(57)【要約】【課題】光出射面からの出射光強度の向上を図ると共に、放熱性に優れた発光素子を提供する。【解決手段】基板上に実装されたＬＥＤチップ５０１と、上記基板の表面に形成された光透過性の樹脂からなる絶縁部５０９とを含み、絶縁部５０９が、二酸化チタンが添加された二酸化チタン添加樹脂層５０９ｃと、二酸化チタンが添加されていない二酸化チタン無添加樹脂層５０９ｂとからなる積層構造を有している。【選択図】図４０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に実装されたＬＥＤチップと、
上記基板の表面に形成された光透過性の樹脂からなる絶縁部とを含み、
上記絶縁部が、光反射性フィラーが添加された光反射性フィラー添加領域と、該光反射性フィラーが添加されていない光反射性フィラー無添加領域とからなることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
基板の実装面に形成され実装面金属反射膜としての第１金属部と、
上記第１金属部と絶縁部により電気的に絶縁され、上記実装面に形成される少なくとも１つの第２金属部と、
上記第１金属部上に実装され、かつ、一方の電極が上記第１金属部に電気的に接続され、他方の電極が上記第２金属部に電気的に接続されるＬＥＤチップと、
上記実装面を囲むように、上記第１金属部と一体化して形成され、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、
上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填し、上記ＬＥＤチップを封止するように形成された透光性封止体とを備え、
上記絶縁部が、光反射性フィラーを含む樹脂からなり、上記金属反射板に囲まれた領域内で、上記第２金属部の周囲を囲むように形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
上記絶縁部が、実装面露出部にのみ光反射性フィラーを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
上記絶縁部が、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、上記光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有することを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
接着層を介して他の部材と接着される界面近傍には、光反射性フィラーを含まないことを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
上記光反射性フィラーが、４００ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の波長領域の光を反射することを特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
上記波長領域における上記光反射性フィラーを含む樹脂の光反射率が、５０％以上であることを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
上記光反射性フィラーが、酸化アルミニウム、酸化珪素または二酸化チタンからなることを特徴とする請求項１ないし７の何れか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
請求項１ないし８の何れか１項に記載の発光素子の製造方法であって、
上記絶縁部の形成工程が、
上記光反射性フィラー無添加樹脂層を形成する工程（ａ）と、上記光反射性フィラー添加樹脂層を形成する工程（ｂ）とを含み、
上記光反射性フィラー無添加樹脂層と上記光反射性フィラー添加樹脂層とを、所望の順序で金属箔上に積層構造をなすように形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１０】
上記光反射性フィラー無添加樹脂層および上記光反射性フィラー添加樹脂層からなる積層構造を、不活性ガス雰囲気下で加熱工程により形成することを特徴とする請求項９に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１１】
上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填するように上記ＬＥＤチップ封止する透光性封止体を、不活性ガス雰囲気下での加熱硬化工程により形成することを特徴とする請求項９または１０に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１２】
基板上に実装されたＬＥＤチップと、
上記基板の表面に形成された光透過性の樹脂からなる絶縁部とを含み、
上記絶縁部は、全体に光反射性フィラーが添加されていることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
上記絶縁部は、全体に光反射性フィラーが添加されていることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
【請求項１４】
上記光反射性フィラーの添加量は、上記絶縁部の可視光反射率が飽和する添加量より多く、かつ、当該可視光反射率が飽和する添加量の近傍であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
上記光反射性フィラーの添加量は、上記発光素子を高温および低温に繰り返しさらす温度サイクル試験において上記絶縁部にクラックが入る添加量より少ないことを特徴とする請求項１４に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルのような薄型の表示体を側面から照射するのに適した発光素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶等の表示パネルを側面から照射するためのバックライト光源として、特許文献１等に示されているような側面発光型の発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」とする。）等の発光素子が用いられている。
【０００３】
発光素子１０１は、図４２に示すように、ダイボンドパターン１０８及び電極端子１０９が形成されたチップ基板１１４と、チップ基板１１４上に実装されたＬＥＤチップ１０３と、ＬＥＤチップ１０３と電極端子１０９とを接続するワイヤ１１６と、チップ基板１１４上にＬＥＤチップ１０３の周囲を囲うように配設され、上面及び側壁の一部に開口部を有する反射枠体１２３と、反射枠体１２３の側壁内周面である反射面１２２と、チップ基板１１４上の反射枠体１２３内に形成され、側壁側の開口部を光出射面１１７とする光透過樹脂体１１９と、光透過樹脂体１１９の上面を覆う反射膜１２１とを備えている。発光素子１０１は、ＬＥＤチップ１０３から発せられる光が反射枠体１２３の反射面１２２及び反射膜１２１によって反射され、一側面に形成された光出射面１１７から外部に向けて出射されるように構成されている。
【０００４】
また、発光素子内で発生した熱の逃げが悪いと、素子内の部材が熱によるダメージを受け、発光効率の低下や、素子自体の損傷を招き、長期の信頼性が確保できなくなってしまう。そこで、放熱性に優れた発光素子の開発が求められている。
【０００５】
例えば、特許文献２に、放熱性に優れた発光素子用基板が開示されている。
【０００６】
図１５および図１６を参照し、特許文献２の発光素子用基板の構成について説明する。
【０００７】
図１５は、上記発光素子用基板を備えた従来の発光素子１０００の構成を示す断面図である。
【０００８】
図１６は、図１５に示した発光素子用基板の導体パターン１００８と配線層１００９との形状を示す図である。
【０００９】
上記発光素子用基板では、図１５に示すように、導体パターン１００３として、第１の電極１００４および第２の電極１００５が形成されており、ＬＥＤチップ（図示せず）の一方の電極が第１の電極１００４に接続され、他方の電極が第２の電極１００５に接続される。
【００１０】
また、第１の電極１００４、層間接続パターン１００６、保護金属層１００７、および導体パターン１００８が、反射体１００１の下側からＬＥＤチップが搭載される位置の下側まで連続して形成されている。なお、導体パターン１００８は、配線層１００９に形成されている。
【００１１】
そして、第１の電極１００４、層間接続パターン１００６、保護金属層１００７、および導体パターン１００８によって積層された金属積層体の、反射体１００１の発熱を伝熱させる伝熱面積を大きくさせる。すなわち、図１６に示すように、導体パターン１００８の面積を大きくさせている。
【００１２】
これにより、反射体１００１の発熱を、保護金属層１００２および金属積層体を介して、保護金属層１０１２および最下層の金属基板１０１０まで効率よく伝熱することが可能となっている。
【００１３】
また、特許文献３には、ＬＥＤチップが搭載された多配線基板の表面樹脂に、無機フィラーが添加されて、当該表面樹脂を白色化することにより、表面樹脂の光反射率を向上させる構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−２２３０８２号公報（公開日２００５年０８月１８日）
【特許文献２】特開２００４−２８２００４号公報（公開日２００４年１０月０７日）
【特許文献３】特開２００５−２３５７７８号公報（公開日２００５年９月２日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
一般に、ＬＥＤチップ１０３からの出射光強度は、図４２中矢印１１８で示す上方向が最大となる。ところが、上述の特許文献１の構成では、ＬＥＤチップ１０３からの光出射方向に反射膜１２１が、ＬＥＤチップ１０３の光出射面に対向するように形成されている。このため、ＬＥＤチップ１０３から出射した光は、反射膜１２１とチップ基板１１４の間で反射を繰り返すこととなり、ＬＥＤチップ１０３から出射した光の多くが、光出射面１１７から外部へ効率よく出射されず、反射膜１２１およびチップ基板１１４に吸収されてしまう。
【００１５】
さらに、上記特許文献１の発光素子１０１の構成では、光出射面１１７が、ＬＥＤチップ１０３からの出射光強度が最大となる上方向（矢印１１８）から９０度ずれた位置に形成されている。このため、ＬＥＤチップ１０３からの出射される光を効率よく、発光素子１０１の光出射面に導き、素子外部へ取り出すことができない。また、光透過樹脂体１１９の材料の樹脂に蛍光体粒子を用いた場合で、蛍光に変換されない光や散乱されない光は、反射膜１２１とチップ基板１１４の間で反射を繰り返すこととなり、その多くが反射膜１２１およびチップ基板１１４に吸収されてしまう。さらに、蛍光体粒子量の変動により散乱度合いが変動するため、光取り出し効率が安定しない。
【００１６】
また、近年、液晶パネルを備えた携帯電話等の電子機器の薄型化に伴い、液晶バックライト用に用いられる側面発光型ＬＥＤの薄型化が求められている。しかしながら、特許文献１に示す従来の構造では、ＬＥＤチップ１０３の上面と反射膜１２１との距離が短くなるほど、上記の光吸収・漏れによる損失が増大する構成であるため、発光素子からの光取り出し効率がさらに低下するという問題があった。
【００１７】
したがって、光取り出し効率の低下を招くことなく薄型化を実現し得る側面発光型ＬＥＤの開発が求められている。
【００１８】
また、特許文献２の発光素子は、図１５および図１６に示すように、ＬＥＤチップが実装される実装面を底面した場合、金属反射体１００１が、素子側面全体を囲むようには形成されていない。このため、ＬＥＤチップから周囲に放出される光が、上記金属反射体１００１が形成されていない側面から素子外部へ漏れてしまう。
【００１９】
また、上記実装面における第１の電極１００４および第２の電極１００５の形成領以外の領域には、絶縁層１０１１が形成されている。このため、ＬＥＤチップから出射された光のうち、基板側へ向かう光の多くが、樹脂絶縁層１０１１を透過し、裏面側から素子外部へ漏れてしまう。
【００２０】
上記のように漏れた光は、発光素子外部の他の部材に吸収されるので、全体的に多大なエネルギーの損失になってしまう。このため、ＬＥＤチップからの出射された光を効率よく取り出すことができず、光出射面からの出射光強度の低下の問題点を有している。
【００２１】
また、特許文献３の構成では、無機フィラーの添加により、光触媒効果による周辺部材の酸化を助長させたり、無機フィラーの吸湿性の影響による弊害を生じさせてしまう。また、特許文献３には、無機フィラーの添加量の制限に関して、何ら言及されていない。
【００２２】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光漏れを抑制し、光出射面からの出射光強度の向上を図ると共に、放熱性を向上させることにより、長期の信頼性に優れた発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明に係る発光素子は、上記の課題を解決するために、基板上に実装されたＬＥＤチップと、上記基板の表面に形成された光透過性の樹脂からなる絶縁部とを含み、上記絶縁部が、光反射性フィラーが添加された光反射性フィラー添加領域と、該光反射性フィラーが添加されていない光反射性フィラー無添加領域とからなることを特徴としている。
【００２４】
上記の構成によれば、上記ＬＥＤチップから出射されて上記絶縁部に入射する光を上記光反射性フィラー添加領域で反射させることができる。このため、上記絶縁部に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【００２５】
本発明に係る発光素子は、上記の課題を解決するために、基板の実装面に形成され実装面金属反射膜としての第１金属部と、上記第１金属部と絶縁部により電気的に絶縁され、上記実装面に形成される少なくとも１つの第２金属部と、上記第１金属部上に実装され、かつ、一方の電極が上記第１金属部に電気的に接続され、他方の電極が上記第２金属部に電気的に接続されるＬＥＤチップと、上記実装面を囲むように、上記第１金属部と一体化して形成され、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填し、上記ＬＥＤチップを封止するように形成された透光性封止体とを備え、上記絶縁部が、光反射性フィラーを含む樹脂からなり、上記金属反射板に囲まれた領域内で、上記第２金属部の周囲を囲むように形成されていることを特徴としている。
【００２６】
上記の構成によれば、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板が、上記ＬＥＤチップの光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップの周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップから周囲に放出される光を、上記金属反射板で反射させ上記光出射面へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。また、上記金属反射板の内周面は、上記透光性封止体に密着しているため、該金属反射板の内周面側から金属が剥離するといった問題を抑制することができる。これにより、上記金属反射板の内周面を、上記透光性封止体により、安定した状態で保護することができる。
【００２７】
さらに、上記第１金属層が、実装面金属反射膜としての機能を有し、上記第２金属層の外周に形成された絶縁部を介して、上記第２金属層の外周を取り囲むように形成されている。このため、上記第２金属層との絶縁を確保しつつ、上記基板の実装面における、上記絶縁部形成領域の外側の全面に実装面金属反射膜としての上記第１金属層を形成することができる。このように、実装面金属反射膜としての上記第１金属層を実装面上の広範囲に形成することができるため、ＬＥＤから出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記第１金属部によってより効率的に光出射面側へと導くことができる。このため、基板に吸収される光の量をさらに低減することができ、光出射面からの出射光強度のさらなる向上を図ることができる。
【００２８】
さらに、上記絶縁部が、光反射性フィラーを含む樹脂から形成されている。このため、上記ＬＥＤチップから出射されて上記絶縁部に入射する光を上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、上記絶縁部に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【００２９】
上記の構成において、上記絶縁部が、実装面露出部にのみ光反射性フィラーを含むことが望ましい。
【００３０】
上記の構成において、上記光反射性フィラーとしては、酸化アルミニウム、酸化珪素または二酸化チタンを用いることが望ましい。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。
【００３１】
特許文献２に記載されているように、二酸化チタンは、反射部材に用いられる樹脂中に添加され、白色化して反射率を高める機能を有している。
【００３２】
しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板や透光性封止体、絶縁部を酸化させる危険性がある（酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする）。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、上記透光性封止体の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体の剥離させる危険性がある。ここで、上記ＬＥＤチップを封止する透光性封止体は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面まで到達する可能性がある。
