(57)【要約】【課題】簡単な構造のレーザ受け部材を用いて、該レーザ受け部材で反射したレーザ光がワークにダメージを与えることを回避する。【解決手段】レーザ切断装置は、ワーク設置領域１６５に設置されたワークをレーザ光により切断する。該装置は、レーザ光を発するレーザ発振器１１０と、ワーク設置領域を通過したレーザ光を受けるレーザ受け部材１８０とを有する。レーザ受け部材は、該レーザ受け部材の外側部分から内側部分に向かってワーク設置領域に近づくレーザ受け面１８１を有する。レーザ受け部材は、レーザ光の走査中心軸ＬＯに近いほどワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有する。レーザ受け部材は、支持部材１６１に近いほどワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有する。レーザ受け部材は、集塵用エアＡの流れの上流側から下流側に向かってワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有する。【選択図】図２
2008023577.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断するレーザ切断装置であって、
レーザ光を発するレーザ発振器と、
前記ワーク設置領域を通過したレーザ光を受けるレーザ受け部材とを有し、
前記レーザ受け部材は、該レーザ受け部材の外側部分から内側部分に向かって前記ワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有することを特徴とするレーザ切断装置。
【請求項２】
ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断するレーザ切断装置であって、
レーザ光を発し、該レーザ光の走査が可能なレーザ発振器と、
前記ワーク設置領域を通過したレーザ光を受けるレーザ受け部材とを有し、
前記レーザ受け部材は、該レーザ光の走査中心軸に近いほど前記ワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有することを特徴とするレーザ切断装置。
【請求項３】
ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断するレーザ切断装置であって、
レーザ光を発するレーザ発振器と、
前記ワーク設置領域を通過したレーザ光を受けるレーザ受け部材と、
前記ワークにおけるレーザ受け部材側の面を支持する支持部材とを有し、
前記レーザ受け部材は、前記支持部材に近いほど前記ワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有することを特徴とするレーザ切断装置。
【請求項４】
前記レーザ受け部材は、集塵用エアの流路内に設けられており、
前記レーザ受け面は、該集塵用エアの流れの上流側から下流側に向かって前記ワーク設置領域に近づく面を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ切断装置。
【請求項５】
ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断するレーザ切断装置であって、
レーザ光を発するレーザ発振器と、
集塵用エアの流路内に設けられ、前記ワーク設置領域を通過したレーザ光を受けるレーザ受け部材とを有し、
前記レーザ受け部材は、該集塵用エアの流れの上流側から下流側に向かって前記ワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有することを特徴とするレーザ切断装置。
【請求項６】
