(57)【要約】【課題】  常温以下の温度でのウエハの処理に適用することができ、特にＣＶＤ装置での使用に適したウエハ保持体を提供する。【解決手段】  ウエハ載置面を有するウエハ保持体１であって、セラミックスからなり、その内部にウエハ保持体１を冷却するための冷媒を流す流路３を有し、好ましくは更に高周波発生用電極２を備えている。このウエハ保持体１は、１枚のセラミックス基板上に流路３を形成し、その流路３を覆うようにセラミックス基板に別の少なくとも１枚のセラミックス基板を接合し、好ましくは高周波発生用電極２を形成したセラミックス基板を更に接合して、製造することができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを載置するためのウエハ載置面を有するウエハ保持体であって、該ウエハ保持体がセラミックスからなり、その内部に冷媒を流すための流路を有することを特徴とする半導体製造装置用ウエハ保持体。
【請求項２】
前記セラミックスが窒化アルミニウムであることを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造装置用ウエハ保持体。
【請求項３】
前記ウエハ保持体の内部に高周波発生用電極が形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体製造装置用ウエハ保持体。
【請求項４】
前記高周波発生用電極が膜状の金属であることを特徴とする、請求項３に記載の半導体製造装置用ウエハ保持体。
【請求項５】
前記ウエハ保持体を支持するための筒状支持体を有し、該筒状支持体内に、冷媒を供給するための冷却配管、高周波発生用電極に接続された電極部品、及びウエハ保持体の温度を測定するための測温素子の少なくとも１種が収納されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造装置用ウエハ保持体。
【請求項６】
前記筒状支持体内における雰囲気の露点が０℃以下であることを特徴とする、請求項５に記載の半導体製造装置用ウエハ保持体。
【請求項７】
セラミックスからなり、その内部に冷媒を流すための流路を有するウエハ保持体の製造方法であって、１枚のセラミックス基板上に流路を形成し、少なくとも該流路を覆うように該セラミックス基板の上及び／又は下に更に少なくとも１枚のセラミックス基板を接合することを特徴とする半導体製造装置用ウエハ保持体の製造方法。
【請求項８】
前記セラミックス基板の１枚に高周波発生用電極を形成し、少なくとも該高周波発生用電極を覆うように更に少なくとも１枚のセラミックス基板を接合することを特徴とする、請求項７に記載の半導体製造装置用ウエハ保持体の製造方法。
【請求項９】
前記高周波発生用電極をスクリーン印刷により形成することを特徴とする、請求項８に記載の半導体製造装置用ウエハ保持体の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミックス基板が窒化アルミニウムよりなり、少なくとも２枚のセラミックス基板を接合する際に、少なくとも片方の基板に窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、希土類酸化物を含有するペーストを塗布し、基板を重ね合わせて熱処理すること特徴とする、請求項７〜９のいずれかに記載の半導体製造装置用ウエハ保持体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体製造装置用ウエハ保持体が搭載されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１２】
前記半導体製造装置がＣＶＤ装置であることを特徴とする、請求項１１に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置に使用されるウエハ保持体に関するものであり、より特定的には常温より低い温度でウエハを処理するためのウエハ保持体、及びそれを搭載した半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体製造プロセスにおいて、例えばＣＶＤ装置などにおいては、ウエハを加熱し、あるいはプラズマを発生させるなどして、ウエハ表面に絶縁膜や導体膜などの成膜を行っている。それらの処理を行うためのウエハ保持体、いわゆるサセプタとして、セラミックス製のウエハ保持体が知られている。
