(57)【要約】【課題】イオンマイグレーションによる電気的短絡が防止された配線回路基板を提供する。【解決手段】配線回路基板１００は、ベース絶縁層１０１および配線１０４０を有する。配線１０４０は、ベース絶縁層１０１の上面側の端子部１０４１、ベース絶縁層１０１のスルーホール１２３内の銅めっき層１０４、およびベース絶縁層１０１の下面側の配線パターン１０４２により構成される。端子部１０４１およびスルーホール１２３内の銅めっき層１０４を覆うようにベース絶縁層１０１の上面側に保護めっき層１０９が設けられる。配線パターン１０４２を覆うようにベース絶縁層１０１の下面側にカバー絶縁層１０８が設けられる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のスルーホールを有するベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の一面における前記第１のスルーホールを含む領域上に設けられ、金属材料からなる端子部と、
前記ベース絶縁層の他面における前記第１のスルーホールを含む領域上に設けられる第１の導体パターンと、
前記第１のスルーホール内を通して前記端子部と前記第１の導体パターンとを電気的に接続する第１の金属層と、
前記ベース絶縁層の前記一面側で前記端子部および前記第１の金属層を覆うように設けられ、金属材料からなる保護層と、
前記第１の導体パターンおよび前記第１のスルーホールを覆うように前記ベース絶縁層の前記他面上に設けられる第１の絶縁被覆層とを備えることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記保護層の金属材料は、ニッケル、金およびはんだのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第１の金属層は、前記第１のスルーホールの内壁面に沿って設けられ、前記保護層は前記第１のスルーホール内において前記第１の金属層の表面を覆うように設けられることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記ベース絶縁層は第２のスルーホールをさらに有し、前記第１の導体パターンは前記ベース絶縁層の前記他面における前記第１および第２のスルーホールを含む領域上に設けられ、
前記ベース絶縁層の前記一面における前記第２のスルーホールを含む領域上に設けられる第２の導体パターンと、
前記第２のスルーホール内を通して前記第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとを接続する第２の金属層と、
前記第２の導体パターンおよび前記第２のスルーホールを覆うように前記ベース絶縁層の前記一面上に設けられる第２の絶縁被覆層とをさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電気機器および電子機器に用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
種々の電気機器または電子機器に配線回路基板（例えば、特許文献１参照）が用いられている。
【０００３】
一般に、配線回路基板においては、ベース絶縁層上に銅からなる配線パターンが形成されている。通常、配線パターン上にはカバー絶縁層が形成されるが、端子部においては配線パターンが外部に露出する。このような配線回路基板を高温かつ高湿度の条件下で長時間使用した場合、外部に露出する端子部において銅イオンが溶出されることがある。この場合、銅イオンにより隣接する配線パターン間に短絡が生じるおそれがある。
【０００４】
そこで、上記のような銅のイオンマイグレーションを防止するために、従来より、配線パターンの端子部を金属めっき層で被覆する技術が用いられている。
【０００５】
図１３は、従来の配線回路基板を示す図である。なお、図１３において、（ａ）は配線回路基板の一端部の外観斜視図であり、（ｂ）は配線回路基板の断面図である。
【０００６】
図１３に示す配線回路基板５００においては、ベース絶縁層５０１上に複数の配線パターン５０２が形成されている。配線パターン５０２の端子部を除いて配線パターン５０２の表面を覆うように、ベース絶縁層５０１上にカバー絶縁層５０３が形成されている。また、カバー絶縁層５０３で覆われていない配線パターン５０２の端子部の表面には、ニッケルめっき層５０４および金メッキ層５０５が形成されている。
【０００７】
この配線回路基板５００においては、配線パターン５０２の端子部の表面がニッケルめっき層５０４および金メッキ層５０５で覆われている。それにより、配線パターン５０２の端子部において銅のイオンマイグレーションが発生することを防止することができる。
