(57)【要約】【課題】半導体チップ／配線部材間を摩擦攪拌接合した半導体装置を対象に、高い通電容量，放熱性の確保と併せて、信頼性の高い接合強度が得られる新規な配線構造、およびその配線構造に適用する配線接合方法，摩擦攪拌接合装置を提供する。【解決手段】絶縁基板にマウントした半導体チップの上面主電極に配線部材を摩擦攪拌接合法により重ね接合した半導体装置において、その配線部材（リードフレーム）として、１枚の厚さが１０〜１００μｍであるリボン状金属箔９の複数枚を組にして用い、半導体チップ／配線部材間の接合部では金属箔９の接合代９ａを一枚ずつ前後にずらして半導体チップの電極面に成層した金属膜３ａの上に重ね、各枚ごとに金属箔の接合代に上方から高速回転する回転ツール７を押し込んで複数地点Ｓ１〜Ｓ３をスポット状に摩擦攪拌接合する。【選択図】        図１
2008085149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板にマウントした半導体チップの上面主電極と絶縁基板の導体パターンとの間に配線部材を布設し、その両端を相手部材に重ね接合した半導体装置において、
前記配線部材として、１枚の厚さが１０〜１００μｍであるリボン状金属箔の複数枚を組にして用い、半導体チップ／配線部材間の接合部では前記金属箔の接合代を一枚ずつ前後にずらして半導体チップの電極面に成層した金属膜の上に重ね、各枚ごとに金属箔の接合代と半導体チップの金属膜との間を複数地点でスポット状に摩擦攪拌接合したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、金属箔は、その接合代の一部を隣接する金属箔の接合代に重ねて接合したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置に適用する配線接合方法であって、相手部材の上に重ね合わせた金属箔の接合代をその接合位置から動かないように押え込み保持し、この状態で上方から回転ツールを接合代に押し込んでスポット状に摩擦攪拌接合することを特徴とする半導体装置の配線接合方法。
【請求項４】
請求項３に記載の配線接合方法において、金属箔の接合代に対して最初の地点をスポット接合した後、次のスポット接合地点との間で接合代をアーチ状に撓ませた上で次の地点に回転ツールを押し込んでスポット接合することを特徴とする半導体装置の配線接合方法。
【請求項５】
請求項３，４に記載の配線接合方法に適用する摩擦攪拌接合装置であり、縦送り，横送り可能な移動テーブル機構に搭載して駆動主軸に連結した回転ツールと、回転ツールを挟んでその左右に配し、かつ押しばねを介して前記移動テーブルに吊り下げ支持した一対の押えアームと、該アームの先端に連結して金属箔の接合代をスポット接合位置に保持する押さえ込みヘッドを具備したことを特徴とする摩擦攪拌接合装置。
【請求項６】
請求項５に記載の摩擦攪拌接合装置において、押え込みヘッドは、押えアームの先端に跨がって首振り自在に軸支連結するとともに、該ヘッドの中央に回転ツールの通し穴を開口したことを特徴とする摩擦攪拌接合装置。
【請求項７】
請求項６に記載の摩擦攪拌接合装置において、押え込みヘッドの下面を凹凸状に粗面化するか、もしくは摩擦係数が大きいスリップ防止層を成層したことを特徴とする摩擦攪拌接合装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＧＢＴモジュールなどのパワー半導体装置を対象とした配線構造、およびその配線構造に適用する配線接合方法，摩擦攪拌接合装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近では、半導体チップのシュリンク化に伴いパッケージ内部の配線を在来のボンディングワイヤから通電容量，伝熱性の高いリードフレームに変更した配線構造が多く採用されるようになっている。
