(57)【要約】【課題】デバイスの数が増えても水平方向の実装面積が増大しにくい３次元モジュールを提供すること。【解決手段】ＭＥＭＳチップ１が搭載された基板３の側面に設けられた接続電極４ａ、４ｂと基板５、９の上面にそれぞれ設けられた接続電極７、１１とが同一平面に配されるように基板３の側面に基板５、９を貼り合せ、更に接続電極４ａと接続電極７とを接合部材１２ａにより電気的に接続すると共に、接続電極４ｂと接続電極１１とを接合部材１２ｂにより電気的に接続することにより構成される。【選択図】図１
2008141128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に第１の接続電極が設けられた第１の基板と、
副面上に第２の接続電極が設けられた少なくとも１つの第２の基板と、
を具備し、
前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とが同一平面になるように、前記第１の基板の副面と前記第２の基板の主面とを貼り合せ、且つ前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とを接合部材を介して電気的に接続したことを特徴とする３次元モジュール。
【請求項２】
副面上に第１の接続電極が設けられた第１の基板と、
主面上に第２の接続電極が設けられた少なくとも１つの第２の基板と、
を具備し、
前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とが同一平面になるように、前記第１の基板の主面と前記第２の基板の副面とを貼り合せ、且つ前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とを接合部材を介して電気的に接続したことを特徴とする３次元モジュール。
【請求項３】
前記接合部材は、前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とを電気的に接続する１つの金属バンプであることを特徴とする請求項１又は２に記載の３次元モジュール。
【請求項４】
前記接合部材は、
前記第１の接続電極上に設けられる金属バンプと、
前記第２の接続電極上に設けられ、前記第１の接続電極上に設けられる金属バンプと固相拡散接合により電気的に接続される金属バンプと、
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の３次元モジュール。
【請求項５】
前記接合部材は、
前記第１の接続電極上に設けられる金属バンプと、
前記第２の接続電極上に設けられる金属バンプと、
前記第１の接続電極上に設けられる金属バンプと前記第２の接続電極上に設けられる金属バンプとに固相拡散接合され、前記第１の接続電極上に設けられる金属バンプと前記第２の接続電極上に設けられる金属バンプとを電気的に接続する金属バンプと、
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の３次元モジュール。
【請求項６】
前記金属バンプは、金バンプであることを特徴とする請求項３乃至５の何れか１つに記載の３次元モジュール。
【請求項７】
前記第１の基板と前記第２の基板とは、熱硬化性接着剤により貼り合せられることを特徴とする請求項１又は２に記載の３次元モジュール。
【請求項８】
前記第２の基板には、前記第１の基板の主面から突出しないようにデバイスが搭載されることを特徴とする請求項１又は２に記載の３次元モジュール。
【請求項９】
副面に第１の接続電極が設けられた第１の基板の主面と主面に第２の接続電極が設けられた少なくとも１つの第２の基板の副面とを、前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とが同一平面になるように貼り合せる工程と、
前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とを接合部材によって固相拡散接合する工程と、
を有することを特徴とする３次元モジュールの製造方法。
【請求項１０】
主面に第１の接続電極が設けられた第１基板の副面と副面に第２の接続電極が設けられた少なくとも１つの第２の基板の主面とを、前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とが同一平面になるように貼り合せる工程と、
前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とを接合部材によって固相拡散接合する工程と、
