(57)【要約】【課題】複数の半導体チップを積層してなる積層型の半導体装置において、各半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させ、前記半導体装置を用いた半導体製品における電気的ノイズなどの諸問題を解消する。【解決手段】複数の半導体チップそれぞれのエッジ部において、外部と電気的に接続するための第1の電極パッドと、外部と電気的に接続されない第２の電極パッドとを形成する。次いで、前記複数の半導体チップを互いに積層し、前記複数の半導体チップの内、少なくとも２つの半導体チップを前記第２の電極パッドを介して互いにワイヤボンディングする。次いで、積層された前記複数の半導体チップ及び前記ワイヤボンディングを覆うようにして所定の樹脂部材で封止して半導体装置を得る。【選択図】図１
2008085032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップそれぞれのエッジ部において、外部と電気的に接続するための第1の電極パッドと、
前記複数の半導体チップの内、少なくとも２つ半導体チップのエッジ部において、外部と電気的に接続されない第２の電極パッドとを具備し、
前記複数の半導体チップは互いに積層されるとともに、前記第２の電極パッドが形成された前記少なくとも２つの半導体チップが前記第２の電極パッドを介して互いにワイヤボンディングされ、積層された前記複数の半導体チップ及びボンディングワイヤを覆うようにして所定の樹脂部材で封止したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の電極パッドは、前記複数の半導体チップそれぞれのエッジ部の、隅部に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
支持基板と、
前記支持基板上に設けられた第１の半導体チップであって、外部と電気的に接続するための第1の電極パッドが中央部にかつ外部と電気的に接続されない第２の電極パッドが隅部に形成されたエッジ部を有する第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップのエッジ部が露出するよう前記第１の半導体チップ上に積層された第２の半導体チップと、
前記第１の電極パッドに対応して設けられた外部接続端子と、
前記第２の電極パッドに対応して設けられたダミー端子と、
前記外部接続端子と前記第１の電極パッドとを電気的に接続する第１のボンディングワイヤと、
前記ダミー端子と前記第２の電極パッドとを接続する第２のボンディングワイヤと
を具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
支持基板と、
前記支持基板上に設けられた第１の半導体チップであって、外部と電気的に接続するための第1の電極パッドが中央部にかつ外部と電気的に接続されない第２の電極パッドが隅部に形成された第１のエッジ部を有する第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップのエッジ部が露出するよう前記第１の半導体チップ上に積層された第２の半導体チップであって、外部と電気的に接続するための第３の電極パッドが中央部にかつ外部と電気的に接続されない第４の電極パッドが隅部に形成された第２のエッジ部を有する第２の半導体チップと、
前記第１の電極パッドに対応して設けられた外部接続端子と、
前記第２の電極パッドに対応して設けられたダミー端子と、
前記外部接続端子および前記第１の電極パッドならびに前記第３の電極パッドを電気的に接続する第１のボンディングワイヤと、
前記ダミー端子および前記第２の電極パッドならびに前記第４の電極パッドを接続する第２のボンディングワイヤと
を具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記外部接続端子および前記ダミー端子は外部に露出しないリードフレームであり、このリードフレームは前記支持基板に接続されていることを特徴とする請求項３および４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを樹脂封止した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化に伴って１つのパッケージ内に複数の半導体チップを配置してマルチチップパッケージ(Multi Chip Package)とすることにより、半導体装置の高機能化と小型化とが図られている。そして、マルチチップパッケージには、複数の半導体チップを平面的に並べたものと、複数の半導体チップを厚み方向に積層したものとがある。半導体チップを平面的に並べたマルチチップパッケージは、広い実装面積を必要とするため、電子機器の小型化への寄与が小さい。このため、半導体チップを積層したスタックドＭＣＰなどの開発が盛んに行われている。
