(57)【要約】【課題】本発明は、転写構造が変形することなく、スタンパと被転写体とを剥離することができるインプリント装置およびインプリント方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、スタンパ２に形成された微細な凹凸形状を被転写体１に接触させて転写するインプリント装置Ａ１において、前記スタンパ２および前記被転写体１の少なくともいずれかの端部に面取り加工部分を有しており、接触させた前記スタンパ２および前記被転写体１の少なくともいずれかの前記面取り加工部分を保持して剥離する剥離手段を備えることを特徴とする。【選択図】図１
2008012859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタンパに形成された微細な凹凸形状を被転写体に接触させて転写するインプリント装置において、
前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの端部に面取り加工部分を有しており、
接触させた前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの前記面取り加工部分を保持して剥離する剥離手段を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記スタンパと前記被転写体との剛性が異なることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記スタンパおよび前記被転写体に中心穴が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記剥離手段は、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの外周側の端部を係止する治具であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記剥離手段は、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの中心穴側の端部を係止する治具であることを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記治具は、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの端部を保持する一つの連続した面を備えていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記治具は、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの端部を保持する複数の面を備えていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記スタンパが前記被転写体よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記被転写体を挟むように２枚の前記スタンパが配置されることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
２枚の前記スタンパの離型性がそれぞれ異なることを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記スタンパが固定されており、前記被転写体の前記面取り加工部分を保持して剥離することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
スタンパに形成された微細な凹凸形状を被転写体に転写するインプリント方法において、
前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの端部に面取り加工部分を有しており、前記被転写体と前記スタンパとを接触させる接触工程と、
前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの前記面取り加工部分を保持して剥離する剥離工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１３】
前記剥離工程は、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかを治具で係止して剥離することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント方法。
【請求項１４】
前記治具は、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの外周側の端部を係止することを特徴とする請求項１３に記載のインプリント方法。
【請求項１５】
前記スタンパおよび前記被転写体に中心穴が形成されており、前記治具は、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの中心穴側の端部を係止することを特徴とする請求項１３に記載のインプリント方法。
【請求項１６】
前記接触工程において、被転写体には、２枚のスタンパが接触することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント方法。
【請求項１７】
前記剥離工程において、２枚の前記スタンパは、前記被転写体から逐次に剥離されることを特徴とする請求項１６に記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被転写体の表面にスタンパの表面形状を転写するインプリント装置およびインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のＩＴ技術の進歩により、ネットワーク技術、ソフトウェア技術、およびデバイス技術の更なる発展が必要となっている。特に半導体集積回路は、微細化、集積化による高速動作や、低消費電力動作などの高い技術が求められている。現在、光露光リソグラフィは、最小線幅が１３０ｎｍであるＫｒＦレーザーリソグラフィから、より高解像度なＡｒＦレーザーリソグラフィへと移行している。しかし、ＡｒＦレーザーリソグラフィの量産レベルでの最小線幅が１００ｎｍであるのに対して、２００７年には４５ｎｍデバイスの製造が始まろうとしている。このような状況で、より微細な技術として期待されているのがＦ２レーザーリソグラフィや極端紫外線露光、電子線縮小転写露光、Ｘ線リソグラフィである。しかし、微細化の進歩につれ、露光装置自身の初期コストが指数関数的に増大していることに加え、使用光波長と同程度の解像度を得るためのマスクの価格が急騰している問題がある。
【０００３】
