(57)【要約】【課題】、電子ビーム走査において、非アクティブエリアにおける負電荷の帯電を防ぐ。【解決手段】走査範囲内に、電子ビームを照射するアクティブエリアと電子ビームの照射を回避する非アクティブエリアとを設定し、電子ビームを走査する走査位置データがアクティブエリア内であるときは、走査位置データに基づいて電子ビームを走査し、電子ビームを走査する走査位置データが非アクティブエリア内であるときは、この走査位置データに代えて予め設定したビーム退避位置データを用いて電子ビームを走査し、これによって、非アクティブエリアへの電子ビームの照射を回避する。アクティブエリアに対して電子ビームの照射を選択的に行い、この電子ビームを照射する範囲を、ＴＦＴガラス基板の構成に応じて変更することによって、遮蔽物を設けることなく、非アクティブエリアへの電子ビームの照射を防ぐ。【選択図】図２
2008107208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で電子ビームを走査させる電子ビーム走査方法であって、
走査範囲内に、電子ビームを照射するアクティブエリアと電子ビームの照射を回避する非アクティブエリアとを設定し、
電子ビームを走査する走査位置データがアクティブエリア内であるときは、当該走査位置データに基づいて電子ビームを走査し、
電子ビームを走査する走査位置データが非アクティブエリア内であるときは、当該走査位置データに代えて予め設定したビーム退避位置データを用いて電子ビームを走査し、
非アクティブエリアへの電子ビームの照射を回避することを特徴とする電子ビーム走査方法。
【請求項２】
基板上で電子ビームを走査させる電子ビーム走査方法であって、
走査範囲内における電子ビームの走査位置データを生成する工程と、
走査位置データから走査位置を取得する工程と、
前記走査位置が非アクティブエリア内の位置であるかを判定する工程と、
前記判定で得られた判定結果に基づいて、走査位置データ又はビーム退避位置データを選択する工程と、
前記選択工程で選択した位置データに基づいて電子ビームの照射位置を制御する工程とを備えることを特徴とする電子ビーム走査方法。
【請求項３】
走査電子ビームを照射する電子銃と、
基板上への電子ビームの走査を制御する電子ビーム制御部と、
電子ビームの退避用電極と、
前記基板に検査用駆動信号を印加する信号印加部とを備え、
前記電子ビーム制御部は、電子ビームの走査範囲内において、走査位置がアクティブエリアであるときは電子ビームを当該走査位置に照射し、走査位置が非アクティブエリアであるときは電子ビームを前記退避用電極に照射し、非アクティブエリアにおける電子ビームの照射を回避することを特徴とする電子ビーム走査装置。
【請求項４】
前記電子ビーム制御部は、
走査範囲内における電子ビームの走査位置データを生成する走査位置データ生成部と、
前記走査位置データを計数して走査位置を走査位置情報カウンタと、
電子ビームを走査範囲外に退避させるビーム退避位置データを記憶するビーム退避位置データ記憶部と、
前記走査位置データと前記ビーム退避位置データとを切り換えて出力するデータ切換部とを備え、
前記データ切換部は、走査位置情報カウンタで得られる走査位置が非アクティブエリアであるとき、走査位置データに代えてビーム退避位置データを出力することを特徴とする、請求項３に記載の電子ビーム走査装置。
【請求項５】
前記基板を支持するとともにＸＹ方向に移動可能なＸＹステージを備え、
当該ＸＹステージの移動および電子ビームの偏向、あるいはＸＹステージの移動又は電子ビームの偏向によって、電子ビームを走査することを特徴とする、請求項３又は４に記載の電子ビーム走査装置。
【請求項６】
走査電子ビームを照射する電子銃と、
ＴＦＴ基板上への電子ビームの走査を制御する電子ビーム制御部と、
電子ビームの退避用電極と、
前記基板に検査用駆動信号を印加する信号印加部とを備え、
基板から放出される二次電子を検出する検出器と、
前記検出信号からＴＦＴ基板の欠陥検査を行う検査部とを備え、
