(57)【要約】【課題】本発明は、平面視した状態で半導体チップと略同じ大きさであり、半導体チップが配線パターンにフリップチップ接続された半導体装置の製造方法に関し、工程数を削減して、製造コストの低減を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】複数の内部接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１と複数の内部接続端子１２とを覆うように絶縁樹脂１３を形成し、次いで、絶縁樹脂１３上に配線パターンとなる金属層３３を形成し、この金属層３３を押圧して、金属層３３と複数の内部接続端子１２とを圧着させる。【選択図】図１７
2008084958.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂上に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂上に第１の金属層と第２の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、
前記第２の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂上に第１の金属層、第２の金属層、及び前記第２の金属層を保護する保護層を順次積層させる積層工程と、
前記積層工程後に、前記保護層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記保護層を除去する保護層除去工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂上に第１の金属層、第２の金属層、及び第３の金属層を順次積層させる金属層積層工程と、
前記第３の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、第３の金属層をエッチングしてメタルポストを形成するメタルポスト形成工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の金属層は、前記第３の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項６または７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、
前記異方性導電樹脂上に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、
前記異方性導電樹脂に第１の金属層と第２の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、
前記第２の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、
前記異方性導電樹脂に第１の金属層、第２の金属層、及び前記第２の金属層を保護する保護層を順次積層させる積層工程と、
前記積層工程後に、前記保護層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記保護層を除去する保護層除去工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、
前記異方性導電樹脂に第１の金属層、第２の金属層、及び第３の金属層を順次積層させる金属層積層工程と、
前記第３の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記第３の金属層をエッチングしてメタルポストを形成するメタルポスト形成工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の金属層は、前記第３の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項１４または１５記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、平面視した状態で半導体チップと略同じ大きさであり、半導体チップが配線パターンにフリップチップ接続された半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、平面視した状態で半導体チップと略同じ大きさとされたチップサイズパッケージと呼ばれる半導体装置（例えば、図１参照）がある。
【０００３】
図１は、従来の半導体装置の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の半導体装置１００は、半導体チップ１０１と、内部接続端子１０２と、樹脂層１０３と、配線パターン１０４と、ソルダーレジスト１０６と、外部接続端子１０７とを有する。
【０００５】
半導体チップ１０１は、薄板化された半導体基板１１０と、導体集積回路１１１と、複数の電極パッド１１２と、保護膜１１３とを有する。半導体集積回路１１１は、半導体基板１１０の表面側に設けられている。半導体集積回路１１１は、拡散層、絶縁層、ビア、及び配線等から構成されている。複数の電極パッド１１２は、半導体集積回路１１１上に設けられている。複数の電極パッド１１２は、半導体集積回路１１１に設けられた配線と電気的に接続されている。保護膜１１３は、半導体集積回路１１１上に設けられている。保護膜１１３は、半導体集積回路１１１を保護するための膜である。
【０００６】
内部接続端子１０２は、電極パッド１１２上に設けられている。内部接続端子１０２の上端部は、樹脂層１０３から露出されている。内部接続端子１０２の上端部は、配線パターン１０４と接続されている。樹脂層１０３は、内部接続端子１０２が設けられた側の半導体基板１０１を覆うように設けられている。
【０００７】
配線パターン１０４は、樹脂層１０３上に設けられている。配線パターン１０４は、内部接続端子１０２と接続されている。配線パターン１０４は、内部接続端子１０２を介して、電極パッド１１２と電気的に接続されている。配線パターン１０４は、外部接続端子１０７が配設される外部接続端子配設領域１０４Ａを有する。ソルダーレジスト１０６は、外部接続端子配設領域１０４Ａ以外の配線パターン１０４部分を覆うように、樹脂層１０３上に設けられている。
【０００８】
図２〜図１０は、従来の半導体装置の製造工程を示す図である。図２〜図１０において、図１に示した従来の半導体装置１００と同一構成部分には同一符号を付す。
【０００９】
始めに、図２に示す工程では、薄板化される前の半導体基板１１０の表面側に、半導体集積回路１１１、複数の電極パッド１１２、及び保護膜１１３を有した半導体チップ１０１を形成する。次いで、図３に示す工程では、複数の電極パッド１１２上に内部接続端子１０２を形成する。この段階では、複数の内部接続端子１０２には、高さのばらつきがある。
【００１０】
次いで、図４に示す工程では、複数の内部接続端子１０２に平坦な板１１５を押し当てて、複数の内部接続端子１０２の高さを揃える。次いで、図５に示す工程では、内部接続端子１０２が形成された側の半導体チップ１０１及び内部接続端子１０２を覆うように、樹脂層１０３を形成する。
【００１１】
次いで、図６に示す工程では、内部接続端子１０２の上面１０２Ａが樹脂層１０３から露出するまで、樹脂層１０３を研磨する。このとき、樹脂層１０３の上面１０３Ａが内部接続端子１０２の上面１０２Ａと略面一となるように研磨を行う。
【００１２】
次いで、図７に示す工程では、樹脂層１０３の上面１０３Ａに配線パターン１０４を形成する。次いで、図８に示す工程では、外部接続端子配設領域１０４Ａ以外の部分の配線パターン１０４を覆うように、樹脂層１０３上にソルダーレジスト１０６を形成する。
【００１３】
次いで、図９に示す工程では、半導体基板１１０の裏面側から半導体基板１１０を研磨して、半導体基板１１０を薄板化する。次いで、図１０に示す工程では、外部接続端子配設領域１０４Ａに外部接続端子１０７を形成する。これにより、半導体装置１００が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特許第３６１４８２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来の半導体装置１００の製造方法では、複数の内部接続端子１０２の高さを揃える工程や、樹脂層１０３を研磨して複数の内部接続端子１０２の上面１０２Ａを樹脂層１０３から露出させる工程が必要であるため、工程数が増加して、製造コストが増加してしまうという問題があった。
