(57)【要約】【課題】表示ムラの無い湾曲した表示面を構成可能な表示装置を実現する。【解決手段】アレイ基板と対向基板とを貼り合わせ後に、ガラス基板１、２１の各内部に水素イオン３１をイオン注入する。加速電圧３ＭＶ、注入量１．０×１０15／ｃｍ2の条件でイオン注入を行った。水素イオン注入により、ガラス基板１、２１内の約深さ７３μmから約７８μmまでの間の領域にのみ、ダメージ層３２が形成される。次に、弗化水素酸（ＨＦ）等の溶液によりエッチングしてガラス基板１、２１を薄膜化する。その際、エッチング時間を、ガラス基板１、２１の厚みを７５μmエッチングする様に調整する。これにより、ガラス基板１、２１は、その表面から最大深さ７８μmの深さまでエッチングされる。水素イオン注入工程とウエットエッチング工程とを、ガラス基板１、２１が共に所望の膜厚を有する状態になるまで、数回繰り返して行う。【選択図】図６
2008309818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール材を介して貼り合わされた第１及び第２透明絶縁性基板の対向面間に光学物質が封入される表示装置の製造方法であって、
貼り合わされた前記第１及び第２透明絶縁性基板の各々の表面の内側領域に、当該領域内の原子結合が破壊された状態にあるダメージ層を、イオン注入法、イオンドーピング法又はプラズマ法の何れかによって形成する工程と、
前記第１及び第２透明絶縁性基板の各々の前記ダメージ層の全体を、ウエットエッチング法、機械研磨法又はＣＭＰ法の何れかによって除去する工程と、
前記第１及び第２透明絶縁性基板の各部分の対向面間に前記光学物質を封入する工程とを備えたことを特徴とする、
表示装置の製造方法。
【請求項２】
第１及び第２透明絶縁性基板の対向面間に光学物質が封入される表示装置の製造方法であって、
前記第１及び第２透明絶縁性基板の各々の内部領域に、当該領域内の原子結合が破壊された状態にあるダメージ層を、イオン注入法、又はイオンドーピング法の何れかによって形成する工程と、
それぞれ前記ダメージ層が形成された後の第１及び第２透明絶縁性基板の対向面を、シール材を介して、貼り合わせる工程と、
貼り合わされた後の前記第１及び第２透明絶縁性基板の各々の内で前記ダメージ層から外側の領域を、前記ダメージ層から剥離する工程と、
前記第１及び第２透明絶縁性基板の各部分の対向面間に前記光学物質を封入する工程とを備えたことを特徴とする、
表示装置の製造方法。
【請求項３】
シール材を介して貼り合わされた第１及び第２透明絶縁性基板の対向面間に光学物質が封入された表示装置であって、
前記第１及び第２透明絶縁性基板の各々の厚みは０．２ｍｍ以下であり、且つ、その膜厚のバラツキは５％以内にあることを特徴とする、
表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、主として、湾曲した状態での表示が可能なフレキシブル表示装置の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に代表される平面表示装置は、軽量、薄型、低消費電力の特徴を生かして各種分野で利用されている。中でも液晶表示装置は、パーソナル・コンピュータに代表される携帯情報機器に多用されている。又、近年では、液晶表示装置はＴＶ用途としても広く用いられ、従来のブラウン管に取って代わろうとしている。更に、液晶表示装置で問題となる視野角及びコントラストの制限や、動画対応の高速応答への追従が困難といった問題点をクリアした自発光型であり、広視野角、高コントラスト、高速応答等、ＬＣＤにはない特徴を活かしたＥＬ素子の様な発光体を画素表示部に用いた電界発光（ＥＬ）型表示装置も、次世代の薄型パネル用デバイスとして用いられる様になって来ている。
【０００３】
