(57)【要約】【課題】動作モードや環境の要因によって、磁気ヘッドの浮上量がばらつくという問題に対して、磁気ディスクの浮上量の絶対値を、精度良くコントロールすることが可能な磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】磁気ディスクに対する磁気ヘッドの位置を変位させる作動部と、前記磁気ヘッドの震動を検出するセンサ部と、前記震動に基づいて前記磁気ヘッドと前記磁気ディスクが接触したことを検出し、該検出結果に基づき前記作動部を制御する制御部とを有する。【選択図】図２
2008159160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクに対する磁気ヘッドの位置を変位させる作動部と、
前記磁気ヘッドの震動を検出するセンサ部と、
前記震動に基づいて前記磁気ヘッドと前記磁気ディスクが接触したことを検出し、該検出結果に基づき前記作動部を制御する制御部と
を有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記作動部が、
通電により熱膨張し、前記スライダの前記磁気ディスクに対向する面を前記磁気ディスク側に突出させるヒータを備える
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記センサ部が前記震動を電気信号に変換し、
前記制御部が、前記電気信号に基づいて前記接触した際の前記ヒータの通電量を検出し、該検出した通電量に基づいて前記磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上量を制御する
ことを特徴とする請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記制御部が、
前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクに接触したときに最も増大する前記震動の周波数成分を受け、前記周波数成分に基づいて前記接触したことを検出する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記周波数成分のピークが予め定めた基準値に到達したときを、前記接触したときと判断する
ことを特徴とする請求項４に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記センサ部が、窒化アルミニウムを電極で挟んだ構成を有する圧電素子である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記磁気ヘッドが、前記磁気ディスクからの浮力を得るスライダの浮上面と隣接する第１の面に配置され、
前記圧電素子が、前記第１の面に対向する第２の面に配置される
ことを特徴とする請求項６に記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
磁気ディスクに対する磁気ヘッドの位置を変位させる作動部と、前記磁気ヘッドの震動を検出するセンサ部とを備えた磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量調節方法であって、
前記磁気ヘッドを前記ディスクに接触させたときの震動を測定し、
前記震動に基づいて前記磁気ヘッドと前記磁気ディスクが接触したことを検出し、
該検出結果に基づき前記磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上量を制御する
ことを特徴とする磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
【請求項９】
前記作動部が、通電により熱膨張し、前記スライダの前記磁気ディスクに対向する面を前記磁気ディスク側に突出させるヒータを備える
ことを特徴とする請求項８に記載の磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
【請求項１０】
前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクに接触したときに最も増大する前記震動の周波数成分を測定し、前記周波数成分に基づいて前記接触したことを検出する
ことを特徴とする請求項８または９に記載の磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの浮上量を精度良く調節することを可能とした磁気ディスク装置及びその磁気ヘッド浮上量制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置（ＨＤＤ：Hard Disk Drive）においては、磁気ディスク、磁気ヘッド、信号処理等の技術改良によって、以前から非常に高い伸び率で大容量化が進み、それに伴い、磁気ディスクのトラックが狭ピッチ化している。このような状況下において、浮上型ヘッドが使用される磁気ディスク装置の場合には、磁気ヘッドの浮上量を微小且つ一定に保つことが信頼性向上のために重要である。
【０００３】
