(57)【要約】【課題】コスト低減を図ることが可能な光ディスク装置を提供する。【解決手段】電流値算出部４３は、パワー制御部４１から信号ＳＩＧ１を受けて、光出力の値が所定の第１の値に達したときの電流Ｉｏｐの値を取得する。電流値算出部４３は取得した電流値に基づいて半導体レーザ６１の温度を算出する。次に、電流値算出部４３は、光ディスク５０への情報の記録時には、算出した半導体レーザ６１の温度に基づいて、半導体レーザ６１の光出力の値が所定の第２の値となるときの電流値Ａを算出する。レーザ制御回路３３は、半導体レーザの温度を検出するための温度検出素子を用いなくても半導体レーザの温度特性に基づいて半導体レーザの温度を算出することができる。【選択図】図２
2008159111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスク装置であって、
半導体レーザと、
前記半導体レーザに駆動電流を供給して前記半導体レーザを駆動する駆動回路と、
前記半導体レーザの光出力を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に応じて前記駆動回路を制御して、前記光出力の値を所定の第１の出力値に定めるための前記駆動電流の第１の電流値を決定する第１の制御部と、
光ディスクへの情報の記録時における前記光出力の値を所定の第２の出力値に設定するための、前記駆動電流の第２の電流値を受けて、前記駆動電流の値が前記第２の電流値となるように前記駆動回路を制御する第２の制御部と、
前記第２の電流値を算出する電流値算出部とを備え、
前記電流値算出部は、前記第１の電流値と、予め定められた、前記光出力の値が前記所定の第１の出力値になるときの、前記駆動電流に対する前記半導体レーザの温度の関係とを用いて、前記半導体レーザの温度を算出し、算出した前記半導体レーザの温度と、予め定められた、前記光出力の値が前記所定の第２の出力値になるときの、前記駆動電流に対する前記半導体レーザの温度の関係とを用いて、前記第２の電流値を算出する、光ディスク装置。
【請求項２】
光ディスク装置であって、
半導体レーザと、
前記半導体レーザに駆動電流を供給して前記半導体レーザを駆動する駆動回路と、
前記半導体レーザの光出力を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に応じて前記駆動回路を制御して、前記光出力の値を所定の第１の出力値に定めるための前記駆動電流の第１の電流値を決定する第１の制御部と、
前記第１の電流値と、予め定められた、前記光出力の値が前記所定の第１の出力値になるときの、前記駆動電流に対する前記半導体レーザの温度の関係とを用いて、前記半導体レーザの温度を算出する算出部とを備える、光ディスク装置。
【請求項３】
前記算出部は、算出した前記半導体レーザの温度と、予め定められた、前記光出力が所定の第２の出力値になるときの、前記駆動電流に対する前記半導体レーザの温度の関係とを用いて、第２の電流値を算出し、
前記光ディスク装置は、
前記第２の電流値を受けて、前記駆動電流の値が前記第２の電流値となるように前記駆動回路を制御する第２の制御部をさらに備える、請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記所定の第１の出力値は、前記所定の第２の出力値よりも小さく、
前記所定の第２の出力値は、光ディスクへの情報の記録時における前記光出力の値である、請求項３に記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスクからの情報再生および光ディスクへの情報記録を行なう光ディスク装置に関し、特に、コスト低減を図ることが可能な光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクに情報を記録したり光ディスクに記録された情報を再生したりする光ディスク装置は光ピックアップを備える。一般的に光ピックアップは光源として半導体レーザを備える。
【０００３】
光ディスクに高密度に情報を記録したり、光ディスクに情報を正確に記録したりするためには、半導体レーザから出力される光のパワーを常に所望の大きさに制御する必要がある。しかしながら、光ピックアップ内の温度に応じて半導体レーザから出力されるレーザ光のパワーは変動する。このため、従来から半導体レーザの周囲温度に応じて半導体レーザを制御する方法が提案されている。
