(57)【要約】【課題】「ＣＡＰコータ」などのスリットコータ装置を用いてレジスト液の塗布を行う場合について、基板の被塗布面の表面形態にかかわらず、良好なレジスト液の塗布膜を形成することのできるマスクブランクの製造方法等を提供する。【解決手段】一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、  基板の被塗布面の表面形態情報を準備する工程と、  基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと前記被塗布面との相対的位置に応じて変化させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の被塗布面の表面形態情報を準備する工程と、
基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと前記被塗布面との相対的位置に応じて変化させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程と、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
基板の被塗布面及び裏面の表面形態情報を準備し、これらの情報に基づいて、基板面内の板厚情報を準備する工程と、
基板保持手段である吸着板の吸着面の表面形態情報を準備する工程と、
前記基板面内の板厚情報と、前記吸着板の吸着面の表面形態情報と、に基づいて、前記吸着板の吸着面に基板の裏面を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態情報を準備する工程と、
前記吸着板の吸着面に基板の裏面を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと基板の被塗布面との相対的位置に応じて変化させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
液槽に溜められた液体状のレジスト液を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト液を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させ、レジスト液が基板の被塗布面に接液された状態で、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、この状態で前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記基板は、マスクパターンを形成するための薄膜が形成された薄膜付き基板であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク（ＦＰＤ用のマスクブランク）においては、遮光性膜、半透光性膜などの薄膜上に、レジスト膜が形成される。このレジスト膜は、前記薄膜のエッチング時にエッチングマスクとして使用される。しかし、ＦＰＤ用のマスクブランクにおいては、レジスト膜を形成すべき前記薄膜表面の面積が大きいため、例えばＬＳＩ用のマスクブランク等と比べ、レジスト膜の塗布ムラや、面内膜厚均一性の悪化が生じやすい。
また、ＦＰＤ用のフォトマスクなどにおいては、近年において、形成されるパターンが高精度化しているため、大型の基板の全面に亘って均一な厚さのレジスト膜を形成できる技術が望まれていた。
【０００３】
このような実情に鑑み、ＦＰＤ用のマスクブランク及びフォトマスクの製造分野において、例えば、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置の使用が検討されている。この「ＣＡＰコータ」においては、液体状のレジスト液が溜められた液槽に毛管状隙間を有する塗布ノズルを沈めておき、一方、被塗布面を下方を向けた姿勢で吸着板（吸着盤）によって基板を保持しておき、次に、塗布ノズルをレジスト液中より上昇させてこの塗布ノズルの上端部を基板の被塗布面に、接液が開始される間隔（接液ギャップｇ）まで近接させる。すると、液槽に溜められた液体状のレジスト液が塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇され、このレジスト液が塗布ノズルの上端部を介して基板の被塗布面に接液される。このようにレジスト液が被塗布面に接液した状態において、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置（塗布ギャップＧの位置）まで下降させる。この状態で、塗布ノズル及び被塗布面を被塗布面の全面に亘って相対的に走査させることにより、被塗布面の全面に亘ってレジスト液の塗布膜が形成される。
【０００４】
ところで、前述のような「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いても、基板に形成されるパターンをより高精度化しようとする場合においては、レジスト膜の厚さの均一性が不充分となることがあった。
これに対し、本願出願人は、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いて基板にレジスト液を塗布する場合、塗布を実施する際の基板と塗布ノズルの上端部との間隔（以下塗布ギャップＧという）が大きいほど塗布膜の膜厚分布が小さくなることを解明し、先に出願を行っている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−５１２２０公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記のような塗布装置及び塗布方法を用いてレジスト液の塗布を行う場合について、局所的に膜厚の均一性の良くない箇所が生じたり、局所的に塗布ムラが発生したりすることがあった。
