(57)【要約】【課題】本発明は、光半導体素子の発光効率を向上させながら、反射部材の反射開口部を確実にリフレクタとして機能させ、外形は可能な限り小型化を図った光半導体装置と、この光半導体装置を備えた照明装置および表示装置を提供する。【解決手段】複数の光半導体素子Ｓ１を所定間隔を存してインナーリード部１に実装し、白色樹脂材からなる反射部材２をインナーリード部に設け、この反射部材は光半導体素子周囲からテーパー状に拡大形成される反射開口部３を有し、透光性を有する封止部材６が反射部材の反射開口部および光半導体素子を封止し、隣り合う反射開口部相互が重ね合わさるよう光半導体素子の配置ピッチを短縮し、反射開口部相互の重ね合わせ部分に台形部４を切欠形成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーリード部に所定間隔を存して実装される、表面に発光層を備えた複数の光半導体素子と、
上記インナーリード部に設けられ、光半導体素子周囲からテーパー状に拡大形成される複数の反射開口部を有する白色樹脂材からなる反射部材と、
この反射部材の上記反射開口部および上記光半導体素子を封止する、透光性を有する封止部材とを備え、
隣り合う反射開口部の端部相互が重ね合わさるよう上記光半導体素子相互の配置ピッチを短縮し、上記反射開口部相互の重ね合わせ部分は切欠形成された台形部としたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
上記光半導体素子は、上記発光層に互いに離間して２つの電極を備えていて、
これら光半導体素子を上記電極の配列方向とは直交する方向に沿って配置した状態で、
光半導体素子の一方の電極は金属ワイヤを介して、光半導体素子が実装されるインナーリード部に電気的に接続され、他方の電極は金属ワイヤを介して上記インナーリード部とは電気的に独立した他方のインナーリード部に電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
上記複数の光半導体素子は、上記発光層に互いに離間して２つの電極を備えていて、
これら光半導体素子を電極の配列方向に沿って配置するとともに、電極の配列方向とは直交する方向に沿って配置した状態で、
上記電極の配列方向に沿う方向に隣り合う光半導体素子の電極相互は、金属ワイヤを介して電気的に接続され、
一方の光半導体素子における残りの電極は、金属ワイヤを介して光半導体素子を実装するインナーリード部に電気的に接続され、他方の光半導体素子における残りの電極は金属ワイヤを介して上記インナーリード部とは電気的に独立した他方のインナーリード部に電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項４】
上記金属ワイヤは、全て、光半導体素子における電極の配列方向に沿う方向に接続されることを特徴とする請求項２および請求項３のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項５】
上記インナーリード部の表面を第１の高さとし、上記台形部の頂部平坦面を第２の高さとし、上記反射部材の表面を第３の高さとしたとき、
上記電極の配列方向に沿う方向に隣り合う光半導体素子の電極相互を電気的に接続する上記金属ワイヤは、上記台形部の頂部平坦面を越えて、第２の高さと第３の高さとの間に架設されることを特徴とする請求項３記載の光半導体装置。
【請求項６】
光源として、上記請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の光半導体装置を備えたことを特徴とする照明装置。
【請求項７】
光源として、上記請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の光半導体装置を備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の光半導体素子を備えた光半導体装置と、この光半導体装置を光源として備える照明装置および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
