(57)【要約】      （修正有）【課題】静磁場不均一を補正するシムコイル端子の固定部の接触抵抗が傾斜磁場コイルに作用するローレンツ力の影響を受けない構造を提供する。【解決手段】静磁場の不均一を補正するためのフィルム状基材8cに形成したパターンに薄い金属導体8dを配線して複数のシムコイルを構成する。この複数のシムコイルの端子を固定する固定部に前記フィルム状基材8cのフィルムよりも機械的強度が強い補強部材8hにより前記固定部を補強する。前記補強部材8hはガラスカ繊維含有樹脂材で構成し、前記補強部材8hを接着硬化後に前記フィルム状基材8cのフィルムよりも機械的強度が強い接着材で前記固定部を接着して固定する。さらに、前記複数のシムコイルの端子から電信信号を導き出すリード線8eまで前記接着材で接着し、前記補強部材8hの周囲に前記補強部材8hと前記フィルム基材8cとの接触面の機械的強度を大きくするためのスリット8iを設ける。【選択図】図５
2008086613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体が配置される計測空間内に静磁場を与える静磁場発生手段と、
前記静磁場の不均一を補正するためのフィルム状基材に形成したパターンに金属導体を配線して成る複数のシムコイルと、
前記静磁場領域内に傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、
前記被検体に核磁気共鳴を起させるための高周波磁場を発生する高周波磁場発生手段と、
前記被検体からの核磁気共鳴信号を受信する受信手段と、該受信手段で受信した核磁気共鳴信号を用いて画像再構成演算を行う信号処理手段と、
前記核磁気共鳴信号を計測するパルスシーケンスを制御するパルスシーケンス制御手段とを備えた磁気共鳴イメージング装置であって、
前記複数のシムコイルの端子を固定する固定部に前記フィルム状基材のフィルムよりも機械的強度が強い補強部材による補強手段を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記補強手段の補強部材をガラス繊維含有樹脂材で構成したことを特徴とする請求事項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記補強部材を接着硬化後に前記フィルム状基材のフィルムよりも機械的強度が強い接着材で前記固定部を接着して固定することを特徴とする請求事項１または２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記複数のシムコイルの端子から電信信号を導き出すリード線まで前記接着材で接着することを特徴とする請求事項３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
前記補強部材の周囲に前記補強部材と前記フィルム基材との接触面の機械的強度を大きくするスリットを設けたことを特徴とする請求項１、２、３または４のいずれかに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記複数のシムコイル端子固定部の抵抗を含むシムコイルの抵抗を検出する第１の抵抗検出手段と、この手段で検出した抵抗値と予め設定された第１の基準値とを比較する第１の比較手段と、この手段での比較結果に基づいて前記シムコイル端子の固定部の抵抗値が正常か異常かを判定する第１の判定手段と、この判定手段で判定した結果を報知する第１の報知手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至５のうちの１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
前記複数のシムコイル端子固定部の抵抗を検出する第２の抵抗検出手段と、この手段で検出した抵抗値と予め設定された第２の基準値とを比較する第２の比較手段と、この手段での比較結果に基づいて前記シムコイル端子の固定部の抵抗値が正常か異常かを判定する第２判定手段と、この判定手段で判定した結果を報知する第２の報知手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至５のうちの１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
