(57)【要約】【課題】簡素な構成で、セルシャッタへの蒸着材料の付着に起因する蒸着材料の無駄な消費を削減することのできる蒸着装置、およびこの蒸着装置を用いた有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。【解決手段】蒸着装置１０において、成膜動作を繰り返すと、セルシャッタ１７は、坩堝１４内の蒸着材料２０が加熱されている状態で坩堝１４の開口部１４０を覆うため、セルシャッタ１７の下面には、坩堝１４内から蒸発した蒸着材料２０が付着する。そこで、坩堝１４の開口部１４０をセルシャッタ１７で覆った状態で、坩堝ヒータ１５による坩堝１４に対する加熱を停止する一方、セルシャッタ加熱用ヒータ１８によってセルシャッタ１７を加熱し、セルシャッタ１７の下面に付着していた蒸着材料２０を蒸発させて坩堝１４に回収し、再利用する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着室内で蒸着材料を保持する容器と、該容器内の蒸着材料を加熱する蒸着用加熱装置と、前記容器の開口部を覆う状態と開放した状態とに切り換えられるセルシャッタとを備えた蒸着装置において、
前記セルシャッタを加熱するためのセルシャッタ加熱装置を備えていることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記セルシャッタが前記容器の開口部を覆う状態で前記セルシャッタ加熱装置により当該セルシャッタを加熱し、当該セルシャッタに付着している蒸着材料を蒸発させて前記容器内に回収することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記セルシャッタに付着している蒸着材料を蒸発させて前記容器内に回収する際、前記容器内の蒸着材料の温度を蒸発温度以下にしておくことを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記容器内の蒸着材料が加熱されている状態で前記容器の開口部を前記セルシャッタで覆う際、当該セルシャッタを前記セルシャッタ加熱装置により加熱しておくことを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記セルシャッタの温度を監視する温度センサを備えていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の蒸着装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記蒸着装置を用いて素子基板上に少なくとも有機エレクトロルミネッセンス素子の有機機能層を蒸着する成膜工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置およびこの蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体装置や電気光学装置を製造するにあたっては、真空蒸着法により基板上に薄膜を形成することが多い。例えば、電気光学装置として有機ＥＬ装置を製造するにあたっては、マスク蒸着法によって、正孔輸送層、発光層、電子輸送層として機能する有機膜（有機機能層）を基板上に形成している。ここで、蒸着装置は、蒸着室内で蒸着材料を保持する坩堝（容器）と蒸着用加熱装置とが設けられているとともに、坩堝に対しては、坩堝の開口部を開閉可能に覆うセルシャッタが配置されている。すなわち、成膜開始と成膜終了とを制御するには、蒸着材料の温度を制御することにより行うことができるが、セルシャッタによって坩堝の開口部を遮断および開放して成膜を終了するタイミングなどを制御する方が生産効率がよい。
【０００３】
しかしながら、このような製造方法を採用すると、坩堝内で蒸発した蒸着材料がセルシャッタの下面に付着してしまい、蒸着材料が無駄になってしまう。特に、有機機能層を形成するための蒸着材料は非常に高価であるため、かかる蒸着材料の損失は製造コストを増大させてしまう。
【０００４】
そこで、坩堝内で蒸発した蒸着材料をセルシャッタの下面で吸引パイプにより吸引し、蒸着材料回収槽に回収することが提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、坩堝の前にヒータ内蔵のバルブを配置し、成膜作業時以外は、材料を飛散させない機構が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１１−２２９１２３号公報
