(57)【要約】【課題】本発明はビア形成用開口をレーザ光により形成する際の加工時間の短縮及び加工工程の手間を簡略化することを課題とする。【解決手段】  配線基板１００は、コア基板２４０の上面及び下面に複数の絶縁層と配線層とを積層した多層構造であり、レジスト層のパターニングによって形成されたビア形成用開口に電解Ｃｕめっきを施してビア２２０を形成するビア構造２００を有する。コア基板２４０には、スルーホール２４４及びスルーホール２４４に接続される配線パターン２１０が形成されている。配線パターン２１０の上面には、円柱形状のビア２２０が搭載され、ビア２２０の上面には配線パターン２３０が形成されている。ビア構造２００は、配線パターン２１０、ビア２２０、配線パターン２３０とから構成されており、スルーホール２４４、配線パターン２１０、ビア２２０、配線パターン２３０が夫々電気的に接続されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層にビアを形成し、前記絶縁層の表面に前記ビアに接続される配線パターンを形成してなる配線基板の製造方法であって、
コア基板の表面に配線層を形成する工程と、
コア基板及び配線層の表面にシード層を形成する工程と、
前記シード層の表面にレジスト層を形成し、前記レジスト層をパターニングして前記配線層の一部を露出させる開口を形成する工程と、
前記シード層への給電により前記開口に電解めっきを施して前記ビアを形成する工程と、
前記レジスト層を剥離すると共に、前記配線層を除く部分に形成された前記シード層を除去する工程と、
前記ビア及び前記配線層の表面に絶縁層を積層する工程と、
前記絶縁層の表面を削除して前記ビアの端面を前記絶縁層上に露出させる工程と、
前記ビアの上部に接続される前記配線パターンを前記絶縁層の表面に形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層の表面をブラスト加工またはエッチング処理で削除することにより前記ビアの端面を前記絶縁層上に露出させることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線パターンを前記ビアの端面上に直接形成することで接続することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記請求項３に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ビアの端面上に接続される前記配線パターンの幅を前記ビアの直径よりも小さい寸法に形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁層にビアを形成し、前記絶縁層の表面に前記ビアに接続される配線パターンを形成してなる配線基板であって、
前記ビアの端面上に前記配線パターンを直接接続することを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記ビアの端面上に接続される前記配線パターンの幅を前記ビアの直径よりも小さい寸法に形成することを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法及び配線基板に係り、特に多層基板の各絶縁層間に形成される配線パターン間を電気的に接続するようにビアを設けてなる配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、多層基板構造とされた配線基板においては、絶縁層間に形成される複数の配線パターン間をビアにより電気的に接続する構成が広く用いられている。このようなビアの形成方法としては、例えば、レーザ加工機からのレーザ光を熱硬化性エポキシ樹脂等からなる樹脂層に照射してビアホールを形成する方法が用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、レーザ光の照射位置にばらつきがあると、ビアの形成位置からずれた位置にレーザ光が照射されてしまうおそれがあるので、ビア形成位置には、レーザ光のストッパとなる受けパッドを下層配線パターンに形成している。受けパッドは、ビア径よりも大径に形成されるため、レーザ光の照射位置がビアの位置から若干外れてもレーザ光が受けパッドから外れることが回避される（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
