(57)【要約】【課題】  従来の微細加工装置や方法においては、量産や実用用途に適用することは困難であった。【解決手段】  原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に前記原板の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法は、前記被加工物に前記原版を押し付けることにより加工のための条件を決定する工程を有する。前記決定工程において決定される条件は、前記原版と前記被加工物との相対角度、および前記原版の温度の少なくとも一方を含む。【選択図】  図１
2008279772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に前記原板の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
前記被加工物に前記原版を押し付けることにより加工のための条件を決定する工程を有し、
前記決定工程において決定される条件は、前記原版と前記被加工物との相対角度、および前記原版の温度の少なくとも一方を含むことを特徴とする微細加工方法。
【請求項２】
前記決定工程において決定される条件は、前記原版に対する前記被加工物の押し付け力、前記原版と前記被加工物との距離、および前記被加工物の温度の少なくとも一つをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の微細加工方法。
【請求項３】
原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に前記原板の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
前記被加工物に前記原版を押し付けることにより加工のための条件を決定する工程を有し、
前記決定工程において決定される条件は、加工のパラメータの過渡特性を含むことを特徴とする微細加工方法。
【請求項４】
前記決定工程において決定される条件は、前記被加工物の表面の複数の領域それぞれについて決定されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の微細加工方法。
【請求項５】
原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて前記原版と前記被加工物との距離を計測し、
該計測結果に基づいて、前記押し付け手段の押し付け力を調節することを特徴とする微細加工方法。
【請求項６】
原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測し、
該計測結果に基づいて、前記押し付け手段の押し付け力を調節することを特徴とする微細加工方法。
【請求項７】
原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて前記押し付け手段の押し付け力を計測し、
該計測結果に基づいて、前記原版と前記被加工物との距離を調節することを特徴とする微細加工方法。
【請求項８】
原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測し、
該計測結果に基づいて、前記原版と前記被加工物との距離を調節することを特徴とする微細加工方法。
【請求項９】
原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて該押し付けの状態を計測し、
該計測結果と、前記押し付けの状態と前記押し付け手段の制御パラメータとの間の予め求めた関係とに基づいて、前記押し付け手段の制御パラメータを調節することを特徴とする微細加工方法。
【請求項１０】
原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に前記原板の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
前記原版の硬度、前記原版の凸部合計面積、前記原版の凹凸の先端形状、および前記被加工物の表面硬度の少なくとも一つの情報から、押し付け手段の押し付け力、前記原版と前記被加工物との距離、前記原版と前記被加工物との相対角度、ならびに前記原版および前記被加工物の少なくとも一方の温度、の少なくとも一つを決定し、
該決定結果に基づいて前記押し付けを行うことを特徴とする微細加工方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の微細加工方法にしたがって微細加工を行うことを特徴とする微細加工装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の微細加工装置により被加工物に原版のパターンを転写する工程と、
前記工程で転写をされた被加工物をエッチングする工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造など微細加工のため、原版の凹凸のパターンを被加工物の表面に押し付け転写する微細加工方法および微細加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
紫外線やＸ線、あるいは電子ビームによる半導体基板への微細なパターン形成方法に代わる技術としてナノインプリントリソグラフィが提案されている（特許文献１及び２参照）。
【０００３】
以下、図１０を用いて従来の技術を説明する。
【０００４】
図１０（１）において、パターンが描かれ、原版となるモールド１０１をモールド台１０２に固定する。また、基板側はウエハ１０３上にパターニングを形成するレジスト１０４を塗布する。
【０００５】
次に、ナノインプリントの工程を説明する。図１０（ａ）のようにモールド１０１とウエハ１０３を対向させ、図１０（ｂ）に示すようにモールド１０１をレジスト１０４に押し付けることによって、モールド１０１に描かれたパターンをレジスト１０４へ転写する。そしてモールド１０１をレジスト１０４から離型すると、図１０（ｃ）のようにレジスト１０４にモールド１０１のパターンにしたがって凹凸が形成され、その後リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）によって、図１０（ｄ）のようなパターニングができる。
【特許文献１】米国特許第５７７２９０５号明細書
【特許文献２】特開２０００−２３２０９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来例では以下のような欠点があった。
【０００７】
ナノインプリント加工においては、非常に微細な凸凹パターン転写を、押し付けといういわば極めてシンプルな方法により行う。その加工条件はモールドとターゲットの機械的な特性により左右される。ナノインプリント加工を量産や実用用途に適用する場合には、さまざまな特性をもったモールド、ターゲットに適応可能にする必要がある。また、同一種類のモールド、ターゲットを用いる場合であっても、ロットによる個体差や経時変化による特性差にも適応する必要がある。さらに、装置の予期せぬトラブルによるモールド、ターゲットへのダメージを防ぐフェイルセーフ機構が必要である。例えば、モールドを過大な力で押し付けるとモールドもしくはターゲットにダメージを与えてしまう恐れがある。しかしながら、従来の方法においてはこれらの点が考慮されておらず、量産や実用用途に適用することは困難であった。
【０００８】
そこで、本発明は量産や実用用途に適した微細加工装置や微細加工方法を提供することを例示的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面としての微細加工方法は、原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に前記原板の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
前記被加工物に前記原版を押し付けることにより加工のための条件を決定する工程を有し、
前記決定工程において決定される条件は、前記原版と前記被加工物との相対角度、および前記原版の温度の少なくとも一方を含むことを特徴とする微細加工方法である。
【００１０】
また、本発明の別の一側面としての微細加工方法は、原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に前記原板の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
前記被加工物に前記原版を押し付けることにより加工のための条件を決定する工程を有し、
前記決定工程において決定される条件は、加工のパラメータの過渡特性を含むことを特徴とする微細加工方法である。
【００１１】
また、本発明の別の一側面としての微細加工方法は、原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて前記原版と前記被加工物との距離を計測し、
該計測結果に基づいて、前記押し付け手段の押し付け力を調節することを特徴とする微細加工方法である。
【００１２】
また、本発明の一側面としての微細加工方法は、原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測し、
該計測結果に基づいて、前記押し付け手段の押し付け力を調節することを特徴とする微細加工方法である。
【００１３】
また、本発明の別の一側面としての微細加工方法は、原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて前記押し付け手段の押し付け力を計測し、
該計測結果に基づいて、前記原版と前記被加工物との距離を調節することを特徴とする微細加工方法である。
【００１４】
また、本発明の別の一側面としての微細加工方法は、原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測し、
該計測結果に基づいて、前記原版と前記被加工物との距離を調節することを特徴とする微細加工方法である。
【００１５】
