(57)【要約】【課題】信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、電極１４が形成された半導体チップ１０と、半導体チップにおける電極１４が形成された面１５に形成された、仮想の直線１００に沿って配列された複数の第１の部分２１と、第１の部分２１の側方に配置された、第１の部分２１よりも高さが低い第２の部分２２とを含む樹脂突起２０と、第１の部分２１上に配置された電気的接続部４２を有する、電極１４と電気的に接続された配線４０と、を有する。第２の部分２２の底面における直線１００と直交する方向の幅は、第１の部分２１の底面における直線１００と直交する方向の幅よりも狭い。【選択図】図１
2008159993.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、
前記第１の部分上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
を有し、
前記第２の部分の底面における前記仮想の直線と直交する方向の幅は、前記第１の部分の底面における前記仮想直線と直交する方向の幅よりも狭い半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１の部分を前記仮想の直線と直交する平面で切断した断面と、前記第２の部分を前記仮想の直線と直交する平面で切断した断面とは相似形である半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置において、
前記樹脂突起は、
前記第２の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第３の部分をさらに含む半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第３の部分の底面の幅は、前記第２の部分の底面の幅よりも狭い半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記第２の部分を前記仮想の直線と直交する平面で切断した断面と、前記第３の部分を前記仮想の直線と直交する平面で切断した断面とは相似形である半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の部分の上面は、凸曲面である半導体装置。
【請求項７】
ベース基板と、前記ベース基板に形成された配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分と、前記第２の部分の側方に配置された前記第２の部分よりも高さが低い第３の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記半導体装置と前記配線基板との間に配置された接着材料を流動させながら前記半導体装置と前記配線基板とを近接させて、前記電気的接続部と前記配線パターンとを接触させて電気的に接続する工程と、
前記接着材料を硬化させて、前記半導体装置と前記配線基板とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記半導体装置と前記配線基板とを近接させる工程では、
前記樹脂突起の前記第２の部分が前記配線基板に接触するように、かつ、前記第３の部分が前記配線基板に接触しないように、前記半導体装置と前記配線基板とを近接させる電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の電子デバイスの製造方法において、
前記第２の部分の底面における前記仮想の直線と直交する方向の幅は、前記第１の部分の底面における前記仮想直線と直交する方向の幅よりも狭く、
前記第３の部分の底面における前記仮想の直線と直交する方向の幅は、前記第２の部分の底面における前記仮想直線と直交する方向の幅よりも狭い電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスを小型化するためには、半導体装置の外形は小さい方が好ましい。しかし、半導体装置の役割が多様化するにつれ、半導体チップに形成される集積回路の高集積化が進み、これに伴って、半導体チップのピン数の増加が進んでいる。すなわち、現在では、半導体装置の小型化と、集積回路の高集積化及び電極の増加という要求を同時に満たすことが可能な半導体装置の開発が進んでいる。
【０００３】
この要求に応えることができる半導体装置として、半導体チップ上に配線が形成されたタイプの半導体装置が注目を集めている。このタイプの半導体装置では、半導体装置の外形を半導体チップの外形とほぼ同じにすることができるため、半導体装置の小型化が可能である。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置が小型化すれば、これを配線基板等に実装することが困難になる。しかし、電子デバイスの信頼性を確保するためには、実装後においても、半導体装置の信頼性を維持することが重要である。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置、及び、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る半導体装置は、
