(57)【要約】【課題】黒挿入表示を簡易にかつ低電力で行う。【解決手段】ノーマリブラックモードの液晶による電気光学装置１０であって、各画素画素に掲載された蓄積容量１３０の一端の電圧を変化させることにより、１フレーム期間の一部の期間で当該画素の印加電圧の絶対値を小さくする。【選択図】図１
2008096699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極である画素容量と、
前記画素容量の一端と、前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、
を含む画素と、を有しノーマリブラックモードで駆動される電気光学装置であって、
前記走査線を所定の順番で選択する選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
前記走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該走査線が選択される周期内に少なくとも１回以上変化する電圧を印加する容量線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記容量線駆動回路は、前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を小さくする電圧を供給することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記容量線駆動回路は、前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を該画素が黒表示となる程度の電圧を供給することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記容量線駆動回路は、前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を該画素が元の白表示が中間表示となる程度の電圧を供給することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記データ線駆動回路が、前記走査線が選択された時に各前記データ線に供給する前記データ信号として、当該前記画素の階調表示に必要な電圧から所定の電圧を加減算して、該電圧の絶対値を小さくしたものを供給することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記データ線駆動回路は、前記走査線が選択された時に各前記データ線に供給する前記データ信号として、前記前記画素の階調表示に必要な電圧から所定の電圧を加減算して、前記電圧により該画素が黒表示となる程度に、該電圧の絶対値を小さくしたものを供給することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記データ線駆動回路は、前記走査線が選択された時に各前記データ線に供給する前記データ信号として、前記画素の階調表示に必要な電圧から所定の電圧を加減算して、前記電圧により該画素が該加減算前の電圧では白表示であったものが中間調表示となる程度に、該電圧の絶対値を小さくしたものを供給することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記容量線駆動回路は、複数の容量線に対して同時に前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を小さくする電圧を供給することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記容量線駆動回路は、前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を大きくする電圧または小さくする電圧について、前記容量線に係る前記走査線が選択された後、次に選択されるまでの期間の半分より前の前記容量線と後の前記容量線とで混在させて供給することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記容量線駆動回路は、前記容量線に係る前記画素容量に印加する電圧の絶対値を小さくする電圧変化が、前記走査線が選択された後、次に選択されるまでの期間の半分より前での期間と後の期間とを周期的に交代させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記容量線駆動回路は、前記容量線に供給する電圧の少なくとも１回の電圧変化について、当該容量線に係る前記画素容量に印加する電圧の極性を反転させる電圧変化であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極である画素容量と、
前記画素容量の一端と、前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、
を含む画素と、を有し、ノーマリブラックモードで駆動される電気光学装置の駆動方法であって、
前記走査線に対して選択電圧を所定の順番で印加し、
走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該走査線が選択される周期内に少なくとも１回以上変化する電圧を印加し、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給すること、
を特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置において、動画のボヤケを簡易な構成で抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置は、各画素の明るさが書き換えられるまで一定であるホールド型の表示装置である。このホールド型の表示装置で動画を表示すると、表示にぼやけが発生してしまう。これを改善するために、実際の表示画像（以降、実画像という）に対応した各画素の明るさを強制的に黒にする、黒挿入技術が提案されている（特許文献１及び２参照）。また、黒ではなく実際の表示に対応した各画素の明るさをよりも暗くした画像（以降、暗画像という）にする技術も提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特許第３７３４６２９号公報
【特許文献２】特開２００２−３５０８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１の技術では、１選択期間の前半に黒表示、後半に実画像に対応した画素電圧を各画素容量に充電する構成となっている。黒書き込みの時間で、ある程度、実画像の画素電圧が予充電されるが、表示行数が多くなると、書き込み時間が短くなって書き込み不足になる。また、黒書き込みデータ、実表示データを供給するためのタイミング制御が煩雑であり制御回路が複雑になる。特に、完全な黒表示データではなく、暗画像を挿入して動画のボヤケを抑える方法を、暗画像を書き込むタイミングを設けて具現する場合には制御回路が非常に複雑になる。即ち、実画像情報を基に暗画像に対応したデータ信号を都度生成しなければならないからである。また、パネル内のデータ線の電圧が頻繁に切り替わることになって、データ線の寄生容量による消費電力が増加してしまい、特に携帯機器用途に適さない。
【０００５】
