(57)【要約】【課題】ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法を提供する。【解決手段】この発明に従った基板の製造方法は、ｐ型不純物を含むＧａＮ層を備えるエピ基板準備する基板準備工程（Ｓ１００）と、エピ基板を溶媒中に浸漬した状態で、エピ基板のｐ型不純物を含むＧａＮ層にレーザ光を照射するレーザ照射工程（Ｓ３００）とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型不純物を含む半導体層を備える基板を準備する工程と、
前記基板を液体中に浸漬した状態で、前記半導体層にレーザ光を照射する工程とを備える、基板の製造方法。
【請求項２】
前記半導体層にレーザ光を照射する工程の後、前記基板を加熱する工程を更に備える、請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記液体は、アルコール族溶液、エーテル族溶液、水、アルカリ性溶液、酸性溶液のうちの少なくとも１種を含む、請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＩＩ−ＶＩ族半導体、およびＩＶ族半導体のうちの少なくとも１種を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記半導体層にレーザ光を照射する工程では、前記半導体層にパルス幅が１ｍｓ以下のパルス状レーザ光を照射する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記半導体層にレーザ光を照射する工程では、前記半導体層において前記レーザ光を照射した領域と前記レーザ光を照射しなかった領域とが形成されるように、局所的に前記レーザ光を前記半導体層に照射する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板の製造方法を用いて製造された、ｐ型半導体層を備える基板であって、
前記ｐ型半導体層は、ｐ型不純物の濃度に対する活性化された前記ｐ型不純物の濃度の比である活性化率が相対的に高い活性化領域と、前記活性化率が相対的に低い未活性化領域とを含む、基板。
【請求項８】
前記ｐ型半導体層では、前記活性化領域の周囲を囲むように前記未活性化領域が配置されている、請求項７に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の製造方法および基板に関し、より特定的には、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法および基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に、導電型がｐ型である不純物（ｐ型不純物）を含む半導体からなるｐ型半導体層が形成された基板は、その製造工程において、ｐ型半導体層を活性化させる目的で７００℃以上の温度に加熱される場合がある。これは、以下のような理由による。
【０００３】
すなわち、基板上のｐ型半導体層は、たとえば気相成長法により形成されている。このとき、ｐ型半導体層を形成するための原料を基板上にまで運搬するためのキャリアガスとして、水素（Ｈ２）ガスが採用されることがある。また、ｐ型半導体層を構成する窒素の原料ガスとして、アンモニア（ＮＨ３）ガスが採用されることがある。このような場合、ｐ型半導体層には、水素ガスやアンモニアガスに含まれる水素が侵入する。そして、ｐ型半導体層に侵入した水素は、ｐ型半導体層に含まれる導電型がｐ型の不純物（ｐ型不純物）と結合する。その結果、ｐ型半導体層のホール密度が十分に向上しない。そのため、上述のように当該ｐ型半導体層を７００℃以上の温度に加熱することにより、ｐ型半導体層から水素を除去し、ｐ型半導体層のｐ型不純物を活性化する対策が採用される。
【０００４】
しかし、ｐ型半導体層を備える基板が７００℃以上の高温に加熱されることにより、ｐ型半導体層に導入された不純物が拡散すること等に起因して、ｐ型半導体層を備える基板の特性が劣化する場合がある。
【０００５】
基板の特性の劣化を抑制しつつ、ｐ型半導体層に導入されたｐ型不純物を活性化する方法に関しては多くの検討がなされ、種々の対策が提案されている（たとえば特許文献１〜４参照）。
【０００６】
特許文献１では、ｐ型不純物を活性化するため、ｐ型半導体層に電解液などの液体を接触させ、当該液体を介してｐ型不純物の活性化に必要な電圧を印加することが開示されている。また、特許文献２では、ｐ型半導体層に高周波電界を印加することにより、ｐ型不純物と水素との結合を切断してｐ型不純物を活性化させることが開示されている。また、特許文献３では、レーザ光をｐ型半導体層に照射することにより、ｐ型不純物を活性化する方法において、照射するレーザ光のエネルギーを所定の値（半導体のバンドギャップエネルギー±０．５ｅＶ）に規定することで、高い効率で均一にｐ型不純物の活性化を行なえるとしている。また、特許文献４では、ｐ型半導体層にレーザ光を照射することにより、ｐ型不純物を活性化する方法において、照射するレーザ光の照射強度を所定の値（１０Ｗ／ｃｍ2以上５００Ｗ／ｃｍ2以下）とすることで、活性化されたｐ型半導体層の電気特性を向上させることができるとしている。
【特許文献１】特開２００４−１４５９８号公報
【特許文献２】特開２００１−３５１９２５号公報
【特許文献３】特開２００１−１２７００２号公報
【特許文献４】特開平１１−２２４９５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述した従来のｐ型半導体層の活性化方法では、以下のような問題があった。すなわち、上記特許文献１に記載された方法では、ｐ型半導体層に接触する電解液や印加
される電圧によって、ｐ型半導体層自体の膜質が劣化するおそれがある。また、上記特許文献２に記載された方法では、印加される電界の強度分布によってはいわゆる電界集中が発生し、活性化の程度に局所的なばらつきが発生する場合がある。また、上記特許文献３および特許文献４に記載された方法では、照射されるレーザ光によってｐ型半導体層の温度が上昇し、結果的にｐ型半導体層の膜質が劣化する場合があった。
【０００８】