図１Ａは従来のビアと配線パターンとの構成例を示す斜視図である。図１Ｂはビアと配線パターンとの構成例を示す平面図である。図１Ａに示されるように、絶縁層（図１Ａでは省略してある）の下部に形成された下部配線パターン１０と、絶縁層の上部に形成された上部配線パターン２０との間は、絶縁層を貫通するビア３０により電気的に接続されている。ビア３０は、レーザ加工機からのレーザ光をエポキシ樹脂等からなる樹脂層に照射してビアホールを形成し、このビアホール内にめっき法により導電性金属を析出させて形成される。
【０００５】
図１Ｂに示されるように、例えば、直径Ｄｖ≒６０μｍのビア３０を形成する場合、レーザ光を照射する際の位置ずれ（誤差）を考慮してビア３０の上部及び下部にビア３０よりも大径な受けパッド４０，５０を設けている。この受けパッド４０，５０は、例えば、直径Ｄｐ≒１００μｍ程度を有する大きさに形成されており、ビア３０の直径Ｄｖの２倍弱の大きさになっている。また、通常、受けパッド４０，５０に接続される配線パターン４２，５２の配線幅Ｗは、ビア３０の直径Ｄｖよりも小さい（Ｗ<Ｄｖ）。
【０００６】
ここで、上記従来の配線基板の製造方法について、図２Ａ〜図２Ｉの各工程を参照して説明する。図２Ａにおいて、コア基板６０に貫通孔６２を形成し、貫通孔６２にスルーホール６４を形成すると共に、コア基板６０の上面及び下面にスルーホール６２に接続される受けパッド４０を形成する。尚、コア基板６０の上面及び下面に同じように複数の絶縁層及び配線パターンが積層される。
【０００７】
図２Ｂにおいて、コア基板６０の上面及び下面に熱硬化性エポキシ樹脂等からなる樹脂層を積層して第１絶縁層７０を形成する。尚、第１絶縁層７０は、樹脂フィルムのラミネートまたは液状樹脂の塗布により形成される。
【０００８】
図２Ｃにおいて、レーザ加工機により生成されたレーザ光を第１絶縁層７０に照射してビアホール７２を形成する。レーザ光の照射位置は、配線パターンの受けパッド４０の中心と一致するように調整される。受けパッド４０はレーザ光のストッパとして設けられており、レーザの照射位置がずれてもレーザ光を外さないようにレーザ光よりも大径に形成されている。
レーザ光により加工されるビアホール７２の直径Ｄｖは、受けパッド４０の直径Ｄｐよりも小さい（Ｄｖ<Ｄｐ）ので、Ｄｖ−Ｄｐの範囲内でのばらつき（誤差）があってもビアホール７２の底部に受けパッド４０の一部が露出されるようにビアホール７２を加工することができる。尚、上記ばらつき（誤差）には、受けパッド４０、レーザ光の位置のばらつきと、受けパッド４０、ビアホール７２の直径のばらつきがあり、それらの組み合わせによって生じる。
【０００９】
図２Ｄにおいて、レーザ加工によって発生したビアホール７２内のスミアをケミカルホールクリーニングによって除去するデスミア処理を行なう。
【００１０】
図２Ｅにおいて、スパッタ法または無電解めっき等により第１絶縁層７０の表面及びビアホール７２内にシード層８０を形成する。
図２Ｆにおいて、シード層８０の表面に感光性樹脂等からなる樹脂フィルムまたは液状レジストを積層してレジスト層９０を形成し、さらに絶縁層９０にパターニング（露光、現像）を施して配線パターンに応じた開口（凹部）９２を形成する。
図２Ｇにおいて、シード層８０への給電により開口９２にＣｕ電解めっきを施して受けパッド５０を形成すると共に、ビアホール７２内にビア３０及び配線パターンを形成する。
【００１１】
図２Ｈにおいて、レジスト層９０を剥離液により剥離し、さらにレジスト層９０の下側のシード層８０をエッチングにより除去する。
【００１２】
図２Ｉにおいて、第１絶縁層７０の表面に第２絶縁層９８を積層する。この後は、前述した図２Ｃ〜図２Ｉの工程を繰り返すことにより多層構造の配線基板が得られる。
【００１３】
このようにして、図１に示すビア３０と受けパッド４０，５０との接続構造を有する配線基板を製造することが可能になる。
【特許文献１】特開２００３−２１８５１６号公報
【特許文献２】特開２００３−００８２０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記従来の製造方法では、レーザ光によるビアホール７２の開口工程を行なうため、ビア数が増加すると、それだけレーザ加工機による加工時間が長くなるという問題がある。
