(57)【要約】【課題】効率的に高濃度オゾン水を製造する。ポッピング現象を起こすことなく基板上の有機物を除去する。【解決手段】チャンバ２にはオゾンガスと水蒸気とが供給される。オゾンガスはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して超高濃度オゾンガスを発生するオゾン発生装置９から供給される。チャンバ２は水蒸気が液化しない程度にヒータ４によって加熱される。真空ポンプ３によってチャンバ２の内圧が大気圧よりも低圧に制御された状態でオゾンガスと水蒸気とが混合される。オゾンを含んだ水蒸気が冷却機構５によって冷却されるとチャンバ２の底面部が結露して高濃度オゾン水が得られる。そして、この高濃度オゾン水に基板が浸漬されることで前記基板上の有機物（例えばレジスト）が除去される。前記高濃度オゾン水で処理した基板には洗浄のために超純水が供給するとよい。【選択図】図１
2008294169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気とを混合させた後にこのオゾンを含んだ水蒸気を冷却して結露させて高濃度オゾン水を製造することを特徴とする高濃度オゾン水製造方法。
【請求項２】
前記オゾンガスはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる超高濃度オゾンガスであることを特徴とする請求項１に記載の高濃度オゾン水製造方法。
【請求項３】
オゾンガスと水蒸気とが供給されるチャンバと、
このチャンバの内圧を大気圧よりも低圧に制御するポンプと、
前記チャンバの内側面と天井面とを加熱する加熱手段と、
前記チャンバの底面部を冷却する冷却機構と
を備え、
水蒸気が液化しない程度に前記加熱手段によって前記チャンバが加熱されると共に前記ポンプによって前記チャンバの内圧が大気圧よりも低圧に制御された状態で前記オゾンガスと前記水蒸気とを混合させた後にこのオゾンを含んだ水蒸気を前記冷却機構によって冷却された底面部において結露させること
を特徴とする高濃度オゾン水製造装置。
【請求項４】
前記オゾンガスの供給は、オゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化することで超高濃度オゾンガスを発生するオゾン発生装置により行うことを特徴とする請求項３に記載の高濃度オゾン水製造装置。
【請求項５】
前記冷却機構は前記チャンバの底部に冷媒の流通路を埋設してなることを特徴とする請求項３または４に記載の高濃度オゾン水製造装置。
【請求項６】
大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気とを混合させた後にこのオゾンを含んだ水蒸気を冷却して結露させて生成した高濃度オゾン水に基板を浸漬させて基板表面の有機物を除去することを特徴とする基板表面処理方法。
【請求項７】
前記オゾンガスはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる超高濃度オゾンガスであることを特徴とする請求項６に記載の基板表面処理方法。
【請求項８】
前記高濃度オゾン水で処理した基板を超純水で洗浄することを特徴とする請求項６または７に記載の基板表面処理方法。
【請求項９】
表面に有機物を有する基板を格納すると共にオゾンガスと水蒸気とが供給されるチャンバと、
このチャンバの内圧を大気圧よりも低圧に制御するポンプと、
前記チャンバの内側面と天井面とを加熱する加熱手段と、
前記チャンバの底面部を冷却する冷却機構と
を備え、
水蒸気が液化しない程度に前記加熱手段によって前記チャンバが加熱されると共に前記ポンプによって前記チャンバの内圧が大気圧よりも低圧に制御された状態で前記オゾンガスと前記水蒸気とを混合させた後にこのオゾンを含んだ水蒸気を前記冷却機構によって冷却された底面部において結露させて生成させた高濃度オゾン水に前記基板を浸漬させて前記有機物を除去すること
を特徴とする基板表面処理装置。
【請求項１０】
前記オゾンガスの供給は、オゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化することで超高濃度オゾンガスを発生するオゾン発生装置により行うことを特徴とする請求項９に記載の基板表面処理装置。
