(57)【要約】【課題】樹脂膜を用いて被加工体にサポート用部材を取り付ける場合における上記の不都合を解消し、良好な形状加工を実現し得る製造技術を提供すること。【解決手段】本発明に係る構造体の製造方法は、（ａ）一方面側に段差構造を有する被加工体(10)の凸部(12b)上に、ローラー(14)を用いて第１の液状材料(16)を塗布することにより第１の樹脂膜(18)を形成する第１工程と、（ｂ）前記被加工体の凹部(12a)内に、第２の液状材料(20)を注入することにより第２の樹脂膜(24)を形成する第２工程と、（ｃ）前記被加工体の一方面側に前記第１の樹脂膜を介してサポート用部材を貼り合わせる第３工程と、（ｄ）前記被加工体の他方面側にエッチングを行うことにより形状加工を施す第４工程と、（ｅ）前記サポート用部材を前記被加工体から取り外す第５工程と、を含む。【選択図】図１
2008307768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面側に段差構造を有する被加工体の凸部上に、ローラーを用いて第１の液状材料を
塗布することにより第１の樹脂膜を形成する第１工程と、
前記被加工体の凹部内に、第２の液状材料を注入することにより第２の樹脂膜を形成す
る第２工程と、
前記被加工体の一方面側に前記第１の樹脂膜を介してサポート用部材を貼り合わせる第
３工程と、
前記被加工体の他方面側にエッチングを行うことにより形状加工を施す第４工程と、
前記サポート用部材を前記被加工体から取り外す第５工程と、
を含む、構造体の製造方法。
【請求項２】
前記第１の樹脂膜の膜厚よりも前記第２の樹脂膜の膜厚が大きい、
請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項３】
前記第１の液状材料の固形分濃度が前記第２の液状材料の固形分濃度よりも高い、
請求項１又は請求項２に記載の構造体の製造方法。
【請求項４】
前記被加工体は、半導体基板を含む、
請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項５】
前記サポート用部材は、半導体基板、ガラス基板、グラファイト基板又は金属基板の何
れかである、
請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項６】
前記サポート用部材は、複数の貫通孔又は複数の溝を有する、
請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６の何れかに記載の構造体の製造方法を含む、マイクロデバイスの
製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な構造を有するデバイス（マイクロデバイス：例えば液滴吐出装置等）
の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液滴吐出装置のヘッド部分等を製造するために、シリコン基板等の基板に対し
てドライエッチングなどの真空処理を行う場合がある。ここで「真空処理」とは、処理の
対象物となる基板等を大気圧よりも低い気圧とした雰囲気内（例えば真空チャンバ内）に
配置した状態でその対象物に対してドライエッチング等の物理的又は化学的処理を施すこ
とをいう。このような真空処理を実行する際に、対象物たる基板の強度を保つ目的や基板
の裏面保護の目的で当該基板の裏面側にサポート用部材（例えば、シリコン基板やガラス
基板等）を貼り合わせておくという技術が知られている（特許文献１参照）。特許文献１
に代表される従来技術においては、対象物たる基板とサポート用部材との相互間に樹脂膜
からなる接着剤層を設けることにより両者を貼り合わせている。
【０００３】
一般に、上記の樹脂膜はスピンコート法を用いて成膜される。しかしながら、この方法
を用いる場合においては、成膜対象となる面が平坦であれば特段の不都合を生じないが、
成膜対象となる面が凹凸（段差）を有する場合には、凹部において樹脂が塗布されない箇
所を生じたり、樹脂膜の膜厚が不均一が箇所を生じる場合がある。このような状態の樹脂
膜を介してサポート用部材を基板に貼り合わせ、当該基板にエッチングを行うと、熱の分
布が不均一となり形状加工の精度低下を招くおそれがある。また、エッチングにより基板
を貫通する孔が形成された場合には、貫通後に孔を塞ぐストッパーの役割となるものが必
要になるが、上述のような樹脂膜の成膜状態ではストッパーとしての樹脂膜が不完全なも
