(57)【要約】【課題】伝送経路の特性インピーダンスの不連続性を抑制することが可能な配線回路基板を提供する。【解決手段】ベース絶縁層１の一面上に形成された配線パターン２ａに対向する他面上の領域のうち金属めっき層３近傍の領域Ａ、およびベース絶縁層１の他面上に形成された配線パターン２ｂに対向する一面上の領域のうち金属めっき層３近傍の領域Ｂには、それぞれ接地層が形成されない。配線パターン２ａおよび第２の接地層４ｂを覆うように、ベース絶縁層１の一面上にカバー絶縁層５ａが形成される。カバー絶縁層５ａに設けられた貫通孔６ｂ内に、例えば１０〜４０の比誘電率を有する高誘電率材料を充填することにより、高誘電率絶縁部７ｂが形成される。上記の高誘電率材料は、例えばポリイミドまたはエポキシからなる樹脂内にチタン酸バリウム等の高誘電率物質を分散させてなるものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面および他面を有するベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の前記一面に形成された第１の接地層と、
一部を除いて前記第１の接地層に対向するように前記ベース絶縁層の前記他面に形成された第１の導体パターンと、
前記第１の導体パターンの前記一部に対向する前記ベース絶縁層の前記一面の第１の領域上に前記ベース絶縁層の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電率絶縁部とを備えたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記第１の導体パターンを覆うように前記ベース絶縁層の前記他面上に形成され、前記第１の領域上に第１の孔部を有する第１のカバー絶縁層をさらに備え、
前記第１の高誘電率絶縁部は、前記第１の孔部内に充填され、前記第１の高誘電率絶縁部の比誘電率は、前記第１のカバー絶縁層の比誘電率よりも高いことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第１の高誘電率絶縁部は、樹脂および高誘電率物質を含むことを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記第１の高誘電率絶縁部は、前記樹脂内に前記高誘電率物質を分散させることにより形成されることを特徴とする請求項３記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記高誘電率物質は、チタン酸バリウムを含むことを特徴とする請求項３または４記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記第１の高誘電率絶縁部の比誘電率は、１０以上４０以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記ベース絶縁層の前記他面の前記第１の導体パターンと異なる領域に形成された第２の接地層と、
一部を除いて前記第２の接地層に対向するように前記ベース絶縁層の前記一面に形成された第２の導体パターンと、
前記第２の導体パターンの前記一部に対向する前記ベース絶縁層の前記他面の第２の領域上に前記ベース絶縁層の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電率絶縁部とをさらに備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項８】
前記第２の導体パターンを覆うように前記ベース絶縁層の前記一面上に形成され、前記第２の領域上に第２の孔部を有する第２のカバー絶縁層をさらに備え、
前記第２の高誘電率絶縁部は、前記第２の孔部内に充填されたことを特徴とする請求項７記載の配線回路基板。
【請求項９】
前記ベース絶縁層内に設けられ、前記第１の導体パターンの端部と前記第２の導体パターンの端部とを接続する導体部をさらに備え、
前記第１の接地層の一端は前記導体部と離間し、前記第２の接地層の一端は前記導体部と離間し、
