(57)【要約】  【課題】  液状接合材料を供給するランドが微小であっても、濡れ拡がりに因りはみ出してしまうことがないように液状接合材料を供給すること。  【解決手段】  金属粒子６２を絶縁性樹脂材料６４で被覆し絶縁性樹脂材料６４を帯電させてなる荷電粒子６０が絶縁性溶媒に分散されている液状接合材料を用意し、この液状接合材料を、基板のランド７２と所定の液体供給装置との間に発生させた静電力により濃縮して基板のランド７２に向けて供給する供給工程（Ｂ）と、基板のランド７２に電子部品の電極７４を配置するマウント工程（Ｃ）と、絶縁性樹脂材料６４および金属粒子６２を溶解するリフロー工程（Ｄ）および（Ｅ）と、を含み、基板のランド７２と電子部品の電極７４とを電気的かつ物理的に接合する。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粒子を絶縁性樹脂材料で被覆し該絶縁性樹脂材料を帯電させてなる荷電粒子が絶縁性溶媒に分散されている液状接合材料を用意し、前記液状接合材料の供給側と被供給側との間に発生させた静電力により前記液状接合材料を濃縮して供給することを特徴とする液状接合材料の供給方法。
【請求項２】
金属粒子を絶縁性樹脂材料で被覆し該絶縁性樹脂材料を帯電させてなる荷電粒子が絶縁性溶媒に分散されている液状接合材料を用意し、前記液状接合材料を供給する液体供給装置を用いて、該液体供給装置と所定の基板の被供給箇所との間に発生させた静電力により前記液状接合材料を濃縮して前記基板の被供給箇所に供給する供給工程と、
前記基板の被供給箇所に電子部品の電極を配置するマウント工程と、
前記基板の被供給箇所に供給された前記液状接合材料の前記絶縁性樹脂材料および前記金属粒子を溶解するリフロー工程と、
を含み、前記基板の被供給箇所と前記電子部品の電極とを電気的かつ物理的に接合することを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板の被供給箇所は、ランドであることを特徴とする請求項２に記載の電子回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記ランドに前記液状接合材料を重ねて複数回吐出することで、前記ランド上に前記荷電粒子を積層することを特徴とする請求項３に記載の電子回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板における前記ランドの位置情報を少なくとも含む電子回路基板製造用データに基づいて、前記基板の前記ランドに向けて供給を行うことを特徴とする請求項３または４に記載の電子回路基板の製造方法。
【請求項６】
液状接合材料を所定の被供給体に供給する液状接合材料供給装置であって、
前記液状接合材料は、金属粒子を絶縁性樹脂材料で被覆し該絶縁性樹脂材料を帯電させてなる荷電粒子が絶縁性溶媒に分散されて構成されており、
前記被供給体との間に発生させた静電力により前記液状接合材料を濃縮して前記被供給体に向けて供給することを特徴とする液状接合材料供給装置。
【請求項７】
供給側と被供給側との間に発生させる静電力により濃縮されて前記被供給側に供給される液状接合材料であって、
金属粒子を絶縁性樹脂材料で被覆し該絶縁性樹脂材料を帯電させてなる荷電粒子が絶縁性溶媒に分散されていることを特徴とする液状接合材料。
【請求項８】
前記金属粒子は、Ｓｎ−Ｐｂ系材料、Ｓｎ−Ａｇ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系材料、Ｓｎ−Ｂｉ系材料、Ｓｎ−Ｃｕ系材料、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系材料、Ｓｎ−Ｚｎ系材料、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系材料からなる群から選択される金属材料からなることを特徴とする請求項７に記載の液状接合材料。
【請求項９】
前記絶縁性樹脂材料は、酸化防止成分および粘着性成分のうち少なくとも何れかを含むことを特徴とする請求項７または８に記載の液状接合材料。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液状接合材料を供給する箇所が微小であっても濡れ拡がりに因りはみ出すことがないように液状接合材料を供給することができる液状接合材料の供給方法、電子回路基板の製造方法、液状接合材料供給装置および液状接合材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に用いられる電子回路基板の製造方法において、電子部品を基板に実装するプロセス、より詳しくは電子部品の所定箇所(例えば電極、リード、端子等、以下「電極」と称す)と、電子回路基板に形成された配線の所定箇所（例えばランド、パッド等、以下「ランド」と称す）とを電気的かつ物理的に接合するプロセスが行われる。
【０００３】
このようなプロセスにおいて、スクリーン印刷を用いた接合材料の供給が一般に行われている。具体的には、電子回路基板に形成された配線のランドに、スクリーン印刷法で、接合材料であるクリームはんだを印刷し、該クリームはんだ上に電子部品の電極が位置するようにマウンタで電子部品を適切に配置（以下「マウント」と称す）し、この状態で熱処理（いわゆる「リフロー加熱」）を施す。
【０００４】
ところで、近年、携帯電話に代表される携帯用電子機器の小型化、高機能化の要求を受け、そのような携帯用電子機器に内蔵される電子回路基板の更なる高集積化のため、電子部品の小型化および電極間の狭ピッチ化が進行し、結果として、微小なランド上に接合材料を供給すること、つまり接合材料からなる接合パターンの更なる微細化が求められた。このような電子回路基板の配線の微小なランドに、前述のスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを供給すると、版抜け性不良、かすれ、クリームはんだ量不足等の品質劣化の問題が生じる。そこで、スクリーン印刷法に代えて、インクジェット印刷法（インクをノズルから記録媒体に向けて吐出する画像記録方法である）や、電子写真法（光導電効果および静電吸着を利用してトナーを感光体に撒布した後に記録媒体に転写する乾式の画像記録方法である）の原理を用いた、接合材料の供給方法が提案されている。
【０００５】
特許文献１には、金属粒子を樹脂材料で被覆し分散媒中に分散させて成る液状接合材料を、インクジェット印刷法の原理を用いて、電子回路基板のランドに供給することが記載されている。いわゆるソリッドインク型接合材料、すなわち定常状態（例えば５〜５０℃の状態）では流動性を有しないが、高温（例えば１００〜１６０℃の状態）で液状化する接合材料を用いる例も記載されている。
【０００６】
また、特許文献２には、固体粉末状の荷電性粒子（金属粒子を絶縁性樹脂材料で被覆し帯電させて成る粒子）を、電子写真法の原理を利用して、電子回路基板のランドに供給することが記載されている。
【特許文献１】特開２００４−７４２６７号公報
【特許文献２】特開２００３−１６８３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のものは、液状接合材料を電子回路基板の微小なランドに向けて吐出した際に、そのランド上で液状接合材料が濡れ拡がってランドからはみ出してしまうという問題が生じる。
【０００８】
特に、ランドと電子部品の電極とを確実に接合するため、液状接合材料をランド上に重ねて供給（印刷）することが求められているが、このように液状接合材料をランド上に重ねて供給すると、液状接合材料のランド当たりの供給量が増えるので、前述の問題がより顕著に現れてしまう。
【０００９】
具体的には、ランド上での液状接合材料の望ましい厚さは、一般に３０〜１００μｍであるが、そのような厚さとするためには、複数の印刷機構に電子回路基板を通すか、あるいは、ひとつの印刷機構に電子回路基板を複数回通して、重ね印刷する。そうすると、微小なランドでは、液状接合材料の濡れ拡がりに因り液状接合材料がランドからはみ出してしまう。
【００１０】
