(57)【要約】【課題】キャパシタンスを有するコンデンサ装置を提供する。【解決手段】互いに向かい合う一対の第１の導電層２１４，２２４と、第１の導電層２２４の表面上に形成され、第１の誘電率を有する、第１の誘電層２２６と、第２の誘電率を有し、第１の誘電層２２６を介して第１の導電層２１４，２２４の間に挟まれた第２の誘電層２３０と、を備える。コンデンサ装置のキャパシタンスは、第１の誘電層２２６の誘電率及び厚み、第２の誘電層２３０の誘電率及び厚みによって決まる。【選択図】図２（ａ）
2008277734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの容量素子を備え、キャパシタンスを有するコンデンサ装置であって、
前記少なくとも１つの容量素子は、
互いに向かい合う一対の第１の導電層と、
少なくとも一方の、前記第１の導電層の表面上に形成され、第１の誘電率を有する、少なくとも１つの第１の誘電層と、
第２の誘電率を有し、前記第１の誘電層の少なくとも１つを介して前記第１の導電層の間に挟まれた第２の誘電層と、
を備え、
前記コンデンサ装置の前記キャパシタンスは、前記少なくとも１つの第１の誘電層および前記第２の誘電層の誘電パラメータによって決まる、コンデンサ装置。
【請求項２】
前記誘電パラメータには、前記少なくとも１つの第１の誘電層の、前記第１の誘電率および厚さならびに前記第２の誘電層の、前記第２の誘電率および厚さが含まれる、請求項１に記載のコンデンサ装置。
【請求項３】
前記第１の誘電層の少なくとも１つの上に形成された少なくとも１つの第２の導電層をさらに備える、請求項１に記載のコンデンサ装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの誘電層はパターン化される、請求項１に記載のコンデンサ装置。
【請求項５】
前記パターンは、前記少なくとも１つの第１の誘電層内にいくつかの誘電スポットを有することによって形成される、請求項４に記載のコンデンサ装置。
【請求項６】
前記コンデンサ装置の前記キャパシタンスは、２つの近接するスポットの間隔および前記スポットの誘電率によって決まる、請求項５に記載のコンデンサ装置。
【請求項７】
前記パターンは、いくつかの誘電スポットおよびいくつかの導電スポットによって形成される、請求項４に記載のコンデンサ装置。
【請求項８】
前記誘電スポットは、様々な誘電率を有する、請求項５に記載のコンデンサ装置。
【請求項９】
前記導電層は、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレススチール、鉄、金、銀、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を含む、請求項１に記載のコンデンサ装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの第１の誘電層は、エポキシ、ポリエステル、無機材料、セラミックおよび非セラミック材料、およびそれらの組み合わせから選択される誘電材料を含む、請求項１に記載のコンデンサ装置。
【請求項１１】
コンデンサを製造する方法であって、
一対の第１の導電層を設ける工程と、
前記第１の導電層の一方上に少なくとも１つの第１の誘電層を形成する工程と、
前記第１の導電層および前記少なくとも１つの第１の誘電層を第２の誘電層と積層する工程と、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記少なくとも第１の誘電層は、少なくともスクリーン印刷またはインクジェット印刷のいずれか一方によって形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの第１の誘電層上に少なくとも１つの第２の導電層を形成する工程をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの第１の誘電層は、パターンとして形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの誘電層は、いくつかの誘電スポットを備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記パターンは、少なくともスクリーン印刷またはインクジェット印刷のいずれか一方によって形成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
いくつかの容量素子を備えるコンデンサ装置であって、
前記容量素子の少なくとも１つは、
第１の導電層および前記第１の導電層と向かい合う第２の導電層と、
前記第１の導電層および前記第２の導電層の少なくとも一方の表面上に形成され、第１の誘電率を有する、少なくとも１つの第１の誘電層と、
第２の誘電率を有し、前記第１の誘電層の少なくとも１つを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に挟まれた第２の誘電層と、
を備え、
