(57)【要約】【課題】平面寸法（平面積）や高さ寸法を大幅に縮小することができ、コンパクトに形成できる電子部品内蔵基板を提供する。【解決手段】一対の配線基板１０，２０間に電子部品３０を搭載した電子部品内蔵基板１００であって、配線基板同士１０，２０がはんだボール４０を介して電気的に接続され、電子部品３０が搭載された一方の配線基板１０と対向する他方の配線基板２０において、電子部品３０と対向する位置に電子部品３０の平面形状よりも大きく開口する開口部２４が設けられ、一対の配線基板１０，２０間が封止樹脂５０によって封止されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の配線基板間に電子部品を搭載した電子部品内蔵基板であって、
前記配線基板同士がはんだボールを介して電気的に接続され、
前記電子部品が搭載された一方の配線基板と対向する他方の配線基板に、前記電子部品と対向する位置に前記電子部品の平面形状よりも大きく開口する開口部が設けられ、
前記一対の配線基板間が封止樹脂によって封止されていることを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記電子部品は、裏面側が前記開口部に入り込む配置に搭載されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記電子部品は、裏面の位置が前記配線基板の板厚内に位置するように搭載されていることを特徴とする請求項２記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記電子部品は、裏面を露出させた状態で前記封止樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記開口部内に前記封止樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記はんだボールとして、金属からなるコア材の外表面にはんだが被覆されたコア入りはんだボールが用いられていることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項７】
前記コア材は銅からなることを特徴とする請求項６記載の電子部品内蔵基板。
【請求項８】
前記開口部が形成された配線基板の外面に、少なくとも前記開口部の領域の一部を覆う配置に電子部品あるいは回路部品が搭載されていることを特徴とする請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品内蔵基板に関し、より詳細には、一対の配線基板間に電子部品を搭載した電子部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０間に電子部品３０を搭載し、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０とをはんだボール４０を介して電気的に接続し、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に封止樹脂５０を注入してなる電子部品内蔵基板１００が提案されている（例えば、特許文献１参照）。図１１は特許文献１における電子部品内蔵基板の構成を示す横断面図である。
図１１に示すように、特許文献１における電子部品内蔵基板１００は、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０との間に電子部品３０を挟む配置とし、配線基板１０，２０をはんだボール４０で電気的に接続すると共に、封止樹脂５０により封止された構成を有している。
【特許文献１】特開２００３−３４７７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
図１１に示すように、従来の電子部品内蔵基板１００の構成においては、電子部品内蔵基板１００の総厚が、下層側配線基板１０，上層側配線基板２０の厚さ、封止樹脂５０の厚さの総和になる。また、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０との離間距離は、電子部品３０が埋没するように封止する封止樹脂５０の厚さによって決まるから、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０との電気的接続に用いるはんだボール４０の径寸法は、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０間を接続するために必然的に径寸法が大きくなってしまう。このため、はんだボール４０の配置間隔が大きくなるため、はんだボール４０を接続する端子面積が大きくなり、電子部品内蔵基板１００の平面寸法（平面積）が大きくなってしまうという課題がある。
【０００４】
