(57)【要約】【課題】  従来の回路基板側に音響孔を設けたコンデンサマイクロホンにおいては、複数のスペーサを用いていたため薄型化が困難であった。【解決手段】  電子部品を実装した回路基板と、前記回路基板に実装された電子部品を収納するための空隙を有する支持基体と、電極上にエレクトレット層を形成したエレクトレット基板と、振動膜支持枠に振動膜を固着した振動膜ユニットと、一方に底面、他方に開口を有するケースとを備えたコンデンサマイクロホンにおいて、前記ケースの底面側よりエレクトレット基板、振動膜ユニット、支持基体、回路基板の順に積層配置するとともに前記回路基板と支持基体と振動膜ユニットとを貫通した音響孔を設け、該貫通した音響孔は前記振動膜の上面側と外部とを連通させている。【選択図】      図１
2008294556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を実装した回路基板と、前記回路基板に実装された電子部品を収納するための空隙を有する支持基体と、電極上にエレクトレット層を形成したエレクトレット基板と、振動膜支持枠に振動膜を固着した振動膜ユニットと、一方に底面、他方に開口を有するケースとを備えたコンデンサマイクロホンにおいて、前記ケースの底面側よりエレクトレット基板、振動膜ユニット、支持基体、回路基板の順に積層配置するとともに前記回路基板と支持基体と振動膜ユニットとを貫通した音響孔を設け、該貫通した音響孔は前記振動膜の上面側と外部とを連通させていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
前記ケースの底面に電極とエレクトレット層を形成することにより、ケースがエレクトレット基板を兼ねている請求項１記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
前記音響孔は振動膜の形成領域の外側に設けられている請求項１または２記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
前記振動膜支持枠が振動膜とエレクトレット基板との間隙を規制するスペーサ機能を兼ねる請求項１乃至３のうちいずれか１項記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
前記支持基体が振動膜と回路基板との間隙を規制するスペーサ機能を兼ねる請求項１乃至４のうちいずれか１項記載のコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を実装した回路基板と、電極上にエレクトレット層を形成したエレクトレット基板と、振動膜支持枠に振動膜を固着した振動膜ユニットとを積層したマイクロホンカプセルに蓋体を設けて成るコンデンサマイクロホンに関し、特にメイン回路基板への実装高さを低くできるコンデンサマイクロホンに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ等に広く用いられる小型で高性能なマイコロホンとして、エレクトレットコンデンサマイクロホン（以後ＥＣＭと略記する）が広く用いられており、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
以下、図８により特許文献１に開示された従来のＥＣＭの構成を説明する。図８は従来の完成されたＥＣＭの断面図であり、８０はＥＣＭである。また２は回路基板であり、前記回路基板２は絶縁基板により構成され、上面側に接続電極２ａ、下面側に出力電極２ｂが形成されると共に電子部品である集積回路１１、電子エレメント１２が実装されている。３はエレクトレット基板であり、前記エレクトレット基板３は絶縁基板３ａの上面側に電極膜による電極４が形成され、また前記電極４の上面にエレクトレット層５が膜形成されると共に、前記電極４とエレクトレット層５の外側に前記絶縁基板３ａを貫通する貫通孔３ｂが形成されている。
【０００４】
６は振動膜ユニットであり、前記振動膜ユニット６は金属材料または絶縁部材の表面に金属膜を形成した振動膜支持枠６ａの下面側に導電性の振動膜７が固着されることにより一体化されている。又８５は金属製のシールドケースであり上面側に音響孔８５ａがもうけられている。さらに８は支持基体，９はスペーサである。
【０００５】