前記容量素子の、前記第１の導電層および前記第２の導電層の少なくとも一方は、他の容量素子の導電層に結合される、コンデンサ装置。
【請求項１８】
いくつかの容量素子を有するコンデンサ装置であって、
互いに向かい合う一対の第１の導電層、前記第１の導電層の少なくとも一方の表面上に形成された少なくとも１つの第１の誘電層、および前記第１の誘電層の少なくとも１つを介して前記第１の誘電層の間に挟まれた第２の誘電層を備える第１の容量素子と、
互いに向かい合う一対の第２の導電層、前記第２の導電層の少なくとも一方の表面上に形成された少なくとも１つの第３の誘電層、および前記第３の誘電層の少なくとも１つを介して前記第２の導電層の間に挟まれた第４の誘電層を備える第２の容量素子と、
を備え、
前記少なくとも１つの第１の誘電層は第１の誘電率を有し、前記少なくとも１つの第３の誘電層は第３の誘電率を有し、前記第３の誘電定数は前記第１の誘電定数とは異なる、コンデンサ装置。
【請求項１９】
キャパシタンスを有するコンデンサ装置であって、
互いに向かい合う一対の第１の導電層と、
前記第１の導電層の間に挟まれた誘電層と、
を備え、
前記誘電層は、少なくとも、第１の誘電率を有する第１の誘電材料と、前記第１の誘電率とは異なる第２の誘電率を有する第２の誘電材料とを含み、互いに並列接続され前記第１の導電層を共用する少なくとも２つの容量素子を形成するコンデンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概してコンデンサに関し、特にプリント基板または他の超小形電子デバイス内に埋め込むことのできるコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンデンサ（capacitors）は、回路にキャパシタンス（静電容量）を導入するのに使用される装置である。コンデンサは、主として電気エネルギーを蓄積するか、直流の流れを遮断するか、または交流の流れを可能にするように働く。コンデンサは、銅箔のような、間隔を置いて配置された一対の導電金属層間に挟まれた誘電材料層を備える。
【０００３】
コンデンサは、プリント基板（ＰＣＢ）およびその他の超小形デバイス上の一般的な素子である。近年、ＰＣＢ内の電源面と接地面との間に生じる電圧変動を補償する、このようなＰＣＢおよびＰＣＢ上に配置されるデバイスの設計にかなりの労力が費やされている。一般的な種類の電圧変動の１つとして、集積回路内のトランジスタのスイッチング動作によって生じる可能性のある「スイッチングノイズ」が挙げられる。この問題の一般的な解決策は、集積回路の近くで電源端子と接地端子との間に結合することのできる、デカップリングコンデンサまたはバイパスコンデンサとして働く１つまたは複数のコンデンサを配置することである。
【０００４】
コンデンサは、基板上の離散した素子として互いに電気的に接続するか、または基板内に埋め込むことができる。これらの選択肢のうちで、埋め込みコンデンサを基板内に形成することによって、他の目的のために基板の表面積を大きくすることができる。
【０００５】
コンデンサの選択に関する２つの主要な因子にはコンデンサのキャパシタンスおよび周波数帯域幅が含まれる。コンデンサの周波数帯域幅は、コンデンサが自己共振周波数よりも低い周波数で動作するときに適切に動作するためコンデンサの自己共振周波数によって決まる。数式（１）はコンデンサのキャパシタンスと自己共振周波数との関係を示している。
【０００６】
【数１】
2008277734.tif 000003
【０００７】
上式（１）において、ｆｒは自己共振周波数を表し、Ｌは寄生インダクタンス（すなわち、等価直列インダクタンス「ＥＳＬ」）を表し、Ｃは寄生キャパシタンス（すなわち、等価直列キャパシタンス「ＥＳＣ」）を表す。数式（１）によれば、より小さいキャパシタンスを有するコンデンサは、より高い自己共振周波数を有し、それによって広い周波数帯域幅を有することができる。一方、より大きいキャパシタンスを有するコンデンサは、より低い自己共振周波数を有し、それによって狭い周波数帯域幅を有することができる。しかし、デカップリングコンデンサの場合、高い自己共振周波数および高いキャパシタンスを有することが極めて望ましい。
【０００８】
キャパシタンスは、一般に以下の数式によって求めることができる。
【０００９】
【数２】
2008277734.tif 000004
【００１０】
