(57)【要約】【課題】  透光性にグラデーションを有する透光性薄膜太陽電池を効率良く製造する。【解決手段】  「透光性絶縁基板上に順に積層された透明導電膜、非晶質及び／又は結晶質シリコン系半導体からなる１以上の半導体光電変換層、および裏面電極層を含み、前記光電変換層と前記裏面電極層とを貫通する透光性開口溝または穴を含む、該透光性絶縁基板の基板面に対して平行な方向において、透過率が連続的に変化することを特徴とする、透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池の製造方法であって、該透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程を含み、該工程において、該透光性薄膜太陽電池の前駆体上に照射されるレーザー光のスクライブ位置と該レーザー光の焦点との間の距離を、該透光性薄膜太陽電池の前駆体の所定方向に全体として連続的に変化させることを特徴とする、透光性薄膜太陽電池の製造方法」によって解決する。【選択図】  図１
2008294264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性絶縁基板上に順に積層された透明導電膜、非晶質及び／又は結晶質シリコン系半導体からなる１以上の半導体光電変換層、および裏面電極層を含み、
前記光電変換層と前記裏面電極層とを貫通する透光性開口溝または穴を含む、
該透光性絶縁基板の基板面に対して平行な方向において、透過率が連続的に変化することを特徴とする、
透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池の製造方法であって、
該透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程を含み、
該工程において、該透光性薄膜太陽電池の前駆体上に照射されるレーザー光のスクライブ位置と該レーザー光の焦点との間の距離を、該透光性薄膜太陽電池の前駆体の所定方向に全体として連続的に変化させることを特徴とする、透光性薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程において、前記透光性薄膜太陽電池の前駆体の基板面と、レーザー光の焦点が移動する面とを、所定の角度で傾斜させることにより、前記透光性薄膜太陽電池の前駆体上に照射されるレーザー光のスクライブ位置と該レーザー光の焦点との間の距離を、該透光性薄膜太陽電池の前駆体の所定方向に全体として連続的に変化させることを特徴とする、請求項１に記載の透光性薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程において、前記透光性薄膜太陽電池の前駆体の基板面と、レーザー光の焦点が移動する面とを、所定の角度で傾斜させる手段が、
対物レンズと対向する位置に配置されたＸＹテーブルと、
該ＸＹテーブルに対して任意の角度で傾斜させることが可能であって、さらに該ＸＹテーブルからの位置を任意に調整可能である支持台と、を備えるレーザースクライブ装置である、請求項２に記載の透光性薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
透光性絶縁基板上に順に積層された透明導電膜、非晶質及び／又は結晶質シリコン系半導体からなる１以上の半導体光電変換層、および裏面電極層を含み、
前記光電変換層と前記裏面電極層とを貫通する透光性開口溝または穴を含む
透光性薄膜太陽電池であって、
該透光性絶縁基板の基板面に対して平行な方向において、透過率が連続的に変化することを特徴とする、
透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池。
【請求項５】
１００ｃｍ2以上２００ｃｍ2以下の矩形面積あたりの平均として測定される前記透光性薄膜太陽電池の透過率が、該透光性薄膜太陽電池の基板面に対して平行な方向において連続的に変化させられてなる、請求項４に記載の透光性薄膜太陽電池。
【請求項６】
対物レンズと対向する位置に配置されたＸＹテーブルと、
