(57)【要約】【課題】放射ノイズが発生しにくい回路基板モジュールを効率よく製造することが可能な回路基板及びその製造方法、回路基板モジュール、並びに、電子機器を提供する。【解決手段】回路基板は、電源層１０と、電源層１０と間隔をあけて対向するグランド層２０と、電源層１０とグランド層２０との間に配置された誘電体層３０と、を含む。誘電体層３０は、平面視において隣り合って配置される、誘電率が異なる第１の領域３２と第２の領域３４とを有する。【選択図】図２
2008159676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源層と、
前記電源層と間隔をあけて対向するグランド層と、
前記電源層とグランド層との間に配置された誘電体層と、
を含み、
前記誘電体層は、
平面視において隣り合って配置される、誘電率が異なる第１の領域と第２の領域とを有する回路基板。
【請求項２】
請求項１記載の回路基板において、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、誘電率の異なる誘電体によって構成された領域である回路基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の回路基板において、
前記電源層と前記グランド層との間に形成された内部配線をさらに含み、
前記内部配線は、前記第１の領域と前記第２の領域との境界と交差しないように形成されている回路基板。
【請求項４】
請求項３記載の回路基板において、
前記内部配線のうち、前記第１の領域に形成された第１の内部配線と、前記第２の領域に形成された第２の内部配線とは、幅が異なる回路基板。
【請求項５】
請求項１記載の回路基板において、
前記誘電体層は、
誘電体によって構成された、間隔をあけて配置された複数の前記第１の領域を含み、
前記第２の領域は、隣り合う２つの前記誘電体によって区画された空間である回路基板。
【請求項６】
請求項１記載の回路基板において、
前記誘電体層は、
誘電体によって構成された、貫通穴が形成された形状をなす前記第１の領域を含み、
前記第２の領域は、前記貫通穴の内壁面によって区画された空間である回路基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の回路基板において、
前記電源層を覆う第１の表面層と、
前記グランド層を覆う第２の表面層と、
をさらに含む回路基板。
【請求項８】
電源層と、前記電源層と間隔をあけて対向するグランド層と、前記電源層とグランド層との間に配置された誘電体層と、を含む回路基板と、
前記回路基板に実装された電子部品と、
を含み、
前記誘電体層は、
平面視において隣り合って配置される、誘電率が異なる第１の領域と第２の領域とを有する回路基板モジュール。
【請求項９】
請求項８記載の回路基板モジュールを有する電子機器。
【請求項１０】
電源層と、前記電源層と間隔をあけて対向するグランド層と、前記電源層とグランド層との間に配置された誘電体層と、を含む、電子部品が実装される回路基板を製造する方法であって、
前記誘電体層を、
平面視において隣り合って配置される、誘電率が異なる第１の領域と第２の領域とを有するように、かつ、前記回路基板の共振周波数が、前記電子部品のクロック周波数との関係で所定の条件を満たすように形成する回路基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の回路基板の製造方法において、
前記誘電体層を、
前記共振周波数が前記クロック周波数の奇数倍とならないように形成する回路基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１記載の回路基板の製造方法において、
前記誘電体層を、
前記共振周波数が前記クロック周波数の偶数倍とならないように形成する回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及びその製造方法、回路基板モジュール、並びに、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータや携帯電話等の各種電子機器では、小型化及び多機能化、高性能化、高速化、並びに、動作の安定性が要請されている。電子機器を安定して動作させるためには、ノイズの発生を低減させることが重要である。
【特許文献１】特開２０００−１０１２０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
