(57)【要約】【課題】塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる塗布装置を提供する。【解決手段】シール描画装置２３は、ステージ３２に複数配置され、ステージ３２から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する距離センサ５１ｅ，５１ｊ，５１ｏを有する。また、同装置２３は、距離センサ５１ｅ，５１ｊ，５１ｏが出力する測定信号に基づいて、予め設定された塗布ノズル４２の先端の基準高さに対する、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を一定に保つための補正量を、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにおけるシール材Ｒが塗布される領域全体に渡って算出し、補正量の算出後であってシール材Ｒを上面Ｗ１ａに塗布する場合には、基準高さに補正量を加えた高さに塗布ノズル４２を昇降させる制御装置６１を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージ上に配置された基板と塗布ノズルとを相対的に移動させるとともに、前記塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させて前記液体材料を前記基板の表面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
前記ステージに複数配置され、前記ステージから、前記ステージ上に配置された前記基板の表面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する固定測定手段と、
複数の前記固定測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、予め設定された前記塗布ノズルの先端の基準高さに対する、前記基板の表面と前記塗布ノズルの先端との間の距離を一定に保つための補正量を、前記基板の表面における前記液体材料が塗布される領域全体に渡って算出し、前記補正量の算出後であって前記液体材料を前記基板の表面に塗布する場合には、前記基準高さに前記補正量を加えた高さに前記塗布ノズルを昇降させる制御手段と
を備えたことを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
ステージ上に配置された基板と塗布ノズルとを相対的に移動させるとともに、前記塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させて前記液体材料を前記基板の表面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、
前記ステージ上に掛け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、
前記移動手段に複数配置され、前記ステージに対する前記移動手段の移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上に配置された前記基板の表面を走査して前記基板の表面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する移動測定手段と、
複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、予め設定された前記塗布ノズルの先端の基準高さに対する、前記基板の表面と前記塗布ノズルの先端との間の距離を一定に保つための補正量を、前記基板の表面における前記液体材料が塗布される領域全体に渡って算出し、前記補正量の算出後であって前記液体材料を前記基板の表面に塗布する場合には、前記基準高さに前記補正量を加えた高さに前記塗布ノズルを昇降させる制御手段と
を備えたことを特徴とする塗布装置。
【請求項３】
請求項２に記載の塗布装置において、
前記塗布ノズルと一体移動可能に設けられ、前記ステージに対する前記移動手段の移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上に配置された前記基板の表面を走査して前記塗布ノズルの先端と前記基板の表面との間の距離に応じた測定信号を出力するノズル側測定手段と、
前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号及び前記ノズル側測定手段が出力する前記測定信号に基づいて前記補正量を算出することを特徴とする塗布装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の塗布装置において、
前記ステージの上面に設定された複数の吸着領域に、前記基板を前記ステージの上面に固定するための吸着力を発生させる吸着手段を備え、
前記制御手段は、前記ステージの上面からの前記基板の表面の高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように、前記吸着領域ごとに前記吸着力を変化させるべく前記吸着手段を制御することを特徴とする塗布装置。
【請求項５】
ステージ上に配置された基板と塗布ノズルとを相対的に移動させるとともに、前記塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させて前記液体材料を前記基板の表面に所望の形状に塗布する塗布装置を用いた、前記液体材料の前記基板の表面への塗布方法であって、
前記ステージに複数配置され、前記ステージから、前記ステージ上に配置された前記基板の表面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する固定測定手段にて、前記ステージから、前記ステージ上に配置された前記基板の表面までの距離を測定する測定工程と、
複数の前記固定測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、予め設定された塗布ノズルの先端の基準高さに対する、前記基板の表面と前記塗布ノズルの先端との間の距離を一定に保つための補正量を、前記基板の表面における前記液体材料が塗布される領域全体に渡って算出する算出工程と、
前記算出工程の後に、前記基準高さに前記補正量を加えた高さに前記塗布ノズルを昇降させながら、前記液体材料を前記基板の表面に塗布する塗布工程と
を備えたことを特徴とする塗布方法。
【請求項６】
ステージ上に配置された基板と塗布ノズルとを相対的に移動させるとともに、前記塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させて前記液体材料を前記基板の表面に所望の形状に塗布する塗布装置を用いた、前記液体材料の前記基板の表面への塗布方法であって、
前記ステージ上に掛け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段に複数配置され、前記ステージ上に配置された前記基板の表面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する移動測定手段にて、前記ステージ上に配置された前記基板の表面を走査して、各前記移動測定手段から前記基板の表面のまでの距離を測定する測定工程と、
複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、予め設定された前記塗布ノズルの先端の基準高さに対する、前記基板の表面と前記塗布ノズルの先端との間の距離を一定に保つための補正量を、前記基板の表面における前記液体材料が塗布される領域全体に渡って算出する算出工程と、
前記算出工程の後に、前記基準高さに前記補正量を加えた高さに前記塗布ノズルを昇降させながら、前記液体材料を前記基板の表面に塗布する塗布工程と
を備えたことを特徴とする塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布ノズルから液体材料を吐出させて基板の表面に該液体材料を塗布する塗布装置、及び該塗布装置を用いた液体材料の基板の表面への塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ステージと、該ステージの上方に配置され液体材料を吐出する塗布ノズルとを相対移動させて、ステージ上に配置されたガラス基板等の表面に連続的に若しくは断続的に当該液体材料を塗布する塗布装置では、基板に歪みが生じていると、液体材料が一定の高さとなるように該液体材料を基板の表面に塗布することが困難である。そこで、特許文献１に記載されている塗布装置では、先端に塗布ノズルが装着されたシリンジに高さセンサが固定されている。そして、液体材料を連続的に基板の表面に塗布する場合には、塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させるとともに、塗布ノズルとステージとを相対移動させる。同時に、高さセンサによって、塗布ノズルの前方側でステージ上の基板の表面からの塗布ノズルの先端の高さを測定するとともに、測定結果に基づいて、制御装置が、塗布ノズルの先端の高さが基板の表面に対して一定となるようにシリンジを昇降させて塗布ノズルの高さを調整する。
【０００３】
また、特許文献１に記載の塗布装置では、基板の表面に液体材料にて複数のパターンを描画する場合、基板表面における各パターンの中央となる代表計測点からの塗布ノズル先端の高さを、シリンジに設けられた高さセンサにて測定する。その後、その測定結果に基づいて塗布ノズルの先端の高さが基板の表面に対して一定となるように塗布ノズルを昇降させて、基板の表面に液体材料にて所望のパターンを描画する。