【００１５】
また、ビア３０の小径化が進むと、レーザ加工後に発生するビア底の樹脂残渣（スミア）を除去（図２Ｄに示すデスミア処理）することが困難になり、除去できない場合には、ビア３０を形成するビア充填金属と配線パターンとの接続信頼性が低下するおそれがある。
【００１６】
また、ビア底の樹脂残渣を除去するために樹脂エッチングによるデスミア処理を強力にすると、絶縁層を形成する樹脂の表面粗さが粗くなり、ビア３０の変形や樹脂表面に形成される配線パターンの配線形状が不均一になってしまうことから微細配線の配線が困難になる。
【００１７】
さらに、レーザ光を照射する際のばらつきによるビア３０と配線パターンとの接続不良を解消するため、ビア３０の上下面には、ビア径よりも大径な受けパッド４０，５０を形成してレーザ光のストッパを設けている。この受けパッド４０，５０によって、配線パターンの各配線の位置が制約を受けることになり、多数の配線パターンを設ける場合には、配線パターンを回避させるスペースを設けなければならない。
【００１８】
そこで、本発明は上記事情に鑑み、上記課題を解決した配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するため、本発明は以下のような手段を有する。
【００２０】
本発明は、絶縁層にビアを形成し、前記絶縁層の表面に前記ビアに接続される配線パターンを形成してなる配線基板の製造方法であって、コア基板の表面に配線層を形成する工程と、コア基板及び配線層の表面にシード層を形成する工程と、前記シード層の表面にレジスト層を形成し、前記レジスト層をパターニングして前記配線層の一部を露出させる開口を形成する工程と、前記シード層への給電により前記開口に電解めっきを施して前記ビアを形成する工程と、前記レジスト層を剥離すると共に、前記配線層を除く部分に形成された前記シード層を除去する工程と、前記ビア及び前記配線層の表面に絶縁層を積層する工程と、前記絶縁層の表面を削除して前記ビアの端面を前記絶縁層上に露出させる工程と、前記ビアの上部に接続される前記配線パターンを前記絶縁層の表面に形成する工程と、を有することにより上記課題を解決する。
【００２１】
本発明は、前記請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、前記絶縁層の表面をブラスト加工またはエッチング処理で削除することにより前記ビアの端面を前記絶縁層上に露出させて、上記課題を解決する。
【００２２】
本発明は、前記請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、前記配線パターンを前記ビアの端面上に直接形成することで接続することにより上記課題を解決する。
【００２３】
本発明は、前記請求項３に記載の配線基板の製造方法であって、前記ビアの端面上に接続される前記配線パターンの幅を前記ビアの直径よりも小さい寸法に形成することにより上記課題を解決する。
【００２４】
本発明は、絶縁層にビアを形成し、前記絶縁層の表面に前記ビアに接続される配線パターンを形成してなる配線基板であって、前記ビアの端面上に前記配線パターンを直接接続することにより、上記課題を解決するものです。
【００２５】
本発明は、前記ビアの端面上に接続される前記配線パターンの幅を前記ビアの直径よりも小さい寸法に形成することにより、上記課題を解決するものです。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、コア基板の表面に配線層及びシード層を形成し、シード層の表面にレジスト層を形成し、レジスト層をパターニングして配線層の一部を露出させる開口を形成し、シード層への給電により開口に電解めっきを施してビアを形成するため、レーザ光による開口工程が不要になり、レーザ加工後のデスミア処理も不要になるので、その分加工時間を短縮して生産効率をより高めることが可能になる。また、ビア径を小さくした場合、残渣処理が十分に行えないことによって生じるビアと配線パターンとの接触不良も解消することができるので、ビア径の微細化も可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例１】
