(57)【要約】      （修正有）【課題】熱安定性及び保存安定性に優れる半導体用途接着フィルム、さらに、これを用いた半導体装置の製造工程を簡略化できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】放射線重合型粘接着剤の層２、基材層３の順に形成されてなる半導体用途接着フィルムであって、放射線重合型粘接着剤が、（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）特定の一般構造式で表される放射線重合性Ｎ−置換マレイミド化合物（置換基は炭素原子数が２〜３０の不飽和二重結合を１つ以上有する基）を含む、半導体用途接着フィルム。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線重合型粘接着剤の層、基材層の順に形成されてなる半導体用途接着フィルムであって、放射線重合型粘接着剤が、（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される放射線重合性マレイミド化合物を含むことを特徴とする半導体用途接着フィルム。
【化１】
2008277796.tif 000006
（式中、Ｒ１は炭素原子数が２〜３０の不飽和二重結合を１つ以上有する基を示す）
【請求項２】
前記（Ｃ）放射線重合性マレイミド化合物が、放射線を照射することで光ラジカルを発生し、光重合性開始剤としての機能を有することを特徴とする請求項１記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項３】
前記（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、かつそのエポキシ樹脂含有反復単位の量が０．５〜６重量％である請求項１または２記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項４】
前記放射線重合型粘接着剤において、前記（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部に対し、前記（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分は１０〜４００重量部、前記（Ｃ）上記放射線重合性マレイミド化合物は５〜１２０重量部含有する、請求項１〜３いずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項５】
（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、上記エポキシ樹脂と非相溶である請求項１〜４いずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項６】
前記放射線重合型粘接着剤の層に放射線を照射することで、前記粘接着剤層（放射線重合型粘接着剤の層）と基材層界面の接着強度が制御可能である、請求項１〜５いずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項７】
請求項１〜６いずれかに記載の半導体用途接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着してなる半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜６いずれかに記載の半導体用途接着フィルムの粘接着剤層（放射線重合型粘接着剤の層）に半導体ウェハを貼り付ける工程、前記半導体ウェハを少なくとも前記粘接着剤層（放射線重合型粘接着剤の層）とともにダイシングして、粘接着剤層付き半導体素子を形成する工程、前記半導体用途接着フィルムに放射線を照射して（Ｃ）放射線重合性マレイミド化合物を光ラジカル重合させ硬化する工程、前記粘接着剤層付き半導体素子を前記接着フィルムから、前記粘接着剤層と前記基材層の界面において剥離する工程、および前記粘接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを所定位置にて接着する工程、を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用途接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の発達に伴い電子部品の搭載密度が高くなり、マルチチップスタックドパッケージ（以下ＭＣＰと略する）と呼ばれるような、半導体チップを積層していく半導体パッケージなどの新しい形式の実装方法が採用され始め、使用される半導体ウェハの薄膜化が進んでいる。
【０００３】
従来の半導体搭載基板に用いられる接着剤としては、液状あるいはフィルム状の接着剤が使用されるのが一般的である。また、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきており、近年、微細加工が容易である接着フィルムが多く使われている。
【０００４】
この様な接着フィルムは、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式において使用されている。前者の個片貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後、その個片を支持部材に接着し、上記接着フィルム付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られることとなる。しかし、上記個片貼付け方式の接着フィルムを用いるためには、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペースト等の液状接着剤を使用する方法に比べて、製造コストが高くなるという問題があった。
【０００５】
一方、後者のウェハ裏面貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、まず、半導体ウェハの裏面に接着フィルムを貼付け、さらに、接着フィルムの他面に半導体ウェハを固定するための粘着フィルムを貼り合わせ、その後、上記ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着フィルム付き半導体素子を粘着剤層より剥離し、それを支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られることとなる。このウェハ裏面貼付け方式の接着フィルムは、接着フィルム付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着フィルムを用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００６】
