(57)【要約】【課題】真空装置の駆動部に付着した堆積物を効果的に除去する。【解決手段】ＰＭ４００またはＬＭＭ５００などの真空装置は、ウエハを処理または搬送するための室とその室に設けられた複数の駆動部と高電圧ＨＶを室に投入する高電圧電源４８５とガスを室に供給するガス供給部４４５と室内のパージガスを排気する排気機構４９０とを有している。真空装置は、ガス供給部４４５からパージガスを供給するとともに排気機構４９０から室内のパージガスを排気し、各駆動部の動作を繰り返し、各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または各駆動部の動作の前後の少なくともいずれかのタイミングに高電圧電源４８５から高電圧ＨＶを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行することによりクリーニングされる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を処理または搬送するための室と、前記室に設けられた複数の駆動部と、エネルギーを前記室に投入する電源と、ガスを前記室に供給するガス供給部と、前記室内のガスを排気する排気機構とを備える真空装置をクリーニングする方法であって、
前記ガス供給部からパージガスを供給するとともに前記排気機構から前記室内のパージガスを排気し、
各駆動部の動作を繰り返し、
前記真空装置および前記各駆動部に付着した堆積物を剥離させるために、前記各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または、前記各駆動部の動作を繰り返す前または前記各駆動部の動作を繰り返した後の少なくともいずれかのタイミングに前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行する真空装置のクリーニング方法。
【請求項２】
前記パージガスの圧力は、前記室内の圧力の２倍以上に制御される請求項１に記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項３】
前記電源は、プラスの値とマイナスの値を持つ電圧を交互に出力する請求項１または請求項２のいずれかに記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項４】
前記真空装置および前記各駆動部に付着した堆積物を剥離させるために、パージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または圧力調整装置の弁体を全開にした状態で前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行した後、前記電源からエネルギーを断続的に出力する請求項１〜３のいずれかに記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項５】
前記真空装置のクリーニング方法を実行しながら、前記室からの発塵度をパーティクルモニタにより監視し、前記室からの発塵度が所定の閾値以下になったとき、前記複数の駆動部の繰り返し動作を終了する請求項１〜４のいずれかに記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項６】
前回以前に真空装置をクリーニングしたとき、前記複数の駆動部の繰り返し動作を開始してから終了するまでの駆動時間をカウントし、今回の真空装置のクリーニングに際して、前記複数の駆動部の繰り返し動作時間が前記カウントした駆動時間に応じて定められる所定値以上になった場合、前記パーティクルモニタにより監視されている複数の駆動部からの発塵度にかかわらず、前記複数の駆動部の繰り返し動作を終了する請求項５に記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項７】
前回以前に真空装置をクリーニングしたとき、前記各駆動部の繰り返し動作を開始してから終了するまでの駆動回数をカウントし、今回の真空装置のクリーニングに際して、前記各駆動部の繰り返し動作回数が前記カウントされた各駆動部の駆動回数に応じて定められる所定値以上になった場合、前記パーティクルモニタにより監視されている複数の駆動部からの発塵度にかかわらず、前記各駆動部の繰り返し動作を終了する請求項５または請求項６のいずれかに記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項８】
前記各駆動部の動作を繰り返す前に前記真空装置のクリーニング方法を実行し、その後、前記ガス供給部からパージガスを供給するとともに、前記排気機構から前記供給されたパージガスを排気しながら、前記各駆動部の繰り返し動作を前記駆動部毎に順に１つずつ実行し、前記各駆動部の繰り返し動作による前記各駆動部からの発塵度をパーティクルモニタにより監視する請求項１〜７のいずれかに記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項９】
前記パーティクルモニタにより監視した前記各駆動部からの発塵度に基づきパーティクルの発生源を特定する請求項８に記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項１０】
前記パーティクルの発生源として特定された駆動部をオペレータに通知する請求項９に記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項１１】
前記複数の駆動部の動作には、被処理体を搬出入させるためのゲートバルブの開閉、被処理体が載置されたステージの昇降、ステージ上に載置された被処理体を支持するリフトピンの上下運動、自動圧力調整器の弁体の開閉の少なくともいずれかが含まれる請求項１〜１０のいずれかに記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項１２】
前記真空装置のクリーニング方法は、前記ガス供給部からクリーニングガスを供給して前記真空装置をクリーニングした後に実行される請求項１〜１１のいずれかに記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項１３】
前記真空装置のクリーニング方法は、前記クリーニングガスにより前記真空装置をクリーニングした後、前記室内のコンディションを整えるためのオートセットアップ時に実行される請求項１２に記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項１４】
前記真空装置は、半導体処理装置である請求項１〜１３のいずれかに記載された真空装置のクリーニング方法。
【請求項１５】
被処理体を処理または搬送するための室と、前記室に設けられた複数の駆動部と、エネルギーを前記室に投入する電源と、ガスを前記室に供給するガス供給部と、前記室内のガスを排気する排気機構とを備える真空装置のクリーニングを制御する制御装置であって、
前記ガス供給部からパージガスを供給するように制御するとともに、前記排気機構から前記室内のパージガスを排気するように制御する圧力制御部と、
各駆動部が有する各駆動部の繰り返し動作を制御する駆動制御部と、
前記真空装置および前記各駆動部に付着した堆積物を剥離させるために、前記各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または、前記各駆動部の動作を繰り返す前または前記各駆動部の動作を繰り返した後の少なくともいずれかのタイミングに前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行させることにより、前記真空装置をクリーニングするクリーニング実行部とを備える真空装置の制御装置。
【請求項１６】
被処理体を処理または搬送するための室と、前記室に設けられた複数の駆動部と、エネルギーを前記室に投入する電源と、ガスを前記室に供給するガス供給部と、前記室内のガスを排気する排気機構とを備える真空装置のクリーニングをコンピュータに実行させる制御プログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記ガス供給部からパージガスを供給するように制御するとともに、前記排気機構から前記室内のパージガスを排気するように制御する処理と、
各駆動部が有する各駆動部の繰り返し動作を制御する処理と、
