(57)【要約】【課題】  樹脂によりモールド成形された電力半導体装置において、外部端子部にモールド樹脂が入り込み付着することの防止を図る。【解決手段】  放熱板５と、上記放熱板の主表面上に設けられた絶縁層６と、上記絶縁層の主表面上に設けられた複数の配線パターン７と、上記複数の配線パターンに当接するように設けられた複数の外部端子２，３と、上記複数の外部端子を相互に連結する連結部材１２と、上記絶縁層６、配線パターン７を覆う樹脂筐体１とを備える電力半導体装置において、上記連結部材１２及び樹脂筐体１を熱可塑性樹脂とすることにより、モールド成形の際に外部端子部にモールド樹脂が入り込み付着することがなく、その後のバリ取り作業を不要とすることにより製造工程の簡略化を可能とした。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱板と、
前記放熱板の主表面上に設けられた絶縁層と
前記絶縁層の主表面上に設けられた複数の配線パターンと、
前記複数の配線パターンに当接するように設けられた複数の外部端子と、
前記複数の外部端子を相互に連結する熱可塑性樹脂からなる連結部材と、
前記絶縁層、前記配線パターンと前記外部端子とを覆う熱可塑性樹脂からなる筐体と、
を備える電力半導体装置。
【請求項２】
前記外部端子は、前記連結部材に圧入されていることを特徴とする請求項１記載の電力半導体装置。
【請求項３】
前記外部端子は、前記配線パターンに対する当接面と前記連結部材との連結部分との間に屈曲部を有していることを特徴とする請求項１記載の電力半導体装置。
【請求項４】
前記外部端子は少なくとも２つ以上あり、
前記連結部材は、前記絶縁層に当接するように延設された支柱部を有し、
前記外部端子の前記配線パターンに対する当接箇所の内任意の２箇所を結ぶ直線上以外の箇所で、前記支柱部は前記絶縁層に当接していることを特徴とする請求項１記載の電力半導体装置。
【請求項５】
前記連結部材の形状は、前記放熱板の周辺上部に閉ループを構成するような形状であることを特徴とする請求項１記載の電力半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、金型にモールド樹脂を注入することにより筐体を構成する電力半導体装置に係り、外部端子近傍における樹脂バリの発生を抑制した電力半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電力半導体装置においては、例えば特許文献１に開示されている電力半導体装置のように、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂によりトランスファーモールド成形することが一般的であった。このような電力半導体装置では、金型に十分な精度が得られていない場合、端子部にエポキシ樹脂が入り込み付着し、仕上げ時に付着したエポキシ樹脂を取り除く必要があった。このため特許文献１においては、エポキシ樹脂のような耐熱性樹脂からなる連結部材によって外部端子を一体化した出力端子ブロックを金型に当接させることにより、端子部にエポキシ樹脂が入り込み付着することを防止している。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１２５１１４号公報  （図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような連結部材により一体化された出力端子ブロックを使用しても、端子部にエポキシ樹脂が入り込み付着することを完全に防止することは困難であった。すなわち、出力端子ブロックを金型に当接させるためには、外部端子の半導体素子に対する当接面から連結部材までの距離が高精度に決定されるように出力端子ブロックを製作する必要があるが、従来例のように外部端子を金型にセットしてエポキシ樹脂を注入して出力端子ブロックを成形する方法では、上記距離が精度良く保たれた出力端子ブロックを得ることは困難である。また、外部端子の半導体素子に対する当接面には曲げ加工がはいるが、このような曲げ加工は一般的に上記エポキシ樹脂に依る成形の後に行われるが、その加工バラツキにより上記距離にバラツキが生じる。さらには、たとえ上記距離が精度良く保たれた出力端子ブロックが得られたにしても、外部端子と半導体素子とを半田付けする際の半田厚みのバラツキも考慮しなければならない。
【０００５】