【特許文献２】特開２００３−９５７８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示の構成では、セルシャッタの下面を吸引しているため、吸引時に周囲から異物を吸引する可能性が高い。それ故、回収した材料を再度、成膜に用いると、膜質の低い薄膜が形成されてしまうおそれがある。また、坩堝内で蒸発した蒸着材料を一旦、蒸着材料回収槽に回収した後、坩堝に圧送する構成を採用しているので、大掛かりな改造が必要である。
【０００７】
また、特許文献２に開示の構成では、大掛かりな改造が必要であるとともに、密閉空間内で材料が加熱され、変質する可能性がある。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、簡素な構成で、セルシャッタへの蒸着材料の付着に起因する蒸着材料の無駄な消費を削減することのできる蒸着装置、およびこの蒸着装置を用いた有機ＥＬ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明では、蒸着室内で蒸着材料を保持する容器と、該容器内の蒸着材料を加熱する蒸着用加熱装置と、前記容器の開口部を覆う状態と開放した状態とに切り換えられるセルシャッタとを備えた蒸着装置において、前記セルシャッタを加熱するためのセルシャッタ加熱装置を備えていることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、前記セルシャッタに対してセルシャッタ加熱装置を設けたため、前記セルシャッタが前記容器の開口部を覆う状態で前記セルシャッタ加熱装置により当該セルシャッタを加熱し、当該セルシャッタに付着している蒸着材料を蒸発させて前記容器内に回収することができる。従って、蒸着材料がセルシャッタに付着した場合でも、かかる蒸着材料を容器に直接、回収することができるので、手間をかけずに蒸着材料を再利用できる。また、かかる回収は、蒸着室内を大気開放しなくても行うことができるなど、蒸着材料を汚染させずに回収することができ、回収した蒸着材料を用いて成膜した場合でも、膜質の低下が発生しない。しかも、かかる蒸着材料の回収は、セルシャッタに対してセルシャッタ加熱装置を設けるだけで行うことができる。それ故、本発明によれば、簡素な構成で、セルシャッタへの蒸着材料の付着に起因する蒸着材料の無駄な消費を削減することができる。
【００１１】
本発明において、前記セルシャッタに付着している蒸着材料を蒸発させて前記容器内に回収する際、前記容器内の蒸着材料の温度を蒸発温度以下にしておくことが好ましい。このように構成すると、セルシャッタに付着している蒸着材料を効率よく容器に回収することができる。
【００１２】
また、本発明では、前記セルシャッタに対してセルシャッタ加熱装置を設けたため、前記容器内の蒸着材料が加熱されている状態で前記容器の開口部を前記セルシャッタで覆う際、当該セルシャッタを前記セルシャッタ加熱装置により加熱しておくことができる。従って、容器内で蒸発した蒸着材料を、セルシャッタに付着させずに容器に直接、回収することができ、手間をかけずに再利用することができる。また、かかる回収は、蒸着室内を大気開放しなくても行うことができるなど、蒸着材料を汚染させずに回収することができ、回収した蒸着材料を用いて成膜した場合でも、膜質の低下が発生しない。しかも、かかる蒸着材料の回収は、セルシャッタに対してセルシャッタ加熱装置を設けるだけで行うことができる。それ故、本発明によれば、簡素な構成で、セルシャッタへの蒸着材料の付着に起因する蒸着材料の無駄な消費を削減することができる。
【００１３】
本発明において、前記セルシャッタの温度を監視する温度センサを備えていることが好ましい。このように構成すると、セルシャッタを過度に加熱するおそれがないので、セルシャッタに付着している蒸着材料、あるいはセルシャッタに付着しようとする蒸着材料を熱劣化させずに容器に回収することができる。
【００１４】
本発明を適用した蒸着装置は、例えば、有機ＥＬ装置の製造方法に用いることができる。すなわち、有機ＥＬ装置の製造方法において、前記蒸着装置を用いて素子基板上に少なくとも有機ＥＬ素子の有機機能層を蒸着する成膜工程を行う。有機ＥＬ素子の有機機能層を構成する材料は高価であるが、本発明を適用した蒸着装置を用いれば、セルシャッタに付着している蒸着材料を効率よく容器に回収して再利用できるので、有機ＥＬ装置の製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１６】
