(57)【要約】【課題】半導体チップ・配線基板の間隙に充填される封止樹脂の充填不良がなく、樹脂フィレットの配線基板上での占有率が小さく、充填効率もよい半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ１を配線基板３にフリップチップ接続し、半導体チップ１と配線基板３との間隙４に封止樹脂５を充填した半導体装置において、配線基板３が有機基板であって、液状の封止樹脂５が毛細管現象を起こす貫通穴７が半導体チップ１に一端開口が対向するように形成されており、前記貫通穴７の穴径Ｄ１が前記半導体チップ１と配線基板３との間隙量Ｇ１より小さいことを特徴とする。これにより、毛細管現象がスムーズに発生し、封止樹脂５は貫通穴７と間隙４とにわたって均一な速度で流動する。【選択図】図１
2008283004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを配線基板にフリップチップ接続し、前記半導体チップと配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置において、
前記配線基板は有機基板であって、液状の前記封止樹脂が毛細管現象を起こす貫通穴が前記半導体チップに一端開口が対向するように形成されており、前記貫通穴の径が前記半導体チップと配線基板との間隙量より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップを配線基板にフリップチップ接続し、前記半導体チップと配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置において、
前記配線基板はシリコン基板であって、液状の前記封止樹脂が毛細管現象を起こす貫通穴が前記半導体チップに一端開口が対向するように形成されており、前記貫通穴の径が前記半導体チップと配線基板との間隙量と同等であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体チップを配線基板にフリップチップ接続し、前記半導体チップと配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置において、
前記配線基板は有機基板であり、前記半導体チップは複数個、隣り合う一対の半導体チップどうしの間に、液状の前記封止樹脂が毛細管現象を起こす間隙を設けて搭載されており、前記半導体チップ間の間隙量が前記半導体チップと配線基板との間隙量より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体チップを配線基板にフリップチップ接続し、前記半導体チップと配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置において、
前記配線基板はシリコン基板であり、前記半導体チップは複数個、隣り合う一対の半導体チップどうしの間に、液状の前記封止樹脂が毛細管現象を起こす間隙を設けて搭載されており、前記半導体チップ間の間隙量が前記半導体チップと配線基板との間隙量と同等であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
貫通穴の他端開口が、配線基板のチップ搭載面に背反する面に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
貫通穴の他端開口が、配線基板のチップ搭載面におけるチップ搭載領域外に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを配線基板にフリップチップ接続し、その半導体チップと配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高集積化に伴って様々な半導体装置が提案されている。