(57)【要約】【課題】一対のマザー基板を切断して複数の電気光学装置を製造する際、一対のマザー基板を、平滑性の高い切断面を有するように切断する。【解決手段】電気光学装置の製造方法は、一対のマザー基板（Ｓ１、Ｓ２）をパネル形成領域（８１０）毎に切断して、一対の基板（１０、２０）を備えた電気光学装置を製造する。更に、一方のマザー基板（Ｓ２）における他方のマザー基板（Ｓ１）に対向する面とは反対側の面に、パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線（Ｌ２）に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝（５１０）を形成する工程と、一方のマザー基板を他方のマザー基板に対向する面側から押圧することによりスクライブ溝を起点とするクラック（５２０）を形成する工程と、このクラックを形成する工程の後、ハーフダイシングを施すことによりダイシング溝（５３０）を形成する工程とを含む。【選択図】図６
2008184358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断して、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記一対のマザー基板のうち一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面に、前記パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝を形成する工程と、
前記一方のマザー基板を前記対向する面側から押圧することにより、前記一方のマザー基板に、前記スクライブ溝を起点とすると共に前記対向する側の面に達するクラックを形成する工程と、
前記クラックを形成する工程の後、前記反対側の面に、前記切断予定線に沿ってハーフダイシングを施すことによりダイシング溝を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記電気光学装置は、前記一対の基板として、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板とを備え、
前記一方のマザー基板は、前記対向基板を複数含んでおり、
前記他方のマザー基板は、前記素子基板を複数含んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備え、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における端部は、
ハーフダイシングによる切断面を有するダイシング部分と、
該ダイシング部分よりも前記少なくとも一方の基板の基板面に沿って外側へ突出すると共にスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面を有するクラック部分と
を有することを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法、及び該電気光学装置の製造方法によって製造された液晶装置等の電気光学装置の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例として、シール材によって貼り合わされた一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶パネルを有する液晶装置がある。
【０００３】
このような液晶装置を製造するにあたっては、個々のパネルに対応した大きさに切断した２枚の基板を重ねて貼り合わせる場合もあるが、小型の液晶装置を製造する場合には特に複数のパネルを形成できるマザー基板（大型のガラス基板）に対して複数の液晶装置分の配線パターンや各種電子素子を形成するなど、製造工程の途中までは、大型のマザー基板のままで処理を行い、その後、マザー基板を個々のガラス基板に切断、分割することが多い。
【０００４】
このようなマザー基板を切断する方法としては、例えば、マザー基板の表面にダイヤモンドチップなどのカッタを当接させたまま、このカッタをマザー基板の切断予定線に沿って相対移動させることにより、マザー基板にスクライブ溝（スクライブライン）を形成し、しかる後に、マザー基板をブレーク用の治具（例えば、ゴムローラ）などで裏面側から押圧して曲げ応力を加え、この応力によりスクライブ溝を起点とするクラックを発生させることでマザー基板を切断する方法がある（以下、この方法を適宜「スクライブ・ブレイク法」と呼ぶ）。
【０００５】
しかしながら、スクライブ・ブレイク法では、個々のガラス基板の切断面がスクライブ溝を起点とするクラックによって規定されるので、所望の切断面（例えば、基板面に対して垂直な面）に対して斜めにずれてしまうおそれがある。個々のガラス基板の切断面は、例えば、液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いるため、所望の切断面からのずれによって、実装ケース内における液晶装置の位置ずれが生じてしまったり、実装ケース内に液晶装置を収容できなくなってしまったりするおそれがある。
【０００６】
そこで、スクライブ・ブレイク法に代えて、高速回転させたダイヤモンド製の円形回転刃（ダイシングブレード）によってマザー基板の切断予定線に対してハーフダイシングを施すことでダイシング溝を形成し、しかる後に、裏面側から曲げ応力を加えてダイシング溝を起点とするクラックを発生させることでマザー基板を切断する方法が採られることがある（以下、この方法を適宜「ハーフダイシング・ブレイク法」と呼ぶ）。ハーフダイシング・ブレイク法によれば、個々のガラス基板の切断面にはダイシング溝の側面によって規定される面が含まれるので、スクライブ・ブレイク法と比べて、所望の切断面からのずれを小さくすることができ、例えば、実装ケース内における液晶装置の位置ずれの発生を低減できる。
