(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上に形成されたフォトレジスト層の前記基板の縁部を除去する際に、その部分のフォトレジスト層を正確に、かつ効率的に除去する方法を提供する。【解決手段】フォトレジスト１ｂを除去する部分と除去しない部分の境界をに基板１の中央側から縁部側に向かう第１の空気の流れＫ１と、この第１の空気の流れＫ１に対向する側縁側からの第２の空気の流れＫ２と、前記境界線の部分で前記第１の空気の流れＫ１と第２の空気の流れＫ２とを合流させて混合させ、この混合流を前記二つの流れに交差して吸引排出される第３の空気の流れＫ３形成し、第２の空気の流れＫ２に溶剤を滴下供給し、前記境界線の近傍で溶剤でフォトレジストを溶解し、かつ、溶解物を含んだ第２の空気の流れＫ２と第１の空気の流れＫ１を合流して第３の空気の流れＫ３として排出し角形基板表面のフォトレジストを除去する。【選択図】図５
2008277359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストを塗布した角形の被処理体の周辺部のフォトレジストを除去する方法において、フォトレジストを除去する部分と除去しない部分の境界線を中心として、前記被処理体の中央側から縁部側に向かう第１の空気の流れと、この第１の空気の流れに対向する側縁側からの第２の空気の流れと、前記境界線の部分で前記第１の空気の流れと第２の空気の流れとを合流させて混合させ、この混合流を前記二つの流れに交差して吸引排出される第３の空気の流れを形成し、前記第２の空気の流れに前記フォトレジストに対する溶剤を供給し、前記境界線の近傍で前記溶剤によって前記フォトレジストを溶解させ、かつ、溶解物を含んだ第２の空気の流れに逆向きに流れる前記第１の空気の流れを対向させて前記境界線付近で合流する前記第３の空気の流れとして排出することを特徴とする角形被処理体のフォトレジスト除去方法。
【請求項２】
フォトレジストを塗布した角形の被処理体の周辺部のフォトレジストを除去する方法において、フォトレジストを除去する部分と除去しない部分の境界線に沿って狭い幅のスリットを有する吸引ノズルを前記被処理体の表面より僅かな間隙をもって保持し、
前記フォトレジストを除去する部分の側より流入する第２の空気の流れに前記フォトレジストに対する溶剤を供給すると共に、除去しない部分の側より対向して薄板状で流れる第１の空気の流れを形成し、前記第２の空気の流れに溶剤によって溶解されたフォトレジストを混入させ、前記境界線部分で前記第１の空気の流れと合流混合させることによって撹乱させながら前記第１と第２の空気の流れに交差する第３の空気の流れとして、前記スリットを通じて吸引排出すること特徴とする角形被処理体のフォトレジスト除去方法。
【請求項３】
前記吸引ノズルの先端面に、二つの幅の狭い平行する帯状面と、これらの帯状面の間に開口する細長いスリットを有しており、前記被処理体の表面に前記吸引ノズルを小間隙を保持して配置し、前記被処理体の縁部側に位置する小間隙より流入する第２の空気の流れに対して溶剤を供給し、その溶剤の表面張力によって前記被処理体と前記帯状面との間に溶剤の薄膜を形成すると共に、他方の帯状面と被処理体との間に形成される小間隙より第１の空気の流れを通過させ、前記二つの空気の流れに交差するように開口されたスリットの開口部において前記第１と第２の空気の流れを合流混合させて前記スリットに作用する減圧によって吸引排出すること特徴とする角形被処理体のフォトレジスト除去方法。
【請求項４】
フォトレジストを塗布した角形の被処理体の周辺部のフォトレジストを除去する装置において、前記被処理体の表面に接近させて配置する吸引ノズルと、フォトレジストに対する溶剤の供給装置と、この溶剤の供給装置を前記吸引ノズルに沿って移動させる送り装置と、前記吸引ノズルの内部を減圧する真空源を有しており、前記吸引ノズルは、その先端部に狭い幅のスリットと、そのスリットの両側に並行して形成された帯状面とを有していること特徴とする角形被処理体のフォトレジスト除去装置。
【請求項５】
