(57)【要約】【課題】低コストかつ環境負荷を低減しながら製造することのできる光学部品およびその製造方法ならびに電子装置を提供する。【解決手段】本発明にかかる光学部品１００の製造方法は、金属層３２からなる複数の凸部が周期的に設けられている反射防止構造を有する光学部品の製造方法であって、基板１０上に所定のパターンの犠牲層を形成する工程と、前記基板上に触媒層を形成する工程と、無電解めっき液に前記基板を浸漬することによって、前記触媒層上に金属層を析出させる工程と、加熱することにより、前記犠牲層を除去して、前記所定のパターンの金属からなる凸部を形成する工程と、を含む。【選択図】図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層からなる複数の凸部が周期的に設けられている反射防止構造を有する光学部品の製造方法であって、
（ａ）基板上に所定のパターンの犠牲層を形成する工程と、
（ｂ）前記基板上に触媒層を形成する工程と、
（ｃ）無電解めっき液に前記基板を浸漬することによって、前記触媒層上に金属層を析出させる工程と、
（ｄ）加熱することにより、前記犠牲層を除去して、前記所定のパターンの金属からなる凸部を形成する工程と、
を含む、光学部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記工程（ｃ）では、前記基板上の全面に前記金属層を析出させ、
前記工程（ｄ）では、加熱することにより、前記金属層を移動させて前記所定のパターンの凸部を形成する、光学部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記工程（ｄ）では、加熱することにより、前記犠牲層を分解して除去する、光学部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記工程（ｂ）は、
前記基板上の全面に、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む触媒吸着層を形成する工程と、
前記触媒吸着層上に触媒層を形成する工程と、
を含む、光学部品の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記犠牲層は、樹脂からなる、光学部品の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記工程（ａ）は、
基板上に流動状態の樹脂材料を塗布する工程と、
前記所定のパターンの凹部を有するナノスタンパを前記基板上に押し付けて、前記樹脂材料に前記所定のパターンを転写する工程と、
前記樹脂材料を硬化させる工程と、
を含む、光学部品の製造方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記犠牲層は、フォトレジストからなり、
前記工程（ａ）では、干渉露光法を用いて前記犠牲層を形成する、光学部品の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記干渉露光法は、少なくとも２回以上行う、光学部品の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記基板は、可視光を透過する透過性基板であり、
前記凸部のピッチが２０ｎｍ〜５００ｎｍであり、高さが１０ｎｍ〜２００ｎｍである、光学部品の製造方法。
【請求項１０】
反射防止構造を有する光学部品であって、
可視光を透過する透過性基板と、
基板上に形成され、周期的に設けられている金属からなる複数の凸部と、
を含み、
前記複数の凸部は、基板上において、モス・アイ構造を有し、
前記凸部のピッチが２０ｎｍ〜５００ｎｍであり、高さが１０ｎｍ〜２００ｎｍである、光学部品。
【請求項１１】
請求項１〜９に記載の光学部品の製造方法を用いて製造された、電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学部品およびその製造方法、ならびに電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、反射防止膜は光ネットワーク・高輝度ディスプレイ・ソーラーパネル・プロジェクター等において、光の利用効率・視認性の向上等を目的として幅広く用いられている。
【０００３】
反射防止膜は周期的な多層膜、あるいは周期的な突起構造（モス・アイ構造）で構成されており、この周期構造のピッチを可視光の波長レベルまで微細化することによって、反射防止効果を可視域まで広げることができる。
【０００４】
反射防止膜の製造方法としては真空製膜法とドライエッチング法が主である（たとえば特許文献１を参照）が、これらの方法では、真空プロセスを経由するために装置が大型であり、かつ廃棄材料が多いため、コストが高く、環境負荷が大きいという問題があった。
【特許文献１】特開２００３−２２２７０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、低コストかつ環境負荷を低減しながら製造することのできる光学部品およびその製造方法ならびに電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる光学部品の製造方法は、
