(57)【要約】【課題】処理部中の塵埃を除去でき、装置の小型化、処理のスループットの向上及び歩留まりの向上を図れるようにすること。【解決手段】搬送手段によって搬送されるウエハを処理部に搬送して処理を施す基板搬送処理において、ウエハＷの処理前に、搬送手段であるメインアームＡ２によって搬送される、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートＰＬを塗布処理ユニット３２に搬入して、塗布処理ユニット内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。塵埃を捕集した捕集プレートを洗浄ユニット８０内に搬入し、この洗浄ユニット内において捕集した塵埃を洗浄により除去し、塵埃が除去された捕集プレートを、塵埃を捕集可能な状態例えばイオナイザ２００によって帯電して再生する。塵埃を捕集可能な状態に再生された捕集プレートを、メインアームによって処理前の処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。【選択図】    図１
2008277480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送手段によって搬送される被処理基板を処理部に搬入し、この処理部において適宜処理を施した後、処理が施された被処理基板を前記搬送手段によって前記処理部から搬出する基板搬送処理方法において、
前記被処理基板の処理前に、前記搬送手段によって搬送される、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートを前記処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する工程と、
塵埃を捕集した前記捕集プレートを前記処理部から搬出した後、洗浄ユニット内に搬入し、この洗浄ユニット内において捕集した塵埃を洗浄により除去する工程と、
塵埃が除去された前記捕集プレートに、塵埃を捕集可能な状態に再生する工程と、
塵埃を捕集可能な状態に再生された前記捕集プレートを、前記搬送手段によって前記処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する工程と、を有することを特徴とする基板搬送処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板搬送処理方法において、
前記塵埃を捕集可能な状態が、捕集プレートを帯電した状態、及び又は、捕集プレートを処理部の雰囲気温度より低い温度に冷却した状態である、ことを特徴とする基板搬送処理方法。
【請求項３】
請求項１記載の基板搬送処理方法において、
前記捕集した塵埃を洗浄により除去する工程が、前記捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射して捕集プレートに付着した塵埃を捕集プレートから剥離すると共に、剥離された塵埃と蒸発した気体を吸引して排気する、ことを特徴とする基板搬送処理方法。
【請求項４】
請求項３記載の基板搬送処理方法において、
前記捕集プレートの両面に対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射して捕集プレートに付着した塵埃を捕集プレートから剥離すると共に、剥離された塵埃と蒸発した気体を吸引して排気することを含む、ことを特徴とする基板搬送処理方法。
【請求項５】
請求項３又は４記載の基板搬送処理方法において、
前記捕集プレートと蒸気噴射ノズルを相対的に平行移動しながら、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射する、ことを特徴とする基板搬送処理方法。
【請求項６】
請求項３ないし５のいずれかに記載の基板搬送処理方法において、
前記捕集プレートと蒸気噴射ノズルを更に平行面上で相対的に回転しながら、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射する、ことを特徴とする基板搬送処理方法。
【請求項７】
請求項１又は２記載の基板搬送処理方法において、
前記塵埃を捕集可能な状態が捕集プレートを帯電した状態である場合において、前記処理部内の雰囲気中の塵埃を前記捕集プレートの帯電極と反対の極に帯電する、ことを特徴とする基板搬送処理方法。
【請求項８】
搬送手段によって搬送される被処理基板を処理部に搬入し、この処理部において適宜処理を施した後、処理が施された被処理基板を前記搬送手段によって前記処理部から搬出する基板搬送処理装置において、
前記被処理基板の処理前に、前記搬送手段によって上記処理部に搬入される捕集プレートを、塵埃が捕集可能な状態にする手段と、
塵埃を捕集した前記捕集プレートから塵埃を洗浄により除去する洗浄ユニットと、
前記処理部及び洗浄ユニットに対して前記捕集プレートを搬入・搬出する搬送手段と、を具備することを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項９】
請求項８記載の基板搬送処理装置において、
前記捕集プレートを、塵埃が捕集可能な状態にする手段は、前記捕集プレートを帯電する帯電手段、及び又は、前記捕集プレートを前記処理部の雰囲気温度より低い温度に冷却する冷却手段である、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項１０】
請求項８記載の基板搬送処理装置において、
上記洗浄ユニットは、前記捕集プレートに対して加熱蒸気を噴射する蒸気噴射ノズルと、前記捕集プレートから剥離された塵埃と蒸発気体を吸引する排気ダクトと、を具備することを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の基板搬送処理装置において、
前記排気ダクトを、前記蒸気噴射ノズルの周囲を包囲する位置に配置してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１記載の基板搬送処理装置において、
前記蒸気噴射ノズルは、捕集プレートの両面に対して加熱蒸気を噴射可能に形成される、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項１３】
請求項１０ないし１２のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
前記蒸気噴射ノズルは、前記捕集プレートの幅全域に渡って加熱蒸気を噴射するノズル孔を具備し、
前記蒸気噴射ノズルと前記捕集プレートを相対的に平行移動する移動機構を具備する、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項１４】
請求項１０ないし１３のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
前記蒸気噴射ノズルと前記捕集プレートを平行面上で相対的に回転する回転機構を更に具備する、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項１５】
請求項８又は９記載の基板搬送処理装置において、
