(57)【要約】 【課題】  半導体素子の微細な電極端子を再配線によって拡大し、微細なピッチの端子が形成し難い実装基板にフェースダウンで接合する。【解決手段】  半導体素子１または実装基板２の少なくとも一方に一連の突起状端子３１、３２を形成し、該半導体素子１と該実装基板２との間に予め拡大配線５を形成したフィルム状接着剤４を挟んで加熱・押圧して仮圧着し、該突起状端子３１、３２によって該フィルム状接着剤４を貫通させて、該拡大配線５を介して該半導体素子１と該実装基板２との間の端子同士の接続と封着を同時に行うように半導体装置の製造方法を構成する。【選択図】      図１
2008084893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子または実装基板に複数の突起状端子を形成し、
該半導体素子と該実装基板との間に予め拡大配線を形成したフィルム状接着剤を挟んで加熱・押圧して仮圧着し、該突起状端子によって該フィルム状接着剤を貫通させて、該拡大配線を介して該半導体素子と該実装基板との間の端子同士の接続と封着を同時に行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
該半導体素子に第１の突起状端子と第２の突起状端子とを形成し、
該実装基板に拡大端子を形成し、
該実装基板の拡大端子の上に該フィルム状接着剤の拡大配線を加熱・押圧して仮圧着し、
該実装基板の上に該半導体素子をフェースダウンして第１の突起状端子を該拡大配線の上と、第２の突起状端子を該拡大配線を介した該拡大端子の上とのそれぞれから挟んで加熱・押圧し、該拡大配線を介して該第１の突起状端子と該拡大端子との導通と接合を同時に行う
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
該半導体素子に第１の突起状端子を形成し、
該実装基板に設けられた拡大端子の上に第２の突起状端子を形成し、
該実装基板に該フィルム状接着剤を加熱・押圧し、該第２の突起状端子を貫通させて該拡大配線に仮圧着し、
該実装基板の上に該半導体素子をフェースダウンして第１の突起状端子を該配線の上から挟んで加熱・押圧し、該拡大配線を介して第１の突起状端子と該拡大端子との導通と接合を同時に行う
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
該第１の突起状端子が、該半導体素子の端子電極から導出されたものであり、
該第２の突起状端子が、該実装基板上の拡大端子の位置に対応している
ことを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
該拡大配線が、基材上に剥離可能に形成されて該フィルム状接着剤に転写されたものである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、再配線形成方法と半導体装置に係わり、特に半導体素子から導出されたピッチの微細な端子を再配線してピッチを拡大する再配線形成方法とそれを適用した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子のテクノロジノードの微細化が進み、それと同時に半導体素子を電気的に接続するための端子間ピッチも微細化が進んでいる。
【０００３】
その結果、半導体素子を実装するパッケージ基板に用いている樹脂フィルム製の多層配線実装基板に形成できる配線ピッチの限界を越えるような微細な端子ピッチをもった半導体素子を実装する要求に対しては、対応できなくなってきている。
【０００４】
その解決策として、半導体素子の端子間ピッチを拡大する目的で、半導体素子の回路面にピッチを拡大した端子の再配線を形成することが指向されている。
【０００５】
ところで、半導体素子の再配線形成は、半導体素子の上にホトリソグラフィの手法を用いて再配線を形成したり、拡大した基板端子にワイヤボンディングによって結線したりする方法が提案されている。しかし、これらの配線形成は、ＭＣＭ（マルチチップモジュール）において、積層したチップの端子から配線を引き出すものが多い（例えば、引用文献１、２参照）。
【０００６】