【００１５】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、工程数を削減して、製造コストの低減を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、前記絶縁樹脂上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、前記圧着工程後に、前記金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明によれば、内部接続端子が設けられた側の複数の半導体チップと複数の内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成後、絶縁樹脂上に配線パターンとなる金属層を形成し、この金属層を押圧して金属層と複数の内部接続端子とを圧着させることにより、複数の内部接続端子の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子の一部を絶縁樹脂から露出させるための絶縁樹脂を研磨する工程が不要となる。これにより、工程数を削減することが可能となるので、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００１８】
本発明の他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、前記絶縁樹脂上に第１の金属層と第２の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、前記第２の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、前記圧着工程後に、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１９】
本発明によれば、内部接続端子が設けられた側の複数の半導体チップと複数の内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成後、絶縁樹脂上に配線パターンとなる第１の金属層と、接続パッドとなる第２の金属層とを順次形成し、第２の金属層を押圧して第１の金属層と複数の内部接続端子とを圧着させることにより、複数の内部接続端子の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子の一部を絶縁樹脂から露出させるための絶縁樹脂を研磨する工程が不要となる。これにより、工程数を削減することが可能となるので、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００２０】
本発明のその他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、前記絶縁樹脂上に第１の金属層、第２の金属層、及び前記第２の金属層を保護する保護層を順次積層させる積層工程と、前記積層工程後に、前記保護層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、前記圧着工程後に、前記保護層を除去する保護層除去工程と、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２１】
本発明によれば、内部接続端子が設けられた側の複数の半導体チップと複数の内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成後、絶縁樹脂上に配線パターンとなる第１の金属層と、接続パッドとなる第２の金属層と、第２の金属層を保護する保護層とを順次形成し、保護層を押圧して第１の金属層と複数の内部接続端子とを圧着させることにより、複数の内部接続端子の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子の一部を絶縁樹脂から露出させるための絶縁樹脂を研磨する工程が不要となる。これにより、工程数を削減することが可能となるので、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００２２】
また、第１の金属層と複数の内部接続端子とを圧着させる際、第２の金属層上に設けられた保護層を押圧することにより、第２の金属層が損傷することを防止できる。
【００２３】
本発明のその他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、前記絶縁樹脂上に第１の金属層、第２の金属層、及び第３の金属層を順次積層させる金属層積層工程と、前記第３の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、前記圧着工程後に、第３の金属層をエッチングしてメタルポストを形成するメタルポスト形成工程と、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２４】
本発明によれば、内部接続端子が設けられた側の複数の半導体チップと複数の内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成後、絶縁樹脂上に配線パターンとなる第１の金属層と、接続パッドとなる第２の金属層と、メタルポストとなる第３の金属層とを順次形成し、第３の金属層を押圧して第１の金属層と複数の内部接続端子とを圧着させることにより、複数の内部接続端子の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子の一部を絶縁樹脂から露出させるための絶縁樹脂を研磨する工程が不要となる。これにより、工程数を削減することが可能となるので、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００２５】
また、接続パッド上にメタルポストを形成することにより、例えば、メタルポスト上にマザーボード等の実装基板と接続される外部接続端子を設けた場合、外部接続端子にかかるストレス（応力）を緩和することができる。
【００２６】
本発明のその他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、前記異方性導電樹脂上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、前記圧着工程後に、前記金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２７】
本発明によれば、内部接続端子が設けられた側の複数の半導体チップと複数の内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成後、異方性導電樹脂上に配線パターンとなる金属層を形成し、この金属層を押圧して金属層と複数の内部接続端子とを圧着させることにより、複数の内部接続端子の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子の一部を異方性導電樹脂から露出させるための絶縁樹脂を研磨する工程が不要となる。これにより、工程数を削減することが可能となるので、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００２８】
また、異方性導電樹脂を用いることにより、絶縁樹脂を用いた場合と比較して、金属層を押圧するときの圧力を小さくすることが可能となるので、半導体装置を容易に製造することができる。
【００２９】
本発明のその他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、前記異方性導電樹脂に第１の金属層と第２の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、前記第２の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、前記圧着工程後に、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００３０】
本発明によれば、内部接続端子が設けられた側の複数の半導体チップと複数の内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成後、異方性導電樹脂上に配線パターンとなる第１の金属層と、接続パッドとなる第２の金属層とを順次形成し、第２の金属層を押圧して第１の金属層と複数の内部接続端子とを圧着させることにより、複数の内部接続端子の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子の一部を異方性導電樹脂から露出させるための異方性導電樹脂を研磨する工程が不要となる。これにより、工程数を削減することが可能となるので、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００３１】
