(57)【要約】【課題】長穴形状のマスク開口部を複数、梁部を間に挟んで並列させた場合でも、梁部の側面同士の貼りつきを防止することのできる蒸着用マスクおよび該蒸着用マスクの製造方法を提供すること。【解決手段】蒸着用マスク１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、複数のチップ２０を複数、取り付けた構成を有しており、チップ２０には、成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されている。チップ２０において、マスク開口部２２で挟まれた梁部２７の側面２７ａには、微細な凹凸２７ｂが形成されている。このため、チップ２０の製造過程で乾燥工程を行なった際、梁部２７の側面２７ａ同士が貼り付いて剥がれなくなる事態を防止することができる。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長穴形状のマスク開口部が梁部を間に挟んで複数、並列する基板を備えた蒸着用マスクにおいて、
前記梁部の側面には凹凸が形成されていることを特徴とする蒸着用マスク。
【請求項２】
前記凹凸は、前記梁部の側面に選択的に形成され、前記基板の両面には形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の蒸着用マスク。
【請求項３】
前記凹凸の表面粗さは、Ｒmaxで０．１μｍから１．０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着用マスク。
【請求項４】
前記基板は、単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の蒸着用マスク。
【請求項５】
長穴形状のマスク開口部が梁部を間に挟んで複数、並列する基板を備えた蒸着用マスクの製造方法において、
前記基板に前記マスク開口部を形成するマスク開口部形成工程を行なう際、あるいは当該マスク開口部形成工程を行なった後、
前記梁部の側面に凹凸を付すことを特徴とする蒸着用マスクの製造方法。
【請求項６】
前記マスク開口部形成工程では、前記基板の所定部分をマスクで覆った状態で当該基板にドライエッチングを行って前記マスク開口部を形成するとともに、当該ドライエッチングの際、前記梁部の側面に前記凹凸を付すことを特徴とする請求項５に記載の蒸着用マスクの製造方法。
【請求項７】
前記マスク開口部形成工程の後、サンドブラスト処理を行い、
当該サンドブラスト処理により、前記梁部の側面に前記凹凸を付すことを特徴とする請求項５に記載の蒸着用マスクの製造方法。
【請求項８】
前記マスク開口部形成工程では、前記基板としての単結晶シリコン基板に前記マスク開口部を形成することを特徴とする請求項５乃至７の何れか一項に記載の蒸着用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長穴形状の複数のマスク開口部が並列する蒸着用マスク、およびこの蒸着用マスクの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体装置や電気光学装置の製造工程では、成膜パターンに対応するマスク開口部を備えた蒸着用マスクを被処理基板に重ね、この状態で真空蒸着法、スパッタ成膜、イオンプレーティングなどの蒸着を行うことがある。例えば、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置の製造工程において、発光素子用の有機ＥＬ材料（有機機能層）を所定形状に形成する際にフォトリソグラフィ技術を利用すると、パターニング用のレジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能材料が水分や酸素に触れて劣化するおそれがあるため、レジストマスクを必要としないマスク蒸着法を用いて有機機能層を形成することが提案されている。
【０００３】
このような蒸着用マスクとしては、例えば、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板に対して水酸化カリウム水溶液などを用いたウエットエッチングを行って長穴形状のマスク開口部２２を複数、並列形成したチップ２０Ｘを支持基板３０Ｘ上に搭載したものが提案されており、かかる蒸着用マスク１０Ｘでは、マスク開口部２２Ｘの間には、細長い梁部２７Ｘが形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２７６４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の蒸着用マスク１０Ｘでは、マスク開口部２２Ｘ開口幅ｄ１が狭い場合、蒸着用マスク１０Ｘの製造工程において、ウエットエッチング後に洗浄し、乾燥させる際、図６（ｃ）に示すように、梁部２７Ｘの側面同士が貼り付いて剥がれなくなるという事態が発生するという問題点がある。本願発明者は、かかる原因を追求した結果、マスク開口部２２Ｘの開口幅ｄ１が狭い場合、乾燥の際に、マスク開口部２２Ｘに入り込んでいた洗浄液の表面張力によって梁部２７Ｘ同士が引き寄せられ、貼り付いてしまうという知見を得た。特に、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板に対してウエットエッチングによりマスク開口部２２Ｘを形成すると、梁部２７Ｘの側面が面方位（１１１）の平滑面になっているため、梁部２７Ｘ同士が剥がれないという事態が発生しやすいという知見を得た。
