(57)【要約】【課題】電気光学装置において高品質な画像表示を行うと共に小型化する。【解決手段】素子基板１０上の周辺領域において、少なくとも一部が、素子基板１０の少なくとも一辺に沿って対向基板２０及び素子基板１０間の電気的な導通をとるための上下導通部分１１６ａとしてシール領域５２ａに配置されて形成される上下導通用電極１１６と、対向基板２０及び素子基板１０間において、シール領域５２ａに配置され、上下導通部分１１６ａと電気的に接続されると共に対向電極２１と電気的に接続され、シール領域５２ａにおいて対向基板２０及び素子基板１０間の電気的な上下導通をとる上下導通材５６とを備える。【選択図】図２
2008003384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置された一対の対向基板及び素子基板と、
前記素子基板上に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極が配列された画素領域の周囲に位置するシール領域に配置されており、前記対向基板及び前記素子基板を互いに貼り合せるシール材と、
前記対向基板上に、前記画素電極と対向するように設けられた対向電極と、
前記対向基板及び前記素子基板間の電気的な導通をとるために、前記シール領域のうち前記素子基板の少なくとも一辺に沿った領域に形成された上下導通用電極と、
前記シール領域に配置されており、前記上下導通用電極及び前記対向電極と電気的に接続された上下導通材と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記上下導通用電極は、前記シール領域の内周側であって前記画素領域の周辺に額縁状に位置する領域に少なくとも部分的に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記上下導通用電極は、前記画素領域の外周の内側の一部に額縁状に位置する領域に延設されることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記上下導通用電極は、前記対向電極に対向電極電位を供給する対向電極電位線として設けられており、前記画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置された導電膜から形成されると共に前記シール領域において少なくとも部分的に前記層間絶縁膜から露出される
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記素子基板上に、前記上下導通用電極に対して少なくとも部分的に重畳するように、前記画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置された導電膜から形成されており、前記対向電極に対向電極電位を供給する対向電極電位線を備え、
前記上下導通用電極は、少なくとも部分的に前記画素電極と同一膜から形成されると共に、前記対向電極電位線と、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して、電気的に接続される
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記対向電極電位線は、前記シール領域の内周側であって前記画素領域の周辺に額縁状に位置する領域に少なくとも部分的に形成されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記対向電極電位線は、前記画素領域の外周の内側の一部の領域に額縁状に位置する領域に延設されることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記対向電極電位線は、前記画素電極を駆動するための配線及び電子素子のうち少なくとも一方を構成する導電膜と同一膜から形成されることを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記上下導通用電極は、前記画素領域の周辺に額縁状に位置するダミー領域に少なくとも部分的に延設されることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記複数の画素電極は、前記画素領域の内周側の一部の領域に額縁状に位置するダミー領域と、該ダミー領域以外の有効領域とに配列されており、
前記複数の画素電極のうち、前記ダミー領域に配置された前記画素電極は、ダミー電極として機能する
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記素子基板上の前記周辺領域に形成され、前記複数の画素電極を駆動する周辺回路を備えており、
前記上下導通用電極は、前記周辺回路を構成する回路素子と重畳しないように形成されること
を特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記上下導通材は、前記シール材に混入され、前記対向基板及び前記素子基板間の間隔を所定値とするためのギャップ材としても機能する
ことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記シール材は導電材料により形成され、前記上下導通材を兼ねることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記素子基板は、前記対向基板から張り出した張出領域に配列された複数の外部回路接続端子を備え、
前記対向基板は、前記素子基板が前記張出領域において前記対向基板から張り出すように、且つ、前記画素領域を挟んで前記張出領域と反対側に位置する部分が前記素子基板から張り出すように配置される
ことを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、例えば特許文献１に開示されているように、シール材によって互いに貼り合わされた一対の対向基板及び素子基板間に電気光学物質を挟持してなる。そして、素子基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域において、例えば素子基板の４つの角部に上下導通端子を配置すると共に、対向基板及び素子基板間に、上下導通端子に対応させて配置し且つ上下導通端子に電気的に接続させた上下導通材によって一対の基板間の電気的な上下導通をとる。
【０００３】
ここで、対向基板及び素子基板間において、シール材は、周辺領域において画素領域の周囲に位置するシール領域に配置される。また、シール材は、対向基板及び素子基板間で、これら一対の基板の各々の角部において、上下導通端子及び上下導通材を避けて、上下導通端子及び上下導通材と画素領域との間に配置される。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２５３９９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような電気光学装置では、対向基板及び素子基板間で、上下導通端子の配置に対応させて局所的に電気的な上下導通をとる構成のため、電気光学装置を製造する際に、実際に上下導通端子及び上下導通材の各々の構成や配置について、設計上の構成に対して誤差が生じると、電気光学装置の駆動時に上下導通不良が発生するおそれがある。このような上下導通不良が生じると、例えば対向基板側において素子基板側に画素毎に設けられた画素電極と対向配置された対向電極の電位が設定値と異なってしまい、その結果、表示不良が生じて、表示画像の品質の劣化を招く。特に、電気光学装置の小型化に伴い、その製造時に前述したような誤差は確率的に生じ易くなり、これに起因する上下導通不良もより生じ易くなるおそれがある。
【０００６】
また、電気光学装置を小型化し且つ精細化させる場合に、対向基板及び素子基板の各々の基板上の周辺領域の狭小化が要求され、シール領域や上下導通のための上下導通端子及び上下導通材の配置スペース等をより狭小化する必要がある。しかしながら、上述したように、シール材が上下導通端子及び上下導通材を避けて配置する構成によれば、一対の対向基板及び素子基板の各々の基板上の周辺領域において、各基板の角部で、シール領域と上下導通端子及び上下導通材との配置に要する領域を狭小化するのが困難となる問題点がある。
【０００７】
本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、高品質な画像表示を行うと共に小型化することが可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、互いに対向配置された一対の対向基板及び素子基板と、前記素子基板上に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極が配列された画素領域の周囲に位置するシール領域に配置されており、前記対向基板及び前記素子基板を互いに貼り合せるシール材と、前記対向基板上に、前記画素電極と対向するように設けられた対向電極と、前記対向基板及び前記素子基板間の電気的な導通をとるために、前記シール領域のうち前記素子基板の少なくとも一辺に沿った領域に形成された上下導通用電極と、前記シール領域に配置されており、前記上下導通用電極及び前記対向電極と電気的に接続された上下導通材とを備える。
【０００９】
本発明の電気光学装置では、一対の対向基板及び素子基板を貼り合せるシール材は、複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域のうちシール領域に配置される。そして、対向基板及び素子基板間におけるシール材によって囲まれた領域に例えば電気光学物質として液晶が挟持され、電気光学装置の駆動時、画素毎に画素電極及び対向電極の各々の電位によって規定される印加電圧が液晶に印加される。これにより、画素毎に、液晶の配向状態を制御することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置では、素子基板上において、上下導通用電極が、平面的に見て少なくとも部分的にシール領域に配置され、素子基板の少なくとも一辺に沿って形成される。上下導通用電極のうち、シール領域に配置された部分は、上下導通材を介して、素子基板及び対向基板間の導通をとるための上下導通部分として形成される。また、上下導通材は、対向基板及び素子基板間において、シール領域に、上下導通部分と電気的に接続されて配置される。上下導通材は、シール領域において、上下導通部分に対応させて、上下導通部分の延在方向に沿って連続的に延在するように形成されてもよいし、複数箇所に局所的に配置されてもよい。
【００１１】
よって、本発明の電気光学装置によれば、シール領域において、素子基板の少なくとも一辺に沿う上下導通部分の延在方向に沿って、上下導通材を介して、対向基板及び素子基板間の電気的な導通をとることが可能となる。このような構成によれば、基板上で平面的に見て、両基板間の電気的な導通をとるための各種構成要素とシール領域とを重畳的に配置することが可能となるため、これらの構成要素の配置に要するスペースについて、既に説明した特許文献１に開示された構成と比較して省スペース化を図ることが可能となる。従って、対向基板又は素子基板上の周辺領域を狭小化させることが可能となる。或いは、これに加えて若しくは代えて、画素領域の複数の画素部を駆動するために、素子基板上の周辺領域に周辺回路が設けられる場合には、周辺回路の回路素子や各種配線を配置するためのスペースをより有効に確保する、即ち、例えばこれら各種構成要素の配置に要するスペースを周辺領域を狭小化させたとしてもより大きく確保し、その結果これらの配置についてより大きな設計上の自由度を確保することが可能となる。
