(57)【要約】【課題】滲みのない所望のパターンで形成されたソルダレジストを有する配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の配線基板の製造方法は、ソルダレジストを主面に有する配線基板を製造する方法において、紫外線の透過率の低い第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層１３の上面に紫外線の透過率の高い第２の絶縁層１４を積層する工程と、第２の絶縁層１４の上面に感光性レジスト１７Ａを塗布する工程と、感光性レジスト１７Ａに紫外線を照射して第２の絶縁層１４の上面に所定のパターンからなるソルダレジスト１７を形成する工程と、を備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソルダレジストを主面に有する配線基板を製造する方法において、光線の透過率の低い第１の絶縁層を形成する工程と、上記第１の絶縁層の主面に光線の透過率の高い第２の絶縁層を積層する工程と、上記第２の絶縁層の主面に感光性レジストを塗布する工程と、上記感光性レジストに光線を照射して上記第２の絶縁層の主面に所定のパターンからなるソルダレジストを形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
ソルダレジストを上下の主面それぞれに有する配線基板の製造方法において、光線の透過率の低い第１の絶縁層を上下対称に配置して形成する工程と、上記上下の第１の絶縁層の外側の主面に光線の透過率の高い第２の絶縁層をそれぞれ積層する工程と、上記上下の第２の絶縁層の外側の主面それぞれに感光性レジストを塗布する工程と、上記上下の感光性レジストそれぞれに光線を照射して上記上下の第２の絶縁層の主面に所定のパターンからなるソルダレジストをそれぞれ形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
上記ソルダレジストを形成する工程は、未硬化の感光性レジストを除去する工程を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
無機フィラーの含有率の異なる樹脂を用いて上記第１、第２の絶縁層をそれぞれ形成することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
上記配線基板に電子部品を内蔵させることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
少なくとも、光線の透過率の低い第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層の一方の主面に積層された光線の透過率の高い第２の絶縁層と、上記第２の絶縁層の主面に所定のパターンからなるソルダレジストと、を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項７】
少なくとも、光線の透過率の低い、上下対称に配置された第１の絶縁層と、上記上下の第１の絶縁層の外側の主面それぞれに積層された光線の透過率の高い上下の第２の絶縁層と、上記上下の第２の絶縁層の主面にそれぞれ所定のパターンからなる上下のソルダレジストと、を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項８】
上記第１、第２の絶縁層が無機フィラーの含有率の異なる樹脂によってそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
電子部品を内蔵することを特徴とする請求項６〜請求項８のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項１０】
上記上下の第１の絶縁層の内側にコア基板を備えたことを特徴とする請求項６〜請求項９のいずれか１項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に関し、更に詳しくは、滲みなく所望のパターンに形成されたソルダレジストを有する配線基板の製造方法及び配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板は、電子部品の高機能化及び小型化に伴って配線パターンが微細化している。配線パターンを保護し、更に実装時の半田ブリッジを防ぐためにプリント基板の表面にはソルダレジストが形成されているが、配線パターンの微細化に伴ってソルダレジストの形成にフォトリソグラフィー技術が用いられている。また、プリント配線基板は、配線パターンが微細化すると共に薄型化が進行している。そのため、フォトリソグラフィー技術を用いて薄いプリント配線基板の両面に同時にソルダレジストを形成する場合に、紫外線が基板を透過し、紫外線の照射面と反対側の面のレジストをその裏面から部分的に硬化させる問題があった。このように絶縁層を透過する紫外線によってレジストを裏面側から部分的に硬化させる現象を以下では裏露光と定義する。
