(57)【要約】【課題】サイズを変更することなく容量値を変化させることにより、共振周波数を幅広い範囲で設定できる電子部品を提供する。【解決手段】積層体部分３は、複数の絶縁層３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄが積層されて構成される。複数の内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、複数の絶縁層３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄと共に積層される。複数の内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、積層順とは異なる順番で電気的に接続されて、コイルＬを構成している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されて構成された積層体と、
前記複数の絶縁層と共に積層された複数の内部電極と、
を備え、
前記複数の内部電極は、積層順とは異なる順番で電気的に接続されて、コイルを構成していること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記複数の内部電極は、１以上の内部電極を積層方向に挟んだ状態で互いに電気的に接続された２つの内部電極を含むこと、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記複数の内部電極は、第１ないし第３の内部電極を含み、
前記第１の内部電極及び前記第２の内部電極は、前記第３の内部電極を積層方向に挟むように配置され、
前記第１の内部電極の一端は、前記第２の内部電極の一端に接続され、
前記第１の内部電極の他端は、前記第３の内部電極の一端に接続されること、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記複数の内部電極は、積層方向から見たときに重なっていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記積層体は、磁性材料により形成された基板上に設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記内部電極は、フォトリソグラフィにより作製されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
互いに電気的に接続された複数の前記コイルが、前記積層体内に形成されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
互いに絶縁状態にある複数の前記コイルが、前記積層体内に形成されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層と内部電極とが積層されて構成される電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、キャパシタ電極の存在によるインダクタンス値の低下を防止するためのＬＣ複合部品が記載されている。以下に、該ＬＣ複合部品について図面を参照しながら説明する。図１９は、該ＬＣ複合部品の分解斜視図である。
【０００３】
前記ＬＣ複合部品は、複数の基体層２００が積層されて構成される。積層方向の下部に位置する基体層２００の主面には、コイル導体２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０１ｄが形成されている。該コイル導体２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０１ｄは、ビアホール導体により接続されてコイルを形成する。また、コイル導体２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０１ｄが形成された基体層２００よりも積層方向の上部に位置する基体層２００の主面には、キャパシタ導体２０２ａ，２０２ｂが形成されている。該キャパシタ導体２０２ａ，２０２ｂは、基体層２００を挟んで互いに絶縁状態にあり、キャパシタ電極を構成する。
【０００４】
前記キャパシタ導体２０２ａ，２０２ｂは、前記コイル導体２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０１ｄに囲まれた部分の積層方向の直上領域の外側に形成されている。これにより、キャパシタ導体２０２ａ，２０２ｂが、コイル導体２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０１ｄが発生した磁力線を妨げることが防止され、ＬＣ複合部品のインダクタンス値の低下が防止される。
【０００５】
しかしながら、前記ＬＣ複合部品では、容量値を調整することによって共振周波数を調整するためには、キャパシタ導体２０２ａ，２０２ｂが形成された基体層２００の積層数を増減させなければならないという問題があった。特に、共振周波数を大きくしたい場合には、キャパシタ導体２０２ａ，２０２ｂが形成された基体層２００の積層数を増加させる必要があり、ＬＣ複合部品の大型化を招いていた。