前記電子ビーム制御部は、電子ビームの走査範囲内において、走査位置がアクティブエリアであるときは電子ビームを当該走査位置に照射し、走査位置が非アクティブエリアであるときは電子ビームを前記退避用電極に照射し、非アクティブエリアにおける電子ビームの照射を回避することを特徴とするＴＦＴアレイ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対象物の所定領域に電子ビームを照射する電子ビーム走査方法、電子ビーム走査装置、およびこの電子ビーム走査を用いてＴＦＴアレイに電子ビームを照射して行う検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ基板検査装置として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板を駆動し、その結果ＴＦＴ基板に発生するＩＴＯ電圧を電子ビーム照射により発生する二次電子の強度で検出し、ＴＦＴ基板に形成されたアレイの良否を判定するものが知られている
【０００３】
ＴＦＴガラス基板には、被測定対象物であるフラットパネルディスプレイ等のパネルが複数形成されている。ＴＦＴ基板検査装置は、このＴＦＴガラス基板に形成されている複数のパネルに欠陥検出用信号パターンを給電してＴＦＴを駆動し、この駆動による電圧状態を、電子ビーム照射で検出される二次電子強度で検出し、ＴＦＴ基板に形成されたアレイの良否を判定する。
【０００４】
図１１は、従来のＴＦＴ基板検査装置の一構成例を説明するための図である。制御部１０３は走査データをＤ／Ａ変換部１０４に出力する。Ｄ／Ａ変換部１０４は、走査位置に相当する走査データを電圧や電流に変換し、電子銃１０５内の偏向器（図示していない）に印加する。電子銃１０５は、電子源が放出された電子ビームを偏向して、所望の位置に照射する。
【０００５】
ＸＹステージ１１２上には基板１００が配置され、照射された電子ビームによって二次電子を放出する。この二次電子の強度は基板１００の電圧に依存するため、この二次電子ビームを位置検出器１０６で検出することで基板１００の電圧状態を検出することができる。基板１００には、給電パット１０９を介して、制御部１０３から出力されるＴＦＴ駆動信号１０８が印加され、この検査信号の印加で得られる基板１００の電圧状態を知ることによってＴＦＴアレイの欠陥を検出する。
【０００６】
一枚のＴＦＴガラス基板には、複数のＴＦＴパネルを多面取りするために、複数ＴＦＴパネルが形成されている。このＴＦＴパネルにはＩＴＯ電極等から成るアレイが配列され、このＩＴＯ電極部分に電子ビームを照射することで検出信号を得ることができる。一方、ＴＦＴガラス基板には、ＩＴＯ電極部分が形成される部分の他に、素ガラスが露出する部分がある。この素ガラスの露出部は電気絶縁体であるため、この部分に電子ビームが照射されると、電子が滞留蓄積して、静電帯電と同様にチャージアップ現象が発生する。
【０００７】
ここで、ＩＴＯ電極等が形成されている領域をアクティブエリアとし、素ガラスの露出部のように電気絶縁体の部分を非アクティブエリアとする。
【０００８】
図１１に示す例では、基板１００上の非アクティブエリア１１１内に４つのアクティブエリア１１０が設けられる例を示している。
【０００９】
従来、一つの電子銃が照射する電子ビーム照射範囲は、電子ビームをＸ方向およびＹ方向に走査することで長方形の形状となり、通常、この照射範囲の照射寸法は固定されている。
【００１０】
ＴＦＴガラス基板は、通常多面取りされるため、複数のパネルが設定される。そのため、パネル間には非アクティブエリアが設けられることになる。長方形でＸＹの寸法が固定された照射範囲の電子ビームをＴＦＴガラス基板上で走査する方法として、ガラス基板を固定してＴＦＴガラス全体を一度に照射する場合と、ＴＦＴガラス基板をＸＹステージ１１２上に載置し、ＴＦＴガラス基板をＸＹ方向に移動させながら、ＴＦＴガラス基板よりも小さな範囲に電子ビームを照射する場合がある。
【００１１】
図１２は非アクティブエリアへの電子ビーム照射を説明するための図である。図１２（ａ）は、基板１００上にアクティブエリアであるパネル１０１（１０１ａ〜１０１ｄ）を設けた構成を示している。図１２（ｂ）は、基板１００全体を照射領域１０２で一度に照射する例を示し、図１２（ｃ）は、基板１００上の各パネル１０１を各照射領域１０２で照射する例を示している。
【００１２】
いずれの照射方法の場合にも、電子ビームはアクティブエリアと非アクティブエリアの区別なく照射するため、非アクティブエリア上への照射を避けることはできない。