上述したように、出力端子ブロックにおいて外部端子の半導体素子に対する当接面から連結部材までの距離が高精度に保たれていなければ、モールド成形の際に出力端子ブロックと金型との間に僅かな隙間が発生するため、その隙間を通してやはり端子部にエポキシ樹脂が入り込み付着、いわゆるバリが付着することとなる。このためこのバリ取り作業が不可欠となり製造工程の複雑化を招いていた。さもなければ、高価な高精度の金型を必要としコストの増大を招いていた。
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、熱可塑性樹脂によりインジェクションモールド成形された電力半導体装置において、外部端子部にモールド樹脂が入り込み付着することを防止した電力半導体装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するために、本発明に係る電力半導体装置は、放熱板と、上記放熱板の主表面上に設けられた絶縁層と、上記絶縁層の主表面上に設けられた複数の配線パターンと、上記複数の配線パターンに当接するように設けられた複数の外部端子と、上記複数の外部端子を相互に連結する連結部材と、上記絶縁層、配線パターンを覆う樹脂筐体とを備える電力半導体装置であって、上記連結部材及び樹脂筐体は熱可塑性樹脂からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
上記のような構成としたため、モールド成形の際に外部端子部にモールド樹脂が入り込み付着することがなく、その後のバリ取り作業を不要とすることにより製造工程の簡略化を可能とする、あるいは安価な金型を使用できコスト低減が可能となるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
＜実施の形態１＞
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。図１は本発明に係る電力半導体装置の実施の形態１を示す斜視図である。図２は図１の電力半導体装置のＡ−Ａ断面図である。図３は本発明に係る電力半導体装置の実施の形態１のモールド成形前の内部構造を示す斜視図である。
【００１０】
図１において、電力半導体装置１００は、例えばガラス繊維を配合することにより強度を向上させた熱可塑性樹脂であるポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ樹脂）からなる樹脂筐体１により外形をなし、外部との入出力のための複数の入出力端子２及び複数の信号端子３等の外部端子を上部表面より露出させている。また電力半導体装置１００は、自身を放熱フィン等に固定するための取付け穴４を、その樹脂筐体１に具えている。図２において、電力半導体装置１００は、その底面に露出するように、銅又はアルミニウムのような高熱伝導材料を基材とする縦４０ｍｍ×横７０ｍｍで厚さ２ｍｍの放熱板５を具えている。放熱板５の上には、絶縁層６を介して厚さ０．３ｍｍの銅からなる複数の配線パターン７が設けられている。絶縁層６は、例えばアルミナ又は窒化アルミニウム等の絶縁性の熱伝導フィラーを配合したエポキシ樹脂を基材とし、放熱板５と複数の配線パターン７とを絶縁するとともに、これらを固着する接着剤も兼ねている。
【００１１】
図３において、複数の配線パターン７上には、電力半導体素子であるＩＧＢＴ８及びダイオード９が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕを基材とする半田により、その裏面において接合されている。ＩＧＢＴ８は四角形状で、例えば縦７．５ｍｍ×横９ｍｍ、厚さが１７０μｍであり、表面にゲート電極及びエミッタ電極を有し、裏面にコレクタ電極を有している。ダイオード９は四角形状で、例えば縦４ｍｍ×横９ｍｍ、厚さが２５０μｍであり、表面にアノード電極を有し、裏面にカソード電極を有している。
【００１２】
ＩＧＢＴ８のエミッタ電極とダイオード９のアノード電極とは、例えば厚さ０．３ｍｍ、幅６ｍｍの銅板からなり適切に曲げ加工の施された板状リード１０により、やはりＳｎ−Ａｇ−Ｃｕを基材とする半田を介して接続され、その板状リード１０の一端は複数の配線パターン７のひとつに接続されている。このような板状リード１０によりＩＧＢＴ８及びダイオード９等の電力半導体素子間を結線することは、大電流を取り扱う上で好ましい。本実施の形態のように、ＩＧＢＴ８とダイオード９の板状リード１０の配線方向と直交する横辺のサイズを等しくし、ＩＧＢＴ８とダイオード９とを互いに横辺が対向するように並置させておけば、板状リードの形状が単純になるため位置合わせを行う上で好ましい。ＩＧＢＴ８のゲート電極には別の信号リード１１により複数の配線パターン７の一つと接続されている。
【００１３】