前記真空装置および前記各駆動部に付着した堆積物を剥離させるために、前記各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または、前記各駆動部の動作を繰り返す前または前記各駆動部の動作を繰り返した後の少なくともいずれかのタイミングに前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行させることにより、前記真空装置をクリーニングする処理とをコンピュータに実行させる制御プログラムを記憶した記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空装置のクリーニング方法、真空装置のクリーニングを制御する制御装置およびその制御プログラムを記憶した記憶媒体に関する。特に、本発明は、真空装置および真空装置に設けられた駆動部のクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空装置内において、処理ガスを用いて被処理体に所望の処理を施す場合、処理ガスから生成される反応生成物が室内に付着し、室内の壁面などに徐々に堆積していく。この堆積物は、たとえば、被処理体の成膜時に加熱され、被処理体が真空装置から／へ搬出入される際に冷却される。このようにして加熱と冷却とが繰り返されると、真空装置内の堆積物とその堆積物が付着した部材（たとえば、チャンバ内壁）との熱膨張率の差から堆積物と部材との間に歪みが生じる。この結果、堆積物は、ある程度の厚さになると付着した部材から剥離する。
【０００３】
特に、真空装置に設けられた駆動部に反応生成物が付着すると、次のような理由からパーティクルの原因となる。たとえば、搬出入用のゲートバルブに堆積した堆積物は、被処理体を搬出入に応じて動作するゲートバルブの開閉に応じて剥離し、これにより、パーティクルの原因となる塵となって室内に持ち込まれる場合が生じる。また、たとえば、自動圧力調整器（ＡＰＣ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）の弁体に堆積した堆積物が、ガスの排気量の調整に応じて動作する弁体の開閉に応じて剥離し、これにより、塵となって排気されずに室内に戻ってくる場合が生じる。これらは、パーティクルとして被処理体上に落下し、被処理体上に形成されたデバイスの特性を劣化させ、製品の歩留まりを低下させる原因となる。
【０００４】
そこで、このようにして発生するパーティクルを除去するために、真空装置をクリーニングする方法およびクリーニング後の真空装置内の浄化度を測定する方法が従来から考案されている。（たとえば、特許文献１、２を参照。）。特許文献１では、主となるガスラインとは別に駆動部毎にクリーニング用ガス配管が設置され、各クリーニング用ガス配管から供給されるクリーニング用のガスを各駆動部に吹き付けることにより、真空装置をクリーニング方法が開示されている。また、特許文献２では、パーティクルをモニタして、真空装置の清浄度を評価する方法が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特願２００３−１６８６７９号公報
【特許文献２】特願２００５−３１７９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１では、複数のクリーニング用ガス配管は、真空装置の内部にて各駆動部にガスの噴出口を向けて配置された複雑な構成をしており、これらの配管によりかえって真空装置内部にてより多くのパーティクルが発生する原因となってしまうおそれがあった。
【０００７】
また、特許文献２では、クリーニング時には動作停止状態にあって、クリーニングしにくい駆動部の収納部分に潜む付着物を残したまま、パーティクルをモニタするため、真空装置の清浄度を正しく評価する事ができず、その結果、適切なクリーニングが行えないおそれがあった。
【０００８】
そこで、本発明は、真空装置および真空装置に設けられた駆動部に付着した堆積物を効果的に除去する真空装置のクリーニング方法、真空装置のクリーニングを制御する制御装置およびその制御プログラムを記憶した記憶媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち、上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、被処理体を処理または搬送するための室と、前記室に設けられた複数の駆動部と、エネルギーを前記室に投入する電源と、ガスを前記室に供給するガス供給部と、前記室内のガスを排気する排気機構とを備える真空装置をクリーニングする方法が提供される。
【００１０】
上記真空装置のクリーニング方法は、前記ガス供給部からパージガスを供給するとともに、前記排気機構から前記供給されたパージガスを排気し、各駆動部の動作を繰り返し、前記真空装置および前記各駆動部に付着した堆積物を剥離させるために、前記各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または、前記各駆動部の動作を繰り返す前または前記各駆動部の動作を繰り返した後の少なくともいずれかのタイミングに前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行する。
【００１１】
これによれば、真空装置内にパージガスを導入しながら複数の駆動部を繰り返し駆動することにより、駆動部に付着した堆積物（反応生成物）を積極的に剥離させることができる。これに加えて、これによれば、各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前後の少なくともいずれかのタイミングに、パージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または前記各駆動部の動作を繰り返す前または前記各駆動部の動作を繰り返した後の少なくともいずれかのタイミングに前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかが実行される。
【００１２】
このようにして、パージガスを所定の圧力以上に制御しながらそのパージガスを真空装置内に流入及び排気させる動作、またはパージガスを真空装置内に流入および排気させながら電源からのエネルギーを断続的に真空装置内に投入する動作を、以下、ＮＰＰＣ（Ｎｏｎ  Ｐｌａｓｍａ  Ｐｅｒｔｉｃｌｅ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ）とも称呼する。
【００１３】
これによれば、所定の圧力以上の圧力を持ったパージガスを真空装置の室内に急激に流入させることにより、真空装置の室内にてパージガスによる衝撃波を生成し、この衝撃波による物理的な振動により真空装置内に付着した堆積物および駆動部に付着した堆積物を効果的に剥離させることができる。
【００１４】
同様に、電源からエネルギーを断続的に出力することにより、真空装置の壁面や被処理体を載置したステージに瞬間的に電位勾配を形成させ、これにより、電磁応力を発生させることができる。この結果、発生した電磁応力により真空装置内に付着した堆積物および駆動部に付着した堆積物を効果的に剥離させることができる。ただし、各駆動部の動作を繰り返している間に電源からエネルギーを投入すると、駆動部分に電界が集中し、異常放電が生じるおそれが高い。よって、電源からのエネルギー出力は、各駆動部の動作を繰り返している間は行わず、その前後の少なくともいずれかに行う。一方、パージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するタイミングは、各駆動部の動作を繰り返す前、各駆動部の動作中または各駆動部の動作を繰り返した後のいずれであってもよい。
【００１５】
前記真空装置および前記各駆動部に付着した堆積物をさらに効果的に剥離させるためには、パージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または圧力調整装置の弁体を全開にした状態で前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行した後、前記電源からエネルギーを断続的に出力することが好ましい。
【００１６】
