(57)【要約】【課題】挿入損失及び消費電力を抑えることができ、さらに、大型化を防止することができる電力増幅器を提供する。【解決手段】電力増幅器１において、入力信号を複数の信号に分けて出力する電力分配器２と、電力分配器２に個別に接続され、電力分配器２から出力された複数の信号の各々の位相をそれぞれ変えて、位相を変えた複数の信号をそれぞれ出力する複数の移相器３と、複数の移相器３に個別に接続された単位増幅器４と、複数の単位増幅器４に接続された電力合成器５と、複数の移相器３に接続された電位供給器６とを備え、複数の移相器３は、電力分配器２から出力された信号が流れる信号線と、その信号線に対して信号線が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチとをそれぞれ具備しており、電位供給器６は、複数の移相器３に対して複数のマイクロマシンスイッチに与える電位をそれぞれ供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を複数の信号に分けて出力する電力分配器と、
前記電力分配器に個別に接続され、前記電力分配器から出力された前記複数の信号の各々の位相をそれぞれ変えて、位相を変えた前記複数の信号をそれぞれ出力する複数の移相器と、
前記複数の移相器に個別に接続され、前記複数の移相器から出力された複数の信号をそれぞれ増幅して出力する複数の単位増幅器と、
前記複数の単位増幅器に接続され、前記複数の単位増幅器から出力された複数の信号を合成して出力する電力合成器と、
前記複数の移相器に接続され、前記複数の移相器に電位を供給する電位供給器と、
を備え、
前記複数の移相器は、前記電力分配器から出力された前記信号が流れる信号線と、前記信号線に対して前記信号線が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチとをそれぞれ具備しており、
前記電位供給器は、前記複数の移相器に対して前記複数のマイクロマシンスイッチに与える電位をそれぞれ供給することを特徴とする電力増幅器。
【請求項２】
前記複数のマイクロマシンスイッチは、
前記信号線上に設けられた誘電体と、
前記誘電体から離間させて前記誘電体上に設けられ、電圧印加により前記誘電体に接触する方向に変形可能に形成された可動片と、
をそれぞれ有していることを特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号を増幅する電力増幅器に関し、特に、高周波信号を増幅する電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力増幅器は、衛星通信用の機器として航空機、船舶及び自動車等に搭載されるアンテナ装置等の様々な電子機器に用いられている。この電力増幅器は、入力信号を分配して出力する電力分配器と、その電力分配器に個別に接続された複数の移相器と、それらの移相器に個別に接続された複数の単位増幅器（増幅素子）と、それらの単位増幅器に接続された電力合成器と、各移相器に接続された制御器とを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような電力増幅器は、電力分配器により入力信号を複数の信号に分配し、分配した複数の信号を移相器及び単位増幅器により所定の位相及び振幅にそれぞれ変更し、その後、電力合成器により合成して出力信号として出力する。このとき、各単位増幅器の個体差や製造精度等のため、それらの単位増幅器をそれぞれ通過する各信号の位相量が異なると、電力合成器によりそれらの信号を合成する際に損失が生じる。このため、その損失が最小となるように各移相器の各々の位相量が調整されている。
【０００４】
通常、位相器は、長さが異なる複数の信号線路及びそれらの接続を制御する複数の切替スイッチ等を備えている。この移相器は、制御器による切替スイッチのオン／オフに応じて信号線路の全長を変え、信号線路を通過する信号の位相を変える。このような移相器としては、線路切替型の移相器、ローデッドライン（Loaded Line）型の移相器及びハイブリッドカップルド（Hybrid Coupled）型の移相器等が挙げられる。
