(57)【要約】      （修正有）【課題】多数枚プリントしても膜剥がれやひび割れが発生せず、転写性が良好で、文字画像の中抜けが無く、クリーニングブレードによるクリーニング性も良く、高品質のプリント画像を継続して得ることができる中間転写体の提供。【解決手段】電子写真感光体に担持されたトナー像を中間転写体１７０に１次転写した後、該トナー像を中間転写体から転写材へ２次転写する手段を有する画像形成装置に用いる中間転写体において、該中間転写体は基体１７５の表面に酸化物層１７６、アモルファスカーボン層１７７を順次形成して作製されたもので、該酸化物層の上に形成されたアモルファスカーボン層の硬度が酸化物層の硬度より軟らかく、該アモルファスカーボン層の表面エネルギーの分散力成分が３６〜５０ｍＮ／ｍであることを特徴とする中間転写体。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体に担持されたトナー像を中間転写体に１次転写した後、該トナー像を中間転写体から転写材へ２次転写する手段を有する画像形成装置に用いる中間転写体において、
該中間転写体は基体の表面に酸化物層、アモルファスカーボン層を順次形成して作製されたもので、
該酸化物層の上に形成されたアモルファスカーボン層の硬度が酸化物層の硬度より軟らかく、
該アモルファスカーボン層の表面エネルギーの分散力成分が３６〜５０ｍＮ／ｍ
であることを特徴とする中間転写体。
【請求項２】
前記中間転写体表面の表面粗さＲｚが、３０〜２３０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の中間転写体。
【請求項３】
前記酸化物層が、酸化ケイ素を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の中間転写体。
【請求項４】
前記酸化物層及びアモルファスカーボン層が、プラズマＣＶＤ法で基体の表面に順次形成して作製されたものであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の中間転写体。
【請求項５】
前記プラズマＣＶＤ法が、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で行われることを特徴とする請求項４に記載の中間転写体。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の中間転写体の製造方法において、
酸化物層及びアモルファスカーボン層がプラズマＣＶＤ法で基体の表面に順次形成される工程を経て作製されることを特徴とする中間転写体の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか１項に記載の中間転写体を用いることを特徴とする画像形成方法。
【請求項８】
請求項１〜５の何れか１項に記載の中間転写体を用いることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中間転写体、該中間転写体の製造方法、該中間転写体を用いる画像形成方法及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体（以下、単に感光体ともいう）の表面に担持されたトナー像を転写材に転写する方式として、中間転写体を用いた画像形成方式が知られている。この画像形成方式は電子写真感光体から転写材にトナー像を転写する工程内に、もう一つの転写工程を入れ、電子写真感光体から中間転写体にトナー像を１次転写した後、中間転写体のトナー像を転写材に２次転写して最終画像を得る方式である。この方式は、色分解された原稿画像をブラック、シアン、マゼンタ、イエロー等のトナーによる減色混合を用いて再現する、いわゆるフルカラー画像形成装置における各色トナー像を感光体から順番に中間転写体に１次転写し、最後に全色を中間転写体から転写材に転写する多重転写方式である。
【０００３】
しかし、この中間転写体を用いた多重転写方式では、１次転写及び２次転写の二度の転写が入ることと、多色のトナー像を中間転写材上で重ね合わせ、重ね合わせたトナー像を転写材へ一括転写する方式なので、転写不良に伴う画像不良が発生しやすい。
【０００４】
一般にトナーの転写不良に対しては、トナー粒子表面をシリカ等の外添剤で表面処理することにより転写性を向上させられることが知られている。しかし、現像装置内でのトナーの攪拌部材から受けるストレスや、現像ローラ上にトナー層を形成するための規制ブレードから受けるストレス、感光体と現像ローラとの間で受けるストレス等で、トナー粒子表面からシリカが離脱したり、トナー粒子内部に埋没したりするため、良好な転写性を得られないという問題がある。
【０００５】
この様な問題に対し、中間転写体の表面に酸化ケイ素や酸化アルミニウム等を被覆することによりトナー像の剥離性を向上させ転写材への転写性向上を図る方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
しかしながら、その前段階の感光体上に形成されたトナー像を中間転写体へ転写する１次転写性が不十分で文字画像の中抜けと呼ばれる故障が生じることがあり改良が求められていた。
【０００７】
又、中間転写体の表面に硬質の炭素含有膜を被覆することで２次転写時のトナー転写率の向上と残留したトナーのブレード掻き落としによるクリーニング性や耐久性の向上を図る技術が提案されている。又、この中間転写体を真空装置等の大がかりな設備を必要としない製造装置で作製する提案がされている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００８】
又、基体の表面に硬質なテトラヘドラルアモルファスカーボン膜を形成することにより低トルク、低摩耗で傷の発生がない長寿命な中間転写体が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。
【０００９】
しかしながら、硬質の炭素含有膜やテトラヘドラルアモルファスカーボン膜を基体の表面に直接設けた中間転写体は、膜の硬度や膜厚等によっては基体との密着性が不十分であったり膜が硬いためひび割れが発生し基体より剥離することがあり改良が求められていた。
【００１０】
又、弾性ベルトの表面を非晶質硬質カーボン膜で被覆することで形状維持性、抵抗均一性、離型性、汚染防止性を改良する技術が開示されている（例えば、特許文献４参照。）。
【００１１】
しかしながら、非晶質硬質カーボン膜が非常に硬いため弾性ベルトの変形に対する追従性が不十分で部分的にひび割れが発生し画像形成に悪影響を与えることがあった。
【特許文献１】特開平９−２１２００４号公報
【特許文献２】ＷＯ２００６−１２９５４３号公報
【特許文献３】特開２００６−９１５３９号公報
【特許文献４】特開２００６−２５９５８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記で提案或いは開示された中間転写体では、多数枚プリントすると膜剥がれやひび割れが発生したり、感光体上に形成されたトナー像を中間転写体へ、更に転写材へ転写する転写性が悪かったり、文字画像の中抜けが発生したり、クリーニングブレードによるクリーニング性が悪かったりして、継続して高品質のプリントが得られる中間転写体は未だ得られていないのが現状である。
【００１３】
本発明は、多数枚プリントしても膜剥がれやひび割れが発生せず、転写性が良好で、文字画像の中抜けが無く、クリーニングブレードによるクリーニング性も良く、高品質のプリント画像を継続して得ることができる中間転写体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、下記構成を採ることにより達成される。
【００１５】
１．電子写真感光体に担持されたトナー像を中間転写体に１次転写した後、該トナー像を中間転写体から転写材へ２次転写する手段を有する画像形成装置に用いる中間転写体において、
該中間転写体は基体の表面に酸化物層、アモルファスカーボン層を順次形成して作製されたもので、
該酸化物層の上に形成されたアモルファスカーボン層の硬度が酸化物層の硬度より軟らかく、
該アモルファスカーボン層の表面エネルギーの分散力成分が３６〜５０ｍＮ／ｍ
であることを特徴とする中間転写体。
【００１６】
２．前記中間転写体表面の表面粗さＲｚが、３０〜２３０ｎｍであることを特徴とする前記１に記載の中間転写体。
【００１７】
３．前記酸化物層が、酸化ケイ素を含有することを特徴とする前記１又は２に記載の中間転写体。
【００１８】
４．前記酸化物層及びアモルファスカーボン層が、プラズマＣＶＤ法で基体の表面に順次形成して作製されたものであることを特徴とする前記１〜３の何れか１項に記載の中間転写体。
【００１９】
５．前記プラズマＣＶＤ法が、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で行われることを特徴とする前記４に記載の中間転写体。
【００２０】
６．前記１〜５の何れか１項に記載の中間転写体の製造方法において、
酸化物層及びアモルファスカーボン層がプラズマＣＶＤ法で基体の表面に順次形成される工程を経て作製されることを特徴とする中間転写体の製造方法。
【００２１】
７．前記１〜５の何れか１項に記載の中間転写体を用いることを特徴とする画像形成方法。
【００２２】
