(57)【要約】【課題】簡単な構成でかつ低コストでストレスマイグレーションによる配線の断線を防止できる信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１１上に形成された配線膜上にシリコン酸化膜を形成し、その配線膜およびシリコン酸化膜の双方をフォトリソグラフィおよびエッチングにより所望のパターンに加工して、上部がシリコン酸化膜１４aで覆われた配線１３aを形成する。その後、配線１３aおよび配線１３a上部のシリコン酸化膜１４aを覆うようにシリコン窒化膜１６を半導体基板１１上に形成する。【選択図】図１Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された配線と、
上記基板上に、上記配線を覆うように形成された層間絶縁膜と
を有し、
上記配線と上記層間絶縁膜との間の少なくとも一部の領域にシリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記シリコン酸化膜は、上記層間絶縁膜が上記配線に及ぼす応力を吸収または緩和することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
上記シリコン酸化膜は、上記配線の上面と上記層間絶縁膜との間に存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
上記シリコン酸化膜は、上記配線の側面と上記層間絶縁膜との間に存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１つに記載の半導体装置において、
上記シリコン酸化膜は、上記配線よりも機械的強度が低く、かつ、微小クラックを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１つに記載の半導体装置において、
上記シリコン酸化膜の膜厚が１０nm以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上に形成された配線と、上記配線を覆うように形成された層間絶縁膜と、上記配線と上記層間絶縁膜との間に形成されたシリコン酸化膜とを有する半導体装置の製造方法であって、
上記基板上に配線膜を形成する工程と、
上記配線膜上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィおよびエッチングにより上記配線膜および上記シリコン酸化膜の双方を所望のパターンに加工して、上部が上記シリコン酸化膜で覆われた上記配線を形成する工程と、
上記基板上に、上記配線および上記配線上部の上記シリコン酸化膜を覆うように上記層間絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板上に形成された配線と、上記配線を覆うように形成された層間絶縁膜と、上記配線と上記層間絶縁膜との間に形成されたシリコン酸化膜とを有する半導体装置の製造方法であって、
上記基板上に配線膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィおよびエッチングにより上記配線膜を所望のパターンに加工して、上記配線を形成する工程と、
上記基板上に、上記配線を覆うように上記シリコン酸化膜を形成する工程と、
上記配線の側面近傍の領域を除く上記シリコン酸化膜の領域を除去して、上記配線の両側に側壁部を形成する工程と、
上記基板上に、上記配線および上記側壁部を覆うように上記層間絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から６までのいずれか１つに記載の半導体装置であって、定電圧供給デバイスを構成する素子に使用されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に機器の電源部などに使用される定電圧供給デバイス等の素子に要求される配線高信頼性を達成できる層間構造を有する半導体装置およびその半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路において、高集積化、高機能化を追及するために配線の微細化技術が不可欠となっている。配線の微細化によって高集積を達成することが可能となり、それによりチップサイズの縮小や高機能化を行うことが可能となる。
【０００３】
また、従来の半導体装置では、外気からの水分等を遮断して半導体集積回路の信頼性を確保することを目的に、配線形成後にシリコン窒化膜等のパッシベーション膜で配線を被覆するのが一般的である。
【０００４】
上記従来の半導体装置の層間構造の断面図を図３Ａに示しており、この半導体装置は、半導体基板３１と、下地絶縁膜３２と、配線３３aと、パッシベーション膜３５を有している。この半導体装置のパッシベーション膜３５は圧縮応力を有しているため、配線３３aに引っ張り応力を発生させることが知られている(図３Ｂ参照)。上記半導体装置では、信頼性向上の反面、引っ張り応力によるストレスマイグレーションに起因する配線断線といった問題点が配線の微細化とともに無視できなくなっている(図３Ｃ参照)。
