(57)【要約】【課題】磁性体層とバリスタ層とを一体焼結しても、減衰特性が悪化しない積層型フィルタを提供することを目的とする。【解決手段】積層型フィルタＦ１は、インダクタ積層部７とバリスタ積層部９とを備える積層型フィルタであって、バリスタ積層部９は、ＺｎＯを主成分とするバリスタ層８１〜８５と、バリスタ層８１〜８５を介して対向配置されたホット電極１６及びグランド電極１７１，１７２とを有し、対向するホット電極１６とグランド電極１７１，１７２とで挟まれた領域Ａ１，Ａ２にはＣｕ成分が含まれていない。グランド電極１７１，１７２とで挟まれた領域Ａ１，Ａ２はバリスタ特性を発現する領域であるため、この領域にＣｕ成分が含まないことから、減衰特性の悪化を抑えることができる。【選択図】図２
2008289111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタ部とバリスタ部とを備える積層型フィルタであって、
前記バリスタ部は、ＺｎＯを主成分とするバリスタ層と、前記バリスタ層を介して対向配置された複数のバリスタ導体部とを有し、
対向する前記バリスタ導体部で挟まれた領域には、Ｃｕ成分が含まれていないことを特徴とする積層型フィルタ。
【請求項２】
前記インダクタ部と前記バリスタ部とは中間部を介して積層され、
前記中間部は、前記インダクタ部及び前記バリスタ部とは異なる組成を有すると共にＣｕ成分を含有していないことを特徴とする請求項１に記載の積層型フィルタ。
【請求項３】
前記インダクタ部は、インダクタ層と、前記インダクタ層に形成されたインダクタ導体部とを有し、
前記インダクタ層は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、及びＺｎ系フェライトの何れかによって形成されると共にＣｕ成分を含有していないことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型フィルタ。
【請求項４】
前記インダクタ部は、焼結体と前記焼結体の内部に配された複数のコイル導体とを有するコモンモードチョークコイルであることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型フィルタ。
【請求項５】
各前記コイル導体は、第１の方向に並んだ複数の導体パターンからなっており、
前記第１の焼結体は、前記第１の方向において前記導体パターンで挟まれた第１の層と、前記第１の方向において複数の前記コイル導体を挟む第２の層とを有し、
前記第１の層は非磁性体からなり、前記第２の層は磁性体からなることを特徴とする請求項４に記載の積層型複合電子部品。
【請求項６】
各前記コイル導体は、第１の方向に並んだ複数の導体パターンからなっており、
前記第１の焼結体は、前記第１の方向において前記導体パターンで挟まれた第１の層と、前記第１の方向において複数の前記コイル導体を挟む第２の層とを有し、
前記第１及び第２の層は磁性体からなることを特徴とする請求項４に記載の積層型複合電子部品。
【請求項７】
各前記コイル導体は、第１の方向に並んだ複数の導体パターンからなっており、
前記第１の焼結体は、前記第１の方向において前記導体パターンで挟まれた第１の層と、前記第１の方向において複数の前記コイル導体を挟む第２の層とを有し、
前記第１及び第２の層は非磁性体からなることを特徴とする請求項４に記載の積層型複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型フィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＥＭＣ対策部品として、サージ機能を持つノイズフィルタが各種電子機器に用いられている。特許文献１には、内部に所定の導体パターンを形成した磁性体層と、内部に所定の導体パターンを形成したバリスタ層とを積層し、スルーホールにより磁性体層とバリスタ層とを電気的に接続した複合積層電子部品が開示されている。