これによれば、ＮＰＰＣの実行において、真空装置内が低圧（真空度が高い）の間、パージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または圧力調整装置の弁体を全開にした状態で前記電源からエネルギーを断続的に出力するかの少なくともいずれかが実行され、その後、粗引きして前記真空装置内を高圧（真空度が低い）に制御しながら、前記電源からエネルギーが断続的に出力される。これにより、高圧時には低圧時よりも真空装置内の抵抗が大きいために堆積物が剥離しやすいことを利用して、堆積物を非常に効果的に剥離させることができる。なお、パージガスとしては、Ｎ２ガスなどの不活性ガスであればよい。
【００１７】
真空装置に設けられた複数の駆動部の動作の一例としては、被処理体を搬出入させるためのゲートバルブの開閉、被処理体が載置されたステージの昇降、ステージ上に載置された被処理体を支持するリフトピンの上下運動、自動圧力調整器の弁体の開閉が挙げられる。
【００１８】
これらの部分は、動作停止状態においては、通常収納されていてクリーニングされにくい。しかし、かかる構成によれば、上述したようにパージガスを導入するとともに各駆動部を繰り返し動作させた状態または各駆動部を繰り返し動作させる前後にてＮＰＰＣが実行される。これにより、新たな装置を用いることなく既存の装置のみを使用して実行されるクリーニングのみによっては洗浄されにくい駆動部の収納部分の付着物（反応生成物）を積極的に剥離させ、剥離された反応生成物をパージガスにより効果的に外部に排出することができる。この結果、真空装置内の清浄度をより高めて、パーティクルが被処理体上に落下する頻度を最小限に抑えることにより製品の歩留まりを向上させることができる。
【００１９】
なお、パージガスの圧力は、真空装置内の圧力より高くなるように制御されるが、パージガスの衝撃波を効果的に発生させるためには、真空装置内の圧力の２倍以上に制御されるのが好ましい。
【００２０】
また、エネルギーは、電源から断続的に室内に投入されるが、その投入方法としては、電源のオン、オフを繰り返すことにより一定の電圧を断続的に出力する方法が挙げられる。プラスの値とマイナスの値を持つ電圧を電源から交互に出力するとより好ましい。エネルギーは、高電圧電源から出力される直流電圧（ＨＶ）であってもよいし、高周波電源から出力される交流電圧（ＲＦ）であってもよい。
【００２１】
前記真空装置のクリーニング方法を実行しながら、前記室からの発塵度をパーティクルモニタにより監視し、前記室からの発塵度が所定の閾値以下になったとき、前記複数の駆動部の繰り返し動作を終了するようにしてもよい。
【００２２】
これによれば、真空装置の空間を画定する室からの発塵度が所定の閾値以下になったとき、各駆動部の繰り返し動作が終了となる。これにより、真空装置の内部を所定の程度まで充分にクリーニングすることができる。
【００２３】
前回以前に真空装置をクリーニングしたとき、前記複数の駆動部の繰り返し動作を開始してから終了するまでの駆動時間をカウントし、今回の真空装置のクリーニングに際して、前記複数の駆動部の繰り返し動作時間が前記カウントした駆動時間に応じて定められる所定値以上になった場合、前記パーティクルモニタにより監視されている複数の駆動部からの発塵度にかかわらず、前記複数の駆動部の繰り返し動作を終了するようにしてもよい。
【００２４】
この代わりに、またはこれに加えて、前回以前に真空装置をクリーニングしたとき、前記各駆動部の繰り返し動作を開始してから終了するまでの駆動回数をカウントし、今回の真空装置のクリーニングに際して、前記各駆動部の繰り返し動作回数が前記カウントされた各駆動部の駆動回数に応じて定められる所定値以上になった場合、前記パーティクルモニタにより監視されている複数の駆動部からの発塵度にかかわらず、前記各駆動部の繰り返し動作を終了するようにしてもよい。
【００２５】
これによれば、駆動部のいずれかに異常が発生したことにより、各駆動部からの発塵度が所定の閾値以下にならなくても、前回以前の各駆動部の繰り返し動作回数または前回以前の各駆動部の繰り返し動作時間により、今回の各駆動部の繰り返し動作を制限することができる。これにより、たとえば、駆動部のいずれかが機械的な摩耗などによって発塵している等の異常時においても、前回以前の経験値から必要以上に各駆動部を動作させることを回避することができる。なお、前回以前の各駆動部の繰り返し動作回数または前回以前の各駆動部の繰り返し動作時間は、前回のみのクリーニングに基づき求めてもよいし、前回以前の所定回数のクリーニングに基づき動作回数または動作時間の平均値を演算することにより求めてもよい。
【００２６】
前記各駆動部の動作を繰り返す前に前記真空装置のクリーニング方法を実行し、その後、前記ガス供給部からパージガスを供給するとともに、前記排気機構から前記供給されたパージガスを排気しながら、前記各駆動部の繰り返し動作を前記駆動部毎に順に１つずつ実行し、前記各駆動部の繰り返し動作による前記各駆動部からの発塵度をパーティクルモニタにより監視するようにしてもよい。
【００２７】
これによれば、前記各駆動部からの発塵度がパーティクルモニタにより監視される。これにより、発塵度が所定値以上である駆動部をパーティクルの発生源として特定することができる。また、このようにしてパーティクルの発生源として特定された駆動部をオペレータに通知することにより、その駆動部の交換またはクリーニングをオペレータに促すことができる。
【００２８】
前記真空装置のクリーニング方法は、前記ガス供給部からクリーニングガスを供給して前記真空装置をクリーニングした後に実行されようにしてもよい。これによれば、クリーニングガスにて予め真空装置内をクリーニングした状態にて、各駆動部からの発塵度がパーティクルモニタにより監視される。これにより、パーティクルの発生源をより正確に特定することができる。
【００２９】
前記真空装置のクリーニング方法は、前記クリーニングガスにより前記真空装置をクリーニングした後、前記室内のコンディションを整えるためのオートセットアップ時に実行されるのが好ましい。これによれば、オートセットアップ時に使用するオートセットアップ用レシピに前記真空装置のクリーニング方法の手順を記載しておき、前記真空装置のクリーニング方法を変更する場合にも、オートセットアップ用レシピを変更するだけでよいので、真空装置のクリーニング方法を容易にかつ正確に管理することができる。ただし、前記真空装置のクリーニング方法は、オペレータが「ＮＰＰＣ」ボタンを操作したときであってもよい。
【００３０】
前記真空装置は、半導体処理装置であってもよい。これによれば、処理ガスを用いてエッチング処理や成膜処理（ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）：化学蒸着薄膜成膜法）を実行することにより、半導体処理装置の内壁や駆動部に徐々に堆積する堆積物をより効果的にクリーニングすることができる。
【００３１】
また、本発明の他の観点によれば、被処理体を処理または搬送するための室と、前記室に設けられた複数の駆動部と、エネルギーを前記室に投入する電源と、ガスを前記室に供給するガス供給部と、前記室内のガスを排気する排気機構とを備える真空装置のクリーニングを制御する制御装置が提供される。
【００３２】
この制御装置は、前記ガス供給部からパージガスを供給するように制御するとともに、前記排気機構から前記供給されたパージガスを排気するように制御する圧力制御部と、各駆動部が有する各駆動部の繰り返し動作を制御する駆動制御部と、前記真空装置および前記各駆動部に付着した堆積物を剥離させるために、前記各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または、前記各駆動部の動作を繰り返す前または前記各駆動部の動作を繰り返した後の少なくともいずれかのタイミングに前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行させることにより、前記真空装置をクリーニングするクリーニング実行部とを備える。
【００３３】
また、本発明の他の観点によれば、被処理体を処理または搬送するための室と、前記室に設けられた複数の駆動部と、エネルギーを前記室に投入する電源と、ガスを前記室に供給するガス供給部と、前記室内のガスを排気する排気機構とを備える真空装置のクリーニングをコンピュータに実行させる制御プログラムを記憶した記憶媒体が提供される。
【００３４】
