(57)【要約】【課題】レーザ装置の高出力化を図るとともに、基板の製造むらによる発光特性への影響を低減させる。【手段】絶縁基体３と、絶縁基体３の上面に形成された第１の導体パターン４と、絶縁基板３の上面に第１の導体パターン４より膜厚が薄く形成されており、レーザ素子２が実装される第２の導体パターン５とを備えている。【選択図】図１
2008159970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基体と、
前記絶縁基体の上面に形成された第１の導体パターンと、
前記絶縁基板の前記上面に前記第１の導体パターンより膜厚が薄く形成されており、レーザ素子が実装される第２の導体パターンと、
を備えたレーザ素子搭載用基板。
【請求項２】
前記第１の導体パターンが、前記第２の導体パターンの両側に配置されていることを特徴とする請求項１記載のレーザ素子搭載用基板。
【請求項３】
前記絶縁基体の前記上面に形成されており、接地電位が与えられる第３の導体パターンをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のレーザ素子搭載用基板。
【請求項４】
前記第３の導体パターンが、前記第２の導体パターンの両側に配置されていることを特徴とする請求項３記載のレーザ素子搭載用基板。
【請求項５】
請求項１記載のレーザ素子搭載用基板と、
前記レーザ素子搭載用基板の前記第２の導体パターン上に実装されたレーザ素子と、
を備えたレーザ装置。
【請求項６】
前記第２の導体パターンにおける前記レーザ素子が実装された領域の両側に配置されており、前記絶縁基体の前記上面に形成された第３の導体パターンをさらに備えており、
該第３の導体パターンに接地電位が与えられることを特徴とする請求項５記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記第１の導体パターンが、前記前記第２の導体パターンの両側に配置されていることを特徴とする請求項６記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記第１の導体パターンに、前記レーザ素子に供給される電流より高い電流が与えられることを特徴とする請求項５記載のレーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ素子が搭載される配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
これまで、レーザ装置およびこのレーザ装置が搭載された電子装置に関する開発が活発に行われてきた。近年においては、この電子装置に搭載されるレーザ装置の高出力化が要求されており、レーザ素子自体の高出力化に関する開発が活発に行われている。
【特許文献１】特開２００６−３１０４１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年においては、レーザ素子の高出力化が進んでおり、レーザ素子が搭載される基板にも従来に比べて高電流を流す必要がある。一方で、レーザ装置の発光特性を考慮して、レーザ素子をなるべく基板の端部に実装する必要があり、レーザ素子が実装される導体パターンにおける製造むらを低減させる必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、絶縁基体と、前記絶縁基体の上面に形成された第１の導体パターンと、前記絶縁基板の前記上面に前記第１の導体パターンより膜厚が薄く形成されており、レーザ素子が実装される第２の導体パターンとを備えるものである。
【０００５】
本発明は、上記構成において、前記第１の導体パターンが、前記第２の導体パターンの両側に配置されている。
【０００６】
本発明は、上記構成において、前記絶縁基体の前記上面に形成されており、接地電位が与えられる第３の導体パターンをさらに備えている。
【０００７】
本発明は、上記構成において、前記第３の導体パターンが、前記第２の導体パターンの両側に配置されている。
【０００８】
本発明は、上記構成のレーザ素子搭載用基板と、前記レーザ素子搭載用基板の前記第２の導体パターン上に実装されたレーザ素子とを備えている。
【０００９】
本発明は、上記構成において、前記第２の導体パターンにおける前記レーザ素子が実装された領域の両側に配置されており、前記絶縁基体の前記上面に形成された第３の導体パターンをさらに備えており、該第３の導体パターンに接地電位が与えられる。
【００１０】
本発明は、上記構成において、前記第１の導体パターンが、前記前記第２の導体パターンの両側に配置されている。
【００１１】
本発明は、上記構成において、前記第１の導体パターンに、前記レーザ素子に供給される電流より高い電流が与えられる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、絶縁基体と、前記絶縁基体の上面に形成された第１の導体パターンと、前記絶縁基板の前記上面に前記第１の導体パターンより膜厚が薄く形成されており、レーザ素子が実装される第２の導体パターンとを備えていることにより、レーザ装置の高出力化を達成することができるとともに、レーザ素子が搭載される第２の導体パターンの端部におけるバリなどの発生を低減させてレーザ装置の発光特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明のレーザ装置について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明のレーザ装置の構成を示す斜視図である。図２は、図１に示したレーザ装置の平面図である。図３は、図１に示したレーザ装置の断面図である。本実施の形態のレーザ装置は、基板１と、基板１に実装されたレーザ素子２とを備えている。
【００１４】
基板１は、絶縁基体３と、絶縁基体３の上面（図面において）に形成された第１の導体パターン４と、絶縁基体３の上面に形成された第２の導体パターン５とを備えている。基板１は、さらに第３の導体パターン６を備えている。
【００１５】
第１の導体パターン４には、半導体素子２に供給される電流より高い電流が供給される。この第１の導体パターン４は、絶縁基体３の上面の中央を横切るように配置された第２の導体パターン４の両側に配置されている。
【００１６】
第２の導体パターン５は、第１の導体パターン４より膜厚が薄く形成されている。レーザ素子２は、この第２の導体パターン５上に搭載されている。ここで、近年のレーザ装置の高出力化によって、レーザ素子の発光層を下側にしてレーザ素子の基板を上側にして実装する構成が求められている。そして、レーザ装置の発光特性をさらに向上させるために、レーザ素子を基板のより端部側に実装させる必要がある。
【００１７】
ここで、図４を用いてレーザ素子の実装構造について説明する。レーザ素子は、基板１１と基板１１に積層されたＮ型層およびＰ型層とからなる。Ｎ型層１２とＰ型層１４との間が発光層１３である。本実施の形態のレーザ装置において、レーザ素子２は、Ｐ型層１４を下側にして（図面において）基板１１を上側にして（図面において）、第２の導体パターン５上に実装されている。
【００１８】
本実施の形態において、第１の導体パターン４は、第２の導体パターン５の両側に配置されている。第３の導体パターン６は、第２の導体パターン６の両側に配置されている。本実施の形態において、第３の導体パターン６は、第２の導体パターン５におけるレーザ素子２が実装された領域の両側に配置されている。この第３の導体パターンには、接地電位が与えられる。
【００１９】
本発明のレーザ装置は、レーザ素子２が実装される第２の導体パターンの膜厚が、レーザ素子に供給される電流より高い電流が供給される第１の導体パターン４の膜厚より薄く形成されていることにより、第２の導体パターンの端部におけるバリなどの発生を低減させて、レーザ装置の発光特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のレーザ装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したレーザ装置の平面図である。
【図３】図１に示したレーザ装置の断面図である。
【図４】レーザの実装構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
１  基板
２  レーザ素子
３  絶縁基体
４  第１の導体パターン
５  第２の導体パターン
６  第３の導体パターン
【図１】
2008159970.tif 000003
【図２】
2008159970.tif 000004
【図３】
2008159970.tif 000005
【図４】
2008159970.tif 000006