(57)【要約】【課題】  本発明は、支持体と接着層との間の耐湿性を向上させることで、半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】  本発明の半導体装置は、半導体素子上に形成された第１の絶縁膜２と、前記第１の絶縁膜２上に形成された第１の配線３と、前記半導体素子上に接着層７を介して接着された支持体８と、前記半導体素子の裏面から側面及び前記接着層７の側面を覆う第３の絶縁膜１１と、前記第１の配線３に接続され、前記第３の絶縁膜１１を介して前記半導体素子の裏面に延在する第２の配線１２と、前記第２の配線１２上に形成された保護膜１３と、を有することを特徴とする。【選択図】  図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子上に形成された第１の配線と、
前記半導体素子上に接着層を介して接着された支持体と、
前記半導体素子の裏面から側面及び前記接着層の側面を覆う絶縁膜と、
前記第１の配線に接続され、前記絶縁膜を介して前記半導体素子の裏面に延在する第２の配線と、
前記第２の配線を含む半導体素子上に形成された保護膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の配線と電気的に接続された導電端子を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の配線は前記第１の配線の裏面に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁膜を介して前記接着層の側面を覆うように形成された金属膜を具備することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
表面上に第１の配線が形成された半導体基板を準備し、
前記半導体基板上に接着層を介して支持体を接着する工程と、
前記半導体基板の裏面を前記複数の半導体素子の境界に沿ってエッチングする工程と、
前記半導体素子の裏面から側面及び前記接着層の側面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の配線に接続され、前記絶縁膜を介して前記半導体素子の裏面に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線を含む半導体素子上に保護膜を形成する工程と、
前記複数の半導体素子の境界に沿ってダイシングを行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
隣接する半導体素子の境界の部分に第１の絶縁膜を介して一対の第１の配線が形成された半導体基板を準備し、
前記半導体基板上に、前記一対の第１の配線をそれぞれ被覆するように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の配線を覆うように接着層を介して支持体を接着する工程と、
前記半導体基板の裏面をエッチングして、前記半導体基板を半導体素子に分断すると共に、前記第１の配線の下部にある第１の絶縁膜及び接着層の一部を露出させる工程と、
前記露出した接着層を除去して前記支持体を露出させる工程と、
前記半導体素子の裏面、第１の絶縁膜及び支持体上に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜と前記第３の絶縁膜をエッチングし、前記第１の配線の一部を露出させると共に、半導体素子の側面及び接着層の側面を被覆するように第３の絶縁膜をパターニングする工程と、
前記露出した第１の配線に接続し、かつ前記半導体基板の裏面に延在するように第２の配線を形成する工程と、
各々の前記半導体素子を分断するダイシング工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の配線に電気的に接続された導電端子を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の配線は前記第１の配線の裏面に接続されるように形成することを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の絶縁膜上に前記半導体素子の裏面から側面及び前記接着層の側面を覆うように前記第２の配線と同一膜から成る金属膜を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置及びその製造方法に関し、特に、半導体素子の外形寸法とほぼ同サイズの外形寸法を有するパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パッケージ技術として、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が注目されている。ＣＳＰとは、半導体素子の外形寸法とほぼ同サイズの外形寸法を有する小型パッケージをいう。従来より、ＣＳＰの一種として、ＢＧＡ型の半導体装置が知られている。このＢＧＡ型の半導体装置は、半田等の金属部材からなるボール状の導電端子をパッケージの一主面上に格子状に複数配列し、パッケージの他方の面上に形成される半導体素子と電気的に接続したものである。