この原因について、追求したところ、基板保持手段である吸着板の吸着面に基板の裏面全面を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態が、局所的に許容値を超えることが原因であることを解明した。
詳しくは、基板は完全に平坦ではなく、個々の基板毎に固有の表面形態や、平坦度を有している。したがって、吸着板に基板を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態や、平坦度が異なる。そして、吸着板に基板を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態（従って塗布ノズルとの間隔）が、局所的に許容値を超えることによって、局所的に膜厚の均一性の良くない箇所が生じたり、局所的に塗布ムラが発生したりすることを解明した。また、これらの現象は、基板サイズが大きくなるに従ってその影響が大きくなることを解明した。
例えば、塗布ギャップＧは離液間隔Ｇ’の５０％以上９０％以下（許容値）にすることが好ましいが、塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の５０％を局所的に下回るとその箇所において局所的に膜厚の均一性の良くない箇所が生じる場合がある。また、塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の９０％を局所的に上回るとその箇所において局所的に接液状態が安定せず、その結果局所的に塗布ムラが発生する場合がある。
また、例えば、接液ギャップｇを小さくしすぎると、接液の走り速度が大きくなりすぎ、気泡等を巻き込みながら接液が進行していき（即ち泡噛みが起き）、この泡が原因で塗布膜の塗り始めエリアに縦ムラが生じる。また、接液ギャップｇを大きくしすぎると、接液が起こらない現象が生じ、工程として不安定となる。これらを考慮して定められた接液ギャップｇの上限及び下限（許容値）に対し、一方向に伸びる塗布のノズルの一箇所で測定した接液ギャップｇが許容値の範囲内にあっても、一方向に伸びる塗布のノズルの全長に亘る接液ギャップｇの例えば平均値が許容値の範囲外であると、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止できなかったり、確実に接液を開始させることができなかったりしてしまう場合がある。
【０００６】
本発明は、上述の実情に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、「ＣＡＰコータ」などのスリットコータ装置を用いてレジスト液の塗布を行う場合について、基板の被塗布面の表面形態にかかわらず、良好なレジスト液の塗布膜を形成することのできるマスクブランクの製造方法等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は以下の構成を有する。
（構成１）一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の被塗布面の表面形態情報を準備する工程と、
基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと前記被塗布面との相対的位置に応じて変化させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程と、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成２）基板の被塗布面及び裏面の表面形態情報を準備し、これに基づいて、基板面内の板厚情報を準備する工程と、
基板保持手段である吸着板の吸着面の表面形態情報を準備する工程と、
前記基板面内の板厚情報と、前記吸着板の吸着面の表面形態情報と、に基づいて、前記吸着板の吸着面に基板の裏面を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態情報を準備する工程と、
前記吸着板の吸着面に基板の裏面を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと基板の被塗布面との相対的位置に応じて変化させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程と、
を有することを特徴とする構成１記載のマスクブランクの製造方法。
（構成３）液槽に溜められた液体状のレジスト液を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト液を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させ、レジスト液が基板の被塗布面に接液された状態で、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、この状態で前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有することを特徴とする構成１又は２に記載のマスクブランクの製造方法。
（構成４）前記基板は、マスクパターンを形成するための薄膜が形成された薄膜付き基板であることを特徴とする構成１から５のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法。
