(57)【要約】【課題】半導体発光装置では、発光層を基板上に堆積させて形成するため、完成した半導体発光装置には基板が射光面として残る。しかし、この基板は半導体発光装置が完成した後は、不要な部材である。そこで、レーザ光線を用いて発光層と基板を剥離する技術が提案されているが、１つ１つの半導体発光装置の基板を剥離するのは、製造効率が悪い。【解決手段】基板上に複数の発光層を形成し、電極とバンプを介してサブマウント上に接着する。レーザ光を基板の裏面から一度に照射し、複数の半導体発光装置を一度に形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハにｎ型層と活性層とｐ型層からなる発光層を形成する発光層形成工程と、
前記活性層と前記ｐ型層の一部を除去する除去工程と、
前記ｎ型層と前記ｐ型層にそれぞれｎ側電極およびｐ側電極を形成する電極形成工程と、
前記ウエハを取り出し電極を形成したサブマウント基板に接着させる貼付工程と、
前記ウエハの裏側からレーザを照射するレーザ照射工程と、
前記ウエハとサブマウント基板から剥離するウエハ剥離工程を含む半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記貼付工程の前に、前記活性層と前記ｐ型層が除去された前記ｎ型層に、前記ウエハまで達するノッチ部を入れるノッチ部付与工程を有する請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記貼付工程の前に、前記活性層と前記ｐ型層が除去された前記ｎ型層を所定厚みまで薄くするエッチング工程を有する請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記貼付工程の前に、前記活性層と前記ｐ型層が除去された前記ｎ型層に所定の深さのノッチ部を付与する薄いノッチ部付与工程を有する請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記ウエハ剥離工程の後に、サブマウントに充填材を充填する充填工程と、
前記ｎ型層が前記ウエハと接着していた面に反射防止処理を施す反射防止面付与工程とをさらに有する請求項１乃至４のいずれか１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウエハ剥離工程の後に、蛍光体含有封止層を形成する蛍光体含有封止層形成工程を有する請求項１乃至５のいずれか１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記ウエハ剥離工程の後に、少なくとも１つ以上の半導体発光装置が１のサブマウント上に存在するように前記サブマウント基板を切断するサブマウント切断工程を有する請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｎ側電極とｐ側電極とが一方の面にあり、サブマウント上に形成された半導体発光装置であって、基板を有さない半導体発光装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードやレーザダイオードなどの半導体発光装置は、サファイアやＧａＮ系の基板上に発光層を形成することで得られる。この基板は発光層の作製後は不要となる。しかし、発光層は基板上に安定に作製されるため、あえてこれを除去せず、半導体発光素子の一部として利用されている。そのため基板は透明性のある材料が用いられている。
【０００３】
半導体発光素子としては、この基板の厚みが薄ければ、基板側面から漏れる損失光が減る。そのため基板を薄く出来れば面発光に近づけることになる。
【０００４】