【０００５】
以上の問題点および知見に基いて、本発明の課題は、長穴形状のマスク開口部を複数、梁部を間に挟んで並列させた場合でも、梁部の側面同士の貼りつきを防止することのできる蒸着用マスクおよび該蒸着用マスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、長穴形状のマスク開口部が梁部を間に挟んで複数、並列する蒸着用マスクにおいて、前記梁部の側面には凹凸が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明において、「蒸着」とは、真空蒸着に限らず、スパッタ成膜やイオンプレーティングなど、成膜材料の原子や分子が蒸着粒子流として供給される気相成膜法全般を含む意味である。
【０００８】
本発明の蒸着用マスクでは、梁部の側面（マスク開口部の内側面）には凹凸が形成されているため、マスク開口部が例えば２０μｍ以下といった狭い幅寸法であっても、蒸着用マスクの製造工程で洗浄後、乾燥を行なう際、洗浄液の表面張力によって梁部同士が引き寄せられた場合でも、梁部同士が貼りつくことを防止することができる。それ故、蒸着用マスクを製造する際の歩留まりの向上などを図ることができる。
【０００９】
本発明において、前記凹凸は、前記梁部の側面に選択的に形成され、前記基板の両面には形成されていない構成を採用することができる。
【００１０】
本発明において、前記凹凸の表面粗さは、Ｒmax（高低差）で０．１μｍから１．０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００１１】
本発明において、前記基板が単結晶シリコン基板である構成を採用することができる。単結晶シリコン基板であれば、反応性イオンエッチングなどの方法により、微細なマスク開口部を高い精度で形成できるという利点がある。
【００１２】
また、上記課題を解決するために、本発明では、長穴形状のマスク開口部が梁部を間に挟んで複数、並列する蒸着用マスクの製造方法において、基板に前記マスク開口部を形成するマスク開口部形成工程を行なう際、あるいは当該マスク開口部形成工程を行なった後、前記梁部の側面に凹凸を付すことを特徴とする。
【００１３】
本発明において、前記マスク開口部形成工程では、前記基板の所定部分をマスクで覆った状態で当該基板にドライエッチングを行って前記マスク開口部を形成するとともに、当該ドライエッチングの際、前記梁部の側面に前記凹凸を付すことが好ましい。このように構成すると、少ない工程数で、梁部の側面に凹凸が形成された蒸着用マスクを製造することができる。また、梁部の側面に凹凸を選択的に形成することができる。
【００１４】
本発明では、前記マスク開口部形成工程の後、サンドブラスト処理を行い、当該サンドブラスト処理により、前記梁部の側面に前記凹凸を付してもよい。
【００１５】
本発明において、前記マスク開口部形成工程では、例えば、前記基板としての単結晶シリコン基板に前記マスク開口部を形成する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、図面を参照して、本発明を適用した蒸着用マスク、マスク蒸着法およびマスク蒸着装置について説明する。なお、以下の説明では、各実施の形態で共通の構成を説明した後、各実施の形態の特徴部分を説明する。以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、以下の実施の形態では、本発明の蒸着用マスクおよびマスク蒸着法が使用される対象として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を例示する。
【００１７】
［共通構成］
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１は、本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。図１に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置やプリンタの光学ヘッドなどとして用いられるものであり、素子基板２上では、感光性樹脂からなる隔壁９で囲まれた複数の領域に画素３が構成されている。複数の画素３は各々、有機ＥＬ素子３ａを備えており、有機ＥＬ素子３ａは、陽極として機能するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層５と、有機ＥＬ材料からなる発光層６と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７と、アルミニウムやアルミニウム合金からなる陰極８とを備えている。陰極８の側には、有機ＥＬ素子３ａが水分や酸素により劣化するのを防止するための封止層や封止部材（図示せず）が配置されている。素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ２ａなどを含む回路部２ｂが有機ＥＬ素子３ａの下層側に形成されている。
