(57)【要約】      （修正有）【課題】キャリア基板に配置された接点アレイと、当該接点アレイに導電的に接続された半導体チップ接続接点とを有するチップモジュールを提供する。【解決手段】チップ１１表面および当該チップ表面２とは反対側に位置する接点アレイ表面３を有するキャリア基板１と、上記キャリア基板の上記チップ表面に固定されていると共に少なくとも１つのチップ接続接点９を有するチップと、上記接点アレイ表面上に形成された少なくとも１つの接点アレイ４と、上記接点アレイ表面と上記チップ表面との間に位置する上記キャリア基板内に形成された少なくとも１つのスルーホール６と、上記スルーホール内に挿入された安定剤７とを含んでいる、チップモジュール。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ表面（２）および当該チップ表面（２)の反対側に位置する接点アレイ表面（３）を有する、キャリア基板（１）と、
上記キャリア基板（１）の上記チップ表面（２）に固定されており、少なくとも１つのチップ接続接点（９）を有する、半導体チップ（１１）と、
上記接点アレイ表面（３)上に形成された、少なくとも１つの接点アレイ（４）と、
上記キャリア基板（１）内において、上記接点アレイ表面（３）と上記チップ表面（２)との間に形成された、少なくとも１つのスルーホール（６）と、
上記スルーホール（６）内に挿入された、安定剤（７）と、
上記少なくとも１つのチップ接続接点（９）と上記少なくとも１つの接点アレイ（４)との間に形成されており、上記安定剤（７)によって上記接点アレイ（４）に固定された少なくとも部分的にはワイヤ（５）である、少なくとも１つの電気的接続部とを含んでいる、チップモジュール。
【請求項２】
上記安定剤（７）は導電性である、請求項１に記載のチップモジュール。
【請求項３】
上記安定剤（７）は非導電性である、請求項１に記載のチップモジュール。
【請求項４】
上記ワイヤ（５）は、ワイヤボンディング接続部（８ａ)によって上記接点アレイ（４）に接続されている、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項５】
上記接点アレイ（４）と上記ワイヤ（５）との間には、ウェッジ接点によって、ワイヤボンディング接続部（８ｂ）が形成されている、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項６】
上記ワイヤ（５）は上記接点アレイ（４）から離れている、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項７】
上記スルーホール（６）には上記安定剤（７)が充填されている、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項８】
上記スルーホール（６）内の上記接点アレイ（４）は、上記安定剤（７)によって少なくとも部分的に被覆されている、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項９】
上記チップ接続接点（９）と上記ワイヤ（５）との間には、ネイルヘッド接点によって、ワイヤボンディング接続部（８ｂ）が形成されている、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項１０】
上記接点アレイ（４）は金属層である、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項１１】
上記チップ表面（２）の少なくとも一部は金属層である、請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項１２】
上記金属層は、複数の異なる層膜（layer film）からなる、請求項１０または請求項１１に記載のチップモジュール。
【請求項１３】
上記安定剤（７）は、上記チップ表面（２)を少なくとも部分的に被覆している、請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項１４】
上記ワイヤ（５）の材料は金である、請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項１５】
上記安定剤（７）は半田材料である、請求項１〜請求項１４のいずれか一項に記載のチップモジュール。
【請求項１６】
半導体チップと接点アレイとの間に電気的接続部を製造する方法であって、
キャリア基板のチップ表面上に上記半導体チップが配置される工程と、