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の一例であるラインヘッドの要部断面図、および平面図である。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、図１に示す素子基板を製造する際に用いた大型基板の平面図、この大型基板の要部を拡大して示す平面図、および素子基板の平面図である。
【００１７】
図１（ａ）、（ｂ）に示す有機ＥＬ装置１は、電子写真方式を利用したプリンタに使用されるラインヘッドであり、複数の有機ＥＬ素子３を配列してなる発光素子列（発光部ライン）３Ａを１列または複数列、例えば、３列備えている。このようなラインヘッドでは、発光素子列３Ａに含まれる有機ＥＬ素子３のうち、所定の有機ＥＬ素子３を点灯させて感光ドラム上に照射することにより、感光ドラム上に電荷による像（潜像）を形成する。ここで、有機ＥＬ装置１は細長い矩形形状を有しており、通常は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、１枚の大型基板２Ａ上に有機ＥＬ素子３などを形成した後、図２（ｃ）に示すような単品サイズの複数枚の素子基板２に切り出され、ボトムエミッション方式の場合には、素子基板２に封止基板２Ｂが貼られる。
【００１８】
再び図１（ａ）において、有機ＥＬ装置１が、発光層７で発光した光を画素電極４側から出射するボトムエミッション方式の場合には、素子基板２側から発光光を取り出す。このため、素子基板２としては透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。また、素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ５ａ（薄膜トランジスタ）などを含む回路部５が、発光素子列３Ａに沿って形成されており、その上層側に有機ＥＬ素子３が形成されている。有機ＥＬ素子３は、陽極として機能する画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層６と、有機ＥＬ物質からなる発光層７（有機機能層）と、電子を注入／輸送する電子注入層８と、陰極９とがこの順に積層された構造になっている。素子基板２の回路部５には、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、外部接続端子５ｂが接続されており、各有機ＥＬ素子３を外部より制御可能となっている。
【００１９】
（有機ＥＬ装置１の製造方法）
図１および図２を参照して説明した有機ＥＬ装置１を製造するには、素子基板２に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成されるが、正孔輸送層６、発光層７、電子注入層８などの有機機能層は、水分や酸素により劣化しやすい。このため、発光層７などの有機機能層を形成する際、さらには、陰極９を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能層が水分や酸素により劣化してしまう。
【００２０】
そこで、本形態では、発光層７などの有機機能層を形成する際、さらには陰極９を形成する際には、マスク蒸着法を利用して、素子基板２に所定形状の薄膜を形成し、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。このマスク蒸着法では、後述する蒸着室内で、大型基板２Ａ（素子基板２／被処理基板）の所定位置にマスクを重ねた状態で蒸着を行う。発光層７を形成する場合には、低分子有機ＥＬ材料を加熱、蒸発させ、マスクの開口部を介して大型基板２Ａの下面に発光層７をストライプ状に形成する。正孔輸送層６、電子注入層８、陰極９などの形成も略同様に行う。
【００２１】
（蒸着装置の構造）
図３および図４は、本発明を適用した蒸着装置の構成を示す概略構成図、およびこの蒸着装置において大型基板に向けて蒸着材料を供給する蒸着材料供給部の構成例を示す説明図である。なお、図４（ａ）にはセルシャタが坩堝の開口部を被った状態を示してあり、図４（ｂ）にはセルシャタが坩堝の開口部を開放した状態を示してある。
【００２２】
