(57)【要約】【課題】  レーザビームと電子ビームとの衝突角を、容易に大幅に変化させることが可能な短波長電磁波発生装置を提供する。【解決手段】  短波長電磁波発生装置は、内部に電子が飛翔する電子ビーム軌道が画定された真空容器と、レーザビームが、第１の光路と第２の光路とのいずれかを伝搬するように、レーザビームの進行方向を振り分けるビーム振分器と、第１の光路を伝搬するレーザビームが、第１の角度で電子ビーム軌道と交差し、第２の光路を伝搬するレーザビームが第２の角度とは異なる第２の角度で電子ビーム軌道と交差するように、レーザビームを伝搬させる伝搬光学系と、第１の光路または第２の光路を伝搬するレーザビームが電子ビーム軌道を飛翔する電子と衝突したときに発生する電磁波を、真空容器の外に取り出す電磁波出射口とを有する。【選択図】  図２
2008003158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に電子が飛翔する電子ビーム軌道が画定された真空容器と、
レーザビームが、第１の光路と第２の光路とのいずれかを伝搬するように、レーザビームの進行方向を振り分けるビーム振分器と、
前記第１の光路を伝搬するレーザビームが、第１の角度で前記電子ビーム軌道と交差し、前記第２の光路を伝搬するレーザビームが、前記第１の角度とは異なる第２の角度で前記電子ビーム軌道と交差するように、レーザビームを伝搬させる伝搬光学系と、
前記第１の光路または第２の光路を伝搬するレーザビームが前記電子ビーム軌道を飛翔する電子と衝突したときに発生する電磁波を、前記真空容器の外に取り出す電磁波出射口と
を有する短波長電磁波発生装置。
【請求項２】
前記伝搬光学系は、前記第１の光路を伝搬するレーザビームと前記第２の光路を伝搬するレーザビームとを、同一の点で、前記電子ビーム軌道と交差させる請求項１に記載の短波長電磁波発生装置。
【請求項３】
前記ビーム振分器が前記真空容器の外に配置されており、
さらに、
前記第１の光路を伝搬するレーザビームを前記真空容器内に導入する第１の入射窓と、
前記第２の光路を伝搬するレーザビームを前記真空容器内に導入する第２の入射窓と
を有し、
前記伝搬光学系は、前記第１の光路を伝搬して前記第１の入射窓から前記真空容器内に入射したレーザビームを、前記電子ビーム軌道との交差位置に向けて反射させる第１の反射鏡を含み、前記第２の光路を伝搬して前記第２の入射窓から前記真空容器内に入射したレーザビームは、そのまま直進して前記電子ビーム軌道と交差する請求項１または２に記載の短波長電磁波発生装置。
【請求項４】
前記第１の角度が１３５°〜１８０°の範囲内であり、前記第２の角度が８０°〜１３５°の範囲内である請求項１〜３のいずれか１項に記載の短波長電磁波発生装置。
【請求項５】
さらに、
前記電子ビーム軌道を飛翔する電子ビームを出射する電子ビーム出射装置と、
前記ビーム振分器で進行方向を振り分けられるレーザビームを出射する光源と、
電子ビーム及びレーザビームが前記電子ビーム出射装置及び光源から相互に同期して出射されるように、該電子ビーム出射装置及び光源を制御する制御装置と
を有し、前記光源から出射されたレーザビームが前記ビーム振分器により前記第１または第２の光路に振り分けられる分岐位置から、該レーザビームと前記電子ビーム軌道との交差位置までの光路長が、該第１の光路と該第２の光路とで等しい請求項１〜４のいずれか１項に記載の短波長電磁波発生装置。
【請求項６】
さらに、
前記真空容器の外で前記第１の光路上に配置され、該第１の光路を伝搬して前記第１の入射窓から該真空容器内に導入されるレーザビームを、該第１の光路と前記電子ビーム軌道との交差位置に向かって収束させる第１のレンズと、
前記第１の光路を伝搬するレーザビームを前記真空容器の中から外に出射させる第１の出射窓と、
を有し、
前記第１の入射窓及び第１の出射窓は、それぞれ、レーザビームを透過させる透明部材からなり、前記真空容器内の真空状態を維持し、
前記第１の光路上で、該第１の光路と前記電子ビーム軌道との交差位置から前記第１の出射窓までの光路長が、前記第１の入射窓から当該交差位置までの光路長と等しいかそれよりも長い請求項３に記載の短波長電磁波発生装置。
【請求項７】
さらに、
前記真空容器の外で前記第２の光路上に配置され、該第２の光路を伝搬して前記第２の入射窓から該真空容器内に導入されるレーザビームを、該第２の光路と前記電子ビーム軌道との交差位置に向かって収束させる第２のレンズと、
前記第２の光路を伝搬するレーザビームを前記真空容器の中から外に出射させる第２の出射窓と、
を有し、
前記第２の入射窓及び第２の出射窓は、それぞれ、レーザビームを透過させる透明部材からなり、前記真空容器内の真空状態を維持し、
前記第２の光路上で、該第２の光路と前記電子ビーム軌道との交差位置から前記第２の出射窓までの光路長が、前記第２の入射窓から当該交差位置までの光路長と等しいかそれよりも長い請求項３または６に記載の短波長電磁波発生装置。
【請求項８】
さらに、
前記第１の光路を伝搬して前記第１の出射窓から前記真空容器の外に出射したレーザビームを反射させ、反射されたレーザビームを該第１の出射窓から該真空容器の中に戻し、該第１の光路を逆向きに伝搬させて、前記第１の入射窓から該真空容器の外に出射させる第２の反射鏡と、
前記第２の反射鏡で反射され、前記真空容器の内部を通過し、前記第１の入射窓から該真空容器の外に出射したレーザビームを、再び前記第１の光路を伝搬するように反射させ、該第２の反射鏡と共に第１の光共振器を構成する第３の反射鏡と
を有し、前記第３の反射鏡は、前記第１の光路上で、前記ビーム振分器から前記第１の入射窓までの間に配置され、該ビーム振分器で前記第１の光路を伝搬するように進行方向を振り分けられたレーザビームの少なくとも一部を透過させて、該第１の入射窓からレーザビームを前記真空容器に入射させる部分反射鏡である請求項６に記載の短波長電磁波発生装置。