金属層からなる複数の凸部が周期的に設けられている反射防止構造を有する光学部品の製造方法であって、
（ａ）基板上に所定のパターンの犠牲層を形成する工程と、
（ｂ）前記基板上に触媒層を形成する工程と、
（ｃ）無電解めっき液に前記基板を浸漬することによって、前記触媒層上に金属層を析出させる工程と、
（ｄ）加熱することにより、前記犠牲層を除去して、前記所定のパターンの金属からなる凸部を形成する工程と、を含む。
【０００７】
本発明にかかる光学部品の製造方法によれば、微細周期構造の凸部を基板上に形成することができる。この製造工程では、基板上に一旦析出させた金属のすべてを使って凸部を形成するため、金属からなる廃棄材料をなくし、環境負荷を低減することができる。また本発明にかかる光学部品の製造方法では、真空プロセスが不要であるため、装置の小型化およびコスト削減を図ることができる。
【０００８】
本発明にかかる光学部品の製造方法において、
前記工程（ｃ）では、前記基板上の全面に前記金属層を析出させ、
前記工程（ｄ）では、加熱することにより、前記金属層を移動させて前記所定のパターンの凸部を形成する。
【０００９】
本発明にかかる光学部品の製造方法において、
前記工程（ｄ）では、加熱することにより、前記犠牲層を分解して除去することができる。
【００１０】
本発明にかかる光学部品の製造方法において、
前記工程（ｂ）は、
前記基板上の全面に、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む触媒吸着層を形成する工程と、
前記触媒吸着層上に触媒層を形成する工程と、
を含むことができる。
【００１１】
本発明にかかる光学部品の製造方法において、
前記犠牲層は、樹脂からなることができる。
【００１２】
本発明にかかる光学部品の製造方法において、
前記工程（ａ）は、
基板上に流動状態の樹脂材料を塗布する工程と、
前記所定のパターンの凹部を有するナノスタンパを前記基板上に押し付けて、前記樹脂材料に前記所定のパターンを転写する工程と、
前記樹脂材料を硬化させる工程と、
を含むことができる。
【００１３】
本発明にかかる光学部品の製造方法において、
前記犠牲層は、フォトレジストからなり、
前記工程（ａ）では、干渉露光法を用いて前記犠牲層を形成することができる。
【００１４】
本発明にかかる光学部品の製造方法において、
前記基板は、可視光を透過する透過性基板であり、
前記凸部のピッチが２０ｎｍ〜５００ｎｍであり、高さが１０ｎｍ〜２００ｎｍであることができる。
【００１５】
本発明にかかる光学部品は、
反射防止構造を有する光学部品であって、
可視光を透過する透過性基板と、
基板上に形成され、周期的に設けられている金属からなる複数の凸部と、
を含み、
前記複数の凸部は、基板上において、モス・アイ構造を有し、
前記凸部のピッチが２０ｎｍ〜５００ｎｍであり、高さが１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００１６】
本発明にかかる電子装置は、
上述した本発明にかかる光学部品の製造方法を用いて製造されたものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
１．光学部品の製造方法
まず、光学部品の製造方法について説明する。図１〜図１３は、本実施の形態にかかる光学部品１００（図１４および図１５参照）の製造方法を示す図である。
【００１９】
（１）まず、基板１０を用意する。基板１０は、可視光を透過する透過性基板であることができる。
【００２０】
基板１０は、上述したように透過性基板であればその材質は特に限定されないが、たとえば石英ガラス等の無機系基板であることができる。基板１０は、単層のみならず、多層のものも含む。また基板１０の表面には、凹凸がないことが好ましく、たとえば凹凸の高さが１０ｎｍ未満であることが望ましい。
【００２１】
（２）ついで、基板１０上に所定のパターンの犠牲層２２を形成する（図４参照）。図１〜図３は、犠牲層２２を形成する工程を示す図であり、図２および図３は、基板１０を上からみた平面図であり、図４は、図３に示す基板１０および犠牲層２２のIV−IV断面を示す図である。本実施の形態において所定のパターンとは、２次元微細周期構造のモス・アイ構造である。
【００２２】
犠牲層２２の材質としては、容易に成形可能であって、かつ熱処理を施すことにより除去できる材質であれば特に限定されないが、条件を満たす材質としてはフォトレジスト、熱可塑性樹脂または光硬化性樹脂等の樹脂であることができ、３００℃〜４００℃でガス化するものが好ましい。具体的には、犠牲層２２の材質として、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート、ポリスチレンを用いることができる。犠牲層２２を形成する方法としては、公知の方法を用いることができるが、たとえば干渉露光法やナノインプリント技術を用いることができる。本実施の形態では、干渉露光法を用いて犠牲層２２を形成する場合について説明する。
【００２３】
まず、図１に示すように、流動状態の樹脂材料２２ａを基板１０上の全面に塗布する。樹脂材料２２ａとしては、たとえば感光部が除去されるポジ型のフォトレジストを用いることができる。塗布方法としては、スピンコート法、ディップコート等の公知の方法を用いることができる。なお、基板１０の材質によっては、樹脂材料２２ａの塗布前に、基板１０上に干渉露光のための反射防止膜を形成してもよい。