該ＸＹテーブルに対して任意の角度で傾斜させることが可能であって、さらに該ＸＹテーブルからの位置を任意に調整可能である支持台と、を備えるレーザースクライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は透光性薄膜太陽電池の製造方法に関し、また、透光性薄膜太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、炭酸ガス排出による地球温暖化防止の観点から、クリーンエネルギ源として、半導体太陽電池の利用の拡大が期待されている。半導体太陽電池の中でも、半導体結晶ウエハを利用する結晶系太陽電池に比べて、気相堆積による半導体薄膜を利用する薄膜系太陽電池は低コストで大面積に作製され得るので、特にその利用の拡大が期待されている。
【０００３】
従来では、建築物用の大型の薄膜太陽電池は、ビルの屋上や家屋の屋根上に設置されるのが一般的である。しかし、最近では、日照空間の利用効率の改善の観点から、ビルの屋上や家屋の屋根上のみならず建築物の壁面上に薄膜太陽電池が設置されている。また、建築物の窓自体や採光屋根自体さらに商店街のアーケードの屋根自体などにも薄膜太陽電池を利用することが試みられている。ここで、建築物の採光屋根自体や窓自体またはアーケードの屋根自体などに薄膜太陽電池を利用する場合には、建築物内部やアーケードの照明光として、薄膜太陽電池が部分的に太陽光を透過する必要がある。
【０００４】
太陽光の一部を透過し得る透光性薄膜太陽電池の一例は、例えば特許文献１において開示されている。
【０００５】
また、透光性薄膜太陽電池の透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する際に、パターンマスクやレーザースクライブのＯＮ／ＯＦＦ制御により、透光性薄膜太陽電池の透光性開口溝を連続または間隔を置いて形成し、透光性薄膜太陽電池上に配置された意匠、文字、デザイン等の意匠を与えることが特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開平４−３４８５７０号公報
【特許文献２】特開２００１−１６８３５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような透光性薄膜太陽電池の透光性（透過率）は、レーザースクライブした領域で凡そ一定となる。また、従来のマスキング等を用いて意匠を設ける方法では、積極的に透光性にグラデーションを有する透光性薄膜太陽電池を作製することは困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、レーザースクライブにより薄膜太陽電池に透光性開口溝または穴を形成して透光性薄膜太陽電池を製造する方法において、薄膜太陽電池上に照射されるレーザー光のスクライブ位置と該レーザ光の焦点間の距離を連続的に変化させることにより、得られた透光性薄膜太陽電池の透過率が、該透光性薄膜太陽電池全体において、連続的に変化し、容易に透光性にグラデーションを与えることを特徴としている。具体的には、薄膜太陽電池を保持する支持台の位置をＸＹテーブルに対して調整し、該レーザ光の焦点間の距離を連続的に変化させる方法や、レーザーヘッドの位置を制御して、太陽電池上のスクライブ点とレーザーヘッド間の距離を徐々に変化させる方法が考えられる。
【０００８】
なお、本発明において用いている「ＸＹテーブル」は、鉛直方向に対していかなる角度を向いていてもよい。
すなわち、例えば、ＸＹテーブルの面は、水平方向と同一  （ＸＹテーブルが、鉛直方向に対して垂直に向いている場合）であってもよいし、ＸＹテーブルの面は、鉛直方向と平行に配置されていてもよい。また、レーザースクライブする際のレーザーの方向も、鉛直方向に対していかなる角度であってもよい。
【０００９】
また、本発明において用いている「透光性薄膜太陽電池の前駆体」との文言は、透光性薄膜太陽電池の透光性開口溝または穴が形成される前の状態のものを指し、特に断らない限り、単に「薄膜太陽電池」と表しているものと同じである。以下、発明そのものの説明には、「透光性薄膜太陽電池の前駆体」を用いる。なお、明細書本文中の記載や、図面等説明には、「薄膜太陽電池」の文言を主に用いる。また、本願明細書における「結晶質」との文言は、多結晶系や、微結晶系などを包含する広い意味であり、部分的に非晶質を含んでいるものをも含んでいるものとする。
