(57)【要約】      （修正有）【課題】リグラフィプロセスにおいて、波面収差を低減する方法を提供する。【解決手段】まず、ＩＣ層パターンの一部であるプロダクト構造が選択される１５１。次に、照明モードを含む露光条件が特定及び選択される１５２。次に、パターンフィーチャのジオメトリ特徴及び照明モード特徴及びマスクパターンデータに基づき、強度分布が計算される１５４。次に、瞳内において、瞳を通過する放射束が最も高くなるエリアを特定及び選択するために、強度プロファイルに閾値を設定する１５５。次に１５５で決定した瞳エリア内の波面収差の二乗平均平方根値を最小化する最小二乗フィッティングの結果、計算されたアジャストメントが求められる１５７。最後に、投影システムの各光エレメントに計算されたアジャストメントが適用される１５８。【選択図】図１１
2008004937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の放射感応性層へパターンイメージを露光するように構成されたリソグラフィ装置の投影システムを通過する光波の波面収差を低減する方法であって、
前記波面収差に関する情報を取得することと、
前記波面収差を低減するため、前記投影システムの少なくとも１つの光エレメントの少なくとも１つのアジャストメントを計算することと、
前記計算された少なくとも１つのアジャストメントを前記投影システムに適用することと、
を備え、
前記計算することが、
前記放射感応性層の露光中に生じる、前記投影システムの瞳内の放射強度の空間分布に一致する強度値を取得することと、
取得された最大強度値からゼロまでの範囲内で閾値強度を選択することと、
前記瞳内の、局所強度が前記閾値強度よりも高くなるエリアを定義することと、
前記瞳内の前記エリアに対応する前記波面のエリアに、前記低減を限定することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記放射感応性層の露光が、前記パターンをマルチポール照明モードで照明することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マルチポール照明モードが、ダイポール照明モード及び四極照明モードのうちの一方である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記パターンが、クロム・オン・ガラスマスクパターン及び位相シフトマスクパターンのうちの一方である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記波面収差に関する情報を取得することが、波面収差を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記波面収差に関する情報を取得することが、前記投影システムの少なくとも１つの光エレメントの温度変化が波面収差に与える影響を予測するためのモデルに基づいて波面収差の変化を予測することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのアジャストメントが、前記投影システムの光軸に対して垂直な面内における位置アジャストメント、前記光軸に沿った位置アジャストメント、回転自由度における回転位置アジャストメント、及び、光エレメント表面の形状の変更、のうち１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記強度値を取得することが、放射強度の前記空間分布を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記強度値を取得することが、選択された照明モードを表すデータ及び前記パターンを表すデータを含むデータに基づいて前記空間強度分布を予測することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記閾値強度が、前記最大強度の２分の１から１０分の１の範囲内で選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記瞳内のエリアを定義することが、前記瞳全体に渡って延在する概念上のグリッドのグリッド点での局所強度値を、前記閾値強度値と比較することと、前記局所強度値が前記閾値強度値よりも高くなるグリッド点を、この後に行う前記少なくとも１つのアジャストメントの計算のために保持することと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記低減することが、複数の波面収差値の二乗平均平方根値を最小化するために最小二乗フィッティングアルゴリズムを適用することと、前記少なくとも１つのアジャストメントをフィッティングすることと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の波面収差値が、前記瞳内の、局所強度が前記閾値強度よりも高くなる前記エリア内の複数の点に対する収差値を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の波面収差値が、前記イメージ内の複数のフィールド点に対する収差値を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
デバイス製造方法を実施するようにリソグラフィ装置を制御するためのプログラムコードを備えるコンピュータプログラムであって、
前記デバイス製造方法は、
前記リソグラフィ装置の投影システムを通過する光波の波面収差に関する情報を取得することと、
前記波面収差を低減するため、前記リソグラフィ装置の投影システムの少なくとも１つの光エレメントの少なくとも１つのアジャストメントを計算することと、
を備え、
前記計算することが、
基板上に設けられた放射感応性層の露光中に生じる、前記投影システムの瞳内の放射強度の空間分布に関する情報を取得することと、
前記強度の分布の最大強度からゼロまでの範囲内で閾値強度を選択することと、
前記瞳内の、局所強度が前記閾値強度よりも高くなるエリアを定義することと、
前記瞳内の前記エリアに対応する前記波面のエリアに、前記減少を限定することと、
を含む、プログラム。
【請求項１６】
前記閾値強度が、前記最大強度の２分の１から１０分の１の範囲内で選択される、請求項１５に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１７】