一方、単層の半導体素子に再配線を形成する方法としては、半導体素子のウェーハ状態で、ホトリソグラフィなどの手法を用いて行う。この再配線形成に掛かるコストは、ウェーハ形態で行うために、所定の枚数をロット管理して一括で処理する。そのため、所定の枚数に達しないと、不要な在庫を抱えてしまい、コスト高になってしまう。このことから、量産には適用し難い。
【０００７】
他方、半導体素子を個片に切断した半導体チップの状態で対応する技術としては、インターポーザと呼ばれる再配線が形成されているシート状基板を介して接続する方式が提案されている（例えば、引用文献３参照）。
【０００８】
しかし、（１）インターポーザの表面と裏面の導通を得るために、ビアと呼ばれる貫通孔を形成し、めっきやスパッタなどの成膜工程を経て導通を確保しなければならない煩雑さがある。（２）インターポーザに半導体素子を実装し、その後で再度、実装基板に実装する工程が必要であり、コスト高になってしまう。
【特許文献１】特開２００４−２５３５２８号公報
【特許文献２】特許第３７３２１９４号
【特許文献３】特開２００１−１８５６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このように、半導体素子の高密度化に伴う端子ピッチの微細化に対して、半導体素子を実装する基板の端子ピッチの微細化が技術的に限界にきている。この現状に対して提案されている打開策では、半導体素子の微細なピッチの端子を再配線によってピッチ拡大することは容易ではない。
【００１０】
特に、半導体素子の形態が、不要な在庫を気にせずに済む個片のチップであり、しかも個々のチップに対して厄介な工程を経ずに安価に再配線を形成することによって、端子ピッチの拡大が実現できることが強く要請されている。
【００１１】
そこで、本願発明では、端子ピッチを拡大する拡大配線を形成したフィルム状接着剤を半導体素子のチップと実装基板の間に挟んで加熱押圧し、半導体素子または実装基板の少なくとも一方に設けた突起状端子によってフィルム状接着剤を突き破って貫通させ、端子同士の接続と、半導体素子と基板の接合をチップ単位で可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題は、請求項１において、半導体素子または実装基板の少なくとも一方に、一連の突起状端子を形成し、該半導体素子と該実装基板との間に予め拡大配線を形成したフィルム状接着剤を挟んで加熱・押圧して仮圧着し、該突起状端子によって該フィルム状接着剤を貫通させて、該拡大配線を介して該半導体素子と該実装基板との間の端子同士の接続と封着を同時に行うように構成された半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１３】
つまり、少なくともどちらか一方に突起状端子を形成した半導体素子と実装基板との間に、予め拡大配線を形成したフィルム状接着剤を挟んで加熱・押圧して仮圧着するようにしている。このフィルム状接着剤は、突起状端子によって加熱・押圧すると突き破られ、拡大配線と導通が取れるようになっている。
【００１４】
従って、半導体素子と実装基板とは、拡大配線を介して導通が取られ、フィルム状接着剤によって接合も行うことができる。つまり、半導体素子の第１の突起状端子が拡大配線を介して実装基板上の拡大端子に導通されて拡大再配線が実現する。
【００１５】
次いで、請求項２において、半導体素子に第１の突起状端子と第２の突起状端子とを形成し、実装基板に拡大端子を形成し、該実装基板の拡大端子の上にフィルム状接着剤の拡大配線を加熱・押圧して仮圧着し、該実装基板の上に該半導体素子をフェースダウンして第１の突起状端子を該拡大配線の上と、第２の突起状端子を該拡大配線を介した該拡大端子の上とのそれぞれから挟んで加熱・押圧し、該拡大配線を介して該第１の突起状端子と該拡大端子との導通と接合を同時に行うように構成された請求項１記載の半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１６】
つまり、半導体素子の方に第１と第２の突起状端子を設け、実装基板の方には拡大端子を設けるようにしている。また、実装基板の拡大端子の上にフィルム状接着剤の拡大配線を加熱・押圧して仮圧着するようにしている。
【００１７】
