(57)【要約】      （修正有）【課題】基板処理装置に於ける搬送機構の搬送精度が経時的に低下しても、基板保持プレートとリフタピン間の干渉を防止し、基板の破損を防止する。【解決手段】基板１６を処理する処理室２４と、該処理室に設けられ処理する基板が載置される基板載置台３７と、基板保持プレート１４，１５に基板を載置して前記処理室に搬入出する基板搬送装置３５と、該基板搬送装置と前記基板載置台との間で基板を受３８は昇降可能なロッド４と該ロッド４の上端に設けられたリフタピン６５を有し、該リフタピン６５は基板が載置される基板支持面６８と、該基板支持面６８に隣接して座刳り面６９が形成され、前記リフタピン６５の上面と前記座刳り面６９と前記基板支持面６８とは順次低く形成された。【選択図】図４
2008084902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、該処理室に設けられ処理する基板が載置される基板載置台と、基板保持プレートに基板を載置して前記処理室に搬入出する基板搬送装置と、該基板搬送装置と前記基板載置台との間で基板を受渡す基板リフト機構とを具備し、該基板リフト機構は昇降可能なロッドと該ロッド上端に設けられたリフタピンを有し、該リフタピンは基板が載置される基板支持面と、該基板支持面に隣接して座刳り面が形成され、前記リフタピンの上面と前記座刳り面と前記基板支持面とは順次低く形成されたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板の表面に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング、或はアッシング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板（以下ウェーハ）の表面に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング、或はアッシング等の処理を行う基板処理装置には、ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、所定枚数のウェーハを一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。
【０００３】
枚葉式の基板処理装置では、処理室に１枚又は２枚のウェーハを収納し、前記処理室で基板に所要の処理を実施する。
【０００４】
ウェーハの搬送は基板搬送装置により行われ、ウェーハカセットに収納されたウェーハが前記基板搬送装置により、水平を維持した状態で前記処理室へのウェーハの搬入がされる。前記処理室に搬入されたウェーハは、前記処理室内に設けられた基板載置台（サセプタ）に載置される。処理が完了すると、処理済のウェーハは前記基板搬送装置により搬出される。
【０００５】
又、前記基板載置台には基板リフト機構が設けられており、該基板リフト機構は前記基板載置台と前記基板搬送装置間でウェーハの授受を行う為の補助機能を有している。
【０００６】
図９により従来の基板リフト機構について説明する。
【０００７】
図９はサセプタの周辺部を示しており、図９中、１はサセプタを示し、２は基板搬送機構の一部である基板保持プレートを示している。
【０００８】
前記サセプタ１には上下方向に通孔３が穿設され、該通孔３をロッド４が遊貫し、該ロッド４は図示しない昇降手段によって昇降可能となっている。
【０００９】
該ロッド４の上端にリフタピン５がボルト６により固着され、該ボルト６は前記リフタピン５の上面７より突出しない様になっている。該リフタピン５は前記サセプタ１の中心方向に延出する断面逆Ｌ字形状を有し、先端部には上面側から所要量凹んだ基板受面８が形成され、該基板受面８と前記上面７とはテーパ面９により連続されている。
【００１０】
前記サセプタ１の上面は基板載置面１２となっており、該基板載置面１２側より前記リフタピン５に対向してリフタピン収納部１３が形成され、前記リフタピン５が降下した状態で、該リフタピン５は前記リフタピン収納部１３に収納される様になっている。
【００１１】
前記基板搬送機構はロボットアーム（図示せず）及び該ロボットアームの先端に設けられた上下２段の基板保持プレート１４，１５を有し、該基板保持プレート１４，１５の上下方向のピッチはカセットの基板収納ピッチと同じとなっている。前記ロボットアームは旋回可能であり、又該ロボットアームは前記基板保持プレート１４，１５を進退可能となっている。
【００１２】