図１に示すような平板の対向電極を有する電子構造体では、固有の共振周波数で定在波が発生する。例えば、回路基板がこの電子構造体を含む構成をなす場合、この電子構造体の共振周波数が、回路基板の固有の共振周波数と（ほぼ）一致する。そして、回路基板固有の共振周波数とノイズ源の高調波周波数とが一致すると、放射ノイズが増加するおそれがある。そのため、電子機器の信頼性を高めるためには、回路基板固有の共振周波数とノイズ源の高調波周波数とを、異なる値とすることが重要である。
【０００４】
ところで、図１に示すように、対向配置された電源層１及びグランド層２（各辺の長さがａ及びｂの長方形である平板電極）と、その間に配置された比誘電率（誘電率）がεの誘電体層とを有する回路基板の固有の共振周波数ｆは、次式で表される。なお、式中、ｍ，ｎは整数であり、Ｃは真空中の光速である。
【０００５】
【数１】
2008159676.tif 000003
式（１）を見ると、回路基板の固有の共振周波数は、回路基板の大きさによって調整することが可能であることがわかる。しかし、電子機器の小型化に伴って回路基板自身も小型化しているため、回路基板の外形を所望の形状とすることは困難な場合が多い。
【０００６】
また、回路基板に実装される電子部品（導体）の配置を変更し、あるいは、回路基板に実装される電子部品を追加すれば、ノイズ源の高調波周波数が変化することがあり、その値を回路基板の固有の共振周波数と異なる値とすることも可能である。しかし、回路基板には電子部品が高密度に配置されることから、電子部品の位置を自由に設計（変更）することが困難な場合が多い。
【０００７】
本発明の目的は、放射ノイズが発生しにくい回路基板モジュールを効率よく製造することが可能な回路基板及びその製造方法、回路基板モジュール、並びに、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明に係る回路基板は、
電源層と、
前記電源層と間隔をあけて対向するグランド層と、
前記電源層とグランド層との間に配置された誘電体層と、
を含み、
前記誘電体層は、
平面視において隣り合って配置される、誘電率が異なる第１の領域と第２の領域とを有する。
【０００９】
本発明によると、誘電体層は、誘電率の異なる第１の領域と第２の領域とを有する。また、第１及び第２の領域は、平面視において隣り合って配置されている。そのため、本発明によると、第１及び第２の領域の大きさや形状を変更することで、誘電体層の外形を変更することなく、誘電体層の誘電率を変えることができる。すなわち、本発明によると、回路基板の外形を変更することなく、回路基板の固有の共振周波数を変更することができる。そのため本発明によると、固有の共振周波数の値が、ノイズ源の高調波周波数（実装される電子部品のクロック周波数の整数倍）と異なる、放射ノイズの発生しにくい回路基板を提供することができる。
【００１０】
（２）この回路基板において、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、誘電率の異なる誘電体によって構成された領域であってもよい。
【００１１】
（３）この回路基板において、
前記電源層と前記グランド層との間に形成された内部配線をさらに含み、
前記内部配線は、前記第１の領域と前記第２の領域との境界と交差しないように形成されていてもよい。
【００１２】
これによると、回路基板の内部配線のインピーダンスを一定に保つことが可能になるため、動作が安定した回路基板を提供することができる。
【００１３】
（４）この回路基板において、
前記内部配線のうち、前記第１の領域に形成された第１の内部配線と、前記第２の領域に形成された第２の内部配線とは、幅が異なっていてもよい。
【００１４】
これによると、回路基板全体で、インピーダンスのばらつきを抑えることができるため、動作が安定した回路基板を提供することができる。
【００１５】
（５）この回路基板において、
前記誘電体層は、
誘電体によって構成された、間隔をあけて配置された複数の前記第１の領域を含み、
前記第２の領域は、隣り合う２つの前記誘電体によって区画された空間であってもよい。
【００１６】
第２の領域は、例えば、間隔をあけて配置された２つの誘電体の対向する側面によって区画された領域（空房領域）であってもよい。第２の領域は、スリット形状をなしていてもよい。
【００１７】
（６）この回路基板において、
前記誘電体層は、
誘電体によって構成された、貫通穴が形成された形状をなす前記第１の領域を含み、
前記第２の領域は、前記貫通穴の内壁面によって区画された空間であってもよい。
【００１８】
（７）この回路基板において、
前記電源層を覆う第１の表面層と、
前記グランド層を覆う第２の表面層と、
をさらに含んでもよい。
【００１９】
（８）本発明に係る回路基板モジュールは、
電源層と、前記電源層と間隔をあけて対向するグランド層と、前記電源層とグランド層との間に配置された誘電体層と、を含む回路基板と、
前記回路基板に実装された電子部品と、
を含み、