これに対し、微細なパターンの形成を行うインプリント技術がある。これは、基板上に形成したいパターンと同じパターンの凹凸を有するスタンパを被転写体表面に対して型押し、スタンパを剥離することで所定のパターンを転写する技術であり、安価でありながら、２５ｎｍ以下の微細構造を転写により形成可能である。そして、インプリント技術は大容量記録媒体の記録ビット形成、半導体集積回路パターン形成等への応用が検討されてきている。
インプリント技術で、大容量記録媒体基板や半導体集積回路基板上に微細パターンを形成し剥離する際、真空吸着している両者を垂直に剥離することは困難であり、前記スタンパと前記被転写体との間に間隙を作り真空破壊していく必要がある。例えば、特許文献１では、スタンパまたは被転写体を傾斜させて、片側に間隙を作った後、反対側を持ち上げ剥離する技術が開示されている。
【特許文献１】米国特許第６８７０３０１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、磁気記録媒体用のディスク基板のようにナノメートルオーダの微細構造を転写する場合には、転写構造が微細なために、剥離する際に転写構造が変形し、上手く剥離できない問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、転写構造が変形することなく、スタンパと被転写体とを剥離することができるインプリント装置およびインプリント方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決する本発明は、スタンパに形成された微細な凹凸形状を被転写体に接触させて転写するインプリント装置において、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの端部に面取り加工部分を有しており、接触させた前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの前記面取り加工部分を保持して剥離する剥離手段を備えることを特徴とする。
【０００７】
また、前記課題を解決する本発明は、スタンパに形成された微細な凹凸形状を被転写体に転写するインプリント方法において、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの端部に面取り加工部分を有しており、前記被転写体と前記スタンパとを接触させる接触工程と、前記スタンパおよび前記被転写体の少なくともいずれかの前記面取り加工部分を保持して剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のインプリント装置およびインプリント方法によれば、転写構造が変形することなく、スタンパと被転写体とを剥離することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、本発明の実施形態について適宜図面を参照しながら詳細に説明する。参照する図面において、図１は、実施形態に係るインプリント装置の構成説明図である。図２は、実施形態に係るインプリント装置の被転写体およびスタンパを上方から見た様子を示す平面図である。図３は、被転写体およびスタンパの面取り加工部分付近の部分拡大図である。なお、図３は、被転写体およびスタンパが接触しているときの様子を示す図である。
【００１０】
図１に示すように、インプリント装置Ａ１は、昇降機構１１で上下移動が可能な可動ステージ５に取り付けられた下部プレート３に、スタンパ２が配置されている。そして、後記するように剥離ピン７で面取り加工部分Ｔ（図３参照）が係止されてスタンパ２が剥離する際に、剥離ピン７は、特許請求の範囲にいう「一つの連続した面」として、スタンパ２を保持する。なお、この剥離ピン７は、後記する剥離部１２ｂ，１２ｃ（図５参照）に形成された複数の面でスタンパ２を保持するように構成されていてもよい。
【００１１】
このスタンパ２の上方には被転写体１が配置されており、被転写体１の表面には光硬化性樹脂６が塗布されている。また、前記被転写体１の中心には穴が形成されている。前記被転写体１の上方には、透明な上部プレート４が配置されている。なお、可動ステージ５を上昇させて真空シール８を上部プレート４に接触させると、可動ステージ５と上部プレート４との間で真空室が形成されるようになっている。そして、真空室から図示しない真空ポンプ等で排気することで被転写体１とスタンパ２とが真空雰囲気に晒されることとなる。その結果、後記するように、光硬化性樹脂６を介して被転写体１とスタンパ２とが接触した際に、被転写体１とスタンパ２との間に気泡が巻き込まれることが回避される。そして、インプリント装置Ａ１は、先端に剥離部１２を有する剥離ピン７と、この剥離ピン７を駆動する駆動装置１０とを更に備えている。これらの剥離部１２、剥離ピン７、および駆動装置１０は、接触した被転写体１とスタンパ２とのいずれかの面取り加工部分Ｔを保持して剥離するものであって、特許請求の範囲にいう「剥離手段」に相当する。また、剥離ピン７は、特許請求の範囲にいう「治具」に相当する。
【００１２】
スタンパ２は、中心穴Ｈａが形成されている円盤状の部材であって、被転写体１側に転写されるべき微細な凹凸パターンが所定の基板の表面に形成されたものである。凹凸パターンを形成する方法は特に限定されない。凹凸パターンの形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィ、集束イオンビームリソグラフィ或いは電子ビーム描画法、メッキ法等が挙げられる。スタンパの材料には、例えば、シリコン、ガラス、ニッケル、樹脂などが使用可能であり、強度と要求される加工性を有するものであればよい。なお、スタンパ表面には被転写体や、被転写体上に配する別の材料との剥離性を得るためにフッ素系、シリコーン系などの離型処理を施すことが望ましい。また、スタンパ２の端部には、０．０５μｍから前記した基板の２分の１の厚さで面取りされた後記する面取り加工部分Ｔ（図３参照）が形成されている。
【００１３】
被転写体１は、中心穴Ｈｂが形成されている円盤状の部材であって、スタンパ２に形成された微細な凹凸パターンが転写されるものである。そして、被転写体１は、スタンパ２とその径が異なるものが望ましい。ちなみに、被転写体１は、スタンパ２と比較してその径が小さくなっている。本実施形態での被転写体１は、光硬化性樹脂６にこの被転写体１を介して紫外光等の電磁波を照射する必要があることから透明性を有するものから選択される。ただし、光硬化性樹脂６に代えて、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等のその他の被加工材料が使用される場合には、不透明なものであってもよい。
【００１４】