また、特許文献２の技術では、画素を黒状態にするには、保持容量線の電圧変化を大きくする必要があり、保持容量線のデータ線の寄生容量による消費電力が大きくなり、これも特に携帯機器用途に適さない。また、大きな電圧変化を制御するために回路の耐圧を上げる必要があり、装置が大きくなってしまう。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、動画のボヤケを簡易な構成で、かつ、低消費電力で抑えることが可能な電気光学装置、その駆動方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、複数行の走査線と、複数列のデータ線と、前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極である画素容量と、前記画素容量の一端と、前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、を含む画素と、を有しノーマリブラックモードで駆動される電気光学装置であって、前記走査線を所定の順番で選択する選択電圧を印加する走査線駆動回路と、前記走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該走査線が選択される周期内に少なくとも１回以上変化する電圧を印加する容量線駆動回路と、選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、容量線の電圧を小振幅で変化させるだけで、当該容量線に係る画素の明るさを変化させることが出来、黒画像、実画像、暗画像表示に相互に変更出来、動画のぼやけを改善できる。
【０００９】
ここで、本発明に係る電気光学装置において、前記容量線駆動回路は、前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を小さくする電圧を供給することが好ましく、前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を該画素が黒表示となる程度の電圧を供給することで、実画像から黒画像になり、黒挿入が可能となる。
【００１０】
また、前記容量線駆動回路は、前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を該画素が元の白表示が中間表示となる程度の電圧を供給することで、実画像から暗画像にすることが可能となる。
【００１１】
また、前記データ線駆動回路が、前記走査線が選択された時に各前記データ線に供給する前記データ信号として、当該前記画素の階調表示に必要な電圧から所定の電圧を加減算して、該電圧の絶対値を小さくしたものを供給することにより、書き込み時に黒画像、暗画像を生成することが可能となる。
【００１２】
更に、前記データ線駆動回路は、前記走査線が選択された時に各前記データ線に供給する前記データ信号として、前記前記画素の階調表示に必要な電圧から所定の電圧を加減算して、前記電圧により該画素が黒表示となる程度に、該電圧の絶対値を小さくしたものを供給することで、黒画像、暗画像から実画像を生成することが可能となる。
【００１３】
更に、前記容量線駆動回路は、複数の容量線に対して同時に前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を小さくする電圧を供給することで、黒挿入時期、実表示時期が総ての画素に対して同時となり、バックライトをブリンキングさせて黒挿入する場合にバックライトの分割数を減らすことが可能となる。
【００１４】
更に、前記容量線駆動回路は、前記容量線に係る画素容量に印加する電圧の絶対値を大きくする電圧または小さくする電圧について、前記容量線に係る前記走査線が選択された後、次に選択されるまでの期間の半分より前の前記容量線と後の前記容量線とで混在させて供給することで、実画像と黒あるいは暗画像による表示が分散され、ちらつきが防止できる。
【００１５】
また、前記容量線駆動回路は、前記容量線に係る前記画素容量に印加する電圧の絶対値を小さくする電圧変化が、前記走査線が選択された後、次に選択されるまでの期間の半分より前での期間と後の期間とを周期的に交代させることで、よりちらつきが抑制されて好ましい。
【００１６】
そして更に、前記容量線駆動回路は、前記容量線に供給する電圧の少なくとも１回の電圧変化について、当該容量線に係る前記画素容量に印加する電圧の極性を反転させる電圧変化であることで、データ信号線に供給するデータ信号の振幅を抑えつつ、前記画素容量の正と負の両極性の電圧を印加することが可能となる。
【００１７】
なお、本発明は、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法、さらには電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【００２０】
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域１００の周辺に制御回路２０、走査線駆動回路１４０、容量線駆動回路１５０、データ線駆動回路１９０が配置した構成となっている。このうち、表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、３２０行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在する一方、２４０列のデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられ、１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。なお、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
【００２１】
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれ容量線１３２がＸ方向に延在して設けられている。このため、本実施形態において、容量線１３２については、１〜３２０行分が設けられる。
【００２２】
ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。
【００２３】
図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
【００２４】
なお、ｉは、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。
【００２５】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素容量１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。
【００２６】
また、画素容量１２０の他端はコモン電極１０８である。このコモン電極１０８は、図１に示されるように全ての画素１１０にわたって共通であり、コモン信号Ｃｏｍが供給される。なお、本実施形態においてコモン信号Ｃｏｍは、後述するように時間的に電圧Ｖｃｏｍで一定である。
【００２７】
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の容量線１３２の電圧を示している。
【００２８】
表示領域１００は、画素電極１１８が形成された素子基板とコモン電極１０８が形成された対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙にノーマリーブラックモードの液晶１１５を封止した構成となっている。このため、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とで誘電体の一種である液晶１１５を挟持したものとなり、画素電極１１８とコモン電極１０８との差電圧を保持する構成となっている。この構成において、ノーマリブラックモードでは、画素容量１２０は、その透過光量が当該保持電圧の実効値に応じて変化し、画素容量１２０において保持される電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最小となって黒色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が増加して、ついには透過率が最大の白色表示になる。
【００２９】
また、ｉ行ｊ列の画素１１０における蓄積容量１３０は、一端が画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン電極）に接続されるとともに、他端がｉ行目の容量線１３２に接続されている。ここで、画素容量１２０および蓄積容量１３０における容量値を、それぞれＣpixおよびＣsとする。
