(57)【要約】【課題】インクジェット噴射方式を用いて微細パターンを形成するために表面エネルギー制御を用いたパターニング方法を提供する。【解決手段】本発明に係る表面エネルギー制御を用いたパターニング方法は、インクジェット噴射方式を用いて微細パターンを形成するための、表面エネルギー制御を用いたパターニング方法において、基板表面に疎水性薄膜をコートする段階と、コートされた前記基板の表面エネルギーを調整する段階と、所望の線幅及びインクの粘着力に応じて表面エネルギーが調整された前記基板を所定の温度で加熱しながら所望のサイズの噴射ノズルを用いてパターンを形成する段階とを含んでなることを特徴とする。このように構成された本発明は、基板の表面エネルギーを調整してパターンの線幅を調整することができるという利点がある。【選択図】図１
2008294391.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット噴射方式を用いて微細パターンを形成するための、表面エネルギー制御を用いたパターニング方法において、
基板表面に疎水性薄膜をコートする段階と、
コートされた前記基板の表面エネルギーを調整する段階と、
所望の線幅及びインクの粘着力に応じて表面エネルギーが調整された前記基板を所定の温度で加熱しながら所望のサイズの噴射ノズルを用いてパターンを形成する段階と
を含んでなることを特徴とする表面エネルギー制御を用いたパターニング方法。
【請求項２】
前記疎水性薄膜をコートする段階の後に、
コートされた前記基板をベーキングさせる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のパターニング方法。
【請求項３】
前記パターンを形成する段階の後に、
前記基板をベーキングさせてパターンを形成するための液滴を、導電性物質のみを残して飛散させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載のパターニング方法。
【請求項４】
前記疎水性薄膜をコートする段階は、
テフロン(登録商標）系の疎水性薄膜でコートすることを特徴とする請求項１に記載の
パターニング方法。
【請求項５】
前記疎水性薄膜をコートする段階は、
スピンコート及びプラズマコートのうちいずれか一方の方法でコートすることを特徴とする請求項１に記載のパターニング方法。
【請求項６】
前記表面エネルギーを調整する段階は、
ＵＶ−オゾン及び酸素プラズマのうちいずれか一方を用いて疎水性薄膜がコートされた前記基板を酸化させることを特徴とする請求項１に記載のパターニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面エネルギー制御を用いたパターニング方法に係る。さらに詳しくは、基板の表面エネルギーを調整してパターンの線幅を調整する、表面エネルギー制御を用いたパターニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板（ＰＣＢ）工程における従来のパターン形成方式は、全面にわたって銅が設けられた基板から必要なパターン部分のみを残し、不要な部分の銅はエッチング(etching)工程を経て除去する方式である。
【０００３】
これに対し、インクジェット噴射方式は、パターンを形成したい部分に沿って導電性物質（現在銀（Ａg）粒子が汎用されている）含有液体を噴射した後、この導電性含有液体
から導電性物質のみを残し、他の物質は除去、すなわち飛散させる方式（熱を加えて除去する方式）を採用する。
【０００４】
産業技術の発展による多様な機能の具現化と小型化が必要とされる傾向にあいまって軽く、薄く、強く、そして小さな大きさのＰＣＢ基板が求められている。このような要望を実現するために、基本的に微細パターンが必要となり、微細パターンの信頼性を確保する必要がある。したがって、現在ＰＣＢ工程で共通に求められているのは、「軽薄短小」である。
【０００５】
