(57)【要約】【課題】改善された反り防止特性を有する回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】当該回路基板は、基板と、基板上の反り防止パターンとを備える。当該反り防止パターンは、基板の第１コーナーに第１パターン及び基板の第２コーナーに第２パターンを備える。当該第１コーナー及び第２コーナーは、互いに隣接するように配される。当該第１パターンの全体的な方位は、基板に対する第２パターンの全体的な方位と異なる。半導体パッケージの反りは、回路基板のコーナーで応力線をブロックすることによって大きく減少できる。当該反り防止パターンの多様な配置及び方位が回路基板内の応力集中を効果的に遮断するために提供される。【選択図】図４
2008085340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配された反り防止パターンとを備え、前記反り防止パターンは、前記基板の第１コーナーに第１パターン及び前記基板の第２コーナーに第２パターンを備え、前記第１コーナー及び前記第２コーナーは互いに隣接し、
前記第１パターンの全体的な方位は、前記基板に対する前記第２パターンの全体的な方位と異なることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記第１パターン及び前記第２パターンは、互いに連結されていないことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記基板は多層印刷回路基板（ＰＣＢ）を備え、前記第１パターン及び前記第２パターンは、前記ＰＣＢ内の互いに異なる層上に配されたことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１パターンの少なくとも一部分の長軸は、前記第２パターンの少なくとも一部分の長軸に対して角度をなすように方向付けされていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１パターン及び前記第２パターンは、前記基板の内部領域から前記基板の第１及び第２コーナーに向かう応力線と交差するように方向付けされていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第１パターン及び前記第２パターンそれぞれは、複数の反り防止部材を備えることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項７】
前記反り防止部材は、直線、蛇行する形状の線、折線、曲線、部分的な曲線及びその組み合わせを含むことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記基板の内部領域内に配された導電性パターン領域をさらに備え、前記反り防止部材の少なくとも一端は、前記導電性パターン領域と接することを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項９】
前記導電性パターン領域は導電性パターンを備え、前記導電性パターンは、前記反り防止部材の少なくとも一つに侵入し、前記少なくとも１つの反り防止部材が複数の反り防止サブ部材に分割されたことを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記基板上に配された複数のソルダボールパッドをさらに備え、前記ソルダボールパッドの少なくとも一つは前記第１パターンに侵入し、前記少なくとも１つの反り防止部材が複数の反り防止サブ部材に分割されたことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記反り防止部材は折れた形状であり、前記反り防止部材の折れた点は、前記回路基板の中心部に向かうことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記反り防止部材は折れた形状であり、前記反り防止部材の折れた点は、前記回路基板の中心部から遠ざかることを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記基板の中心部から前記第１コーナーに伸張する軸は、前記反り防止部材の少なくとも一つと９０°の角度で交差することを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項１４】
前記第１パターン内の前記反り防止部材の長さは、前記第１コーナーから遠ざかるほどだんだんと増大することを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項１５】
前記第１及び第２パターンの少なくとも１つの前記反り防止部材の少なくとも一つは、前記第１及び第２パターンの少なくとも１つの他の反り防止部材と平行していることを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項１６】
前記第１パターン及び前記第２パターンは、前記基板の長いエッジに沿って補助パターンによって連結されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１７】
前記第１パターン及び前記第２パターンは、前記基板の短いエッジに沿って補助パターンによって連結されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１８】
前記第１パターン及び前記第２パターン間に配された付加パターンをさらに備え、前記付加パターンは、一つまたはそれ以上の付加反り防止部材を備えることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１９】
前記一つまたはそれ以上の付加反り防止部材は、前記第１パターンまたは前記第２パターンの反り防止部材に対して角度をなすように配されたことを特徴とする請求項１８に記載の回路基板。
【請求項２０】
前記第１パターンは、前記基板の長いエッジ上で前記第２パターンと接することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項２１】
前記第１パターンは、前記長いエッジの中心で前記第２パターンと接することを特徴とする請求項２０に記載の回路基板。
【請求項２２】
前記第１パターンは、前記基板の短いエッジ上で前記第２パターンと接することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項２３】
前記第１及び第２パターンと隣接した前記基板の内部領域内に配されたダミーパターンをより備えることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項２４】
前記ダミーパターンは、メッシュタイプパターン、板タイプパターン及びアイランドタイプパターンの一つであることを特徴とする請求項２３に記載の回路基板。
【請求項２５】
前記基板は、少なくとも３つのコーナーを有する多角形であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項２６】
前記多角形は、長方形タイプ、三角形タイプ及び五角形タイプの一つであることを特徴とする請求項２５に記載の回路基板。
【請求項２７】
前記第１パターン及び前記第２パターンは、対応するコーナーを両分する軸に直交する方向に沿って伸張することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項２８】
前記第１パターン及び前記第２パターンの少なくとも一部分の長軸は、前記基板の対応するコーナーを形成する２つのエッジに交差するように配列されたことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項２９】
前記第１及び第２パターンの一端または両端は、前記コーナーを形成する前記エッジから離隔されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３０】
導電性パターン領域及び前記導電性パターン領域によって画定された反り防止領域を有する基板と、
前記反り防止領域上に配された反り防止パターンとを備え、前記反り防止パターンは、前記基板の第１コーナーで前記基板に対して集合的に第１方位を定義する第１群の反り防止部材を備える第１パターン、及び前記基板の第２コーナーで前記基板に対して集合的に第２方位を定義する第２群の反り防止部材を備える第２パターンを備え、前記第１コーナー及び前記第２コーナーは互いに隣接し、
