(57)【要約】【課題】  長期信頼性を確保することができる記憶装置等を提供する。【解決手段】  本発明の記憶装置は、所定の電気パラメータが付与されて、記録媒体からデータを読み取る読み取り部と、前記読み取り部に付与された互いに大きさの異なる複数の前記所定の電気パラメータに対する前記読み取り部の所定の指標である複数の特性値を検出する特性検出部と、前記所定の電気パラメータと前記特性検出部により取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得部と、前記特性関係取得部により取得された特性関係に基づいて、前記読み取り部の異常の有無を判断する判断部とを備える。【選択図】  図１
2008159205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の電気パラメータが付与されて、記録媒体からデータを読み取る読み取り部と、
前記読み取り部に付与された互いに大きさの異なる複数の前記所定の電気パラメータに対する前記読み取り部の所定の指標である複数の特性値を検出する特性検出部と、
前記所定の電気パラメータと前記特性検出部により取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得部と、
前記特性関係取得部により取得された特性関係に基づいて、前記読み取り部の異常の有無を判断する判断部と
を備えてなる記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶装置において、
前記特性検出部は経時的に前記特性値を検出すると共に、前記特性関係取得部は経時的に検出された前記特性値に基づいて前記特性関係を経時的に取得し、
前記特性関係取得部は前記特性関係の経時変化に基づいて、前記読み取り部の異常を判断することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の記憶装置において、
前記特性関係は複数ポイントの前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の傾きであることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
記憶装置用ヘッドの異常検出方法であって、
複数の互いに大きさの異なる所定の電気パラメータを付与して、ヘッドにより記録媒体からデータを読み取る読み取りステップと、
前記読み取りステップにおいて付与された前記所定の電気パラメータに対する前記読み取り部の所定の指標である特性値を検出する特性検出ステップと、
前記所定の電気パラメータと前記特性検出ステップにより取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得ステップと、
前記特性関係取得ステップにより取得された特性関係に基づいて、前記読み取り部の異常の有無を判断する判断ステップと
を備えてなる記憶装置用ヘッドの異常検出方法。
【請求項５】
記憶装置用ヘッドの異常検出方法をコンピュータに実行させる異常検出プログラムであって、
複数の互いに大きさの異なる所定の電気パラメータを付与して、ヘッドにより記録媒体からデータを読み取る読み取りステップと、
前記読み取りステップにおいて付与された前記所定の電気パラメータに対する前記ヘッドの所定の指標である特性値を検出する特性検出ステップと、
前記所定の電気パラメータと前記特性検出ステップにより取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得ステップと、
前記特性関係取得ステップにより取得された特性関係に基づいて、前記読み取り部の異常の有無を判断する判断ステップと
をコンピュータに実行させる異常検出プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶装置、記憶装置用ヘッドの異常検出方法、異常検出プログラム等に係り、特に、例えばヘッドとしてトンネル効果型ＭＲヘッド（ＴｕＭＲヘッド）を備えて磁気ディスクなどの記録媒体から情報を読み取ることができる記憶装置、記憶装置用ヘッドの異常検出方法、異常検出プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
