(57)【要約】【課題】本発明は、増幅出力の歪みや発振を招くことなく、そのスルーレートを任意に可変制御することが可能な増幅回路を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係るアンプＡ１は、出力段に抵抗（Ｒｃ０〜Ｒｃ３）と容量（Ｃｃ１）から成る位相補償部が組み込まれた増幅部（Ｐ３〜Ｐ７、Ｎ３〜Ｎ４）と、前記増幅部のバイアス電流（ｉ２、ｉ３）を生成する基準電流生成部（Ｐ１〜Ｐ２、Ｎ１〜Ｎ２、Ｒｂ０〜Ｒｂ３）と、を有して成る増幅回路であって、前記基準電流生成部は、所定の制御信号（ＨＰ、Ｎ、ＰＳ）に応じてバイアス電流（ｉ２、ｉ３）の電流値を切り換えるスルーレート可変手段（ＳＷ１１〜ＳＷ１３）を有して成り、前記位相補償部は、制御信号（ＨＰ、Ｎ、ＰＳ）に応じて、抵抗（Ｒｃ０〜Ｒｃ３）の抵抗値を切り換える位相補償量可変手段（ＳＷ２１〜ＳＷ２３）を有して成る構成とされている。【選択図】図４
2008141302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力段に抵抗と容量から成る位相補償部が組み込まれた増幅部と、前記増幅部のバイアス電流を生成する基準電流生成部と、を有して成る増幅回路であって、前記基準電流生成部は、所定の制御信号に応じて前記バイアス電流の電流値を切り換えるスルーレート可変手段を有して成り、前記位相補償部は、前記制御信号に応じて前記抵抗の抵抗値を切り換える位相補償量可変手段を有して成ることを特徴とする増幅回路。
【請求項２】
前記位相補償可変手段は、前記バイアス電流の増加に伴って前記抵抗の抵抗値を小さくすることを特徴とする請求項１に記載の増幅回路。
【請求項３】
液晶パネルの駆動制御を行う液晶駆動装置であって、前記液晶パネルの駆動電圧を生成する手段として、請求項１または請求項２に記載の増幅回路を有して成ることを特徴とする液晶駆動装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶駆動装置を集積化して成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
液晶パネルを備えた表示装置であって、前記液晶パネルの駆動制御手段として、請求項４に記載の半導体装置を有して成ることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶駆動装置などに用いられる増幅回路に関するものであり、特に、そのスルーレートと位相補償量の最適化技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶パネルの駆動制御を行う液晶駆動装置では、液晶パネルの駆動電圧を生成する手段として、増幅回路が用いられている。
【０００３】
なお、上記に関連する従来技術の一例としては特許文献１、２を挙げることができる。
【０００４】
特許文献１には、直列に接続された抵抗の一部をバイパスすることによって、バイアス電流を可変制御する演算増幅器が開示・提案されている。
【０００５】
特許文献２には、ゲインを変えると共に、位相補償用のキャパシタを選択することで、位相補償量を可変制御するスイッチドキャパシタ回路が開示・提案されている。
【特許文献１】特開平７−２２１５６０号公報
【特許文献２】特開２００３−８３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、液晶駆動装置に用いられる増幅回路のスルーレート（増幅出力の立上がり／立下がりの急峻さを示す特性値）は、一概に高ければ良いというものではなく、スルーレートの向上と消費電流の増大とのトレードオフを考慮し、液晶パネルのサイズ（ピクセル数、液晶負荷容量）や用途、使用状況などに応じて、適切に設定されるべきである。
