(57)【要約】【課題】  製造コストが低減されたコンタクトプローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  ２つの外層１２及びこれらの外層１２間に挟まれた内層１３を含む３以上の導電層１１を積層することによりコンタクトプローブのコンタクト部３を形成する。内層１３には、外層１２の各端面１２Ａから突出した突出部１６を有する芯部１４と、芯部１４よりも高硬度の導電材料を用いて突出部１６に形成され、検査対象物に接触させるための接触部１５とを形成する。このように、２つの外層１２の各端面１２Ａから突出した突出部１６全体を高硬度の導電材料で形成するのではなく、突出部１６の一部に高硬度の導電材料からなる接触部１５を形成することにより、接触部１５を形成するための導電材料の使用量を抑えることができるので、コンタクトプローブ１の製造コストを低減することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの外層及びこれらの外層間に挟まれた少なくとも１つの内層を含む３以上の導電層が積層されることにより形成され、
上記内層が、上記２つの外層の各端面から突出した突出部を有する芯部と、上記芯部よりも高硬度の導電材料を用いて上記突出部に形成され、検査対象物に接触させるための接触部とを有することを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
上記内層の芯部の導電率が上記２つの外層の導電率より大きいことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項３】
上記内層の芯部を形成する導電層の少なくとも１つが銅又は銀を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項４】
上記内層における隣接する上記外層又は上記内層との境界面が、ＲＭＳ値で１μｍ以下の平滑面で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項５】
２つの外層及びこれらの外層間に挟まれた少なくとも１つの内層を含む３以上の導電層が積層されたコンタクトプローブを形成するコンタクトプローブの製造方法であって、
上記２つの外層のうち一方の外層を形成する第１外層形成ステップと、
上記一方の外層に対向し、当該外層の端面から突出した突出部を有する芯部、及び、上記芯部よりも高硬度の導電材料を用いて上記突出部に形成され、検査対象物に接触させるための接触部を有する内層を形成する内層形成ステップと、
上記２つの外層のうち他方の外層を上記内層に対向するように形成する第２外層形成ステップとを備えたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、コンタクトプローブ及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、導電層を積層することにより形成されるコンタクトプローブ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンタクトプローブの先端部に、コンタクトプローブ本体よりも高硬度の接触部を形成し、当該接触部を検査対象物に接触させることにより、先端部の摩耗を抑制することができるような技術が知られている（例えば、特許文献１及び２）。
【０００３】
特許文献１に開示されているコンタクトプローブでは、コンタクトプローブ本体の先端部に接触部が埋め込まれており、その接触部の一部がコンタクトプローブ本体から突出している。一方、特許文献２に開示されているコンタクトプローブでは、予め形成されたコンタクトプローブ本体の先端部に、当該コンタクトプローブ本体とは別に形成した接触部が取り付けられている。
【特許文献１】特開２００６−３３７０８０号公報
【特許文献２】特開２００６−３００８０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような従来技術では、接触部における検査対象物と接触する面以外の部分が比較的大きく、接触部の大きさが必要以上に大きくなる。また、接触部を溶着する構造はせん断に弱く、コンタクト時に剥がれ易い。ここで、コンタクトプローブ本体よりも高硬度の接触部は、通常、コンタクトプローブ本体を形成している材料よりも高価な材料を用いて形成されるため、製造コストを低減するためには、接触部に用いる材料をできるだけ少なくすることが好ましい。さらに、特に電源供給部のコンタクトプローブは導電層の抵抗により、検査対象物への電流印加時に高温化し、弾性定数の変化や寸法シフト等のプローブ劣化を引き起こす。
【０００５】