【００３０】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装置１０における各部の制御等をするとともに、コモン信号Ｃｏｍをコモン電極１０８に供給する。
【００３１】
表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１４０や、容量線駆動回路１５０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間にわたって走査信号Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…，Ｙ３１９，Ｙ３２０を、それぞれ１、２、３、…、３１９、３２０行目の走査線１１２に供給するものである。すなわち、走査線駆動回路１４０は、走査線を１、２、３、…、３１９、３２０行目という順番で選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧Ｖｄｄに相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧（接地電位Ｇｎｄ）に相当するＬレベルとする。
【００３２】
なお、詳細には、走査線駆動回路１４０は、図４に示されるように、制御回路２０から供給される信号Ｄyをクロック信号ＣＫにしたがって順次シフトすること等によって、走査信号Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４，…，Ｙ３１９，Ｙ３２０を出力する。
【００３３】
また、本実施形態において１フレームの期間とは、図４に示されるように、走査信号Ｙ１がＨレベルになってから走査信号Ｙ３２０がＬレベルになるまで有効走査期間Ｆａと、これ以降から走査信号Ｙ１が再びＨレベルとなるまでの帰線期間Ｆｂとを含む。また、１行の走査線１１２が選択される期間が水平走査期間（Ｈ）である。
【００３４】
また容量線駆動回路１５０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間にわたって容量信号Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，…，Ｃ３１９、Ｃ３２０を、それぞれ１、２、３、…、３１９、３２０行目の容量線１３２に供給するものである。
【００３５】
詳細には、図４に示されるように、制御回路２０から供給される信号Ｄｃをクロック信号ＣＫにしたがって順次シフトすること等によって、電圧Ｖｓｈと電圧Ｖｓｌより少なくともなる電圧波形を容量信号Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，…，Ｃ３１９，Ｃ３２０を出力する。ここで、ｎフレーム期間では、ｉ行目の走査線の走査信号Ｙｉが選択される時にはｉ行目の容量線の容量信号Ｃｉの電圧が電圧Ｖｓｈとなり、その後、図４に示すように所定の時間ｔｄｌｙが経過すると、電圧は電圧Ｖｓｈより低い電圧Ｖｓｌに変化する。そして、（ｎ＋１）フレーム期間では、ｉ行目の走査線の走査信号Ｙｉが選択される時にはｉ行目の容量線の容量信号Ｃｉの電圧が電圧Ｖｓｌとなり、その後、所定の時間ｔｄｌｙが経過すると、電圧は電圧Ｖｓｌより高い電圧Ｖｓｈに変化する。
【００３６】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０により選択される走査線１１２に位置する画素１１０の階調に応じた電圧であって、極性指示信号Ｐｏｌで指定された極性の電圧のデータ信号Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…，Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目のデータ線１１４にそれぞれ供給するものである。
【００３７】
ここで、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調値（明るさ）を指定する表示データＤａが記憶される。各記憶領域に記憶される表示データＤａは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路２０によってアドレスとともに変更後の表示データＤaが供給されて書き換えられる。
【００３８】
データ線駆動回路１９０は、選択される走査線１１２に位置する画素１１０の表示データＤａを記憶領域から読み出すとともに、当該階調値に応じた電圧であって指定された極性の電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する動作を、選択される走査線１１２に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
【００３９】
ここで、極性指示信号Ｐｏｌは、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば負極性書込を指定する信号であり、図４に示されるように、本実施形態では、１フレームの期間毎に極性反転する。すなわち、本実施形態では、１フレームの期間において画素に書き込む極性をすべて同一とし、この書込極性を１フレームの期間毎に反転させた面反転方式とする。このように極性反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
【００４０】
また、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた電圧を保持させる際に、コモン電極１０８の電圧Ｖｃｏｍよりも画素電極１１８の電位を高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。一方、電圧については、特に説明のない限り、電源の接地電位Ｇｎｄを基準としている。
【００４１】
なお、制御回路２０は、クロック信号ＣＫの論理レベルが遷移するタイミングにおいてラッチパルスＬｐをデータ線駆動回路１９０に供給する。上述したように、走査線駆動回路１４０は、信号Ｄｙをクロック信号ＣＫにしたがって順次シフトすること等によって、走査信号Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４，…，Ｙ３２０，Ｙ３２１を出力するので、走査線が選択される期間の開始タイミングは、クロック信号ＣＫの論理レベルが遷移するタイミングである。したがって、データ線駆動回路１９０は、例えばラッチパルスＬｐを１フレームの期間にわたってカウントし続けることによって何行目の走査線が選択されるのか、および、ラッチパルスＬｐの供給タイミングによって、その選択の開始タイミングを知ることができる。
【００４２】
なお、本実施形態において、素子基板には、表示領域１００における走査線１１２や、データ線１１４、容量線１３２、ＴＦＴ１１６、画素電極１１８、蓄積容量１３０などが形成される。
【００４３】
図３は、このような素子基板の表示領域１００の構成を示す平面図である。
【００４４】
この図に示されるように、本実施形態では、ＴＦＴ１１６は、アモルファスシリコン型であって、そのゲート電極が半導体層よりも下側に位置するボトムゲート型である。詳細には、第１導電層となるゲート電極層のパターニングにより走査線１１２および容量線１３２が形成され、その上にゲート絶縁膜（図示省略）が形成され、さらにＴＦＴ１１６の半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介して第２導電層となるＩＴＯ（indium tin oxide）層のパターニングにより、矩形形状の画素電極１１８が形成され、さらに、第３導電層となるアルミニウムなどの金属層のパターニングによって、ＴＦＴ１１６のソース・ドレイン電極となるデータ線１１４等が形成されている。
【００４５】