【０００３】
例えば、特公平０６−０２８２５８号公報などには、セラミックス製のウエハ保持体に発熱体を埋設し、更には凸状支持部を取り付けることが記載され、信頼性の高いウエハ保持体が得られるとしている。また、特開２００２−２５９１３号報には、セラミックスヒータに金属放熱板が取り付けられたサセプタが開示され、セラミックスヒータと金属放熱板は簡単な手法で取り付けられるとしている。
【０００４】
【特許文献１】特公平０６−０２８２５８号公報
【特許文献２】特開２００２−０２５９１３号報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年では、このようなＣＶＤ装置について、成膜温度の低温化が進み、場合によっては室温以下の温度で成膜する必要が生じている。また、チャンバー内の金属成分がコンタミネーションとなり、ウエハを汚染することがあるため、コンタミネーションの発生を抑えることも要望されている。
【０００６】
しかしながら、上記した従来のウエハ保持体は、いずれも常温以上の温度、例えば４００℃以上の高温でウエハを処理することを想定したウエハ保持体であるため、近年における常温以下の温度での処理に適用することは困難であった。
【０００７】
本発明は、このような従来の事情に鑑み、常温以下の温度でのウエハの処理に適用することができ、特にＣＶＤ装置での使用に適したウエハ保持体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、ウエハを載置するためのウエハ載置面を有するウエハ保持体であって、該ウエハ保持体がセラミックスからなり、その内部に冷媒を流すための流路を有することを特徴とする半導体製造装置用ウエハ保持体を提供するものである。
【０００９】
また、本発明は、セラミックスからなり、その内部に冷媒を流すための流路を有するウエハ保持体の製造方法であって、１枚のセラミックス基板上に流路を形成し、少なくとも該流路を覆うように該セラミックス基板の上及び／又は下に更に少なくとも１枚のセラミックス基板を接合することを特徴とする半導体製造装置用ウエハ保持体の製造方法を提供する。
【００１０】
更に、本発明は、上記したウエハ保持体を搭載したことを特徴とする半導体製造装置、特にＣＶＤ装置を提供するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、セラミックス製のウエハ保持体の内部に直接冷媒を流す流路を具備しているために、常温以下の温度での成膜などの処理に使用することができる。しかも、ウエハ保持体はセラミックス製であることから、金属成分によるコンタミネーションをなくし、成膜時やクリーニング時に使用する腐食性ガスに対しても高い耐食性を有しているため、信頼性の高いウエハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明においては、セラミックス製のウエハ保持体の内部に、ウエハ保持体を冷却するための冷媒が流れる流路が形成されている。そのため、流路を流れる冷媒がウエハ保持体から熱を奪い、ウエハ保持体を常に効率的に低温に維持することができる。従って、近年に特に要望されている室温以下の温度での成膜その他の処理に好適に使用することができ、例えば成膜中にウエハの温度が上昇しても室温以下の温度に抑えることができるため、均一な膜厚での成膜を実現することができる。
【００１３】
ウエハ保持体内の流路に流す冷媒としては、特に制限はないが、水や有機溶剤などがあげられる。しかし、近年における成膜温度の低温化の傾向から、水は０℃以下では使用できないため、ガルデンやアルコールなどの有機溶剤を用いることが好ましい。これらの溶剤を用いることによって、凝固点降下させることで使用することもできる。例えば水とアルコールを混合させることで、０℃以下の温度でも使用することができる。特に水は比熱が他の冷媒に比較して大きいため、効率的な冷却が期待される。また、これらの冷媒よりも冷却効率は劣るものの、低温の気体、例えば窒素やヘリウム、空気なども使用することが可能である。
【００１４】
ウエハ保持体内に形成される流路については、搭載するウエハの直径に対して８０％以上の領域に流路が形成されていることが好ましい。例えば、ウエハの直径が２００ｍｍの場合には、少なくともウエハ保持体の中心から直径１６０ｍｍの領域まで流路が存在することが好ましい。この領域まで流路が存在しない場合、ウエハ保持体の外周部が周囲の雰囲気から熱を吸収し、ウエハの外周部付近の温度が上昇するため、均一な成膜が難しくなる。特に、ウエハ保持体の中心から少なくともウエハの直径と同じ領域まで流路が形成されていることが更に好ましい。この程度の領域まで冷媒の流路が形成されていると、ウエハ端部の温度上昇もなく、均一な成膜をすることができる。