上記チップ表面と上記チップ表面とは反対側に位置する接点アレイ表面との間に位置する上記キャリア基板内に構成されたスルーホール内に、安定剤が挿入される工程と、
電気的接続部を製造するために、ワイヤ接続部が少なくとも部分的に形成される工程であって、上記ワイヤ接続部は、上記半導体チップのチップ接続接点に取り付けられて、上記スルーホール内に導入され、上記ワイヤ接続部のワイヤは、上記安定剤によって固定される工程とを含んでいる、方法。
【請求項１７】
上記安定剤として導電性材料が供給される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
上記安定剤として非導電性材料が供給される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
上記ワイヤは、ワイヤボンディング接続によって、上記接点アレイに導電的に接続される、請求項１６〜請求項１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
上記安定剤は、半田材料であり、上記接点アレイを有する半田接続部内に挿入されるために加熱される、請求項１６〜請求項１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
挿入される上記安定剤は、半田ペーストである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
挿入される上記安定剤は、半田ボールである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
上記スルーホールには上記安定剤が充填される、請求項１６〜請求項２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
上記接点アレイの全体、および／または、上記チップ表面の少なくとも一部は金属層である、請求項１６〜請求項２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
上記安定剤は、上記キャリア基板の上記チップ表面に接続される、請求項１６〜請求項２４のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、キャリア基板に配置された接点アレイと、当該接点アレイに導電的に接続された半導体チップ接続接点とを有するチップモジュールに関する。
【０００２】
チップカードの用途は、例えばデータ記憶、アクセス制御、あるいは支払取引など多岐に渡る。
【０００３】
接触型のデータ転送は、例えば、端局およびチップカードとしても知られている読み出し／書き込みデバイス間において行われる。このためには、チップカードの一方の面に接点アレイが形成されており、これによって読み出し／書き込みデバイスと接点接続される。あるいは、非接触的にデータ転送することもできる。この場合、情報を転送するために電磁場が調節され、そしてチップカード本体に内蔵された受信コイル内において受信される。いわゆるデュアルインターフェースカードは、これら２つのデータ転送の可能性を組み合わせたものであり、情報の接触型転送と非接触型転送との両方を行うことができる。
【０００４】
チップカードを製造するためには、通常は、チップカード本体の空洞内にチップモジュールが導入され、そして例えば接着剤によって、チップカードのカード本体に接続される。この場合、チップモジュールは通常、接点アレイが配置されるキャリア基板を有しており、当該接点アレイの前面は、チップモジュールがチップカード本体内に搭載された後であってもアクセス可能である。チップモジュールはまた、キャリア基板の、上記接点アレイとは反対側の面に配置された、半導体チップを有している。以下では、接点アレイが配置される方のキャリア基板の面は接点アレイ表面と称され、半導体チップが固定される方のキャリア基板の面はチップ表面と称される。キャリア基板を通る経路またはボンディングホールとも称されるスルーホールは、キャリア基板内に形成され、半導体チップのチップ接続接点と、接点アレイ表面上の接点アレイとを、ボンディングワイヤを用いて電気的に接続する。この場合、ボンディングワイヤは、以下ではワイヤと称される。
【０００５】
チップモジュール、および繊細なボンディングワイヤを有するチップを保護するために、チップおよびワイヤが封止される。
【０００６】
接点アレイは、通常は金属層であって、例えば、電解法を用いて、銅層にまずニッケル層が配置され、続いて金層が配置されている。
