(57)【要約】【課題】反射係数│κ12│／ｋ0が適度に小さく、電気機械結合係数Ｋ2が大きく、所望とする帯域幅を有し、かつ通過帯域低域側におけるスプリアスを抑制でき、挿入損失の増大を図り得る弾性境界波装置を提供する。【解決手段】圧電体２の上面２ａに複数本の溝２ｂが形成されており、該複数本の溝２ｂに金属が充填されてＩＤＴ電極４が形成されており、ＩＤＴ電極４及び圧電体２の上面２ａに誘電体３が形成されており、誘電体２と圧電体３との境界を伝搬するＳＨ型の弾性境界波を利用しており、弾性境界波の波長λとしたときに、ＩＤＴ電極４の厚みＨがＨ＞８２６１．７４４ρ-1.376であり、かつ密度ρがρ＞３７４５ｋｇ／ｍ3であり、ＩＤＴ電極の厚みＨが溝２ｂの深さと異なっている、弾性境界波装置１。【選択図】図１
2008294538.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体と、
前記圧電体の上面に形成された複数本の溝と、
前記複数本の溝に金属が充填されて形成されたＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極と前記圧電体の上面を覆うように形成されている誘電体とを備え、
前記誘電体と圧電体との境界を伝搬するＳＨ型の弾性境界波を利用しており、
弾性境界波の波長をλ、λで規格化されたＩＤＴ電極の厚みをＨ、ＩＤＴ電極の密度をρ（ｋｇ／ｍ3）とすると、Ｈ＞８２６１．７４４ρ-1.376であり、かつ、ρ＞３７４５ｋｇ／ｍ3であり、ＩＤＴ電極の厚みＨが前記溝の深さと異なっていることを特徴とする、弾性境界波装置。
【請求項２】
前記ＩＤＴ電極の厚みＨが前記溝の深さより大きくされている、請求項１に記載の弾性境界波装置。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極の厚みＨが前記溝の深さより小さくされている、請求項１に記載の弾性境界波装置。
【請求項４】
前記誘電体が堆積法により形成されている、請求項１または２に記載の弾性境界波装置。
【請求項５】
圧電体の上面に、複数の開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとしてエッチングすることにより前記圧電体の上面に前記複数の開口部に応じて複数本の溝を形成する工程と、
前記溝の深さと異なる厚みの金属膜を前記圧電体及びレジスト膜上に成膜する工程と、
レジスト膜を除去するとともにレジスト膜上の不要金属膜を除去し、前記溝に充填された前記金属膜により複数本の電極指を有するＩＤＴ電極を形成する工程と、
前記ＩＤＴ電極及び前記圧電体を覆うように堆積法により誘電体膜を成膜する工程とを備えることを特徴とする弾性境界波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば共振子や帯域フィルタとして用いられる弾性境界波装置及びその製造方法に関し、より詳細には、ＳＨ型の弾性境界波を利用した弾性境界波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波装置に代わり、小型化を図り得るため弾性境界波装置が注目されている。弾性境界波装置では、固体からなる第１，第２の媒質間にＩＤＴ電極が配置されており、第１，第２の媒質間の境界を伝搬する弾性境界波が利用される。
【０００３】
例えば下記の特許文献１には、図９に示す弾性境界波装置１００１が開示されている。弾性境界波装置１００１では、ＬｉＮｂＯ3からなる圧電体１００２と、ＳｉＯ2からなる誘電体１００３とが積層されている。圧電体１００２と誘電体１００３との界面に、Ａｕのような密度の大きい金属により形成されたＩＤＴ電極１００４及び反射器１００５，１００６が形成されている。ＩＤＴ電極１００４として、Ａｕのような密度の大きい金属を用いることにより、ＩＤＴ電極１００４が設けられている部分に振動エネルギーを集中させて弾性境界波が励振される。
【０００４】
