(57)【要約】【課題】面発光型の半導体レーザ素子の製造工程を複雑化することなく、レーザ光の偏向方向を安定させることができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】面発光型の半導体レーザ素子２と、この半導体レーザ素子２が搭載される素子搭載面３Ａを有するステム３とを備える半導体レーザ装置の構成として、ステム３の素子搭載面３Ａに導電性ペースト１７を用いて半導体レーザ素子２を搭載するとともに、半導体レーザ素子２に引っ張り歪みを付与する突起部１９をステム３に設けた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光型の半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子が搭載される素子搭載面を有する素子搭載部材とを備え、
前記素子搭載部材の素子搭載面に前記半導体レーザ素子を搭載するとともに、前記半導体レーザ素子に歪みを付与する歪み付与部を前記素子搭載部材に設けてなる
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記歪み付与部は、前記半導体レーザ素子に引っ張り歪みを付与するものである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記歪み付与部は、前記素子搭載面から突出する状態で前記素子搭載部材に設けられた突起部からなり、
前記突起部は、平面的に見て前記半導体レーザ素子のメサ部と重なる位置に形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子の下面は前記突起部に突き当てられた状態で導電性ペーストにより前記素子搭載面に固定されている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記歪み付与部は、前記半導体レーザ素子に圧縮歪みを付与するものである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記歪み付与部は、前記素子搭載面から突出する状態で前記素子搭載部材に設けられた２つの突起部からなり、
前記２つの突起部は、平面的に見て前記半導体レーザ素子のメサ部と重ならずかつ当該メサ部を挟む位置に形成されている
ことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記半導体レーザ素子の下面は前記２つの突起部に突き当てられた状態で導電性ペーストにより前記素子搭載面に固定されている
ことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置の一つの形態として、半導体基板の基板面に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型の半導体レーザ素子を備えたものがある。面発光型の半導体レーザ素子は、レーザ光の偏向方向が不安定であるという欠点を有している。
【０００３】
そこで、従来技術の一つとして、半導体レーザ素子の表面にグレーティングを施す技術や、半導体レーザ素子の活性層を量子配線で形成する技術（例えば、特許文献１を参照）が知られている。ただし、いずれの技術も特殊なパターニングが必要になるため、量産向きではなかった。
【０００４】
また、他の従来技術として、例えば下記特許文献２には、半導体レーザ素子上に共振器を挟む位置関係で２つの歪み付加部を形成し、これら２つの歪み付加部で共振器を歪ませることにより、レーザ光の偏向方向を安定させる技術が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２２３７７６号公報