記憶装置として、例えば、ディスクトップ・パソコン、ノートブック、サーバ、ＡＶ機器、自動車製品等多種の製品へ近年使用されているＨＤＤにおいては、その記録密度の向上（面密度の向上）に伴い、線密度（ＢＰＩ）／転送速度が向上しており、近年ではそのテクノロジー向上のため、より高速転送向きの磁気ディスク用ヘッドが開発され、製品化されている。
【０００３】
その中の一つとしてトンネル効果を応用したＴｕＭＲヘッドが知られる（例えば特許文献１参照）。この磁気記録再生装置は、磁気再生ヘッドとしてのＴｕＭＲヘッドと、このＴｕＭＲヘッドに信号検出用の電流及び電圧を供給し、かつＴｕＭＲヘッドから得られた信号を増幅ないし加工する信号処理回路とを有する。信号処理回路で処理された検出信号のＳＮＲがＴｕＭＲヘッドの印加電圧の所定の範囲で最大値を有する場合は、ＴｕＭＲヘッドの駆動を電圧駆動回路で行い、それ以外の場合は、ＴｕＭＲヘッドの駆動を電流駆動回路で行うようにしたものである。かかるＴｕＭＲヘッドは、磁気記録再生装置における記録方式が水平記録であるか垂直記録であるかの如何にかかわらず、磁気記録再生装置の読み取りヘッドとしての主流をなしている。
【特許文献１】ＷＯ２００２／０９３５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このＴｕＭＲヘッドは、それが開発されてからの期間がまだ短く、品質検証時間の短縮をせざるを得ない今日の状況の中においては、製品寿命に対する長期信頼性についての課題を残している。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、例えばＴｕＭＲヘッドを読み取りヘッドとした記憶装置の長期信頼性を確保することができる記憶装置、ヘッドの異常検出方法、及び異常検出プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するため、本発明は、所定の電気パラメータが付与されて、記録媒体からデータを読み取る読み取り部と、前記読み取り部に付与された互いに大きさの異なる複数の前記所定の電気パラメータに対する前記読み取り部の所定の指標である複数の特性値を検出する特性検出部と、前記所定の電気パラメータと前記特性検出部により取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得部と、前記特性関係取得部により取得された特性関係に基づいて、前記読み取り部の異常の有無を判断する判断部とを備えてなるものである。
【０００７】
また、本発明の記憶装置において、前記特性検出部は経時的に前記特性値を検出すると共に、前記特性関係取得部は経時的に検出された前記特性値に基づいて前記特性関係を経時的に取得し、前記特性関係取得部は前記特性関係の経時変化に基づいて、前記読み取り部の異常を判断することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の記憶装置において、前記特性関係は複数ポイントの前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の傾きであることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、記憶装置用ヘッドの異常検出方法であって、複数の互いに大きさの異なる所定の電気パラメータを付与して、読み取り部により記録媒体からデータを読み取る読み取りステップと、前記読み取りステップにおいて付与された前記所定の電気パラメータに対する前記読み取り部の所定の指標である特性値を検出する特性検出ステップと、前記所定の電気パラメータと前記特性検出ステップにより取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得ステップと、前記特性関係取得ステップにより取得された特性関係に基づいて、前記読み取り部の異常の有無を判断する判断ステップとを備えてなる。
【００１０】