【００１２】
また、既に特許文献１を参照して説明したような、局所的に電気的な導通をとる構成と比較して、電気光学装置の製造時、実際に上下導通用電極や上下導通材の構成について、設計上の構成に対して誤差が生じ難くなり、また、このような誤差が生じたとしても、顕著な表示不良を発生させるような程度の上下導通不良の発生を防止することが可能となる。
【００１３】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、電気光学装置を容易に小型化すると共に、小型化しても高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記上下導通用電極は、前記シール領域の内周側であって前記画素領域の周辺に額縁状に位置する領域に少なくとも部分的に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【００１５】
この態様によれば、上下導通用電極は、シール領域の内周側に配置された額縁領域に延在させて形成される。よって、例えば、上下導通用電極における額縁領域に配置された部分を遮光性の材料から形成することで、遮光膜として機能させることが可能となる。即ち、上下導通用電極によって、額縁領域に一般的に配置される額縁遮光膜を少なくとも部分的に代用することが可能となる。これにより、対向基板又は素子基板上の額縁領域において、額縁遮光膜を上下導通用電極と別途設ける手間が不要となり、電気光学装置の製造プロセスにおける工程数を削減することができる。
【００１６】
尚、額縁領域は、シール領域の内周側において、素子基板上で平面的に見て、画素領域の外周側において額縁状に位置する領域として配置されるか、若しくは、画素領域の外周側の領域を含み且つ画素領域の内周側の一部の領域に平面的に見て重畳する額縁状の領域として配置される。
【００１７】
上述した上下導通用電極が画素領域の周辺の額縁状に位置する領域に形成される態様では、前記上下導通用電極は、前記画素領域の外周の内側の一部に額縁状に位置する領域に延設されてもよい。
【００１８】
この場合には、上下導通用電極を、額縁遮光膜として、より一層有効に機能させることができる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記上下導通用電極は、前記対向電極に対向電極電位を供給する対向電極電位線として設けられており、前記画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置された導電膜から形成されると共に前記シール領域において少なくとも部分的に前記層間絶縁膜から露出される。
【００２０】
この態様によれば、電気光学装置の駆動時に、対向電極電位線として形成される上下導通用電極に供給される対向電極電位に基づいて、上下導通材を介した電気的な導通によって対向電極が所定電位に維持される。
【００２１】
この態様では、画素電極より下層側に配置された比較的低抵抗の導電膜により上下導通用電極を形成することにより、上下導通用電極の電気的な抵抗を比較的低抵抗とすることが可能となる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記素子基板上に、前記上下導通用電極に対して少なくとも部分的に重畳するように、前記画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置された導電膜から形成されており、前記対向電極に対向電極電位を供給する対向電極電位線を備え、前記上下導通用電極は、少なくとも部分的に前記画素電極と同一膜から形成されると共に、前記対向電極電位線と、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して、電気的に接続される。
【００２３】
この態様によれば、電気光学装置の駆動時に、対向電極電位線に供給される対向電極電位に基づいて、上下導通用電極及び上下導通材を介した電気的な導通によって対向電極が所定電位に維持される。
【００２４】
ここで、例えば既に説明したように、素子基板上の周辺領域に周辺回路が配置される場合に、周辺回路を構成する回路素子は、好ましくはシール領域の外周側又は内周側に配置される。また、電気光学装置の製造プロセスをより簡易にするために、例えば周辺回路を構成する回路素子や配線を製造する工程は、画素における、画素電極を駆動するための電子素子や配線を製造する工程と同時に行われる。この場合、素子基板上で、画素の構成に対応させて、画素電極より下層側に周辺回路の回路素子等が配置されることとなる。
【００２５】
この態様では、上下導通用電極は、素子基板上において、少なくとも部分的に画素電極と同一膜から形成される。例えば上下導通用電極の一部を額縁領域に配置させる場合に、上下導通用電極の額縁領域に配置された部分は、素子基板上で平面的に見て、周辺回路の回路素子と重畳的に配置される事態が生じ得る。この態様では、このような場合に、画素電極より下層側の対向電極電位線により上下導通用電極を形成する構成と比較して、素子基板上において、上下導通用電極において周辺回路と重畳する部分がより上層側に配置されるため、上下導通用電極が周辺回路に与える電磁的な影響等をより低減することが可能となる。
【００２６】
よって、この態様によれば、既に説明したように上下導通用電極の一部を額縁遮光膜として機能させたり、或いはより電気容量を大きく確保するために、素子基板上で上下導通用電極をシール領域からシール領域外に延在させて形成したりする場合に、上下導通用電極のシール領域外に延在させた一部が、周辺回路に与える影響を、その動作に起因する表示不良として画像表示において視認されない程度に小さく抑えることができる。
【００２７】
加えて、上下導通用電極は、画素電極と少なくとも部分的に同一膜により形成されるため、電気光学装置の製造プロセスにおいて、上下導通用電極を画素電極と共に形成することで、工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。尚、ここでいう「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜を意味する。
【００２８】
上述した対向電極電位線を備える態様では、前記シール領域の内周側であって前記画素領域の周辺に額縁状に位置する領域に少なくとも部分的に形成されてもよい。
【００２９】
この場合には、対向電極電位線において額縁領域に配置される少なくとも一部が遮光膜として形成されることにより、額縁遮光膜を少なくとも部分的に代用することが可能となる。
【００３０】
上述した対向電極電位線が画素領域の周辺の額縁状に位置する領域に形成される態様では、前記対向電極電位線は、前記画素領域の外周の内側の一部の領域に額縁状に位置する領域に延設されてもよい。
【００３１】
この場合には、対向電極電位線を、額縁遮光膜として、より一層有効に機能させることが可能となる。
【００３２】
上述した対向電極電位線を備える態様では、前記対向電極電位線は、前記画素電極を駆動するための配線及び電子素子のうち少なくとも一方を構成する導電膜と同一膜から形成されてもよい。
【００３３】
この場合には、電気光学装置の製造プロセスにおいて、対向電極電位線を、各画素電極を駆動するための配線や電子素子と共に形成することで、工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記上下導通用電極は、前記画素領域の周辺に額縁状に位置するダミー領域に少なくとも部分的に延設される。
【００３５】
この態様によれば、素子基板上において、シール領域の内周側であって画素領域の周辺にダミー領域が配置される。ここで、一般には、電気光学装置では、画素領域において配列された複数の画素電極のうち、画素領域の縁付近に配置された画素電極では、画素領域の中央付近に配置された画素電極と比較して、その動作が不安定となり良好な画像表示を行うことが困難なことに鑑み、画素領域には、画素領域のうち画像表示を行う有効領域と、この有効領域を画素領域の縁に沿って額縁状に規定するダミー領域とが配置される。そして、ダミー領域に配置された画素電極は、電気光学装置の駆動時、有効領域に配置された画素電極と同様に駆動されるものの、実際の画像表示には寄与しないダミー画素電極として機能する。電気光学装置の駆動時に、ダミー画素電極には例えば黒表示を行うための画像信号（以下、このような画像信号を「黒信号」と称して説明する場合もある）が供給され、ダミー画素電極の電位は、黒信号に応じた電位となり、ダミー画素電極及び対向電極の各々の電位に応じた印加電圧が電気光学物質に印加される。尚、電気光学物質として例えば液晶を用いる場合には、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するため、液晶は交流駆動される。
【００３６】
しかしながら、このようにダミー画素電極が黒信号によって駆動されると、経時的に液晶に直流成分が印加され易くなり、ダミー領域において液晶の劣化が有効領域と比較して速く進行するおそれがある。このような液晶の劣化に起因して、ダミー領域から有効領域に向かって液晶の劣化が次第に進行して、表示画像において表示不良が発生する不具合が生じ得る。
【００３７】
この態様では、素子基板上において前述したようなダミー領域に、上下導通用電極が少なくとも部分的に配置される。尚、本態様では、素子基板上のダミー領域において、その一部において、画素領域に配列された複数の画素電極に加えてダミー画素電極を配置し、ダミー画素電極が配置されなかったダミー領域の他部に上下導通用電極の一部が配置されてもよい。或いは、ダミー領域には、ダミー画素電極を配置しないで、概ねその全域に上下導通用電極の一部を配置させるようにしてもよい。
【００３８】
また、対向基板側において、例えば対向電極は、画素領域において画素電極と対向し且つダミー領域において、上下導通用電極の一部若しくは該一部に加えてダミー画素電極と対向するように配置される。そして、電気光学装置の駆動時、上下導通用電極に対向電極電位が供給されると共に、上下導通用電極及び上下導通材を介する電気的な上下導通によって、対向電極にも対向電極電位が供給される。よって、ダミー領域において、上下導通用電極の一部及び対向電極の各々の電位をほぼ同程度の電位として、これら電極間の電位差を小さくして液晶を交流駆動することができる。これにより、ダミー領域に配置された上下導通用電極の一部に、ダミー画素電極を代用させることが可能となる。また、ダミー領域において、少なくとも上下導通用電極の一部が配置された部分では、液晶に直流成分が印加され難くなり、その結果、液晶の劣化が有効領域と比較して速く進行する事態を防止することが可能となる。
【００３９】
よって、本態様では、ダミー領域における液晶の劣化に起因する表示不良の発生を防止することが出来、電気光学装置の信頼性を向上させて高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００４０】
また、本態様では、素子基板上の周辺領域において、例えば周辺回路が配置される場合には、ダミー画素電極を駆動するための周辺回路の一部を、ダミー領域にダミー画素電極のみが配置される場合と比較して、上下導通用電極の一部がダミー画素電極を代用する分だけ省くことができる。よって、素子基板上の周辺領域をより狭小化させることが可能となる。
