(57)【要約】【課題】従来、半導体装置用基板と半導体素子との間に供給される応力緩和用の樹脂が内部まで充分に浸透しにくいという問題があった。【解決手段】半導体装置用基板１は、支持基材１０、配線２０、マスク３０、および絶縁層４０を備えている。支持基材１０上の半導体素子と対向する領域には、マスク３０が設けられている。また、支持基材１０上には、絶縁層４０が設けられている。この絶縁層４０は、マスク３０と所定の間隔を置いてマスク３０を包囲している。ここで、マスク３０は、絶縁層４０に対して選択的に除去可能である。支持基材１０上には、配線２０も設けられている。この配線２０は、半導体素子と接続される基板配線である。配線２０は、その一部がマスク３０と絶縁層４０との間の領域に露出している。【選択図】図１
2008159702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が載置される半導体装置用基板であって、
支持基材と、
前記支持基材上の前記半導体素子と対向する領域に設けられたマスクと、
前記支持基材上に設けられ、所定の間隔を置いて前記マスクを包囲する絶縁層と、
前記支持基材上に設けられ、前記マスクと前記絶縁層との間の領域に露出する配線と、を備え、
前記マスクは、前記絶縁層に対して選択的に除去可能であることを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置用基板において、
前記マスクと前記絶縁層とは、相異なる材料によって形成されている半導体装置用基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置用基板において、
前記配線における前記マスクと前記絶縁層との間の領域に露出する部分は、その一部分の配線幅が他の部分よりも広い半導体装置用基板。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置用基板において、
前記配線の前記一部分は、前記半導体素子と接続される部分に相当する半導体装置用基板。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載の半導体装置用基板において、
前記配線は、前記支持基材上の前記半導体素子と対向する前記領域の中央部に向かって延在している半導体装置用基板。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置用基板において、
前記支持基材の下面に設けられた外部接続端子を備え、
前記中央部に向かって延在する前記配線は、前記支持基材中に形成されたビアおよび配線を介して前記外部接続端子に接続されている半導体装置用基板。
【請求項７】
支持基材と、
前記支持基材と対向するように設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の前記支持基材と対向する側の面上に設けられ、当該半導体装置の縁部に沿って配列された複数の接続端子と、
前記支持基材上に設けられ、前記各接続端子と接続された配線と、
前記支持基材上に設けられ、前記接続端子と前記配線とが互いに接続された接合部を包囲する絶縁層と、
前記支持基材と前記半導体素子との間に充填されたアンダーフィル樹脂と、を備え、
前記アンダーフィル樹脂は、前記支持基材上の前記接合部よりも内側の領域において、前記支持基材上に直接に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記配線は、前記支持基材上の前記半導体素子と対向する領域の中央部に向かって延在している半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、
前記支持基材の下面に設けられた外部接続端子を備え、
前記中央部に向かって延在する前記配線は、前記支持基材中に形成されたビアおよび配線を介して前記外部接続端子に接続されている半導体装置。
【請求項１０】
半導体素子が載置される半導体装置用基板を製造する方法であって、
支持基材上に前記半導体素子と接続される配線を形成する配線形成工程と、
前記支持基材上の前記半導体素子と対向する領域にマスクを形成するマスク形成工程と、
所定の間隔を置いて前記マスクを包囲するように、前記支持基材上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を含み、