本発明の別の一側面としての微細加工方法は、原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に該原版の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
押し付け手段によって前記原版を前記被加工物に押し付けて該押し付けの状態を計測し、
該計測結果と、前記押し付けの状態と前記押し付け手段の制御パラメータとの間の予め求めた関係とに基づいて、前記押し付け手段の制御パラメータを調節することを特徴とする微細加工方法である。
【００１６】
また、本発明の別の一側面としての微細加工方法は、原版を被加工物の表面に押し付けることにより、該被加工物に前記原板の凹凸のパターンを反転させて転写する微細加工方法において、
前記原版の硬度、前記原版の凸部合計面積、前記原版の凹凸の先端形状、および前記被加工物の表面硬度の少なくとも一つの情報から、押し付け手段の押し付け力、前記原版と前記被加工物との距離、前記原版と前記被加工物との相対角度、ならびに前記原版および前記被加工物の少なくとも一方の温度、の少なくとも一つを決定し、
該決定結果に基づいて前記押し付けを行うことを特徴とする微細加工方法である。
【００１７】
また、本発明の別の一側面としての微細加工装置は、上記のいずれかの微細加工方法にしたがって微細加工を行うことを特徴とする微細加工装置である。
【００１８】
また、本発明の別の一側面としてのデバイスの製造方法は、上記の微細加工装置により被加工物に原版のパターンを転写する工程と、
前記工程で転写をされた被加工物をエッチングする工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法である。
【００１９】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下の添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態の詳細について、添付の図面をもとに、以下説明する。
【００２１】
［第１の実施の形態］
図４に本実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。図４において、凹凸からなる転写パターンが描かれた原版としてのモールド１を、モールド保持手段としてのモールド台２に固定する。モールド台２は、モールドステージ３に搭載されている。モールド押し付け手段としての押し付けステージ５はフレーム１０に取り付けてあり、モールドステージ３を図の＋Ｚ、−Ｚ方向に駆動することにより押し付け加工を行う。押し付けステージ５による押し付け力は、ひずみゲージやバネ秤といった力計測手段４により計測される。押し付けステージ５は、リニアモーターやエアーで駆動される。
【００２２】
被転写ターゲットとなるウエハ６には、パターニングを形成するレジスト７を塗布する。レジストには例えばＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）を用いる。ウエハ６はウエハチャック８に保持され、ウエハチャック８はウエハステージ９上に搭載されている。ウエハステージは図のＸ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの６軸に対して自由度を有しており、ウエハ位置を精密に制御することができる。
【００２３】
モールド台２近傍にはモールド温度計測手段１１と、モールド温度調整手段１２が設置されている。モールドの温度をモールド温度計測手段１１により計測し、モールド温度調整手段１２により調整することができる。
【００２４】
ウエハチャック８にはウエハ温度計測手段１３と、ウエハ温度調整手段１４が設置されている。ウエハの温度をウエハ温度計測手段１３により計測し、ウエハ温度調整手段１４により調整することができる。ここで、ウエハ温度計測手段１３としては、例えば、熱電対、白金温度計などを使用してもよく、ウエハ温度調整手段１４としては、ヒーター、ペルチェ素子、水等の流体を用いた温調を使用しても良い。
【００２５】
転写前には、不図示の位置ずれ計測手段により、モールド１とウエハ６の相対的な位置ずれを計測し、補正する。モールド１とウエハ６の位置ずれ計測手段は、公知の技術を用いればよく、その位置ずれ補正はウエハステージ９で行う。
【００２６】
次に図５を用いて、本実施例の制御ブロックを説明する。
【００２７】
全体制御部（Ｓ０５０１）は、加工装置全体のシーケンスを制御するとともに、装置外部とのインターフェース、オペレータへのマンマシンインターフェースを提供する。
【００２８】
搬送制御部（Ｓ０５１１）は、全体制御部（Ｓ０５０１）からの指令により、ウエハ搬送部（Ｓ０５１２）とモールド搬送部（Ｓ０５１３）を駆動制御する。
【００２９】
ウエハステージ制御部（Ｓ０５０９）は、全体制御部（Ｓ０５０１）からの指令により、ウエハステージ駆動部（Ｓ０５１０）を駆動制御する。
【００３０】
モールド制御部（Ｓ０５０２）は、全体制御部（Ｓ０５０１）からの指令により、モールド押し付け手段（Ｓ０５０６）、モールド温度調整手段（Ｓ０５０７）、ウエハ温度調整手段（Ｓ０５０８）を制御する。
【００３１】
なお、図５は本実施例の制御ブロックの一例を示したに過ぎず、同じ目的を達成するための他の構成はいくつも存在する。
【００３２】
次に図１〜３を用いて、本実施例の動作を説明する。
【００３３】
図１は、本実施例のナノインプリント加工装置を用いた微細加工方法の全体加工フローである。
【００３４】
Ｓ０１０１は、図４には不図示のモールド搬送系を用いて、モールド１を加工装置外からモールド台２まで搬送する工程である。
【００３５】
Ｓ０１０２、Ｓ０１０７は、図４には不図示のウエハ搬送系を用いて、ウエハ６を加工装置外からウエハチャック８まで搬送する工程である。
【００３６】
本発明の要点は、ナノインプリント加工フローにおいて、Ｓ０１０２〜Ｓ０１０６の条件だし工程を行うことにある。
【００３７】
すなわち、本加工ウエハ押し付け加工工程Ｓ０１０８を行う前に、Ｓ０１０２〜Ｓ０１０６の工程により加工の最適条件を求めておくことが、要点である。
【００３８】
Ｓ０１０２〜Ｓ０１０４の条件だし工程を終えた条件だし用ウエハは、ナノインプリント加工装置外に搬出され、条件だしウエハ後処理工程Ｓ０１０５を行う。
【００３９】
後処理されたウエハは、観察装置で観察され、加工条件の最適値が決定される（Ｓ０１０６）。
【００４０】
その最適な加工条件を全体制御部（Ｓ０５０１）に対して設定した後、本加工ウエハを搬入し（Ｓ０１０７）、本加工ウエハ押し付け加工（Ｓ０１０８）を行った後、加工装置外に搬出する（Ｓ０１０９）。Ｓ０１０７〜Ｓ０１０９の本加工工程は、必要な枚数だけ繰り返し行う。
【００４１】
図２を用いて、本実施例の条件だしウエハ押し付け加工工程（Ｓ０１０３）の詳細な動作を説明する。
【００４２】
まず条件だしを行う加工パラメータを設定する（Ｓ０１０３−０１）。本実施例においては、押し付け力、モールド温度、ウエハ温度の３種類とそれぞれの駆動過渡特性を加工パラメータとしている。押し付け力は、押し付け加工において最も根本的なパラメータである。モールド温度、ウエハ温度はモールド、ターゲットの弾性を左右するパラメータであり、材質により適した温度が存在するはずである。本実施例では、押し付け力と材質の弾性の関係に着目し、上記パラメータを採用したものである。また、押し付け力、モールド温度、ウエハ温度を駆動する際に、その過渡特性も制御することにより、より精密な加工を行うことができる。特に押し付け力の過渡特性は、材質の弾性に合わせて設定することが望ましい。
【００４３】
加工パラメータは、図５の全体制御部（Ｓ０５０１）に対して、オペレータが設定するか、あらかじめ作成したジョブファイルをロードすることにより行う。
【００４４】
次に加工条件計測工程（Ｓ０１０３−０２）では、その時点の押し付け力、モールド温度、ウエハ温度を計測する。以下図５と対応して説明すると、それぞれ力計測手段（Ｓ０５０３）、モールド温度計測手段（Ｓ０５０４）、ウエハ温度計測手段（Ｓ０５０５）によりモールド制御部（Ｓ０５０２）が計測値を取得し、全体制御部（Ｓ０５０１）に通知する。
【００４５】
加工条件調整工程（Ｓ０１０３−０３）では、全体制御部（Ｓ０５０１）がモールド制御部（Ｓ０５０２）に対して加工条件計測工程で計測した計測値に基づいて定めた加工パラメータ値を通知し、駆動を指令する。モールド制御部（Ｓ０５０２）は、指令されたパラメータ値によって、モールド押し付け手段（Ｓ０５０６）、モールド温度調整手段（Ｓ０５０７）、ウエハ温度調整手段（Ｓ０５０８）を駆動する。
【００４６】
次に、加工条件計測工程（Ｓ０１０３−０４）では、加工条件調整工程（Ｓ０１０３−０３）で駆動された結果の押し付け力、モールド温度、ウエハ温度を再度計測し、全体制御部（Ｓ０５０１）に通知する。
【００４７】
次の加工条件比較（Ｓ０１０３−０５）のステップにおいて、全体制御部（Ｓ０５０１）は、設定された駆動目標値と駆動後の計測値を比較する。その差分が、あらかじめ決められた許容範囲内の場合は、条件だし加工終了判断（Ｓ０１０３−０６）ステップに進む。差分が許容範囲外の場合は、加工条件調整工程（Ｓ０１０３−０３）に戻り、決められた回数以内でリトライ動作を行う。リトライを行いたくない場合は、回数の上限を１回に設定する。
【００４８】
条件だし加工終了判断（Ｓ０１０３−０６）ステップでは、条件だし工程を終了するかどうか判断し、まだ終了しない場合は加工パラメータ設定（Ｓ０１０３−０１）ステップに戻り、異なるパラメータで前述の動作を繰り返し行う。その際、別のショットに移動することが可能である。
【００４９】
図３にウエハ押し付け本加工工程（Ｓ０１０８）のフローを示す。本実施例においては、条件だしウエハ押し付け加工工程（Ｓ０１０３）と同様、計測→駆動→計測という手順で行っている。より加工時間を重視する場合には、計測を省略し、Ｓ０１０８−０６と０７のみを実行することも可能である。
【００５０】
なお、本実施例の別の形態として、ウエハステージ側のＺ軸を駆動することにより押し付け加工を行うものも考えられる。
【００５１】
また、本実施例の構成はウエハの処理、加工条件設定を装置外部で行うものであったが、それを同一装置内で処理可能に構成することは当然可能である。
【００５２】
