(57)【要約】【課題】  二硼化物単結晶から成る基板上に特性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体を形成することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することである。【解決手段】  二硼化物単結晶から成る基板表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、次に塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングした後に窒化ガリウム系化合物半導体を成長する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二硼化物単結晶から成る基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する方法において、前記窒化ガリウム系化合物半導体を形成する前に、前記基板表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、次に塩化水素ガス及び水素ガスからなる混合ガスによって前記基板の表面をガスエッチングする工程と、次に前記基板上に前記窒化ガリウム系化合物半導体を形成する工程とを備えており、前記ガスエッチングする工程において前記塩化水素ガスと前記水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ前記基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、化学式ＸＢ２（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒのうち少なくとも１種を含む。）で表されることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二硼化物単結晶から成る基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば化学式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＋ｙ≦１，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体は、ＡｌＮ，ＩｎＮ，ＧａＮ等により、ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＩｎＧａＡｌＮ等の混晶を形成でき、このような混晶は、その組成を選択することによりバンドギャップを変化させることができ、可視光領域から紫外光領域までの発光が可能である。従って、このような窒化ガリウム系化合物半導体は、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）等の発光素子の材料として検討されており、また一部実用化が図られている。
【０００３】
このような窒化ガリウム系化合物半導体は単結晶の基板上に形成される。窒化ガリウム系化合物半導体の成長用の単結晶の基板としては、従来サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板が主に用いられており、他にシリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板、酸化亜鉛（ＺｎＯ）基板、シリコン（Ｓｉ）基板等も使用されているが、ヘテロエピタキシャル成長となり比較的格子定数差が大きい。また、最近ではホモエピタキシャル基板となる窒化ガリウム（ＧａＮ）基板も開発され利用され始めている。また、ヘテロエピタキシャル基板ではあるが、比較的格子定数差の小さい二硼化物単結晶から成る基板も注目されている。この二硼化物単結晶から成る基板は、窒化ガリウム系化合物半導体と格子定数が近いために、結晶性等の点で優れた特性を有する窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる。
【０００４】
通常、このような半導体成長用の基板においては、単結晶インゴットからスライス加工することでウェハ形状とし、さらにその切断面を平坦化するために、機械的研磨や化学的研磨を施し、半導体成長用の基板として供している。
【０００５】
以上のようにして研磨した基板の表面は一見平坦ではあるが、原子レベルでは依然として平坦ではなく、実際に半導体成長を行う際にはさらに基板の表面層のガスによるエッチングが行われている。例えば、シリコン基板の表面処理法として紫外線を照射しながら不活性ガスを含む水素ガスをキャリアとし、弗素ガスと酸化性雰囲気ガスとの混合ガスを供給する方法が開示されている（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００６】
また、化合物半導体の製造方法として、ＧａＮ単結晶基板を塩化水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱することにより基板の表面層をエッチングする気相エッチング工程を備える方法が開示されている。（例えば、下記の特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平５−１６００６１号公報
