(57)【要約】【課題】電気絶縁性を維持し、帯電防止性に優れ、良好な放熱性を発揮する硬化物を与える半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】（Ａ）２３℃における粘度が０．１〜５００Ｐａ・ｓであり、１分子中にケイ素原子結合アルケニル基を２個以上有するポリオルガノシロキサン：１００重量部、（Ｂ）１分子中にケイ素原子結合水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン：（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基１個に対して、ケイ素原子結合水素基が１．０〜５．０個となる量、（Ｃ）白金系触媒：触媒量、（Ｄ）接着性付与剤：０．３〜２０重量部、（Ｅ）平均粒径１０μｍ以下のシリカ粉末：６０〜１６０重量部、ならびに（Ｆ）四三酸化鉄：４０〜７０重量部を含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）２３℃における粘度が０．１〜５００Ｐａ・ｓであり、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を２個以上有するポリオルガノシロキサン        １００重量部、
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン                              （Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して、ケイ素原子に結合した水素基が１．０〜５．０個となる量、
（Ｃ）白金系触媒                                                      触媒量、
（Ｄ）接着性付与剤                                        ０．３〜２０重量部、
（Ｅ）平均粒径１０μｍ以下のシリカ粉末                    ６０〜１６０重量部、
ならびに
（Ｆ）四三酸化鉄                                              ４０〜７０重量部を含有する半導体封止用シリコーン組成物であって、
硬化後の体積抵抗率が１０７〜１０１４Ω・ｃｍ、熱伝導率が０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とする半導体封止用シリコーン組成物。
【請求項２】
前記（Ａ）成分のアルケニル基含有量が、２〜３００ｍｍｏｌ／１００ｇであることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用シリコーン組成物。
【請求項３】
前記（Ｆ）成分の平均粒径が、０．１〜４０μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体封止用シリコーン組成物。
【請求項４】
硬化後の絶縁破壊電圧が、４ｋＶ／ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体封止用シリコーン組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体封止用シリコーン組成物の硬化物により、半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の封止剤として好適な半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、外部環境から素子を保護するために気密に封止されており、この封止剤としては、エポキシ樹脂ベースの組成物が汎用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、エポキシ樹脂ベースの封止剤では、近年の半導体パッケージの小型化や半導体素子の発熱量の増大によってクラッキングが発生しやすく、信頼性の低下を招いていた。
【０００４】
そこで、優れた耐熱性を有する点から、シリコーン組成物が使用されている。特に、付加反応硬化型のシリコーン組成物は、加熱により短時間で硬化するため生産性がよく、半導体素子の封止剤として適している。
【０００５】
しかしながら、このようなシリコーン組成物の硬化物は一般に電気絶縁性であり、帯電しやすい。このため、半導体素子の封止剤として使用すると、半導体デバイスそのものが破壊されやすく、信頼性や歩留まりの低下を招く。また、近年のさらなる半導体素子の発熱量の増大にともない、封止剤には、放熱性の向上が要求されている。
【特許文献１】特開２０００−１６９５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、このような課題に対処するためになされたもので、電気絶縁性を維持し、帯電防止性に優れ、良好な放熱性を発揮する硬化物を与える半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた高信頼性の半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、（Ａ）ベースポリマーに対して（Ｅ）シリカ粉末ならびに（Ｆ）四三酸化鉄を特定量配合し、硬化後の熱伝導率と体積抵抗率を所定の範囲にすることで、電気絶縁性を維持し、帯電防止性に優れ、良好な放熱性を発揮する硬化物を与える半導体封止用シリコーン組成物およびそれを用いた半導体装置が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００８】