【０００３】
例えば、特許文献１には裏露光の問題を解決したプリント配線板が記載されている。特許文献１の技術について例えば図６を参照しながら説明する。例えば図６の（ａ）に示すようにコア基板１の両面それぞれに貼り付けられた銅箔を所定形状にパターニングした紫外線遮蔽用の遮蔽膜２、２を形成した後、同図の（ｂ）に示すようにコア基板１の両面にプリプレグ３、３をそれぞれ積層し、両面のプリプレグ３、３それぞれの表面に銅箔４、４を積層する。そして、同図の（ｃ）に示すようにスルーホール１Ａを形成し、銅箔４、４それぞれの表面及びスルーホール１Ａの内周面に銅メッキ層５を形成する。これにより、上下の銅箔４、４が銅メッキ層５によって導通可能になる。尚、図６の（ｃ）〜（ｆ）では銅箔４は銅メッキ層５として一体化しているため、銅箔４を省略してある。
【０００４】
その後、図６の（ｄ）に示すようにコア基板１両面の銅メッキ層５をパターニングして所定の配線パターン５Ａ及びスルーホール１Ａの内周面に導体膜５Ｂを形成する。引き続き、同図の（ｅ）に示すようにコア基板１の両面の銅メッキ層５Ａ、５Ａに感光性レジスト６、６をそれぞれ塗布し、コア基板１の両側からフォトマスクＰを介して紫外線ＵＶを照射して感光性レジスト６、６を硬化させる。この際、例えばコア基板１の上面側の配線パターン５Ａの真下には遮蔽膜２が形成されているため、コア基板１の下面側から入射した紫外線ＵＶを遮蔽膜２によって遮断するため、配線パターン５Ａ内のレジスト６Ｂを裏露光することがない。従って、その後の現像処理によって未硬化の感光性レジスト６Ａを確実に除去し、同図の（ｆ）に示すように本来のパターンでソルダレジスト６Ａを形成することができる。本明細書では、感光性レジストは、紫外線に照射されていない未硬化のものを意味し、ソルダレジストは紫外線によって硬化されたものを意味する。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１１２５７５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、引用文献１の技術では紫外線がプリプレグ３を透過して対向する他のプリプレグ３に形成された感光性レジスト６Ａの裏露光を遮蔽膜２によって防止することができるが、プリプレグ３を透過する紫外線ＵＶの一部は遮蔽膜２によって部分的に入射側に反射され、この反射光によって入射側の感光性レジスト６Ａを裏露光し、例えば図７に示すようソルダレジスト７のパターンに滲み７Ａを生じ、本来のパターンが崩れ所望のパターンでソルダレジスト７を形成することができないという新たな問題が発生する。また、引用文献１の技術では、プリプレグ３に含有される無機フィラーによって紫外線ＵＶがプリプレグ３内で散乱し、この散乱光が入射側へ戻ってレジスト６を裏露光し、ソルダレジスト６Ａのパターンに滲みが生じ、所望のパターンが得られないという問題もある。更に、引用文献１の技術では裏露光を防止するために、本来必要な配線パターン以外に遮蔽膜２を余分に設けなくてはならないため、配線パターンのスペースが制約されるという問題もある。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、滲みのない所望のパターンが設計通りに形成されたソルダレジストを有する配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の配線基板の製造方法は、ソルダレジストを主面に有する配線基板を製造する方法において、光線の透過率の低い第１の絶縁層を形成する工程と、上記第１の絶縁層の主面に光線の透過率の高い第２の絶縁層を積層する工程と、上記第２の絶縁層の主面に感光性レジストを塗布する工程と、上記感光性レジストに光線を照射して上記第２の絶縁層の主面に所定のパターンからなるソルダレジストを形成する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の請求項２に記載の配線基板の製造方法は、ソルダレジストを上下の主面それぞれに有する配線基板の製造方法において、光線の透過率の低い第１の絶縁層を上下対称に配置して形成する工程と、上記上下の第１の絶縁層の外側の主面に光線の透過率の高い第２の絶縁層をそれぞれ積層する工程と、上記上下の第２の絶縁層の外側の主面それぞれに感光性レジストを塗布する工程と、上記上下の感光性レジストそれぞれに光線を照射して上記上下の第２の絶縁層の主面に所定のパターンからなるソルダレジストをそれぞれ形成する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の請求項３に記載の配線基板の製造方法は、する請求項１または請求項２に記載の発明において、上記ソルダレジストを形成する工程は、未硬化の感光性レジストを除去する工程を含むことを特徴とものである。