本発明のその他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、前記異方性導電樹脂に第１の金属層、第２の金属層、及び前記第２の金属層を保護する保護層を順次積層させる積層工程と、前記積層工程後に、前記保護層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、前記圧着工程後に、前記保護層を除去する保護層除去工程と、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００３２】
本発明によれば、内部接続端子が設けられた側の複数の半導体チップと複数の内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成後、異方性導電樹脂上に配線パターンとなる第１の金属層と、接続パッドとなる第２の金属層と、第２の金属層を保護する保護層とを順次形成し、保護層を押圧して第１の金属層と複数の内部接続端子とを圧着させることにより、複数の内部接続端子の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子の一部を異方性導電樹脂から露出させるための異方性導電樹脂を研磨する工程が不要となる。これにより、工程数を削減することが可能となるので、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００３３】
また、第１の金属層と複数の内部接続端子とを圧着させる際、第２の金属層上に設けられた保護層を押圧することにより、第２の金属層が損傷することを防止できる。
【００３４】
本発明のその他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、前記異方性導電樹脂に第１の金属層、第２の金属層、及び第３の金属層を順次積層させる金属層積層工程と、前記第３の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、前記圧着工程後に、前記第３の金属層をエッチングしてメタルポストを形成するメタルポスト形成工程と、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００３５】
本発明によれば、内部接続端子が設けられた側の複数の半導体チップと複数の内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成後、異方性導電樹脂上に配線パターンとなる第１の金属層と、接続パッドとなる第２の金属層と、メタルポストとなる第３の金属層とを順次形成し、第３の金属層を押圧して第１の金属層と複数の内部接続端子とを圧着させることにより、複数の内部接続端子の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子の一部を異方性導電樹脂から露出させるための異方性導電樹脂を研磨する工程が不要となる。これにより、工程数を削減することが可能となるので、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００３６】
また、接続パッド上にメタルポストを形成することにより、例えば、メタルポスト上にマザーボード等の実装基板と接続される外部接続端子を設けた場合、外部接続端子にかかるストレス（応力）を緩和することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、工程数を削減して、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００３９】
（第１の実施の形態）
図１１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００４０】
図１１を参照するに、第１の実施の形態の半導体装置１０は、半導体チップ１１と、内部接続端子１２と、絶縁樹脂１３と、配線パターン１４，１５と、ソルダーレジスト１６と、外部接続端子１７とを有する。
【００４１】
半導体チップ１１は、半導体基板２１と、半導体集積回路２２と、電極パッド２３と、保護膜２４とを有する。半導体基板２１は、半導体集積回路２２を形成するための基板である。半導体基板２１は、薄板化されている。半導体基板２１の厚さＴ1は、例えば、１００μｍ〜３００μｍとすることができる。半導体基板２１は、例えば、薄板化されたＳｉウエハが個片化されたものである。
【００４２】
半導体集積回路２２は、半導体基板２１の表面側に設けられている。半導体集積回路２２は、半導体基板２１に形成された拡散層（図示せず）、半導体基板２１上に積層された絶縁層（図示せず）、及び積層された絶縁層に設けられたビア（図示せず）及び配線等（図示せず）から構成されている。
【００４３】
電極パッド２３は、半導体集積回路２２上に複数設けられている。電極パッド２３は、半導体集積回路２２に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド２３の材料としては、例えば、Ａｌを用いることができる。
【００４４】
保護膜２４は、半導体集積回路２２上に設けられている。保護膜２４は、半導体集積回路２２を保護するための膜である。保護膜２４としては、例えば、ＳｉＮ膜やＰＳＧ膜等を用いることができる。
【００４５】
内部接続端子１２は、電極パッド２３上に設けられている。内部接続端子１２は、半導体集積回路２２と配線パターン１４とを電気的に接続するためのものである。内部接続端子１２の高さＨ１は、例えば、１０μｍ〜６０μｍとすることができる。内部接続端子１２としては、例えば、Ａｕバンプ、Ａｕめっき膜、無電解めっき法により形成されたＮｉ膜とそれを覆うＡｕ膜から構成される金属膜等を用いることができる。Ａｕバンプは、例えば、ボンディング法やめっき法により形成することができる。
【００４６】
絶縁樹脂１３は、内部接続端子１２の上面１２Ａを除く内部接続端子１２部分及び半導体チップ１１上を覆うように設けられている。内部接続端子１２の上面１２Ａは、絶縁樹脂１３から露出されている。絶縁樹脂１３の上面１３Ａは、内部接続端子１２の上面１２Ａと略面一とされている。絶縁樹脂１３としては、例えば、粘着性を有したシート状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＦ（Non Conductive Film））や、ペースト状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non Conductive Paste））等を用いることができる。絶縁樹脂１３の厚さＴ2は、例えば、１０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００４７】
配線パターン１４は、内部接続端子１２の上面１２Ａと接触するように、絶縁樹脂１３の上面１３Ａに設けられている。配線パターン１４は、内部接続端子１２を介して、半導体集積回路２２と電気的に接続されている。配線パターン１４は、外部接続端子１７が配設される外部接続端子配設領域１４Ａを有する。
【００４８】
配線パターン１５は、絶縁樹脂１３の上面１３Ａに設けられている。配線パターン１５は、外部接続端子１７が配設される外部接続端子配設領域１５Ａを有する。配線パターン１４，１５の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。配線パターン１４，１５の厚さは、例えば、１２μｍとすることができる。
【００４９】
ソルダーレジスト１６は、外部接続端子配設領域１４Ａ，１５Ａを除く配線パターン１４，１５部分を覆うように絶縁樹脂１３上に設けられている。ソルダーレジスト１６は、外部接続端子配設領域１４Ａを露出する開口部１６Ａと、外部接続端子配設領域１５Ａを露出する開口部１６Ｂとを有する。
【００５０】
外部接続端子１７は、配線パターン１４，１５の外部接続端子配設領域１４Ａ，１５Ａに設けられている。外部接続端子１７は、マザーボード等の実装基板（図示せず）に設けられたパッドと電気的に接続される端子である。外部接続端子１７としては、例えば、はんだバンプを用いることができる。
【００５１】
図１２〜図２２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図であり、図２３は、半導体基板の平面図である。図１２〜図２３において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図１２〜図２３において、Ｃはダイサーが半導体基板３１を切断する位置（以下、「切断位置Ｃ」とする）を示している。