したがって、搭載面の近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより、酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上できるため望ましい。
【００３３】
上記の構成において、上記絶縁部が、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、上記光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有することが望ましい。
二酸化チタンの光反射性フィラーは、酸素の存在下、光触媒反応により、例えば、絶縁部の下層に形成された導電層を酸化させてしまう。このため、上記光反射性フィラーを搭載面表面には添加せずに、酸素を含む大気から遠ざけることが望ましい。
【００３４】
上記の構成によれば、上記絶縁部が、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、上記光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有している。これにより、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板、透光性封止体、絶縁部の酸化や、透光性封止体の剥離等の問題を抑制しつつ、光利用効率の向上を図ることができる。
【００３５】
上記の構成において、水分、空気との接触を避けるため、搭載面や絶縁部と他部材との接着層の界面近傍などには、光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。
【００３６】
また、二酸化チタンが添加される上記絶縁部の樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、当該絶縁部の樹脂内部に反射性フィラー添加樹脂層を設けることが特に好ましい。
【００３７】
上記の構成において、上記光反射性フィラーは、４００ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の波長領域の光、すなわち可視光線を反射することが望ましい。
【００３８】
上記の構成において、上記波長領域における上記光反射性フィラーを含む樹脂の光反射率が、５０％以上であることが望ましい。
【００３９】
二酸化チタン含有のＲＣＣ樹脂（resin coated copper）は、光反射率が１００％でなく、５０〜７０％程度で残りは、光を透過してしまう。このため、二酸化チタン含有のＲＣＣ樹脂を用いた場合、光がＲＣＣ樹脂内部で散乱して広がり、他部材との接着層にまで光が漏れてしまう。ＲＣＣ樹脂の全層に光反射性フィラー添加樹脂層があれば、他部材越しや他部材に吸収されていた酸素と前記漏れ光とが、光触媒反応により、例えば、ＲＣＣ樹脂や他部材、接着層に存在する電極等を酸化させてしまう要因となるため、上記光反射性フィラー添加樹脂層（領域）は、薄い層状に形成することが望ましい。
【００４０】
本実施形態の発光素子の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記絶縁部の形成工程が、上記光反射性フィラー無添加樹脂層を形成する工程（ａ）と、上記光反射性フィラー添加樹脂層を形成する工程（ｂ）とを含み、上記光反射性フィラー無添加樹脂層と上記光反射性フィラー添加樹脂層とを、所望の順序で金属箔上に積層構造をなすように形成することを特徴としている。
【００４１】
当該積層構造は、例えば、上記第１金属部及び第２金属部が形成される金属板に、裏面側（光出る射面と反対側）から熱プレスにより貼り付けてもよい。
【００４２】
上記の構成において、上記光反射性フィラー無添加樹脂層および上記光反射性フィラー添加樹脂層からなる積層構造は、不活性ガス雰囲気下で行う加熱工程により形成することが望ましい。
【００４３】
上記の構成によれば、上記各絶縁部に用いる樹脂の変質（黄変化）を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。
【００４４】
上記の構成において、上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填するように上記ＬＥＤチップ封止する透光性封止体を、不活性ガス雰囲気下での熱硬化工程により形成することが望ましい。
【００４５】
なお、現状のＲＣＣ樹脂の生産ラインナップでは、樹脂層の厚みは、最薄で３μｍとなっている。このため、ニ酸化チタン添加樹脂層は、樹脂層の塗布厚みの制御性の限界から接着層から少なくとも３μｍ以上はなれたところに入れることが望ましい。
【００４６】
また、樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。
【００４７】
上記樹脂としては、ＲＣＣ樹脂を用いることが望ましい。ＲＣＣ樹脂は液体を少し固化させた様なペースト状であり、ニ酸化チタン等の光反射性フィラーは、液体状態のＲＣＣ樹脂に混合させる。このため、単層のＲＣＣ樹脂では、上記光反射性フィラーを含む光反射フィラー添加樹脂層の位置を制御することは困難である。そこで、まず、上記光反射フィラー添加樹脂層を固化させ、その上に再度、上記光反射性フィラーを含まないＲＣＣ樹脂を塗布して光反射性フィラー無添加樹脂層を形成することにより、搭載面表面に反射性フィラーを含ませないようにすることができる。
【００４８】
このように、絶縁部に光反射性フィラーを含む樹脂を用いることにより、上記ＬＥＤチップから出射されて上記絶縁部に入射する光を上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、上記絶縁部に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【００４９】
本実施形態に係る発光素子は、基板上に実装されたＬＥＤチップと、
上記基板の表面に形成された光透過性の樹脂からなる絶縁部とを含み、
上記絶縁部は、全体に光反射性フィラーが添加されていることを特徴としている。
【００５０】
本実施形態に係る発光素子は、基板の実装面に形成され実装面金属反射膜としての第１金属部と、上記第１金属部と絶縁部により電気的に絶縁され、上記実装面に形成される少なくとも１つの第２金属部と、上記第１金属部上に実装され、かつ、一方の電極が上記第１金属部に電気的に接続され、他方の電極が上記第２金属部に電気的に接続されるＬＥＤチップと、上記実装面を囲むように、上記第１金属部と一体化して形成され、上記ＬＥＤチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填し、上記ＬＥＤチップを封止するように形成された透光性封止体とを備え、上記絶縁部が、光反射性フィラーを含む樹脂からなり、上記金属反射板に囲まれた領域内で、上記第２金属部の周囲を囲むように形成され、上記絶縁部は、全体に光反射性フィラーが添加されていることを特徴としている。
【００５１】
上記の構成において、上記光反射性フィラーの添加量は、上記絶縁部の可視光反射率が飽和する添加量より多く、かつ、当該可視光反射率が飽和する添加量の近傍であることが望ましい。
【００５２】
上記の構成において、上記光反射性フィラーの添加量は、上記発光素子を高温および低温に繰り返しさらす温度サイクル試験において上記絶縁部にクラックが入る添加量より少ないことが望ましい。
【００５３】
上記の構成において、上記光反射性フィラーの添加量は、３０重量％未満であることが望ましい。
【発明の効果】
【００５４】
本実施形態の発光素子は、光反射性フィラーが添加された光反射性フィラー添加領域と、該光反射性フィラーが添加されていない光反射性フィラー無添加領域とからなる絶縁部を備えることにより、このため、上記絶縁部に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
〔第１実施形態〕
本発明の一実施の形態について図１ないし図５および図３８ないし図４１を参照し以下に説明する。
【００５６】
図１は、本実施の形態の発光素子５００の一構成例を示す斜視図である。
【００５７】
図２は、発光素子５００の詳細な構成を示す断面図である。
【００５８】
図３は、金属反射板５０２と、積層基板５０６を構成する各層とのエッチングパターン例を示している。図３中、（ａ）は第１層５２１を示し、（ｂ）は第２層５２２を示し、（ｃ）は第３層５２３を示し、（ｄ）は第４層５２４を示し、（ｅ）は第５層５２５を示し、（ｆ）は第６層５２６を示し、（ｇ）は第７層５２７を示し、（ｈ）は第８層５２８を示している。
【００５９】
本実施の形態に係る発光素子５００は、図１に示すように、積層基板５０６に実装されたＬＥＤチップ５０１と、該ＬＥＤチップ５０１の光出射方向に立設し、該ＬＥＤチップ５０１の周囲全体を取り囲むように上記実装面上に設けられ、上記ＬＥＤチップ５０１からの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板５０２とを備え、上記実装面上における金属反射板５０２で囲まれた領域を充填するように透光性封止体５１０が形成されている。
【００６０】
発光素子５００は、携帯電話などの表示画面に設けられた液晶パネルの側面に光出射面が対向するように実装するように構成している。すなわち、発光素子５００は、液晶パネルを側面から照射するバックライトとして用いるように構成している。
【００６１】
ＬＥＤチップ５０１は、ＧａＮ系半導体材料等からなる半導体チップであり、発光面５０１ａから青色光を発する。ＬＥＤチップ５０１は、発光面５０１ａが上側になるように、後述するダイボンドエリア・電極共通部（第１電極部、実装面金属反射膜）５０７にダイボンドによって実装されている。そして、ＬＥＤチップ５０１は、発光面５０１ａに、アノード電極とカソード電極とからなる電極端子（図示せず）を備えている。
【００６２】
積層基板５０６は、実装面側から表面層５０３、中間層５０４、裏面層５０５が形成された積層構成を有している。積層基板５０６は、図２に示すように、２層構造の表面層５０３、３層構造の中間層５０４、２層構造の裏面層５０５からなる積層構造を有している。上記構成の積層基板５０６は、金属反射板５０２に積層され、金属反射板５０２と一体的に形成されている。
【００６３】
ここで、図２および図３を参照し、積層基板５０６の詳細な構成について説明する。
【００６４】
まず、表面層５０３の構成について説明する。
【００６５】
表面層５０３は、実装面側から第２層５２２と第３層５２３とが積層された２層積層構造を有している。
【００６６】
なお、第２層５２２の表面すなわち積層基板５０６の表面を、ＬＥＤチップ５０１が実装される実装面とする。
【００６７】
第２層５２２（実装面）には、ＬＥＤチップ５０１に駆動電流を供給する電極端子として、ＬＥＤチップ５０１とそれぞれ接続されるダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）５０７とアイランド電極（第２金属部）５０８とが形成されている。また、アイランド電極５０８を、ダイボンドエリア・電極共通部５０７から電気的に絶縁するための絶縁部５０９が、アイランド電極５０８の外周を囲むように形成されている。
【００６８】
ダイボンドエリア・電極共通部５０７は、ＬＥＤチップ５０１のカソード電極とワイヤボンド（ワイヤ５１１）によって接続されている。ダイボンドエリア・電極共通部５０７と金属反射板５０２とは、同種の金属（本実施の形態では、銅）からなり一体的に形成されている。
【００６９】
なお、ダイボンドエリア・電極共通部５０７および金属反射板５０２の材料としては、銅に限定されるものではなく、他の金属を用いる構成であってもよいが、反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることが望ましい。
【００７０】
すなわち、本実施の形態では、接着剤を要することなく、メッキなどの方法によって、金属反射板５０２を、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部５０７と一体的に成形することができる。このため、ＬＥＤチップ５０１の発光時の熱は、従来のように熱伝導性の低い樹脂等に溜まることなく、金属反射板５０２が一体成形されている基板の表面に形成されたダイボンドエリア・電極共通部５０７に伝導され、さらに基板の裏面側に効果的に放熱させることができる。また、このように、金属反射板５０２とダイボンドエリア・電極共通部５０７とを一体的に形成することで、素子全体における金属の占める割合が大きくなるため、放熱性のみならず、光漏れ防止についても改善された構成となっている。
【００７１】
なお、ダイボンドエリア・電極共通部５０７は、後に詳細に説明するように、発光素子５００をダイシングする際、バリの発生による損傷を防止するために、ダイシングのマージンを確保して形成されている。
【００７２】
一方、他方の電極端子としてのアイランド電極５０８は、銅からなり、ワイヤボンド（ワイヤ５１１）によってＬＥＤチップ５０１のアノード電極と接続されている。また、実装面としての第２層５２２における金属反射板５０２で囲まれた領域内に、アイランド電極５０８が、その外周が絶縁部５０９で囲まれた、アイランドに形成されている。
【００７３】
また、アイランド電極５０８の形状は、本実施の形態に示したもの以外に、三角、四角、矩形状など特に限定されることはないが、電界集中を避けることができるよう角部に丸みを持った形状がより好ましい。さらに、アイランド電極５０８上には、ＬＥＤチップの駆動条件を調整する素子、回路を設置しても構わない。例えば、ツェナーダイオードなどＬＥＤチップに通電する電流を制限する保護回路素子を設置してもよい。なお、これらのことは、本実施の形態以外の実施形態でも同様に適用される。
【００７４】
本実施の形態では、上述の通り、ＬＥＤチップ５０１のカソード電極がダイボンドエリア・電極共通部５０７と接続され、アノード電極がアイランド電極５０８と接続される構成となっている。しかしながら、本実施の形態はこれに限らず、ＬＥＤチップ５０１のアノード電極がダイボンドエリア・電極共通部５０７と接続され、カソード電極がアイランド電極５０８と接続される構成としてもよい。
【００７５】
なお、ダイボンドエリア・電極共通部５０７とアイランド電極５０８とは電位が異なっており、設計に応じて、ＬＥＤチップ５０１のアノード電極とカソード電極とのどちらかが一方ずつに接続される。
【００７６】
絶縁部５０９は、エポキシ樹脂等のＲＣＣ樹脂（resin coated copper）から形成されており、アイランド電極５０８をダイボンドエリア・電極共通部５０７から電気的に絶縁するように形成されている。さらに、上記エポキシ樹脂には、４００ｎｍ〜８５０ｎｍの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーが添加されている。上記エポキシ樹脂は、上記波長領域での光反射率が５０％以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。
【００７７】
しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板５０２や透光性封止体５１０、絶縁部５０９を酸化させる危険性がある（酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする）。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体５１０の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体５１０を剥離させる危険性がある。ここで、上記ＬＥＤチップ５０１を封止する透光性封止体５１０は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。
【００７８】
したがって、ＬＥＤチップ５０１の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させることができる。
【００７９】
そこで、絶縁部５０９は、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、エポキシ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。
【００８０】
ここで、絶縁部５０９の形成工程について図３８ないし図４１を参照し以下に説明する。まず、図３８（ａ）に示すように、ＲＣＣ樹脂（resin coated copper）と称されるＣｕ箔５０９ａ上に、液体状のＲＣＣ樹脂を塗布して、少し固化させたペースト状の二酸化チタン無添加層（光反射性フィラー無添加樹脂層）５０９ｂを形成する。次に、図３８（ｂ）に示すように、ニ酸化チタン無添加樹脂層５０９ｂ上に、上記液体状のＲＣＣ樹脂に二酸化チタンを添加したものを塗布して、同様に固化させたペースト状の二酸化チタン添加樹脂層（光反射性フィラー添加樹脂層）５０９ｃを形成する。二酸化チタン添加樹脂層５０９ｃを固化させた後、二酸化チタン添加樹脂層５０９ｃ上にさらにニ酸化チタン無添加樹脂層５０９ｂを形成し、図３８（ｃ）に示すような積層構造５０９ｄを形成する。
【００８１】
上記の工程にて形成された積層構造５０９ｄを、さらに、図３９に示すように、ダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）５０７とアイランド電極（第２金属部）５０８とが形成される金属板５３０の裏面（光入射面と反対側）に貼り付けて熱プレスにより金属板５３０と張り合わせる。
