(57)【要約】【課題】２００μｍ以下の超微細ピッチの端子を持つ電子部品も電子回路基板に内蔵できるようにする。リフロー工程時における熱応力により回路基板に内蔵された電子部品モジュール内の電子部品が破損するのを防止する。【解決手段】第１の樹脂層１１上に単数ないし複数の電子部品１４を搭載する。電子部品１４の周囲を囲むようにかつ電子部品１４の端子電極１４ａの表面を覆わないように、第１の樹脂層１１上に低弾性率かつ低熱膨張率の材料からなる第２の樹脂層１２を形成する。第２の樹脂層１２と電子部品１４上を感光性の第３の樹脂層１３で覆い、フォトリソグラフィ法で第３の樹脂層１３にビアホール１３ａを形成し、ビアホールを介して電子部品の端子電極１４ａから引き出された電極パッド１５を第３の樹脂層１３上に設ける。【選択図】図１
2008159973.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の樹脂層上に１個ないし複数の電子部品が搭載され、該電子部品は前記第１の樹脂層上に形成された第２の樹脂層内に収容されており、前記電子部品上および前記第２の樹脂層上は第３の樹脂層により被覆されており、前記電子部品の端子が、前記第３の樹脂層に開設されたビアホールを介して前記第３の樹脂層上に形成されたパッドと接続されている電子部品モジュールにおいて、前記第３の樹脂層が感光性樹脂により形成されていることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項２】
第１の樹脂層上に１個ないし複数の電子部品が搭載され、該電子部品は前記第１の樹脂層上に形成された第２の樹脂層内に収容されており、前記電子部品上および前記第２の樹脂層上は第３の樹脂層により被覆されており、前記電子部品の端子が、前記第３の樹脂層に開設されたビアホールを介して前記第３の樹脂層上に形成されたパッドと接続されている電子部品モジュールにおいて、前記第２の樹脂層を構成する樹脂材料の２５℃におけるヤング率（ＧＰａ）と熱膨張係数（ｐｐｍ／Ｋ）の積が３００以下であり、かつ、前記第３の樹脂層が感光性樹脂により形成され、該第３の樹脂層にはフォトリソグラフィ法により前記ビアホールが形成されていることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項３】
前記電子部品が表面実装タイプのチップ型受動部品であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品モジュール。
【請求項４】
前記電子部品がシリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板または樹脂基板上に形成された単数もしくは複数の受動素子が形成された複合受動部品、または、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板または樹脂基板上に複数の受動素子が絶縁層を介して多層に形成された集積化受動部品であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品モジュール。
【請求項５】
前記電子部品が金属箔に形成された受動素子を単数もしくは複数個含む受動部品であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品モジュール。
【請求項６】
前記ビアホールの内面が少なくとも銅を含む１種類以上の金属でめっきされていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項７】
前記ビアホール内が導電性ペーストにより充填されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項８】
前記第１の樹脂層の厚さが５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項９】
前記第２の樹脂層の表面と、前記電子部品または前記受動部品の端子表面との高低差が２０μｍ以内であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１０】
前記感光性樹脂がエポキシ系、フェノールエポキシ系、ポリイミド系またはベンゾシクロブテンであることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１１】