【００４１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の画素電極は、前記画素領域の内周側の一部の領域に額縁状に位置するダミー領域と、該ダミー領域以外の有効領域とに配列されており、前記複数の画素電極のうち、前記ダミー領域に配置された前記画素電極は、ダミー電極として機能する。
【００４２】
この態様によれば、素子基板上の画素領域において、画素領域の縁付近に配置され、動作が不安定となり正常な画像表示を行うことが困難な画素電極をダミー画素電極として機能させることにより、有効領域において安定した良好な画像表示を行うことが可能となる。
【００４３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記素子基板上の前記周辺領域に形成され、前記複数の画素電極を駆動する周辺回路を備えており、前記上下導通用電極は、前記周辺回路を構成する回路素子と重畳しないように形成される。
【００４４】
この態様によれば、素子基板上の周辺領域において、上下導通用電極が、素子基板上で平面的に見て、その一部において周辺回路と重畳することにより、周辺回路の回路素子に対して電磁的な影響等を及ぼす事態を防止することが可能となる。
【００４５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記上下導通材は、前記シール材に混入され、前記対向基板及び前記素子基板間の間隔を所定値とするためのギャップ材としても機能する。
【００４６】
この態様によれば、上下導通材がシール材にギャップ材を兼ねて混入されて形成されることにより、シール領域において電気的な導通を行うと共に、対向基板及び素子基板間の間隔、即ち「基板間ギャップ」（或いは単に「ギャップ」）を制御することが可能となる。
【００４７】
よって、この態様によれば、電気光学装置の製造プロセスにおいて、シール材を塗布する工程において上下導通材を形成することが可能となり、工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。
【００４８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シール材は導電材料により形成され、前記上下導通材を兼ねる。
【００４９】
この態様によれば、シール材は、例えば導電ペーストにより上下導通材を兼ねて形成される。よって、上述の上下導通材がギャップ材を兼ねる態様と同様に、電気光学装置の製造プロセスにおいて、シール材を塗布する工程において上下導通材を形成することが可能となり、工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。
【００５０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記素子基板は、前記対向基板から張り出した張出領域に配列された複数の外部回路接続端子を備え、前記対向基板は、前記素子基板が前記張出領域において前記対向基板から張り出すように、且つ、前記画素領域を挟んで前記張出領域と反対側に位置する部分が前記素子基板から張り出すように配置される。
【００５１】
この態様によれば、電気光学装置は、その製造プロセスにおいて、対向基板を複数含む第１大型基板及び素子基板を複数含む第２大型基板を互いに、一対の対向基板及び素子基板毎に貼り合せるために形成されたシール材によって、貼り合わせた後、一対の対向基板及び素子基板毎に第１大型基板及び第２大型基板を夫々切断することにより製造される。
【００５２】
ここで、第１大型基板は、第２大型基板における各素子基板の張出領域が対向基板から張り出すように、第２大型基板に対して対向配置させる。よって、切断前の第１及び第２大型基板が互いに対向配置された状態で、第２大型基板における互いに隣接する素子基板に対して、これら素子基板に対応する第１大型基板の対向基板は次のように配置される。即ち、互いに隣接する素子基板のうち一方の素子基板は対応する対向基板より張出領域において張り出すように配置されると共に、対向基板は一方の素子基板に対して張出領域と画素領域を挟んで反対側に位置する部分が張り出すように配置される。そして、このように一方の素子基板から張り出した対向基板の一部は他方の素子基板の張出領域と平面的に見て重畳して配置される。
【００５３】
よって、この態様によれば、第１及び第２大型基板をアライメントして貼り合せることで、一対の対向基板及び素子基板毎のアライメント及び貼り合わせを一括して行うことが可能となる。従って、例えば、第２大型基板の各素子基板に対して、第１大型基板を切断して得られた対向基板を個々に貼り合せるような製造プロセスと比較して、以下の利益を享受することが可能となる。
【００５４】
即ち、本態様では、対向基板及び素子基板の各々について、アライメントマークの配置が不要となる。また、対向基板を個々に貼り合わせた状態で第２大型基板を切断する場合には、対向基板の周囲において、対向基板から素子基板の一部を張り出させて、実質的な切りしろを素子基板の周辺領域において稼ぐ必要がある。これに対して、本態様では、第１及び第２大型基板が互いに貼り合わされた状態で各々を別々に切断することにより、第２大型基板において素子基板を対向基板の存在をも考慮して切りしろをかせぐ構成としなくてもよい。
【００５５】
よって、この態様によれば、対向基板又は素子基板上の周辺領域をより狭小化させることが可能となる。また、電気光学装置の製造プロセスの工程数をより削減し、簡易にすることができる。
【００５６】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備してなる。
【００５７】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うと共に小型化することが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）を用いた表示装置等を実現することも可能である。
【００５８】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５９】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００６０】
＜１：第１実施形態＞
本発明の電気光学装置に係る第１実施形態について、図１から図７を参照して説明する。
【００６１】
先ず、本実施形態における液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、本発明に係る「素子基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た液晶装置の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【００６２】
図１及び図２において、液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画素領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間におけるシール材５２によって囲まれた領域に液晶５０が封入される。尚、シール材５２には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０により挟まれた間隙内に液晶を注入するための液晶注入口が設けられ、この液晶注入口には、前記間隙内に導入された液晶が外部に漏れることのないようにするため、例えば紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる封止材５４が設けられる。
【００６３】
シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画素領域１０ａの外周側の領域を含み画素領域１０ａの内周側の一部の領域に額縁状に重畳する額縁領域５３ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。本実施形態では、画素領域１０ａは、後述するように、図３に示されたような、画像表示が行われる有効領域１０ａａと、画素領域１０ａに縁に沿った内周側の一部の領域に額縁状に配置されるダミー領域１０ａｂとから構成される。額縁領域５３ａは、画素領域１０ａに対して、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ダミー領域１０ａｂと重畳し、有効領域１０ａａを規定するように配置される。
【００６４】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画素領域１０ａの周辺に位置する周辺領域において、本発明に係る「周辺回路」は、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、外部回路接続端子１０２を含んで形成される。
【００６５】
ＴＦＴアレイ基板１０上において、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域５２ａより内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画素領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置される。
【００６６】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００６７】
尚、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、走査線駆動回路１０４及びサンプリング回路７のうち両方又はいずれか一方が、少なくとも部分的にシール領域５２ａより外側に配置されてもよい。
【００６８】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上において、上下導通用電極１１６が、シール領域５２ａに配置され、ＴＦＴアレイ基板１０の少なくとも一辺に沿って形成される。本実施形態では、図１に示すように、上下導通用電極１１６は、例えばＴＦＴアレイ基板１０の４辺の各々に対して連続的に沿うように形成される。
【００６９】
ここで、シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、上下導通材５６が散布されて設けられる。上下導通材５６は例えば金メッキボールにより、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０間のギャップを調整するためのギャップ材を兼ねて形成される。
【００７０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線上に画素電極９ａが、更にその上から配向膜１６が形成されている。尚、本実施形態では、画素スイッチング素子はＴＦＴのほか、各種トランジスタ或いはＴＦＤ等により構成されてもよい。また、ＴＦＴアレイ基板１０側及び対向基板２０側に設けられる配向膜１６及び２２は夫々、例えばポリイミド等の有機材料若しくはシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料から形成される。
【００７１】
他方、対向基板２０上の画素領域１０ａにおける有効領域１０ａａには、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成され、この遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、液晶層５０を介して複数の画素電極９ａと対向する対向電極２１が形成されている。更に、対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）に配向膜２２が形成される。
