(57)【要約】【課題】各スポット領域の形状のバラツキの影響を抑制する。【解決手段】Ｘ方向に配列する各発光素子Ｅの出射光のエネルギを補正するための補正値Ａが第１過程から第３過程を経て決定される。第１過程においては、各発光素子Ｅが形成する複数のスポット領域Ｓの各々について、Ｘ方向に対して傾斜するＰ方向の寸法に応じた変数Ｂが特定される。第２過程においては、変数Ｂとは相違する変数Ｃが各スポット領域Ｓについて特定される。例えば、ひとつのスポット領域Ｓ内のエネルギの強度のピーク値ＰKついて所定値を基準とした相対値が変数Ｃとして算定される。第３過程においては、変数Ｂと変数Ｃとに基づいて補正値Ａが決定される。【選択図】図４
2008173873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に配列して被露光面を露光する複数の発光素子の各々について出射光のエネルギを補正するための補正値を決定する方法であって、
前記複数の発光素子からの出射光によって前記被露光面に形成される複数のスポット領域の各々について、前記第１方向に対して傾斜する第１軸方向の寸法に応じた第１変数を特定する第１過程と、
前記第１変数とは相違する第２変数を前記各スポット領域について特定する第２過程と、
前記各スポット領域について特定された第１変数および第２変数に基づいて、当該スポット領域に対応する発光素子の補正値を決定する第３過程と
を含む補正値決定方法。
【請求項２】
前記第１過程においては、前記第１軸方向を長軸とする長円状のスポット領域について、当該第１軸方向の寸法に応じた第１変数を特定する
請求項１に記載の補正値決定方法。
【請求項３】
前記複数のスポット領域は、前記第１軸方向を長軸とする長円状のスポット領域と、前記第１方向および前記第１軸方向とは相違する第２軸方向を長軸とする長円状のスポット領域とを含み、
前記第１過程においては、前記複数のスポット領域の各々について、当該スポット領域の前記第１軸方向の寸法と前記第２軸方向の寸法とに基づいて前記第１変数を特定する
請求項１に記載の補正値決定方法。
【請求項４】
前記第２変数は、前記各スポット領域内における前記出射光のエネルギの強度のピーク値に応じた数値である
請求項１に記載の補正値決定方法。
【請求項５】
前記第２変数は、所定の基準値に対する前記ピーク値の相対値である
請求項４に記載の補正値決定方法。
【請求項６】
前記第２変数は、前記各スポット領域の面積に応じた数値である
請求項１に記載の補正値決定方法。
【請求項７】
前記第２変数は、所定の基準値に対する前記面積の相対値である
請求項６に記載の補正値決定方法。
【請求項８】
前記各発光素子からの出射光は、前記第１方向と当該第１方向に対して傾斜する第２方向とにわたって配列された複数の集光体を通過して前記被露光面に到達し、
前記第１過程においては、前記各スポット領域における前記第２方向の寸法に応じた第１変数を特定する
請求項１に記載の補正値決定方法。
【請求項９】
前記第３過程においては、前記被露光面に形成される画像のスクリーン角の方向と前記第１変数と前記第２変数とに応じて前記補正値を決定する
請求項１に記載の補正値決定方法。
【請求項１０】
第１方向に配列して被露光面を露光する複数の発光素子と、前記各発光素子について補正値を記憶する記憶回路とを具備し、前記各発光素子の出射光のエネルギを当該発光素子の補正値に応じて制御する露光装置であって、
前記記憶回路が前記各発光素子について記憶する補正値は、
当該発光素子が前記被露光面に形成するスポット領域において前記第１方向に対して傾斜する方向の寸法に応じた第１変数と、当該スポット領域について特定されて前記第１変数とは相違する第２変数とに基づいて決定されている
ことを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の露光装置と、
前記露光装置による露光で潜像が形成される前記被露光面を有する像担持体と、
前記像担持体の潜像に対する現像材の付加によって顕像を形成する現像器と
を具備する画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の出射光のエネルギを補正する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の発光素子を利用した露光によって感光体ドラムなどの像担持体の表面（以下「被露光面」という）に潜像を形成する電子写真方式の画像形成装置が従来から提案されている。各発光素子の特性やこれを駆動する能動素子の特性にバラツキ（設計値からの誤差や各素子間の相違）があると、被露光面のうち各発光素子からの出射光で照射される領域（以下「スポット領域」という）のサイズが発光素子ごとに相違して画像の階調にムラが発生するという問題がある。以上の問題を解決するために、例えば特許文献１には、主走査方向や副走査方向に沿った寸法が総てのスポット領域にわたって均一化されるように、各発光素子の出射光のエネルギを補正する技術が開示されている。
【特許文献１】特許第３２３３８３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、各スポット領域には単純な寸法のバラツキに加えて形状のバラツキも発生し得る。例えば、複数のスポット領域の各々が別個の方向に歪んだ形状となる場合がある。特に、各発光素子からの出射光が屈折率分布型レンズなど各種の集光体を経由して被露光面に到達する構成においては、各発光素子と各集光体の光軸との位置関係の相違に起因して各スポット領域の形状のバラツキが顕在化する。そして、特許文献１のようにスポット領域が円形であることを前提とした技術によっては、スポット領域の形状の相違に起因した階調のムラを充分に抑制できないという問題がある。以上の事情を背景として、本発明は、各スポット領域の形状のバラツキの影響を抑制するという課題の解決をひとつの目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
