(57)【要約】【課題】平坦な表面形状を備える配線基板を簡易に作成する方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板の製造方法は、貴金属粒子を含むガラス層を備えた基板の製造方法であって、ガラス層と、該ガラス層に接触して該ガラス層上に設けられた１μｍ以上１０μｍ以下の直径を有する貴金属粒子とを備える構造体を用意し、前記ガラス層の軟化点より低い温度で前記構造体を加熱することで、前記貴金属粒子を前記ガラス層に埋め込む。【選択図】図１
2008030992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貴金属粒子を含むガラス層を備えた基板の製造方法であって、
ガラス層と、該ガラス層に接触して該ガラス層上に設けられた１μｍ以上１０μｍ以下の直径を有する貴金属粒子とを備える構造体を用意し、
前記ガラス層の軟化点より低い温度で前記構造体を加熱することで、前記貴金属粒子を前記ガラス層に埋め込むことを特徴とする、基板の製造方法。
【請求項２】
貴金属粒子を含むガラス層を備えた基板の製造方法であって、
ガラス層と、該ガラス層に接触して該ガラス層上に設けられた１μｍ以上１０μｍ以下の直径を有する複数の貴金属粒子とを備える構造体を用意し、
前記ガラス層の軟化点より低い温度で前記構造体を加熱することで、前記複数の貴金属粒子の間に前記ガラス層を構成するガラスを入り込ませることを特徴とする、基板の製造方法。
【請求項３】
前記貴金属粒子は、前記貴金属粒子と前記ガラス層の主成分と同じ材料を主成分とするガラスを含有するペーストを前記ガラス層上に印刷し、焼成することによって前記ガラス層上に設けられることを特徴とする請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス層が酸化ビスマスと酸化バリウムと酸化亜鉛とを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記構造体を加熱する温度が４４０℃以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記構造体を加熱する温度が前記ガラス層の粘度が２×１０１３ポアズ以下になる温度以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記貴金属粒子が銀粒子であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
前記構造体を加熱する温度が、前記ガラス層のガラス転移点より低い温度であることを特徴とする、１乃至７のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
貴金属粒子を含むガラス層を備えた配線基板の製造方法であって、
ガラス層と、該ガラス層に接触するように、該ガラス層上に設けられた、１μｍ以上１０μｍ以下の粒径を有する複数の貴金属粒子を含む層とを備える基板を用意する工程と、
前記ガラス層の軟化点より低い温度で前記基板を加熱することで、前記層を構成する複数の貴金属粒子の間に前記ガラス層を構成するガラスを入り込ませる工程と、
を備える、ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記層は、前記貴金属粒子と前記ガラス層の主成分と同じ材料を主成分とするガラスを含有するペーストを前記ガラス層上に印刷し、焼成することによって前記ガラス層上に設けられることを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記基板を加熱する温度が、前記ガラス層のガラス転移点より低い温度であることを特徴とする、請求項９または１０に記載の配線基盤の製造方法。
【請求項１２】
前記ガラス層が酸化ビスマスと酸化バリウムと酸化亜鉛とを含むことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記基板を加熱する温度が４４０℃以上であることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記構造体を加熱する温度が前記ガラス層の粘度が２×１０１３ポアズ以下になる温度以上であることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記貴金属粒子が銀粒子であることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか１項に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする配線基板。
