(57)【要約】      （修正有）【課題】塗布膜形成用の単位ブロックに退避モジュールを設けることにより、インターフェイスアームの設置数を軽減して、製造コストの削減と装置のフットプリントの縮小化を図ること。【解決手段】例えばＣＯＴ層Ｂ３に、塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３の数よりも１枚多い枚数のウエハを退避することができる退避モジュールＢＦ３１〜３４を設ける。ＣＯＴ層Ｂ３では、温調モジュールＣＰＬ３、ＣＯＴ１〜ＣＯＴ３、加熱冷却モジュールＬＨＰ３、ＢＦ３１〜３４の搬送経路でウエハを搬送し、露光装置の処理速度がＣＯＴ層Ｂ３の処理速度よりも小さいときに、前記ＣＰＬ３の下流側のモジュールに置かれたウエハの総数が、前記ＣＰＬ３の次のモジュールから退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりも１枚多い数になるように、メインアームによりウエハを搬送する。【選択図】図１２
2008141134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールと、
塗布膜形成用の単位ブロックでは、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で前記温調モジュール側から前記退避モジュール側へ向けて基板を搬送すると共に、露光装置の処理速度が塗布膜形成用の単位ブロックの処理速度よりも小さいときに、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。  
【請求項２】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールと、
塗布膜形成用の単位ブロック内において、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で基板を搬送すると共に、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、
かつ前記露光装置に異常が発生したときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロックでの通常の処理が行われた後、前記退避モジュールに各基板を退避するように当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御すると共に、
当該単位ブロック外への基板の搬出と、当該単位ブロック内への基板の搬入とを禁止するための制御指令を出力する制御部と、を備えることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項３】
前記加熱冷却モジュールは、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールとの２つのモジュールにより構成され、前記制御部は、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりも（ｎ−１）枚多い数になるように、当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御することを特徴とする請求項１又は２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記退避モジュールに退避する基板が１枚増えたときに、前記基板搬送手段による前記温調モジュールからの基板の払い出しを停止するように、前記基板搬送手段を制御する手段を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記退避モジュールから下流側のモジュールへの基板の搬送が開始されたときに、前記基板搬送手段による前記温調モジュールからの基板の払い出しを開始するように、前記基板搬送手段を制御する手段を備えることを特徴とする請求項４記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
前記１個又は複数個の塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックの各単位ブロックに設けられ、他の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための受け渡し部と、
各単位ブロックの受け渡し部同士の間で基板の受け渡しを行なう受け渡し手段と、を備え、
前記退避モジュールは、塗布膜形成用の単位ブロックの基板搬送手段と、前記受け渡し手段とにより基板の受け渡しを行うように設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、を設けると共に、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールを設け、当該単位ブロックでは、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で前記温調モジュール側から前記退避モジュール側へ向けて基板を搬送すると共に、露光装置の処理速度が塗布膜形成用の単位ブロックの処理速度よりも小さいときに、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、基板搬送手段により基板を搬送することを特徴とする塗布、現像方法。  
【請求項８】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、を設けると共に、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールを設け、当該単位ブロック内において、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で基板を搬送すると共に、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、かつ前記露光装置に異常が発生したときに、当該単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロックでの通常の処理が行われた後、前記退避モジュールに各基板を退避するように、基板搬送手段により基板を搬送する工程と、
前記塗布膜形成用の単位ブロック外への基板の搬出を禁止する工程と、
前記塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止する工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項９】
前記加熱冷却モジュールは、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールとの２つのモジュールにより構成され、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりも（ｎ−１）枚多い数になるように、基板搬送手段による基板の搬送が行なわれることを特徴とする請求項７又は８記載の塗布、現像装置。
【請求項１０】
複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項７ないし９のいずれか一に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により、基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。
【０００３】
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。ここで前記レジストパターン形成装置としては例えば特許文献１に示す装置が提案されている。この装置では、例えば図１５に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂ内において、例えば反射防止膜形成モジュールに搬送されて、ウエハＷ表面に反射防止膜が形成され、次いで塗布モジュール１３Ａに搬送されて、前記反射防止膜の上にレジスト液が塗布される。この後ウエハＷはインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送され、露光処理後のウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像モジュール１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。なお前記反射防止膜形成モジュールは図示されていないが、このモジュールは例えば塗布モジュール１３Ａや現像モジュール１３Ｂの下段側に設けられている。
【０００４】
図中１４（１４ａ〜１４ｃ）は、反射防止膜形成モジュール、塗布モジュール１３Ａや現像モジュール１３Ｂにおける処理の前後にウエハＷに対して所定の加熱処理や冷却処理を行うための加熱モジュールや冷却モジュール、受け渡しステージ等を備えた棚モジュールである。ここでウエハＷは処理ブロック１Ｂに設けられた２つの搬送手段１５Ａ，１５Ｂにより、反射防止膜形成モジュールと塗布モジュール１３Ａと現像モジュール１３と棚モジュール１４Ａ〜１４Ｃの各部等の、処理ブロック１Ｂ内においてウエハＷが置かれるモジュール間を搬送されるようになっている。この際、ウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、特許文献１に記載されるように、処理予定の全てのウエハＷについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って搬送される。
【０００５】
ところで上述の塗布、現像装置には、インターフェイスブロック１Ｃに複数枚のウエハＷを退避させるためのバッファ１６が設けられている。このバッファ１６は、前記処理ブロック１Ｂの処理速度と、露光装置１Ｄの処理速度とが異なる場合に、これらの処理速度の差を吸収するために用いられるものであり、具体的には、例えば処理ブロック１Ｂの処理速度が露光装置１Ｄの処理速度よりも早い場合に、処理ブロック１ＢからのウエハＷをバッファ１６に搬送し、露光装置１Ｄに搬送するタイミングまでここで待機させておくことが行われている。
【０００６】
また前記バッファ１６は、露光装置１Ｄが何らかの原因で停止したときに、処理ブロック１Ｂ内の全てのウエハＷを収納できるように構成されている。つまりバッファ１６には処理ブロック１Ｂ内の全モジュール数よりも多い枚数のウエハＷを収納できるようになっていて、例えば前記全モジュール数が１４個である場合には、１６枚のウエハＷを収納できるように構成されている。このように構成するのは、露光装置１Ｄが停止した場合、先ず処理ブロック１Ｂ内へのウエハＷの受け渡しを禁止するが、元々処理ブロック１Ｂ内にあるウエハＷについては、露光処理を行う前の処理を全て行ってから前記バッファ１６に搬送し、ここで露光装置１Ｄが復帰するまで待機させるためである。このように露光処理を行う前の処理を全て行っておくことにより、バッファ１６に待機させておくウエハＷについては露光処理の前段階の塗布膜の状態が全て同じ状態となり、またこの状態で待機させておいても塗布膜の品質を悪化させることはないので、露光装置１Ｄの運転が再開された時点で露光処理を行うことにより、塗布膜形成処理をそのまま続行でき、歩留まりの低下が抑えられる。
【０００７】
ところで、インターフェイスブロック１ＣにウエハＷの収容枚数の多いバッファ１６を配置すると、インターフェイスブロック１Ｃの搬送アームの負荷が増大することから、上述の塗布、現像装置においては、目標のスループットを達成するために、インターフェイスブロック１Ｃを第１の搬送室１７Ａと、第２の搬送室１７Ｂとの２つの搬送室から構成し、夫々の搬送室１７Ａ,１７Ｂに搬送アーム１８Ａ,１８Ｂを配置して、搬送工程の分担化を図っている。しかしながら、インターフェイスブロック１Ｃに収容枚数の多い大型のバッファ１６を設け、さらに２つの搬送アーム１８Ａ,１８Ｂを配置するという構成では、当該インターフェイスブロック１Ｃのフットプリントが増大してしまうという問題や、搬送アーム１８Ａ,１８Ｂが多いので製造コストや、運転コストが増大してしまうという問題がある。
【０００８】
ところで塗布、現像装置の処理速度をさらに増大させるため、本発明者らは、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を軽減して搬送効率を高め、これにより塗布、現像装置のスループットを高めることを検討している。このように、塗布処理を行うエリアと、現像処理を行うエリアを夫々上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設ける構成は特許文献２に記載されている。
【０００９】
しかしながらこのような構成においても、各エリア内では搬送手段により搬送スケジュールに沿ってウエハＷの搬送が行われているので、露光装置の処理速度と塗布、現像装置の処理速度とが異なる場合には、上述と同様の問題が発生するおそれがあるが、この点については特許文献２には何ら記載されていない。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−１９３５９７号公報
