(57)【要約】【課題】半導体素子同士、あるいは基板との接合を良好にすることができ、製造安定性に優れた半導体素子および半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体素子１は、半導体基板１１と、半導体基板１１から突出した導体ポスト部１２１とを有する。導体ポスト部１２１は、先端から半導体基板１１側の基端にかけての外面に当該導体ポスト部１２１の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部を形成することなく、半導体基板１１に設けられている。【選択図】図１
2008294323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板から突出した導体ポスト部とを有する半導体素子であって、
前記導体ポスト部は、先端面が略円弧を描くように湾曲し、先端から前記半導体基板側の基端にかけての外面に当該導体ポスト部の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部を形成することなく、前記半導体基板に設けられている半導体素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子において、
前記導体ポスト部は、前記半導体基板の基板面と略平行方向にはりだす庇部を有しない半導体素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体素子において、
前記半導体基板には、当該半導体基板を貫通する導電体の貫通部が設けられ、
前記導体ポスト部の前記基端の前記半導体基板の基板面に沿った方向の幅寸法は、導電体の前記貫通部の幅寸法以上である半導体素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体素子において、
前記導体ポスト部上には、前記先端面を被覆する半田層が設けられ、
前記半田層の厚みは、前記先端面の頂部において、最も厚い半導体素子。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体素子において、
前記半田層は、前記導体ポスト部の前記先端面に沿って形成され、表面が略円弧状に湾曲している半導体素子。
【請求項６】
請求項４または５に記載の半導体素子において、
前記半田層は、前記導体ポスト部の前記先端面の周縁から、前記頂部に向かって厚みが厚くなる半導体素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体素子において、
前記半導体基板表面には、シード層が設けられ、
前記導体ポスト部は、前記シード層上に設けられている半導体素子。
【請求項８】
半導体基板と、
前記半導体基板上に突設された導体ポスト部と、
この導体ポスト部上に設けられる半田層とを備える半導体素子の製造方法であって、
前記半導体基板上に先端面が略円弧を描くように湾曲し、先端から前記半導体基板側の基端にかけての外面に当該導体ポスト部の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部が形成されていない前記導体ポスト部を、電解めっき法により形成する工程と、
前記導体ポスト部の先端面上に前記半田層を形成する工程と、
前記半田層をリフローし、前記導体ポスト部の先端面の頂部において、最も厚みが厚くなる前記半田層を形成する工程とを備える半導体素子の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体素子の製造方法において、
前記導体ポスト部を電解めっき法により形成する前記工程では、添加剤としてポリエチレングリコールが添加されためっき液を用いる半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子および半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の小型化、高密度実装化に伴い、半導体素子を積層する三次元実装技術が提案されている。
このような三次元実装に使用される半導体素子は、半導体基板表面から突出する導体ポスト部を有している（たとえば、特許文献１参照）。
特許文献１では、半導体素子を三次元実装する際には、導体ポスト部（第一の金属層）と、他の半導体素子の半導体基板に設けられた接合部（たとえば、電極）との間に溶融した半田を配置し、導体ポスト部と、他の半導体素子の半導体基板に設けられた接合部とを接合する。
しかしながら、このような半導体素子では、三次元実装した際に、溶融した半田が、導体ポスト部と接合部との間からはみ出す場合がある。溶融した半田がはみ出すことで、隣接する導体ポスト部等に接触し、ショートすることがある。また、溶融した半田が半導体素子表面の絶縁層に接することで、電気的寄生容量を発生することもある。