白色光を発光する光半導体素子（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を備えた光半導体装置は、小型であり、投入電力の割に得られる輝度が高く、長寿命である。水銀などの有害物質が使用されておらず、白熱灯や蛍光灯などの代替光源として一般照明や自動車等の部分照明、あるいは表示装置などへの適用が進められている。ただし、従来から用いられるランプ等の光源と比較して、光半導体装置は輝度当たりの価格が高いという不利条件があり、低コスト化の要求が大である。
【０００３】
近時、高い輝度が得られるという特徴から、青色光を発光する光半導体素子と、青色光を黄色光に波長変換する蛍光体とを用いて、光半導体素子から青色光と黄色光を発光し、擬似白色光を得る方式が開発されている。インナーリード部には、光反射率の高い白色樹脂材でケースを形成した金属フレームが多く使用されている。
【０００４】
図８と、図９に従来の光半導体装置の概略構成を示す。  
図８（Ａ）（Ｂ）は第１のタイプの光半導体装置Ｈａにおける平面図と断面図、図９（Ａ）（Ｂ）は第２のタイプの光半導体装置における平面図と断面図である。  
第１タイプの光半導体装置Ｈａは、インナーリード部ａに発光層面積の大きな光半導体素子Ｓａを１個搭載するタイプのものである。インナーリード部ａに設けられる白色樹脂材からなる反射部材ｂは、すり鉢状の反射開口部（リフレクタ）ｃを有している。この反射開口部ｃと半導体素子Ｓａは樹脂材からなる封止部材ｄで封止される。
【０００５】
上記光半導体装置Ｈａにおいては、光半導体素子Ｓａが１個のために構造的に簡易であるが、光半導体素子Ｓａとして発光層面積が大面積のものを備えるので、投入電力に対する輝度が低下してしまう。より高い輝度を得るためには、より大きな投入電力が必要となり、ランニングコストの増大化が避けられない。
【０００６】
第２のタイプの光半導体装置Ｈｂは、１つの反射開口部ｃに、発光層面積の小さな光半導体素子Ｓｂを複数個備えている以外は、第１のタイプのものと同一構成である。この光半導体装置Ｈｂは、光半導体素子Ｓｂの発光層の面積が小さいので、投入電力に対して発光効率が高い反面、１つの反射開口部ｃに複数の光半導体素子Ｓｂを搭載するため、製造工程が多くなり、光半導体装置Ｓｂとしてのサイズが大きくなってしまう。
【０００７】
なお、反射開口部を白色樹脂材で形成する構造の光半導体装置は、波長の短い青色光によって白色樹脂材が変色し、光反射特性が早期に低下する傾向にある。そのため、他の可視光の光半導体装置と比較して、信頼性寿命が短い。近年、青色光を発光する光半導体素子は、投入電力に対する発光効率が向上し、高輝度化が進んでいるので、現行の装置構造では、さらに製品寿命が短くなることが推測される。
【０００８】
この対策として、小面積の光半導体素子を多数個使用し、それぞれの光半導体素子に対して反射開口部を形成する光半導体装置の開発が進んでいくことが予想される。複数の光半導体素子の個々に反射開口部を形成する光半導体装置は、たとえば［特許文献１］や［特許文献２］に開示されている。
【特許文献１】特開２００５−２２３２１６号公報
【特許文献２】特開２００６−１００５６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記白色樹脂材として、たとえば熱可塑性樹脂材が用いられるが、この素材は成形時の充填性が低いという制約がある。複数の光半導体素子の個々に反射開口部を形成する光半導体装置では、隣り合う反射開口部の端部相互が密接もしくは近接しているので、これら端部相互間に樹脂材が充填し難い。
【００１０】
なお説明すると、図７に示すように、隣り合う反射開口部３の端部相互が密接するよう、インナーリード部１に実装される光半導体素子Ｓ１の配置ピッチＰと、反射部材２に形成され上記光半導体素子Ｓ１を囲む反射開口部３の上面直径φＰとを同一寸法に設定したとする。
【００１１】
この場合、隣り合う反射開口部３の端部相互で形成される頂部ｇは、断面尖鋭状となってしまう。反射部材２をインジェクションモールド工法で成型すると、熱可塑性樹脂材の流動性が低いので、頂部ｇへ樹脂材が充填し難い。
【００１２】
