(57)【要約】【課題】Hcjの小さな永久磁石を用いる磁場発生装置の温度特性を可逆的にする温度操作方法、Hcjの小さな永久磁石を用いる温度特性が可逆的な磁場発生装置、および、そのような磁場発生装置を備えたＭＲＩ装置を実現する【解決手段】互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークを有する磁場発生装置の温度を操作する方法であって、室温からそれより高い温度まで昇温する昇温工程（４０１）と、室温より高い温度を維持する維持工程（４０２）と、室温より高い温度から室温まで降温する降温工程（４０３）により、前記永久磁石の温度特性を可逆化する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークを有する磁場発生装置の温度を操作する方法であって、
室温からそれより高い温度まで昇温する昇温工程と、
室温より高い温度を維持する維持工程と、
室温より高い温度から室温まで降温する降温工程により、
前記永久磁石の温度特性を可逆化する
ことを特徴とする温度操作方法。
【請求項２】
前記永久磁石は、ＢＨカーブの非直線領域で動作する
ことを特徴とする請求項１に記載の温度操作方法。
【請求項３】
前記永久磁石は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石である
ことを特徴とする請求項１に記載の温度操作方法。
【請求項４】
前記永久磁石は、磁極面よりも面積が小さいポールピースを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の温度操作方法。
【請求項５】
前記昇温工程は、
室温から３５℃まで昇温する第１の昇温工程と、
３５℃から４５℃まで昇温する第２の昇温工程を有し、
前記降温工程は、
４５℃から３５℃まで降温する第１の降温工程と、
３５℃から室温まで降温する第２の降温工程を有し、
前記維持工程は、
前記第１の昇温工程の後で３５℃の温度を２時間にわたって維持する第１の維持工程と、
前記第２の昇温工程の後で４５℃の温度を２時間にわたって維持する第２の維持工程と、
前記第１の降温工程の後で３５℃の温度を１時間にわたって維持する第３の維持工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の温度操作方法。
【請求項６】
前記室温は、１０℃から２５℃までの温度である
ことを特徴とする請求項１に記載の温度操作方法。
【請求項７】
前記温度操作を磁場のシミングより前に行う
ことを特徴とする請求項１に記載の温度操作方法。
【請求項８】
互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークを有する磁場発生装置であって、
前記永久磁石は、
相対的に反磁場の大きい第１の部分が相対的にＨcjの大きい磁性材料で構成され、
相対的に反磁場の小さい第２の部分が相対的にＨcjの小さい磁性材料で構成される
ことを特徴とする磁場発生装置。
【請求項９】
前記第１の部分は前記永久磁石の周縁部分であり、
前記第２の部分は前記永久磁石の前記周縁部分より内側の部分である
ことを特徴とする請求項８に記載の磁場発生装置。
【請求項１０】
前記磁性材料は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ合金である
ことを特徴とする請求項８に記載の磁場発生装置。
【請求項１１】
前記永久磁石は、磁極面よりも面積が小さいポールピースを有する
ことを特徴とする請求項８に記載の磁場発生装置。
【請求項１２】
互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークと、勾配磁場コイルと、ＲＦコイルを有する磁場発生装置を備えたＭＲＩ装置であって、
前記永久磁石は、
相対的に反磁場の大きい第１の部分が相対的にＨcjの大きい磁性材料で構成され、
相対的に反磁場の小さい第２の部分が相対的にＨcjの小さい磁性材料で構成される
ことを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項１３】
前記第１の部分は前記永久磁石の周縁部分であり、
前記第２の部分は前記永久磁石の前記周縁部分より内側の部分である
ことを特徴とする請求項１２に記載のＭＲＩ装置。
【請求項１４】
前記磁性材料は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ合金である
ことを特徴とする請求項１２に記載のＭＲＩ装置。
