(57)【要約】【課題】副画素の配列がデルタ配列やスクランブル配列などの画像表示パネルと同様の表示性能を有する、カラー画像表示パネル及びその製造方法、並びにカラー画像表示装置を提供する。【解決手段】基板上に形成された第１の電極上に、真空堆積法で有機発光層が堆積され、さらに第２の電極が形成されてなる、少なくとも赤、緑、青の発光色を有する有機ＥＬ素子が一定の順に並んで構成される画素が複数配列された有機エレクトロルミネッセンス型二次元カラー画像表示パネルにおいて、各々の有機ＥＬ素子は平面形状において一組の平行な二辺を有しており、互いに他色の発光色を有する有機ＥＬ素子が、前記平行な二辺で隣接しており、同一の発光色を有する有機ＥＬ素子は、前記平行な二辺の平行線方向に隣接して、垂直線に対して傾斜して平行に並ぶストライプ状に配列されていることを特徴とする。【選択図】図１
2008277264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の電極上に、真空堆積法で有機発光層が堆積され、さらに第２の電極が形成されてなる、少なくとも赤、緑、青の発光色を有する有機ＥＬ素子が一定の順に並んで構成される画素が複数配列された有機エレクトロルミネッセンス型二次元カラー画像表示パネルにおいて、
各々の有機ＥＬ素子は平面形状において一組の平行な二辺を有しており、
互いに他色の発光色を有する有機ＥＬ素子が、前記平行な二辺で隣接しており、同一の発光色を有する有機ＥＬ素子は、前記平行な二辺の平行線方向に隣接して、垂直線に対して傾斜して平行に並ぶストライプ状に配列されていることを特徴とする、カラー画像表示パネル。
【請求項２】
水平方向に隣接するように配列された、前記少なくとも赤、緑、青の発光色を有する有機ＥＬ素子を副画素の一組として画素が形成され、水平方向に隣接する前記画素はその重心位置を結ぶ直線が水平線に対して平行となるように配列されていることを特徴とする、請求項１に記載のカラー画像表示パネル。
【請求項３】
前記有機ＥＬ素子は平行四辺形であることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のカラー画像表示パネル。
【請求項４】
前記有機ＥＬ素子は長方形であることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のカラー画像表示パネル。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子の短辺は水平線に対して平行であることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のカラー画像表示パネル。
【請求項６】
任意の前記副画素の重心位置と前記副画素と垂直方向に隣接する同一の発光色を有する副画素の重心位置との水平方向のずれ量ｋと、水平方向に隣接する同一の発光色を有する副画素の繰り返しピッチｒとの比の値ｋ／ｒは、１／２あるいは１／３であることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のカラー画像表示パネル。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のカラー画像表示パネルと表示制御部とを有することを特徴とする、カラー画像表示装置。
【請求項８】
基板上に二次元に配列した複数の第１の電極を形成する工程と、少なくとも赤、緑、青の発光色を有する有機発光材料を、それぞれの発光色ごとに、複数の貫通孔を有するマスクの前記貫通孔を通じて前記第１の電極の形成位置に堆積する工程と、第２の電極を形成する工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス型二次元カラー画像表示パネルの製造方法において、
複数の第１の電極を形成する工程では、一組の平行な二辺を有する平面形状の第１の電極を、前記平行な二辺の第一の辺が直線上に並び、前記平行な二辺の第二の辺もまた直線上に並ぶように一次元に配置し、前記電極の一次元配列が垂直線に対して傾斜して平行に並ぶストライプ状となるように二次元に配列を形成すること、
有機発光材料を堆積する工程では、前記第１の電極が形成されてなるストライプに対応するように貫通孔がストライプ状に形成されたマスクを、前記第１の電極が形成されてなるストライプと前記マスクの貫通孔とを対向させるように位置合わせし、有機発光材料の堆積を行うこと、
を特徴とする、カラー画像表示パネルの製造方法。
【請求項９】
水平方向に隣接するように配列した、前記少なくとも赤、緑、青の発光色を有する有機ＥＬ素子を副画素の一組として画素を形成し、水平方向に隣接する前記画素はその重心位置を結ぶ直線を水平線に対して平行となるように配列していることを特徴とする、請求項８に記載のカラー画像表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の電極は平行四辺形であることを特徴とする、請求項８又は請求項９に記載のカラー画像表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記第１の電極は長方形であることを特徴とする、請求項８又は請求項９に記載のカラー画像表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記第１の電極の短辺は水平線に対して平行であることを特徴とする、請求項８乃至請求項１１のいずれか１項に記載のカラー画像表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
任意の副画素の重心位置と前記副画素と垂直方向に隣接する同一の発光色を有する副画素の重心位置との水平方向のずれ量ｋと、水平方向に隣接する同一の発光色を有する副画素の繰り返しピッチｒとの比の値ｋ／ｒは、１／２あるいは１／３であることを特徴とする、請求項８又は請求項９に記載のカラー画像表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に第１の電極と、少なくとも１種の低分子発光性有機化合物を含む層と、第２の電極とを順に積層した構造の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）が複数配列されたカラー画像表示パネルに関する。また本発明は前記カラー画像表示パネルの製造方法、並びに前記カラー画像表示パネルを用いたカラー画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に形成された有機化合物層と、該有機化合物層上に形成された第２の電極とが積層された構造の有機ＥＬ素子が知られている。
【０００３】
図１１は、有機ＥＬ素子がマトリックス状に配置されている画像表示パネルの一例を示す概略構成図である。（ａ）は各画素の配列を示す平面図である。（ｂ）はＡ−Ａ’の断面図である。図１１において、１０１は基板、１０２は第１の電極、１０３は有機化合物層、１０４は第２の電極である。また１０５は第１の電極１０２と第２の電極１０４との間に有機化合物層が介在している領域で規定される画素である。
【０００４】
図１１においては、基板１０１の表面上に画素としてドット状の有機ＥＬ素子がマトリックス状に配列され、かつ各有機ＥＬ素子が別々に発光できるように構成された例を示している。この画像表示パネルは、発光させる有機ＥＬ素子を適切に選択させることにより、様々な画像を表示することができる。
【０００５】
図１２は、有機ＥＬ素子１０５の周辺部に素子分離膜１１０が形成されており、隣接する素子間を電流が交差して流れない構成とされた画像表示パネルの断面図の一例である。図１２においては、さらに保護層１１１が素子表面に形成されて、素子部に環境から水や空気等が浸入することを防ぐ構造を示している。
【０００６】