磁気ヘッドを浮上させるためには、磁気ヘッドを搭載するスライダ（Slider）が使用される。スライダは、磁気ディスクの回転によって発生する空気流を受け、磁気ヘッドを適正の浮上量に浮上させる役割を担う。このような機構のため、磁気ヘッドの浮上量がスライダの形状に影響され、装置ごとにバラツキを生じるという問題がある。更には、磁気ヘッドの浮上量が気圧の変化によっても変動するという問題もある。
【０００４】
このように、磁気ヘッドの浮上量がばらつくという問題に対して、磁気ヘッドの浮力を調整する手段を設けて、浮上量を調整する方法が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１によれば、特許文献１に記載の磁気ディスク装置は、スライダ内に圧電素子を搭載し、動作モードに応じてその変形量を制御する。そして、当該圧電素子の変形によりスライダの形状（クラウン量）が変形し、磁気ヘッドの浮力を変化させる。
【特許文献１】特開平０６−２６７２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の磁気ディスク装置では、磁気ヘッドに生じる浮力を調節することにより磁気ヘッドの浮上量の調整している。そのため、特許文献１に開示されている技術では、動作モードや環境の要因によって生じる磁気ヘッド浮上量のバラツキを小さくすることはできるものの、磁気ディスクの表面を基準とした磁気ヘッドの浮上量を制御することができない。すなわち、磁気ディスクの浮上量の絶対値を、精度良くコントロールすることができないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、磁気ディスクの浮上量の絶対値を精度良くコントロールすることが可能な磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題は、磁気ヘッドを磁気ディスクに接触させ、当該接触したときの制御状態を基準として磁気ヘッドの浮上量を調節することによって解決可能である。
【０００８】
すなわち、本発明の一観点によれば、本発明の磁気ディスク装置は、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの位置を変位させる作動部と、前記磁気ヘッドの震動を検出するセンサ部と、前記震動に基づいて前記磁気ヘッドと前記磁気ディスクが接触したことを検出し、該検出結果に基づき前記作動部を制御する制御部とを有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の他の観点によれば、本発明の磁気ヘッド浮上量制御方法は、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの位置を変位させる作動部と、前記磁気ヘッドの震動を検出するセンサ部とを備えた磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量調節方法であって、前記磁気ヘッドを前記ディスクに接触させたときの震動を測定し、前記震動に基づいて前記磁気ヘッドと前記磁気ディスクが接触したことを検出し、該検出結果に基づき前記磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上量を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
このような構成にすることにより、本発明の磁気ディスク装置は、磁気ディスクの表面を基準とした磁気ヘッドの浮上量を、精度良く調節することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、本発明の実施例１に係る磁気ディスク装置の概略構成を示した図である。図１に示されるように、ヘッド部２０は、磁気ディスク１００上で、磁気ディスク１００からのデータの読み出しや、磁気ディスク１００に対するデータの書き込みを行なう。また、ヘッド部２０には、スライダ２４が搭載されている。スライダ２４は、図１に示すように、基板４０上に磁気ヘッド３０及びセンサ５０が配置された構造を有している。なお、磁気ディスク１００は、データの記憶が可能な記憶領域１０２と、データの記憶が行われない非記憶領域１０４とを有している。
【００１３】
磁気ヘッド３０は、上述したように、磁気ディスク１００からのデータの読み出しや、磁気ディスク１００に対するデータの書き込みを行なう。磁気ヘッド３０内には、磁気ディスク１００からのデータの読み出しを行うリードヘッド（不図示）及び磁気ディスク１００に対するデータの書き込みを行なうライトヘッド（不図示）が配置されている。また、磁気ヘッド３０内には、通電により発熱し、スライダ２４の磁気ディスク１００に対向する面を突出させるヒータ（不図示）が配置されている。ヒータには、制御部１０の電流供給回路１８から電流が供給される。そして、電流の供給量に応じて発熱し、スライダ２４の磁気ディスク１００に対向する底面を膨張させる。このスライダ２４の底面の膨張によって、磁気ディスク１００の表面とリードヘッド（の磁気ディスク１００側の端部）との距離、及び、磁気ディスク１００の表面とライトヘッド（の磁気ディスク１００側の端部）との距離は、小さくなる方向に変動する。即ち、磁気ディスク１００の表面に対する磁気ヘッド３０の位置は、ヒータに供給され電流の量（エネルギーの量）に応じて変位する。このとき、磁気ディスク１００の表面に対するスライダ２４の位置（スライダ自体の浮上量）は殆ど変位せず、スライダ２４の底面の突出量が、磁気ヘッド３０の変位分と等しくなる。なお、リードヘッド、ライトヘッド及びヒータの具体的な配置については、後述する。