近年、この様な表示装置には、軽量化のために、薄型化が要求されている。しかも、曲面でも表示可能な様により一層の薄型化が、要求されている。この様な要求を満足させるべく、薄型のガラス基板を用いることも考えられるが、０．５ｍｍ 未満のガラス基板を用いて製造することは、その自重による基板の撓み等の問題から、搬送等が困難となり、製造歩留りを低減させる原因となる。しかも、製造工程中に、若干の衝撃に対しても端部の割れ、欠け等の発生に留まらず、ガラス基板全体が破損する事態が生じやすい。ガラス基板に代えてプラスチック製のフィルムを用いることも考えられるが、プラスチックフィルム基板は、耐熱温度が２００ ℃ であり、成膜温度等の制約を受けるため、プラスチック製のフィルムを用いることは実用的ではない。
【０００４】
そこで、液晶表示装置を構成するガラス基板の外面をエッチングして、その厚さを薄くする製造方法が提案されている（ 例えば、特許文献１参照。）。この製造方法によれば、エッチングにより、ガラス基板の厚さが０．１５ｍｍ以下となる様に、ガラス基板は薄く形成されており、２００ｍｍ以下の曲率半径で湾曲させることが可能となっている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−４６１１５号公報
【特許文献２】特開平１１−２８４１９５号公報
【特許文献３】特開２００５−３０７３４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この様なエッチング方法で薄膜化されたガラス基板を有する表示装置では、エッチング量の制御が時間でしか行えないため、エッチング後のガラス基板の膜厚の精度が不十分であった。この膜厚の不均一性のため、表示装置を湾曲させた場合に、薄いところに応力が集中して、破損し易くなると言う問題点があった。仮に破損しない場合であっても、ガラス基板の膜厚の不均一性のために、表示装置を湾曲させた場合、その曲率が場所によって異なってしまい、表示にムラが出ると言う問題点が生じる場合があった。
【０００７】
又、特許文献１には、エッチングの代わりに、機械研磨若しくは化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を行うことも提案されているが、均質なガラス基板を研磨して薄くする以上、上記で述べたものと同じ問題点が生ずることは避けられない。
【０００８】
本発明は以上の様な問題点を解決するために成されたものであり、その主目的は、薄型で膜厚が均一な透明絶縁性基板を実現して、表示ムラの無い湾曲した表示面を構成可能な表示装置の製造技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の主題は、シール材を介して貼り合わされた第１及び第２透明絶縁性基板の対向面間に光学物質が封入される表示装置の製造方法であって、貼り合わされた前記第１及び第２透明絶縁性基板の各々の表面の内側領域に、当該領域内の原子結合が破壊された状態にあるダメージ層を、イオン注入法、イオンドーピング法又はプラズマ法の何れかによって形成する工程と、前記第１及び第２透明絶縁性基板の各々の前記ダメージ層の全体を、ウエットエッチング法、機械研磨法又はＣＭＰ法の何れかによって除去する工程と、前記第１及び第２透明絶縁性基板の各部分の対向面間に前記光学物質を封入する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
以下、この発明の主題の様々な具体化を、添付図面を基に、その効果・利点と共に、詳述する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の主題によれば、第１及び第２透明絶縁性基板の各々の表面の内側領域に、深さ方向に高精度でダメージ層を形成することが出来、しかも、斯かるダメージ層のエッチングレートはダメージ層の無い透明絶縁性基板のエッチングレートよりも小さいため、ダメージ層の全体を、ウエットエッチング法、機械研磨法又はＣＭＰ法の何れかによって除去する工程の終了後に、均一な膜厚を有する第１及び第２透明絶縁性基板を形成することが出来る。これにより、表示装置を湾曲させた場合の曲率が表示面内で一定になり、表示ムラの無い均一な表示特性を有する表示装置を製造することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（実施の形態１）
