(57)【要約】【課題】発光素子の温度上昇を一層抑制し、これにより発光素子の光出力をより安定させる。【解決手段】発光装置は、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと、それらを駆動する駆動回路が搭載された駆動回路基板３０とを有する。駆動回路基板３０は、バンプ５１，５２によりＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂに電気的に接続される。熱伝導部５３が、バンプ５１，５２とは別に、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと駆動回路基板３０との間に設けられる。熱伝導部５３は、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと駆動回路との間を電気的に接続することなく、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂからの熱を駆動回路基板３０側へ伝導させる。駆動回路基板３０の貫通孔３０ａ内に埋め込まれた熱伝導部材５４が、金属層５５を介して熱伝導部５３と熱的に結合される。【選択図】図６
2008066454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子を駆動する駆動回路が搭載され、バンプにより前記発光素子と電気的に接続された駆動回路基板と、
前記バンプとは別に前記発光素子と前記駆動回路基板との間に設けられ、前記発光素子と前記駆動回路との間を電気的に接続することなく前記発光素子からの熱を前記駆動回路基板側へ伝導させる熱伝導部と、
を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
貫通孔が、前記駆動回路基板の前記発光素子側の面からその反対側の面に貫通するように、前記駆動回路基板に形成され、
前記熱伝導部に熱的に結合された熱伝導部材が、前記貫通孔を埋め込むように設けられたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
（
前記熱伝導部材の前記発光素子とは反対側の面が外部に露出したことを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記駆動回路基板の前記前記発光素子とは反対側の面には、前記熱伝導部材と熱的に結合された放熱部又は冷却部が配置されたことを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【請求項５】
前記駆動回路基板の前記発光素子側の面には、前記熱伝導部と熱的に結合された金属膜が形成され、
前記金属膜は、前記発光素子と重なる領域から前記発光素子と重ならない領域に延在するように形成され、
前記金属膜の前記発光素子と重ならない部分の面積は、前記金属膜の前記発光素子と重なる部分の面積よりも広いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子を複数備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の発光色は、他の少なくとも１つの発光素子の発光色と異なることを特徴とする請求項６記載の発光装置。
【請求項８】
前記駆動回路は、映像信号又はその他の表示制御信号に基づいて前記発光素子を駆動し、
当該発光装置が表示装置を構成することを特徴とする請求項６又は７記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤなどの発光素子を有する発光装置に関するものであり、例えば、表示装置や照明装置などとして用いることができるものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、所定の回路を搭載したシリコン基板上に発光素子のチップを実装したハイブリッド集積回路が、提案されている（例えば、下記特許文献１）。
【０００３】
また、ＬＥＤなどの発光素子は周知である。ＬＥＤは、消費電力が小さく、赤、緑、青の三原色の波長帯を発光させることができ、これらの単色光を合わせて白色も発光させることが可能であり、近年注目されている。
【０００４】
そして、ＬＥＤなどの発光素子では、温度が上昇すると、光出力が安定しない（すなわち、光出力が低下してしまうとともに、波長特性が変化して色合いが変化してしまう）ことが、知られている。
【特許文献１】特開平６−２９１２９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のハイブリッド集積回路に準じて、発光素子を駆動する駆動回路を搭載した駆動回路基板上にＬＥＤ等の発光素子を実装した発光装置を提供することが、考えられる。この発光装置は、表示装置や照明装置などとして構成することができる。前記発光装置を表示装置として構成する場合には、前記発光素子を２次元状に複数配置し、前記駆動回路を、映像信号又はその他の表示制御信号に基づいて前記発光素子を駆動するように構成すればよい。
【０００６】
このような発光装置では、いわゆるフリップチップ構造を採用し、バンプによって前記発光素子と前記駆動回路基板との間を接続することが考えられる。この場合、発光素子の熱をバンプによって駆動回路基板に伝えやすいため、発光素子の温度上昇を抑制することができて、発光素子の光出力を安定させることができる。
