(57)【要約】【課題】イオンマイグレーションなどによる銅配線間の短絡を抑制可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１は、第１窒化膜４と、銅配線５と、第２窒化膜６と、保護膜７と、バリア層８と、接着層９と、ワイヤ１０とを備えている。第１窒化膜４は、ＳｉＮからなり、銅配線５の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって形成されている。第２窒化膜６は、第１窒化膜４と同じＳｉＮからなり、銅配線５の側面を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４と接触するように形成されている。【選択図】図１
2008066451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と配線のうち最上層に形成された複数の銅配線とを備えた半導体装置において、
前記銅配線の下面の一部を覆う絶縁性の第１窒化膜と、
前記銅配線の少なくとも側面を覆う絶縁性の第２窒化膜とを備え、
前記第１窒化膜と前記第２窒化膜とは、隣接する前記銅配線間で少なくとも一部が接触していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１窒化膜及び第２窒化膜は、同じ窒化物からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１窒化膜及び前記第２窒化膜は、互いが接触するように隣接する前記銅配線間にわたって形成されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記銅配線の酸化及び拡散を防止するための第１バリア層及び接着層を備え、
前記第１バリア層及び前記接着層は、前記銅配線よりも面積が大きく前記銅配線を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記銅配線と前記第１バリア層の間には、第２バリア層が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅配線を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、低抵抗化を実現可能な銅配線を複数備えた半導体装置が知られている。そして、これらの銅配線を保護するための様々な技術が知られている。その一つとして、樹脂製の膜により銅配線の表面を覆う技術が知られているが、樹脂は粒子が粗いために水分を吸収しやすいといった問題があった。このためイオン化しやすい銅が、樹脂に吸収された水分によりイオンマイグレーションを起こし、隣接する銅配線同士が短絡するといった問題があった。そこで、銅のイオンマイグレーションによる銅配線同士の短絡を防ぐために、緻密な構造を有し水分をほとんど吸収しない窒化物により銅配線を覆う技術が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ダマシン法により誘電体内に形成された銅配線と、銅配線の側面及び下面を覆う窒化タンタルと、銅配線の上面の一部を覆い一部が窒化タンタルと接触するように形成された窒化シリコンとを備えた半導体装置が開示されている。この半導体装置では、窒化タンタルと窒化シリコンによって銅配線を覆っているので、水分を吸収しやすい樹脂で銅配線を覆った場合に比べて、イオンマイグレーションによる銅配線同士の短絡を抑制することができた。
【特許文献１】特開２００１−３１９９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の半導体装置では、導電性を有する窒化タンタルにより銅配線の側面を覆っているため、隣接する銅配線間が絶縁されているのではなく、隣接する窒化タンタル間のみが絶縁されていることになるので、隣接する銅配線間において絶縁されている領域が短い。このため、イオンマイグレーションにより銅が窒化タンタル間のみを移動すれば銅配線同士が短絡されるので、銅配線間での短絡を充分に防ぐことができないといった課題がある。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、イオンマイグレーションなどによる銅配線間の短絡をより抑制可能な半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、半導体素子と配線のうち最上層に形成された複数の銅配線とを備えた半導体装置において、前記銅配線の下面の一部を覆う絶縁性の第１窒化膜と、前記銅配線の少なくとも側面を覆う絶縁性の第２窒化膜とを備え、前記第１窒化膜と前記第２窒化膜とは、隣接する前記銅配線間で少なくとも一部が接触していることを特徴とする半導体装置である。
【０００７】
また、請求項２記載の発明は、前記第１窒化膜及び第２窒化膜は、同じ窒化物からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置である。
【０００８】
また、請求項３記載の発明は、前記第１窒化膜及び前記第２窒化膜は、互いが接触するように隣接する前記銅配線間にわたって形成されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の半導体装置である。