【特許文献１】特開平９−９９２６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の塗布装置では、液体材料の塗布を行いながら、ステージ上の基板の表面からの塗布ノズルの先端の高さを高さセンサにて測定し、その測定結果に基づいて塗布ノズルを昇降させる場合、制御装置は、高さセンサと塗布ノズルの先端との間の距離だけ塗布ノズルが進む間に、高さセンサによる測定結果に基づいて塗布ノズルの昇降量を算出するとともに、算出した昇降量だけ塗布ノズルを昇降させることになる。従って、昇降量の算出に一定の時間を要するため、液体材料を塗布する速度の高速化には限界がある。
【０００５】
また、特許文献１に記載の塗布装置において、基板の表面に複数のパターンを描画する場合、パターンが大型化されて１つのパターン当たりの代表計測点の数が増大すると、各代表計測点にシリンジを移動させて、代表計測点からの塗布ノズル先端の高さを順に測定することになるため、測定に要する時間が長くなってしまう。その結果、各パターンを描画するために要する時間が長くなってしまう。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる塗布装置及び塗布方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、ステージ上に配置された基板と塗布ノズルとを相対的に移動させるとともに、前記塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させて前記液体材料を前記基板の表面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記ステージに複数配置され、前記ステージから、前記ステージ上に配置された前記基板の表面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する固定測定手段と、複数の前記固定測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、予め設定された前記塗布ノズルの先端の基準高さに対する、前記基板の表面と前記塗布ノズルの先端との間の距離を一定に保つための補正量を、前記基板の表面における前記液体材料が塗布される領域全体に渡って算出し、前記補正量の算出後であって前記液体材料を前記基板の表面に塗布する場合には、前記基準高さに前記補正量を加えた高さに前記塗布ノズルを昇降させる制御手段とを備えたことをその要旨としている。
【０００８】
同構成によれば、ステージに配置された複数の固定測定手段により、ステージから、ステージ上に配置された基板の表面までの距離を、一度に複数箇所測定することができる。従って、塗布ノズルとともに一体移動可能に設けられた従来の高さセンサにて基板の表面の複数個所を測定する場合よりも、補正量を算出するための測定に要する時間を短縮することができる。また、基板の表面における液体材料が塗布される領域全体に対応した補正量を予め全て算出した後に、塗布ノズルにて基板の表面に液体材料が塗布されることから、液体材料の塗布中には、制御手段によって、基準高さに補正量を加算した高さに塗布ノズルが昇降されるだけで、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離が一定に保たれる。従って、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を測定し、更に塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保つための補正量を算出しなくてもよい。よって、液体材料を基板の表面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することが可能となる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基準高さに補正量を加えた高さに塗布ノズルを昇降させることにより、基板の表面と塗布ノズルの先端との間の距離が一定に保たれることから、基板の表面に塗布された液体材料の形状が安定される。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、ステージ上に配置された基板と塗布ノズルとを相対的に移動させるとともに、前記塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させて前記液体材料を前記基板の表面に所望の形状に塗布する塗布装置であって、前記ステージ上に掛け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段と、前記移動手段に複数配置され、前記ステージに対する前記移動手段の移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上に配置された前記基板の表面を走査して前記基板の表面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する移動測定手段と、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、予め設定された前記塗布ノズルの先端の基準高さに対する、前記基板の表面と前記塗布ノズルの先端との間の距離を一定に保つための補正量を、前記基板の表面における前記液体材料が塗布される領域全体に渡って算出し、前記補正量の算出後であって前記液体材料を前記基板の表面に塗布する場合には、前記基準高さに前記補正量を加えた高さに前記塗布ノズルを昇降させる制御手段とを備えたことをその要旨としている。
【００１０】
同構成によれば、移動体に配置された複数の移動測定手段により、該移動測定手段から、ステージ上に配置された基板の表面までの距離を、一度に複数箇所測定することができる。従って、塗布ノズルとともに一体移動可能に設けられた従来の高さセンサにて複数個所を測定する場合よりも、補正量を算出するための測定に要する時間を短縮することができる。また、基板の表面における液体材料が塗布される領域全体に対応した補正量を予め全て算出した後に、塗布ノズルにて基板の表面に液体材料が塗布されることから、液体材料の塗布中には、制御手段によって、基準高さに補正量を加算した高さに塗布ノズルが昇降されるだけで、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離が一定に保たれる。従って、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を測定し、更に塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保つための補正量を算出しなくてもよい。よって、液体材料を基板の表面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することが可能となる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本塗布装置においては、基準高さに補正量を加えた高さに塗布ノズルを昇降させることにより、基板の表面と塗布ノズルの先端との間の距離が一定に保たれることから、基板の表面に塗布された液体材料の形状が安定される。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の塗布装置において、前記塗布ノズルと一体移動可能に設けられ、前記ステージに対する前記移動手段の移動に伴って前記ステージに対して相対移動されるとともに、前記ステージ上に配置された前記基板の表面を走査して前記塗布ノズルの先端と前記基板の表面との間の距離に応じた測定信号を出力するノズル側測定手段と、前記制御手段は、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号及び前記ノズル側測定手段が出力する前記測定信号に基づいて前記補正量を算出することをその要旨としている。
【００１２】
同構成によれば、塗布ノズルと一体移動可能に設けられたノズル側測定手段も、移動体に設けられた移動測定手段とともに移動させることにより、補正量を算出するための測定値（測定信号）を同時により多く得ることができる。そして、複数の移動測定手段及びノズル側測定手段が出力する測定信号に基づいて補正量を算出することにより、算出された補正量の精度が向上する。その結果、基板の表面に塗布された液体材料の形状をより安定させることができる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の塗布装置において、前記ステージの上面に設定された複数の吸着領域に、前記基板を前記ステージの上面に固定するための吸着力を発生させる吸着手段を備え、前記制御手段は、前記ステージの上面からの前記基板の表面の高さが高いところほど前記吸着力を大きくするように、前記吸着領域ごとに前記吸着力を変化させるべく前記吸着手段を制御することをその要旨としている。
【００１４】