【請求項１１】
前記チャンバには前記高濃度オゾン水で処理した基板を洗浄するために超純水が供給されることを特徴とする請求項９または１０に記載の基板表面処理装置。
【請求項１２】
前記冷却機構は前記チャンバの底部に冷媒の流通路を埋設してなることを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の基板表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板表面上のレジストに例示される有機物を除去するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上のレジストに例示される有機物を除去する方法には例えば特許文献１に開示された乾式法と湿式法がある。
【０００３】
乾式法としては酸素プラズマアッシング法が例示されている。この方法は無公害であるが基板の損傷や酸素ガスプラズマを発生させるための装置が高価である等の問題がある。
【０００４】
湿式法は有機系や無機系の溶剤を剥離溶剤としている。有機系の溶剤は例えばフェノールとハロゲン系溶剤とを主成分とするものが挙げられている。無機系の溶剤としては、硫酸と過酸化水素とを含んだもの、アンモニアと過酸化水素とを含んだもの、フッ酸を含んだもの、塩酸と過酸化水素とを含んだものが例示されている。これらの溶離液は有害であるのでレジスト除去の廃液を無害化させるための設備が必要となる。
【０００５】
前記乾式法及び湿式法の問題を解決するために特許文献１に開示されたフォトレジスト除去方法では水またはアルコール若しくはこれらからなる溶媒分子を含有する湿潤オゾンによって基板のレジストの除去と前記基板の洗浄を行なっている。但し、蒸気が基板上に結露した場合にはオゾンによるレジスト分解が妨げられるので基板上が結露しないような条件が望ましいとされている。
【０００６】
また、レジストの除去技術ではないが特許文献２の半導体エッチング方法及び半導体装置の製造方法によると超純水にオゾンガスをバブリングして得られた水蒸気を含んだオゾンガスを酸性またはアルカリ性のガスと共に基板に供給している。この際、前記バブリングするための槽の温度を基板及びこれを保持する台の温度よりも高い温度にすることで基板の表面が結露し、この結露した水蒸気とオゾンガスとアルカリ成分の作用によりＧａＡｓ系材料を確実且つ高速にエッチングできるとされている。
【特許文献１】特開２００１−２９０２８７
【特許文献２】特開２００４−２３５３１６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
オゾン水中のオゾン濃度はオゾンの水に対する溶解度と水に接するガス中のオゾン分圧に依存するため（ヘンリーの法則）、大気圧で１００％のオゾンガスと水とが接触したとしてもその濃度は五百数十ｐｐｍ程度である。一般的にはオゾン濃度１０ｖｏｌ％程度のオゾン含有ガス（ほとんどの成分は酸素）を加圧してオゾン分圧を上げてオゾン濃度を高めようとしてもオゾン水のオゾン濃度は百数十ｐｐｍに留まる。
【０００８】
さらに、産業用に使われるオゾナイザは無声放電式のものが広く使われているが、オゾン濃度を上げるための窒素を添加する必要があり、これから発生するオゾン含有ガスにはＮＯXが含まれており、水に溶かすことで硝酸となり、望ましくない効果をもたらすことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、請求項１の高濃度オゾン水製造方法は、大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気とを混合させた後にこのオゾンを含んだ水蒸気を冷却して結露させて高濃度オゾン水を製造する。大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気を混合させているので混合比を最適化することで大気圧のもとで生成したオゾン水よりもオゾン濃度が高い高濃度オゾン水を製造できる。また、オゾンガスと水蒸気との混合比を変えることでその濃度を自由に変えることができる。前記オゾンガスはオゾン濃度が数十％以上のものを用いるとよい。本発明では大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気とを混合させているので爆発の危険性を回避できる。