【０００３】
このような課題を解決するために、積層する半導体素子間に所定の間隔を保持するためのギャップ材を配置する方法が提案されている（特許文献２参照）。
また、半導体素子のポスト電極近傍の表面に、ポスト電極よりも突出する凸部を設ける方法も提案されている（特許文献３参照）。
さらには、図７に示すように、半導体素子１００のシリコンからなる半導体素子本体１０１上に、半導体素子本体１０１から突出した円柱状の第一の端子１０２と、この第一の端子１０２上にマッシュルーム形状の第二の端子１０３とを設ける方法も提案されている（特許文献４参照）。
なお、特許文献４には、図８に示すように、マッシュルーム形状の第二の端子１０３を半導体素子本体１０１から突出させるような形態も記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２８０４０７号公報
【特許文献２】特開２００５−１２３６０１号公報
【特許文献３】特開２００５−１５０２９９号公報
【特許文献４】特開２００５−３４７６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の技術では、以下のような課題がある。
特許文献２，３では、ギャップ材や、凸部を設けるため、部材点数が増加するとともに、ギャップ材や、凸部を設けるための製造工程が必要となり、製造工程が煩雑化し、製造安定性に欠ける。
特許文献４では、半導体素子１００は、第二の端子１０３を有する。この第二の端子１０３はマッシュルーム形状であり、第二の端子１０３には、第二の端子１０３の突出方向と略直交する方向に窪んだ窪み部１０３Ａが形成されている。従って、第二の端子１０３の強度は弱くなりやすく、特許文献４の半導体素子は製造安定性に欠けるものとなる。
さらに、半導体素子本体１０１から突出した円柱状の第一の端子１０２上に第二の端子１０３を設けた場合には、構造が複雑化し、半導体素子は製造安定性にさらに欠けるものとなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、半導体基板と、前記半導体基板から突出した導体ポスト部とを有する半導体素子であって、前記導体ポスト部は、先端面が略円弧を描くように湾曲し、先端から前記半導体基板側の基端にかけての外面に当該導体ポスト部の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部を形成することなく、前記半導体基板に設けられている半導体素子が提供される。
【０００７】
ここで、導体ポスト部は、先端から基端にかけての外面に導体ポスト部の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部が形成されていなければよく、たとえば、導体ポスト部が略半球状に形成されていてもよい。また、導体ポスト部が、円弧を描くように湾曲した前記先端面を有する第一の部分と、この第一の部分の先端面の周縁から半導体基板側に延びる第二の部分とを備えるものである場合には、第二の部分が寸胴に形成されていてもよく、また、テーパ状、逆テーパ状に形成され、第二の部分の側面が半導体基板表面に対し角度略一定で傾斜していてもよい。
【０００８】
この発明によれば、導体ポスト部は、先端面が略円弧を描くように湾曲している。従って、本発明の半導体素子と、他の半導体素子あるいは基板とを接続する際に、導体ポスト部の先端面の周縁部と、他の半導体素子あるいは基板に設けられた接合部との間の間隔が広くなる。
本発明の半導体素子を、他の半導体素子あるいは基板に接続する際には、溶融した半田を介して、導体ポスト部と、他の半導体素子等の接合部とを接続するが、接合部と導体ポスト部の先端面周縁部との間のスペースに溶融した半田を収容することができる。これにより、溶融した半田が、接続部分の側方にまではみ出すことを防止できる。
【０００９】
また、このような本発明の半導体素子は製造安定性に優れたものとなる。
すなわち、前述したように、本発明では、他の半導体素子等の接合部と導体ポスト部の先端面周縁部との間のスペースに溶融した半田を収容することができるので、従来のようなギャップ材や、凸部が不要となる。これにより、半導体素子の部材点数の増加を防止できるとともに、製造工程の煩雑化を防止でき、製造安定性に優れたものとすることができる。
【００１０】
図７に示した従来の半導体素子１００では、第二の端子１０３の先端から第一の端子１０２の基端にかけての外面に窪み部１０３Ａが形成されている。
また、図８に示した半導体素子においても、第二の端子１０３の先端から基端にかけての外面に窪み部１０３Ａが形成される。