【０００３】
上述のような積層型の半導体チップにおいては、所定の樹脂をモールドして樹脂封止することになるが、半導体チップとモールド樹脂とは異種材料であるためにその密着性が本来的に低い。特に、下段に位置する半導体チップに対しては、その上方に位置するモールド樹脂の厚さが増大するために、特に下段に位置する半導体チップに対してのモールド樹脂の密着性が低くなる傾向にある。
【０００４】
一方、上述のような複数の半導体チップがマザーボードなどに実装される際に熱が付加されると、前記半導体チップ、特に下段に位置する半導体チップとモールド樹脂との密着性低下に起因して、これらの界面での剥離が生じるようになる。その結果、実装して得られた半導体製品の特性劣化の原因となっていた。
【０００５】
かかる状況に鑑み、特開平６−３７２３０号公報では、基板の中心部に複数のダミーパッドを形成し、これらの少なくとも一対同士をワイヤボンディングし、前記基板とモールド樹脂との剥離を抑制することが開示されている。
【０００６】
また、特開平９−２４６４３１号公報では、樹脂封止される電子部品及びリードの表面を樹脂皮膜で被覆し、モールド樹脂との密着性を向上させることにより、上述した剥離を抑制することが開示されている。
【０００７】
さらに、特開２００５−３１７８６０号公報では、外部と電気的に接続される電極パッドに加えて、外部と電気的に接続されない電極パッドを付加的に形成し、この電極パッド上に突起状部材を形成して、半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させることが開示されている。
【特許文献１】特開平６−３７２３０号
【特許文献２】特開平９−２４６４３１号
【特許文献３】特開２００５−３１７８６０号
【０００８】
しかしながら、上述したような方法では、特に複数の半導体チップを積層して半導体装置を製造したような場合には、各半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させることができず、さらに上述したように、特に下段に位置する半導体チップ上にはモールド樹脂が厚く存在することになるので、前記半導体チップとモールド樹脂との密着性を十分に採ることができないという問題を解消することができないでいた。
【０００９】
したがって、積層型の半導体装置における各半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上できるような技術は未だ存在しておらず、上述した半導体チップとモールド樹脂との密着性劣化による剥離に起因した、半導体製品の特性劣化などの問題を未だ解消することができないでいた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、複数の半導体チップを積層してなる積層型の半導体装置において、各半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させ、前記半導体装置を用いた半導体製品における特性劣化を解消することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成すべく、本発明の一態様は、
複数の半導体チップそれぞれのエッジ部において、外部と電気的に接続するための第1の電極パッドと、
前記複数の半導体チップの内、少なくとも２つ半導体チップのエッジ部において、外部と電気的に接続されない第２の電極パッドとを具え、
前記複数の半導体チップは互いに積層されるとともに、前記第２の電極パッドが形成された前記少なくとも２つの半導体チップが前記第２の電極パッドを介して互いにワイヤボンディングされ、積層された前記複数の半導体チップ及びボンディングワイヤを覆うようにして所定の樹脂部材で封止したことを特徴とする、半導体装置に関する。
【発明の効果】
【００１２】
以上、本発明の一態様によれば、複数の半導体チップを積層してなる積層型の半導体装置において、各半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させ、前記半導体装置を用いた半導体製品における特性劣化などの諸問題を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明のその他の特徴及び利点について、発明を実施するための最良の形態に基づいて説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一例における半導体装置を概略的に示す平面図であり、図２及び図３は、それぞれ図１に示す半導体装置のＡ−Ａ線に沿って切った場合及びＢ−Ｂ線に沿って切った場合の断面図である。