前記第１の高誘電率絶縁部は前記第１の接地層の一端と前記導体部との間に設けられ、前記第２の高誘電率絶縁部は前記第２の接地層の一端と前記導体部との間に設けられたことを特徴とする請求項７または８記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電子機器に用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々の電気機器または電子機器に配線回路基板（プリント配線基板）が用いられている。電気機器および電子機器の小型化および軽量化を実現するために、配線回路基板上の配線パターンは高密度化されるとともに、小型化された配線回路基板上に電子部品が実装されている。
【０００３】
近年、上記のように、配線回路基板をさらに高密度化および小型化するために、多層構造を有する配線回路基板が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３２３８４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の配線回路基板は、以下の課題を有する。図３は、従来の配線回路基板の構成を簡単に示す模式的断面図である。
【０００５】
図３に示すように、ベース絶縁層１は一面および他面を有する。ベース絶縁層１の一面上および他面上にそれぞれ所定の配線パターン２ａ，２ｂが形成される。
【０００６】
そして、ベース絶縁層１内に設けられるスルーホール部（図示せず）に、上記配線パターン２ａと配線パターン２ｂとを電気的に接続する金属めっき層３が形成される。
【０００７】
ベース絶縁層１の一面上に形成された配線パターン２ａに対向する他面上の領域には、第１の接地層４ａが形成される。また、ベース絶縁層１の他面上に形成された配線パターン２ｂに対向する一面上の領域には、第２の接地層４ｂが形成される。
【０００８】
ただし、ベース絶縁層１の一面上に形成された配線パターン２ａに対向する他面上の領域のうち金属めっき層３近傍の領域Ａ、およびベース絶縁層１の他面上に形成された配線パターン２ｂに対向する一面上の領域のうち金属めっき層３近傍の領域Ｂには、それぞれ接地層を形成しない。これにより、配線回路基板に短絡が発生することを防止することができる。
【０００９】
しかしながら、配線パターン２ａ，２ｂに対向する領域Ａ，Ｂに接地層が形成されていないため、配線パターン２ａ，２ｂおよび接地層４ａ，４ｂにより構成される伝送経路において、領域Ａ，Ｂの部分のインピーダンスが他の部分のインピーダンスと異なる。それにより、伝送経路の特性インピーダンスに不連続性が生じる。その結果、配線回路基板の伝送経路において損失が生じ、信号の伝送効率が低下する。
【００１０】
本発明の目的は、伝送経路の特性インピーダンスの不連続性を抑制することが可能な配線回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明に係る配線回路基板は、一面および他面を有するベース絶縁層と、ベース絶縁層の一面に形成された第１の接地層と、一部を除いて第１の接地層に対向するようにベース絶縁層の他面に形成された第１の導体パターンと、第１の導体パターンの一部に対向するベース絶縁層の一面の第１の領域上にベース絶縁層の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電率絶縁部とを備えたものである。
【００１２】
本発明に係る配線回路基板においては、ベース絶縁層の一面に第１の接地層が形成される。一部を除いて第１の接地層に対向するように第１の導体パターンがベース絶縁層の他面に形成される。また、第１の導体パターンの一部に対向するベース絶縁層の一面の第１の領域上に、ベース絶縁層の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電率絶縁部が形成される。この場合、第１の導体パターンおよび第１の接地層により伝送経路が構成される。
【００１３】
このような構成により、伝送経路の第１の領域の部分のインピーダンスがその他の部分のインピーダンスとほぼ等しくなる。それにより、配線回路基板における伝送経路の特性インピーダンスを均一にすることが可能となる。すなわち、配線回路基板において伝送経路の特性インピーダンスの不連続性を抑制することができる。したがって、配線回路基板において信号（高周波信号）の伝送効率の低下が抑制される。