すなわち、本発明の半導体封止用シリコーン組成物は、
（Ａ）２３℃における粘度が０．１〜５００Ｐａ・ｓであり、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を２個以上有するポリオルガノシロキサン        １００重量部、
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン                              （Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して、ケイ素原子に結合した水素基が１．０〜５．０個となる量、
（Ｃ）白金系触媒                                                      触媒量、（Ｄ）接着性付与剤                                        ０．３〜２０重量部、
（Ｅ）平均粒径１０μｍ以下のシリカ粉末                    ６０〜１６０重量部、
ならびに
（Ｆ）四三酸化鉄                                              ４０〜７０重量部を含有する半導体封止用シリコーン組成物であって、硬化後の体積抵抗率が１０７〜１０１４Ω・ｃｍ、熱伝導率が０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の半導体装置は、半導体封止用シリコーン組成物の硬化物により、半導体素子が封止されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成により、電気絶縁性を維持し、帯電防止性に優れ、良好な放熱性を発揮する硬化物を与える半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた高信頼性の半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の半導体封止用シリコーン組成物について詳細に説明する。
【００１２】
［（Ａ）成分］
（Ａ）成分はベースポリマーであり、得られた組成物を十分に硬化させる上で、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を２個以上有する。その分子構造は、直鎖状、環状、分岐鎖状のいずれでもよいが、硬化後のゴム物性の点から、直鎖状が好ましく、１種単独または２種以上を組み合わせてもよい。
【００１３】
ケイ素原子に結合したアルケニル基としては、例えばビニル基、アリル基、ブテニル基、ペテニル基、ヘキセニル基等が挙げられ、好ましくはビニル基である。このアルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよいが、得られる組成物の硬化速度、硬化後の物性、特に接合強度の点から、少なくとも分子鎖末端のケイ素原子、特に分子鎖両末端のケイ素原子に結合していることが好ましい。
【００１４】
ケイ素原子に結合したアルケニル基の含有量は、硬化後に十分な接合強度を付与する上で、（Ａ）成分１００ｇ中のモル数が２〜３００ｍｍｏｌ、好ましくは１５〜２００ｍｍｏｌである。なお、ケイ素原子に結合したアルケニル基の含有量は、（ケイ素原子に結合したアルケニル基の平均個数）／（理論平均分子構造の分子量）×１０００を算出することで求められる。
【００１５】
アルケニル基以外のケイ素原子に結合した有機基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基あるいはこれらの水素原子が部分的に塩素原子、フッ素原子などで置換されたハロゲン化炭化水素基等の炭素原子数１〜１２個、好ましくは炭素原子数１〜８個のものであり、合成の容易さから、好ましくはアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基である。
【００１６】
（Ａ）成分の２３℃における粘度は、０．１〜５００Ｐａ・ｓ、好ましくは０．２〜３００Ｐａ・ｓである。粘度が０．１Ｐａ・ｓ未満であると、硬化後、良好な物性が得られず、脆くなり易い。一方、５００Ｐａ・ｓを超えると、組成物の流動性が低下して作業性が悪化し易い。
【００１７】
［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分は架橋剤であり、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有している。この水素原子は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよい。その分子構造は、直鎖状、分岐鎖状、環状あるいは三次元網目状構造のいずれでもよい。
【００１８】
（Ｂ）成分としては、平均組成式：
Ｒ１ａＨｂＳｉＯ［４−（ａ＋ｂ）］／２
で示されるものが用いられる。
【００１９】
式中、Ｒ１は、脂肪族不飽和炭化水素基を除く、置換または非置換の１価炭化水素基である。Ｒ１としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基；およびこれらの基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子やシアノ基で置換されているもの、例えばクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基、シアノエチル基等が挙げられ、なかでも、合成のし易さ、コストの点から、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等の炭素原子数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【００２０】