のとなる箇所を生じる。この場合には、サポート用部材の側から供給している冷却ガスが
上述の貫通した孔を通じてチャンバー内にリークし、基板の冷却が不十分になるという不
都合を生じる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１６４４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、樹脂膜を用いて被加工体にサポート用部材を取り付ける場合におけ
る上記の不都合を解消し、良好な形状加工を実現し得る製造技術を提供することを目的と
する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る構造体の製造方法は、
（ａ）一方面側に段差構造を有する被加工体の凸部上に、ローラーを用いて第１の液状
材料を塗布することにより第１の樹脂膜を形成する第１工程と、
（ｂ）前記被加工体の凹部内に、第２の液状材料を注入することにより第２の樹脂膜を
形成する第２工程と、
（ｃ）前記被加工体の一方面側に前記第１の樹脂膜を介してサポート用部材を貼り合わ
せる第３工程と、
（ｄ）前記被加工体の他方面側にエッチングを行うことにより形状加工を施す第４工程
と、
（ｅ）前記サポート用部材を前記被加工体から取り外す第５工程と、
を含む。
【０００７】
本発明に係る製造方法によれば、被加工体の凸部上に対してはローラーを用いて樹脂膜
を形成することにより、膜厚を必要以上に厚くすることなく、かつ均質な膜厚の樹脂膜を
形成することが可能となる。また、被加工体の凹部に対しては、例えば液滴吐出装置やス
ポッティング装置等の手段を用いることにより、必要十分な量の液状材料を注入すること
ができるので、凹部を塞ぐ樹脂膜をより確実に形成することが可能となる。このように、
凸部と凹部のそれぞれに対して個別に成膜を行うことにより、スピンコート法などを用い
ていた従来技術に比べてより良好に樹脂膜を成膜することが可能となり、良好な形状可能
を実現することができる。
【０００８】
好ましくは、前記第１の樹脂膜の膜厚よりも前記第２の樹脂膜の膜厚が大きい。
【０００９】
好ましくは、前記第１の液状材料の固形分濃度が前記第２の液状材料の固形分濃度より
も高い。
【００１０】
それにより、第１の樹脂膜については膜厚をより薄く、かつ均一な膜厚で成膜すること
が可能となる。また、第２の樹脂膜については凹部内へより確実に液状材料を行き渡らせ
、膜厚を所望の厚みにすることが可能となる。
【００１１】
好ましくは、上記被加工体は、半導体基板を含む。詳細には、被加工体は、半導体基板
単体であってもよく、半導体基板を一部に含んで構成されたものであってもよい。
【００１２】
上記サポート用部材は、半導体基板、ガラス基板、グラファイト基板又は金属基板の何
れかであることが好ましい。
【００１３】
また、上記サポート用部材は、複数の貫通孔又は複数の溝を有していてもよい。
【００１４】
上記の第４の工程において被加工体の冷却が必要な場合に、貫通孔又は溝を通じて冷却
用媒体（例えば冷却ガス）を被加工体に効率よく当てることができる。
【００１５】
上記した本発明に係る構造体の製造方法は、例えば微細な構造を有するマイクロデバイ
ス（例えば、液滴吐出装置等）の製造に適用することができる。それにより、樹脂膜から
なる接着剤層を用いる場合における不都合を解消し、良好な真空処理を実現し得るマイク
ロデバイスの製造技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１は、一実施形態の構造体の製造方法を示す模式断面図である。本実施形態では、基
板（被加工体）の両面に形状加工を施すことにより、凹凸形状を有する構造体を製造する
方法について説明する。
【００１８】
まず、基板１０の一方面に所定の段差構造（凹凸形状）１２を形成する（図１（Ａ））
。基板１０は、例えばシリコン基板等の半導体基板である。段差構造１２は、例えば周知
のフォトリソグラフィ技術を用いて低圧雰囲気中で形成される。あるいは、他の周知技術
、例えばレーザービームの直接的な照射による形状加工技術や、機械的な切削等による形
状加工技術などを採用することもできる。この段差構造１２は、凹部１２ａと凸部１２ｂ
を含む。図示のように凹部、凸部はそれぞれ複数あるが、図中においては便宜上、１つの
凹部および１つの凸部のみに符号を付する。凹部１２ａと凸部１２ｂとの段差ｄ（図１（
Ａ）参照）は、例えば０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。