一方、基板を薄くすると機械的な強度が減るため、基板が割れ、歩留まりが低下するという課題がある。これに対しては、基板上に発光層を形成し、電極に固定した後に、レーザを照射して発光層を基板から剥離する技術がある（特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００６−１２８６５９号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体発光素子完成後の基板は、発光量を減少させる原因となるため、半導体発光装置完成後は、除去したいものである。この点特許文献１および２には、レーザを用いて基板を除去した半導体発光装置が開示されている。しかし、１つ１つの半導体発光装置に対して、個別的にレーザを用いた基板剥離処理を行ったのでは、量産性に欠ける。また、１つ１つの半導体発光装置のサブマウントから発光面までの高さが異なると、レーザを用いた剥離処理での高さ調整に時間がかかり、これも量産性を低下させる原因となる。本発明は、上記の課題を解決するために想到されたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明は、ウエハ上に発光層を形成し、電極の形成を行なった後、サブマウントに接着させ、その後レーザをウエハ裏側から照射し、ウエハを剥離する半導体発光装置の製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の半導体発光装置の製造方法は、複数個をまとめて処理するので、個々の半導体発光装置によって基板（製造時にはウエハと呼ぶ）の高さに大きな違いがない。従って基板剥離用のレーザ光を一様に照射することができる。このため、高い量産性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施の形態１）
図１に本発明の半導体発光装置１を示す。半導体発光装置１は、サブマウント２１上に、半導体発光素子１０が固定されている構造である。
【０００９】
サブマウント２１には、引出電極２２、２３が形成されている。引出電極は半導体発光素子１０へ電流を印加するための電極である。半導体発光素子のｎ型層の側に接続するｎ側引出電極２２とｐ型層の側に接続されるｐ側引出電極２３がある。さらに図１では、引出電極は、スルーホール２６、２７を介して裏面電極２８、２９へ接続されている。これによって裏面電極２８、２９から半導体発光素子へ電流を流す事が出来る。なお、裏面電極もｎ側裏面電極２８とｐ側裏面電極２９がある。
【００１０】
引出電極にはバンプ２４、２５が形成されている。引出電極同様、バンプもｎ型層に接続されるｎ側バンプ２４とｐ型層に接続されるｐ側バンプ２５がある。図１ではｐ側バンプは複数あるが、まとめて符号２５で表す。もちろんｎ側バンプが複数個あってもよい。
【００１１】
このバンプによって引出電極と半導体発光素子は直接接続されている。従って、このバンプは接続線である。サブマウント、引出電極、裏面電極、スルーホール、バンプを含めて支持部２０と呼ぶ。なお、実施形態によっては、裏面電極や、スルーホール、バンプが支持部２０から省略される場合もある。
【００１２】
サブマウント２１は、シリコーンツェナーダイオード、シリコーンダイオード、シリコーン、窒化アルミニウム、アルミナ、その他のセラミック等を用いることができる。
【００１３】
スルーホールはサブマウントに穿たれた貫通孔で、内部に銅、アルミニウム、金等の導電材料を含む。裏面電極２８、２９は、スルーホールと電気的に接合しており、銅、銀、金などの導電材料で作製される。引出電極は、銅、アルミニウム、金、銀といった導電性の材料を用いる。
【００１４】
バンプは半導体発光素子１０をサブマウント２１上に固定し、また引出電極２２、２３との間を電気的に結合させる役割を有する。
【００１５】
バンプの材料としては、金、金−錫、半田、インジウム合金、導電性ポリマーなどを用いることができるが、特に金や金を主成分とする材料が好ましい。これらの材料を用いて、メッキ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法、液滴射出法、ワイヤーバンプ法等を用いて形成することができる。
【００１６】
例えば、ワイヤーバンプ法で金ワイヤーを作製し、その一端をボンダーにてサブマウント上の引出電極に接着した後、ワイヤーを切断することで金バンプを形成する。また、金などの高導電性材料の微粒ナノ粒子を揮発性溶剤に分散した液をインクジェット印刷と同様な手法で印刷し、溶剤を揮発除去してナノ粒子の集合体としてのバンプを形成する液滴射出法を用いることもできる。
【００１７】