該基板保持プレート１４，１５から前記サセプタ１へのウェーハ１６の移載は、前記基板搬送機構と前記基板リフト機構との協働で行われる。
【００１３】
前記基板保持プレート１４，１５が前記処理室内に進入し、基板載置位置に位置決めされると、前記ロッド４を介して前記リフタピン５が上昇され、該リフタピン５がウェーハ１６を保持すると共にウェーハ１６は前記基板保持プレート１４より離反する。
【００１４】
前記基板保持プレート１４，１５が後退し、次に前記リフタピン５が降下することでウェーハ１６が前記基板載置面１２に載置される。尚、前記リフタピン５は前記リフタピン収納部１３に収納される。
【００１５】
ウェーハ１６が前記サセプタ１から前記基板保持プレート１４に受渡される場合は、前記リフタピン５が上昇してウェーハ１６を保持する。又、上昇した前記リフタピン５の位置は、進入する前記基板保持プレート１４，１５と干渉しない様に該基板保持プレート１４，１５の間の位置となっている。
【００１６】
該基板保持プレート１４，１５が進入後、前記リフタピン５が降下することで、ウェーハ１６は前記基板保持プレート１４に移載される。該基板保持プレート１４，１５が後退し、前記リフタピン５が降下することで、前記基板保持プレート１４，１５へのウェーハ１６の移載が完了する。
【００１７】
上記したウェーハ１６の授受過程、特に下段の前記基板保持プレート１４と前記リフタピン５間でのウェーハ１６の授受過程では、前記リフタピン５は前記基板保持プレート１４と前記基板保持プレート１５との間に位置しており、前記基板保持プレート１４，１５間の間隔は、ウェーハカセットのウェーハ収納ピッチで規定されている。この為、前記基板保持プレート１４，１５の間隔は充分大きく取ることはできず、前記リフタピン５との関係でも余裕がある間隙には設定できなかった。
【００１８】
更に、前記基板保持プレート１４，１５の先端の位置は、搬送機構の経時的な精度の劣化により、変化する。例えば、軸受等の摩耗によりガタが生じると、ガタ分だけロボットアームが傾き、前記基板保持プレート１４，１５の先端は下方に位置が変化する。
【００１９】
この為、上段の基板保持プレート１５に保持されたウェーハ１６が、前記上面７或は前記テーパ面９に干渉して前記基板保持プレート１５が破損する場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は斯かる実情に鑑み、搬送機構の搬送精度が経時的に低下しても、基板保持プレートとリフタピン間の干渉を防止し、基板の破損を防止するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室に設けられ処理する基板が載置される基板載置台と、基板保持プレートに基板を載置して前記処理室に搬入出する基板搬送装置と、該基板搬送装置と前記基板載置台との間で基板を受渡す基板リフト機構とを具備し、該基板リフト機構は昇降可能なロッドと該ロッド上端に設けられたリフタピンを有し、該リフタピンは基板が載置される基板支持面と、該基板支持面に隣接して座刳り面が形成され、前記リフタピンの上面と前記座刳り面と前記基板支持面とは順次低く形成された基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に設けられ処理する基板が載置される基板載置台と、基板保持プレートに基板を載置して前記処理室に搬入出する基板搬送装置と、該基板搬送装置と前記基板載置台との間で基板を受渡す基板リフト機構とを具備し、該基板リフト機構は昇降可能なロッドと該ロッド上端に設けられたリフタピンを有し、該リフタピンは基板が載置される基板支持面と、該基板支持面に隣接して座刳り面が形成され、前記リフタピンの上面と前記座刳り面と前記基板支持面とは順次低く形成されたので、前記座刳り面がリフタピン上面より低くなり、前記基板保持プレート、該基板保持プレートに支持された基板との寸法的な余裕が生じ、前記基板保持プレート、基板が下方に変位した場合にも、前記基板保持プレート、基板とリフタピンとの干渉が避けられるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２４】
先ず、図１、図２により、本発明が実施される基板処理装置の概略を説明する。尚、図１、図２中、図９中で示したものと同一のものには同符号を付してある。
【００２５】
筐体１８の内部には前面に面して左右２組のカセット授受装置１９，１９が設けられ、該カセット授受装置１９に対してバッファユニット２１がそれぞれ設けられ、各バッファユニット２１の上方にロードロックチャンバ２２が設けられている。