いわゆるソリッドインク型接合材料は、液体吐出ヘッドを用いてランドへ向けて吐出供給する時、いわゆる液体インク型接合材料（液状接合材料）よりも高温(約１００〜１６０℃)にソリッドインク型接合材料を加熱して液状化した状態で吐出する必要があるので、液体吐出ヘッドの構成材料に耐熱性が必要（汎用エンプラ材料が使えない）となる。また、基板へ供給後は冷却または放熱で、ソリッドインク型接合材料が固化するため、ランドのサイズ(接合材料供給量に差が出る)により、放熱効果が異なり、結果、箇所によって粘度が異なる(硬度に差が出る)こととなり、電子部品をマウントする際に電子部品の粘着状態に差が出て支障を来す。また、基板へ供給後は冷却または放熱で、ソリッドインク型接合材料が固化するため、ランドのサイズが大きい箇所では固化するための時間をより長く必要とし、生産性を低下させる。これらを回避する手段として、実用上、接合材料が半溶融状態となる程度に予め基板を加熱することが必要となるが、このためには基板の加熱装置、温度制御装置等が新たに必要となり、装置コストが高くなる。さらに液体インク型接合材料と同様に、重ねて印刷することが好ましいが、接合材料の量が増えるため、上記の課題が、より顕著に現れる結果となる。つまりランドに対して、接合材料を適正な量だけ印刷するために、重ねて印刷する際に、液体インク型接合材料の場合は、濡れ広がりがより顕著になり、ソリッドインク型接合材料の場合は、印刷時の接合材料の温度制御に加え、接合材料の粘度を印刷箇所によらず均一にするために基板の温度制御等がより精密かつ複雑となり、接合材料を積層させることが極めて困難となってくる。さらに、接合材料を積重ね方向へサイズ[dot径]を維持しながら、積層させることも困難であることは言うまでも無い。吐出ヘッド加熱前の高粘度接合材料によるノズル詰まりが発生するという問題もある。すなわち、ソリッドインク型接合材料を基板へ供給することは容易でない。
【００１１】
なお、特許文献２に記載のものは、電子写真法の原理を利用しているので、すなわち光導電効果および静電吸着を利用して固体粉末状の接合材料を感光体に撒布した後に更に電子回路基板のランドに転写する必要があるので、特有の光照射工程、転写工程が必要であり、装置の大型化、低生産性、コストアップになる。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、液状接合材料の被供給箇所が微小であっても、濡れ拡がりに因りはみ出すことがなく且つ容易に液状接合材料を供給できる液状接合材料の供給方法、電子回路基板の製造方法、液状接合材料供給装置および液状接合材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、金属粒子を絶縁性樹脂材料で被覆し該絶縁性樹脂材料を帯電させてなる荷電粒子が絶縁性溶媒に分散されている液状接合材料を用意し、前記液状接合材料の供給側と被供給側との間に発生させた静電力により前記液状接合材料を濃縮して供給することを特徴とする液状接合材料の供給方法を提供する。
【００１４】
この発明によれば、液状接合材料の供給側と被供給側との間に発生させた静電力により液状接合材料が濃縮して供給されるので、液状接合材料の被供給箇所が微小であっても、濡れ拡がりに因りはみ出すことがない。また、接合材料供給側での加熱は不要なので、いわゆるソリッドインク型接合材料を高温（約１００〜１６０度）に加熱して供給する場合とは異なり、接合材料供給側の構成材料には耐熱性が不要となるので、低コストで済む。また、電子写真法を用いる場合と比較して、光照射工程や転写工程が不要なので、接合材料供給側の装置構成を小型にでき、高生産性、低コストが確保される。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、金属粒子を絶縁性樹脂材料で被覆し該絶縁性樹脂材料を帯電させてなる荷電粒子が絶縁性溶媒に分散されている液状接合材料を用意し、前記液状接合材料を供給する液体供給装置を用いて、該液体供給装置と所定の基板の被供給箇所との間に発生させた静電力により前記液状接合材料を濃縮して前記基板の被供給箇所に供給する供給工程と、前記基板の被供給箇所に電子部品の電極を配置するマウント工程と、前記基板の被供給箇所に供給された前記液状接合材料の前記絶縁性樹脂材料および前記金属粒子を溶解するリフロー工程と、を含み前記基板の被供給箇所と前記電子部品の電極とを電気的かつ物理的に接合することを特徴とする電子回路基板の製造方法を提供する。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記基板の被供給箇所は、ランドであることを特徴とする。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記ランドに前記液状接合材料を重ねて複数回吐出することで、前記ランド上に前記荷電粒子を積層する。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、請求項３または４に記載の発明において、前記基板における前記ランドの位置情報を少なくとも含む電子回路基板製造用データに基づいて、前記基板の前記ランドに向けて吐出を行う。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、液状接合材料を所定の被供給体に供給する液状接合材料供給装置であって、前記液状接合材料は、金属粒子を絶縁性樹脂材料で被覆し該絶縁性樹脂材料を帯電させてなる荷電粒子が絶縁性溶媒に分散されて構成されており、前記被供給体との間に発生させた静電力により前記液状接合材料を濃縮して前記被供給体に向けて供給することを特徴とする液状接合材料供給装置を提供する。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、供給側と被供給側との間に発生させる静電力により濃縮されて前記被供給側に供給される液状接合材料であって、金属粒子を絶縁性樹脂材料で被覆し該絶縁性樹脂材料を帯電させてなる荷電粒子が絶縁性溶媒に分散されていることを特徴とする液状接合材料を提供する。
【００２１】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記金属粒子は、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ系材料、Ｓｎ−Ａｇ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系材料、Ｓｎ−Ｂｉ系材料、Ｓｎ−Ｃｕ系材料、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系材料、Ｓｎ−Ｚｎ系材料、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系材料からなる群から選択される金属材料からなる。
【００２２】
請求項９に記載の発明は、請求項７または８に記載の発明において、前記絶縁性樹脂材料は、酸化防止成分および粘着性成分のうち少なくとも何れかを含む。
【００２３】
絶縁性樹脂材料の一例としては、酸化防止性および粘着性を有するロジンが挙げられる。
【００２４】
絶縁性溶媒としては、１０9Ω・ｃｍ以上、好ましくは１０10Ω・ｃｍ以上の高い電気抵抗率を有する誘電性の溶媒を用いる。絶縁性溶媒の比誘電率は、５以下が好ましく、より好ましくは４以下、さらに好ましくは３．５以下である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、液状接合材料の被供給箇所が微小であっても、ソリッドインク型接合材料や電子写真法を用いることなく、濡れ拡がりに因りはみ出すことがなく且つ容易に液状接合材料を供給できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付図面に従って、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【００２７】
図１（Ａ）に、本発明に係る液状接合材料供給装置の要部としての液体吐出ヘッドおよびその周辺部の概略構成の一例の断面を模式的に示し、図１（Ｂ）に、図１（Ａ）のＩＢ−ＩＢ線矢視図を示す。
【００２８】
図１（Ａ）に示すように、液体吐出ヘッド１０は、ヘッド基板１２と、液体ガイド１４と、吐出口２８が形成された吐出口基板１６とを有する。吐出口基板１６には、吐出口２８を囲むように吐出電極１８が配置されている。
【００２９】
また、液体吐出ヘッド１０の吐出側の面（図中、上面）に対面する位置に、電子回路基板Ｐを支持する基板支持部２４と、電子回路基板Ｐの帯電ユニット２６が配置されている。
【００３０】
ヘッド基板１２と吐出口基板１６は、互いに対面した状態で所定間隔離間して配置されている。ヘッド基板１２と吐出口基板１６の間に形成される空間によって各吐出口２８に液状接合材料（以下「接合液」と称する）Ｑを供給する液体流路３０が形成されている。液体流路３０を流動している接合液Ｑは、液体ガイド１４によって吐出口２８へ向けて案内され、吐出電極１８によってエネルギーが与えられるとともに濃縮されて吐出口２８から電子回路基板Ｐに向けて吐出されることにより、電子回路基板Ｐに供給される。
【００３１】
液体吐出ヘッド１０は、電子回路基板Ｐへの接合液Ｑの供給を高密度且つ高速に行うために、複数の吐出口２８（ノズル）が二次元的に配列されたマルチチャンネル構造を有する。図２は、液体吐出ヘッド１０の吐出口基板１６に複数の吐出口２８が二次元的に配列されている様子を模式的に示す。なお、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）においては、液体吐出ヘッド１０の構成を分かりやすく示すために、複数の吐出口２８のうちの１つの吐出口だけを示している。