図３においては、あくまでも一例であり、ＴＦＴの型については他の構造、例えばゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコン型としても良い。
【００４６】
また、本実施形態を透過型ではなく反射型とする場合には、画素電極１１８について反射性の導電層をパターニングしたものとしても良いし、別途の反射性金属層を持たせても良い。さらに、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
【００４７】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
【００４８】
上述したように本実施形態では、面反転方式としている。このため、制御回路２０は、極性指示信号Ｐｏｌについて、図４に示されるように、あるフレーム（「ｎフレーム」と表記している）の期間においてＨレベルとして正極性書込を指定し、次の（ｎ＋１）フレームの期間においてＬレベルとして負極性書込を指定して、以下同様に１フレームの期間毎に書込極性を反転させる。
【００４９】
さて、ｎフレームにおいては、走査線駆動回路１４０によって最初に走査信号Ｙ１がＨレベルになる。
【００５０】
一方、走査信号Ｙ１がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬｐが出力されると、データ線駆動回路１９０は、１行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤａを読み出すとともに、当該表示データＤａで指定された電圧だけ、電圧Ｖｃｏｍを基準に高位側とした電圧のデータ信号Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…，Ｘ２４０に変換し、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。
【００５１】
これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、１行ｊ列の画素１１０の表示データＤａで指定された電圧だけ電圧Ｖｃｏｍよりも高位側とした正極性の電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
【００５２】
さて、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…，Ｘ２４０が印加される。このため、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。即ち、ｊ行目の信号線の電圧を電圧Ｖｊとすると、画素電圧ＶｐｉｘはＶｊ−Ｖｃｏｍとなり、これを画素電圧Ｖｐｉｘ０としておく。但し、各寄生容量の影響は無視する。一方、走査信号Ｙ１がＨレベルの期間では、容量線駆動回路１５０は、１行目の容量線１３２に電圧Ｖｓｈを供給する。このため、１行１列〜１行２４０列の蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Ｖｓｈとの差電圧が書き込まれることになる。
【００５３】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
【００５４】
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。この時、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｈのままで変化しない。このため、走査信号Ｙ２がＨレベルになっても、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。
【００５５】
しかし、時間ｔｄｌｙが経過すると、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌへと変化する。すると、蓄積容量１３０の容量Ｃｓと画素容量１２０の容量Ｃｐｉｘの容量比の関係で、画素電圧Ｖｐｉｘは、Ｖｐｉｘ＝Ｖｐｉｘ０−｛Ｃｓ／｛Ｃｓ＋Ｃｐｉｘ｝｝（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）となる。ここで、画素電圧Ｖｐｉｘ０は正の値、右辺第２項は負の値なので、適当な蓄積容量１３０の容量Ｃｓと画素容量１２０の容量Ｃｐｉｘの容量比と適当な容量線の電圧を設定することにより、画素電圧Ｖｐｉｘは元の画素電圧Ｖｐｉｘ０に比べて、電圧の絶対値が小さくなる。
【００５６】
即ち、｜Ｖpix｜＜Ｖｔｈと設定される。但し、閾電圧Ｖｔｈは液晶の閾電圧で、画素電圧がこの閾電圧Ｖｔｈより小さい場合には、黒表示となる。
【００５７】
これを図５で説明する。図５（ａ）は電圧波形図で、走査線の走査信号Ｙ１、容量線の容量信号Ｃ１及び画素容量１２０の画素電圧Ｖｐｉｘ（電圧Ｖｃｏｍを基準）を示す。画素容量１２０の電圧が２本になっているのは、各期間における最大、最小電圧を示すためである。図５（ｂ）は画素容量の電圧と画素の透過率（明るさ）の関係を示す図で縦軸が画素容量の電圧、横軸が透過率を示す。ここで、図５（ａ）と図５（ｂ）の画素容量の電圧は同じ縮尺となっている。但し、電圧波形図での走査線、容量線及び画素容量の電圧の縮尺は適宜変更してある。
【００５８】
図５（ａ）から、ｎフレームの始めに走査線の走査信号Ｙ１が選択される（正書込み期間）と、走査線の走査信号Ｙ１上の画素容量の電圧は、黒〜白表示に該当する電圧が書き込まれて、実画像表示される。（以降、実画像表示の時の画素電圧を実画像電圧という）そして、時間ｔｄｌｙが経過すると、当該容量線１３２の電圧が電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌに変化して、これらの画素電圧が全体的に負側に減少する。総ての画素電圧が−Ｖｔｈ〜＋Ｖｔｈの間に入り、総ての画素電圧において黒となり黒画像表示となる。
【００５９】
２行目以降の走査線が順次選択されていくが、当該行の画素は１行目の画素と同様に時間ｔｄｌｙだけ実画像表示を行い、その後黒画像表示となる。
【００６０】
次に、制御回路２０は、極性指示信号ＰｏｌがＬレベルとなる（ｎ＋１）フレームの動作について説明する。走査線駆動回路１４０によって最初に走査信号Ｙ１がＨレベルになる。（負書込み期間）一方、走査信号Ｙ１がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬｐが出力されると、データ線駆動回路１９０は、１行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤａを読み出すとともに、当該表示データＤａで指定された電圧だけ、電圧Ｖｃｏｍを基準に高位側とした電圧のデータ信号Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…，Ｘ２４０に変換し、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。
【００６１】
これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、１行ｊ列の画素１１０の表示データＤａで指定された電圧だけ電圧Ｖｃｏｍよりも低位側とした負極性の電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
【００６２】
さて、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…，Ｘ２４０が印加される。このため、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。即ち、ｊ行目の信号線の電圧を−Ｖｊとすると、画素電圧Ｖｐｉｘは−（Ｖｊ−Ｖｃｏｍ）となり、これを画素電圧Ｖｐｉｘ０と再定義しておく。但し、各寄生容量の影響は無視する。一方、走査信号Ｙ１がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０は、１行目の容量線１３２に電圧Ｖｓｌを供給する。このため、１行１列〜１行２４０列の蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた負極性電圧と電圧Ｖｓｌとの差電圧が書き込まれることになる。