電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、
前記第１の部分上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
を有し、
前記第２の部分の底面における前記仮想の直線と直交する方向の幅は、前記第１の部分の底面における前記仮想直線と直交する方向の幅よりも狭い。
【０００７】
本発明によると、第２の部分の幅が第１の部分の幅よりも狭くなっている。そのため、第２の部分の幅が第１の部分の幅と同じ場合に比べて、第１の部分が第２の部分から受ける規制が小さくなり、第１の部分が変形しやすくなる。そのため、半導体装置を配線基板に実装する際に、第１の部分内部に発生する応力が小さくなるため、配線のクラックや、樹脂突起の塑性変形を防止することが可能になる。
【０００８】
（２）この半導体装置において、
前記第１の部分を前記仮想の直線と直交する平面で切断した断面と、前記第２の部分を前記仮想の直線と直交する平面で切断した断面とは相似形であってもよい。
【０００９】
これによると、半導体装置を配線基板に実装する際に、接着剤の材料の流動性を高くすることができる。そのため、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
【００１０】
（３）この半導体装置において、
前記樹脂突起は、
前記第２の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第３の部分をさらに含んでもよい。
【００１１】
これによると、接着剤の材料が流動しやすい、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。
【００１２】
（４）この半導体装置において、
前記第３の部分の底面の幅は、前記第２の部分の底面の幅よりも狭くてもよい。
【００１３】
（５）この半導体装置において、
前記第２の部分を前記仮想の直線と直交する平面で切断した断面と、前記第３の部分を前記仮想の直線と直交する平面で切断した断面とは相似形であってもよい。
【００１４】
（６）この半導体装置において、
前記第１の部分の上面は、凸曲面であってもよい。
【００１５】
このとき、第２の部分及び第３の部分の上面も、同様に凸曲面であってもよい。
【００１６】
（７）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
ベース基板と、前記ベース基板に形成された配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分と、前記第２の部分の側方に配置された前記第２の部分よりも高さが低い第３の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記半導体装置と前記配線基板との間に配置された接着材料を流動させながら前記半導体装置と前記配線基板とを近接させて、前記電気的接続部と前記配線パターンとを接触させて電気的に接続する工程と、
前記接着材料を硬化させて、前記半導体装置と前記配線基板とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記半導体装置と前記配線基板とを近接させる工程では、
前記樹脂突起の前記第２の部分が前記配線基板に接触するように、かつ、前記第３の部分が前記配線基板に接触しないように、前記半導体装置と前記配線基板とを近接させる。
【００１７】
本発明によると、半導体装置を配線基板に搭載する工程で、半導体装置と配線基板との間で接着材料を流動させやすくなる。そのため、接着剤の内部に気泡が発生しにくくなり、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能になる。
【００１８】
（８）この電子デバイスの製造方法において、
前記第２の部分の底面における前記仮想の直線と直交する方向の幅は、前記第１の部分の底面における前記仮想直線と直交する方向の幅よりも狭く、
前記第３の部分の底面における前記仮想の直線と直交する方向の幅は、前記第２の部分の底面における前記仮想直線と直交する方向の幅よりも狭くてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２０】
以下、図１（Ａ）〜図２を参照して、半導体装置１の構成について説明する。ここで、図１（Ａ）は半導体装置１の上視図であり、図１（Ｂ）は半導体装置１の斜視図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のIC−IC線断面の一部拡大図であり、図１（Ｄ）は図１（Ａ）のID−ID線断面の一部拡大図である。また、図２は、樹脂突起２０の第１の部分２１及び配線４０を拡大して示す斜視図である。
【００２１】
本実施の形態に係る半導体装置１は、半導体チップ１０を有する。半導体チップ１０は、例えばシリコンチップであってもよい。半導体チップ１０には、集積回路１２が形成されていてもよい（図１（Ｃ）参照）。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００２２】