図２に半導体発光素子１０の断面図を、図３に電極面方向からの平面図を示す。半導体発光素子１０は、ｎ型層１２、活性層１３、ｐ型層１４、ｎ側電極１６、ｐ側電極１７からなる。ｎ型層１２の上方は射光面３０となる。
【００１８】
発光層となるｎ型層１２と活性層１３とｐ型層１４は、製造時には基板若しくは基板上にＧａＮやＡｌＧａＮ、ＡｌＮを薄く形成したテンプレートの上に順次積層される。しかし、積層後基板は取り除かれるため、半導体発光素子若しくは半導体発光装置としては、基板は残っていない。すなわち、発光層は基板を介さず直接光を放出する。なお、基板はサファイア等のように、後に剥離するために照射するレーザの光エネルギーより大きいバンドギャップを有する材料が好ましい。
【００１９】
発光層の材質は特に制限はないが、窒化ガリウム系化合物であれば好ましい。具体的には、それぞれ、ＧａＮのｎ型層１２、ＩｎＧａＮの活性層１３、ＧａＮのｐ型層１４である。なお、ｎ型層１２やｐ型層１４としては、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮを用いてもよいし、ｎ型層１２の射光面側には、ＧａＮやＩｎＧａＮで構成したバッファ層を配置することも可能である。また、例えば、活性層１３は、ＩｎＧａＮとＧａＮが交互に積層した多層構造（量子井戸構造）としてもよい。
【００２０】
このように積層したｎ型層１２と活性層１３とｐ型層１４の一部から、活性層１３とｐ型層１４を除去し、ｎ型層１２を露出させる。この露出させたｎ型層１２上に形成されたのが、ｎ側電極１６である。また、ｐ型層１４上に同じくｐ側電極１７が形成される。つまり、活性層１３とｐ型層１４を除去し、ｎ型層１２を露出させることで、発光層とｐ側電極およびｎ側電極は基板に対して同じ側の面に形成することができる。
【００２１】
ｐ側電極１７は発光層で発した光を射光面３０の側に反射するために反射率の高いＡｇやＡｌ、Ｒｈ等の第１の電極を用いる。ｐ型層１４とｐ側電極１７のオーミック接触抵抗を小さくするためにｐ型層１４とｐ側電極の間にＰｔやＮｉ、Ｃｏ、ＩＴＯ等の電極層を用いるとより望ましい。また、ｎ側電極１６はＡｌやＴｉ等を用いることができる。ｐ側電極１７およびｎ側電極１６の表面にはバンプとの接着強度を高めるためにＡｕやＡｌを用いることが望ましい。これらの電極は真空蒸着法、スパッタリング法などによって、形成することができる。
【００２２】
半導体発光素子１０のサイズは、特に限定はないが、光量が大きく面発光に近い光源とするには、全面積が広い方がよく、好ましくは一辺が６００μｍ以上であることが望ましい。
【００２３】
図４には、本発明の半導体発光素子及び半導体発光装置の製造方法を示す。まず、基板材料１１上にｎ型層１２と、活性層１３とｐ型層１４を形成する（図４（Ａ））。なお、基板材料はウエハ４１とも呼ぶ。また、ウエハ４１は後にレーザ光を用いてｎ型層との界面を剥離させるため、レーザ光が通過する透明な材質を用いるのがよい。次にｐ型層１４と活性層１３の一部をエッチングで取り去り、ｎ型層を露出させる（図４（Ｂ））。
【００２４】
さらに、隣接する半導体発光素子との境界部分にある、ｎ型半導体部分をエッチングで取り去り、ウエハ４１を露出させる（４２）（図４（Ｃ））。本発明の製造方法では、後にウエハ４１が取り去られるので、残ったｎ型層の幅４３が、完成した際の半導体発光素子の射光面の幅となる。
【００２５】
そして、露出したｎ型層上と、ｐ型半導体上にそれぞれｎ側電極１６、ｐ側電極１７を形成する（図４（Ｄ））。
【００２６】
図５には、図４でウエハ４１上に作製した半導体発光素子１０を用いて半導体発光装置を作製する製造方法を示す。サブマウント２１となる材料上に、引出電極２２、２３を形成する。必要に応じてスルーホール２６、２７や、裏面電極２８、２９も形成しておく。また、引出電極２２、２３にはバンプ２４、２５を形成しておく。そして、半導体発光素子１０をウエハごと接着させる（図５（Ｅ））。
【００２７】
次にこの半導体発光装置からウエハ４１を除去する（図５（Ｆ））。ウエハ４１にｎ型層１２が接触している部分にレーザ光５０を照射する。
【００２８】