【０００３】
そして、このＢＧＡ型の半導体装置を電子機器に組み込む際には、各導電端子をプリント基板上の配線パターンに圧着することで、半導体素子とプリント基板上に搭載される外部回路とを電気的に接続している。
【０００４】
このようなＢＧＡ型の半導体装置は、側部に突出したリードピンを有するＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等と比べて、多数の導電端子を設けることができ、しかも小型化できるという長所を有する。このＢＧＡ型の半導体装置は、例えば携帯電話機に搭載されるデジタルカメラのイメージセンサチップとしての用途がある。
【０００５】
図１３乃至図１５は従来の半導体装置の製造方法を示すもので、図１３に示すように半導体素子５１上に絶縁膜５２を介して第１の配線５３が形成され、前記第１の配線５３を被覆するようにガラス基板５４が接着層５５により接着された半導体基板を用意し、前記第１の配線５３に接続され、かつ絶縁膜５６を介して前記半導体素子５１の裏面上に延在する第２の配線５７を形成する。そして、前記半導体基板を各半導体素子５１の境界Ｓ（ダイシングラインまたはスクライブラインと呼ばれる。）に沿って分断する前段階として、ダイシングブレードを用いた半導体基板に切り込み溝Ｇを入れる工程を有していた。
【０００６】
そして、図１４に示すように前記切り込み溝Ｇを含む半導体基板裏面にソルダーレジスト膜から成る保護膜５８を形成し、その後図１５に示すように所定の工程を経て導電端子５９を形成する。最後に境界Ｓに沿ってガラス板５４を分割することにより半導体装置が完成していた。
【０００７】
上述した技術は、以下の特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００５−７２５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図１５に示すように、従来の半導体装置では、吸湿性のある樹脂から成る保護膜５８と接着層５５との接触部Ａでの耐湿性が弱く、接着層とガラス基板等間に水分等が浸入し、半導体素子５１からガラス基板５４等が剥がれるおそれがあった。また、ダイシングブレードを用いて物理的に形成した切り込み溝Ｇの形成面には細かな凹凸があり、ガラス基板５４と保護膜５８との密着性が低下する要因となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、本発明の半導体装置は、半導体素子上に形成された第１の配線と、前記半導体素子上に接着層を介して接着された支持体と、前記半導体素子の裏面から側面及び前記接着層の側面を覆う絶縁膜と、前記第１の配線に接続され、前記絶縁膜を介して前記半導体素子の裏面に延在する第２の配線と、前記第２の配線を含む半導体素子上に形成された保護膜と、を有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、表面上に第１の配線が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板上に接着層を介して支持体を接着する工程と、前記半導体基板の裏面を前記複数の半導体素子の境界に沿ってエッチングする工程と、前記半導体素子の裏面から側面及び前記接着層の側面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記第１の配線に接続され、前記絶縁膜を介して前記半導体素子の裏面に延在する第２の配線を形成する工程と、前記第２の配線を含む半導体素子上に保護膜を形成する工程と、前記複数の半導体素子の境界に沿ってダイシングを行う工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、半導体素子の裏面から側面及び前記接着層の側面を覆うように形成された絶縁膜により、支持体と接着層との間の耐湿性を向上させることができるため、半導体装置の信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の第１の実施形態による半導体装置及びその製造方法を図１乃至図１１を参照しながら説明する。
【００１３】
まず、図１に示すように、半導体基板（半導体ウエハ）１ａを用意する。なお、前記半導体基板１ａは、当該半導体基板１ａ上に、例えばＣＣＤやＣＭＯＳのイメージセンサ、照度センサやカラーセンサ及びホトダイオード、ＣＤ、ＤＶＤ、ブルーレイ用等の受光素子、半導体メモリ、またその他のデバイス素子を、所定の半導体製造プロセスにより形成したものである。その表面上に第１の絶縁膜２を介して複数の第１の配線３を形成する。
【００１４】
