(57)【要約】【課題】それぞれのレーザダイオード１，２，３が活性帯域１１，１２，１３を含み、活性帯域はそれぞれ導波路層６の間に配置され、導波路層は活性帯域とは反対の側において、被覆層７，８に接しており、被覆層は、最も下側の活性帯域１１より上にありかつ最も上側の活性帯域１３より下にある内側の被覆層７と、最も下側の活性帯域より下にあるかまたは最も上側の活性帯域より上にある外側の被覆層８とを有している端面発光形半導体レーザを個別のレーザダイオードによって生成される熱の改善された熱放出、レーザダイオードの活性帯域の低減された温度差および比較的僅かな製造コストという特長が実現されるようにする。【解決手段】内側の被覆層（７）が外側の被覆層（８）より僅かな厚さを有している。【選択図】図１
2008085339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のモノリシックに集積されたレーザダイオード（１，２，３）を含んでいる端面発光形半導体レーザであって、それぞれのレーザダイオード（１，２，３）が１つの活性帯域（１１，１２，１３）を含んでいるという形式のものにおいて、
活性帯域（１１，１２，１３）はそれぞれ導波路層（６）の間に配置されており、
該導波路層（６）は活性帯域（１１，１２，１３）とは反対の側においてそれぞれ、被覆層（７，８）に接しており、被覆層は、最も下側の活性帯域（１１）より上にありかつ最も上側の活性帯域（１３）より下にある内側の被覆層（７）と、最も下側の活性帯域（１１）より下にあるかまたは最も上側の活性帯域（１３）より上にある外側の被覆層（８）とを有しており、かつ
内側の被覆層（７）は外側の被覆層（８）より僅かな厚さを有している
ことを特徴とする端面発光形半導体レーザ。
【請求項２】
内側の被覆層（７）は外側の被覆層（８）より少なくとも係数２は薄い
請求項１記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項３】
内側の被覆層（７）は外側の被覆層（８）より少なくとも係数５は薄い
請求項２記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項４】
内側の被覆層（７）はそれぞれ、３００ｎｍまたはそれ以下の厚さを有している
請求項１から３までのいずれか１項記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項５】
内側の被覆層（７）はそれぞれ、１００ｎｍまたはそれ以下の厚さを有している
請求項４記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項６】
内側の被覆層（７）はそれぞれ、１０ｎｍまたはそれ以上の厚さを有している
請求項１から５までのいずれか１項記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項７】
外側の被覆層（８）はそれぞれ、５００ｎｍまたはそれ以上の厚さを有している
請求項１から６までのいずれか１項記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項８】
外側の被覆層（８）はそれぞれ、１μｍまたはそれ以上の厚さを有している
請求項７記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項９】
モノリシックに集積されたレーザダイオード（１，２，３）の数は４またはそれ以上である
請求項１から８までのいずれか１項記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項１０】
活性帯域（１１，１２，１３）はそれぞれ、量子井戸構造を有している
請求項１から９までのいずれか１項記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項１１】
複数の活性帯域（１１，１２，１３）の量子井戸構造はその層厚および／または材料組成の点でお互いに相異している
請求項１０記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項１２】
複数の活性帯域（１１，１２，１３）の量子井戸構造はその層厚および／または材料組成の点でお互いに相異していて、複数の活性帯域（１１，１２，１３）の温度差により生じる、該複数の活性帯域（１１，１２，１３）から放出される放射の波長間の差が低減されるかまたは完全に補償されるようになっている
