(57)【要約】【課題】ｎ型層とｐ型層とを面内で縞状に交互に有する半導体基板の容易な製造方法を提供する。【解決手段】この発明に係る半導体基板の製造方法は、成長工程（Ｓ１）と、切断工程（Ｓ２）とを備える。成長工程（Ｓ１）とは、第１導電型の半導体からなる第１導電型層と、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の半導体からなる第２導電型層とを、少なくともそれぞれ１層以上交互に成長させることにより積層体を形成する工程である。切断工程（Ｓ２）とは、積層体を、第１導電型層と第２導電型層との界面の延在方向と交差する方向に切断することにより基板を得る工程である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面において、第１導電型領域と、第２導電型領域とがそれぞれ１つ以上交互に並んでおり、
前記第１導電型領域と前記第２導電型領域とは、前記主表面から、前記主表面と反対側の裏面にまで連続している、半導体基板。
【請求項２】
前記半導体基板を構成する材料の結晶構造は、六方晶であり、
前記主表面の面方位は、｛０００１｝面に対して±１０°以内のオフ角を形成する、請求項１に記載の半導体基板。
【請求項３】
５０μｍ以上５００μｍ以下の厚みを有する、請求項１に記載の半導体基板。
【請求項４】
第１導電型の半導体からなる第１導電型層と、前記第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の半導体からなる第２導電型層とを、少なくともそれぞれ１層以上交互に成長させることにより積層体を形成する、成長工程と、
前記積層体を、前記第１導電型層と前記第２導電型層との界面の延在方向と交差する方向に切断することにより基板を得る、切断工程とを備える、半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記成長工程において、前記第１導電型層および前記第２導電型層の不純物濃度がそれぞれ１×１０１５ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下となるように、前記第１導電型層と前記第２導電型層とを成長させる、請求項４に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記成長工程において、前記第１導電型層および前記第２導電型層の積層高さがそれぞれ０．０１μｍ以上２００μｍ以下となるように、前記第１導電型層と前記第２導電型層とを成長させる、請求項４または請求項５に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記成長工程において、前記第１導電型層の不純物濃度をＮ１、積層高さをｄ１とし、前記第２導電型層の不純物濃度をＮ２、積層高さをｄ２とするとき、
Ｎ１とｄ１との積は、Ｎ２とｄ２との積に対し、±２０％以内の範囲に含まれる、請求項４から請求項６のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１導電型層はｎ型層であり、
前記成長工程において、前記ｎ型層を形成するための原料ガスとして、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）のいずれか１つ、またはこれらの混合ガスを使用する、請求項４から請求項７のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２導電型層はｐ型層であり、
前記成長工程において、前記ｐ型層を形成するための原料ガスとして、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか１つ、またはこれらの混合ガスを使用する、請求項４から請求項８のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板および半導体基板の製造方法に関し、特に、炭化珪素半導体基板に用いて好適な半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、珪素（Ｓｉ）に比べてバンドギャップが２倍〜３倍あり、絶縁破壊電界強度が１桁大きく、飽和電子速度は２倍、熱伝導度は３倍といった様々な優れた物性値を有している。そのため、ＳｉＣは、次世代のパワーエレクトロニクスの半導体材料として期待されている。
【０００３】