【００１９】
次に、基板１０の凸部１２ｂ上に、ローラー１４を用いて液状材料（第１の液状材料）
１６を塗布する（図１（Ａ））。具体的には、ローラー１４の外周面上に予め第１の液状
材料１６を供給しておき、この外周面上の液状材料１６を基板１０の一方面上に転写する
。その後、この転写された液状材料１６に熱処理（焼成処理：例えば１００℃〜１５０℃
程度）を行うことにより、基板１０の凸部１２ｂ上に樹脂膜（第１の樹脂膜）１８が形成
される（図１（Ｂ））。樹脂膜１８は、例えばアクリル系の樹脂膜であり、膜厚は例えば
５μｍ〜３０μｍ程度である。
【００２０】
次に、基板１０の凹部１２ａの内部に液状材料（第２の液状材料）２０を注入する（図
１（Ｃ））。液状材料２０を凹部１２ａに選択的に注入する（供給する）には、例えば液
滴吐出装置（インクジェット装置）２２を用いるとよい。それにより、複数の凹部のそれ
ぞれへ的確に、かつ短時間で液状材料２０を注入することができる。なお、他の手段（例
えばスポッティング装置など）によって液状材料２０の供給を行ってもよい。その後、こ
の注入された液状材料２０に熱処理（焼成処理：例えば１００℃〜１５０℃程度）を行う
ことにより、基板１０の凹部１２ａの内部に樹脂膜（第２の樹脂膜）２４が形成される（
図１（Ｄ））。樹脂膜２４は、例えばアクリル系の樹脂膜であり、膜厚は例えば１５μｍ
〜３５μｍ程度である。このとき、樹脂膜２４の膜厚が樹脂膜１８の膜厚よりも大きくな
るようにすることも好ましい。
【００２１】
上記の液状材料（第１の液状材料）１６と液状材料（第２の液状材料）２０との関係に
ついて更に説明する。液状材料１６の固形分濃度は、液状材料２０の固形分濃度よりも高
く設定されることがより好ましい。上記樹脂材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、
フェノール樹脂、ノボラック樹脂エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、もしくは、ポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン
、ポリイソブチレン、ポリブテンのようなポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリパラキシリレン、ベ
ンゾシクロブテン、ポリビニルフェノールのような芳香族系樹脂などの熱可塑性樹脂等が
挙げられる他、ネガ型およびポジ型のレジスト材料が挙げられる。樹脂膜の一例として上
記したアクリル系の樹脂は、溶剤（アルコールやアセトン等）を用いて容易に剥離するこ
とが可能である。また、アクリル系の樹脂の固形分濃度は、液状材料１６を２０〜３５％
、液状材料２０を１０〜２０％とした。
【００２２】
次に、基板１０の一方面側に樹脂膜１８を介してサポート用部材２６を貼り合わせる（
図２（Ａ））。サポート用部材２６としては、例えば半導体基板、ガラス基板、グラファ
イト基板、金属基板などを好適に用いることができる。ここでは、ガラス基板をサポート
用部材２６として用いる。本工程では、熱圧着によって樹脂膜１８とサポート用部材２６
とを接合することにより、基板１０とサポート用部材２６とを貼り合わせる。サポート用
部材２６は、図示のように複数の貫通孔２６ａを有する。後工程において基板１０の他方
面を形状加工する際に当該基板１０を冷却したい場合に、サポート用部材２６の各貫通孔
２６ａを通して冷却ガスを基板１０に当てることが可能となる。それにより、基板１０を
より効率的に冷却することができる。なお、貫通孔２６ａの代わりとしての溝を有するよ
うに形成したサポート用部材を用いてもよいし、貫通孔や溝を有しないサポート用部材を
用いてもよい。
【００２３】
次に、基板１０の他方面にエッチングを行うことにより形状加工を施す（図２（Ｂ））
。形状加工は、例えば周知のフォトリソグラフィ技術を用いて低圧雰囲気中で行われる。
具体的には、図示のように、エッチングしたい箇所に対応する開口２８ａを有するエッチ
ングマスク２８を基板１０の他方面側に形成する。そして、このエッチングマスク２８を
介してエッチング（例えばドライエッチング）を行う。それにより、基板１０の他方面側
の所定箇所が除去され、凹部３０が形成される。本実施形態では、基板１０の一方面側に
形成された凹部１２ａと対応する箇所に開口２８ａが設けられており、当該箇所がエッチ
ングされる。それにより、図２（Ｃ）に示すように、凹部３０と凹部１２ａとが樹脂膜２