【０００７】
例えば、バッテリで駆動される携帯機器などでは、増幅回路のスルーレート（延いては表示品質に関わる液晶パネルの応答性能）を多少犠牲にしても、消費電流の低減を最優先すべきであるし、逆に、スルーレートの向上を最優先すべき機器も当然に存在する。
【０００８】
特に、電気メータやリモコン等に用いられるセグメントタイプの液晶パネル、或いは、携帯電話やカーステレオ等に用いられる小型の液晶パネルは、その用途によってピクセル数や液晶負荷容量が千差万別であるため、増幅回路のスルーレートを可変制御する技術は非常に重要であると考えられる。
【０００９】
しかしながら、従来の増幅回路では、そのスルーレートを無闇に可変制御すると、適切な位相余裕を保つことができなくなり、増幅出力の歪みや発振を招くおそれがあった。
【００１０】
なお、特許文献１の従来技術は、演算増幅器のスルーレートを可変制御する技術であるが、当該技術は、あくまで、容量負荷の充電時には容量負荷への電流を大きくする一方、充電完了後には出力回路の貫通電流を小さくすることにより、動作速度を低下させることなく平均消費電流を低減させることに主眼を置いた技術であって、スルーレートの可変制御に伴って適切な位相余裕を保つことができなくなるという課題に関しては、何ら考慮・言及されていなかった。
【００１１】
また、特許文献２の従来技術は、あくまで、ゲイン制御が可能なスイッチドキャパシタ回路や抵抗可変型アンプ回路への適用を念頭に置いたものであり、回路のゲインに応じて位相補償量を可変制御する技術であって、増幅回路のスルーレートに応じて位相補償量を可変制御することに関しては、何ら示唆・言及されていなかった。また、特許文献２の従来技術は、位相補償用のキャパシタを複数用意しておき、これらを適宜切り換えることで位相補償量を可変制御する構成であるため、半導体装置への集積化に際して、装置の大型化を招くおそれがあった。
【００１２】
本発明は、上記の問題点に鑑み、増幅出力の歪みや発振を招くことなく、そのスルーレートを任意に可変制御することが可能な増幅回路、及び、これを用いた液晶駆動装置、半導体装置、表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明に係る増幅回路は、出力段に抵抗と容量から成る位相補償部が組み込まれた増幅部と、前記増幅部のバイアス電流を生成する基準電流生成部と、を有して成る増幅回路であって、前記基準電流生成部は、所定の制御信号に応じて前記バイアス電流の電流値を切り換えるスルーレート可変手段を有して成り、前記位相補償部は、前記制御信号に応じて前記抵抗の抵抗値を切り換える位相補償量可変手段を有して成る構成（第１の構成）とされている。
【００１４】
なお、上記第１の構成から成る増幅回路にて、前記位相補償可変手段は、前記バイアス電流の増加に伴って前記抵抗の抵抗値を小さくする構成（第２の構成）にするとよい。
【００１５】
また、本発明に係る液晶駆動装置は、液晶パネルの駆動制御を行う液晶駆動装置であって、前記液晶パネルの駆動電圧を生成する手段として、上記第１または第２の構成から成る増幅回路を有して成る構成（第３の構成）とされている。
【００１６】
また、本発明に係る半導体装置は、上記第３の構成から成る液晶駆動装置を集積化して成る構成（第４の構成）とされている。
【００１７】
また、本発明に係る表示装置は、液晶パネルを備えた表示装置であって、前記液晶パネルの駆動制御手段として、上記第４の構成から成る半導体装置を有して成る構成（第５の構成）とされている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、増幅出力の歪みや発振を招くことなく、増幅回路のスルーレートを任意に可変制御することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本発明に係る表示装置の一実施形態を示す回路ブロック図である。