前記マスク形成工程においては、前記絶縁層に対して選択的に除去可能なマスクを形成することを特徴とする、半導体装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記マスク形成工程においては、前記絶縁層とは相異なる材料によって前記マスクを形成する、半導体装置用基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記配線形成工程においては、前記配線における前記マスクと前記絶縁層との間の領域に露出する部分のうち一部分の配線幅が他の部分よりも広くなるように、前記配線を形成する、半導体装置用基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記配線の前記一部分は、前記半導体素子と接続される部分に相当する、半導体装置用基板の製造方法。
【請求項１４】
支持基材と、前記支持基材上の半導体素子と対向する領域に設けられたマスクと、前記支持基材上に設けられ、所定の間隔を置いて前記マスクを包囲する絶縁層と、前記支持基材上に設けられ、前記マスクと前記絶縁層との間の領域に露出する配線と、を備える半導体装置用基板を準備する基板準備工程と、
前記配線における前記マスクと前記絶縁層との間の領域に露出する部分に、半田を塗布する半田塗布工程と、
前記半田塗布工程よりも後に、前記マスクを除去するマスク除去工程と、
前記マスクが除去された前記半導体装置用基板に、前記配線に塗布された前記半田によって半導体素子を固定する素子固定工程と、
前記半導体装置用基板とそれに固定された前記半導体素子との間にアンダーフィル樹脂を充填する樹脂充填工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化・薄型化・高速化の要求に対応するため、半導体素子をフェイスダウンで直接基板等にフリップチップ接続する技術が要求されている。その中で、従来ワイヤーボンディングに使用していた半導体素子、金線等を使用して金スタッドバンプ等を半導体素子の電極パッド上に形成し、フリップチップ接続する方法が比較的低コストで実現できている。
【０００３】
これらの半導体素子と基板（半導体装置用基板）とを接続する工法はいくつかある。そのうち比較的接続信頼性が高い工法として、基板に予め半田コーティングを施した上で、熱・荷重等を印加することによって接続する方法が知られている。この工法に使用する基板においては、接続部への半田供給量や接続時の半田の挙動を安定させるために、接続部周辺の配線のみに半田をコーティングしている。そのため、半田コーティング部以外の箇所には絶縁樹脂等がコーティングされている。
【０００４】
図８（ａ）は、従来の半導体装置用基板を示す平面図である。また、図８（ｂ）は、図８（ａ）の半導体装置用基板のVIII-VIII線に沿った断面図である。図８（ａ）において、点線Ｌ１は、当該基板に載置される半導体素子の外周を示している。この基板においては、支持基材１００上に、配線１０１および絶縁層１０２，１０３が形成されている。
【０００５】
絶縁層１０２は、半導体素子と配線１０１とが接続される接合部の外側に設けられている。一方の絶縁層１０３は、接合部の内側に設けられている。これら絶縁層１０２，１０３の何れにも覆われていない部分の配線１０１が露出しており、この部分に半田１０４がコーティングされている。この半田１０４がコーティングされた部分に、半導体素子の電極パッド上に形成されたバンプを接続することにより、基板上に半導体素子がフェイスダウンで接合される。
【０００６】
また、特許文献１には、上記絶縁層１０２，１０３としてソルダーレジストを用いた半導体装置用基板が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１８６３２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般的に、半導体素子と基板の熱膨張差に起因する接合部への応力集中あるいは破断を防止するために、半導体素子と基板との間に応力緩和樹脂材料を充填する場合が多い。かかる樹脂は液状で供給されることが多く、その供給タイミングは半導体素子と基板との接合後である場合が多い。この液状樹脂の供給は、一般に、シリンジと呼ばれる筒状の容器の先端にニードルと呼ばれる細い管を付け、ニードルの先端を接合が完了した半導体素子近傍まで寄せ、圧力等によりニードル先端より液状樹脂を吐出させることにより行われる。吐出された液状樹脂は、半導体素子と基板との間を毛細管現象により浸透していく。
【０００８】
しかしながら、樹脂は接合部の内側にある絶縁層（図８では絶縁層１０３）を乗り越えなければ内部に浸透することができないため、樹脂が内部まで充分に浸透しにくいという問題があった。また、接合部においては、絶縁層がないため、絶縁層がある部分に対して窪んだ構造となっている。そのため、液状樹脂は、接合部を流動し易く、半導体素子の内部よりもその縁部を速く浸透する。その結果、半導体素子の直下に、ボイドと呼ばれる空気溜りが残存してしまう場合がある。