そのあと、実装基板の上に半導体素子をフェースダウンして第１の突起状端子を拡大配線の上と、第２の突起状端子を拡大配線を介した拡大端子の上とのそれぞれから挟んで加熱・押圧する。
【００１８】
そうすると、第１、第２の突起状端子はフィルム状接着剤を突き破って、第１の突起状端子は拡大配線と導通され、第２の突起状端子は拡大配線と実装基板上の拡大端子とを押圧して導通させる。つまり、半導体素子の第１の突起状端子が拡大配線を介して実装基板の拡大配線に導通されて拡大再配線が実現する。
【００１９】
ここでの第２の突起状端子は、フィルム状接着剤に形成された拡大配線と実装基板上に設けられた拡大端子とが導通し接合することを助ける役目を果たしている。
【００２０】
また、請求項３において、半導体素子に第１の突起状端子を形成し、実装基板に設けられた拡大端子の上に第２の突起状端子を形成し、該実装基板に該フィルム状接着剤を加熱・押圧し、該第２の突起状端子を貫通させて該拡大配線に仮圧着し、該実装基板の上に該半導体素子をフェースダウンして第１の突起状端子を該配線の上から挟んで加熱・押圧し、該拡大配線を介して第１の突起状端子と該拡大端子との導通と接合を同時に行うように構成された請求項１記載の半導体装置の製造方法によって解決される。
【００２１】
また、拡大端子の上に第２の突起状端子が形成された実装基板の上に、フィルム状接着剤を加熱・押圧し、第２の突起状端子がフィルム状接着剤を突き破って拡大配線と仮圧着するようにしている。そして、このフィルム状接着剤の上に第１の突起状端子が設けられた半導体素子をフェースダウンして重ね加熱・押圧するようにしている。
【００２２】
そうすると、第１の突起状端子が拡大配線をフィルム状接着剤の中に押し込んだ状態で導通を取ることと接合を行うことができる。つまり、半導体素子の第１の突起状端子が拡大配線を介して実装基板の拡大配線に導通されて拡大再配線が実現する。
【００２３】
また、請求項４において、第１の突起状端子が、該半導体素子の端子電極から導出されたものであり、第２の突起状端子が、実装基板上の拡大端子の位置に対応しているように構成された請求項２または３記載の半導体装置の製造方法によった解決される。
【００２４】
つまり、第１の突起状端子は、半導体素子の微細なピッチの電極から導出された端子であり、第２の突起状端子は、実装基板の上に設け、半導体素子の微細なピッチの電極を拡大配線による再配線による拡大端子に対応する位置に設けるようにしている。
【００２５】
また、請求項５において、フィルム状接着剤が、熱可塑性樹脂またはプリプレグ状の熱硬化樹脂からなるように構成された請求項１記載の半導体装置の製造方法によって解決される。
【００２６】
つまり、フィルム状接着剤は、加熱すれば溶融する熱可塑性樹脂か、または軟化するプリプレグ状の熱硬化性樹脂からなり、加熱・押圧すれば突起状端子がフィルム状接着剤を突き破って貫通し、下の配線と導通が取れるようになっている。また、冷えれば、熱可塑性樹脂の場合には固化し、熱硬化性樹脂の場合には硬化して、半導体素子と実装基板とを固着し接合するようにしている。
【００２７】
また、請求項６において、拡大配線が、基材上に剥離可能に形成されて該フィルム状接着剤に転写されたものであるように構成された請求項１記載の半導体装置の製造方法によって解決される。
【００２８】
つまり、拡大配線は、微細なパターンなので、高分子樹脂フィルムや無機素材の実装基板などの上にホトリソグラフィなどによって形成し、そのあとフィルム状接着剤に転写して形成するようにしている。
【発明の効果】
【００２９】
本発明になる半導体装置の製造方法によれば、半導体素子から導出される電極端子の微細なピッチに対応が困難になっている実装実装基板の端子ピッチに合わせて、再配線によるピッチの拡大がチップ状の個別の半導体素子ごとに実現できる。
【００３０】
つまり、本発明によって個別の半導体素子ごとでは扱い難く、製造工程も煩雑だった再配線によるピッチの拡大が低価格で容易に実現できるようになった。その結果、本発明は高集積で端子ピッチの微細な半導体装置で、特に少量多品種の半導体装置の実装基板実装の効率化に対して多いに貢献できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