【特許文献１】特開２００４−７９９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、サイズを変更することなく容量値を変化させることにより、共振周波数を幅広い範囲で設定できる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、複数の絶縁層が積層されて構成された積層体と、前記複数の絶縁層と共に積層された複数の内部電極と、を備え、前記複数の内部電極は、積層順とは異なる順番で電気的に接続されて、コイルを構成していること、を特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、内部電極の接続の順番を積層順と異ならせることにより、内部電極の接続を任意の順番とすることができる。そのため、内部電極の接続の順番を変更することにより、積層数を増加させることなく、所望の寄生容量を得ることができる。すなわち、電子部品において、サイズを変更することなく、幅広い範囲において共振周波数を設定することが可能となる。
【０００９】
本発明において、前記複数の内部電極は、１以上の内部電極を積層方向に挟んだ状態で互いに電気的に接続された２つの内部電極を含んでいてもよい。
【００１０】
本発明において、前記複数の内部電極は、第１ないし第３の内部電極を含み、前記第１の内部電極及び前記第２の内部電極は、前記第３の内部電極を積層方向に挟むように配置され、前記第１の内部電極の一端は、前記第２の内部電極の一端に接続され、前記第１の内部電極の他端は、前記第３の内部電極の一端に接続されていてもよい。
【００１１】
本発明において、前記複数の内部電極は、積層方向から見たときに重なっていてもよい。
【００１２】
本発明によれば、内部電極同士が積層方向から見たときに重なっているので、内部電極間において効率よく容量が形成されるようになる。
【００１３】
本発明において、前記積層体は、磁性材料により形成された基板上に設けられていてもよい。
【００１４】
本発明によれば、積層体が磁性材料により形成された基板上に設けられているので、コイルのインダクタンスが大きくなる。
【００１５】
本発明において、前記内部電極は、フォトリソグラフィにより作製されていてもよい。
【００１６】
本発明によれば、内部電極がフォトリソグラフィにより作製されているので、該内部電極の線幅を狭くすることができる。すなわち、内部電極の巻数を多くすることができ、コイルのインダクタンスを大きくすることができる。
【００１７】
本発明において、互いに電気的に接続された複数の前記コイルが、前記積層体内に形成されていてもよい。
【００１８】
本発明によれば、互いに電気的に接続された複数のコイルが積層体内に設けられているので、電子部品に複数の共振周波数を持たせることができるようになる。
【００１９】
本発明において、互いに絶縁状態にある複数の前記コイルが、前記積層体内に形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、内部電極の接続の順番を積層順と異ならせることにより、積層数を増加させることなく、所望の寄生容量を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（電子部品の構成について）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は、一実施形態に係る電子部品１及び比較例に係る電子部品１'の外観斜視図である。図１（ｂ）は、一実施形態に係る電子部品１の積層体部分３における分解斜視図である。
【００２２】
図１に示す電子部品１は、基板２、積層体部分３及び外部電極４，５を備える。基板２は、例えば、ＳｉＯ2等を主成分とする誘電性磁器材料とＮｉ、Ｚｎ及びＣｕ等を含むフェライト等を主成分とする磁性体磁器材料とからなる絶縁性の基板である。
【００２３】
積層体部分３は、内部にコイルＬを含んでいる。外部電極４，５は、電子部品１の互いに対向する端面に形成され、コイルＬと電気的に接続される。該外部電極４，５は、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成される。
【００２４】
以下に、積層体部分３について、図１（ｂ）を参照しながら詳細に説明する。積層体部分３は、図１（ｂ）に示すように、絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄ、及び、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが積層されて構成される。
【００２５】
絶縁層３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄは、例えば、ポリイミド樹脂等の絶縁性材料からなる矩形状の層である。
【００２６】
内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃはそれぞれ、絶縁層３８ｂ，３８ｃ，３８ｄの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成される。また、内部電極３１ｄは、基板２上にＡｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成される。内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、積層方向の上からこの順に積層され、積層順とは異なる順番で図示しないビアホール導体により電気的に接続されることにより、一つのコイルＬを構成する。以下に、詳しく説明する。
【００２７】
内部電極３１ａは、コイル部３２ａ、引き出し部３３ａ及び接続部３４ａにより構成される。内部電極３１ｂは、コイル部３２ｂ及び接続部３４ｂ，３５ｂにより構成される。内部電極３１ｃは、コイル部３２ｃ及び接続部３４ｃ，３５ｃにより構成される。内部電極３１ｄは、コイル部３２ｄ、引き出し部３３ｄ及び接続部３４ｄにより構成される。