【特許文献２】特開２００６−２０３０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、塗布膜形成用の単位ブロックに退避モジュールを設けることにより、インターフェイスブロックの搬送アームの設置数を軽減して、製造コストの削減、及び装置のフットプリントの縮小化を図ることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このため本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールと、
塗布膜形成用の単位ブロックでは、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で前記温調モジュール側から前記退避モジュール側へ向けて基板を搬送すると共に、露光装置の処理速度が塗布膜形成用の単位ブロックの処理速度よりも小さいときに、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。ここで前記塗布膜形成用の単位ブロックの処理速度とは、前記搬送スケジュールの搬送サイクルの１サイクルを実施するために要する時間をいう。
【００１３】
ここで前記加熱冷却モジュールとは、基板を加熱する加熱部とこの加熱部の外側に設けられた、基板の加熱を行わずに基板を待機させる待機領域と、これらの間で基板の搬送を行なう搬送手段と、を含むものをいい、基板の加熱を行わない場合も「基板を冷却する」に含まれるものとする。前記加熱部としては、基板を載置して加熱する加熱プレートや、基板をその内部に載置して加熱するための加熱室等が含まれる。また前記待機領域は、基板を載置して冷却する冷却プレートであってもよい。前記搬送手段により基板を加熱部の外側にて保持する構成であってもよいし。前記搬送手段としては、冷却プレートを兼用するものであってもよいし、複数本のワイヤにて基板を保持し、搬送するものであってもよい。
【００１４】
また本発明の塗布、現像装置は、前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールと、
塗布膜形成用の単位ブロック内において、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で基板を搬送すると共に、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、かつ前記露光装置に異常が発生したときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロックでの通常の処理が行われた後、前記退避モジュールに各基板を退避するように当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御すると共に、当該単位ブロック外への基板の搬出と、当該単位ブロック内への基板の搬入とを禁止するための制御指令を出力する制御部と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
ここで前記加熱冷却モジュールを、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールとの２つのモジュールにより構成し、前記制御部は、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりも（ｎ−１）枚多い数になるように、当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御するものであってもよい。
【００１６】
また前記制御部は、前記退避モジュールに退避する基板が１枚増えたときに、前記基板搬送手段による前記温調モジュールからの基板の払い出しを停止するように、前記基板搬送手段を制御する手段を備えるように構成されていてもよいし、前記退避モジュールから下流側のモジュールへの基板の搬送が開始されたときに、前記基板搬送手段による前記温調モジュールからの基板の払い出しを開始するように、前記基板搬送手段を制御する手段を備えるものであってもよい。
【００１７】
また本発明では、前記１個又は複数個の塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックの各単位ブロックに設けられ、他の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための受け渡し部と、各単位ブロックの受け渡し部同士の間で基板の受け渡しを行なう受け渡し手段とを設け、前記退避モジュールを、塗布膜形成用の単位ブロックの基板搬送手段と、前記受け渡し手段とにより基板の受け渡しが行われるように構成してもよい。
【００１８】
さらに本発明の塗布、現像方法は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、を設けると共に、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールを設け、当該単位ブロックでは、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で前記温調モジュール側から前記退避モジュール側へ向けて基板を搬送すると共に、露光装置の処理速度が塗布膜形成用の単位ブロックの処理速度よりも小さいときに、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、基板搬送手段により基板を搬送することを特徴とする。
【００１９】
さらに本発明の塗布、現像方法は、前記塗布膜形成用の単位ブロックに、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、を設けると共に、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールを設け、当該単位ブロック内において、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で基板を搬送すると共に、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、かつ前記露光装置に異常が発生したときに、当該単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロックでの通常の処理が行われた後、前記退避モジュールに各基板を退避するように、基板搬送手段により基板を搬送する工程と、
前記塗布膜形成用の単位ブロック外への基板の搬出を禁止する工程と、
前記塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
ここで前記加熱冷却モジュールを、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールとの２つのモジュールにより構成し、塗布膜形成用の単位ブロック内では、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりも（ｎ−１）枚多い数になるように、基板搬送手段による基板の搬送を行なうようにしてもよい。
【００２１】
さらに本発明の記憶媒体は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、既述の塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、塗布膜形成用の単位ブロックに退避モジュールを設けているので、塗布膜形成用の単位ブロックの処理速度が露光装置の処理速度よりも大きい場合であっても、塗布膜形成用の単位ブロックにて処理された基板を前記退避モジュールにて露光装置に搬送するまで待機させておくことにより、塗布膜形成用の単位ブロックと露光装置の処理速度の差を吸収できる。このためインターフェイスブロックに退避モジュールを設ける場合に比べてインターフェイスアームの負荷が軽減するので、インターフェイスアームが少なくて済み、製造コストの削減を図ることができる。またインターフェイスアームが少なくて済むことから、インターフェイスブロックのフットプリントの縮小化を図ることができる。
【００２３】
さらに塗布膜形成用の単位ブロック内において、液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールを設け、温調モジュール、液処理モジュール、加熱冷却モジュール、退避モジュールの順番で、温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、かつ前記露光装置に異常が発生したときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロックでの通常の処理が行われた後、前記退避モジュールに各基板を退避するように基板を搬送することにより、露光装置に異常が発生した場合であっても、当該塗布膜形成用の単位ブロック内において基板に対して予定した処理を最後まで行うことができ、基板の歩留まりの低下を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
先ず本発明の塗布、現像装置の実施の形態に係るレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個の単位ブロックＢ１〜Ｂ４を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００２５】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ２の温調モジュールＣＰＬ２と、単位ブロックＢ１の受け渡しステージＴＲＳ１１，ＴＲＳ１２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００２６】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、現像処理を行うための第１の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト膜の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第４の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４として割り当てられており、これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ４は夫々区画されている。前記第２〜第４の単位ブロックＢ２〜Ｂ４は、塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
【００２７】
これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ４は夫々同様に構成され、ウエハＷに対して塗布液を塗布するための液処理モジュールと、前記液処理モジュールにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための加熱冷却モジュールや温調モジュール等の各種の処理モジュールと、前記液処理モジュールと各種の処理モジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ４と、を備えている。また各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の間で、前記液処理モジュールと、加熱モジュールと、温調モジュールと、メインアームＡ１〜Ａ４との配置レイアウトが同じになるように構成されている。ここで配置レイアウトが同じであるとは、各処理モジュールやメインアームＡ１〜Ａ４におけるウエハＷを載置する中心が同じという意味である。
【００２８】
さらに各単位ブロックＢ１〜Ｂ４のキャリアブロックＳ１と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣと各メインアームＡ１〜Ａ４がアクセスできる位置に棚モジュールＵ２が設けられている。この棚モジュールＵ２には、例えば単位ブロック毎に、他の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための第１の受け渡し部が設けられており、進退自在及び昇降自在に構成された受け渡し手段をなす受け渡しアームＤにより、棚モジュールＵ２に設けられた各受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。さらにまたＤＥＶ層Ｂ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１がアクセスできる位置に棚モジュールＵ３が設けられていて、この棚モジュールＵ３は後述するインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行なうための第２の受け渡し部を備えている。
【００２９】
一方処理ブロックＳ２における棚モジュールＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、前記ＤＥＶ層Ｂ１の棚モジュールＵ３の第２の受け渡し部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されたインターフェイスアームＦが設けられている。