カラー画像表示パネルを形成するために、多色の副画素を一組として用いる場合の前記副画素の形状や配列の例について説明する。
【０００７】
図１３は副画素の配列の平面図である。図１３において（ａ）はストライプ配列と呼ばれる副画素の配列の模式図である。フルカラー画像表示パネルにおいては３原色を必要とするのでそれぞれ赤、緑、青の発光色を有する素子が隣接して形成される。この３つの隣接する素子を副画素とする一組で画素が形成される（図１３において副画素の色を区別する場合には、赤をＲ、緑をＧ、青をＢの記号で表す。以下同様。）。
【０００８】
コンピュータのディスプレイでは正方形の画素が通常用いられるので、前記副画素は長辺／短辺比が約３の長方形に形成され、この長方形の短辺方向で隣接した副画素をもって画素とされる場合が多い。特許文献１はストライプ配列の副画素を有するフルカラー有機ＥＬ画像表示パネルを、ストライプ状のマスクを用いた工程で製造する方法に言及している。
【０００９】
明るさを得る目的や、表示可能な色の範囲を拡張する目的などで４種又はそれ以上の色（白も含む）の副画素をもって１画素とする場合でも、長方形の副画素の短辺方向で隣接した一組により画素が形成されるのが普通である。フルカラーが必要とされず２種の副画素をもって１画素とする場合などにおいても、長方形の副画素の短辺方向で隣接した一組により画素が形成されるのが普通である。
【００１０】
図１３（ｂ）は、ＲＧＢデルタ配列と呼ばれる別の副画素の配列の模式図である。このデルタ配列の特徴は奇数行と偶数行とで色配列が１／２ピッチずれていることである。画素数の限られる携帯型の小画面ディスプレイで自然画を表示した場合の解像感に優れている。
【００１１】
また同図の（ｃ）に示す、副画素の配列が上の行と１／３ピッチずれている、スクランブル配列と呼ばれる副画素の配列も同様に知られている。
【００１２】
特許文献２には、表示画像の画質の向上を目的として、画素内における副画素のカラーの位置構成が、隣接する画素と異なる表示パネルが提案されている。また特許文献２では、インクジェット印刷工程によりエレクトロルミネッセンス材料を堆積する場合に、画素配列に対して傾斜したライン状に連続して堆積する方法が開示されている。これにより堆積層の厚さを安定化し、さらに画素内における副画素のカラーの位置構成が異なる表示パネルが得られる。
【００１３】
図１４は、カラー画像表示パネルをマスクを通じた真空堆積法により製造する一般的工程を説明した斜視図である。図１４において、図１１や図１２と同じ符号は同じ部材を示しており、２０１はマスク、２０２は貫通孔である。図の例ではマスク２０１の貫通孔２０２は前記デルタ配列の特定の一色の副画素の配置に一致するように形成されている。
【００１４】
基板１０１上にアクティブマトリクス駆動回路（不図示）と前記回路に接続された第１の電極１０２が形成されている。この上に、赤、緑、青のいずれか一つの発光をする有機化合物層１０３をマスク２０１の貫通孔２０２を通じて形成する。次にマスク２０１を隣の副画素の位置まで水平方向にシフトし、別の一つの発光をする有機化合物層１０３をマスク２０１の貫通孔２０２を通じて形成する。こうして３回の操作を繰り返すことにより赤、緑、青の各色の有機化合物層１０３をそれぞれ所定の位置に堆積する。最後に全体に第２の電極１０４を形成し、必要ならばさらに保護層１１１を形成して、カラー画像表示パネルを得る。
【００１５】
図１５は、図１４のマスク２０１のＢ−Ｂ’の断面図である。高解像度のカラー画像表示パネルでは、マスク２０１の厚さに匹敵するほど副画素の幅が小さくなる。真空堆積が迅速に行える大きな材料放射源を用いるとき、マスク２０１の小さな貫通孔２０２の中央と周辺部とで堆積物の厚さが異なることを軽減するためには、マスク２０１の厚みを薄くする必要がある。しかしマスク２０１は、そのものの耐久性や取扱いの容易性を確保するために、通常少なくとも数十μｍ程度以上の厚みが必要である。そこで図１５のようにマスク２０１の材料放射源側で貫通孔２０２が広がるように削り部分２０３を形成することにより、マスク２０１を厚くして強度を確保しながら、貫通孔２０２の周辺部分を薄くしたマスクが用いられる。
【００１６】
【特許文献１】特開２００２−１１０３４５号公報
【特許文献２】特表２００４−５１６６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
２種以上の異なる発光色を有する有機ＥＬ素子を配列したカラー画像表示パネルにおいて、長方形の副画素の配列を上記のデルタ配列やスクランブル配列とする場合には、マスクを用いた真空堆積工程に以下のような問題がある。
【００１８】
図１６は、副画素の配列をデルタ配列とするための真空堆積工程用マスクの模式図である。図において（ａ）は材料放射源側から見たマスクの平面図で、そのＣ−Ｃ’の断面図が（ｂ）である。上記のように貫通孔２０２を材料放射源側ほど大きくなるように削り部分２０３を形成すると、貫通孔２０２の角が近接する部分でそれぞれの削り部分２０３の干渉が起こり、マスク２０１が著しく薄くなる部分ができる。
【００１９】
そのため、外力が加わると特定方向に裂けやすい、強度に問題のあるマスクとなる。強度の不十分なマスクはそれ自体の作成に時間とコストを浪費するばかりでなく、真空堆積工程に繰り返し使用できる回数も短くなる。また充分な張力を加えてマスクを治具に固定することができないため、真空堆積工程の位置精度が低くなり高精細の画像表示パネルを製造する場合に歩留まりが悪くなる。スクランブル配列では特に干渉が強く起こる部分があるため（不図示）斜め方向に特に裂け易く、さらにマスクの作成が困難になる。
【００２０】
貫通孔２０２の大きさを小さくして上記の干渉が起こらないようにするとマスクの強度は確保できる。しかし、各副画素の面積が減少するので所定の発光の明るさを得るには素子の電流密度を上げねばならず、画像表示パネルの発光電流効率や駆動寿命に悪い影響を及ぼす。
【００２１】
つまり、上記のように真空堆積工程を用いて製造した、副画素の配列がデルタ配列やスクランブル配列となるカラー画像表示パネルには歩留まり、コスト、性能、寿命等において改善すべき課題がある。この画像表示パネルを部品として用いた画像表示装置にも課題が継承され、コスト、性能、寿命等に課題がある。
【００２２】
言い換えるならば、従来のデルタ配列やスクランブル配列の位置に並んだ長方形副画素の配列を有するカラー画像表示パネルには、マスクを用いた真空堆積工程で副画素を作成する場合に、副画素の開口率を大きくすることが難しいという問題がある。この原因は副画素の角部が近接する部分が存在することにある。ここに述べた課題は、カラー画像表示パネルを開口率の大きなマスクを介して真空堆積する工程により製造する場合に明らかになるものである。
【００２３】
本発明は、上記のような課題を解決し、副画素の配列がデルタ配列やスクランブル配列などの画像表示パネルと同様の表示性能を有する、カラー画像表示パネル及びその製造方法、並びにカラー画像表示装置を提供することを目的とする。さらに、本発明は、強度に問題のないマスクを用いた真空堆積工程で作製することのできる、カラー画像表示パネル及びその製造方法、並びにカラー画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記の課題を解決するための本発明のカラー画像表示パネルは、
基板上に形成された第１の電極上に、真空堆積法で有機発光層が堆積され、さらに第２の電極が形成されてなる、少なくとも赤、緑、青の発光色を有する有機ＥＬ素子が一定の順に並んで構成される画素が複数配列された有機エレクトロルミネッセンス型二次元カラー画像表示パネルにおいて、
各々の有機ＥＬ素子は平面形状において一組の平行な二辺を有しており、