【請求項９】
さらに、
前記第２の光路を伝搬して前記第２の出射窓から前記真空容器の外に出射したレーザビームを反射させ、反射されたレーザビームを該第２の出射窓から該真空容器の中に戻し、該第２の光路を逆向きに伝搬させて、前記第２の入射窓から該真空容器の外に出射させる第４の反射鏡と、
前記第４の反射鏡で反射され、前記真空容器の内部を通過し、前記第２の入射窓から該真空容器の外に出射したレーザビームを、再び前記第２の光路を伝搬するように反射させ、該第４の反射鏡と共に第２の光共振器を構成する第５の反射鏡と
を有し、前記第５の反射鏡は、前記第２の光路上で、前記ビーム振分器から前記第２の入射窓までの間に配置され、該ビーム振分器で前記第２の光路を伝搬するように進行方向を振り分けられたレーザビームの少なくとも一部を透過させて、該第２の入射窓からレーザビームを前記真空容器に入射させる部分反射鏡である請求項７に記載の短波長電磁波発生装置。
【請求項１０】
前記電磁波出射口は、前記電子ビーム軌道上を飛翔した電子を前記真空容器から出射させる電子出射口を兼ね、さらに、
前記電子出射口から前記真空容器の外に出射された電子の進行方向を変えて、該真空容器の外に取り出された前記電磁波の経路から、該電子の軌道を分離する偏向器を有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の短波長電磁波発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は短波長電磁波発生装置に関し、特に、逆コンプトン散乱を利用した短波長電磁波発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザビームを電子ビームに衝突させることにより逆コンプトン散乱を生じさせて、衝突させたレーザビームよりも波長の短い電磁波を発生させることができる。例えば、波長８００ｎｍのレーザビームを電子ビームに衝突させることにより、Ｘ線を発生させることができる。
【０００３】
図５を参照して、特許文献１が開示する短波長電磁波発生装置について説明する。電子線源１１０から出射された電子ビーム、及び、レーザ光源１２０から出射されたレーザビームが、真空チャンバ１３０に入射する。真空チャンバ１３０に入射したレーザビームが、反射鏡１２１で反射されて、衝突領域１２４に入射する。衝突領域１２４で、電子ビームにレーザビームが衝突し、レーザビームの波長より短い波長を有する散乱光が発生する。電子ビームと衝突した後のレーザビームが、第２の反射鏡１２３で反射された後に真空チャンバ１３０から出射して、レーザビームダンパ１４１に入射する。
【０００４】
レーザビームと衝突した後、電子ビームが真空チャンバ１３０から出射して、例えば電磁石からなる電子ビーム偏向手段１４２に入射する。電子ビームとレーザビームとの衝突で発生した散乱光が、レーザビームと衝突した後の電子ビームの軌道に沿って伝搬し、真空チャンバ１３０から出射して、電子ビーム偏向手段１４２に入射する。電子ビーム偏向手段１４２が電子ビームを偏向させることにより、電子ビームの軌道と散乱光の光路とが分離される。電子ビーム偏向手段１４２で偏向された電子ビームが、電子ビームダンパ１４３に入射する。
【０００５】
反射鏡１２１に、アクチュエータ１２２が取り付けられている。アクチュエータ１２２が反射鏡１２１の姿勢を変化させることにより、電子ビームとレーザビームとの衝突角θＬが変化する。衝突角θＬを変化させることにより、発生する散乱光の波長が変化する。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１３９７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１が開示する短波長電磁波発生装置では、レーザ光源１２０から出射されたレーザビームが、反射鏡１２１を介して電子ビームと衝突し、電子ビームと衝突した後に第２の反射鏡１２３で反射されてレーザビームダンパ１４１に入射する光路を伝搬する。反射鏡１２１の姿勢をアクチュエータ１２２で変化させることにより、電子ビームとレーザビームの衝突角θＬを変化させることができるが、レーザビームの光路が上記のような光路に制限されているので、レーザビームと電子ビームとの衝突角を大幅に変化させることが容易ではないであろう。
【０００８】
本発明の一目的は、レーザビームと電子ビームとの衝突角を、容易に大幅に変化させることが可能な短波長電磁波発生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によれば、内部に電子が飛翔する電子ビーム軌道が画定された真空容器と、レーザビームが、第１の光路と第２の光路とのいずれかを伝搬するように、レーザビームの進行方向を振り分けるビーム振分器と、前記第１の光路を伝搬するレーザビームが、第１の角度で前記電子ビーム軌道と交差し、前記第２の光路を伝搬するレーザビームが、前記第２の角度とは異なる第２の角度で前記電子ビーム軌道と交差するように、レーザビームを伝搬させる伝搬光学系と、前記第１の光路または第２の光路を伝搬するレーザビームが前記電子ビーム軌道を飛翔する電子と衝突したときに発生する電磁波を、前記真空容器の外に取り出す電磁波出射口とを有する短波長電磁波発生装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
