(57)【要約】【課題】ヘッド素子の損傷を回避しつつヘッド素子の突出量を決定することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置を提供する。【解決手段】スライダ本体３１は第１および第２領域５５、５６ｂを規定する。スライダ本体３１の空気流出側端面には絶縁性の非磁性膜３２が積層される。第１領域５５で非磁性膜３２の第１区画５７にはヘッド素子３３が埋め込まれる。第１アクチュエータ７４は第１領域５５で第１区画５７の突出を生み出す。第２アクチュエータ７５は第２領域５６ｂで非磁性膜３２の第２区画５８の突出を生み出す。こうしたヘッドスライダ２１では、第２区画５８に基づきゼロキャリブレーションが実施される。第１区画５７すなわちヘッド素子３３の突出は回避される。ヘッド素子３３の損傷は回避される。しかも、第２区画５８の突出量が第１区画５７の突出量に代替されれば、第１区画５７の突出量すなわちヘッド素子３３の突出量は決定される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面で空気流入端から空気流出端に向かって並列に延びる第１および第２領域を規定するスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれて、第１領域で非磁性膜の第１区画に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子と、第１領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第１区画の突出を生み出す第１アクチュエータと、第２領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第２区画の突出を生み出す第２アクチュエータとを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項２】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、前記第１アクチュエータは、前記非磁性膜の第１区画に埋め込まれる電熱線を備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項３】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、前記第２アクチュエータは、前記非磁性膜の第２区画に埋め込まれる電熱線を備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項４】
記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面で空気流入端から空気流出端に向かって並列に延びる第１および第２領域を規定するヘッドスライダと、ヘッドスライダの空気流出側端に配置される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれて、第１領域で非磁性膜の第１区画に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子と、第１領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第１区画の突出を生み出す第１アクチュエータと、第２領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第２区画の突出を生み出す第２アクチュエータとを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項５】
ヘッドスライダの非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子の突出を回避しつつ非磁性膜の突出を引き起こす制御部と、前記突出の増大に応じて非磁性膜および記憶媒体の接触を検出する検出部と、接触時の非磁性膜の突出量に基づきヘッド素子の突出量を決定する決定部とを備えることを特徴とするヘッド素子の突出量決定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶媒体駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘッド素子の駆動用にアクチュエータが組み込まれたヘッドスライダは広く知られる。このヘッドスライダではスライダ本体の空気流出側端面に非磁性膜が積層される。非磁性膜にヘッド素子が埋め込まれる。ヘッド素子内には電熱線が埋め込まれる。電熱線に電流が供給されると、電熱線は発熱する。その結果、非磁性膜の膨張に基づきヘッド素子は磁気ディスクに接近することができる。
【０００３】
ＨＤＤにヘッドスライダが組み込まれると、ヘッドスライダごとに浮上高さに２〜３ｎｍ程度のばらつきが生じる。こうしたばらつきの解消にあたっていわゆるゼロキャリブレーションが実施される。このゼロキャリブレーションではヘッドスライダの浮上中にアクチュエータがヘッド素子を駆動する。ヘッド素子は徐々に回転中の磁気ディスクに接近する。ヘッド素子と磁気ディスクとの接触が検知される。こうして接触時のヘッド素子の突出量が検出される。検出された突出量に基づき読み込み時や書き込み時のヘッド素子の突出量は決定される。