半導体チップ１０には、電極１４が形成されている。電極１４は、半導体チップ１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていない導電体（導電パッド）を含めて、電極１４と称してもよい。電極１４は、半導体チップ１０の内部配線の一部であってもよい。このとき、電極１４は、半導体チップ１０の内部配線のうち、外部との電気的な接続に利用される部分であってもよい。電極１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。また、電極１４の表面には、ＴｉＮやＮｉ等のキャップ層を有してもよい。なお、半導体チップ１０における電極１４が形成された面１５は、矩形（長方形又は正方形）をなしていてもよい。
【００２３】
半導体チップ１０は、図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）に示すように、パッシベーション膜１６を有していてもよい。パッシベーション膜１６は、電極１４を露出させるように形成される。パッシベーション膜１６には、電極１４を露出させる開口が形成されていてもよい。なお、パッシベーション膜１６は、電極１４を部分的に覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜１６は、図１（Ｃ）に示すように、電極１４の周囲を覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、パッシベーション膜１６は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜であってもよい。
【００２４】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示すように、樹脂突起２０を含む。樹脂突起２０は、半導体チップ１０の電極１４が形成された面１５上に形成されている。樹脂突起２０は、図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）に示すように、パッシベーション膜１６上に形成されていてもよい。
【００２５】
樹脂突起２０は、図１（Ａ）に示すように、仮想の直線１００に沿って延びる形状をなしていてもよい。なお、直線１００は、半導体チップ１０の面１５のいずれかの辺と平行な直線であってもよい。例えば、直線１００は、面１５の長辺１７と平行な直線であってもよい。そして、樹脂突起２０は、面１５における、長辺１７の周辺領域に配置されていてもよい。ただし、仮想の直線は、面１５の短辺と平行な直線であってもよい。
【００２６】
樹脂突起２０は、直線１００に沿って配列された複数の第１の部分２１と、第１の部分２１の側方に配置された第２の部分２２とを含む（図１（Ｂ）及び図１（Ｄ）参照）。樹脂突起２０は、図１（Ｄ）に示すように、第１の部分２１の高さｈ１が、第２の部分２２の高さｈ２よりも高くなっている。なお、ここで言う高さとは、樹脂突起２０の、半導体チップ１０の厚み方向（面１５と直交する方向）の幅であってもよい。そして、第１の部分２１の高さとは、面１５（パッシベーション膜１６）から第１の部分２１の頂点までの距離であってもよい。また、第２の部分２２の高さとは、面１５（パッシベーション膜１６）から第２の部分２２の頂点までの距離であってもよい。第１の部分２１の高さｈ１と、第２の部分２２の高さｈ２とは、ｈ１−ｈ２≦５μｍの関係を満たしていてもよい。
【００２７】
第１の部分２１は、高さｈ１と、底面の幅Ｗとが、ｈ１＜Ｗ／２の関係を満たす形状をなしていてもよい（図２参照）。ここで、底面の幅とは、底面における直線１００と直交する方向の長さである。あるいは、底面の幅とは、底面における後述する配線４０が延びる方向の長さであってもよい。本実施の形態では、第１の部分２１の形状は、ｈ１≦２０μｍ、かつ、Ｗ≦５０μｍであってもよい。第１の部分２１の形状は、また、ｈ１≧５μｍ、かつ、Ｗ≧１５μｍであってもよい。また、第１の部分２１の上面は、凸曲面をなしていてもよい。第１の部分２１の上面は、円弧の一部であってもよい。あるいは、第１の部分２１の上面は、楕円弧の一部であってもよい。
【００２８】
本実施の形態では、第２の部分２２の底面の幅は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１の部分２１の底面の幅よりも狭い。そして、第２の部分２２を直線１００と直交する平面で切断した断面形状は、第１の部分２１を直線１００と直交する平面で切断した断面形状と、相似形をなしていてもよい。
【００２９】
樹脂突起２０は、また、第２の部分２２の側方に配置された第３の部分２３をさらに含んでいてもよい。第３の部分２３は、第２の部分２２よりも高さが低い。すなわち、第３の部分２３の高さをｈ３とすれば、ｈ２＞ｈ３の関係を満たす。また、第３の部分２３の幅は、第２の部分２２の幅よりも狭い。そして、第２の部分２２と第３の部分２３とは、直線１００と直交する平面で切断した断面の形状が相似形となっていてもよい。ただし、本発明はこれに限られるものではなく、第３の部分２３を有しない構造をなしていてもよい。
