(57)【要約】【課題】レーザ光によって切断されるワークから発生した加工屑のワーク両面やレーザ射出面への付着を抑制する。【解決手段】切断装置１００は、ワーク設置領域１６５に配置されたワーク１２０をレーザ光により切断する。該切断装置は、レーザ光を発するレーザ発振器１１０と、レーザ発振器においてレーザ光を射出するレーザ射出面１１０ａと該ワーク設置領域との間のレーザ照射空間Ｓを囲むカバー部材１９０とを有する。カバー部材は、第１のエアＡ１を内部に取り込むための第１の吸気口１９１と、該第１のエアを排出するための排気口１９２とを有する。ワーク設置領域に対してレーザ照射空間とは反対側には、第２のエアＡ２の流路を形成する。【選択図】図２
2008023548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断する切断装置であって、
レーザ光を発するレーザ発振器と、
前記レーザ発振器においてレーザ光を射出するレーザ射出面と該ワーク設置領域との間のレーザ照射空間を囲むカバー部材とを有し、
前記カバー部材は、第１のエアを取り込むための第１の吸気口と、該第１のエアを排出するための排気口とを有し、
前記ワーク設置領域に対して前記レーザ照射空間とは反対側には、第２のエアの流路が形成されていることを特徴とする切断装置。
【請求項２】
前記第１の吸気口および前記排気口はそれぞれ、前記カバー部材のうち前記レーザ射出面よりも前記ワーク設置領域に近い位置に、該ワーク設置領域を挟んだ互いに反対側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の切断装置。
【請求項３】
前記カバー部材は、該カバー部材内で前記レーザ射出面側から前記ワーク設置領域側に流れる第３のエアを取り込むための第２の吸気口を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の切断装置。
【請求項４】
前記第２の吸気口から前記カバー部材内に取り込まれた前記第３のエアを、前記レーザ射出面側から前記ワーク設置領域側にガイドする導風部材を有することを特徴とする請求項３に記載の切断装置。
【請求項５】
ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断する切断装置であって、
レーザ光を発するレーザ発振器と、
前記レーザ発振器においてレーザ光を射出するレーザ射出面と該ワーク設置領域との間のレーザ照射空間を囲むカバー部材とを有し、
前記カバー部材は、該カバー部材内で前記レーザ射出面側から前記ワーク設置領域側にエアを流すための吸気口および排気口を有することを特徴とする切断装置。
【請求項６】
前記吸気口から前記カバー部材内に取り込まれた前記エアを、前記レーザ射出面側から前記ワーク設置領域側にガイドする導風部材を有することを特徴とする請求項５に記載の切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板等のワークに対してレーザ光を照射することで該ワークを切断する切断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ワークに対してレーザ光を照射してワークを切断する装置は種々提案されている。例えば、ＢＧＡ（ball grid array）やＣＳＰ（chip size package）等の半導体装置領域が複数形成された半導体基板を予定切断線に沿ってレーザ光により切断して個々の半導体装置を切り出す装置として、特許文献１，２において開示されたレーザ切断装置がある。
【０００３】
そして、レーザ切断装置においては、レーザ光をガルバノミラー等の走査手段を用いて予定切断線に沿って走査（スキャン）することで、半導体基板やこれを保持するステージ又はレーザ発振器を移動させることなく、全ての半導体装置領域の予定切断線に沿って半導体基板を切断することも可能である。
