(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体との接続端子下部の感光性絶縁樹脂層の硬度を選択的に向上させることにより、半導体素子と半導体パッケージ用基板との接続信頼性を高めることができる半導体パッケージ用基板、その製造方法及び半導体パッケージを提供する。【解決手段】絶縁層２２の一方の面に配線層が形成され、他方の面に支持体層が張り合わされ、配線層側に半導体素子３２を搭載した後に支持体層を剥離して用いられる半導体パッケージ用基板において、配線層の一部である半導体素子との接続端子に対応して絶縁層２２には孔が形成され、孔にはフィラーを含んだ樹脂２８が充填されていることを特徴とする半導体パッケージ用基板。【選択図】図８
2008277504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の一方の面に配線層が形成され、他方の面に支持体層が張り合わされ、前記配線層側に半導体素子を搭載した後に前記支持体層を剥離して用いられる半導体パッケージ用基板において、
前記配線層の一部である半導体素子との接続端子に対応して前記絶縁層には孔が形成され、
前記孔にはフィラーを含んだ樹脂が充填されていることを特徴とする半導体パッケージ用基板。
【請求項２】
前記接続端子の半導体素子側には、前記半導体素子と電気的接続をとるための金属バンプが形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ用基板。
【請求項３】
前記フィラーを含んだ樹脂は、フィラーが樹脂に対して３０重量％〜８０重量％含有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ用基板。
【請求項４】
前記樹脂はエポキシ系の熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ用基板。
【請求項５】
絶縁層の一方の面に配線層が形成され、他方の面に支持体層が張り合わされ、前記配線層側に半導体素子を搭載した後に前記支持体層を剥離して用いられる半導体パッケージ用基板において、
前記半導体素子と接続する接続端子が形成された前記絶縁層の部分は、他の部分と比較して、弾性率が高められていることを特徴とする半導体パッケージ用基板。
【請求項６】
前記接続端子の半導体素子側には、前記半導体素子と電気的接続をとるための金属バンプが形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体パッケージ用基板。
【請求項７】
絶縁層の一方の面に配線層が形成され、他方の面に支持体層が張り合わされ、前記配線層側に半導体素子を搭載した後に前記支持体層を剥離して用いられる半導体パッケージ用基板の製造方法において、
前記絶縁層の前記半導体素子と電気的に接続する接続端子部に対応する部分に孔を形成し、
前記孔の内部にフィラーを分散させた樹脂を埋め込むことを特徴とする半導体パッケージ基板の製造方法。
【請求項８】
前記孔によって露出された前記接続端子部に鍍金を形成し、次いで、前記鍍金上に前記フィラーを分散させた樹脂を埋め込むことを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。
【請求項９】
前記半導体素子と前記接続端子とをワイヤーボンディングによって接続したことを特徴とする請求項１、３、４又は５に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記半導体素子と前記接続端子とをフリップチップ接合したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ用基板、その製造方法及び半導体パッケージに関し、特に薄型ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置などに使用される支持体によって強度を増加させることでワイヤーボンディング性を向上させる半導体パッケージ用基板、その製造方法及び半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロニクス産業界においては、高信頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められており、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信頼性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対する要求が高まってきている。これに従って新しい素子実装技術の開発が日増しに重要さを増しており、特に半導体パッケージにおける小型化と多様化とが重要な課題として開発が進められている。上記のような諸性能に加えて、製造コストが重要な問題となってきた。
