(57)【要約】【課題】半導体装置の生産性を向上させる。【解決手段】半導体素子の実装で用いる塗布装置１に液状の樹脂を収納する容器１０と、樹脂に存在する金属異物１６を容器１０内の所定の場所に捕集させる磁石１７ａを具備させる。特に、プランジャ１１の裏面に磁石１７ａを配置させ、プランジャ１１の表面に金属異物１６を付着させる。これにより、金属異物１６は、プランジャ１１の表面に捕集され、金属異物１６は塗布装置１から流出しなくなる。その結果、半導体素子に配設された電極間に金属異物１６が入り込むことはなく、半導体素子に配設された電極間に発生するショートを防止することができる。その結果、半導体装置の生産性が向上する。【選択図】図１
2008086872.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状の樹脂を塗布する塗布装置において、
前記樹脂を収納する容器に磁石を設け、前記樹脂に存在する金属異物を前記磁石の周辺に捕集させることを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
前記磁石が前記樹脂を前記容器内で押圧するプランジャの裏面に配置され、前記金属異物が前記プランジャの表面に捕集されることを特徴とする請求項１記載の塗布装置。
【請求項３】
前記磁石が前記容器の中心軸または前記容器の底面に網目状となるように配置され、前記金属異物が前記磁石の表面に付着されることを特徴とする請求項１記載の塗布装置。
【請求項４】
前記磁石が前記容器の側部にパイプ状に配置され、前記金属異物が前記容器の内壁面または前記容器の底部に設けた金属異物捕集部に捕集されることを特徴とする請求項１記載の塗布装置。
【請求項５】
半導体素子に配設された電極と回路基板上の電極パッドを電気的に接続させる工程と、
液状の樹脂を収納する容器と、前記容器に配置された磁石と、を具備する塗布装置を用いて、前記半導体素子と前記回路基板の間隙に、前記樹脂を流入させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は塗布装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装置の実装で用いる塗布装置及びその塗布装置を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話、ノート型パーソナルコンピューターの普及により、ＬＳＩの小型化、軽量化が求められている。これに伴い、ＬＳＩチップをベアチップ並に小型化する目的で、実装ではＢＧＡ（Ball Grid Array）やＣＳＰ（Chip Size/Scale Package）が普及されている。
【０００３】
しかし、実装後に温度変化による変形や折曲等による応力が加わったりすると、半導体素子に配設した電極と下地基板上に配設された電極との接続が断線する場合がある。
これに対する防止策として、半導体素子と下地基板の間隙に液状の樹脂を流入し、これを硬化させて、応力緩和のためのアンダーフィルを形成するのが一般である（例えば、特許文献１参照。）。これは、所謂フリップチップ接合と称される。
【０００４】
ところで、半導体素子と下地基板の間隙にアンダーフィル剤を流入させる装置には、これまで一般的にチューブ状の容器を利用した塗布装置が用いられる（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
図１７は従来技術の塗布装置の要部断面模式図である。
この図は、上記のチューブ状の容器を概念的に表したものである。
塗布装置１００は、チューブ状の容器２００と、容器２００を密閉する蓋２０１が具備されている。この容器２００の内部には、アンダーフィル剤２０２が充填されている。
【０００６】
そして、蓋２０１にはアダプタチューブ２０３を介してエアポンプ２０４が接続されている。充填したアンダーフィル剤２０２は液状の樹脂で、一般的にエポキシ系樹脂が用いられる。容器２００の先端には流出部２０５が設けられている。
【０００７】
そして、エアポンプ２０４からアダプタチューブ２０３を通して容器２００の内部に空気が供給されると、容器２００は蓋２０１により密閉されているため、容器２００内の空気の膨張と共に、アンダーフィル剤２０２が流出部２０５から強制的に流出する。
【０００８】
流出したアンダーフィル剤２０２を半導体素子と下地基板の間隙に滴下すると、毛細管現象により半導体素子と下地基板の間隙に入り込み、加熱・硬化によりその間隙にアンダーフィルが形成する。
【特許文献１】特開２００１−１５６５１号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３０４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、市販のアンダーフィル剤２０２には、これを量産する過程で量産ラインを構成する種々の部材から金属異物が剥離し、粒径が数μｍの金属異物２０６が混入している場合がある（図中に金属異物を黒点で図示）。また、最近では、半導体装置の小型化の要求に合わせるため、半導体素子に配設された電極間のピッチが狭ピッチ化されている。
【００１０】
