(57)【要約】【課題】半導体素子においてリフレッシュ周期に応じて温度情報を更新する回路を提供すること。【解決手段】半導体素子の内部温度を測定し、測定された温度情報を有する温度情報信号を生成し、リフレッシュ周期に応じて前記温度情報信号を更新する温度情報出力手段を備える。また、半導体素子の内部温度を測定して温度情報コード及び測定された温度に応じて論理レベルが変動する複数個のフラグ信号を生成し、ノーマルモードにおけるリフレッシュ命令信号又はセルフリフレッシュモードにおけるセルフリフレッシュ発振信号に応答して前記温度情報コードを更新する温度情報出力手段と、当該更新された温度情報コードを格納するコード格納手段と、格納されたデータを読み出して前記リフレッシュ命令信号の周期を変動するメモリ制御手段と、前記複数個のフラグ信号に応じて前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を変動するセルフリフレッシュ発振手段とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の内部温度を測定し、温度情報を有する温度情報コードを生成し、リフレッシュ周期に応じて前記温度情報コードを更新する温度情報出力手段を備えることを特徴とする半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２】
前記温度情報出力手段が、
半導体素子の内部温度を測定し、前記温度情報コード及び測定された温度に応じて論理レベルが変動する複数個のフラグ信号を生成する温度情報信号生成手段と、
ノーマルモードにおけるリフレッシュ命令信号又はセルフリフレッシュモードにおけるセルフリフレッシュ発振信号に応答して外部更新信号を出力する外部更新信号出力手段と
を備え、
前記温度情報信号生成手段が、前記外部更新信号を受信して温度情報コードを更新することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３】
前記リフレッシュ命令信号が、
前記温度情報コードに応じて周期を変動させることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項４】
前記セルフリフレッシュ発振信号が、
前記複数個のフラグ信号のうち、アクティブになった信号の個数によって周期を変動させることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項５】
前記外部更新信号出力手段が、
前記ノーマルモードにおける前記リフレッシュ命令信号又は前記セルフリフレッシュモードにおける前記セルフリフレッシュ発振信号の入力周期をＮの分、分周させて出力する分周器と、
該分周器の出力信号を一定時間遅延させて出力する遅延部と、
該遅延部の出力信号に応答して外部更新信号を生成する外部更新信号生成器と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項６】
前記外部更新信号出力手段が、
前記リフレッシュ命令信号を第１の入力として受信し、前記セルフリフレッシュ発振信号を第２の入力として受信して前記分周器に出力する第１のＯＲゲートを更に備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項７】
前記温度情報信号生成手段が、
半導体素子の内部温度を測定し、測定された温度情報を有する測定温度コード、及び当該測定温度コードの更新を報知する内部更新信号を生成する温度測定手段と、
設定された演算動作を行って、前記測定温度コードを前記温度情報コード及び前記複数個のフラグ信号に変換し、前記内部更新信号又は前記外部更新信号に応答して前記温度情報コードを更新信号とともに出力する温度情報変換手段と、
動作制御信号を生成して温度測定手段を制御し、テストモード信号を生成して温度情報変換手段を制御する動作制御手段と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項８】
前記温度測定手段が、
温度の増加に負（−）特性を有する温度電圧と、温度の変動にかかわらず一定の電位レベルを有する第１の変動基準電圧及び第２の変動基準電圧を出力する温度感知手段と、
前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧の電位レベルに応じて、アナログ値の前記温度電圧を変換してデジタル値の前記測定温度コード及び前記内部更新信号を生成するアナログ・デジタル変換手段と
を備えることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項９】
前記温度感知手段が、
第１のバイポーラトランジスタの第１のエミッタ電流に比例する第１のベース・エミッタ電圧を増幅して前記温度電圧として出力し、前記第１のベース・エミッタ電圧が、温度の増加に対応して負（−）特性を有する電圧増幅手段と、
温度の増加に対応して正（＋）特性を有する第１の電流、及び負（−）特性を有する第２の電流を生成する電流生成手段と、
前記第１の電流及び前記第２の電流を一定の比率で合わせた第３の電流に比例して温度の変動にかかわらず一定の電位レベルを有する基準電圧を生成する基準電圧生成手段と、
調整コードに応答して前記基準電圧の電位レベルを調整することにより、前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧の電位レベルを決定する電位レベル調整手段と
を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１０】
前記電圧増幅手段が、
前記第１のベース・エミッタ電圧を負（−）として受信し、第１の分配電圧を正（＋）として受信し、差動増幅して出力する第１の差動増幅器と、
該第１の差動増幅器の出力電圧に応答して前記温度電圧を駆動する第１の駆動部と、
前記温度電圧の電位レベルを一定の比率で分配して、前記第１の分配電圧の電位レベルを決定する第１の分配部と
を備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１１】
前記第１の駆動部が、
ゲートで受信した前記差動増幅器の出力電圧に応答して、ソースに接続された電源電圧を前記温度電圧として駆動する第１のＰＭＯＳトランジスタを備えることを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１２】
前記第１の分配部が、
前記温度電圧出力端と接地電圧端との間に設定された抵抗値を有する第１の抵抗及び第２の抵抗を備え、当該第１の抵抗及び第２の抵抗の接続ノードから前記第１の分配電圧を出力することを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１３】
前記電流生成手段が、
前記第１のベース・エミッタ電圧を、設定された抵抗値を有する第３の抵抗に供給して前記第１の電流を生成する第１の電流生成手段と、
該第１の電流生成手段にカスケード接続され、第２のバイポラトランジスタの第２のエミッタ電流に比例する第２のベース・エミッタ電圧を、設定された抵抗値を有する第４の抵抗に供給して前記第２の電流を生成する第２の電流生成手段と
を備え、
前記第１のエミッタ電流が、第２のエミッタ電流の一定倍数の大きさを有することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１４】
前記基準電圧生成手段が、
前記第１の電流にＭ倍の大きさを有する電流と前記第２の電流にＫ倍の大きさを有する電流とを合わせた第３の電流を、設定された抵抗値を有する第５の抵抗に供給して前記基準電圧として出力することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１５】
前記電位レベル調整手段が、
前記基準電圧の電位レベルを調整して、調整基準電圧として出力する第１の調整部と、
前記調整基準電圧の電位レベルを調整して、前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧として出力する第２の調整部と
を備え、
前記調整基準電圧、前記第１の変動基準電圧、及び前記第２の変動基準電圧の電位レベルが、前記調整コードに応じて変動することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１６】
前記電位レベル調整手段が、
前記調整コードを格納し、当該格納された調整コードを前記第１の調整部及び前記第２の調整部に伝送する調整コードレジスタを更に備えることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１７】
前記第１の変動基準電圧の電位レベルと前記第２の変動基準電圧の電位レベルとが一定の差を有して変動することを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１８】
前記第１の調整部が、
前記基準電圧を負（−）として受信し、第２の分配電圧を正（＋）として受信し、差動増幅して出力する第２の差動増幅器と、
該第２の差動増幅器の出力電圧に応答して前記調整基準電圧を駆動する第２の駆動部と、
前記調整コードに応答して、前記調整基準電圧の電位レベルを一定の比率で分配することにより、前記第２の分配電圧の電位レベルを決定する第２の分配部と
を備えることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項１９】
前記第２の駆動部が、
ゲートで受信した前記第２の差動増幅器の出力電圧に応答して、ソースに接続された電源電圧を前記調整基準電圧として駆動する第２のＰＭＯＳトランジスタを備えることを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２０】
前記第２の分配部が、
前記調整基準電圧出力端と接地電圧端との間に前記調整コードに応じて抵抗値が変動する第１の可変抵抗及び設定された抵抗値を有する第６の抵抗を備え、当該第１の可変抵抗及び第６の抵抗の接続ノードから前記第２の分配電圧を出力することを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２１】
前記第１の可変抵抗が、
直列に接続され、設定された抵抗値を有する複数個の抵抗と、
前記調整コードに応答してオン・オフ制御され、前記複数個の抵抗と一対一で並列接続された複数個のスイッチと
を備えることを特徴とする請求項２０に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２２】
前記第２の調整部が、
前記調整基準電圧を負（−）として受信し、第３の分配電圧を正（＋）として受信し、差動増幅して出力する第３の差動増幅器と、
該第３の差動増幅器の出力電圧に応答して前記第１の変動基準電圧を駆動する第３の駆動部と、
前記調整コードに応答して、前記第１の変動基準電圧の電位レベルを一定の比率で３等分することにより、前記第２の変動基準電圧及び第３の分配電圧の電位レベルを決定する第３の分配部と
を備えることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２３】
前記第３の駆動部が、
ゲートで受信した前記第３の差動増幅器の出力電圧に応答して、ソースに接続された電源電圧を前記第１の変動基準電圧として駆動する第３のＰＭＯＳトランジスタを備えることを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２４】
前記第３の分配部が、
前記第１の変動基準電圧出力端と接地電圧端との間に、前記調整コードに応じて抵抗値が変動する第２の可変抵抗と、第３の可変抵抗、及び設定された抵抗値を有する第７の抵抗を備え、当該第２の可変抵抗及び第３の可変抵抗の接続ノードから前記第２の変動基準電圧を出力し、当該第３の可変抵抗及び第７の抵抗の接続ノードから前記第３の分配電圧を出力することを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２５】
前記第２の可変抵抗及び前記第３の可変抵抗のそれぞれが、
直列に接続され、設定された抵抗値を有する複数個の抵抗と、
前記調整コードに応答してオン・オフ制御され、前記複数個の抵抗と一対一で並列接続された複数個のスイッチと
を備えることを特徴とする請求項２４に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２６】
テストモードから前記測定温度コードがフィードバックされて、前記調整コードとして用いられることを特徴とする請求項１０〜２５のいずれか１項に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２７】
前記ノーマルモード及び前記セルフリフレッシュモードからフューズコードを受信して、前記調整コードとして用いられることを特徴とする請求項１０〜２５のいずれか１項に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２８】
前記アナログ・デジタル変換手段が、
前記動作制御手段から入力される動作制御信号に応答してクロック信号を発振するクロック発振手段と、