【特許文献２】特開２００３−３１５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導体の特性はさらなる向上が求められており、窒化ガリウム系化合物半導体と格子定数の近い二硼化物単結晶から成る基板が期待されているが、二硼化物単結晶からなる基板のガスによるエッチング方法は確立されておらず、表面平坦性に問題があった。
【０００８】
また、ウェハ状態では表面に基板と強固に結合した自然酸化膜が存在しており、その自然酸化膜は窒化ガリウム系化合物半導体層を成長する上で格子整合性を阻害し、二硼化物単結晶の本来の特性を生かすことができず、結晶性向上が図れない点で問題があった。
【０００９】
また、基板表面に見られるステップ、テラス構造においては、そのステップ高さが１原子層分の高さとなっておらず、そのため基板表面に成長する窒化ガリウム系化合物半導体の特性向上の阻害要因となっていた。
【００１０】
また、従来高真空中での高温雰囲気で熱的に基板表面の自然酸化膜等を除去するために、１０００℃程度での熱アニールが行われていた。二硼化物単結晶は融点が約３２００℃と高いことから結晶を構成する原子間の結合力が強く、このような熱アニールの温度では硼素の蒸気圧は低いと思われていたが、本発明者の研究により、融点より十分に低い温度の雰囲気でも二硼化物単結晶の基板表面から硼素が離脱し、表面の平坦性が悪くなることがわかった。
【００１１】
以上のような二硼化物単結晶から成る基板の表面の問題により、本来の良好な格子整合性が生かされておらず、その基板上に成長した窒化ガリウム系化合物半導体の特性は期待されたものが得られていなかった。
【００１２】
従って、本発明は上記従来の技術における問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、二硼化物単結晶から成る基板上に特性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体を形成することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、二硼化物単結晶から成る基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する方法において、前記窒化ガリウム系化合物半導体を形成する前に、前記基板表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、次に塩化水素ガス及び水素ガスからなる混合ガスによって前記基板の表面をガスエッチングする工程と、次に前記基板上に前記窒化ガリウム系化合物半導体を形成する工程とを備えており、前記ガスエッチングする工程において前記塩化水素ガスと前記水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ前記基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングすることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は好ましくは、前記基板は、化学式ＸＢ２（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒのうち少なくとも１種を含む。）で表されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、二硼化物単結晶から成る基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する方法において、窒化ガリウム系化合物半導体を形成する前に、基板の表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、次に塩化水素ガス及び水素ガスからなる混合ガスによって基板表面をガスエッチングする工程と、次に基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する工程とを備えており、ガスエッチングする工程において塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングを行うことから、以下の種々の作用により良好な特性を有する窒化ガリウム系化合物半導体層を得ることが可能となる。
【００１６】
即ち、二硼化物単結晶から成る基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成するに際して、二硼化物単結晶と窒化ガリウム系化合物半導体とは結晶の格子定数や熱膨張係数が近いことから、転位密度が低く、残留歪の小さい窒化ガリウム系化合物半導体を形成することが可能となる。
【００１７】
また、上記基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する前に、基板表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程を行うことで、二硼化物単結晶から成る基板表面上に存在している、基板との結合が強固な自然酸化膜をほぼ除去することが可能となる。
【００１８】