【００２０】
本図に示す通り、本実施形態の表示装置は、液晶パネル１０と、液晶駆動装置２０と、を有して成る。
【００２１】
液晶パネル１０は、能動素子がなく受動素子のみから成るパッシブマトリクス方式の液晶パネルであり、縦列の画素電極Ｘ０〜Ｘ３と横列の画素電極Ｙ０〜Ｙ３とが交差する部分に電圧をかけることで液晶分子の向きを変え、光の透過を制御することにより、明るさを調整するものである。なお、本図に示した液晶パネル１０では、１６（＝４×４）個の画素で任意の文字や絵を表示することができる。
【００２２】
液晶駆動装置２０は、液晶パネル１０の駆動制御（画素電極への電圧供給制御）を行う手段であり、駆動電圧生成部１と、バイアスセレクタ２と、セグメントドライバ３と、コモンドライバ４と、を集積化して成る半導体装置である。
【００２３】
駆動電圧生成部１は、液晶パネル２０で用いられる４値の駆動電圧Ｖ０〜Ｖ３（Ｖ０＞Ｖ１＞Ｖ２＞Ｖ３）を生成する手段であり、駆動電圧Ｖ０の印加端と駆動電圧Ｖ３の印加端との間に直列接続された抵抗Ｒ１〜Ｒ３と、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との接続ノードから引き出される駆動電圧Ｖ１を緩衝増幅するアンプＡ１と、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３との接続ノードから引き出される駆動電圧Ｖ２を緩衝増幅するアンプＡ２と、を有して成る。なお、アンプＡ１、Ａ２の構成及び動作については、後ほど詳細な説明を行う。
【００２４】
バイアスセレクタ２は、駆動電圧生成部１から入力される４値の駆動電圧Ｖ０〜Ｖ３のうち、いずれか２値を書込電圧Ｖｓ１及び非書込電圧Ｖｓ２として、セグメントドライバ３に供給し、その余の２値を選択電圧Ｖｃ１及び非選択電圧Ｖｃ２として、コモンドライバ４に供給する手段である。
【００２５】
セグメントドライバ３は、画像信号（不図示）に応じて、画素電極Ｘ０〜Ｘ３の各々に書込電圧Ｖｓ１及び非書込電圧Ｖｓ２のいずれか一方を選択的に印加する手段である。具体的に述べると、セグメントドライバ３は、データを書き込むべき画素電極に書込電圧Ｖｓ１を印加し、その余の画素電極に非書込電圧Ｖｓ２を印加する。
【００２６】
コモンドライバ４は、所定の走査信号（不図示）に応じて、画素電極Ｙ０〜Ｙ３の各々に選択電圧Ｖｃ１及び非選択電圧Ｖｓ２のいずれか一方を選択的に印加する手段である。具体的に述べると、コモンドライバ４は、選択すべきラインの画素電極に選択電圧Ｖｃ１を印加し、その余の画素電極に非選択電圧Ｖｃ２を印加する。
【００２７】
また、本実施形態の表示装置は、バイアスセレクタ２を用いて、一定時間毎に液晶パネル１０の電圧印加極性を反転させる機能が具備されている。
【００２８】
図２は、ライン反転駆動の一例を示すタイミングチャートであり、図３は、フレーム反転駆動の一例を示すタイミングチャートである。なお、両図中において、符号Ｙ０〜Ｙ３は、画素電極Ｙ０〜Ｙ３の電圧挙動を示しており、符号Ｘ０〜Ｘ３は、画素電極Ｘ０〜Ｘ３の電圧挙動を示している。また、両図中の下段には、１６個の画素を代表して、データの書き込みが行われた画素ａと、データの書き込みが行われなかった画素ｂに各々印加される電圧挙動を示している。
【００２９】
図２に示すように、ライン反転駆動では、１ラインの選択期間中に、液晶パネル１０の電圧印加極性が１回反転される。図２の例に即して具体的に説明すると、バイアスセレクタ２は、ライン選択期間の前半には、駆動電圧Ｖ０を書込電圧Ｖｓ１、駆動電圧Ｖ２を非書込電圧Ｖｓ２とし、駆動電圧Ｖ３を選択電圧Ｖｃ１、駆動電圧Ｖ１を非選択電圧Ｖｃ２とする一方、ライン選択期間の後半には、駆動電圧Ｖ３を書込電圧Ｖｓ１、駆動電圧Ｖ１を非書込電圧Ｖｓ２とし、駆動電圧Ｖ０を選択電圧Ｖｃ１、駆動電圧Ｖ２を非選択電圧Ｖｃ２としている。