前記温度電圧及び追跡電圧の電位レベルを比較した値に応じて、前記測定温度コードを増加させるか、又は減少させて前記内部更新信号とともに出力し、前記クロック信号に応答して動作する比較手段と、
前記ノーマルモードにおける前記測定温度コード又はテストモードにおける第１のテストコードに応答して前記追跡電圧の電位レベルを決定し、前記追跡電圧の電位レベルが、前記第１の変動基準電圧よりも小さか、又は等しく、前記第２の変動基準電圧よりも大きいか、又は等しい範囲で決定される電位レベル決定手段と
を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項２９】
前記比較手段が、
前記クロック信号に応答して前記温度電圧及び前記追跡電圧を比較し、その値に応じて増加信号及び減少信号の論理レベルを決定する比較器と、
前記増加信号及び前記減少信号に応答して前記測定温度コードを増加させるか、又は減少させ、前記クロック信号を一定時間遅延させた遅延クロックに応答して動作するアップ・ダウンカウンタと、
前記遅延クロックを一定時間遅延させて前記内部更新信号として出力する内部更新信号出力手段と
を備えることを特徴とする請求項２８に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３０】
前記比較手段が、
前記増加信号及び前記減少信号をフィルタリングして前記アップ・ダウンカウンタの誤動作を防止するフィルタリング部を更に備えることを特徴とする請求項２９に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３１】
前記電位レベル決定手段が、
前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧に応答してデジタル値の調整情報コードをアナログ値の前記追跡電圧に変換するデジタル・アナログ変換部と、
前記動作制御手段から受信されたテストモード信号に応答して、テストモードでは前記第１のテストコードを、又はノーマルモードでは前記測定温度コードを選択して出力する第１のマルチプレクサと、
該第１のマルチプレクサの出力信号をデコードして前記調整情報コードとして前記デジタル・アナログ変換部に伝送するデコーダと
を備えることを特徴とする請求項２８に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３２】
前記デジタル・アナログ変換部が、
第１の出力電圧と前記第１の変動基準電圧との電位レベルを比較し、その値に応じて第１のバイアス電圧の電位レベルを決定し、前記第１の出力電圧の電位レベルが、前記第１のバイアス電圧の電位レベルに応じて変動する第１のバイアス決定手段と、
第２の出力電圧と前記第２の変動基準電圧との電位レベルを比較し、その値に応じて第２のバイアス電圧の電位レベルを決定し、前記第２の出力電圧の電位レベルが、前記第２のバイアス電圧の電位レベルに応じて変動する第２のバイアス決定手段と、
前記調整情報コードに応じてイネーブルされ、前記第１のバイアス電圧及び前記第２のバイアス電圧に応じて前記追跡電圧の電位レベルを調整して出力する追跡電圧出力手段と
を備えることを特徴とする請求項３１に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３３】
前記第１のバイアス決定手段が、
前記第１のバイアス電圧の電位レベルに応じて前記第１の出力電圧の電位レベルを調整する第１の電流ミラー回路と、
前記第１の出力電圧の電位レベルと前記第１の変動基準電圧の電位レベルとを比較し、その値に応じて前記第１のバイアス電圧を変動する第１の比較器と
を備えることを特徴とする請求項３２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３４】
前記第２のバイアス決定手段が、
前記第２のバイアス電圧の電位レベルに応じて前記第２の出力電圧の電位レベルを調整する第２の電流ミラー回路と、
前記第２の出力電圧の電位レベルと前記第２の変動基準電圧との電位レベルを比較し、その値に応じて前記第２のバイアス電圧の電位レベルを変動する第２の比較器と
を備えることを特徴とする請求項３２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３５】
前記追跡電圧出力手段が、
前記第１のバイアス電圧及び前記第２のバイアス電圧に応じて決定された変動可能な電位レベル内において、前記調整情報コードに応じて前記追跡電圧の電位レベルを調整する第３の電流ミラー回路を備えることを特徴とする請求項３２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３６】
前記温度情報変換手段が、
テストモードにおける第２のテストコード又はノーマルモードにおけるフューズデータと、前記測定温度コードの間に前記設定された演算動作を行って演算コードを生成する演算コード生成手段と、
前記内部更新信号又は前記外部更新信号に応じて前記演算コードを駆動して、前記温度情報コード及び前記温度情報コードの更新を報知する更新信号を出力する駆動手段と、
前記演算コードに応じて前記複数個のフラグ信号のそれぞれの論理レベルを決定して出力するフラグ信号出力手段と
を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３７】
前記演算コード生成手段が、
前記測定温度コードを２の補数の形に変換して出力するコード変換部と、
前記動作制御手段から受信したテストモード信号に応答して、前記第２のテストコード又は前記フューズデータを選択して出力する第２のマルチプレクサと、
前記コード変換部の出力信号を第１の入力として受信し、前記第２のマルチプレクサの出力信号を第２の入力として受信し、前記設定された演算を行って前記演算コードを生成する演算部と
を備えることを特徴とする請求項３６に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３８】
前記駆動手段が、
前記内部更新信号を第１の入力として受信し、前記外部更新信号を第２の入力として受信して出力する第２のＯＲゲートと、
前記第１のＯＲゲートの出力信号を第１の入力として受信し、前記演算コードを第２の入力として受信して前記温度情報コード及び前記更新信号を駆動する駆動部と
を備えることを特徴とする請求項３６に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項３９】
前記フラグ信号出力手段が、
前記複数個のフラグ信号のうち、相対的に高い半導体素子の内部温度で相対的に多数のフラグ信号をアクティブにして出力することを特徴とする請求項３６に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項４０】
前記動作制御手段が、
前記温度情報出力手段のノーマルモードの進入を制御するイネーブル信号、テストモードの進入を制御するテストイネーブル信号、及びセルフリフレッシュモード進入を制御するセルフリフレッシュ信号を外部から受信して、前記温度測定手段及び前記温度情報変換手段の動作モードを制御することを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項４１】
半導体素子の内部温度を測定して前記温度情報コード及び測定された温度に応じて論理レベルが変動する複数個のフラグ信号を生成し、ノーマルモードにおけるリフレッシュ命令信号又はセルフリフレッシュモードにおけるセルフリフレッシュ発振信号に応答して前記温度情報コードを更新する温度情報出力手段と、
前記温度情報コードが更新されるとき、当該更新された前記温度情報コードを格納するコード格納手段と、
該コード格納手段に格納されたデータを読み出して前記リフレッシュ命令信号の周期を変動するメモリ制御手段と、
前記複数個のフラグ信号に応じて前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を変動するセルフリフレッシュ発振手段と
を備えることを特徴とする半導体素子。
【請求項４２】
前記温度情報出力手段が、
半導体素子の内部温度を測定し、測定された温度情報を有する測定温度コード及び当該測定温度コードの更新を報知する内部更新信号を生成する温度測定手段と、
前記ノーマルモードにおける前記リフレッシュ命令信号又は前記セルフリフレッシュモードにおける前記セルフリフレッシュ発振信号を前記外部更新信号として出力する外部更新信号出力手段と、
設定された演算動作を行って前記測定温度コードを前記温度情報コード及び前記フラグ信号に変換し、前記内部更新信号又は前記外部更新信号に応答して前記温度情報コードを更新信号とともに出力する温度情報変換手段と、
動作制御信号を生成して温度測定手段を制御し、テストモード信号を生成して温度情報変換手段を制御する動作制御手段と
を備えることを特徴とする請求項４１に記載の半導体素子。
【請求項４３】
前記温度測定手段が、
温度の増加に負（−）特性を有する温度電圧と、温度の変動にかかわらず一定の電位レベルを有する第１の変動基準電圧及び第２の変動基準電圧を出力する温度感知手段と、
前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧の電位レベルに応じて前記温度電圧の電位レベル値を前記測定温度コードに変換して、前記内部更新信号とともに出力するアナログ・デジタル変換手段と
を備えることを特徴とする請求項４２に記載の半導体素子。
【請求項４４】
前記外部更新信号変換手段が、
前記ノーマルモードにおける前記リフレッシュ命令信号又は前記セルフリフレッシュモードにおける前記セルフリフレッシュ発振信号の入力周期をＮの分、分周させて出力する分周器と、
該分周器の出力信号を一定時間遅延させて前記外部更新信号として出力する遅延部と
を備えることを特徴とする請求項４２に記載の半導体素子。
【請求項４５】
前記外部更新信号変換手段が、
前記リフレッシュ命令信号を第１の入力として受信し、前記セルフリフレッシュ発振信号を第２の入力として受信して前記分周器に出力する第１のＯＲゲートを更に備えることを特徴とする請求項４４に記載の半導体素子。
【請求項４６】
前記動作制御手段が、
前記温度情報出力手段のノーマルモードの進入を制御するイネーブル信号、テストモードの進入を制御するテストイネーブル信号、及びセルフリフレッシュモード進入を制御するセルフリフレッシュ信号を外部から受信して、前記温度測定手段及び前記温度情報変換手段の動作モードを制御することを特徴とする請求項４２に記載の半導体素子。
【請求項４７】
前記コード格納手段が、
前記温度情報コードの更新を報知する更新信号を第１の入力として受信し、前記温度情報コードを第２の入力として受信して前記更新信号がアクティブになるとき、前記温度情報信号を格納する多目的レジスタを備えることを特徴とする請求項４１に記載の半導体素子。
【請求項４８】
前記メモリ制御手段が、
前記コード格納手段に格納されている前記温度情報コードを読み出して、その値が変動した場合、前記リフレッシュ命令信号の周期を変動して出力することを特徴とする請求項４１に記載の半導体素子。
【請求項４９】
前記セルフリフレッシュ発振手段が、
前記セルフリフレッシュモードにおいて、前記複数個のフラグ信号のうち、アクティブになる信号の個数によって前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を変動して出力することを特徴とする請求項４１に記載の半導体素子。
【請求項５０】
前記セルフリフレッシュ発振手段が、
前記複数個のフラグ信号のうち、アクティブになった信号の個数が少ないほど、前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を増加して出力することを特徴とする請求項４９に記載の半導体素子。
【請求項５１】
前記セルフリフレッシュ発振手段が、
前記複数個のフラグ信号のうち、アクティブになった信号の個数が多いほど、前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を減少して出力することを特徴とする請求項４９に記載の半導体素子。
【請求項５２】
前記温度情報信号更新手段が、
前記ノーマルモードにおける前記リフレッシュ命令信号又は前記セルフリフレッシュモードにおける前記セルフリフレッシュ発振信号の入力周期をＮの分、分周させて出力する分周器と、
該分周器の出力信号を一定時間遅延させて出力する遅延部と、
該遅延部の出力信号に応答して外部更新信号を生成する外部更新信号生成器と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【請求項５３】
前記温度情報信号更新手段が、
前記リフレッシュ命令信号を第１の入力として受信し、前記セルフリフレッシュ発振信号を第２の入力として受信して前記分周器に出力する第１のＯＲゲートを更に備えることを特徴とする請求項５２に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子において、温度情報出力装置（ＯＤＴＳ−Ｏｎ  Ｄｉｅ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｓｅｎｓｏｒ）の温度情報更新に関し、特に、リフレッシュ周期に応じて温度情報を更新する回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭセルは、スイッチの役割を果たすトランジスタ及び電荷（データ）を格納するキャパシタから構成されており、メモリセル内のキャパシタに電荷があるか否かによって、すなわち、キャパシタの端子電圧が高いか否かによってデータの「ハイ」、「ロー」を区分する。