【００１５】
なお、これらの図においては、本発明の特徴を明確化すべく、実際の半導体装置とは異なるようにして描いている。例えば、以下に示すリードフレームなどは積層された半導体チップに対して互いに略平行となるようにして矩形状に描かれているが、実際のリードフレームは例えば前記半導体チップを中心として放射状に配列されている。また、リードフレームの数及びパッド数についても、実際の数とは異なる（少ない）ようにして記載している。
【００１６】
図１の半導体装置１０は外部接続端子であるリードフレームを介して外部と電気的に接続されるリードフレーム型半導体装置である。この半導体装置１０は、例えば金属製の支持基板１７Ｃ上にそれぞれ矩形状の第１の半導体チップ１１、第２の半導体チップ１２、第３の半導体チップ１３及び第４の半導体チップ１４が、それぞれ絶縁層１１Ａ、１２Ａ、１３Ａ及び１４Ａを介して互いにエッジ部分（矩形における一辺）を露出するように横方向にずれた状態で互いに積層されている。
【００１７】
なお、本例においては、各半導体チップは、右方向にずれた状態で積層されているが、左方向にずれた状態で積層しても良い。また、上方向及び／又は下方向にずれるようにして積層しても良い。すなわち、各半導体チップのエッジ部分が露出し、かかる部分にワイヤボンディングを行うためのパッドを形成することができるとともに、得られる半導体装置を実装する半導体製品の要求を満足するものであれば特に限定されるものではない。
【００１８】
また、第１の半導体チップ１１のエッジ部には複数のボンディングパッド１１１Ａ、ボンディングパッド１１１Ｂが形成されている。さらに、第２の半導体チップ１２のエッジ部には複数のボンディングパッド１２１Ａ、ボンディングパッド１２１Ｂが第１の半導体チップ１１のボンディングパッド１１１Ａ、１１１Ｂに対応して形成されている。同様に、第３の半導体チップ１３のエッジ部及び第４の半導体チップ１４のエッジ部には、それぞれ複数のボンディングパッド１３１Ａ、１３１Ｂ及び１４１Ａ、１４１Ｂが第１の半導体チップ１１のボンディングパッド１１１Ａ、１１１Ｂに対応して形成されている。
【００１９】
なお、各ボンディングパッドにおいて、参照符号“Ａ”が付されているものは、以下に説明するように外部との電気的接続を採るために使用されるものを表しており、参照符号“Ｂ”が付されているものは、以下に説明するように外部との電気的接続を採るためのものではなく、密着性向上のためのワイヤボンディングを行うために使用されるものであることを意味している。
【００２０】
また、第１の半導体チップ１１のエッジ部の近傍には、複数のリードフレーム１７が第１の半導体チップ１１のボンディングパッド１１１Ａ、１１１Ｂに対応して設けられている。
【００２１】
図から明らかなように、半導体チップ１１のエッジ部の中央部に設けられたボンディングパッド１１１Ａは、それぞれ対応する半導体チップ１２、１３、１４のボンディングパッド１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａおよび対応するリードフレーム１７にボンディングワイヤ１５で電気的に接続され、例えば外部駆動回路（図示せず）などに電気的に接続されている。一方、半導体チップ１１のエッジ部の端部にそれぞれ２個ずつ設けられたボンディングパッド１１１Ｂは、それぞれ対応する半導体チップ１２、１３、１４のボンディングパッド１２１Ｂ、１３１Ｂ、１４１Ｂにボンディングワイヤ１６で接続されるものの、対応するリードフレーム１７には接続されない。
【００２２】
さらに、積層された半導体チップ１１〜１４及びボンディングワイヤ１５，１６、並びにリードフレーム１７の端部はモールド樹脂１９で被覆され、封止される。なお、このようなモールド樹脂１９によって、半導体チップ１１〜１４に対してリードフレーム１７が固定配置されることになる。
【００２３】
また、本例では、モールド樹脂１９の、リードフレーム１７の下側に位置する部分の厚さが、上側に位置する部分の厚さよりも大きくなっているが、これは半導体チップの積層数などに依存するものであって、リードフレーム１７の上側及び下側の樹脂厚さを適宜調節し、逆転するようにすることもできる。
【００２４】