【００３０】
続いて前記単位ブロックＢ１〜Ｂ４の構成について、先ずＣＯＴ層Ｂ３を例にして図３〜図５に基づいて説明する。このＣＯＴ層Ｂ３のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ３の長さ方向（図１，図４中Ｙ方向）にウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、レジスト液の塗布を行うための複数個の塗布モジュールを備えた塗布処理部３１が設けられている。
【００３１】
この塗布処理部３１は、複数個例えば３個の液処理モジュールをなす塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３が共通の処理容器３０の内部に、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むようにＹ方向に配列された状態で収納されている。各塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３は、例えばスピンチャック上に水平に吸着保持されたウエハＷに対して、共通の薬液ノズルから塗布液であるレジスト液を供給すると共に、ウエハＷを回転させることによってレジスト液をウエハＷの全面に行き渡らせ、こうしてウエハＷの表面にレジスト液を塗布するように構成されている。前記処理容器３０は、各塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３に対応する位置にウエハＷの搬送口３３Ａ〜３３Ｃ（図５参照）を備えており、ウエハＷは各々の搬送口３３Ａ〜３３Ｃを介して対応する塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３とメインアームＡ３との間で搬送されるようになっている。
【００３２】
またこの塗布処理部３１の搬送領域Ｒ１の向い側には、処理モジュールを例えば２段×４列に設けた棚モジュールＵ１が設けられており、この図では塗布モジュール３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理モジュールが設けられている。上述の各種処理モジュールの中には、レジスト液塗布後のウエハＷに対して加熱処理を行い、次いで冷却処理を行う加熱冷却モジュールＬＨＰ３や、ウエハＷを所定の温度に温調する温調モジュールＣＰＬ３、周縁露光装置（ＷＥＥ）等を備えている。
【００３３】
前記加熱冷却モジュールＬＨＰ３としては、例えばウエハＷをその上に載置して加熱するための加熱プレート３４と、搬送アームを兼用する冷却プレート３５とを備え、メインアームＡ３と加熱プレート３４との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート３５により行なう、つまり加熱冷却を１つのモジュール（モジュール）にて行うことができる構成の装置が用いられる。また温調モジュールＣＰＬ３としては、例えば水冷方式にて冷却される冷却プレートを備える装置が用いられる。これら加熱冷却モジュールＬＨＰ３や温調モジュールＣＰＬ３等の各モジュールは、図５に示すように、夫々処理容器３６内に収納されており、各処理容器３６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口３７が形成されている。
【００３４】
ＣＯＴ層Ｂ３の棚モジュールＵ２には、前記第１の受け渡し部として、複数枚のウエハＷを退避させるための退避モジュールＢＦ３と、ウエハ温度を所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ３とが積層して設けられており、これら退避モジュールＢＦ３と温調モジュールＣＰＬ３に対しては、ＣＯＴ層Ｂ３のメインアームＡ３と受け渡しアームＤとがアクセスできるように構成されている。前記退避モジュールＢＦ３は、この退避モジュールＢＦ３が設けられている単位ブロックＡ３におけるウエハＷの収容枚数に応じた枚数のウエハＷを載置して収容するように構成されている。前記単位ブロックＡ３におけるウエハＷの収容枚数に応じた枚数とは、塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３よりもｎ枚多い枚数であるが、以下ではｎ＝１の場合を例として説明する。このため前記退避モジュールＢＦ３は、４個の載置ステージ４１〜４４を備えており、４枚のウエハＷが退避できるようになっている。この例では各載置ステージ４１〜４４には、ウエハＷの裏面側を保持する複数個例えば３個の突起が、メインアームＡ３と受け渡しアームＤとが進入してきたときに、これらと干渉しない位置に形成されている。
【００３５】
続いて前記搬送領域Ｒ１に設けられたメインアームＡ３について説明する。このメインアームＡ３は、当該ＣＯＴ層Ｂ３内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚モジュールＵ１の各処理モジュール、塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３、棚モジュールＵ２の各受け渡し部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。
【００３６】
このメインアームＡ３は、図３〜図５に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム５１，５２を備えており、これら保持アーム５１，５２は基台５３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また基台５３は、搬送基体５５上に回転機構５４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。図中５６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向（図１中Ｙ方向）に伸びるガイドレール５６、図中５７は昇降用ガイドレールであり、前記搬送基体５５は、この昇降用ガイドレール５７に沿って昇降自在に構成されている。また前記昇降用ガイドレール５７の下端部はガイドレール５６の下方を潜って係止されており、昇降用ガイドレール５７がガイドレール５６に沿って横方向に移動することで、搬送基体５５が搬送領域Ｒ１を横方向に移動できるようになっている。ここで昇降用ガイドレール５７は、棚モジュールＵ１の各処理モジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うときに、保持アーム５１，５２と干渉しないように、保持アーム５１，５２が進退する位置からずれた位置において搬送基体５５に設けられている。
【００３７】
なお他の単位ブロックについて簡単に説明すると、前記塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４はいずれも同様に構成されており、ＢＣＴ層Ｂ２は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜形成用の塗布液を供給して、第１の反射防止膜を形成するための複数個例えば３個の第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３を備えた第１の反射防止膜形成処理部が設けられている。棚モジュールＵ１には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱プレート上に載置して加熱処理を行い、次いで冷却プレートにより保持して冷却処理を行う加熱冷却モジュールＬＨＰ２と、ウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ２等を備えている。また棚モジュールＵ２には、第１の受け渡し部として、第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３の数よりも１枚多い枚数、この例では４枚のウエハＷを退避させる退避モジュールＢＦ２と、ウエハＷを所定温度に調整すると共に、キャリアブロックＳ１との間でのウエハＷの受け渡しにも用いられる温調モジュールＣＰＬ２とが設けられ、これらモジュールの間でメインアームＡ２によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００３８】
さらにＴＣＴ層Ｂ４は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜形成用の塗布液を供給して、第２の反射防止膜を形成するための複数個例えば３個の第２の反射防止膜形成モジュールＴＣＴ１〜ＴＣＴ３を備えた第２の反射防止膜形成処理部が設けられている。また、棚モジュールＵ１には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱プレート上に載置して加熱処理を行い、次いで冷却プレートにより保持して冷却処理を行う加熱冷却モジュールＬＨＰ４と、ウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ４と、周縁露光装置ＷＥＥ等を備えている。また棚モジュールＵ２には、第１の受け渡し部として、第２の反射防止膜形成モジュールＴＣＴ１〜ＴＣＴ３の数よりも１枚多い枚数、この例では４枚のウエハＷを退避させる退避モジュールＢＦ４と、温調モジュールＣＰＬ４とが設けられ、これらモジュールの間でメインアームＡ４によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００３９】
またＤＥＶ層Ｂ１は、図１、図３及び図６に示すように、棚モジュールＵ１が３段×４列に構成され、棚モジュールＵ３を備えていて、シャトルアームＥが設けられている以外は、上述のＣＯＴ層Ｂ３とほぼ同様に構成されており、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して塗布液である現像液を供給して現像処理を行うための現像処理部３２が２段に設けられ、この現像処理部３２の１段には、例えば３個の現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ３が設けられている。棚モジュールＵ１には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングモジュールなどと呼ばれている加熱モジュール（ＰＥＢ１）、この加熱モジュール（ＰＥＢ１）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却モジュール（ＣＯＬ１）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングモジュール等と呼ばれている加熱モジュール（ＰＯＳＴ１）、この加熱モジュール（ＰＯＳＴ１）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュール（ＣＰＬ１）等が含まれている。前記第１及び第２の反射防止膜形成処理部や現像処理部３２は、塗布処理部３１とほぼ同様に構成されている。
【００４０】
また棚モジュールＵ２には、第１の受け渡し部として、上段側に温調モジュールＣＰＬ１１が設けられると共に、その下段側に例えば２個の受け渡しステージＴＲＳ１１，１２が設けられている。さらに棚モジュールＵ３には、第２の受け渡し部として、棚モジュールＵ２の温調モジュールＣＰＬ１１と搬送領域Ｒ１を挟んで対向する位置に温調モジュールＣＰＬ１２が設けられると共に、その下段側に１個の受け渡しステージＴＲＳ１３と１個の温調モジュールＣＰＬ１３とが設けられている。前記棚モジュールＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１１，１２は、キャリアブロックＳ１との間でのウエハＷの受け渡しに用いられるものであり、棚モジュールＵ３の受け渡しステージＴＲＳ１３はインターフェイスブロックＳ３との間でのウエハＷの受け渡しに用いられるものである。
【００４１】
前記シャトルアームＥは、図１、図３及び図６に示すように、例えばＤＥＶ層Ｂ１内の上部空間において、棚モジュールＵ２の温調モジュールＣＰＬ１１と、棚モジュールＵ３の温調モジュールＣＰＬ１２との間でウエハＷの搬送を行なうための専用の搬送手段である。このシャトルアームＥは、図６に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持し、基台６２に沿って進退するための１本の保持アーム６１を備えており、前記基台６２は、搬送基体６４上に回転機構６３を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。前記搬送基体６４は、例えば棚モジュールＵ１の上部側に、棚モジュールの長さ方向（図中Ｙ方向）に沿って設けられた支持部材６６の搬送領域Ｒ１に臨む面に、搬送領域Ｒ１の長さ方向に伸びるように設けられたガイドレール６５に沿って、前記長さ方向に移動するように構成され、こうして前記棚モジュールＵ２の温調モジュールＣＰＬ１１と棚モジュールＵ３の温調モジュールＣＰＬ１２とにアクセスし、これらモジュールの間でウエハＷの搬送を行なうように構成されている。
【００４２】