【００２８】
図３は本発明による配線基板の実施例１を示す縦断面図である。尚、図３において、その多層構造に至までの途中の状態を示してある。
【００２９】
図３に示されるように、配線基板１００は、コア基板２４０の上面及び下面に複数の絶縁層と配線層とを積層した多層構造であり、レジスト層のパターニングによって形成されたビア形成用開口に電解Ｃｕめっきを施してビア２２０を形成するビア構造２００を有する。
【００３０】
コア基板２４０には、スルーホール２４４及びスルーホール２４４に接続される配線パターン２１０が形成されている。尚、ここでの実施例では、スルーホール２４４を用いたコア基板としたが、絶縁層を形成できれば、コア基板はこれに限定されることはない。配線パターン２１０の上面には、円柱形状のビア２２０が搭載され、ビア２２０の上面には配線パターン２３０が形成されている。
ビア構造２００は、配線パターン２１０、ビア２２０、配線パターン２３０とから構成されており、スルーホール２４４、配線パターン２１０、ビア２２０、配線パターン２３０が夫々電気的に接続されている。
【００３１】
ビア構造２００では、ビア２２０がレーザ加工を用いずに形成されるため、レーザ加工後のデスミア処理も不要になるので、その分加工時間を短縮して生産効率をより高めることが可能になる。また、ビア径を小さくした場合、残渣処理が十分に行えないことによって生じるビアと配線パターンとの接触不良も解消することができるので、ビア径の微細化も可能になる。
【００３２】
図４Ａは本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例１を示す斜視図である。図４Ｂは図４Ａに示すビア構造の平面図である。尚、図４Ａ、図４Ｂにおいて、ビア構造を分かりやすくするため、絶縁層を省略してある。
【００３３】
図４Ａ、図４Ｂに示されるように、ビア構造２００は、絶縁層の下面側に形成される下部配線パターン２１０と、下部配線パターン２１０の上面に搭載される円柱形状のビア２２０とを有する。下部配線パターン２１０の横幅Ｗ（例えば、Ｗ＝１５μｍ）は、ビア２２０の直径Ｄｖ（例えば、Ｄｖ＝６０μｍ）よりも小さい寸法に形成されている（Ｗ<Ｄｖ）。また、下部配線パターン２１０の上面は、ビア２２０の下端面に直接接続されている。
【００３４】
ビア２２０の下端面には、レーザ光を照射する際の受けパッド（図１Ａに示す従来の構造）が設けられていないので、他の配線パターンがビア２２０の外周と接触しないように配置されるが、従来のもののように大きく迂回しないで済み、配線パターンの配線経路を設定する際の制約を減らすことができる。
【００３５】
図５Ａ、図５Ｂに示されるように、ビア２２０の上端面には、上部配線パターン２３０が直接接続するように形成される。上部配線パターン２３０の横幅Ｗ（例えば、Ｗ＝１５μｍ）は、ビア２２０の直径Ｄｖ（例えば、Ｄｖ＝６０μｍ）よりも小さい寸法に形成されている（Ｗ<Ｄｖ）。ビア２２０の上端面にもレーザ光を照射する際の受けパッド（図１Ａに示す従来の構造）が設けられていないので、他の配線パターンがビア２２０の外周と接触しないように配置される際に大きく迂回しないで済み、配線パターンの配線経路を設定する際の制約を減らすことができる。
【００３６】
ここで、上記ビア構造を用いた配線基板の製造方法について図６Ａ（その１）〜図６Ｋ（その１１）を参照して以下説明する。尚、本実施例では、基板の上下両面に複数の絶縁層、配線層を積層する多層構造の配線基板を例に挙げて説明する。
【００３７】
図６Ａにおいて、コア基板２４０に上下方向に貫通する貫通孔２４２を形成し、貫通孔２４２の内にスルーホール２４４及びスルーホール２４４に接続される配線パターン２１０を形成する。
【００３８】
図６Ｂにおいて、コア基板２４０の両面にスパッタ法または無電解めっき法等を用いて第１シード層２４８（破線で示す）を形成する。
【００３９】
図６Ｃにおいて、コア基板２４０の両面にレジスト層２５０を形成する。このレジスト層２５０は、感光性レジストからなる樹脂フィルムをラミネートする方法、または液状レジストを塗布する方法により形成される。