これまでは、ある程度の大きさの金属異物がアンダーフィル剤２０２に混入していても当該電極間のピッチが狭ピッチではなかったため問題にはならなかったが、狭ピッチになると、図１７に示すような金属異物２０６がアンダーフィル剤２０２に混入している場合、アンダーフィル剤２０２の塗布後に、半導体素子に配設した電極間でショートが発生するという問題が生じている。
【００１１】
また、金属異物２０６が容器２００の内部に残存すると、その流出部２０５に金属異物２０６が堆積し、流出部２０５の目詰まりが発生し、規定容量のアンダーフィル剤２０２を塗布できないという問題点があった。
【００１２】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の実装で用いる塗布装置、その塗布装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の生産性を向上させる塗布装置及びそのような塗布装置を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明では上記課題を解決するために、液状の樹脂を塗布する塗布装置において、前記樹脂を収納する容器に磁石を設け、前記樹脂に存在する金属異物を前記磁石の周辺に捕集させることを特徴とする塗布装置が提供される。
【００１４】
このような塗布装置によれば、液状の樹脂に存在する金属異物は磁力により容器に配置した磁石の周辺に捕集される。
また本発明では、半導体素子に配設された電極と回路基板上の電極パッドを電気的に接続させる工程と、液状の樹脂を収納する容器と、前記容器に配置された磁石と、を具備する塗布装置を用いて、前記半導体素子と前記回路基板の間隙に、前記樹脂を流入させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１５】
このような半導体装置の製造方法によれば、半導体素子に配設された電極と回路基板上の電極パッドとが電気的に接続され、液状の樹脂を収納する容器と、容器に配置された磁石と、を具備する塗布装置を用いて、半導体素子と回路基板の間隙に、液状の樹脂が流入される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、液状の樹脂を塗布する塗布装置において、樹脂を収納する容器に磁石を設け、樹脂に存在する金属異物を磁石の周辺に捕集させるようにした。
また本発明では、半導体素子に配設された電極と回路基板上の電極パッドを電気的に接続させた後、液状の樹脂を収納する容器と、容器に配置された磁石と、を具備する塗布装置を用いて、半導体素子と回路基板の間隙に、樹脂を流入させるようにした。
【００１７】
これにより、金属異物の塗布装置からの流出、塗布装置内での堆積が抑制され、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
最初に、第１の実施の形態について説明する。
図１はプランジャに磁石を配置させた塗布装置の要部断面模式図である。
【００１９】
塗布装置１は、容器１０と、容器１０の内部に設置させたプランジャ１１と、流出部１２と、アダプタチューブ１３を具備している。ここで、プランジャ１１は、容器１０に充填する溶剤を押圧するピストンの役割を果たす。容器１０、プランジャ１１の材質は、例えばポリプロピレン樹脂である。
【００２０】
そして、容器１０の内部に空気を供給するエアポンプ１４がアダプタチューブ１３に連結されている。アダプタチューブ１３は容器１０の蓋１０ｆに連結し、エアポンプ１４からアダプタチューブ１３を通して空気が容器１０に供給される。そして、容器１０の内部には、アンダーフィル剤１５が充填され、上述したプランジャ１１は、アンダーフィル剤１５の上面に直接接触するように容器１０の上部に挿入されている。そして、磁石１７ａがプランジャ１１の裏面に配置されている。ここで、アンダーフィル剤１５の材質は、例えばエポキシ系樹脂であり、その粘度はおよそ２０ｕＰａ・ｓである。
【００２１】
ところで、アンダーフィル剤１５の内部に存在する金属異物の主な成分はＦｅ（鉄）であり、アンダーフィル剤１５の塗布温度では磁性体としての性質を有する。またその粒径は、数μｍ程度であり、小さな磁性体粒子がアンダーフィル剤１５中で浮遊している。
【００２２】
上述したように、プランジャ１１の材質はポリプロピレン樹脂である。従って、磁石１７ａをプランジャ１１の裏面に配置させると、磁石１７ａから発せられる磁場がプランジャ１１の表面１１ａを透過し、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導される。その結果、アンダーフィル剤１５の溶液中に浮遊している金属異物１６は、プランジャ１１の表面１１ａまで移動し、その表面１１ａで効率よく捕集される。
【００２３】
このように、アンダーフィル剤１５の近傍に磁石１７ａを配置すると、アンダーフィル剤１５の内部に磁石から発せられる磁場が誘導され、溶液中に浮遊している金属異物１６は磁石へ向かって移動する。従って、磁石を所定の位置に配置することにより、溶液中に浮遊している金属異物を磁石の周辺に効率よく捕集することができる。
【００２４】