複数の配線パターン７は複数の入出力端子２又は複数の信号端子３等の外部端子にさらに接続されている。複数の入出力端子２は相互に連結部材１２により接続されており、複数の信号端子３も同様に相互に連結部材１２により接続されており、それぞれ別個の端子ブロックを構成している。連結部材１２は、樹脂筐体１と同じく、ガラス繊維を配合することにより強度を向上させた熱可塑性樹脂であるＰＰＳ樹脂からできており、図１にも示されているように樹脂筐体１の表面にその一部を露出させている。
【００１４】
このような電力半導体装置は次のようにして組み立てられる。まず、放熱板５上に絶縁層６を配置し、絶縁層６上に複数の配線パターン７を所定の位置に配置し、放熱板５と絶縁層６と複数の配線パターン７とを熱圧着により固着する。次に、放熱板６上に固着された配線パターン上の所定の位置にＩＧＢＴ８及びダイオード９を半田により接合する。次に、板状リード１０，信号リード１１，複数の信号端子３と連結部材１２により構成された端子ブロック及び複数の入出力端子２と連結部材１２により構成された端子ブロックとを所定の配線パターン上に半田により接合する。最後に上記組立体を成形金型の中に設置し、ＰＰＳ樹脂によるインジェクションモールドにより樹脂筐体１を成形した後、入出力端子２をネジ締めするためのナット（図示省略）を樹脂筐体１に設けられた穴（図示省略）に設置し、入出力端子２に曲げ加工を施すことにより図１に示された電力半導体装置が完成する。
【００１５】
最後のインジェクションモールド工程についてさらに詳述する。成形金型内での部品の設置状態の一例を図４に示す。成形金型の一方である下型１３の所定の位置に上記組立体が設置される。放熱板５の搭載位置を決定するために、下型１３には高さ約２００μｍ、１ｍｍ×３ｍｍの位置決めピン１３ｂが油圧又は空気圧により上下移動可能なように設けられており、上記組立体が所定の位置に設置された後はこの位置決めピン１３ｂは下降させることができる。この位置決めピン１３ｂは、成形後に成形金型から成形品を取り出すエジェクタピンと共用することも可能である。成形金型内に上記組立体を設置した後、成形金型の他方である上型１４内に設けられた端子導出用溝１４ａ内に複数の入出力端子２及び複数の信号端子３とが収容されるように上型１４と下型１３とを型締めする。このとき複数の入出力端子２又は複数の信号端子３等の外部端子を相互に連結している連結部材１２は、端子導出用溝１４ａを覆うように上型１４に当接している。
【００１６】
成形金型内での部品の設置状態上下逆にした例を図５に示す。成形金型の一方である下型１３に上記組立体が設置され、複数の入出力端子２又は複数の信号端子３等の外部端子は端子導出用溝１３ａ内に収容されている。放熱板５の搭載位置は上記端子導出用溝１３ａの位置で決定されるため、図４のような位置決めピンは不要である。成形金型内に上記組立体を設置した後、成形金型の他方である上型１４と下型１３とを型締めする。このとき複数の入出力端子２又は複数の信号端子３等の外部端子を相互に連結している連結部材１２は、端子導出用溝１３ａの開口部を覆うように下型１３に当接している。
【００１７】
図４の例で説明すると、このように設置された成形金型の注入ゲート１４ｂから、約３００℃で溶融した状態の熱可塑性樹脂であるＰＰＳ樹脂が、成形金型内のキャビティに注入される。成形金型内にＰＰＳ樹脂が充填され圧力が加えられると、連結部材１２は端子導出用溝１４ａ周囲の上型壁面に約４０ＭＰａの樹脂圧によって押し付けられる。ここで連結部材１２も同じ熱可塑性樹脂であるＰＰＳ樹脂からなっているため、注入ゲート１４ｂから注入された溶融した状態のＰＰＳ樹脂と接触すると、その熱により連結部材１２は軟化し、上記樹脂圧と相俟って上型１４と連結部材１２との間に生じていた僅かな隙間を完全に封鎖するため、注入樹脂が上記隙間を通って端子導出用溝１４ａに浸入し結果としてバリが発生することを防止している。図５の例での説明は省略するが上記と同様である。
【００１８】
本実施の形態における端子ブロックは、従来例と同様に外部端子を金型にセットしてＰＰＳ樹脂を注入して成形する方法（インサート成形）で製作してもよいが、予め外部端子に相当する位置に適切な貫通孔を形成した連結部材１２を用意しておき、外部端子を上記貫通孔に圧入して成形する方法（アウトサート成形）によって製作した方が好適である。上述の上型１４と下型１３との型締めの際に、上型１４が連結部材１２に当接し、上型１４と連結部材１２との間に圧力が加わる程度まで連結部材１２を外部端子に対し滑動させることができ、かつ連結部材１２の貫通孔と外部端子との間の摩擦力の範囲内で上記圧力を維持することができるためである。インサート成形であれば、外部端子と金型間のクリアランスを考慮に入れる必要があるため、外部端子と連結部材１２との相対位置又は複数の外部端子間の相対位置のバラツキを抑えることは困難であるが、アウトサート成形であれば、外部端子と連結部材１２との相対位置のバラツキは上記滑動で吸収でき、複数の外部端子間の相対位置のバラツキは金型の加工精度で決まるため端子位置の制御が容易となり、モールド成形の際に端子部にモールド樹脂が入り込み付着することを防止する上で好適である。
