(57)【要約】【課題】エッチング特性が優れており、安定した導電性を有する高微細精度の導電膜パターンを与える導電膜用エッチング液および導電膜パターンの製造方法を提供すること。【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有する導電膜用エッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６０質量％〜８２質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩１８質量％〜４０質量％との混合物（Ｗ）であることを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用する導電膜パターンの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有する導電膜用エッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６０質量％〜８２質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩１８質量％〜４０質量％との混合物（Ｗ）であることを特徴とする導電膜用エッチング液。
【請求項２】
前記の直鎖のフッ化炭素基の炭素数（ｘ）と分岐鎖のフッ化炭素基の炭素数（ｙ）が、ｘ＝ｙである請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
前記の直鎖のフッ化炭素基の炭素数（ｘ）と分岐鎖のフッ化炭素基の炭素数（ｙ）が、８である請求項１または２に記載のエッチング液。
【請求項４】
前記のパーフルオロアルキルスルホン酸塩の塩基が、ナトリウム、カリウム、リチウム、およびアンモニウムから選ばれる少なくとも１種である請求項１〜３のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項５】
前記の混合物（Ｗ）の濃度が、０．００１質量％〜０．１質量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項６】
さらに過塩素酸、硝酸、および酢酸から選ばれる少なくとも１種を含有する請求項１に記載のエッチング液。
【請求項７】
前記の導電膜用エッチング剤の濃度が、１０質量％〜５０質量％である請求項１または６に記載のエッチング液。
【請求項８】
表面張力が、１５〜３０ｍＮ／ｍである請求項１〜７のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項９】
基板上に形成された導電膜を、請求項１〜８のいずれか１項に記載のエッチング液を使用してエッチングすることを特徴とする導電膜パターンの製造方法。
【請求項１０】
前記の導電膜が、バナジウム、モリブデン、銅、クロム、アルミニウム、スズ、銀、亜鉛、およびこれらを主成分とする酸化物または合金よりなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項９に記載の導電膜パターンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜用エッチング液に関し、詳しくは、液晶表示装置のゲート配線やゲート電極などの電子部品として用いられる安定した導電性を有する高微細精度の導電膜パターンを与える高精度のエッチング性とエッチングの際にエッチング液の消耗が少ない消耗性（以下、これらの特性を纏めて「エッチング特性」という場合がある）を有する導電膜用エッチング液およびそれを使用した導電膜パターンの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、上記の液晶表示装置などの電子部品の軽量化や高密度実装化に伴い、基板上の種々の導電膜をパターン化し、その導電膜パターンをゲート配線や電極などとした精密電子部品が急速に普及してきている。上記の市場拡大に伴い、上記の導電膜パターンの製造に使用されるエッチング液は、より高性能化が必要になってきている。とくに、高性能化において上記エッチング液は、得られる導電膜パターンの電気特性が損なわれないエッチング精度のレベルアップが必要になってきている。また、大量生産に伴うエッチング液の消耗を極力少なくするという経済性が重要になってきている。
【０００３】
上記の導電膜パターンは、導電膜上に形成された感光性樹脂あるいは印刷インキによるパターン状のエッチングマスクを介して酸性エッチング液により、エッチングマスクで覆われていない導電膜をスプレーエッチング法あるいは浸漬エッチング法などの方法でエッチングし、エッチング後、エッチングマスクをアルカリ水溶液や有機溶剤などによって除去することにより製造される。
【０００４】
