(57)【要約】【課題】活性度の高い処理液を得ることができ、その処理液による良好な処理を基板に施すことができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】第２薬液供給管１１において、塩酸と過酸化水素水とが混合され、ミキシングバルブ８において、その混合により得られる混合液とＤＩＷとが混合される。これにより、塩酸と過酸化水素水との混合液がＤＩＷで希釈され、ウエハＷに供給すべき濃度の処理液が得られる。すなわち、塩酸と過酸化水素水とは、ＤＩＷにより希釈される前に、それぞれ濃度が高い状態で混合される。その結果、塩酸と過酸化水素水との良好な化学反応が生じ、活性度の高い混合液を得ることができる。そして、この活性度の高い混合液にＤＩＷが適当に混合されることにより、活性度が高くかつウエハＷの処理に適した濃度の処理液を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１薬液と第２薬液とを混合して、前記第１薬液と前記第２薬液との混合液を作成し、
この作成直後の前記混合液を純水で希釈して得られる処理液を、その希釈直後に基板に供給することを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
第１薬液の流れと第２薬液の流れとを合流させ、これにより生じる前記混合液の流れと純水の流れとを合流させて、前記処理液の流れが形成されることを特徴とする、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第１薬液は、塩酸であり、
前記第２薬液は、過酸化水素水であることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第１薬液は、アンモニア水であり、
前記第２薬液は、過酸化水素水であることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記第１薬液は、硫酸であり、
前記第２薬液は、過酸化水素水であることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項６】
第１薬液が流通する第１薬液流通管と、
第２薬液が流通する第２薬液流通管と、
純水が流通する純水流通管と、
前記第１薬液流通管からの第１薬液と前記第２流通管からの第２薬液との混合液が流通する混合液流通管と、
前記混合液流通管からの混合液と前記純水流通管からの純水とを混合させて、処理液を作成するためのミキシングバルブと、
前記ミキシングバルブから基板に処理液を供給するための処理液供給管とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理するための基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に対して、処理液の能力を利用した各種処理（たとえば、基板からパーティクルや金属汚染物を除去するための洗浄処理、基板から不要なレジスト膜を剥離するためのレジスト剥離処理など）が行われる。
この処理のための枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、基板に処理液を供給するためのノズルとを備えている。基板処理時には、スピンチャックにより基板が回転されつつ、その基板の表面にノズルから処理液が供給される。基板の表面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、その供給位置から基板の周縁に向けて流れる。これにより、基板の表面全域に処理液が広がり、その基板の表面に対する処理が達成される。
【０００３】
このような基板処理において、複数種の薬液を混合して作成される処理液が用いられることがある。たとえば、基板から金属汚染物を除去するための洗浄処理では、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）とＤＩＷ（deionized water：脱イオン化された水）との混合液が処理液として用いられる。この処理液は、塩酸供給管、過酸化水素水供給管およびＤＩＷ供給管が接続されたミキシングバルブで作成される。すなわち、塩酸供給管からの塩酸、過酸化水素水供給管からの過酸化水素水およびＤＩＷ供給管からのＤＩＷがミキシングバルブに同時に供給され、それらがミキシングバルブ内で混合されることにより、塩酸と過酸化水素水とＤＩＷとの混合液である処理液が作成される。そして、このミキシングバルブで作成された処理液が配管を通してノズルに供給される。
【特許文献１】特開２００４−２８１４６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