【０００３】
データの保管は、キャパシタに電荷が蓄積された形になっているため、原理的には電力の消費がない。しかし、ＭＯＳトランジスタのＰＮ結合などによる漏れ電流があり、格納された初期の電荷量が消滅するため、データが消失し得る。これを防止するために、データを失う前にメモリセル内のデータを読み出し、その読み出した情報に合せて更に正常な電荷量に再充電しなければならない。
【０００４】
この動作を周期的に繰り返してこそデータの記憶が維持される。このようなセル電荷の再充電過程をリフレッシュ動作と呼び、リフレッシュ制御は、一般的にＤＲＡＭ制御機で行われる。このようなリフレッシュ動作の必要に応じて、ＤＲＡＭではリフレッシュ電力が消費される。より低電力が要求されるバッテリー稼動システム（ｂａｔｔｅｒｙ  ｏｐｅｒａｔｅｄ  ｓｙｓｔｅｍ）において、電力の消費を減らすことは極めて重要、かつ、重大な問題である。
【０００５】
リフレッシュに必要な電力の消費を減らすための試みのうちの１つが、リフレッシュ周期を温度に応じて変化させることである。ＤＲＡＭにおけるデータ保有タイムは、温度が低くなるほど長くなる。したがって、温度領域をいくつかの領域に分割し、低い温度領域ではリフレッシュクロックの周波数を相対的に下げれば、電力の消費は減るに違いない。したがって、ＤＲＡＭ内部の温度を正確に感知し、その感知した温度の情報を出力できる装置が必要となる。
【０００６】
また、半導体メモリ素子は、その集積レベル及び動作速度の増加に伴い、半導体メモリ素子そのものから多くの熱を発生する。このように発生した熱は、半導体メモリ素子の内部温度を上昇させて正常な動作を妨げ、ともすれば、半導体メモリ素子の不良を招くこともある。したがって、半導体メモリ素子の温度を正確に感知し、その感知した温度の情報を出力できる装置が必要となる。
【０００７】
図１は、従来の技術に係る半導体メモリ素子の温度情報出力装置を示したブロック図である。
【０００８】
従来の技術に係る半導体メモリ素子の温度情報出力装置１は、温度感知部２、アナログ・デジタル変換部３、温度情報変換部４、及び動作制御部５を備える。
【０００９】
前記温度感知部２は、半導体素子の内部温度を感知し、その感知した温度に応じて温度電圧ＶＴＥＭＰの電位レベルを変動して出力する。
【００１０】
前記アナログ・デジタル変換部３は、アナログ値の温度電圧ＶＴＥＭＰをデジタル値の測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥに変換して内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥとともに出力する。
【００１１】
前記温度情報変換部４は、設定された演算動作を行い、内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥに応答して測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥを温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥ及び複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：Ｍ>（Ｍは自然数）に変換し、更新信号ＵＰＤＡＴＥとともに出力する。
【００１２】
前記動作制御部５は、メモリレジスタセットＭＲＳ（図示せず）からインピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤを受信してノーマルモードにおける温度情報出力装置１の動作を制御し、セルフリフレッシュ信号ＳＲＥＦを受信してセルフリフレッシュモードにおける温度情報出力装置１の動作を制御し、テストイネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮＡＢＬＥを受信してテストモードにおける温度情報出力装置１の動作を制御する。
【００１３】
そして、温度情報出力装置１の外部のコード格納部６は、更新信号ＵＰＤＡＴＥに応答して温度情報変換部４から出力された温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥを格納する。当該格納された温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥは、メモリ制御機において、読み出してリフレッシュ周期を変化させるなどの動作に用いられる。
【００１４】
また、温度情報出力装置１の外部のセルフリフレッシュ発振部７は、セルフリフレッシュモードにおいて動作し、温度情報変換部４から出力された複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：ｍ>に応答してセルフリフレッシュ周期の変動を制御する。
【００１５】
そして、温度情報出力装置１の外部のインピーダンスマッチング部８（ＺＱＣａｌｉｂｒａｔｏｒ）は、温度情報出力装置１とは関わりのない動作を行うが、温度情報出力装置１同様、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤに応答して動作が制御される。
【００１６】
図２は、図１に示された従来の技術に係る温度情報出力装置の初期化動作波形を示したタイミング図である。
【００１７】
図１及び図２に示すように、従来の技術に係る温度情報出力装置１の初期化動作の順序を説明すると、次のとおりである。
【００１８】
第１に、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤがトグリング（ｔｏｇｇｌｉｎｇ）すると、温度情報出力装置１の初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚａｔｉｏｎ）動作が始まる。
【００１９】
第２に、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤのトグリングに応答して動作制御部５が第１の動作制御信号ＢＧＲ＿ＯＮをアクティブにする。
【００２０】
第３に、前記第１の動作制御信号ＢＧＲ＿ＯＮのアクティブに応答して、温度感知部２は半導体素子の内部温度を感知し、その感知した温度に応じて出力される電圧、すなわち、温度電圧ＶＴＥＭＰを含む変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴ、ＶＵＬＩＭＩＴの電位レベルを初期化させる。
【００２１】
ここで、第１の動作制御信号ＢＧＲ＿ＯＮがアクティブになって維持される時間は動作制御部５に定義されている。
【００２２】
第４に、温度感知部２の初期化動作が終了すると、動作制御部５は第２の動作制御信号ＡＤＣ＿ＯＮをアクティブにする。
【００２３】
第５に、第２の動作制御信号ＡＤＣ＿ＯＮのアクティブに応答して、アナログ・デジタル変換部３はアナログ値の温度電圧ＶＴＥＭＰの電位レベルをデジタル値の測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥに変換する変換動作を開始する。このとき、数回の変換動作を介して温度電圧ＶＴＥＭＰの電位レベルを測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥに変換するが、１回の変換動作が発生する度に内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥをトグリングして出力する。
【００２４】
ここで、第２の動作制御信号ＡＤＣ＿ＯＮがアクティブになって維持される時間は動作制御部５に定義されている。
【００２５】
第６に、温度情報変換部４は、デジタル値の測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥを温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥ及び複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：ｍ>に変換する。ここで、温度情報変換部４は、内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥのトグリングに応答して、温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥ及び更新信号ＵＰＤＡＴＥを駆動する。すなわち、更新信号ＵＰＤＡＴＥに応答してコード格納部６に格納されていた温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥを更新する。
【００２６】
また、複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：ｍ>は、内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥのトグリングと関係なく測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥに応じてそれぞれの論理レベルが変動して出力される。すなわち、セルフリフレッシュモードにおいて動作するセルフリフレッシュ発振部７に温度情報を提供して、温度に応じてセルフリフレッシュ周期を変動させる。
【００２７】
第７に、第２の動作制御信号ＡＤＣ＿ＯＮ及び第１の動作制御信号ＢＧＲ＿ＯＮが順に非アクティブになると、温度情報出力装置１の初期化動作が終了する。
【００２８】
温度情報出力装置１は、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤがトグリングする度に、前述の第１から第７までの動作を繰り返すことにより、半導体素子の温度情報を更新する。
【００２９】
そして、温度情報出力装置１の動作を制御するのに用いられるインピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤは、半導体素子においてデータを伝送、又は受信のための入・出力（ｉｎｐｕｔ／ｏｕｔｐｕｔ）ピンのインピーダンスと入・出力ピンと接続されてデータを伝送する伝送ラインのインピーダンスとをマッチングさせるために、メモリ制御機からインピーダンスマッチング部８に出力される信号である。
【表１】
2008084514.tif 000003
【００３０】
表１は、インテルＤＤＲ３スペック（ｓｐｅｃ）に明示されたインピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤ特性を示す。
インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤは前述のように、入・出力ピンのインピーダンスと伝送ラインのインピーダンスとをマッチングさせる動作を行うため、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤが入力された後、一定期間、ＤＲＡＭの入・出力ピンを介してデータを読み出し／書き込みを行うことができない。そのため、ＤＲＡＭにおいて入・出力されるデータは、帯域幅の効率性（ｂａｎｄｗｉｄｔｈ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が劣らざるをえない。したがって、できるだけインピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤが多くの時間間隔を有し、少なく入力されてこそ、ＤＲＡＭの性能面において有利である。
【００３１】
しかし、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤに応答して温度情報を更新する従来の技術に係る温度情報出力装置１のような場合、短い時間間隔を有し、頻繁に温度情報を更新することが正確な温度を測定するのに有利である。すなわち、温度情報出力装置１において最も正確な温度を測定して出力するためには、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤが、短い時間間隔を有し、頻繁に入力されることが望まれる。
【００３２】
そして、温度情報出力装置１の温度情報更新周期とインピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤの入力周期は互いに異なり得る。なぜなら、温度情報出力装置１の温度情報更新周期は、ＤＲＡＭの内部温度に影響されて変動するが、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤの入力周期は、ＤＲＡＭの内部温度だけでなく、ＤＲＡＭのパワー雑音に影響されて変動しなければならないためである。
【００３３】
すなわち、温度情報出力装置１の温度情報更新周期とインピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤの入力周期とは、それぞれの変位に最適化されるように動作させることが良いが、従来の技術に係る温度情報出力装置１は、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤに応答して半導体素子の温度情報が更新されるため、効率的な動作が困難であるという問題が発生する。
