(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィー法で使用される露光装置等、電気光学装置の製造に使用される装置の解像度等の計時変化を検知することが可能な電気光学装置及び検査方法を提供すること。【解決手段】本発明の電気光学装置は、第１電極と第２電極が平行配置された電極対であって、前記第１電極と前記第２電極の間隔が前記電極対毎に異なっている複数組の電極対（５１ａ〜５１ｆ）と、共通端子５３と、複数個の個別端子５５ａ〜５５ｆと、前記複数組の電極対のうちの一方側の電極と前記共通端子との間を接続するための第１配線５２ａ〜５２ｆと、前記複数組の電極対のうちのそれぞれの他方側の電極と前記複数個の個別端子との間を接続するための第２配線５４ａ〜５４ｆとを備えたことを特徴とする。【選択図】図７
2008107794.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極が平行配置された電極対であって、前記第１電極と前記第２電極の
間隔が前記電極対毎に異なっている複数組の電極対パターンと、
共通端子パターンと、
複数個の個別端子パターンと、
前記複数組の電極対のうちの一方側の電極と前記共通端子との間を接続するための第１
配線パターンと、
前記複数組の電極対のうちのそれぞれの他方側の電極と前記複数個の個別端子との間を
接続するための第２配線パターンとを備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記電極対は、前記第１電極と前記第２電極の夫々の形状がくし歯形状であり、くし歯
部分が互いに離間して対向配置されたくし歯状電極対であることを特徴とする請求項１に
記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記それぞれの電極対は、導電性パターン上に設けられた絶縁膜を介して前記導電性パ
ターンと交差するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置
。
【請求項４】
前記それぞれの電極対は、導電性パターン上に設けられた絶縁膜及び半導体層を介して
前記導電性パターン及び半導体層と交差するように形成されていることを特徴とする請求
項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記電極対は、前記第１、第２電極が互いに蛇行するように配設されていることを特徴
とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記導電性パターンと同時に形成される第１パターンと、前記第１パターン上に積層さ
れる絶縁膜と、前記半導体層と同時に形成されると共に前記第１パターンと重なるように
前記絶縁膜上に形成される第２パターンと、前記電極対と同時に形成されると共に前記第
２パターン上を複数回横断するように配置された金属パターンと、前記金属パターンの両
端に配置された端子を有することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
導電性の第３電極と、前記第３電極上に積層される絶縁膜と、前記第３電極と少なくと
も1部分が重なるように前記絶縁膜上に形成された導電性の第４電極と、第３電極の一端
に配置された端子と、第４電極の一端に配置された端子とを有し、前記第３電極と前記第
４電極の一方の電極は前記電極対と同時に形成されることを特徴とする請求項１に記載の
電気光学装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の電気光学装置を用い、共通端子と複数個の個別端子と
の間の短絡の有無を検知することによって解像度を検知することを特徴とする検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィー法で使用される露光装置等、電気光学装置の製造に使
用される装置の解像度等の計時変化をモニタリングするための検査用パターンを備えた電
気光学装置及び検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等の電気光学装置の基板は、一般にフォトリソグラフィー法により製造さ
れている。このフォトリソグラフィー法は、基板上に形成された半導体膜、金属膜ないし
絶縁膜の表面にフォトレジストを塗布し、所定のパターンが形成されたフォトマスクと露
光装置を用いてフォトレジストを露光し、その後に現像することによって所定のパターン
のフォトレジストを形成し、更にフォトレジストで被覆されていない部分の半導体膜、金
属膜ないし絶縁膜をエッチングすることにより所定のパターンの半導体膜、金属膜ないし
絶縁膜を形成する方法である。
【０００３】
このフォトリソグラフィー法は電気光学装置用基板の様々な製造工程で使用されている
が、このフォトリソグラフィー法で使用される露光装置の解像度の劣化は、製造された電
気光学装置用基板のばらつき、故障等につながるため、製造工程管理が必要である。しか
しながら、現在までの露光装置の解像度の劣化の管理は、製造された製品の検査を行うこ
とによって統計的に露光装置の解像度の劣化の傾向をつかむか、あるいは露光装置のメン
テナンスの際に性能を確認することにより行われているのみであり、製造工程時に露光装
置の解像度の劣化の傾向や異常が発生する前兆を自動的に検知することは実質的に行われ
ていなかった。
【０００４】
例えば、下記特許文献１には、半導体集積回路装置の製造方法及びフォトマスクの製造
方法の発明に関し、フォトマスクのパターン形成領域内に、そのパターン形成領域内のパ
ターンの配置位置を測定するための位置測定用パターンを複数分散させて配置し、このフ
ォトマスクを用いて半導体ウエハの主面上に所定のパターンを転写した後にこのパターン
の配置位置を測定することによって集積回路パターンの重ね合わせ精度を向上させるよう
になしたものが開示されているが、露光装置の解像度の変動等を検知することを示唆する
記載はない。
【０００５】
また、下記特許文献２には、薄膜トランジスタの評価方法ないし作製方法の発明に関し
、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等による観察を行うことなくＴＦＴと同時に作製されたＴ
ＥＧ（評価用単体素子群）の電気的特性を測定することによって半導体素子製造用のマス
クのアライメントズレを評価するものが開示されているが、露光装置の解像度の変動等を
検知することを示唆する記載はない。
【特許文献１】特開２００１−２０１８４４号公報（特許請求の範囲、段落［００４５］〜［００４８］、図４、図５）
【特許文献２】特開２００４−２１４６３８号公報（特許請求の範囲、段落［００１３］〜［００２１］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のように、従来は液晶表示装置の製造工程時に露光装置の解像度の劣化の傾向や異
常が発生する前兆を自動的に捉えることが行われていなかったため、露光装置の異常に気
付いたときには多量の規格外の液晶表示装置の製造が行われてしまい、液晶表示装置の製