ＳｉＣは包晶反応型の状態図を示し、高温で分解溶融するため、液相からのバルク単結晶成長は原理的に不可能であり、通常、気相成長がバルク単結晶成長に用いられる（たとえば、非特許文献１参照）。この気相成長では、グラファイトるつぼ内に配置したＳｉＣ粉末原料を高温に加熱して昇華させ、低温部に配置した種結晶上に再結晶化させることによりＳｉＣ単結晶を得る。得られたバルク単結晶を所定の面方位で切断することで、ＳｉＣ単結晶基板が作製される。
【０００４】
また、上記の昇華法の結晶成長炉にガス供給ラインを追加し、成長するＳｉＣ単結晶の組成や電気特性を制御する方法（Ｍ−ＰＶＴ法）が提案されている（たとえば、非特許文献２参照）。
【０００５】
一方、高耐圧かつ低オン抵抗のパワーデバイスを実現するために、ｎ型層とｐ型層とを交互に並べて多層のｐｎ結合を形成したスーパー・ジャンクション（ＳＪ）構造の実用化が進められている（たとえば、非特許文献３参照）。
【非特許文献１】松波弘之編著「半導体ＳｉＣ技術と応用」、日刊工業新聞社、２００３年３月、第３章
【非特許文献２】P.J. Wellmann et al, "Modified Physical Vapor Transport Growth of SiC - Control of Gas Phase Composition for Improved Process Conditions", Materials Science Forum Vols.483-485 (2005), pp.25-30
【非特許文献３】T. Fujihira, “Theory of semiconductor superjunction devices”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.36 (1997) p.6254-6262
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般的な昇華法では、成長前にチャージされたＳｉＣ粉末原料からの昇華による原料輸送で結晶成長が進行する。結晶成長中の外部からの制御パラメータは、成長炉温度、るつぼ位置などであり、結晶の組成や電気特性を任意に変化させることは困難である。したがって、得られる結晶の組成や電気特性は結晶中でほぼ均一であり、成長条件自体も、できるだけ均一な特性を有する結晶を作製することを目的として設定される。
【０００７】
Ｍ−ＰＶＴ法では、ガス供給を追加することにより、組成制御などを行なっているが、その目的は組成や電気特性の微調整と安定化である。そのため、成長結晶の組成や電気特性は一般的昇華法による結晶と比較して一層均一となる。つまり、上記の従来技術では、均一もしくはほぼ均一な組成、電気特性の単結晶しか作製することができない。
【０００８】
そこで、従来の昇華法やＭ−ＰＶＴ法によって作製された均一な組成のＳｉＣ単結晶からＳＪ構造を作製するためには、たとえば、ｎ型のＳｉＣ単結晶の表面上に堆積させたＳｉＯ２膜を選択的にエッチングして縞状に加工し、縞状のＳｉＯ２膜をマスクとしてイオン注入を行ない、ｎ型のＳｉＣ単結晶の一部をｐ型に変換してＳＪ構造を形成する、などの製造方法を用いる必要がある。つまり、複雑な製造工程を必要としており、そのためにｎ型層とｐ型層との界面が乱れてしまい良好なデバイスの特性が得られない場合があるという問題があった。またコスト面でも改善の余地があった。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、ｎ型層とｐ型層との界面の乱れを低減させた半導体基板、および、ｎ型層とｐ型層とを面内で縞状に交互に有する半導体基板の容易な製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係る半導体基板では、主表面において、第１導電型領域と、第２導電型領域とがそれぞれ１つ以上交互に並んでいる。そして、第１導電型領域と第２導電型領域とは、主表面から、主表面と反対側の裏面にまで連続している。この構成を備える半導体基板は、縞状の第１導電型領域（たとえばｎ型領域）と縞状の第２導電型領域（たとえばｐ型領域）とが主表面内で縞状に交互に存在する半導体基板であって、スーパー・ジャンクション（ＳＪ）構造に好適に用いられる。
【００１１】
また、半導体基板を構成する材料の結晶構造は、六方晶であり、主表面の面方位は、｛０００１｝面に対して±１０°以内（より好ましくは±８°以内）のオフ角を形成することが望ましい。この場合は、半導体基板を構成する材料は、たとえばＳｉＣである。ＳｉＣデバイス作製に最もよく用いられる基板面方位は、｛０００１｝面に対して±１０°以内のオフ角を形成する面方位であり、特に市販品は８°オフ基板、または４°オフ基板のものが多い。したがって、主表面の面方位が｛０００１｝面に対して±１０°以内のオフ角を形成する半導体基板は、エピタキシャル成長条件の条件検討が十分進められており、利用用途が豊富である。