【特許文献１】特開２００１−１９６８７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述の移相器では、信号線路を通過する信号の位相量を変えるため、長さが異なる信号線路を複数設ける必要があるので、信号線路の数が増加し、それに応じて切替スイッチの数も増加してしまう。このため、挿入損失及び消費電力が増大し、さらに、電力増幅器も大型化してしまう。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、挿入損失及び消費電力を抑えることができ、さらに、大型化を防止することができる電力増幅器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施の形態に係る特徴は、電力増幅器において、入力信号を複数の信号に分けて出力する電力分配器と、電力分配器に個別に接続され、電力分配器から出力された複数の信号の各々の位相をそれぞれ変えて、位相を変えた複数の信号をそれぞれ出力する複数の移相器と、複数の移相器に個別に接続され、複数の移相器から出力された複数の信号をそれぞれ増幅して出力する複数の単位増幅器と、複数の単位増幅器に接続され、複数の単位増幅器から出力された複数の信号を合成して出力する電力合成器と、複数の移相器に接続され、複数の移相器に電位を供給する電位供給器とを備え、複数の移相器は、電力分配器から出力された信号が流れる信号線と、信号線に対して信号線が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチとをそれぞれ具備しており、電位供給器は、複数の移相器に対して複数のマイクロマシンスイッチに与える電位をそれぞれ供給することである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、挿入損失及び消費電力を抑えることができ、さらに、大型化を防止することができる電力増幅器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１０】
図１に示すように、本発明の実施の形態に係る電力増幅器１は、入力信号を分配して出力する電力分配器２と、その電力分配器２に個別に接続された複数（例えば２個）の移相器３と、それらの移相器に個別に接続された複数（例えば２個）の単位増幅器４と、それらの単位増幅器４に接続された電力合成器５と、各移相器３に接続された電位供給器６とを備えている。なお、１つの移相器３及び１つの単位増幅器４により増幅ユニットＺ１、Ｚ２が構成されている。
【００１１】
電力分配器２は、信号が入力される１つの入力端子２ａ及び信号が出力される複数（例えば２個）の出力端子２ｂを具備している。この電力分配器２の入力端子２ａは電力増幅器１の入力端子１ａに接続されている。このような電力分配器２は、電力増幅器１の入力端子１ａから入力された入力信号、すなわち入力端子２ａに入力された信号を各出力端子２ｂに分配し、複数の信号として出力する。
【００１２】
各移相器３は、信号が入力される１つの入力端子３ａ及び信号が出力される１つの出力端子３ｂをそれぞれ具備している。これらの移相器３の各々の入力端子３ａは、電力分配器２の各出力端子２ｂにそれぞれ接続されている。このような各移相器３は、電力分配器２から出力された複数の信号の位相をそれぞれ変え、位相を変えた各信号を各出力端子３ｂから出力する。なお、各移相器３の各々の位相量は、電位供給器６から供給される電位により決定される。
【００１３】
各単位増幅器４は、信号が入力される１つの入力端子４ａ及び信号が出力される１つの出力端子４ｂをそれぞれ具備している。これらの単位増幅器４の各々の入力端子４ａは、各移相器３の各々の出力端子３ｂにそれぞれ接続されている。このような各単位増幅器４は、各移相器３から出力された複数の信号をそれぞれ増幅して各出力端子４ｂから出力する。
【００１４】
電力合成器５は、信号が入力される複数（例えば２個）の入力端子５ａ及び信号が出力される１つの出力端子５ｂを具備している。この電力合成器５の各入力端子５ａは各単位増幅器４の各々の出力端子４ｂにそれぞれ接続されている。また、電力合成器５の出力端子５ｂは電力増幅器１の出力端子１ｂに接続されている。このような電力合成器５は、各単位増幅器４から出力された複数の信号を合成して出力信号として出力端子５ｂ、すなわち電力増幅器１の出力端子１ｂから出力する。
【００１５】
電位供給器６は、各移相器３に電位を供給する機器である。すなわち、電位供給器６は、各移相器３をそれぞれ通過する各信号の各々の位相量の差が小さくなるように各移相器に所定の電位をそれぞれ供給する。これにより、各移相器の各々の位相量が設定される。
【００１６】
次いで、移相器３について詳しく説明する。
【００１７】