このように窪み部が形成された場合には、端子の強度は弱くなりやすく、特許文献４の半導体素子は製造安定性に欠けるものとなる。
これに対し、本発明の半導体素子において、導体ポスト部は先端から前記半導体基板側の基端にかけての外面に当該導体ポスト部の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部が形成されていないので、導体ポスト部の強度を確保することができ、製造安定性に優れたものとなる。
さらには、近年、半導体素子において導体ポスト部を微細化することが要求されることがあるが、本発明のように、導体ポスト部を前記窪み部が形成されない形状とすることで、強度を確保することができるため、微細化を容易に行うことができる。
【００１１】
以上のような半導体素子は、以下のような方法で製造することができる。
すなわち、本発明によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に突設された導体ポスト部と、この導体ポスト部上に設けられる半田層とを備える半導体素子の製造方法であって、前記半導体基板上に先端面が略円弧を描くように湾曲し、先端から前記半導体基板側の基端にかけての外面に当該導体ポスト部の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部が形成されていない前記導体ポスト部を、電解めっき法により形成する工程と、前記導体ポスト部の先端面上に前記半田層を形成する工程と、前記半田層をリフローし、前記導体ポスト部の先端面の頂部において、最も厚みが厚くなる前記半田層を形成する工程とを備える半導体素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、他の半導体素子、あるいは基板との接合を良好にすることができ、製造安定性に優れた半導体素子および半導体素子の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
まず、本実施形態の半導体素子１の概要について説明する。
図１、４に示すように、本実施形態の半導体素子１は、半導体基板１１と、半導体基板１１から突出した導体ポスト部１２１とを有する。
導体ポスト部１２１は、先端から半導体基板１１側の基端にかけての外面に当該導体ポスト部１２１の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部を形成することなく、半導体基板１１に設けられている。
また、導体ポスト部１２１の先端面は、略円弧を描くように湾曲している。
【００１４】
次に、半導体素子１の詳細について説明する。
図１に示すように、半導体素子１は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に設けられたポスト１２とを備える。
半導体基板１１には、半導体基板１１を貫通する導電体の貫通部（貫通電極）１１１が設けられている。貫通電極１１１は複数設けられており、所定のピッチで配置されている。
貫通電極１１１は、例えば、銅、タングステンや、ポリシリコン等の導体で構成される。この貫通電極１１１は、導体ポスト部１２１と異なる材料で構成してもよい。
また、半導体基板１１の表面には配線層１１２(配線と絶縁層とを含む層)が形成されている。
さらに、半導体基板１１の配線層１１２と反対側の表面には絶縁層１１３が形成されている。絶縁層１１３には、開口部が形成されており、この開口部を埋め込むように電極１４が設置されている。
この電極１４は、複数設けられており、各電極１４は、前述した各貫通電極１１１に接続されている。
【００１５】
ポスト１２は、半導体基板１１上に複数配置されており、配線層１１２を介して貫通電極１１１と接続される。
このポスト１２は、半導体素子１と、他の半導体素子１あるいは基板３等との接続に使用されるものである（図４参照）。
ポスト１２は、導体ポスト部１２１と、半田層１２２とを備える。
【００１６】
導体ポスト部１２１は、半導体基板１１に突設されている。この導体ポスト部１２１は、半導体素子１を他の半導体素子１等に接合する際に、半田層１２２の半田により接合される部分である。
導体ポスト部１２１は、先端面が弧を描くように全面にかけて湾曲している。また、導体ポスト部１２１は、先端から半導体基板１１側の基端にかけての外面に導体ポスト部１２１の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部を形成することなく、半導体基板１１に設けられている。
また、導体ポスト部１２１は、半導体基板１１の基板面と略平行方向にはりだす庇部を有していない。
さらに、本実施形態では、導体ポスト部１２１は、半導体基板１１の基板面と直交する断面において、先端から基端にかけての外郭線が変曲点を有することなく延びている。