造工程に大きな混乱を引き起こすというような問題点が生じていた。このような点は、露
光装置を使用してパターンを形成する場合のみならず、インクジェット方法若しくはプリ
ント方法によってパターンを形成する場合においても同様である。
【０００７】
本発明はこのような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、その第１の
目的は、露光装置等、電気光学装置の製造に使用される装置の解像度等の計時変化を監視
して異常が発生する前兆を捉えることができる露光装置等の解像度を検査する検査用パタ
ーンを備えた電気光学装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の第２の目的は、前記検査用パターンを備えた基板を用いて自動的に露光
装置等、電気光学装置の製造に使用される装置の解像度等の計時変化を検知することがで
きる検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記第１の目的を達成するため、本発明の電気光学装置は、第１電極と第２電極が平行
配置された電極対であって、前記第１電極と前記第２電極の間隔が前記電極対毎に異なっ
ている複数組の電極対パターンと、
共通端子パターンと、
複数個の個別端子パターンと、
前記複数組の電極対のうちの一方側の電極と前記共通端子との間を接続するための第１
配線パターンと、
前記複数組の電極対のうちのそれぞれの他方側の電極と前記複数個の個別端子との間を
接続するための第２配線パターンとを備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、上記電気光学装置において、前記電極対は、前記第１電極と前記第２
電極の夫々の形状がくし歯形状であり、くし歯部分が互いに離間して対向配置されたくし
歯状電極対であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、上記電気光学装置において、前記それぞれの電極対は、導電性パター
ン上に設けられた絶縁膜を介して前記導電性パターンと交差するように形成されているこ
とを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、上記電気光学装置において、前記それぞれの電極対は、導電性パター
ン上に設けられた絶縁膜及び半導体層を介して前記導電性パターン及び半導体層と交差す
るように形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、上記電気光学装置において、前記電極対は、前記第１、第２電極が互
いに蛇行するように配設されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、上記電気光学装置において、前記導電性パターンと同時に形成される
第１パターンと、前記第１パターン上に積層される絶縁膜と、前記半導体層と同時に形成
されると共に前記第１パターンとを重なるように前記絶縁膜上に形成される第２パターン
と、前記電極対と同時に形成されると共に前記第２パターン上を複数回横断するように配
置された金属パターンと、前記金属パターンの両端に配置された端子を有することを特徴
とする。
【００１５】
また、本発明は、上記電気光学装置において、導電性の第３電極と、前記第３電極上に
積層される絶縁膜と、前記第３電極と少なくとも1部分が重なるように前記絶縁膜上に形
成された導電性の第４電極と、第３電極の一端に配置された端子と、第４電極の一端に配
置された端子とを有し、前記第３電極と前記第４電極の一方の電極は前記電極対と同時に
形成されることを特徴とする。
【００１６】
更に、上記第２の目的を達成するため、本発明の検査方法は、前記いずれかの本発明の
電気光学装置を用い、共通電極と複数個の個別端子との間の短絡の有無を検知することに
よりパターン解像度を検知することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、上記の構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する。す
なわち、本発明の電気光学装置によれば、各種の配線パターン（以下、検査用パターンと
いう）を形成することにより、例えば露光装置等、電気光学装置の製造に使用される装置
の解像度等の計時変化を検知することが可能となるため、フォトリソグラフィー法によっ
て例えば液晶表示装置等を製造する際に適宜露光装置の解像度の劣化の傾向等を知ること
ができるようになる。また、例えば液晶表示装置のアレイ基板に上述の検査用パターンを
形成する場合、このアレイ基板上には液晶駆動用の種々の配線が施されているので、これ
らの配線形成時に検査用パターンを同時形成することが可能となるので、製造工程数の増
加を抑えることができる。
【００１８】
また、本発明の電気光学装置によれば、第１電極と第２電極が平行配置された電極対で
あって、前記第１電極と前記第２電極の間隔が前記電極対毎に異なっている複数組の電極
対パターンと、共通端子パターンと、複数個の個別端子パターンと、前記複数組の電極対
のうちの一方側の電極と前記共通端子との間を接続するための第１配線パターンと、前記
複数組の電極対のうちのそれぞれの他方側の電極と前記複数個の個別端子との間を接続す
るための第２配線パターンとを備える検査用パターンが設けられているため、共通端子と
複数個の個別端子との間の短絡の有無を検知することにより、自動的に露光装置等により
作製されたパターンの解像度を評価することができるとともに、経時的に露光装置等によ
り作製されたパターンの解像度の変動をモニタリングすることができるようになる。
【００１９】
すなわち、複数組のくし歯状電極対はそれぞれくし歯状電極対のくし歯部分の間隔がく
し歯電極対毎に異なっているため、この間隔を露光装置等のメンテナンスが必要とされる
解像度近傍で複数段階に定めておくと、露光装置等の解像度の劣化が進行するに従って最
も間隔の狭いくし歯状電極対から順番に短絡が生じる。したがって、全てのくし歯状電極
対に短絡が生じていなければパターン解像度に劣化が生じていないことが分かり、また、
短絡が生じているくし歯状電極対から露光装置の解像度の劣化の度合いがわかるため、更
には短絡が生じているくし歯状電極対の変動を経時的に追跡することによって露光装置等
のメンテナンスが必要な時期が予測できる。そのため、従来例のような露光装置等の突然
の劣化に起因する規格外の製品を多量に製造してしまうというような一連の製造工程に大
きな混乱を引き起こすことがなくなる。
【００２０】
また、本発明の電気光学装置によれば、露光装置等を用いて各種回路が形成される基板
、例えば液晶表示装置に用いられる基板は導電性部材や半導体部材等が絶縁膜を介して多
層構造に形成されているし、しかも、平坦な面上に形成される層をパターニングするとき
と段差がある面上に形成される層をパターニングするときでは解像の精度が異なるので、
より製品の構造に近い条件での露光装置等の解像度の評価を行うことができるようになる
。
【００２１】
また、本発明の電気光学装置によれば、露光装置等を用いて各種回路が形成される、例