特許文献１に記載の弾性境界波装置では、好ましくは、ＩＤＴ電極の膜厚Ｈ、密度ρとしたときに、Ｈ＞８２６１．７４４ρ-1.376かつρ＞３７４５ｋｇ／ｍ3とされている。Ｈ＞８２６１．７４４ρ-1.376とすることにより、伝搬損失を０としてＳＨ型の弾性境界波を伝搬させることができ、密度ρを上記特定の値以上とすることにより、伝搬損失を小さくし得る旨が示されている。
【特許文献１】ＷＯ２００４／０７０９４６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のように、ＬｉＮｂＯ3からなる圧電体１００２と、ＳｉＯ2からなる誘電体１００３との境界にＡｕからなるＩＤＴ電極１００４を設けた構造では、例えば弾性境界波の波長をλとし、ＩＤＴ電極１００４の厚みを０．０６λとし、デューティ比を０．６とした場合、ＩＤＴの電極指の反射量の指標である反射係数│κ12│／ｋ0が約０．１７５程度と大きかった。ここで、反射係数│κ12│／ｋ0とは、電極指の反射量の指標であり、κ12はモード結合理論に基づくモード間結合係数を示し、ｋ0はＩＤＴ電極を伝搬する弾性境界波の波数２π／λを示す。
【０００６】
従来、携帯電話機のＲＦ段に用いられている弾性表面波フィルタ装置では、ＬｉＴａＯ3基板上にＡｌからなるＩＤＴ電極を設けた構造が多用されていた。この構造では、漏洩弾性表面波の反射係数κ12／ｋ0の絶対値は０．０３〜０．０４程度にすぎなかった。
【０００７】
これに対して、特許文献１に記載の弾性境界波装置１００１では、上記のように、ＡｕからなるＩＤＴ電極を用いることにより、反射係数κ12／ｋ0の絶対値を大きくすることができる。上記反射係数が大きくなると、反射器１００５，１００６における阻止域を広くすることができる。従って、ＩＤＴ電極１００４が設けられている領域の弾性境界波伝搬方向両側に反射器を配置した縦結合共振子型のフィルタを構成した場合、広帯域化を容易に図ることができる。また、反射器における電極指の本数を少なくすることができ、小型化を進め得る。
【０００８】
しかしながら、共振子型の弾性境界波フィルタ装置を構成した場合、ＩＤＴ電極１００４の阻止域近傍に通過域が形成されることになるため、阻止域の幅が広いほど、電極指の線幅や膜厚のばらつきにより周波数ばらつきが大きくなるという問題があった。
【０００９】
なお、ＩＤＴ電極１００４の阻止域端とは、ＩＤＴ電極のプラス側の端子とマイナス側の端子とを短絡してグレーティング反射器としたときの阻止域の上端または下端を示すものとし、κ12が正のときは下端、負のときは上端となる。
【００１０】
また、上記縦結合共振子型の弾性境界波フィルタを構成した場合、κ12が正の場合、ＩＤＴ電極１００４の放射コンダクタンス特性がフィルタの通過帯域よりも低域側にピークを有する。従って、通過帯域の低域側において大きなスプリアスが発生し、通過帯域低域側の阻止域における減衰量が劣化するという問題があった。
【００１１】
上記ＩＤＴ電極１００４の放射コンダクタンスのピークによるスプリアスを小さくするには、反射係数│κ12│／ｋ0を小さくする方法及び電気機械結合係数Ｋ2を小さくする方法が挙げられる。しかしながら、電気機械結合係数Ｋ2を小さくすると、弾性境界波装置の挿入損失が増大することとなる。逆に、反射係数│κ12│／ｋ0を小さくすると、弾性境界波が高速化し、伝搬損失が大きくなり、やはり挿入損失が劣化する。
【００１２】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、反射係数κ12／ｋ0の絶対値を適度に小さくすることができ、かつ電気機械結合係数Ｋ2が比較的大きく、従って、適度な帯域幅を有し、かつ挿入損失を低減することが可能とされている、弾性境界波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る弾性境界波装置は、主成分とする圧電体と、前記圧電体の上面に形成された複数本の溝と、前記複数本の溝に金属が充填されて形成されたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極と前記圧電体の上面を覆うように形成されている誘電体とを備え、前記誘電体と圧電体との境界を伝搬するＳＨ型の弾性境界波を利用しており、弾性境界波の波長をλ、λで規格化されたＩＤＴ電極の厚みをＨ、ＩＤＴ電極の密度をρ（ｋｇ／ｍ3）とすると、Ｈ＞８２６１．