前記塵埃を捕集可能な状態が捕集プレートを帯電した状態の場合において、前記処理部に、この処理部内の雰囲気中の塵埃を前記捕集プレートの帯電極と反対の極に帯電する補助帯電手段を具備する、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板搬送処理方法及び基板搬送処理装置に関するもので、更に詳細には、搬送手段によって搬送される被処理基板を処理部に搬入して適宜処理を施した後、処理部から搬出する基板搬送処理方法及び基板搬送処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造プロセス中のフォトリソグラフィ技術においては、ウエハ等の基板にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成し、その後、このレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連のリソグラフィ工程によって行われている。
【０００３】
このような一連の処理は、一般に、搬送手段によって搬送される基板を、レジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット、レジスト塗布処理終了後の基板や露光処理後の基板を加熱処理する加熱処理ユニット、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等の処理部に搬入して適宜処理を施す塗布・現像処理システムによって行われている。
【０００４】
一般に、この種の塗布・現像処理システムにおいては、ウエハ等の搬送部及び処理部においてウエハ等にパーティクル等の塵埃が付着するのを防止するために、搬送部及び処理部の局部空間に清浄空気をダウンフローによって流すなどの気流制御がされている。
【０００５】
しかし、塵埃制御粒子の微細化によりウエハ等への静電吸着が主因となり、従来の気流制御だけでは不十分である。また、熱の均一性を要求する加熱処理部や真空処理部においては、処理部内の雰囲気を清浄空気で置換することができず、ウエハ等への塵埃付着が生じるという問題がある。
【０００６】
気流制御以外の方法で処理部において塵埃の発生を抑制し、ウエハ等に付着する塵埃の量を低減する方法として、処理部に、塵埃を静電気により吸着する塵埃吸着体と、吸着された塵埃を除去するクリーニング手段を設けた処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
この処理装置によれば、塵埃吸着体に処理部内の塵埃を効果的に吸着すると共に、塵埃の発生を抑制することができ、また、クリーニング手段によって塵埃吸着体の吸着機能を維持することができる。
【特許文献１】特許第３４５２４２２号公報（特許請求の範囲、図１，図３，図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の技術においては、処理部に、本来の処理機構を設ける以外に、塵埃吸着体と、この塵埃吸着体に吸着された塵埃を除去するクリーニング手段を設ける必要があるため、装置が複雑かつ大型化するという問題があった。特に、搬送手段によって搬送される被処理基板を複数の処理部に搬入して、各処理部で適宜処理を施した後、処理部から被処理基板を搬出して順次処理を施す基板搬送処理システムにおいては、各処理部に前記塵埃吸着体とクリーニング手段を設けることは、装置の複雑化及び大型化をきたすだけでなく、処理のスループットの低下及び歩留まりの低下を招く懸念がある。
【０００９】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、処理部中の塵埃を除去でき、装置の小型化を図ると共に、処理のスループットの向上及び歩留まりの向上を図れるようにした基板搬送処理方法及び基板搬送処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、搬送手段によって搬送される被処理基板を処理部に搬入し、この処理部において適宜処理を施した後、処理が施された被処理基板を前記搬送手段によって前記処理部から搬出する基板搬送処理方法において、  前記被処理基板の処理前に、前記搬送手段によって搬送される、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートを前記処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する工程と、  塵埃を捕集した前記捕集プレートを前記処理部から搬出した後、洗浄ユニット内に搬入し、この洗浄ユニット内において捕集した塵埃を洗浄により除去する工程と、  塵埃が除去された前記捕集プレートに、塵埃を捕集可能な状態に再生する工程と、  塵埃を捕集可能な状態に再生された前記捕集プレートを、前記搬送手段によって前記処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項１記載の基板搬送処理方法において、前記塵埃を捕集可能な状態にするには、捕集プレートを帯電した状態、及び又は、捕集プレートを処理部の雰囲気温度より低い温度に冷却した状態にする方が好ましい（請求項２）。
【００１２】
また、請求項１記載の基板搬送処理方法において、前記捕集した塵埃を洗浄により除去する工程は、前記捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射して捕集プレートに付着した塵埃を捕集プレートから剥離すると共に、剥離された塵埃と蒸発した気体を吸引して排気することが好ましい（請求項３）。この場合、前記捕集プレートの両面に対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射して捕集プレートに付着した塵埃を捕集プレートから剥離すると共に、剥離された塵埃と蒸発した気体を吸引して排気する方が好ましい（請求項４）。また、前記捕集プレートと蒸気噴射ノズルを相対的に平行移動しながら、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射する方が好ましく（請求項５）、更には、前記捕集プレートと蒸気噴射ノズルを更に平行面上で相対的に回転しながら、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射するようにしてもよい（請求項６）。
【００１３】
また、前記塵埃を捕集可能な状態が捕集プレートを帯電した状態である場合にあっては、前記処理部内の雰囲気中の塵埃を前記捕集プレートの帯電極と反対の極に帯電する方が好ましい（請求項７）。
【００１４】
また、請求項８記載の発明は、請求項１記載の基板搬送処理方法を具現化するもので、  搬送手段によって搬送される被処理基板を処理部に搬入し、この処理部において適宜処理を施した後、処理が施された被処理基板を前記搬送手段によって前記処理部から搬出する基板搬送処理装置において、  前記被処理基板の処理前に、前記搬送手段によって上記処理部に搬入される捕集プレートを、塵埃が捕集可能な状態にする手段と、  塵埃を捕集した前記捕集プレートから塵埃を洗浄により除去する洗浄ユニットと、  前記処理部及び洗浄ユニットに対して前記捕集プレートを搬入・搬出する搬送手段と、を具備することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項９記載の発明は、請求項２記載の基板搬送処理方法を具現化するもので、前記捕集プレートを、塵埃が捕集可能な状態にする手段は、前記捕集プレートを帯電する帯電手段、及び又は、前記捕集プレートを前記処理部の雰囲気温度より低い温度に冷却する冷却手段である、ことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項１０記載の発明は、請求項３記載の基板搬送処理方法を具現化するもので、上記洗浄ユニットは、前記捕集プレートに対して加熱蒸気を噴射する蒸気噴射ノズルと、前記捕集プレートから剥離された塵埃と蒸発気体を吸引する排気ダクトと、を具備することを特徴とする。この場合、排気ダクトは、蒸気噴射ノズルから噴射された加熱蒸気によって捕集プレートから剥離された塵埃と蒸発気体を吸引するものであれば、その配置位置は任意でよいが、好ましくは、排気ダクトは、蒸気噴射ノズルの周囲を包囲する位置に配置される方がよい（請求項１１）。また、前記蒸気噴射ノズルを、捕集プレートの両面に対して加熱蒸気を噴射可能に形成する方が好ましい（請求項１２）。また、前記蒸気噴射ノズルは、前記捕集プレートの幅全域に渡って加熱蒸気を噴射するノズル孔を具備し、前記蒸気噴射ノズルと前記捕集プレートを相対的に平行移動する移動機構を具備する方が好ましい（請求項１３）。また、前記蒸気噴射ノズルと前記捕集プレートを平行面上で相対的に回転する回転機構を更に具備するようにしてもよい（請求項１４）。