請求項１１記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項１３】
レーザダイオード（１，２，３）はトンネル接合（４）によって相互に接続されている
請求項１から１２までのいずれか１項記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項１４】
トンネル接合（４）はそれぞれ、４０ｎｍまたはそれ以下の厚さを有している
請求項１３記載の端面発光形半導体レーザ。
【請求項１５】
導波路層（６）はその層厚および／または材料組成の点でお互いに相異している
請求項１から１４までのいずれか１項記載の端面発光形半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の上位概念に記載の複数のモノリシックに集積されたレーザダイオードを備えている端面発光形半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
本特許出願は、ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００６０６１５３２．８および１０２００６０４６０３６．７号の優先権を主張するものであり、これらの文献の開示内容は参照により本明細書に含まれる。
【０００３】
端面発光形半導体レーザにおいて高い光出力パワーを実現するために、複数のレーザダイオードをスタックド層の形でモノリシックに集積することが公知である。例えば刊行物ＵＳ５２１２７０６から、複数のレーザダイオードがモノリシックに上下に析出されておりかつレーザダイオードがトンネル接合を用いて相互に接続されている形式の、端面発光形半導体レーザが公知である。
【０００４】
複数のモノリシックに集積されたレーザダイオードを備えたこの形式の端面発光形半導体レーザのスタックド層の比較的大きな厚さは熱伝導に不都合に作用する。それ故にレーザダイオードによって生成される熱放出は簡単な半導体レーザに比べて困難である。
【０００５】
更に、上下に配置されているレーザダイオードの種々の活性帯域は端面発光形半導体レーザの作動の際に少なくとも僅かに異なった温度を有しているという問題が生じるおそれがある。これにより、個別のレーザダイオードの放出波長に不都合にも差異が生じる可能性がある。
【０００６】
複数のモノリシックに集積されたレーザダイオードを有している端面発光形半導体レーザにおいて比較的厚いスタックド層が析出されるので、製造は比較的煩雑である。
【特許文献１】ＵＳ５２１２７０６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、個別のレーザダイオードによって生成される熱の改善された熱放出、レーザダイオードの活性帯域の低減された温度差および比較的僅かな製造コストという特長を有してる、複数のモノリシックに集積されたレーザダイオードを有する端面発光形半導体レーザを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この課題は、請求項１の特徴を備えた端面発光形半導体レーザによって解決される。本発明の有利な実施形態および構成は従属請求項に記載されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
それぞれのレーザダイオードが活性帯域を含んでいるという複数のモノリシックに集積されたレーザダイオードを含んでいる端面発光形半導体レーザでは活性帯域はそれぞれ、導波路層間に配置されており、導波路層は活性帯域とは反対の側においてそれぞれ、被覆層と境を接している。被覆層は、最も下側の活性帯域より上にありかつ最も上側の活性帯域より下にある内側の被覆層と、最も下側の活性帯域より下にあるかまたは最も上側の活性帯域より上にある外側の被覆層とを有している。内側の被覆層は外側の被覆層より僅かな厚さを有している。
【００１０】
つまり端面発光形半導体レーザにおいて活性帯域はそれぞれ、導波路層に埋め込まれており、これによりレーザダイオードの活性帯域から放出されるレーザ放射はラテラルな方向にガイドされる。導波路は導波路層と接している被覆層との間の屈折率の急激な変化によって生じ、その際被覆層は典型的には導波路層より僅かな屈折率を有している。しかし有限の屈折率差に基づいて、半導体レーザの放射野は少なくとも部分的に被覆層に侵入する。被覆層に接している層、例えば成長基板またはコンタクト層における吸収損を低減するために、被覆層は従来の半導体レーザでは典型的には約１μｍ乃至２μｍの厚さを有する比較的厚い層である。
【００１１】