前記ワークは半導体基板であり、該ワークに形成された半導体装置領域を切断することを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載のレーザ切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板等のワークに対してレーザ光を照射することで該ワークを切断するレーザ切断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ワークに対してレーザ光を照射してワークを切断する装置は種々提案されている。例えば、ＢＧＡ（ball grid array）やＣＳＰ（chip size package）等の半導体装置領域が複数形成された半導体基板を予定切断線に沿ってレーザ光により切断して個々の半導体装置を切り出す装置として、特許文献１，２において開示されたレーザ切断装置がある。
【０００３】
そして、レーザ切断装置においては、レーザ光をガルバノミラー等の走査手段を用いて予定切断線に沿って走査（スキャン）することで、半導体基板やこれを保持するステージ又はレーザ発振器を移動させることなく、全ての半導体装置領域の予定切断線に沿って半導体基板を切断することも可能である。
【０００４】
このようなレーザ切断装置においては、ワークを突き抜けたレーザ光が装置にダメージを与えないように、ワークに対してレーザ発振器とは反対側に、アルミ等の耐火材料により形成されたレーザ受け部材が配置される。特許文献３には、レーザ受け部材で反射したレーザ光がワークに再び照射されないように、ワークに対して平行に配置された平板状のレーザ受け部材にレーザ光の減衰構造や散乱反射構造を付加する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１４２３０３号公報（段落００１９〜００２２等）
【特許文献２】特開２００５−２３８２４６号公報（段落００１４等）
【特許文献３】特開平１０−３２８８７５号公報（段落００２１〜００２５等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、レーザ受け部材に、特許文献３に開示されているようなレーザ光の減衰構造や散乱反射構造を設けると、レーザ受け部材の構造が複雑化し、レーザ受け部材の大型化や高コスト化を招く。
【０００６】
また、上記のようなレーザ受け部材が配置される領域が、ワークの切断により発生したすすや塵を除去するための集塵用エアの流路となっている場合がある。しかしながら、従来のレーザ切断装置では、集塵用エアでは除去しきれないすすや塵がワークやレーザ受け部材に付着し、頻繁な清掃が必要であった。
【０００７】
本発明は、簡単な構造のレーザ受け部材を用いて、該レーザ受け部材で反射したレーザ光がワークにダメージを与えることを回避できるようにしたレーザ切断装置を提供することを目的の１つとしている。
【０００８】
また、本発明は、レーザ受け部材を利用して集塵用エアによるすすや塵の除去機能を向上させることができるようにしたレーザ切断装置を提供することを目的の１つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面としてのレーザ切断装置は、ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断するレーザ切断装置であって、レーザ光を発するレーザ発振器と、ワーク設置領域を通過したレーザ光を受けるレーザ受け部材とを有する。そして、レーザ受け部材は、該レーザ受け部材の外側部分から内側部分に向かってワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の他の側面としてのレーザ切断装置は、ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断するレーザ切断装置であって、レーザ光を発し、該レーザ光の走査が可能なレーザ発振器と、ワーク設置領域を通過したレーザ光を受けるレーザ受け部材とを有する。そして、レーザ受け部材は、該レーザ光の走査中心軸に近いほどワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の他の側面としてのレーザ切断装置は、ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断するレーザ切断装置であって、レーザ光を発するレーザ発振器と、  ワーク設置領域を通過したレーザ光を受けるレーザ受け部材と、ワークにおけるレーザ受け部材側の面を支持する支持部材とを有する。そして、レーザ受け部材は、支持部材に近いほどワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有することを特徴とする。