【００２６】
２組の該ロードロックチャンバ２２，２２に隣接して真空搬送室２３が気密に設けられ、該真空搬送室２３には２組の処理炉２４，２４が気密に連設されている。
【００２７】
前記カセット授受装置１９は、カセットテーブル２６、昇降機構２７、進退機構２８を具備し、前記カセットテーブル２６にはカセット２５が載置され、前記カセットテーブル２６は前記昇降機構２７によって昇降可能であり、前記進退機構２８によって進退可能となっている。
【００２８】
前記バッファユニット２１はウェーハ保持部２９、回転機構を内蔵するターンテーブル３１、昇降機構３２を具備し、前記ターンテーブル３１は前記昇降機構３２によって前記ウェーハ保持部２９と一体に昇降可能であると共に前記回転機構によって前記ウェーハ保持部２９と一体に回転する様になっている。
【００２９】
該ウェーハ保持部２９は、前記カセット２５に収納されるウェーハ１６と同じ枚数の基板載置プレートを具備し、各基板載置プレートにそれぞれウェーハ１６を載置し得る様になっている。又、前記ウェーハ保持部２９が上昇した位置では、前記ロードロックチャンバ２２に気密に収納される。
【００３０】
前記真空搬送室２３内部には基板搬送装置３５が設けられ、該基板搬送装置３５は例えば２節リンク構造のロボットアーム３６を具備し、該ロボットアーム３６の先端には基板保持プレート１４，１５が設けられている。該基板保持プレート１４，１５は前記ロボットアーム３６の屈伸により直線上を進退可能となっており、又前記ロボットアーム３６は図示しない回転機構によって鉛直軸心を中心に回転可能となっている。
【００３１】
前記処理炉２４の内部には基板を収納し、所要の処理を行う処理室３９が設けられ、該処理室３９には処理中基板が載置されるサセプタ３７が設けられ、該サセプタ３７には基板を授受する為の基板リフト機構３８が設けられている。
【００３２】
前記ロードロックチャンバ２２と前記真空搬送室２３とはゲートバルブ３４を介して連通され、前記ロードロックチャンバ２２と前記処理炉２４とはゲートバルブ４０を介して連通されており、前記基板搬送装置３５は前記基板保持プレート１４，１５を前記ゲートバルブ３４を通してロードロックチャンバ２２内に進入させ、前記基板保持プレート１４，１５により前記ウェーハ保持部２９に保持されたウェーハ１６を取出し、前記基板保持プレート１４，１５を前記ゲートバルブ４０を通して前記処理室３９に進入させ、前記基板リフト機構３８との協働によりウェーハ１６を前記サセプタ３７に載置する。
【００３３】
以下、上記基板処理装置に於けるウェーハ１６の流れについて概略を説明する。
【００３４】
ウェーハ１６が収納された前記カセット２５が、外部搬送手段により搬送され、前記カセットテーブル２６に載置される。前記進退機構２８による前記カセットテーブル２６の進退、前記昇降機構３２の協働により、前記カセット２５内のウェーハ１６が前記ウェーハ保持部２９に移載される。該ウェーハ保持部２９は前記ターンテーブル３１により回転され、姿勢が前記基板搬送装置３５の中心に向う様に修正される。前記昇降機構３２により上昇された前記ウェーハ保持部２９は、ウェーハ１６を保持した状態で前記ロードロックチャンバ２２内に収納され、該ロードロックチャンバ２２は気密に閉塞される。
【００３５】
該ロードロックチャンバ２２と前記真空搬送室２３間に設けられた前記ゲートバルブ３４、前記真空搬送室２３と前記処理室２４間に設けられた前記ゲートバルブ４０が開放され、前記基板搬送装置３５により前記基板保持プレート１４，１５が前記ウェーハ保持部２９に挿入され、保持されたウェーハ１６が２枚ずつ取出され、前記ロボットアーム３６が伸張して前記処理容器４１内に挿入される。
【００３６】
前記基板リフト機構３８によるリフタピン６５（図４参照）の昇降、前記ロボットアーム３６の伸縮の協働により、２枚のウェーハ１６が前記リフタピン６５に移載される。前記ロボットアーム３６が後退し、前記リフタピン６５が降下することで、ウェーハ１６が前記基板載置面１２に載置される。
【００３７】
前記ゲートバルブ４０が閉塞され、前記処理炉２４で所要の処理がなされる。基板処理が完了すると、上記した逆の手順で前記処理室３９から前記ロードロックチャンバ２２へ処理済のウェーハ１６が搬送される。
【００３８】
次に、前記処理炉２４について図３により説明する。尚、図３は、レジストを除去するアッシング装置の処理炉２４を示している。
【００３９】