【００３２】
液体吐出ヘッド１０において、吐出口２８の個数や、その物理的な配置位置等は自由に選択することができる。例えば、図２に示すようなマルチチャンネル構造のみならず、吐出口の列を１列のみ有するものであってもよい。また、電子回路基板Ｐの全域に対応する吐出口の列を有するいわゆる（フル）ラインヘッドでもよく、あるいは、ノズル列の方向と直交する方向に走査されるいわゆるシリアルヘッド（シャトルタイプ）であってもよい。
【００３３】
なお、図２は、マルチチャンネル構造の一部分（３行３列）の吐出口２８の配列を示しており、好ましい態様として、液体流路３０を流動する接合液Ｑの流動方向Ｆ（以下「液体流方向Ｆ」と称する）において下流側の列の吐出口２８が上流側の列の吐出口２８に対して、液体流方向Ｆに垂直な方向に所定ピッチずつずれて配置されている。このように、下流側の列の吐出口２８を上流側の列の吐出口２８に対して液体流方向Ｆに垂直な方向にずらして配置することにより、吐出口２８に接合液Ｑを良好に供給することができる。なお、液体吐出ヘッド１０は、下流側の列の吐出口２８が上流側の列の吐出口２９に対して液体流方向Ｆに垂直な方向にずらされて配置されたｎ行ｍ列（ｎ、ｍは正の整数）の吐出口２８が、液体流方向Ｆに一定の周期で繰り返し続くように構成されていてもよいし、それぞれの吐出口２８が、上流側に位置する吐出口２８に対して液体流方向Ｆに垂直な一方向（図２において下方向又は上方向）に連続的にずれて配置されていてもよい。吐出口２８の個数やピッチ、繰り返し周期等は、解像度や送りピッチに応じて適宜設定することができる。
【００３４】
また、図２では、好ましい態様として、液体流方向Ｆにおいて、下流側の列の吐出口２８を上流側の列の吐出口２８に対して液体流方向Ｆに垂直な方向にずらして配置したが、これに限定されず、下流側の吐出口２８と上流側の吐出口２８が、液体流方向Ｆにおいて同一直線上に配置されていてもよい。この場合は、各行のそれぞれの吐出口２８を、液体流方向Ｆに垂直な方向において隣に位置する行のそれぞれの吐出口２８に対して、液体流方向Ｆにずらして配置させることが好ましい。
【００３５】
このような液体吐出ヘッド１０において、後述の荷電粒子（図６の６０）を絶縁性の液体溶媒（以下「キャリア液」と称する）に分散させてなる接合液Ｑを用いる。
【００３６】
そして、図１に示す吐出口基板１６に設けられた吐出電極１８に駆動電圧を印加して吐出口２８に電界を発生させ、吐出口２８内の接合液Ｑを静電力により濃縮して吐出させる。また、吐出電極１８に印加する駆動電圧を、電子回路基板製造用データに基づいてｏｎ／ｏｆｆ（吐出ｏｎ／ｏｆｆ）することにより、吐出口２８から電子回路基板製造用データに応じた接合液滴Ｒを吐出して、もって電子回路基板Ｐへの接合液Ｑの供給を行う。
【００３７】
以下、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示した液体吐出ヘッド１０の構造についてより詳細に説明する。
【００３８】
図１（Ａ）に示すように、液体吐出ヘッド１０の吐出口基板１６は、絶縁基板３２と、ガード電極２０と、吐出電極１８と、絶縁層３４とを有する。絶縁基板３２の図中上側の面（ヘッド基板１２に対面する側と反対側の面）に、ガード電極２０と絶縁層３４とが順に積層されている。また、絶縁基板３２の図中下側の面（ヘッド基板１２に対面する側の面）には、吐出電極１８が形成されている。
【００３９】
また、吐出口基板１６には、接合液Ｑを接合液滴Ｒとして吐出するための吐出口２８が絶縁基板３２を貫通して形成されている。吐出口２８は、図１（Ｂ）に示すように、長方形の両方の短辺側を半円形にした、液体流方向Ｆに細長い繭形の開口（スリット）であり、液体流方向Ｆの長さＬと液体流方向Ｆに直交する方向の長さＤとのアスペクト比（Ｌ／Ｄ）が１以上となる形状を有する。
【００４０】
このように、吐出口２８を液体流方向Ｆの長さＬと液体流方向Ｆに直交する方向の長さＤとのアスペクト比（Ｌ／Ｄ）が１以上の開口（液体流方向Ｆを長辺とする形状異方性を有する形状、液体流方向Ｆを長辺とする長穴形状）とすることで、吐出口２８に接合液Ｑが流れやすくなる。つまり吐出口２８への接合液Ｑの粒子供給性を高めることができ、周波数応答性を向上させ、さらに目詰まりも防止することができる。
【００４１】
本実施形態では、吐出口２８を細長い繭形の開口として形成したが、これに限らず、接合液滴Ｒを吐出することができ、液体流方向Ｆの長さと液体流方向Ｆに直交する方向の長さとのアスペクト比が１以上となる形状であれば、略円形、楕円形、長方形、ひし形、平行四辺形など任意の形状の吐出口にすることができる。例えば、液体流方向Ｆを長辺とする矩形状、又は、液体流方向Ｆを長軸とする楕円形若しくはひし形にすることができる。また、液体流方向Ｆの上流側を上底、下流側を下底とし、液体流方向Ｆの高さが下底よりも長い台形状にしてもよい。この場合、上流側の辺を長くしても下流側の辺を長くしてもよい。また、液体流方向Ｆを長辺とする長方形の両方の短辺側に、直径がその長方形の短辺よりも大きな円が接続されたような形状にしてもよい。また、吐出口は、その中心に対して、上流側と下流側で対称な形状であっても非対称な形状であっても良い。例えば、矩形状の吐出口の上流側と下流側の少なくとも一方の端部を半円状にして吐出口を形成してもよい。
【００４２】
液体吐出ヘッド１０の液体ガイド１４は、所定の厚みを有するセラミック製平板からなり、各吐出口２８に対応してヘッド基板１２の上に配置されている。液体ガイド１４は、繭形の吐出口２８の長辺方向の長さに応じて幅広に形成されている。上述したように、液体ガイド１４は、吐出口２８を通過し、その先端部分１４ａが吐出口基板１６の電子回路基板Ｐ側の表面（絶縁層３４の表面）よりも上方に突出している。
【００４３】
液体ガイド１４の先端部分１４ａは、基板支持部２４側へ向かうに従って次第に細く略三角形（ないしは台形）に成形されている。液体ガイド１４は、先端部分１４ａの傾斜面が液体流方向Ｆと交差するように配置されている。これにより、吐出口２８に流入する接合液Ｑが液体ガイド１４の先端部分１４ａの傾斜面に沿って先端部分１４ａの頂点に到達するので、吐出口２８に接合液Ｑのメニスカスが安定して形成される。
【００４４】
また、液体ガイド１４を吐出口２８の長辺方向に幅広に形成することで、液体流方向Ｆに直交する方向の幅を短くすることができ、接合液Ｑの流れに及ぼす影響を少なくすることができ、かつ後述するメニスカスを安定して形成させることができる。
【００４５】
なお、液体ガイド１４の形状は、接合液Ｑ内の荷電粒子を吐出口基板１６の吐出口２８を通って先端部分１４ａに濃縮させることができれば、特に、制限的ではなく、例えば、先端部分１４ａが基板支持部２４に向かうに従って細くなるような形状でなくても良く、適宜変更することができる。例えば、液体ガイド１４の中央部分に、図中上下方向に毛細管現象によって接合液Ｑを先端部分１４ａに集める液体案内溝となる切り欠きが形成されていても良い。
【００４６】
また、液体ガイド１４の最先端部に、金属が蒸着されていることが好ましい。液体ガイド１４の最先端部に金属を蒸着させることにより、液体ガイド１４の先端部分１４ａの誘電率が実質的に大きくなる。これにより、強電界を生じさせ易くなり、接合液Ｑの吐出性を向上することができる。
【００４７】
図１（Ｂ）に示すように、絶縁基板３２の下面（ヘッド基板１２と対向する面）には、吐出電極１８が形成されている。吐出電極１８は、矩形状の吐出口２８の周囲を囲むように、吐出口２８の周縁に沿って、液体流上流側の一辺が切り欠いたコの字状に配置されている。図１（Ｂ）においては、吐出電極１８はコの字状で形成されているが、液体ガイド１４に臨むように配置されている電極であれば、どのような形状でもよく、例えば、四角状電極、リング状の円形電極、楕円形電極、分割円形電極、平行電極、略平行電極等、吐出口２８の形状に応じて種々の形状に変更することができる。
【００４８】
前述のように、液体吐出ヘッド１０は、吐出口２８を２次元的に配列したマルチチャンネル構造を有するので、図２に模式的に示すように、吐出電極１８は、各吐出口２８に対応して２次元的に配置されている。
【００４９】
また、吐出電極１８は、液体流路３０に露出し、液体流路３０を流れる接合液Ｑと接触している。これにより、接合液滴Ｒの吐出性を大幅に向上させることができる。しかしながら、吐出電極１８は、必ずしも液体流路３０に露出して接合液Ｑと接触している必要はない。すなわち、吐出電極１８は吐出口基板１６の内部に形成されていてもよいし、吐出電極１８の露出面が薄い絶縁層などにより被覆されていてもよい。
【００５０】