【００３０】
樹脂突起２０の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。例えば、樹脂突起２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成してもよい。
【００３１】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図２に示すように、配線４０を含む。配線４０は、電極１４と電気的に接続されている。配線４０は、電極１４上から樹脂突起２０を越えて、パッシベーション膜１６上に至るように形成されていてもよい。すなわち、配線４０は、樹脂突起２０の両側で、パッシベーション膜１６（面１５）と接触するように形成されていてもよい。そして、樹脂突起２０のうち、配線４０と重複する部分が、第１の部分２１である。言い換えると、樹脂突起２０のうち、第２及び第３の部分２２，２３は、配線４０から露出した部分である。
【００３２】
配線４０は、電気的接続部４２を含む。ここで、電気的接続部４２とは、配線４０における樹脂突起２０（第１の部分２１）上に配置された領域である。また、電気的接続部４２とは、配線４０のうち、他の電子部品の導電部（配線基板の配線パターンなど）との電気的な接続に利用される部分である。本実施の形態では、配線４０のうち、第２の部分２２よりも高い位置に配置された領域（第２の部分２２から突出した領域）を指して、電気的接続部４２と称してもよい。
【００３３】
配線４０に適用可能な材料は特に限定されるものではない。配線４０は、例えば、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、鉛フリーはんだなどによって構成されていてもよい。また、配線４０の構造も特に限定されるものではない。例えば、配線４０は複数層で形成されていてもよい。このとき、配線４０は、チタンタングステンによって形成された第１の層と、金によって形成された第２の層とを含んでいてもよい（図示せず）。あるいは、配線４０は、単層で形成されていてもよい。
【００３４】
半導体装置１は、以上の構成をなしていてもよい。
【００３５】
半導体装置１を製造する方法は特に限定されるものではないが、以下、半導体装置１を製造する方法の一例について説明する。
【００３６】
はじめに、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示す半導体基板１１を用意する。ここで、図３（Ａ）は半導体基板１１の概略図であり、図３（Ｂ）は半導体基板１１の断面図の一部拡大図である。また、図３（Ｃ）は、半導体基板１１の上視図（平面図）の一部拡大図である。
【００３７】
半導体基板１１は、図３（Ａ）に示すように、ウエハ状をなす。そして、ウエハ状の半導体基板１１は、複数の半導体チップ（半導体チップ１０）となる領域２００を有する。ただし、半導体基板として半導体チップ（図１（Ａ）参照）を用意して以下の各工程を行ってもよい。
【００３８】
半導体基板１１には、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）に示すように、電極１４が形成されている。半導体基板１１は、電極１４を露出させるパッシベーション膜１６を有していてもよい。
【００３９】
次に、半導体基板１１に樹脂部材２７を形成する。樹脂部材２７を形成する方法は特に限られるものではないが、その一例を、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）を参照して説明する。
【００４０】
はじめに、半導体基板１１に樹脂材料２５を設け（図４（Ａ）参照）、樹脂材料２５をパターニングし（図４（Ｂ）参照）、これを硬化（例えば熱硬化）させることによって樹脂部材２７を形成する（図４（Ｃ）及び図４（Ｄ）参照）。なお、樹脂部材２７とは、後述するエッチング工程によって、樹脂突起２０となる部材である。樹脂部材２７の底面及び高さは、樹脂材料２５の高さや幅、硬化条件などを調整することで制御することができる。
【００４１】
次に、配線４０を形成するとともに、樹脂材料２５をパターニングして樹脂突起２０を形成する。図５（Ａ）〜図９（Ｂ）は、これらの工程について説明するための図である。
【００４２】
はじめに、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示すように、半導体基板１１上に金属層４５を形成する。金属層４５は、電極１４、パッシベーション膜１６、及び、樹脂部材２７を覆うように形成してもよい。金属層４５は、電極１４と電気的に接続されるように形成してもよい。金属層４５は、例えばスパッタリングによって形成することができる。金属層４５は、単層の金属層であってもよく、複数層の金属層であってもよい。
【００４３】