前記電子部品の端子のピッチが、前記第３の樹脂層上に形成されたパッドのピッチより狭いことを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の電子部品モジュールが内蔵され、当該電子部品モジュールの第３の樹脂層上に形成された前記パッドと基板の表面に形成されたパッドとが一段ないし多段に形成されたビアホールを介して接続されていることを特徴とする部品内蔵回路基板。
【請求項１３】
前記電子部品モジュールを覆う樹脂が、フィラーを含有していることを特徴とする請求項１２に記載の部品内蔵回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品モジュールおよびこれを内蔵した部品内蔵回路基板に関し、より詳しくは電子部品を樹脂層内に埋設した電子部品モジュールおよびその電子部品モジュールを内蔵した回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器においては、その機能の多機能化、高度化に伴って基板に実装すべき電子部品の数は増加の一途をたどっている。例えば携帯機器においては、以前は単一の周波数だけを通信に用いていたが、近年複数の周波数帯を使うようになって着ており、これに伴って無線回路、アンテナが複数必要になり、その分、使用される電子部品は増加する。一方で電子部品を搭載する基板の面積には制限があるため、使用する電子部品が増加し続けると基板に実装しきれなくなる事態が起こる。そのような問題に対して、近年、増加する電子部品の一部を電子回路基板内部に内蔵しようとする試みが広く行われている。いわゆる部品内蔵である。
部品内蔵の手法は次の２種類に大きく分類できる。
１）電子部品埋め込み
２）厚膜素子作りこみ
１）は既存の電子部品を直接電子回路基板に内蔵する技術、２）は電子回路基板の製造プロセスの途中で厚膜ないし薄膜からなる機能素子を形成し、その後ビルドアッププロセスで機能素子を内蔵する方法である。１）は既に実現されている特性を有する電子部品をそのまま内蔵できるという大きな利点があることから、近年多くの技術が検討され、開示されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、コア部材とコア部材を覆う樹脂層と、前記コア部材の表裏を貫通して前記コア部材に形成された無底穴とを備え、前記無底穴に電子部品を実装して用いられる、前記コア部材の表裏面を除く面（端面）が前記樹脂で覆われていない露出部を設けたことを特徴とする複合多層基板が開示されている。また、特にこのコア部材が金属であることが特徴であるとも記載されている。そして、コア部材を覆う樹脂層にはレーザビームによって小穴が開孔されこの小穴を介して層間接続がおこなわれている。特許文献１に記載された複合多層では、金属コアの露出部を端子として利用することにより高周波信号の転送ロスを低減することができる特徴がある。
また、特許文献２には、熱可塑性樹脂中に電気素子が配置され、当該電気素子の電極が、接続材料の充填された接続ビアホールを介して、導体パターンと電気的に接続されてなるプリント基板において、前記熱可塑性樹脂は、複数の樹脂板を積層して上下両面から加圧・加熱することにより相互に接着して構成され、積層方向における前記電気素子の上面及び下面には、前記加圧・加熱時において、前記電気素子の積層方向の傾き、前記接続材料の充填された接続ビアホールの座屈、及び前記導体パターンの積層方向の傾きを規制する位置に、少なくとも前記接続ビアホールを含む前記接続材料の充填された複数のビアホールが面しているプリント基板が記載されている。この方法によると、電気素子の回転方向の応力を低減乃至無くすように接続材料の充填されたビアホールが追加されているため、座屈及び導体パターンの傾きが生じにくくなり、電気素子と導体パターンとの間の接続信頼性が向上する。また、接続ビアホールは、樹脂フィルムにレーザビーム照射、ドリル加工あるいはパンチ加工を行ってビアホールを形成し、これに導電性ペーストを充填するにより形成される。