【００５２】
始めに、図１２に示す工程では、複数の半導体装置形成領域Ａと、複数の半導体装置形成領域Ａを分離するスクライブ領域Ｂとを有した半導体基板３１を準備する（図２３参照）。半導体装置形成領域Ａは、半導体装置１０が形成される領域である。半導体基板３１は、薄板化され、かつ切断位置Ｃにおいて切断されることにより、先に説明した半導体基板２１（図１１参照）となるものである。半導体基板３１としては、例えば、Ｓｉウエハを用いることができる。半導体基板３１の厚さＴ３は、例えば、５００μｍ〜７７５μｍとすることができる。
【００５３】
次いで、図１３に示す工程では、半導体装置形成領域Ａに対応する半導体基板３１の表面側に、周知の手法により、半導体集積回路２２、電極パッド２３、及び保護膜２４を有した半導体チップ１１を形成する。電極パッド２３の材料としては、例えば、Ａｌを用いることができる。また、保護膜２４としては、例えば、ＳｉＮ膜やＰＳＧ膜等を用いることができる。
【００５４】
次いで、図１４に示す工程では、複数の半導体装置形成領域Ａに設けられた複数の電極パッド２３上にそれぞれ内部接続端子１２を形成する。内部接続端子１２としては、例えば、Ａｕバンプ、Ａｕめっき膜、無電解めっき法により形成されたＮｉ膜とそれを覆うＡｕ膜から構成される金属膜等を用いることができる。
Ａｕバンプは、例えば、ボンディング法により形成することができる。なお、図１４に示す工程で形成された複数の内部接続端子１２には、高さばらつきが存在する。
【００５５】
次いで、図１５に示す工程では、内部接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１（複数の半導体チップ１１の表面側）及び内部接続端子１２を覆うように絶縁樹脂１３を形成する（絶縁樹脂形成工程）。絶縁樹脂１３としては、粘着性を有したシート状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＦ（Non Conductive Film））や、ペースト状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non Conductive Paste））等を用いることができる。粘着性を有したシート状の絶縁樹脂を用いた場合は、図１４に示す構造体の上面側にシート状の絶縁樹脂を貼り付けることで絶縁樹脂１３を形成する。また、絶縁樹脂１３としてペースト状の絶縁樹脂を用いた場合は、図１５に示す構造体の上面側に印刷法によりペースト状の絶縁樹脂を形成し、その後、プリベークして絶縁樹脂を半硬化させる。この半硬化した絶縁樹脂は、接着性を有する。絶縁樹脂１３の厚さＴ4は、例えば、２０μｍ〜１００μｍとすることができる。
【００５６】
次いで、図１６に示す工程では、絶縁樹脂１３の上面１３Ａに金属層３３を形成する（金属層形成工程）。金属層３３は、後述する図１８に示す工程において、エッチングされて配線パターン１４，１５となるものである。具体的には、金属層３３としてＣｕ箔を用意し、このＣｕ箔を絶縁樹脂１３の上面１３Ａに貼り付ける。金属層３３の厚さＴ5は、例えば、１０μｍとすることができる。
【００５７】
次いで、図１７に示す工程では、図１７に示す構造体を加熱した状態で、金属層３３の上面３３Ａ側から金属層３３を押圧して、金属層３３の下面３３Ｂと複数の内部接続端子１２の上面１２Ａとを接触させて、金属層３３と内部接続端子１２とを圧着させる（圧着工程）。また、図１７に示す構造体を加熱することにより、絶縁樹脂１３は硬化する。圧着後の絶縁樹脂１３の厚さＴ2は、例えば、１０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００５８】
このように、絶縁樹脂１３上に配線パターン１４，１５となる金属層３３を形成し、金属層３３を押圧して金属層３３と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、従来行われていた複数の内部接続端子１２の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子１２の上端部を絶縁樹脂１３から露出させるための絶縁樹脂を研磨する工程が不要となる。これにより、半導体装置１０の製造工程数を削減することが可能となるので、半導体装置１０の製造コストの低減を図ることができる。
【００５９】
次いで、図１８に示す工程では、金属層３３をエッチングによりパターニングして、複数の半導体装置形成領域Ａに配線パターン１４，１５を形成（配線パターン形成工程）し、その後、配線パターン１４，１５の粗化処理を行う。
【００６０】
具体的には、金属層３３上にパターニングされたレジスト膜を形成し、次いで、このレジスト膜をマスクとして、金属層３３をエッチングして配線パターン１４，１５を形成する。配線パターン１４，１５の粗化処理は、黒化処理又は粗化エッチング処理のいずれかの方法により行うことができる。上記粗化処理は、配線パターン１４，１５の上面及び側面に形成されるソルダーレジスト１６と配線パターン１４，１５との密着性を向上させるためのものである。
【００６１】
次いで、図１９に示す工程では、外部接続端子配設領域１４Ａ，１５Ａを除いた配線パターン１４，１５部分と絶縁樹脂１３上とを覆うように、ソルダーレジスト１６を形成する。
【００６２】
次いで、図２０に示す工程では、半導体基板３１の裏面側から半導体基板３１を研磨又は研削して、半導体基板３１を薄板化する。半導体基板３１の薄板化には、例えば、バックサイドグラインダーを用いることができる。薄板化後の半導体基板３１の厚さＴ6は、例えば、１００μｍ〜３００μｍとすることができる。
【００６３】
次いで、図２１に示す工程では、配線パターン１４，１５の外部接続端子配設領域１４Ａ，１５Ａに外部接続端子１７を形成する。これにより、複数の半導体装置形成領域Ａに半導体装置１０に相当する構造体が形成される。
【００６４】
次いで、図２２に示す工程では、半導体基板３１を切断位置Ｃに沿って切断する。これにより、複数の半導体装置１０が製造される。
【００６５】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、内部接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１（複数の半導体チップ１１の表面側）及び内部接続端子１２を覆うように絶縁樹脂１３を形成後、絶縁樹脂１３上に配線パターン１４，１５となる金属層３３を形成し、金属層３３を押圧して金属層３３と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、複数の内部接続端子１２の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子１２の上端部を絶縁樹脂１３から露出させるための絶縁樹脂を研磨する工程を行う必要がなくなるため、工程数を削減して、半導体装置１０の製造コストの低減を図ることができる。
【００６６】
（第２の実施の形態）
図２４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００６７】
図２４を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置４０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた絶縁樹脂１３の代わりに、異方性導電樹脂４１を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００６８】
異方性導電樹脂４１としては、例えば、粘着性を有したシート状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film））や、ペースト状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste））等を用いることができる。ＡＣＰ及びＡＣＦは、エポキシ系樹脂をベースとする絶縁樹脂にＮｉ／Ａｕに被膜された小径球状の樹脂が分散されたものであり、鉛直方向に対しては導電性を有し、水平方向には絶縁性を有する樹脂である。異方性導電樹脂４１の厚さＴ７は、例えば、１０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００６９】
図２５〜図２７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図２５〜図２７において、第２の実施の形態の半導体装置４０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７０】