図２に示すように、移相器３は、実装用の基板１１と、その基板１１上に設けられ高周波信号等の信号が流れる信号線１２と、その信号線１２が伸びる方向に垂直な方向から信号線１２を挟持するように基板１１上に設けられた一対の接地導体１３、１４と、基板１１上の信号線１２に対して信号線１２が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチ１５とを備えている。
【００１８】
基板１１は、絶縁性を有する基板、例えば、ガラス基板や高抵抗を有するシリコン基板、半絶縁性ＧａＡｓ基板等により形成されている。なお、シリコン基板やＧａＡｓ基板の表面には、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜（図示せず）が設けられる。
【００１９】
信号線１２は、高周波信号等の信号の信号線路（伝送線路）であり、基板１１の一辺（図２中の左辺）から対向する他の一辺（図２中の右辺）に渡って配設されている。なお、信号線１２は、例えばＴｉ／Ａｕ膜等により形成されている。この信号線１２の左端（図２中）は入力端子３ａに接続されており、信号線１２の右端（図２中）は出力端子３ｂに接続されている。
【００２０】
一対の接地導体１３、１４は、信号線１２の延伸方向に垂直な方向の両側にそれぞれ位置付けられ、信号線１２から所定距離だけ離間させて基板１１上の領域に設けられている。これらの接地導体１３、１４が信号線１２と共にコプレーナ伝送線路を構成する。また、複数のＤＣカットキャパシタ１６は、一対の接地導体１３、１４における信号線１２の延伸方向の両側にそれぞれ配置されている。ここで、一対の接地導体１３、１４と信号線１２との間の各離間距離を変化させることにより、コプレーナ伝送線路としてのインピーダンスを調整することができる。なお、一対の接地導体１３、１４は例えばＴｉ／Ａｕ膜等により形成されている。
【００２１】
各マイクロマシンスイッチ１５は、図３及び図４に示すように、信号線１２上に設けられた誘電体１５ａと、その誘電体１５ａに対向して接離する方向に移動可能に形成された可動片１５ｂとをそれぞれ有している。これらのマイクロマシンスイッチ１５は、信号線１２を通過する信号の位相を調整するためのスイッチであり、信号線１２上にその延伸方向に沿って所定の間隔（ピッチ間隔）ｓで並べて設けられている。ここで、信号の周波数が高い周波数帯である場合には、損失が小さいマイクロマシンスイッチ１５を用いることが好適である。なお、このように信号線１２上に所定の間隔で複数のマイクロマシンスイッチ１５を配置した移相器３は、分布型移相器と呼ばれる。この分布型移相器に用いられるマイクロマシンスイッチとしては、構造がシンプルであることや製作の容易さ等の面から、静電容量型のマイクロマシンスイッチ１５を用いることが好適である。
【００２２】
誘電体１５ａは、信号線１２上に薄膜状に設けられ、可動片１５ｂに対向する。この誘電体１５ａは、例えば、シリコン酸化（ＳｉＯ２）膜又はシリコン窒化（Ｓｉ３Ｎ４）膜の単層膜、もしくはそれらを積層した複合膜等により形成されている。なお、本実施の形態においては、誘電率が高く、製造上安定して誘電体１５ａを形成することができるシリコン窒化膜を用いる。
【００２３】
可動片１５ｂは、誘電体１５ａから離間させてその誘電体１５ａ上に設けられており、電圧印加により誘電体１５ａに接触する方向に変形可能に形成されている。この可動片１５ｂは、可撓性を有する板状に形成されており、両持梁構造により一対の接地導体１３、１４に固定されている。詳述すると、可動片１５ｂの一端が接地導体１３に固定され、可動片１５ｂの他端が接地導体１４に固定されている。これにより、可動片１５ｂは、一対の接地導体１３、１４に電気的に接続されている。加えて、可動片１５ｂは、誘電体１５ａから数μｍのギャップ（間隔）ｇだけ離間させて配設されている。この可動片１５ｂは、可塑性を有し電気伝導性に優れた金属、例えばＴｉ／Ａｕ膜やＴｉ／Ａｕ／Ｔｉ膜等により形成されている。
【００２４】
このような可動片１５ｂは、電圧印加（供給電圧の印加）により誘電体１５ａに接触する方向に変形する。このとき、誘電体１５ａと可動片１５ｂとのギャップｇは供給電圧の大きさに応じて可変する。可動片１５ｂは、信号線１２との間に電圧が印加された場合、信号線１２側に撓んで変形し、信号線１２上の誘電体１５ａに向かって移動し、電圧印加が停止された場合、復元力により信号線１２上の誘電体１５ａから離反する方向に向かって変形し、元の位置に戻る。なお、電圧印加時には、供給電圧が電位供給器６により供給され、誘電体１５ａと可動片１５ｂとのギャップｇが設定される。