また、特許文献３には、半導体素子をフリップチップ実装した複数の基板を積層して基板間を電気的に接続し、複数の基板が熱硬化性樹脂を少なくとも含むエポキシ、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂組成物で接着され、熱硬化性樹脂組成物の内部に設けたインナービアを介して電気的接続がなされ、半導体素子の実装面と反対側の面に熱硬化性樹脂組成物よりも低い弾性率である低弾性材料が密着し、かつ該低弾性材料が前記半導体素子に対向する基板に密着しており、基板で挟まれた内部に前記半導体素子が内蔵されている半導体装置が開示されている。インナービアは、熱硬化性樹脂組成物にレーザビームを照射しまたはパンチングを行って貫通穴を形成し、導電性ペーストを充填することによって形成される。この技術によると、低弾性率樹脂によって半導体素子を封止した後に熱硬化性樹脂組成物の積層・一体化が行われるため、電子回路基板内の空隙を低減させることができ熱硬化性樹脂組成物を一体化する際の電子回路基板の熱変形を低減させることが可能になる。
さらに、特許文献４には、パターン回路の凹凸を埋め込むことができる流動性を備えた感光性フィルムを用いたプリント配線板に関して記載されている。この感光性フィルムは１〜６０μｍの厚みを有し、その厚みの５０〜９５％の厚さのパターン回路を覆っても埋め込んだ側の反対側表面に形成される凹凸の高低差が５μｍ以下であるとされている。
【特許文献１】特開２００４−１４６４１９号公報
【特許文献２】特開２００６−１２１００５号公報
【特許文献３】特開２００６−１２０９３５号公報
【特許文献４】特開２００４−１４３３００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
而して、従来、電子部品を内蔵するコア基板表面から電子部品の端子電極に直接レーザでビアホールを開孔し、電子部品の端子をビアホールを介してコア基板表面に引き出し、さらにコア基板の表面から通常のビルドアップ工程を経て基板の表面配線と接続する、あるいは電子回路基板表面から直接、内蔵された電子部品にビアホールを形成して表面配線と接続する、等の方法が採られてきた。しかし、レーザビームを用いて開孔する場合ビアホール径は最も小さいものでφ５０μｍ程度、ランド径は最低７５μｍ程度とする必要があるので、２００μｍ以下のピッチの端子電極を持つ電子部品の内蔵は困難である。
また、電子部品が破損しないように、コア基板を剛性の高い金属とした場合には、同一体積の樹脂コア層に比較してその密度が大きいので、特に携帯機器においては電子回路基板全体の重量増が問題となる可能性もある。一方で、電子部品を基板に内蔵工程で加わる応力および熱応力の軽減を目的として、電子部品を内蔵するためのビルドアップ樹脂の弾性率を下げた場合には、電子回路基板全体の強度に懸念が残る。
本発明の課題は上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、第１に、２００μｍ以下の超微細ピッチの端子を持つ電子部品と、電子回路基板表面のパッドとの接続をできるだけ小さいインダクタンスで可能とする電子部品モジュールを提供することであり、第２に、回路基板の強度を十分に高く維持しつつ、その中に内蔵された電子部品がリフロー工程時などの際に加わる熱応力によって損傷を受けることのないようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するため、本発明によれば、第１の樹脂層上に１個ないし複数の電子部品が搭載され、該電子部品は前記第１の樹脂層上に形成された第２の樹脂層内に収容されており、前記電子部品上および前記第２の樹脂層上は第３の樹脂層により被覆されており、前記電子部品の端子が、前記第３の樹脂層に開設されたビアホールを介して前記第３の樹脂層上に形成されたパッドと接続されている電子部品モジュールにおいて、前記第３の樹脂層が感光性樹脂により形成されていることを特徴とする電子部品モジュール、が提供される。
【０００６】
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、第１の樹脂層上に１個ないし複数の電子部品が搭載され、該電子部品は前記第１の樹脂層上に形成された第２の樹脂層内に収容されており、前記電子部品上および前記第２の樹脂層上は第３の樹脂層により被覆されており、前記電子部品の端子が、前記第３の樹脂層に開設されたビアホールを介して前記第３の樹脂層上に形成されたパッドと接続されている電子部品モジュールにおいて、前記第２の樹脂層を構成する樹脂材料の２５℃におけるヤング率（ＧＰａ）と熱膨張係数（ｐｐｍ／Ｋ）の積が３００以下であり、かつ、前記第３の樹脂層が感光性