吐出電極１８は、制御部３３に接続されている。制御部３３は、接合液Ｑの吐出時及び非吐出時に吐出電極１８に印加する電圧を制御することができる。
【００５１】
ガード電極２０は、絶縁基板３２の表面上に形成されており、ガード電極２０の表面は絶縁層３４によって覆われている。図３に、ガード電極２０の平面構造を模式的に示した。図３は、図１（Ａ）のIII−III線矢視図であり、マルチチャンネル構造の液体吐出ヘッドの場合のガード電極２０の平面構造を模式的に示している。図３に示すように、ガード電極２０は、複数の吐出電極１８に共通な、金属板などのシート状の電極であり、２次元的に配列されている各吐出口２８の周囲に形成された吐出電極１８に対応する位置に開口部３６を有する。開口部３６は、矩形状に形成されている。ガード電極２０の開口部３６の長さ及び幅は、吐出口の長さ及び幅よりも大きく形成されている。
【００５２】
ガード電極２０は、隣接する吐出電極１８間における電気力線を遮蔽して、電界干渉を抑制することができ、ガード電極２０には所定電圧が印加される（接地による０Ｖを含む）。図示例においては、ガード電極２０は接地されて０Ｖとされている。
【００５３】
ガード電極２０は、好ましい態様として、図１（Ａ）に示すように、吐出電極１８とは異なる層に形成され、さらに、全面が絶縁層３４によって覆われている。
【００５４】
このような絶縁層３４を有することにより、隣接する吐出電極１８間における電界干渉を好適に防止できると共に、吐出電極１８とガード電極２０との間で、接合液Ｑの荷電粒子（図６の６０）が放電することも防止できる。
【００５５】
ここで、ガード電極２０は、吐出電極１８から発生する電気力線のうち、対応する吐出口２８（以下、便宜的に「自チャンネル」とする）に作用する電気力線を確保しつつ、他の吐出口２８（同様に「他チャンネル」とする）に設けられた吐出電極１８の電気力線および他チャンネルへの電気力線を遮蔽するように設ける必要がある。
【００５６】
ガード電極２０が無い場合、接合液Ｑの吐出時に、吐出電極１８の吐出口２８側の端部（以下、吐出電極の内縁部という）から生じる電気力線は、吐出電極１８の内側、すなわち、吐出電極１８の内縁部によって囲まれた領域内に収束して自チャンネルに作用し、接合液Ｑの吐出に必要な電界を生じさせる。一方、吐出電極１８の吐出口２８側と逆側の端部（以下、吐出電極の外縁部という）から生じる電気力線は、吐出電極１８の外縁部よりも更に外側に発散して他チャンネルに影響を及ぼし、電界干渉を生じる。
【００５７】
以上の点を考慮すれば、ガード電極２０の矩形状の開口部３６の幅及び長さは、自チャンネルへの電気力線を遮蔽しないように、基板平面で見た際に、自チャンネルの吐出電極１８も大きくするのが好ましい。すなわち、ガード電極２０の吐出口２８側の端部は、自チャンネルの吐出電極１８の内縁部よりも、吐出口２８から離間（後退）しているのが好ましい。
【００５８】
また、他チャンネルへの電気力線を効率的に遮蔽するためには、ガード電極２０の矩形状の開口部３６の長さ及び幅は、基板平面で見た際に、自チャンネルの吐出電極１８の外縁部間の間隔よりも小さくするのが好ましい。すなわち、ガード電極２０の内縁部は、自チャンネルの吐出電極１８の外縁部よりも、吐出口２８に近接（前進）しているのが好ましい。この近接量は、５μｍ以上、特に、１０μｍ以上とするのが好ましい。
【００５９】
上記構成を有することにより、吐出口２８からの吐出安定性を十分に確保した上で、隣接するチャンネル間における電界干渉に起因する接合液滴Ｒの着弾位置のバラツキ等を好適に抑制して、安定して高画質な接合液供給を行うことが可能となる。
【００６０】
ガード電極２０の開口部３６を、吐出電極１８の内縁部又は外縁部によって形成される形状と略相似形にし、ガード電極２０の内縁部が、自チャンネルの吐出電極１８の内縁部よりも吐出口２８から離間（後退）し、吐出電極１８の外縁部よりも吐出口２８に近接（前進）するように、ガード電極２０を設けてもよい（すなわち、ガード電極２０の開口部３６を形成してもよい）。
【００６１】
また、以上の例では、ガード電極２０は、シート状電極としているが、本発明はこれには限定されず、各吐出口２８間において、他チャンネルの電気力線を遮蔽できるように設けられていれば、どのような形状又は構造でも良い。例えば、ガード電極２０は、各吐出口２８の間に網目状に設けられていても良い。また、マトリクス状に配列されている複数の吐出口２８において、例えば、行方向と列方向で隣接する吐出口２８の間隔が異なる場合には、電界干渉を生じない程十分離れている吐出口２８の間にはガード電極を設けずに、近接している吐出口２８の間にのみガード電極を設けても良い。
【００６２】
このような場合にも、自チャンネルの吐出電極１８に対して、ガード電極２０の内縁部が、吐出電極１８の内縁部よりも吐出口２８から離間し、吐出電極１８の外縁部より吐出口２８に近接するように、ガード電極２０を形成すればよい。
【００６３】
ここでは、ガード電極２０の開口部３６の形状を、吐出口２８の形状と略同様の形状にしたが、これに限定されるものではなく、隣接する吐出電極１８間における電気力線を遮蔽して電界干渉を防止することができれば、任意の形状にすることができる。例えば、円形や楕円形、正方形、ひし形などの形状にすることができる。
【００６４】
また、本実施形態の液体吐出ヘッド１０は、好ましい形態として、ヘッド基板１２に吐出口２８に接合液Ｑを誘導する液体誘導堰４０が設けられている。以下、液体誘導堰４０について説明する。
【００６５】
図４（Ａ）は、図１の液体吐出ヘッド１０における吐出口２８近傍の構成を示す部分断面斜視図である。同図では、液体誘導堰４０の構造を明示するために、吐出口基板１６を液体ガイド１４の略中央の位置で液体流方向Ｆに沿って切断して示している。
【００６６】
液体誘導堰４０は、ヘッド基板１２の液体流路３０側の面、すなわち液体流路３０の底面において、吐出口２８に対応する位置に配置された液体ガイド１４の液体流方向Ｆの上流側および下流側に備えられており、液体流方向Ｆに対して、吐出口２８に対応する位置の近傍から吐出口２８の中心に対応する位置に向かって、吐出口基板１６に漸次近接するように傾斜した面を有している。すなわち、液体誘導堰４０は、液体流方向Ｆに沿って、吐出口２８に向かって傾斜する形状を有している。
【００６７】
また、液体誘導堰４０は、液体流方向Ｆに直交する方向において、吐出口２８と略同一の幅を有し、底面から垂設する壁面を有する形状とされている。また、液体誘導堰４０は、吐出口２８を塞ぐことなく、接合液Ｑの流路を確保するように、吐出口基板１６の液体流路３０側の面、すなわち液体流路３０の上面から所定の間隔を置いて設けられている。このような液体誘導堰４０は、各々の吐出口２８に対してそれぞれ設けられている。
【００６８】
このように、液体流路３０の底面に、液体流方向Ｆに沿って、吐出口２８に向かって傾斜する液体誘導堰４０を設けることによって、吐出口２８へ向かう液体流が形成され、接合液Ｑが吐出口２８の液体流路３０側の開口部に誘導される。そのため、接合液Ｑを吐出口２８内部へ好適に流入させることができ、接合液Ｑの粒子供給性をより向上させることができる。さらに目詰まりもより確実に防止することができる。
【００６９】
液体誘導堰４０の液体流方向Ｆの長さｌは、隣接する吐出口２８と干渉しない範囲で、接合液Ｑを吐出口２８へ好適に誘導できるように適宜設定されればよいが、図４（Ｂ）に示すように、液体誘導堰４０の最高部の高さｈに対し、３倍以上（ｌ／ｈ≧３）とするのが好ましく、８倍以上（ｌ／ｈ≧８）とするのがより好ましい。
【００７０】
液体誘導堰４０の液体流方向Ｆと直交する方向の幅は、吐出口２８と同等か、若干広いのが好ましい。また、液体誘導堰４０の幅は、図示例のように均一なものには限定されず、幅が漸減するものや漸増するもの等であってもよい。また、その壁面も、垂直面には限定されず、傾斜面等であってもよい。
【００７１】
液体誘導堰４０の傾斜面（液体誘導面）は、接合液Ｑを吐出口２８に誘導するのに好適な形状とすればよく、一定の傾斜角を有する斜面であってもよいし、傾斜角が変化する面や、湾曲面であってもよい。また、その表面は、平滑面には限定されず、液体流方向Ｆに、あるいは吐出口２８の中心部に向かって放射状に、１条以上の畝や溝等が形成されていてもよい。
【００７２】
また、液体誘導堰４０の上部の液体ガイド１４との接部近傍は、図示例のように段差を有することなく、滑らかにつながる形状としてもよい。
【００７３】
図示例では、液体誘導堰４０が液体ガイド１４の上流側および下流側に配置された形態としているが、吐出口２８の上流側および下流側に斜面を有する台形状の液体誘導堰４０を設け、その上部に液体ガイド１４を立設する形態としてもよいし、液体ガイド１４および液体誘導堰４０を一体的に形成してもよい。このように、液体誘導堰４０は、液体ガイド１４と別々に、または、一体的に形成されて、ヘッド基板１２に取り付けられてもよいし、あるいは、従来公知の掘削手段によりヘッド基板１２を削り出して形成されてもよい。