尚、磁石１７ａは、プランジャ１１から脱着可能であり、塗布毎に繰り返し同一の磁石１７ａを使用することができる。
ところで、金属異物１６については、その重力が溶液中での浮力より大きい場合、容器１０の底部に滞留しているものがある。このような金属異物１６をプランジャ１１の表面１１ａに効率よく捕集するには、アンダーフィル剤１５が充填された容器１０を上下逆様にし、磁力と重力を利用して、金属異物１６をプランジャ１１の表面１１ａに落下させ、捕集させる。これにより、アンダーフィル剤１５の内部に存在する金属異物をより完全にプランジャ１１の表面１１ａに効率よく捕集することができる。
【００２５】
そして、エアポンプ１４からアダプタチューブ１３を通して、容器１０に空気を供給すると、蓋１０ｆによって容器１０が密閉されているので、プランジャ１１の裏面と容器１０の内壁面１０ａで囲まれた空間１８に存在する空気が膨張し、プランジャ１１が流出部１２へ向かって移動する。
【００２６】
プランジャ１１が流出部１２へ向かって移動すると、アンダーフィル剤１５がプランジャ１１の移動に伴い、流出部１２から強制的に押し出される。そして、アンダーフィル剤１５は、容器１０の流出部１２から流出する。
【００２７】
ここで、金属異物１６は、プランジャ１１の表面１１ａに効率よく捕集されているので、プランジャ１１が移動する際に、流出部１２から流出することはない。従って、この塗布装置１を用いれば、アンダーフィル剤１５の塗布後において金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことはない。その結果、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことにより発生するショートを防止することができる。さらに、金属異物１６による流出部１２での目詰まりを防止し、規定容量のアンダーフィル剤１５を塗布することができる。その結果、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【００２８】
また、プランジャ１１の裏面に嵌合させた磁石１７ａは、プランジャ１１から脱着可能であり、繰り返し使用できる。その結果、塗布装置１はコスト的に低価格になる。
続いて、図１に示す装置を用いて、半導体装置を製造する具体的な製造方法について説明する。図２〜図６は具体的な製造工程を説明する各工程での要部断面模式図である。
【００２９】
図２は半導体素子と回路基板の接合工程の要部断面模式図である。
先ず、受動部品であるコンデンサ３０を設置させた回路基板３１上に、半導体素子３２をマウンタ装置により搭載し（不図示）、回路基板３１上の電極パッド３１ａと半導体素子３２に配設されたバンプ電極３２ａをリフローによって半田付を行い、電極パッド３１ａとバンプ電極３２ａを電気的に接続する。
【００３０】
尚、回路基板３１の下面には、電極パッド３１ｂ、電極パッド３１ｂの一部を被覆するソルダレジスト３１ｃが形成されている。
図３はアンダーフィル形成工程の要部断面模式図である。
【００３１】
次に、図１に示す塗布装置１を用いて、半導体素子３２と回路基板３１の間隙にアンダーフィル剤１５を塗布する。即ち、アンダーフィル剤１５を容器１０に充填した後、塗布装置１を用いて、基板３１上に、アンダーフィル剤１５を滴下する。このときアンダーフィル剤１５は、半導体素子３２と回路基板３１の間隙による毛細管現象により、その間隙に流入する。また、アンダーフィル剤１５の表面張力により、半導体素子３２の側面にアンダーフィル剤１５が付着する。
【００３２】
そして、アンダーフィル剤１５を１時間、１００〜２００℃に加熱し、硬化させることで、半導体素子３２と回路基板３１の間隙及び半導体素子３２の側面にアンダーフィル３３を形成させる。
【００３３】
図４はリッドと回路基板の接合前の要部断面模式図である。
次に、リッド３４と回路基板３１を接合させるために、リッド３４と回路基板３１の位置合わせを行う。リッド３４の下面３４ａには、接着フィルム３５が貼り付けられている。また、半導体素子３２の上面には、熱伝導材である半田３６を形成させる。この半田３６は、半導体素子３２のヒートシンクであると共に、リッド３４と半導体素子３２の当接面の接合剤でもある。
【００３４】
図５はリッドと回路基板の接合工程の要部断面模式図である。
位置合わせを行ったリッド３４と回路基板３１を２００℃に加熱し、リッド３４と回路基板３１を接合させる。この段階で、半導体素子３２は、リッド３４及び回路基板３１によって封止される。
【００３５】
図６は半導体装置の要部断面模式図である。
電極パッド３１ｂに半田ボール３１ｄを加熱リフローにより接合し、回路基板３１の下面に電極パッド３１ｂを介して半田ボール３１ｄを形成する。
【００３６】
このような工程で、ＢＧＡ型の半導体装置４０が完成する。
次に、第１の実施の形態の塗布装置１の変形例について説明する。以下の説明では、図１に示した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。特に、プランジャ１１の移動により、アンダーフィル剤１５を流出部１２から流出させる作用、磁性体粒子である金属異物１６が磁力により、磁石が配置されている方向へ移動し捕集される作用についても、同一の作用により実施することができるので、それらの説明については省略する。