【００１３】
アクティブエリアと非アクティブエリアの区別なく走査を行うことによって、非アクティブエリアは照射された電子ビームの負電荷で帯電（チャージアップ）される。この負の帯電は、近傍のアクティブエリアに向けて照射された電子（マイナス電荷）を跳ね返し、飛行軌道を歪ませる。そのため、アクティブエリアにおいて、電子ビームが所望位置への照射に支障が生じることになり、検査漏れや検査精度の局所的な低下（誤検査）が生じる要因となる。
【００１４】
図１３は、この負電荷の非アクティブエリアへの帯電を説明するための図である。図１３において、非アクティブエリア１１１上の電子ビームの照射による負電荷の帯電部分Ｐは、非アクティブエリア１１１に向かう電子ビームが湾曲して、アクティブエリア１１０に照射する場合が生じる。
【００１５】
この対策として、従来、非アクティブエリアに電子ビームが照射されないように、アース接地などの低インピーダンスの固定電位に接続された導電体を非アクティブエリアと電子銃との間に設置する構成が提案されている。この導電体の機能は、例えば、ＴＦＴガラス基板へ駆動信号を給電するピンと配線を設けたプローバフレームという金属加工物に持たせている。
【００１６】
図１４は、遮蔽物による負電荷の帯電防止を説明するための図である。導電性の遮蔽物１２０を、非アクティブエリア１１１を覆うように配置することで、電子銃１０５から照射された電子ビームの内で、非アクティブエリア１１１に向かう電子ビームを取り込んでアースする。これによって、非アクティブエリア１１１に負電荷が帯電することを防ぐ。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
この非アクティブエリアの負電荷帯電を防ぐ遮蔽物としてプローバフレームを用いた場合には、以下のような問題がある。
【００１８】
プローバフレームは構造が複雑であるため、加工に時間がかかるためコストが高くなるという問題がある。
【００１９】
また、ＴＦＴガラス基板の寸法や、ＴＦＴガラス基板で面取するパネル数や配置等が異なる場合によって、これらのＴＦＴガラス基板の種類に応じてプローバフレームを用意しておく必要がある。図１５は、ＴＦＴガラス基板とプローバフレームとの関係を説明するための図である。ＴＦＴガラス基板１００Ａ〜１００Ｃは、図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＴＦＴガラス基板の寸法やパネル数等が異なる。プローバフレーム１２１Ａ〜１２１ＣはこのＴＦＴガラス基板１００Ａ〜１００Ｃに対応して用意される。そのため、多種類のプローバフレームを保有しておく必要があり、保管場所、保管器具、段取り替えなどの、必要な運用コストが高くなるという問題がある。
【００２０】
そこで、非アクティブエリアへの電子ビームの照射防止を、遮蔽物を用いることなく行うことが求められている。
【００２１】
なお、ＴＦＴ基板検査装置において、このようなプローバフレームの他の遮蔽物を持つ構成において、非アクティブエリアにおける負電荷の帯電防止するための構成が開示された特許文献の存在については、本出願の発明者は知見していないため、特許文献は挙げていない。
【００２２】
そこで、本発明は上記課題を解決して、電子ビーム走査において、非アクティブエリアにおける負電荷の帯電を防ぐことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の、基板上で電子ビームを走査させる電子ビーム走査方法は、走査範囲内に、電子ビームを照射するアクティブエリアと電子ビームの照射を回避する非アクティブエリアとを設定し、電子ビームを走査する走査位置データがアクティブエリア内であるときは、当該走査位置データに基づいて電子ビームを走査し、電子ビームを走査する走査位置データが非アクティブエリア内であるときは、この走査位置データに代えて予め設定したビーム退避位置データを用いて電子ビームを走査し、これによって、非アクティブエリアへの電子ビームの照射を回避する。
【００２４】
アクティブエリアに対して電子ビームの照射を選択的に行い、この電子ビームを照射する範囲を、ＴＦＴガラス基板の構成に応じて変更することによって、遮蔽物を設けることなく、非アクティブエリアへの電子ビームの照射を防ぐことができる。