次いで、レジスト層２５０に対して紫外線を用いた露光、現像を行なってビア形成用開口２５２を形成する。このビア形成用開口２５２は、ビア２２０を形成するためのものであり、従来のようにレーザ光を照射して形成する方法を用いないので、配線パターン２１０から若干ずれた位置に形成されたとしても配線パターン２１０の一部が露出されるように形成されれば、電気的な導通は可能となる。そのため、ビア２２０の下方にビア２２０の直径より大径な受けパッドを設ける必要がない。また、受けパッドを設けるためのめっきによる制約も生じない。
【００４０】
また、配線パターン２１０の横幅Ｗがビア２２０の直径Ｄｖより小さくても、あるいは大きくても配線パターン２１０とビア２２０との電気的接続が可能である。そのため、配線パターン２１０の位置のばらつき、配線パターン２１０の横幅のばらつき、ビア２２０の位置のばらつき、ビア２２０の直径のばらつき等による誤差があっても配線パターン２１０とビア２２０とが一部でも接続されれば電気的接続が可能となる。
【００４１】
図６Ｄにおいて、第１シード層２４８への給電により電解Ｃｕめっきを行なってビア形成用開口２５２にＣｕを析出させてビア２２０を形成する。このように、レーザ光による開口工程が不要になることで、レーザ加工後のデスミア処理も不要になるので、その分加工時間を短縮して生産効率をより高めることが可能になる。また、ビア径を小さくした場合、残渣処理が十分に行えないことによって生じるビアと配線パターンとの接触不良も解消することができるので、ビア径の微細化も可能になる。
【００４２】
図６Ｅにおいて、剥離液を用いてレジスト層２５０を剥離する。次いで、ビア２２０以外に部分に形成された第１シード層２４８をエッチングにより除去する。
【００４３】
図６Ｆにおいて、コア基板２４０の両面にエポキシ樹脂等からなる樹脂層を積層して第１絶縁層２６０を形成する。尚、この第１絶縁層２６０は、エポキシ樹脂などの樹脂フィルムをラミネートする方法、または液状レジストを塗布する方法により形成される。
図６Ｇにおいて、第１絶縁層２６０の表面をブラスト処理またはエッチング処理により均一の厚さで除去する。このブラスト処理またはエッチング処理は、ビア２２０の表面が露出するまで行なう。
【００４４】
図６Ｈにおいて、第１絶縁層２６０の表面にスパッタ法または無電解めっき法等を用いて第２シード層２７０を形成する。次いで、第２シード層２７０の表面にレジスト層２８０を形成する。このレジスト層２８０は、感光性レジストからなる樹脂フィルムをラミネートする方法、または液状レジストを塗布する方法により形成される。
次いで、レジスト層２８０に対して紫外線を用いた露光、現像を行なって配線パターン形成用開口２８２を形成する。この配線パターン形成用開口２８２は、配線パターン２３０（図５Ａ参照）を形成するためのものであり、従来のようにレーザ光を照射して形成する方法を用いないので、ビア２２０の表面の一部を露出するように形成されれば電気的な導通は可能となる。そのため、ビア２２０の上方にビア２２０の直径より大径な受けパッドを設ける必要がない。
【００４５】
また、配線パターン２３０の横幅Ｗがビア２２０の直径Ｄｖより小さくても、あるいは大きくても配線パターン２３０とビア２２０との電気的接続が可能である。そのため、配線パターン２３０の位置のばらつき、配線パターン２３０の横幅のばらつき、ビア２２０の位置のばらつき、ビア２２０の直径のばらつき等による誤差があっても配線パターン２３０とビア２２０とが一部でも接続されれば電気的接続が可能となる。
【００４６】
図６Ｉにおいて、第２シード層２７０への給電により電解Ｃｕめっきを行なって配線パターン形成用開口２８２にＣｕを析出させて配線パターン２３０を形成する。尚、図６Ｉ以降では、配線パターン形成用開口２８２の底部に形成された第２シード層２７０にＣｕが析出されて一体化されるので、第２シード層２７０の図示を省略する。
【００４７】
図６Ｊにおいて、剥離液を用いてレジスト層２８０を剥離する。
【００４８】
図６Ｋにおいて、配線パターン２３０及び第１絶縁層２６０の表面にレジスト層２９０を形成する。このレジスト層２９０は、感光性レジストからなる樹脂フィルムをラミネートする方法、または液状レジストを塗布する方法により形成される。
次いで、レジスト層２９０に対して紫外線を用いた露光、現像を行なってビア形成用開口２９２を形成する。この後は、上記図６Ｄ〜図６Ｋの工程を繰り返すことにより、ビア構造２００を有する絶縁層が積層された多層の配線基板が得られる。