同構成によれば、制御手段は、ステージの上面からの基板の表面の高さが高いところほど吸着力を大きくするように吸着手段を制御する。一般的に、歪みのある基板をステージ上に配置した場合、歪みの大きいところほどステージの上面からの高さが高くなる。従って、本構成のように、ステージの上面からの基板の表面の高さが高いところほど吸着手段による吸着力を大きくすることにより、ステージの上面に沿って平坦となるように基板を矯正することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、ステージ上に配置された基板と塗布ノズルとを相対的に移動させるとともに、前記塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させて前記液体材料を前記基板の表面に所望の形状に塗布する塗布装置を用いた、前記液体材料の前記基板の表面への塗布方法であって、前記ステージに複数配置され、前記ステージから、前記ステージ上に配置された前記基板の表面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する固定測定手段にて、前記ステージから、前記ステージ上に配置された前記基板の表面までの距離を測定する測定工程と、複数の前記固定測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、予め設定された塗布ノズルの先端の基準高さに対する、前記基板の表面と前記塗布ノズルの先端との間の距離を一定に保つための補正量を、前記基板の表面における前記液体材料が塗布される領域全体に渡って算出する算出工程と、前記算出工程の後に、前記基準高さに前記補正量を加えた高さに前記塗布ノズルを昇降させながら、前記液体材料を前記基板の表面に塗布する塗布工程とを備えたことをその要旨としている。
【００１６】
同方法によれば、測定工程において、ステージに配置された複数の固定測定手段によって、ステージから、ステージ上に配置された基板の表面までの距離を一度に複数箇所測定することにより、塗布ノズルとともに一体移動可能に設けられた従来の高さセンサにて基板の表面の複数個所を測定する場合よりも、補正量を算出するための測定に要する時間を短縮することができる。また、算出工程において基板の表面における液体材料が塗布される領域全体に対応した補正量を予め全て算出した後に、塗布工程において塗布ノズルにて基板の表面に液体材料が塗布される。そのため、液体材料の塗布中（即ち塗布工程中）には、基準高さに補正量を加算した高さに塗布ノズルが昇降されるだけで、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離が一定に保たれる。従って、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を測定し、更に塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保つための補正量を算出しなくてもよい。よって、液体材料を基板の表面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することが可能となる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、塗布工程において基準高さに補正量を加えた高さに塗布ノズルを昇降させることにより、基板の表面と塗布ノズルの先端との間の距離が一定に保たれることから、基板の表面に塗布された液体材料の形状が安定される。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、ステージ上に配置された基板と塗布ノズルとを相対的に移動させるとともに、前記塗布ノズルの先端から液体材料を吐出させて前記液体材料を前記基板の表面に所望の形状に塗布する塗布装置を用いた、前記液体材料の前記基板の表面への塗布方法であって、前記ステージ上に掛け渡され前記ステージに対して相対移動される移動手段に複数配置され、前記ステージ上に配置された前記基板の表面までの距離に応じた測定信号をそれぞれ出力する移動測定手段にて、前記ステージ上に配置された前記基板の表面を走査して、各前記移動測定手段から前記基板の表面のまでの距離を測定する測定工程と、複数の前記移動測定手段がそれぞれ出力する前記測定信号に基づいて、予め設定された前記塗布ノズルの先端の基準高さに対する、前記基板の表面と前記塗布ノズルの先端との間の距離を一定に保つための補正量を、前記基板の表面における前記液体材料が塗布される領域全体に渡って算出する算出工程と、前記算出工程の後に、前記基準高さに前記補正量を加えた高さに前記塗布ノズルを昇降させながら、前記液体材料を前記基板の表面に塗布する塗布工程とを備えたことをその要旨としている。
【００１８】
同方法によれば、測定工程において、移動体に配置された複数の移動測定手段によって、移動測定手段から、ステージ上に配置された基板の表面までの距離を、一度に複数箇所測定することにより、塗布ノズルとともに一体移動可能に設けられた従来の高さセンサにて複数個所を測定する場合よりも、補正量を算出するための測定に要する時間を短縮することができる。また、算出工程において基板の表面における液体材料が塗布される領域全体に対応した補正量を予め全て算出した後に、塗布工程において塗布ノズルにて基板の表面に液体材料が塗布される。そのため、液体材料の塗布中（即ち塗布工程中）には、基準高さに補正量を加算した高さに塗布ノズルが昇降されるだけで、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離が一定に保たれる。従って、従来のように、液体材料の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を測定し、更に塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保つための補正量を算出しなくてもよい。よって、液体材料を基板の表面に塗布する速度、即ち基板に対する塗布ノズルの移動速度を従来よりも高速化することが可能となる。これらのことから、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することができる。そして、塗布工程において基準高さに補正量を加えた高さに塗布ノズルを昇降させることにより、基板の表面と塗布ノズルの先端との間の距離が一定に保たれることから、基板の表面に塗布された液体材料の形状が安定される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保ちつつ液体材料の塗布を行うとともに、液体材料の塗布に要する時間を短縮することが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図面に従って説明する。
図１は、液晶表示装置の製造工程のうち、セル製造工程における液晶注入及び貼合わせを行う工程を実施する貼合わせ基板製造装置の概略構成図である。
【００２１】
貼合わせ基板製造装置２１は、供給される２種類の基板Ｗ１，Ｗ２の間に液晶を封入して液晶表示パネルを製造する。尚、本実施形態の装置にて製造される液晶表示パネルは、例えばアクティブマトリクス型液晶表示パネルである。そして、下基板Ｗ１は、ガラス基板上にＴＦＴ等が形成されたアレイ基板（ＴＦＴ基板）であり、上基板Ｗ２は、ガラス基板上にカラーフィルタや遮光膜等が形成されたカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）である。これらの下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、それぞれの工程によって作成され供給される。
【００２２】
貼合わせ基板製造装置２１は、制御装置２２と、該制御装置２２が制御する塗布装置としてのシール描画装置２３と液晶滴下装置２４と貼合わせ装置２５と検査装置２６とを備えている。貼合わせ装置２５は、プレス装置２７と硬化装置２８とから構成されるとともに、これら装置２７，２８は、制御装置２２により制御される。また、貼合わせ基板製造装置２１は、供給される下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２を搬送する搬送装置２９ａ〜２９ｄを備えている。そして、制御装置２２は、搬送装置２９ａ〜２９ｄを制御し、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２とそれにより製造された貼合わせ基板Ｗ３とを搬送する。
【００２３】
貼合わせ基板製造装置２１について詳述すると、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、まずシール描画装置２３に供給される。シール描画装置２３は、下基板Ｗ１の上面に、シール材を枠状に塗布する。シール材には、少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤が用いられる。そして、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は搬送装置２９ａに供給されるとともに、該搬送装置２９ａは下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２を一組にして液晶滴下装置２４に搬送する。
【００２４】
液晶滴下装置２４は、搬送された下基板Ｗ１の予め設定された複数の位置に液晶を点滴する。そして、液晶が滴下された下基板Ｗ１と、上基板Ｗ２とは、搬送装置２９ｂによりプレス装置２７に搬送される。
【００２５】