図１は本発明の第一の実施例で製造した半導体装置の模式的断面図、図２は拡大配線と拡大端子との位置関係の模式的斜視図、図３はフィルム状接着剤の模式的製造工程図、図４は第一の実施例の模式的な製造工程図、図５は本発明の第二の実施例で製造した半導体装置の模式的断面図、図６は第二の実施例の模式的な製造工程図である。
〔実施例１〕
図１は本発明の半導体装置の製造方法の第一の従来例によって製造した半導体装置１００の模式的構成断面図を示し、図２には拡大配線５と拡大端子２１との位置関係を模式的に斜視図で示し、図３はフィルム状接着剤４の製造例を模式的に工程図で示し、図４は第一の実施例の模式的な製造工程図を示す。
【００３２】
図１は、分かり易くするために縦方向を拡大強調して図示している。半導体素子１は、例えば、８．５ｍｍ□の大きさで、１３０個の第１の突起状端子３１と第２の突起状端子３２とが並設されている。
【００３３】
第１の突起状端子３１は、半導体素子１の端部に並設されたピッチの細かい図示してない端子電極上に設けられている。一方、第２の突起状端子３２は、第１の突起状端子３１と同じ個数であるが、端子ピッチを拡大して粗くした実装基板２の拡大端子２１に対応した半導体素子１の中央部に寄った位置に並設されている。第１の突起状端子３１と第２の突起状端子３２は、例えば、大きさが８０μｍ□で厚さが１５μｍ程度であり、例えば、ステージ温度２００℃のボールボンダを用い、金ボールを利用して成形した金製の突起状端子である。
【００３４】
第２の突起状端子３２の先端は、実装基板２に設けられた拡大端子２１に拡大配線５の一端を介して接合しており、拡大配線５の他端は第１の突起状端子３１の先端に接合されてきる。
【００３５】
ここで、拡大端子２１と拡大配線５との位置関係を図２によって説明すると、図２（Ａ）において、半導体素子から導出するピッチの細かい第１の突起状端子に対応する第１の突起状端子位置３１１に対して、ピッチの粗い第２の突起状端子は、半導体素子の中央部方向に拡大された第２の突起状端子位置３２１の位置に振り分けられている。
【００３６】
この第２の突起状端子位置３２１は、図２（Ｂ）に示したように、実装基板２に設けられた拡大端子２１に対応するようになっている。この拡大端子２１は、隣接する端子間隔が第１の突起状端子位置３１１に比べて大きくなっており、実装基板２の上に形成することが容易になっていることが分かる。
【００３７】
従って、再配線に用いる拡大配線５は、第１の突起状端子位置３１１から第２の突起状端子位置３２１までを結ぶ陰影を付した部位で、例えば、膜厚は２０μｍ程度、線幅は４０μｍ程度である。また、例示したような、一端が方形で他端が円形に限定したものではない。ここでは、第２の突起状端子位置３２１が２種類に振り分けられているので、対応する実装基板２の上に設けられる拡大端子２１は２列に拡大して並設されている。
【００３８】
この拡大配線５は、半導体装置１００として完成する前には、半導体素子１と実装基板２との間を埋めており、半導体素子１と実装基板２とを封着するフィルム状接着剤４の上に設けられている。
【００３９】
拡大配線５は、例えば、図３に示した転写方法などによってフィルム状接着剤４に形成される。転写方法を例示すると、図３（Ａ）において、例えば、ＰＩ（ポリイミド）フィルムやＳｉの基板などの基材８の上に、図２（Ａ）に示したように並列した拡大配線５をホトリソグラフィなどのパターニング方法で形成する。拡大配線５の素材には、例えば、半導体素子の配線材料として用いるＡｌとか、Ａｕ−Ｎｉや導電ペーストなどを用いることができる。
【００４０】
基材８の上に設けた拡大配線５は、フィルム状接着剤４に転写する。図３（Ｂ）は軟化した接着剤４１を用いた一例である。接着剤４１を剥離用フィルム８１を介してロールマウンタの接着用加圧ロール８２で基材８の上にフィルム状に伸しながら、温度７５℃、荷重４ｋｇ／ロールの加熱押圧条件で、例えば、厚さ４０μｍになるように基材８とその上に設けられた拡大配線５に被着していく。
【００４１】
