(57)【要約】【課題】半導体チップに対して直接的に孔部を形成し、かかる孔部内に導電部材を埋設するとともに、この導電部材を介して前記半導体チップを配線基板と電気的及び機械的に接合して半導体装置を製造（実装）する方法において、前記半導体チップの前記孔部を形成する際に発生する飛散物（デブリ）を抑制する方法を提供する。【解決手段】半導体チップに対して孔あけ加工を行い、前記半導体チップに少なくとも１つの孔部を形成する。この際、レーザ光を、時間的なインターバルをおいて前記半導体チップに照射し、前記少なくとも１つの孔部を第１次の深さにまで加工する。次いで、前記少なくとも１つの孔部内に第１の導電部材を埋設するとともに、この第１の導電部材と電気的及び機械的に接合された第２の導電部材を介して、前記半導体チップを配線基板に電気的及び機械的に接合して、目的とする半導体装置を得る。【選択図】図２
2008159714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップに対して孔あけ加工を行い、前記半導体チップに少なくとも１つの孔部を形成する工程と、
前記少なくとも１つの孔部内に第１の導電部材を埋設するとともに、この第１の導電部材と電気的及び機械的に接合された第２の導電部材を介して、前記半導体チップを配線基板に電気的及び機械的に接合して、前記半導体チップを前記配線基板上に実装する工程とを備え、
前記孔あけ加工において、レーザ光を、時間的なインターバルをおいて前記半導体チップに照射し、前記少なくとも１つの孔部を第１次の深さにまで加工することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの孔部は複数の孔部であって、前記孔あけ加工において、前記レーザ光を前記半導体チップ上で前記時間的なインターバルをおいて移動させ、前記複数の孔部を前記第１次の深さを有するように順次に形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記孔あけ加工において、前記レーザ光を用いて前記少なくとも１つの孔部を前記第１次の深さにまで加工した後、エッチング処理を施すことによって前記少なくとも１つの孔部を目的とする深さにまで加工することを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング処理はウエットエッチング処理であることを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記孔あけ加工において、前記レーザ光は前記半導体チップに対してトレパニング法に基づいて照射することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に３次元実装に適した半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高性能の３次元ＩＣなどの装置を実現するため、配線基板上に少なくとも１つの半導体チップを積層して半導体装置とする方法（実装方法）が盛んに試みられている。この際、得ようとする半導体装置をより小型化するために、前記半導体チップの周辺部及び前記配線基板の周辺部にそれぞれパッドを形成し、これらパッド間をワイヤで電気的に接合するという、いわゆるワイヤーボンディングに代えて、前記半導体チップに対して直接的に孔部を形成し、かかる孔部内に導電部材を埋設するとともに、この導電部材を介して配線基板と電気的及び機械的に接合する、いわゆるフリップチップ様の接合技術が用いられるようになっている。
【０００３】
上述のように、半導体チップに孔部を形成するに際しては、従来、ＹＡＧレーザやエキシマレーザなどを用い、これらのレーザから発せられるレーザ光を前記半導体チップの前記孔部を形成すべき部分に照射し、加熱溶融させることによって実施していた。
【０００４】
しかしながら、このようなレーザ光照射を用いた孔あけ方法においては、レーザ光照射による加工領域の近傍、特に孔部の肩部において、加工によって生じた飛散物（デブリ）が付着してしまう傾向があった。前記飛散物（デブリ）は、前記半導体チップを構成するシリコンの酸化物や、上述した孔あけ加工のストッパーとして機能するＮｉやＡｌなどの混合物から構成される。
【０００５】
したがって、このような状態で前記半導体チップの前記孔部内に導電部材を充填し、前記半導体チップと前記配線基板との接合（実装）を行おうとすると、前記堆積した飛散物（デブリ）が前記導電部材から露出してしまい、前記飛散物を介して前記半導体チップ内に電流が流れて（リークしてしまい）、実装して得た半導体装置が十分に機能しないという問題があった。また、前記半導体チップ上に保護層を形成しようとした場合において、前記飛散物（デブリ）の存在によって、前記保護層の、前記半導体チップへの密着性が不十分となり、前記保護層の剥離などの問題があった。