【００１４】
センサ５０は、基板４０と磁気ヘッド３０との間に設けられ、スライダ２４に発生する機械的な振動を電気信号１１ａに変換する。この電気信号１１ａは、配線２８を経由して制御部１０の信号増幅回路１２に送られる。
【００１５】
制御部１０は、例えば、磁気ディスク装置１の動作を制御するコントロールボード（不図示）に設けられている。制御部１０は、図１に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０ａ、ＣＰＵ１０ａについての制御用プログラムを格納するメモリ１０ｂ、これらの間で信号を伝送するバス１０ｃ等から構成され、磁気ディスク装置１の動作の制御を行う。また、制御部１０は、バス１０ｃに接続され、外部に対して信号の入出力を行う入出力回路１０ｄを有している。メモリ１０ｂは、データを一時的に記憶させておくＲＡＭや、プログラムを搭載したＲＯＭ等から構成されている。また、制御部１０には、バス１０ｃを介してＣＰＵ１０ａに接続された信号増幅回路１２，フィルタ回路１４，比較回路１６，電流供給回路１８等が設けられている。
【００１６】
信号増幅回路１２は、センサ５０からの電気信号１１ａを受けると、ＣＰＵ１０ａからの指令によって、電気信号１１ａを増幅させる。（なお、電気信号１１ａを直接信号増増幅回路１２に入力せずに、入出力回路１０ｄを経由して信号増増幅回路１２に入力するようにしても良い。）そして、増幅された信号１１ｂを、例えばバス１０ｃを経由して、フィルタ回路１４に送出する。信号増幅回路１２は、例えば、電気信号１１ａのＳ／Ｎ比を保持したままで、その電圧レベルを増幅する。なお、この電気信号１１ａの増幅動作については、ＣＰＵ１０ａからの指令によらずに、信号増幅回路１２のみで（当該増幅動作を）行なえるようにしても良い。
【００１７】
フィルタ回路１４はセンサ５０からの信号１１ｂを受けると、ＣＰＵ１０ａからの指令によって、信号１１ｂをフィルタリングする。そして、フィルタ回路１４は、フィルタリングされた信号１１ｃを、例えばバス１０ｃを経由して、比較回路１６に送出する。フィルタ回路１４は、例えば、数十ＫＨｚ以下の周波数成分と、数ＭＨｚ以上の周波数以下をフィルタリングして、信号１１ｂのＳ／Ｎ比を改善させる。なお、この信号１１ｂのフィルタリングについては、ＣＰＵ１０ａからの指令によらずに、フィルタ回路１４のみで（当該フィルタリングを）行なえるようにしても良い。
【００１８】
比較回路１６は、フィルタ回路１４からの信号１１ｃを受けると、ＣＰＵ１０ａからの指令によって、信号１１ｃのピーク値を基準値（リファレンス値）と比較する。そして、比較回路１６は、比較した結果１１ｄを電流供給回路１８に通知する。具体的には、信号１１ｃのピーク値が、予め求めた基準値よりも大きくなったときに、その通知１１ｄを電流供給回路１８に対して行う。この電流供給回路１８に対する通知１１ｄは、例えば、バス１０ｃを経由して行なわれる。なお、この信号１１ｃのピーク値と基準値との比較については、ＣＰＵ１０ａからの指令によらずに、フィルタ回路１６のみで（当該比較を）行なえるようにしても良い。
【００１９】
ここでの基準値とは、例えば、同じタイプの複数の磁気ディスク装置１を実測することによって求めた値である。具体的には、用意した各磁気ディスク装置１について、磁気ヘッド３０を磁気ディスク１００の表面に接触させ、接触前と接触後（接触時）の信号１１ｃを測定する。この測定結果から、ピーク値が最も変化が最も大きな信号１１ｃの周波数を特定する。そして、その特定された周波数成分における接触前のピーク値と接触後（接触時）のピーク値の略中間の値を、基準値とする。或いは、当該基準値を、シミュレーションによって求めても良い。或いは、磁気ヘッド３０の浮上量の調整を行う磁気ディスク装置１自身を使用して、基準値を求めるようにしても良い。その場合、例えば、磁気ディスク装置１の筐体（不図示）に小さな透明窓（不図示）を設けておく。そして、完成した磁気ディスク装置１を完成させた後に、その透明孔から磁気ヘッド３０の震動を観測することにより、磁気ヘッド３０が磁気ディスク１００に接触したときを求める。なお、このように、透明孔から磁気ヘッド３０の震動を観測する場合には、測定装置として、例えば、レーザー光を対象物に照射し、その反射光の位相差から相対速度を計測するレーザードップラー震動計が使用可能である。
【００２０】