【００１２】
また、半導体基板は、５０μｍ以上５００μｍ以下（より好ましくは２００μｍ以上５００μｍ以下）の厚みを有することが望ましい。半導体基板の厚みは任意であるが、５０μｍ未満であれば、半導体基板の機械的強度が低くなるため、半導体基板を切断するときに破損する可能性がある。２００μｍ以上の厚みがあれば取扱いが容易となる。また半導体基板の厚みが５００μｍあれば、半導体基板としては十分な機械的強度が得られ、５００μｍを超えると半導体基板の厚みとしては厚すぎることとなり無駄が生じる。したがって、半導体基板の厚みを５０μｍ以上５００μｍ以下に規定すれば、生産性、経済性に優れた半導体基板を得ることができる。
【００１３】
この発明に係る半導体基板の製造方法は、成長工程と、切断工程とを備える。成長工程とは、第１導電型の半導体からなる第１導電型層と、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の半導体からなる第２導電型層とを、少なくともそれぞれ１層以上交互に成長させることにより積層体を形成する工程である。切断工程とは、積層体を、第１導電型層と第２導電型層との界面の延在方向と交差する方向に切断することにより基板を得る工程である。
【００１４】
この場合は、第１導電型層（たとえばｎ型層）と第２導電型層（たとえばｐ型層）とを面内で縞状に交互に有する半導体基板を、容易に製造することができる。第１導電型層と第２導電型層とは結晶成長により形成されるので、第１導電型層と第２導電型層との界面における乱れの発生を抑制することができ、美しい界面が得られる。そのため、良好なデバイスの特性が得られる。また、切断工程において、積層体を切断する方向を調整することにより、切断後得られる半導体基板の主表面の面方位を任意に調整することができる。また積層体を切断する間隔を調整することにより、半導体基板の厚みを任意に調整することができる。
【００１５】
また、成長工程において、第１導電型層および第２導電型層の不純物濃度がそれぞれ１×１０１５ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下（より好ましくは、１×１０１６ｃｍ−３以上２×１０１７ｃｍ−３以下）となるように、第１導電型層と第２導電型層とを成長させることが望ましい。
【００１６】
また、成長工程において、第１導電型層および第２導電型層の積層高さがそれぞれ０．０１μｍ以上２００μｍ以下（より好ましくは、０．１μｍ以上２０μｍ以下）となるように、第１導電型層と第２導電型層とを成長させることが望ましい。
【００１７】
非特許文献３に記載のＳＪ理論によると、次式（１）の条件を満足するとき最適なＳＪが形成される。
【００１８】
ｑＮＤｄｎ＝ｑＮＡｄｐ＝２αεＳＥＣ              （１）
ここで、ＮＤはドナー不純物濃度、ＮＡはアクセプター不純物濃度、ｄｎはｎ層厚さ、ｄｐはｐ層厚さ、ｑは単位電荷量、εＳは当該半導体材料の誘電率、ＥＣは当該半導体材料の絶縁破壊電界である。また、αは、ＳＪに関わる最適係数であり、α＝０．５の時、もっとも良好なＳＪが形成される。αは少なくとも０．２５〜０．７５の範囲にあることが望ましい。
【００１９】
ここで仮に半導体材料としてＳｉＣを考え、ＳｉＣの物性値を（１）式に代入し、α＝０．５を代入すると（２）式が得られる。
【００２０】
ＮＤｄｎ＝ＮＡｄｐ＝１．５×１０１７  （ｍ−２）              （２）
実際の半導体結晶製造工程においては、不純物濃度Ｎは１×１０１５ｃｍ−３未満の低不純物濃度で制御することは困難である。この不純物濃度の時、（２）式より、厚さｄは１５０μｍとなる。結晶製造制御性から、不純物濃度は１×１０１６ｃｍ−３以上であることが望ましく、この不純物濃度の時、（２）式より、厚さｄは１５μｍとなる。上記のように、αは０．２５〜０．７５の範囲にあることが望ましいことを考慮すると、各層の厚さは２００μｍ以下、より望ましくは２０μｍ以下であることが必要となる。
【００２１】