このようなこのレジストパターン形成装置において、塗布膜として、第１の反射防止膜とレジスト膜を形成する場合を例にして、図７を用いてウエハＷの流れを簡単に説明する。ここで図中退避モジュールＢＦ２、ＢＦ３、ＢＦ４の点線部分は、ウエハＷが退避される載置ステージを示している。先ず外部からキャリアブロックＳ１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣにより棚モジュールＵ２の温調モジュールＣＰＬ２を介してＢＣＴ層Ｂ２に受け渡され、メインアームＡ２→第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３→メインアームＡ２→加熱冷却モジュールＬＨＰ２の経路で搬送され、第１の反射防止膜が形成される。
【００４３】
続いて加熱冷却モジュールＬＨＰ２のウエハＷは、メインアームＡ２により例えば棚モジュールＵ２の退避モジュールＢＦ２の載置ステージ４１→受け渡しアームＤ→棚モジュールＵ２の温調モジュールＣＰＬ３→ＣＯＴ層Ｂ３のメインアームＡ３→塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３→メインアームＡ３→加熱冷却モジュールＬＨＰ３→メインアームＡ３→周縁露光装置ＷＥＥの経路で搬送され、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。
【００４４】
次いでウエハＷは、棚モジュールＵ２の退避モジュールＢＦ３の載置ステージ４１→受け渡しアームＤ→棚モジュールＵ２の温調モジュールＣＰＬ１１→シャトルアームＥ→棚モジュールＵ３の温調モジュールＣＰＬ１２まで搬送される。次いでウエハＷはインターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦを介して露光装置Ｓ４に搬送されて、所定の露光処理が行われる。
【００４５】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＦ→棚モジュールＵ３の受け渡しステージＴＲＳ１３→メインアームＡ１の経路によりＤＥＶ層Ｂ１に搬送され、当該ＤＥＶ層Ｂ１にて、加熱モジュールＰＥＢ１→冷却モジュールＣＯＬ１→現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ３→加熱モジュールＰＯＳＴ１→温調モジュールＣＰＬ１の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、棚モジュールＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１１又はＴＲＳ１２を介してトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００４６】
そして上述のレジストパターン形成装置は、各処理モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理モジュールにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ４、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェイスアームＦの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えている。この制御部１００は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、各処理モジュールにおける処理やウエハＷの搬送等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そしてこれらプログラムが制御部１００に読み出されることにより、制御部１００によってレジストパターン形成装置全体の作用が制御される。なおこのプログラムは、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４７】
図８はこの制御部１００の構成を示すものであり、実際にはＣＰＵ（中央処理モジュール）、プログラム及びメモリなどにより構成されるが、本発明では塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４におけるウエハＷの搬送に特徴があるので、ここではそれに関連する構成要素の一部をブロック化して説明するものとする。図８中７０はバスであり、このバス７０に、ＣＯＴ層搬送部７１、ＢＣＴ層搬送部７２、ＴＣＴ層搬送部７３、ウエハ監視部７４、キャリアブロック払い出し制御部７５、搬送制御部７６や各層のメインアームＡ１〜Ａ４、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェイスアームＦの夫々のコントローラ（図示せず）が接続されている。
【００４８】
前記ＣＯＴ層搬送部７１は、ＣＯＴ層搬送スケジュール７１Ａ、書換えプログラム７１Ｂ、払い出し制御部７１Ｃを備えている。前記ＣＯＴ層搬送スケジュール７１Ａとは、ＣＯＴ層Ｂ３において、例えばウエハＷに順番を割り当て、ウエハＷの順番と各モジュールとを対応づけて、搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された基本の搬送スケジュールを格納する部位である。また書換えプログラム７１Ｂは、この例では、退避モジュールＢＦ３の下流側のモジュールである温調モジュールＣＰＬ１１に、基本の搬送スケジュールにて定められた所定のタイミングでウエハＷの搬送を行なうことができない場合に、基本の搬送スケジュールを後述のように書き換えるプログラムである。
【００４９】
ここで温調モジュールＣＰＬ１１に前記所定のタイミングでウエハＷの搬送を行なうことができない場合とは、露光装置Ｓ４の処理速度が塗布膜形成用の単位ブロックＢ２，Ｂ３の処理速度よりも小さい場合や、露光装置Ｓ４が故障したり、何らかの原因で停止したり、露光装置Ｓ４における搬送トラブルが発生したり等、露光装置Ｓ４に異常が発生して、基本の搬送スケジュールで設定されたタイミングで露光装置Ｓ４にウエハＷの受け渡しができない場合をいう。
【００５０】
さらに前記払い出し制御部７１Ｃとは、ＣＯＴ層Ｂ３の単位ブロックにおいて、この例では、温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュールに置かれたウエハＷの総数が、前記温調モジュールＣＰＬ３の次のモジュールから退避モジュールＢＦ３１〜３４の前のモジュールつまり周縁露光装置ＷＥＥまでのウエハＷの搬送経路の総モジュール数つまり５よりもｎ枚（１枚）多い数を超えないように、メインアームＡ３による温調モジュールＣＰＬ３からのウエハＷの払い出しを制御する手段である。ここで前記退避モジュールＢＦ３１〜３４は、退避モジュールＢＦ３の４つの載置ステージ４１〜４４に相当する。
【００５１】
具体的には退避モジュールＢＦ３１〜３４に退避する基板が１枚増えたときに、前記メインアームＡ３による温調モジュールＣＰＬ３からのウエハの払い出しを停止し、退避モジュールＢＦ３１〜３４から、当該退避モジュールＢＦ３１〜３４の下流側のモジュールつまり温調モジュールＣＰＬ１１への搬送が開始されたときに、温調モジュールＣＰＬ３からのウエハＷの払い出しを再開するように、メインアームＡ３を制御する手段である。
【００５２】
前記ＢＣＴ層搬送部７２は、ＣＯＴ層搬送部７１と同様に、ＢＣＴ層搬送スケジュール７２Ａと、書換えプログラム７２Ｂと、払い出し制御部７２Ｃと、を備えている。前記ＢＣＴ層搬送スケジュール７２Ａは、ＢＣＴ層Ｂ２における基本の搬送スケジュールを格納する部位であり、書換えプログラム７２Ｂは、この例では、温調モジュールＣＰＬ３に所定のタイミングでウエハＷの搬送を行なうことができない場合に、基本の搬送スケジュールを後述のように書き換えるプログラムである。
【００５３】
前記払い出し制御部７２Ｃとは、この例では、ＢＣＴ層Ｂ２の単位ブロックにおいて、温調モジュールＣＰＬ２の下流側のモジュールに置かれたウエハＷの総数が、前記温調モジュールＣＰＬ２の次のモジュールから退避モジュールＢＦ２１〜２４の前のモジュールつまり加熱冷却モジュールＬＨＰ２までのウエハＷの搬送経路の総モジュール数つまり４よりもｎ枚（１枚）多い数を超えないように、メインアームＡ２による温調モジュールＣＰＬ２からのウエハＷの払い出しを制御する手段である。ここで前記退避モジュールＢＦ２１〜２４は、退避モジュールＢＦ２の４つの載置ステージ４１〜４４に相当する。
【００５４】
具体的には退避モジュールＢＦ２１〜２４に退避する基板が１枚増えたときに、前記メインアームＡ２による温調モジュールＣＰＬ２からのウエハＷの払い出しを停止し、退避モジュールＢＦ２１〜２４から、当該退避モジュールＢＦ２１〜２４の下流側のモジュールつまり温調モジュールＣＰＬ３への搬送が開始されたときに、温調モジュールＣＰＬ２からのウエハＷの払い出しを再開するように、メインアームＡ２を制御する手段である。
【００５５】
前記ＴＣＴ層搬送部７３は、ＣＯＴ層搬送部７１と同様に、ＴＣＴ層搬送スケジュール７３Ａと、書換えプログラム７３Ｂと、払い出し制御部７３Ｃと、を備えており、前記ＴＣＴ層搬送スケジュール７３Ａには、ＴＣＴ層Ｂ４における基本の搬送スケジュールが格納されている。また書換えプログラム７３Ｂは、この例では、温調モジュールＣＰＬ１１に所定のタイミングでウエハＷの搬送を行なうことができない場合に、基本の搬送スケジュールを後述のように書き換えるプログラムである。
【００５６】
前記払い出し制御部７３Ｃとは、ＴＣＴ層Ｂ４の単位ブロックにおいて、温調モジュールＣＰＬ４の下流側のモジュールに置かれたウエハＷの総数が、前記温調モジュールＣＰＬ４の次のモジュールから退避モジュールＢＦ４１〜４４の前のモジュールまでのウエハＷの搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚（１枚）多い数を超えないように、メインアームＡ４による温調モジュールＣＰＬ４からのウエハＷの払い出しを制御する手段である。ここで前記退避モジュールＢＦ４１〜４４は、退避モジュールＢＦ４の４つの載置ステージ４１〜４４に相当する。具体的には前記退避モジュールＢＦ４１〜４４に退避する基板が１枚増えたときに、前記メインアームＡ４による温調モジュールＣＰＬ４からのウエハＷの払い出しを停止し、退避モジュールＢＦ４１〜４４から、当該退避モジュールＢＦ４１〜４４の下流側のモジュールつまり温調モジュールＣＰＬ１１への搬送が開始されたときに、温調モジュールＣＰＬ４からのウエハＷの払い出しを再開するように、メインアームＡ４を制御する。
【００５７】
ウエハ監視部７４は、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４におけるウエハＷの位置を監視する部位であり、例えばどの順番のウエハＷがどのモジュールに置かれているかを常時監視し、これにより各単位ブロックＢ１〜Ｂ４内のモジュールに置かれているウエハＷの総数を把握できるようになっている。
【００５８】
キャリアブロック払い出し制御部７５は、温調モジュールＣＰＬ２に前のウエハＷが置かれていて、次のウエハＷの搬送ができない場合において、キャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２へのウエハＷの払い出しを禁止し、当該温調モジュールＣＰＬ２から、下流側のモジュールへの搬送が開始されたときに、キャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２へのウエハＷの払い出しを開始するように、トランスファーアームＣを制御する手段である。
【００５９】
搬送制御部７６は、前記基本の搬送スケジュールや、書換え後の搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれているウエハを、そのウエハに対応するモジュールに搬送するように、トランスファーアームＣ、メインアームＡ１〜Ａ４、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェイスアームＦを制御し、これにより搬送サイクルを実行する部位であり、基板搬送手段を制御する手段に相当する。
【００６０】
続いて本実施の形態の作用説明を行う。ここでは既述のように、塗布膜として、第１の反射防止膜を形成し、この上にレジスト膜を形成する場合であって、塗布膜形成用の単位ブロックＢ２，Ｂ３の処理速度が露光装置Ｓ４の処理速度よりも大きい場合を例にして説明する。本発明では塗布膜形成用の単位ブロックＢ２，Ｂ３から露光装置Ｓ４へ至るまでのウエハＷの搬送経路に特徴があるので、以下ではＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３のウエハＷの搬送経路に着目して説明する。
【００６１】
この際ウエハＷは、ＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３においては、図７に示すように、キャリアブロックＳ１→温調モジュールＣＰＬ２→第１の反射防止膜モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３→加熱冷却モジュールＬＨＰ２→退避モジュールＢＦ２→温調モジュールＣＰＬ３→塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３→加熱冷却モジュールＬＨＰ３→周縁露光装置ＷＥＥ→退避モジュールＢＦ３→温調モジュールＣＰＬ１１→温調モジュールＣＰＬ１２→露光装置Ｓ４の経路で搬送される。