以上の課題を解決するために、本発明に係る補正値決定方法は、第１方向に配列して被露光面を露光する複数の発光素子の各々について出射光のエネルギを補正するための補正値を決定する方法であって、複数の発光素子からの出射光によって被露光面に形成される複数のスポット領域の各々について、第１方向に対して傾斜する第１軸方向の寸法に応じた第１変数を特定する第１過程（例えば図４のステップＳＰ1）と、第１変数とは相違する第２変数を各スポット領域について特定する第２過程（例えば図４のステップＳＰ2）と、各スポット領域について特定された第１変数および第２変数に基づいて、当該スポット領域に対応する発光素子の補正値を決定する第３過程（例えば図４のステップＳＰ3）とを含む。
【０００５】
以上の方法によれば、スポット領域のうち第１方向に対して傾斜する第１軸方向の寸法に応じて第１変数が特定されるから、スポット領域における第１方向の寸法が目標値に合致するように補正値を決定する特許文献１の方法と比較して、各スポット領域の形状のバラツキの影響（例えば階調のムラ）を有効に抑制することが可能となる。さらに、第１変数とは相違する第２変数に基づいて補正値が決定されるから、第１変数のみに基づいて補正値が決定される場合と比較して、階調のムラが高い精度で抑制される。なお、「第１方向に対して傾斜する」とは、第１方向との仰角が９０度の整数倍の角度以外の角度である状態を意味する。また、第１過程および第２過程の順序は任意である。
【０００６】
本発明の好適な態様に係る補正値決定方法の第１過程においては、第１軸方向を長軸とする長円状のスポット領域について、当該第１軸方向の寸法に応じた第１変数が特定される。以上の形態によれば、スポット領域が第１軸方向を長軸とする長円状であることに起因した階調のムラを有効に抑制することができる。
【０００７】
また、複数のスポット領域が、第１軸方向（例えば図１３のＰ方向）を長軸とする長円状のスポット領域と、第１方向および第１軸方向とは相違する第２軸方向（例えば図１３のＱ方向）を長軸とする長円状のスポット領域とを含む場合、本発明の好適な態様に係る第１過程においては、複数のスポット領域の各々について、当該スポット領域の第１軸方向の寸法と第２軸方向の寸法とに基づいて第１変数が特定される。以上の態様によれば、ひとつのスポット領域の第１軸方向の寸法と第２軸方向の寸法とに基づいて補正値が決定されるから、第１軸方向を長軸とするスポット領域と第２軸方向を長軸とするスポット領域とで第１変数の特定の方法を共通化できるという利点がある。
【０００８】
本発明の好適な態様において、第２変数は、各発光素子と被露光面とが所期の関係にあるジャストピント時と両者が所期の関係とは異なる位置にあるデフォーカス時とにおける相違が顕著となるパラメータに基づいて特定される。例えば、本発明の第１の態様における第２変数は、各スポット領域内における前記出射光のエネルギの強度のピーク値に応じて特定される。さらに詳述すると、第２変数は、所定の基準値に対する各スポット領域のピーク値の相対値である。また、本発明の第２の態様における第２変数は、各スポット領域の面積に応じて特定される。例えば、第２変数は、所定の基準値に対する各スポット領域の面積の相対値である。以上の各態様によれば、スポット領域の測定時に複数の発光素子がデフォーカスの状態にある場合であっても、各スポット領域内のエネルギを均一化し得る適切な補正値を決定することが可能となる。
【０００９】
各発光素子からの出射光が、第１方向と当該第１方向に対して傾斜する第２方向とにわたって配列された複数の集光体（例えば屈折率分布型レンズやマイクロレンズ）を通過して被露光面に到達する構成においては、スポット領域の長軸の方向が第２方向に近似または合致する場合がある。したがって、第１過程においては、各スポット領域における第２方向の寸法に応じて第１変数を特定してもよい。以上の形態によれば、スポット領域のうち集光体の配列の方向の寸法に基づいて補正値が決定されるから、各スポット領域の長軸の方向を厳密に測定する作業が不要となる。
【００１０】
本発明の好適な態様に係る第３過程では、被露光面に形成される画像のスクリーン角の方向と第１変数と第２変数とに応じて補正値が決定される。さらに詳述すると、第３過程では、スクリーン角に応じた係数（例えば係数α）を第１変数に乗算した数値と第２変数とに応じて補正値が決定される。スポット領域の形状のバラツキの影響はスクリーン（ハーフトーンスクリーン）を適用した場合に特に顕著となる。例えば、ひとつのスポット領域がスクリーン角の方向を長軸とする長円形であって別個のスポット領域がスクリーン角に垂直な方向を長軸とする長円形であるような場合には、各スポット領域と隣のスポット領域との重複の程度が相違するから階調のムラが顕在化し易い。したがって、スポット領域の形状のバラツキの影響を低減できる本発明は、以上の態様のようにスクリーンが適用される場合に特に好適である。
【００１１】
本発明の別の態様は、以上の各態様に係る補正値決定方法によって決定された補正値に基づいて発光素子を駆動する露光装置である。ひとつの形態に係る露光装置は、第１方向に配列して被露光面を露光する複数の発光素子と、各発光素子について補正値を記憶する記憶回路とを具備し、各発光素子の出射光のエネルギを当該発光素子の補正値に応じて制御する露光装置であって、記憶回路が各発光素子について記憶する補正値は、当該発光素子が被露光面に形成するスポット領域において第１方向に対して傾斜する方向の寸法に応じた第１変数と、当該スポット領域について特定されて第１変数とは相違する第２変数とに基づいて決定されている。以上の露光装置によれば、スポット領域の形状のバラツキの影響が低減されるように決定された補正値に基づいて均一な露光を実現することが可能となる。
【００１２】