互いに他色の発光色を有する有機ＥＬ素子が、前記平行な二辺で隣接しており、同一の発光色を有する有機ＥＬ素子は、前記平行な二辺の平行線方向に隣接して、垂直線に対して傾斜して平行に並ぶストライプ状に配列されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、副画素の配列がデルタ配列やスクランブル配列と同様の自然画像表示性能を有しながら、作成が容易なストライプ状の貫通孔を有するマスクを利用して製造できる。そのため、コスト、表示の明るさなどの性能、寿命等において優れたカラー画像表示パネルを得ることができる。
【００２６】
また、本発明によれば、副画素の配列がデルタ配列やスクランブル配列と同様の自然画像表示性能を有する画像表示パネルの製造方法において、作成が容易で、耐久性のあるマスクを利用するため、製造コストや歩留まりの改善された製造方法とすることができる。
【００２７】
さらに、本発明によれば、副画素の配列がデルタ配列やスクランブル配列と同様の自然画像表示性能を有しながら、コスト、表示の明るさなどの性能、寿命等において優れた有機エレクトロルミネッセンス型カラー画像表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は本発明のカラー画像表示パネル（以下、単に画像表示パネルと省略する場合がある。）の実施形態を示した平面模式図である。
【００２９】
図示する画像表示パネルは、基板上に形成された第１の電極上に、真空堆積法で有機発光層が堆積され、さらに第２の電極が形成されてなる、赤、緑、青の発光色を有する有機ＥＬ素子が一定の順に並んで構成される画素が複数配列された有機ＥＬ型二次元カラー画像表示パネルである。
【００３０】
各々の有機ＥＬ素子は平面形状において一組の平行な二辺を有している。ちなみに、本実施形態では平行四辺形の有機ＥＬ素子とされている。従って前記素子は平行な長辺一組と平行な短辺一組を有し、平面内の素子の重心は平行な二辺から等距離にある。
【００３１】
互いに他色の発光色を有する有機ＥＬ素子が、長辺で隣接しており、同一の発光色を有する有機ＥＬ素子は、短辺（すなわち、平行な長辺の平行線方向）で隣接している。前記有機ＥＬ素子は、重心位置を結ぶ一本の第１の直線ｓが、前記有機ＥＬ素子の長辺に対して平行となる形態で、ストライプ状に配列されている。この有機ＥＬ素子が配列されてなるストライプは、相互に重なることなく、垂直線ｖに対して傾斜して平行に並べられている。
【００３２】
特に、本実施形態では、水平方向に隣接するように配列された、前記赤、緑、青の発光色を有する有機ＥＬ素子を副画素１０５の一組として画素が形成されている。そして、水平方向に隣接する前記画素は、その重心位置を結ぶ第２の直線ｈが水平線に対して平行となるように配列されている。また、副画素１０５の短辺は水平線に対して平行となるように配置される。
【００３３】
つまり、平行四辺形の有機ＥＬ素子からなる副画素１０５はその重心位置を水平方向に引いた直線（第２の直線）ｈに一致させ、さらに一組の平行な二辺を斜め線（第１の直線）ｓの方向に一致させている。同一の発光色を有する前記有機ＥＬ素子は前記斜め線ｓの方向に複数並んだ形態で、ストライプ状に配列している。前記斜め線ｓは垂直線ｖから傾いている。
【００３４】
なお、各有機ＥＬ素子には有機発光層と第１、第２の電極が存在し、これらの電極を駆動する配線、やトランジスタなど（不図示）が接続されて各素子が個別に駆動可能とされている。テレビジョン信号の二次元画像表示の伝統から、ここでは画素データが早い周期で一括書込みされる方向を水平方向、前記の一括書き込みより遅い周期で画像データが位置を逐次ずらしながら繰り返し書き込みされる方向を垂直方向と呼ぶことにする。水平線、垂直線についても、それぞれ前記の水平方向の直線、垂直方向の直線の意味で用いる。
【００３５】
副画素１０５の配列の傾き、すなわち第１の直線ｓの傾きの大きさは、次のように導き出せる。すなわち、任意の副画素１０５の重心位置と前記副画素１０５と垂直方向に隣接する同一の発光色を有する副画素の重心位置との水平方向のずれ量ｋと、水平方向に隣接する同一の発光色を有する副画素の繰り返しピッチｒとの比の値ｋ／ｒで導き出せる。図１は前記の傾きの値が１／２となるものを示している。
【００３６】
この傾きが１／２である場合、平行四辺形の副画素１０５の重心位置は図１３（ｂ）に模式的に例示したデルタ配列の長方形副画素の重心位置と同等となる。したがって、この配列の画像表示パネルは、従来の長方形副画素がデルタ配列の画像表示パネルと同等の駆動データを同等の駆動タイミングで供給することにより、同等のカラー画像の表示を得ることができる。
【００３７】
すなわち、図１の副画素１０５の形状と配列を有する画像表示パネルは、長方形副画素がデルタ配列の画像表示パネルと置き換え可能である。画像入力信号から各副画素の駆動信号を生成する画像表示パネル制御用回路や制御用集積回路には従来のものを利用することができる。また、基板として第１の電極を駆動するトランジスタを形成したアクティブマトリクス回路付きのものを用いる場合、デルタ配列の長方形副画素を駆動するためのアクティブマトリクス回路と同じ設計のものを使用することができる。前記アクティブマトリクス回路の上に形成する、第１の電極や有機発光層の形状と配列は図１に例示されたものにすればよい。
【００３８】
図１では、平行四辺形の副画素１０５の長辺が画面の左方向に傾いた例を示したが、傾斜の向きが右方向である場合でも同様に、デルタ配列の長方形副画素と重心位置が対応することは明らかである。また図１では、副画素１０５の色の並び順を左からＢ、Ｇ、Ｒの順を示したが、もちろんＲ、Ｇ、Ｂの順などとしても何ら問題が無い。
【００３９】
さらにカラー表示範囲を広げる目的で三原色以外の色の副画素を加えて、１画素を４つの副画素により構成するときも同様である。４副画素分の水平方向のピッチをｒ、垂直方向に隣接する同一の発光色を有する副画素の重心位置相互のずれ量をｋとすると、ｋ／ｒの比が１／２となる場合に三原色の副画素がデルタ配列の画像表示パネルと同様に表示の解像感が高く感じられる。一般に１画素をｎ個の副画素で構成する場合、上記と同様にｋ／ｒの比が１／２となるようにすると、三原色の副画素がデルタ配列の画像表示パネルと同様に表示の解像感が高く感じられる。
【００４０】
三原色の副画素からなる前記の配列の傾きが１／２でなく１／３である場合は、平行四辺形の副画素１０５の重心位置が、スクランブル配列の長方形副画素の重心位置と同等となる。すなわち前記傾きが１／３である配列を有する画像表示パネルは、長方形副画素がスクランブル配列の画像表示パネルと置き換え可能である。基板としてアクティブマトリクス回路を形成したものを用いる場合についても長方形副画素がスクランブル配列用のものと同じ設計のアクティブマトリクス回路を利用できる。
【００４１】
傾きが前記した１／２と１／３以外の場合、従来の長方形副画素の場合のデルタ配列やスクランブル配列との対応は無い。しかし、二次元の規則的カラー画素配列であるので、所定の二次元のカラー画像表示のための各副画素に与える駆動電流の値は必ず決めることができ、所望の画像表示が可能である。前記の傾きが小さい場合、従来の垂直ストライプの場合との差異がなくなり自然画像の表示における解像向上の利点が小さくなる。
【００４２】
一方、前記平行四辺形の副画素の傾きが大きいと副画素の幅は狭くなるため、非画素部分に対する副画素の占有面積比が減少し、画像表示パネルの明るさの低下や素子電流密度の増加、駆動寿命の短縮といった悪影響が無視できなくなる。
【００４３】
したがって、前記傾きの値の好適な範囲に原理的制限は無いが１／５から１／１の範囲が実用的に有効であり、従来のデルタ配列やスクランブル配列の設計が利用可能な１／３と１／２において特に有効である。
【００４４】