【０００９】
また、請求項４記載の発明は、前記銅配線の酸化及び拡散を防止するための第１バリア層及び接着層を備え、前記第１バリア層及び前記接着層は、前記銅配線よりも面積が大きく前記銅配線を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置である。尚、第１バリア層は、銅配線上に直接的又は間接的に形成されているものを含む。
【００１０】
また、請求項５記載の発明は、前記銅配線と前記第１バリア層の間には、第２バリア層が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、銅配線の下面を覆う第１窒化膜と銅配線の側面を覆う第２窒化膜とが隣接する銅配線間において接触するように形成されているので、イオンマイグレーションの原因となる水分の経路を隣接する銅配線間において遮断することができる。これにより銅配線を構成する銅のイオンマイグレーションを抑制することができるので、隣接する銅配線同士が短絡することを抑制できる。更に、第１窒化膜及び第２窒化膜が絶縁性を有するので、隣接する銅配線間の全域が絶縁される。このため、導電性の窒化タンタルなどにより銅配線を覆った場合に比べて、隣接する銅配線間において絶縁されている領域が長くなるので、隣接する銅配線間の短絡をより抑制することができる。
【００１２】
また、第１窒化膜及び第２窒化膜を同じ窒化物により構成することによって、熱により膨張・収縮した場合でも、第１窒化膜及び第２窒化膜が同じように膨張・収縮するので、第１窒化膜及び第２窒化膜の接触領域が剥離することを防止できる。
【００１３】
また、隣接する銅配線間にわたって互いが接触するように第１窒化膜及び第２窒化膜を形成することによって、隣接する銅配線間において第１窒化膜及び第２窒化膜により遮断される水分の経路が長くなるので、銅のイオンマイグレーションをより抑制することができる。
【００１４】
また、第１バリア層及び接着層を銅配線よりも面積が大きくなるように形成することによって、銅配線の酸化及び拡散を確実に抑制することができる。
【００１５】
また、銅配線上に第１バリア層及び第２バリア層を形成することにより、銅配線の酸化及び拡散をより抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明をＬＳＩに適用した第１実施形態による半導体装置について説明する。図１は、本発明の第１実施形態による半導体装置の断面図である。
【００１７】
図１に示すように、半導体装置１は、複数の半導体素子（図示略）が形成された半導体素子層２と、配線層３と、第１窒化膜４と、銅配線５と、第２窒化膜６と、保護膜７と、バリア層（請求項記載の第１バリア層に相当）８と、接着層９と、ワイヤ１０とを備えている。
【００１８】
配線層３は、３層構造のアルミニウム配線１５と、アルミニウム配線１５同士を接続するタングステン又はアルミニウムからなるビア１６と、ＳｉＯ２からなりアルミニウム配線１５間を絶縁するための層間絶縁膜１７とを備えている。尚、アルミニウム配線１５の層構造は、３層に限定されるものではなく、３層以外の多層構造にしてもよい。
【００１９】
第１窒化膜４は、約０．５μｍ〜約４．０μｍの厚みを有する絶縁性のＳｉＮからなり配線層３上に形成されている。第１窒化膜４は、各銅配線５の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５と銅配線５との間にわたって形成されている。
【００２０】
銅配線５は、低抵抗化を実現するために約１０μｍの厚みを有し、半導体素子層２に形成された半導体素子等を互いに接続するためのものである。銅配線５は、アルミニウム配線１５よりも上層、即ち、配線のうちで最上層に形成されている。銅配線５の下面のうち、第１窒化膜４から露出している領域は、配線層３のアルミニウム配線１５と接続されるように形成されている。
【００２１】
第２窒化膜６は、約０．５μｍ〜約４．０μｍの厚みを有し、第１窒化膜４と同じ絶縁性のＳｉＮからなる。第２窒化膜６は、各銅配線５の側面を覆うとともに、隣接する銅配線５と銅配線５との間にわたって形成されている。ここで、銅のイオンマイグレーションの原因となる、銅配線５と第２窒化膜６の界面の上端部から浸入してきた水分による経路が銅配線５間に形成されることを防止するために、第１窒化膜４と第２窒化膜６は、隣接する銅配線５間にわたって互いに接触し、水分の侵入を防止できるように構成されている。
【００２２】
保護膜７は、銅配線５や窒化膜４、６などを物理的な破損から保護するためのものである。保護膜７は、キレート剤を含むＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）からなり、隣接する銅配線５間に形成された第２窒化膜６の凹部を埋めるように形成されている。ここで、銅配線５、第２窒化膜６及び保護膜７の上面は、後述するＣＭＰ法（化学的機械的研磨法）により平坦化されている。
【００２３】
バリア層８は、銅配線５の酸化及び拡散を防止しつつ、ワイヤ１０と銅配線５とを電気的に接続するためのものである。バリア層８は、銅配線５上に形成され、約０．０５μｍの厚みを有し、銅が拡散しにくいＴｉＷ、Ｔｉ又はＴｉＮなどからなる。
【００２４】