【特許文献１】特開平５−１５２６９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図１３の配線回路基板５００のような構成では、カバー絶縁層５０３とニッケルめっき層５０４および金メッキ層５０５との境界部において銅イオンが溶出する場合がある。それにより、配線パターン５０２間の短絡が発生する場合がある。
【０００９】
本発明の目的は、イオンマイグレーションによる電気的短絡が防止された配線回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明に係る配線回路基板は、第１のスルーホールを有するベース絶縁層と、ベース絶縁層の一面における第１のスルーホールを含む領域上に設けられ、金属材料からなる端子部と、ベース絶縁層の他面における第１のスルーホールを含む領域上に設けられる第１の導体パターンと、第１のスルーホール内を通して端子部と第１の導体パターンとを電気的に接続する第１の金属層と、ベース絶縁層の一面側で端子部および第１の金属層を覆うように設けられ、金属材料からなる保護層と、第１の導体パターンおよび第１のスルーホールを覆うようにベース絶縁層の他面上に設けられる第１の絶縁被覆層とを備えるものである。
【００１１】
この配線回路基板においては、金属材料からなる端子部がベース絶縁層の一面上に設けられ、第１の導体パターンがベース絶縁層の他面上に設けられている。端子部と第１の導体パターンとは第１のスルーホール内を通して第１の金属層により電気的に接続されている。また、金属材料からなる保護層がベース絶縁層の一面側で端子部および第１のスルーホールを覆うように設けられ、第１の絶縁被覆層がベース絶縁層の他面側で第１の導体パターンおよび第１のスルーホールを覆うように設けられている。したがって、この配線回路基板においては、端子部に電子部品を接続することができる。
【００１２】
ここで、ベース絶縁層の他面側において、第１の導体パターンおよび第１のスルーホールは第１の被覆絶縁層によって覆われている。それにより、第１の導体パターンおよび第１のスルーホール内の第１の金属層からのイオンマイグレーションを防止することができる。また、端子部は保護層によって覆われているので、端子部からのイオンマイグレーションを防止することができる。さらに、第１の絶縁被覆層と保護層との境界部が第１のスルーホール内にあるので、端子部または第１の金属層から金属イオンが溶出した場合でも、その金属イオンが第１の絶縁被覆層と保護層との境界部を通して他の端子部または導体パターンに到達することを防止することができる。
【００１３】
以上の結果、高温および高湿度条件下で配線回路基板が使用された場合にも、イオンマイグレーションによる電気的短絡を防止することができる。
【００１４】
（２）保護層の金属材料は、ニッケル、金およびはんだのうち少なくとも一つを含んでもよい。この場合、端子部からのイオンマイグレーションを確実に防止することができる。
【００１５】
（３）第１の金属層は、第１のスルーホールの内壁面に沿って設けられ、保護層は第１のスルーホール内において第１の金属層の表面を覆うように設けられてもよい。
【００１６】
この場合、めっき法により第１の金属層および保護層を形成することができる。それにより、配線回路基板の製造が容易になる。
【００１７】
（４）ベース絶縁層は第２のスルーホールをさらに有し、第１の導体パターンはベース絶縁層の他面における第１および第２のスルーホールを含む領域上に設けられ、配線回路基板は、ベース絶縁層の一面における第２のスルーホールを含む領域上に設けられる第２の導体パターンと、第２のスルーホール内を通して第１の導体パターンと第２の導体パターンとを接続する第２の金属層と、第２の導体パターンおよび第２のスルーホールを覆うようにベース絶縁層の一面上に設けられる第２の絶縁被覆層とをさらに備えてもよい。
【００１８】
この配線回路基板においては、第２の導体パターンおよび第２のスルーホールを覆うようにベース絶縁層の一面上に第２の絶縁被覆層が設けられている。それにより、第２の導体パターンおよび第２のスルーホール内の第２の金属層からのイオンマイグレーションを防止することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ベース絶縁層の他面側において、第１の導体パターンおよび第１のスルーホールは第１の被覆絶縁層によって覆われている。それにより、第１の導体パターンおよび第１のスルーホール内の第１の金属層からのイオンマイグレーションを防止することができる。また、端子部は保護層によって覆われているので、端子部からのイオンマイグレーションを防止することができる。さらに、第１の絶縁被覆層と保護層との境界部が第１のスルーホール内にあるので、端子部または第１の金属層から金属イオンが溶出した場合でも、その金属イオンが第１の絶縁被覆層と保護層との境界部を通して他の端子部または導体パターンに到達することを防止することができる。
【００２０】