（構成５）構成１から４のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、「ＣＡＰコータ」などのスリットコータ装置を用いてレジスト液の塗布を行う場合について、基板の被塗布面の表面形態にかかわらず、良好なレジスト液の塗布膜を形成することのできるマスクブランクの製造方法等を提供できる。
【０００９】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のマスクブランクの製造方法は、
一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の被塗布面の表面形態情報を準備する工程と、
基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと前記被塗布面との相対的位置に応じて変化させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程と、
を有することを特徴とする（構成１）。
構成１に係る発明によれば、基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと基板の被塗布面との相対的位置に応じて設定し、変化させる工程、を有することによって、基板の被塗布面の表面形態にかかわらず、良好なレジスト液の塗布膜を形成することができる。
例えば、基板の被塗布面の表面形態が、局所的に許容値を超えることによって、局所的に膜厚の均一性の良くない箇所が生じたり、局所的に塗布ムラが発生したりする現象を低減できる。
また、例えば、塗布ギャップＧは離液間隔Ｇ’の５０％以上９０％以下にすることが好ましいが（許容値）、本発明では、基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと基板の被塗布面との相対的位置に応じて設定し、変化させることによって、塗布ギャップＧが前記許容値を超える箇所において、塗布ギャップＧが前記許容値の範囲内となるように前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を変化させることができ、この結果、基板の全面に亘って前記許容値の範囲内で塗布を行うことが可能となる。特に、大型の基板の全面に亘って前記許容値の範囲内で塗布を行うことが可能となる。
更に、本発明においては、例えば、前記許容値の範囲内で、塗布の均一性がより高くなる範囲がある場合は、その範囲内で塗布を行うことも可能となる。例えば、本発明においては、塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ’の８５％±５％の所定の許容値を設定し、この所定の許容値を超える箇所において、前記所定の許容値の範囲内となるように前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を変化させることができ、この結果、基板の全面に亘って前記所定の許容値の範囲内で塗布を行うことが可能となる。特に、大型の基板の全面に亘って前記所定の許容値の範囲内で塗布を行うことが可能となる。
即ち、本発明によれば、基板の被塗布面の形態にかかわらず、基板の被塗布面の形態に応じて、常に最適な塗布ギャップＧを保持した状態で塗布を行うことが可能となる。これによって、基板の被塗布面の表面形態にかかわらず、良好なレジスト液の塗布膜を形成することができる。
【００１０】
これに対し、個々の基板の表面形態や、平坦度に合わせて、塗布条件（塗布ギャップＧや接液ギャップｇ）を決めないと、以下の不都合がある。
例えば、塗布ギャップＧは離液間隔Ｇ’の５０％以上９０％以下（許容値）にすることが好ましいが、塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の５０％を局所的に下回るとその箇所において局所的に膜厚の均一性の良くない箇所が生じる場合がある。また、塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の９０％を局所的に上回るとその箇所において局所的に接液状態が不安定となり、その結果局所的に塗布ムラが発生する場合がある。
また、例えば、接液ギャップｇを小さくしすぎると、接液の走り速度が大きくなりすぎ、気泡等を巻き込みながら接液が進行していき（即ち泡噛みが起き）、この泡が原因で塗布膜の塗り始めエリアに縦ムラが生じる場合がある。また、接液ギャップｇを大きくしすぎると、接液が起こらない現象が生じ、工程として不安定となる場合がある。これらを考慮して定められた接液ギャップｇの上限及び下限（許容値）に対し、一方向に伸びる塗布のノズルの一箇所で測定した接液ギャップｇが許容値の範囲内にあっても、一方向に伸びる塗布のノズルの全長に亘る接液ギャップｇの例えば平均値が許容値の範囲外であると、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止できなかったり、確実に接液を開始させることができなかったりしてしまう場合がある。
【００１１】
本発明のマスクブランクの製造方法は、
基板の被塗布面及び裏面の表面形態情報を準備し、これに基づいて、基板面内の板厚情報を準備する工程と、
基板保持手段である吸着板の吸着面の表面形態情報を準備する工程と、
前記基板面内の板厚情報と、前記吸着板の吸着面の表面形態情報と、に基づいて、前記吸着板の吸着面に基板の裏面を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態情報を準備する工程と、