【０００４】
たとえば、特開平１１−２１３４２８号公報（特許文献１）は、レーザダイオードの駆動制御装置を開示する。この駆動制御装置は、レーザダイオードに駆動電流を供給する駆動回路と、レーザダイオードからあるレベルの発光出力を得るために必要な駆動電流の温度依存特性データを格納する記憶手段と、レーザダイオードの周囲の温度を計測可能な温度検出手段とを備える。駆動制御装置は、さらに、温度検出手段で検出された温度に応じた駆動電流の値を記憶手段から読出して、レーザダイオードに供給される駆動電流の値がその値となるように駆動回路を制御する制御手段とを備える。
【０００５】
また、特開２００５−３２３４０号公報（特許文献２）は、光源の出力光量を最適に制御することが可能な光ピックアップを開示する。この光ピックアップは、光源の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段で検出される温度における光源の波長を表わすとともに、その検出温度において所定の光強度を得るために光源に印加される電流を表わす温度依存特性データを記憶する記憶手段とを備える。
【０００６】
また、特開２００５−３５３２４６号公報（特許文献３）は、光ピックアップ内に温度変動が生じた場合であっても、レーザ光源における出力の調整制御を高い精度で行なうことが可能な光ピックアップを開示する。この光ピックアップは、光ディスクの種類に応じて波長の大きさが異なるレーザ光をその光ディスクに向けて照射する。光ピックアップは、レーザ光の一部を光学素子を介して受光する受光素子と、波長の大きさに応じて増幅率が異なるように受光素子の出力を増幅する増幅手段と、光学素子またはその周囲の温度を導出する温度導出手段と、その温度導出手段によって導出された温度に基づいて増幅手段の増幅率を可変する可変手段とを備える。
【特許文献１】特開平１１−２１３４２８号公報
【特許文献２】特開２００５−３２３４０号公報
【特許文献３】特開２００５−３５３２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の文献等に示されるように、従来の技術によれば半導体レーザの周囲温度に応じた半導体レーザの制御を行なうために半導体レーザの周囲温度を検出する装置（たとえばサーミスタ等の温度検出素子）が用いられる。しかし、製造コストの低減という観点では光ディスク装置の部品点数はできる限り少ないことが好ましい。
【０００８】
本発明の目的は、コスト低減を図ることが可能な光ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は要約すれば、光ディスク装置であって、半導体レーザと、半導体レーザに駆動電流を供給して半導体レーザを駆動する駆動回路と、半導体レーザの光出力を検出する検出部と、検出部の検出結果に応じて駆動回路を制御して、光出力の値を所定の第１の出力値に定めるための駆動電流の第１の電流値を決定する第１の制御部と、光ディスクへの情報の記録時における光出力の値を所定の第２の出力値に設定するための、駆動電流の第２の電流値を受けて、駆動電流の値が第２の電流値となるように駆動回路を制御する第２の制御部と、第２の電流値を算出する電流値算出部とを備える。電流値算出部は、第１の電流値と、予め定められた、光出力の値が所定の第１の出力値になるときの、駆動電流に対する半導体レーザの温度の関係とを用いて、半導体レーザの温度を算出する。電流値算出部は、算出した半導体レーザの温度と、予め定められた、光出力の値が所定の第２の出力値になるときの、駆動電流に対する半導体レーザの温度の関係とを用いて、第２の電流値を算出する。
【００１０】
本発明の他の局面に従うと、光ディスク装置であって、半導体レーザと、半導体レーザに駆動電流を供給して半導体レーザを駆動する駆動回路と、半導体レーザの光出力を検出する検出部と、検出部の検出結果に応じて駆動回路を制御して、光出力の値を所定の第１の出力値に定めるための駆動電流の第１の電流値を決定する第１の制御部と、第１の電流値と、予め定められた、光出力の値が所定の第１の出力値になるときの、駆動電流に対する半導体レーザの温度の関係とを用いて、半導体レーザの温度を算出する算出部とを備える。
【００１１】