【００７４】
なお、液体誘導堰４０は、吐出口２８の上流側に設けられていれば良いが、図示例のように、吐出口２８の下流側にも、接合液滴Ｒの吐出方向の高さが吐出口２８から遠ざかるにつれて低くなるように設けられているのが好ましい。これにより、上流側の液体誘導堰４０によって吐出口２８に向かって誘導された接合液Ｑが滑らかに下流側へ流れるので、接合液Ｑが乱流になることなく、液体流の安定を保つことができ、吐出安定性を保つことができる。
【００７５】
また、図４の例では、液体誘導堰４０は、ヘッド基板１２の上側の面上に配置されているが、これに限定されず、ヘッド基板１２に液体流溝を設け、液体流溝の内部に液体誘導堰を設けてもよい。
【００７６】
例えば、液体流方向Ｆに沿って、吐出口２８に対応する位置を通過する所定深さの液体流溝を設け、吐出口２８に対応する位置に液体流方向Ｆに沿って吐出口２８に向かって傾斜する面を有する液体誘導堰を設ける。このように、液体流溝を設けることによって、液体流路３０を流れる接合液Ｑの多くを選択的に液体流溝に流すことができ、液体流路堰を設けることで、接合液Ｑを吐出口２８の内部へ好適に流入させることができ、先端部分１４ａへの接合液Ｑの供給性を向上させることができる。
【００７７】
図１（Ａ）に示すように、液体吐出ヘッド１０の接合液滴Ｒを吐出する側の面（吐出面）と対面するように、基板支持部２４が配置されている。
【００７８】
基板支持部２４は、液体ガイド１４の先端部分１４ａに対向する位置に配置され、接地される電極基板２４ａと、電極基板２４ａの図中下側の表面、すなわち液体吐出ヘッド１０側の表面に配置されている絶縁シート２４ｂで構成される。
【００７９】
電子回路基板Ｐは、基板支持部２４の図中下側の表面、すなわち絶縁シート２４ｂの表面に、例えば静電吸着によって保持されており、基板支持部２４（絶縁シート２４ｂ）は、電子回路基板Ｐのプラテンとして機能する。
【００８０】
少なくとも接合液Ｑの供給時には、帯電ユニット２６によって、基板支持部２４の絶縁シート２４ｂに保持された電子回路基板Ｐは、吐出電極１８に印加される駆動電圧と逆極性の所定の負の高電圧に帯電される。
【００８１】
その結果、電子回路基板Ｐは負帯電して負の高電圧にバイアスされ、吐出電極１８に対する実質的な対向電極として作用し、かつ、基板支持部２４の絶縁シート２４ｂに静電吸着される。
【００８２】
帯電ユニット２６は、電子回路基板Ｐを負の高電圧に帯電させるためのスコロトロン帯電器２６ａと、スコロトロン帯電器２６ａに負の高電圧を供給するバイアス電圧源２６ｂとを有している。なお、本発明に用いられる帯電ユニット２６の帯電手段としては、スコロトロン帯電器２６ａに限定されず、コロトロン帯電器、固体チャージャ、放電針などの種々の放電手段を用いることができる。
【００８３】
また、図示例においては、基板支持部２４を電極基板２４ａと絶縁シート２４ｂとで構成し、電子回路基板Ｐを、帯電ユニット２６によって負の高電圧に帯電させることにより、バイアス電圧を印加して対向電極として作用させ、かつ、絶縁シート２４ｂの表面に静電吸着させているが、本発明はこれに限定されず、基板支持部２４を電極基板２４ａのみで構成し、基板支持部２４（電極基板２４ａ自体）を負の高電圧のバイアス電圧源に接続して、負の高電圧に常時バイアスしておき、基板支持部２４の表面に電子回路基板Ｐを静電吸着させるようにしても良い。
【００８４】
また、電子回路基板Ｐの基板支持部２４への静電吸着と、電子回路基板Ｐへの負の高電圧への帯電または基板支持部２４への負のバイアス高電圧の印加とを別々の負の高電圧源によって行っても良いし、基板支持部２４による電子回路基板Ｐの保持は、電子回路基板Ｐの静電吸着に限られず、他の保持方法や保持手段を用いても良い。
【００８５】
以下、液体吐出ヘッド１０における接合液の吐出作用を説明することにより、本発明について、より詳細に説明する。
【００８６】
図１（Ａ）に示すように、液体吐出ヘッド１０では、図示しないポンプ等を含む液体循環機構により、接合液Ｑの供給時に吐出電極１８に印加される電圧と同極性、例えば、正（＋）に帯電した後述の荷電粒子（図６の６０）を含む接合液Ｑが、液体流路３０の内部を矢印Ｆ方向（図中左から右方向）に循環している。
【００８７】
他方、接合液Ｑの供給に際して、電子回路基板Ｐは、基板支持部２４に供給され、帯電ユニット２６によって荷電粒子と逆極性すなわち負の高電圧（一例として、−１５００Ｖ）に帯電されて、バイアス電圧を帯電した状態で、基板支持部２４に静電吸着される。
【００８８】
この状態で、電子回路基板Ｐ（基板支持部２４）と液体吐出ヘッド１０とを、相対的に移動しつつ、供給された電子回路基板製造用データに応じて制御部３３で吐出電極１８にパルス電圧（以下、駆動電圧という）が印加されるように制御する。そして、基本的には、駆動電圧の印加ｏｎ／ｏｆｆによって吐出をｏｎ／ｏｆｆすることにより、電子回路基板製造用データに応じて接合液滴Ｒを変調して吐出し、電子回路基板Ｐのランドに接合液を供給する。
【００８９】
ここで、吐出電極１８に駆動電圧を印加していない状態（あるいは、印加電圧が低電圧レベルである状態）、すなわち、バイアス電圧のみが印加されている状態では、接合液Ｑには、バイアス電圧と接合液Ｑの荷電粒子の荷電とのクーロン引力、荷電粒子間のクーロン反発力、キャリア液の粘性、表面張力、誘電分極力等が作用している。そして、これらが連成して、荷電粒子やキャリア液が移動し、図１（Ａ）に概念的に示すように、接合液Ｑは、吐出口２８から若干盛り上がったメニスカス状となってバランスが取れている。
【００９０】
また、吐出電極１８から発生する電界によって、吐出口２８に荷電粒子が凝集している。そして、上述したクーロン引力等によって、その荷電粒子は、いわゆる電気泳動でバイアス電圧が帯電された電子回路基板Ｐに向かって移動する。したがって、吐出口２８に形成されたメニスカスにおいては、接合液Ｑが濃縮された状態となっている。
【００９１】
この状態から、吐出電極１８には駆動電圧が印加される。これにより、バイアス電圧に駆動電圧が重畳され、先の連成に、さらにこの駆動電圧の重畳によって連成された運動が起こる。そして、吐出電極１８への駆動電圧の印加によって発生する電界によって荷電粒子及びキャリア液には静電力が作用する。その静電力によって荷電粒子およびキャリア液がバイアス電圧（対向電極）側、すなわち電子回路基板Ｐ側に引っ張られ、吐出口２８に形成されたメニスカスが上方に向かって成長し、吐出口２８の上方に略円錐状の液柱いわゆるテーラーコーンが形成される。また、先と同様に、荷電粒子は、電気泳動、及び、吐出電極からの電界によってメニスカスに移動しており、メニスカスの接合液Ｑは濃縮され、荷電粒子を多数有する、ほぼ均一な高濃度状態となっている。
【００９２】
吐出電極１８への駆動電圧の印加開始後、さらに有限な時間が経過すると、荷電粒子の移動等により、電界強度の高いメニスカスの先端部分で、主に荷電粒子に作用する力（クーロン力等）とキャリア液の表面張力とのバランスが崩れ、メニスカスが急激に伸びて、曳糸と呼ばれる直径数μｍ〜数十μｍ程度の細長い液柱が形成される。
【００９３】
さらに有限な時間が経過すると曳糸が成長し、この曳糸の成長、レイリー／ウエーバー不安定性によって発生する振動、メニスカス内における荷電粒子の分布不均一、メニスカスにかかる静電界の分布不均一等の相互作用によって曳糸が分断される。そして、分断された曳糸が、接合液滴Ｒとなって吐出され、電子回路基板Ｐに向かって飛翔し、かつ、バイアス電圧にも引っ張られて、電子回路基板Ｐに着弾する。なお、曳糸の成長および分断は、さらにはメニスカス（曳糸）への荷電粒子の移動は、駆動電圧の印加中は連続して発生する。したがって、駆動電圧を印加する時間を調整することによって、１画素当たりの接合液滴Ｒの吐出量を調整することができる。
【００９４】
また、駆動電圧の印加を終了（吐出ｏｆｆ）した時点で、バイアス電圧のみが印加された先のメニスカスの状態に戻る。
【００９５】
ここで、図１に示すように、液体吐出ヘッド１０の吐出口２８は液体流方向Ｆに細長いスリット状の長穴形状を有する。このように、吐出口２８を細長いスリット状の長穴形状、つまり液体流方向Ｆの長さと液体流方向Ｆに直交する方向の長さとのアスペクト比が１以上となる形状とすることで、接合液Ｑが吐出口２８内部に流れやすくなり、吐出口２８への接合液Ｑの粒子供給性が高くなる。これにより、液体ガイド先端１４ａへの接合液Ｑの粒子供給性を向上させることができる。したがって、接合液供給時の吐出周波数が改善され、高速で連続的に接合液滴Ｒを着弾させても安定して所望のサイズのドットを形成することができる。さらに、吐出口２８のアスペクト比を1以上にすることで、接合液Ｑの流れがスムーズになり、吐出口２８での目詰まりを防止することができる。
【００９６】