前記第１方位は前記第２方位と異なり、
前記第１及び第２パターンの前記反り防止部材は、互いに断絶されていることを特徴とする回路基板。
【請求項３１】
前記第１コーナー内の前記反り防止部材は、いずれも前記基板に対して同じ方位に配列され、前記第２コーナー内の前記反り防止部材は、いずれも前記基板に対して同じ方位に配列されたことを特徴とする請求項３０に記載の回路基板。
【請求項３２】
前記基板は長方形基板であり、前記長方形基板は２つの長いエッジ及び２つの短いエッジを有し、
前記回路基板は、前記導電性パターン領域上に配された導電性パターンをさらに備え、
前記反り防止パターンは、前記長方形基板の第３コーナーに第３パターンをさらに備え、前記第１コーナー及び前記第３コーナーは互いに反対に配され、前記第１パターン及び前記第３パターンは、同じ方向に沿って方向付けされていることを特徴とする請求項３０に記載の回路基板。
【請求項３３】
前記反り防止部材の少なくとも１つの幅は、その長軸によって変わることを特徴とする請求項３０に記載の回路基板。
【請求項３４】
前記第１パターンまたは前記第２パターンのいずれか１つの反り防止部材中のうち、前記基板の対応するコーナーに隣接するように配された一つは、前記基板の前記対応するコーナーから遠くに配された他の反り防止部材より小さいことを特徴とする請求項３０に記載の回路基板。
【請求項３５】
前記反り防止パターンは、前記導電性パターンと同じ物質を含むことを特徴とする請求項３０に記載の回路基板。
【請求項３６】
前記反り防止パターンは、前記導電性パターンと異なる物質を含むことを特徴とする請求項３０に記載の回路基板。
【請求項３７】
前記反り防止パターンは、ソルダレジスト物質を含むことを特徴とする請求項３０に記載の回路基板。
【請求項３８】
基板と、
前記基板の内部領域内に画定された導電性パターン領域と、
前記導電性パターン領域の外側に前記基板のコーナー内に画定された反り防止領域と、
前記導電性パターン領域上に配された導電性パターンと、
前記導電性パターン領域上に配された複数のボンドフィンガと、
前記導電性パターン領域上に配された複数のソルダボールパッドと、
前記基板上に配されて複数のボンドパッドを有し、前記ボンドパッドの少なくとも一つは、前記ボンドフィンガの少なくとも一つに電気的に連結されている半導体チップと、前記反り防止領域上に配された反り防止パターンを備え、
前記反り防止パターンは、前記基板の第１コーナーに第１パターン及び前記基板の第２コーナーに第２パターンを備え、前記第１コーナー及び前記第２コーナーは互いに隣接し、前記第１パターン及び前記第２パターンは互いに断絶され、
前記第１パターンの全体的な方位は、前記第２パターンの全体的な方位と前記基板に対して互いに異なることを特徴とする回路基板。
【請求項３９】
電気的絶縁性基板を提供する段階と、
前記基板の導電性パターン領域内に導電性パターンを形成する段階と、
前記基板の第１コーナーに第１反り防止パターンを形成する段階と、
前記基板の第２コーナーに第２反り防止パターンを形成する段階とを含み、
前記第１コーナー及び前記第２コーナーは互いに隣接し、
前記基板に対する前記第１パターンの全体的な方位は、前記基板に対する前記第２パターンの全体的な方位と互いに異なることを特徴とする反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４０】
前記第１反り防止パターン及び前記第２反り防止パターンは、互いに断絶されていることを特徴とする請求項３９に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４１】
前記基板は多層印刷回路基板（ＰＣＢ）を備え、前記第１反り防止パターン及び前記第２反り防止パターンは、前記ＰＣＢ内の互いに異なる層上に形成されたことを特徴とする請求項３９に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４２】
前記第１反り防止パターン及び前記第２反り防止パターンそれぞれは、互いに離隔されている一つまたはそれ以上の反り防止部材を備えることを特徴とする請求項３９に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４３】
前記第１コーナー内の前記反り防止部材は、いずれも前記基板に対して同じ方位に配列され、前記第２コーナー内の前記反り防止部材は、いずれも前記基板に対して同じ方位に配列されたことを特徴とする請求項４２に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４４】
前記反り防止部材は、前記導電性パターンと異なる物質から形成されたことを特徴とする請求項４２に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４５】
前記第１及び第２反り防止パターンを形成する段階は、
導電性物質のホイル層を有するコア基板上にドライフィルムパターンを形成する段階と、
前記ホイル層上に導電性物質をメッキする段階と、
前記ドライフィルムパターン及び前記ホイル層の一部分を除去する段階とを含むことを特徴とする請求項３９に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４６】
前記第１及び第２反り防止パターンを形成する段階は、
導電性物質のホイル層を有するコア基板上に導電性物質をメッキし、メッキされた導電性物質層を形成する段階と、
前記メッキされた導電性物質層上にドライフィルムパターンを形成する段階と、
前記ドライフィルムパターンによって露出された前記メッキされた導電性物質層部分を除去するために、前記メッキされた導電性物質層をエッチングする段階と、
前記ドライフィルムパターンを除去する段階とを含むことを特徴とする請求項３９に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４７】
前記第１及び第２反り防止パターンを形成する段階は、前記基板上にソルダレジスト層を形成して前記ソルダレジスト層をパターニングすることを含むことを特徴とする請求項３９に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４８】
前記基板上にソルダレジスト層を形成する段階をさらに含むことを含むことを特徴とする請求項３９に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項４９】
前記ソルダレジスト層は、前記第１及び第２反り防止パターンの少なくとも１つの少なくとも一部分を覆うことを含むことを特徴とする請求項４８に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【請求項５０】
前記ソルダレジスト層は、前記第１及び第２反り防止パターンの少なくとも１つの一部分を露出させることを含むことを特徴とする請求項４８に記載の反り防止回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及びかような回路基板を備えるパッケージに係る。特に、本発明は改善された反り防止特性を有する回路基板、反り防止回路基板の製造方法及びかような反り防止回路基板を有するパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近電子素子は、小サイズ、大メモリ容量及び高性能を要し、モバイル装置などに利用される。これにより、かような最近の電子素子、例えばモバイル電子素子に入る半導体パッケージもまた小サイズ、大きいメモリ容量及び高性能を要する。典型的に、半導体チップパッケージは、リードフレームタイプまたはボールグリッドアレイ（ＰＧＡ：Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）／ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ：Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプパッケージである。印刷回路基板（ＰＣＢ）またはフィルム基板が高い信頼性及び半導体チップパッケージの小サイズ及び重さを得るためにＢＧＡ／ＬＧＡタイプパッケージと組み合わせて使われることが多い。
【０００３】