また、本発明は、記憶装置用ヘッドの異常検出方法をコンピュータに実行させる異常検出プログラムであって、複数の互いに大きさの異なる所定の電気パラメータを付与して、読み取り部により記録媒体からデータを読み取る読み取りステップと、前記読み取りステップにおいて付与された前記所定の電気パラメータに対する前記読み取り部の所定の指標である特性値を検出する特性検出ステップと、前記所定の電気パラメータと前記特性検出ステップにより取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得ステップと、前記特性関係取得ステップにより取得された特性関係に基づいて、前記読み取り部の異常の有無を判断する判断ステップとをコンピュータに実行させるものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、長期信頼性を確保することができる記憶装置、ヘッドの異常検出方法、及び異常検出プログラムを提供することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を記憶装置として磁気ディスク装置に例をとって説明する。
図１は、本発明の実施の形態における磁気ディスク装置（ＨＤＤ）１を示すブロック図である。このＨＤＤ１は、ＨＤＤの制御並びにＨＯＳＴ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅとの交信制御を行うプリント板回路ＰＣＡ２側に、主にインターフェース・プロトコル制御、データバッファ制御、ディスク・フォーマット制御を行うＨＤＣ（Hard Disc Controller）３と、後述するＨＤＣ、ＲＤＣ、ＳＶＣを制御すると共にＲＡＭ（Random  Access Memory）４、ＲＯＭ（Flash ROM）５を管理するＭＣＵ（Micro  Control Unit）６とを備える。また、データの書き込み／読み出し制御（データ変調／復調）を行うＲＤＣ（Read Chanel）７と、後述するＶＣＭ制御、ＳＰＭ制御を行うＳＶＣ（Servo Control IC）８とを備える。
【００１３】
また、ＨＤＤ１は、ディスク筐体９側にヘッドに対して書き込み動作及びヘッドからのリード動作等を行う固定アンプであり、ヘッドの本数（Ｎ）に応じてチャネルをもつプリアンプ（Pre Amprifier）１０を備えている。
【００１４】
プリアンプ１０においては、ライトドライバ（Write Driver）１１、ヒータドライバ（HEATER Driver）１２、リードプリアンプ（Read Preamplifier）１３とその制御回路１４を備えている。
【００１５】
また、このＨＤＤ１は、ヘッドを支えるアクチュエータの動作制御を行うボイスコイルモータ（Voice Coil Motor）ＶＣＭ１５と、データの書き込みが行われ記録保持される記録媒体（Media）である磁気ディスク１６を保持するスピンドル軸の回転制御を行うＳＰＭ(Spindle Motor)１７と、データの書き込み用ライトヘッドおよび読み出し用ＭＲヘッドをもつ複合型ヘッドであるヘッド１８とを備えている。実施の形態におけるＨＤＤ１は本発明の記憶装置に対応し、実施の形態におけるヘッドは本発明の読み取り部に対応している。そして、本発明の特性検出部と、特性関係取得部と、判断部とは、ヘッド１８、プリアンプ１０、ＲＡＭ４、ＲＯＭ５及びＭＣＵ６等により構成される。
【００１６】
本発明の実施の形態のＨＤＤは、自らヘッド（ＴｕＭＲ）不良判断を行い、製品出荷前に特性関係が閾値(所定範囲)を上回った場合、あるいはその特性関係が時間的に変動した場合に、それが製品出荷基準に満たないものとして、試験工程内で出荷対象から除去され得るようにしたものである。
なお、試験工程は、ヘッドの製造工程、ヘッドサスペンションアセンブリの部品状態における試験工程でも、ヘッドサスペンションアセンブリをアクチュエータアームに組み立てた後の試験工程など記憶装置の組み立て工程のどの段階であっても良い。従って、記憶装置に組み立てる前段階で異常なヘッドを除去することが可能である。それゆえ、高性能のヘッドを選別可能となり、選別された高性能のヘッドのみが記憶装置に搭載されることになり、記憶装置を高性能で信頼性が高い製品にすることが可能になる。
また本発明の実施の形態のＨＤＤは、製品出荷後においてもある定期的な監視を自ら行い、特性関係が閾値(所定範囲)を上回った場合、あるいはその特性関係が時間的に変動（経時変化）した場合に、異常をアラームで知らせるようにし、常に書き込みヘッドであるＴｕＭＲの信頼性を確保できるようにしたものである。
それゆえ、記録再生が出来なくなる前に、前もってヘッドの異常を通知することができ、ユーザは修理に出したりデータの退避を行うことができ、記憶装置の信頼性を向上させることが可能になる。