このウェハ裏面貼付け方式の接着フィルムと共に用いられる粘着フィルムは、感圧型と紫外線硬化型に大別される。前者の感圧型粘着フィルムは、一般に、ポリ塩化ビニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものである。この粘着フィルムは、ダイシング工程における切断時にはダイシングソウの回転、あるいはレーザーの照射によって各素子が飛散しないような十分な粘着力が求められ、半導体用支持部材に接合する時には半導体素子を傷つけることなく基材層より剥離できる程度の低い粘着力が求められる。ところが、上記のように相反する２つの性能を充分併せ持つ感圧型粘着フィルムがなかったことより、半導体素子のサイズや加工条件毎に粘着フィルムを切替える作業が行われていた。また素子のサイズや加工条件によって粘着力の制御が必要になることから、粘着フィルムの在庫管理が複雑化していた。さらに、近年、特にＣＰＵやメモリの大容量化が進んだ結果、半導体素子が大型化する傾向にあり、またＩＣカードあるいはメモリーカードなどの製品にあっては使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、粘着フィルムから接着フィルムを剥離する際に素子が割れてしまう等の問題が生じていた。
【０００７】
一方、後者の紫外線硬化型粘着フィルムはダイシング時には高粘着力を有するものの、接着フィルムを粘着フィルムより剥離する前に紫外線を照射することにより低粘着力になる。そのため、上記感圧型粘着フィルムが有する課題が改善されることより、広く採用されるに至っている。
【０００８】
さらに、ウェハ裏面貼付け方式の接着フィルムを用いる方法にあっては、上記ダイシング工程までに、接着フィルムと粘着フィルムを貼付するといった２つの貼付工程が必要であった。そのため、上記接着フィルムと粘着フィルムを予め積層した接着シート、或いは接着フィルムに放射線重合性化合物、光重合開始剤を含有し、接着剤自体が紫外線硬化反応する粘接着シートが開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
しかし、上記接着フィルムと粘着フィルムを積層した接着シートを長期間保存しておくとそれぞれの硬化反応が進行し、接着性が低下する傾向がある。これは粘着フィルムに含まれる光重合開始剤が、放射線重合性化合物と徐々に反応進行してしまうことが主要因となっている。また前期粘接着シートを半導体用途に用いる場合、パッケージ作製工程にてエポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を完全に硬化せしめる為に高温に加熱すると光重合開始剤が分解してしまい、半導体素子を汚染する恐れがあるため、保存安定性に優れかつ熱安定性に優れる粘接着フィルムが望まれている。
【００１０】
【特許文献１】特許第３３４８９２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記した従来技術の問題に鑑み、熱安定性及び保存安定性に優れる半導体用途接着フィルムを提供することを目的とする。本発明は、さらに、半導体装置の製造工程を簡略化できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、次のものに関する。
１．放射線重合型粘接着剤の層、基材層の順に形成されてなる半導体用途接着フィルムであって、放射線重合型粘接着剤が、（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される放射線重合性マレイミド化合物を含むことを特徴とする半導体用途接着フィルム。
【００１３】
【化１】
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（式中、Ｒ１は炭素原子数が２〜３０の不飽和二重結合を１つ以上有する基を示す）
【００１４】
２．前記（Ｃ）放射線重合性マレイミド化合物が、放射線を照射することで光ラジカルを発生し、光重合性開始剤としての機能を有することを特徴とする項１記載の半導体用途接着フィルム。
３．前記（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、かつそのエポキシ樹脂含有反復単位の量が０．５〜６重量％である請求項１または２記載の半導体用途接着フィルム。
４．前記放射線重合型粘接着剤において、前記（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部に対し、前記（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分は１０〜４００重量部、前記（Ｃ）上記放射線重合性マレイミド化合物は５〜１２０重量部含有する、項１〜３いずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
５．（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、上記エポキシ樹脂と非相溶である項１〜４いずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
６．前記放射線重合型粘接着剤の層に放射線を照射することで、前記粘接着剤層（放射線重合型粘接着剤の層）と基材層界面の接着強度が制御可能である、項１〜５いずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
７．項１〜６いずれかに記載の半導体用途接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着してなる半導体装置。