７４４ρ-1.376であり、かつ、ρ＞３７４５ｋｇ／ｍ3であり、ＩＤＴ電極の厚みＨが前記溝の深さと異なっていることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る弾性境界波装置では、ＩＤＴ電極の厚みＨは、上記溝の深さより大きくされていてもよい。この場合には、反射係数│κ12│／ｋ0の低下量を小さくするように調整することができる。
【００１５】
逆に、本発明においては、ＩＤＴ電極の厚みＨは上記溝の深さより小さくされてもよい。この場合には、反射係数│κ12│／ｋ0の低下量を大きくすることができる。
【００１６】
また、本発明に係る弾性境界波装置では、好ましくは、上記誘電体は堆積法により形成された誘電体である。従って、溝の深さに対するＩＤＴ電極の厚みの如何にかかわらず、ＩＤＴ電極の上面及び圧電体の上面を誘電体により確実に被覆することができる。よって、溝の深さに対するＩＤＴ電極の厚みの変更が容易である。
【００１７】
本発明に係る弾性境界波装置の製造方法は、圧電体の上面に、複数の開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとしてエッチングすることにより前記圧電体の上面に前記複数の開口部に応じて複数本の溝を形成する工程と、前記溝の深さと異なる厚みの金属膜を前記圧電体及びレジスト膜上に成膜する工程と、レジスト膜を除去するとともにレジスト膜上の不要金属膜を除去し、前記溝に充填された前記金属膜により複数本の電極指を有するＩＤＴ電極を形成する工程と、前記ＩＤＴ電極及び前記圧電体を覆うように堆積法により誘電体膜を成膜する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る弾性境界波装置では、圧電体の上面に形成された複数本の溝に金属が充填されてＩＤＴ電極が形成されており、ＩＤＴ電極の厚みＨ及び密度ρが、Ｈ＞８２６１．７４４ρ-1.376かつρ＞３７４５ｋｇ／ｍ3とされており、かつＩＤＴ電極の厚みＨが溝の深さと異なっているため、反射係数│κ12│／ｋ0を適度に小さくすることができ、かつ、電気機械結合係数Ｋ2を大きくすることができる。よって、ＩＤＴ電極の放射コンダクタンスのピークによるスプリアスを小さくすることができ、通帯域低域側における減衰量の劣化並びに挿入損失の劣化を抑制することが可能となる。
【００１９】
よって、様々な用途に応じた適度な帯域幅を有し、かつ挿入損失が小さい弾性境界波装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２１】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置を示す模式的正面断面図及びその電極構造を示す模式的平面図である。
【００２２】
弾性境界波装置１は、ＬｉＮｂＯ3を主成分とする圧電体２と、ＳｉＯ2からなる誘電体３とを有する。圧電体２の上面２ａには、複数の溝２ｂが形成されている。この複数本の溝２ｂに金属が充填されて、ＩＤＴ電極４及び反射器５，６が形成されている。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極４は、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する。また、反射器５，６は、複数本の電極指の両端を短絡した構造を有する。
【００２４】
本実施形態では、ＩＤＴ電極４及び反射器５，６は、Ａｕからなる。
【００２５】