前記瞳内のエリアを定義することが、前記瞳全体に渡って延在する概念上のグリッドのグリッド点での局所強度値を、前記閾値強度値と比較することと、前記局所強度値が前記閾値強度値よりも高くなるグリッド点を、この後に行う前記少なくとも１つのアジャストメントの計算のために保持することと、を含む、請求項１５に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１８】
前記低減することが、複数の波面収差値の二乗平均平方根値を最小化するために最小二乗フィッティングアルゴリズムを適用することと、前記少なくとも１つのアジャストメントをフィッティングすることと、を含む、請求項１５に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１９】
前記複数の波面収差値が、前記瞳内の、局所強度が前記閾値強度よりも高くなる前記エリア内の複数の点に対する収差値を含む、請求項１８に記載のコンピュータプログラム。
【請求項２０】
前記複数の波面収差値が、前記イメージ内の複数のフィールド点に対する収差値を含む、請求項１９に記載のコンピュータプログラム。
【請求項２１】
前記瞳内の放射強度の空間分布に関する情報を取得することが、選択された照明モードを表すデータ及び前記パターンを表すデータを含むデータに基づいて前記空間強度分布を予測することを含む、請求項１５に記載のコンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置の投影システムを通過する光波の波面収差を低減する方法、及び、デバイス製造方法を実施するようにリソグラフィ装置を制御するためのプログラムコードを備えるコンピュータプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、一つ又はいくつかダイの一部を含む）に転写することができる。リソグラフィ装置は、マスクを照明するための照明システムと、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上に、結像を介して、パターンを転写するための投影システム（投影レンズとも呼ばれる）とを備える。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。  
【０００３】
[0003]  既知のリソグラフィ装置としては、いわゆるステッパ又はステップアンドリピート装置と、いわゆるスキャナ又はステップアンドスキャン装置とを含んでいる。ステッパでは、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射し、ウェーハは、次の露光のため次の場所へと所定分だけ移動される。スキャナでは、ある特定の方向（「スキャン」方向）の放射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射し、その後、ウェーハは、次の露光のため次の場所へと移動される。
【０００４】
[0004]  ＩＣデバイスの製造における光リソグラフィの実施に際して、スループット、つまり単位時間当たりの露光可能なウェーハ数の観点から、リソグラフィ投影装置の性能を向上させることが望まれている。スループットは、照明システムに連結された放射源が提供する放射力に直接比例している。
【０００５】
[0005]  放射力の増加にともない、光エレメント材又は光エレメント上のコーティング材による、投影レンズを通過する放射の残存吸収が問題となる。投影レンズを通って伝播する放射ビームによって、光エレメントが局所的かつ通常非均一的に加熱される。この加熱は、投影レンズエレメントの熱変形、それによる光波収差エラーを生じさせ得る。
【０００６】
[0006]  波面収差は、通常、重み付けされた基本的な波面収差コンポーネントの合計からなると考えられ、基本的な波面収差コンポーネントのセットとは空間位相分布のセットであり、この空間位相分布のセットは、投影レンズの光軸に対して垂直な平面内の投影レンズ瞳座標で表現される、対応する規格化された直交多項式のセットによって記述される。
【０００７】
[0007]  波面収差の変化を補正又は一部補正する従来の方法は、投影レンズの光エレメント（レンズ、レンズ群）の公称位置及び公称配向から少し変位又は回転させること、又は、レンズエレメントの形状を少し変形させることを含む。そのため、投影レンズは、限定数のレンズマニピュレータを備えている。レンズマニピュレータは、マニピュレータの設定及び設定変更を計算及び適用するコントローラに連結されている。投影レンズの光軸に対して軸対象となっている波面収差エラー、又は、低次波面収差エラー（例えば、瞳座標において二次多項式で記述される）は、マニピュレータ設定を使用すれば低減できる。しかし、高次波面収差エラーの場合、従来の技術で得られる補正結果では不十分である。補正できない高次波面収差エラーは、基板付近又は基板において、イメージ形成放射ビーム内に残ってしまう。そのような残存波面収差は、潜在パターンイメージにとっても、処理され印刷されたパターンにとっても、エラー源となってしまう。例えば、フィーチャサイズエラー及びパターン非対称エラーが生じる。 
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
[0008]  本発明は、リソグラフィ装置の投影システムの光波収差の効果を低減すること、特に、高次波面収差エラーの存在によって生じるパターンエラーの問題を解決することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
[0009]  本発明の一態様によると、基板上の放射感応性層へパターンのイメージを露光するように構成されたリソグラフィ装置の投影システムを通過する光波の波面収差を低減する方法が提供される。この方法は、前記波面収差に関する情報を取得することと、前記波面収差を低減するため、前記投影システムの少なくとも１つの光エレメントの少なくとも１つのアジャストメントを計算することと、前記計算された少なくとも１つのアジャストメントを前記投影システムに適用することと、を備える。前記計算することは、前記放射感応性層の露光中に生じる、前記投影システムの瞳内の放射強度の空間分布に関する情報を、前記強度分布に一致する複数の強度値の形式で、取得することと、前記強度分布の最大強度からゼロまでの範囲内で閾値強度を選択することと、前記瞳内の、局所強度が前記閾値強度よりも高くなるエリアを定義することと、前記瞳内の前記エリアに対応する前記波面のエリアに、前記低減を限定することと、を含む。