半導体チップ１１〜１４は、前記外部駆動回路などからのリードフレーム１７およびボンディングワイヤ１５を介した電気的信号によって互いに相関関係を保ちながら駆動されるようになる。一方、ボンディングワイヤ１６はリードフレーム１７に接続されていないことからも明らかなように、半導体チップ相互間の電気的接続を行うためのものではなく、例えば半導体チップ表面から発生した水分などを吸収したり、モールド樹脂１９に対してアンカー効果を発揮したりすることにより、半導体チップ１１〜１４のそれぞれと、モールド樹脂１９との密着性を高める作用効果を奏する。
【００２５】
すなわち、本例では、通常の電気的接続を行うボンディングパッド１１１Ａ〜１４１Ａに加えて、このような電気的接続を行わないダミーのボンディングパッド１１１Ｂ〜１４１Ｂを別途設け、これらのダミーのボンディングパッド１１１Ｂ〜１４１Ｂ同士をボンディングワイヤ１６で接続することによって、各半導体チップ１１〜１４とモールド樹脂１９との密着性の向上を図っている。
【００２６】
したがって、半導体装置１０を例えばマザーボードなどに実装する際に熱が付加されても、半導体チップ１１〜１４とモールド樹脂１９との密着性が十分高く保持されるので、これらの界面、特に下方に位置する半導体チップ１１や１２の界面での剥離が生じなくなる。その結果、実装して得られた半導体製品の特性劣化を抑制することができるようになる。
【００２７】
なお、半導体装置１０における半導体チップ１１〜１４が上述したように追加的に形成したダミーのボンディングパッドの他に、使用しないボンディングパッドを有するような場合は、これら不使用のボンディングパッド間をボンディングワイヤ１６でワイヤボンディングすることにより、かかる領域での半導体チップとモールド樹脂との密着性を増大させることができ、半導体装置１０に対し、半導体チップ及びモールド樹脂間の付加的な密着性増大の効果を付与することができる。
【００２８】
また、前記不使用のボンディングパッドがＶＳＳ（ＧＮＤに相当）の機能を奏する場合、上述したワイヤボンディングを行うことにより、ＶＳＳ機能を有するボンディングパッドの実質的な体積を増大することができるため、半導体装置１０の電気的ノイズ低減という付加的な効果も得ることができる。
【００２９】
なお、本例においては、ダミーのボンディングパッド１１１Ｂ〜１４１Ｂを特に半導体チップ１１〜１４のエッジ部の隅部に形成し、かかる位置においてワイヤボンディングを実施している。本発明者らの検討によれば、本例のような積層型の半導体装置においては、特に半導体チップの隅部においてモールド樹脂との密着性が低下し、この隅部において剥離が生じる割合が顕著になることを確認している。したがって、本例のように、半導体チップ１１〜１４のエッジ部の隅部でダミーボンディングパッド１１１Ｂ〜１４１Ｂを介してワイヤボンディングを行うことにより、半導体チップ１１~１４隅部におけるモールド樹脂１９との剥離を効果的に抑制することができるようになる。
【００３０】
但し、ダミーのボンディングパッド１１１Ｂ〜１４１Ｂは必ずしも半導体チップ１１〜１４のエッジ部の隅部に形成することを必須の要件とするものではなく、任意の位置に形成し、かかる位置での半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させるようにすることができる。例えば、半導体チップの中央部に形成した電気的接続を行うボンディングパッドの一部をダミーボンディングパッドとすることができる。
【００３１】
また、本例のように半導体チップ１１〜１４の隅部にダミーのボンディングパッド１１１Ｂ〜１４１Ｂを設ける場合、その個数や位置については、半導体チップの大きさや積層数、あるいはその後に受ける熱処理条件などによって適宜に設定することができる。一例として挙げれば、半導体チップ１１〜１４の隅部から１５００μｍの範囲に数個のダミーボンディングパッド１１１Ｂ〜１４１Ｂが存在することが好ましく、特に８００μｍ〜１ｍｍの間に１個程度のダミーボンディングパッド１１１Ｂ〜１４１Ｂが存在することが好ましい。
【００３２】
さらに、本例では、４つの半導体チップ１１〜１４を積層するようにして半導体装置１０を構成しているが、半導体チップの数については、２〜３個あるいは５個以上とすることもできる。
【００３３】
また、本例では、４つの半導体チップ１１〜１４の総てにおいてダミーのボンディングパッド１１１Ｂ〜１４１Ｂを形成し、これらを順次にワイヤボンディングしているが、２以上を適宜に選択してワイヤボンディングを行うようにすることもできる。例えば、第１の半導体チップ１１と第２の半導体チップ１２、第２の半導体チップ１２と第３の半導体チップ１３、又は第１の半導体チップ１１と第３の半導体チップ１３などとをワイヤボンディングすることもできる。さらには、第１の半導体チップ１１、第２の半導体チップ１２の２つのみをワイヤボンディングすることもできる。このような場合は、ワイヤボンディングした領域においてのみ、半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させることができる。