この制御プログラムは、前記ガス供給部からパージガスを供給するように制御するとともに、前記排気機構から前記供給されたパージガスを排気するように制御する処理と、各駆動部が有する各駆動部の繰り返し動作を制御する処理と、前記真空装置および前記各駆動部に付着した堆積物を剥離させるために、前記各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または、前記各駆動部の動作を繰り返す前または前記各駆動部の動作を繰り返した後の少なくともいずれかのタイミングに前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行させることにより、前記真空装置をクリーニングする処理とをコンピュータに実行させる。
【００３５】
これらによれば、パージガスを導入するとともに各駆動部を繰り返し動作させた状態または各駆動部を繰り返し動作させる前後にてＮＰＰＣが実行され得る。これにより、新たな装置を必要とすることなく、駆動部の収納部分の付着物（反応生成物）を積極的に剥離させながら、剥離された反応生成物をパージガスにより外部に排出させることができる。この結果、真空装置内の清浄度をより高めて、パーティクルが被処理体上に落下する頻度を最小限に抑えることにより製品の歩留まりを向上させることができる。
【発明の効果】
【００３６】
以上説明したように、本発明の一態様によれば、真空装置および真空装置に設けられた駆動部に付着した堆積物を効果的に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面において、同一の構成及び機能を有する構成要素については、同一符号を付することにより、重複説明を省略する。なお、本明細書中１ｍＴｏｒｒは、１３３．３２２×１０−３（＝１０１３２５／７６０×１０−３）Ｐａとし、１ａｔｍは、１０１３２５Ｐａとする。
【００３８】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態にかかる基板処理システムについて、図１を参照しながらその概要を説明する。なお、本実施形態では、基板処理システムを用いてシリコンウエハ（以下、ウエハＷと称呼する。）をエッチング処理することにより、室内および駆動部に付着した堆積物をクリーニングする方法を説明する。
【００３９】
（基板処理システム）
基板処理システム１０は、ホストコンピュータ１００、装置コントローラＥＣ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２００、３つのマシーンコントローラＭＣ（Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３００ａ〜３００ｃ、２つのプロセスモジュールＰＭ（Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｍｏｄｕｌｅ）４００ａ、４００ｂ、１つのロードロックモジュールＬＬＭ（Ｌｏａｄ  Ｌｏｃｋ  Ｍｏｄｕｌｅ）５００および管理サーバ６００を有している。
【００４０】
ＥＣ２００とホストコンピュータ１００との間、およびＥＣ２００と管理サーバ６００との間は、顧客側ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）７００ａ、７００ｂによりそれぞれ接続されている。さらに、管理サーバ６００は、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）８００などの情報処理機器と接続されている。オペレータは、ＰＣ８００を操作することにより基板処理システム１０に指令を送るようになっている。
【００４１】
ＥＣ２００、ＭＣ３００ａ〜３００ｃ、ＰＭ４００ａ、４００ｂ、ＬＬＭ５００は、工場内のエリアＱに設けられていて、工場内ＬＡＮ７００ｃによりそれぞれ接続されている。
【００４２】
ホストコンピュータ１００は、データ管理など基板処理システム１０全体を管理する。ＥＣ２００は、ウエハＷをエッチング処理するために使用するシステムレシピを保持し、システムレシピにしたがってＰＭ４００ａ、４００ｂ、ＬＬＭ５００を動作させるように各ＭＣ３００に制御信号を送信するとともに動作後のデータの履歴管理などを行う。
【００４３】
ＭＣ３００ａ〜３００ｃは、ＥＣ２００から送信された制御信号に基づいて、ＰＭ４００ａ、４００ｂおよびＬＬＭ５００をそれぞれ駆動することにより、ウエハＷにエッチング処理が施される。なお、ＰＭ４００ａ、４００ｂは、ウエハＷに、たとえばエッチング処理などの所定の処理を施す真空処理室である。また、ＬＬＭ５００は、大気系から搬送されたウエハを高真空状態にあるＰＭ４００ａ、４００ｂに搬送するために内部を減圧状態に保持した真空搬送室である。ＰＭ４００ａ、４００ｂおよびＬＬＭ５００はいずれも真空装置の一例である。管理サーバ６００は、オペレータの操作によりＰＣ８００から送信されたデータに基づいて、各装置の動作条件などを設定する。
【００４４】
（ＥＣ、ＭＣのハードウエア構成）
つぎに、ＥＣ２００のハードウエア構成について、図２を参照しながら説明する。なお、ＭＣ３００のハードウエア構成はＥＣ２００と同様であるためここでは説明を省略する。
【００４５】
図２に示したように、ＥＣ２００は、ＲＯＭ２０５、ＲＡＭ２１０、ＣＰＵ２１５、バス２２０、内部インタフェース（内部Ｉ／Ｆ）２２５および外部インタフェース（外部Ｉ／Ｆ）２３０を有している。
【００４６】
ＲＯＭ２０５には、ＥＣ２００にて実行される基本的なプログラムや、異常時に起動するプログラム、各種レシピ等が記録されている。ＲＡＭ２１０には、各種プログラムやデータが蓄積されている。なお、ＲＯＭ２０５およびＲＡＭ２１０は、記憶装置の一例であり、ＥＥＰＲＯＭ、光ディスク、光磁気ディスクなどの記憶装置であってもよい。
【００４７】
ＣＰＵ２１５は、各種レシピにしたがってウエハＷのエッチング処理を制御するとともに、所定の周期にＰＭ４００およびＬＬＭ５００のクリーニング処理を制御する。バス２２０は、ＲＯＭ２０５、ＲＡＭ２１０、ＣＰＵ２１５、内部インタフェース２２５および外部インタフェース２３０の各デバイス間でデータをやりとりする経路である。
【００４８】
内部インタフェース２２５は、データを入力し、必要なデータを図示しないモニタやスピーカ等に出力するようになっている。外部インタフェース２３０は、ＬＡＮ等のネットワークにより接続されている機器との間でデータを送受信するようになっている。
【００４９】
（基板処理装置のハードウエア構成）
つぎに、ＰＭ４００、ＬＬＭ５００を含む基板処理装置のハードウエア構成について、図３を参照しながら説明する。基板処理装置は、プロセスモジュールＰＭ４００ａ、４００ｂ、カセットチャンバ（Ｃ／Ｃ）４００ｃ１、４００ｃ２、プリアライメント（Ｐ／Ａ）４００ｃ３、ロードロックモジュールＬＬＭ５００を有している。
【００５０】
カセットチャンバ４００ｃ１、４００ｃ２には、処理前の製品ウエハおよび処理済の製品ウエハが収容されるとともに、ダミー処理用のダミーウエハが、カセットの最下段にたとえば３枚収容されている。プリアライメント４００ｃ３は、ウエハＷの位置決めを行う。
【００５１】
ＬＬＭ５００には、屈伸および旋回可能な多関節状の搬送アームＡｒｍが設けられている。搬送アームＡｒｍは、その先端に設けられたフォークＦｋ上にウエハＷを保持し、適宜屈伸および旋回しながらカセットチャンバ４００ｃ１、４００ｃ２とプリアライメント４００ｃ３とＰＭ４００ａ、４００ｂとの間でウエハＷを搬送するようになっている。前述したように、ＬＬＭ５００は、大気圧状態にあるカセットチャンバ４００ｃ１、４００ｃ２内に収容されたウエハを高真空圧状態にあるＰＭ４００ａ、４００ｂに搬送するために、図示しないガス供給部からパージガスを供給するとともに、図示しない排気機構からＬＬＭ室内のパージガスを排気することによりその内部を所望の減圧状態に保持する。なお、排気機構や搬送アームＡｒｍはＬＬＭ５００に設けられた駆動部の一例である。
【００５２】
（ＰＭの内部構成）
つぎに、図４に模式的に示したＰＭ４００の縦断面図を参照しながら、ＰＭ４００の内部構成について説明する。ＰＭ４００は、天井部および底部の略中央部が開口された角筒形状の処理容器Ｃを有している。処理容器Ｃの天井部には、天井部の略中央部にて開口された蓋体４０５が取り付けられている。処理容器Ｃの側壁上部および蓋体４０５の側壁下部の接面にはＯリング４１０が設けられ、これにより、処理室内の気密が保持されている。処理容器Ｃおよび蓋体４０５によりＰＭ４００の室が画定される。