【請求項１７】
請求項１６に記載の配線基板と、該配線基板の配線と接続された機能素子とを備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１８】
請求項１６に記載の配線基板と、該配線基板の配線と接続された電子放出素子とを備えることを特徴とする電子源。
【請求項１９】
請求項１８に記載の電子源と、該電子源から放出された電子の照射によって発光する発光体とを備える画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の製造方法に関する。また、本発明は、配線を備える基板（配線基板）、特には、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイや電子放出素子を用いたディスプレイなどの電子デバイスに用いられる、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）やＥＬディスプレイ（ＥＬＤ）や特許文献１〜３に開示されるような電子放出素子を用いたディスプレイなどの平板型画像表示装置（フラットパネルディスプレイ）は多数の画素を平面状に配置した表示装置である。このようなディスプレイは、ガラスなどの基板上に複数の配線が設けられた配線基板を備え、配線基板上に、ＴＦＴや電子放出素子など様々な機能素子を設けることで構成されている。
【特許文献１】特開２００４−３４２５４７号公報
【特許文献２】特開２００５−１９０７６９号公報
【特許文献３】特開２００５−２１６６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した表示装置によっては、さらに、複数の配線が、絶縁層を間に挟んで積層されたＸ方向配線とＹ方向配線から構成され、これらの配線は基板表面上に導電体材料を印刷法などを用いて成膜することで形成される。これらの配線および絶縁層は平滑なガラス基板表面上に積層することで形成されることが多い。一方で、ディスプレイの高精細化が進展するに伴い、１画素あたりに許容される寸法が小さくなってきている。このため、単純に配線を細くしてしまうと配線抵抗が上昇するので、配線の断面積を大きくしなければならず、結果、配線の厚みを大きくすることに繋がる。しかし、配線が余りにも厚くなると配線自身の精度の問題や形成方法が問題となる場合もあった。また、上側に配置される配線は、下側に配置される配線の厚み及び／または絶縁層の厚みで形成された段差を乗り越えるように形成される。そのため、特に絶縁層の上に位置する配線の形状は、下側に位置する配線および絶縁層のパターン（凹凸）にその形状が依存する傾向があるため、凹凸（段差）が大きくなる。
【０００４】
特に、電子放出素子を利用したディスプレイにおいては、電子放出素子から放出された電子の軌道が周囲の構造体の形状や電位の影響を受ける場合があり、配線基板の表面はできるだけ凹凸のない平坦な形態とする必要があった。また、この様な平坦な表面形状を備える配線基板は、電子放出素子を用いたディスプレイだけでなく、その他のディスプレイや、様々な機能素子を配線基板上に設ける電子デバイスに共通の課題である。
【０００５】
また、前述した特許文献１〜３には、基板に溝を形成し、この溝内に配線を設けた配線基板を開示しているが、この方法では、基板自体に溝を形成する工程が必要となり、製造工程が煩雑になる。
【０００６】
本発明は、上記課題を考慮してなされたもので、その目的とするところは、平坦な表面形状を備える配線基板を簡易に作成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明は上記目的を達成するためになされたものであって、貴金属粒子を含むガ
ラス層を備えた基板の製造方法であって、ガラス層と、該ガラス層に接触して該ガラス層上に設けられた１μｍ以上１０μｍ以下の直径を有する貴金属粒子とを備える構造体を用意し、ガラス層の軟化点より低い温度で構造体を加熱することで、貴金属粒子をガラス層に埋め込むことを特徴とする。
【０００８】
（２）また、本発明は、ガラス層と、該ガラス層に接触して該ガラス層上に設けられた１μｍ以上１０μｍ以下の粒径を有する複数の貴金属粒子とを備える構造体を用意し、ガラス層の軟化点より低い温度で構造体を加熱することで、複数の貴金属粒子の間にガラス層を構成するガラスを入り込ませることを特徴とする。
【０００９】
