(57)【要約】【課題】電気コネクタと光コネクタを容易に接続することが可能となり、衝撃に弱い光コネクタの破損を防止することができるコネクタ接続構造、装着側装置、被装着側装置および外部記憶装置を提供する。【解決手段】この外部記憶装置１は、拡張メモリ装置２と、拡張メモリ装置２の装着穴２１にカセット型メモリユニット３を装着する際に、拡張メモリ装置２に設けられた電気コネクタ４Ａにメモリユニット３に設けられた電気コネクタ４Ｂが嵌合し、電気的に接続され、電気コネクタ４Ａ，４Ｂの嵌合に遅れて拡張メモリ装置２に設けられた光コネクタ５Ａにメモリユニット３に設けられた光コネクタ５Ｂが嵌合し、光学的に接続される。【選択図】図１
2008084710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の筐体に設けられた第１の電気コネクタと、
前記第１の筐体に設けられた第１の光コネクタと、
第２の筐体に設けられ、前記第１の電気コネクタに嵌合し、電気的に接続する第２の電気コネクタと、
前記第２の筐体に設けられ、前記第１の電気コネクタと前記第２の電気コネクタとの嵌合よりも遅れて前記第１の光コネクタに嵌合し、光学的に接続する第２の光コネクタとを備えたことを特徴とするコネクタ接続構造。
【請求項２】
前記第１および第２の電気コネクタ間の嵌合長さは、前記第１および第２の光コネクタの嵌合長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載のコネクタ接続構造。
【請求項３】
前記第１および第２の電気コネクタは、互いに直交するように配置された２組のカードエッジ型コネクタであることを特徴とする請求項１に記載のコネクタ接続構造。
【請求項４】
前記第１の筐体は、拡張メモリ装置の筐体であり、
前記第２の筐体は、カセット型メモリユニットの筐体であることを特徴とする請求項１に記載のコネクタ接続構造。
【請求項５】
被装着側筐体に装着される装着側筐体と、
前記装着側筐体に設けられた光コネクタと、
前記装着側筐体に設けられ、前記光コネクタが相手の光コネクタに嵌合するよりも先に相手の電気コネクタに嵌合し、電気的に接続する電気コネクタとを備えたことを特徴とする装着側装置。
【請求項６】
前記電気コネクタ間の嵌合長さは、前記光コネクタの嵌合長さよりも長いことを特徴とする請求項５に記載の装着側装置。
【請求項７】
前記電気コネクタは、互いに直交するように配置された２組のカードエッジ型コネクタであることを特徴とする請求項５に記載の装着側装置。
【請求項８】
装着側筐体が装着される被装着側筐体と、
前記被装着側筐体に設けられた光コネクタと、
前記被装着側筐体に設けられ、前記光コネクタが相手の光コネクタに嵌合するよりも先に相手の電気コネクタに嵌合し、電気的に接続する電気コネクタとを備えたことを特徴とする被装着側装置。
【請求項９】
前記電気コネクタ間の嵌合長さは、前記光コネクタの嵌合長さよりも長いことを特徴とする請求項８に記載の被装着側装置。
【請求項１０】
前記電気コネクタは、互いに直交するように配置された２組のカードエッジ型コネクタであることを特徴とする請求項８に記載の被装着側装置。
【請求項１１】
前記被装着側筐体は、前記装着側筐体が装着される装着穴を有することを特徴とする請求項８に記載の被装着側装置。
【請求項１２】
第２の筐体が装着される第１の筐体と、前記第１の筐体に設けられた第１の電気コネクタと、前記第１の筐体に設けられた第１の光コネクタとを有する拡張メモリ装置と、
前記第２の筐体に設けられ、前記第１の電気コネクタに嵌合し、電気的に接続する第２の電気コネクタと、前記第２の筐体に設けられ、前記第１の電気コネクタと前記第２の電気コネクタとの嵌合よりも遅れて前記第１の光コネクタに嵌合し、光学的に接続する第２の光コネクタとを有するカセット型メモリユニットとを備えたことを特徴とする外部記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コネクタ接続構造、装着側装置、被装着側装置および外部記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
拡張メモリ装置では、メモリバスの高帯域化を図るため、光伝送路が用いられており、拡張メモリ装置の本体に電気コネクタと光コネクタの両方を用いてメモリカードを接続する必要がある。
【０００３】