次に、ＩＧＢＴモジュールを例に、内部配線部材にリードフレームを採用した半導体装置の従来における組立構造を図４に示す。図において、１は放熱用金属ベース、２は絶縁基板（例えばセラミック基板２ａの表裏両面に厚さ0.２〜0.２５mm程度の銅箔を直接接合して導体パターン２ｂ，２ｃを形成したDirect Copper Bonding基板）、３は絶縁基板２の導体パターン２ｂに半田マウントした半導体チップ（ＩＧＢＴ）、３ａは半導体チップ３の電極面にスパッタ成膜した金属膜（アルミ，あるいは半田との濡れ性を高めるようにアルミ膜の表面にＮｉ−Ａｕのメッキを施して形成した厚さ１０μｍ程度の金属膜）、４は半導体チップ３の上面電極(ＩＧＢＴのエミッタ電極)と絶縁基板２の導体パターン２ｂとの間にまたがって半田接合した配線部材としてのリードフレーム、５は絶縁基板２の導体パターン２ｂに接合して外部に引出したリードフレーム（外部導出端子）である。
【０００３】
ここで、リードフレーム４，５は、半導体素子の電流容量などによって異なるが、一般には幅３mm，厚さ0.５〜1.５mm程度の銅，アルミニウムまたはその合金などで作られた導体片の両端を曲げ加工してＬ字形の接合脚片４ａ，５ａを形成したもので、接合脚片４ａ，５ａを絶縁基板２の導体パターン２ｂ，半導体チップ３の上面側金属膜３ａに重ねてリフロー半田接合している。なお、その半田層を符号６で表す。
【０００４】
ところで、前記のようにリードフレーム４，５を絶縁基板２，半導体チップ３に半田接合した配線構造では、半田接合時の熱履歴により接合界面に金属間化合物が生成し、これが基で接合強度が劣化して接合部の信頼性，寿命が低下する。また、絶縁基板２のセラミック基板２ａ，半導体チップ（Ｓｉ）３とリードフレーム（銅，アルミ材）との線膨張係数差に起因して半田層６の接合界面には、熱サイクルにより繰り返し加わる応力でクラックが発生し、パワーサイクル耐性を低下させるなどの問題もある。
【０００５】
そこで、昨今では半田を用いない接合方法として、超音波ボンディング法がワイヤボンディング，リードフレーム配線の接合に多く採用されるようになっている。また、最近では少ない熱入力で金属間を固相接合する摩擦攪拌接合法が注目され、この摩擦攪拌接合法を電子回路部品の接合に適用する（例えば、特許文献１参照）研究も進んでいる。
この摩擦攪拌接合法は、２枚の被接合金属板を突き合わせるか、あるいは重ね合わせた上で、その接合部に高速回転するピン状の回転ツール（工具と同様な超硬合金製）を押し込み、その回転により発生する摩擦熱で金属材を軟化，塑性流動させて被接合金属板を固相接合する方法であり、一般の構造物のほかに電子部品に用いる薄板（板厚0.２mm）のアルミ材を重ね合わせて回転ツールにより接合するマイクロスポット摩擦攪拌接合法の実験例も報告されている(非特許文献１参照)。
【特許文献１】特開２００３−２５０７８号公報（第１−２頁）
【非特許文献１】吉川  勝幸，「マイクロスポット摩擦攪拌接合」，(社)溶接学会マイクロ接合研究委員会，第11回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム論文集, 2005, p421-424
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、発明者等は前記のマイクロスポット摩擦攪拌接合法を図４の半導体装置に適用し、そのリードフレームを半導体チップの上面に摩擦攪拌接合する方法について実験，検証を試みた。図５は発明者等が行った実験による接合部の模式図であり、ここで回転ツール７として、大径なショルダーの先端に小径なピン７ｂを形成したものを用いた。そして、図示のように半導体チップ３の上面電極に成層した金属膜３ａにリードフレーム配線４の接合脚片４ａ重ね合わせた上で、上方から高速回転している回転ツール７を接合脚片４ａに押し込んで複数地点をスポット接合した。
【０００７】
上記のように回転ツール７に加圧力Ｆを加えながら接合脚片４ａの上に押し込むと、回転ツール７の回転による摩擦熱でツール周辺の接合部材が軟化、塑性流動して攪拌され、その後に回転ツール７を引き上げるとリードフレーム配線４の接合脚片４ａと接合金属膜３ａとの間がスポット接合（固相接合）される。なお、図中では接合脚片４ａの厚さをｔ１，半導体チップ３の上面に成膜した金属膜３ａの膜厚ｔ２、摩擦攪拌接合部を符号８で表している。
【０００８】