［第２の実施の形態］
図８に本発明の第二の実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。
なお、ウエハ面を複数の領域に分け、それぞれの領域に対して条件だしを行なっている点が、本実施例と第一の実施例の相違点である。
【００５３】
レーザー干渉計２１は、装置の基準点に対するモールド台２の位置を計測する。それぞれ３点の位置を計測しているので、モールド台２のＺ、ωｘ、ωｙの情報が得られる。またウエハ高さ計測手段２２は、モールドステージ基部の不可動部分に固定されており、モールドステージ基部を基準としてウエハ面上の１点のＺ距離を計測することができる。ウエハステージのＸ、Ｙ軸を駆動してウエハ面上の複数点を計測することにより、ウエハ面のＺ、ωｘ、ωｙ情報を求めることができる。以上の情報から、モールドステージ３とウエハステージ９の相対的なＺ、ωｘ、ωｙの関係を求めることができる。また、本実施例においてモールドステージ３は、モールドステージ駆動部１５により、Ｚ、ωｘ、ωｙの３軸に対して自由度を有するものとしている。本実施例の押し付け動作は、モールドステージ３のＺ駆動機構により行う。
【００５４】
次に図９を用いて、本実施例の制御ブロックを説明する。
【００５５】
ウエハステージ制御部（Ｓ０９０９）は、全体制御部（Ｓ０９０１）からの指令により、ウエハステージ駆動部（Ｓ０９１０）を駆動制御する。本実施例を特徴づける点として、次の動作を行うことを明示しておく。
【００５６】
ウエハステージ制御部（Ｓ０９０９）は、ウエハ高さ計測手段（Ｓ０９２２）からウエハ上の決められた３点以上の計測値を取得し、ウエハ面上をある数に分割した分割面のＺ、ωｘ、ωｙを求める。ウエハを分割した分割面の最小の数は１であり、その場合はウエハ全面を１組の「Ｚ、ωｘ、ωｙ］座標で代表することになる。
【００５７】
求められたウエハ面のＺ、ωｘ、ωｙ情報は、仮想基準平面からの差分値に換算されて全体制御部（Ｓ０９０１）に格納される。
【００５８】
モールド制御部（Ｓ０９０２）は、全体制御部（Ｓ０９０１）によって、モールドステージのＺ、ωｘ、ωｙの目標値を指示される。それに従って、モールドステージのＺ、ωｘ、ωｙ軸駆動を制御する。
【００５９】
なお、図９は本実施例の制御ブロックの一例を示したに過ぎず、同じ目的を達成するための他の構成はいくつも存在する。
【００６０】
本実施例の加工全体フローは、図１とほぼ同様であるが、ウエハ押し付け加工工程において異なる。
【００６１】
図６を用いて、本実施例の条件だしウエハ押し付け加工工程（Ｓ０１０３）の詳細な動作を説明する。
【００６２】
まず、ウエハ高さ計測手段を用いて、ウエハ上を例えば１０ｍｍ×１０ｍｍに分割した格子点の高さを計測する（Ｓ０１０３−１１）。格子のピッチは、モールド面積、ウエハ平面度等から決めればよく、この寸法に限らない。ウエハステージをＸＹ方向に駆動して、計測手段の計測点にウエハの計測ポイントを合わせて計測を行う動作を、必要ポイント分だけ繰り返す。計測した結果は、ウエハステージ制御部（Ｓ０９０９）から全体制御部（Ｓ０９０１）に通知する。その情報から全体制御部（Ｓ０９０１）は、ウエハ面上のＺマッピングデータを作成する。
【００６３】
次に駆動条件だしを行う加工パラメータを設定する（Ｓ０１０３−１２）。本実施例においては、押し付け加工するエリア中心のウエハのＺは、常に一定の値になるように制御する。前記ウエハエリアのωｘ、ωｙは、モールド表面に対して平行になることを想定して、設定、制御を行う。この場合、モールド表面は底面と平行であると想定して、仮想的なモールド表面に対してウエハエリアのωｘ、ωｙを合わせている。
【００６４】
モールドのωｘ、ωｙは、モールド表面の角度を補正するためのパラメータである。これは、モールド底面を基準面としてモールド台に取り付けるので、モールド底面と表面の作成時の角度誤差による押し付け加工時の影響を取り除くためのものである。また、モールド表面とウエハ面は平行であることが望ましい場合が多いが、モールドの特性によっては、あえて角度をつけたほうが良好な結果が得られる場合が考えられる。その場合にも本実施例によってより好適な加工条件を求めることが可能である。
【００６５】
モールドのＺは、本実施例の押し付け加工において、加工結果を最も左右する条件であるといえる。また、Ｚ駆動の過渡特性もモールドの特性によって最適値が存在すると考えられる。
【００６６】
以上に鑑み、本実施例では、モールドＺおよびその過渡特性、モールドωｘ、ωｙを加工パラメータとしている。
【００６７】
次のウエハ座標駆動工程（Ｓ０１０３−１３）では、全体制御部（Ｓ０９０１）は条件だし加工を行うウエハエリアを、前述のマッピングデータに基づき加工位置に駆動する。
【００６８】
次に、モールド駆動工程（Ｓ０１０３−１３）では、全体制御部（Ｓ０９０１）は加工条件のモールドωｘ、ωｙを先に駆動した後、加工条件のＺおよびその過渡特性においてモールドを押し付け駆動する。
【００６９】
次のモールド押し付け解除工程（Ｓ０１０３−１４）では、ウエハをステップ可能にするためにモールドＺの押し付けを解除する。
【００７０】
別の条件での加工を行う時には、加工パラメータ設定ステップ（Ｓ０１０３−１２）まで戻って必要な分だけ条件だし加工を行う。
【００７１】
なお、本実施例では、計測値によりウエハステージ位置、モールドステージ位置のサーボ制御を行っている。そのため、計測条件の確認ステップは省略している。
【００７２】
図７に本実施例のウエハ押し付け本加工工程（Ｓ０１０８）のフローを示す。各軸の駆動順序は、前述の条件だし加工工程（Ｓ０１０３）と同様であるので、説明は割愛する。
【００７３】
なお、本実施例の別の形態として、ウエハステージ側のＺ軸を駆動することにより押し付け加工を行うものも考えられる。
【００７４】
また、本実施例の別の形態として、モールド表面の角度を計測する手段を設け、モールド表面の角度設定の情報として使用することも考えられる。
【００７５】
［第３の実施の形態］
本実施例の特徴は、加工の制御パラメータを押し付け力、加工の補正パラメータを押し付け力、計測パラメータをモールドとウエハ間の距離としたことにある。押し付け時の距離計測結果により、押し付け力を補正する。
【００７６】
図１３に本実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。図１３において、凹凸からなる転写パターンが描かれた原版となるモールド１を、モールド台２に固定する。モールド台２は、モールドステージ３に搭載されている。押し付けステージ５はフレーム１０に取り付けてあり、モールドステージ３を図の＋Ｚ、−Ｚ方向に駆動することにより押し付け加工を行う。押し付けステージ５による押し付け力は、力計測手段４により計測される。
【００７７】
被転写ターゲットとなるウエハ６には、パターニングを形成するレジスト７を塗布する。レジストには例えばＰＭＭＡを用いる。ウエハ６はウエハチャック８に保持され、ウエハチャック８はウエハステージ９上に搭載されている。ウエハステージは図のＸ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの６軸に対して自由度を有しており、ウエハ位置を精密に制御することができる。
【００７８】
レーザー干渉計２１は、装置の基準点に対するモールド台２の位置を計測する。それぞれ３点の位置を計測しているので、モールドステージ３のＺ、ωｘ、ωｙの情報が得られる。またウエハ高さ計測手段２２は、モールドステージ基部の不可動部分に固定されており、モールドステージ基部を基準としてウエハ面上の１点のＺ距離を計測することができる。ウエハステージのＸ、Ｙ軸を駆動してウエハ面上の複数点を計測することにより、ウエハ面のＺ、ωｘ、ωｙ情報を求めることができる。以上の情報から、モールドステージ３とウエハステージ９の相対的なＺ、ωｘ、ωｙの関係を求めることができる。また、本実施例においてモールドステージ３は、モールドステージ駆動部１５により、Ｚ、ωｘ、ωｙの３軸に対して自由度を有するものとしている。本実施例の押し付け動作は、モールドステージ３のＺ駆動機構により行う。
【００７９】
転写前には、不図示の位置ずれ計測手段により、モールド１とウエハ６のＸＹ方向の相対的な位置ずれを計測し、補正する。モールド１とウエハ６の位置ずれ計測手段は、公知の技術を用いればよく、その位置ずれ補正はウエハステージ９で行う。
【００８０】
次に図１４を用いて、本実施例の制御ブロックを説明する。
【００８１】
全体制御部（Ｓ１４０１）は、加工装置全体のシーケンスを制御するとともに、装置外部とのインターフェース、オペレータへのマンマシンインターフェースを提供する。
【００８２】
搬送制御部（Ｓ１４０８）は、全体制御部（Ｓ１４０１）からの指令により、ウエハ搬送部（Ｓ１４０９）とモールド搬送部（Ｓ１４１０）を駆動制御する。
ウエハステージ制御部（Ｓ１４０５）は、全体制御部（Ｓ１４０１）からの指令により、ウエハステージ駆動部（Ｓ１４０５）を駆動制御する。本実施例を特徴づける点として、次の動作を行うことを明示しておく。
【００８３】
ウエハステージ制御部（Ｓ１４０５）は、ウエハ高さ計測手段（Ｓ１４０６）からウエハ上の決められた３点以上の計測値を取得し、ウエハ面上をある数に分割した分割面のＺ、ωｘ、ωｙを求める。ウエハを分割する最小の数は１であり、その場合はウエハ全面を１組の「Ｚ、ωｘ、ωｙ」座標で代表することになる。
【００８４】
求められたウエハ面のＺ、ωｘ、ωｙ情報は、仮想基準平面からの差分値に換算されて全体制御部（Ｓ１４０１）に格納される。
【００８５】
モールド制御部（Ｓ１４０２）は、全体制御部（Ｓ１４０１）によって、モールドステージのＺ、ωｘ、ωｙの目標値を指示される。それに従って、モールドステージのＺ、ωｘ、ωｙ軸駆動を制御する。
【００８６】
なお、図１４は本実施例の制御ブロックの一例を示したに過ぎず、同じ目的を達成するための他の構成はいくつも存在する。
【００８７】
次に図１１を用いて、本実施例の動作を説明する。
【００８８】
図１１は、本実施例のナノインプリント加工装置の１ウエハに対する加工フローである。
【００８９】