【０００９】
その場合、組立工程および環境試験等において発生する熱ストレス等により、ボイドを起点にクラックや剥離が発生し易くなる。かかるクラックや剥離は、半導体素子と基板との間の接続信頼性の低下につながる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による半導体装置用基板は、半導体素子が載置される半導体装置用基板であって、支持基材と、上記支持基材上の上記半導体素子と対向する領域に設けられたマスクと、上記支持基材上に設けられ、所定の間隔を置いて上記マスクを包囲する絶縁層と、上記支持基材上に設けられ、上記マスクと上記絶縁層との間の領域に露出する配線と、を備え、上記マスクは、上記絶縁層に対して選択的に除去可能であることを特徴とする。
【００１１】
この半導体装置用基板においては、支持基材上の半導体素子と対向する領域に、絶縁層に対して選択的に除去可能なマスクが設けられている。このため、配線に半田を塗布した後にこのマスクを除去することにより、半導体素子が載置された際に、半導体素子と半導体装置用基板との接合部の内側にマスクが存在しない構造の半導体装置を実現することができる。かかる構造の半導体装置であれば、応力緩和用のアンダーフィル樹脂を接合部の内側まで充分に浸透させることができる。
【００１２】
上記マスクと上記絶縁層とは、相異なる材料によって形成されていてもよい。この場合、例えば、マスクのエッチングレートが絶縁層に対して高くなるようなエッチャントを用いてエッチングすることにより、絶縁層を残してマスクを除去することが容易となる。
【００１３】
本発明による半導体装置は、支持基材と、上記支持基材と対向するように設けられた半導体素子と、上記半導体素子の上記支持基材と対向する側の面上に設けられ、当該半導体装置の縁部に沿って配列された複数の接続端子と、上記支持基材上に設けられ、上記各接続端子と接続された配線と、上記支持基材上に設けられ、上記接続端子と上記配線とが互いに接続された接合部を包囲する絶縁層と、上記支持基材と上記半導体素子との間に充填されたアンダーフィル樹脂と、を備え、上記アンダーフィル樹脂は、上記支持基材上の上記接合部よりも内側の領域において、上記支持基材上に直接に設けられていることを特徴とする。
【００１４】
この半導体装置においては、アンダーフィル樹脂が、支持基材上の接合部よりも内側の領域において、支持基材上に直接に設けられている。これにより、接合部の内側まで充分に浸透したアンダーフィル樹脂を備える半導体装置が実現される。
【００１５】
本発明による半導体装置用基板の製造方法は、半導体素子が載置される半導体装置用基板を製造する方法であって、支持基材上に上記半導体素子と接続される配線を形成する配線形成工程と、上記支持基材上の上記半導体素子と対向する領域にマスクを形成するマスク形成工程と、所定の間隔を置いて上記マスクを包囲するように、上記支持基材上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を含み、上記マスク形成工程においては、上記絶縁層に対して選択的に除去可能なマスクを形成することを特徴とする。
【００１６】
この製造方法では、マスク形成工程において、支持基材上の半導体素子と対向する領域に、絶縁層に対して選択的に除去可能なマスクを形成する。このため、配線に半田を塗布した後にこのマスクを除去することにより、半導体素子が載置された際に、半導体素子と半導体装置用基板との接合部の内側にマスクが存在しない構造の半導体装置を実現することができる。かかる構造の半導体装置であれば、応力緩和用のアンダーフィル樹脂を接合部の内側まで充分に浸透させることができる。
【００１７】
本発明による半導体装置の製造方法は、支持基材と、上記支持基材上の上記半導体素子と対向する領域に設けられたマスクと、上記支持基材上に設けられ、所定の間隔を置いて上記マスクを包囲する絶縁層と、上記支持基材上に設けられ、上記マスクと上記絶縁層との間の領域に露出する配線と、を備える半導体装置用基板を準備する基板準備工程と、上記配線における上記マスクと上記絶縁層との間の領域に露出する部分に、半田を塗布する半田塗布工程と、上記半田塗布工程よりも後に、上記マスクを除去するマスク除去工程と、上記マスクが除去された上記半導体装置用基板に、上記配線に塗布された上記半田によって半導体素子を固定する素子固定工程と、上記半導体装置用基板とそれに固定された上記半導体素子との間にアンダーフィル樹脂を充填する樹脂充填工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
