(57)【要約】【課題】比較的簡単かつ低コストで、有機半導体層を所望の領域および厚さで形成することができるトランジスタ、トランジスタの製造方法、かかるトランジスタを備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明のトランジスタ１の製造方法は、ソース電極３およびドレイン電極４を、平面視にてソース電極３とドレイン電極４との間の領域と、ソース電極３およびドレイン電極４とを合わせた複合領域２の輪郭が直角または鋭角な角部を実質的に含まずに曲線を含んで構成されるように形成する第１の工程と、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料９を複合領域２内に滴下し平面視にて複合領域２と略一致するまで濡れ拡がらせた後に固化または硬化させることにより、有機半導体層を形成する第２の工程とを有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極と、
ドレイン電極と、
ゲート電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する有機半導体層と、
前記ゲート電極と前記有機半導体層の間に位置するゲート絶縁層とを有し、
前記有機半導体層の輪郭の一部と前記ソース電極の輪郭の一部が一致して重なり、前記有機半導体層の前記ソース電極と一致して重なる前記輪郭の一部が曲線を含み、前記ソース電極の前記有機半導体層と一致して重なる前記輪郭の一部が曲線を含むことを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
前記有機半導体層が、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域とを含む複合領域に重なる位置に形成されている請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
基板上に互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する有機半導体層と、
ゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に対して前記ゲート電極を絶縁するゲート絶縁層とを有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、平面視にて前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域と、前記ソース電極および前記ドレイン電極とを合わせた複合領域の輪郭が曲線を含んで構成されるように形成され、
前記有機半導体層は、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を前記複合領域内に滴下し固化または硬化させることにより形成されたものであり、平面視にて前記複合領域と略一致する範囲に亘って形成されていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
前記複合領域の輪郭が直角または鋭角な角部を実質的に含まないように形成されている請求項２または３に記載のトランジスタ。
【請求項５】
平面視にて、前記複合領域は、略円形状または略長円状をなしている請求項１ないし４のいずれかに記載のトランジスタ。
【請求項６】
平面視にて、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域は長手形状をなし、前記複合領域は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に延在するように略長円状をなしている請求項５に記載のトランジスタ。
【請求項７】
平面視にて、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域は長手形状をなし、前記複合領域は複数の略円形状または略長円状を前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に並べて連結したような形状をなしている請求項１ないし６のいずれかに記載のトランジスタ。
【請求項８】
平面視にて、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ櫛歯状をなす部分を有し、これらが互いに間隔を隔てて噛み合うように設けられている請求項１ないし７のいずれかに記載のトランジスタ。
【請求項９】
基板上に互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する有機半導体層と、ゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に対して前記ゲート電極を絶縁するゲート絶縁層とを有するトランジスタの製造方法であって、
前記ソース電極およびドレイン電極を、平面視にて前記ソース電極とドレイン電極との間の領域と、前記ソース電極および前記ドレイン電極とを合わせた複合領域の輪郭が直角または鋭角な角部を実質的に含まずに曲線を含んで構成されるように形成する第１の工程と、
有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を前記複合領域内に滴下し平面視にて前記複合領域と略一致するまで濡れ拡がらせた後に固化または硬化させることにより、前記有機半導体層を形成する第２の工程とを有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の工程では、前記複合領域が平面視にて略円形状または略長円状をなすように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する請求項９に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記第１の工程では、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域が平面視にて長手形状をなし、かつ、前記複合領域が平面視にて前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に延在する略長円状をなすように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する請求項１０に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記第１の工程では、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域が平面視にて長手形状をなし、かつ、前記複合領域が平面視にて複数の略円形状または略長円状を前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に並べて連結したような形状をなすように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する請求項９に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の工程では、平面視にて前記ソース電極と前記ドレイン電極がそれぞれ櫛歯状をなす部分を有しこれらが互いに間隔を隔てて噛み合うように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する請求項９に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記第２の工程では、前記液状材料を滴下する方法として、インクジェット法を用いる請求項９ないし１３のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記第２の工程の前または後に、前記ゲート絶縁層の形成領域を規定するゲート絶縁層規定層を、直角または鋭角な角部を実質的に含まずに曲線を含んで構成された輪郭をなし、平面視にて前記複合領域またはその形成予定部位に対し間隔を隔てて囲むように形成する工程と、
前記第２の工程の後に、有機絶縁材料またはその前駆体を含有する液状材料を、前記ゲート絶縁層規定層とその内側領域とを合わせた領域内に滴下し平面視にて当該領域と略一致するまで濡れ拡がらせた後に固化または硬化させることにより、前記ゲート絶縁層を形成する工程とを有する請求項９ないし１４のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１６】
前記ゲート絶縁層規定層を形成する工程は、前記第２の工程の前に行うものであり、前記第１の工程にて、前記ゲート絶縁層規定層を前記ソース電極および前記ドレイン電極とともに一括して形成する請求項１５に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１７】
請求項９ないし１６のいずれかに記載のトランジスタの製造方法によって製造されたトランジスタを備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタ、トランジスタの製造方法、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体的な電気伝導を示す有機材料（有機半導体材料）を使用したトランジスタの開発が進められている。このトランジスタは、薄型軽量化に適すること、可撓性を有すること、材料コストが安価であること等の長所を有しており、フレキシブルディスプレイ等のスイッチング素子として期待されている。
このようなトランジスタとしては、基板上に、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層が形成され、これら各部の上にゲート絶縁層、ゲート電極がこの順に積層されたトップゲート構造と、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層がこの順に積層され、これら各部の上に、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層が形成されたボトムゲート構造のものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１では、基板上に有機半導体層を形成するに際し、有機半導体材料を含む液体を基板上に塗布し固化・硬化させる方法（塗布法）を用いている。かかる方法は、大気中での使用が可能であることから、有機半導体層の形成工程の簡易化、および、トランジスタの低コスト化を図ることができる。
特に、特許文献１では、インクジェット法を用いていて、前述したような液体の液滴を基板上に付与し固化・硬化させる。インクジェット法は、基板に対し非接触で有機半導体層を形成することができるという利点がある。
【０００４】
ところで、トランジスタ同士の干渉や寄生トランジスタの形成を防止したり、リーク電流およびオフ電流を低減したりするために、有機半導体層の形成領域は、ソース電極とドレイン電極との間の領域およびその近傍に限定されているのが望ましい。また、トランジスタの特性を所望のものとするためには、有機半導体層を所望の領域および厚さで形成する必要がある。
【０００５】
前述したような塗布法では、基板表面に塗布した液体がその表面張力によって凝集しようとするため、基板上に液体を単に塗布すると、有機半導体層を所望の領域および厚さで形成するのが難しいという問題がある。特に、インクジェット法では、ノズルからの液滴の吐出をより安定的に行うために、比較的粘度の小さい液体が用いられる。このため、基板表面に塗布された液体の挙動は、表面張力や基板表面の濡れ性の影響を強く受け、前述したような問題が顕著となる。
【０００６】
そこで、このような問題を解決するために、特許文献１では、基板表面の濡れ性を制御したり、所望のパターンの輪郭に沿って障壁構造（いわゆるバンク構造）を設けたりすることによって、基板の表面における液体の挙動を制御している。
しかし、これらの方法では、トランジスタを構成する各部の形成とは別途、基板の濡れ性を制御する領域を形成したり、隔壁構造を形成したりする必要がある。特に、これらの形成にはフォトリソグラフィー法を用いる必要があるため、トランジスタの製造工程が複雑化し、生産性が低くなってしまう。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−６７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、比較的簡単かつ低コストで、有機半導体層を所望の領域および厚さで形成することができるトランジスタ、トランジスタの製造方法、かかるトランジスタを備える電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明に係るトランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する有機半導体層と、前記ゲート電極と前記有機半導体層の間に位置するゲート絶縁層と、を有し、前記有機半導体層の輪郭の一部と前記ソース電極の輪郭の一部が一致して重なり、前記有機半導体層の前記ソース電極と一致して重なる前記輪郭の一部が曲線を含み、前記ソース電極の前記有機半導体層と一致して重なる前記輪郭の一部が曲線を含む、ことを特徴とする。このトランジスタは、前記有機半導体層が、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域と、を含む複合領域に重なる位置に形成されていることが好ましい。
