(57)【要約】【課題】バリア層となる金属膜の自然酸化処理において、その下層の磁化固定層の酸化は極力抑えることができることで、磁化固定層の磁気特性の劣化を極力抑え、読み取り特性を安定させることが可能な磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】磁化固定層１８ｃと、磁化固定層１８ｃ上に積層されたバリア層２１と、バリア層２１上に積層されたフリー層２２とを有する磁気抵抗効果素子Ａの製造方法において、基板１２上に磁化固定層１８ｃを形成するステップと、磁化固定層１８ｃ上に、磁化固定層側２１ａがアモルファスまたは微細結晶となり、上側２１ｂが結晶質となるよう、バリア層としての金属膜２１を形成するステップと、酸素雰囲気中でバリア層としての金属膜２１を自然酸化させるステップと、バリア層２１上にフリー層２２を形成するステップとを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化固定層と、該磁化固定層上に積層されたバリア層と、該バリア層上に積層されたフリー層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
基板上に前記磁化固定層を形成するステップと、
前記磁化固定層上に、該磁化固定層側がアモルファスまたは微細結晶となり、上側が結晶質となるよう、前記バリア層としての金属膜を形成するステップと、
酸素雰囲気中で前記バリア層としての前記金属膜を自然酸化させるステップと、
前記バリア層上に前記フリー層を形成するステップとを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜を形成するステップは、該金属膜の磁化固定層側の成膜レートを、前記上側の成膜レートより低くすることで、該上側に対して磁化固定層側の結晶粒を小さく形成することを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜を形成するステップは、該金属膜をスパッタリングにより形成し、該スパッタリングにおいて、該金属膜の磁化固定層側の成膜時に前記基板に印加する電力を、前記上側の成膜時に前記基板に印加する電力よりも小さくすることで、該磁化固定層側の成膜レートをより低く制御することを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜の磁化固定層側の成膜時に前記基板に印加する単位面積当たりの電力は、１〜３Ｗ／ｃｍ２であり、
前記上側の成膜時に前記基板に印加する単位面積当たりの電力は、５〜１０Ｗ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項５】
前記金属膜を形成するステップは、該金属膜の厚さの３０〜５０％が、前記アモルファスまたは微細結晶となるよう、金属膜を形成することを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項６】
磁化固定層と、該磁化固定層上に積層された酸化金属膜から成るバリア層と、該バリア層上に積層されたフリー層とを有する磁気抵抗効果素子において、
前記バリア層は、前記磁化固定層側がアモルファスまたは微細結晶に設けられるとともに前記フリー層側が結晶質に設けられた金属膜が、酸化されて成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
前記バリア層は、該バリア層の厚さの３０〜５０％が、前記アモルファスまたは微細結晶が酸化されて構成されていることを特徴とする請求項６記載の磁気抵抗効果素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置におけるリード素子や磁気メモリ（ＭＲＡＭ）に用いられる磁気抵抗効果素子、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク等の磁気媒体から情報を読み取る磁気抵抗効果素子を備えた磁気ヘッドの従来例が、特許文献１に開示されている。図４に示すように、特許文献１記載の磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子としてＴＭＲ素子１０Ｂが採用されている。ＴＭＲ素子１０Ｂは、バリア層８、反強磁性体層５、磁化固定層４、トンネルバリア層（バリア層）３、磁化自由層（フリー層）２、およびトップコート層１が順に積層されて成る。
