(57)【要約】【課題】成膜処理に掛かるタクトタイムを短縮できる成膜装置を提供すること。【解決手段】成膜装置１の材料ガス供給装置４は、真空チャンバ２の略中央から、互いに相反する方向へ材料ガスを供給する第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒを有し、材料ガス拡散装置６は、第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒから供給された材料ガスを、それぞれ面状に拡散する第１拡散装置６Ｌ及び第２拡散装置６Ｒを有し、基板保持装置５は、一組の基板９Ｌ，９Ｒのうち一方の基板９Ｌを保持する第１保持装置５Ｌと、他方の基板９Ｒを保持する第２保持装置５Ｒとを含んで構成される。また、第１保持装置５Ｌ及び第２保持装置５Ｒは、それぞれ、保持する基板の処理面を、第１拡散装置６Ｌ及び第２拡散装置６Ｒに向けた状態で、互いに対向して設けられる。【選択図】図１
2008184666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容しかつ真空引き可能な処理容器と、
前記処理容器内にプラズマを発生させるための電圧が印加される給電用電極と、
前記処理容器内に材料ガスを供給する材料供給手段と、
前記処理容器内で一組の基板を保持する基板保持手段と、
前記材料供給手段により供給された材料ガスを、前記基板保持手段に保持された基板へ向けて拡散する材料拡散手段と、を備え、
前記材料供給手段は、前記処理容器の略中央から、互いに相反する方向へ材料ガスを供給する第１供給手段及び第２供給手段を有し、
前記材料拡散手段は、前記第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを、それぞれ面状に拡散する第１拡散手段及び第２拡散手段を有し、
前記基板保持手段は、前記一組の基板のうち一方の基板を保持する第１保持手段と、他方の基板を保持する第２保持手段とを含んで構成され、
前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、保持する基板の処理面を、前記第１拡散手段及び第２拡散手段に向けた状態で、互いに対向して設けられることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記処理容器内には、当該処理容器内を第１処理室及び第２処理室に略２等分する仕切り板が設けられ、
前記第１供給手段及び第２供給手段は、それぞれ、前記第１処理室及び第２処理室に材料ガスを供給し、
前記第１拡散手段及び前記第１保持手段は、前記第１処理室に設けられ、
前記第２拡散手段及び前記第２保持手段は、前記第２処理室に設けられることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項２に記載の成膜装置において、
前記仕切り板は、鉛直面内に設けられ、
前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、保持する基板を前記仕切り板と略平行にして設けられ、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、前記第１保持手段及び第２保持手段が保持する基板の処理面へ材料ガスを拡散することを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の成膜装置において、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、複数の孔が形成され材料ガスを面状に略均一に拡散する平板状のシャワー板を備え、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板は、それぞれ、前記第１保持手段及び第２保持手段が保持する基板の処理面と対向して設けられると共に、前記給電用電極と電気的に導通されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項４に記載の成膜装置において、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、
前記材料供給手段と前記シャワー板との間に設けられ、前記第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを前記シャワー板の裏面に略均一に分散させる分散部を、さらに備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項５に記載の成膜装置において、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段の分散部は、それぞれ、
複数の孔が形成され、前記材料供給手段と前記シャワー板との間に設けられた第１分散板と、
前記第１分散板よりも多い数の孔が形成され、前記第１分散板と前記シャワー板との間に設けられた第２分散板と、を含んで構成されることを特徴とする成膜装置。
【請求項７】
請求項６に記載の成膜装置において、
前記シャワー板に形成された孔の径は、前記第１分散板及び第２分散板に形成された孔の径よりも小さいことを特徴とする成膜装置。
【請求項８】
請求項４から７のいずれかに記載の成膜装置において、
前記第１保持手段及び第２保持手段の各々が保持する基板と、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板との間隔を調整可能な、間隔調整機構をさらに備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項９】
請求項５から８に記載の成膜装置において、
前記第１供給手段及び第２供給手段は、それぞれ、材料ガスを前記処理容器の外部から内部へ導入する材料導入部を備え、
前記第１供給手段及び第２供給手段の材料導入部は、それぞれ、前記給電用電極として低抵抗性の導電材料で形成され材料ガスが流れる導入管と、絶縁材料で形成され前記導入管の外周を覆う絶縁被覆と、を含んで構成され、
前記導入管は、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板に導通することを特徴とする成膜装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の成膜装置において、
前記第１供給手段及び第２供給手段の材料導入部には、それぞれ、前記第１拡散手段及び第２拡散手段の分散部の複数の箇所へ材料ガスを噴出する噴出部が形成されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の成膜装置において、