【００１７】
また、請求項１５記載の発明は、請求項７記載の基板搬送処理方法を具現化するもので、前記塵埃を捕集可能な状態が捕集プレートを帯電した状態の場合において、前記処理部に、この処理部内の雰囲気中の塵埃を前記捕集プレートの帯電極と反対の極に帯電する補助帯電手段を具備する、ことを特徴とする。
【００１８】
請求項１，８記載の発明によれば、被処理基板を処理部に搬入して処理を施す前に、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートを処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集することができる。また、塵埃を捕集した捕集プレートを処理部から搬出した後、洗浄ユニット内に搬入し、この洗浄ユニット内において捕集した塵埃を洗浄により除去した後、捕集プレートに、塵埃を捕集可能な状態に再生することができる。そして、塵埃を捕集可能な状態に再生された捕集プレートを、搬送手段によって処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集することができる。この場合、捕集プレートを帯電することで、塵埃を捕集プレートに付着（吸着）させて捕集することができ、また、捕集プレートを、処理部の雰囲気温度より低い温度に冷却することで、粒子を高温部から低温部へ移動させる熱泳動力によって塵埃は冷却された捕集プレートに付着（吸着）させて捕集することができる（請求項２，９）。
【００１９】
請求項３，１０記載の発明によれば、捕集した塵埃を洗浄により除去する際、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射して捕集プレートに付着した塵埃を捕集プレートから剥離し、捕集プレートから剥離された塵埃と加熱蒸気の蒸発した気体とが混合した状態で吸引により排気される。この場合、蒸気噴射ノズルの周囲を包囲する位置に排気ダクトを配置することにより、捕集プレートから剥離された塵埃を外方に飛散させることなく排気ダクトから排出することができる（請求項１１）。
【００２０】
請求項４，１２記載の発明によれば、捕集プレートの両面に対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射して捕集プレートに付着した塵埃を捕集プレートから剥離すると共に、剥離された塵埃と蒸発した気体を吸引して排気することで、捕集プレートの両面に付着した塵埃を確実に除去することができる。
【００２１】
請求項５，１３記載の発明によれば、捕集プレートと蒸気噴射ノズルを相対的に平行移動しながら、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射することにより、短時間で捕集プレートから塵埃を除去することができる。
【００２２】
請求項６，１４記載の発明によれば、捕集プレートと蒸気噴射ノズルを平行面上で相対的に回転しながら、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射することにより、捕集プレートの表面に満遍なく加熱蒸気を噴射することができる。
【００２３】
請求項７，１５記載の発明によれば、捕集プレートを帯電して塵埃が捕集可能な状態とした場合に、処理部内の雰囲気を捕集プレートの帯電極と反対の極に帯電することにより、捕集プレートへの塵埃の付着（吸着）を促進することができる。
【発明の効果】
【００２４】
以上に説明したように、この発明の基板搬送処理方法は、前記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。
【００２５】
（１）請求項１，２，８，９記載の発明によれば、被処理基板を処理部に搬入して処理を施す前に、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートを処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集することができるので、被処理基板への塵埃の付着を防止することができる。また、塵埃を捕集した捕集プレートを洗浄ユニットによって捕集した塵埃を洗浄により除去した後、塵埃を捕集可能な状態に再生し、再生された捕集プレートによって処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集することができるので、処理部内に発生するパーティクル等の塵埃を除去して、被処理基板への塵埃の付着を防止することができ、かつ、処理部に塵埃捕集部と捕集された塵埃を除去する手段を設けるものに比べて装置の小型化を図ることができると共に、スループットの向上及び歩留まりの向上を図ることができる。
【００２６】
（２）請求項３，１０記載の発明によれば、捕集した塵埃を洗浄により除去する際、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射して捕集プレートに付着した塵埃を捕集プレートから剥離し、捕集プレートから剥離された塵埃と加熱蒸気の蒸発した気体とが混合した状態で吸引により排気するので、前記（１）に加えて、更に捕集した塵埃を捕集プレートから確実に除去することができる。この場合、蒸気噴射ノズルの周囲を包囲する位置に排気ダクトを配置することにより、捕集プレートから剥離された塵埃を外方に飛散させることなく排気ダクトから排出することができる（請求項１１）。
【００２７】
（３）請求項４，１２記載の発明によれば、捕集プレートの両面に対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射して捕集プレートに付着した塵埃を捕集プレートから剥離すると共に、剥離された塵埃と蒸発した気体を吸引して排気するので、前記（１），（２）に加えて、更に捕集プレートの両面に付着した塵埃を確実に除去することができる。
【００２８】
（４）請求項５，１３記載の発明によれば、捕集プレートと蒸気噴射ノズルを相対的に平行移動しながら、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射することにより、短時間で捕集プレートから塵埃を除去することができるので、前記（１）〜（３）に加えて、更にスループットの向上を図ることができる。
【００２９】
（５）請求項６，１４記載の発明によれば、捕集プレートと蒸気噴射ノズルを平行面上で相対的に回転しながら、捕集プレートに対して蒸気噴射ノズルから加熱蒸気を噴射することにより、捕集プレートの表面に満遍なく加熱蒸気を噴射することができるので、前記（１）〜（４）に加えて、更に捕集プレートの塵埃捕集効率の向上を図ることができる。