図１乃至図１１は、この発明の本実施の形態に係る表示装置の製造方法例を示す縦断面図である。
【００１３】
先ず、図１は、ガラス基板（透明絶縁性基板に該当。）１上に、非晶質シリコン薄膜トランジスタ(以下「ａ−Ｓｉ  ＴＦＴ」と言う。)を作製した後の構造を示す縦断面図である。ａ−Ｓｉ  ＴＦＴは、ガラス基板１、ゲート電極２、ガラス基板１の表面上に全面的に形成されたゲート絶縁膜３、ノンドープ非晶質シリコン層４、Ｎ型非晶質シリコン層５、ソース／ドレイン電極６、層間絶縁膜７、及びＩＴＯ電極８から構成されている。ここで、ガラス基板１の厚みは、０．５ｍｍである。尚、ガラス基板１から非晶質シリコン層４、５に不純物が拡散しない様に、ガラス基板１とゲート電極２との間に、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）又は酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）或いはこれらの複合膜を設けても良い。以下では、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴを含めたガラス基板を、「アレイ基板１０」と称する。ａ−Ｓｉ  ＴＦＴの詳細な製造方法は公知であり（例えば特許文献２参照。）、その様な公知の方法を使用して、図１のａ−Ｓｉ  ＴＦＴは形成される。尚、ガラス基板１の代わりに、同じく透明絶縁性基板である石英基板を使用しても良いし、又、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴの代わりに、ポリシリコンＴＦＴを使用しても良い。
【００１４】
その後、図２に示す様に、アレイ基板１０の内で、表示領域（画素の部分）上に、配向膜１１を貼り付ける。配向膜１１は、例えばポリイミドから成る。そして、この配向膜１１に液晶を配向させる力を与えるために、ラビング処理を施した後、図３に示す様に、各表示領域を囲む様に、シール材１２を、枠状に、ガラス基板１のゲート絶縁膜上に、塗布・形成する。シール材１２としては、熱硬化型や光（ＵＶ）硬化型等の種々の接着剤を用いることが出来るが、ここでは、例えばエポキシ系接着剤を用いてディスペンサによりシール材１２を描画する。図示してはいないが、後工程で液晶を注入するために、液晶注入口の場所には、シール材１２は設けられてはいない。
【００１５】
次に、図４に示す様に、液晶層の厚さを規定するためのスペーサ１３を配向膜１１上に散布する。スペーサ１３は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）から成り、黒色の球体であり、その直径は５μmである。
【００１６】
他方、図５に示す様に、対向電極（図示せず）が全面的に設けられたガラス基板２１の対向面上に、表示領域毎に、カラーフィルタ２２、２３、２４を形成する。対向電極は、例えばＩＴＯで形成されている。カラーフィルタ２２〜２４は、例えばアクリル樹脂から成る。以下では、ガラス基板２１、対向電極、及びカラーフィルタ２２〜２４により構成される部分を、「対向基板２０」と称する。ガラス基板２１の厚みは、ガラス基板１と同じく、０．５ｍｍである。
【００１７】
続いて、図５に示す様に、アレイ基板１０と対向基板２０とを位置合わせした後に、シール材１２を介在させて貼り合わせる。即ち、所定圧力で加圧し、更にシール材１２を加熱硬化させて、対向基板２０に於けるガラス基板２１の対向面をシール材１２に接着する。
【００１８】