本発明の半導体レーザにおいて最も下側の活性帯域と最も上側の活性帯域との間に配置されている内側の被覆層は例えば基板と最も下側の活性層との間および最も上側の活性帯域と電気的なコンタクト形成のために設けられているコンタクト層との間に配置されている外側の被覆層より僅かな厚さを有しているので、複数のレーザダイオードから成るスタックド層の厚さは低減される。内側の被覆層の低減された層厚に基づいて、これら層の熱抵抗も小さくなり、これにより端面発光形半導体レーザのより効率的な冷却が可能になる。更に内側の被覆層は低減された層厚に基づいて一層小さな電気的な抵抗を有することにもなるので、同様に作動中の端面発光形半導体レーザの加熱も低減される。
【００１２】
更にスタックド層の析出のために必要な析出時間は内側の被覆層の低減された層厚に基づいて短縮され、これにより所要時間および所要材料は低減され、従って製造コストも低減される。
【００１３】
内側の被覆層の低減された熱抵抗に基づいて、複数の活性帯域間の温度差は、内側の被覆層が外側の被覆層と同じ厚さを以て析出される場合に比してより僅かである。
【００１４】
更に内側の被覆層の低減された層厚により、スタックド層内で発生する不都合な応力も低減される。内側の被覆層の低減された層厚により比較的僅かにしか発生しない不都合な応力により有利にも、複数のモノリシックに集積されたレーザダイオードを有する従来の端面発光形半導体レーザの場合より大きな数のレーザダイオードのモノリシックに集積が可能になる。殊に、端面発光形半導体レーザは４つまたはそれ以上の数のレーザダイオード、特別有利には５つまたはそれ以上の数のレーザダイオードを有していることができる。
【００１５】
更に内側の被覆層の比較的僅かな厚さにより、スタックド層内の電流拡幅が低減され、すなわちスタックド層を通る電流は実質的に、有利にはストラクチャ化されているコンタクト層を備えているスタックド層の領域によって生じる。例えば電流の流れはストライプ形状にストラクチャ化されているコンタクトを用いてスタックド層のストライプ形状の領域に画定することができる。これによりレーザしきい値は有利にも低減される。
【００１６】
本発明の有利な実施形態において内側の被覆層は外側の被覆層より少なくとも係数２は薄い。
【００１７】
有利には内側の被覆層は外側の被覆層より少なくとも係数５、特別有利に係数１０だけ薄い。
【００１８】
内側の被覆層は有利にはそれぞれ、３００ｎｍまたはそれ以下の厚さを有している。更に特に有利には、内側の被覆層の厚さは１００ｎｍまたはそれ以下である。つまり内側の被覆層の厚さは有利には、約１μｍ乃至２μｍである、従来の端面発光形半導体レーザの場合の被覆層の厚さより著しく僅かである。
【００１９】
外側の被覆層はそれぞれ、５００ｎｍまたはそれ以上の厚さ、または有利には１μｍまたはそれ以上の厚さを有している。比較的厚い外側の被覆層により、放出されるレーザ放射の、例えばスタックド層の成長のために使用される基板、および例えばスタックド層の、基板とは反対の側の上表面において端面発光形半導体レーザの電気的なコンタクト形成のために被着されているコンタクト層への吸収が低減される。
【００２０】
端面発光形半導体レーザは例えば２つまたは３つのレーザダイオードを有していることができる。しかし殊に、端面発光形半導体レーザが４つまたはそれ以上、有利には５つまたはそれ以上の数のレーザダイオードを有していることすら可能である。端面発光形半導体レーザのスタックド層にモノリシックに集積された半導体レーザを複数個配置することは、内側の被覆層の厚さを低減することにより容易になる。というのは、厚さが薄くなることで層に生じる応力（Schichtspannung）が低減されているからである。この応力によりレーザダイオードが多数個モノリシックに集積されている場合に、層の品質が落ちる、またはスタックド層を破壊することにすらなりかねない。更に、スタックド層において個々の活性帯域の僅かに異なっている温度により発生する可能性がある個別レーザダイオードの放出波長の偏差は比較的薄い内側の被覆層により低減される。
【００２１】
複数のレーザダイオードの活性帯域は有利には量子井戸構造、殊に単一量子井戸構造を有している。更に量子井戸構造は多重量子井戸構造であってもよい。量子井戸構造の概念には、本明細書においてキャリアの閉じこめ（confinement）によってそのエネルギー状態が量子化されるあらゆる構造を含む。殊に、量子井戸構造の概念には量子化の次元数に関する規定は含まない。つまり、量子化にはとりわけ、量子箱、量子細線、量子点およびこれらの構造の各組み合わせが含まれる。
【００２２】
