(57)【要約】【課題】            システムトランスからの漏洩磁場を打ち消すあるいはMRI画像にアーチファクトを生じない程度に低減して高画質、省スペースの磁気共鳴イメージィング装置を提供する。【解決手段】      システムトランス115の一次巻線及び二次巻線を覆う部材118の上に漏洩磁場を打ち消す漏洩磁場打ち消しコイル117を券き、予め前記システムトランスの一次電流と漏洩磁場強度の関係を記憶装置に記憶しておく。  この記憶装置に記憶した一次電流と漏洩磁場強度の関係及び一次電流検出器119で検出した1次電流とから前記漏洩磁場を打ち消す電流を打ち消し電流制御装置120で発生し、この電流を前記漏洩磁場打ち消しコイル117に供給する。  【選択図】  図5
2008307309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体を撮影する静磁場領域を囲むシールドルームと、一次側が施設の交流電源に接続されて二次側から前記被検体の撮影に必要なコンポーネントに所要の交流電力を供給する前記シールドルームの外部に設置されたシステムトランスを備えた磁気共鳴イメージング装置であって、前記システムトランスから発生する漏洩磁場を打ち消す漏洩磁場打ち消し手段を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記漏洩磁場打ち消し手段は、前記システムトランスに設けた前記漏洩磁場を打ち消す漏洩磁場打ち消しコイルと、前記システムトランスの一次電流に対応した漏洩磁場強度を記憶する漏洩磁場強度記憶手段と、前記一次電流を検出する一次電流検出手段と、前記一次電流に対応した漏洩磁場強度と前記検出した一次電流とから前記漏洩磁場を打ち消す電流を発生して前記漏洩磁場打ち消しコイルに供給する漏洩磁場打ち消し電流供給手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記漏洩磁場打ち消し電流供給手段は、前記漏洩磁場打ち消し電流を制御する制御信号を生成する打ち消し電流制御信号生成手段と、この打ち消し電流制御信号生成手段で生成した制御信号に基づいて打ち消し電流を発生する打ち消し電流発生手段とを備えたことを特徴とする請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記一次電流検出手段は、前記システムトランスの一次電流値と位相とを検出する手段であって、前記打ち消し電流制御信号生成手段で生成する打ち消し電流制御信号は、前記漏洩磁場強度記憶手段に記憶した一次電流と漏洩磁場の関係から該漏洩磁場を打ち消すための打ち消し電流に対応する前記検出した一次電流の位相と１80°の差のある打ち消し電流制御信号を算出する打ち消し電流制御信号算出手段を備えたことを特徴とする請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装値。
【請求項５】
さらに、前記漏洩磁場が前記静磁場や周辺機器に影響を与えない磁場である許容漏洩磁場強度を設定する許容漏洩磁場設定手段を備え、前記打ち消し電流制御信号生成手段で生成する打ち消し電流制御信号は、前記許容漏洩磁場強度以下になる打ち消し電流を生成する制御信号であることを特徴とする請求項４に記載の磁気共鳴イメージング装値。
【請求項６】
前記漏洩磁場打ち消しコイルは、前記システムトランスの一次巻線及び二次巻線を覆う部材の上に巻くことを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の磁気共鳴イメージング装値。
【請求項７】
前記システムトランスの一次巻線及び二次巻線と前記漏洩磁場打ち消しコイル間にギャップを設けたことを特徴とする請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装値。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気共鳴イメージング装置に係り、特にシールドルームの外部に設置された機器から発生する漏洩磁場を打ち消す機能を備えた磁気共鳴イメージング装置(以下、MRI装置と記載する場合がある)に関する。
【背景技術】
【０００２】
MRI装置は、均一な静磁場内に置かれた被検体に電磁波を照射したときに、被検体を構成する原子の原子核に生じる核磁気共鳴現象を利用して、被検体からの核磁気共鳴信号(以下、NMR信号という)を検出し、このNMR信号を使って画像を再構成することにより、被検体の物理的性質をあらわす磁気共鳴画像(以下、MR画像という)を得るものである。