密閉された容器であり前記処理室３９を画成する前記処理容器４１の上に、例えば石英製で有天筒状のプラズマ発生管４２が同心に立設されている。該プラズマ発生管４２の周囲には、プラズマ発生用のコイル４３が設けられ、該コイル４３は高周波電源４４に接続されている。前記コイル４３は遮蔽体４５に囲繞され、該遮蔽体４５は前記コイル４３に流れる高周波電流が装置の周囲に影響を与えない様にしている。前記コイル４３、前記高周波電源４４はプラズマ発生手段を構成している。
【００４０】
前記プラズマ発生管４２の天板中央部にはガス導入口４６が開設され、該ガス導入口４６にはガス供給管４７が接続され、該ガス供給管４７は流量制御手段４８を介してガス供給手段４９に接続されている。該ガス供給手段４９は、処理ガス（例えば酸素ガスに所定割合のフッ素系ガスを添加した混合ガス）、不活性ガス等のガスを前記ガス供給管４７、前記ガス導入口４６を介して、前記プラズマ発生管４２の内部に供給可能である。
【００４１】
該プラズマ発生管４２の内部には、例えば石英製で円板状の整流板５０が前記プラズマ発生管４２と同心に設けられ、前記整流板５０により内部が仕切られ、前記プラズマ発生管４２の上部にガス溜め部５１が画成され、下部にはプラズマ発生室５２が画成される。
【００４２】
前記整流板５０の直径は前記プラズマ発生管４２の内径よりも僅かに小さく、該プラズマ発生管４２の内周面と前記整流板５０の外周面との間には間隙５３が形成され、該間隙５３を介して前記ガス溜め部５１と前記プラズマ発生室５２とは連通している。
【００４３】
前記プラズマ発生管４２の下端部は開放され、前記プラズマ発生室５２は開口部５４を介して前記処理室３９と連通している。
【００４４】
該処理室３９には、基板載置台（サセプタ）１が前記プラズマ発生管４２と同心に設置されている。前記サセプタ１の上面にはウェーハ１６を前記サセプタ１と同心に載置可能である。該サセプタ１は図示しない加熱手段を具備し、該加熱手段は載置されたウェーハ１６を所望の処理温度に加熱可能である。
【００４５】
前記サセプタ１の周囲には円環状の空間が形成され、該空間はガス排気部５８となっており、該ガス排気部５８には前記サセプタ１の外周面と前記処理容器４１の内周面とに掛渡って例えばステンレス鋼製の排気抵抗板５９が設けられ、該排気抵抗板５９には通気孔６０が所要数穿設されている。前記排気抵抗板５９は、前記通気孔６０の数と内径によって排気抵抗を調整可能である。
【００４６】
前記ガス排気部５８は、前記排気抵抗板５９を介して排気管６１に接続され、該排気管６１は例えば真空ポンプ等の排気手段６２に接続され、該排気手段６２は前記処理室３９のガスを前記排気抵抗板５９、前記排気管６１を介して強制的に排気可能である。又前記排気手段６２は排気流量を調整することによって、前記処理室３９及び前記プラズマ発生室５２の圧力を所定の圧力値に調整可能である。
【００４７】
前記高周波電源４４、前記流量制御手段４８、前記排気手段６２は、制御部６３に接続され、該制御部６３は前記高周波電源４４を制御し、該高周波電源４４は前記コイル４３に高周波電流を所望のタイミングで供給可能であり、又前記制御部６３は前記流量制御手段４８を制御し、該流量制御手段４８は前記ガス供給管４７を流れるガスの流量を所望の流量に調整可能であり、又前記制御部６３は前記排気手段６２を制御し、該排気手段６２は排気流量を所望の流量に調整可能である。
【００４８】
尚、前記処理容器４１の所要箇所には図示しない基板搬入搬出口が開設され、該基板搬入搬出口にはゲートバルブが設置され、該ゲートバルブは前記基板搬入搬出口を気密に閉塞可能であると共に開放可能であり、該基板搬入搬出口を介してウェーハ１６を前記処理室３９に搬入、搬出可能である。
【００４９】
又、前記プラズマ発生管４２の内径の一例として、８インチのウェーハ１６を処理するアッシング装置の場合、２００ｍｍ〜２３０ｍｍが好ましい。又混合ガスの一例として、酸素にフレオン（フッ素系ガス）を２％添加したものが使用される。
【００５０】
次に、上記したアッシング装置によるアッシングについて説明する。
【００５１】
前記サセプタ１上にはウェーハ１６が載置され、ウェーハ１６は前記加熱手段（図示せず）によって所定の処理温度に加熱されている。又、ウェーハ１６の表面には、前工程であるエッチング処理で使用したレジストが付着している。
【００５２】
前記制御部６３が前記流量制御手段４８を制御することでガスの流量を制御し、前記ガス供給管４７及び前記ガス導入口４６を介して、酸素ガスにフッ素系ガスを添加した混合ガスである処理ガスが前記ガス溜め部５１に供給される。処理ガスは、前記間隙５３を通り、前記プラズマ発生管４２の内周面に沿う様に降下し、前記プラズマ発生室５２に供給される。