ＰＣＢは、典型的にポリイミド物質よりなる絶縁基板及び典型的に銅（Ｃｕ）よりなる導電性パターンを備える。かような導電性パターンは、半導体基板の層間に配されるか、または基板表面のどれか一つの上に配されうる。チップパッケージが電子システム、例えばモバイル電子素子内のメインボードに利用されるとき、かようなパッケージは、ボンディング目的の熱段階で露出されうる。かような熱段階によって、チップパッケージ内の多様な構成間の熱膨張率（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）差によって、パッケージ反りが発生しうる。かような構成としては、半導体チップ、基板、モルディングコンパウンドが含まれうる。
【０００４】
図１は、一般的な半導体チップパッケージデザインを示す。半導体チップ２０は、回路基板１０上に配置される。半導体チップ２０は、ワイヤ１６を介して導電性パターン２２にカップリングされる。ワイヤ１６の一端はチップパッド１８に連結され、他端はボンドフィンガ１４に連結される。ダミーパターン１２は基板１０上に配され、特許文献１に開示されたように、基板１０の強度を向上させる。ダミーパターン１２は、半導体チップパッケージのパワーまたは接地リードに連結されうる。導電性パターン２２は、その上にソルダボールが形成されるソルダボールパッドを備えることができる。ソルダボールは、ソルダボールパッドにソルダペーストを塗布して熱を加えることによってソルダペーストから形成される。
【０００５】
図２は、回路ボード４０上に実装された半導体チップパッケージの断面図であり、半導体チップパッケージのエッジでの反りを示している。半導体チップを有する電子素子の一般的な製造段階は、回路基板１０に半導体チップ２０を付着する段階を含む。半導体チップ２０は、続いてワイヤ１６を利用して回路基板１０に電気的に連結される。かような段階は、当該技術分野で一般的に公知の標準ワイヤ−ボンディング工程によって達成されうる。次に、半導体チップ２０及びワイヤ１６は、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）５０によって密封される。次に、ソルダボールまたはソルダバンプ３０が回路基板１０に付着される。次に、単一化段階によって個別的な半導体チップパッケージに分離される。かような段階は、ウェーハダイシング工程によって達成される。最後に、ソルダボールまたはソルダバンプ３０がボールランド４２に付着され、半導体チップパッケージを回路ボード４０に付着するために利用される。かような段階は、チップパッケージを回路ボード４０に付着するためにソルダボールまたは他の導電性物質、例えばソルダペーストを溶かすために熱処理を含むことができる。
【０００６】
一般的な半導体チップパッケージデザインにおける１つの問題は、ソルダボールを形成したり、またはチップパッケージを回路ボードに結合させるために利用される熱工程が図２に「ａ」で図示されているように、半導体チップパッケージの反りを引き起こしうるということである。かような反りは、半導体チップ２０、回路基板１０及びＥＭＣ５０間のＣＴＥ差に起因しうる。かような反りは、図２の回路ボード４０の真ん中の部分に図示されているように、チップパッケージ及び回路ボード４０間に断線を引き起こしうる。さらに、基板の厚み方向内の物質（例えば、基板物質、導電性パターン及びダミーパターン）のＣＴＥ差から起因する応力がチップパッケージの反りを招く役割を行いうる。
【０００７】
図３ａ及び図３ｂは、チップパッケージを回路ボードに実装するための熱処理段階の間の回路基板１０の応力の等高線グラフである。図３ａ及び図３ｂのさらに暗い領域は、さらに高い応力を表す。図示されているように、回路基板の中心及びコーナーが回路基板１０の他の領域に比べて比較的高い応力成分を有する。しかし、半導体チップ２０が回路基板１０の中心領域に配され、中心領域で応力に抵抗できるために、回路基板１０の中心領域の応力成分は比較的小さい。しかし、かような抵抗は、回路基板１０のコーナーでの応力を押し出すことには十分でない。従って、回路基板１０のコーナーで応力が反りを引き起こす。さらに、銅で設けられた導電性パターン及びダミーパターンは、高いＣＴＥまたは高い収縮率を有するために、コーナーに付加的な応力成分を引き起こしうる。
【０００８】
すなわち、応力は、回路基板１０の４つのコーナー（「ｂ」で表示）に集中する。半導体チップ２０の熱膨張率または熱収縮率が比較的低いために、半導体チップ２０は、回路基板１０及びＥＭＣ５０間に発生した応力に抵抗する。従って、半導体チップ２０が付着された回路基板１０領域の反りは比較的小さい。一方、領域「ｂ」では、応力に対抗する物質、例えば半導体チップ２０が十分ではない。従って、応力は、大きな抵抗なしに印加される。特に、高い収縮率を有する導電性パターンは、回路基板１０のコーナーに向かって熱応力を招くことが可能である。しかも、ダミーパターン１２が回路基板１０の収縮をさらに助長し、これにより領域「ｂ」で反りを増大させる。かような反りは、実装段階で回路ボード４０に対するソルダボール３０の高さの不均衡を招き、図２に図示されているように接触欠陥を招く。
【０００９】
チップパッケージの反りを防止するための１つの方法が特許文献２に開示されている。該特許文献は、ＰＣＢ上に配された反り防止パターンを示す。反りを防止するための他のアプローチは、前記特許文献１に開示されている。
【００１０】
かような従来の方法は、基板の異なるコーナーで集中しうる応力線の異なる方向について説明できていない。結果的に、応力が基板のコーナーで効果的に減少しない。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６８６４４３４号明細書
【特許文献２】特開２０００−１５１０３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、従来の技術の短所を解決するためのものであり、本発明がなそうとする技術的課題は、改善された反り防止特性を有する回路基板を提供するところにある。
【００１３】
本発明がなそうとする他の技術的課題は、反り防止回路基板の製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記技術的課題を達成するための本発明の一形態による回路基板が提供される。該回路基板は、基板と、前記基板上の反り防止パターンとを備える。前記反り防止パターンは、前記基板の第１コーナーに第１パターン及び前記基板の第２コーナーに第２パターンを備える。前記第１コーナー及び前記第２コーナーは、互いに隣接するように配置される。前記第１パターンの全体的な方位は、前記基板に対する前記第２パターンの全体的な方位と異なる。半導体パッケージの反りは、前記回路基板のコーナーで応力線が切断されることによって大きく減少しうる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による回路基板によれば、基板の内部領域でコーナー方向に伸張する応力線を、反り防止パターンを利用して切断するか、または交差させることによって、回路基板のコーナーで応力集中を大きく下げることができる。これにより、熱工程またはソルダリフロー工程の間に回路基板または半導体チップパッケージの反りを大きく減らすことができる。その結果、半導体チップパッケージと回路ボードとの間の断線欠陥を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付した図面を参照し、本発明による望ましい実施形態について説明することによって本発明を詳細に説明する。しかし本発明は、以下で開示される実施形態に限定されず、互いに異なる多様な形態で具現され、単に本実施形態は、本発明の開示を完全なものにして、当業者に発明の範疇を完全に伝えるために提供されるのである。図面で構成要素は、説明の便宜のためにその大きさが誇張されることもある。
【００１７】
取り立てて定義されない限り、ここに使われたあらゆる用語は、当該技術分野の当業者によって一般的に理解されているような意味に使われる。さらに、一般的に利用される辞書に定義された用語は、適切な技術分野でその意味と一貫した意味に解釈されるものであり、ここに特別に定義されない限り、理想化されたり、または過度に公式的な意味に解釈されるものではない。
【００１８】
図４は、本発明の一実施形態による半導体チップパッケージを示す平面図であり、本発明は、図５及び図６を参照して後述される概念を利用している。
【００１９】