【００１０】
[0010]  本発明の別の態様によると、デバイス製造方法を実施するようにリソグラフィ装置を制御するためのプログラムコードを備えるコンピュータプログラムが提供される。前記デバイス製造方法は、波面収差に関する情報を取得することと、前記波面収差を低減するため、前記リソグラフィ装置の投影システムの少なくとも１つの光エレメントの少なくとも１つのアジャストメントを計算することと、前記計算された少なくとも１つのアジャストメントを前記投影システムに適用することとを備える。前記計算することは、基板上に設けられた放射感応性層の露光中に生じる、前記投影システムの瞳内の放射強度の空間分布に関する情報を取得することと、前記強度の分布の最大強度からゼロまでの範囲内で閾値強度を選択することと、前記瞳内の、局所強度が前記閾値強度よりも高くなるエリアを定義することと、前記瞳内の前記エリアに対応する前記波面のエリアに、前記手減を限定することと、を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
[0011]  以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。
【００１２】
[0023]  本発明の第１実施形態によると、波面収差低減方法は、リソグラフィ露光プロセスを実施するために使用されている投影システム内において、局所的なレンズ加熱の効果を軽減するために使用される。ＩＣ層のフィーチャのパターンは、クリティカルディメンションＣＤのプロダクト構造１００（図１に示されている）を含み、当該プロダクト構造１００は、密ラインアンドスペース１１０を有する。パターン１００は、クロム・オン・ガラスパターンとして実現され、ライン１１０及び１２０は、マスク上で、リソグラフィ装置のｘ方向に沿って位置合わせされている。プロダクト構造１００はさらに、ｘ方向に沿って位置合わせされかつＣＤより幅の広い２本のライン１２０と、これと同様に非最小寸法のｙ方向の孤立ライン１３０と、を有する。
【００１３】
[0024]  図２に示すように、ｙ−ダイポール照明モード２００を使用してマスクＭＡ上のパターン１００が照明されている。２本の放射ビーム２１０は、パターン１００を照明するように構成された照明システムＩＬの瞳ＰＵＩＬ内に配された２つのエリア２２０から放射されている。「ポール」(“poles”)２２０は、ｙ方向に平行な軸上で、かつ、照明システムの光軸２３０を挟んで正反対の位置にそれぞれ配置されている。 
【００１４】
[0025]  ビーム２１０は、マスクパターン１００を通過する際に回折する。この結果生じる、リソグラフィ装置の投影レンズＰＳの瞳ＰＵＰＳ内の放射強度Ｉ（ｒ，θ）の空間分布を、図３に概略的に示す。座標ｒ、θは、投影レンズの光軸３２０（図３のｚ軸に平行）に対して垂直な平面における極座標であり、光軸を中心としている。また、強度Ｉの空間分布は、デカルト瞳座標ｘｐ、ｙｐ：Ｉ＝Ｉ（ｘｐ、ｙｐ）で表してもよい。図３では、強度Ｉの値はｚ軸に沿ってプロットされている。
【００１５】
[0026]  基板Ｗ上のレジスト層に露光する際に生じる強度分布Ｉは、市販のリソグラフィプロセスシミュレーションソフトウェアを使用して予測できる。このダイポール照明モード２００は、プロダクト構造１００での放射回折と共に、投影レンズ瞳内の空間強度分布Ｉ（ｒ，θ）を生成するが、この空間強度分布Ｉは、パターン１００のフラウンホーファー回折イメージ(Fraunhofer diffraction image)に対応する強度パターンを有するダイポール瞳強度分布のコンボルーションとしての形状を有する。
【００１６】
[0027]  あるいは、投影レンズ瞳内の強度分布Ｉは、米国特許第６,７１０,８５６号に開示されている検出モジュール及び検出方法を使用して測定することもできる。
【００１７】
[0028]  投影レンズの瞳面付近に配されたレンズエレメント３００は、エリア３１０内のレンズ材による投影ビーム放射の残存吸収によって、熱変形する。その結果、マスクパターン１００のイメージ形成が行われる図４の空間４００において、公称波面からの波面収差が生じる可能性があり、このような波面収差は、図４に示すように、瞳ＰＵＰＳ付近のエリアの公称光波面ＷＦ（製造の仕様や許容範囲に従う）からの、光波面ＷＦ’の波面収差Δ((訳注：半角です)Ｗで表される。本実施形態では、波面収差(ΔＷが、パターン１００の繰返し露光に起因し、熱定常状態に達し得るする場合もある。収差は、放射の波長のfraction何分の一かで表され、よって、波面ＷＦ´’と公称波面ＷＦとの位相差に対応する。投影レンズの瞳面において、位相差(ΔＷは、瞳座標（ｒ、，(θ）の、又はあるいは瞳座標（ｘｐ，、ｙｐ）の空間依存関数である。 
【００１８】
[0029]  なお、本発明の本実施形態では、例えば、シアリング干渉計収差測定システムを使用して、波面収差ΔＷを測定することができる。図４はそのような収差測定システムを概略的に示しており、収差測定システムは、放射を調整するために、レチクルのレベルにおいて、ビーム経路内に位置付け可能なソースモジュールＳＭを備える。ソースモジュールＳＭは、投影レンズ瞳ＰＵＰＳを均一に照射するように構成されている。ソースモジュールから放射された放射は投影システムＰＳを通過し、その後、ウェーハのレベルに設置された、又はリソグラフィ装置のウェーハテーブル内に配された、波面センサユニットＳＵに入射する。センサユニットＳＵは、放射強度測定用に、単一のディテクタ又は複数のディテクタからなるアレイを含んでいる。剪断された波面(sheared wave fronts)間の干渉によって、検出された強度値と波面収差値とが関連付けられる。センサユニットＳＵに対してソースモジュールＳＭを僅かに変位させながら、強度測定を連続して行うことにより、検出された放射強度が調節され、波面収差（瞳座標の関数として）の空間分布を表す測定データが得られる。その後、対応する収差値ΔＷ（ｒ、θ）が記憶媒体に保存される。記憶媒体は、波面収差を低減するためのレンズエレメントのアジャストメントの計算、及び、計算されたアジャストメントの適用に使用するように構成されている。シアリング干渉計測定システムの詳細は、米国特許出願第２００２／０００１０８８号から取得できる。