このため、被検体を撮影する撮影室には、前記静磁場を発生する静磁場発生系と、前記静磁場に重畳してスライス方向傾斜磁場、位相エンコード方向傾斜磁場及び周波数エンコード方向傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生系と、前記被検体の生体組織を構成する原子の原子核スピンにNMR現象を起こさせるために高周波磁場パルスを照射する高周波磁場発生系と、前記NMR現象により放出されるエコー信号(NMR信号)を受信する受信系とを備えている。
【０００３】
このように、MRI装置は均一な静磁場の中心空間に強力な磁場を形成する装置であり、この発生した強力な磁場が周囲に漏洩すると、例えば心臓のペースメーカを使用している患者や周囲のディスプレイ等に悪影響を及ぼすおそれがある。また、MRI装置に対して外部磁場の侵入があると、均一な磁場を安定に保持することが困難となり、撮影した画像に悪影響を及ぼす場合がある。
【０００４】
そこで、周囲への磁場の影響、外部磁場からの影響を回避するために、MRI装置は、特許文献1に開示されているように磁気シールドルーム内に設置している。
【０００５】
【特許文献１】特開2004-350810号公報
【特許文献２】特開平4-95335号公報
【特許文献３】特開平10-125532号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
MRI装置は、その内部配置、機器設置位置ともに省スペース化が常に求められており、上記外部から浸入する漏洩磁場によって画像または他の機器に影響を及ぼす可能性があるものに対しては漏洩磁場強度をできるだけ低減させることが必須となっている。
【０００７】
この漏洩磁場を低減させるため、MRI装置の機器の材質、構造及び上記特許文献1のような磁気シールドなどの対策が講じられている。
【０００８】
しかし、近年、省スペース化のために、MRI装置の各部の電源であるシステムトランスを設置する機械室が前記撮影室に近接して配置される例が多くなってきた。このため前記システムトランスからの漏洩磁場の影響は無視できないものとなっている。
【０００９】
すなわち、前記システムトランスは、その入力側が機械室の三相交流電源に接続され、該システムトランスの出力側から撮影室の各コンポーネント及び画像処理装置や操作室の操作コンソール等に前記システムトランスで絶縁された交流電源を所要の電圧、電流に変換して供給する構成となっている。
【００１０】
このため、狭い撮影室にMRI装置が配置され、該撮影室が前記機械室に接近した病院においては、前記特許文献1に開示されているような磁気シールドのみでは前記システムトランスによる外部磁場からの影響を回避するには不十分な場合があり、従来はこの点への配慮に欠けていた。
【００１１】
このように、前記システムトランスはMRI装置を構成するコンポーネントに電源を供給するものであるが、前記コンポーネントの中でも、特に傾斜磁場発生用コイルには高電圧、大電流を供給しなければならないので、前記システムトランスは75kVA以上の大容量なものとなる。
【００１２】
したがって、前記システムトランスは、供給される電源が50Hz又は60Hzの三相交流電源であること、及び撮影シーケンスによってシステムトランスに供給される電流が大幅に変化することから漏洩磁場も変動し、前記のように機械室と撮影室が接近している場合は、前記システムトランスからの漏洩磁場が撮影室の静磁場発生用磁石による撮影領域の磁場に影響を与え、撮影画像にアーチファクトが発生する場合がある。また、前記システムトランスの漏洩磁場が送受信システムに影響を与えると前記アーチファクトとは別の種類のアーチファクトが発生する。
【００１３】
そこで、トランスから発生する漏洩磁場を抑制する技術として特許文献2あるいは特許文献3に開示されているものがあるが、これらの技術はトランスのコア材の構造や材質、巻線の巻き方を工夫して漏洩磁場を抑制するもので、MRI装置のシステムトランスには下記の理由により適用することができない。
【００１４】
すなわち、特許文献2による漏洩磁場の抑制は、該漏洩磁場を発生する主コイルの外側に漏洩磁場をキャンセルするコイルを巻き、このキャンセルコイルと主コイルを直列接続して主コイルの電流と逆方向の電流をキャンセルコイルに流すもので、主コイルとキャンセルコイルは巻き数、形状だけで漏洩磁場遮蔽効率を決定している。
【００１５】
この技術は、主コイルによって発生する漏洩磁場とキャンセルコイルによって発生するキャンセル磁場の大きさが同じで、方向が異なる場合にのみ有効であるが、しかし、MRI装置の場合はトランスの一次電流と該一次電流によって発生する漏洩磁場とは比例関係には無いので、特許文献2の技術をそのままMRI装置に流用することはできない。
【００１６】