吐出周波数としては、画像の出力時間を考慮すると５ｋＨｚで、好ましくは１０ｋＨｚで、より好ましくは１５ｋＨｚで打滴できることが望まれる。
【００９７】
ここで、吐出口２８は、液体流方向Ｆとそれに直交する方向とのアスペクト比は、１．５以上であることがより好ましい。
【００９８】
アスペクト比を１．５以上とすることで、液体ガイド１４への接合液供給性がより向上し、連続した大ドットを形成した際も、より安定してドットを形成することができ、より高い周波数で接合液Ｑの供給を行うことができる。
【００９９】
ここで、上記実施形態のように、吐出口２８の開口形状を液体流方向Ｆの長さと液体流方向Ｆに直交する方向の長さとのアスペクト比が１以上となる形状とすることで、上記効果をより好適に得ることができるが、本発明の液体吐出ヘッドはこれに限定されず、吐出口の開口形状を、開口の長径と短径のアスペクト比を１以上とすることで、接合液Ｑの流れをスムーズにし、吐出口２８での目詰まりを防止することができる。
【０１００】
また、吐出電極１８は、本実施形態のように液体流方向Ｆの上流側が一部欠けている形状であることが好ましい。これにより、液体流方向Ｆの上流側から吐出口２８への荷電粒子の流入を妨げる電界が形成されないので、効率よく荷電粒子を吐出口２８へ供給させることができる。また、接合液下流側に吐出電極１８を配置することで、吐出口２８へ流入した荷電粒子を吐出口２８に留める方向の電界が形成される。以上より、吐出電極を液体流方向Ｆの上流側が一部欠けている形状とすることで、吐出口２８への粒子供給性をより向上させることができる。
【０１０１】
図５（Ａ）〜（Ｆ）は、吐出電極の種々の形態を示す模式図である。ここで図５（Ａ）〜（Ｆ）中は、図中左から右方向に接合液Ｑが流れているものとする。
【０１０２】
吐出電極は、図５（Ａ）に示すように、液体流上流側の一辺が切り欠いたコの字状であってもよく、また、例えば、図５（Ｂ）に示すような液体流上流側の一部を切り欠いた長方形の両方の短辺側を半円形にした細長い繭型形状でもよく、また、例えば、図５（Ｃ）に示すようなかつ液体流方向Ｆと平行な方向と長軸とし、かつ液体流上流側の一部を切り欠いた楕円形状でもよい。さらに、図５（Ｄ）に示すような矩形電極を吐出口の長径方向に平行に配置した平行電極も好適に用いることができる。このように、図５（Ａ）〜（Ｄ）に示すような吐出口の中心を通りかつ吐出口の長手方向と平行な面（図５（Ａ）〜（Ｄ）中Ｘ線）に対して対称で、さらに吐出電極の長手部分、つまり図５（Ａ）、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）に示した吐出電極は斜線部分Ｓを除いた部分、図５（Ｄ）に示した吐出電極は吐出電極全体が、吐出口の中心を通りかつ吐出口の長径方向と直交する方向と平行な面（図５（Ａ）〜（Ｄ）中Ｙ線）に対して対称な形状とすることで、接合液滴Ｒの着弾位置を安定させることができる。また、図５（Ａ）〜（Ｄ）に示した吐出電極は、液体流上流側の一部を切り欠いた形状であるので、前述のように吐出口２８への粒子供給性を向上させることができる。
【０１０３】
吐出口の形状は細長い繭形に限定されず、開口の長径と短径のアスペクト比を１以上とした形状であればよく、例えば、図５（Ｅ）に示すように、矩形形状の場合も上述と同様に、吐出口の中心を通りかつ吐出口の長手方向と平行な面（図５（Ｅ）中Ｘ線）に対して対称であり、さらに、吐出電極の長手部分（図５（Ｅ）中、斜線部分Ｓを除いた部分）が、吐出口の中心を通りかつ長手方向と直交する面（図５（Ｅ）中Ｙ線）に対して対称な形状とすることで、接合液滴Ｒの吐出位置を安定させることができる。
【０１０４】
なお、吐出口の長径方向も液体流方向と平行な方向に限定されず、吐出口の長径方向はどの方向でもよく、吐出口の開口形状に対して吐出電極の形状を、吐出口の中心を通りかつ吐出口の長径方向と平行な面に対して対称であり、さらに、吐出電極の長手部分が、吐出口の中心を通りかつ吐出口の長径方向と直交する面に対して対称な形状とすることで、接合液滴Ｒの吐出位置を安定させることができる。
【０１０５】
また、吐出電極の形状は、吐出口に実質的に対称な電界を容易に形成できる点から、上記の吐出口の中心を通りかつ吐出口の長径方向と平行な面に対して対称であり、さらに、吐出電極の長手部分が、吐出口の中心を通りかつ吐出口の長径方向と直交する面に対して対称な形状であることが好ましいが、これに限定されず、前記吐出電極の接合液滴Ｒの吐出に寄与する有効な部分が吐出口に対して実質的に対称な形状であればよい。一例としては、図５（Ｆ）に示すように、液体上流側が矩形であり液体下流側が半円形であるＵ字形状であり、長手部分（図５（Ｆ）中、斜線部分Ｓを除いた部分）が、吐出口の中心を通りかつ吐出口の長径方向と直交する面（図５（Ｆ）中Ｙ線）に対して対称ではない形状としても、吐出口に対して実質的に対称な電界、つまり、吐出口の中心に対して実質的に点対称な電界、または、吐出口の中心を通りかつ吐出口の長径方向と垂直な面に対して実質的に対称に電界が形成され、接合液滴Ｒの吐出位置を安定させることができる。
【０１０６】
また、図５（Ａ）〜（Ｆ）では、いずれも吐出電極に切り欠きが形成されている形状としたが、これに限定されず、例えば、切り欠きが形成されていない円形電極、楕円形電極、矩形電極等も、吐出電極の接合液滴Ｒの吐出に寄与する有効な部分が吐出口に対して実質的に対称な形状、好ましくは、吐出口の中心を通りかつ吐出口の長径方向と平行な面に対して対称であり、さらに、吐出電極の長手部分が、吐出口の中心を通りかつ吐出口の長径方向と直交する面に対して対称な形状とすることで、接合液滴Ｒの吐出位置を安定させることができる。
【０１０７】
さらに、吐出電極の形状は上記形状に限定されず、吐出電極が、吐出口の中心を通りかつ長径方向と平行な面に対して対称であり、かつ、吐出口の長径方向に形成された長手部分の長さが吐出口の長径方向の長さよりも長い形状、または、吐出電極が、吐出口の中心を通りかつ長径方向と平行な線を軸として対称であり、かつ、吐出口の長径方向に形成された長手部分の中心が吐出口の中心を通りかつ長径方向と垂直な面上にある形状、もしくは、吐出電極が、吐出口の中心を通りかつ長径方向と平行な面に対して対称であり、かつ、吐出口の長径方向に形成された長手部分の中心が吐出口の中心を通りかつ長径方向と垂直な面上にある形状とすることでも接合液滴Ｒの吐出位置を安定させることができる。
【０１０８】
また、本発明において、吐出口は、開口の長径と短径のアスペクト比を１以上とすることが好ましいが、このような場合に限定されず、アスペクト比が１未満であってもよい。
【０１０９】
また、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示した液体吐出ヘッド１０においては、吐出電極１８は液体流路３０に露出している。すなわち、吐出電極１８は、液体流路３０において、接合液Ｑと接液している。
【０１１０】
このように、液体流路３０において接合液Ｑと接液する吐出電極１８に駆動電圧を印加（吐出ｏｎ）すると、吐出電極１８に供給された電荷の一部が接合液Ｑに注入され、吐出口２８と吐出電極１８との間に位置する接合液Ｑの電導度が高くなる。したがって、本実施形態の液体吐出ヘッド１０においては、接合液Ｑは、吐出電極１８に駆動電圧が印加された時（吐出ｏｎ時）に、接合液滴Ｒを吐出し易い状態となる（吐出性が向上する）。
【０１１１】
さらに、非吐出時、すなわち、駆動電圧を印加していないときに、コの字形の吐出電極１８に荷電粒子と同極性の電圧を印加することで、非吐出時においても接合液Ｑに電荷が注入され、接合液Ｑの電導度を一層高めることができ、上流から流れる接合液Ｑ中に浮遊する帯電した荷電粒子を、吐出電極１８による静電力によって吐出口２８により確実に押し留められる。
【０１１２】
次に、液体吐出ヘッド１０に用いられる接合液Ｑ（液状接合材料）について説明する。
【０１１３】
本発明に係る液状接合材料としての接合液Ｑは、図６（Ａ）に示す荷電粒子６０が、絶縁性溶媒（以下「キャリア液」と称する）に分散している液体状の接合材料である。ここで、荷電粒子６０は、粒子状の金属材料（金属粒子６２）を絶縁性樹脂材料６４で被覆し、かつ、絶縁性樹脂材料６４を帯電させて成る。なお、接合液Ｑは、図６（Ａ）に示すように、ひとつの金属粒子６２を絶縁性樹脂材料６４が被覆してひとつの荷電粒子６０が構成されている場合に特に限定されず、図６（Ｂ）に示すように、複数の金属粒子６２を絶縁性樹脂材料６４が被覆してひとつの荷電粒子６０が構成されていてもよい。一般には、図６（Ａ）に示すようにひとつの金属粒子６２を含む荷電粒子６０と、図６（Ｂ）に示すように複数の金属粒子６２を含む荷電粒子６０とが、接合液Ｑに混在している。
【０１１４】
尚、本明細書において粒子とは、例えば球形、回転楕円体形状および不定形などの任意の形状を有し得る粒状物を言う。
【０１１５】