【００３０】
また、図３に示すように、フレーム反転駆動では、１フレームの切替毎に、液晶パネル１０の電圧印加極性が反転される。図３の例に即して具体的に説明すると、バイアスセレクタ２は、あるフレームでは、駆動電圧Ｖ０を書込電圧Ｖｓ１、駆動電圧Ｖ２を非書込電圧Ｖｓ２とし、駆動電圧Ｖ３を選択電圧Ｖｃ１、駆動電圧Ｖ１を非選択電圧Ｖｃ２とする一方、次フレームでは、駆動電圧Ｖ３を書込電圧Ｖｓ１、駆動電圧Ｖ１を非書込電圧Ｖｓ２とし、駆動電圧Ｖ０を選択電圧Ｖｃ１、駆動電圧Ｖ２を非選択電圧Ｖｃ２としている。
【００３１】
このように、一定時間毎に液晶パネル１０の電圧印加極性を反転させることにより、長時間の直流電圧の印加から生じる液晶パネル１０の焼き付きや、スイッチング回路の特性から生じるフリッカーなどを防止することが可能となる。
【００３２】
次に、駆動電圧生成部１を構成するアンプＡ１、Ａ２の構成及び動作について、図４を参照しながら詳細に説明する。
【００３３】
図４は、アンプＡ１の一構成例を示す回路図である。なお、アンプＡ１とアンプＡ２は同一構成であるため、重複した説明は省略する。
【００３４】
本図に示すように、本構成例のアンプＡ１は、Ｐチャネル型電界効果トランジスタＰ１〜Ｐ７と、Ｎチャネル型電界効果トランジスタＮ１〜Ｎ４と、抵抗Ｒｂ０〜Ｒｂ３と、抵抗Ｒｃ０〜Ｒｃ３と、容量Ｃｃ０と、スイッチＳＷ１１〜ＳＷ１３（本図では、Ｐチャネル型電界効果トランジスタ）と、スイッチＳＷ２１〜ＳＷ２３（本図では、Ｐチャネル型電界効果トランジスタ）と、を有して成る。
【００３５】
トランジスタＰ１のソースは、電源電圧の印加端に接続されている。トランジスタＰ２のソースは、抵抗Ｒｂ０、Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３を介して、電源電圧の印加端に接続されている。トランジスタＰ１、Ｐ２のゲートは、いずれもトランジスタＰ１のドレインに接続されている。トランジスタＮ１のドレインは、トランジスタＰ１のドレインに接続されている。トランジスタＮ２のドレインは、トランジスタＰ２のドレインに接続されている。トランジスタＮ１、Ｎ２のゲートは、いずれもトランジスタＮ２のドレインに接続されている。トランジスタＮ１、Ｎ２のソースは、いずれも接地端に接続されている。
【００３６】
スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３の一端は、いずれも電源電圧の印加端に接続されている。スイッチＳＷ１１の他端は、抵抗Ｒｂ０と抵抗Ｒｂ１の接続ノードに接続されている。スイッチＳＷ１２の他端は、抵抗Ｒｂ１と抵抗Ｒｂ２の接続ノードに接続されている。スイッチＳＷ１３の他端は、抵抗Ｒｂ２と抵抗Ｒｂ３の接続ノードに接続されている。スイッチＳＷ１１の制御端には、第１制御信号ＨＰ（ハイパワー）が印加端されている。スイッチＳＷ１２の制御端には、第２制御信号Ｎ（ノーマル）が印加されている。スイッチＳＷ１３の制御端には、第３制御信号ＰＳ（パワーセーブ）が印加されている。
【００３７】
トランジスタＰ３、Ｐ４のソースは、いずれも電源電圧の印加端に接続されている。トランジスタＰ３、Ｐ４のゲートは、いずれもトランジスタＰ４のドレインに接続されている。トランジスタＰ５のソースは、トランジスタＰ３のドレインに接続されている。トランジスタＰ６のソースは、トランジスタＰ４のドレインに接続されている。トランジスタＰ５、Ｐ６のドレインは、いずれもトランジスタＮ３のドレインに接続されている。トランジスタＰ５のゲートは、アンプＡ１の非反転入力端（＋）に相当する。トランジスタＰ６のゲートは、アンプＡ１の反転入力端（−）に相当する。トランジスタＮ３のソースは接地端に接続されている。トランジスタＮ３のゲートは、トランジスタＮ１、Ｎ２のゲートに接続されている。