フォトレジストを塗布した角形の被処理体の周辺部のフォトレジストを除去する装置において、前記被処理体の表面に接近させて配置する長い吸引ノズルと、この吸引ノズルに平行してスリット状に開口されたフォトレジストに対する溶剤の供給装置と、この溶剤の供給装置に対して溶剤を少量ずつ供給する溶剤ノズルと、この溶剤ノズルを前記吸引ノズルに沿って移動させる送り装置と、前記吸引ノズルの内部を減圧する真空源を有しており、前記吸引ノズルは、その先端部に狭い幅のスリットと、このスリットに並行して配置された帯状面を有し、この帯状面を通過して対向して流れる空気の流れを前記スリット内に減圧のよって吸引して排出するように構成されていることを特徴とする角形被処理体のフォトレジスト除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、角形の被処理体の表面に塗布形成されたフォトレジスト膜の不要部分を正確に除去する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造する工程においては、基板上に微細な回路パターンを形成するフォトリソグラフ工程があり、この工程においてはフォトレジストを塗布し、続いてべーキング処理や露光処理などの一連の処理工程が順次実施される。
【０００３】
前記フォトレジスト塗布工程においては、基板の表面に薄く、しかも均一にフォトレジスト膜を形成しなければならないが、そのフォトレジストの粘性によって、前記基板の周縁部にフォトレジストが局部的に盛り上がって厚くなる部分（膨出部分）が発生する。
【０００４】
前記フォトレジスト塗布工程から露光工程などにフォトレジスト塗布処理を行った基板を搬送する際には、その基板の周縁部をアームの先端に設けられている爪で把持する必要があるが、前記のように基板に膨出部分があると、これが爪で挟まれると剥離してパーティクルとなって基板の表面や搬送装置に付着し、回路パターンの不良を発生する原因となっている。
【０００５】
半導体基板上に塗布したフォトレジストが盛り上がって厚くなる現象は、円板状の半導体ウェハーにも角形の基板を使用するフォトマスクや液晶ディスプレイ（LCD）にも発生するが、前者の場合はウェハーを高速回転させてフォトレジストを遠心分離する方法が採用できるので前記膨出部分が形成されることを防ぐことができる。また、この膨出部分を溶剤で溶解した後、その円板状のウェハーを高速回転させて溶解したフォトレジストを容易に除去することができる。
【０００６】
しかし、前記フォトマスクやLCDの場合は、基板が四角形や矩形であるので回転中心から膨出部分の各部までの距離がそれぞれ異なる上に、回転する際のバランス上の問題もあり、この高速回転方法ではフォトレジストの膨出部分を除去することができない。
【０００７】
そこで角形の基板上に形成されたフォトレジストの膨出部分を除去する方法としては、例えば、特開平２−１５７７６３号公報、特開平１１−１６０８９１号公報、特開２００５−１６１１５５号公報が提案されている。
【０００８】
更に角形の被処理物の周縁部にフォトレジストに対する溶剤を吐出させる溶剤吐出手段を配置し、この溶剤吐出手段を一対の案内レール支持しながら走査して前記角形被処理物の周縁部に形成されたフォトレジストの不良部分を除去する装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００９】
また、被処理物の縁部をヘッドに形成された凹状の空間部内に収容し、この空間部を減圧しながら溶剤を減圧供給する装置が提案されている（特許文献２）。
【特許文献１】特許第３０１１８０６号
【特許文献２】特開平７−４５５１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記特許文献１に記載されたフォトレジストの除去装置は、角形被処理体の縁部を挟むように吸引管にスリットを設け、このスリット部分を被処理物の縁部に配置して吸引室を形成し、この吸引室内に配置したニードル管より溶剤を前記縁部に形成された膨出部分に向けて吐出し、この溶剤で溶解された残渣などを真空吸引する手段が採用されている。
【００１１】
前記フォトレジストの除去装置は、前記膨出部分よりかなり離れた場所に配置されたニードル管より溶剤を吐出して供給するように構成しているので、溶剤が供給される部分は、前記膨出部分よりも基板の中心部側まで延長されているので、かなり広い幅で溶剤が供給塗布されることになる。
【００１２】
また、ニードル管より吐出される溶剤はフォトレジストの表面で飛散するので、溶剤を塗布する部分と塗布しない場所とを明確に、好ましくは直線状に区画することができず、従って角形の被処理体の縁部に沿って一定の幅で正確にフォトレジストの除去作業をすることができないという欠点がある。
【００１３】
更に、溶剤によって溶解されたフォトレジストの残渣を基板の中央側より外方に流れる空気を利用して排出するようにしているので、前記残渣を全て除去し、排出することが困難であり、フォトレジストの残渣が基板の縁部に残るという問題がある。