【０００４】
このようなレーザ切断装置においては、レーザ光が照射されたワークから発生したすすや塵等の加工屑がワークに付着するために、切断加工後のワークをクリーニングする必要がある。
【特許文献１】特開２００５−１４２３０３号公報（段落００１９〜００２２等）
【特許文献２】特開２００５−２３８２４６号公報（段落００１４等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ワークから発生する加工屑の量が多く、これらのワークへの付着量も多くなると、切断加工後のクリーニングに長時間を要したり、クリーニングによって除去しきれない加工屑が残存したりする場合がある。
【０００６】
特に、レーザ光はワークをその表面側から裏面側に突き抜けてこれを切断するため、ワークの裏面側においても加工屑が発生し、該ワークの裏面に付着する。したがって、切断加工後のクリーニングをワークの両面に対して行わなければならず、より時間的に不利となったり、加工屑の残存量が増加したりする可能性がある。
【０００７】
さらに、レーザ光は、レーザ発振器の射出面（レンズ面）からワークに向けて射出されるが、ワークから発生した加工屑が該射出面に付着すると、適正なレーザ光照射が行えなくなる。
【０００８】
本発明は、レーザ光によって切断されるワークから発生した加工屑のワーク両面への付着を抑制することができるようにした切断装置を提供することを目的の１つとしている。
【０００９】
また、本発明は、レーザ光によって切断されるワークから発生した加工屑のレーザ射出面への付着を抑制することができるようにした切断装置を提供することを目的の１つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面としての切断装置は、ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断する。該切断装置は、レーザ光を発するレーザ発振器と、レーザ発振器においてレーザ光を射出するレーザ射出面と該ワーク設置領域との間のレーザ照射空間を囲むカバー部材とを有する。そして、カバー部材は、第１のエアを取り込むための第１の吸気口と、該第１のエアを排出するための排気口とを有し、ワーク設置領域に対して前記レーザ照射空間とは反対側には、第２のエアの流路が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の他の側面としての切断装置は、ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断する。該切断装置は、レーザ光を発するレーザ発振器と、レーザ発振器においてレーザ光を射出するレーザ射出面と該ワーク設置領域との間のレーザ照射空間を囲むカバー部材とを有する。そして、カバー部材は、該カバー部材内でレーザ射出面側からワーク設置領域側にエアを流すための吸気口および排気口を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、カバー部材内を流れる第１のエアによってワーク表面側で発生した加工屑を除去できるとともに、第２のエアによってワーク裏面側で発生した加工屑を除去することができる。したがって、ワークからの加工屑の発生量が多くても、ワークの両面への付着を効果的に抑制することができる。
【００１３】
また、本発明によれば、カバー部材内においてレーザ射出面側からワーク側へのエアの流れを生じさせるので、ワークからの加工屑の発生量が多くても、レーザ射出面への付着を効果的に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の好ましい実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１には、本発明の実施例１であるレーザ切断装置の構成を上方から見て示している。図１において、１００はレーザ切断装置である。
