(57)【要約】【課題】可撓性を維持しつつ、放熱フィンにより放熱性を向上させた電子装置および当該電子装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】本実施形態に係る電子装置は、可撓性を有する薄膜装置１と、薄膜装置１に設けられ、互いに分離した複数の放熱フィン３と、を有する。各放熱フィン３は、テーパー状に成形されている。放熱フィン３と薄膜装置１との間には、熱伝導性の接着層２が介在している。接着層２は、基板上において複数に分割されている。または、接着層２は、シート状に成形され、複数の放熱フィンと薄膜装置１との間に介在している。【選択図】図１
2008084965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する薄膜装置と、
前記薄膜装置に設けられ、互いに分離した複数の放熱フィンと、
を有する電子装置。
【請求項２】
前記放熱フィンと前記薄膜装置との間に、熱伝導性の接着層をさらに有する、
請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記接着層は、各前記放熱フィンに対応して複数に分割されている、
請求項２記載の電子装置。
【請求項４】
前記接着層は、複数の前記放熱フィンの設置領域を覆うシート状である、
請求項２記載の電子装置。
【請求項５】
前記放熱フィンは、金属製である、
請求項１記載の電子装置。
【請求項６】
前記放熱フィンは、テーパー状に成形されている、
請求項１記載の電子装置。
【請求項７】
前記薄膜装置は、可撓性基板を備え、
前記放熱フィンの設置領域に、前記可撓性基板を貫通する熱伝導性を有する貫通部材が設けられている、
請求項１記載の電子装置。
【請求項８】
前記薄膜装置は、前記可撓性基板上に設けられた半導体層を備え、
前記貫通部材は、前記薄膜装置の前記半導体層に接続している、
請求項７記載の電子装置。
【請求項９】
前記薄膜装置は、前記可撓性基板上に形成された薄膜トランジスタを有し、
前記貫通部材は、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極を兼ねる、
請求項８記載の電子装置。
【請求項１０】
薄膜装置に取り付けられる放熱フィンを備えた放熱用基板であって、
基板と、
前記基板から剥離可能であって、かつ、互いに分離して前記基板上に設けられた複数の放熱フィンと、
を有する放熱用基板。
【請求項１１】
請求項１に記載の電子装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、放熱用基板および電子機器に関し、特に、放熱フィンを備えた電子装置、当該放熱フィンを供給するための放熱用基板及び当該電子装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップから発せられる熱を放散させるため、半導体チップの背面（端子面とは反対側の面）に、ヒートシンクが取り付けられるものが知られている（特許文献１参照）。ヒートシンクは、表面積を増大させて効率良く放熱させるため、通常、プレートフィンを備える。
【０００３】
ところで、近年、絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは、ＩＣや電気光学装置のような電子装置に広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発されている。
【０００４】
この薄膜トランジスタを搭載する基板として可撓性基板を用いて、全体として可撓性を有する電子装置を形成することが試みられている。可撓性を有する発光装置や表示装置等の電子装置を作製することができれば、厚みが薄く軽量であることに加えて、曲面状のディスプレイやショーウィンドウ等を形成することができる。よって電子装置の応用範囲が非常に広がるというメリットがある。
【特許文献１】特開平５−２１６６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のヒートシンクは、熱伝導率の高い金属材料を用いて強固に作られているため、可撓性を有する電子装置に適用した場合、装置全体の可撓性を失ってしまうという問題がある。
【０００６】
本発明に係る一つの態様は、特に上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、可撓性を維持しつつ、放熱フィンにより放熱性を向上させた電子装置および当該電子装置を備えた電子機器を提供することにある。
本発明に係る他の態様の目的は、上記の放熱フィンを設けるための放熱用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明に係る電子装置は、可撓性を有する薄膜装置と、前記薄膜装置に設けられ、互いに分離した複数の放熱フィンと、を有する。