以上の通りにアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後に、図６に示す様に、ガラス基板１及び２１の各々の内部（表面の内側領域）に水素イオン３１をイオン注入する。イオン注入は片面毎に行う。本実施の形態の一例では、水素イオン３１のイオン注入を、加速電圧３ＭＶ、注入量１．０×１０15／ｃｍ2の条件で行った。水素イオン３１のイオン注入により、ガラス基板１及び２１内に、ガラス基板内の原子結合（Ｓｉ−Ｏ）が破壊された状態に該当するダメージ層３２が形成される。このダメージ層３２は、水素イオンが注入された領域であり、イオン注入の加速電圧が３ＭＶの下では、図１７に示す様に水素イオンの射影飛程は７５μmであり且つそのバラツキは２．４３μmであるため、各ガラス基板１及び２１の表面（対向面とは反対側の面）から約深さ７３μmから約７８μmまでの間の内部領域にのみ、ダメージ層３２が形成される。
【００１９】
引き続いて、図７に示す様に、貼り合わされた、ダメージ層３２をその内部に有するガラス基板１及び２１を、弗化水素酸（ＨＦ）又はバッファード弗化水素酸（ＢＨＦ：ＨＦ+ＮＨ４Ｆ）の溶液によりウエットエッチングして薄膜化する。図７のウエットエッチング工程に於いては、弗化水素酸又はバッファード弗化水素酸の濃度及びエッチング時間を、従来通りに、ガラス基板１及び２１の厚みを７５μmエッチングする様に調整する。この場合、ダメージ層３２のエッチングレートはダメージ層３２の無いガラス基板の領域よりも大きいため、ウエットエッチング終了後には、ダメージ層３２の全てが確実に除去されて、図７に示す様に、ガラス基板１及び２１は、その表面から最大深さ７８μmの深さまでエッチングされる。
【００２０】
そして、上記の水素イオン注入工程とウエットエッチング工程とを、ガラス基板１及び２１が共に所望の膜厚を有する状態になるまで、数回繰り返して行う。本実施の形態の一例に於いては、水素イオン注入工程とウエットエッチング工程とを合計５回行い、ガラス基板１及び２１の残膜厚を０．１１ｍｍとした。上記の水素イオン注入工程とウエットエッチング工程とを複数回繰り返して終了した後のパネルの縦断面図を、図８に示す。
【００２１】
その後は、通常の方法により、パネル作成を行う。尚、以下に示す図９〜図１１の各工程は、後述する実施の形態２及び３に於いても、援用される。
【００２２】
先ず、図９に示す様に、ガラス基板１及び２１にダイヤモンドカッターで切り込みを入れることにより、ガラス基板１及び２１の切断を行う。その際、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）に接続される端子が存在するガラス基板１の端部に於ける辺が、ガラス基板２１の端部の辺よりも外側に食み出す様に、ガラス基板２１はガラス基板１よりも内側で切断する。これにより、図９に示すパネル５０が作成される。
【００２３】
次に、真空容器中に切断したパネル５０と液晶とを入れて真空容器内を真空状態にした後に、基板の液晶注入口（図示せず。）を液晶につける。真空容器を大気圧に戻すことにより、液晶４１が液晶注入口（図示せず。）から注入される。最終的に、ガラス基板１及び２１の対向面間に液晶４１（光学物質に該当。）が注入ないしは封入された状態を、図１０に示す。液晶４１としては、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｉｃ  Ｎｅｍａｔｉｃ）が使用される。液晶４１の注入後に上記液晶注入口を塞ぐ。注入口封止剤には、通常、紫外線硬化型の接着剤を使用する。
【００２４】
最後に、図１１に示す様に、パネル５０の両面（ガラス基板１及び２１の各表面）上に偏光板４２を貼り付ける。偏光板４２には、例えば高分子フィルムにヨウ素が吸着された膜を用いる。これにより、パネル５０が完成される。
【００２５】
その後、パネル５０を所定の曲率で湾曲させ、バックライト、ＡＣＦ、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）、及びＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）等を実装して、表示装置が完成される。
【００２６】
