(57)【要約】【課題】放熱特性や、電気的特性に優れた寸法精度のよい安価な半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】高放熱特性を有する金属板からなる略長方形状のヒートシンク板１１と、これの一方の主面の長手方向の中央部にセラミックからなる窓枠形状の絶縁枠体１２と、この上面に金属板からなる外部接続端子１４が接合される接合体１５からなる半導体素子収納用パッケージ１０において、接合体１５のヒートシンク板１１の他方の主面の全面に研削面１８を有し、研削面１８の位置がヒートシンク板１１の他方の主面の少なくとも短手方向両稜部に予め設けられるＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面１９、１９ａと交叉して有する。【選択図】図１
2008159975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高放熱特性を有する金属板からなる略長方形状のヒートシンク板と、該ヒートシンク板の一方の主面の長手方向の中央部にセラミックからなる窓枠形状の絶縁枠体と、該絶縁枠体の上面に金属板からなる外部接続端子が接合される接合体からなる半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記接合体の前記ヒートシンク板の他方の主面の全面に研削面を有し、該研削面の位置が前記ヒートシンク板の他方の主面の少なくとも短手方向両稜部に予め設けられるＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面と交叉して有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
高放熱特性を有する金属板からなる略長方形状のヒートシンク板と、該ヒートシンク板の一方の主面の長手方向の中央部にセラミックからなる窓枠形状の絶縁枠体と、該絶縁枠体の上面に金属板からなる外部接続端子を接合して接合体を形成する半導体素子収納用パッケージの製造方法において、
前記接合体を形成する前に、前記ヒートシンク板の他方の主面の少なくとも短手方向両稜部にＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面に面取り加工を施す工程と、
前記接合体を形成した後に、前記ヒートシンク板の他方の主面を長手方向に沿って往復に研削加工を施し、研削深さを前記Ｃ面、又はＲ面からなる切り欠き面の大きさより小さくすると共に、前記ヒートシンク板の他方の主面の全面に研削面を形成する工程を有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子が収納され、半導体素子からの発熱を放熱させるために基台にねじ止めや、接合されるヒートシンク板と、セラミック製の絶縁枠体を接合して形成される半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体素子収納用パッケージには、シリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子が実装され、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のモジュールを形成するために用いられるものがある。高周波用の半導体素子は、作動時の発熱が大きいので、発生する熱を大気中に良好に放散させなければ、装置を正常に作動させることができなくなる恐れがある。そこで、高周波用の半導体素子を搭載させるための半導体素子収納用パッケージは、半導体素子を実装するためのキャビティ部が、半導体素子の高周波の領域での電気特性を悪化させないために、略長方形状をした高放熱特性を有する金属板からなるヒートシンク板上に形成された半導体素子実装領域を、セラミック製の窓枠形状をした絶縁枠体で囲繞するように接合して形成されている。この半導体素子収納用パッケージには、半導体素子がキャビティ部に搭載され、ボンディングワイヤ等で外部接続端子と電気的に導通状態として実装された後、絶縁体の上面に接合される蓋体でキャビティ部を気密に封止するようになっている。また、高周波信号は、絶縁体上面と蓋体との間に接合された外部接続端子を介して入出力されるようになっている。そして、半導体素子が封止された半導体素子収納用パッケージは、ヒートシンク板に放熱された熱を更に外部に放熱させるための基台に、ヒートシンク板の略長方形状の長手方向の両端部に形成されているねじ取付部にねじが取り付けられてねじ止めして固定されるようになっている。
【０００３】