【００１０】
これにより、ソース電極の輪郭まで有機半導体層が形成されているため、仮にゲート電極がソース電極を覆うように形成されたとしても、ソース電極とゲート電極との間にゲート絶縁層と有機半導体層の２層が配置されるため、ソース電極およびゲート電極間での短絡の発生を抑制することができる。また、例えばソース電極の輪郭が段差部となっておりゲート絶縁層が段差部にまたがって形成されている場合、この段差部の平面視における形状が曲線状であると、段差部においてゲート絶縁膜にかかる応力が発散されるため、クラック等の不具合の発生を抑制することができる。
【００１１】
本発明に係るトランジスタは、基板上に互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する有機半導体層と、
ゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に対して前記ゲート電極を絶縁するゲート絶縁層とを有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、平面視にて前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域と、前記ソース電極および前記ドレイン電極とを合わせた複合領域の輪郭が曲線を含んで構成されるように形成され、
前記有機半導体層は、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を前記複合領域内に滴下し固化または硬化させることにより形成されたものであり、平面視にて前記複合領域と略一致する範囲に亘って形成されていることを特徴とする。
これにより、比較的簡単かつ低コストで、有機半導体層を所望の領域および厚さで形成して、優れた特性を有するトランジスタを提供することができる。特に、同一基板上に複数のトランジスタを設けた場合に、トランジスタ毎における特性のバラツキを抑えることができる。
【００１２】
本発明のトランジスタでは、前記複合領域の輪郭が直角または鋭角な角部を実質的に含まないように形成されていることが好ましい。
これにより、トランジスタを製造するに際し、滴下された液状材料は、その滴下位置から同心円状に濡れ拡がったときに、複合領域の輪郭のほぼ全周にわたって行き渡るようになる。したがって、より確実かつ簡単に、有機半導体層を平面視にて複合領域と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００１３】
本発明のトランジスタでは、平面視にて、前記複合領域は、略円形状または略長円状をなしていることが好ましい。
これにより、トランジスタを製造するに際し、滴下した液状材料の中心から複合領域の縁部までの距離のバラツキを小さくすることができる。そのため、滴下された液状材料は、その滴下位置から同心円状に濡れ拡がったときに、複合領域の輪郭のほぼ全周にわたって行き渡るようになる。したがって、より確実かつ簡単に、有機半導体層を平面視にて複合領域と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００１４】
本発明のトランジスタでは、平面視にて、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域は長手形状をなし、前記複合領域は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に延在するように略長円状をなしていることが好ましい。
これにより、複合領域の平面視形状が長円形状である場合に、より簡単かつ確実に、有機半導体層を平面視にて複合領域と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００１５】
本発明のトランジスタでは、平面視にて、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域は長手形状をなし、前記複合領域は複数の略円形状または略長円状を前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に並べて連結したような形状をなしていることが好ましい。
これにより、複合領域の平面視形状が細長い形状であっても、各略円形状または略長円状の領域ごとに液状材料を滴下することで、より簡単かつ確実に、有機半導体層を平面視にて複合領域と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００１６】
本発明のトランジスタでは、平面視にて、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ櫛歯状をなす部分を有し、これらが互いに間隔を隔てて噛み合うように設けられていることが好ましい。
これにより、複合領域の面積が大きい場合であっても、より簡単かつ確実に、有機半導体層を平面視にて複合領域と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００１７】
本発明に係るトランジスタの製造方法は、基板上に互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する有機半導体層と、ゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に対して前記ゲート電極を絶縁するゲート絶縁層とを有するトランジスタの製造方法であって、
前記ソース電極およびドレイン電極を、平面視にて前記ソース電極とドレイン電極との間の領域と、前記ソース電極および前記ドレイン電極とを合わせた複合領域の輪郭が直角または鋭角な角部を実質的に含まずに曲線を含んで構成されるように形成する第１の工程と、
有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を前記複合領域内に滴下し平面視にて前記複合領域と略一致するまで濡れ拡がらせた後に固化または硬化させることにより、前記有機半導体層を形成する第２の工程とを有することを特徴とする。
これにより、比較的簡単かつ低コストで、有機半導体層を所望の領域および厚さで形成して、優れた特性を有するトランジスタを提供することができる。特に、同一基板上に複数のトランジスタを設けた場合に、トランジスタ毎における特性のバラツキを抑えることができる。
【００１８】
本発明のトランジスタの製造方法では、前記第１の工程では、前記複合領域が平面視にて略円形状または略長円状をなすように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することが好ましい。
これにより、トランジスタを製造するに際し、滴下した液状材料の中心から複合領域の縁部までの距離のバラツキを小さくすることができる。そのため、滴下された液状材料は、その滴下位置から同心円状に濡れ拡がったときに、複合領域の輪郭のほぼ全周にわたって行き渡るようになる。したがって、より確実かつ簡単に、有機半導体層を平面視にて複合領域と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００１９】
本発明のトランジスタの製造方法では、前記第１の工程では、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域が平面視にて長手形状をなし、かつ、前記複合領域が平面視にて前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に延在する略長円状をなすように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することが好ましい。
これにより、複合領域の平面視形状が長円形状である場合に、より簡単かつ確実に、有機半導体層を平面視にて複合領域と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００２０】
本発明のトランジスタの製造方法では、前記第１の工程では、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域が平面視にて長手形状をなし、かつ、前記複合領域が平面視にて複数の略円形状または略長円状を前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に並べて連結したような形状をなすように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することが好ましい。
これにより、複合領域の平面視形状が細長い形状であっても、各略円形状または略長円状の領域ごとに液状材料を滴下することで、より簡単かつ確実に、有機半導体層を平面視にて複合領域と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００２１】
本発明のトランジスタの製造方法では、前記第１の工程では、平面視にて前記ソース電極と前記ドレイン電極がそれぞれ櫛歯状をなす部分を有しこれらが互いに間隔を隔てて噛み合うように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することが好ましい。
これにより、複合領域の面積が大きい場合などであっても、より簡単かつ確実に、有機半導体層を平面視にて複合領域と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００２２】
本発明のトランジスタの製造方法では、前記第２の工程では、前記液状材料を滴下する方法として、インクジェット法を用いることが好ましい。
これにより、比較的簡単かつ高精度に、所望量の液状材料を所望の位置に滴下して、所望の領域および厚さの有機半導体層を得ることができる。
本発明のトランジスタの製造方法では、前記第２の工程の前または後に、前記ゲート絶縁層の形成領域を規定するゲート絶縁層規定層を、直角または鋭角な角部を実質的に含まずに曲線を含んで構成された輪郭をなし、平面視にて前記複合領域またはその形成予定部位に対し間隔を隔てて囲むように形成する工程と、
前記第２の工程の後に、有機絶縁材料またはその前駆体を含有する液状材料を、前記ゲート絶縁層規定層とその内側領域とを合わせた領域内に滴下し平面視にて当該領域と略一致するまで濡れ拡がらせた後に固化または硬化させることにより、前記ゲート絶縁層を形成する工程とを有することが好ましい。
これにより、比較的簡単かつ低コストで、ゲート絶縁層を所望の領域および厚さで形成して、優れた特性を有するトランジスタを提供することができる。
【００２３】
本発明のトランジスタの製造方法では、前記ゲート絶縁層規定層を形成する工程は、前記第２の工程の前に行うものであり、前記第１の工程にて、前記ゲート絶縁層規定層を前記ソース電極および前記ドレイン電極とともに一括して形成することが好ましい。
これにより、トランジスタの製造工程の複雑化を防止しつつ、比較的簡単かつ低コストで、ゲート絶縁層を所望の領域および厚さで形成して、優れた特性を有するトランジスタを提供することができる。
【００２４】
本発明に係る電子デバイスは、本発明のトランジスタの製造方法によって製造されたトランジスタを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子デバイスを提供することができる。
本発明に係る電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明のトランジスタ、トランジスタの製造方法、電子デバイスおよび電子機器の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態を説明する。以下、図１ないし図３に基づいて、本発明のトランジスタをアクティブマトリクス装置に本発明を適用した例を説明する。
図１は、本発明の第１実施形態にかかるトランジスタを備えるアクティブマトリクス装置を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線断面図、図３は、図１に示すアクティブマトリックス装置に備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２６】