【００２４】
次いで、位相格子マスクを介して基板１０上の領域２７にレーザ光を照射する。干渉露光法では、位相格子マスクを介することで干渉縞が形成されるため、図２に示すように、ストライプパターンに露光することができ、ストライプ形状の犠牲層２２ｂが形成される。
【００２５】
次いで、基板１０に対して位相格子マスクを９０°回転させて、基板１０上の領域２８にレーザ光を照射する。上述したように干渉露光法では、位相格子マスクを介することで干渉縞が形成されるため、図３に示すように、ストライプ形状に露光することができる。このように、９０°回転させて２回の露光を行うことにより、微細周期構造のモス・アイ構造の犠牲層２２を形成することができる。犠牲層２２のピッチは、２０ｎｍ〜５００ｎｍであり、高さは、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。このような大きさにすることにより、同様の大きさの凸部３４（図１４参照）を形成することができる。
【００２６】
（３）次に、基板１０および犠牲層２２の表面を洗浄する。基板１０および犠牲層２２の表面の洗浄は、ドライ洗浄でもよいし、ウエット洗浄でもよいが、ドライ洗浄がより好ましい。ドライ洗浄にすることによって、剥離等の犠牲層２２に与えるダメージを防止することができる。
【００２７】
ドライ洗浄は、図５に示すように、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）１８を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線２０を照射して行うことができる。基板１０を洗浄することによって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。
【００２８】
ウエット洗浄は、例えば、基板１０をオゾン水（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。
【００２９】
（４）次に、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む触媒吸着層２４を基板１０上に形成する。
【００３０】
まず、図６に示すように、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を溶解した触媒吸着溶液１４に基板１０を浸漬する。基板１０の表面の液中表面電位が負電位の場合には、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて基板１０に吸着しやすいからである。
【００３１】
カチオン系界面活性剤としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤や、アルキルアンモニウム系の界面活性剤（例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等）などを用いることができる。
【００３２】
触媒吸着溶液１４に含まれるシラン系カップリング剤としては、たとえばヘキサメチルジシラザンを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。
【００３３】
次いで、触媒吸着溶液１４から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図７に示すように、触媒吸着層２４を基板１０に設けることができる。このとき、界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、基板１０の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。
【００３４】
（５）次に、触媒層３１を触媒吸着層２４上に形成する。まず、図８に示すように、触媒溶液３０に基板１０を浸漬する。触媒溶液３０は、無電解めっきの触媒として機能する触媒成分を含む。触媒成分としては、たとえばパラジウムを用いることができる。
【００３５】
たとえば、以下の手順により触媒溶液３０を作製することができる。
（５ａ）純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。
（５ｂ）上述した塩化パラジウム溶液をさらに水と過酸化水素水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。
（５ｃ）水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。
【００３６】
触媒溶液３０に浸漬した後、基板１０を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われることができる。この水洗によって、触媒の残渣が後述する無電解めっき液に混入するのを防止することができる。
【００３７】
以上の工程により、触媒層３１が形成される。触媒層３１は、図９に示すように、基板１０および犠牲層２２上の触媒吸着層２４の上面に形成される。
【００３８】