８．前記１〜５の何れか１項に記載の中間転写体を用いることを特徴とする画像形成装置。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の中間転写体は、多数枚プリントしても膜剥がれやひび割れが発生せず、転写性が良好で、文字画像の中抜けが無く、クリーニングブレードによるクリーニング性も良く、高品質のプリント画像を継続して得ることができる優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明者等は、上記問題を解決するため種々の検討を行った結果、中間転写体の酸化物層とアモルファスカーボン層の硬度差を特定し、該アモルファスカーボン層の表面エネルギーの分散力成分を特定の値に制御することで、文字画像の中抜けが無く、良好な転写性と良好なクリーニング性を維持でき、多数枚プリントしても膜剥がれやひび割れによるが画像欠陥が無く、継続して高品質のトナー画像が得られることを見出した。
【００２５】
本発明の中間転写体は、基体の表面に酸化物層、アモルファスカーボン層を順次形成して作製されたもので、該アモルファスカーボン層表面の硬度が酸化物層表面の硬度より軟らかく、該アモルファスカーボン層の表面エネルギーの分散力成分が３６〜５０ｍＮ／ｍであることを特徴とする。
【００２６】
本発明では、酸化物層の硬度と酸化物層の上に積層したアモルファスカーボン層の硬度とを比較したとき、アモルファスカーボン層が酸化物層より軟らかいことが必要で、例えば、後述のナノインデンテーション法により測定した硬度で、アモルファスカーボン層と酸化物層の硬度差が０．５〜２．０ＧＰａあることが好ましい。
【００２７】
又、アモルファスカーボン層の表面エネルギーの分散力成分を３６ｍＮ／ｍ以上、より好ましくは３８〜４５ｍＮ／ｍとすることで文字画像の中抜け発生を防止し、５０ｍＮ／ｍ以下とすることで良好な転写性を確保することができる。
【００２８】
更に、中間転写体表面の表面粗さＲｚは、３０〜２３０ｎｍが好ましく、５０〜１５０ｎｍがより好ましい。
【００２９】
Ｒｚが３０ｎｍより大きいと、転写後に中間転写体に残ったトナーをクリーニングブレードでクリーニングするときの摩擦が小さくなり、クリーニングブレードがめくれるという問題が発生しにくくなる。一方、Ｒｚが２３０ｎｍ以下であると、クリーニングブレードでのクリーニング不良が発生しにくく、表面の凹凸による２次転写性への阻害もなくなる。
【００３０】
本発明では、酸化物層及びアモルファスカーボン層をプラズマＣＶＤ法による形成することが好ましい。
【００３１】
プラズマＣＶＤ法は大気圧又は大気圧近傍の圧力下で行うことが好ましい。このことは真空装置等の大がかりな設備を用いないので、中間転写体を低コストで作製することができる。
【００３２】
文字画像の中抜け発生を防止できるようになった理由は良く判っていないが次のようなことが考えられる。
【００３３】
文字画像の中抜けの発生は、中間転写体から転写体へ転写するときローラ静電転写方式を用いる方法では転写部でローラの押圧力によってトナーが凝集することにより電界力で転写ができないトナーの塊となって転写抜けが生じると考えられる。この現象はトナーが集中して付着する細線部や細線部の交点、文字などで観察され、フォント品位として問題になる場合がある。トナーの塊が転写されるか否かは、その塊が付着する物質と転写される物質の表面エネルギーの大小関係によって決まると考えられる。
【００３４】
文字画像の中抜け性能向上について鋭意検討した結果、中間転写体表面の表面エネルギーの３成分（分散力成分、双極子成分、水素結合成分）の内、分散力成分を高くすることで文字画像の中抜け性能が向上すること、その他の双極子成分や水素結合成分は影響が小さいことが判った。
【００３５】
中間転写体の表面エネルギーの分散力成分を低くすると、中間転写体とトナーとの付着力が低下するため、転写材への転写効率（２次転写効率）が向上するが、一方でトナー同士の付着力が上がるためトナーの凝集が起こり、文字画像の中抜けが発生すると考えられる。
【００３６】
逆に、中間転写体の表面エネルギーの分散力成分を高くすると、トナー同士の付着力が下がるため文字画像の中抜けが抑制できるが、転写材への２次転写効率が悪化すると考えられる。
【００３７】
本発明では、文字画像の中抜け発生を防止するため、中間転写体表面の表面エネルギーの分散力成分を３６ｍＮ／ｍ以上としている。
【００３８】
一方、中間転写体の表面硬度についてであるが、感光体から中間転写体への１次転写の際、中間転写体は感光体と中間転写体の間で圧縮方向の力を受ける。このとき、感光体と中間転写体の間にトナーが介在した場合、中間転写体はトナーに押されて変形すると考えられる。ここで、中間転写体の表面が硬い場合は、この変形量が小さくなり、トナーと中間転写体との接触面積が小さくなる。つまり、中間転写体の表面を本発明で規定する好ましい硬度にすることで、トナーの離型性が良好になり中間転写体から転写材への２次転写性が向上するものと推察される。
【００３９】
又、中間転写体は、中間転写体上のトナーを転写材へ２次転写した後、転写されずに残った残トナーをクリーニング部材（例えばクリーニングブレード）によりクリーニングされる。表面粗さ（平滑性）が特定の値を有する中間転写体を用いると、残トナーがクリーニング部材により良好にクリーニングできる。
【００４０】
その結果、多数枚プリントしてもクリーニング不良に伴うプリント画像汚れがなく、トナーフィルミングによる転写性の低下も少なく、高品質のトナー画像を継続して得ることができる。
【００４１】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００４２】
《中間転写体の層構成》
本発明の中間転写体は、基体の表面に酸化物層、アモルファスカーボン層を順次形成して作製されたものである。
【００４３】
図１は、中間転写体の層構成の一例を示す模式図である。
【００４４】
図１において、１７０は中間転写体、１７５は基体、１７６は酸化物層、１７７はアモルファスカーボン層を示す。
【００４５】
先ず、中間転写体を構成する基体、酸化物層、アモルファスカーボン層について説明する。
【００４６】
〈基体〉
本発明に係る基体１７５としては、樹脂材料やゴム材料に導電剤を分散させてなるエンドレスのベルト（無端ベルト）やドラムが好ましい。
【００４７】
基体の厚みは、樹脂材料の場合５０〜２００μｍ程度、ゴム材料の場合は３００〜７００μｍ程度が好ましい。
【００４８】
〈酸化物層〉
本発明に係る酸化物層１７６としては、酸化ケイ素及び金属酸化物の内少なくとも一方で形成された層が好ましい。具体的には、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化窒化チタン、窒化チタン又は酸化アルミニウム等の金属酸化物で形成された層が挙げられ、これらの中では酸化ケイ素で形成された層が好ましい。
【００４９】
本発明に係わる酸化物層１７６は、１層以上あれば良い。
【００５０】
酸化物層１７６の膜厚は、好ましくは１００〜１０００ｎｍ、より好ましくは１５０〜５００ｎｍ、更に好ましくは２００〜４００ｎｍである。
【００５１】
膜厚は、「ＭＸＰ２１（マックサイエンス社製）」を用いて測定して得られた値である。具体的な膜厚の測定は、以下の方法で行うことができる。Ｘ線源のターゲットには銅を用い、４２ｋＶ、５００ｍＡで作動させる。インシデントモノクロメータには多層膜パラボラミラーを用いる。入射スリットは０．０５ｍｍ×５ｍｍ、受光スリットは０．０３ｍｍ×２０ｍｍを用いる。２θ／θスキャン方式で０から５°をステップ幅０．００５°、１ステップ１０秒のＦＴ法にて測定を行う。得られた反射率曲線に対し、マックサイエンス社製Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｐｒｏｇｒａｍ  Ｖｅｒ．１を用いてカーブフィッティングを行い、実測値とフィッティングカーブの残差平方和が最小になるように各パラメータを求める。各パラメータから積層膜の膜厚を求める。
【００５２】
酸化物層１７６の膜厚が１００ｎｍ未満であると強度が不足しひび割れが発生しやすく、１０００ｎｍを越えると密着性や屈曲耐性が不足するため繰り返し使用においてひび割れや剥離が生じ易くなる上、成膜に必要な時間も増加するため生産上の観点からも好ましくない。
【００５３】
〈アモルファスカーボン層〉
本発明に係るアモルファスカーボン層１７７としては、アモルファスカーボン膜、水素化アモルファスカーボン膜、四面体アモルファスカーボン膜、窒素含有アモルファスカーボン膜、金属含有アモルファスカーボン膜等を挙げることができる。これらの中では水素化アモルファスカーボン膜が好ましい。
【００５４】
アモルファスカーボン層１７７の膜厚は、好ましくは５〜５００ｎｍ、より好ましくは１５〜３００ｎｍ、更に好ましくは３０〜１００ｎｍである。
【００５５】
膜厚を、上記範囲とすることで、特定の表面エネルギーの値を得ることができ、多数枚（例えば、１６万枚）プリントしても摩耗による問題も発生せず、成膜に要する時間も短縮でき生産上の観点からも好ましい。
【００５６】
尚、膜厚の測定は、酸化物層の膜厚測定と同様の方法で行うことができる。
【００５７】
次に、中間転写体の特性について説明する。
【００５８】
《硬度》
本発明に係る酸化物層、アモルファスカーボン層の硬度とは、ビッカース硬度、ヌープ硬度、ナノインデンテーション法等により測定して得られる硬度をいう。
【００５９】
本発明においては、膜厚が薄いのでナノインデンテーション法により硬度を測定する方法が好ましい。
【００６０】
以下、ナノインデンテーション法による硬度の測定について説明する。
【００６１】
ナノインデンテーション法による硬度の測定方法は、微小なダイヤモンド圧子を薄膜に押し込みながら荷重と押し込み深さ（変位量）の関係を測定し、測定値から塑性変形硬さを算出する方法である。
【００６２】
特に１μｍ以下の薄膜の測定に対して、基体の物性の影響を受けにくく、又、押し込んだ際に薄膜に割れが発生しにくいという特徴を有している。一般に非常に薄い薄膜の物性測定に用いられている。
【００６３】