この発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、製造コストが低減されたコンタクトプローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の本発明によるコンタクトプローブは、２つの外層及びこれらの外層間に挟まれた少なくとも１つの内層を含む３以上の導電層が積層されることにより形成され、上記内層が、上記２つの外層の各端面から突出した突出部を有する芯部と、上記芯部よりも高硬度の導電材料を用いて上記突出部に形成され、検査対象物に接触させるための接触部とを有するように構成される。
【０００７】
このような構成によれば、２つの外層の各端面から突出した突出部全体を高硬度の導電材料で形成するのではなく、突出部の一部に高硬度の導電材料からなる接触部を形成することができる。これにより、接触部を形成するための導電材料の使用量を抑えることができるので、コンタクトプローブの製造コストを低減することができる。
【０００８】
第２の本発明によるコンタクトプローブは、上記内層の芯部の導電率が上記２つの外層の導電率より大きく構成されている。このような構成によれば、コンタクトプローブから検査対象物への電流印加時に、コンタクトプローブが高温化することなく、コンタクトプローブの劣化を抑えることができる。
【０００９】
第３の本発明によるコンタクトプローブは、上記内層の芯部を形成する導電層の少なくとも１つが銅又は銀を含むように構成される。このような構成によれば、内層の芯部を導電率が大きい材料で形成することができる。
【００１０】
第４の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加えて、上記内層における隣接する上記外層又は上記内層との境界面が、ＲＭＳ値で１μｍ以下の平滑面で形成されて構成される。境界面が平滑でない場合、この境界面での応力が上記外層の他面の応力と異なり、プローブにソリや歪みが生じる。本発明の構成によれば、接触部が形成された内層における隣接する外層又は内層との境界面が、比較的凹凸の少ない平滑面で形成されることにより、ソリや歪みのない位置精度の高いコンタクトプローブを得られ、接触部に作用する検査対象物からの外力に対する強度を安定させることができる。
【００１１】
第５の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、２つの外層及びこれらの外層間に挟まれた少なくとも１つの内層を含む３以上の導電層が積層されたコンタクトプローブを形成するコンタクトプローブの製造方法であって、上記２つの外層のうち一方の外層を形成する第１外層形成ステップと、上記一方の外層に対向し、当該外層の端面から突出した突出部を有する芯部、及び、上記芯部よりも高硬度の導電材料を用いて上記突出部に形成され、検査対象物に接触させるための接触部を有する内層を形成する内層形成ステップと、上記２つの外層のうち他方の外層を上記内層に対向するように形成する第２外層形成ステップとを備えて構成される。
【００１２】
このような構成によれば、２つの外層の各端面から突出した突出部全体を高硬度の導電材料で形成するのではなく、突出部の一部に高硬度の導電材料からなる接触部を形成することができる。これにより、接触部を形成するための導電材料の使用量を抑えることができるので、コンタクトプローブの製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、接触部を形成するための導電材料の使用量を抑えることができるので、コンタクトプローブの製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブ１の一例を示した図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図を示している。このコンタクトプローブ１は、シリコン（Ｓｉ）などで形成されたコンタクト基板上の電極パッドに根元部が接合され、検査時には、その先端部が検査対象物としての半導体ウエハに接触される。以下では、図１（ｂ）における下側を下方、上側を上方として説明することとする。
【００１５】
コンタクト基板には多数の電極パッドが形成され、各電極パッドに対応するコンタクトプローブ１が接合されることにより、コンタクト基板上に多数のコンタクトプローブ１が形成される。コンタクト基板は、テスター装置に接続されたメイン基板に導通しており、当該メイン基板とともにプローブカードを構成している。検査時には、テスター装置と半導体ウエハとの間で各コンタクトプローブ１を介して信号が入出力されることにより、半導体ウエハの電気的特性の検査が行われる。
【００１６】
このコンタクトプローブ１では、コンタクト基板に接合されるベース部２と、半導体ウエハの電極に接触するコンタクト部３と、ベース部２及びコンタクト部３を連結するビーム部４とが、導電材料を積層することにより一体的に形成されている。なお、図１（ｂ）には、コンタクトプローブ１のコンタクト部３の断面が示されている。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、このコンタクトプローブ１は、導電層１１が一定の積層方向Ｂに沿って複数積層されることにより形成されている。この例では、互いに対向する２つの外層１２及びこれらの外層１２間に挟まれた１つの内層１３を含む３層の導電層１１が積層されることによりコンタクトプローブ１が形成されているが、このような構成に限らず、内層１３が２層以上積層されることにより、４層以上の導電層１１が積層されたコンタクトプローブが形成されるような構成であってもよい。
