(57)【要約】【課題】製造過程でペンタセン等の有機半導体膜の特性を悪化させることなく画素の小型化に対応できる有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタを備えた表示装置を提供する。【解決手段】基板１と、基板上に形成されたゲート電極７と、ゲート電極を覆うゲート絶縁層５と、ゲート電極の近傍におけるゲート絶縁層上に互いに離間して形成されたソース電極１３及びドレイン電極１５と、ソース電極及びドレイン電極と接してゲート絶縁層上に形成された第１有機半導体膜２５と、第１の有機半導体膜を囲うように前記基板上に形成された絶縁分離膜１７と、絶縁分離膜上に形成された第２の有機半導体膜２５とを有し、第１の有機半導体膜と第２の有機半導体膜とは絶縁分離膜によって電気的に絶縁された構成とする。【選択図】図５
2008066697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート電極の近傍における前記ゲート絶縁層上に互いに離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極と接して前記ゲート絶縁層上に形成された第１の有機半導体膜と、
前記第１の有機半導体膜を囲うように前記基板上に形成された絶縁分離膜と、
前記絶縁分離膜上に形成された第２の有機半導体膜と、
を有し、
前記第１の有機半導体膜と前記第２の有機半導体膜とは、前記絶縁分離膜によって電気的に絶縁されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート電極の近傍における前記ゲート絶縁層上に互いに離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記基板上に形成されて、前記ソース電極及びドレイン電極を露出させる開口部を有する絶縁層と、
前記開口部に形成されて前記ソース電極及びドレイン電極と接する有機半導体膜と、
を有し、
前記開口部は、その断面形状が、前記基板側よりも開口側が狭い逆テーパ形状を有していることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項３】
基板の所定範囲にゲート電極と該ゲート電極を覆うゲート絶縁層とを形成するゲート形成工程と、
前記ゲート形成工程後に、前記ゲート電極の近傍における前記ゲート絶縁層上に、ソース電極及びドレイン電極を互いに離間して形成するソースドレイン形成工程と、
前記ソースドレイン形成工程後に、前記ソース電極及びドレイン電極の一部がそれぞれ露出する開口部を有する絶縁分離膜を前記基板上に形成する絶縁分離膜形成工程と、
前記絶縁分離膜形成工程後に、前記絶縁分離膜上と前記開口部内とに有機半導体膜を互いに分離させて形成する有機半導体膜形成工程と、
を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、
前記有機半導体膜形成工程後に、前記絶縁分離膜上の有機半導体膜を除去する除去工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
画素がマトリクス状に複数配置された画像表示領域と、
各前記画素を選択するためのスイッチング素子と、
各前記画素を駆動するための増幅トランジスタと、
を有し、
前記スイッチング素子及び前記増幅トランジスタの少なくともいずれかは、請求項１または請求項２記載の有機薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタを備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置等に用いられる有機ＥＬパネルや有機ＥＬ表示素子、または、液晶表示装置等に用いられる液晶パネルや液晶表示素子のスイッチング素子等として、有機薄膜トランジスタを用いるための研究が活発に行われている。
有機薄膜トランジスタは、シリコン単結晶基板やガラス基板上にアモルファスシリコンやポリシリコンからなる無機半導体膜を形成した無機薄膜トランジスタに比べて、比較的安価な設備で製造コストを低く抑えて製造できる点で有利である。
有機薄膜トランジスタを構成する有機半導体膜の材料としてペンタセンを用いることができる。ペンタセンはｐ型の有機半導体材料であり、無機半導体材料であるアモルファスシリコンと略同等の移動度が得られる。