【００１４】
更に特許文献２に記載された発明は、被処理体の周囲のフォトレジストレジト膜を除去する膨出部分に除去装置の空間を臨ませ、この空間を形成する壁面に沿って溶剤を減圧供給し、前記被処理体の縁部に配置されている壁面に開口されている減圧ラインによって溶剤を排出するように構成している。
【００１５】
前記フォトレジストの除去装置は溶剤を限定された状態で供給し、縁部側に排出する点において処理部が比較的綺麗に仕上げることが可能のように考えられるが、溶剤を薄膜状で保持してフォトレジストに作用させないので、溶剤の使用量が多い上に、溶剤に積極的に空気の流れを作用させて撹乱し、剥離作用を与えないことから、除去する時間が比較的長く、また、一定せず、除去効率が余り優れているとはいえない。
【００１６】
（一般的なフォトレジストの除去方法）
図１３及び図１４は一般的なフォトレジストの除去工程を示しており、図１３（イ）は、フォトレジスト３０の層が形成された角形の基板（被処理体）３１を示している。また、図１３（ロ）において除去するフォトレジスト３０の部分を枠形に露出させて角形の皿状のシールド３２を配置する。なお、このシールド３２の内部は正圧に保持されて溶剤の漏れ込みを防止している。
【００１７】
次の工程の図１３（ハ）において、シールド３２の上から溶剤供給管３３より溶剤３４を吐出して前記シールド３２の外側に露出しているフォトレジスト部分３０ａに塗布してこれを溶解させると共に、前記基板３１を回転させて溶剤３４を振り飛ばしてや溶解物を除去し、その後回転を停止した状態を図１３（ニ）に示している。
【００１８】
そして図１３（ホ）に示すように、溶剤処理した部分を乾燥後、シールド３２を上昇させて除去すると、周囲が枠形に除去されたフォトレジスト３０を有する基板３１が完成する。
【００１９】
図１４（Ａ）は、図１３の図（ロ）の工程に対応しており、基板３１の上にシールド３２が微細間隙δをもって支持された状態を示している。そして図１４（Ｂ）は図１３（ハ）の工程に対応しており、溶剤供給管３３より溶剤３４を前記シールド３２の上から供給しながら基板３１を回転する状態を示している。
【００２０】
更に図１４（Ｃ）と（Ｄ）は、図１３（ハ）〜（ニ）に至る工程に対応しており、溶剤３４は前記シールド３２の外周部分の先端部と基板３１との間の間隙δの部分に、表面張力に関係して染み込んだ部分３４ａを示している。
【００２１】
更に図１４（Ｅ）は、図１３（ホ）の工程に対応しており、基板３１の周囲が枠形に除去されたフォトレジスト３０の縁部に「残渣３４ｚ」が突出して形成される様子を示している。
【００２２】
繰り返しになるが、図１４（Ａ）に示すように、シールド３２の周囲の下端３２ａとフォトレジスト３０との間には僅かな間隙δをもって保持しており、この状態で図１４（Ｂ）のように溶剤３４を流下させると、その溶剤３４は前記シールド３２に保護されていないフォトレジスト３０の部分を溶解させるが、同時に前記間隙δの部分にも溶剤３４ａが侵入する。図１４（Ｃ）は、次の段階の溶剤３４の供給を止めた状態であり、この状態の基板３１を回転させると図１４（Ｄ）に示すようにシールド３２より外部の溶剤３４は振り切られることになる。
【００２３】
問題は、前記シールド３２の下端の部分の間隙δの部分に侵入した溶剤３４ａは、新しく供給される溶剤３４と入れ代わることができないことである。従って、この部分に存在しているフォトレジスト３０を溶解して流すことができず、これが「残渣」として残ることになる。そして図１４（Ｅ）に示すように、溶剤３４を乾燥した後で基板３１よりシールド３２を除去すると、シールド３２の下端の内側の所に固まった「残渣３２ｚ」として基板３１の周囲に大きく突出して残ることになる。
【００２４】
図１６は、前記図１４（Ｅ）に示したフォトレジスト３０と、その縁部に形成された「残渣３２ｚ」の断面を示している。前記基板３１はフォトマスク用のものであり、その大きさは縦１５．２ｃｍ、横１５．２ｃｍ、厚さ６．３５ｍｍの石英基板にクロムの遮光膜を蒸着した基板であり、この基板３１の表面に塗布形成されたフォトレジスト３０の膜の厚さＡは２９９８Åである。そして盛り上がった残渣３２ｚの高さＢは３００００Å以上である。また、その幅Ｃは１００μｍであった。従って、盛り上がった残渣３２ｚの高さは、膜厚Ａの厚さの約１０倍にも大きく成長していることが分かる。
【００２５】