【特許文献２】特開２００３−３３２６８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献２に記載された技術では、半導体レーザ素子を製造する工程のなかで、半導体レーザ素子自身に薄膜形成やパターニングなどの手法で歪み付加部を形成する必要がある。このため、半導体レーザ素子の製造工程が複雑化してしまう。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、面発光型の半導体レーザ素子の製造工程を複雑化することなく、レーザ光の偏向方向を安定させることができる半導体レーザ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体レーザ装置は、面発光型の半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が搭載される素子搭載面を有する素子搭載部材とを備え、素子搭載部材の素子搭載面に半導体レーザ素子を搭載するとともに、半導体レーザ素子に歪みを付与する歪み付与部を素子搭載部材に設けた構成となっている。
【０００９】
本発明に係る半導体レーザ装置においては、面発光型の半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏向方向を安定させるための構成として、半導体レーザ素子に歪みを付与する歪み付与部を、半導体レーザ素子ではなく、半導体レーザ素子が搭載される素子搭載部材に設けた構成を採用している。このため、半導体レーザ素子の製造工程が複雑化することがない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、面発光型の半導体レーザ素子の製造工程を複雑化することなく、レーザ光の偏向方向を安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１２】
図１は本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略断面図である。図示した半導体レーザ装置１は、大きくは、半導体レーザ素子２と、ステム３と、接続ピン４と、キャップ５とを備えた構成となっている。
【００１３】
半導体レーザ素子２は、面発光型の半導体レーザ素子であって、例えば次のような製造プロセスによって作製されるものである。まず、図２（Ａ）に示すように、ｐ型のＧａＡｓ基板（ガリウム砒素基板）６上に、ｐ型のＤＢＲ(Distributed Bragg Reflector)層７、酸化層８、活性層９、ｎ型のＤＢＲ層１０及びｎ型のコンタクト層１１を、例えばＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により順に形成する。ＤＢＲ層７及びＤＢＲ層１０は、それぞれＡｌ（アルミニウム）の組成を変えたＡｌＧａＡｓの多層構造となっている。酸化層８は、ＤＢＲ層よりもＡｌ組成が高いＡｌＧａＡｓ層からなる。
【００１４】
次に、図２（Ｂ）に示すように、最上層のコンタクト層１１上に図示しないレジストマスクを形成した後、エッチングによって円筒状のメサ部１２を形成する。メサ部１２を形成する場合のエッチングの終点は、酸化層８よりも若干下方の位置とする。
【００１５】
次に、図３（Ａ）に示すように、メサ部１２の内部に電流狭窄層１３を形成する。具体的には、水蒸気中で基板全体を４００℃程度に加熱することにより、メサ部１２の側面に露出している、Ａｌを含む層を酸化する。このとき、酸化層８は、Ａｌを含む他の層（ＤＢＲ層など）よりもＡｌ組成が高いＡｌＧａＡｓ層となっているため、他の層よりも酸化レートが速くなる。そこで、この工程においては、酸化層８における未酸化領域の幅が所定幅（例えば、１０ｎｍ程度）となるまで酸化を行なう。これにより、酸化層８中の酸化された領域は絶縁性のＡｌ2Ｏ3となり、この領域が電流狭窄層１３となる。
【００１６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、ＧａＡｓ基板６全体にわたって絶縁膜（例えば、酸化シリコン膜）１４を形成する。絶縁膜１４の形成は、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法などによって行なう。
【００１７】
次に、図３（Ｃ）に示すように、メサ部１２を覆う絶縁膜１４の一部をエッチングした後、上部電極１５を形成する。また、図示はしないが、メサ部１２の上部にレーザ光の出射口となる開口を形成する。
【００１８】