【００１６】
レーザ切断装置１００は、基台１０１と、該基台１０１上に設置されたレーザ発振器１１０とを有する。１０２はレーザ切断加工前の半導体基板１２０が多数収納された第１基板マガジンであり、不図示の第１搬送機構によって該第１基板マガジン１０２から半導体基板１２０が基台１０１上の第１ポジションＩに１つずつ搬送される。
【００１７】
切断加工前の半導体基板１２０を図４に示す。ここでは、半導体基板の１つとして、メモリカード基板１２０を例として示す。メモリカード基板１２０は、複数個のメモリカード用の回路が形成されたプリント配線板上に、メモリチップやコントローラチップが搭載された後、樹脂によって封止（コーティング）されたものである。
【００１８】
点線１３０は、メモリカード基板１２０の予定切断線である。予定切断線１３０は、図中の水平方向に連続して延びる第１の直線部分１３１と、垂直方向に連続して延びる第２の直線部分１３２と、これら第１および第２の直線部分１３１，１３２をつなぐ異形線部分としての１／４円弧曲線形状を有する４つのコーナー部分１３３ａ〜１３３ｄとを有する。但し、予定切断線１３０は仮想の線であり、実際にメモリカード基板１２０上に描かれている訳ではなく、レーザ切断部１００およびブレード切断部２００に設けられたコントローラ（コンピュータ）１５０内のメモリに記憶されている。
【００１９】
それぞれ２本の直線部分１３１，１３２と４つのコーナー部分１３３ａ〜１３３ｄとによって囲まれた１つ１つの領域１３５は、該予定切断線１３０に沿って基板１２０を切断することで、そのまま個々の半導体装置としてのメモリカードとなる半導体装置領域である。以下、切断前の該各半導体装置領域（予定切断領域）をメモリカード領域１３５という。なお、半導体装置としては、ＩＣ，ＬＳＩといったチップ素子等、メモリカード以外のものであってもよい。
【００２０】
図１において、第１ポジションＩに配置された基板１２０は、不図示の第２搬送機構によってレーザ発振器１１０の正面である第２ポジションＩＩに搬送される。第２ポジションＩＩには、後述する可動ステージが設けられており、該可動ステージ上に搬送された基板１２０は、その下面が負圧吸着されることによって可動ステージ上に固定される。可動ステージに固定された基板１２０は、可動ステージの駆動によって、図２に示すようにメモリカード領域１３５の中心がレーザ発振器１１０の中心軸ＬＯ上に位置するレーザ光照射位置に移動される。
【００２１】
また、レーザ光照射位置に移動した基板１２０は、カバー部材１９０によって囲まれた空間内に配置される。カバー部材１９０については後述する。
【００２２】
レーザ発振器１１０は、例えば図３に示すように構成されている。レーザ光源１１１から発せられたレーザ光Ｌは、ビームエキスパンダ１１２によってその光束径が拡大された後、走査（スキャン）手段としてのＹ軸およびＸ軸用ガルバノミラー１１３，１１４によって順次反射される。ガルバノミラー１１３，１１４で反射されたレーザ光Ｌは、ｆ−θレンズ等の集光光学系１１５によって、切断加工ポジションに配置された基板１２０上にスポット像を形成する。
【００２３】
スポット像は、ガルバノミラー１１３，１１４の回転に応じてＹ軸方向（図４における垂直方向）およびＸ軸方向（図４における水平方向）に走査される。このため、ガルバノミラー１１３，１１４の回転角を制御することによって、レーザ光Ｌのスポット像を予定切断線１３０に沿って移動させることができ、これにより基板１２０における該スポット像の移動軌跡が気化および溶融されて切削される。こうして、メモリカード１３５を切り出すことができる。
【００２４】
すなわち、本実施例のレーザ切断装置１００では、１つのメモリカード領域１３５を切断する際に、基板１２０をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させず、レーザ光Ｌを走査する。
【００２５】