次に、塩化水素ガス及び水素ガスからなる混合ガスによって基板表面をガスエッチングする工程を行うことで、フッ酸水溶液によって除去することができなかった基板の表層部に残存した酸化物もしくは再酸化した酸化物を除去することができる。このような再酸化した酸化物は、基板との結合力が比較的弱い。また、高真空中での加熱によって酸化物の除去を行うためには１０００℃程度の高温が必要であり、それに伴う基板からの硼素離脱によって基板表面の荒れが生じていたが、このような混合ガス雰囲気中でエッチングを行うことで、より低温での酸化物除去が可能となる。また、基板表面の酸化物除去や基板からの硼素離脱によって生じると思われる基板表面のジルコニウム（Ｚｒ）等の過剰元素を、効果的に除去することができ、その結果、原子レベルで基板表面の平坦性に優れ、基板表面に形成されるステップ、テラス構造のステップ高さが１原子層分の高さに対応しており、かつ残留酸化物のない基板を得ることが可能となる。
【００１９】
ここで、以上のガスエッチングする工程において塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングを行うことが必要である。塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とすることで過度なエッチングが起きないように抑制でき、優れた表面の平坦性を有するとともに残留酸化物の無い基板を得ることが可能となる。
【００２０】
塩化水素ガスと水素ガスとの流量比が１／２０以上となると塩化水素ガスによるエッチングが急速に進行し、また過度のエッチングとなり、基板表面のステップ構造が消失したり、孔が生じたりして、基板表面に荒れが生じる。
【００２１】
また、この混合ガスによるガスエッチングの際に基板の温度を６４０℃以下とすることが必要である。混合ガス中でのガスエッチングにより酸化物除去のために１０００℃程度と高温にする必要がなく、６４０℃以下でも酸化物除去が可能である。基板の温度を６４０℃を超える温度としてエッチングを行うと硼素の離脱が顕著になり基板表面のステップが消失し、また、孔が生じたりと表面荒れが生じ易くなる。
【００２２】
以上のような工程を施すことによって、優れた表面平坦性を呈するとともに残留酸化物のない基板を得ることができ、その基板に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させることにより、良好な特性を有する窒化ガリウム系化合物半導体を得ることが可能となる。
【００２３】
さらに、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は好ましくは、二硼化物単結晶から成る基板として、化学式ＸＢ２（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒのうち少なくとも１種を含む。）で表されるものを使用することによって、窒化ガリウム系化合物半導体との格子定数差が０．５７％（ＺｒＢ２の場合）、熱膨張係数差も０．３×１０−６／Ｋ（ＺｒＢ２の場合）と小さい基板であるため、転位密度が低く、残留歪の小さい窒化ガリウム系化合物半導体を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法についての実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２５】
図１は、本発明の製造方法によって得られた二硼化物単結晶からなる基板１上に成長した窒化ガリウム系化合物半導体１を示す断面図である。
【００２６】
本発明の基板１は、ＺｒＢ２単結晶，ＴｉＢ２単結晶等からなるが、窒化ガリウム系化合物半導体との格子整合性及び熱膨張係数の整合性の点で優れていることを考慮すると、ＺｒＢ２単結晶からなるものを使用することが好ましい。また、ＺｒＢ２単結晶において、Ｚｒの一部がＴｉやＨｆに置換されているものであってもよい。また、ＺｒＢ２単結晶において、その結晶性また格子定数が大きく変化しない程度に不純物としてＴｉ，Ｈｆ，Ｍｇ，Ａｌ等を含んでいても構わない。
【００２７】
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体２は、化学式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されるものであるが、具体的には、窒化ガリウム（ＧａＮ），窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ），窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）等の組成のものである。
【００２８】
また、窒化ガリウム系化合物半導体２について、ｐ型、ｎ型または半絶縁性として、導電型や導電性の制御を行っても良い。その場合、例えばｐ型ドーパントとしてはマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、硼素（Ｂ）、ｎ型ドーパントとしてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）を挙げることができる。
【００２９】
さらに、窒化ガリウム系化合物半導体２上に発光層や２次元電子ガス層を形成する構成とし、発光デバイスや電子デバイスとすることができる。
【００３０】
図１の二硼化物単結晶からなる基板１は好ましくは、化学式ＸＢ２（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒのうち少なくとも１種を含む。）からなっており、具体的にはＺｒＢ２を挙げることができる。
【００３１】
基板２は、まずフローティングゾーン法などの結晶成長法により単結晶のインゴットを作製し、その後ワイヤー切断機などにより所望の形状、厚みのウェハ状に加工し、さらにその表面をダイヤモンド研磨剤などにより機械的に研磨することにより、表面が鏡面となるような基板２が得られる。