を有することを特徴とする３次元モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ等の複数のデバイスを実装した３次元モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ等の複数のデバイスを実装したモジュールとしては、例えば特許文献１に示されているモジュールがある。この特許文献１のモジュールについて図９を用いて説明する。
【０００３】
図９に示すモジュールは、チップ状のデバイス（積層ＤＲＡＭ部Ａ、微細受動素子部Ｂ、ＤＳＰ部Ｃ、及びセンサＭＥＭＳ部Ｄ）が表面にそれぞれ実装された第１の基板１０１〜第４の基板１０４が積層状態に接合されて構成されている。そして、これらの基板には、表裏に貫通して一端がデバイスもしくは他層の配線と接続された貫通配線１０５と、下層の全ての基板に実装されたデバイスの実装領域に対応して挿通孔１０７が設けられている。
【０００４】
この特許文献１のマルチチップモジュール及びその製造方法では、上層の基板に、下層の実装されたデバイスの実装領域に対応して挿通孔を設けているので、多様な寸法の実装デバイスであっても挿通孔に配して露出状態とすることができる。また、各デバイス間の接続は積層接合により各基板の貫通配線で行うことができるので、デバイスの高さに関わりなく配線が可能であり、実装後に配線構造を作製する工程が不要となる。更には、デバイスのボンディングを基板毎に先に行っておくことができ、後工程のボンディングが不要になる。
【特許文献１】特開２００６−１７３４５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、上記特許文献１の技術では、デバイスが垂直方向に対して重ならないように配置する必要があるために、デバイスの数が増えるに従って必然的に水平方向の実装面積が増大する。そのために、実装面積を小さくするのに限界がある。
【０００６】
本発明は、この点に着目してなされたものであり、デバイスの数が増えても水平方向の実装面積が増大しにくい３次元モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様の３次元モジュールは、主面上に第１の接続電極が設けられた第１の基板と、副面上に第２の接続電極が設けられた少なくとも１つの第２の基板とを具備し、前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とが同一平面になるように、前記第１の基板の副面と前記第２の基板の主面とを貼り合せ、且つ前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とを接合部材を介して電気的に接続したことを特徴とする。
【０００８】
また、上記の目的を達成するために、本発明の第２の態様の３次元モジュールは、副面上に第１の接続電極が設けられた第１の基板と、主面上に第２の接続電極が設けられた少なくとも１つの第２の基板とを具備し、前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とが同一平面になるように、前記第１の基板の主面と前記第２の基板の副面とを貼り合せ、且つ前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とを接合部材を介して電気的に接続したことを特徴とする。
【０００９】
また、上記の目的を達成するために、本発明の第３の態様の３次元モジュールの製造方法は、副面に第１の接続電極が設けられた第１の基板の主面と主面に第２の接続電極が設けられた少なくとも１つの第２の基板の副面とを、前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とが同一平面になるように貼り合せる工程と、前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とを接合部材によって固相拡散接合する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
また、上記の目的を達成するために、本発明の第４の態様の３次元モジュールの製造方法は、主面に第１の接続電極が設けられた第１基板の副面と副面に第２の接続電極が設けられた少なくとも１つの第２の基板の主面とを、前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とが同一平面になるように貼り合せる工程と、前記第１の接続電極と前記第２の接続電極とを接合部材によって固相拡散接合する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、デバイスの数が増えても水平方向の実装面積が増大しにくい３次元モジュール及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。  
［第１の実施形態］