また、電子部品内蔵基板１００は、図１１に示すように、複数の電子部品内蔵基板１００，１００，１００，・・・を板厚方向に積み重ねて用いることがある（例えば、電子部品３０として半導体素子を採用したＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ  Ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造の半導体装置）。このような形態において電子部品内蔵配線基板１００の全体の厚さを薄くするには、配線基板の板厚を薄くする、電子部品の厚さを薄くする、という方法によらざるを得ない。したがって半導体部品を内蔵した半導体装置の厚さを薄くするには限界があり、効果的に薄厚にすることができないといった課題も有している。
【０００５】
そこで本願発明は、電子部品内蔵基板において、平面寸法（平面積）や高さ寸法を大幅に縮小することができ、コンパクトに形成できる電子部品内蔵基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、一対の配線基板間に電子部品を搭載した電子部品内蔵基板であって、前記配線基板同士がはんだボールを介して電気的に接続され、前記電子部品が搭載された一方の配線基板と対向する他方の配線基板に、前記電子部品と対向する位置に前記電子部品の平面形状よりも大きく開口する開口部が設けられ、前記一対の配線基板間が封止樹脂によって封止されていることを特徴とする電子部品内蔵基板である。
【０００７】
また、前記電子部品は、裏面側が前記開口部に入り込む配置に搭載されていることを特徴とする。
また、前記電子部品は、裏面の位置が前記配線基板の板厚内に位置するように搭載されていることを特徴とする。
これらにより、下層側配線基板と上層側配線基板との距離をさらに近づけることができるので、上下配線基板間を電気的に接続するはんだボールの粒径を小さくすることができる。はんだボールの径寸法が小さくなることで、電子部品内蔵基板の厚さおよび平面寸法（平面積）を小さくすることができる。また、電子部品が配線基板表面からはみ出さなくなるので、電子部品内蔵基板の全体厚さを更に薄くすることができる。
【０００８】
また、前記電子部品は、裏面を露出させた状態で前記封止樹脂によって封止されていることを特徴とする。これにより、露出する裏面からの電子部品の放熱性が向上する。
【０００９】
また、前記開口部内に前記封止樹脂が充填されていることを特徴とする。さらに、前記開口部内に入り込んでいる前記電子部品の裏面を含めた状態で前記封止樹脂により封止されていることが好ましい。
これらにより、電子部品を確実に保護することができ、信頼性の高い電子部品内蔵基板を提供することができる。
【００１０】
前記前記はんだボールとして、金属からなるコア材の外表面にはんだが被覆されたコア入りはんだボールが用いられていることを特徴とする。かかるコア材は銅からなることが好ましい。
このようなはんだボールを用いることにより、上下配線基板間でコア材がストッパとして作用することにより、上下配線基板間の離間距離を一定に保つことができ、電子部品内蔵基板の寸法精度を高めることができる。また、電子部品内蔵基板の機械的強度の向上にも有効に作用する。
【００１１】
また、前記開口部が形成された配線基板の外面に、少なくとも前記開口部の領域の一部を覆う配置に電子部品あるいは回路部品が搭載されていることを特徴とする。
これにより、電子部品内蔵基板（半導体装置）の実装密度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明にかかる電子部品内蔵基板によれば、下層側配線基板に搭載された電子部品の高さ（厚み）寸法を上層側配線基板の板厚内に納めることができるので、上下配線基板間の離間距離を小さくすることができる。これにより上下配線基板間の電気的接続に用いるはんだボールの径寸法を小さくすることが可能になる。すなわち、はんだボールの配設ピッチを狭くすることができ、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０との電気的接続に必要な数量のはんだボールの配設を小さいスペースで行うことができるため、電子部品内蔵基板の平面寸法（平面積）および高さ寸法を大幅に縮小することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１実施形態）
以下、本発明にかかる電子部品内蔵基板の実施の形態について、図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態における電子部品内蔵基板の横断面図である。図２は、図１の電子部品内蔵基板における開口部付近の平面図である。図３は本実施形態において用いられるはんだボールの構造を示す断面図である。