８．項１〜６いずれかに記載の半導体用途接着フィルムの粘接着剤層（放射線重合型粘接着剤の層）に半導体ウェハを貼り付ける工程、前記半導体ウェハを少なくとも前記粘接着剤層（放射線重合型粘接着剤の層）とともにダイシングして、粘接着剤層付き半導体素子を形成する工程、前記接着フィルム（半導体用途接着フィルム）の粘着剤層に放射線を照射して（Ｃ）放射線重合性マレイミド化合物を光ラジカル重合させ硬化する工程、前記粘接着剤層付き半導体素子を前記接着フィルムから、前記粘接着剤層と前記基材層の界面において剥離する工程、および前記粘接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを所定位置にて接着する工程、を含む半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、放射線を照射することでラジカルを発生する機能を有する放射線重合性化合物を用いることで光重合開始剤がフィルムの反応系に取り込まれるため、各成分の熱履歴による逸散がなく、半導体素子及び組み立て工程において汚染がない、熱安定性及び保存安定性に優れる半導体用途接着フィルムを提供すること、さらに、半導体装置の製造工程を簡略化できる半導体装置の製造方法を提供することが可能となった。また、本発明の接着剤組成物を用いた粘接着剤層は保存安定性に優れるため、可使期間が長い点で従来の接着フィルムに比べて大きな効果が有る。さらにこの接着フィルムを用いることで、保存安定性に優れる半導体搭載用配線基板及び接着層を備えた半導体装置を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の半導体用途接着フィルム（以下、接着フィルムと略す。）は、放射性重合型粘接着剤の層及び基材層を備える。放射性重合型粘接着剤の層は、（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、及び（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される放射線重合性マレイミド化合物を含む。
【００１７】
【化２】
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（式中、Ｒ１は炭素原子数が２〜３０の不飽和二重結合を１つ以上有する基を示す）
【００１８】
本発明の接着フィルムは、ダイシング工程では、半導体素子が飛散しない程度に十分な粘着力を有し、半導体素子を半導体用支持部材に接合する時には放射線照射により粘接着剤層と基材層界面の接着強度を制御することで各素子を傷つけることがない程度に低い粘着力を有するという相反する要求を満足する。さらに、本発明の接着フィルムは、半導体素子と支持部材とを接合するダイボンド工程ではそれらの接続信頼性を優れたものとし、ダイシングおよびダイボンドの各工程を一層の接着フィルムで完了することができる。
【００１９】
本発明の接着フィルムに使用する上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂が好ましく、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂がさらに好ましい。
【００２０】
本発明の接着フィルムに使用する上記エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。より好ましくは、フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂である。
【００２１】
本発明の接着フィルムに使用する（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分において、「官能性モノマー」とは官能基を有するモノマーのことを意味する。官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。中でも、グリジシル基を有する上記官能性モノマーとしては、重量平均分子量１０００以下であればオリゴマーを含んでいてもよく、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどのグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体がより好ましく、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが特に好ましい。
【００２２】
上記アクリルゴムとしては、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムが挙げられる。
【００２３】
また、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のエポキシ樹脂含有反復単位の量は、０．５〜６．０重量％であることが好ましく、０．５〜５．０重量％であることがより好ましく、０．８〜５．０重量％であることが特に好ましい。エポキシ樹脂含有反復単位の量がこの範囲にあると、接着強度を確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。ここで、「エポキシ樹脂含有反復単位」とは、高分子量成分に含有されるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のモノマー重量の比率を意味します。つまり、高分子量成分を構成するモノマーの合算値を１００重量部とした場合、モノマーであるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体の重量部は０．８〜５．０が好ましい。
【００２４】
また、アクリロイル基、メタクリロイル基を有するモノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。なお本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。
【００２５】
上記のこれらの官能性モノマーは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。官能性モノマーとして、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体とその他の官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度（以下、Ｔｇと表す）を考慮して決定することが望ましい。
【００２６】
また、上記官能性モノマーのＴｇは、−１０℃以上であることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であるものを用いると、Ｂステージ状態での粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じない。
【００２７】