好ましくは、算出部は、算出した半導体レーザの温度と、予め定められた、光出力が所定の第２の出力値になるときの、駆動電流に対する半導体レーザの温度の関係とを用いて、第２の電流値を算出する。光ディスク装置は、第２の電流値を受けて、駆動電流の値が第２の電流値となるように駆動回路を制御する第２の制御部をさらに備える。
【００１２】
より好ましくは、所定の第１の出力値は、所定の第２の出力値よりも小さい。所定の第２の出力値は、光ディスクへの情報の記録時における光出力の値である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、光ディスク装置のコストを低減することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下において、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００１５】
図１は、本発明の実施の形態の光ディスク装置を示すブロック図である。
図１を参照して、光ディスク装置１は、ＣＰＵ１０と、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１と、ＲＡＭ（Random Access Memory）１２と、操作入力部１３と、表示部１４と、ＣＯＤＥＣ（COder DECoder）２１と、信号入出力部２２と、ピックアップ制御回路３２と、レーザ制御回路３３と、スピンドル制御回路３４と、スピンドルモータ３５と、光ピックアップ装置６０とを含む。
【００１６】
ＲＯＭ１１は、光ディスク装置１を制御するための制御プログラムや光ディスク装置１の制御に用いられるデータを記憶する。ＲＡＭ１２は、制御プログラムが実行されるときの作業領域としてデータを記憶する。ＣＰＵ１０は、ＲＡＭ１２を作業領域として、ＲＯＭ１１に記憶された制御プログラムを実行することによって、光ディスク装置１の全体を制御する。
【００１７】
操作入力部１３は、操作スイッチや操作リモコンやそれらの制御回路などで構成され、光ディスク装置１に対するユーザからの操作の入力を受付け、入力に応じた信号をＣＰＵ１０に与える。操作入力部１３は、たとえば、再生、早送り、巻戻し、録画、イジェクト、予約情報などの操作の入力を受付ける。ＣＰＵ１０は、操作入力部１３からの信号に応じた制御プログラムを実行する。
【００１８】
表示部１４は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などの表示装置や表示装置の制御回路などで構成され、ＣＰＵ１０による制御プログラムの実行に応じた情報を表示する。表示部１４は、たとえば、再生中、早送り中、巻戻し中、録画中であることを示す情報や、予約情報などを表示する。表示装置は、ＬＣＤに限定されず、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）など他の表示装置であってもよい。
【００１９】
信号入出力部２２は、入出力端子や入出力回路などで構成され、映像信号や音声信号を出力する装置からの映像信号や音声信号のアナログ信号の入力を受付けたり、光ディスク装置１から映像信号や映像信号を出力したりする。
【００２０】
ＣＯＤＥＣ２１は、Ａ／Ｄ（Analog to Digital）変換回路やＤ／Ａ（Digital to Analog）変換回路やその他の周辺回路で構成され、ＣＰＵ１０によって制御されて、信号入出力部２２に入力された映像信号や音声信号のアナログ信号を映像や音声のデジタルデータに変換したり、信号入出力部２２から出力する映像や音声などのデジタルデータを映像信号や音声信号のアナログ信号に変換したりする。
【００２１】
なお、ＣＯＤＥＣ２１は、アナログ信号を量子化してデジタルデータに変換したり、量子化されたデジタルデータをアナログ信号に変換したりするだけでなく、ＤＶ（Digital Video）形式やＭＰＥＧ−２（Moving Picture Experts Group phase 2）形式などの所定の形式のデジタルデータに変換したり、所定の形式のデジタルデータをアナログ信号に変換したりする機能を備えてもよい。
【００２２】
また、信号入出力部２２で入出力される映像や音声がデジタルデータである場合は、ＣＯＤＥＣ２１は備えなくてもよいし、ＣＯＤＥＣ２１に替えて信号入出力部２２で入出力されるデジタルデータと所定の形式のデジタルデータとを変換する機能を有する変換回路を備えるようにしてもよい。