【００１７】
なお、製品出荷後における定期的な監視においては、電源がオンされる電源投入回数やアクセス回数を履歴として記録するようにし、この電源投入回数やアクセス回数が所定の回数に達するごとに行われ、経時変化が判断される。
【００１８】
以下、動作について説明する。
図２にＴｕＭＲヘッドに印加されるバイアス電圧（所定の電気パラメータ）Ｖｂと、ヘッドの抵抗値のモニター信号として出力される電圧（一つの特性値）ＢＨＶとの関係を示す。この場合、ヘッドの抵抗値Ｒｍｒ＝３５０［Ω］の場合を示している。
【００１９】
一般に磁気ディスク装置のヘッドを制御するヘッドＩＣ(Ｐｒｅ Ａｍｐ)は、式（１）で示されるようなモニター回路を有しており、ヘッドの抵抗値Ｒｍｒを測定するために使用される。
【００２０】
ＢＨＶ＝Ａ＊（Ｖｂ/Ｒｍｒ)      （１）
（Ａは固定ゲイン）
【００２１】
また、ある一定バイアス電圧を印加した場合には、図３に示すようなモニター電圧ＢＨＶとヘッド抵抗値Ｒｍｒの関係があり、このＢＨＶ電圧よりヘッド抵抗値を求めることが可能である。図３は、バイアス電圧２００[ｍＶ]時の関係を示している。
【００２２】
式（２）は、式（１）より逆算で求める場合を示している。
【００２３】
Ｒｍｒ＝Ａ＊（Ｖｂ/ＢＨＶ)        （２）
【００２４】
図３においてヘッド抵抗値Ｒｍｒ=３５０[Ω]の場合、ＢＨＶは約７４０[ｍＶ]を示しており、ＢＨＶの変化でＲｍｒの変化が検出できる。
【００２５】
本実施の形態では、上記の関係を使用することで、ヘッドの抵抗（特性値）とバイアス電圧（電気パラメータ）との関係（特性関係又は相関）を取得し、例えばヘッドの抵抗とバイアス電圧との関係を示す傾き、又はその傾きの経時変化を検出することで、異常の有無を判断し、異常があると判断された場合は、検出アラームを行うようにしたものである。
【００２６】
ヘッドの抵抗値は、素子の劣化等が発生しなければ、ほぼ一定の値のまま普遍である。しかしながら、その使用頻度においてその抵抗値が変化するものがある。モニター電圧ＢＨＶを監視することでヘッド抵抗値の経時変化を捉え、ある一定基準以内の変化率であるならば、正常使用可能として取り扱い、逆に基準以内に無いならば、異常状態としてアラーム検出を行うことで、単に傾きだけを検出して異常を判断する場合に比べ、異常検出における信頼性をより高めることができる。
【００２７】
この経時変化を用いる異常検出手段は、製品出荷工程内で初期状態を監視して、ヘッドの抵抗（特性値）とバイアス電圧との関係（特性関係）を取得しておき、さらに出荷試験終了後に再度（定期的に）傾きの測定を行うことで、製品出荷前に傾きの変化を検出して劣化検出を行うことができる。
【００２８】
次に、図４にヘッド抵抗値Ｒｍｒとある特定書き込み周波数でのその出力との関係を示している。特性関係における相関性は低いが、ヘッド抵抗値Ｒｍｒが大きいもの程出力電圧もまた大きくなる様相を呈している。一般的には出力値の大きいもの程ＳＮ比が良いのでそこから得られるエラーレイトも良いことが知られている。したがって、ヘッド抵抗値に変化があった場合には、そのヘッドに対するエラーレイトも影響を受け、変動するのが一般的である。
【００２９】
図５は、Ｐｒｅ ＡＭＰを介してヘッドにバイアス電圧Ｖｂを与えた場合のエラーレイトとの相関を示している。図中ＶＭＭとは、エラーレイトを簡易的に指標するモニター方法の値を示している。図５では、Ｖｂの変化に対してある一次相関の関係（特性関係）がある傾きを持って存在しているが、ヘッド抵抗値に変化が生じた場合、このような関係が保たれないことが判っている。なお、ＶＭＭ（Viterbi Metric Margin）はＣＳＭ（Channel Statistics Measurement）と呼ばれることがあるが、本明細書においては、ＶＭＭという用語をもちいることとする。ＶＭＭは２つのパスによるメトリック値の差がある閾値を下回った場合の数で定義され、１００セクタ（約４０万ビット）読み出し時の総和で与えられる。
【００３０】
よって、図５に示すように、このバイアス電圧と簡易エラーレイトモニターＶＭＭとの相関関係（特性関係）を取得し、まず、それが閾値を超える場合は、異常と判断すると共に、次に、異常と判断されない場合は、その初期値を保持しておき、時間の経過において、それが、ある一定基準を超えた場合には、経時変化による異常がヘッドに生じたものとしてアラームを出すようにすることができる。以下では特性値として、抵抗値に対応するＶＭＭを使用した場合について説明する。