このようなペンタセン等の有機半導体材料からなる有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタの一例が特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００６−１３４６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に開示されているような有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタを製造する際、有機半導体膜をパターニングする方法として、一般的に、フォトリソ法やマスク蒸着法が用いられる。
【０００４】
フォトリソ法は、有機半導体膜であるペンタセン膜上にＳｉＯ２膜（二酸化シリコン）等の無機膜やレジストをエッチングマスクとして形成し、このエッチングマスクで保護されていない範囲のペンタセン膜をドライエッチングにより除去した後、エッチングマスクを除去する方法である。
しかしながら、ペンタセン膜は、ペンタセン膜上にＳｉＯ２膜をスパッタによりプラズマを発生させた状態で成膜する際に、このプラズマ等の影響を受けて移動度等の特性が悪化する場合がある。
また、レジストを形成または除去する際に、レジストの溶媒や剥離液等の影響を受けて移動度等の特性が悪化する場合がある。
【０００５】
マスク蒸着法は、所定の工程を経た基材に、開口部を有するメタルマスクを用いてペンタセンを蒸着させることにより、この開口部に相当する範囲のみにペンタセン膜を成膜する方法である。
【０００６】
ところで、このような有機薄膜トランジスタを前述の表示装置等に用いる場合、近年の画像の高解像度化に伴う画素の小型化に対応させるためには、上述したメタルマスクの開口部を微細に加工することが必要になるが、この開口部の加工寸法精度及びメタルマスクと基材との位置合わせ精度を所定の範囲内に管理することが難しくその改善が望まれる。
【０００７】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、製造過程でペンタセン等の有機半導体膜の特性を悪化させることなく画素の小型化が可能な有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタを備えた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本願各発明は次の手段を有する。
１）基板（１）と、前記基板上に形成されたゲート電極（７）と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層（５）と、前記ゲート電極の近傍における前記ゲート絶縁層上に互いに離間して形成されたソース電極（１３）及びドレイン電極（１５）と、前記ソース電極及びドレイン電極と接して前記ゲート絶縁層上に形成された第１の有機半導体膜（２５）と、前記第１の有機半導体膜を囲うように前記基板上に形成された絶縁分離膜（１７）と、前記絶縁分離膜上に形成された第２の有機半導体膜（２５）と、を有し、前記第１の有機半導体膜と前記第２の有機半導体膜とは、前記絶縁分離膜によって電気的に絶縁されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ（５０）である。
２）基板（１）と、前記基板上に形成されたゲート電極（７）と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層（５）と、前記ゲート電極の近傍における前記ゲート絶縁層上に互いに離間して形成されたソース電極（１３）及びドレイン電極（１５）と、前記基板上に形成されて、前記ソース電極及びドレイン電極を露出させる開口部（１９）を有する絶縁層（１７）と、前記開口部に形成されて前記ソース電極及びドレイン電極と接する有機半導体膜（２５）と、を有し、前記開口部は、その断面形状が、前記基板側よりも開口側が狭い逆テーパ形状を有していることを特徴とする有機薄膜トランジスタ（５０，５５）である。
３）基板（１）の所定範囲にゲート電極（７）と該ゲート電極を覆うゲート絶縁層（５）とを形成するゲート形成工程と、前記ゲート形成工程後に、前記ゲート電極の近傍における前記ゲート絶縁層上に、ソース電極（１３）及びドレイン電極（１５）を互いに離間して形成するソースドレイン形成工程と、前記ソースドレイン形成工程後に、前記ソース電極及びドレイン電極の一部がそれぞれ露出する開口部（１９）を有する絶縁分離膜（１７）を前記基板上に形成する絶縁分離膜形成工程と、前記絶縁分離膜形成工程後に、前記絶縁分離膜上と前記開口部内とに有機半導体膜（２５）を互いに分離させて形成する有機半導体膜形成工程と、を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ（５０）の製造方法である。