【０００７】
チップカードは、日常的に使用するに当たり、例えば財布に入れてズボンのポケットに入れて持ち歩く場合、あるいは選別機によって素早く処理される場合において、湾曲するという問題が存在している。この湾曲によって、キャリア基板が三次元的に相対運動する。これは、以下では機械的応力と称される。
【０００８】
封止を行うことによって、ワイヤが封止体内において堅固に固定される。しかしスルーホール内では、封止体と接点アレイとの間に距離が空いているか、あるいはこのような設計のため、封止体と接点アレイとの接着接続が不十分である。機械的応力がかかることによって、キャリア基板と封止体との間において層間剥離が生じる。封止体と接点アレイとの間の距離が拡大し、また封止体内においてワイヤが堅固に固定されることによって、スルーホール内のワイヤに張力が作用する。ワイヤと接点アレイとの、従来のワイヤボンディング接続部は、極端な場合では、ワイヤの張力に適切に耐久することができない場合がある。この結果、ワイヤが外れ、通常はチップの電気的故障が生じる。
【特許文献１】ＤＥ  １０  ２００４  ０３２  ６０５
【特許文献２】ＧＢ２  ０４７  ４７４
【特許文献３】ＪＰ０８−００８２８４
【特許文献４】ＪＰ６３２８４８３１
【特許文献５】ＵＳ４，７０１，２３６
【特許文献６】ＵＳ５，９９２，７２５
【特許文献７】ＵＳ６，２８８，９０４
【０００９】
従って、チップ表面および当該チップ表面とは反対側に位置する接点アレイ表面を有するキャリア基板と、上記キャリアの上記チップ表面に固定されていると共に少なくとも１つのチップ接続接点を有するチップと、上記接点アレイ表面上に形成された少なくとも１つの接点アレイと、上記接点アレイ表面と上記チップ表面との間に位置する上記キャリア基板内に形成された少なくとも１つのスルーホールと、上記スルーホール内に挿入された安定剤と、上記少なくとも１つのチップ接続接点と上記少なくとも１つの接点アレイとの間に位置する少なくとも１つの電気的接続部とを含んだ、チップモジュールが提供される。この場合、上記電気的接続部の少なくとも一部は、上記安定剤によって上記接点アレイに固定されたワイヤを有している。
【００１０】
さらに、チップと接点アレイとの間に電気的接続部を製造する方法であって、キャリア基板のチップ表面上にチップが配置される工程と、上記チップ表面と上記チップ表面とは反対側に位置する上記接点アレイ表面との間の上記キャリア基板内に構成されたスルーホール内に安定剤が挿入される工程とを含んでいる方法が提供される。この場合、上記電気的接続部を製造するために、ワイヤ接続部が少なくとも部分的に形成される。当該ワイヤ接続部は、上記チップのチップ接続接点に取り付けられ、そして上記スルーホール内に導入される。上記ワイヤ接続部の上記ワイヤは、上記安定剤によって固定される。
【００１１】
本発明について、図面を参照しながら、典型的な実施形態を用いて以下に説明する。これらの図面では、同一の箇所あるいは同一の作用を有する箇所については、同一の参照符号を用いて示されている。図示されている各素子の縮尺は、実際の縮尺であると考えられるべきではなく、個々の素子は、分かりやすくするために極端に大きくまたは極端に簡素に示されている場合がある。図面は以下の通りである：
図１は、チップモジュールの概略図である。
【００１２】
図２は、チップモジュールの拡張概略図である。
【００１３】
図３は、チップモジュールのスルーホールの発展形態を示す図である。
【００１４】
図４は、チップモジュールのスルーホールの別の発展形態を示す図である。
【００１５】
図５は、チップモジュールのスルーホールの別の発展形態を示す図である。
【００１６】
図６は、チップモジュールのスルーホールの別の発展形態を示す図である。
【００１７】
図１は、チップモジュールを概略的に示している。キャリア基板１は、チップ表面２と、当該チップ表面２の反対側に位置する接点アレイ表面３とを有している。キャリア基板１のチップ表面２には、半導体チップ１１が配置されている。半導体チップ１１上には、半導体チップ１１のチップ接続接点９が位置している。キャリア基板１の接点アレイ表面３上には、接点アレイ４が形成されている。キャリア基板１は、チップ表面２から接点アレイ表面３まで伸びるように形成されたスルーホール６をさらに有している。ワイヤ５は、接点アレイ４とチップ接続接点９とを導電的に接続している。スルーホール６内には、安定剤７がさらに導入されており、少なくとも部分的にワイヤ５を接点アレイ４に固定している。言うまでもなく、さらなるワイヤ５を用いて、別の接点アレイ４とさらなるチップ接続接点９とを導電的に接続することができる。同様に、１つ以上のワイヤ５を用いて、１つ以上のチップ接続接点９と１つ以上の接点アレイ４とを接続することができる。