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法および優れた膜質のｐ型半導体層を備える基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
発明者は、ｐ型不純物の活性化に必要な加熱温度（つまり、ｐ型半導体層から水素を除去するために必要な温度）を低下させることができれば、ｐ型半導体層の膜質の劣化を抑制することができると考えた。そこで、ｐ型不純物の活性化温度を低下させるため、ｐ型半導体層に対して水素を除去するために供給されるエネルギーの供給方法と、ｐ型半導体層に当該エネルギーを供給するときの雰囲気条件を様々に組合せ、検討を行なうことで本発明を完成した。すなわち、この発明に従った基板の製造方法は、ｐ型不純物を含む半導体層を備える基板を準備する工程と、基板を液体中に浸漬した状態で、半導体層にレーザ光を照射する工程とを備える。
【００１０】
このようにすれば、レーザ光が半導体層に照射されることで、当該半導体層中のｐ型不純物に結合していた水素がｐ型不純物から分離されるとともに、ｐ型半導体層を備える基板が液体中に浸漬されているため、ｐ型半導体層から当該水素が液体中に離脱するプロセスが促進される。このとき、ｐ型半導体層から液体中に離脱する水素は、Ｈ2やＨ2Ｏといった形で液体中へと離脱・拡散すると考えられる。さらに、レーザ光が照射されたｐ型半導体層では、当該レーザ光の照射に起因して熱が発生するが、その熱を液体が吸収することにより、ｐ型半導体層の過剰な温度上昇を抑制することができる。すなわち、上記液体は、ｐ型半導体層から水素を除去する工程を促進するとともに、ｐ型半導体層の温度上昇を抑制する冷却材としても作用する。この結果、ｐ型半導体層の過剰な温度上昇に起因する特性の劣化を抑制するとともに、ｐ型半導体層の活性化を図ることができる。
【００１１】
上記基板の製造方法は、半導体層にレーザ光を照射する工程の後、基板を加熱する工程を更に備えていてもよい。この場合、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物をより確実に活性化することができる。また、基板を加熱する工程においては、基板の加熱温度を比較的低温（たとえば４００℃以下、より好ましくは２００℃以下）にすることが好ましい。この場合、ｐ型半導体層における特性の劣化を確実に防止できる。
【００１２】
上記基板の製造方法において、液体は、アルコール族溶液、エーテル族溶液、水、アルカリ性溶液、酸性溶液のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。また、液体として極性溶液（極性溶媒）を使用してもよい。極性溶媒としてはプロトン性極性溶媒と非プロトン性極性溶媒とどちらを用いてもよい。ここで、プロトン性溶媒とは、プロトン供与性を持つ溶媒のことである。多くのプロトン溶媒は酸素あるいは窒素原子に結合した比較的酸性度の高い水素を持ち、同時に酸素あるいは窒素は非共有電子対も持つことからプロトンを受容できる性質（ルイス塩基性）も併せ持つ。この性質によりプロトン性溶媒は溶媒分子間で水素結合を形成している溶媒でもある。プロトン性溶媒としては、たとえば、水（Ｈ2Ｏ）、エタノール （ＣＨ3ＣＨ2ＯＨ）、酢酸（ＣＨ3Ｃ（=Ｏ）ＯＨ）などが例として挙げられる。また、非プロトン性極性溶媒としては、アセトニトリル（ＣＨ3Ｃ≡Ｎ）、アセトン（ＣＨ3Ｃ（=Ｏ）ＣＨ3）などが挙げられる。プロトン性極性溶媒はイオンを安定化する効果があるためＳＮ１反応などイオンを経由する反応に良く用いられ、非プロト
ン性極性溶媒はＳＮ２反応などに好んで用いられ、ｐ型半導体層中の水素を引き抜くことが可能となる。上述のような液体を用いることで、ｐ型半導体層からの水素の除去をより促進することができる。特に、上記溶液はメチルアルコール溶液であることが好ましい。
【００１３】
なお、上記基板の製造方法において、液体として無極性の溶媒も使用することは可能であるが、沸点の低いものは液状に保つために容器を密閉し温度コントロールを行なう等の工夫が必要となる。このような無極性の溶媒の例としては、たとえば、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、ジエチルエーテル、クロロホルム、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、塩化メチレン等が挙げられる。また、極性非プロトン性の溶媒としては、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホムアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。また、もっとも適合性のよい分類として、極性プロトン性の溶媒が挙げられる。例としては、酢酸、１−ブタノール、２−プロパノール、１プロパノール、エタノール、メタノール、ギ酸、水、等がある。
【００１４】
上記基板の製造方法において、半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＩＩ−ＶＩ族半導体、およびＩＶ族半導体のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。この場合、ｐ型不純物の活性化に伴う加熱によって特性の劣化の恐れがある上記材料を半導体層の材料として用いる基板の製造方法として、本発明は特に効果的である。
【００１５】
上記基板の製造方法において、半導体層にレーザ光を照射する工程では、半導体層にパルス幅が１ｍｓ以下のパルス状レーザ光を照射してもよい。この場合、パルス状レーザ光のパルス幅が十分短いため、レーザ光の照射に起因して半導体層の温度上昇を抑制することができる。このため、温度上昇に起因する半導体層の特性の劣化をさらに抑制することができる。
【００１６】
上記基板の製造方法において、半導体層にレーザ光を照射する工程では、半導体層においてレーザ光を照射した領域とレーザ光を照射しなかった領域とが形成されるように、局所的にレーザ光を半導体層に照射してもよい。この場合、半導体層においてｐ型不純物が活性化された領域（活性化領域）と、ｐ型不純物が活性化されなかった領域（未活性化領域）とを所定のパターンで形成することができる。このため、当該基板を用いて半導体素子を形成する場合に、上記半導体層について当該半導体素子において必要な活性化領域のパターンをあらかじめ形成しておくことが可能になる。したがって、当該活性化領域のパターンを改めて形成するための工程を実施する必要が無いため、当該基板を用いた半導体素子の製造工程を簡略化できる。