【００１０】
本発明の第１は、
透光性絶縁基板上に順に積層された透明導電膜、非晶質及び／又は結晶質シリコン系半導体からなる１以上の半導体光電変換層、および裏面電極層を含み、
前記光電変換層と前記裏面電極層とを貫通する透光性開口溝または穴を含む、
該透光性絶縁基板の基板面に対して平行な方向において、透過率が連続的に変化することを特徴とする、
透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池の製造方法であって、
該透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程を含み、
該工程において、該透光性薄膜太陽電池の前駆体上に照射されるレーザー光のスクライブ位置と該レーザー光の焦点との間の距離を、該透光性薄膜太陽電池の前駆体の所定方向に全体として連続的に変化させることを特徴とする、透光性薄膜太陽電池の製造方法、である。
【００１１】
本発明は、また、
前記透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程において、前記透光性薄膜太陽電池の前駆体の基板面と、レーザー光の焦点が移動する面とを、所定の角度で傾斜させることにより、前記透光性薄膜太陽電池の前駆体上に照射されるレーザー光のスクライブ位置と該レーザー光の焦点との間の距離を、該透光性薄膜太陽電池の前駆体の所定方向に全体として連続的に変化させることを特徴とする、透光性薄膜太陽電池の製造方法、である。
【００１２】
本発明は、また、
前記透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程において、前記透光性薄膜太陽電池の前駆体の基板面と、レーザー光の焦点が移動する面とを、所定の角度で傾斜させる手段が、
対物レンズと対向する位置に配置されたＸＹテーブルと、
該ＸＹテーブルに対して任意の角度で傾斜させることが可能であって、さらに該ＸＹテーブルからの位置を任意に調整可能である支持台と、を備えるレーザースクライブ装置である、透光性薄膜太陽電池の製造方法、である。
【００１３】
本発明は、また、
透光性絶縁基板上に順に積層された透明導電膜、非晶質及び／又は結晶質シリコン系半導体からなる１以上の半導体光電変換層、および裏面電極層を含み、
前記光電変換層と前記裏面電極層とを貫通する透光性開口溝または穴を含む
透光性薄膜太陽電池であって、
該透光性絶縁基板の基板面に対して平行な方向において、透過率が連続的に変化することを特徴とする、
透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池、である。
【００１４】
本発明は、また、
１００ｃｍ2以上２００ｃｍ2以下の矩形面積あたりの平均として測定される前記透光性薄膜太陽電池の透過率が、該透光性薄膜太陽電池の基板面に対して平行な方向において連続的に変化させられてなる、透光性薄膜太陽電池、である。
【００１５】
本発明は、また、
対物レンズと対向する位置に配置されたＸＹテーブルと、
該ＸＹテーブルに対して任意の角度で傾斜させることが可能であって、さらに該ＸＹテーブルからの位置を任意に調整可能である支持台と、を備えるレーザースクライブ装置、である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池を低コストで効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図２と図３において、薄膜太陽電池の一例が模式的に図解されている。図２は薄膜太陽電池の背面を表す模式的平面図であり、図３は図２中の点線Ａに沿って切り出した部分の模式的斜視図である。
【００１８】
図２と図３に図解された薄膜太陽電池６においては、ガラスなどの透光性絶縁基板２上に透明導電膜３、半導体光電変換層４、および裏面金属電極層５がスパッタやＣＶＤ（化学気相堆積）などを利用して順次積層されている。ガラス基板としては、近年では約１ｍ平方の大きさのものまで用いられている。透明導電膜３としてはＺｎＯ、ＳｎＯ2、ＩＴＯ（インジュウム錫酸化物）などが用いられ、金属電極層５としてはＡｇ、Ａｌなどが主に用いられている。各層３、４、５の堆積とエッチングまたはレーザースクライブなどによるパターニングとを繰り返して複数の短冊状光電変換セルが形成されており、それらの短冊状セルは短軸方向に電気的に直列接続された集積構造にされている。なお、 図３中のセル間分離溝８の間隔に対応する短冊状セルの短軸方向の幅は、通常は約１０ｍｍである。