【００３０】
（６）請求項７，１５記載の発明によれば、捕集プレートを帯電して塵埃が捕集可能な状態とした場合に、処理部内の雰囲気を捕集プレートの帯電極と反対の極に帯電することにより、捕集プレートへの塵埃の付着（吸着）を促進することができるので、前記（１）〜（５）に加えて、更に塵埃の捕集効率を高めることができると共に、被処理基板への塵埃の付着防止を更に確実にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板搬送処理方法（装置）を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００３２】
図１は、前記レジスト塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図、図２は、レジスト塗布・現像処理システムの概略斜視図である。
【００３３】
前記レジスト塗布・現像処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）が例えば２５枚密閉収容されたキャリア２０を搬入出するための搬入・搬出部であるキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個の単位ブロックＢ１〜Ｂ４を縦に配列して構成された塗布・現像処理部である塗布・現像処理ブロックＳ２（以下に処理ブロックＳ２という）と、インターフェース部であるインターフェースブロックＳ３と、を具備するレジスト塗布・現像処理装置１０と、レジスト塗布・現像処理装置１０とインラインで接続された露光装置１１とで主に構成されている。また、レジスト塗布・現像処理装置１０には、各ブロックＳ１〜Ｓ３間，ブロック内の処理ユニットとの間で、ウエハＷを搬送する搬送手段として後述するアームＡ１，Ａ２，Ｃ，Ｄが備えられている。
【００３４】
前記レジスト塗布・現像処理装置１０のキャリアブロックＳ１には、複数個（例えば４個）のキャリア２０を載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。
【００３５】
レジスト塗布・現像処理装置１０におけるトランスファーアームＣは、処理ブロックＳ２に設けられた受渡しステージＴＲＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、並びに鉛直軸回りに回転自在に移動自在に構成されている。
【００３６】
キャリアブロックＳ１の奥側には、筐体７０にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、レジスト液や現像液等の薬液容器類を収納する第１の単位ブロック（ＣＨＭ）Ｂ１、現像処理を行うための第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ２、２段のレジスト液の塗布処理を行うための塗布膜形成用単位ブロック及び洗浄処理を行う洗浄単位ブロックである第３，第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３，Ｂ４として割り当てられている（図３参照）。なお、この場合、塗布膜形成用単位ブロックの一つ例えば第３の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための単位ブロック（ＢＣＴ層）としてもよい。また、更に第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４の上段に、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための反射防止膜形成用単位ブロックを設けるようにしてもよい。
【００３７】
第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４は、前面側に配設され、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、背面側に配設され、前記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱処理ユニット等の処理ユニットと、前面側に配設される前記液処理ユニットと背面側に配設される加熱処理ユニット等の処理ユニットとの間、具体的には下段に現像処理部を配置し、上段にレジスト処理部を配置した液処理ユニットと加熱処理ユニット等の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しや、後述するパーティクル等の塵埃を捕集する捕集プレートＰＬの搬送を行うための基板搬送手段であるメインアームＡ１，Ａ２とを備えている。
【００３８】
これら単位ブロックＢ１〜Ｂ４は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の間で、前記液処理ユニットと、加熱処理ユニット等の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じに形成されている。ここで、配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおけるウエハＷの保持手段であるスピンチャックの中心や、加熱処理ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。
【００３９】
前記第２の単位ブロックすなわちＤＥＶ層Ｂ２は、図１に示すように、ＤＥＶ層Ｂ２のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェースブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１（メインアームＡ１の水平移動領域）が形成されている。また、第３，第４の単位ブロックすなわちＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４は、図示しないが、ＤＥＶ層Ｂ２と同様に、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェースブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ２（メインアームＡ２の水平移動領域）が形成されている。
【００４０】
前記搬送領域Ｒ１（Ｒ２）のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理ユニットとして、現像処理を行うための複数個例えば３個の現像処理ユニット３１と、２段の塗布処理ユニット３２及び洗浄ユニット（ＳＣＲ）が設けられている。
【００４１】
前記各単位ブロックは、手前側から奥側に向かって左側に、順に加熱系のユニットを多段化した例えば４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、ＤＥＶ層Ｂ２においては現像処理ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理ユニットを複数段、例えば３段ずつに積層した構成とされている。このようにして前記搬送領域Ｒ１によって現像処理ユニット３１と棚ユニットＵ１〜Ｕ４が区画されており、搬送領域Ｒ１に洗浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
【００４２】