【０００３】
ここで、トンネルバリア層（バリア層）３は、磁化自由層（フリー層）２と磁化固定層４との磁気的結合を切るとともに、磁化自由層２の磁化方向に応じたトンネル電流を流す役割を担っている。バリア層３は、アルミニウムやマグネシウム等の酸化物から成る絶縁体である。バリア層３は、スパッタリングで形成された金属膜を酸化させることにより得ることができる（特許文献１  段落００１６参照）。
【０００４】
図５は、磁気ヘッドのリード素子である磁気抵抗効果素子の、従来の製造方法の説明図である。
図５（ａ）に示すように、まずウエハー基板１２上に、下地層１４を設ける。さらに、下地層１４上に、反強磁性層１６、第一磁化固定層１８ａ、Ｒｕ（ルテニウム）層１８ｂ、および第二磁化固定層１８ｃを、順に成膜する。第一磁化固定層１８ａ、Ｒｕ層１８ｂ、および第二磁化固定層１８ｃは、ピン層とも呼ばれる。第一磁化固定層１８ａおよび第二磁化固定層１８ｃとしては、例えばコバルト−鉄合金等の強磁性体が用いられる。
【０００５】
さて、第二磁化固定層１８ｃの積層後、図５（ｂ）に示すように、第二磁化固定層１８ｃ上に、例えばアルミニウムから成る金属膜２０を、スパッタリングにより形成する。この金属膜２０の厚さは、例えば約５Å程度に設定される。
金属膜２０の積層後、ウエハー基板１２を所定の酸素雰囲気に設定したチャンバー内に置き、金属膜２０を酸化させる。すると、金属膜２０は、アルミニウムが酸化した酸化金属のＡｌ−Ｏｘｉｄｅ（アルミ−オキサイド、ＡｌＯ）となる。
なお、本願において、物を酸素雰囲気中に置くことで酸化させることを、「自然酸化」と呼ぶ。
【０００６】
このＡｌ−Ｏｘｉｄｅから成る金属膜２０が、バリア層（トンネルバリア層）となる。
なお、ここで、アルミニウムが酸化することにより、金属膜２０の体積が増して膜厚が厚くなる。例えば、スパッタリングで形成する金属膜２０（酸化前のアルミニウム）の膜厚を５Åに設定した場合、酸化後のＡｌ−Ｏｘｉｄｅから成る金属膜２０の厚さは、１０Å程度となる。
【０００７】
続いて、図５（ｃ）に示すように、バリア層（酸化金属膜）２０上にフリー層２２、さらにトップコート層２４を形成する。
これら、下地層１４、反強磁性層１６、第一磁化固定層１８ａ、Ｒｕ（ルテニウム）層１８ｂ、第二磁化固定層１８ｃ、バリア層２０、およびトップコート層２４により、磁気抵抗効果素子が構成される。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−３４０７１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記従来の製造方法において、金属膜２０の自然酸化処理時に、金属膜２０だけでなく第二磁化固定層１８ｃの一部までもが酸化してしまうことがある。
第二磁化固定層１８ｃまでも酸化してしまうと、第二磁化固定層１８ｃのＭＲ比などの磁気特性が劣化し、磁気抵抗効果素子（リード素子）の読み取り特性が悪くなってしまうという課題がある。
【００１０】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、バリア層となる金属膜の自然酸化処理において、その下層の磁化固定層の酸化は極力抑えることができることで、磁化固定層の磁気特性の劣化を極力抑え、したがって読み取り特性を安定させることが可能な磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者は、バリア層（金属膜）を表面から自然酸化させる際の、層の積層方向への酸化の進行状態と、バリア層（金属膜）の結晶の状態との相関関係を見出し、それを利用して、バリア層のみを酸化して磁化固定層の酸化を抑えることのできる構成について鋭意研究を行った結果、本願発明を完成させた。
【００１２】
本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法は、上記課題を解決するために、以下の構成を備える。