弾性境界波装置１の特徴は、圧電体２の上面２ａに設けられた溝２ｂに金属を充填することによりＩＤＴ電極４が形成されていること、並びに弾性境界波の波長λで規格化されたＩＤＴ電極４の厚みをＨ、密度ρ（ｋｇ／ｍ3）とした場合、Ｈ＞８２６１．７４４ρ-1.376かつρ＞３７４５ｋｇ／ｍ3とされていること、ＩＤＴ電極４の厚みＨが、溝２ｂの深さと異なっていることにある。それによって、反射係数│κ12│／ｋ0が適度に小さくされ、かつ電気機械結合係数Ｋ2（％）が十分に大きくされる。そのため、適度な帯域幅を有し、かつ通過帯域低域側の所望でないスプリアスを抑制して減衰量の拡大を図ることができ、さらに挿入損失の劣化を抑制することが可能とされている。これをより具体的に説明する。
【００２６】
弾性境界波装置１では、積層構造を上方から順にＳｉＯ2／Ａｕ／ＬｉＮｂＯ3と表わしたとき、ＳｉＯ2の密度が２２１０ｋｇ／ｍ3であり、Ａｕの密度が１９３００ｋｇ／ｍ3であり、ＬｉＮｂＯ3の密度が４７００ｋｇ／ｍ3であるため、低密度層／高密度層／中密度層の積層構造とされている。そして、ＩＤＴ電極４は、溝２ｂ内に金属を充填することにより形成されているので、中密度層であるＬｉＮｂＯ3の溝内に高密度のＡｕが埋め込まれていることになる。
【００２７】
下記の表１に、本実施形態の弾性境界波装置の仕様を示す。
【００２８】
【表１】
2008294538.tif 000003
【００２９】
上記弾性境界波装置１の阻止域下端からの音速Ｖs1、電気機械結合係数Ｋ2及び反射係数│κ12│／ｋ0を以下のようにして求めた。
【００３０】
計算は、「周期構造圧電性導波路の有限要素法解析」（電子通信学会論文誌vol.J68-C No1,1985/1,pp.21-27）に提案されている有限要素法を拡張して、図１に示すように半波長区間に１本のストリップを配置し、電気的に解放したストリップと短絡したストリップの阻止域上端と阻止域下端における各音速を求めた。解放ストリップ下端の音速をＶo1、上端の音速をＶo2、短絡ストリップの阻止域下端の音速をＶs1、上端の音速をＶs2とする。境界波の振動はＩＤＴの上下１λ付近に大半のエネルギーを集中しているので、今回は上下方向に十分大きな８λを解析領域として、表面と裏面の境界条件は弾性的に固定とした。次に、「モード結合理論による弾性表面波すだれ状電極の励振特性評価」（電子情報通信学会技術研究報告，NW90-62,1990,pp.69-74）に提案されている方法に基づき、ストリップにおける境界波の反射量を表わす│κ12│／ｋ0と電気機械結合係数Ｋ2とを求めた。なお、κ12はモード結合理論に基づくモード間結合係数を示し、ｋ0はＩＤＴ電極を伝搬する弾性波の波数２π／λを示す。なお、前記文献で扱った構造に比べると、表１の構造では音速の周波数分散が大きいため、κ12／ｋ0は周波数分散の影響を考慮して求めた。また、ＴＣＤは、１５、２５、３５℃における短絡ストリップの阻止域下端の位相速度Ｖ15℃、Ｖ25℃、Ｖ35℃より式〔１〕により求めた。
【００３１】
【数１】
2008294538.tif 000004
【００３２】
ここで、αsは境界波伝搬方向におけるＬｉＮｂＯ3基板の線膨張係数である。
【００３３】
上記計算により求めた弾性境界波装置１の弾性境界波の特性を下記の表２に示す。
【００３４】
【表２】
2008294538.tif 000005
【００３５】
表２から明らかなように、反射係数│κ12│／ｋ0は０．１３３であり、電気機械結合係数Ｋ2は１８．６％である。
【００３６】
比較のために、図９に示した従来の弾性境界波装置について、上記実施形態の計算条件に相当する同下記の表３に示す計算条件に従って上記実施形態の場合と同様にして計算して、弾性境界波の伝搬特性を求めた。結果を下記の表４に示す。
【００３７】
【表３】
2008294538.tif 000006
【００３８】
【表４】
2008294538.tif 000007
【００３９】
表４から明らかなように、同弾性境界波装置１００１では、反射係数│κ12│／ｋ0は０．１７５と大きく、電気機械結合係数Ｋ2（％）は１５．８％であった。
【００４０】
