(57)【要約】      （修正有）【課題】電極が再生でき寿命が長い、極紫外線を発生するための装置を提供する。【解決手段】この目的は、案内ローラ２３で循環し、かつ電極間の小さな間隔に、放電６１が行われる領域を有する２つのエンドレスストリップ電極２１、２２の形態の被覆電極を提供することによって達成される。被覆は、エネルギビームとプラズマ発生とによる励起を通して少なくとも部分的に犠牲にされ、回転中に、ストリップ電極２１、２２が、溶融金属２６内の浸漬後に、所定厚さの被覆材料を生成するためのワイパ２７を通して案内され、真空チャンバ１内で、所望のプラズマ６発生が行われる位置に方向付けられ、被覆を再生するためにかつ電極２１、２２とパルス化高電圧源４との間の電気接触を形成するために放電６１後に溶融金属２６内に案内して戻されるように、各ストリップ電極２１、２２を駆動するための手段３が配置される。【選択図】図１
2008004932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電によって発生されるプラズマに基づき極紫外線放射を発生するための装置であって、エネルギビームと、電極間の放電によるプラズマの引き続く発生とによって誘発されるエミッタ材料の局所的蒸発で少なくとも部分的に犠牲にされる被覆材料で上記電極が被覆されており、上記被覆材料は、被覆を再生するため及び前記電極とパルス化高電圧源とを電気的に接触させるための溶融金属の被覆材料を含有する容器が各電極用に設けられることによって前記電極の連続的な移動により更新であるような、装置において、
前記電極が、複数の案内ローラ（２３）でエンドレスに循環する２つのストリップ電極（２１、２２）の形態で配置され、前記プラズマを発生するための放電（６１）が行われる小さな間隔の領域を有し、
すべてのストリップ電極が、前記溶融金属で充填された容器内の少なくとも１つの案内ローラに案内され、前記それぞれのストリップ電極（２１、２２）が、該ストリップ電極の長さの略延長部分だけ、前記溶融金属（２６）に浸漬され、前記溶融金属（２６）を出た後に、前記ストリップ電極（２１、２２）の前記被覆材料の所定厚さを生成するために、ワイパ（２７）を通して案内され、
各ストリップ電極（２１、２２）を駆動するための手段（３）が設けられ、各ストリップ電極の回転中に、前記ストリップ電極（２１、２２）が、溶融金属（２６）を含有する容器（２４、２５）に浸漬され、所望のプラズマ発生が行われる真空チャンバ（１）内の位置（６）を通過し、放電（６１）後に前記溶融金属（２６）を含有する容器内に案内して戻されることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ストリップ電極（２１、２２）が、狭い幅を有するエンドレス平バンドとして形成されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ストリップ電極（２１、２２）が、エンドレス丸ワイヤとして形成されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ストリップ電極（２１、２２）が、小さな断面積及び任意の凸状断面形状を有するエンドレス押出部分として形成されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
純粋な錫が被覆材料として提供されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
錫化合物又は錫合金が被覆材料として提供されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
純粋な亜鉛が被覆材料として提供されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
亜鉛化合物又は亜鉛合金が被覆材料として提供されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記溶融金属（２６）を含む容器（２４、２５）内で前記ストリップ電極（２１、２２）が移動する通路を長くするために、前記ストリップ電極（２１、２２）を案内するための案内ローラ（２３）が設けられることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記溶融金属（２６）を含有する容器（２４、２５）内で前記ストリップ電極（２１、２２）が移動する通路を長くするために、ジグザグ通路に沿って前記ストリップ電極（２１、２２）を案内するための少なくとも３つの案内ローラ（２３）が設けられることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記ストリップ電極（２１、２２）を追加して冷却するために、冷却装置（８）が、前記溶融金属（２６）を含有する容器（２４、２５）の下流側に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