また、モノマーを重合させて上記官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法は特に制限されず、例えば、懸濁重合、溶液重合等の方法を使用することができる。
【００２８】
本発明において、官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量が１０万以上であると、部材状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため配線の回路充填性を確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、後に評価方法の欄で説明するようにゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００２９】
本発明の接着フィルムを形成する上記粘接着剤層には、（Ｃ）一般式（Ｉ）で示される放射線重合性マレイミド化合物が含まれる。一般式（Ｉ）で示される放射線重合性マレイミド化合物としては、紫外線や電子ビームなどの放射線が照射されると重合・硬化し、光ラジカルを発生し、一般式（Ｉ）を有する化合物であればよく、特に制限は無いが、例えば、Ｎ−マレイミドアクリル酸エチル、Ｎ−マレイミドアクリル酸プロピル、Ｎ−マレイミドアクリル酸ブチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドアクリル酸エチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドアクリル酸プロピル、３−メチル−Ｎ−マレイミドアクリル酸ブチル、Ｎ−フタルイミドアクリル酸エチル、Ｎ−フタルイミドアクリル酸プロピル、Ｎ−フタルイミドアクリル酸ブチル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドアクリル酸エチル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドアクリル酸プロピル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドアクリル酸ブチル、Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル、Ｎ−マレイミドメタクリル酸プロピル、Ｎ−マレイミドメタクリル酸ブチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸プロピル、３−メチル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸ブチル、Ｎ−フタルイミドメタクリル酸エチル、Ｎ−フタルイミドメタクリル酸プロピル、Ｎ−フタルイミドメタクリル酸ブチル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸プロピル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸ブチルなどを使用することができる。これらの放射線重合性化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
中でも、Ｎ−マレイミドアクリル酸エチル、Ｎ−マレイミドアクリル酸ブチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドアクリル酸エチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドアクリル酸ブチル、Ｎ−フタルイミドアクリル酸エチル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドアクリル酸エチル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドアクリル酸ブチル、Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル、Ｎ−マレイミドメタクリル酸ブチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸ブチル、Ｎ−フタルイミドメタクリル酸エチル、Ｎ−フタルイミドメタクリル酸ブチル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル、ル、３−フェニル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸ブチルが好ましい。より好ましくは、Ｎ−マレイミドアクリル酸エチル、Ｎ−マレイミドアクリル酸ブチル、Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル、Ｎ−マレイミドメタクリル酸ブチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル、３−メチル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸ブチル、Ｎ−フタルイミドメタクリル酸エチル、Ｎ−フタルイミドメタクリル酸ブチルである。特に好ましくは、Ｎ−マレイミドアクリル酸エチル、Ｎ−マレイミドアクリル酸ブチル、Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル、Ｎ−フタルイミドメタクリル酸エチルである。
（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と（Ｃ）一般式（Ｉ）で示される放射線重合性マレイミド化合物とは非相溶となるように、各成分の組み合わせを選択することが好ましい。非相溶の状態でフィルム化されると、各成分の機能が揮される。例えば、（Ｂ）官能性モノマーによりフィルムの耐リフロー性が向上し、（Ｃ）成分により半導体素子全体の応力が緩和される。
【００３０】
また、一般式（Ｉ）で示される放射線重合性マレイミド化合物以外の不飽和結合を１つ以上もつ放射線重合性化合物を、併せて使用することもできる。上記以外の不飽和結合を１つ以上もつ放射線重合化合物としては、紫外線や電子ビームなどの放射線が照射されると重合・硬化する化合物であればよく、特に制限は無いが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレートなどを使用することができる。これらの放射線重合性化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。（Ｃ）一般式（Ｉ）で示される放射線重合性マレイミド化合物以外の不飽和結合を１つ以上もつ放射線重合性化合物を用いる場合には、（Ｃ）一般式（Ｉ）で示される放射線重合性マレイミド化合物１００重量部に対して、４０〜４００重量部加えるのが好ましい。