【００１８】
有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を画素電極４の側から出射するため、素子基板２の基体としては、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）などの透明基板が用いられる。その際、陰極８を光反射膜によって構成すれば、発光層６で発光した光を陰極８で反射して透明基板の側から出射することができる。
【００１９】
これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射するため、素子基板２の基体は透明である必要はない。但し、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合でも、素子基板２に対して光出射側とは反対側の面に反射層（図示せず）を配置して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体として透明基板を用いること必要がある。なお、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合において、素子基板２の基体と発光層６との間、例えば、画素電極４の下層側などに反射層を形成して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体は透明である必要はない。
【００２０】
ここで、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合、陰極８が薄く形成される。このため、陰極８の電気抵抗の増大を補うことを目的に、隔壁９の上面にアルミニウムやアルミニウム合金からなる補助配線８ａが形成されることもある。
【００２１】
有機ＥＬ装置１がカラー表示装置として用いられる場合、複数の画素３および有機ＥＬ素子３ａは各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブ画素として構成される。その場合、有機ＥＬ素子３ａにおいて、発光層６は、各色に対応する光を出射可能な発光材料により形成される。また、単独の発光材料からなる発光層６によって、ＲＧＢ各色の特性を得るのは難しいことが多いので、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした発光層６を形成し、蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出すこともある。このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。
【００２２】
（有機ＥＬ装置１の製造方法）
素子基板２を形成するにあたっては、単品サイズの基板に以下の工程を施す方法の他、素子基板２を多数取りできる大型基板に以下の工程を施した後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明では、サイズを問わず、素子基板２と称して説明する。
【００２３】
有機ＥＬ装置１を製造するには、素子基板２に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７などは、水分や酸素により劣化しやすいため、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには、電子注入輸送層７の上層に補助配線８ａや陰極８を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには補助配線８ａや陰極８を形成する際には、以下に詳述するマスク蒸着法を利用して、素子基板２に所定形状の薄膜を形成し、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。
【００２４】
（マスク蒸着装置の構成例）
図２は、マスク蒸着装置の構成を模式的に示す概略構成図である。図２に示すように、マスク蒸着装置１００では、蒸着室１１０内の上方位置に、素子基板２（被処理基板）および蒸着用マスク１０を保持する基板ホルダ１１９が配置されている。素子基板２および蒸着用マスク１０は、素子基板２の下面側（被成膜面側）の所定位置に蒸着用マスク１０を重ねた状態で基板ホルダ１１９により保持され、成膜時、この状態で、矢印Ａで示すように回転する。蒸着用マスク１０の構成については、図３を参照して後述するが、素子基板２に対する成膜パターンに対応するマスク開口部２２が形成されている。
【００２５】