【００３８】
トランジスタＰ７のソースは、電源電圧の印加端に接続されている。トランジスタＰ７のゲートは、トランジスタＰ３のドレインに接続されている。トランジスタＰ７のドレインは、アンプＡ１の出力端に相当する。トランジスタＮ４のドレインは、トランジスタＰ７のドレインに接続されている。トランジスタＮ４のソースは接地端に接続されている。トランジスタＮ４のゲートは、トランジスタＮ１、Ｎ２のゲートに接続されている。
【００３９】
容量Ｃｃ０の一端は、抵抗Ｒｃ３、Ｒｃ２、Ｒｃ１、Ｒｃ０を介して、トランジスタＰ７のゲートに接続されている。容量Ｃｃ０の他端は、トランジスタＰ７のドレインに接続されている。
【００４０】
スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２、ＳＷ２３の一端は、いずれも容量Ｃｃ０の一端に接続されている。スイッチＳＷ２１の他端は、抵抗Ｒｃ０と抵抗Ｒｃ１の接続ノードに接続されている。スイッチＳＷ２２の他端は、抵抗Ｒｃ１と抵抗Ｒｃ２の接続ノードに接続されている。スイッチＳＷ２３の他端は、抵抗Ｒｃ２と抵抗Ｒｃ３の接続ノードに接続されている。スイッチＳＷ２１の制御端には、第１制御信号ＨＰ（ハイパワー）が印加端されている。スイッチＳＷ２２の制御端には、第２制御信号Ｎ（ノーマル）が印加されている。スイッチＳＷ２３の制御端には、第３制御信号ＰＳ（パワーセーブ）が印加されている。
【００４１】
このように、上記構成から成るアンプＡ１では、トランジスタＰ３〜Ｐ７とトランジスタＮ３〜Ｎ４から成る増幅部の出力段に、容量Ｃｃ０及び抵抗Ｒｃ０、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｃ３から成る位相補償回路が組み込まれている。
【００４２】
また、上記構成から成るアンプＡ１では、トランジスタＮ１〜Ｎ４によってカレントミラーが形成されており、トランジスタＮ２に流れる基準電流ｉ１をミラーして、アンプＡ１のバイアス電流ｉ２、ｉ３が生成されている。すなわち、基準電流ｉ１を可変制御すれば、アンプＡ１のバイアス電流ｉ２、ｉ３（延いては、アンプＡ１のスルーレート）を可変制御することができる。なお、アンプＡ１のスルーレートは、液晶パネル１０のサイズ（ピクセル数、液晶負荷容量）や用途、使用状況などに応じて適切に設定すべきである。
【００４３】
例えば、液晶パネル１０のピクセル数や負荷容量が大きく、その応答性能を高める必要がある場合には、第１制御信号ＨＰをローレベルとしてスイッチＳＷ１１をオンとする一方、第２制御信号Ｎ及び第３制御信号ＰＳをハイレベルとしてスイッチＳＷ１２、ＳＷ１３をオフとすればよい。このようなスイッチ制御により、トランジスタＰ２のソースに接続される抵抗値が最小（抵抗Ｒｂ０のみ）となるので、基準電流ｉ１（延いては、バイアス電流ｉ２、ｉ３）を最大とし、アンプＡ１のスルーレートを高めることが可能となる。
【００４４】
また、第１制御信号ＨＰをローレベルとし、第２制御信号Ｎ及び第３制御信号ＰＳをハイレベルとしたことにより、増幅部の出力段に組み込まれた位相補償回路においては、スイッチＳＷ２１がオンとなり、その余のスイッチＳＷ２２、ＳＷ２３がオフとなる。このとき、位相補償用の抵抗としては、抵抗Ｒｃ０のみが接続された形となるが、この抵抗値を現在のスルーレートに見合った最適値に調整しておけば、スルーレートの可変制御に依ることなく、常に適切な位相余裕を保つことができ、増幅出力の歪みや発振を回避することが可能となる。
【００４５】