電流供給回路１８は、比較回路１６からの通知１１ｄを受けると、ＣＰＵ１０ａからの指令によって、ヒータに供給する電流１１ｅの値を制限する。制御部１０内のＲＯＭには、例えば、ヒータに供給される電流１１ｅと磁気ヘッド３０の浮上量との関係を記憶させておく。このヒータに供給される電流１１ｅと磁気ヘッド３０の浮上量との関係は、浮上量の調整が行われる磁気ディスク装置１自身から得られた結果であることが望ましい。従って、上記の関係は、例えば最初の電源投入直後に、磁気ディスク装置１が自動的に測定を行い、測定した結果をＲＯＭの所定のアドレスに書き込むようにする。また、上記の関係を、シミュレーションによって求め、外部から（ＲＯＭの所定のアドレスに）強制的に書き込むようにしても良い。なお、これらの処理の全てを、ＣＰＵ１０ａが、ＲＯＭ内に書き込まれたプログラムに基づいて実行するようにしても良い。また、ヒータへ供給される電流１１ｅを、パルス状にして供給するようにしてもよい。
【００２１】
比較回路１６からの通知１１ｄを受けた電流供給回路１８は、通知１１ｄを受けたときに、磁気ヘッド３０が磁気ディスク１００の表面に接触したと認識する。そして、電流供給回路１８は、ＣＰＵ１０ａの指令によって、当該通知を受けた時点におけるヒータへの電流供給値（例えば電流１１ｅの値）を、制御部１０内のＲＡＭに一時的に記憶させる。なお、ヒータへ供給される電流１１ｅがパルス状である場合には、電流供給回路１８は、例えば、単位時間当たりの積分値等を供給電流値１１ｅとみなして、ＲＡＭに記憶させる。また、この記憶の処理を、全てＣＰＵ１０ａが、ＲＯＭ内に書き込まれたプログラムに基づいて実行するようにしても良い。その後、電流供給回路１８は、ＣＰＵ１０ａの指令によって、磁気ヘッド３０が磁気ディスク１００の表面に接触したときの電流１１ｅの値から、最適な浮上量Ｈｓに相当する電流値Ｉｓを求め、ヒータに供給する値を（Ｉｓの値に）設定する。そして、リード動作及びライト動作を行う場合に、この電流値Ｉｓを、配線２９を経由してヒータに供給する。（このとき、ヒータに供給する電流１１ｅを、直接電流供給回路１８から供給せずに、入出力回路１０ｄを経由して供給するようにしても良い。）
＜磁気ヘッドの浮上量を調整するフロー＞
次に、図１に示した磁気ディスク装置１を使用して、磁気ヘッドの浮上量の調整を行う方法について説明する。図２は、磁気ヘッドの浮上量を調整する方法のフローチャートを示した図であり、図３は、図２のフローチャートにおける主要なステップについて、ヘッド部２０の状態を示した図である。
【００２２】
−ステップ１−
磁気ディスク装置１の電源がオンされる。磁気ディスク装置１の電源がオンされると、制御部１０のＣＰＵ１０ａは、磁気ディスク１００の軸（spindle）を回転させることによって、磁気ディスク１００を回転させる。
【００２３】
−ステップ２−
次に、制御部１０は、磁気ヘッド３０が磁気ディスク１００の非記憶領域１０４上に位置するように、ヘッド部２０を移動させる。具体的には、例えば、図３（ａ）に示したように、ヘッド部２０を矢印の方向に移動する。なお、このヘッド部２０の移動は、磁気ディスク１００を回転させる前に行っても良い。また、このヘッド２０の移動先を、磁気ディスク１００の記憶領域１０２内の特定のトラックに指定し、磁気ヘッド３０を接触させるトラックについては、データの読み出しや書き込みを行わないようにしても良い。
【００２４】
−ステップ３−
次に、ＣＰＵ１０ａは、磁気ヘッド３０内のヒータに供給する電流の値を所定の量だけ増加させる。最初は、ヒータに供給する電流の値がゼロであるため、前記所定の増加分の電流がヒータに供給される。（なお、ステップ６の処理の後で本ステップに戻った場合、ヒータに供給する電流の値を徐々に増加させる。）そして、供給された電流の値に応じて、ヒータは、スライダ２４の底面２４ｂを磁気ディスク１００側に突出させる。この状態を図で示したのが図３（ｂ）である。なお、図３（ｂ）では、底面２４ｂの１部分のみが局所的に突出した状態（突出部７２）を示したが、底面２４ｂがもっと広い範囲に亘って突出した状態であっても良い。但し、いずれの場合でも、最も突出している部分がヘッド３０の底面と一致していることが望ましい。
【００２５】
−ステップ４−
次に、ＣＰＵ１０ａは、センサ５０からの電気信号１１ａのサンプリングを開始する。先ず、ＣＰＵ１０ａは、信号増幅回路１２に対して、センサ５０からの電気信号１１ａの電圧レベルを増幅するように指示する。そして、増幅した信号１１ｂをフィルタ回路１４に送出させる。
【００２６】
−ステップ５−
次に、ＣＰＵ１０ａは、フィルタ回路１４に対して、信号増幅回路１２からの信号１１ｂのフィルタリングを行うように指示する。そして、フィルタリングされた信号１１ｃを比較回路１６に送出させる。このフィルタリングでは、上述したように、例えば、数十ＫＨｚ以下の周波数成分と、数ＭＨｚ以上の周波数成分をフィルタリングして、信号１１ｂのＳ／Ｎ比を改善させる。なお、同じタイプの複数の磁気ディスク装置１を調査して必要な周波数成分を特定し、特定された周波数成分以外の周波数成分を取り除くようにしても良い。
【００２７】
−ステップ６−
次に、ＣＰＵ１０ａは、比較回路１６に対して、信号１１ｃの強度が基準値を越えるか否かを比較させる。そして、ＣＰＵ１０ａは、比較した結果が、信号１１ｃの強度が基準値を越えてない場合には、ステップ３に戻るように指示する。また、信号１１ｃの強度が基準値を越えた場合には、電流供給回路１８にその通知（信号１１ｃの強度が基準値を越えたことの通知）１１ｄを行い、ステップ７に進むように指示する。ここで、信号１１ｃの強度が基準値を複数回（例えば、３回）連続して越えたときにのみステップ７に進むようにしても良い。このような処理にすることにより、ノイズに影響されない確実な判断が可能となる。