４）３）項記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記有機半導体膜形成工程後に、前記絶縁分離膜上の有機半導体膜を除去する除去工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ（５５）の製造方法である。
５）画素がマトリクス状に複数配置された画像表示領域（Ｓ７３）と、各前記画素を選択するためのスイッチング素子（７９）と、各前記画素を駆動するための増幅トランジスタ（８１）と、を有し、前記スイッチング素子及び前記増幅トランジスタの少なくともいずれかは、１）項または２）項記載の有機薄膜トランジスタ（５０，５５）であることを特徴とする表示装置（１００）である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る有機薄膜トランジスタ及びその製造方法によれば、製造過程でペンタセン等の有機半導体膜の特性を悪化させないという効果を奏する。
また、本発明に係る有機薄膜トランジスタを備えた表示装置によれば、画素の小型化が可能になるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例である第１実施例及び第２実施例として図１〜図８を用いて説明する。
第１実施例は本発明の有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例であり、第２実施例は第１実施例の有機薄膜トランジスタを備えた表示装置の実施例である。
【００１１】
＜第１実施例＞
まず、本発明の有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例を第１工程〜第５工程として図１〜図５を用いて説明する。
図１〜図５は、本発明の有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例における第１工程〜第５工程をそれぞれ説明するための模式的断面図である。
なお、図１〜図５には、ガラス基板上に形成する複数の有機薄膜トランジスタのうちの２つを示すこととする。
【００１２】
（第１工程）［図１参照］
ガラス基板１上に、ＲＦ（Radio Frequency）スパッタ法により、スパッタ圧を４Ｐａとして、Ｔａ（タンタル）膜３を成膜する。Ｔａ膜３の厚さｔ３は約２５０ｎｍである。
次に、フォトリソグラフィー法により、Ｔａ膜３のパターニングを行う。
【００１３】
（第２工程）［図２参照］
Ｔａ膜３の表面を含む表面近傍領域を、陽極酸化法により酸化させてＴａ２Ｏ５（五酸化タンタル）からなるゲート絶縁層５とする。Ｔａ膜３の酸化されていない内部の領域はゲート電極７となる。
ゲート絶縁層５の厚さｔ５は約１５０ｎｍであり、ゲート電極７の厚さｔ７は約１００ｎｍである。
【００１４】
（第３工程）［図３参照］
第２工程を経たガラス基板１上に、蒸着法及びリフトオフ法により、ゲート絶縁層５の一部を覆うように、Ｃｒ（クロム）膜９とＡｕ（金）膜１１とが順次成膜されてなるソース電極１３及びドレイン電極１５を互いに離間させて形成する。
Ｃｒ膜９の厚さｔ９は約３ｎｍであり、Ａｕ膜１１の厚さｔ１１は約６０ｎｍである。
実施例では、チャネル長Ｌ１を５０μｍ、チャネル幅（紙面に対して奥行き方向の長さ）を１ｍｍとした。
また、実施例では、ソース電極１３及びドレイン電極１５を蒸着法及びリフトオフ法により形成したがこれに限定されるものではない。
【００１５】
（第４工程）［図４参照］
ソース電極１３及びドレイン電極１５を覆うように厚さｔ１７が２μｍであるネガ型レジスト膜１７を形成する。
次に、このネガ型レジスト膜１７の所定の領域に所定の露光量で露光を行った後に現像することにより、チャネル領域を含みソース電極１３及びドレイン電極１５の少なくともそれぞれの一部が露出するように、１組のソース電極１３及びドレイン電極１５にそれぞれ対応させてレジスト開口部１９を複数形成する。
レジスト開口部１９は、その断面形状が、外部に開口する側の開口幅Ｗ１９ａがソース電極１３及びドレイン電極１５側の幅Ｗ１９ｂよりも狭い逆テーパ形状を有している。
【００１６】