ところで、前記した摩擦攪拌接合の実験，考察を通じて得た知見から、半導体装置の配線構造に適用するマイクロ摩擦攪拌接合の実用化には次記のような課題のあることが判った。すなわち、
（１）半導体装置に組み込むリードフレーム４，５の両端に形成した接合脚片４ａ，５ａの外形は高々□３mm程度であり、この脚片の微小面積に回転ツールを押し込んで絶縁基板２の導電パターン２ｂ，半導体チップ３の電極面に成膜した金属膜３ａに複数地点でスポット接合するには、回転ツール７の先端径を細くする必要がある。しかしながら、先端径の細い回転ツール７では接合部に生じる発熱量が少なく、在来品と同様に板厚ｔ１が０.５〜１.５mmである単体部品のリードフレームでは接合部材の塑性流動化が十分進まずに高信頼性の接合強度を確保するのが困難である。
（２）また、接合界面における塑性流動範囲を拡大するために、回転ツール７に加える加圧力Ｆを高めて先端のピン７ａがリードフレーム４の接合脚片を貫通して接合相手部材の領域まで達するように深く押し込むようにすると、特に半導体チップ３に対しては、高速回転する回転ツールがチップ表面に成膜した金属膜（厚さｔ２が１０μｍ程度）を突き破って半導体チップ３の電極面を損傷するほか、回転ツールに加える加圧力の集中荷重でチップ割れを引き起こすダメージの危険がある。
（３）さらに、摩擦攪拌接合の工程で回転ツールを押し当てた際に、絶縁基板，半導体チップの上に重ね合わせたリードフレームの接合脚片が連れ回りしないように接合位置に固定しておく必要があるが、半導体装置の組立構造は絶縁基板上に回路部品が高密度で実装されていることから、単純に二枚の金属板を裸の状態で接合する場合とは異なり、クリップなどの固定治具でリードフレームの接合脚片を接合位置に固定することは実際には困難である。
（４）そのほか、半導体チップ／リードフレーム間の接合部には導体チップ（Ｓｉ）とリードフレーム（Ｃｕ，Ａｌ）との線膨張係数差が原因で接合部に熱応力が作用する。この場合に、半田接合では半導体チップ，リードフレームに比べてヤング率の低い半田層が熱膨張差に起因する熱応力を吸収するが、接合摩擦攪拌接合法により線膨張率の小さな半導体チップと引っ張り剛性，曲げ剛性の大きなリードフレームとの間を複数箇所でスポット接合した構造では、半田層のような緩衝層がないために熱膨張差に起因する熱応力がスポット接合部に直接作用し、このままではスポット状の接合部が剥がれるなどの破損が生じてリードフレームの通電，放熱機能がダメージを受けるほか、半導体チップの電極面も破壊されるおそれがある。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、スポット摩擦攪拌接合法を適用して半導体チップの上面主電極に配線部材（リードフレーム）を接合した半導体装置を対象に、先記実験の考察結果を基に配線部材として使用するリードフレームを見直し、高い通電容量，放熱性の確保と併せて、半導体チップに不当な荷重を加えずに配線部材を接合して信頼性の高い接合強度が得られるように改良した半導体装置の配線構造、およびその配線構造に適用する配線接合方法，摩擦攪拌接合装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明によれば、絶縁基板にマウントした半導体チップの上面主電極と絶縁基板の導体パターンとの間に配線部材を布設し、その両端を相手部材に重ね接合した半導体装置において、
前記配線部材として、１枚の厚さが１０〜１００μｍであるリボン状金属箔の複数枚を組にして用い、半導体チップ／配線部材間の接合部では前記金属箔の接合代を一枚ずつ前後にずらして半導体チップの電極面に成層した金属膜の上に重ね、この位置で各枚ごとに金属箔の接合代と半導体チップの金属膜との間を複数地点でスポット状に摩擦攪拌接合するものとし（請求項１）、好ましくは前記金属箔の接合代の一部を隣接する金属箔の接合端部に重ねて接合するようにする（請求項２）。
【００１１】