【０００７】
しかしながら、バンプによるだけでは、発光素子の温度上昇を十分に抑制することは困難であり、必ずしも十分に発光素子の光出力を安定させることはできなかった。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、発光素子の温度上昇を一層抑制することができ、これにより発光素子の光出力をより安定させることができる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明の第１の態様による発光装置は、発光素子と、前記発光素子を駆動する駆動回路が搭載され、バンプにより前記発光素子と電気的に接続された駆動回路基板と、前記バンプとは別に前記発光素子と前記駆動回路基板との間に設けられ、前記発光素子と前記駆動回路との間を電気的に接続することなく前記発光素子からの熱を前記駆動回路基板側へ伝導させる熱伝導部と、を備えたものである。
【００１０】
本発明の第２の態様による発光装置は、前記第１の態様において、貫通孔が、前記駆動回路基板の前記発光素子側の面からその反対側の面に貫通するように、前記駆動回路基板に形成され、前記熱伝導部に熱的に結合された熱伝導部材が、前記貫通孔を埋め込むように設けられたものである。
【００１１】
本発明の第３の態様による発光装置は、前記第２の態様において、前記熱伝導部材の前記発光素子とは反対側の面が外部に露出したものである。
【００１２】
本発明の第４の態様による発光装置は、前記第２の態様において、前記駆動回路基板の前記前記発光素子とは反対側の面には、前記熱伝導部材と熱的に結合された放熱部又は冷却部が配置されたものである。
【００１３】
前記放熱部は、例えば、放熱板でもよいし、冷却フィンを有するヒートシンクでもよい。前記冷却部は、例えば、ペルチェ素子でもよい。
【００１４】
本発明の第５の態様による発光装置は、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、前記駆動回路基板の前記発光素子側の面には、前記熱伝導部と熱的に結合された金属膜が形成され、前記金属膜は、前記発光素子と重なる領域から前記発光素子と重ならない領域に延在するように形成され、前記金属膜の前記発光素子と重ならない部分の面積は、前記金属膜の前記発光素子と重なる部分の面積よりも広いものである。
【００１５】
本発明の第６の態様による発光装置は、前記第１乃至第５のいずれかの態様において、前記発光素子を複数備えたものである。
【００１６】
本発明の第７の態様による発光装置は、前記第６の態様において、前記複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の発光色は、他の少なくとも１つの発光素子の発光色と異なるものである。
【００１７】
本発明の第８の態様による発光装置は、前記第６又は第７の態様において、前記駆動回路は、映像信号又はその他の表示制御信号に基づいて前記発光素子を駆動し、当該発光装置が表示装置を構成するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、発光素子の温度上昇を一層抑制することができ、これにより発光素子の光出力をより安定させることができる発光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明による発光装置について、図面を参照して説明する。
【００２０】
［第１の実施の形態］
【００２１】
図１は、本発明の第１の実施の形態による発光装置１を示す概略ブロック図である。図２は、図１に示す発光装置１を示す概略平面図である。
【００２２】
本実施の形態による発光装置１は、映像信号に応じたカラー画像を発光表示する表示装置を構成している。本実施の形態による発光装置１は、図１に示すように、２次元状に配置された複数の単位画素１０と、単位画素１０の各色のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ（図１では図示せず。後述する図３乃至図５参照。）を行毎に選択する垂直走査回路１２と、単位画素１０の各色のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを列毎に選択する水平走査回路１３と、外部から入力される映像信号を処理して当該映像信号に応じた画像表示がなされるように垂直走査回路１２及び水平走査回路１３を制御する映像信号処理回路１４とを有している。
【００２３】
本実施の形態では、単位画素１０におけるＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ以外の要素（後述する図３参照）、垂直走査回路１２、水平走査回路１３及び映像信号処理回路１４によって、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを駆動する駆動回路１１が構成されている。
【００２４】
図１では、単位画素１０の数は３×３個とされているが、これに限定されるものではない。図２において、３１は複数の単位画素１０が配置されている画素領域、３２は垂直走査回路１２、水平走査回路１３及び映像信号処理回路１４が配置されている領域（以下、「周辺回路配置領域」とよぶ。）を示している。