【００１１】
また、本発明の請求項４に記載の配線基板の製造方法は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、無機フィラーの含有率の異なる樹脂を用いて上記第１、第２の絶縁層をそれぞれ形成することを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項５に記載の配線基板の製造方法は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記配線基板に電子部品を内蔵させることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項６に記載の配線基板は、少なくとも、光線の透過率の低い第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層の一方の主面に積層された光線の透過率の高い第２の絶縁層と、上記第２の絶縁層の主面に所定のパターンからなるソルダレジストと、を備えたことを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項７に記載の配線基板は、少なくとも、光線の透過率の低い、上下対称に配置された第１の絶縁層と、上記上下の第１の絶縁層の外側の主面それぞれに積層された光線の透過率の高い上下の第２の絶縁層と、上記上下の第２の絶縁層の主面にそれぞれ所定のパターンからなる上下のソルダレジストと、を備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項８に記載の配線基板は、請求項６または請求項７に記載の発明において、上記第１、第２の絶縁層が無機フィラーの含有率の異なる樹脂によってそれぞれ形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項９に記載の配線基板は、請求項６〜請求項８のいずれか１項に記載の発明において、電子部品を内蔵することを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の請求項１０に記載の配線基板は、請求項６〜請求項９のいずれか１項に記載の発明において、上記上下の第１の絶縁層の内側にコア基板を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、滲みのない所望のパターンが設計通りに形成されたソルダレジストを有する配線基板の製造方法及び配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図１〜図５に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
第１の実施形態
本実施形態の配線基板１０は、例えば図１に示すように、コア基板１１と、コア基板１１上に所定のパターンで形成された第１の配線パターン１２と、配線パターン１２を被覆する第１の絶縁層１３と、第１の絶縁層１３の主面（上面）に積層された第２の絶縁層１４と、第２の絶縁層１４の上面に所定のパターンで形成された第２の配線パターン１５と、第１、第２の絶縁層１３、１４を貫通して第１、第２の配線パターン１２、１５を電気的に接続するビアホール導体１６と、第２の配線パターン１５の必要な部分だけ露出するように第２の絶縁層の上面を被覆するソルダレジスト１７と、を備えている。第１、第２の配線パターン１２、１５の一部を形成する電極には必要に応じて電子部品（図示せず）を実装することができる。
【００２０】
コア基板１１は、第１、第２の絶縁層１３、１４及び第１、第２の配線層１２、１５の支持基板として絶縁材料によって形成されている。第１の絶縁層１３は、紫外線等の光線（以下、「紫外線」として説明する。）の透過率の低い絶縁層として形成されている。紫外線の透過率の低い絶縁層は、絶縁層内で紫外線が吸収され、大部分が散乱することによって紫外線のエネルギー減衰率が大きい絶縁層である。第２の絶縁層１４は、紫外線の透過率の高い絶縁層として形成されている。紫外線の透過率の高い絶縁層は、絶縁層内で紫外線が散乱し難く紫外線のエネルギーの減衰率が小さい絶縁層である。