【００３１】
なお、図５では、複数の互いに大きさの異なる所定の電気パラメータであるバイアス電圧Ｖｂの測定ポイント５点にてＶＭＭを測定した場合を示している。測定ポイントは任意で良く、傾きが求められる２ポイント以上あれば良い。
【００３２】
上記の場合は、傾きがΔ１〜Δ４の場合を示している。一般には、Δx (ｘ＝２〜n , nは整数）となる。このΔｘを傾きにおける（初期状態における）異常の有無の判断に用いるパラメータとすると共に、これらを傾きの経時変化による異常の有無の判断における初期値として格納しておき、ある閾値を設けて変化の有無を認識して、変化があった場合にはアラームを出力し、製品出荷前の試験工程で良否判断を行う。
【００３３】
また、製品出荷後のフィールド動作では、定期的に自動動作させることでユーザにアラームを上げることができるようにする。
【００３４】
以上の動作について、図６、図７のフローチャートを用いて説明する。図６は製品出荷前に行われる異常判断処理の動作を示すフローチャートである。
【００３５】
製品出荷試験が開始され（ステップＳ１）、電源が入ると（ステップＳ２）、所定の試験内容が実施され（ステップＳ３）、適宜本実施の形態の動作が開始される（ステップＳ４）。まず、測定するバイアス電圧について複数の電圧値（ポイント）が設定される（ステップＳ５）。各ポイントにおいてヘッド抵抗値に対応するＶＭＭ（特性値）が測定され（ステップＳ６）、各ポイントにおけるＶＭＭ値から傾きΔｘを求める（ステップＳ７）。次いで、各傾きを初期値としてメモリに格納すると共に（ステップＳ８）、傾きが基準内にあるか否か（所定の閾値を超えるか否か）が判断され（ステップＳ９）、傾きが基準内にないと判断された場合（ステップＳ９、Ｎ）は異常（不良）と判断し、アラームを出力する（ステップＳ１５）。傾きが基準内にあるあると判断された場合は異常がないものと判断する（ステップＳ９、Ｙ）。
【００３６】
次に、本実施の形態の試験と異なる試験が行われた後（ステップＳ１０）、再度ステップＳ５で定められた各ポイントに対するＶＭＭを測定し（ステップＳ１１）、ステップＳと７同様に傾きΔｘを求める（ステップＳ１２）。そして、求められた傾きと、ステップＳ７において得られた傾きとの差を求め、その差が所定の基準内にあるか否かが判断され、所定の基準内に無いと判断された場合（所定の閾値を超えると判断された場合）には（ステップＳ１３、Ｎ）、異常（不良）と判断し、アラームを出力する（ステップＳ１６）。所定の閾値を超えない場合は（ステップＳ１３、Ｙ）、異常がないものとして処理を終了する（ステップＳ１４）。
【００３７】
なお、ヘッドが複数ある場合は、各ヘッドに対して同様の異常判断処理が行われる。
【００３８】
次に製品出荷後における異常判断処理について説明する。図７は製品出荷後に行われる異常判断処理の動作を示すフローチャートである。
【００３９】
まず、電源投入がなされシステム動作が開始されると（ステップＳ２１）、ＨＤＤへのアクセス処理において、コマンドの受付処理でないアイドル時において（ステップＳ２２、（２３,Ｎ））、ヘッド（ＴｕＭＲヘッド）の異常判断処理が開始される（ステップＳ２４）。
【００４０】
なお、電源投入回数やアクセス回数についての履歴を保存しておき、それらが所定の回数（例えば電源投入回数が１００回、１０００回など）を超える場合のアイドル時に本処理を開始するようにしてもよい。
【００４１】
まず、図６のステップＳ５において定められた各ポイントに対するＶＭＭを測定し（ステップＳ２５）、各ＶＭＭ値から傾きΔｘを求め（ステップＳ２６）、メモリに格納する（ステップＳ２７）。そして、この傾きと、図６のステップＳ１２において得られた傾きとの差を求め、その差が所定の閾値を超えた場合（所定の基準内に無い場合）には（ステップＳ２８、Ｎ）、異常（不良）と判断し、アラームを出力する（ステップＳ３０）。所定の閾値を超えない場合は（ステップＳ２８、Ｙ）、異常がないものとして処理を終了する（ステップＳ２９）。
【００４２】
以下、図８〜図１２は、ステップＳ１３、Ｓ２９において、異常と判断される場合の例を示している。図中、測定点が黒丸により示されるグラフはステップＳ６において取得された特性値の初期値を示しており、測定点が四角により示されるグラフはステップＳ１１、ステップＳ２６において取得された特性を示している。