図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来の高周波用の半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージ５０には、セラミックと熱膨張係数が近似し、しかも放熱特性がよい、例えば、銅タングステン（Ｃｕ−Ｗ）系の複合金属板の略長方形状からなるヒートシンク板５１と、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなるセラミック製の窓枠形状からなる絶縁枠体５２が用いられている。そして、半導体素子収納用パッケージ５０は、ヒートシンク板５１の長手方向の中央部に、絶縁枠体５２がその裏面側に形成されたメタライズパターンにＡｇ−Ｃｕろう５３を介して載置され、加熱炉で加熱されてろう付け接合されて形成されている。このろう付け接合に併せて、絶縁枠体５２には、外部と接続するための金属部材からなる外部接続端子５４が絶縁枠体５２の表面側に形成されたメタライズパターンにＡｇ−Ｃｕろう５３を介して載置され、加熱炉で加熱されてろう付け接合されている。更に、ヒートシンク板５１と絶縁枠体５２及び外部接続端子５４の金属表面には、Ｎｉめっき及びＡｕめっきが施されている。なお、ヒートシンク板５１の長手方向の両端部には、ヒートシンク板５１からの熱を更に外部に放熱させるための基台５５に取り付けてねじ５６でねじ止めして固定するためのねじ取付部５７が設けられている。
【０００４】
従来の高周波用の半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージには、ヒートシンク板と基台の間の放熱特性や、電気的特性を向上させることを目的に、ヒートシンク板と基台の間にインジウムシートを挟んでねじで締め付けているものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
また、高周波用の半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージには、ヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設けてねじで締め付けているものが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
更には、高周波用の半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージには、ヒートシンク板に絶縁枠体と外部接続端子を接合した後のヒートシンク板の下面を曲面凸形状とし、その製造方法に研削や、押圧で形成するのが開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】特許第３６１９７３４号公報
【特許文献２】特開平４−２３３７５２号公報
【特許文献３】特開２００４−３６３５２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述したような従来の半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法は、次のような問題がある。
（１）ヒートシンク板や、外部接続端子の熱膨張係数は、絶縁枠体の熱膨張係数に近似させてはいるが、完全に一致させることが難しいので、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材でろう付け接合を行うときに接合部に応力が発生し、接合して形成した接合体に反りが発生するのを防止することができず、決められた許容範囲を超える反りが発生し、作製された半導体素子収納用パッケージの反りの選別検査を行って、許容範囲内のみを検出している。特に、ヒートシンク板の基台との接合面である底面の反りの形態が凹形状となる場合には、基台に取り付けた時に基台との間に空間が発生し、放熱特性や、電気的特性が低下するので、できるだけ平坦、又は若干凸形状のもののみを検出せざるを得ない。従って、選別工程が必要となると同時に歩留まりの低下をきたし、半導体素子収納用パッケージのコスト高となっている。また、ヒートシンク板は、底面が全体的に平坦、又は凸形状であっても、表面の小さなうねりを解消させることができないので、基台との密着性に限界があり、伝熱効率が低下し、放熱特性や、電気的特性の低下をきたすこととなっている。
（２）特許第３６１９７３４号公報で開示されるような半導体素子収納用パッケージは、ヒートシンク板と基台の間にインジウムシートを挟み込んでねじ止めするのにインジウムシートが高価であり、半導体素子収納用パッケージのコスト高となっている。また、インジウムシートのような介在物を組み立て段階で使用することは、シートの取り扱いが容易でなく、組み立て工程の時間が長くなり、半導体素子収納用パッケージのコスト高となっている。
（３）特開平４−２３３７５２号公報で開示されるような半導体素子収納用パッケージは、ヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設け、基台にねじ止めする時にヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設ける程のエリアが殆どなく、ヒートシンク板を基台に密接させる効果を引き出すことができない。