【００１９】
すなわち、隣接するセル間において裏面電極層５はセル間分離溝８によって分離されているが、一つのセルの透明導電膜３は隣のセルの裏面電極５に接続されている。また、各層３、４、５は、周縁分離溝９によって、発電領域７ａと非発電領域１０とに分離されている。このような周縁分離溝９は、各層３、４、５の周縁端部における透明導電膜３と裏面電極５との短絡欠陥などを分離するために設けられる。直列接続された複数セル中の両端のセル上には、バスバー（母線）電極１１が設けられ、全セルからの出力電流はこれらのバスバー電極１１から取り出される。
【００２０】
このような薄膜太陽電池６においても、発電領域内７ａにおいて、セル間分離溝８によって１％未満の透光性は存在している。
【００２１】
図４と図５において、透光性薄膜太陽電池の一例が模式的に図解されている。図４は透光性薄膜太陽電池１の背面を表す模式的平面図であり、図５は図４中の点線Ｂに沿って切り出した部分の模式的斜視図である。
【００２２】
透光性薄膜太陽電池１において、発電領域７ｂが部分的に太陽光を透過し得るのは、 図４に示されているように、通常は約１ｍｍ間隔で複数の透光性開口溝１２が形成されているからである。すなわち、光電変換層４と金属電極層５が透光性開口溝１２によって除去されている。ただし、透光性開口溝１２はセル間分離溝８に交差して形成されており、セル間分離溝８の両側のセルは互の電気的直列接続が維持されている。なお、透光性開口溝１２の代わりに、透光性開口穴が形成されてもよいことは言うまでもない。
【００２３】
図６と図７において、図４に示されているような透光性薄膜太陽電池１の透光性開口溝１２の形成方法が模式的に図解されている。図６は従来のレーザースクライブ装置を示すブロック図であり、図７はレーザー光の走査パターンを表す模式的平面図である。
【００２４】
図６のレーザースクライブ装置２１において、レーザー発振器２８から射出されたレーザー光２７ａは、ビームエクスパンダー２９によってビーム径が拡張される。次に、全反射ミラー２５ａ、２５ｂによって方向が変えられ、レーザーヘッド２４に含まれる全反射ミラー２６により、対物レンズ２３に導入され、透光性絶縁基板側より薄膜太陽電池６上に照射される。この場合、レーザー光の加工点３６ａとレーザー焦点位置３１は同じ位置にある。レーザー光としては、透明導電膜３に損傷を与えず、光電変換層４及び裏面電極層５を除去できるものであればよい。好ましくはＹＡＧレーザーの基本波または第二高調波であり、さらに好ましくはＹＡＧレーザーの第二高調波である。
【００２５】
薄膜太陽電池６はＸＹテーブル３３上の支持台２２に載置されており、そのＸＹ平面内で自由に移動させられ得る。薄膜太陽電池６上にレーザー光の焦点位置３１を合わせ、薄膜太陽電池６を相対的に移動させることによって、レーザー光が走査される。
【００２６】
図７に示すように、レーザー光の走査開始点３５からレーザー光が右方向に走査させられた後、レーザー光の走査が薄膜太陽電池６の右側に達すれば、ビームの照射位置は透光性開口溝のシフト量３０だけ相対的に下方へ移動させられる。その後に、レーザー光が左方向に移動させられ、ビームの走査が薄膜太陽電池６の左側に達すれば、再びビームの照射位置が下方にシフト量３０だけ相対的に移動させられる。このようなレーザー光の走査とシフトを繰り返すことによって、ビーム走査領域（レーザー光走査領域）３４内の実線の直線で表されているような透光性開口溝１２が形成される。また、ＸＹテーブルの走査可能な方向が１軸であり、ＸＹテーブルの走査可能な方向の垂直方向にレーザヘッドが動作する構造も使用できる。
【００２７】
透光性開口溝または穴の幅は１０μｍ〜５００μｍであることが好ましく、透過率が５％〜５０％であることが好ましい。約１ｍ平方の透光性薄膜太陽電池においては、透光性開口溝または穴の間隔は０．５ｍｍ〜２ｍｍであることが好ましい。