プレス装置２７は、処理室としてのチャンバ（図示略）を備えている。下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、搬送装置２９ｂによりチャンバ内に搬送されるとともに、チャンバ内で互いに対向するように且つ水平に配置される。プレス装置２７は、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２がチャンバ内に搬送された後、チャンバ内の真空引きを行う。次いで、プレス装置２７は、位置合わせマーク（アライメントマーク）を用いて光学的に下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２の位置合わせを非接触にて（少なくとも下基板Ｗ１の上面のシール材に上基板Ｗ２の下面が接触しない状態）で行う。そして、プレス装置２７は、下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との間隔が、前記シール材が密着する所定の間隔となるまで加圧した後に、チャンバを大気開放する。これにより、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２は、大気圧との圧力差により、所定のセル厚（セルギャップ）とする最終の基板間隔まで圧縮されるとともに、下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２が密着されて両基板Ｗ１，Ｗ２の相対的な位置ズレが生じ難くなる。
【００２６】
貼り合わせられた下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２、即ち貼合わせ基板Ｗ３は、搬送装置２９ｃにより硬化装置２８に搬送される。この時、前記制御装置２２は、下基板Ｗ１と上基板Ｗ２とが貼り合わせられてからの時間経過を監視しており、予め定めた時間が経過すると搬送装置２９ｃを駆動して貼合わせ基板Ｗ３を硬化装置２８に供給する。硬化装置２８は、貼合わせ基板Ｗ３に所定の波長を有する光を照射して前記シール材を硬化させる。
【００２７】
このように、貼り合わせられた下基板Ｗ１及び上基板Ｗ２には、貼り合わせから所定時間経過後にシール材を硬化させるための光が照射される。この所定時間は、液晶の拡散速度と、貼り合わせ時に両基板Ｗ１，Ｗ２に加えられる圧力により貼合わせ基板Ｗ３に残留する応力の開放に要する時間に基づいて予め実験により求められている。また、プレス装置２７により下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との間に封入された液晶は、基板Ｗ１，Ｗ２の貼り合わせ時に加えられる圧力及び大気圧によって拡散する。そして、この液晶の拡散が終了した後に、シール材を硬化させる。
【００２８】
シール材が硬化された貼合わせ基板Ｗ３は、搬送装置２９ｄにより検査装置２６に搬送される。検査装置２６は、搬送された貼合わせ基板Ｗ３における下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との位置ズレ（位置ズレの方向及び位置ズレの量）を測定し、その測定値を制御装置２２に出力する。制御装置２２は、検査装置２６の検査結果に基づいて、プレス装置２７における位置合わせに補正を加える。即ち、シール材が硬化した貼合わせ基板Ｗ３における下基板Ｗ１と上基板Ｗ２とのズレ量を、その位置ズレの方向と反対方向に予めずらしておくことで、次に製造される貼合わせ基板Ｗ３における下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との位置ズレを抑制する。
【００２９】
次に、シール描画装置２３について詳述する。
図２は、下基板Ｗ１の上面（表面）Ｗ１ａにシール材Ｒを塗布するシール描画装置２３を側方から見た概略図である。
【００３０】
図２に示すように、シール描画装置２３を構成する直方体状の基台３１上には、基台３１よりも小さめの直方体状をなすステージ３２が載置されるとともに、同基台３１には、ステージ３２を跨ぐようにガントリ３３が設けられている。ガントリ３３は、基台３１から上方に向かって互いに平行に延びる一対の支持脚３３ａと、２つの支持脚３３ａ間に掛け渡され該支持脚３３ａの上端同士を連結する連結部３３ｂとが一体に形成されてなり、側方から見た形状がコ字状をなしている。一対の支持脚３３ａの基端部は、基台３１の上面においてステージ３２の両側に、該ステージ３２に沿って平行に形成された一対の案内溝３１ａ内にそれぞれ挿入されている。そして、ガントリ３３は、基台３１内に一対の支持脚３３ａにそれぞれ対応して設けられたｙ軸アクチュエータ３４により、案内溝３１ａに沿ってｙ方向に移動される。尚、図２においては、紙面垂直方向がｙ方向となっている。
【００３１】
前記連結部３３ｂには、ｘ軸アクチュエータ３５の駆動力により該連結部３３ｂに沿ってｘ方向に移動されるｘ軸ベース３６が設けられるとともに、該ｘ軸ベース３６には、ｚ軸アクチュエータ３７の駆動力によりｚ方向に沿って移動されるｚ軸ベース３８が設けられている。尚、ｘ方向はｙ方向と直交する方向であるとともに、ｚ方向はｙ方向及びｘ方向の両方向と直交する方向である。そして、図２においては、左右方向がｘ方向、上下方向がｚ方向となっている。
【００３２】
前記ｚ軸ベース３８には、略円筒状のシリンジ４１が該ｚ軸ベース３８と一体移動可能に取り付けられるとともに、該シリンジ４１内には、下基板Ｗ１に塗布するためのシール材Ｒが充填されている。このシール材Ｒは、前述したように、少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤である。
【００３３】
また、シリンジ４１の下端部は、下端に向かうに連れてその直径が小さくなる円錐形状に形成されるとともに、その下端には、塗布ノズル４２が取着されている。更に、シリンジ４１の外周面には、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定するための距離センサ４３が固定されている。距離センサ４３は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに垂直に光を照射してその反射光を受光することにより、受光した反射光に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離に応じた第１の測定信号Ｓ１を出力する。
【００３４】
前記ステージ３２は、その上面が水平に形成されるとともに、図３に示すように、このステージ３２の上面３２ａに対し、複数（本実施形態では８個）の吸着領域Ａが設定されている。８個の吸着領域Ａは、それぞれ四角形状をなすとともに、ステージ３２の上面３２ａにおいて下基板Ｗ１が配置される範囲に均等に設定されている。また、各吸着領域Ａ内には、複数の吸引孔３２ｂがマトリクス状に形成されている。そして、ステージ３２内に設けられた吸着装置４５（図６参照）は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１とステージ３２との間の気体を吸引することにより、ステージ３２と下基板Ｗ１との間に真空吸着力を発生させ、該真空吸着力によりステージ３２上に下基板Ｗ１を固定する。また、吸着装置４５は、ステージ３２上の下基板Ｗ１に対する真空吸着力の大きさを吸着領域Ａごとに変化可能に構成されている。
【００３５】
図４に示すように、ステージ３２の上面３２ａには、複数（本実施形態では１５個）の収容凹部３２ｃが形成されている。これら１５個の収容凹部３２ｃは、ステージ３２の上面に下基板Ｗ１が配置された場合に、該下基板Ｗ１とｚ方向に対向する位置に形成されている。詳述すると、１５個の収容凹部３２ｃは、ステージ３２の長手方向に沿って５個ずつ３列に並ぶように形成されている。また、各列を構成する５個ずつの収容凹部３２ｃは等間隔に設けられるとともに、収容凹部３２ｃが構成する３つの列は、ステージ３２の短手方向に互いに等間隔となるように形成されている。そして、１５個の収容凹部３２ｃ内には、それぞれ１つずつ距離センサ５１ａ〜５１ｏが収容されている。これらの距離センサ５１ａ〜５１ｏは、ステージ３２の上面３２ａから、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を測定するためのものである。
【００３６】
図５に示すように、各距離センサ５１ａ〜５１ｏの上端部は、三角状に切り込まれることにより、切り込み部分に、互いに対向する２つの斜面５２，５３が形成されている。これら斜面５２，５３のうち、一方の斜面５２に発光素子５４が設けられるとともに、他方の斜面５３に受光素子５５が設けられている。発光素子５４は下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに光（図５中、破線参照）を照射するものであり、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにて反射した反射光を受光素子５５が受光する。この受光素子５５は、例えばＰＳＤ（Position Sensitive Detector ）にて構成されるとともに、該受光素子５５における前記反射光の受光位置に応じた第２の測定信号Ｓ２を出力する。
【００３７】
図６に示すように、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５、ｚ軸アクチュエータ３７、距離センサ４３、吸着装置４５、及び距離センサ５１ａ〜５１ｏは、制御装置６１によって制御される。
【００３８】