図４を参照すれば、半導体チップパッケージは、回路基板１００及び半導体チップ１２０を備える。回路基板１００は、回路基板１００内にそれぞれ定義された導電性パターン領域１０２及び反り防止領域１０４を備える。反り防止領域１０４は、導電性パターン領域１０２によって回路基板１００のコーナーまたは周辺に画定され、導電性パターン領域１０２は、例えば回路基板１００の内部領域内に反り防止領域１０４に隣接するように画定されうる。回路基板１００は、絶縁性コア基板、例えば一つまたはそれ以上のＰＣＢを含むことができ、フィルム−タイプパッケージ基板でありうる。回路基板１００は、多様な電子素子、例えばモバイル応用装置またはパソコンのメモリ素子、ディスプレイ素子、またはディスプレイ駆動素子（ＤＤＩ：Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｒｉｖｅｒ  ＩＣ）に適切に利用される基板形態でありうる。導電性パターン領域１０２は、導電性パターン１１２を備えることができ、導電性パターン１１２は、ボンドフィンガ１０６及びソルダボールパッド（図示せず）を備えることができる。導電性パターン領域１０２は、ダミーパターン（図示せず）をさらに備えることができる。導電性パターン領域１０２がダミーパターンを備える場合、ダミーパターンは、導電性パターン１１２及びボンドフィンガ１０６が形成される領域内に配されない。ダミーパターンは、例えば、板（ｐｌａｎｅ）、メッシュ（ｍｅｓｈ）またはアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形状に形成される。半導体チップ１２０は、ボンドパッド１１０及び導電性ワイヤ１０８を備えることができ、導電性ワイヤ１０８は、ボンドパッド１１０をボンドフィンガ１０６に連結する。当該技術分野の当業者ならば、他の公知の方法、例えばフリップチップボンディングがボンドパッド１００をボンドフィンガ１０６に連結するために使われることができることを理解できるもおである。
【００２０】
反り防止領域１０４は、回路基板１００のコーナー上でいかなる適切な形状をも有することができ、例えば三角形状を有することができる。反り防止領域１０４の形は、回路基板１００のコーナーの位置によっても変化しうる。さらに、応力をより良好に放散するために、導電性パターン領域１０２及び反り防止領域１０４が出合う界面領域は、図示されていないが、丸かったり、または曲線でありうる。反り防止領域１０４の大きさは、導電性パターン領域１０２を収容するために、必要によって変形しうる。
【００２１】
反り防止パターンＰは、回路基板１００の一部またはあらゆるコーナーに配されうる。例えば、反り防止パターンＰは、回路基板１００が長方形状を有する場合に、３つまたは４つのコーナー上に形成されうる。
【００２２】
反り防止パターンＰは、回路基板１００の第１コーナーに第１パターンＰ１及び回路基板１００の第２コーナーに第２パターンＰ２を備えることができる。回路基板１００の第１及び第２コーナーは、回路基板１００の２つの隣接したコーナーになりうる。第１及び第２パターンＰ１，Ｐ２は、後述するように、一つまたはそれ以上の反り防止部材Ｌ０，Ｌ１を備えることができる。第１及び第２パターンＰ１，Ｐ２は、互いに連結されていないで断絶されている。
【００２３】
本発明の一側面によれば、回路基板１００に対する第１パターンＰ１の全体的な方位（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）または方向は、回路基板１００に対する第２パターンＰ２の全体的な方位または方向と異なりうる。ここで、回路基板１００のエッジ（ｅｄｇｅ）、コーナー（ｃｏｒｎｅｒ）またはボディー全体は、回路基板１００に対して第１及び第２パターンＰ１，Ｐ２の方位を決定するとき、基準点になりうる。例えば、第１パターンＰ１の反り防止部材の全体的な方位は、第２パターンＰ２の反り防止部材の全体的な方位と異なりうる。かような点で、第１パターンＰ１の反り防止部材は、回路基板１００の第１コーナーで集合的に第１方位を定義し、第２パターンＰ２の反り防止部材は、回路基板１００の第２コーナーで集合的に第２方位を定義する。図４で、第１パターンＰ１は、回路基板１００に対して左下側から右上側に、またはその反対に一般的に方向付けされ、第２パターンＰ２は、右下側から左上側、またはその反対に一般的に方向付けされうる。
【００２４】
一部実施形態で、第１コーナー内の全ての反り防止部材は回路基板１００に対して実質的に同じ方位に配列され、第２コーナー内の全ての反り防止部材は回路基板１００に対して実質的に同じ方位に配列されうる。例えば、第１コーナー内の反り防止部材の実質的な全ては、第１方位、例えば左下側から右上側に、またはその反対に配列され、第２コーナー内の反り防止部材の実質的な全ては、第２方位、例えば右下側から左上側に、またはその反対に配列されうる。
【００２５】
一部の場合において、当該技術分野の当業者ならば、反り防止部材の一部は、反り防止部材の残りと異なる方向に配されうることを理解することができるであろう。
【００２６】
一観点で、第１パターンＰ１の少なくとも一部の長軸は、第２パターンＰ２の少なくとも一部の長軸に対して角度をなすように配されうる。
【００２７】
図４で、反り防止パターンＰは後述するように、直線タイプに図示されている。しかし、反り防止パターンＰが、例えば図１５に図示されているように、一つまたはそれ以上の曲線または弧（ａｒｃ）を含むならば、反り防止パターンＰの全体的な方位は、弦（ｃｈｏｒｄ）、例えば弧の曲線上の二点を結ぶ直線の方位によって決定されうる。直線または弧と異なる形を有する反り防止パターンＰの全体的な方位は、前述した弧の方位を決定する方法を利用して決定されうる。
【００２８】
他の観点で、第１パターンＰ１の少なくとも一部は、第１コーナーを両分する軸に対して実質的に直交する方向に沿って伸張できる。また、第２パターンＰ２は、第２コーナーを両分する軸に実質的に直交する方向に沿って伸張できる。
【００２９】
半導体チップパッケージの一部構成は回路基板１００の一面上に配され、他の構成は回路基板１００の他の面上に配されうる。例えば、ボンドフィンガ１０６は、回路基板１００の第１面上に配され、ソルダボールパッドは、回路基板１００の反対側の第２面上に配されうる。さらに、ダミーパターン及び／または反り防止パターンＰは、回路基板１００の一面または他の面上に配され、さらに両面上に配されることもある。回路基板１００が一層以上を含む場合、反り防止パターンＰは、図示されていないが、一層以上に配されうる。特に、回路基板１００が多層ＰＣＢを含む場合、反り防止パターンＰは、多層ＰＣＢの最下層、最上層または中間層のどこにも形成されうる。従って、第１パターンＰ１は、多層ＰＣＢの第２パターンＰ２と異なる層上に形成されうる。反り防止パターンＰは、スクリーンプリンティング、メッキ、フォトリソグラフィまたは他の適切な工程を利用して形成されうる。
【００３０】
図４に図示されているように、回路基板１００のコーナーの一部または全ての内部で反り防止パターンＰの少なくとも一部は、一つまたはそれ以上の反り防止部材（例えば、Ｌ１，Ｌ２）を備えることができる。反り防止部材（例えばＬ１，Ｌ２）のいずれもまたは一部は、互いに実質的に平行するように設けられる。また、反り防止部材の一部は、例えば図６または図１０に図示されているように、一部コーナーで他の反り防止部材と鋭角または鈍角をなすことがある。反り防止部材は、導電性パターン１１２と同じ物質から形成され、例えば約１００μｍ幅を有することができる。反り防止部材の幅は、装置によって１００μｍより大きくてもよいし小さくてもよい。付加的に、反り防止部材Ｌ１，Ｌ２は、単一反り防止パターン（例えば、Ｐ１，Ｐ２）内に順次に配列されうる。例えば、コーナーに最も近い反り防止部材Ｌ１は第１次数反り防止部材と呼ばれ、コーナーにその次に近い反り防止部材Ｌ２は、第２次数反り防止部材と呼ばれ、残りもこれと同様である。各コーナー反り防止パターンＰ１，Ｐ２は、他の反り防止パターンの他の反り防止部材に順次に対応する反り防止部材を備えることができる。反り防止部材（例えば、Ｌ１，Ｌ２）の長さは、回路基板１００のコーナーから遠ざかるほどだんだんと増大できる。すなわち、回路基板１００のコーナーに最も近接して配された反り防止部材Ｌ１は、回路基板１００のコーナーにさらに遠く配された反り防止部材Ｌ２より小さい。
【００３１】
本発明の一部実施形態で、反り防止部材の少なくとも一つは、図６を参照して後述するように、回路基板１００の中心から第１コーナーに伸張する軸に対して約９０°をなす。
【００３２】