【００７２】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００７３】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００７４】
次に、液晶装置に係る電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに、図３は、画素領域及び周辺回路の構成を概略的に示すブロック図である。
【００７５】
図３において、液晶装置には既に説明したように周辺回路を構成する、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７が設けられている。
【００７６】
走査線駆動回路１０４には、外部回路接続端子１０２を介して、図３中には図示しない外部回路より、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍを順次生成して出力する。
【００７７】
本実施形態では、データ線駆動回路１０１には、外部回路接続端子１０２を介して、外部回路よりＸクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、ＸスタートパルスＤＸが供給される。そして、データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング回路駆動信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを順次生成して出力する。
【００７８】
サンプリング回路７は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ７１を複数備える。サンプリング回路７には、外部回路より外部回路接続端子１０２に供給された画像信号ＶＩＤが、画像信号線６を介して供給される。本実施形態では、画像信号線６は一本とし、いずれのサンプリングスイッチ７１もこの画像信号線６から画像信号ＶＩＤを供給される場合について説明するが、画像信号は、シリアル−パラレル展開（即ち、相展開）されていてもよい。例えば、画像信号を画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の６相にシリアル−パラレル展開した場合、これらの画像信号は、６本の画像信号線を介してサンプリング回路７に入力される。複数の画像信号線に対し、シリアルな画像信号を変換して得たパラレルな画像信号を同時供給すると、データ線６ａへの画像信号入力をグループ毎に行うことができ、駆動周波数が抑えられる。
【００７９】
サンプリング回路７は、各サンプリングスイッチ７１が、データ線駆動回路１０１から出力されるサンプリング回路駆動信号Ｓ１、・・・、Ｓｎに応じて、各データ線６ａに、画像信号ＶＩＤを供給するように構成されている。
【００８０】
液晶装置は、そのＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画素領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線６ａ及び走査線１１ａを備えている。それらの交点に対応する各画素部には、マトリクス状に配列された画素電極９ａ、及び画素電極９ａとデータ線６ａ間の導通をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０を備える。尚、画素領域１０ａにおいて、有効領域１０ａａに配置される画素部は、画像表示を行う有効画素部９０ａとして機能し、ダミー領域１０ａｂに配置される画素部は、有効画素部９０ａと同様に駆動されるが、画像表示には寄与しないダミー画素部９０ｂとして機能する。
【００８１】
本実施形態では、有効画素部９０ａとダミー画素部９０ｂとは同様の構成を有する。図３中、有効画素部９０ａの構成に着目すれば、ＴＦＴ３０のソース電極には、データ線６ａが電気的に接続されている一方、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａには、走査線１１ａが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン電極には、画素電極９ａが接続されている。ここで、画素領域１０ａでは、各画素部において、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶が挟持され、各画素部は、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。
【００８２】
走査線駆動回路１０４から出力される走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍによって、各走査線１１ａは線順次に選択される。選択された走査線１１ａに対応する画素部において、ＴＦＴ３０に走査信号Ｇｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｍ）が供給されると、ＴＦＴ３０はオン状態となり、当該画素部は選択状態となる。この画素部において画素電極９ａには、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａより画像信号ＶＩＤが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。
【００８３】
液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号ＶＩＤに応じた階調をもつ光が出射する。
【００８４】
ここで、本実施形態では、例えば画像信号ＶＩＤの電位が、所定の基準電位に対して正極性及び負極性に反転され、このように極性反転された画像信号ＶＩＤが外部回路より供給されることにより、液晶装置では液晶は交流駆動される。これにより、直流成分の印加による液晶の劣化を防止することができる。尚、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量７０が、画素電極９ａと並列に付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。
【００８５】
また、本実施形態では、図３中、ダミー領域１０ａｂにおいて、画素領域１０ａの上方側に配置され且つ走査信号Ｇ１〜Ｇ４が供給される４本の走査線１１ａ、及び画素領域１０ａの下方側に配置され且つ走査信号Ｇｍ−３〜Ｇｍが供給される４本の走査線１１ａ、加えて画素領域１０ａの左端に配置され且つサンプリング回路駆動信号Ｓ１〜Ｓ１０に基づいて画像信号ＶＩＤが供給される１０本のデータ線６ａ、及び画素領域１０ａの右端に配置され且つサンプリング回路駆動信号Ｓｎ−９〜Ｓｎに基づいて画像信号ＶＩＤが供給される１０本のデータ線６ａに対応して配列された画素部が、ダミー画素部９０ｂとして機能する。そして、有効領域１０ａａにおける有効画素部９０ａは、走査信号Ｇ５〜Ｇｍ−４、及びサンプリング回路駆動信号Ｓ１１〜Ｓｎ−１０に応じて供給される画像信号ＶＩＤに基づいて、駆動され、画像表示を行う。
【００８６】
本実施形態では、ダミー領域１０ａｂにおいて、各ダミー画素部９０ｂでは、例えば黒信号に基づいて黒色（最低階調）に相当する透過光を出射させることで、黒色の同一階調の表示が行われるものとする。これにより、液晶装置における画素領域１０ａでは、有効領域１０ａａにおける表示画像の縁が黒く縁取られる。
【００８７】
よって、本実施形態では、液晶装置における画素領域１０ａの縁付近に配置され、動作が不安定となり正常な画像表示を行うことが困難な画素部をダミー画素部９０ｂとして機能させることにより、有効領域１０ａａにおいて安定した良好な画像表示を行うことが可能となる。
【００８８】
次に、図３を参照して説明した動作を実現する画素部の具体的構成について、図４を参照して説明する。図４は、画素部の断面部分の構成を示す断面図である。尚、図４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する図５以降の各図について同様であり、係る縮尺については各図毎でも互いに異なることもある。
【００８９】
図４において、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００９０】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００９１】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、シール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００９２】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。以下では、この積層構造について、下から順に説明する。
【００９３】
先ず、ＴＦＴアレイ基板１０上において、第１層には、走査線１１ａが設けられ、走査線１１ａより上層側に下地絶縁膜１２が設けられている。
【００９４】
この下地絶縁膜１２より上層側の第２層には、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、ゲート電極３ａ、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。また、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。
【００９５】
ここで、下地絶縁膜１２にはコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。
【００９６】
ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９より上層側に第１層間絶縁膜４１が形成される。第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。更に、第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００９７】
第１層間絶縁膜４１より上層側の第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００９８】
下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。また、容量電極３００は、後述する固定電位とされた容量線４００と電気的に接続されている。尚、誘電体膜７５は、例えば下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有する。
【００９９】
蓄積容量７０より上層側には、第２層間絶縁膜４２が形成される。第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。更に、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【０１００】