少なくとも１つの案内ローラ（２３）が、前記ストリップ電極（２１、２２）に張力を加えるためのテンションローラ（２８）として調整可能に装着されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ストリップ電極（２１、２２）が、回転駆動ユニット（３１）を用いて案内ローラ（２３）で駆動されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記ストリップ電極（２１、２２）が電磁結合（３２）によって駆動されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記ストリップ電極（２１、２２）が個々の平面で循環するように、前記ストリップ電極（２１、２２）の前記案内ローラ（２３）が配置されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記ストリップ電極（２１、２２）の各々が、他のストリップ電極（２１、２２）の平面と一致する平面に配置され、前記ストリップ電極（２１、２２）が、反対側に配置された案内ローラ（２３）を通した真空チャンバ（１）の領域で、前記所望のプラズマ発生の位置（６）を画定する互いに非常に小さな間隔を有することを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記ストリップ電極（２１、２２）の各々が、他のストリップ電極（２１、２２）の平面と一致する平面に配置され、前記ストリップ電極（２１、２２）が、真空チャンバ（１）の所定部分に、小さな間隔で互いに平行に配向され、エミッタ材料の蒸発及び予備イオン化の結果として、エネルギビーム（５）によるエネルギの局所的な導入によって放電（６１）を意図的に開始できることによって、前記所望のプラズマ発生の位置（６）が与えられることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記ストリップ電極（２１、２２）の部分が前記所望のプラズマ発生の位置（６）で互いに斜めに配向されて、最小間隔の点を有するように、前記ストリップ電極（２１、２２）の各々が、他のストリップ電極（２１、２２）の平面とは異なる平面に配置されることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
エミッタ材料の前記予備イオン化によって、より高い伝導率の領域により前記２つのストリップ電極（２１、２２）の間の局所的に限定された放電及びプラズマ形成が得られるように、エミッタ材料の蒸発のためのエネルギビーム（５）が、前記２つのストリップ電極（２１、２２）の間の前記所望のプラズマ発生位置（６）に方向付けられることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
錫又は錫含有化合物又あるいは合金がエミッタ材料として提供されることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記所望のプラズマ発生位置（６）での前記エネルギビーム（５）が、前記ストリップ電極（２１、２２）の被覆材料に方向付けられ、金属エミッタ材料が被覆材料として使用されることを特徴とする、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記２つのストリップ電極（２１、２２）の間の前記所望のプラズマ発生位置（６）での前記エネルギビーム（５）が、エミッタ材料の小滴流（６２）に方向付けられ、放電によって前記プラズマを発生するために小滴が蒸発されることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【請求項２３】