被転写体１としては、所定の基板上に塗布された樹脂薄膜、樹脂製基板、樹脂製シート等、基板の表面の所望する微細加工の精度が得られるものが好ましい。好適な樹脂材料としては、主成分がシクロオレフィンポリマー、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ乳酸、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリビニルアルコールなどが挙げられ、これらの材料に感光性物質を添加した合成材料であってもよい。また、樹脂薄膜を塗布する際の基板としては、例えば、シリコン、ガラス、石英、アルミニウム合金、樹脂などの各種材料を加工したものが挙げられる。また、被転写体１の端部には、０．０５μｍから前記した基板の２分の１の厚さで面取りされた後記する面取り加工部分Ｔ（図３参照）が形成されている。
【００１５】
そして、被転写体１は、このような材料を選択する場合に、その剛性がスタンパ２と異なるものが望ましい。また、被転写体１は、その厚さを調節することによってもその剛性をスタンパ２と違えることができる。例えば、被転写体１を湾曲させて剥離する場合には、剛性に富むスタンパ２が選択され、スタンパ２を湾曲させて剥離する場合には、剛性に富む被転写体１が選択されることで、スタンパ２と被転写体１とを容易に剥離することができる。
【００１６】
そして、本実施形態に係るインプリント装置Ａ１では、被転写体１とスタンパ２の相対位置が合わせ込まれた後に、被転写体１にスタンパ２が押し付けられる。その結果、スタンパ２に形成された微細な凹凸パターンが、被転写体１上の光硬化性樹脂６に転写されることとなる。そしてスタンパ２が押し付けられた後に、上部プレート４を通して紫外光が照射されることで光硬化性樹脂６が硬化する。
【００１７】
剥離手段を構成する剥離ピン７は、先端部に剥離部１２が形成された棒状の部材であって、スタンパ２の中心穴Ｈａと、被転写体１の中心穴Ｈｂとに挿通されている。つまり、剥離ピン７は、中心穴Ｈａ側の端部、および中心穴Ｈｂ側の端部に配置されている。そして、剥離ピン７は、駆動装置１０によって、被転写体１（スタンパ２）の半径方向に移動するとともに、上下方向にも移動するようになっている。ちなみに、剥離ピン７は、被転写体１（スタンパ２）の外周側の端部に配置されてもよい。
【００１８】
また、剥離ピン７は、スタンパまたは被転写体に均等に応力がかかるように配置されることが望ましい。そして、剥離ピン７の配置数は、２以上配置されており、中心穴Ｈａ，Ｈｂ側の端部、または外周側の端部において、それぞれ異なる位置に接触し、スタンパ２または被転写体１に均等に応力がかかることが望ましい。ちなみに、本実施形態での剥離ピン７は、図２に示すように、被転写体１の中心穴Ｈｂの縁に沿うように等間隔に４本配置されている。そして、剥離ピン７の先端部に形成される剥離部１２は、図１に示すように、下部プレート３の中央側からその半径の外側に向かう方向に剥離ピン７から突出しているとともに、その先端が尖った楔状に形成されている。そして、剥離部１２の外側端面、つまり、被転写体１（スタンパ２）の半径方向外側の端面は、図２に示すように、被転写体１（スタンパ２）の後記する面取り加工部分Ｔ（図３参照）に沿うように円弧状に形成されている。
【００１９】
また、剥離ピン７の剥離部１２は、図３に示すように、スタンパ２および／または被転写体１の端部（中心穴Ｈａ，Ｈｂ側の端部、外周側の端部（図示せず））の面取り加工部分Ｔの形状に適合した形状を有することが望ましい。ちなみに、本実施形態では、図３に示すように、スタンパ２および被転写体１の面取り加工部分Ｔの形状に適合させている。
【００２０】
剥離ピン７は、剥離ピン７のヤング率がスタンパ２および被転写体１より小さいものが好ましい。そして、剥離ピン７の材料としては、スタンパ２および被転写体１に傷を付けにくい樹脂材料等を用いることが望ましい。好適な樹脂材料として、主成分がシクロオレフィンポリマ、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ乳酸、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリビニルアルコールなどである。また、剥離ピン７が磨耗した場合には簡便に交換できるものが望ましい。
【００２１】
次に、本実施形態に係るインプリント装置Ａ１の動作について適宜図面を参照しながら説明しつつ、本実施形態に係るインプリント方法について説明する。参照する図面において、図４の（ａ）から（ｄ）は、インプリント方法の工程説明図である。なお、図４の（ａ）から（ｄ）においては、便宜上、図１の可動ステージ５、真空シール８、駆動装置１０、および昇降機構１１の記載を省略している。また、図４の（ａ）から（ｄ）においては、スタンパ２および被転写体１の面取り加工部分Ｔを省略している。
【００２２】
まず、このインプリント装置Ａ１では、図１に示すように、スタンパ２が、下部プレート３上に配置されてから、このスタンパ２の上方に、光硬化性樹脂６が片面に施された被転写体１が配置される。このとき４本の剥離ピン７は、スタンパ２の中心穴Ｈａと被転写体１の中心穴Ｈｂとに挿通されるとともに、駆動装置１０は、剥離ピン７同士の間隔を広げる。その結果、図１に示すように、剥離ピン７は、中心穴Ｈａ，Ｈｂ側の端部と当接することによって、スタンパ２と被転写体１とを、間隔をあけて保持する。
【００２３】
次に、昇降機構１１によって可動ステージ５が上昇することで、可動ステージ５と上部プレート４と真空シール８にて囲まれる真空室に、被転写体１およびスタンパ２が密閉される。そして、真空室から排気されることで被転写体１とスタンパ２とは、減圧雰囲気に晒される。このとき、間隔をあけて保持した状態で減圧することで、スタンパ２と被転写体１との間の気泡の残存によるパターン不良を抑制することができる。
【００２４】
次に、駆動装置１０によって剥離ピン７同士の間隔が縮まると、図４（ａ）に示すように、被転写体１は剥離ピン７から解放されることによって自重で下方に移動する。その結果、スタンパ２と被転写体１とが光硬化性樹脂６を介して接触する。
【００２５】
そして、図４（ｂ）に示すように、駆動装置１０（図１参照）によって剥離ピン７同士の間隔が広げられる。その結果、剥離ピン７は、中心穴Ｈａ，Ｈｂ側の縁部に押し当てられることによって、被転写体１とスタンパ２との相対位置が合わせ込まれる。
【００２６】
そして、図４（ｃ）に示すように、必要に応じて上部プレート４側から被転写体１側に向かって荷重Ｆが加えられる。この際、真空シール８（図１参照）は、この荷重Ｆによって弾性変形し、下部プレート３と上部プレート４とは、接触したスタンパ２と被転写体１とを荷重Ｆをかけて挟み込むことができる。その結果、スタンパ２の表面形状は、被転写体１上で光硬化性樹脂６に転写される。荷重Ｆは、機械的に発生させたもの、水やガス等の流体圧を利用するもの、電磁力等のように被接触的に発生させたもののいずれであってもよい。ちなみに、使用する光硬化性樹脂６等の被加工材料の性状によっては、荷重Ｆはスタンパ２の自重であってもよい。そして、本実施形態では、図２（ｄ）に示すように、上部プレート４を介して紫外光ＵＶが図示しない光源から照射されて、スタンパ２の表面形状が転写された光硬化性樹脂６が硬化する。
【００２７】