【特許文献１】特許第２６２６１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献１は磁性体層とバリスタ層とを一体焼結するものであり、磁性体層とバリスタ層との界面において、各層を構成する材料成分が互いに拡散することがある。この材料成分の拡散がおこると、拡散された層の特性に影響を及ぼし、ノイズフィルタとしての機能を低下させるおそれがある。上記特許文献１では、磁性層にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用いているが、このような材料からなる磁性層をバリスタ層と一体焼結した場合には、磁性層中のＣｕ成分がバリスタ層内に拡散されて、バリスタ特性を発現する領域にまで浸透し、バリスタ機能、特に減衰特性が悪化するという知見が本発明者らの検討により得られている。
【０００４】
そこで本発明では、磁性体層とバリスタ層とを一体焼結しても、減衰特性が悪化しない積層型フィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る積層型フィルタは、インダクタ部とバリスタ部とを備える積層型フィルタであって、バリスタ部は、ＺｎＯを主成分とするバリスタ層と、バリスタ層を介して対向配置された複数のバリスタ導体部とを有し、対向するバリスタ導体部で挟まれた領域には、Ｃｕ成分が含まれていないことを特徴とする。
【０００６】
本発明によれば、対向するバリスタ導体部で挟まれた領域、すなわちバリスタ特性を発現する領域にはＣｕ成分が含まれていない。よって、減衰特性の悪化を抑えることができる。
【０００７】
本発明の積層型フィルタでは、インダクタ部とバリスタ部とは中間部を介して積層され、中間部は、インダクタ部及びバリスタ部とは異なる組成を有すると共にＣｕ成分を含有していないことが好ましい。インダクタ部とバリスタ部との間に、これらとは組成が異なる中間層を設けることにより、インダクタ部がバリスタ部から受ける影響、およびバリスタ部がインダクタ部から受ける影響を緩和することができる。また、この中間層はＣｕ成分を含有していないので、バリスタ層にＣｕ成分が拡散される可能性が極めて低くなり、減衰特性の悪化をより確実に抑制できる。
【０００８】
本発明の積層型フィルタでは、インダクタ部は、インダクタ層と、インダクタ層に形成されたインダクタ導体部とを有し、インダクタ層は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、及びＺｎ系フェライトの何れかによって形成されると共にＣｕ成分を含有していないことが好ましい。インダクタ層はＣｕ成分を含有していないので、バリスタ層にＣｕ成分が拡散される可能性がより低減される。よって、減衰特性の悪化を確実に抑制することができる。また、特にＮｉ−Ｚｎ系フェライト及びＮｉ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライトの何れかを用いてインダクタ層を形成した場合には、高いインダクタンス値を持つこととなるため、積層型フィルタをフィルタ特性に優れたものとすることができる。
【０００９】
本発明の積層型フィルタでは、インダクタ部は、焼結体と焼結体の内部に配された複数のコイル導体とを有するコモンモードチョークコイルであることが好ましい。この場合、積層型電子部品はコモンモードチョークコイル機能を備えることとなるため、高周波帯域におけるフィルタ特性が向上した積層型フィルタを提供することができる。
【００１０】
また、本発明の積層型フィルタは、各コイル導体は、第１の方向に並んだ複数の導体パターンからなっており、第１の焼結体は、第１の方向において導体パターンで挟まれた第１の層と、第１の方向において複数のコイル導体を挟む第２の層とを有し、第１の層は非磁性体からなり、第２の層は磁性体からなることが好ましい。この場合、導体パターンで挟まれ且つ非磁性体からなる第１の層の両側に、磁性体からなる第２の層を積層することとなるので、コイル導体のインダクタンス値が確保できる周波数帯域を、比較的高周波領域まで高めることができる。よって、フィルタ特性により優れた積層型フィルタを提供できる。
【００１１】