前記ＥＣＭ８０の構成は、前記回路基板２とエレクトレット基板３の間に支持基体８、またエレクトレット基板３と振動膜ユニット６の間にスペーサ９を挟んだ状態で積層した後に、接着材等により固着一体化してＥＣＭカプセルを構成し、該ＥＣＭカプセルに前記シールドケース８５を被覆することによりＥＣＭ８０が完成する。なお前記貫通孔３ｂは前記エレクトレット基板３における電極４の外側に形成することにより、前記電極４の面積を減少させることなくエレクトレット基板３の上下面の通気を確保して良好な音響効果を得るようになっている。
【０００６】
次に前記ＥＣＭ８０の動作を説明する。
上記構成を有するＥＣＭ８０の動作は、表面に導電膜を有する振動膜７と、表面にエレクトレット層５が形成された電極４とがスペーサ９を挟んでコンデンサを形成する。そして音響孔８５ａより入力される音響入力信号Ｐｓの空気振動により前記振動膜７が変位すると、前記コンデンサがこの変位を電気信号に変換し、この電気信号が導電性の振動膜支持枠６ａから各接続電極（図示は省略）を介して回路基板２に導かれ、集積回路１１で処理された後に回路基板２の下面に設けられた出力電極２ｂより出力される。そして前記貫通孔３ｂの存在によって振動膜７の動作がスムーズに成り、音響特性が確保される。
【０００７】
図８に示すＥＣＭ８０は音響効果に優れたマイクではあるが、以下の問題点を有する。すなわち、ＥＣＭ８０の音響孔８５ａがシールドケース８５の上面側に設けられているため、ＥＣＭ８０を携帯電話等のメイン回路基板１００に実装する場合には、図８に示す如くメイン回路基板１００の上面側に出力電極２ｂを半田付けして取り付けることになる。しかし、この構成では携帯電話等のケースとメイン回路基板１００との間隔をＥＣＭ８０の高さより広くする必要があり、携帯電話等の小型、薄型化の妨げとなっていた。
【０００８】
この問題を解決するための提案として、特許文献２に記載されたＥＣＭがある。以下図９により特許文献２に開示された第２の従来例であるＥＣＭの構成を説明する。なお図９に示すＥＣＭの基本的構成は図８に示すＥＣＭ８０と略同じであり、同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
図９は第２の従来例であるＥＣＭ９０の断面図であり、図８に示すＥＣＭ８０と異なるところは、第１にシールドケース９５に音響孔が設けられていないこと、第２に回路基板２の中央に音響孔２ｃが形成されていること、第３にシールドケース９５の内部に積層される各部材の順番が回路基板２、支持基体８、振動膜ユニット６、スペーサ９、エレクトレット基板３、第２スペーサ１３の順に積層されていることである。
【００１０】
すなわち、ＥＣＭ８０に対してＥＣＭ９０の最も異なるところは、音響孔２ｃを上面側のシールドケース９５に設けずに下面側の回路基板２に設けたことである。そしてこの結果、音響入力信号Ｐｓが回路基板２の方向から入力することに合わせて、エレクトレット基板３と振動膜ユニット６との配置関係を入れ替え、振動膜ユニット６を音響孔２ｃに近い方に配置している。さらにエレクトレット基板３とシールドケース９５の上面との間に空隙を形成するために第２スペーサ１３を新たに設けている。
【００１１】
次に前記ＥＣＭ９０を携帯電話等のメイン回路基板１００に実装する構成を説明する。
図９に示す如く携帯電話等のメイン回路基板１００にも音響孔１００ａを形成し、ＥＣＭ９０の音響孔２ｃをこのメイン回路基板１００の音響孔１００ａに位置合わせした状態で、メイン回路基板１００の下面側に出力電極２ｂを半田付けして取り付ける。
【００１２】
次に上記構成を有するＥＣＭ９０の動作を説明する。
メイン回路基板１００の上面側より、メイン回路基板１００の音響孔１００ａとＥＣＭ９０の音響孔２ｃを通過して入力された音響入力信号Ｐｓの空気振動により前記振動膜７が変位すると、前記コンデンサがこの変位を電気信号に変換し、この電気信号が導電性の振動膜支持枠６ａから各接続電極（図示は省略）を介して回路基板２に導かれ、集積回路１１で処理された後に回路基板２の下面に設けられた出力電極２ｂより出力される。そして前記エレクトレット基板３に形成された貫通孔３ｂと、新たに設けられた第２スペーサ１３によってエレクトレット基板３とシールドケース９５の上面との間に形成された空隙の存在によって振動膜７の動作がスムーズに成り、音響特性が確保される。
【００１３】