【０００３】
現在、半導体パッケージの製造方法としては、層間絶縁材にポリイミドフィルムを用いたレーザパターニング工法が広く用いられている。ベースフィルムとなるポリイミドフィルムの両面に銅箔を形成した後、まず銅箔の片側に対してエッチング処理を施すことによりビアホール開口形状をパターニングし、ベースフィルムに対してハンダボール形成のためのブラインドビアを形成し、ついで所定の配線パターンを形成した後ソルダーレジストによりこれを保護し絶縁処理する工法が知られている。
【０００４】
ベースフィルムにブラインドビアを形成する方法としては、ＣＯ２レーザ等のレーザを照射する方法、打ち抜きにより形成する方法、アルカリエッチングにより形成する方法等が知られている。しかし、レーザを用いる方法はベースフィルムの基材が制限され、加工効率が悪くコストが高いなど問題があった。打ち抜きやアルカリエッチングを用いる方法では加工精度に問題があった。その上、打ち抜きは表面のがさつきやそれを原因とした半田濡れ性阻害等の問題が生じた。
【０００５】
ベースフィルムにブラインドビアを形成する別の有力な工法として、フォトリソグラフィ技術を用いたパターニングが知られている。例えば特許文献１に提案されている２層ＴＡＢテープキャリア及びその製造方法の中でも上記のような工法が採用されている。詳しくは、銅箔の片面に、例えば、連続式ロールコーターを用いて感光性ポリイミドを塗布し、プリベーク炉においてプリベークを行い、その後抜き金型等を用いて銅箔の両側に送り孔を開口させる。この送り孔を利用して、表面の銅配線パターンの露光を行い、感光性ポリイミドにビアホール等の形成を行い、水銀灯等を用いる連続自動焼付機によりガラスマスクを用いて露光し、アルカリ水溶液等に浸漬して現像し、ポストベークを行って開口する。最後に感光性ポリイミドの開口後、表面の銅箔を通常のフォトリソグラフィ技術並びにエッチング技術を用いてパターン形成をするものである。
【０００６】
以下に公知の技術であるフォトリソグラフィ技術を使った半導体パッケージ製造の工程について図１８〜図２１を参照しながら説明する。図１８に示すように、最初に金属層１１とその下面にビアパターン形成用の感光性絶縁樹脂層１２が形成された基体を準備する。図１９に示すように、金属層１１の上面に配線パターン形成用のドライフィルムレジスト１３を形成する。次に両面一括露光により、基体上面のドライフィルムレジスト１３に配線パターン、基体下面の感光性絶縁樹脂層１２にビアホールパターン１４を形成する。次に図２０に示すように、各種パターンを現像後、熱処理することにより感光性絶縁樹脂層１２を硬化させる。裏打ちフィルム１５を基体下面に形成した後、基体上面の配線パターンをマスクとしてエッチング処理を行う。その後基体上面のドライフィルムレジスト１３を剥離、再度基体上面に感光性絶縁樹脂１６を形成する。図２１に示すように、最後に露光、現像により基体上面の感光性絶縁樹脂層１６にボンディングパッドパターン１７を形成した後、ボンディングパッドパターン１７に貴金属鍍金を形成し、基体下面の裏打ちフィルム１５を剥離することで通常の工程による半導体パッケージが完成する。
【０００７】
しかし従来採用されてきた感光性絶縁樹脂及びフォトリソグラフィ法を用いた製造方法では、感光性絶縁樹脂を硬化させる熱キュアの工程にて、金属層と感光性絶縁樹脂との熱膨張差による大きな反りが発生し、外観不良や搬送時の大きな障害となる問題があった。
【０００８】
解決策として、接着剤のついた支持体層を半導体パッケージ表面に貼付することにより、反りを抑えるという方法が考えられたが、絶縁樹脂層と支持体層との弾性率が低いために半導体素子と半導体パッケージ用基板との接続信頼性が低いという現象が生じた。
【０００９】
この現象が生じる理由は、超音波ワイヤーボンディングでは超音波を用いて金線もしくはアルミ線を基板に圧着するが、基板全体の弾性率が低いと、超音波が逃げてしまい、接合不良を起こし易くなることに起因する。通常、リジット基板や厚手のフィルムを用いた半導体パッケージ基板の支持体ではこの現象は起こりにくい。薄手のフィルムややわらかい樹脂を用いた半導体パッケージ基板の支持体を用いた場合、絶縁樹脂層と支持体層とがやわらかく、ワイヤーボンディングの密着不良という問題が起こり易い。