図３において、本形態の蒸着装置１０は、蒸着室１１内の上方位置に、大型基板２Ａ（素子基板２）を保持する基板ホルダ（図示せず）、およびマスク（図示せず）を保持するマスクホルダ（図示せず）が配置されている一方、蒸着室１１内の下方位置には、大型基板２Ａに向けて蒸着分子や蒸着原子を供給する蒸着材料供給部１２が構成されている。蒸着室１１内には、大型基板２Ａと蒸着材料供給部１２との間のうち、大型基板２Ａの真下位置に一対のメインシャッタ１３が配置されており、これらのメインシャッタ１３は、メインシャッタ駆動軸１３０に連結されて、大型基板２Ａと蒸着材料供給部１２との間を遮った状態と開放した状態に切り換えられる。蒸着室１１内には、大型基板２Ａと蒸着材料供給部１２との間の側方位置に、水晶振動子を備えたレートモニタ１６が配置されており、レートモニタ１６は、水晶振動子に薄膜が形成された際に発生する発振周波数の変化などにより成膜速度を監視する。なお、蒸着室１１に対しては、吸気管や給気管などが接続されているが、これらの図示は省略する。
【００２３】
図３および図４（ａ）、（ｂ）に示すように、蒸着材料供給部１２は、蒸着材料２０が収納された坩堝１４（容器）と、この坩堝１４を加熱するための坩堝ヒータ１５（蒸着用加熱装置）とを備えており、坩堝ヒータ１５によって、坩堝１４内の蒸着材料２０を加熱して蒸発させ、大型基板２Ａに対する成膜を行う。
【００２４】
蒸着材料供給部１２は、坩堝１４の開口部１４０の上方位置にセルシャッタ１７を備えており、このセルシャッタ１７は、セルシャッタ駆動軸１７０に連結されて坩堝１４の開口部１４０を覆う状態と開放した状態とに切り換えられる。セルシャッタ１７は、坩堝１４の開口部１４０の縁を覆うように構成されており、坩堝１４内の蒸着材料２０が加熱されている場合でも、セルシャッタ１７が坩堝１４の開口部１４０を覆う状態においては、大型基板２Ａへの成膜が阻止される。
【００２５】
本形態では、セルシャッタ１７にセルシャッタ加熱用ヒータ１８（セルシャッタ加熱装置）が内蔵されているとともに、セルシャッタ１７の温度を監視する熱電対１９が内蔵されている。セルシャッタ加熱用ヒータ１８に対する給電線や、熱電対１９への配線は、セルシャッタ駆動軸１７０の内部に通されている。
【００２６】
（成膜動作）
図３に加えて、図４を参照して、本発明を適用した蒸着装置での成膜動作を説明する。本形態の蒸着装置１０を用いて成膜を行う場合には、蒸着室１１を真空引きした状態で、まず、図４（ａ）に示すように、坩堝１４の開口部１４０をセルシャッタ１７で覆い、坩堝ヒータ１５により、坩堝１４内の蒸着材料２０を加熱する。その際、メインシャッタ１３は、閉位置にある。そして、坩堝１４内の蒸着材料２０が蒸発温度以上の所定の温度に到達すると、図４（ｂ）に示すように、セルシャッタ１７を開位置に移動させ、矢印Ｌ１で示すように、坩堝１４から蒸着材料２０を蒸発させる。その結果、坩堝１４から蒸着した蒸着材料２０は、レートモニタ１６の水晶振動子に堆積し、成膜速度がモニタされる。その間に、蒸着室１１内に大型基板２Ａを搬入する。そして、レートモニタ１６でのモニタ結果において成膜速度が所定レベルで安定した状態になれば、メインシャッタ１３を開位置に移動させて、大型基板２Ａに対する蒸着を開始する。
【００２７】
次に、所定の成膜時間が経過すると、セルシャッタ１７およびメインシャッタ１３を閉位置に移動させ、大型基板２Ａに対する成膜を終了する。
【００２８】
次に、坩堝１４内の蒸着材料２０の温度を蒸発温度よりわずかに低い温度、例えば１５０℃まで低下させる一方、成膜を終了した大型基板２Ａを蒸着室１１から搬出する。次に、坩堝ヒータ１５により、坩堝１４内の蒸着材料２０を加熱する。その際、セルシャッタ１７およびメインシャッタ１３は、閉位置にある。そして、坩堝１４内の蒸着材料２０が蒸発温度以上の所定の温度に到達すると、図４（ｂ）に示すように、セルシャッタ１７を再び、開位置に移動させ、坩堝１４から蒸着材料２０を蒸発させる。また、レートモニタ１６によって成膜速度をモニタする一方、成膜前の新たな大型基板２Ａを蒸着室に搬入する。そして、レートモニタ１６でのモニタ結果において成膜速度が所定レベルで安定した状態になれば、メインシャッタ１３を開位置に移動させて、大型基板２Ａに対する蒸着を開始する。以降、同様な動作を繰り返す。
【００２９】
（回収動作）
図５を参照して、本発明を適用した蒸着装置においてセルシャッタの下面に付着した蒸着材料の回収動作を説明する。図５は、本発明を適用した蒸着装置において、セルシャッタの下面に付着した蒸着材料を回収する動作を示す説明図である。
【００３０】
本形態の蒸着装置１０において、上記の成膜動作を繰り返すと、セルシャッタ１７は、坩堝１４内の蒸着材料２０が蒸発温度以上に加熱されている状態で坩堝１４の開口部１４０を覆うため、セルシャッタ１７の下面には、坩堝１４内から蒸発した蒸着材料２０が付着する。
【００３１】