蒸着室１１０内の下方位置には、素子基板２に向けて蒸着分子や蒸着原子を供給する蒸着源１２０が配置されており、蒸着源１２０は、蒸着材料を内部に保持する坩堝１２１、坩堝１２１内の蒸着材料を加熱するためのヒータ１２２、および坩堝１２１の上部開口を開閉するシャッタ１２３などを備えている。
【００２６】
（蒸着用マスクの構成）
図３は、本発明を適用した蒸着用マスク全体の構成を示す斜視図である。図４（ａ）、（ｂ）は、蒸着用マスクの一部を拡大して示す説明図、およびその断面図である。
【００２７】
図３および図４（ａ）、（ｂ）に示す蒸着用マスク１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、複数のチップ２０を複数、取り付けた構成を有している。本形態では、チップ２０はシリコンからなるものとする。各チップ２０は各々、アライメントされて支持基板３０に陽極接合や紫外線硬化型接着剤などにより接合されている。
【００２８】
蒸着用マスク１０は、例えば、図１に示す補助配線８ａをマスク蒸着法により形成するためのマスクであり、チップ２０には、補助配線８ａの成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されている。このため、チップ２０には、マスク開口部２２の各間に梁部２７が形成されている。チップ２０において、マスク開口部２２の形成領域の周りには外枠部２５が形成されており、かかる外枠部２５が支持基板３０に接合されている。
【００２９】
なお、図１に示す有機ＥＬ装置１において、画素電極４は、画素毎に分離した状態に形成されているが、正孔注入輸送層５、発光層６および電子注入輸送層７が複数の画素３に跨ってストライプ状に形成される場合があり、このような場合には、正孔注入輸送層５、発光層６および電子注入輸送層７も、蒸着用マスク１０と同様、チップ２０において長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した構造の蒸着用マスクが用いられる。いずれの場合においても、蒸着用マスク１０は、例えば、被成膜領域の所定領域に成膜を行った後、蒸着用マスク１０をずらしながら複数回、成膜することにより、被成膜領域全体にわたってストライプ状の薄膜を形成する。また、蒸着用マスク１０を用いて、被成膜領域の所定領域に一括して成膜を行い、被成膜領域全体にわたってストライプ状の薄膜を形成する場合もある。
【００３０】
再び図３および図４（ａ）、（ｂ）において、支持基板３０には、長方形の貫通穴からなる複数の開口領域３２が平行、かつ一定間隔で設けられており、複数のチップ２０は、支持基板３０の開口領域３２を塞ぐように支持基板３０上に固定されている。支持基板３０には、アライメントマーク３９が形成されており、アライメントマーク３９は、蒸着用マスク１０を使用して蒸着などを行うときに、蒸着用マスク１０の位置合わせを行うためのものである。なお、チップ２０の外枠部２５にアライメントマーク３９を形成してもよい。支持基板３０の構成材料は、チップ２０の構成材料の熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数を有するものが好ましい。チップ２０はシリコンであるので、シリコンの熱膨張係数と同等の熱膨張係数をもつ材料で支持基板３０を構成する。このようにすることにより、支持基板３０とチップ２０との熱膨張量の違いによる「歪み」や「撓み」の発生を抑えることができる。本形態では、支持基板３０としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英ガラスなどからなる透明基板が用いられている。
【００３１】
（チップの詳細構成）
複数のチップ２０の各々において、外枠部２５にはアライメントマーク２４が少なくとも２ヶ所形成されている。これらのアライメントマーク２４は、支持基板３０にチップ２０を固定する際の位置合わせに使用される。アライメントマーク２４は、フォトリソグラフィ技術または結晶異方性エッチングなどにより形成される。
【００３２】
本形態において、チップ２０は、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａからなり、後述するように、単結晶シリコン基板２０ａにフォトリソグラフィ技術、ウエットエッチング、ドライエッチングなどを用いて、貫通溝からなるマスク開口部２２を形成することにより、製造される。チップ２０の裏面には大きな凹部２９が形成されており、マスク開口部２２は、凹部２９の底部で開口している。このため、マスク開口部２２が形成された領域では基板厚が薄く、斜め方向に進行する蒸着粒子もマスク開口部２２を通過しやすくなっている。その結果、梁部２７は、細くかつ薄く形成されている。また、マスク開口部２２は、開口幅ｄ１が２０μｍ以下と狭く、隣接する梁部２７同士は、狭い隙間を介して平行に延びている。
【００３３】
本形態において、梁部２７の側面２７ａ（マスク開口部２２の長手方向の側面）は、面方位（１１１）を有している。また、マスク開口部２２の長手方向の側面（梁部２７の側面２７ａ）には、多数の微細な凹凸２７ｂが形成されている。ここで、凹凸２７ｂの粗さは、Ｒmax（高低差）で示すと、０．１μｍから１．０μｍ、例えば、０．３μｍである。これに対して、チップ２０の表面および裏面には、かかる凹凸２７ｂは形成されておらず、平坦面になっている。
