(57)【要約】【課題】部品点数を少なくすることで小型かつ安価に実現できるとともに、簡単に製造することができる光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】光ビームを出射するレーザ素子１１と、レーザ素子１１から出射し光ディスク１の情報面により反射された光ビームを受光する受光素子１３ａ及び１３ｂを備えたフォトダイオードＩＣ１２と、を備えた光ピックアップ装置であって、フォトダイオードＩＣ１２は、受光素子１３ａ及び１３ｂが形成されている面とは反対側の面上に、レーザ素子１１が配され、レーザ素子１１から出射した光ビームの光軸を横切る領域上に空孔部１４が形成されている。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを出射するレーザ素子と、
前記レーザ素子から出射し光ディスクの情報面により反射された光ビームを受光する受光素子を備えたフォトダイオードＩＣと、を備えた光ピックアップ装置であって、
前記フォトダイオードＩＣは、
前記受光素子が形成されている面とは反対側の面上に、前記レーザ素子が配され、
前記レーザ素子から出射した光ビームの光軸が横切る領域上に空孔部が形成されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記受光素子が形成されている面において、前記受光素子以外の領域に前記戻り光のうちの迷光成分を受光する迷光受光素子を備えた、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
パッケージをさらに備え、
前記パッケージは、
前記レーザ素子と前記フォトダイオードＩＣとが搭載されているとともに、
前記レーザ素子に電流を供給する配線パターンが形成されている、請求項１または２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
ホログラム素子をさらに備え、
前記ホログラム素子は、
前記光ディスクの情報面により反射された光ビームを、前記受光素子側へ回折させるとともに、
前記パッケージ上の、前記フォトダイオードＩＣの前記受光素子の形成面側に載置されている、請求項３に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
反射体をさらに備え、
前記反射体は、前記レーザ素子から出射される光ビームを、前記空孔部へ向かうように反射する、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
前記フォトダイオードＩＣと前記反射体とが一体化されている、請求項５に記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
前記フォトダイオードＩＣにおける前記受光素子が形成されている面とは反対側の面上に溝部が形成され、
前記溝部に前記レーザ素子が配されている、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項８】
前記フォトダイオードＩＣと前記パッケージとの間にバイパスコンデンサが配されている、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
前記フォトダイオードＩＣの前記空孔部近傍に、前記光ビームを受光可能なモニタ用受光素子が配されている、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１０】
前記遮光領域には受光素子を備えた請求項２記載の光ピックアップ装置。
【請求項１１】
光ビームを出射するレーザ素子と、
前記レーザ素子から出射する光ビームを平行光化するコリメートレンズと、
前記コリメートレンズで平行光化された光ビームを、光ディスクの情報面に集光させる対物レンズと、
前記光ディスクの情報面により反射された光ビームを回折する回折格子と、
前記回折格子で回折された光ビームを受光する受光素子を備えたフォトダイオードＩＣと、を備えた光ピックアップ装置であって、
前記フォトダイオードＩＣは、
前記受光素子が形成されている面とは反対側の面上に、前記レーザ素子が配され、
前記レーザ素子から出射した光ビームを前記光ディスクの情報面に到達させることが可能なように、前記光ビームの光軸が横切る領域上に空孔部が形成されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクドライブ（例えばコンパクトディスクドライブやビデオディスクドライブ）に搭載される光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、小型化が進む光ヘッドの分野では、光ディスクなどの情報媒体からの反射光を受光素子に導く構成が採用されている。
【０００３】