前記第１の抵抗検出手段は、前記シムコイルに流れる電流を検出する電流検出手段と、  前記シムコイルと該シムコイル端子の固定部に印加される電圧を検出する第１の電圧検出手段と、この電圧検出手段で検出した電圧値を前記電流検出手段で検出した電流値で除算する第１の除算手段とを備えたことを特徴とする請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
前記第２の抵抗検出手段は、前記シムコイルに流れる電流を検出する電流検出手段と、前記シムコイル端子の固定部に印加される電圧を検出する第２の電圧検出手段と、この電圧検出手段で検出した電圧値を前記電流検出手段で検出した電流値で除算する第２の除算手段とを備えたことを特徴とする請求項７に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気共鳴イメージング装置に係り、特に計測空間の静磁場均一度を動的に補正するシムコイルを安定に動作させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
核磁気共鳴(NMR)現象を利用して被検体を構成する主要物質プロトンの体内における密度分布や、被検体内における核スピンの緩和時間の空間分布から人体の断層画像を得る磁気共鳴イメージング装置(以下、MRI装置と記す場合がある)は広く医療機関で使用されている。
【０００３】
このMRI装置は、コントラスト分解能に優れていること、電離放射線を使用しないため無侵襲と考えられること、得られる画像が骨や空気による影響を受けにくいこと、流体の挙動に敏感であるため血管系疾患や脊髄領域の診断にも有効であること等の特長を有している。
【０００４】
前記の特長を有するMRI装置において、近年、イメージングに要する時間の短縮化のニーズに対応するために、シングルショット、あるいはマルチショットEPI(echo planar imaging)等の超高速撮像法が開発され、実用化されている。このような超高速撮像法に対応するために、傾斜磁場パルスの高速反転を伴うパルスシーケンスを用いて計測対象から発せられる各々の信号に位置情報を与える必要がある。このため、静磁場中に置かれた傾斜磁場コイルにパルス状の大電流を流すので、前記傾斜磁場コイルには大きなローレンツ力が作用し、該傾斜磁場コイルに機械的歪みを生じさせる。
そして、この現象が繰り返し作用するため、傾斜磁場コイルが振動して、さらに傾斜磁場パルスを高速反転すると、前記振動は増大する。
【０００５】
このような傾斜磁場パルスを発生させると、前記ローレンツ力により傾斜磁場コイル、高周波コイルのコイルユニット等に機械的歪みを起こさせ、これによってユニット全体が振動する。
【０００６】
この振動によって前記コイルユニットの金属部品どうしの擦れ合いにより発生するB電波や誘導電子のために、画質が劣化する問題が発生する。
そこで、前記B電波や誘導電子の問題を解決する技術として特許文献1に開示されたものがある。
これは、前記ユニットを構成する複数の構成部品の締結個所の少なくとも一部において、電気的な接続を必要とする箇所では、構成部品同士は金属接触させられ、かつ、取り付けネジと構成部品との金属接触が回避されており、電気的な接続を必要とせず物理的な固定を必要とする箇所では、複数の構成部品及び取り付けネジそれぞれとの間で金属接触が回避されるものである。
【特許文献１】特開2003-102703号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、前記傾斜磁場コイルに作用するローレンツ力に起因して発生する画質劣化の要因は、前記コイルユニットの金属部品どうしの擦れ合いにより発生するB電波や誘導電子以外に、静磁場の不均一を補正するシムコイルの端子を固定する固定部の接触抵抗が変化し、これによってシムコイルに流す静磁場補正電流が変化することによる画質劣化も懸念されるが、上記特許文献1にはシムコイル端子固定部の接触抵抗の変化によって発生する静磁場変動の問題までは考慮されていない。
【０００８】
すなわち、傾斜磁場コイルのローレンツ力による振動がシムコイル部に伝達すると、このシムコイルの端子を固定する金属部材が振動し、該固定部の接触抵抗値が変化して静磁場を乱し、これによって画像アーチファクトを発生させることがあるが、これについては、最近まではそれほど問題視されることは無かった。
【０００９】
しかし、上記したように、近年の超高速撮像法に対応するために、傾斜磁場にはさらなる高速化及び高強度化が要求される。