【００２５】
図３は、図１中の単位画素１０を示す回路図である。各単位画素１０は、赤色光を発光する赤色ＬＥＤ２１Ｒと、緑色光を発光する緑色ＬＥＤ２１Ｇと、青色光を発光する青色ＬＥＤ２１Ｂと、赤色ＬＥＤ２１Ｒの列を選択する赤色列選択スイッチ２２Ｒと、緑色ＬＥＤ２１Ｇの列を選択する緑色列選択スイッチ２２Ｇと、青色ＬＥＤ２１Ｂの列を選択する青色列選択スイッチ２２Ｂとを有している。列選択スイッチ２２Ｒ，２２Ｇ，２２ＢはＭＯＳトランジスタで構成されている。
【００２６】
全ての単位画素１０のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂのカソードは、接地線２３によって共通に接続されている。ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂのアノードは、対応する選択スイッチ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂのドレインにそれぞれ接続されている。赤色列選択スイッチ２２Ｒのソースは、水平ソース線２４Ｒによって行毎に共通に接続され、映像信号処理回路１４の制御下で作動する垂直走査回路１２から、赤色の輝度値に応じた大きさの電圧を駆動信号として受ける。緑色列選択スイッチ２２Ｇのソースは、水平ソース線２４Ｇによって行毎に共通に接続され、垂直走査回路１２から緑色の輝度値に応じた大きさの電圧を駆動信号として受ける。青色列選択スイッチ２２Ｂのソースは、水平ソース線２４Ｂによって行毎に共通に接続され、垂直走査回路１２から青色の輝度値に応じた大きさの電圧を駆動信号として受ける。
【００２７】
赤色列選択スイッチ２２Ｒのゲートは、垂直選択線２５Ｒによって列毎に共通に接続され、映像信号処理回路１４の制御下で作動する水平走査回路１３から、赤色の列選択信号を受ける。緑色列選択スイッチ２２Ｇのゲートは、垂直選択線２５Ｇによって列毎に共通に接続され、水平走査回路１３から、緑色の列選択信号を受ける。青色列選択スイッチ２２Ｂのゲートは、垂直選択線２５Ｂによって列毎に共通に接続され、水平走査回路１３から、青色の列選択信号を受ける。
【００２８】
再び図１を参照すると、映像信号処理回路１４は、外部から映像信号が入力されると、その映像信号に基づき各画素１０の各色の輝度を求めて、その値に対応する制御信号を、垂直走査回路１２及び水平走査回路１３にそれぞれ出力する。垂直走査回路１２及び水平走査回路１３は、所定のタイミングで上記制御信号に基づいて所定のタイミングで、列毎に各色の列選択スイッチ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂのオン信号（選択信号）、行毎に各色の水平ソース線２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂに輝度値に応じた大きさの電圧を出力する。このようにして、単位画素１０毎に輝度値に応じた大きさの電圧（ひいては電流）を各色のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂに印加して、単位画素１０毎に所望の色、輝度で発光させ、これにより、入力された映像信号が示す画像を発光表示させる。
【００２９】
図４及び図５はそれぞれ、図１中の単位画素１０を示す概略平面図である。ただし、図４では、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの他に、駆動回路基板３０の配線パターン等も示している。また、図５では、理解を容易にするため、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、並びに、それを透過して示したバンプ５１，５２及び熱伝導部５３のみを示している。なお、図５において、熱伝導部５３にはハッチングを付している。図６は、図５中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。なお、図面には示していないが、図５中のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図及びＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図は、図６と同様となる。
【００３０】
本実施の形態では、発光素子としての赤色ＬＥＤ２１Ｒ、緑色ＬＥＤ２１Ｇ及び青色ＬＥＤ２１Ｂは、１つずつチップとして構成されている。赤色ＬＥＤ２１Ｒは、図６に示すように、基板４１と、基板４１の１つの面上に基板４１側から順次積層されたｐ型不純物層４２、活性層４３及びｎ型不純物層４４と、電極４５，４６とから構成されている。ｐ型不純物層４２、活性層４３及びｎ型不純物層４４はそれぞれエピタキシャル成長層によって構成されている。ｐ型不純物層４２の一部の領域は、活性層４３及びｎ型不純物層４４によって覆われておらず、その領域に一方の電極４５が形成されている。他方の電極４６は、ｎ型不純物層４４上に形成されている。緑色ＬＥＤ２１Ｇ及び青色ＬＥＤ２１Ｂも赤色ＬＥＤ２１Ｒと同様の構造を有しているが、知られているように、各部の材料等は発光色に応じて適宜変更される。
【００３１】