ビーム振分器が、第１の光路と第２の光路とのいずれかを伝搬するように、レーザビームの進行方向を振り分ける。第１の角度で電子ビーム軌道と交差するレーザビームの第１の光路と、第２の角度で電子ビーム軌道と交差するレーザビームの第２の光路とが、ビーム振分器で振り分けられた別々の光路なので、第１の角度と第２の角度とを、相互に大きく異ならせることが容易である。例えば、第１の角度を１８０°近くの値とし、第２の角度を９０°近くの値とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１を参照して、本発明の第１の実施例による短波長電磁波発生装置について説明する。レーザ光源１１が、パルスレーザビームを出射する。レーザ光源１１から出射されたパルスレーザビームが、電子銃１２の有するフォトカソード１２Ｃに入射することにより、フォトカソード１２Ｃから電子が放出される。放出された電子が電子銃１２内の加速電界によって加速され、電子銃１２からパルス状の電子ビームＥＢが出射される。
【００１２】
電子銃１２から出射された電子ビームＥＢが、加速管１３で高周波電界によって加速され、偏向電磁石１４で進行方向を曲げられ、収束電磁石１５で収束される。電子銃１２と加速管１３との間、加速管１３と偏向電磁石１４との間、及び偏向電磁石１４と収束電磁石１５との間に、ステアリング電磁石１６が配置されている。ステアリング電磁石１６は、電子ビームＥＢの軌道を調整する。電子ビームＥＢは、真空排気された真空ダクト１７内を通過する。レーザ光源１１、電子銃１２、加速管１３、偏向電磁石１４、収束電磁石１５、ステアリング電磁石１６、及び真空ダクト１７を含んで、電子ビーム出射装置１０が構成される。
【００１３】
真空チャンバ３０に、電子ビーム出射装置１０の真空ダクト１７が接続されている。収束電磁石１５で収束された電子ビームＥＢが、真空チャンバ３０に入射する。真空チャンバ３０の内部は、１０−４Ｐａ以下の圧力（例えば１０−５Ｐａ）となるように、真空排気されている。真空チャンバ３０に入射する電子ビームＥＢのパルス幅はｐｓのオーダ（例えば３ｐｓ）であり、エネルギは例えば４０ＭｅＶである。
【００１４】
レーザ光源２０が、平行光のパルスレーザビームであるレーザビームＬＢを出射する。レーザ光源２０として、例えばチタンサファイアレーザが用いられる。レーザビームＬＢのパルス幅はｆｓのオーダ（例えば１００ｆｓ）であり、レーザビームＬＢの波長は例えば８００ｎｍである。レーザ光源２０から出射されたレーザビームＬＢが、真空チャンバ３０に、衝突光学系４０を通って入射する。
【００１５】
真空チャンバ３０の内部で電子ビームＥＢにレーザビームＬＢを衝突させて、逆コンプトン散乱を起こすことにより、電子ビームＥＢの進行方向に放射されるＸ線ＲＸを発生させることができる。電子ビームＥＢとレーザビームＬＢとの衝突で発生するＸ線ＲＸの種々の特性が、衝突位置で電子ビームＥＢの進行方向とレーザビームＬＢの進行方向とがなす衝突角に依存して変化する。
【００１６】
衝突角が１８０°のとき、Ｘ線ＲＸの強度が最も高くなり、波長が最も短くなり、パルス幅が最も長くなる。衝突角が９０°のとき、Ｘ線ＲＸの強度は衝突角１８０°の場合の１／１０以下となり、波長は衝突角１８０°の場合の２倍となり、パルス幅は最も短くなる。Ｘ線ＲＸのパルス幅は、衝突角が１８０°の衝突で、電子ビームＥＢのパルス幅と同程度であるｐｓのオーダとなり、衝突角９０°の衝突で、レーザビームＬＢのパルス幅と同程度であるｆｓのオーダとなる。衝突光学系４０が、レーザビームＬＢの光路を切り替えることにより、衝突角を１８０°に近い値（例えば１６５°）と９０°との間で切り替えることができる。
【００１７】
制御装置８０が、所望の時刻に電子銃１２から電子ビームＥＢが出射されるようにレーザ光源１１を制御するとともに、所望の時刻に所望のエネルギまで電子ビームＥＢが加速されるように加速管１３を制御する。これにより、所望の時刻に所望のエネルギで電子ビーム出射装置１０から電子ビームＥＢが出射される。また、制御装置８０は、所望の時刻にレーザ光源２０からレーザビームＬＢが出射されるようにレーザ光源２０を制御する。このように、制御装置８０が、電子ビーム出射装置１０及びレーザ光源２０から電子ビームＥＢ及びレーザビームＬＢを相互に同期して出射させることにより、電子ビームＥＢとレーザビームＬＢとを衝突させることができる。
【００１８】
電子ビームＥＢとレーザビームＬＢとの衝突により発生したＸ線ＲＸは、レーザビームＬＢと衝突した後の電子ビームＥＢの軌道に沿って伝搬する。真空チャンバ３０から出射した電子ビームＥＢ及びＸ線ＲＸが、真空ダクト６０内を通って偏向電磁石６１に到達する。
【００１９】
偏向電磁石６１が、電子ビームＥＢの進行方向を曲げて、Ｘ線ＲＸの経路から電子ビームＥＢの軌道を分離する。偏向電磁石６１で進行方向を曲げられた電子ビームＥＢが、電子ビームＥＢの軌道の終端となる電子ビームダンパ６２に入射する。Ｘ線ＲＸは、偏向電磁石６１で偏向されずにそのまま直進し、例えばベリリウム等で形成されたＸ線出射窓６３から大気中に出射する。
【００２０】
電子ビームＥＢとレーザビームＬＢとを衝突させる前に、電子ビームＥＢの調整を行う必要がある。電子ビームＥＢの調整では、電子ビームＥＢが、真空ダクト１７及び真空チャンバ３０内に画定された所望の軌道を通り、レーザビームＬＢとの衝突位置でビーム断面を最小とするように、加速管１３、ステアリング電磁石１６、収束電磁石１５等の調整が行われる。電子ビームＥＢの調整時に、電子ビーム軌道検出装置５０により、電子ビームＥＢの軌道を検出することができる。
【００２１】
次に、図２を参照して、真空チャンバ３０及び衝突光学系４０について説明する。真空チャンバ３０が、電子ビームＥＢを真空チャンバ３０に入射させる電子ビーム入射口３１、及び、レーザビームＬＢと衝突した電子ビームＥＢを真空チャンバ３０から出射させる電子ビーム出射口３２を有する。
【００２２】
真空チャンバ３０内に、電子ビームＥＢとレーザビームＬＢとが相互に衝突する衝突位置（つまり、電子ビームＥＢの軌道とレーザビームＬＢの光路とが交差する交差位置）Ｐが画定されている。収束電磁石１５が、電子ビームＥＢを、衝突位置Ｐでビーム断面が最小となるように収束させる。衝突位置Ｐでの電子ビームＥＢの断面の直径は、例えば、５０μｍ以下である。