【特許文献１】特開２００５−３１０７７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３４】
本発明は、上記した従来の技術の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、リフレッシュ周期に応じて温度情報を更新する温度情報装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
そこで、上記の目的を達成するための本発明による半導体素子の温度情報出力装置は、半導体素子の内部温度を測定して温度情報コードを生成し、リフレッシュ周期に応じて前記温度情報コードを更新する温度情報出力手段を備えることを特徴とする。
【００３６】
また、上記の目的を達成するための本発明による半導体素子は、半導体素子の内部温度を測定して前記温度情報コード及び測定された温度に応じて論理レベルが変動する複数個のフラグ信号を生成し、ノーマルモードにおけるリフレッシュ命令信号又はセルフリフレッシュモードにおけるセルフリフレッシュ発振信号に応答して前記温度情報コードを更新する温度情報出力手段と、前記温度情報コードが更新されるとき、当該更新された温度情報コードを格納するコード格納手段と、該コード格納手段に格納されたデータを読み出して前記リフレッシュ命令信号の周期を変動するメモリ制御手段と、前記複数個のフラグ信号に応じて前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を変動するセルフリフレッシュ発振手段とを備えることを特徴とする。
【００３７】
すなわち、第一の発明としては、半導体素子の内部温度を測定し、温度情報を有する温度情報コードを生成し、リフレッシュ周期に応じて前記温度情報コードを更新する温度情報出力手段を備えることを特徴とする半導体素子の温度情報出力装置。
【００３８】
第二の発明としては、前記温度情報出力手段が、半導体素子の内部温度を測定し、前記温度情報コード及び測定された温度に応じて論理レベルが変動する複数個のフラグ信号を生成する温度情報信号生成手段と、ノーマルモードにおけるリフレッシュ命令信号又はセルフリフレッシュモードにおけるセルフリフレッシュ発振信号に応答して外部更新信号を出力する外部更新信号出力手段とを備え、前記温度情報信号生成手段が、前記外部更新信号を受信して温度情報コードを更新することを特徴とする第一の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００３９】
第三の発明としては、前記リフレッシュ命令信号が、前記温度情報コードに応じて周期を変動させることを特徴とする第二の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４０】
第四の発明としては、前記セルフリフレッシュ発振信号が、前記複数個のフラグ信号のうち、アクティブになった信号の個数によって周期を変動させることを特徴とする第二の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４１】
第五の発明としては、前記温度情報信号更新手段または前記外部更新信号出力手段が、前記ノーマルモードにおける前記リフレッシュ命令信号又は前記セルフリフレッシュモードにおける前記セルフリフレッシュ発振信号の入力周期をＮの分、分周させて出力する分周器と、該分周器の出力信号を一定時間遅延させて出力する遅延部と、該遅延部の出力信号に応答して外部更新信号を生成する外部更新信号生成器とを備えることを特徴とする第二の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４２】
第六の発明としては、前記温度情報信号更新手段または前記外部更新信号出力手段が、前記リフレッシュ命令信号を第１の入力として受信し、前記セルフリフレッシュ発振信号を第２の入力として受信して前記分周器に出力する第１のＯＲゲートを更に備えることを特徴とする第五の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４３】
第七の発明としては、前記温度情報信号生成手段が、半導体素子の内部温度を測定し、測定された温度情報を有する測定温度コード、及び当該測定温度コードの更新を報知する内部更新信号を生成する温度測定手段と、設定された演算動作を行って、前記測定温度コードを前記温度情報コード及び前記複数個のフラグ信号に変換し、前記内部更新信号又は前記外部更新信号に応答して前記温度情報コードを更新信号とともに出力する温度情報変換手段と、動作制御信号を生成して温度測定手段を制御し、テストモード信号を生成して温度情報変換手段を制御する動作制御手段とを備えることを特徴とする第二の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４４】
第八の発明としては、前記温度測定手段が、温度の増加に負（−）特性を有する温度電圧と、温度の変動にかかわらず一定の電位レベルを有する第１の変動基準電圧及び第２の変動基準電圧を出力する温度感知手段と、前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧の電位レベルに応じて、アナログ値の前記温度電圧を変換してデジタル値の前記測定温度コード及び前記内部更新信号を生成するアナログ・デジタル変換手段とを備えることを特徴とする第七の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４５】
第九の発明としては、前記温度感知手段が、第１のバイポーラトランジスタの第１のエミッタ電流に比例する第１のベース・エミッタ電圧を増幅して前記温度電圧として出力し、前記第１のベース・エミッタ電圧が、温度の増加に対応して負（−）特性を有する電圧増幅手段と、温度の増加に対応して正（＋）特性を有する第１の電流、及び負（−）特性を有する第２の電流を生成する電流生成手段と、前記第１の電流及び前記第２の電流を一定の比率で合わせた第３の電流に比例して温度の変動にかかわらず一定の電位レベルを有する基準電圧を生成する基準電圧生成手段と、調整コードに応答して前記基準電圧の電位レベルを調整することにより、前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧の電位レベルを決定する電位レベル調整手段とを備えることを特徴とする第八の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４６】
第十の発明としては、前記電圧増幅手段が、前記第１のベース・エミッタ電圧を負（−）として受信し、第１の分配電圧を正（＋）として受信し、差動増幅して出力する第１の差動増幅器と、該第１の差動増幅器の出力電圧に応答して前記温度電圧を駆動する第１の駆動部と、前記温度電圧の電位レベルを一定の比率で分配して、前記第１の分配電圧の電位レベルを決定する第１の分配部とを備えることを特徴とする第九の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４７】
第十一の発明としては、前記第１の駆動部が、ゲートで受信した前記差動増幅器の出力電圧に応答して、ソースに接続された電源電圧を前記温度電圧として駆動する第１のＰＭＯＳトランジスタを備えることを特徴とする第十の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４８】
第十二の発明としては、前記第１の分配部が、前記温度電圧出力端と接地電圧端との間に設定された抵抗値を有する第１の抵抗及び第２の抵抗を備え、当該第１の抵抗及び第２の抵抗の接続ノードから前記第１の分配電圧を出力することを特徴とする第十の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００４９】
第十三の発明としては、前記電流生成手段が、前記第１のベース・エミッタ電圧を、設定された抵抗値を有する第３の抵抗に供給して前記第１の電流を生成する第１の電流生成手段と、該第１の電流生成手段にカスケード接続され、第２のバイポラトランジスタの第２のエミッタ電流に比例する第２のベース・エミッタ電圧を、設定された抵抗値を有する第４の抵抗に供給して前記第２の電流を生成する第２の電流生成手段とを備え、前記第１のエミッタ電流が、第２のエミッタ電流の一定倍数の大きさを有することを特徴とする第九の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５０】
第十四の発明としては、前記基準電圧生成手段が、前記第１の電流にＭ倍の大きさを有する電流と前記第２の電流にＫ倍の大きさを有する電流とを合わせた第３の電流を、設定された抵抗値を有する第５の抵抗に供給して前記基準電圧として出力することを特徴とする第九の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５１】
第十五の発明としては、前記電位レベル調整手段が、前記基準電圧の電位レベルを調整して、調整基準電圧として出力する第１の調整部と、前記調整基準電圧の電位レベルを調整して、前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧として出力する第２の調整部とを備え、前記調整基準電圧、前記第１の変動基準電圧、及び前記第２の変動基準電圧の電位レベルが、前記調整コードに応じて変動することを特徴とする第九の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５２】
第十六の発明としては、前記電位レベル調整手段が、前記調整コードを格納し、当該格納された調整コードを前記第１の調整部及び前記第２の調整部に伝送する調整コードレジスタを更に備えることを特徴とする第十五の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５３】
第十七の発明としては、前記第１の変動基準電圧の電位レベルと前記第２の変動基準電圧の電位レベルとが一定の差を有して変動することを特徴とする第十五の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５４】
第十八の発明としては、前記第１の調整部が、前記基準電圧を負（−）として受信し、第２の分配電圧を正（＋）として受信し、差動増幅して出力する第２の差動増幅器と、該第２の差動増幅器の出力電圧に応答して前記調整基準電圧を駆動する第２の駆動部と、前記調整コードに応答して、前記調整基準電圧の電位レベルを一定の比率で分配することにより、前記第２の分配電圧の電位レベルを決定する第２の分配部とを備えることを特徴とする第十五の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５５】
第十九の発明としては、前記第２の駆動部が、ゲートで受信した前記第２の差動増幅器の出力電圧に応答して、ソースに接続された電源電圧を前記調整基準電圧として駆動する第２のＰＭＯＳトランジスタを備えることを特徴とする第十八の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５６】
第二十の発明としては、前記第２の分配部が、前記調整基準電圧出力端と接地電圧端との間に前記調整コードに応じて抵抗値が変動する第１の可変抵抗及び設定された抵抗値を有する第６の抵抗を備え、当該第１の可変抵抗及び第６の抵抗の接続ノードから前記第２の分配電圧を出力することを特徴とする第十八の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５７】
第二十一の発明としては、前記第１の可変抵抗が、直列に接続され、設定された抵抗値を有する複数個の抵抗と、前記調整コードに応答してオン・オフ制御され、前記複数個の抵抗と一対一で並列接続された複数個のスイッチとを備えることを特徴とする第二十の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５８】
第二十二の発明としては、前記第２の調整部が、前記調整基準電圧を負（−）として受信し、第３の分配電圧を正（＋）として受信し、差動増幅して出力する第３の差動増幅器と、該第３の差動増幅器の出力電圧に応答して前記第１の変動基準電圧を駆動する第３の駆動部と、前記調整コードに応答して、前記第１の変動基準電圧の電位レベルを一定の比率で３等分することにより、前記第２の変動基準電圧及び第３の分配電圧の電位レベルを決定する第３の分配部とを備えることを特徴とする第十五の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００５９】
第二十三の発明としては、前記第３の駆動部が、ゲートで受信した前記第３の差動増幅器の出力電圧に応答して、ソースに接続された電源電圧を前記第１の変動基準電圧として駆動する第３のＰＭＯＳトランジスタを備えることを特徴とする第二十二の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６０】