【０００５】
また、定電圧供給デバイス等の素子は機器の電源部などに使用され、一般に配線には大電流が流される。ストレスマイグレーションによるくびれが配線に存在すると、大電流印加によって、上記くびれが進行するエレクトロマイグレーションが顕著となり、配線断線の不具合が更に増加する事が懸念される。よって、大電流が印加される定電圧供給デバイス等の素子では、特に高い配線信頼性が要求されている。
【０００６】
このようなストレスマイグレーション対策として、配線を高融点金属膜等との積層構造にしたり、配線材料にＣuやＴi等を添加して合金化したりすることで、配線自体のストレスマイグレーション耐性を向上させる方法や、層間絶縁膜に圧縮応力の小さい材料・構造を採用する方法が知られている。
【０００７】
上記配線の積層構造化については、例えば特許文献１(特開平８−２６９７１１号公報)などで改善方法が提案されている。ここでは、Ａl配線層上に酸化Ａl膜を形成して積層構造とすることで、Ａl配線にかかる応力を緩和している。
【０００８】
また、上記層間絶縁膜に圧縮応力の小さい材料・構造を採用する技術については、例えば特許文献２(特開平５−２９３１２号公報)などで改善方法が提案されている。この特許文献２では、パッシベーション膜が圧縮応力を有する膜と引っ張り応力を有する膜の２層で構成されており、これにより各膜の応力が打ち消し合う効果が得られるため、パッシベーション膜から配線に加わる応力が軽減できる。
【０００９】
しかし、特許文献１に記載された従来技術では、酸化Ａl膜の膜質が安定せず、ストレスマイグレーション対策として常に十分な効果を発揮できないばかりか、チャンバー内に酸素ガスを導入するため、チャンバー内に付着したＡl膜が酸化するためにチャンバー内にダスト発生が発生し、ウエハ歩留まりが低下するという問題が発生する。
【００１０】
また、特許文献２に記載された従来技術では、次のような問題点がある。まず、パッシベーション膜を構成するそれぞれの膜の厚さと応力を高精度で管理しなければ、応力を打ち消し合う効果が得られない。また、通常、外気からの水分等を遮断する目的で使用されるシリコン窒化膜は、その目的上、膜厚が十分大きいのが一般的であるが、このシリコン窒化膜の応力を打ち消すだけの膜厚が引っ張り応力を有する膜にも必要となるため、パッシベーション膜全体としての膜厚は相当大きくなってしまう。このため、電気的導通を取るためのパッシベーション膜の開口がプロセス加工上、困難となる。
【特許文献１】特開平８−２６９７１１号公報
【特許文献２】特開平５−２９３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、この発明の課題は、簡単な構成でかつ低コストでストレスマイグレーションによる配線の断線を防止できる信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、この発明の半導体装置は、
基板上に形成された配線と、
上記基板上に、上記配線を覆うように形成された層間絶縁膜と
を有し、
上記配線と上記層間絶縁膜との間の少なくとも一部の領域にシリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
上記構成によれば、上記配線と上記層間絶縁膜との間の少なくとも一部の領域にシリコン酸化膜を形成することによって、上記層間絶縁膜から配線に伝わる応力がシリコン酸化膜により緩和され、ストレスマイグレーションによる配線の断線が発生せず、配線の高信頼性を達成することが可能となる。上記シリコン酸化膜は機械的強度が低く、本来は上記層間絶縁膜から上記配線に伝わる応力が、機械的強度の低いシリコン酸化膜に発生する微小クラックによって吸収または緩和される。これにより、簡単な構成でかつ低コストでストレスマイグレーションによる配線の断線を防止できる信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【００１４】
また、一実施形態の半導体装置では、上記シリコン酸化膜は、上記層間絶縁膜が上記配線に及ぼす応力を吸収または緩和する。
【００１５】
また、一実施形態の半導体装置では、上記シリコン酸化膜は、上記配線の上面と上記層間絶縁膜との間に存在する。
【００１６】
上記実施形態によれば、上記配線の上面と層間絶縁膜との間にシリコン酸化膜が存在することによって、配線の上部の層間絶縁膜に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜により吸収または緩和できる。
【００１７】
また、一実施形態の半導体装置では、上記シリコン酸化膜は、上記配線の側面と上記層間絶縁膜との間に存在する。
【００１８】
上記実施形態によれば、上記配線の側面と層間絶縁膜との間にシリコン酸化膜が存在することによって、配線の両側方の層間絶縁膜に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜により吸収または緩和できる。
【００１９】
