(57)【要約】【課題】上部基板に、所望の深さの凹部を形成して、センサ装置を製造することを目的とする。【解決手段】本発明は、上面構成基板１と側面構成基板２とをエッチングストッパ層３ａを介して積層し、上部基板４ａを製造する工程と、上部基板４ａのうち側面構成基板２側をエッチングストッパ層３ａに至るまでエッチングすることにより、上部基板４ａに凹部を形成する工程と、下部基板５にセンサ素子６を実装する工程と、凹部にセンサ素子６が気密封止されるように、上部基板４ａと下部基板５とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面構成基板と側面構成基板とをエッチングストッパ層を介して積層し、上部基板を製造する工程と、
前記上部基板のうち前記側面構成基板側を前記エッチングストッパ層に至るまでエッチングすることにより、前記上部基板に凹部を形成する工程と、
下部基板にセンサ素子を実装する工程と、
前記凹部に前記センサ素子が気密封止されるように、前記上部基板と前記下部基板とを接合する工程と、
を備えることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
【請求項２】
前記接合が常温接合であることを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置の製造方法。
【請求項３】
前記下部基板、前記上面構成基板および前記側面構成基板はＳｉで形成され、前記エッチングストッパ層はＳｉＯ2で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のセンサ装置の製造方法。
【請求項４】
前記下部基板、前記上面構成基板および前記側面構成基板はＳｉで形成され、前記エッチングストッパ層は金属で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のセンサ装置の製造方法。
【請求項５】
前記凹部の深さの値は、前記センサ素子の厚さの値より大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれ１項に記載のセンサ装置の製造方法。
【請求項６】
前記センサ素子は、可動部を有し、
前記可動部が前記凹部底面との間の領域内で可動自在とされるように、前記凹部の深さが設定されることを特徴とする請求項５に記載のセンサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、加速度センサ、ジャイロセンサ、赤外線センサなどのセンサ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のセンサ装置として、例えば、特許文献１に記載の構造が知られている。特許文献１に記載されているセンサ装置においては、凹部を有する上部基板と下部基板とを、互いに接合して、気密封止された凹部にセンサ素子が収納されたセンサ装置とすることができる。
【特許文献１】特開２００６−２０１１５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来例では、上部基板に、所望の深さの凹部を形成することが困難であり、その結果、センサ装置の信頼性が低くなる恐れがあった。また、上部基板となるウェハに複数の凹部を形成する際、凹部の深さにバラツキが生じ、当該ウェハから生産されるセンサ装置の歩留まりが低下して、生産性が低くなるという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記問題に鑑みてなしたものであり、上部基板に、所望の深さの凹部を形成して、センサ装置を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、請求項１に記載のセンサ装置の製造方法は、上面構成基板と側面構成基板とをエッチングストッパ層を介して積層し、上部基板を製造する工程と、上部基板のうち側面構成基板側をエッチングストッパ層に至るまでエッチングすることにより、上部基板に凹部を形成する工程と、下部基板にセンサ素子を実装する工程と、凹部にセンサ素子が気密封止されるように、上部基板と下部基板とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、上記請求項１に記載のセンサ装置の製造方法においては、接合が常温接合であることを特徴とする。