（６）次に、図１０に示すように、金属を含む無電解めっき液３６に基板１０を浸漬させることによって、基板１０上に金属層３２をめっき析出させる。金属層３２は、触媒層３１が形成されている領域に形成される（図１１参照）。
【００３９】
ここで無電解めっき液３６は、基板１０上にめっき粒子として析出する際、めっき粒子の平均粒径が２０ｎｍ以下になるように調整されることが好ましく、４〜６ｎｍ程度になるように調整されることがより好ましい。めっき粒子のサイズを４〜６ｎｍにすることによって、後述する熱処理工程（７）において、金属層３２を構成する金属粒を移動しやすくすることができる。このような無電解めっき液３６は、ｐＨ、温度、調整時間等をかえることにより調整することができる。また無電解めっき液３６への基板１０の浸漬時間が一定時間以上になると、めっき粒子の平均粒径が２０ｎｍより大きくなってしまうため、浸漬時間は、一定時間以内であることが好ましい。
【００４０】
金属は、たとえば白金であることができる。無電解めっき液３６としては、酸性で使用するタイプとアルカリ性で使用するタイプがあるが、無電解めっき液３６の一例としてはアルカリ性で使用するタイプのものを適用する。無電解めっき液３６は、上述した金属と、還元剤および錯化剤等を含む。具体的には、無電解めっき液３６としては、市販の白金めっき液と還元剤液とを混合し、その後硫酸を用いてｐＨ９．５〜ｐＨ１０．５に調整した混合溶液を用いることができる。この混合溶液（温度４０℃〜５０℃）に基板１０を５分〜１５分程度浸漬することによって、１０ｎｍ〜４０ｎｍの厚みを有する白金層を形成することができる。ここで析出する白金層の粒径は、約４〜６ｎｍ程度であることが好ましい。
【００４１】
なお、金属としては、白金に限定されず、ニッケルや銅等を適用してもよい。このようにして、粒状の金属層３２を形成することができる。また、金属層３２の形成後、基板１０を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われてもよいし、水蒸気によって行われてもよいし、純水及び水蒸気の双方を用いて行われてもよい。
【００４２】
（７）次に、基板１０を加熱することにより、犠牲層２２を除去して、所定のパターンの凸部３４を形成する（図１２〜図１４参照）。熱処理は、たとえば高速昇温加熱（ＲＴＡ）により、大気雰囲気中、３００℃〜７００℃で５分〜３０分間程度行われることが好ましい。まず、この熱処理工程では、図１２に示すように、犠牲層２２が除去される。この犠牲層２２の除去とともに、金属層３２を構成するそれぞれの金属粒が犠牲層２２の形成領域を埋めるように集合し、図１３に示すような形状の金属層３３が形成される。さらに加熱を続けると、さらに金属粒は、隙間を埋めるように凝集して、図１４に示すように、金属密度の高い金属層からなる凸部３４が形成される。このとき、触媒吸着層２４は、加熱温度によっては分解されてもよいし、基板１０上に残っていてもよい。また、触媒層３１を構成する触媒は、凸部３４の内部に残っている。
【００４３】
以上の工程により、基板１０上に凸部３４を形成して、光学部品１００を形成することができる。本実施の形態によれば、真空装置等が必要なく、ウェットプロセスのみで凸部３４を形成することができるため、製造装置を簡易化することができ、コスト削減を図ることができる。また、基板１０上に塗布した金属のすべてを使って凸部３４を形成することから、環境に与える負荷を低減することができる。また、凸部３４は、金属からなるため、たとえば樹脂等からなる場合に比べて、耐熱性を高めることができる。また、凸部３４の形状は、製造プロセスで用いる犠牲層の形状を調製することにより、容易に変更することができる。
【００４４】
本実施の形態では、所定のパターン状に形成された犠牲層２２の領域に金属層３２を構成する金属粒が凝集する。したがって、犠牲層２２の形状を凸部３４に転写することができ、結果的に所定のパターン状の凸部３４を形成することができる。ただし、犠牲層２２の大きさと、凸部３４の大きさは、いずれかが大きくなる場合があり、それは、犠牲層２２の上に析出させる金属層３２の厚さに依存する。具体的には、犠牲層２２の上に無電解めっき法により析出される金属層３２の膜厚が一定値以上の場合には、凸部３４が犠牲層２２より大きいサイズになり、犠牲層２２の形成領域は、凸部３４の形成領域に含まれる。金属層３２の膜厚が一定値以下の場合には、凸部３４が犠牲層２２より小さいサイズになり、凸部３４の形成領域は、犠牲層２２の形成領域に含まれることとなる。
【００４５】
次に、犠牲層２２のパターンの変形例について説明する。図１７〜図１９は、変形例にかかる犠牲層を示す図である。具体的には以下のとおりである。
【００４６】
犠牲層２２を形成する干渉露光法のプロセスにおいては、位相格子マスクを９０°回転させているが、９０°に限定されるわけではなく、たとえば３０°等であってもよい。図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）は、位相格子マスクを９０°回転させて形成された犠牲層２２のＳＥＭ画像を示す。これらのＳＥＭ画像によれば、複数の略円錐形状からなる犠牲層が、平面視において、縦の列と横の列とが９０°の関係を示すことが確認できる。
【００４７】