その中でＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）あるいはＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）と称される半導体装置は、配線基板の表面に半導体チップ（半導体素子）を搭載し、裏面に外部接続用電極を形成するもので、半導体チップの電気的な特性がインターポーザとしての機能を担う配線基板３の裏面へと配線にて引き出される。この種の半導体装置は、ＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）と比較して、大幅にサイズダウンしながら、外部接続用電極のピッチを広くすることができ、マザーボードなどの回路基板への実装が容易である。
【０００３】
半導体チップを配線基板に実装する方式として、図１２に示すように、半導体チップ１の裏面に予め突起状電極２を形成し、これを配線基板３の対応位置に形成された電極（図示せず）にフェースダウンで接続するフリップチップ接続方式があり、これによりワイヤーボンディング実装よりも小さい面積での実装が可能となっている。仮想線は外部接続用電極を示す。
【０００４】
半導体チップ１の電極面を図１３に示す。図１３（ａ）において、１ａは電極形成用パッド、１ｂは電極形成用パッド１ａと同電位のプローブ検査用パッドである。図１３（ｂ）に示すように、電極形成用パッド１ａ上に突起状電極２が形成される。この突起状電極２は半田及び金が主流である。プローブ検査用パッド１ｂには、プローブ検査において形成されるプローブマークＰＭを併記している。配線基板３としては、面内においてほぼ均一な表面のものが用いられる。半導体チップ１を搭載する領域は基板中央に設定されるのが一般的である。
【０００５】
ところが、半導体チップ１と配線基板３との熱膨張係数は大きく異なっているため、半導体チップ１を単に配線基板３に実装した状態では、両者の接続部の信頼性は十分でなく、動作時に発生する熱により大きな熱応力が発生することとなり、この熱応力は上記の突起状電極２の外周部分に集中し、最悪の場合にはその接合部に疲労破壊が生じ得る。
【０００６】
このため、先の図１２に示したように、半導体チップ１と配線基板３との間隙４に封止樹脂（アンダーフィル）５を充填することで、半導体チップ１・配線基板３間に必要な接着力、十分な接続信頼性を確保し、突起状電極２の接合界面への応力集中を緩和している。
【０００７】
封止樹脂５を充填するには一般に、図１４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、ディスペンスノズル１１を半導体チップ１の外周部に上方から接近させ、配線基板３および半導体チップ１から一定の距離をおいて半導体チップ１の端辺（１辺もしくは複数辺）に沿って移動させながら、封止樹脂５の液滴を一定の塗布圧で線状に塗布する。塗布された封止樹脂５の液滴は、半導体チップ１と配線基板３との界面（境界部）より、毛細管現象によって半導体チップ１と配線基板３との間隙４全体に充填されていくこととなる。最終的には、図１４（ｄ）に示すように、半導体チップ１の外周部に封止樹脂５のフィレットが形成される。
【０００８】
図１５は、複数の半導体チップ１が配線基板３にフリップチップ接続されたマルチチップモジュールを示している。隣接する半導体チップ１どうしの隙間６のギャップ量Ｇ２は、各半導体チップ１下に充填された封止樹脂５のフィレットが互いに干渉しない約１ｍｍ以上とされるのが主流である。
【０００９】
このようなマルチチップモジュールにおける封止樹脂５の充填プロセスでも同様に、図１６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、ディスペンスノズル１１より封止樹脂５の液滴を吐出し、毛細管現象を利用して、半導体チップ１と配線基板３との間隙全体に充填する。この際に、矢印で示す順に、すなわち各半導体チップ１の端辺（１辺もしくは複数辺）に沿って塗布が必要であり、プロセスタクトが大きくなる。
【００１０】
なお、封止樹脂５を供給した辺でのフィレット幅がそれ以外の辺でのフィレット幅よりも広くなり、これが装置小型化の妨げとなるとして、配線基板３に内部配線および外部接続用電極を避けるように貫通孔を設け、その貫通孔から封止樹脂を充填することで、幅の狭いフィレットを均一に形成することも提案されている（特許文献１，２）。