フィルム状接着剤４には、いろいろな材料を適用することができる。例えば、プリプレグ状の熱硬化性樹脂としては、異方性導電性樹脂として提供されるエポキシ樹脂系のフィルム状接着剤を用いることができる。また、ＰＩやポリエステル、アクリル系などの熱可塑性樹脂製フィルムなどがあり、ホットメルトによって基材８から拡大配線５を転写することもできるが、フィルム上に直接ホトリソグラフィによって拡大配線５を形成することもできる。熱膨張を低減する目的で、樹脂の中に無機フィラーを混練してもよい。
【００４２】
次いで、図３（Ｃ）において、基材８と剥離用フィルム８１とを剥離する。容易に剥離し難い場合には、エッチングなどを施してもよい。こうして、拡大配線５を転写したフィルム状接着剤４を得ることができる。
【００４３】
図１に戻って、半導体素子１と実装基板２との間は、フィルム状接着剤４で埋まっており、第１の突起状端子３１と第２の突起状端子３２とがフィルム状接着剤４を貫通している。そして、第１の突起状端子３１は拡大配線５の一端に接合しており、第２の突起状端子３２は拡大配線５の他端を押圧した状態で、拡大配線５の他端と実装基板２の拡大端子２１とが接合している。
【００４４】
つまり、半導体素子１の第１の突起状端子３１は、フィルム状接着剤４を貫通して拡大配線５の他端から一端を介して実装基板２の拡大端子２１に電気的に接続された構成になっている。そして、半導体素子１と実装基板２とは、両者の隙間に介在する固化したフィルム状接着剤４によって封着された一体構成になった半導体装置１００となっている。
【００４５】
図４は半導体装置１００を模式的な製造工程を説明するもので、製造工程で適用する構成要素の諸元は、図１で示した通りである。図４（Ａ）において、拡大端子２１が並設された実装基板２の上に、フィルム状接着剤４を拡大端子２１に拡大配線５の一端が当接するように位置合わせして重ね、８０℃の加熱プレス６を用いて１突起当たり３ｋｇ／の荷重で１０秒間加熱押圧して、フィルム状接着剤４を実装基板２に仮圧着する。
【００４６】
次いで、図４（Ｂ）において、第１の突起状端子３１と第２の突起状端子３２を設けた半導体素子１をフェースダウンし、第１の突起状端子３１を拡大配線５の他端に位置合わせし、第２の突起状端子３２を拡大配線５の一端を介して実装基板２の拡大端子２１に位置合わせして、フリップチップボンダ７で半導体素子１の側から２００℃、１０秒間、１突起当たり１００ｇの荷重で加熱押圧する。
【００４７】
第１の突起状端子３１と第２の突起状端子３２とは、フィルム状接着剤４を突き破って貫通し、第１の突起状端子３１は拡大配線５の他端に接合し、第２の突起状端子３２は拡大配線５の一端を介して実装基板２の拡大端子２１に接合させる。
【００４８】
つまり、半導体素子１の端子電極から導出した第１の突起状端子３１は、拡大配線５を経由して拡大配置された実装基板２の拡大端子２１に接続される。
【００４９】
次いで、図４（Ｃ）において、例えば、１５０℃の恒温槽９の中で１時間加熱し、半導体素子１と実装基板２との間に挟まれているフィルム状接着剤４を、熱可塑性樹脂の場合には軟化させたあと固化させ、熱硬化性樹脂の場合には軟化させたあと硬化させると、半導体素子１が実装基板２に封着されて第１の突起状端子３１と拡大配線５と第２の突起状端子３２との接合も保護され、半導体装置１００が完成する。
〔実施例２〕
図５には本発明の第二の実施例で製造した半導体装置１０１の模式的断面図を示し、図６には第二の実施例の模式的な製造工程図を示す。                                        
【００５０】
図５は、図１と同じく分かり易くするために縦方向を拡大強調して図示している。半導体素子１は、例えば、８．５ｍｍ□の大きさで、第１の突起状端子３１が端部に並設されたピッチの細かい１３０個の端子電極上に設けられている。一方、第２の突起状端子３２は、第１の突起状端子３１と同じ個数であるが、端子ピッチを拡大して粗くした実装基板２の拡大端子２１に対応した半導体素子１の中央部に寄った位置に並設されている。
【００５１】
第１の突起状端子３１は、例えば、大きさが８０μｍの方形で、厚さが１５μｍ程度であり、ステージ温度２００℃のボールボンダを用い、金ボールを利用して成形した金製の突起端子である。
【００５２】
一方、第２の突起状端子３２は、例えば、大きさが径８０μｍの円形で、厚さが１５μｍ程度であり、実装基板２の拡大端子２１の上に、ステージ温度１５０℃のボールボンダを用い、金ボールを利用して成形した金製の突起端子である。