次に、ＧａＡｓ基板６の裏面を研磨、エッチングすることにより、ＧａＡｓ基板６全体の厚さを１００μｍ程度に仕上げた後、図３（Ｄ）に示すように、ＧａＡｓ基板６の裏面に下部電極１６を形成する。
【００１９】
その後、ＧａＡｓ基板６を３５０℃以上に加熱することにより、下部電極１６を合金化した後、ＧａＡｓ基板６をダイシングすることにより、半導体レーザ素子２を個片に分割する。
【００２０】
なお、ここではＧａＡｓ基板６とＤＢＲ層７の導電型をｐ型とし、ＤＢＲ層１０とコンタクト層１１の導電型をｎ型としたが、これと逆に、ＧａＡｓ基板６とＤＢＲ層７の導電型をｎ型とし、ＤＢＲ層１０とコンタクト層１１の導電型をｐ型としてもよい。
【００２１】
以上のような製造プロセスによって得られる半導体レーザ素子２は、上記図１に示すように、導電性ペースト１７を用いてステム３に搭載固定されている。ステム３は、半導体レーザ素子２を搭載するための金属製の板状部材であって、ヒートシンクとしての機能も果たす。導電性ペースト１７としては、例えば、銀ペースト、金ペースト、はんだペーストなどを用いることができる。
【００２２】
接続ピン４は、外部接続用の金属製の端子ピンであって、ステム３に複数本（図例では３本）設けられている。各々の接続ピン４は、ステム３に搭載される半導体レーザ素子２に対して、ワイヤボンディング等により電気的に接続されるものである。
【００２３】
キャップ５は、ステム３上で半導体レーザ素子２を封止するためのものである。キャップ５は、半導体レーザ素子２を囲む状態でステム３に取り付けられている。キャップ５には、半導体レーザ素子２から出射されるレーザ光を透過させるための窓部１８が設けられている。この窓付きのキャップ５は、半導体レーザ装置１を構成するうえで、必要に応じて設けられるものである。したがって、半導体レーザ装置１の構成としては、キャップ無しの構成もあり得る。
【００２４】
図４は本発明の第１実施形態で採用したステムの素子搭載前の状態を示す斜視図である。図４において、ステム３は、半導体レーザ素子２を搭載するための素子搭載部材となるものである。ステム３は平面視円形の板状に形成されている。ステム３の上面は、半導体レーザ素子２が搭載される素子搭載面３Ａとなっており、この素子搭載面３Ａ内に平面視長方形の細長い突起部１９が設けられている。
【００２５】
突起部１９は、素子搭載面３に搭載される半導体レーザ素子２に歪みを付与する歪み付与部としてステム３に設けられたものである。突起部１９は、ステム３の素子搭載面３Ａから上方（ステム３の厚み方向）に突出する状態で設けられている。ステム３は、例えば金型を用いたプレス成形によって作製可能である。このため、突起部１９は、プレス成形によってステム３と一体に形成されることが望ましい。素子搭載面３Ａを基準とした突起部１９の高さ寸法（突出寸法）は、半導体レーザ素子２の高さ寸法（厚み寸法）の１／１０〜１／３の範囲内に設定されている。
【００２６】
また、ステム３の素子搭載面３Ａにおいては、当該素子搭載面３Ａに搭載される半導体レーザ素子２に対して突起部１９が図５に示すような位置関係で配置される。すなわち、半導体レーザ素子２のメサ部１２の中心で交差する直交二軸（Ｘ軸及びＹ軸）座標を基準に考えると、突起部１９は、Ｘ軸方向を短手方向、Ｙ軸方向を長手方向とした長方形に形成されている。突起部１９の平面的な形状としては、当該突起部１９の長手方向に直線的な形状とするのがよい。半導体レーザ素子２の外形は平面視正方形に形成されており、その中心部にメサ部１２が形成されている。
【００２７】
また、半導体レーザ素子２は、ＧａＡｓ基板６の結晶面方向として（１００）面方向がＹ軸に平行な向きで搭載されている。このため、突起部１９の長手方向とＧａＡｓ基板６の（１００）面方向は、互いに平行な方向となっている。ただし、突起部１９の長手方向とＧａＡｓ基板６の結晶方向の関係は、図例のような関係の他に、突起部１９の長手方向とＧａＡｓ基板６の（１００）面方向が、互いに直交する方向となっていてもよい。ちなみに、ＧａＡｓ基板６として結晶方向が基板面に対して傾斜している場合は、レーザ光の偏向の揃いやすい方向が、突起部１９の長手方向又はそれと直交する方向となるように、ステム３の素子搭載面３Ａ内で半導体レーザ素子２を搭載する方向を設定すればよい。