塩酸と過酸化水素水とを混合させると、塩酸と過酸化水素水との化学反応が生じる。この化学反応は、処理液の活性度を高めることに寄与する。ところが、塩酸と過酸化水素水とＤＩＷとがミキシングバルブ内で混合されると、ＤＩＷによって塩酸および過酸化水素水が希釈されるため、塩酸と過酸化水素水との反応が鈍り、処理液の活性度を十分に高めることができなかった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、活性度の高い処理液を得ることができ、その処理液による良好な処理を基板に施すことができる、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、第１薬液と第２薬液とを混合して、前記第１薬液と前記第２薬液との混合液を作成し、この作成直後の前記混合液を純水で希釈して得られる処理液を、その希釈直後に基板（Ｗ）に供給することを特徴とする、基板処理方法である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００７】
この方法によれば、第１薬液と第２薬液とが混合され、この混合により得られる混合液と純水とが混合される。これにより、第１薬液と第２薬液との混合液が純水で希釈され、基板に供給すべき濃度の処理液が得られる。すなわち、第１薬液と第２薬液とは、純水により希釈される前に、それぞれ濃度が高い状態で混合される。その結果、第１薬液と第２薬液との良好な化学反応が生じ、活性度の高い混合液を得ることができる。そして、この活性度の高い混合液に純水が適当に混合されることにより、活性度が高くかつ基板の処理に適した濃度の処理液を得ることができる。よって、活性度の高い処理液による良好な処理を基板に施すことができる。
【０００８】
請求項２記載の発明は、第１薬液の流れと第２薬液の流れとを合流させ、これにより生じる前記混合液の流れと純水の流れとを合流させて、前記処理液の流れが形成されることを特徴とする、請求項１記載の基板処理方法である。
この方法によれば、第１薬液の流れと第２薬液の流れとの合流により、混合液の流れが形成され、この混合液の流れと純水の流れとの合流により、混合液の希釈液である処理液の流れが形成される。これにより、活性度が高くかつ基板の処理に適した濃度の処理液を、劣化させることなく、基板に供給することができる。その結果、処理液による一層良好な処理を基板に施すことができる。
【０００９】
なお、請求項３に記載のように、前記第１薬液は、塩酸であり、前記第２薬液は、過酸化水素水であってもよい。この場合、塩酸および過酸化水素水を含む処理液（ＳＣ２）が基板に供給され、その処理液の能力により、基板から金属汚染物を除去することができる。
また、請求項４に記載のように、前記第１薬液は、アンモニア水であり、前記第２薬液は、過酸化水素水であってもよい。この場合、アンモニア水および過酸化水素水を含む処理液（ＳＣ１）が基板に供給され、その処理液の能力により、基板からパーティクルを除去することができる。
【００１０】
さらにまた、請求項５に記載のように、前記第１薬液は、硫酸であり、前記第２薬液は、過酸化水素水であってもよい。この場合、硫酸および過酸化水素水を含む処理液が基板に供給され、その処理液の能力により、基板からポリマを除去することができる。
請求項６記載の発明は、第１薬液が流通する第１薬液流通管（１０，２０；１２，２２）と、第２薬液が流通する第２薬液流通管（１１）と、純水が流通する純水流通管（１４）と、前記第１薬液流通管からの第１薬液と前記第２流通管からの第２薬液との混合液が流通する混合液流通管（１１）と、前記混合液流通管からの混合液と前記純水流通管からの純水とを混合させて、処理液を作成するためのミキシングバルブ（８）と、前記ミキシングバルブから基板に処理液を供給するための処理液供給管（９）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
【００１１】
この基板処理装置において、請求項１記載の基板処理方法を実施することができる。その結果、請求項１に関連して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。
基板処理装置１は、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）の表面から金属汚染物および各種パーティクルを除去する処理（ＳＣ２洗浄処理、ＳＣ１洗浄処理）を行うための枚葉式の装置である。この基板処理装置１は、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック２と、このスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に処理液を供給するためのノズル３と、スピンチャック２を収容し、ウエハＷから流下または飛散する処理液を受け取るための容器状のカップ４とを備えている。
【００１３】
スピンチャック２は、たとえば、複数個の挟持部材５でウエハＷを挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができる。そして、スピンチャック２は、ウエハＷを保持した状態で、ほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる。