図１に示すアクティブマトリクス装置１３０は、互いに直交する複数のデータ線１３１と、複数の走査線１３２と、これらのデータ線１３１と走査線１３２との各交点付近に設けられたトランジスタ１とを有している。すなわち、複数のトランジスタ１が正方格子状（行列状）に配置されている。
各トランジスタ１は、図２に示すように、ソース電極３およびドレイン電極４と、有機半導体層５と、ゲート絶縁層６と、ゲート電極７とを有している。
本実施形態では、複数のトランジスタ１のうち図１中左右方向（行方向）に並設された複数のトランジスタ１は、それらのゲート電極７が互いに一体的に形成され、走査線１３２を構成している。そして、この走査線１３２の一端部は、基板５０に設けられた接続用電極１３３に接続されている。この接続用電極１３３は外部電極と接続を行う接続端子である。
【００２７】
また、各トランジスタ１が備えるソース電極３はデータ線１３１に、ドレイン電極４は画素電極（個別電極）１４１に、それぞれ接続されている。
また、各画素電極１４１は、各トランジスタ１に対応してマトリクス状に配置されている。
【００２８】
以下、トランジスタ１の構成について、詳述する。
トランジスタ１は、トップゲート型のトランジスタである。かかるトランジスタ１では、基板５０上に、ソース電極３およびドレイン電極４が互いに離間して設けられ、これらのソース電極３およびドレイン電極４に接触するようにして有機半導体層５が設けられている。そして、この有機半導体層５の上面（基板５０とは反対側の面）に接触するようにしてゲート絶縁層６が設けら、さらに、このゲート絶縁層６の上面には、ソース電極３とドレイン電極４との間の領域に対応するようにゲート電極７が設けられ、また、ゲート電極７およびゲート絶縁層６を覆うように保護膜８が設けられている。
【００２９】
このトランジスタ１では、有機半導体層５のうち、ソース電極３とドレイン電極４との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１となっており、このチャネル領域５１に誘起された大部分のキャリアは、有機半導体層５のゲート絶縁層６との界面に沿って移動する。
以下、このチャネル領域５１において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３とドレイン電極４との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
【００３０】
基板５０は、トランジスタ１を構成する各層（各部）を支持するものである。基板５０には、例えば、ガラス基板、プラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。トランジスタ１に可撓性を付与する場合には、基板５０には、樹脂基板が選択される。
この基板５０上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板５０表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極３およびドレイン電極４と、基板５０との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
この下地層は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、ポリイミド、ポリアミド、架橋により不溶化したポリマー等により構成することができる。
【００３１】
図３に示すように、基板５０上には、ソース電極３およびドレイン電極４が、互いに所定距離（チャネル長Ｌ）離間して並設されている。以下、基板５０上のソース電極３とドレイン電極４との間の領域をチャネル形成領域５２と言い、平面視にてチャネル形成領域５２と、ソース電極３およびドレイン電極４とを合わせた領域を複合領域２と言う。
ソース電極３およびドレイン電極４は、それぞれ輪郭の一部が曲線を含むよう形成されている。このため、複合領域２の輪郭（外周縁）が、実質的に直角および鋭角な角部（すなわち内角が９０°以下の角部）を含まず曲線を含んで構成されている（丸みを帯びている）。
【００３２】
ここで、本実施形態のトランジスタ１では、後述する有機半導体層５が、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を複合領域２内に滴下し硬化または固化することにより形成されたものであり、ソース・ドレイン・チャネル領域２と略一致する範囲に亘って形成されている。
前述したように複合領域２の輪郭が曲線を含んで構成されていると、後に詳述する製造工程において、比較的簡単かつ低コストで、有機半導体層５を所望の範囲および厚さで形成することができる。
【００３３】
本実施形態では、複合領域２の輪郭（縁部２３）は、前述したように直角および鋭角な角部を有しておらず、１対の曲線（円弧）部分２１と、これらを連結する１対の直線部分２２とで構成されている。
より具体的に説明すると、ソース電極３およびドレイン電極４は、平面視にて、それぞれ長円をその長軸に沿って分割した半長円形状をなし、互いに間隔を隔てて対向するように設けられている。これにより、複合領域２の輪郭は、平面視にて、略長円形状をなしている。また、チャネル形成領域５２は長手形状をなしており、複合領域２の輪郭は、チャネル形成領域５２の長手方向に延在するように略長円状をなしている。
【００３４】
ソース電極３およびドレイン電極４のそれぞれの構成材料としては、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料が挙げられ、チャネル領域を移動するキャリアの種類に応じて適宜選択するのが好ましい。
例えば、キャリアとしてホールがチャネル領域を移動するｐチャネルトランジスタの場合には、仕事関数が比較的大きいＰｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕまたはこれら金属を含む合金を使用するのが好ましい。
【００３５】
また、ソース電極３およびドレイン電極４のそれぞれの構成材料としては、前記の金属材料の他、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、前記導電性高分子材料は、通常、塩化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸のようなポリマー等がドープされ、導電性を付与された状態で用いられる。
【００３６】
ソース電極３およびドレイン電極４の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
ソース電極３とドレイン電極４との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、１００μｍ以下であるのが好ましく、２〜３０μｍ程度であるのがより好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがさらに好ましい。チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、複数のトランジスタ１間において、チャネル長にばらつきが生じ、特性（トランジスタ特性）がばらつくおそれがある。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、しきい電圧の絶対値が大きくなるとともに、ドレイン電流の値が小さくなり、トランジスタ１の特性が不十分となるおそれがある。また、特に、チャネル長Ｌが大きすぎると（具体的には１００μｍより大きいと）、後述するようなトランジスタ１の製造工程において、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を複合領域２の内部に滴下した際に、滴下した液状材料の種類によっては、液状材料がチャネル形成領域５２の両端から流れ出し、隣接するトランジスタ１の有機半導体層５同士が接触して形成される可能性がある。このように隣接するトランジスタ１の有機半導体層５同士が接触して形成されると、リーク電流の増大を招いたり、各素子間のクロストークを誘起したりするおそれがある。
【００３７】
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、トランジスタ１の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、トランジスタ１が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６を介したゲート電極７へのリーク電流の増大を招くおそれがある。
【００３８】
また、複合領域２上には、この領域２と略一致した範囲に亘って形成された有機半導体層５が設けられている。つまり、有機半導体層５の輪郭の一部が曲線を含み、その曲線部が例えばソース電極３の輪郭の一部の曲線となる部分と一致している。このように有機半導体層５が複合領域２に限定して設けられていることにより、トランジスタ同士の干渉や寄生トランジスタの形成が防止され、また、リーク電流およびオフ電流を低減することができる。
【００３９】
有機半導体層５は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５は、後述に詳述するように、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を複合領域２内に滴下し固化または硬化させることにより形成されたものである。
【００４０】
本実施形態では、前述したように、複合領域２がほぼ長円形状をなしている。このように複合領域２の輪郭が角部を有していないため、後述するようなトランジスタ１の製造工程において、複合領域２に滴下された液状材料が複合領域２からその外部へ溢れ出ることなく、この領域の縁部まで確実に濡れ広がる。したがって、複合領域２と略一致した平面形状を有し、且つ、所定範囲内の厚さを有する有機半導体層５が得られる。このような有機半導体層５を有するトランジスタは、有機半導体層５の平面形状および厚さが所定のものとなっていることにより、目的とトランジスタ特性を確実に得ることができる。また、複数のトランジスタ１毎において、特性にバラツキが生じるのを防止することができ、かかるトランジスタ１を組み込んだ電子機器（後述する表示装置等）の信頼性の向上を図ることができる。
この有機半導体層５は、少なくともチャネル領域５１においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、トランジスタ１は、その作動速度がより速いものとなる。
【００４１】
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。
【００４２】
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体、ポリアリールアミンまたはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられるトランジスタへの適用に適している。
【００４３】
有機半導体層５の平均厚さは、１〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
有機半導体層５上には、ソース電極３、ドレイン電極４および有機半導体層５を覆うように、ゲート絶縁層６が設けられている。
このゲート絶縁層６は、ソース電極３およびドレイン電極４に対してゲート電極７を絶縁するものである。
このゲート絶縁層６の構成材料としては、公知のゲート絶縁体材料であれば、種類は特に限定されるものではなく、有機材料、無機材料のいずれも使用可能である。
【００４４】
有機材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
一方、無機材料としては、シリカ、窒化珪素、酸化アルミ、酸化タンタル等の金属酸化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛等の金属複合酸化物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
ゲート絶縁層６の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３およびドレイン電極４とゲート電極７とを確実に絶縁しつつ、トランジスタ１の動作電圧を低くすることができる。
なお、ゲート絶縁層６は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
【００４６】
ゲート絶縁層６上には、ゲート電極７が設けられている。
ゲート電極７の構成材料としては、前記ソース電極３およびドレイン電極４で挙げたものと同様のものを用いることができる。
ゲート電極７の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００４７】