なお、本実施例では、レーザ光源１１１としてはＹＡＧレーザ（例えば、波長：１．０６μｍ）が用いられる。また、本実施例では、プリント基板を樹脂コーティングした基板１２０を切断するに際して、レーザ光の波長を一定とした上で、樹脂部分を切断する場合とプリント基板部分を切断する場合とでレーザ光のパルス照射周波数（Ｑスイッチ周波数）、電流値および切断スピード等を変更する。また、本実施例では、基板１２０をガス雰囲気中に入れることなくレーザ切断を行う。これにより、レーザ切断部１００の構成が簡単になるとともに、直線切断以外を行うことが難しいガス雰囲気中でのレーザ切断とは異なり、曲線等の異形線部分を含む予定切断線１３０をレーザ光の走査によって基板１２０を移動させることなく切断することができる。
【００２６】
また、本実施例のレーザ切断装置１００では、基板１２０における１つのメモリカード領域１３５の予定切断線１３０に対する所定量（少量）ずつの切削、すなわちレーザ光の周回走査を複数回繰り返すことで、該メモリーカード領域１３５を完全に切断する。
【００２７】
図１において、全てのメモリカード領域１３５の切断が完了した半導体基板１２０′は、不図示の第３搬送機構によって第２ポジションＩＩ（可動ステージ）上から基台１０１上の第３ポジションＩＩＩに取り出される。なお、基板１２０′は、実際にはレーザ切断によって個片化された複数のメモリカードである。
【００２８】
この第３ポジションＩＩＩでは、レーザ切断加工により基板１２０′上に付着したすすや塵等の加工屑が不図示のクリーニング機構によって取り除かれる。但し、ここでのクリーニングは、後述する集塵用エアによって除去しきれなかった加工屑が基板１２０′上に残存している可能性があるため、これを完全に除去するために行われる念のための工程である。
【００２９】
そして、クリーニングされた基板１２０′は、不図示の第４搬送機構によって第３ポジションＩＩＩから第２基板マガジン１０３に収納される。
【００３０】
図２において、１６０は前述した可動ステージであり、該可動ステージ１６０には、基板１２０（メモリカード領域１３５）の下面を負圧により吸着する吸着ヘッド（支持部材）１６１が設けられている。
【００３１】
また、１６５は、吸着ヘッド１６１によって吸着されることで基板１２０が位置決め設置されるワーク設置領域である。ワーク設置領域１６５の上下面およびワーク設置領域１６５に配置された基板１２０の上面（表面）および下面（裏面）は、レーザ発振器１１０の中心軸（走査中心軸）ＬＯに対して直交する。
【００３２】
可動ステージ１６０の内部には、すなわち、ワーク設置領域１６５に対してレーザ照射空間Ｓとは反対側には、集塵用エア（第２のエア）Ａ２の流路１６２が左右方向（Ｘ方向）に延びるように形成されている。本実施例では、可動ステージ１６０自体が流路１６２を形成する流路形成部材としての役割を果たしている。
【００３３】
該流路１６２には、集塵ポンプ１７０が接続されており、該集塵ポンプ１７０の吸引力によって流路１６２内に集塵用エアＡ２の流れが発生する。
【００３４】
図のようにレーザ発振器１１０からレーザ光Ｌを基板１２０に照射してこれを切断する際には、基板１２０の表面および裏面からすすや塵等の加工屑が発生する。集塵用エアＡ２は、特に基板１２０の裏面側で発生した加工屑が該基板１２０の裏面や後述するレーザ受け部材１８０に付着するのを防止し、集塵ポンプ１７０に取り付けられたフィルタ上に集める役割を有する。図２中のＡ２′は、基板１２０の裏面側で発生した加工屑を含み集塵ポンプ１７０により吸引される集塵用エアＡ２を示す。
【００３５】
レーザ受け部材１８０は、流路１６２内におけるワーク設置領域１６５の下方に、該ワーク設置領域１６５と同等な面積を有するように設けられている。このレーザ受け部材１８０の上面は、ワーク設置領域１６５に設置された基板１２０を切断してこれを通過したレーザ光Ｌを受け、該レーザ光による可動ステージ１６０のダメージを防止するための部材である。なお、本実施例では、レーザ発振器１１０の走査中心軸ＬＯ上に吸着ヘッド１６１が設けられているため、レーザ受け部材１８０はＸＹ面上で該吸着ヘッド１６１を囲むように設けられている。