そのため、頂部ｇにいわゆる巣の発生の虞れがあり、強度的および発光特性上の信頼性が欠ける。したがって、光半導体素子Ｓ１の配置ピッチＰを反射開口部３の上面直径φＰよりも大きく設定して、隣り合う反射開口部３端部相互を離間させる必要がある。このようにして複数の光半導体素子と反射開口部を備えると、装置外形が大型化してしまう。
【００１３】
本発明は上記事情にもとづきなされたものであり、その目的とするところは、発光効率の高い小面積の光半導体素子を複数個用いて、半導体素子の発光効率を向上させるとともに、反射開口部を確実にリフレクタとして機能させたうえに、装置として小型化を得る光半導体装置を提供する。  
そして、この光半導体装置を備えた照明装置および表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を満足するため本発明の光半導体装置は、複数の光半導体素子を所定間隔を存してインナーリード部に実装し、白色樹脂材からなる反射部材をインナーリード部に設け、この反射部材は光半導体素子周囲からテーパー状に拡大形成される反射開口部を有し、透光性を有する封止部材が反射部材の反射開口部および光半導体素子を封止し、隣り合う反射開口部相互が重ね合わさるよう光半導体素子の配置ピッチを短縮し、反射開口部相互の重ね合わせ部分に台形部を切欠形成する。  
また、上記目的を満足するため本発明の照明装置は、光源として上記光半導体装置を備える。  
また、上記目的を満足するため本発明の表示装置は、光源として上記光半導体装置を備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体素子の発光効率を向上させ、反射部材の反射開口部を確実にリフレクタとして機能させて、装置外形の小型化を得るという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面にもとづいて説明する。  
図１（Ａ）は第１の実施の形態における光半導体装置Ｈ１の平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う縦断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿う縦断面図である。
【００１７】
図中１は、板厚が０．２ｍｍ程度の金属フレーム（銅板）からなるインナーリード部である。このインナーリード部１は図示しない配線回路を備えた上にニッケルと銀が約１μｍの厚さでメッキ（被覆）され、両側部はガルウィング状に成型される。インナーリード部１表面には、一方向（Ｘ方向）に沿い所定間隔を存して複数（３個）の光半導体素子Ｓ１が実装（ダイマウント）されている。
【００１８】
上記光半導体素子Ｓ１は、たとえば縦０．４×横０．４×厚さ０．２ｍｍ３に形成されていて、２００ｍＡの電流を流すことにより、２０ｌｍの光束が得られる高出力タイプである。基材としてＡｌ２Ｏ３が用いられていて、その上面には青色に発光する図示しない発光層が形成されている。この発光層上には、アノード電極ｅ１とカソード電極ｅ２とが互いに離間対向して形成される。
【００１９】
ここでは、アノード電極ｅ１とカソード電極ｅ２とが互いにＹ方向に離間対向している。複数の光半導体素子Ｓ１の配置方向は、それぞれの光半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１とカソード電極ｅ２の配列方向とは直交する方向である、Ｘ方向である。
【００２０】
上記インナーリード部１上の光半導体素子Ｓ１が実装される面には、さらに白色樹脂材からなる反射部材２が一体にモールド成型されている。この反射部材２を構成する白色樹脂材は熱可塑性樹脂材からなり、上記光半導体素子Ｓ１の取付け位置に合わせた状態で、いわゆるリフレクタである反射開口部３を有している。
【００２１】
上記反射開口部３は、インナーリード部１のＸ方向に沿って１．９ｍｍのピッチで設けられていて、それぞれの反射開口部３は上面がφ２．０ｍｍ、底面がφ１．０ｍｍ、高さが０．５ｍｍに形成される。したがって、上記反射開口部３は底面から表面に向って直径が漸次拡大形成される、略すり鉢（テーパー）状をなしている。
【００２２】