（４）特開２００４−３６３５２０号公報で開示されるような半導体素子収納用パッケージの製造方法でヒートシンク板の下面を下側に凸状態、あるいは平坦状に研削する場合には、バリが端面より飛び出して発生し所定寸法より大きくなり、歩留の低下や、手直し作業の発生によって半導体素子収納用パッケージのコスト高となっている。特に、ヒートシンク板に高放熱特性を持たせるためにヒートシンク板がＣｕを含有する金属板となっている場合には、金属板の展性が高く研削時の研削方向にバリが発生し易くなっている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、放熱特性や、電気的特性に優れた寸法精度のよい安価な半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージは、高放熱特性を有する金属板からなる略長方形状のヒートシンク板と、ヒートシンク板の一方の主面の長手方向の中央部にセラミックからなる窓枠形状の絶縁枠体と、絶縁枠体の上面に金属板からなる外部接続端子が接合される接合体からなる半導体素子収納用パッケージにおいて、接合体のヒートシンク板の他方の主面の全面に研削面を有し、研削面の位置がヒートシンク板の他方の主面の少なくとも短手方向両稜部に予め設けられるＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面と交叉して有する。
【０００８】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージの製造方法は、高放熱特性を有する金属板からなる略長方形状のヒートシンク板と、ヒートシンク板の一方の主面の長手方向の中央部にセラミックからなる窓枠形状の絶縁枠体と、絶縁枠体の上面に金属板からなる外部接続端子を接合して接合体を形成する半導体素子収納用パッケージの製造方法において、接合体を形成する前に、ヒートシンク板の他方の主面の少なくとも短手方向両稜部にＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面に面取り加工を施す工程と、接合体を形成した後に、ヒートシンク板の他方の主面を長手方向に沿って往復に研削加工を施し、研削深さをＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面の大きさより小さくすると共に、ヒートシンク板の他方の主面の全面に研削面を形成する工程を有する。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージは、高放熱特性を有する金属板からなる略長方形状のヒートシンク板と、ヒートシンク板の一方の主面の長手方向の中央部にセラミックからなる窓枠形状の絶縁枠体と、絶縁枠体の上面に金属板からなる外部接続端子が接合される接合体のヒートシンク板の他方の主面の全面に研削面を有し、研削面の位置がヒートシンク板の他方の主面の少なくとも短手方向両稜部に予め設けられるＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面と交叉して有するので、接合体を形成する時の反りやうねりを持ったヒートシンク板の他方の主面に研削面を有し、平坦性が高く、基台との密着性が優れ、放熱特性や、電気的特性に優れた安価なパッケージとして提供できる。また、ヒートシンク板には、少なくとも短手方向両稜部におけるＣ付け面、又はＲ付け面による稜部の斜め状態部に研削面があるので、Ｃ面、又はＲ面からなる切り欠き面でのバリ発生を防止する半導体素子収納用パッケージを提供できる。更に、ヒートシンク板は、Ｃ面、又はＲ面からなる切り欠き面によって長手方向の研削面における外形寸法が端面間の外形寸法より小さく、例え、バリの発生があったとしても、Ｃ面、又はＲ面からなる切り欠き面の断面視する斜め状態部内に収まるので、端面間の外形寸法を超えることなく寸法精度に優れる半導体素子収納用パッケージを提供できる。
【００１０】
請求項２記載の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、高放熱特性を有する金属板からなる略長方形状のヒートシンク板と、ヒートシンク板の一方の主面の長手方向の中央部にセラミックからなる窓枠形状の絶縁枠体と、絶縁枠体の上面に金属板からなる外部接続端子を接合して接合体を形成する前に、ヒートシンク板の他方の主面の少なくとも短手方向両稜部にＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面に面取り加工を施す工程と、接合体を形成した後に、ヒートシンク板の他方の主面を長手方向に沿って往復に研削加工を施し、研削深さをＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面の大きさより小さくすると共に、ヒートシンク板の他方の主面の全面に研削面を形成する工程を有するので、接合体を形成する時のセラミックと金属板の熱膨張係数の差から発生する反りやうねりを接合体形成後の他方の主面に全面研削面を設けることで、ヒートシンク板の他方の主面を平坦性を高くして基台との密着性に優れる面とすることができ、放熱特性や、電気的特性に優れる安価な半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することができる。