（３）また、本発明は、貴金属粒子を含むガラス層を備えた配線基板の製造方法であって、ガラス層と、該ガラス層に接触するように、該ガラス層上に設けられた、１μｍ以上１０μｍ以下の粒径を有する複数の貴金属粒子を含む層とを備える基板を用意する工程と、ガラス層の軟化点より低い温度で基板を加熱することで、層を構成する複数の貴金属粒子の間にガラス層を構成するガラスを入り込ませる工程と、を備える、ことを特徴とする。
【００１０】
（４）また、本発明の配線基板は、（３）に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする。
【００１１】
（５）また、本発明の電子デバイスは、（４）に記載の配線基板と、該配線基板の配線と接続された機能素子とを備えることを特徴とする。
【００１２】
（６）また、本発明の電子源は、（４）に記載の配線基板と、該配線基板の配線と接続された電子放出素子とを備えることを特徴とする。
【００１３】
（７）また、本発明の画像表示装置は、（６）に記載の電子源と、該電子源から放出された電子の照射によって発光する発光体とを備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、簡易な方法で、表面平坦性に優れた配線基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に図面を参照して、本発明に好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、本実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、本発明の方法を用いて形成した配線基板は、前述したＬＣＤやＰＤＰやＥＬＤやＦＥＤ（電界放出型ディスプレイ）に適用することができる。尚、電界放出型ディスプレイは、電界放出型の電子放出素子を用いたディスプレイである。そして、その他のＴＦＴなどの機能素子と本発明の製造方法で形成された配線基板の配線とを接続することで様々な電子デバイスも構成することができる。
【００１６】
以下、図面を参照しながら本発明の方法を説明する。
【００１７】
図１は、本発明の第１の実施例に係わる、貴金属粒子をガラス層に埋め込むプロセスを示す模式断面図である。
【００１８】
（工程１）
ガラス層２を備える基板１を用意する（図１（ａ））。
【００１９】
基板１としては、少なくとも後述する工程において銀粒子をガラス層２に埋め込む際の加熱温度により変形しない材料であれば特に限定されるものではない。しかしながら、基板１としては、成形性が高い、ガラスが好ましく用いられる。ガラスを基板１に用いた場合には、用いるガラスの歪点が、後述する工程２や工程３などの各種工程における加熱温度よりも高いガラスを選択する。このようなガラス基板としては、例えば石英ガラスを用いることができるが、石英ガラスは大面積なものは高価であるため、実用的にはプラズマディスプレイに一般的に用いられる高歪点ガラス（例えば、ＰＤ２００（軟化点８３０℃、除冷点６２０℃、歪点５７０℃）旭硝子（株）製）を用いることができる。あるいは、液晶ディスプレイで一般的に用いられる無アルカリガラス（歪点約６００℃）や、青板ガラスも用いることができる。青板ガラスは色々な組成のものがあるが、おおよそ、軟化点７３５℃、除冷点５５４℃、歪点５１１℃である。
【００２０】
ガラス層２としては、例えば、絶縁性ペースト（ガラスフリットを含むペースト）を基板１上に印刷し焼成することで形成することができる。このような絶縁性ペーストは一般に低融点ガラスの粒子（低融点ガラスフリット）を多数含有する印刷可能なペースト（印刷ペースト）である。ガラスフリットとはガラスのかけら（粉末またはフレーク）を指し、一般的に粒子に含まれる。このような絶縁性ペーストをスクリーン印刷法を用いて基板１上に印刷し焼成すれば、基板１上に概ね所定のパターンを備えたガラス層２を設けることができる。
【００２１】
また、絶縁性ペーストにさらに感光性材料を混合した感光性絶縁性ペースト（絶縁性フォトペースト）を用いれば、光によってパターニングが行えるので、スクリーン印刷法に比べてガラス層２のパターニングを高精細に行うことができるので特に好ましい。感光性絶縁性ペーストを用いる方法では、まず、低融点ガラスフリットを主成分とする無機材料成分と感光性を持つ有機材料成分とからなるペーストを用いて塗布膜を基板１上に形成する。そして、該塗布膜をフォトマスクを通して露光し、現像することにより、所定のパターンを形成する。さらに、その後該パターンを焼成して絶縁層（ガラス層）を得る方法である。ペースト中に含まれる無機材料の量は、無機材料と有機材料の和に対して６５〜８５重量％であるのが好ましい。また、勿論、スパッタ法などの一般的な成膜方法によってガラス層２を形成することもできる。