【００５３】
処理容器Ｃの内部には、その上方にて上部電極４１５が設けられている。上部電極４１５は、処理容器Ｃの上部開口周縁に設けられた絶縁材４２０により処理容器Ｃに対して電気的に分離されている。上部電極４１５には、整合回路４２５を介して高周波電源４３０が接続されている。整合回路４２５には、その周囲であって天井部の略中央部にマッチングボックス４３５が設けられていて、整合回路４２５の接地筐体となるとともに天井部を密閉している。
【００５４】
上部電極４１５には、また、ガスライン４４０を介してガス供給部４４５が接続されていて、ガス供給部４４５から供給される所望のガスを複数のガス噴射孔Ａから処理容器Ｃ内に噴射する。このようにして、上部電極４１５は、ガスシャワーヘッドとしても機能するようになっている。
【００５５】
処理容器Ｃの内部には、その下方にて下部電極４５０が設けられている。下部電極４５０は、ウエハＷを載置するステージとしても機能する。下部電極４５０は、絶縁材４５５を介して設けられた支持体４６０により支持されている。これにより、下部電極４５０は、処理容器Ｃに対して電気的に分離されている。下部電極４５０には、ウエハＷを支持するリフトピン４５０ａが設けられていて、リフトピン４５０ａの上下運動によりステージ上に載置されたウエハＷをステージに載置したり、ステージから搬送するようになっている。
【００５６】
処理容器Ｃの底面に設けられた開口の外周近傍には、ベローズ４６５の一端が装着されている。ベローズ４６５の他端には、昇降プレート４７０が固着されている。かかる構成により、処理容器Ｃの底面の開口部は、ベローズ４６５および昇降プレート４７０によって密閉されている。また、下部電極４５０は、ウエハＷを載置する位置を処理プロセスに応じた高さに調整するために、ベローズ４６５および昇降プレート４７０と一体となって昇降する。
【００５７】
下部電極４５０は、導電路４７５、インピーダンス調整部４８０を介して昇降プレート４７０と接続されている。下部電極４５０はまた、導電路４７５を介して高電圧電源４８５と接続されていて、高電圧電源４８５から印加された高電圧ＨＶにより、ウエハＷをステージに静電吸着する。
【００５８】
処理容器Ｃには、粗引きラインＬ１と真空引きラインＬ２とに接続された排気機構４９０が設けられている。粗引きラインＬ１は、処理容器Ｃの室内のガスを粗引きするＤＰ（ＤＲＹ  ＰＵＭＰ：ドライポンプ）４９０ａと、ＤＰ４９０ａにより排気するガスの流量を規制するバルブＶ１、バルブＶ２と、バルブＶ１、Ｖ２間に配置され、パーティクル量をモニタするパーティクルモニタＭｒと連結している。
【００５９】
真空引きラインＬ２は、弁体の開度を調整することにより処理容器Ｃの内部圧力を調整する自動圧力調整器ＡＰＣ４９０ｂと、処理容器Ｃの室内のガスを真空引きするＴＭＰ（Ｔｕｒｂｏ  Ｍｏlｅｃｕｌａｒ  ＰＵＭＰ：ターボ分子ポンプ）４９０ｃと連結している。
【００６０】
排気機構４９０は、バルブＶ１、Ｖ２を開いた状態にてＤＰ４９０ａを駆動することにより、処理容器Ｃ内のガスを粗引きラインＬ１から排気する。処理容器Ｃ内の圧力が所定の圧力まで減圧された後、排気機構４９０は、バルブＶ１、Ｖ２を閉じ、ＡＰＣ４９０ｂにて処理容器内の圧力を調整しながらＴＭＰ４９０ｃを駆動する。これにより、処理容器内の圧力が所望の圧力（真空度）になるまで処理容器Ｃ内のガスが真空引きラインＬ２から排気される。
【００６１】
真空ゲージ４９５は、蓋部４９５ａによりその外周を固定された状態で処理容器Ｃの側壁を貫通するように取り付けられている。処理容器内の圧力は、真空ゲージ４９５により随時検出されＭＣ３００に送出される。検出された圧力に基づいてＭＣ３００から送出された駆動信号にしたがい、図示しないＭＦＣ（Ｍａｓｓ  Ｆｌｏｗ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を制御することにより処理容器内に流入するガスの流量を制御するとともに、ＡＰＣ４９０ｂの弁体の開度を制御することにより排気機構４９０から排気されるガスの流量を制御することによって、処理容器内の圧力を所望の圧力に保つようになっている。
【００６２】
パーティクルモニタＭｒは、粗引きラインＬ１の外周を包むように設置され、図示しないレーザ光源から照射されたレーザ光をパーティクルモニタＭｒ内の粗引きラインＬ１内に導光し、粗引きラインＬ１内を通過するパーティクルにより散乱されたレーザ光を受光して、検出信号としてＭＣ３００に送出することにより、粗引きラインＬ１を通過するパーティクルの量をリアルタイムにＭＣ３００に知らせるようになっている。
【００６３】
ウエハＷは、処理容器Ｃの側壁に設けられたゲートバルブ４９８の開閉によって処理容器内の気密を保ちながら処理容器Ｃの内部に搬送される。かかる構成により、ガス供給部４４５から供給された処理ガスを高周波電源４３０から出力された高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマの作用によりウエハＷにはエッチング処理が施される。
【００６４】
また、処理容器の内壁に堆積した堆積物が所定の厚さになった場合には、ガス供給部４４５から供給されたクリーニングガスを高周波電源４３０から出力された高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマの作用により処理容器内は周期的にクリーニング処理される。
【００６５】
さらに、本実施形態では、クリーニング処理された後、処理容器に取り付けられた任意の駆動部を繰り返し動作させる前後にＮＰＰＣを実行し、これにより、処理容器内および駆動部を効果的にクリーニングするが、詳細については後述する。なお、複数の駆動部の繰り返し動作の一例としては、ウエハＷを搬出入させるためのゲートバルブ４９８の開閉、ウエハＷが載置されたステージの昇降、ステージ上に載置されたウエハＷを支持するリフトピン４５０ａの上下運動、ＡＰＣ４９０ｂの弁体の開閉、バルブＶ１，Ｖ２の開閉などが挙げられる。
【００６６】
（ＥＣの機能構成）
つぎに、ＥＣの機能構成について、ＥＣ２００の各機能をブロックにて示した図５を参照しながら説明する。ＥＣ２００は、記憶部２５０、圧力制御部２５５、プロセス実行部２６０、通信部２６５、駆動制御部２７０およびクリーニング実行部２７５の各ブロックにより示される機能を有している。
【００６７】
記憶部２５０には、各ＰＭ４００にてウエハＷに所望の処理を施すための処理手順が示された各種レシピ（レシピａ〜レシピｎ）がレシピ群２５０ａとして記憶されている。また、記憶部２５０は、前回以前のＰＭ４００またはＬＬＭ５００をクリーニングした際にカウントされた各駆動部の繰り返し動作の回数およびその駆動時間をカウンタ値２５０ｂとして記憶する。
【００６８】
圧力制御部２５５は、ガス供給部４４５から処理容器内に供給されるパージガスの流量を制御するとともに、排気機構４９０から排気されるガスの流量を制御することにより、処理容器Ｃの内部圧力を制御する。プロセス実行部２６０は、オペレータから指定されたレシピを記憶部２５０から選択し、ＰＭ４００内に搬送されたウエハＷに対して、選択されたレシピに示された手順に基づきＰＭ４００にて施されるエッチング処理を制御する。
【００６９】
通信部２６５は、主にＭＣ３００と情報を送受信する。たとえば、通信部２６５は、プロセス実行部２６０からのエッチング処理の指示（制御信号）をＭＣ３００に送出し、これにより、ＰＭ４００にて所望のエッチング処理を実行するようＭＣ３００に指示する。駆動制御部２７０は、ＰＭ４００またはＬＬＭ５００に取り付けられた各駆動部が有する各駆動部の繰り返し動作を制御する。
【００７０】
クリーニング実行部２７５は、各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または、各駆動部の動作を繰り返す前または各駆動部の動作を繰り返した後の少なくともいずれかのタイミングに前記電源からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行する。
【００７１】