接着層９は、金からなるワイヤ１０との接着性の低い銅配線５に代わってワイヤ１０との接着性を高めつつ、ワイヤ１０と銅配線５とを電気的に接続するためのものである。接着層９は、バリア層８上に同じ幅で形成され、約０．２μｍ〜約４．０μｍの厚みを有し、ＡｌＣｕ、Ａｌ又はＡｌＳｉＣｕなどからなる。ここで、バリア層８及び接着層９の面積が銅配線５の面積に比べて大きくなるように、バリア層８及び接着層９は形成されている。
【００２５】
次に、上述の半導体装置の製造方法について図２〜図５を参照して説明する。尚、図２〜図５は、各製造工程での半導体装置の断面図である。
【００２６】
まず、図２に示すように、半導体素子を含む半導体素子層２を形成した後、アルミニウム配線１５を含む配線層３を形成する。その後、プラズマＣＶＤによりＳｉＮからなる第１窒化膜４を形成する。そして、銅配線５とアルミニウム配線１５とを電気的に接続するために、アルミニウム配線１５の一部が露出するように、第１窒化膜４をパターニングする。
【００２７】
次に、図３に示すように、スパッタ法により、銅配線５を成長させるための約０．１μｍ〜約１．０μｍの厚みの銅シード層（図示略）を露出している配線層３及び第１窒化膜４上の全面に形成し、その後、銅配線５を成長させない領域にのみレジスト膜１９を形成する。次に、電解メッキ法により銅配線５を、レジスト膜１９により覆われていない銅シード層上に成長させる。そして、レジスト膜１９を除去し、更に、レジスト膜１９の除去により露出した銅シード層もエッチングにより除去する。
【００２８】
次に、図４に示すように、ＳｉＮからなる第２窒化膜６をプラズマＣＶＤにより全面に形成する。その後、第２窒化膜６の上にＰＢＯ原料を塗布した後、ベークにより溶媒を蒸発させて保護膜７を硬化させる。
【００２９】
次に、図５に示すように、保護膜７及び第２窒化膜６をＣＭＰ法により、銅配線５が露出するまで研磨する。
【００３０】
次に、バリア層８及び接着層９を全面に形成した後、図１に示すように、銅配線５よりも面積が大きくなるように接着層９及びバリア層８を順にエッチングして、パターニングする。その後、接着層９の所定の領域にワイヤ１０を接着した後、全体をモールド樹脂（図示略）によって覆って半導体装置１が完成する。
【００３１】
上述したように、第１実施形態による半導体装置１では、第１窒化膜４及び第２窒化膜６を絶縁性のＳｉＮにより構成しているので、隣接する銅配線５間の全域において絶縁することができる。このため、導電性の窒化膜により銅配線を覆った場合に比べ、絶縁されている領域が長くなるので、隣接する銅配線５同士を短絡させるのに必要な距離を長くすることができる。この結果、銅のイオンマイグレーションなどによる隣接する銅配線５同士の短絡を抑制することができる。
【００３２】
また、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４及び第２窒化膜６を接触するように形成することにより、イオンマイグレーションの原因となる浸入してくる水分の経路を銅配線５間の全域で遮断することができる。これにより、隣接する銅配線５間の全域で銅のイオンマイグレーションを防止することができるので、より銅配線５同士の短絡を防止できる。
【００３３】
また、第１窒化膜４及び第２窒化膜６を同じＳｉＮによって構成することにより、熱により両窒化膜４、６が膨張・収縮した場合でも、両窒化膜４、６が同じように膨張・収縮するので、銅配線５間における第１窒化膜４と第２窒化膜６との接触領域での剥離を防止できる。これにより、水分の経路を確実に防ぐことができるので、イオンマイグレーションをより抑制することができる。
【００３４】
また、バリア層８及び接着層９を銅配線５よりも面積が大きくなるように形成することによって、銅の酸化及び拡散を確実に抑制することができる。
【００３５】
また、ＣＭＰ法により第２窒化膜６及び保護膜７を除去することによって、銅配線５、第２窒化膜６及び保護膜７の上面の平坦性を向上させることができるので、バリア層８及び接着層９の厚みを均一に形成することができる。更に、ＣＭＰ法によりマスクを使わずに第２窒化膜６及び保護膜７を除去して銅配線５を露出させることができるので、製造工程を簡略化することができる。
【００３６】
次に、第１実施形態の一部を変更した第２実施形態による半導体装置について説明する。尚、図６は、本発明の第２実施形態による半導体装置の断面図である。また、第１実施形態と同じ構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
【００３７】
図６に示すように、半導体装置１Ａは、銅配線５とバリア層８との間にバリア層（請求項記載の第２バリア層に相当）２０が形成されている。バリア層２０は、銅配線５の酸化及び拡散を防止することができ、イオンマイグレーションを起こしにくい、例えば、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ及びこれらを含む合金からなる。
【００３８】
次に、半導体装置１Ａの製造方法について、図７を参照して説明する。図７は、製造工程での半導体装置の断面図である。
【００３９】
まず、第１実施形態と同様に配線層３上に第１窒化膜４を形成し、パターニングする（図２参照）。
【００４０】