なお、スピンチャック２としては、このような構成のものに限らず、たとえば、真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。このバキュームチャックは、ウエハＷの下面を真空吸着することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができる。そして、バキュームチャックは、ウエハＷを保持した状態で、ほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる
ノズル３は、スピンチャック２の上方に設けられたアーム６の先端に取り付けられている。アーム６は、カップ４の側方でほぼ鉛直に延びた支持軸７に支持され、この支持軸７の上端部からほぼ水平に延びている。支持軸７は、その中心軸線まわりに回転可能に設けられている。この支持軸７を回転させることにより、ノズル３をスピンチャック２に保持されたウエハＷの上方に配置したり、カップ４の外側に設定された待機位置に配置したりすることができる。
【００１４】
なお、ノズル３は、スピンチャック２に対して固定的に配置されていてもよい。
ノズル３には、ミキシングバルブ８から延びる処理液供給管９が接続されている。
ミキシングバルブ８には、第１薬液供給管１０、第２薬液供給管１１、第３薬液供給管１２、第４薬液供給管１３およびＤＩＷ供給管１４が接続されている。
第１薬液供給管１０には、塩酸供給源（図示せず）から塩酸（ＨＣｌ）が供給される。この第１薬液供給管１０の途中部には、第１薬液バルブ１５が介装されている。
【００１５】
第２薬液供給管１１には、過酸化水素水供給源（図示せず）から過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が供給される。この第２薬液供給管１１の途中部には、第２薬液バルブ１６が介装されている。
第３薬液供給管１２には、アンモニア水供給源（図示せず）からアンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）が供給される。この第３薬液供給管１２の途中部には、第３薬液バルブ１７が介装されている。
【００１６】
第４薬液供給管１３には、ふっ酸供給源（図示せず）からふっ酸（ＨＦ）が供給される。この第４薬液供給管１３の途中部には、第４薬液バルブ１８が介装されている。
ＤＩＷ供給管１４には、ＤＩＷ供給源（図示せず）からＤＩＷが供給される。このＤＩＷ供給管１４の途中部には、ＤＩＷバルブ１９が介装されている。
また、第１薬液供給管１０には、第１薬液バルブ１５よりも薬液流通方向上流側の位置に、第１合流管２０の一端が接続されている。この第１合流管２０の他端は、第２薬液供給管１１における第２薬液バルブ１６よりも薬液流通方向上流側の位置に接続されている。第１合流管２０の途中部には、第１合流バルブ２１が介装されている。
【００１７】
さらに、第２薬液供給管１１には、第２薬液バルブ１６よりも薬液流通方向上流側の位置に、第２合流管２２の一端が接続されている。この第２合流管２２の他端は、第３薬液供給管１２における第３薬液バルブ１７よりも薬液流通方向上流側の位置に接続されている。第２合流管２２の途中部には、第２合流バルブ２３が介装されている。
第１薬液バルブ１５、第２薬液バルブ１６、第３薬液バルブ１７、第４薬液バルブ１８、ＤＩＷバルブ１９、第１合流バルブ２１および第２合流バルブ２３の開閉は、マイクロコンピュータを備える制御部２４により制御される。たとえば、第１薬液バルブ１５、第２薬液バルブ１６、第３薬液バルブ１７、第１合流バルブ２１および第２合流バルブ２３を閉じた状態で、第４薬液バルブ１８およびＤＩＷバルブ１９が開かれることにより、第４薬液供給管１３からのふっ酸とＤＩＷ供給管１４からのＤＩＷとがミキシングバルブ８に供給される。そして、このミキシングバルブ８でふっ酸とＤＩＷとが混合されることにより、ふっ酸の希釈液からなる処理液が作成され、この処理液が処理液供給管９を介してノズル３に供給される。
【００１８】
処理液供給管９の途中部には、処理液供給管９を流通する処理液を攪拌するための攪拌流通管２５が介装されている。
攪拌流通管２５は、管部材内に、それぞれ処理液流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、処理液流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成を有している。このような攪拌流通管２５としては、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「ＭＸシリーズ：インラインミキサー」を用いることができる。
【００１９】
図２は、ＳＣ２洗浄処理時の制御の流れを示すフローチャートである。
ＳＣ２洗浄処理時には、まず、スピンチャック２によってウエハＷが所定の回転速度で回転される。次に、ＤＩＷバルブ１９が開かれる（ステップＳ１）。これにより、ＤＩＷ供給管１４からミキシングバルブ８にＤＩＷが供給される。また、第１合流バルブ２１が開かれるとともに（ステップＳ２）、第２薬液バルブ１６が開かれる（ステップＳ３）。
【００２０】