【００２２】
尚、低融点ガラス、すなわち、低いガラス転移点を示すガラスとしては、例えば、Ｂｉ２Ｏ３，Ｚｎ，ＢａＯの混合物や、ＢａＯ,Ｂ２Ｏ３,ＺｎＯ，ＳｉＯ２の混合物などの、５００℃以下のガラス転移点を示すものが特に好ましく用いることができる。ここでは酸化ビスマス系の低融点ガラスフリットを挙げたが、酸化鉛系の低融点ガラスフリットでも用いることができる。酸化ビスマス系の低融点ガラスの一例としては、例えば、低融点ガラスを１００重量％としたときに、酸化ビスマスが１０〜６０重量％、酸化珪素が３〜５０重量％、酸化ホウ素が１０〜４０重量％、酸化バリウムが５〜２０重量％、酸化亜鉛が１０〜２０重量％の割合で含まれるガラスが挙げられる。酸化ビスマス系の低融点ガラスは、酸化ビスマスを含む低融点ガラスと言い換えることもできる。しかしながら、本発明に用いることのできる低融点ガラスとしては上記の組成に限定されるものではない。
【００２３】
また、前述した基板１としてガラス基板を用いる場合には、ガラス層２の形成工程に必要な加熱温度（例えば焼成温度）よりも高い歪点を有するガラス基板を選択する必要がある。
【００２４】
ガラス層２は、誘電体層（絶縁層）として機能する。
【００２５】
（工程２）
次に、ガラス層２上に貴金属粒子３を配置する（図１（ｂ））。
【００２６】
用いる貴金属としては、特に銀が好ましい。多数の銀粒子３からなるを用いた配線（多数の銀粒子の焼結体からなる配線）は非常に低抵抗で且つ扱い易い特性を備える。銀粒子３に代表される貴金属粒子３の粒径（直径）は１μｍ以上１０μｍ以下（好ましくは１μｍ以上４μｍ以下）である。貴金属粒子３は貴金属を主成分としていればよく、好ましくは貴金属粒子３中に含まれる貴金属の成分は７０atm％以上、好ましくは８０aｔｍ％以上である。同様に、銀粒子３は銀を主成分としていればよく、好ましくは粒子３中に含まれる銀の成分は７０atm％以上、好ましくは８０aｔｍ％以上である。以下では、貴金属粒子として銀粒子を用いた場合を例に説明する。
【００２７】
ガラス層２上に銀粒子３を設ける方法としては、銀粒子３を含有したペーストをガラス上に印刷し焼成する方法を特に好ましく用いることができる。尚、ディスペンサーを用いて、銀粒子３をガラス層２上に塗布する方法や、銀粒子をスプレー塗布する方法など様々な方法も用いることができる。
【００２８】
銀粒子３を多数含有したペースト（銀ペースト）は、銀粒子３の他に低融点ガラスフリットを含む場合もあるが、本発明においてはガラスフリットは必須ではない。低融点ガラスフリットを含むペーストでは、ペースト中に含まれる銀粒子の含有量に比べガラスフリットの含有量は十分に少ない。ただし、低融点ガラスフリットを用いる場合には、工程１で形成したガラス層２に用いた低融点ガラスの主成分と同じ主成分の低融点ガラスを用いることが好ましい。工程１で用いる低融点ガラスとしては酸化ビスマス系の低融点ガラスが好ましいことから、上記銀ペーストに加える低融点ガラスは酸化ビスマス系であることが好ましい。尚、実用的には、銀ペーストを１００ｗｔ％とした時に、ペースト中に含まれる低融点ガラスフリットは１０ｗｔ％未満（好ましくは５ｗｔ％未満、特に好ましくは１ｗｔ％未満）であり、銀ペースト中に含まれる銀は６０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下である。また、銀ペーストを乾燥させ、焼成した後（配線または導電層になった状態）では、ペースト中に含まれていた溶剤成分や樹脂成分は熱分解されて除去される。そのため、配線（導電層）は、実質的に、銀とフリットガラスで構成されることになる。
【００２９】
銀粒子３を多数含有したペースト（銀ペースト）はスクリーン印刷法を用いてガラス層２上に選択的に設けることができる。銀粒子３の含有数（含有量）を多くすれば、銀粒子同士を接続させる事ができるので、ガラス層２上に銀配線（銀の導電層）を設けることができる。ペーストに含まれていた銀粒子３同士は、ペースト中に含まれたガラスフリットによって互いに接着したり、あるいは、凝集や焼結などによって銀粒子３同士が直接接触するので、配線（導電層）を形成することができる。図１（ｂ）では、銀粒子３が導電層の状態で形成された形態を模式的に示している。図４に、ガラス基板１上に設けたガラス層２上に、多数の銀粒子３からなる銀配線（導電層）を印刷法により形成した際の様子の一例を示す。この段階では、導電層（銀配線）とガラス層２との境界は明確で、ガラス層２上に導電層（銀配線）が載置された形態となっている。