ネガ型レジストを用いた場合は、露光の際の露光量をより小さい値に設定したり現像時間をより長くしたりすることにより、レジスト開口部１９の断面形状を逆テーパ形状とすることができる。
また、上述したネガ型レジスト以外に逆テーパ形状を形成可能なポジ型レジストを用いることもできる。さらに上層が下層よりも現像されにくいレジストを用いた２層構造により外部に開口する側の開口幅Ｗ１９ａがソース電極１３及びドレイン電極１５側の幅Ｗ１９ｂよりも狭い開口部１９を形成することも可能である。
実施例では、レジスト開口部１９の開口幅Ｗ１９ａを１５０μｍ、幅（紙面に対して奥行き方向の長さ）を１．１ｍｍとし、テーパ角度θ１９を４０°とした。
【００１７】
（第５工程）［図５参照］
所定のマスク開口部２１が前述のレジスト開口部１９に対応して複数形成されたメタルマスク２３を用いたマスク蒸着法により、マスク開口部２１によって開口された範囲に、厚さｔ２５が５０ｎｍであるペンタセン膜２５を成膜する。
ペンタセン膜２５は、有機半導体膜であり、ソース電極１３及びドレイン電極１５それぞれと接続する領域（ネガ型レジスト膜１７のレジスト開口部１９に相当する領域）とネガ型レジスト膜１７の表面上の領域とで不連続、即ち絶縁状態となっている。
従って、レジスト開口部１９を有するネガ型レジスト膜１７は、有機半導体膜（ペンタセン膜２５）を絶縁して分離する絶縁分離膜として機能する。
マスク蒸着法により有機半導体膜（ペンタセン膜２５）を成膜する際、メタルマスク２３のマスク開口部２１をレジスト開口部１９よりも大きく形成することができるため、マスク開口部２１を微細に加工する必要がないため、この開口部の加工寸法精度及びメタルマスク２３とガラス基板１との位置合わせ精度を既存の精度で行うことができるので、特にこれらの精度を厳しく管理する必要がない。
また、こうしたマスク蒸着法ではなく全面に有機半導体膜を成膜するようにしてもよい。
【００１８】
実施例では、ネガ型レジスト膜１７の厚さｔ１７を２μｍ、ペンタセン膜２５の厚さｔ２５を５０ｎｍ、及びレジスト開口部１９のテーパ角度θ１９を４０°とすることにより、ソース電極１３及びドレイン電極１５それぞれと接続する領域（ネガ型レジスト膜１７の開口部１９に相当する領域）とネガ型レジスト膜１７の表面上の領域とを不連続（絶縁状態）としたが、これに限定されるものではなく、発明者が鋭意実験した結果、ペンタセン膜２５の厚さｔ２５に対するネガ型レジスト膜１７の厚さｔ１７の比（ｔ１７／ｔ２５）を５以上とし、レジスト開口部１９のテーパ角度θ１９を５°以上とすることにより、上述した各領域を不連続（絶縁状態）にできることを見出した。
【００１９】
上述した第１工程〜第５工程により、ガラス基板１上にゲート電極７，ゲート絶縁層５，ソース電極１３，ドレイン電極１５，有機半導体膜（ペンタセン膜）２５，及び絶縁分離膜（ネガ型レジスト膜）１７が形成されてなる有機薄膜トランジスタ５０を複数得ることができる。
【００２０】
また、ペンタセン膜２５が形成されていない範囲（メタルマスク２３で覆われた範囲に相当する）Ｓ１に、ゲート電極７，ソース電極１３，及びドレイン電極１５とそれぞれ単独に接続する引き出し電極を配置するようにしてもよい。
各引き出し電極が露出するように絶縁分離膜（ネガ型レジスト膜１７）に開口部を設け、各引き出し電極と外部の電源とを接続することにより、有機薄膜トランジスタ５０を能動素子として機能させることができる。
【００２１】
また、ガラス基板１に有機薄膜トランジスタ５０を制御する制御回路が形成されている場合は、有機薄膜トランジスタ５０毎に引き出し電極を特に設ける必要がなく、このような場合には、上述したメタルマスク２３を用いずに、即ちマスク蒸着法を用いずに、複数の有機薄膜トランジスタ５０を一体に覆うように有機半導体膜（ペンタセン膜２５）を成膜してもよい。
この場合においても、上述した関係（ｔ１７／ｔ２５）≧５を満足していれば、有機薄膜トランジスタ５０同士は絶縁分離膜（ネガ型レジスト膜１７）によって有機半導体膜（ペンタセン膜２５）が不連続（絶縁状態）となっているため、この有機半導体膜（ペンタセン膜２５）が有機薄膜トランジスタ５０間に悪影響を及ぼすことはない。
【００２２】
＜比較例＞
ここで、一般的な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を、第１実施例に対する比較例として図６及び図７を用いて説明する。
図６及び図７は比較例における第６工程及び第７工程をそれぞれ説明するための模式的断面図である。