【００１９】
[0030]  波面収差ΔＷ（ｒ、θ）は、重み付けされた多項式Ｐｉ（ｒ、θ）の合計によって修正することができる。各多項式Ｐｉ（ｉ＝１、...Ｌ）の波面収差全体に対する寄与率は、係数Ｚｉによって重み付けされる。係数Ｚｉは、投影レンズの開口数ＮＡの関数、及び、基板表面におけるフィールド又はターゲット部分内のＸ’位置を示す座標ｘ’、ｙ’の関数であり、図４に示すように、レチクルのレベルでの座標ｘ、ｙを有する点Ｘに光共役する。したがって、波面収差ΔＷ（ｒ、θ）は次のように示される。
2008004937.tif 000003
【００２０】
[0031]  係数Ｚｉは収差係数と呼ばれる。多項式Ｐｉは、通常、円形エリアに直行するゼルニケ多項式となるように取得される。予め選択された整数Ｌは、近似(approximation)に、及びそれ故にその精度(accuracy)に使用される多項式の数を決定する。通常、近似方程式（１）は、ファースト３７ゼルニケ多項式(first 37 Zernike polynomials)を含んでいる。
【００２１】
[0032]  投影システムの特徴である収差係数Ｚｉは、例えばレンズ加熱により、時間ｔに依存し得る。時間依存収差係数の値Ｚｉ（ｘ、ｙ、；ＮＡ；ｔ) は、上述のシアリング干渉測定システムを使用して測定しても良く、あるいは、露光中の放射吸収による、係数Ｚｉに与える影響を予測するためのモデルに基づき推測してもよい。 
【００２２】
[0033]  従来、波面収差ΔＷの低減は、図３のレンズエレメント３００及び図３には示されないその他のレンズエレメント等、投影システムＰＳの光エレメントに１つ以上のアジャストメントを適用することを含む。本明細書及び請求項において、光エレメント又はレンズエレメントとは、使用中、ウェーハのレベルでのイメージ形成に貢献する放射が通過する投影レンズのエレメントのことを指している。そのようなエレメントは、例えば、レンズ、回折エレメント、液体層、ミラー、偏光エレメント、フィルタ、又は、その他あらゆる光ビーム整形デバイスである。投影レンズは、１つ以上のレンズ又はレンズ群を１つ以上の次元で移動させるか、又は、例えば、１つ以上のレンズ又はミラーを変形させるための、限定数のレンズマニピュレータＭｊ（ｊ＝１、...Ｊ）を備える。これらのレンズマニピュレータはコントローラに連結されており、このコントローラは、マニピュレータ設定Ｓｊ及び「アジャストメント」とも呼ばれる設定変更ΔＳｊを計算及び適用するように構成されている。設定Ｓｊ及び設定変更ΔＳｊの計算は、収差の測定に基づくか、あるいは、制御モデルに基づく必要とされるレンズ位置及び配向アジャストメントのフィードフォワード予測に基づくことができる。
【００２３】
[0034]  設定変更ΔＳｊは、「ｊ」と番号付けされたアジャストメントのＫ自由度に従う、一連のアジャストメント｛ΔＳｊ，ｋ｝（ｋ＝１、２…Ｋ）を要する多次元設定変更とできる。アジャストメントとは、例えば、図３及び図４の光軸３２に沿った変位、又は、ｘ軸及びｙ軸に沿った変位、あるいはこれらの変位の組合せ等の位置アジャストメントを含む。さらに又はあるいは、アジャストメントは、１つ以上の回転自由度におけるレンズエレメントの回転移動を含むことができる。その他の種類のアジャストメントは、投影システムの光エレメントの物理的特性（エレメントを通過する波面の位相に影響を与えるもの）を変更するように構成することができる。
【００２４】
[0035]  投影システムの実際のインシチュ（in-situ）波面収差は、設定Ｓｊの値に依存する。簡略化のため、公称設定Ｓｊの値がゼロであると仮定した場合、マニピュレータ設定の変更による収差係数の変化ΔＺｉは、第１近似において、次のように記述できる。
2008004937.tif 000004
同式中、係数Ｃａ；ｉ，ｊ，ｋは、アジャストメントΔＳｊ，ｋに対する収差の感応性を表す感応性係数である。
2008004937.tif 000005
【００２５】
[0036]  なお、感応性係数Ｃａ；ｉ，ｊ，ｋは、収差測定、及び、既知の一連のアジャストメントを適用後に、方程式（１）に従うモデルを測定された収差変化にフィッティングすることにより得られる。また、そのような感応性係数を得るためのプロセスの詳細については、米国特許出願第２００３／００７１９８６号から取得することができる。
【００２６】
[0037]  波面収差ΔＷを低減する従来の方法は、投影システムの瞳ＰＵＰＳの開放口全体をカバーする概念上のグリッドＰＧ内の点ｘＰＧ、ｙＰＧにおいて、収差ΔＷの二乗平均平方根（ＲＭＳ）値を最小化することを要し、上記概念上のグリッドＰＧ内の点ｘＰＧ、ｙＰＧは、マスクのレベルでの照明されたフィールドをカバーする概念上のグリッドＦＧ（図示されない）上の、予め選択された（マスクレベルでの）オブジェクト点のセットに関連している。図５は、投影システムの瞳ＰＵＰＳの開放口をカバーするグリッドＰＧのレイアウトを概略的に示している。収差ΔＷの対応するＲＭＳ値は、ＲＭＳ（ΔＷ、ＰＧ、ＦＧ）で示されている。 
【００２７】
[0038]  波面収差のアジャストメントに対する依存度は、方程式（１）のＺｉにＺｉ−ΔＺｉを代入し、
2008004937.tif 000006
さらに、ΔＺｉに方程式（２）を代入することで得られる。その後、測定された（又は他の方法により得られた）波面収差データ（例えば、ゼルニケ収差係数の値等）を使用して最小二乗フィッティングを適用することにより、必要とされるアジャストメントの値ΔＳｊ，ｋ（ＲＭＳ（ΔＷ、ＰＧ、ＦＧ）を最小化するもの）が求められる。
【００２８】
[0039]  図６は、ダイポール照明モード２００を使用してパターン１００をイメージングする本実施形態に、従来の波面収差低減を行った結果を示している。同図は、同等の収差の等高線をｎｍ単位で示し、また、それに対応するグレーの色調のイメージも示している。ダイポール照明モード２００を使用しているため、瞳ＰＵＰＳ近くに配された、レンズエレメント３００等の投影レンズエレメントの類似ダイポールエリアにおいて、レンズ加熱が生じる。その結果生じる波面収差は、限定数の使用可能なレンズマニピュレータを使用すれば、部分的には補正することができる。しかし、最適なレンズマニピュレータ設定を選択しても、残存サドル形波面収差分布が残ってしまう。図６に示すように、投影レンズの瞳ＰＵＰＳのｙ軸上では、残存波面収差が中心部（ｙｐ＝０）で正のピーク値に達するとともに、瞳の端部では負の位相エラー値（等高線値を放射の波長により規格化することで得られる）まで減少する一方、ｘ軸上では、波面収差値が中心部（ｘｐ＝０）で最小値になるとともに瞳の端部に向かって増加する。残りのサドル形波面エラーはさらに減少される。
