(57)【要約】【課題】光ディスクの信号記録面の全体に亘って良好にギャップサーボを行うことのできるニアフィールド方式の光ディスク装置を提供する。【解決手段】光ディスク上の複数の半径位置でのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量とディスク／集光素子間距離を測定し、これらの測定データ１２３を測定データテーブル１２０に登録し、この登録された測定データ１２３をもとに、ディスク上の半径位置ごとに、チルトの制御と光学系ユニット８の高さの制御を行う。【選択図】  図２０
2008084469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出射された光を近接場光として光ディスクの信号記録面に集光する集光素子と、
前記光ディスク上の複数の半径位置での前記光ディスクの信号記録面に対する前記集光素子のチルト量を測定し、この測定データをもとに前記光ディスクの半径位置ごとにチルトを制御する制御部とを具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記光ディスクごとの前記測定データを記録する測定データ記録部をさらに具備し、
前記制御部は、交換された光ディスクに関する測定データの前記測定データ記録部内での有無を判断し、該当する測定データをもとに前記光ディスクのチルトを制御することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記測定データ記録部に記録された測定データの有効期限を管理し、有効期限切れの測定データを無効化することを特徴とする請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記集光素子を搭載するアクチュエータと、
前記アクチュエータを傾動させる機構をさらに具備し、
前記制御部は、前記機構を駆動してチルトを制御することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記集光素子からの全反射戻り光量を検出する光検出部と、
前記光検出部により検出された全反射戻り光量をもとに、前記集光素子を前記近接場光が生じない初期の位置から前記近接場光が生じる位置まで前記光軸方向に移動させるように前記アクチュエータを駆動するサーボ部とをさらに具備し、
前記制御部は、前記光ディスク上の複数の半径位置での前記光ディスクの信号記録面と前記初期の位置にある前記集光素子との距離を測定し、この測定データをもとに前記光ディスクの半径位置ごとに前記集光素子の前記初期の位置を制御することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記アクチュエータを前記光軸方向に移動させる機構をさらに具備し、
前記制御部は、前記機構を駆動して前記集光素子の初期の位置を制御することを特徴とする請求項５に記載の光ディスク装置。
【請求項７】
光源から出射された光を近接場光として光ディスクの信号記録面に集光する集光素子の、前記光ディスク上の複数の半径位置での前記光ディスクの信号記録面に対するチルト量を測定するステップと、
前記測定されたチルト量をもとに、前記光ディスクの半径位置ごとにチルトを制御するステップとを具備することを特徴とする光ディスク装置の制御方法。
【請求項８】
光検出部が前記集光素子からの全反射戻り光量を検出するステップと、
サーボ部が前記検出された全反射戻り光量をもとに前記集光素子を前記近接場光が生じない初期の位置から前記近接場光が生じる位置まで前記光軸方向に移動させるように前記アクチュエータを駆動するステップと、
前記光ディスク上の複数の半径位置での前記光ディスクの信号記録面と前記初期の位置にある前記集光素子との距離を測定するステップと、
前記測定された距離をもとに前記光ディスクの半径位置ごとの前記集光素子の前記初期の位置を制御するステップとをさらに具備することを特徴とする請求項７に記載の光ディスク装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク状の記録媒体に信号を記録すること及び記録された信号を再生することのうち少なくとも一方を行う光ディスク装置、及びこの光ディスク装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＢＤ（Blu-ray Disc（登録商標））等の光ディスク（以下、単にディスクという。）に信号を記録し、または記録された信号を再生する光ディスク装置がある。
【０００３】
最近では、近接場光を利用して信号を記録または再生する光ディスク装置の開発が進められている。この近接場光を利用した光ディスク装置は、ＳＩＬ（Solid Immersion Lens）などの集光素子の端面とディスクの信号記録面との距離であるギャップ長を近接場光が生じる距離に制御して信号を記録または再生する方式である。この近接場光を用いた方式はニアフィールド方式と呼ばれ、記録密度の更なる向上による記録容量の増大が可能とされている。このように集光素子の端面とディスクの信号記録面との距離を近接場光が生じる目標の距離に制御することはギャップサーボと呼ばれる。
【０００４】
ニアフィールド方式において、近接場光が生じる距離は、一般にレーザ光の波長の１／２以下とされ、例えば波長４００ｎｍ程度のレーザ光を用いた場合、２００ｎｍ以下、実際には１００ｎｍ以下に制御される必要がある。このように集光素子の端面がディスクの信号記録面に対して近接場光が生じる距離内にある状態はニアフィールド状態と呼ばれる。
【０００５】
ニアフィールド状態では、集光素子の端面に臨界角以上の角度で入力したレーザ光の一部は、集光素子の端面をつきぬけてディスクの記録面に達する。このため戻り光量は、集光素子の端面が光ディスクの記録面に近づくほど指数関数的に減少し、両者が接触した状態においてはゼロとなる。一方、ギャップ距離が波長の１／２より大きい状態であるファーフィールド状態においては、集光素子の端面に臨界角以上の角度で入力したレーザ光は全て反射されて戻り光となるため戻り光量は一定となる。したがって、ニアフィールド状態にあれば、戻り光量の検出信号を集光素子のアクチュエータにフィードバックすることによってギャップの制御であるギャップサーボが行われる。
【０００６】
ところで、ニアフィールド方式の光ディスク装置では、集光素子の端面とディスクの信号記録面との傾きであるチルトをなくすことが重要である。これは、チルトがあると、集光素子の端面の縁の角部がディスクの信号記録面に接触する危険が増し、ディスクの信号記録面を傷つけるおそれがあるためである。また、チルトが発生していると、集光素子の端面とディスクの信号記録面とが接触した状態においても戻り光量がゼロにならず、ギャップサーボを正しく実行することができないおそれがある。
【０００７】