【００３６】
レーザ受け部材１８０は、アルミやセラミックス等、耐熱性（耐火性）や放熱性に優れた材料により形成するのが好ましい。
【００３７】
また、カバー部材１９０は、レーザ発振器１１０のうちレーザ光が射出されるレーザ射出面１１０ａ（例えば、図３に示した集光光学系１１５の最終レンズ面に相当する）とワーク設置領域１６５との間の空間であるレーザ照射空間Ｓを囲むように形成されている。言い換えれば、カバー部材１９０によって覆われたレーザ照射空間Ｓは、レーザ発振器１１０のうちレーザ射出面１１０ａとワーク設置領域１６５に面した空間である。具体的には、カバー部材１９０は、レーザ射出面１１０ａをレーザ照射空間Ｓに露出させる開口を有し、ワーク設置領域１６５の上方に設けられた上面１９０ａと、レーザ照射空間Ｓの前後左右を囲む側面１９０ｂとを有する。
【００３８】
なお、本実施例とは異なるが、カバー部材１９０をレーザ発振器１１０の全体を囲むように形成してもよい。
【００３９】
図２において、カバー部材１９０の側面１９０ｂのうち左側面（Ｘ方向の一端面）における下部、すなわちレーザ射出面１１０ａよりもワーク設置領域１６５に近い位置には、吸気口（第１の吸気口）１９１が形成されている。一方、側面１９０ｂのうち右側面（Ｘ方向の他端面）、すなわちワーク設置領域１６５を挟んで左側面とは反対側に設けられた面における下部には、排気口１９２が形成されている。
【００４０】
排気口１９２には、前述した集塵ポンプ１７０が接続されている。このため、該集塵ポンプ１７０の吸引力によって、吸気口１９１からカバー部材１９０内、すなわちレーザ照射空間Ｓ内に流入して排気口１９２から流出する集塵用エア（第１のエア）Ａ１の流れが発生する。吸気口１９１および排気口１９２がともにカバー部材１９０の下部に形成されているため、集塵用エアＡ１の大部分はワーク設置領域１６５に配置された基板１２０の表面に沿って流れる。
【００４１】
つまり、集塵用エアＡ１は、特に基板１２０の表面側で発生した加工屑が該基板１２０の表面に付着するのを防止し、集塵ポンプ１７０に取り付けられたフィルタ上に集める役割を有する。図２中のＡ１′は、基板１２０の表面側で発生した加工屑を含み集塵ポンプ１７０により吸引される集塵用エアＡ１を示す。
【００４２】
以上説明したように、本実施例によれば、カバー部材１９０内を流れる集塵用エアＡ１と可動ステージ１６０内の流路１６２を流れる集塵用エアＡ２とによって、ワークとしての基板１２０の表面側および裏面側で発生した加工屑を除去することができる。したがって、基板１２０からの加工屑の発生量が多くても、基板１２０の両面への付着を効果的に抑制することができる。
【００４３】
また、集塵用エアＡ１は、レーザ照射空間Ｓのうちレーザ射出面１１０ａから離れた下層を流れるため、基板１２０の表面側で発生した加工屑が上昇し、レーザ射出面１１０ａに付着するのを抑制する効果もある程度有する。
【００４４】
なお、図５に示すように、カバー部材１９０の吸気口１９１に、ルーバー等、集塵用エアＡ１の流れを強制的に基板１２０（ワーク設置領域１６５）側に向けるエア偏向部材１９６を設けてもよい。これにより、集塵用エアＡ１による加工屑の除去効果を一層高めることができる。
【００４５】
また、図６に示すように、レーザ受け部材１８０′の上面（表面）１８１を、その外側部分Ｅ１，Ｅ２から内側（中心側）の部分Ｃ１，Ｃ２に向かって、ワーク設置領域１６５に連続して近づくように、すなわち斜め上方に向かって延びるように傾斜させてもよい。なお、部分Ｃ１，Ｃ２は、吸着ヘッド１６１の側面に沿った部分である。また、図６において、図２に示した構成要素と共通する構成要素には同符号を付している。
【００４６】