【００２８】
−ステップ７−
次に、ＣＰＵ１０ａは、電流供給回路１８に対して、信号１１ｃの強度が基準値を越えた時点におけるヒータ７０への電流供給値Ｉｃ（衝突エネルギー値Ｅ２）をメモリ１０ｂ内のＲＡＭに記憶するように指示する。
【００２９】
−ステップ８−
次に、ＣＰＵ１０ａは、メモリ１０ｂ内のＲＯＭに予め設定しておいた「ヒータに供給される電流１１ｅと磁気ヘッド３０の浮上量との関係」に基づいて、最適電流値Ｉｓ（最適エネルギー値Ｅ１）を得る。
【００３０】
−ステップ９−
次に、ＣＰＵ１０ａは、電流供給回路１８に対して、ヒータに供給する電流１１ｅが、ステップ８で入手した最適電流値Ｉｓ（最適エネルギー値Ｅ１）に設定されるように指示する。
【００３１】
−ステップ１０−
次に、ＣＰＵ１０ａは、最適電流値Ｉｓをヒータに供給した状態で、磁気ディスク１００からのデータの読み出し（リード動作）、及び、磁気ディスク１００に対するデータの書き込み（ライト動作）を行う。なお、この状態を示したのが図３（ｃ）である。
【００３２】
以上のようなステップで、磁気ヘッド３０の浮上量を制御する。以上のような制御を行うことにより、磁気ディスクの表面を基準とした磁気ヘッドの浮上量を、精度良く調節することができる。なお、磁気ヘッド３０の浮上量とヒータ７０に供給される電流１１ｅとの関係が、リード動作の場合とライト動作の場合とで異なるときには、磁気ヘッド３０の浮上量の調整を、リード動作の場合とライト動作の場合とで、別々に行っても良い。また、以上ステップ３〜ステップ６の処理については、ＣＰＵ１０の指令によらずに、各回路が独自に処理を行うようにしても良い。
【００３３】
次に、サンプリングされた信号波形から、磁気ヘッド３０が磁気ディスク１００に接触するポイント（浮上量の基準点）を検出する方法について説明する。図４は、フィルタ回路１４から出力された信号１１ｃの一例を示した図である。図４（ａ）は、磁気ヘッド３０が磁気ディスク１００に接触する前の状態における信号であり、図４（ｂ）は、磁気ヘッド３０が磁気ディスク１００に接触した直後の状態における信号である。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、横軸がサンプリング周波数であり、縦軸が信号強度である。
【００３４】
このように、磁気ヘッド３０が磁気ディスク１００の表面に接触すると、特定の周波数（特定周波数：ｆｐ）における信号成分だけが急激に大きくなり、特定周波数ｆｐにおける信号のピーク値が基準値を越える。このように、接触した際に最も増大する周波数成分を特定周波数とする。この特定周波数ｆｐは、スライダ２４の形状等によって決まる値である。すなわち、特定周波数ｆｐは、スライダ２４の形状等によって影響される。そのため、特定周波数ｆｐは、同じタイプの装置であれば、（装置ごとに多少ばらつきはあるけれども、）図４（ｂ）のように、特定周波数ｆｐが変動する範囲ｆｐｒａｎｇｅの最小値（ｍｉｎ）及び最大値（ｍａｘ）を設定することができる。
【００３５】
図５は、ヒータ７０のエネルギー投入量に対して、ヘッド浮上量及び信号強度がどのように変化するかを示した図である。ヘッド浮上量とは、磁気ヘッド３０の磁気ディスク１００に対する磁気ヘッドの浮上量のことである。また、信号強度とは、信号１１ｃにおける特定周波数ｆｐの信号強度のことである。図５（ａ）に示すように、ヒータ７０に対するエネルギーの投入量を増加させると、磁気ヘッド３０の浮上量が徐々に低下する。そして、エネルギー投入量がＥ２になったときに、磁気ヘッド３０の浮上量がゼロになる。すなわち、磁気ヘッド３０（スライダ２４）の底面が磁気ディスク１００の表面に接触する。このとき、図５（ｂ）に示すように、信号１１ｃの信号強度（ピーク値）が急激に増大し、基準値Ｖｒを超える。
【００３６】
次に、センサ５０をスライダ２４に搭載した例をいくつか示す。図６は、センサ５０を基板４０と磁気ヘッド３０との間（位置Ａ）に配置した例である。図６に示すように、センサ５０には、電気信号を得るための複数の電極５１が設けられている。なお、図６（ａ）はスライダ２４の斜視図であり、図６（ｂ）はスライダ２４を面Ｓで切断した断面図である。図６（ｂ）に示すように、磁気ヘッド３０は、その内部に、リードヘッド３１及びライトヘッド３５を備えている。リードヘッド３１は、２つのシールド層３２と、シールド層３２に挟まれたリード素子３３等から構成されている。ライトヘッド３５は、ライトコイル３６と、ライトコイル３６によって磁化される磁極３８等から構成されている。磁気ヘッド３０は更に、ライトコイル３６と磁極３８の間に設けられたヒータ７０を備えている。また、これらヘッドの主要構成部分（リードヘッド３１、ライトヘッド３５及びヒータ７０）は、図に示すように、保護膜３９に覆われている。
【００３７】
図７は、センサ５０を、基板４０を挟んで、磁気ヘッド３０が配置されている側と反対側（位置Ｂ）に配置した例である。なお、図７（ａ）はスライダ２４の斜視図であり、図７（ｂ）はスライダ２４を面Ｓで切断した断面図である。なお、磁気ヘッド３０の内部の構成は、図６と同じであるため、その説明を省略する。