【００１２】
さらに、本発明の他の側面としてのレーザ切断装置は、ワーク設置領域に配置されたワークをレーザ光により切断するレーザ切断装置であって、レーザ光を発するレーザ発振器と、集塵用エアの流路内に設けられ、ワーク設置領域を通過したレーザ光を受けるレーザ受け部材とを有する。そして、レーザ受け部材は、該集塵用エアの流れの上流側から下流側に向かってワーク設置領域に近づくレーザ受け面を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、レーザ受け面を上記のようにワーク設置領域（つまりはワーク）に近づく傾斜面等とした簡単な構造のレーザ受け部材を用いることで、該レーザ受け部材で反射したレーザ光によるワークのダメージを効果的に回避できる。
【００１４】
また、集塵用エアの流路内に配置されたレーザ受け部材に、該エアの上流側から下流側に向かってワーク設置領域に近づくレーザ受け面をレーザ受け部材に設けることにより、該レーザ受け面に沿って流れる集塵用エアの流速を増加させたり集塵用エアの流れの方向をワーク設置領域側に偏向させたりすることができる。この結果、集塵用エアによるすすや塵の除去機能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好ましい実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１には、本発明の実施例１であるレーザ切断装置の構成を上方から見て示している。図１において、１００はレーザ切断装置である。
【００１７】
レーザ切断装置１００は、基台１０１と、該基台１０１上に設置されたレーザ発振器１１０とを有する。１０２はレーザ切断加工前の半導体基板１２０が多数収納された第１基板マガジンであり、不図示の第１搬送機構によって該第１基板マガジン１０２から半導体基板１２０が基台１０１上の第１ポジションＩに１つずつ搬送される。
【００１８】
切断加工前の半導体基板１２０を図４に示す。ここでは、半導体基板の１つとして、メモリカード基板１２０を例として示す。メモリカード基板１２０は、複数個のメモリカード用の回路が形成されたプリント配線板上に、メモリチップやコントローラチップが搭載された後、樹脂によって封止（コーティング）されたものである。
【００１９】
点線１３０は、メモリカード基板１２０の予定切断線である。予定切断線１３０は、図中の水平方向に連続して延びる第１の直線部分１３１と、垂直方向に連続して延びる第２の直線部分１３２と、これら第１および第２の直線部分１３１，１３２をつなぐ異形線部分としての１／４円弧曲線形状を有する４つのコーナー部分１３３ａ〜１３３ｄとを有する。但し、予定切断線１３０は仮想の線であり、実際にメモリカード基板１２０上に描かれている訳ではなく、レーザ切断部１００およびブレード切断部２００に設けられたコントローラ（コンピュータ）１５０内のメモリに記憶されている。
【００２０】
それぞれ２本の直線部分１３１，１３２と４つのコーナー部分１３３ａ〜１３３ｄとによって囲まれた１つ１つの領域１３５は、該予定切断線１３０に沿って基板１２０を切断することで、そのまま個々の半導体装置としてのメモリカードとなる半導体装置領域である。以下、切断前の該各半導体装置領域（予定切断領域）をメモリカード領域１３５という。なお、半導体装置としては、ＩＣ，ＬＳＩといったチップ素子等、メモリカード以外のものであってもよい。
【００２１】
図１において、第１ポジションＩに配置された基板１２０は、不図示の第２搬送機構によってレーザ発振器１１０の正面である第２ポジションＩＩに搬送される。第２ポジションＩＩには、後述する可動ステージが設けられており、該可動ステージ上に搬送された基板１２０は、その下面が負圧吸着されることによって可動ステージ上に固定される。可動ステージは、図２に示すように、メモリカード領域１３５の中心がレーザ発振器１１０の中心軸ＬＯ上に位置するように駆動される。