詳述すると、制御装置６１は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒにて所望のパターンを描画すべく、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５、ｚ軸アクチュエータ３７を制御する。また、制御装置６１は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１のステージ３２に対する固定及び固定解除を行うべく前記吸着装置４５を制御するとともに、吸着領域Ａごとに下基板Ｗ１を吸着する真空吸着力を調整する。
【００３９】
更に、制御装置６１は、前記距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１に基づいて、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。また更に、制御装置６１は、距離センサ５１ａ〜５１ｏから入力される第２の測定信号Ｓ２に基づいて、三角測量方式により、ステージ３２の上面３２ａから、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を算出する。
【００４０】
次に、上記のようなシール描画装置２３にて行われる、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布について説明する。
［第１工程］
まず、ステージ３２上の所定位置に下基板Ｗ１が配置される。この時、制御装置６１は、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置している。
【００４１】
［第２工程］
次に、制御装置６１は、吸着装置４５を駆動して、下基板Ｗ１を真空吸着力によりステージ３２上に固定する。この時、制御装置６１は、各吸着領域Ａにおける真空吸着力が等しくなるように吸着装置４５を制御している。
【００４２】
［第３工程（第１の測定工程）］
次に、制御装置６１は、距離センサ５１ａ〜５１ｏを駆動して、各距離センサ５１ａ〜５１ｏにより、各距離センサ５１ａ〜５１ｏが配置された１５箇所の点における、ステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を測定する。
【００４３】
［第４工程］
次に、制御装置６１は、各距離センサ５１ａ〜５１ｏから入力された第２の測定信号Ｓ２に基づいて、ステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａ全体に渡って演算により求める。
【００４４】
［第５工程］
次に、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離に応じて、吸着領域Ａごとの真空吸着力を調整する。
【００４５】
ここで、一般的に、下基板Ｗ１に歪みが生じていると、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１には部分的に盛り上がった形状を有することになる。そこで、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離に基づいて、当該距離が長いところほど更に真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御して吸着領域Ａごとに真空吸着力を調整する。即ち、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が長い部分に対応する吸着領域Ａの真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御する。これにより、ステージ３２上の下基板Ｗ１において盛り上がっていた部分がステージ３２側に吸い寄せられ、該下基板Ｗ１は、歪みが減少するように矯正される。
【００４６】
［第６工程（第２の測定工程）］
次に、制御装置６１は、再度、距離センサ５１ａ〜５１ｏを駆動して、各距離センサ５１ａ〜５１ｏにより、各距離センサ５１ａ〜５１ｏが配置された１５箇所の点における、ステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を測定する。
【００４７】
［第７工程（算出工程）］
次に、制御装置６１は、各距離センサ５１ａ〜５１ｏから入力される第２の測定信号Ｓ２に基づいて、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにおいてシール材Ｒが塗布される部分の、ステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を演算により求める。また、制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離に基づいて、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａからの塗布ノズル４２の先端の高さの基準値である基準高さに対する補正量を算出する。尚、「基準高さ」は、予め設定された値であり、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに対して塗布するシール材Ｒが所望の高さ且つ幅となるように考慮して設定されている。
【００４８】
前記補正量は、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を一定に保つために、基準高さに対して加算されるものである。例えば、補正量は、ステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離の基準値である基準距離と、算出した上面３２ａから上面Ｗ１ａまでの距離との差分を、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒで所望のパターンを描画する際の塗布ノズル４２の先端の軌道に沿って連続的に算出したものである。尚、「基準距離」は、歪みのない下基板Ｗ１における、ステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離であってもよいし、第２の測定信号Ｓ２に基づいて算出した基板Ｗ１の上面Ｗ１ａ全体に渡る上面３２ａから上面Ｗ１ａまでの距離のうち、最も短い距離を「基準距離」として利用してもよい。
【００４９】
［第８工程（塗布工程）］
次に、制御装置６１は、ｙ軸アクチュエータ３４及びｘ軸アクチュエータ３５を駆動して、先端に塗布ノズル４２を有するシリンジ４１をステージ３２に対して移動させ、塗布ノズル４２から吐出されるシール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに連続的に塗布する。これにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに、シール材Ｒにて所望のパターンが描画される。この時、制御装置６１は、塗布ノズル４２の先端のｘ方向及びｙ方向の位置に応じて、塗布ノズル４２のｚ方向の位置（高さ位置）が、予め算出した前記補正量を塗布ノズル４２の先端の基準高さに加えた位置（高さ）となるように、シリンジ４１（塗布ノズル４２）を昇降させる。これにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定に保たれる。
【００５０】
また、制御装置６１は、同工程中において、距離センサ４３を駆動して、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定するとともに、距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。そして、制御装置６１は、算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との距離が、予め設定された閾値を越えた場合には、塗布ノズル４２からのシール材Ｒの吐出及び各アクチュエータ３４，３５，３７の駆動を停止する。尚、「閾値」は、塗布ノズル４２の先端が基準高さにある場合における塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離を中心とした所定の領域の上限値と下限値に該当する。そして、「閾値を越える」とは、算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との距離が上限値よりも長くなる場合、若しくは同距離が下限値よりも短くなる場合を意味する。
【００５１】
［第９工程］
下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布が終了すると、制御装置６１は、ｚ軸アクチュエータ３７を駆動して、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置する。次いで、制御装置６１は、下基板Ｗ１のステージ３２上への固定を解除すべく吸着装置４５を制御する。その後、下基板Ｗ１は、搬送装置２９ａによって、シール描画装置２３から液晶滴下装置２４（図１参照）へ移動される。
【００５２】
上記したように、本第１実施形態によれば、以下の作用効果を有する。