図１の副画素１０５の形状と配列の画像表示パネルでは、同一の発光色を有する副画素１０５のみが直線状に配列されている。つまり、同一の発光色を有する副画素１０５は、垂直方向に隣接する前記副画素１０５の重心位置を結ぶ一本の第１の直線ｓが、前記副画素１０５の平行な二辺に対して平行となる形態で、ストライプ状に配列されている。この有機ＥＬ素子が配列されてなるストライプは、相互に重なることなく、垂直線ｖに対して傾斜して平行に並べられている。そのため、各副画素１０５の材料をマスクを通じて基板に堆積する工程において、図２に模式図で例示するようなストライプ状の貫通孔２０２を有するマスク２０１を用いることができる。
【００４５】
図２（ａ）はストライプ状の貫通孔部分の説明図である。マスク２０１に形成されたストライプ状の貫通孔２０２の間隔は副画素配列ピッチの２倍あるため、隣接する貫通孔の削り部分２０３が相互に干渉し合うことなく作成することが可能である。
【００４６】
なお、前記貫通孔２０２は図２（ｂ）に模式的に示すように、マスク２０１に対して斜めに形成してもよいが、図２（ｃ）に示すようにマスク２０１の全体形状に沿って平行に形成し、このマスク２０１を面内で斜めに回転させて用いても良い。マスク２０１は所定の張力を与えて治具に固定して用いることが多いので、図２（ｃ）のように加工すると、ストライプ方向に均等に張力を加えやすいので都合がよい。その場合、基板上の画像表示領域以外に材料が堆積されることを防ぐために、前記画像表示領域の形状に対応した開口を有する第２のマスクを重ねて用いてもよい。
【００４７】
また、基板の背面に磁石を配して磁性材料からなるマスクを磁力により所定の位置に定位させる方法を用いてもよい。
【００４８】
図２のようなマスク２０１を用いると真空堆積材料が貫通孔２０２の形状に従い複数の隣接する副画素１０５に跨って有機化合物層として堆積される。しかし、通常第２の電極も同様に隣接する副画素１０５に跨って形成されて共通電極とされるので、前記有機化合物層を隣接する副画素１０５の間で切断しなくとも、素子間のクロストーク電流は特に問題にはならない。
【００４９】
また、各副画素１０５の形状は有機層の堆積領域の形状ではなく、基板上の第１の電極及び通常、第１の電極の周縁部に形成された素子分離膜の形状により定まる。この観点からも、ストライプ状の堆積層が隣接する副画素間に跨ることは問題にならない。
【００５０】
図３は、本発明の画像表示パネルの別の副画素の形状と配列の一例を示す平面模式図であって、長方形の副画素をなす素子が傾いて配列している様子を示している。
【００５１】
図３（ａ）でも、図１と同様に、同一の発光色を有する副画素１０５のみが直線状に配列されている。傾きを図１の場合と同様に垂直方向に隣接する副画素の重心位置の水平方向のずれ量ｋと、水平方向に隣接する同一の発光色を有する副画素の繰り返しピッチｒとの比の値ｋ／ｒは１／３である。したがって、各副画素の重心位置が図１３（ｃ）に模式的に例示したスクランブル配列の長方形副画素の重心位置と同等となる。この画像表示パネルでは、従来の長方形副画素がスクランブル配列の画像表示パネルと同等の駆動データを同等の駆動タイミングで供給することにより、同等のカラー画像の表示を得ることができる。
【００５２】
図３（ｂ）は、長方形の副画素の重心を僅かに移動し、副画素からなる各画素を正方形とした例である。この例でも図３（ａ）と同様に傾きを表すｋ／ｒの値は１／３である。  図４は、本発明の画像表示パネルのさらに別の副画素の形状と配列の一例を示す平面模式図であって、さらに異形の副画素をなす素子が傾いて配列している様子を示している。  図４（ａ）と（ｂ）は、副画素の素子形状として台形のものを用いた例を示している。いずれの例も、同一の発光色を有する副画素のみが直線状に配列されており、傾きの値を表すｋ／ｒは１／２である。
【００５３】
図５は、多角形の形状を有する副画素を持つ、本発明の画像表示パネルの一例を示す平面模式図である。図５でも、同一の発光色を有する副画素のみが直線状に配列されており、傾きの値を表すｋ／ｒは１／２である。
【００５４】
図６は、長方形の頂点部分が曲線状の形状を有する副画素を持つ、本発明の画像表示パネルの一例を示す平面模式図である。図６でも、同一の発光色を有する副画素のみが直線状に配列されており、傾きの値を表すｋ／ｒは１／２である。
【００５５】
図７は、曲線を含む輪郭形状を有する副画素を持つ、本発明の画像表示パネルの一例を示す平面模式図である。この例における副画素は平行な二辺と、曲線とにより囲まれた形状をしている。図７でも、同一の発光色を有する副画素のみが直線状に配列されており、傾きの値を表すｋ／ｒは１／２である。
【００５６】
本発明の画像表示パネルの製造方法は、基板上に二次元に配列した複数の第１の電極を形成する工程を有する。そして、少なくとも赤、緑、青の発光色を有する有機発光材料を、それぞれの発光色ごとに、複数の貫通孔を有するマスクの前記貫通孔を通じて前記第１の電極の形成位置に堆積する工程を有する。さらに、第２の電極を形成する工程を有する。
【００５７】
つまり、通例の有機エレクトロルミネッセンス型二次元カラー画像表示パネルの製造方法と略同様である。しかし、複数の第１の電極を形成する工程では、一組の平行な二辺を有する平面形状の第１の電極を、前記平行な二辺の第一の辺が直線上に並び、前記平行な二辺の第二の辺もまた直線上に並ぶように一次元に配置される。前記電極の一次元配列が垂直線に対して傾斜して平行に並ぶストライプ状となるように二次元に並べられる。
【００５８】
そして、有機発光材料を堆積する工程では、前記第１の電極が形成されてなるストライプに対応するように貫通孔がストライプ状に形成されたマスクを、前記第１の電極が形成されてなるストライプと前記マスクの貫通孔とを対向させるように位置合わせする。その後、前記マスクの貫通孔を通じて有機発光材料の堆積を行うことを特徴とする。
【００５９】
具体的に云うと、前記マスクを用いた材料の真空堆積工程は、少なくとも発光層の形成において行われる。
【００６０】
図２に例示したマスク２０１を、その削り部分２０３が材料放射源側となるようにして基板に近接させ、ストライプ状の貫通孔２０２を基板上の所定の色の副画素の並びの上に重ねるように位置合わせを行う。圧力を１０−４Ｐａ程度に減圧して材料放射源から所定の材料を所定量だけ堆積させ、貫通孔２０２の位置に対向した基板上の副画素の並びに、前記材料を成膜する。複数の種類の材料の混合層を堆積する場合には、材料の種類の数だけ別の材料源を用意して前記成膜を行う。
【００６１】
次に、別の発光色を有する副画素に対して別の材料を堆積する場合には、前記マスク２０１を面方向に１副画素のピッチだけシフトして、貫通孔２０２を別の色の副画素の並びに対向するように位置合わせを行う。そして、前記と同様にして別の発光色を有する副画素の並びに別の材料を成膜する。これを繰り返して各色の副画素に対する成膜を行う。又は、別の発光色を有する副画素に対する材料堆積の工程それぞれのために、専用の図２に例示したマスク２０１を別々に用意しても良い。この場合、別の発光色を有する副画素の堆積を行う都度、それぞれ前記別のマスク２０１を基板に対して位置合わせを行い、材料放射源から貫通孔２０２を通じて材料を基板上に堆積して成膜を行う。
【００６２】
別の発光色を有する副画素に対して発光層以外についても、層の材料の組成・種類や堆積量を副画素の色に応じて変える必要がある場合には、上記と同様にして図２に例示したマスク２０１を用いた工程を利用することができる。
【００６３】
例えば、後述する各素子の層方向に光干渉構造を有した画像表示パネルを製造する場合などにおいて、発光層以外についてもそれぞれ発光波長に応じた所定の厚みにする必要がある。また、発光層に電荷を受け渡す電子輸送層やホール輸送層等は材料のＬＵＭＯ、ＨＯＭＯ準位が発光層のそれぞれの準位と適切な関係のものを選ぶ必要があるため、発光層材料に応じて変える場合がある。したがって、これらの場合にも前記のマスク２０１を用いて貫通孔２０２を通じて所定の位置に選択的に堆積を行う。
【００６４】