そして、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、金属層４５の一部を除去して、金属層４５に、樹脂部材２７の一部を露出させる開口４６を形成する。本工程では、樹脂部材２７における第３の部分２３となる領域を露出させるように（重複するように）、開口４６を形成する。なお、金属層４５に開口４６を形成する方法は特に限られるものではなく、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。例えば、金属層４５に開口を有するマスクを形成し、金属層４５におけるマスクからの露出部を除去することによって、金属層４５に開口４６を形成してもよい。
【００４４】
そして、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、樹脂部材２７における開口４６からの露出領域をエッチングして、その一部を除去する。本工程では、樹脂部材２７の露出部の一部を除去して、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、露出部の高さを低くするとともに、露出部の幅を狭くする。等方性のエッチングを行うことにより、かかる処理が可能になる。
【００４５】
そして、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、金属層４５をパターニングして、配線４０を形成する。金属層４５をパターニングする方法は特に限られず、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。例えば、金属層４５上にマスクを形成し、金属層４５をパターニングすることにより、配線４０を形成してもよい。この場合、マスクの形状を調整することにより、配線４０の形状を制御することができる。
【００４６】
そして、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、樹脂部材２７における配線４０からの露出部をエッチングしてその一部を除去する。本工程では、樹脂部材２７における配線４０からの露出部をエッチングすることによって、該露出部の高さを低くするとともに、その幅を狭くする。等方性のエッチングを行うことにより、かかる処理が可能になる。
【００４７】
なお、第２の部分２２及び第３の部分２３の幅や高さは、エッチング液やエッチング時間、あるいは、プラズマエッチング条件やプラズマエッチング時間を調整することで制御することができる。そして、樹脂部材２７のエッチング条件を調整することによって、樹脂突起２０を、第１〜第３の部分２１，２２，２３の断面が相似形状になるように形成することができる。
【００４８】
そして、半導体基板１１を切断して個片に分割する工程や、検査工程などをさらに経て、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示す、半導体装置１を製造することができる。
【００４９】
次に、本実施の形態に係る半導体装置１を配線基板５０に実装する工程について説明する。図１０（Ａ）〜図１１（Ｄ）は、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程について説明するための図である。
【００５０】
はじめに、配線基板５０の構成について説明する。配線基板５０は、ベース基板５２と、配線パターン５４とを含む。ベース基板５２（配線基板５０）は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。このとき、ベース基板５２は、例えば、セラミック基板やガラス基板であってもよい。また、配線パターン５４の材料についても特に限定されるものではないが、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｃｒ、Ａｌなどの金属膜、金属化合物膜、又は、これらの複合膜によって形成されていてもよい。なお、配線パターン５４は、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。ただし、配線基板５０は、樹脂基板であってもよい。
【００５１】
半導体装置１を配線基板５０に実装する工程では、はじめに、図１０（Ａ）及び図１１（Ａ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とを間隔をあけて対向させる。ここでは、半導体装置１を、半導体チップ１０の面１５が配線基板５０を向くように配置する。また、半導体装置１の電気的接続部４２（樹脂突起２０の第１の部分２１）と配線基板５０の配線パターン５４とが対向（重複）するように、半導体装置１と配線基板５０との位置合わせをする。例えば、図示しない治具（ボンディングツール）によって、半導体装置１を保持し、半導体装置１と配線基板５０との位置合わせを行ってもよい。このとき、半導体装置１を、面１５が配線基板５０と平行になるように保持してもよい。なお、治具にはヒータが内蔵されていてもよく、これにより、半導体装置１を加熱してもよい。半導体装置１を加熱することによって、電気的接続部４２が加熱され、電気的接続部４２と配線パターン５４とを確実に電気的に接続することができる。
【００５２】
なお、半導体装置１と配線基板５０との間には、図１０（Ａ）及び図１１（Ａ）に示すように、予め、接着材料７２を設けておいてもよい。接着材料７２は、ペースト状あるいはフィルム状で設けてもよい。接着材料７２は、導電粒子などを含まない絶縁性の材料（ＮＣＰ，ＮＣＦ）であってもよい。接着材料７２は、例えば、配線基板５０上に設けてもよい。