ここで、本実施の形態に於いては、水素イオン注入工程により、ガラス基板１及び２１の各表面内側領域にダメージ層３２を形成している。水素イオン注入工程は、非常に精度の高い工程である。既述の通り、加速電圧３ＭＶの水素イオンのガラス基板への注入の射影飛程（Ｒｐ：注入ピークの深さ）は７５μmであり、そのバラツキ（ΔＲｐ）は２．４３μmしかない（図１７参照）。従って、ダメージ層３２の深さのバラツキは３．２％となり、高精度である。このため、従来の方法、即ち、水素イオンの注入無しでガラス基板をウエットエッチングする場合には、ウエットエッチング後のガラス基板の膜厚のバラツキは１０％前後存在したのに対して、本実施の形態では、図８のガラス基板１及び２１の膜厚のバラツキを４％（実測値）に抑えることが可能となり、薄型で且つ均一な膜厚を有するガラス基板１及び２１を実現することが出来た。本実施の形態ではイオン注入法を使用したが、イオンドーピング法であっても同一の均一性が得られる。イオンドーピング法に於いては、注入イオンを質量分析していないために、Ｈ+イオンの他に、Ｈ2+イオンやＨ2+イオンが注入される。たとえＨ2+イオンやＨ2+イオンが注入されても、加速電圧は一定のため、これらＨ2+イオンやＨ2+イオンはそれぞれ同じ深さに均一性良く注入される。このため、エッチング後のガラス基板の膜厚のバラツキはイオン注入法と変わらない膜厚の均一性の良いガラス基板を実現することが出来る。
【００２７】
尚、本実施の形態では、水素イオンの加速電圧には３ＭＶを使用したが、膜厚の均一性が良好な条件は水素イオンの加速電圧３ＭＶに限られる訳ではない。図１７に色々な加速電圧に於ける、射影飛程及びそのバラツキΔＲｐを示す。加速電圧が２００ｋＶから３ＭＶまででは、深さのバラツキは約４％以下であり、エッチング後の膜厚のバラツキは５％以下となった。所望の膜厚のガラス基板を得るために、この範囲内での加速電圧を選べば、膜厚のバラツキが５％以下の均一な薄型ガラス基板を得ることが出来る。更に、複数回行われる水素イオン注入工程とウエットエッチング工程の内で、各水素イオン注入工程に於いて、上記の範囲（２００ｋＶ〜３ＭＶ）内で異なった水素イオンの加速電圧を選択して組み合わせて複数回の水素イオン注入工程を行っても良いことは言うまでもない。
【００２８】
又、本実施の形態では、ガラス基板を薄くしてから液晶を注入したが、ガラス基板を薄くする前、即ち、図４で、液晶を滴下注入し、その後に対向基板を貼り合せてからガラス基板を薄くしても良い。尚、この場合には、シール材に液晶注入口を設ける必要性は無い。
【００２９】
（実施の形態２）
図１２及び図１３は、この発明の本実施の形態における表示装置の製造方法の核心部を示す縦断面図である。尚、図１〜図５は、本実施の形態に於いて援用される。
【００３０】
先ず、実施の形態１（図５）と同一の方法で、アレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。
【００３１】
次に、両ガラス基板１及び２１が貼り合わされたパネルをＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ処理装置に入れ、水素ガスを導入する。圧力を０．１Ｐａに保って、高周波（２．４５ＧＨｚ）のバイアス電圧８００ｋＶを印加して、ＥＣＲプラズマ処理装置内に水素プラズマを発生させる。バイアス電圧の印加時間は２μ秒、１０ｋＨｚのパルスを印加する。処理時間は１０分とした。
【００３２】
先ず、最初にパネルの片面を、即ち、対向基板２０を上向きに設置して、ガラス基板２１の表面（アレイ基板１０のガラス基板１と対向する対向面とは反対側の面に該当。）を水素プラズマに晒す処理を行い、その後、反対側のアレイ基板１０を上向きに設置して同一の処理を行った。この処理により、ガラス基板１及び２１の各々の表面及びその下方領域（表面の内側領域に該当。）に、水素プラズマによるダメージ層３３が形成される。このダメージ層３３の厚さは１０μmであった。特に、水素イオン注入の場合と比較して、プラズマ処理の場合には、ダメージ層３３は、各ガラス基板１及び２１の表面から深さ１０μmまでの領域内に均一に形成されている。これは、水素プラズマ（水素イオン）がバイアス電圧によって加速されてガラス基板１及び２１中に入る際に、斜め方向から入射する成分もガラス基板１及び２１中に入る水素イオンに含まれているからである。尚、ＥＣＲプラズマ処理装置の詳細は、例えば特許文献３に述べられている。