【００８２】
図４０に示すように、銅箔５０９ａは、ニ酸化チタン無添加樹脂層５０９ｂとニ酸化チタン添加樹脂層５０９ｃとが積層された積層構造５０９ｄの状態で表面が研磨され一部が導電層（Ｃｕポスト層）５０９ｅとなる。
【００８３】
酸化チタン等の光反射性フィラーを樹脂に添加する場合、液体状態のＲＣＣ樹脂に光反射性フィラーを混合するが、単層の樹脂中で光反射性フィラーはＲＣＣ樹脂との比重差で沈降するため、Ｃｕ箔５０９ａ側に沈み、光反射性フィラーを含むニ酸化チタン添加樹脂層（反射性フィラー添加樹脂層）５０９ｃの位置を制御することは困難である。そこで、まず、導電層５０９ｅに接続される銅箔５０９ａ上に、ニ酸化チタン無添加樹脂層５０９ｂを形成し、ニ酸化チタン無添加樹脂層５０９ｂ上に、上記光反射性フィラーを含む酸化チタン添加樹脂層（反射性フィラー添加層）５０９ｃを形成して固化させ、酸化チタン添加樹脂層５０９ｃの上に再度、上記光反射性フィラーを含まないＲＣＣ樹脂を塗布して酸化チタン無添加樹脂層（反射性フィラー無添加樹脂層）５０９ｂを形成することにより、搭載面表面に反射性フィラーを含ませないようにすることができる。このようにして形成したＲＣＣ樹脂を、上述の通り、ダイボンドエリア・電極共通部５０７とアイランド電極５０８が形成された金属板５３０の裏面に貼り付け、熱プレス加工することにより絶縁部５０９が形成される。この後、詳細な説明は省くが、絶縁部５０９の下層には、ダイボンドエリア・電極共通部５０７とアイランド電極５０８の電位が導電層５０９ｅを通じて、基板裏面側へ導通し、かつダイボンドエリア・電極共通部５０７とアイランド電極５０８との間で絶縁がとれるように導電層、樹脂層が平面状に配置された層が多層に積層され、貫通孔が開けられたガラエポ基板が貼り付けられ、貫通孔を通じて、導電層と通電するように裏面電極が設けられ、最終的に金属板の表面側をエッチングにより、絶縁部５０９が搭載面に露出するように反射板が形成される。
【００８４】
図４１は、図４０に示す断面図の丸で囲った領域を示す拡大断面図である。
【００８５】
このように、絶縁部５０９に、光反射性フィラーを含むＲＣＣ樹脂を用いることにより、図４１に示すように、ＬＥＤチップ５０１から出射されて絶縁部５０９に入射する光をおよびＬＥＤチップ５０１を封止する透光性封止体５１０に含有される蛍光体から放出され絶縁部５０９に入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、絶縁部５０９に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【００８６】
また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であっても、絶縁部５０９の全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板５０２、透光性封止体５１０、絶縁部５０９の酸化や、透光性封止体５１０の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【００８７】
すなわち、絶縁部５０９に吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【００８８】
また、上記ＲＣＣ樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、絶縁部５０９に用いる樹脂の変質（黄変化）を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。
【００８９】
特に、透光性封止体５１０を封止する工程で、透光性封止体５１０の樹脂注入する際、搭載面に大気、水分が入りやすい。この状態で加熱硬化した場合、内在する大気、水分により搭載面の絶縁部（ＲＣＣ樹脂）５０９が酸化されてしまう。このため、透光性封止体５１０の加熱硬化工程は、不活性ガス雰囲気下で行うことが望ましい。
【００９０】
本実施の形態においては、図２に示すように、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａに垂直な方向から見たとき、絶縁部５０９とダイボンドエリア・電極共通部５０７との界面は、直線となっている。但し、実装面における金属反射板５０２で囲まれた領域内において、アイランド電極５０８を囲む絶縁部５０９はできる限り狭く形成し、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部５０７が占める割合を多くする方が、光の利用効率の面で好ましい。
【００９１】
よって、まとめると、第２層５２２では、金属反射板５０２と一体化するように積層化され、アイランド電極５０８とは絶縁部５０９を挟んで形成されているダイボンドエリア・電極共通部５０７と、絶縁部５０９に囲まれて形成されているアイランド電極５０８とが形成されている。
【００９２】
第３層５２３は、第２層５２２と後述する第４層５２４との間を電気的に接続するために設けられており、第２層５２２に絶縁部５０９を形成する際に、絶縁部５０９の接着度を高める機能も有している。
【００９３】
上記接着層としての第３層５２３を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち、上記接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される上記絶縁部５０９の樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、絶縁部５０９の樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層５０９ｃを設けることが特に好ましい。
【００９４】
絶縁部５０９が形成されておらず、ダイボンドエリア・電極共通部５０７およびアイランド電極５０８が形成されたパターニング面では、ダイボンドエリア・電極共通部５０７およびアイランド電極５０８の外縁のみにエッチングされた厚み（段差）がある状態である。この場合、絶縁部５０９を形成するために上記厚みと同じ厚みの絶縁材を、パターニング面に貼り合わせプレスしても、接着面が平面であるので剥がれるおそれがある。
【００９５】
そこで、第２層５２２のエッチングされた外縁よりも内側に、エッチングされた外縁を有する導電部５３１および導電部５３２を備える第３層５２３を追加することによって、絶縁部５０９との接触面積を増やし、絶縁部５０９の接着性を向上させている。
【００９６】
なお、アノードとカソードとの分離を確実にするためには、アイランド電極５０８の形成領域の直下の導電部５３２は、アイランド電極５０８よりも小さくする形成する必要がある。
【００９７】
次に、中間層５０４の構成について説明する。
【００９８】
中間層５０４は、実装面側から第４層５２４、第５層５２５、第６層５２６が積層された３層積層構造を有している。中間層５０４は、第３層５２３と、後述する第５層５２５および第６層５２６に形成された貫通孔５１５および貫通孔５１６に形成される各電極部とを電気的に接続するものである。
【００９９】
第４層５２４は、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と電気的に接続される導電部５３３と、アイランド電極５０８と電気的に接続される導電部５３４とが接触しないように形成されている。導電部５３３は、第３層５２３における導電部５３１の形成領域全体を覆うように形成されている。同様に、導電部５３４は、第３層５２３における導電部５３２の形成領域全体を覆うように形成されている。ここで、導電部５３３および導電部５３４は、発光素子５００をダイシングする際に、バリの発生による損傷を防止するために、ダイシングのマージンを確保するように形成している。
【０１００】
第５層５２５は、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と電気的に接続される導電部５３５と、アイランド電極５０８と電気的に接続される導電部５３６とが接触しないように形成されている。
【０１０１】
第６層５２６は、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と電気的に接続される導電部５３７と、アイランド電極５０８と電気的に接続される導電部５３８とが、接触しないように形成されている。
【０１０２】
導電部５３７および導電部５３８は、後述する貫通孔５１５および貫通孔５１６に銅めっき５１７を施す際に、貫通孔５１５および貫通孔５１６の隙間から銅が漏れないようにするために、貫通孔５１５および貫通孔５１６の面方向の幅よりも大きい幅で、貫通孔５１５および貫通孔５１６を覆うように形成している。
【０１０３】
次に、裏面層５０５について説明する。
【０１０４】
裏面層５０５は、実装面側から第７層５２７と第８層５２８とが積層された２層積層構造を有している。第７層５２７および第８層５２８は、ガラエポ基板等の張り合わせ基材からなり、粘着テープ５１４ａを用いて積層されている。
【０１０５】
第７層５２７および第８層５２８の２層構造の裏面層５０５には、貫通孔５１５および貫通孔５１６が形成されている。貫通孔５１５および貫通孔５１６は、それぞれ、ダイボンドエリア・電極共通部５０７に接続されたカソード電極、アイランド電極５０８に接続されたアノード電極に対して、配線を行う部分である。貫通孔５１５および貫通孔５１６は、それぞれダイボンドエリア・電極共通部５０７、アイランド電極５０８の下層側に設けられている。
【０１０６】
貫通孔５１５および貫通孔５１６は、アノードとカソードとの熱容量を同じにするために実装面の中心ｃ１から等距離（ｄ１＝ｄ２）になるように配置され、ドリル加工により形成される。
【０１０７】
これは、裏面電極（後述する裏面電極５１８および裏面電極５１９）と外部電極とを接続するために、はんだ付けを行う際、裏面電極においてアノード側とカソード側とで面積が異なり、熱容量に差が生じると、はんだの溶け具合に偏りが生じてしまい、はんだ付け不良が発生してしまうことに起因する。
【０１０８】
さらに、アノード電極とカソード電極との積層基板５０６裏面での離間部分は、実装面の中心ｃ１に対して、アノード電極とカソード電極とが等距離（ｄ３＝ｄ４）になるように配置されている。但し、上記貫通孔５１５および貫通孔５１６の径は、ダイシングのマージンを確保し、めっき不良を起こさないように、設計に応じて決めればよい。
【０１０９】
以上のように、第７層５２７と第８層５２８とが積層されてなる裏面層５０５は、粘着テープ５１４ｂを介して第６層５２６にプレスにより貼り付けられる。ここで、貫通孔５１５および貫通孔５１６は、第６層５２６の導電部５３７および導電部５３８によって覆われるように形成される。
【０１１０】
この状態で、貫通孔５１５および貫通孔５１６には、それぞれの内周面に銅めっき５１７を施している。さらに、第６層５２６の導電部５３７および導電部５３８は、貫通孔５１５および貫通孔５１６を覆うように貼り付けられているので、貫通孔５１５および貫通孔５１６の内側に露出した第６層５２６の導電部５３７および導電部５３８にも銅メッキが施されている。
【０１１１】
また、第８層５２８の下面にも銅めっき５１７が形成される。そして、貫通孔５１５と貫通孔５１６との間の銅めっき５１７がエッチングされる。これにより、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と電気的に接続される裏面電極５１８、およびアイランド電極５０８と電気的に接続される裏面電極５１９が形成される。裏面電極５１８および裏面電極５１９には、後述する金属反射板５０２の内周側の表面５０２ａに銀めっき５１２を施す際に、銀めっき５１２が形成されている。
【０１１２】
金属反射板５０２は、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａから出射された光を反射し、光出射面５１３へと導くように構成されている。また、金属反射板５０２は、銅からなり、ＬＥＤチップ５０１およびアイランド電極５０８を囲むように、基板の実装面に、積層基板５０６と一体的に形成されている。詳細には、金属反射板５０２は、内周側はダイボンドエリア・電極共通部５０７が一部露出するように、ダイボンドエリア・電極共通部５０７と一体的に形成されている。
【０１１３】
図２に示すように、金属反射板５０２は、側面の内側表面５０２ａが、積層方向に弓形の断面を有するように形成されている。
【０１１４】
なお、金属反射板５０２の内周側の形状は、略直方体の金属反射板をエッチングすることによって形成される。または、金属箔をプレス加工することにより凹形状を形成し、凹形状をエッチングすることによって金属反射板５０２の内周側の形状を形成してもよい。これにより、すでに形成された凹形状にエッチングするので、より容易に金属反射板５０２の内周側の形状を形成することが可能となる。
【０１１５】
金属反射板５０２の外周側の側面は、ウェットエッチング形成されるため、積層基板５０６に垂直な断面の形状が、なだらかな曲線状に形成されている。詳細には、上端から下端に向かって、ＬＥＤチップ５０１から遠ざかるようななだらかな曲線状に形成されている。
【０１１６】
透光性封止体５１０は、積層基板５０６と金属反射板５０２とで囲まれる内部空間を封止するように形成している。また、透光性封止体５１０は、樹脂からなり、本実施の形態では、シリコーンが用いられている。ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａから発せられた光は、透光性封止体５１０の光出射方向に設けられた光出射面５１３から出射される。
【０１１７】
金属反射板５０２の上面、および内周側の表面５０２ａには、銀メッキ５１２が施されている。銀は青色光の反射率が非常に高いため、このように、銀メッキ５１２を施すことで、ＬＥＤチップ５０１から出射された光を効率よく反射し、光出射面５１３へと導くことができる。
【０１１８】
なお、透光性封止体５１０は、ＬＥＤチップ５０１、ワイヤ５１１、および銀メッキ５１２を保護する機能を有している。
上述の通り、金属反射板５０２には、上述の通り、ＬＥＤチップ５０１からの発光を効率よく反射させるために、青色光の反射率が高い銀メッキ５１２を施している。しかし、銀は反応性が高いため、腐食性のガスなどによって、変色、劣化しやすい。そこで、悪条件においても、銀が反応したり剥がれ落ちたりすることを防止するために、透光性封止体５１０によって保護している。
本実施の形態では、上述の通り、上記実装面と金属反射板５０２で囲まれた領域におけるＬＥＤチップ５０１からの光の出射方向の上端部が光出射面５１３として開口されており、透光性封止体５１０が上記領域を充填するように形成されている。さらに、上記領域における、光出射面５１３（上端開口部）と底面となる実装面との間の中段部に、面方向の断面の最大幅が光出射面５１３の面方向の最大幅よりも大きくなる領域を有し、該中段部から光出射面５１３に向かって開口が絞られている。
【０１１９】
また、銀メッキ５１２が施された金属反射板５０２の内周面５０２ａおよびダイボンドエリア・電極共通部５０７およびアイランド電極５０８の銀メッキ５１２が施された領域における透光性封止体５１０と接触する内周面は、凹凸に荒らされている。
凹凸形状としては、シャープな山と谷とが連続した形状が好ましい。表面を荒らす方法は、一般的に従来から用いられている様々な方法を用いればよく、例えば、金属反射板５０２をエッチングして形成する工程や、同工程後、金属反射板５０２と第２層５２２との間に設けられているニッケル層（図示しない）を実装面で除去するエッチング工程の際、エッチャントやエッチング条件を通常の場合と変更し、金属反射板５０２の表面が荒れるようにすることで形成することができる。
【０１２０】
銀メッキ５１２は、上記のように、反応性が高く劣化・腐食し易いため、銀メッキ５１２を保護し、剥離、劣化を防止する必要がある。そこで、本実施の形態では、上記の構成により、透光性封止体５１０を銀メッキ５１２に密着させ、透光性封止体５１０の保護膜としての機能を向上させている。
【０１２１】
また、透光性封止体５１０には、蛍光体が含有されている。これにより、ＬＥＤチップ５０１から発した青色光が、透光性封止体５１０内で、黄色光に変換される。それゆえ、ＬＥＤチップ５０１から発した青色光と蛍光体から発した黄色光との合成によって、光出射面５１３から白色光を出射することが可能となっている。
【０１２２】
なお、ＬＥＤチップ５０１から発した青色光から白色光を得る場合、上記のように黄色蛍光体を用いる方法や、緑色蛍光体と赤色蛍光体とを用いる方法などがある。上記を組み合わせると、光が混合されて白色光を得ることが可能である。
【０１２３】
次に、上記構成を有する発光素子５００において、ＬＥＤチップ５０１からの発光が進む方向について説明する。
【０１２４】
まず、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａから発せられる光は、光出射面５１３から光のロス無しで効率よく出射されることが望まれる。上述したように、基本的に、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａからの出射光強度が最大となる方向は、発光面５０１ａに垂直な上方向である。そこで、透光性封止体５１０の光出射面５１３は、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａに対向するように設けられているので、光出射面５１３の配置は最も好適である。
【０１２５】
しかしながら、詳細には、ＬＥＤチップ５０１の発光面５０１ａから発せられる光は、発光面５０１ａから放射状に発せられている。しかも、光は、透光性封止体５１０を透過している途中で、蛍光体によって波長が変換されると共に、変換した光は散乱されて発せられる。それゆえ、光は、１８０度のうちいずれかの方向に進むことになる。