【００１０】
また、フリップチップ実装においても、半導体素子の接続部の弾性率が低いと、端子のへこみなどが生じ、そこからボイドが発生し、ヒビが入り剥がれるという現象が起きてしまう。
【特許文献１】特開平７−２３５５６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、半導体素子と半導体パッケージ用基板との接続信頼性が低くなるという問題を解決することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明においては、半導体との接続端子下部の感光性絶縁樹脂層の硬度を選択的に向上させることにより、半導体素子と半導体パッケージ用基板との接続信頼性を高めた。より具体的には、接続端子下部の絶縁樹脂層にフィラーを分散させた樹脂を埋め込むことにより、ワイヤーボンディング部直下の弾性率を上げ、ワイヤーボンディング性を向上させる方法を試みた。
【００１３】
本発明の請求項１に係る発明は、絶縁層の一方の面に配線層が形成され、他方の面に支持体層が張り合わされ、配線層側に半導体素子を搭載した後に支持体層を剥離して用いられる半導体パッケージ用基板において、配線層の一部である半導体素子との接続端子に対応して絶縁層には孔が形成され、孔にはフィラーを含んだ樹脂が充填されていることを特徴とする半導体パッケージ用基板としたものである。
【００１４】
本発明の請求項２に係る発明は、接続端子の半導体素子側には、半導体素子と電気的接続をとるための金属バンプが形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ用基板としたものである。
【００１５】
本発明の請求項３に係る発明は、フィラーを含んだ樹脂は、フィラーが樹脂に対して３０重量％〜８０重量％含有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ用基板としたものである。
【００１６】
本発明の請求項４に係る発明は、樹脂はエポキシ系の熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ用基板としたものである。
【００１７】
本発明の請求項５に係る発明は、絶縁層の一方の面に配線層が形成され、他方の面に支持体層が張り合わされ、配線層側に半導体素子を搭載した後に支持体層を剥離して用いられる半導体パッケージ用基板において、半導体素子と接続する接続端子が形成された絶縁層の部分は、他の部分と比較して、弾性率が高められていることを特徴とする半導体パッケージ用基板としたものである。
【００１８】
本発明の請求項６に係る発明は、接続端子の半導体素子側には、半導体素子と電気的接続をとるための金属バンプが形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体パッケージ用基板としたものである。
【００１９】
本発明の請求項７に係る発明は、絶縁層の一方の面に配線層が形成され、他方の面に支持体層が張り合わされ、配線層側に半導体素子を搭載した後に支持体層を剥離して用いられる半導体パッケージ用基板の製造方法において、絶縁層の半導体素子と電気的に接続する接続端子部に対応する部分に孔を形成し、孔の内部にフィラーを分散させた樹脂を埋め込むことを特徴とする半導体パッケージ基板の製造方法としたものである。
【００２０】
本発明の請求項８に係る発明は、孔によって露出された接続端子部に鍍金を形成し、次いで、鍍金上にフィラーを分散させた樹脂を埋め込むことを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージ基板の製造方法としたものである。
【００２１】
本発明の請求項９に係る発明は、半導体素子と接続端子とをワイヤーボンディングによって接続したことを特徴とする請求項１、３、４又は５に記載の半導体パッケージとしたものである。
【００２２】
本発明の請求項１０に係る発明は、半導体素子と接続端子とをフリップチップ接合したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体パッケージとしたものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体パッケージ用基板は、粘着層付き支持体層にて基板の反りを防ぐもしくはハンドリング性を向上させ、強度を向上させる。そして、絶縁樹脂層と支持体層の弾性率の低さに起因する半導体素子との接続信頼性の低さをフィラーによって補うことが可能となり、接続端子下部の絶縁樹脂層の弾性率が高まり、半導体素子との接続信頼性が高まる。