【００３４】
（蒸着用マスクの製造方法）
図５（ａ）〜（ｆ）は、本形態の蒸着用マスクの製造方法を示す工程断面図である。本形態の蒸着用マスク１０を製造するにあたっては、図５（ａ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａの全面に熱酸化法により酸化膜２０ｂを形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、酸化膜２０ｂをパターニングし、マスク開口部２２を形成すべき領域の酸化膜２０ｂを除去する。
【００３５】
次に、マスク開口部形成工程では、酸化膜２０ｂをマスクにして、酸化膜２０ｂの開口部２０ｃから単結晶シリコン基板２０ａにドライエッチングを行い、図５（ｂ）に示すように、マスク開口部２２を形成するための溝を形成する。より具体的には、DEEP-RIE装置により、酸化膜２０ｂの開口部２０ｃから単結晶シリコン基板２０ａに反応性イオンエッチングを行い、マスク開口部２２を形成する。その際、ＡｒガスやＯ2ガスとともに、ＣＦ4、ＣＨＣＦ3、ＣＨ2Ｆ2、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8などのＣＦ系ガス、ＳＦ6などのガスを用いて等方性エッチングとパッシベーション（エッチング面への保護膜の形成）とを繰り返す。ここで、エッチング／パッシベーションのサイクルタイムを４秒／２秒にすると、エッチング側壁は平滑面となるが、本形態では、エッチング時間を延ばすことにより、エッチング側壁に対してスキャロップと呼ばれる縦筋状の窪みを形成する。例えば、エッチング／パッシベーションのサイクルタイムを８秒／２秒にする。その結果、エッチングが過多になるので、エッチング側壁（梁部２７の側面２７ａ／マスク開口部２２の内側面）にはスキャロップ（微細な凹凸２７ｂ）が形成される。かかる凹凸２７ｂの粗さは、Ｒmaxで示すと、０．１μｍから１．０μｍ、例えば、０．３μｍである。
【００３６】
なお、図５（ａ）に示す工程において、アライメントマーク２４を形成すべき領域にも、酸化膜２０ｂの開口部２０ｃを除去すれば、マスク開口部形成工程で行なうエッチングにより、アライメントマーク２４を同時に形成することができる。
【００３７】
次に、緩衝ふっ酸を用いて酸化膜２０ｂを全て除去した後、再度、熱酸化を行い、図５（ｃ）に示すように、単結晶シリコン基板２０ａの全面に酸化膜２０ｅを形成する。
【００３８】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、酸化膜２０ｅをパターニングし、図５（ｄ）に示すように、単結晶シリコン基板２０ａの裏面に対してエッチングすべき領域の酸化膜２０ｅを除去する。
【００３９】
次に、酸化膜２０ｅをマスクとして用いて、例えば、温度が８０℃、濃度が３５％の水酸化カリウム水溶液により、酸化膜２０ｅの開口部２０ｆから単結晶シリコン基板２０ａの裏面に対してウエットエッチングを行なう。ここで行なうウエットエッチングは、結晶異方性エッチングであり、図５（ｅ）に示すように、単結晶シリコン基板２０ａの裏面には、マスク開口部２２を形成するための溝の底部まで到達する凹部２９が形成される。その結果、マスク開口部２２が貫通する。
【００４０】
次に、図５（ｆ）に示すように、緩衝ふっ酸を用いて酸化膜２０ｅを全て除去する。次に、イソプロピルアルコールなどの洗浄液で洗浄、置換した後、乾燥機によってイソプロピルアルコールなどの洗浄液を除去し、乾燥させる。
【００４１】
その結果、梁部２７の側面２７ａ（マスク開口部２２の長手方向の側面）に凹凸２７ｂが形成されたチップ２０が形成される。しかる後には、図３および図４（ａ）、（ｂ）に示すように、チップ２０を支持基板３０上に接合して蒸着用マスク１０を得る。
【００４２】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の蒸着用マスク１０では、梁部２７の側面２７ａ（マスク開口部２２の長手方向の側面）に、表面粗さがＲmaxで０．１μｍから１．０μｍの凹凸２７ｂが形成された状態で、洗浄、乾燥が行なわれる。このため、マスク開口部２２の幅寸法ｄ１が２０μｍ以下と狭い場合において、乾燥時に洗浄液の表面張力により、隣接する梁部２７同士が引き寄せられて接触しても接触面積が狭いので、梁部２７同士が貼り付かない。また、乾燥時、隣接する梁部２７同士が貼りついてもすぐに離れる。それ故、蒸着用マスク１０を製造する際の歩留まりが高い。
【００４３】
また、マスク開口部形成工程では、単結晶シリコン基板２０ａの所定部分をマスク（酸化膜２０ｂ）で覆った状態でドライエッチングを行ってマスク開口部２２を形成するとともに、ドライエッチングの際、梁部２７の側面２７ａに凹凸２７ｂを付す。このため、少ない工程数で、梁部２７の側面２７ａに凹凸２７ｂが形成された蒸着用マスク１０を製造することができる。また、梁部２７の側面２７ａに凹凸２７ｂを選択的に形成することができる。