【００２８】
透光性薄膜太陽電池１枚あたりの加工時間を短縮するために、レーザー光を照射するレーザーヘッドの数は多数であっても構わない。好ましくは１から４である。この場合、レーザー発振機から出射されるレーザー光をハーフミラー等で分岐した後、レーザーヘッドに導入する。また、レーザーヘッドに含まれる対物レンズは、単焦点レンズでも多焦点レンズでもよい。好ましくは単焦点レンズまたは２焦点レンズである。
【００２９】
得られた透光性薄膜太陽電池の透光性の評価法としては、分光光度計を用いて波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける各波長の分光透過率を測定し、ＣＩＥＤ６５の分光分布の値に対する透過率の合計から求める方法がある。また、簡易的に蛍光灯や白熱電灯を用いて、透過率を測定する透光性薄膜太陽電池面内で一定の照度が得られるように調整し、透過性薄膜太陽電池を透過する光の量から透過率を測定することができる。
【００３０】
図１のブロック図は、本発明の一実施形態において好ましく用いられ得るレーザースクライブ装置２１を模式的に図解している。
【００３１】
レーザー発振器２８から射出されたレーザー光２７ａは、ビームエクスパンダー２９によってビーム径が拡張される。次に、全反射ミラー２５ａ、２５ｂによって方向が変えられ、レーザーヘッド２４に含まれる全反射ミラー２６により、対物レンズ２３に導入され、透光性絶縁基板２側より薄膜太陽電池６上に照射される。薄膜太陽電池６はＸＹテーブル３３上の支持台２２に載置されており、そのＸＹ平面内で自由に移動させられ得る。
【００３２】
ここで、薄膜太陽電池を保持する支持台２２とＸＹテーブル３３の距離を調整し、薄膜太陽電池面とレーザ光の焦点位置が移動する面との角度を設定することで、薄膜太陽電池６上に照射されるレーザー光のスクライブ加工点３５とレーザ光の焦点位置３１間の距離を、薄膜太陽電池全体として連続的に変化させることができる。この場合、レーザー光の照射位置３６ａとレーザー焦点位置３１は、薄膜太陽電池６上のレーザースクライブ位置により異なり、Ａ点ではＢ点よりレーザースクライブの加工点３６ａとレーザー光の焦点位置３１間の距離は大きくなり、また、Ｃ点ではＢ点よりもレーザースクライブの加工点３６ａとレーザー光の焦点位置３１位置間の距離は小さくなる。一般に薄膜太陽電池をレーザースクライブ加工する場合、薄膜太陽電池上のレーザースクライブの加工点とレーザー光の焦点位置間の距離が大きくなるに従って、透光性開口溝または穴が小さくなる傾向がある。したがって、レーザースクライブの状態が透光性薄膜太陽電池上で変化し、設定された支持台の傾きにより、透光性（透過率）の状態にグラデーションが発生する。
【００３３】
得られたグラデーションを有する透光性薄膜太陽電池は、透光性薄膜太陽電池の大きさの１０分の１から１００分の１０の面積にあたる領域の透過率を、透光性薄膜太陽電池の全体に渡って測定することにより評価する。この領域の形状は矩形であり、正方形であることが好ましい。分光光度計を用いて波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにおける各波長の分光透過率を測定し、ＣＩＥＤ６５の分光分布の値に対する透過率の合計から求める。また、簡易的に蛍光灯や白熱電灯を用いて、透過率を測定する透光性薄膜太陽電池面内で一定の照度が得られるように調整し、透光性薄膜太陽電池を透過する光の量から透過率を測定することができる。この場合、隣り合う測定領域の透過率の差は０から１％である。０から０．５％であることが好ましく、さらに好ましくは０から０．２％である。
【００３４】
以上のように作製され得る透光性薄膜太陽電池において、全体としてグラデーションを緩やかに設けて、任意の遮光性とグラデーションの意匠性を付与することができる。
【００３５】
得られた透光性薄膜太陽電池をガラスやフィルム等の透光性絶縁材をＥＶＡ等の樹脂を用いてラミネートし、端子ボックスを取り付けて、バスバー電極と接続することにより、透光性薄膜太陽電池モジュールを作製することができる。また、透光性絶縁材として、意匠性のあるガラスおよび意匠性のある封止材を用いることによって、容易に美観に優れる透光性薄膜太陽電池を得ることができる。