上記の如くＥＣＭ９０は携帯電話等のメイン回路基板１００の下面側に取り付けているため、携帯電話等のケースとメイン回路基板１００との間隔は音響入力信号Ｐｓの通過を確保するだけの隙間があれば十分であり、図８に示すＥＣＭ８０に比べて携帯電話等のケースとメイン回路基板１００との間隔を著しく狭くすることができるため、携帯電話等の小型、薄型化に有効ではあるが、以下の問題がある。すなわち上記図８や図９に示すＥＣＭ８０及びＥＣＭ９０においては、回路基板２の上面側にエレクトレット基板３と振動膜ユニット６を積層して配置し、これらのエレクトレット基板３と振動膜ユニット６との電極を回路基板２の接続電極２ａに接続するための各部品間の立体接続が必要となる。この立体接続はＥＣＭを構成する各部品を必要に応じて導電製の金属や、絶縁性の樹脂等を選定して用いているが、これらの部品間を経由して立体接続経路を形成するとともに、部品間ショートを起こさないように基板間接続電極を形成する必要がある。
しかし、前記エレクトレット基板３と振動膜ユニット６との電極形状を比較すると、振動膜ユニット６の電極形状はその外周部分が振動膜支持枠６ａに接続された全面電極であるのに対し、エレクトレット基板３の電極形状は電極４の如く絶縁基板３ａに形成された部分電極となっている。
【００１４】
従ってエレクトレット基板３と振動膜ユニット６との電極を回路基板２の接続電極２ａに立体接続するための基板間接続電極の形成を考えると、図８に示すＥＣＭ８０の場合には回路基板２に対してエレクトレット基板３、振動膜ユニット６の順に積層配置されているため、中間層のエレクトレット基板３に形成された電極４の電極形状が小さいので、振動膜ユニット６と回路基板２との基板間接続電極はエレクトレット基板３の電極４が形成されていない周囲の部分を経由して容易に立体接続することができる。
しかし図９に示すＥＣＭ９０の場合には、回路基板２に対して振動膜ユニット６、エレクトレット基板３の順に積層配置されているため、回路基板２とエレクトレット基板３との間に全面電極構成の振動膜ユニット６が介在しているため、電極４と回路基板２との基板間接続電極の形成は、間に介在する振動膜ユニット６の全面電極に妨げられて立体接続することが困難となる。  
【００１５】
上記の如く図９に示すＥＣＭ９０は、図８に示すＥＣＭ８０に比べて携帯電話等のケースとメイン回路基板１００との間隔を著しく狭くすることができるため、携帯電話等の小型、薄型化に有効ではあるが、構成的には内部接続配線が複雑で立体接続に工数と費用増加が伴うとい問題がある。しかるに上記問題を解決するための提案を本出願人は特許文献３で行なっている。
【００１６】
次に図１０により本出願人が特許文献３で提案しているＥＣＭの構成を説明する。図１０においてＥＣＭ７０の基本的構成は図８のＥＣＭ８０と同じである。すなわち前記ＥＣＭ７０の構成は、構成要素である回路基板２、支持基体８、エレクトレット基板３、振動膜ユニット６、スペーサ９の積層構成はＥＣＭ８０と同じであるが、異なるところは前記各構成要素の大きさがＥＣＭ８０に比べて少し大きく構成されており、その大きくなった部分に貫通した音響孔１０ａを設け、この貫通した音響孔１０ａは前記振動膜７の上面側と外部とを連通させている。さらに振動膜７とシールドケース１５の上面との間に空隙を形成するために、振動膜支持枠６ａ上に第２スペーサ１３を設け、シールドケース１５で被覆することによりＥＣＭ７０が完成する。すなわちＥＣＭ７０は各エレメントの積層構造は従来のＥＣＭ８０と略同じ構成で、回路基板２に音響孔１０ａを有することとシールドケース１５に音響孔が設けられていないことは従来のＥＣＭ９０と同じである。
【００１７】
図１１は図１０に示すＥＣＭ７０をメイン回路基板１００に取り付けた状態を示す断面図であり、図９に示すＥＣＭ９０の実装構造と同様に音響孔１００ａを有するメイン回路基板１００の下面側にＥＣＭ７０をセットし、ＥＣＭ７０の音響孔１０ａをメイン回路基板１００の音響孔１００ａに位置合わせした状態で、メイン回路基板１００の下面側に出力電極２ｂを半田付けして取り付ける。
【００１８】
次にＥＣＭ７０の動作を説明する。
図９に示すＥＣＭ９０と同様にメイン回路基板１００の上面側より、メイン回路基板１００の音響孔１００ａとＥＣＭ７０の貫通した音響孔１０ａを通過して入力された音響入力信号Ｐｓは、第２スペーサ１３によって形成された振動膜７とシールドケース１５の間の間隙に導かれる。そしてこの音響入力信号Ｐｓの空気振動により前記振動膜７が変位する。そして前記エレクトレット基板３に形成された貫通孔３ｂの存在によって振動膜７の動作がスムーズに成り、音響特性が確保される