本発明の有利な実施例において、複数の活性帯域の単一または多重量子井戸構造はその層厚および／または材料組成の点でお互いに相異している。このような手法で例えば、広帯域の放出スペクトルを有する端面発光形半導体レーザを実現することができる。
【００２３】
特別有利な実施形態において、複数の活性帯域の単一または多重量子井戸構造はその層厚および／または材料組成の点でお互いに相異していて、複数の活性帯域の温度差により生じる、該複数の活性帯域から放出される放射の波長間の差が低減されるかまたは完全に補償されるようになっている。このことは、非常に僅かなスペクトル幅を有するレーザビームが所望され、かつ内側の被覆層の低減された厚みに基づいて既に低減されている、異なっている活性帯域間の温度差にも拘わらず依然として、活性帯域の放出波長の偏差が僅かな温度により生じる可能性があるときに殊に有利である。
【００２４】
有利な実施形態においてレーザダイオードはトンネル接合により相互に接続されている。モードスペクトル、ひいては放射角に依存した強度分布は、放出された放射の吸収作用をするこのトンネル接合により影響を受ける。従来の半導体レーザと比べて低減された、内側の被覆層の層厚に基づいて、端面発光形半導体レーザのビーム品質が複数の活性帯域の放射の結合により影響を受けることは排除することができない。
【００２５】
しかし内側の被覆層の低減された層厚にも拘わらず実現可能なビーム品質は端面発光形半導体レーザの数多くの用途に満足できるものであることが分かっている。このことは殊に、比較的高い積分放射強度が所望されており、かつビームプロフィールが下位の意味しか有していない用途に殊に当てはまる。本発明の半導体レーザは例えばファイバの光学的なポンピングのために使用することができる。
【００２６】
被覆層の低減された厚さにより生じる、トンネル接合でのレーザ放射の吸収を低減するために、僅かな層厚を有するトンネル接合が実現されるようにすれば有利である。有利にはトンネル接合は４０ｎｍまたはそれ以下の層厚を有している。更に、内側の被覆層がそれぞれ少なくとも１０ｎｍの厚さを有していれば有利である。内側の被覆層を更に一段と低減した場合、活性帯域から放出されるレーザ放射の、トンネル接合での著しい吸収が生じる可能性はある。
【００２７】
別の有利な実施形態において導波路層は種々異なっている厚さであるおよび／または材料組成が相異なっている。このような仕方で半導体レーザのモードスペクトルを調整することができる。殊に、導波路層の層厚の適当な調整設定により、レーザ放射が所望のレーザモードにおいて放出されるように実現することができる。導波路層および／または被覆層に対する適当な層厚および／または材料組成の選択は有利にはシミュレーション計算に基づいて行われる。殊に、層厚および／または材料組成の適当な選択により、ファーフィールド角、すなわちレーザ放射がファーフィールドに放出される角度が低減されるようにすることができる。
【実施例】
【００２８】
以下では本発明を図１および図２と関連する２つの実施例に基づき詳細に説明する。
【００２９】
図１に図示の、本発明の端面発光形半導体レーザの実施例は３つのモノリシックに集積されたレーザダイオード１，２，３を含んでいる。レーザダイオード１，２，３は例えば基板９に成長されている共通のスタックド層５に含まれている。
【００３０】
モノリシックに集積されたレーザダイオード１，２，３はトンネル接合４によって相互に接続されている。実施例では最も下側のレーザダイオード１と次のレーザダイオード２との間にトンネル接合４が含まれている。別のトンネル接合４はレーザダイオード２と最も上側のレーザダイオード３との間に含まれている。
【００３１】
モノリシックに集積されたレーザダイオードのそれぞれは活性帯域１１，１２，１３を含んでおり、これらは殊に量子井戸構造から形成されていることができる。活性帯域１１，１２，１３はそれぞれ２つの導波路層６の間に配置されており、導波路層はそれぞれ活性帯域１１，１２，１３に接している。
【００３２】
モノリシックに集積されたレーザダイオード１，２，３のそれぞれにおいて、活性帯域１１，１２，１３を取り囲んでいる導波路層６はそれぞれ被覆層７，８に接している。例えば最も下側のレーザダイオード１は第１の被覆層８に配置されている第１の導波路層６と、第１の導波路層６に配置されている活性帯域１１と、該活性帯域１１に配置されている第２の導波路層６と、該第２の導波路層６に配置されている第２の被覆層７とを含んでいる。レーザダイオード１の第２の被覆層７にトンネル接合４が続いている。トンネル接合の上には第２のレーザダイオード２の相応の層が配置されている。レーザダイオード２に第３のレーザダイオード３が続き、レーザダイオード２とレーザダイオード３との間に別のトンネル接合４が配置されている。