チルトをなくすための方式として、集光素子の端面をディスクの面と接触させたときの戻り光量を検出して、この戻り光量がゼロとなるようにラジアル方向とタンジェンシャル方向のチルトを調整する方式が提案されている（例えば特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開２００５−２５９３２９号公報（段落００４７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図１７に示すように、たとえばポリカーボネート製基板を用いたディスクＤの反りの角度は半径位置が外周に行くほど大きくなるものの、この点を考慮したより高精度なチルト制御の仕組みは実現されていなかった。特許文献１に記載された提案は、ディスクの信号記録領域以外の領域に決められた特定の場所に集光素子の端面を接触させ、このときの戻り光量を検出することによって、ラジアル方向とタンジェンシャル方向のチルトを調整するものである。すなわち、ディスクの一つの半径位置で測定されたラジアル方向とタンジェンシャル方向のチルト量を、当該ディスクの全般のチルト量として調整を行うものである。したがって、反りが発生しやすいポリカーボネート製基板を用いたディスクでは、チルト調整を高精度に行うことは困難であった。
【０００９】
また、特許文献１に記載された提案では、ディスクがローディングされる度に、そのディスクのチルト量を測定してチルトを調整してからそのディスクに対する信号の記録または再生が開始されるので、そのディスクに対して、必要な信号の記録または再生が完了するまでの時間が平均して長くかかってしまう。このため特に、頻繁にディスクが交換されるような場合には、ディスクに対するアクセス速度の低下が目立つようになるおそれがあった。
【００１０】
さらに、ニアフィールド方式の光ディスク装置では、集光素子の端面とディスクの信号記録面との初期の距離が、接近電圧信号による集光素子の接近動作を経てギャップサーボが正常に機能するような範囲に確保されている必要がある。この初期の距離が短すぎると、接近電圧信号が最終電圧値に達する以前にギャップサーボがオンになり、接近電圧信号による集光素子の接近動作中にギャップサーボによる同一方向への加速度が加わり、集光素子の端面がディスクに衝突する危険がある。逆に、その初期の距離が長すぎると、ギャップサーボが開始された時点でも集光素子の端面がファーフィールドにあるままとなってギャップサーボがかからないおそれがある。
【００１１】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ニアフィールド方式の光ディスク装置において、ディスクの信号記録面の全体に亘って良好にギャップサーボを行うことのできる光ディスク装置及びその制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係る光ディスク装置は、光源から出射された光を近接場光として光ディスクの信号記録面に集光する集光素子と、光ディスク上の複数の半径位置での光ディスクの信号記録面に対する集光素子のチルト量を測定し、この測定データをもとに光ディスクの半径位置ごとにチルトを制御する制御部とを具備する。
【００１３】
この発明によれば、光ディスク上の複数の半径位置でのチルト量を測定し、これらの測定データをもとに、光ディスク上の半径位置ごとにチルトの制御を行うことによって、光ディスクがいかなる状態で反っていても、光ディスクの信号記録面の全域に亘ってギャップサーボを良好に行うことができる。
【００１４】
また、本発明は、光ディスクごとの測定データを記録する測定データ記録部をさらに具備し、制御部は、交換された光ディスクに関する測定データの測定データ記録部内での有無を判断し、該当する測定データをもとに光ディスクのチルトを制御するものであってもよい。この発明により、過去にチルト量の測定が行われた光ディスクについては、チルト量の測定をスキップして速やかにその光ディスクに対する信号の記録または再生を開始することができる。
【００１５】
さらに、本発明において、制御部は、測定データ記録部に記録された測定データの有効期限を管理し、有効期限切れの測定データを無効化することとしてもよい。有効期限が切れている場合には、その有効期限が切れた測定データを無効とし、改めてチルト量の測定を行って測定データ記録部への再登録を行うことによって、チルト制御の信頼性を確保することができる。
【００１６】
さらに、本発明は、集光素子を搭載するアクチュエータと、アクチュエータを傾動させる機構をさらに具備し、制御部は、その機構を駆動してチルトを制御することとしてもよい。
【００１７】
さらに、本発明は、集光素子からの全反射戻り光量を検出する光検出部と、光検出部により検出された全反射戻り光量をもとに、集光素子を近接場光が生じない初期の位置から近接場光が生じる位置まで光軸方向に移動させるようにアクチュエータを駆動するサーボ部とをさらに具備し、制御部は、光ディスク上の複数の半径位置での光ディスクの信号記録面と初期の位置にある集光素子との距離を測定し、この測定データをもとに光ディスクの半径位置ごとに集光素子の初期の位置を制御することとしてもよい。
【００１８】
光ディスク上の複数の半径位置でのチルト量に加え、光ディスクの信号記録面と初期の位置にある集光素子との距離を測定し、これらの測定データをもとに、光ディスク上の半径位置ごとに集光素子の初期の位置の制御を行うことによって、光ディスクの信号記録面と初期の位置にある集光素子との距離が短すぎるために接近電圧信号による集光素子の接近動作中に集光素子が光ディスクに衝突したり、逆に、その初期の距離が長すぎるためにギャップサーボが開始された時点でも集光素子の端面がファーフィールドにあるままとなってギャップサーボがかからないことを回避することができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、本発明によれば、ニアフィールド方式の光ディスク装置において、光ディスクの信号記録面の全体に亘って良好にギャップサーボを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２１】
図１は本発明の一実施の形態に係る光ディスク装置１０の外観を示す斜視図である。図２は図１に示す光ディスク装置１０の内部構造を示す斜視図である。なお、図２において、電気回路基板や配線、その他本発明に関係のない機構等は図示を省略している。
【００２２】
光ディスク装置１０は筐体５を有している。筐体５は、この筐体５の底部をなすベースプレート１と、このベースプレート１の上にＹ軸方向に対向して配置されたフロントパネル２及びバックパネル３と、ベースプレート１、フロントパネル２及びバックパネル３の三方の面以外の面を覆う外部カバー４とにより構成されている。フロントパネル２には、光ディスク（以下「ディスク」と呼ぶ。）Ｄを収納したディスクカートリッジ４１を出し入れ可能な開口部９ａを有するスロット９が設けられている。スロット９には、開口部９ａを開閉するスロット扉６が設けられている。このスロット扉６は、ディスクカートリッジ４１の出し入れを行う時にだけスロット９の開口部９ａを開放し、その他の時は閉鎖されるように、図示しないスロット扉開閉機構によって開閉操作される。
【００２３】
図２に示すように、筐体５内には記録再生ユニット１５が配置されている。記録再生ユニット１５は、ベースプレート１の上にフローティング支持されたインナーベース２２上に搭載されている。図３はベースプレート１とインナーベース２２とを示す側面図である。同図に示すように、インナーベース２２はベースプレート１上に緩衝部品である複数のダンパ３０を介して支持されている。ダンパ３０は、例えば、樹脂製やゴム製のもの等が用いられる。これにより筐体５に加えられた外部からの振動の大半はダンパ３０により吸収され、インナーベース２２上の記録再生ユニット１５に振動が伝わりにくくなることで、サーボ動作が適切に行われ、安定的に信号を記録または再生することができる。