【００３１】
各成分の配合量は、前記（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部としたとき、前記（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分は１０〜４００重量部、前記（Ｃ）一般式で表される放射線重合性マレイミド化合物は５〜１２０重量部であることが好ましい。また、適宜、光開始剤を添加することもできる。
【００３２】
また、本発明の接着フィルムを形成する粘接着剤層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【００３３】
上記シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−ジエトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３４】
また、チタン系カップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３５】
アルミニウム系カップリング剤としては、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム−モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｉｓｏ−プロポキシド−モノエチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３６】
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部とすることが好ましい。
【００３７】
本発明の接着フィルムを形成する粘接着剤層には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層に混合する場合は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、０．１〜１０重量部とすることが好ましく、粘着剤層に混合する場合には、放射線重合性化合物１００重量部に対して、０．０１〜１００重量部とすることが好ましい。
【００３８】
また、本発明の粘接着剤層を構成する組成物には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
【００３９】
また、無機フィラーの平均粒径は０．００５μｍ〜０．１μｍが好ましく、これより小さくても大きくても接着性が低下する可能性がある。無機フィラーの配合量は、放射線重合型粘接着剤１００重量部に対して１〜２０重量部が好ましい。１重量部未満だと添加効果が得られない傾向があり、２０重量部を超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【００４０】
本発明の粘接着層に無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用するのが好ましく、これらを組み合せて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、高分子量物を配合することによって、混合する時間を短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００４１】
本発明の接着フィルムを形成する粘接着剤層の厚みは、特に制限はないが、３〜２５０μｍが好ましい。３μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない。
【００４２】
また、本発明の接着フィルムにおける粘接着剤層は、所望の厚さを得るために、２層以上を貼り合わせることもできる。この場合には、粘接着剤層同士の剥離が発生しにくい貼り合わせ条件が必要である。
【００４３】
また、本発明の接着フィルムを形成する粘接着剤層は、加熱硬化した段階で、貯蔵弾性率が２５℃で１０〜２０００ＭＰａ、２６０℃で３〜５０ＭＰａであることが好ましい。また、２５℃での貯蔵弾性率は、２０〜１９００ＭＰａがより好ましく、５０〜１８００ＭＰａが特に好ましい。また、２６０℃での貯蔵弾性率は、５〜５０ＭＰａがより好ましく、７〜５０ＭＰａが特に好ましい。貯蔵弾性率が上記の範囲にあると、半導体素子と支持部材との熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩和させる効果が保たれ、剥離やクラックの発生を抑制できるとともに、接着剤の取り扱い性に優れ、リフロークラックの発生を抑制できる。上記加熱硬化の条件は粘接着剤層の組成によっても異なるが、通常１００〜２４０℃、５〜６００分の範囲である。この貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着剤（粘接着剤）硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎの条件で−７０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって測定できる。
【００４４】
本発明の接着フィルムは、例えば、粘接着剤組成物を溶剤に溶解ないし分散してワニスとしたものを、図１に示すように、前述の支持体フィルム１上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより粘接着剤層２を支持体フィルム１上に形成し、この粘接着剤層２を基材層３に貼り合せることにより、粘接着剤層２を支持体フィルム１と基材層３の間に粘接着剤層が存在する接着フィルムを作製することもできる。この場合には、支持体フィルムをカバーフィルムとして用いることもできる
【００４５】
本発明の接着フィルムを形成する上記支持体フィルム及び基材層としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリ酢酸ビニルフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を離型処理して使用しることもできる。支持体フィルムは、使用時に剥離して接着剤層のみを使用することもできるし、支持体フィルムとともに使用し、後で除去することもできる。