【０００７】
また、例えば特許文献１では、ガラス基板表面にスクライブラインを形成した後に、このスクライブラインに沿ってレーザー光を照射することでガラス基板を切断する技術が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−３５８１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述したハーフダイシング・ブレイク法によってマザー基板を切断する場合、切断面のうちダイシング溝を起点とするクラックによって規定される部分は、例えばスクライブ・ブレイク法におけるスクライブ溝を起点とするクラックによって規定される切断面に比べて平滑性が低く、ガラス屑が発生しやすいという技術的問題点がある。このように発生したガラス屑によって、基板上に形成される配線パターンや各種電子素子に不具合が発生してしまうおそれがある。
【００１０】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、一対のマザー基板を切断して複数の電気光学装置を製造する際、一対のマザー基板を、平滑性の高い切断面を有するように切断可能な電気光学装置の製造方法、及び該電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、互いに貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断して、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記一対のマザー基板のうち一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面に、前記パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝を形成する工程と、前記一方のマザー基板を前記対向する面側から押圧することにより、前記一方のマザー基板に、前記スクライブ溝を起点とすると共に前記対向する側の面に達するクラックを形成する工程と、前記クラックを形成する工程の後、前記反対側の面に、前記切断予定線に沿ってハーフダイシングを施すことによりダイシング溝を形成する工程とを含む。
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、一対のマザー基板は、例えばシール材によって互いに貼り合わされる。一対のマザー基板のうち一方は、例えば、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板を、パネル形成領域毎に１つずつ、複数含んでなる。一対のマザー基板のうち他方は、複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板を、パネル形成領域毎に１つずつ、複数含んでなる。この互いに貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断することで、例えば素子基板及び対向基板として構成される一対の基板間に例えば液晶等である電気光学物質が挟持された電気光学装置が製造される。尚、例えば液晶等である電気光学物質は、例えば、一対のマザー基板のいずれか一方におけるパネル形成領域毎に液晶を滴下した後に、一対のマザー基板を貼り合わせることで一対の基板間に挟持されるようにしてもよいし、シール材によって貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断した後に、一対の基板間に封入するようにしてもよい。このように製造された電気光学装置では、その動作時に、例えば光源から入射された光が各画素において電気光学物質を透過して表示光として出射されることにより、画像表示が行われる。
【００１３】
本発明では特に、互いに貼り合わされた一対のマザー基板を切断する際、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行う。
【００１４】
即ち、先ず、一対のマザー基板のうち一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面（即ち、電気光学物質に対向しないことになる面）に、パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝（即ち、スクライブライン或いはＶ字状の切溝）を形成する工程を行う。スクライブは、例えばダイヤモンドチップなどのカッタを一方のマザー基板の表面に当接させたまま、このカッタを切断予定線に沿って相対移動させることにより行う。
【００１５】
次に、スクライブ溝が形成された一方のマザー基板を、他方のマザー基板に対向する面（即ち、電気光学物質に対向することになる面）側から押圧或いは加圧し、一方のマザー基板に曲げ応力を加えることにより、一方のマザー基板に、スクライブ溝を起点とすると共に他方のマザー基板に対向する側の面に達するクラックを形成する工程を行う。ここで、スクライブ溝は切断予定線に沿って形成されているため、スクライブ溝を起点とするクラックも切断予定線に概ね沿って形成される。このようなスクライブ溝を起点とするクラックによって規定される切断面は、上述したハーフダイシング・ブレイク法におけるダイシング溝を起点とするクラックと比較して、平滑性が高いため、例えばガラス屑など、一方のマザー基板を構成する材料の屑（即ち、材料屑）が殆ど或いは全く発生しないという特性を有する。よって、例えば、一方のマザー基板を切断する際に例えばガラス屑などの材料屑が発生し、該材料屑が一対のマザー基板のいずれかに含まれる素子基板上に形成された配線或いは電子素子に対してダメージ或いは悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