特許文献3による漏洩磁場の抑制は、該漏洩磁場を抑制する箇所に抵抗の小さいキャンセルコイルを設けて、電磁誘導等で生じる誘導起電力で漏洩磁場を打ち消すもの、または抑制したい箇所にセンサを取り付けセンサの感知する磁場に応じてキャンセルコイルに電流を供給するものでもある。
【００１７】
しかし、MRI装置の場合、トランス漏洩磁場の影響を小さくしたい場所は撮影空間であり、この空間には傾斜磁場や高周波磁場など、撮影に必要な磁場変動が発生していてトランス影響分のみを検出することが出来ない。
【００１８】
このように、特許文献2あるいは特許文献3に開示されている技術では上記システムトランスの漏洩磁場の影響を除去することはできないので、前記システムトランスの漏洩磁場の影響を除去して高画質の画像を得るためには、システムトランスと漏洩磁場の影響を受ける撮影領域や影響を受ける機器の距離を離す必要があるが、省スペース化が求められている現在においてはニーズに反するものとなり、撮影室を機械室に接近してMRI装置を設置することができないものとなる。
【００１９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、システムトランスからの漏洩磁場を打ち消すあるいはMRI画像にアーチファクトを生じない程度に低減して高画質、省スペースのMRI装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の磁気共鳴イメージング装置は、撮影に必要なコンポーネントの電源となるシステムトランスから発生する漏洩磁場を打ち消す又は低減するため手段を備えたものであって、具体的には以下の手段によって達成される。
【００２１】
すなわち、被検体を撮影する静磁場領域をシールドルームで囲み、一次側が施設の交流電源に接続されて二次側から前記被検体の撮影に必要なコンポーネントに所要の交流電力を供給する前記シールドルームの外部に設置されたシステムトランスを備えた磁気共鳴イメージング装置であって、前記システムトランスから発生する漏洩磁場を打ち消す漏洩磁場打ち消し手段を備えたもので、この漏洩磁場打ち消し手段は、前記システムトランスに設けた前記漏洩磁場を打ち消す漏洩磁場打ち消しコイルと、前記システムトランスの一次電流に対応した漏洩磁場強度を記憶する漏洩磁場強度記憶手段と、前記一次電流を検出する一次電流検出手段と、前記一次電流に対応した漏洩磁場強度と前記検出した一次電流とから前記漏洩磁場を打ち消す電流を発生して前記漏洩磁場打ち消しコイルに供給する漏洩磁場打ち消し電流供給手段とを備えて構成する。
【００２２】
前記漏洩磁場打ち消し電流供給手段は、前記漏洩磁場打ち消し電流を制御する制御信号を生成する打ち消し電流制御信号生成手段と、この打ち消し電流制御信号生成手段で生成した制御信号に基づいて打ち消し電流を発生する打ち消し電流発生手段とを備え、前記一次電流検出手段は、前記システムトランスの一次電流値と位相とを検出する手段であって、前記打ち消し電流制御信号生成手段で生成する打ち消し電流制御信号は、前記漏洩磁場強度記憶手段に記憶した一次電流と漏洩磁場の関係から該漏洩磁場を打ち消すための打ち消し電流に対応する前記検出した一次電流の位相と180°の差のある打ち消し電流制御信号を算出する打ち消し電流制御信号算出手段を備えた。
【００２３】
さらに、前記漏洩磁場が前記静磁場や周辺機器に影響を与えない磁場である許容漏洩磁場強度を設定する許容漏洩磁場設定手段を備え、前記打ち消し電流制御信号生成手段で生成する打ち消し電流制御信号は、前記許容漏洩磁場強度以下になる打ち消し電流を生成する制御信号である。
【００２４】
前記漏洩磁場打ち消しコイルは、前記システムトランスの一次巻線及び二次巻線を覆う部材の上に巻かれ、必要に応じて前記システムトランスの一次巻線及び二次巻線と前記漏洩磁場打ち消しコイル間にギャップを設けたものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、システムトランスの一次電流と漏洩磁場の関係及び一次電流検出器で検出した一次電流とに基づく打ち消し電流を漏洩磁場打ち消しコイルに供給する漏洩磁場を打ち消し手段を備えたので、前記漏洩磁場は打ち消されて静磁場や周辺機器に影響を与えないようになり、この結果、アーチファクトが発生しない高画質のMRI画像を得ることができると共に撮影室を機械室に接近してMRI装置を設置することができるので、省スペース化に適した設置性の良い磁気共鳴イメージングを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明によるシステムトランスからの漏洩磁場を打ち消す手段を備えたMRI装置について添付図面を用いて詳細に説明する。なお、発明の実施形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。また、本実施形態は垂直磁場方式の例について説明するが、本発明はこれに限定するものではなく、水平磁場方式にも適用できると共に静磁場を発生する磁石方式も、超電導磁石方式、常電導磁石方式及び永久磁石方式のいずれにも適用できる。