レーザ光５０は、特に限定されるものではないが、波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光又は波長が３５５ｎｍのＹＡＧレーザの第３高調波光が好適に用いることができる。これらのレーザ光は、光出力が非常に大きい短パルスレーザであり、いずれの場合もウエハ４１を透過してｎ型層１２のみで吸収される。この光吸収により、ｎ型層１２はウエハ４１との界面付近が局所的に加熱され、熱分解を生じる。その結果、ｎ型層１２とウエハ４１との界面には熱分解により生じた金属ガリウム（Ｇａ）を含む分解層が形成される。
【００２９】
金属ガリウム（Ｇａ）は融点が約３０℃と低いため、全体を加熱することで容易にウエハを剥離することができる（図５（Ｇ））。なお、金属ガリウム（Ｇａ）は、酸性溶液を用いて除去することができるので、図５（Ｆ）の状態のものに酸性溶液を作用させてウエハ４１を剥離してもよい。
【００３０】
ウエハ４１を剥離すると、サブマウント２１となる材料上に半導体発光素子１０が連続的に形成された半導体発光装置１を得る事ができる（図５（Ｇ））。この後、半導体発光装置間を切断することで、１つ１つの半導体は光装置を得る事ができる。また、複数個の半導体発光装置をまとめて切り出すことで、１つのサブマウント上に複数個の半導体発光装置が集合した半導体発光装置の集合体を得る事もできる。以上のようにして露出したｎ型層を射光面とする半導体発光装置１を得る。
【００３１】
（実施の形態２）
実施の形態１では、レーザでウエハを剥離する際に、ｎ型層とウエハが結合している部分だけにレーザ光を照射した。ウエハを通過したレーザ光がサブマウントに当たるのを回避するためである。しかし、これではレーザ光を選択的に照射しなければならない。そこで、本実施の形態では、レーザ光を一様に照射できるようにし、より簡便に製造できるようにする。
【００３２】
図６に、本実施の形態の製造方法を示す。レーザ光を透過するウエハ４１上にｎ型層１２、活性層１３、ｐ型層１４を形成する（図６（Ａ））。活性層１３、ｐ型層１４の一部をエッチングで除去し、ｎ型層１２の一部を露出させる（図６（Ｂ））。そして、露出させたｎ型層の一部に、ウエハまで達するノッチ部４５を形成する（図６（Ｃ））。このノッチ部４５は、個々の半導体発光装置を分離するための境界を作るものである。その後、ｎ型層とｐ型層の上に電極１６、１７を形成する（図６（Ｄ））。
【００３３】
このようにして得た半導体発光素子が形成されたウエハをサブマウントに接着する（図７（Ｅ））。サブマウントに引出電極やスルーホール、バンプを形成しておくのは、実施の形態１と同じである。
【００３４】
次にレーザ光５０をウエハの裏側から照射し、ウエハとｎ型層の界面を加熱する。この時、ウエハには、ノッチ部分以外はｎ型層１２が残っているため、一様にレーザ光を照射することができる（図７（Ｆ））。そのためレーザ光を当てる部分と当てない部分を選択、判断する必要がないため、より容易に製造する事が出来る。
【００３５】
レーザ光を照射した後、加熱してウエハとｎ型層１２を分離させる工程は実施の形態１と同じである（図７（Ｇ））。以上のようにして露出したｎ型層を射光面とする半導体発光装置１を得る。
【００３６】
（実施の形態３）
実施の形態２では、レーザ光を一様に照射できるように、ｎ型層にノッチを入れた。しかし、ノッチの部分からレーザ光が漏れ、サブマウントにレーザの照射跡が残る。また引出電極の形状によっては、引出電極にレーザ光の照射跡が残ったり、引出電極自体が切断されるおそれもある。そこで、本実施の形態では、レーザ光の照射跡が残らないような製造方法を提供する。
【００３７】
図８に、本実施の形態の製造方法を示す。レーザ光を透過するウエハ４１上にｎ型層１２、活性層１３、ｐ型層１４を形成する（図８（Ａ））。活性層１３、ｐ型層１４の一部をエッチングで除去し、ｎ型層１２の一部を露出させる（図８（Ｂ））。そして、露出させたｎ型層１２の一部を、レーザ光で焼き切れる程度の厚みまでエッチングする（図８（Ｃ））。すなわち、ウエハ上に薄いｎ型層４６が残る。この時のｎ型層の厚みは、レーザ光が通過せず、また焼き残りが起こらない程度の厚みを残す。この厚みは、使用するレーザ光の種類とパワーで、適宜調整する必要があるが、およそ０．０５μｍから１μｍ以下程度である。この薄いｎ型層４６は後にレーザ光で焼き切る。図８（Ｃ）に戻って、その後ｎ型層とｐ型層の上に電極１６、１７を形成する（図８（Ｄ））。