キャリア液は、高い電気抵抗率（１０9Ω・ｃｍ以上、好ましくは１０10Ω・ｃｍ以上）を有する誘電性の液体である。電気抵抗が低いキャリア液を使用すると、隣接する吐出電極１８間での電気的導通を生じさせるため、本発明には不向きである。
【０１１６】
また、キャリア液の比誘電率は、５以下が好ましく、より好ましくは４以下、さらに好ましくは３．５以下である。キャリア液の比誘電率をこの範囲とすることによって、キャリア液中の荷電粒子６０に有効に電界が作用するため、好ましい。
【０１１７】
このようなキャリア液としては、直鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、または芳香族炭化水素、およびこれらの炭化水素のハロゲン置換体、シリコーンオイル等が好ましく例示される。一例として、へキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、デカン、イソデカン、デカリン、ノナン、ドデカン、イソドデカン、シクロヘキサン、シクロオクタン、シクロデカン、トルエン、キシレン、メシチレン、アイソパーＣ、アイソパーＥ、アイソパーＧ、アイソパーＨ、アイソパーＬ、アイソパーＭ（アイソパー：エクソン社の商品名）、シェルゾール７０、シェルゾール７１（シェルゾール：シェルオイル社の商品名）、アムスコＯＭＳ、アムスコ４６０溶剤（アムスコ：スピリッツ社の商品名）、ＫＦ−９６Ｌ（信越シリコーン社の商品名）等を、単独または混合して用いることができる。
【０１１８】
金属粒子６２は、約２５０℃以下の融点、例えば約１８０〜２３０℃の融点を有する金属材料から成り、このような融点は、電子回路基板Ｐのランドを含む配線パターン形成用の材料（例えば金、銅など）に比べて極めて低い。ここで、「融点」とは、対象の材料が少なくとも部分的に溶融し始める温度を言うものとする。
【０１１９】
金属粒子６２に用いる金属材料としては、例えば、いわゆるはんだ材料を用いることができる。はんだ材料は鉛を含んでいても、鉛を含んでいなくてもよいが、環境への影響を考慮すれば、鉛を含まない鉛フリーはんだ材料が好ましい。
【０１２０】
金属粒子６２に用いる金属材料としては、具体的には、Ｓｎ−Ｐｂ系材料、Ｓｎ−Ａｇ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系材料、Ｓｎ−Ｂｉ系材料、Ｓｎ−Ｃｕ系材料、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系材料、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系材料、Ｓｎ−Ｚｎ系材料、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系材料等の従来公知の金属材料を用いることができる。
【０１２１】
ここで、「〜系材料」は、その材料系についての共晶組成およびその近傍の組成であることが好ましく、該共晶組成から大幅にずれない程度に微量の他の成分を含み得る材料を言うものとする。
【０１２２】
金属粒子６２を被覆する絶縁性樹脂材料６４としては、酸化防止性および粘着性を有するもの、例えばロジンを用いることが好ましい。
【０１２３】
絶縁性樹脂材料６４としては、例えば、ロジン類、ロジン変性フェノール樹脂、アルキッド樹脂、（メタ）アクリル系ポリマー、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニールアルコールのアセタール変性物、ポリカーボネート等が挙げられる。
【０１２４】
接合液Ｑにおいて、荷電粒子６０の含有量（金属粒子６２および絶縁性樹脂材料６４の合計含有量）は、接合液Ｑの全体に対して１０〜７０重量％の範囲で含有されることが好ましく、より好ましくは、２０〜６０重量％の範囲で含有されることが望ましい。荷電粒子６０の含有量が少なくなると、電子回路基板Ｐの被供給箇所（ランド）における荷電粒子の付着量が不足したり、接合液Ｑと電子回路基板Ｐの被供給箇所（ランド）との親和性が得られ難くなって、強固な接合が得られなくなるなどの問題が生じ易くなり、一方、含有量が多くなると均一に分散された接合液Ｑが得られ難くなったり、液体吐出ヘッド等での接合液Ｑの目詰まりが生じやすくなり、安定な吐出が得られ難いなどの問題が生じるからである。
【０１２５】
また、キャリア液に分散された荷電粒子６０の平均粒径は、０．１〜５μｍが好ましく、より好ましくは０．２〜１．５μｍである。この粒径はＣＡＰＡ−５００（堀場製作所（株）製商品名）により求めたものである。
【０１２６】
荷電粒子６０をキャリア液に分散させた後（必要に応じて、分散剤を使用しても可）、荷電制御剤をキャリア液に添加することにより荷電粒子６０を荷電して、帯電した荷電粒子６０がキャリア液に分散して成る接合液Ｑとする。
【０１２７】
荷電制御剤は、一例として、電子写真液体現像剤に用いられている各種のものが利用可能である。また、「最近の電子写真現像システムとトナー材料の開発・実用化」１３９〜１４８頁、電子写真学会編「電子写真技術の基礎と応用」４９７〜５０５頁（コロナ社、１９８８年刊）、原崎勇次「電子写真」１６（Ｎｏ．２）、４４頁（１９７７年）等に記載の各種の荷電制御剤も利用可能である。
【０１２８】
なお、荷電粒子６０は、吐出電極１８に印加される駆動電圧と同極性であれば、正電荷および負電荷のいずれに荷電したものであってもよい。
【０１２９】
また、荷電粒子６０の荷電量は、好ましくは５〜２００μＣ／ｇ、より好ましくは１０〜１５０μＣ／ｇの範囲である。
【０１３０】
また、荷電制御剤の添加によってキャリア液の電気抵抗が変化することもあるため、下記に定義する分配率Ｐを、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上とする。
【０１３１】
Ｐ＝１００×（σ１−σ２）／σ１  
ここで、σ１は、接合液Ｑの電気伝導度、σ２は、接合液Ｑを遠心分離器にかけた上澄みの電気伝導度である。電気伝導度は、ＬＣＲメーター（安藤電気（株）社製ＡＧ−４３１１）およびインク用電極（川口電機製作所（株）社製ＬＰ−０５型）を使用し、印加電圧５Ｖ、周波数１ｋＨｚの条件で測定を行った値である。また遠心分離は、小型高速冷却遠心機（トミー精工（株）社製ＳＲＸ−２０１）を使用し、回転速度１４５００ｒｐｍ、温度２３℃の条件で３０分間行った。
【０１３２】
以上のような接合液Ｑを用いることによって、荷電粒子６０の泳動が起こりやすくなり、濃縮しやすくなる。
【０１３３】
接合液Ｑの電気伝導度は、１００〜３０００ｐＳ／ｃｍが好ましく、より好ましくは１５０〜２５００ｐＳ／ｃｍである。以上のような電気伝導度の範囲とすることによって、吐出電極１８に印加する電圧が極端に高くならず、隣接する吐出電極１８間での電気的導通を生じさせる懸念もない。
【０１３４】
また、接合液Ｑの表面張力は、１５〜５０ｍＮ／ｍの範囲が好ましく、より好ましくは１５．５〜４５ｍＮ／ｍの範囲である。表面張力をこの範囲とすることによって、制御電極に印加する電圧が極端に高くならず、ヘッド周りに接合液Ｑが漏れ広がり汚染することがない。
【０１３５】
さらに、接合液Ｑの粘度は０．５〜５ｍＰａ・ｓｅｃが好ましく、より好ましくは０．６〜３．０ｍＰａ・ｓｅｃである。
【０１３６】
また、荷電粒子６０中の金属粒子６２の占める割合は、電子回路基板Ｐの電極と電子部品の電極との間の導通をとることができる割合とする。また、荷電粒子６０中の絶縁性樹脂材料６４の占める割合は、金属粒子６２を十分に被覆できる割合とする。
【０１３７】
例えば、金属粒子の１００重量部（換言すれば金属材料１００重量部）に対して、絶縁性樹脂材料が５〜３０重量部、好ましくは１５〜２５重量部で存在し、分散媒（キャリア液）が１００〜１０００重量部、好ましくは１５０〜８００重量部で存在し、分散剤が２０〜８０重量部、好ましくは３０〜７０重量部で存在する。尚、絶縁性樹脂材料は金属粒子を被覆するものであるが、その一部が、分散媒（キャリア液）中で単独で分散していても、また、分散媒に溶解していてもよい。
【０１３８】
上述のような接合液Ｑは、例えば、絶縁性樹脂材料から成る樹脂粒子を用いて、表面溶融化処理（サーフュージョン）または機械的表面処理（メカノケミカル反応）により、実質的に絶縁性樹脂材料６４から成るコート層で金属粒子６２を被覆し、これにより得られた粒子を分散剤と共に分散媒（キャリア液）に添加して混合し（例えば常温で混合する）、さらに荷電制御剤を添加することによっても、接合液Ｑを製造することができる。
【０１３９】
また、金属粒子６２と、絶縁性樹脂材料からなる樹脂粒子と、分散剤と、分散媒（キャリア液）の一部とを予め混合（または混練）し、これにより得られた予備混合物に残りの分散媒を加えて更に混合し、荷電制御剤を添加することにより製造することができる。
【０１４０】