前記誘電体層は、
平面視において隣り合って配置される、誘電率が異なる第１の領域と第２の領域とを有する。
【００２０】
本発明によると、回路基板モジュールは、外形を変更することなく固有の共振周波数を設定（変更）することが可能な回路基板を有する。このことから本発明によると、回路基板固有の共振周波数の値を、ノイズ源の高調波周波数（実装される電子部品のクロック周波数の整数倍）と異なる値とすることが可能になり、放射ノイズが発生しにくい回路基板モジュールを提供することができる。
【００２１】
（９）本発明に係る電子機器は、上記の回路基板モジュールを有する。
【００２２】
（１０）本発明に係る回路基板の製造方法は、
電源層と、前記電源層と間隔をあけて対向するグランド層と、前記電源層とグランド層との間に配置された誘電体層と、を含む、電子部品が実装される回路基板を製造する方法であって、
前記誘電体層を、
平面視において隣り合って配置される、誘電率が異なる第１の領域と第２の領域とを有するように、かつ、前記回路基板の共振周波数が、前記電子部品のクロック周波数との関係で所定の条件を満たすように形成する。
【００２３】
本発明によると、固有の共振周波数の値が、実装される電子部品のクロック周波数との関係で所定の条件を満たすように回路基板を製造する。例えば、回路基板を、固有の共振周波数が、実装される電子部品のクロック周波数の奇数倍にならないように形成してもよい。あるいは、回路基板を、固有の共振周波数が、実装される電子部品のクロック周波数の偶数倍にならないように形成してもよい。これにより、固有の共振周波数の値がノイズ源の高調波周波数と異なる値となるように、回路基板を製造することができる。すなわち、本発明によると、放射ノイズが発生しにくい回路基板を製造することが可能になる。
【００２４】
（１１）この回路基板の製造方法において、
前記誘電体層を、
前記共振周波数が前記クロック周波数の奇数倍とならないように形成してもよい。
【００２５】
（１２）この回路基板の製造方法において、
前記誘電体層を、
前記共振周波数が前記クロック周波数の偶数倍とならないように形成してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２７】
１．第１の実施の形態
はじめに、本発明を適用した第１の実施の形態に係る回路基板について説明する。図２〜図７は、本発明を適用した実施の形態に係る回路基板１００について説明するための図である。なお、本実施の形態に係る回路基板１００は、半導体装置やチップコンデンサなどの電子部品が搭載される部品（電子部品）である。回路基板１００は、リジッド基板であってもよく、フレキシブル基板であってもよい。
【００２８】
（回路基板の構成）
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本実施の形態に係る回路基板１００の構成を説明するための図である。なお、図２（Ａ）は回路基板１００の断面図であり、図２（Ｂ）は回路基板１００に含まれる誘電体層３０の上視図（平面視図）である。
【００２９】
本実施の形態に係る回路基板１００は、図２（Ａ）に示すように、電源層１０を有する。電源層１０は、回路基板１００に実装される各種の電子部品等に電力を供給するための導電層である。電源層１０は、平面的に（層状に）広がった外形をなす。電源層１０は、回路基板１００と（ほぼ）同じ外形をなしていてもよい。
【００３０】
本実施の形態に係る回路基板１００は、図２（Ａ）に示すように、グランド層２０を有する。グランド層２０は、回路基板１００の基準電位を設定するための導電層であってもよい。グランド層２０は、平面的に（層状に）広がった外形をなす。グランド層２０は、電源層１０と（ほぼ）同じ外形をなしていてもよい。
【００３１】
本実施の形態に係る回路基板１００では、電源層１０とグランド層２０とは、間隔をあけて、相互に対向するように配置されている。電源層１０とグランド層２０とは、互いに平行になるように配置されていてもよい。すなわち、本実施の形態では、電源層１０とグランド層２０との位置関係は、図１と同様になる。
【００３２】
電源層１０及びグランド層２０の材料は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの導電材料によって形成されていてもよい。電源層１０とグランド層２０とは、同じ材料で構成されていてもよい。なお、電源層１０及びグランド層２０は、単層の導電層であってもよく、複数層の導電層であってもよい。
【００３３】
本実施の形態に係る回路基板１００は、図２（Ａ）に示すように、電源層１０とグランド層２０との間に配置された誘電体層３０を含む。誘電体層３０は、誘電率（比誘電率）が異なる第１の領域３２と、第２の領域３４とを有する。
【００３４】