上式（２）において、Ｃはファラッド単位のコンデンサのキャパシタンスを表し、εは誘電材料の誘電率を表し、Ａは２枚の導電板間に保持される誘電材料の表面積を表し、ｄはこの導電板間の距離を表す。上記の数式（２）によれば、キャパシタンスは、導電板の表面積および誘電材料の誘電率に比例し、導電板間の距離に反比例する。したがって、コンデンサのキャパシタンスを増大させるには、導電板の表面積を大きくするかまたは高い誘電率を有する極めて薄い誘電材料層を選択することができる。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第５，８００，５７５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、これらの手法はそれぞれ難点を有する。まず、導電板の表面積を大きくすることは、小形構成の目的から逸脱する。さらに、誘電材料の選択は、生産および構成上の多数の制限を受けることが多い。誘電層の厚さを薄くすると他の難点が生じる。特に、基板上の誘電層の厚さは、誘電体が堆積されるパターン化されたフィーチャ（たとえば、コンデンサ電極）の形状および寸法のために誘電厚さが著しくばらつくことがあるため調節するのが困難である。薄い誘電層構成では通常、薄い誘電層を通じた金属間短絡が起こり、誘電層に微視的空隙または他の構造欠陥が生じて容量効果および容量特性（capacitive effects and characteristics）が影響を受けるおそれがある。
【００１３】
本発明による例は、キャパシタンスを有するコンデンサ装置（capacitor device）およびコンデンサを製造する方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
少なくとも１つの容量素子を備え、キャパシタンスを有するコンデンサ装置であって、前記少なくとも１つの容量素子は、互いに向かい合う一対の第１の導電層と、少なくとも一方の、前記第１の導電層の表面上に形成され、第１の誘電率を有する、少なくとも１つの第１の誘電層と、第２の誘電率を有し、前記第１の誘電層の少なくとも１つを介して前記第１の導電層の間に挟まれた第２の誘電層と、を備え、前記コンデンサ装置の前記キャパシタンスは、前記少なくとも１つの第１の誘電層および前記第２の誘電層の誘電パラメータによって決まる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の一例は、少なくとも１つの容量素子を備えるキャパシタンスを含むコンデンサ装置を提供する。少なくとも１つの容量素子は、互いに向かい合う一対の第１の導電層と、少なくとも一方の第１の導電層の表面上に形成された少なくとも１つの第１の誘電層と、第１の導電層の間に挟まれた第２の誘電層とを有する。第１の誘電層は第１の誘電率を有し、第２の誘電層は第２の誘電率を有する。コンデンサ装置のキャパシタンスは、第１の誘電層および第２の誘電層の誘電パラメータによって決まる。誘電パラメータには、少なくとも１つの第１の誘電層の第１の誘電率および厚さならびに第２の誘電層の第２の誘電率および厚さが含まれる。
【００１６】
本発明の他の例は、一対の第１の導電層を設けることと、第１の導電層の一方上に少なくとも１つの第１の誘電層を形成することと、第１の導電層および少なくとも１つの第１の誘電層を第２の誘電層と積層することとを含む、コンデンサを製造する方法を提供する。
【００１７】
本発明による一例は、いくつかの容量素子を備えるコンデンサ装置を提供する。少なくとも１つの容量素子は、第１の導電層および第１の導電層と向かい合う第２の導電層と、第１および第２の導電層の少なくとも一方の表面上に形成された少なくとも１つの第１の誘電層と、第１の誘電層の少なくとも１つを介して第１の誘電層と第２の誘電層との間に挟まれた第２の誘電層とを備える。第１の誘電層は第１の誘電率を有し、第２の誘電層は第２の誘電率を有する。容量素子の第１および第２の導電層の少なくとも一方は、他の容量素子の導電層に結合される。
【００１８】
本発明による他の例は、いくつかの容量素子を有するコンデンサ装置を提供する。コンデンサ装置は、互いに向かい合う一対の第１の導電層と、少なくとも一方の第１の導電層の表面上に形成された少なくとも１つの第１の誘電層と、第１の誘電層の少なくとも１つを介して第１の誘電層の間に挟まれた第２の誘電層とを備える。コンデンサ装置はさらに、互いに向かい合う一対の第２の導電層と、少なくとも一方の第２の導電層の表面上に形成された少なくとも１つの第３の誘電層と、第３の誘電層の少なくとも１つを介して第２の誘電層の間に挟まれた第４の誘電層とを備える。少なくとも１つの第１の誘電層は第１の誘電率を有し、少なくとも１つの第３の誘電層は第３の誘電率を有する。第３の誘電定数は第１の誘電定数とは異なる。
【００１９】
本発明による一例は、キャパシタンスを有するコンデンサ装置を提供する。コンデンサ装置は、互いに向かい合う一対の第１の導電層と、第１の導電層の間に挟まれた誘電層とを備える。誘電層は、少なくとも、第１の誘電率を有する第１の誘電材料と、第１の誘電率とは異なる第２の誘電率を有する第２の誘電材料とを含み、互いに並列接続され第１の導電層を共用する少なくとも２つの容量素子を形成する。
【００２０】
上記の概要は、本発明についての以下の詳細な説明と共に、添付の例示的な図面に関連して解釈するとよりよく理解されよう。しかし、本発明が図示の構成および装備だけに限定されないことを理解されたい。
【００２１】