【００２８】
コイル部３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、コイルＬの一部を構成し、渦巻状を有する電極である。渦巻状のコイル部３２ａの外側の一端には、引き出し部３３ａが形成され、該コイル部３２ａの内側の一端には、接続部３４ａが形成される。引き出し部３３ａは、外部電極４と電気的に接続される。
【００２９】
渦巻状のコイル部３２ｂ，３２ｃの外側の一端には、接続部３５ｂ，３５ｃが形成され、該コイル部３２ｂ，３２ｃの内側の一端には、接続部３４ｂ，３４ｃが形成される。渦巻状のコイル部３２ｄの外側の一端には、引き出し部３３ｄが形成され、該コイル部３２ｄの内側の一端には、接続部３４ｄが形成される。引き出し部３３ｄは、外部電極５と電気的に接続される。
【００３０】
前記内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、前記の通り、積層順とは異なる順番で電気的に接続される。すなわち、内部電極３１ａと内部電極３１ｃとは、内部電極３１ｂを積層方向に挟むように配置されると共に、互いに電気的に接続される。内部電極３１ｂと内部電極３１ｄとは、内部電極３１ｃを積層方向に挟むように配置されると共に、互いに電気的に接続される。より詳細には、内部電極３１ａと内部電極３１ｃとは、接続部３４ａと接続部３４ｃとがビアホール導体（図示せず）により接続されることにより接続される。また、内部電極３１ｃと内部電極３１ｂとは、接続部３５ｃと接続部３５ｂとがビアホール導体（図示せず）により接続されることにより接続される。内部電極３１ｂと内部電極３１ｄとは、接続部３４ｂと接続部３４ｄとがビアホール導体（図示せず）により接続されることにより接続される。これにより、積層方向の上層から、内部電極３１ａ、内部電極３１ｃ、内部電極３１ｂ、内部電極３１ｄの順に接続されたコイルＬが形成される。なお、この際、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ間に寄生容量を発生させるために、積層方向の上層側から見たときに、コイル部３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、互いに重なるように配置される。
【００３１】
絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄは、例えば、ポリイミド樹脂等の絶縁性材料からなる矩形状の層である。該絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄのそれぞれには、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄと同じ形状の欠如部３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄ（絶縁性材料が存在しない空白部分）が形成されている。絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄ、及び、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが積層される際には、絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄの欠如部３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄに、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄがはまり込む。
【００３２】
なお、説明の便宜上、絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄと絶縁層３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄとは、別々に分離して図示したが、実際には、絶縁層３０ａと絶縁層３８ａ、絶縁層３０ｂと絶縁層３８ｂ、絶縁層３０ｃと絶縁層３８ｃ、及び、絶縁層３０ｄと絶縁層３８ｄのそれぞれは、後述するフォトリソグラフィ工程において一体的に（同時に）形成される。したがって、実際には、絶縁層３０ａと絶縁層３８ａ、絶縁層３０ｂと絶縁層３８ｂ、絶縁層３０ｃと絶縁層３８ｃ、及び、絶縁層３０ｄと絶縁層３８ｄのそれぞれは、図１（ｂ）のように分離されているわけではない。
【００３３】
（効果）
以上のような構成を有する電子部品１によれば、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの接続の順番を変化させるだけで、積層数を増加させることなく、寄生容量の大きさを変化させることができる。その結果、電子部品１において、幅広い範囲において共振周波数を設定することが可能となる。
【００３４】
以下に、図面を参照しながら、前記効果について説明する。図２は、図１に示す電子部品１の等価回路図である。図３は、比較例である電子部品１'の積層体部分３'の分解斜視図である。図４は、電子部品１'の等価回路図である。なお、図３及び図４に示す電子部品１'及び積層体部分３'において、電子部品１及び積層体部分３と同じ構成については、同じ参照符号に「'」を付して記載している。図５は、電子部品１、電子部品１'、及び、基板２にアルミナ基板を用いた電子部品１の周波数と挿入損失の関係を示したグラフである。図５において、縦軸は挿入損失を示し、横軸は周波数を示す。