【００２２】
レーザ発振器１１０は、例えば図３に示すように構成されている。レーザ光源１１１から発せられたレーザ光Ｌは、ビームエキスパンダ１１２によってその光束径が拡大された後、走査（スキャン）手段としてのＹ軸およびＸ軸用ガルバノミラー１１３，１１４によって順次反射される。ガルバノミラー１１３，１１４で反射されたレーザ光Ｌは、ｆ−θレンズ等の集光光学系１１５によって、切断加工ポジションに配置された基板１２０上にスポット像を形成する。
【００２３】
スポット像は、ガルバノミラー１１３，１１４の回転に応じてＹ軸方向（図４における垂直方向）およびＸ軸方向（図４における水平方向）に走査される。このため、ガルバノミラー１１３，１１４の回転角を制御することによって、レーザ光Ｌのスポット像を予定切断線１３０に沿って移動させることができ、これにより基板１２０における該スポット像の移動軌跡が溶融切削される。こうして、メモリカード１３５を切り出すことができる。
【００２４】
すなわち、本実施例のレーザ切断装置１００では、１つのメモリカード領域１３５を切断する際に、基板１２０をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させず、レーザ光Ｌを走査する。
【００２５】
なお、本実施例では、レーザ光源１１１としてはＹＡＧレーザ（波長：１．０６μｍ）が用いられる。また、本実施例では、プリント基板を樹脂コーティングした基板１２０を切断するに際して、レーザ光の波長を一定とした上で、樹脂部分（後述するパッケージ樹脂層）を切断する場合とプリント基板部分（後述するプリント基板層）を切断する場合とでレーザ光のパルス照射周波数（Ｑスイッチ周波数）、電流値および切断スピード等を変更する。また、本実施例では、基板１２０をガス雰囲気中に入れることなくレーザ切断を行う。これにより、レーザ切断部１００の構成が簡単になるとともに、直線切断以外を行うことが難しいガス雰囲気中でのレーザ切断とは異なり、曲線等の異形線部分を含む予定切断線１３０をレーザ光の走査によって基板１２０を移動させることなく切断することができる。
【００２６】
また、本実施例のレーザ切断装置１００では、基板１２０における１つのメモリカード領域１３５の予定切断線１３０に対する所定量（少量）ずつの切削、すなわちレーザ光の周回走査を複数回繰り返すことで、該メモリーカード領域１３５を完全に切断する。
【００２７】
図１において、全てのメモリカード領域１３５の切断が完了した半導体基板１２０′は、不図示の第３搬送機構によって第２ポジションＩＩ（可動ステージ）上から基台１０１上の第３ポジションＩＩＩに取り出される。なお、基板１２０′は、実際にはレーザ切断によって個片化された複数のメモリカードである。この第３ポジションＩＩＩでは、レーザ切断加工により基板１２０′上に付着したすすや塵等の加工屑が不図示のクリーニング機構によって取り除かれる。そして、クリーニングされた基板１２０′は、不図示の第４搬送機構によって第３ポジションＩＩＩから第２基板マガジン１０３に収納される。
【００２８】
図２において、１６０は前述した可動ステージであり、該可動ステージ１６０には、基板１２０（メモリカード領域１３５）の下面を負圧により吸着する吸着ヘッド（支持部材）１６１が設けられている。
【００２９】
また、１６５は、吸着ヘッド１６１によって吸着されることで基板１２０が位置決め設置されるワーク設置領域である。ワーク設置領域１６５の下面（ワーク設置基準面）１６５ａおよび該ワーク設置領域１６５に配置された基板１２０の上下面は、レーザ発振器１１０の中心軸（走査中心軸）ＬＯに対して直交する。
【００３０】
可動ステージ１６０の内部には、集塵用エアＡの流路１６２がＸ方向に延びるように形成されている。該流路１６２には、集塵ポンプ１７０が接続されており、該集塵ポンプ１７０の吸引力によって流路１６２内に集塵用エアＡの流れが発生する。
【００３１】