図１及び図３に示す回路のうちＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ以外の部分である駆動回路１１が、周知の半導体プロセス技術を用いて、１つの駆動回路基板３０に搭載されている。本実施の形態では、駆動回路基板３０としてシリコン基板が用いられている。駆動回路基板３０は、図４乃至図６に示すように、バンプ５１，５２によって各ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと電気的に接続されている。
【００３２】
前述した赤色列選択スイッチ２２Ｒは、図６に示すように、駆動回路基板３０に形成された所定の拡散層によるソース６１及びドレイン６２と、その両者間の領域の上に配置されたゲート電極６３とからなるＭＯＳトランジスタとして、構成されている。ソース６１は、水平ソース線２４Ｒに接続された配線パターンに接続されている。ドレイン６２は、その上に形成された電極６４と接続されている。ゲート電極６３は、配線パターンによって垂直選択線２５Ｒに接続されている。これらの点は、緑色列選択スイッチ２２Ｇ及び青色列選択スイッチ２２Ｂについても同様である。なお、接地線２３は、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと接続するための電極を兼ねている。なお、図６において、６５，６６はシリコン酸化膜等の絶縁膜である。また、ここでは省略してあるが、各々のＭＯＳトランジスタ間では、必要に応じ素子分離領域が形成されている。
【００３３】
図６に示すように、赤色ＬＥＤ２１Ｒのアノードと赤色列選択スイッチ２２Ｒのドレイン６２とが、電極４５，６４間に設けられたバンプ５１によって電気的に接続されている。また、赤色ＬＥＤ２１Ｒのカソードと接地線２３とが、電極４６と接地線２３との間に設けられたバンプ５２によって電気的に接続されている。同様に、ＬＥＤ２１Ｇ，２１Ｂのアノードと選択スイッチ２２Ｇ，２２Ｂのドレイン６２とが各バンプ５１によってそれぞれ電気的に接続され、ＬＥＤ２１Ｇ，２２Ｂのカソードと接地線２３とが各バンプ５２によってそれぞれ電気的に接続されている。バンプ５１，５２は、例えば、銅や金などで構成される。
【００３４】
本実施の形態による発光装置１は、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、駆動回路基板３０及びバンプ５１，５２の他に、図４乃至図６に示すように、各ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと駆動回路基板３０との間にそれぞれ設けられ当該ＬＥＤと駆動回路１１との間を電気的に接続することなく当該ＬＥＤからの熱を駆動回路基板３０側へ伝導させる熱伝導部５３と、各熱伝導部５３とそれぞれ熱的に結合された熱伝導部材５４とを備えている。熱伝導部５３及び熱伝導部材５４は、熱伝導性の良好な材料で構成され、例えば、銅又は金などで構成される。熱伝導部５３をバンプ５１，５２と同じ材料で構成すると、熱伝導部５３をバンプ５１，５２と同時に一括して形成することができるので、好ましい。
【００３５】
駆動回路基板３０には、図６に示すように、駆動回路基板３０のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ側の面（以下、「表面」という。）からその反対側の面（以下、「裏面」という。）に貫通するように、貫通孔３０ａが各熱伝導部５３に対応して形成されている。熱伝導部材５４は、各貫通孔３０ａを埋め込むようにそれぞれ設けられている。本実施の形態では、熱伝導部材５４は、アルミニウム等の金属膜５５を介して、対応する熱伝導部５３と熱的に結合されている。本実施の形態では、金属膜５５は、熱伝導部５３と重なる領域の一部のみに形成されている。金属膜５５は、周知の半導体プロセスにより容易に形成が可能である。本実施の形態では、金属膜５５が熱伝導部５３と熱伝導部材５４との間のスペーサとしての機能を担っているが、金属膜５５を介在させることなく熱伝導部５３と熱伝導部材５４とを熱的に結合させることも可能である。本実施の形態では、熱伝導部材５４のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂとは反対側の面は、外部に露出している。
【００３６】
なお、本実施の形態では、各ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの下にそれぞれ熱伝導部材５４が配置されているが、これに限定されるものではない。３つのＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂに対して１つの大きな貫通孔を駆動回路基板３０に形成し、それを埋め込むように３つのＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂに対して共通して１つの熱伝導部材５４を設けてもよい。
【００３７】
次に、本実施の形態による発光装置１の製造方法の一例について、図７を参照して簡単に説明する。図７は、本実施の形態による発光装置１の製造方法を示す概略フローチャートである。
【００３８】