なお、第１実施例と同じ構成部には第１実施例と同じ符号を付し詳細な説明については省略する。
【００２３】
（第６工程）［図６参照］
前述した第１実施例の第１工程から第３工程までの工程と同様の工程を行った後、このガラス基板１上に、ペンタセン膜６１，ＳｉＯ２（二酸化シリコン）膜６３，及び感光性ＰＶＡ（PolyVinylAlchol）膜６５を順次積層形成する。
ペンタセン膜６１は蒸着法により、ＳｉＯ２膜６３はスパッタ法により、感光性ＰＶＡ膜６５はスピンコート法により、それぞれ形成した。
ペンタセン膜６１の厚さｔ６１は５０ｎｍ、ＳｉＯ２膜６３の厚さｔ６３は１５ｎｍ、感光性ＰＶＡ膜６５の厚さｔ６５は６００ｎｍである。
【００２４】
（第７工程）［図７参照］
まず、感光性ＰＶＡ膜６５を、チャネル上のペンタセン膜６１を残すように、露光及び現像を行ってパターニングする。
次に、この感光性ＰＶＡ膜６５をマスクとして、ＳｉＯ２膜６３を、ＣＨＦ３（トリフルオロメタン）ガスやＣＦ４（テトラフルオロメタン）ガス等のエッチングガスを用いたドライエッチングにより選択的にエッチングする。
さらに、この感光性ＰＶＡ膜６５をマスクとして、ペンタセン膜６１を、Ｏ２（酸素）ガスを用いたドライエッチングによって選択的にエッチングする。
【００２５】
上述した第６工程及び第７工程により、ガラス基板１上にゲート電極７，ゲート絶縁層５，ソース電極１３，ドレイン電極１５，及び有機半導体膜（ペンタセン膜６１）が形成されてなる有機薄膜トランジスタ７０を複数得る。
【００２６】
そこで、上述した第１実施例の有機薄膜トランジスタ５０及び比較例の有機薄膜トランジスタ７０の特性（移動度及びＯｎ／Ｏｆｆ比）評価を行い、その結果を表１にまとめた。
【００２７】
【表１】
2008066697.tif 000003
【００２８】
表１から、第１実施例の有機薄膜トランジスタ５０は、比較例の有機薄膜トランジスタ７０と比較して、Ｏｎ／Ｏｆｆ比は同等に良好であったが、移動度が大きくなっていることを確認した。
比較例の有機薄膜トランジスタ７０の移動度が第１実施例の有機薄膜トランジスタ５０に比べて小さい理由は、ペンタセン膜６１上にＳｉＯ２膜６３をスパッタ法により成膜する際にペンタセン膜６１は成膜雰囲気であるプラズマに晒されるためこのプラズマによってダメージを受けたり、ペンタセン膜６１をＯ２ガスを用いたＲＩＥによりエッチングした際にＯ２ガスと接触した部分が酸化されて膜質が劣化したことによるものと推察される。
【００２９】
＜変形例＞
ここで、上述した第１実施例の変形例を図８を用いて説明する。
図８は、第１実施例の変形例を説明するための模式的断面図であり、図中の（ａ），（ｂ）は、変形例の有機薄膜トランジスタ５５を作製する各過程をそれぞれ示している。
【００３０】
変形例では、上述した第１実施例の有機薄膜トランジスタ５０における絶縁分離膜（ネガ型レジスト膜１７）上の有機半導体膜（ペンタセン膜２５）のみを除去することを特徴とする。
一般的に、有機半導体膜と絶縁分離膜との密着強度は、他の構成部間の密着強度に比べて低いので、特性上不要な“絶縁分離膜上の有機半導体膜”を除去しておくことが望ましい。
また、有機半導体膜の信頼性を向上させる等の目的で、有機半導体膜上に保護膜を形成する場合があるが、保護膜と有機半導体膜との密着強度は、有機半導体膜と絶縁分離膜との密着強度と同様に低いので、この場合においても、特性上不要な“絶縁分離膜上の有機半導体膜”を除去しておくことが望ましい。
【００３１】
そこで、変形例では、図８（ａ）に示すように、有機半導体膜との粘着力が有機半導体膜と絶縁分離膜との密着強度よりも大きい粘着ローラー５２を用いて、有機薄膜トランジスタ５０における絶縁分離膜（ネガ型レジスト膜１７）上の有機半導体膜（ペンタセン膜２５）のみを除去することにより、図８（ｂ）に示すように、チャネル部のみに有機半導体膜（ペンタセン膜２５）が設けられた有機薄膜トランジスタ５５を得る。
【００３２】
＜第２実施例＞
次に、第２実施例について図９を用いて説明する。
第２実施例は第１実施例の有機薄膜トランジスタ５０を備えた表示装置の実施例である。
第２実施例では表示装置として有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置１００を例として説明する。
【００３３】
有機ＥＬ表示装置１００の概略について図９を用いて説明する。
図９は、第２実施例における有機ＥＬ表示装置１００の概略を説明するための図である。
【００３４】