【特許文献１】特開２００３−２７２３３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述のゼロキャリブレーションでは突出量の検出にあたってヘッド素子が磁気ディスクに接触する。その結果、例えばヘッド素子が損傷したり、ヘッド素子の表面を覆う保護膜が摩耗したりしてしまう。保護膜が摩耗すると、ヘッド素子の腐食は十分に阻止されることができなくなってしまう。その他、この出願の発明に関連する先行技術には特願２００６−２３１６８がある。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、ヘッド素子の損傷を回避しつつヘッド素子の突出量を決定することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置を提供することを目的とする。本発明は、ヘッド素子の損傷を回避しつつヘッド素子の突出量を決定することができるヘッド素子の突出量決定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面で空気流入端から空気流出端に向かって並列に延びる第１および第２領域を規定するスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれて、第１領域で非磁性膜の第１区画に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子と、第１領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第１区画の突出を生み出す第１アクチュエータと、第２領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第２区画の突出を生み出す第２アクチュエータとを備えることを特徴とするヘッドスライダが提供される。
【０００７】
こうしたヘッドスライダは、第２アクチュエータは非磁性膜の第２区画の突出を生み出す。こうして第２区画に基づきゼロキャリブレーションが実施される。第１区画すなわちヘッド素子の突出は回避される。ヘッド素子の損傷は回避される。しかも、第２区画の突出量は第１区画の突出量に代替されれば、第１区画の突出量すなわちヘッド素子の突出量は決定されることができる。こうしてヘッド素子の浮上高さは決定される。浮上高さのばらつきは回避される。
【０００８】
こうしたヘッドスライダでは、第１アクチュエータは、非磁性膜の第１区画に埋め込まれる電熱線を備えればよい。同様に、第２アクチュエータは、非磁性膜の第２区画に埋め込まれる電熱線を備えればよい。こういった電熱線には電流が供給される。電流の供給に基づき電熱線は発熱する。電熱線の周囲で非磁性膜は膨張する。こうして第１区画や第２区画の突出は生み出される。したがって、電熱線に供給される電流の電流量と、第１区画や第２区画の突出量との相関関係が把握されれば、第１区画や第２区画の突出量は簡単に調整されることができる。
【０００９】
以上のようなヘッドスライダは例えば記憶媒体駆動装置に組み込まれることができる。記憶媒体駆動装置は、記憶媒体と、記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面で空気流入端から空気流出端に向かって並列に延びる第１および第２領域を規定するヘッドスライダと、ヘッドスライダの空気流出側端に配置される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれて、第１領域で非磁性膜の第１区画に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子と、第１領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第１区画の突出を生み出す第１アクチュエータと、第２領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第２区画の突出を生み出す第２アクチュエータとを備えればよい。
【００１０】
第２発明によれば、ヘッドスライダの非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子の突出を回避しつつ非磁性膜の突出を引き起こす制御部と、前記突出の増大に応じて非磁性膜および記憶媒体の接触を検出する検出部と、接触時の非磁性膜の突出量に基づきヘッド素子の突出量を決定する決定部とを備えることを特徴とするヘッド素子の突出量決定装置が提供される。
【００１１】
こうした突出量決定装置によれば、ゼロキャリブレーションの実施にあたってヘッドスライダの非磁性膜の突出が引き起こされる。こうして非磁性膜および記憶媒体の接触が検出される。このとき、ヘッド素子の突出は回避される。ヘッド素子の損傷は回避される。しかも、接触時の非磁性膜の突出量に基づきヘッド素子の突出量が決定される。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように本発明によれば、ヘッド素子の損傷を回避しつつヘッド素子の突出量を決定することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１４】