樹脂により形成され、該第３の樹脂層にはフォトリソグラフィ法により前記ビアホールが形成されていることを特徴とする電子部品モジュール、が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の電子部品モジュールでは、平坦な基板上に電子部品を１個ないし複数個搭載し、電子部品表面以外を樹脂で覆い、さらに電子部品表面と該樹脂の表面を感光性樹脂で覆った後にフォトリソグラフィ法を用いてビアホールを開孔し導電性パターンを形成することで、電子部品の端子電極のピッチがレーザビームによって形成されたビアホールでは接続できないような２００μｍ以下であっても、電子部品の端子電極を該感光性樹脂表面に引き出して端子間隔（パッド間隔）を広げることが可能になり、電子回路基板に内蔵してもレーザビームで開孔したビアホールを介して端子電極を電子回路基板表面に引き出すことができるようなピッチにまで拡げることができる。これによって端子電極が１個の部品上に複数個、狭ピッチで形成されたアレイ素子や薄膜プロセスでシリコン基板上に複数個作り込まれ、超微細ピッチの端子電極を持つ集積化受動素子であっても、電子回路基板に内蔵することが可能になる。また数多くの受動部品を１モジュール化することで、電子回路基板に内蔵するときの工数を大幅に削減することも可能になる。
また、電子部品を覆う樹脂の弾性率と熱膨張係数の積を一定値以下にすることで、回路基板に他の電子部品を実装するためのリフロー工程によって内蔵電子部品にかかる熱応力を小さくし、信頼性の高い電子部品モジュールを提供することができる。また、電子部品を覆う樹脂と、部品内蔵回路基板を構成する樹脂を同一ではなく、電子部品周囲を低弾性樹脂、基板を構成する樹脂を高弾性樹脂にすることで、高強度でかつ熱応力耐性の高い部品内蔵回路基板を提供することができる。つまり、電子部品モジュールを内蔵した部品内蔵回路基板のコア層ないしビルドアップ層を構成する樹脂にフィラーを含有した樹脂を用いることで、電子部品にかかる応力を小さくしたまま、部品内蔵基板全体の強度を十分に高くすることが可能になる。
【０００８】
本発明によれば、電子部品として受動部品に適用した場合には、次の効果も期待できる。ＬＳＩのような能動部品は第１の樹脂層に搭載する個数は１個ないし多くても２〜３個であるのに対して、ＬＣＲのような受動部品は数十個単位で搭載することも想定される。その場合は上記の効果に加え、数多くの部品を１モジュールにすることで部品内蔵工程における部品搭載の手間が大幅に削減することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の電子部品モジュールの第１の実施の形態を示す断面図である。図１に示すように、本実施の形態の電子部品モジュール１０では、表面が平坦な第１の樹脂層１１に表面実装型の電子部品１４が搭載され、接着樹脂によって固定されている。第１の樹脂層１１の厚さには特に制限はないが、本発明の電子部品モジュール１０を回路基板に内蔵する場合を考慮すると２０μｍ〜５０μｍ程度の厚さであることが望ましい。電子部品１４は、最も小さいもので現在入手できる最小である０４０２サイズ（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍ）である。厚い方には特に上限はないが、３２１６サイズ（３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍ）程度が作りやすさの点から限界であると思われる。したがって電子部品１４の厚さは０．２ｍｍ〜１．６ｍｍの範囲であると言える。
そして電子部品１４の側面全てが第２の樹脂層１２によって覆われている。ここで第２の樹脂層１２の表面と電子部品１４の表面は同じ高さになっており、電子部品１４の上表面は第２の樹脂層１２覆われていない。さらに第２の樹脂層１２および電子部品１４の上に感光性の第３の樹脂層１３が形成されている。
第２の樹脂層として好ましい物性値は、以下の理由から、２５℃におけるヤング率（ＧＰａ）と熱膨張係数（ｐｐｍ／Ｋ）の積が概ね３００以下の条件を満足する範囲とした。内蔵された電子部品に加わる内部応力σ（ＭＰａ）は、室温から２００℃付近までの熱膨張係数をα（ｐｐｍ／Ｋ）、ヤング率（弾性率）をＥ（ＧＰａ）、室温をＴ１、リフロー温度をＴ２としたときに下記（１）式で表すことができる。
【００１０】
【数１】
2008159973.tif 000003