また、一実施形態の半導体装置では、上記シリコン酸化膜は、上記配線よりも機械的強度が低く、かつ、微小クラックを有する。
【００２０】
上記実施形態によれば、上記シリコン酸化膜の機械的強度が配線よりも低く、かつ、シリコン酸化膜が微小クラックを有することによって、層間絶縁膜に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜により容易に吸収または緩和できる。
【００２１】
また、一実施形態の半導体装置では、上記シリコン酸化膜の膜厚が１０nm以上である。
【００２２】
上記実施形態によれば、上記シリコン酸化膜の膜厚を１０nm以上とすることによって、層間絶縁膜によって発生する引っ張り応力を確実に吸収または緩和できる。なお、上記シリコン酸化膜の膜厚が１０nm未満では、層間絶縁膜によって発生する引っ張り応力を十分に吸収または緩和することができない。
【００２３】
また、この発明の半導体装置の製造方法では、
基板上に形成された配線と、上記配線を覆うように形成された層間絶縁膜と、上記配線と上記層間絶縁膜との間に形成されたシリコン酸化膜とを有する半導体装置の製造方法であって、
上記基板上に配線膜を形成する工程と、
上記配線膜上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィおよびエッチングにより上記配線膜および上記シリコン酸化膜の双方を所望のパターンに加工して、上部が上記シリコン酸化膜で覆われた上記配線を形成する工程と、
上記基板上に、上記配線および上記配線上部の上記シリコン酸化膜を覆うように上記層間絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする。
【００２４】
上記構成によれば、上記基板上に形成された配線膜上にシリコン酸化膜を形成し、その配線膜およびシリコン酸化膜の双方をフォトリソグラフィおよびエッチングにより所望のパターンに加工して、上部がシリコン酸化膜で覆われた配線を形成した後、上記配線および配線上部のシリコン酸化膜を覆うように層間絶縁膜を基板上に形成する。そうして、上記配線の上面と層間絶縁膜との間にシリコン酸化膜が存在することによって、配線の上部の層間絶縁膜に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜により吸収または緩和できる。
【００２５】
また、この発明の半導体装置の製造方法では、
基板上に形成された配線と、上記配線を覆うように形成された層間絶縁膜と、上記配線と上記層間絶縁膜との間に形成されたシリコン酸化膜とを有する半導体装置の製造方法であって、
上記基板上に配線膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィおよびエッチングにより上記配線膜を所望のパターンに加工して、上記配線を形成する工程と、
上記基板上に、上記配線を覆うように上記シリコン酸化膜を形成する工程と、
上記配線の側面近傍の領域を除く上記シリコン酸化膜の領域を除去して、上記配線の両側に側壁部を形成する工程と、
上記基板上に、上記配線および上記側壁部を覆うように上記層間絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする。
【００２６】
上記構成によれば、上記基板上に形成された配線膜をフォトリソグラフィおよびエッチングにより所望のパターンに加工して配線を形成し、その配線を覆うようにシリコン酸化膜を基板上に形成し、配線の側面近傍の領域を除くシリコン酸化膜の領域を除去して、配線の両側に側壁部を形成した後、上記配線および側壁部を覆うように層間絶縁膜を基板上に形成する。そうして、上記配線の側面と層間絶縁膜との間にシリコン酸化膜が存在することによって、配線の両側方の層間絶縁膜に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜により吸収または緩和できる。
【００２７】
また、一実施形態の半導体装置では、上記のいずれか１つの半導体装置であって、定電圧供給デバイスを構成する素子に使用されている。
【００２８】
上記実施形態によれば、配線に高い信頼性が要求される機器の電源部などに使用される定電圧供給デバイスを構成する素子に上記半導体装置を適用することにより、高い信頼性を保ちつつ配線の微細化して高集積化できる。
【発明の効果】
【００２９】
以上より明らかなように、この発明の半導体装置によれば、簡単な構成でかつ低コストでストレスマイグレーションによる配線の断線を防止できる信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、この発明の半導体装置およびその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３１】
(第１実施形態)
以下、第１実施形態の半導体装置およびその製造方法について、図１Ａ〜図１Ｄを参照しながら説明する。
【００３２】
まず、半導体基板１１上に下地絶縁膜１２を形成し、しかる後にＡlＣu合金からなる配線層１３を１０００nm形成する。