パージガスを所定の圧力以上に制御しながらそのパージガスを真空装置（たとえば、ＰＭ４００またはＬＬＭ５００）の内部に流入および排気させる動作、またはパージガスを真空装置内に流入および排気させながら高電圧電源４８５から高電圧ＨＶを断続的に真空装置内に投入する動作を、前述したようにＮＰＰＣ（Ｎｏｎ  Ｐｌａｓｍａ  Ｐｅｒｔｉｃｌｅ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ）と呼ぶ。このようにして、各駆動部の動作を繰り返しながら、またはその前後にＮＰＰＣを実行することにより、パーティクルの原因となる堆積物をＰＭ４００、ＬＬＭ５００およびこれらに取り付けられた複数の駆動部から積極的に剥離させることができる。
【００７２】
なお、以上に説明したＥＣ２００の各部の機能は、実際には、図２のＣＰＵ２１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラム（レシピを含む）を記憶したＲＯＭ２０５やＲＡＭ２１０などの記憶媒体からプログラムを読み出し、そのプログラムを解釈して実行することにより達成される。たとえば、本実施形態では、圧力制御部２５５、プロセス実行部２６０、駆動制御部２７０、クリーニング実行部２７５の各機能は、実際には、ＣＰＵ２１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラムを実行することにより達成される。
【００７３】
（ＥＣの動作）
つぎに、ＥＣ２００により実行されるクリーニング処理について、図６および図８に示したフローチャートを主に参照しながら説明する。図６は、パーティクル除去処理を示したメインルーチンであり、図８は、パーティクル除去処理中に呼び出されるオートセットアップ処理（クリーニング処理を含む）を示したサブルーチンである。
【００７４】
（クリーニング処理）
オペレータが、レシピおよびロット番号を指定してロットスタートボタンを「オン」すると、該当ロットが投入され、そのロットに含まれる２５枚のウエハが順にＬＬＭ５００を経由してＰＭ４００に搬送され、指定されたレシピに基づきエッチング処理され、再びＬＬＭ５００を経由してカセットに収納される。このような動作を繰り返し行うと、ＰＭ４００およびＬＬＭ５００の内部では、処理ガスから生成された反応生成物が容器の内壁等に堆積する。よって、ＰＭ４００およびＬＬＭ５００の内部からこの堆積物を取り除くためのクリーニングが必要となる。そこで、ＰＭ４００およびＬＬＭ５００の内部にクリーニングガスを供給し、これをプラズマ化することにより生成されたプラズマの作用によってＰＭ４００およびＬＬＭ５００の内部をクリーニングする。
【００７５】
（パーティクル除去処理）
上記クリーニング後、図６のステップ６００からパーティクル除去処理が開始されると、ステップ６０５にてクリーニング実行部２７５は、容器のクリーニングが終了したか否かを判定する。容器のクリーニングが終了していないと判定された場合、直ちにステップ６９５に進み本処理は終了となる。一方、容器のクリーニングが終了したと判定された場合、ステップ６１０に進み、クリーニング実行部２７５は、オートセットアップを実行するか否かを判定する。
【００７６】
オートセットアップとは、オートセットアップ用のレシピにしたがってＰＭ４００を自動的にクリーニングするとともに、ＰＭ４００の動作検証などのセットアップを自動的に実行する処理であり、この処理により、ＰＭ４００内部のコンディションが整えられる。
【００７７】
オートセットアップを実行するか否かは、図７に示したオートセットアップＱＣ（Ｑｕａｌｉｔｙ  Ｃｈｅｃｋ）チェック実行確認画面を用いて、オペレータの指示により決定される。すなわち、オペレータが、ＱＣチェック用のレシピを選択し「実行」キーを押すと、クリーニング実行部２７５は、オートセットアップを実行すると判定し、ステップ６１５に進む。クリーニング実行部２７５は、ステップ６１５にて図８のオートセットアップ処理を呼び出し、オートセットアップ処理終了後、ステップ６９５にて本処理を終了する。一方、図７の画面にてオペレータが「中止」キーを押すと、この時点で、オートセットアップを実行しないと判定し、直ちにステップ６９５に進み本処理は終了となる。
【００７８】
（オートセットアップ処理）
図８のステップ８００からオートセットアップ処理が開始されると、オートセットアップ用のレシピに基づき、ステップ８０５〜ステップ８２０の処理が実行される。すなわち、ステップ８０５にて、クリーニング実行部２７５は、ダミーウエハ（試作用ウエハ）をＰＭ４００に搬入し、ステップ８１０に進んでＮＰＰＣを実行する。
【００７９】
このＮＰＰＣの実行では、具体的には、圧力制御部２５５が、Ｎ２ガスなどの不活性ガスからなるパージガスの圧力を処理容器内の圧力の２倍以上に制御するか、または、高電圧電源４８５から高電圧ＨＶを断続的に出力するか、の少なくともいずれかが実行される。
【００８０】
たとえば、処理容器内の圧力が１００ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴｏｒｒに制御されているのに対し、圧力制御部２５５は、たとえば、パージガスの圧力を３気圧（ａｔｍ）程度に制御してもよい。この場合、パージガスの圧力は、処理容器内の圧力より４桁以上大きい値を持つ。このようにして、高い圧力を有するパージガスを処理容器Ｃの内部に急激に流入させることにより、パージガスによる衝撃波が処理容器Ｃの室内にて生成され、この衝撃波による物理的な振動により処理容器内に付着した堆積物および駆動部に付着した堆積物を効果的に剥離させることができる。
【００８１】
また、高電圧電源４８５から±１ｋＶ程度の高電圧ＨＶを交互に出力するようにしてもよい。このようにして、処理容器Ｃの内部に瞬間的に直流電圧を交互に数回印加することにより、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）放電が発生し、処理容器Ｃの壁面やウエハＷを載置した下部電極４５０のステージに瞬間的に電位勾配が形成される。この結果、電磁応力を効果的に発生させることができ、発生した電磁応力により処理容器内に付着した堆積物および駆動部に付着した堆積物を効果的に剥離させることができる。
【００８２】
ついで、ステップ８１５に進んで、駆動制御部２７０は、各駆動部を繰り返し動作させる。具体的には、駆動制御部２７０は、ウエハＷを搬出入させるためのゲートバルブ４９８を繰り返し開閉させ、ウエハＷが載置された下部電極４５０のステージを繰り返し昇降させ、ステージ上に載置されたウエハＷを支持するリフトピン４５０ａを繰り返し上下運動させ、ＡＰＣ４９０ｂの弁体を繰り返し開閉する。
【００８３】
つぎに、ステップ８２０に進み、各駆動部の動作を停止した後、再びＮＰＰＣが実行される。すなわち、圧力制御部２５５は、パージガスの圧力を前述した圧力に制御し、クリーニング実行部２７５は、ＡＰＣ４９０ｂの弁体を全開にした状態で高電圧電源４８５から高電圧ＨＶを断続的に出力する。その後、ステップ８９５に進んで本処理を終了する。
【００８４】
これによれば、パージガスを流入および排気し、各駆動部を動作させた後、ＮＰＰＣが実行される。この結果、収納された状態ではクリーニングされにくい駆動部分に付着した堆積物をより効果的に剥離し、処理容器外へと排気することができる。
【００８５】
特に、ＮＰＰＣの実行において、処理容器内が低圧（真空度が高い）の間、パージガスの圧力を処理容器内の圧力の２倍以上に制御し、ＡＰＣ４９０ｂの弁体を全開にした状態で高電圧電源４８５から高電圧ＨＶを断続的に出力し、その後、ＤＰ４９０ａにより粗引きして処理容器内を高圧（真空度が低い）に制御しながら、高電圧電源４８５から高電圧ＨＶを断続的に出力した場合、高圧時には低圧時よりも処理容器内の抵抗が大きいために堆積物が剥離しやすいことを利用して、堆積物を非常に効果的に剥離させることができる。
【００８６】
以上に説明したように、本実施形態に係るクリーニング方法によれば、パージガスを導入および排気するとともに通常収納されていてクリーニングされにくい駆動部を繰り返し動作させた後、ＮＰＰＣを実行することにより、既存の装置のみを用いて（新たな装置を必要とすることなく）、パーティクルの原因となる反応生成物を処理容器Ｃおよび処理容器Ｃに取り付けられた駆動部から効果的に除去することができる。この結果、処理容器内の清浄度をより高めて、パーティクルがウエハＷ上に落下する頻度を最小限に抑えることにより製品の歩留まりを飛躍的に向上させることができる。
【００８７】