【００１９】
上記の如くＥＣＭ７０は、回路基板２に音響孔１０ａを設けることによって、ＥＣＭ９０と同様に携帯電話等の小型、薄型化を可能にすると共に、各エレメントの配置構成をＥＣＭ８０と同じ様にすることによって、回路基板２に対するエレクトレット基板３や振動膜ユニット６からの基板間接続電極の形成を容易にすることで、製品価格の廉価を同時に達成することができる。
【００２０】
【特許文献１】特開２００３−７８９９７号公報
【特許文献２】特開２００５−１９２１８０号公報
【特許文献３】特願２００６−２９９７７９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上記提案のＥＣＭ７０は携帯電話等のケースとメイン回路基板１００との間隔を著しく狭くすることができるため、携帯電話等の小型、薄型化を可能にすると共に、回路基板に対するエレクトレット基板や振動膜ユニットからの基板間接続電極の形成を容易にすることで、製品価格の廉価を同時に達成するという効果がある。しかし携帯電話等に用いるＥＣＭに対しては更なる小型、薄型化の要求が強くなっている。
【００２２】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、上記提案のＥＣＭ７０の更なる薄型化を達成し、携帯電話等の薄型、小型化の要求に十分に答え得ることが可能なＥＣＭを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題を解決するための本発明におけるＥＣＭの構成は、電子部品を実装した回路基板と、前記回路基板に実装された電子部品を収納するための空隙を有する支持基体と、電極上にエレクトレット層を形成したエレクトレット基板と、振動膜支持枠に振動膜を固着した振動膜ユニットと、一方に底面、他方に開口を有するケースとを備えたコンデンサマイクロホンにおいて、前記ケースの底面側よりエレクトレット基板、振動膜ユニット、支持基体、回路基板の順に積層配置するとともに前記回路基板と支持基体と振動膜ユニットとを貫通した音響孔を設け、該貫通した音響孔は前記振動膜の上面側と外部とを連通させていることを特徴とする。
【００２４】
上記構成によれば、回路基板に設けた開口からの音響入力信号は支持基体と振動膜ユニットとを貫通した音響孔を経由して振動膜の上面側に連通し、振動膜を振動させて音響検出を行うことができる。そしてＥＣＭとしてのエレメントの配置構成はエレクトレット基板をケースの底面側に配置することによって、いっそうの薄型化を可能としている。
【００２５】
前記ケースの底面に電極とエレクトレット層を形成することにより、ケースがエレクトレット基板を兼ねていることを特徴とする。
【００２６】
前記音響孔は振動膜の形成領域の外側に設けられていることを特徴とする。
【００２７】
前記振動膜支持枠が振動膜とエレクトレット基板との間隙を規制するスペーサ機能を兼ね、また前記支持基体が振動膜と回路基板との間隙を規制するスペーサ機能を兼ねることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
上記の如く本発明によれば、回路基板に設けた開口からの音響入力信号は支持基体と振動膜ユニットとを貫通した音響孔を経由して振動膜の上面側に連通し、振動膜を振動させて音響検出を行うことができる。そしてＥＣＭとしてのエレメントの配置構成はエレクトレット基板をケースの底面側に配置することによって、いっそうの薄型化を可能としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下図１〜図６により本発明の第１実施形態におけるＥＣＭの構成を説明する。図１は完成されたＥＣＭの断面図、図２は図１に示すＥＣＭを構成する各エレメントの分解斜視図、図３は図１に示すＥＣＭをメイン回路基板に取り付けた状態を示す断面図、図４は図１に示すＥＣＭの集合基板の斜視図、図５は図４に示す各集合基板を積層一体化した集合ＥＣＭの斜視図、図６（ａ）は集合ＥＣＭを分割したＥＣＭカプセルの斜視図、図６（ｂ）はＥＣＭカプセルにシールドケースを装着した完成ＥＣＭの斜視図である。      