【特許文献１】特開平８−１５３８２０公報
【特許文献２】特開２０００−２６０７９１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年の半導体装置は、小型化、チップ積層化などの要求が強くなってきており、半導体チップ１と配線基板３との間隙４に充填された封止樹脂５によって形成されるフィレットの配線基板３上での占有率をより小さくすることが課題となっている。
【００１２】
一方で、前記間隙４への封止樹脂５の充填は上記したように毛細管現象を利用して行っているため、ボイドなどの充填不良、注入不良が発生することがあり、接続信頼性が不十分となるという問題がある。
【００１３】
本発明は上記問題を解決するもので、半導体チップ・配線基板の間隙に充填される封止樹脂の充填不良がなく、樹脂フィレットの配線基板上での占有率が小さく、充填効率もよい半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、半導体チップを配線基板にフリップチップ接続し、前記半導体チップと配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置において、前記配線基板は有機基板であって、液状の前記封止樹脂が毛細管現象を起こす貫通穴が前記半導体チップに一端開口が対向するように形成されており、前記貫通穴の径が前記半導体チップと配線基板との間隙量より小さいことを特徴とする。
【００１５】
また、半導体チップを配線基板にフリップチップ接続し、前記半導体チップと配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置において、前記配線基板はシリコン基板であって、液状の前記封止樹脂が毛細管現象を起こす貫通穴が前記半導体チップに一端開口が対向するように形成されており、前記貫通穴の径が前記半導体チップと配線基板との間隙量と同等であることを特徴とする。
【００１６】
これらの半導体装置は各々、封止樹脂の注入時の濡れ性を考慮して、つまり封止樹脂が接する貫通穴の内面の材料と半導体チップ／配線基板の対向面の各材料とに応じて、貫通穴の径と半導体チップ／配線基板の間隙量を最適化したものである。
【００１７】
このため封止樹脂は、貫通穴と半導体チップ／配線基板間の間隙とにわたって均一な速度で流動することとなり、巻き込みボイドや未充填といった充填不良が発生しにくい。貫通穴の一端開口を半導体チップの中央部に対向させておけば、封止樹脂のフィレット長が半導体チップの各辺で均一になり、充填効率もよく、フィレットが配線基板上で占める占有率を小さくすることもできる。
【００１８】
さらに、本発明の半導体装置は、半導体チップを配線基板にフリップチップ接続し、前記半導体チップと配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置において、前記配線基板は有機基板であり、前記半導体チップは複数個、隣り合う一対の半導体チップどうしの間に、液状の前記封止樹脂が毛細管現象を起こす間隙を設けて搭載されており、前記半導体チップ間の間隙量が前記半導体チップと配線基板との間隙量より大きいことを特徴とする。
【００１９】
また、半導体チップを配線基板にフリップチップ接続し、前記半導体チップと配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置において、前記配線基板はシリコン基板であり、前記半導体チップは複数個、隣り合う一対の半導体チップどうしの間に、液状の前記封止樹脂が毛細管現象を起こす間隙を設けて搭載されており、前記半導体チップ間の間隙量が前記半導体チップと配線基板との間隙量と同等であることを特徴とする。
【００２０】
これらの半導体装置は各々、封止樹脂の注入時の濡れ性を考慮して、つまり封止樹脂が接する半導体チップ／半導体チップの対向面の各材料と、半導体チップ／配線基板の対向面の各材料とに応じて、半導体チップ間の間隙量および半導体チップ／配線基板の間隙量を最適化したものである。