また、本発明の積層型フィルタは、各コイル導体は、第１の方向に並んだ複数の導体パターンからなっており、第１の焼結体は、第１の方向において導体パターンで挟まれた第１の層と、第１の方向において複数のコイル導体を挟む第２の層とを有し、第１及び第２の層は磁性体からなることが好ましい。この場合、導体パターンで挟まれ且つ磁性体からなる第１の層の両側に、同じく磁性体からなる第２の層を積層することとなるので、第１の層が非磁性体からなり第２の層が磁性体からなるものと比べて、より低周波の領域におけるコイル導体のインダクタンス値をいっそう高めることができる。よって、フィルタ特性により優れた積層型フィルタを提供できる。
【００１２】
また、本発明の積層型フィルタは、各コイル導体は、第１の方向に並んだ複数の導体パターンからなっており、第１の焼結体は、第１の方向において導体パターンで挟まれた第１の層と、第１の方向において複数のコイル導体を挟む第２の層とを有し、第１及び第２の層は非磁性体からなることが好ましい。この場合、導体パターンで挟まれ且つ非磁性体からなる第１の層の両側に、同じく非磁性体からなる第２の層を積層することとなるので、第１の層が非磁性体からなり第２の層が磁性体からなるものと比べて、コイル導体のインダクタンス値が確保できる周波数帯域を、更に高周波領域まで高めることができる。よって、フィルタ特性により優れた積層型フィルタを提供できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、磁性体層とバリスタ層とを一体焼結しても減衰特性が悪化しない積層型フィルタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
（第１の実施形態）
【００１５】
図１は、第１の実施形態に係る積層型フィルタを示す概略斜視図であり、図２は、第１の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を分解して示す分解斜視図である。図３は、第１の実施形態に係る積層型フィルタの中央断面を示す断面図であり、図４は、第１の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。なお、図３における断面は、積層体の長手方向及び積層方向と平行な面である。また、図１は、後述する第２の実施形態に係る積層型フィルタの斜視図を兼ねている。
【００１６】
図１に示す積層型フィルタＦ１は積層型フィルタアレイ部品であって、図４に示すように、インダクタ１３とバリスタ２０とからそれぞれ構成された４個のＬ型フィルタ素子が並列に設けられたものである。積層型フィルタＦ１は、略直方体の形状の積層体ＣＥ１と、４つの入力端子電極３と、４つの出力端子電極４と、一対のグランド端子電極５とを備えている。
【００１７】
積層体ＣＥ１は、第１及び第２の端面ＣＥ１ａ，ＣＥ１ｂと、第１及び第２の側面ＣＥ１ｃ，ＣＥ１ｄと、第１及び第２の主面ＣＥ１ｅ，ＣＥ１ｆとを有している。第１及び第２の主面ＣＥ１ｅ，ＣＥ１ｆは、長方形状を呈しており、互いに対向している。第１及び第２の端面ＣＥ１ａ，ＣＥ１ｂは、第１及び第２の主面ＣＥ１ｅ，ＣＥ１ｆ間を連結するように第１及び第２の主面ＣＥ３ｅ，ＣＥ３ｆの短辺方向に延び且つ互いに対向している。第１及び第２の側面ＣＥ１ｃ，ＣＥ１ｄは、第１及び第２の主面ＣＥ１ｅ，ＣＥ１ｆ間を連結するように第１及び第２の主面ＣＥ１ｅ，ＣＥ１ｆの長辺方向に延び且つ互いに対向している。
【００１８】
４つの入力端子電極３は、積層体ＣＥ１の第１の側面ＣＥ１ｃに順に設けられており、それぞれ積層体ＣＥ１の積層方向に延びた形状をなしている。同様に、４つの出力端子電極４は、積層体ＣＥ１の第２の側面ＣＥ１ｄに順に設けられており、それぞれ積層体ＣＥ１の積層方向に延びた形状をなしている。入力端子電極３と出力端子電極４とは、互いに対向するように設けられている。
【００１９】
一対のグランド端子電極５のうち、一方は積層体ＣＥ１の第１の端面ＣＥ１ａの中央部に配置され、積層体ＣＥ１の積層方向に延びた形状をなしている。一対のグランド端子電極５のうち、他方は積層体ＣＥ１の第２の端面ＣＥ１ｂの中央部に配置され、積層体ＣＥ１の積層方向に延びた形状をなしている。一対のグランド端子電極５は、互いに対向するように設けられている。