図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）は、位相格子マスクを３０°回転させて形成された犠牲層のＳＥＭ画像を示す。これらのＳＥＭ画像によれば、平面視において楕円形状を有する犠牲層が、横の列に対して縦方向が６０°の方向に配列されている。このような犠牲層を形成することにより、同様の平面形状の凸部３４を形成することができる。このような形状の凸部３４を形成することにより、たとえば特定の偏波面および波長を有する光のみを反射する等の機能を有することができる。
【００４８】
また、本実施の形態では、基板面を位相格子マスクに対して水平に配置している場合について説明したが、基板面を位相格子マスクに対して斜めに配置して、露光してもよい。図１８は、基板面を位相格子マスクに対して斜めに配置して形成された犠牲層のＳＥＭ画像である。図１８に示す犠牲層は、軸が一方向に傾斜したブレーズ状に形成されている。図１９は、図１８に示す犠牲層を用いて形成された光学部品２００を模式的に示す断面図である。ブレーズ状の凸部１３４を形成することにより、光学部品２００は、たとえば、所定の方向からの特定の波長の光のみを反射する等の機能を有することができる。
【００４９】
また、上述した犠牲層２２の形成工程においては、位相格子マスクの位置を固定させて、基板１０を回転させてもよいし、基板の位置を固定して、位相格子マスクを回転させてもよい。
【００５０】
また、犠牲層２２の形成方法としては、上述したようにナノインプリント技術でもよい。ナノインプリント技術を用いた場合には、たとえば、以下の手順で犠牲層２２を形成することができる。
【００５１】
まず、図１に示すように、樹脂材料２２ａを基板１０上に塗布し、その後に、ナノスタンパを基板１０方向に押圧することにより、樹脂材料に所定のパターンを転写する。樹脂材料２２ａが光硬化性樹脂の場合には、ナノスタンパ１２は、光透過性のものを用いてもよい。
【００５２】
次いで、樹脂材料２２ａを硬化させる。その後、ナノスタンパ１２を硬化させた樹脂材料２２ａから剥離する。このようにして、所定のパターンを有する犠牲層２２を形成することができる。この時点で、犠牲層２２の隙間に樹脂材料が残ってしまっている場合には、所定のパターンの隙間の犠牲層２２の一部をエッチバック等により除去してもよい。犠牲層２２がフォトレジストからなる場合には、アッシングにより一部を除去してもよい。
【００５３】
２．光学部品
図１４および図１５は、本実施の形態にかかる光学部品１００を模式的に示す図であり、図１４は、本実施の形態にかかる光学部品１００を模式的に示す断面図であり、図１５は、本実施の形態にかかる光学部品１００を模式的に示す斜視図である。図１４は、図１及び図４〜図１３に対応した断面図である。
【００５４】
光学部品１００は、基板１０と、当該基板１０上に設けられた凸部３４とを含む。光学部品１００は、複数の凸部３４を有することによって、基板面において反射防止機能を有する。
【００５５】
複数の凸部３４は、図１５に示すように、基板上において２次元方向に周期的に設けられている、いわゆるモス・アイ構造を有する。凸部３４の各々は、側面がテーパー状になっており、基板面と平行に切断したときの断面が、底面が最も広く高さ方向に徐々に狭くなっている略円錐形状であることが好ましい。凸部３４のピッチＰは、２０ｎｍ〜５００ｎｍであり、高さＨは、１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度であることが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましい。これにより、光学部品１００は、可視光の基板面における反射を効率よく低下させることができる。
【００５６】
３．実施例
次に、本実施の形態にかかる実施例について説明する。実施例では、凸部としての白金層を基板上に形成した。製造工程は以下のとおりである。
【００５７】
（１）ガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し、その後直描方式により約１４０ｎｍピッチで約７０ｎｍ幅の直線状に露光、現像することにより、約７０ｎｍ幅の直線状のラインと約７０ｎｍ間隔を有するストライプ状のフォトレジストパターンを形成した。
【００５８】
（２）ガラス基板を９０°回転させて、工程（１）と同様に直描方式により約１４０ｎｍピッチで約７０ｎｍ幅の直線状に露光、現像することにより、モス・アイ構造のフォトレジストパターンを形成した。図２０（Ａ）は、モス・アイ構造のフォトレジストパターンのＳＥＭ画像を示す。図２０（Ａ）により、１４０ｎｍピッチのモス・アイ構造のフォトレジストパターンが形成されていることが確認された。
【００５９】
（３）このガラス基板を１ｃｍ角に切り出し、カチオン系界面活性剤溶液（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）に浸漬した。次いで、このガラス基板をパラジウム触媒溶液に浸漬し、触媒層を形成した。
【００６０】
（４）次に、触媒層が形成されたガラス基板を、４０℃の白金無電解めっき液に１５分程度浸漬し、約３０ｎｍ程度の厚みの白金層を触媒層の形成されている領域に形成した。白金無電解めっき液としては、市販の白金めっき液（大研化学工業社製）と還元剤液（大研化学工業社製）とを混合して、硫酸によりｐＨ１０程度に調整したものを用いた。