４を挟んで接続される。この際、樹脂膜２４がエッチングストッパーとして機能する。
【００２４】
次に、サポート用部材２６を基板１０から取り外す（図２（Ｄ））。具体的には、所定
の溶剤を用いて樹脂膜１８と基板１０の間、あるいは樹脂膜１８とサポート用部材２６と
の間に剥離を生じさせることによって両者を分離する。または、サポート用部材２６と基
板１０との間に、樹脂膜１８に沿って機械的に切り込みを入れることによって両者を分離
してもよい。併せて、樹脂膜１８及び樹脂膜２４が取り除かれる。それにより、凹部１２
ａと凹部３０とが連通して貫通孔になる。
【００２５】
以上により、図２（Ｄ）に示すように、基板１０の両面に各凹凸形状（凹凸パターン）
が形成されてなる構造体が得られる。このような構造体は、いわゆるマイクロデバイスの
構成部品として用いることができる。
【００２６】
次に、上記の実施形態に係る構造体の製造方法を適用し、マイクロデバイスの具体的な
一例としての液滴吐出装置の吐出ヘッドを製造する場合について説明する。
【００２７】
図３は、液滴吐出装置の吐出ヘッドの構造例を示す模式断面図である。図３に示す吐出
ヘッド１００は、ノズルプレート３２０と、流路形成基板１１０と、弾性膜１５０と、弾
性膜１５０上に設けられた圧電素子３００と、リザーバ形成基板１３０と、リザーバ形成
基板１３０上に設けられた駆動ＩＣ１２０と、を備えている。なお、この吐出ヘッド１０
０は、ピエゾジェット式ヘッドを構成する。
【００２８】
流路形成基板１１０は、シリコン単結晶基板で構成されており、その一方面には、予め
熱酸化により形成された二酸化シリコンで構成される弾性膜１５０が設けられている。こ
の弾性膜１５０上には絶縁体膜１５５が形成されている。流路形成基板１１０には、個別
（複数）のインク室（圧力発生室）１１２がその幅方向に側壁を介して並設されている。
また、インク室１１２の長手方向外側の領域には、連通部１１３が形成され、連通部１１
３と各インク室１１２とが、各インク室１１２に設けられたインク供給路１１４を介して
連通されている。また、流路形成基板１１０の開口面側には、絶縁膜１５１を介して、イ
ンク室１１２のインク供給路１１４とは反対側の端部近傍で、各インク室１１２に対応し
て連通するノズル孔３２１がそれぞれ穿設されたノズルプレート３２０が、接着剤や熱溶
着フィルム等を介して固着（接合）されている。
【００２９】
絶縁体膜１５５上には、下電極膜１６０と、圧電体層１７０と、上電極膜１８０とが、
この順で積層されている。これらによって、液滴の吐出を制御する圧電素子（駆動素子）
３００が構成されている。すなわち、圧電素子３００は、下電極膜１６０、圧電体層１７
０および上電極膜１８０を含む部分をいう。本実施形態では、下電極膜１６０が各圧電素
子３００に共有される共通電極として形成され、上電極膜１８０が圧電素子３００の個別
電極として、圧電体層１７０とともに、各インク室１１２に対応する位置に形成されてい
る。なお、上電極膜１８０および圧電体層１７０により構成され、両電極への電圧の印加
により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。また、圧電素子３００と当該圧電素
子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータという。また
、本実施形態では、弾性膜１５０および絶縁体膜１５５が振動板として作用するが、この
絶縁体膜１５５上に形成された下電極膜１６０も振動板としての役割を果たす。また、上
電極膜１８０のノズル孔３２１側の端部近傍には、リード電極１９０が接続されている。
このリード電極１９０は、流路形成基板１１０の端部近傍まで延設されており、その先端
部が、接続配線１９３を接続する接続部１９０ａを構成している。リード電極１９０は、
密着性を有する金属（例えばチタンタングステン）からなる密着層１９１と、この密着層
１９１の上面に形成される金属層１９２を含んで構成される。
【００３０】
流路形成基板１１０の圧電素子３００が設けられている面側と、リザーバ部１３１を備
えるリザーバ形成基板１３０とは、例えば、エポキシ系の接着剤で構成される接着剤層１
３５を介して接着（固着）されている。本実施形態では、このリザーバ部１３１は、リザ
ーバ形成基板１３０の厚さ方向に貫通するとともに、インク室１１２の幅方向に亘って形
成されており、前述のように流路形成基板１１０の連通部１１３と連通して各インク室１