【００３４】
図４は、本発明の他の例における半導体装置を概略的に示す平面図であり、図５及び図６は、それぞれ図４に示す半導体装置のＣ−Ｃ線に沿って切った場合及びＤ−Ｄ線に沿って切った場合の断面図である。
【００３５】
なお、これらの図においても、本発明の特徴を明確化すべく、実際の半導体装置とは異なるようにして描いている。例えば、支持基板及び／又は半導体チップ上に形成されたパッド数についても、実際の数とは異なる（少ない）ようにして記載している。さらに、支持基板上に形成されたボンディングパッドも、互いに略平行な状態で矩形状に描かれているが、実際には前記半導体チップを中心として放射状に配列されている。
【００３６】
本例に示す半導体装置２０はＢＧＡ（ball grid array）型半導体装置である。この半導体装置２０は、支持基板２７上に第１の半導体チップ２１が、この第１の半導体チップ２１の上に第２の半導体チップ２２が、それぞれ絶縁層２１Ａ、２２Ａを介して互いにエッジ部分を露出するように横方向に僅かにずれた状態で互いに積層されている。
【００３７】
なお、本例においても、各半導体チップは、右方向にずれた状態で積層されているが、左方向にずれた状態で積層しても良い。また、上方向及び／又は下方向にずれるようにして積層しても良い。すなわち、各半導体チップのエッジ部分が露出し、かかる部分にワイヤボンディングを行うためのパッドを形成することができるとともに、得られる半導体装置を実装する半導体製品の要求を満足するものであれば特に限定されるものではない。
【００３８】
また、第１の半導体チップ２１のエッジ部には、中央部においてボンディングパッド２１１Ａが形成され、隅部においてボンディングパッド２１１Ｂが形成されている。さらに、第２の半導体チップ２２のエッジ部には、中央部においてボンディングパッド２２１Ａが第１の半導体チップ２１のボンディングパッド２１１Ａに対応して形成され、隅部においてボンディングパッド２２１Ｂが第１の半導体チップ２１のボンディングパッド２１１Ｂに対応して形成されている。
【００３９】
なお、各ボンディングパッドにおいて、参照符号“Ａ”が付されているものは、上記例同様に、外部との電気的接続を採るために使用されるものを表しており、参照符号“Ｂ”が付されているものは、上記例同様に、外部との電気的接続を採るためのものではなく、密着性向上のためのワイヤボンディングを行うために使用されるものであることを意味している。
【００４０】
また、支持基板２７には、半導体チップ２１の近傍には、ボンディングパッド２７１が半導体チップ２１のボンディングパッド２１１Ａ、２１１Ｂに対応して形成されている。支持基板の半導体チップ２１、２２が搭載された面とは反対側の面には外部接続端子２７３がボンディングパッド２７１に対応して複数形成されており、外部接続端子２７３とボンディングパッド２１１Ａ、２１１Ｂはそれぞれスルーホール２７２を介して電気的に接続されている。なお、外部接続端子２７３が形成された面上にはダミー端子２７４も形成されている。
【００４１】
図から明らかなように、半導体チップ２１の、エッジ部の中央部に設けられたボンディングパッド２１１Ａは、対応する半導体チップ２２のボンディングパッド２２１Ａおよび対応する支持基板２７上のボンディングパッド２７１Ａにボンディングワイヤ２５で電気的に接続され、例えば外部駆動回路（図示せず）などに電気的に接続されている。一方、半導体チップ２１のエッジ部の隅部に設けられたボンディングパッド２１１Ｂは、対応する半導体チップ２２のボンディングパッド２２１Ｂにボンディングワイヤ２６で接続されるものの、支持基板２７の対応するボンディングパッド２７１Ｂには接続されない。
【００４２】
さらに、積層された半導体チップ２１、２２及びボンディングワイヤ２５、２６、並びに支持基板２７はモールド樹脂２９で被覆され、封止される。
【００４３】
半導体チップ２１、２２は、外部駆動回路などからのボンディングワイヤ２５を介した電気的信号によって互いに相関関係を保ちながら駆動される。一方、ボンディングワイヤ２６はプリント基板１７のボンディングパッド２７１Ｂに接続されていないことからも明らかなように、半導体チップ相互間の電気的接続を行うためのものではなく、例えば半導体チップ表面から発生した水分などを吸収したり、モールド樹脂２９に対してアンカー効果を発揮したりすることにより、半導体チップ２１、２２のそれぞれと、モールド樹脂２９との密着性を高める作用効果を奏する。