【００３０】
また、銀ペーストに、更に、感光性材料が混合される場合もある。感光性材料が加えられた感光性を備える銀ペースト（銀フォトペースト）を用いれば、光によってパターニングが行えるので、スクリーン印刷法よりも高精度に、ガラス層２の上に多数の銀粒子３からなる導電層（銀配線）を設けることができるので好ましい。尚、工程２でガラス層
２上に設ける貴金属粒子は、上記ペーストをガラス層２上に塗布し乾燥させた状態であってもよい。即ち、ペーストを焼成して溶剤や樹脂成分を完全に除去した状態でなくとも良い。続く、工程３における加熱によって、ペースト中に含まれる溶剤や樹脂成分を十分に除去しても良い。
【００３１】
（工程３）
次いで、ガラス層２をガラス層２上に設けられた銀粒子３と共に加熱することで、ガラス層２に銀粒子３を沈み込ませる（図１（ｃ））。
【００３２】
本工程における加熱温度は、ガラス層２自体が本来備える軟化点よりも低い温度である。ガラス層２が本来備えている軟化点（ガラス層単体を加熱した場合に適用される軟化点）よりも高い温度で加熱し、ガラス層２を低粘度の状態（例えば溶融状態）にすれば、銀粒子３とガラス層２とが混合する。しかしながら、本発明では、ガラス層２が本来備えている軟化点よりも低い加熱温度で、ガラス層２と銀粒子３との相互作用によって、ガラス層２に銀粒子３を沈み込ませる（銀粒子３とガラス層２とを混合させる）ことができる。また、後述するように、粒径をより小さくすれば、ガラス層２が本来備えているガラス転移点よりも低い加熱温度で、ガラス層２に銀粒子３を沈み込ませることもできる。図５に、本工程によってガラス基板１上に設けたガラス層２に、銀粒子３が沈み込んだ（銀粒子３とガラス層２とが混合した）際の様子の一例を示す。工程２に対応する図４では、ガラス層２上に銀粒子３が載置された形態であったが、本工程によりガラス層２中に銀粒子が、埋没した構成となる。また、図４の導電層の表面に比べ、工程３を経ることで、図５に示すように、導電層の表面の平坦性を向上することができる。
【００３３】
この様な現象が起きる理由は定かではない。しかしながら、銀粒子３がガラス層２との間で何らかの触媒作用を発現したために、ガラス層２が本来備えている軟化点やガラス転移点よりも低い温度で、ガラス層２が溶け始め、銀粒子３が自重などでガラス層２中に埋めこまれるものと考えられる。尚、「銀粒子３がガラス層２中に埋め込まれる」と表現したが、「溶け始めたガラス層２が、銀粒子３同士の隙間に移動して（吸い上げられ）、あたかも銀粒子３がガラス層２中に埋め込まれるように見える」と言う事もできる。現実的には、工程２の状態でのガラス層２と銀粒子（銀配線）３との積層構造体の基板１表面からの高さは、本工程３を経ることで減少する。ここでは、多数の銀粒子３で構成された銀配線をガラス層２上に設けた場合について説明したが、ガラス層２上に銀粒子３を１つ配置した場合においても、同様に、銀粒子３がガラス層２中に入り込ませることもできる。
【００３４】
尚、上記のような現象の発現は、銀粒子３の粒径にも依存する。上記の現象は１μｍ以上１０μｍ以下の粒径の際に顕著に発現することがわかった。
【００３５】
表１は、酸化ビスマス系の低融点ガラス（ガラス層２を１００重量％とした際に、ガラス層２に酸化ビスマスと酸化珪素と酸化バリウムの総量が６０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下の割合で含まれる）をガラス層２として用いた場合の例を示している。そして、この場合の、工程３における加熱温度と銀粒子の粒径（直径）との関係の一例を示している。
【００３６】
【表１】
2008030992.tif 000003
【００３７】
表１に示すように、ガラス層２の軟化点（この例では５１０℃）よりも低い加熱温度で
１μｍ以上１０μｍ以下の直径を備える銀粒子３は、ガラス層２中に埋め込むことができることが分かる。尚、ガラス軟化点（リトルトン点）は、ガラス層２の粘度が、例えば、４.５×１０７ポアズになる温度を指す。そして、ガラス転移点は、ガラス層２の粘度が