次に、図７に示すように、露出している配線層３及び第１窒化膜４上に銅シード層（図示略）をスパッタ法により形成した後、所望の領域にレジスト膜２１を形成する。その後、電解メッキ法により銅配線５及びバリア層２０を露出している銅シード層上に形成する。そして、レジスト膜２１及びレジスト膜２１の除去により露出した銅シード層を除去する。
【００４１】
次に、第２窒化膜６及び保護膜７を順に全面に形成した後、ＣＭＰ法によりバリア層２０が露出するまで保護膜７及び第２窒化膜６を除去する。その後、バリア層８及び接着層９を全面に形成した後、パターニングする。最後に、接着層９の所定の領域にワイヤ１０を接着して、図６に示す半導体装置１Ａが完成する。
【００４２】
上述したように、第２実施形態による半導体装置１Ａでは、銅配線５とバリア層８の間に、例えば、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ及びこれらを含む合金からなるバリア層２０を形成しているので、バリア層８及び接着層９を形成する際などにおいて、銅配線５の酸化及び拡散をより防止することができる。
【００４３】
次に、第１実施形態の製造工程の一部を変更した第３実施形態による半導体装置について図面を参照して説明する。尚、図８及び図９は、本発明の第３実施形態による各製造工程での半導体装置の断面図である。また、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付けて説明を省略する。
【００４４】
第３実施形態における半導体装置の製造方法においては、第１実施形態の保護膜を全面に形成する工程まで同じ工程である（図４参照）。
【００４５】
次に、図８に示すように、第２窒化膜６が露出するまで保護膜７をウェットエッチングにより除去した後、銅配線５が露出するまで第２窒化膜６をドライエッチングにより除去する（エッチバック工程）。
【００４６】
次に、バリア層８及び接着層９を全面に形成した後、図９に示すように、バリア層８及び接着層９をパターニングする。最後に、接着層９の所定の領域にワイヤ１０を接着して半導体装置１Ｂが完成する。
【００４７】
上述したように、第３実施形態の半導体装置の製造方法においては、安価で技術的に容易なエッチバック法により第２窒化膜６及び保護膜７を除去しているので、製造コストを削減すると共に、製造工程を簡略化することができる。更に、エッチバック法によりマスクを使わずに第２窒化膜６及び保護膜７を除去することができるので、製造工程を簡略化することができる。
【００４８】
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
【００４９】
上述の実施形態では、第１窒化膜４及び第２窒化膜６をＳｉＮで構成したが、両窒化膜４、６を構成する材料はＳｉＮに限定されるものではなく、絶縁性の窒化物により構成すればよい。但し、第１窒化膜を構成する材料と第２窒化膜を構成する材料は、熱膨張係数が近い材料が好ましく、更には、両窒化膜を同じ材料で構成することが、より好ましい。
【００５０】
また、上述の実施形態では、第１窒化膜４及び第２窒化膜６を隣接する銅配線５間にわたって形成したが、第１窒化膜及び第２窒化膜を銅配線間の一部にのみ互いが接触するように形成してもよい。
【００５１】
また、上述した第２実施形態では、ＣＭＰ法により第２窒化膜６及び保護膜７の一部を除去したが、第３実施形態のようにエッチバック工程により第２窒化膜６及び保護膜７の一部を除去してもよい。
【００５２】
また、上述の実施形態では、本発明をＬＳＩに適用した例を示したが、ディスクリート半導体など他の半導体装置に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体装置の断面図である。
【図２】各製造工程での半導体装置の断面図である。
【図３】各製造工程での半導体装置の断面図である。
【図４】各製造工程での半導体装置の断面図である。
【図５】各製造工程での半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態による半導体装置の断面図である。
【図７】製造工程での半導体装置の断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態による各製造工程での半導体装置の断面図である。
【図９】各製造工程での半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１、１Ａ、１Ｂ      半導体装置
２    半導体素子層
３    配線層
４    第１窒化膜
５    銅配線
６    第２窒化膜
７    保護膜
８    バリア層
９    接着層
１０  ワイヤ
１５  アルミニウム配線
１６  ビア
１７  層間絶縁膜
２０  バリア層
【図１】
2008066451.tif 000003
【図２】
2008066451.tif 000004
【図３】
2008066451.tif 000005
【図４】
2008066451.tif 000006
【図５】
2008066451.tif 000007
【図６】
2008066451.tif 000008
【図７】
2008066451.tif 000009
【図８】
2008066451.tif 000010
【図９】
2008066451.tif 000011