【００１８】
各外層１２は、同一の導電材料で形成されていてもよいし、異なる導電材料で形成されていてもよい。各外層１２は、ヤング率が１００ＧＰａ以上の弾性の高い金属で形成されていることが好ましい。この例では、各外層１２は、ニッケルコバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）からなる同一の導電材料で形成されている。ただし、各外層１２は、ニッケルコバルトに限らず、パラジウムコバルト（Ｐｄ−Ｃｏ）などのコバルト（Ｃｏ）を含む他の合金で形成されたものであってもよいし、パラジウムニッケル（Ｐｄ−Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）などの他の導電材料で形成されたものであってもよい。
【００１９】
内層１３は、２つの外層１２間に挟まれた芯部１４と、この芯部１４の一部の表面に形成された薄膜状の接触部１５とが、導電層１１の積層方向Ｂに対して交差する方向に積層されることにより、２層以上で形成されている。芯部１４は、各外層１２と同一の導電材料で形成されていてもよいし、異なる導電材料で形成されていてもよい。芯部１４を外層１２とは異なる導電材料で形成する場合には、外層１２よりも抵抗の低い導電材料で形成することにより、外層１２よりも導電率を大きくすれば、コンタクトプローブ１から半導体ウエハへの電流印加時に、コンタクトプローブ１が高温化することなく、コンタクトプローブ１の劣化を抑えることができる。この場合、体積抵抗率が２×１０−６Ω・ｃｍよりも大きい導電材料で外層１２を形成し、例えば銅又は銀を含む体積抵抗率が２×１０−６Ω・ｃｍ以下の導電材料で芯部１４を形成してもよい。
【００２０】
コンタクト部３の２つの外層１２は、互いに同一形状からなり、上下方向に対向する各端面１２Ａが積層方向Ｂに沿って同一面内に延びるように積層されている。一方、コンタクト部３の内層１３は、その芯部１４が上記同一面内に延びる外層１２の各端面１２Ａから突出した突出部１６を有しており、この突出部１６の先端面１６Ａを含む表面に接触部１５が形成されている。
【００２１】
接触部１５は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）の各元素のうち少なくとも１種類の元素を含む導電材料により形成されている。接触部１５は、互いに交差する方向に延びる水平部１５Ａ及び当接部１５Ｂが一体的に形成されることにより、導電層１１の積層方向Ｂに屈曲した略Ｌ字形状に形成されている。
【００２２】
水平部１５Ａは、芯部１４よりも薄い層からなり、芯部１４が延びる方向、すなわち導電層１１の積層方向Ｂに対して直交方向に延びている。水平部１５Ａは、芯部１４の下面に形成されており、水平部１５Ａが形成されている部分の芯部１４の厚みが、当該水平部１５Ａの厚み分だけ薄く形成されている。これにより、水平部１５Ａの下面が、当該水平部１５Ａが形成されていない部分の芯部１４の下面と同一面内に延びるように形成され、水平部１５Ａが芯部１４及び隣接する外層１２間に挟持されているので、接触部１５を強固に固定することができる。
【００２３】
当接部１５Ｂは、水平部１５Ａと同一の厚みを有し、突出部１６の先端面１６Ａに沿って導電層１１の積層方向Ｂに延びている。この当接部１５Ｂは、水平部１５Ａよりも短く形成され、水平部１５Ａ側とは反対側の端部が芯部１４の上面まで延びている。半導体ウエハの検査時には、コンタクトプローブ１のコンタクト部３と半導体ウエハとが、導電層１１の積層方向Ｂに対して直交方向に相対移動することにより、当接部１５Ｂにおける芯部１４側とは反対側の面全体が、半導体ウエハの電極に当接する。
【００２４】
図２〜図４は、コンタクトプローブ１のコンタクト部３を形成する工程の一例を示した図である。図２（ａ）に示すように、コンタクトプローブ１のコンタクト部３を形成する際には、まず、プローブ形成用の基板１０上に、銅（Ｃｕ）などの導電層１１とは異なる導電材料からなる犠牲層１７が形成される。その後、図２（ｂ）に示すように、犠牲層１７上に感光性有機物質からなるフォトレジストが塗布されることによりレジスト層１８が形成され、そのレジスト層１８の表面が選択的に露光されることにより、レジスト層１８が部分的に除去される。
【００２５】