次に、図４（ｄ）に示すように、剥離ピン７の剥離部１２が被転写体１とスタンパ２の面取り加工部分Ｔ（図３参照）に接触できるように、駆動装置１０（図１参照）が剥離ピン７を被転写体１（スタンパ２）の半径方向の外側に移動させる。そして、剥離部１２は、スタンパ２の中心穴Ｈｂの端部と、被転写体１の中心穴Ｈａの端部との間に接触する。そして、駆動装置１０が剥離ピン７を下方に移動させることによって、スタンパ２が湾曲して被転写体１から剥離する。その結果、被転写体１上の光硬化性樹脂６には、スタンパ２の表面形状が転写されたパターンが形成される。
【００２８】
以上のようなインプリント装置Ａ１、およびインプリント方法によれば、スタンパ２と被転写体１とを剥離する際に、剥離ピン７がスタンパ２および被転写体１の少なくともいずれかの面取り加工部分Ｔを保持して剥離させる。その結果、スタンパ２と被転写体１は、従来の技術（例えば、特許文献１参照）と異なって、微細な転写構造を変形させることなくスタンパ２と被転写体１とを剥離することができる。
【００２９】
なお、本発明は、前記実施形態に限定されることなく、様々な形態で実施される。
前記実施形態では、スタンパ２の面取り加工部分Ｔを保持して剥離したが、本発明は被転写体１の面取り加工部分Ｔを保持して剥離してもよい。この場合、被転写体１の剛性がスタンパ２の剛性より低いことが望ましい。
【００３０】
前記実施形態では、被転写体１およびスタンパ２として、中心穴Ｈｂおよび中心穴Ｈａを形成したものを使用したが、本発明は、中心穴Ｈａ，Ｈｂを形成していないものを使用してもよい。この場合、スタンパ２や被転写体１の外周側の端部を利用して、スタンパ２や被転写体１の面取り加工部分Ｔを保持して剥離することができる。また、内周端部および外周端部の面取り加工部分（図示せず）の両方を利用して剥離することができる。
【００３１】
前記実施形態では、スタンパ２を下部プレート３に配置してから、このスタンパ２に相対するように、光硬化性樹脂６を予め塗布した被転写体１を配置したが、本発明は、例えば、光硬化性樹脂６を塗布した被転写体１を下部プレート３に配置し、これにスタンパ２を相対するように配置してもよい。また、スタンパ２に光硬化性樹脂６を予め塗布して同様に配置してもよい。さらに、インプリント装置Ａ１は、ディスペンサ、インクジェットヘッドなどの光硬化性樹脂６を付与する手段を組み込むことにより、光硬化性樹脂６を被転写体１や、スタンパ２に自動的に塗布するように構成することもできる。
【００３２】
前記実施形態では、光硬化性樹脂６を使用したが、本発明は、例えば熱可塑性材料や熱硬化性材料を使用することもできる。この場合には、被転写体１へスタンパ２を押し付ける前に、被転写体１の温度は、熱可塑性樹脂のガラス転移温度以上とする。そしてスタンパ２を押し付けた後、熱可塑性樹脂であれば被転写体１とスタンパ２を冷却し、熱硬化性樹脂であれば被転写体１とスタンパ２を重合温度条件にて保持することでこれらの樹脂は硬化する。そして、これらの樹脂が硬化した後に、被転写体１とスタンパ２とを剥離することで、スタンパ１の表面の凹凸形状を被転写体１側に転写することができる。
【００３３】
前記実施形態では、スタンパ２は真空吸着等により下部プレート３に支持させることを想定しているが、本発明は、スタンパ２を下部プレート３に固定したものであってもよい。この場合には、スタンパ２の面取り加工部分Ｔに剥離ピン７を接触させて、剥離する際にせり上がる部分の下部プレート３に空間を設けておくとよい。
【００３４】
本発明では、前記実施形態で示した剥離ピン７に代えて様々な剥離ピン７を適用することができる。ここで参照する図５の（ａ）から（ｅ）は、剥離ピンの変形例を示す模式図である。
【００３５】
図５（ａ）に示すように、この剥離ピン７は、剥離部１２ａと、下部プレート３と略垂直な平面からなる位置決め部７ａを有している。このような剥離ピン７は、被転写体１（図１参照）の端部や、スタンパ２（図１参照）の端部と略垂直に接することができるので、被転写体１と、スタンパ２との位置合わせのズレを最小とすることができる。また、この剥離ピン７は、剥離部１２ａを有しており、剥離ピン７が下部プレート３に対して垂直方向に上下移動することで、被転写体１とスタンパ２の端部の面取り加工部分Ｔ（図３参照）に接触可能であり、剥離工程を行うことができる。そして、図５（ｂ）、図５（ｃ）、および図５（ｄ）に示す剥離ピン７も同様に、下部プレート３に対して垂直方向に上下移動することができる。
【００３６】
また、被転写体１やスタンパ２の中心穴側の端部で被転写体１とスタンパ２とを剥離する剥離ピン７は、図５（ａ）、図５（ｂ）、および図５（ｃ）に示すように、下部プレート３の中心穴Ｈｃ側に配置される。そして、被転写体１やスタンパ２の外周側の端部で被転写体１とスタンパ２とを剥離する剥離ピン７は、図５（ｄ）、図５（ｅ）、および図５（ｆ）に示すように、下部プレート３の外周側に配置される。
【００３７】
また、剥離ピン７の剥離部の形状としては、様々なものを使用することができるが、例えば、図５（ａ）、図５（ｂ）、および図５（ｅ）に示すように、片面にテーパが形成された楔状の剥離部１２ａ，１２ｂであってもよい。また、図５（ｃ）、および図５（ｆ）に示すように、複数の楔が形成された剥離部１２ｃであって、スタンパ２（または被転写体１）を保持する２つ以上の面を有するものであってもよい。
また、剥離ピン７は、剥離部１２ａ，１２ｂ，１２ｃと位置決め部７ａとを有しているが、剥離部１２ａ，１２ｂ，１２ｃのみを有するものであってもよい。
【００３８】
前記実施形態では、被転写体１に対して１つのスタンパ２の表面形状を転写したが、本発明は、被転写体１に向けた２つのスタンパ２を加圧するものであってもよい。ここで参照する図６の（ａ）から（ｈ）は、２つのスタンパを使用するインプリント装置で行うインプリント方法の工程説明図である。なお、図６の（ａ）から（ｈ）においては、スタンパ２および被転写体１の面取り加工部分Ｔを省略している。
【００３９】
このインプリント装置では、図６（ａ）に示すように、上部プレート４に一方のスタンパ２ｂが固定され、下部プレート３上に他方のスタンパ２ａが配置される。そして、下側のスタンパ２ａの上面にはアクリレート系の光硬化性樹脂６が塗付される。ちなみに、光硬化性樹脂６を介しての被転写体１に対するスタンパ２ａの離型性と、被転写体１に対するスタンパ２ｂの離型性とは異なっており、スタンパ２ａの離型性よりもスタンパ２ｂの離型性のほうが良好となるように設定されている。
【００４０】
次に、図６（ｂ）に示すように、片面にアクリレート系の光硬化性樹脂６が塗布された被転写体１が、２つのスタンパ２ａ，２ｂの間に配置される。このスタンパ２ａ，２ｂと被転写体１との剛性は異なっており、スタンパ２ａ，２ｂは、被転写体１と比較して剛性が低くなっている。そのため、後記する被転写体１からのスタンパ２ａ，２ｂの剥離が容易になる。そして、被転写体１とスタンパ２ａとは、間隔をあけて剥離ピン７に保持される。