なお、ゲート電極７は、多孔質であってもよい。これにより、ゲート電極７は、高い通気性を有するものとなる。その結果、仮に、トランジスタ１が、一時的に高温多湿な環境に晒されたとしても、低温低湿な環境に戻したときに、その内部に浸入した酸素や水分は、速やかにトランジスタ１の外部に排出されるようになる。そのため、トランジスタ１の内部には、酸素や水分が貯留することが防止され、その特性を好適に維持することができる。
なお、このような構成は、ソース電極３およびドレイン電極４に適用することもできる。
【００４８】
さらに、ゲート絶縁層６上には、そのほぼ全面を覆うように保護膜８が設けられている。
この保護膜８は、各トランジスタ１を機械的に保護するとともに、例えば、アクティブマトリクス装置１３０を後述するような電気泳動表示装置に適用する場合に、マイクロカプセルに封入された電気泳動分散液（親油性の液体）が、何らかの要因で外部に流出した際でも、トランジスタ１側に拡散するのを防止する機能を有するものである。
このような保護膜８の構成材料としては、例えば、ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、塩化ビニル−ビニルアルコール共重合体および酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体のような有機材料や、ＳｉＯ２のような無機材料を用いることができる。
保護膜８の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、３００〜３０００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、保護膜８は、その機能を十分に発揮することができる。
【００４９】
このようなトランジスタ１において、ゲート電極７に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３とドレイン電極４との間に流れる電流量が制御される。
すなわち、ゲート電極７に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３とドレイン電極４との間に電圧を印加しても、有機半導体層５中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５のゲート絶縁層６に面した部分に可動電荷（キャリア）が誘起され、チャネル領域５１に流路が形成される。この状態でソース電極３とドレイン電極４との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１を通って電流が流れる。
【００５０】
次に、図４ないし図１２を参照しつつ、第１実施形態のトランジスタ１の製造方法を説明する。
図４ないし図１１は、それぞれ、図１および図２に示すアクティブマトリクス装置の製造方法（各トランジスタの製造方法）を説明するための図であり、図１２は、参考例として複合領域の輪郭が直角な角部を有する場合における液状材料の濡れ広がり状態を説明するための図である。なお、図４ないし図１２におおいて、図５（ａ）、図７、図９（ｂ）、および図１２は平面図であり、その他の図は縦断面図である。なお、以下の説明では、図４ないし図１１のうち、縦断面図を用いた図において、上側を「上」、下側を「下」と言う。
アクティブマトリクス装置１３０（各トランジスタ１）の製造方法は、［１］電極（ゲート電極を除く）および配線形成工程（第１の工程）と、［２］有機半導体層形成工程（第２の工程）と、［３］ゲート絶縁層形成工程と、［４］ゲート電極形成工程と、［５］保護膜形成工程を有している。以下、これらの各工程について、順次説明する。
【００５１】
［１］電極および配線形成工程（第１の工程）
図４に示すように基板５０を用意する。そして、この基板５０上に、図５に示すように、ソース電極３およびドレイン電極４を形成する。また、このとき、ソース電極３およびドレイン電極４とともに、画素電極１４１とデータ線１３１と接続用電極１３３も形成する。なお、以下では、ソース電極３とドレイン電極４と画素電極１４１とデータ線１３１と接続用電極１３３とを「ソース電極３およびドレイン電極４等」とも言う。
【００５２】
この製造方法では、ソース電極３およびドレイン電極４を、前述したような形状となるように、すなわち、複合領域２の輪郭が鋭角または直角な角部を実質的に含まず曲線を主として構成されるように形成する。これにより、後述する工程［２］において、液状材料を複合領域２と略一致する範囲に亘って濡れ拡がらせることができる。そのため、後述する工程［２］において滴下する液状材料の量を規定するだけで、所望の範囲および厚さの有機半導体層５を形成することができる。
例えば、ソース電極３およびドレイン電極４等が金属を主材料として構成されている場合、以上のようなソース電極３およびドレイン電極４を形成する際しては、まず、基板５０上に金属膜（金属層）を形成する。
【００５３】
この金属膜は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等により形成することができる。
この金属膜上に、フォトリソグラフィー法により、ソース電極３およびドレイン電極４等の形状に対応する形状のレジスト層を形成する。このレジスト層をマスクとして用いて、金属膜の不要部分を除去する。
【００５４】
この金属膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
その後、レジスト層を除去することにより、図５に示すように、ソース電極３およびドレイン電極４等が得られる。
【００５５】
なお、ソース電極３およびドレイン電極４等は、それぞれ、例えば、導電性粒子を含有するコロイド液（分散液）、導電性ポリマーを含有する液体（溶液または分散液）等の液状材料を基板５０上に供給して被膜を形成した後、必要に応じて、この被膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することもできる。
【００５６】
また、次工程［２］に移行するのに先立って、特に、ソース電極３およびドレイン電極４は、後処理を施すようにするのが好ましい。
例えば、ソース電極３およびドレイン電極４等を金属材料を主材料として構成した場合には、プラズマ処理（例えば、アルゴンプラズマ処理、酸素プラズマ処理）を施すのが好適である。これにより、ソース電極３およびドレイン電極４等の表面に付着する有機物を除去することができ、その結果、得られるトランジスタ１の特性をより向上させることができる。また、後述する工程［２］において、滴下された液状材料の不本意な挙動を抑制することができる。
【００５７】
特に、ソース電極３およびドレイン電極４等をＮｉ、Ｃｕを主材料として構成した場合には、酸素プラズマ処理を施すのが好適である。これにより、ソース電極３およびドレイン電極４等の表面に付着する有機物を除去とともに、表面付近を酸化させることができ、その仕事関数の増大させることができる。その結果、ｐチャネル型のトランジスタ１を構築する場合には、その特性が特に優れたものとなる。
【００５８】
［２］有機半導体層形成工程（第２の工程）
次に、複合領域２上に、この領域２とほぼ一致する範囲に亘って（すなわち、平面視にて略一致する位置および形状で）有機半導体層５を形成する。
図６、図７に示すように、有機半導体層５は、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料９の液滴を複合領域２内に滴下し濡れ拡がらせることによって被膜を形成した後、必要に応じて、この被膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施して固化または硬化させることにより形成する。
より具体的に説明すると、液状材料９を複合領域２内に滴下すると、滴下された液状材料９は、滴下位置（中心位置）を始点として略同心円状に濡れ拡がる。
【００５９】
液状材料９は、ソース電極３およびドレイン電極４の各上面にて、図８（ａ）に示すように、液状材料９の外周縁であるコンタクトラインＡの近傍部が前進濡れ角θを保ちながら各電極３、４の縁部に向かって進んでいく。そして、図８（ｂ）に示すように、コンタクトラインＡが、凹凸の境界部であるソース電極３およびドレイン電極４の縁部に達すると、表面張力の作用により、これら電極３、４の縁部を通りかつ電極３、４の表面に直交する方向に延びる仮想線Ｂと、コンタクトラインＡとのなす角度θ´が、濡れ角θとほぼ等しくなるまでコンタクトラインＡが膨らんだところで、その進行が停止する。
【００６０】
このように、複合領域２内に滴下された液状材料９は、凹凸の境界部で生じる表面張力の作用によって、複合領域２の縁部２３から溢れ出ることなく、この領域２の縁部２３まで濡れ拡がり、図９に示すような被膜を形成する。そして、この被膜に対して、必要に応じて後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより、図１０（ａ）に示すように、複合領域２と略一致する範囲に亘って形成された有機半導体層５が得られる。このように所望の領域にのみに有機半導体層５を形成することができるため、滴下する液状材料の量や濃度等を規定するだけで、得られる有機半導体層５の厚さを所望のものとすることができる。また、滴下する液状材料の量や濃度等をトランジスタ１間で同等にすることで、トランジスタ１間で有機半導体層５の厚さの分布を均等にすることができる。
【００６１】
ここで、前述したように複合領域２の輪郭は曲線（領域２の外側に向け凸となるように湾曲する曲線）を主として構成されているため、複合領域２の全周に亘って液状材料９を縁部２３まで行き渡らせることができる。
特に、本実施形態では、複合領域２が平面視にて略長円状をなすように、ソース電極３およびドレイン電極４が形成されているため、滴下した液状材料９の中心から複合領域２の縁部までの距離のバラツキを小さくすることができる。そのため、滴下された液状材料９は、その滴下位置から同心円状に濡れ拡がったときに、複合領域２の輪郭のほぼ全周に亘って行き渡るようになる。したがって、より確実かつ簡単に、有機半導体層５を平面視にて複合領域２と略一致する範囲に亘って形成することができる。
【００６２】
さらに、本実施形態では、複合領域２が平面視にてチャネル形成領域５２の長手方向に延在する略長円状をなすように、ソース電極３およびドレイン電極４が形成されているため、複合領域２の平面視形状が長円形状であっても、より簡単かつ確実に、有機半導体層５を平面視にて複合領域２と略一致する範囲に亘って形成することができる。これは、滴下された液状材料９がチャネル形成領域５２の長手方向に拡がりやすいことによるものである。
【００６３】
これに対し、図１２（ａ）に示すように、仮に複合領域２が角部を有していると、角部に向かって進行する液状材料９のコンタクトラインＡは、角部に到達する前に、そのコンタクトラインの近傍が先にソース電極３およびドレイン電極４の縁部２３に到達し表面張力の作用によって進行が停止してしまうので、これに引きずられるように進行が停止してしまう。このため、角部まで液状材料が濡れ拡がらない現象が生じる。この角部の手前で停止したコンタクトラインＡの近傍部分は、その厚さが他の部分と異なるものとなりやすく、有機半導体層５に所望の範囲から外れた厚さの部分が形成されてしまう原因となる。有機半導体層５の厚さは、トランジスタ１のオン電流、オフ電流およびしきい値Ｖｔｈ等のトランジスタ特性に影響する。したがって、有機半導体層５に所望の範囲から外れた厚さの部分が形成されていると、目的のトランジスタ特性が得られなくなり、また、複数のトランジスタ１間においてトランジスタ特性にバラツキが生じてしまう。その結果、特に、階調表示を行う表示装置としてアクティブマトリクス装置１３０を用いた場合に、十分な階調表示を行うことが難しい。
【００６４】
なお、滴下する液状材料９の量を多くして、角部まで液状材料９を行き渡らせることも考えられるが、そうすると、複合領域２の角部以外の縁部で、液状材料９が縁部を越えて溢れ出てしまう。その結果、有機半導体層５が隣のトランジスタ１の電極と接触して形成され、リーク電流の増大を招いたり、各素子間のクロストークを誘起したりするおそれがある。
【００６５】
本実施形態では、複合領域２において曲線部分２１の曲率半径は、１０〜１００μｍであるのが好ましく、５０〜８０μｍであるのがより好ましい。曲率半径をこのような範囲とすることにより、液状材料９を、適正な量（０．１〜４０ｐＬ／１滴、より好ましくは１〜３０ｐＬ／１滴）で滴下し、複合領域２の縁部（曲線部分２１）まで濡れ広がらせたときに、濡れ広がった液状材料９の曲率半径と、複合領域２の曲線部分２１の曲率半径とをほぼ一致させることができる。これにより、縁部２３付近における液状材料の状態が安定なものとなり、より均一な厚さで有機半導体層５が形成される。その結果、製造されるトランジスタ１において、優れたトランジスタ特性を得ることができる。また、製造されるトランジスタ１毎において、特性にバラツキが生じるのを確実に防止することができ、かかるトランジスタ１を組み込んだ電子機器（後述する表示装置等）の信頼性の向上を図ることができる。