【００３３】
続いて、プラズマＣＶＤ法にてＴＥＯＳ(Tetra−ethoxy−silane：Ｓi(ＯＣ２Ｈ５)４)と酸素を使用してシリコン酸化膜１４を１００nm形成する(図１Ａ参照)。
【００３４】
続いて、レジスト塗布、露光、現像を行い、所望の配線パターンに対応したレジストマスク１５を形成する(図１Ｂ参照)。
【００３５】
次に、得られたレジストマスク１５をエッチングマスクとして配線層１３とシリコン酸化膜１４をドライエッチングし、所望のパターンの配線１３aとシリコン酸化膜１４aを形成する(図１Ｃ参照)。
【００３６】
続いて、上記レジストマスク１５を有機溶剤で剥離した後、層間絶縁膜の一例としてのシリコン窒化膜１６(パッシベーション膜)を６００nm形成する(図１Ｄ参照)。
【００３７】
上記第１実施形態でも明らかなように、この発明では、ＡlＣu配線上面とパッシベーション膜の間にシリコン酸化膜を設けている。このため、パッシベーション膜によって本来配線に発生する引っ張り応力は、機械的強度の低いシリコン酸化膜に微小クラックが発生することで吸収または緩和される。よって、ＡlＣu配線には引っ張り応力に起因するストレスマイグレーションが発生せず、高信頼性の配線形成が可能となる。
【００３８】
機械的強度が低いシリコン酸化膜を得るために、この第１実施形態ではシリコン酸化膜形成時のＲＦパワーを３００Ｗ、圧力を９.０torr、成膜温度を３９０℃と設定した。図４に、圧力を９.０torr、成膜温度を３９０℃に固定した場合のシリコン酸化膜エッチングレートのＲＦパワー依存性を示す。エッチング材料には、サイロックスエッチャントを使用した。ＲＦパワーを下げることでエッチングレートが大きくなり、機械的強度が低下していることがわかる。この第１実施形態でのシリコン酸化膜のエッチングレートは、１７５nm／minである。ＲＦパワーを３２５Ｗ以下とすることでエッチングレートが１５０nm／min以上となり、微小クラックが発生しやすい機械的強度の低いシリコン酸化膜を得ることができる。
【００３９】
また、シリコン酸化膜形成時のＲＦパワーを３５０Ｗ、圧力を３.０torr、成膜温度を３９０℃と設定しても同様の効果が得られる。図５に、ＲＦパワーを３５０Ｗ、成膜温度を３９０℃に固定した場合のシリコン酸化膜エッチングレートの圧力依存性を示す。エッチング材料には、サイロックスエッチャントを使用した。圧力を下げることでエッチングレートが大きくなり、機械的強度が低下していることがわかる。本条件でのシリコン酸化膜のエッチングレートは、１８０nm／minである。圧力を６.０torr以下とすることでエッチングレートが１５０nm／min以上となり、微小クラックが発生しやすい機械的強度の低いシリコン酸化膜を得ることができる。
【００４０】
また、シリコン酸化膜形成時のＲＦパワーを３５０W、圧力を９.０torr、成膜温度を３３０℃と設定しても同様の効果が得られる。図６に、ＲＦパワーを３５０W、圧力を９.０torrに固定した場合のシリコン酸化膜エッチングレートの成膜温度依存性を示す。エッチング材料には、サイロックスエッチャントを使用した。成膜温度を下げることでエッチングレートが大きくなり、機械的強度が低下していることがわかる。本条件でのシリコン酸化膜のエッチングレートは、２０５nm／minである。成膜温度を３７０℃以下とすることでエッチングレートが１５０nm／min以上となり、微小クラックが発生しやすい機械的強度の低いシリコン酸化膜を得ることができる。
【００４１】
また、上述した条件以外でも、ＲＦパワー、圧力、成膜温度を組み合わせることで機械的強度が低いシリコン酸化膜が形成できれば、同様の効果を得ることが可能である。
【００４２】
また、シリコン酸化膜のエッチングレートは、２５０nm／min以下であることが好ましい。２５０nm／minより大きい場合には、多数のクラックが発生することによってパッシベーション膜の剥離といった問題が発生するためである。
【００４３】
また、シリコン酸化膜は１０nm以上の膜厚が必要である。１０nm未満では、パッシベーション膜によって発生する引っ張り応力を十分に吸収または緩和することができず、所望の効果が得られないためである。また、シリコン酸化膜は３００nm以下の膜厚が好ましい。３００nmより厚い膜厚でもストレスマイグレーションを防止する効果は得られるが、ドライエッチングにて所望のパターンの配線１３a,シリコン酸化膜１４aを形成するときの加工がプロセス上、困難となるためである。
【００４４】
また、上記第１実施形態においては、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長)法にてソースガスとしてＴＥＯＳ(Tetra−ethoxy−silane：Ｓi(ＯＣ２Ｈ５)４)と酸素を使用してシリコン酸化膜を形成する場合について述べたが、常圧ＣＶＤ法にてソースガスとしてＳiＨ４とＰＨ３と酸素を使用して形成するシリコン酸化膜であってもよい。また、機械的強度が低いシリコン酸化膜を形成できれば、成膜方式やソースガス種などを問わず同様の効果を得ることが可能である。