このために、傾斜磁場電流を供給する傾斜磁場電源は、大電流化や高電圧化が進み、それに伴って前記振動によるシムコイル端子の固定部の抵抗変化もますます大きくなる傾向にある。
【００１０】
また、静磁場均一度も向上し、高機能シーケンスが可能となったことにより、わずかな磁場の乱れも問題視されるようになっている。
このため、現在では既に、前記シムコイル端子の固定部の接触抵抗変化に起因して生じる静磁場不均一による画像アーチファクトが無視できないものとなっている。
【００１１】
さらに、前記シムコイル端子の固定部の接触抵抗が変化しないようにして前記画像アーチファクトのない高画質の画像を安定して得るために、前記接触抵抗の変化によるシムコイル部の抵抗値を監視し、該抵抗値を常に所定の範囲になるように前記固定部をメンテナンスする必要がある。
【００１２】
そこで、本発明は、静磁場不均一を補正するシムコイル端子の固定部の接触抵抗が傾斜磁場コイルに作用するローレンツ力の影響を受けない構造とすることおよび前記シムコイル端子の固定部の接触抵抗値を監視して前記抵抗値を常に所定の範囲になるように前記固定部をメンテナンスすることによって前記画像アーチファクトを低減して高画質の画像を安定して取得できる磁気共鳴イメージング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するため、本発明の磁気共鳴イメージング装置は以下のように構成される。すなわち、被検体が配置される計測空間内に静磁場を与える静磁場発生手段と、前記静磁場の不均一を補正するためのフィルム状基材に形成したパターンに金属導体を配線して成る複数のシムコイルと、前記静磁場領域内に傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、前記被検体に核磁気共鳴を起させるための高周波磁場を発生する高周波磁場発生手段と、前記被検体からの核磁気共鳴信号を受信する受信手段と、該受信手段で受信した核磁気共鳴信号を用いて画像再構成演算を行う信号処理手段と、前記核磁気共鳴信号を計測するパルスシーケンスを制御するパルスシーケンス制御手段とを備えた磁気共鳴イメージング装置であって、前記複数のシムコイルの端子を固定する固定部に前記フィルム状基材のフィルムよりも機械的強度が強い補強部材による補強手段を設ける。
【００１４】
前記補強手段の補強部材をガラス繊維含有樹脂材で構成し、さらに前記補強部材を接着硬化後に前記フィルム状基材のフィルムよりも機械的強度が強い接着材で前記固定部を接着して固定する。
さらに、前記複数のシムコイルの端子から電信信号を導き出すリード線まで前記接着材で接着する。
前記補強部材の周囲に前記補強部材と前記フィルム基材との接触面の機械的強度を大きくするスリットを設ける。
【００１５】
また、本発明の磁気共鳴イメージング装置は、前記複数のシムコイル端子固定部の抵抗を含むシムコイルの抵抗を検出する抵抗検出手段と、この手段で検出した抵抗値と予め設定された基準値とを比較する比較手段と、この手段での比較結果に基づいて前記シムコイル端子の固定部の抵抗値が正常か異常かを判定する判定手段と、この判定手段で判定した結果を報知する報知手段とをさらに備えた。
【００１６】
前記抵抗検出手段は、前記シムコイルに流れる電流を検出する電流検出手段と、前記シムコイルと該シムコイル端子の固定部に印加される電圧を検出する電圧検出手段と、この電圧検出手段で検出した電圧値を前記電流検出手段で検出した電流値で除算する除算手段とを備えて構成する。
【００１７】
なお、前記抵抗検出手段は、複数のシムコイル端子固定部のみの抵抗値を検出して、前記比較手段により前記検出した抵抗値が所定の範囲内(基準値)にあるかどうかを判定手段で判定し、この判定結果を前記報知手段で報知する構成でも良い。この場合の前記電圧検出手段で検出する電圧はシムコイル端子固定部の電圧である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、前記複数のシムコイル端子を固定する固定部を前記フィルム状基材のフィルムよりも機械的強度が強い補強部材で補強して前記傾斜磁場コイルに作用するローレンツ力の影響を受けない構造としたので、前記シムコイル端子固定部の電気抵抗値の変動が低減されて前記静磁場の均一度をほぼ一定に保つことができ、これによって前記静磁場強度変動による画像アーチファクトが低減され、高画質の画像を安定して取得できる磁気共鳴イメージング装置を提供することができる。