前記吸着板の吸着面に基板の裏面を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと基板の被塗布面との相対的位置に応じて変化させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程と、
を有することが好ましい（構成２）。
構成２に係る発明によれば、前記吸着板の吸着面に基板の裏面を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態情報に基づいて、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、前記塗布ノズルと基板の被塗布面との相対的位置に応じて設定し、変化させる工程を有することによって、基板の被塗布面の表面形態にかかわらず、更に良好なレジスト液の塗布膜を形成することができる。
例えば、基板の被塗布面の表面形態が、局所的に許容値を超えることによって、局所的に膜厚の均一性の良くない箇所が生じたり、局所的に塗布ムラが発生したりする現象をより確実に低減できる。
【００１２】
本発明は、一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するスリットコータ通称される塗布装置を用いる場合に適用できる。スリットコータにおける、塗布ノズルと基板の位置関係は、特に制限されず、床面に対し水平に保持された基板の上方に塗布ノズルが設けられた態様や、塗布ノズルと基板の双方が床面に対し垂直に保持された態様などが含まれる。
本発明において、塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させる態様としては、位置の固定された塗布ノズルに対して基板を移動させる態様や、位置の固定された基板に対して塗布ノズル移動させる態様などが含まれる。
【００１３】
本発明は、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いる場合に好適に適用できる（構成３）。これは、塗布ノズルと基板との間隔が、レジスト塗布膜の均一性を大きく左右するレジスト膜形成方法だからである。
【００１４】
本発明においては、接液の完了後、前記塗布ノズルの上端部と前記被塗布面との間隔を、接液したレジスト液が前記被塗布面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上の間隔とし、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することが好ましい。
特許文献１に記載のように、膜厚分布が小さく膜厚の均一性の高い塗布膜を得るには、塗布ギャップＧを大きくすればよい。
しかしながら、塗布ギャップＧを大きくしてゆくと、この塗布ギャップＧがある一定の間隔になったところで、被塗布面１０ａに一旦接液したレジスト液２１が被塗布面１０ａから離間（離液）してしまう（図４参照）。このように、一旦接液したレジスト液２１が被塗布面１０ａから離液する間隔を離液間隔Ｇ´ということにすると、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´よりも小さくなければならない。
したがって、塗布ギャップＧを、離液間隔Ｇ´よりも小さい範囲内において、なるべく大きくすることが望ましい。具体的には、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の少なくとも５０％以上とし、かつ、離液間隔Ｇ´未満である間隔に制御されることが好ましい。
更に、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の７０％乃至９５％とすることがより望ましい。塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の７０％以上とすることにより、膜厚分布が極めて良好に抑制される。塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の８０％以上とすれば、膜厚分布は、よりよく抑制されるので好ましい。
ただし、塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の９５％より大きくすると、基板の大きさなどの諸条件によっては、レジスト液を塗布している最中に、断片的な液切れ、すなわち、レジスト液の被塗布面からの離液が生ずる可能性がある。このような液切れを確実に防止する観点からは、塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の９０％以下とすることが好ましい。
【００１５】
本発明において、基板は、マスクパターンを形成するための薄膜が形成された薄膜付き基板とすることができる（構成４）。
この場合、基板の被塗布面の表面形態情報は、薄膜付き基板の状態で表面形態情報を取得しても良いし、基板の表面形態情報を取得した後、薄膜の膜応力を見込んで薄膜付き基板の表面形態情報としても良い。
【００１６】
本発明のフォトマスクの製造方法は、上記本発明に係るマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とする（構成５）。
【００１７】
本発明のマスクブランクは、基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクが含まれる。