図１〜図３を参照して本発明の第１の実施形態に係る３次元モジュールについて説明する。ここで、図１は、本発明の第１の実施形態に係る３次元モジュールの接合断面図である。また、図２は、図１の３次元モジュールの側面図である。更に、図３は、図１の３次元モジュールの製造方法を示す工程フロー図である。
【００１３】
（構成）  
まず、図１及び図２を参照して、第１の実施形態の３次元モジュールの基板接合構造を説明する。
【００１４】
図１及び図２に示すように、ＭＥＭＳデバイス１ｂは、一部に機械的な駆動部を有するＭＥＭＳチップ１が金属バンプからなるスペーサ２を介して基板３の一方の主面（面積が最大の面。図１では表面）に接合されて構成されている。即ち、ＭＥＭＳチップ１は、スペーサ２により、基板３に対して一定間隔を保ちつつ、電気的及び機械的に接合されて構成されている。そして、このように構成されたＭＥＭＳデバイス１ｂの基板３の副面（図１では右側面と左側面）には接続電極４ａ及び４ｂが設けられている。
【００１５】
また、図１において、基板５の一方の主面（図では左側の主面）には、ＭＥＭＳデバイス１ｂの駆動性能を検出するためのセンサ回路６が搭載される。更に、基板９の一方の主面（図では右側）には、ＭＥＭＳデバイス１ｂを駆動するための駆動回路１０が搭載されている。そして、基板５及び基板９の１つの副面（図では表面）にはそれぞれ接続電極７及び１１が設けられている。
【００１６】
この状態で、基板３の接続電極４ａと基板５の接続電極７とが同一平面上に配されるように基板３の他方の主面（図１では裏面）に対して基板５が垂直に立てられた状態で配置され、例えば熱硬化性接着剤からなる接着部材８により貼り合せられている。また、基板３の接続電極４ｂと基板９の接続電極１１とが同一平面上に配されるように基板３の他方の主面に対して基板９が垂直に立てられた状態で配され、例えば熱硬化性接着剤からなる接着部材８により貼り合せられている。
【００１７】
更に、基板３の接続電極４ａと基板５の接続電極７とは例えばＡｕバンプからなる接合部材１２ａとの固相拡散接合により電気的且つ機械的に接続され、また、基板３の接続電極４ｂと基板９の接続電極１１とは例えばＡｕバンプからなる接合部材１２ｂとの固相拡散接合により電気的且つ機械的に接続される。
【００１８】
（作用）  
図１及び図２に示す３次元モジュールにおいては、駆動回路１０からの信号が接続電極１１から接合部材１２ｂを経由して接続電極４ｂに伝わり、ＭＥＭＳデバイス１ｂが動作する。そして、ＭＥＭＳデバイス１ｂが動作している時には、ＭＥＭＳデバイス１ｂの動作状態を示す信号が接続電極４ａから接合部材１２ａを経由して接続電極７へ伝わり、センサ回路６に入力される。更に、センサ回路６によって検出信号は、図示しない外部回路に出力される。
【００１９】
（製造方法）  
次に、図３を参照して第１の実施形態に係る３次元モジュールの製造方法を説明する。まず、ステップＳ１においては、ＭＥＭＳチップ１上又は基板３上の所定位置に、金属バンプからなるスペーサ２を超音波接合又はメッキにより形成した後、スペーサ２と基板３の表面とに、接合に必要な熱と圧力とを加えてＭＥＭＳデバイス１ｂを作成する。
【００２０】
ステップＳ２においては、基板３の裏面、又は基板５と基板９の側面に、スクリーン印刷等で熱硬化性接着剤からなる接着部材８を定量供給した後に、基板３の裏面と基板５及び基板９の側面とを各々の基板上に形成された接続電極が同一平面になるように貼り合せる。その後に、接着部材８に熱を加えて接着部材８を硬化させる。なお、ステップＳ２の前に、基板５にセンサ回路６を、基板９に駆動回路１０を搭載しておいても良い。また、接着部材８は、必ずしも熱硬化性接着剤である必要はないが、熱硬化性接着剤であれば、基板同士の貼り合せの後に熱を加えても剥がれず、また、２００℃以下の比較的低温で接着可能である。したがって、熱に弱いデバイスを接合する場合であっても接合の際に与える熱ダメージを少なくすることができる。
【００２１】
ステップＳ３においては、接続電極４ａと接続電極７の両方に重なる位置に、超音波接合によりＡｕバンプからなる接合部材１２ａを形成する。その結果、接合部材１２ａと接続電極４ａ及び接続電極７との接合面は固相拡散接合により電気的且つ機械的に接続される。その後、同様にして、接続電極４ｂと接続電極１１の両方に重なる位置に例えばＡｕバンプからなる接合部材１２ｂを形成する。その結果、接合部材１２ｂと接続電極４ｂ及び接続電極１１との接合面は固相拡散接合により電気的且つ機械的に接続される。このようにして図１及び図２に示す３次元モジュールが製造される。
【００２２】
ここで、接続電極間を電気的に接合するための接合部材１２ａ、１２ｂは、必ずしもＡｕバンプである必要はないが、Ａｕは表面に酸化膜ができにくい性質を有しているので、接合部材１２ａ、１２ｂとしてＡｕバンプを用いることにより、他の金属バンプを用いるよりも良好な固相拡散接合を行うことができる。