【００２５】
また、本発明の電子ビーム走査方法は、走査範囲内における電子ビームの走査位置データを生成する工程と、走査位置データから走査位置を取得する工程と、走査位置が非アクティブエリア内の位置であるかを判定する工程と、この判定で得られた判定結果に基づいて、走査位置データ又はビーム退避位置データを選択する工程と、選択工程で選択した位置データに基づいて電子ビームの照射位置を制御する工程によって行うことができる。
【００２６】
また、本発明は電子ビーム走査装置の態様とすることができる。この電子ビーム走査装置の態様は、電子銃と、基板上への電子ビームの走査を制御する電子ビーム制御部と、電子ビームの退避用電極と、基板に検査用駆動信号を印加する信号印加部とを備える。
【００２７】
電子ビーム制御部は、電子ビームの走査範囲内において、走査位置がアクティブエリアであるときは電子ビームを当該走査位置に照射し、走査位置が非アクティブエリアであるときは電子ビームを前記退避用電極に照射する。これによって、非アクティブエリアにおける電子ビームの照射を回避する。
【００２８】
さらに、電子ビーム制御部は、走査範囲内における電子ビームの走査位置データを生成する走査位置データ生成部と、走査位置データを計数して走査位置を走査位置情報カウンタと、電子ビームを走査範囲外に退避させるビーム退避位置データを記憶するビーム退避位置データ記憶部と、走査位置データと前記ビーム退避位置データとを切り換えて出力するデータ切換部とを備える。データ切換部は、走査位置情報カウンタで得られる走査位置が非アクティブエリアであるとき、走査位置データに代えてビーム退避位置データを出力する。
【００２９】
また、基板を支持するとともにＸＹ方向に移動可能なＸＹステージを備える構成とすることもできる。このＸＹステージの移動および電子ビームの偏向、あるいはＸＹステージの移動又は電子ビームの偏向によって、電子ビームを走査する。
【００３０】
また、本発明は、ＴＦＴアレイ検査装置の態様とすることができる。
【００３１】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、本発明の電子ビーム走査装置を備える構成であり、走査電子ビームを照射する電子銃と、ＴＦＴ基板上への電子ビームの走査を制御する電子ビーム制御部と、電子ビームの退避用電極と、基板に検査用駆動信号を印加する信号印加部とを備え、さらに、基板から放出される二次電子を検出する検出器と、検出信号からＴＦＴ基板の欠陥検査を行う検査部とを備える。
【００３２】
電子ビーム制御部は、電子ビームの走査範囲内において、走査位置がアクティブエリアであるときは電子ビームを当該走査位置に照射し、走査位置が非アクティブエリアであるときは電子ビームを退避用電極に照射し、非アクティブエリアにおける電子ビームの照射を回避する。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の電子ビーム走査によれば、非アクティブエリアにおける負電荷の帯電を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００３５】
図１、図２は、本発明の電子ビーム走査を説明するための図である。本発明の電子ビームは、非アクティブエリアへの電子ビームの照射を避けるために、電子ビームの走査を選択的に行う。この選択的な走査は、より詳細には、走査範囲内において、電子ビームを照射するアクティブエリアと電子ビームの照射を回避する非アクティブエリアとを設定し、走査範囲を走査する際に、電子ビームを走査する走査位置データを変更することで、遮蔽構造を不要とする。電子ビームを走査する走査位置データがアクティブエリア内であるときは、当該走査位置データに基づいて電子ビームを走査し、電子ビームを走査する走査位置データが非アクティブエリア内であるときは、この走査位置データに代えて予め設定したビーム退避位置データを用いて電子ビームを走査する。
【００３６】