図８に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、主に、画素７１がマトリクス状に複数配置されてなる画像表示領域Ｓ７３と、各画素を独立に制御する水平走査回路７５及び垂直走査回路７７とにより構成されている。
画素７１は、主に、スイッチングトランジスタ７９，増幅用トランジスタ８１，有機ＥＬ８３，及び保持容量８４により構成されている。
スイッチングトランジスタ７９は、ゲート電極８５，ソース電極８７，ドレイン電極８９，図示しない有機半導体膜，図示しない絶縁分離膜，及び図示しないゲート絶縁層により構成されている。
【００３５】
このスイッチングトランジスタ７９を前述した第１実施例の有機薄膜トランジスタ５０または変形例の有機薄膜トランジスタ５５とすることができる。従って、スイッチングトランジスタ７９の構造は前述の図５及び図８（ｂ）に示した有機薄膜トランジスタ５０，５５と同じである。
増幅用トランジスタ８１は、ゲート電極９１，ソース電極９３，ドレイン電極９５，図示しない有機半導体膜，図示しない絶縁分離膜，及び図示しないゲート絶縁層により構成されている。
この増幅用トランジスタ８１を前述した第１実施例の有機薄膜トランジスタ５０または変形例の有機薄膜トランジスタ５５とすることができる。従って、増幅用トランジスタ８１の構造は前述の図５及び図８（ｂ）に示した有機薄膜トランジスタ５０，５５と同じである。
【００３６】
スイッチングトランジスタ７９において、ゲート電極８５はそれぞれ行Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎ毎に垂直走査回路７７に電気的に接続されており、ソース電極８７はそれぞれ列Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｍ毎に水平走査回路７５に電気的に接続されており、ドレイン電極８９は増幅用トランジスタ８１のゲート電極９１に電気的に接続されている。
増幅用トランジスタ８１において、ソース電極９３はそれぞれ端子部ＣＥに電気的に接続されており、ドレイン電極９５は有機ＥＬ８３に電気的に接続されている。
有機ＥＬ８３はグランドＧＮＤに接地されており、保持容量８４はゲート電極９１とソース電極９３とを電気的に接続している。
【００３７】
そして、水平走査回路７５及び垂直走査回路７７により、画素７１毎に有機ＥＬ８３を制御して駆動させることによって、画像を表示させることができる。
【００３８】
この有機ＥＬ表示装置１００は、スイッチングトランジスタ７９及び増幅用トランジスタ８１として第１実施例で詳述した有機薄膜トランジスタ５０を備えているため、画素の小型化に対応できるという効果を奏する。
【００３９】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【００４０】
例えば、第２実施例では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、前述した有機ＥＬ表示装置１００における有機ＥＬ８３を液晶に替えれば、液晶表示装置とすることもできる。
【００４１】
また、第１実施例及び変形例では、有機半導体膜（ぺンタセン膜２５）を不連続(絶縁状態)とする分離層としてネガ型レジスト膜１７（またはポジ型レジスト膜）を用いたがこれに限定されるものではない。
この分離層は絶縁膜であればよく、例えばネガ型レジスト膜１７（またはポジ型レジスト膜）の代わりに各種高分子絶縁材料が使用可能であり、ＳｉＯ２(二酸化シリコン)，ＳｉＮ（窒化シリコン），Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）等からなる無機絶縁膜としてもよい。
【００４２】
また、第１実施例及び変形例では、基材としてガラス基板を用いたが、これに限定されるものではなく、基材として、Ｓｉ（シリコン）基板等の半導体基板や無機材料からなる無機基板、及び、ポリエチレンテレフタレート（ＲＥＴ），ポリスチレン（ＰＳ），ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等の有機材料からなるプラスチック基板を用いることができる。
【００４３】
また、第１実施例及び変形例では、ゲート電極材料としてＴａ（タンタル）を用いたが、これに限定されるものではなく、例えばＡｌ（アルミニウム），Ｃｕ（銅），Ｃｒ（クロム），Ａｕ(金)等の金属や、低抵抗Ｓｉ等の導電性材料を用いることができる。
【００４４】