【００４４】
すなわち、本例でも、通常の電気的接続を行うボンディングパッド２１１Ａ、２２１Ａに加えて、このような電気的接続を行わないダミーのボンディングパッド２１１Ｂ、２２１Ｂを別途設け、これらのダミーのボンディングパッド２１１Ｂ、２２１Ｂ同士をボンディングワイヤで接続することによって、各半導体チップ２１、２２とモールド樹脂２９との密着性の向上を図っている。
【００４５】
したがって、半導体装置２０を所定の部材などに取り付ける際の、例えば半田工程などにおいて熱が付加された場合においても、半導体チップ２１、２２とモールド樹脂２９との密着性が十分高く保持されるので、これらの界面、特に下方に位置する半導体チップ２１の界面での剥離が生じなくなる。その結果、実装して得られた半導体製品の特性劣化を抑制することができる。
【００４６】
なお、半導体装置２０における半導体チップ２１、２２が上述したように追加的に形成したダミーのボンディングパッドの他に、使用しないボンディングパッドを有するような場合は、これら不使用のボンディングパッド間をワイヤボンディングすることにより、かかる領域での半導体チップとモールド樹脂との密着性を増大させることができ、半導体装置２０に対し、半導体チップ及びモールド樹脂間の付加的な密着性増大の効果を付与することができる。
【００４７】
また、前記不使用のボンディングパッドがＶＳＳ（ＧＮＤに相当）の機能を奏する場合、上述したワイヤボンディングを行うことにより、ＶＳＳ機能を有するボンディングパッドの実質的な体積を増大することができるため、半導体装置２０の電気的ノイズ低減という付加的な効果も得ることができる。
【００４８】
なお、本例においても、ダミーのボンディングパッド２１１Ｂ、２２１Ｂを特に半導体チップ２１、２２のエッジ部の隅部に形成し、かかる位置においてワイヤボンディングを実施している。したがって、顕著な割合で発生する、半導体チップ２１、２２の隅部におけるモールド樹脂２９との剥離を効果的に抑制することができるようになる。
【００４９】
但し、ダミーのボンディングパッド２１１Ｂ、２２１Ｂは必ずしも半導体チップ２１〜２４のエッジ部の端部に形成することを必須の要件とするものではなく、任意の位置に形成し、かかる位置での半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させるようにすることができる。例えば、半導体チップの中央部に形成した電気的接続を行うボンディングパッドの一部をダミーボンディングパッドとすることができる。
【００５０】
また、本例のように半導体チップ２１〜２４の端部にダミーのボンディングパッド２１１Ｂ〜２４１Ｂを設ける場合にも、その個数や位置については、半導体チップの大きさや積層数、あるいはその後に受ける熱処理条件などによって適宜に設定することができる。一例として挙げれば、上記例同様に、半導体チップ２１〜２４の端部から１５００μｍの範囲に数個のダミーボンディングパッド２１１Ｂ〜２４１Ｂが存在することが好ましく、特に８００μｍ〜１ｍｍの間に１個程度のダミーボンディングパッド２１１Ｂ〜２４１Ｂが存在することが好ましい。
【００５１】
さらに、本例では、２つの半導体チップ２１、２２を積層するようにして半導体装置２０を構成しているが、半導体チップの数については、３個以上とすることもできる。
【００５２】
また、本例でも、３つ以上の半導体チップで半導体装置を構成した場合、総ての半導体チップにおいてダミーのボンディングパッドを形成し、これらを順次にワイヤボンディングしてもよいが、２以上を適宜に選択してワイヤボンディングを行うようにすることもできる。例えば、第１の半導体チップと第２の半導体チップ、第２の半導体チップと第３の半導体チップ、又は第１の半導体チップと第３の半導体チップなどとをワイヤボンディングすることもできる。
【００５３】
図７は、本発明の他の例における半導体装置を概略的に示す平面図である。なお、これらの図においても、本発明の特徴を明確化すべく、実際の半導体装置とは異なるようにして描いている。例えば、支持基板及び／又は半導体チップ上に形成されたパッド数についても、実際の数とは異なる（少ない）ようにして記載している。さらに、プリント基板上に形成されたボンディングパッドも、互いに略平行な状態で矩形状に描かれているが、実際には前記半導体チップを中心として放射状に配列されている。
【００５４】