また、ヒートシンク板には、少なくとも短手方向両稜部におけるＣ面、又はＲ面からなる切り欠き面による稜部の断面視して斜め状態部に向かって往復に研削加工を施すことで、バリ発生を防止する半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供できる。更に、例え、研削加工を施してバリの発生があったとしても、バリは、Ｃ面、又はＲ面からなる切り欠き面によって長手方向の研削面における外形寸法が端面間の外形寸法より小さく、Ｃ面、又はＲ面からなる切り欠き面の断面視して斜め状態部内に収まり、端面間の外形寸法を超えることなく寸法精度に優れ、高歩留で安価な放熱特性や、電気的特性のよい半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの平面図、Ａ−Ａ’線縦断面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージのヒートシンク板の短手方向両稜部の説明図、図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージに半導体素子が実装されて基台に取り付けられる説明図、図４（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法の説明図である。
【００１２】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ１０は、実装されるシリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子から発生する高温、且つ大量の熱を放熱するための高放熱特性を有し、セラミックと熱膨張係数をできるだけ近似させた略長方形状の金属板からなるヒートシンク板１１を有している。また、半導体素子収納用パッケージ１０は、ヒートシンク板１１の一方の主面に、セラミック製の窓枠形状からなる絶縁枠体１２の裏面側を、高温ろう材１３でろう付け接合して有している。更に、半導体素子収納用パッケージ１０は、絶縁枠体１２の表面側に、外部と電気的に導通状態とするための金属板からなるリードフレーム形状の外部接続端子１４を高温ろう材１３でろう付け接合して有している。そして、半導体素子収納用パッケージ１０は、ヒートシンク板１１と、絶縁枠体１２、及び外部接続端子１４との接合体１５として形成されている。この接合体１５からなる半導体素子収納用パッケージ１０には、ヒートシンク板１１の一方の主面を半導体素子２０（図３（Ａ）参照）の搭載面とし、絶縁枠体１２の内周側壁面を半導体素子２０の囲繞面とする半導体素子２０を収納するためのキャビティ部１６が形成されている。また、この半導体素子収納用パッケージ１０には、ヒートシンク板１１の長手方向の両端部に基台２５（図３（Ｂ）参照）にねじ２６（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）でねじ止めして取り付けるためのねじ取付部１７を有している。
【００１３】
上記の半導体素子収納用パッケージ１０は、接合体１５のヒートシンク板１１の底面側である他方の主面の全面にわたって研削され、全面が平坦からなる研削面１８を有している。ここで、図２（Ａ）に示すように、ヒートシンク板１１には、この研削面１８を形成する前に予め、底面側である他方の主面の少なくとも略長方形状の長手方向の両端部である短手方向の両稜部に設けられるＣ面からなる切り欠き面１９を有している。そして、半導体素子収納用パッケージ１０は、上記の研削面１８の位置がＣ面の寸法ａと研削深さｂとの関係をａ＞ｂ＞０となるようにして研削されて切り欠き面１９と交叉するように有している。あるいは、図２（Ｂ）に示すように、ヒートシンク板１１には、この研削面１８を形成する前に予め、底面側である他方の主面の少なくとも略長方形状の長手方向の両端部である短手方向の両稜部に設けられるＲ面からなる切り欠き面１９ａを有している。そして、半導体素子収納用パッケージ１０は、上記の研削面１８の位置がＲ面の寸法ａと研削深さｂとの関係をａ＞ｂ＞０となるようにして研削されて切り欠き面１９ａと交叉するように有している。