【００２５】
ここで、前述の移相器３において、１つのマイクロマシンスイッチ１５を１単位とした場合、図５に示すような等価回路が求められる。マイクロマシンスイッチ１５の容量Ｃｂは、Ｃｂ＝ε０Ｗｗ／（ｇ＋ｔｄ／εｒ）である。なお、ε０は真空の誘電率であり、εｒは誘電体１５ａの比誘電率であり、ｔｄは誘電体１５ａの厚さであり、ｇは誘電体１５ａと可動片１５ｂとのギャップであり、Ｗは信号線１２の幅であり、ｗは可動片１５ｂの幅（信号線１２が伸びる方向の幅）である。
【００２６】
また、供給電圧が０Ｖである場合のインピーダンスは、ＺＡ＝√ｓＬ／（ｓＣ＋Ｃｂ０）であり、供給電圧がＸＶである場合のインピーダンスは、ＺＢ＝√ｓＬ／（ｓＣ＋ＣｂＸ）である。ここで、ｓは各可動片１５ｂのピッチ間隔であり、Ｌはインダクタンスであり、Ｃｂ０は供給電圧が０Ｖである場合のマイクロマシンスイッチ１５の容量であり、ＣｂＸは供給電圧がＸＶである場合のマイクロマシンスイッチ１５の容量である。すなわち、供給電圧が変わると、ギャップｇが変化するので、マイクロマシンスイッチ１５の容量Ｃｂも変化する。
【００２７】
加えて、マイクロマシンスイッチ１５部位の位相変化量は、Δφ［ｒａｄ．／ｍ］＝ｓωＺ０ｆ√εｅｆｆ／ｃ（１／ＺＡ−１／ＺＢ）である。ここで、ｓは各可動片１５ｂのピッチ間隔であり、ωは２πｆであり、ｆは所望の周波数であり、Ｚ０ｆはコプレーナ伝送線路の特性インピーダンスであり、εｅｆｆは基板１１の実効誘電率であり、ｃは真空での伝送速度である。なお、可動片１５ｂ、すなわちマイクロマシンスイッチ１５のピッチ間隔ｓは、移相器３のインピーダンスＺＡ、ＺＢ及び位相変化量Δφを決定するパラメータの一つである。
【００２８】
図６に、マイクロマシンスイッチ１５の容量Ｃｂの供給電圧に対する変化の一例を示す。図６に示すように、容量（キャパシタンス）Ｃｂは、供給電圧が０Ｖから約６０Ｖ、すなわちギャップｇがＬからＬ／３になるまで指数関数のように単調増加し、供給電圧が約６０Ｖで約３５ｆＦになる。その後、供給電圧が約６０Ｖを超えると、ギャップｇが０になり（誘電体１５ａと可動片１５ｂとが接触した状態）、容量（キャパシタンス）Ｃｂは約５００ｆＦになる。ここで、供給電圧が０Ｖ〜約１２Ｖである場合のギャップｇはＬ（μｍ）であり、供給電圧が約６０Ｖである場合のギャップｇはＬ／３（μｍ）である。なお、ギャップｇがＬである場合には、可動片１５ｂが初期位置にある状態（例えば、図４に示す状態）である。このようにマイクロマシンスイッチ１５の容量Ｃｂが供給電圧に応じて変化するので、その供給電圧を変えることによって、信号線１２を流れる信号の位相量を変えることができる。
【００２９】
また、図７に示すように、移相器３の位相変化量は供給電圧に応じて変化する。なお、入力信号の周波数がｆ１である場合の供給電圧と位相変化量との関係は曲線Ａ１であり、入力信号の周波数がｆ２である場合の供給電圧と位相変化量との関係は曲線Ａ２であり、入力信号の周波数がｆ３である場合の供給電圧と位相変化量との関係は曲線Ａ３である。ここで、ｆ１＜ｆ２＜ｆ３の関係が成り立っている。図７に示すように、位相変化量は、供給電圧が増加すると単調増加する。また、位相変化量は、入力信号の周波数が高くなると増加する。
【００３０】
例えば、入力信号の周波数がｆ２であり、移相器３の位相変化量を−２０°に設定する必要がある場合には、供給電圧は３５Ｖに設定される。また、入力信号の周波数がｆ２であり、移相器３の位相変化量を−４０°に設定する必要がある場合には、供給電圧は５５Ｖに設定される。このとき、各移相器３の各々の位相量の差が小さくなるように各移相器３の位相変化量を設定する必要があり、供給電圧は移相器３毎に決定される。これらの供給電圧（電位）が電位供給器６により各移相器３にそれぞれ供給される。
【００３１】
次に、前述の電力増幅器１の動作、特に移相器３の動作について説明する。
【００３２】
電力増幅器１の入力端子１ａに入力された入力信号は電力分配器２の入力端子２ａから電力分配器２に入力される。その入力信号は電力分配器２により各出力端子２ｂに分配され、複数の信号として各出力端子２ｂから出力される。出力された各信号は、それぞれ対応する各移相器３の各々の入力端子３ａから各移相器３に入力される。移相器３に入力された信号は移相器３により位相が変えられ、出力端子３ｂから出力される。このとき、各信号の位相量の差が小さくなるように各移相器３の各々の位相量が設定されている。