【００６６】
液状材料９を滴下する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、所定量の液滴を容易かつ位置精度よく滴下することができる。
インクジェット法では、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料９を液滴吐出ヘッドのノズルから微小な液滴として吐出する。特に、複数（多数）のトランジスタ１を形成するに際しては、液滴吐出ヘッドのノズルから液状材料９の液滴を各複合領域２に対応して基板５０上に複数（多数）吐出してパターニングする。
ここで、液状材料９としては、前述したような有機半導体材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散してなるものを用いることができる。
【００６７】
溶媒または分散媒としては、用いる有機半道体材料等の種類や滴下条件などに応じて決定され、特に限定されず、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００６８】
液状材料９の粘度（常温）は、特に限定されないが、通常、２〜２０ｃｐｓ程度であるのが好ましく、４〜８ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。液状材料９の粘度をかかる範囲とすることにより、ノズルからの液滴の吐出をより安定的に行うことができる。液状材料９の粘度が上記範囲より小さい場合には、吐出時に変位させるピエゾ素子の振動が減衰しずらいので、吐出が不安定になり易い傾向がある。また、液状材料９の粘度が上記範囲より大きい場合には、液状材料９の流路抵抗が大きいため、高速で印刷する際、液状材料９の供給が追い付かず、やはり不安定になるおそれがある。
なお、液状材料９の粘度は、例えば、有機半導体材料またはその前駆体の濃度、溶媒または分散媒の種類や組成等を適宜設定することにより調整することができる。
【００６９】
また、液状材料９の１滴の粒径（平均）は、複合領域２の形状や面積などに応じて決定され、特に限定されないが、通常、０．１〜４０ｐＬ程度であるのが好ましく、１〜３０ｐＬ程度であるのがより好ましい。また、液状材料９の液滴の１滴の量（平均）をかかる範囲とすることにより、より精密な形状を形成することができる。液滴の体積が小さすぎると、液状材料９の種類などによっては、滴下された液状材料９を濡れ拡がらせたり、液状材料９をノズルから安定的に吐出させたりするのが難しくなる。また、液滴の体積が大きすぎると、複合領域２の面積や形状などによっては、複合領域２内に収まるように液状材料９を滴下するのが難しくなる。
液滴の滴下数は、１滴であっても、複数滴であってもよい。
基板５０に液状材料９を滴下した直後におけるソース電極３またはドレイン電極４に対する液状材料９の静的接触角（図８に示すθ）は、２０〜５０°であるのが好ましく、２５〜４５°であるのがより好ましい。
【００７０】
［３］ゲート絶縁層形成工程
次に、図１０（ｂ）に示すように、有機半導体層５上を覆うように、ゲート絶縁層６を形成する。
例えば、ゲート絶縁層６を有機絶縁材料で構成する場合、ゲート絶縁層６は、有機絶縁材料またはその前駆体を含む溶液を有機半導体層５上を覆うように塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【００７１】
有機絶縁体材料またはその前駆体を含む溶液を有機半導体層５上へ塗布（供給）する方法としては、前述した工程［１］で挙げた塗布法、印刷法等を用いることができる。
また、ゲート絶縁層６を無機材料で構成する場合、ゲート絶縁層６は、例えば、熱酸化法、ＣＶＤ法、ＳＯＧ法等により形成することができる。また、原材料にポリシラザンを用いることで、ゲート絶縁層６として、シリカ膜、窒化珪素膜を湿式プロセスで成膜することが可能である。
【００７２】
［４］走査線（ゲート電極）形成工程
次に、図１１（ａ）に示すように、ゲート絶縁層６上に、走査線１３２（ゲート電極７）を形成する。
走査線１３２は、前述した工程［１］と同様の方法を用いて形成することができる。
［５］保護膜形成工程
次に、図１１（ｂ）に示すように、ゲート絶縁層６のほぼ全面を覆うように、保護膜８を形成する。
保護膜８は、前述した工程［３］と同様の方法を用いて形成することができる。
【００７３】
以上のような工程を経て、図１および図２に示すアクティブマトリクス装置１３０（トランジスタ１）が得られる。
以上説明したようなトランジスタ１の製造方法によれば、前述したような工程［１］（第１の工程）と、工程［２］（第２の工程）とを有しているので、比較的簡単かつ低コストで、有機半導体層５を所望の領域および厚さで形成して、優れた特性を有するトランジスタ１を得ることができる。特に、本実施形態のように、同一基板５０上に複数のトランジスタ１を設けた場合に、トランジスタ１毎における特性のバラツキを抑えることができる。
【００７４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
図１３は、本発明の第２実施形態のトランジスタを示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態のトランジスタを説明するが、前述した第１実施形態のトランジスタとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態のトランジスタ１Ａは、トランジスタを構成する各部の積層順が異なる以外は、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様である。
【００７５】
図１３に示すトランジスタ１Ａは、ゲート電極７と、ゲート絶縁層６と、ソース電極３およびドレイン電極４と、有機半導体層５と、保護膜８とが、この順で基板５０側から積層されて構成されている。
すなわち、トランジスタ１Ａは、ゲート電極７がソース電極３およびドレイン電極４よりも基板５０側に設けられた構成のトランジスタ、すなわち、ボトムゲート構造のトランジスタである。
【００７６】
具体的には、トランジスタ１Ａでは、基板５０上に、ゲート電極７が設けられ、このゲート電極７を覆うようにゲート絶縁層６が設けられている。また、ゲート絶縁層６上には、平面視にてゲート電極７を介して互いに離間するようにソース電極３およびドレイン電極４が設けられている。そして、ソース電極３とドレイン電極との間の領域と、ソース電極３およびドレイン電極４とを合わせた複合領域２上に、有機半導体層５が設けられている。さらに、有機半導体層５およびゲート絶縁層６を覆うように、保護膜８が設けられている。
【００７７】
本実施形態では、前述した第１実施形態と同様に、ソース電極３およびドレイン電極４は、平面視にて、それぞれ長円を長軸に沿って分割した半長円形状をなし、互いに間隔を隔てて対向するように設けられている。これにより、複合領域２の輪郭は、平面視にて、ほぼ長円形状をなしている。
また、図示しないが、有機半導体層は、複合領域２上に、この領域２と略一致した範囲に亘って形成されている。
【００７８】
このようなトランジスタ１Ａは、前述した第１実施形態のトランジスタ１の製造方法における［４］ゲート電極形成工程、［３］ゲート絶縁層形成工程、［１］電極および配線形成工程、［２］有機半導体層形成工程、［５］保護膜形成工程を、この順で順次行うことにより製造することができる。
このような第２実施形態のトランジスタ１Ａにあっても、前述した第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。すなわち、本発明は、トップゲート構造のトランジスタであっても、ボトムゲート構造のトランジスタであっても適用することができる。
【００７９】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
図１４は、第３実施形態のトランジスタに備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。
以下、第３実施形態のトランジスタを説明するが、前述した第１実施形態のトランジスとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態のトランジスタは、ソース電極３とドレイン電極４と有機半導体層５とのそれぞれの平面視形状が異なる以外は、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様である。
【００８０】
本実施形態のトランジスタに備えられたソース電極３およびドレイン電極４は、図１４に示すように、それぞれ、長方形の一つの長辺側の角部を丸み付けしたような形状をなし、前記１つの長辺と対向する他の長辺を互いに間隔を隔てて互いに対向させるように設けられている。これにより、ソース・ドレイン・チャネル領域２の輪郭は、平面視にて、長方形の４つの角部を丸み付けしたような形状をなしている。
【００８１】
また、図示しないが、有機半導体層は、複合領域２上に、この領域２と略一致した範囲に亘って形成されている。
このようなトランジスタは、前述した第１実施形態のトランジスタと同様にして製造することができる。
このような第３実施形態のトランジスタにあっても、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
【００８２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
図１５は、本発明の第４実施形態のトランジスタに備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。
以下、第４実施形態のトランジスタを説明するが、前述した第１実施形態のトランジスタとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態のトランジスタは、ソース電極３とドレイン電極４と有機半導体層５とのそれぞれの平面形状が異なる以外は、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様である。
【００８３】
本実施形態のトランジスタに備えられたソース電極３およびドレイン電極４は、図１５に示すように、平面視にて、それぞれ楕円をその長軸に沿って分割した半楕円状をなし、互いに間隔を隔てて対向するように設けられている。これにより、ソース・ドレイン・チャネル領域２の輪郭は、略楕円状（略長円状）をなしている。
また、図示しないが、有機半導体層は、複合領域２上に、この領域２と略一致した範囲に亘って形成されている。
このようなトランジスタは、前述した第１実施形態のトランジスタと同様にして製造することができる。
このような第４実施形態のトランジスタにあっても、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
【００８４】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態を説明する。
図１６は、本発明の第５実施形態のトランジスタに備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。
以下、第５実施形態のトランジスタを説明するが、前述した第１実施形態のトランジスタ１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第５実施形態のトランジスタは、ソース電極３とドレイン電極４と有機半導体層とのそれぞれの平面視形状が異なる以外は、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様である。
【００８５】
本実施形態のトランジスタに備えられたソース電極３およびドレイン電極４は、図１６に示すように、それぞれ円をその直径に沿って分割した略半円状をなし、互いの直線部分を間隔を隔てて対向させるように設けられている。これにより、ソース・ドレイン・チャネル領域２の輪郭は、平面視にて、略円形状をなしている。
また、図示しないが、有機半導体層は、複合領域２上に、この領域２と略一致した範囲に亘って形成されている。
このようなトランジスタは、前述した第１実施形態のトランジスタと同様にして製造することができる。
【００８６】
このような第５実施形態のトランジスタにあっても、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
特に、本実施形態では、複合領域２の輪郭が平面視にて略円形状をなしているため、トランジスタを製造する際し、複合領域２内に液状材料を滴下したときに、滴下された液状材料の外周縁（コンタクトライン）が同心円状に濡れ拡がって領域２の縁部に全周に亘ってほぼ同時に到達する。
【００８７】