（１）ステージ３２に設けられた１５個の距離センサ５１ａ〜５１ｏにより、ステージ３２の上面３２ａから、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を、一度に複数箇所測定することができる。従って、塗布ノズルとともに一体移動可能に設けられた従来の高さセンサにて基板の表面の複数個所を測定する場合よりも、補正量を算出するための測定に要する時間を短縮することができる。また、第７工程（算出工程）において下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにおけるシール材Ｒが塗布される領域全体に対応した補正量を予め全て算出した後に、第８工程（塗布工程）において塗布ノズル４２にて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒが塗布されることから、シール材Ｒの塗布中には、制御装置６１によって、基準高さに補正量を加算した高さに塗布ノズル４２が昇降されるだけで、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離が一定に保たれる。従って、従来のように、シール材の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を測定し、更に塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保つための補正量を算出しなくてもよい。よって、シール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布する速度、即ち下基板Ｗ１に対する塗布ノズル４２の移動速度を従来よりも高速化することが可能となる。これらのことから、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離を一定に保ちつつシール材Ｒの塗布を行うとともに、シール材Ｒの塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本シール描画装置２３においては、基準高さに補正量を加えた高さに塗布ノズル４２を昇降させることにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定に保たれることから、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布されたシール材Ｒの形状が安定される。
【００５３】
（２）制御装置６１は、算出したステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離に基づいて、当該距離が長いところほど更に真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御して吸着領域Ａごとに真空吸着力を調整する。即ち、制御装置６１は、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが高いところほど真空吸着力を大きくするように吸着装置４５を制御する。一般的に、歪みのある下基板Ｗ１をステージ３２上に配置した場合、歪みの大きいところほどステージ３２の上面３２ａからの高さが高くなる。従って、ステージ３２の上面３２ａからの下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが高いところほど吸着装置４５による真空吸着力を大きくすることにより、ステージ３２の上面３２ａに沿って平坦となるように下基板Ｗ１を矯正することができる。その後、距離センサ５１ａ〜５１ｏによりステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を再度測定して、塗布ノズル４２の基準高さに対する補正量を算出することにより、補正量を小さくし、塗布ノズル４２の昇降量を減少させることができる。その結果、シール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布する速度をより高速化することが可能となる。また、真空吸着力の調整は、吸着領域Ａごとに行われるため、下基板Ｗ１においてその上面Ｗ１ａの高さが高い部分に対して部分的に真空吸着力を大きくすることが容易にできる。
【００５４】
（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図面に従って説明する。尚、上記第１実施形態と同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５５】
図７は、下基板Ｗ１の上面（表面）Ｗ１ａにシール材Ｒを塗布するシール描画装置７１を側方から見た概略図である。本第２実施形態のシール描画装置７１は、上記第１実施形態においてステージ３２に設けられた距離センサ５１ａ〜５１ｏ（図４参照）に替えて、ガントリ３３の連結部３３ｂに固定される複数（本実施形態では４個）の距離センサ７２ａ〜７２ｄを備えている。
【００５６】
距離センサ７２ａ〜７２ｄは、各距離センサ７２ａ〜７２ｄから、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を測定するために設けられている。これら距離センサ７２ａ〜７２ｄは、連結部３３ｂの下面に固定されてステージ３２の上面３２ａと対向している。そして、４個の距離センサ７２ａ〜７２ｄのうち、両端に配置された２つの距離センサ７２ａ，７２ｄは、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１のｘ方向の両端部よりも若干内側で、該下基板Ｗ１とｚ方向に対向可能な位置に配置されている。また、図９に示すように、シリンジ４１が連結部３３ｂの長手方向の中央に配置された状態、即ち距離センサ４３が連結部３３ｂの長手方向の中央に配置された状態では、シリンジ４１に固定された距離センサ４３を含む５個の距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、連結部３３ｂの長手方向（ｘ方向に同じ）に等間隔となる。これらの距離センサ７２ａ〜７２ｄは、距離センサ４３と同様に、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに垂直に光を照射してその反射光を受光することにより、受光した反射光に基づいて各距離センサ７２ａ〜７２ｄから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離に応じた第３の測定信号Ｓ３をそれぞれ出力する。
【００５７】
また、図８に示すように、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５、ｚ軸アクチュエータ３７、距離センサ４３、吸着装置４５、及び距離センサ７２ａ〜７２ｄは、制御装置７３によって制御される。
【００５８】
詳述すると、制御装置７３は、上記第１実施形態の制御装置６１と同様に、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒにて所望のパターンを描画すべく、前記ｙ軸アクチュエータ３４、ｘ軸アクチュエータ３５、ｚ軸アクチュエータ３７を制御する。また、制御装置７３は、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１のステージ３２に対する固定及び固定解除を行うべく前記吸着装置４５を制御するとともに、吸着領域Ａごとに下基板Ｗ１を吸着する真空吸着力を調整する。更に、制御装置７３は、前記距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１に基づいて、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離を算出する。また更に、制御装置７３は、距離センサ７２ａ〜７２ｄから入力される第３の測定信号Ｓ３に基づいて、各距離センサ７２ａ〜７２ｄからステージ３２上の下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を算出する。
【００５９】
次に、上記のようなシール描画装置７１にて行われる、下基板Ｗ１へのシール材Ｒの塗布について説明する。
［第１工程］
まず、ステージ３２上の所定位置に下基板Ｗ１が配置される。この時、制御装置７３は、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置している。
【００６０】
［第２工程］
次に、制御装置７３は、吸着装置４５を駆動して、下基板Ｗ１を真空吸着力によりステージ３２上に固定する。この時、制御装置７３は、各吸着領域Ａにおける真空吸着力が等しくなるように吸着装置４５を制御している。
【００６１】
［第３工程（第１の測定工程）］
次に、制御装置７３は、図９に示すように、ｙ軸アクチュエータ３４（図７参照）を駆動して、ガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端部まで移動させる。これにより、距離センサ７２ａ〜７２ｄは、下基板Ｗ１の長手方向の一端部（ｙ方向の端部）とｚ方向に対向する。また、制御装置７３は、ｘ軸アクチュエータ３５を駆動してｘ軸ベース３６を移動させ（図７参照）、シリンジ４１（距離センサ４３）を連結部３３ｂの長手方向の中央に配置するとともに、ｚ軸アクチュエータ３７を駆動してｚ軸ベース３８を移動させ、シリンジ４１（距離センサ４３）の高さ位置を所定の位置（例えば基準高さ）とする。
【００６２】