第二十四の発明としては、前記第３の分配部が、前記第１の変動基準電圧出力端と接地電圧端との間に、前記調整コードに応じて抵抗値が変動する第２の可変抵抗と、第３の可変抵抗、及び設定された抵抗値を有する第７の抵抗を備え、当該第２の可変抵抗及び第３の可変抵抗の接続ノードから前記第２の変動基準電圧を出力し、当該第３の可変抵抗及び第７の抵抗の接続ノードから前記第３の分配電圧を出力することを特徴とする第二十二の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６１】
第二十五の発明としては、前記第２の可変抵抗及び前記第３の可変抵抗のそれぞれが、直列に接続され、設定された抵抗値を有する複数個の抵抗と、前記調整コードに応答してオン・オフ制御され、前記複数個の抵抗と一対一で並列接続された複数個のスイッチとを備えることを特徴とする第二十四の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６２】
第二十六の発明としては、テストモードから前記測定温度コードがフィードバックされて、前記調整コードとして用いられることを特徴とする第十の発明ないし第二十五の発明のいずれかに記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６３】
第二十七の発明としては、前記ノーマルモード及び前記セルフリフレッシュモードからフューズコードを受信して、前記調整コードとして用いられることを特徴とする第十の発明ないし第二十五の発明のいずれかに記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６４】
第二十八の発明としては、前記アナログ・デジタル変換手段が、前記動作制御手段から入力される動作制御信号に応答してクロック信号を発振するクロック発振手段と、前記温度電圧及び追跡電圧の電位レベルを比較した値に応じて、前記測定温度コードを増加させるか、又は減少させて前記内部更新信号とともに出力し、前記クロック信号に応答して動作する比較手段と、前記ノーマルモードにおける前記測定温度コード又はテストモードにおける第１のテストコードに応答して前記追跡電圧の電位レベルを決定し、前記追跡電圧の電位レベルが、前記第１の変動基準電圧よりも小さか、又は等しく、前記第２の変動基準電圧よりも大きいか、又は等しい範囲で決定される電位レベル決定手段とを備えることを特徴とする第八の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６５】
第二十九の発明としては、前記比較手段が、前記クロック信号に応答して前記温度電圧及び前記追跡電圧を比較し、その値に応じて増加信号及び減少信号の論理レベルを決定する比較器と、前記増加信号及び前記減少信号に応答して前記測定温度コードを増加させるか、又は減少させ、前記クロック信号を一定時間遅延させた遅延クロックに応答して動作するアップ・ダウンカウンタと、前記遅延クロックを一定時間遅延させて前記内部更新信号として出力する内部更新信号出力手段とを備えることを特徴とする第二十八の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６６】
第三十の発明としては、前記比較手段が、前記増加信号及び前記減少信号をフィルタリングして前記アップ・ダウンカウンタの誤動作を防止するフィルタリング部を更に備えることを特徴とする第二十九の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６７】
第三十一の発明としては、前記電位レベル決定手段が、前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧に応答してデジタル値の調整情報コードをアナログ値の前記追跡電圧に変換するデジタル・アナログ変換部と、前記動作制御手段から受信されたテストモード信号に応答して、テストモードでは前記第１のテストコードを、又はノーマルモードでは前記測定温度コードを選択して出力する第１のマルチプレクサと、該第１のマルチプレクサの出力信号をデコードして前記調整情報コードとして前記デジタル・アナログ変換部に伝送するデコーダとを備えることを特徴とする第二十八の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６８】
第三十二の発明としては、前記デジタル・アナログ変換部が、第１の出力電圧と前記第１の変動基準電圧との電位レベルを比較し、その値に応じて第１のバイアス電圧の電位レベルを決定し、前記第１の出力電圧の電位レベルが、前記第１のバイアス電圧の電位レベルに応じて変動する第１のバイアス決定手段と、第２の出力電圧と前記第２の変動基準電圧との電位レベルを比較し、その値に応じて第２のバイアス電圧の電位レベルを決定し、前記第２の出力電圧の電位レベルが、前記第２のバイアス電圧の電位レベルに応じて変動する第２のバイアス決定手段と、前記調整情報コードに応じてイネーブルされ、前記第１のバイアス電圧及び前記第２のバイアス電圧に応じて前記追跡電圧の電位レベルを調整して出力する追跡電圧出力手段とを備えることを特徴とする第三十一の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００６９】
第三十三の発明としては、前記第１のバイアス決定手段が、前記第１のバイアス電圧の電位レベルに応じて前記第１の出力電圧の電位レベルを調整する第１の電流ミラー回路と、
前記第１の出力電圧の電位レベルと前記第１の変動基準電圧の電位レベルとを比較し、その値に応じて前記第１のバイアス電圧を変動する第１の比較器とを備えることを特徴とする第三十二の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００７０】
第三十四の発明としては、前記第２のバイアス決定手段が、前記第２のバイアス電圧の電位レベルに応じて前記第２の出力電圧の電位レベルを調整する第２の電流ミラー回路と、前記第２の出力電圧の電位レベルと前記第２の変動基準電圧との電位レベルを比較し、その値に応じて前記第２のバイアス電圧の電位レベルを変動する第２の比較器とを備えることを特徴とする第三十二の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００７１】
第三十五の発明としては、前記追跡電圧出力手段が、前記第１のバイアス電圧及び前記第２のバイアス電圧に応じて決定された変動可能な電位レベル内において、前記調整情報コードに応じて前記追跡電圧の電位レベルを調整する第３の電流ミラー回路を備えることを特徴とする第三十二の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００７２】
第三十六の発明としては、前記温度情報変換手段が、テストモードにおける第２のテストコード又はノーマルモードにおけるフューズデータと、前記測定温度コードの間に前記設定された演算動作を行って演算コードを生成する演算コード生成手段と、前記内部更新信号又は前記外部更新信号に応じて前記演算コードを駆動して、前記温度情報コード及び前記温度情報コードの更新を報知する更新信号を出力する駆動手段と、前記演算コードに応じて前記複数個のフラグ信号のそれぞれの論理レベルを決定して出力するフラグ信号出力手段とを備えることを特徴とする第八の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００７３】
第三十七の発明としては、前記演算コード生成手段が、前記測定温度コードを２の補数の形に変換して出力するコード変換部と、前記動作制御手段から受信したテストモード信号に応答して、前記第２のテストコード又は前記フューズデータを選択して出力する第２のマルチプレクサと、前記コード変換部の出力信号を第１の入力として受信し、前記第２のマルチプレクサの出力信号を第２の入力として受信し、前記設定された演算を行って前記演算コードを生成する演算部とを備えることを特徴とする第三十六の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００７４】
第三十八の発明としては、前記駆動手段が、前記内部更新信号を第１の入力として受信し、前記外部更新信号を第２の入力として受信して出力する第２のＯＲゲートと、前記第１のＯＲゲートの出力信号を第１の入力として受信し、前記演算コードを第２の入力として受信して前記温度情報コード及び前記更新信号を駆動する駆動部とを備えることを特徴とする第三十六の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００７５】
第三十九の発明としては、前記フラグ信号出力手段が、前記複数個のフラグ信号のうち、相対的に高い半導体素子の内部温度で相対的に多数のフラグ信号をアクティブにして出力することを特徴とする第三十六の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００７６】
第四十の発明としては、前記動作制御手段が、前記温度情報出力手段のノーマルモードの進入を制御するイネーブル信号、テストモードの進入を制御するテストイネーブル信号、及びセルフリフレッシュモード進入を制御するセルフリフレッシュ信号を外部から受信して、前記温度測定手段及び前記温度情報変換手段の動作モードを制御することを特徴とする第八の発明に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
【００７７】
第四十一の発明としては、半導体素子の内部温度を測定して前記温度情報コード及び測定された温度に応じて論理レベルが変動する複数個のフラグ信号を生成し、ノーマルモードにおけるリフレッシュ命令信号又はセルフリフレッシュモードにおけるセルフリフレッシュ発振信号に応答して前記温度情報コードを更新する温度情報出力手段と、前記温度情報コードが更新されるとき、当該更新された前記温度情報コードを格納するコード格納手段と、該コード格納手段に格納されたデータを読み出して前記リフレッシュ命令信号の周期を変動するメモリ制御手段と、前記複数個のフラグ信号に応じて前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を変動するセルフリフレッシュ発振手段とを備えることを特徴とする半導体素子。
【００７８】
第四十二の発明としては、前記温度情報出力手段が、半導体素子の内部温度を測定し、測定された温度情報を有する測定温度コード及び当該測定温度コードの更新を報知する内部更新信号を生成する温度測定手段と、前記ノーマルモードにおける前記リフレッシュ命令信号又は前記セルフリフレッシュモードにおける前記セルフリフレッシュ発振信号を前記外部更新信号として出力する外部更新信号出力手段と、設定された演算動作を行って前記測定温度コードを前記温度情報コード及び前記フラグ信号に変換し、前記内部更新信号又は前記外部更新信号に応答して前記温度情報コードを更新信号とともに出力する温度情報変換手段と、動作制御信号を生成して温度測定手段を制御し、テストモード信号を生成して温度情報変換手段を制御する動作制御手段とを備えることを特徴とする第四十一の発明に記載の半導体素子。
【００７９】
第四十三の発明としては、前記温度測定手段が、温度の増加に負（−）特性を有する温度電圧と、温度の変動にかかわらず一定の電位レベルを有する第１の変動基準電圧及び第２の変動基準電圧を出力する温度感知手段と、前記第１の変動基準電圧及び前記第２の変動基準電圧の電位レベルに応じて前記温度電圧の電位レベル値を前記測定温度コードに変換して、前記内部更新信号とともに出力するアナログ・デジタル変換手段とを備えることを特徴とする第四十二の発明に記載の半導体素子。
【００８０】
第四十四の発明としては、前記外部更新信号変換手段が、前記ノーマルモードにおける前記リフレッシュ命令信号又は前記セルフリフレッシュモードにおける前記セルフリフレッシュ発振信号の入力周期をＮの分、分周させて出力する分周器と、該分周器の出力信号を一定時間遅延させて前記外部更新信号として出力する遅延部とを備えることを特徴とする第四十二の発明に記載の半導体素子。
【００８１】
第四十五の発明としては、前記外部更新信号変換手段が、前記リフレッシュ命令信号を第１の入力として受信し、前記セルフリフレッシュ発振信号を第２の入力として受信して前記分周器に出力する第１のＯＲゲートを更に備えることを特徴とする第四十四の発明に記載の半導体素子。
【００８２】
第四十六の発明としては、前記動作制御手段が、前記温度情報出力手段のノーマルモードの進入を制御するイネーブル信号、テストモードの進入を制御するテストイネーブル信号、及びセルフリフレッシュモード進入を制御するセルフリフレッシュ信号を外部から受信して、前記温度測定手段及び前記温度情報変換手段の動作モードを制御することを特徴とする第四十二の発明に記載の半導体素子。
【００８３】
第四十七の発明としては、前記コード格納手段が、前記温度情報コードの更新を報知する更新信号を第１の入力として受信し、前記温度情報コードを第２の入力として受信して前記更新信号がアクティブになるとき、前記温度情報信号を格納する多目的レジスタを備えることを特徴とする第四十一の発明に記載の半導体素子。
【００８４】
第四十八の発明としては、前記メモリ制御手段が、前記コード格納手段に格納されている前記温度情報コードを読み出して、その値が変動した場合、前記リフレッシュ命令信号の周期を変動して出力することを特徴とする第四十一の発明に記載の半導体素子。