本発明において、マスクブランクには、フォトマスクブランク、位相シフトマスクブランク、反射型マスクブランク、インプリント用転写プレート基板も含まれる。また、マスクブランクには、レジスト膜付きマスクブランクが含まれる。位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン膜と、遮光性膜とを有する場合を含む。尚、この場合、マスクパターンを形成するための薄膜は、ハーフトーン膜や遮光性膜を指す。また、反射型マスクブランクの場合は、多層反射膜上、又は多層反射膜上に設けられたバッファ層上に、転写パターンとなるタンタル系材料やクロム系材料の吸収体膜が形成される構成、インプリント用転写プレートの場合には、転写プレートとなる基材上にクロム系材料等の転写パターン形成用薄膜が形成される構成を含む。マスクには、フォトマスク、位相シフトマスク、反射型マスク、インプリント用転写プレートが含まれる。マスクにはレチクルが含まれる。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、露光光等を遮断する遮光膜、露光光等の透過量を調整・制御する半透光性膜、露光光等の反射率を調整・制御する反射率制御膜（反射防止膜を含む）、露光光等に対する位相を変化させる位相シフト膜、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜等が含まれる。
本発明のマスクブランクにおいて、前記マスクパターンを形成するための薄膜としては、金属膜が挙げられる。金属膜としては、クロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンや、これらの元素を含む合金、又は上記元素や上記合金を含む材料からなる膜が挙げられる。
また、本発明のマスクブランクにおいて、前記マスクパターンを形成するための薄膜としては、珪素を含む珪素含有膜が挙げられる。珪素含有膜としては、珪素膜や、珪素とクロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンの金属を含む金属シリサイド膜、さらに、珪素膜や金属シリサイド膜に、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含む膜とすることができる。
【００１８】
本発明において、ＦＰＤ用のマスクブランク及びマスクとしては、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクが挙げられる。
ＬＣＤ用マスクには、ＬＣＤの製造に必要なすべてのマスクが含まれ、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、特にＴＦＴチャンネル部やコンタクトホール部、低温ポリシリコンＴＦＴ、カラーフィルタ、反射板（ブラックマトリクス）等を形成するためのマスクが含まれる。他の表示デバイス製造用マスクには、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、プラズマディスプレイ等の製造に必要なすべてのマスクが含まれる。
【００１９】
（発明の実施の形態）
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１に示すように、一方向（Ｘ方向）に伸びる塗布ノズル２２によって、Ｙ方向に塗布を行う（基板１０に対するノズル２２の相対的な走査方向がＹ方向になるようにして塗布を行う）。
基板の被塗布面の表面形態情報を準備する工程では、塗布開始側におけるＸ方向の「行」の表面形態情報「ａ１、ａ２、ａ３、…、ａ８」として、例えば、図２に示す、基準面に対する高さ情報を、測定によって求める。測定方法は、光学式、又は接触式など公知の手法を利用できる。
同様に、塗布方向Ｙ（ノズルの相対的な走査方向）に亘って均等に配した各位置におけるＸ方向の各「行」の表面形態情報、即ち「ｂ１、ｂ２、ｂ３、…、ｂ８」、「ｃ１、ｃ２、ｃ３、…、ｃ８」、…、「ｅ１、ｅ２、ｅ３、…、ｅ８」として、基準面に対する高さ情報を、測定によって求める。
上記で求めた表面形態情報に基づいて、塗布方向Ｙに亘って均等に配した各位置におけるＸ方向の各「行」における塗布条件（塗布ギャップＧや、塗布開始位置における接液ギャップｇ）を、それぞれ決める。
この塗布条件に従って、塗布ノズルと被塗布面との相対的位置に応じて、塗布方向Ｙに亘って均等に配した各位置におけるＸ方向の各「行」において、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、変化させて塗布を行う。
尚、表面形態情報ａ１、ａ２、ａ３、…、ａ８に基づいて、最高点を有する面（仮想最高面）を求めたり、平均値を有する面（仮想平均面）を求めたりして、これらを利用することが可能である。
【００２１】
（実施の形態２）
まず、図３（１）に示す、基板保持手段である吸着板３の吸着面の表面形態情報を、実施の形態１と同様にして、準備する。例えば、吸着板の吸着面の表面形態情報Ｓとして、実施の形態１と同様にして、「Ｓａ１、Ｓａ２、Ｓａ３、…、Ｓａ８」、「Ｓｂ１、Ｓｂ２、Ｓｂ３、…、Ｓｂ８」、「Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、…、Ｓｃ８」、…、「Ｓｅ１、Ｓｅ２、Ｓｅ３、…、Ｓｅ８」、を準備する。
また、図３（２）に示すように、基板の被塗布面及び基板を挟んで裏面（被吸着面）の表面形態情報を、実施の形態１と同様にして準備し、これらの情報に基づいて、基板面内の板厚情報を算出し準備する。例えば、基板面内の板厚情報Ｔとして、実施の形態１と同様にして、「Ｔａ１、Ｔａ２、Ｔａ３、…、Ｔａ８」、「Ｔｂ１、Ｔｂ２、Ｔｂ３、…、Ｔｂ８」、「Ｔｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３、…、Ｔｃ８」、    …「Ｔ○１、Ｔ○２、Ｔ○３、…、Ｔ○８」…    、「Ｔｅ１、Ｔｅ２、Ｔｅ３、…、Ｔｅ８」を算出し準備する。