図のようにレーザ発振器１１０からレーザ光Ｌを基板１２０に照射してこれを切断する際には、基板１２０からすすや塵が発生する。集塵用エアＡはこれらすすや塵が基板１２０や後述するレーザ受け部材１８０に付着するのを防止し、集塵ポンプ１７０に取り付けられたフィルタ上に集める役割を有する。
【００３２】
レーザ受け部材１８０は、流路１６２内におけるワーク設置領域１６５の下方に、該ワーク設置領域１６５と同等な面積を有するように設けられている。但し、本実施例では、レーザ発振器１１０の走査中心軸ＬＯ上に吸着ヘッド１６１が設けられているため、レーザ受け部材１８０はＸＹ面上で該吸着ヘッド１６１を囲むように設けられている。
【００３３】
レーザ受け部材１８０は、アルミやセラミックス等、耐熱性（耐火性）や放熱性に優れた材料により形成するのが好ましい。
【００３４】
レーザ受け部材１８０の上面（表面）は、ワーク設置領域１６５に設置された基板１２０を切断してこれを通過したレーザ光Ｌを受けるレーザ受け面１８１である。
【００３５】
レーザ受け面１８１は、その外側部分Ｅ１，Ｅ２から内側、つまりは中心側の部分Ｃ１，Ｃ２に向かって、ワーク設置領域１６５に連続して近づくように、すなわち斜め上方に向かって延びるように傾斜している。なお、部分Ｃ１，Ｃ２は、吸着ヘッド１６１の側面に沿った部分である。
【００３６】
また、言い換えれば、レーザ受け面１８１は、レーザ光の走査中心軸ＬＯおよび吸着ヘッド１６１に近いほどワーク設置領域１６５に連続して近づくように傾斜している。
【００３７】
一方、図２において、レーザ受け面１８１のうち吸着ヘッド１６１よりも左側の部分（以下、上流側レーザ受け面という）１８１ａに注目すると、該上流側レーザ受け面１８１ａは、流路１６２（つまりは集塵用エアＡの流れ）の上流側から下流側に向かってワーク設置領域１６５に徐々に近づくように傾斜している。これに対し、レーザ受け面１８１のうち吸着ヘッド１６１よりも右側の部分（以下、下流側レーザ受け面という）１８１ｂは、上流側から下流側に向かってワーク設置領域１６５から徐々に離れるように、すなわち斜め下方に向かって延びるように傾斜している。
【００３８】
なお、レーザ受け面１８１がワーク設置領域１６５に近づく又は遠ざかるように傾斜しているとは、前述したワーク設置基準面１６５ａに対して傾斜している又は非平行であると言い換えることもできる。
【００３９】
基板１２０（ワーク設置領域１６５）を通過してレーザ受け面１８１に入射したレーザ光Ｌは、該レーザ受け面１８１が傾斜していることで、図５に示すように、その走査位置、つまりはレーザ受け面１８１に対する入射角度にかかわらず、ワーク設置領域１６５とは異なる方向に反射する。言い換えれば、レーザ受け面１８１で反射したレーザ光Ｌがワーク設置領域１６５に向かわないように、レーザ受け面１８１のワーク設置基準面１６５ａに対する傾斜角度θを設定することが望ましい。
【００４０】
なお、傾斜したレーザ受け面１８１に、梨地形状や微細な山と谷が交互に並んだ形状等、レーザ光を散乱反射させる形状を設けてもよい。この場合、微視的に見れば、散乱形状の表面は連続的にワーク設置領域１６５に近づいたりそれから離れたりはしないが、散乱形状のベース面としてのレーザ受け面１８１は、連続的にワーク設置領域１６５に近づいたりそれから離れたりしている。本発明では、このような場合も含めて、レーザ受け面が連続的にワーク設置領域に近づく（又は離れる）ように傾斜しているという。
【００４１】
また、本実施例のレーザ受け面１８１は、中心側部分Ｃ１，Ｃ２が最もワーク設置領域１６５に近く、外側部分Ｅ１，Ｅ２がワーク設置領域１６５から最も離れている。これに対し、例えば、一方の外側部分Ｅ１がワーク設置領域１６５から最も離れ、他方の外側部分Ｅ２がワーク設置領域１６５に最も近づくように、レーザ受け面を一端側から他端側まで連続的に傾いた一方向傾斜面として形成してもよい。
【００４２】
但し、この場合、レーザ受け部材の全体としての高さが増加し、その分、可動ステージ１６０の厚みが増加したり、流路１６２の断面積が大きくなって集塵用エアＡの流速が低下したりする。したがって、レーザ受け面１８１は、中心側部分Ｃ１，Ｃ２が最もワーク設置領域１６５に近く、外側部分Ｅ１，Ｅ２がワーク設置領域１６５から最も離れるように形成することが望ましい。但し、本発明は、レーザ受け面を上述した一方向傾斜面とする場合を含む。