【００２４】
次に、図２、図７及び図８を参照して、記録再生ユニット１５の構成について説明する。図７はインナーベース２２上の記録再生ユニット１５を示す斜視図、図８は図７をＸ１方向から見た側面図である。これらの図に示すように、記録再生ユニット１５は、ディスクカートリッジ４１内のディスクＤをディスクカートリッジ４１内に設けられたチャッキングプレート（図示せず）との間で保持するクランプ部１７と、クランプ部１７を駆動する動力源であるスピンドルモータ１８と、クランプ部１７に保持された状態で回転するディスクＤの信号記録面にレーザ光を照射して信号の記録または再生のうち少なくとも一方が可能な光ピックアップ１１などを含む光学系ユニット８（図９参照）とを備えている。光ピックアップ１１は、対物レンズ等の集光素子を搭載した２軸アクチュエータ７と、光源、光検出器、レンズ系等で構成される光学系とを備えている。なお、光学系はカバー部材１９により覆われている。
【００２５】
光学系ユニット８には、ディスクＤの信号記録面に対して光ピックアップ１１に搭載された集光素子２６のチルト角を調整するチルト制御機構であるラジアルチルト制御機構７０及びタンジェンシャルチルト制御機構８０（図９参照）と、ディスクＤの信号記録面に対する集光素子２６の端面２６ｂの高さ方向（Ｚ軸方向）の位置を調整する光学系ユニット高さ制御機構９０（図８参照）などが設けられている。これらラジアルチルト制御機構７０、タンジェンシャルチルト制御機構８０及び光学系ユニット高さ制御機構９０については後で説明する。
【００２６】
図４は２軸アクチュエータ７を示す斜視図である。同図に示すように、２軸アクチュエータ７はベース部材２５を有する。このベース部材２５の上に、複数のワイヤ２８のそれぞれの一端を支持するワイヤ支持台２９と、それら複数のワイヤ２８の他端を支持するボビン２４とが載置されている。ボビン２４には、トラッキングコイル３１及びフォーカシングコイル３２がそれぞれ所定の方向に巻回され装着されている。また、ボビン２４には集光素子２６を保持する対物レンズホルダ２３が搭載されている。さらに、ボビン２４は、トラッキング方向（Ｙ軸方向）及びフォーカシング方向（Ｚ軸方向）に移動が可能なようにベース部材２５の上に支持されている。ベース部材２５の先端及びほぼ中央にはマグネット２７，２７がそれぞれ配置され、これらのマグネット２７，２７が磁界を発生する。
【００２７】
ベース部材２５は、例えば磁性材料等からなる。このベース部材２５には、各マグネット２７，２７がそれぞれ取り付けられる２つのマグネット取り付け部２５ａ，２５ａと、ボビン２４にＺ軸方向に貫通して設けられた穴２４ａ，２４ａに挿通されるように立設された２つの片部２５ｂ，２５ｂが設けられ、これらマグネット取り付け部２５ａ，２５ａ及び片部２５ｂ，２５ｂも、例えば磁性材料等からなる。すなわち、これらマグネット取り付け部２５ａ，２５ａ及び片部２５ｂ，２５ｂとマグネット２７，２７とから磁気回路が構成される。このように構成された２軸アクチュエータ７においては、トラッキングコイル３１及びフォーカシングコイル３２に電流が供給されることによって、集光素子２６のトラッキング方向（Ｙ軸方向）及びフォーカシング方向（Ｚ軸方向）にそれぞれ駆動される。
【００２８】
なお、２軸アクチュエータ７ではなく、その２軸方向に、チルト方向（Ｘ−Ｙ平面に対する集光素子２６またはディスクＤの信号記録面の傾き）の軸をさらに加えた３軸アクチュエータを用いてもかまわない。
【００２９】
光ピックアップ１１が備える図示しない光源としては、例えば波長が４００ｎｍ程度のレーザ光を出射する光源が用いられるが、ディスクの種類に応じて適宜設計の変更が可能である。
【００３０】
また、この実施形態の光ディスク装置１０は、近接場光を利用して信号を記録または再生するものであることから、光ピックアップ１１の光学系８における集光素子２６としては、ＮＡ（Numerical Aperture）が１以上のものが用いられている。
【００３１】
図５は、光ピックアップ１１の光学系８に採用された集光素子２６を示す斜視図である。同図に示すように、集光素子２６は、例えばＳＩＬ（Solid Immersion Lens）であり、直径が０.８〜１．０ｍｍ程度の球体の一部の形状をなしている。集光素子２６の上部２６ａは円錐形とされ、その円錐の頂点は、直径が例えば数十μｍの小さな平面をなす。この円錐の頂点の平面がディスクＤの信号記録面に対面する、集光素子２６の端面２６ｂとなる。図６はその集光素子２６の端面２６ｂを拡大して示す斜視図である。この集光素子２６の端面２６ｂとディスクＤの信号記録面との距離が本実施の形態でいう「ギャップ」である。
【００３２】
図２、図７及び図８に戻って記録再生ユニット１５の説明を続ける。記録再生ユニット１５において、スピンドルモータ１８は、インナーベース２２上に設けられた軸保持部１６ａ，１６ａに両端が保持された２本のガイド軸１６，１６にＹ軸方向に進退自在に支持された可動ベースフレーム４８の上に傾き調整ゴニオ４０などを介して搭載されている。傾き調整ゴニオ４０は、クランプ部１７及びスピンドルモータ１８のＸ軸方向及びＹ軸方向の傾きを微調整するための手段である。
【００３３】
可動ベースフレーム４８は、スレッドモータ（図示せず）の動力によって、２本のガイド軸１６，１６に沿ってＹ軸方向に移動し得るようになっている。また、可動ベースフレーム４８には、ディスクカートリッジ４１（図１参照）をＹ軸方向に案内するローディングガイド２１，２１（図２参照）が設けられている。ディスクカートリッジ４１がスロット９の開口部９ａより挿入されたとき、図示しないローディング機構がディスクカートリッジ４１を保持し、上記のローディングガイド２１，２１に沿ってクランプ部１７によってクランプ可能な位置まで搬送する。このとき、可動ベースフレーム４８は、図示しないスレッドモータによってスロット９の近傍に位置していてもよい。ローディング機構は、図示しない駆動源によって可動ベースフレーム４８とは別体で移動するようになっている。ローディング機構は、例えば、ディスクカートリッジ４１のＸ軸方向の両側から挟持するようなアームタイプの機構により実現される。なお、アームタイプに限らず、ディスクカートリッジ４１の表裏対向する主面をＺ軸方向から挟持する送りローラタイプの機構であってもよい。
【００３４】
また、この実施形態では、ディスクＤをディスクカートリッジ４１（図１参照）内に収納しつつローディングする構成としたが、ディスクＤをディスクトレイに搭載してローディングを行うように構成されていてもよい。
【００３５】
さらに、インナーベース２２上には、記録または再生時の光ピックアップ１１のスレッド動作によるディスクＤの位置を検出するために可動ベースフレーム４８の移動位置を検出する位置センサ１２（図２参照）が取り付けられている。位置センサ１２は、ガイドレール１３に支持され、Ｙ軸方向に移動自在とされている。さらに、可動ベースフレーム４８には、フロントパネル２の開口部９より挿入されたディスクカートリッジ４１を挿通可能な開口部を有するパネル４４が固定されている。