【００３７】
また、以下の塗布装置を用いて、半導体装置を製造する具体的な製造方法については、図２から図６に示す製造工程と同一の方法により製造することができるので、それらの製造方法については省略する。
【００３８】
続いて、第２の実施の形態から説明する。
図７は容器内部に網目状磁石を配置させた塗布装置の要部図であり、（Ａ）は塗布装置の要部断面図、（Ｂ）は網目状磁石の要部立体図である。
【００３９】
この塗布装置２の容器１０の底面１０ｂには、網目状の磁石１７ｂが配置されている。網目状の磁石１７ｂの上面から下面までは、貫通する複数の開口部２０が設けられている。ここで、開口部２０の内径は、金属異物１６の粒径よりも広く、且つアンダーフィル剤１５が良好に流動できる程度の径である。
【００４０】
この塗布装置２では、網目状の磁石１７ｂがアンダーフィル剤１５と直接的に接触するように、網目状の磁石１７ｂを容器１０の底面１０ｂに設置している。従って、網目状の磁石１７ｂから発せられる磁場は、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導される。また、網目状の磁石１７ｂには、開口部２０が設けられているので、開口部２０の内部にも磁場が形成している。
【００４１】
このような塗布装置２によれば、プランジャ１１が流出部１２へ向かって移動すると、アンダーフィル剤１５が開口部２０を通して、流出部１２から流出する。網目状の磁石１７ｂから発せられる磁場は、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導され、且つ、開口部２０の内部にも磁場が形成している。従って、アンダーフィル剤１５の内部に浮遊していた金属異物１６は、網目状の磁石１７ｂの上面で効率よく捕集され、さらに開口部２０の側面で効率よく捕集される。即ち、容器１０の内部でプランジャ１１が移動する際において、金属異物１６は、網目状の磁石１７ｂの表面及び開口部２０の内部で効率よく捕集されている。
【００４２】
従って、この塗布装置２を用いれば、アンダーフィル剤１５を流出部１２から流出させても、金属異物１６が流出部１２から流出することはなく、アンダーフィル剤１５の塗布後において、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことはない。その結果、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことにより発生するショートを防止することができる。
【００４３】
さらに、金属異物１６による容器１０の流出部１２での目詰まりを防止し、規定容量のアンダーフィル剤１５を塗布することができる。そして、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【００４４】
また、容器１０の底面１０ｂに設置させた網目状の磁石１７ｂは、容器１０から脱着可能であり、繰り返し使用できる。その結果、塗布装置２はコスト的に低価格になる。
次に、第３の実施の形態について説明する。
【００４５】
図８は容器内部に棒状磁石を配置させた塗布装置の要部図であり、（Ａ）は塗布装置の要部断面図、（Ｂ）は棒状磁石の要部立体図である。
この塗布装置３の容器１０の底面１０ｂには、アーチ状の支持台２１が設けられ、支持台２１の上部には、棒状の磁石１７ｃが設置されている。支持台２１の材質は磁石または樹脂である。
【００４６】
プランジャ１１には、その中心において、棒状の磁石１７ｃを嵌通させる開口部１１ｂが設けられている。即ち、棒状の磁石１７ｃは、支持台２１とプランジャ１１によって支えられ、容器１０の内部で中心軸となるように設置されている。
【００４７】
尚、プランジャ１１には、棒状の磁石１７ｃを嵌通させる開口部１１ｂに嵌通させていることから、容器１０の内部で棒状の磁石１７ｃを通して流出部１２へ向かって移動させることができる。
【００４８】
棒状の磁石１７ｃは、アンダーフィル剤１５と直接的に接触し、容器１０の中心軸となるように設置されている。従って、棒状の磁石１７ｃから発せられる磁場は、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導される。
【００４９】
このような塗布装置３によれば、棒状の磁石１７ｃが容器１０の中心軸となるように設置されているので、特にアンダーフィル剤１５の中心部に浮遊していた金属異物１６は、棒状の磁石１７ｃの表面に効率よく捕集される。即ち、容器１０の内部でプランジャ１１が移動する際において、金属異物１６は、棒状の磁石１７ｃの表面に効率よく捕集されている。
【００５０】
従って、この塗布装置３を用いれば、アンダーフィル剤１５を流出部１２から流出させても、金属異物１６が流出部１２から流出することはなく、アンダーフィル剤１５の塗布後において、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことはない。その結果、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことにより発生するショートを防止することができる。さらに、金属異物１６による容器１０の流出部１２での目詰まりを防止し、規定容量のアンダーフィル剤１５を塗布することができる。そして、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【００５１】