図２５〜図２７を参照して、第２の実施の形態の半導体装置４０の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図１２〜図１４に示す工程と同様な処理を行って、図１４に示す構造体を形成する。
【００７１】
次いで、図２５に示す工程では、内部接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１（複数の半導体チップ１１の表面側）及び内部接続端子１２を覆うように異方性導電樹脂４１を形成する（異方性導電樹脂形成工程）。異方性導電樹脂４１としては、例えば、粘着性を有したシート状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film））や、ペースト状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste））等を用いることができる。
【００７２】
異方性導電樹脂４１としてペースト状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste））を用いた場合は、例えば、印刷法によりペースト状の異方性導電樹脂を形成後、ペースト状の異方性導電樹脂をプリベークして半硬化させる。半硬化した異方性導電樹脂は、接着剤としての機能を有する。異方性導電樹脂４１の厚さＴ8は、例えば、２０μｍ〜１００μｍとすることができる。
【００７３】
次いで、図２６に示す工程では、異方性導電樹脂４１の上面４１Ａに金属層３３を形成する（金属層形成工程）。具体的には、金属層３３としてＣｕ箔を用意し、異方性導電樹脂４１の上面４１ＡにＣｕ箔を貼り付ける。金属層３３の厚さＴ5は、例えば、１０μｍとすることができる。
【００７４】
次いで、図２７に示す工程では、図２６に示す構造体を加熱した状態で、金属層３３の上面３３Ａ側から金属層３３を押圧し、金属層３３の下面３３Ｂと複数の内部接続端子１２の上面１２Ａとを接触させて、金属層３３と複数の内部接続端子１２とを圧着させる（圧着工程）。また、図２６に示す構造体を加熱することにより、異方性導電樹脂４１は硬化する。圧着後の異方性導電樹脂４１の厚さＴ7は、例えば、１０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００７５】
このように、内部接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１（複数の半導体チップ１１の表面側）及び内部接続端子１２を覆うように異方性導電樹脂４１を形成後、異方性導電樹脂４１上に配線パターン１４，１５となる金属層３３を形成し、金属層３３を押圧して金属層３３と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、絶縁樹脂を用いた場合と比較して、金属層３３を押圧するときの圧力を小さくすることが可能となるため、半導体装置４０を容易に製造することができる。
【００７６】
その後、第１の実施の形態で説明した図１８〜図２２に示す工程と同様な処理を行うことにより、複数の半導体装置４０が製造される。
【００７７】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、内部接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１（複数の半導体チップ１１の表面側）及び内部接続端子１２を覆うように異方性導電樹脂４１を形成後、異方性導電樹脂４１上に配線パターン１４，１５となる金属層３３を形成し、金属層３３を押圧して金属層３３と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、複数の内部接続端子１２の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子１２の上端部を異方性導電樹脂４１から露出させるための異方性導電樹脂を研磨する工程を行う必要がなくなるため、工程数を削減して、半導体装置４０の製造コストの低減を図ることができる。
【００７８】
また、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた絶縁樹脂１３の代わりに異方性導電樹脂４１を設けることにより、金属層３３を押圧するときの圧力を小さくすることが可能となるため、半導体装置４０を容易に製造することができる。
【００７９】
（第３の実施の形態）
図２８は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００８０】
図２８を参照するに、第３の実施の形態の半導体装置５０は、第１の実施の形態の半導体装置１０の構成に、さらに接続パッド５１を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００８１】
接続パッド５１は、配線パターン１４，１５の外部接続端子配設領域１４Ａ，１５Ａに設けられている。接続パッド５１は、ソルダーレジスト１６に形成された開口部１６Ａ，１６Ｂから露出されている。接続パッド５１上には、外部接続端子１７が配設されている。接続パッド５１の材料としては、例えば、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ等を用いることができる。接続パッド５１の厚さは、例えば、２μｍとすることができる。
【００８２】
図２９〜図３４は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図２９〜図３４において、第３の実施の形態の半導体装置５０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８３】
図２９〜図３４を参照して、第３の実施の形態の半導体装置５０の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図１２〜図１５に示す工程と同様な処理を行って、図１５に示す構造体を形成する。
【００８４】
次いで、図２９に示す工程では、絶縁樹脂１３の上面１３Ａに第１の金属層５４と第２の金属層５５とを順次形成する（金属層積層工程）。第１の金属層５４は、エッチングによりパターニングされて配線パターン１４，１５となる金属層である。また、第１の金属層５４は、第２の金属層５５をエッチングするときのエッチングストッパーとなる。第２の金属層５５は、エッチングによりパターニングされて接続パッド５１となる金属層である。
【００８５】
第２の金属層５５として、例えば、Ｓｎ層、Ｎｉ層、Ｔｉ層等を用いた場合、第１の金属層５４としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。具体的には、例えば、Ｃｕ箔（第１の金属層５４に相当する）上にＳｎ層（第２の金属５５に相当する）が形成されたシート状の金属箔を絶縁樹脂１３の上面１３Ａに貼り付けることで、第１及び第２の金属層５４，５５を形成する。第１の金属層５４の厚さＴ9は、例えば、１０μｍとすることができる。また、第２の金属層５５の厚さＴ10は、例えば、２μｍとすることができる。
【００８６】
次いで、図３０に示す工程では、図２９に示す構造体を加熱した状態で、第２の金属層５５を押圧して、第１の金属層５４の下面５４Ａと複数の内部接続端子１２の上面１２Ａとを接触させて、第１の金属層５４と複数の内部接続端子１２とを圧着させる（圧着工程）。また、図２９に示す構造体を加熱することにより、絶縁樹脂１３は硬化する。圧着後の絶縁樹脂１３の厚さＴ2は、例えば、１０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００８７】
このように、第２の金属層５５を押圧して、配線パターン１４，１５となる第１の金属層５４と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、従来、必要であった複数の内部接続端子１２の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子１２の上端部を絶縁樹脂１３から露出させるための絶縁樹脂１３を研磨する工程が不要となるため、製造工程数を削減することが可能となるので、半導体装置５０の製造コストの低減を図ることができる。
【００８８】
次いで、図３１に示す工程では、第２の金属層５５をエッチングによりパターニングして、外部接続端子配設領域１４Ａ，１５Ａに対応する部分の第１の金属層５４上に接続パッド５１を形成する（接続パッド形成工程）。具体的には、第２の金属層５５上にパターニングされたレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとする異方性エッチングにより、第２の金属層５５をエッチングして接続パッド５１を形成する。