Ｓ１１０１は、図１３には不図示のモールド搬送系を用いて、モールド１を加工装置外からモールド台２まで搬送する工程である。その際、従前の工程により別のモールドがモールド台２に装着されている場合は、従前のモールドをとりはずしてから、使用するモールドを装着する。
【００９０】
Ｓ１１０２は、図１３には不図示のウエハ搬送系を用いて、ウエハ６を加工装置外からウエハチャック８まで搬送する工程である。
【００９１】
Ｓ１１０３は、押し付け加工時の押し付け力目標値の初期値と、駆動補正量の初期値を設定する工程である。ここで、押し付け力目標値の初期値をＦ１、駆動補正量の初期を０に設定したとする。
【００９２】
次に本実施例の要点である、押し付け工程における駆動補正条件へのフィードバックについて説明する。
【００９３】
第１ショットの押し付け（Ｓ１１０４）を行った状態において、押し付け力はＳ１１０３で設定した初期値Ｆ１になっている。この状態で、ウエハ高さ計測（Ｓ１１０５）、モールド高さ計測（Ｓ１１０６）を行い、モールド基準面とウエハ基準面間の距離を算出する。これにより、所定の駆動力において、モールドがどれくらい押し込まれているかがわかる。ウエハ側もしくはモールド側が想定したよりも軟らかければ、より深く押し込まれ、想定したよりも硬ければ、より浅く押し込まれる。あらかじめ決められた押し付け力と距離の関係を参照して、この時の距離計測結果が許容範囲内かどうかを判断する（Ｓ１１０７）。なお、補正量は、目標値に対する距離計測結果によって決定をする。目標値を変更しなければ、補正量を変更しても距離の許容範囲は不変である。
【００９４】
例えば、図１２に示すような条件をあらかじめ設定しておく。図１２において、設計値の特性は曲線Ｃであり、曲線Ａと曲線Ｂの間が許容範囲内である。許容範囲外の場合は、押し付け力目標値を補正する（Ｓ１１０８）。例えば当初の押し付け力目標値Ｆ１で押し付けた結果が点Ｚ１となった場合には、距離が許容範囲外である。この状態から許容範囲内（距離がＤ１−ＤｄからＤ１＋Ｄｕの間）になるように補正する。設計曲線Ｃを参照して、距離がＤ１となるように駆動補正量△Ｆ１を設定する。次にＳ１１０４のステップに移行してＦ１＋△Ｆ１＝Ｆ２の力で押し付けを続行する。同様にウエハ高さ計測（Ｓ１１０５）、モールド高さ計測（Ｓ１１０６）を行う。その結果、この例では点Ｚ２に移行した。距離はＤ１よりわずかにずれているが、許容範囲のＤ１−ＤｄからＤ１＋Ｄｕの間に入った。この動作を距離計測結果が許容範囲内になるまでループを繰り返す。ただし、図１１には図示していないが、ループ回数には上限をもうけている。
【００９５】
第１ショットの押し付けが終了した後、所定ショット数に対する判定を行い（Ｓ１１０９）、残りのショットがあれば、押し付けを解除して第２ショット位置にウエハステージを駆動する（Ｓ１１１０）。第２ショットは、第１ショットで決定された補正量とＦ１の合計の力で押し付けを行う（Ｓ１１０４）。第２ショットのＳ１１０７の工程で、目標値はＦ１のままなので、第１ショットと同様に、距離の許容範囲はＤ１−ＤｄからＤ１＋Ｄｕの間となる。したがって、第１ショットと第２ショットの押し付けに関わる物理的要因がほとんど同じであれば、第２ショットは補正量の変更なしに工程が進むはずである。第３ショット以降、最終ショットまで同様の加工工程を行い、ウエハを装置外に搬出する（Ｓ１１１１）。
【００９６】
以上がウエハ１枚についての加工工程であるため、Ｓ１１０５、Ｓ１１０６、Ｓ１１０７の工程は省いてもよい。２枚目以降のウエハの加工に関して、モールドを交換する必要がなければ、モールド搬入（Ｓ１１０１）の工程は省略されることになる。
【００９７】
図１２で示した特性は、説明のための一例であり、実際にはモールドの特性、加工精度等に合わせて設定すればよい。
【００９８】
なお、本実施例の別の形態として、ウエハステージ側のＺ軸を駆動することにより押し付け加工を行うものも考えられる。この場合にはウエハステージが押し付け手段となる。
【００９９】
また、押し付け力の目標値として、静的な値だけでなく、時間変化も考慮した特性として指定することも考えられる。ただし当該ショットでのフィードバックは難しいので、次ショット以降の加工条件にフィードバックすることになる。
【０１００】
［第４の実施の形態］
本実施例の特徴は、加工モールドを基準ターゲットに押し付けるモールド較正工程、および、被加工ウエハに基準モールドを押し付けるウエハ較正工程を有することにある。加工の制御パラメータは押し付け力である。較正工程で求めた、駆動力に対するモールドとウエハ間の距離情報により、加工の制御パラメータを補正する。
【０１０１】
図１６に本実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。第３の実施の形態と重複する部分は、説明を省略する。
【０１０２】
図１６において、基準モールド３１は基準モールド台３２に保持されている。
【０１０３】
モールド台３２は、基準モールド３１の交換が可能な機構を有している。基準モールドには、ウエハの較正に好適な材質、形状のものを使用する。例えば、加工時に使用するモールドと同じ材質のものを使用する。基準ウエハ３３は基準ウエハ台３５に保持されており、基準ウエハ台３５は、基準ウエハ３３の交換が可能な機構を有している。本実施例では、被加工ターゲットとしてウエハが用いられるので、それにあわせてウエハを切り出したものを基準ターゲットとして使用している。基準ウエハにはレジスト３４を塗布してもよいし、もちろん目的によっては塗布しなくてもよい。
【０１０４】
レーザー干渉計２１は、装置の基準点に対するモールド台２の位置を計測する。この計測結果により、モールド１、基準モールド３１の高さ情報を取得することができる。
【０１０５】
ウエハ高さ計測手段２２は光学式の距離計測センサである。ウエハ６表面および基準ウエハ３５表面の高さを計測することができる。
【０１０６】
次に図１５を用いて、本実施例の動作を説明する。
【０１０７】
図１５は、本実施例のナノインプリント加工装置の１ウエハに対する加工フローである。
【０１０８】
Ｓ１５０１は、図１６には不図示のモールド搬送系を用いて、モールド１を加工装置外からモールド台２まで搬送する工程である。もし、従前の工程により別のモールドがモールド台２に装着されている場合は、従前のモールドをとりはずしてから、使用するモールドを装着する。
【０１０９】
Ｓ１５０２は、押し付け加工時の押し付け力目標値の初期値を設定する工程である。
【０１１０】
Ｓ１５０３は、モールド１を基準ウエハ３３に押し付け、モールド押し付け特性の較正をする工程である。ウエハステージ９をＸＹ方向に駆動し、基準ウエハ３３を加工モールド１に対面させる。次に所定の押し付け力にて加工モールド１を基準ウエハ３３に押し付ける。その時の基準ウエハ３３の高さとモールド１の基準面の高さを計測し、モールド１基準面とウエハ間の距離を算出する。これにより、所定の駆動力において、モールドがどれくらい押し込まれているかがわかる。モールド側が想定したよりも軟らかければ、より深く押し込まれ、想定したよりも硬ければ、より浅く押し込まれる。あらかじめ決められた押し付け力と距離の関係を参照して、モールドの要因による押し付け力の補正を行う。補正の方法は第１の実施例に記載したものと同様である。
【０１１１】
Ｓ１５０４は、図１６には不図示のウエハ搬送系を用いて、ウエハ６を加工装置外からウエハチャック８まで搬送する工程である。
【０１１２】
Ｓ１５０５は、被加工ウエハ６に基準モールド３１を押し付け、モールド押し付け特性の較正をする工程である。ウエハステージ９をＸＹ方向に駆動し、被加工ウエハ６を基準モールド３１に対面させる。この際、図１６の構成においては、−Ｘ側にウエハステージを移動し、ウエハ６上の＋Ｘ側部分に基準モールド３１を対面させることにより、ウエハ高さ計測手段２２でウエハ６表面を計測することができる。次に所定の押し付け力にて基準モールド３１を被加工ウエハ６に押し付ける。その時の被加工ウエハ６の高さと基準モールド３１の基準面の高さを計測し、基準モールド３１基準面と被加工ウエハ６間の距離を算出する。これにより、所定の駆動力において、モールドがどれくらい押し込まれているかがわかる。ウエハ側が想定したよりも軟らかければ、より深く押し込まれ、想定したよりも硬ければ、より浅く押し込まれる。あらかじめ決められた押し付け力と距離の関係を参照して、ウエハの要因による押し付け力の補正を行う。補正の方法は第１の実施例に記載したものと同様である。
【０１１３】
以上の動作により、モールド要因およびウエハ要因による押し付け特性は較正される。
【０１１４】
Ｓ１５０６のモールド押し付け工程では、補正された押し付け力目標値で加工を行う。以降、所定ショット数の加工を行って、加工済みのウエハを装置外に搬出する（Ｓ１５０８）。
【０１１５】
以上がウエハ１枚についての加工工程である。２枚目以降のウエハの加工に関して、モールドを交換する必要がなければ、Ｓ１５０１〜Ｓ１５０３の工程は省略されることになる。
【０１１６】
なお、本実施例では、加工の制御パラメータを押し付け力とし、この押し付け力を補正したが、加工の制御パラメータをモールドとウエハ間の距離（間隔）としても良い。
【０１１７】
［第５の実施の形態］
本実施例の特徴は、加工の制御パラメータを押し付け力、加工の補正パラメータを押し付け力、計測パラメータをモールド温度としたことにある。モールド温度の所定温度からのずれ量により押し付け力を補正する。
【０１１８】
図１８に本実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。第３の実施の形態と重複する部分は、説明を省略する。
【０１１９】
モールド温度計測手段４１は、モールド１の温度を計測することができる。
次に図１７を用いて、本実施例の動作を説明する。
【０１２０】
図１７は、本実施例のナノインプリント加工装置の１ウエハに対するフローである。
【０１２１】
Ｓ１７０１は、図１８には不図示のモールド搬送系を用いて、モールド１を加工装置外からモールド台２まで搬送する工程である。その際、従前の工程により別のモールドがモールド台２に装着されている場合は、従前のモールドをとりはずしてから、使用するモールドを装着する。
【０１２２】
Ｓ１７０２は、図１８には不図示のウエハ搬送系を用いて、ウエハ６を加工装置外からウエハチャック８まで搬送する工程である。
【０１２３】