【００３３】
その後、各ガラス基板１及び２１の表面内及び当該表面よりも内部の領域に連続的に形成されたダメージ層３３を、弗化水素酸（ＨＦ）の溶液によりウエットエッチングして薄膜化する。弗化水素酸の濃度及びエッチング時間は、ガラス基板１及び２１の各々を１０μmエッチングする様に、調整する。この場合、既述した通り、ダメージ層３３のエッチングレートはダメージ層の無いガラスよりも大きいため、ウエットエッチング工程の終了後には、図１３に示す様に、ガラス基板１及び２１の各々は、その表面から深さ１０μmの所まで均一にエッチングされる。
【００３４】
その後は、上記の水素プラズマ処理工程とウエットエッチング工程とを、ガラス基板１及び２１が所望の膜厚になるまで複数回繰り返して行う。本実施の形態の一例に於いては、水素プラズマ処理工程とウエットエッチング工程を合計３０回行い、ガラス基板１及び２１の各々の残膜厚が０．２０ｍｍとなるまで、ガラス基板１及び２１を薄型化した。水素プラズマ処理工程とウエットエッチング工程とを所望の回数繰り返して行って終了した後のパネルの縦断面図は、図８と同様である。
【００３５】
以上に記載した本実施の形態に係る水素プラズマ処理工程とウエットエッチング工程とを所望の回数繰り返して行った結果、残存するガラス基板１及び２１の各々の膜厚のバラツキが５％（実測結果）である、均一な膜厚を有するガラス基板１及び２１を備えたパネルを製造することが可能となった。
【００３６】
（実施の形態３）
図１４、図１５及び図１６は、この発明の本実施の形態に係る表示装置の製造方法を示す縦断面図である。
【００３７】
本実施の形態では、アレイ基板１０を作成する前に、ガラス基板１に表面側から水素イオン３１をイオン注入する。ここで、「表面」とは、ガラス基板１に於いて、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴを作成する面である。水素イオン３１のイオン注入は、加速電圧３ＭＶ、注入量１．０×１０18／ｃｍ2の条件下で行った。水素イオン３１のイオン注入により、ガラス基板１の内部領域に、ダメージ層３４が形成される。ダメージ層３４は、水素イオン３１が注入された結果、当該層３４内の原子結合が破壊された状態にある領域であり、その表面から深さ約７３μmから約７８μmの間にのみ形成される（図１７に示す射影飛程とそのバラツキの結果を参照。）。
【００３８】
水素イオン３１の注入は、対向基板２０を形成する前のガラス基板２１（図５）に対しても、同様に行われる。その結果、ガラス基板２１の表面から深さ約７３μmから約７８μmまでの範囲内の内部領域にのみ、当該領域の原子結合が破壊された状態にあるダメージ層３４が、形成される。
【００３９】
その後は、実施の形態１と同一のプロセスで、アレイ基板１０（図１）、対向基板２０（図５）を形成し、アレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。両基板１０、２０を貼り合わせた後のパネルの縦断面図を、図１５に示す。
【００４０】
続いて、図１６に示す様に、ガラス基板１及び２１の各々の内でダメージ層３４よりも外側の部分１ＯＲ、２１ＯＲを、ダメージ層３４の剥離工程により除去する。
【００４１】
ダメージ層３４の剥離方法としては、例えば、貼り合わせた各ガラス基板１及び２１の露出表面１ＥＳ、２１ＥＳに粘着性のテープ（図示せず。）を貼り付けて、各ガラス基板１及び２１の一方の辺１Ｅ、２１Ｅから外側に力を印加することで、ダメージ層３４を含む外側の部分１ＯＲ、２１ＯＲの剥離を行った。
【００４２】