【００１４】
（２）配線回路基板は、第１の導体パターンを覆うようにベース絶縁層の他面上に形成され、第１の領域上に第１の孔部を有する第１のカバー絶縁層をさらに備え、第１の高誘電率絶縁部は、第１の孔部内に充填され、第１の高誘電率絶縁部の比誘電率は、第１のカバー絶縁層の比誘電率よりも高くてもよい。
【００１５】
この場合、第１の領域上に第１の孔部を有する第１のカバー絶縁層が第１の導体パターンを覆うようにベース絶縁層の他面上に形成される。また、第１のカバー絶縁層の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電率絶縁部は、第１の孔部内に充填される。このような構成により、第１の領域上に第１の高誘電率絶縁部を容易に形成できる。
【００１６】
（３）第１の高誘電率絶縁部は、樹脂および高誘電率物質を含んでもよい。この場合、高誘電率を有する絶縁部を容易に作製することが可能となる。
【００１７】
（４）第１の高誘電率絶縁部は、樹脂内に高誘電率物質を分散させることにより形成されてもよい。
【００１８】
この場合、上記樹脂内に分散させる高誘電率物質の量により、第１の高誘電率絶縁部の比誘電率を制御することが可能となる。
【００１９】
（５）高誘電率物質は、チタン酸バリウムを含んでもよい。この場合、チタン酸バリウムを用いることにより高誘電率物質の低コスト化を図ることができる。
【００２０】
（６）第１の高誘電率絶縁部の比誘電率は、１０以上４０以下であってもよい。この場合、伝送経路の第１の領域の部分のインピーダンスがその他の部分のインピーダンスとほぼ等しくなる。それにより、配線回路基板における伝送経路の特性インピーダンスを均一にすることが可能となる。それにより、配線回路基板において伝送経路の特性インピーダンスの不連続性を十分に抑制することができる。
【００２１】
（７）配線回路基板は、ベース絶縁層の他面の第１の導体パターンと異なる領域に形成された第２の接地層と、一部を除いて第２の接地層に対向するようにベース絶縁層の一面に形成された第２の導体パターンと、第２の導体パターンの一部に対向するベース絶縁層の他面の第２の領域上にベース絶縁層の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電率絶縁部とをさらに備えてもよい。
【００２２】
この場合、ベース絶縁層の他面の第１の導体パターンと異なる領域に第２の接地層が形成される。一部を除いて第２の接地層に対向するように第２の導体パターンがベース絶縁層の一面に形成される。また、第２の導体パターンの一部に対向するベース絶縁層の他面の第２の領域上に、ベース絶縁層の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電率絶縁部が形成される。この場合、第２の導体パターンおよび第２の接地層により伝送経路が構成される。
【００２３】
このような構成により、伝送経路の第２の領域の部分のインピーダンスがその他の部分のインピーダンスとほぼ等しくなる。それにより、配線回路基板における伝送経路の特性インピーダンスを均一にすることが可能となる。すなわち、配線回路基板において伝送経路の特性インピーダンスの不連続性を抑制することができる。したがって、配線回路基板において信号（高周波信号）の伝送効率の低下が抑制される。
【００２４】
（８）配線回路基板は、第２の導体パターンを覆うようにベース絶縁層の一面上に形成され、第２の領域上に第２の孔部を有する第２のカバー絶縁層をさらに備え、第２の高誘電率絶縁部は、第２の孔部内に充填されてもよい。
【００２５】
この場合、第２の領域上に第２の孔部を有する第２のカバー絶縁層が第２の導体パターンを覆うようにベース絶縁層の一面上に形成される。また、第２のカバー絶縁層の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電率絶縁部は、第２の孔部内に充填される。このような構成により、第２の領域上に第２の高誘電率絶縁部を容易に形成できる。
【００２６】