一方、液晶パネル１０の応答性向上を優先しつつ、アンプＡ１の消費電力低減を両立する必要がある場合には、第２制御信号ＮをローレベルとしてスイッチＳＷ１２をオンとする一方、第１制御信号ＨＰ及び第３制御信号ＰＳをハイレベルとしてスイッチＳＷ１１、ＳＷ１３をオフとすればよい。このようなスイッチ制御により、トランジスタＰ２のソースに接続される抵抗値が抵抗Ｒｂ１を挿入した分だけ高くなるので、基準電流ｉ１（延いては、バイアス電流ｉ２、ｉ３）を一段階低下させて、アンプＡ１のスルーレートを一段階低下させることが可能となる。
【００４６】
また、第２制御信号Ｎをローレベルとし、第１制御信号ＨＰ及び第３制御信号ＰＳをハイレベルとしたことにより、増幅部の出力段に組み込まれた位相補償回路においては、スイッチＳＷ２２がオンとなり、その余のスイッチＳＷ２１、ＳＷ２３がオフとなる。このとき、位相補償用の抵抗としては、抵抗Ｒｃ０、Ｒｃ１が接続された形となるが、これらの合計抵抗値を現在のスルーレートに見合った最適値に調整しておけば、スルーレートの可変制御に依ることなく、常に適切な位相余裕を保つことができ、増幅出力の歪みや発振を回避することが可能となる。
【００４７】
一方、アンプＡ１の消費電力低減を優先しつつ、液晶パネル１０の応答性向上を両立する必要がある場合には、第３制御信号ＰＳをローレベルとしてスイッチＳＷ１３をオンとする一方、第１制御信号ＨＰ及び第２制御信号ＮをハイレベルとしてスイッチＳＷ１１、ＳＷ１２をオフとすればよい。このようなスイッチ制御により、トランジスタＰ２のソースに接続される抵抗値が抵抗Ｒｂ２を挿入した分だけさらに高くなるので、基準電流ｉ１（延いては、バイアス電流ｉ２、ｉ３）をさらに一段階低下させることが可能となる。
【００４８】
また、第３制御信号ＰＳをローレベルとし、第１制御信号ＨＰ及び第２制御信号Ｎをハイレベルとしたことにより、増幅部の出力段に組み込まれた位相補償回路においては、スイッチＳＷ２３がオンとなり、その余のスイッチＳＷ２１、ＳＷ２２がオフとなる。このとき、位相補償用の抵抗としては、抵抗Ｒｃ０〜Ｒｃ２が接続された形となるが、これらの合計抵抗値を現在のスルーレートに見合った最適値に調整しておけば、スルーレートの可変制御に依ることなく、常に適切な位相余裕を保つことができ、増幅出力の歪みや発振を回避することが可能となる。
【００４９】
一方、バッテリで駆動される携帯機器など、アンプＡ１のスルーレートを多少犠牲にしても、消費電流の低減を最優先とする必要がある場合には、第１制御信号ＨＰ、第２制御信号Ｎ、及び、第３制御信号ＰＳをいずれもハイレベルとして、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３を全てオフとすればよい。このようなスイッチ制御により、トランジスタＰ２のソースに接続される抵抗値が最大（抵抗Ｒｂ０〜Ｒｂ３）となるので、基準電流ｉ１（延いては、バイアス電流ｉ２、ｉ３）を最小限に抑えることが可能となる。
【００５０】
また、第１制御信号ＨＰ、第２制御信号Ｎ、及び、第３制御信号ＰＳをいずれもハイレベルとしたことにより、増幅部の出力段に組み込まれた位相補償回路においては、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２、ＳＷ２３が全てオフとなる。このとき、位相補償用の抵抗としては、抵抗Ｒｃ０〜Ｒｃ３が接続された形となるが、これらの抵抗値を現在のスルーレートに見合った最適値に調整しておけば、スルーレートの可変制御に依ることなく、常に適切な位相余裕を保つことができ、増幅出力の歪みや発振を回避することが可能となる。
【００５１】