本実施の形態における電子部品内蔵基板１００は、一対の配線基板（下層側配線基板１０と上層側配線基板２０）の間に電子部品３０が搭載され、一方の配線基板である下層側配線基板１０と他方の配線基板である上層側配線基板２０とは、はんだボール４０を介して電気的に接続されている。また、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間には封止樹脂５０が注入されている。
【００１４】
下層側配線基板１０の上下面のそれぞれには、銅等の導体により配線パターン１２が公知の方法で形成されている。下層側配線基板１０の表面はレジスト１３により覆われ、配線パターン１２と接続端子が接合される部位は露出して接続パッド１２Ａ，１２Ｂとなっている。下層側配線基板１０の下面側の接続パッド１２Ａには、外部接続端子１４が接合されている。下層側配線基板１０の下面側に接合された外部接続端子１４と上面側に形成されていている配線パターン１２とはスルーホールＨにより電気的に接続されている。
【００１５】
下層側配線基板１０の上面には電子部品である半導体素子３０が搭載されている。半導体素子３０は電極面３２に接合したはんだバンプ，金バンプ等のバンプ３６を介して下層側配線基板１０の接続パッド１２Ｂにフリップチップ方式により接続されている。半導体素子３０の下面と下層側配線基板１０の上面との間は、アンダーフィル樹脂８０が注入され、電極面３２、バンプ３６、接続パッド１２Ｂが封止されている。
【００１６】
上層側配線基板２０もまた、下層側配線基板１０と同様に上下面のそれぞれには、銅等の導体により配線パターン２２が公知の方法で形成されている。上層側配線基板２０の表面はレジスト２３により覆われ、配線パターン２２の接続端子が接合される部位は露出して接続パッド２２Ａとなっている。上層側配線基板２０の両面に形成された配線パターン２２はスルーホールＨにより電気的に接続されている。
【００１７】
図２は上層側配線基板の開口部分付近を示した平面図である。図２に示すように、上層側配線基板２０には上層側配線基板２０の板厚方向に貫通する開口部２４が設けられている。開口部２４は、上層側配線基板２０を下層側配線基板１０に積層させた際に、下層側配線基板１０に搭載された半導体素子３０の平面位置と同じ位置で開口するように設けられている。開口部２４は、半導体素子３０の平面寸法よりも大きく形成され、半導体素子３０をその開口部２４に収容することができる構成になっている。
【００１８】
下層側配線基板１０と上層側配線基板２０とは、はんだボール４０を介して電気的に接続されている。下層側配線基板１０の上面に形成され、はんだボール４０が接合される接続パッド１２Ａと、上層側配線基板２０の下面側に形成され、はんだボール４０が接合される接続パッド２２Ａとは同一の平面位置に設けられ、各々の接続パッド１２Ａ，２２Ａにはんだボール４０が接続されている。このようにして下層側配線基板１０に上層側配線基板２０を取り付けると、上層側配線基板２０の開口部２４に半導体素子３０の裏面側の一部が入り込んだ状態になる。すなわち、半導体素子３０の厚さの一部を上層側配線基板２０の板厚内に収めた状態で下層側配線基板１０に上層側配線基板２０が積層された状態になる。
【００１９】
本実施形態においては、図３に示すように金属である銅材からなる球体に形成された銅コア４２の外表面をはんだ４４で被覆した銅コア入りのはんだボール４０が、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０同士を接合するはんだボール４０として用いられている。
銅コア４２入りのはんだボール４０を用いることにより、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０は、少なくとも下層側配線基板１０の接続パッド１２Ａと上層側配線基板２０の接続パッド２２Ａの離間距離が銅コア４２の径寸法となる離間距離を維持した状態で電気的に接続される。
【００２０】
また、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間には、封止樹脂５０が充填され、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間と半導体素子３０の裏面まで封止樹脂５０により封止されている。
【００２１】
次に、図４〜７と共に、第１実施形態における電子部品内蔵基板１００の製造方法について説明する。
まず、図４に示すように、一方の配線基板である下層側配線基板１０に電子部品である半導体素子３０を搭載する。半導体素子３０は、バンプ３６を下層側配線基板１０の上面に形成した接続パッド１２Ｂに位置合わせしてフリップチップ方式により下層側配線基板１０に搭載する。半導体素子３０を下層側配線基板１０にフリップチップ接続した後、半導体素子３０と下層側配線基板１０の上面との間にアンダーフィル樹脂８０を注入する。
【００２２】