【００３８】
このようにして得た半導体発光素子が形成されたウエハをサブマウント２１に接着する（図９（Ｅ））。サブマウントに引出電極やスルーホール、バンプを形成しておくのは、実施の形態１と同じである。
【００３９】
次にレーザ光５０をウエハ４１の裏側から照射し、ウエハとｎ型層１２の界面を加熱する。この時、ウエハには、隙間無くｎ型層が残っているため、一様にレーザ光を照射することができる（図９（Ｆ））。そのためレーザ光を当てる部分と当てない部分を選択、判断する必要がないため、容易に製造する事が出来る。また、個々の半導体発光装置の間のｎ型層はレーザ光５０で焼き切られるので、残留物が生じることもない。
【００４０】
レーザ光５０を照射した後、加熱してウエハ４１とｎ型層１２を分離させる工程は実施の形態１と同じである（図９（Ｇ））。以上のようにして露出したｎ型層を射光面とする半導体発光装置１を得る。
【００４１】
（実施の形態４）
実施の形態３では、レーザ光を一様に照射できるように、ｎ型層を薄く残した。しかし、全ての境界部分で、レーザ光を通過させず、また焼き残りがないような厚みに、ｎ型層を一様にエッチングするのも容易ではない。薄く残したｎ型層の厚みが不均一であった場合は、ｎ型層をレーザ光が通過し、サブマウントにレーザが照射されたり、焼き切れずにｎ型層が残留したりする。そこで、本実施の形態では、難度の高いエッチングを駆使しない製造方法を提供する。
【００４２】
図１０に、本実施の形態の製造方法を示す。レーザ光を透過するウエハ上にｎ型層１２、活性層１３、ｐ型層１４を形成する（図１０（Ａ））。活性層１３、ｐ型層１４の一部をエッチングで除去し、ｎ型層１２の一部を露出させる（図１０（Ｂ））。そして、各半導体発光装置の境界となる部分に、浅いノッチ部４７を形成する。この浅いノッチ部４７は、露出させたｎ型層１２をレーザ光で焼き切れる程度の厚みまでエッチングする（図１０（Ｃ））。この浅いノッチ部４７の厚みは、レーザ光が通過せず、また焼き残りが起こらない程度の厚みにするのは実施の形態３と同じである。しかし、浅いノッチ部４７は狭く小さな部分であるので、広い部分を一様にエッチングするよりは、容易に形成することができる。その後、ｎ型層とｐ型層の上に電極１６、１７を形成する（図１０（Ｄ））。
【００４３】
このようにして得た半導体発光素子が形成されたウエハ４１をサブマウントに接着する（図１１（Ｅ））。サブマウントに引出電極やスルーホール、バンプを形成しておくのは、実施の形態１と同じである。
【００４４】
次にレーザ光５０をウエハ４１の裏側から照射し、ウエハとｎ型層１２の界面を加熱する。この時、ウエハには、隙間無くｎ型層が残っているため、一様にレーザ光を照射することができる（図１１（Ｆ））。そのためレーザ光を当てる部分と当てない部分を選択、判断する必要がないため、容易に製造する事が出来る。また、個々の半導体発光装置の間には、薄いノッチ部４７以外は、ｎ型層１２が残っているので、レーザ光がｎ型層を通過してサブマウントにダメージが残る事もない。
【００４５】
レーザ光を照射した後、加熱してウエハとｎ型層を分離させる工程は実施の形態１と同じである（図１１（Ｇ））。以上のようにして露出したｎ型層を射光面とする半導体発光装置１を得る。
【００４６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、射光面となるｎ型層に反射防止処理を行った半導体発光装置２を提供する。
【００４７】
図１２に、本実施の形態の半導体発光装置２の構成を示す。ｎ型層、活性層、ｐ型層が積層された発光層にｐ側電極とｎ側電極が形成された半導体発光素子１０は、サブマウント上にバンプ、引出電極が形成された支持部２０上に接着されている。図１で示した半導体発光装置１と同じ構成である。ここで、ｎ型層の射光面には反射防止処理３２が施されている。射光面に反射防止処理が施されると、発光層から出た光が、射光面に浅い角度で入射しても全反射せず、光取り出し効率が向上する。
【００４８】