【００４３】
図８では、初期値に対して感度が敏感になり、バイアス電圧Ｖｂに対する傾きが急になる場合を示している。この場合、ある閾値内での変化であれば良いが、想定規格を超える場合にはアラーム対象となる。
【００４４】
図９は、全体的な平均傾きが右下がり特性（単調減少）から逆に右上がり特性（単調増加）に特性が変化した場合である。傾きの極性は逆になり、閾値を超えたとしてアラーム対象となる。
【００４５】
図１０は、バイアス電圧Ｖｂを変化させてＶＭＭ測定を行った場合に、測定毎にＶＭＭ特性が変動する場合を示している。この場合は、傾きの極性が＋と-が存在し、特性値（部分的な傾き）が変動していることが認識できる。よって、特性不安定なヘッドになるので、アラーム対象となる。
【００４６】
図１１と図１２は、単調減少から単調増加に変化した場合（部分的な平均傾きの極性が変化した場合）、及び逆に単調増加から単調減少に変化した場合した場合を示す。これらの場合もＴｕＭＲのＶｂに対する感度が変化したものであり、特性不安定なヘッドとしてアラーム対象となり得る。
【００４７】
以上のようにＴｕＭＲヘッドの初期特性を測定しておき、その後の動作においてある一定期間後に再度特性を再測定した場合に、その初期特性が変化していた場合、またある一定許容範囲を超えてしまったような場合には、ヘッドの感度特性が変化したものと認識できる。
【００４８】
このような状態になった場合には、ヘッドの特性に何らかの異常状態が発生したものと認識できるので、信頼性に問題あるものと考えられる。したがって、このように感度特性が変化したものは、実用に耐えうるものとは考えられないので、不良処置すべきものと判断される。
【００４９】
また、製品出荷後においてもアラームを発信することで、早めの交換処置等を行う一助とすることが可能となる。以上のように製品出荷前にはおいては、特性変化するものは事前に処理することが可能であり、また、製品出荷後においても特性変化を早期発見することで、信頼性の高い磁気ディスク装置を提供することが可能になる。
【００５０】
本実施の形態においては、磁気ディスク装置について説明したが本発明は、磁気ディスク装置以外のフレキシブルディスク、光磁気ディスク等の装置についても適用できることは言うまでもない。
【００５１】
なお、本実施の形態で図示したフローチャートやステップに示された各動作をコンピュータにより実行させるプログラムを提供することにより、本発明の電子文書管理プログラムを提供することができる。これらプログラムはコンピュータにより読取可能な媒体に記録されてコンピュータにより実行させることができる。コンピュータは、パーソナルコンピュータのようなホスト装置、試験装置のコントローラ、記憶装置のＭＰＵやＣＰＵのようなコントローラなどを含む。
ここで、コンピュータにより読取可能な媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスク、ＤＶＤディスク、光磁気ディスク、ＩＣカード等の可搬型記憶媒体や、コンピュータプログラムを保持するデータベース、或いは、他のコンピュータ並びにそのデータベースや、更に回線上の伝送媒体をも含むものである。
（付記１）  所定の電気パラメータが付与されて、記録媒体からデータを読み取る読み取り部と、
前記読み取り部に付与された互いに大きさの異なる複数の前記所定の電気パラメータに対する前記読み取り部の所定の指標である複数の特性値を検出する特性検出部と、
前記所定の電気パラメータと前記特性検出部により取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得部と、
前記特性関係取得部により取得された特性関係に基づいて、前記読み取り部の異常の有無を判断する判断部と
を備えてなる記憶装置。
（付記２）  付記１に記載の記憶装置において、
前記判断部は、前記特性関係取得部により取得された特性関係を定量化し、該定量化された関係が所定の閾値を超えることにより、前記読み取り部の異常を判断することを特徴とする記憶装置。
（付記３）  付記１に記載の記憶装置において、
前記特性検出部は経時的に前記特性値を検出すると共に、前記特性関係取得部は経時的に検出された前記特性値に基づいて前記特性関係を経時的に取得し、