図９Ａは従来のピックアップユニットの構成を示す断面図である。図９Ｂは従来のピックアップユニットの構成を示す平面図である。図９Ａは、図９ＢにおけるＮ−Ｎ部分の断面を示す。
【０００４】
図９において、光ピックアップ装置は、対物レンズ１０２、コリメートレンズ１０３、回折格子１０４、およびピックアップユニット１１０を備えている。ピックアップユニット１１０は、レーザ素子１１１、フォトダイオードＩＣ（以下、ＰＤＩＣと称する）１１２ａ及び１１２ｂ、受光素子１１３ａ及び１１３ｂ、反射体１１４、およびパッケージ１１５を備えている。
【０００５】
図９において、レーザ素子１１１から水平方向に出射した光ビームは、受光素子１１２ａ及び１１２ｂに一体的に配された反射体１１４の反射面により反射され、垂直方向に立ち上げられる。光ビームは、回折格子１０４を透過して、コリメートレンズ１０３で平行光化され、対物レンズ１０２によって光ディスク１０１の情報面に集光される。また、光ディスク１０１の情報面により反射された戻り光は、対物レンズ１０２及びコリメートレンズ１０３を透過して、回折格子１０４に入射する。戻り光は、回折格子１０４で回折され、回折された±１次回折光がそれぞれ受光素子１１３ａ及び１１３ｂに入射する。受光素子１１３ａ及び１１３ｂは、入射される±１次回折光を受光し、ＲＦ信号を得る。これにより、光ピックアップ装置は、光ディスク１０１の情報層に記録されている情報を読み取ることができる。
【０００６】
近年、レーザ光の高出力化に伴ってレーザ素子のサイズが大きくなる一方、受光素子のサイズが集積化のために縮小されているので、レーザ素子と受光素子との集積化が困難となりつつある。すなわち、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、レーザ素子１１１がＰＤＩＣ１１２ａ及び１１２ｂの間に配されているため、レーザ素子１１１をＰＤＩＣ１１２ａ及び１１２ｂの間隔よりも大きくすることができない。レーザ素子１１１を大型化するためにＰＤＩＣ１１２ａ及び１１２ｂの間隔を広げると、受光素子１１３ａ及び１１３ｂの位置が変わり、ディスクからの戻り光を正確に受光することができなくなる可能性がある。したがって、レーザ光の高出力化に伴ってレーザ素子１１１を大型化するにしたがい、集積化が困難になる。
【０００７】
また、レーザ素子と受光素子とを高密度に集積化するにしたがい、レーザ素子と受光素子の位置が近くなり、迷光成分が受光素子に入射してしまう可能性が高くなる。すなわち、レーザ素子と受光素子とを近接配置させることで、レーザ素子から出射する光ビームのうち、回折格子を透過せずに受光素子に入り込む迷光成分や、ピックアップユニットに入射される戻り光のうち受光素子に入り込む迷光成分が、受光素子に入り込みやすくなり、信号対雑音比を悪化させる要因となっていた。
【０００８】
このような課題を克服しうる構成として、例えば特許文献１に記載されているような、レーザと受光素子とを一体化する構成が提案されている。図１０は、特許文献１に記載されているピックアップユニットの構成を模式的に示す。図１０において、光ピックアップ装置は、光ディスク２０１の情報面に光ビームを集光させる対物レンズ２０２と、戻り光を受光素子２０４側へ導くプリズム２０３と、プリズム２０３からの戻り光を電気信号に変換する受光素子２０４と、受光素子２０４とレーザ素子２０６と反射体２０７とを保持する保持部材２０５と、レーザ素子２０６と、レーザ素子２０６から出射する光ビームを反射する反射体２０７とを備えている。
【０００９】
図１０に示すように、レーザ素子２０６を保持部材２０５の一方の面に配し、受光素子２０４を保持部材２０５の他方の面に配することで、光ピックアップ装置全体の小型化を実現している。
【特許文献１】特開２００３−１８７４８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら特許文献１に記載されている構成では、レーザ素子２０６と受光素子２０４とを保持させるための保持部材が必要であるため、部品点数が増加し、装置を小型化する上で弊害になるという課題を有していた。また、部品点数が増加することで、コストアップにつながるという課題を有していた。
【００１１】
また、保持部材２０５に受光素子２０４及びレーザ素子２０６を固定する際、高精度な位置あわせが必要で、製造方法が複雑になるという課題を有していた。
【００１２】
本発明は、上記課題を鑑み、部品点数を少なくすることで小型かつ安価に実現できるとともに、簡単に製造することができる光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明の光ピックアップ装置は、光ビームを出射するレーザ素子と、前記レーザ素子から出射し光ディスクの情報面により反射された光ビームを受光する受光素子を備えたフォトダイオードＩＣと、を備えた光ピックアップ装置であって、前記フォトダイオードＩＣは、前記受光素子が形成されている面とは反対側の面上に、前記レーザ素子が配され、前記レーザ素子から出射した光ビームの光軸が横切る領域上に空孔部が形成されている。