【００６３】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
【００６４】
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。この時、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｌのままで変化しない。このため、走査信号Ｙ２がＨレベルになっても、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。
【００６５】
しかし、時間ｔｄｌｙが経過すると、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈへと変化する。すると、蓄積容量１３０の容量Ｃｓと画素容量１２０の容量Ｃｐｉｘの容量比の関係で、画素電圧Ｖｐｉｘは、Ｖｐｉｘ＝Ｖｐｉｘ０＋｛Ｃｓ／｛Ｃｓ＋Ｃｐｉｘ｝｝（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）となる。ここで、画素電圧Ｖｐｉｘ０は負の値、右辺第２項は正の値なので、適当な蓄積容量１３０の容量Ｃｓと画素容量１２０の容量Ｃｐｉｘの容量比と適当な容量線の電圧を設定することにより、画素電圧Ｖｐｉｘは元の画素電圧Ｖｐｉｘ０に比べて、電圧の絶対値が小さくなる。
【００６６】
これを図５で説明すると、（ｎ＋１）フレームの始めに走査線の走査信号Ｙ１が選択されると走査線の走査信号Ｙ１上の画素容量の電圧は、黒〜白表示に該当する電圧が書き込まれて、実画像表示される。そして時間ｔｄｌｙが経過すると、これらの画素電圧が全体的に正側に増加し、画素電圧が−Ｖｔｈ〜＋Ｖｔｈの間に入り、総ての画素電圧において黒となり黒画像表示となる。
【００６７】
２行目以降の走査線が順次選択されていくが、当該行の画素は１行目の画素と同様に時間ｔｄｌｙだけ実画像表示を行い、その後黒画像表示となる。
【００６８】
今、液晶が黒となる閾電圧Ｖｔｈを１．５Ｖ、白となる電圧Ｖｓａｔを４．５Ｖとなる電気光学特性を持つ場合を考える。また、画素容量１２０の容量Ｃｐｉｘ値と蓄積容量１３０の容量Ｃｓ値との容量比を１：２とする。
【００６９】
すると、正書き込みの場合、Ｖｐｉｘ＝Ｖｐｉｘ０−｛Ｃｓ／｛Ｃｓ＋Ｃｐｉｘ｝｝（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）より、実画像表示時の画素電圧が白の４．５Ｖを黒画像表示時に閾電圧の１．５Ｖに変えるには、１．５Ｖ＝４．５Ｖ−（２／３）（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）より、（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）＝４．５Ｖとすれば良い。この時、実画像表示時の画素電圧が黒の１．５Ｖは、黒画像表示時には−１．５Ｖとなり、閾電圧内に入って黒表示となる。
【００７０】
以上の動作を行うので、各行の画素は各々時間ｔｄｌｙづつ実画像表示を行い、その後黒画像表示となる。従って、動画のぼやけを解消できる。この時、黒挿入動作は容量線駆動回路１５０を簡単なシフトレジスタなど等で具現させることができる。また各容量線１３２に印加する電圧の切り替えはデータ振幅程度ですむので、不必要に高い耐圧の回路構成が不要となる。又、この変化に係る消費電力を小さくできる。
【００７１】
なお、黒画像表示ではなく、暗画像表示にすることは簡単である。例えば、上述の（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）＝４．５Ｖを３Ｖと電圧差を小さくすることのみで、実画像表示時に１．５Ｖ〜４．５Ｖであった画素電圧を、時間ｔｄｌｙ後に−０．５Ｖ〜２．５Ｖの電圧に容易に変更できて、暗画像表示が可能となり、動画のボヤケを改善すると共に比較的明るく、ちらつきの少ない表示が得られる。なお、電圧Ｖｓｈと電圧Ｖｓｌの変化量だけが影響するので、これらの電圧は他の電圧と任意の電圧関係にあっても良い。
【００７２】
＜第２実施形態＞
第２実施形態においては、電気光学装置１０の構造は第１実施形態と同じであり説明を省略する。異なる点は、書き込み時のデータ信号の与え方と容量線の電圧の与え方であり図６を用いて説明する。なお、図中の記号等は図５と同じで、それらの説明は省略する。
【００７３】
ｎフレームで１行目の走査線が選択され該当する画素容量を書き込む際に、正の実画像表示に必要な画素電圧から所定の正電圧を差し引いた電圧をデータ線１１４に供給する。例えば、正の白表示に必要な画素電圧を４．５Ｖ、黒表示に必要な画素電圧を１．５Ｖの場合には、一律に３．０Ｖを差し引いた＋１．５Ｖ、−１．５Ｖを供給する。従って、走査信号Ｙ１がＨレベルになると１行目の各画素容量１２０は＋１．５Ｖ〜−１．５Ｖの電圧（以降、黒画像電圧という）で書き込まれ、これは液晶の閾電圧以下である。この時、１行目の容量線１３２には、電圧Ｖｓｌを印加する。
【００７４】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
【００７５】
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。この時、１行目の容量線の電圧はＶｓｌのままで変化しない。このため、走査信号Ｙ２がＨレベルになっても、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。従って、黒画像表示となる。
【００７６】
しかし、時間ｔｄｌｙが経過すると、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈへと変化する。すると、蓄積容量１３０の容量Ｃｓと画素容量１２０の容量Ｃｐｉｘの容量比の関係で、画素電圧Ｖｐｉｘは、Ｖｐｉｘ＝Ｖｐｉｘ０＋｛Ｃｓ／｛Ｃｓ＋Ｃｐｉｘ｝｝（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）となる。ここで、右辺第２項の値が＋３Ｖになるように、適当な蓄積容量１３０の容量Ｃｓと画素容量１２０の容量Ｃｐｉｘの容量比と容量線の電圧差（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）を設定することにより、画素電圧Ｖｐｉｘは実画像表示の正の画素電圧になる。
【００７７】
同様に（ｎ＋１）フレームの動作について説明する。
【００７８】
（ｎ＋１）フレームで１行目の走査線が選択され該当する画素容量を書き込む際に、負の実画像表示に必要な画素電圧から所定の正電圧を足し加えた電圧をデータ線１１４に供給する。例えば、正の白表示に必要な画素電圧を−４．５Ｖ、黒表示に必要な画素電圧を−１．５Ｖの場合には、一律に３．０Ｖを足し加えた−１．５Ｖ、＋１．５Ｖを供給する。従って、走査信号Ｙ１がＨレベルになると１行目の各画素容量１２０は−１．５Ｖ〜＋１．５Ｖの電圧で書き込まれ、これは液晶の閾電圧以下である。この時、１行目の容量線１３２には、電圧Ｖｓｈを印加する。
【００７９】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
【００８０】
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。この時、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｌのままで変化しない。このため、走査信号Ｙ２がＨレベルになっても、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。従って、黒表示となる。