【００４１】
図６（ｃ）に示すように、被転写体１は剥離ピン７から解放されることによって、下側のスタンパ２ａと光硬化性樹脂６を介して接触する。そして、図６（ｄ）に示すように、下部プレート３と上部プレート４との間で被転写体１と両スタンパ２ａ，２ｂとを光硬化性樹脂６を介して接触させた後に、図６（ｅ）に示すように、剥離ピン７を被転写体１と両スタンパ２ａ，２ｂとに押し当てることで、被転写体１と両スタンパ２ａ，２ｂとの相対位置が合わせ込まれる。
【００４２】
次に、図６（ｆ）に示すように、下部プレート３と上部プレート４との間で被転写体１とスタンパ２ａ，２ｂが荷重Ｆで押し付けられた。被転写体１とスタンパ２ａ，２ｂとが押し付けられた状態で紫外光ＵＶが照射される。
【００４３】
そして、光硬化性樹脂６が硬化した後、上側のスタンパ２ｂと被転写体１の境界部に剥離ピン７の剥離部１２ｂが接触するとともに、剥離ピン７が上方に移動することでスタンパ２ｂの中心穴側でスタンパ２ｂの面取り加工部分Ｔ（図３参照）を持ち上げる。その結果、図６（ｇ）に示すように、スタンパ２ｂと被転写体１とが剥離する。このときスタンパ２ａの離型性よりもスタンパ２ｂの離型性のほうが良好となるように設定されているので、スタンパ２ｂのほうが優先的に剥離される。次いで、下側のスタンパ２ａと被転写体１の境界部に剥離ピン７の剥離部１２ｂが接触するとともに、剥離ピン７が下方に移動することでスタンパ２ａの中心穴側でスタンパ２ａの面取り加工部分Ｔが押し上げられる。その結果、図６（ｈ）に示すように、スタンパ２ａと被転写体１とが剥離する。
【実施例】
【００４４】
次に、実施例を示しながら本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
本実施例では、ディスク基板の片面に溝構造が形成された。
被転写体としては、直径６５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ、中心穴Ｈｂの径２０ｍｍの円盤状ガラス基板が使用された。この被転写体は、その外周の端部、および中心穴の端部が、幅０．１５ｍｍで面取されたものである。そして、被転写体の表面には、アクリレート系の光硬化性樹脂がディスペンス法によって予め塗付された。
【００４５】
スタンパとしては、被転写体と同一の形状の石英基板が使用された。そして、このスタンパの被転写体と対向する側の面には、周知の電子線直接描画（ＥＢ）法によって、同心円状に複数の溝が刻まれた。この溝は、幅が５０ｎｍ、深さが１００ｎｍ、ピッチが１００ｎｍであった。そして、溝の中心軸は、スタンパの中心軸と一致させた。
【００４６】
次に、図１に示すように、スタンパ２が下部プレート３上に配置された。そして、被転写体１が、図示しないロボットアームによって外部からスタンパ２の上方に搬送された。そして、被転写体１の中心穴Ｈｂ側の端部と、スタンパ２の中心穴Ｈａ側の端部に４本の剥離ピン７が当接することで、被転写体１とスタンパ２とは、間隔をあけて剥離ピン７に保持された。このとき、スタンパ２と被転写体１との間隔は、約２００μｍであった。
【００４７】
次に、可動ステージ５が昇降機構１１で上昇することで、上部プレート４と可動ステージ５との間に真空室が形成された。そして、真空室から図示しない真空ポンプで排気されることによって、真空室の気圧が、１．０ｋＰａの減圧雰囲気に設定された。
次に、図４（ａ）に示すように、被転写体１は、剥離ピン７から解放されることによってスタンパ２と光硬化性樹脂６を介して接触した。そして、図４（ｂ）に示すように、剥離ピン７が中心穴Ｈａ側の端部、および中心穴Ｈｂ側の端部に押し当てられることによって、被転写体１とスタンパ２との相対位置が合わせ込まれた。次いで、可動ステージ５（図１参照）が上昇することで、図４（ｃ）に示すように、下部プレート３と上部プレート４との間で被転写体１がスタンパ２に荷重Ｆで押し付けられた。そして、押し付けられた状態で紫外光ＵＶが光硬化性樹脂６に照射された。そして、光硬化性樹脂６が硬化した後、真空室は大気圧に戻され、可動ステージ５が昇降機構１１によって下げられて元の位置へ戻された。
【００４８】
その後、図４（ｄ）に示すように、剥離ピン７の剥離部１２が被転写体１とスタンパ２の接触面に挿入できるように、駆動装置１０（図１参照）が剥離ピン７を被転写体１（スタンパ２）の半径方向の外側に移動させた。そして、剥離部１２は、スタンパ２の中心穴Ｈｂの端部と、被転写体１の中心穴Ｈａの端部の面取り加工部分Ｔ（図３参照）に接触した。そして、駆動装置１０が剥離ピン７を下方に移動させることによって、スタンパ２が湾曲して被転写体１から剥離された。被転写体１上には、硬化した光硬化性樹脂６が確認された。そして、この光硬化性樹脂６には、スタンパ２の表面形状が転写されたパターンが変形することなく形成されていた。ちなみに、このパターンは、幅５０ｎｍ、深さ１００ｎｍ、ピッチ１００ｎｍの溝で形成されていた。図７は、溝構造の電子顕微鏡写真である。
【００４９】
（実施例２）
本実施例では、ディスク基板の両面に柱状構造が形成された。
被転写体としては、実施例１と同様の円盤状ガラス基板が使用された。
スタンパとしては、被転写体１と同一形状の２枚の石英基板が使用された。そして、このスタンパの被転写体と対向する側の面には、周知のフォトリソグラフィ法によって、直径０．１８μｍ、深さ０．５μｍ、ピッチ３６０ｎｍのピットが複数形成された。さらに、スタンパには、フォトリソグラフィ法によって、直径６２ｍｍ、幅０．０２ｍｍ、深さ０．５μｍのリング状のラインが形成された。このラインの中心は、スタンパの中心軸と同心に設定された。
【００５０】
次に、図６（ａ）に示すように、上部プレート４に一方のスタンパ２ｂが固定された。そして、下部プレート３上に他方のスタンパ２ａが配置された。なお、スタンパ２，２ａ同士が向き合う側にパターン形成面が配置されるようにそれぞれのスタンパ２，２ａは配置された。また、下側のスタンパ２ａの上面にはアクリレート系の光硬化性樹脂６が塗付されている。
【００５１】
次に、図６（ｂ）に示すように、片面にアクリレート系の光硬化性樹脂６が塗布された被転写体１が、２つのスタンパ２ａ，２ｂの間に配置された。この際、被転写体１は、光硬化性樹脂６が塗布された面が上方を向くように配置された。そして、被転写体１の中心穴側の端部と、スタンパ２ａの中心穴側の端部とには、剥離ピン７が当接することで、被転写体１とスタンパ２ａとは、間隔をあけて剥離ピン７に保持された。ちなみに、スタンパ２ａと被転写体１との間隔は、約２００μｍであった。
【００５２】
次に、上部プレート４と図示しない可動ステージとの間に形成された空気室の気圧が、１．０ｋＰａの減圧雰囲気に設定された。そして、図６（ｃ）に示すように、被転写体１は剥離ピン７から解放されることによって、下側のスタンパ２ａと光硬化性樹脂６を介して接触した。そして、図６（ｄ）に示すように、下部プレート３と上部プレート４との間で被転写体１と両スタンパ２ａ，２ｂとを光硬化性樹脂６を介して接触させた後に、図６（ｅ）に示すように、剥離ピン７を被転写体１と両スタンパ２ａ，２ｂとに押し当てることで、被転写体１と両スタンパ２ａ，２ｂとの相対位置が合わせ込まれた。