一方、実際の半導体結晶製造工程においては、各層の厚さを０．０１μｍ未満の厚さで制御することは困難である。この厚さの時、（２）式より、不純物濃度Ｎは１．５×１０１９ｃｍ−３となる。結晶製造制御性から、各層の厚さは０．１μｍ以上であることが望ましく、この厚さの時、（２）式より、不純物濃度Ｎは１．５×１０１８ｃｍ−３となる。上記のように、αは０．２５〜０．７５の範囲にあることが望ましいことを考慮すると、各層の不純物濃度は２×１０１９ｃｍ−３以下、より望ましくは２×１０１８ｃｍ−３以下であることが必要となる。
【００２２】
以上をまとめると、第１導電型層および第２導電型層の不純物濃度がそれぞれ１×１０１５ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下（より好ましくは、１×１０１６ｃｍ−３以上２×１０１７ｃｍ−３以下）となるように、第１導電型層と第２導電型層とを成長させることが望ましいと言える。同様に、成長工程において、第１導電型層および第２導電型層の積層高さがそれぞれ０．０１μｍ以上２００μｍ以下（より好ましくは、０．１μｍ以上２０μｍ以下）となるように、第１導電型層と第２導電型層とを成長させることが望ましいと言える。
【００２３】
また、成長工程において、第１導電型層の不純物濃度をＮ１、積層高さをｄ１とし、前記第２導電型層の不純物濃度をＮ２、積層高さをｄ２とするとき、（１）式より、Ｎ１とｄ１との積は、Ｎ２とｄ２との積に対し、理想的にはＮ１ｄ１＝Ｎ２ｄ２であることが望ましい。少なくとも、±２０％以内（より好ましくは、±１０％以内）の範囲に含まれることが望ましい。このような条件が満足されるとき、第１導電型層と第２導電型層に対してほぼ均等に空乏層が伸長し、有効に耐圧保持層が形成される。
【００２４】
また、第１導電型層はｎ型層であり、成長工程において、ｎ型層を形成するための原料ガスとして、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）のいずれか１つ、またはこれらの混合ガスを使用することが望ましい。
【００２５】
また、第２導電型層はｐ型層であり、成長工程において、ｐ型層を形成するための原料ガスとして、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか１つ、またはこれらの混合ガスを使用することが望ましい。
【発明の効果】
【００２６】
この発明によると、ｎ型層とｐ型層とを面内で縞状に交互に有し、ｎ型層とｐ型層との界面における乱れが少ない半導体基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面に基づいてこの発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１の半導体基板の断面を示す模式図である。図２は、図１に示す半導体基板の平面図である。図１および図２に示すように、半導体基板１は、第１導電型領域２（たとえばｎ型領域）と第２導電型領域３（たとえばｐ型領域）とを有する。なお図１は、図２に示すＩ−Ｉ線による断面における半導体基板の断面模式図である。図２に示す主表面において、第１導電型領域２と第２導電型領域３とがそれぞれ複数、縞状に交互に並んでいる。また図１に示すように、第１導電型領域２と第２導電型領域３とは、半導体基板１の主表面４から、半導体基板１の主表面４と反対側の表面である裏面５にまで、連続している。
【００２９】
半導体基板１を構成する材料は、炭化珪素（ＳｉＣ）である。ＳｉＣは、六方晶の結晶構造を有する化合物である。六方晶では、その底面方向の面方位が｛０００１｝である。半導体基板１の主表面４は｛０００１｝面に対してわずかに傾斜しており、｛０００１｝面と主表面４とは数度程度の角度（オフ角という）を形成するように、半導体基板１は成形されている。半導体基板１は、上記オフ角が±１０°以内であるように、成形されている。
【００３０】
図１に示すように、第１導電型領域２と第２導電型領域３との界面は、主表面４および裏面５に対し垂直となるように、半導体基板１は成形されている。この場合、第１導電型領域２と第２導電型領域３との界面に対し垂直な方向における第１導電型領域２の厚みをｄ１、第２導電型領域３の厚みをｄ２とする。ｄ１、ｄ２はそれぞれ、０．０１μｍ以上２００μｍ以下であるように、半導体基板１は成形されている。つまり、後述する半導体基板１の製造工程において説明するように、第１導電型領域２と第２導電型領域３とは、交互に結晶成長することにより積層体を形成するように成形されており、積層体の各層の積層厚みが０．０１μｍ以上２００μｍ以下である。
【００３１】
また、図１に示す半導体基板１の厚みｔは、５０μｍ以上５００μｍ以下であるように、半導体基板１は成形されている。