図６では、言い換えれば、レーザ受け面１８１を、レーザ光の走査中心軸ＬＯおよび吸着ヘッド１６１に近いほどワーク設置領域１６５に連続して近づくように傾斜させている。
【００４７】
この場合、レーザ受け面１８１のうち吸着ヘッド１６１よりも左側の部分（以下、上流側レーザ受け面という）１８１ａに注目すると、該上流側レーザ受け面１８１ａは、流路１６２（つまりは集塵用エアＡ２の流れ）の上流側から下流側に向かってワーク設置領域１６５に徐々に近づくように傾斜している。これにより、流路１６２の断面積は、上流側レーザ受け面１８１ａの外側部分Ｅ１の位置から中心側部分Ｃ１の位置にかけて徐々に小さくなる。このため、ここを流れる集塵用エアＡ２の流速が、中心側部分Ｃ１に向かって増加する。しかも、基板１２０付近の集塵用エアＡ２の流れが、上流側レーザ受け面１８１ａのガイド機能によって基板１２０側に偏向される。したがって、集塵ポンプ１７０の吸引能力を変更することなく、集塵性能を向上させることができる。
【００４８】
さらに、レーザ受け部材１８０に沿って流れる集塵用エアＡ２の流速が増加することで、レーザ受け部材１８０を効率良く冷却することができる。
【００４９】
なお、基板１２０（ワーク設置領域１６５）を通過してレーザ受け面１８１に入射したレーザ光Ｌは、該レーザ受け面１８１が傾斜していることで、ワーク設置領域１６５とは異なる方向に反射する。言い換えれば、レーザ受け面１８１で反射したレーザ光Ｌがワーク設置領域１６５に向かわないように、ワーク設置領域１６５の下面（ワーク設置基準面）および基板１２０の裏面に対するレーザ受け面１８１の傾斜角度が設定されている。
【００５０】
なお、図２および図６に示したレーザ受け部材１８０，１８０′の表面に、梨地形状や微細な山と谷が交互に並んだ形状等、レーザ光を散乱反射させる形状を設けてもよい。この場合、図６のレーザ受け部材１８０′においては、微視的に見れば散乱形状の表面は連続的にワーク設置領域１６５に近づくと言えないとも考えられる。しかし、散乱形状のベース面としてのレーザ受け面１８１は、連続的にワーク設置領域１６５に近づいている。本実施例では、このような場合も含めて、レーザ受け面が連続的にワーク設置領域に近づくように傾斜しているという。
【００５１】
また、図６のレーザ受け面１８１は、中心側部分Ｃ１，Ｃ２が最もワーク設置領域１６５に近く、外側部分Ｅ１，Ｅ２がワーク設置領域１６５から最も離れている。これに対し、例えば、一方の外側部分Ｅ１がワーク設置領域１６５から最も離れ、他方の外側部分Ｅ２がワーク設置領域１６５に最も近づくように、レーザ受け面を一端側から他端側まで連続的に傾いた一方向傾斜面として形成してもよい。また、レーザ受け面は傾斜した平面に限らず、凹面等の曲面でもよい。
【実施例２】
【００５２】
図７には、本発明の実施例２であるレーザ切断装置の構成を示している。図７において、図２に示した構成要素と共通する構成要素には同符号を付している。
【００５３】
実施例１では、カバー部材１９０におけるレーザ射出面１１０ａよりもワーク設置領域１６５に近い位置に吸気口１９１と排気口１９２とを設けた場合について説明した。本実施例では、さらに導風部材１９５を一体に有するカバー部材１９０′を用い、導風部材１９５（つまりはカバー部材１９０′）のうちワーク設置領域１６５よりもレーザ射出面１１０ａに近い位置にも吸気口（第２の吸気口）１９８を設けている。
【００５４】
カバー部材１９０′の上面１９０ａは、実施例１に比べてレーザ射出面１１０ａから下方に離れており、該上面１９０ａの中央を円筒状の導風部材１９５が貫通する形状にカバー部材１９０′が形成されている。
導風部材１９５の上部側面１９５ａは、カバー部材１９０′の上面１９０ａから上方に延び、レーザ射出面１１０ａの周囲を囲んでいる。つまり、レーザ射出面１１０ａは、導風部材１９５内を含むカバー部材１９０′内のレーザ照射空間Ｓに露出している。また、導風部材１９５の下部側面１９５ｂは、カバー部材１９０′の上面１９０ａから下方に向かってレーザ照射空間Ｓ内に延びている。さらに、導風部材１９５の上部側面１９５ａには、上述した吸気口１９８が形成されている。