【００２８】
ここで、半導体レーザ素子２のメサ部１２の直径をＤとし、Ｘ軸方向における半導体レーザ素子２の幅をＷ１とする。また、Ｘ軸方向における突起部１９の幅をＷ２とし、Ｙ軸方向における突起部１９の長さをＬ１とする。突起部１９の幅Ｗ２は、突起部１９の短手寸法に相当するもので、Ｙ軸を中心に規定されている。突起部１９の長さＬ１は、突起部１９の長手寸法に相当するもので、Ｘ軸を中心に規定されている。
【００２９】
このため、半導体レーザ素子２のメサ部１２の中心とステム３の突起部１９の中心は、いずれもＸ軸とＹ軸の交点（座標中心）に位置している。よって、突起部１９は、平面的に見て半導体レーザ素子２のメサ部１２と重なる位置に形成されている。また、突起部１９の幅Ｗ２は、半導体レーザ素子２の幅Ｗ１よりも小さく設定されている。双方の相対的な寸法関係としては、“Ｗ２＝（０．１×Ｗ１）〜（０．３×Ｗ１）”の関係を満たすことが好ましい。また、突起部１９の長さＬ１は、メサ部１２の直径Ｄに対して最小でもメサ径の２倍、すなわち“Ｌ１≧（２×Ｄ）”の条件を満たすものとし、より好ましくは、Ｌ１≒Ｗ１の関係を満たすものとする。図５に示す配置例では、好ましい条件の一つとして、突起部１９の長さＬ１を半導体レーザ素子２の一辺の長さＷ１よりも若干大きく設定している。
【００３０】
このような構造のステム３に導電性ペースト１７を用いて半導体レーザ素子２を搭載する場合は、その組立工程で、例えば、ステム３の素子搭載面３Ａに適量の導電性ペースト１７を塗布した後、その塗布面に半導体レーザ素子２を載せることにより、半導体レーザ素子２の下面を突起部１９に突き当てる。その後、導電性ペースト１７を熱処理によって硬化させる。これにより、半導体レーザ素子２の下面が導電性ペースト１７によってステム３の素子搭載面３Ａに固定された状態となる。
【００３１】
その際、導電性ペースト１７が硬化する過程で、例えば、導電性ペースト１７に含まれる有機溶剤が蒸発するなどして、導電性ペースト１７が収縮しようとする。そうすると、ステム３に搭載された半導体レーザ素子２には、突起部１９を中心として、Ｘ軸方向（図５参照）の一方と他方に引っ張り応力が作用する。このため、半導体レーザ素子２（特に、メサ部１２）には、引っ張り応力の印加によって歪みが生じる。この歪みは、ＧａＡｓ基板６の（１００）面方向と平行なＹ軸を中心とした引っ張り歪みとなって半導体レーザ素子２に付与される。
【００３２】
このようにステム３の素子搭載面３Ａに突起部１９を設けるとともに、素子搭載面３Ａに導電性ペースト１７を用いて半導体レーザ素子２を搭載することにより、半導体レーザ素子２に引っ張り歪みを生じさせ、この引っ張り歪みの付与によってレーザ光の偏向方向を安定させることができる。また、半導体レーザ素子２に引っ張り歪みを付与するための突起部１９がステム３に形成されているため、半導体レーザ素子２を製造するにあたって、新たな工程を追加する必要がない。このため、半導体レーザ素子２の製造工程を複雑化することなく、レーザ光の偏向方向を安定させることができる。
【００３３】
また、ステム３の他の構成として、例えば図６（Ａ）に示すように、突起部１９のＸ軸方向（図の左右方向）の両側に、素子搭載面３Ａから凹んだ状態の溝部２０を設けた構成を採用してもよい。溝部２０は、好ましくは、突起部１９の長さＬ１と同等（例えば、０．８Ｌ１）以上の長さに形成する。
【００３４】
このようにステム３に溝部２０を設けた構成を採用した場合は、ステム３に半導体レーザ素子２を搭載する場合に、突起部１９の両側で溝部２０に導電性ペースト１７が入り込むことになる。このため、導電性ペースト１７の厚みが突起部１９の両側で局部的に厚くなる。したがって、導電性ペースト１７を硬化させる際に、より強い引っ張り応力を半導体レーザ素子２に作用させることができる。なお、溝部２０は、突起部１９に隣接した両側位置に形成する代わりに、突起部１９から所定距離を置いた両側位置に形成してもよい。突起部１９と、その両側の溝部２０との距離を調節することで、半導体レーザ素子２に作用させる引っ張り応力の大きさを調節することができる。