【００１９】
さらに、前記複数のシムコイル端子固定部の抵抗値が前記静磁場強度がほぼ一定となる所定の範囲内にあるかどうかを判定して、この結果を報知するようにしたので、この報知された情報により前記シムコイル端子の固定部を適切にメンテナンスすることができ、これによって高画質の画像を安定して取得できる磁気共鳴イメージング装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
MRI装置は核磁気共鳴(以下、「NMR」という)現象を利用して被検体の検査部位の断層像を得るものであり、図1は本発明に係る磁気共鳴イメージング(以下、「MRI」という)装置の全体斜視図で、ガントリ1と、各種の信号を処理する信号処理装置等を含む外部ユニット2と、このユニット2と前記ガントリ1の各構成要素とを電気的に接続する中継ケーブル3とを備えて構成される。
【００２２】
前記ガントリ1は、被検体の周りに静磁場を発生させる静磁場発生装置4と、被検体を構成する水素原子核にNMR現象を誘起させるための高周波磁場を照射するRFコイル5(頭部用の例)と、被検体から発せられるNMR信号に位置情報を与えるための傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイル(図1には省略してある)等で構成される。
なお、前記RFコイル5は、頭部用の例で、本発明はこれに限定するものではなく、全身も含む他の部位にも適用するものである。
【００２３】
図2に図1のガントリの断面図を示す。被検体が挿入される計測空間Aを間に挟んで、前記静磁場発生装置4として静磁場発生磁石6a、6b(以下、これらをまとめて6と記す)が上下に対向配置(aは下側、bは上側を表す。以下同じ)され、これらの磁石の空間A側にはそれぞれ蓋をするように、被検体にX、Y、Zの三軸方向の傾斜磁場を印加するための傾斜磁場コイル7a、7b(以下、これらをまとめて7と記す)が取り付けられている。
さらに、前記静磁場発生磁石6と傾斜磁場コイル7との間に前記静磁場磁石6で発生した静磁場を均一に補正するためのシムコイル8a、8b (以下、これらをまとめて7と記す)が配置されている。
【００２４】
このように形成された磁気回路は、空間A中に静磁場を形成し、傾斜磁場コイル7にパルス状の電流を供給することにより傾斜磁場を形成する。
【００２５】
また、前記傾斜磁場コイル7の空間A側には、被検体に高周波磁場を照射する照射RFコイル9a、9b(以下、これらをまとめて9と記す)が配置され、さらに、図示省略の受信コイル(図1のRFコイル5)を有する。
さらに、前記静磁場発生磁石6と各コイルとにより構成された磁界発生装置の外周部をカバー10で覆う構造とし、このカバー10は、美観および絶縁などの安全面において必要なものである。
【００２６】
前記外部ユニット2は、図示は省略するが、前記信号処理装置の他に、前記信号処理装置で処理された再構成画像等を表示する表示装置と、前記被検者を載置して該被検者の体軸方向に移動可能なベッドと、このベッドの移動を制御するベッド制御部と、撮影シーケンス、撮影に必要なパラメータ及び撮影断面等を設定して撮影操作を行なう操作コンソールと、この操作コンソールで設定した操作信号に基づいて前記核磁気共鳴信号を計測するパルスシーケンスを制御するパルスシーケンス制御を含むシステム全体を制御する制御装置等とを備えて構成される。
【００２７】
このように構成されたMRI装置は、前記受信コイルにより核磁気共鳴による被検体が発するNMR信号を受信し、前記外部ユニット2の信号処理装置で前記受信したNMR信号を用いて画像再構成演算を行って前記表示装置にMRI画像を表示し、診断に供するものである。
【００２８】
なお、前記静磁場発生装置4は、その静磁場の方向は垂直型でも水平型でも良く、また静磁場発生方式も永久磁石方式又は常電導方式或いは超電導方式でも良い。すなわち、本発明は、静磁場方向および静磁場発生方式に限定するものではなく、静磁場の方向および静磁場発生方式に対応して前記磁場発生装置を構成すれば良い。
【００２９】
次に、本発明の要部であるシムコイル8について説明する。シムコイル8は、前記したように静磁場を均一に補正するためのコイルで、このコイルは複数のコイル群からなり、このコイル群と前記RFコイル9、傾斜磁場コイル7との配置関係の一例として、前記図2の下側部分の断面を拡大した図3を用いてより詳しく説明する。
【００３０】