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、上記請求項１または２に記載のセンサ装置の製造方法において、下部基板、上面構成基板および側面構成基板はＳｉで形成され、エッチングストッパ層はＳｉＯ2で形成されることを特徴とする。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、上記請求項１または２に記載のセンサ装置の製造方法において、下部基板、上面構成基板および側面構成基板はＳｉで形成され、エッチングストッパ層は金属で形成されることを特徴とする。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、上記請求項１〜４のいずれ１項に記載のセンサ装置の製造方法において、凹部の深さの値は、センサ素子の厚さの値より大きいことを特徴とする。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、上記請求項５に記載のセンサ装置の製造方法において、センサ素子は、可動部を有し、可動部が凹部底面との間の領域内で可動自在とされるように、凹部の深さが設定されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に記載の発明においては、上部基板に、エッチングストッパ層を設けているので、所望の深さの凹部を形成することが容易になり、その結果、信頼性の高いセンサ装置を製造することができる。また、上部基板となるウェハに複数の凹部を形成する際、凹部の深さを一定にすることができ、当該ウェハから生産されるセンサ装置の歩留まりを向上させて、センサ装置の生産性を高めることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明においては、常温接合法を採用することにより、センサ素子の熱応力が少なくなり、結果として、センサ特性が向上する。
【００１３】
請求項３に記載の発明においては、エッチングストッパ層にＳｉＯ2を用いることにより、容易にエッチングストッパ層を形成することができる。
【００１４】
請求項４に記載の発明においては、上面構成基板および側面構成基板の厚みを任意に変化させることができる。また、ＳＯＩなどの高価な基板を使わなくてよいので、安価に構成することができる。さらに、エッチングストッパ層に金属を用いることにより、確実にエッチングをストップさせることができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明においては、凹部の深さの値は、センサ装置の厚さの値より大きいので、凹部が形成された上部基板と下部基板とを接合する際の不良がなくなり、センサ装置を確実に構成することができる。
【００１６】
請求項６に記載の発明においては、センサ素子は可動部を有し、可動部が凹部底面との間の領域内で可動自在とされるように、凹部の深さが設定されるので、センサ素子の動作に影響を与えずにセンサ装置を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。以降の説明において、同一の部材に同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。なお、以下の説明では具体例を挙げて本発明を説明する場合があるが、本発明は以下の具体例に限定されない。
（実施形態１）
図１〜６に示す断面図を用いて、実施形態１に係るセンサ装置の製造方法を説明する。
【００１８】
実施形態１に係るセンサ装置の製造方法は、上面構成基板１と側面構成基板２とをエッチングストッパ層３ａを介して積層し、上部基板４ａを製造する工程、すなわち、ウェハＷ１を製造する工程（図１）と、上部基板４ａのうち側面構成基板２側をエッチングストッパ層３ａに至るまでエッチングすることにより、上部基板４ａに凹部を形成する工程、すなわち、ウェハＷ１のうち側面構成基板２側をエッチングストッパ層３ａに至るまでエッチングすることにより、ウェハＷ１に少なくとも１つの凹部を形成する工程（図２）と、下部基板５にセンサ素子６を実装する工程、すなわち、ウェハＷ２に少なくとも１つのセンサ素子６を実装する工程（図４）と、凹部にセンサ素子６が気密封止されるように、上部基板４ａと下部基板５とを接合する工程、すなわち、１つの凹部に対して、１つのセンサ素子６が気密封止されるように、ウェハＷ１とウェハＷ２とを接合する工程（図５）と、を備える。
【００１９】
以下、詳細に説明する。