以上の結果、高温および高湿度条件下で配線回路基板が使用された場合にも、イオンマイグレーションによる電気的短絡を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態に係るフレキシブル配線回路基板（以下、配線回路基板と略記する）について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
＜第１の実施の形態＞
（１）配線回路基板の製造方法
図１〜図６は、本発明の第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。なお、図１〜図６において（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。また、図１〜図６は、配線回路基板の一端部を示している。
【００２３】
まず、図１に示すように、ポリイミドからなる長尺状のベース絶縁層１０１の両面に銅からなる金属箔１０２,１０３が設けられた基板を用意する。なお、ベース絶縁層１０１の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルフォン等の他の材料を用いてもよい。また、金属箔１０２,１０３としては、アルミニウム箔またはニクロム箔等の他の金属箔を用いてもよい。
【００２４】
次に、図２に示すように、レーザ加工により、金属箔１０２、ベース絶縁層１０１および金属箔１０３を貫通するように複数（本実施の形態では３つ）のスルーホール１２３を形成する。
【００２５】
次に、図３に示すように、スルーホール１２３の内壁面、金属箔１０２の上面および金属箔１０３の下面を覆うように、銅めっき層１０４を形成する。なお、例えば、スルーホール１２３の内壁面、金属箔１０２の上面および金属箔１０３の下面を覆うように厚み０．２μｍの無電解銅めっき層を形成した後、その無電解銅めっき層上に厚み１０μｍの電解銅めっき層を形成することにより銅めっき層１０４が形成される。
【００２６】
次に、図４に示すように、ベース絶縁層１０１の上面側において、スルーホール１２３をそれぞれ含む複数の長尺状の領域を除いて金属箔１０２および銅めっき層１０４をエッチングにより除去する。これにより、ベース絶縁層１０１の上面に、金属箔１０２および銅めっき層１０４からなる複数の長尺状の端子部１０４１が形成される。
【００２７】
また、ベース絶縁層１０１の下面側において、スルーホール１２３をそれぞれ含む複数の長尺状の領域を除いて金属箔１０３および銅めっき層１０４をエッチングにより除去する。これにより、ベース絶縁層１０１の下面に、金属箔１０３および銅めっき層１０４からなる複数の長尺状の配線パターン１０４２が形成される。
【００２８】
以上の結果、端子部１０４１、スルーホール１２３内の銅めっき層１０４および配線パターン１０４２により構成される複数の配線１０４０が形成される。なお、本実施の形態においては、配線パターン１０４２の幅が端子部１０４１の幅に比べて大きく設定されている。また、端子部１０４１の一端とベース絶縁層１０１の一端とは互いにずれた位置に設けられ、配線パターン１０４２の一端とベース絶縁層１０１の一端とは互いにずれた位置に設けられている。
【００２９】
次に、図５に示すように、端子部１０４１が露出するようにベース絶縁層１０１の上面に接着剤層１０５を介してカバー絶縁層１０６が設けられる。また、配線パターン１０４２を覆うようにベース絶縁層１０１の下面に接着剤層１０７を介してカバー絶縁層１０８が設けられる。
【００３０】
次に、図６に示すように、端子部１０４１の表面およびスルーホール１２３内の銅めっき層１０４の表面を覆うように保護めっき層１０９が形成される。これにより、配線回路基板１００が完成する。なお、保護めっき層１０９は、ニッケルめっき層およびそのニッケルめっき層上に積層される金めっき層からなる。
【００３１】
本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、端子部１０４１（保護めっき層１０９）に電子部品の端子が接続される。なお、配線回路基板１００の一端部に電子部品のコネクタを嵌合させる場合、コネクタの接続用ピンの先端部が届かない位置にスルーホール１２３を形成することが望ましい。
【００３２】
（２）本実施の形態の効果
以上のように、本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、端子部１０４１は保護めっき層１０９によって覆われているので、端子部１０４１からのイオンマイグレーションを防止することができる。また、配線パターン１０４２はカバー絶縁層１０８によって覆われているので、配線パターン１０４２からのイオンマイグレーションを防止することができる。
【００３３】