図１は記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。筐体本体１２は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。筐体本体１２には蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。カバーと筐体本体１２との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１５】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。
【００１６】
収容空間にはキャリッジ１５がさらに収容される。キャリッジ１５はキャリッジブロック１６を備える。キャリッジブロック１６は、垂直方向に延びる支軸１７に回転自在に連結される。キャリッジブロック１６には、支軸１７から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１８が区画される。キャリッジブロック１６は例えば押し出し成形に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１７】
個々のキャリッジアーム１８の先端には、キャリッジアーム１８から前方に延びるヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９の先端にはいわゆるジンバルばね（図示されず）が接続される。ジンバルばねの表面に浮上ヘッドスライダ２１は固定される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２１はヘッドサスペンション１９に対してその姿勢を変化させることができる。浮上ヘッドスライダ２１には後述のヘッド素子が搭載される。
【００１８】
磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション１９の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
【００１９】
こういった浮上ヘッドスライダ２１の浮上中にキャリッジ１５が支軸１７回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２１上のヘッド素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２１上のヘッド素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００２０】
キャリッジブロック１６には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２２といった動力源が接続される。このＶＣＭ２２の働きでキャリッジブロック１６は支軸１７回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１６の回転に基づきキャリッジアーム１８およびヘッドサスペンション１９の揺動は実現される。
【００２１】
キャリッジブロック１６上にはフレキシブルプリント基板２３が配置される。フレキシブルプリント基板２３にはヘッドＩＣ（集積回路）すなわちプリアンプＩＣ２４が実装される。磁気情報の読み出し時には、このプリアンプＩＣ２４からヘッド素子の読み出しヘッドに向けてセンス電流は供給される。同様に、磁気情報の書き込み時には、プリアンプＩＣ２４からヘッド素子の書き込みヘッドに向けて書き込み電流は供給される。フレキシブルプリント基板２３上のプリアンプＩＣ２４には、収容空間内に配置される小型の回路基板２５や、筐体本体１２の底板の裏側に取り付けられるプリント配線基板（図示されず）からセンス電流や書き込み電流は供給される。
【００２２】
こうしたセンス電流や書き込み電流の供給にあたってフレキシブルプリント配線板２６が用いられる。フレキシブルプリント配線板２６は個々の浮上ヘッドスライダ２１ごとに配置される。フレキシブルプリント配線板２６は、例えばステンレス鋼といった金属薄板と、金属薄板上に順番に積層される絶縁層、導電層および保護層とを備える。導電層は配線パターンを構成する。導電層には例えばＣｕといった導電材料が用いられればよい。絶縁層および保護層には例えばポリイミド樹脂といった樹脂材料が用いられればよい。
【００２３】
フレキシブルプリント配線板２６の配線パターンは浮上ヘッドスライダ２１に接続される。フレキシブルプリント配線板２６はヘッドサスペンション１９からキャリッジアーム１８の側面に沿って後方に延びる。フレキシブルプリント配線板２６は後端でフレキシブルプリント基板２３に連結される。フレキシブルプリント配線板２６の配線パターンはフレキシブルプリント基板２３上の配線パターンに接続される。こうして浮上ヘッドスライダ２１およびフレキシブルプリント基板２３は電気接続される。
【００２４】