【００３０】
次に図１、図２により本発明の第１実施形態におけるＥＣＭの具体的構成を説明する。
図１及び図２において前記図１０及び図１１に示す先願のＥＣＭ７０と同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
図１において１０はＥＣＭであり各エレメントの基本的構成は図１０のＥＣＭ７０と同じである。すなわち回路基板２は絶縁基板により構成され、上面側に接続電極２ａ、下面側に出力電極２ｂが形成されると共に電子部品である集積回路１１、電子エレメント１２が実装されている。エレクトレット基板３は絶縁基板３ａの上面側に電極膜による電極４が形成され、また前記電極４の上面にエレクトレット層５が膜形成されている。
【００３１】
前記振動膜ユニット６は金属材料または絶縁部材の表面に金属膜を形成した振動膜支持枠６ａの下面側に導電性の振動膜７が固着されることにより一体化されている。さらに金属製のシールドケース１５はＥＣＭ７０のシールドケース１５と同様に音響孔は設けられていない。なお、振動膜支持枠６ａと金属製のシールドケース１５との電気的接触を防止するために振動膜支持枠６ａの必要部分には絶縁処理を行なう。
【００３２】
前記ＥＣＭ１０の積層構成は、回路基板２の上に支持基体８を介して振動膜ユニット６が積層され、さらに振動膜ユニット６の振動膜支持枠６ａ上にエレクトレット基板３が逆向きに積層されている。そして回路基板２と支持基体８と振動膜ユニット６の大きくなった部分に貫通した音響孔１０ａを設け、この貫通した音響孔１０ａは前記振動膜７の上面側と外部とを連通させている。
【００３３】
すなわちＥＣＭ１０とＥＣＭ７０との構成において異なるところは、回路基板２の上に支持基体８を介して振動膜ユニット６を積層するとともに、エレクトレット基板３を逆向きにして金属製のシールドケース１５の底面１５ａに密着させることにより、振動膜７とエレクトレット基板３のエレクトレット層５を対向させてコンデンサを形成し、この振動膜７とエレクトレット層５の対向した空隙に音響孔１０ａを連通させたことである。
【００３４】
この構成の違いにより、ＥＣＭ１０はＥＣＭ７０における２個のスペーサ、すなわちスペーサ９、第２スペーサ１３を省略することによる薄型化に加えて、エレクトレット基板３をシールドケース１５の底面１５ａに密着させて剛性を持たせることにより絶縁基板３ａとして薄い基板を用いることが可能となり、さらに薄型化ができる。また、エレクトレット基板３の電極４と回路基板２との電気的接続もエレクトレット基板３をシールドケース１５の底面１５ａに密着させ、絶縁基板３ａに接触用のスルーホールを設ける等の方法により、金属製のシールドケース１５を介して容易に行なうことができる。
【００３５】
次に図２によりＥＣＭ１０を構成する各エレメントについて説明する。
図２は図１に示すＥＣＭ１０を構成する各エレメントの分解斜視図であり、回路基板２には集積回路１１、電子エレメント１２が実装されるとともに円形の音響孔１０ａが設けられている。支持基体８には前記回路基板２の各電気エレメントを収納するための大きな開口８ａと音響孔１０ａを形成する小さな開口８ｂが設けられている。振動膜ユニット６は音響孔１０ａを形成する開口７ａを設けた振動膜７に振動膜支持枠６ａを固着して構成されている。エレクトレット基板３は絶縁基板３ａに電極４とエレクトレット層５が積層形成されているが、エレクトレット層５を下側にして配置されているので、電極４とエレクトレット層５を点線で示している。
【００３６】
すなわち、ＥＣＭ１０の構成エレメントは、回路基板２、支持基体８、振動膜ユニット６、エレクトレット基板３の４エレメントで構成されており、ＥＣＭ７０の６エレメントに対してエレメント数が削減されている。そして各エレメントは図２の順序で積層一体化されており、音響孔１０ａは回路基板２の音響孔１０ａから支持基体８の開口８ｂ、振動膜７の開口７ａを通過して振動膜７の上面と外気とを連通させている。
【００３７】
図３は図１に示すＥＣＭ１０をメイン回路基板１００に取り付けた状態を示す断面図であり、図１１に示すＥＣＭ７０の実装構造と同様に音響孔１００ａを有するメイン回路基板１００の下面側にＥＣＭ１０をセットし、ＥＣＭ１０の音響孔１０ａをメイン回路基板１００の音響孔１００ａに位置合わせした状態で、メイン回路基板１００の下面側に出力電極２ｂを半田付けして取り付ける。
