(57)【要約】【課題】  精密研磨工程後の薬液での洗浄によって研磨剤を基板表面から除去することができ、かつ洗浄後の基板表面が近年のＥＵＶリソグラフィー技術等で要求されるような極めて高い表面の平滑性を有する基板の製造方法を提供する。【解決手段】  ガラス又はガラスセラミックスからなる基板の表面を研磨し、表面粗さＲＭＳを１．０ｎｍ以下とした後、硫酸、硝酸、塩酸から選ばれる酸を少なくとも１種以上含む溶液を用いて前記基板の表面を洗浄し、洗浄前後の前記基板の表面粗さＲＭＳの変化量の絶対値が０．５ｎｍ以下である洗浄工程を含み、かつ前記溶液は、２００ｇの溶液で希土類酸化物０．００１ｇを３０分以内に溶解する溶液である基板の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス又はガラスセラミックスからなる基板の表面を研磨し、表面粗さＲＭＳを１．０ｎｍ以下とした後、硫酸、硝酸、塩酸から選ばれる酸を少なくとも１種以上含む溶液を用いて前記基板の表面を洗浄し、洗浄前後の前記基板の表面粗さＲＭＳの変化量の絶対値が０．５ｎｍ以下である洗浄工程を含み、かつ前記溶液は、２００ｇの溶液で希土類酸化物０．００１ｇを３０分以内に溶解する溶液である基板の製造方法。
【請求項２】
前記溶液の酸濃度が０．３〜１８．２ｍｏｌ／Ｌである請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記溶液の温度が５℃〜７０℃である請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記溶液中におけるフッ素イオンの濃度が１質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記溶液はフッ素イオンを含まないことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記溶液を用いた洗浄時間が３〜５０分であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記酸が硫酸であり、その濃度が０．３１〜１８．２ｍｏｌ／Ｌである請求項１〜６のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項８】
前記酸が硝酸であり、その濃度が２．２４〜１４．７ｍｏｌ／Ｌである請求項１〜６のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項９】
前記酸が塩酸であり、その濃度が３．８〜１１．６４ｍｏｌ／Ｌである請求項１〜６のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
ガラス又はガラスセラミックスからなる基板の表面を研磨した後、前記基板の表面を洗浄する工程において、純水で洗浄する工程、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で洗浄する工程を含む、請求項１〜９のいずれかに記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表面の形状精度として高い平滑性が求められる基板の製造方法に関し、特に平滑面を得るための精密研磨後の基板表面の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のＩＣチップは、情報処理能力を向上させるため、今日ますます集積回路が高密化しつつある。このような高密化を実現する為に、チップ製造工程において極端紫外線（ＥＵＶ）の露光波長を応用する技術（ＥＵＶリソグラフィ技術）が提案されている。この技術で使用される露光装置のマスク基板、ミラー基板は低膨張材料を研磨することにより得られ、しかも高い平滑性が要求される。
【０００３】
また、ハードディスク用磁気ディスクの記録密度が急速に高まりつつあり、この記録密度の向上に伴い、ハードディスクドライブ装置の磁気ヘッドと磁気ディスクとの距離、すなわち磁気ヘッド浮上量を小さくする必要があり、近年では磁気ヘッド浮上量は約１０〜５０ｎｍにまで近づきつつある。そして各磁気ディスクメーカー、またはハードディスクドライブ装置メーカーでは、磁気ヘッドの浮上試験において、磁気ディスクの代用として透明模擬ディスクを使用し、入射光の干渉等から磁気ヘッド浮上量の測定を行っている。このような透明模擬ディスクにおいても高い平滑性が要求される。
【０００４】
その他様々な分野で表面の形状精度として高い平滑性を有する基板が求められている。このような基板の製造は、多くは材料として低膨張性を有するガラスや低膨張性を有するガラスセラミックスが選定され、それらの材料に対して、例えば両面研磨機を使用した精密研磨工程が施される。