また、磁石１７ｃは、容器１０から脱着可能であり、繰り返し使用できる。その結果、塗布装置２はコスト的に低価格になる。
次に、第４の実施の形態について説明する。
【００５２】
図９は容器の素材が磁石である塗布装置の要部断面模式図である。
この塗布装置４は、容器の材質として磁石を用いている。磁性体容器１７ｄの内部には、アンダーフィル剤１５が充填されている。
【００５３】
磁性体容器１７ｄの材質が磁石なので、磁性体容器１７ｄから発せられる磁場は、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導される。
このような塗布装置４によれば、磁性体容器１７ｄの材質が磁石なので、アンダーフィル剤１５の中心部に浮遊していた金属異物１６は、磁性体容器１７ｄの内壁面に効率よく捕集される。
【００５４】
従って、この塗布装置４を用いれば、アンダーフィル剤１５を流出部１２から流出させても、金属異物１６が流出部１２から流出することはなく、アンダーフィル剤１５の塗布後において、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことはない。その結果、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことにより発生するショートを防止することができる。さらに、金属異物１６による磁性体容器１７ｄの流出部１２での目詰まりを防止し、規定容量のアンダーフィル剤１５を塗布することができる。そして、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【００５５】
特に、容器自体を磁石としていることから、低磁力で効率よく磁性体容器１７ｄの内壁面に金属異物１６を効率よく捕集することができる。
次に、第５の実施の形態について説明する。
【００５６】
図１０は容器側面の括れ部にパイプ状磁石を配置させた塗布装置の要部断面模式図である。
この塗布装置５の容器１０の側面には、矩形状の括れ部１０ｃが設けられ、括れ部１０ｃにはパイプ状の磁石１７ｅが配置されている。
【００５７】
上述したように、容器１０の材質は樹脂である。従って、パイプ状の磁石１７ｅから発せられる磁場は、容器１０を透過し、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導されている。その結果、アンダーフィル剤１５の内部に浮遊していた金属異物１６は、容器１０の内壁面まで移動し、その表面で効率よく捕集される。
【００５８】
このような塗布装置５によれば、容器１０の括れ部１０ｃに磁石１７ｅが配置されているので、アンダーフィル剤１５の中心に浮遊していた金属異物１６は、容器１０の内壁面に効率よく捕集される。
【００５９】
従って、この塗布装置５を用いれば、アンダーフィル剤１５を流出部１２から流出させても、金属異物１６が流出部１２から流出することはなく、アンダーフィル剤１５の塗布後において、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことはない。その結果、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことにより発生するショートを防止することができる。さらに、金属異物１６による容器１０の流出部１２での目詰まりを防止し、規定容量のアンダーフィル剤１５を塗布することができる。そして、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【００６０】
特に、この塗布装置５では、容器１０の側面に括れ部１０ｃを設けているので、磁石１７ｅを設置させても、塗布装置５の形状がコンパクトになる。また、括れ部１０ｃを設け、磁石１７ｅとアンダーフィル剤１５の距離を接近させていることから、低磁力で容器１０の内壁面に金属異物１６を効率よく捕集することができる。
【００６１】
また、磁石１７ｅは、容器１０から脱着可能であり、繰り返し使用できる。その結果、塗布装置２はコスト的に低価格になる。
次に、第６の実施の形態について説明する。
【００６２】
図１１は容器の側部に磁石を配置させた塗布装置の要部断面模式図である。
この塗布装置６の容器１０の側部には、容器１０の側面と所定の距離を隔てて、パイプ状の磁石１７ｆが配置されている。
【００６３】
上述したように、容器１０の材質は樹脂である。従って、パイプ状の磁石１７ｆから発せられる磁場は、容器１０を透過し、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導されている。その結果、アンダーフィル剤１５の溶液中に浮遊していた金属異物１６は、容器１０の内壁面まで移動し、その表面で効率よく捕集される。
【００６４】