第１及び第２の領域３２，３４は、図２（Ｂ）に示すように、平面視において隣り合って配置されている。すなわち、第１及び第２の領域３２，３４は、回路基板１００を厚み方向に観察したときに、隣り合うように配置されている。言い換えると、第１及び第２の領域３２，３４は、回路基板１００の厚み方向と直交する方向にずれて（並んで）配置されていると言ってもよい。あるいは、回路基板１００をＸＹ平面に配置したときに、第１及び第２の領域３２，３４は、該ＸＹ平面に沿ってのみずれて配置されていると言ってもよい。なお、第１及び第２の領域３２，３４は、互いに接触するように配置されていてもよい。あるいは、当該２つの誘電体は、間隔をあけて配置されていてもよい。
【００３５】
本実施の形態では、第１及び第２の領域３２，３４は、誘電率（比誘電率）の異なる誘電体によって構成された領域である。なお、第１及び第２の領域３２，３４（誘電体層３０）を構成する材料は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの材料を利用してもよい。誘電体層３０は、例えば、エポキシ系の樹脂で構成されていてもよい。このとき、第１及び第２の領域３２，３４は、エポキシ系の樹脂であって、含有成分の含有率が異なることにより誘電率が調整された材料によって構成されていてもよい。ただし、誘電体層３０を構成する材料は、エポキシ系の樹脂に限られるものではない。
【００３６】
誘電体層３０は、回路基板１００の固有の共振周波数が、実装される電子部品のクロック周波数との関係において所定の条件を満たすように構成されていてもよい。通常、回路基板１００の共振周波数は、誘電体層３０の誘電率によって大きな影響を受ける（式（１）参照）。そして、本実施の形態では、誘電体層３０の誘電率は、第１及び第２の領域３２，３４の大きさや位置関係を調整することにより設定することが可能である。そのため、本実施の形態によると、第１及び第２の領域３２，３４の大きさや位置関係（誘電体層３０の構成）を調整することで、回路基板固有の共振周波数を、所定の値に設定することができる。特に、誘電率の異なる複数（２つ以上）の材料を組み合わせることで、誘電体層の材料を大きく変更することなく、誘電体層３０の誘電率を、自由に設定することが可能になる。
【００３７】
本実施の形態では、誘電体層３０は、回路基板１００の共振周波数が、クロック周波数の整数倍（偶数倍又は奇数倍）とならないように形成されていてもよい。回路基板１００では、ノイズ源の高調波周波数は、クロック周波数の整数倍の値となることがある。そのため、回路基板１００の固有の共振周波数の値を、実装される電子部品のクロック周波数の整数倍とならないように形成することで、放射ノイズを低減することが可能になる。
【００３８】
本実施の形態に係る回路基板１００は、電源層１０を覆う第１の表面層４１と、グランド層２０を覆う第２の表面層４２とをさらに含む。第１及び第２の表面層４１，４２は、回路基板１００の両表面（表裏面）を構成する層であってもよい。
【００３９】
また、回路基板１００は、その表面（第１及び第２の表面層４１，４２）に形成された配線パターンをさらに含んでいてもよい。配線パターンは、他の電子部品（回路基板１００に実装される電子部品）の電極と電気的に接続される部材である。
【００４０】
回路基板１００は、以上の構成をなしていてもよい。図３には、回路基板１００に電子部品が実装された回路モジュール１０００を示す。ここで、回路基板１００に実装される電子部品の種類は特に限定されるものではない。例えば、回路基板１００には、半導体装置やチップコンデンサ、メモリ装置や、表示装置、あるいは、外部との接続のためのインターフェースが実装されていてもよい。また、回路モジュール１０００（回路基板１００）を有する電子機器として、図４〜図６に、プロジェクタ２０００、ノート型パーソナルコンピュータ３０００、携帯電話４０００をそれぞれ示す。
【００４１】
（回路基板の製造方法）
次に、本実施の形態に係る回路基板１００を製造する方法の一例について説明する。図７（Ａ）〜図７（Ｅ）は、本実施の形態に係る回路基板１００の製造方法について説明するための図である。
【００４２】
はじめに、図７（Ａ）に示す、第１の樹脂材料５１を用意する。第１の樹脂材料５１は、硬化することによって、第１の表面層４１又は第２の表面層４２となる樹脂材料である。第１の樹脂材料５１は、例えば、フィルム状の樹脂材料であってもよい。
【００４３】
次に、図７（Ｂ）に示すように、第１の樹脂材料５１に、第１の導電層５２を形成する。第１の導電層５２は、第１の樹脂材料５１に導電箔を貼り付けることによって形成してもよい。あるいは、第１の導電層５２は、スパッタリングやめっき処理によって形成してもよい。なお、第１の導電層５２は、電源層１０又はグランド層２０となる部材である。