【００２１】
このため封止樹脂は、半導体チップ間の間隙と半導体チップ／配線基板間の間隙とにわたって均一な速度で流動することとなり、巻き込みボイドや未充填といった充填不良が発生しにくく、フィレットが配線基板上で占める占有率も小さくなる。一度の動作で隣り合う一対の半導体チップに樹脂注入を行なえるので、充填効率もよい。
【００２２】
貫通穴の他端開口は、配線基板のチップ搭載面に背反する面に配置されていてもよいし、配線基板のチップ搭載面におけるチップ搭載領域外に配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明の半導体装置は、半導体チップと配線基板との間隙への封止樹脂の充填性、注入性が向上し、充填タクトの短縮も実現でき、樹脂フィレットの配線基板上での占有率も低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構成を示す。
図１（ａ）において、半導体チップ１は突起状電極２により有機材料を基材とした配線基板３（以下、単に有機基板３という）上にフリップチップ接続されている。半導体チップ１と有機基板３との間隙４には、必要な接着力、十分な接続信頼性を確保する目的で、封止樹脂５が充填されている。半導体チップ１はシリコンを基材とするものであり、有機基板３、封止樹脂５はエポキシ系樹脂材を用いている。
【００２５】
この半導体装置が従来のものと相違するのは、有機基板３に樹脂注入用の貫通穴７を設け、かつ封止樹脂５の毛細管現象を好適に引き起こすよう貫通穴７の穴径Ｄ１および半導体チップ１と有機基板３との間隙４（以下、チップ下の間隙４という）のギャップ量Ｇ１を適正化した点にある。貫通穴７はここでは、有機基板３における素子搭載領域の中央部に開口するように基板厚み方向に沿って真っ直ぐに形成している。
【００２６】
貫通穴７の穴径Ｄ１は、封止樹脂５の毛細管現象が発生する１５０μｍ以下としている。チップ下の間隙４のギャップ量Ｇ１もここでは毛細管現象が発生する量としている。また貫通穴７の穴径Ｄ１とチップ下の間隙４のギャップ量Ｇ１とは、穴径Ｄ１＜ギャップ量Ｇ１なる関係を満たしている。
【００２７】
このため、図１（ｂ）（ｃ）に示したように、樹脂封止の工程において、封止樹脂５の液滴を貫通穴７の開口端に塗布すると、その封止樹脂５は、毛細管現象で貫通穴７内に入り、チップ下の間隙４に至り、同間隙４内で半導体チップ１の中心から外周部へ向かう方向に拡がって充填されていき、それに伴って貫通穴７、間隙４に存在していた空気等の気体は四方八方へと逃がされる。
【００２８】
この際に、封止樹脂５は、上記のように半導体チップ１の中心から外周部へ向かう方向に流動するという短い経路をとるうえに、穴径Ｄ１＜ギャップ量Ｇ１であることにより貫通穴７から間隙４にわたって流動の速度がほぼ均一になるため、巻き込みボイド、充填不足は発生しにくく、またフィレット長が半導体チップ１の各辺で均一になり、充填効率もよい。
【００２９】
貫通穴７の穴径Ｄ１とチップ下のギャップ量Ｇ１との関係について詳述する。
注入される封止樹脂５は、貫通穴７においては有機基板３の基材である有機材料にのみ接し、チップ下の間隙４においては、突起状電極２などの電極配線は存在するものの、実質上接するのは有機基板３の基材である有機材料と半導体チップ１の基材であるシリコンとである。一方、周知の如く、封止樹脂５（有機材料）の濡れ性は、シリコンに対する方が、有機基板３の基材として用いられる有機材料に対するよりも大きい。また穴径やギャップ量の隙間量が小さいほど、毛細管現象が起こり易い。
【００３０】
したがって、次のように考えることができる。貫通穴７の穴径Ｄ１は上述のように毛細管現象が起こる範囲内である。チップ下のギャップ量Ｇ１は突起状電極２の寸法等によって規制されるので、一定であると考えることとする。
【００３１】
Ｉ）穴径Ｄ１＝ギャップ量Ｇ１の場合
貫通穴７内に入って有機材料にのみ接触している封止樹脂５よりも、チップ下の間隙４内に流れ込んでシリコンにも接触している封止樹脂５の方が、流動速度が大きくなる。