【００３５】
さらに、ステム３の他の構成として、例えば図６（Ｂ）に示すように、Ｘ軸上での突起部１９の断面形状を櫛歯状の断面形状としてもよい。この構成を採用した場合は、ステム３に半導体レーザ素子２を搭載する場合に、突起部１９の形成部位で櫛歯状断面の凹部に導電性ペースト１７が入り込むため、半導体レーザ素子２とステム３の密着性を高めることができる。
【００３６】
図７は本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略断面図である。なお、本第２実施形態においては、上記第１実施形態と同様の部分に同じ符号を付して説明することとする。図示した半導体レーザ装置１は、上記第１実施形態と同様に、半導体レーザ素子２と、ステム３と、接続ピン４と、キャップ５とを備えるものであるが、第１実施形態と比較すると、ステム３の構成が異なっている。
【００３７】
図８は本発明の第２実施形態で採用したステムの素子搭載前の状態を示す斜視図である。また、図９はステムに半導体レーザ素子を搭載した場合の位置関係を示す平面図である。図示のように、ステム３の素子搭載面（上面）３Ａには、当該素子搭載面３Ａに搭載される半導体レーザ素子２に歪みを付与する歪み付与部として、２つの突起部２１が設けられている。これら２つの突起部２１は、素子搭載面３内に所定の距離を隔てて互いに平行に設けられている。各々の突起部２１は、ステム３の素子搭載面３Ａから上方（ステム３の厚み方向）に突出する状態で、ステム３と一体に形成されている。素子搭載面３Ａを基準とした突起部２１の高さ寸法（突出寸法）は、半導体レーザ素子２の高さ寸法（厚み寸法）の１／１０〜１／３の範囲内に設定されている。
【００３８】
また、ステム３の素子搭載面３Ａにおいて、各々の突起部２１は、Ｘ軸方向を短手方向、Ｙ軸方向を長手方向とした長方形に形成されている。突起部２１の平面的な形状としては、当該突起部２１の長手方向に直線的な形状とするのがよい。また、各々の突起部２１の長手方向とＧａＡｓ基板６の（１００）面方向は、互いに平行な方向となっている。ただし、突起部２１の長手方向とＧａＡｓ基板６の結晶方向の関係は、図例のような関係の他に、突起部１９の長手方向とＧａＡｓ基板６の（１００）面方向が、互いに直交する方向となっていてもよい。さらに、Ｘ軸方向における突起部２１の幅をＷ３とし、Ｙ軸方向における突起部２１の長さをＬ２とすると、各々の突起部２１の幅Ｗ３は、半導体レーザ素子２の幅Ｗ１よりも小さく設定されている。双方の相対的な寸法関係としては、“Ｗ３＝（０．１×Ｗ１）〜（０．３×Ｗ１）”の関係を満たすことが好ましい。
【００３９】
また、各々の突起部２１の長さＬ２は、互いに同じ長さに設定されている。具体的には、各々の突起部２１の長さＬ２は、メサ部１２の直径Ｄに対して最小でもメサ径の２倍、すなわち“Ｌ２≧（２×Ｄ）”の条件を満たすものとし、より好ましくは、Ｌ２≒Ｗ１の関係を満たすものとする。図９に示す配置例では、好ましい条件の一つとして、各々の突起部２１の長さＬ２を半導体レーザ素子２の一辺の長さＷ１よりも若干大きく設定している。さらに、Ｘ軸方向における２つの突起部２１の間隔（離間距離）Ｐは、メサ部１２の中心を通るＹ軸の位置を中心として、メサ部１２の直径Ｄよりも大きい寸法、好ましくは、“Ｐ≧（０．３×Ｗ１）”の条件を満たすように設定されている。よって、２つの突起部２１は、平面的に見て半導体レーザ素子２のメサ部１２と重ならずかつ当該メサ部１２を挟む位置に形成されている。
【００４０】
このような構造のステム３に導電性ペースト１７を用いて半導体レーザ素子２を搭載する場合は、その組立工程で、例えば、、ステム３の素子搭載面３Ａに適量の導電性ペースト１７を塗布した後、その塗布面に半導体レーザ素子２を載せることにより、半導体レーザ素子２の下面を各々の突起部２１に突き当てる。その後、導電性ペースト１７を熱処理によって硬化させる。これにより、半導体レーザ素子２の下面が導電性ペースト１７によってステム３の素子搭載面３Ａに固定された状態となる。
【００４１】