【００２１】
本実施形態では、第１、第２の絶縁層１３、１４それぞれの材料として、例えば樹脂と無機フィラーとを含有する混合樹脂組成物が用いられる。混合樹脂組成物は、無機フィラーの含有率及び無機フィラーの粒径が変わると紫外線の透過率が異なる。例えば、紫外線の透過率の低い第１の絶縁層１３は、無機フィラーの含有率が９０ｖｏｌ％以上で、無機フィラーの平均粒径が１０μｍ以下の混合樹脂組成物によって形成されていることが好ましい。紫外線の透過率の高い第２の絶縁層１４は、無機フィラーの含有率が５０ｖｏｌ％以下で、無機フィラーの平均粒径が１０μｍ以下の混合樹脂組成物によって形成されていることが好ましい。無機フィラーの平均粒径が１０μｍを超えると絶縁層の薄型化に好ましくない。また、コア基板１１は、無機フィラーの含有率が７５ｖｏｌ％以上で、無機フィラーの平均粒径が１０μｍ以下の混合樹脂組成物によって形成されていることが好ましい。
【００２２】
コア基板１１及び第１、第２の絶縁層１３、１４の絶縁性材料は、絶縁性材料であれば特に制限されないが、例えばエポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましい。また、混合樹脂組成物に含まれる無機フィラーとしては、例えばガラスクロスやアルミナ、シリカ等が好ましい。
【００２３】
第１、第２の配線パターン１２、１５の材料は、導電性金属であれば特に制限されないが、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎ等の金属が好ましい。本実施形態では、第１、第２の配線パターン１２、１５は、それぞれ例えば銅箔及び電解メッキ銅をフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって所定形状にパターニングして形成されている。また、ビアホール導体１６は、導電性ペーストを硬化させた導電性樹脂によって形成されている。導電性ペーストは、例えば金属粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性樹脂組成物である。金属粒子としては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属を用いることができ、熱硬化性樹脂としては、絶縁層と同様に、例えばエポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００２４】
ソルダレジスト１７の材料は、特に制限されず、従来公知の材料を用いることができる。ソルダレジスト１７は、第１、第２の配線パターン１２、１５と同様に紫外線を用いて所定形状にパターニングして形成されている。ソルダレジスト１７は、後述するように、紫外線の透過率の低い第１の絶縁層１３と紫外線の透過率の高い第２の絶縁層１４の働きで第１、第２の絶縁層１３、１４内からの露光側への紫外線の戻りを抑制してレジストの裏露光を防止し、滲みのない所望のパターンに形成されている。
【００２５】
次に、本発明の配線基板の製造方法の特徴となるソルダレジストの形成方法の原理について図２の（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。例えば図２の（ａ）に示すように紫外線の透過率の高い第２の絶縁層１４へ紫外線ＵＶを照射すると、紫外線ＵＶは第２の絶縁層１４内の樹脂により吸収されると共に無機フィラーにより散乱されて多少エネルギーを消失して減衰するが、紫外線ＵＶの大部分は第２の絶縁層１４を透過し、露光側へ戻る紫外線ＵＶは殆どない。同図の（ｂ）に示すように紫外線の透過率の低い第１の絶縁層１３へ紫外線ＵＶを照射すると、紫外線ＵＶの一部は第１の絶縁層１３の樹脂により吸収され、多くが矢印で示すように無機フィラーにより散乱されて多くのエネルギーが散逸し、その一部が破線矢印で示すように露光側へ戻り、紫外線ＵＶの一部が第１の絶縁層１３へ入るに過ぎない。
【００２６】