【０１２６】
金属反射板５０２は、分断されることなく全周を囲む形状を有しているので、金属反射板５０２の方向へ進んだ光は、金属反射板５０２からは外部に漏れることなく、金属反射板５０２の表面５０２ａにおいて反射する。そして、上記光は、一回または複数回、反射を繰り返すことによって、透光性封止体５１０の光出射面５１３から出射される。
【０１２７】
なお、蛍光体は底に沈む性質があるので、透光性封止体５１０の内部では、基板側に蛍光体が沈む傾向がある。しかしながら、本実施の形態の発光素子５００では、金属反射板５０２によって光が反射されて、基板方向に進めることが可能である。それゆえ、蛍光体を有効活用することも可能となる。
【０１２８】
一方、ＬＥＤチップ５０１から発せられる全ての光が光出射面５１３に到達するとは限らず、積層基板５０６の方向に進む光も生じている。ここで、この場合の光の経路について、詳細に説明する。
【０１２９】
積層基板５０６が樹脂によって構成されていると、樹脂は光透過性を有しているため、光を透過させてしまう。この対策として、積層基板のいずれかの層において金属を形成し、透過されて積層方向（つまりは、発光面５０１ａ側と反対側の積層方向）から漏れる光を抑制することも考えられる。
【０１３０】
しかしながら、製造工程において、発光素子５００は最終的にダイシングにより分離されている。このダイシングにより形成された端面は、各層の端部が露出している状態である。それゆえ、層内を進んだ光が上記端面から出射される。
【０１３１】
すなわち、発光素子５００のパッケージを略直方体とするとき、重心の位置をＬＥＤチップ５０１、ある１面を光出射面５１３とする。この場合、光出射面５１３と９０度をなす４つの面から光が漏れることになる。
【０１３２】
本実施の形態では、光漏れを抑制するために、実装面における金属反射板５０２で囲まれた領域内に、ダイボンドエリア・電極共通部５０７、およびアイランド電極５０８を絶縁部５０９で囲まれるように形成し、ダイボンドエリア・電極共通部５０７を該絶縁部５０９の外側の領域に広く形成している。
【０１３３】
発光素子から漏れた光は、迷光となり、発光素子が液晶パネルのバックライトなどの光源として組み込まれたとき、液晶パネルの表示に対して不要光となる。また、不要光を光源部で取除いた場合でも、光損失が発生することとなる。それゆえ、ＬＥＤチップからの出射光を効率的に用いることができない。
【０１３４】
また、迷光は発光素子の外部の他の部材に吸収されるので、全体的に多大なエネルギーの損失になってしまい、同様に、ＬＥＤチップからの発光を有効的に使用できなくなってしまう。
【０１３５】
金属は、光を反射させる。それゆえ、光が積層基板５０６側の方向に進んできても、金属反射板５０２で囲まれた実装面での、金属が形成される領域が広くなっているので、積層基板５０６を透過させずに、再度反射させて、光出射面５１３の方向に進む光を増加させることが可能となる。また、積層基板５０６の内部に透過されてゆく光を、より抑制することが可能となる。
【０１３６】
本実施の形態に係る発光素子５００は、ＬＥＤチップ５０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板５０２が、ＬＥＤチップ５０１の光出射方向に立設し、ＬＥＤチップ５０１の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップ５０１から周囲に放出される光を、金属反射板５０２で反射させ光出射面５１３へ効率良く導くことができる。これにより、発光素子５００の側面側からの光漏れを抑制し、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０１３７】
また、実装面上の金属反射板５０２で囲まれた領域内には、アイランド電極５０８をダイボンドエリア・電極共通部５０７から絶縁するための絶縁部５０９の形成領域外に、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部５０７が形成されている。このため、上ＬＥＤチップ５０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、ダイボンドエリア・電極共通部５０７によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３側へ導くことができる。このため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から外部へもれる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０１３８】
また、本実施の形態の発光素子５００では、ＬＥＤチップ５０１が発光することによって、ＬＥＤチップ５０１に熱が生じる。しかしながら、ＬＥＤチップ５０１は、広く形成されたダイボンドエリア・電極共通部５０７に実装され、かつ、ダイボンドエリア・電極共通部５０７は金属反射板５０２と一体成形されている。このため、本実施の形態にかかる発光素子５００は、放熱性にも優れ、熱により素子を構成する各部材または素子そのものが損傷するといった問題の発生を低減することができる。
【０１３９】
また、上記発光素子５００の透光性封止体５１０に用いられるシリコーンは、接着性が弱いため、平面に貼り付けただけでは剥がれるおそれがある。
【０１４０】
しかしながら、本実施の形態の発光素子５００では、上述の通り、金属反射板５０２が、光出射面５１３としての光出射方向上端の開口部が、該開口部と実装面側の底面部との間の中段部よりも狭く絞られている。このため、透光性封止体５１０を、発光素子５００から剥がれ落ちることを防止している。
【０１４１】
さらに、金属反射板５０２における、銀メッキ５１２が施された透光性封止体５１０と接触する内周面に凹凸が形成されている。このように、透光性封止体５１０と金属反射板５０２との接触面積を大きくしているため、透光性封止体５１０と金属反射板５０２との密着度が高まり、透光性封止体５１０が剥がれ落ちるといった問題を抑制している。
【０１４２】
また、図２に示すように、少なくとも裏面電極５１９は、アイランド電極５０８を囲むように形成された絶縁部５０９の形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うように形成されていることが望ましい。これにより、ＬＥＤチップ５０１から出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、絶縁部５０９を介して基板を通過して裏面側から素子外部へ逃げることを防止することができる。これにより、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０１４３】
これにより、積層基板５０６を透過してきた光を反射して、外部まで透過することを防止する。それゆえ、光の漏れを抑制することが可能となる。
【０１４４】
アイランド電極５０８は、第４層５２４に形成された導電部５３４を介して裏面電極５１９と接続されている。ここで、導電部５３４が、絶縁部５０９の形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うよう形成されていることが望ましい。
【０１４５】
このように、絶縁部５０９を、裏面電極５１９よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている導電部５３４で覆うように形成することで、より効果的に絶縁部５０９を通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。
【０１４６】
また、導電部５３４は、金属反射板５０２の内周側における、アイランド電極５０８を囲むように形成された絶縁部５０９をカバーするようなサイズで、絶縁部５０９をカバーするように配置することが好ましい。これにより、積層基板５０６を透過してきた光を反射して、裏面層５０５まで透過することを防止する。それゆえ、光の漏れをより抑制することが可能となる。
【０１４７】
また、積層基板５０６の第８層５２８には、四隅に切り欠き５３９が設けられている。そして、この切り欠き５３９にも、銅めっき５１７が形成されている。
【０１４８】
上記の構成の場合、最終的に発光素子５００をダイシングする際、切り欠き５３９に形成された銅めっき部分にもダイシングすることになる。それゆえ、切断された側面の銅めっき部分にバリが発生する。このため、バリから生じた金属ヒゲが、金属反射板５０２に接触してしまい、短絡が発生してしまうことがある。
【０１４９】
そこで、金属反射板５０２の外周面の最も大きい外縁を、切り欠き５３９の形成位置よりも内側に配置させることにより、上記のような短絡の発生を防止することができる。
【０１５０】
具体的には、上記金属ヒゲが、最大で裏面層５０５の厚さと等しい長さとなるため、金属反射板５０２の外周面の大きい外縁と切り欠き５３９の距離をＡ、金属反射板５０２と裏面層５０５との間の厚さ（第２層５２２から第７層５２７までの厚さ）をＢ、裏面層５０５の厚さをＣとした時、
Ａ＞Ｃ−Ｂ
となるように設計することが望ましい。
【０１５１】
また、金属反射板５０２の開口部、および外周側の側面形状は、エッチングしやすい形状や設計に応じて決定すればよい。図４では、他の外周側の形状を有する金属反射板５４１を示している。図５では、他の外周側の形状を有する金属反射板５４２、および開口部５４３を示している。
【０１５２】
さらに、光源の小型化の要望からできるだけ発光素子の外形サイズは、小さくすることが望ましい。一方、光源の発光面積を確保するため、金属反射板５０２の開口部は、素子の小型化を実現しつつ、できる限り大きく設計することが望ましい。
【０１５３】
〔第２実施形態〕
本発明の他の実施の形態について図６ないし図１４および図２３ないし図２６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０１５４】
本実施の形態の発光素子６００は、第１実施形態の発光素子５００が奏する効果に加えて、さらに光漏れ防止効果に優れ、また、積層基板６０６の積層数が削減された構成となっている。以下では、これらの効果を奏する構成および作用に重点をおいて説明する。
【０１５５】
前記第１実施形態の発光素子５００では、絶縁部５０９は、ダイボンドエリア・電極共通部５０７との界面が、光出射面に垂直な方向から見たとき、直線となっていた。
【０１５６】
本実施の形態では、図６、図７および図２３に示すように、実装面における金属反射板５０２で囲まれた領域内において、アイランド電極６０８をダイボンドエリア・電極共通部６０７と電気的に絶縁する絶縁部６０９を、アイランド電極６０８の外周を取り囲むように環状に形成しているため、より小さい面積でアイランド電極６０８をダイボンドエリア・電極共通部６０７から絶縁させることができる。
【０１５７】
また、アイランド電極６０８をダイボンドエリア・電極共通部６０７から電気的に絶縁するための絶縁部６０９を囲むようにダイボンドエリア・電極共通部６０７が形成されているため、絶縁部６０９と金属反射板５０２との間にはダイボンドエリア・電極共通部６０７が介在している。このため、金属反射板５０２の形成工程において、位置ズレが生じた場合であっても、絶縁部６０９の形状、面積が影響を受けることがなく、絶縁部６０９からの光漏れ量がばらつくことはない。さらに、金属反射板５０２とダイボンドエリア・電極共通部６０７、第２アイランド電極６０８との絶縁をとるための離間距離をプロセス上のアライメント誤差を気にすることなく、最短にでき、絶縁部６０９の領域を最小に設計できる。このため、絶縁部６０９からの光の漏れをより効果的に防止することができ、金属反射板５０２から基板側に向かう光を、実装面金属反射膜によってより効率的に光出射面５１３側へ反射させることができる。この結果、光利用効率および放熱性の更なる向上を図ることができる。
【０１５８】
すなわち、実装面上における金属反射板５０２で囲まれた領域内で、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部６０７を、絶縁部６０９を介してアイランド電極６０８を取り囲むように広く全面に形成することができるため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から外部へ漏れる光の量を、第１実施形態の構成よりもさらに低減することができる。
【０１５９】
図６は、本実施の形態の発光素子６００の一構成例を示す斜視図である。
【０１６０】
本実施の形態に係る発光素子６００は、図６に示すように、ＬＥＤチップ５０１、金属反射板５０２、積層基板６０６（表面層６０３、中間層６０４、および裏面層６０５）、および透光性封止体５１０を備えている。
【０１６１】
表面層６０３には、ダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）６０７、アイランド電極（第２金属部）６０８、および絶縁リング（第２絶縁部）６０９が形成されている。
【０１６２】
上述の通り、絶縁リング６０９は、アイランド電極６０８の外周を取り囲むように環状（ドーナツ型）に形成されている。このため、実装面における金属反射板５０２で囲まれた領域内に、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）６０７を、絶縁リング６０９を介してアイランド電極６０８の外周を取り囲むように広く全面に形成したとしても、当該領域の他の部位からアイランド電極６０８を絶縁させることができるため、ＬＥＤチップ５０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記実装面金属反射膜によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３の側へ導くことができる。このため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から素子外部へ逃げる光の量を低減することができ、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０１６３】
絶縁リング６０９は、第１実施形態の絶縁部５０９と同様に、エポキシ樹脂等のＲＣＣ樹脂から形成されている。さらに、ＲＣＣ樹脂は、４００ｎｍ〜８５０ｎｍの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーを含んでいる。ＲＣＣ樹脂は、上記波長領域での光反射率が５０パーセント以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。
【０１６４】
しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板５０２や透光性封止体５１０、絶縁リング６０９を酸化させる危険性がある（酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする）。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体５１０の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体５１０の剥離させる危険性がある。ここで、上記ＬＥＤチップ５０１を封止する透光性封止体５１０は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。
【０１６５】
したがって、ＬＥＤチップ５０１の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させるため望ましい。
【０１６６】
そこで、絶縁リング６０９は、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、エポキシ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。
【０１６７】
絶縁リング６０９の形成工程については、前述の第１実施形態の絶縁部５０９と同様の方法にて形成することができるため、ここでの説明は省略する。
【０１６８】
このように、絶縁リング６０９に、光反射性フィラーを含むＲＣＣ樹脂を用いることにより、ＬＥＤチップ５０１から出射されて絶縁リング６０９に入射する光をおよびＬＥＤチップ５０１を封止する透光性封止体５１０に含有される蛍光体から放出され絶縁リング６０９に入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、絶縁リング６０９に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【０１６９】
また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であってもが、絶縁リング６０９の全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板５０２、透光性封止体５１０、絶縁リング６０９の酸化や、透光性封止体５１０の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０１７０】
すなわち、絶縁リング６０９に吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【０１７１】
また、上記ＲＣＣ樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、絶縁リング６０９に用いる樹脂の変質（黄変化）を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。
【０１７２】