【００４９】
尚、図６Ｋにおいて、レジスト層２９０の下側には、第２シード層２７０が残されている。第２シード層２７０は、この後前述した図６Ｄ〜図６Ｋの工程を繰り返す際に第２シード層２７０への給電により電解Ｃｕめっきを行なって配線パターン２３０の上面に接続されるビア２２０を形成する。そして、次に行なわれる図６Ｅにおいて、剥離液を用いてレジスト層２９０を剥離した後、ビア２２０以外に部分に形成された第２シード層２７をエッチングにより除去する。
【００５０】
尚、上記実施例１では、コア基板２４０の上下両面に複数の絶縁層と配線層とを積層するビルドアップ配線基板を例に挙げて説明したが、これに限らず、コア基板２４０の上下面の何れか一方の面に積層する構成としても良い。
【００５１】
また、上記実施例１においては、配線基板１００を一例として図示しているが、これに限らず、複数の絶縁層と配線層とを積層する構成において、ビア構造２００を適用するものであれば、他の構造の配線基板あるいは半導体チップや光変換素子等が実装される配線基板などに適用しても良い。
【実施例２】
【００５２】
図７は本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例２を示す斜視図である。尚、図７において、上記各実施例と同一部分には、同一符号を付してその説明を省略する。また、図７において、ビア構造を分かりやすくするため、絶縁層を省略してある。
【００５３】
図７に示されるように、ビア構造４００は、絶縁層の下面側に形成される下部配線パターン２１０と、下部配線パターン２１０の上面に搭載された円柱形状のビア２２０と、ビア２２０の上端面に接続される上部配線パターン２３０，２３４とを有する。下部配線パターン２１０、上部配線パターン２３０，２３４の横幅Ｗ（例えば、Ｗ＝１５μｍ）は、ビア２２０の直径Ｄｖ（例えば、Ｄｖ＝６０μｍ）よりも小さい寸法に形成されている（Ｗ<Ｄｖ）。
【００５４】
上部配線パターン２３０，２３４は、ビア２２０の上端面から異なる方向（角度θ）に延在するように形成されており、上方からみると、Ｖ字状に配置される。このように、複数の配線パターン２３０，２３４をビア２２０の上端面に設けることも可能である。
【００５５】
また、本実施例２においても、ビア２２０の上下には、レーザ光を照射する際の受けパッド（図１Ａに示す従来の構造）が設けられていないので、他の配線パターンと接触しないように配置されるが、従来のもののように大きく迂回しないで済む。
【００５６】
この実施例２のビア構造４００を有する配線基板の製造方法は、前述した実施例１の図６Ａ〜図６Ｋと同様であるので、その説明は省略する。
【実施例３】
【００５７】
図８は本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例３を示す斜視図である。尚、図８において、上記各実施例と同一部分には、同一符号を付してその説明を省略する。また、図８において、ビア構造を分かりやすくするため、絶縁層を省略してある。
【００５８】
図８に示されるように、ビア構造５００は、絶縁層の下面側に形成される下部配線パターン２１０と、下部配線パターン２１０の上面に搭載された円柱形状のビア２２０と、ビア２２０の上端面に接続される上部配線パターン２３０とを有する。下部配線パターン２１０、上部配線パターン２３０の横幅Ｗ（例えば、Ｗ＝１５μｍ）は、ビア２２０の直径Ｄｖ（例えば、Ｄｖ＝６０μｍ）よりも小さい寸法に形成されている（Ｗ<Ｄｖ）。
【００５９】
上部配線パターン２３０は、ビア２２０の上端面から１８０度の方向に延在するように形成されており、上方からみると、一直線状に配置される。このように、配線パターン２３０をビア２２０の上端面に設けることも可能である。
【００６０】
また、本実施例３においても、ビア２２０の上下には、レーザ光を照射する際の受けパッド（図１Ａに示す従来の構造）が設けられていないので、他の配線パターンが接触しないように配置されるが、従来のもののように大きく迂回しないで済む。
【００６１】
この実施例３のビア構造５００を有する配線基板の製造方法は、前述した実施例１の図６Ａ〜図６Ｋと同様であるので、その説明は省略する。
【実施例４】
【００６２】