従って、この塗布装置６を用いれば、アンダーフィル剤１５を流出部１２から流出させても、金属異物１６が流出部１２から流出することはなく、アンダーフィル剤１５の塗布後において、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことはない。その結果、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことにより発生するショートを防止することができる。さらに、金属異物１６による容器１０の流出部１２での目詰まりを防止し、規定容量のアンダーフィル剤１５を塗布することができる。そして、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【００６５】
特に、容器１０の側部に配置させた磁石１７ｆは、容器１０から独立した部材であり、磁石１７ｆを固定したまま容器１０のみを交換することができる。従って、この塗布装置６はコスト的に低価格となる。
【００６６】
次に、第７の実施の形態について説明する。図１２から図１４までは、第７の実施の形態を説明する塗布装置の概略図である。
図１２は容器の底部に金属異物捕集部を設けた塗布装置の要部断面模式図である。
【００６７】
この塗布装置７の容器１０の底部には、金属異物捕集部１０ｄが設けられている。また、この塗布装置７には、容器１０の側面と所定の距離を隔てて、パイプ状の磁石１７ｆが配置されている。
【００６８】
上述したように、容器１０の材質は樹脂である。従って、パイプ状の磁石１７ｆから発せられる磁場は、容器１０を透過し、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導されている。その結果、アンダーフィル剤１５の内部に浮遊していた金属異物１６は、容器１０の内壁面まで移動し、その表面で効率よく捕集される。
【００６９】
ここで、容器１０の底部に設けた金属異物捕集部１０ｄの形状について詳細に説明する。
図１３は金属異物捕集部の拡大図である。
【００７０】
金属異物捕集部１０ｄの形状は、断面が矩形状であり、流出部１２の側面から容器１０の側面までの距離をａとすると、金属異物捕集部１０ｄの深さｂは、ａ／１０以上であり、金属異物捕集部１０ｄの幅ｃは、ａ／１０以上であり、ａより小さい構造とする。
【００７１】
例えば、一例として、ａが１０ｍｍの場合、ｂは１ｍｍ以上であり、ｃは１ｍｍ以上であり１０ｍｍより小さい構造とする。
図１４はプランジャ移動後の塗布装置の要部断面模式図である。
【００７２】
上述したように、容器１０の底部には、金属異物捕集部１０ｄが設けられている。このような塗布装置７では、プランジャ１１を容器１０の内部で移動させ、容器１０の内壁面に付着した金属異物１６が内壁面から離れた場合においても、金属異物１６は金属異物捕集部１０ｄに落下し、金属異物捕集部１０ｄで効率よく捕集することができる。即ち、容器１０の内部でプランジャ１１が移動する際において、金属異物１６は、容器１０の内壁面及び金属異物捕集部１０ｄに効率よく捕集されている。
【００７３】
このように、図１２〜図１４に示す塗布装置７によれば、容器１０の側面と所定の距離を隔てて磁石１７ｆが配置され、容器１０の底部には金属捕集部１０ｄが設けられているので、アンダーフィル剤１５の内部に浮遊していた金属異物１６は、容器１０の内壁面及び金属異物捕集部１０ｄに効率よく捕集される。
【００７４】
従って、この塗布装置７を用いれば、アンダーフィル剤１５を流出部１２から流出させても、金属異物１６が流出部１２から流出することはなく、アンダーフィル剤１５の塗布後において、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことはない。その結果、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことにより発生するショートを防止することができる。さらに、金属異物１６による容器１０の流出部１２での目詰まりを防止し、規定容量のアンダーフィル剤１５を塗布することができる。そして、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【００７５】
次に、第８の実施の形態について説明する。この実施の形態は、第７の実施の形態で説明した金属異物捕集部１０ｄの変形例である。
図１５は容器の底部に金属異物捕集部を設けた塗布装置の要部断面模式図である。
【００７６】
この塗布装置８の容器１０の底部には、金属異物捕集部１０ｅが設けられている。その断面形状は逆三角形状であり、流出部１２の側面から容器１０の底面のなす角をθとすると、θ＜８５°である。
【００７７】
また、この塗布装置８には、容器１０の側面と所定の距離を隔てて、パイプ状の磁石１７ｆが配置されている。
上述したように、容器１０の材質は樹脂である。従って、パイプ状の磁石１７ｆから発せられる磁場は、容器１０を透過し、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導されている。その結果、アンダーフィル剤１５の内部に浮遊している金属異物１６は、容器１０の内壁面まで移動し、その表面で効率よく捕集される。
【００７８】