このようにしてレジスト層１８が除去された部分には、図２（ｂ）に示すように、電気めっきにより１層目の導電層１１である外層１２が形成され、その後、図２（ｃ）に示すようにレジスト層１８が完全に除去される。レジスト層１８が除去されることにより露出した犠牲層１７及び外層１２上には、電気めっきにより銅（Ｃｕ）などの導電層１１とは異なる導電材料からなる犠牲層１９が形成され、図２（ｄ）に示すように、外層１２が露出するまで犠牲層１９の表面が研磨される。このとき、研磨されて露出した外層１２及び犠牲層１９の表面は、ＲＭＳ（Root Mean Square）値で１μｍ以下の平滑面で形成される。
【００２６】
その後、図３（ａ）に示すように、平滑面とされた外層１２及び犠牲層１９上にフォトレジストが塗布されることによりレジスト層２０が形成され、そのレジスト層２０の表面が選択的に露光されることにより、外層１２に対向しない部分のレジスト層２０が除去される。レジスト層２０が除去された部分には、図３（ａ）に示すように、電気めっきにより犠牲層２１が形成され、その後、図３（ｂ）に示すようにレジスト層２０が完全に除去されることにより、犠牲層２１からなる台座が形成される。この台座は、断面が正方形状又は長方形状であり、その側面が導電層１１の積層方向Ｂに沿って延びている。
【００２７】
レジスト層２０が除去されることにより露出した犠牲層１９，２１及び外層１２上には、図３（ｃ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることによりレジスト層２２が形成され、そのレジスト層２２の表面が選択的に露光されることにより、レジスト層２２の一部が除去される。この例では、図３（ｃ）に示すように、犠牲層２１における外層１２側の端部と、外層１２における犠牲層２１側の端部と、犠牲層２１及び外層１２間の犠牲層１９とに対向する部分のレジスト層２２が除去される。そして、レジスト層２２が除去された部分には、図３（ｄ）に示すように、電気めっきにより接触部１５を構成する薄膜２３が形成される。
【００２８】
このようにして形成された薄膜２３は、接触部１５を構成する部分の他、犠牲層２１の上面に沿って延びる部分を含む屈曲形状を有している。その後、図４（ａ）に示すようにレジスト層２２が完全に除去され、これにより露出した犠牲層１９，２１及び外層１２並びに薄膜２３上には、図４（ｂ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることによりレジスト層２４が形成される。そして、そのレジスト層２４の表面が選択的に露光されることにより、図４（ｂ）に示すように、外層１２及び薄膜２３に対向する部分のレジスト層２４が除去される。
【００２９】
レジスト層２４が除去されることにより露出した外層１２及び薄膜２３上には、図４（ｂ）に示すように、電気めっきにより芯部１４が形成される。その後、犠牲層２１が露出するまで、芯部１４、薄膜２３及びレジスト層２４の表面が研磨されることにより、図４（ｃ）に示すように、芯部１４及び接触部１５からなる内層１３が、１層目の外層１２上に積層された２層目の導電層１１として形成される。このとき、研磨されて露出した芯部１４及び接触部１５の表面は、ＲＭＳ値で１μｍ以下の平滑面で形成される。
【００３０】
このようにして内層１３が形成された後、図４（ｄ）に示すようにレジスト層２４が完全に除去され、これにより露出した内層１３及び犠牲層１９，２１上には、図４（ｅ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることによりレジスト層２５が形成される。そして、そのレジスト層２５の表面が選択的に露光されることにより、図４（ｅ）に示すように、１層目の外層１２に対向する部分のレジスト層２５が除去される。
【００３１】
その後、レジスト層２５が除去された部分に露出している内層１３の芯部１４上に、３層目の導電層１１である外層１２が電気めっきにより形成されることにより、図４（ｅ）に示すような構造物が形成される。このようにして形成された構造物から、レジスト層２５を除去する処理及び犠牲層１７，１９，２１を除去する処理が行われることにより、図１（ｂ）に示したようなコンタクトプローブ１のコンタクト部３を得ることができる。
【００３２】
本実施の形態では、２つの外層１２の各端面１２Ａから突出した突出部１６全体を高硬度の導電材料で形成するのではなく、突出部１６の一部に高硬度の導電材料からなる接触部１５を形成することができる。これにより、接触部１５を形成するための導電材料の使用量を抑えることができるので、コンタクトプローブ１の製造コストを低減することができる。
【００３３】
また、本実施の形態では、内層１３における隣接する２つの外層１２との各境界面をＲＭＳ値で１μｍ以下の平滑面で形成することができる。このように、接触部１５が形成された内層１３における隣接する外層１２との各境界面が、比較的凹凸の少ない平滑面で形成されることにより、ソリや歪みのないコンタクトプローブを得られ、接触部１５に作用する半導体ウエハからの外力に対する強度を安定させることができる。
【００３４】
実施の形態２．