【００８９】
このとき、第１の金属層５４が第２の金属層５５をエッチングする際のエッチングストッパーとして機能するため、絶縁樹脂１３がエッチングされることを防止することができる。
【００９０】
次いで、図３２に示す工程では、図３１に示す構造体上にパターニングされたレジスト膜５７を形成する。レジスト膜５７は、第１の金属膜５４をエッチングして配線パターン１４，１５を形成する際のマスクである。
【００９１】
次いで、図３３に示す工程では、レジスト膜５７をマスクとして、第１の金属層５４をエッチングして、配線パターン１４，１５を形成する（配線パターン形成工程）。
【００９２】
次いで、図３４に示す工程では、レジスト膜５７を除去する。その後、第１の実施の形態で説明した図２０〜図２２に示す工程と同様な処理を行うことにより、複数の半導体装置５０が製造される。
【００９３】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、複数の内部接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１と複数の内部接続端子１２とを覆うように絶縁樹脂１３を形成後、絶縁樹脂１３上に配線パターン１４，１５となる第１の金属層５４と、接続パッド５１となる第２の金属層５５とを順次形成し、第２の金属層５５を押圧して、第１の金属層５４と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、複数の内部接続端子１２の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子１２の一部を絶縁樹脂１３から露出させるための絶縁樹脂１３を研磨する工程が不要となるため、工程数を削減することが可能となり、半導体装置５０の製造コストの低減を図ることができる。
【００９４】
なお、本実施の形態の半導体装置５０では、配線パターン１４，１５と半導体チップ１１の間に絶縁樹脂１３を設けた場合を例に挙げて説明したが、絶縁樹脂１３の代わりに第２の実施の形態で説明した異方性導電樹脂４１を設けてもよい。この場合、第２の実施の形態の半導体装置４０の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【００９５】
図３５〜図３７は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の変形例を示す図である。図３５〜図３７において、先に説明した図２９に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【００９６】
図３５〜図３７を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置５０の製造方法の変形例について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図１２〜図１５に示す工程と同様な処理を行って、図１５に示す構造体を形成する。
【００９７】
次いで、図３５に示す工程では、絶縁樹脂１３の上面１３Ａに、第１の金属層５４、第２の金属層５５、及び保護層６１を順次形成する（積層工程）。保護層６１は、第２の金属層５５を保護するためのものである。保護層６１は、第２の金属層５５に対して接着力の弱い接着剤で貼り付けられている。これにより、保護層６１は、第２の金属層５５から容易に剥がすことが可能な構成とされている。保護層６１としては、例えば、Ｃｕ箔を用いることができる。また、保護層６１の厚さＴ11は、例えば、３５μｍ〜１００μｍとすることができる。
【００９８】
次いで、図３６に示す工程では、図３５に示す構造体を加熱した状態で、保護層６１を押圧して、第１の金属層５４の下面５４Ａと複数の内部接続端子１２の上面１２Ａとを接触させて、第１の金属層５４と複数の内部接続端子１２とを圧着させる（圧着工程）。また、図３５に示す構造体を加熱することにより、絶縁樹脂１３は硬化する。圧着後の絶縁樹脂１３の厚さＴ2は、例えば、１０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００９９】
このように、第２の金属層５５上に設けた保護層６１を押圧して、配線パターン１４，１５となる第１の金属層５４と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、圧着工程において、厚さの薄い第２の金属層５５が損傷することを防止できる。
【０１００】
次いで、図３７に示す工程では、保護層６１を除去する（保護層除去工程）。その後、先に説明した図３１〜図３４に示す工程と同様な処理を行い、続いて、第１の実施の形態で説明した図２０〜図２２に示す工程と同様な処理を行うことにより、複数の半導体装置５０が製造される。
【０１０１】
本実施の形態の半導体装置の製造工程の変形例によれば、第２の金属層５５上に保護層６１を形成し、この保護層６１を押圧して、配線パターン１４，１５となる第１の金属層５４と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、厚さの薄い第２の金属層５５が損傷することを防止できる。
【０１０２】
（第４の実施の形態）
図３８は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【０１０３】
図３８を参照するに、第４の実施の形態の半導体装置７０は、第３の実施の形態の半導体装置５０に設けられたソルダーレジスト１６の代わりに封止樹脂７２を設けると共に、さらにメタルポスト７１を設けた以外は半導体装置５０と同様に構成される。
【０１０４】
メタルポスト７１は、接続パッド５１上に設けられている。メタルポスト７１の側面は、封止樹脂７２により覆われている。メタルポスト７１の上面７１Ａは、封止樹脂７２から露出されている。メタルポスト７１の上面７１Ａは、封止樹脂７２の上面７２Ａと略面一とされている。メタルポスト７１の上面７１Ａには、外部接続端子１７が設けられている。
【０１０５】
メタルポスト７１は、外部接続端子１７と接続パッド５１とを電気的に接続している。メタルポスト７１は、外部接続端子１７がマザーボード等の実装基板（図示せず）と接続された際に外部接続端子１７が受けるストレス（応力）を緩和する機能を有する。メタルポスト７１の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。メタルポスト７１の高さＨ2は、５０μｍ〜１００μｍとすることができる。
【０１０６】
封止樹脂７２は、配線パターン１４，１５、接続パッド５１、及びメタルポスト７１の側面を覆うように、絶縁樹脂１３上に設けられている。封止樹脂７２としては、例えば、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法により形成されたエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１０７】
図３９〜図４９は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図３９〜図４９において、第３の実施の形態で説明した図３５に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１０８】
図３９〜図４９を参照して、第４の実施の形態の半導体装置７０の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図１２〜図１５に示す工程と同様な処理を行って、図１５に示す構造体を形成する。
【０１０９】
次いで、図３９に示す工程では、絶縁樹脂１３の上面１３Ａに第１の金属層５４、第２の金属層５５、及び第３の金属層７４を順次形成する（金属層積層工程）。第１の金属層５４は、第２の金属層５５をエッチングして接続パッド５１を形成する際、エッチングストッパーとして機能する。第１の金属層５４の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。また、第１の金属層５４の厚さＴ9は、例えば、１０μｍとすることができる。
【０１１０】
第２の金属層５５は、第３の金属層７４をエッチングしてメタルポスト７１を形成する際、エッチングストッパーとなる金属層である。第２の金属層５５の材料としては、例えば、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ等を用いることができる。また、第２の金属層５５の厚さＴ10は、例えば、２μｍとすることができる。