しかしながら、従来の酸性エッチング液を使用して、例えば、上記のスプレーエッチング法により前記導電膜パターンを製造した場合、例えば、所望の導電膜パターンを形成するエッチングマスクが施された導電膜基板を、ローラーコンベアなどにより水平方向へ移動して、公知のコンピューター制御されたスプレー装置を使用して、複数のスプレーノズルから、ノズルを首振しながらまた吐出液量を調整しながら酸性エッチング液を導電膜表面にスプレーしてエッチングマスクで覆われていない導電膜をエッチングする際に、導電膜基板の中央部にエッチング液の滞留によるオーバーエッチングが発生し、得られるゲート配線または電極などの線幅や開口部は、その線幅が細り、また、その開口部の寸法が増大して高微細精度の導電膜パターンが得られない。このことは、上記のゲート配線や電極が断線したり、電気抵抗などに変化が生じ、安定した導電性が得られない。
【０００５】
また、従来の酸性エッチング液を使用して、前記のエッチング法などにより導電膜パターンを製造した場合、エッチングマスクおよび導電膜に対するエッチング液の濡れが十分でないために、濡れ不良に伴うエッチングむらが発生して、エッチング後、高微細精度の導電膜パターンが得られにくいために、得られるゲート配線あるいは電極は、安定した導電性が得られない。とくに、ラックに複数枚のパターン状のエッチングマスクが施された導電膜基板を入れ、該ラックを酸性エッチング液が注入されているエッチング槽に浸漬して行う浸漬エッチング法では上記現象が顕著になる。
【０００６】
また、上記浸漬エッチング法では、エッチング終了後、エッチングされた導電基板をラックごとエッチング槽から引き上げる際に、エッチング液が、エッチング物およびラックに付着して、エッチング液の持ち出しが多くなり、このエッチング液の消耗のために頻繁にエッチング液を補充する必要がある。このことは、大量生産において、使用するエッチング液がかなり無駄に消耗されるという問題が発生する。
【０００７】
また、液晶表示装置は、例えば、カラーフィルターが形成されたカラーフィルター用基板と薄膜トランジスター（ＴＦＴ）が形成されたガラス基板との間に液晶を封入したパネルと、バックライト光源から構成されている。上記の液晶パネルの薄膜トランジスターなどのゲート配線あるいは電極を、従来の酸性エッチング液を使用して前記のエッチング法にて製造した場合に、エッチング液により溶解された導電膜の溶解物、あるいはエッチング剤組成物の加水分解した生成物などがガラス基板表面に付着しやすく、その残渣の除去が十分でないために、上記パネルの透明性を阻害する。
【０００８】
上記の残渣の問題点を改良するために、シュウ酸とフッソ系界面活性剤とを含有する水溶液であるエッチング液が知られている。その一例として、ある種のエッチング液（特許文献１）が開示されている。
【０００９】
上記の特許文献１に開示のエッチング液は、シュウ酸と併用するフッソ系界面活性剤が、パーフルオロアルキルエチレンオキシドおよび／またはパーフルオロアルケニルスルホン酸塩を主成分とするフッソ系非イオン性界面活性剤、またはパーフルオロアルケニルカルボン酸塩および／またはパーフルオロアルケニルカルボン酸塩を主成分とするフッソ系陰イオン性界面活性剤である。これらは、従来のフッソ系界面活性剤以外のドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルスルホン酸塩などの界面活性剤に比べれば、残渣除去性は改良されている。
【００１０】
しかしながら、上記のフッソ系界面活性剤は、酸性エッチング液中での溶解性が良くない。また、硝酸第二セリウムアンモニウムなどの酸化剤を含有する酸性エッチング液に対する耐酸化性の化学的安定性が劣る。このことは、これらを用いたエッチング液は、前記の導電膜に対しての十分な濡れ性を有するエッチング性が得られず、また、エッチングされた部材からのエッチング液の液切れが十分でないために、エッチング液の持ち出しがより多くなり、エッチング液を消耗する。
【００１１】
また、酸性エッチング液中での溶解性が良くないために、保管中に上記の界面活性剤が析出するなどして、エッチング時に、析出物が導電膜に付着してエッチング不良が発生しやすく、得られる導電膜パターンの導電性に悪影響を及ぼす。また、ガラス基板に付着した析出物によるシミが発生する危険性がある。このことは、頻繁にエッチング液を循環しながら上記析出物を濾過する必要がある。
【００１２】
上記のことから、電気特性が損なわれない高微細精度の導電膜パターンが得られる、優れたエッチング精度を有し、エッチングの際にエッチング液の消耗が極めて少ない導電膜用エッチング液が要望されている。
【００１３】