【００１５】
また、流路の内壁の表面粗さは、Ｒａで５μｍ以下であることが好ましい。流路内壁の表面粗さが５μｍよりも大きくなると、特に冷媒が液体の場合には、流路の内壁表面が冷媒で侵食されやすくなり、壁面が劣化しやすくなるため好ましくない。尚、流路の断面形状に関しては、特に制約はなく、円形、四角形、楕円形、半円形、三角形などさまざまな形状を取ることができる。
【００１６】
ウエハ保持体に使用する材料は、セラミックスであれば特に制約はなく、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミナ、ムライト、コージェライトなどを使用することができる。しかし、これらの中では窒化アルミニウムが好適である。窒化アルミニウムは半導体製造装置で使用される腐食性ガスに対する耐食性が高いため、チャンバー内におけるパーティクルの発生を極力抑制することができる。また、窒化アルミニウムは比較的熱伝導率が高く、比熱も小さいため、均一且つ効率的にウエハ保持体を冷却することができる。
【００１７】
また、ウエハ保持体自体の表面粗さは、Ｒａで０.０１μｍ以上であることが好ましい。表面粗さが０.０１μｍ以上であれば、表面の微小な突起から熱交換が行われるため、広い表面積での熱交換が可能となり、効率的にウエハ保持体を冷却することができるからである。尚、ウエハ保持体における温度制御は、例えばウエハ保持体に形成された凹部に熱電対などの測温素子を配置し、その測温素子で測定した温度に基づいて冷媒を冷却するチラーなどの温度を制御すればよい。
【００１８】
本発明のウエハ保持体の内部には、高周波発生用電極を備えることができる。高周波発生用電極を備えることによって、ウエハ載置面の近くにプラズマを発生させ、ウエハ上に膜生成することができる。高周波発生用電極は、ウエハ保持体内に埋設されていることが好ましい。
【００１９】
高周波発生用電極の形態としては、金属メッシュや金属箔、あるいは金属膜などをあげることができるが、これらのうち特に膜状の金属が好ましい。膜状金属からなる高周波発生用電極の場合、使用する高周波が膜の下部に漏れにくいため、安定したプラズマの発生が比較的簡単に得られる。セラミックス製のウエハ保持体中に埋設できる高周波発生用電極の材質としては、セラミックスとの熱膨張係数のマッチングが必要なため、金属の中でも比較的熱膨張係数の小さな金属、例えばタングステン、モリブデン、タンタルなどの金属や合金であることが好ましい。
【００２０】
本発明のウエハ保持体は、半導体製造装置のチャンバー内に設置するために、ウエハ載置面とは反対側の面に、支持体を設けることが好ましい。例えば、支持体を円筒形などの筒状とすれば、その筒状支持体内に、冷媒を供給するための冷却配管、高周波発生用電極に接続された電極部品、ウエハ保持体の温度を測定するための測温素子などを収納することができる。
【００２１】
上記筒状支持体は、ウエハ保持体に対して気密にシールし、更にチャンバーに対しても気密にシールすることができる。このような気密シールの構造にする場合、筒状支持体の材質をウエハ保持体の材質と同一にすることにより、熱膨張係数差による応力の発生を抑えることができ、信頼性の高い接合構造とすることができる。また、筒状支持体内に収納した金属部品がチャンバー内に露出せず、金属コンタミネーションの発生を抑制することができるため好ましい。
【００２２】
ただし、上記気密シールの構造において、筒状支持体内が大気に開放されていると、ウエハ保持体を冷却している場合には、冷媒を供給する冷却配管を中心に結露が発生しやすくなり、金属部品やセラミックスの腐食が進むことがある。その場合には、筒状支持体内に乾燥した気体を供給することによって、結露を防止することができる。また、筒状支持体内を外気と遮断し、内部に乾燥気体を供給することで結露を防止することも可能である。いずれの場合も、筒状支持体内の雰囲気の露点は、少なくとも０℃以下であることが必要である。
【００２３】