【００２３】
（効果）  
以上説明した第１の実施形態によれば、第１の基板としての基板３の副面に設けられた接続電極と、第２の基板としての基板５、９の主面に設けられた接続電極とが同一平面となるように基板３及び基板５、９を配置して接合することにより、基板３に対して基板５、９を垂直に立てて電気的且つ機械的に接合でき、３次元モジュールとしての水平方向の実装面積の増大を抑えることが可能である。
【００２４】
また、基板３の接続電極と基板５、９の接続電極とをそれぞれ電気的に接続する際に、第１の実施形態では１つの接点につき１つの接合部材で電気的接続を実現できるために、後述する他の実施形態と比較して構造がシンプルになり製造コストが低くできるという効果がある。
【００２５】
また、基板５及び基板９を基板３に接合する際に、センサ回路６と駆動回路１０とが基板３から突出しないようにセンサ回路６と駆動回路１０とを基板３の中心に向くように基板５及び基板９を配置することで、３次元モジュールとしての水平方向の実装面積の増大を更に抑制することができる。
【００２６】
（変形例）  
第１の実施形態においては、基板３に対して２枚の基板５、９を貼り合せているが、基板３に貼り合せる基板は１枚であっても良いし、３枚以上であっても良い。また、第１の実施形態においては、基板３の左右の側面に基板５、９を貼り合せているが、前後の面に貼り合せるようにしても良い。
【００２７】
［第２の実施形態］
次に、図４〜図６を参照して本発明の第２の実施形態に係る３次元モジュールについて説明する。ここで、図４は、本発明の第２の実施形態に係る３次元モジュールの接合断面図である。また、図５は、図４の３次元モジュールの側面図である。更に、図６は、図４の次元モジュールの製造方法を示す工程フロー図である。
【００２８】
（構成）  
図４及び図５を参照して、第２の実施形態における３次元モジュールの基板接合構造を説明する。なお、第１の実施形態と同様の構成については第１の実施形態と同様の参照符号を付すことで説明を省略する。
【００２９】
第２の実施形態は、貼り合せの際の基板の配置は第１の実施形態と同様であるが、接続電極間の接合手法が第１の実施形態と異なっている。即ち、図４及び図５に示すように、第２の実施形態においては、基板３に設けられた接続電極４ａ上に金属バンプ１３ａが形成され、また、基板５に設けられた接続電極７上に金属バンプ１３ｂが形成されている。そして、金属バンプ１３ａと金属バンプ１３ｂとが固相拡散接合することにより接合部材１３ｃが構成されている。同様に、基板３に設けられた接続電極４ｂ上に金属バンプ１４ａが形成され、また、基板９に設けられた接続電極１１上に金属バンプ１４ｂが形成されている。そして、金属バンプ１４ａと金属バンプ１４ｂとが固相拡散接合するにより接合部材１４ｃが構成されている。ここで、金属バンプ１３ａ、１３ｂ及び金属バンプ１４ａ、１４ｂは例えばＡｕバンプを用いることができる。
【００３０】
（作用）  
図４及び図５に示す３次元モジュールにおいては、駆動回路１０からの信号が基板９の接続電極１１から接合部材１４ｃを経由して基板３の接続電極４ｂへ伝わり、ＭＥＭＳデバイス１ｂが動作する。そして、ＭＥＭＳデバイス１ｂが動作している時には、ＭＥＭＳデバイス１ｂの動作状態を示す信号が基板３の接続電極４ａから接合部材１３ｃを経由して基板５の接続電極７へ伝わり、センサ回路６に入力される。更に、センサ回路６によって検出信号は、図示しない外部回路に出力される。
【００３１】
（製造方法）  
次に、図６を参照して第２の実施形態に係る３次元モジュールの製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１においては、ＭＥＭＳチップ１上又は基板３上の所定位置に金属バンプからなるスペーサ２をメッキ等により形成した後、スペーサ２と基板３の表面とに接合に必要な熱と圧力とを加えてＭＥＭＳデバイス１ｂを作成する。
【００３２】
ステップＳ１２においては、基板３の裏面、又は基板５と基板９の側面に、スクリーン印刷等で熱硬化性接着剤かなる接着部材８を定量供給した後に、基板３の裏面と、基板５及び基板９の側面とを各々の基板上に形成した接続電極が同一平面になるように貼り合せる。その後に、接着部材８に熱を加えて接着部材８を硬化させる。なお、ステップＳ１２の前に、基板５にセンサ回路６を、基板９に駆動回路１０を搭載しておいても良い。
【００３３】