【００２０】
積層体ＣＥ１について詳しく説明する。図２及び図３に示されるように、積層体ＣＥ１は、インダクタ層６１〜６９が積層されてなるインダクタ積層部（インダクタ部）７と、バリスタ層８１〜８５が積層されてなるバリスタ積層部（バリスタ部）９と、中間層１１が複数積層されてなる中間積層部（中間部）１０とを含んでいる。インダクタ積層部７とバリスタ積層部９とは、中間積層部１０を介して積層されている。
【００２１】
インダクタ層６１〜６９は長方形薄板状を呈しており、フェライト材料から構成されている。フェライト材料として、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、及びＺｎ系フェライトの何れかが用いられている。特にＮｉ−Ｚｎ系フェライト及びＮｉ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライトを用いた場合には、高いインダクタンス値を有することとなるため、フィルタ特性がより優れたものとなる。なお、インダクタ層６１〜６９はＣｕ成分を含有していてもよい。
【００２２】
バリスタ層８１〜８５は長方形薄板状を呈しており、ＺｎＯを主成分とするセラミックス材料から構成されている。このセラミックス材料中には、添加成分としてＰｒ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ａｌ等を含んでいても良い。Ｐｒに加えてＣｏを含むと、優れたバリスタ特性を有するものとなるほか、高い誘電率（ε）を有するものとなる。また、Ａｌを更に含むと低抵抗となる。また、必要に応じて他の添加物、例えば、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ等の元素が含まれても良い。ただし、バリスタ層８１〜８５はＣｕ成分を含有しないこととする。
【００２３】
インダクタ層６２〜６９の上にはそれぞれ、Ａｇ及びＰｄを含む材料からなるインダクタ導体部１２１〜１２８が形成されている。インダクタ導体部１２１〜１２８のうち、インダクタ導体部１２７，１２８は端子電極引き出しのために設けられており、インダクタ導体部１２１〜１２６はインダクタンス値を大きくするためにコイル状をなしている。
【００２４】
より具体的には、インダクタ層６３，６７上のそれぞれには、積層体ＣＥ１の第１及び第２の端面ＣＥ１ａ，ＣＥ１ｂと第２の側面ＣＥ１ｄとに沿うコの字状を呈したインダクタ導体部１２１，１２２が４体ずつ形成されている。インダクタ層６５上には、積層体ＣＥ１の第１及び第２の端面ＣＥ１ａ，ＣＥ１ｂと第１の側面ＣＥ１ｃとに沿うコの字状を呈したインダクタ導体部１２３が４体形成されている。インダクタ層６４，６８上のそれぞれには、積層体ＣＥ１の第２の端面ＣＥ１ｂと第１及び第２の側面ＣＥ１ｃ，ＣＥ１ｄとに沿うコの字状を呈したインダクタ導体部１２４，１２５が４体ずつ形成されている。インダクタ層６６上には、積層体ＣＥ１の第１の端面ＣＥ１ａと第１及び第２の側面ＣＥ１ｃ，ＣＥ１ｄとに沿うコの字状を呈したインダクタ導体部１２６が４体形成されている。インダクタ層６２上には、インダクタ導体部１２７が４体形成されており、インダクタ層６９上には、インダクタ導体部１２８が４体形成されている。
【００２５】
４体のインダクタ導体部１２７の一端は、積層体ＣＥ１の第１の側面ＣＥ１ｃに引き出されており、４つの入力端子電極３にそれぞれ接続されている。４体のインダクタ導体部１２７の他端は、スルーホールを介して４体のインダクタ導体部１２１の一端にそれぞれ接続されており、４体のインダクタ導体部１２１の他端は、スルーホールを介して４体のインダクタ導体部１２４の一端にそれぞれ接続されている。４体のインダクタ導体部１２４の他端は、スルーホールを介して４体のインダクタ導体部１２３の一端にそれぞれ接続されており、４体のインダクタ導体部１２３の他端は、スルーホールを介して４体のインダクタ導体部１２６の一端にそれぞれ接続されている。４体のインダクタ導体部１２６の他端は、スルーホールを介して４体のインダクタ導体部１２２の一端にそれぞれ接続されており、４体のインダクタ導体部１２２の他端は、スルーホールを介して４体のインダクタ導体部１２５の一端にそれぞれ接続されている。４体のインダクタ導体部１２５の他端は、スルーホールを介して４体のインダクタ導体部１２８の一端にそれぞれ接続されており、４体のインダクタ導体部１２８の他端は、積層体ＣＥ１の第２の側面ＣＥ１ｄに引き出され、４つの出力端子電極４とそれぞれ接続されている。このようにしてインダクタ導体部１２１〜１２８が電気的に接続されることにより、図３に示す４つのインダクタ１３が形成されることとなる。