【００１４】
また、本発明の光ピックアップ装置は、光ビームを出射するレーザ素子と、前記レーザ素子から出射する光ビームを平行光化するコリメートレンズと、前記コリメートレンズで平行光化された光ビームを、光ディスクの情報面に集光させる対物レンズと、前記光ディスクの情報面により反射された光ビームを回折する回折格子と、前記回折格子で回折された光ビームを受光する受光素子を備えたフォトダイオードＩＣと、を備えた光ピックアップ装置であって、前記フォトダイオードＩＣは、前記受光素子が形成されている面とは反対側の面上に、前記レーザ素子が配され、前記レーザ素子から出射した光ビームを前記光ディスクの情報面に到達させることが可能なように、前記光ビームの光軸が横切る領域上に空孔部が形成されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の光ピックアップ装置は、部品点数を削減することができるので、装置全体を小型化することができるとともに、コストダウンすることができる。また、本発明の光ピックアップ装置は、簡単に製造することできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の光ピックアップ装置は、前記受光素子が形成されている面において、前記受光素子以外の領域に前記戻り光のうちの迷光成分を受光する迷光受光素子を備えた構成とすることができる。この構成により、迷光成分は迷光受光素子で受光し、受光素子には入射されないため、信号対雑音比の劣化がない高品質の信号を得ることができる。
【００１７】
また、パッケージをさらに備え、前記パッケージは、前記レーザ素子と前記フォトダイオードＩＣとが搭載されているとともに、前記レーザ素子に電流を供給する配線パターンが形成されている構成とすることができる。この構成により、配線用のスペースを別途設ける必要がなく、装置の小型化を実現することができる。
【００１８】
また、ホログラム素子をさらに備え、前記ホログラム素子は、前記光ディスクの情報面により反射された光ビームを、前記受光素子側へ回折させるとともに、前記パッケージ上の、前記フォトダイオードＩＣの前記受光素子の形成面側に載置されている構成とすることができる。この構成により、ビームスプリッタやグレーティング素子などの光学素子が不要となるため、部品点数を削減できるとともに、装置を小型化することができる。また、各光学素子の位置合わせが容易になるため、組み立てを容易にすることができる。
【００１９】
また、反射体をさらに備え、前記反射体は、前記レーザ素子から出射される光ビームを、前記空孔部へ向かうように反射する構成とすることができる。
【００２０】
また、前記フォトダイオードＩＣと前記反射体とが一体化されている構成とすることができる。この構成により、部品点数を削減することができる。また、反射体の位置合わせを高精度に行うことができる。
【００２１】
また、前記フォトダイオードＩＣにおける前記受光素子が形成されている面とは反対側の面上に溝部が形成され、前記溝部に前記レーザ素子が配されている構成とすることができる。この構成により、フォトダイオードＩＣをパッケージに搭載する際に安定性が向上するため、組み立てを容易にすることができる。
【００２２】
また、前記フォトダイオードＩＣと前記パッケージとの間にバイパスコンデンサが配されている構成とすることができる。この構成により、バイパスコンデンサを配するスペースを別途設ける必要がなくなり、装置を小型化することができる。
【００２３】
また、前記フォトダイオードＩＣの前記空孔部近傍に、前記光ビームを受光可能なモニタ用受光素子が配されている構成とすることができる。
【００２４】
また、前記遮光領域には受光素子を備えた構成とすることができる。
【００２５】
（実施の形態１）
図１Ａは、実施の形態１における光ピックアップ装置の断面図である。図１Ｂは、光ピックアップ装置の平面図である。図１Ａは、図１ＢにおけるＭ−Ｍ部分の断面を示す。
【００２６】
図１Ａ及び図１Ｂにおいて、光ピックアップ装置は、対物レンズ２、コリメートレンズ３、回折格子４、およびピックアップユニット１０を備えている。対物レンズ２は、コリメートレンズ３で平行光化された光ビームを、ディスク１の情報面に集光する。回折格子４は、反射体１５側から入射する光ビームをコリメートレンズ３側へ透過するとともに、コリメートレンズ３側から入射する戻り光を±１次回折光に回折する。
【００２７】
ピックアップユニット１０は、レーザ素子１１、ＰＤＩＣ１２、受光素子１３ａ，１３ｂ、反射体１５、およびパッケージ１６を備えている。
【００２８】
レーザ素子１１は、所定の波長の光ビームを出射する。また、レーザ素子１１は、ＰＤＩＣ１２における受光素子１３ａ及び１３ｂが配されている面の反対面に固定されている。
【００２９】