えば液晶表示装置に用いられる基板は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられている物が
多いが、このＴＦＴは一般にゲート電極上に絶縁膜を介して半導体層が形成された構成を
備えているため、製品、すなわちこのようなＴＦＴが設けられた液晶表示装置等の構造に
近い条件での露光装置等の解像度の評価を行うことができるようになる。
【００２２】
また、本発明の電気光学装置によれば、第１、第２電極を蛇行するように配設すること
で、この第１、第２電極が複数の方向に延在する。これにより、基板上にこの検査用パタ
ーンを露光装置等でパターニングする際、この露光装置の露光方向に対する依存性を確認
することが可能となる。すなわち、露光方向の依存性に左右されることなく露光装置等の
解像度の評価を行うことができるようになる。
【００２３】
また、本発明の電気光学装置によれば、金属パターンの導通状態を確認することで、そ
の基板上に形成される各種配線等が断線を起こしている可能性があるかどうかの確認がで
きる。つまり金属パターンは第１パターン及び第２パターンを横切るように配置されてお
り、意図的に段差部分を横切るように形成することによって、基板上に形成される配線等
のなかでも断線を起こしやすい状態で形成されている。従って、もし、この金属パターン
が断線していたら、その基板上の他の配線も断線している可能性が高いことになり、効率
よく検査ができる。
【００２４】
また、本発明の電気光学装置によれば、第３電極と第４電極が絶縁膜を介して少なくと
も部分的に重なるように配置されているため、絶縁破壊不良を検知することができる。露
光機の照射条件により各種配線などの形成膜とレジスト材との密着性が異なってくる。こ
の形成膜とレジスト材との密着性が高くなりすぎると、エッチング液が浸透せず、形成膜
の側面が逆テーパー形状になってしまう。２つの導電層が絶縁膜を介して積層されるとき
、下の導電層が逆テーパー形状になると、その導電層上の絶縁膜がきれいに成膜できず、
上の導電層との間で絶縁破壊不良を起こしやすくなる。本発明では、こうした絶縁破壊不
良が起きやすい構造の検査電極を形成し、この電極間の導通状態を確認することで絶縁破
壊不良が生じやすいかどうかの確認ができ、もし、第３電極と第４電極との間で短絡が起
きていた場合、そのパネル上の構成物にも同様の絶縁破壊不良が生じている可能性が高い
ことが把握できる。
【００２５】
また、本発明の検査方法によれば、単に検知プローブを共通電極と複数の個別端子に当
接させるのみで簡単かつ自動的に露光装置の解像度を評価することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の電気光学装置及び検査方法を実施するための最良の形態を液晶表示装置
の場合を例にとって図面を参照しながら詳細に説明するが、以下に述べる各実施形態は本
発明をここに記載したものに限定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の
範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得る
ものである。
【００２７】
なお、図１は本発明に係る液晶表示装置の概略平面図であり、図２は図１のII−II線に
沿った模式断面図であり、図３は図１の液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表
した１画素分の概略平面図であり、図４は図３のIV−IV線断面図である。更に、図５及び
図６は図１の液晶表示装置の１画素分の製造工程を順に追って説明する断面図である。な
お、図５及び図６はいずれも図３のIV−IV線において切断した断面の状態を示すものであ
る。
【００２８】
この液晶表示装置１０はアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを備えている。ア
レイ基板ＡＲのガラス等の透明基板からなる第１基板１１は、表示領域１２に走査線及び
信号線がマトリクス状に形成されており、走査線と信号線で囲まれる部分に画素電極が形
成され、走査線と信号線の交差部近傍に画素電極と接続されたスイッチング素子としての
薄膜トランジスタが形成されている。これら各配線や薄膜トランジスタ、画素電極の具体
的な構成は以下において別途詳細に説明するが、図２ではこれらを模式的に第１構造物１
３として示してある。
【００２９】
なお、第１基板１１の短辺部には液晶表示装置１０を駆動するためのドライバＩＣ１４
が配置されている。なお、中型ないし大型の液晶表示装置の場合、ドライバＩＣ１４は別
途フレキシブル配線基板等に搭載されて第１基板１１に電気的に接続される場合もある。
また、第１基板１１の隅には複数（図１では４個）のトランスファ電極１５が設けられて
いる。このトランスファ電極１５は走査線等を形成する工程と同一工程で形成され、走査
線と同じ素材で構成されている。このトランスファ電極１５はコモン線１６を介して互い
に直接接続ないしはドライバＩＣ１４内で互いに接続されて同電位となるようになってい
る。また、走査線はゲート配線１７に接続され、信号線はソース配線１８に接続されて、
これらのゲート配線１７及びソース配線１８によって走査線及び信号線はドライバＩＣ１
４と電気的に接続されている。
【００３０】
なお、図１ではゲート配線１７を第１基板１１の長辺側及びソース配線１８を第１基板
１１の短辺側に配置した例を示したが、この配置を逆にする場合もある。また、ドライバ
ＩＣ１４は、短辺部のみに配置されるのではなく、長辺部に配置される場合もある。
【００３１】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、ガラス等の透明基板からなる第２基板２０上にカラ
ーフィルタ層と、ブラックマトリクスが形成されている。カラーフィルタ層は第１基板１
１の画素電極と対向するように配置されるとともに各画素に応じたフィルタ層が設けられ
、ブラックマトリクスは少なくとも第１基板１１の走査線や信号線に対応する位置に配置
されている。これらカラーフィルタ層等の具体的な構成は省略するが、図２ではこれらを
模式的に第２構造物２１として示してある。また、第２基板２０には更に酸化インジウム
、酸化スズ等で構成された透明電極からなる対向電極２２が少なくとも表示領域１２の全
域に亘って形成されている。
【００３２】
シール材２３は、第１基板１１の表示領域１２の周囲を液晶注入口（図示せず）を除い
て塗布されており、また、トランスファ電極１５上には図示しないコンタクト材が塗布さ
れて対向電極２２と電気的に接続されている。このシール材２３は例えばエポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂に絶縁性粒体のフィラを混入したものであり、コンタクト材はシール材と
同様の樹脂に粒状の導電体を混入したものである。そして、両基板間には液晶２４が封入
されている。
【００３３】
そして、この液晶表示装置１０においては、アレイ基板ＡＲの第１基板１１上の表示領
域１２外の各種配線が設けられていない部分（図１では左下側の破線丸印で囲んだ部分）
に、本発明の露光装置の解像度検査用パターンが形成されている。なお、この露光装置の