さらに、保護めっき層１０９とカバー絶縁層１０８との境界部がスルーホール１２３内にあるので、端子部１０４１または配線パターン１０４２から銅イオンが溶出した場合でも、その銅イオンが保護めっき層１０９とカバー絶縁層１０８との境界部を通して他の端子部１０４１または配線パターン１０４２に到達することを防止することができる。
【００３４】
以上の結果、高温および高湿度条件下で配線回路基板１００が使用された場合にも、イオンマイグレーションによる電気的短絡が発生することを防止することができる。
【００３５】
＜第２の実施の形態＞
（１）配線回路基板の製造方法
図７〜図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。なお、図７〜図１１において（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。また、図７〜図１１は、配線回路基板の一端部を示している。
【００３６】
まず、図１と同様に、ベース絶縁層１０１の両面に金属箔１０２,１０３が設けられた基板を用意する。
【００３７】
次に、図７に示すように、レーザ加工により複数対（本実施の形態では３対）のスルーホール１２３およびスルーホール１２３０を形成する。なお、本実施の形態においては、各対のスルーホール１２３,１２３０がベース絶縁層１０１の長手方向に沿った同一直線上に位置するように形成されている。
【００３８】
次に、図８に示すように、スルーホール１２３,１２３０の内壁面、金属箔１０２の上面および金属箔１０３の下面を覆うように、図３と同様の銅めっき層１０４を形成する。
【００３９】
次に、図９に示すように、ベース絶縁層１０１の上面側において、スルーホール１２３をそれぞれ含む複数の長尺状の領域およびスルーホール１２３０をそれぞれ含む複数の長尺状の領域を除いて金属箔１０２および銅めっき層１０４をエッチングにより除去する。これにより、ベース絶縁層１０１の上面に、図４と同様の複数の端子部１０４１ならびに金属箔１０２および銅めっき層１０４からなる複数の長尺状の配線パターン１０４３が形成される。
【００４０】
また、ベース絶縁層１０１の下面側において、各対のスルーホール１２３,１２３０をそれぞれ含む複数の長尺状の領域を除いて金属箔１０３および銅めっき層１０４をエッチングにより除去する。これにより、ベース絶縁層１０１の下面に、金属箔１０３および銅めっき層１０４からなる複数の長尺状の配線パターン１０４４が形成される。
【００４１】
以上の結果、端子部１０４１、スルーホール１２３内の銅めっき層１０４、配線パターン１０４４、スルーホール１２３０内の銅めっき層１０４および配線パターン１０４３により構成される複数の配線１０５０が形成される。なお、本実施の形態においては、配線パターン１０４４の幅が端子部１０４１および配線パターン１０４３の幅に比べて大きく設定されている。また、端子部１０４１の一端とベース絶縁層１０１の一端とは互いにずれた位置に設けられ、配線パターン１０４４の一端とベース絶縁層１０１の一端とは互いにずれた位置に設けられている。
【００４２】
次に、図１０に示すように、端子部１０４１が露出するようにベース絶縁層１０１の上面に接着剤層１０７を介してカバー絶縁層１０６が設けられる。また、配線パターン１０４４を覆うようにベース絶縁層１０１の下面に接着剤層１０７を介してカバー絶縁層１０８が設けられる。
【００４３】
次に、図１１に示すように、端子部１０４１の表面およびスルーホール１２３内の銅めっき層１０４の表面を覆うように保護めっき層１０９が形成される。これにより、配線回路基板２００が完成する。
【００４４】
（２）本実施の形態の効果
以上のように、本実施の形態に係る配線回路基板２００においては、ベース絶縁層１０１の上面側の配線パターン１０４３と下面側の配線パターン１０４４とがスルーホール１２３０内の銅めっき層１０４により電気的に接続されている。すなわち、本実施の形態においては、スルーホール１２３０を用いることにより、配線パターン１０４３,１０４４からなる配線１０５０をベース絶縁層１０１の上面および下面に任意のパターンで自在に配設することができる。それにより、配線回路基板２００の設計自由度が向上する。
【００４５】
また、端子部１０４１は保護めっき層１０９によって覆われているので、端子部１０４１からのイオンマイグレーションを防止することができる。また、配線パターン１０４３はカバー絶縁層１０６によって覆われ、配線パターン１０４４はカバー絶縁層１０８によって覆われているので、配線パターン１０４３,１０４４からのイオンマイグレーションを防止することができる。
【００４６】
さらに、保護めっき層１０９とカバー絶縁層１０８との境界部がスルーホール１２３内にあるので、端子部１０４１または配線パターン１０４４から銅イオンが溶出した場合でも、その銅イオンが保護めっき層１０９とカバー絶縁層１０８との境界部を通して他の端子部１０４１または配線パターン１０４３,１０４４に到達することを防止することができる。