ＰＤＩＣ１２は、その上面に受光素子１３ａ及び１３ｂを備えている。また、ＰＤＩＣ１２は、図１Ｂに示すように、受光素子１３ａ及び１３ｂが配されている面からその裏面に至るまで貫通した空孔部１４が形成されている。また、ＰＤＩＣ１２は、パッケージ１６に形成されている突起部１６ａに固定されている。また、ＰＤＩＣ１２の厚みは、０．３ｍｍ程度である。また、ＰＤＩＣ１２には分離層（不図示）が形成され、受光素子１３ａ及び１３ｂと回路部（不図示）とが分離されている。なお、ＰＤＩＣ１２において、受光素子１３ａ及び１３ｂが配されている面を「第１面」と定義し、第１面の反対面を「第２面」と定義する。したがって、レーザ素子１１はＰＤＩＣ１２の第２面に配されている。
【００３０】
受光素子１３ａ及び１３ｂは、ＰＤＩＣ１２の第１面に形成されている。また、受光素子１３ａ及び１３ｂは、回折格子４で回折された±１次回折光を受光する。また、受光素子１３ａ及び１３ｂは、ＰＤＩＣ１２におけるｐ型シリコン基板上にｎ型エピタキシャル層を積層し、ｐｎ接合を形成することで実現している。
【００３１】
空孔部１４は、レーザ素子１１からの光ビームがケラレないよう、１００μｍ径程度の大きさにエッチングもしくは切削されている。
【００３２】
反射体１５は、マイクロミラーで構成され、レーザ素子１１から矢印Ｘ方向へ出射する光ビームを、矢印Ｚに示す方向へ反射する反射面を備えている。また、反射体１５は、パッケージ１６上に固定されている。
【００３３】
パッケージ１６は、レーザ素子１１やＰＤＩＣ１２などピックアップユニット１０を構成している部品をパッケージングする。また、パッケージ１６の底部には、突起部１６ａが一体的に形成され、ＰＤＩＣ１２の下部に空間１６ｂを形成している。
【００３４】
図１Ａ及び図１Ｂにおいて、レーザ素子１１から矢印Ｘに示す方向に出射した光ビームは、反射体１５の反射面により反射され、矢印Ｚに示す方向へ立ち上げられる。立ち上げられた光ビームは、空孔部１４及び回折格子４を透過し、コリメートレンズ３で平行光化される。平行光化された光ビームは、対物レンズ２によって、ディスク１の情報面に集光する。
【００３５】
ディスク１の情報面により反射された光ビーム（戻り光）は、対物レンズ２とコリメートレンズ３とを介して、回折格子４に入射する。回折格子４は、コリメートレンズ３側から入射する戻り光を回折し、±１次回折光としてそれぞれ受光素子１３ａ及び１３ｂ側へ導く。受光素子１３ａ及び１３ｂは、±１次回折光を受光し、光電変換して電気信号（ＲＦ信号）を得る。これにより、ディスク１に記録されている情報を読み取ることができる。
【００３６】
以上のように本実施の形態では、レーザ素子１１が、ＰＤＩＣ１２の第２面上に直接配されていることにより、従来のような保持部材が不要となり、部品点数を少なくすることができる。よって、光ピックアップ装置を小型化することができる。
【００３７】
また、レーザ素子１１がＰＤＩＣ１２の第２面上に配されていることにより、素子サイズが大きなレーザ素子１１を搭載しても、光ピックアップ装置の小型化を実現することができる。すなわち、レーザ光の高出力化に伴ってレーザ素子１１の素子サイズが大型化しても、戻り光に対する受光素子１３ａ及び１３ｂの相対的な位置が変わらないため、光ピックアップ装置の性能を維持しつつ小型化を実現することができる。
【００３８】
また、レーザ素子１１をＰＤＩＣ１２に直接配置したことにより、両者を高い精度で位置合わせすることができる。すなわち、従来のようにレーザ素子とＰＤＩＣとを保持部材を介して配置させる構成では、レーザ素子と保持部材との位置精度と、ＰＤＩＣと保持部材との位置精度の、両方を高くする必要があるため組み立てが困難であったが、本実施の形態ではレーザ素子１１をＰＤＩＣ１２に直接配置する構成としたので、容易に高い位置精度の光ピックアップ装置を実現することができる。
【００３９】
また、ＰＤＩＣ１２に空孔部１４が形成されていることにより、レーザ素子１１の特性劣化を防ぐことができる。すなわち、空孔部１４は、レーザ素子１１が配されている空間１６ｂが、外部に連通するように形成されていることにより、レーザ素子１１を動作させている時に生じる熱を、空孔部１４を介して外側へ逃がすことができる。レーザ素子は、素子温度が高くなるとレーザ光の出力が低下したり、レーザ光が歪むなどの特性劣化が生じるため、本実施の形態のように空孔部１４を介して放熱させることで、レーザ素子１１の特性劣化を防ぐことができる。
【００４０】
なお、図１において、空孔部１４の内径を光ピックアップで用いるレンズの有効円内径と同等としてもよい。このように構成することで、光ピックアップのレンズに取り込まれる光以外は、ＰＤＩＣ１２の受光素子１３ａ及び１３ｂ側へ侵入せずに迷光成分が発生しないので、信号対雑音比の劣化のない高品質の信号を再生することができる光ピックアップ装置を実現することができる。
【００４１】
（実施の形態２）