【００４３】
また、本実施例では、上流側レーザ受け面１８１ａが流路１６２の上流側から下流側に向かってワーク設置領域１６５に連続して近づくように傾斜している。これにより、流路１６２の断面積は、上流側レーザ受け面１８１ａの外側部分Ｅ１の位置から中心側部分Ｃ１の位置にかけて徐々に小さくなる。このため、ここを流れる集塵用エアＡの流速が、中心側部分Ｃ１に向かって増加する。しかも、基板１２０付近の集塵用エアＡの流れが、上流側レーザ受け面１８１ａのガイド機能によって基板１２０側に偏向される。したがって、集塵ポンプ１７０の吸引能力を変更することなく、集塵性能を向上させることができる。
【００４４】
さらに、レーザ受け面１８１に沿って流れる集塵用エアＡの流速が増加することで、レーザ受け部材１８０を効率良く冷却することができる。
【００４５】
なお、本実施例では、図４を用いて説明したように、基板１２０には、複数のメモリカード領域１３５が形成されているため、実際の可動ステージ１６０の構成は、図６に示すようになる。すなわち、可動ステージ１６０には、複数の吸着ヘッド１６１が所定間隔で設けられ、各吸着ヘッド１６１の周囲に、傾斜したレーザ受け面を有するレーザ受け部材１８０が設けられる。この場合、図７に示すように、レーザ受け部材１８０をメモリカード領域１３５（吸着ヘッド１６１）ごとに設けてもよいし、図８に示すように、レーザ受け部材１８０を複数のメモリカード領域１３５（吸着ヘッド１６１）ごとに設けてもよい。
【００４６】
図７及び図８の上側の図は上面図であり、下側の図は側面図である。図７では、吸着ヘッド１６１ごとに、吸着ヘッド１６１を中心とした円錐台形状のレーザ受け部材１８０が設けられている。また、図８では、複数の吸着ヘッド１６１により構成される吸着ヘッド列ごとに、側面視において山形断面を有して該吸着ヘッド列の方向に延びるレーザ受け部材１８０が設けられている。
【実施例２】
【００４７】
図９には、本発明の実施例２であるレーザ切断装置の構成を示している。実施例１では、レーザ発振器としてレーザ光の走査が可能なタイプを用いた場合について説明したが、本実施例では、レーザ発振器として一定方向にのみレーザ光を射出するタイプを用い、半導体基板が設置された可動ステージをＸＹ方向に駆動することで、基板を予定切断線に沿って切断する装置について説明する。
【００４８】
図９において、２６０は可動ステージである。該可動ステージ２６０には、基板１２０におけるメモリカード領域１３５の下面を負圧により吸着する吸着ヘッド２６１が設けられている。
【００４９】
また、２６５は、吸着ヘッド２６１によって吸着されることで基板１２０が設置されるワーク設置領域である。ワーク設置領域２６５の下面であるワーク設置基準面２６５ａおよび該ワーク設置領域２６５に配置された基板１２０の上下面は、レーザ発振器２１０の中心軸ＬＯに対して直交する。
【００５０】
レーザ発振器２１０は、不図示のレーザ光源と、該レーザ光源から発せられたレーザ光を中心軸ＬＯに沿った方向（真下方向）に集光する光学系とを有する。
【００５１】
可動ステージ２６０の内部には、集塵用エアＡの流路２６２がＸ方向に延びるように形成されている。該流路２６２には、集塵ポンプ１７０が接続されており、該集塵ポンプ１７０の吸引力によって流路２６２内に集塵用エアＡの流れが発生する。
【００５２】
２８０はレーザ受け部材であり、流路２６２内におけるワーク設置領域２６５の下方に、該ワーク設置領域２６５と同等の面積を有するように設けられている。
【００５３】
レーザ受け部材２８０は、アルミやセラミックス等、耐熱性（耐火性）や放熱性に優れた材料により形成するのが好ましい。
【００５４】
レーザ受け部材２８０の上面（表面）は、ワーク設置領域２６５に設置された基板１２０を切断してこれを通過したレーザ光Ｌを受けるレーザ受け面２８１である。
【００５５】
レーザ受け面２８１は、その外側部分Ｅ１，Ｅ２から中心側部分Ｃ１，Ｃ２に向かって、ワーク設置領域２６５に連続して近づくように傾斜している。また、レーザ受け面２８１は、吸着ヘッド２６１に近いほどワーク設置領域２６５に連続して近づくように傾斜している。