【００４７】
以上の結果、高温および高湿度条件下で配線回路基板２００が使用された場合にも、イオンマイグレーションによる電気的短絡が発生することを防止することができる。
【００４８】
（３）他の実施の形態
上記実施の形態においては、ニッケルめっき層および金めっき層からなる保護めっき層１０９を例に挙げたが、保護めっき層１０９の構成は上記の例に限定されない。例えば、保護めっき層１０９が、ニッケルめっき層の単層であってもよく、金めっき層の単層であってもよい。また、ニッケルめっき層または金めっき層の代わりに、はんだめっき層等の他の金属めっき層を設けてもよい。
【００４９】
また、上記実施の形態においては、３本の配線１０４０が形成されているが、２本の配線１０４０が形成されてもよく、４本以上の配線１０４０が形成されてもよい。
【００５０】
また、上記実施の形態においては、スルーホール１２３の内壁面に沿って銅めっき層１０４が形成されているが、スルーホール１２３内に充填されるように銅めっき層１０４が形成されてもよい。なお、この場合、保護めっき層１０９は、端子部１０４１およびスルーホール１２３に充填された銅めっき層１０４を覆うように形成される。
【００５１】
また、上記実施の形態においては、サブトラクティブ法により配線１０４０,１０５０を形成しているが、アディティブ法またはセミアディティブ法により配線１０４０,１０５０を形成してもよい。
【００５２】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００５３】
上記実施の形態では、スルーホール１２３が第１のスルーホールの例であり、配線パターン１０４２または配線パターン１０４４が第１の導体パターンの例であり、銅めっき層１０４が第１の金属層または第２の金属層の例であり、保護めっき層１０９が保護層の例であり、保護めっき層１０９が第１の絶縁被覆層の例であり、スルーホール１２３０が第２のスルーホールの例であり、配線パターン１０４３が第２の導体パターンの例であり、カバー絶縁層１０８が第２の絶縁被覆層の例である。
【００５４】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【実施例】
【００５５】
実施例および比較例の配線回路基板を作製し、信頼性試験を行った。
【００５６】
（１）実施例１
実施例においては、図１〜図６で説明した構成を有する配線回路基板１００を作製した。実施例の配線回路基板１００において、ベース絶縁層１０１は厚み２５μｍのポリイミドからなり、金属箔１０２,１０３としてはそれぞれ厚み１０μｍの銅箔を用いた。また、スルーホール１２３の直径は７０μｍとした。
【００５７】
スルーホール１２３の内壁面、金属箔１０２の上面および金属箔１０３の下面を覆うように厚み０．２μｍの無電解銅めっき層を形成した後、その無電解銅めっき層上に厚み１０μｍの電解めっき層を形成することにより銅めっき層１０４を形成した。接着剤層１０５およびカバー絶縁層１０６としては、接着剤付きポリイミドフィルムを用いた。
【００５８】
保護めっき層１０９は、厚み６μｍの電解ニッケルめっき層および厚み０．３μｍの電解金めっき層からなる。なお、端子部１０４１上の保護めっき層１０９の幅Ｂ（図６参照）は、１５０μｍであり、隣接する保護めっき層１０９間の間隔Ｃ（図６参照）は５０μｍである。
【００５９】
（２）実施例２
実施例２においては、実施例１と同様の条件で、図７〜図１１で説明した配線回路基板２００を作製した。
【００６０】
（３）比較例
図１２に比較例の配線回路基板を示す。なお、図１２において（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００６１】
比較例の配線回路基板が実施例の配線回路基板１００と異なるのは以下の点である。
【００６２】
図１２に示すように、比較例の配線回路基板３００においては、ベース絶縁層１０１の上面のみに金属箔１０２が設けられている。金属箔１０２上に複数の長尺状の配線１０６０が形成されている。配線１０６０は、図４の端子部１０４１と同様の方法で形成される。
【００６３】
配線１０６０の端子部１０６１が露出するように、金属箔１０２の上面に接着剤層１０５を介してカバー絶縁層１０６が設けられる。また、カバー絶縁層１０６で被覆されていない金属箔１０２の上面の領域において配線１０６０を覆うように保護めっき層１０９が設けられる。なお、保護めっき層１０９の幅Ｂは、１５０μｍであり、隣接する保護めっき層１０９間の間隔Ｃは５０μｍである。
【００６４】
（４）評価
信頼性試験においては、実施例１の配線回路基板１００、実施例２の配線回路基板２００および比較例の配線回路基板３００を、温度６５℃および湿度９５％の雰囲気中に１２時間放置した後、隣接する配線１０４０間、隣接する配線１０５０間および隣接する配線１０６０間にそれぞれ５０Ｖの直流電圧を印加した。そして、隣接する配線１０４０間の抵抗値、隣接する配線１０５０間の抵抗値、および隣接する配線１０６０間の抵抗値をそれぞれ測定した。