前記のように大きく突出した状態に成長した残渣３２ｚは、乾燥すると剥がれ易くなる。そして前記のように、半導体装置の製造工程において搬送装置の爪によってこれが挟持されると簡単に破壊し、基板３１の表面や処理装置に付着するので半導体製品を劣化させる一つの大きな原因となっている。
【００２６】
本発明は、前記基板３１に形成されたフォトレジスト３０の周囲の不要部分を除去した後に発生する残渣３２ｚを極力減少させるか、あるいは、極く微細な突起物とすることができ、半導体製造工程において搬送装置で搬送する際に微細な粉状体などを発生させることがない程度に減少させることができる方法及びその装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
前記目的を達成するための本発明に係る角形の被処体のことで実装除去する方法は、次のように構成されている。
【００２８】
１）フォトレジストを除去する部分と除去しない部分の境界線を中心として、前記被処理体の中央側から縁部側に向かう「第１の空気の流れ」と、この第１の空気の流れに対向する側縁側からの「第２の空気の流れ」と、前記境界線の部分で前記第１の空気の流れと第２の空気の流れとを合流させて混合させ、この混合流を前記二つの流れに交差して吸引排出される「第３の空気の流れ」を形成し、前記第２の空気の流れに前記フォトレジストに対する溶剤を少量ずつ供給し、前記境界線の近傍で前記溶剤をフォトレジストの表面で薄く広げて溶解させ、かつ、溶解物を含んだ第２の空気の流れに逆向きに流れる前記第１の空気の流れを対向させて前記境界線付近で合流する前記第３の空気の流れとして排出することを特徴としている。
【００２９】
２）フォトレジストを除去する部分と除去しない部分の境界線に沿って、狭い幅のスリットを有する吸引ノズルを前記被処理体の表面より僅かな間隙をもって保持し、前記フォトレジストを除去する部分の側より流入する第２の空気の流れに、前記フォトレジストに対する溶剤を少量ずつ供給すると共に、除去しない部分の側より対向して薄板状で流れる第１の空気の流れを形成し、前記第２の空気の流れに溶剤によって溶解されたフォトレジストを混入させ、前記境界線部分で前記第１の空気の流れと合流混合させることによって撹乱させながら前記第１と第２の空気の流れに交差する第３の空気の流れとして、前記スリットを通じて吸引排出すること特徴としている。
【００３０】
３）前記吸引ノズルの先端面に、二つの幅の狭い平行する帯状面と、これらの帯状面の間に開口する細長いスリットを開口しており、前記被処理体の表面に前記吸引ノズルを小間隙を保持し、前記被処理体の縁部側に位置する小間隙より流入する第２の空気の流れに対して少量の溶剤を供給し、その溶剤の表面張力によって前記被処理体と前記帯状面との間に溶剤の薄膜を形成すると共に、他方の帯状面と被処理体との間に形成される小間隙より第１の空気の流れを通過させ、前記二つの空気の流れに交差するように開口されたスリットの開口部において、
前記第１と第２の空気の流れを合流・混合させて前記スリットに作用する減圧によって吸引排出すること特徴としている。
【００３１】
４）フォトレジストを塗布した角形の被処理体の周辺部のフォトレジストを除去する装置において、前記被処理体の表面に接近させて配置する吸引ノズルと、フォトレジストに対する溶剤の供給装置と、この溶剤の供給装置を前記吸引ノズルに沿って移動させる送り装置と、前記吸引ノズルの内部を減圧する真空源を有しており、前記吸引ノズルは、その先端部に狭い幅のスリットと、そのスリットの両側に並行して形成された帯状面とを有していること特徴としている。
【００３２】
５）前記被処理体の表面に接近させて配置する長い吸引ノズルと、この吸引ノズルに平行してスリット状に開口されたフォトレジストに対する溶剤の供給装置と、この溶剤の供給装置に対して溶剤を少量ずつ供給する溶剤ノズルと、この溶剤ノズルを前記吸引ノズルに沿って移動させる送り装置と、前記吸引ノズルの内部を減圧する真空源を有しており、前記吸引ノズルは、その先端部に狭い幅のスリットと、このスリットに並行して配置された帯状面を有し、この帯状面を通過して対向して流れる空気の流れを前記スリット内に減圧のよって吸引して排出するように構成されていることを特徴としている。
【００３３】
付言すれば、（１）本発明においては、第３の空気の流れＫ３は基板１に対して上方であることが好ましいが、多少は基板１の表面に対して多少の角度が形成されても良い。
【００３４】
（２）また、溶剤Ｓの液滴Ｓａは、注射針から吐出して供給できる程度の少量が適している。この供給量が多すぎると基板１に形成されているフォトレジスト層の表面に均一な厚さの溶剤の薄い層を形成し難いからである。