【００４６】
また、基材層の厚みは、特に制限はないが、３０〜３００μｍが好ましく、４０〜２５０μｍがより好ましく、５０〜２００μｍが特に好ましい。３０μｍより薄いと、ダイシング時に基材層まで切断され易くなり、チップが飛散し易くなる傾向があり、３００μｍより厚いと経済的でなくなる。
【００４７】
本発明の接着フィルムは、例えば、粘接着剤組成物を溶剤に溶解ないし分散してワニスとしたものを、図１に示すように、前述の支持体フィルム１上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより粘接着剤層２を支持体フィルム１上に形成し、この粘接着剤層２を基材層３に貼り合せることにより、粘接着剤層２を支持体フィルム１と基材層３の間に粘接着剤層が存在する接着フィルムを作製することもできる。この場合には、支持体フィルムをカバーフィルムとして用いることもできる。
【００４８】
上記のワニス化に用いることのできる溶剤としては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、たとえば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４９】
基材層上へのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【００５０】
また、本発明の接着フィルムを、半導体素子を搭載するための支持部材へ張り付ける際には、、接着フィルムを所定の形状に切断し、その切断された接着フィルムを支持部材の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これを限定するものではない。
【００５１】
本発明の半導体装置の構造としては、半導体素子の電極と支持部材とがワイヤーボンディングで接続されている構造、半導体素子の電極と支持部材とがテープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）のインナーリードボンディングで接続されている構造等があるが、これらに限定されるものではなく、何れの場合でも効果がある。半導体素子としては、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等一般の半導体素子を使用することができる。
【００５２】
半導体装置の配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でも良く、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けても良い。さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
【００５３】
半導体素子と支持部材の間に発生する熱応力は、半導体素子と支持部材の面積差が小さい場合に著しいが、本発明の半導体装置は低弾性率の接着フィルムを用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、支持部材の面積の７０％以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と支持部材の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。
【００５４】
また、本発明の接着フィルムの特性として、前記接着フィルムを支持部材の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、接着剤層からの揮発分を抑制できる。
【００５５】
本発明の半導体搭載基板用配線基板に用いる配線基板としては、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。
【００５６】
次に、本発明の接着フィルムの製造方法および半導体装置の製造方法の一例について図１及び２を参照して具体的に説明する。
まず、粘接着剤層２を基材層３の上に備えた接着フィルムを作製し、粘接着剤層２上に支持体フィルム１がある場合には、これを剥離する。次に、粘接着剤層２の上面に、ダイシング加工すべき半導体ウェハに貼着した後、半導体ウェハをダイシングし洗浄、乾燥する。この際、粘接着剤層２により半導体ウェハは接着フィルムに充分に保持されているので、上記各工程の間に半導体ウェハが脱落することはない。
【００５７】
次に放射線を接着フィルムの粘接着剤層２に照射し、放射線重合性を有する粘接着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、放射線照射と同時あるいは放射線照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用しても良い。接着フィルムへの放射線照射は、基材層３の面から行う。したがって、前述のように、放射線としてＵＶを用いる場合には基材層３は光透過性である必要があるが、放射線としてＥＢを用いる場合には基材層３は必ずしも光透過性である必要はない。
放射線の照射は、３６５ｎｍの波長光を発するランプを使用すれば特に制限はない。照射量は３６５ｎｍ換算で３０〜７００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましく、１５０〜３５０ｍＪ／ｃｍ２が特に好ましい。
【００５８】
放射線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレット等により順次ピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材層の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。半導体素子と粘接着剤層との間の接着強度は、粘接着剤層と基材層との間の接着強度よりも大きいため、半導体素子のピックアップを行うと、粘接着剤層が半導体素子の下面に付着した状態で剥離する。次いで、各半導体素子４を粘接着剤層２を介して半導体素子搭載用支持部材５に載置し加熱する。加熱により粘接着剤層２は接着強度が発現し、半導体素子４と半導体素子搭載用支持部材５との接着が完了する。加熱の条件は、４０〜１２０℃が好ましく、５０〜１００℃がより好ましく、６０〜８０℃が特に好ましい。
【実施例】
【００５９】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６０】
（実施例１）