そこで、図２の（ｃ）に示すように紫外線の透過率の低い第１の絶縁層１３を下層とし、その上に紫外線の透過率の高い第２の絶縁層１４を積層して二層構造の絶縁層を構成する。同図の（ｃ）に示すように第２の絶縁層１４側から二層構造の絶縁層へ紫外線ＵＶを照射すると、紫外線ＵＶは第２の絶縁層１４ではエネルギーを多少消失し減衰するものの殆どが透過し、露光側へ紫外線ＵＶが戻ることなく紫外線の透過率の低い第１の絶縁層１３へ到達する。第２の絶縁層１４を透過した紫外線ＵＶは、多くが矢印で示すように第１の絶縁層１３内で散乱されてエネルギーを消失し、散乱した紫外線の一部が破線矢印で示すように第２の絶縁層１４側へ戻り、残余の紫外線ＵＶが第１の絶縁層１３を透過する。第１の絶縁層１３内で散乱した紫外線ＵＶの一部が同図の（ｃ）に破線矢印で示すように第２の絶縁層１４へ戻るが、そのエネルギーを小さいため、第２の絶縁層１４を透過することなく第２の絶縁層１４内で吸収、散乱されて露光側へ戻ることが少ない。従って、第２の絶縁層１４の上面に塗布された感光性レジストを裏露光することがない。
【００２７】
次いで、図２に示す原理を適用した本発明の配線基板の製造方法の一実施形態について図３、図４を参照しながら説明する。まず、例えば図３の（ａ）に示すように銅箔で被覆されたコア基板１１を準備した後、このコア基板１１の上面の銅箔を所定形状にエッチングして第１の配線パターン１２を形成し、更にコア基板１１の上面に第１の絶縁層１３及び第２の絶縁層１４をそれぞれ積層して第１の配線パターン１２を被覆して積層体を形成する。コア基板１１は、平均粒径１０μｍ以下のシリカを７５ｖｏｌ％以上で含有するエポキシ樹脂によって、４００〜７００μｍの厚さに形成されている。第１の絶縁層１３は、平均粒径１０μｍ以下のシリカを９０ｖｏｌ％以上で含有するエポキシ樹脂によって紫外線の透過率の低い絶縁層として、５０μｍの厚さに形成されている。第２の絶縁層１４は、平均粒径１０μｍ以下のシリカを５０ｖｏｌ％以下で含有するエポキシ樹脂によって紫外線の透過率の高い絶縁層として、５０μｍの厚さに形成されている。また、第１の配線パターン１２は、１０〜２０μｍの厚みの銅箔をパターニングすることによって形成されている。
【００２８】
次いで図３の（ｂ）に示すように、例えばＣＯ２レーザ光を用いて積層体の第１、第２の絶縁層１３、１４にビアホールＨを所定のパターンで配置して形成した後、同図の（ｃ）に示すように導電性ペースト１６ＡをビアホールＨ内に充填する。更に、同図の（ｄ）に示すように第２の絶縁層１４の上面に銅箔１５Ａを積層し、第１、第２の絶縁層１３、１４を硬化させると共にビアホールＨ内の導電性ペースト１６Ａを硬化させてビアホール導体１６を形成し、ビアホール導体１６を介して第１の配線パターン１２と銅箔１５Ａを電気的に接続する。その後、銅箔１５Ａを所定のパターンにエッチングして、同図の（ｅ）に示すように第２の配線パターン１５を形成した後、同図の（ｆ）に示すように第２の絶縁層１４の上面に感光性レジスト１７Ａを塗布する。
【００２９】
然る後、図４の（ａ）に示すようにフォトマスクＰを感光性レジスト１７Ａ上に配置し、感光性レジスト１７Ａを紫外線ＵＶで露光すると、感光性レジスト１７Ａは紫外線ＵＶによって照射された部分１７Ｂが硬化する。この感光性レジスト１７Ａを現像処理すると露光されていない部分が除去されて、同図の（ｂ）に示すように積層体上面に所定形状のソルダレジスト１７が形成された配線基板１０を得ることができる。
【００３０】
第２の絶縁層１４側から紫外線ＵＶを照射すると、紫外線ＵＶは感光性レジスト１７Ａ及び紫外線の透過率の高い第２の絶縁層１４を透過して第１の絶縁層１３内へ入射する。これにより感光性レジスト１７Ａの紫外線ＵＶが透過した部分に所定のパターンでソルダレジスト１７が形成される。第２の絶縁層１４を透過しエネルギーが減衰した紫外線ＵＶは、第１の絶縁層１３内で多くがシリカ粒子によって散乱され、散乱光の一部が第２の絶縁層１４側へ拡散し入射し、減衰した残余の部分が第１の絶縁層１３を透過したコア基板１１へ入射する。第１の絶縁層１３から第２の絶縁層１４内に入射した紫外線ＵＶの散乱光の一部は、第２の絶縁層１４内で減衰し、そのエネルギーが極めて小さくなって感光性レジスト１７Ａを裏露光することがない。従って、感光性レジスト１７Ａは、フォトマスクＰの開口部に該当する部分だけが露光されて硬化し、ソルダレジスト１７は、裏露光による滲みのない所望のパターンとして形成される。
【００３１】
また、コア基板１１の上面に配線パターン１２が形成されているため、第１の配線パターン１２から感光性レジスト１７Ａ側へ紫外線ＵＶが反射する。しかし、第１の配線パターン１２において反射する紫外線ＵＶは、その時点で大半のエネルギーを消失しているため、第１、第２の絶縁層１３、１４を透過することができず、感光性レジスト１７Ａを裏露光することもない。
【００３２】