図２Ａは、実施の形態２における光ピックアップ装置の断面図である。図２Ｂは、光ピックアップ装置の平面図である。図２Ａは、図２ＢにおけるＭ−Ｍ部分の断面を示す。
【００４２】
図２Ａ及び図２Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成要素と同様の構成要素については、同一番号を付与して詳細な説明は省略する。図２Ａ及び図２Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成と異なるのは、迷光対策用受光素子２１ａ及び２１ｂを備えた点である。
【００４３】
迷光対策用受光素子２１ａ及び２１ｂは、ＰＤＩＣ１２の第１面における、空孔部１４の近傍に形成されている。具体的には、図２Ｂに示すように、迷光対策用受光素子２１ａ及び２１ｂは、受光素子１３ａ及び１３ｂの隣で、かつ空孔部１４を挟んで各々対向する位置に形成されている。また、迷光対策用受光素子２１ａ及び２１ｂは、受光素子１３ａ及び１３ｂと同様にｐ型シリコン基板上に、ｎ型エピタキシャル層を積むことにより、ｐｎ接合を形成し、このｐｎ接合を受光素子として利用している。
【００４４】
図２Ａ及び図２Ｂにおいて、レーザ素子１１から矢印Ｘに示す方向に出射した光ビームは、反射体１５の反射面により反射され、矢印Ｚに示す方向へ立ち上げられる。立ち上げられた光ビームは、空孔部１４及び回折格子４を透過し、コリメートレンズ３で平行光化される。平行光化された光ビームは、対物レンズ２によって、ディスク１の情報面に集光する。
【００４５】
ディスク１の情報面により反射された光ビーム（戻り光）は、対物レンズ２とコリメートレンズ３とを介して、回折格子４に入射する。回折格子４は、コリメートレンズ３側から入射する戻り光を回折し、±１次回折光としてそれぞれ受光素子１３ａ及び１３ｂ側へ導く。受光素子１３ａ及び１３ｂは、±１次回折光を受光し、光電変換して電気信号（ＲＦ信号）を得る。これにより、ディスク１に記録されている情報を読み取ることができる。
【００４６】
ここで、ピックアップユニット１０に入射される戻り光のうち、出力信号に寄与しない迷光成分は、迷光対策用受光素子２１ａ及び２１ｂに入射される。
【００４７】
以上のように本実施の形態では、迷光成分が迷光対策用受光素子２１ａ及び２１ｂによって吸収されるため、受光素子１３ａ及び１３ｂへは入射しない。したがって、受光素子１３ａ及び１３ｂで光電変換される信号は、信号対雑音比の劣化がない高品質の信号となる。
【００４８】
（実施の形態３）
図３Ａは、実施の形態３における光ピックアップ装置の断面図である。図３Ｂは、光ピックアップ装置の平面図である。図３Ａは、図３ＢにおけるＭ−Ｍ部分の断面を示す。
【００４９】
図３Ａ及び図３Ｂにおいて、図２Ａ及び図２Ｂに示す構成要素と同様の構成要素については、同一番号を付与して詳細な説明は省略する。また、光ピックアップ装置の基本的な動作は、実施の形態２において説明した動作と同じであるため、説明は省略する。図３Ａ及び図３Ｂにおいて、図２Ａ及び図２Ｂに示す構成と異なるのは、配線パターン２２を備えた点である。
【００５０】
配線パターン２２は、パッケージ１６の内面上に配され、レーザ素子１１及びＰＤＩＣ１２に電流を供給する配線が含まれている。配線パターン２２は、レーザ素子１１及びＰＤＩＣ１２に電気的に接続されているとともに、フレキシブルプリント基板（不図示）を介して、外部の電源回路に接続されている。したがって、電源回路から供給される電流は、フレキシブルプリント基板、配線パターン２２を介して、レーザ素子１１及びＰＤＩＣ１２に供給されている。また、配線パターン２２は、レーザ素子１１及びＰＤＩＣ１２に供給される電流が流れる電流供給ラインとは別の部位で、レーザ素子１１に接触している。
【００５１】
以上のように本実施の形態では、レーザ素子１１は、レーザ素子１１及びＰＤＩＣ１２に電流を供給するための配線パターン２２に接触するように、ＰＤＩＣ１２に保持されている。これにより、レーザ素子１１を動作させている時に発生する熱を、配線パターン２２を介して、ＰＤＩＣ１２側及びパッケージ１６側へ逃がすことができ、レーザ素子１１の特性劣化を防ぐことができる。
【００５２】
また、配線パターン２２を、パッケージ１６にパターンニングすることで、配線用のスペースを省略することができ、光ピックアップ装置の小型化を実現することができる。
【００５３】
（実施の形態４）
図４Ａは、実施の形態４における光ピックアップ装置の断面図である。図４Ｂは、光ピックアップ装置の平面図である。図４Ａは、図４ＢにおけるＭ−Ｍ部分の断面を示す。
【００５４】
図４Ａ及び図４Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成要素と同様の構成要素については、同一番号を付与して詳細な説明は省略する。図４Ａ及び図４Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成と異なるのは、回折格子４に代えて、ホログラム素子２３を備えた点である。なお、便宜上、図４Ｂにおいてホログラム素子２３の描画は省略した。