ａ、ｂはそれぞれ正数であり、０．５≦ａ≦２、０＜ｂ≦２、０．５＜ａ＋ｂ≦３を満足する数であり、好ましくは０．６≦ａ≦１．９、０．０１≦ｂ≦１．０、０．６≦ａ＋ｂ≦２．８を満足する数である。
【００２１】
（Ｂ）成分の２３℃における粘度は、０．０１〜０．５Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００２２】
（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して、ケイ素原子に結合した水素基の合計個数が１．０〜５．０個となる量、好ましくは１．５〜４．０となる量である。１．０個未満であると、得られた組成物が十分に硬化しにくい。一方、５．０個を越えると、硬化後のゴム物性が経時で変化し易くなる。
【００２３】
［（Ｃ）成分］
（Ｃ）成分の白金系触媒は、組成物の硬化を促進させる成分である。
【００２４】
（Ｃ）成分としては、ヒドロシリル化反応に用いられる触媒として周知の触媒を用いることができ、例えば白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類やビニルシロキサンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等が挙げられる。
【００２５】
（Ｃ）成分の配合量は、硬化に必要な量であればよく、所望の硬化速度などに応じて適宜調整することができる。通常、（Ａ）成分１００重量部に対し白金元素に換算して０．１〜１０００ｐｐｍ、好ましくは１〜２００ｐｐｍの範囲である。
【００２６】
［（Ｄ）成分］
（Ｄ）成分は、組成物に接着性を付与する成分であり、公知のものを使用できる。
（Ｄ）成分は、オルガノシラン、またはケイ素原子数２〜５０個、好ましくは４〜２０個のオルガノシロキサンオリゴマー等の有機ケイ素化合物である。このような有機ケイ素化合物は、ケイ素原子に結合したアルコキシ基、ケイ素原子に結合したアルケニルオキシ基、Ｓｉ−Ｈ基、アルケニル基、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基、メルカプト基、エステル基、無水カルボキシ基、アミノ基及びアミド基から選ばれる少なくとも１個の反応性官能基を有することが好ましい。これらは１種単独または２種以上を併用してもよい。
【００２７】
（Ｄ）成分としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性基含有アルコキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ（メトキシエトキシ）シラン等のアルケニル基含有アルコキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基含有アルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリル基又はメタクリル基含有アルコキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基含有アルコキシシランなどのアルコキシシランが挙げられる。また、オルガノシロキサンオリゴマーとしては、下記のような化合物が挙げられる。
【化１】
2008150438.tif 000002
【化２】
2008150438.tif 000003
【化３】
2008150438.tif 000004
【００２８】
（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．３〜２０重量部、好ましくは０．３〜１０重量部である。配合量が０．３重量部未満では、十分な接着性が得られない。一方、２０重量部を越えると、コストの点で不経済である。
【００２９】
［（Ｅ）成分］
（Ｅ）成分のシリカ粉末は本発明の特徴を付与する成分であり、硬化後に所望の熱伝導率を与える。
【００３０】
（Ｅ）成分のシリカ粉末は、結晶シリカ、溶融シリカのいずれであってもよく、形状も球状、破砕状のいずれでもよく、１種単独又はこれらを混合して用いてもよい。
【００３１】
その平均粒径は、１０μｍ以下、好ましくは０．１〜５μｍである。平均粒径が１０μｍを超えると、塗膜の十分な均一性と接着耐久性を付与し難くなる。なお、平均粒径は、レーザー光回折法で測定した値である。
【００３２】
また、（Ｅ）成分は、その表面を周知の表面処理剤で処理したものを用いてもよい。この場合、予め表面処理剤で表面処理したものを用いても、組成物を製造する際に表面処理剤を同時に添加して処理してもよい。
【００３３】
（Ｅ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して６０〜１６０重量部、好ましくは６０〜１２０重量部である。配合量が６０重量部未満であると、硬化後、所望の熱伝導率が得られ難い。一方、１６０重量部を越えると、得られた組成物の流動性が低下して作業性が悪化し易い。
【００３４】
［（Ｆ）成分］
（Ｆ）成分の四三酸化鉄（Fe3O4）は本発明の特徴を付与する成分であり、上記成分（Ｅ）シリカ粉末との組み合わせにより硬化後の熱伝導性を向上させるとともに、所望の体積抵抗率を与える。
【００３５】
（Ｆ）成分の体積抵抗率は１０３〜１０５Ω・ｃｍであり、これによって、半導体素子の封止剤として１０７〜１０１４Ω・ｃｍの領域において電気絶縁性を維持するとともに、帯電防止性が得られる。
【００３６】