【００１０】
請求項２の高濃度オゾン水製造方法は、請求項１の高濃度オゾン水製造方法において、前記オゾンガスはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる超高濃度オゾンガスである。この超高濃度オゾンガスが利用されることで効率的に高濃度オゾン水を製造できる。
【００１１】
請求項３の高濃度オゾン水製造装置は、オゾンガスと水蒸気とが供給されるチャンバと、このチャンバの内圧を大気圧よりも低圧に制御するポンプと、前記チャンバの内側面と天井面とを加熱する加熱手段と、前記チャンバの底面部を冷却する冷却機構とを備え、水蒸気が液化しない程度に前記加熱手段によって前記チャンバが加熱されると共に前記ポンプによって前記チャンバの内圧が大気圧よりも低圧に制御された状態で前記オゾンガスと前記水蒸気とを混合させた後にこのオゾンを含んだ水蒸気を前記冷却機構によって冷却された底面部において結露させる。大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気を混合させているので大気圧のもとで生成したオゾン水よりもオゾン濃度が高い高濃度オゾン水を製造できる。また、オゾンガスと水蒸気との混合比を変えることでその濃度を自由に変えることができる。前記オゾンガスはオゾン濃度が数十％以上のものを用いるとよい。本発明では大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気とを混合させているので爆発の危険性を回避できる。
【００１２】
請求項４の高濃度オゾン水製造装置は、請求項３の高濃度オゾン水製造装置において、前記オゾンガスの供給は、オゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化することで超高濃度オゾンガスを発生するオゾン発生装置により行う。このオゾン発生装置から前記超高濃度オゾンガスが前記チャンバに供されることで効率的に高濃度オゾン水を製造できる。
【００１３】
請求項５の高濃度オゾン水製造装置は、請求項３または４に記載の高濃度オゾン水製造装置において、前記冷却機構は前記チャンバの底部に冷媒の流通路を埋設してなる。チャンバの底部は流通路を流通した冷媒によって冷却されているのでオゾンを含んだ水蒸気が前記底部に接触すると前記オゾンを混合させた水蒸気が結露する。
【００１４】
請求項６の基板表面処理方法は、大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気とを混合させた後にこのオゾンを含んだ水蒸気を冷却して結露させて生成した高濃度オゾン水に基板を浸漬させて基板表面のレジストを含む有機物を除去する。大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気を混合されて得られた高濃度オゾン水に基板が浸漬されることで１００℃よりも低温で基板表面上の前記有機物が除去される。したがって、高ドーズイオン注入レジストにみられるポッピング現象が生じない。前記オゾンガスはオゾン濃度が数十％以上のものを用いるとよい。本発明では大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気とを混合させているので爆発の危険性を回避できる。
【００１５】
請求項７の基板表面処理方法は、請求項６の基板表面処理方法において、前記オゾンガスはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる超高濃度オゾンガスである。この超高濃度オゾンガスが利用されることで効率的に高濃度オゾン水が生成されるので効果的に前記有機物を除去できる。
【００１６】
請求項８の基板表面処理方法は、請求項６または請求項７の基板表面処理方法において、前記高濃度オゾン水で処理した基板を超純水で洗浄する。前記オゾンガスと水蒸気とで処理された基板の有機物成分は前記オゾンガス及び水蒸気との反応により水溶性の成分（例えばアルデヒドや水酸化物）に酸化分解されている。したがって、基板が超純水で洗浄されることで基板表面の前記水溶性の成分からなる残渣が容易に除去される。