また、本実施の形態に係る発光素子６００は、放熱性の低い樹脂形成領域を削減し、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部６０７を広く形成することで、放熱性の向上の効果も得ることができる。さらに、第１実施形態と同様に、ダイボンドエリア・電極共通部６０７が、金属反射板５０２と一体的に形成されているため、金属反射板５０２で発生した熱を効率よく外部へ逃がすことができる。
【０１７３】
また、本実施の形態の発光素子６００の積層基板６０６は、第１実施形態の発光素子５００の積層基板５０６よりも積層数が少ない構成としている。これについて、図７および図８を参照しながら、説明する。なお、積層基板６０６と、金属反射板５０２に積層基板６０６が積層されて一体型に形成されるので、金属反射板５０２を第１層６２１として、以下に説明する。
【０１７４】
図７は、発光素子６００の詳細な構成を示す断面図である。
【０１７５】
図８は、金属反射板５０２と、積層基板６０６の各層とのエッチングパターン例を示している。図８中、（ａ）は第１層６２１を示し、（ｂ）は第２層６２２を示し、（ｃ）は第３層６２３を示し、（ｄ）は第４層６２４を示し、（ｅ）は第５層６２５を示し、（ｆ）は第６層６２６を示している。
【０１７６】
表面層６０３は、実装面側から、第２層６２２と第３層６２３とが積層された２層構造を有している。
【０１７７】
第２層６２２（実装面）には、ＬＥＤチップ５０１に駆動電流を供給する電極端子として、ＬＥＤチップ５０１とそれぞれ接続されるダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部）６０７とアイランド電極（第２金属部）６０８とが形成されている。また、アイランド電極６０８を、ダイボンドエリア・電極共通部６０７から電気的に絶縁するための絶縁リング６０９が、アイランド電極６０８の外周を取り囲むように環状に形成されている。
【０１７８】
第１実施形態と異なり、本実施の形態の実装面には、ダイボンドエリア・電極共通部６０７が、絶縁リング６０９を介してアイランド電極６０８の外周を取り囲むように形成されている。すなわち、実装面に形成された金属反射膜６０２と絶縁部６０９との間にも、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部６０７が形成されている。
【０１７９】
なお、ダイボンドエリア・電極共通部６０７、アイランド電極６０８、および絶縁リング６０９は、上述した形状以外は、第１実施形態のダイボンドエリア・電極共通部５０７、アイランド電極５０８、および絶縁部５０９と同様の構成を有している。
【０１８０】
第３層６２３は、第２層６２２と後述する第４層６２４とを電気的に接続するために設けられた層であり、第２層６２２に絶縁部を形成する際に、絶縁部６０９の接着度を高める機能も有している。
【０１８１】
上記接着層としての第３層６２３を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち、接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される上記絶縁リング６０９の樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、絶縁リング６０９の樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層５０９ｃを設けることが特に好ましい。
【０１８２】
また、第３層６２３には、実装面に形成された各電極と、裏面電極とを電気的に接続するための導電部６３１および導電部６３２が形成されている。導電部６３１および導電部６３２は、第１実施形態の導電部５３１および導電部５３２と基本的に同様の構成を有している。導電部６３１および導電部６３２の形成領域は、ダイボンドエリア・電極共通部６０７およびアイランド電極６０８の形状等に応じて適宜選択される。
【０１８３】
次に、中間層６０４について説明する。
【０１８４】
本実施の形態における中間層６０４は、第４層６２４のみからなる点において、第１実施形態の３層積層構造を有する中間層５０４を備えた積層基板５０６と異なっている。
【０１８５】
第４層６２４は、第３層６２３と、後述する第５層６２５と第６層６２６とに形成された貫通孔５１５および貫通孔５１６に形成される裏面電極５１８および裏面電極５１９とを電気的に接続するために設けられている。
【０１８６】
また、第４層６２４は、ダイボンドエリア・電極共通部６０７と電気的に接続されている導電部６３３と、アイランド電極６０８と電気的に接続されている導電部６３４とが、接触しないように形成されている。
【０１８７】
導電部６３３は、貫通孔５１５を銅メッキする際に、銅が漏れないようにするために、貫通孔５１５全体を覆うように形成されている。すなわち、導電部６３３は、貫通孔５１５を蓋する役割を有している。なお、発光素子６００をダイシングする際に、バリが発生する可能性があるが、導電部６３３は金属反射板５０２と同電位であるため、バリの接触による短絡の問題は生じない。
【０１８８】
導電部６３４は、第３層６２３における導電部６３２の形成領域全体を覆い、かつ、貫通孔５１６よりも面方向に小さい幅に形成されている。導電部６３４は、発光素子６００をダイシングする際に、バリの発生による損傷を防止するために、ダイシングのマージンを確保して形成されている。
【０１８９】
次に裏面層６０５について説明する。
裏面層６０５は、実装面側から第５層６２５と第６層６２６とが積層された２層積層構造を有している。第５層６２５および第６層６２６の構成は、第１実施形態の第７層５２７および第８層５２８とそれぞれ同様の構成を有している。
【０１９０】
第５層６２５と第６層６２６と積層された裏面層６０５は、粘着テープを介して第４層６２４上にプレスにより貼り付けられる。ここで、貫通孔５１５が、第４層６２４の導電部６３３によって覆われるように形成される。
【０１９１】
一方、貫通孔５１６は、第４層６２４の導電部６３４を内部に納め、第３層６２３で覆われるように形成される。このように、第４層６２４の導電部６３４の面方向の幅を、貫通孔５１６の面方向の幅よりも小さくすることによって、貫通孔５１６を第３層６２３で塞ぐことができる。積層一体化された第５層６２５および第６層６２６は、第４層６２４に対して、幾何学的には、単に導電部６３３でのみで面接触することになり、加圧すれば、導電部６３３の段差部分を支点に傾いて隙間が生じると考えられるが、導電部６３３および粘着テープの厚みを適宜調整することにより、積層一体化された第５層６２５および第６層６２６が傾くことなく平坦に第４層６２４に接着でき、これにより、後述する銅メッキ５１７の形成工程において、銅の漏れを防止することができる。
【０１９２】
この状態で、貫通孔５１５および貫通孔５１６は、それぞれの内周面に銅メッキ５１７が形成される。そして、第４層６２４の導電部６３３は、貫通孔５１５を覆うように形成されているので、銅メッキ５１７は第４層６２４の導電部６３３にも形成される。また、第３層６２３および第４層６２４の導電部６３４は、貫通孔５１６を覆うように形成されているので、銅メッキ５１７は、第３層６２３および第４層６２４の導電部６３４にも形成される。これにより、発光素子６００の外部接続電極端子としての裏面電極５１８および裏面電極５１９が形成されている。
【０１９３】
積層基板６０６は、上記のように、第４層６２４の導電部６３４を貫通孔５１６よりも小さくし、導電部６３３および粘着テープの厚みを適宜調整することにより、積層数の削減を実現している。本実施の形態に係る発光素子６００は、これにより、小型化および製造コストの削減を図ることができる。
【０１９４】
第１実施形態と同様に、金属反射板５０２の開口部、および外周側の側面形状は、エッチングしやすい形状、設計に応じて決定すればよい。例えば、図９は、他の外周側の形状を有する金属反射板６４１を示しており、図１０は、さらに他の外周側の形状を有する金属反射板６４２および開口部６４３を示している。
【０１９５】
また、発光素子６００は、外部接続電極端子として、裏面電極５１８および裏面電極５１９を、光出射面と反対側の裏面側に形成している。しかしながら、本実施の形態は、これに限らず、これらの外部接続電極端子を光出射面側に設ける構成としてもよい。
【０１９６】
すなわち、図１１および図１２に示すように、外部接合電極７１１および外部接合電極７１２が、金属反射板５０２と一体成形することによって形成される。これにより、領域Ｐおよび領域Ｑを半田接合面として用いることが可能になるので、半田のぬれ性を向上させることができる。
【０１９７】
ところが、外部接合電極７１１および外部接合電極７１２を形成することによって、発光素子のパッケージサイズが大きくなっている。これに対して、発光素子のパッケージサイズを小さくした構成を図１３および図１４に示す。
【０１９８】
図１３および図１４に示す構成では、金属反射板５０２と外部接合電極７１１とを一体化した一体型外部接合電極７５１を備えることによって、発光素子のパッケージを小型化している。
【０１９９】
なお、ＬＥＤチップ５０１を１つ備えた構成について説明したが、本実施の形態は、これに限らず、図２４に示す発光素子６００ａ、図２５に示す発光素子６００ｂ、図２６に示す発光素子６００ｃのように、ＬＥＤチップを２つ以上備えた構成にも適応することができる。
【０２００】
図２３ないし図２６の構成では、アイランド電極６０８の電位と、金属反射板５０２で囲まれたダイボンドエリア・電極共通部６０７を含む他の領域の電位とが異なる構成となる。
【０２０１】
このように、１つの発光素子内に複数のＬＥＤチップを適宜配置し、塔載することで、素子の構成を大型化することなく、光出射強度を向上させることができる。なお、ＬＥＤチップの搭載数は、４つを上限とするものではなく、大きい素子基板を備えた構成では、ＬＥＤチップの搭載数を、さらに増やすことも可能である。
【０２０２】
〔第３実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１７、図１８および図２７ないし図３１に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０２０３】
本実施の形態に係る発光素子７００は、前述の第１実施形態の発光素子５００の積層基板５０６と同様の積層基板を備えている。
【０２０４】
図１７に示すように、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップ７０１とそれぞれ接続される何れの電極もアイランド電極となっている。すなわち、ＬＥＤチップ７０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板７０２が、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する何れの電極からも電気的に絶縁されている点で前述の第１実施形態と異なっている。
【０２０５】
本実施の形態では、第１アイランド電極（第１金属部）７０７に、ＬＥＤチップ５０１のカソード電極が接続され、第２アイランド電極（第２金属部）７０８にアノード電極が接続される。
【０２０６】
第１アイランド電極７０７は、その外周を取り囲むように環状に形成された第１絶縁部７０９ａによって、実装面における金属反射板７０２で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
【０２０７】
第２アイランド電極７０８は、第１実施形態のアイランド電極５０８と同様にその外周を取り囲むように環状に形成された第２絶縁部７０９ｂによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
【０２０８】
さらに、上記領域内における第１絶縁部７０９ａと第２絶縁部７０９ｂの外側の領域全体に実装面金属反射膜７２０が形成されている。
【０２０９】
第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂは、第１実施形態の絶縁部５０９および第２実施形態の絶縁リング６０９と同様に、エポキシ樹脂等のＲＣＣ樹脂から形成されている。上記ＲＣＣ樹脂は、４００ｎｍ〜８５０ｎｍの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーを含んでいる。ＲＣＣ樹脂は、上記波長領域での光反射率が５０パーセント以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。
【０２１０】
しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板７０２や透光性封止体５１０、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂを酸化させる危険性がある（酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする）。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体５１０の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体５１０の剥離させる危険性がある。ここで、上記ＬＥＤチップ７０１を封止する透光性封止体５１０は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。
【０２１１】
したがって、ＬＥＤチップ７０１の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させるため望ましい。
また、上記接着層としての第３層６２３を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち、接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂの樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂの樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層５０９ｃを設けることが特に好ましい。
【０２１２】
そこで、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、ＲＣＣ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。
【０２１３】
第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂの形成工程については、前述の第１実施形態の絶縁部５０９と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。
【０２１４】
また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であっても、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂの全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板７０２、透光性封止体５１０、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂの酸化や、透光性封止体５１０の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０２１５】
すなわち、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂに吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【０２１６】
このように、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂに、光反射性フィラーを含む樹脂を用いることにより、ＬＥＤチップ７０１から出射されて第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂに入射する光をおよびＬＥＤチップ７０１を封止する透光性封止体５１０に含有される蛍光体から放出され第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂに入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂに入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【０２１７】
また、上記ＲＣＣ樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂに用いる樹脂の変質（黄変化）を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。
【０２１８】
また、発光素子７００は、前述の第１実施形態および第２実施形態と同様に、ＬＥＤチップ７０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板７０２が、ＬＥＤチップ７０１の光出射方向に立設し、ＬＥＤチップ７０１の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップ７０１から周囲に放出される光を、金属反射板７０２で反射させ光出射面５１３へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０２１９】