実施の形態１では、導電層１１を積層してコンタクトプローブ１のコンタクト部３を形成する工程において、接触部１５を形成するための犠牲層２１及び芯部１４を形成するためのレジスト層２４を別々に形成する場合について説明した。これに対して、実施の形態２では、接触部１５及び芯部１４を形成するための共通の犠牲層２７を形成するようになっている点が異なっている。
【００３５】
図５及び図６は、本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１のコンタクト部３を形成する工程を示した図であり、図２（ｄ）の続きを示している。本実施の形態において、図５に示した工程よりも前の工程は、図２と同様の態様であるので、同様の構成については、図に同一符号を付してその説明を省略することとする。
【００３６】
本実施の形態では、図２（ｄ）に示した状態から、図５（ａ）に示すように、露出した犠牲層１９及び外層１２上にレジスト層２６を形成し、そのレジスト層２６の表面を選択的に露光する際に、芯部１４及び接触部１５を含む内層１３の大きさに対応する領域以外の領域にのみ露光し、その領域のレジスト層２６のみを除去するようになっている。
【００３７】
その後、図５（ｂ）に示すように、レジスト層２６が除去された部分に露出している犠牲層１９上に、電気めっきにより犠牲層２７が形成され、その後、図５（ｃ）に示すようにレジスト層２６が完全に除去されることにより、外層１２上に内層１３に対応する形状の空間が形成される。
【００３８】
レジスト層２６が除去されることにより露出した外層１２及び犠牲層１９並びに犠牲層２７上には、図５（ｄ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることによりレジスト層２８が形成され、そのレジスト層２８の表面が選択的に露光されることにより、レジスト層２８の一部が除去される。この例では、図５（ｄ）に示すように、露出した犠牲層１９、並びに、当該犠牲層１９の露出した部分を挟んで両側に位置する犠牲層２７及び外層１２の各端部に対向する部分のレジスト層２８が除去される。そして、レジスト層２８が除去された部分には、図６（ａ）に示すように、電気めっきにより接触部１５を構成する薄膜２９が形成される。
【００３９】
このようにして形成された薄膜２９は、接触部１５を構成する部分の他、犠牲層２７の上面に沿って延びる部分を含む屈曲形状を有している。その後、図６（ｂ）に示すようにレジスト層２８が完全に除去され、これにより露出した犠牲層２７及び外層１２並びに薄膜２９上には、図６（ｃ）に示すように、電気めっきにより芯部１４を構成する導電膜３０が形成される。
【００４０】
その後、犠牲層２７が露出するまで、導電膜３０及び薄膜２９の表面が研磨されることにより、図６（ｄ）に示すように、芯部１４及び接触部１５からなる内層１３が、１層目の外層１２上に積層された２層目の導電層１１として形成される。このとき、研磨されて露出した芯部１４及び接触部１５の表面は、ＲＭＳ値で１μｍ以下の平滑面で形成される。
【００４１】
このようにして内層１３が形成された後、図４（ｅ）に示した場合と同様の態様で、露出した内層１３及び犠牲層２７上にレジスト層が形成され、そのレジスト層の表面が選択的に露光されることにより、１層目の外層１２に対向する部分のレジスト層が除去される。その後、レジスト層が除去された部分に露出している内層１３の芯部１４上に、３層目の導電層１１である外層１２が電気めっきにより形成され、このようにして形成された構造物から、レジスト層を除去する処理及び犠牲層１７，１９，２７を除去する処理が行われることにより、図１（ｂ）に示したようなコンタクトプローブ１のコンタクト部３を得ることができる。
【００４２】
実施の形態３．
実施の形態１では、接触部１５を形成するための犠牲層２１からなる台座の形状が、正方形状又は長方形状の断面を有するような構成について説明した。これに対して、実施の形態３では、上記台座の断面が台形状に形成されている点が異なっている。
【００４３】
図７は、本発明の実施の形態３によるコンタクトプローブ１のコンタクト部３を形成する工程を示した図であり、図２（ｄ）の続きを示している。本実施の形態において、図７に示した工程よりも前の工程は、図２と同様の態様であるので、同様の構成については、図に同一符号を付してその説明を省略することとする。
【００４４】
本実施の形態では、図２（ｄ）に示した状態から、図７（ａ）に示すように、外層１２及び犠牲層１９上にフォトレジストが塗布されることによりレジスト層３１が形成され、そのレジスト層３１の表面が選択的に露光されることにより、外層１２に対向しない部分のレジスト層３１が除去される。このとき、レジスト層３１が除去されることにより形成される空間は、図７（ａ）に示すように、犠牲層１９側に向うに従って大きくなっており、その内側面が導電層１１の積層方向Ｂに対して傾斜した台形状の空間として形成される。
【００４５】