【請求項１５】
前記永久磁石は、磁極面よりも面積が小さいポールピースを有する
ことを特徴とする請求項１２に記載のＭＲＩ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度操作方法、磁場発生装置およびＭＲＩ(Magnetic Resonance Imaging)装置に関し、さらに詳しくは、永久磁石型の磁場発生装置の温度を操作する方法、永久磁石型の磁場発生装置、および、そのような磁場発生装置を備えたＭＲＩ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＲＩ装置は、磁場発生装置が発生する磁場のもとで磁気共鳴信号を収集し、この磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成するようになっている。磁場発生装置の一方式として、永久磁石を用いるものがあり、そのような磁場発生装置では、互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石が用いられる。永久磁石としては、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ合金からなる磁石すなわちネオジム(Neodymium)磁石が用いられる。
【０００３】
永久磁石の温度特性により、磁場発生装置の磁場強度は周囲温度によって変化する。このため、室温より高い温度まで昇温した状態で磁場発生装置を使用し、室温変化の影響を受けないようにしている(例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２８７９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
永久磁石のＢＨカーブ(BH curve)は温度によって変化する。例えば、図８(ａ)に示すように、温度Ｔ１において直線Ｌ１で与えられるＢＨカーブは、温度Ｔ２（＞Ｔ１）では、下方に平行移動した直線Ｌ２となる。この変化は可逆的であり、温度をＴ１に戻せばＢＨカーブは直線Ｌ１に戻る。
【０００５】
しかし、温度Ｔ２におけるＢＨカーブが、一点鎖線Ｌ３で示すように、部分的に非直線となって、永久磁石の動作点Ｐがこの非直線領域にあるときは、温度をＴ１に戻してもＢＨカーブは直線Ｌ１に戻らない。これは、温度Ｔ２におけるオペレーティング(operating)ＢＨカーブが、破線Ｌ４で示すように、さらに下方に平行移動した直線Ｌ４となるためである。
【０００６】
一方、図８(ｂ)に示すように、温度Ｔ２におけるＢＨカーブが非直線領域Ｌ２２を有する場合でも、永久磁石の動作点Ｐが直線領域Ｌ２１にあるときは、温度をＴ１に戻せばＢＨカーブは直線Ｌ１に復帰する。すなわち、永久磁石の温度特性は、動作点がＢＨカーブの直線領域にあるとき可逆的となり、動作点がＢＨカーブの非直線領域にあるとき不可逆的となる。
【０００７】
永久磁石の動作点は、反磁場によって決まる。反磁場が小さいほど動作点が高く(磁束密度が高く)なり、反磁場が大きいほど動作点が低く(磁束密度が低く)なる。そして、動作点が高い（反磁場が小さい）ほど直線領域に入り易く、動作点が低い（反磁場が大きい）ほど非直線領域に入り易い。
【０００８】
Hcb/BrおよびHcjが大きい磁石は非直線領域が小さく(したがって直線領域が大きく)、Hcb/BrおよびHcjが小さい磁石は非直線領域が大きい(したがって直線領域が小さい)。これを、それぞれ図９（ａ），(ｂ)に示す。両図において、傾斜を有するグラフはＢＨカーブであり、傾斜を有しないカーブはＪＨカーブである。なお、Hcbは磁束密度Ｂについての保持力であり、Brは残留磁束密度であり、Hcjは磁化Ｊについての保持力である。Hcb/Brが大きいときはHcjも大きいので、以下、HcjによってHcb/Brを代表する。
【０００９】
温度特性を可逆的にするためには、Hcjの大きな磁石を用いることが好ましいが、そのような磁石は、希少な元素であるジスプロジウム(Dysprosium)を含むので極めて高価なものとなる。これに対して、Hcjの小さな磁石は、ジスプロジウムを含まないので比較的に安価である。
【００１０】