【００８１】
しかし、時間ｔｄｌｙが経過すると、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌへと変化するので、画素電圧Ｖｐｉｘは実画像表示の負の画素電圧になる。
【００８２】
以上の動作により、書込み直後から時間ｔｄｌｙの間、黒画像表示となり、その後、実画像表示となり、ボヤケを解消することが可能となる。
【００８３】
なお本実施形態においても、黒画像表示ではなく、暗画像表示にすることは簡単である。例えば、上述の（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）＝４．５Ｖを３Ｖと電圧差を小さくすることのみで、実画像表示時に１．５Ｖ〜４．５Ｖであった画素電圧を、時間ｔｄｌｙ後に−０．５Ｖ〜２．５Ｖの電圧に容易に変更できて、暗画像表示が可能となり、動画のボヤケを改善すると共に比較的明るく、ちらつきの少ない表示が得られる。なお、電圧Ｖｓｈと電圧Ｖｓｌの変化量だけが影響するので、これらの電圧は他の電圧と任意の電圧関係にあっても良い。
【００８４】
以上のように、第２の実施形態においては、実画像データの画素電圧から所定の電圧を加減して、黒画像、暗画像データの画素電圧を書込み、所定の時間を経て容量線を変化させることで、画素電圧を実画像の電圧に変化させることで、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００８５】
更に、第１の実施形態においては、データ信号の電圧振幅として正の白画素電圧（例えば＋４．５Ｖ）から負の白画素電圧（例えば−４．５Ｖ）が必要となり、データ線駆動回路１９０の耐圧がそれに応じて高くなっていたが、第２の実施形態では、データ信号の電圧振幅が、正の黒画素電圧（例えば＋１．５Ｖ）から負の黒画素電圧（例えば−１．５Ｖ）程度で済み、データ線駆動回路１９０の耐圧を下げることが出来て、回路構成を簡略化出来、また消費電力も軽減できる。
【００８６】
＜第３実施形態＞
第１実施形態、第２実施形態においては、容量線の変化回数が１回であったが複数回としても良い。これを説明するが電気光学装置１０の構造は第１実施形態と同じであり説明を省略する。異なる点は、書き込み時のデータ信号の与え方と容量線の電圧の与え方であり図７を用いて説明する。
【００８７】
図７は電圧波形図で、走査線の走査信号Ｙ１、容量線の容量信号Ｃ１及び画素容量の画素電圧Ｖｐｉｘ（電圧Ｖｃｏｍを基準）を示す。画素容量の電圧が２本になっているのは、各期間における最大、最小電圧を示すためである。また、画素容量の電圧状況をＰｓａｔｅで示し、黒画像電圧になっている時をクロスハッチングで示し、実画像電圧になっている時を白抜きで示す。なお、各電圧の縮尺は適宜変更してある。
【００８８】
図で、時刻t0にて１行目の走査線が選択され該当する画素容量を書き込む際に、正の実画像表示に必要な画素電圧から所定の正電圧を差し引いた電圧をデータ線１１４に供給する。例えば、正の白表示に必要な画素電圧を４．５Ｖ、黒表示に必要な画素電圧を１．５Ｖの場合には、一律に３．０Ｖを差し引いた＋１．５Ｖ、−１．５Ｖを供給する。従って、走査信号Ｙ１がＨレベルになると１行目の各画素容量１２０は＋１．５Ｖ〜−１．５Ｖの電圧で書き込まれ、これは液晶の閾電圧以下である。この時、１行目の容量線１３２には、電圧Ｖｓｌを印加する。
【００８９】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
【００９０】
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。この時、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｌのままで変化しない。このため、走査信号Ｙ２がＨレベルになっても、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。従って、黒画像表示となる。これをＰｓａｔｅにおいてクロスハッチングで示す。
【００９１】
しかし、時刻ｔ１にて、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈへと変化する。すると、蓄積容量１３０の容量Ｃｓと画素容量１２０の容量Ｃｐｉｘの容量比の関係で、画素電圧Ｖｐｉｘは、Ｖｐｉｘ＝Ｖｐｉｘ０＋｛Ｃｓ／｛Ｃｓ＋Ｃｐｉｘ｝｝（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）となる。ここで、右辺第２項の値が＋３Ｖになるように、適当な蓄積容量１３０の容量Ｃｓと画素容量１２０の容量Ｃｐｉｘの容量比と容量線の電圧差（Ｖｓｈ−Ｖｓｌ）を設定することにより、画素電圧Ｖｐｉｘは実画像表示の正の画素電圧になり、時刻ｔ２まで続く。Ｐｓａｔｅにおいて白抜きで示す。
【００９２】
時刻ｔ２で、１行目の容量線の電圧はＶｓｈから電圧Ｖｓｌへと変化するので、再び黒画像表示になり、時刻ｔ３まで続く。Ｐｓａｔｅにおいてクロスハッチングで示す。
【００９３】
時刻ｔ３で、１行目の容量線の電圧は再び電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈへと変化するので、再び実画像表示になり、時刻ｔ４まで続く。Ｐｓａｔｅにおいて白抜きで示す。
【００９４】
時刻ｔ４にて１行目の走査線が選択され該当する画素容量を書き込む際に、負の実画像表示に必要な画素電圧から所定の正電圧を足した電圧をデータ線１１４に供給する。例えば、正の白表示に必要な画素電圧を−４．５Ｖ、黒表示に必要な画素電圧を−１．５Ｖの場合には、一律に３．０Ｖを足した−１．５Ｖ、＋１．５Ｖを供給する。従って、走査信号Ｙ１がＨレベルになると１行目の各画素容量１２０は−１．５Ｖ〜＋１．５Ｖの電圧で書き込まれ、これは液晶の閾電圧以下である。この時、１行目の容量線１３２には、電圧Ｖｓｈを印加する。
【００９５】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
【００９６】
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。この時、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｈのままで変化しない。このため、走査信号Ｙ２がＨレベルになっても、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。従って、黒表示となる。これをＰｓａｔｅにおいてクロスハッチングで示す。
【００９７】
しかし、時刻ｔ５にて、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌへと変化する。すると画素電圧Ｖｐｉｘは実画像表示の負の画素電圧になり、時刻ｔ６まで続く。Ｐｓａｔｅにおいて白抜きで示す。
【００９８】
時刻ｔ６で、１行目の容量線の電圧はＶｓｌから電圧Ｖｓｈへと変化するので、再び黒画像表示になり、時刻ｔ７まで続く。Ｐｓａｔｅにおいてクロスハッチングで示す。
【００９９】
時刻ｔ７で、１行目の容量線の電圧は再び電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌへと変化するので、再び実画像表示になり、時刻ｔ８まで続く。Ｐｓａｔｅにおいて白抜きで示す。
【０１００】
以上が繰り返され、他の行も同様に駆動される。
【０１０１】
このような動作により、黒挿入部分を分割することが可能となり、ちらつきを防止することが可能となる。
【０１０２】
本実施形態において、黒画像表示としたものを暗画像表示としてもよく、更に容量線の変化を２値ではなく、３以上にすることで黒画像表示と暗画像表示の両方を混在させることも容易に出来、更にちらつき等を防止できる。
【０１０３】
＜第４実施形態＞
第４実施形態においては、電気光学装置１０の構造は第１実施形態と同じであり説明を省略する。異なる点は、書き込み時のデータ信号の与え方と容量線の電圧の与え方であり図８を用いて説明する。