このように、レジスト層３１を選択的に除去して台形状の空間を形成する方法としては、ネガ型のフォトレジストでレジスト層３１を形成する方法、露光波長に対する光吸収の大きいネガ型のフォトレジストでレジスト層３１を形成する方法、ｉ線などの短波長光を用いて光吸収の大きいネガ型のフォトレジストでレジスト層３１を露光する方法、ネガ型のフォトレジストでより強い現像処理を行う方法、露光感度の異なるフォトレジストを重ねて塗布する方法、異なる寸法のフォトレジストパターンを重ねる方法などが考えられる。
【００４６】
レジスト層３１の一部が除去されることにより形成された台形状の空間には、図７（ａ）に示すように、電気めっきにより犠牲層３２が形成され、その後、図７（ｂ）に示すようにレジスト層３１が完全に除去されることにより、犠牲層３２からなる台座が形成される。この台座は、断面が台形状であり、その側面が導電層１１の積層方向Ｂに対して傾斜している。
【００４７】
レジスト層３１が除去されることにより露出した犠牲層１９，３２及び外層１２上には、図７（ｃ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることによりレジスト層３３が形成され、そのレジスト層３３の表面が選択的に露光されることにより、レジスト層３３の一部が除去される。この例では、図７（ｃ）に示すように、犠牲層３２における外層１２側の端部と、外層１２における犠牲層３２側の端部と、犠牲層３２及び外層１２間の犠牲層１９とに対向する部分のレジスト層３３が除去される。
【００４８】
そして、レジスト層３３が除去された部分には、図７（ｄ）に示すように、電気めっきにより接触部１５を構成する薄膜３４が形成される。このようにして形成された薄膜３４は、接触部１５を構成する部分の他、犠牲層３２の上面に沿って延びる部分を含む屈曲形状を有している。その後の工程については、図４（ａ）〜（ｅ）に示した場合と同様の態様であるので、ここでは説明を省略することとする。
【００４９】
本実施の形態では、犠牲層３２により形成される台座の形状が台形状とされるので、当該台座の側面に沿って形成される薄膜３４が、導電層１１の積層方向Ｂに対して傾斜した形状となる。したがって、このようにして形成された接触部１５の当接部１５Ｂは、導電層１１の積層方向Ｂ、すなわち水平部１５Ａに直交する方向に対して傾斜することとなる。そのため、半導体ウエハの検査時には、実施の形態１のように、当接部１５Ｂにおける芯部１４側とは反対側の面全体が半導体ウエハの電極に当接するのではなく、当接部１５Ｂにおける水平部１５Ａとは反対側の端部のみが半導体ウエハの電極に当接する。これにより、コンタクトプローブ１と半導体ウエハの電極との接触圧が高くなるので、より良好に検査を行うことができる。
【００５０】
以上の実施の形態では、接触部１５の水平部１５Ａが、芯部１４及び隣接する外層１２間に挟持された構成について説明したが、このような構成に限らず、水平部１５Ａがより短く形成されることにより、突出部１６にのみ形成された構成であってもよい。
【００５１】
また、以上の実施の形態では、接触部１５が、水平部１５Ａ及び当接部１５Ｂを有する屈曲形状に形成された構成について説明したが、このような構成に限らず、突出部１６の先端面１６Ａに沿って延びる当接部１５Ｂのみが形成された構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブの一例を示した図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図を示している。
【図２】コンタクトプローブのコンタクト部を形成する工程の一例を示した図である。
【図３】コンタクトプローブのコンタクト部を形成する工程の一例を示した図であり、図２（ｄ）の続きを示している。
【図４】コンタクトプローブのコンタクト部を形成する工程の一例を示した図であり、図３（ｄ）の続きを示している。
【図５】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブのコンタクト部を形成する工程を示した図であり、図２（ｄ）の続きを示している。
【図６】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブのコンタクト部を形成する工程を示した図であり、図５（ｄ）の続きを示している。
【図７】本発明の実施の形態３によるコンタクトプローブのコンタクト部を形成する工程を示した図であり、図２（ｄ）の続きを示している。
【符号の説明】
【００５３】
１  コンタクトプローブ
３  コンタクト部
１１  導電層
１２  外層
１２Ａ  端面
１３  内層
１４  芯部
１５  接触部
１６  突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008309535.tif 000006
【図５】
2008309535.tif 000007
【図６】
2008309535.tif 000008
【図７】
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