微細パターンの信頼性を確保するための技術としては、回路基板の微細パターンをインクジェットパターニングによって形成させる技術が最近主として使われている。インクジェット方式は、微細パターンを基板上に直接形成し得ることから、従来のリソグラフィを用いた印刷技術の如く、真空成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、レジスト剥離工程などのコストがかかる工程を省略することができ、安価で回路基板を製作することができる。
【０００６】
インクジェットパターニング方式は、基板を処理しない状態でインクを５０μｍノズルから噴射すると、インクのノズルからの吐出時に液滴(drop)の直径が約１．５倍増加し、
液滴の無処理基板への落下時に数倍に広がることになり、微細パターン（配線）の幅が
噴射ノズルの数倍となるという不具合がある。
【０００７】
また、インクジェットパターニング技術は、インクジェットノズルの噴射条件のみを用いて線幅を調整するものであるから、インクの粘性、吐出量、インクジェットノズルの直径により微細線幅の実現が左右される。既存の基板の特性を調整して線幅を制御するための方法としては、噴射時に基板を加熱する方法が汎用されている。しかしながら、噴射時に基板を加熱する方法は、インクの吐出時にノズルの目詰まりを起こすことはもとより、パターン形状のコーヒーステイン現象(coffee stain effect)を引き起こす。
【０００８】
また、基板に単に疎水性処理のみを施しインクの接触角を高めて微細パターンを形成する技術が提案されているが、インクの特性により噴射直後に基板に印刷された液滴の塊ができてしまい、パターンの形状が不均一になるという不具合がある。
【０００９】
また、多角度基板処理方式は、主に接触角を小さくする効果があるが、接触角を小さくした状態で液滴と液滴とをオーバーラップ(overlap)させてラインを形成する段階では、
一つの液滴と次の液滴との衝突現象回避の難しさによるライン形成の困難さと、ライン形
状のバラツキが見られるという不具合がある。さらに、接触角を増やして線幅を減らすための既存の疎水性処理基板は、液滴と液滴がオーバーラップするとき、液滴と液滴とが基板に固定している(anchor)ことができず、液滴間の引力によってさらに大きな液滴になるだけであり、ラインが形成できないという不具合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、かかる従来の問題点を解決するためのもので、基板の表面エネルギーを調整して基板に着弾する液滴の線幅と細長比を調整することにより微細パターンを形成する、表面エネルギー制御を用いたパターニング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明に係る表面エネルギー制御を用いたパターニング方法は、インクジェット噴射方式を用いて微細パターンを形成するための、表面エネルギー制御を用いたパターニング方法において、基板表面に疎水性薄膜をコートする段階と、コートされた前記基板の表面エネルギーを調整する段階と、所望の線幅及びインクの粘着力に応じて表面エネルギーが調整された前記基板を所定の温度で加熱しながら所望のサイズの噴射ノズルを用いてパターンを形成する段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１２】
本発明は、好ましくは、前記疎水性薄膜をコートする段階の後に、コートされた前記基板をベーキングする段階をさらに含むことを特徴とする。
また、本発明は、好ましくは、前記パターンを形成する段階の後に、前記基板をベーキングしてパターンを形成するための液滴を、導電性物質のみを残して飛散させる段階をさらに含むことを特徴とする。
【００１３】
さらにまた、本発明は、好ましくは、前記疎水性薄膜をコートする段階は、テフロン（登録商標）系の疎水性薄膜でコートすることを特徴とする。
さらにまた、本発明は、好ましくは、前記疎水性薄膜をコートする段階は、スピンコート及びプラズマコートのうちいずれか一方でコートすることを特徴とする。
【００１４】