図２は、ナノインデンテーション法による測定装置の一例を示す模式図である。
【００６４】
図２において、３１はトランスデューサー、３２は先端形状が正三角形のダイヤモンドＢｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子、１７０は中間転写体、１７５は基体、１７６は酸化物層、１７７はアモルファスカーボン層を示す。
【００６５】
この測定装置はトランスデューサー３１と先端形状が正三角形のダイヤモンドＢｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子３２を用いて、μＮオーダーの荷重を加えながらナノメートルの精度で変位量を測定をすることができる。この測定には例えば市販の「ＮＡＮＯ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ  ＸＰ／ＤＣＭ」（ＭＴＳ  Ｓｙｓｔｅｍｓ社／ＭＳＴ  ＮＡＮＯ  Ｉｎｓｔｕｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いることができる。
【００６６】
図３は、ナノインデンテーション法で得られた典型的な荷重−変位曲線を示す。
【００６７】
図４は、圧子と試料の接触している状態の模式図を示す。
【００６８】
硬さＨは、下記式（１）から求められる。
【００６９】
式（１）
Ｈ＝Ｐｍａｘ／Ａ
ここで、Ｐは、圧子に加えられた最大荷重であり、Ａは、そのときの圧子と試料間の接触射影面積である。
【００７０】
接触射影面積Ａは、図４におけるｈｃを用いて、下記式（２）で表すことができる。
【００７１】
式（２）
Ａ＝２４．５ｈｃ2
ここでｈｃは、図４に示すように接触点の周辺表面の弾性へこみにより、全体の押し込み深さｈより浅くなり、下記式（３）で表される。
【００７２】
式（３）
ｈｃ＝ｈ−ｈｓ
ここでｈｓは、弾性によるへこみの量であり、圧子の押し込み後の荷重曲線の勾配（図４の勾配Ｓ）と圧子形状から下記式（４）
式（４）
ｈｓ＝ε×Ｐ／Ｓ
と表される。
【００７３】
ここで、εは圧子形状に関する定数で、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子では０．７５である。
【００７４】
この様に測定装置を用いて、基体１７５上に形成した酸化物層１７６及びアモルファスカーボン層１７７の表面の硬度を測定することができる。
【００７５】
測定条件
測定機：ＮＡＮＯ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ  ＸＰ／ＤＣＭ（ＭＴＳ  Ｓｙｓｔｅｍｓ社製）
測定圧子：先端形状が正三角形のダイヤモンドＢｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子
測定環境：２０℃、６０％ＲＨ
測定試料：５ｃｍ×５ｃｍの大きさに中間転写体を切断して測定試料を作製
最大荷重設定：２５μＮ
押し込み速度：最大荷重２５μＮに５ｓｅｃで達する速度で、時間に比例して加重を印加する。
【００７６】
尚、測定は各資料ともランダムに１０点測定し、その平均値をナノインデンテーション法により測定した硬度とする。
【００７７】
本発明に係る酸化物層のナノインデンテーション法で測定した硬度は概ね、２．０〜１０．０ＧＰａ、酸化物層の上に積層したアモルファスカーボン層のナノインデンテーション法で測定した硬度は概ね、１．０〜７．０ＧＰａとなる。
【００７８】
本発明ではアモルファスカーボン層表面の硬度が酸化物層表面の硬度より軟らかいことが必要であり硬度差（酸化物層表面の硬度−アモルファスカーボン層表面の硬度）は、０．５〜２．０ＧＰａと軟らかいことが好ましい。
【００７９】
《表面エネルギー》
本発明に係るアモルファスカーボン層の表面エネルギーの分散力成分γＳＤは、下記の方法に従って求めることができる。
【００８０】
一般に、固体物質の表面エネルギーは、既知の表面エネルギーを有する液体を用いて、この液体が表面エネルギーを知りたい固体上に形成する接触角を測定することによって、接着仕事の考え方に従って拡張Ｆｏｗｋｅｓの理論に基づいて算出されることが知られている（例えば、協和界面化学社  表面自由エネルギー解析ソフトウェアＥＧ−１１  取り扱い説明書参照）。
【００８１】
３種の標準液体：水、ニトロメタン、ヨウ化メチレンと酸化物層及びアモルファスカーボン層との接触角を常温常湿（例えば、２０℃、５０％ＲＨ）で接触角計測定装置「接触角計ＣＡ−Ｖ（協和界面科学株式会社製）」を用い、５回測定し、その平均値を接触角とする。次に、Ｙｏｕｎｇ−Ｄｕｐｒｅの式及び拡張Ｆｏｗｋｅｓの式に基づき、表面エネルギーの３成分を算出する。
Ｙｏｕｎｇ−Ｄｕｐｒｅの式
ＷＳＬ＝γＬ（１＋ｃｏｓθ）
ＷＳＬ：液体／固体間の付着エネルギー
γＬ：液体の表面自由エネルギー
θ：液体／固体の接触角
拡張Ｆｏｗｋｅｓの式
ＷＳＬ＝２｛（γＳＤγＬＤ）1/2＋（γＳＰγＬＰ）1/2＋（γＳＨγＬＨ）1/2｝
γＬ＝γＬＤ＋γＬＰ＋γＬＨ  ：液体の表面エネルギー
γＳ＝γＳＤ＋γＳＰ＋γＳＨ  ：固体の表面エネルギー
γＬＤ：液体の表面エネルギー（分散力成分）
γＬＰ：液体の表面エネルギー（双極子成分）
γＬＨ：液体の表面エネルギー（水素結合成分）
γＳＤ：固体の表面エネルギー（分散力成分）
γＳＰ：固体の表面エネルギー（双極子成分）
γＳＨ：固体の表面エネルギー（水素結合成分）
《表面粗さ》
本発明に係わる中間転写体表面の表面粗さＲｚは、原子間力顕微鏡で測定した１０μ四方の１０点平均面粗さＲｚある。
【００８２】
１０点平均面粗さＲｚの測定方法（ＡＦＭによる測定）の一例は以下の通りである。
【００８３】
使用する原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＦＭ）は、セイコーインスツルメンツ社製ＳＰＩ３８００Ｎプローブステーション及びＳＰＡ５００多機能型ユニットで、約１ｃｍ角の大きさに切り取った試料を、ピエゾスキャナー上の水平な試料台上にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間が働く領域に達したところで、ＸＹ方向にスキャンし、その際の試料の凹凸をＺ方向のピエゾの変位でとらえる。ピエゾスキャナーは、ＸＹ２０μｍ、Ｚ２μｍが走査可能なものを使用する。カンチレバーは、セイコーインスツルメンツ社製シリコンカンチレバーＳＩ−ＤＦ４０Ｐで、共振周波数２００〜４００ｋＨｚ、バネ定数３０〜５０Ｎ／ｍのものを用い、ＤＦＭモード（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｏｄｅ）で測定し、測定領域１０μｍ角を、走査周波数０．５Ｈｚで測定する。又、得られた三次元データを最小二乗近似することにより、試料のわずかの傾きを補正し、基準面を求める。表面粗さの解析は、解析ソフトＳＰＩｗｉｎの「解析」メニューより表面粗さ解析を呼び出してＲｚ（１０点平均面粗さ）を算出することができ、Ｒｚは面内の１０点平均面粗さと断面プロファイルから求めた１０点平均面粗さがあり、どちらもこの解析メニューから算出できる。
【００８４】
次に、本発明の中間転写体の作製方法について説明する。
【００８５】
《中間転写体の作製》
本発明の中間転写体は、基体の表面に酸化物層、その上にアモルファスカーボン層を有するものである。
【００８６】
酸化物層及びアモルファスカーボン層は、プラズマＣＶＤ法で形成した層が好ましい。又、プラズマＣＶＤ法は大気圧、大気圧近傍の圧力下で行うことが好ましい。
【００８７】
本発明でいう大気圧又はその近傍の圧力とは、１０〜１１０ＫＰａ程度であり、本発明に記載の良好な効果を得るためには、９３〜１０４ＫＰａが好ましい。
【００８８】
以下、中間転写体の作製方法の一例を挙げて説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
【００８９】
（基体）
本発明に用いられる基体としては、樹脂に導電剤を分散させてなるシームレスのベルトを用いることが好ましい。ベルトに用いる樹脂としては、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニリデン、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体、ポリアミド及びポリフェニレンサルファイド等のいわゆるエンジニアリングプラスチック材料を用いることができ、これらの中では、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイドが特に好ましい。
【００９０】
又、導電剤としては、カーボンブラックを使用することができる。カーボンブラックとしては、中性又は酸性カーボンブラックを使用することができる。導電性フィラーの使用量は、使用する導電性フィラーの種類によっても異なるが中間転写体の体積抵抗値及び表面抵抗値が所定の範囲になるように添加すれば良く、通常、樹脂材料１００質量部に対して１０〜２０質量部、好ましくは１０〜１６質量部である。本発明に用いられる基体は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押出機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押し出して急冷することにより製造することができる。
【００９１】
基体は、その上に酸化物層を形成する前に、基体の表面をコロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、薬品処理などの表面処理を行っても良い。
【００９２】