【００２６】
バリスタ層８１〜８５の間には、バリスタ層８１〜８５の積層方向に対向するように４体のホット電極（バリスタ導体部）１６と、グランド電極（バリスタ導体部）１７１，１７２とが配されている。ホット電極１６及びグランド電極１７１，１７２は、Ａｇ及びＰｄを含む材料からなっている。
【００２７】
より具体的には、バリスタ層８３上には、積層体ＣＥ１の第１及び第２の端面ＣＥ１ａ，ＣＥ１ｂに沿って延びる、略矩形状を呈したホット電極１６が４体形成されている。４体のホット電極１６の一端は、積層体ＣＥ１の第２の側面ＣＥ１ｄに引き出され、４つの出力端子電極４にそれぞれ接続されている。すなわち、４体のホット電極１６の一端は、それぞれ異なる４体のインダクタ導体部１２８の他端に接続されている。バリスタ層８２，８５上のそれぞれには、中央に幅広部を有するグランド電極１７１，１７２が形成されている。グランド電極１７１，１７２の一端は、積層体ＣＥ１の第１の端面ＣＥ１ａに引き出され、第１の端面ＣＥ１ａに配置されたグランド端子電極５に接続されている。グランド電極１７１，１７２の他端は、積層体ＣＥ１の第２の端面ＣＥ１ｂに引き出され、第２の端面ＣＥ１ｂに配置されたグランド端子電極５に接続されている。
【００２８】
４体のホット電極１６とグランド電極１７１，１７２の幅広部とは、バリスタ層８１〜８５の積層方向から見たときにバリスタ層８２，８３を介して一部が重なり合い、対向している。このように配置された４体のホット電極１６とグランド電極１７１，１７２とによって、図３に示す４つのバリスタ２０が形成されることとなる。
【００２９】
中間積層部１０の中間層１１は長方形薄板状を呈しており、インダクタ層６１〜６９及びバリスタ層８１〜８５とは異なる組成を有している。より具体的には、中間層１１は、電気絶縁性を有する絶縁材料から構成されており、絶縁材料として、例えば、ＺｎＯ及びＦｅ２Ｏ３を主成分としたものを用いている。このような材料からなる中間層１１をインダクタ積層部７とバリスタ積層部９との間に設けることによって、これらの間におけるクロストークを抑制することができ、その結果、インダクタ積層部７がバリスタ積層部９から受ける影響、およびバリスタ積層部９がインダクタ積層部７から受ける影響を緩和することができる。なお、中間層１１はＣｕ成分を含有しないこととする。
【００３０】
次に、上述した積層型フィルタＦ１の製造方法について説明する。
【００３１】
まず、インダクタ層６１〜６９となるインダクタグリーンシートを用意する。このインダクタグリーンシートは、例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｚｎ系フェライト等のフェライトを原料としたスラリーを、例えば厚さが２０μｍ程度となるようにドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。
【００３２】
また、バリスタ層８１〜８５となるバリスタグリーンシートを用意する。このバリスタグリーンシートは、例えば、ＺｎＯ、Ｐｒ6Ｏ11、ＣｏＯ、Ｃｒ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、ＳｉＯ2、Ｋ2ＣＯ3及びＡｌ2Ｏ3の混合粉を原料としたスラリーをドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。なお、スラリーにはＣｕ成分を含有しないこととする。
【００３３】