図２は浮上ヘッドスライダ２１を示す。この浮上ヘッドスライダ２１は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出側端面には絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述のヘッド素子すなわち電磁変換素子３３が組み込まれる。
【００２５】
スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった軟質材料から形成されればよい。スライダ本体３１は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１３に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１３が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。
【００２６】
浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。このフロントレール３７は、ベース面３５上に所定の厚みで広がりつつ、ベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。
【００２７】
同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアレール３８が形成される。リアレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。リアレール３８は、ベース面３５上にフロントレール３７と同一の厚みで広がりつつベース面３５の空気流出端に向かって延びる。
【００２８】
同様に、浮上面３４には、空気流出側でベース面３５から立ち上がる左右１対の補助リアレール３９ａ、３９ｂが形成される。補助リアレール３９ａ、３９ｂはベース面３５の左右の側縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、補助リアレール３９ａ、３９ｂ同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。補助リアレール３９ａ、３９ｂ同士の間にリアレール３８は配置される。
【００２９】
フロントレール３７の頂上面には前方空気軸受け面４１が規定される。前方空気軸受け面４１の空気流入端には段差４２が形成される。こうしてフロントレール３７の頂上面には、前方空気軸受け面４１よりも空気流入側で、前方空気軸受け面４１よりも低いレベルで広がる低レベル面４３が規定される。
【００３０】
同様に、リアレール３８の頂上面には後方空気軸受け面４４が規定される。後方空気軸受け面４４の空気流入端には段差４６が形成される。こうしてリアレール３８の頂上面には、後方空気軸受け面４４よりも空気流入側で、後方空気軸受け面４４よりも低いレベルで広がる低レベル面４７が規定される。
【００３１】
同様に、補助リアレール３９ａ、３９ｂの頂上面にはそれぞれ補助空気軸受け面４８が規定される。補助空気軸受け面４８はベース面３５の左右の側縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、補助空気軸受け面４８同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。補助空気軸受け面４８同士の間に後方空気軸受け面４４は配置される。補助空気軸受け面４８の空気流入端には段差４９が形成される。こうして補助リアレール３９ａ、３９ｂの頂上面には、補助空気軸受け面４８よりも空気流入側で、補助空気軸受け面４８よりも低いレベルで広がる低レベル面５１が規定される。
【００３２】
前述の電磁変換素子３３はリアレール３８に埋め込まれる。電磁変換素子３３は読み出しヘッドおよび書き込みヘッドを備える。電磁変換素子３３は後方空気軸受け面４４の空気流出側で読み出しギャップや書き込みギャップを露出させる。
【００３３】
前方空気軸受け面４１、後方空気軸受け面４４および補助空気軸受け面４８ではスライダ本体３１の表面に例えば保護膜（図示されず）が形成される。後方空気軸受け面４４では保護膜は読み出しギャップや書き込みギャップに覆い被さる。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が用いられればよい。
【００３４】
磁気ディスク１３の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差４２、４６、４９、４９の働きで空気軸受け面４１、４４、４８、４８には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の背後すなわち空気流出側には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２１の浮上姿勢は確立される。
【００３５】
この浮上ヘッドスライダ２１では後方空気軸受け面４４および補助空気軸受け面４８、４８に比べて前方空気軸受け面４１で大きな正圧すなわち浮力が生成される。したがって、スライダ本体３１が磁気ディスク１３の表面から浮上すると、スライダ本体３１はピッチ角αの傾斜姿勢で維持される。ここで、ピッチ角αとは、気流３６の流れ方向に沿ったスライダ本体前後方向の傾斜角をいう。