【００２４】
本発明の半導体パッケージ用基板は、ワイヤーボンディング及びフリップチップ実装の際の基板のへこみなどといった変形を防止する効果も奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。なお、実施の形態の説明において、重複する構成要素の説明は省略する。
【００２６】
［第１の実施の形態］
図１〜図８に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ１００は、半導体素子３２と金鍍金（接続端子）３１とをワイヤーボンディングで接続している。図１〜図８に示すように、半導体パッケージ１００は、感光性絶縁樹脂層２２、フィラー含有樹脂２８、銅箔層２１、熱硬化型絶縁樹脂層３０、金鍍金（接続端子）３１、半導体素子３２、金線３３、封止樹脂３４を備えている。
【００２７】
まず、金鍍金（接続端子）３１下部に埋め込むための液状樹脂を用意する。樹脂としては、アクリル系樹脂などの熱硬化型樹脂が挙げられる。
【００２８】
熱硬化型樹脂にはフィラーを分散させる。分散方法としては、３本ロールミル、ボールミル、ヘビィデュティミキサー、サンドミル、インペラー及びストーンミルなどを用いた方法が好ましい。また、分散比は特に制限はないが、重量％で３０％〜８０％程度が好ましい。３０％よりも少ないと弾性率が上がらず効果が薄く、また逆に８０％以上だと樹脂の流動性が確保出来ず、埋め込むことが出来なくなってしまう。
【００２９】
含有させるフィラーとしては、無機フィラーの場合は炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、珪酸アルミニウム、珪酸マグネシウム、珪酸カルシウム、珪酸、カーボン及びセラミックなどが望ましい。また有機フィラーとしては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びポリエステル樹脂が望ましい。
【００３０】
次に図１に示すように、銅箔層２１の片面に感光性絶縁樹脂層２２を塗布したものを用意する。
【００３１】
図２に示すように、銅箔層２１のもう一方の面にドライフィルムレジスト２３を塗布し、銅箔層２１面に形成されたドライフィルムレジスト２３に配線パターン２４、ワイヤーボンディングパッドパターン２５を、感光性絶縁樹脂層２２にビアホールパターン２６とワイヤーボンディングパットパターン２５下部にフィラー含有樹脂埋め込み用孔２７とを形成する為に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。その後、感光性絶縁樹脂層２２を硬化させる為に、熱風オーブンにて１８０℃、1時間熱キュアを行う。
【００３２】
図３に示すように、ワイヤーボンディングパットパターン２５下部にフィラー含有樹脂埋め込み用孔２７に、フィラー含有樹脂２８を埋め込む。埋め込む方法としては、スクリーン印刷が好ましい。その後、フィラー含有樹脂２８を熱硬化にて硬化させる。
【００３３】
図４に示すように、熱キュアによって発生した反りの軽減、ハンドリング性の向上を目的として、粘着フィルムを感光性絶縁樹脂層２２側に熱圧着ラミネートにより形成する。
【００３４】
図５に示すように、パターニングされたドライフィルムレジスト２３をマスクとして、銅箔層２１を配線パターン２４、ワイヤーボンディングパッドパターン２５をエッチングにより形成、ドライフィルムレジスト２３を剥離する。
【００３５】
図６に示すように、ボンディングパッドパターン２５を除いた銅箔層２１面に熱硬化型絶縁樹脂層３０をスクリーン印刷により形成する。その後露出したワイヤーボンディングパッドパターン２５に電解により金鍍金３１を形成する。
【００３６】
図７に示すように、半導体素子３２と熱硬化型絶縁樹脂層３０とを接着シートにより固着後、ワイヤーボンディングにより半導体素子３２のＡｌパッドとワイヤーボンディングパッドパターン２５とを金線３３により結線する。感光性絶縁樹脂層２２にフィラー含有樹脂２８を埋め込まなかった時と比べて、ワイヤーボンディング性が向上した。
【００３７】
図８に示すように、全体を封止樹脂３４にて封止し、最後に常温にて感光性絶縁樹脂層２２から支持体層２９を剥離することで半導体パッケージを製造することができる。
【００３８】
［第２の実施の形態］