【００１４】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上記の半導体素子収納用パッケージ１０は、キャビティ部１６に半導体素子２０がダイボンドされ、半導体素子２０と外部接続端子１４とをボンディングワイヤ２１で接続された後、樹脂や、セラミックや、金属等からなる蓋体２２を樹脂や、ガラス等の接着材２３で接着してキャビティ部１６内が気密に封止されて、高周波用モジュール基板２４を形成している。この高周波用モジュール基板２４は、半導体素子２０からの発熱をヒートシンク板１１に放熱し、更に、外部に放熱させるための基台２５に、ヒートシンク板１１に設けられているねじ取付部１７にねじ２６を挿通させてねじ止めして固定される。
【００１５】
次いで、図４（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ１０の製造方法を説明する。なお、図４（Ａ）〜（Ｄ）では切り欠き面１９、１９ａの内、代表してＣ面の切り欠き面１９で形成される形態の図で示し、Ｒ面の切り欠き面１９ａで形成される形態については省略している。
図４（Ａ）に示すように、半導体素子収納用パッケージ１０を形成するためのヒートシンク板１１は、高放熱特性、即ち、できるだけ熱伝導率が優れ、熱膨張係数をできるだけセラミックの熱膨張係数と近似させる必要がある。そこで、このヒートシンク板１１には、例えば、粉末状のタングステン（Ｗ）をプレス成形し、焼成して形成した略長方形状のポーラス状のＷに銅（Ｃｕ）を含浸させたりして作製される複合金属板からなるＣｕ−Ｗ金属板が用いられている。この他に、ヒートシンク板１１には、例えば、Ｃｕ−Ｍｏの圧延や、プレス加工した金属板の両面にＣｕ板を貼り合わせた接合板を打ち抜きプレス成形して略長方形状に作製される接合金属板からなるＣｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕ金属板等が用いられている。また、上記のヒートシンク板１１には、後述する絶縁枠体１２（図４（Ｂ）参照）が接合される側の一方の主面と反対の面である他方の主面の少なくとも略長方形状の長手方向の両端部である短手方向の両稜部にＣ面からなる面取り加工で切り欠き面１９を形成している。更に、ヒートシンク板１１には、長手方向の両端部に、ねじ止め固定するためのねじ取付部１７（図３（Ａ）参照）を形成している。これらの切り欠き面１９や、ねじ取付部１７は、上述のプレス成形時や、打ち抜きプレス成形時に同時に形成することができるが、後から切削加工等で形成することもできる。
【００１６】
図４（Ｂ）に示すように、ヒートシンク板１１の一方の主面の長手方向の中央部には、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックからなる窓枠形状の絶縁枠体１２を接合している。更に、絶縁枠体１２の上面には、絶縁枠体１２を形成するセラミックと熱膨張係数が近似する、例えば、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等の金属部材からなる外部接続端子１４を接合して接合体１５を形成している。上記の外部接続端子１４は、金属部材を切削加工や、エッチング加工や、打ち抜き加工等で所定の形状に形成することで作製している。なお、因みに、絶縁枠体１２がＡｌ２Ｏ３からなる場合のＡｌ２Ｏ３の熱膨張係数は、６．７×１０−６／ｋ程度であり、ヒートシンク板１１がＣｕ−Ｗからなる場合のＣｕ−Ｗの熱膨張係数が、６．５×１０−６／ｋ程度であって、近似はしているが一致させることは難しい。また、因みに、外部接続端子１４がＫＶからなる場合のＫＶの熱膨張係数は、５．３×１０−６／ｋ程度であり、Ａｌ２Ｏ３からなる場合の絶縁枠体１２の熱膨張係数である、６．７×１０−６／ｋ程度とは、互いに近似はしているが一致させることは難しい。従って、接合体１５には、それぞれの熱膨張係数の差によって、反りや、うねりが発生することとなる。
【００１７】
ここで、絶縁枠体１２が、例えば、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックで形成される場合について簡単に説明する。Ａｌ２Ｏ３からなる絶縁枠体１２を形成するためには、先ず、Ａｌ２Ｏ３粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製している。次いで、スラリーからは、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み０．２５ｍｍのロール状のシートを形成し、適当なサイズの矩形状に切断したセラミックグリーンシートを作製している。次に、このセラミックグリーンシートの１又は複数枚には、窓枠形状のリング状になるように中空部を打ち抜き加工すると共に、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなる金属導体ペーストを用いて下面側、及び上面側にスクリーン印刷して金属導体印刷パターンを形成する。また、セラミックグリーンシートが複数枚の場合には、積層して積層体の上面側、及び下面側に金属導体印刷パターンを形成する。そして、高融点金属とセラミックグリーンシートを還元雰囲気中で同時焼成して両表面に金属導体パターンを有する絶縁枠体１２を作製する。なお、下面側の金属導体パターンは、ヒートシンク板１１と窓枠形状の全周にわたってろう付け接合するために全周面に形成している。