【００３６】
その一方で、左右の補助空気軸受け面４８、４８ではそれぞれ均等に浮力が生成される。したがって、浮上中の浮上ヘッドスライダ２１ではロール角βの変動は抑制される。こうして補助空気軸受け面４８と磁気ディスク１３との衝突は防止される。ここで、ロール角βとは、気流３６の流れ方向に直交するスライダ幅方向の傾斜角をいう。
【００３７】
浮上面３４には、フロントレール３７の空気流出側でスライダ本体３１のベース面３５から立ち上がる左右１対のサイドレール５２ａ、５２ｂがさらに形成される。サイドレール５２ａ、５２ｂは補助リアレール３９ａ、３９ｂの前方で途切れる。サイドレール５２ａ、５２ｂの空気流入端はフロントレール３７のスライダ幅方向両端でフロントレール３７の空気流出側端面に接続される。サイドレール５２ａ、５２ｂは、フロントレール３７の低レベル面４３および低レベル面４７と同一なレベルで広がる頂上面を規定する。したがって、サイドレール５２ａ、５２ｂの頂上面は前方空気軸受け面４１よりも低いレベルで広がる。
【００３８】
こうしたサイドレール５２ａ、５２ｂの働きによれば、浮上ヘッドスライダ２１の浮上中にスライダ本体３１の左右からフロントレール３７の背後に気流は入り込むことはできない。したがって、気流３６は前方空気軸受け面４１の通過後にフロントレール３７の背後で容易にディスク面鉛直方向に広がることができる。こうした気流の急激な広がりに基づき負圧は生成される。
【００３９】
図３に示されるように、スライダ本体３１は第１領域５５および第２領域５６ａ、５６ｂを規定する。第１領域５５および第２領域５６ａ、５６ｂは浮上面３４で空気流入端から空気流出端に向かって並列に延びる。第１領域５５および第２領域５６ａ、５６ｂの境界線は浮上ヘッドスライダ２１の側縁に平行に延びる。ここでは、第１領域５５および第２領域５６ａ、５６ｂの境界線は電磁変換素子３３の両端上に規定される。
【００４０】
その一方で、素子内蔵膜３２は、第１領域５５内に規定される第１区画５７と、例えば第２領域５６ｂ内に規定される第２区画５８とを区画する。第１区画５７には前述の電磁変換素子３３が埋め込まれる。後述されるように、第１領域５５で素子内蔵膜３２には第１区画５７の突出を生み出す第１アクチュエータ（図示されず）が埋め込まれる。その一方で、第２領域５６ｂで素子内蔵膜３２には第２区画５８の突出を生み出す第２アクチュエータ（図示されず）が埋め込まれる。
【００４１】
図４は浮上面３４の様子を詳細に示す。電磁変換素子３３は書き込みヘッド６１と読み出しヘッド６２とを備える。書き込みヘッド６１は、周知の通り、例えば磁気コイルで生起される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書き込むことができる。読み出しヘッド６２には、例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子やトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子といった磁気抵抗効果（ＭＲ）素子が用いられればよい。読み出しヘッド６２は、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。
【００４２】
読み出しヘッド６２では、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子といった読み出し素子すなわち磁気抵抗効果膜６３が上下１対の導電層すなわち上部シールド層６４および下部シールド層６５の間に配置される。上部シールド層６４は下部シールド層６５に平行な一面に沿って広がる。上部および下部シールド層６４、６５は例えばＦｅＮやＮｉＦｅといった磁性材料から構成されればよい。
【００４３】
磁気抵抗効果膜６３は、下部シールド層６５の表面に覆い被さる例えばＡｌ２Ｏ３製の絶縁層６６内に埋め込まれる。上部シールド層６４は絶縁層６６の表面に沿って広がる。磁気抵抗効果膜６３は下部シールド層６５および上部シールド層６４に個別に電気接続される。上部シールド層６４および下部シールド層６５同士の間隔は磁気ディスク１３上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
【００４４】
書き込みヘッド６１は、後方空気軸受け面４４で前端を露出させる上部磁極層６７および下部磁極層６８とを備える。下部磁極層６８は上部シールド層６４に平行な一面に沿って広がる。下部磁極層６８上には前端で後方空気軸受け面４４に露出する磁極端層６９が形成される。上部磁極層６７、下部磁極層６８および磁極端層６９は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部磁極層６７、下部磁極層６８および磁極端層６９は協働して書き込みヘッド６１の磁性コアを構成する。
【００４５】