米国特許第５，８００，５７５号は、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサを製造する一方法を記載している。図１（ａ）を参照すると、製造プロセスではまず、誘電シート４０’の両側に積層または接着された導電箔２８’ および４６’を有する完全に硬化された誘電シート４０’を含む初期積層製品５０を形成する。その後、導電箔２８’を図１（ｂ）に示されているようにエッチングする。図１（ｃ）を参照すると、積層製品５０と同様に他の積層製品５２が形成されている。積層製品５２は、他の誘電層４２’と導電箔３０’ および４８’とを含んでいる。次に、未硬化誘電シート３２’を、導電箔２８’および３０’の両方に隣接するように積層製品５０および５２の間に配置する。従来の積層によって未硬化誘電シート３２’を完全に硬化した状態に変換した後、図１（ｄ）に示されているように、完成した容量ＰＣＢ１０’を形成する。誘電シート３２’の厚さは通常、大きなキャパシタンスが得られるように薄くされる。しかし、薄い誘電シート構成は、この薄い誘電シートを通じた望ましくない金属間短絡を生じさせることがある。
【００２２】
本発明の一例は、コンデンサの電極として働く導電層のうちの少なくとも１つの導電層を中間誘電層と積層する前に、この導電層上に被覆された少なくとも１つの誘電層を備えるコンデンサを提供する。このように、各導電層は、互いに接触しないように少なくとも１つの誘電層によって保護されている。図２（ａ）〜図２（ｆ）は、本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサを製造する方法を示している。この製造プロセスは、担体（carrier）２１２および導電層２１４を含む初期構造体２１０を形成することを含んでよい。いくつかの例では、担体２１２は、エポキシ樹脂を含浸させた補強材料またはエポキシで被覆された繊維補強材料であってよいプリプレグを含んでよい。一例では、担体２１２は、約９μｍから３６μｍの間の厚さを有してよく、銅のような１つまたは複数の導電材料で構成されている。導電層２１４は、図２（ａ）に示されているようにエッチングすることができる。本発明の目的に適した導電層は、所望の用途に応じて異なるものであってよい。いくつかの例では、導電層２１４は、銅、亜鉛、真鍮、クロム、クロム酸塩、窒化チタン、ニッケル、シラン、アルミニウム、ステンレススチール、鉄、金、銀、チタン、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を含んでよい。一例では、導電層２１４は、銅を含むかまたは銅で構成することができ、その厚さは５μｍから７５μｍの範囲であってよい。
【００２３】
図２（ａ）に示されているように、構造体２１０と同様な他の初期構造体２２０を、担体２２２および導電層２２４を含むように形成する。構造体２１０および２２０を中間誘電層２３０と積層する前に、導電層２１４および２２４の少なくとも一方上に他の誘電層を形成する。たとえば、図２（ａ）に示されているように導電層２２４上に誘電層２２６を形成し、図２（ｃ）に示されているように導電層２１４の一方および導電層２２４の一方の上に誘電層２１６および２２６を形成する。他の例では、図２（ｅ）に示されているように導電層２１４および２２４の両方に２つの誘電層２１６および２２６を形成する。誘電層は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、または薄い誘電層を形成することのできる任意の他の技術によって形成することができる。誘電層は、数百ほどの高い誘電率を有する誘電材料を含んでよく、約５μｍの厚さを有してよいが、厚さは様々な用途に応じて変更することができる。高誘電率または高Ｋ材料（high K material(s)）の例には、エポキシ、ポリエステル、コポリマーを含むポリエステル、芳香族熱硬化性コポリエステル、ポリアリーレンエーテルおよびフッ素化ポリアリーレンエーテル、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、液晶ポリマー、アリル化ポリフェニレンエーテル、アミン、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ、チタン酸ストロンチウム、バリウムチタン酸ストロンチウム、石英、およびその他のセラミックおよび非セラミック無機材料などの無機材料、これらの材料の組み合わせを含めてよい。
【００２４】
導電層２１４および２２４の一方に少なくとも１つの誘電層を塗布した後、２つの構造体２１０および２２０を中間層２３０に押し付けて、図２（ｂ）、図２（ｄ）、または図２（ｆ）に示されているように、中間誘電層２３０の一部が誘電層１２６および／または２２６の少なくとも１つを介して導電層２１４および２２４の間に挟まれる構造を形成することができる。誘電層２３０は、上述のように高い誘電率を有する誘電材料であってよい。一例では、誘電層２３０の誘電率は、誘電層２１６および／または２２６の誘電率よりも低くてよい。誘電層２３０の厚さは約２０μｍである。
【００２５】
上記に例示したコンデンサ構成では、導電層２１４および２２４は、互いに接触または短絡しないように誘電層２１６および／または２２６によって保護されている。さらに、誘電層２３０および誘電層２１６または２２６を備える誘電構造を有することによって、誘電構造の誘電率を中間誘電層２３０および誘電層２１６および２２６によって調節することができる。さらに、キャパシタンスは、誘電層２１６および／または２２６ならびに中間誘電層２３０の厚さによって決まる。