【００３２】
次に、図１に示す半導体基板１の製造方法について説明する。図３は、半導体基板の製造工程の概略を示す流れ図である。図４は、成長工程における結晶成長概念を示す模式図である。図５は、切断工程を示す模式図である。図３を参照して、まず工程（Ｓ１）において、第１導電型（たとえばｎ型）の半導体からなる第１導電型層と、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型（たとえばｐ型）の半導体からなる第２導電型層とを、少なくともそれぞれ１層以上交互に成長させることにより、積層体を形成する。
【００３３】
このとき、図４に示す結晶成長炉を用いて、昇華法によって結晶成長させ、積層体を形成することができる。図４に示すように、結晶成長炉は、原料１０が充填されるグラファイト製のるつぼ２１と、るつぼ２１の外周を取り巻くように配置されるヒータ２２と、るつぼ２１の内部へ不純物ガスを供給するためのガス供給ライン２４とを備える。ガス供給ライン２４は、るつぼ２１の内部と、たとえばボンベやタンクなどの不純物ガス供給源２３ａ、２３ｂとを連通するように配置されている。またガス供給ライン２４において、不純物ガス供給源２３ａからの不純物ガスの供給量を制御するためのバルブ２５ａと、不純物ガス供給源２３ｂからの不純物ガスの供給量を制御するためのバルブ２５ｂと、が設けられている。
【００３４】
不純物ガス供給源２３ａから供給される不純物ガスは、ｎ型層を形成するための原料ガスであって、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）のいずれか１つ、またはこれらの混合ガスを使用することができる。また、不純物ガス供給源２３ｂから供給される不純物ガスは、ｐ型層を形成するための原料ガスであって、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか１つ、またはこれらの混合ガスを使用することができる。
【００３５】
図４に示す結晶成長炉の動作について説明する。まず、原料１０としてのＳｉＣ粉末をるつぼ２１の内部に充填する。その状態でヒータ２２を起動し、るつぼ２１内部を２１００℃以上２４００℃以下程度の高温に加熱することにより、原料１０は昇華する。この昇華した原料ガスが、るつぼ２１の内部の天井側に設けられた種結晶１１上において再結晶化することで、成長結晶１２を得る。この方法が昇華法である。結晶成長方位は任意であるが、｛１−１００｝面または｛１１−２０｝面が望ましく、または｛０００１｝面であってもよい。これらの低指数面では結晶成長を比較的安定な状態に維持しやすく、高品質かつ大型の単結晶が得られやすい。
【００３６】
昇華した原料１０が再結晶化して成長結晶１２が成長しているときに、バルブ２５ａ、２５ｂを交互に開閉することにより不純物ガスをるつぼ２１の内部へ供給すれば、第１導電型層と第２導電型層とを交互に成長させることができる。バルブ２５ａ、２５ｂの開閉を交互に繰り返すことによって、成長結晶１２は、第１導電型層と第２導電型層とがそれぞれ１層以上積層した積層体として形成される。
【００３７】
バルブ２５ａ、２５ｂの開度や開状態にある時間を制御することにより、るつぼ２１内部に供給される不純物ガスの供給量を制御できるので、第１導電型層および第２導電型層の積層状態を任意に制御することができる。たとえば、第１導電型層および第２導電型層の不純物濃度がそれぞれ１×１０１５ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下となるように、第１導電型層と第２導電型層とを成長させることができる。また、第１導電型層および第２導電型層の積層高さがそれぞれ０．０１μｍ以上２００μｍ以下となるように、第１導電型層と第２導電型層とを成長させることができる。さらに、第１導電型層の不純物濃度をＮ１、積層高さをｄ１とし、前記第２導電型層の不純物濃度をＮ２、積層高さをｄ２とするとき、Ｎ１とｄ１との積は、Ｎ２とｄ２との積に対し、±２０％以内の範囲に含まれるように、第１導電型層と第２導電型層とを成長させることができる。このようにして、第１導電型層および第２導電型層の積層状態を任意に制御した、積層体としての成長結晶１２を得ることができる。
【００３８】
図３に戻って、次に工程（Ｓ２）において、積層体としての成長結晶１２を切断する。図５に示す破線に沿って（すなわち、結晶成長方向に沿って）、成長結晶１２を切断することで、ウェハ状の形状とする。隣接する破線同士の間隔を調整することによって、接断後の半導体基板の厚みを任意に調整することが可能である。たとえば、５０μｍ以上５００μｍ以下の厚みを有する半導体基板へと切断することができる。