解像度検査用パターンについては以下において別途詳細に説明する。
【００３４】
ここで、液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲの１画素分の具体的構成を図３及び図４を
用いて説明する。この液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲの表示領域１２（図１参照）に
は、マトリクス状に形成された複数本の走査線３１及び信号線３２と、これらの複数本の
走査線３１間に設けられた走査線３１と平行な複数本の補助容量線３３及び補助容量電極
３３ａと、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、及び半導体層３４とからなる
薄膜トランジスタＴＦＴと、走査線３１と信号線３２とで囲まれた領域を覆う画素電極３
５と、が設けられている。なお、ＴＦＴの半導体層３４としては通常ポリシリコン（ｐ−
Ｓｉ）又はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等が用いられている。
【００３５】
ここで、上述の液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲの構成をアレイ基板ＡＲの製造工程
を順を追って示した図５及び図６を参照しながら説明する。先ず、図５Ａに示すように、
透明基板１１上に所定厚のアルミニウム、モリブデン、クロムあるいはこれらの合金から
なる導電物質層３６を成膜する。そして、図５Ｂに示すように、周知のフォトリソグラフ
ィー法を用いてパターニングすることによりその一部をエッチングにより除去し、横方向
に伸びる複数本の走査線３１と、これら複数本の走査線３１の間の補助容量線３３と、走
査線３１から伸びるゲート電極Ｇと、補助容量線３３の一部を幅広とすることにより補助
容量電極３３ａとを形成するとともに、液晶表示装置１０の表示領域１２の周囲に少なく
ともゲート配線１７（図１参照）を形成する。なお、図５Ｂには、ゲート電極Ｇと補助容
量電極３３ａのみが示されている。
【００３６】
次に、前記工程によって走査線３１と補助容量線３３が形成された透明基板１１上を覆
うように所定厚さの第１層目の絶縁膜３７を成膜する。この第１層目の絶縁膜３７として
は窒化硅素などからなる透明な無機絶縁物が用いられる。次いで、図５Ｄに示すように、
フォトリソグラフィー法によりこの第１層目の絶縁膜３７の補助容量電極３３ａ上に位置
する部分のみエッチングにより除去する。
【００３７】
また、上記工程が完了した後、図５Ｅに示すように、透明基板１１上を覆うように第1
層目の絶縁膜３７より薄肉な第２層目の絶縁膜３８を成膜する。この第２層目の絶縁膜３
８は第1層目の絶縁膜３７及び前述のエッチングにより第1層目の絶縁膜３７が除去された
補助容量電極３３ａ上に成膜されるので、走査線３１及びゲート電極Ｇは第1層目の絶縁
膜３７と第２層目の絶縁膜３８の両方によって被覆され、この２層膜でゲート絶縁膜を構
成する。そして補助容量電極３３ａは第２層目の絶縁膜３８によってのみ被覆されている
ために補助容量が極めて大きくなる。なお、この第２層目の絶縁膜３８の材料としては窒
化硅素ないし酸化硅素から形成される。
【００３８】
次に、図５Ｆに示すように、この第２層目の絶縁膜３８上にシリコン層、例えばａ−Ｓ
ｉを成膜する。そして、図５Ｇに示すように、フォトリソグラフィー法によりゲート電極
Ｇを覆う部分を残してａ−Ｓｉ層をエッチングにより除去し、ＴＦＴの一部となる半導体
層３４を形成する。そして同様の手法により、図６Ａに示すように、透明基板１１上に導
電物質を成膜し、フォトリソグラフィー法により走査線３１に直交する方向に延びる複数
本の信号線３２、この信号線３２から延設され半導体層３４に接続されるソース電極Ｓ、
及び、補助容量電極３３ａ上を覆うとともに一端が半導体層３４に接続されるドレイン電
極Ｄをパターニングする。これにより、透明基板１１の走査線３１と信号線３２との交差
部近傍にはスイッチング素子となるＴＦＴが形成される。なお、このとき表示領域１２の
周囲にソース配線１７（図１参照）も同時に形成する。
【００３９】
更にまた、図６Ｂに示すように、これらの各種配線を覆うように透明基板１１上に表面
の安定化のための無機絶縁材料からなる保護絶縁膜３９を成膜し、続いて、図６Ｃに示す
ように、アレイ基板ＡＲの表面を平坦化するための有機絶縁材料からなる層間膜４０を成
膜する。そして、フォトリソグラフィー法により、この層間膜４０の補助容量電極３３ａ
上に位置する部分に後述する画素電極３５とドレイン電極Ｄとを電気的に接続するための
コンタクトホール４１を形成する穴を設けるとともに、図６Ｄに示すように、層間膜４０
に形成された穴から露出している無機絶縁材料からなる保護絶縁膜３９を取り除く。次い
で、表面全体にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電性膜を形成した後に、図６
Ｅに示すように、フォトリソグラフィー法により走査線３１及び信号線３２によって囲ま
れた１画素領域ごとにＩＴＯからなる画素電極３５を形成する。以上の工程によりアレイ
基板ＡＲが製造される。
【００４０】
このように、アレイ基板ＡＲの製造工程においては多くのフォトリソグラフィー法が適
用されているため、露光装置の解像度の劣化が生じると規格外のアレイ基板ＡＲないしは
液晶表示装置１０が製造されてしまうことになるため、露光装置の解像度の評価を行う必
要が生じる。そこで、本発明では、上記のアレイ基板ＡＲの製造時に同時に露光装置の解
像度検査用パターン（図１参照）を形成している。そこで、以下においては、液晶表示装
置のアレイ基板ＡＲ上に形成した露光装置の解像度検査用パターンについて実施例により
説明することとする。
【実施例１】
【００４１】
実施例１に係る露光装置の解像度検査用パターン５０Ａの平面図を図７に示す。この露
光装置の解像度検査用パターン５０Ａは、平坦な面の上に形成されたものであり、図５Ａ
の工程において透明基板１１の表面全体に導電物質層３６を形成した後、図５Ｂの工程に
おいてフォトリソグラフィー法によってゲート電極Ｇ、補助容量線３３、補助容量電極３
３ａ及びゲート配線１７（図１参照）と同時に形成される。
【００４２】
この露光装置の解像度検査用パターン５０Ａは、それぞれ５本のくし歯部分を備える一
対のくし歯状電極がそれぞれのくし歯部分が互いに一定間隔だけ離間して配置された６組
のくし歯状電極対５１ａ〜５１ｆを備えている。ここでは、それぞれのくし歯状電極対５
１ａ〜５１ｆのくし歯部分の間隔は、それぞれ順に１μｍ〜６μｍまで１μｍずつ異なら
せている。そして、それぞれのくし歯状電極対５１ａ〜５１ｆの一方側のくし歯状電極は
それぞれ第１配線５２ａ〜５２ｆによって共通端子５３に電気的に接続されており、また
、それぞれのくし歯状電極対５１ａ〜５１ｆの他方側のくし歯状電極はそれぞれ第２配線
５４ａ〜５４ｆによってそれぞれ独立した個別端子５５ａ〜５５ｆに電気的に接続されて
いる。
【００４３】
この露光装置の解像度検査用パターン５０Ａ製造用のマスクは、ポジ型のフォトレジス