反り防止部材は、回路基板１００のエッジまで伸張するか、または反り防止部材は、回路基板１００のエッジに単に近接して（接触せずに）伸張できる。反り防止部材を形成するためにフォトリソグラフィが利用される場合、反り防止部材は、回路基板１００のエッジまでの全体に亘っては伸張しない。従って、第１及び第２パターンの一つまたは二つは、コーナーをなすエッジから互いに離隔されうる。
【００３３】
一部実施形態で、反り防止部材は、実質的に直線、蛇行する形状の線、折線、曲線または部分的な曲線であるか、またはそれらの組み合わせでありうる。特に、反り防止部材は、部分的に直線であり、かつ／または部分的に曲線でありうる。反り防止部材は、均一の幅を有し、その幅は、反り防止パターンＰの長軸によって変わることが可能である。反り防止部材間の離隔距離は、反り防止部材の幅とほぼ同じでありうるが、必ずしもその限りではない。反り防止部材のピッチは、導電性パターン領域１０２内の応力の大きさによって変わりうる。反り防止パターンＰ内の反り防止部材の数は、半導体チップパッケージの形態または大きさによって変わりうる。もし応力が導電性パターン領域１０２内でさらに大きいならば、さらに多くの反り防止部材が利用される。
【００３４】
図４に図示されている実施形態で、反り防止部材（例えば、Ｌ１，Ｌ２）は、直線状である。この実施形態で、直線の反り防止部材の一端は、回路基板１００のエッジで終わる。すなわち、本発明の一側面によれば、パターン（例えば、Ｐ１，Ｐ２）の少なくとも一部の長軸は、回路基板１００のコーナーを形成する二面、またはエッジと交差するように方向付けされうる。
【００３５】
図４を参照して説明される本発明の前述の側面のいずれもまたは一部は、図６ないし図２２を参照し、後述の本発明の他の実施形態に適用されうる。
【００３６】
図５は、本発明の概念をさらに図示するための応力線を示すための回路基板の概略図である。
【００３７】
図５を参照すれば、導電性パターン領域１０２及び反り防止領域１０４は、互いに異なる熱膨張率（ＣＴＥ）を有することがある。付加的に、回路基板１００及び半導体チップ１２０は、異なるＣＴＥを有することがある。ＣＴＥにおけるかような差は、熱工程、例えばチップパッケージを回路ボードに表面実装するためのソルダリフロー工程の間、チップパッケージ内に応力を誘発しうる。チップパッケージのコーナーで感知された総応力Ｓは、長いエッジ応力Ｓ１、中心応力Ｓ２及び短いエッジ応力Ｓ３の組み合わせである。図６で、Ｓ２は、回路基板１００の点Ｏに近接した中心部から生成された応力を示し、Ｓ１及びＳ３は、回路基板１００のコーナーに隣接した領域で生成された応力を示す。かような異なる応力は、応力場を形成するように組み合わされる。反り防止パターンＰの機能は、導電性パターン領域１０２で、コーナー方向に伸張する応力線を切断するか、または交差することによって、回路基板１００のコーナーで応力集中を大きく下げることである。反り防止パターンＰは、若干の角度で応力線を横切ることができる。望ましくは、反り防止パターンＰは、約９０°の角度で（右側角度）応力線を横切るが、かような特定の配置は、反り防止パターンＰが少なくともその一部分で応力線と平行するようにならない限り必須ではない。すなわち、反り防止パターンＰの長軸（長手方向軸）または曲線（弧）の方向は、応力線を横切る。かような方式で、応力線が反り防止パターンＰに出合う場合、応力の方向が変化して応力が放散され、これにより回路基板１００の反りを最小化するか、または大きく減らすことができる。応力線に交差させることによって、反り防止パターンＰは、回路基板１００の内部領域から回路基板１００のコーナーへの方向付けされている応力に反することとなる。これにより、熱工程またはソルダリフロー工程の間、チップパッケージの反りが減る。また、一部実施形態で、反り防止パターンＰを形成する反り防止部材が、例えば図５に図示されているように、互いに離隔されているか、または互いに断絶されている場合、回路基板１００の反りを引き起こす応力は、さらに効率的に防止される。例えば、本願発明者は、特定の動作理論に制限されることを願わないが、もし反り防止部材が連結されれば、応力場が連結されている反り防止部材を介してコーナーに移動することができると考えている。すなわち、もし反り防止部材が連結されれば、それらは、応力場をブロックするというよりは、基板のコーナーに応力場を受け渡すであろう。かような場合には、反り防止部材は、基板のコーナーで応力を効率的に減少させられないであろう。しかし、本発明の一部実施形態で、応力線または応力場は、それらと交差する反り防止部材に出合うたびにブロックされうる。反り防止部材が回路基板と異なる物質を含む場合、応力線または応力場は、コーナー方向に異なる物質を介して通るためにさらに効率的に遮断されうる。特に、応力線または応力場は、連結されていない連続的な物質界面を通過するとき、減少するか、または放散されうる。かような方式で、本発明の複数の連結されていない反り防止部材は、応力線または応力場を効率的に遮断し、基板のコーナーでそれらが集���することをブロックできる。
【００３８】
図６は、本発明の基本概念をさらに詳細に説明するために、本発明の一部実施形態を含む回路基板のコーナーの一例を示す分解図である。
【００３９】
図６を参照すれば、本発明の反り防止パターンは、回路基板１００のコーナー領域に形成され、回路基板１００のコーナーを両分する軸に実質的に直交する方向に伸張しうる。反り防止パターンはまた、回路基板１００の中心領域からコーナーに伸張する軸に直交する方向に伸張しうる。回路基板１００上でかような、そして他の方向に伸張する反り防止パターンを有することによって、回路基板の内部領域からコーナーに伸張する応力線が効率的に遮断されうる。しかし、反り防止パターンは、応力線が回路基板１００の反りを減らすように効率的に遮断される限り、応力線に直交する必要はない。従って、応力線は、反り防止部材の長軸と鋭角または鈍角をなすことができる。
【００４０】
図７は、本発明の一実施形態で、導電性パターン領域１０２で終わる反り防止パターンの反り防止部材（例えば、Ｌ２）を示す回路基板の平面図である。
【００４１】
図７を参照すれば、反り防止パターンの反り防止部材Ｌ２の一つは、導電性パターン領域１０２と接触しうる。特に、反り防止部材Ｌ２の一端は、回路基板１００のエッジに接触するよりは、導電性パターン領域１０２に接触しうる。この実施形態で、反り防止部材Ｌ２は、図４を参照して前述した反り防止パターンＰの反り防止部材よりは、回路基板１００の面に対して異なる角度を有する。
【００４２】
図８は、本発明の他の実施形態で、回路基板の長いエッジ上で出合う他のコーナーからの反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【００４３】
図８を参照すれば、隣接したコーナーからの反り防止領域１０４（あるいは図示されていないが、反り防止パターンＰ１，Ｐ２）は、回路基板１００の長いエッジに沿って出合うことができる。交差点は、図８では、長いエッジのほぼ中心に図示されるが、交差点は、長いエッジに沿って他の点になることもある。図８に図示されているように、三角形反り防止領域１０４は、前述の図４及び図７のものに比べて長い斜辺（ｏｂｌｉｑｕｅ  ｓｉｄｅ）を有する。反り防止部材Ｌ３は、反り防止領域１０４のさらに長い斜辺に実質的に平行するように伸張するか、またはさらに長い斜辺と交差できる。
【００４４】
図９は、本発明のさらに他の実施形態で、回路基板の短いエッジ上で出合う他のコーナーからの反り防止領域１０４（あるいは、は図示されていないが、反り防止パターンＰ１，Ｐ２）を示す回路基板の平面図である。
【００４５】
図９を参照すれば、隣接したコーナーから反り防止パターンＰ１，Ｐ２は、回路基板１００の短いエッジに沿って出合うことができる。２つの隣接した反り防止パターンＰ１，Ｐ２はまた、図示されていないが、回路基板１００の短いエッジに沿って一点（ｐｏｉｎｔ）で導電性パターン領域１０２と出合うことができる。交差点は、図９で短いエッジのほぼ中心に図示されるが、交差点は、短いエッジに沿って他の点になることもある。図９に図示されているように、三角形反り防止領域１０４は、前述の図４及び図７のものよりさらに長い斜辺を有することができる。反り防止部材Ｌ４は、反り防止領域１０４のさらに長い斜辺に実質的に平行するように伸張でき、選択的にさらに長い斜辺と交差できる。
【００４６】
図１０は、本発明のさらに他の実施形態で、同じコーナーで他の反り防止パターンと異なる傾度を有する１つの反り防止パターンを示す回路基板１００の平面図である。