【００３６】
ディスクＤとしては、例えば近接場光により信号の記録または再生が行われるディスクが用いられる。近接場光を利用する場合、８０ＧＢ（ギガバイト）／平方インチ、またはそれ以上という記録密度が達成される。
【００３７】
次に、図７、図８及び図９を参照して、ラジアルチルト制御機構７０、タンジェンシャルチルト制御機構８０及び光学系ユニット高さ制御機構９０について説明する。図９は図７からクランプ部１７、スピンドルモータ１８などを省いて光学系ユニット９、ラジアルチルト制御機構７０及びタンジェンシャルチルト制御機構８０を示した斜視図である。
【００３８】
ラジアルチルト制御機構７０は、ステッピングモータ７１を有している。このステッピングモータ７１の図示しない回転軸には、図示しないギアなどの伝達機構を介してラジアルチルト用傾動ステージ台座７３が連結されている。このラジアルチルト用傾動ステージ台座７３の上面には曲率面７３ａが設けられている。このラジアルチルト用傾動ステージ台座７３の曲率面７３ａの上にはラジアルチルト用傾動ステージ７４が搭載されている。ラジアルチルト用傾動ステージ７４の下面にはラジアルチルト用傾動ステージ台座７３の曲率面７３ａに対応する曲率面（図示せず）が設けられており、それぞれの曲率面どうしを重ね合わせるようにして、ラジアルチルト用傾動ステージ台座７３の上にラジアルチルト用傾動ステージ７４が載せられている。
【００３９】
さらに、ラジアルチルト用傾動ステージ７４の上には、２軸アクチュエータ７を支持する支持台３３を搭載したステージ連結フレーム７２の一端部が支持されている。ラジアルチルト用傾動ステージ台座７３は、ステッピングモータ７１の動力によってＹ軸方向に移動自在に設けられている。このＹ軸方向へのラジアルチルト用傾動ステージ台座７３の移動により、ラジアルチルト用傾動ステージ７４はラジアルチルト用傾動ステージ台座７３の上でＸ軸を中心軸として傾動される。ラジアルチルト用傾動ステージ台座７３の曲率面７３ａの曲率は、２軸アクチュエータ７の集光素子２６の端面２６ｂの光学中心を中心とするように設定されている。これにより、ラジアルチルト用傾動ステージ７４がラジアルチルト用傾動ステージ台座７３の上でＸ軸を中心軸として傾動されることで、ラジアル方向のチルト制御が行われるようになっている。なお、ラジアルチルト用傾動ステージ台座７３は傾き調整ゴニオ７６を介して光学系ユニットと一体に設けられた支持プレート３４の上に支持されている。
【００４０】
タンジェンシャルチルト制御機構８０は、ステッピングモータ８１を有している。このステッピングモータ８１の図示しない回転軸に、図示しないギアなどの伝達機構を介してタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３が連結されている。このタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３は上記のステージ連結フレーム７２の上に搭載され、ステッピングモータ８１の動力によってＸ軸方向に移動自在に設けられている。タンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３の上面には曲率面８３ａが設けられている。このタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３の曲率面８３ａの上にはタンジェンシャルチルト用傾動ステージ８４が搭載されている。タンジェンシャルチルト用傾動ステージ８４の下面にはタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３の曲率面８３ａに対応する曲率面（図示せず）が設けられており、それぞれの曲率面どうしを重ね合わせるようにして、タンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３の上にタンジェンシャルチルト用傾動ステージ８４が載せられている。ステッピングモータ８１の動力によってタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３がX軸方向に移動されることによって、タンジェンシャルチルト用傾動ステージ８４はタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３の上でＹ軸を中心軸として傾動される。タンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３の曲率面８３ａの曲率は、２軸アクチュエータ７の集光素子２６の端面２６ｂの光学中心を中心とするように設定されている。これにより、タンジェンシャルチルト用傾動ステージ８４がタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座８３の上でＹ軸を中心軸として傾動されることで、タンジェンシャル方向のチルト制御を行うことが可能となっている。
【００４１】
ラジアルチルト制御機構７０及びタンジェンシャルチルト制御機構８０はそれぞれ、たとえば±５°の角度範囲、つまり１０°の角度範囲でそれぞれ傾動させることが可能である。もちろん、この角度範囲は、これに限られず適宜変更可能である。
【００４２】
各々のステッピングモータには、駆動ケーブル７５および８５から電源が供給される。なお、ラジアルチルト制御機構７０のステッピングモータ７１及びタンジェンシャルチルト制御機構８０のステッピングモータ８１には、手動でもチルト角を調整可能なように、図示せぬ調整ネジがそれぞれ装備されている。
【００４３】
次に、光学系ユニット高さ制御機構９０について説明する。図８に示すように、光ピックアップ１１、ラジアルチルト制御機構７０及びタンジェンシャルチルト制御機構８０などを含む光学系ユニット８はインナーベース２２上に高さ調整アクュエータ９１を介してＺ軸方向に移動自在に支持されている。具体的には、高さ調整アクュエータ９１はステッピングモータ９２を有している。このステッピングモータ９２の回転により高さ調整アクチュエータ９１の上部のステージ９７およびこのステージ９７と連結されている光学系のステージ９８が上下に可動する。これにより、光学系ユニット８のＺ軸方向の高さ位置の制御を行うことが可能となっている。
【００４４】
次に、この光ディスク装置１０の電気的な構成を説明する。
【００４５】
図１０は本実施形態の光ディスク装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。同図に示すように、この光ディスク装置１０は、システム全体の制御を行うシステムコントローラ５１を有する。システムコントローラ５１には、レーザドライバ５２、マトリクスアンプ５３、サーボドライバ５４、スピンドルモータドライバ５５、フィードモータドライバ５６、ラジアルチルト制御機構７０のステッピングモータ７１を駆動するステッピングモータドライバ１０１、タンジェンシャルチルト制御機構８０のステッピングモータ８１を駆動するステッピングモータドライバ１０２、及び光学系ユニット高さ制御機構９０のステッピングモータ９１を駆動するステッピングモータドライバ１０３、不揮発性メモリ１０４などが接続されている。