【特許文献１】特開２００５−２４４０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従って、本発明の目的は、エッチング特性が優れており、安定した導電性を有する高微細精度の導電膜パターンを与える導電膜用エッチング液および導電膜パターンの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的は、以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明は、少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有する導電膜用エッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６０質量％〜８２質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩１８質量％〜４０質量％との混合物（Ｗ）（以下、単に「Ｗ成分」という場合がある）であることを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用する導電膜パターンの製造方法を提供する。
【００１６】
本発明者は、前記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、上記の特定の界面活性剤を含有するエッチング液が、従来のエッチング液に比べて、優れたエッチング特性を有し、高微細精度の安定した導電性を有する導電膜パターンを与え、特に、カラー液晶表示装置の液晶パネルに用いられるゲート線や電極などの導電膜パターンの製造においては、上記液晶パネルの透明性を阻害しない導電膜用エッチング液および導電膜パターンの製造方法であることを見出した。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、液晶表示装置に用いられるゲート配線やゲート電極などの電子部品として用いられる安定した導電性を有する高微細精度の導電膜パターンを与える導電膜用エッチング液および導電膜パターンの製造方法が提供される。とくに、カラー液晶表示装置の液晶パネルに用いられるゲート配線や電極などの導電膜パターンの製造においては、上記液晶パネルの透明性を阻害しなく有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に発明を実施するための最良の形態を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。本発明を主として特徴づけるＷ成分は、直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６０質量％〜８２質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩１８質量％〜４０質量％との混合物である。
【００１９】
上記のＷ成分は、上記の混合割合の直鎖および分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩であればいずれのものも使用することができ、好ましくは直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６５質量％〜７５質量％と、分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩２５質量％〜３５質量％との混合物、とくに好ましくは直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６７質量％〜７０質量％と、分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩３０質量％〜３３質量％との混合物が挙げられる。
【００２０】
上記のＷ成分の直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩および分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩は、各々下記一般式（１）および（２）で表わされるパーフルオロアルキルスルホン酸塩の混合物である。
ＲＦ１ＳＯ3Ｍ    （１）
ＲＦ２ＳＯ3Ｍ    （２）
（上記式中のＲＦ１およびＲＦ２は、炭素数６〜１０のアルキル基のＨの全部をＦで置き換えたフッ化炭素基であり、また、ＲＦ１は直鎖のフッ化炭素基であり、ＲＦ２は分岐鎖のフッ化炭素基であり、また、Ｍはカリウム、ナトリウム、リチウム、またはアンモニウムイオンである。）
【００２１】
前記のＷ成分の直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩の割合が多過ぎると、エッチング液に対する溶解性が低下する。このことは、得られるエッチング液のエッチング時の導電膜やエッチングマスクに対する十分な濡れ性が得られないために、むらなく均一なエッチングができない。
【００２２】
また、エッチング終了後、エッチング物からのエッチング液の液切れがよくないためにエッチング液の持ち出しが多くなり、エッチング液を消耗するためにエッチング液の補充を頻繁に行わねばならない。さらに、前記のパーフルオロアルキルスルホン酸塩の溶解性の低下に伴う該塩の不溶物の発生は、ガラス基板の表面に白濁を生じたり、析出した上記の不溶物が導電膜に付着してエッチングむらが発生する。このために、上記の析出した不溶物をエッチング中にエッチング液を循環しながら頻繁に濾過する必要がある。