【００３５】
図３に示す比較例である電子部品１'では、内部電極３１'ａ、内部電極３１'ｃ、内部電極３１'ｂ、内部電極３１'ｄは、この順に積層方向の上層から積層されており、この積層順に電気的に接続されている。
【００３６】
電子部品１では、図２に示すように、内部電極３１ａ、内部電極３１ｃ、内部電極３１ｂ、内部電極３１ｄが、この順にコイルとして直列に接続される。そして、互いに積層方向に隣り合う内部電極３１ａと内部電極３１ｂとの間に寄生容量Ｃ１が形成され、互いに積層方向に隣り合う内部電極３１ｂと内部電極３１ｃとの間に寄生容量Ｃ２が形成され、互いに積層方向に隣り合う内部電極３１ｃと内部電極３１ｄとの間に寄生容量Ｃ３が形成される。
【００３７】
一方、電子部品１'では、図４に示すように、内部電極３１'ａ、内部電極３１'ｃ、内部電極３１'ｂ、内部電極３１'ｄが、この順にコイルとして直列に接続される。そして、互いに積層方向に隣り合う内部電極３１'ａと内部電極３１'ｃとの間に寄生容量Ｃ’１が形成され、互いに積層方向に隣り合う内部電極３１'ｃと内部電極３１'ｂとの間に寄生容量Ｃ’２が形成され、互いに積層方向に隣り合う内部電極３１'ｂと内部電極３１'ｄとの間に寄生容量Ｃ’３が形成される。
【００３８】
以上のように、電子部品１において、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを接続する順番を、積層順と異ならせることにより、電子部品１と電子部品１'との等価回路を異ならせることができる。より詳細には、電子部品１に形成される寄生容量を、電子部品１'に形成される寄生容量よりも大きくすることができ、その結果、図５に示すように、電子部品１の共振周波数を、電子部品１'の共振周波数よりも低くすることが可能となった。すなわち、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを接続する順番を変化させるだけで、電子部品１の共振周波数を変更することが可能となった。
【００３９】
また、電子部品１によれば、積層体部分３が、磁性材料により形成された基板２上に形成されるので、例えば、非磁性材料（アルミナ）の基板上に積層体部分が形成された場合に比べて、コイルＬのインダクタンスを大きくすることができる。その結果、図５に示すように、電子部品１の共振周波数を低くすることができる。すなわち、基板２の材料を変更することにより、電子部品１の共振周波数を変更することが可能となる。
【００４０】
（変形例）
以下に、電子部品１の変形例について図面を参照しながら説明する。図６ないし図８は、電子部品１の積層体部分３の変形例を示した分解斜視図である。なお、図１の電子部品１と同じ構成については、同じ参照符号を付してある。
【００４１】
電子部品１において、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、図６又は図７のような順番で配置及び接続されてもよい。具体的には、図６では、積層方向の上層から、内部電極３１ｂ、内部電極３１ｃ、内部電極３１ａ、内部電極３１ｄの順に積層され、内部電極３１ａ、内部電極３１ｃ、内部電極３１ｂ、内部電極３１ｄの順に接続されている。また、図７では、積層方向の上層から、内部電極３１ｂ、内部電極３１ａ、内部電極３１ｄ、内部電極３１ｃの順に積層され、内部電極３１ａ、内部電極３１ｃ、内部電極３１ｂ、内部電極３１ｄの順に接続されている。
【００４２】
また、図８に示すように、積層体部分３の内部電極は、３層構造であってもよい。具体的には、図８に示す積層体部分３では、積層方向の上層から、内部電極３１ｅ、内部電極３１ａ、内部電極３１ｄの順に積層され、内部電極３１ａ、内部電極３１ｅ、内部電極３１ｄの順に接続される。
【００４３】
図９（ａ）は、電子部品１の変形例に係る電子部品５１の外観斜視図である。図９（ｂ）は、該電子部品５１の積層体部分５３の分解斜視図である。図１０は、電子部品５１の周波数と挿入損失の関係を示したグラフである。図１０において、縦軸は挿入損失を示し、横軸は周波数を示す。電子部品５１は、積層体部分５３内において、積層方向に略平行なコイル軸を有する２つのコイルＬ２及びコイルＬ３を含んでいる。該コイルＬ２とコイルＬ３とは、最下層の内部電極３１ｄと内部電極６１ｄとが接続されることにより、接続されている。
【００４４】
以上のように、電子部品５１内に２つのコイルＬ２，Ｌ３が並ぶように形成されることにより、コイルＬ２とコイルＬ３との結合が弱くなり、図１０に示すように、２つの共振周波数を有する電子部品５１を作製することが可能となる。
【００４５】
図１１は、電子部品アレイ７１の外観斜視図である。図１１に示すように、図９に示す電子部品５１を複数個並べて配置して、電子部品アレイ７１としてもよい。該電子部品アレイ７１の場合、電子部品アレイ７１内に内蔵される４つのコイルは、互いに絶縁されている。
【００４６】
なお、引き出し部３３ａ，３３ｄは、複数層積層されて構成されていてもよい。以下に、図１２を参照しながら説明する。図１２は、引き出し部３３ａ，３３ｄが複数層積層されて構成された電子部品１の断面構造図である。図１２（ａ）は、該電子部品１の分解図であり、図１２（ｂ）は、電子部品１の外部電極５近傍の断面構造図であり、図１２（ｃ）は、電子部品１の外部電極４近傍の断面構造図である。図１３は、比較例に係る電子部品１０１の外部電極１０４近傍の断面構造図である。
【００４７】