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱処理ユニット（ＰＥＢ）や、現像処理後のウエハＷの水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱処理ユニット（ＰＯＳＴ）等が含まれている。これら加熱処理ユニット（ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）等の各処理ユニットは、それぞれ処理容器４０内に収容されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、前記処理容器４０が３段ずつ積層されて構成され、各処理容器４０の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口４１が形成されている。なお、加熱処理ユニット（ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）は、コントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０からの制御信号に基づいて加熱温度や加熱時間が調整可能に形成されている。
【００４３】
また、前記処理ブロックＳ２とインターフェースブロックＳ３の隣接する領域には、図１に示すように、メインアームＡ１がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられている。この棚ユニットＵ６は、ＤＥＶ層Ｂ２のメインアームＡ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、受渡しステージＴＲＳ２と、ウエハＷの受け渡しを行う冷却機能を有する受渡しステージ（図示せず）を備えている。また、処理ブロックＳ２とインターフェースブロックＳ３の隣接する領域には、図１及び図４に示すように、周縁露光装置（ＷＥＥ）が２段配置されると共に、処理部すなわち現像処理ユニット３１，塗布処理ユニット３２や加熱処理ユニット等の処理ユニット内に発生するパーティクル等の塵埃を捕集する捕集プレートＰＬを洗浄するための洗浄ユニット８０（ＰＬ．ＣＬＥ）が配置されている。
【００４４】
ここで、捕集プレートＰＬは、例えば、帯電によって塵埃を付着（吸着）して捕集する機能を有するもので、表面の材質は、例えばフッ素樹脂等のプラスチックや石英等の絶縁性材料によって形成されている。また、捕集プレートＰＬは、ウエハＷの搬送手段であるメインアームＡ１，Ａ２によって搬送されるため、ウエハＷと同形状に形成されている。
【００４５】
前記洗浄ユニット８０は、図６及び図７に示すように、捕集プレートＰＬの搬入・搬出用の開口８１ａを有する筐体８１内に、捕集プレートＰＬを水平状態に保持すると共に、水平面上に回転可能に保持する保持手段８２と、捕集プレートＰＬに対して洗浄用の加熱蒸気を噴射する蒸気噴射ノズル８３と、捕集プレートから剥離された塵埃と蒸発気体を吸引する排気ダクト８４と、を具備している。
【００４６】
排気ダクト８４は、蒸気噴射ノズル８３の周囲を包囲する位置に配置されている。この場合、蒸気噴射ノズル８３は、図７及び図８に示すように、捕集プレートＰＬの幅すなわち直径と同じかやや長い寸法の矩形状噴頭８５に適宜間隔をおいて円形又は四角形状のノズル孔８５ａ又は８５ｂを穿設してなり、噴頭８５の上方に位置する加熱蒸気室８６を中央の供給口８７から噴頭８５の左右両端に向かって拡開テーパ状に形成してなる。この蒸気噴射ノズル８３の供給口８７と蒸気供給源８８とを接続する供給管路８９に加熱蒸気発生器９０が設けられており、蒸気供給源８８から供給される蒸気源例えば水蒸気又は純水等を加熱蒸気発生器９０によって例えば８０〜２５０℃に加熱して加熱蒸気を生成し、この加熱蒸気を蒸気噴射ノズル８３に供給するように構成されている。なお、供給管路８９における蒸気供給源８８と加熱蒸気発生器９０との間には開閉弁Ｖが介設されている。
【００４７】
このように構成される蒸気噴射ノズル８３と排気ダクト８４は、保持手段８２によって水平状態に保持される捕集プレートＰＬの面に対して８０度以上の角度、好ましくは９０度（直角）の角度に配置されており、衝撃力を高めて塵埃の剥離が効率よく行われるようになっている。
【００４８】
一方、排気ダクト８４は、蒸気噴射ノズル８３の外周を包囲するように蒸気噴射ノズル８３と略相似形状に形成され、下端部には回収口８４ａが蒸気噴射ノズル８３の外周側に開口して設けられ、上部中央部には回収口８４ａに連通する排出口８４ｂが設けられている。また、排出口８４ｂに排出管路８４ｃが接続され、排出管路８４ｃには排気装置例えば真空ポンプ９１が設けられている。
【００４９】
前記蒸気噴射ノズル８３と排気ダクト８４は、移動機構１００によって保持手段８２で保持されている捕集プレートＰＬに対して相対的に平行移動するように構成されている。この場合、蒸気噴射ノズル８３と排気ダクト８４は、筐体８１の両側に対峙して配置される一対のリニアガイド１０１，１０２に摺動可能に装着される門形フレーム１０３に連結されており、一方のリニアガイド１０１に連結する例えばボールねじ機構にて形成される移動機構１００の駆動によって蒸気噴射ノズル８３と排気ダクト８４が、保持手段８２で保持されている捕集プレートＰＬに対して相対的に平行移動するようになっている。
【００５０】
また、捕集プレートＰＬを保持する保持手段８２は、捕集プレートＰＬの外周縁を保持する複数例えば３個のローラ８２ａと、各ローラ８２ａを水平方向に回転する回転機構例えばモータ８２ｂと、ローラ８２ａ及びモータ８２ｂを捕集プレートＰＬの保持位置と非保持位置に進退移動するローラ移動機構例えば移動シリンダ８２ｃとで主に構成されている。このように構成される保持手段８２によれば、ローラ８２ａが非保持位置に退避した状態で、搬送手段であるメインアームＡ１又はＡ２によって捕集プレートＰＬが筐体８１内に搬入されると、図示しない昇降手段によって上昇する支持ピン１１０がメインアームＡ１又はＡ２から捕集プレートＰＬを受け取り、その後、メインアームＡ１又はＡ２が筐体８１の外方に後退した状態で、移動シリンダ８２ｃが駆動してローラ８２ａが捕集プレートＰＬの外周縁を保持する。ローラ８２ａが捕集プレートＰＬの外周縁を保持した後、支持ピン１１０は下降して捕集プレートＰＬから離れた状態で、モータ８２ｂが駆動して捕集プレートＰＬを水平方向に回転することができる。
【００５１】
なお、保持手段８２は、捕集プレートＰＬを水平状態に保持すると共に、水平方向に回転するものであれば、必ずしも前記ローラ８２ａ，モータ８２ｂ及び移動シリンダ８２ｃによって構成する必要はなく、例えば移動シリンダ８２ｃに代えてローラ８２ａを捕集プレートＰＬの保持位置と非保持位置に揺動するカム機構を用いてもよい。
【００５２】
塵埃が付着された捕集プレートＰＬを洗浄して塵埃を除去するには、搬送手段であるメインアームＡ１又はＡ２によって洗浄ユニット８０内に搬入される捕集プレートＰＬを、上昇する支持ピン１１０が受け取った後、保持手段８２を構成するローラ８２ａが保持して、捕集プレートＰＬを水平状態に保持する。そして、モータ８２ｂを駆動して捕集プレートＰＬを水平方向に回転すると共に、捕集プレートＰＬの中心部の上方にセットされた蒸気噴射ノズル８３から加熱蒸気を噴射しつつ蒸気噴射ノズル８３と排気ダクト８４を捕集プレートＰＬに対して相対的に平行移動する。これにより、蒸気噴射ノズル８３から噴射された加熱蒸気が捕集プレートＰＬの表面に衝突して捕集プレート表面に付着する塵埃を剥離し、剥離された塵埃を加熱蒸気の蒸発気体と共に排気ダクト８４の回収口８４ａから吸引して排出する。
【００５３】