【００３８】
次にＥＣＭ１０の動作を説明する。
メイン回路基板１００の上面側より、メイン回路基板１００の音響孔１００ａとＥＣＭ１０の貫通した音響孔１０ａを通過して入力された音響入力信号Ｐｓは、振動膜支持枠６ａをスペーサとして形成されている、振動膜７とエレクトレット基板３に形成されたエレクトレット層５との間隙に導かれる。そしてこの音響入力信号Ｐｓの空気振動により前記振動膜７が変位すると、前記コンデンサがこの変位を電気信号に変換し、この電気信号が導電性の振動膜支持枠６ａから各接続電極（図示は省略）を介して回路基板２に導かれ、集積回路１１で処理された後に回路基板２の下面側に設けられた出力電極２ｂより出力される。
【００３９】
上記動作において、振動膜支持枠６ａは振動膜７とエレクトレット基板３のエレクトレット層５との間隙を形成するためのスペーサの機能を兼ねており、また、支持基体８が振動膜７と回路基板２との間隙を規制するスペーサ機能を兼ねる。従って従来のスペーサを省略して薄型化を実現できるとともに、振動膜７が支持基体８のスペーサ機能によって設けられた広い空隙（回路基板２に実装された電子部品を収納するのに必要な空隙）に直接面しているため、ＥＣＭ７０のようにエレクトレット基板３に貫通孔３ｂを設けることなく振動膜７の動作がスムーズに成り音響特性が確保される。
【００４０】
上記の如く本発明のＥＣＭ１０は、回路基板２の側に音響孔１０ａを設けることによって、ＥＣＭ７０と同様に携帯電話等の小型、薄型化を可能にするとともに、各エレメントの配置構成を改良することにより、ＥＣＭ単体としてもＥＣＭ７０よりさらに薄型化することができる。さらに部品点数の削減により製品価格の廉価を同時に達成することができる。
【００４１】
次に本発明におけるＥＣＭ１０の集合基板による製造方法を図４〜図６により説明する。図４はＥＣＭ１０の集合基板による製造方法を示す各集合基板の展開斜視図であり、図４において２Ｌは前記回路基板２の集合基板である集合回路基板、３Ｌは前記エレクトレット基板３の集合基板である集合エレクトレット基板、６Ｌは前記振動膜ユニット６の集合基板である集合振動膜ユニット、８Ｌは支持基体８の集合基板である集合支持基体であり、各集合基板は同サイズの形状を有する。
【００４２】
次に各集合基板の構成を説明する。
すなわち集合回路基板２Ｌには回路基板２が形成されており、この回路基板２は前記集積回路１１や電子エレメント１２が実装されると共に、音響孔１０ａが形成されている。そしてこの回路基板２は図４に示す如く前記集合回路基板２Ｌ上に複数個設けられている。また集合エレクトレット基板３Ｌには複数のエレクトレット基板３が形成されており、各エレクトレット基板３には電極４とエレクトレット層５が設けられている。なお、この集合エレクトレット基板３Ｌはエレクトレット層５を下に向けた逆向きで積層されるため、電極４とエレクトレット層５を点線でしめしている。
【００４３】
同様に、前記集合振動膜ユニット６Ｌには複数の振動膜ユニット６が形成され、振動膜７には音響孔１０ａを形成する開口７ａが設けられている。さらに集合支持基体８Ｌには複数の支持基体８が形成されており、回路基板２に実装された電気エレメントを収納する大きい開口８ａと音響孔１０ａを形成する開口８ｂが設けられている。以上が各エレメントを集合基板として形成する工程である。なお各集合基板に点線で示す枠形状は、後述する切断工程にて切断して単個のＥＣＭカプセル１０ｂを作成する時の外形を示している。
【００４４】
図４においては、各集合基板に複数個のエレメントが形成されることを示すために、１例として前記集合回路基板２Ｌには９個の回路基板２を形成した例を示しているが、実際はもっと多くのエレメントを同時形成するものである。
【００４５】
図５は集合ＥＣＭ１０Ｌの斜視図であり、図４に示す各集合基板を積層一体化した状態を示す。すなわち前記集合回路基板２Ｌ、集合支持基体８Ｌ、集合振動膜ユニット６Ｌ、集合エレクトレット基板３Ｌの各集合基板を積層して接着することにより、集合ＥＣＭ１０Ｌを構成する。また各集合基板を積層一体化する時には、各集合基板の音響孔１０ａを構成する開口の位置が同じになるよう位置合わせされている。
【００４６】
図６（ａ）は前記集合ＥＣＭ１０Ｌをダイシング等の切断方法にて分割し、単個のＥＣＭカプセル１０ｂを作成した状態を示している。さらに図６（ｂ）は前記ＥＣＭカプセル１０ｂを前記シールドケース１５に収納することによりＥＣＭ１０が完成した状態を示している。