以上説明したように本実施形態の配線基板の製造方法によれば、コア基板１１の上面に紫外線の透過率の低い第１の絶縁層１３を形成する工程と、第１の絶縁層１３上に紫外線の透過率の高い第２の絶縁層１４を積層する工程と、第２の絶縁層１４上に感光性レジスト１７Ａを塗布する工程と、感光性レジスト１７Ａに紫外線ＵＶを照射して第２の絶縁層１４上に所定のパターンからなるソルダレジスト１７を形成する工程と、を備えているため、紫外線ＵＶは感光性レジスト１７Ａを介して第２の絶縁層１４内に入射し、ソルダレジスト１７を所定のパターンで形成すると共に第２の絶縁層１４を透過し、第１の絶縁層１３内で散乱し、散乱光の一部が第１の絶縁層１４に戻るが、そのエネルギーは極めて小さく感光性レジスト１７Ａを裏露光することがない。
【００３３】
従って、本実施形態によれば、滲みのない所望のパターンが設計通りに形成されたソルダレジスト１７を有する配線基板１０を得ることができるため、例えば電子部品を実装する際に、電子部品をソルダレジスト１７から露出した電極（第２の配線パターン１５の一部）に接合不良を生じることなく確実に実装することができる。また、本実施形態によれば、裏露光を防止するための余分な遮蔽膜を設ける必要がなく、それだけ配線パターンのスペースが制約されることがない。
【００３４】
第２の実施形態
第１の実施形態ではソルダレジスト１７を片面に備えた配線基板１０について説明したが、本実施形態の配線基板２０は、第１の実施形態の配線基板をコア基板側で接着剤によって２枚貼り合わせたような構造になっている。そして、配線基板２０は、電子部品が内蔵された構造になっている。本実施形態では、後述するように配線基板２０の上下から同時に紫外線を露光して上下両面にソルダレジストを同時に形成するようにしている。
【００３５】
本実施形態の配線基板２０は、例えば図５に示すように、２枚の配線基板１０を貼り合わせたような層構成になっているため、中間の絶縁層５０の上側の配線基板を第１の配線基板３０と定義し、接着剤５０の下側の配線基板を第２の配線基板４０と定義して配線基板２０について説明する。配線基板２０を作製する場合には、例えば第１、第２の配線基板３０、４０を予め作製して準備しておき、第１、第２の配線基板３０、４０を絶縁層５０によって貼り合わせて作製することができる。従って、以下では、第１、第２の配線基板３０、４０の第１の実施形態と同一または相当部分には１０番台の数字だけ変えて第１、第２の配線基板３０、４０について説明する。
【００３６】
第１の配線基板３０は、図５に示すように、コア基板３１、第１の配線パターン３２、第１の絶縁層３３、第２の絶縁層３４、第２の配線パターン３５、第１のビアホール導体３６及び第１のソルダレジスト３７を備え、第１の実施形態の配線基板１０と実質的に同一の層構成を備えて構成されている。そして、コア基板３１の下面には第３の配線パターン３８が所定のパターンで形成され、この配線パターン３８と第１の配線パターン３２が第２のビアホール導体３９を介して電気的に接続されている。
【００３７】
第２の配線基板４０も第１の配線基板３０と同様に構成されている。即ち、第２の配線基板４０は、コア基板４１、第１の配線パターン４２、第１の絶縁層４３、第２の絶縁層４４、第２の配線パターン４５、第１のビアホール導体４６及び第２のソルダレジスト４７を備えている。コア基板４１の上面には第３の配線パターン４８が所定のパターンで形成され、この配線パターン４８と第１の配線パターン４２が第２のビアホール導体４９を介して電気的に接続されている。
【００３８】
また、図５に示すように配線基板２０は、例えば一個の電子部品６０を内蔵している。この電子部品６０は、第１の配線基板３０のコア基板３１に内蔵されている。本実施形態では、電子部品６０が第１のコア基板３１に一個だけ内蔵されているが、電子部品６０は、必要に応じて配線基板２０のいずれかの絶縁層の単層または複数層に渡って必要な数だけ内蔵される。この電子部品６０は、受動素子及び／または能動素子によって構成されている。
【００３９】
絶縁層５０には第３のビアホール導体５１が第１の配線基板３０の第３の配線パターン３８と第２の配線基板４０の第３の配線パターン４８とを接続するように所定のパターンで配置して形成されている。絶縁層５０は、第１、第２の配線基板３０、４０それぞれの第１の絶縁層３３、４３と同一の絶縁材料によって、第１の絶縁層３３、４３と実質的に同一の厚さで形成されている。従って、絶縁層５０は、紫外線の透過率の低い絶縁層として形成され、紫外線が透過し難くなっている。絶縁層５０を接着剤として作製する場合には、第１の絶縁層３３、４３と同一の混合樹脂組成物を用いて半硬化状態のシートを形成した後、この半硬化状態のシートに複数のビアホールを形成し、これらのビアホール内に導電性ペーストを充填して未硬化の第３のビアホール導体を形成する。未硬化のビアホール導体を有する半硬化状態のシートの上下両面に第１、第２の配線基板３０、４０をそれぞれ配置し、これら三者を熱圧着することによりソルダレジストのない配線基板２０Ａを作製することができる。