以上の態様に係る露光装置は各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器のひとつの態様である画像形成装置は、本発明の露光装置と、露光装置による露光で潜像が形成される被露光面を有する像担持体（例えば感光体ドラム７０）と、像担持体の潜像に対する現像材（例えばトナー）の付加によって顕像を形成する現像器とを具備する。本発明に係る露光装置によれば均一な露光が実現されるから、本発明に係る画像形成装置は、階調のムラが良好に抑制された高品位な画像を形成することが可能である。
【００１３】
もっとも、本発明に係る露光装置の用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、スキャナなどの画像読取装置においては、本発明に係る露光装置を原稿の照明に利用することが可能である。この画像読取装置は、本発明に係る露光装置と、露光装置から出射して読取対象（原稿）で反射した光を電気信号に変換する受光装置（例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）素子などの受光素子）とを具備する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構造を示す断面図である。同図に示すように、画像形成装置は、静電潜像が形成される被露光面（像形成面）７０Aを外周面とする感光体ドラム７０と、感光体ドラム７０を露光することで被露光面７０Aに静電潜像を形成する露光装置（ラインヘッド）Ｈと、露光装置Ｈの動作を制御する制御装置１０とを具備する。感光体ドラム７０は、Ｘ方向（主走査方向）に延在する回転軸に支持され、被露光面７０Aを露光装置Ｈに対向させた状態で回転する。したがって、被露光面７０Aのうち露光装置Ｈに対向する部分は、露光装置Ｈに対して相対的にＹ方向（副走査方向）に進行する。
【００１５】
図１に示すように、露光装置Ｈは、発光装置３０および集束性レンズアレイ４０と、両者を保持する遮光性の保持部材５０とを具備する。発光装置３０は、Ｘ方向を長手とする姿勢に支持された光透過性の基板３２と、基板３２のうち感光体ドラム７０とは反対側の表面にてＸ方向に配列するｎ個（ｎは自然数）の発光素子Ｅと、基板３２に固定されて各発光素子Ｅを封止する封止体３４と、基板３２に実装された駆動回路３６とを具備する。
【００１６】
図１に示すように、集束性レンズアレイ４０は発光装置３０と感光体ドラム７０との間隙に配置される。各発光素子Ｅからの出射光は、基板３２を透過してから集束性レンズアレイ４０によって集光されたうえで感光体ドラム７０の被露光面７０Aに到達する。被露光面７０Aには、各発光素子Ｅからの出射光に応じた等倍の正立像が結像する。
【００１７】
図２は、集束性レンズアレイ４０を感光体ドラム７０側からみたときの構成を示す平面図である。同図に示すように、集束性レンズアレイ４０は、相互に間隔をあけて対向する２枚のＦＲＰ（Fiber-Reinforced Plastics）板４２と、各々の中心軸（光軸）をＺ方向に向けて各ＦＲＰ板４２の間隙に配列された複数の屈折率分布型レンズ４４と、各屈折率分布型レンズ４４の間隙に充填された遮光性の充填材４６（例えばシリコン）とを含む。屈折率分布型レンズ４４は、中心軸から周縁に向かって離間した位置ほど屈折率が低下するように横断面内にて屈折率が分布する円柱状の集光体である。集束性レンズアレイ４０としては、例えば日本板硝子株式会社から入手できるＳＬＡ（セルフォック・レンズ・アレイ）が好適に採用される。なお、「セルフォック／ＳＥＬＦＯＣ」は日本板硝子株式会社の登録商標である。
【００１８】
図２に示すように、複数の屈折率分布型レンズ４４はＸ方向に沿って２列かつ千鳥状に配列される。さらに詳述すると、各々の中心軸がＸ方向の直線ＬA1を通過するようにピッチｄ（屈折率分布型レンズ４４の直径）で配列する複数の屈折率分布型レンズ４４の集合Ｇ1と、直線ＬA1に平行な直線ＬA2を各々の中心軸が通過するようにピッチｄで配列する複数の屈折率分布型レンズ４４の集合Ｇ2とが、Ｘ方向に沿ってピッチｄの半分（ｄ／２）だけずれた位置にて相互に接触するように配置される。したがって、集合Ｇ1の屈折率分布型レンズ４４と集合Ｇ2の屈折率分布型レンズ４４とは、Ｘ方向の正側に対して仰角θ（θ＝６０°）で傾斜するＰ方向の直線ＬP（あるいはＸ方向の負側に対して仰角θで傾斜するＱ方向の直線ＬQ）に沿って相隣接する。すなわち、複数の屈折率分布型レンズ４４は、Ｘ方向とＰ方向（またはＱ方向）とにわたって平面的に配列される。図２に黒丸で示すように、複数の発光素子Ｅ（Ｅ1〜Ｅ5）は、直線ＬA1と直線ＬA2とから等距離にあるＸ方向の直線ＬCに沿って直線状に配列する。
【００１９】
図３は、制御装置１０および発光装置３０の機能的な構成を示すブロック図である。発光素子Ｅは、相互に対向する陽極と陰極との間に有機ＥＬ（Electroluminescence）材料の発光層が介在する有機発光ダイオード素子である。駆動回路３６は、制御装置１０による制御のもとに駆動電流ＩDRを出力することで各発光素子Ｅを発光させる。なお、駆動回路３６は、ＩＣチップの形態で基板３２に実装されてもよいし、発光素子Ｅとともに基板３２の表面に形成された薄膜トランジスタで構成されてもよい。
【００２０】
図３に示すように、駆動回路３６は、各々が別個の発光素子Ｅに対応するｎ個の単位回路Ｕを含む。各単位回路Ｕは、ひとつの発光素子Ｅに供給される駆動電流ＩDRを制御する回路であり、電流生成回路３６１とパルス駆動回路３６３とを含む。電流生成回路３６１は、制御装置１０から指示される電流値ａの駆動電流ＩDRを生成する。パルス駆動回路３６３は、所定の期間（例えば水平走査期間）のうち制御装置１０から指示されるパルス幅ｂに相当する期間にて駆動電流ＩDRを発光素子Ｅに出力するとともに残余の期間にて駆動電流ＩDRの出力を停止する。
【００２１】
制御装置１０は、記憶回路１２と制御部１４とを具備する。記憶回路１２（例えばＲＯＭ（Read Only Memory））は、ｎ個の発光素子Ｅの各々について補正値Ａを記憶する。補正値Ａの意義や設定の方法については後述する。
【００２２】