前記シャワー板の外縁部を支持する枠部材をさらに備え、
前記枠部材は、絶縁材料で形成されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の成膜装置において、
前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、
基板の外縁部の一部を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板を、処理面の裏側から加熱する基板加熱部と、
前記基板保持部に保持された基板と前記基板加熱部との間隔を調整可能な調整機構と、を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の成膜装置において、
前記基板加熱部は、前記基板保持部に保持された基板に対して略平行な熱板と、前記熱板を裏面から加熱する加熱部と、を備え、
前記熱板の基板側の面には、セラミック皮膜が設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の成膜装置において、
前記熱板の板厚は、８ｍｍ〜４０ｍｍであることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に材料を成膜する成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、太陽電池、液晶ディスプレイ、及び、有機ＥＬ等のフラットパネルの製造では、ガラスあるいはフィルム等の板状の基板の表面に、半導体膜を形成する成膜処理が行われている。
【０００３】
このような、基板に材料を成膜する成膜装置として、例えば、特許文献１に示されるような成膜装置が提案されている。この成膜装置は、成膜処理を行う成膜室と、この成膜室に材料となるガスを供給する分散ノズルと、基板を搭載する支持台と、を備え、いわゆるプラズマＣＶＤ法により、基板の表面に成膜処理を行うことが可能となっている。
【特許文献１】特開平１０−１５８８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された成膜装置では、例えば、連続して複数の基板を成膜処理する場合には、１枚の基板に成膜処理をする毎に、成膜室を開放し、処理を行う基板を交換する必要がある。つまり、大量の基板を成膜処理する際には、実際に装置を稼動する時間に加えて、基板を交換する時間が必要であった。特に、このような基板の交換には、基板の表面に傷が付くのを防止するために、時間が掛かるおそれがあった。
【０００５】
また、太陽電池については、光エネルギーを直接電気エネルギーに変換するものであり、資源的な制約が無いため、近年では需要が増加している。このため、大量の基板に成膜を行うにあたり、１枚の基板の成膜に掛かるタクトタイムの短縮が望まれていた。
【０００６】
本発明は、以上のような課題に鑑みてなされたものであり、成膜処理に掛かるタクトタイムを短縮できる成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、以下のようなものを提供する。
【０００８】
（１）  基板（例えば、後述の基板９Ｌ，９Ｒ）を収容しかつ真空引き可能な処理容器（例えば、後述の真空チャンバ２）と、前記処理容器内にプラズマを発生させるための電圧が印加される給電用電極（例えば、後述の材料導入管４１１）と、前記処理容器内に材料ガスを供給する材料供給手段（例えば、後述の材料ガス供給装置４）と、前記処理容器内で一組の基板（例えば、後述の一組の基板９Ｌ，９Ｒ）を保持する基板保持手段（例えば、後述の基板保持装置５）と、前記材料供給手段により供給された材料ガスを、前記基板保持手段に保持された基板へ向けて拡散する材料拡散手段（例えば、後述の材料ガス拡散装置６）と、を備え、前記材料供給手段は、前記処理容器の略中央から、互いに相反する方向へ材料ガスを供給する第１供給手段及び第２供給手段（例えば、後述の第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒ）を有し、前記材料拡散手段は、前記第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを、それぞれ面状に拡散する第１拡散手段及び第２拡散手段（例えば、後述の第１拡散装置６Ｌ及び第２拡散装置６Ｒ）を有し、前記基板保持手段は、前記一組の基板のうち一方の基板（例えば、後述の基板９Ｌ）を保持する第１保持手段（例えば、後述の第１保持装置５Ｌ）と、他方の基板（例えば、後述の基板９Ｒ）を保持する第２保持手段（例えば、後述の第２保持装置５Ｒ）とを含んで構成され、前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、保持する基板の処理面を、前記第１拡散手段及び第２拡散手段に向けた状態で、互いに対向して設けられることを特徴とする成膜装置（例えば、後述の成膜装置１）。
【０００９】
（１）に記載の成膜装置によれば、真空引き可能な処理容器中に、互いに相反する方向へ材料ガスを供給する第１供給手段及び第２供給手段を設けると共に、これら第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを面状に拡散する第１拡散手段及び第２拡散手段を設けた。さらに、一組の基板のうち一方の基板を保持する第１保持手段と、他方の基板を保持する第２保持手段とを、それぞれ、保持する基板の処理面を、これら第１拡散手段及び第２拡散手段に向けた状態で、互いに対向して設けた。
【００１０】
これにより、一組の基板を、一の処理容器内で、同時に成膜処理することができる。つまり、一組の基板を、例えば、２枚で一組のものとすることにより、一の処理容器内で、２枚の基板を同時に成膜処理することができる。これにより、１枚ずつ基板の成膜処理を行う従来の成膜装置を用いた場合と比較して、大量の基板に成膜処理した場合に掛かるタクトタイムを大幅に短縮することができる。
【００１１】
また、（１）に記載の成膜装置によれば、一の処理容器内で、同時に、複数の基板の成膜処理を行うことができる。つまり、略同一の条件下で複数の基板の成膜処理を行うことができるので、成膜品の品質を安定させることができる。
【００１２】