【００４６】
レーザドライバ５２は、光ピックアップ１１内の半導体レーザ５９を駆動する回路である。半導体レーザ５９より出射したレーザ光は２軸アクチュエータ７に導かれ、集光素子２６（図５参照）を通じてディスクＤの信号記録面に照射される。
【００４７】
ディスクＤの信号記録面から反射した戻り光は集光素子２６などを通じて光ピックアップ１１内の光検出器６０に導かれ、この光検出器６０に設定された複数の分割領域ごとの電気信号に変換されてマトリクスアンプ５３に出力されるとともに、全領域の電気信号の総和がレーザドライバ５２にフィードバックされる。レーザドライバ５２は光検出器６０からのフィードバック信号をもとに半導体レーザ５９の出力パワーを最適化するように制御を行う。
【００４８】
マトリクスアンプ５３は、光検出器６０からの分割領域ごとの出力信号をもとにギャップエラー信号（ＧＥＳ）及びトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）を生成し、ギャップエラー信号（ＧＥＳ）をもとに２軸アクチュエータ７の集光素子２６をフォーカシング方向（Ｚ軸方向）に駆動する信号を生成して２軸アクチュエータ７のフォーカシングコイル３２に供給するとともに、トラッキングエラー信号（ＴＥＳ）をもとに２軸アクチュエータ７の集光素子２６をトラッキング方向（Ｙ軸方向）に駆動する信号を生成して２軸アクチュエータ７のトラッキングコイル３１またはフィードモータドライバ５６に供給する。
【００４９】
フィードモータドライバ５６は、システムコントローラ５１による制御のもとでフィードモータ４９に供給する駆動信号を生成する。また、フィードモータドライバ５６はマトリクスアンプ５３より入力された信号をもとにフィードモータ４９に供給する駆動信号を生成する。
【００５０】
システムコントローラ５１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）などで構成されている。ＲＯＭには制御用のプログラム及び各種のパラメータ情報などのファームウェアが格納されている。プログラムとしては、チルト制御及び光学系ユニット８の高さ制御のためのプログラムが含まれており、この制御の内容については後で説明する。ＣＰＵはＲＯＭに格納されたファームウェアに従ってＲＡＭを作業領域として用いて各種の制御と処理演算を実行する。
【００５１】
不揮発性メモリ１０４は、例えば、チルト制御及び光学系ユニット８の高さ制御のために用いられる測定データテーブル１２０などが記録される不揮発性のメモリである。
【００５２】
次に、ギャップサーボについて説明する。
【００５３】
図１１はギャップサーボ系の構成を示すブロック図である。光検出部６０で検出された全反射戻り光量１０５は規格化ゲイン１０６にて、例えば１Ｖに規格化される。規格化後の信号は、ＡＤ（Analog to Digital）変換器１０７にてディジタル化される。ディジタル化された全反射戻り光量は、データ処理部１０８に入力される。データ処理部１０８は、集光素子２６の端面２６ｂを光ディスクＤに接近させるための接近電圧信号を出力する。この接近電圧信号はＤＡ（Digital to Analog）変換器１０９にてアナログ信号に変換される。また、データ処理部１０８はサーボ電圧信号を出力する。サーボ電圧信号はたとえば位相補償フィルタなどのフィルタ１１０を通して位相補償が施され、ＤＡ変換器１１１にてアナログ信号に変換される。それぞれアナログ信号に変換された接近電圧信号及びサーボ電圧信号はともに加算器１１２を通して２軸アクチュエータ７を駆動するドライバ１１３に入力される。
【００５４】
データ処理部１０８でのサーボ電圧信号の生成は次のように行われる。データ処理部１０８は、全反射戻り光量とあらかじめ決められたギャップサーボ開始閾値とを比較する。ここでギャップサーボ開始閾値は、ニアフィールドで、かつ、ギャップサーボの目標値より大きい値に設定される。より具体的に例としては、全反射戻り光量のファーフィールドにおける値が１（Ｖ）に規格化されたとき０．８（Ｖ）と設定される。
【００５５】
データ処理部１０８は、上記の比較で、全反射戻り光量がギャップサーボ開始閾値より大きいとき、つまり集光素子２６の端面２６ｂがファーフィールドにあるときには、ギャップサーボをオフ状態にするためにサーボ電圧信号をオフに設定する。また、全反射戻り光量がギャップサーボ開始閾値より大きい状態から小さい状態に変化したとき、つまり集光素子２６の端面２６ｂがニアフィールドに入ったとき、データ処理部１０８は、ギャップサーボをオンにするために、あらかじめ決められたギャップサーボ目標値とギャップサーボ開始時の全反射戻り光量との加算値をサーボ電圧信号として出力する。なお、ギャップサーボ目標値は、全反射戻り光量のファーフィールドでの値が１（Ｖ）となるように規格化されたとき、例えば０．５（Ｖ）のように設定される。
【００５６】
一方、データ処理部１０８はステップＳ状の信号をローパスフィルタを通したものを接近電圧信号として出力する。図１２は接近電圧信号を示す波形図である。同図に示すように、接近電圧信号は、時間の経過に伴って電圧がゼロから徐々に上昇して最終的に一定の電圧値（最終電圧値）に至る信号である。全反射戻り光量がギャップサーボ開始閾値より大きい状態から小さい状態に変化するまでは、データ処理部１０８からは接近電圧信号のみが出力され、この接近電圧信号に従って２軸アクチュエータ７の制御が行われる。時刻ｔ１は、全反射戻り光量がギャップサーボ開始閾値より大きい状態から小さい状態に変化してギャップサーボが開始された時刻を示している。このとき、電圧は既に最終電圧値に達して、接近電圧信号による集光素子２６の移動速度はほぼゼロであることが理想である。そのためには集光素子２６の端面２６ｂとディスクＤの信号記録面との初期の距離が、上記の接近電圧信号による集光素子２６の接近動作を経てギャップサーボが正常に機能する範囲に確保されている必要がある。この初期の距離が短すぎると、接近電圧信号が最終電圧値に達する以前にギャップサーボをオンになり、接近電圧信号による集光素子２６の接近動作中にギャップサーボによる同一方向への加速度が加わり、集光素子２６の端面２６ｂがディスクＤに衝突する危険がある。逆に、その初期の距離が長すぎると、ギャップサーボが開始された時点でも集光素子２６の端面２６ｂがファーフィールドにあるままとなってギャップサーボがかからないおそれがある。
【００５７】
また、集光素子２６の端面２６ｂとディスクＤの信号記録面との間にチルトがあると、ギャップがゼロであっても、全反射戻り光量がゼロにならず、ギャップエラー信号と全反射戻り光量の関係が非線形となり、ギャップサーボが不安定になるおそれがある。また、集光素子２６の端面２６ｂとディスクＤの信号記録面との間にチルトがあると、コマ収差が生じ、記録再生信号の品質を悪化させる要因となる。
【００５８】
そこで本実施形態の光ディスク装置１０では、ラジアルチルト制御機構７０及びタンジェンシャルチルト制御機構８０によってラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御を行うことが可能であるとともに、光学系ユニット高さ制御機構９０によって光学系ユニット８の高さの制御を行うことが可能とされている。