すなわち、磁化固定層と、該磁化固定層上に積層されたバリア層と、該バリア層上に積層されたフリー層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、基板上に前記磁化固定層を形成するステップと、前記磁化固定層上に、該磁化固定層側がアモルファスまたは微細結晶となり、上側が結晶質となるよう、前記バリア層としての金属膜を形成するステップと、酸素雰囲気中で前記バリア層としての前記金属膜を自然酸化させるステップと、前記バリア層上に前記フリー層を形成するステップとを含むことを特徴とする。
これによれば、前記金属膜を形成するステップにより、磁化固定層上の金属膜は、上側が結晶質となり、磁化固定層側（下側）がアモルファスまたは微細結晶となる。金属膜の酸化は、結晶粒界から先に酸化が進行するところ、金属膜の下側においては、結晶粒界がない、または微細であるため、一様に酸化が進行する。したがって、従来技術のように、バリア層の磁化固定層に接する部分まで、層の積層方向に延びる結晶粒界に沿って酸化が進行するということがなく、バリア層の酸化を磁化固定層の手前で止める制御が容易となる。すなわちバリア層を下層側まで酸化させながらも、磁化固定層が酸化されるのを防ぐことが可能となる。
【００１３】
さらに、前記金属膜を形成するステップは、該金属膜の磁化固定層側の成膜レートを、前記上側の成膜レートより低くすることで、該上側に対して磁化固定層側の結晶粒を小さく形成することを特徴とする。
これによれば、金属膜の成膜レートを低く（遅く）することで、アモルファスまたは微細結晶を形成する。
【００１４】
また、前記金属膜を形成するステップは、該金属膜をスパッタリングにより形成し、該スパッタリングにおいて、該金属膜の磁化固定層側の成膜時に前記基板に印加する電力を、前記上側の成膜時に前記基板に印加する電力よりも小さくすることで、該磁化固定層側の成膜レートをより低く制御することを特徴とする。
さらに、前記金属膜の磁化固定層側の成膜時に前記基板に印加する単位面積当たりの電力は、１〜３Ｗ／ｃｍ２であり、前記上側の成膜時に前記基板に印加する単位面積当たりの電力は、５〜１０Ｗ／ｃｍ２であることを特徴とする。
【００１５】
また、前記金属膜を形成するステップは、該金属膜の厚さの３０〜５０％が、前記アモルファスまたは微細結晶となるよう、金属膜を形成することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明に係る磁気抵抗効果素子は、上記課題を解決するために、以下の構成を備える。
すなわち、磁化固定層と、該磁化固定層上に積層された酸化金属膜から成るバリア層と、該バリア層上に積層されたフリー層とを有する磁気抵抗効果素子において、前記バリア層は、前記磁化固定層側がアモルファスまたは微細結晶に設けられるとともに前記フリー層側が結晶質に設けられた金属膜が、酸化されて成ることを特徴とする。
これによれば、磁化固定層上のバリア層は、上側が結晶質に設けられるとともに磁化固定層側（下側）がアモルファスまたは微細結晶に設けられた金属膜が、酸化されて成る。金属膜の酸化は、結晶粒界から先に酸化が進行するところ、金属膜の下側においては、結晶粒界がない、または微細であるため、一様に酸化が進行する。したがって、製造工程において、従来技術のように、バリア層の磁化固定層に接する部分まで、層の積層方向に延びる結晶粒界に沿って酸化が進行するということがなく、バリア層の酸化を磁化固定層の手前で止める制御が容易となる。すなわち、本発明に係る磁気抵抗効果素子は、その製造工程において、バリア層を下層側まで酸化させながらも、磁化固定層が酸化されるのを防ぐことを可能とする。
【００１７】
さらに、前記バリア層は、該バリア層の厚さの３０〜５０％が、前記アモルファスまたは微細結晶が酸化されて構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法によれば、バリア層となる金属膜の自然酸化処理において、その下層の磁化固定層の酸化は極力抑えることができる。したがって、磁化固定層の磁気特性の劣化を極力抑えることができ、製造された磁気抵抗効果素子の読み取り特性を安定させることができる。