特に、図１（Ａ）（Ｂ）に二点鎖線で示すように、複数の反射開口部３における配置ピッチと上面直径との関係から、隣り合う反射開口部３の端部相互に重なる部分ｆが生じる。そのまま形成すれば、隣り合う反射開口部３の頂部ｇは断面三角状になり、かつ頂部ｇの高さ位置は反射部材２の表面よりもある程度低い位置に設定される。
【００２３】
しかしながら本実施の形態においては、隣り合う反射開口部３相互の重なる部分ｆの頂部ｇを切欠して裁頭形状となし、頂部が平坦面をなす台座部４が形成される。この台座部４は、図１（Ａ）に示す平面視で、Ｙ方向の両側端部は直状をなすが、両側端部相互間は反射開口部３に沿った曲線状をなしている。
【００２４】
そして、Ｙ方向の両側端部が最も幅が広く、反射開口部３の中心軸部分が最も幅が狭い、中央部が括れた、いわゆる双曲線状をなしている。Ｘ方向の最大寸法は０．３ｍｍであり、Ｙ方向の長さ寸法は１．２ｍｍ、高さ寸法は０．２ｍｍであり、隣り合う反射開口部３相互が台座部４でつながっている。
【００２５】
上記台座部４についてなお説明すると、反射開口部３を有する反射部材２は、熱可塑性樹脂材を用いてインジェクションモールド工法で成型するが、素材自体の流動性が低く、樹脂材の肉厚の薄い部分への充填性が低いことの特性がある。
【００２６】
先に図７で示したように、光半導体素子Ｓ１の配置ピッチＰと反射開口部３の上面の直径φＰとを同一に設定すると、隣り合う反射開口部３の端部相互で形成される頂部ｇは断面尖鋭状となる。また、図１（Ｂ）で説明したように、隣り合う反射開口部３相互に重なる部分ｆが生じる場合も、そのままであれば隣り合う反射開口部３の端部相互で形成される頂部ｇは断面三角状になる。
【００２７】
そのため、図７の構成、もしくは図１（Ｂ）の二点鎖線の構成であると、隣り合う反射開口部３の端部相互で形成される頂部ｇにまで熱可塑性樹脂材が充填され難い。いわゆる巣の発生の虞れがあり、強度的および発光特性上の信頼性が欠ける。これに対して上述のように、反射開口部３相互が重なる部位ｆの頂部ｇを切欠形成して台座部４とすることで、成形性を確保できる。
【００２８】
各光半導体素子Ｓ１上の発光層に対向して形成されるアノード電極ｅ１と、カソード電極ｅ２は、それぞれ金属ワイヤ（金ワイヤ）５を介してインナーリード部１に電気的に接続される。全ての金属ワイヤ５はＹ方向である、アノード電極ｅ１とカソード電極ｅ２の配列方向に沿う方向に接続されている。
【００２９】
上記光半導体素子Ｓ１および上記反射部材２は、封止部材６を構成する透光性を有する樹脂材によって封止される。封止部材６は、たとえば（Ｓｒ，Ｂａ）２Ｓｉ４：Ｅｕ２＋の組成であり、青色光を黄色光に波長変更する蛍光体を含有するシリコーン樹脂材からなる。
【００３０】
上記封止部材６は、光半導体素子Ｓ１の底面を除く周面と、金属ワイヤ５と、反射部材２の反射開口部３と、隣り合う反射開口部３間に介在される台座部４を覆う。特に、反射部材２の高さ寸法が０．５ｍｍであり、台座部４の高さ寸法が０．２ｍｍであるから、台座部４上の封止部材６厚さ寸法は０．３ｍｍである。
【００３１】
このようにして構成される光半導体装置Ｈ１であり、実際には、光半導体素子Ｓ１は青色光を発光する。この青色光が封止部材６を構成する蛍光体入りシリコーン樹脂材を透過することで、青色光の一部が黄色光に波長変更される。反射部材２の反射開口部３はリフレクタとして機能し、封止部材６を透過する光を反射案内する。
【００３２】
青色光と黄色光とが封止部材６から出た状態で、人間の視覚が擬似的に白色と認め、白色を発光する光半導体装置Ｈ１として適用される。複数（３個）の光半導体素子Ｓ１をインナーリード部１に備えて一斉に発光するから、投入電力に見合う、もしくは投入電力以上の高輝度が得られ、発光効率の向上を図れる。
【００３３】
複数の光半導体素子Ｓ１を備えたが、隣り合う光半導体素子Ｓ１の相互間隔を可能な限り短縮して、隣り合う反射開口部３相互が重なる部分ｆを備えた。したがって、光半導体装置Ｈ１として小型化を得られる。隣り合う反射開口部３の重なる部分ｆを切欠して台座部４としたから、必要最小限の肉厚部分が残り、反射開口部３がリフレクタとして機能することに何らの支障もない。
【００３４】
この光半導体装置Ｈ１は、白色を発光する発光光源であるところから、それ単独で照明装置として用いるのに最適である。あるいは他の色の発光光源と併用して表示装置として用いるのにも最適である。