前記特性関係取得部は前記特性関係の経時変化に基づいて、前記読み取り部の異常を判断することを特徴とする記憶装置。
（付記４）  付記１に記載の記憶装置において、
前記記憶装置は、磁気ディスク装置であり、前記読み取り部は磁気ヘッドであり、前記所定の電気パラメータはバイアス電圧であり、前記特性値は磁気ヘッドの抵抗値又はＶＭＭであることを特徴とする記憶装置。
（付記５）  付記１に記載の記憶装置において、
前記特性関係は複数ポイントの前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の傾きであることを特徴とする記憶装置。
（付記６）  付記５に記載の記憶装置において、
前記傾きは前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の部分的な傾きを用いることを特徴とする記憶装置。
（付記７）  付記５に記載の記憶装置において、
前記傾きは前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の平均傾きを用いることを特徴とする記憶装置。
（付記８）  付記１に記載の記憶装置において、
前記特性関係は前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の傾きの変化を用いることを特徴とする記憶装置。
（付記９）  付記１に記載の記憶装置において、
前記読み取り部は、トンネル効果型再生ヘッドであることを特徴とする記憶装置。
（付記１０）  記憶装置用ヘッドの異常検出方法であって、
複数の互いに大きさの異なる所定の電気パラメータを付与して、ヘッドにより記録媒体からデータを読み取る読み取りステップと、
前記読み取りステップにおいて付与された前記所定の電気パラメータに対する前記ヘッドの所定の指標である特性値を検出する特性検出ステップと、
前記所定の電気パラメータと前記特性検出ステップにより取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得ステップと、
前記特性関係取得ステップにより取得された特性関係に基づいて、前記ヘッドの異常の有無を判断する判断ステップと
を備えてなる記憶装置用ヘッドの異常検出方法。
（付記１１）  付記１０に記載の記憶装置用ヘッドの異常検出方法において、
前記判断ステップは、前記特性関係取得ステップにより取得された前記特性関係を定量化し、該定量化された関係が所定の閾値を超えることにより、前記ヘッドの異常を判断することを特徴とする記憶装置用ヘッドの異常検出方法。
（付記１２）  付記１０に記載の記憶装置用ヘッドの異常検出方法において、
前記特性検出ステップは経時的に前記特性値を検出すると共に、前記特性関係取得ステップは経時的に検出された前記特性関係に基づいて前記特性関係を経時的に取得し、
前記特性関係取得ステップは前記特性関係の経時変化に基づいて、前記ヘッドの異常を判断することを特徴とする記憶装置用ヘッドの異常検出方法。
（付記１３）  付記１０に記載の記憶装置用ヘッドの異常検出方法において、
前記記憶装置は、磁気ディスク装置であり、前記ヘッドは磁気ヘッドであり、前記所定の電気パラメータはバイアス電圧であり、前記特性値は磁気ヘッドの抵抗値又はＶＭＭであり、前記特性関係は前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の傾きであることを特徴とする記憶装置用ヘッドの異常検出方法。
（付記１４）  付記１０に記載の記憶装置用ヘッドの異常検出方法において、
前記特性関係は前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の傾きであることを特徴とする記憶装置用ヘッドの異常検出方法。
（付記１５）  付記１０に記載の記憶装置用ヘッドの異常検出方法において、
前記特性関係は前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の傾きの変化を用いることを特徴とする記憶装置用ヘッドの異常検出方法。
（付記１６）  記憶装置用ヘッドの異常検出方法をコンピュータに実行させる異常検出プログラムであって、
複数の互いに大きさの異なる所定の電気パラメータを付与して、ヘッドにより記録媒体からデータを読み取る読み取りステップと、