【００２６】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、本発明による例におけるＭＩＭコンデンサの製造を示している。図３（ａ）を参照すると、構造体３１０および３２０はそれぞれ、担体（３１２または３２２）および導電層（３１４または３２４）を含んでいる。パターン化された導電層３１４および３２４上に誘電層が形成されている。パターン化された導電層３１４および３２４上に形成された各誘電層は、様々な誘電材料または誘電材料の様々な組み合わせを有することによって様々な誘電率を有することができる。一例では、誘電層３１６ａは誘電層３２６ａと同じ誘電率を有し、一方、誘電層３１６ｂは誘電層３２６ｂと同じ誘電率を有する。構造体３１０および３２０を中間誘電層３３０と積層した後、図３（ｂ）に示されているようにコンデンサＣ１およびＣ２が形成される。コンデンサＣ１の誘電率はコンデンサＣ２の誘電率と異なるため、コンデンサＣ１およびＣ２はそれぞれの異なるキャパシタンスを有する。図３（ｂ）の等価電気回路が図３（ｃ）に示されており、この場合、コンデンサＣ１およびＣ２が並列接続されている。図３（ｄ）は、図３（ｂ）のコンデンサのインピーダンス曲線であり、コンデンサを並列接続すると、様々な周波数のノイズを低減させるかまたは無くす帯域幅のようなコンデンサの帯域幅を広くすることができることを示している。
【００２７】
図４（ａ）〜図４（ｂ）は、本発明の例によるＭＩＭコンデンサを示している。図３（ａ）と同様に、各構造体（４１０または４２０）は、担体（４１２または４２２）、パターン化された導電層（４１４または４２４）、パターン化された導電層上の誘電層（４１６または４２６）を含んでいる。さらに、図４（ａ）に示されているように各誘電層上に薄い導電層４１８および４２８が形成されている。２つの構造体４１０および４２０を誘電層４３０と積層した後で、図４（ｂ）に示されているようなより高いキャパシタンスを有するコンデンサを形成することができる。図４（ｃ）に示されているように、導電層４１４および４２４間の距離を薄い導電層４１８および４２８によって短くすることができる。したがって、キャパシタンスを増大することができる。一例では、導電層４１４および４２４間にいくつかの薄い導電層を含めて導電層間の距離を短くし、それによってキャパシタンスを増大することができる。導電層および薄い導電層は、上述の導電材料のうちの1つまたは複数を含んでよくあるいはそれらの材料で構成することができる。薄い導電層４１８および４２８は、印刷および／またはコーティング技術を使用して下方の誘電層上に形成することができる。誘電層は、上述の1つまたは複数の高誘電率材料を含んでよくあるいはそれらの材料で構成することができ、かつその下方の層上に印刷および／または被覆することができる。
【００２８】
図５（ａ）は、本発明による例におけるＭＩＭコンデンサを示している。この例では、構造体５１０および５２０は、担体（５１２または５２２）、導電層（５１４または５２４）、および導電層（５１４または５２４）の表面上の高誘電率材料のいくつかのスポットまたはその他のパターン（５１６または５２６）を含んでよい。各スポットは、インクジェット印刷またはその他の技術によって形成することができる。各スポットは、任意のパターンまたはパターンの任意の組み合わせを形成することができ、パターンは、インクジェット印刷プロセスなどの形成プロセスを制御することによって形成することができる。スポットを有する構造体５１０および５２０は、図５（ｂ）に示されているように中間誘電材料５３０に押し付けることができる。スポット５１６または５２６を誘電材料で形成する場合、これらのスポットは導電層５１４および５２４が金属間短絡を起こさないよう保護する。さらに、コンデンサ５００ａおよび５００ｂの誘電率は、互いに近いスポット同士の間の距離によって決まる。
【００２９】
図５（ｃ）は、本発明による例における他のＭＩＭコンデンサを示している。図５（ａ）と同様に、構造体５１０および５２０は、担体（５１２または５２２）と、導電層（５１４または５２４）と、インクジェット印刷またはその他の技術によって導電層（５１４または５２４）の表面上に設けられたいくつかのスポット（５１６または５２６）を含んでよい。スポットには、高誘電率材料の誘電スポット（５１６ａまたは５２６ａ）および導電材料の導電スポット（５１６ｂまたは５２６ｂ）が含まれる。この場合、図５（ｄ）に示されているように、スポットを有する構造体５１０および５２０を中間誘電層５３０に押し付けることができる。一例では、誘電スポット５１６ａおよび５２６ａならびに導電スポット５１６ｂおよび５２６ｂは、交差または格子縞パターンを形成することができる。導電スポットおよび誘電スポットは、スポットまたはパターン構成に応じて、図５（ｅ）に示されているように２つの構造体からの導電スポット同士を接続することによって形成される波型誘電層を含むコンデンサを形成することができる。図示の例では、キャパシタンスは、図５（ｅ）に示されているように２つの導電スポット間の最小距離ｘによって決まる。