【００２３】
電子ビームＥＢは、レーザビームＬＢと衝突してもほとんど進行方向を変えず、そのまま直進して、電子ビーム出射口３２から出射する。衝突で発生したＸ線ＲＸは、レーザビームＬＢと衝突した後の電子ビームの軌道に沿う経路を伝搬して、電子ビーム出射口３２から真空チャンバ３０の外に取り出される。すなわち、電子ビーム出射口３２が、真空チャンバ３０の外にＸ線ＲＸを取り出すＸ線出射口を兼ねる。
【００２４】
真空チャンバ３０は、また、レーザビームＬＢを入射及び出射させるポートＰ３３〜Ｐ３６を有する。ポートＰ３３及びＰ３４はそれぞれ、第１のレーザビーム入射窓３３及び第１のレーザビーム出射窓３４を有する。ポートＰ３５及びＰ３６はそれぞれ、第２のレーザビーム入射窓３５及び第２のレーザビーム出射窓３６を有する。
【００２５】
レーザビーム入射窓及び出射窓３３〜３６は、それぞれ、例えば、厚さ６ｍｍの石英ガラスからなり、開口の直径が７０ｍｍである。石英ガラス等の透明部材からなるレーザビーム入射窓及び出射窓３３〜３６により、真空チャンバ３０内の真空状態を保ったまま、真空チャンバ３０内にレーザビームＬＢを導入し、導入したレーザビームＬＢを真空チャンバ３０の外に出射させることができる。
【００２６】
衝突光学系４０が、ビーム振分器４１、反射鏡４３、４４、４６、レンズ４２、４７、レーザビームダンパ４５、４８、及び、移動機構４３１、４４１から構成される。反射鏡４３及び４４は、真空チャンバ３０の中に配置されている。ビーム振分器４１、反射鏡４６、レンズ４２、４７、レーザビームダンパ４５、４８は、真空チャンバ３０の外に配置されている。
【００２７】
ビーム振分器４１が、反射鏡４１１、及び反射鏡４１１を移動可能に保持する移動機構４１２から構成される。移動機構４１２は、例えばリニアステージである。移動機構４１２により、反射鏡４１１は、レーザ光源１０から出射されたレーザビームＬＢを反射しない第１の位置と、レーザ光源１０から出射されたレーザビームＬＢを反射する第２の位置との間で移動される。
【００２８】
移動機構４３１及び４４１により、反射鏡４３及び４４は、レーザビームＬＢを電子ビームＥＢに衝突させるときに配置される位置（これを使用位置と呼ぶこととする）と、電子ビームＥＢの軌道を調整するときに配置される位置（これを退避位置と呼ぶこととする）との間で移動される。
【００２９】
まず、ビーム振分器４１の反射鏡４１１が第１の位置に配置され、反射鏡４３及び４４が使用位置に配置されている場合のレーザビームＬＢの光路について説明する。レーザ光源１０から出射されたレーザビームＬＢが、反射鏡４１１に反射されることなく直進し、レンズ４２を透過して第１のレーザビーム入射窓３３から真空チャンバ３０に入射し、反射鏡４３で反射され、電子ビームＥＢとの衝突位置Ｐを通過して反射鏡４４に入射する。
【００３０】
反射鏡４３及び４４は、例えば、石英に誘電体膜で反射コーティングすることにより形成される。反射鏡４３及び４４の形状及び大きさは、それぞれ、例えば直径約５０ｍｍ（２インチ）の円形である。
【００３１】
反射鏡４４で反射されたレーザビームＬＢが、第１のレーザビーム出射窓３４から真空チャンバ３０の外に出射する。第１のレーザビーム出射窓３４から出射したレーザビームＬＢが、レーザビームＬＢの光路の終端となるレーザビームダンパ４５に入射する。ビーム振分器４１の反射鏡４１１が第１の位置に配置され、反射鏡４３及び４４が使用位置に配置されているときに、レーザビームＬＢが伝搬する光路を、第１の光路と呼ぶこととする。
【００３２】
第１の光路において、第１のレーザビーム入射窓３３から反射鏡４３までの光路長と、反射鏡４４から第１のレーザビーム出射窓３４までの光路長とが等しく、反射鏡４３から衝突位置Ｐまでの光路長と、衝突位置Ｐから反射鏡４４までの光路長とが等しくなるように、第１のレーザビーム入射窓３３、反射鏡４３、反射鏡４４、及び第１のレーザビーム出射窓３４が配置されている。従って、第１のレーザビーム入射窓３３から衝突位置Ｐまでの光路長と、衝突位置Ｐから第１のレーザビーム出射窓３４までの光路長とが等しい。
【００３３】
第１の光路を伝搬するレーザビームについて、衝突位置Ｐで電子ビームＥＢの進行方向とレーザビームＬＢの進行方向とのなす衝突角をθ１とする。すなわち、第１の光路を伝搬するレーザビームが、角度θ１で電子ビームＥＢの軌道と交差する。衝突角θ１が１８０°に近い値となるように、反射鏡４３が、衝突位置Ｐに向けてレーザビームＬＢを反射させる。第１の光路を伝搬させたレーザビームＬＢと電子ビームＥＢとの衝突を対向衝突と呼ぶこととする。
【００３４】
衝突角θ１を１８０°に近づけるためには、レーザビームＬＢを電子ビームＥＢに衝突させる反射鏡４３を、電子ビームＥＢの軌道にできるだけ近づける必要がある。ただし、反射鏡４３に電子ビームＥＢが入射することを防ぐように、また、衝突で発生したＸ線ＲＸの経路を反射鏡４３が遮らないように、反射鏡４３は電子ビームＥＢの軌道から離される。このため、衝突角θ１は１８０°より小さくなる。反射鏡４４も、電子ビームＥＢが入射することを防ぐように、電子ビームＥＢの軌道から離される。反射鏡４３、４４に電子ビームが入射しないため、反射鏡４３、４４の劣化や損傷が防止される。
【００３５】
電子ビームＥＢの中心から反射鏡４３までの最短距離、及び、電子ビームＥＢの中心から反射鏡４４までの最短距離は、それぞれ例えば１０ｍｍである。なお、反射鏡４４の脇を通過する時点、及び反射鏡４３の脇を通過する時点での電子ビームＥＢの断面の直径は、例えば、数ｍｍ程度である。反射鏡４３のレーザビームＬＢの入射位置から、反射鏡４４のレーザビームＬＢの入射位置までの、電子ビームＥＢの進行方向に関する距離は、例えば４００ｍｍである。衝突角θ１は、例えば１６５°である。