【００２９】
[0040]  本発明によると、グリッドＰＧ上の空間強度分布Ｉ（ｘＰＧ、ｙＰＧ）を表すデータが保存され、局所強度が、各グリッド点ｘＰＧ、ｙＰＧの予め選択された閾値強度と比較される。強度データから最大強度Ｉｍａｘが特定され、例えば、半値強度(half maximum intensity)０．５Ｉｍａｘから最大強度の１０分の１に等しい強度、０．１Ｉｍａｘまでの範囲内で、閾値強度ＩＴが選択される。当該範囲は、本方法に使用するのに適切な範囲である。その後、強度Ｉ＞ＩＴであるグリッド点のみが保持され、波面収差ΔＷのＲＭＳ値の最小二乗フィッティング最小化に使用される。 
【００３０】
[0041]   図７において、Ｉ＞ＩＴとなるグリッド点の減少セットからなるグリッドがＲＰＧによって示され、点（ｘＲＰＧ、ｙＲＰＧ）によって概略的に示されている。エリア７１０及び７２０は、投影レンズ瞳ＰＵＰＳ内において、Ｉ＞ＩＴの強度関係が満たされているエリアである。パターン１００の軸外ダイポール照明２００が強度分布Ｉ（ｘｐ、ｙｐ）の形状に与える効果は、瞳開放口の端部に配されたダイポール状のエリア７１０の存在で確認することができ、一方、エリア７２０は、パターン１００の線１２０及び１３０といったセミデンスな独立構造がもたらす典型的な効果である。
【００３１】
[0042]  本発明の本実施形態では、波面収差ΔＷの低減は、グリッドＲＰＧのグリッド点（ＸＲＰＧ、ＹＲＰＧ）の限定セットに存在する波面収差ΔＷ（ｒ、θ）のＲＭＳ値を最小化することを要する。この限定セットは、投影システム瞳ＰＵＰＳの、図７におけるエリア７１０及び７２０のみをカバーする。さらに、ＲＭＳ値は、マスクのレベルでの照明フィールドをカバーする概念上のグリッドＦＧ上の予め選択されたオブジェクト点（マスクレベルにある）のセットに対する波面収差を含む。対応するＲＭＳ値を、以後ＲＭＳ(ΔＷ、ＲＰＧ、ＦＧ)で示す。
【００３２】
[0043]  図８は、グレーの色調の変化を通して、本発明に係る収差低減方法を適用する前の、瞳内の各エリア７１０及び７２０に対応する波面のエリア７１０’及び７２０’の空間依存波面収差ΔＷの存在を概略的に示している。波面収差は図６に示す収差に対応しており、上述した収差測定によって得ることができる。なお、波面収差のシアリング干渉測定は、ピクセル化したイメージディテクタ（例えば、ＣＣＤディテクタの長方形アレイ等）を使用して、投影レンズ瞳ＰＵＰＳのイメージ内の干渉フリンジのパターンをキャプチャすることに基づく。瞳の各エリア７１０及び７２０に対応する波面のエリア７１０’及び７２０’が容易に特定できるように、ディテクタの各ピクセルは、瞳ＰＵＰＳ内の対応する位置に対応付けされている。 
【００３３】
[0044]  次に、ＲＭＳ値ＲＭＳ（ΔＷ、ＲＰＧ、ＦＧ）の最小化は、グリッドＲＰＧのグリッド点（ｘＲＰＧ、ｙＲＰＧ）の減少セットに関連する測定された（又は他の方法により得られた）波面収差データのみを使用して、従来の最小二乗フィッティングアルゴリズムを適用することにより、実行される。測定された又は他の方法により得られた波面収差データは、ゼルニケ収差係数の値、ゼルニケ多項式以外の直交多項式を重み付けする係数の値、及び、点ｘＲＰＧ、ｙＲＰＧのΔＷの「直接の」値、つまり、多項式内の展開に基づくモデルを使用せずに得られた値、として提供され得る。最小二乗フィッティングアルゴリズムによって、ＲＭＳ（ΔＷ、ＲＰＧ、ＦＧ）を最小化する必要とされるアジャストメントΔＳｊ，ｋの値を求めることができる、多数の方程式が提供される。図９は、本実施形態の波面収差低減を行った結果を示している。選択された瞳エリア内において、グレーの色調の変化が実質的に存在しない。従って、波面のエリア７１０’及び７２０’におけるサドル形収差分布の貢献が低減され、これが実質的にウェーハのレベルでの局所的なイメージ形成に貢献する。この結果を得るためには、ゼルニケ収差係数Ｚ４、Ｚ９、Ｚ１６をさらに変更して、瞳ＰＵＰＳ（図６参照）の開放口全体に最適収差補正を得るために必要な値にすることが必要である。Ｚ９、Ｚ１６（球面収差）に関する高次収差は、使用可能なレンズマニピュレータ自由度をレンズエレメントアジャストメントのために使用することにより、容易に提供することができる。
【００３４】
[0045]  本発明の利点は、最小二乗フィッティングをグリッドＲＰＧのグリッド点のみに限定することにより、実質的に、最小二乗フィッティングアルゴリズム内で生じるマトリックスのサイズを小さくし、最小二乗フィッティングに必要な計算量及び算出時間を減らすことができる点である。このような実質的な低減により、実稼動環境において、レンズエレメント設定の比較的高速なインシチュ最適化が可能になる。波面収差低減を選択されたエリアに限定することの別の利点は、瞳全体に渡って補正不可能であった高次収差（図６参照）が、限定された瞳部分において補正されるとともに、実質的により良好な（低い）拡大レベルに低減することができる点である。上記二つ目の要因による、熱誘導された残存ＲＭＳ波面エラーの低減は、ダイポール照明モードを使用するリソグラフィプロセスで達成できる。レンズ瞳内において最高強度を有する部分のみ波面収差が低減される本方法は、ＣＤサイズのフィーチャ、又は、補正不可能な高次波面収差エラーが対応する潜在フィーチャイメージ又はプリントされたフィーチャの許容範囲を超えるエラー源であるフィーチャを含む、プロダクト構造によって、レチクルエリアの比較的大きな部分がパターン付けされる際に特に好都合である。 
【００３５】