【００１７】
この発明に従った基板は、上記基板の製造方法を用いて製造された、ｐ型半導体層を備える基板である。ｐ型半導体層は、ｐ型不純物の濃度に対する活性化されたｐ型不純物の濃度の比である活性化率が相対的に高い活性化領域と、当該活性化率が相対的に低い未活性化領域とを含む。このような基板を用いて半導体素子を形成する場合、当該半導体素子の構造の一部として必要な活性化領域と未活性化領域とのパターンを予め形成しておくことで、半導体素子の製造工程において当該活性化領域のパターンを形成するための工程を実施する必要が無いため、当該基板を用いた半導体素子の製造工程を簡略化できる。
【００１８】
上記基板において、ｐ型半導体層では、活性化領域の周囲を囲むように未活性化領域が配置されていてもよい。また、上記基板において、ｐ型半導体層では、未活性化領域の表面層に活性化領域が形成されていてもよい。この場合、活性化領域を半導体素子の導電層として利用するとともに、未活性化領域を電気的な分離領域として利用することができる。
【発明の効果】
【００１９】
このように、本発明によれば、ｐ型半導体層の膜質の劣化を抑制しながら、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下図面を用いて、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、本発明による基板の製造方法の実施の形態１を説明するためのフローチャートである。図２は、図１に示した基板の製造方法において用いるレーザ照射装置の構成を示す模式図である。図３は、図２に示したレーザ照射装置において照射されるレーザの出力波形を示すグラフである。図４は、図１に示した基板の製造方法におけるレーザ照射工程でのレーザの照射方法を説明するための模式図である。図５は、図１に示した基板の製造方法により形成された基板を示す断面模式図である。図１〜図５を参照して、本発明による基板の製造方法および製造された基板を説明する。
【００２２】
図１に示すように、本発明による基板の製造方法では、まず基板準備工程（Ｓ１００）を実施する。この基板準備工程（Ｓ１００）では、たとえばサファイアなどからなる基板上にバッファＧａＮ層を形成し、当該バッファＧａＮ層上にｐ型不純物を含むＧａＮ層を形成した基板（以下、エピ基板とも呼ぶ）を準備する。上述したｐ型不純物としては、たとえばマグネシウム（Ｍｇ）などを用いることができる。また、これらのバッファＧａＮ層およびｐ型不純物を含むＧａＮ層の形成方法としては、エピタキシャル成長法など任意の方法を用いることができる。
【００２３】
次に、浸漬工程（Ｓ２００）を実施する。この浸漬工程（Ｓ２００）においては、上述したエピ基板を溶媒に浸漬した状態にする。具体的には、図２に示すように、本発明による基板の製造方法に用いる処理装置１の容器１１の内部に、液状の溶媒２１を配置する。この溶媒２１にエピ基板１３を浸漬する。このエピ基板１３は、上述のように基板１５上にＧａＮからなるバッファ層１７、および当該バッファ層上にｐ型不純物を含むＧａＮ層１９が形成された構造を有する。
【００２４】
ここで、図１に示した基板の製造方法において用いるレーザ照射装置である処理装置１の構成を、図２を参照して簡単に説明する。図２に示すように、処理装置１は、溶媒２１を内部に保持する容器１１と、当該溶媒２１内部に配置されたエピ基板１３の表面（ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９）にレーザ光２２を照射するためのレーザ発振源３と、レーザ発振源３から出射されたレーザ光をエピ基板１３の表面に入射させるための光学系５、集光レンズ７と、移動部９とを備える。移動部９は、光学系５および集光レンズ７を搭載した状態で、図２の矢印２３に示すようにエピ基板１３の表面に水平な方向において移動可能となっている。このため、レーザ光２２はエピ基板１３のｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面全体の任意の位置に照射可能となっている。このような構成によって、レーザ発振源３から出射されたレーザ光を、処理対象物であるエピ基板１３の表面の任意の位置に照射することができる。
【００２５】
また、浸漬工程（Ｓ２００）においてエピ基板１３が浸漬された溶媒２１としては、たとえばメチルアルコールを用いることができるが、他の材料を用いてもよい。たとえば、溶媒として、極性溶液（極性溶媒）を使用してもよい。極性溶媒としてはプロトン性極性溶媒と非プロトン性極性溶媒とどちらを用いてもよい。多くのプロトン溶媒は酸素あるいは窒素原子に結合した比較的酸性度の高い水素を持ち、同時に酸素あるいは窒素は非共有電子対も持つことからプロトンを受容できる性質（ルイス塩基性）も併せ持つ。この性質によりプロトン性溶媒は溶媒分子間で水素結合を形成している溶媒でもある。プロトン性
溶媒としては、たとえば、水（Ｈ2Ｏ）、エタノール （ＣＨ3ＣＨ2ＯＨ）、酢酸（ＣＨ3Ｃ（=Ｏ）ＯＨ）などが例として挙げられる。また、非プロトン性極性溶媒としては、アセトニトリル（ＣＨ3Ｃ≡Ｎ）、アセトン（ＣＨ3Ｃ（=Ｏ）ＣＨ3）などが挙げられる。プロトン性極性溶媒はイオンを安定化する効果があるためＳＮ１反応などイオンを経由する反応に良く用いられ、非プロトン性極性溶媒はＳＮ２反応などに好んで用いられ、ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９中の水素を引き抜くことが可能となる。なお、溶媒２１としては上述したメチルアルコール溶液が特に好ましい。
【００２６】