そして、第２層間絶縁膜４２より上層側の第４層に、データ線６ａが設けられている。データ線６ａは、例えば、下層より順に、アルミニウムからなる層（図５における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図５における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図５における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。また、第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。
【０１０１】
データ線６ａより上層側には、第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量線４００と容量線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【０１０２】
第３層間絶縁膜４３より上層側の第５層には、容量線４００が形成されると共に、容量線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。ここで、容量線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。
【０１０３】
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、画素電極９ａ下には、第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、コンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
【０１０４】
以上説明したような画素部における構成は、各画素部において共通であり、図１から図３を参照して説明した画素領域１０ａには、かかる画素部における構成が周期的に形成されている。
【０１０５】
次に、本実施形態において特徴的な上下導通用電極用電極１１６及び上下導通材５６の構成について、図５及び図６を参照して、より詳細に説明する。ここに、図５は、本実施形態における上下導通に係る概略的な構成を示す平面図であって、図６は、本実施形態における上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【０１０６】
以下では、図５及び図６を参照して、ＴＦＴアレイ基板１０におけるサンプリング回路７及びデータ線駆動回路１０１が配置された一辺に沿う、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０間の電気的な上下導通に係る構成の一部について詳細に説明する。尚、以下に説明する電気的な上下導通に係る構成については、ＴＦＴアレイ基板１０の他辺に沿う他部についてもほぼ同様である。
【０１０７】
図５及び図６において、既に説明したように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、額縁領域５３ａは、有効領域１０ａａを規定するようにダミー領域１０ａｂと重畳して配置される。従って、ダミー画素部９０ｂを構成する画素電極９ａ等は、ＴＦＴアレイ基板１０上で対向基板２０側から見て、額縁遮光膜５３と重畳して、額縁遮光膜５３の下側に配置される。尚、図５及び図６においては、画素部に含まれるＴＦＴ３０やデータ線６ａ、走査線１１ａの配置や構成を概略的に示してある。
【０１０８】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上において、図１及び図２を参照して説明したように、上下導通用電極１１６がシール領域５２ａに配置されると共に、シール材５２中にギャップ材を兼ねて混入された上下導通材５６と電気的に接続される。本実施形態では、図６に示すように、上下導通用電極１１６は、例えば、図４を参照して説明した画素部における容量線４００と同層の、第３層間絶縁膜４３より上層側に配置され、且つ同一膜により形成される。この場合、上下導通用電極１１６は容量線４００と同様に下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。よって、上下導通用電極１１６の電気的な抵抗を比較的低抵抗とし、更には液晶装置の製造プロセスにおいて、上下導通用電極１１６を、画素領域１０ａに作り込まれる容量線４００と共に形成することで、製造プロセスの工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。
【０１０９】
また、上下導通用電極１１６は、電気光学装置の駆動時に、外部回路より外部回路接続端子１０２を介して対向電極電位が供給される対向電極電位線として画素領域１０ａを囲むように設けられる。図６に示すように、上下導通用電極としての対向電極電位線１１６の表面が、シール領域５２ａにおいて少なくとも部分的に露出するように、この表面上の第４層間絶縁膜４４は除去される。このように、対向電極電位線１１６において、第４層間絶縁膜４４よりその表面が露出された部分が上下導通部分１１６ａとして、上下導通材５６と接触する。また、上下導通材５６は、対向基板２０側の対向電極２１とも接触するように配置される。これにより、液晶装置の駆動時に、対向電極電位線１１６及び対向電極２１は上下導通材５６を介して電気的に接続され、このような電気的な上下導通によって、対向電極２１には対向電極電位が供給されて、対向電極２１は所定電位となる。
【０１１０】
尚、シール領域５２ａにおいて、上下導通部分１１６ａ又は対向電極２１上には、画素領域９ａから連続的に配向膜１６又は２２が延在して形成されることがある。この場合、液晶装置の製造時に、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０をシール材５２によって圧着させる際に、上下導通材５６は、上下導通部分５６が配置された箇所において配向膜１６又は２２を突き破って、上下導通部分１１６ａ又は対向電極２１と接触されて配置される。また、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０を貼り合せる際に、このような作用を得ることが困難である場合は、予め、シール領域５２ａにおいて、上下導通部分１１６ａ又は対向電極２１上に位置する配向膜１６又は２２を除去して、上下導通部分１１６ａ又は対向電極２１の表面を部分的に露出させるようにしてもよい。
【０１１１】
ここで、図７を参照して本実施形態の比較例について説明する。図７は、比較例における液晶装置の構成を概略的に示す平面図である。図７は、図１と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た平面的な構成について図示してある。また、比較例の構成について、本実施形態と同様の構成については同一符号を付して示し、重複する説明を省略することもある。以下では、比較例について本実施形態と異なる点についてのみ説明する。
【０１１２】
図７において、ＴＦＴアレイ基板１０及びこれと対向配置された対向基板２０の各々の基板の４つの角部に対して、ＴＦＴアレイ基板１０上に上下導通端子１０６が配置され、この上下導通端子１０６の配置を避けてシール領域５２ａが配置される。そして、シール領域５２ａに配置されたシール材５２によってＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が貼りあわされる。シール材５２には、例えば、グラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布される。また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に上下導通端子１０６に対応して配置された上下導通材によって、上下導通端子１０６及び対向電極２１が電気的に接続される。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の電気的な上下導通が可能となる。そして、液晶装置の駆動時、上下導通端子１０６には、外部回路接続端子１０２を介して対向電極電位が供給され、上述したような電気的な上下導通によって、対向電極２１に対向電極電位が供給される。
【０１１３】
このような構成によれば、上下導通端子１０６の配置に対応させて局所的に電気的な上下導通をとる構成のため、液晶装置を製造する際に、実際に上下導通端子１０６及び上下導通材の各々の構成や配置について、設計上の構成に対して誤差が生じると、液晶装置の駆動時に上下導通不良が発生するおそれがある。また、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０の各々の基板上の周辺領域において、各基板の角部で、シール領域５２ａと上下導通端子１０６及び上下導通材との配置に要する領域を狭小化するのが困難となる。
【０１１４】
これに対して、本実施形態では、シール領域５２ａにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０の少なくとも一辺に沿う上下導通部分１１６ａの延在方向に沿って、上下導通材５６を介して、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０間の電気的な上下導通をとることが可能となる。
【０１１５】
よって、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０の各々の基板上で平面的に見て、両基板間の電気的な上下導通をとるための各種構成要素とシール領域５２ａとを重畳的に配置することが可能となるため、これらの構成要素の配置に要するスペースについて、省スペース化を図ることが可能となる。従って、対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域を狭小化させることが可能となる。また、サンプリング回路７やデータ線駆動回路１０１等を含む周辺回路の回路素子や各種配線を配置するためのスペースをより有効に確保する、即ち、例えばこれら各種構成要素の配置に要するスペースを周辺領域を狭小化させたとしてもより大きく確保し、その結果これらの配置についてより大きな設計上の自由度を確保することが可能となる。
【０１１６】
また、液晶装置の製造時、比較例の構成と比較して、実際に対向電極電位線１１６や上下導通材５６の構成について、設計上の構成に対して誤差が生じ難くなり、また、このような誤差が生じたとしても、顕著な表示不良を発生させるような程度の上下導通不良の発生を防止することが可能となる。
【０１１７】
更に、図１又は図５に示すように、対向電極電位線１１６は、シール領域５２ａに配置され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てサンプリング回路７のサンプリングスイッチ７１等、周辺回路を構成する回路素子と重畳しないように形成される。よって、対向電極電位線１１６において周辺回路と重畳する部分が、周辺回路の回路素子に対して電磁的な影響等を及ぼす事態を防止することが可能となる。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上で周辺回路において、サンプリング回路７を構成するサンプリングスイッチ７１等の回路素子は、例えば液晶装置の製造プロセスをより簡易にするために、画素部のＴＦＴ３０等と共に製造され、対向電極電位線１１６より下層側に配置されて形成される。
【０１１８】