制御部１４には画像信号Ｖが供給される。画像信号Ｖは、各発光素子Ｅの階調を指定する信号である。制御部１４は、パルス幅設定部１４１と電流設定部１４３とを含む。パルス幅設定部１４１は、画像信号Ｖに応じたパルス幅ｂを発光素子Ｅごとに設定して各パルス駆動回路３６３に指示する。電流設定部１４３は、記憶回路１２に記憶された補正値Ａに応じた電流値ａを発光素子Ｅごとに設定して各電流生成回路３６１に指示する。例えば電流設定部１４３は、所定の初期値に対して補正値Ａを乗算することで電流値ａを設定する。以上のように、補正値Ａに基づいて補正された電流値ａによって各発光素子Ｅの出射光のエネルギの強度が設定されるとともに各発光素子Ｅの発光の時間長が画像信号Ｖに応じたパルス幅ｂに制御（パルス幅変調）される。
【００２３】
次に、図４を参照して、各発光素子Ｅの補正値Ａを決定する手順の概要を説明する。なお、ここでは説明の便宜のために、図４の処理を開始する時点で、ｎ個の発光素子Ｅの各々からの出射光が同じ強度である場合を想定する。図４の各処理は、例えばコンピュータがプログラムを実行することで実現される。
【００２４】
まず、発光装置３０と集束性レンズアレイ４０とを保持部材５０に固定した段階の露光装置Ｈが用意され、図５に示すように露光装置Ｈと対向する位置に受光装置６０が設置される。受光装置６０は、各発光素子Ｅからの出射光を受光するＣＣＤ素子などの受光素子６２を含む。受光素子６２は、感光体ドラム７０の被露光面７０Aが配置されるべき位置（すなわち発光素子Ｅからの出射光が合焦する設計上の位置）に配置される。以上の状態において、ｎ個の発光素子Ｅの各々が順次に駆動されるとともに各発光素子Ｅからの出射光が受光素子６２によって受光される（ステップＳＰ0）。
【００２５】
次に、ステップＳＰ0における測定の結果に基づいて各発光素子Ｅの変数Ｂが特定される（ステップＳＰ1）。同様に、ステップＳＰ0における測定の結果に基づいて各発光素子Ｅの変数Ｃが特定される（ステップＳＰ2）。そして、ステップＳＰ1で特定した変数ＢとステップＳＰ2で特定した変数Ｃとに基づいて各発光素子Ｅの補正値Ａが算定される（ステップＳＰ3）。本形態における補正値Ａは以下の式(1)で定義される。なお、式(1)における係数αおよびβの各々は予め設定された数値である。
Ａ＝α・Ｂ＋β・Ｃ  ……(1)
ステップＳＰ1で特定される変数Ｂは、被露光面７０Aに形成されるスポット領域の寸法に応じて特定される。一方、ステップＳＰ2で特定される変数Ｃは、変数Ｂとは相違する変数である。変数Ｂおよび変数Ｃの具体的な意義および各々の算定の方法について以下に詳述する。
【００２６】
図２に例示したように各発光素子Ｅと各屈折率分布型レンズ４４との配列のピッチは相違するから、屈折率分布型レンズ４４との相対的な位置関係は発光素子Ｅごとに相違する。すなわち、例えば発光素子Ｅ1のＸ方向に沿った位置は、集合Ｇ1のひとつの屈折率分布型レンズ４４の中心軸と合致するのに対し、発光素子Ｅ2は、集合Ｇ1の屈折率分布型レンズ４４の中心軸と集合Ｇ2の屈折率分布型レンズ４４の中心軸とを結ぶ直線ＬP上に位置する。
【００２７】
図６は、各発光素子Ｅからの出射光のエネルギを補正値Ａに応じて補正しない場合（以下「非補正時」という）に発光素子Ｅ1〜Ｅ5の各々が被露光面７０Aに形成するスポット領域Ｓ（発光素子Ｅ1〜Ｅ5に対応するスポット領域Ｓ1〜Ｓ5）の形状を示す概念図である。図６に示すように、各発光素子Ｅが形成するスポット領域Ｓの形状は、当該発光素子Ｅと屈折率分布型レンズ４４との位置関係に応じて相違する。
【００２８】
例えば、発光素子Ｅ1が形成するスポット領域Ｓ1は略円形（あるいはＹ方向に僅かに長尺の楕円形）となる。発光素子Ｅ3のスポット領域Ｓ3や発光素子Ｅ5のスポット領域Ｓ5も同様である。これに対し、発光素子Ｅ2が形成するスポット領域Ｓ2は、Ｘ方向に対して仰角θで傾斜するＰ方向（すなわち集合Ｇ1の屈折率分布型レンズ４４と集合Ｇ2の屈折率分布型レンズ４４との配列の方向）を長軸とする長円形（楕円形）となる。同様に、発光素子Ｅ4が形成するスポット領域Ｓ4は、Ｘ方向に対して仰角θで傾斜するＱ方向を長軸とする長円形となる。
【００２９】
以上のように各スポット領域Ｓの形状や長軸の方向が相違すると、各スポット領域Ｓの形状が円形に均一化された場合と比較して、画像形成装置から出力される画像に階調のムラが発生するという問題がある。多数の網点からなるスクリーン（ハーフトーンスクリーン）で擬似的な中間調を表現する場合には、以下に説明するように階調のムラが特に顕在化する。
【００３０】
図７は、複数の網点を配列した多数の網線Ｌ（同図において斜線が付された部分）からなるスクリーンが感光体ドラム７０の被露光面７０Aに潜像として形成された様子を示す概念図である。図７における区間Ｕ1は、ひとつの発光素子Ｅからの出射光が照射される領域であり、区間Ｕ2は、ひとつの水平走査期間内に露光され得る領域である。図７に示すように、Ｘ方向に対して所定の角度（以下「スクリーン角」という）θsで傾斜する多数の網線Ｌを等間隔に配置することで、各網線Ｌの線幅や間隔に応じた擬似的な中間調が表現される。
【００３１】
同図に示すスポット領域Ｓiのように網線Ｌと略平行な方向を長軸とする長円形である場合、Ｘ方向に隣接する各発光素子Ｅのスポット領域Ｓは相互に重複する。したがって、被露光面７０Aのうち各スポット領域Ｓが重複した部分には、所期値（ひとつのスポット領域Ｓによって付与される本来のエネルギ）を上回るエネルギが付与される。一方、図７に示すスポット領域Ｓjのように網線Ｌと略垂直な方向を長軸とする長円形である場合、Ｘ方向に隣接する各発光素子Ｅのスポット領域Ｓは重複しない。したがって、スポット領域Ｓiの近傍の領域がスポット領域Ｓjの近傍の領域と比較して濃い階調になるというムラが発生する。なお、画像の形成時の条件によっては、スポット領域Ｓjの近傍の領域がスポット領域Ｓiの近傍の領域と比較して濃い階調になる場合もある。
【００３２】
図４のステップＳＰ1においては、ステップＳＰ0にて測定されたスポット領域Ｓの形状のバラツキ（歪み）に起因した階調のムラが抑制されるように、スポット領域Ｓの長軸の方向に沿った寸法に基づいて変数Ｂが特定される。ステップＳＰ1のさらに具体的な内容を以下に詳述する。