このような精密研磨工程では研磨剤として酸化セリウムに代表される希土類酸化物が多く用いられるが、これらの研磨剤は研磨工程終了後も基板表面に強固に残留してしまい、高い平滑性が得られないという問題が発生することがあった。
【０００５】
従って、精密研磨工程の後に残留する研磨剤を、エッチング作用のある薬液で洗浄することが行われている。
しかし、前述のような近年のＥＵＶリソグラフィー等の技術分野においては、要求される表面の形状精度が非常に高いため、洗浄の薬液による基板表面の荒れによって、表面の平滑性が要求を満たさないという問題が生じた。
特に、ガラスセラミックスは、結晶相とアモルファス相のエッチングレートの違いにより、薬液での洗浄により基板の表面が荒れる傾向が大きく、ガラス基板に対して用いられてきた洗浄方法をガラスセラミックス基板に対して適用しても表面の形状精度として高い平滑性を有する基板を得ることは出来なかった。
【０００６】
低膨張材料として知られるチタンドープシリカガラスは気相合成製造工程に起因する組成不均質性が存在し、その組成不均質性によって面内の熱膨張係数が不均質となり、ｐｐｂ／ＫレベルのＣＴＥ均質性が要求されるＥＵＶＬリソグラフィー用のミラー、マスク基板材用途への適用は技術的課題が大きい。  一方、  β−石英系の結晶を主結晶とするガラスセラミックスは、ＣＴＥの均質性に優れており、ＥＵＶリソグラフィー技術分野で用いられるマスクやミラー等の基板材料として有望視されているため、薬液での洗浄による基板表面の荒れの問題を解決することは技術的意義が非常に大きい。
【０００７】
特許文献１はガラス基板の洗浄方法について開示されており、基板を構成するガラスとしてガラスの他に結晶化ガラス（ガラスセラミックス）を挙げているが、実施例によってガラスセラミックスは検証されておらず、洗浄前後の基板の表面粗さの変化量については議論していない。
ガラスとガラスセラミックスではその化学的構造が違うため、基板がガラスセラミックスの場合は当該特許文献の目的を達成できるか否かは不明である。
【０００８】
特許文献２はマスクブランクス用基板の製造方法について開示されており、ＭＲＦ加工法の後に基板表面に残留する鉄粉を除去する目的で、強酸を含む洗浄液を用いて洗浄する工程について記載されている。しかし、当該特許文献ではこの洗浄工程は精密研磨工程（仕上げ研磨工程）の前に行うとしており、最終的な表面粗さを得た後の洗浄工程の前後による表面粗さの変化量については議論していない。
【特許文献１】特開２００１−２０６７３７号公報
【特許文献２】特開２００６−１１９６２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、精密研磨工程後の薬液での洗浄によって研磨剤を基板表面から除去することができ、かつ洗浄後の基板表面が近年のＥＵＶリソグラフィー技術等で要求されるような極めて高い表面の平滑性を有する基板の製造方法を提供し、合わせて、極めて高い表面の平滑性を有する基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は洗浄する薬液の種類や濃度等の条件を特定のものにすることにより、精密研磨工程後の薬液での洗浄によって研磨剤を基板表面から除去することができ、かつ洗浄後の基板表面が極めて高い表面の平滑性を有する基板を製造することができる事を見いだした。
【００１１】
具体的には以下の手段により上記の課題を解決する。
（構成１）
ガラス又はガラスセラミックスからなる基板の表面を研磨し、表面粗さＲＭＳを１．０ｎｍ以下とした後、硫酸、硝酸、塩酸から選ばれる酸を少なくとも１種以上含む溶液を用いて前記基板の表面を洗浄し、洗浄前後の前記基板の表面粗さＲＭＳの変化量の絶対値が０．５ｎｍ以下である洗浄工程を含み、かつ前記溶液は、２００ｇの溶液で希土類酸化物０．００１ｇを３０分以内に溶解する溶液である基板の製造方法。
（構成２）
前記溶液の酸濃度が０．３〜１８．２ｍｏｌ／Ｌである構成１に記載の基板の製造方法。
（構成３）
前記溶液の温度が５℃〜７０℃である構成１または２に記載の基板の製造方法。
（構成４）
前記溶液中におけるフッ素イオンの濃度が１質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする構成１〜３のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成５）
前記溶液はフッ素イオンを含まないことを特徴とする構成１〜４のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成６）