図3において、シムコイル8a(上側は8b)は複数のコイル81a〜85b(上側は81b〜85b)からなり(特定の空間成分のみを持つ磁場を出力するコイルの集合体)、ZXチャンネルのコイル81a(上側は81b)と、ZYチャンネルのコイル82a(上側は82b)と、XYチャンネルのコイル83a(上側は83b)と、X2-Y2チャンネルのコイル84a(上側は84b)と、Znチャンネルのコイル85a(上側は85b)とで構成される。
【００３１】
図4は前記シムコイル8に静磁場の不均一を補正する電流を供給する回路構成で(以下、シム補正回路と記す)、静磁場補正用のシム電源40と、この電源に接続されたシム補正電流供給回路50と、このシム補正電流供給回路から補正電流が供給されるシムコイル群のシムコイルユニット51(51aは下側シムコイルユニット、51bは上側シムコイルユニット)とで構成され、前記シム補正電流供給回路50とシムコイルユニット51は、ZXチャンネルのシムコイル81a、81bへ静磁場補正用電流を供給するZXシム補正電流供給回路41と、ZYチャンネルのシムコイル82a、82bへ静磁場補正用電流を供給するZＹシム補正電流供給回路42と、XYチャンネルのシムコイル83a、83bへ静磁場補正用電流を供給するXYシム補正電流供給回路43と、X2-Y2チャンネルのシムコイル84a、84bへ静磁場補正用電流を供給するXYシム補正電流供給回路44と、Ｚnチャンネルのシムコイル85a、85bへ静磁場補正用電流を供給するＺnシム補正電流供給回路45とを備えて構成される。
【００３２】
このように構成されたシム補正回路により、各シムコイルに供給する補正電流を所望の値に調整し、静磁場に対して所要のppm以下の空間的均一性を得るように補正電流を流してシミングを行なう。
【００３３】
前記複数のシムコイル群は、フィルム状基材に所定のパターンを形成し、このパターン上に金属導体を配線する構成で、前記フィルム状基材に端子を設けて前記中継ケーブル3とを接続し、この接続点を固定部材で固定する。
【００３４】
このような構成のシムコイル群において、前記傾斜磁場コイルに発生するローレンツ力により傾斜磁場コイル、高周波コイルのコイルユニット等に機械的歪みが起きて、これによりユニット全体が振動し、この振動が前記シムコイル群を含むシムコイルユニットに伝達すると、前記シムコイル群を固定する金属部材の振動による該固定部の接触抵抗値が変化する。
この接触抵抗値が変化すると、シムコイルに流れる補正電流が変化して静磁場を乱し、これによって画像アーチファクトを発生させる。
【００３５】
以下に、本発明の目的である、傾斜磁場コイルのローレンツ力の影響を受けないシムコイル実装部の構造および前記シムコイル端子固定部の接触抵抗値を監視して前記抵抗値を常に所定の範囲になるように前記固定部のメンテナンスを支援する手段について説明する。
《第１の実施形態》
【００３６】
図5は、本発明によるシムコイル実装部の構造で、同図(a)は複数のシムコイルおよびこれらのシムコイルの入出力端子と外部ユニットとを電気的に接続してこの接続部を固定する固定部の構造を示す平面図、(b)はその断面図である。
【００３７】
図5(a)において、シムコイル群は、前記したように、フィルム状基材8cに所定のパターンを形成して該パターン上に薄い金属導体8dを配線し、この金属導体8dと前記外部ユニット2(図1参照)とを接続するための中継用としてのリード線8eを有している。
そして、このリード線8eに圧着端子8fを接続し、この圧着端子8fと前記薄い金属導体8dとをリベット8gで結合し、この結合部をフィルム状基材8cに固定する。
【００３８】
このような構造のシムコイルユニットに静磁場中に配置された傾斜磁場コイル7にパルス状の電流が印加されて該傾斜磁場コイル7は振動し、この振動が前記シムコイルユニットに伝わると、フィルム状基材8c、薄い金属導体8dが変形する。
【００３９】
図6は変形前後の様子を示す模式図で、(a)は変形前、(b)は変形後で、このように変形することによって、圧着端子8fと薄い金属導体8dとの接触面積が動的に変化する。このため、シムコイルの見かけ上の抵抗値が変化し、該シムコイルに流れる補正電流が変化して静磁場が乱れ、所定の静磁場均一度が得られなくなる可能性が生じる。
【００４０】
そこで、前記図5に示すように、リベット8gとフィルム状基材8c、薄い金属導体8dおよび圧着端子8fとの間に補強部材としての補強板8h(補強手段)を配置し、この補強板8hを前記フィルム状基材8cに接着剤で接着して上記振動による変形を防止するものである。