【０００６】
したがって、上述したようなフリップチップ様の接合技術を用いて半導体チップと配線基板とを接合して実装するに際し、前記半導体チップに対する孔あけ加工を実施する場合は、前記飛散物（デブリ）の発生を抑制する、あるいは除去することが要求される。
【０００７】
前記飛散物（デブリ）を除去する方法としては、上述のようにレーザ光照射によって発生した前記飛散物を、ウォータジェット水流などを用いて除去するなどの方法が試みられている。また、半導体チップの、レーザ光照射による加工面と反対側の面に液体を接触させ、前記液体の気化による急激な堆積膨張によって、発生した飛散物（デブリ）を除去する方法なども試みられている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００２−１８５８６号
【０００８】
しかしながら、上述した方法では、液体を使用するために製造装置の構成が複雑となり、飛散物（デブリ）が付着しない目的とする半導体装置を得るに際して、前記製造装置に起因してコスト増となる問題が生じていた。また、上述した方法では、いずれの場合も、レーザ光照射による加工によって発生した飛散物（デブリ）の除去を十分に行うことができないという問題があった。さらに、上述したいずれの方法もレーザ加工によって発生した飛散物（デブリ）の除去に関するものであり、前記飛散物（デブリ）の本来的な抑制方法については未だ十分な開発が行われていないのが現状である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、半導体チップに対して直接的に孔部を形成し、かかる孔部内に導電部材を埋設するとともに、この導電部材を介して前記半導体チップを配線基板と電気的及び機械的に接合して半導体装置を製造（実装）する方法において、前記半導体チップの前記孔部を形成する際に発生する飛散物（デブリ）を抑制する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決すべく、本発明の一態様は、
半導体チップに対して孔あけ加工を行い、前記半導体チップに少なくとも１つの孔部を形成する工程と、
前記少なくとも１つの孔部内に第１の導電部材を埋設するとともに、この第１の導電部材と電気的及び機械的に接合された第２の導電部材を介して、前記半導体チップを配線基板に電気的及び機械的に接合して、前記半導体チップを前記配線基板上に実装する工程とを備え、
前記孔あけ加工において、レーザ光を、時間的なインターバルをおいて前記半導体チップに照射し、前記少なくとも１つの孔部を第１次の深さにまで加工することを特徴とする、半導体装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
上記態様によれば、半導体チップに対して直接的に孔部を形成し、かかる孔部内に導電部材を埋設するとともに、この導電部材を介して前記半導体チップを配線基板と電気的及び機械的に接合して半導体装置を製造（実装）する方法において、前記半導体チップの前記孔部を形成する際に発生する飛散物（デブリ）を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
【００１３】
（半導体チップの加工）
＜第１の実施形態＞
図１〜６は、第１の実施形態における半導体装置の製造方法についての概略的な説明図である。これらの図においては、半導体チップの孔あけ加工に供する領域の断面を示している。
【００１４】
最初に、図１に示すように、半導体チップ１１を準備し、この半導体チップ１１の裏面側にエッチングストッパーとして機能するストッパー層１２を形成する。このストッパー層１２は、例えばＡｌ及びＮｉなどを含むようにして形成する。なお、ストッパー層１２は、後に接合すべき配線基板と電気的及び機械的に接続するための導電部材の一部を構成する。
【００１５】
次いで、図２に示すように、図示しないレーザ光源より、形成すべき孔部の径を考慮したビーム径のレーザ光を半導体チップ１１に照射し、深さｄ１の孔部１５を形成する。深さｄ１は目的とする最終的な深さ（半導体チップ１１の厚さに相当する深さ）よりも小さくなるようにする。なお、この際のレーザ光の照射条件は、例えば、半導体チップ１１をシリコンから構成し、孔部１５の径を１０〜２０μｍとする場合、ＹＡＧ−ＴＨＧ（波長３５５ｎｍ）において、Ｑｓｗ周波数を５０〜１００ｋＨｚとし、平均出力が０．５〜１．５Ｗ、エネルギー密度が０．０１〜０．２ｍＪ／ｃｍ２とすることができる。