更に、中間層１１となる中間材グリーンシートを用意する。中間材グリーンシートは電気絶縁性を有する絶縁体であって、ＺｎＯ及びＦｅ２Ｏ３を主成分とした混合粉を原料としたスラリーをドクターブレード法によってフィルム上に塗布することで形成される。中間材グリーンシート２の厚みは、例えば３０μｍである。なお中間材グリーンシートは、焼成後の中間積層部１０の厚さＤ１が十分なものとなるように、枚数を適宜調整される。より具体的には、中間材グリーンシートの枚数は、焼成後の中間積層部１０の厚さＤ１が６０μｍ以上となるように調整されることが好ましい。また、中間材グリーンシートの縮率を調整するために、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｐｒ６Ｏ１１、ＣａＣＯ３、ＳｉＯ２のうちいずれか１種以上を混合粉に添加することが好ましい。なお、スラリーにはＣｕ成分を含有しないこととする。
【００３４】
続いて、インダクタ層６２〜６８となるインダクタグリーンシートの所定の位置（すなわち、インダクタ導体部１２１〜１２７に対してスルーホールを形成すべき位置）に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。
【００３５】
続いて、インダクタ層６２〜６９となるインダクタグリーンシート上に、インダクタ導体部１２１〜１２８に対応する導体パターンを形成する。この導体パターンは、Ａｇ及びＰｄを主成分とする導体ペーストをインダクタグリーンシート上にスクリーン印刷することで形成される。なお、インダクタ層６２〜６８となるインダクタグリーンシートに形成されたスルーホール内には、インダクタグリーンシート上への導体ペーストのスクリーン印刷によって、導体ペーストが充填される。
【００３６】
また、バリスタ層８２〜８４となるバリスタグリーンシート上に、ホット電極１６及びグランド電極１７１，１７２に対応する導体パターンを形成する。この導体パターンは、Ａｇ及びＰｄを主成分とする導体ペーストをバリスタグリーンシート上にスクリーン印刷することで形成される。
【００３７】
続いて、インダクタ層６１〜６９となるインダクタグリーンシートと、中間層１１となる中間材グリーンシートと、バリスタ層８１〜８５となるバリスタグリーンシートとを所定の順序で積層して圧着し、チップ単位に切断する。その後、所定の温度（例えば、１１００〜１２００℃程度の温度）で焼成して、インダクタ積層部７及びバリスタ積層部９が中間積層部１０を介して積層された積層体ＣＥ１を得る。
【００３８】
続いて、積層体ＣＥ１の外表面において、４つの入力端子電極３、４つの出力端子電極４、及びグランド端子電極５と対応する位置に、Ａｇを主成分とする導体ペーストを転写して所定の温度（例えば、７００℃〜８００℃の温度）で焼付けを行い、更に、Ｎｉ／Ｓｎ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ、又はＮｉ／Ａｇを用いた電気めっきを施す。これにより、端子電極３〜５が形成される。
【００３９】
以上の工程を経て、積層型フィルタＦ１が完成する。
【００４０】
ところで、各グリーンシートを積層し焼成する際に、ホット電極１６とグランド電極１７１，１７２とで挟まれた領域Ａ１，Ａ２にＣｕが拡散してしまうと、製造される積層型フィルタは所望の高周波特性を有さない（つまり、減衰特性が悪化する）ことがある。
【００４１】
そこで本実施形態の積層型フィルタＦ１では、Ｃｕ成分を含有しないスラリーから、バリスタグリーンシートを形成することとしている。この場合、焼成前の領域Ａ１，Ａ２にＣｕ成分が含まれることがなくなる。また、バリスタグリーンシートと隣り合う中間材グリーンシートについても、Ｃｕ成分を含有しないスラリーから形成することとしている。この場合、中間材グリーンシートのＣｕ成分が領域Ａ１，Ａ２に拡散するということがなくなる。
【００４２】
更に本実施形態の積層型フィルタＦ１では、中間材グリーンシートを複数枚重ねることで、中間積層部１０の厚さＤ１を十分なものとしている。中間積層部１０はインダクタ層６１〜６９とバリスタ層８１〜８５との間に位置しているので、仮にインダクタグリーンシートにＣｕ成分が含まれていたとしても、このＣｕ成分の拡散は厚く重ねられた中間材グリーンシートによって阻止されることとなる。