また、本実施形態では、導体ポスト部１２１はくびれを形成することなく、半導体基板１１から突出している。
なお、本実施形態では、導体ポスト部１２１の先端面は、半導体素子１を他の半導体素子１等に接合する際に、他の半導体素子１等の接合部（電極１４）と対向する面全面に該当する。
【００１７】
導体ポスト部１２１は、前記先端面を有する第一の部分１２１Ｂと、この第一の部分１２１Ｂの前記先端面の周縁から、半導体基板１１側に向かって柱状に延びる第二の部分１２１Ａとを備える。（図３（Ｄ）参照）
【００１８】
第一の部分１２１Ｂは、先端面の略中央部が頂部となるような弧を描くように、すなわち、略円弧を描くようにして全面にわたって湾曲している。本実施形態では第一の部分１２１Ｂの先端面は、略球面形状である。
この第一の部分１２１Ｂは、先端面の周縁を介して半導体基板１１に接続される。具体的には、本実施形態では、第一の部分１２１Ｂは、先端面の周縁、この周縁から半導体基板側に向かって延びる第二の部分１２１Ａを介して半導体基板１１に接続される。
【００１９】
第二の部分１２１Ａは、半導体基板１１の基板面と直交する断面が略矩形形状であり、本実施形態では、第二の部分１２１Ａは、略円柱状となっている。
なお、本実施形態では、第二の部分１２１Ａは、断面略矩形形状としたが、これに限らず、第二の部分１２１Ａは、半導体基板１１側の基端から、第一の部分１２１Ｂ側の先端に向かって径が拡径、あるいは縮径する逆テーパ状、テーパ状となっていてもよい。
また、第二の部分１２１Ａの基端の半導体基板１１の基板面に沿った方向の幅寸法は、貫通電極１１１の半導体基板１１の基板面に沿った方向の幅寸法と同じ、あるいは、貫通電極１１１の幅寸法を超える。
【００２０】
以上のような導体ポスト部１２１は、半田層１２２よりも融点が高い導体材料、たとえば金属材料で構成されており、例えば、銅やニッケルを含むものとなっている。
【００２１】
半田層１２２は、導体ポスト部１２１の先端面を被覆する。本実施形態では、導体ポスト部１２１の先端面全面を被覆している。
この半田層１２２は、導体ポスト部１２１の先端面に沿って形成され、表面が略円弧状に湾曲している。
半田層１２２の厚みは、導体ポスト部１２１の頂部において最も厚くなっており、導体ポスト部１２１の先端面の周縁から、導体ポスト部１２１の先端面の頂部に向かって厚くなっている。
半田層１２２を構成する材料としては、たとえば、Ｐｂフリー半田（たとえば、錫−銀系半田、錫−ビスマス系半田、錫−亜鉛系半田等）を用いることができる。また、半田層１２２として、Ｓｎ／９５Ｐｂ、Ｓｎ／６３Ｐｂ等のＰｂを含有するものを使用してもよい。
【００２２】
以上のようなポスト１２は、半導体基板１１の配線層１１２上に形成されたシード層１３上にこのシード層１３全面を被覆するように設けられている。
このシード層１３は、半導体基板１１の配線層１１２上に直接設けられており、シード層１３の幅寸法は、半導体基板１１の貫通電極１１１の前記幅寸法以上となっている。
シード層１３としては、たとえば、Ｃｕ、Ｔｉ等の金属を含有する層があげられる。
【００２３】
次に、図２および図３を参照して、以上のような半導体素子１の製造方法について説明する。
半導体素子１の製造方法は、半導体基板１１上に先端面が略円弧を描くように湾曲し、先端から半導体基板１１側の基端にかけての外面に導体ポスト部１２１の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部が形成されていない導体ポスト部１２１を、電解めっき法により形成する工程と、
導体ポスト部１２１の先端面上に半田層１２２を形成する工程と、半田層１２２をリフローし、導体ポスト部１２１の先端面の頂部において、最も厚みが厚くなる半田層１２２を形成する工程とを備える。
以下に詳細に説明する。
まず、図２（Ａ）に示すように、半導体基板１１の表面の配線層１１２を覆うシード層１３をスパッタリングにより形成する。
【００２４】
次に、図２（Ｂ）に示すように、シード層１３を覆うようにフォトレジスト２を塗布する。その後、図２（Ｃ）に示すように、フォトレジスト２を露光、現像することで、フォトレジスト２を選択的に除去する。具体的には、貫通電極１１１に対応する位置に設けられたフォトレジスト２を除去する。
【００２５】
次に、導体ポスト部１２１を形成する（図２（Ｄ））。導体ポスト部１２１は電解めっき法により形成される。具体的には、Ｃｕ、Ｎｉ等の導体ポスト部１２１を構成する金属を含むめっき液中に、フォトレジスト２が設けられた半導体基板１１を浸し、電解めっきを行う。このとき、めっき液中には、種々の添加剤が適宜添加されるが、たとえば、添加剤として、ポリエチレングリコールを添加する。