【００８５】
第四十九の発明としては、前記セルフリフレッシュ発振手段が、前記セルフリフレッシュモードにおいて、前記複数個のフラグ信号のうち、アクティブになる信号の個数によって前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を変動して出力することを特徴とする第四十一の発明に記載の半導体素子。
【００８６】
第五十の発明としては、前記セルフリフレッシュ発振手段が、前記複数個のフラグ信号のうち、アクティブになった信号の個数が少ないほど、前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を増加して出力することを特徴とする第四十九の発明に記載の半導体素子。
【００８７】
第五十一の発明としては、前記セルフリフレッシュ発振手段が、前記複数個のフラグ信号のうち、アクティブになった信号の個数が多いほど、前記セルフリフレッシュ発振信号の周期を減少して出力することを特徴とする第四十九の発明に記載の半導体素子。さらには、第五十二の発明として前記温度情報信号更新手段が、  前記ノーマルモードにおける前記リフレッシュ命令信号又は前記セルフリフレッシュモードにおける前記セルフリフレッシュ発振信号の入力周期をＮの分、分周させて出力する分周器と、該分周器の出力信号を一定時間遅延させて出力する遅延部と、該遅延部の出力信号に応答して外部更新信号を生成する外部更新信号生成器とを備えることを特徴とする第二の発明である半導体素子の温度情報出力装置を提供する。さらには、第五十三の発明として、前記温度情報信号更新手段が、前記リフレッシュ命令信号を第１の入力として受信し、前記セルフリフレッシュ発振信号を第２の入力として受信して前記分周器に出力する第１のＯＲゲートを更に備えることを特徴とする第五十二の発明である半導体素子の温度情報出力装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８８】
以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施形態を更に詳細に説明する。
【００８９】
図３は、本発明の実施形態に係る半導体メモリ素子の温度情報出力装置を示したブロック図である。
【００９０】
本発明の実施形態に係る半導体メモリ素子の温度情報出力装置は、半導体素子の内部温度を測定し、温度情報を生成し、リフレッシュ周期に応じて温度情報を更新する温度情報出力部１０を備える。
【００９１】
ここで、温度情報出力部１０は、半導体素子の内部温度を測定し、符号を有する２進数で測定された温度を示す温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥ、及び測定された温度に応じて論理レベルが変動する複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：Ｍ>を生成する温度情報コード生成部２０と、ノーマルモードでは、リフレッシュ命令信号ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＣＭＤ、又はセルフリフレッシュモードでは、セルフリフレッシュ発振信号ＳＥＬＦ−ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＯＳＣに応答して、温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥを更新するための外部更新信号ＯＵＴ＿ＵＰＤＡＴＥを出力する外部更新信号出力部３０とを含む。
【００９２】
ここで、リフレッシュ命令信号ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＣＭＤは、温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥに応じて周期が変動する。また、セルフリフレッシュ発振信号ＳＥＬＦ＿ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＯＳＣは、複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧのうち、アクティブになった信号の個数によって周期が変動する。
【００９３】
温度情報コード生成部２０は、半導体素子の内部温度を測定し、測定された温度情報を有する測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥ、及び当該測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥの更新を報知する内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥを生成する温度測定部２１と、設定された演算動作を行って測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥを温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥ及び複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧに変換し、内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥ又は外部更新信号ＯＵＴ＿ＵＰＤＡＴＥに応答して温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥを更新信号ＵＰＤＡＴＥとともに出力する温度情報変換部２２と、温度測定部２１及び温度情報出力部１０のノーマルモードの進入を制御するイネーブル信号ＥＮＡＢＬＥ、テストモードの進入を制御するテストイネーブル信号ＴＥＳＴ＿ＥＮＡＢＬＥ、及びセルフリフレッシュモードの進入を制御するセルフリフレッシュ信号ＳＲＥＦを外部から受信して第１の動作制御信号ＢＧＲ＿ＯＮ及び第２の動作制御信号ＡＤＣ＿ＯＮを生成して温度測定部２１の動作モードを制御し、テストモード信号ＴＥＳＴ＿ＭＯＤＥを生成して温度情報変換部２２の動作モードを制御する動作制御部２３とを備える。
【００９４】
外部更新信号出力部３０は、ノーマルモードにおけるリフレッシュ命令信号ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＣＭＤ又はセルフリフレッシュモードにおけるセルフリフレッシュ発振信号ＳＥＬＦ＿ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＯＳＣの入力周期をＮの分、分周させて出力する分周器３１と、当該分周器３１の出力信号を一定時間遅延させて出力する遅延部３２と、当該遅延部３２の出力信号に応答して外部更新信号ＯＵＴ＿ＵＰＤＡＴＥを生成する外部更新信号生成部３３とを備える。また、 外部更新信号出力部３０は、リフレッシュ命令信号ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＣＭＤを第１の入力として受信し、セルフリフレッシュ発振信号ＳＥＬＦ＿ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＯＳＣを第２の入力として受信して分周器３１に出力する第１のＯＲゲートＯＲ１を更に備える。
【００９５】
ここで、リフレッシュ信号（リフレッシュ命令信号ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＣＭＤ又はセルフリフレッシュ発振信号ＳＥＬＦ＿ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＯＳＣ）をＮの分、分周させる理由は、リフレッシュ信号の周期と温度情報出力装置１０の更新周期とが互いに異なるためである。すなわち、Ｎの分、分周して温度情報出力装置が適当な時間ごとに温度情報を更新するようにした。
【００９６】
また、分周器３１の出力信号を一定時間遅延させて外部更新信号ＯＵＴ＿ＵＰＤＡＴＥとして出力する理由は、半導体素子においてリフレッシュ動作が行われるとき、多くのメモリセルが同時にリフレッシュされるため、瞬間的に半導体素子の電源電圧・接地電圧（ＶＤＤ／ＶＳＳ）雑音が大きくなる恐れがある。したがって、リフレッシュ動作が全て完了した後に温度情報を更新させることにより、電源電圧・接地電圧（ＶＤＤ／ＶＳＳ）雑音に対する影響を最小化した。
【００９７】
また、遅延部３２から出力される信号のアクティブ期間が温度情報変換部２２から出力される温度情報コードを更新するのに必要な信号のアクティブ期間と異なり得る。そのため、外部更新信号生成部３３は、遅延部３２から出力される信号に応答して温度情報コードを更新するのに適当なアクティブ期間を有する信号を外部更新信号ＯＵＴ＿ＵＰＤＡＴＥとして生成するようにした。例えば、遅延部３２から出力される信号の立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジを感知してトグリングする信号を外部更新信号ＯＵＴ＿ＵＰＤＡＴＥとして生成する。
【００９８】
更に詳しくは、温度測定部２１は、内部温度の増加に負（−）特性を有する温度電圧ＶＴＥＭＰと、温度の変動にかかわらず一定の電位レベルを有する第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴ及び第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴを出力する温度感知部２４と、第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴ及び第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴの電位レベルに応じてアナログ値の温度電圧ＶＴＥＭＰを変換してデジタル値の測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥ及び内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥを生成するアナログ・デジタル変換部２５とを含む。
【００９９】
そして、半導体素子の温度情報出力装置の外部には温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥが更新されるとき、当該更新された温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥを格納するコード格納部４０と、当該コード格納部４０に格納されたデータを読み出してリフレッシュ命令信号ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＣＭＤの周期を変動するメモリ制御手段５０と、複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：ｍ>に応じてセルフリフレッシュ発振信号ＳＥＬＦ＿ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＯＳＣの周期を変動するセルフリフレッシュ発振部６０とが更に備えられる。
【０１００】
前記コード格納部４０は、前記温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥの更新を報知する更新信号ＵＰＤＡＴＥを第１の入力として受信し、前記温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥを第２の入力として受信して前記更新信号ＵＰＤＡＴＥがアクティブになるとき、前記温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥを格納する多目的レジスタからなり得る。
【０１０１】
すなわち、従来の技術に係る温度情報出力装置では、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤに応答して温度情報を更新していたのに比べ、本発明の実施形態に係る半導体メモリ素子の温度情報出力装置では、リフレッシュ信号（ノーマルモードにおけるリフレッシュ命令信号ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＣＭＤ又はセルフリフレッシュモードにおけるセルフリフレッシュ発振信号ＳＥＬＦ＿ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＯＳＣ）に応答して温度情報を更新する。
【０１０２】
そのため、本発明の実施形態に係る半導体メモリ素子の温度情報出力装置では、インピーダンスマッチング命令ＺＱＣＡＬ＿ＣＭＤがインピーダンスマッチング部７０のみに入力されて、温度情報出力装置とは独立的に動作する。
【０１０３】
図４は、図３に示された本発明の実施形態に係る温度情報出力装置の構成要素のうち、温度感知部を詳細に示した回路図である。
【０１０４】