加えて、上下導通材５６がシール材５２にギャップ材を兼ねて混入されて形成されることにより、シール領域５２ａにおいて電気的な上下導通を行うと共にギャップを制御することが可能となる。よって、液晶装置の製造プロセスにおいて、シール材５２を塗布する工程において上下導通材５６を形成することが可能となり、製造プロセスの工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。尚、本実施形態では、シール材５２が例えば導電ペーストにより上下導通材を兼ねて形成されるようにしてもよい。このような構成によっても、シール材５２を塗布する工程において上下導通材５６を形成することが可能となる。
【０１１９】
よって、以上説明したような本実施形態によれば、液晶装置を容易に小型化すると共に、小型化しても高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【０１２０】
続いて、本実施形態の変形例について、図８及び図９を参照して説明する。本変形例について、図８は、上下導通に係る概略的な構成を示す平面図であって、図９は、上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【０１２１】
図８及び図９に示すように、本変形例では、ＴＦＴアレイ基板１０上のシール領域５２ａにおいて、上下導通用電極１１６は、例えば、画素部における画素電極９ａと同層の、第４層間絶縁膜４４より上層側に配置され、且つ同一膜により形成される。上下導通用電極１１６において、シール領域５２ａに配置された部分が上下導通部分１１６ａとして、上下導通材５６と接触する。
【０１２２】
また、上下導通用電極１１６とは別に、ＴＦＴアレイ基板１０上には、シール領域５２ａに対向電極電位線１１７が、平面的に見て上下導通用電極１１６と少なくとも部分的に重畳するように形成される。対向電極電位線１１７は、例えば、画素部における容量線４００と同層の、第３層間絶縁膜４３より上層側に配置され、且つ同一膜により形成される。そして、対向電極電位線１１７と上下導通用電極１１６とは、第４層間絶縁膜４４に開孔されたコンタクトホール１１５を介して電気的に接続される。
【０１２３】
よって、本変形例では、液晶装置の製造プロセスにおいて、上下導通用電極１１６及び対向電極電位線１１７を、画素部における画素電極９ａ及び容量線４００と共に形成し、且つ画素部におけるコンタクトホール８９と共に同一機会にコンタクトホール１１５を開孔することが可能となる。従って、液晶装置の製造プロセスの工程数を削減し、より簡略化することが可能となる。
【０１２４】
尚、本変形例では、対向電極電位線１１７は、画素部における容量線４００以外のデータ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等の電子素子を形成する導電膜により形成されてもよい。
【０１２５】
＜２：第２実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第２実施形態について説明する。第２実施形態における電気光学装置は、第１実施形態と比較して、特に上下導通用電極の構成が異なっている。尚、第２実施形態について、第１実施形態と重複する説明を省略すると共に、第１実施形態との共通箇所には、同一符号を付して示し、異なる点についてのみ図１０から図１３を参照して説明する。尚、第１実施形態との共通箇所について、図１から図６を参照して説明することもある。
【０１２６】
ここに、図１０は、第２実施形態における液晶装置の概略的な平面図であり、図１１は、第２実施形態における液晶装置の図２に対応する断面部分の構成を示す断面図である。また、第２実施形態におけるＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の電気的な上下導通に関して、図１２は、上下導通に係る概略的な構成を示す平面図であって、図１３は、上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【０１２７】
第２実施形態における電気光学装置の一例たる液晶装置では、図１０又は図１１に示すように、上下導通用電極１１６は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴアレイ基板１０の少なくとも一辺に沿って形成され、その一部がシール領域５２ａに配置されると共に、シール領域５２ａに配置された部分以外の他部が、シール領域５２ａより内周側における額縁領域５３ａの少なくとも一部に配置されて形成される。そして、上下導通用電極１１６において、少なくとも額縁領域５３ａに配置された部分は、遮光性の材料により形成される。図１０において、上下導通用電極１１６は、例えばＴＦＴアレイ基板１０の４辺の各々に対して連続的に沿って、シール領域５２ａから額縁領域５３ａに延在させて連続的に形成される。これにより、上下導通用電極１１６は、画素領域１０ａにおける有効領域１０ａａを規定するように、有効領域１０ａａの周辺に額縁状に形成される。
【０１２８】
ここに、図１２又は図１３には、図５又は図６と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０におけるサンプリング回路７及びデータ線駆動回路１０１が配置された一辺に沿う、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０間の電気的な上下導通に係る構成の一部について示してある。尚、以下に説明する上下導通に係る構成については、ＴＦＴアレイ基板１０の他辺に沿う他部について概ね同様である。
【０１２９】
図１３に示すように、上下導通用電極１１６は、例えば画素部における容量線４００と同層の、第３層間絶縁膜４３より上層側に配置され且つ同一膜により、例えば対向電極電位線として設けられる。よって、対向電極電位線１１６は、遮光性を有する導電膜により形成される。
【０１３０】
また、対向電極電位線１１６において、シール領域５２ａに配置された一部の表面が第４層間絶縁膜４４より露出すると共に、第４層間絶縁膜４４よりその表面が露出された部分が上下導通部分１１６ａとして、上下導通材５６と接触する。よって、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、シール領域５２ａにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０の少なくとも一辺に沿う上下導通部分１１６ａの延在方向に沿って、上下導通材５６を介して、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０間の電気的な上下導通をとることが可能となる。
【０１３１】
また、上下導通用電極１１６において、上下導通部分１１６ａ以外の他部は、少なくとも部分的に上下導通部分１１６ａと連続的に額縁領域５３ａに配置されて形成される。よって、第２実施形態では、上下導通用電極１１６において、額縁領域５３ａに配置される部分により、額縁遮光膜を少なくとも部分的に代用することが可能となる。例えば、図１０、図１１、又は図１３に示すように、対向基板２０側に額縁遮光膜を形成せずに、額縁領域５３ａに配置された上下導通用電極１１６の一部によって、額縁遮光膜を代用させることができる。
【０１３２】
ここで、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て額縁領域５３ａと重畳するダミー領域１０ａｂにおいて、ダミー画素部９０ｂでは、容量線４００を、図４を参照して説明したように蓄積容量７０の容量電極３００と別途設ける構成に代えて、容量電極３００を容量線の一部として形成して、上下導通用電極１１６と異なる層に容量線を形成するとよい。
【０１３３】
よって、第２実施形態では、対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０上の額縁領域５３ａにおいて、額縁遮光膜を上下導通用電極１１６と別途設ける手間が不要となり、液晶装置の製造プロセスにおける工程数をより削減することができる。従って、液晶装置の製造プロセスをより簡易な工程で行い、製造コストを削減する等の利益を享受することが可能となる。
【０１３４】
尚、第２実施形態では、対向基板２０側において、ＴＦＴアレイ基板１０側の上下導通用電極１１６の一部と共に額縁領域５３ａを規定するように額縁遮光膜が部分的に形成されてもよいし、第１実施形態と同様に額縁遮光膜それ自体が上下導通用電極１１６の一部と別途設けられるようにしてもよい。
【０１３５】
次に、第２実施形態の変形例について、図１４及び図１５を参照して説明する。第２実施形態の変形例について、図１４は、上下導通に係る概略的な構成を示す平面図であって、図１５は、上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【０１３６】
本変形例は、図８又は図９を参照して説明した第１実施形態の変形例と同様の構成を有する。よって、図１４及び図１５において、同様の構成については、図８又は図９と同一符号を付して示し、以下では、第１実施形態の変形例と異なる点についてのみ説明し、重複する説明を省略する。
【０１３７】
図１４及び図１５に示すように、本変形例では、ＴＦＴアレイ基板１０上のシール領域５２ａにおいて、上下導通用電極１１６は、画素電極９ａと同層に配置され且つ同一膜により形成され、シール領域５２ａに配置された上下導通部分１１６ａにおいて上下導通材５６と接触する。
【０１３８】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上において、例えば容量線４００と同層に配置され且つ同一膜により形成され、上下導通用電極１１６とコンタクトホール１１５を介して電気的に接続された対向電極電位線１１７は、その一部が、額縁領域５３ａの少なくとも一部に配置される。例えば、対向電極電位線１１７は、図１４に示すように、シール領域５２ａにおいてＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、その一部が上下導通用電極１１６と重畳的に配置されると共に、シール領域５２ａから額縁領域５３ａに延在させて連続的に形成され、ＴＦＴアレイ基板１０の少なくとも一辺に沿って有効領域１０ａａを規定するように、有効領域１０ａａの周辺に額縁状に形成される。
【０１３９】
よって、本変形例によれば、対向電極電位線１１７は遮光性を有する導電膜により形成されるため、対向電極電位線１１７において、額縁領域５３ａに配置された部分によって、額縁遮光膜を少なくとも部分的に代用することが可能となる。例えば、図１５に示すように、対向基板２０側に額縁遮光膜を形成せずに、額縁領域５３ａに配置された対向電極電位線１１７の一部によって、額縁遮光膜を代用させることができる。従って、本変形例によれば、対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０上の額縁領域５３ａにおいて、額縁遮光膜を対向電極電位線１１７と別途設ける手間が不要となり、液晶装置の製造プロセスにおける工程数をより削減することができる。
【０１４０】
尚、図１４において、上下導通用電極１１６を、シール領域５２ａに配置された上下導通部分１１６ａから上下導通部分１１６ａ以外の他部を延在させて、その少なくとも一部を額縁領域５３ａに形成し、額縁領域５３ａに配置された部分を遮光性の材料により形成することで、対向電極電位線１１７に加えて上下導通用電極１１６の一部によって、額縁遮光膜を少なくとも部分的に代用するようにしてもよい。
【０１４１】
＜３：第３実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第３実施形態について説明する。第３実施形態における電気光学装置は、特に第２実施形態と比較して、画素領域の構成が異なっている。尚、第３実施形態について、第２実施形態と重複する説明を省略すると共に、第２実施形態との共通箇所には、同一符号を付して示し、異なる点についてのみ図１６及び図１７を参照して説明する。尚、第２実施形態との共通箇所について、図１から図１３を参照して説明することもある。