【００４４】
なお、本形態では、梁部２７の側面２７ａに形成した凹凸２７ｂのＲmaxを０．３μｍとしたが、凹凸２７ｂについては、Ｒmaxが０．１μｍ以上であれば、貼りつきを防止できる。但し、凹凸２７ｂのＲmaxが１．０μｍを超えると、成膜パターンの形状精度が低下する。従って、凹凸２７ｂのＲmaxについては、０．１μｍ以上、かつ、１．０μｍ以下が好ましい。
【００４５】
（別の製造方法）
上記の製造方法では、マスク開口部形成工程において、マスク開口部２２を形成するためのドライエッチングによって、梁部２７の側面２７ａに凹凸２７ｂを形成したが、マスク開口部形成工程において、単結晶シリコン基板２０ａにマスク開口部２２を形成した後、梁部２７の側面２７ａに凹凸２７ｂを付す粗面化工程を行なってもよい。例えば、単結晶シリコン基板２０ａにマスク開口部２２を形成した後、酸化膜２０ｂを残した状態でサンドブラスト処理を行い、梁部２７の側面２７ａに凹凸２７ｂを付してもよい。この場合も、マスク開口部形成工程の後、単結晶シリコン基板２０ａに酸化膜２０ｂが形成されている状態でサンドブラスト処理を行なうので、梁部２７の側面２７ａに凹凸２７ｂを選択的に形成することができる。
【００４６】
上記形態では、梁部２７の側面２７ａに凹凸２７ｂを選択的に形成したが、チップ２０の表面および裏面への凹凸２７ｂの形成が問題とならない場合には、チップ２０の表面および裏面に凹凸２７ｂが形成されている構成を採用してもよい。
【００４７】
上記の製造方法では、マスクとして酸化膜２０ｂ、２０ｅを用いたが、耐エッチング性を有するものであれば、ＣＶＤ法などにより形成された窒化シリコン膜や、スパッタ法により形成されたＡｕ膜やＰｔ膜などの金属膜であってもよい。
【００４８】
［その他の実施の形態］
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記形態では、複数のチップ２０を支持基板３０に接合した蒸着用マスク１０に本発明を適用したが、マスク開口部を形成した単結晶シリコン基板を１枚のみ用いた蒸着用マスクに本発明を適用してもよい。
【００４９】
また、上記形態では、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板２０ａにマスク開口部２２を形成した例を説明したが、その他の面方位を備えた単結晶シリコン基板や、その他のシリコン基板、さらにはシリコン以外の基板にマスク開口部２２を形成した蒸着用マスクに本発明を適用してもよい。
【００５０】
また、上記形態については、真空蒸着法に用いる蒸着用マスクを説明したが、スパッタ成膜法やイオンプレーティング法などの蒸着法に用いる蒸着用マスクに本発明を適用することができる。また、近年、イオンプレーティング法についてはプラズマを利用したプラズマコーティングが提案されており、かかる蒸着法に用いる蒸着用マスクに対しても、本発明を適用することができる。
【００５１】
さらに、上記形態では、有機ＥＬ装置１のストライプ状の薄膜（補助配線８ａ、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７）を形成するための蒸着用マスクに本発明を適用したが、液晶装置その他の電気光学装置や半導体装置の製造工程において、ストライプ状の薄膜を形成する蒸着用マスクに本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。
【図２】マスク蒸着装置の概略構成図である。
【図３】本発明を適用した蒸着用マスク全体の構成を示す斜視図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した蒸着用マスクの一部を拡大して示す説明図、およびその断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明を適用した蒸着用マスクの製造方法を示す工程断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）各々、従来の蒸着用マスクの一部を拡大して示す説明図、その断面図、および梁部同士が貼りついた様子を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１・・有機ＥＬ装置、２・・素子基板（被処理基板）、３・・画素、３ａ・・有機ＥＬ素子、４・・画素電極、５・・正孔注入輸送層、６・・発光層、７・・電子注入輸送層、８・・陰極、８ａ・・補助配線、９・・隔壁、１０・・蒸着用マスク、２０・・チップ、２０ａ・・単結晶シリコン基板、２２・・マスク開口部、２７・・梁部、２７ａ・・梁部の側面、２７ｂ・・梁部の側面に形成した凹凸、３０・・支持基板、１００・・マスク蒸着装置、１２０・・蒸着源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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