更に、酸化物層１７６と基体１７５との間には、密着性の向上を目的として、アンカーコート剤層を形成しても良い。このアンカーコート剤層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコーン樹脂、及びアルキルチタネート等を、１又は２種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基体上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することやＵＶ硬化させることによりアンカーコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、０．１〜５ｇ／ｍ2（乾燥状態）程度が好ましい。
【００９３】
（酸化物層）
次に、本発明に係る酸化物層をプラズマＣＶＤ法により形成する製造装置及び製造方法、製造に使用するガスについて説明する。
【００９４】
図５は、酸化物層を製造する第１の製造装置の説明図である。
【００９５】
酸化物層の製造装置２（放電空間と薄膜堆積領域が略同一なダイレクト方式）は基体上に酸化物層を形成するもので、エンドレスベルト状の中間転写体の基体１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０と従動ローラ２０１、及び、基体表面に酸化物層を形成する成膜装置であるプラズマＣＶＤ装置３より構成されている。
【００９６】
プラズマＣＶＤ装置３は、ロール電極２０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極２１と、固定電極２１とロール電極２０との対向領域で且つ放電が行われる放電空間２３と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４と、放電空間２３等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、ロール電極２０に接続された第１の電源２５と、固定電極２１に接続された第２の電源２６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部２８とを有
している。
【００９７】
混合ガス供給装置２４は酸化物層を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３に供給する。
【００９８】
又、従動ローラ２０１は張力付勢手段２０２により矢印方向に付勢され、基体１７５に所定の張力を掛けている。張力付勢手段２０２は基体１７５の掛け替え時等は張力の付勢を解除し、容易に基体１７５の掛け替え等を可能としている。
【００９９】
第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化して混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた膜（酸化物層）が基体１７５の表面に堆積される。
【０１００】
尚、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向下流側に位置する複数の固定電極と混合ガス供給装置で酸化物層を積み重ねるように堆積し、酸化物層の厚さを調整するようにしても良い。
【０１０１】
又、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向最下流側に位置する固定電極と混合ガス供給装置で酸化物層を堆積し、より上流に位置する他の固定電極と混合ガス供給装置で、例えば酸化物層と基体との接着性を向上させる接着層等、他の層を形成しても良い。
【０１０２】
又、酸化物層と基体との接着性を向上させるために、酸化物層を形成する固定電極と混合ガス供給装置の上流に、アルゴンや酸素などのガスを供給するガス供給装置と固定電極を設けてプラズマ処理を行い、基体の表面を活性化させるようにしても良い。
【０１０３】
以上説明したように、エンドレスベルトである基体を１対のローラに張架し、１対のローラの内一方を１対の電極の一方の電極とし、一方の電極としたローラの外周面の外側に沿って他方の電極である少なくとも１の固定電極を設け、これら１対の電極間に大気圧又は大気圧近傍下で電界を発生させプラズマ放電を行わせ、基体表面に薄膜を堆積・形成する。
【０１０４】
更に他の形態として、ロール電極及び固定電極の内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。
【０１０５】
図６は、酸化膜層を製造する第２の製造装置の説明図である。
【０１０６】
酸化膜層の第２の製造装置２ａ（放電空間と薄膜堆積領域が異なり、プラズマを基体に噴射するプラズマジェット方式）は基体上に酸化物層を形成するもので、エンドレスベルト状の中間転写体の基体１７５を巻架して矢印方向に回転するロール２０３と従動ローラ２０１、及び、基体表面に酸化物層を形成する成膜装置であるプラズマＣＶＤ装置３ａより構成されている。
【０１０７】
プラズマＣＶＤ装置３ａは前述したプラズマＣＶＤ装置３と、電極に対する電源の接続と混合ガスの供給と膜の堆積に係る部分とが異なり、以下異なる部分について説明する。
【０１０８】
プラズマＣＶＤ装置３ａは、ロール２０３の外周に沿って配列された少なくとも１対の固定電極２１と、固定電極２１の一方の固定電極２１ａと他方の固定電極２１ｂとの対向領域で且つ放電が行われる放電空間２３ａと、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３ａに混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４ａと、放電空間２３ａ等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、一方の固定電極２１ａに接続された第１の電源２５と、他方の固定電極２１ｂに接続された第２の電源２６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部２８とを有している。
【０１０９】
混合ガス供給装置２４ａは酸化物層を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３ａに供給する。
【０１１０】
第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω１より高い周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３ａに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化（励起）し、プラズマ化（励起）した混合ガスを基体１７５の表面に噴射し、噴射されたプラズマ化（励起）した混合ガスに含まれる原料ガスに応じた酸化物層が基体１７５の表面に堆積・形成される。
【０１１１】
更に他の形態として、１対の固定電極の内、一方の固定電極をアースに接続して、他方の固定電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。
【０１１２】
図７は、酸化物層を製造する第３の製造装置の説明図である。
【０１１３】
酸化物層の第３の製造装置２ｂは複数の基体上に同時に酸化物層を形成するもので、主として基体表面に酸化物層を形成する複数の成膜装置２ｂ１及び２ｂ２より構成されている。
【０１１４】
第３の製造装置２ｂ（ダイレクト方式の変形で、対向したロール電極間で放電と薄膜堆積を行う方式）は、第１の成膜装置２ｂ１と所定の間隙を隔てて略鏡像関係に配置された第２の成膜装置２ｂ２と、第１の成膜装置２ｂ１と第２の成膜装置２ｂ２との間に配置された少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３ｂに混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４ｂとを有している。
【０１１５】
第１の成膜装置２ｂ１はエンドレスベルト状の中間転写体の基体１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ａと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を付勢する張力付勢手段２０２とロール電極２０ａに接続された第１の電源２５とを有し、第２の成膜装置２ｂ２はエンドレスベルト状の基体１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ｂと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を付勢する張力付勢手段２０２とロール電極２０ｂに接続された第２の電源２６とを有している。
【０１１６】
又、第３の製造装置２ｂはロール電極２０ａとロール電極２０ｂとの対向領域に放電が行われる放電空間２３ｂを有している。
【０１１７】
混合ガス供給装置２４ｂは酸化物層を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３ｂに供給する。
【０１１８】
第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３ｂに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化（励起）し、プラズマ化（励起）した混合ガスを第１の成膜装置２ｂ１の基体１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基体１７５の表面に晒し、プラズマ化（励起）した混合ガスに含まれる原料ガスに応じた膜（酸化物層）が第１の成膜装置２ｂ１の基体１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基体１７５の表面に同時に堆積・形成される。