前記補強部材は、ガラス繊維を含有した樹脂で構成された補強板で、これにより、前記圧着端子8fと薄い金属導体8dとをリベット8gで結合した場合よりもはるかに機械的強度を大きくすることができる。
【００４１】
このように、補強板8hを設けることによって、シムコイルユニットが振動してもリベット周囲は補強板8hに囲まれているため、補強部材の外周部とフィルム状基材8cとの境界で局所的な変形が起こるだけで、補強部材の内側は一様な平面として動くことになる。このため、圧着端子8fと薄い金属導体8dとの接触面は変動しないので、該接触面の接触抵抗はほぼ一定となり安定した磁場補正を行なうことが可能となる。
【００４２】
さらに前記接触面の機械的強度を大きくするために、前記補強部材(補強板8h)をフィルム基材8cに接着する接着剤に該接着硬化後の機械的強度が前記薄い金属導体8dの機械的強度よりもはるかに強い、例えばエポキシ系の接着剤を用いる。
【００４３】
このような機械的強度の強い接着剤で圧着端子8fを完全に覆うように塗布することで、シムコイルが振動しても薄い金属導体8dと圧着端子8fの接触面は変動しないので、さらに安定した磁場補正を行なうことが可能となる。
【００４４】
さらに前記接触面の機械的強度を大きくするために、前記補強部材8hの周囲にスリット8iを設けることにより、その近傍の補強部材8hとフィルム基材8cとの機械的強度差を大きくする。
これにより、振動による変形が端子部では生じないようになるために、さらに補強部材内のリベット部は安定した接触状態を保つことができる。
【００４５】
上記の第1の実施形態によれば、前記複数のシムコイル端子を固定する固定部を前記フィルム状基材のフィルムよりも機械的強度が強い補強部材で補強して前記傾斜磁場コイルに作用するローレンツ力の影響を受けない構造としたので、前記シムコイル端子固定部の電気抵抗値の変動が低減されて前記静磁場の均一度をほぼ一定に保つことができ、これによって前記静磁場強度変動による画像アーチファクトが低減され、高画質の安定した画像を取得できる。
【００４６】
《第２の実施形態》
次に、前記シムコイル端子固定部の接触抵抗値を監視して前記抵抗値を常に所定の範囲になるように前記固定部のメンテナンスを支援する手段について説明する。
【００４７】
これは、前記シムコイルとこのシムコイル端子固定部の抵抗を含むシムコイル部のトータル抵抗値を各シムコイルに流れる電流とシムコイル端子の固定部を含むシムコイル部に印加される電圧とを検出し、これらの検出値からシムコイル端子の固定部の抵抗値を算出して、この抵抗値と所定の範囲の基準値とを比較してシムコイル端子の固定部が正常か異常かを判定し、この結果を、例えば前記図示省略の表示装置に表示して報知するもので、図7に具体的構成の一例を示す。
【００４８】
以下、図7を用いて詳細に説明する。なお、この図において、シムコイルに流れる電流とシムコイル部に印加される電圧の検出は、全部のシムコイル部についても同様であるので、ここではZXシム補正用シムコイル部について説明する。
【００４９】
図7において、シムコイル端子の固定部の抵抗値の監視は、シムコイルに流れる電流と該シムコイル部に印加される電圧とを検出する電流、電圧検出部60と、この検出部で検出した電流値と電圧値とからシムコイル部の抵抗値を算出する抵抗値算出部71(第1の抵抗検出手段)と、この算出部で算出した抵抗値と所定範囲の基準値72(第1の基準値)とを比較する比較部73(第1の比較手段)と、この比較部で比較した結果によりシムコイル端子の固定部の抵抗値が正常か異常かを判定する判定部74(第1の判定手段)とを備えて構成され、前記抵抗値算出部71と、基準値72と、比較部73と、判定部74とによりシムコイル端子固定部抵抗値判定装置70を構成する。
【００５０】
前記シムコイルの電流、電圧検出部60は、シムコイルに流れる電流を電流検出器61(電流検出手段)で検出してこれを電圧変換器62で変換した電圧値を抵抗算出部81gに入力し、シムコイル81aとその固定部の電圧を電圧検出器63で検出し、シムコイル81bとその固定部の電圧を電圧検出器64で検出してこれらを前記抵抗算出部81gに入力する(前記電圧検出器63と電圧検出器64とで第1の電圧検出手段を構成)。このようにして検出したシムコイルの電流値とシムコイル部に印加された電圧値を抵抗算出部81gに入力して、シムコイル81aとその固定部の電圧値を前記シムコイルの電流値で除算してシムコイル81a側の抵抗値を求め、同様に、シムコイル81bとその固定部の電圧値を前記シムコイルの電流値で除算してシムコイル81b側の抵抗値を求める(前記シムコイル81a側の除算器とシムコイル81b側の除算器とで第１の除算手段を構成)。