そこで、本発明の課題は、Hcjの小さな永久磁石を用いる磁場発生装置の温度特性を可逆的にする温度操作方法、Hcjの小さな永久磁石を用いる温度特性が可逆的な磁場発生装置、および、そのような磁場発生装置を備えたＭＲＩ装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するためのひとつの観点での発明は、互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークを有する磁場発生装置の温度を操作する方法であって、室温からそれより高い温度まで昇温する昇温工程と、室温より高い温度を維持する維持工程と、室温より高い温度から室温まで降温する降温工程により、前記永久磁石の温度特性を可逆化することを特徴とする温度操作方法である。
【００１２】
前記永久磁石は、ＢＨカーブの非直線領域で動作することが、Hcjが小さい磁石でよい点で好ましい。
前記昇温工程は、室温から３５℃まで昇温する第１の昇温工程と、３５℃から４５℃まで昇温する第２の昇温工程を有し、前記降温工程は、４５℃から３５℃まで降温する第１の降温工程と、３５℃から室温まで降温する第２の降温工程を有し、前記維持工程は、前記第１の昇温工程の後で３５℃の温度を２時間にわたって維持する第１の維持工程と、前記第２の昇温工程の後で４５℃の温度を２時間にわたって維持する第２の維持工程と、前記第１の降温工程の後で３５℃の温度を１時間にわたって維持する第３の維持工程を有することが、磁場発生装置の温度特性の可逆性を良くする点で好ましい。
【００１３】
前記室温は、１０℃から２５℃までの温度であることが、妥当性を有する点で好ましい。
前記温度操作を磁場のシミングより前に行うことが、作業性が良い点で好ましい。
【００１４】
上記の課題を解決するための他の観点での発明は、互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークを有する磁場発生装置であって、前記永久磁石は、相対的に反磁場の大きい第１の部分が相対的にＨcjの大きい磁性材料で構成され、相対的に反磁場の小さい第２の部分が相対的にＨcjの小さい磁性材料で構成されることを特徴とする磁場発生装置である。
【００１５】
上記の課題を解決するための他の観点での発明は、互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークと、勾配磁場コイルと、ＲＦコイルを有する磁場発生装置を備えたＭＲＩ装置であって、前記永久磁石は、相対的に反磁場の大きい第１の部分が相対的にＨcjの大きい磁性材料で構成され、相対的に反磁場の小さい第２の部分が相対的にＨcjの小さい磁性材料で構成されることを特徴とするＭＲＩ装置である。
【００１６】
前記第１の部分は前記永久磁石の周縁部分であり、前記第２の部分は前記永久磁石の前記周縁部分より内側の部分であることが、反磁場強度との対応性が良い点で好ましい。
前記永久磁石は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石であることが、性能が良い点で好ましい。
【００１７】
前記永久磁石は、磁極面よりも面積が小さいポールピースを有することが、磁場均一性を良くする点で好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
ひとつの観点での発明によれば、温度操作方法は、互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークを有する磁場発生装置の温度を操作する方法であって、室温からそれより高い温度まで昇温する昇温工程と、室温より高い温度を維持する維持工程と、室温より高い温度から室温まで降温する降温工程により、前記永久磁石の温度特性を可逆化するので、Hcjの小さな永久磁石を用いる磁場発生装置の温度特性を可逆的にする温度操作方法を実現することができる。
【００１９】
他の観点での発明によれば、磁場発生装置は、互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークを有する磁場発生装置であって、前記永久磁石は、相対的に反磁場の大きい第１の部分が相対的にＨcjの大きい磁性材料で構成され、相対的に反磁場の小さい第２の部分が相対的にＨcjの小さい磁性材料で構成されるので、Hcjの小さな永久磁石を用いる温度特性が可逆的な磁場発生装置を実現することができる。
【００２０】
他の観点での発明によれば、ＭＲＩ装置は、互いに逆極性の磁極が間隔をあけて対向する１対の円板状の永久磁石と、それら永久磁石の磁束のリターンパスを形成するヨークと、勾配磁場コイルと、ＲＦコイルを有する磁場発生装置を備えたＭＲＩ装置であって、前記永久磁石は、相対的に反磁場の大きい第１の部分が相対的にＨcjの大きい磁性材料で構成され、相対的に反磁場の小さい第２の部分が相対的にＨcjの小さい磁性材料で構成されるので、Hcjの小さな永久磁石を用いる温度特性が可逆的な磁場発生装置を備えたＭＲＩ装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、本発明は発明を実施するための最良の形態に限定されるものではない。図１にＭＲＩ装置のブロック(block)図を示す。本装置は発明を実施するための最良の形態の一例である。本装置の構成によって、ＭＲＩ装置に関する発明を実施するための最良の形態の一例が示される。