まず、駆動回路基板３０となるべきシリコン基板を準備し、シリコンプロセス技術等を用いて、このシリコン基板に駆動回路１１を形成することによって、駆動回路基板３０を形成する（ステップＳ１）。次いで、周知のシリコンエッチング技術を用いて、所定の部位に貫通孔３０ａを設ける。さらに、メッキ技術を用いて例えば銅を貫通孔３０ａに埋め込み、熱伝導部材５４を形成する（ステップＳ２）。そして、駆動回路基板３０の所定位置に、バンプ５１，５２及び熱伝導部５３を形成する（ステップＳ３）。引き続いて、ウエハをダイシングによって分割して、チップ毎の駆動回路基板３０とする（ステップＳ４）。その後、好ましくは、良品の駆動回路基板３０のみを次の工程（ステップＳ８）に進めるため、駆動回路基板３０について良品検査を行う（ステップＳ５）。
【００３９】
一方、公知の製造工程によって、各ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを形成する（ステップＳ６）。その後、好ましくは、良品のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂのみを次の工程（ステップＳ８）に進めるため、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂについても良品検査を行う（ステップＳ７）。
【００４０】
そして、バンプ５１，５２及び熱伝導部５３が形成された駆動回路基板３０に対して、各ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを位置合わせしながら搭載して接合する（ステップＳ８）。最後に、必要に応じて、パッケージングやワイヤボンディング等の所定の実装や組立の処理を行う（ステップＳ９）。これにより、本実施の形態による発光装置１が完成する。
【００４１】
本実施の形態による発光装置１では、各ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂで発生した熱は、バンプ５１，５２を介して駆動回路基板３０側へ導かれるのみならず、熱伝導部５３によっても駆動回路基板３０側へ導かれる。したがって、本実施の形態によれば、熱伝導部５３がない場合に比べて、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの温度上昇が一層抑制され、これによって、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの光出力がより安定する。
【００４２】
また、本実施の形態によれば、熱伝導部５３によってＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂから駆動回路基板３０側へ導かれた熱は、金属膜５５を介して熱伝導部材５４へ導かれ、熱伝導部材５４のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂとは反対側の面から外部へ放熱される。このように、熱伝導部材５４によって放熱効果が高まることから、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの温度上昇が更に一層抑制され、これによって、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの光出力が更により安定する。もっとも、本発明では、熱伝導部材５４は必ずしも設ける必要はない。
【００４３】
［第２の実施形態］
【００４４】
図８は、本発明の第２の実施の形態による発光装置の単位画素を示す概略断面図であり、図６に対応している。図８において、図６中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００４５】
本実施の形態が前記第１の実施の形態と異なる所は、駆動回路基板３０の裏面に、熱伝導部材５４と熱的に結合された放熱部としての金属製などの放熱板５６が配置されている点のみである。本実施の形態では、放熱板５６は、駆動回路基板２０の裏面に、熱伝導性のある接着剤（例えば、銀ペースト）５７によって接合されている。
【００４６】
本実施の形態によれば、放熱板５６が設けられていることにより、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂから導かれた熱の外部に対する放熱効果が、前記第１の実施の形態に比べて高まる。したがって、本実施の形態によれば、前記第１の実施の形態に比べて、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの温度上昇が更に一層抑制され、これによって、ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの光出力が更により安定する。
【００４７】
本実施の形態では、放熱板５６は単に平板状に構成されているが、その放熱効果を高めるように、放熱板５６の表面に凹凸を形成したり、放熱板５６に代わる放熱部として、冷却フィンを有するヒートシンクを駆動回路基板３０の裏面に設けたりしてもよい。あるいは、放熱板５６の代わりに、冷却部として例えばペルチェ素子などを駆動回路基板３０の裏面に設けてもよい。
【００４８】
［第３の実施形態］
【００４９】
