発光実績計算部
７２  全画素発光実績記憶部
７３  寿命予測特性記憶部
７４  劣化画素抽出部
７５  劣化画素記憶部
７６  補正対象画素抽出部
７７  補正対象画素記憶部
７８  電流ＶＳ輝度予測特性記憶部
７９  補正係数算出部
８０  全画素補正係数記憶部
８１  映像記憶部
８２  乗算器
９０  有機ＥＬ表示部
１００  表示装置
２００  表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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