【００３５】
（３）更に、前記溶剤の薄い層を形成するためには、第２の空気の流れＫ２に同伴させて溶剤を供給することが必要である。
【発明の効果】
【００３６】
本発明に係る角形の被処理体より、その周囲のフォトレジストを除去する方法においては、フォトレジストを除去する部分と除去しない部分の境界線を中心として、前記被処理体の中央側から縁部側に向かう第１の空気の流れと、この第１の空気の流れに対向する側縁側からの第２の空気の流れと、更に前記境界線の部分で前記第１と第２の空気の流れとを合流・混合させた混合流を、前記二つの流れとは異なる方向、好ましくは直交する方向に吸引排出する第３の空気の流れ形成する。
【００３７】
そして前記角形の被処理物の周縁側より流入する第２の空気の流れに、前記フォトレジストに対する溶剤を少量ずつ供給する。そして前記境界線の近傍で前記溶剤をフォトレジストの表面において薄板状に広げて保持して溶解させる。
【００３８】
そして溶解物を含んだ第２の空気の流れに対して、逆向きに流れる前記第１の空気の流れを対向（つまり境界線付近で衝突させる）させ、更に第１と第２の空気の流れとは異なる、好ましくはこれらに直交（基板の表面に直交）する方向に吸引し、排出する。
【００３９】
従って、前記二つの流れが衝突して混合する部分（空気の流れが変化する場所）を境界線として、この部分で「撹乱流」を積極的に発生させ、これによって溶解されたフォトレジスト層を剥ぎ取ることができる。
【００４０】
そして第３の空気の流れによって剥ぎ取り線を明確に形成させながら、フォトレジストの強力な除去作用を発揮させることができ、効率的、かつ正確にフォトレジスト除去することができる。
【００４１】
本発明においては、吸引ノズルと基板の表面で形成された狭い間隙に毛細管現象を利用して溶剤の薄い層を形成することが必要であり、このような溶剤の供給方法は従来の技術とは本質的に異なるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
（実施例１）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る角形被処理体のフォトレジスト除去装置の概要を示す図、図２は基板に溶剤を滴下する状態を示す断面図、そして図３は装置の構成図である。
【００４３】
図１において、１は角形被処理体としての基板で、図示しない回転装置に支持されている。そしてこの基板１の表面に形成されているフォトレジスト膜を帯状に除去する縁側部に溶剤と、この溶剤で処理されたフォトレジストを吸引排出するための吸引ノズル２が配置され、この吸引ノズル２の側部に前記基板１に溶剤を供給するための溶剤滴下ノズル３がノズル走査機構４に支持されている。そしてこの溶剤滴下ノズル３を前記吸引ノズル２の側面に沿って基板１上のフォトレジストが溶解する速度に合わせて自動的に移動するように構成されている。
【００４４】
前記吸引ノズル２は、本発明において新しく適用した重要な部材で、後述するように本体は平板中空体で、その先端部（下端面）にほぼ吸引ノズル２の全長（被処理体の辺の長さに相当している。）にわたる細長いスリット１３が開口されており、また、本体の上方は図示しないロボットアームで支持された固定装置５に固定され、前記本体の上部の開口部は閉止され、配管６、溶剤分離タンク８、配管９を介して図示しない真空源と接続されている。
【００４５】
図３は、本発明に係る装置の要部の概略を示しており、溶剤・薬液供給手段７（図２）より図示しない回転装置に支持されている基板１の表面と僅かな間隙をもって所定の位置に保持されている吸引ノズル２の先端部に沿って、溶剤滴下ノズル３の針状細管３Aよりフォトレジストの溶剤を「液滴状」で供給するようになっている。
【００４６】
前期吸引ノズル２は、その主要部の断面を図２に、更に内部構造を図４に示しているように、平板状の第１本体１１と第２本体１２を合体させて構成されている。この実施例においては第１本体１１の内面側は平坦で、第２本体１２の内面側に吸引口を形成する薄いスリット１３用の凹部と、それより深い凹部からなる空洞部１４（真空を均一にする均圧室）が形成されており、前記スリット１３の先端には線状の開口部１３ａ（第３の空気の流れの吸引口）が形成されている。
【００４７】
（吸引ノズル２の作用）
図８（Ａ）は、基板１の縁側部に沿って溶剤滴下ノズル３より溶剤Ｓを吐出滴下した状態の平面図を、また、図（Ｂ）は、前記図（Ａ）に対応する吸引ノズル２の断面を横向きに示している。