【００３６】
衝突角θ１を１８０°に近くするほど、発生するＸ線ＲＸの強度を高くすることができる。例えば衝突角θ１が１６５°である場合に得られるＸ線ＲＸの強度は、衝突角θ１が１８０°である理想的な場合の３０％程度となる。なお、発生するＸ線のエネルギは、例えば３０ｋｅＶである。
【００３７】
レンズ４２が、レーザビームＬＢを、衝突位置Ｐにおけるビーム断面が最小となるように収束させる。すなわち、レンズ４２から衝突位置Ｐまでの光路長が、レンズ４２の焦点距離に等しく設定されている。レーザビームＬＢの断面の直径は、例えば、第１のレーザビーム入射窓３３に入射する時点で５０ｍｍであり、反射鏡４３で反射される時点で３０ｍｍであり、衝突位置Ｐで５０μｍ以下である。
【００３８】
反射鏡４３から衝突位置Ｐまでの光路長と、衝突位置Ｐから反射鏡４４までの光路長とが等しく、また、第１のレーザビーム入射窓３３から衝突位置Ｐまでの光路長と、衝突位置Ｐから第１のレーザビーム出射窓３４までの光路長とが等しいので、上述の例の場合、反射鏡４４で反射されるレーザビームＬＢの断面の直径は３０ｍｍとなり、第１のレーザビーム出射窓３４に入射するレーザビームＬＢの断面の直径は５０ｍｍとなる。
【００３９】
ｆｓのオーダのパルス幅を持つレーザビームＬＢが、石英ガラスからなる第１のレーザビーム入射窓３３及び出射窓３４を透過するとき、非線形効果による不要な白色光の発生等が懸念される。第１のレーザビーム入射窓３３及び出射窓３４を透過するレーザビームＬＢのパワー密度は、非線形効果が生じない程度まで低くすることが好ましい。
【００４０】
第１のレーザビーム入射窓３３で非線形効果が生じると、電子ビームＥＢとの衝突時のレーザビームＬＢの質が劣化する。また、非線形効果に起因する白色光は、Ｘ線ＲＸの発生に付随して発生する可視光の観測によりＸ線ＲＸの特性を測定するような場合のノイズ源となる。なお、このようなＸ線ＲＸの特性測定については、例えば、特開２００１−３３８７９６号公報の「発明の実施の形態」に開示されている。
【００４１】
あるいは、図１に示したＸ線出射窓６３が遮光性の部材でない場合、このような白色光がＸ線出射窓６３からＸ線ＲＸとともに出射しうる。Ｘ線出射窓６３から出射したＸ線ＲＸをシリコン検出器等で測定するとき、白色光が測定のノイズ源となり得る。
【００４２】
第１のレーザビーム入射窓３３から衝突位置Ｐまでの光路長と、衝突位置Ｐから第１のレーザビーム出射窓３４までの光路長とを等しくすることにより、第１のレーザビーム入射窓３３を透過するレーザビームＬＢの断面積と、第１のレーザビーム出射窓３４を透過するレーザビームＬＢの断面積とが等しくなる。つまり、第１のレーザビーム入射窓３３及び出射窓３４を透過するレーザビームＬＢのパワー密度が等しくなる。
【００４３】
従って、第１のレーザビーム入射窓３３を透過するレーザビームＬＢのパワー密度を、非線形効果が抑制される程度に低くすれば、第１のレーザビーム出射窓３４を透過するレーザビームＬＢのパワー密度も同程度に低くなる。
【００４４】
次に、ビーム振分器４１の反射鏡４１１が第２の位置に配置されている場合のレーザビームＬＢの光路について説明する。レーザ光源１０から出射されたレーザビームＬＢが、反射鏡４１１で反射され、さらに反射鏡４６で反射され、レンズ４７を透過して第２のレーザビーム入射窓３５から真空チャンバ３０に入射する。
【００４５】
第２のレーザビーム入射窓３５から真空チャンバ３０に入射したレーザビームＬＢが直進して、衝突位置Ｐに到達する。衝突位置Ｐに到達したレーザビームＬＢが、そのまま直進して第２のレーザビーム出射窓３６から真空チャンバ３０の外に出射する。第２のレーザビーム出射窓３６から出射したレーザビームＬＢが、レーザビームＬＢの終端となるレーザビームダンパ４８に入射する。ビーム振分器４１の反射鏡４１１が第２の位置に配置されているときに、レーザビームＬＢが伝搬する光路を、第２の光路と呼ぶこととする。
【００４６】
第２の光路を伝搬するレーザビームについて、衝突位置Ｐで電子ビームＥＢの進行方向とレーザビームＬＢの進行方向とのなす衝突角をθ２とする。すなわち、第２の光路を伝搬するレーザビームが、角度θ２で電子ビームＥＢの軌道と交差する。
【００４７】
衝突角θ２が９０°となるように、反射鏡４６がレーザビームＬＢを反射させる。第２の光路を伝搬させたレーザビームＬＢと電子ビームＥＢとの衝突を垂直衝突と呼ぶこととする。
【００４８】
レンズ４７が、レーザビームＬＢを、衝突位置Ｐにおけるビーム断面が最小となるように収束させる。すなわち、レンズ４７から衝突位置Ｐまでの光路長が、レンズ４７の焦点距離に等しく設定されている。衝突位置ＰでのレーザビームＬＢの断面の直径は、対向衝突の場合と同様に、例えば５０μｍ以下である。
【００４９】
第２の光路において、第２のレーザビーム入射窓３５から衝突位置Ｐまでの光路長と、衝突位置Ｐから第２のレーザビーム出射窓３６までの光路長とが等しくなるように、第２のレーザビーム入射窓３５及び第２のレーザビーム出射窓３６が配置されている。これにより、第２のレーザビーム入射窓３５及び出射窓３６を透過するレーザビームＬＢの断面積が等しくなる。従って、第１の光路と同様に、第２のレーザビーム入射窓３５を透過するレーザビームＬＢのパワー密度を非線形効果が起こらない程度に低くすれば、第２のレーザビーム出射窓３６を透過するレーザビームＬＢのパワー密度も同程度に低くなる。
【００５０】
なお、レーザビーム入射窓及び出射窓３３〜３６は、非線形効果を生じ難くするという観点からは薄い方が好ましい。ただし、真空チャンバ３０内の真空状態を保つのに充分な耐圧を有する厚さ以上である必要がある。
【００５１】