図１は、電子銃１Ａと電子銃１Ｂによって基板２を走査する例を示している。なお、電子銃の個数は任意とすることができる。基板２上には、パネル等が形成されるアクティブエリア３と、ガラス基板の素材が露出する電気絶縁体である非アクティブエリア４があり、電子銃１Ａおよび電子銃１Ｂは、例えば長方形の所定形状の走査範囲８で電子ビーム照射する。この走査範囲８は、アクティブエリア３の範囲と必ずしも一致しないため、走査範囲５内にはアクティブエリア３と非アクティブエリア４が含まれる。そのため、電子銃１からの電子ビームをそのまま走査範囲５に従って走査させると、非アクティブエリア４を照射し、負電荷を蓄積することになる。
【００３７】
そこで、電子ビームの走査において、走査位置データが非アクティブエリア４に相当する場合には、走査位置データを異なる位置データとすることによって、電子ビームが非アクティブエリア４に照射しないようにし、非アクティブエリア４に負電荷が蓄積することを避ける。
【００３８】
図１では、既定の形状および寸法の走査範囲８内において、アクティブエリア３に対応する領域は走査位置データを用いて走査を行う。また、非アクティブエリア４に対応する領域は走査位置データを変更して異なる位置データを用いて走査を行う。図１では、走査範囲８内において、電子ビームを照射する領域は照射領域５で表し、照射を行わない領域は非照射領域６で表される。
【００３９】
本発明の電子ビーム走査によれば、走査位置データを変更するだけで非アクティブエリアへの電子ビームの照射を避けることができるため、基板の寸法や、基板に設けられるアクティブエリアの個数や寸法が変更した場合であっても、単に走査位置データを変更するだけで対応することができる。
【００４０】
また、プローバフレーム９は、遮蔽物としての機能は不要となるため、給電ピンと配線を保持する機能と、ＴＦＴガラス基板２を押さえる機能を有すれば済むため、ＴＦＴガラス基板２の外周を囲む外枠のみの構造でよい。そのため、プローバフレーム９は単純構造でよく、製造コストを抑制することができる。また、ＴＦＴガラス基板の種類やパネルの枚数にかかわらず一種類のプローバフレームで済むため、運用コストを抑制することができる。
【００４１】
図２、図３は、本発明の電子ビーム走査における電子ビームの退避を説明するための概略図、およびフローチャートである。図２は電子ビームをＸ方向に走査する場合を示し、図中のＡ〜Ｅは照射順を示している。
【００４２】
図２に示す走査では、アクティブエリア３内の位置を走査開始位置として電子ビームの走査を開始する（図中Ａ参照）。電子ビームの走査は、電子銃から放出された電子ビームを走査位置の位置データに基づいて偏向することで行う。したがって、電子ビームの位置データを取得することで、走査位置を知ることができることができる（Ｓ１）。
【００４３】
求めた電子ビームの走査位置がアクティブエリア３と非アクティブエリア４の境界位置に達したか否かを判定し（Ｓ２）、境界位置に達した時点で（図中Ｂ参照）、電子ビームの照射位置をビーム退避位置７に変更し（Ｓ３）、電子ビームの走査を行う（Ｓ４）。ビーム退避位置７には、導電性の素材をビーム退避電極として設けておき、照射した電子ビームの負電荷をアースに逃がす。この電子ビームのビーム退避位置７への退避は、電子ビームの走査において、隣接するアクティブエリア３間に挟まれる非アクティブエリア４を移動する時間の間だけ継続させ（図中Ｃ参照）、電子ビームが非アクティブエリア４からアクティブエリア３に移り変わる走査時間の時点で、電子ビームの照射位置を、アクティブエリア３に戻し（図中Ｄ参照）、その後、アクティブエリア３の走査範囲の端部位置まで電子ビームの走査を続け、電子ビームの走査が走査範囲の端部位置に達した時点で走査範囲のＸ方向の１走査が完了する（図中Ｅ参照）。
【００４４】
電子ビームのＸ方向の１走査が完了した後は、電子ビームをＹ方向に１走査分移動させた後、再びＸ方向について、上記したＡ〜Ｅの過程を繰り返して次のＸ方向の走査を行う（Ｓ５）。  
【００４５】
なお、ここでは、Ｘ方向における電子ビームの退避動作を説明したが、Ｙ方向についても同様に行うことができる。
【００４６】
図４は、本発明の電子ビームの退避動作の一例を説明するための図である。なお、ここでは、電子ビームをＸ方向に走査する場合を示し、照射領域５ａ，非照射領域６，照射領域５ｂがＸ方向に並んでいる場合の退避動作例を示している。また、図５中の破線の円は電子銃の外径を示しており、電子銃から放出される電子ビームは、この電子銃の位置においてこの電子銃外径内を走査することになる。