この製造方法では、マスク除去工程において、支持基材上の半導体素子と対向する領域に設けられたマスクを除去する。そして、そのマスクが除去された半導体装置用基板に半導体素子を固定する。これにより、樹脂充填工程においては、アンダーフィル樹脂を接合部の内側まで充分に浸透させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、半導体素子との間で高い接続信頼性を得ることができる半導体装置用基板およびその製造方法、ならびに半導体装置用基板と半導体素子との間で高い接続信頼性が得ることができる半導体装置およびその製造方法が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明による半導体装置用基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２１】
図１（ａ）は、本発明による半導体装置用基板の一実施形態を示す平面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）の半導体装置用基板のI-I線に沿った断面図である。半導体装置用基板１は、支持基材１０、配線２０、マスク３０、および絶縁層４０を備えている。この半導体装置用基板１は、図示しない半導体素子が載置される基板である。同図において、半導体素子が載置されたときに当該半導体素子の外周に相当する部分を点線Ｌ１で示している。
【００２２】
支持基材１０上の半導体素子と対向する領域には、マスク３０が設けられている。また、支持基材１０上には、絶縁層４０が設けられている。この絶縁層４０は、マスク３０と所定の間隔を置いてマスク３０を包囲している。ここで、マスク３０は、絶縁層４０に対して選択的に除去可能である。マスク３０は、例えば絶縁層４０とは相異なる材料によって形成されている。マスク３０および絶縁層４０の材料としてはそれぞれ、例えば、金属および樹脂を用いてもよい。
【００２３】
支持基材１０上には、配線２０も設けられている。この配線２０は、半導体素子と接続される基板配線である。配線２０は、その一部がマスク３０と絶縁層４０との間の領域に露出している。すなわち、配線２０は、上記領域を渡って、マスク３０が設けられた領域から絶縁層４０が設けられた領域まで延びている。また、配線２０が露出した上記領域は、上述の半導体素子と配線２０とが接続される接合部となる。
【００２４】
図２は、図１（ａ）の点線Ｌ２で囲まれた部分を示す平面図である。図２に示すように、配線２０は、その一部分の配線幅が他の部分の配線幅よりも広い。具体的には、配線２０におけるマスク３０と絶縁層４０との間の領域に露出する部分は、その一部分の配線幅が他の部分よりも広い。また、この一部分すなわち配線２０における配線幅が比較的広い部分は、半導体素子と接続される部分に相当する。
【００２５】
次に、本発明による半導体装置用基板の製造方法の一実施形態として、半導体装置用基板１の製造方法を説明する。まず、支持基材１０上の所定位置に配線２０を形成する（配線形成工程）。この配線形成工程においては、配線２０におけるマスク３０と絶縁層４０との間の領域に露出する部分のうち一部分の配線幅が他の部分よりも広くなるように、配線２０を形成する。
【００２６】
その後、支持基材１０の半導体素子と対向する領域にマスク３０を形成する（マスク形成工程）。このマスク形成工程においては、絶縁層４０に対して選択的に除去可能なマスク３０を形成する。例えば、絶縁層４０とは相異なる材料によってマスク３０を形成する。また、所定の間隔を置いてマスク３０を包囲するように、支持基材１０上に絶縁層４０を形成する（絶縁層形成工程）。以上により、図１（ａ）および図１（ｂ）に示す半導体装置用基板１を得る。なお、マスク形成工程と絶縁層形成工程とは、どちらを先に実行してもよい。
【００２７】
本実施形態の効果を説明する。半導体装置用基板１においては、支持基材１０上の半導体素子と対向する領域に、絶縁層４０に対して選択的に除去可能なマスク３０が設けられている。また、半導体装置用基板１の製造方法では、マスク形成工程において、支持基材１０上の半導体素子と対向する領域に、絶縁層４０に対して選択的に除去可能なマスク３０を形成している。
【００２８】
このため、配線２０に半田を塗布した後にマスク３０を除去することにより、半導体素子が載置された際に、半導体素子と半導体装置用基板１との接合部の内側にマスク３０が存在しない構造の半導体装置を実現することができる。かかる構造の半導体装置であれば、応力緩和用のアンダーフィル樹脂を接合部の内側まで充分に浸透させることができる。これにより、ボイドの発生が抑えられるため、半導体装置用基板１と半導体素子との間で高い接続信頼性を得ることができる。
【００２９】