また、本発明に係る磁気抵抗効果素子によれば、その製造工程において、バリア層となる金属膜の自然酸化処理時に、その下層の磁化固定層の酸化は極力抑えることができる。したがって、磁化固定層の磁気特性の劣化を極力抑えることができ、読み取り特性が安定する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る磁気抵抗効果素子およびその製造方法を実施するための最良の形態を説明する。
【００２０】
図１は、本実施の形態に係る磁気抵抗効果素子を備えた磁気ヘッド、およびその製造方法の説明図である。
図１（ａ）に示すように、まずウエハー基板１２上に、下地層１４を設ける。さらに、下地層１４上に、反強磁性層１６、第一磁化固定層１８ａ、Ｒｕ（ルテニウム）層１８ｂ、および第二磁化固定層１８ｃを、順に成膜する。第一磁化固定層１８ａ、Ｒｕ層１８ｂ、および第二磁化固定層１８ｃは、ピン層とも呼ばれる。第一磁化固定層１８ａおよび第二磁化固定層１８ｃとしては、例えばコバルト−鉄合金等の強磁性体が用いられる。
【００２１】
第二磁化固定層１８ｃの積層後、図１（ｂ）に示すように、第二磁化固定層１８ｃ上に、例えばアルミニウムから成る金属膜２１を、スパッタリングにより形成する。この金属膜２１の厚さは、例えば約５Å程度に設定される。
【００２２】
このとき、金属膜２１を、その第二磁化固定層側２１ａの厚さ１．５〜２．５Å（一般には、金属膜２１全体の厚さの３０〜５０％）が、アモルファスまたは微細結晶となり、上側（フリー層側）２１ｂの厚さ２．５〜３．５Åが結晶質となるよう形成する。
具体的には、金属膜２１を形成する際、金属膜２１の第二磁化固定層側２１ａの成膜レートを、上側２１ｂの成膜レートより低く（遅く）することで、上側２１ｂに対して第二磁化固定層側２１ａの結晶粒を小さく形成する。
【００２３】
より詳細には、金属膜２１を形成するスパッタリングにおいて、金属膜２１の第二磁化固定層側２１ａの成膜時に基板１２に印加する電力を、小さくすることで、第二磁化固定層側２１ａの成膜レートをより遅く制御する。そして、それに続く上側２１ｂの成膜時には、基板１２に印加する電力を、より大きく切り替えて、成膜レートを高く（早く）制御する。
この電力の好適な範囲としては、金属膜２１の第二磁化固定層側２１ａの成膜時に基板１２に印加する単位面積当たりの電力は、１〜３Ｗ／ｃｍ２とする。これにより、金属膜２１の第二磁化固定層側２１ａをアモルファスまたは微細結晶に構成できる。また、金属膜２１の上側２１ｂの成膜時に基板１２に印加する単位面積当たりの電力は、５〜１０Ｗ／ｃｍ２とする。これにより、金属膜２１の上側２１ｂを結晶質に構成できる。
【００２４】
また、この第二磁化固定層側２１ａと上側２１ｂとでの成膜レートの変更は、２値的に切り替える構成に限定されるものではなく、例えば３段階以上の多段階に分けて、上側に向かうにしたがって段々に成膜レートを上げるよう、基板１２に印加する電力を多段階に切り替えるよう構成しても良い。また、成膜レートを段階的でなく、連続的に変えるよう構成しても良い。このためには、例えば、基板１２に印加する電力を連続的に上昇させるよう制御すればよい。
【００２５】
金属膜２１の積層後、ウエハー基板１２を所定の酸素雰囲気に設定したチャンバー内に置き、金属膜２１を自然酸化させる。なお、チャンバー内の酸素雰囲気は、特に限定されるものではないが、７０〜１ｋパスカル（Ｐａ）、好適には１３０パスカル程度に設定し、酸化処理時間は、１０〜３０分間程度とする。
この酸化処理により、金属膜２１は、アルミニウムが酸化した酸化金属のＡｌ−Ｏｘｉｄｅ（アルミ−オキサイド、ＡｌＯ）となる。
【００２６】
このＡｌ−Ｏｘｉｄｅから成る金属膜２１が、バリア層（トンネルバリア層）となる。
なお、ここで、アルミニウムが酸化することにより、金属膜２１の体積が増して膜厚が厚くなる。例えば、スパッタリングで形成する金属膜２１（酸化前のアルミニウム）の膜厚を５Åに設定した場合、酸化後のＡｌ−Ｏｘｉｄｅから成る金属膜２１の厚さは、１０Å程度となる。
【００２７】
続いて、図１（ｃ）に示すように、バリア層（酸化金属膜）２１上にフリー層２２、さらにトップコート層２４を形成する。