トを使用する場合は図７に示したのと同様のパターンであってそれぞれのくし歯状電極対
５２ａ〜５２ｆ、第１配線５２ａ〜５２ｆ、共通端子５３、第２配線５４ａ〜５４ｆ及び
個別端子５５ａ〜５５ｆの部分が遮光されるパターンを備えているものを使用し、逆にネ
ガ型レジストを使用する場合はポジ型のフォトレジスト用のマスクとは逆の部分が遮光さ
れるパターンを備えているものを使用すればよい。
【００４４】
この実施例１の露光装置の解像度検査用パターン５０Ａは、それぞれのくし歯状電極対
５１ａ〜５１ｆのくし歯部分の間隔はそれぞれ順に１μｍ〜６μｍまで１μｍずつ異なっ
ているものとしたため、共通端子５３とそれぞれの個別端子５５ａ〜５５ｆのいずれかと
の間の短絡の有無を検知することにより露光装置の解像度をモニタリングすることが可能
となる。
【００４５】
すなわち、共通端子５３とそれぞれの個別端子５５ａ〜５５ｆとの間の全てに短絡が認
められなければ、露光装置の解像度は１μｍ以下であって高精度であることが確認できる
。しかしながら、例えば共通端子５３と個別端子５５ｃとの間で短絡が認められた場合、
くし歯状電極対５１ｃのくし歯部分の間隔は３μｍであるので、通常は共通端子５３と個
別端子５５ａ（くし歯部分の間隔及び、くし歯部分の幅：１μｍ）との間及び共通端子５
３と個別端子５５ｂ（くし歯部分の間隔及び、くし歯部分の幅：２μｍ）との間にも短絡
が認められ、露光装置の解像度は３μｍを越えているために精度が落ちていることが確認
できる。なお、液晶表示装置の製造工程では、静電破壊の有無を検知するため等、各種短
絡検知手段が設けられているから、このような短絡検知用パターンを本発明の露光装置の
解像度検知用に適用することは容易に行うことができる。
【００４６】
したがって、露光装置の解像度が６μｍ以上となった場合には露光装置のメンテナンス
を行うものと定められている場合、共通端子５３とそれぞれの個別端子５５ａ〜５５ｆと
の間の短絡状態を経時的に追跡していけば、どの程度時間が経過したらメンテナンスが必
要となるかが予測できるので、露光装置の解像度劣化に起因する規格外の液晶表示装置を
多量に製造してしまうというような液晶表示装置の製造工程に大きな混乱を引き起こすこ
とがなくなる。
【００４７】
なお、実施例１の解像度検査用パターン５０Ａでは、６個のくし歯状電極対５１ａ〜５
１ｆを使用し、それぞれのくし歯状電極対５１ａ〜５１ｆのくし歯部分の間隔及び、くし
歯部分の幅が１μｍ〜６μｍまで１μｍずつ異ならせたものとしたが、このくし歯状電極
対の数及びくし歯部分の間隔は必要とされる露光装置の精度に応じて当業者が適宜に定め
ることができる。
【００４８】
くし歯状電極対の数は、１つだと露光装置の解像度が所定の精度を超えて劣化したこと
は分かるがいつ所定の精度を超えて劣化するかは予測できないため、少なくとも２つは必
要である。くし歯状電極対の数は、多ければより正確に露光装置の解像度が所定の精度を
超えるかを予測することができるが、各液晶表示装置に直接配設する為、あまり多くても
露光装置の解像度検査用パターンを設けるために広い面積が必要となるので、２個程度が
好ましい。
【００４９】
また、くし歯状電極対のくし歯部分の間隔は、製造すべき液晶表示装置の種類によって
適宜変更されるものである。例えば、プリント配線基板用の配線形成用としては、くし歯
部分の最大間隔は１０〜５０μｍ程度とすることもでき、液晶表示装置のゲート配線ない
しソース配線用パターンでは、液晶表示装置のサイズによっても変化するが、くし歯部分
の最大間隔として１〜１０μｍ程度の範囲で選択される。更に、半導体集積回路製造用途
では、くし歯部分の最大間隔としてより小さい数値を採用すればよい。
【実施例２】
【００５０】
実施例１の露光装置の解像度検査用パターン５０Ａは平坦な面の上に成膜される導電層
で形成されたものであるが、実際の液晶表示装置は複数の導電層や絶縁層を積層した多層
構造となっており、多層構造の上層は下層によって生じる段差上に積層されるケースがあ
り、平坦な面に形成された層と段差上に形成された層では露光装置を用いてパターニング
した仕上がりに差が生じる。平坦な面に形成された層の方が設計値に沿った形状になり、
段差などがある面の上に形成された層は設計値から外れた形状になりやすい。そこで、実
施例２の露光装置の解像度検査用パターン５０Ｂは、多層構造の上層に導電層で形成した
。この実施例２の露光装置の解像度検査用パターン５０Ｂの構成を図８及び図９を用いて
説明するが、図７に示した実施例１の露光装置の解像度検査用パターン５０Ａと同一の構
成部分については同一の参照符号を付与してその詳細な説明を省略する。なお、図８は実
施例２の露光装置の解像度検査用パターン５０Ｂの平面図であり、図９は図８のIX−IX線
に沿った断面図である。
【００５１】
実施例２の露光装置の解像度検査用パターン５０Ｂが実施例１の露光装置の解像度検査
用パターン５０Ａと構成が相違している点は、２本の平行に延びるストライプ状の導電性
パターン５６の表面に絶縁膜５８を介してアモルファスシリコン層５７が設けられており
、このアモルファスシリコン層５７及び絶縁膜５８の表面にそれぞれのくし歯状電極対５
１ａ〜５１ｆのくし歯部分が形成されている点にある。例えば、表示領域のＴＦＴでは、
ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極と積層され、ソース・ドレ
イン電極などは複雑な段差のある面上に形成されている。解像度検査用パターン５０Ｂは
多層構造の下層の構成をＴＦＴ等と同等の層構成にした面上に形成されるので、パターニ
ングの仕上がりが設計値から外れやすい条件での検査をすることができ、実際の表示領域
内の構造物の状態に沿った状況を把握することができる。
【００５２】
このストライプ状の導電性パターン５６は、図５Ａの工程において透明基板１１の表面
全体に導電物質層３６を形成した後、図５Ｂの工程においてフォトリソグラフィー法によ
ってゲート電極Ｇ、補助容量線３３、補助容量電極３３ａ及びゲート配線１７と同時に形
成される。そして、この導電性パターン５６の表面は、図５Ｃ〜図５Ｅの工程においてゲ
ート絶縁膜（３７、３８）に対応する絶縁膜５８で被覆される。なお、図５Ｃ〜図５Ｅの
工程においてはゲート絶縁膜を複層構造とした例が示されているが、図９においては単層
で示した。
【００５３】
次いで、絶縁膜５８の表面にストライプ状のアモルファスシリコン層５７を形成する。
このアモルファスシリコン層５７は、図５Ｆの工程において絶縁膜５８の表面全体に亘っ
てアモルファスシリコン層を形成した後に、図５Ｇの工程においてフォトリソグラフィー
法によってＴＦＴの半導体層３４の形成と同時に形成される。なお、ここではストライプ
状のアモルファスシリコン層５７の幅を導電性パターン５６よりも幅を狭くした例を示し
たが、これに限らず導電性パターン５６と同じ幅としても、更には導電性パターン５６よ
りも幅広としても良い。
【００５４】
次いで、アモルファスシリコン層５７及び絶縁膜５８の表面にくし歯状電極対５１ａ〜
５１ｆのくし歯部分が位置するように、くし歯状電極対５１ａ〜５１ｆを形成するととも
に、第１配線５２ａ〜５２ｆ、共通端子５３、第２配線５４ａ〜５４ｆ及び個別端子５５