前記小滴流がキセノンを含むことを特徴とする、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記２つのストリップ電極（２１、２２）の間の前記所望のプラズマ発生位置（６）での前記エネルギビーム（５）が、エミッタ材料の小滴流（６２）に方向付けられ、小滴が蒸発され、同時に前記ストリップ電極（２１、２２）用の被覆材料として前記エミッタ材料が使用されることを特徴とする、請求項２０に記載の装置。
【請求項２５】
錫又は錫含有化合物あるいは合金がエミッタ材料として提供されることを特徴とする、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記エネルギビーム（５）がレーザビーム（５２）であることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【請求項２７】
前記エネルギビーム（５）は電子ビーム（５３）であることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【請求項２８】
前記エネルギビーム（５）が、前記ストリップ電極（２１、２２）の表面の一方に方向付けられることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【請求項２９】
前記エネルギビーム（５）が、前記ストリップ電極（２１、２２）の間のエミッタ材料の追加小滴流（６２）に方向付けられることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電によって発生されるプラズマに基づき極紫外線（ＥＵＶ）放射を発生するための装置に関し、本装置では、エネルギビームと、電極間の放電によるプラズマの引き続く発生とによって誘発されるエミッタ材料の局所的蒸発で少なくとも部分的に犠牲にされ、かつ被覆を再生するため及び電極とパルス化高電圧源とを電気的に接触させるための溶融金属を含有する容器が各電極用に設けられることによって電極の連続的な移動により更新できる被覆材料で、電極が被覆される。本発明は、特に、半導体リソグラフィ用の長寿命のＥＵＶ放射線源の製造のために提供される。
【背景技術】
【０００２】
従来技術から知られ、また例えば、特許文献１に記載された方法は、回転する円板電極を使用する。電極の周辺は、電極が連続回転中に湿らせられて、溶融金属の薄膜が電極に付着するように、溶融金属エミッタ材料の浴内に浸漬される。放電の引き続く点火のために、レーザビームによって溶融金属膜の部分が蒸発され、この場合、溶融金属膜の追加の部分は蒸発されるか又は溶融液として追い出される。この理由のため、溶融金属膜は、電極上の犠牲層と称することができる。
【０００３】
溶融金属のこの再生的な適用により、各レーザパルス用の略同一の蒸発条件が保証されるが、次の欠点を有する。
（ａ）円板電極が共に密接して配置されるという事実のため、
電磁波及び粒子放射としてプラズマによって放出されるエネルギの大部分は、電極の比較的小さな体積に吸収され、この結果、これらの電極は著しく加熱される。
（ｂ）溶融金属内の電極の短いドエル期間のため、溶融液内の電極の冷却は不十分であり、電極の内部で追加の液体冷却が必要とされ、このため、回転電極を支持して、駆動するために、限定された寿命時間のみを有する真空フィードスルーを使用しなければならない。
（ｃ）回転電極と、エミッタ材料の質量制限された供給のための放電ゾーン内への液体又は固体材料の注入との組み合わせ（例えば、以前に発行されなかった特許文献２に記載）は、密接に隣接する円板電極間の狭いギャップのため接線軌道によってのみ可能であり、この結果、生じる長い経路は優れたパルス対パルス安定性に有害である。
（ｄ）幾何学的境界条件のため、プラズマから放出される放射線を集束するために、かすめビーム入射による多重入れ子式の反射光学系のみを使用できるに過ぎず、これによって、放出される放射線の使用可能な立体角度が制限される。
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００５／０２５２８０号パンフレット（独国特許出願公開第１０３４２２３９Ａ１号明細書）
【特許文献２】独国特許出願公開第１０２００５０３０３０４Ａ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、使用される電極の長い寿命及びプラズマから放出された放射線を集束するための可能な限り最大の立体角度が達成される、放電に基づくＥＵＶ放射線源用の新規な可能性を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