【００４７】
図１０を参照すれば、１つの反り防止部材Ｌ２は、同じコーナー内の単一反り防止パターンＰ２内で、他の反り防止部材Ｌ１と異なる傾斜を有することができる。特に、反り防止部材Ｌ２は、反り防止部材Ｌ１に対して角度を有するように配されうる。すなわち、少なくとも１つの次数の反り防止部材は、少なくとも１つの他の次数の反り防止部材に対して異なる角度で配されうる。単一反り防止パターンＰ２内で反り防止部材を異なる角度で配することは、回路基板１００の長くて短い面からの応力を分散させることを手助けする。特に、多様な方向からコーナーに入り込む応力が互いに角度を有する反り防止部材Ｌ１，Ｌ２によって効率的に遮断されうる。
【００４８】
図１１は、本発明の一実施形態で、反り防止パターンに侵入する導電性パターンを示す回路基板の平面図である。
【００４９】
図１１を参照すれば、導電性パターン１１２は、反り防止パターンＰ内に侵入しうる。導電性パターン１１２は、一つまたはそれ以上の反り防止部材を反り防止サブ部材Ｌ７に分けることができる。単一反り防止部材は、２つの反り防止サブ部材に分けられる。かような配置は、導電性パターン１１２に対して回路基板１００の表面領域を維持する助けになり、これによって全体的にさらに小さな半導体チップパッケージを可能にする。すなわち、反り防止パターンＰ内に導電性パターン１１２に侵入させることにより、さらに優秀なデザインの融通性が発揮される。
【００５０】
図１２は、本発明の他の実施形態で、反り防止パターンに侵入するソルダボールパッドを示す回路基板の平面図である。
【００５１】
図１２を参照すれば、ソルダバンプ１４０のソルダボールパッド１４２は、反り防止部材内に侵入しうる。ソルダボールパッド１４２は、一つまたはそれ以上の反り防止部材を反り防止サブ部材Ｌ９に分割できる。単一反り防止部材Ｌは、２つの反り防止サブ部材に分けられる。
【００５２】
図１３及び図１４は、本発明の一部実施形態で、曲がった反り防止部材を有する反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【００５３】
図１３及び図１４を参照すれば、反り防止部材Ｌ８，Ｌ９は、曲がった（あるいは、折れた）形を有することができる。曲がった形状の反り防止部材Ｌ８，Ｌ９の折れた点は、導電性パターン領域１０２（Ｌ８）、または図１３に図示されているように、回路基板１００の中心部を指したり、または図１４に図示されているように、回路基板１００の中心部（Ｌ９）を指すことができる。
【００５４】
図１５及び図１６は、本発明の一部実施形態で、曲線形状の反り防止部材を有する反り防止パターンＰを示す回路基板の平面図である。
【００５５】
図１５及び図１６を参照すれば、反り防止部材は、曲線形（または弧形）を有することができる。曲線形状の反り防止部材の凹部分は、図１５に図示されているように、回路基板１００のコーナーを指し示したり、または図１６に図示されているように、回路基板１００の中心部を指し示すことができる。曲線形状の反り防止部材Ｃ１，Ｃ２は、多くの異なった方向からコーナーに接近する応力線を効果的に分散させたり遮断させることができる。
【００５６】
図１７は、本発明の一実施形態で、回路基板１００の長いエッジに沿って補助パターンＡ１によって連結される他のコーナーからの反り防止パターンＰを示す回路基板１００の平面図である。
【００５７】
図１７を参照すれば、隣接した反り防止パターンＰは、回路基板１００の長いエッジに沿って補助パターンＡ１によって連結されうる。回路基板１００の長いエッジに沿って補助パターンＡ１は順次に配列され、図４を参照して前述した第１及び第２パターンＰ１，Ｐ２と同様に、反り防止部材ＣＬ３，ＣＬ４を備えることができる。この場合、第１パターンＰ１及び第２パターンＰ２の反り防止部材Ｌ０，Ｌ１は、当該次数が互いに連結されるように、補助パターンＡ１の反り防止部材ＣＬ３に連結されうる。かような配列は、半導体チップ１２０が長方形状であり、回路基板１００の長いエッジに沿って長い場合に、特に有用である。
【００５８】
図１８は、本発明の他の実施形態で、回路基板１００の短いエッジに沿って補助パターンＡ１によって連結される他のコーナーからの反り防止パターンＰを示す回路基板１００の平面図である。
【００５９】
図１８を参照すれば、隣接した反り防止パターンＰ１，Ｐ２は、回路基板１００の短いエッジに沿って補助パターンＡ１によって連結されうる。回路基板１００の短いエッジに沿って補助パターンＡ１は順次に配列され、図４を参照して前述した第１及び第２パターンＰ１，Ｐ２と同様に、反り防止部材ＣＬ３，ＣＬ４を備えることができる。この場合、第１パターンＰ１及び第２パターンＰ２の反り防止部材Ｌ０，Ｌ１は、当該次数が互いに連結されるように、補助パターンＡ１の反り防止部材ＣＬ３に連結されうる。かような配列は、半導体チップ１２０が長方形状であり、回路基板１００の短いエッジに沿って長い場合に、特に有用である。
【００６０】
図１９は、本発明のさらに他の実施形態で、同一次数が互いに連結されている反り防止部材を示す回路基板１００の平面図である。
【００６１】
図１９を参照すれば、あらゆる反り防止パターンは、補助パターンＡ１によって互いに連結されうる。例えば、特定次数の反り防止部材は、いずれも互いに連結されうる。かような配列は、ＬＣＤ駆動ＩＣ（ＬＤＩ）に特に有用であるが、なぜならば、半導体チップ１２０の大きさが小さく、その長い面から伸張する数多くの配線パターンがあるためである。
【００６２】
図２０は、本発明の一実施形態で、２つのコーナー反り防止パターン間に挿入された他の反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【００６３】
図２０を参照すれば、付加的な（補助的な）反り防止パターンＡ２がコーナー間の交差応力を減らすために、２つのコーナー反り防止パターン間に挿入されうる。付加的な反り防止パターンＡ２は、コーナー反り防止パターンＰ１，Ｐ２の反り防止部材Ｌ０，Ｌ１に対して角をなす一つまたはそれ以上の付加反り防止部材ＣＬ５を備えることができる。かような配列は、回路基板１００のエッジに沿って、すなわち付加的な反り防止パターンＡ２に直交して伝播する応力を遮断するのに特に有用である。付加的な反り防止パターンＡ２は、反り防止パターンＰに対して前述のさまざまな形状、例えば弧、直線、折線、蛇行する形状の線などを有することができる。付加的な反り防止パターンＡ２の反り防止部材ＣＬ５はまた、多様な方向に伝播する応力を遮断するために、回路基板１００のエッジに沿って多様な方向に配されうる。
【００６４】
図２１は、本発明の一部実施形態で、ダミー領域を示す回路基板の平面図である。
【００６５】
図２１を参照すれば、ダミーパターン１６０は、導電性パターン１０２内に配されうる。ダミーパターン１６０は、回路基板１００のコーナーで応力集中を減らすか、または最小化するために、反り防止パターンＰと調和するように配されうる。ダミーパターン１６０は、例えばメッシュ、板、またはアイランドタイプパターンのいかなるものにもなりうる。前述の従来の技術では、ダミーパターンは、反り防止パターンなしに形成され、それによって前述の反り問題を悪化させた。しかし、ダミーパターン１６０が本発明の反り防止パターンＰと共に形成されれば、ダミーパターン１６０は、反り問題を減らす一助となりうる。
【００６６】
図２２Ａないし図２２Ｃは、回路基板の多様な形態を示す。
【００６７】
図２２Ａないし図２２Ｃを参照すれば、回路基板１００は、少なくとも３つのコーナーまたは頂点を有する多様な形態の多角形、例えば図２２Ａで三角形、図２２Ｂで五角形、図２２Ｃで多角形に形成されうる。すなわち、反り防止パターンＰの利用は、回路基板の形と独立的である。反り防止パターンＰは、多様な形状の回路基板のあらゆるコーナーに形成され、またコーナーの一部にのみ形成されることも可能である。さらに、三角形及び五角形の回路基板の反り防止パターンＰは、長方形回路基板１００に対して前述の多様な実施形態の特徴を含むことができる。
【００６８】
図２３は、ソルダリフロー工程のような熱処理工程の間でのチップパッケージの反りを示すグラフである。
【００６９】