反射防止処理３２は射光面に微小な凹凸構造を形成することである。微小な凹凸構造は射光面での全反射を防ぎ、光の取り出し効率を向上させる。
【００４９】
図１３で、本実施の形態の半導体発光装置の製造方法を説明する。ウエハ上に発光層や電極を形成し、サブマウントに接着後、レーザ光でウエハを除去するまでは、実施の形態１乃至４の場合と同じであり、いずれの方法を用いてもよい（図１３（Ａ））。
【００５０】
次に、半導体発光装置が形成されたサブマウントに充填材５５を流し込む（図１３（Ｂ））。充填材５５は、凹凸構造が形成される射光面以外の部分を保護する役割とともに、形成の工程で加えられる機械的な力から半導体発光装置を保護する役目を負う。充填材５５は、特に限定されるものではないが、しっかりと固定でき、かつ容易に除去できる材料がよい。
【００５１】
例えば、耐薬品性を有する樹脂が好適に使用され、液体状で充填した後に硬化することで半導体発光装置を保護することができる。充填材５５は、少なくとも凹凸構造が形成される射光面が露出している程度までは充填する。処理の方法によっては、射光面よりわずかに下までの充填であってもよい。
【００５２】
次に射光面であるｎ型層の表面に微小な凹凸構造３２を形成する。微小凹凸構造の形成は、いくつかの方法があり、どの方法を用いても構わないが、機械的な応力がなるべく掛からない方法が望ましい。
【００５３】
具体的には、エッチングによる方法が挙げられる。エッチングによる表面の凹凸形状の形成は、工程が簡単であり、また光取り出し効果も向上する。しかし、凹凸形状の正確な制御が困難であり、また全く同じ凹凸形状を多くの射光面の表面上に形成できないという特性がある。エッチングはウェットエッチングでもドライエッチングでも利用する事ができる。ドライエッチングでは、イオンミリング法や塩素ガス法などがある。ウェットエッチングでは、アルカリを主体としたエッチャントを用いてエッチングを行うことができる。
【００５４】
また、インクジェット印刷法により射光面の表面に凹凸構造を作製することもできる。この方法は射光面をエッチングする工程を含まないので簡便に行うことができる。作製する凹凸構造自体の屈折率を調整することで、光取り出し効果を得る事ができる。
【００５５】
反射防止処理が終了したら、充填材を除去する（図１３（Ｄ））。以上のようにして露出したｎ型層を射光面とし、射光面に反射防止処理を施した半導体発光装置２を得る。
【００５６】
なお、本実施の形態では反射防止処理終了後に充填材を除去したが、充填材は残したままにしてもよい。
【００５７】
（実施の形態６）
本実施の形態では、半導体発光素子の周囲に蛍光体含有封止層を配した半導体発光装置３を提供する。図１４に本実施の形態の製造方法による半導体発光装置３の構成を示す。半導体発光装置自体の構成は図１の場合と同じである。しかし、本実施の形態の半導体発光装置は、半導体発光素子の周囲に蛍光体含有封止層３５が配されている。
【００５８】
図１５を用いて、図１４の半導体発光装置の製造方法を説明する。ｎ型層、活性層、ｐ型層が積層された発光層にｐ型電極とｎ型電極が形成された半導体発光素子１０は、サブマウント上にバンプ、引出電極が形成された支持部２０上に接着されている。図１で示した半導体発光装置と同じ構成である（図１５（Ａ））。
【００５９】
次に半導体発光素子の部分を覆うように蛍光体含有封止層３５を形成する（図１５（Ｂ））。蛍光体含有封止層３５を形成する方法は特に限定はないが、蛍光体含有封止層用の塗料を印刷で塗布するのが、作製時間も短く簡単である。
【００６０】
蛍光体含有封止層３５は、無機若しくは有機の蛍光体材料の粒子を樹脂もしくはガラスといった透明媒体中に分散したものである。
【００６１】