【００５５】
本実施例においても、実施例１と同様に、カバー部材１９０′のうちレーザ射出面１１０ａよりもワーク設置領域１６５に近い位置に、吸気口１９１と排気口１９２とが形成されている。
【００５６】
このため、集塵ポンプ１７０の吸引力によって、吸気口１９１からカバー部材１９０′内に流入して排気口１９２から流出する集塵用エアＡ１の流れが発生し、基板１２０の表面側で発生した加工屑が該基板１２０の表面に付着するのを防止できる。
【００５７】
また、本実施例でも、可動ステージ１６０の内部には、集塵用エアＡ２の流路１６２が左右方向（Ｘ方向）に延びるように形成されている。このため、集塵ポンプ１７０の吸引力によって流路１６２内に集塵用エアＡ２の流れが発生し、基板１２０の裏面側で発生した加工屑が該基板１２０の裏面やレーザ受け部材１８０の表面に付着するのを防止できる。
【００５８】
さらに、本実施例では、排気口１９２に接続された集塵ポンプ１７０の吸引力によって、レーザ射出面１１０ａ側の吸気口１９８からカバー部材１９０′内に流入して排気口１９２から流出する集塵用エアＡ３の流れが発生する。導風部材１９５は、この集塵用エアＡ３を吸気口１９８からワーク設置領域１６５側（つまりは下方）に向けてガイドする役割を有する。
【００５９】
そして、この集塵用エアＡ３の下方への流れによって、基板１２０の表面側で発生した加工屑が導風部材１９５内を上昇してレーザ射出面１１０ａに到達することが防止される。したがって、加工屑がレーザ射出面１１０ａに付着することを防止でき、レーザ射出面１１０ａに付着した加工屑によってレーザ光Ｌが遮られる等の不都合を回避することができる。
【００６０】
実施例１でも説明したように、集塵用エアＡ１がレーザ照射空間Ｓの下層を流れることで、加工屑のレーザ射出面１１０ａへの付着を抑制する効果もあるが、本実施例のように、積極的にレーザ射出面１１０ａから下方に向かう集塵用エアＡ３の流れを発生させることにより、基板１２０からの加工屑の発生量が多くても、効果的に加工屑のレーザ射出面１１０ａへの付着を防止することができる。
【００６１】
なお、図２中のＡ３′は、基板１２０の表面側で発生した加工屑を含み、集塵用エアＡ１（Ａ１′）と共通の排気口１９２から集塵ポンプ１７０により吸引される集塵用エアＡ３を示す。
【００６２】
本実施例においても、実施例１にて図５および図６を用いて説明したエア偏向部材１９６や傾斜したレーザ受け面を有するレーザ受け部材１８０′を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施例１であるレーザ切断装置の平面図。
【図２】実施例１のレーザ切断装置の断面図。
【図３】実施例１のレーザ切断装置におけるレーザ発振器の構成を示す概略図。
【図４】実施例１のレーザ切断装置により切断される半導体基板の平面図。
【図５】実施例１のレーザ切断装置における変形例を示す図。
【図６】実施例１のレーザ切断装置における他の変形例を示す断面図。
【図７】本発明の実施例２であるレーザ切断装置の断面図。
【符号の説明】
【００６４】
１００  レーザ切断装置
１１０  レーザ発振器
１１１  レーザ光源
１１３，１１４  ガルバノミラー
１２０，１２０′  メモリカード基板
１３０  予定切断線
１３５  メモリカード領域
１６１  吸着ヘッド
１６２  流路
１８０，１８０′  レーザ受け部材
１９０，１９０′  カバー部材
１９１，１９８  吸気口
１９２  排気口
１９５  導風部材
Ｌ  レーザ光
ＬＯ  走査中心軸
Ａ１，Ａ２，Ａ３  集塵用エア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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