また、上述した溶媒２１として無極性の溶媒も使用することは可能であるが、沸点の低いものは液状に保つために容器を密閉し温度コントロールを行なう等の工夫が必要となる。このような無極性の溶媒２１の例としては、たとえば、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、ジエチルエーテル、クロロホルム、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、塩化メチレン等が挙げられる。また、極性非プロトン性の溶媒２１としては、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホムアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。また、もっとも適合性のよい分類として、極性プロトン性の溶媒２１が挙げられる。例としては、酢酸、１−ブタノール、２−プロパノール、１プロパノール、エタノール、上述したメタノール、ギ酸、水、等がある。
【００２７】
次に、レーザ照射工程（Ｓ３００）を実施する。具体的には、図２に示した処理装置１において、レーザ発振源３からレーザ光を発振させ、光学系５および集光レンズ７を介してエピ基板１３の表面層であるｐ型不純物を含むＧａＮ層１９表面にレーザ光２２を照射する。ここで、照射されるレーザ光については、図３に示すような出力パターンのレーザ光を用いることができる。
【００２８】
図３の横軸は時間であり、縦軸はレーザ光の強度を示す。図３に示した出力パターンを有するレーザ光は、いわゆるパルス状のレーザ光であって、パルス幅ｔｐとインターバル時間ｔｉとの割合を変更することで当該パルス状のレーザ光の周波数や出力を調整することができる。
【００２９】
また、レーザ光の照射方法としては、エピ基板１３の表面のｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面の一部のみにレーザ光を照射してもよいが、ここでは図４に示すようにｐ型不純物を含むＧａＮ層１９全体に万遍なくレーザ光を照射する。この場合、図４に示すように、レーザ光の照射領域が、ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面をジグザグに移動するように、レーザ光の照射領域を移動させてもよい。具体的には、レーザ光の照射領域が、図４の軌跡２５に示すように移動することが好ましい。この場合、レーザ光の照射領域は、所定の方向（たとえば図４の左から右に向かう方向）に移動した後、当該所定の方向と垂直な方向（たとえば図４の上から下に向かう方向）に照射領域の幅とほぼ同じだけ移動する。そして、その後、上述した所定の方向とは反対方向（たとえば図４の右から左に向かう方向）にレーザの照射領域を移動させる。そして、ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９を横断するように移動させた後、レーザ光の照射領域を再び上記所定の領域と垂直な方向（たとえば図４の上から下に向かう方向）に移動させる。このときの移動量は、照射領域の幅と同じ長さとすることが好ましい。そして、上述した工程を繰返すことにより、図４に示すような軌跡２５に沿ってレーザの照射領域を移動させることができる。その結果、ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の全面にレーザ光を照射することができる。
【００３０】
このようにして、所定の領域にレーザ照射するレーザ照射工程（Ｓ３００）を完了した後、図１に示す後処理工程（Ｓ４００）を実施する。この後処理工程（Ｓ４００）においては、溶媒中からエピ基板１３を取出し、エピ基板１３の洗浄や後処理、必要があれば追加のアニール処理（ポストアニール処理）などを行なう。ポストアニール処理においては、たとえばラピットサーマルアニール（ＲＴＡ）など任意の方法を用いることができる。
【００３１】
この結果、エピ基板１３のｐ型不純物を含むＧａＮ層１９のｐ型不純物が活性化され、図５に示すようにｐ型不純物が活性化された導電型がｐ型のｐ型ＧａＮ層２９を備えるエピ基板１３を得ることができる。
【００３２】
（実施の形態２）
図６は、本発明に従った基板の製造方法の実施の形態２を説明するためのフローチャートである。図７は、図６に示した基板の製造方法によって得られるエピ基板を示す斜視模式図である。図８は、図７の線分ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける断面模式図である。図６〜図８を参照して、本発明による基板の製造方法の実施の形態２および当該製造方法によって得られるエピ基板を説明する。
【００３３】
図６に示した基板の製造方法は、基本的には図１に示した基板の製造方法と同様の工程を備えるが、浸漬工程（Ｓ２００）の後に行なわれる工程として、局所的なレーザ照射工程（Ｓ３１０）を実施する点が図１に示した基板の製造方法とは異なる。すなわち、局所的なレーザ照射工程（Ｓ３１０）においては、エピ基板１３のｐ型不純物を含むＧａＮ層の表面のうち、所定の部分にのみレーザ光を照射する。このようにすれば、レーザ光が照射された領域についてはｐ型不純物を活性化することができ、当該領域を導電型がｐ型の領域とすることができる。一方で、レーザ光が照射されなかった領域については、ｐ型不純物が活性化されないため、比較的高抵抗な領域のままとすることができる。この結果、エピ基板１３において、図７に示すように、ｐ型不純物を含むＧａＮ層のうちｐ型不純物が活性化された導電型がｐ型のＧａＮ層（活性化領域４０）と、ｐ型不純物が活性化されていない領域（未活性化領域４１）とを任意に形成することができる。
【００３４】
そして、上述した局所的なレーザ照射工程（Ｓ３１０）が終了した後、図１に示した基板の製造方法と同様に後処理工程（Ｓ４００）を実施することにより、図７に示すようなエピ基板１３を得ることができる。図７および図８に示したエピ基板は、サファイアなどの基板１５上にＧａＮからなるバッファ層１７が積層され、当該バッファ層１７上に一部活性化されたｐ型ＧａＮ層３９が形成されている。この一部活性化されたｐ型ＧａＮ層３９においては、導電型がｐ型を示す活性化領域４０と、当該活性化領域４０の周囲を囲むように配置された未活性化領域４１とが形成されている。未活性化領域４１は、活性化領域４０より高抵抗な領域である。
【００３５】