前記溶液を用いた洗浄時間が３〜５０分であることを特徴とする構成１〜５のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成７）
前記酸が硫酸であり、その濃度が０．３１〜１８．２ｍｏｌ／Ｌである構成１〜６のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成８）
前記酸が硝酸であり、その濃度が２．２４〜１４．７ｍｏｌ／Ｌである構成１〜６のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成９）
前記酸が塩酸であり、その濃度が３．８〜１１．６４ｍｏｌ／Ｌである構成１〜６のいずれかに記載の基板の製造方法。
（構成１０）
ガラス又はガラスセラミックスからなる基板の表面を研磨した後、前記基板の表面を洗浄する工程において、純水で洗浄する工程、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で洗浄する工程を含む、構成１〜９のいずれかに記載の基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、精密研磨工程後の薬液での洗浄によって研磨剤を基板表面から除去することができ、かつ洗浄後の基板表面が薬液により大きく荒らされることがないので、極めて高い表面の平滑性を有する基板を得る事ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明を詳細に説明する。
本発明の基板の製造方法は、  ガラス又はガラスセラミックスからなる基板の表面を研磨し、表面粗さＲＭＳを１．０ｎｍ以下とした後、硫酸、硝酸、塩酸から選ばれる酸を少なくとも１種以上含む溶液を用いて前記基板の表面を洗浄工程を含むものである。
【００１４】
ここで本発明において表面粗さＲＭＳとは基板表面上の測定範囲１０μｍ×１０μｍの任意の１箇所についての二乗平均粗さの値であり、例えばデジタルインスツルメンツ社製の原子間力顕微鏡、ＡＦＭ  ＤＩＭＥＮＳＩＯＮ  ３０００によって測定された値を用いることができる。
【００１５】
基板表面の研磨は、準備工程としてラップ機等を用いて研削、粗研磨した基板に対し、酸化セリウムなどの希土類酸化物からなる研磨剤を用いて、片面研磨機、両面研磨機等で精密研磨する。
表面の形状精度として高い平滑性を有する基板を得るためには、この精密研磨工程で基板の表面粗さＲＭＳを１．０ｎｍ以下とすることが好ましく、０．６ｎｍ以下とすることがより好ましく、０．４ｎｍ以下とすることが最も好ましい。
表面粗さを上記の値とするためには、例えば、準備工程で表面粗さＲＭＳを２〜３ｎｍとした基板に対し、酸化セリウムを研磨剤として使用し、両面研磨機を用いて、加工圧力４０〜２００ｇ／ｃｍ２、加工時間１０〜３０分の条件で研磨することにより実現することが出来る。
【００１６】
次に基板表面に残留する希土類酸化物からなる研磨剤を除去するための薬液を選定する。
薬液は硫酸、硝酸、塩酸から選ばれる酸を少なくとも１種以上含む溶液であり、前記溶液２００ｇで希土類酸化物０．００１ｇを３０分以内に溶解するものを選定する。
この選定条件を満たす薬液であれば、精密研磨後の基板表面に残留する希土類酸化物を除去することが出来、かつ、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量の絶対値が０．５ｎｍ以下となり、薬液によって表面が大きく荒れることが無いため、表面の形状精度として高い平滑性を有する基板を得ることができる。また、本発明によれば洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量の絶対値が０．３ｎｍ以下を実現することが出来、さらに０．２ｎｍ以下を実現することができる。
ＥＵＶリソグラフィー等の技術分野においては洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量の絶対値は０．２ｎｍ以下であると好ましい。ハードディスク技術分野における透明模擬ディスクにおいては洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量の絶対値は０．４ｎｍ以下であると好ましい。
薬液は洗浄工程の前にその都度選定してもよいが、実際の基板の製造においては、あらかじめ溶液２００ｇで希土類酸化物０．００１ｇを３０分以内に溶解するかどうかを試験して薬液を選定しておき、その溶液と同一の種類、濃度、温度のものを製造に使用すればよい。