放電によって発生されるプラズマに基づき極紫外線（ＥＵＶ）放射を発生するための装置であって、エネルギビームと、電極間の放電によるプラズマの引き続く発生とによって誘発されるエミッタ材料の局所的蒸発で少なくとも部分的に犠牲にされ、かつ被覆を再生するため及び電極とパルス化高電圧源とを電気的に接触させるための溶融金属の被覆材料を含有する容器が各電極用に設けられることによって電極の連続的な移動により更新できる被覆材料で、電極が被覆される装置では、本発明によれば、上述の目的は、電極が、案内ローラでエンドレスに循環する２つのストリップ電極の形態で配置され、プラズマを発生するための放電が行われる互いに小さな間隔の領域を有し、すべてのストリップ電極が、溶融金属で充填された容器内の少なくとも１つの案内ローラによって案内され、それぞれのストリップ電極が、このストリップ電極の長さの略延長部分だけ、溶融金属に浸漬され、溶融金属を出た後に、ストリップ電極の被覆材料の所定厚さを生成するために、ワイパを通して案内され、各ストリップ電極を駆動するための手段が設けられ、各ストリップ電極の回転中に、ストリップ電極が、溶融金属を含有する容器に浸漬され、目標のプラズマ発生が行われる真空チャンバ内の位置を通過し、放電後に溶融金属を含有する容器内に案内して戻されることで達成される。
【０００７】
ストリップ電極は、狭い幅を有するエンドレス平バンドとして又はエンドレス丸ワイヤとして形成されることが有利である。しかし、ストリップ電極はまた、小さな断面積及び任意の凸状断面形状を有するエンドレス押出部分として形成されることができる。高出力帯鋸用にも使用されるコバルトモリブデン鋼のような工具鋼又は２成分材料も、ストリップ電極の基材材料として使用できることが有利である。必要な被覆材料層のため、被覆材料によって湿らせることができる表面を有するストリップ電極の基材材料を提供することが必要かもしれない。
【０００８】
低い溶融温度を有する金属、好ましくは亜鉛又は錫あるいはこれらの金属の化合物又は合金が、被覆材料として使用されることが望ましい。
【０００９】
被覆材料が、同時にエミッタ材料として提供される場合、錫又は錫化合物あるいは錫合金を使用することが好ましい。エミッタ材料が、小滴又は液滴の形態で、エネルギビームイオン化及び引き続くスパーク放電によって、目標のスペクトル領域の放射線が放出されるプラズマ温度に別個に加熱される場合、他の任意の被覆材料、好ましくは低融点の金属、導電性化合物又はそれらの合金をストリップ電極用に使用することができる。この場合、エミッタ材料はまた、非金属（例えば、キセノン）であることができる。
【００１０】
溶融金属を含有する容器内でストリップ電極が移動する通路を長くするために、プラズマによって加熱されるストリップ電極の冷却を主に改善するために、ジグザグ通路に沿ってストリップ電極を案内するための案内ローラが配置されることが有利である。冷却は、特に簡単に効率的に調整することができるが、この理由は、容器の長さ及び移動通路を長くすることにより溶融金属内のストリップ電極のドエル時間を案内ローラのジグザグ配置によって調整できるからである。さらに、常に幾何学的な小さな吸収面のお陰で、少量の熱がストリップ電極によってプラズマから吸収される。したがって、プラズマ内に生じる熱の大部分は、より低い電力密度で、より遠くに（例えば、真空チャンバの壁部に）案内することができる。
【００１１】
冷却装置はまた、ストリップ電極の追加冷却のために溶融金属を含有する容器の下流に配置できることが有利である。
【００１２】
有利に、少なくとも１つの案内ローラが、好ましくは柔軟に、ストリップ電極に張力を加えるためのテンションローラとして調整可能に装着される。
【００１３】
ストリップ電極の駆動は、回転駆動ユニットによって案内ローラで実施することができる。真空チャンバの外側で有利に発生される回転運動の真空チャンバ内に配置された案内ローラへのモータによる伝達は、電磁結合によって摩耗なしに実現することができる。
【００１４】
ストリップ電極の案内ローラは、ストリップ電極が個々の平面で循環するように配置されることが有利である。
【００１５】
有利な第１の変形例では、ストリップ電極の各々は、他方のストリップ電極の平面と一致する平面に配置され、この場合、ストリップ電極は、反対側に配置された案内ローラを通した真空チャンバの領域で、目標のプラズマ発生の位置を画定する互いに非常に小さな間隔を有する。
【００１６】