【００５３】
前記コイル４３に前記高周波電源４４より高周波電流が供給され、処理ガス中に放電が起こり、ラジカル状態の酸素（ラジカル酸素）等が生成され、プラズマ領域５５が形成される。
【００５４】
ラジカル酸素を含む処理ガスは、前記プラズマ発生室５２を降下し、前記処理室３９へ供給され、前記ガス排気部５８、前記排気管６１を介して、前記排気手段６２によって排気ガスとして排気される。該ガス排気手段６２が排気ガスを所定の流量で排気すると共に、前記排気抵抗板５９によって排気抵抗が調整されることによって、前記プラズマ発生室５２及び前記処理室３９の圧力は所定の処理圧に調整される。尚、図中矢印は上記のガスの流れを示す。
【００５５】
処理ガス中のラジカル酸素がウェーハ１６に接触し、ラジカル酸素によってウェーハ１６上のレジストが酸化され、レジストは二酸化炭素、水等となり、ウェーハ１６上から除去され、排気ガスと共に前記処理室３９より排気される。
【００５６】
尚、上述したアッシングに於ける処理室温度、ガス流量、処理室圧力の一例としては、処理室温度２５０℃、ガス流量は常温常圧状態で１Ｌ／ｍｉｎ以上、好ましくは３Ｌ／ｍｉｎ〜５Ｌ／ｍｉｎ、処理室圧力は１３．３Ｐａ〜１３３Ｐａである。
【００５７】
次に、図４〜図５を参照して前記サセプタ１に設けられる前記基板リフト機構３８について説明する。尚、図９中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【００５８】
該基板リフト機構３８は、前記基板搬送装置３５と前記サセプタ３７間でウェーハ１６を授受する為の補助機能を有し（図２参照）、前記基板保持プレート１４，１５から前記サセプタ３７へのウェーハ１６の移載は、前記基板搬送機構３５と前記基板リフト機構３８との協働で行われる。
【００５９】
前記サセプタ３７の周辺部の３箇所には上下方向に通孔３が穿設され、該通孔３にはそれぞれロッド４が遊貫され、該ロッド４は図示しない昇降手段によって昇降可能となっている。
【００６０】
該ロッド４の上端にセラミック製のリフタピン６５がボルト６により固着され、該リフタピン６５は前記ロッド４に対して着脱可能となっている。又、前記ボルト６の頭は前記リフタピン６５の上面７０より突出しない様になっている。
【００６１】
尚、前記リフタピン６５と前記ロッド４に対する取付け形状は図９で示したリフタピン５と同一となっており、従来のリフタピン５と前記リフタピン６５とは互換性を有している。
【００６２】
該リフタピン６５は、図４〜図６に示されている様に、前記ボルト６が貫通する円筒状のボス部６６と該ボス部６６から前記サセプタ３７の中心方向に片持梁状に延出する舌片６７を有し、立断面は略逆Ｌ字形状になっている。
【００６３】
前記舌片６７の先端側の略半分は薄肉のウェーハ支持部となっており、ウェーハ支持部の上面がウェーハ支持面６８となっている。前記舌片６７の基部には座刳り面６９が形成され、該座刳り面６９は前記リフタピン６５の前記上面７０よりｄ１だけ低くなっており、前記ウェーハ支持面６８は前記座刳り面６９よりｄ２だけ更に低くなっている。
【００６４】
前記ウェーハ支持面６８と前記座刳り面６９とはテーパ面７１で連続され、前記座刳り面６９と前記上面７０とはテーパ面７２によって連続されている。
【００６５】
ここで、ｄ１は、経時的な精度の低下が有った場合にも、上段の前記基板保持プレート１４に保持されたウェーハ１６の縁部が前記座刳り面６９に干渉しない値とし、ｄ２は前記ウェーハ支持面６８に載置されたウェーハ１６の周端面に当接して位置決め機能を発揮する値より大きく、例えばウェーハ１６が横ずれして前記座刳り面６９に乗上げない値とする。
【００６６】
図４〜図８により、前記基板搬送装置３５と前記サセプタ３７との間でのウェーハ１６の移載について説明する。
【００６７】
前記基板搬送装置３５が、前記基板保持プレート１４，１５にそれぞれウェーハ１６を保持した状態で、前記サセプタ３７にウェーハ１６を移載する場合を説明する。
【００６８】
図８に於いて、下段の前記基板保持プレート１４の支持されたウェーハ１６を移載する場合を説明する。
【００６９】
前記リフタピン６５が降下した状態で、前記基板保持プレート１４，１５が進入し、ウェーハ１６の周縁部と前記リフタピン６５とがオーバラップする位置で前記基板保持プレート１４，１５が停止する。前記リフタピン６５が上昇され、ウェーハ１６の周縁部が前記ウェーハ支持面６８に載置し、前記リフタピン６５によって下段のウェーハ１６L が持上げられる。