【０１１１】
第３の金属層７４は、エッチングによりパターニングされてメタルポスト７１となる金属層である。第３の金属層７４の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。第３の金属層７４の厚さＴ１２は、例えば、５０μｍ〜１００μｍとすることができる。
【０１１２】
例えば、Ｃｕ箔（第１の金属層５４に相当する）上に、Ｓｎ層（第２の金属５５に相当する）、他のＣｕ箔（第３の金属層７４に相当する）が積層されたシート状の金属箔を絶縁樹脂１３の上面１３Ａに貼り付けることで、第１〜第３の金属層５４，５５，７４を形成する。
【０１１３】
次いで、図４０に示す工程では、図３９に示す構造体を加熱した状態で、第３の金属層７４を押圧して、第１の金属層５４の下面５４Ａと複数の内部接続端子１２の上面１２Ａとを接触させて、第１の金属層５４と複数の内部接続端子１２とを圧着させる（圧着工程）。また、図３９に示す構造体を加熱することにより、絶縁樹脂１３は硬化する。圧着後の絶縁樹脂１３の厚さＴ2は、例えば、１０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【０１１４】
このように、複数の内部接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１と複数の内部接続端子１２とを覆うように絶縁樹脂１３を形成後、絶縁樹脂１３上に配線パターン１４，１５となる第１の金属層５４と、第２の金属層５５と、第３の金属層７４とを順次形成し、第３の金属層７４を押圧して、第１の金属層５４と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、複数の内部接続端子１２の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子１２の一部を絶縁樹脂１３から露出させるための絶縁樹脂１３を研磨する工程が不要となるため、工程数を削減することが可能となり、半導体装置７０の製造コストの低減を図ることができる。
【０１１５】
次いで、図４１に示す工程では、メタルポスト７１の形成領域に対応する第３の金属層７４上に、パターニングされたレジスト膜７６を形成する。次いで、図４２に示す工程では、レジスト膜７６をマスクとして、第３の金属層７４をエッチングすることにより、レジスト膜７６の下方にメタルポスト７１を形成する（メタルポスト形成工程）。
【０１１６】
このとき、第２の金属層５５が第３の金属層７４をエッチングする際のエッチングストッパーとして機能するため、第３の金属層７４のエッチング時に第２の金属層５５がエッチングされることを防止できる。
【０１１７】
次いで、図４３に示す工程では、レジスト膜７６をマスクとして、第２の金属層５５をエッチングすることにより、接続パッド５１を形成する（接続パッド形成工程）。
【０１１８】
このとき、第１の金属層５４が第２の金属層５５をエッチングする際のエッチングストッパーとして機能するため、第２の金属層５５のエッチング時に第１の金属層５４がエッチングされることを防止できる。
【０１１９】
次いで、図４４に示す工程では、レジスト膜７６を除去する。次いで、図４５に示す工程では、図４４に示す構造体上に、パターニングされたレジスト膜７８を形成する。レジスト膜７８は、第１の金属層５４をエッチングして配線パターン１４，１５を形成する際のマスクである。
【０１２０】
次いで、図４６に示す工程では、レジスト膜７８をマスクとして、第１の金属層５４をエッチングして配線パターン１４，１５を形成する（配線パターン形成工程）。次いで、図４７に示す工程では、レジスト膜７８を除去する。
【０１２１】
次いで、図４８に示す工程では、図４７に示した構造体の上面側を覆うように封止樹脂７２を形成する。封止樹脂７２は、例えば、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法により形成することができる。封止樹脂７２としては、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。
【０１２２】
次いで、図４９に示す工程では、メタルポスト７１の上面７１Ａと封止樹脂７２の上面７２Ａとが略面一となるように、不要な封止樹脂７２を除去する。具体的には、例えば、プラズマアッシングにより、不要な封止樹脂７２を除去する。
【０１２３】
その後、第１の実施の形態で説明した図２０〜図２２に示す工程と同様な処理を行うことにより、複数の半導体装置７０が製造される。
【０１２４】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、複数の内部接続端子１２が設けられた側の複数の半導体チップ１１と複数の内部接続端子１２とを覆うように絶縁樹脂１３を形成後、絶縁樹脂１３上に配線パターン１４，１５となる第１の金属層５４と、第２の金属層５５と、第３の金属層７４とを順次形成し、第３の金属層７４を押圧して、第１の金属層５４と複数の内部接続端子１２とを圧着させることにより、複数の内部接続端子１２の高さを揃える工程、及び複数の内部接続端子１２の一部を絶縁樹脂１３から露出させるための絶縁樹脂１３を研磨する工程が不要となるため、工程数を削減することが可能となり、半導体装置７０の製造コストの低減を図ることができる。
【０１２５】
また、外部接続端子１７と接続パッド５１との間にメタルポスト７１を形成することにより、外部接続端子１７が受けるストレス（応力）を緩和することができる。
【０１２６】
なお、本実施の形態の半導体装置７０では、配線パターン１４，１５と半導体チップ１１の間に絶縁樹脂１３を設けた場合を例に挙げて説明したが、絶縁樹脂１３の代わりに第２の実施の形態で説明した異方性導電樹脂４１を設けてもよい。この場合、第２の実施の形態の半導体装置４０の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【０１２７】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
本発明は、平面視した状態で半導体チップと略同じ大きさであり、半導体チップが配線パターンにフリップチップ接続された半導体装置の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図３】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図４】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図５】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図６】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図７】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図８】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図９】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図１０】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１０）である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１１）である。
【図２３】半導体基板の平面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図２８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図３０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図３１】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図３２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図３３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図３４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図３５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の変形例を示す図（その１）である。