【００３０】
他の例では、様々な誘電率を有する誘電材料によってスポットまたは誘電層を形成することができる。図６（ａ）は、積層後のコンデンサの構造を示している。図６（ａ）を参照すると、コンデンサ６００ａは、様々な誘電材料または様々な誘電材料の組み合わせを有することによって３つの異なる誘電率を有する誘電層６３０を備えている。その結果、並列に接続された３つの容量素子が形成される。この３つの容量素子は導電層６１４および６２４を共用するため、これらの容量素子を並列接続するのに追加の配線は必要とされない。図６（ｂ）は、図６（ａ）の構造の等価電気回路の一例である。図６（ｃ）は、図６（ｄ）に示されているように並列接続されたＳＭＣコンデンサの有効帯域幅よりも広い有効帯域幅を示す、図６（ａ）のコンデンサのインピーダンス曲線である。
【００３１】
上記の議論は、単一のＭＩＭコンデンサに関する議論である。いくつかの例では、本発明によるいくつかの容量素子７１０ａ，７１０ｂ，７１０ｃは、図７（ａ）に示されているような１組のコンデンサ７２０を形成することができる。図７（ｂ）は、本発明による他の例示的な１組のＭＩＭコンデンサを示している。図７（ｂ）は、並列接続された容量素子７３０ａおよび７３０ｂならびに容量素子７３０ｃを含んでいる。図７（ｃ）は、本発明による例示的な１組のＭＩＭコンデンサを示している。図７（ｃ）は、容量素子７４０ａ、７４０ｂ、および７４０ｃを含んでいる。図７（ｃ）に示されているように、接地板７５０のようなこの３つのコンデンサの電極のうちの１つを結合することができる。
【００３２】
当業者には、本発明の広義の概念から逸脱せずに上述の実施形態に変更を施せることが理解されよう。したがって、本発明が上述の特定の実施形態に限定されず、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の要旨および範囲内の修正実施形態を対象とするものであることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１（ａ）】金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図１（ｂ）】金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図１（ｃ）】金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図１（ｄ）】金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図２（ａ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図２（ｂ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図２（ｃ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図２（ｄ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図２（ｅ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図２（ｆ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図３（ａ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図３（ｂ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図３（ｃ）】図３（ｂ）の構造の等価電子回路を示す図である。
【図３（ｄ）】図３（ｂ）のコンデンサのインピーダンス曲線を示す図である。
【図４（ａ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図４（ｂ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図４（ｃ）】図４（ｂ）の等価構造を示す図である。
【図５（ａ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図５（ｂ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図５（ｃ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図５（ｄ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図５（ｅ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図６（ａ）】本発明による例における金属−絶縁体−金属コンデンサの断面図である。