図９〜図１７に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ２００は、半導体素子５４と金鍍金（接続端子）５３とを半田５５で接続している。図９〜図１７に示すように、半導体パッケージ２００は、感光性絶縁樹脂層４２、銅鍍金４９、フィラー含有樹脂５０、銅箔層４１、熱硬化型絶縁樹脂層５２、金鍍金（接続端子）５３、半導体素子５４、半田５５、封止樹脂５６を備えている。
【００３９】
まず、金鍍金（接続端子）５３下部に埋め込むための液状樹脂を用意する。樹脂としては、アクリル系樹脂などの熱硬化型樹脂が挙げられる。
【００４０】
熱硬化型樹脂にはフィラーを分散させる。分散方法としては、３本ロールミル、ボールミル、ヘビィデュティミキサー、サンドミル、インペラー及びストーンミルなどを用いた方法が好ましい。また、分散比は特に制限はないが、重量％で３０％〜８０％程度が好ましい。３０％よりも少ないと弾性率が上がらず効果が薄く、また逆に８０％以上だと樹脂の流動性が確保できず、埋め込むことができなくなってしまう。
【００４１】
含有させるフィラーとしては、無機フィラーの場合は炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、珪酸アルミニウム、珪酸マグネシウム、珪酸カルシウム、珪酸、カーボン及びセラミックなどが望ましい。また有機フィラーとしては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びポリエステル樹脂が望ましい。
【００４２】
次に図９に示すように、銅箔層４１の片面に感光性絶縁樹脂層４２を塗布したものを用意する。
【００４３】
図１０に示すように、銅箔層４１のもう一方の面にドライフィルムレジスト４３を塗布し、銅箔層４１面に形成されたドライフィルムレジスト４３に配線パターン４４、フリップチップ実装用パターン４５を、感光性絶縁樹脂層４２にビアホールパターン４６とフリップチップ実装用パターン４５下部にフィラー含有樹脂埋め込み用孔４７とを形成する為に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。その後、感光性絶縁樹脂層４２を硬化させる為に、熱風オーブンにて１８０℃、1時間熱キュアを行う。
【００４４】
図１１に示すように、ドレイフィルムレジスト４３面を保護シート４８にて覆い、感光性絶縁樹脂層４２面にドライフィルムレジスト４３を塗布した。フリップチップ実装用パターン４５下部のドライフィルムレジスト４３をパターニングにて除去し、電解鍍金にてフリップチップ実装用パターン４５下部に銅鍍金４９を鍍金した。そして、感光性絶縁樹脂層４２面のドライフィルムレジスト４３を除去し、ドライフィルムレジスト４３面の保護シート４８を剥離した。
【００４５】
図１２に示すように、フリップチップ実装用パターン４５下部にフィラー含有樹脂埋め込み用孔４７に、フィラー含有樹脂５０を埋め込む。埋め込む方法としては、スクリーン印刷が好ましい。その後、フィラー含有樹脂５０を熱硬化にて硬化させる
【００４６】
図１３に示すように、熱キュアによって発生した反りの軽減、ハンドリング性の向上を目的として、粘着フィルムを感光性絶縁樹脂層４２側に熱圧着ラミネートにより形成する。
【００４７】
図１４に示すように、パターニングされたドライフィルムレジスト４３をマスクとして、銅箔層４１を配線パターン４５、フリップチップ実装用パターン４５をエッチングにより形成し、ドライフィルムレジスト４３を剥離する。
【００４８】
図１５に示すように、フリップチップ実装用パターン４５を除いた銅箔層４１面に熱硬化型絶縁樹脂層５２をスクリーン印刷により形成する。その後露出したフリップチップ実装用パターン４５に電解により金鍍金５３を形成する。
【００４９】
図１６に示すように、半導体素子５４と熱硬化型絶縁樹脂層５２とを接着シートにより固着後、フリップチップ実装により半導体素子５４のＡｌパッドとフリップチップ実装用パターン４５とを半田５５により接続する。
【００５０】
図１７に示すように、全体を封止樹脂５６にて封止し、最後に常温にて感光性絶縁樹脂層４２から支持体層５１を剥離することで半導体パッケージを製造することができる。
【実施例】
【００５１】
［実施例１］
最初に図１に示すように、日本電解社製、商品名「ＵＳＬＰ」で表示される厚さ１２μmの銅箔層２１の片面に、新日鐵化学製、商品名「ＰＤＦ３００Ｇ」で表示される厚さ２５μｍの感光性絶縁樹脂２２をキャスティングにより形成した。
【００５２】