【００４３】
このように本実施形態では、バリスタ層８１〜８５をＣｕ成分を含有しないスラリーから形成するだけでなく、中間材グリーンシートをもＣｕ成分を含有しないスラリーから形成し、且つ中間材グリーンシートを十分な厚さとすることで、焼成時にバリスタ層８１〜８５にＣｕ成分が拡散される可能性を抑制している。よって、Ｃｕ成分を含有している可能性が極めて低いバリスタ層８１〜８５を得ることができる。
【００４４】
ホット電極１６とグランド電極１７１，１７２とで挟まれた領域Ａ１，Ａ２は、バリスタ特性を発現する領域である。領域Ａ１，Ａ２はバリスタ層８２，８３からなっており、バリスタ層８２，８３は、先に述べた理由によりＣｕ成分を含有している可能性が極めて低いことから、インダクタ層６１〜６９とバリスタ層８２，８３とが一体焼結され、且つ減衰特性の悪化が抑制された積層型フィルタＦ１を得ることができる。また、中間積層部１０は十分な厚さを有する上に絶縁材料で構成されるので、インダクタ積層部７とバリスタ積層部９との間のクロストークを十分に防ぐことができる。
【００４５】
なお、図３に示すように、ホット電極１６とグランド電極１７１とで挟まれた領域Ａ１とは、積層体ＣＥ１の積層方向から見たときに、ホット電極１６とグランド電極１７１とが重なり合う領域のことである。ホット電極１６とグランド電極１７２とで挟まれた領域Ａ２とは、積層体ＣＥ１の積層方向から見たときに、ホット電極１６とグランド電極１７２とが重なり合う領域のことである。また、バリスタ層８２は、積層体ＣＥ１の積層方向から見たときにホット電極１６及びグランド電極１７１が重なり合う領域Ａ１と、それ以外の領域、すなわちホット電極１６及びグランド電極１７１が重なり合わない領域とからなっている。バリスタ層８３は、積層体ＣＥ１の積層方向から見たときにホット電極１６及びグランド電極１７２が重なり合う領域Ａ２と、それ以外の領域、すなわちホット電極１６及びグランド電極１７２が重なり合わない領域とからなっている。
【００４６】
以上、積層型フィルタＦ１及びその製造方法の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。
【００４７】
例えば、第１の実施形態において、インダクタ層６１〜６９はＣｕ成分を含有していてもよいとしたが、インダクタ層６１〜６９はＣｕ成分を含有しないとしてもよい。このようにすればインダクタ層からＣｕ成分が拡散することがなくなるので、バリスタ層にＣｕ成分が拡散される可能性がより低減される。よって、減衰特性の悪化を確実に抑制することができる。なお、この場合には積層型フィルタは中間積層部を備えていなくてもよい。
（第２の実施形態）
【００４８】
図５は、第２の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を分解して示す分解斜視図であり、図６は、第２の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。第２の実施形態に係る積層型フィルタＦ２は、図６に示すように、インダクタ１３とバリスタ２０１，２０２とからそれぞれ構成された４個のπ型フィルタ素子が並列に設けられたものである。第２の実施形態に係る積層型フィルタＦ２は、積層体ＣＥ２の構成が第１の実施形態に係る積層型フィルタＦ１の積層体ＣＥ１と相違している。より具体的には、積層体ＣＥ２におけるバリスタ積層部９の構成が、積層体ＣＥ１のそれと一部相違している。
【００４９】
すなわち、積層体ＣＥ２は、第１及び第２の端面ＣＥ２ａ，ＣＥ２ｂと、第１及び第２の側面ＣＥ２ｃ，ＣＥ２ｄと、第１及び第２の主面ＣＥ２ｅ，ＣＥ２ｆとを有しており、これらの面は、積層体ＣＥ１の第１及び第２の端面ＣＥ１ａ，ＣＥ１ｂ、第１及び第２の側面ＣＥ１ｃ，ＣＥ１ｄ、第１及び第２の主面ＣＥ１ｅ，ＣＥ１ｆと同様である。
【００５０】