さらにまた、本発明は、好ましくは、前記表面エネルギーを調整する段階は、ＵＶ−オゾン及び酸素プラズマのうちいずれか一方を用いて疎水性薄膜がコートされた前記基板を酸化させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、所望の線幅により基板の表面エネルギーを調整してパターンを形成することにより、液滴の集塊ができず、線幅を調整しながら最適のパターニングを形成することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して本発明の表面エネルギー制御を用いたパターニング方法による実施例を詳細に説明する。ここでは、実施例を、典型的な実施の順序を示した図５に従って説明する。
【００１７】
本発明による表面エネルギー制御を用いたパターニング方法は、用意した基板１０の表面に疎水性薄膜２０のような低い表面エネルギーを有するフィルムをコートし、前記疎水性薄膜２０がコートされた前記基板１０について所望の線幅による表面エネルギーを調整した後、所望のサイズの噴射ノズルを用いてパターンを形成することを特徴とする。ここで、前記疎水性薄膜２０がコートされた前記基板１０について所望の線幅により表面エネルギーを調整するために、ＵＶ−オゾン処理を行うことができる。
【００１８】
先ず、基板１０に低い表面エネルギーを有する疎水性薄膜２０をコートする（Ｓ１０）。図２は、本発明による疎水性薄膜がコートされた基板に着弾したインクの液滴を示す断面図である。前記疎水性薄膜２０を基板にコートする理由は、低い表面エネルギーを得て前記基板１０に着弾する液滴１の接触角(contact angle)を高めるためであり、また不均一な表面の基板を均一な表面にするためである。
【００１９】
本発明による一実施例において、前記疎水性薄膜２０を前記基板１０にコートする際に、スピンコートまたはプラズマコート方法を用い、テフロン（登録商標）(Teflon)（系の薄膜をコートした。
【００２０】
前記疎水性薄膜２０をコートすることにより、大きな接触角を有する低いエネルギー表面に噴射された液滴１は表面処理前に比べて大きな接触角を有するので、微細な線幅(パ
ターン)を実現することができる。
【００２１】
前記疎水性薄膜２０がコートされた前記基板１０を、オーブンを用いてベーキング(baking)する（Ｓ２０）。一実施例においては、１２０℃で１０分間ベーキングさせた。
次に、ベーキングされた前記基板１０は、表面エネルギーを高めるためにＵＶ−オゾン３０処理装置に適正時間入れて置き、前記基板１０にＵＶ−オゾン処理を行う（Ｓ３０）。
【００２２】
前記ＵＶ−オゾン３０処理を行い低い表面エネルギーを有する疎水性薄膜２０がコートされた前記基板１０の表面エネルギーをさらに高めることにより、パターンの線幅を増やすことができる。また、前記ＵＶ−オゾン処理に代えて、酸素プラズマを用いて前記疎水性薄膜２０がコートされた基板１０の表面エネルギーを高めることもできる。また、ＵＶ−オゾン処理や酸素プラズマを用いた表面処理を行い、パターンを形成するインクと前記疎水性薄膜２０との間の粘着力を向上させることができる。
【００２３】
図３は、本発明による疎水性薄膜がコートされた基板の表面エネルギーを調整して親水性に変換させた基板に着弾したインクの液滴を示す断面図である。
ＵＶ−オゾン処理が完了した後、所望のサイズの噴射ノズル４０を用いて前記基板１０を加熱しながらパターンを形成する（Ｓ４０）。ここで、前記基板１０に加えられる適正温度を維持した状態でパターンを形成する。このとき、液滴の適正粘度の範囲は５乃至１５ｃＰである。
【００２４】
図４は、パターンを形成するための装置の概路図である。
同図に示すように、ステージ上に設置されたメタルボード５４に疎水性薄膜２０をコートした後、ＵＶ−オゾン処理された前記基板１０を載置し、温度制御器５３を用いてメタルボードを加熱することにより前記基板１０に熱を伝達して加熱させる。
【００２５】
適正温度が維持されると、コントローラシステム５０と電圧制御器５１により噴射ノズル４０を作動させ、圧力制御器５２によりインク溶液が貯蔵されている貯蔵器から前記噴射ノズル４０で液滴を注入し、前記噴射ノズル４０を介して液滴１を前記基板１０に吐出する。また、ＣＣＤカメラ５５を用いて前記基板１０に着弾した液滴１を確認した。
【００２６】
適正温度で前記基板１０を加熱することにより、液滴が落ちる時点で液滴が基板上で塊になる現象を防止し、直ちに乾燥粘着させることによって、液滴が重なってパターンを形成するときに液滴の飛散を防止する。