【００１６】
なお、上述したＹＡＧ−ＴＨＧに代えて、他のレーザ光源を用いることもでき、この場合は、使用するレーザ光源の種類などに応じて適宜に変化させることができる。
【００１７】
次いで、図３に示すように、所定の時間的なインターバルｔ１をおいた後、再度、上述したレーザ光を照射し、孔部１５を深さｄ２となるまで加工する。この深さｄ２は、上述した深さｄ１よりも大きく、目的とする最終的な深さよりも小さい。なお、この際に使用するレーザ光の条件は、上記図２に関して適用した条件と同一とすることができる。また、インターバルｔ１に関しては、上述したレーザ光の照射条件などを考慮して適宜設定することができるが、例えば１秒以上に設定することができる。
【００１８】
次いで、図４に示すように、所定のインターバルｔ２をおいた後、再度上述したレーザ光を照射し、孔部１５を深さｄ３となるまで加工する。この深さｄ３は、レーザ光による目的とする加工深さであって、上述した深さｄ２よりも大きく、目的とする最終的な深さよりも小さい。なお、この際に使用するレーザ光の条件は、上記図２に関して適用した条件と同一とすることができる。また、インターバルｔ２に関しては、上述したレーザ光の照射条件などを考慮して適宜設定することができるが、例えば１秒以上に設定することができる。
【００１９】
一般に、半導体チップに対してレーザ光を比較的長時間照射して、目的とする孔部を一回のレーザ光照射によって形成しようとすると、前記レーザ光照射による加熱によって、前記半導体チップの孔部周辺に熱応力が生じるようになる。すると、この熱応力に起因して、前記半導体チップの、前記レーザ光照射領域の近傍では欠陥が生じやすくなり、その結果、かかる領域において前記半導体チップを構成するシリコンが前記欠陥を通じて極めて酸化されやすくなる。したがって、前記領域において酸化シリコンが生成される割合が増大し、このような酸化シリコンの増大に起因して、孔部周辺での飛散物（デブリ）の生成度合いが増大する。
【００２０】
これに対して、図１〜図４に示す製造工程においては、レーザ光を、インターバルｔ１及びｔ２をおいて段階的に照射し、孔部１５の深さがｄ１からｄ３になるまで順次に加工するようにしている。すなわち、これらの製造工程においては、レーザ光をインターバルｔ１及びｔ２をおいて、３回に分けて照射し、深さｄ３（レーザ光による目的とする加工深さ）まで加工するようにしている。
【００２１】
したがって、このような製造工程においては、１回当たりのレーザ光照射による孔部１５周辺の加熱度合いが減少し、これによって生じる熱応力も減少するようになる。このため、孔部１５周辺における前記熱応力に起因した欠陥の発生も減少し、半導体チップ１１を構成するシリコンの、前記欠陥を通じた酸化度合いが減少する。結果として、孔部１５周辺で生成される酸化シリコンの割合が減少するようになるので、孔部１５周辺での飛散物（デブリ）１７は図中に示すように極めて微量となる。
【００２２】
換言すれば、図１〜図４に示すように、レーザ光を、インターバルｔ１及びｔ２をおいて段階的に照射し、孔部１５の深さがｄ１からｄ３（レーザ光による目的とする加工深さ）となるようにして段階的に目的となる深さまで加工するようにすることによって、孔部１５周辺、特に肩部での飛散物（デブリ）の発生を抑制することができる。
【００２３】
次いで、図５に示すように、図示しないエッチング溶液を孔部１５内に流し込むことにより、孔部１５が半導体チップ１１を厚さ方向に貫通するようにして形成する。なお、このようなエッチングによる孔加工は半導体チップ１１を貫通した後、ストッパー層１２で停止する。また、このようなウエットエッチングによって、本来的に微量な飛散物（デブリ）１７を効果的に除去することができ、図中に示すように孔部１５の周辺では飛散物（デブリ）１７がほぼ消失したような状態となる。
【００２４】
以上、図１〜図５に示すような工程を経ることにより、半導体チップ１１に対して厚さ方向に貫通する（但し、ストッパー層１２は残存している）ような孔部１５を形成することができる。
【００２５】
なお、上述したウエットエッチングに代えて、ＲＩＥなどのドライエッチングなどを使用することもできる。但し、上述したウエットエッチングなどを用いれば、使用するエッチング溶液の種類や濃度などを適宜に調節することにより、マスクなどを用いることなく、上述した貫通孔を形成することができるので、製造工程を簡略化することができる。
【００２６】
図６は、図１〜図４に示す製造工程における、孔部１５をレーザ光照射によって加工形成する場合の一例を示す説明図である。図６に示す方法は、いわゆるトレパイング（trepaning）法といわれるものであって、加工すべき孔部の径よりもビーム径の小さいレーザ光を用いて前記孔部を加工する場合について示している。