【００２７】
図1は、本発明に係るMRI装置の全体構成を示す図である。この図1に示すMRI装置は、NMR現象を利用して被検体の断層画像を得るもので、同図に示すように、静磁場磁石101による均一な静磁場を発生する静磁場発生系と、前記静磁場に重畳して傾斜磁場を発生する上側傾斜磁場コイル102及び下側傾斜磁場コイル103による傾斜磁場発生系と、被検体104の生体組織を構成する原子の原子核スピンにNMR現象を起こさせるための高周波磁場を前記被検体104に照射する上側高周波コイル105及び下側高周波コイル106による高周波磁場発生系と、前記NMR現象により放出されるエコー信号(NMR信号)を受信する受信コイル107による受信系と、前記被検体104を載置して該被検体を静磁場磁石内の撮影領域108に移動する寝台109と、前記高周波コイル105、106への高周波パルスの送信及び前記受信コイル107で受信したNMR信号を増幅して直交位相検波する送受信部110と、該送受信部110で受信して直交検波したアナログ信号をディジタル信号に変換するA/D変換器111と、図示省略の操作コンソールからの操作信号に基いてシステム全体の制御と前記受信した信号を処理してMRI画像を生成するシステム制御及び画像生成部112と、前記傾斜磁場コイル102、103に傾斜磁場電流を供給する傾斜磁場電源装置113と、施設の交流電源114に接続されて該交流電源と絶縁された所要の交流電源を前記各コンポーネントの電源とするためのシステムトランス115とを備えて構成される。
【００２８】
このように構成されたMRI装置において、前記システムトランス115から発生する漏洩磁場の影響について、図2に示す一般的なMRI装置の配置例を用いて説明する。
【００２９】
図2において、静磁場発生用磁石101、被検体104を載置する寝台109が電磁波を遮蔽するシールドルーム116内に設置され、送受信部110、A/D変換器111、システム制御及び画像生成部112、傾斜磁場電源装置113、システムトランス115は撮影室のシールドルーム116外の機械室に設置される。
【００３０】
前記のように配置されたシステムトランス115の漏洩磁場201が静磁場発生用磁石101の静磁場中心領域に及ぶと、磁場を位置情報として利用するMRI装置では位置情報が狂うこととなり、円形の被検体104を撮影した場合に図3に示すようなアーチファクトを生じる。
【００３１】
また、システムトランス115の漏洩磁場が送受信部110に影響を与えると、図4に示すような輝点のアーチファクトが発生する場合がある。
【００３２】
このようなシステムトランス115の漏洩磁場の影響を受けて発生するアーチファクトを除去するためには、前記システムトランス115からの漏洩磁場を打ち消す手段を講じれば良い(漏洩磁場打ち消し手段)。
【００３３】
図5にシステムトランス115の漏洩磁場を打ち消す手段の一例を示す。
【００３４】
この図5の漏洩磁場を打ち消す手段は、システムトランス115から発生する漏洩磁場を打ち消す方向に巻かれた漏洩磁場打ち消しコイル117と、該漏洩磁場打ち消しコイル117をシステムトランス115の外周に沿って巻回するために前記システムトランス115を覆うように設けた漏洩磁場打ち消しコイル券回用保持部材118と、システムトランス115の一次巻線(入力巻線)に流れる一次電流の電流値及び位相を検出する一次電流検出器(一次電流検出手段)119と、この検出された一次電流に応じて前記漏洩磁場を打ち消すための漏洩磁場打ち消しコイル117に流す打ち消し電流の電流値及びその位相を制御して前記漏洩磁場打ち消しコイルに供給する電流を発生するための打ち消し電流制御装置(漏洩磁場打ち消し電流供給手段)120とを備えて構成される。
【００３５】
図6は、前記図5の漏洩磁場を打ち消す手段の回路構成図である。
【００３６】
図6において、システムトランス115の一次巻線115aには施設の交流電源121が接続され、システムトランス115の出力巻線(二次巻線)115bの電圧をMRI装置の各コンポーネントの交流電源とするもので、前記出力巻線115bは、前記コンポーネントに対応して複数の二次巻線が巻かれている。
【００３７】