【００１８】
キャリア基板１内に形成されたスルーホール６は、安定剤７によってさらに充填される。この措置を講じることによって、機械的応力あるいは熱応力が加えられた場合に、ワイヤ５が接点アレイ４から外れることを防止できる。この場合、熱応力は、製造プロセス中に加えられた熱によって生じ、機械的応力は、例えばキャリア材料が湾曲された際に生じるものである。安定剤７を少なくとも部分的に導入することによって、ワイヤ５が接点アレイ４に固定される。
【００１９】
スルーホール６内への安定剤７の導入、言い換えると挿入は、様々な形態で行うことができる。ワイヤ５が外れないようにするためには、安定剤７によって、接点アレイ４をスルーホール６内に少なくとも部分的に接点接続し、同時にワイヤ５を固定する。接点アレイ４との接触は、金属間接続あるいは接着力等を用いて行うことができる。具体的には、可能な限り広い区域にワイヤ５を固定および安定化するために、安定剤７をスルーホール６内に完全に充填する。また、スルーホール６に加えて、キャリア基板１のチップ表面２をも安定剤７によって少なくとも部分的に被覆して、チップ表面と接触させることも可能である。これによって、ワイヤ５を、接点アレイから外れないように最大限に保護することができる。
【００２０】
図２は、図１に示されているチップモジュールの拡張概略図である。以下では、図１に示されていない構成部品についてのみ説明する。まず、チップ表面２には、接着剤１２によって半導体チップ１１が固定されている。さらに、ワイヤ５、スルーホール６、および半導体チップ１１は封止体１０によって囲まれている。
【００２１】
キャリア基板１に半導体チップ１１を直接配置することによって、接点アレイ４を有する接点アレイ表面３と半導体チップ１１との間に厚いバッファゾーンが生じる。当該バッファゾーンは、接点アレイ４上に作用する可能性のある機械的応力を吸収する。チップホルダーを備えた別の発展形態もまた、同様に可能である。
【００２２】
半導体チップ１１およびワイヤ５は、保護のために、封止材１０によって囲まれている。用いることのできる封止方法の１つとして、いわゆる「モールド」がある。モールドでは、モールド樹脂とも称される封止材１０が、半導体チップ１１を被覆するようにチップ表面２に配置される。このとき封止材１０は、半導体チップ１１およびワイヤ５を囲み、スルーホール６を部分的に充填するように配置される。モールド樹脂は、配置後に硬化する。モールド樹脂は、例えばエポキシ樹脂を含有しており、熱硬化性である。封止体１０は、例えば、封止体１０によって被覆された領域内にスルーホール６が配置されるように、二次元的に拡張することができる。これによってスルーホール６は、周囲条件による影響から保護される。
【００２３】
いわゆるトランスファーモールド技術を用いて封止が行われた場合には、例えば、破損に対して機械的抵抗性のあるチップカードモジュールが得られる。
【００２４】
この場合、スルーホール６の開口部は０．８ｍｍ以下である必要があり、特定の一発展形態では０．５ｍｍ以下である必要がある。スルーホール６の開口部の幅が０．４ｍｍ以下または０．３ｍｍ以下になるように選択された場合は改善が見られるため、開口部の幅は０．４ｍｍが特に適していると考えられる。
【００２５】
図３は、図１および図２に示されているチップモジュールのスルーホール６の一発展形態を示している。図１および図２と同様に、半導体チップ１１は、接着剤１２を用いてキャリア基板１のチップ表面２に固定されている。半導体チップ１１は、チップ接続接点９を有している。ワイヤボンディング接続部８ｂは、ワイヤ５とチップ接続接点９とを接続している。スルーホール６内には、ワイヤ５と接点アレイ４とを接続するさらなるワイヤボンディング接続部８ａが設けられている。図３においてもまた、スルーホール６内に安定剤７が挿入されている。安定剤７は、図１において説明した方法と同様の方法によって導入することができる。封止体１０は、ワイヤ５、スルーホール６、および半導体チップ１１を囲んでいる。ワイヤ５の材料は、例えば金である。
【００２６】
ワイヤ５は、例えば、ワイヤボンディング接続部８ｂを用いた熱圧着によって、チップ接続接点９に接点接続されている。この場合、接点接続治具としてボンディングキャピラリーが用いられる。このボンディング方法では、ワイヤ５の第１の端部が融解されてボールを形成し、そしてチップ接続接点９上にプレスされる。本方法は、ワイヤ端部を変形させて、いわゆるネイルヘッドを形成するため、ボールまたはネイルヘッド熱圧着ボンディングとも称される。本方法により形成されるネイルヘッドは、以下の記載におけるネイルヘッド接点と同等と見なされる。