そこで、図５に示すように、坩堝１４の開口部１４０をセルシャッタ１７で覆った状態で、まず、坩堝ヒータ１５による坩堝１４に対する加熱を停止する。また、熱電対１９によってセルシャッタ１７の温度を監視しながら、セルシャッタ加熱用ヒータ１８によってセルシャッタ１７を加熱する。その結果、セルシャッタ１７が蒸着材料２０の蒸発温度以上になった時点で、矢印Ｌ２で示すように、セルシャッタ１７の下面に付着していた蒸着材料２０が坩堝１４の内部に向けて蒸発する。ここで、坩堝１４の内部は、蒸着材料２０が蒸発しない温度以下まで低下しているので、セルシャッタ１７の下面に付着していた蒸着材料２０は、坩堝１４の内部に向けて蒸発し、坩堝１４の内部に回収される。
【００３２】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の蒸着装置１０では、セルシャッタ１７に対してセルシャッタ加熱用ヒータ１８を設けたため、セルシャッタ１７が坩堝１４の開口部１４０を覆う状態でセルシャッタ１７を加熱することができ、セルシャッタ１７に付着している蒸着材料２０を蒸発させて坩堝１４に回収することができる。従って、蒸着材料２０がセルシャッタ１７に付着した場合でも、かかる蒸着材料２０を容器に直接、回収することができるので、手間をかけずに蒸着材料２０を再利用できる。また、かかる回収は、蒸着室１１内を大気開放しなくても行うことができるなど、蒸着材料２０を汚染させずに回収することができ、回収した蒸着材料２０を用いて成膜した場合でも、膜質の低下が発生しない。しかも、かかる蒸着材料２０の回収は、セルシャッタ１７に対してセルシャッタ加熱用ヒータ１８を設けるだけで行うことができる。それ故、本形態によれば、簡素な構成で、セルシャッタ１７への蒸着材料２０の付着に起因する蒸着材料２０の無駄な消費を削減することができる。特に、発光層７などといった有機機能層を形成するための蒸着材料は非常に高価であるため、本形態によれば、有機ＥＬ装置１のコストを大幅に低減することができる。
【００３３】
また、セルシャッタ１７に付着している蒸着材料２０を蒸発させて坩堝１４内に回収する際、坩堝ヒータ１５は、坩堝１４内の蒸着材料２０に対する加熱を停止しているため、回収中、セルシャッタ１７から回収された蒸着材料２０が坩堝１４から蒸発することがないので、セルシャッタ１７に付着していた蒸着材料２０を効率よく回収することができる。
【００３４】
さらに、セルシャッタ１７の温度については熱電対１９で監視するため、セルシャッタ１７を過度に加熱するおそれがないので、セルシャッタ１７に付着している蒸着材料を熱劣化させずに坩堝１４に回収することができる。
【００３５】
［蒸着装置での動作の変更例］
上記実施の形態では、セルシャッタ１７の下面に付着した蒸着材料２０を回収する方法を採用したが、図６を参照して、セルシャッタ１７の下面に付着しようとする蒸着材料２０をセルシャッタ１７の下面に付着させずに坩堝１４内に回収する方法を説明する。なお、ここに示す形態は、基本的な構成が上記実施の形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００３６】
図６は、図３に示す蒸着装置での別の動作を示す説明図である。図６に示すように、本形態の蒸着装置１０でも、実施の形態１と同様、蒸着材料供給部１２は、坩堝１４の開口部１４０の上方位置にセルシャッタ１７を備えており、このセルシャッタ１７は、セルシャッタ駆動軸１７０に連結されて坩堝１４の開口部１４０を覆う状態と開放した状態とに切り換えられる。セルシャッタ１７は、坩堝１４の開口部１４０の縁を覆うように構成されており、坩堝１４内の蒸着材料２０が加熱されている場合でも、セルシャッタ１７が坩堝１４の開口部１４０を覆う状態においては、大型基板２Ａへの成膜が阻止される。また、セルシャッタ１７には、セルシャッタ加熱用ヒータ１８が内蔵されているとともに、セルシャッタ１７の温度を監視する熱電対１９が内蔵されている。セルシャッタ加熱用ヒータ１８に対する給電線や、熱電対１９への配線は、セルシャッタ駆動軸１７０の内部に通されている。
【００３７】
このように構成した蒸着装置１０を用いて成膜を行う場合には、蒸着室１１を真空引きした状態で、坩堝１４の開口部１４０をセルシャッタ１７で覆い、坩堝ヒータ１５により、坩堝１４内の蒸着材料２０を蒸着材料２０の蒸発温度以上まで加熱する。その際、本形態では、セルシャッタ加熱用ヒータ１８によって、セルシャッタ１７も蒸着材料２０の蒸発温度以上まで加熱する。その際、セルシャッタ１７の温度は、熱電対１９によって監視されている。そして、坩堝１４内の蒸着材料２０が所定の温度に到達すると、セルシャッタ１７を開位置に移動させ、坩堝１４から蒸着材料２０を蒸発させて成膜を行う。