【００３３】
その後、各移相器３の各々の出力端子３ｂからそれぞれ出力された複数の信号は、それぞれ対応する各単位増幅器４の各々の入力端子４ａから各単位増幅器４に入力される。それらの信号は各単位増幅器４によりそれぞれ増幅され、各出力端子４ｂから出力される。出力された複数の信号は電力合成器５の各入力端子５ａに入力される。それらの信号は電力合成器５により合成され、出力端子５ｂ、すなわち電力増幅器１の出力端子１ｂから出力信号として出力される。
【００３４】
このとき、各移相器３には、それぞれ所定の電位が電位供給器６により供給される。移相器３は、電位供給器６から供給された電位に応じて各マイクロマシンスイッチ１５の容量を決定し、信号線１２を通過する信号の位相量を設定する。詳述すると、移相器３の各マイクロマシンスイッチ１５は、その可動片１５ｂと信号線１２との間に供給電圧が印加されると、可動片１５ｂと誘電体１５ａとが離間している初期状態（ギャップｇがＬである状態）から、可動片１５ｂが変形して誘電体１５ａ側、すなわち信号線１２側に撓んで変形する。これに応じて、誘電体１５ａと可動片１５ｂとのギャップｇが変化して所定のギャップ値となり、移相器３の位相量が所定値となる。これにより、信号線１２を通過する信号の位相は所定の位相量だけ変化される。このとき、各信号の各々の位相量の差が小さくなるように所定の供給電圧が各移相器３にそれぞれ供給されるので、異なる信号経路を通過した信号を合成する際に生じる損失を最小にすることができる。
【００３５】
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る電力増幅器１によれば、複数の移相器３として、電力分配器２から出力された信号が流れる信号線１２及びその信号線１２に対して信号線１２が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチ１５を有する移相器３を設け、それらの移相器３に対して各マイクロマシンスイッチ１５に与える電位をそれぞれ供給することによって、従来のように信号の位相量を変えるために長さが異なる信号線路を複数設ける必要がなくなり、信号線路の数の増加及びそれに応じた切替スイッチの数の増加を防止することが可能になる。これにより、挿入損失及び消費電力を抑えることができ、さらに、大型化を防止することができる。
【００３６】
また、各マイクロマシンスイッチ１５は、信号線１２上に設けられた誘電体１５ａと、その誘電体１５ａから離間させて誘電体１５ａ上に設けられ、電圧印加により誘電体１５ａに接触する方向に変形可能に形成された可動片１５ｂとをそれぞれ有していることから、信号線１２上に誘電体１５ａを介して可動片１５ｂを設けるという簡単な構造により、マイクロマシンスイッチ１５を構築することができる。
【００３７】
次に、移相器３の製造方法、特にマイクロマシンスイッチ１５の製造方法について図８乃至図１５を参照して説明する。
【００３８】
最初に、基板１１を準備する。基板１１は、絶縁性基板又は半導体基板により形成されている。この基板１１としては、例えば、ガラス基板やサファイア基板、シリコン酸化膜を有するシリコン基板等を用いる。
【００３９】
図８に示すように、基板１１上の全面に導電層２１を形成する。ここでは、導電層２１は、例えばＴｉ／Ａｕ膜により形成される。続いて、図８に示すように、導電層２１上にパターニング用のフォトレジスト膜２２を形成する。このフォトレジスト膜２２は、信号線１２及び一対の接地導体１３、１４の形状をパターンニングするマスクとして使用される。
【００４０】
次いで、フォトレジスト膜２２を使用して導電層２１にエッチングを行い、その後、フォトレジスト膜２２を除去し、図９に示すように、導電層２１から基板１１上に信号線１２及び一対の接地導体１３、１４を形成する。
【００４１】
次に、図１０に示すように、基板１１上の全面に、信号線１２及び一対の接地導体１３、１４を覆う誘電層２３を形成する。この誘電層２３としては、例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）を用いる。続いて、図１０に示すように、誘電層２３上にパターンニング用のフォトレジスト膜２４を形成する。このフォトレジスト膜２４は、信号線１２上に誘電層２３を残存させるため、信号線１２上に設けられる。
【００４２】
次いで、フォトレジスト膜２４を使用して誘電層２３をエッチングし、その後、フォトレジスト膜２４を除去し、図１１に示すように、誘電層２３から信号線１２上に誘電体１５ａを形成する。