【０００８】
上記の電子装置において、薄膜装置から発せられた熱は、放熱フィンに伝達されて、外部に放散される。ここで、薄膜装置に放熱フィンを分離して形成することにより、薄膜装置のたわみに応じて分離された放熱フィンが互いの拘束なく動くので、可撓性が維持される。これにより、可撓性を維持しつつ、放熱性を向上させた電子装置を実現することができる。
【０００９】
前記放熱フィンと前記薄膜装置との間に、熱伝導性の接着層をさらに有する。これにより、放熱フィンと薄膜装置との良好な密着性を維持しつつ、薄膜装置から発せられた熱を効率良く放熱フィンへ伝達することができる。
【００１０】
前記接着層は、各前記放熱フィンに対応して複数に分割されている。これにより、個々の放熱フィンと薄膜装置との密着性を確保することができる。
【００１１】
前記接着層は、複数の前記放熱フィンの設置領域を覆うシート状である。これにより、放熱フィンを複数備えるシート状接着層を薄膜装置に貼り付ける製造プロセスが適用可能となり、一度に複数の放熱フィンを薄膜装置に設けることができる。
【００１２】
前記放熱フィンは、金属製である。種々の材料の中でも金属製材料は電気伝導性が高いので、金属製放熱フィンを用いることにより、電子装置の冷却効率を向上させることができる。
【００１３】
前記放熱フィンは、テーパー状に成形されている。これにより、薄膜装置が放熱フィン側にそった際において放熱フィン同士の接触を防止することができ、接触による放熱フィンの剥離を防止することができる。
【００１４】
前記薄膜装置は、可撓性基板を備え、前記放熱フィンの設置領域に、前記可撓性基板を貫通する熱伝導性を有する貫通部材が設けられている。例えば、薄膜装置の発熱部分に貫通部材を接触させることにより、発熱部分からの熱を効率良く放熱フィンに伝達することができる。
【００１５】
前記薄膜装置は、前記可撓性基板上に設けられた半導体層を備え、前記貫通部材は、前記薄膜装置の前記半導体層に接続している。これにより、半導体層から発せられる熱を、可撓性基板を介さずに、放熱フィンに高効率で伝達することができる。
【００１６】
前記薄膜装置は、前記可撓性基板上に形成された薄膜トランジスタを有し、前記貫通部材は、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極を兼ねる。これにより、薄膜トランジスタの半導体層から発せられる熱を、効率良く放熱フィンに伝達することができる。
【００１７】
上記の目的を達成するため、本発明に係る放熱用基板は、薄膜装置に取り付けられる放熱フィンを備えた放熱用基板であって、基板と、前記基板から剥離可能であって、かつ、互いに分離して前記基板上に設けられた複数の放熱フィンと、を有する。基板から放熱フィンを剥離し、剥離した放熱フィンが薄膜装置に取り付けられる。基板に放熱フィンが剥離可能に複数設けられていることから、電子装置への放熱フィンの取り付け作業を容易に行なうことができる。
【００１８】
上記の目的を達成するため、本発明に係る電子機器は、上記の電子装置を備える。この電子機器においては、上記の電子装置を備えるため、冷却効率が向上した耐久性の高い電子機器を実現することができる。
【００１９】
ここで、本明細書において電子機器とは、本発明に係る電子装置を備え、一定の機能を有する電子機器一般をいう。このような電子機器は、可撓性を有する電子装置を備えていればよく、例えば、電子ペーパ、リア型またはフロント型のプロジェクタ、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ装置、電子手帳などが挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の電子装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
図１（ａ）は、本実施形態に係る電子装置の断面図である。
本実施形態に係る電子装置は、薄膜装置１と、薄膜装置１に接着層２を介して設けられた放熱フィン３とを有する。放熱フィン３は、互いに分離している。薄膜装置１と、各放熱フィン３との間に接着層２が介在している。放熱フィン３は、薄膜装置１側の部位に比べて先端部位が細いテーパー状に成形されている。
【００２２】
薄膜装置１とは、半導体層等の所定の機能を実現するための薄膜が積層された構造体をいい、例えば薄膜回路層や微細構造体を含み、回路基板としても機能することができる。また薄膜装置は、電気光学材料を含むことにより電気光学素子としても機能できる。薄膜回路層としては薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオードなどの薄膜を用いて構成された機能素子（例えばスイッチング素子）が例示でき、また薄膜回路装置とは、上記薄膜回路層を含んで回路を構成したもので、例えば上記ＴＦＴを含むドライバ回路などが例示できる。本実施形態では、薄膜装置１は可撓性を有し、全体としての電子装置も可撓性を有するものとなっている。