また、第１絶縁部７０９ａと金属反射板７０２と間および第２絶縁部７０９ｂと金属反射板７０２との間には実装面金属反射膜７２０が介在している。このため、金属反射板７０２の形成工程において、位置ズレが生じた場合であっても、実装面金属反射膜７２０によってズレを吸収することができるため、上記位置ズレによって第１絶縁部７０９ａ、第２絶縁部７０９ｂの形状、面積が影響を受けることがなく、上記基板実装面上に形成される第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂの各面積を小さくしても、第１アイランド電極７０７および第２アイランド電極７０８の絶縁状態を確保することができる。したがって、上記の構成によれば、上記実装面上に形成される第１絶縁部７０９ａ、第２絶縁部７０９ｂの各面積をより小さくすることができ、これらの絶縁部を介してアイランド電極７０７および第２アイランド電極７０８を取り囲む実装面金属反射膜７２０をより広い面積に形成することができる。このため、第２絶縁部７０９ｂからの光の漏れをより効果的に防止することができ、金属反射板７０２から基板側に向かう光を、上記実装面金属反射膜によってより効率的に光出射面５１３側へ反射させることができる。この結果、光利用効率および放熱性の更なる向上を図ることができる。
さらに、本実施の形態に係る金属反射板７０２は、上述の通り、第１アイランド電極７０７と第２アイランド電極７０８の何れからも電気的に絶縁されている。このため、図１８に示すように、本発光素子７００を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体４００に実装する際に、金属反射板７０２が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、筐体４００に金属反射板７０２を接触させた状態で実装することができる。これにより、金属反射板７０２で発生した熱を、効率よく発光素子７００の外部へ逃がすことができる。
さらに、本実施の形態に係る発光素子７００は、図１８に示すように、金属反射板７０２の外周面の少なくとも一部と、積層基板５０６の底面を含む素子外周面上に、金属反射板７０２で発生した熱を外部に逃がすための放熱シート７４０が形成されている。
【０２２０】
これにより、金属反射板７０２で発生した熱を、放熱シート７４０を介してより効率的に外部へ逃がすことができる。
【０２２１】
放熱シート７４０としては、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本実施の形態にかかる金属反射板７０２は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、金属反射板７０２で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。なお、上記導電性材料としては、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。
【０２２２】
さらに、実装面上の第１絶縁部７０９ａと第２絶縁部７０９ｂの外側の領域に、実装面金属反射膜７２０が形成されている。このため、ＬＥＤチップ７０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、実装面金属反射膜７２０によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３へ導くことができる。このため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から発光素子７００の外部へ漏れる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０２２３】
発光素子７００は、積層基板５０６における実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ第１アイランド電極７０７と第２アイランド電極７０８とに接続される裏面電極（第１裏面電極）７１８と裏面電極（第２裏面電極）７１９とが形成されている。
【０２２４】
このように、実装基板５０６の裏面側に、発光素子７００の外部接続電極端子としての裏面電極７１８・７１９を設けることで、実装基板５０６内を通過し裏面側から発光素子７００の外部へ漏れる光の量を低減することができる。
【０２２５】
しかしながら、本実施の形態は、これに限らず、これらの外部接続電極端子を光出射面側に設ける構成としてもよい。
【０２２６】
また、図１７に示すように、裏面電極７１８および裏面電極７１９は、それぞれ第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂの各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成されている。
【０２２７】
このため、ＬＥＤチップ７０１から出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂを介して積層基板５０６を通過して裏面側から発光素子の外部へ漏れることを効果的に防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０２２８】
また、第１実施形態と同様に、裏面電極７１８および裏面電極７１９が、それぞれ第４層５２４に形成された導電部７３４および導電部７３３を介して第１アイランド電極７０７および第２アイランド電極７０８と電気的に接続されている。ここで、本実施の形態では、導電部７３４および導電部７３３が、それぞれ、第１絶縁部７０９ａの形成領域と積層方向に対応する領域全体と第２絶縁部７０９ｂの形成領域と積層方向に対応する領域全体とを覆うよう形成されている。
【０２２９】
このように、第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂを、裏面電極７１８および裏面電極７１９よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている各導電部７３４・７３３で覆うように形成することで、より効果的に当該第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂを通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。
【０２３０】
また、発光素子７００は、前述の実施形態と同様に、光出射面５１３として、実装面と金属反射板７０２で囲まれた領域におけるＬＥＤチップ７０１からの光の出射方向の上端部が開口されている。さらに、透光性封止体５１０が上記領域を充填するように形成されており、上記領域における、光出射面５１３と底面となる実装面との間に、面方向の断面の最大幅が光出射面５１３の面方向の最大幅よりも大きくなる領域を有するように、上記領域の上端部の開口が絞られている。
【０２３１】
透光性封止体５１０の封止樹脂としては、エポキシ等と比べ接着性の弱いシリコーン等が用いられる。そこで、上記のように、光出射面５１３となる開口を絞るように金属反射板７０２を形成することにより、透光性封止体５１０の金属反射板７０２の内周面に対する密着性を向上させることができ、透光性封止体５１０の剥離を抑制することができる。これにより、銀メッキされた金属反射板７０２の内周面を、透光性封止体５１０により、安定した状態で保護することができる。
【０２３２】
また、図１７に示すように、少なくとも金属反射板７０２における透光性封止体５１０と接触する内周面に、凹凸を形成し、透光性封止体５１０との接触面積を大きくすることが望ましい。これにより、透光性封止体５１０の金属反射板７０２の内周面に対する密着性を向上させることができ、透光性封止体５１０の剥離を抑制することができる。この結果、銀メッキが施された金属反射板７０２の内周面を、透光性封止体５１０により、安定した状態で保護することができる。
【０２３３】
本実施の形態にかかる発光素子７００を構成する、第１アイランド電極７０７、第２アイランド電極７０８、金属反射板７０２および実装面金属反射膜７２０の材料としては、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることが、ＬＥＤチップ７０１から出射される光を効率よく光出射面５１３へ導くことができるため望ましい。
【０２３４】
また、アイランド電極６０８を１つ備えた構成について説明したが、本実施の形態は、これに限らず、図２７に示す発光素子６００ｄ、図２８に示す発光素子６００ｅのように、アイランド電極も複数備えた構成としてもよい。
【０２３５】
図１７の構成において２つのＬＥＤチップ５０１を直列接続する場合、図１８の構成において２つのＬＥＤチップを並列接続したＬＥＤチップ群を直列に接続する場合、図２９に示すように、２つのアイランド電極は、一方がアノード側、もう一方がカソード側というように異なる電位とするように、異なる裏面電極とそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。一方、図２７の構成において２つのチップを直列に接続する場合で、図２８に示すような４つのＬＥＤチップ５０１を並列に接続する場合は、図３０または図３１に示すように、２つのアイランド電極は同じ電位となる。この場合、２つのアイランド電極は、共に、一方の裏面電極に電気的に接続するように積層基板中の各層の導電部を配置して形成されている（図示しない）。
【０２３６】
なお、図２９ないし３１中の、＋、−は、アイランド電極、ダイボンドエリア・電極共通部上でのアノード（＋）、カソード（−）の取り方を示し、Ｆは、どこへも電位を落とさず、フローティング電位にしたことを示す。この表記は、以下実施例でも同様である。
【０２３７】
〔第４実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１９、図２０、図２２、図２９および図３２ないし図３４に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０２３８】
本実施の形態に係る発光素子８００は、前述の第２実施形態の発光素子６００の積層基板６０６と同様の積層基板を備えている。
【０２３９】
本実施の形態に係る発光素子８００は、図１９および図２０に示すように、前述の第３実施形態の発光素子７００と同様に、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する電極端子として当該ＬＥＤチップ７０１とそれぞれ接続される何れの電極もアイランド電極となっている。また、ＬＥＤチップ７０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板８０２が、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する何れの電極からも電気的に絶縁されている点で前述の第２実施形態と異なっている。
【０２４０】
本実施の形態では、第１アイランド電極（第１金属部）８０７に、ＬＥＤチップ７０１のカソード電極が接続され、第２アイランド電極（第２金属部）８０８にアノード電極が接続される構成となっている。
【０２４１】
第１アイランド電極８０７は、その外周を取り囲むように環状に形成された第１絶縁部８０９ａによって、実装面における金属反射板８０２で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁されている構成となっている。
【０２４２】
第２アイランド電極８０８は、第２実施形態のアイランド電極６０８と同様にその外周を取り囲むように環状に形成された第２絶縁部８０９ｂによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
【０２４３】
さらに、上記領域内における第１絶縁部８０９ａと第２絶縁部８０９ｂの外側の領域全体に実装面金属反射膜８２０が形成されている。
【０２４４】
第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂは、第１実施形態の絶縁部５０９、第２実施形態の絶縁部６０９および第３実施形態の第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂと同様に、エポキシ樹脂等のＲＣＣ樹脂から形成されている。上記ＲＣＣ樹脂は、４００ｎｍ〜８５０ｎｍの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーを含んでいる。上記エポキシ樹脂は、上記波長領域での光反射率が５０パーセント以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、例えば、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。
【０２４５】
しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板８０２や透光性封止体５１０、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂを酸化させる危険性がある（酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする）。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体５１０の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体５１０の剥離させる危険性がある。ここで、上記ＬＥＤチップ７０１を封止する透光性封止体５１０は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。
【０２４６】
したがって、ＬＥＤチップ７０１の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させることができる。
【０２４７】
また、上記接着層としての第３層６２３を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち、接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂの樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂの樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層５０９ｃを設けることが特に好ましい。
【０２４８】
そこで、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、ＲＣＣ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。
【０２４９】
第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂの形成工程については、前述の第１実施形態の絶縁部５０９と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。
【０２５０】
光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により導電層を酸化させてしまうため、できるだけ導電層から離間して形成することが望ましい。また、酸素を含む大気から遠ざけるため、光反射性フィラーを搭載面表面には含ませないことが望ましい。
【０２５１】
そこで、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、エポキシ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。
【０２５２】
第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂの形成工程については、前述の第１実施形態の絶縁部５０９と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。
【０２５３】
また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であっても、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂの全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板８０２、透光性封止体５１０、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂの酸化や、透光性封止体５１０の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０２５４】
すなわち、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂに吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【０２５５】
このように、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂに、光反射性フィラーを含む樹脂を用いることにより、ＬＥＤチップ７０１から出射されて第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂに入射する光をおよびＬＥＤチップ７０１を封止する透光性封止体５１０に含有される蛍光体から放出され第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂに入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂにに入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【０２５６】