【００２３】
スピンドルモータ３５は、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＣＤ（Compact Disc）等の光ディスク５０を回転させる。スピンドル制御回路３４は、ＣＰＵ１０から指示された回転数でスピンドルモータ３５が回転するようにスピンドルモータ３５を制御する。
【００２４】
レーザ制御回路３３は、ＣＰＵ１０からの制御信号に応じて、光ピックアップ装置６０からレーザ光線を発生させたり、そのレーザ光線を検出したりする。また、レーザ制御回路３３は、ＣＰＵ１０に、レーザ光線の検出結果に応じた信号を出力する。
【００２５】
ピックアップ制御回路３２は、レーザ制御回路３３から出力された信号に基づいて演算された制御信号やＣＰＵ１０からの制御信号に応じて、光ピックアップ装置６０のフォーカシング制御やトラッキング制御やレンズ切替制御や送り制御を行なう。
【００２６】
光ピックアップ装置６０は、レーザ制御回路３３により制御されて、再生用光線を光ディスク５０のトラックに照射して、その反射光線を検出して、その反射光線に応じた信号をレーザ制御回路３３およびＲＡＭ１２のバッファを介してＣＯＤＥＣ２１に出力する。
【００２７】
また、光ピックアップ装置６０は、ＣＯＤＥＣ２１からＲＡＭ１２のバッファおよびレーザ制御回路３３を介して受取られた所定のデータに応じた記録用光線を光ディスク５０のトラックに照射して、光ディスク５０にデータ（情報）を記録する。
【００２８】
図２は、図１の光ピックアップ装置６０およびレーザ制御回路３３の構成を示すブロック図である。
【００２９】
図２を参照して、光ピックアップ装置６０は、半導体レーザ６１と、フォトダイオード６２と、駆動回路６３と、コネクタ６４とを含む。レーザ制御回路３３は、パワー制御部４１と、電流制御部４２と、電流値算出部４３と、コネクタ４４とを含む。
【００３０】
半導体レーザ６１は、駆動回路６３から電流Ｉｏｐが供給されてレーザ光を発する。レーザ光のパワーは電流Ｉｏｐに応じて変化する。一方、電流Ｉｏｐが同じまま半導体レーザ６１の温度が変化する場合には、レーザ光のパワーは温度に応じて変化する。
【００３１】
フォトダイオード６２は半導体レーザ６１の光出力を検出する。フォトダイオードから出力される信号Ｐｍは、半導体レーザ６１から発せられるレーザ光のパワーを示す。駆動回路６３は、パワー制御部４１からの信号ＳＩＧ１あるいは電流制御部４２からの信号ＳＩＧ２に応じた電流Ｉｏｐを半導体レーザ６１に供給する。
【００３２】
コネクタ６４はコネクタ４４に接続される。フォトダイオード６２からの信号Ｐｍはコネクタ６４，４４を介してパワー制御部４１に入力される。
【００３３】
パワー制御部４１は信号Ｐｍを受けて、駆動回路６３を制御する。具体的にはパワー制御部４１は、信号Ｐｍを受けて、半導体レーザ６１の光出力の値（レーザ光のパワーの値）が所定の第１の値となるように、電流Ｉｏｐの電流値を示す信号ＳＩＧ１を変化させる。駆動回路６３は信号ＳＩＧ１に応じて電流Ｉｏｐを変化させる。これにより光出力の値が所定の第１の値となる。パワー制御部４１は、光出力の値が所定の第１の値に達すると信号ＳＩＧ１を電流値算出部４３に対して出力する。
【００３４】
電流制御部４２は、図１に示す光ディスク５０に情報が記録される際に信号ＳＩＧ２を出力する。駆動回路６３は信号ＳＩＧ２に応じて電流Ｉｏｐを出力する。電流制御部４２は電流値算出部４３から電流値Ａを受けて、電流Ｉｏｐの値がその電流値Ａと等しくなるように駆動回路６３を制御する。これにより光ディスク５０に情報が記録される際に、レーザ光のパワーを光ディスクへの情報の記録に必要な大きさとすることができる。
【００３５】
電流値算出部４３は、パワー制御部４１から信号ＳＩＧ１を受けて、光出力の値が所定の第１の値に達したときの電流Ｉｏｐの値を取得する。電流値算出部４３は取得した電流値に基づいて半導体レーザ６１の温度を算出する。
【００３６】
次に、電流値算出部４３は、光ディスク５０への情報の記録時には、算出した半導体レーザ６１の温度に基づいて、半導体レーザ６１の光出力の値が所定の第２の値となるときの電流値を算出する。この電流値は上述した電流値Ａである。
【００３７】