【００２３】
一方、上記の直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩の割合が少な過ぎると、エッチング液の表面張力が高くなり過ぎて、導電膜に対する濡れ性が低下して、導電膜に対するむらのない均一なエッチングができない。
【００２４】
また、前記のＷ成分は、Ｗ成分を構成する直鎖のフッ化炭素基の炭素数（ｘ）と分岐鎖のフッ化炭素基の炭素数（ｙ）が、ｘ＝ｙであるものが好ましい。上記の直鎖および分岐鎖のフッ化炭素基の炭素数が同数の混合物を使用したエッチング液が、より優れた高微細精度を有する導電膜パターンが得られ、また、エッチングの際にエッチング液の消耗をより少なくすることができる。
【００２５】
上記のＷ成分の内で、とくに、Ｗ成分を構成する直鎖のフッ化炭素基の炭素数（ｘ）と分岐鎖のフッ化炭素基の炭素数（ｙ）が、８であるものがより上記の効果を発揮する。
【００２６】
また、前記のパーフルオロアルキルスルホン酸塩の塩基としては、ナトリウム、カリウム、リチウム、およびアンモニウムから選ばれる少なくとも１種が好ましく使用でき、より好ましくはナトリウムまたはカリウムである。その他の上記以外の塩基は、前記のエッチング液に対する溶解性がよくなく、また、Ｗ成分として、十分な効果を発揮しない。
【００２７】
前記Ｗ成分の配合は、エッチング液総量中０．００１質量％〜０．１質量％の濃度が好ましく、より好ましくは０．０１８質量％〜０．０５質量％の濃度で使用する。上記のＷ成分の濃度が高過ぎると、エッチング液中にＷ成分の不溶物や、また、液温低下による析出あるいは沈殿物が発生しやすくなる。このことにより、上記の沈殿物がエッチング中に導電膜に付着してエッチングむらを生じるという不具合を起こす。一方、上記の濃度が、低過ぎると、エッチング液の導電膜やエッチングマスクに対する十分な濡れ性が得られないために均一なエッチングが得られない。また、エッチング終了後、パターンがエッチングされた導電膜をエッチング槽から引き上げる際に、エッチング液がエッチング物やエッチング物が収納されているラックに付着してエッチング液の持ち出しが多くなり、頻繁にエッチング液を補充する必要が生ずる。
【００２８】
本発明のエッチング液は、前記のＷ成分と、少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有する導電膜用エッチング剤とを水に適宜に配合して均一に溶解して調製する。上記の導電膜用エッチング剤は、硝酸第二セリウムアンモニウム単独でも使用することができるが、硝酸第二セリウムアンモニウムと併用可能な酸と併用することが好ましい。上記の酸としては、硝酸第二セリウムアンモニウムと併用することにより、バナジウム、クロム、銅などの導電性金属からなる導電膜を効果的にエッチングできるものであればいずれのものも使用することができる。上記の酸としては、例えば、過塩素酸、硝酸、酢酸などが挙げられる。
【００２９】
上記の導電膜用エッチング剤としては、硝酸第二セリウムアンモニウムに、さらに、過塩素酸、硝酸、および酢酸から選ばれる少なくとも１種を含有したものが好ましく使用される。すなわち、上記の導電膜用エッチング剤としては、例えば、硝酸第二セリウムアンモニウム／過塩素酸／硝酸；硝酸第二セリウムアンモニウム／硝酸；硝酸第二セリウムアンモニウム／過塩素酸；硝酸第二セリウムアンモニウム／酢酸などが挙げられる。
【００３０】
前記のエッチング液の調製に使用される水としては、イオン交換水、軟水、蒸留水および硬水など、好ましくはイオン交換水および軟水、とくに好ましくはイオン交換水が挙げられる。硬水のように水中に金属イオンを有するものは、前記のＷ成分のスルホン酸塩と反応しやすくＷ成分の界面活性剤としての効果を低下させるので好ましくはない。
【００３１】
前記の導電膜用エッチング剤成分の配合は、エッチング液総量中１０質量％〜５０質量％の濃度が好ましく、より好ましくは１０質量％〜３０質量％の濃度である。導電膜用エッチング剤成分の配合濃度が、上記範囲であると、導電膜用エッチング液として優れた効果を発揮する。
【００３２】
本発明のエッチング液は、その表面張力が１５ｍＮ／ｍ〜３０ｍＮ／ｍが好ましく、より好ましくは１７ｍＮ／ｍ〜２５ｍＮ／ｍである。上記の表面張力が高すぎると、導電膜表面に形成された感光性樹脂を露光・現像して得られるレジストの導電膜パターン形状のエッチングマスクと、該エッチングマスクで覆われていない導電膜に対する濡れ性が低下し、とくに、導電膜パターン形状のエッチングマスクの超微細間隔に対する濡れ性が著しく低下することにより、高精度の寸法精度を有するエッチング効果が得られない。なお、本発明における表面張力は、エレクトロ平衡式法による２５℃の条件下にて測定した値である。
【００３３】