【００２３】
接着層２の種類に限定はないが、例えば、導電性接着剤または熱伝導性接着剤を用いることが好ましい。導電性接着剤または熱伝導性接着剤を用いることにより、薄膜装置１から発せられた熱を、効率良く放熱フィン３へ伝達することができる。
【００２４】
導電性接着剤とは、電気伝導性および熱伝導性が良好な接着剤である。導電性接着剤は、例えば、樹脂中に金属フィラーが分散されて構成されている。樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂がある。金属フィラーとしては、例えば、Ｐｄ：Ａｇフィラー、金フィラー、パラジウムフィラー、ニッケルフィラー、カーボンフィラー、銀メッキフィラーが用いられる。
【００２５】
熱伝導性接着剤は、電気伝導性は低いが、熱伝導性が良好な接着剤である。熱伝導性接着剤は、例えば、樹脂中に絶縁性かつ熱伝導性フィラーが分散されて構成されている。樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂がある。フィラーとしては、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラーがある。
【００２６】
放熱フィン３の材料に限定はないが、熱伝導性の良好な材料であることが好ましい。熱伝導性の良好な材料として、アルミニウムや銅等の金属材料が挙げられる。また、窒化アルミニウムや窒化ケイ素等の高熱伝導性かつ低電気伝導性のセラミック材料であってもよい。放熱フィン３の熱伝導性が高ければ、それだけ薄膜装置１の冷却効率が向上する。
【００２７】
図１（ａ）では、接着層２が分離している例を示すが、図１（ｂ）に示すように、接着層２は、薄膜装置１の一方の面を覆うシート状接着層であってもよい。接着層２は、複数の放熱フィン３の設置領域を覆うシート状に成形されている。
【００２８】
図１（ａ）に示す接着層２を採用する場合には、薄膜装置１に個々の放熱フィン３に設けられている接着層２を貼り付ければよい。図１（ｂ）に示す接着層２を採用する場合には、複数の放熱フィン３を備えるシート状の接着層２を薄膜装置１に貼り付けることにより、全ての放熱フィン３を一括して薄膜装置１に取り付けることができる。
【００２９】
なお、図１に示す接着層２は省略可能である。この場合には、薄膜装置１上に、例えば液滴吐出装置により、金属微粒子を含む液滴を薄膜装置１に吐出することにより、薄膜装置１上に任意の配置で放熱フィン３を形成することができる。または、薄膜装置１上に熱導電性の材料膜を成膜した後に、エッチング技術を用いて、個々の放熱フィン３にパターニングしてもよい。
【００３０】
図２（ａ）〜（ｃ）は、放熱フィン３の配置を示す平面図である。ただし、放熱フィン３の形状および配置は、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すものに限られず、種々の形状および配置を採用することができる。
【００３１】
図２（ａ）は、放熱フィン３がマトリックス上に配置されている例を示す。薄膜装置１がマトリックス状に配置された薄膜トランジスタを備える場合であって、各薄膜トランジスタに対応して放熱フィン３を配置した場合には、図２（ａ）に示す放熱フィン３の配置となる。図２（ａ）に示す例では、放熱フィン３は円錐に近い形状である。
【００３２】
図２（ｂ）は、放熱フィン３が行列方向において互い違いに配置されている例を示す。図２（ｂ）に示す配置は、図２（ａ）に示す配置に比べて、単位面積当たりの放熱フィン３の数を多くすることができる。このため、薄膜装置１の冷却効率を向上させることができる。
【００３３】
図２（ｃ）は、薄膜装置１への設置側の放熱フィン３の形状が、矩形となっている例を示す。放熱フィン３の間隔を一定間隔空けることを前提とした場合において、放熱フィン３を矩形にした方が、図２（ａ）に示す円形の場合に比べて、放熱フィン３と薄膜装置１の接触面積を大きくすることができる。このため、薄膜装置１の冷却効率を向上させることができる。
【００３４】
図３（ａ）は、図１（ａ）に示す電子装置の要部拡大断面図である。
図３（ａ）に示すように、薄膜装置１は、可撓性基板１０の一方の面上に形成された薄膜トランジスタ１１を有する。絶縁膜可撓性基板１０の他方の面上には、接着層２を介して放熱フィン３が配置されている。
【００３５】
可撓性基板１０の材料に特に限定はない。可撓性基板１０として、例えば、透明プラスチック基材が用いられる。基材としてポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォンなどの熱可塑性ポリマー、または、有機溶媒に可溶なアクリル系ポリマーが挙げられる。可撓性基板１０は、可撓性を有していれば良く、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の絶縁薄膜であってもよい。