従って、表２の結果と表４の結果とを比較すれば明らかなように、従来の弾性境界波装置１００１に比べ、上記実施形態の弾性境界波装置１では、反射係数κ12／ｋ0が０．１７５から０．１３３小さくされており、かつ電気機械結合係数Ｋ2は、１５．８％から１８．６％に増大されていることがわかる。よって、適度な帯域幅を確保しつつ、挿入損失の低減を図り得ることがわかる。
【００４１】
次に、上記実施形態の弾性境界波装置１によれば、従来の弾性境界波装置１００１において生じていた通過帯域低域側のスプリアスを抑制し得ることを説明する。これは、反射係数│κ12│／ｋ0が適度に小さくされていることによる。これを、図４〜図７を参照して説明する。
【００４２】
図４は、上記比較例として用意した従来の弾性境界波装置１００１の減衰量−周波数特性を示す図であり、ここでは、通過帯域低域側に矢印Ａで示す大きなスプリアスが現れている。他方、図５は、弾性境界波装置１において、反射係数│κ12│／ｋ0が０．１０または０．１５の場合の減衰量周波数特性を計算により求めた図である。図５から明らかなように、反射係数│κ12│／ｋ0が０．１５及び０．１０のいずれの場合においても、すなわち０．１５以下の場合には、図４に矢印Ａで示されていたスプリアスが存在しないことがわかる。よって、上記実施形態においても、上記反射係数│κ12│／ｋ0が０．１３３であるため、図５に示した０．１５または０．１０の場合と同様に、上記スプリアスＡが現れていないことが予想される。
【００４３】
図６及び図７は、上記弾性境界波装置におけるＩＤＴ単体のコンダクタンス特性を示す図である。図６において、実線は、κ12が０．１５、０．１０または０．０５の場合の結果を示し、比較のために、ＬｉＴａＯ3基板を用い、ＩＤＴのκ12が０．０３である漏洩弾性表面波を利用した表面波装置におけるＩＤＴ単体のコンダクタンス特性を合わせて示している。また、図７は、電気機械結合係数Ｋ2が１３％、９％及び４％の場合のＩＤＴ単体のコンダクタンス特性を示し、比較のために、電気機械結合係数Ｋ2が９．３％であるＬｉＴａＯ3基板を用いた表面波装置におけるＩＤＴ単体のコンダクタンス特性を合わせて示す。
【００４４】
図６から明らかなように、κ12を小さくすると、通過帯域低域側におけるスプリアス応答付近におけるＩＤＴのコンダクタンス値が小さくなり、スプリアスを抑制することができる。他方、通過帯域におけるＩＤＴのコンダクタンス値は大きくなるので、通過帯域におけるＩＤＴの電気音響変換性能が良化し、低損失化を果たすことができる。
【００４５】
もっとも、図７から明らかなように、単純に電気機械結合係数Ｋ2を小さくしたとしても、コンダクタンス値は全体的に小さくなるだけであり、コンダクタンス特性の形状自体は変化しないことがわかる。従って、通過帯域低域側のスプリアスを抑制するために電気機械結合係数Ｋ2を小さくしたとしても、通過帯域におけるＩＤＴの電気音響変換性能も劣化し、損失が増大することがわかる。
【００４６】
よって、│κ12│／ｋ0は、要求される弾性境界波装置のサイズや周波数特性に対して適切な値とすることが必要であることがわかる。
【００４７】
すなわち、反射係数│κ12│／ｋ0を要求される弾性境界波装置のサイズや周波数特性に対して適度に小さな値とすることにより、通過帯域低域側のスプリアスを抑制し、挿入損失をそれによっても低減し得ることがわかる。
【００４８】
次に、上記実施形態の弾性境界波装置１の製造方法の一例を図２及び図３を参照して説明する。
【００４９】
図２（ａ）に示すように、ＬｉＮｂＯ3からなる圧電体２を用意する。次に、圧電体２の上面に、フォトレジストを塗工し、フォトリソグラフィ法によりパターニングする。このようにして、図２（ｂ）に示すように、レジストパターン７を形成する。レジストパターン７は、複数の開口部７ａを有する。複数の開口部７ａは、ＩＤＴ電極４及び反射器５，６の複数本の電極指及び電極指外の電極部分に相当する平面形状を有する。
【００５０】