【００１６】
次に、一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面（言い換えれば、スクライブ溝を形成した面）に、切断予定線に沿って（即ち、スクライブ溝及び該スクライブ溝を起点とするクラックに重ねて）ハーフダイシングを施すことによりダイシング溝を形成する。ハーフダイシングは、高速回転させた例えばダイヤモンド製等の円形回転刃（即ち、ダイシングブレード）を、一方のマザー基板における切断予定線に沿って所定の深さまで押し当てることにより行う。よって、一方のマザー基板における切断予定線に沿った切断面を、ダイシング溝の側面によって規定される部分と、スクライブ溝を起点とするクラックによって規定される部分とを含むように形成できる。即ち、一方のマザー基板における切断予定線に沿った切断面のうち、一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面から所定の深さまでの部分は、ダイシング溝によって規定され、該ダイシング溝によって規定される部分よりも一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面側の部分は、スクライブ溝を起点とするクラックによって規定されるように、一方のマザー基板を切断することができる。このようなダイシング溝の側面によって規定される切断面は、上述したスクライブ・ブレイク法による切断面と比較して、平滑性が高く、所望の切断面を高精度に形成できる。従って、一方のマザー基板における切断予定線に沿った切断面（即ち、一対のマザー基板を切断することにより得られる一対の基板のうち一方のマザー基板に含まれる各基板の端面）のうちダイシング溝の側面によって規定される部分を、例えば、電気光学装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として好適に用いることができる。つまり、電気光学装置を実装ケースに収容する際、ダイシング溝の側面によって規定される部分を位置決め手段として用いることで、実装ケース内における電気光学装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる、或いは、実装ケース内に電気光学装置を収容できなくなる事態を回避できる。
【００１７】
以上説明したように、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、貼り合わされた一対のマザー基板を切断する際、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行うので、一対のマザー基板を、平滑性の高い切断面を有するように切断することができる。よって、製造プロセスにおいて、例えばガラス屑などの材料屑によって、マザー基板上に形成された例えば配線或いは電子素子に不具合が発生してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、歩留まりを向上させることができ、信頼性の高い電気光学装置を製造することが可能となる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記電気光学装置は、前記一対の基板として、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板とを備え、前記一方のマザー基板は、前記対向基板を複数含んでおり、前記他方のマザー基板は、前記素子基板を複数含んでいる。
【００１９】
この態様によれば、対向基板を複数含む一方のマザー基板に対して、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行うことにより、該一方のマザー基板を切断予定線に沿って切断する。よって、一方のマザー基板を切断する際に、例えばガラス屑などの材料屑によって、素子基板を複数含む他方のマザー基板上に形成された配線或いは電子素子に対して悪影響が及んでしまうことを回避できる。
【００２０】
尚、素子基板を複数含む他方のマザー基板に対して、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行うことにより、該他方のマザー基板を切断予定線に沿って切断してもよい。また、素子基板を複数含む他方のマザー基板と対向基板を複数含む他方のマザー基板とのうちいずれのマザー基板を先に切断してもよい。
【００２１】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備え、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における端部は、ハーフダイシングによる切断面を有するダイシング部分と、該ダイシング部分よりも前記少なくとも一方の基板の基板面に沿って外側へ突出すると共にスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面を有するクラック部分とを有する。
【００２２】