【００３６】
本発明の一態様は、絶縁透光性基板、透明導電膜、非晶質及び／または結晶質シリコン系半導体からなる光電変換膜と、裏面電極膜からなる積層体が並列及び直列に接続された集積型薄膜太陽電池（６）であって、透光性開口溝または穴をレーザースクライブする際に、薄膜太陽電池を保持する支持台（２２）の位置をＸＹテーブル（３３）に対して調整して、薄膜太陽電池（６）上のレーザースクライブ加工点（３６ａ）とレーザー光の焦点（３１）位置間の距離を一定の割合で変化させることによって達成される。
【００３７】
以上のように、
本発明の第１は、
透光性絶縁基板上に順に積層された透明導電膜、非晶質及び／又は結晶質シリコン系半導体からなる１以上の半導体光電変換層、および裏面電極層を含み、
前記光電変換層と前記裏面電極層とを貫通する透光性開口溝または穴を含む、
該透光性絶縁基板の基板面に対して平行な方向において、透過率が連続的に変化することを特徴とする、
透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池の製造方法であって、
該透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程を含み、
該工程において、該透光性薄膜太陽電池の前駆体上に照射されるレーザー光のスクライブ位置と該レーザー光の焦点との間の距離を、該透光性薄膜太陽電池の前駆体の所定方向に全体として連続的に変化させることを特徴とする、透光性薄膜太陽電池の製造方法、である。
【００３８】
本発明は、また、
前記透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程において、前記透光性薄膜太陽電池の前駆体の基板面と、レーザー光の焦点が移動する面とを、所定の角度で傾斜させることにより、前記透光性薄膜太陽電池の前駆体上に照射されるレーザー光のスクライブ位置と該レーザー光の焦点との間の距離を、該透光性薄膜太陽電池の前駆体の所定方向に全体として連続的に変化させることを特徴とする、透光性薄膜太陽電池の製造方法、である。
【００３９】
本発明は、また、
前記透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程において、前記透光性薄膜太陽電池の前駆体の基板面と、レーザー光の焦点が移動する面とを、所定の角度で傾斜させる手段が、
対物レンズと対向する位置に配置されたＸＹテーブルと、
該ＸＹテーブルに対して任意の角度で傾斜させることが可能であって、さらに該ＸＹテーブルからの位置を任意に調整可能である支持台と、を備えるレーザースクライブ装置である、透光性薄膜太陽電池の製造方法、である。
【００４０】
本発明は、また、
透光性絶縁基板上に順に積層された透明導電膜、非晶質及び／又は結晶質シリコン系半導体からなる１以上の半導体光電変換層、および裏面電極層を含み、
前記光電変換層と前記裏面電極層とを貫通する透光性開口溝または穴を含む
透光性薄膜太陽電池であって、
該透光性絶縁基板の基板面に対して平行な方向において、透過率が連続的に変化することを特徴とする、
透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池、である。
【００４１】
本発明は、また、
１００ｃｍ2以上２００ｃｍ2以下の矩形面積あたりの平均として測定される前記透光性薄膜太陽電池の透過率が、該透光性薄膜太陽電池の基板面に対して平行な方向において連続的に変化させられてなる、透光性薄膜太陽電池、である。
【００４２】
本発明は、また、
対物レンズと対向する位置に配置されたＸＹテーブルと、
該ＸＹテーブルに対して任意の角度で傾斜させることが可能であって、さらに該ＸＹテーブルからの位置を任意に調整可能である支持台と、を備えるレーザースクライブ装置、である。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を比較例とともにいくつかの実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はその趣旨を超えない限り以下の記載例に限定されるものではない。少なくとも実施例は、本発明の好ましい態様の一つである。以下のとおり半導体光電変換層としては、非晶質系半導体（アモルファスシリコン）の例を示しているが、非晶質系半導体と、結晶質シリコン系半導体とのタンデム型（２段タンデムや、３段タンデム）からなる１以上の光電変換層を含む場合であっても、同様の結果が得られる。