また、その平均粒径は、好ましくは０．１〜４０μｍであり、より好ましくは０．２〜３０μｍである。平均粒径が０．１μｍ未満では、配合や分散が困難になりやすい。一方、４０μｍを越えると、塗膜の十分な均一性と接着耐久性の効果が得られにくい。なお、平均粒径は、レーザー光回折法により測定した値である。
【００３７】
また、（Ｆ）成分は、その表面を周知の表面処理剤で処理したものを用いてもよい。この場合、予め表面処理剤で表面処理したものを用いても、組成物を製造する際に表面処理剤を同時に添加して処理してもよい。
【００３８】
（Ｆ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して４０〜７０重量部、好ましくは４０〜６０重量部である。配合量が４０重量部未満であると、所望の体積抵抗率が得られない。一方、７０重量部を越えると、所望の体積抵抗率が得られないばかりか、組成物の流動性を損ない作業性の悪化を招くことがある。
【００３９】
上記（Ａ）〜（Ｆ）成分を基本成分とし、これらに必要に応じて、その他の任意成分として補強性充填剤、反応抑制剤、難燃性付与剤、可塑剤、着色剤等を本発明の目的を損なわない範囲で添加してもよい。
【００４０】
本発明の半導体封止用シリコーン組成物の製造方法としては、例えば（Ａ）〜（Ｆ）成分及びその他任意成分をプラネタリーミキサー、ニーダー、品川ミキサー等の混合機で混合する方法等が挙げられる。得られる組成物は液状であることが好ましく、２３℃における粘度が、１０〜４００Ｐａ・ｓ、好ましくは２０〜３００Ｐａ・ｓである。
【００４１】
本発明の半導体封止用シリコーン組成物の硬化方法は、該組成物を室温で放置する方法や、５０〜２００℃で加熱する方法が挙げられるが、迅速に硬化させる上で、加熱する方法が好ましい。
【００４２】
硬化後の体積抵抗率は、電気絶縁性を維持し、帯電防止性に優れた硬化物を与える点から、１０７〜１０１４Ω・ｃｍ、好ましくは１０９〜１０１３Ω・ｃｍである。
【００４３】
硬化後の絶縁破壊電圧は、４ｋＶ／ｍｍ以上、好ましく４．５ｋＶ／ｍｍ以上である。絶縁破壊電圧が４ｋＶ／ｍｍ未満であると、半導体デバイス内で回路短絡が生じやすく適応範囲が狭まる場合がある。
【００４４】
硬化後の熱伝導率は、熱線法で測定した熱伝導率が０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、好ましくは０．６Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。熱伝導率が０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満であると、放熱性能が不十分になる場合があり、用途が限定され易くなる。
【００４５】
したがって、本発明の半導体封止用シリコーン組成物は、硬化後の体積抵抗率が１０７〜１０１４Ω・ｃｍであり、熱伝導率が０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるため、電気絶縁性を維持し、帯電防止性に優れ、良好な放熱性を発揮する硬化物を与え、半導体素子の封止剤として好適である。
【００４６】
次に、本発明の半導体装置の一例について説明する。
【００４７】
半導体装置は、上述した半導体封止用シリコーン組成物の硬化物で半導体素子を封止したものである。半導体装置の製造方法としては、周知の方法を用いることができ、例えば半導体素子に半導体封止用シリコーン組成物を充填した後、加熱して硬化させる方法等が挙げられる。
【実施例】
【００４８】
本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例及び比較例中、粘度は２３℃において測定した値であり、平均粒径はレーザー光回折法により測定した値である。また、実施例及び比較例で得られた半導体封止用シリコーン組成物は、以下のようにして特性を評価し、結果を表１に示した。表１に示した特性は、２３℃において測定した値である。
【００４９】
［粘度］
得られた半導体封止用シリコーン組成物の粘度をＪＩＳＫ６２４９に準拠して測定した。
【００５０】
［体積抵抗率］
得られた半導体封止用シリコーン組成物を１５０℃で１時間加熱して硬化させ、この硬化物の体積抵抗率をＪＩＳＫ６２４９に準拠して測定した。
【００５１】
［絶縁破壊電圧］
得られた半導体封止用シリコーン組成物を１５０℃で１時間加熱して硬化させ、この硬化物の絶縁破壊電圧をＪＩＳＫ６２４９に準拠して測定した。
【００５２】
［せん断接着力］
ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準じて、測定した。すなわち、図１に示すように、幅２５ｍｍの長方形状のセラミック板１１，１２の各々の片末端を厚さ１ｍｍの半導体封止用シリコーン組成物１３を挟む形で張り合わせ（接着面積：２５ｍｍ×１０ｍｍ＝２．５ｃｍ２）、１５０℃で１時間加熱硬化させてテストピースを作製した。このテストピースのそれぞれの端部を図中の矢印方向に、引っ張り試験機（島津製作所製、オートグラフ）で引張速度１０ｍｍ／分で引っ張り、セラミック板１１，１２表面のせん断接着力を測定した。
【００５３】
［破断状態］
上記せん断接着力を測定した後、破断状態を観察した。図１中のセラミック板１１，１２にシリコーンの薄層が残存する場合にはＴＬ１００％、セラミック板１１，１２にシリコーンの層が残存しない場合にはＣＦ０％とした。
【００５４】
［熱伝導率］
得られた半導体封止用シリコーン組成物を２０ｍｍ厚の金型に充填し、１５０℃で１時間加熱硬化させ、厚さ２０ｍｍのシリコーンゴムシートを作製した。このシリコーンゴムシートを用いて、熱線法に従い、熱伝導率計（京都電子工業社製、ＱＴＭ−５００）により測定した。