次に、制御装置７３は、距離センサ４３及び距離センサ７２ａ〜７２ｄを駆動するとともに、ｙ軸アクチュエータ３４を駆動してガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端から他端まで移動させる。これにより、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、図９に二点鎖線にて示すように、ｙ方向に沿って下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａを走査するように移動される。そして、ガントリ３３がステージ３２のｙ方向の一端から他端まで移動する間に、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、ガントリ３３が所定距離だけ移動するごとに、即ち各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄが所定の測定ポイントＰ１〜Ｐ２５に到達するごとに、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を測定し、第１の測定信号Ｓ１若しくは第３の測定信号Ｓ３を出力する。尚、本実施形態では、測定ポイントＰ１〜Ｐ２５は、ｙ方向において等間隔となる位置に設定されている。
【００６３】
［第４工程］
次に、制御装置７３は、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄから入力された第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づいて、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａ全体に渡って演算により求める。
【００６４】
［第５工程］
次に、制御装置７３は、上記第１実施形態の制御装置６１と同様に、算出した基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離に応じて、吸着領域Ａごとの真空吸着力を調整する。詳述すると、塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が短い部分ほど、基板Ｗ１においてステージ３２の上面３２ａからの基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの高さが高くなっている。従って、制御装置７３は、算出した基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離に基づいて、当該距離が短いところほど更に吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御して吸着領域Ａごとに真空吸着力を調整する。即ち、制御装置７３は、算出した基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離が短い部分に対応する吸着領域Ａの真空吸着力が大きくなるように、吸着装置４５を制御する。これにより、ステージ３２上の下基板Ｗ１において盛り上がっていた部分がステージ３２側に吸い寄せられ、該下基板Ｗ１は、歪みが減少するように矯正される。
【００６５】
［第６工程（第２の測定工程）］
次に、制御装置７３は、ｙ軸アクチュエータ３４（図７参照）を駆動して、ガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端部まで移動させる。そして、制御装置７３は、再度、距離センサ４３及び距離センサ７２ａ〜７２ｄを駆動するとともに、ｙ軸アクチュエータ３４を駆動してガントリ３３をステージ３２のｙ方向の一端から他端まで移動させ（図７参照）、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄにて、測定ポイントＰ１〜Ｐ２５における下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を測定する。
【００６６】
［第７工程（算出工程）］
次に、制御装置７３は、各距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄから入力される第１及び第３の測定信号Ｓ１，Ｓ３に基づき、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにおいてシール材Ｒが塗布される部分について、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を演算により求める。また、制御装置７３は、算出した基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離に基づいて、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａからの塗布ノズル４２の先端の高さの基準値である基準高さに対する補正量を算出する。この補正量は、上記第１実施形態と同様に、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を一定に保つために、基準高さに加算されるものである。例えば、補正量は、基準高さにある場合の塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離と、算出した距離との差分を、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒで所望のパターンを描画する際の塗布ノズル４２の先端の軌道に沿って連続的に算出したものである。
【００６７】
［第８工程（塗布工程）］
次に、制御装置７３は、ｙ軸アクチュエータ３４及びｘ軸アクチュエータ３５を駆動して、先端に塗布ノズル４２を有するシリンジ４１をステージ３２に対して移動させ、塗布ノズル４２から吐出されるシール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに連続的に塗布する。これにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに、シール材Ｒにて所望のパターンが描画される。この時、制御装置７３は、塗布ノズル４２の先端のｘ方向及びｙ方向の位置に応じて、塗布ノズル４２のｚ方向の位置（高さ位置）が、予め算出した前記補正量を塗布ノズル４２の先端の基準高さに加えた位置となるように、シリンジ４１（塗布ノズル４２）を昇降させる。これにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定に保たれる。
【００６８】
また、制御装置７３は、同工程中において、距離センサ４３を駆動して、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を測定するとともに、距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。そして、制御装置７３は、上記第１実施形態の制御装置６１と同様に、算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が、予め設定された閾値を越えた場合には、塗布ノズル４２からのシール材Ｒの吐出及び各アクチュエータ３４，３５，３７の駆動を停止する。
【００６９】
［第９工程］
下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａへのシール材Ｒの塗布が終了すると、制御装置７３は、ｚ軸アクチュエータ３７を駆動して、塗布ノズル４２の先端とステージ３２の上面３２ａとの間に下基板Ｗ１の厚さ以上の間隔が設けられる位置にシリンジ４１を配置する。次いで、制御装置７３は、下基板Ｗ１のステージ３２上への固定を解除すべく吸着装置４５を制御する。その後、下基板Ｗ１は、搬送装置２９ａによって、シール描画装置７１から液晶滴下装置２４（図１参照）へ移動される。
【００７０】
上記したように、本第２実施形態によれば、上記第１実施形態の（２）と同様の作用効果に加えて、以下の作用効果を有する。
（１）ガントリ３３の連結部３３ｂに固定された４個の距離センサ７２ａ〜７２ｄ、及びシリンジ４１に固定された距離センサ４３により、ステージ３２上に配置された下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を、一度に複数箇所測定することができる。従って、塗布ノズルとともに一体移動可能に設けられた従来の高さセンサにて複数個所を測定する場合よりも、補正量を算出するための測定に要する時間を短縮することができる。また、第７工程（算出工程）において下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにおけるシール材Ｒが塗布される領域全体に対応した補正量を予め全て算出した後に、第８工程（塗布工程）において塗布ノズル４２にて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒが塗布されることから、シール材Ｒの塗布中には、制御装置７３によって、基準高さに補正量を加算した高さに塗布ノズル４２が昇降されるだけで、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離が一定に保たれる。従って、従来のように、シール材の塗布中に、塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を測定し、更に塗布ノズルの先端と基板の表面との間の距離を一定に保つための補正量を算出しなくてもよい。よって、シール材Ｒを下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布する速度、即ち下基板Ｗ１に対する塗布ノズル４２の移動速度を従来よりも高速化することが可能となる。これらのことから、塗布ノズル４２の先端と下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａとの間の距離を一定に保ちつつシール材Ｒの塗布を行うとともに、シール材Ｒの塗布に要する時間を短縮することができる。そして、本シール描画装置７１においては、基準高さに補正量を加えた高さに塗布ノズル４２を昇降させることにより、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が一定に保たれることから、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布されたシール材Ｒの形状が安定される。