（２）  （１）に記載の成膜装置において、前記処理容器内には、当該処理容器内を第１処理室及び第２処理室（例えば、後述の第１処理室２Ｌ及び第２処理室２Ｒ）に略２等分する仕切り板（例えば、後述の仕切り板３）が設けられ、前記第１供給手段及び第２供給手段は、それぞれ、前記第１処理室及び第２処理室に材料ガスを供給し、前記第１拡散手段及び前記第１保持手段は、前記第１処理室に設けられ、前記第２拡散手段及び前記第２保持手段は、前記第２処理室に設けられることを特徴とする成膜装置。
【００１３】
（２）に記載の成膜装置によれば、処理容器内は、仕切り板により、第１処理室と第２処理室との２つの室に分けられる。これにより、例えば、第１拡散手段及び第２拡散手段によって拡散された材料ガスが、処理容器内で混じり合うことにより、処理容器内で偏って分布することを防止できる。したがって、この成膜装置で一組の基板を成膜処理した場合に、これら複数の成膜品の間で、品質にばらつきが生じるのを防止できる。
【００１４】
（３）  （２）に記載の成膜装置において、前記仕切り板は、鉛直面内に設けられ、前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、保持する基板を前記仕切り板と略平行にして設けられ、前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、前記第１保持手段及び第２保持手段が保持する基板の処理面へ材料ガスを拡散することを特徴とする成膜装置。
【００１５】
ここで、例えば、基板を水平にして成膜処理を行う場合には、基板の非処理面を、処理容器内の台の表面に合わせる必要がある。特に、大型の基板を成膜処理する場合には、この基板が撓んだり、破損したりするのを防止するため、基板の非処理面を台の表面に合わせた状態で成膜処理を行う必要がある。このようにして、基板の非処理面を台の表面に合わせた状態で成膜処理を行う場合には、基板の非処理面に傷が付くおそれがある。
【００１６】
しかしながら、（３）に記載の成膜装置によれば、一組の基板は、第１保持手段及び第２保持手段により、鉛直面内に設けられた仕切り板と略平行、つまり、縦にして保持されることとなる。したがって、大型の基板であったとしても、基板の表面を、他の部材と接触させることなく成膜処理を行うことができるので、基板の表面に傷が付くのを防止できる。
【００１７】
（４）  （１）から（３）のいずれかに記載の成膜装置において、前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、複数の孔（例えば、後述の噴出孔６５１）が形成され材料ガスを面状に略均一に拡散する平板状のシャワー板（例えば、後述のシャワー板６５）を備え、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板は、それぞれ、前記第１保持手段及び第２保持手段が保持する基板の処理面と対向して設けられると共に、前記給電用電極と電気的に導通されていることを特徴とする成膜装置。
【００１８】
（４）に記載の成膜装置によれば、材料ガスを拡散するシャワー板と、高周波の電場を発生させる電極板とを兼用することにより、プラズマの生成を容易にし、成膜品の品質を向上させることができる。
【００１９】
（５）  （４）に記載の成膜装置において、前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、前記材料供給手段と前記シャワー板との間に設けられ前記第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを前記シャワー板の裏面に略均一に分散させる分散部（例えば、後述の分散部６７）を、さらに備えることを特徴とする成膜装置。
【００２０】
（５）に記載の成膜装置によれば、材料供給手段から供給された材料ガスは、シャワー板により拡散される前に、分散部によりシャワー板の裏面で略均一に分散される。これにより、材料ガスを基板の処理面へ略均一に拡散させることができ、したがって、基板の処理面に材料をむら無く成膜することができる。つまり、成膜品の品質を向上させることができる。
【００２１】
（６）  （５）に記載の成膜装置において、前記第１拡散手段及び第２拡散手段の分散部は、それぞれ、複数の孔（例えば、後述の噴出孔６１１）が形成され、前記材料供給手段と前記シャワー板との間に設けられた第１分散板（例えば、後述の第１分散板６１）と、前記第１分散板よりも多い数の孔（例えば、後述の噴出孔６３１）が形成され、前記第１分散板と前記シャワーとの間に設けられた第２分散板（例えば、後述の第２分散板６３）と、を含んで構成されることを特徴とする成膜装置。
【００２２】
（６）に記載の成膜装置によれば、材料供給手段から、材料拡散手段に供給された材料ガスは、先ず、第１分散板と第２分散板との間で一時的に滞留し、次に、第２分散板とシャワー板との間で一時的に滞留した後に、シャワー板により基板の処理面へ拡散されることとなる。ここで、材料ガスを、第１分散板と第２分散板との間、及び、第２分散板とシャワー板との間で一時的に滞留させることにより、材料ガスをシャワー板の裏面に略均一に分散させることができる。したがって、基板の処理面に材料をむら無く成膜することができ、成膜品の品質を向上させることができる。
【００２３】
（７）  （６）に記載の成膜装置において、前記シャワー板に形成された孔の径は、前記第１分散板及び第２分散板に形成された孔の径よりも小さいことを特徴とする成膜装置。
【００２４】
（７）に記載の成膜装置によれば、（６）と同様の効果がある。
【００２５】
（８）  （４）から（７）のいずれかに記載の成膜装置において、前記第１保持手段及び第２保持手段の各々が保持する基板と、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板との間隔を調整可能な、間隔調整機構をさらに備えることを特徴とする成膜装置。
【００２６】
（８）に記載の成膜装置によれば、基板保持手段が保持する基板の処理面と、材料ガスを拡散するシャワー板の表面との間隔を調整することができる。これにより、基板の処理面とシャワー板の表面との間から吹き抜ける材料ガスの量を調整することができる。言い換えれば、基板の処理面とシャワー板の表面との間に封じ込められる材料ガスの量を調整することができる。このようにして、材料ガスの封じ込める量を調整することにより、基板の処理面の全面に亘って、略均一に成膜することができる。
【００２７】
（９）  （５）から（８）に記載の成膜装置において、前記第１供給手段及び第２供給手段は、それぞれ、材料ガスを前記処理容器の外部から内部へ導入する材料導入部を備え、前記第１供給手段及び第２供給手段の材料導入部は、それぞれ、前記給電用電極として低抵抗性の導電材料で形成され材料ガスが流れる導入管（例えば、後述の材料導入管４１１）と、絶縁材料で形成され前記導入管の外周を覆う絶縁被覆（例えば、後述の被覆部４１９）と、を含んで構成され、前記導入管は、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板に導通することを特徴とする成膜装置。