磁極端層６９は上部磁極層６７に向き合わせられる。上部磁極層６７および磁極端層６９の間には例えばＡｌ２Ｏ３製の非磁性ギャップ層７１が挟み込まれる。周知の通り、後述の磁気コイルで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層７１の働きで、上部磁極層６７と下部磁極層６８とを行き交う磁束は浮上面３４から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束がギャップ磁界すなわち記録磁界を形成する。すなわち、上部磁極層６７および磁極端層６９の間には書き込みギャップが区画される。書き込みギャップは第１区画５７に配置される。第１領域５５および第２領域５６ａ、５６ｂの境界線は例えば上部シールド層６４や下部シールド層６５、下部磁極層６８の外端に沿って規定されればよい。
【００４６】
図５を併せて参照し、下部磁極層６８は、上部シールド層６４上に均一な厚みで積層形成される絶縁層７２上に形成される。絶縁層７２は上部シールド層６４と下部磁極層６８との間で磁気的な結合を断ち切る。下部磁極層６８上には、絶縁層７２に埋め込まれた磁気コイルすなわち薄膜コイル７３が形成される。薄膜コイル７３は例えばＣｕから形成されればよい。非磁性ギャップ層７１の表面には前述の上部磁極層６７が形成される。上部磁極層６７の後端は薄膜コイル７３の中心位置で下部磁極層６８の後端に磁気的に連結される。こうして上部磁極層６７と下部磁極層６８とは、薄膜コイル７３の中心位置を貫通する磁性コアを形成する。
【００４７】
書き込みヘッド６１には電熱線７４が埋め込まれる。電熱線７４は例えばタングステンから形成されればよい。電熱線７４には電流が供給される。電流の供給にあたってフレキシブルプリント配線板２６の配線パターンが利用される。電流の供給に基づき電熱線７４は発熱する。こうして電熱線７４の周囲で素子内蔵膜３２の第１区画５７の膨張は促される。第１区画５７すなわち電磁変換素子３３の突出は生み出される。電熱線７４および第１区画５７は前述の第１アクチュエータを構成する。
【００４８】
図６に示されるように、電熱線７４は第１区画５７に埋め込まれる。その一方で、第２区画５８には電熱線７５が埋め込まれる。電熱線７５は例えばタングステンから形成されればよい。電熱線７５には電流が供給される。電流の供給にあたってフレキシブルプリント配線板２６の配線パターンが利用される。電流の供給に基づき電熱線７５は発熱する。こうして電熱線７５の周囲で第２区画５８の膨張は促される。第２区画５８の突出は生み出される。電熱線７５および第２区画５８は前述の第２アクチュエータを構成する。ここでは、電熱線７４、７５は例えば素子内蔵膜３２の空気流出端から同一の距離に配置されればよい。
【００４９】
次に、電磁変換素子３３の突出量の決定方法を説明する。図７に示されるように、突出量の決定にあたって突出量決定装置８１が用いられる。突出量決定装置８１はＨＤＤ１１に接続される。突出量決定装置８１は制御回路８２を備える。制御回路８２は、例えば不揮発性メモリ８３に格納されるプログラム８４に基づき所定の処理を実行することができる。プログラム８４は例えばコンパクトディスク（ＣＤ）やフレキシブルディスク（ＦＤ）といった記憶媒体からメモリ８３に読み込まれればよい。
【００５０】
制御回路８２は制御部８５、検出部８６および決定部８７を備える。突出量決定装置８１はオシロスコープ８８を備える。オシロスコープ８８は、読み出しヘッド６２で読み出される２値情報の信号波形を検出することができる。制御部８５はＨＤＤ１１の動作を制御する。制御部８５は例えば第２区画５８の突出を引き起こす。検出部８６はオシロスコープ８８の信号波形の変化を検出する。決定部８７は、オシロスコープ８８の信号波形の変化に基づき後述の電磁変換素子３３の突出量を決定する。
【００５１】
突出量の決定に先立って、磁気ディスク１３には所定の２値情報が予め書き込まれる。制御部８５の働きで電熱線７５にのみ電流が供給される。電熱線７５の発熱に基づき磁気ディスク１３に向かって第２区画５８は突き出る。電熱線７４に電流は供給されないことから、素子内蔵膜３２の第１区画５７すなわち電磁変換素子３３の突出は回避される。電熱線７５に供給される電流の電流量の増大に応じて第２区画５８の突出は増大する。第２区画５８の突出量は、電熱線７５に供給される電流の電流量に比例する。
【００５２】
同時に、制御部８５の働きで読み出しヘッド６２にセンス電流が供給される。読み出しヘッド６２は磁気ディスク１３から２値情報を検出する。図８に示されるように、オシロスコープ８８で２値情報の信号波形は観察される。第２区画５８の突出の増大に応じて第２区画５８および磁気ディスク１３は接触する。接触に基づき浮上ヘッドスライダ２１は振動する。その結果、図９に示されるように、２値情報の信号波形は乱れる。検出部８６は信号波形の乱れを検出する。こうして第２区画５８および磁気ディスク１３の接触が検出される。いわゆるゼロキャリブレーションが実施される。
【００５３】
決定部８７は、接触時の第２区画５８の突出量に電磁変換素子３３の浮上高さゼロを対応付ける。第２区画５８の突出量は第１区画５７の突出量に一致することから、決定部８７は電磁変換素子３３の目標の浮上高さに応じて第１区画５７の突出量を決定する。ゼロキャリブレーションは各浮上ヘッドスライダ２１ごとに実施される。こうして各浮上ヘッドスライダ２１で個別に第１区画５７の突出量が設定される。各浮上ヘッドスライダ２１で設定される突出量に応じた電熱線７４の電流量は例えばＨＤＤ１１内のメモリに書き込まれればよい。
【００５４】