前記読み取りステップにおいて付与された前記所定の電気パラメータに対する前記ヘッドの所定の指標である特性値を検出する特性検出ステップと、
前記所定の電気パラメータと前記特性検出ステップにより取得される複数の特性値から前記所定の電気パラメータと前記特性値との関係を特性関係として取得する特性関係取得ステップと、
前記特性関係取得ステップにより取得された特性関係に基づいて、前記ヘッドの異常の有無を判断する判断ステップと
をコンピュータに実行させる異常検出プログラム。
（付記１７）  付記１６に記載の記憶装置用ヘッドの異常検出プログラムにおいて、
前記判断ステップは、前記特性関係取得ステップにより取得された前記特性関係を定量化し、該定量化された特性関係が所定の閾値を超えることにより、前記ヘッドの異常を判断することを特徴とする異常検出プログラム。
（付記１８）  付記１６に記載の異常検出プログラムにおいて、
前記特性検出ステップは経時的に前記特性値を検出すると共に、前記特性関係取得ステップは経時的に検出された前記特性値に基づいて前記特性関係を経時的に取得し、
前記特性関係取得ステップは前記特性関係の経時変化に基づいて、前記ヘッドの異常を判断することを特徴とする異常検出プログラム。
（付記１９）  付記１６に記載の異常検出プログラムにおいて、
前記記憶装置は、磁気ディスク装置であり、前記ヘッドは磁気ヘッドであり、前記所定の電気パラメータはバイアス電圧であり、前記特性値は磁気ヘッドの抵抗値又はＶＭＭであり、前記特性関係は前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の傾きであることを特徴とする異常検出プログラム。
（付記２０）  付記１６に記載の異常検出プログラムにおいて、
前記特性関係は前記所定の電気パラメータに対する前記特性値の傾きであることを特徴とする異常検出プログラム。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態における磁気ディスク装置（ＨＤＤ）を示すブロック図である。
【図２】ＴｕＭＲヘッドに印加されるバイアス電圧（所定の電気パラメータ）Ｖｂと、ヘッドの抵抗値のモニター信号として出力される電圧（一つの特性値）ＢＨＶとの関係を示す図である。
【図３】モニター電圧ＢＨＶとヘッド抵抗値Ｒｍｒの関係を示す図である。
【図４】ヘッド抵抗値Ｒｍｒとある特定書き込み周波数でのその出力との関係を示す図である。
【図５】Ｐｒｅ ＡＭＰを介してヘッドにバイアス電圧Ｖｂを与えた場合のバイアス電圧とエラーレイトとの相関を示す図である。
【図６】製品出荷前の異常判断処理の動作を示すフローチャートである。
【図７】製品出荷後の異常判断処理の動作を示すフローチャートである。
【図８】バイアス電圧とＶＭＭの特性関係を示し、異常と判断される場合の例（その１）を示す図である。
【図９】バイアス電圧とＶＭＭの特性関係を示し、異常と判断される場合の例（その２）を示す図である。
【図１０】バイアス電圧とＶＭＭの特性関係を示し、異常と判断される場合の例（その３）を示す図である。
【図１１】バイアス電圧とＶＭＭの特性関係を示し、異常と判断される場合の例（その４）を示す図である。
【図１２】バイアス電圧とＶＭＭの特性関係を示し、異常と判断される場合の例（その５）を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  磁気ディスク装置（ＨＤＤ）、２  プリント板回路、３  ＨＤＣ、４  ＲＡＭ、５  ＲＯＭ、６  ＭＣＵ、７  ＲＤＣ、８  ＳＶＣ、１０  プリアンプ、１８  ヘッド。
【図１】
2008159205.tif 000003
【図２】
2008159205.tif 000004
【図３】
2008159205.tif 000005
【図４】
2008159205.tif 000006
【図５】
2008159205.tif 000007
【図６】
2008159205.tif 000008
【図７】
2008159205.tif 000009
【図８】
2008159205.tif 000010
【図９】
2008159205.tif 000011
【図１０】
2008159205.tif 000012
【図１１】
2008159205.tif 000013
【図１２】
2008159205.tif 000014