【００７０】
前記リフタピン６５の上昇によって該リフタピン６５と上段のウェーハ１６U との間隔が狭まる。この間隔は、前記基板搬送装置３５の精度の経時的な低下、例えば前記ロボットアーム３６の回転部分の軸受の摩耗等によりガタが生じる等、精度が低下し、前記基板保持プレート１５がガタ分だけ傾き、前記ウェーハ１６U の先端部が下方に変位することで経時的に減少する。
【００７１】
前記座刳り面６９は前記上面７０に対してｄ１だけ低くなっており、ウェーハ１６と前記座刳り面６９、前記テーパ面７１との当接が避けられる。
【００７２】
前記基板保持プレート１４，１５が後退し、次に前記リフタピン６５が降下することで下段の前記ウェーハ１６L が基板載置面１２に載置される。尚、前記リフタピン６５はリフタピン収納部１３に収納される。
【００７３】
上段の前記基板保持プレート１５に支持されたウェーハ１６U を前記サセプタ３７に移載する場合は、前記リフタピン６５は前記基板保持プレート１４と前記基板保持プレート１５の間で下段のウェーハ１６L と干渉しない位置迄上昇される。
【００７４】
前記基板保持プレート１４，１５が進入し、前記リフタピン６５が前記基板保持プレート１４と前記基板保持プレート１５との間に位置する状態で該基板保持プレート１４，１５が停止する。
【００７５】
この場合も、前記座刳り面６９が形成されているので、前記ウェーハ１６U の先端が下方に変位し、前記上面７０より下方に位置したとしても、前記ウェーハ１６U は前記テーパ面７１、前記上面７０に干渉することなく、前記ウェーハ１６U の破損が避けられる。
【００７６】
前記リフタピン６５が上昇することで、前記ウェーハ１６U が前記リフタピン６５に移載され、前記基板保持プレート１４，１５が後退した後、前記リフタピン６５が下降すると前記ウェーハ１６U は前記サセプタ３７に移載される。尚、前記リフタピン６５は前記リフタピン収納部１３に収納される。
【００７７】
而して、前記座刳り面６９を前記上面７０からｄ１だけ低く形成することで、経時的な精度の劣化によるウェーハ１６先端の下への変位を許容することができ、ウェーハ１６の先端の位置を検出するセンサ等を用いて、変位量異常を検出することができる様になる。従って、変位量異常が有った場合の予防措置を講じることが可能となり、破損事故を未然に防止できる。
【００７８】
尚、上記した実施例に於いてはプラズマ装置の一例として、アッシング装置について説明したが、本発明はプラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、拡散装置等、基板に所定の処理を行う他の枚葉式基板処理装置にも実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略を示す斜視図である。
【図２】該基板処理装置に於ける処理炉と基板搬送装置との関係を示す概略図である。
【図３】該処理炉の概略断面図である。
【図４】本発明で使用される基板リフト機構の要部説明図である。
【図５】該基板リフト機構で使用されるリフタピンの平面図である。
【図６】該リフタピンの側断面図である。
【図７】本実施の形態に於けるリフタピンと基板保持プレート、ウェーハの関係を示す説明図である。
【図８】本実施の形態に於けるリフタピンと基板保持プレート、ウェーハの関係を示す説明図である。
【図９】従来の基板リフト機構の要部説明図である。
【符号の説明】
【００８０】
４              ロッド
１２            基板載置面
１４            基板保持プレート
１５            基板保持プレート
２４            処理炉
３５            基板搬送装置
３７            サセプタ
３８            基板リフト機構
３９            処理室
６５            リフタピン
６８            ウェーハ支持面
６９            座刳り面
７０            上面
【図１】
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【図２】
2008084902.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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