図９は本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例４を示す斜視図である。尚、図９において、上記各実施例と同一部分には、同一符号を付してその説明を省略する。また、図９において、ビア構造を分かりやすくするため、絶縁層を省略してある。
【００６３】
図９に示されるように、ビア構造６００は、下部配線パターン２１０と上部配線パターン２３０との間に、円柱形状のビア２２０,２２２が積み重ねられたスタック構造である。
【００６４】
上段のビア２２０と下段のビア２２２は、外径がほぼ同じ径であり、前述した実施例１の図６Ｃ〜図６Ｈのビア形成工程を連続して２回行なうことにより積み重ねことが可能になる。
【００６５】
本実施例のようにビアスタック構造とする場合もレーザ光を照射する際の受けパッド（図１Ａに示す従来の構造）をビア２２０と２２２との間に設けないことから、ビア２２０と２２２とが相対的に半径方向（周辺方向）に若干ずれたとしてもビア２２０と２２２とが一部で接続されていれば電気的な接続が可能である。
【００６６】
この実施例４のビア構造６００を有する配線基板の製造方法は、前述した実施例１の図６Ａ〜図６Ｋと同様であるので、その説明は省略する。また、実施例１と異なる点は、図６Ｃ〜図６Ｈのビア形成工程を２回繰り返すことでビアスタック構造が得られる。
【実施例５】
【００６７】
図１０は本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例５を示す斜視図である。尚、図１０において、上記各実施例と同一部分には、同一符号を付してその説明を省略する。また、図１０において、ビア構造を分かりやすくするため、絶縁層を省略してある。
【００６８】
図１０に示されるように、ビア構造７００は、下部配線パターン２１０と上部配線パターン２３０との間に、円柱形状のビア２２０,２２４が積み重ねられたスタック構造である。
【００６９】
下段のビア２２４は、上段のビア２２０の外径よりも大径であり、前述した実施例１の図６Ｃ〜図６Ｈのビア形成工程を連続して２回行なうことにより積み重ねことが可能になる。
【００７０】
本実施例のビア構造７００では、ビア２２４の外径がビア２２０より大径であるので、ビア２２０と２２４とが相対的に半径方向（周辺方向）に若干ずれたとしてもビア２２０と２２４とが一部で接続されていれば電気的な接続が可能である。
【００７１】
この実施例５のビア構造７００を有する配線基板の製造方法は、前述した実施例１の図６Ａ〜図６Ｋと同様であるので、その説明は省略する。また、実施例１と異なる点は、図６Ｃ〜図６Ｈのビア形成工程を２回繰り返すことでビアスタック構造が得られる。
【実施例６】
【００７２】
図１１は本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例６を示す斜視図である。尚、図１１において、上記各実施例と同一部分には、同一符号を付してその説明を省略する。また、図１１において、ビア構造を分かりやすくするため、絶縁層を省略してある。
【００７３】
図１１に示されるように、ビア構造８００は、下部配線パターン２１０と上部配線パターン２３０との間に、円柱形状のビア２２０,２２６が積み重ねられたスタック構造である。
【００７４】
下段のビア２２６は、上段のビア２２０の外径よりも小径であり、前述した実施例１の図６Ｃ〜図６Ｈのビア形成工程を連続して２回行なうことにより積み重ねることが可能になる。
【００７５】
本実施例のビア構造８００では、ビア２２６の外径がビア２２０より小径であるので、ビア２２０と２２４とが相対的に半径方向（周辺方向）に若干ずれたとしてもビア２２０と２２４とが一部で接続されていれば電気的な接続が可能である。
【００７６】
この実施例６のビア構造８００を有する配線基板の製造方法は、前述した実施例１の図６Ａ〜図６Ｋと同様であるので、その説明は省略する。また、実施例１と異なる点は、図６Ｃ〜図６Ｈのビア形成工程を２回繰り返すことでビアスタック構造が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１Ａ】従来のビアと配線パターンとの構成例を示す斜視図である。
【図１Ｂ】ビアと配線パターンとの構成例を示す平面図である。
【図２Ａ】従来の配線基板の製造方法（その１）を説明するための図である。