【００１１】
2008159973.tif 000004
【００１２】
ここで電子部品として強度の低い方に分類されるガラスの曲げ強度を基準にする。ガラスの曲げ強度が概ね１００ＭＰａなので、内部応力としては曲げ強度の約７割以下（＝約７０ＭＰａ）であることが望ましい。Ｔ１を２０℃、Ｔ２を、非鉛はんだを用いたときのリフローを想定して２６０℃とする。内蔵された電子部品にかかる内部応力の見積もりを容易にするために、（１）式を（２）式のように簡素化すると、α・Ｅ＝３００（（ｐｐｍ／Ｋ）・ＧＰａ）のとき、内蔵された電子部品にかかる内部応力σが７２ＭＰａとなる。したがってこの程度の値を、内蔵された電子部品にはんだリフローの熱履歴が加わっても内部応力で破壊されない値と見なすことができる。
第３の樹脂層１３にはフォトリソグラフィ法によって形成されたビアホール１３ａが開設されており、ビアホール１３ａの内部にはめっき法によって銅が充填されている。但し、ビアホール１３ａの内部全てに銅が充填されている必要はなく、ビアホール１３ａの内壁面だけめっきされている構造でも構わない。またビアホール１３ａに銀などの金属粒子を含有した導電性ペーストで充填されている構造でも構わない。
本発明の電子部品モジュールは、電子部品１４の端子電極１４ａがビアホール１３ａを介して第３の樹脂層１３の表面のパッド電極１５に引き出された構造である。
【００１３】
図２は、本発明の第１の実施の形態である電子部品モジュールの製造方法を示す工程順の断面図である。まず１５０ｍｍ角程度で厚さ０．５〜０．８ｍｍの、表面が平滑な銅板１６を用意する。代わりにガラス板あるいは６インチφのシリコンウエハであっても構わない。また大きさもこのサイズよりも大きくても小さくても構わないが、作業性が失われない範囲で調整することが望ましい。
次に、銅板１６の上に第１の樹脂層を形成するためのワニスを供給し、スピンコーティング法によって必要な厚さとした後に乾燥、キュア工程を経て第１の樹脂層１１を形成する〔図２（ａ）〕。第１の樹脂層を形成する材料には、ワニスとして入手できるポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂が望ましい。スピンコーティング法を選んだのは第１の樹脂層が高精度に平坦に形成することができるからである。スピンコーティング法の他にカーテンコート法のようなコーティング法でも構わない。またワニスで入手できなくても、表面が平坦でさえあれば、液晶ポリマ、ＦＲ４のプリプレグのような樹脂シートを銅板の上に圧着することで第１の樹脂層としても差し支えない。
次に、端子電極１４ａを有する電子部品１４を所定の位置に搭載し、接着剤で固定する〔図２（ｂ）〕。接着剤が厚いと電子部品表面の平坦性が失われるため、なるべく薄く形成できる接着剤が望ましい。例えばアンダーフィル樹脂などが好適である。次に、シート状の樹脂材の、電子部品に対応する箇所に予め金型等で穿孔した樹脂シート１２ａを用意し、必要な枚数の樹脂シート１２ａを積層する〔図２（ｃ）〕。電子部品より若干高くなるように積層した後、熱圧着して第２の樹脂層１２を形成する。その後、電子部品１４の表面が露出するまで第２の樹脂層１２を研磨することで電子部品１４と第２の樹脂層１２の表面のレベルを一致させる〔図２（ｄ）〕。研磨以外の方法、例えば酸素プラズマアッシャーなどで樹脂を除去しても構わない。その場合は樹脂を過剰に除去する可能性もあるが、電子部品の表面と第２の樹脂層表面のレベル差が２０μｍを超えないようにしないと、次工程で感光性樹脂を一様に塗布することが困難になる。
【００１４】
次に、電子部品１４と第２の樹脂層１２の上に感光性の樹脂をスピンコーティング法で塗布して、第３の樹脂層１３を形成する〔図２（ｅ）〕。第３の樹脂層１３の厚さはスピンコーティング法で形成できる範囲であって１μｍ〜３０μｍ程度が望ましい。第３の樹脂層１３をベークした後、露光、現像を行なって、第３の樹脂層１３に電子部品の端子電極１４ａの表面を露出させるビアホール１３ａを開孔し、その後にキュアする〔図２（ｆ）〕。次に、めっき下地層となるＴｉ／Ｃｕをスパッタ法で堆積し、フォトリソグラフィ法により形成すべき導電性パターンの形状の開口を有するレジスト膜を形成しこれをマスクに電解銅めっきを行なって、ビアホール内を銅で充填すると共に第３の樹脂層１３上にパッド電極１５を形成する。そして、レジスト膜を除去し露出しためっき下地層をエッチング除去する〔図２（ｇ）〕。