【００３５】
図２は、図１で説明した第１の実施の形態での変形例であり、光半導体装置Ｈ２の平面図である。先に説明した構成部品と同一の構成部品においては、同番号を付して新たな説明を省略する。（以下、同じ）
図１で説明した光半導体装置Ｈ１は、１つの反射開口部３に対して光半導体素子Ｓ１を１個備えたが、この変形例の光半導体装置Ｈ２では、１つの反射開口部３に対して発光層の面積の小さな光半導体素子Ｓ２を２個ずつ備えている。この場合、光半導体素子Ｓ２の発光層の面積が小さいために、投入電極に対する発光効率が高い。
【００３６】
光半導体素子Ｓ２の全体数を増やしたが、２個ずつ隣り合う光半導体素子Ｓ２の相互間隔を可能な限り短縮する。そして、隣り合う反射開口部３相互が重なる部分を備えたから、光半導体装置Ｈ２として小型化を得る。隣り合う反射開口部３の重なり部分を切欠して台座部４を形成したから、必要最小限の肉厚部分を残してリフレクタとして機能する。
【００３７】
図３（Ａ）は本発明における第２の実施の形態での光半導体装置Ｈ３の平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【００３８】
インナーリード部１Ａは第１の実施の形態と同一材料、同一板厚、同一の表面処理がなされているが、ここでは正方形に近い矩形状に形成される。インナーリード部１Ａ上の所定部位には、先に説明したものと同一特性を有する複数（４個）の光半導体素子Ｓ１が実装されている。各光半導体素子Ｓ１の発光層上には、アノード電極ｅ１とカソード電極ｅ２が互いに離間対向して形成されている。
【００３９】
上記光半導体素子Ｓ１は、Ｘ方向に沿って２個配置され、Ｙ方向に沿って２個配置される。各光半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１とカソード電極ｅ２はＸ方向に沿って対向している。換言すれば、それぞれの光半導体素子Ｓ１は互いに離間対向して２つの電極ｅ１，ｅ２を備えていて、複数の光半導体素子Ｓ１は電極ｅ１，ｅ２の配列方向と、電極ｅ１，ｅ２の配列方向とは直交する方向に配置される。
【００４０】
そして、後述するようにＸ方向に沿って配置される光半導体素子Ｓ１相互の電極ｅ２，ｅ１を電気的に接続する金属ワイヤ５と、一方（図の左側）の光半導体素子Ｓ１の電極ｅ１とインナーリード部１Ａとを電気的に接続する金属ワイヤ５と、他方（図の右側）の光半導体素子Ｓ１の電極ｅ２とを電気的に接続する金属ワイヤ５は全て、Ｘ方向に沿って接続されている。
【００４１】
上記光半導体素子Ｓ１の配置ピッチはＸＹ方向とも１．９ｍｍであって、インナーリード部１Ａに設けられる白色樹脂材からなる反射部材２Ａの反射開口部３は、光半導体素子Ｓ１の数（４個）と配置に合わせて、Ｘ方向とＹ方向に２×２の合計４個が設けられる。したがって、反射開口部３の中心ピッチはＸＹ方向とも１．９ｍｍである。
【００４２】
上記反射開口部３は、上面直径がφ２．０ｍｍ、底面直径がφ１．０ｍｍ、高さが０．５ｍｍであり、底面から表面に向って直径が漸次拡大形成される略すり鉢状である。ＸＹ方向において、互いに隣り合う反射開口部３の端部相互は上面直径と配置ピッチとの関係から互いに重なる部分が生じていて、この重なる部分の頂部を切欠して台座部４が形成される。
【００４３】
上記台座部４は、図３（Ａ）で示す平面視で、Ｙ方向の両側端部の幅寸法が最も広く、Ｙ方向の中心軸部分が最も幅寸法が狭い、中央部が最も括れた、いわゆる双曲線状をなしていて、上述の寸法関係から、短手方向寸法０．３ｍｍ×長手方向寸法１．２ｍｍ×高さ寸法０．２ｍｍとなっている。
【００４４】
上記反射部材２Ａは、熱可塑性樹脂材を用いてインジェクションモールド工法で成型するために、素材自体の流動性が低く、樹脂の肉厚の薄い部分の充填性が低い。しかしながら、すり鉢状の反射開口部３の端部相互が重なる部位に台座部４を切欠形成することにより、反射部材２Ａの成形性を確保できる。
【００４５】
つぎに、先に図１で説明した光半導体素子Ｓ１の配置構造と、図３で説明した光半導体素子Ｓ１の配置構造との相違にもとづく、アノード電極ｅ１およびカソード電極ｅ２と、インナーリード部１，１Ａとの金属ワイヤ５による接続構造の相違について説明する。
【００４６】