一方、図８（ａ）および図８（ｂ）に示す半導体装置用基板を用いた半導体装置では、接合部の内側に絶縁層１０３が残存するため、この絶縁層１０３によって接合部の内側への樹脂の浸透が阻害されてしまう。これに対して、半導体装置用基板１を用いた半導体装置では、接合部の内部への樹脂の浸透を遮る絶縁層等が存在しない。これにより、アンダーフィル樹脂が半導体素子の中心部まで浸透し易い構造の半導体装置が実現される。
【００３０】
また、半導体装置用基板１においては、接合部の内側および外側にそれぞれマスク３０および絶縁層４０が設けられているため、配線２０に半田を塗布する際に、配線２０の必要な部分にのみ安定的に半田を供給することができる。すなわち、安定した半田コーティングが可能となる。
【００３１】
マスク３０と絶縁層４０とを相異なる材料によって形成した場合、例えば、マスク３０のエッチングレートが絶縁層４０のそれによりも高くなるようなエッチャントを用いてエッチングすることにより、絶縁層４０を残してマスク３０を除去することが容易となる。
【００３２】
配線２０におけるマスク３０と絶縁層４０との間の領域に露出する部分は、その一部分の配線幅が他の部分よりも広くなっている。これにより、半導体装置用基板１に半導体素子を接続する際の半田溶融時に、その一部分が半田溜り部として機能する。このため、配線２０における半田が塗布されていない部分へと半田が流入するのを防ぐことができる。ただし、配線２０の一部分の配線幅を比較的広くすることは必須ではなく、配線２０の配線幅は一定であってもよい。
【００３３】
配線２０における配線幅が比較的広い部分は、半導体素子と接続される部分に相当している。これにより、半田が必要な部分に半田を集中させることができるので、半導体装置用基板１と半導体素子との接続信頼性が一層向上する。
【００３４】
図３は、本発明による半導体装置の一実施形態を示す断面図である。半導体装置６は、支持基材１０、配線２０、絶縁層４０、半導体素子５０、バンプ５２（接続端子）、およびアンダーフィル樹脂６０を備えている。支持基材１０、配線２０および絶縁層４０それぞれの構成は、半導体装置用基板１におけるものと同様である。これらの支持基材１０、配線２０および絶縁層４０は、半導体装置用基板を構成している。半導体装置６における半導体装置用基板は、半導体装置用基板１からマスク３０を除去したものに相当する。
【００３５】
半導体素子５０は、支持基材１０と対向するように設けられている。半導体素子５０の支持基材１０と対向する側の面上には、バンプ５２が複数設けられている。これらのバンプ５２は、半導体素子５０の縁部に沿って配列されている。配線２０は、半田２２によって各バンプ５２と接続されている。すなわち、半導体素子５０は、半導体装置用基板にフリップチップ実装されている。
【００３６】
また、支持基材１０と半導体素子５０との間には、応力緩和用のアンダーフィル樹脂６０が充填されている。アンダーフィル樹脂６０は、支持基材１０上の半導体素子５０との接合部よりも内側の領域において、支持基材１０上に直接に設けられている。具体的には、絶縁層４０によって囲まれた領域のうち配線２０が形成されていない領域（配線非形成領域）においては、支持基材１０上に直接、アンダーフィル樹脂６０が設けられている。
【００３７】
次に、図４〜図７を参照しつつ、本発明による半導体装置の製造方法の一実施形態として、図３に示される半導体装置６の製造方法を説明する。まず、図１（ａ）および図１（ｂ）に示す半導体装置用基板１を準備する（基板準備工程）。その後、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、配線２０におけるマスク３０と絶縁層４０との間の領域に露出する部分に、半田２２を塗布する（半田塗布工程）。図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるIV-IV線に沿った断面を示している。また、半田２２が塗布された後の配線２０の様子を図５に示す。同図は、図２と同様の部分を示している。
【００３８】
続いて、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、半導体装置用基板１からマスク３０を除去する（マスク除去工程）。この除去は、例えばエッチングによって行われる。図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるVI-VI線に沿った断面を示している。また、マスク３０が除去された後の配線２０の様子を図７に示す。同図は、図２および図５と同様の部分を示している。マスク３０が除去されたことにより、配線２０における半田２２が塗布されていない部分２０ａが露出している。
【００３９】