【００３３】
本発明の端面発光形半導体レーザでは内側の被覆層７は外側の被覆層８より僅かな厚さを有している。
【００３４】
その際内側の被覆層とは、スタックド層５内に含まれている、最も下側のレーザダイオード１の活性層１１の上にあってかつ最も上側のレーザダイオード３の活性層１３の下方に配置されている被覆層の謂いである。
【００３５】
外側の被覆層８はまず、最も下側のレーザダイオード１の活性帯域１１の下に配置されている被覆層８、および最も上側のレーザダイオード３の活性帯域１３の上方に配置されている被覆層８である。
【００３６】
外側の被覆層８は有利には、含む５００ｎｍと含む２μｍとの間の厚さを有する。例えば２つの外側の被覆層８はそれぞれ約１３００ｎｍ厚であってよい。
【００３７】
内側の被覆層７は有利には、３００ｎｍ以下の厚さを有し、特に有利には１００ｎｍ以下の厚さを有する。例えば内側の被覆層７はそれぞれ、５０ｎｍの厚さを有していることができる。
【００３８】
殊に、外側の被覆層８より数倍も薄い内側の被覆層７の比較的小さな層厚は、スタックド層５の熱抵抗が低減されるという利点を有している。それ故に端面発光形半導体レーザにより生成される熱は基板９を介して効率よく放出されるようにすることができる。例えば端面発光形半導体レーザは基板９の下面側をヒートシンク上にマントさせることができる。
【００３９】
更に内側の被覆層７の薄い層厚により、スタックド層５に発生する不都合な応力が低減される。例えばそれぞれ僅か５０ｎｍにすぎない厚さを有している内側の被覆層７を中に４つ含んでいるスタックド層５の全体の厚さは、例えば１３００ｎｍである外側の被覆層８と同じ層厚を有する内側の被覆層７が実現されているとした相応のスタックド層より５μｍも薄い。
【００４０】
更に薄い内側の被覆層７は、レーザダイオード１，２，３の活性帯域１１，１２，１３が比較的僅かな間隔を有することになるという利点を有している。これにより、放出波長の差を引き起こす可能性がある、活性帯域１１，１２，１３の温度差が有利にも低減される。
【００４１】
比べて薄い内側の被覆層７の上述した利点に基づいて、スタックド層５は３つより多くの数のレーザダイオードを有していてもよい。これが殊に有利となるのは、高い放射パワーが所望されているときである。
【００４２】
比較的薄い内側の被覆層７に基づいて、活性帯域１１，１２，１３において放出される放射の一部がトンネル接合４の領域に侵入することが有り得る。これにより発生する吸収損を僅かに抑えるために、内側の被覆層７は有利には１０ｎｍより薄くない。
【００４３】
更にトンネル接合４における吸収損を回避するために、トンネル接合も比較的薄く実現すると有利である。殊に、トンネル接合の厚さは４０ｎｍまたはそれ以下とすることができる。
【００４４】
レーザダイオード１，２，３の活性帯域１１，１２，１３は有利には、単一または多重量子井戸構造として実現されている。この形式の量子井戸構造では例えば、材料組成および層厚が半導体レーザの所望の放出波長に依存して選択される層が複数個交番的に存在している。
【００４５】
本発明の実施例において、量子井戸構造の層厚および／または材料組成は互いに相異している。このような仕方で例えば、複数のモノリシックに集積されたレーザダイオード１，２，３は異なった放出波長を有しているように実現することができる。
【００４６】
択一的に、量子井戸構造の層厚および／または材料組成が、個々のレーザダイオード１，２，３の活性帯域１１，１２，１３の異なっている温度に基づいて生じる、放出波長の差が低減されるまたは完全に補償すらされるように相互に違っているようにすることもできる。
【００４７】
別の有利な変形形態において、導波路層６は異なっている層厚および／または材料組成を有している。導波路層６のそれぞれの層厚は例えば、半導体レーザが所望のレーザモードで発振するように調整することができる。それぞれ必要な、導波路層６に対する層厚はスタックド層５の析出の前にそれぞれ、シミュレーション計算に基づいて突き止めておくことができる。導波路層６の厚さの調整により、端面発光形半導体レーザの放射角度を変えることも可能である。
【００４８】
基板９は有利には導電性基板、例えばドーピングされた半導体基板である。殊に基板はｎドーピングされた基板であってよい。その際基板は有利には、端面発光形半導体レーザに対する第１の電気的に導電性のコンタクトである。別の電気的なコンタクト１４は例えばスタックド層５の、基板とは反対の方の側の上表面に被着されている。殊に、コンタクト１４はｐ形のコンタクト層とすることができる。