本発明の電気光学装置によれば、例えば上述した本発明の電気光学装置の製造方法によって製造され、少なくとも一方の基板における側面の平滑性が高められている。よって、例えばガラス屑など少なくとも一方の基板を構成する材料の屑が発生しにくく、信頼性の高い電気光学装置を提供可能である。更に、ダイシング部分を、当該電気光学装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いることで、実装ケース内における当該電気光学装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる。
【００２３】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００２５】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。  図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【００２６】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「一対の基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材５２により互いに貼り合わされている。
【００２７】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００２８】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００２９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３０】
尚、後に詳細に説明するが、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々の端面は、ハーフダイシングによる切断面とスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面とを含んでいる。
【００３１】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００３２】
次に、上述の如く構成された本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図３から図８を参照して説明する。
【００３３】
図３は、複数個のＴＦＴアレイ基板を含んで構成される第１マザー基板の一部を示す部分平面図であり、図４は、複数個の対向基板を含んで構成される第２マザー基板を示す平面図である。図５は、第１マザー基板と第２マザー基板とを互いに貼り合せた場合における図４のＡ−Ａ´断面図である。
【００３４】
本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、先ず、図３に示すように、図１及び図２を参照して上述したＴＦＴアレイ基板１０側の各種の構成要素（即ち、画素電極９ａ及び画素スイッチング用ＴＦＴや、走査線駆動回路１０４或いはデータ線駆動回路１０１など）を含む積層構造が、パネル形成領域８１０毎に第１マザー基板Ｓ１上に形成される。第１マザー基板Ｓ１は、比較的大型のガラス基板からなる。尚、第１マザー基板Ｓ１は、シリコン基板からなるようにしてもよい。
【００３５】
他方、このような第１マザー基板Ｓ１側の形成工程と相前後して或いは並行して、図４に示す別の第２マザー基板Ｓ２上に、図１及び図２を参照して上述した対向基板２０側の各種の構成要素（対向電極２１、遮光膜２３など）を含む積層構造が、パネル形成領域８１０毎に形成される。第２マザー基板Ｓ２は、比較的大型のガラス基板からなる。
【００３６】
その後、図５に示すように、貼合工程によって、第１マザー基板Ｓ１と第２マザー基板Ｓ２とを対向させて、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなるシール材５２によって貼り合わせる。この際、第１マザー基板Ｓ１上にシール材５２を各パネル形成領域８１０における枠状のシール領域に所定の高さで形成し、このシール材５２の内側の領域に液晶層５０を構成する所定量の液晶を滴下した後に、マザー基板Ｓ１及びＳ２をシール材５２によって互いに貼り合せる。即ち、本実施形態では、所謂、液晶滴下貼り合わせ方式を採用している。尚、シール材５２を、枠状のシール領域の一部において欠落させておき、貼り合わされたマザー基板Ｓ１及びＳ２を、後述するようにパネル形成領域８１０毎に切断した後に、シール材５２が欠落された部分を注入口として液晶をＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に注入するようにしてもよい。
【００３７】
図６は、第２マザー基板を切断する一連の切断工程を示す工程断面図である。図６（ａ）は、スクライブ溝形成工程を示す工程断面図であり、図６（ｂ）は、クラック形成工程を示す工程断面図であり、図６（ｃ）は、ダイシング溝形成工程を示す工程図である。図７は、図６（ｃ）の部分Ｃ１を拡大して示す拡大図である。図８は、比較例としてのハーフダイシング・ブレイク法によるマザー基板の切断面を、図７に対応して示す図である。尚、図６は、図５に示した断面図に対応して示されている。
【００３８】
次に、図６に示す一連の切断工程によって、第２マザー基板Ｓ２をパネル形成領域８１０毎に（即ち、図４に示す第２マザー基板Ｓ２におけるパネル形成領域８１０間の境界に位置する切断予定線Ｌ２に沿って）切断する。続いて、第１マザー基板Ｓ１を、第２マザー基板Ｓ２を切断する切断工程と同様の切断工程によって、パネル形成領域８１０毎に（即ち、図４に示す第１マザー基板Ｓ１におけるパネル形成領域８１０間の境界に位置する切断予定線Ｌ１に沿って）切断する。このように、互いに貼り合わされたマザー基板Ｓ１及びＳ２を、パネル形成領域８１０毎に切断することによって、図１及び図２に示したような各個別の液晶装置が製造されることになる。