また、図８に示すように、レーザ光のフォーカス位置を調整することによって、一部活性化されたｐ型ＧａＮ層３９においては、活性化領域４０の深さを、一部活性化されたｐ型ＧａＮ層３９の厚みよりも小さくすることができる。この結果、図８に示すように、活性化領域４０下に未活性化領域４１が配置された状態とすることができる。また、レーザ光の焦点位置を調整することにより、一部活性化されたｐ型ＧａＮ層３９を厚さ方向に貫通するように、活性化領域４０を形成することもできる。
【００３６】
上述した実施の形態と一部重複する部分もあるが、以下本発明の特徴的な構成を列挙する。
【００３７】
この発明に従った基板の製造方法は、図１または図６に示すように、ｐ型不純物を含む半導体層（ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９）を備える基板としてのエピ基板１３（図２参照）を準備する工程（基板準備工程（Ｓ１００））と、エピ基板１３を液体としての溶媒２１（図２参照）中に浸漬した状態で、エピ基板１３のｐ型不純物を含むＧａＮ層１９にレーザ光を照射する工程（図１のレーザ照射工程（Ｓ３００）または図６の局所的なレーザ照射工程（Ｓ３１０））とを備える。
【００３８】
このようにすれば、レーザ光がＧａＮ層１９に照射されることで、当該ＧａＮ層１９中のｐ型不純物（Ｍｇ）に結合していた水素がＭｇから分離されるとともに、エピ基板１３が溶媒２１中に浸漬されているため、ＧａＮ層１９から当該水素が溶媒２１中に離脱するプロセスが促進される。このとき、ＧａＮ層１９から溶媒２１中に離脱する水素は、Ｈ2やＨ2Ｏといった形で溶媒２１中へと離脱・拡散すると考えられる。さらに、レーザ光が照射されたＧａＮ層１９では、当該レーザ光の照射に起因して熱が発生するが、その熱を溶媒２１が吸収することにより、ＧａＮ層１９の過剰な温度上昇を抑制することができる。すなわち、上記溶媒２１は、ＧａＮ層１９から水素を除去する工程を促進するとともに、ＧａＮ層１９の温度上昇を抑制する冷却材としても作用する。この結果、ＧａＮ層１９の過剰な温度上昇に起因する特性の劣化を抑制するとともに、ＧａＮ層１９の活性化を図ることができる。
【００３９】
上記基板の製造方法は、ＧａＮ層１９にレーザ光を照射する工程の後、エピ基板１３を加熱する工程（後処理工程（Ｓ４００）におけるポストアニール工程）を更に備えていてもよい。この場合、ＧａＮ層１９におけるｐ型不純物をより確実に活性化することができる。また、エピ基板１３を加熱するポストアニール工程においては、エピ基板１３の加熱温度を比較的低温（たとえば４００℃以下、より好ましくは２００℃以下）にすることが好ましい。この場合、ＧａＮ層１９における特性の劣化を確実に防止できる。
【００４０】
上記基板の製造方法において、溶媒２１は、一般的な有機溶剤である、アルコール族溶液、エーテル族溶液、ケトン族溶液、水、アルカリ性溶液、酸性溶液のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。ここで、アルコールはヒドロキシ基を持つことがその特徴である。ヒドロキシ基が他の分子と水素結合を形成し、アルコール分子は極性物質としての性質を持つ。この水素結合のために、同じ程度の分子量のエーテルに比べ、アルコールは沸点や融点が高い。また、アルコールは非常に弱い酸性を示し、それゆえプロトン溶媒（protic solvents）と呼ばれる。アルコールは、メタノール以外は水よりも弱くアンモニアあるいはアセチレンよりは強い酸で、ヒドロキシ基からプロトンを放出する弱い酸である。アルコールのヒドロキシ基が親水性を持つ一方で、アルコールの炭化水素基は疎水性をもつ。エタノール、メタノール、プロパノールなどの分子量の小さいアルコールでは、ヒドロキシ基が支配的であるため、極性溶媒・非極性溶媒に対して無制限に溶けるが、一方、ブタノールは水にある程度溶解し、ペンタノールは水から遊離するようになる。上述したアルコール族溶液としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノールなどを用いることができる。
【００４１】
また、エーテル（ether）は有機化合物の分類のひとつで、構造式をＲ-Ｏ-Ｒ'（Ｒ，Ｒ’はアルキル基、アリール基などの有機基、Ｏは酸素原子）の形で表わされる化合物を意味する。また、エーテルに含まれる-Ｏ-の部分をエーテル結合という。エーテル族溶液としては、ジメチルエーテル、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、フラン、ジベンゾフラン、テトラヒドラフランなどを用いることができる。
【００４２】
ケトン（ketone）族とはケトンを以下のように含む溶液を意味する。すなわち、ケトンはＲ-Ｃ（=Ｏ）-Ｒ’（Ｒ，Ｒ’はアルキル基など）の構造式で表わされる有機化合物群を言う。身近な物質の中では、除光液として用いられるアセトン（Ｒ=Ｒ’=-ＣＨ3）が代表例である。ＲまたはＲ’が水素原子であるときは、アルデヒドという。環状不飽和炭化水素のパラ位がカルボニル基になっているものはキノンと呼ばれる。水素結合性はアルコールほど強くはないが、カルボニル基が持つ極性のため、低分子量のケトンは極性溶媒、非極性溶媒を問わず溶解性は良好である。また、化学的には比較的安定であるが、グリニャール試薬や有機リチウムなど、求核性の強い有機金属とは反応し、続いて酸で加水分解すると第三級アルコールが得られる（Ｒ-Ｃ（=Ｏ）-Ｒ’＋Ｒ’’ＭｇＢｒ→ＲＲ’Ｒ’’Ｃ−ＯＨ（加水分解後））。
【００４３】
また、アルカリ性溶液とは、水に溶けたときに水酸化物イオン（ＯＨ-）を出す物質の溶液を意味する。たとえば、水酸化ナトリウム溶液が挙げられる。水酸化ナトリウムが水酸化物イオンを出すことを示す化学反応式は（ＮａＯＨ→（Ｎａ＋）＋（ＯＨ-））と表わされる。この式において、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）はアレニウス塩基としてはたらいている。また、アルカリ性溶液とは、異なる観点から言えば、プロトンを受け取る物質が存在する溶液をいい、水溶液のｐＨが８以上の水酸化ナトリウム溶液、水酸化カルシウム溶液、水酸化バリウム溶液、アンモニア溶液などを用いることができる。
【００４４】
また、酸性溶液としては、水塩酸、硝酸、過塩素酸、硫酸、酢酸、ギ酸、炭酸、リン酸などを用いることができる。
【００４５】