【００２７】
パターン形成が完了した後、液滴の導電性物質のみを残し、他の物質を飛散させるため
にさらにベーキング処理（Ｓ５０）を行うことにより微細パターンを形成させる。
以下、本発明によりパターンを形成するための、各種環境条件下で行われた実施例を詳細に説明する。
【００２８】
下記表１は、微細パターン形成のためのインクジェットシステムにおいてステージの移動速度と噴射周波数とを考慮して計算した液滴(droplet)当たりの間隔、すなわち中心‐
中心間のピッチ（center-to-center pitch）を示す。
【００２９】
【表１】
2008294391.tif 000003
【００３０】
下記表２は、前記疎水性薄膜２０のコート前後の接触角と表面エネルギーの変化を示す。
【００３１】
【表２】
2008294391.tif 000004
【００３２】
疎水性薄膜２０を基板１０にコートして各液滴１の接触角を大きくすることにより、液滴と液滴とをオーバーラップしてラインを形成するときに線幅を減らすことができる。また、適正ＵＶ−オゾン処理時間による表面エネルギーを高めることにより、線幅を増加させることはもとより、パターニングされたインクの接着力を向上させることができる。しかしながら、ＵＶ−オゾン処理時間が過度に長い場合は、接着力は向上させることができるが、親水性基が大きくなるため、インクが広がりすぎて所望の線幅よりも広い線幅を示し、さらに基板の損傷を起こすおそれがある。
【００３３】
図６(Ａ)〜(Ｃ)は、表面処理及び基板加熱によるパターンの線幅及び厚さの変化を示すものであり、７０℃で基板を加熱する際に表面状態による線幅の変化を示す。
図６(Ａ)はテフロン（登録商標）のコート前、図６(Ｂ)は基板加熱、図６(Ｃ)はテフロン（登録商標）のコート及びＵＶ−オゾン処理の場合をそれぞれ示す。
【００３４】
基板１０にテフロン（登録商標）系の疎水性の薄膜をスピンコートしたとき、５０μｍノズルを用いて噴射すると、液滴パターンの直径は最小約４８〜６０μｍを示し、パターンを形成するために液滴と液滴とを重ねることになるが、このとき、線幅は通常の液滴直径の２倍以上増加する。また、この際、表面処理と基板加熱を併行することにより、最小約７８μｍの線幅を形成することが可能である。厚さは１回噴射時に線幅により１．２〜
１．５μｍとなる。
【００３５】
図７(Ａ)〜(Ｄ)は、ＵＶ−オゾン処理時間によるパターンの大きさ変化を示す。疎水性薄膜２０のコート後、ＵＶ−オゾン処理時間による印刷液滴パターンの変化を示し、図７(Ａ)はＵＶ−オゾン処理の前、図７(Ｂ)は１８０秒処理、図７(Ｃ)は４２０秒処理、図７(Ｄ)は５４０秒処理した場合をそれぞれ示す。ここでは、基板を加熱せずに常温で実験を行った。
【００３６】
温度は常温を維持し、基板を疎水性処理した状態で、ＵＶ−オゾン処理時間を変えながら液滴パターンの直径の変化を観察した。常温で基板をテフロン（登録商標）コートした後にインクジェットを行うと、液滴のパターンのバラツキが発生し塊になる現象が発生した。これは、テフロン（登録商標）コート後に基板の表面エネルギーが減少し、基板に対する接触角が大きくなり、液滴の基板への粘着力が減少したからである。
【００３７】
ＵＶ−オゾン処理を行うと、基板の親水性基と表面エネルギーが増加することにより、インクジェット時の表面に対する液滴の接触角及び粘着力が増加し、パターンが均一に形成された。
【００３８】
ＵＶ−オゾン処理時間が増加するほどパターンが大きくなった。図７(Ｂ)〜(Ｄ)に示すように、測定パターンの大きさ（直径）は５３μｍ (Ｂ) → ６３μｍ (Ｃ) →８０μｍ (Ｄ)の順に増した。
【００３９】
図８及び図９は、それぞれ、液滴のピッチ及びＵＶ−オゾン処理時間によるパターンの集塊現象の変化を示す図である。
ＵＶ−オゾン処理時間による、インクジェット後の基板上のパターンの集塊現象に対する効果を調べるために、ＵＶ−オゾン処理時間と液滴のピッチ(中心−中心間)とを変えながら現象を観察した。
【００４０】
図８(Ａ)〜(Ｃ)は、テフロン（登録商標）疎水性薄膜コート後に１８０秒間ＵＶ−オゾン処理した後、インクジェットパターニングした結果を示す。液滴のピッチが減ると共に基板にパターニングされた液滴が塊になる現象が観察された。液滴のピッチが８０.００