【００３２】
II）穴径Ｄ１＞ギャップ量Ｇ１の場合
ギャップ量Ｇ１が一定という前提条件下、上記のＩ）の場合よりも、穴径Ｄ１が大きいことになり、貫通穴７内での毛細管現象が起こりにくくなる。このため、Ｉ）の現象が著しくなる。
【００３３】
III）穴径Ｄ１＜ギャップ量Ｇ１の場合
ギャップ量Ｇ１が一定という前提条件下、上記のＩ）の場合よりも、穴径Ｄ１が小さいことになり、貫通穴７内での毛細管現象が起こり易くなる。このため、貫通穴７内の封止樹脂５とチップ下の間隙４内に流れ込んだ封止樹脂５とで流動速度を等しくすることが可能である。
【００３４】
上記のＩ)II)の場合、チップ下の間隙４内を流れる封止樹脂５と貫通穴７内を流れる封止樹脂５との間で途切れが起こる可能性がある。このように流動する封止樹脂５に途切れが発生すると、それがボイドや未充填の原因となる。
【００３５】
これに対し、III)の場合のように（本実施形態が該当する）、貫通穴７と間隙４とにわたる経路での封止樹脂５の流動速度を均一にできると、途切れは発生しない。このことが、巻き込みボイド、充填不足の発生をなくし、フィレット長を均一にするうえで重要である。穴径Ｄ１，ギャップ量Ｇ１のそれぞれの最適値あるいは比率は、当然ながら、各材料の組成や電極配置などに依存するので、なるべく差が大きくなるように決める。
【００３６】
なお貫通穴７は少なくとも１個あればよく、封止樹脂５の供給量を制御することで貫通穴７内も埋め込むこともできる。
図２に示すように、有機基板３の樹脂注入用の貫通穴７を、穴径Ｄ１＜ギャップ量Ｇ１の関係を満たしつつ、基板厚み方向と交わる方向に延びる内層経路７ａを持つように屈折させて形成してもよい。
【００３７】
このように貫通穴７に内層経路７ａを持たせることで、半導体チップ１の中央に対向させる一端開口と樹脂注入口たる他端開口との位置関係に自由度が得られ、樹脂注入に最も効率の良い位置に樹脂注入口を設けることができるため、注入タクトの低減などの効果がある。
【００３８】
図示した貫通穴７は、基板表面の素子搭載領域の中央部に一端が開口している縦穴と、前記縦穴に連続していて基板内部で基板表面に沿う方向に延びている横穴（＝内層経路７ａ）と、前記横穴に連続していて基板裏面に一端が開口している縦穴とで構成しており、樹脂注入口を半導体チップ１の中央からずれるように配置している。穴径Ｄ１＜ギャップ量Ｇ１の関係は貫通穴７の全長にわたって満たしている。穴径Ｄ１は貫通穴７の全長にわたって均一である。径路内が均一径でないと、注入時の巻き込みボイドなどの発生の恐れがあるからである。
図３に示す貫通穴７は、穴径Ｄ１＜ギャップ量Ｇ１の関係を満たしつつ、内層経路７ａを持たせることで、半導体チップ１中心に対向させる一端開口と樹脂注入口たる他端開口とを共に基板表面に配置している。他端開口は当然ながら素子搭載領域の外側に位置させている。
【００３９】
このような配置であれば、基板表面側から樹脂注入できるので、半導体チップ１をヒーターステージ治具などに接触させることを回避できるとともに、基板裏面側に付着しがちな異物の樹脂への混入、それによるボイド等の発生を回避することができ、信頼性劣化を防止することが出来る。
図４（ａ）（ｂ）に示すように、有機基板３に、素子搭載領域内に開口する複数の貫通穴７（穴径Ｄ１＜ギャップ量Ｇ１である）を形成し、予め、各貫通穴７に封止樹脂５（固状）を埋め込んでおいてもよい。
【００４０】
これによれば、封止樹脂５を塗布（注入）しつつ適切に温度制御することにより、まず貫通穴７内の封止樹脂５を溶融させて毛細管現象で間隙４に流入させて、塗布した封止樹脂５の毛細管現象が起こり易い状態を作り出すことができ、注入タクトの低減を図ることができる。樹脂供給量を制御することで、貫通穴７内も封止樹脂５で埋め込むこともできる。真っ直ぐな貫通穴７を図示しているが、図２あるいは図３に示したような屈折した貫通穴７を形成しても構わない。
【００４１】
図５は本発明の実施の形態２の半導体装置の構成を示す。