【００５３】
次に、図６（ｆ）に示すように、下部プレート３と上部プレート４との間で被転写体１とスタンパ２ａ，２ｂが荷重Ｆで押し付けられた。被転写体１とスタンパ２ａ，２ｂとが押し付けられた状態で紫外光ＵＶが照射された。
【００５４】
そして、光硬化性樹脂６が硬化した後、上側のスタンパ２ｂと被転写体１の面取り加工部分Ｔ（図３参照）に剥離ピン７の剥離部１２ｂを接触させた。そして、剥離ピン７が上方に移動することでスタンパ２ｂの中心穴側でスタンパ２ｂが湾曲した。その結果、図６（ｇ）に示すように、スタンパ２ｂと被転写体１とが剥離することで、被転写体１のスタンパ２ｂ側の面には、パターン９ａが露出することとなる。次いで、下側のスタンパ２ａと被転写体１の面取り加工部分Ｔに剥離ピン７の剥離部１２ｂを接触させた。そして、剥離ピン７が下方に移動することでスタンパ２ａと被転写体１とが図６（ｈ）に示すように剥離した。なお、このようにスタンパ２ａ，２ｂを剥離する際に、被転写体１は、ロボットアーム等で保持しておくこともできる。
被転写体１の両面には、硬化した光硬化性樹脂６が確認された。そして、この光硬化性樹脂６には、スタンパ２の表面形状が転写されたパターンが変形することなく形成されていた。ちなみに、このパターンは、直径０．１８μｍ、高さ０．５μｍ、ピッチ３６０ｎｍの柱状構造を有していた。図８は、柱状構造の電子顕微鏡写真である。
【００５５】
（実施例３）
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用したディスクリートトラックメディアの製造方法について適宜図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図９の（ａ）から（ｄ）は、ディスクリートトラックメディアの製造工程の説明図である。
【００５６】
まず、図９（ａ）に示すように、実施例１で得られた、ガラス基板２２上に、スタンパ２の表面形状が転写された光硬化性樹脂６からなるパターン形成層２１を有するものが準備された。
【００５７】
次に、パターン形成層２１をマスクとして、周知のドライエッチング法でガラス基板２２の表面が加工された。その結果、図９（ｂ）に示すように、ガラス基板２２の表面には、パターン形成層２１のパターンに対応する凹凸が削り出された。なお、ここでのドライエッチングにはフッ素系ガスが用いられた。また、ドライエッチングは、パターン形成層２１の薄層部分を酸素プラズマエッチングで除去した後、フッ素系ガスで露出したガラス基板２２をエッチングするように行ってもよい。
【００５８】
次に、図９（ｃ）に示すように、凹凸が形成されたガラス基板２２には、プリコート層、磁区制御層、軟磁性下地層、中間層、垂直記録層、および保護層からなる磁気記録媒体形成層２３がＤＣマグネトロンスパッタリング法（例えば、特開２００５−０３８５９６号公報参照）により形成された。なお、ここでの磁区制御層は非磁性層および反強磁性層で形成されている。
【００５９】
次に、図９（ｄ）に示すように、磁気記録媒体形成層２３上には、非磁性体２７が付与されることで、ガラス基板２２の表面は平坦化された。その結果、面記録密度２００Ｇｂｐｓｉ相当のディスクリートトラックメディアＭ１が得られた。
【００６０】
（実施例４）
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用したディスクリートトラックメディアの製造方法について適宜図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図１０の（ａ）から（ｅ）は、ディスクリートトラックメディアの製造工程の説明図である。
【００６１】
本実施例では、実施例１で得られた、パターン形成層２１を有するガラス基板２２に代えて、次のような基板が準備された。この基板は、図１０（ｂ）に示すように、ガラス基板２２上に軟磁性下地層２５が形成されたものである。そして、この基板上に、実施例１と同様にして、スタンパ２の表面形状が転写された光硬化性樹脂６からなるパターン形成層２１が形成された。
【００６２】
次に、パターン形成層２１をマスクとして、周知のドライエッチング法で軟磁性下地層２５の表面が加工された。その結果、図１０（ｃ）に示すように、軟磁性下地層２５の表面には、パターン形成層２１のパターンに対応する凹凸が削り出された。なお、ここでのドライエッチングにはフッ素系ガスが用いられた。
【００６３】
次に、図１０（ｄ）に示すように、凹凸が形成された軟磁性下地層２５の表面には、プリコート層、磁区制御層、軟磁性下地層、中間層、垂直記録層、および保護層からなる磁気記録媒体形成層２３がＤＣマグネトロンスパッタリング法（例えば、特開２００５−０３８５９６号公報参照）により形成された。なお、ここでの磁区制御層は非磁性層および反強磁性層で形成されている。
【００６４】
次に、図１０（ｅ）に示すように、磁気記録媒体形成層２３上には、非磁性体２７が付与されることで、軟磁性下地層２５の表面は平坦化された。その結果、面記録密度２００Ｇｂｐｓｉ相当のディスクリートトラックメディアＭ２が得られた。
【００６５】
（実施例５）
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用したディスクリートトラックメディア用ディスク基板の製造方法について適宜図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図１１の（ａ）から（ｅ）は、ディスクリートトラックメディア用ディスク基板の製造工程の説明図である。
【００６６】
図１１（ａ）に示すように、ガラス基板２２の表面に、予めノボラック系の樹脂材料が塗布されて平坦層２６が形成された。この平坦層２６は、スピンコート法や平板で樹脂を押し当てる方法が挙げられる。次に、図１１（ｂ）に示すように、平坦層２６上にパターン形成層２１が形成された。このパターン形成層２１は、平坦層２６上にシリコンを含有させた樹脂材料を塗布し、本発明のインプリント方法によって形成されたものである。
【００６７】
そして、図１１（ｃ）に示すように、パターン形成層２１の薄層部分が、フッ素系ガスを用いたドライエッチングで除去された。次に、図１１（ｄ）に示すように、残されたパターン形成層２１部分をマスクとして酸素プラズマエッチングで平坦層２６が除去された。そして、フッ素系ガスでガラス基板２２をエッチングし、残されたパターン形成層２１を取り除くことで、図１１（ｅ）に示すように、面記録密度２００Ｇｂｐｓｉ相当のディスクリートトラックメディアに使用されるディスク基板Ｍ３が得られた。
【００６８】
（実施例６）