これら、下地層１４、反強磁性層１６、第一磁化固定層１８ａ、Ｒｕ（ルテニウム）層１８ｂ、第二磁化固定層１８ｃ、バリア層２０、およびトップコート層２４により、リード素子（ＴＭＲ素子）としての磁気抵抗効果素子Ａが構成される。
【００２８】
さて、図２は、本実施の形態に係る磁気抵抗効果素子の製造方法において形成された金属膜２１の結晶構造を模式的に表している。また、図６は、従来の磁気抵抗効果素子の製造方法において形成された金属膜２０の結晶構造を模式的に表している。図２および図６中の線２６，２６・・は、金属膜２０，２１の結晶粒界を表している。
【００２９】
図６に示す従来の磁気抵抗効果素子の製造方法では、自然酸化処理の工程において、結晶粒界２６，２６・・から先に酸化が進行し（言い換えれば、金属膜２０の第二磁化固定層１８ｃに接する部分まで、層の積層方向に延びる結晶粒界２６，２６・・に沿って酸化が進行し）、金属膜２０の全体が酸化する前に、酸化部位が第二磁化固定層１８ｃまで到達し（図６中の破線で示した部位２８，２８・・）、そこから第二磁化固定層１８ｃが酸化してしまうものと考えられる。
また、この第二磁化固定層１８ｃの酸化を防ぐために、酸化が第二磁化固定層１８ｃに達する前に酸化処理を終了させるなどすると、金属膜２０の酸化処理が不十分となってしまう。
【００３０】
他方、図２に示す本実施の形態に係る磁気抵抗効果素子の製造方法において形成された金属膜２１では、金属膜２１の第二磁化固定層１８ｃ側（下側）がアモルファスまたは微細結晶となっているから、結晶粒界がない、または微細であるため、酸化が、全面にわたって、上方から下方へと一様に進行する。したがって、金属膜２１のほぼ全体を第二磁化固定層１８ｃ側まで酸化させながら、第二磁化固定層１８ｃが酸化されるのは防ぐことが可能となる。
その結果、磁化固定層の磁気特性の劣化を極力抑えることができ、製造された磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子Ａの読み取り特性を安定させることができる。
【００３１】
なお、金属膜２１の材料は、アルミニウムに限定されるものではなく、例えば他に、チタニウム、マグネシウム、ハフニウム、タリウム、およびタンタルのいずれかを採用することができる。この場合、バリア層２１はもちろん、アルミニウム、チタニウム、マグネシウム、ハフニウム、タリウム、およびタンタルのうちのいずれかが酸化された酸化金属となる。
【００３２】
本願発明者は、実際に本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法を用いた場合と、従来の製造方法を用いた場合との、それぞれの金属膜２１，２０の酸化処理後の第二磁化固定層１８ｃのＭＲ比を測定する実験を行った。
なお、下地層１４、反強磁性層１６、第一磁化固定層１８ａ、Ｒｕ（ルテニウム）層１８ｂ、第二磁化固定層１８ｃ、およびトップコート層２４の形成方法や構成については、上記実施の形態と同様のため説明を省略する。
【００３３】
従来方法として、金属膜２０の成膜では、基板１２に７．３４５２Ｗ／ｃｍ２の一定の電力を供給してアルミニウムのスパッタリングを行い、第二磁化固定層１８ｃ上にアルミニウムの金属膜２０を形成した。これにより、金属膜２０の成膜レートは一定となり、また金属膜２０は結晶質に形成される。
なお、このとき、通常の磁気抵抗効果素子の製造工程においては金属膜２０が均一となるよう、基板１２を回転させながらスパッタリングを行うが、本実験においては、様々な膜厚におけるＭＲ比を測定するため、基板１２を放電方向に対して傾斜させた状態に固定してスパッタリングを行うことにより、第二磁化固定層１８ｃの表面に対して金属膜２０の表面が傾斜し、膜厚が連続的に変化するよう構成する。
【００３４】
他方、本願発明に対応する方法として、金属膜２１の成膜では、まず基板１２に１．９７１６Ｗ／ｃｍ２の電力を供給してアルミニウムのスパッタリングを行い、第二磁化固定層１８ｃ上にアルミニウムの金属膜２１の第二磁化固定層側２１ａを形成した。続いて、基板１２に供給する電力を７．３４５２Ｗ／ｃｍ２に変更して、アルミニウムのスパッタリングを行い、金属膜２１の第二磁化固定層側２１ａ上に、アルミニウムの金属膜２１の上側２１ｂを形成した。
【００３５】