Ｓ１７０３は、押し付け加工時の押し付け力目標値の初期値と、駆動補正量の初期値を設定する工程である。ここで、押し付け力目標値の初期値をＦ３、駆動補正量の初期を０に設定したとする。
【０１２４】
Ｓ１７０４は、被加工ウエハ６にモールド１を押し付ける工程である。この状態で、モールド温度計測（Ｓ１７０５）を行う。この温度を所定の温度と比較し、あらかじめ決められた温度ずれ量と押し付け力補正量の関係を参照して、この時の温度計測結果が許容範囲内かどうかを判断する（Ｓ１７０６）。なお、補正量は、目標値に対する距離計測結果によって決定をする。目標値を変更しなければ、補正量を変更しても距離の許容範囲は不変である。
【０１２５】
例えば、図１９に示すような条件をあらかじめ設定しておく。図１９において、温度ずれ量に対する押し付け力補正量の特性は曲線Ｄであり、想定温度からのずれは−Ｔｕ〜＋Ｔｄの範囲が許容範囲である。許容範囲外の場合は、補正量を設定する（Ｓ１７０７）。例えば、当初の押し付け力目標値Ｆ３で押し付けたときの温度ずれ量が、△Ｔ３となったとする（点Ｚ３）。この場合は温度ずれ量が許容範囲外になっている。曲線Ｄより押し付け力の補正量を読むと△Ｆ３なので、押し付け力の補正値として△Ｆ３を設定する。次にＳ１７０４のステップに移行してＦ３＋△Ｆ３の力で押し付けを続行する。再度モールド温度計測（Ｓ１７０５）を行い、許容範囲内かどうかを判断する（Ｓ１７０６）。このループの繰り返しを、温度が許容範囲内に入るまで行う。以上で１ショット目の押し付け加工が完了する。なお容易に想像されるように、このループにはリトライ回数の上限を設け、それを超えた場合には、当該ショットの加工は異常であったとして処理する。
【０１２６】
第１ショットの押し付けが終了した後、所定ショット数に対する判定を行い（Ｓ１７０８）、残りのショットがあれば、押し付けを解除して第２ショット位置にウエハステージを駆動する（Ｓ１７０９）。第２ショットは、第１ショットで決定された補正量とＦ３の合計の力で押し付けを行う（Ｓ１７０４）。第２ショットのＳ１７０６の工程で、目標値はＦ３のままなので、第１ショットと同様に、距離の許容範囲は−Ｔｄから＋Ｔｕの間となる。したがって、第１ショットと第２ショットの押し付けに関わる物理的要因がほとんど同じであれば、第２ショットは補正量の変更なしに工程が進むはずである。第３ショット以降、最終ショットまで同様の加工工程を行い、ウエハを装置外に搬出する（Ｓ１７１０）。
【０１２７】
なお、本実施例ではモールドの温度を計測パラメータとしたが、目的によってはウエハの温度も考慮する方法も考えられる。
【０１２８】
［第６の実施の形態］
その他の実施の形態について記載する。
【０１２９】
加工の制御パラメータをモールドとウエハ間の距離、補正パラメータをモールドとウエハ間の距離、計測パラメータを押し付け力とした例である。この形態は、第３の実施の形態の距離と押し付け力を入れ替えたものと考えると、容易に理解できるであろう。
【０１３０】
この例では、距離サーボの駆動系を構成する。目標値を距離で与え、モールドとウエハ間の距離を計測することによりモールドの位置決めを行う。
【０１３１】
補正特性としては例えば、図２０に示すような条件をあらかじめ設定しておく。図２０において、設計値の特性は曲線Ｊであり、曲線Ｇと曲線Ｈの間が許容範囲内である。許容範囲外の場合は、距離目標値を補正する。例えば当初の距離目標値Ｄ３で押し付けた結果が点Ｚ３となった場合には、距離が許容範囲外である。この状態から許容範囲内（押し付け力がＦ３−ＦｄからＦ３＋Ｆｕの間）になるように補正する。設計曲線Ｊを参照して、押し付け力がＦ３となるように距離目標値をＤ４に補正する。次に補正された目標値で押し付けを続行する。その結果、この例では点Ｚ４に移行した。この時の押し付け力はＦ３よりわずかにずれているが、許容範囲のＦ３−ＦｄからＦ３＋Ｆｕの間に入った。この動作を押し付け力結果が許容範囲内になるまで所定の回数以内でループを繰り返す。
【０１３２】
［第７の実施の形態］
その他の実施の形態について記載する。
【０１３３】
加工の制御パラメータをモールドとウエハ間の距離、補正パラメータをモールドとウエハ間の距離、計測パラメータをモールド温度とした例である。この形態は、第５の実施の形態の距離と押し付け力を入れ替えたものと考えると、容易に理解できるであろう。
【０１３４】
補正の方法としては第５の実施の形態とほとんど同じである。図１９の押し付け力に関する事項を距離に置き換えれば、そのまま理解できると思われるので、それをもって説明に代える。
【０１３５】
［第８の実施の形態］
本実施例の特徴は、加工時に押し付け力を計測し、その計測値をあらかじめ決められた異常判断条件により判断し、必要であれば警告、もしくは加工中断の措置をとることにある。
【０１３６】
図２３に本実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。図２３において、凹凸からなる転写パターンが描かれた原版となるモールド１を、モールド台２に固定する。モールド台２は、モールドステージ３に搭載されている。押し付けステージ５はフレーム１０に取り付けてあり、モールドステージ３を図の＋Ｚ、−Ｚ方向に駆動することにより押し付け加工を行う。押し付けステージ５による押し付け力は、力計測手段４により計測される。
【０１３７】
被転写ターゲットとなるウエハ６には、パターニングを形成するレジスト７を塗布する。レジストには例えばＰＭＭＡを用いる。ウエハ６はウエハチャック８に保持され、ウエハチャック８はウエハステージ９上に搭載されている。ウエハステージ９は図のＸ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの６軸に対して自由度を有しており、ウエハ位置を精密に制御することができる。
【０１３８】
転写前には、不図示の位置ずれ計測手段により、モールド１とウエハ６のＸＹ方向の相対的な位置ずれを計測し、補正する。モールド１とウエハ６の位置ずれ計測手段は、公知の技術を用いればよく、その位置ずれ補正はウエハステージ９で行う。
【０１３９】
次に図２４を用いて、本実施例の制御ブロックを説明する。
【０１４０】
コンソール（Ｓ２４０１）は、装置外部とのインターフェース、オペレータへのマンマシンインターフェースを提供する。
【０１４１】
全体制御部（Ｓ２４０２）は、加工装置全体のシーケンスを制御する。
【０１４２】
異常検知部（Ｓ２４０３）は、押し付け力計測手段（Ｓ２４０７）から計測値を受け取り、あらかじめ決められた条件により状態を判断する。判断した結果は、全体制御部（Ｓ２４０２）とモールド制御部（Ｓ２４０４）に通知することができる。モールド制御部（Ｓ２４０４）は、全体制御部（Ｓ２４０２）からの指令により、モールド押し付け手段（Ｓ２４０８）を制御する。モールド押し付け手段（Ｓ２４０８）は、与えられた力の指令値通りに押し付け力を発生させるアクチュエーターである。
【０１４３】
ウエハステージ制御部（Ｓ２４０５）は、全体制御部（Ｓ２４０２）からの指令により、ウエハステージ駆動部（Ｓ２４０９）を駆動制御する。
【０１４４】
搬送制御部（Ｓ２４０６）は、全体制御部（Ｓ２４０２）からの指令により、図２３には不図示のウエハ搬送部（Ｓ２４１０）とモールド搬送部（Ｓ２４１１）を駆動制御する。
【０１４５】
なお、図２４は本実施例の制御ブロックの一例を示したに過ぎず、同じ目的を達成するための他の構成はいくつも存在する。
【０１４６】
次に図２１を用いて、本実施例の動作を説明する。
【０１４７】
図２１（１）は、本実施例のナノインプリント加工装置の１ウエハに対する加工フローである。
【０１４８】
Ｓ２１０１は、モールド搬送系を用いて、モールド１をモールド台２まで搬送する工程である。その際、従前の工程により別のモールドがモールド台２に装着されている場合は、従前のモールドをとりはずしてから、使用するモールドを装着する。
【０１４９】
Ｓ２１０２は、ウエハ搬送系を用いて、ウエハ６をウエハチャック８まで搬送する工程である。
【０１５０】
Ｓ２１０３は、押し付け加工時の押し付け力の指令値Ｆ１と、異常判定値Ｆ２〜Ｆ４と、ｄｅｌａｙ値を設定する工程である。
【０１５１】
続いて、異常判定プロセスを起動（Ｓ２１０４）し、異常監視フラグをＯＮ（Ｓ２１０５）にした後、第１ショットの押し付け（Ｓ２１０６）を行い、異常監視フラグをＯＦＦ（Ｓ２１０７）し、押し付けを解除（Ｓ２１０８）する。
【０１５２】
ここで、本実施例の要点である、押し付け工程における異常判定方法について説明する。
【０１５３】
図２１（２）の異常判定プロセスは、１ウエハ加工プロセスと並行して実行されるプロセスである。プロセスが起動されて、異常監視フラグがＯＮの間、押し付け力を監視し、異常値と判定すると所定のアクションを起こす動作を行う。
【０１５４】
異常監視フラグのＯＮ（開始）をチェック（Ｓ２１２１）し、ＯＮであれば設定されたｄｅｌａｙ分待った後（Ｓ２１２２）、異常監視フラグの終了チェック（Ｓ２１２３）に進む。ｄｅｌａｙは、押し付け力が押し付け開始から所定の値になるまでの間、無意味な異常判定を出力しないために設けてある。Ｓ２１２３のフラグチェックがＯＮの場合、押し付け力計測（Ｓ２１２４）を行った結果に対して異常判定（Ｓ２１２５）を行う。異常判定の方法については後で説明する。正常であればＳ２１２３に戻ってループを続ける。もしＳ２１２５で正常以外の結果が出た場合には、異常の種類に従ってアクションを行う。結果が警告である場合には、警告履歴をコンソールに対してセット（Ｓ２１２８）するとともに、コンソールの表示部に警告表示（Ｓ２１２９）を行う。そして（Ｓ２１２３）に戻ってループを続ける。異常種類による分岐（Ｓ２１２６）の結果が加工中断だった場合には、即座に加工中断の割込み処理を行う（Ｓ２１２７）。
【０１５５】
正常か警告しか出なかった場合には、異常監視フラグがＯＦＦされるのをＳ２１２３にて検知しプロセスは終了する。
【０１５６】
ここで、異常判定の方法を図２２を用いて説明する。
【０１５７】