【００４７】
電子ビームは、照射領域５ａ（アクティブエリア）内を矢印方向に走査して照射し（図中Ａ参照）、走査位置が照射領域５ａ（アクティブエリア）と非照射領域６（非アクティブエリア）との境界に達すると、電子ビームの走査位置をビーム退避位置７に移動して照射を行う（図中Ｂ参照）。このビーム退避位置７での照射は、電子ビームのＸ方向位置が、照射領域５ｂ（アクティブエリア）のＸ方向の境界に達するまで行われる（図中Ｃ参照）。
【００４８】
電子ビームのＸ方向位置が、照射領域５ｂ（アクティブエリア）のＸ方向の境界に達すると、電子ビームの走査位置を非照射領域６（非アクティブエリア）から照射領域５ｂ（アクティブエリア）に移動し（図中Ｄ参照）、照射領域５ｂ（アクティブエリア）上で照射を行う（図中Ｅ参照）。
【００４９】
なお、上記した電子ビームの退避動作では、図中ＢおよびＤで示す電子ビームの移動において、電子ビームは照射領域からビーム退避位置との間の非アクティブエリアを照射することになるが、この照射は短時間であるため、非アクティブエリアの負電荷の蓄積は微量であるため、このチャージアップによる影響は無視できる程度である。
【００５０】
なお、図４では、ビーム退避位置７は照射領域５ａ，非照射領域６，照射領域５ｂに平行した位置に配列して状態を示しているが、この位置に限られるものではなく、ビーム退避位置７は基板上あるいは基板外の任意の位置に設けることができる。
【００５１】
また、照射領域と非照射領域とのパターンは、基板上に形成するアレイパターンに応じて任意に定めることができる。図５，図６は照射領域と非照射領域とのパターン例を示すものである。なお、図５，６では図中の横方向をＸ方向とし、縦方向をＹ方向として説明する。
【００５２】
図５（ａ），（ｂ）はＸ方向に照射領域５と非照射領域６が並ぶパターン例であり、図５（ｃ），（ｄ）はＹ方向に照射領域５と非照射領域６が並ぶパターン例である。
【００５３】
図５（ｅ）はＸ方向に２つの非照射領域６ａ，６ｂが照射領域５を挟むパターン例であり、図５（ｆ）はＸ方向に２つの照射領域５ａ，５ｂが照射領域６を挟むパターン例である。
【００５４】
図５（ｇ）〜（ｊ）は非照射領域６内の一方の隅に照射領域５が配置されるパターン例であり、図５（ｋ），（ｌ）は非照射領域６内のＸ方向の一方の辺に沿って照射領域５が配置されるパターン例である。
【００５５】
図６（ａ）はＹ方向に２つの非照射領域６ａ，６ｂが照射領域５を挟むパターン例であり、図６（ｂ）はＹ方向に２つの照射領域５ａ，５ｂが照射領域６を挟むパターン例である。
【００５６】
図６（ｃ），（ｄ）は非照射領域６内のＹ方向の一方の辺に沿って照射領域５が配置されるパターン例である。
【００５７】
図６（ｅ），（ｆ）は非照射領域６内のＹ方向の一方の辺に沿って２つの照射領域５ａ，５ｂが間隔を開けて配置されるパターン例であり、図６（ｇ），（ｈ）は非照射領域６内のＸ方向の一方の辺に沿って２つの照射領域５ａ，５ｂが間隔を開けて配置されるパターン例である。
【００５８】
図６（ｉ）は非照射領域６内の４隅に照射領域５ａ〜５ｄが配置されるパターン例であり、図６（ｊ）は非照射領域６内の中央に照射領域５が配置されるパターン例である。
【００５９】
図６（ｋ）は非照射領域６内のＸ方向の対向する二辺に沿って照射領域５ａ，５ｂが配置されるパターン例であり、図６（ｌ）は非照射領域６内のＹ方向の対向する二辺に沿って照射領域５ａ，５ｂが配置されるパターン例である。
【００６０】
図７は、本発明の電子ビーム走査装置の構成例を説明するための図である。図７においては、ＴＦＴアレイ基板等の基板１６に電子ビームを照射する電子銃１１と、電子銃１１のフィラメント１２に供給するフィラメント電流を制御するフィラメント電流制御部１７と、電子ビームの偏向状態を制御する電子ビーム制御装置２０と、電子ビーム制御装置２０の制御に基づいて、電子銃１１のＸ偏向電極１３ＸおよびＹ偏向電極１３Ｙに偏向電流を供給する電圧／電流増幅器１８と、ビーム退避位置に配置して退避した電子ビームをアースに流すビーム退避位用電極１４を備える。
【００６１】
電子ビーム制御走査装置１０は、電子銃１１が放出する電子ビームの偏向状態を制御して、基板１６上のアレイ部分のアクティブエリアへの照射と、基板１６上の非アクティブエリアからビーム退避位用電極１４へ電子ビームを移動させて、非アクティブエリアへの非照射を制御する。