【００２７】
このようなトレパイング法によれば、図６に示すように、ビーム径の小さいレーザ光を半導体チップの、前記孔部を形成すべき部分に、例えば図中の数字で示すような順序で順次照射して加工するものである。したがって、番号１で示す部分にレーザ光を照射してかかる部分を加工した後、前記レーザ光を順次番号２、３、……と移行して加工を行う際に、先にレーザ加工が行われた番号１で示す部分は既にレーザ光の照射が完了している。同様に、番号２で示す部分にレーザ光を照射してかかる部分を加工した後、前記レーザ光を順次番号３、４……と移行して加工を行う際に、先にレーザ加工が行われた番号２で示す部分は既にレーザ光の照射が完了している。
【００２８】
このように、半導体チップ１１において、目的とする孔部をその径よりもビーム径の小さいレーザ光を用いて順次に形成するようにすることによって、先にレーザ加工が行われた部分はレーザ光の照射が完了しているので適宜に冷却されることになり、最終的に孔加工が終了した際には、前記孔部全体として見た場合に、前記レーザ光による加熱が低減されていることになる。
【００２９】
したがって、このようなトレパイング法を用いることにより、さらに孔部加工時のレーザ光照射による熱応力を低減することができ、孔部１５周辺における前記熱応力に起因した欠陥の発生も減少し、半導体チップ１１を構成するシリコンの、前記欠陥を通じた酸化度合いが減少する。結果として、孔部１５周辺で生成される酸化シリコンの割合が減少するようになるので、孔部１５周辺での飛散物（デブリ）１７をさらに減少させることができる。
【００３０】
なお、図６に示すようなトレパイング法に限らず、その他の方法、例えば、形成すべき孔部の径と略同一のビーム径を有するレーザ光を用いて、前記孔部を前記レーザ光の一括照射によって形成する、いわゆるパンチング（Punching）法を用いることもできる。この場合、図６に示すようなトレパイング法に起因した飛散物（デブリ）減少の効果を得ることはできないが、図１〜図５に示した方法に起因して飛散物（デブリ）減少の効果は当然に享受することができる。
【００３１】
また、本実施形態では、レーザ光による孔部の加工を３段階に分けて実施したが、２段階で加工するようにすることもできるし、４段階以上で加工するようにすることもできる。
【００３２】
＜第２の実施形態＞
図７〜１０は、第２の実施形態における半導体装置の製造方法についての概略的な説明図である。本例では、半導体チップに対して複数の孔部を形成する場合において説明している。なお、いずれの図においても、参照文字（ａ）が付されたものは製造過程にある半導体チップの平面図を示し、参照文字（ｂ）が付されたものは製造過程になる半導体チップの孔あけ加工に供する領域の断面を示している。なお、これらの図面は、本第２の実施形態における特徴を明確にすべく簡略化して記載したものであり、実際の半導体チップに対する孔あけ加工とは異なるようにして記載している。
【００３３】
最初に、図７に示すように、孔部を形成すべき裏面に例えばＡｌ及びＮｉなどを含むストッパー層２２を形成した半導体チップ２１を準備し、その左端において、図示しないレーザ光源より、形成すべき孔部の径を考慮したビーム径のレーザ光を半導体チップ２１に照射し、深さｄ１の孔部２５を形成する。この場合も、深さｄ１は目的とする最終的な深さ（半導体チップ１１の厚さに相当する深さ）よりも小さくなるようにする。なお、この場合においても、ストッパー層２２は、後に接合すべき配線基板と電気的及び機械的に接続するための導電部材の一部を構成する。
【００３４】
次に、前記レーザ光を図中矢印Ａで示すように、半導体チップ２１の略中央部に移動させ、再度同様の条件で前記レーザ光を半導体チップ２１に照射し、深さｄ１の孔部２５を形成する。さらに、前記レーザ光を図中矢印Ｂで示すように、半導体チップ２１の右端に移動させ、再度同様の条件で前記レーザ光を半導体チップ２１に照射し、深さｄ１の孔部２５を形成する。
【００３５】
次いで、図８に示すように、図中矢印Ｃで示すように、前記レーザ光を半導体チップ２１の左端の深さｄ１の孔部２５の位置に再び移動させ、前記レーザ光を照射することによって、孔部２５を深さｄ２となるまで加工する。この深さｄ２は、上述した深さｄ１よりも大きく、目的とする最終的な深さよりも小さい。次に、矢印Ａ及びＢで示すように、前記レーザ光を順次半導体チップ２１の、略中央部の深さｄ１の孔部２５及び右端の深さｄ１の孔部２５に移動させ、前記レーザ光照射を行うことによって、孔部２５を順次深さｄ２まで加工する。
【００３６】