【００５３】
その後、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）、あるいは、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とを近接させて電気的接続部４２と配線パターン５４とを接触させて、両者を電気的に接続する。本工程では、半導体チップ１０と配線基板５０とによって樹脂突起２０を押しつぶして、樹脂突起２０（第１の部分２１）を弾性変形させてもよい（図１０（Ｃ）及び図１１（Ｃ））。これによると、樹脂突起２０の弾性力によって、電気的接続部４２と配線パターン５４とを押し付けることができるため、電気的な接続信頼性の高い電子機器を製造することができる。
【００５４】
また、本工程では、図１０（Ｂ）に示すように電気的接続部４２と配線パターン５４とを接触させた後に、第２の部分２２を配線基板５０に接触させてもよい（図１０（Ｃ）参照）。すなわち、本工程では、第２の部分２２が配線基板５０に接触するまで、半導体装置１（半導体チップ１０）と配線基板５０とを近接させてもよい。このとき、第２の部分２２を、配線基板５０のベース基板５２に接触させてもよい。あるいは、第２の部分２２を、配線基板５０の配線パターン５４に接触させてもよい。
【００５５】
なお、本工程では、第３の部分２３が配線基板５０に接触しないように、半導体装置１と配線基板５０との間隔を制御してもよい（図１０（Ｃ）参照）。これにより、半導体装置１を配線基板５０に搭載する工程で、接着材料７２の流動性を高めることができる。
【００５６】
本工程では、半導体装置１と配線基板５０とによって、接着材料７２を流動させてもよい。これにより、半導体装置１（半導体チップ１０）と配線基板５０との間に、接着材料７２を充填させてもよい（図１０（Ｃ）及び図１１（Ｃ）参照）。
【００５７】
そして、図１０（Ｄ）及び図１１（Ｄ）に示すように、接着剤７０を形成する。接着剤７０は、接着材料７２を硬化させることによって形成することができる。接着剤７０によって、半導体装置１と配線基板５０とを接着（固着）する。接着剤７０によって、半導体チップ１０と配線基板５０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着剤７０によって、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。例えば、樹脂突起２０が弾性変形した状態で接着剤７０を形成することで、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持することができる。
【００５８】
以上の工程によって、図１０（Ｄ）、又は、図１１（Ｄ）に示す、電子デバイス２を製造してもよい。
【００５９】
なお、電子デバイス２は、表示デバイス（パネルモジュール）であってもよい。図１２には、表示デバイスとしての電子デバイス２の概略図を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１（半導体チップ）は、表示デバイスを制御するドライバＩＣであってもよい。
【００６０】
また、図１３及び図１４には、電子デバイス２を有する電子機器の一例として、ノート型パーソナルコンピュータ１０００及び携帯電話２０００を示す。
【００６１】
以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１が奏する効果について説明する。
【００６２】
先に説明したように、電子デバイス２では、樹脂突起２０（第１の部分２１）の弾性力によって、電気的接続部４２が配線パターン５４に押し付けられ、これによって両者の電気的な接続信頼性を維持することができる。すなわち、信頼性の高い電子デバイスを製造するためには、半導体チップ１０と配線基板５０とによって、樹脂突起２０（第１の部分２１）を押し付けて弾性変形させることが好ましい。
【００６３】
ところで、本実施の形態に係る半導体装置１によると、樹脂突起２０は、電気的接続部４２を配線パターン５４に押し付ける第１の部分２１と、第１の部分２１よりも高さが低い第２の部分２２とを含む。そして、第２の部分２２は、第１の部分２１に比べて、幅が狭くなっている。このことから、樹脂突起２０によると、第１の部分と第２の部分とが同じ幅になっている場合と比べ、第１の部分２１が第２の部分２２から受ける規制が小さくなる。そのため、半導体装置１によると、第１の部分２１が変形しやすくなり、これを配線基板５０に実装する際に、第１の部分２１に局部的な大きな応力が発生しにくくなる。そのため、配線基板５０に実装する際に、配線４０（電気的接続部４２）にクラックが発生することを防止することが可能な半導体装置を提供することができる。また、第１の部分２１に大きな応力が発生しにくくなることから、第１の部分２１（樹脂突起２０）が塑性変形することを防止することができる。そのため、電気的接続部４２と配線パターン５４とが、樹脂突起２０（第１の部分２１）の弾性力によって押し付けられた、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。