電気コネクタと光コネクタの両方を接続する従来のコネクタ接続構造として、例えば、特許文献１に示されているものがある。
【０００４】
このコネクタ接続構造は、機器本体の配線パネルにカッドエッジ型コネクタのソケットおよび光コネクタを設け、基板にカードエッジ端子および光送受信モジュールを設け、カードエッジ型コネクタのソケットに基板上のカードエッジ端子を嵌合するのと同時に、光送受信モジュールのレセプタクルを光コネクタのスリーブに嵌合するものである。
【特許文献１】特開昭６３−２１２９０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、電気コネクタと光コネクタを容易に接続することが可能となり、衝撃に弱い光コネクタの破損を防止することができるコネクタ接続構造、装着側装置、被装着側装置および外部記憶装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様として、上記目的を達成するため、以下のコネクタ接続構造、装着側装置、被装着側装置および外部記憶装置を提供する。
【０００７】
[１]第１の筐体に設けられた第１の電気コネクタと、前記第１の筐体に設けられた第１の光コネクタと、第２の筐体に設けられ、前記第１の電気コネクタに嵌合し、電気的に接続する第２の電気コネクタと、前記第２の筐体に設けられ、前記第１の電気コネクタと前記第２の電気コネクタとの嵌合よりも遅れて前記第１の光コネクタに嵌合し、光学的に接続する第２の光コネクタとを備えたことを特徴とするコネクタ接続構造。
【０００８】
[２]前記第１および第２の電気コネクタ間の嵌合長さは、前記第１および第２の光コネクタの嵌合長さよりも長いことを特徴とする前記［１］に記載のコネクタ接続構造。
【０００９】
[３]前記第１および第２の電気コネクタは、互いに直交するように配置された２組のカードエッジ型コネクタであることを特徴とする前記［１］に記載のコネクタ接続構造。
【００１０】
[４]前記第１の筐体は、拡張メモリ装置の筐体であり、前記第２の筐体は、カセット型メモリユニットの筐体であることを特徴とする前記［１］に記載のコネクタ接続構造。
【００１１】
[５]被装着側筐体に装着される装着側筐体と、前記装着側筐体に設けられた光コネクタと、前記装着側筐体に設けられ、前記光コネクタが相手の光コネクタに嵌合するよりも先に相手の電気コネクタに嵌合し、電気的に接続する電気コネクタとを備えたことを特徴とする装着側装置。
【００１２】
[６]前記電気コネクタ間の嵌合長さは、前記光コネクタの嵌合長さよりも長いことを特徴とする前記［５］に記載の装着側装置。
【００１３】
[７]前記電気コネクタは、互いに直交するように配置された２組のカードエッジ型コネクタであることを特徴とする前記［５］に記載の装着側装置。
【００１４】
[８]装着側筐体が装着される被装着側筐体と、前記被装着側筐体に設けられた光コネクタと、前記被装着側装置用筐体に設けられ、前記光コネクタが相手の光コネクタに嵌合するよりも先に相手の電気コネクタに嵌合し、電気的に接続する電気コネクタとを備えたことを特徴とする被装着側装置。
【００１５】
[９]前記電気コネクタ間の嵌合長さは、前記光コネクタの嵌合長さよりも長いことを特徴とする前記［８］に記載の被装着側装置。
【００１６】
[１０]前記電気コネクタは、互いに直交するように配置された２組のカードエッジ型コネクタであることを特徴とする前記［８］に記載の被装着側装置。
【００１７】
［１１］前記被装着側筐体は、前記装着側筐体が装着される装着穴を有することを特徴とする前記［８］に記載の被装着側装置。
【００１８】
[１２]第２の筐体が装着される第１の筐体と、前記第１の筐体に設けられた第１の電気コネクタと、前記第１の筐体に設けられた第１の光コネクタとを有する拡張メモリ装置と、
前記第２の筐体に設けられ、前記第１の電気コネクタに嵌合し、電気的に接続する第２の電気コネクタと、前記第２の筐体に設けられ、前記第１の電気コネクタと前記第２の電気コネクタとの嵌合よりも遅れて前記第１の光コネクタに嵌合し、光学的に接続する第２の光コネクタとを有するカセット型メモリユニットとを備えたことを特徴とする拡張メモリシステム。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１に係るコネクタ接続構造によれば、電気コネクタと光コネクタを容易に接続することが可能となり、衝撃に弱い光コネクタの破損を防止することができる。