第１合流バルブ２１および第２薬液バルブ１６が開かれると、第１薬液供給管１０から第１合流管２０に塩酸が流れ込み、その塩酸が第１合流管２０を通して第２薬液供給管１１に流れ込む。これにより、第２薬液供給管１１において、第１合流管２０からの塩酸の流れと第１合流管２０の接続部分よりも上流側からの過酸化水素水の流れとが合流し、塩酸と過酸化水素水との混合液の流れが形成される。そして、その混合液は、ミキシングバルブ８に供給される。その結果、ミキシングバルブ８において、混合液の流れとＤＩＷの流れとが合流し、混合液のＤＩＷによる希釈液である処理液（ＳＣ２）の流れが形成される。
【００２１】
こうして作成される処理液は、ミキシングバルブ８から処理液供給管９を通してノズル３に供給される。この途中で、処理液が攪拌流通管２５を通過することにより、処理液中の塩酸と過酸化水素水とが攪拌され、塩酸と過酸化水素水との化学反応が促進される。その結果、塩酸と過酸化水素水とが十分に反応し、処理液の活性度が一層高められる。
ノズル３に供給される処理液は、ノズル３から吐出されて、回転中のウエハＷの表面に供給される。ウエハＷの表面に供給された処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、その供給位置からウエハＷの周縁に向けて、ウエハＷの表面上を拡がりつつ流れる。これによって、ウエハＷの表面全域に処理液がむらなく行き渡る。そして、主として処理液の能力により、ウエハＷの表面全域から金属汚染物が除去される。
【００２２】
第１合流バルブ２１および第２薬液バルブ１６の開成から所定の薬液処理時間が経過すると（ステップＳ４のＹＥＳ）、第１合流バルブ２１が閉じられるとともに（ステップＳ５）、第２薬液バルブ１６が閉じられる（ステップＳ６）。これにより、ミキシングバルブ８への塩酸と過酸化水素水との混合液の供給が停止される。このとき、ＤＩＷバルブ１９は開かれたままであり、ミキシングバルブ８には、ＤＩＷ供給管１４からのＤＩＷのみが供給される。したがって、第１合流バルブ２１および第２薬液バルブ１６が閉じられた後は、ミキシングバルブ８に供給されるＤＩＷが処理液流通管９を通してノズル３に供給され、そのＤＩＷがノズル３から回転中のウエハＷの表面に供給される。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央部から周縁に向けて流れる。これによって、ウエハＷの表面全域にＤＩＷが行き渡り、ウエハＷの表面に付着している処理液がＤＩＷによって洗い流される。
【００２３】
このウエハＷの表面に対するＤＩＷの供給が所定のリンス処理時間にわたって続けられると（ステップＳ７のＹＥＳ）、ＤＩＷバルブ１９が閉じられる（ステップＳ８）。これにより、ミキシングバルブ８へのＤＩＷの供給が停止され、ノズル３からウエハＷの表面へのＤＩＷの供給が停止される。以上でＳＣ２洗浄処理が終了する。
このように、第２薬液供給管１１において、塩酸と過酸化水素水とが混合され、ミキシングバルブ８において、その混合により得られる混合液とＤＩＷとが混合される。これにより、塩酸と過酸化水素水との混合液がＤＩＷで希釈され、ウエハＷに供給すべき濃度の処理液が得られる。すなわち、塩酸と過酸化水素水とは、ＤＩＷにより希釈される前に、それぞれ濃度が高い状態で混合される。その結果、塩酸と過酸化水素水との良好な化学反応が生じ、活性度の高い混合液を得ることができる。そして、この活性度の高い混合液にＤＩＷが適当に混合されることにより、活性度が高くかつウエハＷの処理に適した濃度の処理液を得ることができる。また、ミキシングバルブ８で得られる活性度の高い処理液は、貯留されることなく、その作成後ただちにノズル３に供給され、ノズル３からウエハＷの表面に供給される。よって、活性度が高くかつ基板の処理に適した濃度の処理液を、劣化させることなく、基板に供給することができる。その結果、処理液による良好なＳＣ２洗浄処理をウエハＷに施すことができる。
【００２４】
図３は、ＳＣ１洗浄処理時の制御の流れを示すフローチャートである。
ＳＣ１洗浄処理時には、まず、スピンチャック２によってウエハＷが所定の回転速度で回転される。次に、ＤＩＷバルブ１９が開かれる（ステップＳ１１）。これにより、ＤＩＷ供給管１４からミキシングバルブ８にＤＩＷが供給される。また、第２合流バルブ２３が開かれるとともに（ステップＳ１２）、第２薬液バルブ１６が開かれる（ステップＳ１３）。
【００２５】
第２合流バルブ２３および第２薬液バルブ１６が開かれると、第３薬液供給管１２から第２合流管２２にアンモニア水が流れ込み、そのアンモニア水が第２合流管２２を通して第２薬液供給管１１に流れ込む。これにより、第２薬液供給管１１において、第２合流管２２からのアンモニア水の流れと第２合流管２２の接続部分よりも上流側からの過酸化水素水の流れとが合流し、アンモニア水と過酸化水素水との混合液の流れが形成される。そして、その混合液は、ミキシングバルブ８に供給される。その結果、ミキシングバルブ８において、混合液の流れとＤＩＷの流れとが合流し、混合液のＤＩＷによる希釈液である処理液（ＳＣ１）の流れが形成される。
【００２６】