ａ〜５５ｆも同時に形成することにより、実施例２の露光装置の解像度検査用パターン５
０Ｂが得られる。なお、実施例２におけるくし歯状電極対５１ａ〜５１ｆ、第１配線５２
ａ〜５２ｆ、共通端子５３、第２配線５４ａ〜５４ｆ及び個別端子５５ａ〜５５ｆの形成
は、図６Ａの工程においてＴＦＴのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ、信号線３２、及び
、ソース配線１８（図１参照）の形成と同時に形成される。
【００５５】
このようにして形成された実施例２の露光装置の解像度検査用パターン５０Ｂのモニタ
リング方法は、図７に示した実施例１の露光装置の解像度検査用パターン５０Ａの場合と
同様であるので、その具体的方法の説明は省略する。同じく、実施例２の露光装置の解像
度検査用パターン５０Ｂ製造用のマスクは、導電性パターン５６及びアモルファスシリコ
ン層５７の形成用のマスクが別途必要となるが、その他の部分の形成用マスクは実施例１
の露光装置の解像度検査用パターン５０Ａ製造用のマスクと同じパターンのものが使用さ
れるので、このマスクの具体的説明も省略する。
【００５６】
なお、実施例２の露光装置の解像度検査用パターン５０Ｂにおいては、アモルファスシ
リコン層５７はＴＦＴ形成部を模するために設けられたものであるため、特にＴＦＴ形成
部における露光装置の解像度をモニタリングする必要がなければ、設ける必要はない。そ
の場合は、くし歯状電極対５１ａ〜５１ｆを導電性パターン５６上に設けられた絶縁膜５
８の表面に直接くし歯状電極対５１ａ〜５１ｆのくし歯部分が位置するように形成すれば
よい。この場合は、液晶表示装置１０の走査線３１ないし補助容量線３３と信号線３２と
の交差部分を模することになる。
【００５７】
また、実施例２の露光装置の解像度検査用パターン５０Ｂにおいてはそれぞれのくし歯
状電極対５１ａ〜５１ｆのくし歯部分の下部には２本の平行に延びるストライプ状の導電
性パターン５６が位置するようにした例を示したが、ストライプ状の導電性パターン５６
は、２本を超えてもよく、あるいは１本だけであってもよい。
【実施例３】
【００５８】
実施例１の露光装置の解像度検査用パターン５０Ａは平坦な面上に形成されたものであ
り、実施例２の露光装置の解像度検査用パターン５０Ｂは多層構造の上層に形成されたも
のであるが、両者を同時に形成することも可能である。実施例３では、両者を備えた露光
装置の解像度検査用パターン６０を作製した。この実施例３の露光装置の解像度検査用パ
ターン６０を図１０〜図１３を用いて説明する。なお、図１０は実施例３の露光装置の解
像度検査用パターン６０の平面図であり、図１１は図１０のＸ部分の拡大図であり、図１
２は図１０のＹ部分の拡大図であり、また、図１３は実施例３で使用するマスクのパター
ンを示す図である。
【００５９】
実施例３の露光装置の解像度検査用パターン６０は、それぞれ５本のくし歯部分を備え
る一対のくし歯状電極がそれぞれのくし歯部分が互いに一定間隔だけ離間して配置された
５組の単膜用のくし歯状電極対６１ａ〜６１ｅと、同じく５組の多層膜用のくし歯状電極
対６１ｆ〜６１ｊを備えている。なお、平坦な面上に形成された電極対を単膜用と表現し
、段差のある面上に形成された電極対を多層膜用と表現する。ここでは、実施例１及び実
施例２の場合と同様に、５組の単膜用のくし歯状電極対６１ａ〜６１ｅのくし歯部分の間
隔は１〜５μｍの範囲でくし歯電極対毎に異なっており、また、５組の多層膜用のくし歯
状電極対６１ｆ〜６１ｊのくし歯部分の間隔もくし歯電極対毎に全て異なっているが、５
組の単膜用のくし歯状電極対６１ａ〜６１ｅのくし歯部分の間隔はそれぞれ対応する５組
の多層膜用のくし歯状電極対６１ｆ〜６１ｊのくし歯部分の間隔と同一となされている。
【００６０】
そして、５対の単膜用のくし歯状電極対６１ａ〜６１ｅのうち、それぞれの一方側は全
て第１配線６２ａ〜６２ｅを経て共通端子６３ａに接続され、他方側はそれぞれ第２配線
６４ａ〜６４ｅを経て個別に個別端子６５ａ〜６５ｅに接続されている。また、５対の多
層膜用のくし歯状電極対６１ｆ〜６１ｊのうち、それぞれの一方側は全て第１配線６２ｆ
〜６２ｊを経て共通端子６３ｂに接続され、他方側はそれぞれ第２配線６４ｆ〜６４ｊを
経て個別に個別端子６５ｆ〜６５ｊに接続されている。
【００６１】
なお、ここではそれぞれのくし歯状電極対６１ａ〜６１ｊにおいては、くし歯部分を長
く延ばされており、多層膜用のくし歯状電極対６１ｆ〜６１ｊのくし歯部分の下部には絶
縁膜（図示せず）を介して複数のストライプ状の導体膜６６が形成されている。このよう
にくし歯部分を長く延ばすことにより、短絡の検知部分が長くなるため、部分的に露光装
置の解像度が低下したことをも正確に検知することができるようになる。
【００６２】
このようにして形成された実施例３の露光装置の解像度検査用パターン６０のモニタリ
ング方法は、図７に示した実施例１の露光装置の解像度検査用パターン５０Ａの場合と同
様であるので、その具体的方法の説明は省略する。同じく、実施例２の露光装置の解像度
検査用パターン６０製造用のマスクは、導体膜６６の形成用のマスクが別途必要となるが
、その他の部分の形成用マスクのパターンは図１３に示したとおりのものとなり、ポジ型
のフォトレジストを使用する場合はそれぞれのくし歯状電極対６１ａ〜６１ｊ、第１配線
６２ａ〜６２ｊ、共通端子６３、第２配線６４ａ〜６４ｊ及び個別端子６５ａ〜６５ｊの
部分が遮光されるパターンを備えているものを使用し、逆にネガ型レジストを使用する場
合はポジ型のフォトレジスト用のマスクとは逆の遮光されるパターンを備えているものを
使用すればよい。
【００６３】
このように、実施例３の露光装置の解像度検査用パターン６０によれば、単膜の場合の
解像度と多層膜の場合の解像度とを同時に検知することができるようになる。
【実施例４】
【００６４】
実施例１の解像度検査用パターン５０Ａにおいては、一対のくし歯状電極対５１ａ〜５
１ｆの５本のくし歯部分が対向するくし歯状電極に対して直線状に延在しているものにつ
いて説明したが、このくし歯部分は直線状に延在していなくても良い。そこで、以下には
本願の実施例４に係る解像度検査用パターン７０について図１４を参照して説明する。図
１４は実施例４の露光装置の解像度検知手段７０の平面図である。なお、本実施例４の解
像度検査用パターン７０においては、一対のくし歯状電極対７１ａ〜７１ｆのくし歯部分
の形状以外は実施例１の解像度検査用パターン５０Ａと同様である。
【００６５】
実施例４の解像度検査用パターン７０は、実施例１の解像度検査用パターン５０Ａと同
様、平坦な面上に形成されたものであり、図５Ａの工程において透明基板１１の表面全体
に導電物質層３６を形成した後、図５Ｂの工程においてフォトリソグラフィー法によって
ゲート電極Ｇ、補助容量線３３、補助容量電極３３ａ及びゲート配線１７（図１参照）と
同時に形成される。
【００６６】
この解像度検査用パターン７０は、それぞれ５本のくし歯部分を備える一対のくし歯状
電極が所定距離離間して形成されたくし歯状電極対７１ａ〜７１ｆを備えている。このく
し歯状電極対７１ａ〜７１ｆを構成するそれぞれのくし歯状電極のくし歯部分同士は、そ
の間隔が順に１μｍ〜６μｍまで１μｍずつ異ならせて配設されている。また、同様にく