【００２０】
請求項２に係るコネクタ接続構造によれば、嵌合構造を簡素化することができる。
【００２１】
請求項３に係るコネクタ接続構造によれば、２次元の方向の位置決めを行うことができる。
【００２２】
請求項４に係るコネクタ接続構造によれば、拡張メモリ装置の筐体にカセット型メモリユニットの筐体を装着する際に、電気コネクタと光コネクタを容易に接続することが可能になる。
【００２３】
請求項５に係る装着側装置によれば、電気コネクタと光コネクタを容易に接続することが可能となり、衝撃に弱い光コネクタの破損を防止することができる。
【００２４】
請求項６に係る装着側装置によれば、嵌合構造を簡素化することができる。
【００２５】
請求項７に係る装着側装置によれば、２次元の方向の位置決めを行うことができる。
【００２６】
請求項８に係る被装着側装置によれば、電気コネクタと光コネクタを容易に接続することが可能となり、衝撃に弱い光コネクタの破損を防止することができる。
【００２７】
請求項９に係る被装着側装置によれば、嵌合構造を簡素化することができる。
【００２８】
請求項１０に係る被装着側装置によれば、２次元の方向の位置決めを行うことができる。
【００２９】
請求項１１に係る被装着側装置によれば、装着側装置を被装着側装置に容易に装着することができる。
【００３０】
請求項１２に係る外部記憶装置によれば、拡張メモリ装置の筐体にカセット型メモリユニットの筐体を装着する際に、電気コネクタと光コネクタを容易に接続することが可能となり、衝撃に弱い光コネクタの破損を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
[第１の実施の形態]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る外部記憶装置を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は拡張メモリ装置の断面図とカセット型メモリユニットの正面図である。
【００３２】
この外部記憶装置１は、被装着側装置としての拡張メモリ装置２と、拡張メモリ装置２に装着可能な複数の装着側装置としてのカセット型メモリユニット３とを有する。
【００３３】
拡張メモリ装置２は、ホストコンピュータ等の上位装置からのデータ書込み指令またはデータ読出し指令に基づいて、データをカセット型メモリユニット３内のメモリチップに書込み、またはカセット型メモリユニット３内のメモリチップからデータを読み出すものであり、光信号を出力する発光素子と、拡張メモリ装置２およびメモリユニット３に電源を供給する電源部と、上位装置との間で通信するとともに、メモリユニット３に対する制御を行うメインコントローラと、これらを収容する装置用筐体２０と、装置用筐体２０に設けられた複数の矩形状の装着穴２１と、装着穴２１の奥の面に設けられた電気コネクタ４Ａ（第１の電気コネクタ）および光コネクタ（第１の光コネクタ）５Ａとを備える。
【００３４】
カセット型メモリユニット３は、光信号を電気信号に変換する受光素子と、データが書き込まれるメモリチップと、受光素子およびメモリチップを駆動する駆動回路と、受光素子、メモリチップおよび駆動回路を搭載する基板と、これらを収容し、装着穴２１に装着されるユニット用筐体３０と、ユニット用筐体３０の先端面に設けられた電気コネクタ（第２の電気コネクタ）４Ｂおよび光コネクタ（第２の光コネクタ）５Ｂとを備える。
【００３５】
拡張メモリ装置２側の電気コネクタ４Ａと光コネクタ５Ａは、突出高さをほぼ等しくしているが、カセット型メモリユニット３側では、電気コネクタ４Ｂの突出高さを光コネクタ５Ｂよりも高くしている。
【００３６】
図２は、電気コネクタの接続状態を示す断面図である。電気コネクタ４Ａ，４Ｂは、例えば、カードエッジ型コネクタである。拡張メモリ装置２側の電気コネクタ４Ａは、ソケット４０と、ソケット４０に組み込まれた導電性および弾性を有する接触子４１とからなる。メモリユニット３側の電気コネクタ４Ｂは、基板７の先端に形成された基板挿入部４２と、基板挿入部４２の両面に形成された電極４３とからなる。電極４３は、基板７上の駆動回路に接続している。
【００３７】