【００４４】
次に、図７（Ｃ）に示すように、第１の導電層５２上に、隣り合って配置される第１の誘電体材料５３及び第２の誘電体材料５４を設ける。第１及び第２の誘電体材料５３，５４は、硬化させることによって誘電体層３０（第１及び第２の領域３２，３４）となる部材である。第１及び第２の誘電体材料５３，５４を設ける方法は特に限定されるものではない。例えば、第１の導電層５２の全面に第１の誘電体材料５３を設けた後、その一部を除去し、除去された領域に第２の誘電体材料５４を設けることによって、隣り合って配置される第１及び第２の誘電体材料５３，５４を設けてもよい。
【００４５】
次に、図７（Ｄ）に示すように、第１及び第２の誘電体材料５３，５４上に、第２の導電層５５を形成する。第２の導電層５５は、第１及び第２の誘電体材料５３，５４に導電箔を貼り付けることによって形成してもよい。あるいは、第２の導電層５５は、めっき処理工程によって形成してもよい。なお、第１の導電層５２は、電源層１０又はグランド層２０となる部材である。
【００４６】
次に、図７（Ｅ）に示すように、第２の導電層５５に第２の樹脂材料５６を形成する。第２の樹脂材料５６は、硬化することによって、第１の表面層又は第２の表面層となる樹脂材料である。
【００４７】
最後に、第１及び第２の樹脂材料５１，５６と、第１及び第２の誘電体材料５３，５４とを硬化させる工程や、第１及び第２の表面層４１，４２に配線パターンを形成する工程を経て、図２（Ｂ）に示す回路基板１００を形成してもよい。
【００４８】
なお、本実施の形態では、第１及び第２の誘電体材料５３，５４の性質や、第１及び第２の誘電体材料５３，５４の形成領域を制御することで誘電体層３０の誘電率を調整し、共振周波数が所定の条件を満たす値となるように、回路基板１００を製造してもよい。回路基板１００は、固有の共振周波数が、実装される電子部品のクロック周波数の整数倍にならないように形成してもよい。
【００４９】
（回路基板が奏する作用効果）
本実施の形態に係る回路基板１００によると、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、対向配置された２つの導体層（電源層１０及びグランド層２０）の間に設けられた誘電体層３０が、平面視において隣り合って配置される第１及び第２の領域３２，３４を有する。そして、第１及び第２の領域が誘電率の異なる材料（誘電体材料）で構成されるため、第１及び第２の領域３２，３４の位置や形状を調整することによって誘電体層３０の誘電率を制御することができ、回路基板１００の固有の共振周波数を所定の値に設定することができる。すなわち、本実施の形態に係る回路基板を利用することにより、回路基板の固有の共振周波数を、ノイズ源の高調波周波数と異なる値とすることが可能になる。そのため、回路基板１００を利用することで、放射ノイズが発生しにくい電子部品（回路モジュール）を製造することが可能になる。
【００５０】
また、この回路基板１００によると、外形を変えることなく、共振周波数を変更することが可能になる。そのため、実装される電子部品のレイアウトを変更することなく、回路基板の固有の共振周波数をノイズ源の高調波周波数と異なる値に変えることが可能になるため、放射ノイズの少ない回路基板モジュールを、効率よく製造することが可能になる。
【００５１】
さらに、この回路基板１００によると、複数の物質を組み合わせることによって、誘電体層３０を構成する。そのため、誘電体層３０の誘電率を、自由に設定することが可能になる。
【００５２】
（変形例）
図８は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る回路基板２００について説明するための図である。
【００５３】
回路基板２００は、誘電体層３０の内部に配置された内部配線（信号線）７０とを有する。内部配線７０は、誘電体層３０の第１及び第２の領域３２，３４をまたがないように（第１及び第２の領域３２，３４の境界と交差しないように）形成されている。例えば、内部配線７０は、第１の領域３２（第１の領域３２と重複する領域内のみ）に配置された第１の内部配線７２と、第２の領域３４（第２の領域３４と重複する領域内のみ）に配置された第２の内部配線７４とを有していてもよい。
【００５４】
なお、第１及び第２の内部配線７２，７４は、幅の異なる配線であってもよい。このとき、第１及び第２の内部配線７２，７４の幅は、第１及び第２の領域３２，３４の誘電率に基づいて設計してもよい。なお、内部配線７２，７４の幅とは、回路基板２００を上から観察した場合の、内部配線の幅であってもよい。ただし、第１及び第２の内部配線７２，７４は、厚みが異なる配線であってもよい。
【００５５】