図１２（ａ）に示すように、引き出し部３３ｄの上層には、内部電極３１とは接続されていない引き出し部３３'が形成される。そして、引き出し部３３'が形成された領域において、絶縁層３０，３８は、該引き出し部３３'に積層方向に重ならないように形成されている。これにより、絶縁層３０，３８及び内部電極３１が積層されると、図１２（ｂ）に示すように、引き出し部３３ｄと引き出し部３３'とが重なるようになる。その結果、内部電極３１の引き出し部３３の積層方向の厚みを大きくすることができ、内部電極３１と外部電極５とをより確実に接続することが可能となる。
【００４８】
また、図１２（ａ）に示すように、引き出し部３３ａの下層には、内部電極３１とは接続されていない引き出し部３３'が形成される。そして、引き出し部３３'と絶縁層３０，３８とが重なる量が、上層から下層に行くにしたがって大きくなるように、絶縁層３０，３８は形成される。具体的には、絶縁層３０，３８の端部は、上層から下層に行くにしたがって、外部電極４側の端面に近づくように形成される。
【００４９】
これにより、絶縁層３０，３８及び内部電極３１が積層されると、図１２（ｃ）に示すように、引き出し部３３ａと引き出し部３３'とが重なるようになる。その結果、引き出し部３３の積層方向の厚みを大きくすることができる。
【００５０】
更に、引き出し部３３'の間には、図１２（ｃ）に示すように、絶縁層３０，３８が位置するので、引き出し部３３ａは階段形状を有するようになり、該引き出し部３３ａが断線しにくくなる。より詳細には、引き出し部３３'間に絶縁層３０，３８が挟まれていない場合には、図１３に示すように、引き出し部１３３'と引き出し部１３３ａとの間に生じた段差により、引き出し部１３３ａが断線してしまう。一方、電子部品１では、絶縁層３０，３８が引き出し部３３'の間に存在するので、引き出し部３３'と引き出し部３３ａとの間に大きな段差が発生しない。そのため、電子部品１では、引き出し部３３ａの断線が発生しにくい。
【００５１】
なお、図１２（ａ）において、積層方向に互いに同じ高さに位置する引き出し部３３'と内部電極３１とは、同じフォトリソグラフィ工程にて作製される。
【００５２】
（製造方法について）
以下に、電子部品１の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１４ないし図１８は、電子部品１の製造時における工程断面図である。なお、以下に説明する電子部品１は、図１に示す電子部品１である。
【００５３】
基板２として、磁性材料からなる基板を用意する。そして、図１４（ａ）に示すように、基板２上に、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料からなる導電層３１ｄＡをスパッタリングや蒸着等のドライめっき法により形成する。
【００５４】
次に、導電層３１ｄＡ上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、図１４（ｂ）に示すように、導電層３１ｄＡの不要な部分が露出した形状を有するレジストパターン４０を形成する。
【００５５】
次に、露出した部分の導電層３１ｄＡをエッチングにて除去した後、レジストパターン４０を除去することにより、図１４（ｃ）に示すように、内部電極３１ｄを形成する。
【００５６】
次に、図１４（ｄ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ｄ，３８ｄを、基板２及び内部電極３１ｄ上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、ビアホールＨを、絶縁層３８ｄに形成する。
【００５７】
次に、図１５（ａ）に示すように、絶縁層３８ｄ上に、導電層３１ｃＡをドライめっき法により形成する。この際、ビアホールＨに導電性材料が充填され、ビアホール導体Ｂが形成される。次に、導電層３１ｃＡ上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、図１５（ｂ）に示すように、導電層３１ｃＡの不要な部分が露出した形状を有するレジストパターン４０を形成する。
【００５８】
次に、露出した部分の導電層３１ｃＡをエッチングにて除去した後、レジストパターン４０を除去することにより、図１５（ｃ）に示すように、内部電極３１ｃを形成する。
【００５９】
次に、図１５（ｄ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ｃ，３８ｃを、絶縁層３８ｄ及び内部電極３１ｃ上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、ビアホールＨ，Ｈ'を、絶縁層３８ｃに形成する。
【００６０】
次に、図１６（ａ）に示すように、絶縁層３８ｃ上に、導電層３１ｂＡをドライめっき法により形成する。この際、ビアホールＨ，Ｈ'に導電性材料が充填され、ビアホール導体Ｂ，Ｂ'が形成される。このビアホールＢは、内部電極３１ｄと導電層３１ｂＡとを電気的に接続している。
【００６１】
次に、導電層３１ｂＡ上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、図１６（ｂ）に示すように、導電層３１ｂＡの不要な部分が露出した形状を有するレジストパターン４０を形成する。
【００６２】
次に、露出した部分の導電層３１ｂＡをエッチングにて除去した後、レジストパターン４０を除去することにより、図１６（ｃ）に示すように、内部電極３１ｂを形成する。
【００６３】