その他の剥離方法例としては、ガラス基板１及び２１の露出表面１ＥＳ、２１ＥＳの全面に接着剤を設けて、この接着剤により、各露出表面１ＥＳ、２１ＥＳ上に、上下に可動する金属板（図示せず。）を貼り付け、当該金属板に対して上下に分離させる力を加えることで、ダメージ層３４を含む外側の部分１ＯＲ、２１ＯＲの剥離を行っても良い。
【００４３】
水素イオン３１が注入されたダメージ層３４は、多量の水素イオンの存在のために、ＳｉＯ２のＳｉ−Ｏ結合が破壊され、いわゆる水素脆性の状態になっている。このために、水素イオン３１を注入した領域３４から簡単に外側の部分１ＯＲ、２１ＯＲを剥離させることが出来る。
【００４４】
ダメージ層３４から外側のガラス基板１及び２１の部分１ＯＲ、２１ＯＲの剥離後、残存するガラス基板１及び２１の露出表面には若干の凹凸が残っているために、当該表面を薄い弗化水素酸でエッチングして当該表面を平滑化する。ここでは、５０：１に希釈されたバッファード弗化水素酸（ＢＨＦ）で、３０秒間、ウエットエッチングを行った。
【００４５】
その後は、実施の形態１と同じ方法により、切断（図９）、液晶の注入（図１０）、及び偏光板の貼り付け（図１１）の各工程を行って、パネルが形成される。
【００４６】
本実施の形態の方法によれば、各ガラス基板１及び２１について１回のイオン注入工程及び貼り合せ後の１回の剥離工程によって、剥離後に残存するガラス基板１及び２１の膜厚が平均値で７５μm（０．０７５ｍｍ）という非常に薄い表示装置を得ることが出来る。しかも、イオン注入工程は精度の高いプロセスであるために、剥離後のガラス基板１及び２１の膜厚の均一性も優れている。本実施の形態では、膜厚のバラツキが３．２％（実測値）と言う、実施の形態１及び２の場合よりも一層均一な膜厚を有するガラス基板１及び２１を備えるパネルが得られている。
【００４７】
尚、剥離後のガラス基板１及び２１の膜厚は７５μmに限られるものではなく、図１７で明らかな様に、例えば水素イオン３１の加速電圧を８００ｋＶから３ＭＶまでの範囲内で任意に選択することにより、ガラス基板１及び２１の膜厚が１０μmから７５μmまでの範囲内にあるパネルを自由に作製することが出来る。
【００４８】
（変形例）
実施の形態１又は２では、ウエットエッチング法により、ダメージ層を除去する方法を記載したが、ダメージ層はその領域内の原子結合が破壊されてダメージ層の無いガラス領域よりも極めて脆い状態にある層であるため、ウエットエッチング法に代えて、機械研磨法又はＣＭＰ法によりダメージ層を除去することとしても、同様の作用効果が得られる。
【００４９】
又、本発明の各実施の形態１〜３に記載した製造方法を電界発光（ＥＬ）型表示装置にも適用可能である。その場合には、光学物質は、液晶に代えて、ＥＬ材料となる。
【００５０】
（付記）
以上、本発明の実施の形態を詳細に開示し記述したが、以上の記述は本発明の適用可能な局面を例示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、記述した局面に対する様々な修正や変形例を、この発明の範囲から逸脱することの無い範囲内で考えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、例えば、液晶ディスプレイパネル又はＥＬディスプレイパネルの製造に適用して好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法を模式的に示す縦断面図である。
【図１７】加速電圧と射影飛程との関係を表す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  ガラス基板、１０  アレイ基板、１１  配向膜、１２  シール材、１３  スペーサ、  ２０  対向基板、２１  ガラス基板、２２、２３、２４  カラーフィルタ、３１  水素イオン、３２、３３、３４  ダメージ層、４１  液晶、４２  偏光板、５０  パネル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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