【００５６】
さらに、レーザ受け面２８１のうち上流側レーザ受け面２８１ａは、流路２６２の上流側から下流側に向かってワーク設置領域２６５に連続して近づくように傾斜している。これに対し、レーザ受け面２８１のうち下流側レーザ受け面２８１ｂは、流路２６２の上流側から下流側に向かってワーク設置領域２６５から連続して離れるように傾斜している。
【００５７】
なお、レーザ受け面２８１がワーク設置領域２６５に近づく又は遠ざかるように傾斜しているとは、前述したワーク設置基準面２６５ａに対して傾斜している又は非平行であると言い換えることもできる。
【００５８】
レーザ受け面２８１に入射したレーザ光Ｌ（各光線）は、該レーザ受け面２８１が傾斜していることで、ワーク設置領域２６５とは異なる方向に反射する。言い換えれば、レーザ受け面２８１で反射したレーザ光Ｌがワーク設置領域２６５に向かわないように、レーザ受け面２８１のワーク設置基準面２６５ａに対する傾斜角度を設定することが望ましい。
【００５９】
なお、本実施例でも、傾斜したレーザ受け面２８１に、梨地形状やごく小さな山と谷が交互に並んだ形状等、レーザ光を散乱反射させる形状を設けてもよい。この場合も、散乱形状のベース面としてのレーザ受け面２８２は連続的にワーク設置領域２６５に近づく（又は離れる）と考えてよい。
【００６０】
また、本実施例のレーザ受け面２８１は、中心側部分Ｃ１，Ｃ２が最もワーク設置領域２６５に近く、外側部分Ｅ１，Ｅ２がワーク設置領域２６５から最も離れている。しかし、例えば、外側部分Ｅ１がワーク設置領域２６５から最も離れ、外側部分Ｅ２がワーク設置領域２６５に最も近づくようにレーザ受け面を一方向傾斜面として形成してもよい。
【００６１】
また、本実施例でも、上流側レーザ受け面２８１ａが流路２６２の上流側から下流側に向かってワーク設置領域１６５に連続して近づくように傾斜している。これにより、流路２６２の断面積は、上流側レーザ受け面２８１ａの端側の部分Ｅ１から中心側の部分Ｃにかけて徐々に小さくなる。このため、ここを流れる集塵用エアＡの流速が、中心側の部分Ｃに向かって増加する。しかも、基板１２０付近の集塵用エアＡの流れが、上流側レーザ受け面２８１ａのガイド機能によって基板１２０側に偏向される。したがって、集塵ポンプ１７０の吸引能力を変更することなく、集塵性能を向上させることができる。
【００６２】
なお、上記各実施例では、レーザ受け部材のレーザ受け面を傾斜面（平面状の面）とした場合について説明したが、レーザ受け面を、凹面等の曲面に形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施例１であるレーザ切断装置の平面図。
【図２】実施例１のレーザ切断装置における可動ステージの断面図。
【図３】実施例１のレーザ切断装置におけるレーザ発振器の構成を示す概略図。
【図４】実施例１のレーザ切断装置により切断される半導体基板の平面図。
【図５】実施例１のレーザ切断装置におけるレーザ受け部材の反射作用を説明する図。
【図６】実施例１のレーザ切断装置における可動ステージの断面図。
【図７】実施例１のレーザ切断装置におけるレーザ受け部材の形状例を示す上面図及び側面図。
【図８】実施例１のレーザ切断装置におけるレーザ受け部材の他の形状例を示す上面図及び側面図。
【図９】本発明の実施例２であるレーザ切断装置における可動ステージの断面図。
【符号の説明】
【００６４】
１００，２００  レーザ切断装置
１１０  レーザ発振器
１１１  レーザ光源
１１３，１１４  ガルバノミラー
１２０，１２０′  メモリカード基板
１３０  予定切断線
１３５  メモリカード領域
１６１  吸着ヘッド
１８０，２８０  レーザ受け部材
１８１，２８１  レーザ受け面
Ｌ  レーザ光
ＬＯ  走査中心軸
Ａ  集塵用エア
【図６】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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