【００３８】
図８は、センサ５０を、基板４０の上面（位置Ｃ）に配置した例である。なお、図８（ａ）はスライダ２４の斜視図であり、図８（ｂ）はスライダ２４を面Ｓで切断した断面図である。なお、磁気ヘッド３０の内部の構成は、図６と同じであるため、その説明を省略する。位置Ｃに配置した場合には、位置Ａ，位置Ｂと比べてセンサ５０の面積を大きくすることができる。そのため、スライダ２４の震動を大きな面積で受けることができ、信号の感度（Ｓ／Ｎ比）を大きくすることができるというメリットがある。図８では、センサ５０の電極を磁気ヘッド３０の側に設けた例を示したが、磁気ヘッド３０からの引き出し線の存在により、磁気ヘッド３０の周囲にスペースを確保し難い場合には、磁気ヘッド３０が設けられている側と反対の側に電極を設けても良い。
【００３９】
図９は、ヘッド部２０を拡大した図である。このように、アーム２２の先端（アーム先端２２ａ）にスライダ２４が搭載される。また、図に示すように、例えば、スライダ２４からの配線２８、２９がアーム２２の下面に配置され、スライダ２４に設けられた複数の電極（不図示）と制御部１０との間を電気的に接続する。なお、配線２８、２９を、アーム２２の下面に直接形成する代わりに、配線２８、２９が設けられたフレキシブル配線基板（不図示）をアーム２２に貼り付けるようにしても良い。
【００４０】
図１０に、センサ５０の基本的な構造を示す。図１０（ａ）に示すように、センサ５０は、電極５４、５８、６２と、それらの周囲を覆う絶縁層５２等から成る。絶縁層５２は、上述したように、例えば、窒化アルミニウム等の圧電性を有する絶縁材料により構成される。図１０（ｂ）は、グランドに接地するための電極を１つだけにした例である。
【００４１】
グランド電位の接地方法については、図１０（ａ）に示すように、グランド電位に接続するための端子５４，６２を、制御部１０から延びる配線２８に接続するようにしても良い。また、図１０（ｂ）に示すように、グランド電位に接続するための端子５４を、制御回路１０以外の箇所でグランド電位に接続させても良い。
【００４２】
＜スライダの製造工程＞
次に、実施例１におけるスライダ２４の製造工程の概要を説明する。なお、ここでは、特にセンサ５０の製造工程を詳細に説明する。図１１〜図１５は、本実施例におけるセンサ５０の製造工程を示した図である。
【００４３】
先ず、図１１（ａ）に示すように、アルチック（ＡｌＴｉＣ）から成るウェーハ状のアルチック基板４０ａを用意する。アルチック（ＡｌＴｉＣ）は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）と炭化チタン（ＴｉＣ）の焼成物であり、セラミックの一種である。
【００４４】
次に、図１１（ｂ）に示すように、アルチック基板４０ａの一方の面に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜５２ａを形成する。この窒化アルミニウム膜５２ａの形成は、ＲＦスパッタリング法によって行われる。なお、本工程では、温度を２５０℃に設定する。２５０℃の温度を保持しながら窒化アルミニウム膜５２ａの形成を行うことにより、（００１）方向に配向した圧電性の膜を形成することができる。
【００４５】
次に、図１１（ｃ）に示すように、窒化アルミニウム膜５２ａ上に、アルミニウム（Ａｌ）膜５４ａを形成する。
【００４６】
次に、図１２（ｄ）に示すように、アルミニウム膜５４ａをパターニングし、電極５４を形成する。ここでは、例えば、窒化アルミニウム膜５２ａ上にレジスト膜（不図示）を形成した後、フォト・リソグラフィー技術を用いて、パターニングを行う。なお、この図１１（ｃ）及び図１２（ｄ）に示した電極５４の形成を、リフト・オフ法を用いて行っても良い。リフト・オフ法を用いた場合には、最初にレジスト膜（不図示）をパターニングして、電極５４と同じ形状の開口部を形成する。その後、スパッタリング法により、全面に約２００ｎｍのアルミニウム膜を形成する。そして、最後に、そのアルミニウム膜をリフト・オフ法によりパターニングして、電極５４を形成する。
【００４７】
次に、図１１（ｂ）〜図１２（ｄ）と同様の工程を繰り返すことにより、図１３（ｅ）〜図１５（ｉ）の工程を行い、窒化アルミニウム膜５６ａ、アルミニウム膜５８ａ、電極５８、窒化アルミニウム膜６０ａ、アルミニウム膜６２ａ（不図示）及び電極６２を形成する。
【００４８】
次に、図１５（ｊ）に示すように、図１１（ｂ）と同様の工程で、窒化アルミニウム膜６４ａを形成する。その後、アルチック基板４０ａの一方の面（センサ５０が形成された面）にレジスト等の保護膜（不図示）を形成し、センサ５０の部分の形成を完了する。
【００４９】
次に、アルチック基板４０ａの他方の面（センサ５０が形成された面の裏側の面）を洗浄した後、当該他方の面に磁気ヘッド３０を形成する。
【００５０】
次に、ダイシングにより、個別のスライダ２４に分離する。その後、分離されたスライダ２４を、アーム先端２２ａに搭載する。なお、アーム先端２２ａはバネ性を有しているため、サスペンションとも呼ばれる。そして、センサ５０の電極５４、６２（グランド電極）及び電極５８（センサ電極）をアーム先端２２ａ上に形成された配線２８に接続する。なお、スライダ２４の基板４０をＧＮＤ電位に接続し、電極５４、６２を基板４０に接続するようにしても良い。