その後、ＨＤＤ１１は製品に組み込まれる。ＨＤＤ１１の動作時、ＨＤＤ１１内のコントローラはメモリ内の電流量を参照する。コントローラは、浮上ヘッドスライダ２１の目標の浮上高さに応じて電熱線７４の電流量を調整する。こうして各浮上ヘッドスライダ２１で第１区画５７の突出量は調整される。その結果、各浮上ヘッドスライダ２１は目標の浮上高さに設定される。なお、ＨＤＤ１１が製品に組み込まれた後、ＨＤＤ１１では電熱線７４にのみ電流は供給される。すなわち、電熱線７５はゼロキャリブレーション時にのみ利用される。
【００５５】
以上のような浮上ヘッドスライダ２１によれば、接触時の第２区画５８の突出量に基づき電磁変換素子３３の浮上高さが決定されることができる。決定にあたって、第２区画５８および磁気ディスク１３は接触する。第２区画５８には電磁変換素子３３は埋め込まれないことから、電磁変換素子３３の突出は回避される。第１区画５８はゼロキャリブレーションに用いられない。電磁変換素子３３の損傷が回避されつつ電磁変換素子３３の突出量すなわち浮上高さは決定されることができる。こうして浮上高さのばらつきは回避される。
【００５６】
しかも、電磁変換素子３３および磁気ディスク１３の接触は確実に回避されることから、保護膜の摩耗は確実に回避される。電磁変換素子３３の腐食は確実に阻止される。加えて、電熱線７４、７５は素子内蔵膜３２の空気流出端から同一の距離に配置される。浮上ヘッドスライダ２１で所定のピッチ角αが変動しても、第１区画５７の突出量は第２区画５８の突出量に代替されることができる。電磁変換素子３３の浮上高さは正確に決定されることができる。
【００５７】
その他、図１０に示されるように、第１領域５５の幅は、上部磁極層６７および磁極端層６９の間に区画される書き込みギャップのコア幅に等しく設定されてもよい。こうして第１領域５５には書き込みヘッド６１の書き込みギャップおよび読み出しヘッド６２の磁気抵抗効果膜６３が配置される。ここでは、第１区画５７および第２区画５８は相互に部分的に重なり合りあう。このとき、電熱線７５は例えば書き込みヘッド６１内に埋め込まれる。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００５８】
図１１は第１および第２区画５７、５８の突き出し時のイメージを概略的に示す。ここでは、例えば下部シールド層６５の幅Ｌ１は６０μｍ程度に設定される。電熱線７４に電流が供給されると、上部磁極６７は第１区画５７の突き出しピーク位置に配置される。その一方で、電熱線７５に電流が供給されると、上部磁極６７は第２区画５８の突き出しピーク位置から外側に外れた位置に配置される。したがって、第２区画５８は上部磁極６７から外れた位置で磁気ディスク１３に接触することができる。
【００５９】
本発明者の検証によれば、電熱線７４に電流が供給されると、第１区画５７の突き出しピーク位置は上部磁極６７の中心位置から２０μｍ程度の範囲で広がることが確認された。突き出しピーク位置の検出にあたってＡＦＭ（電子間力顕微鏡）が用いられた。第２区画５８の突き出しピーク位置はその中心から２０μｍ程度の範囲で広がることが推測される。第２区画５８の突き出しピーク位置が上部電極６７の中心位置から例えば２０μｍ以上の距離Ｌ２で離れた位置に配置されれば、上部磁極６７は第２区画５８の突き出し時に第２区画５８の突き出しピーク位置から外れた位置に配置されることができる。その結果、第２区画５８が突き出しピーク位置で磁気ディスク１３に接触しても、書き込みギャップや読み出しギャップの損傷は回避される。
【００６０】
また、空気流出端から電熱線７４までの距離は空気流出端から電熱線７５までの距離と異なってもよい。例えば電熱線７５は電熱線７４よりも空気流入側に大きく離れて配置されてもよい。このとき、第２区画５８の突出量と第１区画５７との突出量との相対関係が予め把握されれば、前述と同様に、電磁変換素子３３の損傷が回避されつつ、第２区画５８の突出量に基づき電磁変換素子３３の浮上高さは決定されることができる。
【００６１】
（付記１）  記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面で空気流入端から空気流出端に向かって並列に延びる第１および第２領域を規定するスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれて、第１領域で非磁性膜の第１区画に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子と、第１領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第１区画の突出を生み出す第１アクチュエータと、第２領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第２区画の突出を生み出す第２アクチュエータとを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００６２】
（付記２）  付記１に記載のヘッドスライダにおいて、前記第１アクチュエータは、前記非磁性膜の第１区画に埋め込まれる電熱線を備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００６３】