【００５９】
さらに、本実施形態の光ディスク装置１０では、ディスクごとに、そのディスク上の複数の半径位置のラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量と、ディスクの信号記録面と集光素子２６の端面２６ｂとの距離（以下、「ディスク／集光素子間距離」と呼ぶ。）を測定して、これらの測定データを不揮発性メモリ１０４に記録し、この記録された測定データをもとに、ディスクごとに、かつそのディスク上の複数の半径位置ごとに、チルトの制御と光学系ユニット８の高さの制御を行うこととしている。
【００６０】
図１３はかかる制御に必要な測定データテーブル１２０の構成を示す図である。この測定データテーブル１２０には、ディスクの識別情報１２１、測定日時情報１２２、ディスク上の複数の半径位置での測定データ１２３などが記録される。ディスクの識別情報１２１はディスクを固体識別するための情報であり、たとえばタイトル名など、ディスクを固体識別できる情報であれば何でもよい。測定日時情報１２２は測定が完了した時の日時情報である。測定データ１２３は、ラジアル方向のチルト量、タンジェンシャル方向のチルト量、ディスク／集光素子間距離のそれぞれの測定データ１２３ａ，１２３ｂ，１２３ｃからなる。なお、それぞれの測定データ１２３の値は集光素子２６の取り付け精度に依存する誤差を含むものであり、実際のチルト量及び距離の値を示すものではない。実際のチルト量及び距離の値は、反りの発生しにくい例えばシリコン製基板を用いたディスクなどを光ディスク装置１０に装着して同様の測定を行うことによって得られる基準データとの差分となる。
【００６１】
次に、ラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量と、ディスク／集光素子間距離を測定する手順を主に図１４のフローチャートを用いて説明する。
【００６２】
まず、システムコントローラ５１は、ディスクＤの回転を停止させた状態で、かつギャッブサーボをオフにした状態で、２軸アクチュエータ７をディスク半径上の最初の測定位置例えばディスクＤの最内周から２６ｍｍシフトした位置まで移動させる（ステップＳ１）。
【００６３】
全反射戻り光量は、集光素子２６の端面２６ｂがディスクＤの信号記録面に近づくほど指数関数的に減少し、集光素子２６の端面２６ｂがディスクＤの信号記録面に接触した状態、より詳細には集光素子２６の端面２６ｂの中心がディスクＤの信号記録面に接触した状態では全反射戻り光量はほぼゼロになる。そこでシステムコントローラ５１は、２軸アクチュエータ７を駆動するドライバ１１３に測定用の接近電圧信号を印加して２軸アクチュエータ７を初期の高さ位置からあらかじめ決められた制御量（移動ステップ数）ごとにディスクＤの信号記録面に向けて移動させ、その都度全反射戻り光量を測定する（ステップＳ２）。そしてシステムコントローラ５１は、この全反射戻り光量がゼロに最も近くなったときの制御量（移動ステップ数）のトータル値をディスク／集光素子間距離の測定データ１２３ｃとして測定データテーブル１２０に書き込む（ステップＳ３）。
【００６４】
次に、チルト量の測定が行われる。これは、図１５に示すように、集光素子２６の端面２６ｂとディスクＤの信号記録面Ｄａとが接触している場合であっても、チルトが生じているときは集光素子２６の端面２６ｂの中心ＳにおいてはディスクＤの信号記録面Ｄａとのギャップ量Ｇａがゼロにならず、全反射戻り光量がゼロにならないからである。
【００６５】
このチルト量の測定においては、ラジアル方向とタンジェンシャル方向の２方向のチルトのうち、いずれか一方の方向のチルト量を測定した後、続いて他方のチルト量の測定を行う。たとえば、ラジアル方向のチルトを測定してからタンジェンシャル方向のチルトを測定する。それぞれの方向のチルト量の測定は、例えば次のように行われる。システムコントローラ５１は、ラジアル方向のチルトを測定する場合にはラジアルチルト制御機構７０のステッピングモータ７１を決められた制御量（移動ステップ数）ごとに制御して集光素子２６の姿勢を初期の状態から実際に動かし、その都度全反射戻り光量を測定する（ステップＳ４）。集光素子２６の初期の姿勢とは、たとえばラジアル方向及びタンジェンシャル方向ともにチルト量がゼロである場合を想定した姿勢である。システムコントローラ５１は、この全反射戻り光量がゼロに最も近くなったときの制御量（移動ステップ数）のトータル値をラジアル方向のチルト量の測定データ１２３ａとして測定データテーブル１２０に書き込む（ステップＳ５）。
【００６６】
タンジェンシャル方向のチルト量を測定する場合も同様であり、システムコントローラ５１は、タンジェンシャルチルト制御機構８０のステッピングモータ８１を決められた制御量（移動ステップ数）ごとに制御して集光素子２６の姿勢を実際に動かし、その都度全反射戻り光量を測定し（ステップＳ６）、この全反射戻り光量がゼロに最も近くなったときの制御量（移動ステップ数）のトータル値をタンジェンシャル方向のチルト量の測定データ１２３ｂとして測定データテーブル１２０に書き込む（ステップＳ７）。
【００６７】
さらに測定の精度を高めたい場合には、チルト測定の後に再びディスク／集光素子間距離の測定をやり直すようにしてもよい。あるいは、タンジェンシャル方向のチルト量の測定の後に再びラジアル方向のチルト量の測定をやり直すようにしてもよい。さらには、チルト測定とディスク／集光素子間距離の測定とをそれぞれ複数回繰り返して、より精度の高い測定データに追い込むようにしてもよい。
【００６８】
ここまででディスク半径上の最初の測定位置での測定データ１２３が測定データテーブル１２０に記録されたことになる。続いてシステムコントローラ５１は、２軸アクチュエータ７をディスク半径上の次の測定位置たとえば最初の測定位置からさらに２ｍｍシフトした位置まで移動させる（ステップＳ８のＮＯ，ステップＳ１）。以後は同様に、ディスク／集光素子間距離の測定、及びチルト量の測定を行い、測定データ１２３を測定データテーブル１２０に追加記録する。
【００６９】
ディスク半径上のすべての測定位置での測定データ１２３を測定データテーブル１２０に記録したところで（ステップＳ８のＹＥＳ）、システムコントローラ５１は、現在の日時を測定日時情報１２２として測定データテーブル１２０に記録するとともにディスクの識別情報１２１を測定データテーブル１２０に記録する（ステップＳ９）。以上で測定の動作が完了となり、図１３に示すような測定データテーブル１２０が作成される。
【００７０】
この後、ディスクＤに対して信号の記録または再生が行われるが、このときシステムコントローラ５１は、測定データテーブル１２０に記録された測定データ１２３の中で、記録または再生する位置に最も近い半径位置の測定データ１２３を読み出し、この測定データ１２３をもとに、ディスクＤのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御と光学系ユニット８の高さの制御を行う。
【００７１】