図９は、本発明の第３の実施形態による発光装置１０１を示す概略平面図であり、図２に対応している。図１０は、図９に示す発光装置１０１の単位画素１０を示す概略平面図であり、図４に対応している。図１１は、図９に示す発光装置１０１の単位画素１０を示す概略断面図であり、図６に対応している。図９、図１０及び図１１において、図２、図４及び図６中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００５０】
本実施の形態が前記第１の実施の形態と異なる所は、駆動回路基板３０には貫通孔３０ａが形成されずに熱伝導部材５４が設けられていない点と、熱伝導部５３と熱的に結合した金属膜５５が、図１０及び図１１に示すようにＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと重なる領域から画素領域３１内において行方向へ延ばされた後、さらに、周辺回路配置領域３２の一部（この領域に形成された金属膜５５の図示は省略している。）を経て、図９に示すように領域３２の周囲の領域３３まで延在している点のみである。金属膜５５おける領域３３に位置している部分は、図９中の紙面手前側に向けて外部に露出している。本実施の形態では、金属膜５５のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと重ならない部分の面積は、金属膜５５のＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと重なる部分の面積よりもはるかに広くなっている。
【００５１】
本実施の形態によれば、熱伝導部５３によってＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂから駆動回路基板３０側へ導かれた熱は、金属膜５５によって駆動回路基板３０の面方向に導かれ、特に、金属膜５５の領域３３の部分から外部へ放出される。したがって、本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００５２】
なお、本実施の形態では、金属膜５５は、同時に成膜された金属膜をパターニングすることで前述した各領域に形成されているが、その代わりに、金属膜５５は、別々の金属膜を順次継ぎ足すように成膜することによって形成してもよい。
【００５３】
本発明では、本実施の形態による発光装置１０１を、前記第１の実施の形態と同様に、駆動回路基板３０には貫通孔３０ａを形成してそこに熱伝導部材５４が設けるように、変形してもよい。この場合、更に、前記第２の実施の形態と同様に放熱板５６を追加してもよい。また、この金属膜５５にヒートシンクなどの放熱部材を接続させてもよい。
【００５４】
以上、本発明の各実施の形態及び変形例について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
前記各実施の形態では、発光素子としてＬＥＤが用いられていたが、本発明では、その代わりにレーザダイオードなどを用いてもよい。
【００５６】
また、前記各実施の形態では、各ＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが１つずつのチップとして構成されていたが、本発明では、複数のＬＥＤを１つのＬＥＤ基板上に搭載して１つのチップとして構成してもよい。
【００５７】
さらに、前記各実施の形態では、各単位画素１０が赤色ＬＥＤ２１Ｒ、緑色ＬＥＤ２１Ｇ及び青色ＬＥＤ２１Ｂを有し、カラー表示を行うように構成されているが、白黒表示を行うように構成してもよい。この場合、例えば、各単位画素１０が白色ＬＥＤのみを有するように構成すればよい。
【００５８】
さらにまた、前記各実施の形態は、本発明による発光装置を表示装置として構成した例であるが、本発明による発光装置は、これに限定されず、例えば照明装置として構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１の実施の形態による発光装置を示す概略ブロック図である。
【図２】図１に示す発光装置を示す概略平面図である。
【図３】図１中の単位画素を示す回路図である。
【図４】図１中の単位画素を示す概略平面図である。
【図５】図１中の単位画素を示す他の概略平面図である。
【図６】図５中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【図７】図１に示す発光装置の製造方法を示す概略フローチャートである。
【図８】本発明の第２の実施の形態による発光装置の単位画素を示す概略断面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態による発光装置を示す概略平面図である。
【図１０】図９に示す発光装置の単位画素を示す概略平面図である。
【図１１】図９に示す発光装置の単位画素を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１，１０１  発光装置
１１  駆動回路
１０  単位画素
２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ  ＬＥＤ
３０  駆動回路基板
３０ａ  貫通孔
５１，５２  バンプ
５３  熱伝導部
５４  熱伝導部材
５５  金属層
５６  放熱板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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