図２３を参照すれば、チップパッケージ内に反り防止パターンＰを介在させるのは、熱処理工程の間、チップパッケージによって受けることとなる回路基板のコーナーでの応力集中を減少させ、その結果として反りを減少させる。図２３に図示されているように、リフロー工程の間に高温範囲で、従来のチップパッケージは、パッケージのコーナーでの反りを招く５０μｍ以上の反りを有する。しかし、高温範囲で、本発明の一部実施形態によって、反り防止部材を有するチップパッケージの反りは、５０μｍ以下に制限された。従って、コーナー部分でのチップパッケージの反りは、実質的に減少している。チップパッケージの反りを減少させることによって、チップパッケージの信頼性が向上し、断線（ｏｐｅｎ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）の可能性が低下しうる。
【００７０】
再び図４及び図１９を参照すれば、半導体チップパッケージは、四角形の回路基板１００を備えることができ、四角形の回路基板１００は、２つの長いエッジと２つの短いエッジとを有することができる。半導体チップパッケージはまた、回路基板１００上に配された導電性パターン領域１０２及び反り防止パターンＰを備えることができる。反り防止パターンＰは、回路基板１００の第１、第２、第３及び第４コーナーにそれぞれ配された第１パターン、第２パターン、第３パターン、及び第４パターンを備えることができる。第１パターンの全体的な方位は、第２パターンの全体的な方位と異なり、第１コーナー及び第２コーナーはそれぞれ隣接しうる。第１コーナー及び第３コーナーは互いに反対側にあり、第１パターン及び第３パターンは、実質的に互いに同じ方向に配されうる。第１パターン、第２パターン、第３パターン及び第４パターンは、それぞれ複数の反り防止部材を備えることができる。図１９に図示されているように、第１パターンは、第２パターンに第１補助パターンによって連結され、第２パターンは、第２補助パターンによって第３パターンに連結され、第３パターンは、第３補助パターンによって第４パターンに連結され、第４パターンは、第４補助パターンによって第１パターンに連結されうる。
【００７１】
以下では、回路基板の形成方法について簡略に説明する。ここで、本発明の説明の便宜上、公知の工程は省略される。
【００７２】
一実施形態によれば、回路基板、例えば図４に図示されているように、反り防止パターンＰを有する回路基板の製造方法は、電気的に絶縁性の基板１００の準備段階、基板１００の導電性パターン領域１０２内に導電性パターン１１２を形成する段階、基板１００の第１コーナーに第１反り防止パターンを形成する段階、そして基板１００の第２コーナーに第２反り防止パターンを形成する段階を含むことができる。第１及び第２コーナーは互いに隣接しうる。第１反り防止パターン及び第２反り防止パターンは、基板の内部領域から基板１００の第１及び第２領域に応力場が向かうことを防止するように方向付けされうる。第１反り防止パターンの全体的な方位は、第２反り防止パターンの全体的な方位と基板に対して異なりうる。
【００７３】
図２４は、付加工程を利用して反り防止パターンを形成する方法を示す。図２５は、エッチング工程を利用して反り防止パターンを形成する方法を示す。
【００７４】
導電性物質、例えば銅から反り防止パターンＰを形成するのは、付加タイプ（ａｄｄｉｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）工程またはエッチングタイプ（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｔｙｐｅ）工程によって達成される。図２４に図示されているように、付加工程で、ドライフィルムパターン１７０、例えばフォトレジストパターンが、例えば銅ホイル層１７４のような導電性物質ホイル層を有するコア基板１７２上にまず形成される。コア基板１７２は、誘電物質、例えばガラスマットで強化されたポリマー（例えば、エポキシ、ポリイミド、テフロン（登録商標）またはポリエステル）、またはガラスファイバで強化されたポリマーで構成されたラミネート（ｌａｍｉｎａｔｅ）を含むことができる。コア基板１７２のヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ  ｍｏｄｕｌｕｓ）は、約２３，１００ないし約２３，３００ＭＰａの範囲でありうる。また、導電性物質に対するヤング率は、コア基板のそれより大きいことが可能であり、例えば銅の場合に１２０，０００ＭＰａでありうる。次に、例えば銅メッキが銅ホイル層１７４上に銅パターンを設けるために利用されうる。ドライフィルムパターン１７０によって覆われた銅ホイル層１７４領域は、その上に銅がメッキされない。最後に、ドライフィルムパターン１７０及びドライフィルムパターン１７０によって覆われた銅ホイル層１７４の一部分が除去され、要求される反り防止パターンＰが残る。
【００７５】
図２５に図示されているエッチング工程で、適当な導電性物質、例えば銅が導電性物質ホイル層、例えば銅ホイル層１７４を有するコア基板１７２上にまずメッキされる。
【００７６】
次に、ドライフィルムパターン１７０、例えばフォトレジストパターンがメッキされた銅層１７４’上に形成される。次に、メッキされた銅層１７４’がエッチングされ、ドライフィルムパターン１７０によって露出された層１７４’の一部分が除去される。最後に、ドライフィルムパターン１７０がメッキされた銅層１７４’取り除かれ、要求される反り防止パターンＰが残る。
【００７７】
図２６ａないし図２６ｃは、本発明の一部実施形態によって、コア基板１７２上にソルダレジスト（図４に図示せず）を形成する方法を示す。
【００７８】
いったん、反り防止パターンＰがコア基板１７２上に形成されれば、ソルダレジスト層１８０が図２６ａに図示されているように、反り防止パターンＰ及びコア基板１７２の少なくとも一部分を覆うように形成される。ソルダレジスト層１８０は、図２６ｂに図示されているように、反り防止パターンＰ上には形成されえない。すなわち、ソルダレジスト１８０は、反り防止パターンＰの少なくとも一部分を露出させる。
【００７９】
反り防止パターンＰを形成するための前述の工程は、基板１００上に導電性パターンを形成するための工程と実質的に同時に行われうる。さらに、反り防止パターンＰは、銅以外の物質から形成されうる。例えば、反り防止パターンＰは、図２６ｃに図示されているように、ソルダレジスト層１８０を形成し、これをパターニングして形成することもできる。
【００８０】
また、基板１００が一層以上を備える場合、反り防止パターンＰを形成するための前述の工程は、一層以上に反復されうる。例えば、反り防止パターンＰの一部分は、第１層上の基板１００の第１コーナーに形成され、反り防止パターンＰの他の部分は、第２層上の基板１００の第２コーナーに形成されうる。次に層は、基板１００に連結され、基板１００は、一つ以上の表面または一つ以上のコーナーに反り防止パターンＰを有することができる。
【００８１】
本発明の他の実施形態で、具体的に図示されていないが、例えば図４に図示されているような反り防止パターンＰを有する回路基板の製造方法は、四角形の電気的絶縁性基板１００を準備する段階、基板１００の導電性パターン領域１０２内に導電性パターンを形成する段階、基板１００上に導電性パターン領域１０２及び反り防止領域１０４が重畳されないように反り防止領域１０４を形成する段階、そして反り防止領域１０４の第１、第２、第３及び第４コーナー領域それぞれの上に、第１、第２、第３、及び第４反り防止パターンを形成する段階を含むことができる。反り防止領域１０４は、基板１００の４つのコーナーを備えることができる。第１反り防止パターン及び第２反り防止パターンは、基板１００の内部領域から基板１００の第１及び第２コーナー領域に応力場が向かうことを防止するために互いに異なるように方向付けされうる。
【００８２】
他の実施形態で、第１反り防止パターンを形成する段階は、第１コーナー領域上に複数の反り防止部材を形成する段階を含み、第２反り防止パターンを形成する段階は、第２コーナー領域上に複数の反り防止部材を形成する段階を含むことができる。この場合に、第１コーナー領域上の反り防止部材は、第２コーナー領域上の反り防止部材に対して角度をなすように配されうる。
【００８３】
反り防止部材は、導電性パターンと同じ物質から形成されうる。選択的に、反り防止部材は、導電性パターンと異なる物質から形成されることも可能である。この場合に、反り防止部材は、ソルダレジスト物質から形成されうる。
【００８４】
前述の回路基板の形成方法の全てがここに提供されたわけではないが、当該技術分野の当業者ならば、図４及び図２４ないし図２６ｃ及び他の公知のアセンブリ技術を参照し、説明された方法を利用して本出願の回路基板の形成方法を理解することができるであろう。
【００８５】