なお、上記説明では、ＰＭ４００内のクリーニングを中心に説明したが、ＬＬＭ５００についても同様な方法にてクリーニングすることができる。ただし、ＬＬＭ５００にて実行されるＮＰＰＣとは、ＬＬＭ５００に取り付けられた駆動部（たとえば、図３の搬送アームＡｒｍや図示しない排気機構）を繰り返し駆動させ、ＬＬＭ５００の内部圧力の２倍以上の圧力に制御されたパージガスをＬＬＭ５００導入しながら、ＬＬＭ５００内のガスを排気機構から排気することをいう。
【００８８】
本実施形態にかかるクリーニング方法は、ＰＭ４００およびＬＬＭ５００をクリーニングした後、それらの室内のコンディションを整えるためのオートセットアップ時に実行されるのが好ましい。これによれば、図９や図１０に示したオートセットアップ用レシピにＰＭ４００およびＬＬＭ５００のクリーニング方法の手順を記載し、ＰＭ４００またはＬＬＭ５００のクリーニング方法を変更する場合にも、オートセットアップ用のレシピを変更するだけでよい。たとえば、図１０のオートセットアップ用レシピでは、図９のレシピに対して、ステップ２およびステップ４〜７を追加することにより、本実施形態のクリーニングの動作にリフトピン４５０ａの繰り返し動作を加えることができる。これにより、各容器のクリーニング方法を容易にかつ正確に管理することができる。ただし、本実施形態にかかるクリーニング方法は、オペレータが「ＮＰＰＣ」ボタンを操作したときに強制的に開始されるようにしてもよい。
【００８９】
また、本実施形態では、ＮＰＰＣを実行した後、駆動部の駆動を繰り返し、その後、駆動部の駆動を停止し、再びＮＰＰＣを実行したが、これに限ることはなく、各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または、各駆動部の動作を繰り返す前または各駆動部の動作を繰り返した後の少なくともいずれかのタイミングに高電圧電源４８５からエネルギーを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行してもよい。
【００９０】
ただし、各駆動部の動作を繰り返している間に高電圧電源４８５からエネルギーを投入すると、駆動部分に電界が集中し、異常放電が生じるおそれが高い。よって、高電圧電源４８５からのエネルギー出力は、各駆動部の動作を繰り返している間は行わず、その前後の少なくともいずれかに行う。一方、パージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するタイミングは、各駆動部の動作を繰り返す前、各駆動部の動作中または各駆動部の動作を繰り返した後のいずれであってもよい。
【００９１】
（第２実施形態）
つぎに、第２実施形態にかかるクリーニング方法について説明する。第２実施形態では、パーティクルモニタＭｒを用いて剥離された発塵量を検出し、その検出量が所定の閾値より少なくなったときにクリーニングを終了させる点で、レシピの指示にしたがってクリーニングを終了させる第１実施形態と相違する。よって、この相違点を中心に本実施形態にかかるクリーニング方法について、図１１を参照しながら説明する。
【００９２】
第２実施形態では、図６のステップ６１５にて図１１のオートセットアップ処理が呼び出される。クリーニング実行部２７５は、ステップ１１００に続くステップ８０５およびステップ８１０にて、第１実施形態と同様に、ダミーウエハを搬入してＮＰＰＣを実行し、ステップ１１０５に進んで、図示しないタイマに「０」をセットした後、ステップ８１５にて駆動部を繰り返し動作させ、ステップ８２０にて再びＮＰＰＣを実行する。
【００９３】
つぎに、ステップ１１１０に進んで、クリーニング実行部２７５は、パーティクルモニタＭｒにより検出された値に基づき、粗引きラインＬ１を通過する発塵量と予め定められた閾値とを比較し、処理容器内から排気される発塵量が予め定められた所定の閾値よりも小さくなったか否かを判定する。発塵量が閾値よりも小さくなった場合、クリーニング実行部２７５は、ステップ１１９５に進んで、本処理を終了する。一方、発塵量が閾値以上である場合、クリーニング実行部２７５は、ステップ１１１５に進んで、タイマにより予め定められた所定時間が経過したか否かを判定する。所定時間が経過している場合、クリーニング実行部２７５は、発塵量が閾値以上であってもクリーニングを強制的に終了すべきであると判断し、ステップ１１９５に進んで本処理を終了する。一方、所定時間が経過していない場合、クリーニング実行部２７５は、発塵量が閾値以上であるので、継続してクリーニングが必要であると判断し、ステップ８１５に戻って、さらにステップ８１５、８２０、１１１０、１１１５の処理を繰り返し、発塵量が閾値より小さくなるか、または所定時間が経過するかのいずれかが満たされたとき、ステップ１１９５に進んで本処理を終了する。
【００９４】
以上に説明したように、本実施形態に係るクリーニング方法によれば、ＰＭ４００またはＬＭＭ５００の駆動部を繰り返し駆動するとともにＮＰＰＣを実行しながら、ＰＭ４００またはＬＭＭ５００に設けられた各駆動部からの発塵度をパーティクルモニタＭｒにより監視し、各駆動部からの発塵度が所定の閾値以下になったとき、各駆動部の繰り返し動作が終了となる。
【００９５】
これにより、駆動部からの発塵度が所定値以下になるまで、室内をクリーニングすることができる。これにより、通常のクリーニングでは清掃しにくい駆動部の収納部分を充分にクリーニングすることができる。これに加えて、クリーニングを強制的に終了すべき時間を予め設定しておくことにより、所定時間経過後、クリーニングを終了させることができる。
【００９６】
この処理時間は、たとえば、前回以前に実行されたオートセットアップ処理の際、ステップ１１１０にて発塵量が所定の閾値よりも小さくなったと判定された時間（すなわち、駆動部の繰り返し動作を開始してから終了するまでの駆動時間）をカウンタ値２５０ｂとして記憶部２５０に保持し、このカウンタ値２５０ｂに基づいて定めてもよい。
【００９７】
すなわち、前回以前にＰＭ４００またはＬＬＭ５００をクリーニングしたとき、複数の駆動部の繰り返し動作を開始してから終了するまでの駆動時間をカウントし、今回のＰＭ４００またはＬＬＭ５００のクリーニングに際して、複数の駆動部の繰り返し動作が前記カウントした駆動時間に応じて定められる所定値以上になった場合、複数の駆動部の繰り返し動作を終了するようにしてもよい。
【００９８】
この代わりに、またはこれに加えて、前回以前にＰＭ４００またはＬＬＭ５００をクリーニングしたとき、各駆動部の繰り返し動作を開始してから終了するまでの駆動回数をカウントし、今回のＰＭ４００またはＬＬＭ５００のクリーニングに際して、各駆動部の繰り返し動作が前記カウントされた各駆動部の駆動回数に応じて定められる所定値以上になった場合、複数の駆動部の繰り返し動作を終了するようにしてもよい。
【００９９】
これによれば、駆動部のいずれかに異常が発生したことにより、各駆動部からの発塵度が所定の閾値以下にならなくても、前回以前の各駆動部の駆動回数または前回以前の各駆動部の駆動時間に応じた経験値により、今回の各駆動部の繰り返し動作を制限し、強制的にクリーニング処理を終了することができる。これにより、たとえば、駆動部のいずれかの駆動部が機械的な摩耗などによって発塵している等の異常時においても、必要以上に各駆動部を動作させることによる更なる発塵を抑止することができる。なお、前回以前の各駆動部の繰り返し動作回数または前回以前の各駆動部の繰り返し動作時間は、前回のみのクリーニングに基づき求めてもよいし、前回以前の所定回数のクリーニングに基づき動作回数または動作時間の平均値を演算することにより求めてもよい。
【０１００】
（第３実施形態）
つぎに、第３実施形態にかかるクリーニング方法について説明する。第３実施形態では、パーティクルモニタＭｒを用いて剥離された発塵量を検出し、その検出量が所定の閾値より少なくなったときにクリーニングを終了させた後、各駆動部を別々に駆動させることにより、パーティクルの発生源を特定する点で、パーティクルの発生源を特定しない第２実施形態と相違する。よって、この相違点を中心に本実施形態にかかるクリーニング方法について、図１２を参照しながら説明する。
【０１０１】
第３実施形態では、図６のステップ６１５にて図１２のオートセットアップ処理が呼び出される。クリーニング実行部２７５は、第２実施形態と同様に、ステップ１２００、ステップ８０５、８１０、１１０５を実行し、ステップ８１５、８２０、１１１０、１１１５を繰り返し実行することにより発塵量が閾値より小さくなるか、または所定時間が経過するまでクリーニング処理を続行する。