【００５５】
［実施例１］
（Ａ）粘度が２．６Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（Ｓｉ−Ｖｉ基含有量０．２７ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリメチルハイドロジェンシロキサン（Ｓｉ−Ｈ基含有量８．８ｍｍｏｌ／ｇ）６．９重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０２重量部（白金元素に換算して１０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．８重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．５重量部、（Ｅ）平均粒径５μｍの結晶シリカ粉末（龍森社製、クリスタライトＶＸ−Ｓ）１３３重量部、（Ｆ）平均粒径２．７μｍの四三酸化鉄（戸田工業社製、ＫＮ３２０）４２重量部を万能混錬器で均一に混合して、半導体封止用シリコーン組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００５６】
［実施例２］
（Ａ）粘度が２．６Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．２７ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリメチルノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量８．８ｍｍｏｌ／ｇ）７．０重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０２重量部（白金元素に換算して１０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１．１重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．５重量部、（Ｅ）平均粒径５μｍの結晶シリカ粉末１１８重量部、（Ｆ）平均粒径２．７μｍの四三酸化鉄５７重量部を万能混錬器で均一に混合して、半導体封止用シリコーン組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００５７】
［比較例１］
（Ａ）粘度が２．６Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．２７ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリメチルハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量８．８ｍｍｏｌ／ｇ）６．９重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０２重量部（白金元素に換算して１０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．８重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．５重量部、（Ｅ）平均粒径５μｍの結晶シリカ粉末５０重量部、（Ｆ）平均粒径２．７μｍの四三酸化鉄４２重量部を万能混錬器で均一に混合して、半導体封止用シリコーン組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００５８】
［比較例２］
（Ａ）粘度が２．６Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．２７ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリメチルハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量８．８ｍｍｏｌ／ｇ）７．０重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０２重量部（白金元素に換算して１０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１．１重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．５重量部、（Ｅ）平均粒径５μｍの結晶シリカ粉末９２重量部、（Ｆ）平均粒径２．７μｍの四三酸化鉄８３重量部を万能混錬器で均一に混合して、半導体封止用シリコーン組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【表１】
2008150438.tif 000005
【００５９】
表１から明らかなように、（Ａ）成分１００重量部に対して（Ｅ）結晶シリカ粉末を６０〜１６０重量部の範囲で配合し、（Ｆ）四三酸化鉄を４０〜７０重量部の範囲で配合した各実施例は、硬化後の体積抵抗率が１０７〜１０１４Ω・ｃｍであり、熱伝導率が０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。よって、電気絶縁性を維持し、帯電防止性に優れ、良好な放熱性を発揮する硬化物を与え、半導体素子の封止剤として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】せん断接着力の測定に用いたテストピースと試験条件を示す略図。
【符号の説明】
【００６１】
１１，１２…セラミック板、１３…半導体封止用シリコーン組成物。
【図１】
2008150438.tif 000006