なお、図３から図７に例示したいずれの副画素の形状と配列の画像表示パネルにおいても、図１と同様に副画素が平行な二辺を有し、同一の発光色を有する副画素を前記二辺の方向に直線状に配列している。したがって、いずれの画像表示パネルの製造においても、上述した図２に例示するような貫通孔２０２を有するマスク２０１を用いた真空堆積工程を利用できる。
【００６５】
次に上記のような副画素の形状と配列を有する画像表示パネルの層構成例について説明する。なお、本発明は層構成、構成材料、各層の厚み等により制限されるものではない。  図８は各有機ＥＬ素子の層構成例を説明する断面図である。（ａ）は基板側陽極型の模式図で第１の電極が陽極、第２の電極が陰極である。（ｂ）は基板側陰極型の模式図で第１の電極が陰極、第２の電極が陽極である。図において１０１は基板、１０２は第１の電極、３０１はホール注入層、３０２はホール輸送層、３０３は発光層、３０４は電子輸送層、３０５は電子注入層、１０４は第２の電極、１１１は保護層である。３０１から３０５の各層は図１１及び図１２において有機化合物層１０３とまとめて記載されたものと同じものを表す。図８は素子の発光が起こる部分の説明の図であるため、図１２に記載の素子分離膜１１０は不図示である。また、各素子の駆動にアクティブマトリクス回路が用いられる場合は駆動用トランジスタや第１の電極への接続部などが基板１０１の表面に形成されるが、これも不図示である。
【００６６】
基板１０１は、本発明の画像表示パネルの各素子等を表面に機械的に保持するものであって、ガラス、石英やアルミナ等のセラミクス、ポリエチレンナフタレートやポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリイミド等のプラスチックが用いられる。また、ニッケル鋼やステンレス鋼、アルミニウムやチタン等の金属、セラミクスや金属等の繊維状あるいは粉末状の充填材を内部に含んだ、プラスチックやガラス等の複合材料などが用いられる。なお、第１の電極１０２を表面に複数形成し、それらを独立に駆動する必要があるので、基板１０１が導電性である場合はその表面に絶縁層を形成して用いる。
【００６７】
基板１０１の必要とする厚みは画像表示パネルの製造時の取り扱いに必要な強度、及び完成した画像表示パネルの必要強度とから決まるものである。これは前記画像表示パネルの広さとも関わるので一概には言えないが、ガラス、セラミックス等の脆い材料の場合０．３ｍｍから２ｍｍ、プラスチックや金属のような変形に強い材料では０．１ｍｍから２ｍｍ程度が適当である。
【００６８】
第１の電極１０２の材料は、アルミニウム、クロム、ニッケル、銀等の金属、或いは合金、酸化錫、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛酸化物等の導電性酸化物などが用いられる。前記の金属や導電性セラミクスが単独で用いられても、２層又はそれ以上に重ねて用いられても良い。
【００６９】
第１の電極１０２の個々の平面形状と相互の配列については上述したが、形状と配列を形成するパターニング手段は、例えば湿式、或いは乾式のエッチング技術や、マスクを用いた選択堆積技術、インクジェット技術など従来公知のものから選んで用いればよい。
【００７０】
第１の電極１０２に必要な厚みは、個々の電極内で電位分布が充分小さくなるように選ばれるもので、素子駆動時の電流や材料の伝導度、電極への電流の供給方法などに依存し、通常は金属材料で数１０ｎｍ以上、導電性酸化物材料で数１００ｎｍ以上が選ばれる。もちろん充分な厚みの金属材料を下地に有し、導電セラミクス材料を表面とする複合電極の場合は前記導電性酸化物材料が１００ｎｍ以下であっても問題ない。
【００７１】
素子分離膜の材料は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等のプラスチックや酸化シリコン、窒化シリコンや酸化アルミニウム等のセラミックスなどの絶縁性材料から選ばれる。プラスチックの場合は、特に光レジスト材料として知られるものを使用してパターニングを行うのが便利である。セラミックスを用いる場合は、マスクを用いた選択堆積技術やレジスト材料を用いたエッチング技術により所望のパターニングを行う。
【００７２】
素子分離膜は上記第１の電極１０２の周縁部を囲むように形成される。素子分離膜は後に行われるマスクを用いた真空堆積工程時に、マスクが素子部に直接接触して堆積膜を傷つけることを防止する役割を持つ。そして、後に第２の電極１０４を形成した際に第１の電極１０２との間で欠陥による短絡を防止する役割を持つ。さらに、前記第１の電極１０２の端部の段差部を被覆することにより短絡を防止するなどの役割を持つ。このような素子分離膜の厚さは２００ｎｍから４μｍの間がよく用いられる。
【００７３】
ホール注入層３０１は、接する電極（陽極）からホールを引き出し後述のホール輸送層３０２に受け渡す役割を有する。その材料としては、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化バナジウム等の遷移金属酸化物や、銅フタロシアニン等の遷移金属錯体などが挙げられる。なお、陽極材料がインジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の金属酸化物からなる場合などで、後述のホール輸送層３０２に対して直接、ホールが注入可能な場合にはホール注入層３０１を省略してもよい。
【００７４】
ホール注入層３０１を設けると、図８（ｂ）の構成の素子を作成する場合、第２の電極１０４を堆積する工程でホール注入層３０１以下の有機化合物層が受けるダメージを低減する効果が期待できる。
【００７５】
ホール注入層３０１の厚みは通常２ｎｍから１００ｎｍ程度が用いられる。ホール注入層３０１は上記の材料をマスク真空堆積工程などで素子形成部分に選択堆積してもよいが、基板１０１上に非選択的に形成してもよい。
【００７６】
ホール輸送層３０２は、注入されたホールを後述の発光層３０３に受け渡す役割を有する。これを構成するホール輸送材料は、ホールの注入が容易で、またホールを発光層３０３に輸送するに優れたモビリティを有することが好ましい。電子の輸送性は低くてよい。ホール注入輸送性を有する低分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体が挙げられる。また、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。以下に、具体例の一部を示す。
【００７７】
【化１】
2008277264.tif 000003
【００７８】
また、高分子のホール輸送材料も知られており、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（シリレン）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が利用可能である。
【００７９】
ホール輸送材料は単独で用いてもよいが、複数の材料を混合してホール輸送層３０２を形成してもよい。
【００８０】
ホール輸送層３０２は、上記したホール輸送材料をマスクを用いた真空堆積工程などで素子形成部分に選択堆積してもよいが、基板１０１上に非選択的に形成してもよい。高分子材料は適当な溶液を回転塗布法などで成膜し溶媒を乾燥除去するのが普通である。ホール輸送層３０２の厚みは５ｎｍから２００ｎｍとする。
【００８１】
発光層３０３は、前記ホール輸送層３０２からホールを注入され、また後述の電子輸送層３０４から電子が注入されて、層内で両電荷が相殺する際に生じる励起状態により発光する役割を有する。発光材料としては、発光効率の高い蛍光材料や燐光材料が用いられる。発光材料を単独で用いて発光層を形成することもあるが、励起分子の濃度を下げて非発光失活を減らす効果等を目的として発光材料とキャリア輸送材料とを混合して発光層を形成することがよく行われる。このキャリア輸送材料には、前記したホール輸送材料のほか、後述する電子輸送材料や、ホールと電子との両方に対して適当な移動度を有する両極性輸送材料が利用できる。単独で発光性を有する材料であっても、より励起エネルギーの低い発光材料と混合すると、それ自身の発光は抑制されるのでキャリア輸送材料として利用できるものがある。発光層３０３の厚みは５ｎｍから２００ｎｍ程度とする。