【図３６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の変形例を示す図（その２）である。
【図３７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の変形例を示す図（その３）である。
【図３８】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３９】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図４０】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図４１】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図４２】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図４３】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図４４】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図４５】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図４６】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図４７】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図４８】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１０）である。
【図４９】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１１）である。
【符号の説明】
【０１３０】
１０，４０，５０，７０  半導体装置
１１  半導体チップ
１２  内部接続端子
１２Ａ，１３Ａ，３３Ａ，４１Ａ，７１Ａ，７２Ａ  上面
１３  絶縁樹脂
１４，１５  配線パターン
１４Ａ，１５Ａ  外部接続端子配設領域
１６  ソルダーレジスト
１６Ａ，１６Ｂ  開口部
１７  外部接続端子
２１，３１  半導体基板
２２  半導体集積回路
２３  電極パッド
２４  保護膜
３３  金属層
３３Ｂ，５４Ａ  下面
４１  異方性導電樹脂
５１  接続パッド
５４  第１の金属層
５５  第２の金属層
５７，７６，７８  レジスト膜
６１  保護層
７１  メタルポスト
７２  封止樹脂
７４  第３の金属層
Ａ  半導体装置形成領域
Ｂ  スクライブ領域
Ｃ  切断位置
Ｔ1〜Ｔ12  厚さ
Ｈ１，Ｈ2  高さ
【図１】
2008084958.tif 000003
【図２】
2008084958.tif 000004
【図３】
2008084958.tif 000005
【図４】
2008084958.tif 000006
【図５】
2008084958.tif 000007
【図６】
2008084958.tif 000008
【図７】
2008084958.tif 000009
【図８】
2008084958.tif 000010
【図９】
2008084958.tif 000011
【図１０】
2008084958.tif 000012
【図１１】
2008084958.tif 000013
【図１２】
2008084958.tif 000014
【図１３】
2008084958.tif 000015
【図１４】
2008084958.tif 000016
【図１５】
2008084958.tif 000017
【図１６】
2008084958.tif 000018
【図１７】
2008084958.tif 000019
【図１８】
2008084958.tif 000020
【図１９】
2008084958.tif 000021
【図２０】
2008084958.tif 000022
【図２１】
2008084958.tif 000023
【図２２】
2008084958.tif 000024
【図２３】
2008084958.tif 000025
【図２４】
2008084958.tif 000026
【図２５】
2008084958.tif 000027
【図２６】
2008084958.tif 000028
【図２７】
2008084958.tif 000029
【図２８】
2008084958.tif 000030
【図２９】
2008084958.tif 000031
【図３０】
2008084958.tif 000032
【図３１】
2008084958.tif 000033
【図３２】
2008084958.tif 000034
【図３３】
2008084958.tif 000035
【図３４】
2008084958.tif 000036
【図３５】
2008084958.tif 000037
【図３６】
2008084958.tif 000038
【図３７】
2008084958.tif 000039
【図３８】
2008084958.tif 000040
【図３９】
2008084958.tif 000041
【図４０】
2008084958.tif 000042
【図４１】
2008084958.tif 000043
【図４２】
2008084958.tif 000044
【図４３】
2008084958.tif 000045
【図４４】
2008084958.tif 000046
【図４５】
2008084958.tif 000047
【図４６】
2008084958.tif 000048
【図４７】
2008084958.tif 000049
【図４８】
2008084958.tif 000050
【図４９】
2008084958.tif 000051
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂上に第１の金属層と第２の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、
前記第２の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂上に第１の金属層、第２の金属層、及び前記第２の金属層を保護する保護層を順次積層させる積層工程と、
前記積層工程後に、前記保護層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記保護層を除去する保護層除去工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程と、
前記絶縁樹脂上に第１の金属層、第２の金属層、及び第３の金属層を順次積層させる金属層積層工程と、
前記第３の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、第３の金属層をエッチングしてメタルポストを形成するメタルポスト形成工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の金属層は、前記第３の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、
前記異方性導電樹脂に第１の金属層と第２の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、
前記第２の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、
前記異方性導電樹脂に第１の金属層、第２の金属層、及び前記第２の金属層を保護する保護層を順次積層させる積層工程と、
前記積層工程後に、前記保護層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記保護層を除去する保護層除去工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように異方性導電樹脂を形成する異方性導電樹脂形成工程と、
前記異方性導電樹脂に第１の金属層、第２の金属層、及び第３の金属層を順次積層させる金属層積層工程と、
前記第３の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記第３の金属層をエッチングしてメタルポストを形成するメタルポスト形成工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の金属層は、前記第３の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置の製造方法。