なお、ここでは、捕集プレートＰＬの片面の洗浄について説明したが、捕集プレートＰＬの両面を同様に洗浄して、捕集プレートＰＬの両面に付着する塵埃を除去する方が好ましい。捕集プレートＰＬの両面を洗浄する方法としては、例えば図９に示すように、洗浄ユニット８０内に、上下に対向する対をなす蒸気噴射ノズル８３と排気ダクト８４を配設して、前記と同様に、捕集プレートＰＬの面に対して平行移動すればよい。また、これに代えて保持手段８２を反転可能に形成して、片面を洗浄した後に、捕集プレートＰＬを反転させて残りの片面を洗浄するようにしてもよい。
【００５４】
また、洗浄ユニット８０の筐体８１内における開口８１ａの近傍上部には、洗浄ユニット８０内で塵埃が除去された捕集プレートＰＬに対して、塵埃が捕集可能な状態にするようにイオンを照射して帯電する帯電手段例えばイオナイザ２００が設けられている。なお、帯電手段は必ずしもイオナイザ２００である必要はなく、イオナイザ２００に代えて紫外線照射ランプ（ＵＶランプ）を用いてもよい。このように、洗浄ユニット８０内に帯電手段例えばイオナイザ２００を設けることにより、洗浄ユニット８０内に搬送されて塵埃が除去された捕集プレートＰＬを洗浄ユニット８０から取り出す際に、イオナイザ２００からのイオン照射によって捕集プレートＰＬを塵埃が捕集可能な状態に帯電することができる。
【００５５】
なお、洗浄ユニット８０の筐体８１の開口８１ａには、この開口８１ａを開閉するシャッタ８１ｂが設けられている。また、筐体８１の底部には排気口８１ｃが設けられ、排気口８１ｃを介して筐体８１内の排気が外部に排出されるようになっている。
【００５６】
前記のように構成される洗浄ユニット８０は、例えば図１０に示すように、鉛直方向に複数段例えば５段が積層された状態で形成されている。なお、この場合、洗浄ユニット８０の近接位置に、複数例えば５枚の捕集プレートＰＬが収容可能なバッファ３００を設けるようにしてもよい。このように複数の捕集プレートＰＬを収容するバッファ３００を設けることにより、複数の処理ユニットに対して捕集プレートＰＬを同時に搬送して、処理ユニット内の塵埃を捕集することができる。
【００５７】
前記搬送領域Ｒ１には前記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、ＤＥＶ層Ｂ２内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、現像処理ユニット３１の各部との間でウエハの受け渡しを行う他、現像処理ユニット３１，棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと洗浄ユニット８０間で捕集プレートＰＬを搬送するように構成されており、このために水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００５８】
また、前記搬送領域Ｒ２には前記メインアームＡ２が設けられている。このメインアームＡ２は、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、塗布処理ユニット３２の各部との間でウエハの受け渡しを行う他、塗布処理ユニット３２，棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと洗浄ユニット８０間で捕集プレートＰＬを搬送するように構成されており、このために水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００５９】
前記メインアームＡ１，Ａ２は、同様に構成されており、例えば図５に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の湾曲アーム片５１，５２と、前記洗浄ユニット８０に対して塵埃を捕集（付着）した捕集プレートＰＬを搬入する際に捕集プレートＰＬの裏面側周縁領域を支持するための捕集プレート専用の湾曲アーム片５３を有するアーム本体５０を備えており、これら湾曲アーム片５１，５２，５３は基台５４に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。また、この基台５４は鉛直軸回りに回転自在に構成されると共に、Ｙ方向に移動自在、かつ昇降自在に構成されている。
【００６０】
なお、湾曲アーム片５１，５２，５３には、ウエハＷ又は捕集プレートＰＬを支持する支持突起５５が絶縁性部材にて形成されており、帯電された捕集プレートＰＬを支持する際に帯電が転写しないように考慮されている。なお、湾曲アーム片５１，５２，５３自体は導電性の材質例えばアルミニウム製部材にて形成されており、帯電された捕集プレートＰＬを支持している際に帯電が転写しても、アーム片自体を伝って流れるので、静電気による問題はない。むしろ、湾曲アーム片５１，５２にあっては、これら湾曲アーム片５１，５２に付着している塵埃を捕集プレートＰＬに付着（吸着）することができ、湾曲アーム片５１，５２の洗浄を行うことができる点で好適である。
【００６１】
また、上方の２本の湾曲アーム片５１，５２と下方の湾曲アーム片５３との間に遮蔽板５６を設けるようにしてもよい。このように遮蔽板５６を設けることにより、湾曲アーム片５３に支持される捕集プレートＰＬに付着した塵埃が上方の湾曲アーム片５１，５２側に飛散して付着を防止することができる。
【００６２】
このようにして湾曲アーム片５１，５２，５３は、Ｘ方向に進退自在，Ｙ方向に移動自在，昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各ユニットやキャリアブロックＳ１側に配置された棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しや、洗浄ユニット８０と各処理ユニットとの間で捕集プレートＰＬの搬送を行うことができるようになっている。このようなメインアームＡ１，Ａ２は、制御手段であるコントローラ６０からの指令に基づいて駆動が制御される。
【００６３】
また、前記塗布膜形成用の単位ブロックＢ３，Ｂ４は、いずれも同様に構成されており、具体的には、液処理ユニットとしてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布処理ユニット３２が設けられ、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱クーリング処理する熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）や、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）を備えており、ＤＥＶ層Ｂ２と同様に構成されている。すなわち、塗布ユニットと熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）及び疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）とをメインアームＡ２の搬送領域Ｒ２（メインアームＡ２の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４では、メインアームＡ２により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、塗布処理ユニット３２と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してそれぞれウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。なお、前記疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）は、ＨＭＤＳ雰囲気内でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３，Ｂ４のいずれかに設けられればよい。