金属膜２１の第二磁化固定層側２１ａは、成膜時の単位面積あたりの供給電力が非常に小さいため、成膜レートが非常に低く（遅く）なり、アルミニウムはアモルファスまたは微細結晶の状態で成膜される。また、その上側２１ｂの成膜時には、供給電力が大きいために成膜レートが従来方法と同様に高く（早く）なり、アルミニウムは結晶化して成膜される。
【００３６】
ここでも、基板１２は、スパッタリングの放電方向に対して傾斜させた状態に固定して、第二磁化固定層１８ｃの表面に対して金属膜２１の表面が傾斜し、膜厚が連続的に変化するよう構成する。
なお、金属膜２１の厚さの約３０％が、アモルファスまたは微細結晶となるよう、スパッタリング条件（第二磁化固定層側２１ａと上側２１ｂとのそれぞれのスパッタリング処理時間など）を設定した。
【００３７】
従来方法および本発明に係る方法で、それぞれ金属膜２０，２１を形成した後、それぞれの基板１２，１２を酸素雰囲気のチャンバー内に入れ、金属膜２０，２１を自然酸化させ、それぞれをバリア層２０，２１とした。この酸素雰囲気は、１３０パスカル（Ｐａ）とし、酸化処理時間は１０分間とした。
【００３８】
酸化処理後、従来方法を用いたものと、本発明に係る方法を用いたものとの、それぞれの第二磁化固定層１８ｃのＭＲ比を測定した。測定結果を、図３のグラフに示す。
図３のグラフの横軸は、第二磁化固定層１８ｃのＲＡ値（１平方ミクロンあたりの低効率）を表す（ＲＡ値は、バリア層２０，２１の厚さによって変化する）。縦軸は、対応するＲＡ値を示す第二磁化固定層１８ｃの箇所における、第二磁化固定層１８ｃのＭＲ比を示す。図３中、グラフ３０は本発明に係る方法でバリア層２１を形成したものを測定したグラフであり、グラフ３２は従来方法でバリア層２０を形成したものを測定したグラフである。
図３のグラフに示されるように、発明に係る方法でバリア層２１を形成したものは、測定した全てのＲＡ値（バリア層２０，２１の厚さ）において、従来方法によるものよりも、ＭＲ比が高くなっていた。
【００３９】
このように、本発明の構成によれば、第二磁化固定層１８ｃの酸化が防がれることで、従来品よりも、第二磁化固定層１８ｃのＭＲ比などの磁気特性が向上し、磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子Ａの読み取り特性を向上させることができるものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に係る磁気抵抗効果素子、およびその製造方法の説明図である。
【図２】本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法において形成された金属膜の結晶構造を模式的に表す説明図である。
【図３】本発明に係る磁気抵抗効果素子の製造方法、および従来方法で製造された磁気抵抗効果素子のそれぞれの、磁化固定層（第二磁化固定層）のＭＲ比の測定結果を示すグラフである。
【図４】従来の磁気抵抗効果素子の構成を示す図である。
【図５】従来の磁気抵抗効果素子の製造方法を示す説明図である。
【図６】従来の磁気抵抗効果素子の製造方法において形成された金属膜の結晶構造を模式的に表す説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
Ａ  磁気抵抗効果素子
１２  基板
１４  下地層
１６  反強磁性層
１８ａ  第一磁化固定層
１８ｂ  Ｒｕ層
１８ｃ  第二磁化固定層（磁化固定層）
２１  金属膜（バリア層）
２１ａ  金属膜（バリア層）の第二磁化固定層側
２１ｂ  金属膜（バリア層）の上側（フリー層側）
２２  フリー層
２４  トップコート層
２６  結晶粒界
【図１】
2008085243.tif 000003
【図５】
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【図６】
2008085243.tif 000005
【図２】
2008085243.tif 000006
【図３】
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【図４】
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