【００２８】
（９）に記載の成膜装置によれば、材料ガスが流れる導入管を、高周波電源が接続される給電用電極として用いることにより、成膜装置の製造に必要な部品の点数を削減できる。したがって、成膜装置の製造に掛かるコストを削減できる。
【００２９】
（１０）  （９）に記載の成膜装置において、前記第１供給手段及び第２供給手段の材料導入部には、それぞれ、前記第１拡散手段及び第２拡散手段の分散部の複数の箇所へ材料ガスを噴出する噴出部（例えば、後述の噴出孔４１４ａ，４１５ａ，４１６ａ，４１７ａ）が形成されていることを特徴とする成膜装置。
【００３０】
（１０）に記載の成膜装置によれば、第１拡散手段及び第２拡散手段の複数の箇所へ材料ガスを噴出させることにより、第１拡散手段及び第２拡散手段により材料ガスを拡散させる効果を促進させることができる。
【００３１】
（１１）  （９）または（１０）に記載の成膜装置において、前記シャワー板の外縁部を支持する枠部材（例えば、後述の枠部材８）をさらに備え、前記枠部材は、絶縁材料で形成されていることを特徴とする成膜装置。
【００３２】
（１１）に記載の成膜装置によれば、材料ガスを拡散させるシャワー板を電極板として兼用すると共に、このシャワー板を絶縁材料で形成された枠部材により、その外縁部を支持することにより、シャワー板と、処理容器内の他の装置との間を、電気的に絶縁させることができる。
【００３３】
（１２）  （１）から（１１）のいずれかに記載の成膜装置において、前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、基板の外縁部の一部を保持する基板保持部（例えば、後述の基板保持部５２Ｕ，５２Ｄ）と、前記基板保持部に保持された基板を、処理面の裏側から加熱する基板加熱部（例えば、後述の基板加熱部５４）と、前記基板保持部に保持された基板と前記基板加熱部との間隔を調整可能な調整機構と、を備えることを特徴とする成膜装置。
【００３４】
（１２）に記載の成膜装置によれば、基板は、基板保持部によりその外縁部の一部が保持された状態で、成膜処理が行われることとなる。つまり、基板の処理面及び非処理面を、例えば、基板加熱部等の他の装置と接触させること無く、成膜処理を行うことができる。これにより、基板の表面に傷が付くのを防止でき、したがって、成膜品の品質を向上させることができる。
【００３５】
また、（１２）に記載の成膜装置によれば、基板と、基板加熱部との間隔を調整することができる。これにより、例えば、成膜処理を行う場合には、基板と基板加熱部との間隔を狭くし、基板の交換を行う場合には、基板と基板加熱部との間隔を大きくすることができる。特に、基板の交換時に、基板と基板加熱部とを離間させることにより、基板と基板加熱部とが接触して基板に傷が付くのを確実に防止できる。
【００３６】
（１３）  （１２）に記載の成膜装置において、前記基板加熱部は、前記基板保持部に保持された基板に対して略平行な熱板（例えば、後述の熱板５４２）と、前記熱板を裏面から加熱する加熱部（例えば、後述のヒータユニット５４４）と、を備え、前記熱板の基板側の面には、セラミック皮膜が設けられていることを特徴とする成膜装置。
【００３７】
（１３）に記載の成膜装置によれば、基板は、加熱部で加熱された熱板により、間接的に加熱されることとなる。これにより、基板を全面に亘ってむら無く加熱することができる。また、この（１３）に記載の成膜装置によれば、熱板の基板側の面には、セラミック皮膜が設けられている。このような皮膜を設けることにより、熱板の表面の温度むらを小さくすることができるので、これにより、基板の温度むらをさらに小さくできる。
【００３８】
（１４）  （１３）に記載の成膜装置において、前記熱板の板厚は、８ｍｍ〜４０ｍｍであることを特徴とする成膜装置。
【００３９】
（１４）に記載の成膜装置によれば、熱板の温度変化を小さくできる。つまり、成膜装置を稼動させる際には、熱板を加熱するのに時間がかかるものの、成膜を行うのに適した温度に達した後は、この適した温度付近で連続して成膜処理を行うことができる。これにより、成膜品の品質にばらつきが生じるのを防止できる。また、熱板の温度を長時間に亘って安定させることができるので、この熱板を再加熱する頻度を少なくでき、したがって、大量の基板を成膜処理する場合に掛かるタクトタイムをさらに短縮できる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の成膜装置によれば、一組の基板を、一の処理容器内で、同時に成膜処理することができる。つまり、一組の基板を、例えば、２枚で一組のものとすることにより、一の処理容器内で、２枚の基板を同時に成膜処理することができる。これにより、１枚ずつ基板の成膜処理を行う従来の成膜装置を用いた場合と比較して、大量の基板に成膜処理した場合に掛かるタクトタイムを大幅に短縮することができる。また、本発明の成膜装置によれば、一の処理容器内で、同時に、複数の基板の成膜処理を行うことができる。つまり、略同一の条件下で複数の基板の成膜処理を行うことができるので、成膜品の品質を安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００４２】
図１及び図２は、本発明の実施形態に係る成膜装置１の構成を示す断面図である。具体的には、図１は、略立方体状の成膜装置１を側部から視た側部断面図であり、図２は、成膜装置１を上部から視た上部断面図である。
【００４３】
本発明の成膜装置１は、２枚で一組の略正方形状の基板９Ｌ，９Ｒの各々の処理面に、材料を成膜する装置である。より具体的には、真空チャンバ２中に高周波の電場中に材料ガスを噴出してプラズマを生成し、一組の基板９Ｌ，９Ｒに材料を成膜する装置である。以下、この成膜装置１の構成について説明する。なお、本実施形態では、主に太陽電池の生産を目的として基板９Ｌ，９Ｒにガラス基板を用いるが、これに限るものではない。
【００４４】
この成膜装置１は、基板９Ｌ，９Ｒを収容し且つその内部を真空引き可能な処理容器としての真空チャンバ２と、この真空チャンバ２内に材料ガスを供給する材料供給手段としての材料ガス供給装置４と、真空チャンバ２内で一組の基板９Ｌ，９Ｒを保持する基板保持手段としての基板保持装置５と、材料ガス供給装置４により供給された材料ガスを、基板保持装置５に保持された基板９Ｌ，９Ｒへ向けて拡散する材料拡散手段としての材料ガス拡散装置６と、を備える。また、これらに加えて、後に詳述するように、高周波の交流電圧が印加される給電用電極が材料ガス供給装置４に設けられており、これにより、真空チャンバ２内にプラズマを生成させることが可能となっている。