次に、上記フォトレジストパターン７をマスクとして、イオンビームを照射し、図２（ｃ）に示すように、圧電体２の上面２ａに複数本の溝２ｂを形成する。このイオンビームの照射により、圧電体２の上面２ａが掘り込まれ、複数本の溝２ｂが形成されるとともに、レジストパターン７の厚みが薄くされる。
【００５１】
なお、イオンビームを照射に際しては、溝２ｂが形成される限り、レジストパターン７の厚みは薄くされずともよい。
【００５２】
次に、電子ビーム蒸着法によりＡｕを蒸着し、金属膜としてのＡｕ膜８を形成する。この金属膜８の内、溝２ｂ内に充填されているＡｕにより、ＩＤＴ電極４及び反射器５，６が形成される（図２（ｄ）参照）。
【００５３】
しかる後、リフトオフ法により、レジストパターン７とレジストパターン７上の不要金属膜８を除去する。このようにして、図３（ａ）に示すように、圧電体２の上面２ａに設けられた複数本の溝に金属としてのＡｕを充填することによりＩＤＴ電極４及び反射器５，６が形成される。しかる後、スパッタリング等の堆積法により誘電体としてのＳｉＯ2を成膜し、図３（ｂ）に示す誘電体３を形成する。このようにして、上記実施形態の弾性境界波装置１を得ることができる。
【００５４】
なお、上記金属膜８の厚みは、溝２ｂの深さよりも薄くされている。従って、本実施形態では、ＩＤＴ電極４の厚みＨは溝２ｂの深さよりも小さくされている。このように、溝２ｂの深さと、ＩＤＴ電極４の厚みＨとが等しくされておらず異なっている。従って、ＩＤＴ電極４の厚みＨにより反射係数│κ12│／ｋ0を容易に調整することができる。
【００５５】
加えて、本実施形態では、ＩＤＴ電極４の厚みＨが溝２ｂの厚みより小さいため、反射係数│κ12│／ｋ0の低下量を大きくすることができる。この場合、ＩＤＴ電極４の厚みに対し、溝２ｂの深さをより大きくすると、ＩＤＴ電極の厚みＨを厚くした場合においても、反射係数│κ12│／ｋ0の増大を抑制することができる。従って、電極指の抵抗による電気抵抗の低下と、反射係数│κ12│／ｋ0の低減の両立を果たすことができ、望ましい。
【００５６】
例えば、本発明においては、上記実施形態とは異なり、図８に示す変形例のように、ＩＤＴ電極４の厚みＨが、溝の深さよりも大きくともよい。この場合においても、反射係数│κ12│／ｋ0を調整することができる。
【００５７】
図８に示したように、ＩＤＴ電極４の厚みＨが溝２ｂの深さよりも大きくされている場合には、反射係数│κ12│／ｋ0の低下量を小さくすることができる。よって、要求される帯域幅やサイズに応じて、上記ＩＤＴ電極４の厚みＨを、溝２ｂの深さに対して大きくしたり、小さくしたりすればよい。いずれにしても、上記製造方法のように、堆積法により誘電体３を形成する場合、ＩＤＴ電極４の厚みが溝２ｂの深さよりも大きくとも小さくとも、確実に、誘電体３を堆積法により形成して、ＩＤＴ電極４及び圧電体２の上面を確実に被覆することができる。
【００５８】
本実施形態では、弾性境界波の波長λで規格化されたＩＤＴ電極の厚みＨがＨ＞８２６１．７４４ρ-1.376とされているため、ストンリー波によるスプリアスを効果的に抑圧しつつ、ＳＨ型の弾性境界波を伝搬させることができる。また、密度ρは、ρ＞３７４５ｋｇ／ｍ3となるので、伝搬損失が０となる電極の膜厚を小さくすることができ、電極の形成が容易とされている。このようなＨ＞８２６１．７４４ρ-1.376による効果、及びρ＞３７４５ｋｇ／ｍ3とされていることによる効果は、前述した特許文献１に記載されている通りである。
【００５９】
なお、上記実施形態及び変形例では、縦結合共振子型フィルタとしての弾性境界波装置につき説明したが、本発明は、縦結合型フィルタ、横結合共振器型フィルタ、反射型ＳＰＵＤＴを用いたトランスバーサル型弾性境界波フィルタ、弾性境界波共振子、弾性境界波光スイッチ、弾性境界波光フィルタなど、弾性境界波を用いた様々な装置に広く適用することができる。
【００６０】
また、上記実施形態では、誘電体は、ＳｉＯ2により形成されていたが、他の誘電体材料を用いてもよい。すなわち、誘電体としては、ＳｉＯ2、Ｓｉ、ガラス、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｔａ2Ｏ5、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3などの様々な誘電体材料を用いることができる。