【００５１】
このようにして算出したシムコイル81a側およびシムコイル81b側のそれぞれのシムコイル部の抵抗値とこの抵抗値の許容範囲である所要範囲の基準値72とを比較部81hで比較し、この結果を判定部74に入力する。
【００５２】
上記と同様に、他のシムコイルについてもそれぞれのシムコイルの電流、電圧を検出し、これらの検出した電流と電圧とからシムコイル部の抵抗値を算出し(抵抗値算出部82g、83g、84g、85g)、これらの算出した抵抗値とこの抵抗値の許容範囲である所要範囲の基準値72とを比較して(比較部82h、83h、84h、85h)、この結果を判定部74に入力する。
前記判断部74は、全てのシムコイル部の比較結果から許容範囲である所要範囲の基準値以外の抵抗値を有するシムコイルを特定し、この特定したシムコイルを前記表示装置に表示して報知する等の報知手段(第1の報知手段)で操作者等に報知する。
【００５３】
前記シムコイル端子固定部抵抗値判定装置70は、各部をハードウェアで構成しても良いし、マイクロコンピータを用いて、検出したシムコイル電流およびシムコイル電圧値をディジタル値に変換し(抵抗算出部に含む)、このディジタル信号により抵抗値を算出するための除算、比較部における基準値との比較およびこれらの比較結果の判定をソフトウェアで処理する手法でも良い。
【００５４】
なお、上記図7では、シムコイルの抵抗と該シムコイル端子を固定する固定部の接触抵抗との和を抵抗値として用いたが、本発明はこれに限定するものではなく、固定部の接触抵抗とこの接触抵抗の基準値(第2の基準値)とを比較する構成でも良い。
この場合の固定部の接触抵抗(第2の抵抗検出手段)は、シムコイルの抵抗値は予め分かっているので、前記シムコイルとシムコイル固定部の電圧の測定値から算出したシムコイルの抵抗値とシムコイルの固定部の接触抵抗値との和の値から前記既知のシムコイル抵抗値を減算して求めて良いし、あるいはシムコイル固定部の電圧を直接検出し、この検出値とシムコイルに流れる電流値とから算出する方法でも良い(第2の比較手段、第2判定手段、第２の報知手段、第2の電圧検出手段、第2の除算手段)。
【００５５】
上記の第2の実施形態によれば、前記複数のシムコイル端子固定部の抵抗値が前記静磁場強度がほぼ一定となる所定の範囲内にあるかどうかを判定して、この結果を報知するようにしたので、この報知された情報により前記シムコイル端子の固定部を適切にメンテナンスすることができ、これによって高画質の安定した画像を取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明に係る磁気共鳴イメージング装置の全体斜視図。
【図２】ガントリの断面図。
【図３】ガントリ断面の下側部分の断面を拡大した本発明の要部であるシムコイルと他の要素との配置関係を示す図。
【図４】シムコイルに静磁場の不均一を補正する電流を供給する回路構成図。
【図５】本発明の第1の実施形態を示すシムコイル実装部の構造図。
【図６】傾斜磁場コイルのローレンツ力によってシムコイル実装部の変形前後の様子を示す模式図。
【図７】シムコイル端子固定部の抵抗値を監視する装置の構成図。
【符号の説明】
【００５７】
1  ガントリ、2  外部ユニット、3  中継ケーブル、4  静磁場発生装置、5  受信RFコイル、6  静磁場発生磁石、7  傾斜磁場コイル、8、81a、82a、83a、84a、85a  シムコイル、8c  フィルム状基材、8d  薄い金属導体、8e  リード線、8f  圧着端子、8g  リベット、8h  補強板、8i  スリット、9  照射RFコイル、10  カバー、40  静磁場補正用シム電源、50  シム補正電流供給回路、51  シムコイルユニット、60  電流・電圧検出部、61  電流検出器、62、63  電圧検出器、70  シムコイル端子固定部抵抗値判定部、71  抵抗算出部、72  基準値、73  比較部、74  判定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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