１２のリザーバを構成している。
【００３１】
また、リザーバ形成基板１３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子３００
の振動を阻害しない程度の空間が確保可能な圧電素子保持部１３２が設けられている。圧
電素子３００は、この圧電素子保持部１３２内に設けられているため、外部環境の影響を
殆ど受けない状態で保護されている。なお、このようなリザーバ形成基板１３０の構成材
料としては、例えば、シリコン単結晶、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げ
られる。さらに、リザーバ形成基板１３０上には、封止膜１４１および固定板１４２で構
成されるコンプライアンス基板１４０が接合されている。封止膜１４１は、ポリフェニレ
ンサルファイド（ＰＰＳ）フィルムのような剛性が低く可撓性を有する材料で構成され、
この封止膜１４１によってリザーバ部１３１の連通部１１３と連通するのと反対側の面が
封止されている。また、固定板１４２は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）のような金属等の硬質
の材料で構成されている。この固定板１４２のリザーバに対向する領域は、厚さ方向に完
全に除去された開口部１４３となっているため、リザーバが可撓性を有する封止膜１４１
のみで封止されている。
【００３２】
このようなヘッド１００では、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、
リザーバからノズル孔３２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ１２０から
の記録信号により、各インク室１１２に対応するそれぞれの下電極膜１６０と上電極膜１
８０との間に電圧を印加する。これにより、弾性膜１５０、絶縁体膜１５５、下電極膜１
６０および圧電体層１７０にたわみが生じ、すなわち、振動板にたわみが生じることによ
り、各インク室１１２内の圧力が瞬間的に高まり、その結果、ノズル孔３２１からインク
滴が吐出する。１回のインクの吐出が終了すると、駆動ＩＣ１２０は、下電極膜１６０と
上電極膜１８０との間への電圧の印加を停止する。
【００３３】
図４および図５は、上記の吐出ヘッドの製造方法を示す模式断面図である。なお、上述
した実施形態と共通する事項については説明を省略する。
【００３４】
まず、図４（Ａ）に示すように、リザーバ形成基版１３０と、流路形成基板１１０とを
接着剤層１３５を介して貼り合わせる。なお、本実施形態では、この流路形成基板１１０
とリザーバ形成基板１３０との接合体全体が本発明における「被加工体」に相当する。
【００３５】
次に、図４（Ａ）に示すように、流路形成基板１１０の一方面側（リザーバ形成基板１
３０と接しない側）の凸部上に樹脂膜（第１の樹脂膜）４００を形成する。この樹脂膜４
００は、上記実施形態と同様にローラー（図示を省略）を用いて形成される。好適な形成
条件等についても上記と同様である。
【００３６】
次に、図４（Ｂ）に示すように、流路形成基板１１０の一方面側の凹部内に樹脂膜（第
２の樹脂膜）４０２を形成する。この樹脂膜４０２は、上記実施形態と同様に、凹部の内
部に液状材料を注入することによって形成される。好適な形成条件等についても上記と同
様である。このとき、樹脂膜４０２の膜厚が樹脂膜４００の膜厚よりも大きくなるように
することがより好ましいのも上記と同様である。
【００３７】
次に、図４（Ｃ）に示すように、流路形成基板１１０の一方面側に上記の樹脂膜４００
を介してサポート用部材４１０を貼り合わせる。なお、図示のサポート用部材４１０は貫
通孔を有しているものであるが、これに代えて、上記したような貫通孔を有しないサポー
ト用部材を用いてもよい。
【００３８】
次に、リザーバ形成基版１３０の表面に所定の凹凸形状を形成する。凹凸形状は、例え
ば周知のフォトリソグラフィ技術を用いて低圧雰囲気中で形成される。具体的には、図５
（Ａ）に示すように、リザーバ形成基板１３０の表面上にエッチングマスク４２０を設け
られる。このエッチングマスク４２０は、リザーバ形成基板１３０の表面を部分的に露出
させる開口４２２を有する。このエッチングマスク４２０を介して低圧雰囲気中でドライ
エッチングを行う。それにより、図５（Ｂ）に示すように、リザーバ形成基板１３０の開
口４２２に対応する部分が除去される。その後、エッチングマスク４２０が除去され、サ