ここで、前記第１の配線３は、後工程であるダイシング工程において、半導体素子毎に分断するための境界Ｓ（ダイシングラインまたはスクライブラインと呼ばれる。）付近（つまり、半導体素子の端部付近）に、各々一対となるように所定の間隙を有して形成されている。尚、前記第１の配線３は、必ずしも一対となるように形成する必要はなく、境界Ｓ付近に所定間隔を有するように配置されているものであっても良い。
【００１５】
また、第１の配線３は、複数の半導体装置を分断する境界Ｓ付近まで拡張された外部接続パッドであって、各半導体装置を構成する内部素子と電気的に接続されている。
【００１６】
そして、前記第１の配線３を含む半導体基板１ａ上にはパッシベーション膜としての第２の絶縁膜４が形成されている。
【００１７】
次に、図２に示すように前記第２の絶縁膜４上に形成した開口部を有するレジスト膜５をマスクにして、所定のエッチングプロセスにより第２の絶縁膜４及び第１の絶縁膜２をエッチング除去して半導体基板１ａの一部を露出させる開口部６を形成する。
【００１８】
続いて、図３に示すように前記半導体基板１ａ上に接着層７（例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等）を用いて支持体８（例えば、ガラス基板）を貼り付ける。
【００１９】
なお、本実施形態では、支持体としてガラス基板、接着層としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂等を使用しているが、シリコン基板やプラスチックの板等を支持体として用いてもよく、接着層はこれらの支持体に対して適切な接着層を選択すればよい。
【００２０】
また、光学系の半導体素子を用いた場合には、透明な支持体と透明な接着層が必要であるが、他の半導体素子を用いた場合には、透明な材料を選択する必要はない。更には、テープやシート状のものを接着層を用いて接着しても良く、また、接着性を有するテープやシートを用いた場合には、接着層は不要となる。
【００２１】
その後、図４に示すように、前記半導体基板１ａについて、支持体８を接着した面と反対側の面（半導体基板の裏面）を研削して、およそ１００μｍ程度に基板の厚さを薄くする。
【００２２】
ここで、前記半導体基板１ａを薄く加工しても、当該半導体基板１ａは支持体８により支持されているため、反り等が発生しないため、ハンドリングがし易い。なお、前記半導体基板１ａを薄膜化する必要がない場合には、本工程は省略される。
【００２３】
そして、前記研削された半導体基板１ａの研削面ではスクラッチが発生し、幅、深さが数μm程度になる凹凸ができ研削歪みが残る。これを除去するため半導体基板１ａの研削面を薬液等でライトエッチングする。半導体基板１ａがシリコンのときはフッ酸、硝酸系の薬液等でライトエッチングを行う。なお、上記ライトエッチングは、ウエットエッチングに限らず、ドライエッチングを用いて行っても良い。
【００２４】
次に、図５に示すように、前記半導体基板１ａの裏面上に形成された開口部を有した不図示のレジスト膜をマスクにして、前記第１の配線３下の第１の絶縁膜２と接着層７の一部を露出させる様に所定のエッチングを行い半導体基板１ａに開口部９を形成する。このとき、前記開口部は各半導体素子の境界Ｓに沿って設けられるが半導体基板１ａを第１の絶縁膜２に対して高い選択比でエッチングする事が出来る薬液やエッチングガスを用いて所定の等方性エッチングもしくは異方性エッチングを行う。
【００２５】
そして、図６に示すように、前記レジスト膜をアッシング処理することでレジスト膜及び接着層７の一部を除去して開口部１０を形成する。
【００２６】
次に、図７に示すように、前記半導体素子１の裏面に対して、およそ３μｍ程度の第３の絶縁膜１１ａを形成する。ここで、前記第３の絶縁膜１１ａとしては、ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を形成する。
【００２７】
続いて、図８に示すように、前記半導体素子１の裏面上に形成された開口部を有した不図示のレジスト膜をマスクにして、前記第３の絶縁膜１１ａ及び第１の絶縁膜２をエッチングし、第１の配線３の一部を露出させる。このとき、前記第３の絶縁膜１１ａは、半導体素子１の側端部と接着層７を被覆するようにパターニングされ、第３の絶縁膜１１となる。
【００２８】
次に、第１の配線３の裏面に接続し、かつ前記第３の絶縁膜１１を介して半導体素子１の裏面に延在するように第２の配線１２を形成する。これにより、図９に示すように、前記第１の配線３と第２の配線１２とが電気的に接続される。
続いて、前記第２の配線１２上に不図示のＮｉ-Ａｕメッキ膜を形成した後、図１０に示すように、前記半導体素子１の裏面を被覆するように例えばソルダーレジスト膜から成る保護膜１３を形成する。尚、前記第２の配線１２の全面にＮｉ−Ａｕメッキ膜を形成するものではなく、前記保護膜１３に開口部を形成した後に、当該開口部に露出した前記第２の配線１２上にＮｉ−Ａｕメッキ膜を形成するものでも良い。
【００２９】