【００３６】
可撓性基板１０として、熱伝導性の高いプラスチック基板を用いても良い。これにより、薄膜トランジスタ１１の半導体層１２から発せられた熱を効率良く放熱フィン３に伝達することができる。熱伝導率の高いプラスチック基板は、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラー等を樹脂中に分散させたものである。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、可撓性基板１０の一方の面上には、薄膜トランジスタ１１の活性層となる半導体層１２が形成されている。半導体層１２は、例えば、アモルファスシリコンやポリシリコンからなる。なお、半導体層１２は、シリコン等の無機材料に限られず、有機材料であってもよい。
【００３８】
可撓性基板１０上には、半導体層１２を被覆するゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３は、例えば、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜からなる。ゲート絶縁膜１３上であって、半導体層１２に対応する位置にゲート電極１４が形成されている。ゲート電極１４は、例えば、タンタルやアルミニウムなどの導電性材料からなる。ゲート電極１４の直下の領域の両側における半導体層１２には、ソース／ドレイン領域１２ａが形成されている。ソース／ドレイン領域１２ａは、ｎ型あるいはｐ型の半導体領域である。
【００３９】
ゲート電極１４およびゲート絶縁膜１３上には、例えば酸化シリコンからなる層間絶縁膜１５が形成されている。ゲート絶縁膜１３および層間絶縁膜１５には、２つのソース／ドレイン領域１２ａに達する２つのコンタクトホールが設けられ、当該コンタクトホールに導電性材料が埋め込まれることにより、ソース／ドレイン電極１６が形成されている。ソース／ドレイン電極１６は、例えばアルミニウム、タングステン等の導電性材料からなる。
【００４０】
可撓性基板１０上に形成された、半導体層１２と、ゲート電極１４と、２つのソース／ドレイン電極１６により、薄膜トランジスタ１１が構成される。薄膜トランジスタ１１が搭載される基板として可撓性基板１０を採用することにより、フレキシブルな薄膜装置１を実現できる。
【００４１】
上記の薄膜装置１は、例えば、ガラス基板等の耐熱性のある基板上に薄膜トランジスタ１１を形成した後に、当該薄膜トランジスタ１１をポリエチレンテレフタレート等の可撓性基板１０に転写することにより製造される。
【００４２】
上記の薄膜装置１を備える電子装置は、例えば、電気光学装置のアクティブマトリクス基板として用いられる。電子装置のソース／ドレイン電極１６と、配線基板４の電極５とが、例えば異方性導電膜６を介して接続されて、電気光学装置が構成される。
【００４３】
電気光学装置とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる素子であり、自ら発光するものと外部からの光の通過を制御するものの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス素子）、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子等が挙げられる。
【００４４】
上記の本実施形態に係る放熱フィン３を備えた電子装置の効果について説明する。図４（ａ）および図４（ｂ）は、電子装置が曲がった状態を示す図である。
【００４５】
図４に示すように、本実施形態では、複数の放熱フィン３が互いに分離しているため、放熱フィン３が厚くても、薄膜装置１自体の可撓性を失わせることはない。
【００４６】
また、放熱フィン３と薄膜装置１との接触面積が大きい場合には、薄膜装置１に曲げ応力がかかると、薄膜装置１と放熱フィン３の可撓性の違いに起因して、薄膜装置１から放熱フィン３が容易に剥離してしまう。これに対して、本実施形態では、１つ１つの放熱フィン３のサイズを小さくすることにより、薄膜装置１が曲がった場合においても、放熱フィン３の剥離を防止することができる。
【００４７】
また、放熱フィン３として、熱伝導性の高い金属材料や、セラミック材料を用いることにより、薄膜装置１からの発熱を効率よく空気中に放散させることができる。例えば、アルミニウムの熱伝導率は約２４０Ｗ／ｍＫであり、銅の熱伝導率は約４００Ｗ／ｍＫである。窒化アルミニウムの熱伝導率は、２００Ｗ／ｍＫ前後である。本実施形態では、特に熱伝導率の高い金属材料を用いることが好ましい。
【００４８】