めっき下地層は、活性化処理と無電解めっきによって形成するようにしてもよい。また、全面的に電解めっきにより厚膜の銅層を形成した後、フォトエッチング法によりパターニングを行なってパッド電極を形成するようにしてもよい。次いで、銅板１６をエッチングにより除去する〔図２（ｈ）〕。ベース基板に銅板ではなくガラスやシリコンを用いた場合は、エッチングよって除去することができないので、物理的に第１の樹脂層１１から上の層を剥がすことになる。同一樹脂層に複数の電子部品モジュールを作り込んだ場合には、樹脂層１１〜１３を所定位置で切断して個々の電子部品モジュールに切り出す。
【００１５】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の電子部品モジュールの第２の実施の形態を示す断面図である。図３において、第１の実施の形態を示す図１の部分と同等の部分には一桁が共通する参照記号を付し、重複する説明は省略する。本実施の形態の電子部品モジュール２０は、第１の実施の形態の電子部品モジュールと電子部品を除いてそれ以外の構成は同等である。本実施の形態において、電子部品２４の表面には端子電極２４ａがマトリックス状に配置されており、端子電極２４ａの一部が開口するように電子部品２４の表面にはカバー樹脂膜２４ｂが形成されている。ここで第２の樹脂層２２の表面は電子部品２４のカバー樹脂膜２４ｂの表面と高さが一致している。電子部品２４の端子電極２４ａは、第３の樹脂層２３上のパッド電極２５へと引き出されており、そのピッチがレーザビーム開孔に適合し得る程度に広げられている。
【００１６】
（第３の実施の形態）
図４は、本発明の電子部品モジュールの第３の実施の形態を示す断面図である。図４において、第１の実施の形態を示す図１の部分と同等の部分には一桁が共通する参照記号を付し、重複する説明は省略する。本実施の形態の電子部品モジュール３０は、第１、第２の実施の形態と電子部品を除いてそれ以外の構成は同等である。本実施の形態の電子部品モジュール３０において、電子部品３４は、シリコン基板３４ｃ上に形成された薄膜多層集積化受動素子である。具体的にはシリコン基板３４ｃ上（第１層）に薄膜キャパシタ３４ｄが形成され、第２層に薄膜抵抗３４ｅが形成され、第３層にスパイラルインダクタ３４ｆが形成され、最表面（第４層）に端子電極３４ａが形成されている。電子部品３４の表面は電極パッドの一部上に開口したカバー樹脂膜３４ｂで覆われている。薄膜キャパシタ３４ｄ、薄膜抵抗３４ｅ、スパイラルインダクタ３４ｆおよび端子電極３４ａは絶縁層３４ｇによって絶縁され、絶縁層３４ｇに形成されたマイクロビアホール３４ｈによって電気的に接続されている。
【００１７】
（第４の実施の形態）
図５は、本発明の電子部品モジュールの第４の実施の形態を示す断面図である。図５において、第１の実施の形態を示す図１の部分と同等の部分には一桁が共通する参照記号を付し、重複する説明は省略する。本実施の形態の電子部品モジュール４０は、第１ないし第３の実施の形態と電子部品を除いてそれ以外の構成はは同等である。本実施の形態の電子部品４４は、下部電極となる厚さ約２５μｍのアルミニウム箔４４ａと、アルミニウム箔４４ａ表面の必要箇所を陽極酸化法によって酸化させて形成した酸化アルミニウム膜４４ｂと、アルミニウムをスパッタして形成した上部電極４４ｃおよび下部電極端子４４ｄと、素子表面に形成されたパッシベーション膜４４ｅとからなる。パッシベーション膜４４ｅは上部電極４４ｃ、下部電極端子４４ｄの一部のみ開口している。電子部品４４は総厚が３０〜５０μｍと薄いので強度上の問題が懸念される。そのため、第１の樹脂層４１に強度向上を目的としてフィラー入りの樹脂を使うことが望ましい。
【００１８】
（第５の実施の形態）