【００３２】
そのような基板２の表面を、例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察すると、基板２の表面のオフ角（（０００１）面等の所定の結晶面からのずれ角）に対応したステップ、テラス構造が観察できる。しかし、その表面には例えばＺｒＯ２からなる自然酸化膜が形成されており、さらにそのステップ高さは１原子層分の高さに対応していない。
【００３３】
従って、二硼化物単結晶からなる基板２は、窒化ガリウム系化合物半導体の形成前に以下の工程を順次行う。
【００３４】
まず、基板２をフッ酸水溶液中にてエッチングを行う。これにより基板２の表面に存在している、基板２との結合が強固な自然酸化膜、例えばＺｒＯ２膜をほぼ除去できる。この際、フッ酸水溶液のフッ酸濃度は０．１体積％以上５０体積％未満であることが好ましい。０．１体積％未満の濃度では、自然酸化膜を除去することができず、また５０体積％以上の濃度では、基板２自体のエッチングが進行し、表面荒れを生じる。さらに好ましくは０．５体積％以上５体積％以下であり、１体積％程度であれば表面荒れを起こすことなく基板２表面上に存在する自然酸化膜を除去できる。
【００３５】
さらに、エッチング時間はフッ酸水溶液の濃度により異なるが、１体積％程度の濃度でのエッチングであれば１分間程度で十分自然酸化膜の除去が可能である。
【００３６】
その後、ガスエッチングを行うためにガスエッチング装置内に基板２を設置し、基板２温度を上昇させる。このガスエッチングによって、フッ酸水溶液で除去することができなかった基板２表層部に残留する酸化物を除去する。加熱方式は抵抗加熱炉、赤外線加熱炉等を用いた方式でよく、特には限定されない。また、加熱時には水素ガスのみを供給する。その際の圧力は大気圧でよいが、加圧雰囲気、減圧雰囲気でも特に支障はない。また水素ガスの他にも還元性のガス、または不活性ガスでも可能であるが、基板２表面における酸化物の発生を防止するうえで還元性のガスがよく、還元性のガスとして水素ガスが好ましい。
【００３７】
所定の温度（６００℃程度）に達した後に、塩化水素ガスを供給し水素ガスと塩化水素ガスの混合ガスとする。混合ガスは塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０となるように設定する。混合ガスの流量比が１／２０以上となると、基板２の温度によらず塩化水素ガスによるエッチングが急激に進行するため、また過度のエッチングとなり基板２表面のステップ構造が消失したり、孔が生じたりして、基板２の表面荒れが生じる。
【００３８】
ガス流量の好適な範囲としては、（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＝ＧＳとした場合、ＧＳ＝１／１００〜１／２０００程度がよく、より好適にはＧＳ＝１／１０００がよい。塩化水素ガスの流量が多くても基板２自体のエッチングは可能であるが、装置の腐食等による劣化が生じるため好ましくない。
【００３９】
水素ガスのみでは基板２表層部に存在する酸化物を除去することができず、塩化水素ガスを混入することによってエッチングが進行する。
【００４０】
混合ガスによるエッチング時の基板２の温度は６４０℃以下であることが必要である。６４０℃を超える温度においては、塩化水素ガスの供給に拘らず、硼素抜けが生じ基板２表面のステップ構造が消失したり、孔が生じたりして、表面荒れが生じる。６４０℃よりもかなりの低温でもエッチングは可能であるが、塩化水素ガスの分解が困難になるのと、エッチング自体に時間がかかるようになることから、４００℃〜６００℃が好ましい。基板２の表面荒れが生じない温度及び良好なエッチング効率を考慮して、６００℃程度が最も好適である。
【００４１】
エッチング時間については特に限定されず、混合ガス中の塩化水素ガス濃度と基板２温度により適宜決定することができるが、６００℃程度のエッチングでは１５分間エッチングを行えば十分に基板２の表層部の酸化物を除去することができ、表面平坦性に優れた基板２を得ることができる。
【００４２】
所定の時間水素ガスと塩化水素ガスの混合ガスによりエッチングを行った後に、基板２温度を降温する。降温時は塩化水素ガスの供給を停止し水素ガスのみを供給する。
【００４３】
以上のような工程を施すことにより、残留酸化物がほとんどなく、基板２表面にはステップ、テラスが明瞭に観察でき、そのステップ高さが１原子層分の高さに対応している表面を有する、二硼化物単結晶から成る基板２を得ることができる。
【００４４】
その後、窒化ガリウム系化合物半導体の成長を行う。窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法が用いられるが、その他に分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法やハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法、パルスレーザデポジション（ＰＬＤ）法等が挙げられる。
【００４５】
水素ガスと塩化水素ガスの混合ガスによるエッチングと、その後の窒化ガリウム系化合物半導体の成長は、連続的に同一チャンバー内で行われることが再酸化を防ぐ点で好ましいが、ガスエッチング専用チャンバーと成長用チャンバーが別々でもロードロック等により連結されていればよい。ガスエッチングと成長用のチャンバーが全く別であり、ガスエッチングを行った後にチャンバーから取り出し、再度成長用のチャンバーに設置することも可能であるが、その際は基板２表面の再酸化を抑制するために極力大気に触れる時間を短くする必要がある。その時間は、具体的には５分間以下であることが好ましい。