（９）配線回路基板は、ベース絶縁層内に設けられ、第１の導体パターンの端部と第２の導体パターンの端部とを接続する導体部をさらに備え、第１の接地層の一端は導体部と離間し、第２の接地層の一端は導体部と離間し、第１の高誘電率絶縁部は第１の接地層の一端と導体部との間に設けられ、第２の高誘電率絶縁部は第２の接地層の一端と導体部との間に設けられてもよい。
【００２７】
この場合、第１の導体パターンの端部と第２の導体パターンの端部とがベース絶縁層内に設けられた導体部により接続される。それにより、第１の導体パターンおよび第１の接地層により構成された伝送経路と、第２の導体パターンおよび第２の接地層により構成された伝送経路とが電気的に接続される。第１の接地層の一端は上記導体部と離間し、第２の接地層の一端は上記導体部と離間している。
【００２８】
このような構成において、第１の高誘電率絶縁部が第１の接地層の一端と導体部との間に設けられ、第２の高誘電率絶縁部が第２の接地層の一端と導体部との間に設けられていることによって、伝送経路の第１および第２の領域の各部分のインピーダンスがその他の部分のインピーダンスとほぼ等しくなる。それにより、配線回路基板における伝送経路の特性インピーダンスを均一にすることが可能となる。すなわち、配線回路基板において伝送経路の特性インピーダンスの不連続性を抑制することができる。したがって、配線回路基板において信号（高周波信号）の伝送効率の低下が抑制される。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る配線回路基板によれば、伝送経路の特性インピーダンスの不連続性を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板について図面を参照しながら説明する。本実施の形態に係る配線回路基板は、フレキシブル配線回路基板である。
【００３１】
（１）配線回路基板の製造方法
図１は、本実施の形態に係る配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【００３２】
図１（ａ）に示すように、例えばポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１の一面上および他面上にそれぞれ所定の配線パターン２ａ，２ｂが形成される。なお、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはブチラール樹脂からなるベース絶縁層１を用いてもよい。また、ベース絶縁層１の比誘電率は、例えば約３．２〜４．０である。
【００３３】
そして、ベース絶縁層１内に設けられるスルーホール部（図示せず）に、上記配線パターン２ａと配線パターン２ｂとを電気的に接続する金属めっき層３が形成される。
【００３４】
ベース絶縁層１の一面上に形成された配線パターン２に対向する他面上の領域には、第１の接地層（グランド層）４ａが形成される。また、ベース絶縁層１の他面上に形成された配線パターン２に対向する一面上の領域には、第２の接地層（グランド層）４ｂが形成される。なお、配線パターン２ａ，２ｂならびに第１および第２の接地層４ａ，４ｂは、公知のセミアディティブ法またはサブトラクティブ法等により形成される。
【００３５】
ここで、ベース絶縁層１の一面上に形成された配線パターン２ａに対向する他面上の領域のうち金属めっき層３近傍の領域Ａ、およびベース絶縁層１の他面上に形成された配線パターン２ｂに対向する一面上の領域のうち金属めっき層３近傍の領域Ｂには、それぞれ接地層が形成されない。これにより、完成された後述の配線回路基板１００において短絡が発生することを防止することができる。
【００３６】
続いて、図１（ｂ）に示すように、例えばエポキシを含む樹脂からなるカバー絶縁層５ａ，５ｂを用意する。カバー絶縁層５ａ，５ｂの比誘電率は、例えば約３．２〜４．０である。
【００３７】
そして、ベース絶縁層１の一面にカバー絶縁層５ａが形成された場合に上記領域Ｂに対向する当該カバー絶縁層５ａの位置に、貫通孔６ｂが形成される。また、ベース絶縁層１の他面にカバー絶縁層５ｂが形成された場合に上記領域Ａに対応する当該カバー絶縁層５ｂの位置に、貫通孔６ａが形成される。
【００３８】