【０１１９】
ここで、対向するロール電極２０ａとロール電極２０ｂとは所定の間隙を隔てて配置されている。
【０１２０】
更に他の形態として、ロール電極２０ａとロール電極２０ｂの内、一方のロール電極をアースに接続して、他方のロール電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。
【０１２１】
以下に基体上に酸化物層を形成する各種のプラズマＣＶＤ装置の形態について詳細に説明する。
【０１２２】
尚、下記の図８、９は図５、６の主として破線部を抜き出したものである。
【０１２３】
図８は、プラズマにより酸化物層を製造する第１のプラズマ成膜装置の説明図である。
【０１２４】
図８を参照して、酸化物層の形成に好適に用いられるプラズマＣＶＤ装置の第１の形態（ダイレクト方式）の１例を説明する。
【０１２５】
プラズマＣＶＤ装置３は、基体を着脱可能に巻架して回転駆動させる少なくとも１対のローラと、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極とを有し、前記１対の電極の内、一方の電極は前記１対のローラの内の一方のローラで、他方の電極は前記一方のローラに前記基体を介して対向する固定電極であり、前記一方のローラと前記固定電極との対向領域において発生するプラズマに、前記基体が晒されて前記酸化物層を堆積・形成される中間転写体の製造装置であり、例えば放電ガスとして窒素を用いる場合に一方の電源により高電圧を掛け他方の電源により高周波を掛けることにより安定して放電を開始し且つ放電を継続するため好適に用いられる。
【０１２６】
プラズマＣＶＤ装置３は前述したように混合ガス供給装置２４、固定電極２１、第１の電源２５、第１のフィルタ２５ａ、ロール電極２０、ロール電極を矢印方向に駆動回転させる駆動手段２０ａ、第２の電源２６、第２のフィルタ２６ａとを有しており、放電空間２３でプラズマ放電を行わせて原料ガスと放電ガスを混合した混合ガスＧを励起させ、励起した混合ガスＧ１を基体表面１７５ａに晒し、その表面に酸化物層１７６を堆積・形成するものである。
【０１２７】
そして、固定電極２１に第１の電源２５から周波数ω１の第１の高周波電圧が印加され、ロール電極２０に第２の電源２６から周波数ω２の高周波電圧が印加されるようになっており、それにより、固定電極２１とロール電極２０との間に電界強度Ｖ１で周波数ω１と電界強度Ｖ２で周波数ω２とが重畳された電界が発生し、固定電極２１に電流Ｉ１が流れ、ロール電極２０に電流Ｉ２が流れ、電極間にプラズマが発生する。
【０１２８】
ここで、周波数ω１と周波数ω２の関係、及び、電界強度Ｖ１と電界強度Ｖ２及び放電ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶとの関係が、ω１＜ω２で、Ｖ１≧ＩＶ＞Ｖ２、又は、Ｖ１＞ＩＶ≧Ｖ２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ2以上となっている。
【０１２９】
窒素ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍのため、少なくとも第１の電源２５から印可する電界強度Ｖ１は３．７ｋＶ／ｍｍ、又はそれ以上とし、第２の高周波電源６０から印可する電界強度Ｖ２は３．７ｋＶ／ｍｍ、又はそれ未満とすることが好ましい。
【０１３０】
又、第１のプラズマＣＶＤ装置３に利用可能な第１の電源２５（高周波電源）としては、
印加電源記号    メーカー            周波数            製品名
Ａ１        神鋼電機            ３ｋＨｚ    ＳＰＧ３−４５００
Ａ２        神鋼電機            ５ｋＨｚ    ＳＰＧ５−４５００
Ａ３        春日電機          １５ｋＨｚ    ＡＧＩ−０２３
Ａ４        神鋼電機          ５０ｋＨｚ    ＳＰＧ５０−４５００
Ａ５        ハイデン研究所  １００ｋＨｚ＊  ＰＨＦ−６ｋ
Ａ６        パール工業      ２００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−２００ｋ
Ａ７        パール工業      ４００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−４００ｋ
等の市販のものを挙げることができ、何れも使用することができる。
【０１３１】
又、第２の電源２６（高周波電源）としては、
印加電源記号    メーカー            周波数            製品名
Ｂ１        パール工業      ８００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−８００ｋ
Ｂ２        パール工業          ２ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２Ｍ
Ｂ３        パール工業  １３．５６ＭＨｚ    ＣＦ−５０００−１３Ｍ
Ｂ４        パール工業        ２７ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２７Ｍ
Ｂ５        パール工業      １５０ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−１５０Ｍ
等の市販のものを挙げることができ、何れも使用することができる。
【０１３２】
尚、上記電源の内、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。
【０１３３】
本発明において、第１及び第２の電源から対向する電極間に供給する電力は、固定電極２１に１Ｗ／ｃｍ2以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、薄膜を形成する。固定電極２１に供給する電力の上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ2、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ2である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ2である。尚、放電面積（ｃｍ2）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【０１３４】
又、ロール電極２０にも、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力（出力密度）を供給することにより、高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることができる。これにより、更なる均一高密度プラズマを生成でき、更なる製膜速度の向上と膜質の向上が両立できる。好ましくは５Ｗ／ｃｍ2以上である。ロール電極２０に供給する電力の上限値は、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ2である。
【０１３５】
ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくともロール電極２０に供給する高周波は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。
【０１３６】
又、固定電極２１と第１の電源２５との間には、第１フィルタ２５ａが設置されており、第１の電源２５から固定電極２１への電流を通過しやすくし、第２の電源２６からの電流をアースして、第２の電源２６から第１の電源２５への電流が通過しにくくなるようになっており、ロール電極２０と第２の電源２６との間には、第２フィルタ２６ａが設置されており、第２の電源２６からロール電極２０への電流を通過しやすくし、第１の電源２１からの電流をアースして、第１の電源２５から第２の電源２６への電流を通過しにくくするようになっている。
【０１３７】
電極には前述したような強い電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことができる電極を採用することが好ましく、固定電極２１とロール電極２０には強い電界による放電に耐えるため少なくとも一方の電極表面には下記の誘電体が被覆されている。
【０１３８】
以上の説明において、電極と電源の関係は、固定電極２１に第２の電源２６を接続して、ロール電極２０に第１の電源２５を接続しても良い。
【０１３９】
更に他の形態として、固定電極２１とロール電極２０との内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。
【０１４０】
図９は、プラズマにより酸化物層を製造する第２のプラズマ成膜装置の説明図である。
【０１４１】
図９を参照して、酸化物層の形成に用いられる大気圧プラズマ装置の第２の形態（プラズマジェット方式）の１例を説明する。
【０１４２】
大気圧プラズマ装置４は、異なる電圧及び異なる周波数を出力する複数の電源によって電極間に発生した異なる周波数を重畳した電界により、少なくとも放電ガスと原料ガスとの混合ガスをプラズマ化して前記酸化物層を堆積・形成するもので、１対の固定電極２１ａ、２１ｂを有し、固定電極２１ａに第１フィルタ２５ａ及び第１の電源２５が接続され、固定電極２１ｂに第２フィルタ２６ｂ及び第２の電源２６が接続され、又、ロール電極２０がアースに接続されている以外は図８のプラズマＣＶＤ装置３と同様な構成を有している。