【００４６】
以上のように二硼化物単結晶から成る基板２をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、塩化水素ガス及び水素ガスからなる混合ガスによって基板２表面をガスエッチングする工程とを経た後に、基板２上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成することによって、二硼化物単結晶の持つ格子定数差及び熱膨張差が小さい特性を十分に反映した窒化ガリウム系化合物半導体を形成でき、転位密度が低く、残留応力の小さい特性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体の層を得ることができる。
【００４７】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【実施例１】
【００４８】
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法の実施例について以下に説明する。
【００４９】
本実施例１では、二硼化物単結晶から成る基板として結晶のｃ面が表面に露出している（０００１）面のＺｒＢ２基板を用いた。このＺｒＢ２基板上にはＺｒＯ２からなる自然酸化膜が形成されていることがＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により確認できた。
【００５０】
まず、フッ酸水溶液中での基板のエッチングを行った。フッ酸水溶液濃度は１体積％とし、１分間浸漬した後に純水で洗浄した。このエッチング後に同様にＸＰＳ分析を行ったところ、ＺｒＯ２に起因するピーク強度が大幅に減少していることが確認できた。しかし、まだ依然としてＺｒＯ２に起因するピークは完全には消失しておらず、基板の表層部にＺｒＯ２は残留していた。
【００５１】
この基板を水素ガスと塩化水素ガスの混合ガスによるガスエッチングを行うためのチャンバー内に配置した。チャンバー内において、基板はＳｉＣコートされたカーボン製のサセプター上に設置し、赤外線加熱装置により加熱した。
【００５２】
ガスエッチングはまず水素ガスを流しながら昇温し、その後所定の温度に達した時点で塩化水素ガスを供給した。この際の水素ガス流量は１０００ｃｃ／分、塩化水素ガス流量および、基板温度を変化させ、１５分間のエッチングを行った。その後塩化水素ガスの供給を停止し、水素ガス流量１０００ｃｃ／分の雰囲気中にて降温した。
【００５３】
エッチング後の基板について、それぞれチャンバーより取り出した後に、ＡＦＭにより表面観察を行い、エッチングの度合いや表面荒れの確認を行った。その結果を図２にまとめた。○印は、基板の表面について、ステップが維持されて平坦な表面が得られたものであり、×印は、基板の表面に荒れが生じステップが消失したサンプルである。○印のサンプルでは、ステップが明瞭に観察でき、ステップ高さも１原子層分の高さに対応していた。また、ＸＰＳ分析によってＺｒＯ２に起因するピークはほぼ検出されず、残留酸化物がないことも確認できた。図２のグラフより、○印は最高で６４０℃であるため、（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０（０．０５）とし、かつ基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングすると、基板の表面に１原子層分の高さに対応するステップが形成されて平坦な表面が得られることが判った。
【実施例２】
【００５４】
本実施例２では、ガスエッチング時のガスを１０００ｃｃ／分の水素ガスのみにした以外は実施例１と同じ条件とした。この基板の表面をＡＦＭにより表面観察した結果、ステップは観察できたが、ガスエッチングの処理前後で全く変化が無く、エッチングがされていないことが確認できた。
【００５５】
以上のようなエッチングを行った後に、実施例１，２の各基板を、ＭＯＶＰＥ法にてＡｌＧａＮ層を成長するためにチャンバー内に設置した。ＡｌＧａＮ層はＺｒＢ２に格子整合する組成であるＡｌ０．２４Ｇａ０．７６Ｎとした。ＡｌＧａＮ層の成長は、トリメチルガリウム（ＴＭＧ：Ｇａ（ＣＨ３）３）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ：Ａｌ（ＣＨ３）３）及びアンモニアを原料として、１１００℃の基板温度で約２μｍの厚さに成長させた。
【００５６】
成長したＡｌＧａＮ層の結晶性をＸ線回折による（０００２）面の半値幅（ＦＷＨＭ）を測定し評価した結果、実施例１により○印の表面状態が得られた基板に成長させたＡｌＧａＮ層が×印のステップが消失し表面荒れが生じた基板上に成長したものよりも半値幅が小さく特性が良いものであった。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】窒化ガリウム系化合物半導体を形成した二硼化物単結晶から成る基板の断面図である。
【図２】本実施例に基づくエッチング後の表面状態を観察した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５８】
１：二硼化物単結晶から成る基板
２：窒化ガリウム系化合物半導体
【図１】
2008085060.tif 000003
【図２】
2008085060.tif 000004