この半導体装置は、複数の半導体チップ１（１Ａ，１Ｂ）が有機基板３にフリップチップ接続されたマルチチップモジュールである。隣り合った半導体チップ１Ａ，１Ｂ間の隙間６を利用して、毛細管現象によって、チップ下の隙間４に封止樹脂５を充填している。ボイドや未充填等の不具合を防止し、フィレット長を均一するために、チップ間の隙間６とチップ下の間隙４とで封止樹脂の流動速度を均一化する構造としている。
【００４２】
注入される封止樹脂５は、チップ間の隙間６においてはシリコンにのみ接し、チップ下の間隙４において接するのは実質上、有機基板３の基材である有機材料と半導体チップ１の基材であるシリコンとであるため、チップ間の隙間６のギャップ量Ｇ２とチップ下の間隙４のギャップ量Ｇ１とを、ギャップ量Ｇ２＞ギャップ量Ｇ１の関係を満たすように決めているのである。ギャップ量Ｇ２は毛細管現象が起こる範囲内である。以下に説明する。
【００４３】
既述したように、封止樹脂５（有機材料）の濡れ性は、シリコンに対する方が、有機基板３の基材として用いられる有機材料に対するよりも大きい。また穴径やギャップ量が小さいほど、毛細管現象が起こり易い。
【００４４】
したがって、次のように考えることができる。チップ下のギャップ量Ｇ１は半導体チップ１の突起状電極２の寸法等によって規制されるので、一定であると考えることとする。
Ｉ）ギャップ量Ｇ２＝ギャップ量Ｇ１の場合
チップ間の隙間６内に入ってシリコン材料にのみ接触している封止樹脂５の方が、チップ下の間隙４内に流れ込んでシリコンと有機材料とに接触している封止樹脂５よりも流動速度が大きくなる。
【００４５】
II）ギャップ量Ｇ２＞ギャップ量Ｇ１の場合
ギャップ量Ｇ１が一定という前提条件下、上記のＩ）の場合よりも、チップ間の隙間６内での毛細管現象が起こりにくくなる。したがって、チップ間の隙間６内でシリコン材料にのみ接触している封止樹脂５と、チップ下の間隙４内に流れ込んでシリコンと有機材料とに接触している封止樹脂５とで、流動速度を等しくすることが可能である。
【００４６】
III)ギャップ量Ｇ２＜ギャップ量Ｇ１の場合
ギャップ量Ｇ１が一定という前提条件下、上記のＩ）の場合よりも、チップ間の隙間６内での毛細管現象が起こり易くなる。したがってＩ）の現象が著しくなる。
【００４７】
以上の理由で、II）の構成（ギャップ量Ｇ２＞ギャップ量Ｇ１）を採用している。
なお、図示したように、隣り合った半導体チップ１Ａ，１Ｂ下の封止樹脂５は互いに連続している。言い換えると、半導体チップ１Ａ，１Ｂ下の封止樹脂５は個別にフィレットを形成していない。このことは、大幅な信頼性向上をもたらす。つまり、半導体チップ１Ａ，１Ｂのそれぞれのチップ端から樹脂注入する従来方式では、チップ間の隙間６を小さくすると、個別に形成されるフィレット同士が干渉してしまい、配線基板３に対する密着性を確保できず、信頼性を劣化させることがあったのであるが、本実施形態では、隙間６を極小にしたことで、干渉するフィレット自体が存在しなくなったので、信頼性の劣化を来たさないのである。樹脂注入量を制御することで、半導体チップ１間の隙間６に封止樹脂５を埋め込むこともできる。
【００４８】
図６は本発明の実施の形態３の半導体装置の構成を示す。
この半導体装置は、先に図１を用いて説明した実施の形態１の半導体装置と同様の構成を有しているが、シリコン配線基板１３（以下、単にシリコン基板１３という）を用いている点が異なる。半導体チップ１と同じ材料であることから、熱ストレスによる突起状電極２の接続信頼性を向上させることができる。そしてシリコン基板１３を用いているため、貫通穴７の穴径Ｄ１とチップ下のギャップ量Ｇ１とは、穴径Ｄ１＝ギャップ量Ｇ１の関係を満たしている。樹脂注入用の貫通穴７の穴径Ｄ１は、毛細管現象が起こる範囲内である。
【００４９】
穴径Ｄ１＝ギャップ量Ｇ１としたのは、注入される封止樹脂５は、貫通穴７内でも、チップ下の間隙４でも、シリコン基板１３，半導体チップ１の基材であるシリコンにのみ接するので、塗れ性の差を考慮する必要はなく、毛細管現象の起こり易さに関わる隙間量を等しくすることで、貫通穴７内の封止樹脂５とチップ下の間隙４内の封止樹脂５との流動速度を等しくできるからである。