【００５３】
半導体素子１と実装基板２との間は、フィルム状接着剤４で埋まっている。半導体素子１に設けた第１の突起状端子３１は、拡大配線５をフィルム状接着剤４の上から下に押し込んで貫通しており、拡大配線５の他端と接合している。一方、実装基板２に設けた第２の突起状端子３２は、フィルム状接着剤４を下から上に貫通しており、拡大配線５の一端と接合した構成になっている。つまり、拡大配線５は、他端が第１の突起状端子３１とフィルム状接着剤４と下側で接合し、一端が第２の突起状端子３２とフィルム状接着剤４の上側で接合し、側面視たすき掛けの形状になっている。
【００５４】
つまり、半導体素子１の端子電極から導出しているピッチの細かい第１の突起状端子３１は、フィルム状接着剤４を上から貫通して拡大配線５の他端に接続しており、拡大配線５の一端を介してフィルム状接着剤４を下から貫通した第２の突起状端子３２を経由して実装基板２の拡大端子２１に電気的に接続された構成になっている。そして、半導体素子１と実装基板２とは、隙間に介在する固化したフィルム状接着剤４によって封着された一体構成になった半導体装置１０１となっている。
【００５５】
図６は第二の実施例の半導体装置１０１の模式的な製造工程を示したもので、製造工程で適用する構成要素の諸元は、図５で示した通りである。
【００５６】
図６（Ａ）において、拡大端子２１の上に第２の突起状端子３２が並設された実装基板２の上に、第２の突起状端子３２がフィルム状接着剤４を貫通したときにフィルム状接着剤４の表面に設けた拡大配線５の一端が当接するように位置合わせして重ねる。そして、８０℃の加熱プレス６を用いて１突起当たり３ｋｇの荷重で１０秒間加熱押圧し、第２の突起状端子３２がフィルム状接着剤４を突き破って貫通し、拡大配線５の一端に当接させた状態にして仮圧着させる。
【００５７】
次いで、図６（Ｂ）において、細かいピッチの端子電極の上に第１の突起状端子３１を設けた半導体素子１をフェースダウンし、第１の突起状端子３１を拡大配線５の他端に位置合わせし、フリップチップボンダ７で半導体素子１の側から２００℃、１０秒間、１突起当たり１００ｇの荷重で加熱押圧する。
【００５８】
第１の突起状端子３１は、フィルム状接着剤４の上に設けた拡大配線５の他端を押圧して上から下へフィルム状接着剤４を突き破って押し込み、実装基板２の上で拡大配線５の他端に接合する。一方、第２の突起状端子３２は、仮圧着されている拡大配線５の一端が半導体素子１の下面に押圧されて接合し、実装基板２の拡大端子２１に接続される。
【００５９】
つまり、半導体素子１の端子電極から導出した第１の突起状端子３１は、拡大配線５を経由して拡大配置された実装基板２の拡大端子２１に接続される。
【００６０】
次いで、図６（Ｃ）において、例えば、１５０℃の恒温槽９の中で１時間加熱し、半導体素子１と実装基板２との間に挟まれているフィルム状接着剤４を、熱可塑性樹脂の場合には軟化させたあと固化させ、熱硬化性樹脂の場合には軟化させたあと硬化させると、半導体素子１が実装基板２に封着されて第１の突起状端子３１と拡大配線５と第２の突起状端子３２との接合も保護され、半導体装置１０１が完成する。
【００６１】
本発明は、個片に分割されたチップ状の半導体素子を実装基板に実装する場合に効果を発揮するが限定されるものではなく、ウェーハ状の半導体素子にも適用でき種々の変形が可能である。
【００６２】
また、半導体素子や実装基板に設ける突起状端子や実装基板に設ける拡大端子、フィルム状接着剤に設ける拡大配線などの位置関係や形状などの物理的諸元は、例示したものに限定されるものではなく種々の変形が可能である。
【００６３】
また、フィルム状接着剤に設ける拡大配線の形成方法は、例示した転写方法に限定するものではなく種々の変形が可能である。
【００６４】
また、突起状端子の材料や形成方法は種々の変形が可能であり、その結果、半導体素子のフェースダウン接合の条件も種々の変形が可能である。
【００６５】
また、フィルム状接着剤の素材は、フィルム状にした熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でも適用できるが、その上に設ける拡大配線の形成方法や、半導体素子と実装基板との仮圧着条件や封着条件は、用いる樹脂の特性によって種々の変形が可能である。