なお、光ディスク５０に記録される情報の再生時には、電流値算出部４３は電流値Ａを出力せず、かつ、電流制御部４２は予め記憶する電流値を信号ＳＩＧ２として出力する。ただし、電流値算出部４３は温度によらず一定の電流値を電流制御部４２に対して出力し、かつ、電流制御部４２はその電流値に基づいて駆動回路６３を制御してもよい。
【００３８】
図３は、半導体レーザの駆動電流と、半導体レーザから出力される光のパワーとの関係を示す一般的な図である。
【００３９】
図３において、半導体レーザの温度が０℃，２５℃，４０℃，６０℃，７０℃，７５℃の各場合における順方向電流（半導体レーザの駆動電流）と半導体レーザの光出力パワーとの関係が示される。
【００４０】
図３に示すように、半導体レーザの温度が同じである場合（たとえば２５℃）には、半導体レーザの光出力パワーは順方向電流が大きくなるに従って増加する。また、順方向電流が同じ場合（たとえば順方向電流が１００ｍＡである場合）、光出力パワーは温度が高くなるに従って低下する。
【００４１】
図３から、半導体レーザの温度の変動によらず光出力パワーを一定にするためには、半導体レーザの温度に応じて順方向電流を変化させることが必要になることが分かる。電流値算出部４３は電流値Ａを算出するため、予め記憶するデータに基づいて図３に示されるような順方向電流と光出力パワーとの関係を求める。
【００４２】
図４は、図２の電流値算出部４３に記憶されるデータの一例を示す図である。
図４および図２を参照して、電流値算出部４３は、半導体レーザ６１の光出力パワーが１０ｍＷのときの電流値および、半導体レーザ６１の光出力パワーが６０ｍＷのときの電流値を記憶する。１０ｍＷおよび６０ｍＷという値は上述の「所定の第１の値」および「所定の第２の値」にそれぞれ対応する。
【００４３】
なお、所定の第１および第２の値はこれらの値に限定されるものではなく、適切に定めることが可能である。ただし所定の第１の値は所定の第２の値よりも小さいことが好ましい。これによりパワー制御部４１が駆動回路６３を制御している際に電流Ｉｏｐが小さくなるので光ピックアップ装置６０における消費電力を全体的に低減できる。
【００４４】
電流値算出部４３は、光出力パワーが１０ｍＷの場合の電流値として、半導体レーザ６１の温度が２５℃のときの電流値（７５ｍＡ）と、６０℃のときの電流値（８０ｍＡ）とを記憶する。同様に電流値算出部４３は、光出力パワーが６０ｍＷの場合の電流値として、半導体レーザ６１の温度が２５℃のときの電流値（１２０ｍＡ）と、６０℃のときの電流値（１４０ｍＡ）とを記憶する。
【００４５】
半導体レーザ６１の温度の算出時には、パワー制御部４１は、半導体レーザ６１から出力される光のパワーが１０ｍＷとなるように駆動回路６３を制御する。電流値算出部４３は、上述した温度（２５℃，６０℃）および電流値（７５ｍＡ，８０ｍＡ）から、光出力パワーが１０ｍＷの場合における、電流値に対する温度の関係を示す式（１次関数）を求める。そして電流値算出部４３は、この式、および、パワー制御部４１により決定された電流Ｉｏｐの値に基づいて半導体レーザ６１の温度を算出する。
【００４６】
次に、光ディスク５０（図１）への情報の記録時には、電流値算出部４３は電流値Ａを算出する。このときの電流値Ａは、半導体レーザ６１から６０ｍＷのパワーの光を出力させるための電流Ｉｏｐの値である。この場合には、電流値算出部４３は、温度（２５℃，６０℃）および電流値（１２０ｍＡ，１４０ｍＡ）から、光出力パワーが６０ｍＷの場合における、電流値に対する温度の関係を示す式（１次関数）を求める。そして、電流値算出部４３は、この式および算出した温度に基づいて、電流値Ａを算出する。
【００４７】
なお、図４に示す例では、各光出力パワーに対応する電流値のデータ（温度のデータと考えてもよい）の個数は２である。これにより電流値算出部４３の演算負荷を軽減することが可能になる。ただし、各光出力パワーに対応するデータの個数は２より多くてもよい。この場合には、電流値算出部４３が半導体レーザ６１の温度をより正確に算出することが可能になる。さらに、半導体レーザ６１の温度がより正確に算出されることにより電流Ｉｏｐの値もより正確に算出することができる。
【００４８】
図５は、本実施の形態の光ディスク装置の比較例を示す図である。