第２の変形例では、ストリップ電極は、他方のストリップ電極の平面と一致する平面に配置され、この場合、ストリップ電極は、真空チャンバの所定部分に、小さな間隔で互いに平行に配向され、エミッタ材料の蒸発及び予備イオン化の結果、エネルギの局所的な導入によって放電を適切に開始できることによって、目標のプラズマ発生の位置が画定される。したがって、プラズマの位置は、案内ローラからある間隔にあるように選択することができる。
【００１７】
第３の好ましい変形例では、ストリップ電極の部分が目標のプラズマ発生の位置で互いに斜めに配向されて、最小間隔の点を有するように、ストリップ電極の各々は、他方のストリップ電極の平面とは異なる平面に配置される。
【００１８】
プラズマの安定位置を調整するために、エミッタ材料の予備イオン化によって、より高い伝導率の領域により２つのストリップ電極の間の局所的に限定された放電及びプラズマ形成が得られるように、エミッタ材料の蒸発（予備イオン化）のためのエネルギビームを、２つのストリップ電極の間の目標のプラズマ発生位置に方向付けることが有利である。
【００１９】
この関連で、第１の変形例では、エネルギビームは、目標のプラズマ発生位置のストリップ電極の被覆材料に方向付けることができ、この場合、目標のＥＵＶ範囲で効率的に放出する金属エミッタ材料が被覆材料として使用される。ストリップ電極は、錫又は錫を含む化合物又は合金で被覆されることが好ましい。
【００２０】
第２の変形例では、エネルギビームは、２つのストリップ電極の間の目標のプラズマ発生位置のエミッタ材料の小滴流に方向付けられ、この場合、放電によって発光プラズマを発生するために（質量が限定された）小滴が蒸発（予備イオン化）される。小滴流は、液化キセノン、錫、錫化合物、又は錫合金を含むことが有利である。
【００２１】
放電ゾーンの周りの電極の空間要件が小さいことは、小滴の形態の追加のエミッタ材料を導入するためのノズルのほぼ任意の位置決めを可能にする。幾何学的な自由空間のため、放射線源の充分なパルス対パルス安定性及びノズルの充分な腐食保護が、プラズマの位置の小滴の位置決め精度のために保証されるように、ノズルとプラズマとの間の間隔を選択することができる。
【００２２】
有利な第３の変形例では、２つのストリップ電極の間の目標のプラズマ発生位置におけるエネルギビームは、エミッタ材料の小滴流に方向付けられ、この場合、小滴は蒸発され、同時にストリップ電極用の被覆材料としてエミッタ材料が使用される。錫あるいは錫含有化合物又は合金がエミッタ材料として提供されることが好ましい。
【００２３】
エネルギビームとして、レーザビーム、電子ビーム又はイオンビームを使用することができる。
【００２４】
本発明により、放電に基づくＥＵＶ放射線源を実現することができ、このＥＵＶ放射線源は、電極の長い寿命を保証し、かつこのＥＵＶ放射線源では、プラズマから放出される放射線は、回転電極と比較して著しくより大きな立体角度（より小さな幾何学的シャドーイングshadowing）から使用できる。
【００２５】
電極の長い寿命は、一方で、産業において充分に実証されている被覆技術によって再生適用できる層のためであり、他方で、簡単かつ効率的な外部冷却（別個の冷却液及び内部冷却用の真空フィードスルーなし）のためである。
【００２６】
さらに、幾何学的シャドーイングの低減のため、より大きな収集効率（２倍）が可能であるように、ほぼ垂直のビーム入射によるコレクタも使用することができる。
【００２７】
イオン化錫蒸気又はイオン化緩衝ガスが望ましくない寄生放電をもたらす回転電極に関する公知の問題と対照的に、本発明のこの種類のガス状の電荷雲は、大きな領域にわたって制限する電極ギャップがないので、放電に関連する電極部分の領域からより速く逃れることができる。
【００２８】
実施形態を参照して、本発明について以下により詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１の概略図に示されているように、放射線源としてスパークプラズマを発生するための本発明の基本装置は、真空チャンバ１に配置され、かつエンドレスに循環する２つのストリップ電極２１と２２を有する電極ユニット２を備え、被覆材料は、電気的に接触される溶融金属２６としてストリップ電極２１と２２に適用され、またエミッタ材料は、ストリップ電極２１と２２の間の放電６１によって所定の高温プラズマを発生するために、プラズマ６の目標の発生位置でエネルギビーム５によって蒸発される。
【００３０】