【００５５】
ホログラム素子２３は、パッケージ１６の上部空孔部を覆うように、固定して配されている。また、ホログラム素子２３は、ガラスなどの光透過性材料で構成されている。また、ホログラム素子２３において、コリメートレンズ３に対向する面には、回折格子部２３ａが形成されている。回折格子部２３ａは、反射体１５側から入射する光ビームをコリメートレンズ３側へ透過し、コリメートレンズ３側から入射する光ビーム（戻り光）を受光素子１３ａ及び１３ｂ側へ回折させる。なお、回折格子部２３ａは、ホログラム素子２３を金型成型する際に同時に形成してもよいし、ホログラム素子２３を形成した後に、ホログラム素子２３とは異なる材料で形成してもよい。
【００５６】
図４Ａ及び図４Ｂにおいて、レーザ素子１１から矢印Ｘに示す方向に出射した光ビームは、反射体１５の反射面により反射され、矢印Ｚに示す方向へ立ち上げられる。立ち上げられた光ビームは、空孔部１４及びホログラム素子２３の回折格子部２３ａを透過し、コリメートレンズ３で平行光化される。平行光化された光ビームは、対物レンズ２によって、ディスク１の情報面に集光する。
【００５７】
ディスク１の情報面により反射された光ビーム（戻り光）は、対物レンズ２とコリメートレンズ３とを介して、ホログラム素子２３の回折格子部２３ａに入射する。回折格子部２３ａは、コリメートレンズ３側から入射する戻り光を回折し、±１次回折光としてそれぞれ受光素子１３ａ及び１３ｂ側へ導く。受光素子１３ａ及び１３ｂは、±１次回折光を受光し、光電変換して電気信号（ＲＦ信号）を得る。これにより、ディスク１に記録されている情報を読み取ることができる。
【００５８】
以上のように本実施の形態では、回折格子部２３ａが形成されているホログラム素子２３を、パッケージ１６に固定して配したことにより、各光学素子に対する回折格子部２３ａの相対的な位置を、簡単かつ高精度に合わせることができる。よって、光ピックアップ装置の組み立てを容易にすることができる。
【００５９】
また、ビームスプリッタやグレーティング素子などの光学素子が不要となるので、部品点数が削減できる。部品点数を削減できることで、光ピックアップ装置の小型化を実現することができる。
【００６０】
なお、ホログラム素子２３は、パッケージ１６の上部空孔部を覆うように配置する構成としたが、パッケージ１６の上部空孔部を一部開放させるように配置する構成としてもよい。このように構成することで、空間１６ｂと外部とを連通させることができるので、レーザ素子１１で発生した熱を、空孔部１４を介して外部に放熱させることができる。よって、レーザ素子１１の特性劣化を防止することができる。
【００６１】
（実施の形態５）
図５Ａは、実施の形態５における光ピックアップ装置の断面図である。図５Ｂは、光ピックアップ装置の平面図である。図５Ａは、図５ＢにおけるＭ−Ｍ部分の断面を示す。
【００６２】
図５Ａ及び図５Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成要素と同様の構成要素については、同一番号を付与して詳細な説明は省略する。図５Ａ及び図５Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成と異なるのは、ＰＤＩＣ１２と反射体１５とを一体化したＰＤＩＣ２４を備えた点である。
【００６３】
ＰＤＩＣ２４は、その上面に受光素子１３ａ及び１３ｂを備えている。また、ＰＤＩＣ２４は、受光素子１３ａ及び１３ｂが配されている面からその裏面に至るまで貫通した空孔部１４が形成されている。また、ＰＤＩＣ２４は、その一部がパッケージ１６に形成されている突起部１６ａに固定されている。また、ＰＤＩＣ２４には分離層（不図示）が形成され、受光素子１３ａ及び１３ｂと回路部（不図示）とが分離されている。また、ＰＤＩＣ２４における受光素子１３ｂ側の第２面は、パッケージ１６の底面に直接固定されている。
【００６４】
また、ＰＤＩＣ２４は、レーザ素子１１から出射するレーザ光を反射する反射部２４ａを、一体的に備えている。反射部２４ａは、ＰＤＩＣ２４に対して独立した部材とし、ＰＤＩＣ２４に接着剤を用いて一体化されている構成としてもよいし、ＰＤＩＣ２４を成型する際に形成する構成でもよい。
【００６５】
また、ＰＤＩＣ２４は、半導体基板として、＜１１０＞方向を軸として５°〜１５°のオフアングルを有する（１００）面シリコン半導体基板が用いられる。その半導体基板を、酸化膜等のエッチングマスクを用いて、水酸化カリウム系エッチング液等により異方正エッチングを行うことにより、（１１１）面を斜面とする段差を形成させることが可能である。この場合、半導体基板の主面に対し、３９°〜４９°の角度を持った面を有する反射部２４ａを形成することができる。また、反射部２４ａにおける（１１１）面を反射面として用いるために、斜面の上に高反射率コーティング薄膜（例えば、Ａｕ  約３０００Å）が形成されている。これにより、反射部２４ａの反射面の反射率を９９％以上にすることができる。なお、ＰＤＩＣ２４に、オフアングルを有するシリコン基板を用いれば、ＰＤＩＣ２４の第２面に反射面を形成することができる。