【０１０２】
ステップ１１１０にて発塵量が閾値より小さくなるか、またはステップ１１１５にて所定時間が経過すると、ステップ１２０５に進んで、駆動制御部２７０は、各駆動部を順に１つずつ繰り返し駆動させ、ステップ１２１０に進み、クリーニング実行部２７５は、その駆動部の駆動により駆動部毎に予め定められた所定量以上の塵が発生しているか否かを判定する。クリーニング実行部２７５は、前述したパーティクルモニタＭｒにより検出される、粗引きラインＬ１を通過する発塵量が所定値以上か否かを判定する。
【０１０３】
発塵量が所定値以上の場合、ステップ１２１５に進み、クリーニング実行部２７５は、現時点で駆動している駆動部をパーティクルの発生源と特定し、ステップ１２２０に進んで、すべての駆動部を駆動させたか否かを判定する。一方、発塵が所定値未満の場合、クリーニング実行部２７５は、現時点で駆動している駆動部をパーティクルの発生源と特定することなく、ステップ１２２０に進んで、すべての駆動部を駆動させたか否かを判定する。
【０１０４】
ステップ１２２０にてすべての駆動部を駆動させたと判定されるまで、クリーニング実行部２７５は、ステップ１２０５〜１２２０の処理を繰り返し、ステップ１２２０にてすべての駆動部を駆動させたと判定されると、ステップ１２９５に進み、本処理を終了する。
【０１０５】
以上に説明したように、本実施形態に係るクリーニング方法によれば、ＰＭ４００またはＬＭＭ５００の駆動部を繰り返し、ＮＰＰＣを実行しながら、ＰＭ４００またはＬＭＭ５００をクリーニングした後、各駆動部を順に１つずつ駆動させることにより、その駆動部からの発塵度がパーティクルモニタＭｒにより監視される。そして、その駆動部からの発塵度が所定量以上であるとき、その駆動部はパーティクルの発生源であると特定される。これにより、特定された駆動部の交換や、特定された駆動部のみの更なるクリーニングをオペレータに促すことができる。
【０１０６】
また、本実施形態に係るクリーニング方法は、ガス供給部４４５からクリーニングガスを供給して処理容器Ｃをクリーニングした後に実行される。これによれば、処理容器Ｃの内部をクリーニングした状態にて、各駆動部からの発塵度をパーティクルモニタにより監視することができる。これにより、パーティクルの発生源をより正確に特定することができる。
【０１０７】
さらに、本実施形態に係るクリーニング方法は、ＰＭ４００またはＬＭＭ５００の駆動部を繰り返し駆動し、ＮＰＰＣを実行しながら、ＰＭ４００またはＬＭＭ５００をクリーニングした後に実行される。これにより、本実施形態に係るクリーニング方法を実行する前に、ＰＭ４００またはＬＭＭ５００の内部を非常に清掃された状態にすることができ、この結果、パーティクルの発生源をさらに正確に特定することができる。
【０１０８】
以上、本発明の各実施形態によれば、ＰＭ４００やＬＬＭ５００等の真空装置に設けられた駆動部に付着した堆積物を効果的に除去することができる。
【０１０９】
なお、高電圧電源４８５による直流電圧（ＨＶ）の印加は、１回〜１０回程度であればよい。また、高電圧電源４８５に換えて高周波電源４３０を用いて、高周波電源４３０から交流電圧（ＲＦ）を断続的に瞬間的に印加するようにしてもよい。
【０１１０】
また、各実施形態にて開示したクリーニング方法は、ＰＭ４００等の半導体処理装置およびＬＬＭ５００などの搬送装置以外の真空装置にも適用可能である。また、真空装置が半導体処理装置である場合、処理容器Ｃの室内では、エッチング装置、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長法）装置、アッシング装置、スパッタリング装置などのプラズマ処理がウエハなどの被処理体に施される。これらの真空装置は、図４に示した平行平板型（容量結合型）プラズマ処理装置に限られず、マイクロ波プラズマ処理装置や誘導結合型プラズマ処理装置などであってもよい。
【０１１１】
また、真空装置のクリーニング方法では、クリーニング実行部２７５は、各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングに、ＮＰＰＣを実行すればよい。各駆動部の動作を繰り返す前にＮＰＰＣを実行した場合には、処理容器Ｃの内部をよりクリーニングした状態にて、各駆動部からの発塵度をパーティクルモニタにより監視することができるので、パーティクルの発生源をより精度よく特定することができる。また、各駆動部を繰り返し動作中または繰り返し動作後にＮＰＰＣを実行した場合には、各駆動部の繰り返し動作により駆動部に付着した堆積物を効果的に剥離させ、真空装置の内壁などに付着した堆積物および駆動部に付着した堆積物を非常に効果的に除去することができる。
【０１１２】
以上に説明した各実施形態において、各部の動作はお互いに関連しており、互いの関連を考慮しながら、一連の動作として置き換えることができ、これにより、真空装置のクリーニング方法の実施形態を、真空装置のクリーニングを制御する制御装置の実施形態とすることができる。また、上記各部の動作を、各部の処理と置き換えることにより、真空装置のクリーニング方法の実施形態を、真空装置のクリーニングを制御する制御プログラムの実施形態とすることができる。また、その制御プログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶させることにより、真空装置のクリーニングを制御する制御プログラムの実施形態を、その制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の実施形態とすることができる。
【０１１３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１１４】
たとえば、本発明に用いられる被処理体は、ウエハ（シリコンウエハ）に限られず、たとえば、有機ＥＬデスプレイやプラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などに用いられるガラス基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明の第１〜第３実施形態にかかる基板処理システム１０の概念図である。
【図２】第１〜第３実施形態にかかるＥＣのハードウエア構成図である。
【図３】第１〜第３実施形態にかかる基板処理装置の構成図である。
【図４】第１〜第３実施形態にかかるＰＭの縦断面の模式図である。
【図５】第１〜第３実施形態にかかるＥＣの機能構成図である。
【図６】第１〜第３実施形態にて実行されるパーティクル除去処理ルーチン（メインルーチン）を示したフローチャートである。
【図７】オートセットアップＱＣチェック実行確認画面を示した図である。
【図８】第１実施形態にて実行されるオートセットアップ処理ルーチン（サブルーチン）を示したフローチャートである。
【図９】オートセットアップ用レシピの一例を示した図である。
【図１０】オートセットアップ用レシピの他の一例を示した図である。
【図１１】第２実施形態にて実行されるオートセットアップ処理ルーチンを示したフローチャートである。
【図１２】第３実施形態にて実行されるオートセットアップ処理ルーチンを示したフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１６】
１０      基板処理システム
１００    ホストコンピュータ
２００    ＥＣ
２５０    記憶部
２５０ａ  レシピ群
２５０ｂ  カウンタ値
２５５    圧力制御部
２６０    プロセス実行部
２６５    通信部
２７０    駆動制御部
２７５    クリーニング実行部
３００、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ  ＭＣ
４００、４００ａ、４００ｂ  ＰＭ
４３０    高周波電源
４４５    ガス供給部
４１５    上部電極
４５０    下部電極
４５０ａ  リフトピン
４８５    高電圧電源
４９０    排気機構
４９０ａ  ＤＰ
４９０ｂ  ＡＰＣ
４９０ｃ  ＴＭＰ
４９８    ゲートバルブ
５００    ＬＬＭ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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