【００３９】
尚、第１マザー基板Ｓ１をパネル形成領域８１０毎に切断した後に、第２マザー基板Ｓ２をパネル形成領域８１０毎に切断してもよい。つまり、マザー基板Ｓ１及びＳ２のいずれを先に切断してもよい。
【００４０】
図６に示すように、本実施形態では特に、第２マザー基板Ｓ２をパネル形成領域８１０毎に切断する際、スクライブ溝形成工程（図６（ａ）参照）と、クラック形成工程（図６（ｂ）参照）と、ダイシング溝形成工程（図６（ｃ）参照）とをこの順に行う。
【００４１】
即ち、第２マザー基板Ｓ２をパネル形成領域８１０毎に切断する際、先ず、図６（ａ）に示すように、スクライブ溝形成工程によって、第２マザー基板Ｓ２における第１マザー基板Ｓ１に対向する面とは反対側の面（即ち、液晶層５０に対向しない面、つまり、図中で上側の面）に、パネル形成領域８１０間の境界に位置する切断予定線Ｌ２（図４参照）に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝５１０を形成する。スクライブは、例えばダイヤモンドチップなどのカッタを第２マザー基板Ｓ２の表面に当接させたまま、このカッタを切断予定線Ｌ２に沿って相対移動させることにより行う。
【００４２】
次に、図６（ｂ）に示すように、クラック形成工程によって、スクライブ溝５１０が形成された第２マザー基板Ｓ２を、第１マザー基板Ｓ１に対向する面（即ち、液晶層５０に対向する面、つまり、図中で下側の面）側から押圧して第２マザー基板Ｓ２に曲げ応力を加えることにより、第２マザー基板Ｓ２に、スクライブ溝５１０を起点とすると共に第１マザー基板Ｓ１に対向する側の面に達するクラック５２０を形成する。ここで、スクライブ溝５１０は切断予定線Ｌ２に沿って形成されているため、スクライブ溝５１０を起点とするクラック５２０も切断予定線Ｌ２に概ね沿って形成される。このようなスクライブ溝５１０を起点とするクラック５２０によって規定される切断面は、図８に比較例として示すハーフダイシング・ブレイク法（即ち、上述したスクライブ溝形成工程及びクラック形成工程を行うことなく、先ず、第２マザー基板Ｓ２の表面にハーフダイシングを施すことによりダイシング溝５３０ｂを形成し、第２マザー基板Ｓ２に曲げ応力を加えることでクラック５４０ｂを形成することによりマザー基板Ｓ２を切断する方法）におけるダイシング溝５３０ｂを起点とするクラック５４０ｂによって規定される切断面５４１ｂと比較して、平滑性が高い。よって、第２マザー基板Ｓ２を切断する際にガラス屑が発生し、該ガラス屑が第１マザー基板Ｓ１上に形成されたＴＦＴアレイ基板１０側の各種構成要素に対して悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
【００４３】
次に、図６（ｃ）に示すように、ダイシング溝形成工程によって、第２マザー基板Ｓ２における第１マザー基板Ｓ１に対向する面とは反対側の面（言い換えれば、スクライブ溝５１０を形成した面）に、切断予定線Ｌ２に沿って（即ち、スクライブ溝５１０及びクラック５２０に重ねて）ハーフダイシングを施すことによりダイシング溝５３０を形成する。ハーフダイシングは、高速回転させたダイヤモンド製のダイシングブレードを、第２マザー基板Ｓ２における切断予定線Ｌ２に沿って所定の深さまで押し当てることにより行う。
【００４４】
よって、図７に示すように、第２マザー基板Ｓ２における切断予定線Ｌ２に沿った切断面を、ダイシング溝５３０の側面によって規定される切断面５３１と、スクライブ溝５１０を起点とするクラック５２０によって規定される切断面５２１とを含むように形成できる。このようなダイシング溝５３０の側面によって規定される切断面５３１は、上述したスクライブ・ブレイク法による切断面と比較して、平滑性が高く、所望の切断面を高精度に形成できる。従って、このようなダイシング溝５３０の側面によって規定される切断面５３１を、例えば、液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として好適に用いることができる。つまり、ダイシング溝の側面によって規定される切断面５３１を、液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いることで、実装ケース内における液晶装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる、或いは、実装ケース内に液晶装置を収容できなくなる事態を回避できる。
【００４５】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、貼り合わされた一対のマザー基板Ｓ１及びＳ２を切断する際、スクライブ溝形成工程と、クラック形成工程と、ダイシング溝形成工程とをこの順に行うので、一対のマザー基板Ｓ１及びＳ２を、平滑性の高い切断面を有するように切断することができる。よって、製造プロセスにおいて、切断面から発生し得るガラス屑を低減でき、このようなガラス屑によって、例えば、第１マザー基板Ｓ１上に形成されたＴＦＴアレイ基板１０側の各種構成要素に不具合が発生してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、歩留まりを向上させることができ、信頼性の高い液晶装置を製造することが可能である。
【００４６】
次に、上述のような製造方法によって製造される、本実施形態に係る液晶装置の一対の基板の端部における特徴的な構成について、図９を参照して説明する。