次いで、図９に示すように、図中矢印Ｃで示すように、再度前記レーザ光を半導体チップ２１の左端の深さｄ２の孔部２５の位置に再び移動させ、前記レーザ光を照射することによって、孔部２５を深さｄ３となるまで加工する。この深さｄ３は、上述した深さｄ１よりも大きく、目的とする最終的な深さよりも小さい。次に、矢印Ａ及びＢで示すように、前記レーザ光を順次半導体チップ２１の、略中央部の深さｄ２の孔部２５及び右端の深さｄ１の孔部２５に移動させ、前記レーザ光照射を行うことによって、孔部２５を順次深さｄ３まで加工する。
【００３７】
図７に示す工程と、図８に示す工程との間では、例えば半導体チップ２１の左端に存在する孔部２５を深さｄ１からｄ２にまで加工する際に、前記レーザ光は、半導体チップ２１の略中央部及び右端における深さｄ１の孔部２５を加工するために所定の時間が費やされることになる。同様に、図８に示す工程と、図９に示す工程との間では、例えば半導体チップ２１の左端に存在する孔部２５を深さｄ２からｄ３にまで加工する際に、前記レーザ光は、半導体チップ２１の略中央部及び右端における深さｄ２の孔部２５を加工するために所定の時間が費やされることになる。
【００３８】
換言すれば、半導体チップ２１の左端の孔部２５を深さｄ１からｄ２に加工する際、及び深さｄ２からｄ３に加工する際に、上述した半導体チップ２１の略中央部及び右端の孔部形成に要する時間及びレーザ光の移動に伴う時間に相当する、時間的なインターバルｔ３及びｔ４が生じるようになる。
【００３９】
したがって、孔部２５周辺の加熱度合いが減少し、これによって生じる熱応力も減少するようになるので、孔部２５周辺における前記熱応力に起因した欠陥の発生も減少し、半導体チップ２１を構成するシリコンの、前記欠陥を通じた酸化度合いが減少する。結果として、孔部２５周辺で生成される酸化シリコンの割合が減少するようになるので、孔部２５周辺での飛散物（デブリ）２７は図中に示すように極めて微量となる。
【００４０】
以上では、半導体チップ２１の左端に位置する孔部２５の形成に対して着目したものであるが、半導体チップ２１の略中央部及び右端に位置する孔部２５に対しても、深さｄ１からｄ２への加工及び深さｄ２からｄ３への加工に際し、上述したようなインターバルが生じるようになるので、これら孔部２５における飛散物（デブリ）２７も同様に減少する。
【００４１】
なお、本実施形態において使用するレーザ光の条件も、上記第１の実施形態で適用した条件と同一とすることができる。また、インターバルｔ３及びｔ４に関しては、上述したレーザ光の照射条件などを考慮して適宜設定することができるが、例えば１秒以上に設定することができる。但し、上述したように、半導体チップ２１に対して、左端、略中央部及び右端というように順次にレーザ光を移動させて孔部の加工を行うような場合は、通常上述したような１秒以上のインターバルの条件を満足するようになる。
【００４２】
次いで、図１０に示すように、図示しないエッチング溶液を孔部２５内に流し込むことにより、孔部２５が半導体チップ２１を厚さ方向に貫通するようにして形成する。なお、このようなエッチングによる孔加工は半導体チップ２１を貫通した後、ストッパー層２２で停止する。また、このようなウエットエッチングによって、本来的に微量な飛散物（デブリ）２７を効果的に除去することができ、図中に示すように孔部２５の周辺では飛散物（デブリ）２７がほぼ消失したような状態となる。
【００４３】
以上、図７〜図１０に示すような工程を経ることにより、半導体チップ２１に対して厚さ方向に貫通する（但し、ストッパー層２２は残存している）ような複数の孔部２５を形成することができる。
【００４４】
なお、上述したウエットエッチングに代えて、ＲＩＥなどのドライエッチングなどを使用することもできる。但し、上述したウエットエッチングなどを用いれば、使用するエッチング溶液の種類や濃度などを適宜に調節することにより、マスクなどを用いることなく、上述した貫通孔を形成することができるので、製造工程を簡略化することができる。
【００４５】
また、本実施形態においても、孔部２５を形成する際には、図６に示すようなトレパイング法を用いることができるし、上述のようなパンチング法を用いることもできる。但し、トレパイング法を用いることによって、目的とする孔部をその径よりもビーム径の小さいレーザ光を用いて順次に形成するようにすることができるので、先にレーザ加工が行われた部分はレーザ光の照射が完了しており、適宜に冷却されることになる。したがって、最終的に孔加工が終了した際には、前記孔部全体として見た場合に、前記レーザ光による加熱が低減されていることになる。
【００４６】