押し付け力の目標値Ｆ１に対して、Ｆ１−Ｆ３からＦ１＋Ｆ２の範囲を正常範囲（Ｓ２２０１）とする。計測値がこの範囲であれば、加工には問題が生じない。これに対して、０からＦ１−Ｆ３の範囲（Ｓ２２０３）と、Ｆ１＋Ｆ２からＦ１＋Ｆ４の範囲（Ｓ２２０２）を警告範囲としている。警告範囲は加工精度が悪化するが、モールド、ターゲット、装置にダメージが生じることはない範囲である。Ｆ１＋Ｆ４以上の範囲（Ｓ２２０４）は、加工中断範囲としている。この範囲では、モールド、ターゲット、装置にダメージが生じる恐れがある。本実施例では押し付け力による判定を行っているので、過小である側には加工中断範囲を設定していない。
【０１５８】
本実施例では、本来目標値通りに制御されるはずの、押し付け力を検出することにより異常判定を行っている。想定される異常の原因としては、装置故障か、モールドやターゲットの特性の違いによる過渡的な押し付け力の異常が考えられる。
【０１５９】
なお、図２２で示した特性は、説明のための一例であり、実際にはモールドの特性、加工精度等に合わせて設定すればよい。
【０１６０】
図２１（１）に戻って説明を続けると、第１ショットの押し付けを解除した後、ショット数の判定を行う（Ｓ２１０９）。残りショットがあれば、ショット間の移動（Ｓ２１１０）を行い、Ｓ２１０３のステップに移行し、第２ショット以降の加工を行う。所定ショットの加工が終了したら、加工済みウエハをチャックから所定位置まで搬出（Ｓ２１１１）する。当該ウエハの加工履歴として、警告履歴をファイルに出力（Ｓ２１１２）し、次段以降の処理で参照できるようにする。
【０１６１】
以上がウエハ１枚についての加工工程である。２枚目以降のウエハの加工に関して、モールドを交換する必要がなければ、モールド搬入（Ｓ２１０１）の工程は省略されることになる。
【０１６２】
なお、本実施例の別の形態として、ウエハステージ側のＺ軸を駆動することにより押し付け加工を行うものも考えられる。
【０１６３】
また、図２２の異常判定方法として、静的な値だけでなく、時間変化も考慮した特性として指定することも考えられる。
【０１６４】
［第９の実施の形態］
本実施例の特徴は、加工時にモールドとターゲットの距離を計測し、その計測値をあらかじめ決められた異常判断条件により判断し、必要であれば警告、もしくは加工中断の措置をとることにある。
【０１６５】
以下、第一の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【０１６６】
図２７に本実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。図２７において、モールドステージ３は固定設置されている。モールドステージ駆動部１５はモールドステージ３に搭載されており、モールド台２を押し付け駆動する。
【０１６７】
レーザー干渉計２１は、モールド高さを計測する手段であり、装置基準に対する、モールド台２基準面の距離を計測する。
【０１６８】
ウエハ高さ計測手段２２は、モールドステージ３に対する、ウエハ表面の距離を計測する。
【０１６９】
レーザー干渉計２１とウエハ高さ計測手段２２の計測値より、モールド１の厚みが既知であれば、モールドとウエハ間の間隔を知ることができる。
【０１７０】
なお、モールド高さ計測手段とウエハ高さ計測手段には、これ以外の方式の距離計測手段をもちいることもできる。
【０１７１】
次に図２８を用いて、本実施例の制御ブロックを説明する。
【０１７２】
異常検知部（Ｓ２８０３）は、ウエハ高さ計測手段（Ｓ２８１２）とモールド高さ計測手段（Ｓ２８１３）から計測値を受け取り、あらかじめ決められた条件により状態を判断する。判断した結果は、全体制御部（Ｓ２８０２）とモールド制御部（Ｓ２８０４）に通知することができる。
【０１７３】
なお、図２８は本実施例の制御ブロックの一例を示したに過ぎず、同じ目的を達成するための他の構成はいくつも存在する。
【０１７４】
次に図２５を用いて、本実施例の動作を説明する。
【０１７５】
図２５（１）は、本実施例のナノインプリント加工装置の１ウエハに対する加工フローである。
【０１７６】
Ｓ２５０３は、押し付け加工時の押し付け力の指令値Ｆ１と、異常判定値Ｄ１〜Ｄ４と、ｄｅｌａｙ値を設定する工程である。
【０１７７】
ここで、異常判定の方法を図２６を用いて説明する。モールドとウエハの間隔は基準面同士の距離であり、相対的な値といってよい。図２６の上側にいくほど、モールドとウエハが離れる方向にプロットしてある。目標値Ｄ１に対して、Ｄ１−Ｄ３からＤ１＋Ｄ２の範囲を正常範囲（Ｓ２６０１）とする。計測値がこの範囲であれば、加工には問題が生じない。これに対して、Ｄ１−Ｄ４からＤ１−Ｄ３の範囲（Ｓ２６０３）と、Ｄ１＋Ｄ２以上の範囲（Ｓ２６０２）を警告範囲としている。警告範囲は加工精度が悪化するが、モールド、ターゲット、装置にダメージが生じることはない範囲である。Ｄ１−Ｄ４以下の範囲（Ｓ２６０４）は、加工中断範囲としている。この範囲では、モールド、ターゲット、装置にダメージが生じる恐れがある。本実施例ではモールドとウエハの間隔による判定を行っているので、過大である側には加工中断範囲を設定していない。
【０１７８】
なお、図２６で示した特性は、説明のための一例であり、実際にはモールドの特性、加工精度等に合わせて設定すればよい。
【０１７９】
なお、本実施例の別の形態として、ウエハステージ側のＺ軸を駆動することにより押し付け加工を行うものも考えられる。
【０１８０】
また、本実施例においては、モールドとターゲット両方の高さを計測することによって、それらの間隔を求めていたが、いずれかが固定されている場合には、一方のみの高さを計測することによりそれらの相対的な角度を求めてもよい。
【０１８１】
また、図２６の異常判定方法として、静的な値だけでなく、時間変化も考慮した特性として指定することも考えられる。
【０１８２】
［第１０の実施の形態］
本実施例の特徴は、加工時にモールドとターゲットの角度を計測し、その計測値をあらかじめ決められた異常判断条件により判断し、必要であれば警告、もしくは加工中断の措置をとることにある。
【０１８３】
以下、第８の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【０１８４】
図３１に本実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。
【０１８５】
レーザー干渉計２１は、モールドステージ測距手段であり、装置基準に対する、モールド台２基準面の距離を計測する。モールド基準面の３点を計測することにより、装置基準に対するωｘ、ωｙ軸角度を計測することができる。
【０１８６】
ウエハ高さ計測手段２３は、モールドステージ３に対する、ウエハ表面の距離を計測する。同時にウエハ上の３点を計測できる構成になっているので、装置基準に対するウエハの角度を計測することができる。
【０１８７】
なお、モールドステージ測距手段とウエハ高さ計測手段には、これ以外の方式の距離計測手段をもちいることもできる。
【０１８８】
本実施例の制御ブロックについては図２８と同等である。
【０１８９】
次に図２９を用いて、本実施例の動作を説明する。
【０１９０】
図２９（１）は、本実施例のナノインプリント加工装置の１ウエハに対する加工フローである。
【０１９１】
Ｓ２９０３は、押し付け加工時の押し付け力の指令値Ｆ１と、異常判定値Ａ１〜Ａ５と、ｄｅｌａｙ値を設定する工程である。
【０１９２】
ここで、異常判定の方法を図３０を用いて説明する。ウエハ対モールド角度（ωｘ、ωｙ）は基準面同士の角度であり、相対的な値といってよい。ωｘ、ωｙそれぞれ同じ判定条件で別々に判定する。目標値Ａ１に対して、Ａ１−Ａ３からＡ１＋Ａ２の範囲を正常範囲（Ｓ３００１）とする。計測値がこの範囲であれば、加工には問題が生じない。これに対して、Ａ１−Ａ５からＡ１−Ａ３の範囲（Ｓ３００３）と、Ａ１＋Ａ２からＡ１＋Ａ４の範囲（Ｓ３００２）を警告範囲としている。警告範囲は加工精度が悪化するが、モールド、ターゲット、装置にダメージが生じることはない範囲である。Ａ１−Ａ５以下の範囲（Ｓ３００５）と、Ａ１＋Ａ４以上の範囲（Ｓ３００４）は、加工中断範囲としている。この範囲では、モールド、ターゲット、装置にダメージが生じる恐れがある。本実施例ではモールドとウエハの角度による判定を行っているので、過小、過大両側に加工中断範囲を設定している。
【０１９３】
なお、図３０で示した特性は、説明のための一例であり、実際にはモールドの特性、加工精度等に合わせて設定すればよい。
【０１９４】
なお、本実施例の別の形態として、ウエハステージ側のＺ軸を駆動することにより押し付け加工を行うものも考えられる。
【０１９５】
なお、本実施例においては、モールドとターゲット両方の角度を計測することによって、それらの相対的な角度を求めていたが、いずれかが固定されている場合には、一方のみの角度を計測することによりそれらの相対的な角度を求めてもよい。
【０１９６】
また、図３０の異常判定方法として、静的な値だけでなく、時間変化も考慮した特性として指定することも考えられる。さらに、ωｘ、ωｙに別の異常判定値を設定することも考えられる。
【０１９７】
［第１１の実施の形態］
本実施例の特徴は、加工時にモールドとターゲットの温度を計測し、その計測値をあらかじめ決められた異常判断条件により判断し、必要であれば警告、もしくは加工中断の措置をとることにある。
【０１９８】
以下、第８の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【０１９９】
モールド近傍とウエハ近傍に温度計測手段を設置し、それぞれの温度を計測することができる構成としている。
【０２００】
本実施例の制御ブロックについて図３４に示す。
【０２０１】
異常検知部（Ｓ３４０３）は、ウエハ温度計測手段（Ｓ３４１２）とモールド温度測距手段（Ｓ３４１３）から計測値を受け取り、あらかじめ決められた条件により状態を判断する。判断した結果は、全体制御部（Ｓ３４０２）とモールド制御部（Ｓ３４０４）に通知することができる。
【０２０２】
なお、図３４は本実施例の制御ブロックの一例を示したに過ぎず、同じ目的を達成するための他の構成はいくつも存在する。
【０２０３】
次に図３２を用いて、本実施例の動作を説明する。
【０２０４】
図３２（１）は、本実施例のナノインプリント加工装置の１ウエハに対する加工フローである。
【０２０５】
Ｓ３２０３は、押し付け加工時の押し付け力の指令値Ｆ１と、異常判定値Ｔ１〜Ｔ５と、ｄｅｌａｙ値を設定する工程である。
【０２０６】