（付記１）  半導体素子または実装基板の少なくとも一方に一連の突起状端子を形成し、
該半導体素子と該実装基板との間に予め拡大配線を形成したフィルム状接着剤を挟んで加熱・押圧して仮圧着し、該突起状端子によって該フィルム状接着剤を貫通させて、該拡大配線を介して該半導体素子と該実装基板との間の端子同士の接続と封着を同時に行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６６】
（付記２）  該半導体素子に第１の突起状端子と第２の突起状端子とを形成し、
該実装基板に拡大端子を形成し、
該実装基板の拡大端子の上に該フィルム状接着剤の拡大配線を加熱・押圧して仮圧着し、
該実装基板の上に該半導体素子をフェースダウンして第１の突起状端子を該拡大配線の上と、第２の突起状端子を該拡大配線を介した該拡大端子の上とのそれぞれから挟んで加熱・押圧し、該拡大配線を介して該第１の突起状端子と該拡大端子との導通と接合を同時に行う
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００６７】
（付記３）  該半導体素子に第１の突起状端子を形成し、
該実装基板に設けられた拡大端子の上に第２の突起状端子を形成し、
該実装基板に該フィルム状接着剤を加熱・押圧し、該第２の突起状端子を貫通させて該拡大配線に仮圧着し、
該実装基板の上に該半導体素子をフェースダウンして第１の突起状端子を該配線の上から挟んで加熱・押圧し、該拡大配線を介して第１の突起状端子と該拡大端子との導通と接合を同時に行う
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００６８】
（付記４）  該第１の突起状端子が、該半導体素子の端子電極から導出されたものであり、
該第２の突起状端子が、該実装基板上の拡大端子の位置に対応している
ことを特徴とする付記２または３記載の半導体装置の製造方法。
【００６９】
（付記５）  該フィルム状接着剤が、熱可塑性樹脂またはプリプレグ状の熱硬化樹脂からなる
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００７０】
（付記６）  該拡大配線が、基材上に剥離可能に形成されて該フィルム状接着剤に転写されたものである
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００７１】
（付記７）  付記１記載の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置である
ことを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第一の実施例で製造した半導体装置の模式的断面図である。
【図２】拡大配線と拡大端子との位置関係の模式的斜視図である。
【図３】フィルム状接着剤の模式的製造工程図である。
【図４】第一の実施例の模式的な製造工程図である。
【図５】本発明の第二の実施例で製造した半導体装置の模式的断面図である。
【図６】第二の実施例の模式的な製造工程図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  半導体素子
２  実装基板
２１  拡大端子
３１  第１の突起状端子                ３２  第２の突起状端子
３１１  第１の突起状端子位置          ３２１  第２の突起状端子位置
４  フィルム状接着剤
５  拡大配線
６  加熱プレス６
７  フリップチップボンダ
８  基材
８１  剥離用フィルム                  ８２  接着用加圧ロール
９  恒温槽
１００、１０１  半導体装置
【図１】
2008084893.tif 000003
【図２】
2008084893.tif 000004
【図３】
2008084893.tif 000005
【図４】
2008084893.tif 000006
【図５】
2008084893.tif 000007
【図６】
2008084893.tif 000008