前記システムトランス115の一次巻線115aに流れる電流の電流値と位相を一次電流検出器119で検出し、この検出した一次電流の電流値と位相を前記打ち消し電流制御装置120に入力する。そして、予め測定して記憶しておいた前記一次電流と漏洩磁場の関係及び前記検出した一次電流の電流値と位相とから前記打ち消し電流を制御するための打ち消し電流制御信号を生成して、この生成した制御信号に対応した前記検出した一次電流の位相と180°の差のある打ち消し電流を発生してこれを漏洩磁場打ち消しコイル117に供給する。
【００３８】
このように動作する打ち消し電流制御装置120の一例を図7に示す。
【００３９】
この図7の打ち消し電流制御装置120は、打ち消し電流を制御する制御信号を生成する打ち消し電流制御信号生成部(打ち消し電流制御信号生成手段)120aと、この打ち消し電流制御信号生成部120aで生成した制御信号に基づいて打ち消し電流を発生する打ち消し電流発生部(打ち消し電流発生手段)120bとで構成される。
【００４０】
前記打ち消し電流制御信号生成部120aは、前記検出した一次電流の電流値及び位相をディジタル値に変換するA/D変換器120a1と、前記打ち消し電流制御信号を生成するためのプログラム、このプログラムの実行に必要な各種データ及び前記予め測定した一次電流と漏洩磁場の関係を記憶しておく読み出し専用メモリROM(漏洩磁場強度記憶手段)120a2と、このROM120a2から予め測定して記憶しておいた一次電流と漏洩磁場の関係を読み出し、これと検出した一次電流の電流値及び位相から打ち消し電流制御信号を生成するための演算を行う中央処理装置(CPU)120a3と、前記ROM120a2からプログラム、予め測定した一次電流と漏洩磁場の関係及び前記プログラムの実行に必要な各種データを読み出して記憶すると共に演算したデータを一時記憶する一時記憶メモリRAM120a4と、前記CPU120a3で演算して求めた打ち消し電流制御生成信号をアナログ値に変換するD/A変換器120a5と、前記A/D変換器120a1とD/A変換器120a5のインターフェースである入出力インターフェース120a6と、共通バス120a7とによるマイクロコンピュータで構成される。
【００４１】
前記打ち消し電流発生部120bは、前記打ち消し電流制御信号生成部120aで生成した制御信号を図示は省略するが任意の波形が得られる電流増幅器で増幅して前記検出した一次電流の位相と180°の差のある打ち消し電流を発生する。
【００４２】
前記構成の打ち消し電流制御装置120による前記漏洩磁場打ち消しコイル117に流す打ち消し電流は、図8のフローにより求める。
【００４３】
(1)予め測定した一次電流と漏洩磁場の関係をROM120a2から読み出し、これをRAM120a4に記憶する(S101)。
【００４４】
(2)前記予め測定した一次電流と漏洩磁場の関係から該漏洩磁場を打ち消すための打ち消し電流に対応する前記検出した一次電流の位相と180°の差のある打ち消し電流制御信号をCPU120a3で算出する(打ち消し電流制御信号算出手段)(S102)。
【００４５】
(3)前記打ち消し電流制御信号をD/A変換器120a5でアナログ値に変換し、これを前記電流増幅器に入力して該電流増幅器で漏洩磁場打ち消しコイル117に供給する電流を発生する(S103)。
【００４６】
このように、予め測定して記憶しておいたシステムトランス115の一次電流と漏洩磁場の関係及び一次電流検出器で検出した一次電流とに基づく打ち消し電流を漏洩磁場打ち消しコイル117に流す漏洩磁場を打ち消す手段を備えることにより、該漏洩磁場は打ち消されて静磁場や周辺機器に影響を与えないようになり、この結果、アーチファクトの発生しない高画質のMRI画像を得ることができる。
【００４７】
また、撮影室を機械室に接近してMRI装置を設置することができるので、省スペース化に適した設置性の良い磁気共鳴イメージングを提供することができる。
【００４８】
なお、システムトランス115の一次巻線及び二次巻線を漏洩磁場打ち消しコイル券回用保持部材118で覆い、この上に前記漏洩磁場打ち消しコイル117を巻くので、該漏洩磁場打ち消しコイルに流れる電流によってシステムトランス115の一次電流及び二次電流に影響を与えることはない。
【００４９】
また、必要に応じて一次巻線及び二次巻線と漏洩磁場打ち消しコイル間にギャップを設けるようにしても良い。
【００５０】
また、前記構成の打ち消し電流制御装置120により前記漏洩磁場打ち消しコイルに流す打ち消し電流は、図9のフローにより求めるようにしても良い。
【００５１】
すなわち、漏洩磁場は一次電流によって大きく変化するので、前記漏洩磁場が静磁場や周辺機器に影響を与えない磁場である許容漏洩磁場強度を設定(許容漏洩磁場設定手段)して(ROM120a2に記憶しておく)打ち消し電流を図8よりも少なくする例で、前記構成の打ち消し電流制御装置120により前記漏洩磁場打ち消しコイルに流す打ち消し電流は、図9のフローにより求める。