【００３３】
図８および図９は、各発光素子Ｅからの出射光によって被露光面７０Aに付与されるエネルギの強度と当該被露光面７０Aに形成されるスポット領域Ｓの外形との関係を示す概念図である。図８および図９に示すように、被露光面７０Aのうち発光素子Ｅからの出射光で付与されるエネルギの強度が所定の閾値ＴＨを上回る領域がスポット領域Ｓと定義される。なお、本形態においては閾値ＴＨが固定値である場合を想定するが、例えばスポット領域Ｓ内のエネルギのピーク値と所定の係数との乗算値を閾値ＴＨに設定してもよい。図８および図９には、形状に歪みがない理想的なスポット領域Ｓ0が破線で併記されている。発光素子Ｅは円形であるから、発光素子Ｅの正立像であるスポット領域Ｓ0は理想的には直径Ｗ0の真円形となる。
【００３４】
図８のスポット領域Ｓ2は、発光素子Ｅ2の駆動時にステップＳＰ0で測定されるスポット領域Ｓである。ステップＳＰ1において、発光素子Ｅ2の変数Ｂは、ステップＳＰ0で測定されたスポット領域Ｓ2の長軸の方向（すなわち、各屈折率分布型レンズ４４が配列するＰ方向）に沿った寸法ＷPに応じて特定される。さらに詳述すると、発光素子Ｅ2の変数Ｂは、スポット領域Ｓ2の寸法ＷPが補正値Ａによる補正によって目標値Ｗ0（すなわち理想的なスポット領域Ｓ0の直径）に接近または合致するように決定される。図８において寸法ＷPは目標値Ｗ0よりも大きいから、発光素子Ｅ2の変数Ｂは、当該発光素子Ｅ2に供給される駆動電流ＩDR（すなわち発光素子Ｅ2の出射光の強度）を減少させる数値となる。
【００３５】
いま、図８のように、非補正時にスポット領域Ｓ2内にエネルギＥＮa2が付与されるとすれば、補正後のスポット領域Ｓ2に付与されるべきエネルギＥＮb2は、以下の式(2)で表現される。
ＥＮb2＝α×（Ｗ0／ＷP）×ＥＮa2  ……(2)
したがって、図４のステップＳＰ1においては、式(2)における「Ｗ0／ＷP」が発光素子Ｅ2の変数Ｂとして特定される（Ｂ＝Ｗ0／ＷP）。また、式(1)および式(2)における係数αは、スポット領域Ｓ2の寸法ＷPを補正によって目標値Ｗ0に近づける程度を調整するための数値である。図７を参照して説明したように、スクリーンに現れる階調のムラはスポット領域Ｓの長軸の方向が網線Ｌの方向に近いほど顕著となる（すなわち、相隣接するスポット領域Ｓの重複が増加する）から、Ｐ方向とスクリーンの網線Ｌとのなす角度（θ−θs）が小さいほど係数αが増加するように、係数αは発光素子Ｅごとに決定される。
【００３６】
図９に示すように、発光素子Ｅ4の変数Ｂについても、発光素子Ｅ4の駆動時にステップＳＰ0で測定されるスポット領域Ｓ4の長軸の方向（各屈折率分布型レンズ４４が配列するＱ方向）に沿った寸法ＷQに応じて特定される（ステップＳＰ1）。さらに詳述すると、発光素子Ｅ4の変数Ｂは、スポット領域Ｓ4の寸法ＷQが補正後に目標値Ｗ0に接近または合致するように決定される。図９のように、非補正時にスポット領域Ｓ4内にエネルギＥＮa4が付与されるとすれば、補正後のスポット領域Ｓ4に付与されるエネルギＥＮb4は、以下の式(3)で表現される。
ＥＮb4＝α×（Ｗ0／ＷQ）×ＥＮa4  ……(3)
したがって、図４のステップＳＰ1においては、式(2)における「Ｗ0／ＷQ」が発光素子Ｅ4の変数Ｂとして特定される（Ｂ＝Ｗ0／ＷQ）。式(3)における係数αは、式(2)と同様に、例えばスクリーン角θsに応じて設定される。
【００３７】
スポット領域Ｓの長軸の方向がＸ方向に対して傾斜する場合には、図８や図９に示すように、非補正時のスポット領域Ｓ（Ｓ2，Ｓ4）のＸ方向に沿った寸法Ｗxは目標値Ｗ0に近い。したがって、特許文献１に開示されるようにＸ方向におけるスポット領域Ｓの寸法Ｗxが目標値Ｗ0に合致するように各発光素子Ｅからの出射光のエネルギを補正したとしても、スポット領域Ｓの長軸の方向における寸法と目標値Ｗ0との差異は依然として解消されず、図７に例示した階調のムラを充分に抑制することはできない。これに対して本形態においては、長円形に歪んだスポット領域Ｓの長軸の方向の寸法（ＷP，ＷQ）が目標値Ｗ0に接近または合致するように各発光素子Ｅの出射光のエネルギが補正されるから、スポット領域Ｓの形状のバラツキに起因した階調のムラを充分に抑制することが可能である。しかも、本形態においては、集束性レンズアレイ４０における各屈折率分布型レンズ４４が配列する方向（Ｐ方向，Ｑ方向）をスポット領域Ｓの長軸の方向と同視したうえで変数Ｂを決定するから、スポット領域Ｓの長軸の方向をステップＳＰ0における測定の結果から厳密に特定する必要がないという利点もある。
【００３８】
また、図７を参照して説明したように、スポット領域Ｓの形状のバラツキに起因した階調のムラは被露光面７０Aにスクリーンを形成する場合に特に顕著となる。本形態においては、スクリーン角θsの方向とスポット領域Ｓの長軸の方向（Ｐ方向，Ｑ方向）との関係から決定される係数αに応じて補正値Ａが調整されるから、補正値Ａがスクリーン角θsと無関係に設定される構成と比較して、スクリーンの画像に表れる階調のムラを有効に抑制することが可能である。
【００３９】
ところで、露光装置Ｈの各部に寸法の誤差または変形がある場合や図５のように受光装置６０に対して固定された露光装置Ｈの位置に誤差がある場合には、各発光素子Ｅからの出射光が、設計上の焦点の位置からＺ方向にずれた位置Ｆ1やＦ2に集束する。このように集束性レンズアレイ４０の焦点の位置（各発光素子Ｅからの出射光が集束する位置）に誤差がある状態（以下「デフォーカス」という）では、ステップＳＰ1で特定される変数Ｂにスポット領域Ｓの歪みを充分に反映させることができない場合がある。この問題について詳述すると以下の通りである。なお、集束性レンズアレイ４０の焦点が所期の位置にある状態を、「デフォーカス」と対比して以下では「ジャストピント」という。
【００４０】