【図２Ｂ】従来の配線基板の製造方法（その２）を説明するための図である。
【図２Ｃ】従来の配線基板の製造方法（その３）を説明するための図である。
【図２Ｄ】従来の配線基板の製造方法（その４）を説明するための図である。
【図２Ｅ】従来の配線基板の製造方法（その５）を説明するための図である。
【図２Ｆ】従来の配線基板の製造方法（その６）を説明するための図である。
【図２Ｇ】従来の配線基板の製造方法（その７）を説明するための図である。
【図２Ｈ】従来の配線基板の製造方法（その８）を説明するための図である。
【図２Ｉ】従来の配線基板の製造方法（その９）を説明するための図である。
【図３】本発明による配線基板の実施例１を示す縦断面図である。
【図４Ａ】本発明による配線基板の実施例１に適用されるビア構造を示す斜視図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示すビア構造の平面図である。
【図５Ａ】実施例１のビア構造の上部配線パターンを示す斜視図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示すビア構造の平面図である。
【図６Ａ】実施例１の配線基板の製造方法（その１）を説明するための図である。
【図６Ｂ】実施例１の配線基板の製造方法（その２）を説明するための図である。
【図６Ｃ】実施例１の配線基板の製造方法（その３）を説明するための図である。
【図６Ｄ】実施例１の配線基板の製造方法（その４）を説明するための図である。
【図６Ｅ】実施例１の配線基板の製造方法（その５）を説明するための図である。
【図６Ｆ】実施例１の配線基板の製造方法（その６）を説明するための図である。
【図６Ｇ】実施例１の配線基板の製造方法（その７）を説明するための図である。
【図６Ｈ】実施例１の配線基板の製造方法（その８）を説明するための図である。
【図６Ｉ】実施例１の配線基板の製造方法（その９）を説明するための図である。
【図６Ｊ】実施例１の配線基板の製造方法（その１０）を説明するための図である。
【図６Ｋ】実施例１の配線基板の製造方法（その１１）を説明するための図である。
【図７】本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例２を示す斜視図である。
【図８】本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例３を示す斜視図である。
【図９】本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例４を示す斜視図である。
【図１０】本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例５を示す斜視図である。
【図１１】本発明による配線基板に適用されるビア構造の実施例６を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７８】
１００  配線基板
２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００  ビア構造
２１０  下部配線パターン
２２０，２２２，２２４，２２６  ビア
２３０，２３４  上部配線パターン
２４０  コア基板
２４４  スルーホール
２４８  第１シード層
２５０，２８０，２９０  レジスト層
２５２，２９２  ビア形成用開口
２６０  第１絶縁層
２７０  第２シード層
２８２  配線パターン形成用開口
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
2008283140.tif 000005
【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
2008283140.tif 000008
【図２Ｅ】
2008283140.tif 000009
【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【図６Ｋ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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