なお、図１３の測定データテーブル１２０の例では、ディスク半径上の２ｍｍ間隔の位置での測定データ群を登録することとしたが、本発明はこれに限定されず、例えば、図１９に示すように、ディスク半径上の測定位置を３０ｍｍ未満の範囲、３０ｍｍ以上から４０ｍｍ未満の範囲、４０ｍｍ以上から５０ｍｍ未満の範囲、５０ｍｍ以上の範囲の４つに分け、それぞれの範囲の中間の半径位置での測定データを得て、４点でチルトの制御と光ピックアップ１１の高さ制御を行うようにしてもよい。あるいは、ディスク半径上の内周部（例えば２５ｍｍの位置）、外周部（例えば５５ｍｍの位置）、内外周の中心部（例えば４０ｍｍの位置）の３点の測定データを得るようにしてもよい。
【００７２】
ところで、チルト量の測定可能範囲を越えてしまう程度にディスクＤの反りが著しい場合にはチルト量を正しく測定できない。そこで、チルト量の測定可能範囲よりも若干狭い範囲を設定しておき、チルト量の測定結果がその設定範囲から逸脱する場合には、不良ディスクとして自動的にそのディスクを外部に強制的に排出（アンローディング）するようにしてもよい。ディスク／集光素子間距離についても同様に、測定可能範囲よりも若干狭い範囲を設定しておき、測定結果がその設定範囲から逸脱する場合には、不良ディスクとして自動的にそのディスクを外部に強制的に排出（アンローディング）するようにしてもよい。
【００７３】
図１６は反りが発生しやすいポリカーボネート製基板を用いたディスクのディスク／集光素子間距離の測定結果と、反りの発生しにくいシリコン製基板を用いたディスクに対するディスク／集光素子間距離の測定結果とを比較して示すグラフである。このグラフにおいて、１３０はシリコン製基板のディスクに対する測定結果を示しており、その値はこの例では全ての測定位置で０．８５ｍｍ程度でありほぼ共通である。一方、１３１はポリカーボネート製基板のディスクの測定結果であり、図１７に示すように、ポリカーボネート製基板のディスクでは、ディスク半径上の測定位置が外周になるほどディスク／集光素子間距離Ｇｄが長くなることが分かる。ポリカーボネート製基板のディスクのディスク／集光素子間距離Ｇｄの実際の距離は、このポリカーボネート製基板のディスクに対する測定結果１３１とシリコン製基板のディスクに対する測定結果１３０との差分となる。
【００７４】
図１８はポリカーボネート製基板のディスクのチルト量の測定結果とシリコン製基板のディスクに対するチルト量の測定結果とを比較して示すグラフである。このグラフにおいて、１４０はシリコン製基板のディスクに対するラジアル方向のチルト量の測定結果を示しており、その値はこの例では全ての測定位置で０．３６ｄｅｇ程度でありほぼ共通である。一方、１４１はポリカーボネート製基板のディスクに対するラジアル方向のチルト量の測定結果である。ポリカーボネート製基板のディスクのラジアル方向のチルト量の実際の値は、このポリカーボネート製基板のディスクに対する測定結果１４１とシリコン製基板のディスクに対する測定結果１４０との差分となる。すなわち、グラフから分かるように、ポリカーボネート製基板のディスクでは、ディスク半径上の測定位置が外周寄りになるほどラジアル方向のチルト量が大きくなることが分かる。また、１４２はシリコン製基板のディスクに対するタンジェンシャル方向のチルト量の測定結果を示しており、その値はこの例では全ての半径位置で０．９４ｄｅｇ程度でありほぼ共通である。一方、１４３はポリカーボネート製基板のディスクのタンジェンシャル方向のチルト量の測定結果である。ポリカーボネート製基板のディスクのタンジェンシャル方向のチルト量の実際の値も、このポリカーボネート製基板のディスクに対する測定結果１４３とシリコン製基板のディスクに対する測定結果１４２との差分となる。すなわち、グラフから分かるように、ポリカーボネート製基板のディスクでは、ディスク半径上の測定位置が外周寄りになるほどタンジェンシャル方向のチルト量がラジアル方向のチルト量ほどではないにせよ大きくなることが分かる。このような理由から、チルト量の測定に関しては、精度は若干落ちるものの、ラジアル方向のチルト量のみを測定対象としてラジアル方向のチルト量のみを制御するようにしても構わない。
【００７５】
次に、測定データテーブル１２０の再利用に関する制御について説明する。すなわち、測定データテーブル１２０を不揮発性メモリ１０４に記録しておけば、再度同じディスクがローディングされた場合に測定データテーブル１２０に登録済みの該当するディスクの測定データ１２３を用いることで、改めてチルト量やディスク／集光素子間距離を測定しなくても、直ちにチルトの制御や光学系ユニット８の高さの制御を行うことができる。
【００７６】
測定済みのディスクであるかどうかの判断を行うために、測定データテーブル１２０にはディスクの固体識別のための識別情報１２１が測定データ１２３と対応付けて登録されている。また、測定データテーブル１２０には、識別情報１２１に対応付けて測定日時情報１２２も登録されており、この測定日時情報１２２は測定データ１２３が有効期限内のものであるかどうかを判断するために用いられる。これは、ディスク基板の経年的な変形などを考慮した処理であり、有効期限が切れた測定データ１２３を無効とし、改めてチルト量及びディスク／集光素子間距離の測定を行って測定データの再登録を行うものとしている。
【００７７】
次に、測定データの再利用に関する制御の手順を主に図２０のフローチャートを参照して説明する。
【００７８】
システムコントローラ５１は、ディスクＤのローディングが完了した後（ステップＳ１１）、そのディスクＤから、そのディスクＤの固体識別のための識別情報を読み込む（ステップＳ１２）。次に、システムコントローラ５１は、そのディスクＤが測定済みのディスクであるかどうかを判断するために、読み込んだ識別情報が測定データテーブル１２０に登録されたいずれかの識別情報１２１と一致するかどうかを判断する（ステップＳ１３）。システムコントローラ５１は、ローディングされたディスクＤが測定済みのディスクであることを判断した場合には、次に、そのディスクＤの測定日時情報１２２を測定データテーブル１２０から読み込み、そのディスクＤの測定データ１２３の有効期限が切れていないかどうかを判断する（ステップＳ１４）。例えば、システムコントローラ５１は、例えば６ヶ月、１年といった有効期間を予め設定しておき、測定データテーブル１２０から読み込んだ測定日時情報１２２が示す前回の測定日時と現在日時から経過日時を算出し、これが有効期間内であるかどうかを判断する。そのディスクＤの測定データ１２３の有効期限が切れていなければ、システムコントローラ５１は、ディスクＤに対して情報の記録または再生が行われる際に、測定データテーブル１２０からそのディスクＤの測定データ１２３を読み込み、この測定データ１２３をもとにディスクＤのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御と光学系ユニット８の高さの制御を行う（ステップＳ１５）。
【００７９】
一方、システムコントローラ５１は、ローディングされたディスクＤが測定済みのディスクではないことをステップＳ１３で判断した場合には、図１４を用いて説明した手順で、ラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量と、ディスク／集光素子間距離の測定を行い、その測定データ１２３を測定データテーブル１２０に登録し（ステップＳ１６）、この測定データ１２３をもとにディスクＤのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御と光学系ユニット８の高さの制御を行う（ステップＳ１５）。