アンダーフィル樹脂８０を注入した後、図５に示すように、接続パッド２２Ａにはんだボール４０を取り付けた上層側配線基板２０を、下層側配線基板１０に位置合わせして重ね合わせる。上層側配線基板２０に形成された開口部２４は、下層側配線基板１０に搭載された半導体素子３０の平面位置にあわせて形成されているので、上層側配線基板２０を下層側配線基板１０に重ね合わせると、図５に示すように、半導体素子３０の裏面側の一部が開口部２４に入り込んだ状態となり、半導体素子３０の裏面の高さ位置が上層側配線基板２０の板厚内に位置する状態になる。このようにして下層側配線基板１０に上層側配線基板２０を位置合わせして重ねた後、リフロー工程によりはんだボール４０を介して下層側配線基板１０と上層側配線基板２０とを接合する（図６）。
図６に示すように、リフロー後のはんだボールは、銅コア４２の外周を被覆していたはんだ４４が溶融し、はんだ４４および銅コア４２により下層側配線基板１０の接続パッド１２Ａと上層側配線基板２０の接続パッド２２Ａとを電気的に接続すると共に、銅コア４２がストッパとして作用して互いの配線基板間１０，２０の離間距離を維持した状態になる。
【００２３】
はんだボール４０のリフローが完了した後、フラックス洗浄を行い、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に封止樹脂５０を充填する（図７）。
配線基板１０，２０間に封止樹脂５０を充填する方法としては、例えば図７に示すように、樹脂封止用の金型９０，９１により下層側配線基板１０と上層側配線基板２０をクランプし、ゲート９４から下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に封止樹脂５０を圧入する方法がある。封止樹脂５０を圧入した後、封止樹脂５０を加熱して硬化させる。
【００２４】
封止樹脂５０を熱硬化させた後、樹脂封止用の金型９０，９１を外し、下層側配線基板１０の下面の接続パッド１２Ａに外部接続端子１４を接合して、電子部品内蔵基板１００となる。図８は、下層側配線基板と上層側配線基板の間と、半導体素子の裏面側の全面、および、開口部が封止樹脂により封止された電子部品内蔵基板を示している。
なお、本製造方法の説明においては、１つの電子部品内蔵基板１００を図示して説明しているが、実際の製造方法においては、大判の下層側配線基板１０および上層側配線基板２０を用いて、複数の電子部品内蔵基板１００，１００，１００，・・・を同時に樹脂封止した後個々の基板外形に沿って個片に切断する。
【００２５】
本実施形態にかかる電子部品内蔵基板１００は、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に搭載した半導体素子３０の裏面側が上層側配線基板２０の開口部２４に入り込む状態で搭載され、半導体素子３０の裏面位置が上層側配線基板２０の板厚内に位置する状態になっている。換言すると、半導体素子３０の高さ（厚さ）の一部分を上層側配線基板２０の板厚内に収めた構成になっている。この構成を採用することにより、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０との離間距離を小さくすることができる。これにより、はんだボール４０の径寸法を従来の電子部品内蔵基板１００に比べて大幅に小径化することができ、はんだボール４０の配置ピッチを狭めることができると共に、はんだボール４０の接合面積を小さくすることができる。また、電子部品内蔵基板１００の厚さおよび平面寸法（平面面積）を大幅に小さくすることが可能である。
【００２６】
（第２実施形態）
図９は本発明にかかる電子部品内蔵基板の第２実施形態における構造を示す横断面図である。本実施形態は、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に液状の封止樹脂５０を注入して封止した電子部品内蔵基板１００である。図９には下層側配線基板１０の上面側に設けられた接続パッド１２Ａと上層側配線基板２０の下面側に設けられた接続パッド２２Ａとをはんだボール４０により電気的に接続した後、下層側配線基板１０と上層側配線基板２０に液状の封止樹脂５０を注入した後、封止樹脂５０を熱硬化させた状態を示している。
【００２７】
下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の側端面部分から液状の封止樹脂５０を注入すると、毛細管現象により下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に液状の封止樹脂５０が進入して下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に封止樹脂５０が充填される。下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の間に注入された封止樹脂５０は開口部２４において、図９に示すように上層側配線基板２０の下面の高さ位置となり、半導体素子３０の裏面側が封止樹脂５０から露出した状態になる。
【００２８】