【００１８】
次に、ヒートシンク板１１と、絶縁枠体１２、及び外部接続端子１４を接合して形成する接合体１５の作製方法を簡単に説明する。先ず、ヒートシンク板１１の全表面、絶縁枠体１２の両面の金属導体パターンの表面、及び外部接続端子１４の全表面には、それぞれＮｉや、Ｎｉ合金等からなるＮｉめっきを施し、Ｎｉめっき被膜を形成する。そして、ヒートシンク板１１の一方の主面の中央部に、例えば、ＢＡｇ−８（Ａｇが７２％と、残部がＣｕからなる共晶合金）等のＡｇ−Ｃｕろうからなる高温ろう材１３を介して絶縁枠体１２の下面側を当接させて載置し、約７８０〜９００℃で加熱してろう付け接合している。更に、絶縁枠体１２の上面側に、例えば、ＢＡｇ−８等のＡｇ−Ｃｕろうからなる高温ろう材１３を介して外部接続端子１４の先端部の下面側を当接させて載置し、約７８０〜９００℃で加熱してろう付け接合している。このヒートシンク板１１と、絶縁枠体１２の接合、及び絶縁枠体１２と外部接続端子１４の接合によって、接合体１５を形成している。なお、接合体１５は、ヒートシンク板１１と、絶縁枠体１２の接合、及び絶縁枠体１２と外部接続端子１４の接合を同時に行って形成することもできる。
【００１９】
図４（Ｃ）に示すように、接合体１５には、ヒートシンク板１１の下面側である他方の主面を略長方形状の長手方向に沿って、ダイヤモンド砥粒付きのグラインダー２７を高速で回転させながら往復に移動させる等で研削加工を行っている。そして、研削深さｂは、Ｃ面からなる切り欠き面１９の大きさであるＣ面の寸法ａより小さく、即ち、ｂ＜ａとすると共に、ヒートシンク板１１の他方の主面のあらゆる部分で０＜ｂとなるように研削して全面に研削面１８を形成している。そして、接合体１５には、外表面に露出する全金属表面上には、Ｎｉめっき、更に、Ｎｉめっき上にＡｕめっきが施されることで、半導体素子収納用パッケージ１０を作製している。従って、図４（Ｄ）に示すように、この半導体素子収納用パッケージ１０は、接合体１５のヒートシンク板１１の他方の主面の研削面１８が切り欠き面１９と交叉した状態となっている。上記の製造方法で作製される研磨面１８には、Ｃ面からなる切り欠き面１９によってバリ、即ち研磨による出っ張りの発生を防止することができので、ヒートシンク板１１の長手方向の寸法を所定の寸法に維持することができる。また、ヒートシンク板１１の長手方向の寸法は、例え、研磨面１８にバリの発生があったとしても、バリがＣ面からなる切り欠き面１９内に収まる程度の小さい物であるので、長手方向の寸法を所定の寸法に維持することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、シリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子を実装し、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のために用いることができる。また、上記のような半導体素子を実装して高性能な高周波モジュール基板として使用するための半導体素子収納用パッケージの製造方法として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの平面図、Ａ−Ａ’線縦断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージのヒートシンク板の短手方向両稜部の説明図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージに半導体素子が実装されて基台に取り付けられる説明図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法の説明図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の半導体素子収納用パッケージの説明図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０：半導体素子収納用パッケージ、１１：ヒートシンク板、１２：絶縁枠体、１３：高温ろう材、１４：外部接続端子、１５：接合体、１６：キャビティ部、１７：ねじ取付部、１８：研削面、１９、１９ａ：切り欠き面、２０：半導体素子、２１：ボンディングワイヤ、２２：蓋体、２３：接着材、２４：高周波モジュール基板、２５：基台、２６：ねじ、２７：グラインダー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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