【０１０４】
図８は電圧波形及び画素の電圧状況を示す図で、走査線の走査信号Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙ３２０、容量線の容量信号Ｃ１，Ｃ２，…，Ｃ３２０および各行の画素容量の電圧状況をそれぞれＰ１，Ｐ２，…，Ｐ３２０で示す。ここで、黒画像または暗画像電圧になっている時をクロスハッチングで示し、実画像電圧になっている時を白抜きで示す。なお、各電圧の縮尺は適宜変更してある。
【０１０５】
まず、時刻ｔ１において、ｎフレームが開始するが、その直前では全行の画素状態は共に負の実画像表示となっている。そして、時刻ｔ１で、１行目を除く総ての容量線１３２の電圧は電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化する。従って、１行目を除く総ての行の画素は黒画像表示となる。
【０１０６】
そして、１行目が選択され、当該容量線１３２には電圧Ｖｓｌが印加された状態で、黒画像表示の正の画素電圧が書き込まれる。以降、順に他の行が選択され、当該容量線１３２の電圧は電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌに変化して印加され、黒画像表示の正の画素電圧が書き込まれていく。
【０１０７】
当該容量線１３２の電圧Ｖｓｌは後述する時刻ｔ２まで維持される。
【０１０８】
そして、総ての行が選択され正の画素電圧が書き込まれた後の時刻ｔ２において、総ての容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化させる。すると、総ての行の画素容量は、同時に実画像表示となる。
【０１０９】
この状態が（ｎ＋１）フレームが開始する時刻ｔ３まで維持される。
【０１１０】
そして、時刻ｔ３において、（ｎ＋１）フレームが開始するが、その直前では全行の画素状態は共に正の実画像表示となっている。そして、時刻ｔ３で、１行目を除く総ての容量線１３２の電圧は電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌに変化する。従って、１行目を除く総ての行の画素は黒画像表示となる。
【０１１１】
そして、１行目が選択され、当該容量線１３２には電圧Ｖｓｈが印加された状態で、黒画像表示の負の画素電圧が書き込まれる。以降、順に他の行が選択され、当該容量線１３２の電圧は電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化して印加され、黒画像表示の負の画素電圧が書き込まれていく。
【０１１２】
当該容量線１３２の電圧Ｖｓｌは後述する時刻ｔ４まで維持される。
【０１１３】
そして、総ての行が選択され負の画素電圧が書き込まれた後の時刻ｔ４において、総ての容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌに変化させる。すると、総ての行の画素容量は、同時に実画像表示となる。この状態が（ｎ＋２）フレームが開始する時刻ｔ５まで維持される。
【０１１４】
以上の動作が繰り返される。
【０１１５】
すると、図１の電気光学装置１０の背面にバックライト（図示せず）を設け、時刻ｔ２から時刻ｔ３、時刻ｔ４から時刻ｔ５の間だけ、間欠的に発光させることによりボヤケを防止できる。その際、総ての行の画素の黒画像表示から実画像表示に、また、実画像表示から黒画像表示に光学変化するタイミングが同じであるので、例えば上下方向の表示むらが発生することを防止できる。
【０１１６】
本実施形態では、全行を選択し書込みが終了した後に、黒画像表示から実画像表示に全行同時に変化させたが、例えば、３２行づつを１ブロックとした１０個のブロックに対し、各ブロック内の全行を選択し書込みが終了した後に、黒画像表示から実画像表示に全行同時に変化させても良い。この時、バックライトも、このブロックに対応するような、表示行方向に帯状に延在する複数のバックライトとし、各ブロックが黒画像表示から実画像表示に変化するタイミングで、対応するバックライトを発光させる。
【０１１７】
すると、各ブロック内の上下方向の表示むらが発生することを防止できる。言い換えると、上下方向の表示むらが発生するのを避けるために、必要以上にブロック数を増やすことなく、ボヤケとちらつきを解消できる。
【０１１８】
＜第５実施形態＞
第５実施形態においては、電気光学装置１０の構造は第１実施形態と同じであり説明を省略する。異なる点は、書き込み時のデータ信号の与え方と容量線の電圧の与え方であり図９を用いて説明する。記号等は図８と同じであり、説明を省略する。
【０１１９】
まずｎフレームでは、奇数行が選択される時、当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌとして、負の実画像電圧を書き込み、実画像表示をさせる。そして、その行の選択終了後、時間ｔａが経過した時に当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化させて、負の黒（または暗）画像とする。
【０１２０】
一方、偶数行が選択される時、当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌとして、正の黒（または暗）画像電圧を書き込み、黒（または暗）画像表示をさせる。そして、その行の選択終了後、時間ｔｂが経過した時に当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化させて、正の実画像とする。ここで、時間ｔａとｔｂの和は１フレーム期間である。
【０１２１】
次に（ｎ＋１）フレームでは、奇数行が選択される時、当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｈとして、正の実画像電圧を書き込み、実画像表示をさせる。そして、その行の選択終了後、時間ｔａが経過した時に当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌに変化させて、正の黒（または暗）画像とする。
【０１２２】
一方、偶数行が選択される時、当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌとして、正の黒（または暗）画像電圧を書き込み、黒（または暗）画像表示をさせる。そして、その行の選択終了後、時間ｔｂが経過した時に当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化させて、正の実画像とする。以後、同じ動作が繰り返される。
【０１２３】
以上のような動作を行う為、上下に隣接する行に一方が各フレームの前半に黒（または暗）画像、他方が後半に黒（または暗）画像表示するためにちらつきが小さくなる。
【０１２４】
よって、ボヤケを解消すると共にちらつきも解消できる。
【０１２５】
＜第６実施形態＞
第６実施形態においては、電気光学装置１０の構造は第１実施形態と同じであり説明を省略する。異なる点は、書き込み時のデータ信号の与え方と容量線の電圧の与え方であり図１０を用いて説明する。記号等は図８と同じであり、説明を省略する。
【０１２６】
まずｎフレームでは、奇数行が選択される時、当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌとして、負の実画像電圧を書き込み、実画像表示をさせる。そして、その行の選択終了後、時間ｔａが経過した時に当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化させて、負の黒（または暗）画像とする。
【０１２７】