図７の半導体装置３０は、図１と同様にリードフレームを介して外部と電気的に接続されるリードフレーム型半導体装置である。この半導体装置３０は、一対の金属製の支持基板３１上に絶縁層（図示せず）を介して第１の半導体チップ３２が載置されている。この第１の半導体チップ３２上に第２の半導体チップ３３が、絶縁層（図示せず）を介してエッジ部分（矩形における一辺）を露出するように横方向にずれた状態で積層されている。
【００５５】
なお、本例においても、図１に関する例と同様に、各半導体チップは、右方向にずれた状態で積層されているが、左方向にずれた状態で積層しても良い。また、上方向及び／又は下方向にずれるようにして積層しても良い。すなわち、各半導体チップのエッジ部分が露出し、かかる部分にワイヤボンディングを行うためのパッドを形成することができるとともに、得られる半導体装置を実装する半導体製品の要求を満足するものであれば特に限定されるものではない。
【００５６】
第１の半導体チップ３２のエッジ部には複数のボンディングパッド３２１Ａ、３２１Ａ’、３２１Ｂが形成されている。第２の半導体チップ３３のエッジ部には複数のボンディングパッド３３１Ａ、３３１Ａ’、３３１Ｂが、第１の半導体チップ３２のボンディングパッド３２１Ａ、３２１Ａ’３２１Ｂに対応して形成されている。
【００５７】
なお、本例においても、各ボンディングパッドにおいて、参照符号“Ａ”が付されているものは、以下に説明するように外部との電気的接続を採るために使用されるものを表しており、参照符号“Ｂ”が付されているものは、以下に説明するように外部との電気的接続を採るためのものではなく、密着性向上のためのワイヤボンディングを行うために使用されるものであることを意味している。
【００５８】
また、半導体チップ３２のエッジ部の近傍には、複数のリードフレーム３４１Ａ、３４１Ａ’、３４１Ｂ、３４１Ｃが設けられている。リードフレーム３４１Ａは第１の半導体チップ３２のボンディングパッド３２１Ａに対応して設けられており、半導体装置３０のエッジ部側の辺で外部に露出している。リードフレーム３４１Ａ’は第１の半導体チップ３２のボンディングパッド３２１Ａ’に対応して設けられており、半導体装置３０におけるエッジ部側から第１の半導体チップ３２の下方を通ってエッジ部側とは反対側に延出し、リードフレーム３４１Ａとは反対側の辺にて外部に露出している。なお、リードフレーム３４１Ａ’は半導体装置３０におけるエッジ部側では外部に露出しておらず、エッジ部側とは反対側の辺においてのみ外部に露出している。
【００５９】
リードフレーム３４１Ｂは第１の半導体チップ３２のボンディングパッド３２１Ｂに対応して設けられており、外部に露出することなく、支持基板３１に接続されている。このリードフレーム３４１Ｂはダミー端子として用いられる。リードフレーム３４１Ｃは半導体チップ３２、３３とは接続されていないダミーのリードフレームであり、半導体装置３０のエッジ部側の辺でリードフレーム３４１Ａに併設して、またエッジ部側とは反対側の辺でリードフレーム３４１Ａ’に併設されている。
【００６０】
半導体チップ３３のエッジ部の中央部に設けられたボンディングパッド３３１Ａ、３３１Ａ’は、それぞれ対応する半導体チップ３２のボンディングパッド３２１Ａ、３２１Ａ’および対応するリードフレーム３４１Ａ、３４１Ａ’にボンディングワイヤ３５で電気的に接続され、例えば外部駆動回路（図示せず）などに電気的に接続されている。半導体チップ３２のエッジ部の端部に設けられたボンディングパッド３２１Ｂは、対応する半導体チップ３３のボンディングパッド３３１Ｂにボンディングワイヤ３６で接続されるものの、外部に露出したリードフレームには接続されず、ダミー端子であるリードフレーム３４１Ｂに接続されている。
【００６１】
積層された半導体チップ３２、３３、ボンディングワイヤ３５、３６、支持基板３１、リードフレーム３４１Ａ、３４１Ａ’、３４１Ｂ、３４１Ｃは、モールド樹脂１９で被覆され、封止されている。
【００６２】
半導体チップ３２、３３は、リードフレーム３４１Ａ、３４１Ａ’およびボンディングワイヤ３５を介した前記外部駆動回路などからの電気的信号によって互いに相関関係を保ちながら駆動されるようになる。一方、ボンディングワイヤ３６は外部に接続されるリードフレームには接続されていないことから、半導体チップ相互間の電気的接続を行うためのものではなく、例えば半導体チップ表面から発生した水分などを吸収したり、モールド樹脂３７に対してアンカー効果を発揮したりすることにより、半導体チップ３２、３３のそれぞれと、モールド樹脂３７との密着性を高める作用効果を奏する。
【００６３】