さらに、基板側に比べて先端部が細くなるように放熱フィン３を形成することにより、薄膜装置１が曲がった際に放熱フィン３同士が接触することを防止することができる。これにより、放熱フィン３同士が接触することによる放熱フィン３の剥離を防止することができる。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態に係る電子装置によれば、可撓性を維持しつつ、放熱フィンにより放熱性を向上させた電子装置を実現することができる。
【００５０】
（第２実施形態）
図５（ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係る電子装置の断面図である。第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付しており、その説明は省略する。
【００５１】
本実施形態に係る電子装置には、薄膜装置１の基板を貫通する貫通部材７が設けられている。貫通部材７は、少なくとも薄膜装置１の基板を貫通して、発熱する層に達していれば良い。貫通部材７は、接着層２に接続されている。
【００５２】
接着層２は、図５（ａ）に示すように放熱フィン３毎に分離していてもよく、または、図５（ｂ）に示すように、複数または全ての放熱フィン３の設置領域を覆うシート状であってもよい。ただし、第１実施形態と同様に、接着層２は、省略可能である。
【００５３】
放熱フィン３の配置については、図２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明したとおりである。ただし、放熱フィン３の形状および配置は、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すものに限られず、種々の形状および配置を採用することができる。
【００５４】
図６（ａ）は、図５（ａ）に示す電子装置の要部拡大断面図である。図６（ｂ）は、電子装置を配線基板４に搭載した状態の断面図である。
図６（ａ）に示すように、薄膜装置１は、可撓性基板１０の一方の面上に形成された薄膜トランジスタ１１を有する。可撓性基板１０の他方の面上には、接着層２を介して放熱フィン３が配置されている。
【００５５】
本実施形態では、可撓性基板１０、ゲート絶縁膜１３、層間絶縁膜１５を貫通し、半導体層１２に接続された貫通部材７が形成されている。半導体層１２と接着層２とが、貫通部材７を介して接続されている。本例では、貫通部材７は、ソース／ドレイン電極を兼ねている。なお、貫通部材７は、可撓性基板１０のみを貫通して、半導体層１２に接続するものであってもよい。
【００５６】
図６（ｂ）に示すように、薄膜装置１のソース／ドレイン電極１６と、配線基板４の電極５とが、例えば異方性導電膜６を介して接続されて、電気光学装置が構成される。
【００５７】
薄膜装置１が薄膜トランジスタ１１を備える場合には、薄膜トランジスタ１１の活性層である半導体層１２から発熱する。本実施形態では、半導体層１２からの熱は、貫通部材７および接着層２を介して放熱フィン３へと伝達される。半導体層１２から放熱フィン３への伝熱経路に可撓性基板１０が存在しないことから、可撓性基板１０の熱伝導率が低い場合であっても、半導体層１２からの熱を効率良く外部へ放散させることができる。
【００５８】
上記の本実施形態では、接着層２および放熱フィン３は、高熱伝導性であって、低電気伝導性の材料を用いることが好ましい。電気伝導性が高い場合には、放熱フィン３の帯電状況によって、半導体層１２の電位が変動し、薄膜トランジスタ１１の誤作動を引き起こす可能性があるからである。例えば、放熱フィン３として、窒化アルミニウムや窒化ケイ素等の高熱伝導性かつ低電気伝導性のセラミック材料を用いることが好ましい。
【００５９】
以上、説明したように、第２実施形態に係る電子装置によれば、半導体層１２からの熱を可撓性基板１０を介さずに放熱フィン３へ放散させることができることから、第１実施形態に比べて、冷却効率を向上させた電子装置を実現することができる。
【００６０】
（第３実施形態）
図７（ａ）は、本発明の放熱用基板の一実施形態を示す断面図である。放熱用基板は、薄膜装置１に取り付けるべき放熱フィン３を供給するためのシートである。
【００６１】
基板２０上に、接着層２を介して放熱フィン３が設けられている。放熱フィン３は、負２０から剥離可能となっている。放熱フィン３は、後に薄膜装置１に取り付けられるものである。基板２０は、放熱フィン３を剥離できるものであれば特に限定はない。
【００６２】
図７（ａ）に示すように、基板２０上から接着層２および放熱フィン３を剥離して、接着層２および放熱フィン３を個別に薄膜装置１に取り付ける。これにより、図１（ａ）または図５（ａ）に示す形態の放熱フィン３が薄膜装置１に設けられる。
【００６３】
図７（ｂ）は、本発明の放熱用基板の他の例を示す断面図である。図７（ｂ）に示す例では、基板２０上にシート状の接着層２を介して複数の放熱フィン３が設けられている。
【００６４】