【００１９】
端子ブロックをこのようなアウトサート成形により製作した場合、連結部材１２の貫通孔と外部端子との間に僅かな隙間が発生する場合もあるが、本実施の形態にかかる電力半導体装置においては、その後のインジェクションモールド工程における高温のＰＰＳ樹脂の充填中に、連結部材１２のＰＰＳ樹脂が軟化し充填圧力により加圧されることにより、上記隙間は封鎖されるので、隙間を経由した水分の浸入による高温高湿における信頼性の低下は生じない。
【００２０】
連結部材１２は、その断面が図２に示されているように、その幅が樹脂筐体表面から樹脂筐体内部に向かうにつれ大きくなっていくような形状にするのが好適である。装置１００を取付け穴４においてネジ締めした場合に、樹脂筐体１と連結部材１２との境界面に発生する応力により、上記境界面に剥離が発生することを防止するためである。
【００２１】
また、連結部材１２には、分子量が大きく、ガラス繊維等のフィラーの充填量を増やした剛性の高いＰＰＳ樹脂を用いることも可能である。樹脂筐体１を形成する樹脂は、半導体素子であるＩＧＢＴ８やダイオード９を比較的低圧で封止するするため、分子量の小さい低粘度の樹脂を用いる必要があった。そのため、外部端子の曲げ加工工程やネジ締め工程等において加わる外力によりパッケージに亀裂が発生する惧れがあったが、連結部材１２の材質を上記のような高剛性のＰＰＳ樹脂とすることにより、連結部材１２により補強されてパッケージに亀裂が発生する惧れは無くなった。
【００２２】
このように、本発明の実施の形態に係る電力半導体装置においては、外部端子を相互に連結している連結部材１２の材質をＰＰＳ樹脂のような熱可塑性樹脂とし、樹脂筐体１を構成するの材質も同じＰＰＳ樹脂のような熱可塑性樹脂としたため、インジェクションモールド成形時において成形金型の上型１４に設けられた端子導出用溝１４ａを覆うようにこの連結部材１２を上型１４に当接させることにより、注入樹脂が上記隙間を通って端子導出用溝１４ａに浸入し結果としてバリが発生することを防止できるという効果を奏する。
【００２３】
＜実施の形態２＞
図６は本発明に係る電力半導体装置の実施の形態２の断面図である。本実施の形態の斜視図は実施の形態１の斜視図と同じ図１であり、図６は図１のＢ−Ｂ断面図にあたる。実施の形態１との相違点は入出力端子２に屈曲部２ａを設けた点にあり、それ以外の構成は実施の形態１で示した構成と同じである。
【００２４】
本実施の形態においては、端子ブロックは連結部材１２と屈曲部２ａを連結部材１２と入出力端子２の配線パターン７に対する当接面との間に設けた入出力端子２とから構成されている。このような端子ブロックを他の部品と共に所定の配線パターン上に半田により接合した組立体を、実施の形態１と同様に成形金型の下型１３の所定の位置に設置し、上型１４内に設けられた端子導出用溝１４ａ内に複数の入出力端子２及び複数の信号端子３とが収容されるように上型１４と下型１３とを型締めする。その過程で上型１４は連結部材１２に当接し、その型締め力により連結部材１２に押し下げようとする力を加えるため、屈曲部２ａに僅かにたわみが発生する。端子ブロックがアウトサート成形で製作されていた場合は、連結部材１２は屈曲部２ａまで滑動することとなるが、屈曲部２ａのところで止まるため、やはり屈曲部２ａに僅かにたわみが発生する。
【００２５】
この屈曲部２ａのたわみによる弾性力により連結部材１２は上型１４の壁面に加圧接触させられる。このため、連結部材１２と入出力端子２の配線パターン７に対する当接面との間の距離に多少のバラツキが存在しても、そのバラツキにより発生する上型１４と連結部材１２との間に生じていた僅かな隙間は、屈曲部２ａの僅かなたわみにより吸収され、加えて上記加圧接触の効果により、注入樹脂が上記隙間を通って端子導出用溝１４ａに浸入し結果としてバリが発生することを防止できるという効果を奏する。
【００２６】