【００６２】
そして処理を行う際には、図９の搬送フローに示すように、先ず露光装置Ｓ４が正常であるかを問い合わせ（ステップＳ１）、正常である場合にはステップＳ２に進み、正常ではない場合にはステップＳ３に進む。先ず露光装置Ｓ４が正常である場合について、ＣＯＴ層Ｂ３における搬送制御を例にして説明する。この場合ステップＳ２にて、ウエハ監視部７４に、Ｓ−ＣＰＬが空いているか否かを問い合わせる。ここでＳ−ＣＰＬとは、シャトルアームＥとの間での受け渡しに用いられる専用の温調モジュールＣＰＬ１１，ＣＰＬ１２のことであり、ここではモジュールＣＰＬ１１，ＣＰＬ１２をまとめてＳ−ＣＰＬと示している。
【００６３】
そして空いていればステップＳ４に進み、図１１に示す基本の搬送スケジュールを参照しながら、メインアームＡ３により１サイクルの搬送を実行する。空いていなければ図１０の搬送フローのステップＳ５に進み、基本の搬送スケジュールのＣＯＴ層Ｂ３の最後のモジュールを退避モジュールＢＦ３１から退避モジュールＢＦ３１〜３４に書き換える。ここでＣＯＴ層Ｂ３の基本の搬送スケジュールとは、図１１のＣＰＬ３→ＣＯＴ１，ＣＯＴ２,ＣＯＴ３→ＬＨＰ３→ＷＥＥ→ＢＦ３１までの搬送スケジュールをいい、この搬送スケジュールでは、横軸にウエハＷの搬送先のモジュールが、紙面左側のモジュールが上流側のモジュール、紙面右側のモジュールが下流側のモジュールとなるように、搬送順に記載されており、縦軸に時間軸である搬送サイクルが記載されている。ＣＢとはキャリアブロックＳ１、ウエハＷ０１とはロットの１番目のウエハ、ウエハＷ０２とはロットの２番目のウエハを夫々示している。
【００６４】
続いて図１０の搬送フローに戻って説明を続けると、ステップＳ６にて書換え後の搬送スケジュールを参照してメインアームＡ３により１サイクルの搬送を実行する。次いでステップＳ７にて、ウエハ監視部７４に、退避モジュールＢＦ３１〜３４に置かれるウエハＷの枚数が増えたか否かを問い合わせ、増えていなければステップＳ６に戻る。増えていればステップＳ８に進み、温調モジュールＣＰＬ３からＣＯＴ層Ｂ３へのメインアームＡ３によるウエハＷの払い出しを禁止して、書換え後の搬送スケジュールを参照して１サイクルの搬送を実行する。そしてステップＳ９にて、ウエハ監視部７４に、退避モジュールＢＦ３１〜３４に置かれるウエハＷの枚数が増えたか否かを問い合わせ、増えていればステップＳ８に戻り、増えていなければステップＳ１０にて温調モジュールＣＰＬ３からＣＯＴ層Ｂ３へのウエハＷの払い出しを再開し、こうしてＣＯＴ層Ｂ３ではロットのウエハＷに対してレジスト膜の形成を行う。
【００６５】
続いてＢＣＴ層Ｂ２における搬送制御について説明すると、ＣＯＴ層Ｂ３の搬送制御と同様に、先ずウエハ監視部７４に温調モジュールＣＰＬ３が空いているか否かを問い合わせ、空いていれば図１１に示す基本の搬送スケジュールを参照しながら、メインアームＡ２により１サイクルの搬送を実行する。空いていなければＢＣＴ層Ｂ２の最後のモジュールを退避モジュールＢＦ２１から退避モジュールＢＦ２１〜２４に書き換え、書換え後の搬送スケジュールを参照してメインアームＡ２により１サイクルの搬送を実行する。ここでＢＣＴ層Ｂ２の基本の搬送スケジュールとは、図１１のＣＰＬ２→ＢＣＴ１，ＢＣＴ２,ＢＣＴ３→ＬＨＰ２→ＢＦ２１までの搬送スケジュールをいう。
【００６６】
続いて、ウエハ監視部７４に、退避モジュールＢＦ２１〜２４に置かれるウエハＷの枚数が増えたか否かを問い合わせ、増えていなければ書換え後の搬送スケジュールを参照して１サイクルの搬送を実行し、増えていれば温調モジュールＣＰＬ２からＢＣＴ層Ｂ２へのメインアームＡ２によるウエハＷの払い出しを禁止し、書換え後の搬送スケジュールを参照して１サイクルの搬送を実行する。次いでウエハ監視部７４に、退避モジュールＢＦ２１〜２４に置かれるウエハＷの枚数が増えたか否かを問い合わせ、増えていれば温調モジュールＣＰＬ２からＢＣＴ層Ｂ２へのウエハＷの払い出しを禁止し、書換え後の搬送スケジュールを参照して１サイクルの搬送を実行し、増えていなければ温調モジュールＣＰＬ２からＢＣＴ層Ｂ２へのウエハＷの払い出しを再開し、こうしてＢＣＴ層Ｂ２ではロットのウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成を行う。
【００６７】
続いてトランスファーアームＣの搬送制御について説明すると、ウエハ監視部７４に温調モジュールＣＰＬ２が空いているか否かを問い合わせ、空いていればキャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２にウエハＷの払い出しを開始し、空いていなければキャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２へのウエハＷの払い出しを停止するように、制御を行う。
【００６８】
このようにして搬送制御を行うと、例えばウエハＷは図１２に示す搬送スケジュールに従ってＣＯＴ層Ｂ３，ＢＣＴ層Ｂ２内において搬送されることになる。この搬送スケジュールは、塗布膜形成用の単位ブロックつまりＣＯＴ層Ｂ３とＢＣＴ層Ｂ２の処理速度が２０秒／枚、露光装置Ｓ４の処理速度が３０秒／枚であって、露光装置Ｓ４の処理速度がＣＯＴ層Ｂ３とＢＣＴ層Ｂ２の処理速度よりも小さい場合を想定して作成されたものである。ここでＣＯＴ層Ｂ３とＢＣＴ層Ｂ２の処理速度は、前記搬送スケジュールの１サイクル分に相当し、露光装置Ｓ４の処理速度は、前記搬送スケジュールの１．５サイクル分に相当する。
【００６９】
この図１２に示す搬送スケジュールでは、ＣＯＴ層Ｂ３では、ロットの１番目のウエハＷ０１とロットの２番目のウエハＷ０２については、図９の搬送フローにおいてステップＳ４に進み、基本の搬送スケジュールに従って、キャリアブロックＳ１からＳ−ＣＰＬまで搬送される。一方ロットの３番目のウエハＷ０３については、露光装置Ｂ４の処理速度がＣＯＴ層Ｂ３の処理速度よりも小さく、ＣＯＴ層Ｂ３からＳ−ＣＰＬにウエハＷ０３を搬送するタイミングでは、未だＳ−ＣＰＬにウエハＷ０２が入っているので、ステップＳ２にてＳ−ＣＰＬが空いていない方に進むことになる。なお図１２の搬送スケジュールの下向きの矢印は、そのモジュールでの待機時間を示している。
【００７０】
そして図１０の搬送フローのステップＳ５にてＣＯＴ層Ｂ３の最後のモジュールが退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に書き換えられ、ステップＳ６にて書換え後の搬送スケジュールで１サイクルの搬送（サイクル１６）が実行される。次いでステップＳ７ではウエハＷ０３においては退避モジュールＢＦ３１〜３４に置かれるウエハＷは１枚であり、増えていないので、ステップＳ６に戻り次の１サイクルの搬送（サイクル１７）を実行する。サイクル１７では、ウエハＷ０４を退避モジュールＢＦ３１〜３４に退避させる際、退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に置かれるウエハＷが２枚となり、増えてしまうので、ステップＳ８に進み、ＣＰＬ３からＣＯＴ層Ｂ３へのウエハＷの払い出しを禁止する。
【００７１】
そしてこの影響により、ＣＰＬ３にウエハＷ０９が待機していて、ＢＣＴ層Ｂ２ではＣＰＬ３に所定のタイミングでウエハＷ１０を搬送できず、退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４に置かれるウエハＷが増えてしまうので、ＣＰＬ２からＢＣＴ層Ｂ２へのウエハＷの払い出しを禁止し、さらにこの影響により、ＣＰＬ２内にてウエハＷ１５が待機していて、ＣＰＬ２が空かないことから、トランスファーアームＣによるキャリアブロックＳ１からＣＰＬ２へのウエハＷの払い出しを禁止した状態で、ＣＯＴ層Ｂ３及びＢＣＴ層Ｂ２において、夫々書換え後の搬送スケジュールを参照してメインアームＡ３，Ａ２により１サイクルの搬送（サイクル１８）を実行する。
【００７２】
そしてサイクル１８では、ＣＯＴ層Ｂ３の退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に置かれるウエハＷの枚数は２枚であって増えていないので、ステップ１０にてＣＰＬ３からの払い出しを開始する。ここでＣＯＴ層Ｂ３の退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に置かれるウエハＷの枚数が増えていないということは、退避モジュールＢＦ３１のウエハＷ０３がＳ−ＣＰＬへ搬送され、この退避モジュールＢＦ３１にウエハＷ０５が搬送されたということであり、このサイクル１８は、退避モジュールＢＦ３１〜３４から下流側へのウエハＷの搬送が開始された後に、ＣＰＬ３からウエハＷの払い出しが行われることを意味している。
【００７３】
こうしてロットのウエハＷに対して、ＣＯＴ層Ｂ３の退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ３からの払い出しを禁止し、ＣＯＴ層Ｂ３の退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４から下流側のモジュールへのウエハＷの搬送が開始されたときに、温調モジュールＣＰＬ３からウエハＷの払い出しを再開することによって、ＣＯＴ層Ｂ３では、温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュール、つまり塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３、加熱冷却モジュールＬＨＰ３、周縁露光装置ＷＥＥ、退避モジュールＢＦ３１〜３４に置かれるウエハＷの枚数が６枚を超えないように制御されることになる。
【００７４】
またＣＯＴ層Ｂ３をこのように制御し、温調モジュールＣＰＬ３からの払い出しを停止することによって、ＢＣＴ層Ｂ２では温調モジュールＣＰＬ３に搬送できない場合が発生することになり、この場合に既述の搬送制御を行ない、ＢＣＴ層Ｂ２の退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ２からのウエハＷの払い出しを禁止し、ＢＣＴ層Ｂ２の退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４から下流側のモジュールへのウエハＷの搬送が開始されたときに、温調モジュールＣＰＬ２からのウエハＷの払い出しを再開することによって、ＢＣＴ層Ｂ２では、温調モジュールＣＰＬ２の下流側のモジュール、つまり第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１〜ＢＣＴ３、加熱冷却モジュールＬＨＰ２、退避モジュールＢＦ２１〜２４に置かれるウエハＷの枚数が５枚を超えないように制御されることになる。
【００７５】
続いて、露光装置Ｓ４に異常が発生した場合について、ＣＯＴ層Ｂ３の搬送制御を例にして図９に戻って説明する。先ずステップＳ３にてウエハ監視部７４に温調モジュールＳ−ＣＰＬが空いているか否かを問い合わせ、空いていればステップＳ４に進み、図１１に示す基本の搬送スケジュールを参照しながら、メインアームＡ３により１サイクルの搬送を実行する。空いていなければステップＳ１１に進み、ＣＯＴ層Ｂ３からＳ−ＣＰＬへのウエハＷの払い出しを禁止し、次いでステップＳ１２にてＣＯＴ層Ｂ３の最後のモジュールを退避モジュールＢＦ３１から退避モジュールＢＦ３１〜３４に書き換え、ステップＳ１３にて書換え後の搬送スケジュールを参照してメインアームＡ３による１サイクルの搬送を実行する。
【００７６】
次いでステップＳ１４にて、ウエハ監視部７４にＣＯＴ層Ｂ３の退避モジュールＢＦ３１〜３４に置かれるウエハＷの枚数が増えたか否かを問い合わせ、増えていなければステップＳ１３に戻る。増えていればステップＳ１５に進み、ＣＰＬ３からＣＯＴ層Ｂ３へのウエハＷの払い出しを禁止する。そしてステップＳ１６に進み、ＣＯＴ層Ｂ３のウエハＷに対して、書換え後の搬送スケジュールに従って、下流側のモジュールからウエハＷを満たすように搬送を行ない、ＣＯＴ層Ｂ３では退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に４枚のウエハＷを退避させると共に、周辺露光装置ＷＥＥ、ＬＨＰ３の冷却プレート３５にウエハＷを待機させる。
【００７７】
またＢＣＴ層Ｂ２の搬送制御では、先ず温調モジュールＣＰＬ３が空いているか否かを問い合わせ、空いていれば、図１０に示す基本の搬送スケジュールを参照しながら、メインアームＡ２により１サイクルの搬送を実行する。空いていなければＢＣＴ層Ｂ３からＣＰＬ３へのウエハＷの払い出しを禁止し、ＢＣＴ層Ｂ２の最後のモジュールを退避モジュールＢＦ２１から退避モジュールＢＦ２１〜２４に書き換え、書換え後の搬送スケジュールを参照してメインアームＡ２による１サイクルの搬送を実行する。
【００７８】
