(57)【要約】【課題】熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造を提供する。【解決手段】ウェハを熱処理する前、切断線形成工程を実行し、また、該切断線形成工程の切断線の深さが、基板の１０分の１の厚さであることにより、熱処理過程において、応力累積による切断線の湾曲誤差を低減でき、その後の工程の切断線精度を向上でき、そして、より良い光源照射効果が得られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡と複数本の横方向のエピタキシャル層の切断痕跡とがあるエピタキシャル層と、該エピタキシャル層と接合され、また、熱処理前、上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡と上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡に沿って、切断線形成工程を行い、また、該切断線形成工程の深さが、該基板の厚さの１０分の１で、誤差が20%内である基板とが含有される、ことを特徴とする熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造。
【請求項２】
前記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡と前記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡とは、互いに直交することを特徴とする請求項１に記載の熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造。
【請求項３】
前記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡と前記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡とは、該基板の周縁まで延びることを特徴とする請求項１に記載の熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造。
【請求項４】
隣接する前記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡同士と、隣接する前記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡同士により囲まれた幾何領域により、複数のチップが定義されることを特徴とする請求項１に記載の熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造。
【請求項５】
該切断線形成工程は、エッチング法や切断法であることを特徴とする請求項１に記載の熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造。
【請求項６】
該エッチング法は、物理エッチングや化学エッチングであることを特徴とする請求項５に記載の熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造。
【請求項７】
該エピタキシャル層は、発光素子や吸光素子であることを特徴とする請求項１に記載の熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造。
【請求項８】
該基板は、ガラス基板やサファイア基板、ゲルマニウム基板、ヒ化ガリウム基板或いはシリコン基板からなる群から選ばれた何れかの一つであることを特徴とする請求項１に記載の熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造に関し、特に、応力累積による切断線の湾曲誤差を防止でき、その後の工程の切断線の精度が比較的に良い光源照射効果が得られるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
大量の集積回路が、一つのウェハに作製され、集積回路の作製が完成された後、或いは、該ウェハがブロックに形成された後、該ウェハを、複数の別々のチップに切断することが必要である。既存のウェハ切断線形成は、熱処理してから行うのが多いが、該ウェハは、熱処理された後、熱応力効果により湾曲の状態になり、また、該ウェハの直径が大きければ、湾曲の効果が明白的になり、そのため、熱処理された後、切断の工程を実行すると、そのウェハの切断線の精度が悪くなり、そして、光源照射効果も劣化して、製品信頼度が低下される。
【０００３】
図６と図７は、それぞれ、従来のマイクロシステムパッケージ構造の断面概念図と従来のマイクロシステムパッケージ構造のウェハの裏面の平面概念図である。図のように、まず、ガラス基板１３０を、ウェハ１４０上にセットし、パッド１５０により、該ウェハ１４０と該ガラス基板１３０とが隔離され、該ガラス基板１３０を切断する工程を実行する。作業人員は、該ガラス基板１３０を通して、該ウェハ１４０のアクティブ表面１４２上の一つのチップ１４４の配列位置をはっきり観察でき、そのため、各チップ１４４の辺長を基準として、所定の距離を変位して、該ガラス基板１３０において、複数の基板切断線１３２が形成される。
【０００４】
しかしながら、該ウェハ１４０を切断する時、該ウェハ１４０を逆転して、該ウェハ１４０の裏面から切り、これにより、該ガラス基板１３０に傷付かずに、該ウェハ１４０を切断できる。該ウェハ１４０の裏面から切ることが必要であるため、該ウェハ１４０を切断する時、該ウェハのアクティブ表面１４２上の各チップ１４４の配列位置を観察できず、そのため、前もって、該ウェハ１４０の裏面１４６に、縦方向の基準線１６２と横方向の基準線１７２を形成しなければならない。そして、該縦方向の基準線１６２と該横方向の基準線１７２を基準として、該ウェハ１４０の裏面１４６から、該ウェハ１４０において、それぞれ、複数本の縦方向の切断線１６４と複数本の横方向の切断線１７４が形成され、これにより、各チップ１４４が分離され。即ち、該ウェハ１４０を切断する時、縦方向の切断線１６４ａが、その前に形成された縦方向の切断線１６４ｂを基準とし、切り刃（図に未表示）が、約一つのチップ１４４の長度によって決定された距離に移動され、また、横方向の切断線１７４ａが、その前に形成された横方向の切断線１７４ｂを基準とし、切り刃（図に未表示）が、約一つのチップ１４４の幅により決定された距離に移動される。
【０００５】
しかしながら、縦方向の切断線と横方向の切断線が、その前に形成された縦方向の切断線やその前に形成された横方向の切断線を基準とする方法は、切り刃を移動する時の傾斜角度の誤差や移動距離の誤差等が存在するため、また、熱処理された後のウェハが、熱応力効果により湾曲するため、各縦方向の切断線や横方向の切断線を形成する時、その前に形成された縦方向の切断線や横方向の切断線の誤差により影響されるだけでなく、湾曲になったウェハにより、切断線の精度が悪くなる。そのため、ウェハ切断線形成工程において、複数本の縦方向の切断線と横方向の切断線が回生された後、比較的に大きい傾斜角度の累積誤差と移動距離の累積誤差及び切断精度の累積誤差が発生する。また、切断線精度の誤差により、チップが不良になり、光源照射効果が悪化し、そして、製品の信頼度が低減される。