【００１７】
請求項９の基板表面処理装置は、表面に有機物を有する基板を格納すると共にオゾンガスと水蒸気とが供給されるチャンバと、このチャンバの内圧を大気圧よりも低圧に制御するポンプと、前記チャンバの内側面と天井面とを加熱する加熱手段と、前記チャンバの底面部を冷却する冷却機構とを備え、水蒸気が液化しない程度に前記加熱手段によって前記チャンバが加熱されると共に前記ポンプによって前記チャンバの内圧が大気圧よりも低圧に制御された状態で前記オゾンガスと前記水蒸気とを混合させた後にこのオゾンを含んだ水蒸気を前記冷却機構によって冷却された底面部において結露させて生成させた高濃度オゾン水に前記基板を浸漬させて前記有機物を除去する。大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気を混合されて得られた高濃度オゾン水に基板が浸漬されることで１００℃よりも低温で基板表面上の有機物が除去される。したがって、高ドーズイオン注入レジストに見られるポッピング現象が生じない。前記オゾンガスはオゾン濃度が数十％以上のものを用いるとよい。本発明では大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気とを混合させているので爆発の危険性を回避できる。
【００１８】
請求項１０の基板表面処理装置は、請求項９の基板表面処理装置において、前記オゾンガスの供給は、オゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化することで超高濃度オゾンガスを発生するオゾン発生装置により行う。このオゾン発生装置から前記超高濃度オゾンガスが前記チャンバに供されることで効率的に高濃度オゾン水が生成されるので効果的に有機物を除去できる。
【００１９】
請求項１１の基板表面処理装置は、請求項９または請求項１０の基板表面処理装置において、前記チャンバには前記高濃度オゾン水で処理した基板を洗浄するために超純水が供給される。基板表面上の有機物の残渣が超純水によって洗浄除去される。
【００２０】
請求項１２の基板表面処理装置は、請求項９から１１のいずれかの基板表面処理装置において、前記冷却機構は前記チャンバの底部に冷媒の流通路を埋設してなることを特徴とする。チャンバの底部は流通路を流通した冷媒によって冷却されているのでオゾンを含んだ水蒸気が前記底部に接触すると前記オゾンを混合させた水蒸気が結露する。
【００２１】
以上の基板表面処理方法とその装置は特にＧ線、Ｉ線の光に対して感光性のあるノボラック系のレジストの除去に有効である。
【発明の効果】
【００２２】
したがって、以上の発明の高濃度オゾン水製造方法とその装置によれば効率的に高濃度オゾン水を製造できる。そして、この高濃度オゾン水に基板を浸漬させることで前記基板上の有機物を除去できる。特に、高ドーズイオン注入レジストにおいてはポッピング現象を起こすことなく除去できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は発明の実施形態に係る高濃度オゾン水製造装置（以下、オゾン水製造装置と称する）の概略構成を示した断面図である。
【００２４】
オゾン水製造装置１はチャンバ２と真空ポンプ３とヒータ４と冷却機構５とを備える。
【００２５】
チャンバ２はオゾンガス（Ｏ3）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）とを導入する。チャンバ２はチャンバ容器２０とこれを封止する蓋２１とからなる。オゾンガス（Ｏ3）及び水蒸気（Ｈ2Ｏ）は水蒸気が結露しない温度に加熱された配管６を介して導入される。配管６は蓋２１に設置されている。蓋２１は補助封止部材であるＯリング２２を介してチャンバ２を封止する。Ｏリング２２としては例えばシリコンゴムのような耐オゾン性の材料からなる封止リングが採用される。また、チャンバ２の底部２３には製造された高濃度オゾン水を排出するための配管７が接続されている。配管７はドレインバルブ８を備えている。チャンバ２、蓋２１、配管類及びバルブ類はステンレス鋼のようなオゾンガスに対して耐性を有する材料で形成するとよい。特に、低い金属不純物濃度を要求する半導体製造に代表される微細加工分野では内面をテフロン（登録商標）等でコーティングしたものが好ましい。