図３は、光コネクタの接続状態を示す断面図である。拡張メモリ装置２側の光コネクタ５Ａは、装置用筐体２０の内面に当接する鍔部５１Ａ、および光コネクタ５Ｂが嵌合されるレセプタクル部５２を有するフェルール５０Ａからなる。カセット型メモリユニット３側の光コネクタ５Ｂは、ユニット用筐体３０の内面に当接する鍔部５１Ｂ、およびレセプタクル部５２に嵌合する軸部５３を有するフェルール５０Ｂからなる。
【００３８】
両フェルール５０Ａ，５０Ｂは、例えば、Ｚｒ、ガラス、ポリエーテールケトン等のプラスチック材料やＳＵＳ等の金属からなり、それぞれ光ファイバ６Ａ，６Ｂの先端部を保持している。光ファイバ６Ａは、拡張メモリ装置２の受光素子に光学的に結合されており。
光ファイバ６Ｂは、メモリユニット３の発光素子に光学的に結合されている。
【００３９】
本実施の形態のコネクタ構造は、カセット型メモリユニット３を拡張メモリ装置２の装着穴２１に装着する際、電気コネクタ４Ａ，４Ｂが嵌合してから、光コネクタ５Ａ，５Ｂが嵌合するように構成されている。すなわち、電気コネクタ４Ａ，４Ｂが嵌合する長さ（嵌合長）Ｌ１は、光コネクタ５Ａ，５Ｂが嵌合する長さ（嵌合長）Ｌ２よりも長くしている。電気コネクタ４Ａ，４Ｂの嵌合長Ｌ１は、本実施の形態では、図２に示すように、接触子４１が基板挿入部４２または電極４３に接触している長さである。また、光コネクタ５Ａ，５Ｂの嵌合長さＬ２は、本実施の形態では、図３に示すように、レセプタクル部５２に軸部５３が接触している長さである。
【００４０】
（装着動作）
図４（ａ）〜（ｃ）は、カセット型メモリユニットの装着動作を示す図である。カセット型メモリユニット３を拡張メモリ装置２に装着するには、まず、図４（ａ）に示すように、カセット型メモリユニット３のユニット用筐体３０を拡張メモリ装置２の装着穴２１に挿入する。この段階では、ユニット用筐体３０が大まかに位置決めされる。
【００４１】
メモリユニット３をさらに奥へ挿入すると、図４（ｂ）に示すように、電気コネクタ４Ｂは、光コネクタ５Ｂよりも先に相手の電気コネクタ４Ａに嵌合し、電気コネクタ４Ａの接触子４１は、電気コネクタ４Ｂの電極４３に接触して電気的に接続する。この段階では、電気コネクタ４Ａ，４Ｂによってメモリユニット３の接続位置の粗調整が行われる。
【００４２】
さらに、メモリユニット３を奥へ挿入すると、図４（ｃ）に示すように、電気コネクタ４Ｂは、拡張メモリ装置２側の電気コネクタ４Ａと電気的な接続を保ったまま、光コネクタ５Ｂは、拡張メモリ装置２側の光コネクタ５Ａに嵌合する。この段階では、メモリユニット３の接続位置の微調整が行われる。さらに、メモリユニット３を奥へ挿入させると、光コネクタ５Ａ，５Ｂは光学的に接続する。
【００４３】
このようにして、電気コネクタ４Ａ，４Ｂによって粗調整を行い、光コネクタ５Ａ，５Ｂによって微調整を行うことにより、言い換えると、電気コネクタ４Ａ，４Ｂによる大きめの誘いでまず電気的接続を行い、次に、誘いの小さな光コネクタ５Ａ，５Ｂを接続することにより、電気コネクタ４Ａ，４Ｂと光コネクタ５Ａ，５Ｂを容易に接続することができ、衝撃に弱い光コネクタ５Ａ，５Ｂの破損を防止することができる。
【００４４】
（外部記憶装置の動作）
次に、外部記憶装置１の動作について説明する。上位装置からデータ書込み指令が拡張メモリ装置２に送信されると、拡張メモリ装置２のメモリコントローラは、データ、アドレスおよび書込み命令を発光素子により光信号に変換して光ファイバ６Ａ、光コネクタ５Ａ，５Ｂ、および光ファイバ６Ｂを介してメモリユニット３に送る。また、電源を拡張メモリ装置２から電気コネクタ４Ａ，４Ｂを介してメモリユニット３に送る。
【００４５】
メモリユニット３では、光信号が受光素子によって電気信号に変換され、対応するメモリチップのアドレスにデータが書き込まれる。なお、メモリチップからのデータの読出しは、電気コネクタ４Ａ，４Ｂを介して行われる。
【００４６】
［第２の実施の形態]
図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る外部記憶装置、およびカセット型メモリユニットの装着動作を示す図である。第１の実施の形態では、カセット型メモリユニット３側の電気コネクタ４Ｂの突出高さを光コネクタ５Ｂよりも高くしたが、第２の実施の形態では、カセット型メモリユニット３側の電気コネクタ４Ｂと光コネクタ５Ｂの突出高さを等しくし、拡張メモリ装置２側の電気コネクタ４Ａの突出高さを光コネクタ５Ａよりも高くしたものである。
【００４７】
（装着動作）