図６に第１の実施の形態の電子部品モジュール１０を内蔵した部品内蔵回路基板の断面図を示す。プリプレグを積層し、加熱・加圧して形成してコア基板５１上に電子部品モジュール１０を搭載し接着・固定する。電子部品モジュール１０に対応する部位を穿孔したプリプレグをコア基板５１上に積層し、加熱・加圧することでコア基板５１と一体化したコア基板５２を形成する。レーザビームを照射してコア基板５２にパッド電極１５の表面を露出させるビアホール５２ａを形成した後、めっき法によってビアホール５２ａを充填する導電性ポストを形成すると共にコア基板５２表面にランド５３を形成する。ビアホールを充填する導電性ポストはめっき銅により形成することが望ましいが、銀等の金属を含有する導電ペーストでビアホール５２ａを充填した後に導電ペーストをスクリーン印刷法で供給してランド５３を形成するようにしてもよい。コア基板５１、５２は基板の強度を高めるためにフィラーを含むプリプレグを用いて形成されている。次に、一体化して表面をメタライズしたコア基板の上下に、プリプレグを積層し、加熱・加圧することでビルドアップ樹脂層５４を形成する。その後、レーザビームを照射して樹脂層５４にビアホール５４ａを開孔し、めっき法でビアホール内壁面をメタライズすると共に樹脂層５４表面にランド５５を形成する。最後に必要に応じてスルーホール５６を開孔し、スルーホール５６内壁面をめっきによりメタライズする。ビルドアップ樹脂層５４を形成するための樹脂材料も、コア基板５１、５２と同様にフィラーを含んでいることが、強度上望ましい。フィラーはガラスクロスである場合が多い。ガラスクロスを含んだＦＲ４からなるプリプレグの弾性率は室温で２０〜３０ＧＰａ、熱膨張率は約３０ｐｐｍ／Ｋである。したがって第１の実施の形態で説明した、第２の樹脂層の選定の際に用いた、弾性率（ＧＰａ）と熱膨張係数（ｐｐｍ／Ｋ）の積に当てはめると、コア基板５１、５２や樹脂層５４を構成する樹脂における積は６００〜９００になる。つまり第２の樹脂層には、コア基板５１、５２およびビルドアップ樹脂層５４を構成する樹脂は不適当ということになる。本発明の部品内蔵回路基板によると、電子部品は低弾性率・低熱膨張係数樹脂内に配置されており、その低弾性率・低熱膨張係数の樹脂層は機械的強度の高い高弾性率樹脂基板により包囲されているということである。
【００１９】
以上好ましい実施の形態について説明したが本発明はこれら実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能なものである。例えば、図６に示した実施の形態では、第１の実施の形態の電子部品モジュール１０を内蔵していたがこれに代え第２〜第４の実施の形態の電子部品モジュール２０ないし４０を内蔵するようにしてもよい。また、電子部品モジュールの第３の樹脂層は、必ずしもワニス状の材料を用いて形成する必要はなくフィルム状の樹脂材を用いて形成するようにしてもよい。さらに、第３の樹脂層は、必ずしも感光性である必要はなく非感光性の材料を用いてフォトエッチング法によりこれにビアホールを開孔するようにしてもよい。この場合には、第２の樹脂層が若干電子部品上を覆うことが許容される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施の形態の電子部品モジュールの断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態の電子部品モジュールの製造工程を示す工程順の断面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態の電子部品モジュールの断面図。
【図４】本発明の第３の実施の形態の電子部品モジュールの断面図。
【図５】本発明の第４の実施の形態の電子部品モジュールの断面図。
【図６】本発明の第５の実施の形態の電子部品モジュールを内蔵した部品内蔵基板の断面図。
【符号の説明】
【００２１】
１０、２０、３０、４０  電子部品モジュール
１１、２１、３１、４１  第１の樹脂層
１２、２２、３２、４２  第２の樹脂層
１２ａ  樹脂シート
１３、２３、３３、４３  第３の樹脂層
１３ａ、２３ａ、３３ａ、４３ａ  ビアホール
１４、２４、３４、４４  電子部品
１４ａ、２４ａ、３４ａ  端子電極
１５、２５、３５、４５  パッド電極
１６  銅板
２４ｂ、３４ｂ  カバー樹脂膜
３４ｃ  シリコン基板
３４ｄ  薄膜キャパシタ
３４ｅ  薄膜抵抗
３４ｆ  スパイラルインダクタ
３４ｇ  絶縁層
３４ｈ  マイクロビアホール
４４ａ  アルミニウム箔
４４ｂ  酸化アルミニウム膜
４４ｃ  上部電極
４４ｄ  下部電極端子
４４ｅ  パッシベーション膜
５１、５２  コア基板
５２ａ、５４ａ  ビアホール
５３、５５  ランド
５４  ビルドアップ樹脂層
５６  スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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