この回路基板２００によると、誘電体層３０の内部を通る内部配線７０を有するため、配線の引き回しの自由度の高い回路基板を提供することができる。また、この回路基板２００によると、内部配線７０が、誘電率の異なる材料で構成された第１及び第２の領域３２，３４をまたがないように構成される。そのため、回路基板の内部配線７０（第１及び第２の内部配線７２，７４）のインピーダンスを一定の値に保つことができる。そのため、設計が容易で、かつ、動作の安定性が高い回路基板を提供することが可能になる。
【００５６】
なお、第１及び第２の内部配線７２，７４の幅を、第１及び第２の領域３２，３４の誘電率に基づいて設計すれば、回路基板２００全体のインピーダンスのばらつきを抑えることができる。そのため、動作の安定性が高い回路基板を提供することが可能になる。
【００５７】
また、図９は、本発明を適用した他の変形例に係る回路基板３００について説明するための図である。
【００５８】
回路基板３００は、誘電体層３０と電源層１０との間に配置された第１の樹脂層１５と、誘電体層３０とグランド層２０との間に配置された第２の樹脂層２５とをさらに含む。また、回路基板３００は、誘電体層３０と第１の樹脂層１５との界面、及び、誘電体層３０と第２の樹脂層２５との界面に形成された内部配線７０を、さらに含んでいてもよい。回路基板３００によっても、上述と同じ作用効果を奏することができるため、放射ノイズが発生しにくい電子部品を製造することが可能な回路基板を提供することができる。
【００５９】
２．第２の実施の形態
以下、本発明を適用した第２の実施の形態に係る回路基板４００について説明する。図１０は、本実施の形態に係る回路基板４００を説明するための図である。
【００６０】
本実施の形態に係る回路基板は、誘電体層８０を有する。誘電体層８０は、誘電率の異なる第１の領域８２と、第２の領域８４とを有する。ここで、第１の領域８２は、所定の誘電率を示す誘電体（物質）で構成された領域であり、第２の領域８４は、第１の領域８２に隣接する空間（空房領域）である。例えば、誘電体層８０は、誘電体で構成された、間隔をあけて配置された複数の第１の領域８２と、第１の領域８２によって区画される第２の領域８４（空間）を有していてもよい。なお、第２の領域８４は、隣り合う２つの第１の領域８２の対向する面（当該面と、電源層１０及びグランド層２０）によって区画された空間であってもよい。あるいは、誘電体層８０は、誘電体で構成された、貫通穴を有する形状をなす第１の領域８２と、第１の領域８２の貫通穴の内壁面によって区画される第２の領域８４（空間）を有していてもよい。
【００６１】
回路基板４００によっても、第１の領域８２と第２の領域８４との位置関係を調整することで、誘電体層８０の誘電率を調整することができるため、放射ノイズが発生しにくい電子部品を製造することが可能な回路基板を提供することができる。また、回路基板４００によると、その内部に空間（内部空間）を有する。そのため、回路基板４００をフレキシブル基板とすることで、容易に形状を変えることが可能な回路基板を提供することができる。
【００６２】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】回路基板の固有の共振周波数について説明するための図。
【図２】第１の実施の形態に係る回路基板の構成について説明するための図。
【図３】回路基板モジュールについて説明するための図。
【図４】回路基板モジュールを有する電子機器の一例を示す図。
【図５】回路基板モジュールを有する電子機器の一例を示す図。
【図６】回路基板モジュールを有する電子機器の一例を示す図。
【図７】第１の実施の形態に係る回路基板の製造方法について説明するための図。
【図８】変形例に係る回路基板の構成について説明するための図。
【図９】変形例に係る回路基板の構成について説明するための図。
【図１０】第２の実施の形態に係る回路基板の構成について説明するための図。
【符号の説明】
【００６４】
１０…電源層、  １５…第１の樹脂層、  ２０…グランド層、  ２５…第２の樹脂層、  ３０…誘電体層、  ３２…第１の領域、  ３４…第２の領域、  ４１…第１の表面層、  ４２…第２の表面層、  ５１…第１の樹脂材料、  ５２…第１の導電層、  ５３…第１の誘電体材料、  ５４…第２の誘電体材料、  ５５…第２の導電層、  ５６…第２の樹脂材料、  ７０…内部配線、  ７２…第１の内部配線、  ７４…第２の内部配線、  ８０…誘電体層、  ８２…第１の領域、  ８４…第２の領域、  １００…回路基板、  ２００…回路基板、  ３００…回路基板、  ４００…回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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