（１）ウェハＷ１を用意する（図１）。ウェハＷ１は、センサ装置２００Ａ（図６参照）の上面構成基板１、側面構成基板２およびエッチングストッパ層３ａで構成される上部基板４ａとなるものであり、例えば、ＳＯＩウェハを用いる。ウェハＷ１には、ＳｉＯ2層が埋め込まれており、後述するように、ウェハＷ１をエッチングする際に、ＳｉＯ2層がエッチングストッパ層３ａとして作用する。エッチングストッパ層３ａとして作用するＳｉＯ2層の厚さは、例えば、２μｍとすることができる。また、ウェハＷ１として、例えば、ＳＯＩウェハを用いれば、表面Ｓｉ層（活性層）を上面構成基板１とすることができ、Ｓｉ基板（支持基板）をエッチングして、少なくとも１つの凹部を形成し、少なくとも１つの枠状の側面構成基板２とすることができる。上面構成基板１となる表面Ｓｉ層（活性層）の厚さは、例えば、３０μｍとすることができる。また、側面構成基板２となるＳｉ基板（支持基板）の厚さは、後述するように、４５０μｍ程度であることが好ましい。
（２）ウェハＷ１をエッチングして、少なくとも１つ（ここでは２つ）の凹部を形成する（図２）。ここで、枠状の側面構成基板２が形成される。この際、ウェハＷ１に埋め込まれているＳｉＯ2層がエッチングストッパ層３ａとして作用する。なお、後述するように（図５参照）、凹部には、可動部６ａと可動部６ａの側面を囲むフレーム６ｂとを有し、バンプ８を用いてウェハＷ２に実装されたセンサ素子６が収納され、可動部６ａは、凹部底面との間の領域内で可動自在とされる。そのため、凹部の深さＴ1の値は、センサ素子６の厚さＴ2の値よりも大きい必要があり、センサ素子の厚さＴ2は４００μｍ程度であるので、センサ素子６の可動部６ａの可動領域（およそ±５μｍ以下）およびセンサ素子６が実装されたときのバンプ８の高さ（例えば、１０μｍ）を考慮して、凹部の深さＴ1は４５０μｍ程度であることが好ましい。
（３）ウェハＷ２を用意する（図３）。ウェハＷ２はセンサ装置２００Ａ（図６参照）の下部基板５となるものであり、例えば、Ｓｉで構成されているが、絶縁性を有し、常温での気密封止が可能な材料であればこれに限定はしない。ウェハＷ２の厚さは、例えば、２００μｍとすることができる。
（４）ウェハＷ２の一表面に、ウェハＷ１に形成された凹部と同じ間隔で、少なくとも１つ（ここでは２つ）のセンサ素子６を実装する（図４）。センサ素子６の実装方法について説明すると、ウェハＷ２の一表面に電極７を配置し、他表面にバンプ８を用いて、センサ素子６をバンプ実装し、ウェハＷ２に貫通孔配線９を形成して電極７とバンプ８とを電気的に接続し、センサ素子６を実装する。なお、ウェハＷ２へのセンサ素子６の実装は、常温バンプ接合で行うことが好ましい。具体的には、センサ素子６に設けたセンサ電極（図示せず）とバンプ８とを、ともにＡｕで形成し、それぞれの表面を活性化した後、所定の荷重を付加して、常温下で直接接合する。また、貫通孔配線９の材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。バンプ８の高さは、センサ素子６を実装したときに、例えば、１０μｍである。貫通孔配線９は、ウェハＷ２に貫通孔を形成した後、配線材料となるＣｕやＮｉを、化学蒸着法（ＣＶＤ）やめっき等の方法で充填させることによって形成される。
（５）少なくとも１つ（ここでは２つ）の凹部が形成されたウェハＷ１と少なくとも１つ（ここでは２つ）のセンサ素子６が実装されたウェハＷ２とを、１つのセンサ素子６がウェハＷ１の１つの凹部に収納されて、気密封止されるように、ウェハレベルで接合し、ウェハレベルパッケージ構造体１００Ａを製造する（図５）。センサ素子６は、可動部６ａと当該可動部６ａの側面を囲むフレーム６ｂとを有し、可動部６ａは、凹部底面との間の領域内で可動自在とされる。なお、上記接合は、常温接合法により行うことができる。常温接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマまたはイオンビームまたは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面どうしを接触させ、常温下で直接接合する。また、例えば、気密封止を減圧雰囲気下で行うことにより、センサ素子が気密封止されている空間の圧力を、外部の圧力より低くすることが好ましい。センサ素子が気密封止されている空間を、例えば、０〜１×１０-6Ｐａとして真空にすることができる。これにより、空気圧によるダンピング効果が軽減されるため、センサ特性が向上する。
（６）ウェハレベルパッケージ構造体１００Ａを分割工程（ダイシング工程）により個々のセンサ装置２００Ａに切断し、センサ装置２００Ａを製造する（図６）。
【００２０】