また、プランジャ１１を容器１０の内部で移動させる際において、容器１０の内壁面に付着した金属異物１６が内壁面から離れても、その直下には、金属異物捕集部１０ｅが設けられているので、金属異物１６は金属異物捕集部１０ｅに落下し、金属異物捕集部１０ｅで効率よく捕集される。
【００７９】
従って、この塗布装置８を用いれば、アンダーフィル剤１５を流出部１２から流出させても、金属異物１６が流出部１２から流出することはなく、アンダーフィル剤１５の塗布後において、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことはない。その結果、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことにより発生するショートを防止することができる。さらに、金属異物１６による容器１０の流出部１２での目詰まりを防止し、規定容量のアンダーフィル剤１５を塗布することができる。そして、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【００８０】
次に、第９の実施の形態について説明する。
図１６は金属異物捕集部の直下に磁石を配置させた塗布装置の要部断面模式図である。
この塗布装置９の容器１０の底部には、金属異物捕集部１０ｄが設けられている。金属異物捕集部１０ｄの形状及び寸法は、図１３に示す形状及び寸法と同一なので、その詳細な説明は省略する。
【００８１】
この塗布装置９では、容器１０の側面と金属異物捕集部１０ｄの直下に磁石１７ｇが配置されている。
上述したように、容器１０の材質は樹脂である。従って、磁石１７ｇから発せられる磁場は、容器１０を透過し、アンダーフィル剤１５の内部にまで誘導されている。その結果、アンダーフィル剤１５の内部に浮遊していた金属異物１６は、容器１０の内壁面及び金属異物捕集部１０ｄまで移動し、その表面で効率よく捕集される。
【００８２】
また、プランジャ１１を容器１０の内部で移動させる際において、容器１０の内壁面に付着した金属異物１６が内壁面から離れても、その直下には、金属異物捕集部１０ｄが設けられている。従って、金属異物１６は金属異物捕集部１０ｄに落下し、金属異物捕集部１０ｄで効率よく捕集することができる。特に、容器１０の側面及び金属異物捕集部１０ｄの直下に磁石１７ｇが配置されているので、金属異物１６は、容器１０の側面及び金属異物捕集部１０ｄで効率よく捕集される。
【００８３】
従って、この塗布装置９を用いれば、アンダーフィル剤１５を流出部１２から流出させても、金属異物１６が流出部１２から流出することはなく、アンダーフィル剤１５の塗布後において、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことはない。その結果、金属異物１６が半導体素子に配設された電極間に入り込むことにより発生するショートを防止することができる。さらに、金属異物１６による容器１０の流出部１２での目詰まりを防止し、規定容量のアンダーフィル剤１５を塗布することができる。そして、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
【００８４】
また、磁石１７ｇは、容器１０から脱着可能であり、繰り返し使用できる。その結果、塗布装置２はコスト的に低価格になる。
また、上記の実施の形態については、第１の実施の形態から第９の実施の形態までの複数の実施の形態を組み合わせたものであってよい。
【００８５】
また、上記の説明での磁石とは、永久磁石であり、例えばフェライトがその代表例である。また永久磁石に限らず、例えば電磁石を用いることもできる。特に、電磁石を用いれば、アンダーフィル剤の供給有無に応じて、磁場形成ＯＮ−ＯＦＦのスイッチング機能を設けることができる。
【００８６】
また、図１０〜図１２、図１４、図１５で示すパイプ状の磁石１７ｅ、１７ｆに代えて、磁石１７ｅ、１７ｆと同じ長さの棒状の磁石を用い、その磁石を複数以上、容器１０の側部に平行に設置させてもよい。
【００８７】
尚、パイプ状の磁石１７ｅ、１７ｆ、並びに上記棒状の磁石を配置する位置については、容器１０を支持する容器ホルダ（不図示）の内側に設けてもよく、その外側に設けてもよい。
【００８８】
また、磁力は、アンダーフィル剤１５の内部に浮遊する金属異物１６を磁場により所定の場所まで移動させ、配置させた磁石の周辺で捕集できる程度の強さに適宜調整すればよい。
【００８９】
また、アンダーフィル剤１５は、エポキシ系樹脂に限らない。塗布する際の温度において、樹脂が溶液状であれば、本発明は容易に転用することができる。例えば、シリコン系樹脂、ビスフェノール系樹脂を用いてもよい。
【００９０】
さらに、上記塗布装置１〜９は、アンダーフィル剤の塗布装置の他、他の液状の樹脂の塗布装置にも容易に転用できる。例えば、レジスト等のスピンコートで用いる塗布装置にも転用することができる。
【００９１】
（付記１）  液状の樹脂を塗布する塗布装置において、
前記樹脂を収納する容器に磁石を設け、前記樹脂に存在する金属異物を前記磁石の周辺に捕集させることを特徴とする塗布装置。
【００９２】
（付記２）  前記磁石が前記樹脂を前記容器内で押圧するプランジャの裏面に配置され、前記金属異物が前記プランジャの表面に捕集されることを特徴とする付記１記載の塗布装置。