こうして作成される処理液は、ミキシングバルブ８から処理液供給管９を通してノズル３に供給される。この途中で、処理液が攪拌流通管２５を通過することにより、処理液中のアンモニア水と過酸化水素水とが攪拌され、アンモニア水と過酸化水素水との化学反応が促進される。その結果、アンモニア水と過酸化水素水とが十分に反応し、処理液の活性度が一層高められる。
【００２７】
ノズル３に供給される処理液は、ノズル３から吐出されて、回転中のウエハＷの表面に供給される。ウエハＷの表面に供給された処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、その供給位置からウエハＷの周縁に向けて、ウエハＷの表面上を拡がりつつ流れる。これによって、ウエハＷの表面全域に処理液がむらなく行き渡る。そして、主として処理液の能力により、ウエハＷの表面全域からパーティクルが除去される。
【００２８】
第２合流バルブ２３および第２薬液バルブ１６の開成から所定の薬液処理時間が経過すると（ステップＳ１４のＹＥＳ）、第２合流バルブ２３が閉じられるとともに（ステップＳ１５）、第２薬液バルブ１６が閉じられる（ステップＳ１６）。これにより、ミキシングバルブ８へのアンモニア水と過酸化水素水との混合液の供給が停止される。このとき、ＤＩＷバルブ１９は開かれたままであり、ミキシングバルブ８には、ＤＩＷ供給管１４からのＤＩＷのみが供給される。したがって、第２合流バルブ２３および第２薬液バルブ１６が閉じられた後は、ミキシングバルブ８に供給されるＤＩＷが処理液流通管９を通してノズル３に供給され、そのＤＩＷがノズル３から回転中のウエハＷの表面に供給される。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央部から周縁に向けて流れる。これによって、ウエハＷの表面全域にＤＩＷが行き渡り、ウエハＷの表面に付着している処理液がＤＩＷによって洗い流される。
【００２９】
このウエハＷの表面に対するＤＩＷの供給が所定のリンス処理時間にわたって続けられると（ステップＳ１７のＹＥＳ）、ＤＩＷバルブ１９が閉じられる（ステップＳ１８）。これにより、ミキシングバルブ８へのＤＩＷの供給が停止され、ノズル３からウエハＷの表面へのＤＩＷの供給が停止される。以上でＳＣ１洗浄処理が終了する。
このように、第２薬液供給管１１において、アンモニア水と過酸化水素水とが混合され、ミキシングバルブ８において、その混合により得られる混合液とＤＩＷとが混合される。これにより、アンモニア水と過酸化水素水との混合液がＤＩＷで希釈され、ウエハＷに供給すべき濃度の処理液が得られる。すなわち、アンモニア水と過酸化水素水とは、ＤＩＷにより希釈される前に、それぞれ濃度が高い状態で混合される。その結果、アンモニア水と過酸化水素水との良好な化学反応が生じ、活性度の高い混合液を得ることができる。そして、この活性度の高い混合液にＤＩＷが適当に混合されることにより、活性度が高くかつウエハＷの処理に適した濃度の処理液を得ることができる。また、ミキシングバルブ８で得られる活性度の高い処理液は、貯留されることなく、その作成後ただちにノズル３に供給され、ノズル３からウエハＷの表面に供給される。よって、活性度が高くかつ基板の処理に適した濃度の処理液を、劣化させることなく、基板に供給することができる。その結果、処理液による良好なＳＣ１洗浄処理をウエハＷに施すことができる。
【００３０】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、第１薬液供給管１０に供給される薬液の一例として塩酸を取り上げたが、これに代えて、硫酸が第１薬液供給管１０に供給されてもよい。この場合、第１合流バルブ２１および第２薬液バルブ１６が開かれると、第１薬液供給管１０から第１合流管２０に硫酸が流れ込み、その硫酸が第１合流管２０を通して第２薬液供給管１１に流れ込む。これにより、第２薬液供給管１１において、第１合流管２０からの硫酸の流れと第１合流管２０の接続部分よりも上流側からの過酸化水素水の流れとが合流し、硫酸と過酸化水素水との混合液の流れが形成される。そして、その混合液は、ミキシングバルブ８に供給される。その結果、ミキシングバルブ８において、混合液の流れとＤＩＷの流れとが合流し、混合液のＤＩＷによる希釈液である処理液の流れが形成される。したがって、その処理液がウエハＷの表面に供給されることにより、ウエハＷの表面からポリマを除去することができる。
【００３１】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】ＳＣ２洗浄処理時の制御の流れを示すフローチャートである。
【図３】ＳＣ１洗浄処理時の制御の流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３３】
１    基板処理装置
８    ミキシングバルブ
９    処理液供給管
１０  第１薬液供給管
１１  第２薬液供給管
１２  第３薬液供給管
１４  ＤＩＷ供給管
２０  第１合流管
２２  第２合流管
Ｗ    ウエハ
【図１】
2008277576.tif 000003
【図２】
2008277576.tif 000004
【図３】
2008277576.tif 000005