図１０の部分(a)には、ジャストピントの状態における非補正時のスポット領域Ｓ2（すなわち歪みがあるスポット領域Ｓ）が破線で図示され、デフォーカスの状態における非補正時のスポット領域Ｓ2が実線で図示されている。また、図１０の部分(b)には、ジャストピントの状態における非補正時のスポット領域Ｓ1（すなわち歪みが少ないスポット領域Ｓ）が破線で図示され、デフォーカスの状態における非補正時のスポット領域Ｓ1が実線で図示されている。図１０の部分(a)および部分(b)から理解されるように、ジャストピントの状態においては、スポット領域Ｓ2のＰ方向の寸法ＷPとスポット領域Ｓ1の寸法Ｗ0とが顕著に相違する。したがって、発光素子Ｅ2の変数Ｂには、スポット領域Ｓ2の歪みの影響が充分に反映される。これに対し、デフォーカスの状態においては、スポット領域Ｓ2のＰ方向の寸法ＷP_dとスポット領域Ｓ1の寸法Ｗ0_dとが略一致する。したがって、スポット領域Ｓ2の歪みの影響は変数Ｂに対して充分に反映されない。
【００４１】
図４のステップＳＰ2においては、発光装置ＨがステップＳＰ0にてデフォーカスの状態にある場合であっても補正値Ａが適正値となるように式(1)の変数Ｃが特定される。さらに詳述すると、本形態の変数Ｃは、以下に詳述するように、各スポット領域Ｓに付与されるエネルギの強度のピーク値（最大値）に基づいて設定される。
【００４２】
図１１には、各スポット領域Ｓに付与されるエネルギのピーク値ＰKが、部分(a)のジャストピント時と部分(b)のデフォーカス時とに区分して模式的に図示されている。同図の横軸は、各発光素子ＥのＸ方向に沿った位置を示す。また、図１１の最大値ＰK0は、スポット領域Ｓに歪みがない場合におけるジャストピント時のピーク値ＰKである。図１１の部分(a)と部分(b)とから理解されるように、各スポット領域Ｓのピーク値ＰKの相違Δ1は、ジャストピント時およびデフォーカス時の何れにおいても同程度となる。
【００４３】
なお、デフォーカス時のスポット領域Ｓの面積はジャストピント時と比較して拡大する。したがって、各発光素子Ｅからの出射光のエネルギが同じ強度であるとすれば、図１１の部分(b)に示すように、デフォーカス時にはジャストピント時と比較してピーク値ＰKが低下する。例えば、デフォーカス時のピーク値ＰKの最大値ＰK0_dは、ジャストピント時の最大値ＰK0と比較して小さい。
【００４４】
図１２の部分(a)には、ジャストピント時のピーク値ＰKの最大値ＰK0が基準値「１」となるようにピーク値ＰKを正規化した相対値ＰK_rが図示されている。同様に、図１２の部分(b)には、デフォーカス時のピーク値ＰKの最大値ＰK0_dが基準値「１」となるようにピーク値ＰKを正規化した相対値ＰK_rが図示されている。図１１を参照して説明したように各スポット領域Ｓ内のピーク値ＰKの相違Δ1はジャストピント時とデフォーカス時とで同程度であり、かつ、デフォーカス時にはジャストピント時と比較してピーク値ＰKが低下する。したがって、図１２の部分(a)および部分(b)に示すように、各スポット領域Ｓにおける相対値ＰK_rの相違Δ2は、ジャストピント時と比較してデフォーカス時に顕著となる。
【００４５】
以上の事情を考慮して、図４のステップＳＰ2においては、各スポット領域Ｓのピーク値ＰKに基づいて各発光素子Ｅの変数Ｃが特定される。さらに詳述すると、ひとつのスポット領域Ｓ（発光素子Ｅ）に対応する変数Ｃは、以下の式(4)で表現されるように、所定の基準値（ここではジャストピント時のピーク値ＰKの最大値ＰK0）に対する当該スポット領域Ｓのピーク値ＰKの相対値として特定される。
Ｃ＝ＰK0／ＰK  ……(4)
【００４６】
したがって、発光素子Ｅ2の補正値Ａは、以下の式(1a)で算定される。
Ａ＝α・Ｗ0／ＷP＋β・ＰK0／ＰK  ……(1a)
同様に、発光素子Ｅ4の補正値Ａは、以下の式(1b)で算定される。
Ａ＝α・Ｗ0／ＷQ＋β・ＰK0／ＰK  ……(1b)
係数βは、補正後のスポット領域Ｓ内のピーク値ＰKを所定値ＰK0に近づける程度を調整するための数値である。
【００４７】
以上に説明したように、補正値Ａの算定に使用される変数Ｃは、ジャストピントおよびデフォーカスの何れの状態にあるかに拘わらずスポット領域Ｓの歪みの有無に応じて顕著に相違するように選定される。すなわち、ステップＳＰ0の測定がデフォーカスの状態のもとで実行された場合であっても、変数Ｂのみに基づいて補正値Ａが決定される場合と比較して、各スポット領域Ｓ内のエネルギを均一化し得る適正な補正値Ａを決定することが可能である。したがって、画像の階調のムラを有効に抑制することができる。
【００４８】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第１実施形態においては、ステップＳＰ0で測定されたスポット領域Ｓにおける長軸の方向の寸法に基づいて変数Ｂを特定する場合を例示した。これに対して本形態においては、Ｐ方向を長軸とする長円形のスポット領域ＳとＱ方向を長軸とする長円形のスポット領域ＳとがステップＳＰ0にて測定された場合に、ひとつのスポット領域ＳにおけるＰ方向の寸法とＱ方向の寸法とに基づいて、当該スポット領域Ｓに対応した変数Ｂが特定される。なお、本形態のうち作用や機能が第１実施形態と共通する要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００４９】
図１３は、ステップＳＰ0にて測定された非補正時のスポット領域Ｓと理想的なスポット領域Ｓ0との関係を示す概念図である。図１３においてはＰ方向に長尺なスポット領域Ｓ（例えば図６のスポット領域Ｓ2）が代表的に図示されている。図１３において、寸法ＷPは、Ｐ方向におけるスポット領域Ｓの寸法であり、寸法ＷQは、別のスポット領域Ｓ（例えば図６のスポット領域Ｓ4）の長軸が延在するＱ方向における寸法である。ひとつの発光素子Ｅの変数Ｂは、以下の式(5)で算定される。
Ｂ＝Ｗ0／（Ｗ0＋δ）  ……(5)
式(5)における変数δは、スポット領域Ｓの寸法ＷPと寸法ＷQとの差分値の絶対値（δ＝｜ＷP−ＷQ｜）である。なお、以上においてはＰ方向を長軸とするスポット領域Ｓを例示したが、Ｑ方向を長軸とするスポット領域Ｓ（例えば図６のスポット領域Ｓ4）の変数Ｂも同様に式(5)で算定される。