以上のようにして形成される導体ポスト部１２１は、先端面の略中央部が頂部となるような弧を描くように湾曲する。本実施形態では、先端面は略円弧状に湾曲する。
【００２６】
その後、導体ポスト部１２１上に半田層１２２を構成する半田をめっきする（図３（Ａ））。ここでは、導体ポスト部１２１上の半田の厚みは、略均一である。
次に、図３（Ｂ）に示すように、フォトレジスト２を除去する。
その後、図３（Ｃ）に示すように、シード層１３を選択的に除去する。具体的には、シード層１３のうち、上面に導体ポスト部１２１が形成されておらず、露出している部分をエッチングにより、除去する。
次に、図３（Ｄ）に示すように、半導体基板１１およびポスト１２を加熱処理し、所定の条件のもとリフローを行う。種々のリフロー条件を適宜調整することで、半田層１２２は、表面が略円弧状に湾曲するとともに、その厚みが、導体ポスト部１２１の頂部において最も厚くなる。さらには、半田層１２２は、導体ポスト部１２１の先端面の周縁から、導体ポスト部１２１の先端面の頂部に向かって厚くなる。
以上の工程により半導体素子１を得ることができる。
【００２７】
このようにして得られた半導体素子１は、図４のように３次元積層され、半導体装置を構成する。
具体的には、半導体素子１のポスト１２の半田層１２２を溶融させて、他の半導体素子１あるいは基板３の電極１４を接合し、加圧して積層する。
基板３は、表面に絶縁層１１３が設けられるとともに、絶縁層１１３の開口部に電極１４が設けられたものである。
【００２８】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
半導体素子１は、半導体基板１１から突出し、先端面が略円弧状に湾曲している導体ポスト部１２１を備えている。そのため、半導体素子１を基板３上、あるいは他の半導体素子１上に積層した際に、半導体素子１と基板３あるいは他の半導体素子１の電極１４と、導体ポスト部１２１の先端面周縁部との間の間隔が広くなる。
半導体素子１のポスト１２と、他の半導体素子１あるいは基板３の電極１４とを接合する際には、半田層１２２を溶融させて、接合を行うが、溶融した半田を、電極１４と、導体ポスト部１２１の先端面周縁部との間のスペースに収容することができる。
これにより、溶融した半田層１２２が隣接するポスト１２にまではみ出したり、絶縁層１１３に付着したりすることを防止できる。
【００２９】
また、以上のように、導体ポスト部１２１の形状により、溶融した半田層１２２のはみ出しを抑制できるので、従来のようなギャップ材や、凸部が不要となる。これにより、半導体素子１の部材点数の増加を防止できるとともに、製造工程の煩雑化を防止でき、製造安定性に優れた半導体素子１とすることができる。
【００３０】
さらに、従来のようにギャップ材、凸部を設けた場合には、半導体素子１を積層した後、樹脂で封止する際に、ギャップ材や凸部が樹脂の流れを阻害し、樹脂にボイドが発生するおそれがある。
これに対し、本実施形態では、ギャップ材や凸部が不要であるため、樹脂で封止する際に、樹脂にボイドが発生してしまうことを防止できる。
【００３１】
さらには、図７に示した従来の半導体素子では、第二の端子１０３の先端から第一の端子１０２の基端にかけての外面に窪み部１０３Ａが形成されている。
また、図８に示した半導体素子においても、第二の端子１０３の先端から基端にかけての外面に窪み部１０３Ａが形成される。
このように窪み部が形成された場合には、端子の強度は弱くなりやすく、特許文献４の半導体素子は製造安定性に欠けるものとなる。
これに対し、本実施形態の半導体素子１において、導体ポスト部１２１は先端から半導体基板１１側の基端にかけての外面に当該導体ポスト部１２１の突出方向と交差する方向に窪んだ窪み部が形成されていないので、導体ポスト部１２１の強度を確保することができ、製造安定性に優れたものとなる。
さらには、近年、半導体素子において導体ポスト部を微細化することが要求されることがあるが、本実施形態のように導体ポスト部１２１を窪み部が形成されない形状とすることで、強度を確保することができるため、微細化を容易に行うことができる。
【００３２】
さらに、本実施形態では、導体ポスト部１２１を半導体基板１１の基板面と略平行方向にはりだす庇部を有しない形状としているので、導体ポスト部１２１の形状の複雑化を防止することができる。
また、導体ポスト部１２１の基端の半導体基板１１の基板面に沿った方向の幅寸法は、貫通電極の半導体基板１１の基板面に沿った方向の幅寸法以上であるため、図８に示すような半導体素子に比べ、導体ポスト部１２１を半導体基板１１に対し強固に固定することができる。
【００３３】
また、本実施形態では、半田層１２２の厚みは、導体ポスト部１２１の先端面の頂部において最も厚くなっている。すなわち、導体ポスト部１２１の先端面の頂部を除く領域における半田層１２２の厚みが頂部における半田層１２２の厚みよりも薄いので、半導体素子１と他の半導体素子１等との接合時に、半田が導体ポスト部１２１側方に流れてしまうことを抑制できる。