上記の通り、本構成例のアンプＡ１は、出力段に抵抗（Ｒｃ０〜Ｒｃ３）と容量（Ｃｃ１）から成る位相補償部が組み込まれた増幅部（Ｐ３〜Ｐ７、Ｎ３〜Ｎ４）と、前記増幅部のバイアス電流（ｉ２、ｉ３）を生成する基準電流生成部（Ｐ１〜Ｐ２、Ｎ１〜Ｎ２、Ｒｂ０〜Ｒｂ３）と、を有して成る増幅回路であって、前記基準電流生成部は、所定の制御信号（ＨＰ、Ｎ、ＰＳ）に応じてバイアス電流（ｉ２、ｉ３）の電流値を切り換えるスルーレート可変手段（ＳＷ１１〜ＳＷ１３）を有して成り、前記位相補償部は、制御信号（ＨＰ、Ｎ、ＰＳ）に応じて、抵抗（Ｒｃ０〜Ｒｃ３）の抵抗値を切り換える位相補償量可変手段（ＳＷ２１〜ＳＷ２３）を有して成る。
【００５２】
このような構成とすることにより、最適な位相余裕を確保したまま、増幅出力の歪みや発振を招くことなく、アンプＡ１のスルーレートを可変制御することができるので、液晶パネル１０のサイズや用途、状況に応じて最適な表示品質を実現することが可能となる。
【００５３】
また、本構成例のアンプＡ１にて、前記位相補償可変手段は、バイアス電流（ｉ２、ｉ３）の増加に伴って抵抗（Ｒｃ０〜Ｒｃ３）の抵抗値を小さくする構成とされている。
【００５４】
このような構成とすることにより、アンプＡ１のスルーレートを高めるほど、位相補償用の抵抗（Ｒｃ０〜Ｒｃ３）が小さく設定されることになるので、位相補償量を最適化するための抵抗値制御によって、スルーレートを高める相乗効果も得られることになる。また、抵抗値を可変して位相補償量を最適化する本構成であれば、半導体装置への集積化に際しても、装置の大型化を極力抑制することが可能となる。
【００５５】
なお、上記の実施形態では、液晶パネルの駆動電圧を生成する手段として、本発明に係る増幅回路を用いた構成を例に挙げて説明を行ったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、増幅回路全般に広く適用することが可能である。
【００５６】
また、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、液晶駆動装置などに用いられる増幅回路のスルーレートと位相補償量の最適化を図る上で有用な技術である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】は、本発明に係る表示装置の一実施形態を示す回路ブロック図である。
【図２】は、ライン反転駆動の一例を示すタイミングチャートである。
【図３】は、フレーム反転駆動の一例を示すタイミングチャートである。
【図４】は、アンプＡ１の一構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００５９】
１    駆動電圧生成部
２    バイアスセレクタ
３    セグメントドライバ
４    コモンドライバ
１０    液晶パネル
２０    液晶駆動装置
Ｘ０〜Ｘ３、Ｙ０〜Ｙ３    画素電極
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３    抵抗
Ａ１、Ａ２    アンプ
Ｐ１〜Ｐ７    Ｐチャネル型電界効果トランジスタ
Ｎ１〜Ｎ４    Ｎチャネル型電界効果トランジスタ
Ｒｂ０、Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３    抵抗（バイアス電流設定用）
Ｒｃ０、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｃ３    抵抗（位相補償用）
Ｃｃ０    容量（位相補償用）
ＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３    スイッチ（バイアス電流設定用）
ＳＷ２１、ＳＷ２２、ＳＷ２３    スイッチ（位相補償量設定用）
【図１】
2008141302.tif 000003
【図２】
2008141302.tif 000004
【図３】
2008141302.tif 000005
【図４】
2008141302.tif 000006