【０１４２】
ここに、第３実施形態におけるＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の電気的な上下導通に関して、図１６は、上下導通に係る概略的な構成を示す平面図であって、図１７は、上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。図１６又は図１７には、ＴＦＴアレイ基板におけるサンプリング回路及びデータ線駆動回路が配置された一辺に沿う、対向基板及びＴＦＴアレイ基板間の電気的な上下導通に係る構成の一部について示してある。
【０１４３】
第３実施形態では、図１６に示すように、液晶装置において、画素領域１０ａは画像表示が行われる有効領域として形成され、画素領域１０ａに配列される画素部は有効画素部９０ａとして機能すると共に、画素領域１０ａの外周側であってシール領域５２ａの内周側に、額縁状にダミー領域１０ｂが配置される。そして、シール領域５２ａの内周側において、額縁領域５３ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ダミー領域１０ｂと重畳して配置される。
【０１４４】
上下導通用電極１１６は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴアレイ基板１０の少なくとも一辺に沿って、シール領域５２ａに配置される上下導通部分１１６ａ以外の他部が少なくとも部分的に額縁領域５３ａに配置されて、形成される。図１７に示すように、上下導通用電極１１６は、例えば画素部における容量線４００と同層に配置され且つ同一膜により、例えば対向電極電位線として設けられ、シール領域５２ａにおいて、第４層間絶縁膜４４より露出された上下導通部分１１６ａの表面が、上下導通材５６と接触する。
【０１４５】
そして、上下導通用電極１１６において、額縁領域５３ａに配置される部分は、更にダミー領域１０ｂの少なくとも一部に配置されて形成される。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０上のダミー領域１０ｂにおいて、その一部に上下導通用電極１１６の一部が配置されると共に、上下導通用電極１１６の一部が配置された部分以外の他部に、図３を参照して説明した構成と同様に、画素領域１０ａに配置された画素部９０ａに加えてダミー画素部が配置されてもよい。或いは、ダミー領域１０ｂには、このようなダミー画素部を配置しないで、例えばその概ね全域に上下導通用電極１１６の一部が配置されてもよい。よって、図１６又は図１７に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上のダミー領域１０ｂにおいて、上下導通用電極１１６の一部が配置された部分には、ダミー画素部は形成されない。
【０１４６】
また、図１７に示すように、対向基板２０側において、例えば対向電極２１は、画素領域１０ａにおいて各画素部９０ａの画素電極９ａと対向し且つダミー領域１０ｂにおいて、上下導通用電極１１６の一部と対向するように配置される。尚、ダミー領域１０ｂにダミー画素部が更に配置される場合には、例えば対向基板２０側において、対向電極２１は、上下導通用電極１１６の一部に加えてダミー画素部に設けられた画素電極であるダミー画素電極と対向するように配置される。
【０１４７】
そして、液晶装置の駆動時、上下導通用電極１１６に対向電極電位が供給されると共に、対向電極２１にも対向電極電位が供給される。よって、ダミー領域１０ｂにおいて、上下導通用電極１１６の一部及び対向電極２１の各々の電位をほぼ同程度の電位として、これら電極間の電位差を小さくして液晶を交流駆動することができる。これにより、ダミー領域１０ｂに配置された上下導通用電極１１６の一部に、ダミー画素部のダミー画素電極を代用させることが可能となる。
【０１４８】
ここで、第１実施形態において既に説明した動作と同様に、例えば黒信号によってダミー画素部が駆動されると、ダミー画素部において経時的に液晶に直流成分が印加され易くなり、ダミー領域１０ｂにおいて液晶の劣化が有効領域である画素領域１０ａと比較して速く進行するおそれがある。
【０１４９】
これに対して、上述したように、ダミー領域１０ｂにおいて少なくとも上下導通用電極１１６の一部が配置された部分では、液晶は極めて小さい値の印加電圧に基づいて交流駆動されるため、液晶に直流成分が印加され難くなり、その結果、液晶の劣化が比較的速く進行する事態を防止することが可能となる。よって、液晶装置において、ダミー領域１０ｂにおける液晶の劣化に起因して、ダミー領域１０ｂから画素領域１０ａに向かって液晶の劣化が進行することにより、表示不良が発生するのを防止することができる。従って、第３実施形態では、液晶装置の信頼性を向上させて高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【０１５０】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、周辺回路を構成するデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４の一部を、第１又は第２実施形態と比較して、ダミー領域１０ｂにおいて上下導通用電極１１６の一部がダミー画素電極を代用する分だけ省くことができる。よって、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域をより狭小化させることが可能となる。
【０１５１】
続いて、第３実施形態の変形例について、図１８及び図１９を参照して説明する。第３実施形態の変形例について、図１８は、上下導通に係る概略的な構成を示す平面図であって、図１９は、上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【０１５２】
本変形例は、図１８又は図１９において、図１４又は図１５を参照して説明した第２実施形態の変形例と同様に、上下導通用電極１１６に加えて対向電極電位線１１７が設けられる。尚、以下では、本変形例において、上下導通用電極１１６及び対向電極電位線１１７を含めた、第２実施形態の変形例と同様の構成について、重複する説明を省略すると共に、図１４又は図１５を参照して説明することもある。
【０１５３】
本変形例では、図１８又は図１９に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上において、対向電極電位線１１７の一部を、第２実施形態の変形例と同様に、額縁領域５３ａの少なくとも一部に配置させると共に、上下導通用電極１１６は上下導通部分１１６ａ以外の他部が少なくとも部分的に額縁領域５３ａに配置される。上下導通用電極１１６において、額縁領域５３ａに配置される部分は、更にダミー領域１０ｂの少なくとも一部に配置されて形成される。
【０１５４】
よって、本変形例においても、液晶装置の駆動時、ダミー領域１０ｂにおいて、上下導通用電極１１６の一部に、ダミー画素部のダミー画素電極を代用させて、上下導通用電極１１６の一部及び対向電極２１の各々の電位をほぼ同程度の電位として、これら電極間の電位差を小さくして液晶を交流駆動することができる。
【０１５５】
ここで、図１８に示すように、上下導通用電極１１６及び対向電極電位線１１７において額縁領域５３ａに配置された部分は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、サンプリング回路７のサンプリングスイッチ７１等、額縁領域５３ａに配置された周辺回路の一部を構成する回路素子と重畳的に配置される。図１４又は図１５を参照して説明したように、対向電極電位線１１７の一部を額縁領域５３ａに配置することで、額縁遮光膜を少なくとも部分的に代用させることができるが、例えばサンプリングスイッチ７１に対して、対向電極電位線１１７の一部が重畳的に配置されることで、電磁的な影響等を及ぼして画素領域１０ａにおける画像表示の品質に劣化が生じるおそれがある。尚、この点について、例えば図１６又は図１７を参照して説明したような構成についても、画像表示の品質に対して同様の影響を与えるおそれがある。
【０１５６】
よって、例えばこのような画像表示の品質の劣化を防止するために、図１８又は図１９を参照して説明した構成では、対向電極電位線１１７は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、サンプリングスイッチ７１等の周辺回路の回路素子と重畳しないように配置するのが好ましい。この場合に、上下導通用電極１１６は、ＴＦＴアレイ基板１０上において対向電極電位線１１７より上層側に配置されるため、上下導通用電極１１６において額縁領域５３ａに配置される部分が、周辺回路の回路素子に平面的に見て重畳することで、この回路素子に与える電磁的な影響等を、対向電極電位線１１７の一部が当該回路素子と重畳する場合と比較して、より低減することが可能となる。よって、上下導通用電極１１６において額縁領域５３ａに配置される部分が、周辺回路の回路素子に平面的に見て重畳することで、周辺回路に与える影響を、その動作に起因する表示不良として画像表示において視認されない程度に小さく抑えることができる。
【０１５７】
＜４：第４実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第４実施形態について説明する。第４実施形態における電気光学装置は、第１から第３実施形態と比較して、対向基板及びＴＦＴアレイ基板の配置関係やシール材の構成が異なっている。尚、第４実施形態について、第１から第３実施形態と重複する説明を省略すると共に、これら各実施形態との共通箇所には、同一符号を付して示し、異なる点についてのみ図２０から図２２を参照して説明する。尚、第１から第３実施形態との共通箇所について、図１から図１９を参照して説明することもある。
【０１５８】
まず、図２０及び図２１を参照して、第４実施形態における液晶装置の構成について説明する。図２０は、第４実施形態における液晶装置の概略的な平面図であり、図２１は、第４実施形態における液晶装置の図２に対応する断面部分の構成を示す断面図である。
【０１５９】
図２０又は図２１に示すように、第４実施形態において、液晶装置は、後述するような製造方法により製造されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０が張出領域１０２ａにおいて対向基板２０から張り出すように、対向基板２０は、張出領域１０２ａに対して画素領域１０ａを挟んで反対側の部分がＴＦＴアレイ基板１０より張り出して、ＴＦＴアレイ基板１０に対して対向配置される。そして、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、外部回路接続端子１０２は張出領域１０２ａに配列される。
【０１６０】
また、液晶装置が後述するような製造方法により製造されることにより、シール領域５２ａにおいて、シール材５２には液晶注入口は形成されず、封止材５４は配置されない。この場合、シール材５２は、シール領域５２ａにおいて画素領域１０ａの周囲に途切れることなく連続的に形成される。尚、図２０及び図２１には、液晶装置の構成について、第２実施形態と同様の構成を示してあるが、第１から第３実施形態のいずれについても、第４実施形態において特徴的な構成は適用可能である。