次に、上記基板面内の板厚情報Ｔと、上記吸着板の吸着面の表面形態情報Ｓと、に基づいて、図３（３）及び（４）に示すように、前記吸着板３の吸着面に基板１０の裏面を吸着させた時の、基板１０の被塗布面の表面形態情報Ｗ（「Ｗ○１、Ｗ○２、Ｗ○３、…、Ｗ○８」等：ここで○はａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅなど）、をシミュレーション等によって算出し準備する。このとき、例えば、基板の裏面（被吸着面）は吸着されて平坦になり、この結果基板面内の板厚情報Ｔが、ほぼ、前記吸着板の吸着面に基板の裏面を吸着させた時の、基板の被塗布面の表面形態情報となると仮定（近似）することができる。
上記で求めた表面形態情報Ｗに基づいて、塗布方向Ｙに亘って均等に配した各位置におけるＸ方向の各「行」における塗布条件（塗布ギャップＧや、塗布開始位置における接液ギャップｇ）を、それぞれ決める。
この塗布条件に従って、塗布ノズルと被塗布面との相対的位置に応じて、塗布方向Ｙに亘って均等に配した各位置におけるＸ方向の各「行」において、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、変化させて塗布を行う。
【００２２】
図４は塗布ノズル２２によって基板１０の被塗布面にレジスト液の塗布を行っている状態を説明するための断面図、図５は塗布ノズル２２等の動作の詳細を説明するための断面図である。
「ＣＡＰコータ」装置では、まず、基板１０におけるレジスト液の塗布開始箇所と、塗布手段２の塗布ノズル２２の上端部と、の位置合わせを行う（図示せず）。基板１０におけるレジスト液の塗布開始箇所は、この基板１０の一側縁部である。
上記の状態において、制御部は、所定の液面位置までレジスト液２１が溜められている液槽２０と、このレジスト液２１中に完全に沈んだ状態の塗布ノズル２２とを（図５参照）、ともに上昇させ、基板１０の被塗布面１０ａに下方側より接近させる（図４参照）。
尚、この「ＣＡＰコータ」装置は、液槽及び塗布ノズルの高さ位置を調整する制御部を有している。
また、塗布ノズル２２は、支持杆２８に支持されて、液槽２０内に収納されている。この塗布ノズル２２及び液槽２０は、基板１０の横方向（図４中において紙面に直交する方向）の一辺の長さに相当する長さを有して構成され、この長手方向に沿って、スリット状の毛管状隙間２３を有している。この塗布ノズル２２は、この毛管状隙間２３を挟んで、上端側の幅が狭くなされて嘴のように尖った断面形状を有して構成されている。毛管状隙間２３の上端部は、塗布ノズル２２の上端部において、この塗布ノズル２２の略全長に亘るスリット状に開口している。また、この毛管状隙間２３は、塗布ノズル２２の下方側に向けても開口されている（図４，５参照）。
【００２３】
次に、制御部は、液槽２０の上昇を停止させ、図４に示すように、塗布ノズル２２の上端側をこの液槽２０内のレジスト液２１の液面から上方側に突出させる。このとき、塗布ノズル２２は、レジスト液２１中に完全に沈んでいた状態（図５参照）から、このレジスト液２１の液面の上方側に突出されるので、毛管状隙間２３内にレジスト液２１が満たされた状態となっている（図４参照）。
さらに、制御部は、塗布ノズル２２を上昇させ、この塗布ノズル２２の上端部のレジスト液２１を基板１０の被塗布面１０ａに接液させる（図４参照）。
この接液の際、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させることが好ましい。具体的には、例えば、接液ギャップｇを小さい状態で一瞬保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップｇを広げて接液を完了させることが好ましい。
【００２４】
次に、制御部は、塗布ノズル２２の上端部においてレジスト液２１が基板１０の被塗布面１０ａに接液された状態で、液槽２０及び塗布ノズル２２を所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、塗布を実施する際の塗布ノズルの先端部と被塗布面との間隔（塗布ギャップＧ）に設定する（図４参照）。
ここで、塗布ギャップＧは、一旦接液したレジスト液２１が被塗布面１０ａから離液する離液間隔Ｇ´よりも小さい範囲で、なるべく大きくなされる。すなわち、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の少なくとも５０％以上となされ、望ましくは、離液間隔Ｇ´の７０％乃至９０％となされる。
【００２５】
上記の状態において、制御部は、基板１０を塗布ノズル２２の上端部において毛管状隙間２３が形成するスリットに直交する方向（図４中矢印Ｖで示す方向）に移動させ、塗布ノズル２２の上端部を被塗布面１０ａの全面に亘って走査させ、この被塗布面１０ａの全面に亘ってレジスト液２１の塗布膜２１ａを形成する。
【００２６】
尚、基板１０と塗布ノズル２２との相対走査速度は、予め設定されているノズル間隔、レジスト液２１の粘度、液面高さ及び塗布ギャップＧを前提として、塗布膜２１ａが所望の膜厚となるように、制御部によって制御される。
【００２７】
以下、実施例に基づき本発明を更に詳細に説明する。
（実施例１）
上述した発明の実施の形態２及び図３〜図５で説明した方法によって、マスクブランクの薄膜上にレジストを塗布して、レジスト膜付マスクブランクを形成した。