、例えば、２×１０１３ポアズになる温度を指す。そして、少なくともガラス転移点として定義される粘度までガラス層２が軟化した場合に、銀粒子３をガラス層２中に埋め込むことができる。ガラス軟化点として定義される粘度までガラス層２が軟化した場合に、銀粒子３をガラス層２中に再現性良く埋め込むことができる。そして、１μｍ以上４μｍ未満の直径を備える銀粒子３については、ガラス層２が本来備えているガラス転移点（この例では４８５℃）よりも低い加熱温度で銀粒子３がガラス層２中に埋め込むことができる。１μｍ以上１０μｍ以下の直径を備える銀粒子３は、ガラス層２の軟化点より低い温度で、ガラス層２と銀粒子３を備えた構造体を加熱することで、銀粒子３をガラス層２に埋め込むことができる。ここで、加熱温度は、例えば、銀粒子３の直径が１μｍ以上１０μm以下の場合、ガラス層２が本来備えているガラス軟化点より低い温度（好ましくはガラ
ス転移点より低い温度）を意味する。そして、加熱温度は、また、ガラス層２に銀粒子を「埋め込める温度」（「埋め込ませることができる温度」）以上を意味する。そのため、加熱温度の下限は、例えば、ガラス層２の粘度が２×１０１３ポアズ以下になる温度であり、実用上、特に好ましくは４.５×１０７ポアズ以下になる温度であるという事ができ
る。そして、また、加熱温度の下限は、実用的には、４４０℃以上である。少なくとも、４４０℃以上であれば、前述した酸化ビスマス系の低融点ガラスをガラス層２として用いた場合に、「ガラス層に多数の銀粒子を埋め込む」あるいは「複数の銀粒子の間にガラス層を構成するガラスを入り込ませる」ことができる。尚、銀粒子３の直径が１μｍより小さい場合、銀粒子３同士が結びつく（結合あるいは焼結）する温度が低くなり、その結果、銀粒子３間にガラスが入りづらくなり、ガラス層２内に銀粒子３が埋まらなくなるのではないかと考えている。また、感光性を備える銀ペーストを印刷し、露光現像してパターニングする場合には、銀粒子３の粒径が小さいほど露光工程に時間を要する。そのため、銀粒子３の粒径が１μｍ以下では、一般的な露光では光重合反応が足りず、露光量不足となって、パターニングが実効的に行えなくなる。また、表１に示した傾向は、他の低融点ガラスフリットを用いて形成したガラス層２に対してもほぼ同様である。そのため、１μｍ以上１０μｍ以下の銀粒子を用いた場合、ガラス層２の本来の軟化点および本来のガラス転移点よりも低い温度でガラス層２を溶かすことができる。
【００３８】
上述した工程１〜工程３を経ることで、ガラス層２中に銀粒子３を埋め込むことができる。そのため、工程２で銀粒子３を配線状（導電層状）にガラス層２上に設ければ、図５に示したように、ガラス層２と銀配線（銀粒子）３とを一体とすることができ、あたかもガラス層（絶縁層）２に銀配線（銀粒子）３が埋め込まれた形態を実現することができる。そのため、本発明によれば、配線や絶縁層を印刷法などで形成しても表面の平坦性に優れた配線基板を形成することができる。
【００３９】
ここでは、銀粒子を用いた場合を説明した。本発明では、銀粒子を用いることが最も好ましいが、銀粒子に限定されるものではなく、銀のほかに、ＡｕやＰｄやＰｔなどの貴金属を同様に用いることができる。
【００４０】
また、ここでは、基板１上にガラス層（絶縁層）２を直接設けた例を示したが、基板１とガラス層２との間に配線（下配線）を設けることができる。このように下配線を設ければ、ガラス層２と一体となった銀配線３と下配線とを絶縁した構造を容易に得ることができる。そのため、絶縁層を介して積層した配線を備える配線基板を形成することができ、下配線と上配線（銀配線３）とを交差するように配置すればマトリクス配線をそなえる配線基板を形成することができる。
【００４１】
さらに、マトリクス配線を備えた基板上に、多数の電子放出素子を配置し、各々の電子
放出素子を上配線と下配線とに接続すれば、マトリクス構造の電子源を構成することができる。なお電子源を構成する場合には、マトリクス構造だけでなく、上述した銀配線３を間隔を置いて、複数、平行に設け、それぞれの電子放出素子を、隣合う２つの銀配線に接続することで電子源を構成することもできる。そして、この様な電子源を用いて画像表示装置を構成すれば、周囲の構造体の凹凸に起因する、電子放出素子から放出された電子の軌道への影響を低減した画像表示装置を得ることができる。尚、本発明に適用することのできる電子放出素子としては、表面伝導型電子放出素子だけでなく、カーボンナノチューブなどのカーボンファイバーを用いた電界放出型電子放出素子や、ＭＩＭ型電子放出素子なども用いることができる。
【００４２】
図６は、マトリクス配線を備えた基板上に表面伝導型電子放出素子を配列することで構成した電子源を備えた画像表示装置の一例である。
【００４３】
Ｘ方向配線７２が上述した下配線に相当し、Ｙ方向配線７３が上述した上配線（銀配線）３に相当する。図６では、ガラス層２は説明を簡略化するために省いている。表面伝導型電子放出素子７４は、一対の電極２、３と、間隙を備える導電性膜５とで構成されている。