なお、下部基板５となるウェハＷ２に凹部を形成し、凹部内にセンサ素子６を実装してから、ウェハＷ１で凹部を気密封止することもできる。凹部の形成方法は、本実施形態の方法を用いてもよいし、後述する実施形態２に記載する方法を用いてもよい。ここで、ウェハＷ１には、凹部を形成しても、しなくてもよい。ウェハＷ１に凹部を形成しない場合、ウェハＷ２に形成する凹部の深さは、４５０μｍ程度であることが好ましい。また、ウェハＷ１に凹部を形成する場合、ウェハＷ２に形成された凹部の深さとウェハＷ１に形成された凹部の深さとの合計は、４５０μｍ程度であることが好ましい。
【００２１】
したがって、上部基板４ａに、エッチングストッパ層３ａを設けているので、所望の深さの凹部を形成することが容易になり、その結果、信頼性の高いセンサ装置２００Ａを製造することができる。また、上部基板４ａとなるウェハＷ１に複数の凹部を形成する際、凹部の深さを一定にすることができ、当該ウェハＷ１から生産されるセンサ装置２００Ａの歩留まりを向上させて、センサ装置２００Ａの生産性を高めることができる。
【００２２】
そして、常温接合法を採用することにより、センサ素子６の熱応力が少なくなり、結果として、センサ特性が向上する。
【００２３】
また、エッチングストッパ層３ａにＳｉＯ2を用いれば、容易にエッチングストッパ層３ａを形成することができる。
【００２４】
さらに、凹部の深さＴ1の値がセンサ装置の厚さＴ2の値より大きいので、凹部が形成された上部基板４ａと下部基板５とを接合する際の不良がなくなり、センサ装置２００Ａを確実に構成することができる。
【００２５】
またさらに、センサ素子６は可動部６ａを有し、可動部６ａが凹部底面との間の領域内で可動自在とされるように、凹部の深さが設定されているので、センサ素子６の動作に影響を与えずにセンサ装置２００Ａを構成することができる。
（実施形態２）
図７〜１６に示す断面図を用いて、実施形態２に係るセンサ装置の製造方法を説明する。
【００２６】
実施形態１とは、エッチングストッパ層３ｂ（例えば、図１２参照）として、金属を使用することで異なる。
【００２７】
以下、詳細に説明する。
（１）ウェハＷ３を用意する（図７）。ウェハＷ３はセンサ装置２００Ｂ（図１６参照）の上面構成基板１となるものであり、例えば、Ｓｉで構成されているが、絶縁性を有し、常温での気密封止が可能な材料であればこれに限定はしない。上面構成基板１となるウェハＷ３の厚さは、例えば、１００μｍとすることができる。
（２）ウェハＷ３の一表面に金属層ａを成膜し、ウェハＷ４とする（図８）。金属層ａとしては、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌなどを用いることができる。成膜は、スパッタにより行うことが好ましいが、その他の公知の方法、例えば、化学蒸着法（ＣＶＤ）や物理気相成長法（ＰＶＤ）、めっき法などにより行うこともできる。
（３）ウェハＷ５を用意する（図９）。ウェハＷ５はセンサ装置の側面構成基板２となるものであり、例えば、Ｓｉで構成されているが、絶縁性を有し、常温での気密封止が可能な材料であればこれに限定はしない。側面構成基板２となるウェハＷ５の厚さは、後述するように、４５０μｍ程度であることが好ましい。
（４）ウェハＷ５の一表面に金属層ｂを成膜し、ウェハＷ６とする（図１０）。金属層ｂとしては、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌなどを用いることができる。成膜は、スパッタにより行うことが好ましいが、その他の公知の方法、例えば、化学蒸着法（ＣＶＤ）や物理気相成長法（ＰＶＤ）、めっき法などにより行うこともできる。
（５）ウェハＷ４とウェハＷ６とを、金属―金属の組み合わせの常温接合法により、ウェハレベルで接合し、ウェハＷ７を製造する（図１１）。ウェハＷ７は、センサ装置２００Ｂ（図１６参照）の上部基板４ｂとなるものである。金属層ａと金属層ｂとの接合層は、後述するように、ウェハＷ７の側面構成基板２側をエッチングする際に、エッチングストッパ層３ｂとなるものであり、その厚さは、１μｍ以下とすることができる。
（６）ウェハＷ７の側面構成基板２側をエッチングして、少なくとも１つ（ここでは２つ）の凹部を形成する（図１２）。この際、金属層ａと金属層ｂとの接合層がエッチングストッパ層３ｂとなる。なお、後述するように（図１５参照）、凹部には、可動部６ａと可動部６ａの側面を囲むフレーム６ｂとを有し、バンプ８を用いてウェハＷ２に実装されたセンサ素子６が収納され、可動部６ａは、凹部底面との間の領域内で可動自在とされる。そのため、凹部の深さＴ1の値は、センサ素子６の厚さＴ2の値よりも大きい必要があり、センサ素子の厚さＴ2は４００μｍ程度であるので、センサ素子６の可動部６ａの可動領域（およそ±５μｍ以下）およびセンサ素子６が実装されたときのバンプ８の高さ（例えば、１０μｍ）を考慮して、凹部の深さＴ1は４５０μｍ程度であることが好ましい。