また、第１実施例及び変形例では、ゲート絶縁層材料としてＴａ２Ｏ５（五酸化タンタル）を用いたが、絶縁性を有し比誘電率の高い材料であればこれに限定されるものではない。例えば、このような絶縁性を有し比誘電率の高い材料として、酸化シリコン，窒化シリコン，酸化アルミニウム，酸化チタン，及び酸化ジルコンを用いることができる。このような材料からなるゲート絶縁層は、蒸着法，スパッタ法，ＣＶＤ（ChemicalVaporDeposition）法等の真空成膜法により形成することができる。
また、その他の絶縁性を有し比誘電率の高い材料として、ポリエチレン，ポリビニールカルバゾール，ポリイミド，ポリパラキシレンを用いることができる。このような材料からなるゲート絶縁層は、スピンコート法，ＬＢ（Lanmguir-Blodgett）単分子累積法により形成することができる。
【００４５】
また、第１実施例及び変形例では、有機半導体膜材料としてペンタセンを用いたがこれに限定されるものではなく、例えば、ペンタセンの代わりに、テトラセン，ペリレン等の縮合芳香族炭化水素、これら縮合芳香族炭化水素の誘導体、及び高分子材料を用いることができる。
高分子材料としては、ポリアセチレンやポリアセン等の共役炭化水素ポリマー、及び、ポリアニリン，ポリピロル，ポリチオフェン等の共役複素環式ポリマーを用いることができる。
【００４６】
また、変形例では、絶縁分離膜（ネガ型レジスト膜１７）上の有機半導体膜（ペンタセン膜２５）のみを除去する手段として、粘着ローラー５２を用いたが、これに限定されるものではなく、有機半導体膜との粘着力が有機半導体膜と絶縁分離膜との密着強度よりも大きい粘着性を有するものであればよい。
例えば、粘着ローラー５２に替えて、粘着シート等を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例である第１実施例における第１工程を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明の有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例である第１実施例における第２工程を説明するための模式的断面図である。
【図３】本発明の有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例である第１実施例における第３工程を説明するための模式的断面図である。
【図４】本発明の有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例である第１実施例における第４工程を説明するための模式的断面図である。
【図５】本発明の有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施例である第１実施例における第５工程を説明するための模式的断面図である。
【図６】第１実施例の比較例における第６工程を説明するための模式的断面図である。
【図７】第１実施例の比較例における第７工程を説明するための模式的断面図である。
【図８】第１実施例の変形例を説明するための模式的断面図である。
【図９】本発明の有機薄膜トランジスタを備えた表示装置の実施例である第２実施例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  ガラス基板、  ３  Ｔａ膜、  ５  ゲート絶縁層、  ７，８５，９１  ゲート電極、  ９  Ｃｒ膜、  １１  Ａｕ膜、  １３，８７，９３  ソース電極、  １５，８９，９５  ドレイン電極、  １７  レジスト膜、  １９，２１  開口部、  ２３  メタルマスク、  ２５  ペンタセン膜、  ５０  有機薄膜トランジスタ、  ７１  画素、  ７５  水平走査回路、  ７７  垂直走査回路、  ７９  スイッチングトランジスタ、  ８１  増幅用トランジスタ、  ８３  有機ＥＬ、  ８４  保持容量、  １００  表示装置、  ｔ３，ｔ５，ｔ７，ｔ９，ｔ１１，ｔ１７，ｔ２５  厚さ、  Ｌ１  チャネル長、  Ｗ１９ａ，Ｗ１９ｂ  幅、  θ１９  テーパ角度、  Ｓ１  範囲、  Ｓ７３  画像表示領域、  Ｇ１，Ｇ２，Ｇｎ  行、  Ｄ１，Ｄ２，Ｄｍ  列
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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