すなわち、本例では、通常の電気的接続を行うボンディングパッドに加えて、電気的接続を行わないダミーのボンディングパッド３２１Ｂ、３３１Ｂを別途設け、これらのダミーのボンディングパッド同士をボンディングワイヤ３６で接続することによって、各半導体チップ３２、３３とモールド樹脂３７との密着性の向上を図っている。
【００６４】
したがって、半導体装置３０を例えばマザーボードなどに実装する際に熱が付加されても、半導体チップとモールド樹脂との密着性が十分高く保持されるので、これらの界面、特に下方に位置する半導体チップの界面での剥離が生じなくなる。その結果、実装して得られた半導体製品の特性劣化を抑制することができるようになる。
【００６５】
なお、半導体装置３０における半導体チップが上述したように追加的に形成したダミーのボンディングパッドの他に、使用しないボンディングパッドを有するような場合は、これら不使用のボンディングパッド間をボンディングワイヤ３６でワイヤボンディングすることにより、かかる領域での半導体チップとモールド樹脂との密着性を増大させることができ、半導体装置に対し、半導体チップ及びモールド樹脂間の付加的な密着性増大の効果を付与することができる。
【００６６】
また、前記不使用のボンディングパッドがＶＳＳ（ＧＮＤに相当）の機能を奏する場合、上述したワイヤボンディングを行うことにより、ＶＳＳ機能を有するボンディングパッドの実質的な体積を増大することができるため、半導体装置の電気的ノイズ低減という付加的な効果も得ることができる。
【００６７】
なお、本例においては、ダミーのボンディングパッド３２１Ｂ、３３１Ｂを特に半導体チップのエッジ部の隅部に形成し、かかる位置においてワイヤボンディングを実施していることから、特に半導体チップの隅部において生じやすいモールド樹脂との密着性が低下を効果的に抑制することができるようになる。
【００６８】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００６９】
例えば、上記例では単独の半導体装置のみに着目し、その構成要素である複数の半導体チップにダミーのボンディングパッドを設け、ワイヤボンディングを行って、半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させるようにしている。しかしながら、複数の半導体装置が、例えばプリント基板上で並列に配置されているような場合、隣接した半導体装置の、構成半導体チップ同士をダミーのボンディングパッドを介してワイヤボンディングすることによっても上述したような作用効果、すなわち半導体チップとモールド樹脂との密着性を向上させることができる。
【００７０】
但し、本発明の作用効果は、上述した積層型の半導体装置において顕著に発現されることになる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一例における半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の、Ａ−Ａ線に沿って切った場合の断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の、Ｂ−Ｂ線に沿って切った場合の断面図である。
【図４】本発明の他の例における半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図５】図４に示す半導体装置の、Ｃ−Ｃ線に沿って切った場合の断面図である。
【図６】図４に示す半導体装置の、Ｄ−Ｄ線に沿って切った場合の断面図である。
【図７】本発明のその他の例における半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０，２０，３０  半導体装置
１１，２１，３２  第１の半導体チップ
１２，２２，３３  第２の半導体チップ
１３  第３の半導体チップ
１４  第４の半導体チップ
１５，１６，２５，２６，３５，３６  ボンディングワイヤ
１７，３４１Ａ、３４１Ａ’、３４１Ｂ、３４１Ｃ  リードフレーム
１７Ｃ，２７，３１  支持基板
１８  絶縁層
１９、２９  モールド樹脂
１１１Ａ，１２１Ａ，１３１Ａ，１４１Ａ、２１１Ａ，２２１Ａ，３２１Ａ，３２１Ａ’，３３１Ａ’ボンディングパッド
１１１Ｂ，１２１Ｂ，１３１Ｂ，１４１Ｂ、２１１Ｂ，２２１Ｂ，３２１Ｂ，３３１Ｂ  （ダミーの）ボンディングパッド
２７１  （支持基板の）ボンディングパッド
２７２  スルーホール
２７３  外部接続端子
２７４  ダミー端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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