図４（Ａ）は、図１で説明したように複数の光半導体素子Ｓ１を電極ｅ１，ｅ２の配列方向とは直交する方向に配置した場合の、金属ワイヤ５の接続構造と、インナーリード部１の構造を模式的に示す。ただし、図１（Ａ）では３個の光半導体素子Ｓ１を示し、図４（Ａ）では４個の光半導体素子Ｓ１を示している。
【００４７】
各光半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１が、光半導体素子Ｓ１を実装するインナーリード部１ａに、金属ワイヤ５を介して電気的に接続される。上記金属ワイヤ５は、Ｙ方向に沿って配線される。各光半導体素子Ｓ１のカソード電極ｅ２は、上記インナーリード部１ａとは電気的に独立した他方のインナーリード部１ｂに、金属ワイヤ５を介して電気的に接続される。上記金属ワイヤ５もＹ方向に沿って配線される。
【００４８】
したがって、互いのインナーリード部１ａ，１ｂは光半導体素子Ｓ１の配置方向（Ｘ方向）に沿って長い矩形状をなしているので、双方のインナーリード部１ａ，１ｂの成形と組立てが容易である。
【００４９】
一方のインナーリード部１ａの長手方向（Ｘ方向）に沿う端縁と、他方のインナーリード部１ｂの長手方向（Ｘ方向）に沿う端縁は、インナーリード部１ａ，１ｂ相互の電気的な絶縁のために互いに狭小の間隙を存しているが、この間隙は１ヶ所ですみ、インナーリード部１全体の小型化を促進する。  
そして、全ての金属ワイヤ５はＹ方向に沿って接続するよう統一されているので、金属ワイヤ５の接続作業が迅速に行える。
【００５０】
図４（Ｂ）は、図３で説明したように各光半導体素子Ｓ１をＸ方向と、Ｙ方向に２個ずつ配置した場合の、金属ワイヤ５の接続構造と、インナーリード部１の構造を模式的に示す。ただし、各光半導体素子Ｓ１におけるアノード電極ｅ１とカソード電極ｅ２は、図３ではＸ方向に離間対向しているが、ここではＹ方向に離間対向している。
【００５１】
各光半導体素子Ｓ１におけるカソード電極ｅ２は、光半導体素子Ｓ１を実装するインナーリード部１ｄに、金属ワイヤ５を介して電気的に接続される。この金属ワイヤ５はＹ方向に沿って接続される。また、各光半導体素子Ｓ１におけるアノード電極ｅ１は、上記インナーリード部１ｄとは電気的に独立する他方のインナーリード部１ｃに、金属ワイヤ５を介して電気的に接続される。この金属ワイヤ５はＸ方向に沿って接続される。
【００５２】
したがって、各インナーリード部１ｃ，１ｄは、必然的に、それぞれのＸ方向の略中央部が一端縁からＹ方向の他端部近傍まで切欠された略凹字状をなし、互いに入れ子状態にして組み合わせた構造となってしまう。当然、各インナーリード部１ｃ，１ｄが電気的に独立するよう、対向する端縁間に絶縁のための間隙を存して配置するが、この場合、絶縁用間隙部位が３ヶ所必要となる。
【００５３】
さらに、各インナーリード部１ｃ，１ｄは、たとえばプレス加工により打ち抜き成形されるが、所定の打ち抜き幅を確保しなければならないという、成形上の制約もある。これらの条件が重なって、この構造を備えた光半導体装置は大型化を避けられない。また、金属ワイヤ５はＸ方向とＹ方向に沿って接続しなければならないので、全て同一方向に沿って接続する場合と比較して作業性が低下する。
【００５４】
図４（Ｃ）は、図３で説明したように各光半導体素子Ｓ１をＸ方向と、Ｙ方向に２個ずつ配置するとともに、図３と同様、各光半導体素子Ｓ１におけるアノード電極ｅ１とカソード電極ｅ２をＸ方向に沿って配置した場合の、金属ワイヤ５の接続構造と、インナーリード部１Ａ構造を模式的に示している。
【００５５】
図の左側光半導体素子Ｓ１におけるアノード電極ｅ１は、光半導体素子Ｓ１を実装するインナーリード部１ｅに、金属ワイヤ５を介して電気的に接続される。この金属ワイヤ５はＸ方向に沿って接続される。また、右側光半導体素子Ｓ１におけるカソード電極ｅ２は、上記インナーリード部１ｅとは電気的に独立する他方のインナーリード部１ｆに、金属ワイヤ５を介して電気的に接続される。この金属ワイヤ５もＸ方向に沿って接続される。
【００５６】