ここで、異常判定の方法を図３３を用いて説明する。ウエハ温度、モールド温度は、それぞれ同じ判定条件で別々に判定する。目標値Ｔ１に対して、Ｔ１−Ｔ３からＴ１＋Ｔ２の範囲を正常範囲（Ｓ３３０１）とする。計測値がこの範囲であれば、加工には問題が生じない。これに対して、Ｔ１−Ｔ５からＴ１−Ｔ３の範囲（Ｓ３３０３）と、Ｔ１＋Ｔ２からＴ１＋Ｔ４の範囲（Ｓ３３０２）を警告範囲としている。警告範囲は加工精度が悪化するが、モールド、ターゲット、装置にダメージが生じることはない範囲である。Ｔ１−Ｔ５以下の範囲（Ｓ３３０５）と、Ｔ１＋Ｔ４以上の範囲（Ｓ３３０４）は、加工中断範囲としている。この範囲では、モールド、ターゲット、装置にダメージが生じる恐れがある。本実施例ではモールドとウエハの温度による判定を行っているので、過小、過大両側に加工中断範囲を設定している。
【０２０７】
なお、図３３で示した特性は、説明のための一例であり、実際にはモールドの特性、加工精度等に合わせて設定すればよい。
【０２０８】
なお、本実施例の別の形態として、ウエハステージ側のＺ軸を駆動することにより押し付け加工を行うものも考えられる。
【０２０９】
また、図３３の異常判定方法として、静的な値だけでなく、時間変化も考慮した特性として指定することも考えられる。
【０２１０】
さらに、ウエハ温度、モールド温度に別の異常判定値を設定することも考えられ、いずれか一方のみに対して温度計測手段を設けてもよい。
【０２１１】
［第１２の実施の形態］
本発明の第１２の実施例に係る、半導体ウエハのナノインプリント半導体ウエハ微細加工方法について、以下に説明する。
【０２１２】
本実施例の特徴は、加工前に以下の４項目の情報を得て、加工条件であるところの押し付け力を決定することにある。
（１）モールドの硬度
（２）モールド凸凹パターンの凸部合計面積
（３）モールド凸凹の先端形状
（４）ウエハ（表面膜を含む）の表面硬度
【０２１３】
図３６に本実施例方法を適用するナノインプリント微細加工装置の構成を示す。図３６において、凹凸からなる転写パターンが描かれた原版となるモールド１を、モールド台２に固定する。モールド台２は、モールドステージ３に搭載されている。押し付けステージ５はフレーム１０に取り付けてあり、モールドステージ３を図の＋Ｚ、−Ｚ方向に駆動することにより押し付け加工を行う。押し付けステージ５による押し付け力は、力計測手段４により計測される。
被転写ターゲットとなるウエハ６には、パターニングを形成するレジスト７を塗布する。レジストには例えばＰＭＭＡを用いる。ウエハ６はウエハチャック８に保持され、ウエハチャック８はウエハステージ９上に搭載されている。ウエハステージ９は図のＸ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの６軸に対して自由度を有しており、ウエハ位置を精密に制御することができる。
【０２１４】
転写前には、不図示の位置ずれ計測手段により、モールド１とウエハ６のＸＹ方向の相対的な位置ずれを計測し、補正する。モールド１とウエハ６の位置ずれ計測手段は、公知の技術を用いればよく、その位置ずれ補正はウエハステージ９で行う。
【０２１５】
次に図３７を用いて、本実施例の制御ブロックを説明する。
【０２１６】
コンソールＳ３７０１は、装置外部とのインターフェース、オペレータへのマンマシンインターフェースを提供する。
【０２１７】
全体制御部Ｓ３７０２は、加工装置全体のシーケンスを制御する。
【０２１８】
モールド制御部Ｓ３７０３は、全体制御部Ｓ３７０２からの指令により、モールド押し付け手段Ｓ３７０７を制御する。モールド押し付け手段Ｓ３７０７は、与えられた力の指令値通りに押し付け力を発生させるアクチュエーターである。
【０２１９】
ウエハステージ制御部Ｓ３７０４は、全体制御部Ｓ３７０２からの指令により、ウエハステージ駆動部Ｓ３７０８を駆動制御する。
【０２２０】
搬送制御部Ｓ３７０５は、全体制御部Ｓ３７０２からの指令により、図３６には不図示のウエハ搬送部Ｓ３７０９とモールド搬送部Ｓ３７１０を駆動制御する。
【０２２１】
なお、図３７は本実施例の制御ブロックの一例を示したに過ぎず、同じ目的を達成するための他の構成はいくつも存在する。
【０２２２】
次に図３５を用いて、本実施例の動作を説明する。
【０２２３】
図３５は、本実施例のナノインプリント加工装置の１ウエハに対する加工フローである。
【０２２４】
Ｓ３５０１は、モールドの特性をコンソールＳ３７０１に入力する工程である。具体的には、以下の項目について入力を行う。
（１）モールドの硬度
（２）モールド凸凹パターンの凸部合計面積
（３）モールド凸凹の先端形状
（４）ウエハ（表面膜を含む）の表面硬度
【０２２５】
ここで、（１）のモールドの硬度としては、モールドに使用している材質、モールドの加工方法等より推定される値、もしくはなんらかの方法により硬度を計測した値を入力することができる。
【０２２６】
（２）のモールド凸凹パターンの凸部合計面積としては、ＣＡＤパターンから計算した値を入力することができる。
【０２２７】
（３）のモールド凸凹の先端形状値としては、ＣＡＤパターンから計算した値、ＳＥＭ等により計測した値を入力することができる。
【０２２８】
Ｓ３５０２は、ウエハの特性をコンソールＳ３７０１に入力する工程である。具体的には、以下の項目について入力を行う。
【０２２９】
（４）のウエハ（表面膜を含む）の表面硬度値としては、使用ウエハの納品仕様もしくは、加工前サンプルを何らかの方法により計測した値を入力することができる。
【０２３０】
Ｓ３５０３は、Ｓ３５０１とＳ３５０２で入力された値を処理して、加工パラメータを決定する工程である。パラメータを決定する方法はいろいろ考えられる。例えば、理論的に数式化することもできるし、その数式のパラメータを実験によりより最適化することもできる。
【０２３１】
Ｓ３５０４は、モールド搬送系を用いて、モールド１をモールド台２まで搬送する工程である。その際、従前の工程により別のモールドがモールド台２に装着されている場合は、従前のモールドをとりはずしてから、使用するモールドを装着する。
【０２３２】
Ｓ３５０５は、モールド１を装置基準に対して位置合わせする工程である。
【０２３３】
Ｓ３５０６は、ウエハ搬送系を用いて、ウエハ６をウエハチャック８まで搬送する工程である。
【０２３４】
Ｓ３５０７は、ウエハ６を装置基準およびモールド１に対して位置合わせする工程である。
【０２３５】
Ｓ３５０８は、モールド１をウエハ６に押し付け加工する工程である。加工ショットが複数の場合には、押し付けとその解除を繰り返しながら、ステップアンドリピートにより所定ショット数の加工を行う。
【０２３６】
Ｓ３５０９は、押し付け加工が終了したウエハを装置外部に搬出する工程である。
【０２３７】
以上がウエハ１枚についての加工工程である。２枚目以降のウエハの加工に関して、モールドを交換する必要がなく、ウエハ６の特性も同等とみなせる場合には、Ｓ３５０１〜Ｓ３５０４の工程は省略されることになる。
【０２３８】
［第１３の実施例］
第１２の実施例は、補正する加工条件が押し付け力である場合の例であった。
【０２３９】
その他の実施例として、以下の加工条件を補正することをあげることができる。
（１）ターゲットに対するモールドの押し付け方向の距離
（２）ターゲット面に対するモールド面の角度
（３）ターゲットもしくは／およびモールドの温度
【０２４０】
ここで、（１）のターゲットに対するモールドの押し付け方向の距離とは、実際には各計測基準間の距離となる。なぜなら、押し付け時にモールドとターゲットは密着するので、その間隔を測ることは困難だからである。従って、モールドやターゲットの変形により計測値が誤差を持つことになる。この誤差を補正するために、第１２の実施例と同様、事前にモールドとターゲットの情報を入力し、それを処理することにより計測値の補正パラメータを得ることができる。
【０２４１】
（２）のターゲット面に対するモールド面の角度補正とは、ターゲットの表面形状、多層構成による断面形状等により、ショット内で押し付け力の分布ができることを補正するためのものである。図３６に示す座標軸のωｘ、ωｙ軸まわりに、モールドを回転させようとする力成分が生じる。この力が押し付け加工にどのような影響を与えるかは、加工の目的により異なるので、その目的に合わせて補正量を決定すればよい。事前の情報として、ターゲットの表面形状、多層構成による断面形状と、加工目的による角度補正決定のための係数を設定することにより、角度の補正パラメータを決定することができる。
【０２４２】
（３）のターゲットもしくは／およびモールドの温度補正とは、モールドとターゲットの硬度の違いを温度で補正するものである。第１２の実施例の押し付け力で補正する方法の他に、温度も補正した方が好ましい結果を得られるモールドとターゲットの組合せの場合にもちいるとよい。
【０２４３】
次に、上述の微細加工装置や微細加工方法を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。
【０２４４】
［第１４の実施例］
図３８は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したモールドを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したモールドとウエハとを用いて、ウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ５よって作成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【０２４５】
図３９は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２ではウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジスト（感材）を塗布する。ステップ１６（転写）では上記微細加工装置や微細加工方法によってモールドをレジストに押し付けて回路パターンを転写し、更に異方性エッチングを行ってパターニングする。ステップ１７（エッチング）ではパターニングされたレジストをマスクにウエハをエッチングする。ステップ１８（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウエハ上に回路パタ−ンが形成される。