【００４０】
そして、ソルダレジストを形成する場合には、配線基板２０Ａの上下両面に感光性レジストを塗布し、配線基板２０Ａの上下両面を紫外線に露光することによって上下両面にソルダレジスト３７、４７を有する配線基板２０を得ることができる。紫外線に配線基板２０Ａの上下両面の感光性レジストを同時に露光して第２の絶縁層３４、４４にソルダレジスト３７、４７を同時に形成する。紫外線は、第１の実施形態でも説明したように第１の絶縁層３３、４３内でエネルギーが散逸し、拡散した一部が第２の絶縁層３４、４４へ戻ってもその中でエネルギーを完全に消失し、入射側へ戻ることがないため、感光性レジストを裏露光することがなく、滲みのない所望のパターンでソルダレジスト３７、４７を得ることができる。しかも、配線基板２０Ａの中間に紫外線の透過率の低い第３の絶縁層５０が配置されているため、第１の絶縁層３３、４３を透過してエネルギーが減衰した紫外線は、コア基板３１、４１を透過する間に更にエネルギーが減衰し、第３の絶縁層５０を殆ど透過することができず、遮断される。
【００４１】
以上説明したように本実施形態においても、第１の実施形態と同様の作用効果を期することができる。尚、本実施形態では、第１の配線基板３０と第２の配線基板４０を貼り合わせて作製しているが、配線基板２０の最下層の第２の配線パターン４５から最上層の配線パターン３５まで各層を順次積層して作製しても良い。
【００４２】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。上記各実施形態では粒子状の無機フィラーを含有する樹脂を用いて絶縁層を形成する場合について説明したが、無機フィラーは粒子状に限らず、繊維状であっても良い。絶縁層の紫外線の透過率は、必要に応じて樹脂における無機フィラーの含有率や無機フィラーの平均粒径等によって適宜調整することができる。また、配線基板の層構成は上記各実施形態に何等制限されるものではない。更に、上記各実施形態では光線として紫外線を例に挙げて説明したが、感光性レジストが反応して硬化する光線であれば、紫外線以外の光線であっても良い。要は、第１の絶縁層を光線の透過率の低い絶縁層によって形成し、第２の絶縁層を光線の透過率の高い絶縁層によって形成し、第２の絶縁層の主面にソルダレジストを形成する方法及びその方法によって作製された配線基板であれば、本発明に包含される。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信装置や種々の電子機器に用いられる配線基板に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の配線基板の一実施形態を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明のソルダレジストパターンの形成方法の原理を示す説明図で、（ａ）は紫外線が紫外線透過率の高い絶縁層を透過する状態を示す断面図、（ｂ）は紫外線が紫外線透過率の低い絶縁層を透過する状態を示す断面図、（ｃ）は本発明の原理を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ本発明のソルダレジストパターンの形成方法の第１の実施形態を工程順に示す断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２に示す工程に続く工程を示す断面図である。
【図５】本発明の配線基板の他の実施形態を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ従来のソルダレジストパターンの形成方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図７】図６に示すソルダレジストパターンに形成方法によって形成されたレジストパターンの一例を部分的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０、２０    配線基板
１３、３３、４３    第１の絶縁層
１４、３４、４４    第２の絶縁層
１７    ソルダレジスト
１７Ａ  感光性レジスト（レジスト）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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