この結果、このようなトレパイング法を用いることにより、さらに孔部加工時のレーザ光照射による熱応力を低減することができ、孔部２５周辺における前記熱応力に起因した欠陥の発生も減少し、半導体チップ２１を構成するシリコンの、前記欠陥を通じた酸化度合いが減少する。このため、孔部２５周辺で生成される酸化シリコンの割合が減少するようになるので、孔部２５周辺での飛散物（デブリ）２７をさらに減少させることができる。
【００４７】
また、本実施形態では、レーザ光による孔部の加工を３段階に分けて実施したが、２段階で加工するようにすることもできるし、４段階以上で加工するようにすることもできる。
【００４８】
ここで、特許文献２（特表２００５−５０４４４５号）には、半導体チップに対してレーザ光照射とウエットエッチングとを併用して孔部を形成することが開示されているが、かかる技術においては、レーザ光照射によって一端所定の深さまで孔部を形成した後、半導体チップを含むウエハ全体を裏面側から研磨加工し、前記ウエハ全体を薄化すると同時に前記孔部を下側から開口させて形成するものであるので、本実施形態に関するものとは根本的な技術が相違する。
【００４９】
また、特許文献２では、半導体チップ内に必ずストッパー層を有しない完全な開口部を形成することになるが、本実施形態では、ストッパー層の存在により、半導体チップは貫通するがストッパー層の存在により完全な貫通口を形成しない。したがって、半導体チップに形成される孔部の具体的な形状が異なるという点でも、本実施形態と特許文献２とは互いに異なる。
【００５０】
（半導体装置の製造（実装））
図１１は、半導体装置の製造方法における一例に基づいて得た半導体装置（パッケージ）の一実施形態を概略的に示す構成図である。図１１に示す半導体装置３０においては、半導体チップ１１の上面側及び下面側に例えばガラスなどの絶縁体からなる保護層３２及び３３が設けられている。また、半導体チップ１１の孔部１５中にはＣｕなどの電気的良導体である導電材料が充填されている。
【００５１】
さらに、下側に位置する保護層３３には、半導体チップ１１の孔部１５内に充填された導電材料３１及びストッパー層１２と電気的に接続するようにして再配線３４がなされている。また、保護層３３の下面には再配線３４と電気的及び機械的に接続するようにしてバンプなどの外部端子３５が形成されている。外部端子３５は配線基板３６に対して電気的及び機械的に接続されている。
【００５２】
図１１に示す構成によれば、半導体チップ１１は、孔部１５内に形成された導電材料３１、ストッパー層１２、再配線３４及び外部端子３５を介して、配線基板３６に対して電気的及び機械的に接合されることになり、半導体装置（パッケージ）３０を構成する。
【００５３】
なお、図１１に示す半導体装置３０では、半導体チップ１１を撮像素子として機能させることができ、その結果、図１１に示す半導体装置を撮像装置とすることができる。
【００５４】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１の実施形態における半導体装置の製造方法についての概略的な説明図である。
【図２】図１に示す工程の次の工程を示す説明図である。
【図３】図２に示す工程の次の工程を示す説明図である。
【図４】図３に示す工程の次の工程を示す説明図である。
【図５】図４に示す工程の次の工程を示す説明図である。
【図６】トレパイング（trepaning）法に基づく、レーザ光の照射方法を説明するための図である。
【図７】第２の実施形態における半導体装置の製造方法についての概略的な説明図である。
【図８】図７に示す工程の次の工程を示す説明図である。
【図９】図８に示す工程の次の工程を示す説明図である。
【図１０】図８に示す工程の次の工程を示す説明図である。
【図１１】半導体装置の製造方法における一例に基づいて得た半導体装置（パッケージ）の一実施形態を概略的に示す構成図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１、２１  半導体チップ
１２、２２  ストッパー層
１５、２５  孔部
１７、２７  飛散物（デブリ）
３０  半導体装置
３１  導電材料
３２、３３  保護層
３４  再配線
３５  外部端子
３６  配線基板
【図１】
2008159714.tif 000003
【図２】
2008159714.tif 000004
【図３】
2008159714.tif 000005
【図４】
2008159714.tif 000006
【図５】
2008159714.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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