【００１７】
前記精密研磨工程の後、選定した薬液によって基板の表面を洗浄する。洗浄は例えば多層からなる洗浄層に薬液を満たし、この薬液に基板を浸漬することによって行う。また、その他、シャワー洗浄や超音波洗浄を使用しても良い。
【００１８】
前記洗浄の時間は下限が３分であれば、基板表面の希土類酸化物を容易に溶解および／または除去することができる。より容易に前記効果を得るためには、洗浄時間の下限は４分がより好ましく、６分が最も好ましい。
同様に洗浄の時間は上限が５０分であれば、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量を容易に少なくすることができる。より容易に前記効果を得るためには、洗浄時間の上限は４０分がより好ましく、３５分が最も好ましい。
【００１９】
前記の洗浄の後、必要に応じて、純水及び／又はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で洗浄をする。この時超音波を照射しても良い。また、純水及び／又はＩＰＡでの洗浄工程の後、再度前記薬液による洗浄を行っても良く、これらの工程を数回繰り返しても良い。
洗浄工程の後は表面の形状精度として高い平滑性を有する。従って洗浄工程の後は研磨加工を行わないことが好ましい。
【００２０】
基板材料としては、金属、ガラス、セラミックス、ガラスセラミックス等を用いることができるが、ＥＵＶリソグラフィー技術等で要求されるような極めて高い表面の平滑性を有する基板の場合には、コーニング社のＵＬＥ（商品名）、ショット社のゼロデュアー（商品名）、オハラ社のクリアセラム−Ｚ（商品名）、クリアセラム−Ｚ  ＨＳ（商品名）等が適している。
本発明の製造方法は、特にショット社のゼロデュアー（商品名）、オハラ社のクリアセラム−Ｚ（商品名）、クリアセラム−Ｚ  ＨＳ（商品名）等のガラスセラミックスを基板材料とする時に特に適しており、結晶相とアモルファス相のエッチングレートの違いがある場合でも、薬液による洗浄によって基板の表面粗さＲＭＳが大きく変化することがなく極めて高い表面の平滑性を有する基板を得る事ができる。
【００２１】
本発明の製造方法に使用する薬液について説明する。
薬液は硫酸、硝酸、塩酸から選ばれる酸を１種以上を含む溶液であり、単酸でも混酸でも良い。溶媒は水であることが好ましい。
【００２２】
前記溶液の酸濃度は下限が０．３ｍｏｌ／Ｌであれば、前記薬液の選定条件を容易に満たすことができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の酸濃度の下限は０．４ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、０．５ｍｏｌ／Ｌが最も好ましい。
同様に前記溶液の酸濃度は上限が１８．２ｍｏｌ／Ｌであれば、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量を容易により少なくすることができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の酸濃度の上限は１７ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、１６ｍｏｌ／Ｌが最も好ましい。
【００２３】
溶液に含まれる酸が硫酸の単酸である場合には、前記溶液の酸濃度は下限が０．３１ｍｏｌ／Ｌであれば、前記薬液の選定条件を容易に満たすことができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の酸濃度の下限は０．４２ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、０．４７ｍｏｌ／Ｌが最も好ましい。
同様に前記溶液の酸濃度は上限が１８．２ｍｏｌ／Ｌであれば、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量を容易により少なくすることができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の酸濃度の上限は１７ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、１６ｍｏｌ／Ｌが最も好ましい。
【００２４】
溶液に含まれる酸が硝酸の単酸である場合には、前記溶液の酸濃度は下限が２．２４ｍｏｌ／Ｌであれば、前記薬液の選定条件を容易に満たすことができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の酸濃度の下限は２．４４ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、２．５５ｍｏｌ／Ｌが最も好ましい。