溶媒２１として上記のような物質を用いることで、ＧａＮ層１９からの水素の除去をより促進することができる。特に、上記溶媒２１はメチルアルコール溶液であることが好ましい。
【００４６】
上記基板の製造方法において、半導体層としてＩＩＩ−Ｖ族半導体の一例であるＧａＮ層１９を示したが、半導体層としてのＩＩＩ−Ｖ族半導体としては、他に窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ混晶などを用いてもよい。また、半導体層として、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ混晶などのＩＩＩ−Ｖ族半導体、あるいはＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯなどのＩＩ−ＶＩ族半導体、およびダイヤモンド（Ｃ）、カーボン（Ｃ）系の材料、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなどのＩＶ族半導体のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。この場合、ｐ型不純物の活性化に伴う加熱によって特性の劣化の恐れがある上記材料を半導体層の材料として用いる基板の製造方法として、本発明は特に効果的である。
【００４７】
上記基板の製造方法において、レーザ照射工程（Ｓ３００）または局所的なレーザ照射工程（Ｓ３１０）では、半導体層（ＧａＮ層１９）にパルス幅が１ｍｓ以下のパルス状レーザ光を照射する。この場合、パルス状レーザ光のパルス幅が十分短いため、レーザ光の照射に起因してＧａＮ層１９の温度上昇を抑制することができる。このため、温度上昇に起因するＧａＮ層１９の特性の劣化をさらに抑制することができる。
【００４８】
上記基板の製造方法において、基板準備工程（Ｓ１００）では、ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９が最表面に形成されたエピ基板１３を準備してもよい。この場合、レーザ照射工程（Ｓ３００）または局所的なレーザ照射工程（Ｓ３１０）において、ｐ型の不純物を含むＧａＮ層１９の表面に溶媒２１が直接接触することになるので、Ｇａｎ層１９からの水素の離脱を確実に促進することができる。
【００４９】
上記基板の製造方法において、レーザ照射工程（Ｓ３００）または局所的なレーザ照射工程（Ｓ３１０）では、ＧａＮ層１９においてレーザ光を照射した領域（活性化領域４０となるべき領域）とレーザ光を照射しなかった領域（未活性化領域４１となるべき領域）とが形成されるように、局所的にレーザ光を半導体層に照射してもよい。この場合、ＧａＮ層１９においてｐ型不純物が活性化された領域（図７の活性化領域４０）と、ｐ型不純物が活性化されなかった領域（図７の未活性化領域４１）とを所定のパターンで形成することができる。このため、当該エピ基板１３を用いて半導体素子を形成する場合に、図７に示すようにＧａＮ層３９について当該半導体素子において必要な活性化領域４０のパターンをあらかじめ形成しておくことが可能になる。したがって、当該活性化領域４０のパターンを改めて形成するための工程を実施する必要が無いため、当該エピ基板１３を用いた半導体素子の製造工程を簡略化できる。
【００５０】
また、上記基板の製造方法において、レーザ照射工程（Ｓ３００）または局所的なレーザ照射工程（Ｓ３１０）では、エピ基板１３のＧａＮ層１９に電界を印加しながらレーザ光を照射してもよい。電界の印加方法としては、エピ基板１３のＧａＮ層１９側および基板１５側にそれぞれエピ基板１３を挟むように一組の電極を配置し、当該電極間に電圧を印加してもよい。この電極は、エピ基板１３から離れた位置に配置してもよい。また、ＧａＮ層１９側に配置される電極は、ＧａＮ層１９へのレーザ照射の妨げになることを防止するため、たとえばエピ基板１３の平面形状の外周に沿った形状（たとえば環状）の電極としてもよい。また、一組の電極は、エピ基板１３に接触するように配置されていてもよい。たとえば、基板１５表面（エピ基板１３においてＧａＮ層１９と反対側の裏面）にメタライズ層などの導電層を形成し、当該導電層を一方の電極としてもよい。また、ＧａＮ層１９の表面に、たとえばＧａＮ層１９の外周あるいは中央部に導電層を形成し、当該導電層を他方の電極としてもよい。また、図６に示すように局所的なレーザ照射工程（Ｓ３１０）を実施する場合、たとえばレーザ光の照射を行なう領域を規定するため、ＧａＮ層１９の表面に（レーザ光を照射しない領域をカバーするように)マスク層を形成する場合があるが、当該マスク層を導電体により構成し、他方の電極としてもよい。これらの電極には、外部の電源からの電力を供給するための導電線を接触させてもよい。
【００５１】
この発明に従ったエピ基板１３は、上記基板の製造方法を用いて製造された、図７に示すようにｐ型半導体層としてのＧａＮ層３９を備えるエピ基板１３である。ｐ型のＧａＮ層３９は、ｐ型不純物の濃度に対する活性化されたｐ型不純物の濃度の比である活性化率が相対的に高い活性化領域４０と、当該活性化率が相対的に低い未活性化領域４１とを含む。このようなエピ基板１３を用いて半導体素子を形成する場合、当該半導体素子の構造の一部として必要な活性化領域４０と未活性化領域４１とのパターンを予め形成しておくことで、半導体素子の製造工程において当該活性化領域４０のパターンを形成するための工程を別途実施する必要が無いため、当該エピ基板１３を用いた半導体素子の製造工程を簡略化できる。
【００５２】
上記エピ基板１３において、ｐ型のＧａＮ層３９では、図７や図８に示すように活性化領域４０の周囲を囲むように未活性化領域４１が配置されていてもよい。また、上記エピ基板１３において、ｐ型のＧａＮ層３９では、図８に示すように未活性化領域４１の表面層に活性化領域４０が形成されていてもよい。この場合、活性化領域４０を半導体素子の導電層として利用するとともに、未活性化領域４１を電気的な分離領域として利用することができる。
【００５３】
上記エピ基板１３において、ｐ型のＧａＮ層３９では、深さ方向に未活性化領域４１と活性化領域４０とが積層するように形成されていてもよい。
【００５４】
上記エピ基板１３において、活性化領域４０と未活性化領域４１とでは活性化率が１０倍以上異なっている。この場合、活性化領域４０と未活性化領域４１とのキャリア密度の差を十分大きくすることができる。このため、活性化領域４０をｐ型層として、また未活性化領域４１を高抵抗な分離層などとして利用することができる。