【００４７】
次に図７により本発明の第２実施形態におけるＥＣＭの構成を説明する。図７は完成されたＥＣＭの断面図であり、前記図１に示すＥＣＭ１０と同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
【００４８】
図７において２０はＥＣＭであり、該ＥＣＭ２０と図１に示すＥＣＭ１０との異なるところはエレクトレット基板３の構成である。即ち、ＥＣＭ２０におけるエレクトレット基板は絶縁基板３ａを使用せず、シールドケース１５の底面１５ａを基板に兼用しており、シールドケース１５の底面１５ａに直接、電極４とエレクトレット層５を形成している。上記構成によればＥＣＭ１０に比べて絶縁基板３ａの厚さ分だけさらに薄型化ができるし、また電極４と回路基板２との電気的接続も直接シールドケース１５によって行なうことができるため、スルーホール形成等の余分な工数を必要としないという効果を有する。
【００４９】
上記各実施形態においては主として矩形形状の振動膜の事例について示したが、これに限定されるものではなく、従来の円形形状や楕円形状等の振動膜にも適用可能であることは当然である。また、音響入力信号Ｐｓを導入するための空間として、振動膜７とエレクトレット層５との間隙を形成するスペーサ機能を振動膜支持枠６ａが兼ねた構成を示したが、これに限定されるものではなく、この間隙を適度に調整する目的で、振動膜支持枠６ａの上にスペーサを設けても良いことは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＥＣＭ１０の断面図である。
【図２】図１に示すＥＣＭ１０を構成する各エレメントの分解斜視図である。
【図３】図１に示すＥＣＭ１０をメイン回路基板に取り付けた状態を示す断面図である。
【図４】図１に示すＥＣＭ１０の集合基板による製造方法を示す各集合基板の展開斜視図である。
【図５】図４に示す各集合基板を積層一体化した集合体ＥＣＭ１０Ｌの斜視図である。
【図６】図６（ａ）は前記集合ＥＣＭ１０Ｌを分割して作成した単個のＥＣＭカプセル１０ｂの斜視図であり、図６（ｂ）は前記ＥＣＭカプセル１０ｂをシールドケース１５に収納した完成ＥＣＭ１０の斜視図である。
【図７】本発明の第２実施形態におけるＥＣＭ２０の断面図である。
【図８】従来例におけるＥＣＭ８０の断面図である。
【図９】従来例におけるＥＣＭ９０の断面図である。
【図１０】本出願人による先願のＥＣＭ７０の断面図である。
【図１１】図１０に示すＥＣＭ７０をメイン回路基板に取り付けた状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
２                                回路基板
３                                エレクトレット基板
４                                電極
５                                エレクトレット層
６                                振動膜ユニット
６ａ                              振動膜支持枠
７                                振動膜
８                                支持基体
１０、２０，７０、８０，９０      ＥＣＭ
１０ａ、１００ａ                  音響孔
１０Ｌ                            集合ＥＣＭ
１１                              集積回路
１２                              電子エレメント
１５、８５，９５                  シールドケース
１５ａ                            底面
１００                            メイン回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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