次いで、図１（ｃ）に示すように、配線パターン２ａおよび第２の接地層４ｂを覆うように、ベース絶縁層１の一面上にカバー絶縁層５ａが形成される。また、配線パターン２ｂおよび第１の接地層４ａを覆うように、ベース絶縁層１の他面上にカバー絶縁層５ｂが形成される。
【００３９】
次に、図１（ｄ）に示すように、カバー絶縁層５ａに設けられた貫通孔６ｂ内に、例えば１０〜４０の比誘電率を有する高誘電率材料を充填することにより、高誘電率絶縁部７ｂが形成される。
【００４０】
また、カバー絶縁層５ｂに設けられた貫通孔６ａ内に、例えば１０〜４０の比誘電率を有する高誘電率材料を充填することにより、高誘電率絶縁部７ａが形成される。これにより、本実施の形態に係る配線回路基板１００が完成される。
【００４１】
この配線回路基板１００においては、配線パターン２ａおよび第１の接地層４ａ、ならびに、配線パターン２ｂおよび第２の接地層４ｂがマイクロストリップ線路からなる伝送経路を構成する。
【００４２】
ここで、上記高誘電率材料は、例えばポリイミドまたはエポキシからなる樹脂内にチタン酸バリウム等の高誘電率物質を分散させてなるものである。高誘電率絶縁部７ａ，７ｂの比誘電率は、ベース絶縁層１の比誘電率およびカバー絶縁層５ａ，５ｂの比誘電率よりも高く設定される。高誘電率絶縁部７ａ，７ｂの比誘電率は、上記樹脂内に分散させる高誘電率物質の量により制御することが可能である。
【００４３】
カバー絶縁層５ａ，５ｂの厚さは、３〜１００μｍであることが好ましく、５〜６０μｍであることがより好ましく、１０〜３０μｍであることがさらに好ましい。
【００４４】
高誘電率絶縁部７ａ，７ｂの厚さは、カバー絶縁層５ａ，５ｂの厚さに依存し、３〜１００μｍであることが好ましく、５〜６０μｍであることがより好ましく、１０〜３０μｍであることがさらに好ましい。
【００４５】
また、高誘電率絶縁部７ａ，７ｂの形成方法としては、スクリーン印刷法、露光・現像処理法またはディスペンサーによる塗布形成法を用いることができる。
【００４６】
貫通孔６ａ，６ｂの形成方法としては、金型加工法、露光・現像処理法またはレーザー加工法を用いることができる。また、貫通孔６ａ，６ｂの深さは、カバー絶縁層５ａ，５ｂの厚さに依存し、３〜１００μｍであることが好ましく、５〜６０μｍであることがより好ましく、１０〜３０μｍであることがさらに好ましい。例えば、貫通孔６ａ，６ｂの深さは５〜５０μｍである。なお、貫通孔６ａ，６ｂの大きさは、それぞれ領域Ａ，Ｂの大きさに依存する。
【００４７】
（２）本実施の形態における効果
このように、本実施の形態においては、ベース絶縁層１の一面上に形成された配線パターン２ａに対向する他面上の領域のうち金属めっき層３近傍の領域Ａ上のカバー絶縁層５ｂ内に高誘電率絶縁部７ａを形成し、ベース絶縁層１の他面上に形成された配線パターン２ｂに対向する一面上の領域のうち金属めっき層３近傍の領域Ｂ上のカバー絶縁層５ａ内に高誘電率絶縁部７ｂを形成することによって、伝送経路の領域Ａ，Ｂの部分のインピーダンスがその他の部分のインピーダンスとほぼ等しくなる。それにより、配線回路基板１００における伝送経路の特性インピーダンスを均一にすることが可能となる。すなわち、配線回路基板１００において伝送経路の特性インピーダンスの不連続性を抑制することができる。したがって、配線回路基板１００において信号（高周波信号）の伝送効率の低下が抑制される。
【００４８】
（３）他の実施の形態
上記実施の形態では、配線回路基板１００において配線パターン２ａ，２ｂおよび接地層４ａ，４ｂをベース絶縁層１の両面に設けることとしたが、これに限定されるものではなく、配線パターンおよび接地層をそれぞれベース絶縁層１の一面および他面のみまたは他面および一面のみに設けてもよい。この場合、ベース絶縁層１において配線パターンに対向する反対側の面の領域のうち接地層が存在しない領域上のカバー絶縁層に高誘電率絶縁部を設ける。
【００４９】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００５０】