一方、偶数行が選択される時、当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌとして、正の黒（または暗）画像電圧を書き込み、黒（または暗）画像表示をさせる。そして、その行の選択終了後、時間ｔｂが経過した時に当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化させて、正の実画像とする。ここで、時間ｔａとｔｂの和は１フレーム期間である。
【０１２８】
次に（ｎ＋１）フレームでは、奇数行が選択される時、当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌとして、正の黒（又は暗）画像電圧を書き込み、黒（又は暗）画像表示をさせる。そして、その行の選択終了後、時間ｔｂが経過した時に当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化させて、正の実画像表示とする。
【０１２９】
一方、偶数行が選択される時、当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌとして、負の実画像電圧を書き込み、実画像表示をさせる。そして、その行の選択終了後、時間ｔｂが経過した時に当該容量線１３２の電圧を電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈに変化させて、黒（または暗）画像表示とする。以後、同じ動作が繰り返される。
【０１３０】
以上のような動作を行う為、上下に隣接する行に一方が各フレームの前半に黒（または暗）画像、他方が後半に黒（または暗）画像表示し、かつ、各フレーム毎に黒（または暗）画像がくるタイミングが、各行毎に前半と後半とに交互となる。
【０１３１】
よって、第５実施形態と同様に、ボヤケを解消すると共にちらつきも解消できる。また更に、データ線の電圧振幅は、正（負）の黒（または暗）画像に対応する電圧と負（正）の実画像に対応する電圧の最大と最小値の範囲で良く、正の実画像に対応する電圧と負の実画像に対応する電圧の最大と最小値の範囲より狭くて良く、データ線駆動回路１９０の耐圧を下げることができる。
【０１３２】
＜第７実施形態＞
第７実施形態においては、電気光学装置１０の構造は第１実施形態と同じであり説明を省略する。異なる点は、書き込み時のデータ信号の与え方と容量線の電圧の与え方であり図１１を用いて説明する。記号等は図５と同じであり、説明を省略する。但し、各容量線１３２に印加する電圧値として、電圧Ｖｓｈよりも高い電圧Ｖｓｈｈを追加した３値となっている。
【０１３３】
ｎフレームで１行目の走査線が選択され該当する画素容量を書き込む際に、正の実画像表示に必要な画素電圧をデータ線１１４に供給する。この時、１行目の容量線１３２には、電圧Ｖｓｈを印加する。
【０１３４】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
【０１３５】
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。この時、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｈのままで変化しない。このため、走査信号Ｙ２がＨレベルになっても、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。従って、正の実画像表示となる。しかし、時間ｔｄｌｙが経過すると、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｈから電圧Ｖｓｌへと変化するので、正の黒（あるいは暗）画像表示となる。
【０１３６】
次に（ｎ＋１）フレームの動作について説明する。
（ｎ＋１）フレームで１行目の走査線が選択され該当する画素容量を書き込む際に、負の実画像表示に必要な画素電圧から所定の正電圧を足し加えた電圧をデータ線１１４に供給する。例えば、正の白表示に必要な画素電圧を−４．５Ｖ、黒表示に必要な画素電圧を−１．５Ｖの場合には、一律に６．０Ｖを足し加えた＋１．５Ｖ、＋４．５Ｖを供給する。従って、走査信号Ｙ１がＨレベルになると１行目の各画素容量１２０は＋１．５Ｖ〜＋４．５Ｖの電圧で書き込まれる。この時、１行目の容量線１３２には、電圧Ｖｓｈｈを印加する。
【０１３７】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。この時、１行目の容量線１３２に印加していた電圧Ｖｓｈｈを電圧Ｖｓｌに変化させる。すると、各画素容量１２０の電圧は＋１．５Ｖ〜＋４．５Ｖから−４．５Ｖ〜−１．５Ｖに変化する。言い換えれば、このように変化するように、電圧Ｖｓｈｈと電圧Ｖｓｌ間の電圧を設定する。これによって、画素容量は負の実画像表示となる。そして、時間ｔｄｌｙが経過すると、１行目の容量線の電圧は電圧Ｖｓｌから電圧Ｖｓｈへと変化するので、負の黒（あるいは暗）画像表示となる。これが繰り返される。
【０１３８】
他の行も同様の動作となる。
【０１３９】
以上のように、第２の実施形態においては、実画像データの画素電圧から所定の電圧を加減して、黒画像、暗画像データの画素電圧を書込み、所定の時間を経て容量線を変化させることで、画素電圧を実画像の電圧に変化させることで、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１４０】
更に、第１の実施形態においては、データ信号の電圧振幅として正の白画素電圧（例えば、＋４．５Ｖ）から負の白画素電圧（例えば−４．５Ｖ）が必要となり、データ線駆動回路１９０の耐圧がそれに応じて高くなっていたが、第２の実施形態では、データ信号の電圧振幅が、正の白画素電圧（例えば、＋４．５Ｖ）から正の黒画素電圧（例えば＋１．５Ｖ）程度で済み、データ線駆動回路１９０の耐圧を下げることが出来て、回路構成を簡略化出来、また消費電力も軽減できる。
【０１４１】
これは例えば、他の実施形態、例えば第７実施形態にも適応可能である。
【０１４２】
また、上述の実施形態では面極性反転を主にして説明してきたが、第７実施形態で示したように、行極性反転としても良い。
【０１４３】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器について説明する。図１２は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
【０１４４】
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００が携帯電話１２００の表示部として外観として見える。
【０１４５】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１２に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図。
【図３】同電気光学装置の表示領域の構成を示す図。
【図４】同電気光学装置の動作を説明するための図。
【図５】同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図。
【図６】同電気光学装置の別動作（その１）を説明するための図。
【図７】同電気光学装置の別動作（その２）を説明するための図。
【図８】同電気光学装置の別動作（その３）を説明するための図。
【図９】同電気光学装置の別動作（その４）を説明するための図。
【図１０】同電気光学装置の別動作（その５）を説明するための図。
【図１１】同電気光学装置の別動作（その６）を説明するための図。
【図１２】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図。
【符号の説明】
【０１４７】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１３２…容量線、１４０…走査線駆動回路、１５０…容量線駆動回路、１２００…携帯電話。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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