【００２２】
図１に示すように、本装置は磁場発生装置１００を有する。磁場発生装置１００は主磁場マグネット(magnet)部１０２、勾配コイル(coil)部１０６およびＲＦ(radio frequency)コイル部１０８を有する。
【００２３】
主磁場マグネット部１０２、勾配コイル部１０６およびＲＦコイル部１０８は、いずれも空間を挟んで互いに対向する１対のものからなる。また、いずれも概ね円板状の形状を有し中心軸を共有して配置されている。勾配コイル部１０６は、本発明における勾配磁場コイルの一例である。ＲＦコイル部１０８は、本発明におけるＲＦコイルの一例である。
【００２４】
磁場発生装置１００の内部空間（ボア：bore）に、対象１がテーブル(table)５００に搭載されて搬入および搬出される。テーブル５００はテーブル駆動部１２０によって駆動される。
【００２５】
主磁場マグネット部１０２は磁場発生装置１００の内部空間に静磁場を形成する。静磁場の方向は概ね対象１の体軸方向と直交する。すなわちいわゆる垂直磁場を形成する。主磁場マグネット部１０２は永久磁石を用いて構成される。
【００２６】
勾配コイル部１０６は、互いに垂直な３軸すなわちスライス（ｓｌｉｃｅ）軸、位相軸および周波数軸の方向において、それぞれ静磁場強度に勾配を持たせるための３つの勾配磁場を生じる。勾配コイル部１０６は、３つの勾配磁場に対応して図示しない３系統の勾配コイルを有する。
【００２７】
ＲＦコイル部１０８は静磁場空間に対象１の体内のスピンを励起するためのＲＦパルス(radio frequency pulse)を送信する。ＲＦコイル部１０８は、また、励起されたスピン(spin)が生じる磁気共鳴信号を受信する。ＲＦコイル部１０８は、送信と受信を同一のコイルで行うものでも別々なコイルで行うものでもどちらでもよい。
【００２８】
勾配コイル部１０６には勾配駆動部１３０が接続されている。勾配駆動部１３０は勾配コイル部１０６に駆動信号を与えて勾配磁場を発生させる。勾配駆動部１３０は、勾配コイル部１０６における３系統の勾配コイルに対応して、図示しない３系統の駆動回路を有する。
【００２９】
ＲＦコイル部１０８にはＲＦ駆動部１４０が接続されている。ＲＦ駆動部１４０はＲＦコイル部１０８に駆動信号を与えてＲＦパルスを送信し、対象１の体内のスピンを励起する。
【００３０】
ＲＦコイル部１０８にはデータ(data)収集部１５０が接続されている。データ収集部１５０は、ＲＦコイル部１０８が受信した受信信号をサンプリング(sampling)によって取り込み、それをディジタルデータ(digital data)として収集する。
【００３１】
テーブル駆動部１２０、勾配駆動部１３０、ＲＦ駆動部１４０およびデータ収集部１５０には制御部１６０が接続されている。制御部１６０は、テーブル駆動部１２０ないしデータ収集部１５０をそれぞれ制御して撮影を遂行する。
【００３２】
制御部１６０は、例えばコンピュータ(computer)等を用いて構成される。制御部１６０はメモリ(memory)を有する。メモリは制御部１６０用のプログラム(program)および各種のデータを記憶している。制御部１６０の機能は、コンピュータがメモリに記憶されたプログラムを実行することにより実現される。
【００３３】
データ収集部１５０の出力側はデータ処理部１７０に接続されている。データ収集部１５０が収集したデータがデータ処理部１７０に入力される。データ処理部１７０は、例えばコンピュータ等を用いて構成される。データ処理部１７０はメモリを有する。メモリはデータ処理部１７０用のプログラムおよび各種のデータを記憶している。
【００３４】
データ処理部１７０は制御部１６０に接続されている。データ処理部１７０は制御部１６０の上位にあってそれを統括する。本装置の機能は、データ処理部１７０がメモリに記憶されたプログラムを実行することにより実現される。
【００３５】
データ処理部１７０は、データ収集部１５０が収集したデータをメモリに記憶する。メモリ内にはデータ空間が形成される。このデータ空間はフーリエ(Fourier)空間を構成する。フーリエ空間はｋスペース(k-space)とも呼ばれる。データ処理部１７０は、ｋスペースのデータを逆フ−リエ変換することにより対象１の画像を再構成する。