図２に示すように、銅箔層２１のもう一方の面に、旭化成製、商品名「ＡＱ１０５８」で表示されるドライフィルムレジスト２３を形成した。次に銅箔層２１面に形成されたドライフィルムレジスト２３に配線パターン２４、ワイヤーボンディングパッドパターン２５を、感光性絶縁樹脂層２２にビアホールパターン２６とワイヤーボンディングパットパターン２５下部にフィラー含有樹脂埋め込み用孔２７とを形成する為に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングした。その後、感光性絶縁樹脂２２を硬化させる為に、熱風オーブンにて１８０℃、1時間熱キュアを行った。
【００５３】
図３に示すように、フィラー含有樹脂２８として、無機フィラーを熱硬化型エポキシ系樹脂に炭酸マグネシウムを６０重量％含有させたものを、ワイヤーボンディングパットパターン２５下部にフィラー含有樹脂埋め込み用孔２７にスクリーン印刷にて埋め込んだ。その後、フィラー含有樹脂２８を熱硬化させるために、熱風オーブンにて１８０℃、１時間熱キュアをおこなった。
【００５４】
図４に示すように、熱キュアによって発生した反りの軽減、ハンドリング性の向上を目的として、東洋インキ製造製、商品名「ＦＳ-１１０」で表示される粘着フィルムを感光性絶縁樹脂層２２側に熱圧着ラミネートにより形成した。この時、粘着材は厚さ５μmの紫外線硬化型アクリル系樹脂を使用した。
【００５５】
図５に示すように、支持体層２９には厚さ５０μmの低熱収縮ＰＥＴフィルムを使用した。次に支持体層２９を通じて粘着材にＵＶ露光を行い、粘着材をある程度硬化させ、ワイヤーボンディング時の結線の安定性、エッチング液への耐性及び剥離性を向上させた。続いてパターニングされたドライフィルムレジスト２３をマスクとして、銅箔層２１を配線パターン２４、ワイヤーボンディングパッドパターン２５を塩化第２鉄液によりエッチングした後、ドライフィルムレジスト２３を剥離した。
【００５６】
図６に示すように、ワイヤーボンディングパッドパターン２５を除いた銅箔層２１面に、アサヒ化研製、商品名「ＣＣＲ-２４０ＧＳ」で表示される熱硬化型絶縁樹脂３０をスクリーン印刷により形成した。その後露出したワイヤーボンディングパッドパターン２５に電解により金鍍金３１を形成した。
【００５７】
図７に示すように、最終的に半導体素子３２と熱硬化型絶縁樹脂層３０とを接着シートにより固着後、ワイヤーボンディングにより、半導体素子３２のＡｌパッドとワイヤーボンディングパッドパターン２５とを金線３３により結線した
【００５８】
図８に示すように、全体を封止樹脂３４にて封止し、最後に常温にて感光性絶縁樹脂層２２から支持体層２９を剥離することで半導体パッケージを製造することが出来る。感光性絶縁樹脂層２２にフィラー含有樹脂２８を埋め込まなかった時と比べて、ワイヤーボンディング性が向上した。
【００５９】
[実施例２]
最初に図９に示すように、古河電工製、商品名「Ｆ２−ＷＳ」で表示される厚さ１２μmの銅箔層４１の片面に、新日鐵化学製、商品名「ＰＤＦ３００Ｇ」で表示される厚さ５０μｍの感光性絶縁樹脂４２をキャスティングにより形成した。
【００６０】
図１０に示すように、銅箔層４１のもう一方の面に、旭化成製、商品名「ＡＱ１０５８」で表示されるドライフィルムレジスト４３を形成した。次に銅箔層４１面に形成されたドライフィルムレジスト４３に配線パターン４４、フリップチップ実装用パターン４５を、感光性絶縁樹脂層４２にビアホールパターン４６とフリップチップ実装用パターン４５下部にフィラー含有樹脂を埋め込み用孔４７を形成する為に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングした。その後、感光性絶縁樹脂層４２を硬化させる為に、熱風オーブンにて１８０℃、1時間熱キュアを行った。
【００６１】
図１１に示すように、ドライフィルムレジスト４３面を保護シート４８にて覆い、感光性絶縁樹脂層４２面にドライフィルムレジスト４３を塗布した。フリップチップ実装用パターン４５下部のドライフィルムレジスト４３をパターニングにて除去し、電解鍍金にてフリップチップ実装用パターン４５下部に銅鍍金４９を３０μｍ鍍金した。そして、感光性絶縁樹脂層４２面のドライフィルムレジスト４３を除去し、ドライフィルムレジスト４３面の保護シート４８を剥離した。
【００６２】
図１２に示すように、フィラー含有樹脂５０として、無機フィラーを熱硬化型エポキシ系樹脂に珪酸マグネシウムを７０重量％含有させたものを、フリップチップ実装用パターン下部にフィラー含有樹脂埋め込み用孔４７にスクリーン印刷にて埋め込んだ。その後、フィラー含有樹脂５０を熱硬化させるために、熱風オーブンにて１８０℃、１時間熱キュアをおこなった。
【００６３】