【００６６】
図５Ａ及び図５Ｂにおいて、レーザ素子１１から矢印Ｘに示す方向に出射した光ビームは、反射部２４ａの反射面により反射され、矢印Ｚに示す方向へ立ち上げられる。立ち上げられた光ビームは、空孔部１４及び回折格子４を透過し、コリメートレンズ３で平行光化される。平行光化された光ビームは、対物レンズ２によって、ディスク１の情報面に集光する。
【００６７】
ディスク１の情報面により反射された光ビーム（戻り光）は、対物レンズ２とコリメートレンズ３とを介して、回折格子４に入射する。回折格子４は、コリメートレンズ３側から入射する戻り光を回折し、±１次回折光としてそれぞれ受光素子１３ａ及び１３ｂ側へ導く。受光素子１３ａ及び１３ｂは、±１次回折光を受光し、光電変換して電気信号（ＲＦ信号）を得る。これにより、ディスク１に記録されている情報を読み取ることができる。
【００６８】
以上のように本実施の形態では、ＰＤＩＣ２４と反射部２４ａとが一体化されているため、反射部２４ａをパッケージ１６に対して位置調整することが不要となり、光ピックアップ装置の組み立てを容易にすることができる。
【００６９】
また、部品点数を削減することができるので、コストダウンすることができる。
【００７０】
（実施の形態６）
図６Ａは、実施の形態６における光ピックアップ装置の断面図である。図６Ｂは、光ピックアップ装置の平面図である。図６Ａは、図６ＢにおけるＭ−Ｍ部分の断面を示す。図６Ｃは、実施の形態６におけるＰＤＩＣの斜視図である。
【００７１】
図６Ａ〜図６Ｃにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成要素と同様の構成要素については、同一番号を付与して詳細な説明は省略する。また、光ピックアップ装置の基本的な動作は、実施の形態５において説明した動作と同じであるため、説明は省略する。図６Ａ及び図６Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成と異なるのは、ＰＤＩＣ１２と反射体１５とを一体化したＰＤＩＣ２５に、レーザ素子１１を保持するための溝２５ｂを備えた点である。
【００７２】
ＰＤＩＣ２５は、受光素子１３ａ及び１３ｂと、空孔部１４と、反射部２５ａと、レーザ素子１１を保持するための溝２５ｂとを備えている。受光素子１３ａ及び１３ｂ、空孔部１４、および反射部２５ａの構成や配置については、実施の形態５と同様であるため説明を省略する。ＰＤＩＣ２５において、受光素子１３ａが形成されている面に対向する第２面には、溝部２５ｂが形成されている。また、図６Ｃに示すように、溝部２５ｂの近傍には、ＰＤＩＣ２５をパッケージ１６内に配置させた際に、ＰＤＩＣ２５の底部に当接する当接部２５ｃが形成されている。したがって、ＰＤＩＣ２５は、受光素子１３ａ及び１３ｂに対向する第２面において、パッケージ１６の底部に直接当接するため、パッケージ１６にはＰＤＩＣ２５を支持する突起部が形成されていない。よって、ＰＤＩＣ２５は、溝部２５ｂを除く厚みは均一になっている。
【００７３】
以上のように本実施の形態では、溝部２５ｂを除くＰＤＩＣ２５の厚みが均一となっているため、ＰＤＩＣ２５をパッケージ１６に実装する際の安定性が向上するので、容易に組み立てることができる。
【００７４】
また、パッケージ１６の底部にＰＤＩＣ２５を支持する部材（図１に示す突起部１６ａ）を形成する必要がないため、パッケージ１６の成型を簡単にすることができるとともに、コストダウンすることができる。
【００７５】
（実施の形態７）
図７Ａは、実施の形態７における光ピックアップ装置の断面図である。図７Ｂは、光ピックアップ装置の平面図である。図７Ａは、図７ＢにおけるＭ−Ｍ部分の断面を示す。
【００７６】
図７Ａ〜図７Ｃにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成要素と同様の構成要素については、同一番号を付与して詳細な説明は省略する。また、光ピックアップ装置の基本的な動作は、実施の形態１において説明した動作と同じであるため、説明は省略する。図７Ａ及び図７Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成と異なるのは、バイパスコンデンサ２６を備えた点である。
【００７７】
バイパスコンデンサ２６は、ＰＤＩＣ１２とパッケージ１６とで形成される空間１６ｂ内に配されており、本実施の形態ではＰＤＩＣ１２における受光素子１３ｂが配されている面に対向する第２面側に配されている。また、バイパスコンデンサ２６は、ＰＤＩＣ１２とパッケージ１６とに電気的に接続されている。