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態を説明する。
図１７は、本発明の第６実施形態のトランジスタに備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。
以下、第６実施形態のトランジスタを説明するが、前述した第１実施形態のトランジスタ１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第６実施形態のトランジスタは、ソース電極３とドレイン電極４と有機半導体層とのそれぞれの平面形状が異なる以外は、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様である。
【００８８】
本実施形態のトランジスタに備えられたソース電極３およびドレイン電極４は、平面視にて、図１７に示すように、それぞれ、３つの半円を各直線部分を同一線上としつつ互いに同一姿勢で一方向に並べて連結したような形状をなし、互いの直線部分を間隔を隔てて対向させるように設けられている。これにより、ソース・ドレイン・チャネル領域２の輪郭は、３つの円を一方向に並べて連結したような形状をなしている。すなわち、複合領域２は、平面視にて複数の略円形状をチャネル形成領域５２の長手方向に並べて連結したような形状をなしている。
また、図示しないが、有機半導体層は、複合領域２上に、この領域２と略一致した範囲に亘って形成されている。
【００８９】
このようなトランジスタは、前述した第１実施形態のトランジスタと同様にして製造することができるが、複合領域２の各略円形状の領域ごとに液状材料を滴下するのが好ましい。これにより、複合領域２の平面視形状が細長い形状であっても、液状材料を複合領域２の全域に亘って過不足なく行き渡らせることができる。そのため、より簡単かつ確実に、有機半導体層を平面視にて複合領域２と略一致する範囲に亘って形成することができる。
このような第６実施形態のトランジスタにあっても、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
【００９０】
＜第７実施形態＞
次に、本発明の第７実施形態を説明する。
図１８は、本発明の第７実施形態のトランジスタを示す模式図、図１９は、図１８に示すトランジスタに備えられたソース電極とドレイン電極とゲート絶縁層規定層とを示す模式図、図２０および図２１は、それぞれ、図１８に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。なお、図１８ないし図２１において、それぞれ、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線断面図である。
以下、第７実施形態のトランジスタ説明するが、前述した第１実施形態のトランジスタ１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００９１】
第７実施形態のトランジスタは、ソース電極３とドレイン電極４と有機半導体層５とゲート絶縁層６とのそれぞれの平面視形状が異なるとともに、ゲート絶縁層６の形成領域を規定するゲート絶縁層規定層１１が基板５０上に設けられている以外は、前述した第１実施形態のアクティブマトリクス装置１３０と同様である。
本実施形態のトランジスタにあっては、図１９に示すように、基板５０上に、ソース電極３およびドレイン電極４と、ゲート絶縁層規定層１１が設けられている。
【００９２】
ドレイン電極４は、放射状に延在する複数の線状部４２で構成されている。すなわち、ドレイン電極４は、複数の線状部４２が周方向に互いに間隔を隔てて並設された略櫛歯状をなしている。このようなドレイン電極４には、半径方向に延在する配線１３が接続されている。
一方、ソース電極３は、前述したようなドレイン電極４の外周縁に略一定の間隔を隔てて囲むように形成されている。すなわち、ソース電極３は、前述したような略櫛歯状をなすドレイン電極４に間隔を隔てて噛み合うように設けられている。このようなソース電極３は、円環をその周方向での一部を欠損したような形状をなす円環部３２と、その円環部３２の内側から延出し、周方向に互いに間隔を隔てて並設された複数のくさび状部３３とで構成されている。このようなソース電極には、半径方向に延在する配線１２が接続されている。
このようなソース電極３およびドレイン電極４にあっては、ソース・ドレイン・チャネル領域２の輪郭は、平面視にて略円形状をなしている。
【００９３】
ゲート絶縁層規定層１１は、後述する工程［３Ａ］で形成されるゲート絶縁層６の形成領域を規定するものである。このようなゲート絶縁層規定層１１は、ソース電極３の外周に対し間隔を隔てて囲む円環を配線１２、１３と交叉する部分を欠損したように形成されている。言い換えすれば、ゲート絶縁層規定層１１は、直角または鋭角な角部を実質的に含まずに曲線を含んで構成された輪郭をなし、平面視にて複合領域２に対し間隔を隔てて囲むように形成されている。
このようなゲート絶縁層規定層１１と、ゲート絶縁層規定層１１の内側の領域とを合わせた領域（以下、「ゲート絶縁層形成領域１４」と言う。）の輪郭は、複合領域２の輪郭よりも一回り大きいほぼ円形状をなす。
ゲート絶縁層規定層１１の構成材料としては、特に限定されないが、ソース電極３およびドレイン電極４と同様の材料を用いるのが好ましい。これにより、ゲート絶縁層規定層１１を電極および配線形成工程で各電極およびデータ線と同時に形成することができ、製造工程を複雑化することなく、ゲート絶縁層規定層１１を形成することができる。
【００９４】
有機半導体層５は、複合領域２上に、この領域２と略一致した範囲に亘って形成されている。
ゲート絶縁層６は、ゲート絶縁層形成領域１４上に、この領域１４と略一致した範囲に亘って形成され、有機半導体層５を覆うように配設されている。
【００９５】
また、図１８に示すように、ゲート電極７は、ゲート絶縁層６上に、チャネル形成領域５２に重なるように設けられている。
このような本実施形態のトランジスタは、前述した第１実施形態のトランジスタの製造方法において、工程［１］、［３］を次の［１Ａ］、［３Ａ］ようにする変更する以外は、前述した第１実施形態におけるトランジスタの製造方法と同様にして製造することができる。
【００９６】
［１Ａ］電極および配線およびゲート絶縁層規定層形成工程
基板５０を用意し、この基板５０上に、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極１４１、データ線１３１、接続用電極１３３、およびゲート絶縁層規定層１１を形成する。これら各部の形成方法としては、前述した第１の実施形態における工程［１］と同様の方法を用いることができる。
【００９７】
［３Ａ］ゲート絶縁層形成工程
次に、図２１に示すように、有機半導体層５上を覆うように、ゲート絶縁層６を形成する。
ゲート絶縁層６は、前述した有機半導体層５の形成方法と同様の方法を用いて形成することができる。
すなわち、ゲート絶縁層６は、有機高分子材料またはその前駆体を含有する液状材料の液滴をゲート絶縁層形成領域１４内に滴下し濡れ拡がらせることによって被膜を形成した後、必要に応じて、この被膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【００９８】
このようにしてゲート絶縁層６を形成することにより、得られるゲート絶縁層６は、ゲート絶縁層形成領域１４と略一致する範囲に亘って形成される。すなわち、滴下する液状材料の量等を規定するだけで、ゲート絶縁層６を所望の領域および厚さで形成することができる。
このような第７実施形態のトランジスタにあっても、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
【００９９】
特に、本実施形態では、平面視にてソース電極３とドレイン電極４がそれぞれ櫛歯状をなす部分を有しこれらが互いに間隔を隔てて噛み合うように形成されているため、有機半導体層を形成するに際し、複合領域２の面積が大きい場合や濡れ拡がりにくい液状材料を用いた場合などであっても、滴下された液状材料を複合領域２の全域に過不足なく行き渡らせることができる。そのため、より簡単かつ確実に、有機半導体層を平面視にて複合領域２と略一致する範囲に亘って形成することができる。これは、滴下された液状材料がチャネル形成領域５２に沿って濡れ拡がりやすいことによるものである。
【０１００】
また、本実施形態のトランジスタの製造方法は、前述したような工程［１Ａ］および工程［３Ａ］を有しているので、比較的簡単かつ低コストで、ゲート絶縁層６を所望の領域および厚さで形成して、優れた特性を有するトランジスタを提供することができる。
また、ゲート絶縁層規定層１１を形成する工程は、第２の工程である工程［２］の前に行うものであり、第１の工程である工程［１Ａ］にて、ゲート絶縁層規定層１１をソース電極３およびドレイン電極４とともに一括して形成するため、トランジスタ１の製造工程の複雑化を防止しつつ、比較的簡単かつ低コストで、ゲート絶縁層６を所望の領域および厚さで形成して、優れた特性を有するトランジスタを提供することができる。
なお、ゲート絶縁層規定層１１の形成は、第１の工程である工程［１Ａ］の工程とは別途の工程で行うことも可能であり、また、第２の工程である工程［２］の後に行うことも可能である。
【０１０１】
＜第８実施形態＞
次に、本発明の第８実施形態を説明する。
図２２は、本発明の第８実施形態のトランジスタを示す平面図、図２３は、図２２に示すトランジスタに備えられた電極および配線を示す平面図である。
以下、第８実施形態のトランジスタを説明するが、前述した第１実施形態のトランジスタ１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第８実施形態のトランジスタは、ソース電極３とドレイン電極４と有機半導体層５とのそれぞれの平面形状が異なる以外は、前述した第１実施形態のトランジスタと同様である。
【０１０２】
本実施形態のトランジスタに備えられたソース電極３およびドレイン電極４は、図２４に示すように、それぞれ櫛歯状をなす部分を有し、これらが互いに噛み合うように設けられている。
より具体的には、ソース電極３は、円弧状に延在する基部３ｂと、基部３ｂの内側から延出し、櫛歯状をなすように互いに間隔を隔てて並設された複数の電極指３ａとを有している。ここで、複数の電極指３ａは、各電極指３ａの基部３ｂと反対側の端が同一直線上となるような長さに設定されている。
【０１０３】
また、ドレイン電極４は、ソース電極３の基部３ｂの円弧と略等しい円弧を有する半長円形をなす基部４ｂと、基部４ｂの円弧と反対側から延出し、櫛歯状をなすように互いに間隔を隔てて並設された複数の電極指４ａとを有している。
そして、これらソース電極３およびドレイン電極４は、電極指３ａ、４ａが交互に配列して、互いに噛み合うように設けられている。
【０１０４】
このようなソース電極３およびドレイン電極４にあっては、複合領域２の輪郭は、平面視にて略長円形状をなしている。
そして、有機半導体層５は、この複合領域２上に、この領域２と略一致した範囲に亘って形成されている。
また、図２３に示すように、ゲート電極７（走査線１３２）は、ソース電極３とドレイン電極４とが噛み合う領域、すなわち電極指３ａ、４ａが交互に配列された領域に重なるように設けられている。なお、図２３には、ゲート絶縁層を図示していないが、ゲート電極７（走査線１３２）はゲート絶縁層上に設けられている。
【０１０５】
このようなトランジスタは、前述した第１実施形態のトランジスタと同様にして製造することができる。
このような第３実施形態のトランジスタにあっても、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
特に、本実施形態では、平面視にてソース電極３とドレイン電極４がそれぞれ櫛歯状をなす部分を有しこれらが互いに間隔を隔てて噛み合うように形成されているため、有機半導体層を形成するに際し、複合領域２の面積が大きい場合や濡れ拡がりにくい液状材料を用いた場合などであっても、滴下された液状材料を複合領域２の全域に過不足なく行き渡らせることができる。そのため、より簡単かつ確実に、有機半導体層を平面視にて複合領域２と略一致する範囲に亘って形成することができる。これは、滴下された液状材料がチャネル形成領域５２に沿って濡れ拡がりやすいことによるものである。
【０１０６】
ここで、本実施形態のトランジスタ１では、電極指３ａ、４ａの幅により、ソース電極３およびドレイン電極４と、ゲート電極７とが重なる部分の大きさが決まるが、ソース電極３およびドレイン電極４は、フォトリソグラフィー法により形成したレジスト層をマスクに用いて形成することができる。この場合、電極指３ａ、４ａの幅は、フォトリソグラフィー法の精度に依存するが、フォトリソグラフィー法の精度は極めて高いため、狭小化することが可能である。
【０１０７】