【０２４６】
本実施例の製造方法を用いれば、従来は難しかった高集積度のデバイスを製造することが可能になる。
【０２４７】
以上、本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明はこれに限定されず、その要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２４８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の加工全体フローを説明する図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の条件だし加工フローを説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の本加工フローを説明する図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の装置構成の概要を説明する図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の制御ブロック構成の概要を説明する図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の条件だし加工フローを説明する図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の本加工フローを説明する図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の装置構成の概要を説明する図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の制御ブロック構成の概要を説明する図である。
【図１０】従来の技術を説明するための図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の１ウエハ加工のフローを説明する図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の加工補正特性を説明する図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の装置構成を説明する図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の制御ブロック構成の概要を説明する図である。
【図１５】本発明の第４の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の１ウエハ加工フローを説明する図である。
【図１６】本発明の第４の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の装置構成を説明する図である。
【図１７】本発明の第５の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の１ウエハ加工フローを説明する図である。
【図１８】本発明の第５の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の装置構成を説明する図である。
【図１９】本発明の第５の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の加工補正特性を説明する図である。
【図２０】本発明の第６の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の加工補正特性を説明する図である。
【図２１】本発明の第８の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の１ウエハ加工フローを説明する図である。
【図２２】本発明の第８の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の異常判定特性を説明する図である。
【図２３】本発明の第８の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の装置構成を説明する図である。
【図２４】本発明の第８の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の制御ブロック構成の概要を説明する図である。
【図２５】本発明の第９の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の１ウエハ加工フローを説明する図である。
【図２６】本発明の第９の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の異常判定特性を説明する図である。
【図２７】本発明の第９の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の装置構成を説明する図である。
【図２８】本発明の第９の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の制御ブロック構成の概要を説明する図である。
【図２９】本発明の第１０の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の１ウエハ加工フローを説明する図である。
【図３０】本発明の第１０の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の異常判定特性を説明する図である。
【図３１】本発明の第１０の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の装置構成を説明する図である。
【図３２】本発明の第１１の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の１ウエハ加工フローを説明する図である。
【図３３】本発明の第１１の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の異常判定特性を説明する図である。
【図３４】本発明の第１１の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の制御ブロック構成の概要を説明する図である。
【図３５】本発明の第１２の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の１ウエハ加工フローを説明する図である。
【図３６】本発明の第１２の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の装置構成を説明する図である。
【図３７】本発明の第１２の実施の形態に係るナノインプリント加工装置の制御ブロック構成の概要を説明する図である。
【図３８】デバイスの製造フローを示す図である。
【図３９】図３８のウエハプロセスを示す図である。
【符号の説明】
【０２４９】
１  モールド
２  モールド台
３  モールドステージ
４  力計測手段
５  押し付けステージ
６  ウエハ
７  レジスト
８  ウエハチャック
９  ウエハステージ
１０  フレーム
１１  モールド温度計測手段
１２  モールド温度調整手段
１３  ウエハ温度計測手段
１４  ウエハ温度調整手段
１５  モールドステージ駆動部
２１  レーザー干渉計
２２  ウエハ高さ計測手段
３１  基準モールド
３２  基準モールド台
３３  基準ウエハ
３４  レジスト
３５  基準ウエハ台
４１  モールド温度計測手段
【図１】
2008279772.tif 000003
【図２】
2008279772.tif 000004
【図３】
2008279772.tif 000005
【図４】
2008279772.tif 000006
【図５】
2008279772.tif 000007
【図６】
2008279772.tif 000008
【図７】
2008279772.tif 000009
【図８】
2008279772.tif 000010
【図９】
2008279772.tif 000011
【図１０】
2008279772.tif 000012
【図１１】
2008279772.tif 000013
【図１２】
2008279772.tif 000014
【図１３】
2008279772.tif 000015
【図１４】
2008279772.tif 000016
【図１５】
2008279772.tif 000017
【図１６】
2008279772.tif 000018
【図１７】
2008279772.tif 000019
【図１８】
2008279772.tif 000020
【図１９】
2008279772.tif 000021
【図２０】
2008279772.tif 000022
【図２１】
2008279772.tif 000023
【図２２】
2008279772.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
2008279772.tif 000027
【図２６】
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【図２７】
2008279772.tif 000029
【図２８】
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【図２９】
2008279772.tif 000031
【図３０】
2008279772.tif 000032
【図３１】
2008279772.tif 000033
【図３２】
2008279772.tif 000034
【図３３】
2008279772.tif 000035
【図３４】
2008279772.tif 000036
【図３５】
2008279772.tif 000037
【図３６】
2008279772.tif 000038
【図３７】
2008279772.tif 000039
【図３８】
2008279772.tif 000040
【図３９】
2008279772.tif 000041