その際、導電性ペースト１７が硬化する過程で、例えば、導電性ペースト１７に含まれる有機溶剤が蒸発するなどして、導電性ペースト１７が収縮しようとする。そうすると、ステム３に搭載された半導体レーザ素子２には、２つの突起部２１の存在によって圧縮応力が作用する。このため、半導体レーザ素子２（特に、メサ部１２）には、圧縮応力の印加によって歪みが生じる。この歪みは、ＧａＡｓ基板６の（１００）面方向と平行なＹ軸を中心とした圧縮歪みとなって半導体レーザ素子２に付与される。
【００４２】
このようにステム３の素子搭載面３Ａに２つの突起部２１を設けるとともに、素子搭載面３Ａに導電性ペースト１７を用いて半導体レーザ素子２を搭載することにより、半導体レーザ素子２に圧縮歪みを生じさせ、この圧縮歪みの付与によってレーザ光の偏向方向を安定させることができる。また、半導体レーザ素子２に圧縮歪みを付与するための突起部２１がステム３に形成されているため、半導体レーザ素子２を製造するにあたって、新たな工程を追加する必要がない。このため、半導体レーザ素子２の製造工程を複雑化することなく、レーザ光の偏向方向を安定させることができる。
【００４３】
また、半導体レーザ素子２により有効に圧縮歪みを付与するために、ステム３の他の構成として、例えば図１０（Ａ）に示すように、各々の突起部２１の突出端をラウンド形状とし、これによってＸ軸上での突起部２１の断面形状を略半月形状とした構成を採用してもよい。さらに、ステム３の他の構成として、例えば、図１０（Ｂ）に示すように、各々の突起部２１の相対向する側（内側）に、素子搭載面３に対して斜めに傾斜した傾斜部２１Ａを設けた構成を採用してもよい。
【００４４】
また、例えば図１０（Ｃ）に示すように、各々の突起部２１の内側に、それぞれ素子搭載面３Ａから凹んだ状態の溝部２２を設けた構成を採用してもよい。溝部２２は、好ましくは、突起部２１の長さＬ２と同等（例えば、０．８Ｌ２）以上の長さに形成する。このようにステム３に溝部２２を設けた構成を採用した場合は、ステム３に半導体レーザ素子２を搭載する場合に、各々の突起部２１の内側で溝部２２に導電性ペースト１７が入り込むことになる。このため、導電性ペースト１７の厚みが各々の突起部２１の内側で局部的に厚くなる。したがって、導電性ペースト１７を硬化させる際に、より強い圧縮応力を半導体レーザ素子２に作用させることができる。なお、溝部２２は、各々の突起部２１に隣接した内側位置に形成する代わりに、各々の突起部２１から所定距離を置いた内側位置に形成してもよい。各々の突起部２１と、その内側に形成された溝部２２との距離を調節することで、半導体レーザ素子２に作用させる圧縮応力の大きさを調節することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】半導体レーザ素子の製造プロセスの一例を説明する図（その１）である。
【図３】半導体レーザ素子の製造プロセスの一例を説明する図（その２）である。
【図４】本発明の第１実施形態で採用したステムの素子搭載前の状態を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１実施形態において、ステムに半導体レーザ素子を搭載した場合の位置関係を示す平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るステムの他の構成例を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態で採用したステムの素子搭載前の状態を示す斜視図である。
【図９】本発明の第２実施形態において、ステムに半導体レーザ素子を搭載した場合の位置関係を示す平面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係るステムの他の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…半導体レーザ装置、２…半導体レーザ素子、３…ステム、３Ａ…素子搭載面、１７…導電性ペースト、１９，２１…突起部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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