（７）ウェハＷ２を用意する（図１３）。ウェハＷ２はセンサ装置２００Ｂ（図１６参照）の下部基板５となるものであり、上面構成基板１となるウェハＷ３、側面構成基板２となるウェハＷ５と同様、例えば、Ｓｉで構成されているが、絶縁性を有し、常温での気密封止が可能な材料であればこれに限定はしない。ウェハＷ２の厚さは、例えば、２００μｍとすることができる。
（８）ウェハＷ２の一表面に、ウェハＷ７に形成された凹部と同じ間隔で、少なくとも１つ（ここでは２つ）のセンサ素子６を実装する（図１４）。センサ素子６の実装方法について説明すると、ウェハＷ２の一表面に電極７を配置し、他表面にバンプ８を用いて、センサ素子６をバンプ実装し、ウェハＷ２に貫通孔配線９を形成して電極７とバンプ８とを電気的に接続し、センサ素子６を実装する。なお、ウェハＷ２へのセンサ素子６の実装は、常温バンプ接合で行うことが好ましい。具体的には、センサ素子６に設けたセンサ電極（図示せず）とバンプ８とを、ともにＡｕで形成し、それぞれの表面を活性化した後、所定の荷重を付加して、常温下で直接接合する。また、貫通孔配線９の材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。バンプ８の高さは、センサ素子６を実装したときに、例えば、１０μｍである。貫通孔配線９は、ウェハＷ２に貫通孔を形成した後、配線材料となるＣｕやＮｉを、化学蒸着法（ＣＶＤ）やめっき等の方法で充填させることによって形成される。
（９）少なくとも１つ（ここでは２つ）の凹部が形成されたウェハＷ７と少なくとも１つ（ここでは２つ）のセンサ素子６が実装されたウェハＷ２とを、１つのセンサ素子７がウェハＷ７の１つの凹部に収納されて、気密封止されるように、ウェハレベルで接合し、ウェハレベルパッケージ構造体１００Ｂを製造する（図１５）。センサ素子６は、可動部６ａと当該可動部６ａの側面を囲むフレーム６ｂとを有し、可動部６ａは、凹部底面との間の領域内で可動自在とされる。なお、上記接合は、常温接合法により行うことができる。常温接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマまたはイオンビームまたは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面どうしを接触させ、常温下で直接接合する。また、例えば、気密封止を減圧雰囲気下で行うことにより、センサ素子が気密封止されている空間の圧力を、外部の圧力より低くすることが好ましい。センサ素子が気密封止されている空間を、例えば、０〜１×１０-6Ｐａとして真空にすることができる。これにより、空気圧によるダンピング効果が軽減されるため、センサ特性が向上する。
（１０）ウェハレベルパッケージ構造体１００Ｂを分割工程（ダイシング工程）により個々のセンサ装置２００Ｂに切断し、センサ装置２００Ｂを製造する（図１６）。
【００２８】
なお、下部基板５となるウェハＷ２に凹部を形成し、凹部内にセンサ素子６を実装してから、ウェハＷ７で凹部を気密封止することもできる。凹部の形成方法は、本実施形態の方法を用いてもよいし、上述した実施形態１に記載する方法を用いてもよい。ここで、ウェハＷ７には、凹部を形成しても、しなくてもよい。ウェハＷ７に凹部を形成しない場合、ウェハＷ２に形成する凹部の深さは、４５０μｍ程度であることが好ましい。また、ウェハＷ７に凹部を形成する場合、ウェハＷ２に形成された凹部の深さとウェハＷ７に形成された凹部の深さとの合計は、４５０μｍ程度であることが好ましい。
【００２９】
したがって、上部基板４ｂに、エッチングストッパ層３ｂを設けているので、所望の深さの凹部を形成することが容易になり、その結果、信頼性の高いセンサ装置２００Ｂを製造することができる。また、上部基板４ｂとなるウェハＷ７に複数の凹部を形成する際、凹部の深さを一定にすることができ、当該ウェハＷ７から生産されるセンサ装置２００Ｂの歩留まりを向上させて、センサ装置２００Ｂの生産性を高めることができる。
【００３０】
そして、常温接合法を採用することにより、センサ素子６の熱応力が少なくなり、結果として、センサ特性が向上する。
【００３１】
また、エッチングストッパ層３ｂとして金属層を用いれば、Ｓｉとのエッチング選択比が大きいため、確実にエッチングをストップさせることができる。
【００３２】