【００２７】
図３に示されている弧を成すワイヤ５は、スルーホール６内に位置するワイヤ５の第２の端部が接点アレイ４に接続されている接点アレイ表面３上に引かれている。ここに設けられているボンディング接続部は、例えば超音波法を用いて形成されている。超音波法では、ワイヤ５は、ウェッジ形の接点接続治具のガイド穴を経由して引かれ、接点アレイ表面３まで降下され、そしてプレス治具によって変形される。音響変換器は、電気的超音波震動を機械的超音波震動に変換し、この機械的超音波震動を治具を介して接点アレイ４に伝送し、これによってワイヤ５が接点アレイ４に溶接される。本方法工程において用いられる治具を、当業者はソノトロード（sonotrode）と称する。ワイヤ５は、その最も弱い部分において外され、分離される。ウェッジ形の治具を用いることによって、接点アレイ４上の接続部も同様のウェッジ形となる。本方法はまた、超音波ウェッジ法（ultrasonic wedge method）とも称される。本方法によるウェッジ形の接続部は、以下の記載におけるウェッジ接点と同等と見なされる。
【００２８】
この場合、接点アレイ４の性質は、図１および図２とは根本的に異なっている。接点アレイ４は、具体的には金属層である。銅層４ａに、まずニッケル層４ｂ、続いて金層４ｃが配置される。この連続層は、以下に簡単に説明するように、電気めっきを用いて形成される。
【００２９】
接点アレイ表面３上に接点アレイ４を形成するためには、銅膜４ａ（例えば一方の面に接着剤によって被覆された銅層４ａ）が、キャリア基板１上に積層される。銅層４ａおよび／またはキャリア基板１上に、膜として接着剤（図示せず）が配置される。銅層４ａの厚さは、典型的には３０μｍから４０μｍの範囲内、好ましくは約３５μｍである。次に、フォトリソグラフィによって銅層４ａがパターン形成され、そして電気めっきによってニッケル層４ｂおよび／または金層４ｃが配置される。当該電気めっきは、スルーホール６内において、銅層４ａの両面において行われる。
【００３０】
ワイヤ５を安定化するために、スルーホール６内に安定剤７が導入される。接点アレイ４を電気めっきすることによって、ワイヤ５と接点アレイ４との間に、ワイヤボンディング接続部８ａ（ウェッジ接点であってよい）を用いて金属間接続を形成することができる。この結果、安定剤７が導電性となるか、あるいは非導電性材料となる。安定剤７は、具体的には半田材料である。安定剤７は、例えば半田ペーストあるいは半田ボールとしてスルーホール６内に導入され、そして当該スルーホール６内において、熱供給によって溶解あるいは初期的に溶解される。また、既に加熱されて液状にされた半田材料をスルーホール６内に導入することもできる。いかなる場合においても、スルーホール６には、少なくとも部分的に安定剤が充填される。
【００３１】
半田材料を用いることによって、安定剤７と接点アレイ４、または安定剤７とスルーホール６内のワイヤ５との間に半田接続が形成され、従って金属間接続が形成される。これによって、例えば機械的応力および／または熱応力による影響が低減される。キャリア基板１が三次元的に相対運動した場合には、安定剤７によって、ウェッジ接点における層間剥離が防止され、従ってワイヤ５が接点アレイ４から外れることも防止される。この追加的な安定剤７によって、動作面での信頼性が向上する。
【００３２】
チップ接続接点９と接点アレイ４とは、既にワイヤ５によって導電的に接続されているため、安定剤７は非導電性材料であってもよい。これは例えば、スルーホール６内の接点アレイ４、ワイヤ５、および場合によってはキャリア基板１を十分に接着させることによって達成することができ、これによって機械的応力による影響が十分に低減される。
【００３３】
あるいは、接点アレイ４は、接点アレイ４を形成するためのメタライゼーションが、接着剤を用いることなくキャリア基板１の接点アレイ表面３上に積層されるように構成することも可能である。この設計では、スルーホール６は、通常は可視的であるため、「可視的ビア（visible via）」とも称される。この発展形態は、製造コストが低いという利点を有している。
【００３４】