【００４５】
真空チャンバ２は、基板９Ｌ，９Ｒを互いに平行にした状態で収容できるように、これら基板９Ｌ，９Ｒの形状に合わせて、略立方体状となっている。
この真空チャンバ２内部のうち中央には、材料ガス供給装置４及び材料ガス拡散装置６が、真空チャンバ２を略２等分する仕切り板３と共に、枠部材８を介して設けられている。また、真空チャンバ２内部のうち図１中左右両側には、基板保持装置５が設けられている。
【００４６】
仕切り板３は、真空チャンバ２内部の中央のうち、鉛直面内に延びるように設けられており、これにより、真空チャンバ２内部は、図１中左側に位置する第１処理室２Ｌと、図１中右側に位置する第２処理室２Ｒと、に略２等分される。一組の基板９Ｌ，９Ｒは、それぞれ、第１処理室２Ｌ及び第２処理室２Ｒに配置され、各々同時に成膜処理が行われる。
【００４７】
また、このようにして基板９Ｌ，９Ｒを処理室２Ｌ，２Ｒに分けて配置するに伴い、上述の材料ガス供給装置４、基板保持装置５、及び、材料ガス拡散装置６も、処理室２Ｌ，２Ｒに分けて配置される。
【００４８】
具体的には、材料ガス供給装置４は、第１処理室２Ｌ内に設けられ該処理室２Ｌに材料ガスを供給する第１供給装置４Ｌと、第２処理室２Ｒ内に設けられ該処理室２Ｒに材料ガスを供給する第２供給装置４Ｒと、に分けられる。これら第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒは、それぞれ、図１中左右両側へ向けて、すなわち互いに相反する方向へ向けて材料ガスを供給する。
【００４９】
また、基板保持装置５及び材料ガス拡散装置６も、それぞれ、第１処理室２Ｌ内に設けられる第１保持装置５Ｌ及び第１拡散装置６Ｌと、第２処理室２Ｒ内に設けられる第２保持装置５Ｒ及び第２拡散装置６Ｒと、に分けられる。
【００５０】
真空チャンバ２のうち図２中上方の壁部２２には、スロット２２１Ｌ，２２１Ｒと、これらスロット２２１Ｌ，２２１Ｒを開閉する蓋体２２３が設けられている。真空チャンバ２内部の基板９Ｌ，９Ｒは、これらスロット２２１Ｌ，２２１Ｒを介して出し入れ可能となっている。
【００５１】
一方、真空チャンバ２のうち図２中下方の壁部２４には、材料ガス供給装置４の第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒが挿通される挿通孔２４１が形成されており、これにより、真空チャンバ２の外部から材料ガスを供給可能となっている。
【００５２】
また、真空チャンバ２には、この真空チャンバ２内部の気体を外部に排出する排気装置（図示せず）が接続されている。この排気装置は、圧力制御弁及び真空ポンプ等を含んで構成され、これにより、真空チャンバ２内部を排気して、任意の圧力に調整することが可能となっている。なお、以下では詳述しないが、真空チャンバ２内の圧力は、材料ガスの種類及び基板の処理面の面積等の成膜条件を左右する種々の要因に応じて、適した圧力に調整される。
【００５３】
以上のように、本発明の成膜装置１は、仕切り板３を中心として、左右が略対称な構成となっている。以下では、これら材料ガス供給装置４、基板保持装置５、及び、材料ガス拡散装置６のうち、主に第１処理室２Ｌ内に配置されるものについて、それぞれ詳しく説明するが、第２処理室２Ｒ内に配置されるものも略同様の構成であるので、その詳細な説明を省略する。
【００５４】
図３は、材料ガス供給装置４のうち第１供給装置４Ｌの構成を示す側面図である。具体的には、図３は、第１供給装置４Ｌを、図１の仕切り板３側から視た図である。
【００５５】
第１供給装置４Ｌは、基板９Ｌに成膜する材料ガスを生成する材料ガス生成部４３と、この材料ガス生成部４３で生成された材料ガスを真空チャンバ２の内部へ供給する材料導入部４１と、を備える。
【００５６】
図３に示すように、材料導入部４１は管状であり、その内部を材料ガスが流れる材料導入管４１１と、この材料導入管４１１の外周を覆う被覆部４１９と、を含んで構成される。この材料導入管４１１は、低抵抗性の導電材料で形成されており、上述のようにその内部に材料ガスが導入されると共に、真空チャンバ２内にプラズマを発生させるために高周波の交流電圧が印加される。また、被覆部４１９は、絶縁性の材料で形成されており、これにより、材料導入管４１１と真空チャンバ２内の他の装置との間は電気的に絶縁される。
【００５７】
また、この材料導入管４１１は、図３中左右方向に直線状に延びる主導入管４１３と、この主導入管４１３の先端部から４つ又に分岐して接続される第１分岐管４１４、第２分岐管４１５、第３分岐管４１６、及び、第４分岐管４１７で構成される。
【００５８】
主導入管４１３は、真空チャンバ２の外部から内部の略中央まで延びており、その基端側から材料ガスを導入可能となっている。主導入管４１３の先端側は、第１分岐管４１４、第２分岐管４１５、第３分岐管４１６、及び、第４分岐管４１７に連結されており、これら分岐管４１４〜４１７の先端側へ材料ガスを供給する。
【００５９】
また、主導入管４１３には、基端側から順に、材料ガス生成部４３が接続される材料ガス導入部４１３ａと、高周波電源７の給電線が接続される電源接続部４１３ｂと、が形成されている。なお、これら材料ガス導入部４１３ａと電源接続部４１３ｂとの間には、例えば、石英やセラミック等で形成された絶縁材４１３ｃが介装されており、材料ガス導入部４１３ａと電源接続部４１３ｂとは電気的に絶縁されている。ここで、本実施形態では、高周波電源７として、例えば、１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ、１０００Ｗ〜５０００Ｗの出力を有するものを用いるが、これに限るものではない。
【００６０】
各分岐管４１４〜４１７は、主導入管４１３の先端部から、同一平面内に延びている。また、これら分岐管４１４〜４１７の先端側は、それぞれ、略垂直に折れ曲がり、第１拡散装置６Ｌに接続されている。
【００６１】
図４は、図３中の線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。具体的には、第１分岐管４１４に沿った断面図である。
図４に示すように、第１分岐管４１４は、第１分散板６１、第２分散板６３、及び、シャワー板６５の３枚で構成される第１拡散装置６Ｌに略垂直にして接続されている。
【００６２】