上記実施の形態では、配線パターン２ａが第１の導体パターンの例であり、領域Ａが第１の領域の例であり、高誘電率絶縁部７ａが第１の高誘電率絶縁部の例であり、貫通孔６ａが第１の孔部の例であり、カバー絶縁層５ｂが第１のカバー絶縁層の例であり、配線パターン２ｂが第２の導体パターンの例であり、領域Ｂが第２の領域の例であり、高誘電率絶縁部７ｂが第２の高誘電率絶縁部の例であり、貫通孔６ｂが第２の孔部の例であり、カバー絶縁層５ａが第２のカバー絶縁層の例であり、金属めっき層３が導体部の例である。
【００５１】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明における実施例および比較例について説明する。
【００５３】
（ａ）実施例
本実施例では、上記実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。図２は、実施例の配線回路基板１００の上面図、断面図および下面図である。なお、図２では、上段、中断および下段にそれぞれ配線回路基板１００の上面図、断面図および下面図が示されている。
【００５４】
図２に示すように、第１および第２の接地層４ａ，４ｂは、配線回路基板１００の幅方向の一端面から他端面までの領域に形成した。
【００５５】
また、配線パターン２ａ，２ｂは、配線回路基板１００の長さ方向の中央部に延びるように線状に形成した。
【００５６】
ここで、本実施例における配線回路基板１００の詳細は次の通りである。
【００５７】
貫通孔６ａ，６ｂの形成方法として金型加工法を用いた。貫通孔６ａ，６ｂの深さは２８μｍとし、当該貫通孔６ａ，６ｂの断面形状は楕円形状（２×３ｍｍ）とした。
【００５８】
また、比誘電率３．３のポリイミド中に比誘電率３３００のチタン酸バリウムを２０体積％分散させることによって生成した比誘電率１０の高誘電率材料を、スクリーン印刷法を用いて貫通孔６ａ，６ｂ内にそれぞれ充填することにより、高誘電率絶縁部７ａ，７ｂを形成した。
【００５９】
そして、高誘電率絶縁部７ａに対向する配線パターン２ａ上の位置の特性インピーダンス（以下、第１の特性インピーダンスと呼ぶ）、および高誘電率絶縁部７ｂに対向する配線パターン２ｂ上の位置の特性インピーダンス（以下、第２の特性インピーダンスと呼ぶ）を測定した。
【００６０】
その結果、第１および第２の特性インピーダンスは、配線パターン２ａ，２ｂ上のその他の位置における特性インピーダンスの値とそれぞれ近似していた。
【００６１】
（ｂ）比較例
本比較例の配線回路基板の構成が、上記実施例の配線回路基板１００の構成と異なる点は、貫通孔６ａ，６ｂおよび高誘電率絶縁部７ａ，７ｂを設けなかった点である。
【００６２】
上記高誘電率絶縁部７ａの位置に相当する比較例の配線回路基板の位置に対向する配線パターン２ａ上の位置の特性インピーダンス（以下、第３の特性インピーダンスと呼ぶ）、および上記高誘電率絶縁部７ｂの位置に相当する比較例の配線回路基板の位置に対向する配線パターン２ｂ上の位置の特性インピーダンス（以下、第４の特性インピーダンスと呼ぶ）を測定した。
【００６３】
その結果、第３および第４の特性インピーダンスは、配線パターン２ａ，２ｂ上のその他の位置における特性インピーダンスよりもそれぞれ約１０Ω高くなった。
【００６４】
（ｃ）評価
上記実施例および比較例から、カバー絶縁層５ａ，５ｂ内に高誘電率絶縁部７ｂ，７ａをそれぞれ形成することによって、伝送経路の特性インピーダンスの不連続性が十分に抑制されることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本実施の形態に係る配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図２】実施例の配線回路基板の上面図、断面図および下面図である。
【図３】従来の配線回路基板の構成を簡単に示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  ベース絶縁層
２ａ，２ｂ  配線パターン
３  金属めっき層
４ａ，４ｂ  接地層（グランド層）
５ａ，５ｂ  カバー絶縁層
６ａ，６ｂ  貫通孔
７ａ，７ｂ  高誘電率絶縁部
１００  配線回路基板
Ａ，Ｂ  領域
【図１】
2008084906.tif 000003
【図２】
2008084906.tif 000004
【図３】
2008084906.tif 000005