【０１４３】
以下に酸化物層１７６を堆積・形成する作用を説明すると、固定電極２１ａに第１の電源２５から周波数ω１の第１の高周波電圧が印加され、固定電極２１ｂに第２の電源２６から周波数ω２の高周波電圧が印加されるようになっており、それにより、固定電極２１ａと２１ｂとの間に電界強度Ｖ１で周波数ω１と電界強度Ｖ２で周波数ω２とが重畳された電界が発生し、固定電極２１ａに電流Ｉ１が流れ、固定電極２１ｂに電流Ｉ２が流れ、電極間にプラズマが発生する。
【０１４４】
そしてプラズマ化された混合ガスＧ２が薄膜形成領域４２で基体１７５表面に噴射され酸化物層１７６を堆積・形成する。
【０１４５】
更に他の形態として、固定電極２１ａと固定電極２１ｂとの内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。
【０１４６】
図１０は、ロール電極の一例を示す概略図である。
【０１４７】
ロール電極２０の構成について説明すると、図１０（ａ）において、ロール電極２０は、金属等の導電性母材２００ａ（以下、「電極母材」ともいう。）に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２００ｂ（以下、単に「誘電体」ともいう。）を被覆した組み合わせで構成されている。又、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化ケイ素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。
【０１４８】
又、図１０（ｂ）に示すように、金属等の導電性母材２００Ａにライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２００Ｂを被覆した組み合わせでロール電極２０’を構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。
【０１４９】
金属等の導電性母材２００ａ、２００Ａとしては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスが好ましい。
【０１５０】
尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材２００ａ、２００Ａは、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。
【０１５１】
図１１は、固定電極の一例を示す概略図である。
【０１５２】
図１１（ａ）において、角柱或いは角筒柱の固定電極２１及び２１ａ、２１ｂは上記記載のロール電極２０と同様に、金属等の導電性母材２１０ｃに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２１０ｄを被覆した組み合わせで構成されている。又、図１１（ｂ）に示す様に、角柱或いは角筒柱型の固定電極２１’は金属等の導電性母材２１０Ａへライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２１０Ｂを被覆した組み合わせで構成しても良い。
【０１５３】
以下に、中間転写体の製造方法の工程の内、基体上に少なくとも１つの層を形成する少なくとも１つの工程であり、最終工程に位置し、基体１７５上に酸化物層１７６を堆積・形成する成膜工程の例を、図５、８を参照して説明する。
【０１５４】
図５及び８において、ロール電極２０及び従動ローラ２０１に基体１７５を張架後、張力付勢手段２０２の作動により基体１７５に所定の張力を掛け、次いでロール電極２０を所定の回転数で回転駆動する。
【０１５５】
混合ガス供給装置２４から混合ガスＧを生成し、放電空間２３に放出する。
【０１５６】
第１の電源２５から周波数ω１の電圧を出力して固定電極２１に印加し、第２の電源２６から周波数ω２の電圧を出力してロール電極２０に印加し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生させる。
【０１５７】
電界Ｖにより放電空間２３に放出された混合ガスＧを励起しプラズマ状態にする。そして、基体表面にプラズマ状態の混合ガスＧを晒し混合ガスＧ中の原料ガスにより酸化物層１７６を基体１７５上に形成する。
【０１５８】
又図６、９において、第１の電源２５から周波数ω１の電圧を出力して固定電極２１ａに印加し、第２の電源２６から周波数ω２の電圧を出力して固定電極２１ｂに印加し、これらの電圧により放電空間２３ａに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生させる。
【０１５９】
電界Ｖにより放電空間２３ａを通過する混合ガスＧを励起しプラズマ状態にして、プラズマ化された混合ガスＧ２は薄膜形成領域４１に噴出され、薄膜形成領域４１で基体表面に晒される。該混合ガスＧ２中の原料ガスにより酸化物層１７６を基体１７５上に形成する。
【０１６０】
放電ガスとは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等及びそれらの混合物などが挙げられる。
【０１６１】
又、酸化物層を形成するための原料ガスとしては、常温で気体又は液体の有機金属化合物、特にアルキル金属化合物や金属アルコキシド化合物、有機金属錯体化合物が用いられる。これら原料における相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、混合ガス供給装置２４で加熱或いは減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である。
【０１６２】
原料ガスとしては、放電空間でプラズマ状態となり、薄膜を形成する成分を含有するものであり、有機金属化合物、有機化合物、無機化合物等である。
【０１６３】
例えば、ケイ素化合物として、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、１，４−ビストリメチルシリル−１，３−ブタジイン、ジ−ｔ−ブチルシラン、１，３−ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、１−（トリメチルシリル）−１−プロピン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Ｍシリケート５１などが挙げられるがこれらに限定されない。
【０１６４】
チタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどが挙げられるがこれらに限定されない。
【０１６５】
アルミニウム化合物としては、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウムイソプロポキシド、４−ペンタンジオネート、ジメチルアルミニウムクロライドなどが挙げられるがこれらに限定されない。
【０１６６】
又、これらの原料は、単独で用いても良いが、２種以上の成分を混合して使用するようにしても良い。
【０１６７】
又、前記のように酸化物層の硬度は、成膜速度や添加ガス量比などによって調整することができる。
【０１６８】
（アモルファスカーボン層）
上記酸化物層と同様な製造装置、製造方法によりアモルファスカーボン層を形成することができる。
【０１６９】
アモルファスカーボン層の形成時には、混合ガス供給装置２４，２４ａ又は２４ｂからアモルファスカーボン層を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３、２３ａ又は２３ｂに供給する。
【０１７０】
放電ガスとは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等及びそれらの混合物などが挙げられる。
【０１７１】
又、アモルファスカーボン層を形成するための原料ガスとしては、常温で気体又は液体の有機化合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。これら原料における相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、混合ガス供給装置２４で加熱或いは減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である。原料ガスとしての炭化水素ガスについては、例えば、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10等のパラフィン系炭化水素、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ4等のアセチレン系炭化水素、オレフィン系炭化水素、ジオレフィン系炭化水素、更には芳香族炭化水素など全ての炭化水素を少なくとも含むガスが使用可能である。更に、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類、ＣＯ2等少なくとも炭素元素を含む化合物であれば使用可能である。
【０１７２】
又、これらの原料は、単独で用いても良いが、２種以上の成分を混合して使用するようにしても良い。
【０１７３】
上記のような方法によってアモルファスカーボン層を酸化物層表面に形成することにより、転写性が良好で、文字画像の中抜けが無く、クリーニング性及び耐久性が高い中間転写体を提供することができる。
【０１７４】
尚、アモルファスカーボン層の膜厚、表面粗さＲｚ、及び膜質は、高周波電界を発生させる電源の出力、供給ガス流量、プラズマ発生時間、電極に発生する自己バイアス及び原料ガスの種類等に依存し、高周波出力の増加、供給ガスの流量減少、自己バイアスの増加及び原料の炭素数の低下等は、何れもアモルファスカーボン層の硬化、緻密さの向上、圧縮応力の増大及び脆さに大きな影響を与える。