ステップＳ１３においては、接続電極４ａ及び接続電極７上に、互いに近接するように金属バンプ１３ａ、１３ｂをそれぞれ超音波接合により作成する。次に、金属バンプ１３ａと金属バンプ１３ｂとの両方に熱と圧力とを加え、金属バンプ同士が接触し固相拡散接合するまで塑性変形させることにより接合部材１３ｃを形成する。その後、同様にして、接続電極４ｂと接続電極１１上に、互いに近接するように金属バンプ１４ａ、１４ｂをそれぞれ超音波接合により作成する。次に、金属バンプ１４ａと金属バンプ１４ｂとの両方に熱と圧力とを加え、金属バンプ同士が接触し固相拡散接合するまで塑性変形させることにより接合部材１４ｃを形成する。このようにして図４及び図５に示す３次元モジュールが製造される。
【００３４】
ここで、金属バンプ同士の固相拡散接合の状態をより強固にするために、固相拡散接合の前に金属バンプの表面をプラズマ照射等によって洗浄してバンプ表面の酸化物を除去するようにしても良い。また、熱を加えなくとも固相拡散接合が行える場合には、固相拡散接合の際に必ずしも熱を加える必要はなく、圧力のみを加えて接合するようにしても良い。
【００３５】
（効果）  
以上説明した第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に３次元モジュールとしての水平方向の実装面積の増大を抑制できると共に、接続電極間の電気的且つ機械的な接合の際に、各接続電極に形成した金属バンプを塑性変形させて両者を接合させるので、接続電極間が多少離れていても接合できる。また、接合に超音波振動を用いないので、振動に弱いＭＥＭＳデバイスの実装も可能である。
【００３６】
（変形例）  
第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に基板３に貼り合せる基板の数は２枚に限定されず、また貼り合せる面も、基板３の左右の側面に限定されるものではない。
【００３７】
［第３の実施形態］
次に、図７及び図８を参照して本発明の第３の実施形態に係る３次元モジュールについて説明する。ここで、図７は、本発明の第２の実施形態に係る３次元モジュールの接合断面図である。また、図８は、図７の３次元モジュールの製造方法を示す工程フロー図である。
【００３８】
（構成）  
図７を参照して、第３の実施形態における３次元モジュールの基板接合構造を説明する。なお、第１の実施形態と同様の構成については第１の実施形態と同様の参照符号を付すことで説明を省略する。
【００３９】
第３の実施形態は、貼り合せの際の基板の配置と接続電極間の接合手法とが第１及び第２の実施形態と異なっている。即ち、第３の実施形態においては、基板３を挟むようにしてセンサ回路６を搭載した基板５と駆動回路１０を搭載した基板９とが配され、基板３の右側面と基板５の左側の主面とが接着部材８によって貼り合せられ、また基板３の左側面と基板５の右側の主面とが接着部材８によって貼り合せられている。そして、基板５と基板９の表面にはそれぞれスペーサ２が接合され、更にスペーサ２にＭＥＭＳチップ１が接合されている。
【００４０】
また、基板３の上側の主面に設けられた接続電極４ａ上には金属バンプ１５ａが設けられ、基板５の表面に設けられた接続電極７上には金属バンプ１５ａと近接するようにして金属バンプ１５ｂが設けられている。更に、金属バンプ１５ａと金属バンプ１５ｂの両方に重なるようにして金属バンプ１５ｃが設けられている。そして、これら金属バンプ１５ａ、１５ｂ、１５ｃの固相拡散接合により接合部材１５ｄが構成されている。なお、金属バンプ１５ａ、１５ｂ、１５ｃは例えばＡｕバンプを用いることができる。
【００４１】
同様に、基板３の上側の主面に設けられた接続電極４ｂ上には金属バンプ１６ａが設けられ、基板９の表面に設けられた接続電極１１上には金属バンプ１６ａと近接するようにして金属バンプ１６ｂが設けられている。更に、金属バンプ１６ａと金属バンプ１６ｂの両方に重なるようにして金属バンプ１６ｃが設けられている。そして、これら金属バンプ１６ａ、１６ｂ、１６ｃの固相拡散接合により接合部材１６ｄが構成されている。
【００４２】
（作用）  
図７に示す３次元モジュールにおいては、駆動回路１０からの信号が基板９の接続電極１１から接合部材１６ｄを経由して基板３の接続電極４ｂへ伝わり、ＭＥＭＳデバイス１ｂが動作する。そして、ＭＥＭＳデバイス１ｂが動作している時には、ＭＥＭＳデバイス１ｂの動作状態を示す信号が基板３の接続電極４ａから接合部材１５ｄを経由して基板５の接続電極７へ伝わり、センサ回路６に入力される。更に、センサ回路６によって検出信号は、図示しない外部回路に出力される。
【００４３】
（製造方法）  
次に、図８を参照して第３の実施形態に係る３次元モジュールの製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１においては、基板３の側面、又は基板５と基板９の表面に、スクリーン印刷等で熱硬化性接着剤からなる接着部材８を定量供給した後に、基板３の側面と、基板５及び基板９の表面とを各々の基板上に形成した接続電極が同一平面になるように貼り合せる。その後に、接着部材８に熱を加えて接着部材８を硬化させる。なお、ステップＳ２１の前に、基板５にセンサ回路６を、基板９に駆動回路１０を搭載しておいても良い。