同様に前記溶液の酸濃度は上限が１４．７ｍｏｌ／Ｌであれば、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量を容易により少なくすることができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の酸濃度の上限は１３ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、１２ｍｏｌ／Ｌが最も好ましい。
【００２５】
溶液に含まれる酸が塩酸の単酸である場合には、前記溶液の酸濃度は下限が３．８ｍｏｌ／Ｌであれば、前記薬液の選定条件を容易に満たすことができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の酸濃度の下限は４．１ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、４．３ｍｏｌ／Ｌが最も好ましい。
同様に前記溶液の酸濃度は上限が１１．６４ｍｏｌ／Ｌであれば、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量を容易により少なくすることができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の酸濃度の上限は１０ｍｏｌ／Ｌがより好ましく、９ｍｏｌ／Ｌが最も好ましい。
【００２６】
前記溶液の温度は下限が５℃であれば、前記薬液の選定条件を容易に満たすことができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の温度の下限は１０℃がより好ましく、１５℃が最も好ましい。
同様に前記溶液の温度は上限が７０℃であれば、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量を容易により少なくすることができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液の温度の上限は６０℃未満がより好ましく、３０℃未満が最も好ましい。
【００２７】
前記溶液はフッ素イオンの濃度が１ｐｐｍ以下であると、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量を容易に少なくすることができる。より容易に前記効果を得るためには、前記溶液はフッ素イオンの濃度が１ｐｐｍ以下であることがより好ましく、フッ素イオンを含まないことが最も好ましい。
また、前記溶液はアルカリであると洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量が大きくなり、基板表面が荒れてしまうため、溶液はアルカリでないことが好ましい。
上記の理由から、基板の製造工程においては、フッ素イオンを含んだ溶液およびアルカリ溶液を使用した洗浄は一切しないことが最も好ましい。
【実施例】
【００２８】
本発明の実施例について説明する。
【００２９】
〔準備工程〕
準備工程において、コーニング社のＵＬＥ（商品名）、ショット社のゼロデュアー（商品名）、オハラ社のクリアセラム−Ｚ（商品名）、クリアセラム−Ｚ  ＨＳ（商品名）を１５ｍｍ×１５ｍｍ×１０ｍｍｔの基板状に切断し、両面加工機または片面加工機を用いて研削し、その後両面加工機または片面加工機を用いて粗研磨し、基板の表面粗さＲＭＳを２ｎｍ以下とした。
【００３０】
〔精密研磨工程〕
準備工程において粗研磨した基板を、スピードファム社の両面研磨機１２Ｂ−６Ｐを用い、研磨剤は昭和電工社の酸化セリウム研磨剤ショウロックス（商品名）を使用して精密研磨し、表面粗さＲＭＳを１．０ｎｍ以下とした。
【００３１】
〔精密研磨後の表面粗さＲＭＳの測定〕
粗研磨後、精密研磨工程後の個々の基板の表面形状について、デジタルインスツルメンツ社製のＡＦＭ  ＤＩＭＥＮＳＩＯＮ  ３０００を用い、測定範囲１０μｍ×１０μｍの任意の一箇所についての測定値を表面粗さＲＭＳとした。
なお、この表面粗さＲＭＳの測定は検証のために行ったものであり、実際の基板の製造においては必ずしも必要なものではない。
個々の基板の精密研磨後の表面粗さＲＭＳを表３〜表９に記載する。
【００３２】
〔薬液の選定〕
硫酸、硝酸、塩酸から選ばれる酸を少なくとも１種以上含む溶液を濃度、温度を変えて各種２００ｇ用意しビーカーに入れ、酸化セリウム系研磨剤昭和電工社の酸化セリウム研磨剤ショウロックス（商品名）０．００１ｇを投入し撹拌した。  その後、２分毎に各ビーカーを観察し、酸化セリウム研磨剤が溶解されたかを目視にて確認し溶解時間を測定した。