【００８０】
また、システムコントローラ５１は、測定済みのディスクであっても有効期限が切れていることをステップＳ１４で判断した場合にも、図１４を用いて説明した手順で、ラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量と、ディスク／集光素子間距離の測定を行い、その測定データ１２３を測定データテーブル１２０に登録し（ステップＳ１６）、この測定データ１２３をもとにディスクＤのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御と光学系ユニット８の高さの制御を行う（ステップＳ１５）。
【００８１】
以上のように、本実施の形態では、ディスク上の複数の半径位置でのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量とディスク／集光素子間距離を測定し、これらの測定データ１２３を測定データテーブル１２０に登録し、この登録された測定データ１２３をもとに、ディスク上の半径位置ごとに、チルトの制御と光学系ユニット８の高さの制御を行うことによって、ディスクがいかなる状態で反っていても、ディスクの信号記録面の全域に亘ってギャップサーボを良好に行うことができる。
【００８２】
また、本実施の形態では、ディスクごとに測定データ１２３を不揮発性メモリ１０４に格納された測定データテーブル１２０に登録し、測定済みのディスクがローディングされた場合には、測定データテーブル１２０に登録されている測定データ１２３をもとにチルトの制御と光学系ユニット８の高さの制御を行うことによって、ディスクのローディング後にチルトとディスク／集光素子間距離の測定をスキップして速やかにそのディスクに対する情報の記録または再生を開始することができる。
【００８３】
さらに、本実施の形態では、測定データ１２３が有効期限内のものであるかどうかを判断し、有効期限が切れている場合には、その有効期限が切れた測定データ１２３を無効とし、改めてチルト量及びディスク／集光素子間距離の測定を行って測定データ１２３の再登録を行うことによって、チルトの制御及び光学系ユニット８の高さの制御の信頼性を維持することができる。
【００８４】
なお、本実施の形態において、記録再生ユニット１５は、信号の記録及び再生を行うユニットであるが、記録または再生のうちいずれか一方が行われるユニットであってもよい。また、本発明は、近接場光を利用して信号を記録または再生する光ディスク装置に限定されるものではなく、ＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等の光ディスクに対する再生または記録のいずれか一方を行う光ディスク装置にも適用可能である。
【００８５】
また、集光素子２６の端面２６ｂが汚れている場合、集光素子２６の端面２６ｂとディスクＤの信号記録面とが接触しているときであっても全反射戻り光量がゼロにならない。図２１はギャップサーボの引き込み時に集光素子２６の端面２６ｂとディスクの信号記録面との距離がギャップ目標値になるまでのギャップエラー信号の時間変化の波形を示す図であり、（ａ）は集光素子２６の端面２６ｂがきれいな場合の波形、（ｂ）は集光素子２６の端面２６ｂが汚れている場合の波形である。ギャップエラー信号とは、集光素子２６の端面２６ｂに対して全反射する角度で入射するレーザ光の戻り光量の信号である。図２１の（ａ）に示すように、集光素子２６の端面２６ｂがきれいな場合、ギャップエラー信号は、ファーフィールド状態からニアフィールド状態に変化した後に速やかにギャップ目標値に達する。しかし、集光素子２６の端面２６ｂにダスト等が付着して汚れている場合には、図２１の（ｂ）に示すように、ギャップエラー信号が大きく乱れ、速やかにギャップ目標値にならない。そこで、チルト量の測定の前に集光素子２６の端面２６ｂのクリーニングを行うことが望ましい。集光素子２６の端面２６ｂのクリーニング方法は、レンズクリーナを用いる方法や、ブラシを用いる方法、回転ブラシを用いる方法など公知のものでよい。
【００８６】
本発明は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る光ディスク装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１に示す光ディスク装置の内部構造を示す斜視図である。
【図３】ベースプレートとインナーベースとを示す側面図である。
【図４】２軸アクチュエータを示す斜視図である。
【図５】集光素子を示す斜視図である。
【図６】集光素子の端面を示す斜視図である。
【図７】インナーベース上の記録再生ユニットを示す斜視図説明図である。
【図８】図７をＸ１方向から見た側面図である。
【図９】図７からクランプ部、スピンドルモータなどを省いて光学系ユニット、ラジアルチルト制御機構及びタンジェンシャルチルト制御機構を示す斜視図である。
【図１０】図１の光ディスク装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図１１】システムコントローラ内のギャップサーボ系の構成を示すブロック図である。
【図１２】接近電圧信号を示す波形図である。
【図１３】測定データテーブルの構成を示す図である。
【図１４】ラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量と、ディスク／集光素子間距離を測定する手順を示すフローチャートである。
【図１５】集光素子の端面とディスク信号記録面とのチルトの様子を示す図である。
【図１６】ポリカーボネート製基板のディスク及びシリコン製基板のディスクに関するディスク／集光素子間距離の測定結果を示すグラフである。
【図１７】ポリカーボネート製基板ディスクのディスク／集光素子間距離と半径位置との関係を示す図である。
【図１８】ポリカーボネート製基板のディスク及びシリコン製基板のディスクに関するチルト量の測定結果を示すグラフである。
【図１９】測定データテーブルの他の構成を示す図である。
【図２０】測定データの再利用に関する制御の手順を示すフローチャートである。
【図２１】ギャップサーボの引き込み時に集光素子とディスクとの距離がギャップ目標値になるまでのギャップエラー信号の時間変化の波形を示す図である。
【符号の説明】
【００８８】
７      ２軸アクチュエータ
８      光学系ユニット
１０      光ディスク装置
１１      光ピックアップ
２６      集光素子
５１      システムコントローラ
６０      光検出器
７０      ラジアルチルト制御機構
８０      タンジェンシャルチルト制御機構
９０      光学系ユニット高さ制御機構
１０４      不揮発性メモリ
１２０      測定データテーブル
１２１      識別情報
１２２      測定日時情報
１２３      測定データ
Ｄ      光ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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