用いる蛍光体材料としては、例えば、半導体発光素子１０が青色を発光し、半導体発光装置３自体の発光色を白色にする場合は、半導体発光素子１０からの青色の光を受けて、黄色に波長を変換し放出する蛍光体である。このような蛍光体材料としては、希土類ドープ窒化物系、または、希土類ドープ酸化物系の蛍光体が好ましい。より具体的には、希土類ドープアルカリ土類金属硫化物希土類ドープガーネットの(Ｙ・Ｓｍ)3(Ａｌ・Ｇａ)5Ｏ12：Ｃｅや（Ｙ0.39Ｇｄ0.57Ｃｅ0.03Ｓｍ0.01）3Ａｌ5Ｏ12、希土類ドープアルカリ土類金属オルソ珪酸塩、希土類ドープチオガレート、希土類ドープアルミン酸塩等を好適に用いることができる。また、珪酸塩蛍光体（Ｓｒ1-a1-b2-xＢａa1Ｃａb2Ｅｕx）2ＳｉＯ4やアルファサイアロン（α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ）Ｍｘ(Ｓｉ，Ａｌ)12(Ｏ，Ｎ)16を黄色発光の蛍光体材料として用いても良い。
【００６２】
媒体としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びフッ素樹脂を主成分とする樹脂を用いることができる。特に非シリコーン樹脂としては、シロキサン系の樹脂やポリオレフィン、シリコーン・エポキシハイブリッド樹脂などが好適である。
【００６３】
なお、樹脂の代わりにゾルゲル法で作製されるガラス材料を用いることもできる。具体的には、一般式Ｓｉ（Ｘ）n（Ｒ）4-n（ｎ＝１〜３）で表される化合物である。ここで、Ｒはアルキル基であり、Ｘはハロゲン（Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、アルコキシ基（−ＯＲ）から選ばれる。このガラス材の中にも蛍光体や一般式がＭ（ＯＲ）ｎで表されるアルコキシドを添加することもできる。アルコキシドを添加すると蛍光体含有封止層３５自体の屈折率を調整することができ、光取り出し効率を向上させることができる。
【００６４】
蛍光体含有封止層３５を形成した後は、サブマウント２１を切断して個々の半導体発光装置としたり、複数個の半導体発光装置をまとめて切り出してもよい。
【００６５】
なお、蛍光体含有封止層を形成したのち、その表面３７に反射防止処理を施しても良い。また、本実施の形態で、封止される半導体発光装置は実施の形態５で紹介した射光面に反射防止処理を施された半導体発光装置２であってもよい。
【００６６】
以上のようにして露出したｎ型層を射光面とし、蛍光体含有封止層で封止した半導体発光装置３を得る。
【００６７】
なお、本明細書を通じてＡｌはアルミニウム、Ｎは窒素、Ｏは酸素、Ａｇは銀、Ｒｈはロジウム、Ｐｔは白金、Ｎｉはニッケル、Ｃｏはコバルト、Ｔｉはチタン、Ａｕは金、Ｙはイットリウム、Ｓｍはサマリウム、Ｃｅはセリウム、Ｓｒはストロンチウム、Ｂａはバリウム、Ｃａはカルシウム、Ｅｕはユロピウム、Ｍｇはマグネシウムを表す。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、製造時に使った基板が残らない半導体発光装置を歩留まりよく製造する半導体発光装置の製造に利用する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】半導体発光装置の構成を表す図
【図２】半導体発光素子の断面を示す図
【図３】半導体発光素子を射光面側から見た平面図
【図４】実施の形態１の製造方法を示す図
【図５】実施の形態１の製造方法を示す図
【図６】実施の形態２の製造方法を示す図
【図７】実施の形態２の製造方法を示す図
【図８】実施の形態３の製造方法を示す図
【図９】実施の形態３の製造方法を示す図
【図１０】実施の形態４の製造方法を示す図
【図１１】実施の形態４の製造方法を示す図
【図１２】実施の形態５の製造方法で製造される半導体発光装置の構成を示す図
【図１３】実施の形態５の製造方法を示す図
【図１４】実施の形態６の製造方法で製造される半導体発光装置の構成を示す図
【図１５】実施の形態６の製造方法を示す図
【符号の説明】
【００７０】
１  半導体発光装置
１０  半導体発光素子
１２  ｎ型層
１３  活性層
１４  ｐ型層
１６  ｎ側電極
１７  ｐ側電極
２０  支持部
２１  サブマウント
２２  ｎ側引出電極
２３  ｐ側引出電極
２４  ｎ極バンプ
２５  ｐ極バンプ
２６、２７  スルーホール
３０  射光面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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