【００４４】
ステップＳ２２においては、ＭＥＭＳチップ１上、又は基板５と基板９上の所定位置に金属バンプからなるスペーサ２を超音波接合又はメッキにより形成した後、スペーサ２と基板５、９の表面に接合に必要な熱と圧力を加えてＭＥＭＳデバイス１ｂを作成する。
【００４５】
ステップＳ２３においては、接続電極４ａ及び接続電極７上に、互いに近接するように金属バンプ１５ａ、１５ｂをそれぞれ超音波接合により作成する。次に、金属バンプ１５ｃを、超音波接合により、金属バンプ１５ａと金属バンプ１５ｂの両方と接触し固相拡散接合するように形成することにより接合部材１５ｄを形成する。同様に、接続電極４ｂ及び接続電極１１上に、互いに近接するように金属バンプ１６ａ、１６ｂをそれぞれ超音波接合により作成する。次に、金属バンプ１６ｃを、超音波接合により、金属バンプ１６ａと金属バンプ１６ｂの両方と接触し固相拡散接合するように形成することにより接合部材１６ｄを形成する。このようにして図７に示す３次元モジュールが製造される。
【００４６】
ここで、金属バンプ同士の固相拡散接合の状態をより強固にするために、固相拡散接合前に金属バンプの表面を洗浄して表面の酸化物を除去するようにしても良い。また、熱をかけなくても固相拡散接合できる場合には、必ずしも熱を加える必要はなく、圧力のみを加えて接合しても良い。
【００４７】
（効果）  
以上説明した第３の実施形態によれば、第１の基板としての基板３の主面に設けられた接続電極と、第２の基板としての基板５、９の副面に設けられた接続電極とが同一平面となるように基板３及び基板５、９を配置して接合することにより、基板３に対して基板５、９を垂直に立てて電気的且つ機械的に接合でき、３次元モジュールとしての水平方向の実装面積の増大を抑えることが可能である。また、第３の実施形態においては、ＭＥＭＳデバイス内の領域で基板３と基板５及び基板９との電気的接続をとるために、接合部材の大きさが実装面積に影響しない。その結果、実装面積を第１及び第２の実施形態に比べて小さくできる。
【００４８】
また、接合部材を３つの金属バンプで構成しているために、基板間の貼り合せの精度が悪く、接合する接続電極間に段差が生じてもバンプの形状を調整するだけで接合することができるという効果もある。
【００４９】
（変形例）  
第３の実施形態においても、第１の実施形態と同様に基板３に貼り合せる基板の数は２枚に限定されず、また貼り合せる面も、基板３の左右の側面に限定されるものではない。
【００５０】
以上実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。
【００５１】
さらに、上記した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適当な組合せにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、上述したような課題を解決でき、上述したような効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成も発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る３次元モジュールの接合断面図である。
【図２】図１の３次元モジュールの側面図である。
【図３】図１の３次元モジュールの製造方法を示す工程フロー図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る３次元モジュールの接合断面図である。
【図５】図４の３次元モジュールの側面図である。
【図６】図４の３次元モジュールの製造方法を示す工程フロー図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る３次元モジュールの接合断面図である。
【図８】図７の３次元モジュールの製造方法を示す工程フロー図である。
【図９】従来技術のマルチチップモジュールの実装断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…ＭＥＭＳチップ、２…スペーサ、３，５，９…基板、４ａ，４ｂ，７，１１…接続電極、６…センサ回路、８…接着部材、１０…駆動回路、１２ａ，１２ｂ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｄ，１６ｄ…接合部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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