【００４３】
次に、図１２に示すように、基板１１上の全面に、可動片１５ｂを複数個形成するための犠牲層２５を形成する。この犠牲層２５としては、例えばフォトレジスト膜を用いる。犠牲層２５には、各可動片１５ｂと一対の接地導体１３、１４との接続部分を形成するための複数の開口部Ｋ１、Ｋ２が設けられている。なお、各開口部Ｋ１は接地導体１３に沿って一直線上に設けられており、各開口部Ｋ２も接地導体１４に沿って一直線上に設けられている。
【００４４】
次いで、図１３に示すように、犠牲層２５上に金属層２６を形成し、その金属層２６上にパターンニング用のフォトレジスト膜２７を形成する。このフォトレジスト膜２７は可動片１５ｂをパターンニングするマスクとして使用される。
【００４５】
次に、フォトレジスト膜２７を使用して金属層２６をエッチングし、その後、フォトレジスト膜２７を除去し、図１４に示すように、金属層２６から複数の可動片１５ｂを形成する。最後に、図１５に示すように、犠牲層２５を除去する。これにより、図３及び図４に示すようなマイクロマシンスイッチ１５を複数個有する移相器３が完成する（図２参照）。
【００４６】
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る製造方法によれば、特別な製造方法を用いることなく、既存の半導体製造プロセスを使用して簡易に複数のマイクロマシンスイッチ１５を有する移相器３を製造することができる。
【００４７】
（他の実施の形態）
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【００４８】
例えば、前述の実施の形態においては、可動片１５ｂの両端を一対の接地導体１３、１４に固定し、可動片１５ｂを両持梁構造により基板１１上に設けているが、これに限るものではなく、例えば、可動片１５ｂの一端だけを一対の接地導体１３、１４のどちらか一方に固定し、可動片１５ｂを片持梁構造により基板１１上に設けるようにしてもよい。
【００４９】
また、前述の実施の形態においては、電位供給器６により各移相器３に所定の電位（所定の供給電圧）をそれぞれ供給するようにしているが、これに限るものではなく、例えば、電位供給器６により各移相器３に、入力信号の周波数に応じて与える電位をそれぞれ変えて供給するようにしてもよい。この場合には、電位供給器６は入力信号の周波数を示す周波数情報に基づいて電位を変更する。
【００５０】
最後に、前述の実施の形態においては、各種の数値を挙げているが、それらの数値は例示であり、限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の一形態に係る電力増幅器の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す電力増幅器が備える移相器の概略構成を示す平面図である。
【図３】図２に示す移相器が備えるマイクロマシンスイッチの概略構成を示す平面図である。
【図４】図２のＦ１−Ｆ１線断面図である。
【図５】図３及び図４に示すマイクロマシンスイッチの等価回路を示す回路図である。
【図６】供給電圧とマイクロマシンスイッチの容量（キャパシタンス）との関係を説明するための説明図である。
【図７】供給電圧と移相器の位相変化量との関係を説明するための説明図である。
【図８】図３及び図４に示すマイクロマシンスイッチの製造方法を説明するための第１の工程断面図である。
【図９】第２の工程断面図である。
【図１０】第３の工程断面図である。
【図１１】第４の工程断面図である。
【図１２】第５の工程断面図である。
【図１３】第６の工程断面図である。
【図１４】第７の工程断面図である。
【図１５】第８の工程断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…電力増幅器、２…電力分配器、３…移相器、４…単位増幅器、５…電力合成器、６…電位供給器、１２…信号線、１５…マイクロマシンスイッチ、１５ａ…誘電体、１５ｂ…可動片
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008283473.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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