その後、マスク３０が除去された半導体装置用基板に、配線２０に塗布された半田２２によって半導体素子５０を固定する（素子固定工程）。半導体装置用基板と半導体素子５０との接合は、熱、荷重もしくは超音波等、またはこれらの組合せを与えることにより、行うことができる。続いて、半導体装置用基板とそれに固定された半導体素子５０との間にアンダーフィル樹脂６０を充填する（樹脂充填工程）。この充填は、アンダーフィル樹脂６０となる樹脂を液状の状態で半導体素子５０の外側から、半導体装置用基板と半導体素子５０との間隙に供給した後、その樹脂を硬化させることにより行うことができる。以上により、図３に示す半導体装置６を得る。
【００４０】
また、図３の半導体装置６において、配線２０は、支持基材１０上の半導体素子５０と対向する領域の中央部に向かって延在していてもよい。さらに、上記中央部に向かって延在する配線２０は、支持基材１０の中に形成されているビアおよび配線によって、支持基材１０の下面に設けられた外部接続端子に接続されていてもよい。このような構成の半導体装置８を図９に示す。図９の半導体装置８は、図３の半導体装置６と比較して、以下の点で異なっている。すなわち、配線２０は上記中央部に向かって延びており、また、配線２０は、支持基材１０の中に形成されているビア６２、６６、７０および配線６４、６８、７２を介して、支持基材１０の下面に設けられている外部接続端子（半田ボール）７６に接続されている。なお、外部接続端子７６は支持基材１０の下面に設けられている絶縁層７４中に形成された開口部７８を通じて、配線７２に接続している。
【００４１】
本実施形態の効果を説明する。半導体装置６においては、アンダーフィル樹脂６０が、支持基材１０上の接合部よりも内側の領域において、支持基材１０上に直接に設けられている。これにより、接合部の内側まで充分に浸透したアンダーフィル樹脂６０を備える半導体装置６が実現されている。また、本実施形態に係る製造方法では、マスク除去工程において、支持基材１０上の半導体素子５０と対向する領域に設けられたマスク３０を除去している。そして、マスク３０が除去された半導体装置用基板に半導体素子５０を固定している。これにより、樹脂充填工程においては、アンダーフィル樹脂６０を接合部の内側まで充分に浸透させることができる。
【００４２】
このため、本実施形態によれば、半導体装置用基板と半導体素子５０との間の接続信頼性が高い半導体装置６を得ることができる。
【００４３】
また、半田塗布工程においては、接合部の内側および外側にそれぞれマスク３０および絶縁層４０が設けられているため、配線２０の必要な部分にのみ安定的に半田を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】（ａ）は、本発明による半導体装置用基板の一実施形態を示す平面図である。（ｂ）は、（ａ）の半導体装置用基板のI-I線に沿った断面図である。
【図２】図１（ａ）の一部分を示す平面図である。
【図３】本発明による半導体装置の一実施形態を示す断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、本発明による半導体装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図５】図４（ａ）の一部分を示す平面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、本発明による半導体装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図７】図６（ａ）の一部分を示す平面図である。
【図８】（ａ）は、従来の半導体装置用基板を示す平面図である。（ｂ）は、（ａ）の半導体装置用基板のVIII-VIII線に沿った断面図である。
【図９】本発明による半導体装置の一実施形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１    半導体装置用基板
６    半導体装置
８    半導体装置
１０    支持基材
２０    配線
２２    半田
３０    マスク
４０    絶縁層
５０    半導体素子
５２    バンプ
６０    アンダーフィル樹脂
６２    ビア
６４    配線
６６    ビア
６８    配線
７０    ビア
７２    配線
７４    絶縁層
７６    外部接続端子（半田ボール）
７８    開口部
１００  支持基材
１０１  配線
１０２  絶縁層
１０３  絶縁層
１０４  半田
Ｌ１    半導体素子の外周
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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