【００７８】
以上のように本実施の形態では、バイパスコンデンサ２６によってＰＤＩＣ１２とパッケージ１６とが電気的に接続されている構成とすることにより、確実にＰＤＩＣ１２の発振を防ぐことができる。
【００７９】
また、バイパスコンデンサ２６がＰＤＩＣ１２の直下に配置されていることにより、バイパスコンデンサ２６に充てるスペースを別途設ける必要がないため、光ピックアップ装置を小型化することができる。
【００８０】
（実施の形態８）
図８Ａは、実施の形態８における光ピックアップ装置の断面図である。図８Ｂは、光ピックアップ装置の平面図である。図８Ａは、図８ＢにおけるＭ−Ｍ部分の断面を示す。
【００８１】
図８Ａ〜図８Ｃにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成要素と同様の構成要素については、同一番号を付与して詳細な説明は省略する。また、光ピックアップ装置の基本的な動作は、実施の形態１において説明した動作と同じであるため、説明は省略する。図８Ａ及び図８Ｂにおいて、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成と異なるのは、モニタ用受光素子２７ａ及び２７ｂを備えた点である。
【００８２】
モニタ用受光素子２７ａ及び２７ｂは、反射体１５により反射された光ビームのうち、回折格子４に入射しない光成分を受光し、電気信号に変換するものである。また、モニタ用受光素子２７ａ及び２７ｂは、空孔部１４内に受光面が位置するように、ＰＤＩＣ１２に一体的に形成されている。
【００８３】
モニタ用受光素子２７ａ及び２７ｂから出力される電気信号は、レーザ素子１１のパワー制御を行う制御回路（不図示）へ伝送され、制御回路では入力される電気信号に基づき、レーザ素子１１から出射する光ビームを所定のパワーになるように制御を行う
以上のように本実施の形態では、レーザ素子１１から出射する光ビームがモニタ用受光素子２７ａ及び２７ｂで受光されるため、レーザ素子１１の出射パワーを精度よく制御することができる光ピックアップ装置を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明にかかるピックアップユニットは、簡単な製造方法で作成でき、光ピックアップ装置全体の小型化を実現し、レーザの高出力化に伴う素子サイズの大型化が可能となるので、光ディスクシステム、たとえばコンパクトディスクシステムやビデオディスクシステムにおいて使用されるピックアップユニットとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１Ａ】実施の形態１における光ピックアップ装置の構成を示す断面図
【図１Ｂ】実施の形態１における光ピックアップ装置の構成を示す平面図
【図２Ａ】実施の形態２における光ピックアップ装置の構成を示す断面図
【図２Ｂ】実施の形態２における光ピックアップ装置の構成を示す平面図
【図３Ａ】実施の形態３における光ピックアップ装置の構成を示す断面図
【図３Ｂ】実施の形態３における光ピックアップ装置の構成を示す平面図
【図４Ａ】実施の形態４における光ピックアップ装置の構成を示す断面図
【図４Ｂ】実施の形態４における光ピックアップ装置の構成を示す平面図
【図５Ａ】実施の形態５における光ピックアップ装置の構成を示す断面図
【図５Ｂ】実施の形態５における光ピックアップ装置の構成を示す平面図
【図６Ａ】実施の形態６における光ピックアップ装置の構成を示す断面図
【図６Ｂ】実施の形態６における光ピックアップ装置の構成を示す平面図
【図６Ｃ】実施の形態６におけるＰＤＩＣの構成を示す斜視図
【図７Ａ】実施の形態７における光ピックアップ装置の構成を示す断面図
【図７Ｂ】実施の形態７における光ピックアップ装置の構成を示す平面図
【図８Ａ】実施の形態８における光ピックアップ装置の構成を示す断面図
【図８Ｂ】実施の形態８における光ピックアップ装置の構成を示す平面図
【図９Ａ】従来の光ピックアップ装置の構成を示す断面図
【図９Ｂ】従来の光ピックアップ装置の構成を示す平面図
【図１０】特許文献１に記載のホログラム光ヘッドの構成を示す模式図
【符号の説明】
【００８６】
２  対物レンズ
３  コリメートレンズ
４  回折格子
１０  ピックアップユニット
１１  レーザ素子
１２、２４、２５  ＰＤＩＣ
１３ａ、１３ｂ  受光素子
１４  空孔部
１５、２４ａ、２５ａ  反射体
１６  パッケージ
２１ａ、２１ｂ  迷光対策用受光素子
２２  配線パターン
２３  ホログラム素子
２５ｂ  溝部
２６  バイパスコンデンサ
２７ａ、２７ｂ  モニタ用受光素子
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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