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用したディスクリートトラックメディア用ディスク基板の製造方法について適宜図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図１２の（ａ）から（ｅ）は、ディスクリートトラックメディア用ディスク基板の製造工程の説明図である。
【００６９】
図１２（ａ）に示すように、ガラス基板２２の表面に感光性物質を添加したアクリレート系樹脂を塗布するとともに、本発明のインプリント方法を使用してガラス基板２２上にパターン形成層２１を形成した。本実施例では、形成しようとするパターンと凹凸が反転した凹凸を有するパターンをガラス基板２２上に形成した。次に、図１１（ｂ）に示すように、パターン形成層２１の表面には、シリコンおよび感光性物質を含む樹脂材料が塗布されて、平坦層２６が形成された。平坦層２６の形成方法としては、スピンコート法や平板で樹脂を押し当てる方法が挙げられる。そして、図１１（ｃ）に示すように、平坦層２６の表面がフッ素系ガスでエッチングされると、パターン形成層２１の最上面が露出する。次いで、図１１（ｄ）に示すように、残った平坦層２６をマスクとして、パターン形成層２１が酸素プラズマエッチングで除去されて、ガラス基板２２の表面が露出する。そして、図１１（ｅ）に示すように、露出したガラス基板２２の表面がフッ素系ガスでエッチングされることで、面記録密度２００Ｇｂｐｓｉ相当のディスクリートトラックメディアに使用されるディスク基板Ｍ４が得られた。
【００７０】
（実施例７）
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用して製造した光情報処理装置について説明する。
本実施例では入射光の進行方向が変わる光デバイスを光多重通信系の光情報処理装置に適用した一例を述べる。図１３は、光デバイスの基本部品としての光回路の概略構成図である。図１４は、光回路の導波路の構造を示す模式図である。
図１３に示すように、光回路３０は縦（ｌ）３０ｍｍ、横（ｗ）５ｍｍ、厚さ１ｍｍの窒化アルミニウム製の基板３１上に形成した。光回路３０は、インジウムリン系の半導体レーザーとドライバ回路からなる複数の発信ユニット３２、光導波路３３，３３ａ、光コネクタ３４，３４ａから構成されている。なお、複数の半導体レーザーのそれぞれの発信波長は、２〜５０ｎｍずつ異なるように設定されている。
この光回路３０では、発信ユニット３２から入力された光信号が導波路３３ａ、および導波路３３を経由して、光コネクタ３４ａから光コネクタ３４に送信される。この場合、光信号は、各導波路３３ａから合波される。
【００７１】
図１４に示すように、導波路３３の内部には、複数の柱状微細突起３５が立設されている。そして、発信ユニット３２と導波路３３とのアライメント誤差を許容できるように、導波路３３ａの入力部の幅（ｌ１）は２０μｍで、平断面視でラッパ状になっている。そして、導波路３３を形成するストレート部分の中央部には、柱状微細突起３５が１列分だけ除去されている。つまり、フォトニックバンドギャップのない領域が形成されており、これによって信号光が幅１μｍの領域（Ｗ１）に導かれる構造になっている。なお、柱状微細突起３５間の間隔（ピッチ）は０．５μｍに設定されている。なお、図１４では、簡略化し、実際の本数よりも柱状微細突起３５を少なく示している。
【００７２】
本発明は、導波路３３，３３ａ、および光コネクタ３４ａに適用されている。つまり、  基板３１とスタンパ２（図１等参照）との相対位置の合わせ込みは、本発明のインプリント方法が使用されている。このインプリント方法は、発信ユニット３２内に柱状微細突起３５を形成する際に、所定の柱状微細突起３５を所定の発信ユニット３２に形成する際に適用される。ちなみに光コネクタ３４ａの構造は、図１４の導波路３３ａの左右を反対にした構造となっており、光コネクタ３４ａにおける柱状微細突起３５の配置は、図１４の柱状微細突起３５と左右逆向きに配置されている。
【００７３】
ここで、柱状微細突起３５の相当直径（直径あるいは一辺）は、半導体レーザー等に用いる光源の波長との関係から、１０ｎｍから１０μｍの間で任意に設定することができる。また、柱状微細突起３５の高さは、５０ｎｍから１０μｍが好ましい。また、柱状微細突起３５の距離（ピッチ）は、用いる信号波長の約半分に設定される。
【００７４】
このような光回路３０は、複数の異なる波長の信号光を重ね合わせて出力できるが、光の進行方向を変更できるために、光回路３０の幅（ｗ）が５ｍｍと非常に短くできる。そのため、光デバイスを小型化することができる。また、このインプリント方法によれば、スタンパ２（図１等参照）からの転写によって柱状微細突起３５を形成できるために、光回路３０の製造コストを下げることができる。なお、本実施例では、入力光を重ね合わせる光デバイスに適用した例を示したが、本発明は光の経路を制御する全ての光デバイスに有用である。
【００７５】
（実施例８）
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用して製造したバイオデバイスについて説明する。図１５は細胞培養シートの平面図である。
【００７６】
図１５に示すように、細胞培養シート４０は、厚さ０．５μｍのＰＭＭＡを主成分とした薄膜（シート）４２、この薄膜４２に立設されたＰＭＭＡを主成分とする複数の柱状微細突起４４からなる。この柱状微細突起４４は、高さが１μｍであって、１μｍの周期（ピッチ）で配列している。そして、柱状微細突起４４は円柱状であり、直径は５００ｎｍである。このような薄膜４２上に複数の柱状微細突起４４を有する構造は、本発明のインプリント方法を使用してＰＭＭＡからなる樹脂層にスタンパ２のパターンを押し当てて形成することができる。この際、被転写体１としてのＰＭＭＡからなる樹脂層と、スタンパ２との相対位置の合わせ込みは、本発明のインプリント方法が使用される。
【００７７】
次に、柱状微細突起４４の一部を除去して、十字形状に隙間４５が形成される。この細胞培養シート４０を、ガラスシャーレ等の容器に入れて、容器内に培養液を浸して培養が行われる。ここで参照する図１６は、細胞培養シート４０を使用した培養の様子を示す模式図である。図１６に示すように、細胞培養シート４０の柱状微細突起４４上に、例えば皮膚、骨、血液等の細胞（組織）、培地、栄養素等の培養液４３を載せることで培養が行われる。
【００７８】
細胞培養シート４０には、柱状微細突起４４の一部を除去した一定の隙間４５（図１５参照）が設けられているので、培養液４３が流れやすくなって、培養に供する細胞等に対して効率良く栄養素が供給されることとなる。また、培養時における細胞の老廃物が効率よく排出される。
【００７９】