【００７１】
（２）塗布ノズル４２と一体移動可能に設けられた距離センサ４３も、ガントリ３３の連結部３３ｂに固定された距離センサ７２ａ〜７２ｄとともに移動させることにより、補正量を算出するための測定値（測定信号）を同時により多く得ることができる。そして、４個の距離センサ７２ａ〜７２ｄ及び距離センサ４３が出力する第３及び第１の測定信号に基づいて制御装置７３が補正量を算出することにより、第３の測定信号のみに基づいて算出された補正量よりも、算出された補正量の精度が向上する。その結果、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布されたシール材Ｒの形状がより安定される。また、距離センサ４３は、従来の塗布装置にも備えられていることから、部品点数の増大は抑制される。
【００７２】
尚、本発明の各実施形態は、以下のように変更してもよい。
・上記各実施形態では、吸着装置４５は、真空吸着力により下基板Ｗ１をステージ３２の上面３２ａに固定するが、静電吸着力により下基板Ｗ１をステージ３２の上面に固定するものであってもよい。この場合、ステージ３２には、各吸着領域Ａに対応して静電チャックが設けられる。
【００７３】
・上記各実施形態において、第３乃至第４工程を省いてもよい。
・上記第２実施形態では、連結部３３ｂに配置された距離センサ７２ａ〜７２ｄに加えて、シリンジ４１に固定された距離センサ４３も利用して、ステージ３２上の下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を測定している。しかしながら、補正量を算出するために行う下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離の測定は、距離センサ７２ａ〜７２ｄのみを駆動して行ってもよい。
【００７４】
・上記第１実施形態において、ステージ３２の上面３２ａの平坦度を予め測定しておき、塗布ノズル４２の先端の基準高さに対する補正量を算出する際に、ステージ３２の上面３２ａの平坦度を加味して補正量を算出するように制御装置６１を構成してもよい。このようにすると、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａに塗布されるシール材Ｒの形状（高さ、幅等）をより安定させることができる。
【００７５】
・上記第１実施形態では、ステージ３２には１５個の距離センサ５１ａ〜５１ｏが配置されている。しかしながら、ステージ３２に配置される距離センサ５１ａ〜５１ｏの数は、１５個に限らず、複数であればよい。尚、ステージ３２に配置される複数の距離センサは、ステージ３２の上面３２ａにおいて下基板Ｗ１が配置される部位に、均等若しくは規則的に配置されることが望ましい。そして、ステージ３２に配置される距離センサの数が多いほど、制御装置６１による、基準高さにある塗布ノズル４２の先端から下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離の算出精度が向上する。
【００７６】
・上記第２実施形態では、ガントリ３３の連結部３３ｂに、４個の距離センサ７２ａ〜７２ｄが設けられている。しかしながら、連結部３３ｂに設けられる距離センサ７２ａ〜７２ｄの数は、４個に限らず、複数であればよい。そして、連結部３３ｂに設けられる距離センサの数が多いほど、制御装置７３による、ステージ３２の上面３２ａから下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離の算出精度が向上する。
【００７７】
・上記各実施形態では、制御装置６１，７３は、第８工程において、距離センサ４３を駆動するとともに、距離センサ４３から入力される第１の測定信号Ｓ１に基づいて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離を算出する。そして、制御装置６１，７３は、上記第１実施形態の制御装置６１と同様に、算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離が、予め設定された閾値を越えた場合には、塗布ノズル４２からのシール材Ｒの吐出及び各アクチュエータ３４，３５，３７の駆動を停止する。しかしながら、第８工程において、距離センサ４３による下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａの位置の計測を省略してもよい。そして、この場合には、制御装置６１，７３は、算出した下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａと塗布ノズル４２の先端との間の距離と、閾値との比較を行わない。
【００７８】
・距離センサ５１ａ〜５１ｏの構成は、上記第１実施形態の構成に限らない。例えば、受光素子５５として、イメージセンサ等を用いてもよい。
・上記第２実施形態では、第３工程及び第６工程において、距離センサ４３及び距離センサ７２ａ〜７２ｄにて下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を測定する測定ポイントＰ１〜Ｐ２５は、２５箇所設定されている。しかしながら、測定ポイントの数は、複数個所に設定されるのであれば、２５箇所より多く設定されてもよいし、少なく設定されてもよい。また、距離センサ４３，７２ａ〜７２ｄは、ガントリ３３のｙ方向の移動とともに下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａまでの距離を連続的に測定するものであってもよい。
【００７９】
・上記各実施形態のシール描画装置２３，７１では、塗布ノズル４２及び距離センサ４３を有するシリンジ４１はそれぞれ１つ備えられている。しかしながら、このようなシリンジ４１は、ｘ軸アクチュエータ３５によりｘ方向に移動されるｘ軸ベース３６及びｚ軸アクチュエータ３７によりｚ方向に移動されるｚ軸ベース３８とともに、連結部３３ｂに複数設けられてもよい。
【００８０】
・上記各実施形態では、補正量は、下基板Ｗ１の上面Ｗ１ａにシール材Ｒで所望のパターンを描画する際の塗布ノズル４２の先端の軌道に沿って連続的に算出される。しかしながら、補正量は、当該軌道上の複数個所について、そのｘ方向位置及びｙ方向位置に対応させて算出されるものであってもよい。
【００８１】
・上記各実施形態では、ガントリ３３、ｘ軸ベース３６及びｚ軸ベース３８が移動されることにより、固定されたステージ３２に対して塗布ノズル４２が移動される構成となっている。しかしながら、ステージ３２と塗布ノズル４２とが、ｘ方向、ｙ方向及びｚ方向に相対移動可能であれば、この他の構成であってもよい。例えば、固定された塗布ノズル４２に対して、ステージ３２がｘ方向、ｙ方向及びｚ方向に移動されるように構成してもよい。また、ステージ３２、ガントリ３３の両方が移動するように構成してもよい。更に、ステージ３２をθ方向（ｚ軸回りに回転する方向）に回転可能に構成してもよい。
【００８２】
・上記各実施形態では、下基板Ｗ１と上基板Ｗ２との間に液晶を封入するためのシール材Ｒを塗布するシール描画装置２３，７１に本発明を具体化して説明したが、このようなシール描画装置２３，７１に限らず、平板に対して液体材料を所望の形状に塗布する塗布装置であればどのような塗布装置に本発明を具体化してもよい。例えば、基板の表面にはんだを塗布する塗布装置等に本発明を具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】貼合わせ基板製造装置の概略構成図。
【図２】第１実施形態のシール描画装置の概略構成図。
【図３】ステージの平面図。
【図４】第１実施形態における基板及びステージの平面図。
【図５】第１実施形態のシール描画装置における距離センサ付近の拡大図。
【図６】第１実施形態のシール描画装置の電気的構成を示すブロック図。
【図７】第２実施形態のシール描画装置の概略構成図。
【図８】第２実施形態のシール描画装置の電気的構成を示すブロック図。
【図９】第２実施形態における基板及びステージの平面図。
【符号の説明】
【００８４】
３２…ステージ、３２ａ…ステージの上面、３３…移動手段としてのガントリ、４２…塗布ノズル、４３…ノズル側測定手段としての距離センサ、４５…吸着手段としての吸着装置、５１ａ〜５１ｏ…固定測定手段としての距離センサ、６１，７３…制御手段としての制御装置、７２ａ〜７２ｄ…移動測定手段としての距離センサ、Ａ…吸着領域、Ｒ…液体材料としてのシール材、Ｓ１…測定信号としての第１の測定信号、Ｓ２…測定信号としての第２の測定信号、Ｓ３…測定信号としての第３の測定信号、Ｗ１…基板としての下基板、Ｗ１ａ…表面としての上面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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