【００６１】
また、圧電体についても、ＬｉＮｂＯ3に限らず、ＬｉＴａＯ3、ＺｎＯ、Ｔａ2Ｏ5、ＡｌＮ、Ｋｎなどの様々な圧電体あるいはＰＺＴのような圧電セラミックスを用いることができる。
【００６２】
もっとも、圧電体と誘電体とは異なる材料で形成されることが必要である。
【００６３】
また、ＩＤＴ電極４についても、Ａｕ以外の材料を用いて形成されてもよい。すなわち、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｗ、Ｔａなどの様々な金属によりＩＤＴ電極を形成することができる。さらに、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜によりＩＤＴ電極４が形成されてもよい。さらに、密着性や耐電力性を高めるために、ＩＤＴ電極４を形成している金属層と誘電体層との間、該金属層と圧電体との間、あるいは積層金属膜を形成している金属膜間に、ＮｉＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＰｔまたはＰｄなどの薄膜からなる密着層や耐電力性向上層を配置してもよい。
【００６４】
さらに、誘電体／ＩＤＴ電極／圧電体の積層構造の外側に、弾性境界波装置の強度を向上するためや腐食性ガスの侵入を防止するために、保護層を形成してもよい。場合によっては、積層構造をパッケージに封入してもよい。保護層は、ポリイミド樹脂もしくはエポキシ樹脂のような有機材料、酸化チタン、窒化アルミニウムもしくは酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料またはＡｕ、ＡｌもしくはＷなどの金属膜により形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置の模式的正面断面図及び電極構造を示す模式的平面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、図１に示した実施形態の弾性境界波装置の製造方法を説明するための各模式的正面断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は、図１に示した実施形態の弾性境界波装置を製造するための各工程を説明するための各模式的正面断面図。
【図４】比較のために用意した従来の弾性境界波装置の減衰量周波数特性を示す図。
【図５】実施形態の弾性境界波装置において│κ12│／ｋ0＝０．１０または０．１５の場合の減衰量周波数特性を示す図。
【図６】弾性境界波装置におけるＩＤＴ電極の│κ12│／ｋ0を０．０５、０．１０または０．１５と変化させた場合及び参考例としての漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置におけるＩＤＴ電極の│κ12│／ｋ0が０．０３の場合のＩＤＴ電極のコンダクタンス特性を示す図。
【図７】弾性境界波装置において、電気機械結合係数Ｋ2が４％、９％、１３％とした場合、並びに参考例としての漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置において電気機械結合係数が９．３％の場合のＩＤＴ電極のコンダクタンス特性を示す図。
【図８】本発明の弾性境界波装置の変形例を説明するための模式的正面断面図。
【図９】従来の弾性境界波装置の一例を示す模式的正面断面図。
【符号の説明】
【００６６】
１…弾性境界波装置
２…圧電体
２ａ…上面
２ｂ…溝
３…誘電体
４…ＩＤＴ電極
５，６…反射器
７…レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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