ストリップ電極２１と２２とは、一般性を制限することなしに、エンドレスに循環する２つのフラットバンド、丸ワイヤ又は輪郭付きワイヤを意味し、それらの表面から、ある量の被覆材料がすべての放電工程中に蒸発（犠牲に）される。プラズマの環境における長い電極寿命を実現するために、蒸発された被覆材料は、犠牲にされた層として、連続工程中にストリップ電極で常時再生される。
【００３１】
被覆が実施される工程は、例えば、精製金属のエンドレス部分（例えば、ワイヤ及び押出成形部分）を生成するための、ならびに缶詰及び飲料缶用のいわゆる錫シートを製造するための高温亜鉛めっき又は高温錫めっきの工業方法から公知のような従来の方法である（出所：ａ）http://www.stahl-info.de：「溶融浸漬精製されたバンド及びプレート（Schmelztauchveredeltes Band und Blech）」、ｂ）http://www.feuerverzinken.com/:「専門情報、研究誌、高温亜鉛めっき、１．１亜鉛による腐食防止（Fachinfo,Arbeitsblaetter, Feuerverzinken, １．１ Korrosionsschutz mit Zink）」）。高温錫めっきでは、完全に同様に、連続製造される材料部分が溶融錫を通して案内される（例えば、www.prymetall.com,Prymetall GmbH&Co.KG，会社パンフレット（company brochure）ＯＶ＿ＳＮ＿０５１１＿Ｄ：「錫めっきされたバンド、その性質及び用途（Verzinnte Baender ihre Eigenschaften und Anwendungen）」）。両方の方法では、通常０．８μｍ〜１６μｍの範囲の目標の層厚は、特別なワイパによって引き続き調整される。
【００３２】
プラズマ発生の位置６を通過した後に、循環するストリップ電極２１又は２２が浸漬する溶融金属２６（好ましくは純粋な錫浴）は、電極を被覆するためのみでなく、同時に、高電圧パルス発生器４の放電回路との接触を確立して、電極を冷却するために使用される。ストリップ電極２１と２２は、駆動ユニット３によって循環運動させられ、各ストリップ電極２１と２２は、プラズマ発生の位置６の後に溶融金属２６に浸漬し、溶融金属２６を出た後にワイパ装置２７（好ましくは機械式ワイパ又はガスジェットを有する）を通過し、次にプラズマ発生の位置６に戻される。
【００３３】
回転する円板電極と対照的に、毎秒数メートルのストリップ電極２１、２２の高い循環速度でも、溶融金属２６内のストリップのドエル時間は、最適な冷却のためにほぼ任意の所望の方法で調整することができる。容器２４又は２５の幾何学的長さが溶融金属２６内の冷却に十分でない場合、ストリップ電極２１又は２２の通路（したがってその浸漬持続時間）をそれぞれ容器２４と２５内の複数の偏向案内ローラ２３によって長くすることができる（可能な限りコンパクトに）。
【００３４】
ストリップ電極２１と２２が互いに小さな間隔にある真空チャンバ１内の位置は、プラズマ発生の位置６として選択され、この位置で、所望の領域の伝導率を増加するためにエミッタ材料がエネルギビーム５によって蒸発される。次に、放電６１は、容器２４と２５に接続されるパルス発生器４によってストリップ電極２１と２２の間にこのようにして生成される導電性チャネルで点火されて、高温の放射プラズマが発生される。プラズマによって放出された放射線は、コレクタ光学系７の光学軸７１に沿ってコレクタ光学系によって中間焦点７２に投射され、この共役源位置は特定の照明使命用の放射線源として使用される。
【００３５】
図２に示した有利な構成では、プラズマ発生の位置６は、放電６１が点火される前にパルスレーザビーム５２がストリップ電極２１と２２の間のエミッタ材料を蒸発することによって、小滴発生器６３から供給されるエミッタ材料（例えば、キセノン又は錫）の小滴流６２の個々の小滴の蒸発によって与えられる。レーザ５１は、パルス発生器４のパルス周波数で始動される。理想的には、小滴発生器６３はまた、同一の周波数で一連の小滴６２を供給する。この種類の構造によって、蒸発できるのと同程度に多いエミッタ材料のみが真空チャンバ１に供給され、この結果、真空内の残留ガスの伝導率が、このようにして予め決定される目標のプラズマ発生の位置６のみで周期的に高められる。
【００３６】