【００６４】
前記塗布処理ユニット３２は、図１１に示すように、ウエハＷを回転可能に保持する保持手段であるスピンチャック３３と、このスピンチャック３３を回転する回転モータ３４と、スピンチャック３３及びこのスピンチャック３３によって保持されるウエハＷの側方及び下方を包囲する外カップ３５ａと内カップ３５ｂとからなるカップ３５と、スピンチャック３３によって保持されたウエハＷに対してシンナーを供給（吐出）するシンナーノズル３６及びウエハＷに対してレジスト液を供給（吐出）するレジストノズル３７を有するノズル体３８と、を具備している。そして、これらスピンチャック３３，回転モータ３４，カップ３５及びノズル体３８は、塗布処理ユニット用の容器３９内に収容されている。
【００６５】
なお、シンナーノズル３６は、開閉弁Ｖ１を介設したシンナー供給管３６ａを介してシンナー供給源３６ｂに接続されている。また、レジストノズル３７は、開閉弁Ｖ２を介設したレジスト供給管３７ａを介してレジスト供給源３７ｂに接続されている。
【００６６】
この場合、容器３９内には、容器３９内の雰囲気中に存在する塵埃を帯電する補助帯電手段例えばイオナイザ２００Ａが設けられている。この場合、イオナイザ２００によって塵埃を帯電するイオンは、前記洗浄ユニット８０に設けられたイオナイザ２００からのイオン照射によって捕集プレートＰＬを塵埃が捕集可能な状態に帯電するイオンと反対の極に帯電、すなわち、洗浄ユニット８０のイオナイザ２００によって−（マイナス）の電荷をもつイオンが照射されて帯電された場合には、イオナイザ２００Ａから＋（プラス）の電荷をもつイオンが容器３９内に照射されて容器３９内の雰囲気中の塵埃が帯電される。これにより、塗布処理ユニット３２内に搬入される捕集プレートＰＬへの塵埃の付着（吸着）を促進することができる。
【００６７】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェースブロックＳ３を介して露光装置１１が接続されている。インターフェースブロックＳ３には、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ２の棚ユニットＵ６の各部と露光装置１１とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェースアームＤを備えている。このインターフェースアームＤは、処理ブロックＳ２と露光装置１１との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、前記ＤＥＶ層Ｂ２の受渡しステージＴＲＳ２等に対してウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００６８】
次に、前記のように構成されるレジスト塗布・現像処理システムにおけるウエハＷの処理について説明する。
【００６９】
まず、キャリアブロックＳ１の載置台２１に処理に供されるウエハＷを収納したキャリア２０を開閉部２２に載置する。次に、トランスファーアームＣによってキャリア２０から取り出されたウエハＷは、受渡しステージＴＲＳ１に搬送された後、メインアームＡ２によって疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）に搬送されて、疎水化処理が施される。
【００７０】
疎水化処理された後に棚ユニットＵ５に一時収納されたウエハＷは、メインアームＡ２によって棚ユニットＵ５から取り出され、塗布処理ユニット３２に搬送されて、レジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ２によって熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベーク（ＰＡＢ）が施される。その後、ウエハＷは熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）内でクーリング処理が施される。なお、図示しないが、プリベーク（ＰＡＢ）が施された後、ウエハＷは周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送されて、周辺露光処理が施された後に加熱処理及び前記クーリング処理が施される。次いで、ウエハＷは、インターフェースアームＤにより露光装置１１に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００７１】
露光処理後のウエハＷは、インターフェースアームＤにより、ＤＥＶ層Ｂ２にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ２に搬送され、このステージＴＲＳ２上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ２のメインアームＡ１に受け取られ、このＤＥＶ層Ｂ２にて、まず、加熱処理ユニット（ＰＥＢ）でポストエクスポージャーベーク処理された後、加熱処理ユニット（ＰＥＢ）内の冷却プレート（図示せず）で所定温度に調整される。次いで、ウエハＷは、メインアームＡ１によって加熱処理ユニット（ＰＥＢ）から取り出されて現像処理ユニット３１に搬送されて、現像液が塗布される。その後、メインアームＡ１によって加熱処理ユニット（ＰＯＳＴ）に搬送され、所定の現像処理が行われる。
【００７２】
現像処理後のウエハＷは、キャリアブロックＳ１の載置台２１に載置された空のキャリア２０内に収納されて搬出される。
【００７３】
なお、前記実施形態では、反射防止膜を形成しない場合について説明したが、レジスト膜の下側や上側に反射防止膜を形成する場合においても、前記塗布・現像処理システムを同様に適用することができる。すなわち、ウエハＷの表面に疎水化処理を施し、その後、ウエハＷの表面に犠牲膜を皮膜し、ベーク処理，クーリング処理を施した後、犠牲膜の表面に反射防止膜を形成（皮膜）する。そして、反射防止膜の表面にレジスト膜を形成した後、露光処理，現像処理を施すことができる。この場合、クーリング処理とレジスト塗布処理の間に、反射防止膜塗布処理→ベーク処理→クーリング処理の工程が追加される。
【００７４】
１ロットのウエハＷの処理が行われた後、次の処理が開始される前に、予め塵埃の捕集が可能な状態に帯電された捕集プレートＰＬを搬送手段例えばメインアームＡ２によって処理部例えば塗布処理ユニット３２内に搬入して、塗布処理ユニット３２内のスピンチャック３３に受け渡す。すると、捕集プレートＰＬが帯電されているので、塗布処理ユニット３２内に発生する塵埃は捕集プレートＰＬに付着（吸着）されて捕集される。このとき、塗布処理ユニット３２内のイオナイザ２００から捕集プレートＰＬの帯電と反対の極の電荷をもつイオンを容器３９内に照射することによって、容器３９内の塵埃の捕集プレートＰＬへの付着（吸着）が促進され、塗布処理ユニット３２内に発生する塵埃を効率よく除去することができる。
【００７５】