一方、本発明による配線接合方法では、相手部材の上に重ね合わせた前記金属箔の接合代をその接合位置から動かないように押え込み保持し、この状態で上方から回転ツールを接合代に押し込んでスポット接合するようにし（請求項３）、また、金属箔と接合相手部材との線膨張係数差によりスポット接合部に作用する熱応力を低減策として、金属箔の接合代に対して最初の地点をスポット接合した後、次のスポット接合地点との間で接合代をアーチ状に撓ませた上で次の地点に回転ツールを押し込んでスポット接合するようにする（請求項４）。
【００１２】
さらに、前記の配線接合方法に適用する本発明の摩擦攪拌接合装置は、縦送り，横送り可能な移動テーブル機構に搭載して駆動主軸に連結した回転ツールと、回転ツールを挟んでその左右に配し、かつ押しばねを介して前記移動テーブルに吊り下げ支持した一対の押えアームと、該アームの先端に連結して金属箔の接合代をスポット接合位置に保持する押さえ込みヘッドを具備した構成とし（請求項５）、具体的には押え込みヘッドを次記のような態様で構成する。
（１）押え込みヘッドは、押えアームの先端に跨がって首振り自在に軸支連結するとともに、該ヘッドの中央に回転ツールの通し穴を開口する（請求項６）。
（２）前項（１）において、押え込みヘッドの下面を凹凸状に粗面化（表面にローレット目を形成）するか、もしくはゴムなどの摩擦係数が大きいスリップ防止層を成層する（請求項７）。
【発明の効果】
【００１３】
上記した半導体装置の配線構造，およびその配線構造に適用する配線接合方法によれば、配線部材（リードフレーム）として、１枚の厚さが薄いリボン状金属箔の複数枚を組にして用い、半導体チップに対しては金属箔の接合代を一枚ずつ前後にずらして半導体チップの電極面に成層した金属膜の上に重ねて摩擦攪拌接合法でスポット接合したことにより、複数枚の金属箔で必要な通電容量と放熱性を確保しつつ、回転ツールを押し込む摩擦攪拌接合工程では半導体チップにダメージを与えるおそれなしに信頼性の高い接合が実現できる。
【００１４】
また、金属箔はその接合代の一部を隣接する金属箔の接合端部に重ねて接合するようにすることにより、面積の限られた半導体チップの上面電極面に複数枚の金属箔をスペース効率よく布設接合できるほか、この接合代の重なり部分に回転ツールに加える加圧力を分散させ、半導体チップへの集中荷重を避けて安全に接合が行える。
さらに、金属箔の接合代に対して複数地点をスポット接合する際に、最初の地点をスポット接合した後、次のスポット接合地点との間で接合代をアーチ状に撓ませた上で次の地点に回転ツールを押し込んでスポット接合するようにすることで、半導体チップ／金属箔の熱膨張差に起因してスポット接合地点の間に作用する熱応力を前記アーチ形状の変形により効果的に吸収緩和することができて接合部破損を防止できる。
【００１５】
一方、前記した配線接合方法の実施に適用する本発明の摩擦攪拌接合装置では、回転ツールに併設して金属箔の接合代を接合位置に押さえ込む機構を設けたことにより、半導体装置の組立構造に制約されることなく配線部材の摩擦攪拌接合を作業能率よく行うことができる。また、その接合工程で移動テーブル機構の横送り機能を活用することで、金属箔の接合代にスポット接合地点間の熱応力吸収部として機能するアーチ形状を形成させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図１〜図３に示す実施例に基づいて説明する。なお、図１は半導体チップに対する配線構造を表す図、図２は図１の配線構造に適用する摩擦攪拌接合装置の構成図、図３は図２の摩擦攪拌接合装置による接合工程の説明図であり、実施例の図中で図４，図５に対応する部材には同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
まず、図１（ａ），（ｂ）において、９は銅，アルミニウムまたはその合金で作られた厚さ１０〜１００μｍのリボン状金属箔で、複数枚の金属箔９を組とする配線部材（リードフレーム）４を半導体チップ３の上面主電極と絶縁基板の導体パターン（図４参照）との間に布設し、以下に述べる摩擦攪拌接合法により各枚の金属箔９を相手部材に接合している。
【００１７】