[0046]  なお、本発明は、特に、スループットの向上（及び、それに伴う、露光に使用する放射のパワー増加)に対する要求に伴う、従来の解像度エンハンスメント技術に関する問題に対処する。ＣＤサイズのデンスフィーチャを含むパターンをイメージング及びプリントするのに使用される従来の解像度エンハンスメント技術は、通常、レチクルパターンを照明するための軸外マルチポール照明モードを使用することを含む。このような照明モードの特徴は、照明システムの瞳内に、複数の別個の明るい軸外エリアが形成される点である。通常、マルチポール軸外照明は、マスクパターンにおける放射の回折と共に、空間変調される投影レンズの瞳内の空間強度分布を生じさせ、それによって、比較的放射強度の大きい複数の別個のエリアが発生する。解像度エンハンスメント技術は、ＣＯＧパターンのイメージングに関係するだけでなく、パターン付き位相シフトマスクを軸上照明(on axis illumination)又はマルチポール軸外照明(multi-pole off-axis illumination)と組み合わせて使用することにも関係する。いずれの場合であっても、投影レンズ瞳内では強く変調された強度プロファイルが生じ、イメージング放射が通過する投影レンズエレメントにおいて同様の空間変調されたレンズ温度分布が、１回以上の露光中に生じる。 上記に詳述したように、そのような変調された温度分布は、許容範囲を超える光波収差エラーを引き起こす。その結果、レンズ瞳強度分布が、放射束による軸外の明るい「ポール」(“poles”)を含む非均一強度分布で特徴付けられる場合に、プリントされたパターンのエラーが許容範囲を超えてしまう。従って、本発明の本実施形態の方法によって、従来の高スループット、改良解像度のリソグラフィプロセスで生じるようなプリントパターンのエラーを良好に制御することができる。
【００３６】
[0047]  図１０は、本発明の実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
【００３７】
[0048]  放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又は、２４８ｎｍ又は１９３ｎｍの波長で作動するエキシマレーザによって生成されるＤＵＶ放射、又は、１３．６ｎｍで作動するレーザ発火プラズマ源によって提供されるＥＵＶ放射のビーム）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
【００３８】
[0049]  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結された、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、  
【００３９】
[0050]  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結された、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
【００４０】
[0051]  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００４１】
[0052]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せ等の様々な型の光コンポーネントを含み得る。
【００４２】
[0053]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、即ち、パターニングデバイスの重みを支えるものである。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、例えば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができる架台又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書で使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。
【００４３】
[0054]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを創出するべく放射ビームの断面にパターンを付ける際に使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００４４】
[0055]  パターニングデバイスは、透過型又は反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、Alternating位相シフト、及びAttenuated位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向へ反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００４５】
[0056]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用されている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光電システム、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書で使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えてよい。  
【００４６】
[0057]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述の型のプログラマブルミラーアレイ又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００４７】
[0058]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブルで実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００４８】
[0059]  
また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、例えば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができる型のものであってもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させる技術として当該分野においてよく知られている。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体中に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００４９】