具体的には、第１分岐管４１４の先端部は、第１拡散装置６Ｌのシャワー板６５に電気的に接続されており、これにより、高周波電源７から供給された電力がシャワー板６５に導通される。また、第１分岐管４１４には、噴出孔４１４ａが第１分散板６１の裏面へ向けて形成されており、これにより、供給された材料ガスは、第１分散板６１へ噴出される。
【００６３】
なお、第２分岐管４１５、第３分岐管４１６、及び、第４分岐管４１７も同様にして、第１拡散装置６Ｌに接続されていると共に、噴出孔４１５ａ〜４１７ａ（図３参照）が形成されており、これにより、第１拡散装置６Ｌの第１分散板６１に複数の箇所から材料ガスを噴出させることが可能となっている。
【００６４】
次に材料ガス拡散装置６の第１拡散装置６Ｌについて説明する。図５は、第１拡散装置６Ｌの構成を示す分解斜視図である。
【００６５】
図５に示すように、第１拡散装置６Ｌは、２枚の平板状の第１分散板６１及び第２分散板６３で構成される分散部６７と、シャワー板６５とを合わせて形成される。これら第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５には、それぞれ複数の孔が形成されている。この第１拡散装置６Ｌは、図５の白抜き矢印の方向へ材料ガスを通過させることにより、基板９Ｌの処理面へ材料ガスを略均一に拡散させる。
【００６６】
シャワー板６５は、基板９Ｌの形状に合わせて略正方形状の平板となっている。シャワー板６５には、所定の内径の噴出孔６５１が、全面に亘って略等間隔に形成されている。このシャワー板６５は、第１保持装置５Ｌが保持する基板９Ｌの処理面と対向する位置に設けられ、第１分散板６１及び第２分散板６３を通過した材料ガスを、基板９Ｌの処理面へ向けて面状に略均一に拡散する。
【００６７】
また、このシャワー板６５は、導電性の材料で形成されていると共に、上述の給電用電極としての材料導入管４１１と電気的に導通される。より具体的には、シャワー板６５は、導電性のアルミ合金板で形成されており、これにより、このシャワー板６５は、プラズマを発生させるための電極板としても作用する。
【００６８】
第１分散板６１及び第２分散板６３は、それぞれ、上述のシャワー板６５と略同形の平板である。これら第１分散板６１及び第２分散板６３には、それぞれ、所定の内径の噴出孔６１１，６３１が、全面に亘って略等間隔に形成されている。
【００６９】
具体的には、第１分散板６１には、上述のシャワー板６５に形成された噴出孔６５１よりも大きな内径を有する噴出孔６１１が、所定の間隔で形成されている。
【００７０】
ここで、第１分散板６１において噴出孔６１１が形成される間隔は、シャワー板６５に形成された噴出孔６５１の間隔よりも大きい。つまり、第１分散板６１に形成される噴出孔６１１の数は、シャワー板６５に形成される噴出孔６５１の数よりも少ない。さらに言い換えれば、シャワー板６５には、噴出孔６５１が、第１分散板６１よりも密に形成されている。
【００７１】
また、第２分散板６３には、上述の第１分散板６１に形成された噴出孔６１１と略等しい内径を有する噴出孔６３１が、所定の間隔で形成されている。
【００７２】
ここで、第２分散板６３において噴出孔６３１が形成される間隔は、シャワー板６５に形成された噴出孔６５１の間隔と略等しい。つまり、第２分散板６３に形成される噴出孔６３１の数は、第１分散板６１に形成される噴出孔６１１の数よりも多い。さらに言い換えれば、第２分散板６３には、噴出孔６３１が、第１分散板６１よりも密に形成されている。
【００７３】
これら第１分散板６１及び第２分散板６３は、それぞれ、絶縁性の材料で形成されている。具体的には、ステンレス鋼板で形成される。また、第１分散板６１及び第２分散板６３には、それぞれ、第１供給装置４Ｌの材料導入管４１１を挿通させる孔が形成されている（図４参照）。
【００７４】
なお、以上のような第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５の表面には、ＧＢＢ処理（ガラスビーズドブラスト処理）が施されている。一般に、工作機械によって切削された切削面は一見滑らかに見えるが、その切削面には鋸の歯のようなミクロレベルのギザギザの山が形成されている。そこで、その切削面に上述のＧＢＢ処理をすることにより、このギザギザの山は潰され、切削面の表面積が減少し滑らかになる。つまり、ＧＢＢ処理を施すことにより、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５の表面を流れる気体の摩擦抵抗が減少するので、真空チャンバ２内の真空度を向上させることができる。
【００７５】
また、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５の表面にＧＢＢ処理を施しておくことにより、成膜した時に、基板９Ｌ，９Ｒ以外の真空チャンバ２内及び真空チャンバ２の内蔵物（例えば、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５等）にも膜が付着することがある。この付着した膜の剥離は付着したものの表面粗さに関係し、この表面が滑らか過ぎると膜がこれから剥がれてパーテイクルになることがある。ＧＢＢ処理に用いるビーズの大きさを適切なものに選択して、ほどよい表面粗さを形成することにより、膜の剥がれを防止し、また、セルフクリーニング時のクリーニングが容易になる。良好な表面粗さを得るためには、１００番〜１２０番のＧＢＢ処理を切削面に施すことが好ましい。
【００７６】
図１に戻って、以上のように構成された第１拡散装置６Ｌは、第１供給装置４Ｌ側から基板９Ｌ側へ向かって、第１分散板６１、第２分散板６３、シャワー板６５の順で、枠部材８で固定することにより形成される。
【００７７】
枠部材８は、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５の各々の外縁部が嵌合する嵌合枠８１と、これら第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５を嵌合枠８１に固定する固定部８２と、を含んで構成される。これにより、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５は、それぞれ、仕切り板３に対し平行にした状態で真空チャンバ２内に設けられる。
【００７８】
また、これら嵌合枠８１及び固定部８２は、それぞれ、絶縁性の材料で形成されている。具体的には、これら嵌合枠８１及び固定部８２は、それぞれ、石英で形成されており、これにより、シャワー板６５は真空チャンバ２内で電気的に絶縁される。
【００７９】