し歯部分自体もその幅が順に１μｍ〜６μｍまで１μｍずつ異ならせて配設されている。
加えて、このそれぞれのくし歯状電極のくし歯部分は、蛇行するように中間部の複数箇所
で屈曲した形状に配設されている。
【００６７】
くし歯状電極対７１ａ〜７１ｆにおいて、それぞれの一方側のくし歯状電極は第１配線
７２ａ〜７２ｆによって共通端子７３に電気的に接続されており、また、それぞれの他方
側のくし歯状電極は第２配線７４ａ〜７４ｆによってそれぞれ独立した個別端子７５ａ〜
７５ｆに電気的に接続されている。
【００６８】
上述の構成を備える解像度検査用パターン７０のモニタリング方法は、上記実施例１の
解像度検査用パターン５０Ａと同様であるが、くし歯状電極対７１ａ〜７１ｆのくし歯部
分を蛇行するように形成したことにより、上記実施例１の効果に加えて、露光装置による
パターニング時にその露光方向に対する依存性をなくすことができる。すなわち、ある特
定の露光方向によっては解像度が劣化しているという場合にも高い精度でこの劣化を検知
することが可能となる。
【００６９】
この解像度検査用パターン７０製造用のマスクは、ポジ型のフォトレジストを使用する
場合は図１４に示したのと同様のパターンであってそれぞれのくし歯状電極対７１ａ〜７
１ｆ、第１配線７２ａ〜７２ｆ、共通端子７３、第２配線７４ａ〜７４ｆ及び個別端子７
５ａ〜７５ｆの部分が遮光されるパターンを備えているものを使用し、逆にネガ型レジス
トを使用する場合はポジ型のフォトレジスト用のマスクとは逆の部分が遮光されるパター
ンを備えているものを使用すればよい。また、本実施例４では解像度検査用パターン７０
を単膜用で形成したものについて説明したが、実施例２で説明したように多層膜用で形成
することもできるし、同様に、実施例３で説明したように単膜用のものと多層膜用のもの
の両方を形成することも可能である。
【実施例５】
【００７０】
露光装置を用いたパターニングにおける問題として、成形した配線等の断線がある。こ
の断線という問題は露光装置の解像度の劣化に伴って増加するものではないが、露光やエ
ッチングを行なう条件によって突発的に発生するものである。そこで露光に関する検査と
いう観点からは、この断線についての検査も行なえる方がよく、この実施例では、解像度
検査用パターンと同様の技術を使って断線検査用パターンを提供している。断線は、多層
構造の上層のように段差の多い面上に形成される層に対して発生しやすい。従って、断線
を確認する検査パターン８０は、実施例２の解像度検査用パターンと同様に多層構造をな
す上層の導電層により形成される。図１５は実施例５に係る検査パターンを示すものであ
り、図１５Ａは平面図、図１５Ｂは図１５ＡのXVB部分の拡大図、図１５Ｃは図１５ＢのX
VC−XVC線断面図である。
【００７１】
本実施例５に係る検査パターン８０は、図１５に示すように、所定距離離間して配設さ
れた第１端子８１及び第２端子８２と、これら第１、第２端子８１、８２間に配設される
金属パターンの電極８３と、から構成されている。このうち、電極８３は第１、第２端子
８１、８２を電気的に接続するものであり、ほぼ矩形波状にパターニングされた導電膜か
らなる。
【００７２】
第１、第２端子８１、８２間には、電極８３の延在方向に向かって延びる第１パターン
である導電膜パターン８４と、第２パターンであるアモルファスシリコン層８５と、が設
けられている。また、この導電膜パターン８４は図５Ｃ〜図５Ｅの工程においてゲート絶
縁膜（３７、３８）に対応する絶縁膜８６により被覆されており、アモルファスシリコン
層８５は絶縁膜８６を介して導電膜パターン８４上に配設されている。なお、上述の導電
膜パターン８４は、図５Ａの工程において透明基板１１の表面全体に形成される導電物質
層３６をフォトリソグラフィー法によってパターニングして形成されたものであり、ゲー
ト電極Ｇ、補助容量線３３、補助容量電極３３ａ及びゲート配線１７と同時に形成された
ものである。また、アモルファスシリコン層８５は図５Ｆ及び図５Ｇの工程において形成
されるＴＦＴの半導体層３４と同時に形成されたものである。
【００７３】
検査パターン８０は導電膜パターン８４、アモルファスシリコン層８５及び絶縁膜８６
が形成された状態で、検査パターン８０形成用のマスクを用いたフォトリソグラフィー法
によって形成されるものである。この際用いられるマスクは、ポジ型のフォトレジストを
使用する場合は第１、第２端子８１、８２及び電極８３部分が遮光されるパターンを備え
ているものを使用し、逆にネガ型のフォトレジストを使用する場合はポジ型のものとは逆
に遮光されるパターンを備えているものを使用する。このようなマスクを用いて検査パタ
ーン８０を形成する際には、先ず検査パターン８０を形成する部分に導体膜（図示省略）
を形成し、この導体膜を上述のマスクを用いてパターニングして形成する。検査パターン
８０をこのように形成することで、電極８３は導電膜パターン８４、絶縁膜８６及びアモ
ルファスシリコン層８５からなる多層膜部分を横断するように略矩形波状に配設されてい
る。
【００７４】
上述の構成を備える検査パターン８０により露光装置のモニタリングを行う際には、第
１、第２端子８１、８２間の導通状態を確認すればよい。この確認の結果、導通状態であ
れば電極８３は良好に形成されており、非導通状態であれば電極８３は段差部分８７等で
膜切れが生じていることが分かる。この検査パターン８０による検査は、表示領域内の構
造物の断線を直接的に検査するものではない。しかし、各構造物を成形する条件をどの基
板でも同一に設定したとしても、実際の製造工程では基板表面の状態や装置内の状況によ
って微妙にその条件が異なるため、基板毎に断線の発生率が異なる。従って、この検査パ
ターン８０で断線を検知した場合、表示領域内の配線等にも断線が生じている可能性があ
るため、更に詳しい検査を行い、効率よく問題箇所を把握することができる。なお、この
実施例では第１、第２端子８１、８２をそれぞれ個々に設けたものを示したが、一方の端
子を解像度検査用パターンの共通端子と兼用する構成でもよい。
【実施例６】
【００７５】
以下には、本発明の他の変形例として、基板上に形成される絶縁膜の耐圧試験を行うこ
とが可能な検査パターン９０を実施例６として説明する。例えば、導電膜、絶縁膜、導電
膜の３層構造のとき、絶縁膜には２つの導電膜を確実に絶縁する役割が求められるが、各
層を成膜するときの条件や各層の形状などにより、この絶縁膜による十分な絶縁機能が発
揮できず、２つの導電膜がショートしてしまうことがある。この現象は露光装置の解像度
の劣化により増加するものではないが、こうした現象の検査機能がある方が望ましい。こ
の実施例では、解像度検知用パターンを作成するときと同じ技術を使ってこの検査パター
ンを作成している。図１６は実施例６の検査パターンを示す図であり、図１６Ａは平面図
、図１６ＢはXVIB部分の拡大図、図１６ＣはXVIC−XVIC線断面図である。
【００７６】
例えば、走査線などを形成するとき、走査線を構成する導電物質層上にレジストを塗布
し、露光装置で露光した後、エッチングにより所定の形状のパターンを成形するが、露光
装置の照射時間と状態により導電物質層とレジスト間の密着性が異なる。このとき、密着