図５を参照して、光ピックアップ装置６０は、半導体レーザ６１と、フォトダイオード６２と、駆動回路６３と、コネクタ６４と、固定抵抗６５と、サーミスタ６６とを含む。なお、図５に示す光ピックアップ装置６０において、固定抵抗６５およびサーミスタ６６を除く部分は図２に示す光ピックアップ装置６０の対応する部分と同様である。
【００４９】
固定抵抗６５およびサーミスタ６６は電源ノードと接地ノードとの間に直列に接続される。サーミスタ６６の一方端（固定抵抗６５の一方端に接続される端部）はコネクタ６４，４４を介して電流値算出部４３に接続される。なお図５に示す構成では、電流値算出部４３にはパワー制御部４１からの信号ＳＩＧ１は入力されていない。
【００５０】
固定抵抗６５およびサーミスタ６６は分圧回路を構成する。半導体レーザ６１の周囲温度が変化するとサーミスタ６６の抵抗値が変化する。よって電流値算出部４３に入力される電圧値も半導体レーザ６１の周囲温度に応じて変化する。電流値算出部４３は電圧値と半導体レーザ６１の周囲温度との関係を予め記憶している。電流値算出部４３は入力される電圧値に基づいて半導体レーザ６１の温度を算出する。
【００５１】
しかしながら図５に示す構成によれば、光ピックアップ装置６０に固定抵抗６５およびサーミスタ６６が含まれる。これにより比較例では本実施の形態に比較して、部品の調達コスト、および、固定抵抗６５およびサーミスタ６６を回路基板に実装するためのコストが高くなる。
【００５２】
さらに、電流値算出部４３が固定抵抗６５およびサーミスタ６６からなる分圧回路からの出力を受けるため、コネクタ６４およびコネクタ４４のピン数が多くなる。一般的にコネクタのピン数が多くなるほど、そのコネクタ自体のコストが高くなるともにコネクタに接続される配線の本数が増える。このような理由によっても比較例ではコストが高くなりやすい。
【００５３】
一方、サーミスタ６６だけでなく、半導体レーザ６１も温度により特性が変化する素子である。本実施の形態では半導体レーザ６１を光源として用いるだけでなく、温度検出素子としても用いる。これにより、本実施の形態によればサーミスタ６６（および固定抵抗６５）を設けなくてもよくなる。よって、本実施の形態によれば光ディスク装置の低コスト化を図ることができる。
【００５４】
また、サーミスタは半導体レーザ６１の周辺に設けられる。よって比較例では半導体レーザ６１の周囲温度は測定できるが、半導体レーザ６１そのものの温度を測定することは困難である。つまり比較例では半導体レーザの温度を間接的にしか測定できない。これに対し、本実施の形態によれば半導体レーザ６１そのものの温度を求めることが可能になる。
【００５５】
図６は、レーザ制御回路３３が行なう温度算出処理を説明するフローチャートである。
図６および図２を参照して、まずパワー制御部４１は、フォトダイオード６２からの信号Ｐｍに基づいて信号ＳＩＧ１を駆動回路６３に送り、駆動回路６３を制御する（ステップＳ１）。パワー制御部４１は、半導体レーザ６１が所定のパワー（たとえば図４に示す１０ｍＷ）の光を発するまでステップＳ１の動作を行なう。
【００５６】
次に、パワー制御部４１は、半導体レーザ６１の光出力パワーが所定の第１の値であるときの電流値を決定する（ステップＳ２）。パワー制御部４１は、この電流値を示す信号ＳＩＧ１を電流値算出部４３に対して出力する。
【００５７】
続いて電流値算出部４３は、信号ＳＩＧ１により示される電流値、および、予め定められた、半導体レーザの電流値に対する温度の関係に基づいて、半導体レーザ６１の温度を算出する（ステップＳ３）。上述したように、電流値算出部４３は、図４に示す温度（２５℃，６０℃）および電流値（７５ｍＡ，８０ｍＡ）から、光出力パワーが１０ｍＷの場合における、電流値に対する温度の関係を示す式（１次関数）を求める。そして、電流値算出部４３は、この式、および、パワー制御部４１により決定された電流Ｉｏｐの値に基づいて半導体レーザ６１の温度を算出する。ステップＳ３の処理が終了すると、全体の処理が終了する。
【００５８】
図７は、光ディスク５０への情報の記録時におけるレーザ制御回路３３の動作を説明するフローチャートである。
【００５９】
図７および図２を参照して、電流値算出部４３は、まず半導体レーザ６１から出力パワー（出力光のパワー）を決定する（ステップＳ１１）。たとえば光ディスクへの情報の記録時と、光ディスクに記録される情報の再生時とでは半導体レーザから出力されるレーザ光のパワーが異なる。また、異なる種類の光ディスクに対して情報を記録する場合には、光ディスクの種類ごとに半導体レーザ６１から出力される光のパワーを変えることがある。電流値算出部４３はこのようなさまざまな条件に応じて半導体レーザ６１から出力されるレーザ光のパワーを決定する。