また、上記気密シールとは別の形態として、筒状支持体内の雰囲気を、チャンバー内の雰囲気と実質的に同一にすることができる。この場合の筒状支持体は、例えば、ウエハ保持体に複数のネジで固定することができる。この手法のメリットは、筒状支持体内の部品が結露せず、比較的簡単な構造とすることができる点にある。勿論この構造の場合にも、筒状支持体内に不活性ガスを送り込み、相対的に筒状支持体内の雰囲気をチャンバー内の圧力よりも高くすることで、金属部品の腐食を低減することができる。この場合においても、筒状支持体内の雰囲気は、露点が０℃以下であることが必要である。
【００２４】
次に、本発明によるウエハ保持体の製造方法を説明する。内部に冷媒の流路を備えるウエハ保持体は、複数枚のセラミックス基板を接合して製造するが、その際に、１枚のセラミックス基板上に流路を形成し、このセラミックス基板の少なくとも流路を形成した面に、流路を覆うように別のセラミックス基板を載せて接合することにより、製造することができる。
【００２５】
この方法においては、焼結したセラミックス基板に流路を形成するため、比較的精度良く流路が形成できると共に、流路の変形が生じにくいため好ましい。例えば、未焼成のセラミックス成形体に流路を形成した後、これを焼結する方法では、部分的に流路が狭くなったり広くなったりする。このような流路の場合、特に冷媒が液体である場合には、部分的に流速が速くなったり遅くなったりするため、冷媒による流路の壁面の腐食が進みやすくなる。
【００２６】
セラミックス基板の接合には、公知の接合ペーストを用いることができる。特に、ウエハ保持体が窒化アルミニウムである場合、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、希土類酸化物の混合物からなるペーストの使用が好ましい。このペーストは、熱処理して接合する際に、窒化アルミニウム基板との濡れ性が良いばかりでなく、出来上がった接合層の主成分が窒化アルミニウムとなるため、耐食性にも優れるので特に好ましい。
【００２７】
上記窒化アルミニウム基板の接合ペーストでは、窒化アルミニウムの含有量が１重量％以上であることが好ましい。窒化アルミニウムの含有量が１重量％未満では、接合層成分中に窒化アルミニウムが少ないため、耐食性に劣ることがある。また、窒化アルミニウムの含有量が４０重量％を超えると密着強度の低下を引き起こすため、４０重量％以下であることが好ましい。特に好ましい窒化アルミニウムの含有量は５〜３０重量％であり、更に１５〜２５重量％の範囲において特に安定した接合層が得られるため一層好ましい。
【００２８】
また、上記接合ペースト中の酸化アルミニウムの含有量は、２０〜８０重量％であることが好ましい。酸化アルミニウムの含有量が２０重量％より少ない場合、あるいは８０重量％より多い場合には、接合するための液相の出現温度が高くなり、窒化アルミニウム基板の変形が生じやすくなるため好ましくない。特に好ましい含有量は４０〜６０重量％であり、この程度の含有量であれば、窒化アルミニウムの焼結温度より低い温度で接合することができるため、窒化アルミニウム基板の変形を抑制することができる。
【００２９】
更に、上記接合ペースト中の希土類酸化物の含有量は、１０〜５０重量％であることが好ましい。この範囲の含有量であれば、酸化アルミニウムと反応して液相を発生しやすくなるため好ましい。特に希土類酸化物は窒化アルミニウムとの濡れ性に優れているため、その含有量が２０〜４０重量％であれば、安定した接合を実現でき、しかも接合層と窒化アルミニウム基板との接合界面を気密に接合することができるため更に好ましい。
【００３０】
上記接合ペーストに使用する希土類酸化物としては、特に制約はないが、接合すべき窒化アルミニウム基板に使用されている焼結助剤と同じ種類であることが好ましい。窒化アルミニウム基板に焼結助剤が含まれていない場合には、希土類酸化物の種類は問わない。希土類酸化物の中では、イットリウムの酸化物が耐食性や、窒化アルミニウムとの濡れ性の面で優れているため、特に好ましい。
【００３１】
具体的な窒化アルミニウム基板の接合方法としては、所定量の窒化アルミニウム粉末、酸化アルミニウム粉末、希土類酸化物粉末を混合し、これに有機溶剤、バインダー、必要に応じて可塑剤などを添加し、混練してペーストを作製する。このペーストを接合すべき窒化アルミニウム基板の表面に塗布し、必要に応じて脱脂処理を行い、その塗布面に別の窒化アルミニウム基板を載せて、熱処理を行うことにより、強固な接合層を形成することができる。
【００３２】