【００５０】
第１実施形態においては、発光素子Ｅ2についてはＰ方向の寸法ＷPから変数Ｂを算定するとともに発光素子Ｅ4についてはＱ方向の寸法ＷQから変数Ｂを算定するという具合に、発光素子ＥごとにＰ方向とＱ方向とを区別する必要がある。これに対して本形態においては、寸法ＷPと寸法ＷQとの差分値に応じて変数Ｂが決定されるから、Ｐ方向およびＱ方向とスポット領域Ｓの寸法の大小との関係の区別が不要になるという利点がある。
【００５１】
＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。なお、本形態のうち作用や機能が第１実施形態と共通する要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００５２】
図１４は、制御装置１０および発光装置３０の機能的な構成を示すブロック図である。同図に示すように、本形態における制御装置１０は、図３の要素に加えて記憶回路１６（例えばＲＯＭ）を具備する。記憶回路１６は、記憶回路１２と一体の回路であっても別体の回路であってもよい。
【００５３】
記憶回路１６には変換テーブルが格納される。変換テーブルは、補正値Ａと各発光素子Ｅの階調との組に対して電流値ａを対応づけるテーブルである。電流設定部１４３は、各発光素子Ｅについて記憶回路１２に格納された補正値Ａと画像信号Ｖによって当該発光素子Ｅに指定される階調とに対応する電流値ａを変換テーブルから取得して駆動回路３６に出力する。したがって、ひとつの発光素子Ｅに供給される駆動電流ＩDRの電流値ａ（さらには発光素子Ｅからの出射光のエネルギ）は、当該発光素子Ｅの補正値Ａと階調とに応じたレベルに制御される。各発光素子Ｅの補正値Ａを決定する方法は以上の各形態と同様である。
【００５４】
各発光素子Ｅに供給される駆動電流ＩDRの電流値ａの最適値は、当該発光素子Ｅに指定される階調に応じて変動する場合がある。以上に説明したように本形態においては、補正値Ａおよび階調の双方に基づいて電流値ａが設定されるから、補正値Ａに応じた補正で階調のムラを抑制しながら、変換テーブルの内容を適宜に設定することで駆動電流ＩDRの電流値ａを発光素子Ｅごとに最適化することが可能となる。
【００５５】
＜Ｄ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００５６】
（１）変形例１  
以上の各形態においては各スポット領域Ｓ内のエネルギのピーク値ＰKに基づいて変数Ｃが算定される構成を例示したが、変数Ｃの算定に使用されるパラメータは適宜に変更される。もっとも、デフォーカス時の変数Ｂによる補正の不足を補足するという観点からすると、変数Ｃは、ジャストピント時とデフォーカス時とで各スポット領域Ｓ間の相違が顕著となるパラメータ（以上の各形態におけるピーク値ＰK）に基づいて算定されることが望ましい。例えば、スポット領域Ｓの面積Ａrはジャストピント時とデフォーカス時とで顕著に相違するから、スポット領域Ｓの面積Ａrに基づいて変数Ｃが特定される構成を採用することができる。さらに詳述すると、ひとつのスポット領域Ｓ（発光素子Ｅ）に対応する変数Ｃは、所定の基準値Ａr0に対する当該スポット領域Ｓの面積Ａrの相対値（Ａr0／Ａr）として特定される。
【００５７】
（２）変形例２  
以上の各形態においては、集束性レンズアレイ４０における屈折率分布型レンズ４４の配列の方向（Ｐ方向，Ｑ方向）におけるスポット領域Ｓの寸法（ＷP，ＷQ）に基づいて変数Ｂを決定する場合を例示したが、スポット領域Ｓの長軸の方向の特定に屈折率分布型レンズ４４の方向を利用する必要は必ずしもない。すなわち、ステップＳＰ0における測定の結果に基づいてスポット領域Ｓの長軸の方向（スポット領域Ｓを楕円形に近似したときの長軸の方向）を特定し、ここで特定した方向におけるスポット領域Ｓの寸法に基づいて変数Ｂを決定してもよい。
【００５８】
（３）変形例３  
以上の各形態においては駆動電流ＩDRの電流値ａを補正値Ａに応じて制御する構成を例示したが、スポット領域Ｓの形態（サイズや形状）を補正するための方法は適宜に変更される。例えば、電流値ａを制御する構成に代えて、または、この構成とともに、駆動電流ＩDRのパルス幅ｂを補正値Ａに応じて制御する構成を採用してもよい。また、電圧（以下「駆動電圧」という）の印加によって発光する電圧駆動型の発光素子を利用した露光装置においては、駆動電圧の電圧値およびパルス幅の少なくとも一方を補正値Ａに応じて制御する構成が採用される。
【００５９】
また、第３実施形態においては補正値Ａと階調とが変換テーブルにて対応づけられた構成を例示したが、補正値Ａと階調とを引数とする所定の演算によって電流設定部１４３が電流値ａを算定する構成も採用される。以上に説明したように、本発明の典型的な態様は、発光素子Ｅの出射光のエネルギが補正値Ａに応じて補正される構成であれば足り、補正値Ａを発光素子Ｅの出射光のエネルギに反映させるための具体的な構成や方法は任意である。
【００６０】
（４）変形例４  
発光素子Ｅや屈折率分布型レンズ４４の配列の態様は適宜に変更される。例えば、複数の発光素子Ｅが複数列（例えば２列かつ千鳥状）に配列された構成や、複数の屈折率分布型レンズが３列以上に配列された構成としてもよい。
【００６１】
（５）変形例５  
以上の各形態の方法と他の方法との併用によって補正値Ａを決定してもよい。例えば、第１に、各発光素子Ｅの特性の誤差に起因した各々の光量の相違が低減される（光量が均一化される）ように補正値Ａの初期値を決定し、第２に、補正値Ａの初期値を利用した補正後のスポット領域ＳをステップＳＰ0にて測定した結果に基づいて補正値Ａを調整する（すなわち、以上の各形態に例示した条件を満たすように各発光素子Ｅの補正値Ａを決定する）といった手順が採用される。
【００６２】
（６）変形例６  