【００４４】
リアプレート７１が上述した基板１に相当する。８６はフェースプレートであり、ガラス基板８３の表面には電子線が照射されることで発光する発光体層８４と、アノード電極８５とが設けられている。アノード電極８５は、アルミニウム膜で構成することができる。リアプレート７１とフェースプレート８６との間に支持枠８２が設けられている。リアプレート７１とフェースプレート８６と支持枠８２とで、内部が真空（大気圧よりも低い圧力）に保持された容器８８が構成される。ｍ本のＸ方向配線７２のそれぞれには端子（Ｄox１〜Doxｍ）が接続され、同様にｎ本のＹ方向配線７３のそれぞれには端子（Ｄoｙ１〜Doｙｍ）が接続されている。アノード電極８５には高圧電源と接続される端子８７が接続されている。この容器と不図示の駆動回路とでフラットパネルディスプレイ１０１が構成される。
【００４５】
また、図６を用いて説明した本発明の外囲器（ディスプレイパネル）（８８）を用いて情報表示再生装置を構成することができる。
【００４６】
具体的には、受信装置と、受信した信号を選曲するチューナーと、選曲した信号に含まれる信号を、ディスプレイパネル（８８）に出力してスクリーンに表示または再生させる。上記受信装置は、テレビジョン放送などの放送信号を受信することができる。また、上記選曲した信号に含まれる信号としては、映像情報、文字情報および音声情報の少なくとも１つを指す。尚、上記「スクリーン」は、図６で示したディスプレイパネル（８８）においては、発光体膜（８４）に相当すると言うことができる。この構成によりテレビジョンなどの情報表示再生装置を構成することができる。勿論、放送信号がエンコードされている場合には、本発明の情報表示再生装置はデコーダーも含むことができる。また、音声信号については、別途設けたスピーカーなどの音声再生手段に出力して、ディスプレイパネル（８８）に表示される映像情報や文字情報と同期させて再生する。
【００４７】
また、映像情報または文字情報をディスプレイパネル（８８）に出力してスクリーンに表示および／あるいは再生させる方法としては、例えば以下のように行うことができる。まず、受信した映像情報や文字情報から、ディスプレイパネル（８８）の各画素に対応した画像信号を生成する。そして生成した画像信号を、ディスプレイパネルの駆動回路に入力する。そして、駆動回路に入力された画像信号に基づいて、駆動回路からディスプレイパネル（８８）内の各電子放出素子に印加する電圧を制御して、画像を表示する。
【００４８】
また、下配線と上配線（銀配線３）との間の絶縁層（ガラス層２）の厚みを制御すれば、コンタクトホールを設けずに、上配線と下配線とを接続することも可能である。そのため、本発明の配線基板上に設ける機能素子は、上述した電子放出素子に限られるものではなく、ＴＦＴなど様々な機能素子などを用いることができ、これらの機能素子と配線とを接続することで様々な電子デバイスを構成することができる。
【００４９】
＜実施例１＞
以下、図面を参照しながら本発明の第１の実施例である銀の埋め込み方法を説明する。
【００５０】
まず、図１（ａ）に示す如く、ガラス基板１上に絶縁性ペーストを印刷法で形成する。次いで、乾燥させ、焼成することで、ガラス層２を形成する。絶縁性ペーストを構成する低融点ガラスフリットとしては、Ｂｉ２Ｏ３とＺｎＯとＢａＯとを６０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下の範囲で含む酸化ビスマス系の低融点ガラスフリットを用いた。
【００５１】
次に、ガラス層２上に、粒径（粒子の直径）が２μｍ以上３μｍ以下の銀粒子を含む、感光性ペーストを印刷法で形成し、乾燥後、露光及び現像処理を行い、所定のパターン（銀配線３の前駆体膜）を残す。尚、前駆体膜には多数の銀粒子が含まれている。次いで３６０℃で焼成することで、ガラス層２上に銀配線を設けた（図１（ｂ））。尚、このとき形成された銀配線３、絶縁層２は、図４にその断面図を示すように、境界が明確な形態であった。
【００５２】
次いで、４８０℃で基板１ごと加熱することで、ガラス層２に銀配線３を埋め込んだ（図１（ｃ））。埋め込まれた銀配線３は、図５にその断面図を示す様に、銀粒子の間にガラスが入り込み、ガラス層と銀配線３との明瞭な境界がなくなり、一体となった構成である。そして、銀配線３の表面が一部露出している箇所はあるが、ほぼ、ガラス層２に銀配線３が埋め込まれた形態であった。
【００５３】