またここで、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５は、各々の間にインシュレータが介装されており、互いに所定の距離だけ離間させた状態で固定される。これにより、第１分散板６１と第２分散板６３との間、及び、第２分散板６３とシャワー板６５との間には、それぞれ、材料ガスが一時的に滞留する第１滞留室６８及び第２滞留室６９が形成される。
【００８０】
次に、図４を参照して、以上のように構成された第１分散板６１、第２分散板６３、及び、シャワー板６５を通過する材料ガスの流れについて説明する。
【００８１】
先ず、第１供給装置４Ｌの材料導入管４１１から供給された材料ガスは、噴出孔４１４ａから第１分散板６１の裏面へ向けて噴出される。第１供給装置４Ｌから供給された材料ガスは、第１分散板６１の噴出孔６１１、第２分散板６３の噴出孔６３１、及び、シャワー板６５の噴出孔６５１、を順に通過して、基板９Ｌの処理面に拡散される。
【００８２】
ここで、上述のように、第１供給装置４Ｌには、材料ガスを噴出する孔として４つの噴出孔４１４ａ，４１５ａ，４１６ａ，４１７ａが形成されている。また、第１分散板６１、第２分散板６３、シャワー板６５には、噴出孔６１１，６３１，６５１が、基板９Ｌ側に向かうに従い密に形成されている。換言すると、シャワー板６５の噴出孔６５１と分散板６３の噴出孔６３１とは互いに千鳥配列に配置されており、分散板６３の噴出孔６３１と分散板６１の噴出孔６１１とも互いに千鳥配列に配置されている。また、噴出孔６５１，６３１，６１１のうち、シャワー板６５の噴出孔６５１の孔径が最も小さく、次いで、分散板６３の噴出孔６３１の孔径が大きく、分散板６１の噴出孔６１１の孔径が最も大きい。このように、材料ガスを噴出する孔を段階的に増やすことにより、材料ガスを基板９Ｌの処理面に全面に亘って拡散することができる。
【００８３】
また、特に、シャワー板６５の裏面側には、第１分散板６１及び第２分散板６３を互いに離間して設けることにより、第１滞留室６８及び第２滞留室６９が形成されている。これにより、第１供給装置４Ｌから供給された材料ガスは、これら第１滞留室６８及び第２滞留室６９において、一時的に滞留した後に、シャワー板６５から基板９Ｌの処理面へ噴出される。ここで、第１滞留室６８及び第２滞留室６９で、材料ガスを一次的に滞留させることにより、第１供給装置４Ｌから供給された材料ガスを、シャワー板６５の裏面に略均一に分散させることができる。
【００８４】
以上のようにして、第１拡散装置６Ｌは、第１保持装置５Ｌが保持する基板９Ｌの処理面へ向けて、面状に材料ガスを拡散する。
【００８５】
次に、図１に戻って、基板保持装置５の第１保持装置５Ｌについて説明する。
第１保持装置５Ｌは、基板９Ｌを保持する基板保持部５２Ｕ，５２Ｄと、これら基板保持部５２Ｕ，５２Ｄにより保持された基板９Ｌを処理面の裏側から加熱する基板加熱部５４と、これら基板保持部５２Ｕ，５２Ｄ及び基板加熱部５４の縁部を上下で支持する支持部５６Ｕ，５６Ｄと、を備え、全体の形状が略立方体状となっている。
【００８６】
図１及び図２に示すように、第１保持装置５Ｌの上側に設けられる基板保持部５２Ｕは、複数のガイドローラ５２１Ｕ及びシャフト５２３Ｕを含んで構成され、下側に設けられる基板保持部５２Ｄも同様に、複数のガイドローラ５２１Ｄ及びシャフト５２３Ｄを含んで構成される。
【００８７】
ガイドローラ５２１Ｕ，５２１Ｄの外周部には、基板９Ｌの厚みに合わせた溝部が形成されており、基板９Ｌの端部がこの溝部に嵌合可能となっている。
シャフト５２３Ｕ，５２３Ｄは、水平方向に延びる棒状の部材である。シャフト５２３Ｕ，５２３Ｄの先端側には、ガイドローラ５２１Ｕ，５２１Ｄが回転可能に取り付けられている。一方、シャフト５２３Ｕ，５２３Ｄの基端側は、基板加熱部５４の後述の熱板５４２を貫通し、支持部５６により支持されている。
【００８８】
以上のように構成された基板保持部５２Ｕ，５２Ｄは、複数のガイドローラ５２１Ｕの溝部に基板９Ｌの上端部を嵌合させると共に、複数のガイドローラ５２１Ｄの溝部に基板９Ｌの下端部を嵌合させることにより、基板９Ｌを保持する。
【００８９】
基板加熱部５４は、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄに保持された基板９Ｌに対して略平行に延びる熱板５４２と、この熱板５４２を裏面から加熱する加熱部としてのヒータユニット５４４と、を備える。
【００９０】
熱板５４２は、基板９Ｌを全面に亘りむら無く加熱するために、基板９Ｌとヒータユニット５４４との間に介装される板である。この熱板５４２は、熱伝導性の高いアルミ合金で形成される。また、この熱板５４２は、接地されており、上記シャワー板６５に対向する電極板としても作用する。ヒータユニット５４４は、この熱板５４２を介して間接的に基板９Ｌを加熱し、所定の温度にする。
【００９１】
また、熱板５４２の基板９Ｌ側の面には、石英で形成された枠状のシールド５４６が、基板９Ｌの外周に沿って設けられている。
【００９２】
また、この熱板５４２の表面は、ＧＢＢ処理が施されると共に、その基板９Ｌ側の面には、セラミックコーティング処理を施すことにより、セラミックの皮膜が設けられている。これにより、熱板５４２の表面の温度むらを小さくすることができる。すなわち、このようなセラミック皮膜を設けることにより、基板９Ｌの温度むらを小さくすることができ、したがって、基板９Ｌの処理面に材料を略均一に成膜できる。
【００９３】
また、本実施形態では、熱板５４２として、板厚が１２ｍｍのステンレス板と２０ｍｍのアルミ合金板を組み合わせて用いるが、これに限るものではない。この熱板５４２の板厚は、８ｍｍ〜４０ｍｍの範囲内であることが好ましい。このような熱板５４２を用いることにより、熱板５４２の温度変化を小さくすることができる。
熱板の材質としては、カーボン（Ｃ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、ステンレス（ＳＵＳ）及びアルミ（Ａｌ）等を用いることができる。
【００９４】
熱板の厚みは、成膜しようとする基板の面積に応じて決めることが好ましい。具体的には、基板の面積が３００ｃｍ２以下の場合、熱板の厚みを８ｍｍ〜１２ｍｍ程度に、基板の面積が３００ｃｍ２〜２０００ｃｍ２の場合、熱板の厚みを１５ｍｍ〜２０ｍｍ程度に、基板の面積が２０００ｃｍ２〜１００００ｃｍ２の場合、熱板の厚みを２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度に、基板の面積が１００００ｃｍ２以上の場合、熱板の厚みを３０ｍｍ以上にすることが好ましい。ただし、カーボン（Ｃ）及び炭化珪素（ＳｉＣ）等の黒体材料を熱板とする場合は、この限りではない。また、ステンレスとアルミとの組合せ、ステンレスと炭化珪素（ＳｉＣ）との組合せ、ステンレスとカーボンとの組合せ、または、アルミと炭化珪素（ＳｉＣ）アルミとカーボンとの組合せた材質を熱板とする場合も、この限りでない。