【０１７５】
《画像形成方法》
次に、画像形成方法、画像形成装置について説明する。
【０１７６】
本発明の中間転写体は、電子写真方式の複写機、プリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置に好適に用いられる。画像形成方法は、感光体の表面に担持されたトナー像をその表面に１次転写し、転写されたトナー像を保持し、保持したトナー像を記録紙等の転写材の表面に中間転写体を用いて２次転写するものであれば良い。中間転写体は、ベルト状のものでもドラム状のものでもでも良い。
【０１７７】
本発明の中間転写体を有する画像形成装置について、タンデム型フルカラー複写機を例に取り説明する。
【０１７８】
図１２は、カラー画像形成装置の１例を示す断面構成図である。
【０１７９】
このカラー画像形成装置１０は、タンデム型フルカラー複写機と称せられるもので、自動原稿送り装置１３と、原稿画像読み取り装置１４と、複数の露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋと、複数組の画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋと、中間転写体ユニット１７と、給紙手段１５及び定着手段１２４とからなる。
【０１８０】
画像形成装置の本体１２の上部には、自動原稿送り装置１３と原稿画像読み取り装置１４が配置されており、自動原稿送り装置１３により搬送される原稿ｄの画像が原稿画像読み取り装置１４の光学系により反射・結像され、ラインイメージセンサＣＣＤにより読み込まれる。
【０１８１】
ラインイメージセンサＣＣＤにより読み取られた原稿画像を光電変換されたアナログ信号は、図示しない画像処理部において、アナログ処理、Ａ／Ｄ変換、シェーディング補正、画像圧縮処理等を行った後、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋに各色毎のデジタル画像データとして送られ、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋにより対応する第１の像担持体としてのドラム状の感光体（以下、感光体とも記す）１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに各色の画像データの潜像を形成する。
【０１８２】
画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、垂直方向に縦列配置されており、感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの図示左側方にローラ１７１、１７２、１７３、１７４を巻回して回動可能に張架された半導電性でベルト状の第２の像担持体である中間転写体１７０が配置されている。
【０１８３】
そして、中間転写体１７０は図示しない駆動装置により回転駆動されるローラ１７１を介し矢印方向に駆動されている。
【０１８４】
イエロー色の画像を形成する画像形成部１０Ｙは、感光体１１Ｙの周囲に配置された帯電手段１２Ｙ、露光手段１３Ｙ、現像手段１４Ｙ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、クリーニング手段１６Ｙを有する。
【０１８５】
マゼンタ色の画像を形成する画像形成部１０Ｍは、感光体１１Ｍ、帯電手段１２Ｍ、露光手段１３Ｍ、現像手段１４Ｍ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｍ、クリーニング手段１６Ｍを有する。
【０１８６】
シアン色の画像を形成する画像形成部１０Ｃは、感光体１１Ｃ、帯電手段１２Ｃ、露光手段１３Ｃ、現像手段１４Ｃ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｃ、クリーニング手段１６Ｃを有する。
【０１８７】
黒色画像を形成する画像形成部１０Ｋは、感光体１１Ｋ、帯電手段１２Ｋ、露光手段１３Ｋ、現像手段１４Ｋ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｋ、クリーニング手段１６Ｋを有する。
【０１８８】
トナー補給手段１４１Ｙ、１４１Ｍ、１４１Ｃ、１４１Ｋは、現像装置１４Ｙ、１４Ｍ、１４Ｃ、１４Ｋにそれぞれ新規トナーを補給する。
【０１８９】
ここで、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、図示しない制御手段により画像の種類に応じて選択的に作動され、それぞれ対応する感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに中間転写体１７０を押圧し、感光体上の画像を転写する。
【０１９０】
この様にして、画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋにより感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ上に形成された各色の画像は、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋにより、回動する中間転写体１７０上に逐次転写されて、合成されたカラー画像が形成される。
【０１９１】
即ち、中間転写体は感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に１次転写され、転写されたトナー画像を保持する。
【０１９２】
又、給紙カセット１５１内に収容された記録媒体としての転写材Ｐは、給紙手段１５により給紙され、次いで複数の中間ローラ１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｄ、レジストローラ１２３を経て、２次転写手段としての２次転写ローラ１１７まで搬送され、２次転写ローラ１１７により中間転写体上の合成されたトナー画像が転写材Ｐ上に一括転写される。
【０１９３】
即ち、中間転写体上に保持したトナー画像を被転写物の表面に２次転写する。
【０１９４】
ここで、２次転写手段６は、ここを転写材Ｐが通過して２次転写を行う時にのみ、転写材Ｐを中間転写体１７０に圧接させる。
【０１９５】
カラー画像が転写された転写材Ｐは、定着装置１２４により定着処理され、排紙ローラ１２５に挟持されて機外の排紙トレイ１２６上に載置される。
【０１９６】
一方、２次転写ローラ１１７により転写材Ｐにカラー画像を転写した後、転写材Ｐを曲率分離した中間転写体１７０は、クリーニング手段８により残留トナーが除去される。
【０１９７】
ここで、中間転写体は前述したような回転するドラム状のものに置き換えても良い。
【０１９８】
次に、中間転写体１７０に接する１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋ、と、２次転写ローラ１１７の構成について説明する。
【０１９９】
１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０5〜１０9Ω・ｃｍ程度のソリッド状態又は発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。
【０２００】
２次転写ローラ１１７は、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０5〜１０9Ω・ｃｍ程度のソリッド状態又は発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。
【０２０１】
そして、２次転写ローラ６は、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋと異なり、記録紙Ｐが無い状態ではトナーが接する可能性があるため、２次転写ローラ６の表面に半導電性のフッ素樹脂やウレタン樹脂等の離型性の良いものを被覆すると良く、ステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴムや樹脂材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりした半導電性材料を、厚さが０．０５〜０．５ｍｍ程度被覆して形成される。
【０２０２】
本発明に用いられる転写材としては、トナー画像を保持する支持体で、通常画像支持体、転写材或いは転写紙と云われるものである。具体的には薄紙から厚紙までの普通紙、アート紙やコート紙等の塗工された印刷用紙、市販されている和紙やはがき用紙、ＯＨＰ用のプラスチックフィルム、布等の各種転写材を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【実施例】
【０２０３】
以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明の実施形態はこれに限定されるものではない。
【０２０４】
《中間転写体の作製》
〈中間転写体１の作製〉
以下の手順で中間転写体を作製した。
【０２０５】
（基体の作製）
ポリフェニレンサルファイド樹脂（Ｅ２１８０、東レ社製）    １００質量部
導電フィラー（ファーネス＃３０３０Ｂ、三菱化学社製）        １６質量部
グラフト共重合体（モディパーＡ４４００、日本油脂社製）        １質量部
滑材（モンタン酸カルシウム）                              ０．２質量部