【００５０】
これに対して、穴径Ｄ１＞ギャップ量Ｇ１の場合、あるいは、穴径Ｄ１＜ギャップ量Ｇ１の場合は、貫通穴７内の封止樹脂５とチップ下の間隙４内の封止樹脂５とで、流動速度が異なることになる。
【００５１】
敢えて言うなら、毛細管現象では、広い隙間から狭い隙間には入り易く、逆に狭い隙間から広い隙間へは入りにくいので、穴径Ｄ１＞ギャップ量Ｇ１を含めても構わない。貫通穴７内の樹脂流動速度＞間隙４内の樹脂流動速度となるが、このことは流れの途切れの原因とはなり難い。
【００５２】
図７、図８に示すように、シリコン基板１３の樹脂注入用の貫通穴７を、基板内部で基板厚み方向と交わる方向に延びる内層経路７ａを持つように屈折させて形成してもよい。穴径Ｄ１＞ギャップ量Ｇ１の関係を満たすことで、上述したのと同様の効果が得られる。
【００５３】
図９は本発明の実施の形態４の半導体装置の構成を示す。
この半導体装置は、先に図５を用いて説明した実施の形態２の半導体装置と同様の構成を有するマルチチップモジュールであるが、有機基板でなくシリコン基板１３を用いている点が異なる。そのため、チップ間の隙間６のギャップ量Ｇ２＝チップ下の間隙４のギャップ量Ｇ１の関係を満たしている。実施の形態３で説明したのと同じ理由からである。
図１０は本発明の半導体装置に用いる配線基板の平面図である。図１０（ａ）（ｂ）に示す配線基板３（１３）の各々には、中央部（素子搭載領域内）に開口する１個あるいは複数個の貫通穴７が形成されている。
【００５４】
図１１は本発明の半導体装置たるマルチチップモジュールにおける半導体チップのレイアウトを示している。上述のように半導体チップ１どうしの隙間６から封止樹脂（図示せず）を注入するため、隙間６の隙間量Ｇ２は５０〜１５０μｍ程度であり、従来に比べてモジュール領域の縮小効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、アンダーフィルとしての封止樹脂の注入性を向上させることにより、充填不良をなくするとともに、フィレットを微小化し、配線基板の有効使用を可能にするもので、半導体装置の高密度化、高積層化などに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構成および製造方法を示す断面図
【図２】図１の半導体装置の変形例を示す断面図
【図３】図１の半導体装置の他の変形例を示す断面図
【図４】図１の半導体装置のさらに他の変形例およびその製造方法を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態２の半導体装置の構成を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態３の半導体装置の構成を示す断面図
【図７】図６の半導体装置の変形例を示す断面図
【図８】図６の半導体装置の他の変形例を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態４の半導体装置の構成を示す断面図
【図１０】本発明の各半導体装置に用いる配線基板の平面図
【図１１】図５のタイプの半導体装置における半導体チップのレイアウトを示す平面図
【図１２】従来の半導体装置の構成を示す断面図
【図１３】従来および本発明の各半導体装置に搭載される半導体チップの平面図
【図１４】図１２の半導体装置の製造方法を説明するフロー図
【図１５】従来の他の半導体装置の構成を示す断面図
【図１６】図１５の半導体装置の製造方法を説明するフロー図
【符号の説明】
【００５７】
１    半導体チップ
２    突起状電極
３    配線基板
４    間隙
５    封止樹脂
６    隙間
７    貫通穴
13    配線基板
D1    穴径
G1    ギャップ量
G2    ギャップ量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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