次いで、ウエハ監視部７４にＢＣＴ層Ｂ２の退避モジュールＢＦ２１〜２４に置かれるウエハＷの枚数が増えたか否かを問い合わせ、増えていなければ書換え後の搬送スケジュールを参照して１サイクルの搬送を実行する。増えていればＣＰＬ２からＢＣＴ層Ｂ２へのウエハＷの払い出しを禁止し、ＢＣＴ層Ｂ２のウエハＷに対して、書換え後の搬送スケジュールに従って、下流側のモジュールからウエハＷを満たすように搬送を行ない、ＢＣＴ層Ｂ２では退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４に４枚のウエハＷを退避させると共に、ＬＨＰ２の冷却プレート３５にウエハＷを待機させる。
【００７９】
この際温調モジュールＣＰＬ２からＢＣＴ層Ｂ２へのウエハＷの払い出しが禁止されることから、ウエハ監視部７４に温調モジュールＣＰＬ２が空いているか否かを問い合わせたときに、温調モジュールＣＰＬ２が空いていないことになり、キャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２へのウエハＷの払い出しも禁止されることになる。
【００８０】
このように露光装置Ｓ４に異常が発生したときには、ＣＯＴ層Ｂ３では退避モジュールＢＦ３１〜３４から温調モジュールＳ−ＣＰＬへのウエハＷの搬送を停止し、ＣＯＴ層Ｂ３の退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ３からのウエハＷの払い出しを禁止することによって、ＣＯＴ層Ｂ３では、温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が６枚を超えないように制御される。また当該単位ブロックＢ３では通常の処理が行われた後、下流側の退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４側から順にモジュールを満たすように搬送が行なわれ、こうしてＣＯＴ層Ｂ３の６枚のウエハＷのうち、４枚のウエハＷは退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に、残りの２枚は夫々周縁露光装置ＷＥＥと加熱冷却モジュールＬＨＰ３に搬送され、夫々のモジュールにて待機することになる。
【００８１】
またＢＣＴ層Ｂ２では退避モジュールＢＦ２１〜２４から温調モジュールＣＰＬ３へのウエハＷの搬送を停止し、ＢＣＴ層Ｂ２の退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ２からのウエハＷの払い出しを禁止することによって、温調モジュールＣＰＬ２の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が５枚を超えないように制御される。また当該単位ブロックＢ２では通常の処理が行われた後、下流側の退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４側から順にモジュールを満たすように搬送が行なわれ、こうしてＢＣＴ層Ｂ２の５枚のウエハＷのうち、４枚のウエハＷは退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４に、残りの１枚は加熱冷却モジュールＬＨＰ２にて夫々搬送され、夫々のモジュールにて待機することになる。
【００８２】
続いてＣＯＴ層Ｂ３とＢＣＴ層Ｂ２の処理速度と、露光装置Ｓ４の処理速度とが同じである場合の搬送制御について図１３の搬送フローに従って、ＣＯＴ層Ｂ３を例にして説明する。先ず露光装置Ｓ４が正常であるかを問い合わせ（ステップＳ２１）、正常である場合にはステップＳ２２に進み、図１１に示す基本の搬送スケジュールを参照しながら、メインアームＡ３により１サイクルの搬送を実行する。正常ではない場合にはステップＳ２３に進み、ＣＯＴ層Ｂ３からＳ−ＣＰＬへのウエハＷの払い出しを禁止し、ステップＳ２４にてＣＯＴ層Ｂ３の最後のモジュールを退避モジュールＢＦ３１から退避モジュールＢＦ３１〜３４に書き換え、ステップＳ２５にて書換え後の搬送スケジュールを参照して１サイクルの搬送を実行する。
【００８３】
次いでステップＳ２６にて、ウエハ監視部７４にＣＯＴ層Ｂ３の退避モジュールＢＦ３１〜３４に置かれるウエハＷの枚数が増えたか否かを問い合わせ、増えていなければステップＳ２５に戻る。増えていればステップＳ２７にて、ＣＰＬ３からＣＯＴ層Ｂ３へのウエハＷの払い出しを禁止し、次いでステップＳ２８にて、ＣＯＴ層Ｂ３のウエハＷに対して、書換え後の搬送スケジュールに従って、下流側のモジュールからウエハＷを満たすように搬送を行ない、退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に４枚のウエハＷを退避させると共に、周辺露光装置ＷＥＥ、加熱冷却モジュールＬＨＰ３の冷却プレート３５に夫々ウエハＷを待機させる。
【００８４】
またＢＣＴ層Ｂ２においては、先ず露光装置Ｓ４が正常であるかを問い合わせ、正常である場合には、図１１に示す基本の搬送スケジュールを参照しながら、メインアームＡ２により１サイクルの搬送を実行する。正常ではない場合には、ＢＣＴ層Ｂ２からＣＰＬ３へのウエハＷの払い出しを禁止する。
【００８５】
続いてＢＣＴ層Ｂ２の最後のモジュールを退避モジュールＢＦ２１から退避モジュールＢＦ２１〜２４に書き換え、書換え後の搬送スケジュールを参照して１サイクルの搬送を実行する。次いでウエハ監視部７４に、ＢＣＴ層Ｂ２の退避モジュールＢＦ２１〜２４に置かれるウエハＷの枚数が増えたか否かを問い合わせ、増えていなければ書換え後の搬送スケジュールを参照して１サイクルの搬送を実行し、増えていればＣＰＬ２からＢＣＴ層Ｂ２へのウエハＷの払い出しを禁止し、ＢＣＴ層Ｂ２のウエハＷに対して、書換え後の搬送スケジュールに従って、下流側のモジュールからウエハＷを満たすように搬送を行ない、ＢＣＴ層Ｂ２では退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４に４枚のウエハＷを退避させると共に、加熱冷却モジュールＬＨＰ２の冷却プレート３５にウエハＷを待機させる。
【００８６】
この際温調モジュールＣＰＬ２からＢＣＴ層Ｂ２へのウエハＷの払い出しが禁止されることから、ウエハ監視部７４に温調モジュールＣＰＬ２が空いているか否かを問い合わせたときに、温調モジュールＣＰＬ２が空いていないことになり、キャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２へのウエハＷの払い出しも禁止されることになる。
【００８７】
このようにこの場合においても、露光装置Ｓ４に異常が発生したときには、ＣＯＴ層Ｂ３では退避モジュールＢＦ３１〜３４から温調モジュールＳ−ＣＰＬへのウエハＷの搬送を停止し、ＣＯＴ層Ｂ３の退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ３からのウエハＷの払い出しを禁止することによって、ＣＯＴ層Ｂ３では、温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が６枚を超えないように制御される。そして当該単位ブロックＢ３では通常の処理が行われた後、下流側の退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４側からモジュールを満たすように搬送が行なわれ、こうしてＣＯＴ層Ｂ３の６枚のウエハＷのうち、４枚のウエハＷは退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に、残りの２枚は夫々周縁露光装置ＷＥＥと加熱冷却モジュールＬＨＰ３の冷却プレート３５に搬送され、夫々のモジュールにて待機することになる。
【００８８】
またＢＣＴ層Ｂ２では退避モジュールＢＦ２１〜２４から温調モジュールＣＰＬ３へのウエハＷの搬送を停止し、ＢＣＴ層Ｂ２の退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ２からのウエハＷの払い出しを禁止することによって、温調モジュールＣＰＬ２の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が５枚を超えないように制御され、当該単位ブロックＢ２では通常の処理が行われた後、下流側の退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４側からモジュールを満たすように搬送が行なわれ、こうしてＢＣＴ層Ｂ２の５枚のウエハＷのうち、４枚のウエハＷは退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４に、残りの１枚は加熱冷却モジュールＬＨＰ２の冷却プレート３５に夫々搬送され、夫々のモジュールにて待機することになる。
【００８９】
このようなレジストパターン形成装置では、塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４に退避モジュールＢＦ２〜ＢＦ４が設けられているので、露光装置Ｓ４の処理速度が塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４の処理速度よりも小さい場合であっても、各塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４で処理されたウエハＷを夫々の単位ブロックＢ２〜Ｂ４の退避モジュールＢＦ２〜ＢＦ４に退避させ、ここで露光装置Ｓ４への搬送を待機させることによって、露光装置Ｓ４と塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４の処理速度の差の吸収が行われる。
【００９０】
この際、上述のＣＯＴ層Ｂ３及びＢＣＴ層Ｂ２では、温調モジュールＣＰＬ３（ＣＰＬ２）の下流側のモジュールに置かれたウエハＷの総数が、前記温調モジュールＣＰＬ３（ＣＰＬ２）の次のモジュールから退避モジュールＢＦ３（ＢＦ２）の前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚（１枚）多い数になるように、前記メインアームＡ３（Ａ２）によるウエハＷの搬送を制御しているので、退避モジュールＢＦ３（ＢＦ２）は、液処理モジュールの数よりもｎ枚（１枚）多い枚数のウエハＷを退避することができる構成であれば、露光装置Ｓ４に異常が発生し、当該露光装置Ｓ４にウエハＷを搬送できない場合があったとしても、温調モジュールＣＰＬ３（ＣＰＬ２）からのウエハＷの払い出しを禁止することによって、全ての液処理モジュール（ＣＯＴ１〜ＣＯＴ３、ＢＣＴ１〜ＢＣＴ３）にて液処理されたウエハＷを退避モジュールＢＦ３１〜３４（ＢＦ２１〜２４）に収納できるようになっている。
【００９１】
この場合、加熱冷却モジュールＬＨＰ３（ＬＨＰ２）や周縁露光装置ＷＥＥにもウエハＷが収納されることになるが、加熱冷却モジュールＬＨＰ３（ＬＨＰ２）では、加熱プレート３４による加熱処理が終了したウエハＷは、所定のタイミングでメインアームＡ３（Ａ２）との受け渡しを行うための搬送アームを兼用する冷却プレート３５上に受け渡され、ここで待機することになるため、加熱処理が進行し過ぎることがなく、ウエハＷ上に形成された塗布膜の変質が抑えられる。また周縁露光装置ＷＥＥにて待機することになっても、塗布膜への悪影響はないため、ウエハＷ上に形成された塗布膜が変質するおそれはない。従ってＣＯＴ層Ｂ３とＢＣＴ層Ｂ２とに夫々退避モジュールＢＦ３（ＢＦ２）を設けることにより、ＣＯＴ層Ｂ３及びＢＣＴ層Ｂ２における通常の処理が行われた全てのウエハＷを、塗布膜の変質を抑えた状態で待機させることができ、露光装置Ｓ４の運転が再開された時点で露光処理を行うことにより、塗布膜形成処理をそのまま続行できて、歩留まりの低下を抑えることができる。
【００９２】
この際、この例ではｎ＝１としたので、既述のように、退避モジュールＢＦ３（ＢＦ２）は、液処理モジュールの数よりも１枚多い枚数のウエハＷを退避することができる構成であれば、ＣＯＴ層Ｂ３及びＢＣＴ層Ｂ２における通常の処理が行われたウエハＷを、塗布膜の変質を抑えた状態で収納することができるので、退避モジュールＢＦ３（ＢＦ２）の大型化が抑えられ、塗布膜形成用の単位ブロックに収納することができる。
【００９３】
このように退避モジュールＢＦ２〜ＢＦ４を塗布膜形成用の単位ブロックに設けることにより、これら退避モジュールＢＦ２〜ＢＦ４は、塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４の内部では夫々のメインアームＡ２〜Ａ４によりアクセスされるので、従来のようにインターフェイスブロックに退避モジュールを設ける構成に比べて、インターフェイスアームの負担が軽減される。このためインターフェイスアームＦが１基であっても目標のスループットを達成することができるので、従来のようにインターフェイスアームを２基設ける構成に比べて当該アームＦの設置数が少なくて済み、製造コストの削減を図ることができる。またインターフェイスブロックＳ３に１基のインターフェイスアームＦを設置すればいいので、装置のフットプリントも縮小することができる。
【００９４】
ここで従来の図１５に示す装置の搬送スケジュールを図１４に示す。この例の退避モジュールは、露光装置が停止したときに、処理ブロック内の全てのウエハＷを収納できるように構成されているので、処理ブロック内の全モジュール数が１４個である場合には、１６枚のウエハＷを収納できるように構成されているが、当該搬送スケジュールには、図示の便宜上退避モジュールＢＦは８枚のウエハＷが収納できるように記載している。この例では、温調モジュールＣＰＬから退避モジュールＢＦ８までのウエハＷの枚数が１６枚になるように搬送制御が行なわれ、前記ウエハＷの枚数が１６枚を越える場合には、キャリアブロックＣＢからのウエハＷの払い出しを行わないように制御される。