さらに、凹部の深さＴ1の値がセンサ装置の厚さＴ2の値より大きいので、凹部が形成された上部基板４ｂと下部基板５とを接合する際の不良がなくなり、センサ装置２００Ｂを確実に構成することができる。
【００３３】
またさらに、センサ素子６は可動部６ａを有し、可動部６ａが凹部底面との間の領域内で可動自在とされるように、凹部の深さが設定されているので、センサ素子６の動作に影響を与えずにセンサ装置２００Ｂを構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施形態１における（１）の工程を示す断面図である。
【図２】実施形態１における（２）の工程を示す断面図である。
【図３】実施形態１における（３）の工程を示す断面図である。
【図４】実施形態１における（４）の工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１における（５）の工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１における（６）の工程を示す断面図である。
【図７】実施形態２における（１）の工程を示す断面図である。
【図８】実施形態２における（２）の工程を示す断面図である。
【図９】実施形態２における（３）の工程を示す断面図である。
【図１０】実施形態２における（４）の工程を示す断面図である。
【図１１】実施形態２における（５）の工程を示す断面図である。
【図１２】実施形態２における（６）の工程を示す断面図である。
【図１３】実施形態２における（７）の工程を示す断面図である。
【図１４】実施形態２における（８）の工程を示す断面図である。
【図１５】実施形態２における（９）の工程を示す断面図である。
【図１６】実施形態２における（１０）の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１                                        上面構成基板
２                                        側面構成基板
３ａ，３ｂ                                エッチングストッパ層
４ａ，４ｂ                                上部基板
５                                        下部基板
６                                        センサ素子
６ａ                                      可動部
６ｂ                                      フレーム
７                                        電極
８                                        バンプ
９                                        貫通孔配線
１００Ａ，１００Ｂ                        ウェハレベルパッケージ構造体
２００Ａ，２００Ｂ                        センサ装置
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４，Ｗ５，Ｗ６，Ｗ７  ウェハ
Ｔ1                                      凹部の深さ
Ｔ2                                      センサ素子の厚さ
【図１】
2008159882.tif 000003
【図２】
2008159882.tif 000004
【図３】
2008159882.tif 000005
【図４】
2008159882.tif 000006
【図５】
2008159882.tif 000007
【図６】
2008159882.tif 000008
【図７】
2008159882.tif 000009
【図８】
2008159882.tif 000010
【図９】
2008159882.tif 000011
【図１０】
2008159882.tif 000012
【図１１】
2008159882.tif 000013
【図１２】
2008159882.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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