接合時の温度と圧力に関しては、特に制約はないが、窒化アルミニウム基板が変形しない程度の温度と圧力であればよい。具体的には、熱処理温度は、ペーストの組成にもよるが、１６００〜２０００℃程度が好適である。また、熱処理の際に、接合面に対して垂直方向に圧力を加えることにより、欠陥の少ない接合層を形成することができるため好ましい。加える圧力としては、１ｋｇ／ｃｍ２以上が好ましく、１０ｋｇ／ｃｍ２以上が更に好ましい。
【００３３】
ウエハ保持体内に高周波発生用電極を形成する場合には、特にスクリーン印刷により金属膜の電極を形成することが好ましい。スクリーン印刷によれば、得られる膜厚が比較的均一であり、コストも安く、量産性に優れている。スクリーン印刷に用いる電極形成用ペーストは、タングステン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属粉末に、バインダーや有機溶剤、必要に応じて可塑剤などを加え、ペースト状にしたものを使用すればよい。
【００３４】
具体的には、セラミックス基板上にスクリーン印刷により上記電極形成用ペーストを塗布し、乾燥した後、非酸化性雰囲気中にて１６００〜２０００℃の温度で焼成することにより、金属膜の高周波発生用電極が得られる。その後、上記した接合方法を用いてセラミックス基板を接合すれば、内部に高周波発生用電極を有するウエハ保持体を比較的容易に製造することができる。また当然のことであるが、冷媒を流す流路を形成するための接合と、高周波発生用電極を埋設するための接合を同時に実施することができ、この同時接合によって比較的安価にウエハ保持体を製造することができる。
【００３５】
本発明によるウエハ保持体は、ウエハを冷却する必要がある半導体製造工程において好適に使用することができる。例えば、半導体製造装置に搭載して、エッチングやアッシング、ＣＶＤなどの処理を実施することができる。また、特にＣＶＤ装置においては、高周波発生用電極を埋設したウエハ保持体を搭載することにより、効率的な成膜を実現することができる。
【実施例】
【００３６】
［実施例１］
窒化アルミニウム粉末９９.５重量％に焼結助剤として酸化イットリウム粉末０.５重量％加え、更に有機溶剤とバインダーを加え、ボールミル混合してスラリーを作製した。得られたスラリーをスプレードライにより顆粒とし、プレス成形により成形体を作製した。その成形体を窒素雰囲気中にて８００℃で脱脂した後、窒素雰囲気中において１９００℃で焼結し、窒化アルミニウム焼結体を得た。
【００３７】
上記手法により３枚の窒化アルミニウム焼結体を形成し、それぞれ窒化アルミニウム基板とした。即ち、そのうちの１枚を直径３３０ｍｍ、厚み１０ｍｍに加工した後、機械加工により深さ３ｍｍ、幅６ｍｍの冷媒用の流路を形成した。ウエハ保持体に搭載するウエハの直径は３００ｍｍであるため、流路の形成領域は中心から直径３１０ｍｍの領域とした。また、流路内壁の表面粗さは、Ｒａで１.０μｍとした。また、流路の入口と出口は、基板の中心部付近になるように形成した。
【００３８】
次に、もう１枚の基板は、直径３３０ｍｍ、厚み５ｍｍに加工した。この片側の面の中心から直径３２０ｍｍの領域に、タングステン粉末、バインダー、有機溶剤などからなるタングステンペーストをスクリーン印刷により塗布し、８００℃で脱脂した後、１８５０℃で焼成して、高周波発生用電極を形成した。更に、残り１枚の基板は、直径３３０ｍｍ、厚み３ｍｍに加工した。
【００３９】
これら３枚の窒化アルミニウム基板のうち、高周波発生用電極を形成した基板の両面に、２０重量％窒化アルミニウム-３０重量％酸化イットリウム-５０重量％酸化アルミニウムからなる接合ペーストをスクリーン印刷により塗布し、８００℃の窒素雰囲気中で脱脂した。その後、この基板の高周波発生用電極を形成した面に上記厚み３ｍｍの基板を載せ、反対側の面には上記流路を形成した基板を流路が内側になるように重ねて、接合面に対し垂直方向に２０ｋｇ／ｃｍ２の圧力を加えながら、窒素雰囲気中において１８００℃で加熱処理して接合した。最後に、上下面を研磨して、窒化アルミニウム製のウエハ保持体とした。
【００４０】
得られたウエハ保持体は、図１に示すように、ウエハ保持体１のウエハ載置面の反対側から高周波発生用電極２まで座繰り加工を行い、これにタングステン電極を取り付けた。また、ウエハ保持体１の流路３に、ステンレス製の冷却配管４を取り付けた。更に、ウエハ保持体１のウエハ載置面とは反対側の面に凹部を形成し、シース型の熱電対５を取り付けた。尚、上記高周波発生用電極２のタングステン電極には、上部側の周壁に貫通孔を設けたニッケル製の電極パイプ６を接合し、その内側に不活性ガスを供給できるようにした。