【００２６】
オゾンガスとしては超高濃度オゾンガスが用いられる。超高濃度オゾンガスは例えばオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる。より具体的には特開２００１−３０４７５６や特開２００３−２０２０９の特許文献に開示されたオゾン生成装置から得られたオゾンガスが挙げられる。前記オゾン生成装置はオゾンと他のガス成分（例えば酸素）の蒸気圧の差に基づきオゾンのみを液化分離して超高濃度（オゾン濃度≒１００％）のオゾンガスを製造している。特に、特開２００３−２０２０９のオゾン供給装置はオゾンのみを液化及び気化させるチャンバを複数備え、これらのチャンバを個別に温度制御することで超高濃度オゾンガスを連続的に供給できるようになっている。そして、この超高濃度オゾンガス連続供給方式に基づく市販のオゾン発生装置としては例えば明電舎製のピュアオゾンジェネレータ（ＭＰＯＧ−ＨＭ１Ａ１）が挙げられる。
【００２７】
オゾンガスは前記超高濃度オゾンガスに限定されない。例えばオゾン濃度が数十％以上のオゾンガスが挙げられる。大気圧では１４．３〜３８ｖｏｌ％のオゾン濃度で持続性分解領域、〜４４ｖｏｌ％のオゾン濃度で突燃領域、４４ｖｏｌ％〜のオゾン濃度で爆発領域となる（杉光英俊，オゾンの基礎と応用，光琳社，１９９６，ｐｐ．１８７）。オゾン水製造装置１では大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと水蒸気とを混合させているので爆発の危険性を回避できる。
【００２８】
真空ポンプ３はチャンバ２内を減圧させるためのポンプである。チャンバ２と真空ポンプ３とを接続した配管１０はバルブ１１を備える。バルブ１１はチャンバ２内の圧力が所定の値となるようにチャンバ２内の気相を封止する。チャンバ２、配管１０及びバルブ１１もステンレス鋼のようなオゾンガスに対して耐性を有する材料で構成するとよい。
【００２９】
ヒータ４は少なくともチャンバ２内に導入された水蒸気が液化しない程度に蓋２１、配管６及びチャンバ２２の側面を加熱する。ヒータ４は半導体技術に採用されている既知のものを適用すればよい。
【００３０】
冷却機構５はチャンバ２の底部でオゾンを含んだ水蒸気が結露するように前記底部を冷却する。冷却機構５はチャンバ２の底部２３に冷却水に例示される冷媒の流通路２４を埋設してなる。流通路２４はチャンバ２の底面部をできる限り均等に冷却するように設けられる。
【００３１】
図１及び図３を参照しながらオゾン水製造装置１の動作例について説明する。
【００３２】
減圧下のチャンバ２内に超高濃度オゾンガスが封入され、次いで水蒸気が導入される。この際、チャンバ２の内側面及び天井面（蓋２１の下面）を水蒸気が液化しない程度に加熱する。例えばチャンバ２の内圧が１００ｈＰａである場合には前記内側面及び天井面の温度は図３の飽和蒸気圧曲線に基づき４５℃よりも高めの温度例えば１００℃に保温される。一方でチャンバ２の底部は埋設されている流通路２４を流通している冷却水によって冷却される。例えばチャンバ２の内圧が１００ｈＰａである場合には前記底部の温度は前記飽和蒸気圧曲線に基づき例えば４５℃以下例えば２０〜４０℃に冷却される。これによりオゾンが混入した水蒸気はチャンバ２の底面部に結露２５として液化する。以上の工程が繰り返し実行されてチャンバ２内にＮＯXやＯ2等のＯ3以外の不純物を含まない高濃度オゾン水２６が貯留される。一定量貯留されると超高濃度オゾンガスと水蒸気の供給が停止される。貯留された高濃度オゾン水２６はバルブ８によって排出される。
【００３３】
図２は発明の実施形態に係る基板表面処理装置の概略構成を示した断面図である。
【００３４】
基板表面処理装置３０は基板３１表面のレジストを含む有機物を高濃度オゾン水によって除去する。基板表面処理装置３０は前記有機物の除去に供される基板３１が置かれる保持部３２がチャンバ２内の底面部に形成されていること以外はオゾン水製造装置１と同じ構成である。保持部３２は基板の形状に応じて前記底面部が刳りぬかれて形成される。