図１３に示すように、熱キュアによって発生した反りを軽減するために、ソマール製、商品名「ＰＳ-５０３ＷＡ」で表示される粘着フィルムを感光性絶縁樹脂層４２側に熱圧着ラミネートにより形成した。この時、粘着材には厚さ１０μmの微粘着型アクリル系樹脂を使用した。支持体層５１には厚さ１００μmのＰＥＮフィルムを使用した。
【００６４】
図１４に示すように、パターニングされたドライフィルムレジストをマスクとして、銅箔層４１を配線パターン４４、フリップチップ実装用パターン４５を塩化第２鉄液によりエッチングした後、ドライフィルムレジスト４３を剥離した。
【００６５】
図１５に示すように、フリップチップ実装部パターン部４５を除いた銅箔層４１面にアサヒ化研製、商品名「ＣＣＲ-２４０ＧＳ」で表示される熱硬化型絶縁樹脂５２をスクリーン印刷により形成した。その後露出したフリップチップ実装用パターン４５に電解により金鍍金５３を形成した。
【００６６】
図１６に示すように、半導体素子５４と熱硬化型絶縁樹脂層５２とを接着シートにより固着後、フリップチップ実装により、半導体素子５４のＡｌパッドとフリップチップ実装用パターン４５とを半田５５により接続する。
【００６７】
図１７に示すように、全体を封止樹脂５６にて封止し、最後に常温にて感光性絶縁樹脂層４２から支持体層５１を剥離することで半導体パッケージを製造することができる。感光性絶縁樹脂層４２に銅鍍金４９、フィラー含有樹脂５０を埋め込まなかった時と比べて、フリップチップ接続信頼性が向上した。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ拡大断面図である。
【図１８】従来の半導体パッケージの製造工程を示した断面図である。
【図１９】従来の半導体パッケージの製造工程を示した断面図である。
【図２０】従来の半導体パッケージの製造工程を示した断面図である。
【図２１】従来の半導体パッケージの製造工程を示した断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１１  金属層
１２  感光性絶縁樹脂層
１３  ドライフィルムレジスト
１４  ビアホールパターン
１５  裏打ちフィルム
１６  感光性絶縁樹脂層
１７  ボンディングパッドパターン
２１  銅箔層
２２  感光性絶縁樹脂層
２３  ドライフィルムレジスト
２４  配線パターン
２５  ワイヤーボンディングパッドパターン
２６  ビアホールパターン
２７  ワイヤーボンディングパットパターン下部にフィラー含有樹脂埋め込み用孔
２８  フィラー含有樹脂
２９  支持体層
３０  熱硬化型絶縁樹脂層
３１  金鍍金（接続端子）
３２  半導体素子
３３  金線
３４  封止樹脂
４１  銅箔層
４２  感光性絶縁樹脂層
４３  ドライフィルムレジスト
４４  配線パターン
４５  フリップチップ実装用パターン
４６  ビアホールパターン
４７  フリップチップ実装用パターン下部にフィラー含有樹脂埋め込み用孔
４８  保護シート
４９  銅鍍金
５０  フィラー含有樹脂
５１  支持体層
５２  熱硬化型絶縁樹脂層
５３  金鍍金（接続端子）
５４  半導体素子
５５  半田
５６  封止樹脂
１００、２００  半導体パッケージ
【図１】
2008277504.tif 000003
【図２】
2008277504.tif 000004
【図３】
2008277504.tif 000005
【図９】
2008277504.tif 000006
【図１０】
2008277504.tif 000007
【図１１】
2008277504.tif 000008
【図１２】
2008277504.tif 000009
【図１８】
2008277504.tif 000010
【図１９】
2008277504.tif 000011
【図４】
2008277504.tif 000012
【図５】
2008277504.tif 000013
【図６】
2008277504.tif 000014
【図７】
2008277504.tif 000015
【図８】
2008277504.tif 000016
【図１３】
2008277504.tif 000017
【図１４】
2008277504.tif 000018
【図１５】
2008277504.tif 000019
【図１６】
2008277504.tif 000020
【図１７】
2008277504.tif 000021
【図２０】
2008277504.tif 000022
【図２１】
2008277504.tif 000023