本実施形態における電子部品内蔵配線基板１００は、半導体素子３０の裏面側が開口部２４内で封止樹脂５０から露出した構成となるので、半導体素子３０の裏面に例えば放熱板を取り付けることによって、電子部品内蔵基板１００の放熱特性を向上させることができる。他の例としては、半導体素子３０の裏面に更に半導体素子を搭載することもできる。
【００２９】
（第３実施形態）
次に第３実施形態について説明する。図１０は本発明にかかる電子部品内蔵基板の第３実施形態における構成を示す横断面図である。本実施形態では、第１実施形態で説明した電子部品内蔵基板（半導体装置）１０の上にさらに他の電子部品（半導体素子）６０を搭載した電子部品内蔵基板（半導体装置）１１０を示している。電子部品６０が開口部２４を覆った状態で上層側配線基板２０に搭載されている。
【００３０】
下層側配線基板１０と上層側配線基板２０の離間距離は従来に比べて十分に短くなる状態に形成されていることに加え、電子部品（半導体素子）３０は裏面を含めた状態で封止樹脂５０により封止されているので、電子部品（半導体素子）６０の搭載位置は、下層側配線基板１０にフリップチップ接続された半導体素子のアンダーフィルエリアを避ける必要がなく、スタンドオフ量を少なくした状態で接続することができる。よって、電子部品内蔵基板１１０をより薄型に、そしてコンパクトに形成することができる。
また、図１０に示すような電子部品６０を搭載する他に、チップキャパシタやチップ抵抗等の回路部品等を上層側配線基板２０に搭載することもできる。回路部品等を上層側配線基板２０に搭載する際においても、回路部品等により開口部２４を覆う形態に搭載することが可能である。
【００３１】
以上に、本発明にかかる電子部品内蔵基板（半導体装置）１００について、実施形態に基づいて詳細に説明してきたが、本願発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で各種の改変を行っても本願発明の技術的範囲に属することはいうまでもない。
例えば、以上の実施形態においては、電子部品３０として半導体素子を例に説明しているが、電子部品３０は半導体素子に限定されるものではなく、他の電子部品を用いてもよい。
【００３２】
また、以上の実施形態において用いているはんだボール４０はコア材として銅コア材４２を採用しているが、軟化温度がはんだの融点よりも十分に高い導体であれば、銅以外の金属または他の物質によりコア材４２を形成したはんだボール４０を採用することができる。
さらにまた、半導体素子３０を下層側配線基板１０に搭載する際はフリップチップ接続によらず、ワイヤボンディングにより接続することもできる。
【００３３】
また、以上の実施形態においては、半導体素子３０の裏面（図中における上面）位置が上層側配線基板２０の板厚内に収まっている形態について説明したが、半導体素子３０を搭載した状態で、半導体素子３０の裏面が上層側配線基板２０の上面から突出する形態、半導体素子３０の裏面が上層側配線基板２０の下面に位置する形態としても、従来の電子部品内蔵基板の板厚よりも薄くし、電子部品内蔵基板の小型化を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１実施形態における電子部品内蔵基板の横断面図である。
【図２】図１の電子部品内蔵基板における開口部付近の平面図である。
【図３】第１実施形態において用いられるはんだボールの構造を示す断面図である。
【図４】電子部品内蔵基板の製造工程の途中における状態を示す説明図である。
【図５】電子部品内蔵基板の製造工程の途中における状態を示す説明図である。
【図６】電子部品内蔵基板の製造工程の途中における状態を示す説明図である。
【図７】電子部品内蔵基板の製造工程の途中における状態を示す説明図である。
【図８】下層側配線基板と上層側配線基板の間と、半導体素子の裏面側の全面、および、開口部が封止樹脂により封止された電子部品内蔵基板を示す横断面図である。
【図９】本発明にかかる電子部品内蔵基板の第２実施形態における構造を示す横断面図である。
【図１０】本発明かかる電子部品内蔵基板の第３実施形態における構造を示す横断面図である。
【図１１】従来技術における電子部品内蔵基板の説明図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  下方側配線基板
１２，２２  配線パターン
１２Ａ，１２Ｂ，２２Ａ  接続パッド
１３，２３  レジスト
１４，６２  外部接続端子
２０  上層側配線基板
２４  開口部
３０，６０  電子部品（半導体素子）
３２  電極面
３６  バンプ
４０  はんだボール
４２  銅コア
４４  はんだ
５０  封止樹脂
８０  アンダーフィル樹脂
９０，９１  樹脂封止用の金型
１００，１１０  電子部品内蔵基板
Ｈ  スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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