なお、前記保護膜１３を形成するためには、半導体素子１の裏面を上に向けて、熱硬化性の有機系樹脂を上方から滴下し、半導体素子１（支持体８）自体を回転させることで、この回転により生じる遠心力を利用して当該有機系樹脂を基板面上に広げるスピン塗布法を用いても良く、また、スプレー塗布法を用いても良い。
【００３０】
その後、ボール状の導電端子１４を形成する部分の保護膜１３に開口部を形成し、Ｎｉ-Ａｕメッキ膜上に導電端子１４を形成する。なお、前記ボール状の導電端子１４は、半田バンプや金バンプで作成する。
【００３１】
そして、図１１に示すように、境界Ｓに沿ってダイシングを行い、各々の半導体素子１を分離することで、ＣＳＰ型の半導体装置２０を形成する。
【００３２】
以上説明したようにして構成される本発明の半導体装置では、前記半導体素子の裏面から側面及び前記接着層７の側面を覆うように無機膜から成る第３の絶縁膜１１を形成したことで、耐湿性の低い保護膜１３から前記接着層７が保護されるため半導体装置２０の耐湿性を向上させることができる。
【００３３】
また、図６に示すように、本発明ではエッチング法を用いて化学的に接着層７を分断しているため、従来のように切り込み溝Ｇを形成するための工程が不要になり、作業性を向上させることができる。
【００３４】
更に、本発明では、前記切り込み溝Ｇを形成するためのダイシング幅を確保する必要がなくなり、その分の収量増加を図ることができる。
【００３５】
更に、従来ではダイシングブレードを用いて物理的に接着層５５を分断した面（凹凸面）に保護膜５８が接着されていたため密着性が劣っていたが、本発明ではエッチング法により化学的に処理された半導体素子の側面に絶縁膜１１を介して保護膜１３が接しているため密着性が向上する。
【００３６】
ここで、本発明の第２の実施形態として、図１２に示すように前記第３の絶縁膜１１を形成した状態で、第２の配線１２をパターニング形成する際に、前記接着層７の側面を覆うように第２の配線１２と同一層から成る金属層１２ａが残るようにパターン形成することで、前記接着層７の側面を前記第３の絶縁膜１１及び金属層１２ａで被覆するようにしても良い。これにより、半導体装置の更なる耐湿性向上が図れる。
【００３７】
また、本発明の第１及び第２の実施形態では、境界Ｓ付近まで延在させた第１の配線３に第２の配線１２を接続させる半導体装置２０に本発明を適用したものであったが、境界Ｓ付近まで延在させない通常の（半導体装置の内部側に存在する）パッド電極から成る第１の配線３ａに第２の配線１２ｂを接続させる半導体装置３０に適用するものであっても良い。
【００３８】
すなわち、第３の実施形態として、図１６に示すように半導体素子１ｂの裏面から側面及び接着層７の側面を覆うように第３の絶縁膜１１ｂを形成した状態で、第２の配線１２ｂをパターニング形成する。そして、全面に保護層１３ａを形成し、導電端子を形成するものである。
【００３９】
また、上記第３の実施形態においても、第２の実施形態と同様に、前記接着層７の側面を覆うように第２の配線１２ｂと同一層から成る金属層が残るようにパターン形成することで、前記接着層７の側面を前記第３の絶縁膜１１ｂ及び金属層で被覆するようにしても良い。
【００４０】
更に、本発明は前記第２の配線１２，１２ｂを介さず、前記第１の配線３、３ａに前記導電端子１４を直接接続させる構成の半導体装置に適用するものであっても良い。
【００４１】
なお、上記実施形態では、第２の配線１２、１２ｂと電気的に接続するボール状の導電端子１４を形成したが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、ボール状の導電端子が形成されない半導体装置（例えばＬＧＡ：Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ型パッケージ）に適用されるものであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１ａ  半導体基板    １，１ｂ  半導体素子    ２  第１の絶縁膜    ３、３ａ  第１の配線    ４  第２の絶縁膜    ６  開口部    ７  接着層    ８  支持体    １０  開口部    １１、１１ｂ  第３の絶縁膜    １２ａ  金属層    １２、１２ｂ  第２の配線    １３、１３ａ  保護膜    １４  導電端子    ２０、３０、６０  半導体装置
【図１】
2008294405.tif 000003
【図２】
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【図３】
2008294405.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2008294405.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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