【００３６】
データ処理部１７０には表示部１８０および操作部１９０が接続されている。表示部１８０は、グラフィックディスプレー(graphic display)等で構成される。操作部１９０はポインティングデバイス(pointing device)を備えたキーボード(keyboard)等で構成される。
【００３７】
表示部１８０は、データ処理部１７０から出力される再構成画像および各種の情報を表示する。操作部１９０は、使用者によって操作され、各種の指令や情報等をデータ処理部１７０に入力する。使用者は表示部１８０および操作部１９０を通じてインタラクティブ(interactive)に本装置を操作することが可能である。
【００３８】
図２に、磁場発生装置１００の一例の外観を斜視図によって示す。磁場発生装置１００は、発明を実施するための最良の形態の一例である。磁場発生装置１００の構成によって、磁場発生装置に関する発明を実施するための最良の形態の一例が示される。磁場発生装置１００は、また、本発明における磁場発生装置の一例である。
【００３９】
図２に示すように、磁場発生装置１００は、１対の主磁場マグネット部１０２をヨーク(yoke)２００によって支持したものとなっている。主磁場マグネット部１０２は、本発明における永久磁石の一例である。ヨーク２００は、本発明におけるヨークの一例である。
【００４０】
主磁場マグネット部１０２は、概ね円板状ないし短円柱状の外形を持つ。ヨーク２００は、１対の主磁場マグネット部１０２のためのリターンパス(return pass)を形成するもので、例えば軟鉄等の強磁性材料で概ねＣ字状に構成される。なお、ヨーク２００の形状はＣ字状に限らない。
【００４１】
１対の主磁場マグネット部１０２は、互いに逆極性の磁極が所定の間隔で対向するように平行かつ同軸的に支持される。これによって両磁極間に垂直磁場が形成される。以下、磁場の方向をｚ方向とする。１対の主磁場マグネット部１０２の磁極面には、前記１対の勾配コイル部１０６および前記１対のＲＦコイル部１０８がそれぞれ設けられるが、それらについては図示を省略する。
【００４２】
主磁場マグネット部１０２は、永久磁石１２２とポールピース(pole piece)１２４で構成される。永久磁石１２２は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ合金からなる磁石すなわちネオジム磁石である。このネオジム磁石は、ジスプロジウムのような希少な元素を含まず、相対的にHcjの小さな磁石である。
【００４３】
ポールピース１２４は軟鉄で構成される。ポールピース１２４の直径は、主磁場マグネット部１０２の磁極面の直径より小さい。すなわち、永久磁石１２２は、磁極面よりも面積が小さいポールピースを有する
図３に、永久磁石１２２のＢＨカーブを示す。図３に示すように、ＢＨカーブは、温度Ｔ１において直線Ｌ１で与えられ、温度Ｔ２（＞Ｔ１）では、下方に平行移動した直線Ｌ２と非直線Ｌ３の組み合わせとなる。
【００４４】
永久磁石１２２の動作点Ｐは非直線Ｌ３上にある。これによって、温度Ｔ２におけるオペレーティングＢＨカーブは、破線Ｌ４で示すように、さらに下方に平行移動した直線Ｌ４となる。
【００４５】
この状態から温度をＴ１に戻すと、ＢＨカーブは破線Ｌ１’となる。破線Ｌ１’は直線Ｌ１に平行であるが位置がずれた直線となるが、再び温度をＴ２まで昇温してＴ１に戻すと、ＢＨカーブは破線Ｌ１’に復帰する。これは、何度繰り返しても同じである。
【００４６】
すなわち、Ｔ１−Ｔ２−Ｔ１の温度履歴を１サイクル(cycle)経た後は、同じサイクルを何度繰り返しても、温度Ｔ１のＢＨカーブは破線Ｌ１’となる。したがって、ひとたびＴ１−Ｔ２−Ｔ１の温度履歴を経た後は、永久磁石１２２の温度特性は可逆性を持つことになる。この現象を利用すれば、Hcjの小さな永久磁石を用いる磁場発生装置の温度特性の可逆化が可能である。
【００４７】
図４に、温度特性を可逆化するためのプロセス(process)を示す。本プロセスは、発明を実施するための最良の形態の一例である。本プロセスによって、温度操作方法に関する発明を実施するための最良の形態の一例が示される。
【００４８】
図４に示すように、工程４０１で、室温からそれより高い温度まで昇温し、工程４０２で、室温より高い温度を維持し、工程４０３、で室温より高い温度から室温まで降温する。室温は温度Ｔ１に相当し、室温より高い温度は温度Ｔ２に相当する。なお、室温は、例えば、１０℃から２５℃までの温度である。工程４０１は、本発明における昇温工程の一例である。工程４０２は、本発明における維持工程の一例である。工程４０３は、本発明における降温工程の一例である。