【００４９】
スタックド層５が成長された基板９は有利にはバッファ層１０を備えている。バッファ層は層品質および格子定数に関して、レーザダイオード１，２，３を含んでいるスタックド層５のエピタキシャル成長に適している成長表面を実現する。バッファ層１０は例えば約５００ｎｍの厚さを有していることができる。
【００５０】
スタックド層５、殊にその中に含まれている活性帯域１１，１２，１３に対する材料選択は半導体レーザの所望の放出波長に基づいて行われる。スタックド層５は有利には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料、殊にヒ化物、窒化物またはリン化物化合物半導体材料をベースにしている。例えばスタックド層５は、ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ，ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＰまたはＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＡｓ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１およびｘ＋ｙ≦１である）を含有していてよい。その際ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料は必ずしも上述の式の１つによる数学的に正確な組成を有していなくてもよい。むしろそれらの材料は、材料の物理的な特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な構成要素を含有することができる。しかしながら分かり易くするために上述の式には、僅かな量の他の材料によって部分的に置換されている可能性があるにしても、結晶格子の主要な構成要素のみが含まれている。
【００５１】
図２には、内側の被覆層が僅か１５０ｎｍの厚さしか有していない本発明の端面発光形半導体レーザの実施例のビームプロフィール（曲線１５）が、内側の被覆層が１．３５μｍの層厚を有している従来の半導体レーザのビームプロフィール（曲線１６）に対照して図示されている。それぞれ、半導体レーザのファーフィールドにおける強度が主放射方向において測定される放射角度αに対してプロットされている。
【００５２】
従来の半導体レーザは主放射方向にある唯一の強度最大値を、すなわちα＝０°のところに有している。これに対して本発明の半導体レーザのビームプロフィールは、それぞれほぼ１５０°の角度において主放射方向の両側に発生する２つの顕著な強度最大値を有している。すなわち内側の被覆層の僅かな厚さによって、比較的厚い内側の導波路層を有する従来の半導体レーザに比べてファーフィールドでのビームプロフィールが変化する。
【００５３】
この形式のビームプロフィールは、僅かなビーム幅が所望されている用途には不都合であるかもしれない。しかし、全体として５０°の放射角度領域において放出される積分強度は比較的厚い導波路層を有する従来の半導体レーザの場合よりも大きいことが分かっている。それ故に本発明の半導体レーザは、積分強度がビームプロフィールより大きな意味を持っている用途に殊に適している。
【００５４】
本発明は実施例に基づく説明に限定されるものではない。むしろ本発明は、すべての新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴のすべての組み合わせが含まれ、このことは、そのような特徴または組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていなくても同様である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例による端面発光形半導体レーザの横断面略図
【図２】従来の端面発光形半導体レーザと比較した、本発明の実施例の端面発光形半導体レーザのビームプロフィールのグラフィック表示図
【符号の説明】
【００５６】
１，２，３  レーザダイオード、  ４  トンネル接合、  ５  スタックド層、  ６  導波路層、  ７  内側の被覆層、  ８  外側の被覆層、  １０  バッファ層、  １１，１２，１３  活性帯域、  １４  コンタクト
【図１】
2008085339.tif 000003
【図２】
2008085339.tif 000004