分散剤を含む接合液Ｑを得る場合には、予備混合を行う際に分散剤をあわせて混合しても、予備混合により得られた混合物に残りの分散媒（キャリア液）を加える際に分散剤をあわせて更に混合してもよい。また、酸化防止剤（または酸化除去剤）を含む接合液Ｑを得る場合には、予備混合を行う際に酸化防止剤をあわせて混合してもよく、また、酸化防止剤としてアジピン酸およびステアリン酸などの活性剤を用いる場合には、予備混合の前に、金属粒子６２をアジピン酸およびステアリン酸などの活性剤で前処理しておいてもよい。
【０１４１】
接合液Ｑの製造方法はこれらに特に限定されず、任意の適切な他の方法により接合液Ｑが製造され得る。
【０１４２】
図７は、図１の液体吐出ヘッド１０を備えた本発明に係る液状接合材量供給装置１１０（以下「液体吐出装置」と称する）を含んで構成される接合装置１２０の一実施例のブロック図である。
【０１４３】
図７において、基板供給装置１０２は、電子回路基板を液体吐出装置１１０に供給する装置である。電子部品供給装置１０４は、電子部品をマウント装置１１２に供給する装置である。液体吐出装置１１０は、図１の液体吐出ヘッド１０、基板支持部２４および帯電ユニット２６を含んで構成され、ホスト装置１９０から出力される電子回路基板製造データに基づいて、接合液を電子回路基板の所定箇所に供給する装置である。マウント装置１１２（マウンタ）は、接合液Ｑが所定箇所に供給された電子回路基板に、ホスト装置１９０から出力される電子回路製造データに基づいて電子部品を配置する装置である。リフロー装置１１４は、電子部品が配置された電子回路基板に対して加熱処理を行い、接合液Ｑの荷電粒子中の絶縁性樹脂材料および金属粒子を溶解させる。基板搬出装置１３０は、加熱処理を経て電子部品が接合された電子回路基板を搬出する装置である。ホスト装置１９０は、液体吐出装置１１０およびマウント装置１１２に対して、電子回路基板製造データおよび電子回路製造データを出力する。ここで、電子回路基板製造データは、少なくとも電子回路基板におけるランドの位置を示す情報（ランド位置情報）を含む。
【０１４４】
本例では、液体吐出装置１１０、マウント装置１１２およびリフロー装置１１４によってひとつの接合装置１２０が構成されている。
【０１４５】
図８は、図７の接合装置１２０を用いた接合プロセスの説明に用いる工程図である。以下、図７および図８を用いて、接合プロセスについて詳細に説明する。
【０１４６】
まず、図７の基板供給装置１０２を用いて、図８（Ａ）に示すように、ランド７２が形成されている電子回路基板Ｐを、液体吐出装置１１０に供給する。
【０１４７】
次に、図７の液体吐出装置１１０を用いて、図８（Ｂ）に示すように、電子回路基板Ｐのランド７２と液体吐出装置１１０（具体的には図１の液体吐出ヘッド１０の吐出電極１８）との間に発生させた静電力により接合液Ｑを濃縮して、電子回路基板Ｐのランド７２に向けて吐出することにより、電子回路基板Ｐのランド７２に接合液Ｑを供給する。より詳細には、図１において、液体吐出ヘッド１０の吐出電極１８に駆動電圧を印加して吐出口２８に電界を発生させることにより、吐出口２８内の接合液Ｑが静電力により濃縮されて接合液滴Ｒとして図８のランド７２に着弾する。
【０１４８】
なお、電子回路基板Ｐのランド７２に向けて接合液Ｑを重ねて複数回吐出することにより、ランド上に荷電粒子６０を積層する。
【０１４９】
ここで、液体吐出ヘッド１０の吐出電極１８への駆動電圧の印加は、ホスト装置１９０から供給され、電子回路基板Ｐにおけるランド７２の位置情報を少なくとも含む電子回路基板製造データに基づいて行われる。すなわち、電子回路基板製造データに基づいて電子回路基板Ｐのランドに向けて吐出を行う。
【０１５０】
なお、接合液Ｑが供給された電子回路基板Ｐは、次工程で静電気に因り電子部品が損傷しないように、除電を行うことが、好ましい。
【０１５１】
次に、図８（Ｃ）に示すように、図７のマウント装置１１２を用いて、電子回路基板Ｐのランド７２に、積層された荷電粒子６０を介し、電子部品の電極７４を配置する。
【０１５２】
次に、図８（Ｄ）に示すように、図７のリフロー装置１１４を用いて、電子回路基板Ｐのランド７２に対して第１の加熱を行って、ランド７２上に積層された荷電粒子６０の絶縁性樹脂材料６４を溶解させる。ここで、第１の加熱の目的温度は、金属粒子６２の融点よりも低く絶縁性樹脂材料６４の融点よりも高い。そうすると、電子回路基板Ｐのランド７２上で、金属粒子６２が凝集するとともに、溶解した絶縁性樹脂材料６４は凝集した金属粒子６２群の周囲に分離していく。
【０１５３】
次に、図８（Ｅ）に示すように、図７のリフロー装置１１４を用いて、電子回路基板Ｐのランド７２に対して第２の加熱を行って、ランド７２上の金属粒子６２を溶解させる。ここで、第２の加熱の目的温度は、金属粒子６２の融点よりも高い。なお、第２の加熱後、金属粒子６２は放熱冷却により凝固する。そうすると、電子回路基板Ｐのランド７２と電子部品の電極７４とが、金属材料６２を介して、電気的かつ物理的に接合される。
【０１５４】
本実施形態の電子回路基板の製造方法によれば、静電力により接合液Ｑが濃縮されて（すなわちキャリア液の割合を小さくして荷電粒子６０を多くして）、吐出されるので、略固形成分が電子回路基板のランド７２に供給されることになり、荷電粒子６０は積み重ね方向においてドット径を変化させることなく積層し、微小なランド７２であってもランド７２上で接合液Ｑが濡れ拡がることが防止される。
【０１５５】
また、荷電粒子６０同士の静電反発により、接合液Ｑ中での凝集が防止されるので、高い分散性が得られる。
【０１５６】
なお、本実施形態における接合液Ｑは、常温レベル（５〜５０℃）で液体状であり、接合液Ｑの供給に際して加熱処理を行う必要がない。したがって、第１に、電子部品の配置（マウント）前に接合液Ｑの高温加熱や放熱冷却は不要であり、第２に、液体吐出ヘッド１０の構成材料に耐熱性は不要であり、高温（１００〜１６０℃）の加熱が必要な所謂ソリッドインク型接合材と比較して、低コストで済む。
【０１５７】
また、特有の光照射工程や転写工程が必要な電子写真法を用いて接合材料を供給する場合と比較して、そのような光照射工程や転写工程が不要なので、装置の小型化、高生産性、低コストが確保される。
【０１５８】
以上、接合液Ｑ中の荷電粒子を正帯電させて接合液Ｑを吐出する液体吐出装置１１０について説明したが、本発明はこれには限定されず、逆に、接合液Ｑ中の荷電粒子を負に帯電させて接合液Ｑを吐出する液体吐出装置により接合液Ｑの供給を行っても良い。
【０１５９】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいことは、もちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】（Ａ）は、本発明に係る液状接合材料供給装置における液体吐出ヘッドを含む要部を示す模式図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＩＢ−ＩＢ線矢視図である。
【図２】液体吐出ヘッドの吐出口基板に複数の吐出口が二次元的に配列されている様子を示した模式図である。
【図３】液体吐出ヘッドのガード電極の平面構造を示した模式図である。
【図４】（Ａ）は、液体吐出ヘッドにおける吐出口近傍の構成を示す部分断面斜視図であり、（Ｂ）は、液体誘導堰の形状寸法の説明に用いる説明図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は、各種の吐出電極の形状の例を示す模式図である。
【図６】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明に係る液状接合材料の説明に用いる説明図である。
【図７】本発明に係る液状接合材料供給装置としての液体吐出装置を含む接合装置を示すブロック図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明に係る電子回路基板の製造方法の一例の説明に用いる工程図である。
【符号の説明】
【０１６１】
１０…液体吐出ヘッド、１２…ヘッド基板、１４…液体ガイド、１４ａ…液体ガイドの先端部分、１６…吐出口基板、１８…吐出電極（制御電極）、２０…ガード電極、２４…基板支持部、２６…帯電ユニット、２８…吐出口、３０…液体流路、３３…制御部、４０…液体誘導堰、６０…荷電粒子、６２…金属粒子（金属材料）、６４…絶縁性樹脂材料、７２…電子回路基板のランド、７４…電子部品の電極、１１０…液体吐出装置（液状接合材料供給装置）、１１２…マウント装置、１１４…リフロー装置、１２０…接合装置、Ｆ…液体流動方向、Ｐ…電子回路基板、Ｑ…液状接合材料（接合液）、Ｒ…接合液滴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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