【００９５】
このように従来では、１つの処理ブロックの中にて第１の反射防止膜の形成と、レジスト液の塗布と、現像処理とを行なっているので、処理ブロック内のモジュール数が多くなり、退避モジュールをこのモジュール数よりも多いウエハＷを収納できるように構成すると、退避モジュールが大型化してしまうことや、インターフェイスブロックに退避モジュールが設けられているため、インターフェイスアームの負担が増加することが、この搬送スケジュールからも把握できる。
【００９６】
さらに近年、露光装置へウエハＷを搬送する際には、露光精度を高めるためにウエハＷの温度を一定温度に調整することが要求されているため、露光装置へ渡す直前に温調モジュールＣＰＬでウエハ温度を調整する必要がある。このためインターフェイスブロックに退避モジュールを配置した場合には、露光装置の前に温調モジュールＣＰＬに搬送する必要があり、搬送工程が増加すると共に、インターフェイスブロックに温調モジュールＣＰＬを設置する必要があるため、さらにインターフェイスブロックの大型化に繋がる。また退避モジュールでの待機時間を考慮すると、図１４の搬送スケジュールでは、本発明の図１１の搬送スケジュールよりも待機時間が長くなっていることから、温調モジュールＣＰＬでの温調時間が長くなるおそれもある。
【００９７】
ところで本発明では、退避モジュールＢＦ２〜ＢＦ４は、塗布膜形成用の単位ブロックの搬送経路の最終のモジュールであるので、棚モジュールＵ２に設けることにより、退避モジュールが設けられた単位ブロックのメインアームのみならず、受け渡しアームＤによってもアクセスでき、次工程を行う他の単位ブロックに搬送しやすい。この際温調モジュールＣＰＬ１１→温調モジュールＣＰＬ１２を介してシャトルアームＥにより露光装置に搬送するが、これら温調モジュールＣＰＬ１１、ＣＰＬ１２（Ｓ-ＣＰＬ）には温度調整機能を持たせているので、ウエハＷの搬送と温度調整とを同時に行うことができる。このため露光装置Ｓ４に搬送前に別途に温調モジュールＣＰＬに搬送する必要がなく、搬送工程の減少を図ることができる。またインターフェイスブロックＳ３に温調モジュールＣＰＬを配置する必要がないことから、装置のフットプリントの増加を抑えることができる。
【００９８】
以上において本発明では、塗布膜としてレジスト膜のみを形成する場合や、レジスト膜の上に第２の反射防止膜を形成する場合、第１の反射防止膜とレジスト膜と第２の反射防止膜を形成する場合にも適用できる。レジスト膜を形成する場合には、キャリアブロックＳ１→ＣＰＬ２→ＣＰＬ３→ＣＯＴ→ＬＨＰ３→ＷＥＥ→退避モジュールＢＦ３→ＣＰＬ１１→ＣＰＬ１２→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、ｎ＝１としたとき、退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に搬送されるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ３からの払い出しを禁止することによって、温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が６枚を超えないように制御され、露光装置Ｓ４に異常が発生したときには、退避モジュールＢＦ３１〜３４から温調モジュールＳ−ＣＰＬへのウエハＷの搬送を停止し、キャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２へのウエハＷの払い出しを停止する。
【００９９】
またレジスト膜の上に第２の反射防止膜を形成する場合には、キャリアブロックＳ１→ＣＰＬ２→ＣＰＬ３→ＣＯＴ→ＬＨＰ３→退避モジュールＢＦ３→ＣＰＬ４→ＴＣＴ→ＬＨＰ４→ＷＥＥ→退避モジュールＢＦ４→ＣＰＬ１１→ＣＰＬ１２→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、ＴＣＴ層Ｂ４では、ｎ＝１としたとき、退避モジュールＢＦ４１〜ＢＦ４４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ４からのウエハＷの払い出しを禁止することによって、温調モジュールＣＰＬ４の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が６枚（温調モジュールＣＰＬ４の下流側のモジュールから退避モジュールＢＦ４までの総モジュール数＋１枚）を超えないように制御され、露光装置Ｓ４に異常が発生したときには、退避モジュールＢＦ４１〜４４から温調モジュールＳ−ＣＰＬへのウエハＷの搬送を停止する。またＣＯＴ層Ｂ３では、ｎ＝１としたとき、退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ３からのウエハＷの払い出しを禁止することによって、温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が５枚（温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュールから退避モジュールＢＦ３までの総モジュール数＋１枚）を超えないように制御され、露光装置Ｓ４に異常が発生したときには、退避モジュールＢＦ３１〜３４から温調モジュールＣＰＬ４へのウエハＷの搬送を停止し、キャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２へのウエハＷの払い出しを停止する。
【０１００】
さらに第１の反射防止膜とレジスト膜と第２の反射防止膜を形成する場合には、キャリアブロックＳ１→ＣＰＬ２→ＢＣＴ→ＬＨＰ２→退避モジュールＢＦ２→ＣＰＬ３→ＣＯＴ→ＬＨＰ３→退避モジュールＢＦ３→ＣＰＬ４→ＴＣＴ→ＬＨＰ４→ＷＥＥ→退避モジュールＢＦ４→ＣＰＬ１１→ＣＰＬ１２→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、ＴＣＴ層Ｂ４では、ｎ＝１としたとき、退避モジュールＢＦ４１〜ＢＦ４４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ４からのウエハＷの払い出しを禁止することによって、温調モジュールＣＰＬ４の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が６枚（温調モジュールＣＰＬ４の下流側のモジュールから退避モジュールＢＦ４までの総モジュール数＋１枚）を超えないように制御され、露光装置Ｓ４に異常が発生したときには、退避モジュールＢＦ４１〜４４から温調モジュールＳ−ＣＰＬへのウエハＷの搬送を停止する。
【０１０１】
またＣＯＴ層Ｂ３では、ｎ＝１としたとき、退避モジュールＢＦ３１〜ＢＦ３４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ３からの払い出しを禁止することによって、温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が５枚（温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュールから退避モジュールＢＦ３までの総モジュール数＋１枚）を超えないように制御され、露光装置Ｓ４に異常が発生したときには、退避モジュールＢＦ３１〜３４から温調モジュールＣＰＬ４へのウエハＷの搬送を停止する。ＢＣＴ層Ｂ２では、ｎ＝１としたとき、退避モジュールＢＦ２１〜ＢＦ２４に置かれるウエハＷの枚数が増えたときに、温調モジュールＣＰＬ２からの払い出しを禁止することによって、温調モジュールＣＰＬ２の下流側のモジュールに置かれるウエハＷの枚数が５枚（温調モジュールＣＰＬ２の下流側のモジュールから退避モジュールＢＦ３までの総モジュール数＋１枚）を超えないように制御され、露光装置Ｓ４に異常が発生したときには、退避モジュールＢＦ２１〜２４から温調モジュールＣＰＬ３へのウエハＷの搬送を停止し、キャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２へのウエハＷの払い出しを停止する。
【０１０２】
以上において、上述の実施の形態では、ＣＯＴ層Ｂ３においては、温調モジュールＳ−ＣＰＬにウエハＷを搬送できないときに、ＣＯＴ層Ｂ３の搬送スケジュールを書換え、ＢＣＴ層Ｂ２においては、温調モジュールＣＰＬ３にウエハＷを搬送できないときに、ＢＣＴ層Ｂ２の搬送スケジュールを書換え、また温調モジュールＣＰＬ２にウエハＷを搬送できないときにキャリアブロックＳ１からのトランスファーアームＣによるウエハＷの払い出しを停止するように、ＣＯＴ層Ｂ３とＢＣＴ層Ｂ２とトランスファーアームＣを別個に制御するようにしたが、ＣＯＴ層Ｂ３において温調モジュールＳ−ＣＰＬにウエハＷを搬送できないときは、結果としてＢＣＴ層Ｂ２において温調モジュールＣＰＬ３にウエハＷを搬送できなくなり、キャリアブロックＳ１から温調モジュールＣＰＬ２へのウエハＷの搬送もできなくなくなるので、ＣＯＴ層Ｂ３において温調モジュールＳ−ＣＰＬにウエハＷを搬送できないときに、ＣＯＴ層Ｂ３の搬送スケジュールとＢＣＴ層Ｂ２の搬送スケジュールとを書換え、キャリアブロックＳ１からのトランスファーアームＣによるウエハＷの払い出しを停止するような制御を行うようにしてもよい。
【０１０３】
また本発明の退避モジュールは、液処理モジュールの数よりもｎ＋１枚以上多い枚数の基板を退避することができる構成であっても、液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避して、本発明のように、温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、単位ブロック内においてメインアームによりウエハを搬送する際に用いられるものであれば、本発明の退避モジュールに相当する。
【０１０４】
以上において本発明では、前記塗布膜形成用の単位ブロックに、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールを設け、塗布膜形成用の単位ブロックでは、基板を温調する温調モジュール、塗布液を基板に塗布する液処理モジュール、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュール、退避モジュールの搬送経路で前記温調モジュール側から退避モジュール側へ向けて基板を搬送すると共に、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、当該単位ブロック内においてメインアームによりウエハを搬送できれば、これら各モジュール（モジュール）の個数や種類、レイアウトは上述の実施の形態には限られない。
【０１０５】
また上述の例では、加熱冷却モジュールとして、１つのモジュールにてウエハＷの加熱処理を行い、次いで冷却処理を行う構成を用いる場合を例にして説明したが、前記加熱冷却モジュールとして、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールとの別個の２つのモジュールを用い、ウエハＷを加熱モジュールに次いで冷却モジュールに搬送するようにしてもよく、この場合には、ｎ＝１としたとき、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３（Ｂ２，Ｂ４）内においては、前記温調モジュールＣＰＬ３（ＣＰＬ２，ＣＰＬ４）の下流側のモジュールに置かれたウエハＷの総数が、前記温調モジュールＣＰＬ３（ＣＰＬ２，ＣＰＬ４）の次のモジュールから退避モジュールＢＦ３１〜３４（ＢＦ２１〜２４、ＢＦ４１〜４４）の前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりも（ｎ−１）個多い数つまり前記総モジュール数と同じ数になるように、メインアームＡ３（Ａ２，Ａ４）によりウエハＷが搬送される。
【０１０６】
この場合、例えばＣＯＴ層Ｂ３では、ｎ＝１としたとき、温調モジュールＣＰＬ３の次のモジュールから退避モジュールＢＦ３１〜３４の前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数は、ＣＯＴ１、ＣＯＴ２、ＣＯＴ３、加熱モジュール、冷却モジュール、ＷＥＥであるので６つになり、ＣＯＴ層Ｂ３内においては、温調モジュールＣＰＬ３の下流側のモジュールに置かれたウエハＷの総数が６枚となるように、メインアームＡ３によりウエハＷが搬送される。そして露光装置Ｓ４に異常が発生したときには、例えばＣＯＴ層Ｂ３内において通常の処理が行われた６枚のウエハＷの内、４枚のウエハＷは退避モジュールＢＦ３１〜３４に、１枚のウエハＷがＷＥＥに、１枚のウエハＷが冷却モジュールにて夫々待機することになる。  また上述の例では、ＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３との間、又はＣＯＴ層Ｂ３とＴＣＴ層Ｂ４との間のウエハＷの受け渡しを、夫々退避モジュールＢＦ２，ＢＦ３の一つの載置ステージを介して行っていたが、退避モジュールＢＦ２，ＢＦ３とは別個にＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３との間、又はＣＯＴ層Ｂ３とＴＣＴ層Ｂ４との間のウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しステージを設けるようにしてもよい。