【００９５】
支持部５６Ｕ，５６Ｄは、それぞれ、第１保持装置５Ｌのうち上部及び下部に、熱板５４２の上下端部に沿って延びる。支持部５６Ｕ，５６Ｄは、それぞれ、熱板５４２の上下端部と、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄを支持する。また、この支持部５６Ｕ，５６Ｄは、保持する基板９Ｌの処理面を、シャワー板６５に向けた状態で、真空チャンバ２内に設けられる。
【００９６】
図６及び図７は、第１保持装置５Ｌの構成を示す拡大図である。
図６に示すように、支持部５６は、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄのシャフト５２３Ｕ，５２３Ｄを摺動可能に支持すると共に、図示しないアクチュエータを備えており、これらシャフト５２３Ｕ，５２３Ｄを図６中の左右方向に沿って駆動可能となっている。これにより、成膜装置１では、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄに保持された基板９Ｌと、熱板５４２との間隔を調整できる。
【００９７】
ここで、例えば、基板９Ｌを交換する場合には、図６に示すように、シャフト５２３Ｕを押し出して、基板９Ｌと、熱板５４２及びシールド５４６とを離間させた状態で、ガイドローラ５２１Ｕを回転させながら、基板９Ｌをスロット２２１Ｌから出し入れする。このように、基板９Ｌと熱板５４２とを離間させた状態で基板９Ｌを交換することにより、この基板９Ｌの表面が傷付くのを防止できる。
【００９８】
図７に示すように、この支持部５６は、基板加熱部５４及び基板保持部５２Ｕと共に、シャワー板６５に対して略垂直な方向に摺動可能に設けられていると共に、図示しない駆動手段が接続されている。これにより、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄが保持する基板９Ｌと、シャワー板６５との間隔を調整できる。
【００９９】
このようにして基板９Ｌとシャワー板６５との間隔を調整することにより、シャワー板６５から拡散して噴出された材料ガスの吹き抜け量が調整可能となっている。ここで、材料ガスの吹き抜け量とは、図７の白抜き矢印に示すように、基板９Ｌの処理面とシャワー板６５との間から、シールド５４６と枠部材８の固定部８２との間を介して排出される材料ガスの量を示す。
【０１００】
本発明の成膜装置１では、このような材料ガスの吹き抜け量を調整可能にすることにより、基板９Ｌの処理面とシャワー板６５との間に滞留する材料ガスの量を適切に調整することができる。
【０１０１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。
【０１０２】
実施形態の成膜装置１は、いわゆるプラズマＣＶＤ法により基板の処理面に材料を成膜するものとしたが、これに限るものではない。
【０１０３】
例えば、実施形態の成膜装置１は、アニール装置、拡散装置、常圧ＣＶＤ、減圧熱ＣＶＤ等にも応用できる。
【０１０４】
また、実施形態では、成膜装置１で成膜処理を行う一組の基板として２枚の基板９Ｌ，９Ｒを用い、各々を第１処理室２Ｌ及び第２処理室２Ｒに配置したが、これに限るものではない。例えば、一組の基板として４枚の基板を用い、第１処理室に２枚の基板を配置し、第２処理室に２枚の基板を配置するようにしてもよい。
【０１０５】
また、実施形態では、シャワー板６５の裏面側へ材料ガスを分散させる分散部６７を、第１分散板６１及び第２分散板６３の２枚の分散板で構成したが、これに限るものではない。分散部は、例えば、１枚の分散板で構成してもよいし、あるいは、より多くの分散板で構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明の実施形態に係る成膜装置の構成を示す側部断面図である。
【図２】成膜装置の構成を示す上部断面図である。
【図３】第１供給装置の構成を示す側面図である。
【図４】図３中の線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【図５】第１拡散装置の構成を示す分解斜視図である。
【図６】第１保持装置の構成を示す拡大図である。
【図７】第１保持装置の構成を示す拡大図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１…成膜装置
２…真空チャンバ（処理容器）、２Ｌ…第１処理室（第１処理室）、２Ｒ…第２処理室（第２処理室）、２２，２４…壁部、２２１Ｌ，２２１Ｒ…スロット、２２３…蓋体、２４１…挿通孔
３…仕切り板（仕切り板）
４…材料ガス供給装置（材料供給手段）、４Ｌ…第１供給装置（第１供給手段）、４Ｒ…第２供給装置（第２供給手段）、４１…材料導入部（材料導入部）、４１１…材料導入管（導入管、給電用電極）、４１３…主導入管、４１３ａ…材料ガス導入部、４１３ｂ…電源接続部、４１３ｃ…絶縁材、４１４…第１分岐管、４１４ａ…噴出孔、４１５…第２分岐管、４１５ａ…噴出孔、４１６…第３分岐管、４１６ａ…噴出孔、４１７…第４分岐管、４１７ａ…噴出孔、４１９…被覆部（絶縁被覆）、４３…材料ガス生成部
５…基板保持装置（基板保持手段）、５Ｌ…第１保持装置（第１保持手段）、５Ｒ…第２保持装置（第２保持手段）、５２Ｕ，５２Ｄ…基板保持部（基板保持部）、５２１Ｕ，５２１Ｄ…ガイドローラ、５２３Ｕ，５２３Ｄ…シャフト、５４…基板加熱部（基板加熱部）、５４２…熱板（熱板）、５４４…ヒータユニット（加熱部）、５４６…シールド、５６Ｕ，５６Ｄ…支持部
６…材料ガス拡散装置（材料拡散手段）、６Ｌ…第１拡散装置（第１拡散手段）、６Ｒ…第２拡散装置（第２拡散手段）、６７…分散部（分散部）、６１…第１分散板（第１分散板）、６１１…噴出孔、６３…第２分散板（第２分散板）、６３１…噴出孔、６５…シャワー板（シャワー板）、６５１…噴出孔、６８…第１滞留室、６９…第２滞留室
７…高周波電源
８…枠部材（枠部材）、８１…嵌合枠、８２…固定部
９Ｌ，９Ｒ…基板
【図１】
2008184666.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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