温度感知部２４は、第１のバイポーラトランジスタＱ１の第１のエミッタ電流ＩＥＩに比例する第１のベース・エミッタ電圧ＶＢＥ１を増幅して温度電圧ＶＴＥＭＰとして出力し、第１のベース・エミッタ電圧ＶＢＥ１は、温度の増加に対応して負（−）特性を有する電圧増幅部２４１と、温度の増加に対応して正（＋）特性を有する第１の電流ＩＰＴＡＴ及び負（−）特性を有する第２の電流ＩＣＴＡＴを生成する電流生成部２４２と、第１の電流ＩＰＴＡＴ及び第２の電流ＩＣＴＡＴを一定の比率で合わせた第３の電流Ｍ＊ＩＰＴＡＴ＋Ｋ＊ＩＣＴＡＴに比例して温度の変動にかかわらず一定の電位レベルを有する基準電圧ＶＲＥＦを生成する基準電圧生成部２４３と、調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥに応答して基準電圧ＶＲＥＦの電位レベルを調整することにより、第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴ及び第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴの電位レベルを決定する電位レベル調整部２４４とを備える。
【０１０５】
更に詳しくは、電圧増幅部２４１は、第１のベース・エミッタ電圧ＶＢＥ１を負（−）として受信し、第１の分配電圧ＤＩＶ１を正（＋）として受信し、差動増幅して出力する第１の差動増幅器２４１１と、当該第１の差動増幅器２４１１の出力電圧に応答して温度電圧ＶＴＥＭＰを駆動する第１の駆動部２４１２と、温度電圧ＶＴＥＭＰの電位レベルを一定の比率で分配して第１の分配電圧ＤＩＶ１の電位レベルを決定する第１の分配部２４１３とを備える。
【０１０６】
前記第１の駆動部２４１２は、ゲートで受信した差動増幅器２４１１の出力電圧に応答してソースに接続された電源電圧ＶＤＤを温度電圧ＶＴＥＭＰとして駆動する第１のＰＭＯＳトランジスタＰ１を備える。
【０１０７】
また、第１の分配部２４１３は、温度電圧出力端Ｏ＿ＮＯＤＥ１と接地電圧端ＶＳＳとの間に設定された抵抗値を有する第１の抵抗Ｒ１及び第２の抵抗Ｒ２を備え、当該第１の抵抗Ｒ１及び第２の抵抗Ｒ２の接続ノードＤ＿ＮＯＤＥ１において第１の分配電圧ＤＩＶ１を出力する。
【０１０８】
電流生成部２４２は、第１のエミッタ電流ＩＥ１に比例する第１のベース・エミッタ電圧ＶＢＥ１を、設定された抵抗値を有する第３の抵抗Ｒ３に供給して第１の電流ＩＰＴＡＴを生成し、第１のエミッタ電流ＩＥ１は、第２のバイポラートランジスタＱ２の第２のエミッタ電流ＩＥ２に一定の倍数Ｎの大きさを有する第１の電流生成部２４２１と、当該第１の電流生成部２４２１にカスケード接続され、第２のエミッタ電流ＩＥ２に比例する第２のベース・エミッタ電圧ＶＢＥ２を、設定された抵抗値を有する第４の抵抗Ｒ４に供給して第２の電流ＩＣＴＡＴを生成する第２の電流生成部２４２２とを備える。
【０１０９】
そして、基準電圧生成部２４３は、第１の電流ＩＰＴＡＴにＭ倍の大きさを有する電流Ｍ＊ＩＰＴＡＴ及び第２の電流ＩＣＴＡＴにＫ倍の大きさを有する電流Ｋ＊ＩＣＴＡＴを合わせた第３の電流（Ｍ＊ＩＰＴＡＴ＋Ｋ＊ＩＣＴＡＴを、設定された抵抗値を有する第５の抵抗Ｒ５に供給して基準電圧ＶＲＥＦとして出力する。
【０１１０】
そして、電位レベル調整部２４４は、基準電圧ＶＲＥＦの電位レベルを調整して調整基準電圧ＶＲＥＦ＿ＴＲＩＭとして出力し、調整基準電圧ＶＲＥＦ＿ＴＲＩＭの電位レベルは、調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥに応じて変動する第１の調整部２４５と、調整基準電圧ＶＲＥＦ＿ＴＲＩＭの電位レベルを調整して第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴ及び第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴとして出力し、第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴ及び第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴの電位レベルは、調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥに応じて変動する第２の調整部２４６とを備える。また、電位レベル調整部２４４は、調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥを格納し、当該格納された調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥを第１の調整部２４５及び第２の調整部２４６に伝送する調整コードレジスタ２４７を更に備える。
【０１１１】
ここで、第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴの電位レベルと第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴの電位レベルとは、一定の差を有して変動する。
【０１１２】
そして、電位レベル調整部２４４の構成要素のうち、第１の調整部２４５は、基準電圧ＶＲＥＦを負（−）として受信し、第２の分配電圧を正（＋）として受信し、差動増幅して出力する第２の差動増幅器２４５１と、当該第２の差動増幅器２４５１の出力電圧に応答して調整基準電圧ＶＲＥＦ＿ＴＲＩＭを駆動する第２の駆動部２４５２と、調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥに応答して調整基準電圧ＶＲＥＦ＿ＴＲＩＭの電位レベルを一定の比率で分配することにより、第２の分配電圧ＤＩＶ２の電位レベルを決定する第２の分配部２４５３とを備える。
【０１１３】
前記第２の駆動部２４５２は、ゲートで受信した第２の差動増幅器２４５１の出力電圧に応答してソースに接続された電源電圧ＶＤＤを調整基準電圧ＶＲＥＦ＿ＴＲＩＭとして駆動する第２のＰＭＯＳトランジスタＰ２を備える。第２の分配部２４５３は、調整基準電圧出力端Ｏ＿ＮＯＤＥ２と接地電圧端ＶＳＳとの間に、調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥに応じて抵抗値が変動する第１の可変抵抗ＶＲ１及び設定された抵抗値を有する第６の抵抗Ｒ６を備え、第１の可変抵抗ＶＲ１及び第６の抵抗Ｒ６の接続ノードＤ＿ＮＯＤＥにおいて第２の分配電圧ＤＩＶ２を出力する。
【０１１４】
また、電位レベル調整部２４４の構成要素のうち、第２の調整部２４６は、調整基準電圧ＶＲＥＦ＿ＴＲＩＭを負（−）として受信し、第３の分配電圧ＤＩＶ３を正（＋）として受信し、差動増幅して出力する第３の差動増幅器２４６１と、当該第３の差動増幅器２４６１の出力電圧に応答して第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴを駆動する第３の駆動部２４６２と、調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥに応答して第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴの電位レベルを一定の比率で３等分することにより、第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴ及び第３の分配電圧ＤＩＶ３の電位レベルを決定する第３の分配部２４６３とを備える。
【０１１５】
ここで、前記第３の駆動部２４６２は、ゲートで受信した第３の差動増幅器２４６１の出力電圧に応答してソースに接続された電源電圧ＶＤＤを第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴとして駆動する第３のＰＭＯＳトランジスタＰ３を備える。第３の分配部２４６３は、第１の変動基準電圧出力端Ｏ＿ＮＯＤＥ３と接地電圧端ＶＳＳとの間に調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥに応じて抵抗値が変動する第２の可変抵抗ＶＲ２と、第３の可変抵抗ＶＲ３、及び設定された抵抗値を有する第７の抵抗Ｒ７を備え、第２の可変抵抗ＶＲ２及び第３の可変抵抗ＶＲ３の接続ノードＯ＿ＮＯＤＥ４において第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴを出力し、第３の可変抵抗ＶＲ３及び第７の抵抗Ｒ７の接続ノードＤ＿ＮＯＤＥ３から第３の分配電圧ＤＩＶ３を出力する。
【０１１６】
そして、前述した調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥは、テストモードにおいて、測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥをフィードバックして生成されたトリミングコードＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥを用い、ノーマルモード及びセルフリフレッシュモードにおいてフューズコードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥを受信して用いる。
【０１１７】
図５は、図４に示された温度感知部２４の構成要素のうち、第１の可変抵抗ＶＲ１の構造を詳しく示した回路図である。残りの第２の可変抵抗ＶＲ２及び第３の可変抵抗ＶＲ３は、第１の可変抵抗ＶＲ１と同じ構造を有する。
【０１１８】
図５に示すように、第１の可変抵抗ＶＲ１は直列に接続され、設定された抵抗値を有する複数個の抵抗Ｒ（Ｎ）、Ｒ（Ｎ−１）、Ｒ（Ｎ−２）、Ｒ（Ｎ−３）、・・・と、調整コードＶＩＲＴＵＡＬ＿ＦＵＳＥ＿ＣＯＤＥ／ＴＲＩＭ＿ＣＯＤＥに応答してオン・オフ制御され、複数個の抵抗Ｒ（Ｎ）、Ｒ（Ｎ−１）、Ｒ（Ｎ−２）、・・・と一対一で並列接続された複数個のスイッチＳ（Ｎ）、Ｓ（Ｎ−１）、Ｓ（Ｎ−２）、・・・とを備える。
【０１１９】
図６は、図３に示された本発明の実施形態に係る温度情報出力装置の構成要素のうち、アナログ・デジタル変換部２５を詳細に示した回路図である。
【０１２０】
アナログ・デジタル変換部２５は、動作制御部２３から入力される第２の動作制御信号ＡＤＣ＿ＯＮに応答してクロック信号ＣＬＫを発振するクロック発振部２５０と、温度電圧ＶＴＥＭＰと追跡電圧ＤＡＣＯＵＴとの電位レベルを比較した値に応じて測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥを増加させるか、又は減少させて内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥとともに出力し、クロック信号ＣＬＫに応答して動作する比較部２５１と、ノーマルモードにおける測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥ又はテストモードにおける第１のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ１を受信して追跡電圧ＤＡＣＯＵＴの電位レベルを決定し、追跡電圧ＤＡＣＯＵＴの電位レベルが、第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴより小さいか、又は等しく、第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴより大きいか、又は等しい範囲において決定される電位レベル決定部２５２とを備える。
【０１２１】
更に詳しくは、比較部２５１は、クロック信号ＣＬＫに応答して温度電圧ＶＴＥＭＰと追跡電圧ＤＡＣＯＵＴとを比較し、その値に応じて増加信号ＩＮＣ及び減少信号ＤＥＣの論理レベルを決定する比較器２５３と、増加信号ＩＮＣ及び減少信号ＤＥＣに応答して測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥを増加させるか、又は減少させ、クロック信号ＣＬＫを一定期間遅延させた遅延クロックＤ＿ＣＬＫに応答して動作するアップ／ダウンカウンタ２５４と、クロック信号ＣＬＫを一定期間遅延させて内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥとして出力する内部更新信号出力部２５５とを備える。また、比較部２５１は、増加信号ＩＮＣ及び減少信号ＤＥＣをフィルタリングしてアップ／ダウンカウンタ２５４の誤動作を防止するフィルタリング部２５６を更に備える。
【０１２２】
そして、電位レベル決定部２５２は、第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴ及び第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴに応答してデジタル値の調整情報コードＳＷ<０：Ｎ>をアナログ値の追跡電圧ＤＡＣＯＵＴに変換するデジタル・アナログ変換部（ＤＡＣ）２５７、動作制御部２３から受信したテストモード信号ＴＥＳＴ＿ＭＯＤＥに応答してテストモードでは第１のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ１を、又はノーマルモードでは測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥを選択して出力する第１のマルチプレクサ２５８と、当該第１のマルチプレクサ２５８の出力信号をデコードして調整情報コードＳＷ<０：Ｎ>としてデジタル・アナログ変換部（ＤＡＣ）２５７に伝送するデコーダ２５９とを備える。
【０１２３】