【００４５】
上記構成の半導体装置によれば、配線１３aとシリコン窒化膜１６との間にシリコン酸化膜１４aを形成することによって、ストレスマイグレーションによる配線１３aの断線が発生せず、配線１３aの高信頼性を達成することが可能となる。シリコン酸化膜１４aは機械的強度が低く、本来はシリコン窒化膜１６から配線１３aに伝わる応力が、機械的強度の低いシリコン酸化膜１４aに発生する微小クラックによって吸収または緩和される。これにより、簡単な構成でかつ低コストでストレスマイグレーションによる配線１３aの断線を防止できる信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【００４６】
また、配線１３aの上面とシリコン窒化膜１６との間にシリコン酸化膜１４aが存在することによって、配線１３aの上部のシリコン窒化膜１６に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜１４aにより吸収または緩和できる。
【００４７】
また、シリコン酸化膜１４aの機械的強度が配線１３aよりも低く、かつ、シリコン酸化膜１４aが微小クラックを有することによって、シリコン窒化膜１６に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜１４aにより容易に吸収または緩和できる。
【００４８】
また、シリコン酸化膜１４aの膜厚を１０nm以上とすることによって、シリコン窒化膜１６によって発生する引っ張り応力を確実に吸収または緩和できる。
【００４９】
また、上記第１実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板１１上に形成された配線膜１３上にシリコン酸化膜１４を形成し、その配線膜１３およびシリコン酸化膜の双方をフォトリソグラフィおよびエッチングにより所望のパターンに加工して、上部がシリコン酸化膜１４aで覆われた配線１３aを形成した後、配線１３aおよびシリコン酸化膜１４aを覆うようにシリコン窒化膜１６を半導体基板１１上に形成する。そうして、配線１３aの上面とシリコン窒化膜１６との間にシリコン酸化膜１４aが存在することによって、配線１３aの上部のシリコン窒化膜１６に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜１４aにより吸収または緩和できる。
【００５０】
(第２実施形態)
以下、第２実施形態の半導体装置およびその製造方法について、図２Ａ〜図２Ｅを参照しながら説明する。
【００５１】
まず、半導体基板２１上に下地絶縁膜２２を形成し、しかる後にＡlＣu合金からなる配線層２３を１０００nm形成する(図２Ａ参照)。
【００５２】
続いて、レジスト塗布、露光、現像を行い、所望の配線パターンに対応したレジストマスク２５を形成する(図２Ｂ参照)。
【００５３】
得られたレジストマスク２５をエッチングマスクとして配線層２３をドライエッチングし、所望のパターンの配線２３aを形成する(図２Ｃ参照)。
【００５４】
続いて、上記レジストマスク２５を有機溶剤で剥離した後、プラズマＣＶＤ法にてＴＥＯＳ(Tetra−ethoxy−silane：Ｓi(ＯＣ２Ｈ５)４)と酸素を使用してシリコン酸化膜２４を２００nm形成する(図２Ｄ参照)。
【００５５】
続いて、異方性ドライエッチングにてシリコン酸化膜２４の全面エッチングを行い、配線側面部を除くシリコン酸化膜を除去する(図２Ｅ参照)。
【００５６】
続いて、層間絶縁膜の一例としてのシリコン窒化膜２６(パッシベーション膜)を６００nm形成する(図２Ｆ参照)。
【００５７】
上記第２実施形態でも明らかなように、この発明では、ＡlＣu配線側面とパッシベーション膜の間にシリコン酸化膜を設けている。このため、パッシベーション膜によって本来配線に発生する引っ張り応力は、機械的強度の低いシリコン酸化膜に微小クラックが発生することで吸収または緩和される。よって、ＡlＣu配線には引っ張り応力に起因するストレスマイグレーションが発生せず、高信頼性の配線形成が可能となる。
【００５８】
機械的強度が低いシリコン酸化膜を得るために、この第２実施形態では、シリコン酸化膜形成時のＲＦパワーを３００Ｗ、圧力を５.０torr、成膜温度を３５０℃と設定した。本条件でのシリコン酸化膜のエッチングレートは、２３０nm／minである。エッチング材料には、サイロックスエッチャントを使用した。エッチングレートが１５０nm／min以上となり、微小クラックが発生しやすい機械的強度の低いシリコン酸化膜を得ることができる。
【００５９】
上記構成の半導体装置によれば、配線２３aとシリコン窒化膜２６との間にシリコン酸化膜２４a形成することによって、ストレスマイグレーションによる配線２３aの断線が発生せず、配線２３aの高信頼性を達成することが可能となる。シリコン酸化膜２４aは機械的強度が低く、本来はシリコン窒化膜２６から配線２３aに伝わる応力が、機械的強度の低いシリコン酸化膜２４aに発生する微小クラックによって吸収または緩和される。これにより、簡単な構成でかつ低コストでストレスマイグレーションによる配線２３aの断線を防止できる信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【００６０】