【００４４】
上述した実施の形態に従い、透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池１を作製した。
【００４５】
まず、９８０ｍｍ×９５０ｍｍの面積と５ｍｍの厚さを有するガラス基板上に、熱ＣＶＤで製膜した厚さ約７００ｎｍのＳｎＯ2からなる透明導電膜３、ＣＶＤで厚さ約３００ｎｍのアモルファスシリコンからなる光電変換膜４、スパッタ法で厚さ約８０ｎｍのＺｎＯ膜と厚さ約３００ｎｍのＡｇをこの順で製膜してなる裏面電極膜５の堆積とレーザースクライブなどによるパターニングを繰り返して複数の短冊状光電変換セルが１０８個直列接続した薄膜太陽電池を得た。
【００４６】
次に、上記薄膜太陽電池６をレーザースクライブ装置のＸＹテーブル３３上の支持台２２に固定した。薄膜太陽電池６の１つの長辺側基板端上において、レーザー光の焦点が一致するように支持台２２の位置を合わせ、相対する長辺側基板端上にて、レーザースクライブ加工点とレーザ光の焦点位置間の距離が２ｍｍになるように設定した。４つのレーザ光出射ヘッドを使用して透光性開口溝１２を上記薄膜太陽電池６に形成した。透光性開口溝１２は１ｍｍ間隔で、集積型薄膜太陽電池の集積方向とほぼ平行に配置した。最後に、電力取り出し用のバスバーを両端の光電変換セル付近に配した。
【００４７】
得られた透過性薄膜太陽電池の出力特性を測定した。ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）のスペクトル及び光量の光を照射し、２５℃で測定した結果、短絡電流１．０１Ａ、開放電圧９４．５Ｖ、曲線因子０．６２、最大出力５８．８Ｗという良好な出力が得られた。
【００４８】
得られた透光性薄膜太陽電池の透過率を測定した。蛍光灯により１０ｃｍ×１０ｃｍの正方形の領域で、照度が一定となるように設定し、透過側に光電変換プローブを配した透過率測定装置を用いた。レーザースクライブ位置とレーザー光の焦点位置が一致している基板端付近で透過率は９．８％であったが、相対する基板端面の近づくに従って、透過率は徐々に低下し、該相対する基板端面付近で、透過率は７．７％となった。目視による観察においても、透光性の状態が緩やかに変化しており、目的の透過性薄膜太陽電池が作製できた。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の透光性薄膜太陽電池の製造に利用され得るレーザースクライブ装置を示すブロック図である。
【図２】薄膜太陽電池の背面側を示す模式的平面図である。
【図３】図２中の点線Ａに沿って切り出した部分の模式的斜視図である。
【図４】透光性薄膜太陽電池の背面側を示す模式的平面図である。
【図５】図４中の点線Ｂに沿って切り出された模式的斜視図である。
【図６】従来の透光性薄膜太陽電池の製造に利用され得るレーザースクライブ装置を示すブロック図である。
【図７】透光性薄膜太陽電池の製造におけるレーザー光走査を示す模式的平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１透光性薄膜太陽電池
２透光性絶縁基板
３透明導電膜
４光電変換層
５裏面電極層
６薄膜太陽電池
７ａ、７ｂ発電領域
８セル間分離溝
９周辺絶縁線
１０  非発電領域
１１バスバー
１２透光性開口溝
２２支持台
２３対物レンズ
２４レーザーヘッド
２５ａ、２５ｂ全反射ミラー
２６レーザーヘッドに含まれる全反射ミラー
２７ａ、２７ｂレーザー光
２８レーザー発振機
２９エクスパンダー
３０シフト量
３１レーザー光の焦点位置
３３ＸＹテーブル
３４レーザー光走査領域
３５レーザー光走査開始点
３６ａ、３６ｂ  レーザースクライブの加工点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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