次に、図１７（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ｂ，３８ｂを、絶縁層３８ｃ及び内部電極３１ｂ上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、ビアホールＨ'を、絶縁層３８ｂに形成する。
【００６４】
次に、図１７（ｂ）に示すように、絶縁層３８ｂ上に、導電層３１ａＡをドライめっき法により形成する。この際、ビアホールＨ’に導電性材料が充填され、ビアホール導体Ｂ'が形成される。このビアホールＢ’は、内部電極３１ｃと導電層３１ａＡとを電気的に接続している。
【００６５】
次に、導電層３１ａＡ上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、図１７（ｃ）に示すように、導電層３１ａＡの不要な部分が露出した形状を有するレジストパターン４０を形成する。
【００６６】
次に、露出した部分の導電層３１ａＡをエッチングにて除去した後、レジストパターン４０を除去することにより、図１８（ａ）に示すように、内部電極３１ａを形成する。
【００６７】
次に、図１８（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ａ，３８ａを、絶縁層３８ｂ及び内部電極３１ａ上にフォトリソグラフィにより形成する。最後に、外部電極４，５をスパッタリング、蒸着又は印刷焼付け等の方法により形成する。以上の工程を経て、電子部品１が完成する。
【００６８】
以上のように、電子部品１の内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、フォトリソグラフィにより作製される。フォトリソグラフィを用いることにより、線幅の狭い内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを形成できるようになる。その結果、内部電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの巻数を多くすることができ、電子部品１の積層数を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品及び比較例に係る電子部品の外観斜視図並びに該一実施形態に係る電子部品の積層体部分における分解斜視図である。
【図２】前記一実施形態に係る電子部品の等価回路図である。
【図３】比較例である電子部品の積層体部分の分解斜視図である。
【図４】比較例である電子部品の等価回路図である。
【図５】前記一実施形態に係る電子部品、比較例である電子部品、及び、基板にアルミナ基板を用いた電子部品の周波数と挿入損失の関係を示したグラフである。
【図６】電子部品の積層体部分の変形例を示した分解斜視図である。
【図７】電子部品の積層体部分の変形例を示した分解斜視図である。
【図８】電子部品の積層体部分の変形例を示した分解斜視図である。
【図９】前記一実施形態の電子部品の変形例に係る電子部品の外観斜視図並びに該変形例に係る電子部品の積層体部分における分解斜視図である。
【図１０】変形例に係る電子部品の周波数と挿入損失の関係を示したグラフである。
【図１１】電子部品アレイの外観斜視図である。
【図１２】引き出し部が複数層積層されて構成された電子部品の断面構造図である。
【図１３】比較例に係る電子部品の外部電極近傍の断面構造図である。
【図１４】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図１５】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図１６】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図１７】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図１８】電子部品の製造時における工程断面図である。
【図１９】従来のＬＣ複合部品の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００７０】
１，５１  電子部品
２，５２  基板
３，５３  積層体部分
４，５，５４，５５  外部電極
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄ，３８ｅ  絶縁層
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ  内部電極
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅ  コイル部
３３ａ，３３ｄ  引き出し部
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ，３４ｅ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｅ  接続部
３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄ，３７ｅ  欠如部
７１  電子部品アレイ
Ｂ，Ｂ’  ビアホール導体
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３  寄生容量
Ｈ，Ｈ’  ビアホール
Ｌ，Ｌ２，Ｌ３  コイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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