また、配線２３aの側面とシリコン窒化膜２６との間にシリコン酸化膜２４aが存在することによって、配線２３aの両側方のシリコン窒化膜２６に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜２４aにより吸収または緩和できる。
【００６１】
また、シリコン酸化膜２４aの機械的強度が配線２３aよりも低く、かつ、シリコン酸化膜２４aが微小クラックを有することによって、シリコン窒化膜２６に発生する圧縮応力をシリコン酸化膜２４aにより容易に吸収または緩和できる。
【００６２】
また、シリコン酸化膜２４aの膜厚を１０nm以上とすることによって、シリコン窒化膜２６によって発生する引っ張り応力を確実に吸収または緩和できる。シリコン酸化膜２４aの膜厚が１０nm未満では、シリコン窒化膜２６によって発生する引っ張り応力を十分に吸収または緩和することができない。
【００６３】
上記第１,第２実施形態では、配線１３aの上面とシリコン窒化膜１６との間にシリコン酸化膜１４aが存在する半導体装置、および、配線２３aの側面とシリコン窒化膜２６との間にシリコン酸化膜２４aが存在する半導体装置について説明したが、シリコン酸化膜は、配線と層間絶縁膜との間の少なくとも一部の領域に形成されているものであればよい。また、配線の上面と両側面の層間絶縁膜との間にシリコン酸化膜を設けてもよい。
【００６４】
また、この発明の半導体装置を、機器の電源部などに使用される定電圧供給デバイスを構成する素子に使用することにより、高い信頼性を保ちつつ配線の微細化による高集積化が図れる。
【００６５】
この発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は上記第１,第２実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１Ａ】図１Ａは本発明の第１実施形態の半導体装置およびその半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは図１Ａに続く工程の断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは図１Ｂに続く工程の断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは図１Ｃに続く工程の断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは本発明の第２実施形態の半導体装置およびその半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である
【図２Ｂ】図２Ｂは図２Ａに続く工程の断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは図２Ｂに続く工程の断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは図２Ｃに続く工程の断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは図２Ｄに続く工程の断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは図２Ｅに続く工程の断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは従来の半導体装置の製造方法の製造方法を示す工程の断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは図３Ａに続く工程の断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは図３Ｂに続く工程の断面図である。
【図４】図４は第１,第２実施形態のシリコン酸化膜エッチングレートのＲＦパワー依存性を示す図である。
【図５】図５は第１,第２実施形態のシリコン酸化膜エッチングレートの圧力依存性を示す図である。
【図６】図６は第１,第２実施形態のシリコン酸化膜エッチングレートの成膜温度依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１１…半導体基板
１２…下地絶縁膜
１３…配線層
１３a…配線
１４…シリコン酸化膜
１４a…シリコン酸化膜
１５…レジストマスク
２１…半導体基板
２２…下地絶縁膜
２３…配線層
２３a…配線
２４…シリコン酸化膜
２４a…シリコン酸化膜
２５…レジストマスク
２６…シリコン窒化膜
【図１Ａ】
2008294327.tif 000003
【図１Ｂ】
2008294327.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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