エポキシ樹脂としてＹＤＦ−８１７０Ｃ（東都化成株式会社製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）６２重量部、硬化剤としてフェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学株式会社製商品名）５０重量部、シランカップリング剤としてＮＵＣ  Ａ−１１６０（日本ユニカー株式会社製商品名、γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン）０．８５重量部、放射線重合性化合物としてＮ−マレイミドアクリル酸エチル３５重量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分混練した。これにグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート２〜６重量％を含むアクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業株式会社製商品名、重量平均分子量１００万）２００重量部を混合し、真空脱気した。ワニスを厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた粘接着剤層を作製した。
なお、アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３は、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリロニトリル、グリシジルメタクリレートの四元共重合体であって、重量平均分子量は約80万である。
【００６１】
（実施例２）
放射線重合性化合物としてＮ−フタルイミドアクリル酸エチル６０重量部を使用した以外は実施例１と全く同様の操作を行い、粘接着剤層を作製した。
【００６２】
（実施例３）
放射線重合性化合物として３−メチル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル３５重量部及びトリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート（日立化成工業株式会社製、商品名  ＦＡ−７３１Ａ）３５重量部を使用した以外は実施例１と全く同様の操作を行い、粘接着剤層を作製した。
【００６３】
（実施例４）
放射線重合性化合物として３−メチル−Ｎ−マレイミドメタクリル酸エチル３５重量部及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬株式会社製、商品名カヤラッドＤＰＨＡ）２０重量部を使用した以外は実施例１と全く同様の操作を行い、粘接着剤層を作製した。
【００６４】
（実施例５）
放射線重合性化合物としてＮ−フタルイミドアクリル酸エチル５０重量部及びトリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート（日立化成工業株式会社製、商品名  ＦＡ−７３１Ａ）３５重量部を使用した以外は実施例１と全く同様の操作を行い、粘接着剤層を作製した。
【００６５】
（比較例１）
放射線重合性化合物としてトリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート（日立化成工業株式会社製、商品名  ＦＡ−７３１Ａ）３５重量部、及び化合物光重合開始剤としてイルガキュア３６９（チバ・ガイギー株式会社製）を使用した以外は  比較例１と全く同様の操作を行い、粘接着剤層を作製した。
【００６６】
（比較例２）
放射線重合性化合物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬株式会社製、商品名カヤラッドＤＰＨＡ）３０重量部、及び化合物光重合開始剤としてイルガキュア３６９（チバ・ガイギー株式会社製）を使用した以外は比較例１と全く同様の操作を行い、粘接着剤層を作製した。
【００６７】
（保存安定性）
前記の通り、粘接着剤層および基材層を備えた接着フィルムを作製した。更に、接着フィルムの粘接着剤層の上面に、ダイシング加工すべき半導体ウェハに貼着した後、半導体ウェハをダイシングし洗浄、乾燥し、半導体装置を作製した。なお、２５±２℃に遮光保管した前記接着フィルムを用いて作製した半導体装置のダイシェア強度（ＤＡＧＥ社製Ｄ−４０００を使用）を測定した。吸湿試験は１２１℃、湿度１００％、２気圧の雰囲気（プレッシャークッカーテスト：ＰＣＴ処理）下で１６８時間後の接着フィルムとの剥離を観察することにより行った。１２ヶ月間保管時の強度低下が１０％以下のものを○、それ以上強度が低下してしまったものを×とした。
【００６８】
（熱重量減少）
接着フィルムに放射線を照射して粘接着剤層を端離し、約１０ｍｇ精秤した。そのフィルムを熱天秤（ＳＩＩナノテクノロジー製  ＴＧ−ＤＴＡ５２００）で１７５℃、１時間加熱したときの重量減少率を測定した。結果を表１に示した。
【００６９】
【表１】
2008277796.tif 000005
【００７０】
表１によると、実施例１〜５の粘接着剤層は、全ての段階において強度低下が僅かであるが（１０％以下）、比較例１及び２の粘接着剤は６ヶ月後から強度の低下が大きかった（１０％超）。つまり、本発明の粘接着剤層（放射線重合型粘接着剤の層）は保存安定性に優れるため、可使期間が長い点で従来の接着フィルム（半導体用途接着フィルム）に比べて大きな効果が有る。
また、実施例１〜５の粘接着剤層は、熱による重量減少が僅かであり（０．４〜０．７重量％）、熱安定性に非常に優れている。これに対して、比較例１及び２の粘接着剤層は熱による重量減少が非常に大きかった（１．４〜１．６重量％）。
従って、本発明の接着フィルムを用いることで、熱安定性及び保存安定性に顕著に優れる半導体搭載用配線基板及び接着層を備えた半導体装置を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係る接着フィルムの基材層を備えた粘接着剤層の一例の断面図である。
【図２】接着剤層付きの半導体素子を半導体素子搭載用支持部材に熱圧着した状態を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  支持体フィルム
２  粘接着剤層
３  基材層
４  半導体素子
５  半導体素子搭載用支持部材
【図１】
2008277796.tif 000007
【図２】
2008277796.tif 000008