このため、ゲート電極７（走査線１３２）の幅を比較的大きく形成した場合でも、このゲート電極７と、ソース電極３およびドレイン電極４とが重なる部分の面積が増大するのを防止することができる。これにより、トランジスタ１では、ゲートの容量を小さく抑えることができ、その結果、良好な特性（スイッチング特性）が発揮される。
したがって、本実施形態では、ゲート電極７を微細な形状に形成することを要求されないことから、その形成方法の選択の幅が広がり、ゲート電極７の形成に各種塗布法を用いた場合でも、良好な特性を有するトランジスタ１が得られる。
【０１０８】
＜第９実施形態＞
次に、本発明の第９実施形態を説明する。
図２４は、本発明の第９実施形態にかかるトランジスタをインバータ回路に適用した例を示す平面図である。
以下、第９実施形態のトランジスタを説明するが、前述した第１実施形態および第２実施形態のトランジスタとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１０９】
図２４に示すインバータ回路１０は、ｐチャネル型のトランジスタを構成するｐ型トランジスタ１Ａ１と、ｎチャネル型のトランジスタを構成するｎ型トランジスタ１Ａ２とを有している。
ｐ型トランジスタ１Ａ１およびｎ型トランジスタ１Ａ２の構成は、それぞれ、有機半導体層５の構成材料として、ｐ型有機半導体材料、ｎ型有機半導体材料を用いる以外は、前述した第２実施形態におけるトランジスタ１Ａと同様である。
【０１１０】
ｐ型トランジスタ１Ａ１およびｎ型トランジスタ１Ａ２のそれぞれのゲート電極７は、一体的に形成され、その一端部は、図示しない接続用電極に接続されている。この接続用電極は、信号電圧を入力する入力端子である。
また、ｐ型トランジスタ１Ａ１およびｎ型トランジスタ１Ａ２のそれぞれのドレイン電極４には、それぞれ配線１５が接続され、これらの配線１５は、ともに、図示しない接続用電極に接続されている。この接続用電極は、信号電圧を出力する出力端子である。
【０１１１】
また、ｐ型トランジスタ１Ａ１のソース電極３は、配線１７を介して電源（Ｖｄｄ）に接続され、ｎ型トランジスタ１Ａ２のソース電極３は、配線１７を介して接地（Ｖｓｓ）されている。
このようなインバータ回路１０では、入力端子からＨレベルの電圧が印加されると、ｐ型トランジスタ１Ａ１の有機半導体層５中にはほとんど電流が流れず、ｎ型トランジスタ１Ａ２の有機半導体層５中では、キャリアが誘起され、チャネル領域に電流が流れる。したがって、出力端子からはＬレベル（Ｖｓｓ）の電圧が出力される。
【０１１２】
一方、入力端子からＬレベルの電圧が印加されると、ｐ型トランジスタ１Ａ１の有機半導体層５中には、キャリアが誘起され、チャネル領域に電流が流れる。また、ｎ型トランジスタ１Ａ２の有機半導体層５中にはほとんど電流が流れない。したがって、出力端子からはＨレベル（Ｖｄｄ）の電圧が出力される。
このようにインバータ回路１０は、入力信号を反転させて出力する反転回路として機能する。
【０１１３】
このようなインバータ回路１０の各トランジスタは、前述した第２実施形態のトランジスタと同様にして製造することができる。
このような第９実施形態のトランジスタにあっても、前述した第１実施形態のトランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
特に、本実施形態では、インバータ回路１０では、ｐ型トランジスタ１Ａ１およびｎ型トランジスタ１Ａ２が互いに異なる導電型の有機半導体層５を有しているため、ｐ型トランジスタ１Ａ１の有機半導体層５とｎ型トランジスタ１Ａ２の有機半導体層５とが確実に離間している必要がある。したがって、このようなインバータ回路１０に本発明を適用することは、極めて有用である。
【０１１４】
＜電子デバイス＞
次に、本発明の電子デバイスの一例として、前述したアクティブマトリクス装置１３０を備える液晶パネルを説明する。
図２５は、本発明の電子デバイスを液晶パネルに適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。
【０１１５】
図２５に示すように、液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）１００は、ＴＦＴ基板であるアクティブマトリクス装置１３０と、アクティブマトリクス装置１３０に接合された配向膜６０と、液晶パネル用対向基板２０と、液晶パネル用対向基板２０に接合された配向膜４０と、配向膜６０と配向膜４０との空隙に封入された液晶よりなる液晶層９０と、アクティブマトリクス装置（液晶駆動基板）１３０の外表面（上面）側に接合された偏光膜７０と、液晶パネル用対向基板２０の外表面（下面）側に接合された偏光膜８０とを有している。
【０１１６】
液晶パネル用対向基板２０は、マイクロレンズ基板２０１と、かかるマイクロレンズ基板２０１の表層２０２上に設けられ、開口２０３が形成されたブラックマトリックス２０４と、表層２０２上にブラックマトリックス２０４を覆うように設けられた透明導電膜（共通電極）２０９とを有している。
マイクロレンズ基板２０１は、凹曲面を有する複数（多数）の凹部（マイクロレンズ用凹部）２０５が設けられたマイクロレンズ用凹部付き基板（第１の基板）２０６と、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板２０６の凹部２０５が設けられた面に樹脂層（接着剤層）２０７を介して接合された表層２０２とを有しており、また、樹脂層２０７では、凹部２０５内に充填された樹脂によりマイクロレンズ２０８が形成されている。
【０１１７】
アクティブマトリクス装置１３０は、液晶層９０の液晶を駆動する基板である。
このアクティブマトリクス装置１３０のトランジスタ１は、図示しない制御回路に接続され、画素電極１４１へ供給する電流を制御する。これにより、画素電極１４１の充放電が制御される。
無機配向膜６０は、アクティブマトリクス装置１３０の画素電極１４１と接合しており、無機配向膜６０は、液晶パネル用対向基板２０の液晶層９０と接合している。
液晶層９０は液晶分子を含有しており、画素電極１４１の充放電に対応して、かかる液晶分子、すなわち液晶の配向が変化する。
このような液晶パネル１００では、通常、１個のマイクロレンズ２０８と、かかるマイクロレンズ２０８の光軸Ｑに対応したブラックマトリックス２０４の１個の開口２０３と、１個の画素電極１４１と、かかる画素電極１４１に接続された１個のトランジスタ１とが、１画素に対応している。
【０１１８】
液晶パネル用対向基板２０側から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ用凹部付き基板２０６を通り、マイクロレンズ２０８を通過する際に集光されつつ、樹脂層２０７、表層２０２、ブラックマトリックス２０４の開口２０３、透明導電膜２０９、液晶層９０、画素電極１４１、基板５０を透過する。このとき、マイクロレンズ基板２０１の入射側に偏光膜８０が設けられているため、入射光Ｌが液晶層９０を透過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。その際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層９０の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル１００を透過した入射光Ｌを偏光膜７０に透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
【０１１９】
このように、液晶パネル１００は、マイクロレンズ２０８を有しており、しかも、マイクロレンズ２０８を通過した入射光Ｌは、集光されてブラックマトリックス２０４の開口２０３を通過する。一方、ブラックマトリックス２０４の開口２０３が形成されていない部分では、入射光Ｌは遮光される。したがって、液晶パネル１００では、画素以外の部分から不要光が漏洩することが防止され、かつ、画素部分での入射光Ｌの減衰が抑制される。このため、液晶パネル１００は、画素部で高い光の透過率を有する。
なお、本発明の電子デバイスは、このような液晶パネルへの適用に限定されるものではなく、電気泳動表示装置、有機または無機ＥＬ表示装置等に適用することもできる
【０１２０】
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の例として、前述した液晶パネル１００を備える液晶表示装置を図２６ないし図２９に示す第１〜４の例に基づき説明する。
（第１の例）
図２６は、本発明の電子機器の第１の例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が、前述の液晶パネル１００と、図示しないバックライトとを備えている。バックライトからの光を液晶パネル１００に透過させることにより画像（情報）を表示し得るものである。
【０１２１】
（第２の例）
図２７は、本発明の電子機器の第２の例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の液晶パネル１００と、図示しないバックライトとを備えている。
【０１２２】
（第３の例）
図２８は、本発明の電子機器の第３の例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１２３】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の液晶パネル１００と、図示しないバックライトとが設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、液晶パネル１００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が液晶パネル１００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１２４】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１２５】
（第４の例）
図２９は、本発明の電子機器の第４の例である投射型表示装置（液晶プロジェクター））の光学系を模式的に示す図である。
同図に示すように、投射型表示装置３００は、光源３０１と、複数のインテグレータレンズを備えた照明光学系と、複数のダイクロイックミラー等を備えた色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した（赤色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２４０と、緑色に対応した（緑色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２５０と、青色に対応した（青色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２６０と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１１および青色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１２が形成されたダイクロイックプリズム（色合成光学系）２１０と、投射レンズ（投射光学系）２２０とを有している。
【０１２６】
また、照明光学系は、インテグレータレンズ３０２および３０３を有している。色分離光学系は、ミラー３０４、３０６、３０９、青色光および緑色光を反射する（赤色光のみを透過する）ダイクロイックミラー３０５、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー３０７、青色光のみを反射するダイクロイックミラー（または青色光を反射するミラー）３０８、集光レンズ３１０、３１１、３１２、３１３および３１４とを有している。
【０１２７】
液晶ライトバルブ２５０は、前述した液晶パネル１００を備えている。液晶ライトバルブ２４０および２６０も、液晶ライトバルブ２５０と同様の構成となっている。これら液晶ライトバルブ２４０、２５０および２６０が備えている液晶パネル１００は、図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
なお、投射型表示装置３００では、ダイクロイックプリズム２１０と投射レンズ２２０とで、光学ブロック２００が構成されている。また、この光学ブロック２００と、ダイクロイックプリズム２１０に対して固定的に設置された液晶ライトバルブ２４０、２５０および２６０とで、表示ユニット２３０が構成されている。
【０１２８】
以下、投射型表示装置３００の作用を説明する。
光源３０１から出射された白色光（白色光束）は、インテグレータレンズ３０２および３０３を透過する。この白色光の光強度（輝度分布）は、インテグレータレンズ３０２および３０３により均一にされる。光源３０１から出射される白色光は、その光強度が比較的大きいものであるのが好ましい。これにより、スクリーン３２０上に形成される画像をより鮮明なものとすることができる。また、投射型表示装置３００では、耐光性に優れた液晶パネル１００を用いているため、光源３０１から出射される光の強度が大きい場合であっても、優れた長期安定性が得られる。