性が高すぎると導電物質層とレジストの間にエッチング液が浸透しにくくなり、成形され
た層の側面が逆テーパー状になりやすい。こうした逆テーパーを有する走査線を覆うよう
に絶縁膜を成膜しても、パターンの角部で絶縁膜が薄膜になってしまう。走査線と交差す
るように信号線を形成するとき、その交差部分で絶縁膜が薄膜になっていると、絶縁膜の
耐圧性が弱く、この絶縁膜に絶縁破壊が起こり、走査線と信号線がショートすることがあ
る。このような絶縁破壊が起こりやすい構成を検査パターンでも再現し、この検査パター
ンで短絡が起こっているかどうかを見ることによって、表示領域内の構造物についても同
様に絶縁破壊が起こっている可能性が高いかどうかを判断することができる。
【００７７】
実施例６の検査パターン９０は、図１６に示すように、所定距離離間して配設された第
１端子９１及び第２端子９２と、これら第１、第２端子９１、９２間に配設される一対の
くし歯状電極対９３と、一対のくし歯状電極対９３を構成する２つのくし歯状電極９６、
９７を第１、第２端子９１、９２にそれぞれ電気的に接続する第１、第２配線９４、９５
と、から構成されている。なお、本実施例６の検査パターン９０は実施例１〜４に示した
ものと異なり、１つのくし歯状電極対９３のみ備えている。
【００７８】
本実施例６の検査パターン９０は、そのくし歯状電極対９３のくし歯状電極９６、９７
のくし歯部分９６ａ、９７ａが絶縁膜９８を介して一部重なるように配置されている。詳
しくは、第３電極であるくし歯状電極９６、第１端子９１及び第１配線９４は、図５Ａの
工程において透明基板１１の表面全体に形成される導電物質層３６をフォトリソグラフィ
ー法によってパターニングして形成されたものであり、ゲート電極Ｇ、補助容量線３３、
補助容量電極３３ａ及びゲート配線１７と同時に形成されたものである。そして、このよ
うに形成された一方のくし歯状電極９６、第１端子９１及び第１配線９４のうち、一方の
くし歯状電極９６は絶縁膜９８によりその表面が被覆される。
【００７９】
第４電極であるくし歯状電極９７、第２端子９２及び第２配線９５は、絶縁膜９８が形
成された後にパターニングされる。なお、このパターニングの際には、他方のくし歯状電
極９７のくし歯部分９７ａが既にパターニングされた一方のくし歯状電極９６に一部重な
るようにする。また、このパターニングは、図６Ａの工程においてＴＦＴのソース電極Ｓ
、ドレイン電極Ｄ、信号線３２及びソース配線１８（図１参照）の形成と同時に形成され
る。
【００８０】
一方のくし歯状電極９６、第１端子９１及び第１配線９４は、図１７Ａに示すようなマ
スクのパターンによりパターニングされる。また、他方のくし歯状電極９７、第２端子９
２及び第２配線９５は、図１７Ｂに示すマスクを用いてパターニングされる。なお、図１
７Ａ及び図１７Ｂに示すマスクのパターンをポジ型のフォトレジストを用いて形成する場
合には、一方のくし歯状電極９６、第１端子９１及び第１配線９４、及び、他方のくし歯
状電極９７、第２端子９２及び第２配線９５部分が遮光されるパターンのものを使用し、
ネガ型のフォトレジストを用いて形成する場合には、ポジ型のフォトレジスト用のマスク
とは逆の遮光がなされるパターンのものを使用する。
【００８１】
このようにして形成された検査パターン９０を用いて耐圧試験を行う際には、一方の端
子、例えば第１端子９１に電圧を印加し、この電圧を徐々に上昇させて第２端子９２から
の出力を検知する。すなわち、第１端子９１に印加された電圧が検査パターン９０の耐電
圧を超えて絶縁膜９８を絶縁破壊させ、第２端子９２に電圧が出力されたときの第１端子
９１に印加された電圧を測定することにより、アレイ基板ＡＲ上に形成される各種配線の
耐電圧を知ることができるようになる。
【００８２】
なお、上記実施例ではフォトリソグラフィー法に用いる露光装置の解像度検査用パター
ン及び解像度検知方法について述べたが、露光装置のみならずインクジェット方法若しく
はプリント方法によってパターンを作製する際の解像度検査用パターン及び解像度検知方
法としても実施可能である。
【００８３】
また、上記実施例１〜４における解像度検査用パターン５０Ａ、５０Ｂ、６０、７０で
は、複数のくし歯状電極対１ａ〜５１ｆ、６１ａ〜６１ｊ、７１ａ〜７１ｆのくし歯部分
同士の間隔及びくし歯部分自体を１〜６μｍに可変して設けたものについて説明したが、
くし歯部分同士の間隔のみを１〜６μｍに可変して設けてもよい。
【００８４】
なお、本発明の実施例１〜６における検査用パターンは、夫々独立したパネル基板対上
に配置しても、シート基板上に必要数配置してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った模式断面図である。
【図３】図１の液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面図である。
【図４】図３のIV−IV線断面図である。
【図５】図１の液晶表示装置の１画素分の製造工程を順を追って説明する断面図である。
【図６】図５に引き続く図１の液晶表示装置の１画素分の製造工程を順を追って説明する断面図である。
【図７】実施例１に係る露光装置の解像度検査用パターンの平面図である。
【図８】実施例２に係る露光装置の解像度検査用パターンの平面図である。
【図９】図８のIX−IX線に沿った断面図である。
【図１０】実施例３に係る露光装置の解像度検査用パターンの平面図である。
【図１１】図１０のＸ部分の拡大図である。
【図１２】図１０のＹ部分の拡大図である。
【図１３】実施例３で使用するマスクのパターンを示す図である。
【図１４】実施例４の露光装置の解像度検知手段７０の平面図である。
【図１５】実施例５に係る検査パターンを示すものであり、図１５Ａは平面図、図１５Ｂは図１５ＡのXVB部分の拡大図、図１５Ｃは図１５ＢのXVC−XVB線断面図である。
【図１６】実施例６の検査パターンを示す図であり、図１６Ａは平面図、図１６ＢはXVIB部分の拡大図、図１６ＣはXVIC−XVIC線断面図である。
【図１７】実施例６で使用するマスクのパターンを示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０：液晶表示装置  １２：表示領域  １７：ゲート配線  １８：ソース配線  ３１：走
査線  ３２：信号線  ３３：補助容量線  ３３ａ：補助容量電極  ３５：画素電極  ３７
、３８：絶縁膜  ３９：保護絶縁膜  ４０：層間膜  ５０Ａ、５０Ｂ、６０、７０：（露
光装置の）解像度検査用パターン  ５１ａ〜５１ｆ、６１ａ〜６１ｊ、７１ａ〜７１ｆ：
くし歯状電極対  ５２ａ〜５２ｆ、６２ａ〜６２ｆ、７２ａ〜７２ｆ：第１配線  ５３、
６３ａ、６３ｂ、７３：共通端子  ５４ａ〜５４ｆ、６４ａ〜６４ｊ、７４ａ〜７４ｆ：
第２配線  ５５ａ〜５５ｆ、６５ａ〜６５ｊ、７５ａ〜７５ｆ：個別端子  ５６、６６：
導電性パターン  ５７：アモルファスシリコン層  ＡＲ：アレイ基板  ＣＦ：カラーフィ
ルタ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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