【０１０７】
さらに各単位ブロックの積層数や積層の順番は上述の例に限られず、現像処理用の単位ブロックを２層としてもよいし、塗布膜形成用の単位ブロックを、下方側から上方側に向かって順番にＴＣＴ層、ＣＯＴ層、ＢＣＴ層となるように配列してもよい。また塗布膜形成用の単位ブロックを下方側に配置し、その上に現像処理用の単位ブロックを配置するようにしてもよい。また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図４】前記塗布、現像装置におけるＣＯＴ層Ｂ３の単位ブロックを示す平面図である。
【図５】前記ＣＯＴ層Ｂ３の塗布モジュールと棚モジュールとメインアームＡ３と退避モジュールを示す斜視図である。
【図６】前記塗布、現像装置におけるＤＥＶ層Ｂ１の現像モジュールと棚モジュールとメインアームＡ１とシャトルアームＥとを示す斜視図である。
【図７】前記塗布、現像装置におけるウエハＷの流れを説明するための側面図である。
【図８】前記塗布、現像装置における制御部の一例を示す構成図である。
【図９】前記塗布、現像装置の作用を説明するためのフロー図である。
【図１０】前記塗布、現像装置の作用を説明するためのフロー図である。
【図１１】基本の搬送スケジュールの一例を示す説明図である。
【図１２】ＣＯＴ層Ｂ３とＢＣＴ層Ｂ２の処理速度が露光装置Ｓ４の処理速度よりも大きい場合の、搬送スケジュールの一例を示す説明図である。
【図１３】前記塗布、現像装置の作用を説明するためのフロー図である。
【図１４】従来の装置における搬送スケジュールの一例を示す説明図である。
【図１５】従来の塗布、現像装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
Ｗ          半導体ウエハ
２０        キャリア
Ｓ１        キャリアブロック
Ｓ２        処理ブロック
Ｓ３        インターフェイスブロック
Ｓ４        露光装置
Ａ１〜Ａ４  メインアーム
Ｃ          トランファーアーム
Ｄ          受け渡しアーム
Ｅ          シャトルアーム
Ｆ          インターフェイスアーム
ＢＣＴ      第１の反射防止膜形成モジュール
ＣＯＴ      塗布モジュール
ＴＣＴ      第２の反射防止膜形成モジュール
ＤＥＶ      現像モジュール
ＢＦ２〜ＢＦ４    退避モジュール
４１〜４４  載置ステージ  
１００      制御部
７１        ＣＯＴ層搬送部
７２        ＢＣＴ層搬送部
７３        ＴＣＴ層搬送部
７４        ウエハ監視部
７５        払い出し制御部
７６        搬送制御部
【図１】
2008141134.tif 000003
【図２】
2008141134.tif 000004
【図３】
2008141134.tif 000005
【図４】
2008141134.tif 000006
【図５】
2008141134.tif 000007
【図６】
2008141134.tif 000008
【図７】
2008141134.tif 000009
【図８】
2008141134.tif 000010
【図９】
2008141134.tif 000011
【図１０】
2008141134.tif 000012
【図１１】
2008141134.tif 000013
【図１２】
2008141134.tif 000014
【図１３】
2008141134.tif 000015
【図１４】
2008141134.tif 000016
【図１５】
2008141134.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールと、
塗布膜形成用の単位ブロックでは、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で前記温調モジュール側から前記退避モジュール側へ向けて基板を搬送すると共に、露光装置の処理速度が塗布膜形成用の単位ブロックの処理速度よりも小さいときに、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。  
【請求項２】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールと、
前記露光装置に異常が発生したときに、塗布膜形成用の単位ブロック内において、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で基板を搬送すると共に、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、
かつ塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロックでの通常の処理が行われた後、前記退避モジュールに各基板を退避するように当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御すると共に、
当該単位ブロック外への基板の搬出と、当該単位ブロック内への基板の搬入とを禁止するための制御指令を出力する制御部と、を備えることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項３】
前記加熱冷却モジュールは、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールとの２つのモジュールにより構成され、前記制御部は、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりも（ｎ−１）枚多い数になるように、当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御することを特徴とする請求項１又は２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記退避モジュールに退避する基板が１枚増えたときに、前記基板搬送手段による前記温調モジュールからの基板の払い出しを停止するように、前記基板搬送手段を制御する手段を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記退避モジュールから下流側のモジュールへの基板の搬送が開始されたときに、前記基板搬送手段による前記温調モジュールからの基板の払い出しを開始するように、前記基板搬送手段を制御する手段を備えることを特徴とする請求項４記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
前記１個又は複数個の塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックの各単位ブロックに設けられ、他の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための受け渡し部と、
各単位ブロックの受け渡し部同士の間で基板の受け渡しを行なう受け渡し手段と、を備え、
前記退避モジュールは、塗布膜形成用の単位ブロックの基板搬送手段と、前記受け渡し手段とにより基板の受け渡しを行うように設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、を設けると共に、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールを設け、当該単位ブロックでは、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で前記温調モジュール側から前記退避モジュール側へ向けて基板を搬送すると共に、露光装置の処理速度が塗布膜形成用の単位ブロックの処理速度よりも小さいときに、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、基板搬送手段により基板を搬送することを特徴とする塗布、現像方法。  
【請求項８】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、
前記単位ブロックでは、基板が置かれる複数個のモジュールと、前記モジュールの間で基板の搬送を行なう基板搬送手段とを備え、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、を設けると共に、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールを設け、当該単位ブロック内において、前記露光装置に異常が発生したときに、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で基板を搬送すると共に、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、かつ当該単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロックでの通常の処理が行われた後、前記退避モジュールに各基板を退避するように、基板搬送手段により基板を搬送する工程と、
前記塗布膜形成用の単位ブロック外への基板の搬出を禁止する工程と、
前記塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止する工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項９】
前記加熱冷却モジュールは、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールとの２つのモジュールにより構成され、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりも（ｎ−１）枚多い数になるように、基板搬送手段による基板の搬送が行なわれることを特徴とする請求項７又は８記載の塗布、現像装置。
【請求項１０】
複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に１個の塗布膜形成用の単位ブロック又は互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいてレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックにおいて現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項７ないし９のいずれか一に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明の塗布、現像装置は、前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、
前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールと、
前記露光装置に異常が発生したときに、塗布膜形成用の単位ブロック内において、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で基板を搬送すると共に、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、かつ塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロックでの通常の処理が行われた後、前記退避モジュールに各基板を退避するように当該単位ブロック内の基板搬送手段を制御すると共に、当該単位ブロック外への基板の搬出と、当該単位ブロック内への基板の搬入とを禁止するための制御指令を出力する制御部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに本発明の塗布、現像方法は、前記塗布膜形成用の単位ブロックに、基板を温調する温調モジュールと、塗布液を基板に塗布する液処理モジュールと、基板を加熱し、次いで冷却する加熱冷却モジュールと、を設けると共に、前記液処理モジュールの数よりもｎ枚多い枚数の基板を退避することができる退避モジュールを設け、当該単位ブロック内において、前記露光装置に異常が発生したときに、前記温調モジュール、前記液処理モジュール、前記加熱冷却モジュール、前記退避モジュールの搬送経路で基板を搬送すると共に、前記温調モジュールの下流側のモジュールに置かれた基板の総数が、前記温調モジュールの次のモジュールから前記退避モジュールの前のモジュールまでの前記搬送経路の総モジュール数よりもｎ枚多い数になるように、かつ当該単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロックでの通常の処理が行われた後、前記退避モジュールに各基板を退避するように、基板搬送手段により基板を搬送する工程と、
前記塗布膜形成用の単位ブロック外への基板の搬出を禁止する工程と、
前記塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止する工程と、を含むことを特徴とする。