上記材料を単軸押出機に投入し、溶融混練して樹脂混合物とした。単軸押出機の先端にはスリット状でシームレスベルト形状の吐出口を有する環状ダイスが取り付けてあり、混練された上記樹脂混合物を、シームレスベルト形状に押し出した。押し出されたシームレスベルト形状の樹脂混合物を、吐出先に設けた円筒状の冷却筒に外挿させて冷却し、固化することによりシームレス円筒状の基体（ベルト）を得た。得られた基体の厚さは、１５０μｍであった。
【０２０６】
（酸化物層の作製）
次に、上記で作製した基体の上に、図５のプラズマ放電処理装置（第１の製造装置＝ダイレクト方式）を用いて、１層の酸化物層（膜厚２５０ｎｍ）を形成した。
【０２０７】
酸化物層の形成材料としては、酸化ケイ素を用いた。この時のプラズマ放電処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミック溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、０．５ｍｍに設定した。又誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施した。
【０２０８】
放電ガス：Ｎ2ガス
反応ガス：Ｏ2ガスを全ガスに対し１９体積％
原料ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を全ガスに対し１．４体積％
低周波側電源電力（神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ））：１０Ｗ／ｃｍ2
高周波側電源電力（パール工業製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ））：５Ｗ／ｃｍ2で変化
製膜速度：２１ｎｍ／ｓｅｃ
（アモルファスカーボン層の作製）
次に、上記で作製した酸化物層の上に、図７のプラズマ放電処理装置を用いて、１層のアモルファスカーボン層（膜厚５０ｎｍ）を形成した。
【０２０９】
放電ガス：Ａｒ
原料ガス：ＣＨ4を全ガスに対して１．０体積％
低周波側電源電力（神鋼電機社製高周波電源（５０ｋＨｚ））：使用せず
高周波側電源電力（パール工業社製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ））：４Ｗ／ｃｍ2
酸化物層とアモルファスカーボン層の製膜条件を表１に示す。各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、あらかじめ原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行った。
【０２１０】
〈中間転写体２〜１３の作製〉
中間転写体１において用いられた放電圧力、酸化物層とアモルファスカーボン層の製造条件（製造装置、放電ガス、反応ガス、原料ガス）を表１のように変更した以外は中間転写体１と同様にして中間転写体２〜１３を作製した。
【０２１１】
尚、中間転写体１２の作製時は、低周波側電源電力（神鋼電機社製高周波電源（５０ｋＨｚ））１０Ｗ／ｃｍ2を使用した。
【０２１２】
〈中間転写体１４の作製〉
中間転写体４において酸化物層のみ形成したものに対して、フィルタカソードバキュームアーク（ＦＣＶＡ）装置（島津製作所）を用いて固体カーボンを原料に、成膜温度４０℃、成膜速度１．５ｎｍ／ｓｅｃで四面体アモルファスカーボン膜を膜厚１００ｎｍ形成した。製膜装置の都合から中間転写体の一部分にのみ製膜を行い、製膜された部分のみ評価した。
【０２１３】
〈中間転写体１５の作製〉
中間転写体１３においてアモルファスカーボン層のみ形成したものをそのまま中間転写体として使用した。
【０２１４】
〈中間転写体１６の作製〉
中間転写体１０において酸化物層のみ形成したものをそのまま中間転写体として使用した。
【０２１５】
〈中間転写体１７の作製〉
上記方法で作製した基体をそのまま中間転写体として使用した。
【０２１６】
表１に、上記中間転写体の製造装置、製造条件を示す。
【０２１７】
【表１】
2008256958.tif 000003
【０２１８】
表２に、上記中間転写体の表面硬度、表面エネルギー、表面高度差、表面粗さの値を示す。
【０２１９】
【表２】
2008256958.tif 000004
【０２２０】
尚、表面硬度、表面エネルギー、表面粗さは前記の測定装置を用い、前記測定方法で測定して得られた値である。
【０２２１】
《評価》
中間転写体の評価は、画像形成装置「８０５０」（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製）に上記で作製した中間転写体を順番に装着し行った。
【０２２２】
尚、画像形成には体積基準におけるメディアン粒径（Ｄ50）が４．５μｍのトナーと６０μｍのコートキャリアよりなる２成分現像剤を使用した。
【０２２３】
プリント環境は、低温低湿（１５℃、２０％ＲＨ）と高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）で行った。転写材は、Ａ４判の上質紙（６４ｇ／ｍ2）を用いた。
【０２２４】
プリント原稿は、画素率が７％の文字画像（３ポイント、５ポイント）、カラー人物顔画像（ハーフトーンを含むドット画像）、べた白画像、べた画像がそれぞれ１／４等分にあるオリジナル画像（Ａ４判）を用いた。評価は、以下の項目について行った。尚、評価基準として、◎、○は合格、×は不合格とした。
【０２２５】
（２次転写率）
２次転写率の評価は、低温低湿（１５℃、２０％ＲＨ）環境で、初期と１６万枚プリント終了後の転写率で行った。転写率は、画素濃度が１．３０のソリッド画像（２０ｍｍ×５０ｍｍ）を形成したと時、転写材上に転写されたトナーの質量と中間転写体上に供給されるトナーの質量を求め、下記式より転写率を求めた。
【０２２６】
転写率（％）＝（転写材上に転写されたトナーの質量／中間転写体上に供給されるトナーの質量）×１００
尚、転写率は９０％以上を良好と評価した。
【０２２７】
（文字画像の中抜け）
文字画像の中抜けの評価は、高温高湿（３０℃、８０％ＲＨ）で初期の１０枚と１６万枚プリント終了後の１０枚を取り出し、文字画像（３ポイント、５ポイント）部をルーペで拡大観察して、文字画像の中抜け発生程度を評価した。
【０２２８】
評価基準
◎：２０枚全てのプリント画像で、文字画像の中抜けの発生が３箇所以下で良好
○：２０枚のプリント画像中、文字画像の中抜けの発生が４個以上、１９個以下が１枚以上有るが実用上問題なし
×：２０枚のプリント画像中、文字画像の中抜けの発生が２０個以上が１枚以上有り、実用上問題。
【０２２９】
（クリーニング性）
クリーニング性の評価は、低温低湿（１５℃、２０％ＲＨ）環境でプリントを行い、クリーニングブレードでクリーニングした後の中間転写体の表面を目視観察し、その表面に残存するトナーの程度と、プリントして得られたプリント画像にクリーニング不良に起因する画像汚れの発生程度で評価した。
【０２３０】
尚、プリント中にクリーニングブレードのめくれの発生もクリーニング性として評価した。
【０２３１】
評価基準
◎：１６万枚まで、中間転写体上にクリーニング残トナーが認められず、プリント画像にもクリーニング不良に起因する画像汚れなし
○：１６万枚で、中間転写体上にクリーニング残トナーが認められるが、プリント画像にクリーニング不良に起因する画像汚れなし
×：１０万枚で、中間転写体上にクリーニング残トナーが認められ、プリント画像にもクリーニング不良に起因する画像汚れが有り実用上問題。
【０２３２】
表３に、評価結果を示す。
【０２３３】
【表３】
2008256958.tif 000005
【０２３４】
表３の結果から明らかなように、本発明の「実施例１〜１２」の「中間転写体１〜１２」は、初期及び１６万枚プリント後の２次転写率、文字画像の中抜け、クリーニング性の何れの評価項目も良好な結果が得られたが、「比較例１〜５」の「中間転写体１３〜１７」は評価項目の何れかに問題が有り、本発明の中間転写体とは明らかに異なる結果となった。
【図面の簡単な説明】
【０２３５】
【図１】中間転写体の層構成を示す概念断面図である。
【図２】ナノインデンテーション法による測定装置の一例を示す模式図である。
【図３】ナノインデンテーション法で得られた典型的な荷重−変位曲線を示す。
【図４】圧子と試料の接触している状態の模式図を示す。
【図５】酸化物層を製造する第１の製造装置の説明図である。
【図６】酸化物層を製造する第２の製造装置の説明図である。
【図７】酸化物層を製造する第３の製造装置の説明図である。
【図８】プラズマにより酸化物層を製造する第１のプラズマ成膜装置の説明図である。
【図９】プラズマにより酸化物層を製造する第２のプラズマ成膜装置の説明図である。
【図１０】ロール電極の一例を示す概略図である。
【図１１】固定電極の一例を示す概略図である。
【図１２】本発明の中間転写体が使用可能な画像形成装置の一例を示す断面構成図である。
【符号の説明】
【０２３６】
１７０  中間転写体
１７５  基体
１７６  酸化物層
１７７  アモルファスカーボン層
【図１】
2008256958.tif 000006
【図２】
2008256958.tif 000007
【図３】
2008256958.tif 000008
【図４】
2008256958.tif 000009
【図５】
2008256958.tif 000010
【図６】
2008256958.tif 000011
【図７】
2008256958.tif 000012
【図８】
2008256958.tif 000013
【図９】
2008256958.tif 000014
【図１０】
2008256958.tif 000015
【図１１】
2008256958.tif 000016
【図１２】
2008256958.tif 000017