【００３９】
次に工程（Ｓ３）において、後処理として、接断後の半導体基板を研削して円板形状に加工する。工程（Ｓ２）で切断されたウェハ状の形状は円板形状ではなく、最終製品としての半導体基板が円板形状である必要もない。しかし、デバイスプロセスのし易さから、たとえば直径２インチまたは３インチなどの円板形状の半導体基板であればより好ましい。
【００４０】
このようにして、図１および図２に示すような、第１導電型層と第２導電型層とを面内で縞状に交互に有する、円板形状の半導体基板１を得ることができる。このような半導体基板１は、ＳＪ構造に好適に用いられる。このとき、第１導電型層と第２導電型層とは結晶成長により形成されるので、第１導電型層と第２導電型層との界面における乱れの発生を抑制することができ、良好なデバイスの特性が得られる。また積層体を切断する間隔を調整することにより、半導体基板の厚みを任意に調整することができ、半導体基板の厚みを５０μｍ以上５００μｍ以下に規定すれば、生産性、経済性に優れた半導体基板を得ることができる。
【００４１】
なお、実施の形態１の説明においては、成長工程において昇華法によって積層体としての成長結晶１２を作製しているが、異なる導電型の層を積層できれば結晶成長方法は他の任意の方法であってもよい。たとえば、化学気相堆積法や気相エピタキシャル成長法などの他の気相成長法であってもよく、ボート法、引き上げ法（ＣＺ法）または溶液成長法などの液層成長法であってもよい。また、切断工程における切断方法も任意であり、たとえばダイシングソー、ワイヤソーなどを用いて成長結晶１２を切断することができる。また、成長結晶１２をウェハ状に切断後円板形状に加工しているが、成長結晶１２を予め円筒形状に研削した後にウェハ状に切断してもよい。
【００４２】
（実施の形態２）
図６は、実施の形態２の切断工程を示す模式図である。図７は、切断後の半導体基板の断面を示す模式図である。図６に示すように、実施の形態２では、成長結晶１２の切断方向が結晶成長方向に対して傾斜している点で、実施の形態１とは異なっている。その結果、図７に示すように、第１導電型領域４２と第２導電型領域４３との界面が主表面４４および裏面４５に対して傾斜しているような、半導体基板４１を得ることができる。
【００４３】
切断工程において、積層体としての成長結晶１２を切断する方向を調整することにより、切断後得られる半導体基板４１の主表面４４の面方位を任意に調整することができる。このように切断方向を結晶成長方向に対して傾斜させれば、半導体基板４１の主表面４４を、主表面４４上へのエピタキシャル成長に適した面方位とすることができる。たとえば、主表面４４の面方位を、ＳｉＣデバイス作製に最もよく用いられる｛０００１｝面に対して±１０°以内のオフ角を形成する面方位とすることができる。
【００４４】
なお、図７に示すように、第１導電型領域４２の厚みｄ１、第２導電型領域４３の厚みｄ２は、第１導電型領域４２と第２導電型領域４３との界面に対し垂直な方向における厚みである。そのため、実施の形態２では、厚みｄ１、ｄ２は半導体基板４１の主表面４４および裏面４５に対して傾斜した方向の厚みとなっている。
【００４５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】実施の形態１の半導体基板の断面を示す模式図である。
【図２】図１に示す半導体基板の平面図である。
【図３】半導体基板の製造工程の概略を示す流れ図である。
【図４】成長工程における結晶成長概念を示す模式図である。
【図５】切断工程を示す模式図である。
【図６】実施の形態２の切断工程を示す模式図である。
【図７】切断後の半導体基板の断面を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４７】
１，４１  半導体基板、２，４２  第１半導体領域、３，４３  第２半導体領域、４，４４  主表面、５，４５  裏面、１０  原料、１１  種結晶、１２  成長結晶、２１  るつぼ、２２  ヒータ、２３ａ，２３ｂ  不純物ガス供給源、２４  ガス供給ライン、２５ａ，２５ｂ  バルブ。
【図１】
2008277657.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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