この明細書全体にわたって、「一実施形態」または「実施形態」は、その実施形態と関連して説明された特定の特色、構造、または特徴が本発明の少なくとも１つの実施形態内に含まれていることを意味する。従って、この明細書の全般にわたって、文句「一実施形態で」または「実施形態で」は、必ずしも同じ実施形態を指し示すものではない。さらに、特定の特色、構造または特徴は、一つまたはそれ以上の実施形態で適切な方法で組み合わされうる。
【００８６】
多様な動作が本発明を理解するのに最も助けになる形態で、複数の分離された段階で説明されうる。しかし、段階が説明された順序は、その段階がその順序に依存したり、またはその段階が行われる順序がその段階が示される順序によるということを意味するものではない。
【００８７】
以上の説明は、単に本発明を広い範囲で説明するためのものであり、本発明を制限するものと解釈されるものではない。本発明の一部例示的な実施形態が説明されたが、当該技術分野の当業者ならば、本発明の新しい教示及び長所内で多くの変形が加えれうるということを理解できる。これにより、あらゆるかような変形が特許請求の範囲に定められた本発明の範囲内に含まれるのである。従って、以上の説明は、本発明の例示の目的に提供され、本発明は、前述の特定実施形態に限定されず、本発明の技術的思想内で、当該分野の当業者によって、前記実施形態を組み合わせて実施するなど、さまざまな多くの修正及び変更が可能であるということは明白である。本発明は、請求項及びその等価物によって定められる。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の反り防止のための回路基板及びその製造方法は、例えば、電子素子関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】半導体チップを備える一般的な半導体チップパッケージを示す平面図である。
【図２】図１に図示されている半導体チップパッケージを備える一般的な電子素子を示す断面図である。
【図３ａ】回路基板の応力の等高線を示すグラフである。
【図３ｂ】回路基板の応力の等高線を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施形態による半導体チップパッケージを示す平面図である。
【図５】応力線を示すための回路基板の概略図である。
【図６】本発明の一部実施形態で、回路基板のコーナーを示す分解図である。
【図７】本発明の一実施形態で、導電性パターン領域で終わる反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態で、回路基板の長いエッジ上で出合う他のコーナーからの反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態で、回路基板の短いエッジ上で出合う他のコーナーからの反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態で、他の反り防止パターンと異なる傾度を有する１つの反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態で、反り防止パターンに浸透する導電性パターンを示す回路基板の平面図である。
【図１２】本発明の一実施形態で、反り防止パターンに浸透するソルダボールパッドを示す回路基板の平面図である。
【図１３】本発明の一部実施形態で、反り防止部材を有する反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図１４】本発明の一部実施形態で、反り防止部材を有する反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図１５】本発明の一部実施形態で、曲線形状の反り防止部材を有する反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図１６】本発明の一部実施形態で、曲線形状の反り防止部材を有する反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図１７】本発明の一実施形態で、回路基板の長いエッジに沿って補助パターンによって連結される他のコーナーからの反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図１８】本発明の一実施形態で、回路基板の短いエッジに沿って補助パターンによって連結される他のコーナーからの反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図１９】本発明の一実施形態で、その同一次数が互いに連結されている反り防止部材を示す回路基板の平面図である。
【図２０】本発明の一実施形態で、２つのコーナー反り防止パターン間に挿入されたに他の反り防止パターンを示す回路基板の平面図である。
【図２１】本発明の一部実施形態で、ダミー領域を示す回路基板の平面図である。
【図２２ａ】本発明の一部実施形態で回路基板の多様な形態を示す平面図である。
【図２２ｂ】本発明の一部実施形態で回路基板の多様な形態を示す平面図である。
【図２２ｃ】本発明の一部実施形態で回路基板の多様な形態を示す平面図である。
【図２３】熱処理工程の間、チップパッケージの反りを示すグラフである。
【図２４】付加工程を利用して反り防止パターンを形成する方法を示す図面である。
【図２５】エッチング工程を利用して反り防止パターンを形成する方法を示す図面である。
【図２６ａ】本発明の一部実施形態によって、コア基板上にソルダレジストを形成する方法を示す図面である。
【図２６ｂ】本発明の一部実施形態によって、コア基板上にソルダレジストを形成する方法を示す図面である。
【図２６ｃ】本発明の一部実施形態によって、コア基板上にソルダレジストを形成する方法を示す図面である。
【符号の説明】
【００９０】
１０，１００  回路基板
１２，１６０  ダミーパターン
１４，１０６  ボンドフィンガ
１６  ワイヤ
１８  チップパッド
２０，１２０  半導体チップ
２２，１１２  導電性パターン
３０，１４０  ソルダバンプ
４０  回路ボード
４２  ボールランド
５０  ＥＭＣ
１０２  導電性パターン領域
１０４  反り防止領域
１０８  導電性ワイヤ
１１０  ボンドパッド
１４２  ソルダパッド
１７０  ドライフィルムパターン
１７２  コア基板
１７４  銅ホイル層
１７４’  メッキされた銅層
１８０  ソルダレジスト層
Ｌ  反り防止部材
Ｐ  反り防止パターン
Ｓ  応力
【図１】
2008085340.tif 000003
【図２】
2008085340.tif 000004
【図４】
2008085340.tif 000005
【図５】
2008085340.tif 000006
【図６】
2008085340.tif 000007
【図７】
2008085340.tif 000008
【図８】
2008085340.tif 000009
【図９】
2008085340.tif 000010
【図１０】
2008085340.tif 000011
【図１１】
2008085340.tif 000012
【図１２】
2008085340.tif 000013
【図１３】
2008085340.tif 000014
【図１４】
2008085340.tif 000015
【図１５】
2008085340.tif 000016
【図１６】
2008085340.tif 000017
【図１７】
2008085340.tif 000018
【図１８】
2008085340.tif 000019
【図１９】
2008085340.tif 000020
【図２０】
2008085340.tif 000021
【図２１】
2008085340.tif 000022
【図２２ａ】
2008085340.tif 000023
【図２２ｂ】
2008085340.tif 000024
【図２２ｃ】
2008085340.tif 000025
【図２３】
2008085340.tif 000026
【図２４】
2008085340.tif 000027
【図２５】
2008085340.tif 000028
【図２６ａ】
2008085340.tif 000029
【図２６ｂ】
2008085340.tif 000030
【図２６ｃ】
2008085340.tif 000031
【図３ａ】
2008085340.tif 000032
【図３ｂ】
2008085340.tif 000033