測定の結果、この中で酸化セリウム研磨剤を３０分以内に溶解したものを薬液として選定した。
選定の為に用意した薬液の種類、濃度、温度、酸化セリウムの溶解時間を表１〜表３に記載する。  
薬液の選定はこのような溶解実験をして、その薬液と同一の種類、濃度、温度のものを選定しても良いが、２００ｇの溶液で希土類酸化物０．００１ｇを３０分以内に溶解するという条件を満たすものであれば、溶解実験に使用した薬液と同一でなく、溶解実験の測定結果から推測によって得た種類、濃度、温度の薬液を選定しても良い。
また、溶解実験に使用する希土類酸化物は実際の研磨工程で使用する研磨剤と同一のものを使用することが好ましいが、同種のものでも良い。例えば上記の溶解実験において、研磨工程で使用する研磨剤と同種の酸化セリウム研磨剤である三井金属製  ミレークＳ−０（商品名）を用いて実験をしても良い。
【００３３】
【表１】
2008094641.tif 000002
【００３４】
【表２】
2008094641.tif 000003
【００３５】
【表３】
2008094641.tif 000004
【００３６】
〔洗浄工程〕
精密研磨工程で表面粗さＲＭＳを１．０ｎｍ以下とした各基板の表面を、選定した薬液と同一の種類、濃度、温度の薬液で洗浄した。
洗浄はフッ素樹脂系材料からなる洗浄槽に薬液を入れ、その中に浸漬することによって行った。  
その後純水とＩＰＡを使用した多槽式自動洗浄器で洗浄し、ＩＰＡ蒸気乾燥で乾燥し、基板を得た。
目視によって観察したところ、基板表面に酸化セリウム研磨材は認めらなかった。
また、洗浄工程前の原子間力顕微鏡による表面形状のプロファイルで確認された、研磨材と思われる突起物（図１参照）は、洗浄工程後の原子間力顕微鏡による表面形状のプロファイルでは確認されなかった（図２参照）。
【００３７】
〔洗浄後の表面粗さＲＭＳの測定〕
精密研磨後の表面粗さＲＭＳの測定方法と同様の方法で、洗浄後の基板表面粗さＲＭＳを測定し、精密研磨後の表面粗さＲＭＳとの差の絶対値を求めた。この値が洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量の絶対値となる。
個々の基板の洗浄後の表面粗さＲＭＳと、表面粗さＲＭＳ変化量の絶対値を表３〜表９に記載する。
【００３８】
本実施例の基板材料、洗浄に用いた薬液の種類、濃度、洗浄時間、薬液温度、精密研磨後の基板の表面粗さＲＭＳ、洗浄後の基板の表面粗さＲＭＳ、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量の絶対値を表４〜表９に示す。また、比較例を表１０〜表１１に示す。
本発明の基板の製造方法は、洗浄前後の基板の表面粗さＲＭＳの変化量が０．１９ｎｍ以下であり、洗浄前後の基板の表面の荒れが非常に少ないことが分かる。
なお、表中、基板材料については記号で表わし、オハラ社のクリアセラム−Ｚ（商品名）をＣ、クリアセラム−Ｚ  ＨＳ（商品名）をＨ、コーニング社のＵＬＥ（商品名）をＵ、ショット社のゼロデュアー（商品名）をＺとした。
このなかでオハラ社のクリアセラム−Ｚ（商品名）、クリアセラム−Ｚ  ＨＳ（商品名）、およびショット社のゼロデュアー（商品名）はβ石英、及び／又はβ石英固溶体を主結晶相とするガラスセラミックスであり、コーニング社のＵＬＥ（商品名）は気相合成法によって製造されたチタンドープシリカガラスである。
【００３９】
【表４】
2008094641.tif 000005
【００４０】
【表５】
2008094641.tif 000006
【００４１】
【表６】
2008094641.tif 000007
【００４２】
【表７】
2008094641.tif 000008
【００４３】
【表８】
2008094641.tif 000009
【００４４】
【表９】
2008094641.tif 000010
【００４５】
【表１０】
2008094641.tif 000011
【００４６】
【表１１】
2008094641.tif 000012
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】精密研磨工程後であって、本発明の洗浄工程前の原子間力顕微鏡による基板の表面形状のプロファイルである。
【図２】精密研磨工程後であって、本発明の洗浄工程後の原子間力顕微鏡による基板の表面形状のプロファイルである。
【図１】
2008094641.tif 000013
【図２】
2008094641.tif 000014