本発明のエッチング液は、導電膜を使用した液晶表示装置に用いられるゲート配線や電極、光学デバイスなどの電子部品として用いられる導電膜パターンを製造するために使用することができる。とくに、液晶表示装置に用いられるゲート配線や電極の導電膜パターンの製造に有効である。
【００３４】
上記の導電膜パターンの製造方法としては、例えば、次の（１）〜（５）の工程からなっている。すなわち、液晶ディスプレイ用のアルカリガラス、ソーダライムガラス、フロートガラスなどのガラス基板、シリコーン基板、ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチック基板などの基板上に形成された導電性を有する金属、合金、それらの酸化物などの導電膜表面上に、（１）ポジ型の感光性樹脂組成物を公知の方法で塗布、乾燥して感光性樹脂の塗膜を形成する工程と、（２）上記の塗膜を所望の導電膜パターンのフォトマスクを介して紫外線などの活性エネルギーによってパターン露光する工程と、（３）露光後、アルカリ現像水溶液を使用して現像を行いエッチングマスクを形成する工程と、（４）上記のエッチングマスクが形成された基板を本発明のエッチング液を使用してエッチングマスクで覆われていない導電膜をエッチングして除去する工程と、（５）エッチング後、エッチングマスクをアルカリ性剥離液により除去し、水洗する工程からなり、パターン状のエッチングマスクで覆われていた部分の導電膜が基板上に残り導電膜パターンが形成される。
【００３５】
上記の導電膜としては、その成分が、バナジウム、モリブデン、銅、クロム、アルミニウム、スズ、銀、亜鉛、およびこれらを主成分とする酸化物または合金よりなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく使用される。
【００３６】
上記の導電膜は、前記のガラス基板、シリコーン基板、プラスチック基板などの基板上に、公知の蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などの方法により、前記の導電膜用の金属単体、酸化物、それらの合金を積層したものである。上記の導電膜の厚みは、１５０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく使用される。
【００３７】
上記の導電膜パターンの製造方法の具体例として、例えば、液晶表示装置に用いられるゲート配線用の導電膜パターンの製造方法を挙げて説明する。まず、公知のディスプレイパネル用のガラス基板上にスパッタリング法にてクロム金属の１５０ｎｍ〜３００ｎｍの薄膜を形成した導電膜基板を作製する。次に、上記の導電膜基板の導電膜表面にポジ型感光性樹脂組成物（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ−ＴＦＰ−２１０Ｋ）を公知の塗布方法で塗布、乾燥し、０．５μｍ〜１．２μｍ（乾燥厚み）の感光性樹脂の塗膜を形成する。該感光性樹脂の塗膜に所望のゲート配線用のフォトマスクのパターンを介して超高圧水銀灯にて露光描画する。露光後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの公知のアルカリ現像水溶液を使用してスプレー現像して上記のフォトマスクパターンの形状のエッチングマスクを形成する。次に、該エッチングマスクで覆われていない導電膜を本発明のエッチング液を使用して、液温２０〜３０℃、スプレー圧０．１〜０．２ＭＰａの条件で３０秒〜１３０秒間スプレーエッチング法により、または、浸漬エッチング法によりエッチングする。エッチング後、上記のエッチングマスクが剥離できる公知のアルカリ性剥離液を使用してエッチングマスクを剥離および水洗して、ゲート配線用の導電膜パターンが形成される。また、液晶表示装置に用いられるゲート電極の導電膜パターンの製造も前記のゲート配線用の導電膜パターンの製造方法と同様にして行うことができる。
【実施例】
【００３８】
次に実施例および比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。文中「部」または「％」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。なお、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００３９】
［実施例１〜７］（エッチング液Ｌ１〜Ｌ７）
導電膜用エッチング剤、Ｗ成分、およびイオン交換水を使用して表１に示すように各々の成分を配合し、均一に撹拌混合して本発明のエッチング液Ｌ１〜Ｌ７を調製した。なお、上記のＷ成分は、下記の通りである。
・Ｗ成分
Ｗ１：直鎖Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの７０部と分岐鎖Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの３０部との混合物。