このようにして、塗布処理ユニット３２内の塵埃を捕集した後、この捕集プレートＰＬは搬送手段例えばメインアームＡ２の湾曲アーム片５３によって塗布処理ユニット３２内から取り出されて、洗浄ユニット８０内に搬入される。そして、洗浄ユニット８０において、前述したように、メインアームＡ２によって洗浄ユニット８０内に搬入される捕集プレートＰＬを、上昇する支持ピン１１０が受け取った後、保持手段８２を構成するローラ８２ａが保持して、捕集プレートＰＬを水平状態に保持する。次に、モータ８２ｂが駆動して捕集プレートＰＬは水平方向に回転すると共に、捕集プレートＰＬの中心部の上方に移動された蒸気噴射ノズル８３から加熱蒸気を噴射しつつ蒸気噴射ノズル８３と排気ダクト８４を捕集プレートＰＬに対して相対的に平行移動する。これにより、蒸気噴射ノズル８３から噴射された加熱蒸気が捕集プレートＰＬの表面に衝突して捕集プレート表面に付着する塵埃を剥離し、剥離された塵埃を加熱蒸気の蒸発気体と共に排気ダクト８４の回収口８４ａから吸引して排出する。
【００７６】
塵埃が除去された捕集プレートＰＬは、保持手段８２から搬送手段例えばメインアームＡ２の湾曲アーム片５１又は５２に受け取られて、洗浄ユニット８０内から搬出される。この際、イオナイザ２００から捕集プレートＰＬに対してイオンが照射されて捕集プレートＰＬが再び塵埃を捕集可能な状態に帯電されて再生される。このようにして再生された捕集プレートＰＬは、搬送手段例えばメインアームＡ２によって搬送され処理前の処理部例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４のいずれかの処理ユニットに搬入されて、前記と同様にして処理ユニット内の塵埃を捕集（付着，吸着）する。なお、この場合、処理ユニット内に前記イオナイザ２００Ａを設けておけば、塵埃の捕集が促進される。塵埃を捕集した捕集プレートＰＬは、前記と同様に、洗浄ユニット８０内に搬入されて、捕集した塵埃を加熱蒸気の噴射により除去した後、イオナイザ２００からのイオン照射によって塵埃の捕集可能な状態に再生され、以下同様にして、処理前の処理部に搬送されて処理部内の塵埃を捕集するか、あるいは、バッファ３００内に収容されて、次の塵埃の捕集まで待機する。
【００７７】
前記説明では、第３，第４の単位ブロックＢ３，Ｂ４における処理部で塵埃を捕集する場合について説明したが、第２の単位ブロックＢ２における現像処理ユニット３１や棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットにおける塵埃の捕集についても前記と同様の方法で行うことができる。
【００７８】
また、前記説明では、１ロットのウエハＷの処理が終了した後に、処理部に捕集プレートＰＬを搬入して塵埃を捕集する場合について説明したが、枚葉処理毎、あるいは、所定枚数のウエハＷの処理を行った後に処理部に捕集プレートＰＬを搬入して塵埃を捕集するようにしてもよい。
【００７９】
なお、前記実施形態では、捕集プレートＰＬを帯電して塵埃を捕集可能な状態にする場合について説明したが、帯電以外に、例えば捕集プレートＰＬを処理部の雰囲気温度より低い温度例えば処理部の雰囲気温度に対して、実験結果より得られた知見より例えば−５℃以下の温度に冷却することによって、処理部内の塵埃を捕集することができる。すなわち、処理部の雰囲気温度に対して−５℃以下の温度に冷却された捕集プレートＰＬを処理部内に搬入することにより、粒子を高温部から低温部へ移動させる熱泳動力によって塵埃は冷却された捕集プレートＰＬに付着（吸着）されて捕集される。
【００８０】
この場合、捕集プレートＰＬを冷却する方法の一つとして、前記洗浄ユニット８０によって洗浄すなわち塵埃が除去された捕集プレートＰＬを、図１２に示すように、冷却手段例えばペルチェ素子４０１を内蔵する冷却プレート４００上に載置して、捕集プレートＰＬを所定の温度に冷却する方法がある。この場合、冷却プレート４００を貫通する昇降可能な３本の受渡しピン４０２を昇降機構４０３によって昇降させることによって搬送手段例えばメインアームＡ１，Ａ２との間で捕集プレートＰＬを受け渡しすることができる。なお、ペルチェ素子４０１に代えて冷却水等の冷媒を用いてもよい。また、前記熱処理ユニットにおける冷却ユニット（ＣＬＨＰ）を用いて捕集プレートＰＬを冷却するようにしてもよい。
【００８１】
なお、この場合、冷却される捕集プレートＰＬは、蓄熱性を有するものが好ましく、例えば捕集プレートＰＬの材質をセラミックや石英等の熱伝導性が低い材質とする方がよい。
【００８２】
なお、前記のように、捕集プレートＰＬを冷却して塵埃を捕集可能な状態にする場合は、捕集プレートＰＬを冷却することのみによって塵埃を捕集してもよいが、前記帯電により塵埃を捕集可能な状態にする方法と組み合わせて、塵埃を捕集可能な状態にすれば、更に効率よく塵埃を捕集することができる。
【００８３】
また、前記実施形態では、この発明に係る基板搬送処理方法（装置）がレジスト塗布・現像処理システムに適用される場合について説明したが、この発明に係る基板搬送処理方法（装置）は、レジスト塗布・現像処理システム以外の基板処理システム例えばウエハにエッチング処理を施すエッチング処理システムにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】この発明に係る基板搬送処理方法（装置）を適用したレジスト塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】前記レジスト塗布・現像処理システムの概略斜視図である。
【図３】前記レジスト塗布・現像処理システムの液処理部を示す概略正面図である。
【図４】前記レジスト塗布・現像処理システムの熱処理部を示す概略背面図である。
【図５】この発明における搬送手段の一例を示す概略斜視図（ａ）及び搬送手段を構成するアーム片が捕集プレートを支持する状態を示す側面図（ｂ）である。
【図６】この発明における洗浄ユニットの概略平面図（ａ）及び概略断面図（ｂ）である。
【図７】この発明における蒸気噴射ノズルと排気ダクトを示す概略断面図である。
【図８】前記蒸気噴射ノズルを示す断面図（ａ）、この蒸気噴射ノズルのノズル孔の一例を示す底面図（ｂ）及び別の形態のノズル孔を示す底面図（ｃ）である。
【図９】この発明における捕集プレートを洗浄する状態の一例を示す概略断面図である。
【図１０】この発明における洗浄ユニットを多段に積層した状態を示す概略断面図である。
【図１１】この発明における処理部の一例である塗布処理ユニットを示す概略断面図である。
【図１２】この発明における捕集プレートの冷却プレートを示す概略平面図（ａ）及び冷却プレートの概略断面図（ｂ）である。
【符号の説明】
【００８５】
Ｗ  半導体ウエハ（被処理基板）
ＰＬ  捕集プレート
Ａ１，Ａ２  メインアーム（搬送手段）
３１  現像処理ユニット（処理部）
３２  塗布処理ユニット（処理部）
８０  洗浄ユニット
８２  保持手段
８２ａ  ローラ
８２ｂ  モータ（回転機構）
８２ｃ  移動シリンダ
８３  蒸気噴射ノズル
８４  排気ダクト
１００  移動機構
２００  イオナイザ（帯電手段）
２００Ａ  イオナイザ（補助帯電手段）
４００  冷却プレート
４０１  ペルチェ素子（冷却手段）
【図１】
2008277480.tif 000003
【図２】
2008277480.tif 000004
【図３】
2008277480.tif 000005
【図４】
2008277480.tif 000006
【図５】
2008277480.tif 000007
【図６】
2008277480.tif 000008
【図７】
2008277480.tif 000009
【図８】
2008277480.tif 000010
【図９】
2008277480.tif 000011
【図１０】
2008277480.tif 000012
【図１１】
2008277480.tif 000013
【図１２】
2008277480.tif 000014