【００６１】
（５）その後、室温の純水を用いて水洗した。
【００６２】
（６）次に、ＲＴＡにて熱処理を行った。熱処理は、大気雰囲気中で行い、熱処理温度は、６００℃とし、熱処理時間は、１０分とした。
【００６３】
以上の工程により形成した光学部品のＳＥＭ画像を図２０（Ｂ）に示す。図２０（Ｂ）により、ガラス基板上に１４０ｎｍピッチのモス・アイ構造を有する白金層からなる複数の凸部が形成されていることが確認された。
【００６４】
４．電子装置
本実施の形態にかかる光学部品１００は、様々な電子装置に適用することができ、たとえば図２１に示すように、液晶ディスプレイの反射防止膜として機能することもできる。図２１は、電子装置の一例としての液晶ディスプレイ１０００を模式的に示す断面図である。液晶ディスプレイ１０００は、上述した光学部品１００と、偏光板８０，８２と、透明電極８４，８６と、ガラス基板８８，９０と、液晶層９２と、筐体基板９４と、を含む。光学部品１００は、凸部３４および基板１０を有し、基板１０は、たとえば液晶ディスプレイ１０００のフロントガラスとして機能することができる。液晶ディスプレイ１０００は、モス・アイ構造の凸部３４を有することにより、外光の影響を受けにくく、明るい場所においても、視認性を向上させることができる。
【００６５】
なお、液晶ディスプレイ１０００は、上述した構成に限定されるわけではなく、たとえば配向膜、カラーフィルタ層、反射板等の他の部材を含んでもよい。
【００６６】
また電子装置は、液晶ディスプレイ１０００の他に、プラズマディスプレイ、ＥＬ（Electro luminescence）ディスプレイ装置などの表示装置、プロジェクター、光通信装置、ソーラーパネル等であってもよく、光学部品１００は、これらの電子装置に好適に用いることができる。
【００６７】
５．本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、さらなる種々の変形が可能である。また本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図２】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図３】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図４】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図５】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図６】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図７】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図８】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図９】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図１０】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図１１】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図１２】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図１３】本実施の形態にかかる光学部品の製造方法を示す図。
【図１４】本実施の形態にかかる光学部品を模式的に示す断面図。
【図１５】本実施の形態にかかる光学部品を模式的に示す斜視図。
【図１６】本実施の形態にかかる犠牲層２２の一例を示す図。
【図１７】変形例にかかる犠牲層２２の一例を示す図。
【図１８】変形例にかかる犠牲層２２の一例を示す図。
【図１９】変形例にかかる犠牲層２２の一例を示す図。
【図２０】実施例にかかる光学部品を示す図。
【図２１】本実施の形態にかかる光学部品を適用した電子装置の一例を示す図。
【符号の説明】
【００６９】
１０  基板、１４  触媒吸着溶液、１８  光源、２０  光、２２、２２ｂ  犠牲層、２２ａ  樹脂材料、２４、７４  触媒吸着層、３０  触媒溶液、３１、８１  触媒層、３２、３３  金属層、３４  凸部、３６  無電解めっき液、８０，８２  偏光板、８４，８６  透明電極、８８，９０  ガラス基板、９２  液晶層、９４  筐体基板、１００  光学部品、１０００  電子装置
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１９】
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【図２１】
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【図２】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図２０】
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