左側光半導体素子Ｓ１のカソード電極ｅ２と、右側光半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１とは、金属ワイヤ５で電気的に接続される。左右（Ｘ方向）に離間して配置される光半導体素子Ｓ１相互の電極ｅ２，ｅ１を金属ワイヤ５が接続するのであるから、当然、上記金属ワイヤ５はＸ方向に沿って接続される。なお、左右の光半導体素子Ｓ１相互間には上記台座部４（図では一点鎖線で示している）が介在していて、上記金属ワイヤ５は台座部４を越えて架設される。
【００５７】
したがって、各インナーリード部１ｅ，１ｆは、先に図４(Ｂ)で説明したインナーリード部１ｃ，１ｄのような複雑形状にならずに単純な矩形状ですみ、たとえばプレス加工による打ち抜き加工をなすにあたって、成形上の制約がない。絶縁用の間隙が１ヶ所ですみ、光半導体装置Ｈ３としての大型化を抑制できる。しかも、金属ワイヤ５は全てＸ方向に沿って接続されるので、この接続作業を迅速に行える。
【００５８】
なお、図３（Ａ）（Ｂ）と図４（Ｃ）で示す、Ｘ方向に並置される一対（２個）の光半導体素子Ｓ１における各電極ｅ１，ｅ２に対する金属ワイヤ５の接続作業は、以下に述べるようにして行われる。  
図５（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、上記金属ワイヤ５の接続作業を順に説明する図である。
【００５９】
図５（Ａ）に示すように、白色樹脂材からなる反射部材２Ａがインナーリード部１Ａ上にモールド成形され、そのあとインナーリード部１Ａ上に２個の光半導体素子Ｓ１が所定間隔を存して実装される。上記光半導体素子Ｓは反射部材２Ａに形成される反射開口部３の中心に置いた状態となり、さらに反射開口部３相互間には台座部４が形成される。
【００６０】
図５（Ｂ）に示すように、図の右側光半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１上面に金バンプｅ１１をバンプボンダにより形成する。予め金バンプを形成するのは、この右側光半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１に対してだけ行えばよい。
【００６１】
図５（Ｃ）に示すように、はじめに、たとえば左側光半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１上に金バンプｅ１１を形成し、この金バンプｅ１１の上に金属ワイヤ５をボールボンディングし、さらにインナーリード部１ｅ上にウエッジボンディングする工程となる。したがって、左側光半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１とインナーリード部１ｅが金属ワイヤ５を介して電気的に接続される。
【００６２】
つぎに、右側光半導体素子Ｓ１のカソード電極ｅ２上に金バンプｅ１２を形成し、この金バンプｅ１２の上に金属ワイヤ５をボールボンディングし、さらにインナーリード部１ｆ上にウエッジボンディングする工程となる。したがって、右側光半導体素子Ｓ１のカソード電極ｅ２とインナーリード部１ｆが金属ワイヤ５を介して電気的に接続される。
【００６３】
つぎに、左側光半導体素子Ｓ１のカソード電極ｅ２と、右側半導体素子Ｓ２のアノード電極ｅ１とを、ワイヤボンダにより金属ワイヤ５で接続する。このときのワイヤボンディングの第１工程として、左側光半導体素子Ｓ１のカソード電極ｅ２上に金バンプｅ１２を形成する。
【００６４】
そして、左側半導体素子Ｓ１のカソード電極ｅ２上に形成された金バンプｅ１２から金属ワイヤ５を繰り出しながら、右側半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１上までワイヤボンダのツールを移動する。
【００６５】
先に説明したように、上記右側半導体素子Ｓ１のアノード電極ｅ１上には既に金バンプｅ１１が形成されていて、この金バンプｅ１１に金属ワイヤ５をボンディングしてから引っ張って切り離す。
【００６６】
すなわち、このときの金属ワイヤ５の切り離し工程は、既にアノード電極ｅ１上に形成された金バンプｅ１１に金属ワイヤ５をボンディングしてから行うので、ツールのエッジでアノード電極ｅ１の表面を傷付けることなく接続でき、信頼性の確保を得られる。
【００６７】
図６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は第２の実施の形態における変形例を示す。