μｍ（Ａ）、５７．１０μｍ（Ｂ）、４０．００μｍ（Ｃ）に減少するに伴い、基板上にパターニングされた液滴が塊になる現象が顕著になることが確認された。
【００４１】
図９(Ａ)〜(Ｃ)は、液滴のピッチが４０μｍであるとき、それぞれＵＶ−オゾン処理時間１８０秒 (Ａ)、４２０秒 (Ｂ)、４８０秒 (Ｃ)によるパターンの形状を示す。結果か
ら、表面エネルギーが急激に増加する時点 (表２参照)、すなわち４２０秒以後にもパタ
ーンの集塊現象が相変らず観察された。
【００４２】
表面エネルギーの増加は、噴射された液滴が基板に到達してパターンとして位置付けられるアンカー(anchor)の役割を果たし、安定したパターンの形成を誘導する。また、表面エネルギーの増加は、液滴の基板への接触角を増やしてパターンサイズの増大を誘導する。
【００４３】
図１０(Ａ)〜(Ｃ)は、基板加熱温度によるパターンの集塊現象の変化を示す図である。
図１０(Ａ)は４０℃、図１０(Ｂ)は７０℃、図１０(Ｃ)は１００℃（ＵＶ−オゾン処理時間 : ０秒、液滴ピッチ：６６．６７μｍ）の場合をそれぞれ示す。
【００４４】
テフロン（登録商標）コート後、ＵＶ−オゾン処理なしにインクジェットを施した。基板温度は４０℃、７０℃、１００℃と変え、液滴のピッチを６６．６７μｍとした。同図から明らかなように、基板温度が増加するほど液滴の集塊現象は顕著に減り、１００℃の
場合にはそれぞれの鮮明な液滴パターン（Ｃ）が観察された。
【００４５】
これは、次の液滴が到逹する時点では前の液滴の溶媒のほとんどが蒸発し、液滴が基板上に充分に付着した状態であるので、２つの液滴の衝突によるバンピング(bumping)現象
や集塊現象を防止することができると判断される。しかしながら、１００℃における噴射時には、ノズルの目詰まりが頻繁に発生した。
【００４６】
図１１(Ａ)〜(Ｆ)は、ＵＶ−オゾン処理と基板加熱によるパターンの変化を示す図である。
図１１(Ａ)〜(Ｆ)は、ＵＶ− オゾン処理時間が４２０秒、基板温度が４０℃であると
き、インクジェット噴射周波数／液滴のピッチ(中心−中心間)によるパターン形状の変化を示す。図１１(Ａ)は２５０Ｈｚ／８０．００μｍ、図１１(Ｂ)は３００Ｈｚ／６６．６７μｍ、図１１(Ｃ)は３５０Ｈｚ／５７．１０μｍ、図１１(Ｄ)は４００Ｈｚ／５０．００μｍ、図１１(Ｅ)は４５０Ｈｚ／４４．４４μｍ、図１１(Ｆ)は ５００Ｈｚ／４０．００μｍの場合をそれぞれ示す。
【００４７】
図１２(Ａ)〜(Ｆ)は、ＵＶ−オゾン処理時間が１８０秒、基板温度が７０℃であるとき、インクジェット噴射周波数／液滴のピッチによるパターン形状の変化を示す。図１２(Ａ)は２５０Ｈｚ／８０．００μｍ、図１２(Ｂ)は３００Ｈｚ／６６．６７μｍ、図１２(Ｃ)は３５０Ｈｚ／５７．１０μｍ、図１２(Ｄ)は４００Ｈｚ／５０．００μｍ、図１２(Ｅ)は４５０Ｈｚ／４４．４４μｍ、図１２(Ｆ)は５００Ｈｚ／４０．００μｍの場合を
それぞれ示す。
【００４８】
図１３(Ａ)〜(Ｆ)は、ＵＶ−オゾン処理時間が４２０秒、基板温度が７０℃であるとき、インクジェット噴射周波数／液滴のピッチによるパターン形状の変化を示す。図１３(Ａ)は２５０Ｈｚ／８０．００μｍ、図１３(Ｂ)は３００Ｈｚ／６６．６７μｍ、図１３(Ｃ)は３５０Ｈｚ／５７．１０μｍ、図１３(Ｄ)は４００Ｈｚ／５０．００μｍ、図１３(Ｅ)は４５０Ｈｚ／４４．４４μｍ、図１３(Ｆ)は５００Ｈｚ／４０．００μｍの場合を
それぞれ示す。
【００４９】
図１０(Ａ)に示すように、基板加熱温度が４０℃であるとき、液滴の集塊現象が鮮明に見られることがわかる。ＵＶ−オゾン処理時間が０秒、１８０秒では集塊現象が観察されたが、４２０秒間ＵＶ−オゾン処理した後インク噴射を行うと、同じ液滴のピッチである図１１Ｂから明らかなように、集塊現象が著しく減少したことがわかる。液滴のピッチを５７．１μｍ以下にすると、９０〜１２０μｍのパターンが得られた。
【００５０】
図８(Ａ)〜(Ｃ)と図９(Ａ)〜(Ｃ)の結果から明らかなように、４０℃の基板温度と４２０秒間のＵＶ−オゾン処理の際には、集塊現象が観察された。