なお、第１の光路において、衝突位置Ｐから第１のレーザビーム出射窓３４までの光路長が、第１のレーザビーム入射窓３３から衝突位置Ｐまでの光路長以上であれば、第１のレーザビーム出射窓３４を透過するレーザビームＬＢのパワー密度を、第１のレーザビーム入射窓３３を透過するレーザビームＬＢのパワー密度以下とすることができる。同様に、第２の光路において、衝突位置Ｐから第２のレーザビーム出射窓３６までの光路長が、第２のレーザビーム入射窓３５から衝突位置Ｐまでの光路長以上であれば、第２のレーザビーム出射窓３６を透過するレーザビームＬＢのパワー密度を、第２のレーザビーム入射窓３５を透過するレーザビームＬＢのパワー密度以下とすることができる。
【００５２】
ただし、衝突位置Ｐから第１のレーザビーム出射窓３４までの光路長、及び衝突位置Ｐから第２のレーザビーム出射窓３６までの光路長が長いほど、例えば、真空チャンバ３０が大きくなる。真空チャンバ３０の小型化という観点からは、例えば、衝突位置Ｐから第１のレーザビーム出射窓３４までの光路長を、第１のレーザビーム入射窓３３から衝突位置Ｐまでの光路長と等しくし、衝突位置Ｐから第２のレーザビーム出射窓３６までの光路長を、第２のレーザビーム入射窓３５から衝突位置Ｐまでの光路長と等しくすることが好ましい。
【００５３】
なお、レンズ４２及びレンズ４７の焦点距離が短いほど、衝突位置ＰでのレーザビームＬＢの断面積を小さくできる。衝突位置ＰでのレーザビームＬＢの断面積が小さいほど、電子ビームＥＢとの衝突で発生するＸ線ＲＸの強度を高められる。レンズ４２またはレンズ４７の焦点距離を短くすれば、それに伴って、第１のレーザビーム入射窓３３から衝突位置Ｐまでの光路長、及び第２のレーザビーム入射窓３５から衝突位置Ｐまでの光路長が短くなる。
【００５４】
ビーム振分器４１の反射鏡４１１がレーザ光源２０から出射されたレーザビームＬＢを反射させる位置、すなわち、第１の光路と第２の光路とが分岐する位置から、衝突位置Ｐまでの光路長が、第１の光路と第２の光路とで等しくされている。従って、レーザビームＬＢがレーザ光源２０を出射してから衝突位置Ｐに到達するまでの期間が、第１の光路を伝搬する場合と第２の光路を伝搬する場合とで等しくなる。このため、電子ビーム出射装置１０から電子ビームＥＢを出射させる時刻と、レーザ光源２０からレーザビームＬＢを出射させる時刻との時間差を、対向衝突の場合と垂直衝突の場合とで別個に設定する必要がない。
【００５５】
次に、図３を参照して、反射鏡４３及び４４の移動機構４３１及び４４１と、電子ビーム軌道検出装置５０について説明する。図３は、図２に示した第２の光路上を第２のレーザビーム入射窓３５から第２のレーザビーム出射窓３６に向かうレーザビームＬＢの進行方向に平行な視線で見た真空チャンバ３０の内部の概略図である。
【００５６】
反射鏡４３の移動機構４３１が、支持棒４３２、リニアガイド４３３、導入機４３４、及び動力源４３５から構成される。反射鏡４３が支持棒４３２に取り付けられている。支持棒４３２は、例えばＳＵＳからなる。リニアガイド４３３が、支持棒４３２を直線運動可能に保持する。真空チャンバ３０の外に配置された動力源４３５から供給される動力を、導入機４３４が、真空チャンバ３０内の真空状態を保ったまま支持棒４３２に伝達する。支持棒４３２を動かす動力として、例えば圧縮空気が用いられる。
【００５７】
反射鏡４４の移動機構４４１も、移動機構４３１と同様な構成を有しており、支持棒４４２、リニアガイド４４３、導入機４４４、及び動力源４４５から構成される。反射鏡４４が、直線運動する支持棒４４２に取り付けられている。
【００５８】
電子ビーム軌道検出装置５０が、真空チャンバ３０に取り付けられている。電子ビーム軌道検出装置５０は、蛍光板５１と、蛍光板５１を移動可能に保持する移動機構５２とから構成される。蛍光板５１により、蛍光板５１への電子ビームＥＢの入射位置を検出することができる。蛍光板５１の移動機構５２も、反射鏡４３の移動機構４３１、または反射鏡４４の移動機構４４１と同様な構成を有しており、支持棒５２１、リニアガイド５２２、導入機５２３、及び動力源５２４から構成される。蛍光板５１が、直線運動する支持棒５２１に取り付けられている。
【００５９】
移動機構４３１、移動機構４４１、及び移動機構５２により、それぞれ、真空チャンバ３０の真空状態を保ったまま、真空チャンバ３０内で反射鏡４３、４４及び蛍光板５１を移動させることができる。
【００６０】
次に、電子ビームＥＢの調整方法、及び、電子ビームＥＢとレーザビームＬＢとの衝突方法について説明する。電子ビームＥＢの調整時は、移動機構５２により、蛍光板５１上に衝突位置Ｐが配置されるような位置に、蛍光板５１が配置される。蛍光板５１により電子ビームＥＢの入射位置を確認しながら、衝突位置Ｐ上に電子ビームＥＢが収束するように、電子ビームＥＢが調整される。
【００６１】
電子ビームＥＢの調整時は、反射鏡４３及び４４が、電子ビームＥＢの軌道から充分遠くに画定された退避位置に配置される。電子ビームＥＢの調整に伴って、電子ビームＥＢが所望の軌道から外れることがあるが、反射鏡４３及び４４を退避位置に配置することにより、電子ビームＥＢの調整に伴って電子ビームＥＢが所望の軌道から外れても、反射鏡４３及び４４に電子ビームＥＢが入射することが防止される。
【００６２】
電子ビームＥＢの調整が完了したら、電子ビームＥＢを遮らない位置に蛍光板５１が退避される。電子ビームＥＢの調整完了後、対向衝突を行わせる場合には、反射鏡４３及び４４を退避位置から、電子ビームＥＢの軌道の脇に画定された使用位置に移動させるとともに、ビーム振分器４１の反射鏡４１１を第１の位置に配置して、電子ビームＥＢにレーザビームＬＢを衝突させる。垂直衝突を行わせる場合には、ビーム振分器４１の反射鏡４１１を第２の位置に配置して、電子ビームＥＢにレーザビームＬＢを衝突させる。
【００６３】