【００４８】
図５（Ａ）は、吸引ノズル２の先端部と溶剤滴下ノズル３の針状細管３Ａより滴下され、第１本体１１の先端部と基板１の表面との間に保持されてフォトレジスト１ｂに作用している溶剤Ｓａを示しており、更に図５（Ｂ）に第１の空気の流れＫ１と第２の空気の流れＫ２およびこれらの流れとは異なる方向に流れる第３の空気の流れＫ３の説明図である。
【００４９】
本発明において、使用する吸引ノズル２の「第１の機能」は、基板１の表面の中央部側から縁側部に流れる第１の空気の流れＫ１と、縁側部からスリット１３の開口部１３ａに向かう第２の空気の流れＫ２と、これらの第１と第２の空気の流れＫ１、Ｋ２を対向させ、衝突・合流させてスリット１３内に導入する第３の空気の流れＫ３からなる３つの空気の流れを形成することにある。
【００５０】
そして「第２の機能」は、第２の空気の流れＫ２の前端を正確に直線状に形成するために、前記第１の空気の流れＫ１と第２の空気の流れＫ２を、「互いに逆向き」に形成し、第２の空気の流れＫ２が吸引ノズル２のスリット１３を超えて広がらないように構成して点にある。
【００５１】
具体的には、１３ａは、吸引ノズル２の中心線の部分に開口された開口部であり、このスリット１３の開口部１３ａの両側に、幅の狭い「帯状面１３ｂ、１３ｃ」が形成されている。
【００５２】
この帯状面１３ｂ，１３ｃは、基板１と前記帯状面との間隙δを流れる空気流を吸引ノズル２の全幅にわたって均一な厚さとする「絞り機能」と、均一な「空気抵抗」とを与える機能を持っており、これらの作用で吸引ノズル２の先端と被加工物１との間を空気の流れＫ１、Ｋ２が同じ速度に流れるように整流する機能とを有している。
【００５３】
基板１には、その表面に回路パターンを形成するための回路形成層１ａと、その上のフォトレジスト層１ｂが二層に形成されており、このフォトレジスト層１ｂの溶解線（溶解している部分の先端部分）を如何にして他の部分と正確に区画できるかどうかが課題である。
【００５４】
図９は、図８（Ａ）のＭ−Ｍ線における断面図を、また、図１０は、同Ｎ＝Ｎ線における断面図をそれぞれ示している。吸引ノズル２の先端面の略半分の幅である帯状面１３ｂの幅において、溶剤滴下ノズル３の細管３Ａより滴下された液滴Ｓａは、帯状面１３ｂでその幅Ｓｃだけ薄く広がり平坦化される。
【００５５】
この帯状面１３ｂより外側にはみ出していの部分Ｓｂは，溶剤Ｓの液滴Ｓａの表面張力によって膨らみを持った形状となる。つまり、図８（Ａ）のように液滴Ｓａは全体としてハート形の薄板状に広がり、特に、図５（Ａ）の部分Ｓｃ（帯状面１３bの下になっている部分）が平均してフォトレジスト層１ｂと接触して溶解することになる。
【００５６】
Ｓbは、吸引ノズル２より外側にある溶剤の部分であり、Ｓｄは、第３の空気の流れＫ３と共にスリット１３内を上昇している溶剤の流れを示している。前記溶剤ＳｃとＳｄの境界部分は、吸引ノズル２の先端に形成されている二つの帯状面１３ｂ、１３ｃの間の空気の流れの「撹乱部１３ａ」であって、溶剤ＳｂとＳｃの部分で溶解されたフォトレジスト層１ｂは前記撹乱部１３ａにおいて強制的に剥離されて第３の空気の流れＫ３と共に細分化されながら排出される。
【００５７】
第１と第２の空気の流れＫ1とＫ２は、減圧に伴って発生する第３の空気の流れＫ３によって強制的に発生するものであり、従って、ノズル２の開口部１３ａの部分において正確に境界線が形成されるので、フォトレジスト膜を正確に直線状に溶解剥離させることが出来るのである。
【００５８】
図１０は、フォトレジスト層１ｂの溶解が終わった箇所を示しているが、この状態では第１の空気の流れＫ１と第２の空気の流れＫ２とが吸引ノズル２のスリット１３の位置で合流して第３の流れＫ３となる。なお、前記空気の流れが合流する部分は空気は撹乱状態となる部分である。
【００５９】
図９の状態では、液滴Ｓａによって局部的に空気の流れが停止するが、前記図８（Ａ）に示すように液滴Ｓａに隣接している部分では空気の流れがあるので、溶解されたフォトレジスト層１ｂは、減圧で吸引されて発生している第３の空気の流れＫ３に乗って小さい液滴ないし霧滴のように、シブキ状になってノズル２の空洞部１４より排出され、図１の溶剤トラップタンク８で捕集されて空気は分離されて排出されることになる。
【００６０】