有機発光ダイオード素子は発光素子の例示に過ぎない。例えば、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子やレーザダイオード素子など様々な発光素子を、以上の各形態における有機発光ダイオード素子に代えて採用することが可能である。
【００６３】
＜Ｅ：応用例＞
次に、露光装置Ｈを利用した電子機器（画像形成装置）の具体的な形態を説明する。
図１５は、画像形成装置の構成を示す断面図である。画像形成装置は、タンデム型のフルカラー画像形成装置であり、以上の形態に係る４個の露光装置Ｈ（ＨK，ＨC，ＨM，ＨY）と、各露光装置Ｈに対応する４個の感光体ドラム７０（７０K，７０C，７０M，７０Y）とを具備する。図１に示したように、ひとつの露光装置Ｈは、当該露光装置Ｈに対応した感光体ドラム７０の被露光面７０A（外周面）と対向するように配置される。なお、各符号の添字「K」「C」「M」「Y」は、黒（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各顕像の形成に利用されることを意味している。
【００６４】
図１５に示すように、駆動ローラ７１１と従動ローラ７１２とには無端の中間転写ベルト７２が巻回される。４個の感光体ドラム７０は、相互に所定の間隔をあけて中間転写ベルト７２の周囲に配置される。各感光体ドラム７０は、中間転写ベルト７２の駆動に同期して回転する。
【００６５】
各感光体ドラム７０の周囲には、露光装置Ｈのほかにコロナ帯電器７３１（７３１K，７３１C，７３１M，７３１Y）と現像器７３２（７３２K，７３２C，７３２M，７３２Y）とが配置される。コロナ帯電器７３１は、これに対応する感光体ドラム７０の被露光面７０Aを一様に帯電させる。この帯電した被露光面７０Aを各露光装置Ｈが露光することで静電潜像が形成される。各現像器７３２は、静電潜像に現像材（トナー）を付着させることで感光体ドラム７０に顕像（可視像）を形成する。
【００６６】
以上のように感光体ドラム７０に形成された各色（黒・シアン・マゼンタ・イエロー）の顕像が中間転写ベルト７２の表面に順次に転写（一次転写）されることでフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト７２の内側には４個の一次転写コロトロン（転写器）７４（７４K，７４C，７４M，７４Y）が配置される。各一次転写コロトロン７４は、これに対応する感光体ドラム７０から顕像を静電的に吸引することによって、感光体ドラム７０と一次転写コロトロン７４との間隙を通過する中間転写ベルト７２に顕像を転写する。
【００６７】
シート（記録材）７５は、ピックアップローラ７６１によって給紙カセット７６２から１枚ずつ給送され、中間転写ベルト７２と二次転写ローラ７７との間のニップに搬送される。中間転写ベルト７２の表面に形成されたフルカラーの顕像は、二次転写ローラ７７によってシート７５の片面に転写（二次転写）され、定着ローラ対７８を通過することでシート７５に定着される。排紙ローラ対７９は、以上の工程を経て顕像が定着されたシート７５を排出する。
【００６８】
以上の画像形成装置は有機発光ダイオード素子を光源として利用しているので、レーザ走査光学系を利用した構成よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した以外の構成の画像形成装置にも露光装置Ｈを適用することができる。例えば、ロータリ現像式の画像形成装置や、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラム７０からシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置、あるいはモノクロの画像を形成する画像形成装置にも露光装置Ｈを利用することが可能である。
【００６９】
なお、露光装置Ｈの用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、露光装置Ｈは、原稿などの読取対象に光を照射する照明装置として画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構造を示す断面図である。
【図２】集束性レンズアレイの構成を示す平面図である。
【図３】露光装置および制御装置の構成を示すブロック図である。
【図４】補正値を決定するための手順を示すフローチャートである。
【図５】スポット領域を測定する過程を説明するための断面図である。
【図６】非補正時におけるスポット領域の形状を示す概念図である。
【図７】スクリーンについて説明するための概念図である。
【図８】Ｐ方向に長尺なスポット領域の変数Ｂを特定する手順を説明するための概念図である。
【図９】Ｑ方向に長尺なスポット領域の変数Ｂを特定する手順を説明するための概念図である。
【図１０】デフォーカス時のスポット領域を説明するための概念図である。
【図１１】各スポット領域におけるエネルギのピーク値ＰKを示すグラフである。
【図１２】各スポット領域におけるエネルギのピーク値の相対値ＰK_rを示すグラフである。
【図１３】第２実施形態におけるスポット領域の補正を説明するための概念図である。
【図１４】第３実施形態に係る露光装置および制御装置の構成を示すブロック図である。
【図１５】電子機器のひとつの形態（画像形成装置）を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
Ｈ……露光装置、１０……制御装置、７０……感光体ドラム、７０A……被露光面、１２，１６……記憶回路、１４……制御部、１４１……パルス幅設定部、１４３……電流設定部、３０……発光装置、Ｅ……発光素子、３６……駆動回路、Ｕ……単位回路、３６１……電流生成回路、３６３……パルス駆動回路、４０……集束性レンズアレイ、４４……屈折率分布型レンズ、Ｓ……スポット領域、Ｌ……スクリーンの網線、θs……スクリーン角。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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