【００５１】
ここ迄説明した工程は、センサ５０が位置Ｂに配置された場合（図７）の製造工程である。センサ５０が位置Ａに配置された場合（図６）についても、センサ５０が位置Ｂに配置された場合と略同様の工程で製造することが可能である。
【００５２】
センサ５０が位置Ｃに配置された場合（図８）は、例えば、図１６に示した工程でスライダ２４の製造を行う。先ず、アルチック基板４０ａに磁気ヘッド３０を形成する。次に、形成した磁気ヘッド３０をレジスト材（不図示）等で覆って保護する。次に、例えばダイシングにより、個別のスライダ２４に分離する。そして、個別化したスライダ２０のＨ面（基板４０の上面）に、センサ５０を形成する。なお、センサ５０を形成する際には、個別化したスライダ２０を複数個１列に並べて、複数個のスライダ２０に対して、同時にセンサ５０を形成するようにしても良い。
【実施例２】
【００５３】
本実施例は、ヘッド部２０のアーム２２を上下に動かして、磁気ディスク１００表面に対する磁気ヘッド３０の浮上量を調節した例である。本実施例において、アーム２２は、外部から供給されるエネルギーに応じて上記浮上量を変動させる駆動装置（不図示）によって、図１７（ｂ），（ｃ）の矢印方向に動作する。上記駆動装置としては、エネルギーの供給に応じて変位量を増減させることができるものであれば何でも良く、例えば、圧電素子やモータ等が挙げられる。
【００５４】
上記のような駆動装置を用いて、磁気ディスク装置１は、実施例１と同様の方法により磁気ヘッド３０の浮上量の調整を行なう。そして、磁気ヘッド３０の浮上量を、磁気ディスク１００の表面を基準とした適正な浮上量に設定した後に、リード動作或いはライト動作を行う。その結果、磁気ディスク装置１は、磁気ヘッド３０を適正な浮上量に維持した状態で、リード動作或いはライト動作を行うことが可能となる。
【００５５】
以上、本発明の特徴を詳述した。本発明の好ましい諸形態を付記すると、以下の通りである。
（付記１）
磁気ディスクに対する磁気ヘッドの位置を変位させる作動部と、
前記磁気ヘッドの震動を検出するセンサ部と、
前記震動に基づいて前記磁気ヘッドと前記磁気ディスクが接触したことを検出し、該検出結果に基づき前記作動部を制御する制御部と
を有することを特徴とする磁気ディスク装置。
（付記２）
前記作動部が、通電により熱膨張し、前記スライダの前記磁気ディスクに対向する面を前記磁気ディスク側に突出させるヒータを備える
ことを特徴とする付記１に記載の磁気ディスク装置。
（付記３）
前記センサ部が前記震動を電気信号に変換し、
前記制御部が、前記電気信号に基づいて前記接触した際の前記ヒータの通電量を検出し、該検出した通電量に基づいて前記磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上量を制御する
ことを特徴とする付記２に記載の磁気ディスク装置。
（付記４）
前記制御部が、
前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクに接触したときに最も増大する前記震動の周波数成分を受け、前記周波数成分に基づいて前記接触したことを検出する
ことを特徴とする付記１〜３のいずれかに記載の磁気ディスク装置。
（付記５）
前記周波数成分のピークが予め定めた基準値に到達したときを、前記接触したときと判断する
ことを特徴とする付記４に記載の磁気ディスク装置。
（付記６）
前記センサ部が、窒化アルミニウムを電極で挟んだ構成を有する圧電素子である
ことを特徴とする付記１〜５のいずれかに記載の磁気ディスク装置。
（付記７）
前記磁気ヘッドが、前記磁気ディスクからの浮力を得るスライダの浮上面と隣接する第１の面に配置され、
前記圧電素子が、前記第１の面に対向する第２の面に配置される
ことを特徴とする付記６に記載の磁気ディスク装置。
（付記８）
前記磁気ヘッドが、前記磁気ディスクからの浮力を得るスライダの浮上面に隣接する第１の面に配置され、
前記圧電素子が、前記浮上面と対向する第３の面に配置される
ことを特徴とする付記６に記載の磁気ディスク装置。
（付記９）
磁気ディスクに対する磁気ヘッドの位置を変位させる作動部と、前記磁気ヘッドの震動を検出するセンサ部とを備えた磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量調節方法であって、
前記磁気ヘッドを前記ディスクに接触させたときの震動を測定し、
前記震動に基づいて前記磁気ヘッドと前記磁気ディスクが接触したことを検出し、
該検出結果に基づき前記磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上量を制御する
ことを特徴とする磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
（付記１０）
前記作動部が、通電により熱膨張し、前記スライダの前記磁気ディスクに対向する面を前記磁気ディスク側に突出させるヒータを備える
ことを特徴とする付記９に記載の磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