【００８２】
発光材料の具体例の一部を示す。本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８３】
【化２】
2008277264.tif 000004
【００８４】
【化３】
2008277264.tif 000005
【００８５】
電子輸送層３０４は、後述する電子注入層３０５から注入された電子を、前記発光層３０３に受け渡す役割を有する。その材料としては、注入された電子を輸送する機能を有するものから任意に選ぶことができ、ホール輸送材料のキャリア移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体が挙げられる。また、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機金属錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。以下に、具体例の一部を示す。
【００８６】
【化４】
2008277264.tif 000006
【００８７】
電子輸送層３０４は、上記した電子輸送材料をマスクを用いた真空堆積工程などで素子形成部分に選択堆積してもよいが、基板１０１上に非選択的に形成してもよい。電子輸送材料は単独で用いてもよいが、複数の材料を混合して電子輸送層を形成してもよい。電子輸送層３０４の厚みは２ｎｍから８０ｎｍの範囲とする。
【００８８】
電子注入層３０５は、接する電極（陰極）から電子を引き出し電子輸送層３０４に受け渡す役割を有する。電子注入材料としては、前述した電子輸送性材料に、リチウムやセシウム等のアルカリ金属やマグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属、若しくはその化合物を用いることができる。例えば炭酸セシウム等を０．１％〜数十％含有させて電子注入性を付与したものを用いることができる。また、フッ化リチウムのようなアルカリ金属塩を電子注入層として用いることができる。
【００８９】
電子注入層３０５は必須な層ではないが、界面に大きな電位降下を生じることなく、接する電極から電子を取り出す効果が期待できる。また、図８（ａ）の構成の素子を作成する場合、第２の電極１０４を堆積する工程で電子輸送層３０４以下の有機化合物層が受けるダメージを低減する効果が期待できる。電子注入層３０５は良好な電子注入性や前記のダメージ低減効果等を確保するために２ｎｍから１００ｎｍ程度挿入するのが好ましい。  場合によっては、作成された素子が酸素や水分等と接触することを防止する目的で保護層１１１が設けられる。保護層１１１としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等の金属窒化物膜や、酸化タンタル等の金属酸化物膜、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）薄膜が挙げられる。また、フッ素樹脂、ポリパラキシレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂、ポリスチレン樹脂等の高分子膜、さらには、光硬化性樹脂等が挙げられる。
【００９０】
また、図８のように第２の電極１０４に重ねて保護層１１１を設けなくとも、不浸透性のキャップを被せることにより素子を保護することもできる。すなわち、窒素やアルゴンなど不活性雰囲気、或いは減圧雰囲気下で前記の素子形成部分をガラス、気体不透過性フィルム、金属など（不図示）でカバーし、適当な封止材料により基板１０１の成膜部分全体をパッケージングすることで保護を行うこともできる。
【００９１】
防湿性を高めるために、前記保護層１１１内や前記パッケージ内に吸湿材を含有、或いは配置しても良い。
【００９２】
基板１０１と第１の電極１０２とを透光性とした場合、発光層３０３で生じた光を基板１０１側から取り出せるボトムエミッション構成の画像表示パネルとなる。この場合、基板１０１及び第１電極１０２は、発光層３０３に生じる光の主要波長に対して５０％以上の透過率を有するべきである。
【００９３】
また、基板１０１の表面に配線やアクティブマトリクス回路がある場合、ボトムエミッション構成の画像表示パネルではそれらの回路も基板１０１側への光の透過性を阻害しないように設計する必要がある。
【００９４】
前記のボトムエミッション構成の画像表示パネルでは、第２の電極１０４側に光反射面を設けることにより基板１０１側に取り出せる光を増して表示される画像を明るくすることができる。反射面としては金属面や、屈折率の異なる透明層の界面などを用いることができる。例えば第２の電極１０４を金属とすることや、第２の電極１０４を透明材料と金属との積層とすることで構成できる。第２の電極１０４を透明材料としても、第２の電極１０４上に屈折率の異なる透明材料を積層（不図示）することで基板１０１側に取り出せる光を増すことが可能である。前記光反射面の反射率は７０％以上とすべきである。
【００９５】
第２の電極１０４及び保護層１１１を透光性とした場合、発光層３０３で生じた光を基板１０１と反対側から取り出せるトップエミッション構成の画像表示パネルとなる。この場合、前記第２の電極１０４及び保護層１１１は、発光層３０３に生じる光の主要波長に対して５０％以上の透過率を有するべきである。トップエミッション構成の画像表示パネルでは、第１の電極１０２側に光反射面を設けることにより、基板１０１と反対側に取り出せる光を増して表示される画像を明るくすることができる。上記のボトムエミッション構成の場合と同様に、反射面としては金属面や、屈折率の異なる透明層の界面などを用いることができる。前記光反射面の反射率は発光層３０３に生じる光の主要波長に対して７０％以上とすべきである。
【００９６】
前記反射面と発光層との光学距離を調節し、発光層３０３から直接、取り出される光と反射面で反射されてから取り出される光とが強め合う条件を満たすと、特定の波長の光を強く取り出すことができる。金属面のような固定端反射面の場合、反射で光の位相が約１８０度ずれるので、発光層３０３内の発光が起こる位置と反射面との光学距離を光の波長の約ｎ／４倍（ｎは奇数）とすると前記の条件が満たされる。屈折率のより低い材料に接する透明体界面のような開放端反射面の場合、反射で光の位相がほとんどずれないで、発光層３０３と反射面との光学距離を光の波長の約ｎ／２倍（ｎは自然数）とすると前記の条件が満たされる。さらに光の取り出し側にも、光を一部反射する半透過反射面を形成し上記と同様に発光層３０３と半透過反射面との光学距離を調節することにより、特定の波長の光に対する微小共振器構造を形成することもできる。
【００９７】
上記のような光の干渉による波長選択構造を用いることにより、画像表示パネルを構成する各副画素（赤、緑、青）に対してそれぞれ所定の波長を強めれば、それぞれの発光が高い彩度となる。そのため、表示のＧＡＭＵＴが広くなり、色の再現範囲を改善することができる。
【００９８】
なお、反射面における前記位相ずれの大きさは、実際には反射界面を形成する材料の物性や厚み等に依存し、発光層３０３の層内で主に発光が生じている位置や、各堆積層の屈折率の値などに若干の不確定要素がある。そのため、実際に素子を試作して適切な光干渉構造を見出すのがよい。
【００９９】
基板１０１、第１の電極１０２、第２の電極１０４及び保護層１１１を透光性（半透過性も含む）とした場合、発光層３０３で生じた光を両面から取り出せる、両面画像表示パネルとなる。
【０１００】