【００６２】
図８，図９は、図７に示す電子ビーム制御装置の一構成例であり、図８に示す構成例はデータ切り換えをデジタル信号状態で行う例であり、図９に示す構成例はデータ切り換えをアナログ信号状態で行う例である。
【００６３】
図８に示す電子ビーム制御装置２０は、走査位置データを生成する走査位置データ生成部２１ａを含むデジタル制御部２１と、このデジタル制御部２１から走査位置データとともに基板情報を入力し、走査位置データに基づいて走査位置情報を算出し、この走査位置情報と、基板情報に含まれるアクティブエリアおよび非アクティブエリアの位置座標とを比較することによって電子ビームを退避する時点を求め、データ切換部２４に出力する走査位置情報カウンタ２２と、電子ビームを退避させるときのビーム退避位置データを格納しておくビーム退避位置データ記憶部２３と、走査位置データ生成部２１ａで生成した走査データと、ビーム退避位置データ記憶部２３からのビーム退避位置データとを入力し、走査位置情報カウンタ２２からの出力に基づいて切り換えを行い、Ｄ／Ａ変換部２５へ出力するデータ切換部２４を備える。
【００６４】
デジタル制御部２１の走査位置データ生成部２１ａは、制御ソフトによって走査に必要なＸＹの走査データを生成し、データ切換部２４と走査位置情報カウンタ２２に出力する。また、デジタル制御部２１は非アクティブエリアが存在する位置情報を走査位置情報カウンタ２２に出力する。走査位置情報カウンタ２２は、アクティブエリア走査時の照射領域への照射と、非アクティブエリア走査時のビーム退避位置への照射とを選択する選択信号を生成して、データ切換部２４に出力する。データ切換部２４は、走査位置情報カウンタ２２の選択信号に基づいて、走査位置データ生成部２１ａからの走査データと、ビーム退避位置データ記憶部２３からのビーム退避位置データとを切り換えてＤ／Ａ変換部２５に送る。
【００６５】
また、図９に示す電子ビーム制御装置２０は、走査位置データを生成する走査位置データ生成部２１ａを含むデジタル制御部２１と、このデジタル制御部２１から走査位置データとともに基板情報を入力し、走査位置データに基づいて走査位置情報を算出し、この走査位置情報と、基板情報に含まれるアクティブエリアおよび非アクティブエリアの位置座標とを比較することによって電子ビームを退避する時点を求め、信号切換部２７に出力する走査位置情報カウンタ２２と、電子ビームを退避させるときのビーム退避位置データを格納しておくビーム退避位置データ記憶部２３と、走査位置データ生成部２１ａで生成した走査データをアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換部２６と、Ｄ／Ａ変換部２６で変換した走査データと、ビーム退避位置データ記憶部２３からのビーム退避位置データとを入力し、走査位置情報カウンタ２２からの出力に基づいて切り換えを行い、電圧／電流増幅器に出力する信号切換部２７を備える。
【００６６】
デジタル制御部２１の走査位置データ生成部２１ａは、制御ソフトによって走査に必要なＸＹの走査データを生成し、Ｄ／Ａ変換部２６と走査位置情報カウンタ２２に出力する。また、デジタル制御部２１は非アクティブエリアが存在する位置情報を走査位置情報カウンタ２２に出力する。走査位置情報カウンタ２２は、アクティブエリア走査時の照射領域への照射と、非アクティブエリア走査時のビーム退避位置への照射とを選択する選択信号を生成して、信号切換部２７に出力する。信号切換部２７は、走査位置情報カウンタ２２の選択信号に基づいて、Ｄ／Ａ変換部２６からの走査データと、ビーム退避位置データ記憶部２３からのビーム退避位置データとを切り換え、電圧／電流増幅器に出力する。
【００６７】
図１０は電子ビーム制御装置による動作を説明するためのフローチャートである。なお、ここでは、図８の構成例について説明する。
【００６８】
デジタル制御部は、非アクティブエリアが存在する位置情報を走査位置情報カウンタ２２に設定し（Ｓ１１）、また、走査位置データ生成部２１ａは走査範囲を走査する走査データを生成して、生成した走査データをデータ切換部２４およびに走査位置情報カウンタ２２に送る（Ｓ１２）。
【００６９】