Ｗ２：直鎖Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｎａの７０部と分岐鎖Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｎａの３０部との混合物。
Ｗ３：直鎖Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの６７部と分岐鎖Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの３３部との混合物。
【００４０】
2008294054.tif 000002
上記表中の数値は部数を表わす。
【００４１】
［比較例１〜７］（エッチング液Ｍ１〜Ｍ７）
表２に示すようにエッチング剤、界面活性剤（Ｘ）、およびイオン交換水の各々の成分を配合し、均一に撹拌混合してエッチング液Ｍ１〜Ｍ７を調製した。
【００４２】
上記の界面活性剤は下記の通りである。
・界面活性剤（Ｘ）
Ｘ１：直鎖Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの９０部と分岐鎖Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｋの１０部との混合物。
Ｘ２：直鎖Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｋ単体。
【００４３】
2008294054.tif 000003
上記表中の数値は部数を表わす。
【００４４】
［実施例８〜１４および比較例８〜１４］（導電膜パターンの製造例）
液晶ディスプレイ用ガラス基板の表面にスパッタリング方法により、１７０ｎｍのクロム金属の薄膜を形成した導電膜基板を作製し、該基板の導電膜表面にナフトキノンジアジドタイプのポジ型レジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ−ＴＦＰ−２１０Ｋ）を１μｍ（乾燥厚み）になるようにコーティング、乾燥し、乾燥後、該塗膜面を液晶表示装置用のゲート配線用のフォトマスクパターンを介して超高圧水銀灯により露光し、露光後、アルカリ現像水溶液（ＮＭＤ−３またはＡＺ３００ＭＩＦ［２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液］）にてスプレー現像し電極配線用のエッチングマスクを形成した。次に上記エッチングマスクを２３℃に調整された前記の実施例または比較例のエッチング液を使用して滝沢産業（株）製のＮＥ−７０００装置を使用して、ノズルスキャン８０回／ｍｉｎ、基板回転数１５０ｒｐｍ、エッチング液流量２５０ｇ／ｍｉｎのスプレー条件にて９０秒間（ジャストエッチ８０秒＋オーバーエッチ１０秒）エッチングを行い、エッチングマスクで覆われていない導電膜をエッチング除去、水洗してゲート配線用導電膜パターンを形成した。
【００４５】
前記の実施例および比較例の導電膜パターンの製造例で得られた電極配線用導電膜パターンのエッチング精度および上記導電膜パターンの製造の際のエッチング液の消耗において下記の測定方法により評価した。評価結果を表３および表４に示す。
【００４６】
（エッチング精度）
前記の導電膜パターン製造例より得られたゲート配線用導電膜パターンのラインの線幅または開口部のばらつきの絶対値σ（μｍ）をレーザ顕微鏡（オリンパス（株）製、ＯＬＳ１１００）にて測定した。
【００４７】
（エッチング液の消耗）
前記の導電膜パターンの製造例のエッチングマスクが形成された３６０ｍｍ×４６０ｍｍの導電膜基板を２０枚使用して、それらをエッチング用ラックに入れ、前記のエッチング液が注入されている１４０リットルのエッチング槽に１分間浸漬してエッチングを行い、エッチング後、導電膜基板が入っているラックをエッチング槽から引き上げて、上記の導電膜基板に付着して持ち出されたエッチング液量の割合（エッチング液の消耗率）を測定した。
【００４８】
2008294054.tif 000004
上記表中のエッチング液の消耗は、比較例のエッチング液Ｍ１の持ち出し量を１００％とした場合の値である。
【００４９】
2008294054.tif 000005
【００５０】
上記の評価結果より、本発明のエッチング液は、エッチング精度が優れた導電膜パターンが得られ、また、エッチングの際にエッチング液の消耗を少なくできることが実証されている。一方、比較例のエッチング液は、エッチング精度が十分に優れた導電膜パターンが得られず、また、エッチングの際のエッチング液の消耗量がかなり高い状態である。とくに、比較例のエッチング液Ｍ２およびＭ６は、長期保存後、液面に界面活性剤の針状結晶が析出していた。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の導電膜用エッチング液は、エッチング特性が優れていることから、液晶表示装置に用いられるゲート配線やゲート電極、光学デバイスなどの電子部品に用いられる安定した導電性を有する高微細精度の導電膜パターン製造に使用される導電膜用エッチング液として有効に使用することができる。