【０１６１】
次に、第４実施形態の液晶装置の製造方法について、図２２を参照して説明する。図２２は、大型基板上における、図２１に対応する液晶装置の断面部分の構成を、製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【０１６２】
尚、以下においては、第４実施形態において特徴的な対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０の貼り合わせに係る製造工程について特に詳しく説明することとし、ＴＦＴアレイ基板１０側の積層構造における走査線１１ａやデータ線６ａ、ＴＦＴ３０等の製造工程、及び対向基板２０側における遮光膜２３や対向電極２１等の製造工程に関しては詳細な説明を省略することとする。
【０１６３】
第４実施形態では、液晶装置は、対向基板２０を複数含む第１大型基板Ｍ１及びＴＦＴアレイ基板１０を複数含む第２大型基板Ｍ２を互いに貼り合せると共に、ＯＤＦ（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｕｌｌ）方式の製造方法により製造される。
【０１６４】
まず、図２２（ａ）において、第２大型基板Ｍ２における各ＴＦＴアレイ基板１０上に、既に図１から図４を参照して説明したような各種の構成要素（上下導通用電極１１６に加えてＴＦＴ３０や走査線１１ａ、データ線６ａ等、或いは走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１等々）が形成され、画素電極９ａより上層側に配向膜１６が形成された状態で、ＴＦＴアレイ基板１０毎にシール領域５２ａに上下導通材５６を混入させたシール材５２を例えばディスペンサーで描画することにより、塗布する。ここで、第２大型基板Ｍ２において、ＴＦＴアレイ基板１０が配置されない基板の端に第１大型基板Ｍ１とのアライメントを行うためのアライメントマーク１０７ｍａが配置される。
【０１６５】
次に、図２２（ｂ）において、ＴＦＴアレイ基板１０上において、シール材５２に囲まれた領域に、液晶を滴下して液晶層５０を形成する。
【０１６６】
次に、図２２（ｃ）において、第１大型基板Ｍ１における各対向基板２０において、遮光膜２３や対向電極２１等が作り込まれ、更には配向膜２２が形成された状態で、第１大型基板Ｍ１及び第２大型基板Ｍ２を対向配置して、一対の対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０毎にギャップを所定値に調整しつつ、シール材５２を硬化させて圧着する。
【０１６７】
第１大型基板Ｍ１側においても、第２大型基板Ｍ２上におけるアライメントマーク１０７ｍａの位置に対応させて、アライメントマーク１０７ｍｂが配置される。そして、第１大型基板Ｍ１は第２大型基板Ｍ２に対して、両基板上に配置されたアライメントマーク１０７ｍａ及び１０７ｍｂの各々の配置に基づいて、アライメントすることにより対向配置される。このように対向配置された状態で、第２大型基板Ｍ２において互いに隣接するＴＦＴアレイ基板１０のうち一方の基板は、対応する第１大型基板Ｍ１における対向基板２０より張出領域１０２ａにおいて張り出すように配置されると共に、対向基板２０は一方のＴＦＴアレイ基板１０に対して張出領域１０２ａと画素領域１０ａを挟んで反対側に位置する部分が張り出して、一方のＴＦＴアレイ基板１０に隣接する他方のＴＦＴアレイ基板１０の張出領域１０２ａと平面的に見て重畳的に配置される。
【０１６８】
その後、一対の対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０毎に、第１大型基板Ｍ１及び第２大型基板Ｍ２を夫々切断する。
【０１６９】
ここで、図２３を参照して、第４実施形態における液晶装置の製造方法に対する比較例について説明する。図２３（ａ）は、比較例について、大型基板上の液晶装置の構成を概略的に示す平面図であって、図２３（ｂ）は、図２３（ａ）において点線で囲まれた一部の構成を拡大して示す拡大図である。
【０１７０】
この比較例では、図２３を参照して、図７に示す構成と同様の構成を有する液晶装置が製造される場合について説明する。
【０１７１】
比較例によれば、図２３（ａ）において、第２大型基板Ｍ２において、各ＴＦＴアレイ基板１０に、上下導通端子１０６やデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の各種構成要素が作り込まれた状態で、別途、図２３（ａ）には図示しない第１大型基板を切断することによって得られた個々の対向基板２０を、対向基板２０に対向電極２１等が作り込まれた状態で、一対の対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０毎にシール材５２によって貼り合せることにより、液晶装置を製造する。
【０１７２】
ここで、第２大型基板Ｍ２において各ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域には、アライメントマーク１０７が設けられる。図２３（ｂ）には、図２３（ａ）において点線で囲まれた一部Ｓ０の構成を拡大して示してある。図２３（ｂ）に示すように、アライメントマーク１０７は、例えば矩形状の平面形状を有するアライメント領域１０７ａに配置されるが、例えば機械的な読取を行うために、アライメント領域１０７ａは例えば縦又は横のサイズが５００μｍ〜１ｍｍ程度として形成される場合がある。
【０１７３】
また、対向基板２０が個々に貼り合わせた状態で第２大型基板Ｍ２を切断するため、対向基板２０の周囲において、対向基板２０からＴＦＴアレイ基板１０の一部を張り出させて、実質的な切りしろをＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域において稼ぐ必要がある。
【０１７４】
よって、比較例の構成によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上において、アライメント領域１０７ａや前述したような切りしろを確保するために、より周辺領域を狭小化させるのが困難となる。
【０１７５】
これに対して、第４実施形態における製造プロセスでは、第１及び第２大型基板Ｍ１及びＭ２をアライメントして貼り合せることで、一対の対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０毎のアライメント及び貼り合わせを一括して行うことが可能となる。よって、第１又は第２大型基板Ｍ１又はＭ２における対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０について、基板毎にアライメントマークを配置しなくてもよい。また、第１及び第２大型基板Ｍ１及びＭ２が互いに貼り合わされた状態で各々を別々に切断することにより、例えば第２大型基板Ｍ２においてＴＦＴアレイ基板１０を対向基板２０の存在をも考慮して切りしろをかせぐ構成としなくてもよい。
【０１７６】
よって、第４実施形態によれば、対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域をより狭小化させ、液晶装置の製造プロセスの工程数をより削減し、簡易にすることができる。加えて、図７に示すようにシール材５２に液晶注入口を配置する構成と比較して、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０間に封入するために要する液晶の量を減らして、必要最低限の量とすることが可能となる。
【０１７７】
＜５：電子機器＞
次に、上述した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図２４は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１７８】
図２４において、投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーンにカラー画像として投射される。
【０１７９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１】液晶装置の概略的な平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】画素領域及び周辺回路の構成を概略的に示すブロック図である。
【図４】画素部の断面部分の構成を示す断面図である。
【図５】第１実施形態における上下導通に係る概略的な構成を示す平面図である。
【図６】第１実施形態における上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【図７】第１実施形態の比較例における液晶装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図８】第１実施形態の変形例について、上下導通に係る概略的な構成を示す平面図である。
【図９】第１実施形態の変形例について、上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【図１０】第２実施形態における液晶装置の概略的な平面図である。
【図１１】第２実施形態における液晶装置の図２に対応する断面部分の構成を示す断面図である。
【図１２】第２実施形態における上下導通に係る概略的な構成を示す平面図である。
【図１３】第２実施形態における上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【図１４】第２実施形態の変形例について、上下導通に係る概略的な構成を示す平面図である。
【図１５】第２実施形態の変形例について、上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【図１６】第３実施形態における上下導通に係る概略的な構成を示す平面図である。
【図１７】第３実施形態における上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【図１８】第３実施形態の変形例について、上下導通に係る概略的な構成を示す平面図である。
【図１９】第３実施形態の変形例について、上下導通に係る概略的な構成を示す断面図である。
【図２０】第４実施形態における液晶装置の概略的な平面図である。
【図２１】第４実施形態における液晶装置の図２に対応する断面部分の構成を示す断面図である。
【図２２】大型基板上における、図２１に対応する液晶装置の断面部分の構成を、製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【図２３】図２３（ａ）は、第３実施形態の比較例について、大型基板上の液晶装置の構成を概略的に示す平面図であって、図２３（ｂ）は、図２３（ａ）において点線で囲まれた一部の構成を拡大して示す拡大図である。
【図２４】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１８１】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画素領域、２０…対向基板、２１…対向電極、５０…液晶層、５２…シール材、５２ａ…シール領域、５６…上下導通材、１１６…上下導通用電極、１１６ａ…上下導通部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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