ここで、第１のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ１は、アナログ・デジタル変換部２５の内部に予め設定されているデジタル値である。すなわち、テストする環境に応じて、ユーザにより予め第１のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ１の値を決定してアナログ・デジタル変換部２５の内部に入力する。
【０１２４】
図７は、図６に示されたアナログ・デジタル変換部２５の構成要素のうち、デジタル・アナログ変換部（ＤＡＣ）２５７の構造を詳細に示した回路図である。
【０１２５】
デジタル・アナログ変換部（ＤＡＣ）２５７は、第１の出力電圧ＯＵＴＶ１と第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴとの電位レベルを比較し、その値に応じて第１のバイアス電圧ＢＩＡＳ１の電位レベルを決定し、第１の出力電圧ＯＵＴＶ１の電位レベルが、第１のバイアス電圧ＢＩＡＳ１の電位レベルに応じて変動する第１のバイアス決定部２５７１と、第２の出力電圧ＯＵＴＶ２と第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴとの電位レベルを比較し、その値に応じて第２のバイアス電圧ＢＩＡＳ２の電位レベルを決定し、第２の出力電圧ＯＵＴＶ２の電位レベルが、第２のバイアス電圧ＢＩＡＳ２の電位レベルに応じて変動する第２のバイアス決定部２５７２と、調整情報コードＳＷ<０：Ｎ>にイネーブルされ、第１のバイアス電圧ＢＩＡＳ１及び第２のバイアス電圧ＢＩＡＳ２によって追跡電圧ＤＡＣＯＵＴの電位レベルを調整して出力する追跡電圧出力部２５７３とを備える。
【０１２６】
更に詳しくは、第１のバイアス決定部２５７１は、第１のバイアス電圧ＢＩＡＳ１の電位レベルに応じて第１の出力電圧ＯＵＴＶ１の電位レベルが変動する第１の電流ミラー回路２５７４と、第１の出力電圧ＯＵＴＶ１の電位レベルと第１の変動基準電圧ＶＵＬＩＭＩＴの電位レベルとを比較し、その値に応じて第１のバイアス電圧ＢＩＡＳ１の電位レベルを変動する第１の比較器２５７５とを備える。
【０１２７】
また、第２のバイアス決定部２５７２は、第２のバイアス電圧ＢＩＡＳ２の電位レベルに応答して第２の出力電圧ＯＵＴＶ２の電位レベルが変動する第２の電流ミラー回路２５７６と、第２の出力電圧ＯＵＴＶ２の電位レベルと第２の変動基準電圧ＶＬＬＩＭＩＴの電位レベルとを比較し、その値に応じて第２のバイアス電圧ＢＩＡＳ２の電位レベルを変動する第２の比較器２５７７とを備える。
【０１２８】
なお、追跡電圧出力部２５７３は、第１のバイアス電圧ＢＩＡＳ１及び第２のバイアス電圧ＢＩＡＳ２によって決定された変動可能な電位レベル内において、調整情報コードＳＷ<０：Ｎ>に応じて追跡電圧ＤＡＣＯＵＴの電位レベルを調整する第３の電流ミラー回路を備える。参考に、前記調整情報コードＳＷ<０：Ｎ>は、ノーマルモードでは測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥ、テストモードでは第１のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ１からなる。
【０１２９】
図８は、図３に示された本発明の実施形態に係る温度情報出力装置１０の構成要素のうち、温度情報変換部２２を詳細に示した回路図である。
【０１３０】
温度情報変換部２２は、テストモードにおける第２のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ２又はノーマルモードにおけるフューズデータＦＵＳＥ＿ＤＡＴＡと測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥとの間に設定された演算動作を行って演算コードＯＰ＿ＣＯＤＥを生成する演算コード生成部２２１と、内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥ又は外部更新信号ＯＵＴ＿ＵＰＤＡＴＥに応答して、演算コードＯＰ＿ＣＯＤＥを駆動して温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥ、及び当該温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥの更新を報知する更新信号ＵＰＤＡＴＥを出力する駆動部２２２と、演算コードＯＰ＿ＣＯＤＥに応じて複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：Ｍ>のそれぞれの論理レベルを決定して出力するフラグ信号出力部２２３とを備える。
【０１３１】
更に詳しくは、演算コード生成部２２１は、測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥを２の補数の形に変換して出力するコード変換部２２４と、動作制御部２３から受信したテストモード信号ＴＥＳＴ＿ＭＯＤＥに応答して第２のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ２又はフューズデータＦＵＳＥ＿ＤＡＴＡを選択して出力する第２のマルチプレクサ２２５と、コード変換部２２４の出力信号を第１の入力として受信し、第２のマルチプレクサ２２５の出力信号を第２の入力として受信し、設定された演算を行って演算コードＯＰ＿ＣＯＤＥを生成する演算部２２６とを更に備える。
【０１３２】
ここで、第２のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ２は、温度情報変換部２２の内部に予め設定されているデジタル値である。すなわち、テストする環境に応じて、ユーザにより予め第２のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ２の値を決定して温度情報変換部２２の内部に入力する。
【０１３３】
同様に、フューズデータＦＵＳＥ＿ＤＡＴＡも温度情報変換部２２の内部に予め設定されているデジタル値である。しかし、フューズデータＦＵＳＥ＿ＤＡＴＡは、フューズオプション（ＦＵＳＥ  ＯＰＴＩＯＮ）を介して、その値を変更することができる。
【０１３４】
例えば、半導体素子の内部温度が８５℃であるが、測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥにエラーが発生して＋８０の値でコード変換部２２４に入力されると、次のような過程により演算コード生成部２２１が動作する。
【０１３５】
第１に、テストモードにおいて、テストモード信号ＴＥＳＴ＿ＭＯＤＥがアクティブになって入力されると、第２のマルチプレクサ２２５は第２のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ２を演算部２２６に出力する。すなわち、半導体素子の内部温度が８５℃であるため、第２のテストコードＴＥＳＴ＿ＣＯＤＥ２は＋８５に該当する値を有するようになる。
【０１３６】
第２に、演算部２２６は、＋８０−（＋８５）のような演算を行って−５を出力する。
【０１３７】
第３に、外部から−５を読み込んだ後、フューズデータＦＵＳＥ＿ＤＡＴＡに−５を記録する。
【０１３８】
第４に、ノーマルモードにおいて、テストモード信号ＴＥＳＴ＿ＭＯＤＥが非アクティブになって入力されると、第２のマルチプレクサ２２５はフューズデータＦＵＳＥ＿ＤＡＴＡを演算部２２６に出力する。このとき、フューズデータＦＵＳＥ＿ＤＡＴＡに−５が記録されているため、演算部２２６は＋８０−（−５）のような演算を行って＋８５を出力する。したがって、現在の温度を＋８０で出力しても測定温度コードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥから発生したエラーを除去することができる。
【０１３９】
そして、駆動部２２２は、内部更新信号ＩＮ＿ＵＰＤＡＴＥを第１の入力として受信し、外部更新信号ＯＵＴ＿ＵＰＤＡＴＥを第２の入力として受信して出力する第２のＯＲゲートＯＲ２と、当該第２のＯＲゲートＯＲ２の出力信号を第１の入力として受信し、演算コードＯＰ＿ＣＯＤＥを第２の入力として受信して温度情報コードＴＥＭＰ＿ＣＯＤＥ及び更新信号ＵＰＤＡＴＥを駆動する駆動部２２７とを備える。
【０１４０】
また、フラグ信号出力部２２３は、複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：Ｍ>のうち、相対的に高い半導体素子の内部温度で相対的に多数のフラグ信号をアクティブにして出力する。
【０１４１】
図９は、図８に示されたフラグ信号出力部２２３から出力される複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：Ｍ>とセルフリフレッシュ発振信号ＳＥＬＦ＿ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＯＳＣとの関係を示したタイミング図である。
【０１４２】
同図に示すように、フラグ信号出力部２２３から出力される複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：Ｍ>（ＴＥＭＰＡ、ＴＥＭＰＢ、ＴＥＭＰＣ）の論理レベルが温度の変化にしたがって変動していることが分かる。すなわち、温度が低温から高温へ増加するほど、相対的に多数のフラグ信号がロジック「ハイ」に変動していることが分かる。
【０１４３】
また、複数個のフラグ信号ＴＲＩＰ＿ＰＯＩＮＴ＿ＦＬＡＧ<０：Ｍ>（ＴＥＭＰＡ、ＴＥＭＰＢ、ＴＥＭＰＣ）の論理レベルの変動にしたがってセルフリフレッシュ発振信号ＳＥＬＦ＿ＲＥＦＲＥＳＨ＿ＯＳＣの周期も変動していることが分かる。
【０１４４】
以上で説明したように、本実施形態を適用すれば、半導体素子の温度情報出力装置とインピーダンスマッチング部とが独立的に動作することにより、最適化した周期に応じて各装置の動作が可能である。
【０１４５】
また、リフレッシュ信号に同期して半導体素子の温度情報出力装置の温度情報を更新することにより、温度情報更新動作を、外部からみえないように隠すことが可能である。
【０１４６】
なお、温度情報出力装置の温度情報更新動作に対して、外部からみえる必要がないため、今後、温度情報出力装置の動作方法に関するスペック（ｓｐｅｃ）において一層柔軟性を有することが可能である。
【０１４７】
前述した本発明は、半導体素子の温度情報出力装置とインピーダンスマッチング部とが独立的に動作することにより、最適化した周期に応じて各装置の動作が可能である。
【０１４８】
また、リフレッシュ信号に同期して半導体素子の温度情報出力装置の温度情報を更新することにより、温度情報更新動作を外部からみえないように隠すことが可能である。
【０１４９】
なお、温度情報出力装置の温度情報更新動作に対して外部からみえる必要がないため、今後、温度情報出力装置の動作方法に関するスペックにおいて一層柔軟性を有することが可能である。
【０１５０】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【０１５１】
例えば、前述した実施形態において例示した論理ゲート及びトランジスタは、入力される信号の極性によって、その位置及び種類が異なるように実現されなければならないであろう。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】従来の技術に係る半導体メモリ素子の温度情報出力装置を示したブロック図である。
【図２】図１に示された従来の技術に係る温度情報出力装置の動作波形を示したタイミング図である。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体メモリ素子の温度情報出力装置を示したブロック図である。
【図４】図３に示された本発明の実施形態に係る温度情報出力装置の構成要素のうち、温度感知部を詳細に示した回路図である。
【図５】図４に示された温度感知部の構成要素のうち、第１の可変抵抗の構造を詳細に示した回路図である。
【図６】図３に示された本発明の実施形態に係る温度情報出力装置の構成要素のうち、アナログ・デジタル変換部を詳細に示した回路図である。
【図７】図６に示されたアナログ・デジタル変換部の構成要素のうち、デジタル・アナログ変換部の構造を詳細に示した回路図である。
【図８】図３に示された本発明の実施形態に係る温度情報出力装置の構成要素のうち、温度情報変換部を詳細に示した回路図である。
【図９】図８に示された温度情報変換部から出力される複数個のフラグ信号とセルフリフレッシュ発振信号との関係を示したタイミング図である。
【符号の説明】
【０１５３】
１０      温度情報出力装置
２０      温度情報信号生成部
２１      温度測定部
２２      温度情報変換部
２３      動作制御部
２４      温度感知部
２５      アナログ・デジタル変換部
３０      外部更新信号出力部
３１      分周器
３２      遅延部
４０      コード格納部
５０      メモリ制御部
６０      セルフリフレッシュ発振部
７０      インピーダンスマッチング部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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