そのため、一般の従来のものは、実用とは言えない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の主な目的は、熱処理の前に、まず、切断線形成工程を実行し、また、該切断線形成工程の切断線の深さが、基板の１０分の１の厚さであり、これにより、応力累積による切断線湾曲誤差を防止できて、その後の工程の切断線精度が向上され、また、より良い光源照射効果が得られる熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の目的を達成するため、少なくとも、エピタキシャル層と基板が備えられ、該エピタキシャル層は、複数本の縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡と複数本の横方向のエピタキシャル層の切断痕跡とがあり、上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡と上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡は、互に直交し、また、該基板の周縁まで延び、隣接する上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡同士と隣接する上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡同士により囲まれた幾何領域により、複数のチップが定義され、また、該基板が、該エピタキシャル層に接合され、また、熱処理する前、上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡と上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡に沿って、切断線形成工程を行い、また、該切断線形成工程の深さが、該基板の厚さの１０分の１である熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１〜図４は、それぞれ、本発明の縱断面概念図と本発明の横断面概念図、本発明の平面概念図及び本発明のウェハを切断した後の立体概念図である。図のように、本発明は、熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造であり、少なくとも、エピタキシャル層１１と基板１２とが含有され、有效にチップの切断精度を改善できる。
【０００９】
該エピタキシャル層１１は、複数本の縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３と複数本の横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４があり、また、上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３と上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４とが、互いに直交し、該基板１２の周縁まで延ばし、隣接する縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３同士と隣接する横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４同士により囲まれた幾何領域により、複数のチップが定義され、また、該エピタキシャル層は、発光素子や吸光素子である。
【００１０】
該基板１２は、該エピタキシャル層１１に接合され、熱処理される前、上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３と上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４に沿って、切断線形成工程を実行し、また、該切断線形成工程の深さが、該基板の厚さの１０分の１  １５(誤差が20%内である)であり、また、該基板は、ガラス基板やサファイア基板、ゲルマニウム基板、ヒ化ガリウム基板或いはシリコン基板であり、該切断線形成工程は、エッチング法や切断法で、また、該エッチング法は、物理エッチングや化学エッチングである。
【００１１】
本発明を利用する時、まず、該基板１２と該エピタキシャル層１１とを接合する。該エピタキシャル層１１は、複数の縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３と複数の横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４が形成され、上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３と上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４が、該エピタキシャル層１１の表面に位置し、また、上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３と上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４とが、互いに直交し、隣接する縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３同士と隣接する横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４同士とにより囲まれた幾何領域により、複数のチップが定義される。
【００１２】
そして、熱処理される前、上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３と上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４とに沿って、切断線形成工程を実行し、上記縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡１３と上記横方向のエピタキシャル層の切断痕跡１４とを切断基準として、該基板１２に切断線を形成し、また、切断線の深さが、該基板の厚さの１０分の１  １５である。該基板１２に切断線が形成されることにより、複数本の縦方向の基板切断線１６と複数本の横方向の基板切断線１７が形成され、また、上記縦方向の基板切断線１６が、上記横方向基板切断線１７に直交し、また、該基板１２の周縁まで延ばす。
【００１３】
図５は、本発明のウェハ切断線形成準線の立体概念図である。図のように、熱処理される前、まず、切断線を形成することにより、熱処理過程により、該縦方向の基板切断線１６と該横方向の基板切断線１７が湾曲することにより、その後の工程の切断精度が悪化することを防止できる。また、該基板１２の直径が大きければ、応力の累積により、湾曲することがより明白になることにより、光源照射効果が劣化し、そのため、本発明によれば、その後の工程の切断線精度の誤差を低減できる。
【００１４】
以上のように、本発明は、熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造であり、有效に従来の諸欠点を改善でき、熱処理する前、まず、切断線形成工程を実行し、また、該切断線形成工程の切断線の深さが、基板の１０分の１の厚さであるため、熱処理過程において、応力累積による切断線湾曲誤差を低減でき、その後の工程の切断線精度を向上でき、また、より良い光源照射効果が得られる、そのため、本発明は、より進歩的かつより実用的で、法に従って特許請求を出願する。
【００１５】
以上は、ただ、本発明のより良い実施例であり、本発明は、それによって制限されることが無く、本発明に係わる特許請求の範囲や明細書の内容に基づいて行った等価の変更や修正は、全てが、本発明の特許請求の範囲内に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の縱断面概念図
【図２】本発明の横断面概念図
【図３】本発明の平面概念図
【図４】本発明のウェハを切断した後の立体概念図
【図５】本発明のウェハ切断線形成基準線の立体概念図
【図６】従来のマイクロシステムパッケージ構造の断面概念図
【図７】従来のマイクロシステムパッケージ構造のウェハ裏面の平面概念図
【符号の説明】
【００１７】
（本発明部分）
１１      エピタキシャル層
１２      基板
１３      縦方向のエピタキシャル層の切断痕跡
１４      横方向のエピタキシャル層の切断痕跡
１５      基板厚さ１０分の１
１６      縦方向の基板切断線
１７      横方向の基板切断線
（従来部分）
１３０      ガラス基板
１３２      基板切断線
１４０      ウェハ
１４２      アクティブ表面
１４４      一つのチップ
１４６      裏面
１５０      パッド
１６２      縦方向の基準線
１６４      縦方向の切断線
１６４ａ    縦方向の切断線
１６４ｂ    縦方向の切断線
１７２      横方向の基準線
１７４      横方向の切断線
１７４ａ    横方向の切断線
１７４ｂ    横方向の切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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