（付記１１）
前記センサ部が前記震動を電気信号に変換し、
前記電気信号に基づいて前記接触した際の前記ヒータの通電量を検出し、該検出した通電量に基づいて前記磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上量を制御する
ことを特徴とする付記１０に記載の磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
（付記１２）
前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクに接触したときに最も増大する前記震動の周波数成分を測定し、前記周波数成分に基づいて前記接触したことを検出する
ことを特徴とする付記９〜１１のいずれかに記載の磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
（付記１３）
前記周波数成分のピークが予め定めた基準値に到達したときを、前記接触したときと判断する
ことを特徴とする付記１２に記載の磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
（付記１４）
前記センサ部が、窒化アルミニウムを電極で挟んだ構成を有する圧電素子である
ことを特徴とする付記９〜１３のいずれかに記載の磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
（付記１５）
前記磁気ヘッドが、前記磁気ディスクからの浮力を得るスライダの浮上面と隣接する第１の面に配置され、
前記圧電素子が、前記第１の面に対向する第２の面に配置される
ことを特徴とする付記１４に記載の磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
（付記１６）
前記磁気ヘッドが、前記磁気ディスクからの浮力を得るスライダの浮上面に隣接する第１の面に配置され、
前記圧電素子が、前記浮上面と対向する第３の面に配置される
ことを特徴とする付記１４に記載の磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上量制御方法。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、本発明の実施例１に係る磁気ディスク装置の概略構成を示した図である。
【図２】図２は、磁気ヘッドの浮上量を調整する方法のフローチャートを示した図である。
【図３】図３は、図２のフローチャートにおける主要なステップについて、ヘッド部２０の状態を示した図である。
【図４】図４は、フィルタ回路１４から出力された信号１１ｃの一例を示した図である。
【図５】図５は、ヒータ７０のエネルギー投入量に対して、ヘッド浮上量及び信号強度がどのように変化するかを示した図である。
【図６】図６は、センサ５０を位置Ａに配置した例を示した図である。
【図７】図７は、センサ５０を位置Ｂに配置した例を示した図である。
【図８】図８は、センサ５０を位置Ｃに配置した例を示した図である。
【図９】図９は、ヘッド部２０の拡大図を示した図である。
【図１０】図１０は、センサ５０の構造を示した図である。
【図１１】図１１は、本実施例におけるセンサ５０の製造工程を示した図（その１）である。
【図１２】図１２は、本実施例におけるセンサ５０の製造工程を示した図（その２）である。
【図１３】図１３は、本実施例におけるセンサ５０の製造工程を示した図（その３）である。
【図１４】図１４は、本実施例におけるセンサ５０の製造工程を示した図（その４）である。
【図１５】図１５は、本実施例におけるセンサ５０の製造工程を示した図（その５）である。
【図１６】図１６は、センサ５０が位置Ｃに配置された場合におけるセンサ５０の製造工程を示した図である。
【図１７】図１７は、ヘッド部２０のアーム２２を上下に動かして、磁気ヘッド３０の浮上量を調節した例を示した図である。
【符号の説明】
【００５７】
１…磁気ディスク装置
１０…制御部
１０ａ…ＣＰＵ
１０ｂ…メモリ
１０ｃ…バス
１０ｄ…入出力回路
１１ａ…電気信号
１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ…信号
１１ｅ…電流
１２…信号増幅回路
１４…フィルタ回路
１６…比較回路
１８…電流供給回路
２０…ヘッド部
２２…アーム
２２ａ…アーム先端
２４…スライダ
２８，２９…配線
３０…磁気ヘッド
３１…リードヘッド
３２…シールド層
３３…リード素子
３５…ライトヘッド
３６…ライトコイル
３８…磁極
３９…保護膜
４０…基板
４０ａ…アルチック基板
５０…センサ
５１…電極
５２…絶縁層
５２ａ，５６ａ，６０ａ，６４ａ…窒化アルミニウム膜
５４，６２…電極（グランド電極）
５８…電極（センサ電極）
５４ａ，５８ａ，６２ａ…アルミニウム膜
７０…ヒータ
７２…突出部
１００…磁気ディスク
１０２…記憶領域
１０４…非記憶領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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