なお、垂直衝突を行わせる場合には、対向衝突に用いる反射鏡４３及び４４を、退避位置に配置することが好ましい。使用位置に配置された反射鏡４３及び４４は、電子ビームＥＢの軌道に近接しているので、退避位置に配置された反射鏡４３及び４４に比べて電子ビームＥＢが入射しやすい。垂直衝突時には退避位置に退避させておくことにより、反射鏡４３及び４４の劣化が抑制される。
【００６４】
以上説明したように、本実施例の短波長電磁波発生装置を用いれば、例えば、高い強度のＸ線を得たい場合には対向衝突を行い、短いパルス幅のＸ線を得たい場合には垂直衝突を行うことができる。ビーム振分器４１でレーザビームの進行方向を振り分ける簡便な操作で、対向衝突と垂直衝突とを切り替えることができる。
【００６５】
第１の光路と第２の光路とが、ビーム振分器で振り分けられた別々の光路なので、第１の光路を伝搬したレーザビームと第２の光路を伝搬したレーザビームとで、電子ビームとの衝突角（すなわち、レーザビームが電子ビーム軌道と交差する角度）を大きく異ならせることが容易である。
【００６６】
対向衝突と垂直衝突とで、衝突位置Ｐが同一である。このため、レーザビームと電子ビームとの衝突位置が、対向衝突と垂直衝突とで相互に異なる場合に比べて、電子ビームＥＢの調整が容易となる。
【００６７】
対向衝突に用いる反射鏡４３及び４４を、電子ビームＥＢの調整時には退避位置に退避させ、対向衝突時には使用位置に配置する。これにより、電子ビームＥＢの調整に伴い反射鏡４３及び４４に電子ビームＥＢが入射することに起因する反射鏡４３及び４４の劣化や損傷が防止される。また、対向衝突時には電子ビームＥＢの軌道に必要なだけ近接して反射鏡４３及び４４（特に、衝突位置ＰにレーザビームＬＢを入射させる反射鏡４３）を配置することができるので、衝突角を大きくすることが容易となる。
【００６８】
対向衝突に用いる反射鏡４３及び４４の、退避位置と使用位置との間の移動を、真空チャンバ３０の真空状態を保ったまま行うことができるので、電子ビームＥＢの調整後、迅速に対向衝突を行うことができる。
上記実施例では、レーザビームが第１の光路を通った場合の衝突角を例えば１６５°とし、第２の光路を通った場合の衝突角を９０°としたが、衝突角はこれに限らない。
真空チャンバ内の反射鏡を介して、レーザビームを電子ビームと衝突させる光路である第１の光路は、真空チャンバの入射窓から入射したレーザビームをそのまま直進させて電子ビームと衝突させる光路である第２の光路よりも、大きな衝突角で衝突を行うのに適している。
【００６９】
第１の光路は、衝突角を１３５°より大きく１８０°以下の範囲とするのに適しており、第２の光路は、衝突角を８０°以上で１３５°以下の範囲とするのに適している。なお、衝突角に応じて、真空チャンバのポートの位置、衝突光学系の反射鏡の位置等を適宜設計することができる。
【００７０】
上述したように、衝突角を変えることにより、発生するＸ線の波長を変えることができる。例えば、第１の光路を用いて１８０°に近い衝突角の衝突を行い、第２の光路を用いて１３５°以下の衝突角の衝突を行う場合について考える。１３５°以下の衝突角の衝突を行うと、１８０°の衝突角の衝突で得られるＸ線の波長に対し、１０％以上長い波長のＸ線を得ることができる。例えば、このように、実施例による短波長電磁波発生装置は、波長の異なる複数のＸ線を発生させる用途に適する。
【００７１】
なお、一般に、Ｘ線を用いる測定の例として、タンパク質の構造解析法のひとつである多波長異常分散法（ＭＡＤ法）が挙げられる。この方法では、１種類のタンパク質結晶に対して、複数の波長のＸ線を照射することにより、タンパク質の結晶構造を決定することができる。このような測定でのＸ線の波長変化の割合は、最短の波長に対し、例えば１０％〜２０％程度である。なお、波長変化の範囲は、結晶へ重合させる原子によって異なる。
【００７２】
次に、図４を参照して、第２の実施例による短波長電磁波発生装置について説明する。本実施例では、衝突光学系の構成が第１の実施例と異なる。第２の実施例の衝突光学系７０は、第１の実施例の衝突光学系４０からレーザビームダンパ４５、４８を取り除き、部分反射鏡７１、７５、反射鏡７４、７８、レンズ７３、７７、及び光増幅器７２、７６、を追加した構成を有する。
【００７３】
まず、対向衝突の場合について説明する。レーザ光源２０から出射されたレーザビームＬＢの少なくとも一部が部分反射鏡７１を透過し、光増幅器７２及びレンズ４２を透過して第１のレーザビーム入射窓３３から真空チャンバ３０に入射する。第１のレーザビーム入射窓３３から真空チャンバ３０に入射したレーザビームが、反射鏡４３で反射され、衝突位置Ｐを通過し、さらに反射鏡４４で反射されて、第１のレーザビーム出射窓３４から真空チャンバ３０の外に出射する。第１のレーザビーム出射窓３４から真空チャンバ３０の外に出射したレーザビームＬＢが、レンズ７３を透過して反射鏡７４に入射する。
【００７４】
反射鏡７４は、部分反射鏡７１と光共振器を構成するように配置され、部分反射鏡７１を透過して反射鏡７４に至るまでの第１の光路を逆向きに伝搬するように、レーザビームＬＢを反射させる。
【００７５】
すなわち、反射鏡７４で反射されたレーザビームＬＢが、レンズ７３を透過して第１のレーザビーム出射窓３４から真空チャンバ３０に入射する。第１のレーザビーム出射窓３４から真空チャンバ３０に入射したレーザビームが、反射鏡４４で反射され、衝突位置Ｐを通過し、さらに反射鏡４３で反射されて、第１のレーザビーム入射窓３３から真空チャンバ３０の外に出射する。第１のレーザビーム入射窓３３から真空チャンバ３０の外に出射したレーザビームＬＢが、レンズ４２及び光増幅器７２を透過して、部分反射鏡７１に入射する。
【００７６】
レンズ７３は、レンズ４２と等しい焦点距離を有し、第１の光路上で衝突位置Ｐを挟んでレンズ４２と対称に配置される。すなわち、レンズ４２から衝突位置Ｐまでの光路長と、衝突位置Ｐからレンズ７３までの光路長とが等しくなるように、レンズ７３が配置される。