このような細胞培養シート４０を使用することにより、通常のガラスシャーレを使用するときに生じていたシャーレからの剥離による細胞への損傷を大幅に軽減することができ、細胞を移植する際の定着率を高めることができる。また、図１６に示すように細胞培養シート４０上の柱状微細突起４４により形成されるシート状の表皮細胞の下部にできる隙間４５（図１５参照）を通して、細胞全体に培養液４３が流れやすくなる。その結果、細胞への栄養素の供給や細胞の老廃物の排出を効率良く行うことができ、従来生じていた培養中の細胞の死滅を抑えることができる。
【００８０】
次に、細胞培養シート４０をガラスシャーレに培養液を浸した状態で入れ、細胞培養シート４０上で、正常ヒト表皮角化細胞を培養した。この培養には、クラボウ（株）製のＨｕＭｅｄｉａ−ＫＢ２が培地として使用され、培養温度が３７℃であり、５％のＣＯ２の流下で行われた。その結果、細胞培養シート４０上では、表皮角化細胞が正常に付着してシート形状に増殖した。このシート形状の細胞を培養開始の１４日後に剥離することで損傷の少ないシート状の表皮角化細胞が得られた。
【００８１】
また、柱状微細突起４４は、高分子材料にプラズマ処理等により親水化処理が施されたものであってもよい。また、高分子材料は特に限定されるものではないが、培養する細胞（組織）に対して影響の少ない材料を選択することが好ましく、ポリスチレン、ＰＭＭＡ、ポリ乳酸が特に好ましい。
【００８２】
また、バイオデバイスとしては、例えば医療・診断ツールとして特にμＴＡＳと総称される、表面に微細加工を施したものや、医療・化学分野向けの検出・合成等の手段に用いられるものが挙げられる。
【００８３】
（実施例９）
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用した多層配線基板の製造方法について説明する。図１７の（ａ）から（ｌ）は、多層配線基板の製造方法の工程説明図である。
【００８４】
図１７（ａ）に示すように、シリコン酸化膜６２と銅配線６３とで構成された多層配線基板６１の表面にレジスト５２が形成された後に、スタンパ（図示省略）によるパターン転写が行われる。パターン転写が行われる前に、スタンパ２と基板との相対位置合せを行い、基板上の所望の位置に所望の配線パターンを転写する。
【００８５】
次に、多層配線基板６１の露出領域５３がＣＦ４／Ｈ２ガスによってドライエッチングされると、図１７（ｂ）に示すように、多層配線基板６１の表面の露出領域５３が溝形状に加工される。次に、レジスト５２がＲＩＥによりレジストエッチングされる。そして、段差の低い部分のレジストが除去されるまでレジストエッチングが行われると、図１７（ｃ）に示すように、レジスト５２の周囲で多層配線基板６１の露出領域５３が拡大する。この状態から、さらに露出領域５３のドライエッチングが行われることによって、図１７（ｄ）に示すように、先に形成した溝の深さが銅配線６３に到達することとなる。
【００８６】
次に、レジスト５２を除去することで、図１７（ｅ）に示すように、表面に溝形状を有する多層配線基板６１が得られる。そして、多層配線基板６１の表面には、金属膜（図示せず）が形成された後に、電解メッキが施されて、図１７（ｆ）に示すように、金属メッキ膜６４が形成される。その後、多層配線基板６１のシリコン酸化膜６２が露出するまで金属メッキ膜６４の研磨が行われる。その結果、図１７（ｇ）に示すように、金属メッキ膜６４からなる金属配線を表面に有する多層配線基板６１が得られる。
【００８７】
ここで、多層配線基板６１を作製するための別な工程を説明する。
図１７（ａ）で示した状態から露出領域５３のドライエッチングを行う際に、図１７（ｈ）に示すように、多層配線基板６１の内部の銅配線６３に到達するまでエッチングが行われる。次に、レジスト５２がＲＩＥによりエッチングされて、図１７（ｉ）に示すように、段差の低いレジスト５２部分が除去される。そして、図１７（ｊ）に示すように、多層配線基板６１の表面には、スパッタによる金属膜６５が形成される。次いで、レジスト５２がリフトオフで除去されることで、図１７（ｋ）に示すように、多層配線基板６１の表面に部分的に金属膜６５が残った構造が得られる。次に、残った金属膜６５に無電解メッキが施されることによって、図１７（ｌ）に示すように、多層配線基板６１に金属膜６４からなる金属配線を表面に有する多層配線基板６１が得られる。このように本発明を多層配線基板６１の製造に適用することで、高い寸法精度を持つ金属配線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】実施形態に係るインプリント装置の構成説明図である。
【図２】実施形態に係るインプリント装置の被転写体およびスタンパを上方から見た様子を示す平面図である。
【図３】被転写体およびスタンパの面取り加工部分付近の部分拡大図である。
【図４】（ａ）から（ｄ）は、インプリント方法の工程説明図である。
【図５】（ａ）から（ｅ）は、剥離ピンの変形例を示す模式図である。
【図６】（ａ）から（ｈ）は、２つのスタンパを使用するインプリント方法の工程説明図である。
【図７】溝構造の電子顕微鏡写真である。
【図８】柱状構造の電子顕微鏡写真である。
【図９】（ａ）から（ｄ）は、ディスクリートトラックメディアの製造工程の説明図である。
【図１０】（ａ）から（ｅ）は、ディスクリートトラックメディアの製造工程の説明図である。
【図１１】（ａ）から（ｅ）は、ディスクリートトラックメディア用ディスク基板の製造工程の説明図である。
【図１２】（ａ）から（ｅ）は、ディスクリートトラックメディア用ディスク基板の製造工程の説明図である。
【図１３】光デバイスの基本部品としての光回路の概略構成図である。
【図１４】光回路の導波路の構造を示す模式図である。
【図１５】細胞培養シートの平面図である。
【図１６】細胞培養シートを使用した培養の様子を示す模式図である。
【図１７】（ａ）から（ｌ）は、多層配線基板の製造方法の工程説明図である。
【符号の説明】
【００８９】
１      被転写体
２      スタンパ
６      光硬化性樹脂
７      剥離ピン（剥離手段）
１２    剥離部（剥離手段）
１２ａ  剥離部（剥離手段）
１２ｂ  剥離部（剥離手段）
１２ｃ  剥離部（剥離手段）
１０    駆動装置（剥離手段）
１１    昇降機構
Ａ１    インプリント装置
Ｈａ    中心穴
Ｈｂ    中心穴
Ｔ      面取り加工部分
【図１】
2008012859.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
2008012859.tif 000009
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2008012859.tif 000016
【図１７】
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【図７】
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【図８】
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