[0060]  図１０を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別々の構成要素であってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀灯である場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要であれば、ビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムとも呼ぶことができる。
【００５０】
[0061]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００５１】
[0062]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１０には明示されない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後又はスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは、固定されていてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、けがき線アライメントマークとして公知である）。同様に、１つ以上のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイとの間に置かれてもよい。
【００５２】
[0063]  例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用できる。
【００５３】
[0064]  １．  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静的露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、その後、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一静的露光時にイメージングされるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００５４】
[0065]  ２．  スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決定される。
【００５５】
[0066]  ３．  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しながらマスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００５６】
[0067]  上述の使用モードの組合せ及び／又は変形物、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００５７】
[0068]  本発明に係るリソグラフィ装置は、図４に示すように、干渉波面収差測定を実行するように構成されたソースモジュールＳＭとセンサユニットＳＵとを備える。ソースモジュールＳＭは、パターンを支持するためのサポート構造の一部であってよい。あるいは、マスクがソースモジュールＳＭを備えるようにしてもよい。基板テーブルＷＴの基準点は、センサユニットＳＵの一部としてもよいし、あるいは、センサユニットＳＵを含むようにしてもよい。なお、本発明の方法は、リソグラフィ装置が収差測定システム又は干渉収差測定システムを含む実施形態に限定されることはない。また、波面収差に関する情報は、その他の既知の空間解像収差測定システム（ハルトマン検査に基づく、又は、マスクパターンに含まれる専用の検査構造のイメージ分析に基づくシステム等）により得ることもできる。別のシステムは必ずしも波面収差の干渉測定に基づくものでなくてもよく、また、リソグラフィ装置の一部でなくてもよい。収差データは、プロセスの実行とは別に、（従来のシミュレーションプログラムを使用して）測定又は予測されてもよく、本方法で使用するために記憶媒体に保存してもよい。
【００５８】
[0069]  本発明の第２実施形態によると、デバイス製造方法を実施するようにリソグラフィ装置を制御するためのプログラムコードを備えるコンピュータプログラムが提供され、当該デバイス製造方法は、波面収差ΔＷに関する情報を取得することと、波面収差ΔＷを低減するため、投影システムＰＳの少なくとも１つの光エレメントの少なくとも１つのアジャストメントΔＳｊ，ｋを計算することと、計算された少なくとも１つのアジャストメントを投影システムに適用することとを備える。また、上記計算することは、基板Ｗ上の放射感応性層を露光する間に生じる、投影レンズＰＳの瞳ＰＵＰＳ内の放射強度の空間分布Ｉ（ｘｐ、ｙｐ）に関する情報を取得することと、強度Ｉ（ｘｐ、ｙｐ）の分布の最大強度からゼロまでの範囲内で閾値強度ＩＴを選択することと、瞳内において、局所強度が閾値強度ＩＴよりも高くなるエリアを定義することと、瞳内の上記エリアに対応する波面内のエリアに、前記提言を限定することと、を含む。放射強度の空間分布Ｉ（ｘｐ、ｙｐ）に関する情報とは、例えば、複数の異なる位置ｘｐ、ｙｐにおける複数の強度値Ｉ（ｘｐ、ｙｐ）を表すデータから成るものである。
【００５９】
[0070]  リソグラフィ装置の制御は、リソグラフィ装置の投影システムを通過する光波の波面収差ΔＷを低減するために行われる。
【００６０】
[0071]  図１１に示すフローチャート１５０は、コンピュータプログラムの制御の下に実行されるステップを詳細に示している。
【００６１】
[0072]  まず、プロダクト構造１００が選択される（ステップ１５１）。選択されたプロダクト構造は、図１に示すようなＩＣ層パターンの一部とすることができる。あるいは、プロダクト構造は、ダイの実物大サイズの完全なパターン、又は、ステップアンドスキャン装置内でのマスクパターンのスキャン中に照明されるパターンの一部であってよい。あるいは、選択されたプロダクト構造は、二重パターニングリソグラフィプロセスが実行されるＩＣ層パターンの構成要素とすることもでき、上記プロセス内の一方又は両方のイメージングステップにおいて本発明の方法が適用される。 
【００６２】