【００４７】
図９は、本実施形態に係る液晶装置の一対の基板の端部における特徴的な構成を示す模式図である。尚、図９では、ＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２０、シール材５２及び液晶層５０のみを示し、図１及び図２を参照して上述した各種構成要素を省略している。また、図９は、図５に示した断面図に対応して示されており、図５に示された一対のマザー基板の一部から製造される複数の液晶装置のうちの一つを示している。
【００４８】
図９において、本実施形態に係る液晶装置は、図６を参照して上述した切断工程によって切断されることで製造されているので、対向基板２０における端部２０ｅは、ダイシング部分２０ｅ１と、クラック部分２０ｅ２とを有している。ダイシング部分２０ｅ１は、ハーフダイシングによる切断面５３１を有している。クラック部分２０ｅ２は、このダイシング部分２０ｅ１よりも対向基板２０の基板面に沿って（即ち、対向基板２０上で平面的に見て、対向基板２０の中央部から対向基板２０の周縁へ向かう方向に沿って）外側へ突出すると共にスクライブ溝５１０を起点として形成されたクラック５２０による切断面５２１を有している。更に、ＴＦＴアレイ基板１０における端部１０ｅは、ダイシング部分１０ｅ１と、クラック部分１０ｅ２とを有している。ダイシング部分１０ｅ１は、ハーフダイシングによる切断面５３２を有している。クラック部分１０ｅ２は、このダイシング部分１０ｅ１よりもＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿って（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ＴＦＴアレイ基板１０の中央部からＴＦＴアレイ基板１０の周縁へ向かう方向に沿って）外側へ突出すると共にスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面５２２を有している。
【００４９】
よって、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０の各々における側面の平滑性が高められている。従って、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０の各々における側面からガラス屑が発生しにくく、信頼性の高い液晶装置を提供可能である。更に、ダイシング部分２０ｅ１の切断面５３１或いはダイシング部分１０ｅ１の切断面５３２を、当該液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いることで、実装ケース内における当該液晶装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる。
【００５０】
尚、図６に示したマザー基板を切断する切断工程は、例えば、一対のＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の外側表面（即ち、一対の基板における液晶層５０に対向しない側の面）に設けられ得る防塵用基板を形成する際に適用してもよい。即ち、例えば、マザー基板Ｓ１及びＳ２とは別に、複数の防塵用基板がパネル形成領域毎に１つずつ形成された第３マザー基板を用意し、第２マザー基板Ｓ２をパネル形成領域８１０毎に切断した後に、第２マザー基板Ｓ２の外側表面に貼り合わせ、しかる後に、第３マザー基板を、図６に示した切断工程と同様の工程によって切断してもよい。この場合には、防塵用基板の端面の平滑性を高めることができ、防塵用基板の端面から例えばガラス屑などの材料屑が発生してしまうことを低減できる。ここで、液晶装置の一対の基板の外側表面に防塵用基板を設けることで、一対の基板の外側表面に直接に粉塵が付着するのを防止できると共に、防塵用基板上に仮に粉塵が付着したとしても、該防塵用基板が所定の厚さを有することにより、画像上に粉塵の像が投影されるというような事態を未然に回避することができる。
【００５１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】複数個のＴＦＴアレイ基板を含んで構成される第１マザー基板の一部を示す部分平面図である。
【図４】複数個の対向基板を含んで構成される第２マザー基板を示す平面図である。
【図５】第１マザー基板と第２マザー基板とを互いに貼り合せた場合における図４のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】第２マザー基板を切断する一連の切断工程を示す工程断面図である。
【図７】図６（ｃ）の一部を拡大して示す拡大図である。
【図８】比較例におけるマザー基板の切断面を示す図である。
【図９】一対の基板の端部の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１０ｅ…端部、１０ｅ１…ダイシング部分、１０ｅ２…クラック部分、２０…対向基板、２０ｅ…端部、２０ｅ１…ダイシング部分、２０ｅ２…クラック部分、２１…対向電極、２３…遮光膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、５１０…スクライブ溝、５２０…クラック、５３０…ダイシング溝、８１０…パネル形成領域、Ｓ１、Ｓ２…マザー基板、Ｌ１、Ｌ２…切断予定線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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