また、複数の有機ＥＬ素子が積層されたマルチフォトン構成や多段階積層構成に対しても本発明は実施可能である。所望の光学特性を得る目的でホトニック結晶等を組み合わせてもよい。
【０１０１】
本発明の画像表示パネルの表面には視認性を高めるために、反射防止層、防眩層を設けたり、金属電極で反射して視認される外光を低減するために円偏光板やカラーフィルタを組み合わたりするなど、従来公知の技術を利用することができる。
【０１０２】
図９は、本発明の画像表示パネルの一副画素当たりの制御回路の一例を表す図である。図において、１０５は前記有機ＥＬ素子による副画素で、この例においては第２の電極を共通陰極とし、第１の電極を個別にトランジスタで駆動する陽極としている。
【０１０３】
トランジスタＴｒ１は、ゲート電位に加えられる選択信号線（走査信号線）４１０の電位により制御され、所定のタイミングでＯＮ状態とされて、データ信号線４１１の電位をトランジスタＴｒ２のゲートに加える。トランジスタＴｒ２は、加えられたゲートの電位により決まる電流を電源線４１２から有機ＥＬ素子の副画素１０５に流す。前記トランジスタＴｒ２のゲートには容量Ｃｇが接続されており、トランジスタＴｒ１がＯＦＦの期間は両端電位差をほぼ一定に保持するので、トランジスタＴｒ２は保持されたゲート電位に応じたほぼ一定の電流を副画素１０５に流しつづける。トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２及び容量Ｃｇは副画素１０５付近の基板表面に形成されている。
【０１０４】
図１０は、本発明の画像表示装置の一例を表す機能ブロック図であり、本発明の画像表示パネルと表示制御部とを有する構成とされている。図において、４０１は本発明の画像表示パネル、４０２は表示制御部である。画像表示パネル４０１の表面には表示部４０３が形成されており、これは上記図１に例示した副画素配列からなる画素４０４が配列され、また図９に例示した制御回路が各副画素に形成されている。画像表示パネル４０１の表面には、また画像データ信号を所定のタイミングで取り込み表示部４０３へのデータ信号線４１１の電位を保持する要素の並んだラッチアレイ４０６が形成されている。前記ラッチアレイ４０６の各要素にデータ取り込みのタイミングを与えるＨシフトレジスタ４０５が形成されている。表示部４０３への選択（走査）信号線４１０を順次選択するためのＶシフトレジスタ４０７が形成されている。
【０１０５】
表示制御部４０２は画像データを入力し、前記画像表示パネル４０１が必要とする映像信号と、Ｈシフトレジスタ４０５及びＶシフトレジスタ４０７のタイミング信号を供給するものである。
【０１０６】
表示制御部４０２は映像信号変換メモリ４０８とタイミング信号を制御するコントローラ４０９を有する。コントローラ４０９は映像信号メモリから映像信号をシリアル出力しラッチアレイ４０６に送る。
【０１０７】
コントローラ４０９は同時に、水平方向のラッチタイミングを生成するためにＨシフトレジスタ４０５の初期化を行うＨスタートパルスと、同Ｈシフトレジスタ４０５のシフトを行うＨシフトクロックを生成する。Ｈシフトレジスタ４０５はコントローラ４０９から受け取る前記信号により、ラッチ４０６に対するラッチ信号を生成する。ラッチ４０６は前記ラッチ信号のタイミングで前記映像信号を取り込み、その値に従い各データ信号４１１への出力電位を固定する。
【０１０８】
また、コントローラ４０９は垂直方向選択タイミングを生成するために、Ｖシフトレジスタ４０７の初期化を行うＶスタートパルスと、同Ｖシフトレジスタ４０７のシフトを行うＶシフトクロックを生成する。Ｖシフトレジスタ４０７はコントローラ４０９からの前記信号により走査信号線４１０の一つに選択信号を与える。
【０１０９】
表示部４０３に並んだ素子は図９に例示される制御回路により制御されており、前記の選択された走査信号線４１０に接続された制御回路が、データ信号線４１１の電位を容量Ｃｇに貯えて、この電位に応じた電流が画素４０４の有機ＥＬ素子に供給される。
【０１１０】
図１０において、画素４０４は平行四辺形の形状で垂直方向に対して傾斜して配列するように描かれているが、図９に示したデータ信号線４１１は、この見かけの斜め配列に沿って結線される必要は無い。垂直方向に隣接する副画素を互いに結線して図１０のデータ信号線４１１としてよい。
【０１１１】
本発明の画像表示パネルは、上述したように傾きが１／２、或いは１／３である副画素配列の場合、従来の長方形副画素によるデルタ配列、或いはスクランブル配列と同等の副画素の重心位置を有する。前記のように結線することによって、従来の直交座標系で表された画像データをそのまま表示することが可能である。
【０１１２】
なお、画素を形成する副画素の配置を前記の画素内で一定とすることにより、各画素の重心と副画素の重心とのオフセットが一定となる。もし画素内の副画素の配置を一定としない場合、前記のオフセットのムラが画面内に生じるため、例えば単色のなだらかなグラデーションを表示する場合に、オフセットのムラに起因する色ムラが視認される。画素内の副画素の配置を一定にするならば、上記の色ムラを防ぐことができる。
【０１１３】
従来の長方形副画素によるデルタ配列の場合のデータ信号線４１１の結線方法には、少なくとも二つの結線方法がある。そのひとつは、奇数行と偶数行及び副画素の色を区別せずに垂直方向に最短距離にある二つの副画素のうち一方に結線して、水平方向の副画素数と同数のデータ線を引き出す方法である。
【０１１４】
別のひとつは、奇数行同士、偶数行同士についてそれぞれ独立に、同一の発光色を有する副画素について垂直方向の最短距離を結線して、各列の水平方向に隣接する副画素の数の２倍のデータ線を引き出す方法である。本発明の画像表示パネルは、前記のいずれの結線方法によってもよい。
【０１１５】
もちろん、本発明の画像表示パネルでは、見かけの傾斜配列に沿ってデータ信号線４１１を斜めに結線しても、データ信号線４１１と選択信号線とにより原理的に表示部４０３の全ての画素に駆動情報を与えることができる。したがって、前記の斜めの結線でも、二次元画像情報の座標変換を行えば直交座標系で表れた所望の画像情報の表示は可能である。
【実施例】
【０１１６】
以下に実施例を示してさらに具体的に本発明を説明する。なお本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１１７】
＜実施例１＞
本発明の画像表示パネルの製造方法を具体的に説明する。ガラス基板に１００ｐｐｉ相等のシリコンＴＦＴアクティブマトリクス駆動回路を形成し、この上にアクリル樹脂による絶縁・平坦化層を重ねる。前記アクリル樹脂層に開けたスルーホールを通じて前記駆動トランジスタに接続した３００ｎｍの厚さのクロム反射層と、０．６μｍの厚さのインジウム錫酸化物とを形成する。前記クロム反射層と錫酸化物層とを図１の平面形状にパターニングして第１の電極とする。前記第１の電極の大きさは、平行四辺形の長辺を２３７μｍ、短辺は７５μｍとし、垂直方向に隣接する第１の電極の間隔を３０μｍ、水平方向に隣接する電極間隔を１０μｍとする。
【０１１８】
次に、ポリイミド樹脂を１．８μｍの厚さに基板表面に形成し、パターニングを行って各第１の電極を取り囲む周縁部位置に幅２０μｍの素子分離膜を形成する。前記の基板をＵＶ／オゾン洗浄した後、厚さ５０ｎｍのＮ、Ｎ’−α−ジナフチルベンジジン（α−ＮＰＤ）を堆積してホール輸送層とする。
【０１１９】
次に、スリット幅７１μｍの図２の形状のマスクを基板に重ね、赤色副画素の第１の電極上に重なるように、Ｉｒ（ｐｐｙ）3（イリジウム−フェニルピリジン錯体）と、
４、４’−Ｎ、Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）との堆積重量比１４：８６の混合真空堆積膜を４０ｎｍの厚さに形成して赤色発光層とする。
【０１２０】
同じマスクを面内シフトして、緑色副画素の第１の電極上に重なるように、クマリン６（１．０ｖｏｌ％）と、