【図６（ｂ）】図６（ａ）の構造の等価電子回路を示す図である。
【図６（ｃ）】図６（ａ）のコンデンサのインピーダンス曲線を示す図である。
【図６（ｄ）】並列接続された３つのＳＭＤコンデンサのインピーダンス曲線を示す図である。
【図７（ａ）】本発明による例の容量コアを示す図である。
【図７（ｂ）】本発明による例の容量コアを示す図である。
【図７（ｃ）】本発明による例の容量コアを示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
２１０，２２０，３１０，３２０，４１０，４２０，５１０，５２０  構造体、２１２，２２２，３１２，３２２，４１２，４２２，５１２，５２２  担体、２１４，２２４，３１４，３２４，４１４，４１８，４２４，４２８，５１４，５２４，６１４，６２４  導電層、２１６，２２６，３１６ａ，３１６ｂ，３２６ａ，３２６ｂ，４１６，４２６，６３０  誘電層、２３０，３３０，４３０，５３０  中間誘電層、５１６，５２６  スポット、５１６ａ，５２６ａ  誘電スポット、５１６ｂ，５２６ｂ  導電スポット、５００ａ，５００ｂ，６００ａ，６００ｂ，７２０  コンデンサ、７１０ａ，７１０ｂ，７１０ｃ，７３０ａ，７３０ｂ，７３０ｃ，７４０ａ，７４０ｂ，７４０ｃ  容量素子、７５０  接地板。
【図１（ａ）】
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【図１（ｂ）】
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【図１（ｃ）】
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【図１（ｄ）】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図２（ｃ）】
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【図２（ｄ）】
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【図２（ｅ）】
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【図２（ｆ）】
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【図３（ａ）】
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【図３（ｂ）】
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【図３（ｃ）】
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【図３（ｄ）】
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【図４（ａ）】
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【図４（ｂ）】
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【図４（ｃ）】
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【図５（ａ）】
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【図５（ｂ）】
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【図５（ｃ）】
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【図５（ｄ）】
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【図５（ｅ）】
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【図６（ａ）】
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【図６（ｂ）】
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【図６（ｃ）】
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【図６（ｄ）】
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【図７（ａ）】
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【図７（ｂ）】
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【図７（ｃ）】
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