【００９３】
（付記３）  前記磁石が前記容器の中心軸または前記容器の底面に網目状となるように配置され、前記金属異物が前記磁石の表面に付着されることを特徴とする付記１記載の塗布装置。
【００９４】
（付記４）  前記磁石が前記容器の側部にパイプ状に配置され、前記金属異物が前記容器の内壁面または前記容器の底部に設けた金属異物捕集部に捕集されることを特徴とする付記１記載の塗布装置。
【００９５】
（付記５）  前記磁石が棒状であり、前記容器の側部に複数となって並列に配置され、前記金属異物が前記容器の内壁面または前記容器の底部に設けた金属異物捕集部に捕集されることを特徴とする付記１記載の塗布装置。
【００９６】
（付記６）  前記容器の側面に括れ部が設けられ、前記括れ部にパイプ状の磁石が配置されていることを特徴とする付記１記載の塗布装置。
（付記７）  前記容器の材質が磁石であることを特徴とする付記１記載の塗布装置。
【００９７】
（付記８）  前記金属異物捕集部の直下に磁石が配置されていることを特徴とする付記４記載の塗布装置。
（付記９）  前記金属異物捕集部の断面形状が矩形状または逆三角形状であることを特徴とする付記４記載の塗布装置。
【００９８】
（付記１０）  半導体素子に配設された電極と回路基板上の電極パッドを電気的に接続させる工程と、
液状の樹脂を収納する容器と、前記容器に配置された磁石と、を具備する塗布装置を用いて、前記半導体素子と前記回路基板の間隙に、前記樹脂を流入させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】プランジャに磁石を配置させた塗布装置の要部断面模式図である。
【図２】半導体素子と回路基板の接合工程の要部断面模式図である。
【図３】アンダーフィル形成工程の要部断面模式図である。
【図４】リッドと回路基板の接合前の要部断面模式図である。
【図５】リッドと回路基板の接合工程の要部断面模式図である。
【図６】半導体装置の要部断面模式図である。
【図７】容器内部に網目状磁石を配置させた塗布装置の要部図であり、（Ａ）は塗布装置の要部断面図、（Ｂ）は網目状磁石の要部立体図である。
【図８】容器内部に棒状磁石を配置させた塗布装置の要部図であり、（Ａ）は塗布装置の要部断面図、（Ｂ）は棒状磁石の要部立体図である。
【図９】容器の素材が磁石である塗布装置の要部断面模式図である。
【図１０】容器側面の括れ部にパイプ状磁石を配置させた塗布装置の要部断面模式図である。
【図１１】容器の側部に磁石を配置させた塗布装置の要部断面模式図である。
【図１２】容器の底部に金属異物捕集部を設けた塗布装置の要部断面模式図である。
【図１３】金属異物捕集部の拡大図である。
【図１４】プランジャ移動後の塗布装置の要部断面模式図である。
【図１５】容器の底部に金属異物捕集部を設けた塗布装置の要部断面模式図である。
【図１６】金属異物捕集部の直下に磁石を配置させた塗布装置の要部断面模式図である。
【図１７】従来技術の塗布装置の要部断面模式図である。
【符号の説明】
【０１００】
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１００  塗布装置
１０、２００  容器
１０ａ  内壁面
１０ｂ  底面
１０ｃ  括れ部
１０ｄ、１０ｅ  金属異物捕集部
１０ｆ、２０１  蓋
１１  プランジャ
１１ｂ、２０  開口部
１２、２０５  流出部
１３、２０３  アダプタチューブ
１４、２０４  エアポンプ
１５、２０２  アンダーフィル剤
１６、２０６  金属異物
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｅ、１７ｆ、１７ｇ  磁石
１７ｄ  磁性体容器
１８  空間
２１  支持台
３０  コンデンサ
３１  回路基板
３１ａ、３１ｂ  電極パッド
３１ｃ  ソルダレジスト
３１ｄ  半田ボール
３２  半導体素子
３２ａ  バンプ電極
３３  アンダーフィル
３４  リッド
３５  接着フィルム
３６  半田
４０  半導体装置
２０１ａ  下面
２０１ｂ  裏面
【図１】
2008086872.tif 000003
【図２】
2008086872.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008086872.tif 000007
【図６】
2008086872.tif 000008
【図７】
2008086872.tif 000009
【図８】
2008086872.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2008086872.tif 000012
【図１１】
2008086872.tif 000013
【図１２】
2008086872.tif 000014
【図１３】
2008086872.tif 000015
【図１４】
2008086872.tif 000016
【図１５】
2008086872.tif 000017
【図１６】
2008086872.tif 000018
【図１７】
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