【００５２】
(1)予め測定した一次電流と漏洩磁場の関係及び許容漏洩磁場強度をROM120a2から読み出し、これをRAM120a4に記憶する(S201)。
【００５３】
(2)前記予め測定した一次電流と漏洩磁場の関係から前記許容漏洩磁場強度に対応する許容漏洩磁場電流をCPU120a3で算出する(S202)。
【００５４】
(3)一次電流検出器で検出した一次電流と前記算出した許容漏洩磁場電流との差をCPU120a3で算出する(S203)。
【００５５】
(4)前記算出した差の電流を前記電流増幅器で増幅するための前記検出した一次電流の位相と180°の差のある打ち消し電流制御信号をCPU120a3で算出する(S204)。
【００５６】
(5)前記打ち消し電流制御信号をD/A変換器120a5でアナログ値に変換し、これを前記電流増幅器に入力して該電流増幅器で漏洩磁場打ち消しコイルに流す電流を発生する(S205)。
【００５７】
このように、許容漏洩磁場強度を設定して、この許容漏洩磁場強度以下になるように打ち消し電流を漏洩磁場打ち消しコイル117に流すことにより、図8の例と同様の効果が得られると共に前記打ち消し電流の低減が可能となって、前記打ち消し電流発生部120bを小型なものにすることができる。
【００５８】
図10は、漏洩磁場打ち消しコイルの別の実施例で、システムトランス115'が該トランスの上部の方から漏洩磁場を発生し、撮影領域である静磁場領域や周辺機器が前記漏洩磁場の影響を受ける場合は、前記漏洩磁場を打ち消すための漏洩磁場打ち消しコイル117'を前記システムトランス115'の上部に設けた例である。
【００５９】
この図10に示すシステムトランス115'は、漏洩磁場打ち消しコイル117'に前記図6と同様の打ち消し電流制御装置120で打ち消し電流を発生して供給することにより、漏洩磁場を静磁場領域や周辺機器に影響を与えないレベル以下にすることが可能となる。
【００６０】
このように、打ち消す漏洩磁場の方向を限定することでシステムトランスを小型にすることができる。
【００６１】
以上、実施形態を用いて本発明について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定するものではなく、システムトランスから発生する漏洩磁場が静磁場領域や周辺機器に影響を与えない手段、すなわち、システムトランスからの漏洩磁場を打ち消す又は低減するための電流を前記システムトランスに設けた漏洩磁場打ち消しコイルに流す手段であれば、どのような形態の手段を講じても良い。例えば、前記漏洩磁場打ち消しコイル117及び117'をシステムトランスに券回することにより、漏洩磁場の方向とは無関係に機器配置が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明に係るMRI装置の全体構成を示す図。
【図２】一般的なMRI装置の配置例と漏洩磁場の模様を示す図。
【図３】撮影領域に漏洩磁場が混入した場合の画像に現れるアーチファクトの例。
【図４】漏洩磁場が送受信部に影響を与えた場合の輝点アーチファクトの例。
【図５】システムトランスの漏洩磁場を打ち消す手段の一例。
【図６】漏洩磁場を打ち消す手段の回路構成図。
【図７】漏洩磁場打ち消し電流制御装置の構成図。
【図８】漏洩磁場打ち消し電流制御装置の動作を説明するフロー図(その1)。
【図９】漏洩磁場打ち消し電流制御装置の動作を説明するフロー図(その2)。
【図１０】漏洩磁場打ち消しコイルの別の実施例を示す図。
【符号の説明】
【００６３】
101  静磁場発生用磁石、102及び103  傾斜磁場コイル、104  被検体、105及び106  高周波コイル、107  受信コイル、108  撮影領域、109  寝台、110  送受信部、111  A/D変換器、112  システム制御及び画像生成部、113  傾斜磁場電源装置、114  施設の交流電源、115及び115'  システムトランス、115a  システムトランスの一次巻線、115b  システムトランスの二次巻線、116  シールドルーム、117及び117'  漏洩磁場打ち消しコイル、118  漏洩磁場打ち消しコイル券回用保持部材、119  一次電流検出器、120  打ち消し電流制御装置、120a  打ち消し電流制御信号生成部、120b  打ち消し電流発生部、201  漏洩磁場
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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