図２を参照すると、ストリップ電極２１と２２は、容器２４と２５の寸法が限定されている場合、可能な限り最長（したがって長時間）の通路にわたって溶融金属２６にストリップ電極２１と２２を保持するために、複数の偏向案内ローラ２３（例えば、平面に配置された５つのローラ）によって溶融金属２６を通して案内される。このようにして、一方で、プラズマ発生の位置６の熱作用に従って冷却が改善され、他方で、容器２４と２５によってパルス発生器４とストリップ電極２１と２２との確実な接触が確実に行われる。ストリップ電極２１と２２は、上に言及したように必ずしも個々の平面で案内される必要はない。ある場合には、容器２４と２５の高さ又は体積を可能な限り制限するために、複数の異なる平面の溶融金属２６内で案内ローラ２３を案内することが有用かもしれない（例えば、案内ローラの走行通路を長くするため）。
【００３７】
さらに、図２を参照すると、溶融金属２６を出た後に追加冷却するための冷却ユニット８（十文字のガスフロー又は冷却チャンバを有する）が、各ストリップ電極２１と２２に設けられる。
【００３８】
ストリップ電極２１と２２の循環は、案内ローラ２３の１つに作用する回転駆動ユニット３１によって実施される。１つの案内ローラ２３は、ストリップ電極２１と２２の滑りを防止するために、移動可能に装着されるテンションローラ２８として構成される。
【００３９】
さらに、複数の金属製鏡皿（mirror dishes）が同軸に互いの内側に入れ子式に格納されるかすめビーム入射用の皿形の光学系７３が、プラズマから放出された放射線を収集するためのコレクタ光学系７として使用される。このようにして、プラズマ発生の位置６は中間焦点７２に撮像される。
【００４０】
案内ローラ２３に対する熱応力を低減するために、図３は、電子ビーム５３が、ストリップ電極２１、２２の案内ローラ２３に接触しない領域の真空チャンバ１でプラズマを開始する実施形態を示している。この例では、エミッタ材料の蒸発は、錫の被覆材料（エミッタ材料としても使用される）を蒸発するために、ストリップ電極２１又は２２の一方の表面に方向付けられる電子ビーム５３によって実施される。ストリップ電極２１と２２の表面の一方からの電子ビーム５３による錫層の蒸発は、放電６１が再現可能に点火されるプラズマ発生の目標位置６を画定するように使用される。
【００４１】
この例では、互いに最も小さな間隔を有するストリップ電極２１と２２の部分は、互いに平行であり、この結果、錫の蒸発は、放電６１の位置を指定するための唯一の措置である。しかし、反対側に走る２対の案内ローラの間のストリップ電極２１と２２の平行案内のため、プラズマ発生の結果として生じる高い熱負荷は、案内ローラから離して維持することができるので、案内ローラをさらに冷却する必要はない。例えば、テンションローラ２８、追加の冷却装置８、及び錫溶融液２６用の容器２４と２５の内部の複数の案内ローラのような残りの要素のすべては、図２とまさに同一の方法で実現される。同様に、真空チャンバ１内の案内ローラ２３におけるストリップ電極２１と２２の駆動ユニットの構成は、図２と同一の方法で実現される。この場合、回転運動は、真空チャンバの好ましくは外側のモータによって発生され、真空チャンバ１に配置された案内ローラ２３に真空密にかつ電磁結合（図示せず）による低い摩耗で伝達される。
【００４２】
図４は、ストリップ電極２１と２２が互いに傾斜してそれらのそれぞれの容器２４と２５に配置されるＥＵＶ源の構成を示している。この例では、被覆材料は、高温亜鉛めっきの方法でストリップ電極２１と２２に適用される効率的なエミッタ材料（例えば、純粋な錫）である。さらに、同一のエミッタ材料（錫）の小滴は、目標のプラズマ発生位置に方向付けられて、レーザビーム５２によって蒸発される。引き続く放電６１により、放射線を放出するプラズマが点火され、その放射線収量はエミッタ材料の電極被覆によってさらに改善される。
【００４３】
ストリップ電極２１と２２が延在する平面（真空チャンバ１の内部の少なくともプラズマ発生の位置６における）は、錫溶融液２６の表面に対し略平行に直線で互いに交差する。案内ローラ２３を保持するために使用される案内プレート２９は、互いに同一の角度で傾斜している。したがって、２つの案内ローラ２３の間に配置されるストリップ電極２１と２２の間で放電６１が行われなければならない当該ストリップ電極２１と２２の部分は、幾何学的に互いに斜めに配向され、目標のプラズマ発生の位置６で互いに最も小さな間隔を有する。この最も小さな間隔は、プラズマ発生の位置６及び錫溶融液２６内の浸漬点の前の最終の案内ローラ２３の間のほぼ中央に位置することが好ましい。この位置において、放電６１は、ストリップ電極２１と２２の間に導入される小滴流６２からの錫小滴の直前のレーザ蒸発によって開始され、この結果、プラズマが放電ギャップに形成される。