【００３８】
次に、所定の成膜時間が経過すると、セルシャッタ１７およびメインシャッタ１３を閉位置に移動させ、大型基板２Ａに対する成膜を終了する。ここで、セルシャッタ１７が坩堝１４の開口部１４０を覆う際にも、セルシャッタ１７は、セルシャッタ加熱用ヒータ１８によって、蒸着材料２０の蒸発温度以上に加熱されている。従って、坩堝１４内で蒸発した蒸着材料２０は、矢印Ｌ３で示すようにセルシャッタ１７に向けて蒸発するが、セルシャッタ１７が蒸発温度以上に加熱されているので、蒸着材料２０は、セルシャッタ１７の下面に付着せず、坩堝１４に回収され、再利用される。
【００３９】
このように本形態では、セルシャッタ１７の下面に付着しようとする蒸着材料を坩堝１４に手間をかけずに直接、回収でき、かかる回収は、蒸着室１１内を大気開放しなくても行うことができる。それ故、蒸着材料２０を汚染させずに回収することができ、回収した蒸着材料を用いて成膜した場合でも、膜質の低下が発生しない。しかも、かかる蒸着材料２０の回収は、セルシャッタ１７に対してセルシャッタ加熱用ヒータ１８を設けるだけで行うことができる。それ故、本発明によれば、簡素な構成で、セルシャッタ１７への蒸着材料２０の付着に起因する蒸着材料２０の無駄な消費を削減することができる。特に、発光層７などといった有機機能層を形成するための蒸着材料は非常に高価であるため、本形態によれば、有機ＥＬ装置１のコストを大幅に低減することができる。
【００４０】
また、セルシャッタ１７の温度については熱電対１９で監視するため、セルシャッタ１７を過度に加熱するおそれがないので、セルシャッタ１７に付着しようとする蒸着材料を熱劣化させずに坩堝１４に回収することができる。
【００４１】
［その他の実施の形態］
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記の実施の形態では、有機機能層の形成に本発明を適用する例を中心に説明したが、マグネシウム、銀、アルミニウムウムなどといった低融点金属の真空蒸着に本発明を適用してもよい。
【００４２】
また、上記形態では、容器として坩堝１４を用い、坩堝１４を抵抗加熱方式の坩堝ヒータ１５により加熱する構成を採用したが、加熱方法としては、抵抗加熱方式の他、高周波誘導加熱方式、電子ビーム加熱方式、レーザビーム加熱方式などを採用してもよく、このような加熱方法によれば、比較的高融点の金属膜の形成も行うことができる。
【００４３】
また、セルシャッタ加熱装置としても、抵抗加熱方式の他、高周波誘導加熱方式などを採用してもよい。
【００４４】
さらに、上記形態では、マスク蒸着を例に説明したが、基板の全面に蒸着を行う蒸着装置に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の一例であるラインヘッドの要部断面図、および平面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、図１に示す素子基板を製造する際に用いた大型基板の平面図、この大型基板の要部を拡大して示す平面図、および素子基板の平面図である。
【図３】本発明を適用した蒸着装置の構成を示す概略構成図である。
【図４】図３に示す蒸着装置において大型基板に向けて蒸着材料を供給する蒸着材料供給部の構成例を示す説明図である。
【図５】図３に示す蒸着装置においてセルシャッタの下面に付着した蒸着材料の回収動作を示す説明図である。
【図６】図３に示す蒸着装置での別の動作を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１・・有機ＥＬ装置、２・・素子基板、２Ａ・・大型基板、３・・有機ＥＬ素子、７・・発光層、１０・・蒸着装置、１１・・蒸着室、１２・・蒸着材料供給部、１３・・メインシャッタ、１４・・坩堝（容器）、１５・・坩堝ヒータ（蒸着用加熱装置）、１６・・レートモニタ、１７・・セルシャッタ、１８・・セルシャッタ加熱用ヒータ（セルシャッタ加熱装置）、１９・・熱電対（温度センサ）、１４０・・坩堝の開口部、１７０・・セルシャッタ駆動軸
【図１】
2008088465.tif 000003
【図２】
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【図３】
2008088465.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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