また、上記ＲＣＣ樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂに用いる樹脂の変質（黄変化）を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。
【０２５７】
また、発光素子８００は、前述の第１ないし第３実施形態と同様に、ＬＥＤチップ７０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板８０２が、ＬＥＤチップ７０１の光出射方向に立設し、ＬＥＤチップ７０１の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップ７０１から周囲に放出される光を、金属反射板８０２で反射させ光出射面５１３へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０２５８】
また、図１９に示すように、本実施の形態の発光素子８００は、金属反射板８０２が、実装面金属反射膜８２０と一体的に形成されている。
【０２５９】
このため、実装面金属反射膜８２０を、実装面上の広範囲に形成することができる。このように、素子全体における金属形成領域を大きくすることで、放熱性に優れた発光素子を実現することができる。また、ＬＥＤチップ７０１の発光時の熱を、実装面金属反射膜８２０が一体成形されている積層基板６０６の表面側に伝導し、さらに裏面側へ効果的に放熱させることができる。これにより、熱による劣化を抑制することができ、長期の信頼性に優れた発光素子を実現することができる。
【０２６０】
また、本実施の形態では、金属反射板８０２が、上述の通り、第１アイランド電極８０７と第２アイランド電極８０８の何れからも電気的に絶縁されている。このため、図２９に示すように、本発光素子８００を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体４００に実装する際に、金属反射板８０２が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、筐体４００に金属反射板８０２を接触させた状態で実装することができる。これにより、金属反射板８０２で発生した熱を、効率よく発光素子８００の外部へ逃がすことができる。
【０２６１】
本実施の形態に係る発光素子８００は、第３実施形態の発光素子７００と同様に、金属反射板８０２の外周面の少なくとも一部と、積層基板６０６の底面を含む素子外周面上に、金属反射板８０２で発生した熱を外部に逃がすための放熱シート７４０が形成されている。
【０２６２】
これにより、金属反射板８０２で発生した熱を、放熱シート７４０を介してより効率的に外部へ逃がすことができる。
【０２６３】
放熱シート７４０としては、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本実施の形態にかかる金属反射板８０２は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、金属反射板８０２で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。なお、上記導電性材料としては、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。
【０２６４】
また、この導電性の放熱シートを上記筐体上で裏面電極とは絶縁がとれるように接地することで、金属反射板および金属反射板と電気的、熱的に接続されたＬＥＤチップが塔載された実装面金属反射膜の電位が浮遊することがなく、ＬＥＤチップに不要なサージが入り、発光素子の故障や誤動作が起こるのを防ぐことができる。
【０２６５】
さらに、本実施の形態では、前述の第３実施形態と異なり、実装面上の第１絶縁部８０９ａと第２絶縁部８０９ｂが、環状に形成されているため、より小さい面積で各電極を他の部位から絶縁させることができる。
【０２６６】
したがって、実装面金属反射膜８２０を、図１９および図２０に示すように、実装面における金属反射板８０２で囲まれた領域内に、これらの絶縁部８０９ａ・８０９ｂを介して、第１アイランド電極８０７および第２アイランド電極８０８を取り囲むように広く全体に形成することができる。このため、ＬＥＤチップ７０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、実装面金属反射膜８２０によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３へ導くことができる。これにより、積層基板６０６に吸収される光および積層基板６０７を通過し、裏面側から発光素子８００の外部へ漏れる光の量をより効果的に低減することができ、第３実施形態の構成に比べ、光出射面からの出射光強度をより向上させることができる。
【０２６７】
発光素子８００は、積層基板６０６における実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ第１アイランド電極８０７と第２アイランド電極８０８とに接続される裏面電極（第１裏面電極）８１８と裏面電極（第２裏面電極）８１９とが形成された構成となっている。
【０２６８】
このように、実装基板６０６の裏面側に、発光素子８００の外部接続電極端子としての裏面電極８１８・８１９を設けることで、実装基板６０６内を通過し裏面側から発光素子８００の外部へ漏れる光の量を低減することができる。
【０２６９】
しかしながら、本実施の形態は、これに限らず、これらの外部接続電極端子を光出射面側に設ける構成としてもよい。
【０２７０】
また、図１９に示すように、裏面電極８１８および裏面電極８１９は、それぞれ第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂの各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成されている。
【０２７１】
このため、前述の実施形態に係る各発光素子と同様に、ＬＥＤチップ７０１から出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、第１絶縁部８０９ａおよび第２絶縁部８０９ｂを介して積層基板６０６を通過して裏面側から発光素子８００の外部へ漏れることを効果的に防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０２７２】
本実施の形態にかかる発光素子８００を構成する、第１アイランド電極８０７、第２アイランド電極８０８、金属反射板８０２および実装面金属反射膜８２０の材料としては、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることが、ＬＥＤチップ７０１から出射される光を効率よく光出射面５１３へ導くことができるため望ましい。
【０２７３】
なお、ＬＥＤチップ７０１を１つ備えた構成について説明したが、本実施形態は、これに限らず、図３２に示す発光素子８００ａ、図３３に示す発光素子８００ｂ、図３４に示す発光素子８００ｃのように、ＬＥＤチップを２つ以上備えた構成にも適応することができる。
【０２７４】
また、図３２および図３３のように、２つのＬＥＤチップを、並列／直列接続した場合、図３４のように、２つのＬＥＤチップを並列接続したＬＥＤチップ群を直列に接続する場合、図２９に示すように、２つのアイランド電極は、一方がアノード側、もう一方がカソード側というように異なる電位とする。
【０２７５】
このように、１つの発光素子内に複数のＬＥＤチップを適宜配置し、塔載することで、素子の構成を大型化することなく、光出射強度を向上させることができる。なお、ＬＥＤチップの搭載数は、４つを上限とするものではなく、大きい素子基板を備えた構成では、ＬＥＤチップの搭載数を、さらに増やすことも可能である。
【０２７６】
〔第５実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図２１および図３５ないし図３７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施の形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０２７７】
前述の各実施形態では、単一のＬＥＤチップが実装された発光素子について説明したが、本発明の発光素子はこれに限らず、複数のＬＥＤチップが搭載された構成としてもよい。
【０２７８】
そこで、前述の第４実施形態の構成において、ＬＥＤチップを複数備えた構成を図２１を参照し以下に説明する。
【０２７９】
図２１に示すように、本実施の形態に係る発光素子９００は、ＬＥＤチップ７０１に加え、ＬＥＤチップ（第２ＬＥＤチップ）９０１を備えている。
【０２８０】
発光素子８００と同様に、第１アイランド電極（第１金属部）８０７に、ＬＥＤチップ７０１のカソード電極が接続され、第２アイランド電極（第２金属部）８０８にアノード電極が接続される構成となっている。
【０２８１】
本実施の形態では、ＬＥＤチップ７０１に駆動電流を供給する電極端子としての第２アイランド電極８０８が、ＬＥＤチップ９０１に駆動電流を供給する電源端子としての機能も備えている。すなわち、第２アイランド電極８０８は、ＬＥＤチップ９０１のアノード電極にも接続されている。さらに、発光素子９００は、ＬＥＤチップ９０１のカソード電極と接続され、積層基板中で導電部を通じて第１アイランド電極８０７と電気的に接続された電源端子としての第３アイランド電極９０８を備えており、金属反射板８０２が、第１ないし第３アイランド電極の何れからも電気的に絶縁されている構成となっている。
【０２８２】
第１アイランド電極８０７は、前述の第４実施形態の発光素子８００と同様に、その外周を取り囲むように環状に形成された第１絶縁部８０９ａによって、実装面における金属反射板８０２で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁されている構成となっている。また、第２アイランド電極８０８は、第２および第４実施形態のアイランド電極６０８・８０８と同様に、その外周を取り囲むように環状に形成された第２絶縁部８０９ｂによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
【０２８３】
さらに、本実施の形態では、第３アイランド電極（第３電極部）９０８も、その外周を取り囲むように環状に形成された第３絶縁部９０９ｃによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。
【０２８４】
すなわち、本実施の形態の発光素子９００には、１回路系統で、２つのＬＥＤチップ（ＬＥＤチップ７０１・９０１が実装されている。このため、素子の構成を大型化することなく、２倍の光出射強度を得ることできる。
【０２８５】
また、本実施の形態では、前述の第４実施形態と同様に、実装面上の第１ないし第３絶縁部が環状に形成されている。このため、より小さい面積で各電極を他の部位から絶縁させることができる。
【０２８６】
したがって、実装面金属反射膜９２０を、図２１に示すように、実装面における金属反射板８０２で囲まれた領域内に、これらの第１ないし第３絶縁部を介して、第１ないし第３アイランド電極８０７ないし８０９をそれぞれ取り囲むように広く全体に形成することができる。このため、ＬＥＤチップ７０１および９０１から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、実装面金属反射膜９２０によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面５１３へ導くことができる。このため、積層基板６０６に吸収される光および積層基板６０７を通過し、裏面側から発光素子９００の外部へ漏れる光の量をより効果的に低減することができる。
【０２８７】
また、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃは、第１実施形態の絶縁部５０９、第２実施形態の絶縁部６０９、第３実施形態の第１絶縁部７０９ａおよび第２絶縁部７０９ｂと同様に、エポキシ樹脂等のＲＣＣ樹脂から形成されている。上記エポキシ樹脂は、４００ｎｍ〜８５０ｎｍの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーを含んでいる。上記ＲＣＣ樹脂は、上記波長領域での光反射率が５０パーセント以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、例えば、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。
【０２８８】
しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板７０２や透光性封止体５１０、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃを酸化させる危険性がある（酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする）。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体５１０の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体５１０の剥離させる危険性がある。ここで、ＬＥＤチップ７０１・９０１を封止する透光性封止体５１０は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。
【０２８９】
したがって、ＬＥＤチップ７０１・９０１の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させることができる。
また、上記接着層としての第３層６２３を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃの樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃの樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層５０９ｃを設けることが特に好ましい。
【０２９０】
そこで、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、ＲＣＣ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。
【０２９１】
第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃの形成工程については、前述の実施形態１の絶縁部５０９と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。
【０２９２】
光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により導電層を酸化させてしまうため、できるだけ導電層から離間して形成することが望ましい。また、酸素を含む大気から遠ざけるため、光反射性フィラーを搭載面表面には含ませないことが望ましい。
【０２９３】
そこで、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、エポキシ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。
【０２９４】
第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃの形成工程については、前述の第１実施形態の絶縁部５０９と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。
【０２９５】
また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であっても、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃの全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板８０２、透光性封止体５１０、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃの酸化や、透光性封止体５１０の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０２９６】
すなわち、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃに吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【０２９７】
このように、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃに、光反射性フィラーを含む樹脂を用いることにより、ＬＥＤチップ７０１から出射されて第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃに入射する光をおよびＬＥＤチップ７０１を封止する透光性封止体５１０に含有される蛍光体から放出され第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃに入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃに入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。
【０２９８】