【００６４】
また、第２の部分２２が第１の部分２１よりも幅が狭いことから、両者の幅が同じ場合に比べて、樹脂突起２０の表面積が大きくなる。そのため、本発明によると、樹脂突起２０と接着剤７０との接触面積が広くなり、樹脂突起２０と接着剤７０との密着性が高い、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。
【００６５】
また、第２の部分２２が第１の部分２１よりも幅が狭いことから、隣り合う配線４０（電気的接続部４２）の間で、樹脂突起の表面距離が長くなる。そのため、本発明によると、マイグレーションを防止することが可能な、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。
【００６６】
また、樹脂突起２０が第３の部分２３を有する場合、第２の部分２２が配線基板５０に接触した後にも、第３の部分２３と配線基板５０との間を介して、接着材料７２を流動させることができる。そのため、内部に気泡が発生しないように、接着剤７０を形成することができる。
【００６７】
また、樹脂突起２０（第１〜第３の部分２１，２２，２３）が、直線１００に直交する平面で切断したときの断面が相似形となる形状をなす場合、半導体装置１を配線基板に実装する工程で、接着材料７２が流動しやすくなる。そのため、接着剤７０の内部に気泡ができにくくなり、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能になる。
【００６８】
さらに、半導体装置１を配線基板５０に実装するときに、第２の部分２２が配線基板５０に接触すると、樹脂突起２０はそれ以上変形しにくくなる。このことから、半導体装置１によると、第２の部分２２によって、半導体チップ１０（半導体装置１）と配線基板５０との間隔を規制することができる。そのため、半導体装置１によると、半導体チップ１０と配線基板５０とが設計通りの間隔をあけて配置された電子デバイスを製造することが可能になる。すなわち、本発明によると、電気的接続部４２と配線パターン５４とが設計通りの荷重で押し付けられた信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
【００６９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】半導体装置の構成について説明するための図。
【図２】半導体装置の構成について説明するための図。
【図３】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図４】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図５】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図６】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図７】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図８】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図９】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図１０】電子デバイスの製造方法について説明するための図。
【図１１】電子デバイスの製造方法について説明するための図。
【図１２】電子デバイスの一例としての表示デバイスを示す図。
【図１３】電子機器の一例を示す図。
【図１４】電子機器の一例を示す図。
【符号の説明】
【００７１】
１…半導体装置、  ２…電子デバイス、  １０…半導体チップ、  １１…半導体基板、  １２…集積回路、  １４…電極、  １５…面、  １６…パッシベーション膜、  １７…長辺、  ２０…樹脂突起、  ２１…第１の部分、  ２２…第２の部分、  ２３…第３の部分、  ２５…樹脂材料、  ２７…樹脂部、  ２７…樹脂部、  ２７…樹脂部材、  ４０…配線、  ４２…電気的接続部、  ４５…金属層、  ４６…開口、  ５０…配線基板、  ５２…ベース基板、  ５４…配線パターン、  ７０…接着剤、  ７２…接着材料、  １００…直線、  ２００…領域
【図１】
2008159993.tif 000003
【図２】
2008159993.tif 000004
【図３】
2008159993.tif 000005
【図４】
2008159993.tif 000006
【図５】
2008159993.tif 000007
【図６】
2008159993.tif 000008
【図７】
2008159993.tif 000009
【図８】
2008159993.tif 000010
【図９】
2008159993.tif 000011
【図１０】
2008159993.tif 000012
【図１１】
2008159993.tif 000013
【図１２】
2008159993.tif 000014
【図１３】
2008159993.tif 000015
【図１４】
2008159993.tif 000016