このように構成された電力半導体装置においては、成形金型内の寸法によって端子高さを規定することができるため、放熱板の初期状態での反り等の影響を受けずに正確な端子高さを得ることができる。ここで端子高さとは、入出力端子２の上表面（筐体から露出する面）の放熱板５の裏面からの高さをいう。また、入出力端子２だけでなく信号端子３に対してもこのような屈曲部を設けることができ、同様な効果を奏することはいうまでも無いことである。入出力端子２や信号端子３のような外部端子に設ける屈曲部２ａの形状については、図７に示されるように大きな曲率を有する半円状とすることもできる。曲率を大きくとることにより、型締めの際に屈曲部２ａのたわみ量を大きく取ることができるからである。また、図８に示されるように屈曲部２ａを複数個の屈曲で構成してもよい。放熱板６の面方向への屈曲部２ａ占有面積が小さくなり、板状リード１０等を近接して配置することができるからである。さらに、図９に示されるように屈曲部２ａを外部端子と配線パターン７との接合部としてもよい。外部端子の曲げ加工の回数を減らすことができるだけでなく、屈曲部の曲率を利用して半田のフィレット１５を安定的に形成することができるため、半田量のバラツキを吸収しやすくできるからである。
【００２７】
＜実施の形態３＞
図１０は本発明に係る電力半導体装置の実施の形態３のモールド成形前の内部構造を示す斜視図である。実施の形態１との相違点は連結部材１２の形状にあり、それ以外の構成は実施の形態１で示した構成と同じである。
【００２８】
連結部材１２は、ＰＰＳ樹脂からなり、連結している外部端子間に支柱部１２ａを有しており、外部端子と共に端子ブロックを構成している。ここで、支柱部１２ａは端子ブロックを支えるように絶縁層６に当接している。外部端子の配線パターン７への当接箇所の内任意の２箇所を結ぶ直線上以外の箇所で支柱部１２ａは絶縁層６に当接するように構成されており、端子ブロックは放熱板５上で自立する構造となっている。端子ブロックを配線パターン７に半田付けする際に、外部端子が直立するように半田付けが行われる必要があるが、このように連結部材１２に支柱部１２ａを設け、一直線上に位置しない３点で支持されることにより、外部端子が傾いた状態で配線パターン７へ半田付けされることが防止される。
【００２９】
また、図１０のような組立体を成形金型に設置し型締めする際に、連結部材１２が支柱部１２ａにより絶縁層６に当接していることによって、絶縁層６の表面と連結部材１２の上型に対向する面との距離が精度良く規定される。これにより支柱部１２ａが無ければ起こるかもしれない連結部材１２と上型との間の隙間の発生により、注入樹脂が上記隙間を通って端子導出用溝１４ａに浸入し結果としてバリが発生することを防止できるという効果を奏する。
【００３０】
このような構成とした場合、成形金型の型締め時に、放熱板５の反りにより絶縁層６又は連結部材１２に予定外の力が加わる可能性もあるが、ＰＰＳ樹脂で形成されている連結部材１２はその弾性率が他の材料と比べて低いため破断しにくく、絶縁層６と連結部材１２とが接触する部分の直上の金型面には端子導出用溝１４ａが形成されておらず、絶縁層６への加圧の反力を面で受けることとなるため、連結部材１２が撓むことによる割れ等や絶縁層６への損傷は考慮しなくてもよい。
【００３１】
＜実施の形態４＞
図１１は本発明に係る電力半導体装置の実施の形態４における内部構造を示す斜視図である。実施の形態３との相違点は連結部材１２の形状にあり、それ以外の構成は実施の形態１で示した構成と同じである。
【００３２】
本実施の形態において連結部材１２は四辺形の放熱板５の周辺上で４つの細長い梁が閉ループなすように設けられており、複数の入出力端子２及び複数の信号端子３を連結し、併せて端子ブロックを構成している。このような端子ブロックは、インサート成形又はアウトサート成形のいずれの方法で製作するにしても、その連結部材１２の部分は金型にガラス繊維を配合したＰＰＳ樹脂を注入することにより製作される。
【００３３】
一般的にガラス繊維が配合されたＰＰＳ樹脂の線膨張率は、ガラス繊維の配向方向で約２０ｐｐｍ／℃であり、ガラス繊維の配向方向に直交する方向で約４０ｐｐｍ／℃である。例えば図４のような成形金型にて樹脂筐体を形成した場合、ガラス繊維の配向方向は樹脂の流動方向である樹脂筐体１の長辺方向となる。したがって長辺方向の樹脂筐体の線膨張率は約２０ｐｐｍ／℃となり、放熱板５の材質である銅（約１６ｐｐｍ／℃）やアルミニウム（約２３ｐｐｍ／℃）の線膨張率とほぼ同等となり、長辺方向では熱膨張／収縮による装置の反りは発生しないが、短辺方向の樹脂筐体の線膨張率は約４０ｐｐｍ／℃となるため、短辺方向では熱膨張／収縮による装置の反りが発生する。
【００３４】