走査位置情報カウンタ２２は入力した走査データを計数して走査位置を求め（Ｓ１３）、この求めた走査位置と、非アクティブエリアが存在する位置情報とを比較することによって、その走査位置が非アクティブエリア内であるか否かを判定する（Ｓ１４）。
【００７０】
判定の結果、走査位置がアクティブエリア内である場合には、データ切換部２４を走査データ側に切り換えて（Ｓ１５）、電子ビームをアクティブエリア内に照射する（Ｓ１６）。
【００７１】
また、判定の結果、走査位置が非アクティブエリア内である場合には、データ切換部２４をビーム退避位置側に切り換えて（Ｓ１７）、電子ビームを退避させる（Ｓ１８）。
【００７２】
本発明は、上記した電子ビーム走査装置を有するＴＦＴアレイ検査装置を構成することができる。ＴＦＴアレイ検査装置は、プローバフレームを介して、電圧信号波形発生器で形成したＴＦＴパネル駆動信号をＴＦＴ基板に供給して駆動し、上記した電子ビーム走査装置によってＴＦＴ基板に電子ビームを照射し、照射した電子ビームによってパネルから放出される二次電子を検出器で検出する。
【００７３】
検出器で検出する二次電子の信号強度は、ＴＦＴパネル駆動信号で駆動された各ピクセルのＩＴＯ電位状態を表しているため、この二次電子の信号強度を検出することによって、パネルのピクセルの駆動状態を検出することができる。正常なピクセルをＴＦＴパネル駆動信号で駆動したときに得られる二次電子の信号強度パターンと、ＴＦＴパネル駆動信号で駆動したときに実測される二次電子の信号強度パターンとを比較することによって、ＴＦＴ基板の欠陥を検出する。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の電子ビーム走査を説明するための図である。
【図２】本発明の電子ビーム走査における電子ビームの退避を説明するための概略図である。
【図３】本発明の電子ビーム走査における電子ビームの退避を説明するためのフローチャートである。
【図４】本発明の電子ビームの退避動作の一例を説明するための図である。
【図５】照射領域と非照射領域とのパターン例を示す図である。
【図６】照射領域と非照射領域とのパターン例を示す図である。
【図７】本発明の電子ビーム走査装置の構成例を説明するための図である。
【図８】データ切り換えをデジタル信号状態で行う電子ビーム制御装置の一構成例を説明するための図である。
【図９】データ切り換えをアナログ信号状態で行う電子ビーム制御装置の一構成例を説明するための図である。
【図１０】電子ビーム制御装置による動作を説明するためのフローチャートである。
【図１１】従来のＴＦＴ基板検査装置の一構成例を説明するための図である。
【図１２】非アクティブエリアへの電子ビーム照射を説明するための図である。
【図１３】負電荷の非アクティブエリアへの帯電を説明するための図である。
【図１４】遮蔽物による負電荷の帯電防止を説明するための図である。
【図１５】ＴＦＴガラス基板とプローバフレームとの関係を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７５】
１Ａ，１Ｂ…電子銃、２…基板、３…アクティブエリア、４…非アクティブエリア、５，５ａ〜５ｄ…照射領域、６，６ａ〜６ｄ…非照射領域、７…ビーム退避位置、８…走査領域、９…プローバフレーム、１０…電子ビーム走査装置、１１…電子銃、１２…フィラメント、１３ｘ，１３ｙ…偏向電極、１４…ビーム退避位用電極、１５…電子ビーム、１６…基板、１７…フィラメント電流、１８…電圧／電流増幅器、２０…電子ビーム制御装置、２１…デジタル制御部、２１ａ…走査位置データ制御部、２２…走査位置情報カウンタ、２３…ビーム退避位置データ記憶部、２４…データ切換部、２５、２６…Ｄ／Ａ変換部、２７…信号切換部、１００…基板、１０１…パネル、１０３…制御部、１０４…Ｄ／Ａ変換部、１０５…電子銃、１０６…検出器、１０７…走査範囲、１０８…ＴＦＴ駆動信号、１０９…給電パット、１１０…アクティブエリア、１１１…非アクティブエリア、１１２…ＸＹステージ、１２０…遮蔽物、１２１…プローバフレーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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