【００６５】
その結果、比較例の配線回路基板３００においては、配線１０６０間の抵抗値が３８０時間後に１×１０６[Ω]以下になったが、実施例１の配線回路基板１００および実施例２の配線回路基板２００においては、１０００時間を経過しても配線１０４０間および配線１０５０間の抵抗値が１×１０６[Ω]以下にならなかった。
【００６６】
ここで、比較例の配線回路基板３００（図１２）においては、保護めっき層１０９とカバー絶縁層１０６との境界部が配線１０６０上に位置している。そのため、比較例の配線回路基板３００においては、一の配線１０６０の上記境界部と、隣接する他の配線１０６０の上記境界部との距離が短い。それにより、上記境界部から一の配線１０６０の銅イオンが溶出した場合、その銅イオンが隣接する他の配線１０６０の上記境界部に容易に到達することが考えられる。その結果、比較例の配線回路基板３００の配線１０６０間の抵抗値が、実施例１の配線１０４０間の抵抗値および実施例２の配線１０５０間の抵抗値に比べて短時間で低下したと考えられる。
【００６７】
一方、実施例１および実施例２の配線回路基板１００,２００（図６および図１１）においては、保護めっき層１０９とカバー絶縁層１０８との境界部がスルーホール１２３内にあるので、端子部１０４１、配線パターン１０４２または配線パターン１０４４から銅イオンが溶出した場合でも、その銅イオンが上記境界部を通して他の端子部１０４１、配線パターン１０４２または配線パターン１０４４に到達することを防止することができる。その結果、実施例１および実施例２の配線回路基板１００,２００の絶縁信頼性が向上したと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、種々の電気機器または電子機器に用いられる配線回路基板に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図２】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図５】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図６】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図７】第２の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図８】第２の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図９】第２の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程図である。
【図１２】比較例の配線回路基板を示す図である。
【図１３】従来の配線回路基板を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１００,２００    配線回路基板
１０１    ベース絶縁層
１０４    銅めっき層
１０８    カバー絶縁層
１０９    保護めっき層
１２３    スルーホール
１０４０,１０５０    配線
１０４１    端子部
１０４２,１０４３,１０４４    配線パターン
【図１】
2008294351.tif 000003
【図２】
2008294351.tif 000004
【図３】
2008294351.tif 000005
【図４】
2008294351.tif 000006
【図５】
2008294351.tif 000007
【図６】
2008294351.tif 000008
【図７】
2008294351.tif 000009
【図８】
2008294351.tif 000010
【図９】
2008294351.tif 000011
【図１０】
2008294351.tif 000012
【図１１】
2008294351.tif 000013
【図１２】
2008294351.tif 000014
【図１３】
2008294351.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
上記実施の形態では、スルーホール１２３が第１のスルーホールの例であり、配線パターン１０４２または配線パターン１０４４が第１の導体パターンの例であり、銅めっき層１０４が第１の金属層または第２の金属層の例であり、保護めっき層１０９が保護層の例であり、カバー絶縁層１０８が第１の絶縁被覆層の例であり、スルーホール１２３０が第２のスルーホールの例であり、配線パターン１０４３が第２の導体パターンの例であり、カバー絶縁層１０６が第２の絶縁被覆層の例である。