特に、半田層１２２の厚みを、導体ポスト部１２１の先端面の周縁部から、導体ポスト部１２１の先端面の頂部に向かって厚くすることで、ポスト１２と、電極１４とを接合する際に、導体ポスト部１２１の頂部上にある半田が導体ポスト部１２１の先端面周縁部側に流れても、導体ポスト部１２１の先端面周縁部から導体ポスト部１２１側方に流れ出てしまうことを確実に防止できる。
【００３４】
また、半導体素子１を長期間保存するような場合には、導体ポスト部１２１を構成する金属が半田層１２２まで拡散することがある。導体ポスト部１２１を構成する金属の拡散により、半田層１２２の表面の組成が変化することがあるが、半田層１２２の厚みは、導体ポスト部１２１の頂部において最も厚くなっているので、導体ポスト部１２１の頂部上の半田層１２２表面の組成変化を抑制することができる。
【００３５】
さらに、本実施形態では、導体ポスト部１２１をＣｕ，Ｎｉ等を含む金属で構成しているので、半田層１２２を溶融する際に、導体ポスト部１２１が溶融してしまうことを確実に防止できる。
また、本実施形態では、導体ポスト部１２１を電解めっき法により形成しており、めっき液の添加剤を適宜調整することで、導体ポスト部１２１の先端面を略円弧を描くように全面にわたって湾曲させることができる。すなわち、めっき液の添加剤を適宜調整することで、導体ポスト部１２１を容易に形成することができる。
【００３６】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、半導体素子１のポスト１２を、配線層１１２上に設けていたが、これに限らず、たとえば、図５に示す半導体素子４のように、ポスト１２を半導体基板１１の配線層１１２と反対側の表面に直接設けてもよい。
半導体素子４では、配線層１１２上に絶縁層１１３が設けられている。電極１４は絶縁層１１３に形成された開口部に設けられ、配線層１１２に接続されている。
他の点については、半導体素子４は、前記実施形態の半導体素子１と同じである。
このような半導体素子４は、図６に示すように、積層される。
図５，６に示した半導体素子４においても、前記実施形態と同様の作用効果がえられる。
なお、半導体素子４において、ポスト１２の導体ポスト部１２１と、貫通電極１１１とを一体的に構成してもよい。
【００３７】
さらに、前記実施形態では、半田層１２２は、導体ポスト部１２１の頂部において厚みが最も厚くなるとしたが、これに限らず、半田層１２２の厚みは均一であってもよい。
また、前記実施形態では、導体ポスト部１２１は、銅またはニッケルを含んで構成されているとしたが、これに限らず、他の金属により構成されていてもよい。
ただし、前記実施形態のように導体ポスト部１２１を銅またはニッケルを含んで構成することで、導体ポスト部１２１を電解めっき法により形成することが容易となる。すなわち、電解めっき法によれば、めっき液中の添加剤を調整することで、導体ポスト部１２１の先端面が略円弧を描くように湾曲するため、前記先端面を有する導体ポスト部１２１を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施形態にかかる半導体素子を示す断面図である。
【図２】半導体素子の製造工程を示す断面図である。
【図３】半導体素子の製造工程を示す断面図である。
【図４】半導体素子を積層した状態を示す断面図である。
【図５】本発明の変形例にかかる半導体素子を示す断面図である。
【図６】半導体素子を積層した状態を示す断面図である。
【図７】従来の半導体素子を示す断面図である。
【図８】従来の半導体素子の模式図である。
【符号の説明】
【００３９】
１    半導体素子
２    フォトレジスト
３    基板
４    半導体素子
１１    半導体基板
１２    ポスト
１３    シード層
１４    電極
１００    半導体素子
１０１    半導体素子本体
１０２    第一の端子
１０３    第二の端子
１０３Ａ  窪み部
１１１    貫通電極
１１２    配線層
１１３    絶縁層
１２１    導体ポスト部
１２１Ａ    第一の部分
１２１Ｂ    第二の部分
１２２    半田層
【図１】
2008294323.tif 000003
【図２】
2008294323.tif 000004
【図３】
2008294323.tif 000005
【図４】
2008294323.tif 000006
【図５】
2008294323.tif 000007
【図６】
2008294323.tif 000008
【図７】
2008294323.tif 000009
【図８】
2008294323.tif 000010