すなわち、前記金属箔９はその端部をＬ形に折り曲げて接合代９ａ（接合代の幅：ｄ）を形成し、半導体チップ３に対しては金属箔９の接合代９ａを図示のように１枚ずつ前後にずらして半導体チップ３の上面電極に成膜した金属膜３ａの上に重ね合わせ、この位置で接合代９ａの各枚ごとに図５で述べた回転ツール７を上方から押し込んで金属膜３ａとの間をスポット接合しており、図示例では３箇所をスポット接合してその接合地点をＳ１〜Ｓ３で示す。また、その接合手順は最初に図示の右端に並ぶ１枚の金属箔９を所定位置に重ね合わせて摩擦攪拌接合によりスポット接合する。次に２枚目の金属箔を１枚目の金属箔からずらした位置に並べ、その接合代９ａの一部（Δｄ）が既に接合されている金属箔の接合代９ａの上に重なるように配置してスポット接合する。以下、同様な手順により残る金属箔９の接合代９ａをスポット接合する。
【００１８】
上記のように、配線部材４を複数枚の薄い金属箔９に分けた上で、各枚ごとに金属箔９の接合代９ａを前後にずらすように配列して半導体チップ３の上面電極に成層した金属膜３ａの上にスポット摩擦攪拌接合した配線構造とすることにより、複数枚の金属箔９を通電，伝熱路として半導体装置に必要な通電容量，放熱性を確保できる。また、図示例のように隣合う金属箔９の間で接合代９ａの一部を互いに重ねるように配列することで、限られた半導体チップ上の接合面域に接合する金属箔の枚数を増やして通電容量を高めることができる。
【００１９】
また、配線部材４として前記の金属箔９を用いることにより、板厚が厚い単一部品のリードフレーム（図４参照）を半導体チップ３の上面に重ねて摩擦攪拌接合する場合と比べて、回転ツール７に加える加圧力Ｆ（図５参照）を低く抑えて半導体チップ３に過度な押圧荷重を加えることなしに接合が行える。さらに、金属箔９の引っ張り，曲げ剛性は単一部品のリードフレームと比べて小さく、半導体チップ３との線膨張係数差に起因してスポット接合部に作用する熱応力を金属箔９の変形で吸収緩和することができる。
【００２０】
なお、金属箔９の他端は図４で述べたように絶縁基板２の導体パターンに接合されるが、この導体パターンとの間の接合には必ずしも図１のように金属箔９を各枚ごとに分けて相手部材に摩擦攪拌接合する必要はなく、例えば複数枚の金属箔の接合代を束状に重ね合わせたまま一括して導体パターンに摩擦攪拌接合するようにしてもよい。すなわち、絶縁基板２のセラミック基板２ａは半導体チップ３と比べて堅牢であり、導体パターン２ｂの金属箔厚さ（約０．２５mm）は半導体チップ３の電極面に成層した金属膜３ａ（約１０μｍ）と比べて厚い。したがって、回転ツール７に大きな加圧力Ｆ（図５参照）を加えても問題なく複数枚の金属箔９を一括して絶縁基板２の導体パターンに摩擦攪拌接合することが可能である。また、図４における外部端子のリードフレーム５についても、前記と同様な理由から板厚の厚い単一部品のリードフレームをそのまま採用して摩擦攪拌接合することが可能である。
【００２１】
次に、前記した配線構造に適用して金属箔９を相手部材に接合する摩擦攪拌接合装置（製造装置）の構成を図２に示す。図２（ａ），（ｂ）において、１０は回転ツール７および後記の金属箔押え込み機構を搭載した縦送り，横送りが可能な移動テーブル機構であり、回転ツール７は移動テーブル機構１０に軸受支持した上で駆動源１１の主軸に連結している。また、金属箔押え込み機構は回転ツール７を挟んでその左右両側に並ぶ一対の押えアーム１２と、押えアーム１２の先端に連結した押え込みヘッド１３との組立体になり、前記押えアーム１２は押しばね（圧縮コイルばね）１４を介して移動テーブル機構１０に吊り下げ支持されている。
【００２２】
ここで、押え込みヘッド１３は、後述のように摩擦攪拌接合工程で金属箔９を接合位置から動かないように押さえ込む治具の役目を果たすものであり、その左右両端が支軸１３ａを介して押えアーム１２の間に跨がって首振り自在に連結支持されており、ヘッドの中央には回転ツール４の通し穴１３ｂが開口している。また、図示してないが、押え込みヘッド１３の下面には、例えばローレット目を形成するなどして凹凸面状に粗面化しておくか、あるいはゴムなどの摩擦係数の大きな材質を成層しておき、金属箔９の接合代９ａを確実に押さえ込むようにしている。
【００２３】