尚、ガラス層２の本来のガラス転移点は４８５℃であり、また軟化点は５１０℃であったが、それらよりも低い加熱温度で、ガラス層２中に銀配線を埋め込むことができた。
【００５４】
＜実施例２＞
図２は、本発明の第２の実施例に関わる、銀配線を埋め込むプロセスを示す模式断面図である。
【００５５】
まず、図２（ａ）に示す如く、ガラス基板（石英基板）１１上に感光性を備える絶縁性ペーストを印刷する。絶縁性ペーストに含まれるガラスフリットとしては実施例１と同じものを用いた。
【００５６】
次いで、乾燥した後、露光及び現像処理を行ってパターニングを行い、焼成することで、ガラス基板１１上に２つの離間したガラス層１２を形成した（図２（ｂ））。
【００５７】
次いで、図２（ｃ）に示す如く、ガラス基板１１の全面に、粒径が１μｍの銀粒子を用いた、感光性を備える銀ペーストを印刷する。
【００５８】
次いで、印刷した銀ペーストに対して乾燥、露光、現像処理を行ってパターニングを行って、２つのガラス層１２の各々の上に銀配線３の前駆体膜１３を配置した（図２（ｄ））。尚、前駆体膜１３の各々には多数の銀粒子が含まれている。
【００５９】
続いて、ガラス層１２の軟化点およびガラス転移点より低い温度で、基板１１とともにガラス層１２および銀配線の前駆体膜を、２０分加熱することで、各々のガラス層２に、
実施例１と同様に埋め込まれた銀配線１３を得た（図２（ｄ））。
【００６０】
かくして本実施例によれば、ガラス層内に埋め込まれた銀配線１３を得ることが出来る。従来は、埋め込まれた配線を得るには、基板に溝を形成し、当該溝に銀ペーストを印刷し焼成することで形成したが、本発明によれば、基板への溝の加工工程を行うことなく、表面の平坦性の高い配線基板を形成することができる。
【００６１】
＜実施例３＞
図３は、本発明の第３の実施例に係わる、コンタクト電極を埋め込むプロセスを示す模式断面図である。
【００６２】
まず、図３（ａ）に示す如く、ガラス基板３１上に第１の配線（導電層）３２を印刷法で形成する。
【００６３】
次いで、第１の配線３２上に実施例２で用いたペーストと同じ感光性を備える絶縁性ペーストを印刷する。そして、乾燥、露光、現像を行い、加熱焼成することで絶縁層（ガラス層）３３を形成する（図３（ｂ））。
【００６４】
次いで、絶縁層３３上に、粒径が２μｍ以上３μｍ以下の銀粒子３４を用いた、感光性を備える銀ペーストを印刷する（図３（ｃ））。
【００６５】
その後、乾燥、露光、現像を行い、コンタクト電極の前駆体膜３４が第１の配線３３上に位置するようにパターンニングを行う（図３（ｄ））。尚、前駆体膜３４の各々には多数の銀粒子が含まれている。
【００６６】
次いで、ガラス層３３の本来のガラス転移点（４８５℃）よりも低い４８０℃にて加熱することで、図３（ｅ）に示す如く、実施例１と同様に絶縁層３３内に埋め込まれ、且つ、第１の配線３２と接続するコンタクト電極３４を形成することができる。
【００６７】
かくして本実施例によれば、コンタクトホールを形成せずとも、絶縁層の下に位置する配線（導電層）との接続のためのコンタクト電極を簡易に形成することが可能となり、また、平坦性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施例に係わる、銀粒子をガラス層に埋め込むプロセスを示す模式断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係わる、銀配線を埋め込むプロセスを示す模式断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係わる、コンタクト電極を埋め込むプロセスを示す模式断面図である。
【図４】ガラス基板上に設けたガラス層上に、銀配線を印刷法により形成した際の様子の一例を示す断面図である。
【図５】ガラス基板上に設けたガラス層に、銀粒子が沈み込んだ際の様子の一例を示す断面図である。
【図６】マトリクス配線を備えた基板上に表面伝導型電子放出素子を配列することで構成した電子源を備えた画像表示装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１、１１、３１…基板
２、１２、３３…ガラス層
３、１３、３４…銀粒子
【図１】
2008030992.tif 000004
【図２】
2008030992.tif 000005
【図３】
2008030992.tif 000006
【図４】
2008030992.tif 000007
【図５】
2008030992.tif 000008
【図６】
2008030992.tif 000009