図７（ｂ）に示す基板２０の場合には、基板２０は、フレキシブルな剥離テープであることが好ましい。この場合には、基板２０を剥がすことにより、複数の放熱フィン３を備えた一枚の接着層２からなるシートが得られる。このシートを薄膜装置１に貼り付けることにより、薄膜装置１に一括して放熱フィン３を取り付けることができる。
【００６５】
（第４実施形態）
図８は、本発明に係る電子機器の例を示す図である。本発明に係る電子機器は、本発明に係る電子装置を含む電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００６６】
図８（ａ）は、電子ペーパの例であり、電子ペーパ３１０は、電気光学装置１００を備えている。電気光学装置は、上記した放熱フィン３付きの電子装置を備える。電気光学装置として、液晶素子、電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス素子）素子のいずれを用いても良い。本実施形態によれば、電子ペーパに使用される電気光学装置中の電子装置を効率よく冷却することができる。
【００６７】
図８（ｂ）は、リア型プロジェクタの例であり、リア型プロジェクタ３７０は、電気光学装置（光変調器）１００、光源３７２、合成光学系３７３、ミラー３７４，３７５、スクリーン３７６を筐体３７１内に備えている。電気光学装置１００は、透過型の光変調器である。プロジェクタでは、光源３７２からの照射光により電気光学装置１００が高熱となりやすい。電気光学装置１００が、上記した放熱フィン３付きの電子装置を備えることにより、リア型プロジェクタ３７０に使用される電気光学装置中の電子装置を効率良く冷却することができる。
【００６８】
図８（ｃ）は、フロント型プロジェクタの例であり、当該プロジェクタ３８０は、電気光学装置（画像表示源）１００及び光学系３８１を筐体３８２内に備え、画像をスクリーン３８３に表示可能となっている。プロジェクタでは、光源からの照射光により電気光学装置１００が高熱となりやすいが、本実施形態によれば、フロント型プロジェクタ３８０に使用される電気光学装置中の電子装置を効率良く冷却することができる。
【００６９】
上記例に限らず、本発明の電子機器は、可撓性を有する電子装置を備えていれば特に限定はない。例えば、本発明の電子機器として、表示機能付きファックス、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、ＩＣカードであってもよい。
【００７０】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
上述した実施形態では、トップゲート型の薄膜トランジスタを備える薄膜装置について説明したが、ボトムゲート型の薄膜トランジスタを備える薄膜装置であってもよい。また、電子装置は、可撓性を有するものであればよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）および（ｂ）は第１実施形態に係る電子装置の断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は放熱フィンの配置を示す平面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は第１実施形態に係る電子装置の要部拡大断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は電子装置が撓んだ状態を示す図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は第２実施形態に係る電子装置の断面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は第２実施形態に係る電子装置の要部拡大断面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は本実施形態に係る放熱用基板を示す図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は本実施形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１…薄膜装置１、２…接着層、３…放熱フィン、４…配線基板、５…電極、６…異方性導電膜、７…貫通部材、１０…可撓性基板、１１…薄膜トランジスタ、１２…半導体層、１２ａ…ソース／ドレイン領域、１３…ゲート絶縁膜、１４…ゲート電極、１５…層間絶縁膜、１６…ソース／ドレイン電極、２０…基板
【図１】
2008084965.tif 000003
【図２】
2008084965.tif 000004
【図３】
2008084965.tif 000005
【図４】
2008084965.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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