【００６８】
図６（Ａ）は光半導体装置Ｈ４の平面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う縦断面図、図６（Ｃ）は図６（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿う縦断面図である。
【００６９】
第２の実施の形態として説明した光半導体装置Ｈ３と同様、この光半導体装置Ｈ４においても、光半導体素子Ｓ１はインナーリード部１ＡにＸ方向とＹ方向に２×２の状態で配置される。各光半導体素子Ｓ１における金属ワイヤ５の接続構造は上述したものと同一であるので、ここでは新たな説明を省略する。
【００７０】
この変形例は、光半導体素子Ｓ１の配置構成と、それにともなう反射部材２Ａ構造が、先のものとは変化している。  
すなわち、各光半導体素子Ｓ１はＸ方向とＹ方向に同一ピッチで配置されることは変りがないが、可能な限り光半導体素子Ｓ１の配置ピッチを短縮し、インナーリード部１Ａ面積を縮小化して光半導体装置Ｈ４として小型化を促進する。
【００７１】
ただし、極端に光半導体素子Ｓ１相互の配置ピッチを短縮すると、反射部材２Ａにおける反射開口部３相互間に形成される台座部４Ａの高さ寸法を必要量だけ確保できなくなる。その結果、それぞれの光半導体素子Ｓ１が発光しても、反射開口部３の一部が欠けた状態となってリフレクタとしての機能を発揮できない。
【００７２】
上述したように反射部材２Ａの高さ寸法を０．５ｍｍに設定し、反射開口部３は上面直径がφ２．０ｍｍ、底面直径がφ１．０ｍｍであり、台座部４Ａの高さ寸法を０．２ｍｍに設定する。この台座部４Ａの高さ寸法であれば、光半導体素子Ｓ１を発光させた状態で、反射開口部３は台座部４Ａ部分においてもリフレクタとしての機能を保持する。
【００７３】
すなわち、光半導体素子Ｓ１の配置ピッチを可能な限り短縮し、互いに接近させても、台座部４Ａの高さ寸法は０．２ｍｍを確保しなければならない。すると、特に図６（Ａ）に示すように、反射開口部３上面の接線ｊがＸ方向とＹ方向に隣り合う反射開口部３の接線ｊに互いに連なる。これら接線ｊの内側における反射開口部３を除く全てが、上述した台座部４Ａとなって、同一高さとなる。
【００７４】
したがって、光半導体素子Ｓ１の配置ピッチを可能な限り短縮し、互いに接近させた構成であっても、台座部４Ａの必要高さ寸法を保持でき、反射開口部３はリフレクタとしての機能を確実に得られる。
【００７５】
なお、本発明は上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。そして、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組合せにより種々の発明を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明における第１の実施の形態に係る、光半導体装置の平面図と互いに異なる部位を切断した縦断面図。
【図２】同実施の形態の変形例に係る、光半導体装置の平面図。
【図３】本発明における第２の実施の形態に係る、光半導体装置の平面図と互いに異なる部位を切断した縦断面図。
【図４】同第１の実施の形態と、第２の実施の形態に係る、光半導体素子の配置構造の相違に応じたワイヤ接続構造と、インナーリード部構造を単純化して示す説明図。
【図５】同第２の実施の形態に係る、金属ワイヤの接続構造を順に説明する図。
【図６】同実施の形態の変形例に係る、光半導体装置の平面図と互いに異なる部位で切断した縦断面図。
【図７】従来構造の、光半導体装置の一部断面図。
【図８】従来構造の、光半導体装置の平面図と縦断面図。
【図９】さらに異なる従来構造の、光半導体装置の平面図と縦断面図。
【符号の説明】
【００７７】
１，１Ａ…インナーリード部、Ｓ１，Ｓ２…光半導体素子、３…反射開口部、２，２Ａ…反射部材、６…封止部材、４，４Ａ…台形部、５…金属ワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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