本発明では、ＵＶ−オゾン処理してテフロン（登録商標）がコートされた基板の表面エネルギーを増加させると、４０℃の低い温度においても液滴の集塊なしに安定で均一な線状のパターンが得られる。したがって、ＵＶ−オゾン処理による表面エネルギー制御と基板の加熱とを併行する複合表面処理は、インクジェットパターニングに非常に効果的であることが確認された。
【００５１】
図１２(Ｃ)に示すように、ＵＶ−オゾン処理時間が１８０秒、基板加熱温度が７０℃、液滴のピッチが５７．１０μｍであるとき、最小線幅９２．１５μｍが得られた。
図１３(Ａ)に示すように、ＵＶ−オゾン処理時間が４２０秒、基板加熱温度が７０℃、液滴のピッチが６６．６７μｍであるとき、最小線幅７８μｍが得られた。
【００５２】
集塊現象が原因で断絶せず連続したパターンが形成される条件下で、ＵＶ−オゾン処理
時間と基板加熱温度は相互反比例の関係にあり、ＵＶ−オゾン処理時間と基板加熱温度が増加するほどパターンが形成される液滴のピッチが増加した。
【００５３】
このような構成及び作用を有する本発明は、基板上に微細パターンを形成するとき、疎水性薄膜をコートして、それに対して表面エネルギー調整を経た後にパターンを形成することにより、液滴の集塊現象を解消し、微細パターンを実現することができるという利点がある。
【００５４】
以上、本発明を本発明の原理を例示するための好適な実施例と結びつけて説明して示したが、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば、様々な修正及び変形が可能である。よって、このような修正及び変形も特許請求の範囲に属するものとして理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明による表面エネルギー制御を用いたパターニング方法の工程を示す概路図。
【図２】本発明による疎水性薄膜がコートされた基板に着弾した液滴を示す断面図。
【図３】本発明による疎水性薄膜がコートされた基板の表面エネルギーを調整して水と親水性に変換させた基板に着弾した液滴を示す断面図。
【図４】本発明によるパターンを形成するための装置の概路図。
【図５】本発明による表面エネルギー制御を用いたパターニング方法を示す順序図。
【図６】図６(Ａ)〜(Ｃ)は、表面処理及び基板加熱によるパターンの線幅及び厚さの変化を示す図。
【図７】図７(Ａ)〜(Ｄ)は、ＵＶ−オゾン処理時間によるパターンの大きさの変化を示す図。
【図８】図８(Ａ)〜(Ｃ)は、液滴のピッチによるパターンの集塊現象の変化を示す図。
【図９】図９(Ａ)〜(Ｃ)は、ＵＶ−オゾン処理時間によるパターンの集塊現象の変化を示す図。
【図１０】図１０(Ａ)〜(Ｃ)は、基板加熱温度によるパターンの集塊現象の変化を示す図。
【図１１】図１１(Ａ)〜(Ｆ)は、ＵＶ−オゾン処理と基板加熱によるパターンの変化を示す図。
【図１２】図１２(Ａ)〜(Ｆ)は、ＵＶ−オゾン処理と基板加熱によるパターンの変化を示す図。
【図１３】図１３(Ａ)〜(Ｆ)は、ＵＶ−オゾン処理と基板加熱によるパターンの変化を示す図。
【符号の説明】
【００５６】
１    液滴
１０    基板
２０    疎水性薄膜
３０    ＵＶ−オゾン
４０    噴射ノズル
５０    コントローラシステム
５１    電圧制御器
５２    圧力制御器
５３    温度制御器
５４    メタルボード
５５    ＣＣＤカメラ
【図１】
2008294391.tif 000005
【図２】
2008294391.tif 000006
【図３】
2008294391.tif 000007
【図４】
2008294391.tif 000008
【図５】
2008294391.tif 000009
【図６】
2008294391.tif 000010
【図７】
2008294391.tif 000011
【図８】
2008294391.tif 000012
【図９】
2008294391.tif 000013
【図１０】
2008294391.tif 000014
【図１１】
2008294391.tif 000015
【図１２】
2008294391.tif 000016
【図１３】
2008294391.tif 000017