ポート用部材４１０が取り外される。貫通孔を有するサポート用部材４１０を用いること
により、ドライエッチング時における冷却効果をより高めることができる。
【００３９】
この一連のプロセスにより、図５（Ｃ）に示すように、リザーバ形成基板１３０の表面
側に凹凸形状４２４が得られる。本例では、この凹凸形状４２４のうち凹部分が上記のイ
ンク室１１２、連通部１１３およびインク供給路１１４となる。その後、図示を省略する
が、ノズルプレート３２０、駆動ＩＣ１２０等が設けられることにより上記図３に示した
吐出ヘッド１００が完成する。このように本発明に係る製造方法は液滴吐出装置の吐出ヘ
ッドのようなマイクロデバイスを製造する際に適用することが可能である。
【００４０】
以上の本実施形態によれば、被加工体の凸部上に対してはローラーを用いて樹脂膜を形
成することにより、膜厚を必要以上に厚くすることなく、かつ均質な膜厚の樹脂膜を形成
することが可能となる。また、被加工体の凹部に対しては、例えば液滴吐出装置やスポッ
ティング装置等の手段を用いることにより、必要十分な量の液状材料を注入することがで
きるので、凹部を塞ぐ樹脂膜をより確実に形成することが可能となる。このように、凸部
と凹部のそれぞれに対して個別に成膜を行うことにより、スピンコート法などを用いてい
た従来技術に比べてより良好に樹脂膜を成膜することが可能となり、良好な形状可能を実
現することができる。
【００４１】
また、本実施形態によれば、樹脂膜の膜厚を安定させる（均一化する）ことができるた
め、エッチング時に基板温度を一定に保ちやすくなり、これにより形状加工の精度を向上
させることが可能となる。また、本実施形態によれば、被加工体とサポート用部材との間
の樹脂膜を適切な量に設定することができるので、サポート用部材の貫通孔からの樹脂の
染み出しを防止することが可能となる。樹脂の染み出しが回避されることにより、ステー
ジへのチャック性能が安定する。
【００４２】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範
囲内において種々に変形して実施することが可能である。例えば、上述した実施形態では
、マイクロデバイスの一例として液滴吐出装置の吐出ヘッドを挙げていたが、本発明の適
用範囲はこれに限定されるものではない。本発明は、例えばＭＥＭＳ（Micro Electro Me
chanical Systems）技術を用いて製造される種々のマイクロデバイスに適用することが可
能である。このようなマイクロデバイスの一例としては、圧力センサ、加速度センサ、ジ
ャイロスコープ、デジタルミラーデバイス、ＤＮＡチップ、光スイッチ、赤外線撮像素子
、波長可変レーザ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】一実施形態の構造体の製造方法を示す模式断面図である。
【図２】一実施形態の構造体の製造方法を示す模式断面図である。
【図３】液滴吐出装置の吐出ヘッドの構造例を示す模式断面図である。
【図４】吐出ヘッドの製造方法を示す模式断面図である。
【図５】吐出ヘッドの製造方法を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…基板、１２…段差構造、１２ａ…凹部、１２ｂ…凸部、１４…ローラー、１６…
液状材料、１８…樹脂膜、２０…液状材料、２４…樹脂膜、２６…サポート用部材、２６
ａ…貫通孔、２８…エッチングマスク、２８ａ…開口、３０…凹部、１００…吐出ヘッド
、１１０ｂ…凹部、１１０ａ…凸部、１１０…流路形成基板、１１２…インク室、１１３
…連通部、１１４…インク供給路、１３０…リザーバ形成基板、１３１…リザーバ部、１
３２…圧電素子保持部、１３５…接着剤層、１４０…コンプライアンス基板、１４１…封
止膜、１４２…固定板、１４３…開口部、１５０…弾性膜、１５１…絶縁膜、１５５…絶
縁体膜、１６０…下電極膜、１７０…圧電体層、１８０…上電極膜、１９０…リード電極
、１９０ａ…接続部、１９１…密着層、１９２…金属層、１９３…接続配線、３００…圧
電素子、３００…圧電素子、３２０…ノズルプレート、３２１…ノズル孔、４００…樹脂
膜、４０２…樹脂膜、４１０…サポート用部材、４２０…エッチングマスク、４２２…開
口、４２４…凹凸形状
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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