【００４４】
小滴流６２の小滴は小滴発生器６３によって発生され、この小滴発生器は、蒸発されないエミッタ材料をリサイクルするために２つの容器２４又は２５の一方に小滴流６２が方向付けられるように配置される。
【００４５】
さらに、図４は、反射交互層光学系７４（多層ミラー光学系）の形態のコレクタ光学系７を示しており、この光学系では、プラズマによって放出される放射線は、ほとんど垂直のビーム入射で収集され、中間焦点７２に集束される。コレクタ光学系７の光学軸７１は、目標のプラズマ発生の位置６を通して延在し、もっぱらビーム路に留まるストリップ電極２１と２２（本発明による他の要素のすべてが外側方向に遠くにシフトされるので）が、コレクタ光学系７によってプラズマが投射されるときに可能な限り小さな影を投じるように方向付けられる。
【００４６】
この種類のコレクタ光学系７（Ｍｏ／Ｓｉの交互層系として好ましくは構成された）の使用は、２つのストリップ電極２１と２２が狭く、かつ放電６１の領域で互いに斜めに走り、この結果、４πの立体角度全体にわたって非常に小さな影のみを投じる場合、図４によるこの構成において特に有利である。
【００４７】
図５は、ほぼ直角に反射する交互層光学系７４を有する図４に示した装置の側面図を示している。図４では、選択された観測方向は、ストリップ電極２１と２２が循環する案内プレート２９の平面の断面線に沿った後部右側からである。
【００４８】
案内プレート２９の選択された傾斜位置、及び錫溶融液２６の内部に配置されかつジグザグ通路でストリップ電極２１と２２を案内することによってストリップ電極のそれぞれの容器２４と２５内のストリップ電極の走行通路を長くする案内ローラ２３も、断面で示されまたパルス発生器４の異なる極と連通する（図１〜図３にのみ図示）錫溶融液２６用の容器２４と２５を通してより明瞭に見ることができる。ワイパ２７は、明瞭さのため図示されていない。ワイパは、図１〜図３と同様に配置される。
【００４９】
図４と対照的に、さらに、図５は、交互層光学７４によって獲得され、中間焦点７２に反射されるビーム束のビーム円錐を示している。他の空間位置の関係及び動作のすべては、図４を参照して記載した関係及び動作と同じであり、図４から集めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】循環するエンドレスバンドの形態の電極を有する本発明による装置の概略図である。
【図２】プラズマ発生の所定位置を規定するためのエミッタ材料の注入及びレーザ励起を有する変形例の図面である。
【図３】被覆材料が同様にエミッタ材料であり、プラズマ発生の位置が、ローラの間を走るストリップ部分の領域の被覆材料の蒸発を通したストリップ電極の案内ローラの領域から離間されている、図２を参照した修正変形例の図面である。
【図４】ストリップ電極が互いに交差する２つの平面で循環する変形例の斜視図であり、この場合、ストリップ電極は互いに斜めに幾何学的に配向される直線のプラズマ形成の領域で延在し、プラズマは最小間隔の領域に発生される。
【図５】２つの循環するストリップ電極の平面の部分直線に沿って見た図４を参照した側面図であり、この場合、入射及び反射ビーム束は、ほぼ垂直のビーム入射によるコレクタ光学系について象徴的に示されている。
【符号の説明】
【００５１】
１  真空チャンバ
２  電極ユニット
２１  第１のストリップ電極
２２  第２のストリップ電極
２３  案内ローラ
２４  第１の容器（溶融金属用）
２５  第２の容器（溶融金属用）
２６  溶融金属／錫溶融液
２７  ワイパ
２８  テンションローラ
２９  案内プレート
３  駆動ユニット
３１  回転駆動ユニット
４  パルス発生器
５  エネルギビーム
５１  レーザ
５２  レーザビーム
５３  電子ビーム
６  プラズマ発生の位置
６１  （電気）放出
６２  小滴流
６３  小滴発生器
７  コレクタ光学系
７１  光学軸
７２  中間焦点
７３  皿形の光学系（かすめビーム入射）
７４  交互層の光学系
８  冷却装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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2008004932000002.pdf
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