このとき、マスクブランクとしては、大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１３ｍｍ厚、サイズ１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）上に、Ｃｒ系の遮光性膜を有する基板を使用した。  また、ノボラック系レジストを使用し、塗布の条件は、１０００ｎｍのレジスト膜を形成するための、液面高さ、塗布ギャップ、搬送速度等を設定した。
詳しくは、塗布ノズルの先端部と被塗布面との間隔を、接液開始時の接液ギャップ：１２０μｍで０．１秒保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップを１８０μｍに広げて接液を完了させた。その後、前記間隔を、離液間隔の５０％以上９０％以下の塗布ギャップに広げ、その後、塗布を実施した。
また、図３（３）及び（４）に示すように、吸着板３の吸着面に基板１０の裏面を吸着させた時の、基板１０の被塗布面の表面形態情報Ｗ（「Ｗ○１、Ｗ○２、Ｗ○３、…、Ｗ○８」等：ここで○はａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅなど）は、図３（２）に示す基板面内の板厚情報Ｔ（「Ｔ○１、Ｔ○２、Ｔ○３、…、Ｔ○８」等：ここで○はａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅなど）と、ほぼ同等であることを確認し、表面形態情報Ｗを準備した。
尚、基板面内の板厚情報Ｔから、板厚の平均値：１３ｍｍ、板厚のばらつき（最大値−最小値）：０．３ｍｍを算出した。また、塗布ギャップＧは離液間隔Ｇ’の５０％以上９０％以下（許容値）にすることが好ましいが、図３（４）に示す「Ｗｃ１、Ｗｃ２、Ｗｃ３、…、Ｗｃ８」において塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の５０％を局所的に下回る箇所が生じること、並びに、図３（４）に示す「Ｗｅ１、Ｗｅ２、Ｗｅ３、…、Ｗｅ８」において塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の９０％を局所的に上回る箇所が生じること、が判った。
そこで、本実施例では、前記塗布ギャップＧの許容値を超える箇所、即ち、図３（４）に示す「Ｗｃ１、Ｗｃ２、Ｗｃ３、…、Ｗｃ８」、及び、「Ｗｅ１、Ｗｅ２、Ｗｅ３、…、Ｗｅ８」において、前記塗布ギャップＧの許容値の範囲内で塗布が実施されるように、前記塗布ノズルの先端部と前記被塗布面との間隔を変化させ、塗布を行った。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、検査したところ、塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の５０％を局所的に下回るとその箇所において局所的に膜厚の均一性の良くない箇所が生じる現象を回避できることが判った。また、塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の９０％を局所的に上回るとその箇所において局所的に接液状態が不安定となり、その結果局所的に塗布ムラが発生する場合がある現象を回避できることが判った。
尚、レジスト膜厚の面内均一性（膜厚の最大値−膜厚の最小値）を分光反射型膜厚計により測定したところ、面内均一性は２５０Åであった。
更に、上記で得られたレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを作製し、さらにこのフォトマスクを用いてＦＰＤをを作製したが、フォトマスク及びＦＰＤの双方についてレジスト膜の上記現象に起因すると思われる異常は見られなかった。
【００２８】
（比較例１）
実施例１と同等の基板を準備し、塗布ギャップＧを３５０μｍに固定して塗布を実施したこと以外は実施例１と同様とした。
その結果、図３（４）に示す「Ｗｃ１、Ｗｃ２、Ｗｃ３、…、Ｗｃ８」において塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の５０％を局所的に下回る箇所が生じること、及びその箇所において局所的に膜厚の均一性の良くない箇所が生じることが判った。また、図３（４）に示す「Ｗｅ１、Ｗｅ２、Ｗｅ３、…、Ｗｅ８」において塗布ギャップＧが離液間隔Ｇ’の９０％を局所的に上回る箇所が生じること、及びその箇所において局所的に接液状態が不安定となり、その結果局所的に塗布ムラが発生する場合があることが判った。
尚、レジスト膜厚の面内均一性を測定したところ、６５０Åであった。
【００２９】
尚、本発明は、前述した実施例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る塗布方法を説明するための模式的平面図である。
【図２】図１の要部の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係る塗布方法を説明するための模式的平面図である。
【図４】本発明の一態様に係る塗布装置における塗布手段が塗布を行っている状態を示す断面図である。
【図５】前記塗布装置における塗布手段の要部の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
２ 塗布手段
３ 吸着手段
１０ 基板
１０ａ 被塗布面
２０ 液槽
２１ レジスト液
２１ａ 塗布膜
２２ 塗布ノズル
２３ 毛管状隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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