カセット型メモリユニット３を拡張メモリ装置２に装着するには、まず、カセット型メモリユニット３のユニット用筐体３０を拡張メモリ装置２の装着穴２１に挿入する。この段階では、ユニット用筐体３０が大まかに位置決めされる。
【００４８】
メモリユニット３をさらに奥へ挿入すると、図５（ｂ）に示すように、電気コネクタ４Ｂは、光コネクタ５Ｂよりも先に相手の電気コネクタ４Ａに嵌合し、電気コネクタ４Ａの接触子４１は、電気コネクタ４Ｂの電極４３に接触して電気的に接続する。この段階では、電気コネクタ４Ａ，４Ｂによってメモリユニット３の接続位置の粗調整が行われる。
【００４９】
さらに、メモリユニット３を奥へ挿入すると、図５（ｃ）に示すように、電気コネクタ４Ｂは、拡張メモリ装置２側の電気コネクタ４Ａと電気的な接続を保ったまま、光コネクタ５Ｂは、拡張メモリ装置２側の光コネクタ５Ａに嵌合する。この段階では、メモリユニット３の接続位置の微調整が行われる。
【００５０】
さらに、メモリユニット３を奥へ挿入すると、光コネクタ５Ａ，５Ｂは光学的に接続する。このようにして電気コネクタ４Ａ，４Ｂと光コネクタ５Ａ，５Ｂを容易に接続することができ、衝撃に弱い光コネクタ５Ａ，５Ｂの破損を防止することができる。
【００５１】
外部記憶装置１の動作は、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５２】
［第３の実施の形態]
図６は、本発明の第３の実施の形態に係るカセット型メモリユニットの斜視図である。第１の実施の形態では、電気コネクタ４Ａ，４Ｂを１組用い、光コネクタ５Ａ，５Ｂも１組用いたが、この第３の実施の形態では、電気コネクタ４Ａ，４Ｂを２組用い、光コネクタ５Ａ，５Ｂも２組用いたものである。
【００５３】
２組の電気コネクタ４Ａ，４Ｂは、互いに直交するように配置された２組のカードエッジ型コネクタを用いる。これにより、メモリユニット３を拡張メモリ装置２に装着し、接続する場合に、２組の電気コネクタ４Ａ，４Ｂにより水平方向と垂直方向の粗調整がなされ、次に光コネクタ５Ａ，５Ｂを接続することができる。
【００５４】
拡張メモリ装置２は、ホストコンピュータ等の上位装置からのデータ書込み指令またはデータ読出し指令に基づいて、データをカセット型メモリユニット３内のメモリチップに書込み、またはカセット型メモリユニット３内のメモリチップからデータを読み出すものであり、光信号を出力する発光素子と、光信号を電気信号に変換する受光素子と、拡張メモリ装置２およびメモリユニット３に電源を供給する電源部と、上位装置との間で通信を行うとともに、メモリユニット３に対する制御を行うメインコントローラと、これらを収容する装置用筐体２０と、装置用筐体２０に設けられた複数の矩形状の装着穴２１と、装着穴２１の奥の面に設けられた２組の電気コネクタ４Ａおよび２組の光コネクタ５Ａとを備える。
【００５５】
カセット型メモリユニット３は、光信号を電気信号に変換する受光素子と、光信号を出力する発光素子と、データが書き込まれるメモリチップと、受光素子、発光素子およびメモリチップを駆動する駆動回路と、受光素子、発光素子、メモリチップおよび駆動回路を搭載する基板７と、これらを収容するユニット用筐体３０と、ユニット用筐体３０の先端面に設けられた２組の電気コネクタ４Ｂおよび２組の光コネクタ５Ｂとを備える。
【００５６】
拡張メモリ装置２側の２組の電気コネクタ４Ａと２組の光コネクタ５Ａは、突出高さをほぼ等しくしているが、カセット型メモリユニット３側では、２組の電気コネクタ４Ｂの突出高さを２組の光コネクタ５Ｂよりも高くしている。
【００５７】
（外部記憶装置の動作）
次に、外部記憶装置１の動作について説明する。上位装置からデータ書込み指令が拡張メモリ装置２に送信されると、拡張メモリ装置２のメモリコントローラは、データ、アドレスおよび書込み命令を発光素子により光信号に変換して光ファイバ６Ａ、光コネクタ５Ａ，５Ｂ、および光ファイバ６Ｂを介してメモリユニット３に送る。また、電源を拡張メモリ装置２から電気コネクタ４Ａ，４Ｂを介してメモリユニット３に送る。
【００５８】
メモリユニット３では、光信号が光素子によって電気信号に変換され、対応するメモリチップのアドレスにデータが書き込まれる。
【００５９】
上位装置からデータ読出し指令が拡張メモリ装置２に送信されると、拡張メモリ装置２のメモリコントローラは、アドレスおよび読出し命令を電気コネクタ４Ａ，４Ｂを介して