【００４９】
図５に、温度操作のさらに詳細なプロセスの一例を示す。図５に示すように、工程５０１で、室温から３５℃まで昇温し、工程５０２で、３５℃の温度を２時間にわたって維持し、工程５０３で、３５℃から４５℃まで昇温し、工程５０４で、４５℃の温度を２時間にわたって維持し、工程５０５で、４５℃から３５℃まで降温し、工程５０６で、３５℃の温度を１時間にわたって維持し、工程５０７で、３５℃から室温まで降温する。
【００５０】
工程５０１は、本発明における第１の昇温工程の一例である。工程５０２は、本発明における第１の維持工程の一例である。工程５０３は、本発明における第２の昇温工程の一例である。工程５０４は、本発明における第２の維持工程の一例である。工程５０５は、本発明における第１の降温工程の一例である。工程５０６は、本発明における第３の維持工程の一例である。工程５０７は、本発明における第２の降温工程の一例である。
【００５１】
このような温度操作によって、磁場発生装置の温度特性が確実に可逆化される。なお、磁場発生装置の温度操作は、磁場強度分布の均一度調整すなわちシミング(shimming)を行う前に行うのがよい。このような温度操作は、メーカーが行うときは製品の出荷前に行えばよく、ユーザーが行うときは受け入れ時に行えばよい。
図６（ａ），（ｂ）に、永久磁石１２２の磁極面における磁束密度分布および磁場強度分布をそれぞれ示す。図６（ａ），（ｂ）に示すように、磁束密度および磁場強度は、永久磁石１２２の周縁部分がそれより内側の部分よりも低くなる。磁束密度および磁場強度の低い部分は動作点が低い部分すなわち反磁場が大きい部分に相当し、磁束密度および磁場強度の高い部分は動作点が高い部分すなわち反磁場が小さい部分に相当する。
【００５２】
このような磁気的状態に鑑み、図７に示すように、周縁部分１２２ｂをHcjが大きい磁石で構成し、それより内側の部分１２２ａをHcjが小さい磁石で構成する。このようにすることにより、どちらの動作点もＢＨカーブの直線領域にあるようにすることができる。
【００５３】
なぜなら、Hcjが大きい周縁部分１２２ｂでは、動作点は低いもののＢＨカーブの直線領域が大きいので動作点は直線領域に存在し、Hcj小さい内側部分１２２ａでは、動作点が高いのでＢＨカーブの直線領域が小さくても、動作点は直線領域に存在するからである。
【００５４】
これによって、磁場発生装置１００を可逆的な温度特性を持つものとなる。このとき、永久磁石１２２は、大部分がHcjの大きい磁石で構成され、周縁部だけがHcjの大きい磁石で構成されるので、全体をHcjの大きい磁石で構成した場合よりもはるかに安価なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明を実施するための最良の形態の一例のＭＲＩ装置のブロック図である。
【図２】磁場発生装置の構成を示す図である。
【図３】永久磁石のＢＨカーブを示す図である。
【図４】温度操作のプロセスを示す図である。
【図５】温度操作のさらに詳細なプロセスの一例を示す図である。
【図６】永久磁石の磁極面における磁束密度分布および磁場強度分布を示す図である。
【図７】永久磁石の構成を示す図である。
【図８】永久磁石のＢＨカーブを示す図である。
【図９】永久磁石のＢＨカーブを示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１００ ： 磁場発生装置
１０２ ： 主磁場マグネット部
１０６ ： 勾配コイル部
１０８ ： ＲＦコイル部
１２０ ： テーブル駆動部
１３０ ： 勾配駆動部
１４０ ： ＲＦ駆動部
１５０ ： データ収集部
１６０ ： 制御部
１７０ ： データ処理部
１８０ ： 表示部
１９０ ： 操作部
１２２ ： 永久磁石
１２２ａ ： 内側部分
１２２ｂ ： 周縁部分
１２４ ： ポールピース
２００ ： ヨーク
【図１】
2008018246.tif 000003
【図２】
2008018246.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
2008018246.tif 000008
【図８】
2008018246.tif 000009
【図９】
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【図６】
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