【００６０】
次に、電流値算出部４３は図６のステップＳ３において算出した温度に基づいて電流値Ａを算出する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２において、電流値算出部４３は、図４に示す温度（２５℃，６０℃）および電流値（１２０ｍＡ，１４０ｍＡ）から、光出力パワーが６０ｍＷの場合における、電流値に対する温度の関係を示す式（１次関数）を求める。そして、電流値算出部４３は、この式、および、算出した温度に基づいて電流値Ａを算出する。なお、電流値算出部４３は電流値Ａを電流制御部４２に出力する。
【００６１】
続いて電流制御部４２は実際の電流ＩｏｐがステップＳ１２で算出された電流値Ａとなるように、電流値Ａに基づいて駆動回路６３を制御する（ステップＳ１３）。ステップＳ１３の処理が終了すると、全体の処理が終了する。
【００６２】
このように本実施の形態によれば、半導体レーザの温度を検出するための温度検出素子を用いなくても半導体レーザの温度特性に基づいて半導体レーザの温度を算出することができる。よって、本実施の形態によれば、半導体レーザの温度を検出するための温度検出素子を不要とすることができるので、光ディスク装置のコストを低減することが可能になる。
【００６３】
また、本実施の形態によれば、半導体レーザそのものの温度を算出するので、半導体レーザの温度をより正確に求めることが可能になる。
【００６４】
さらに、本実施の形態によれば、電流値算出部４３が光ディスクの記録時における電流Ｉｏｐの値（電流値Ａ）を予め定めるので、光ディスクへの記録開始時点から所望のパワーの光を光ディスクに照射することができる。これにより光ディスクに映像や音声等の情報を高品質で記録することができる。
【００６５】
たとえば図２に示すレーザ制御回路３３には、半導体レーザから出力されるレーザ光のパワーを一定に制御するためのパワー制御部４１が含まれる。このようなパワー制御部は半導体レーザの制御に一般的に用いられる。しかし、パワー制御部はフォトダイオード等、半導体レーザの光出力を検出する検出回路からの信号に従ってレーザ光のパワーを制御する。このため半導体レーザの発光開始時点からレーザ光のパワーが一定になるまでには、ある程度の時間がかかる。
【００６６】
レーザ光のパワーが安定するまでに時間がかかる場合には、光ディスクへの記録開始直後に光ディスクに記録される情報の品質が低下する可能性がある。しかしながら本実施の形態によれば、このような可能性を低くすることが可能になる。
【００６７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施の形態の光ディスク装置を示すブロック図である。
【図２】図１の光ピックアップ装置６０およびレーザ制御回路３３の構成を示すブロック図である。
【図３】半導体レーザの駆動電流と、半導体レーザから出力される光のパワーとの関係を示す一般的な図である。
【図４】図２の電流値算出部４３に記憶されるデータの一例を示す図である。
【図５】本実施の形態の光ディスク装置の比較例を示す図である。
【図６】レーザ制御回路３３が行なう温度算出処理を説明するフローチャートである。
【図７】光ディスク５０への情報の記録時におけるレーザ制御回路３３の動作を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００６９】
１  光ディスク装置、１３  操作入力部、１４  表示部、２２  信号入出力部、３２  ピックアップ制御回路、３３  レーザ制御回路、３４  スピンドル制御回路、３５  スピンドルモータ、４１  パワー制御部、４２  電流制御部、４３  電流値算出部、４４，６４  コネクタ、５０  光ディスク、６０  光ピックアップ装置、６１  半導体レーザ、６２  フォトダイオード、６３  駆動回路、６５  固定抵抗、６６  サーミスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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