次に、上記の摩擦攪拌接合装置を使用して半導体チップ／金属箔間を摩擦攪拌スポット接合する接合工程を図３（ａ）〜（ｄ）により説明する。まず、図３（ａ）のように半導体チップ３の上面に１枚の金属箔９の接合代９ａを所定位置に重ねた状態で、あらかじめ指定した第１の接合地点Ｓ１に向けて前記の移動テーブル機構１０を移動し、Ｐ１位置で移動テーブル機構１０を下降して押え込みヘッド１３により金属箔９の接合代９ａを半導体チップ３の上に押さえ込む。次いで高速回転している回転ツール７を下降してその先端をスポット接合地点Ｓ１に押し込み、接合地点Ｓ１をスポット接合する。
【００２４】
なお、この場合に金属箔９は押え込みヘッド１３により接合位置に押え込み保持されているので回転ツール７と一緒に連れ回りすることはない。また、押え込みヘッド１３は首振り自在に軸支されており、図１で述べたように金属箔９の接合代９ａの一部を隣接する接合代の上に重ねて段差が生じても、この段差に順応して接合代９ａを確実に押さえ込むことができる。また、回転ツール７の下降に伴い押え込みヘッド１３との当接面に一定以上の押圧力が加わると、移動テーブル機構１０と押えアーム１２との間に介挿した押しばね１４が圧縮して半導体チップ３に過大な荷重が掛かるのを防ぐようにしている。
【００２５】
そして、第１地点Ｓ１のスポット接合が済むと、図３（ｂ）で示すように移動テーブル機構１０を一旦引き上げて次の第２の接合地点Ｓ２に向けて移動するが、この移動過程では第２の接合地点Ｓ２を通り越した位置Ｐ２まで移動し、この位置で押え込みヘッド１３を下降して金属箔９の接合代９ａを押え込む。続いて接合代９ａを押え込んだまま移動テーブル機構を横送りして第２の接合地点Ｓ２に対応する位置Ｐ３に移動する（図３（ｃ）参照）。これにより、金属箔９の接合代９ａは既にスポット接合済みの接合地点Ｓ１との間の領域が撓んで図示の様なアーチ形状部９ｂが形成される。その後に回転ツール７を下降して接合代９ａに押し込み、第２の接合地点Ｓ２をスポット接合する。
【００２６】
このように移動テーブル機構１０の横送り機能を利用して金属箔９のスポット接合地点間にアーチ形状部９ｂを形成することにより、線膨張係数の異なる半導体チップ３／金属箔９の間に発生する熱応力を前記のアーチ形状部９ｂの変形で吸収して、スポット接合部に作用する応力を緩和できる。
なお、上記の実施例では、半導体チップ３の上面側電極の金属膜３ａに配線部材として金属箔９の接合代９ａを重ねて摩擦攪拌接合する場合を例に説明したが、半導体チップ３の上面側電極にヒートスプレッダを半田接合した上で、このヒートスプレッダの上面に金属箔９を摩擦攪拌接合するようにすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明実施例の半導体装置における主要部の配線構造およびその摩擦攪拌接合の状態を表す図で、（ａ），（ｂ）はそれぞれ側面図，および平面図
【図２】図１の配線構造に適用する摩擦攪拌接合装置の構成図で、（ａ），（ｂ）はそれぞれ正面図，および側面図
【図３】図２の摩擦攪拌接合装置による半導体チップ／金属箔間のスポット接合方法の説明図で、（ａ）〜（ｃ）はその接合方法を工程順に表す模式図
【図４】配線部材としてリードフレームを相手部材に半田接合した従来における半導体装置の組立構造図
【図５】図４における半導体チップ／リードフレーム間を摩擦攪拌接合した状態の接合部を模式的に表した図
【符号の説明】
【００２８】
２    絶縁基板
２ａ  セラミック基板
２ｂ  導体パターン
３    半導体チップ
３ａ  金属膜
４，５  リードフレーム（配線部材）
７    回転ツール
８    摩擦攪拌接合部
９    金属箔
９ａ  接合代
１０    摩擦攪拌接合装置（製造装置）の移動テーブル機構
１２  押えアーム
１３    押え込みヘッド
１３ａ  首振り支軸
１３ｂ  ツール通し穴
１４    押しばね
【図１】
2008085149.tif 000003
【図２】
2008085149.tif 000004
【図３】
2008085149.tif 000005
【図４】
2008085149.tif 000006
【図５】
2008085149.tif 000007