図４は、めっきスルーホールの別の発展形態を示している。図３とは対照的に、ワイヤ５は、安定剤７内において既に終端している。このため、ワイヤ５と接点アレイ４との間には、直接導電している接続部は存在しない。半導体チップ１１を確実に動作させるために、安定剤７を用いて必要な電気的接続がなされる。スルーホール６は電気めっきされるため、例えば半田材料である安定剤７が、接点アレイ４との導電性接続を行うことができる。ワイヤ５は、その材料が金であることが好ましいため、ワイヤ５と安定剤７との金属間接続を行うために同様に用いられる。図４では、図３とは対照的に、安定剤７は導電性であることが絶対的に必要である。
【００３５】
チップ接続接点９と接点アレイ４の最上面とを導電的に接続するために、ワイヤボンディング接続部８ｂおよびワイヤ５が用いられる。当該ワイヤボンディング接続部は、ネイルヘッド接点であることが好ましい。当該ネイルヘッド接点は、接点アレイ４の場合では、図３を参照しながら説明した通りに形成することができる。
【００３６】
図５は、めっきスルーホールの別の発展形態を示している。図３とは対照的に、チップ表面２の少なくとも一部もまた、銅層４ａ、ニッケル層４ｂ、および金層４ｃを有している。
【００３７】
上記チップモジュールが、デュアルインターフェースを備えたチップカードとして形成される場合、ＩＳＯ規格に基づいて、接点アレイ４に加えて受信コイル用の接続部（一般的にはカード本体内に配置される）が必要である。
【００３８】
これらのデュアルインターフェースチップカードモジュールは、受信コイルを接点接続するための相互接続構造をさらに有している。これらの相互接続構造は、ワイヤ５によって半導体チップ１１のチップ接続接点９に接続された、接続接点をさらに有している。この場合、当該相互接続構造は、キャリア基板１の両面に形成することができる。このため図５には、その両面に少なくとも部分的に被覆が施されたキャリア基板１が示されている。このためには、チップ表面の一部に、金属被覆物４ａ、４ｂ、および４ｃがさらに設けられる。チップ接続接点９と接点アレイ４との導電的接続、および上記相互接続構の接続接点（図示せず）との導電的接続は、この場合、図３および図４に示されている２つの方法によって行うことができる。
【００３９】
図６は、めっきスルーホールの別の発展形態を示している。図５とは根本的に対照的に、図６のワイヤ５もまた、接点アレイ４と直接接触することなく、安定剤７内において終端している。この場合においてもまた、チップ表面２の少なくとも一部は、ニッケル層４ｂおよび金層４ｃによって電気めっきされた銅層４ａである。安定剤７は、チップ表面２と導電的に接続されるように、スルーホール６内に導入される。図示されている形態では、安定剤７は丘陵型に設けられている。
【００４０】
接点アレイ４とチップ表面２上に形成され得る接続部とを接続するために、安定剤７が充填される。この充填は、スルーホール６内において、チップ表面２と接点アレイ４とが安定剤７によって導電的に接続されるように行われる。図６の発展形態では、例えば半田材料である安定剤７は、導電性である。
【００４１】
図示されているワイヤボンディング接続部８ｂは、この場合においてもネイルヘッド接点である。
【００４２】
図１〜図６に示されている典型的な実施形態は、互いに組み合わせることも可能であることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】チップモジュールの概略図である。
【図２】チップモジュールの拡張概略図である。
【図３】チップモジュールのスルーホールの発展形態を示す図である。
【図４】チップモジュールのスルーホールの別の発展形態を示す図である。
【図５】チップモジュールのスルーホールの別の発展形態を示す図である。
【図６】チップモジュールのスルーホールの別の発展形態を示す図である。
【００４４】
〔符号の説明〕
１    キャリア基板
２    チップ表面
３    接点アレイ表面
４    接点アレイ、メタライゼーション
４ａ  銅被覆
４ｂ  ニッケル被覆
４ｃ  金被覆
５    ワイヤ
６    スルーホール
７    安定剤
８ａ  ワイヤボンディング接続部、ウェッジ接点
８ｂ  ワイヤボンディング接続部、ネイルヘッド接点
９    チップ接続接点
１０  封止体
１１  半導体チップ
１２  接着剤
【図１】
2008277825.tif 000003
【図２】
2008277825.tif 000004
【図３】
2008277825.tif 000005
【図４】
2008277825.tif 000006
【図５】
2008277825.tif 000007
【図６】
2008277825.tif 000008