【０１２９】
インテグレータレンズ３０２および３０３を透過した白色光は、ミラー３０４で図７中左側に反射し、その反射光のうちの青色光（Ｂ）および緑色光（Ｇ）は、それぞれダイクロイックミラー３０５で図２９中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイックミラー３０５を透過する。
ダイクロイックミラー３０５を透過した赤色光は、ミラー３０６で図２９中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ２４０に入射する。
【０１３０】
ダイクロイックミラー３０５で反射した青色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミラー３０７で図２９中左側に反射し、青色光は、ダイクロイックミラー３０７を透過する。
ダイクロイックミラー３０７で反射した緑色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ２５０に入射する。
また、ダイクロイックミラー３０７を透過した青色光は、ダイクロイックミラー（またはミラー）３０８で図２９中左側に反射し、その反射光は、ミラー３０９で図３０中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ３１２、３１３および３１４により整形され、青色用の液晶ライトバルブ２６０に入射する。
【０１３１】
このように、光源３０１から出射された白色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバルブに導かれ、入射する。
この際、液晶ライトバルブ２４０が有する液晶パネル１００の各画素（トランジスタ１とこれに接続された画素電極１４１）は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路（駆動手段）により、スイッチング制御（オン／オフ）、すなわち変調される。
【０１３２】
同様に、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２５０および２６０に入射し、それぞれの液晶パネル１００で変調され、これにより緑色用の画像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライトバルブ２５０が有する液晶パネル１００の各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御され、液晶ライトバルブ２６０が有する液晶パネル１００の各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御される。
これにより赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２４０、２５０および２６０で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
【０１３３】
前記液晶ライトバルブ２４０により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２４０からの赤色光は、面２１３からダイクロイックプリズム２１０に入射し、ダイクロイックミラー面２１１で図２９中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１２を透過して、出射面２１６から出射する。
また、前記液晶ライトバルブ２５０により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２５０からの緑色光は、面２１４からダイクロイックプリズム２１０に入射し、ダイクロイックミラー面２１１および２１２をそれぞれ透過して、出射面２１６から出射する。
また、前記液晶ライトバルブ２６０により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２６０からの青色光は、面２１５からダイクロイックプリズム２１０に入射し、ダイクロイックミラー面２１２で図２９中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１１を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１３４】
このように、前記液晶ライトバルブ２４０、２５０および２６０からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ２４０、２５０および２６０により形成された各画像は、ダイクロイックプリズム２１０により合成され、これによりカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ２２０により、所定の位置に設置されているスクリーン３２０上に投影（拡大投射）される。
【０１３５】
なお、本発明の電子機器は、図２６のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図２７の携帯電話機、図２８のディジタルスチルカメラ、図２９の投射型表示装置の他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータなどが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部、モニタ部として、前述した本発明の液晶パネルが適用可能なことは言うまでもない。
以上のようにトランジスタ１が備えた電子デバイスや電子機器は、優れた信頼性を有する。
【０１３６】
以上、本発明のトランジスタ、トランジスタの製造方法、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、本発明のトランジスタの製造方法では、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。また、例えば、本発明のトランジスタ、電子デバイスおよび電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、前記実施形態では、投射型表示装置（電子機器）は、３個の液晶パネルを有するものであり、これらの全てに本発明の液晶パネルを適用したものについて説明したが、少なくともこれらのうち１個が、本発明の液晶パネルであればよい。この場合、少なくとも、青色用の液晶ライトバルブに用いられる液晶パネルに本発明を適用するのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるトランジスタを備えたアクティブマトリクス装置を示す平面図である。
【図２】図１に示すトランジスタの縦断面図である。
【図３】図１に示すトランジスタに備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。
【図４】図１に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図５】図１に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図６】図１に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図７】図１に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図８】図１に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図９】図１に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図１０】図１に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図１１】図１に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図１２】参考例として複合領域の輪郭が直角な角部を有する場合における液状材料の濡れ広がり状態を説明するための図である。
【図１３】本発明の第２実施形態のトランジスタを示す縦断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態のトランジスタに備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。
【図１５】本発明の第４実施形態のトランジスタに備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。
【図１６】本発明の第５実施形態のトランジスタに備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。
【図１７】本発明の第６実施形態のトランジスタに備えられたソース電極およびドレイン電極を示す平面図である。
【図１８】本発明の第７実施形態のトランジスタを示す模式図である。
【図１９】図１８に示すトランジスタに備えられたソース電極とドレイン電極とゲート絶縁層規定層とを示す模式的な平面図である。
【図２０】図１８に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図２１】図１８に示すトランジスタの製造方法を説明するための図である。
【図２２】本発明の第８実施形態のトランジスタを示す模式的な平面図である。
【図２３】図２２に示すトランジスタに備えられた電極および配線を示す平面図である。
【図２４】本発明の第９実施形態にかかるトランジスタをインバータ回路に適用した例を示す平面図である。
【図２５】本発明の電子デバイスの一例たる液晶パネルの構成を示す縦断面図である。
【図２６】本発明の電子機器の第１の例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図２７】本発明の電子機器の第２の例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図２８】本発明の電子機器の第３の例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図２９】本発明の電子機器の第４の例である投射型表示装置の光学系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１３８】
１‥‥トランジスタ  ２‥‥複合領域  ２１‥‥曲線部分  ２２‥‥直線部分  ２３‥‥縁部  ３、３Ａ‥‥ソース電極  ３１‥‥上面  ３２‥‥円環部  ３３‥‥くさび状部  ３ａ‥‥電極指  ３ｂ‥‥基部  ４、４Ａ‥‥ドレイン電極  ４１‥‥上面  ４２‥‥線状部  ４ａ‥‥電極指  ４ｂ‥‥基部  ５‥‥有機半導体層  ５０‥‥基板  ５１‥‥チャネル領域  ５２‥‥チャネル形成領域  ６‥‥ゲート絶縁層  ７、７Ａ、７Ｂ‥‥ゲート電極  ８‥‥保護膜  ９‥‥液状材料  １１‥‥ゲート絶縁層規定層  １２、１３‥‥配線  １４‥‥ゲート絶縁層形成領域  １５、１７‥‥配線  １０‥‥インバータ回路  １Ａ１‥‥ｐ型トランジスタ  １Ａ２‥‥ｎ型トランジスタ  ５Ａ‥‥ｐ型有機半導体層  ５Ｂ‥‥ｎ型有機半導体層  １００……液晶パネル  ９０……液晶層  ６０……無機配向膜  ４０……無機配向膜  ２０９……透明導電膜  ７０……偏光膜  ８０……偏光膜  ２０１……マイクロレンズ基板  ２０６……マイクロレンズ用凹部付き基板  ２０５……凹部  ２０８……マイクロレンズ  ２０２……表層  ２０７……樹脂層  ２０……液晶パネル用対向基板  ２０４……ブラックマトリックス  ２０３……開口  １３０……アクティブマトリクス装置  １３１……データ線  １３２……走査線  １３３……接続用電極  １４１……画素電極  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ  ３００……投射型表示装置  ３０１……光源  ３０２、３０３……インテグレータレンズ  ３０４、３０６、３０９……ミラー  ３０５、３０７、３０８……ダイクロイックミラー  ３１０〜３１４……集光レンズ  ３２０……スクリーン  ２００……光学ブロック  ２１０……ダイクロイックプリズム  ２１１、２１２……ダイクロイックミラー面  ２１３〜２１５……面  ２１６……出射面  ２２０……投射レンズ  ２３０……表示ユニット  ２４０〜２６０……液晶ライトバルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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