【００７７】
部分反射鏡７１から反射鏡７４に向かうレーザビームＬＢについて、衝突位置Ｐを通過して発散光となったレーザビームＬＢが、レンズ７３により平行光にされて反射鏡７４に入射する。反射鏡７４で反射されたレーザビームＬＢを、レンズ７３が、衝突位置Ｐでビーム断面が最小となるように収束させる。衝突位置Ｐを通過して発散光となったレーザビームＬＢが、レンズ４２により平行光にされて部分反射鏡７１に入射する。
【００７８】
部分反射鏡７１は、部分反射鏡７１に入射したレーザビームの少なくとも一部を反射する。部分反射鏡７１で反射されたレーザビームＬＢが、再び、光増幅器７２及びレンズ４２を透過して第１のレーザビーム入射窓３３から真空チャンバ３０に入射し、反射鏡４３で反射されて衝突位置Ｐに到達する。以後、部分反射鏡７１と反射鏡７４との間でレーザビームＬＢの往復が繰り返される。光増幅器７２が、レーザビームＬＢの光強度の減衰を補うように、レーザビームＬＢを増幅する。
【００７９】
第１のレーザビーム入射窓３３側から真空チャンバ３０に入射したレーザビームＬＢが衝突位置Ｐに到達する時刻毎に、電子ビームＥＢが衝突位置Ｐに到達して、１８０°に近い衝突角の衝突が繰り返されるように、制御装置８０が電子ビーム出射装置１０を制御する。
【００８０】
次に、垂直衝突の場合について説明する。反射鏡４６からレンズ４７までの間に、反射鏡４６側から、部分反射鏡７５及び光増幅器７６が配置されている。第２のレーザビーム出射窓３６から真空チャンバ３０の外に出射したレーザビームＬＢが入射するように、真空チャンバ３０側から、レンズ７７及び反射鏡７８が配置されている。
【００８１】
反射鏡７８は、部分反射鏡７５と光共振器を構成するように配置され、部分反射鏡７５を透過して反射鏡７８に至るまでの第２の光路を逆向きに伝搬するように、レーザビームＬＢを反射させる。また、レンズ７７は、レンズ４７と等しい焦点距離を有し、第２の光路上で衝突位置Ｐを挟んでレンズ４７と対称に配置される。対向衝突の場合の光学系と同様に、部分反射鏡７５と反射鏡７８との間でレーザビームＬＢの往復を繰り返すことができる。
【００８２】
第２のレーザビーム入射窓３５側から真空チャンバ３０に入射したレーザビームＬＢが衝突位置Ｐに到達する時刻毎に、電子ビームＥＢが衝突位置Ｐに到達して、衝突角９０°の衝突が繰り返されるように、制御装置８０が電子ビーム出射装置１０を制御する。なお、垂直衝突の場合は、第２のレーザビーム出射窓３６側から真空チャンバ３０に入射したレーザビームＬＢも、衝突角９０°で電子ビームＥＢと衝突させられるので、レーザビームＬＢが衝突位置Ｐに到達する度に電子ビームＥＢと衝突させるようにすることもできる。
【００８３】
第２の実施例の短波長電磁波発生装置では、レーザビームＬＢの１つのパルスを、真空チャンバ３０内を通過するように繰り返し往復させることにより、電子ビームＥＢと複数回衝突させることができる。真空チャンバ３０から出射したレーザビームＬＢをレーザビームダンパに捨てる第１の実施例に比べて、レーザビームＬＢの利用効率向上が図られる。
【００８４】
なお、第２の実施例では、レーザビームＬＢが繰り返しレーザビーム入射窓及び出射窓３３〜３６を透過して電子ビームＥＢと衝突するので、第１の実施例よりもさらに、レーザビーム入射窓及び出射窓３３〜３６における非線形効果を生じさせないことが好ましい。
【００８５】
なお、上記実施例では、逆コンプトン散乱によりＸ線を発生させたが、一般に逆コンプトン散乱では、電子ビームに衝突させるレーザビームの波長よりも短い波長の電磁波を発生させることができる。例えば、上記実施例の短波長電磁波発生装置を応用して、γ線を発生させる装置を構成することも可能である。
【００８６】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の第１の実施例による短波長電磁波発生装置を示す概略図である。
【図２】第１の実施例による短波長電磁波発生装置の、真空チャンバ及び衝突光学系の構成を示す概略図である。
【図３】対向衝突に用いる反射鏡の移動機構、及び電子ビーム軌道検出装置の構成を示す概略図である。
【図４】第２の実施例による短波長電磁波発生装置の、真空チャンバ及び衝突光学系の構成を示す概略図である。
【図５】従来技術による短波長電磁波発生装置を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８８】
１０  電子ビーム出射装置
１１  レーザ光源
１２  電子銃
１２Ｃ  フォトカソード
１３  加速管
１４  偏向電磁石
１５  収束電磁石
１６  ステアリング電磁石
１７  真空ダクト
ＥＢ  電子ビーム
２０  レーザ光源
ＬＢ  レーザビーム
３０  真空チャンバ
３１  電子ビーム入射口
３２  電子ビーム出射口（Ｘ線の出射口）
３３  第１のレーザビーム入射窓
３４  第１のレーザビーム出射窓
３５  第２のレーザビーム入射窓
３６  第２のレーザビーム出射窓
４０  衝突光学系
４１  ビーム振分器４１
４２、４７  レンズ
４３、４４、４６  反射鏡
４５、４８  レーザビームダンパ
４３１  （反射鏡４３の）移動機構
４４１  （反射鏡４４の）移動機構
Ｐ  衝突位置
θ１、θ２  衝突角
ＲＸ  Ｘ線
５０  電子ビーム軌道検出装置
６０  真空ダクト
６１  偏向電磁石
６２  電子ビームダンパ
６３  Ｘ線出射窓
８０  制御装置
【図１】
2008003158.tif 000003
【図２】
2008003158.tif 000004
【図３】
2008003158.tif 000005
【図４】
2008003158.tif 000006
【図５】
2008003158.tif 000007