【００３５】
図２を参照しながら基板表面処理装置３０の動作例について説明する。
【００３６】
減圧下のチャンバ２内に超高濃度オゾンガスが封入され、次いで水蒸気が導入される。この際、チャンバ２の内側面及び天井面（蓋２１の下面）は図３に示されたように水蒸気が液化しない程度に加熱する。例えばチャンバ２の内圧が１２０ｈＰａ（オゾン分圧９０ｈＰａ，水蒸気分圧３０ｈＰａ）である場合には前記内側面及び天井面の温度は図３の飽和蒸気圧曲線に基づき４５℃よりも高めの温度例えば１００℃に保温される。一方でチャンバ２の底部２３は埋設されている流通路２４を流通している冷却水（冷媒）によって冷却される。例えばチャンバ２の内圧が１２０ｈＰａ（オゾン分圧９０ｈＰａ，水蒸気分圧３０ｈＰａ）である場合には保持部３２の温度は前記飽和蒸気圧曲線に基づき４５℃以下例えば２０〜４０℃に冷却される。これによりオゾンが混入した水蒸気がチャンバ２の底面部に結露する。以上の工程が繰り返し実行されてＮＯXやＯ2等のＯ3以外の不純物を含まない高濃度オゾン水２６が貯留される。そして、この工程はチャンバ２内の基板３１が浸漬されるまで実行される。一定量貯留されると超高濃度オゾンガスと水蒸気の供給が停止される。そして、前記貯留された高濃度オゾン水２６はバルブ８によって排出される。高濃度オゾン水によって処理された基板３１は超純水によってさらに洗浄される。前記超純水は配管６から導入すればよい。オゾンガスと水蒸気とで処理された基板３１の有機物成分はオゾンガス及び水蒸気との反応により水溶性の成分（例えばアルデヒドや水酸化物）に酸化分解されている（社団法人日本化学会編，季刊化学総説，Ｎｏ．７，活性酸素の化学，１９９０年４月２０日発行，ｐｐ．３６〜３７）。したがって、基板３１が超純水で洗浄されることで基板３１表面の前記水溶性の成分からなる残渣が容易に除去される。また、超純水で洗浄されることで変質したレジストが除去されて薄くできるものと考えられる。
【００３７】
表１は基板表面処理装置３０によって有機物の一例としてレジストを除去した試験例を示す。ノボラック／ジアゾナフトキノン系レジストとして東京応用化学工業製のＯＦＰＲ−８００(Ｇ線（４３６ｎｍ）の光に対して感光性を有するレジスト)を有するＳｉ基板をチャンバ２に格納した。チャンバ２の側壁の温度は１００℃程度、保持部３２の温度は４０℃以下（３６〜４０℃）になるように調整した。次いで、このチャンバ２に超高濃度オゾンガスと水蒸気とを供給して前記基板が浸漬される程度に結露させた。前記超高濃度オゾンガスを供給するオゾン発生装置９には明電舎製のピュアオゾンジェネレータ（ＭＰＯ−ＨＭ１Ａ１）を用いた。オゾン分圧９０００Ｐａ及び水蒸気分圧３０００Ｐａのもとで前記基板を５分間封止した後に超純水によって洗浄した。処理前と処理後のレジストの膜厚［ｎｍ］、処理前と処理後の膜厚［ｎｍ］の差及び剥離速度［ｎｍ／分］を表１に示した。表１には３つの試料Ｓ１〜Ｓ２（前記レジストを有する基板）をアッシング処理した結果を開示した。
【００３８】
【表１】
2008294169.tif 000003
【００３９】
表１に示された結果から明らかなように発明に係る基板表面処理方法によれば１００℃よりも低温のもとでレジストに例示される有機物を除去できることが確認された。また、いずれの基板においてもポッピング現象が発生しないことも確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】発明の実施形態に係る高濃度オゾン水製造装置の概略構成を示した断面図。
【図２】発明の実施形態に係る基板表面処理装置の概略構成を示した断面図。
【図３】飽和水蒸気圧曲線。
【符号の説明】
【００４１】
１…オゾン水製造装置
２…チャンバ
３…真空ポンプ
４…ヒータ
５…冷却機構、２３…底部、２４…流通路
２５…結露、２６…高濃度オゾン水
６，７，１０…配管
８，１１…バルブ
９…オゾン発生装置
３０…基板表面処理装置
３１…基板
３２…保持部
【図１】
2008294169.tif 000004
【図２】
2008294169.tif 000005
【図３】
2008294169.tif 000006