また、上記ＲＣＣ樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、第１絶縁部８０９ａ、第２絶縁部８０９ｂおよび第３絶縁部９０９ｃに用いる樹脂の変質（黄変化）を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。
【０２９９】
発光素子９００は、前述の実施形態と同様に、ＬＥＤチップ７０１・９０１からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面５１３へと導く金属反射板８０２が、ＬＥＤチップ７０１・９０１の光出射方向に立設し、ＬＥＤチップ７０１およびＬＥＤチップ９０１の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、ＬＥＤチップ７０１・９０１から周囲に放出される光を、金属反射板８０２で反射させ光出射面５１３へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面５１３からの出射光強度の向上を図ることができる。
【０３００】
また、図２１に示すように、本実施の形態の発光素子９００は、金属反射板８０２が、実装面金属反射膜９２０と一体的に形成されている。
【０３０１】
このため、実装面金属反射膜９２０を、実装面上の広範囲に形成することができる。このように、素子全体における金属形成領域を大きくすることで、放熱性に優れた発光素子を実現することができる。また、ＬＥＤチップ７０１・９０１の発光時の熱を、実装面金属反射膜９２０が一体成形されている積層基板６０６の表面側に伝導し、さらに裏面側へ効果的に放熱させることができる。これにより、熱による劣化を抑制することができ、長期の信頼性に優れた発光素子を実現することができる。
【０３０２】
また、本実施の形態に係る金属反射板８０２は、上述の通り、第１アイランド電極８０７、第２アイランド電極８０８および第３アイランド電極９０８の何れからも電気的に絶縁されている。このため、図１８に示すように、本発光素子９００を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体４００に実装する際に、金属反射板８０２が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、筐体４００に金属反射板８０２を接触させた状態で実装することができる。これにより、金属反射板８０２で発生した熱を、効率よく発光素子９００の外部へ逃がすことができる。
【０３０３】
本実施の形態に係る発光素子９００は、第３実施形態および第４実施形態の発光素子７００・８００と同様に、金属反射板８０２の外周面の少なくとも一部と、積層基板６０６の底面を含む素子外周面上に、金属反射板８０２で発生した熱を外部に逃がすための放熱シート７４０が形成されている。
【０３０４】
これにより、金属反射板８０２で発生した熱を、放熱シート７４０を介してより効率的に外部へ逃がすことができる。この結果、長期の信頼性が高い発光素子９００を実現することができる。
【０３０５】
放熱シート７４０としては、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本実施の形態にかかる金属反射板８０２は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、金属反射板８０２で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。なお、上記導電性材料としては、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。
【０３０６】
また、この導電性の放熱シートを上記筐体上で裏面電極とは絶縁がとれるように接地することで、金属反射板および金属反射板と電気的、熱的に接続されたＬＥＤチップ７０１が塔載された実装面金属反射膜の電位が浮遊することがなく、ＬＥＤチップ７０１に不要なサージが入り、発光素子の故障や誤動作が起こるのを防ぐことができる。
【０３０７】
なお、ＬＥＤチップを２つ備えた構成について説明したが、本実施形態は、これに限らず、図３５に示す発光素子９００ｂのように、ＬＥＤチップを４つ備えた構成にも適応することができる。
【０３０８】
図２１の構成において２つのＬＥＤチップを直列接続する場合、図３５の構成において２つのＬＥＤチップを並列接続したＬＥＤチップ群を直列に接続する場合、図３６に示すように、２つのアイランド電極は、一方がアノード側、もう一方がカソード側というように異なる電位とするように、異なる裏面電極とそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。一方、図２１の構成において２つのＬＥＤチップを並列接続した場合、図３５の構成において、４つのＬＥＤチップを並列接続した場合は、図３７に示すように、２つのアイランド電極が同じ電位となる。この場合、２つのアイランド電極は、共に、一方の裏面電極に電気的に接続するように積層基板中の各層の導電部を配置して形成されている（図示しない）。
【０３０９】
このように、１つの発光素子内に複数のＬＥＤチップを適宜配置し、塔載することで、素子の構成を大型化することなく、光出射強度を向上させることができる。なお、ＬＥＤチップの搭載数は、４つを上限とするものではなく、大きい素子基板を備えた構成では、ＬＥＤチップの搭載数を、さらに増やすことも可能である。
【０３１０】
なお、ＬＥＤチップが塔載されている実装面金属反射膜８２０は、上記の携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体４００に実装する際に、導電性の放熱シートを通じて接地することで浮遊化することもなく、サージなどにより生じる発光素子の動作不良や故障を防ぐことができることを説明したが、このような手法を取らず、例えば、図３２の積層基板の構成を、図２１に示すように、ＬＥＤチップ５０１が塔載された実装面金属反射膜を外部電源のアノード、カソードと接続される第１、第２裏面電極とは絶縁された別の第３裏面電極に電気的、熱的に接続されるように積層基板の各層の導電部の配置をし、第３裏面電極をアノード、カソードとは絶縁された外部の接地端子と接続することでも、対策を講じることができる。さらに、この例では、第３裏面電極を通じてＬＥＤチップ５０１の放熱特性がさらに改善できる。
【０３１１】
このことは、第４実施形態に示した図２０、図３２ないし３５の実施例に対しても同様に適用できる。
【０３１２】
以上のように、上述の各実施の形態で説明した本発明の発光素子は、光漏れが改善され光の出射効率が高く、放熱性にも優れているため、光出射面の近傍に配された導波板を備えたバックライトユニットに好適に用いることができる。
【０３１３】
すなわち、本発明の表示素子を備えることとで、光の利用効率が高く、長期の信頼性に優れたバックライトユニットを実現することができる。
【０３１４】
〔第６実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図４３および図４４に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施の形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０３１５】
前述の各実施形態では、絶縁部は、光反射フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していた。これに対し、本実施の形態では、絶縁部全体に反射性フィラーが添加されている。
【０３１６】
図４３は、本実施の形態に係る発光素子１０００の断面図である。発光素子１０００は、図２に示す発光素子５００において、絶縁部５０９を絶縁部１００９に置き換えた構成である。絶縁部１００９は、絶縁部５０９と異なり、全体に光反射性フィラーが添加されている。これにより、絶縁部が積層構造を有している場合に比べ、製造コストを安く抑えることができる。
【０３１７】
光反射性フィラーとしては、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。ここで、上述のように、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板５０２や透光性封止体５１０、絶縁部１００９を酸化させる危険性がある（酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする）。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体５１０の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体５１０の剥離させる危険性がある。
【０３１８】
そこで、本実施の形態では、光反射性フィラーの添加量に制限を設けている。続いて、光反射性フィラーの添加量について説明する。
【０３１９】
図４４は、絶縁部１００９の可視光反射率と光反射性フィラーの添加量との関係を示すグラフである。絶縁部１００９の反射率は、光反射性フィラーの添加量がα重量％のとき反射率β％で飽和状態となる。ここで、光反射性フィラーの添加量が少ないと、光が絶縁部１００９を透過したり絶縁部１００９に吸収されるので、反射率が下がる。光反射性フィラーの添加量がα重量％以下であると、添加量のばらつきにより、絶縁部１００９の反射率の設定が難しくなる。したがって、光反射性フィラーの添加量はα重量％より多く設定する。
【０３２０】
光反射性フィラーの添加量が多すぎると、金属反射板５０２などの酸化や透光性封止体５１０の剥離が生じる危険があるので、光反射性フィラーの添加量はα重量％より多く、かつ、α重量％近傍に設定する。
【０３２１】
また、発光素子１０００に対し高湿環境下で温度サイクル試験を行い、発光素子１０００の熱膨張・熱収縮の影響および温度変化に対する耐久性を測定した。この温度サイクル試験では、３０分かけて低温（−４０℃）から高温（１２０℃）まで周囲温度を変化させるサイクルを１サイクルとし、このサイクルを１０００サイクル繰り返した。
【０３２２】
その結果、絶縁部１００９に対する光反射性フィラーの添加量が多すぎると、クラックが発生しやすいことが分かった。具体的には、光反射性フィラーの添加量が３０％（樹脂７０％）の場合は、クラックの発生が確認されなかったが、光反射性フィラーの添加量が３６％（樹脂６４％）の場合は、クラックの発生が確認された。なお、この試験では、光反射性フィラーとして二酸化チタンを使用し、絶縁部１００９には、熱膨張係数調整のためシリカを添加し、シリカの一部と二酸化チタンとを置き換えている。
【０３２３】
そこで、本実施の形態においては、光反射性フィラーの添加量の上限を３０重量％以下に設定している。すなわち、光反射性フィラーの添加量をＡとすると、α＜Ａ≦３０に設定している。
【０３２４】
以上のように、絶縁部１００９全体に光反射性フィラーを添加した場合、光反射性フィラーの添加量に制限を設けることで、金属反射板５０２などの酸化や透光性封止体５１０の剥離といった弊害、および発光素子１０００でのクラック発生を回避しつつ、光利用効率を高めることができる。
【０３２５】
〔実施形態の総括〕
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０３２６】
【図１】第１実施形態の発光素子の斜視図である。
【図２】第１実施形態の発光素子の断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｈ）は、第１実施形態の発光素子の金属反射板および積層基板の構成図である。
【図４】第１実施形態の発光素子の斜視図である。
【図５】第１実施形態の発光素子の斜視図である。
【図６】第２実施形態の発光素子の斜視図である。
【図７】第２実施形態の発光素子の断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｆ）は、第２実施形態の発光素子の金属反射板および積層基板の構成図である。
【図９】第２実施形態の発光素子の斜視図である。
【図１０】第２実施形態の発光素子の斜視図である。
【図１１】第２実施形態の発光素子の斜視図である。
【図１２】第２実施形態の発光素子の断面図である。
【図１３】第２実施形態の発光素子の斜視図である。
【図１４】第２実施形態の発光素子の断面図である。
【図１５】従来の発光素子の断面図である。
【図１６】図２６に示した発光素子のＩ−Ｉ矢視平面図である。
【図１７】第３実施形態の発光素子の断面図である。
【図１８】第３実施形態の発光素子を、電子機器の筐体に実装した状態を示す模式図である。
【図１９】第４実施形態の発光素子の断面図である。
【図２０】第４実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図２１】第５実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図２２】（ａ）〜（ｆ）は、第５実施形態の発光素子の金属反射板および積層基板の構成図である。
【図２３】第２実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図２４】第２実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図２５】第２実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図２６】第２実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図２７】第３実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図２８】第３実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図２９】第３および第４実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。
【図３０】第３実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。
【図３１】第３実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。
【図３２】第４実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図３３】第４実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図３４】第４実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図３５】第５実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。
【図３６】第５実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。
【図３７】第５実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。
【図３８】第１実施形態の発光素子の絶縁部の形成工程を示す説明図である。
【図３９】第１実施形態の発光素子の絶縁部の形成工程を示す説明図である。
【図４０】第１実施形態の発光素子の研磨後の絶縁部の断面を示す説明図である。
【図４１】図４０に示す発光素子の部分拡大断面を示す説明図である。
【図４２】従来の側面発光型ＬＥＤの斜視図である。
【図４３】第６実施形態の発光素子の断面図である。
【図４４】絶縁部の可視光反射率と光反射性フィラーの添加量との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【０３２７】
５００    発光素子
５０１    ＬＥＤチップ
５０１ａ  発光面
５０２    金属反射板
５０２ａ  表面
５０６    積層基板
５０７    ダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部・実装面金属反射膜）
５０８    アイランド電極（第２金属部）
５０９    絶縁部
５０９ａ  Ｃｕ箔
５０９ｂ  二酸化チタン無添加樹脂層（光反射性フィラー無添加樹脂層）
５０９ｃ  二酸化チタン添加樹脂層（光反射性フィラー添加樹脂層）
５０９ｄ  積層構造
５０９ｅ  導電層（Ｃｕポスト層）
５１０    透光性封止体
５１３    光出射面
５１５，５１６  貫通孔
５１８，５１９  裏面電極（第１・第２裏面電極）
５３０  金属板
６００    発光素子
６０６    積層基板
６０７    ダイボンドエリア・電極共通部（第１金属部・実装面金属反射膜）
６０８    アイランド電極（第２金属部）
６０９    絶縁リング（絶縁部）
６３１〜６３４  導電部
７１１，７１２  外部接合電極
７５１    一体型外部接合電極
７００    発光素子
７０１    ＬＥＤチップ
７０２    金属反射板
７０７    第１アイランド電極（第１金属部）
７０８    第２アイランド電極（第２金属部）
７０９ａ  第１絶縁部
７０９ｂ  第２絶縁部
７２０    実装面金属反射膜
７３３,  ７３４  導電部
７４０    放熱シート
８００    発光素子
８０２    金属反射板
８０７    第１アイランド電極（第１金属部）
８０８    第２アイランド電極（第２金属部）
８０９ａ  第１絶縁部
８０９ｂ  第２絶縁部
９００    発光素子
９０１    ＬＥＤチップ（第２ＬＥＤチップ）
９０８    第３金属部
９０９ｃ  第３絶縁部
９２０    実装面金属反射膜
１０００  発光素子
１００９  絶縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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