ここで、上述のように製作された端子ブロックの連結部材１２ではガラス繊維は樹脂の流動方向であるループ方向に配向するため、四辺の閉ループ形状を有する連結部材１２は長辺及び短辺のいずれの方向においても、その線膨張率は約２０ｐｐｍ／℃となり、放熱板５の線膨張率とほぼ同等となる。本実施の形態で開示するように、このような連結部材１２を放熱板５の周辺上に対応するように四辺の閉ループ形状に配置することにより、上述したような装置の短辺方向での反りを緩和できる。すなわち、四辺の閉ループ形状の連結部材１２の長辺部分の両端を線膨張率が約２０ｐｐｍ／℃の短辺部分で支えることになり、樹脂筐体１の短辺方向の熱膨張／収縮を抑制するからである。この際、連結部材１２に分子量が大きくガラス繊維等のフィラーの充填量を増加させた高剛性のＰＰＳ樹脂を用いることにより、実施の形態１において記述したように、パッケージの強度向上と共に装置の反りの抑制という効果を同時に達成することも可能である。
【００３５】
以上、図面に基づき本発明の具体的な実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限らず種々の改変が可能である。例えば、上記各実施の形態においては、放熱板５上の回路については、エポキシ樹脂を基材とした絶縁層６によって接着された銅板の配線パターンであったが、アルミナや窒化アルミニウムといったセラミック絶縁基板上にロウ付けされた銅板の配線パターンでも良い。配線パターンの材料には銅が使用されているが、電気伝導性の良好な他の金属であっても良い。電力半導体素子はＩＧＢＴ及びダイオードの組合せであったが、ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、ダイオードその他のあらゆる電力半導体素子の単独又はいかなる組合せであっても良い。また、樹脂筐体１及び連結部材１２の材料はＰＰＳ樹脂に限定されるものではなく、ポリブチレンテレフタラート樹脂等の熱可塑性樹脂であれば同様の効果を奏することはいうまでも無いことである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態１を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図で、上記電力半導体装置の内部構造を示している。
【図３】図１の電力半導体装置のモールド成形前の内部構造を示す斜視図である。
【図４】図１の電力半導体装置の成形金型内での部品の設置状態の一例を示す断面図である。
【図５】図１の電力半導体装置の成形金型内での部品の設置状態の他の例を示す断面図である。
【図６】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態２の断面図である。
【図７】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態２の変形例を示す断面図である。
【図８】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態２の変形例を示す断面図である。
【図９】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態２の変形例を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態３のモールド成形前の内部構造を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る電力半導体装置の実施の形態４のモールド成形前の内部構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  樹脂筐体、  ２  入出力端子、  ２ａ  屈曲部、  ３  信号端子、  ４  取付け穴、  ５  放熱板、  ６  絶縁層、  ７  配線パターン、  ８  ＩＧＢＴ、  ９  ダイオード、  １０  板状リード、  １１  信号リード、  １２  連結部材、  １３  下型、  １３ａ  端子導出用溝、  １３ｂ  位置決めピン、  １４  上型、  １４ａ  端子導出用溝、  １４ｂ  注入ゲート、  １５  半田フィレット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2008294275.tif 000005
【図４】
2008294275.tif 000006
【図５】
2008294275.tif 000007
【図６】
2008294275.tif 000008
【図７】
2008294275.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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