（付記３）  付記１に記載のヘッドスライダにおいて、前記第２アクチュエータは、前記非磁性膜の第２区画に埋め込まれる電熱線を備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００６４】
（付記４）  記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面で空気流入端から空気流出端に向かって並列に延びる第１および第２領域を規定するヘッドスライダと、ヘッドスライダの空気流出側端に配置される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれて、第１領域で非磁性膜の第１区画に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子と、第１領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第１区画の突出を生み出す第１アクチュエータと、第２領域で非磁性膜に埋め込まれて、非磁性膜の第２区画の突出を生み出す第２アクチュエータとを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００６５】
（付記５）  ヘッドスライダの非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子の突出を回避しつつ非磁性膜の突出を引き起こす制御部と、前記突出の増大に応じて非磁性膜および記憶媒体の接触を検出する検出部と、接触時の非磁性膜の突出量に基づきヘッド素子の突出量を決定する決定部とを備えることを特徴とするヘッド素子の突出量決定装置。
【００６６】
（付記６）  付記５に記載のヘッド素子の突出量決定装置において、前記ヘッドスライダは、前記記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面で空気流入端から空気流出端に向かって並列に延びる第１および第２領域を規定するスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の前記非磁性膜と、前記非磁性膜に埋め込まれて、第１領域で前記非磁性膜の第１区画に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子と、第１領域で前記非磁性膜に埋め込まれて、前記非磁性膜の第１区画の突出を生み出す第１アクチュエータと、第２領域で前記非磁性膜に埋め込まれて、前記非磁性膜の第２区画の突出を生み出す第２アクチュエータとを備えることを特徴とするヘッド素子の突出量決定装置。
【００６７】
（付記７）  付記６に記載のヘッド素子の突出量決定装置において、前記第１アクチュエータは、前記非磁性膜の第１区画に埋め込まれる電熱線を備えることを特徴とするヘッド素子の突出量決定装置。
【００６８】
（付記８）  付記６に記載のヘッド素子の突出量決定装置において、前記第２アクチュエータは、前記非磁性膜の第２区画に埋め込まれる電熱線を備えることを特徴とするヘッド素子の突出量決定装置。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に係る記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図３】媒体対向面から観察される浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す平面図である。
【図４】媒体対向面すなわち空気軸受け面（ＡＢＳ）から観察される読み出し書き込みヘッドの拡大正面図である。
【図５】図４の５−５線に沿った断面図である。
【図６】図４に対応し、電熱線の配置を概略的に示す読み出し書き込みヘッドの拡大正面図である。
【図７】第２区画および磁気ディスクが接触する様子を概略的に示す概念図である。
【図８】第２区画および磁気ディスクの非接触時にオシロスコープの検出結果を示すグラフである。
【図９】第２区画および磁気ディスクの接触時にオシロスコープの検出結果を示すグラフである。
【図１０】図４に対応し、電熱線の配置を概略的に示す読み出し書き込みヘッドの拡大正面図である。
【図１１】第１および第２区画の突き出し時のイメージを概略的に示す概念図である。
【符号の説明】
【００７０】
１１  記憶媒体駆動装置（ハードディスク駆動装置）、１３  記憶媒体（磁気ディスク）、２１  ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３１  スライダ本体、３２  非磁性膜（素子内蔵膜）、３３  ヘッド素子（電磁変換素子）、３４  媒体対向面（浮上面）、５５  第１領域、５６ａ、５６ｂ  第２領域、５７  第１区画、５８  第２区画、７４  電熱線、７５  電熱線、８１  突出量検出装置、８５  制御部、８６  検出部、８７  決定部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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