メモリユニット３に送る。なお、アドレスおよび読出し命令を光信号により光コネクタ５Ａ，５Ｂを介してメモリユニット３に送ってもよい。
【００６０】
メモリユニット３は、データをメモリユニット３から読み出し、発光素子により光信号に変換して光ファイバ６Ｂ、光コネクタ５Ｂ，５Ａ、および光ファイバ６Ａを介して拡張メモリ装置２に送る。読み出されたデータは、拡張メモリ装置２のメモリコントローラにより上位装置に転送される。
【００６１】
［第４の実施の形態]
図７は、本発明の第４の実施の形態に係るカセット型メモリユニットの斜視図である。第３の実施の形態では、２組の電気コネクタ４Ｂの長さは等しいものを用いたが、この第４の実施の形態では、２組の電気コネクタ１４Ａ，１４Ｂのうち一方の電気コネクタ１４Ａの突出高さ（嵌合長）を他方の電気コネクタ１４Ｂの突出高さ（嵌合長）よりも高くしたものである。
【００６２】
突出高さの高い方の電気コネクタ１４Ａが嵌合してから他方の電気コネクタ１４Ｂが嵌合し、最後に光コネクタ５Ａ，５Ｂが嵌合する。この方式によれば、複数のコネクタを順次接続することになるので、コネクタを同時に複数接続するよりも接続が容易となる。
【００６３】
なお、外部記憶装置の動作は、第３の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。また、メモリユニット３側の２組の電気コネクタの突出高さを等しくし、拡張メモリ装置側の２組の電気コネクタのうち一方の突出高さを高くしてもよい。
【００６４】
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、その発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々と変形実施が可能である。
【００６５】
例えば、電気コネクタまたは光コネクタを案内するための位置決めピンを設けてもよい。これにより、光コネクタの破損をより一層防止することができる。
【００６６】
また、上記各実施の形態では、光コネクタによって両光ファイバを光学的に接続したが、拡張メモリ装置側およびメモリユニット側の一方は、光ファイバを用いずに直接光素子に光学的に接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る外部記憶装置を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は拡張メモリ装置の断面図とカセット型メモリユニットの正面図である。
【図２】電気コネクタの接続状態を示す断面図である。
【図３】光コネクタの接続状態を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る外部記憶装置、およびカセット型メモリユニットの装着動作を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る外部記憶装置、およびカセット型メモリユニットの装着動作を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係るカセット型メモリユニットの斜視図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態に係るカセット型メモリユニットの斜視図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  外部記憶装置
２  拡張メモリ装置
３  カセット型メモリユニット
４Ａ，４Ｂ  電気コネクタ
５Ａ，５Ｂ  光コネクタ
６Ａ，６Ｂ  光ファイバ
７  基板
１４Ａ，１４Ｂ  電気コネクタ
２０  装置用筐体
２１  装着穴
３０  ユニット用筐体
４０  ソケット
４１  接触子
４２  基板挿入部
４３  電極
５０Ａ，５０Ｂ  フェルール
５１Ａ，５１Ｂ  鍔部
５２  レセプタクル部
５３  軸部
Ｌ１，Ｌ２  嵌合長さ
【図１】
2008084710.tif 000003
【図２】
2008084710.tif 000004
【図３】
2008084710.tif 000005
【図４】
2008084710.tif 000006
【図５】
2008084710.tif 000007
【図６】
2008084710.tif 000008
【図７】
2008084710.tif 000009