前記のように本発明においては、溶剤Ｓを液滴Ｓａの状態で吸引ノズル２が対面している基板１に対してこのノズル２の先端の帯状面１３ｂ，１３ｃの部分で発生している第２の空気の流れＫ２に乗せて移動させ、前記帯状面１３ｂと基板１の表面との間において、第１の空気の流れＫ１によって図８（Ｂ）及び図５のように広がり、しかも液滴Ｓａの先端の部分は、第１の空気の流れＫ1によって帯状面１３ｃ側への侵入を防止されながら、フォトレジスト層１ｂを正確、かつ、効率的に除去することができるのである。
【００６１】
本発明においては、吸引ノズル２の先端の帯状面１３ｂとフォトレジスト層１ｂとの間に毛細管現象で侵入して保持される溶剤ＳのＳｂの部分で、「毛細管現象を利用してレベリング」される状態を積極低に形成することが重要である。この現象は溶剤Ｓｂをフォトレジスト層の表面で薄板状に展開してフォトレジスト層に対して均一に溶剤を供給することを意味しており、吸引ノズルの役目はこの現象を積極的に醸成することにある。。
【００６２】
（具体的な条件）
図４は実施している装置の吸引ノズル２の寸法関係を示すもので、下記のような条件を採用することができる。
【００６３】
（イ）吸引ノズル２と基板１との距離Ａは、０．０３〜３ｍｍの範囲で調節される。具体的には、溶剤Ｓなどの粘度、スリット１３の間隙などで変化する。一般的にフォトレジスト除去に使われているシンナーであるプロピレングリコールモノメチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）とプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）との混合液の場合、０．０６ｍｍが好ましい。
【００６４】
（ロ）吸引ノズル２の帯状面１３ｂの幅Ｂは、０．１〜１０ｍｍであり、一般的な半導体製造に用いられるフォトマスク基板では、１〜１．５ｍｍが好ましい。この幅Ｂは、処理装置の能力や除去すべきフォトレジスト層１ｂの厚さなどによって決定されるものである。
【００６５】
（ハ）吸引ノズル２のスリット１３の幅Ｃは、０．０３〜０．３ｍｍである。具体的にはこれも溶剤Ｓなどの薬液の粘度によって決定されるものである。
【００６６】
更に、（ニ）吸引ノズル２内を減圧状態に保持する真空圧は、「−１００ＫＰａ〜５ＫＰａ」である。これも溶剤Ｓの温度と粘度、蒸気圧、更に前記した寸法Ａ，Ｂ．Ｃに関係して変更することが必要である。
【００６７】
図１５は、本発明の実施例における残渣の大きさを示している。また、図１６は図１３及び図１４を利用して説明した従来技術の残渣３２ｚの大きさを示している。
【００６８】
前記従来技術における各種のデータは下記の通りである。
(イ)フォトレジスト層３０の厚さは、２９９８Å
(ロ)残渣の盛り上がりの高さＢは、３００００Å以上
(ハ)盛り上がりの幅Ｃは、１００μｍ
【００６９】
一方、本発明における前記各値は下記の通りであった。
(い)フォトレジスト層３０の厚さは、３００２Å
(ろ)残渣の盛り上がりの高さＸは、４１１Å
(は)盛り上がりの幅Yは、5μｍ
【００７０】
（本発明／従来技術の具体的な比較）
(い)／(イ)＝１      (ろ)／(ロ)＝０．１４      （は）／(ハ)＝０．０５
【００７１】
前記各データより、本発明における残渣の盛り上がりの高さＸは、従来技術に比較して１４％に低下している。そしてその幅は、驚くことに従来技術の５％にも低下している。
【００７２】
この実験データを考慮すると、本発明によって角形の基板よりフォトレジストの一部を除去した場合は、実質的にフォトレジストの残渣を皆無に近い状態に処理できると言う、優れた作用効果を発揮できるのである。そして、残渣は細い線状に残っているが、その大きさは無視できる程度のものであり、如何に本発明が優れた方法であるのかを示すものである。
【００７３】
（実施例２）
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る角形被処理体のフォトレジスト除去装置の概要を示す図、図１２は基板１に溶剤を滴下する箱形吸引ノズル２０の断面図を示している。
【００７４】
図１１において、１は角形被処理体としての基板で、図示しない回転装置に支持されている。そしてこの基板１の表面に形成されているフォトレジスト膜を帯状に除去する装置は、箱形吸引ノズル２０と、前記基板１の縁側に配置された走査機構２２と、この走査機構２２に支持された溶剤滴下ノズル２１とその針状細管２１Ａなどで構成されている。
【００７５】
前記箱吸引ノズル２０は、図１２に示すように第１の実施例で採用した吸引ノズルに一部の構造が類似しているが、このノズル２０は仕切り板２３によって壁板２４でノズル２０と仕切ってスリット状の開口２５をノズル２０のスリット２６に平行して開口している。従ってこのノズル２０は基板１に向かう３枚の帯状面２６、２７、２８を平行して形成している。