【００５５】
（実施例１）
本発明の効果を確認するため、以下のような実験を行なった。
【００５６】
（試料）
実験に用いる試料として、図９に示すような断面の構成を有する試料を準備した。図９は、実施例１において用いた試料の構成を説明するための断面模式図である。実施例１において用いた試料は、厚み４００μｍの基板１５としてサファイア基板を用い、この基板
１５上に厚み２５ｎｍのＬＴ−ＧａＮ層５１を形成し、さらに厚み２０００ｎｍのアンドープトＧａＮ層５２を形成し、このアンドープトＧａＮ層５２上にｐ型不純物を含む厚み１０００ｎｍのＧａＮ層１９を形成した。なお、ここでＬＴ−ＧａＮ層とは、低温（Low-Temperature）成長ガリウムナイトライドからなる層である。
【００５７】
上記のような構成の試料を、本発明に従った基板の製造方法を適用する実施例の試料および比較例の試料として２つ準備した。
【００５８】
（実験内容）
実験内容概略：
上述のように準備した２つの試料について、それぞれ以下のような処理を行なった。
【００５９】
まず、本発明の実施例の試料については、図２に示した処理装置１の容器１１内に試料を配置した。容器１１の内部には溶媒２１としてメタノール溶液を配置した。そして、本発明の実施例の試料については上述した処理装置１を用いて、その表面（ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９）にレーザを照射した。一方、比較例としての試料についてはレーザ照射を行なわなかった。
【００６０】
その後、実施例および比較例のサンプルについて、ポストアニール処理を行なった。ポストアニール処理を行なった後、実施例および比較例の試料について、表面のｐ型ＧａＮ層に関してキャリア密度の測定を行なった。
【００６１】
以下、試験条件を具体的に説明する。
具体的な実験条件：
１）実施例の実験条件
まず、レーザの照射について、用いたレーザ光としては波長８００ｎｍ、パルス幅５０フェムト秒（ｆｓ）、繰返し周波数を３ｋＨｚ、レーザの出力を１５ｍＷといったものを用いた。また、処理装置１の集光レンズの焦点距離（ｆ）を５０ｍｍ、試料表面でのレーザの走査速度を５ｍｍ／秒、走査方向と垂直な方向にレーザ光の照射位置をずらす距離（Ｙステップ）を２０μｍとした。また、ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面におけるレーザ光の照射領域の直径が約５０μｍとなるようオフセット焦点とした。このようなレーザを用いて、試料のｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面全体にレーザ光を照射した。
【００６２】
その後、ポストアニール処理としては、ＲＴＡを用いた。処理条件としては、雰囲気を酸素と窒素の混合ガス雰囲気とした。雰囲気の酸素（Ｏ2）と窒素（Ｎ2）の流量比は１：４とした。また、雰囲気の圧力を７６０Ｔｏｒｒとした。そして、加熱温度は２００℃とし、加熱時間は１分とした。
【００６３】
２）比較例の実験条件
一方、比較例の試料については、上述したレーザの照射を行なうことなく、ポストアニール処理のみを行なった。ポストアニール処理の処理条件は、上述した本発明の実施例の試料におけるポストアニール処理の処理条件と同様である。
【００６４】
次に、それぞれの試料ついてのキャリア密度の測定については、ホール測定をｖａｎ  ｄｅｒ  ｐａｕｗ法を用いて行なった。なお、サンプルは７ｍｍｘ７ｍｍの短冊状で、外周４カ所にＮｉ/Ａｕのオーミック電極を作成し、サンプルに磁場を印加しながら各種電極間の電流値等を測定しキャリア密度を算出した。
【００６５】
（測定結果）
実施例の試料については、ｐ型ＧａＮ層についてｐ型のキャリアを確認した。具体的に
は、７×１０17（／ｃｍ-3）というキャリア密度であった。また、当該ｐ型ＧａＮ層の比抵抗は１Ωｃｍであった。一方、比較例の試料については、比抵抗が１×１０5Ωｃｍ以上であって、キャリア密度の測定が不可能であった。このように、実施例の試料については、ｐ型不純物が活性化されていたためｐ型キャリアが確認できる一方で、比較例のサンプルについてはｐ型キャリアを確認することはできなかった。
【００６６】
（実施例２）
本発明の効果を確認するべく、実施例２として以下のような実験を行なった。
【００６７】
（試料）
用いる試料としては比較例の試料（４枚）および試料Ａ（３枚）、試料Ｂ（２枚）、試料Ｃ（５枚）という４種類（１４枚）の試料を準備した。これら４種類の試料の構成は、実施例１で準備した試料と同様の構成とした。
【００６８】
（実験内容）
これらの４種類の試料について、以下のような実験を行なった。
【００６９】
まず、比較例の試料については、溶媒中に試料を浸漬した状態でのレーザ照射を行なうことなく、ポストアニール処理だけを行なった。そして、ポストアニール処理においては、加熱温度を６００℃、７００℃、８００℃、９００℃という４つの温度条件でアニール処理を行なった。なお加熱時間や雰囲気ガスの組成および流量、圧力などは、実施例１におけるポストアニール処理と同様とした。
【００７０】
試料Ａについては、レーザ照射を行なった後、ポストアニール処理を行なった。なお、レーザ照射を行なうときに資料Ａを浸漬した溶媒としてアセトンを用いた。レーザ照射の条件については、用いたレーザ光としては波長８００ｎｍ、パルス幅５０フェムト秒（ｆｓ）、繰返し周波数を３ｋＨｚ、レーザの出力を１５ｍＷといったものを用いた。また、処理装置１の集光レンズの焦点距離（ｆ）を２００ｍｍ、試料表面でのレーザの走査速度を１０ｍｍ／秒、走査方向と垂直な方向にレーザ光の照射位置をずらす距離（Ｙステップ）を４０μｍとした。また、ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面におけるレーザ光の照射領域の直径が約５０μｍとなるようオフセット焦点とした。このようなレーザを用いて、試料のｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面全体にレーザ光を照射した。
【００７１】