【００４１】
上記ウエハ保持体１のウエハ載置面と反対側の面に、筒状支持体７のフランジ部をネジ止めにより接合した。この筒状支持体７は窒化アルミニウム製であり、フランジ部の直径８０ｍｍ、外径６０ｍｍ及び内径５０ｍｍ、高さ２００ｍｍである。尚、この筒状支持体７の内部に、上記の冷却配管４、熱電対５、電極パイプ６を収納した。
【００４２】
このウエハ保持体１を、ＣＶＤ装置のチャンバー内に設置した。筒状支持体７内に収納した冷却配管４を通して冷媒のガルデンを供給し、ウエハ保持体１の流路３に流した。また、電極パイプ６には不活性ガスとして露点−７０℃のヘリウムガスを毎分２リットルの割合で供給し、上部側の貫通孔から筒状支持体７内に循環させることにより、筒状支持体７内での結露の発生を防ぐと共に、筒状支持体７内に腐食性ガスが侵入することを防止した。
【００４３】
上記ウエハ保持体１の温度を−２０℃に制御した。そのウエハ載置面に直径３００ｍｍのウエハを載置して、チャンバー内に成膜用のガスを導入した。高周波発生用電極２に１３.５６ＭＨｚの高周波を印加してプラズマを発生させることにより、ウエハ上に膜形成を行ったところ、ウエハ上に均一な膜を形成することができた。このときのウエハの温度分布は、温度計によって測定した結果、−２０℃±１℃に制御することができた。
【００４４】
［実施例２］
上記実施例１と同様に窒化アルミニウム基板に対して流路加工を行った。その際、流路の形成領域をそれぞれ下記表１のように変化させ、各ウエハ保持体の温度を−２０℃に制御したときの温度分布を測定した。得られた結果を下記表１に示す。なお、下記表１には、参考のために上記実施例１の結果も併せて示した。また、ウエハの温度測定には、２９点測定ポイントのある直径３００ｍｍのウエハ温度計を使用した。
【００４５】
【表１】
2008004926.tif 000003
【００４６】
［実施例３］
上記実施例１と同様に窒化アルミニウム製ウエハ保持体を作製した。ただし、流路の表面粗さを変化させ、−１０℃に温度調整した水−アルコール混合溶媒を１０００時間流し、試験後の冷媒のＰＨを測定することで窒化アルミニウムの腐食性を確認した。なお、窒化アルミニウムは、通常、大気中では表面に酸化物系の膜が形成されるため比較的安定であるが、破断面や研磨面などの酸化物系の膜が形成されていない部分が水に触れるとアンモニアが発生するために、ｐＨがアルカリ性側にふれれば流路の腐食が進んでいるものと判断した。得られた結果を下記表２に示す。なお、試験前のｐＨは全て７であった。
【００４７】
【表２】
2008004926.tif 000004
【００４８】
［実施例４］
上記実施例１と同様にウエハ保持体を作製し、電極パイプ内にヘリウムガスを供給した。このときヘリウムガスの露点を変化させ、ウエハ保持体の温度を−１０℃に制御して、１０００時間耐久試験を行った。この耐久試験後に、ステンレス製の冷却配管とニッケル製の電極パイプの腐食状態を目視にて確認し、その結果を下記表３に示した。
【００４９】
【表３】
2008004926.tif 000005
【００５０】
また、上記１０００時間の耐久試験後、各ウエハ保持体を用いて成膜試験を行い、その影響を確認した。その結果、露点が０℃以下のヘリウムガスを用いたものでは、耐久試験後も問題なく成膜できたが、露点が１５℃の場合はウエハにステンレスやニッケルのパーティクルが付着した。
【００５１】
［実施例５］
上記実施例１と同様にウエハ保持体を作製したが、その材質を窒化珪素、アルミナ、ムライト、コージェライト、炭化珪素に変えた。これらのウエハ保持体を実施例１と同様に温度制御し、その温度分布を測定した。得られた結果を実施例１における結果と併せて下記表４に示した。この結果から分るように、ウエハの均熱性は、窒化アルミニウムが最も優れていた。
【００５２】
【表４】
2008004926.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のウエハ保持体の一具体例を示す概略の断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１    ウエハ保持体
２    高周波発生用電極
３    流路
４    冷却配管
５    熱電対
６    電極パイプ
７    筒状支持体
【図１】
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