[0073]  次に、露光条件が特定及び選択される（ステップ１５２）。ダイ内で実現される、実際の層パターンの実際のリソグラフィ露光及びプリントに対する露光条件は、好適な照明モードを含む。使用される照明モードとは、マスクパターンの詳細にもよるが、例えば、マルチポール照明モード（ダイポール及び四極ポールモード）、ソフトマルチポールモード、又は、従来の軸上照明モードと軸外マルチポール照明又は輪帯照明との組合せである。 
【００６３】
[0074]   ステップ１５４では、パターンフィーチャのジオメトリ特徴及び物理的特徴を示す照明モード特徴及びマスクパターンデータ（プロダクト構造に関するデータ１５３を含む）に基づき、従来の方法を使用して、強度分布Ｉ（ｘｐ、ｙｐ）が計算される。あるいは、レンズ瞳測定システムを使用して、強度プロファイルＩ（ｘｐ、ｙｐ）を表すデータを取得してもよい。
【００６４】
[0075]  第１実施形態に記載したように、次のステップ１５５では、瞳内において、瞳を通過する放射束が最も高くなるエリアを特定及び選択するために、強度プロファイルに閾値を設定する。それらのエリアにおける収差補正は、投影システム光エレメントの局所的熱変形の原因となる放射吸収の効果を軽減するために最も効果的である。 
【００６５】
[0076]  収差測定を通して、又は、従来の光波伝播分析プログラム(optical wave propagation analysis program)を使用するシミュレーションを通して得られた波面収差データ１５６が記憶媒体から検索され、ステップ１５５で定義された瞳内のエリアに関する波面収差データは、この後行われる、必要とされる投影システム光エレメントアジャストメントの計算のために保持される。
【００６６】
[0077]  その後、ステップ１５５で決定した瞳エリア内の波面収差の二乗平均平方根値を最小化する最小二乗フィッティングの結果、計算されたアジャストメントが求められる（ステップ１５７）。 
【００６７】
[0078]  最後に、投影システムの各光エレメントにアジャストメントが適用される。
【００６８】
[0079]  本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドの製造といった他の用途を有することが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語がすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であると考えればよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又は、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板処理ツール及びその他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、基板は、例えば、積層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。  
【００６９】
[0080]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、本発明は、他の用途に使用してもよい。  
【００７０】
[0081]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、約３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長を有する）、及び極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００７１】
[0082]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのどれか１つ又は組合せを指すことができる。
【００７２】
[0083]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実行することも可能である。
【００７３】
[0084]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】[0012]  デバイスパターンの一部を示す。
【図２】[0013]  図１に示すパターンを照明するためのダイポール照明モードを示す。
【図３】[0014]  投影システムの瞳内の空間強度分布、及び、これに対応する、放射によって加熱されるレンズエレメント内のエリアを示す。
【図４】[0015]  ソースモジュール、収差測定システムのセンサユニット、及び、投影システムの瞳付近における波面収差を示す。
【図５】[0016]  波面収差が最小化される投影レンズ瞳内の従来のグリッド点を示す。
【図６】[0017]  従来の収差低減方法で得られる典型的な結果として、投影システムの瞳付近の残存波面収差の等高線をｎｍ単位で示し、また、それに対応するグレーの色調のイメージを示す。
【図７】[0018]  本発明に従って波面収差が最小化される、投影レンズ瞳内のエリア及びグリッド点を示す。
【図８】[0019]  図６の等高線及び図７のエリアに対応するグレーの色調のイメージを示す。
【図９】[0020]  図７の瞳エリアに対して本発明の収差低減を行った結果として生じる残存収差を表すグレーの色調のイメージを示す。
【図１０】[0021]  本発明に係るデバイスの製造方法を説明するフローチャートである。
【図１１】[0022]  本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示している。
【図１】
2008004937.tif 000007
【図２】
2008004937.tif 000008
【図３】
2008004937.tif 000009
【図４】
2008004937.tif 000010
【図５】
2008004937.tif 000011
【図７】
2008004937.tif 000012
【図１０】
2008004937.tif 000013
【図１１】
2008004937.tif 000014
【図６】
2008004937.tif 000015
【図８】
2008004937.tif 000016
【図９】
2008004937.tif 000017
【外国語明細書】
2008004937000001.pdf