トリス［８−ヒドロキシキノリナート］アルミニウム（Ａｌｑ3）との堆積重量比１：９９の混合真空堆積膜を３０ｎｍの厚さに形成して緑色発光層とする。
【０１２１】
さらに、同じマスクを面内シフトして、青色副画素の第１の電極上に重なるように、ペリレンとトリス［８−ヒドロキシキノリナート］アルミニウム（Ａｌｑ3）との堆積重量比１：９９の混合真空堆積膜を４０ｎｍの厚さに形成して青色発光層とする。
【０１２２】
次に、
【０１２３】
【化５】
2008277264.tif 000007
で表されるパソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を１０ｎｍの厚さで成膜して電子輸送層とする。さらに、炭酸セシウムとＢｐｈｅｎとの混合真空堆積膜（堆積重量比１：９９）を４０ｎｍの厚さで堆積して電子注入層とする。
【０１２４】
さらに２５０ｎｍの厚さのインジウム錫酸化物を堆積し、第２の電極とする。最後に窒素雰囲気下で、この基板に乾燥剤を付けたガラスキャップを被せ、ＵＶ硬化樹脂により封止する。
【０１２５】
＜実施例２＞
本発明の画像表示パネルの別の製造例を説明する。
【０１２６】
ガラス基板に図９に従うアクティブマトリクス駆動回路を９６０列２４０行配列した画像表示部と、図１０のラッチ４０６、シフトレジスタ４０５，４０７を形成したシリコンＴＦＴ基板を作成する。データ信号線４１１は、奇数行青−偶数行赤、奇数行緑−偶数行青、奇数行赤−偶数行緑を垂直方向に結線する。前記画像表示部の表面にアクリル樹脂による絶縁・平坦化層を重ねる。前記アクリル樹脂層に開けたスルーホールを通じて前記駆動トランジスタに接続した１００ｎｍの厚さのＡｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）層を堆積して、さらに２０ｎｍの厚さのインジウム亜鉛酸化物ＩＺＯを堆積し、図１の形状にパターニングして第１の電極とする。
【０１２７】
さらにアクリル樹脂からなる素子分離膜を、前記第１の電極の周囲にパターニングして形成し、熱処理後放冷し、ＵＶ／オゾン洗浄した後、図２（ｃ）のパターンのマスクを重ねて、
【０１２８】
【化６】
2008277264.tif 000008
で表される化合物［Ｉ］を赤色副画素のホール輸送層として５０ｎｍの厚さ、緑色副画素のホール輸送層として３０ｎｍの厚さ、青色副画素のホール輸送層として２０ｎｍの厚さで、各々前記のマスクを副画素のピッチずつシフトして真空堆積する。
【０１２９】
次に、発光層として、前記マスクを用いて、赤、緑、青（ＲＧＢ）それぞれの発光層を成膜する。前記Ｒの発光層としては、ホストとしてＣＢＰと、燐光発光性化合物ＢｔｐＩｒ（ａｃａｃ）とを混合真空堆積して６０ｎｍの厚さの発光層とする。前記Ｇの発光層としては、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物クマリン６とを混合真空堆積して４０ｎｍの厚さの発光層とする。前記Ｂの発光層としては、ホストとして、
【０１３０】
【化７】
2008277264.tif 000009
で表される化合物［ＩＩ］と、
【０１３１】
【化８】
2008277264.tif 000010
で表される発光性化合物［ＩＩＩ］とを混合真空堆積して２０ｎｍの厚さの発光層とする。
【０１３２】
更に、共通の電子輸送層として、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）を真空堆積法にて１０ｎｍの厚さに形成する。堆積時の真空度は１×１０−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件である。次に、共通の電子注入層として、ＢＰｈｅｎと炭酸セシウムとを混合真空堆積（重量比９０：１０）し、２０ｎｍの厚さに形成する。
【０１３３】
この上に、透明陰極１０３としてＩＴＯの透明電極を６０ｎｍの厚さに成膜する。さらに保護膜として、窒化酸化シリコンを７００ｎｍの厚さに成膜し、画像表示パネルを得る。
【０１３４】
＜実施例３＞
本発明の画像表示装置の製造例を説明する。実施例２の画像表示パネルに対して図１０の表示制御部４０２を接続する。コントローラ４０９はＶスタートパルスを出力し、次に表示部４０３の第１行のそれぞれの副画素の明るさを、映像信号変換メモリ４０８を参照し演算により求める。
【０１３５】
次にコントローラ４０９はＨシフトレジスタのリセット信号を出力する。この後、コントローラ４０９は前記の演算により求めた各副画素の明るさのデータを、Ｈシフトクロックとともに順次シリアルに出力する。１行分の出力が終了したら、コントローラ４０９はＶシフトクロックを出力し、次の行について上記と同様の処理を行う。
【０１３６】
以下、最後の行まで処理が終了したら、コントローラ４０９は所定の時間待機し、再び上記Ｖスタートパルス出力から同じ動作を繰り返す。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】本発明の画像表示パネルの副画素の形状と配列の一例を示す平面図である。
【図２】本発明の画像表示パネルの製造に用いるマスクの一例を示す平面図である。
【図３】本発明の別の画像表示パネルの副画素の形状と配列の一例を示す平面図である。
【図４】本発明の別の画像表示パネルの副画素の形状と配列の一例を示す平面図である。
【図５】本発明の別の画像表示パネルの副画素の形状と配列の一例を示す平面図である。
【図６】本発明の別の画像表示パネルの副画素の形状と配列の一例を示す平面図である。
【図７】本発明の別の画像表示パネルの副画素の形状と配列の一例を示す平面図である。
【図８】本発明の画像表示パネルの副画素の層構成の例を示す模式図である。
【図９】本発明の画像表示パネルの副画素の制御回路の一例を示す回路図である。
【図１０】本発明の画像表示装置の一例を示す構成図である。
【図１１】有機ＥＬ素子がマトリックス状に配置されている画像表示パネルの一例を示す概略構成図で、（ａ）は各画素の配列を示す平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’の断面図である。
【図１２】素子周辺に素子分離膜が形成された画像表示パネルの一例を示す断面図である。
【図１３】従来の画像表示パネルの副画素の形状と配列を示す平面図で、（ａ）ストライプ配列、（ｂ）デルタ配列、（ｃ）スクランブル配列を示す平面図である。
【図１４】従来の方法により、有機ＥＬ素子の有機化合物層を形成している様子を模式的に示す斜視図である。
【図１５】従来のマスクの断面を示す模式図である。
【図１６】長方形副画素がデルタ配列の画像表示パネルのためのマスクの例を示す模式図で、（ａ）材料放射源側から見たマスクの平面図、（ｂ）Ｃ−Ｃ’の断面図である。
【符号の説明】
【０１３８】
１０１  基板
１０２  第１の電極
１０３  有機化合物層
１０４  第２の電極
１０５  副画素
１１０  素子分離膜
１１１  保護層
２０１  マスク
２０２  貫通孔
２０３  削り部分
３０１  ホール注入層
３０２  ホール輸送層
３０３  発光層
３０４  電子輸送層
３０５  電子注入層
４０１  画像表示パネル
４０２  表示制御部
４０３  表示部
４０４  画素
４０５  Ｈシフトレジスタ
４０６  ラッチアレイ
４０７  Ｖシフトレジスタ
４０８  映像信号変換メモリ（記憶手段）
４０９  コントローラ
４１０  選択（走査）信号線
４１１  データ信号線
４１２  電源線
【図１】
2008277264.tif 000011
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008277264.tif 000020
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2008277264.tif 000026