また、ポストアニール処理においては加熱温度を６００℃、７００℃、および８００℃という３つの温度条件でアニール処理を行なった。ポストアニール処理の加熱温度以外の条件は、上述した比較例の試料におけるポストアニール処理と同様とした。
【００７２】
次に、試料Ｂについては、まずレーザ照射を行なった後、ポストアニール処理を行なった。なお、レーザ照射を行なうときに資料Ｂを浸漬した溶媒としてエタノールを用いた。レーザ照射の条件については、用いたレーザ光としては波長８００ｎｍ、パルス幅５０フェムト秒（ｆｓ）、繰返し周波数を３ｋＨｚ、レーザの出力を１５ｍＷといったものを用いた。また、処理装置１の集光レンズの焦点距離（ｆ）を１００ｍｍ、試料表面でのレーザの走査速度を８０ｍｍ／秒、走査方向と垂直な方向にレーザ光の照射位置をずらす距離（Ｙステップ）を２０μｍとした。また、ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面におけるレーザ光の照射領域の直径が約１００μｍとなるようオフセット焦点とした。このようなレーザを用いて、試料のｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面全体にレーザ光を照射した。
【００７３】
また、ポストアニール処理において、加熱温度を５５５℃および７００℃という２つの温度条件でアニール処理を行なった。ポストアニール処理の他の条件については比較例の
試料におけるポストアニール処理の条件と同様とした。
【００７４】
試料Ｃについても、レーザ照射を行なった後、ポストアニール処理を行なった。また、試料Ｃについては、ポストアニール処理を行なわずにレーザ照射のみを行なった試料も１つ準備した。なお、レーザ照射を行なうときに資料Ｃを浸漬した溶媒としてメタノールを用いた。レーザ照射の条件については、用いたレーザ光としては波長８００ｎｍ、パルス幅３０フェムト秒（ｆｓ）、繰返し周波数を１０ｋＨｚ、レーザの出力を１５ｍＷといったものを用いた。また、処理装置１の集光レンズの焦点距離（ｆ）を５０ｍｍ、試料表面でのレーザの走査速度を５ｍｍ／秒、走査方向と垂直な方向にレーザ光の照射位置をずらす距離（Ｙステップ）を２０μｍとした。また、ｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面におけるレーザ光の照射領域の直径が約５０μｍとなるようオフセット焦点とした。このようなレーザを用いて、試料のｐ型不純物を含むＧａＮ層１９の表面全体にレーザ光を照射した。
【００７５】
また、ポストアニール処理においては、加熱温度を２００℃、４００℃、６００℃、７００℃という４つの温度条件でアニール処理を行なった。なお、ポストアニール処理の他の条件は比較例の試料の条件と同様とした。
【００７６】
その後、各試料についてキャリア密度（ホール密度）の測定を行なった。キャリア密度の測定方法は、実施例１における測定方法と同様である。
【００７７】
（結果）
キャリア密度の測定結果（キャリア濃度の値）とポストアニール温度との関係を図１０に示す。図１０は、実施例２における測定結果を示すグラフである。図１０の横軸はポストアニール温度（℃）を示し、縦軸は測定されたキャリア密度（／ｃｍ3）を示している。なお、試料Ｃについて、ポストアニールを行なわなかった試料については、ポストアニール温度を０℃としてグラフ中に表示している。
【００７８】
図１０からもわかるように、比較例の試料ではポストアニール温度を７００℃以上とした場合にほぼ６×１０17／ｃｍ3程度のキャリア密度が得られているが、ポストアニール温度が６００℃程度になるとキャリア密度の値が低下していることがわかる。一方、試料Ａ、試料Ｂおよび試料Ｃのそれぞれは、いずれも標準試料に比べて同じポストアニール温度であればよりキャリア密度が向上している傾向が認められる。また、試料Ａから試料Ｂおよび試料Ｃとなるにつれて、同じキャリア密度を達成するためのポストアニール温度が低下していく傾向が認められる。特に、試料Ｃについては、ポストアニール処理を行なわない状態であっても比較例の試料において６００℃程度のポストアニール処理を行なった場合より高いキャリア密度を示している。
【００７９】
このように、本発明による試料Ａ〜Ｃについては、従来のレーザ照射を行なわない場合に比べてｐ型不純物の活性化のためのポストアニール温度を低減することができた。
【００８０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明による基板の製造方法の実施の形態１を説明するためのフローチャートである。
【図２】図１に示した基板の製造方法において用いるレーザ照射装置の構成を示す模式図である。
【図３】図２に示したレーザ照射装置において照射されるレーザの出力波形を示すグラフである。
【図４】図１に示した基板の製造方法におけるレーザ照射工程でのレーザの照射方法を説明するための模式図である。
【図５】図１に示した基板の製造方法により形成された基板を示す断面模式図である。
【図６】本発明に従った基板の製造方法の実施の形態２を説明するためのフローチャートである。
【図７】図６に示した基板の製造方法によって得られるエピ基板を示す斜視模式図である。
【図８】図７の線分ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける断面模式図である。
【図９】実施例１において用いた試料の構成を説明するための断面模式図である。
【図１０】実施例２における測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８２】
１  処理装置、３  レーザ発振源、５  光学系、７  集光レンズ、９  移動部、１１  容器、１３  エピ基板、１５  基板、１７  バッファ層、１９  ｐ型不純物を含むＧａＮ層、２１  溶媒、２２  レーザ光、２３  矢印、２５  軌跡、２９  ｐ型ＧａＮ層、３９
一部活性化されたｐ型ＧａＮ層、４０  活性化領域、４１  未活性化領域、５１  ＬＴ−ＧａＮ層、５２  アンドープトＧａＮ層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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