【００７６】
前記針状細管２１Ａより少量の溶剤が壁板２４で仕切られている空間部３０に滴下され、スリット２５より基板１の表面に供給されるが、前記帯状面２６と２７によって滴下されて供給された溶剤は薄膜状に広げられ、前記実施例１で記載された３つの空気の流れＫ１２，Ｋ３による溶剤の広開効果、境界線の形成効果、撹乱と排出効果などを発揮できるものである。図１１と１２より空間部３０が溶剤のタンクのように見えるが、この空間部３０は、第２の空気の流れＫ２に対してこの空間部３０を流れる第４の空気の流れに溶剤を乗せて吐出させるのもで、溶剤は３つの帯状面２６、２７，２８による整流作用を与えられてフォトレジスト層に作用することとなる。
【００７７】
（実施例３）
図１７は、図１に示した第１の実施例で使用したフォトレジストの除去装置を改良したものである。図１に示した装置においては溶剤滴下ノズル３を１台の走査機構４に１台設けた装置を示したが、この実施でにおいては１台の走査機構４０に対して複数台の溶剤滴下ノズル３，３Ｘ，３Ｙ、３Ｚ・・を設けた処理装置４１である。
【００７８】
この処理装置４１の場合は、１枚の基板１に対して複数の溶剤滴下ノズルを配置して。これらの滴下ノズルより一斉に、あるいは時間差を持って溶剤を滴下してフォトレジストを溶解して除去することができるので、その処理速度を速めで作業の効率化を図ることができる。この装置において、個々の溶剤滴下ノズルを短距離だけ走査する走査装置に搭載して溶剤の処理状態に応じて各ノズルを往復移動することによって、更に処理状態を正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る溶剤除去装置の概略を示す斜視図である。
【図２】図１に示した吸引ノズルの断面図である。
【図３】本発明の一連の溶剤処理装置を示す説明図である。
【図４】吸引ノズルの内部構造の断面図である。
【図５】吸引ノズルの作用の説明図である。
【図６】吸引ノズルの作用示す側断面図である。
【図７】図６に対応して描いた吸引ノズルの作用状態を示す平面図である。
【図８】図（Ａ）は、基板上に溶剤の液滴を吸引ノズルの下方に付与した状態を示す平面図である。図（Ｂ）は、前記図（Ａ）に対応する吸引ノズルの横断面図である。
【図９】図８におけるＭ−Ｍ線断面図である。
【図１０】図８におけるＮ＝Ｎ線断面図である。
【図１１】第２の実施例に係る溶剤除去装置の斜視図である。
【図１２】図１１に示した溶剤除去装置の断面図である。
【図１３】図（イ）は、フォトレジスト塗布された基板の斜視図である。図（ロ）は、シールドを被せた基板の斜視図である。図（ハ)は、基板を回転させながら溶剤を塗布する状態の斜視図である。図（ニ）は、基板の回線を停止させた状態の斜視図である。図（ホ）は、フォトレジストの除去処理が終了した基板の斜視図である。
【図１４】（Ａ）は、基板上をシールドで覆った状態の拡大断面図である。（Ｂ）は、溶剤処理している基板の断面図である。（Ｃ）は、シールドと基板の間に入りこんだ溶剤の説明図である。（Ｄ）は、基板を回転させて溶剤を振り飛ばしている状態の説明図である。（Ｅ）は、基盤の表面に形成された残渣を示す断面図である。
【図１５】本発明によって溶剤処理された基板の状態を示す断面図である。
【図１６】従来法によって溶剤処理された基板の状態を示す断面図である。
【図１７】本発明の第３の実施例に係るフォトレジスト除去装置の斜視図である。
【符号の説明】
【００８０】
１  基板
１ａ  回路形成層
１ｂ  フォトレジスト層
２  吸引ノズル
３  溶剤滴下ノズル
３Ａ  針状細菅
４  走査機構
５  固定装置
６、９配管
７  溶剤・薬液供給手段
８  溶剤分離タンク
１１  第１本体
１２  第２本体
１３  スリット
１３ａ  線状の開口部（撹乱部）
１３ｂ  帯状面
１３ｃ  帯状面
１４  空洞部
１６  配管
Ｓ  溶剤
Ｓａ  液滴
Ｓｂ  吸引ノズルより外側の溶剤の部分
Ｓｃ  帯状面１３ｂの下になる部分
Ｓｄ  第３の空気の流れに同伴する溶剤
１ａ
１ｂ  フォトレジスト
１Ｋ  第１の空気の流れ
２Ｋ  第２の空気の流れ
３Ｋ  第３の空気の流れ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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