また、積層体ＣＥ２は、インダクタ積層部７と、バリスタ積層部９と、中間積層部１０とを有している。このうちインダクタ積層部７及び中間積層部１０については、積層体ＣＥ１のインダクタ積層部７及び中間積層部１０と同一の構成となっている。バリスタ積層部９は、バリスタ層８１とバリスタ層８５との間に複数のバリスタ層８２、８３、８４が順に積層されて構成されている。バリスタ層８１，８２，８４，８５の構成は積層体ＣＥ１のバリスタ層８１，８２，８４，８５と同一であり、バリスタ層８３の構成が積層体ＣＥ１と異なっている。
【００５１】
バリスタ層８３上には、積層体ＣＥ２の第１及び第２の端面ＣＥ２ａ，ＣＥ２ｂに沿って延びる、略矩形状を呈したホット電極１６１，１６２が４体ずつ形成されている。４体のホット電極１６１の一端は、積層体ＣＥ２の第１の側面ＣＥ２ｃに引き出され、４つの入力端子電極３にそれぞれ接続されている。すなわち、４体のホット電極１６１の一端は、それぞれ異なる４体のインダクタ導体部１２７の他端に接続されている。４体のホット電極１６２は、先の４体のホット電極１６１と対向配置されている。また、４体のホット電極１６２の一端は、積層体ＣＥ２の第２の側面ＣＥ２ｄに引き出され、４つの出力端子電極４にそれぞれ接続されている。すなわち、４体のホット電極１６２の一端は、それぞれ異なる４体のインダクタ導体部１２８の他端に接続されている。ホット電極１６１とホット電極１６２とは、他端同士が離間するように配置されている。
【００５２】
このような構成のバリスタ積層部９では、グランド電極１７１，１７２と４体のホット電極１６１とがバリスタ層８２、８３を挟むことにより、４つのバリスタ２０１が形成される。また、グランド電極１７１，１７２と４体のホット電極１６２とがバリスタ層８２、８３を挟むことにより、４つのバリスタ２０２が形成される。
【００５３】
以上のように構成された積層型フィルタＦ２においても、ホット電極１６１，１６２とグランド電極１７１，１７２とで挟まれた領域にはバリスタ層８２，８３が位置しており、バリスタ層８２，８３はＣｕ成分を含有している可能性が極めて低いことから、減衰特性の悪化を抑えることができる。
【００５４】
なお、積層体ＣＥ２は以下のような構成とすることもできる。図７は、積層体ＣＥ２の変形例であって、その分解斜視図である。図７に示す積層体ＣＥ２は、ホット電極及びグランド電極の形成位置が、第２の実施形態に係る積層体ＣＥ２のそれと相違している。
【００５５】
すなわち、図７に示されるように、４体のホット電極１６１がバリスタ層８２上に並設され、４体のホット電極１６２がバリスタ層８４上に並設されている。グランド電極１７は、バリスタ層８３上に形成されている。
【００５６】
このような構成のバリスタ積層部９では、グランド電極１７と４体のホット電極１６１とがバリスタ層８３を挟むことにより、４つのバリスタ２０１が形成される。また、グランド電極１７と４体のホット電極１６２とがバリスタ層８２を挟むことにより、４つのバリスタ２０２が形成される。この場合にも、ホット電極１６１，１６２とグランド電極１７１，１７２とで挟まれた領域に、Ｃｕ成分を含有している可能性が極めて低いバリスタ層８２，８３が位置していることから、減衰特性の悪化を抑えることができる。
（第３の実施形態）
【００５７】
図８は、第３の実施形態に係る積層型フィルタを示す概略斜視図であり、図９は、第３の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を分解して示す分解斜視図である。図１０は、第３の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。なお、図８は、後述する第４の実施形態に係る積層型フィルタの斜視図を兼ねている。
【００５８】
図８に示す積層型フィルタＦ３は、図１０に示すように、インダクタ１３とバリスタ２０とからそれぞれ構成された１つのＬ型フィルタ素子が設けられたものである。積層型フィルタＦ３は、略直方体の形状の積層体ＣＥ３と、１つの入力端子電極３と、１つの出力端子電極４と、一対のグランド端子電極５とを備えている。
【００５９】
積層体ＣＥ３は、第１及び第２の端面ＣＥ３ａ，ＣＥ３ｂと、第１及び第２の側面ＣＥ３ｃ，ＣＥ３ｄと、第１及び第２の主面ＣＥ３ｅ，ＣＥ３ｆとを有している。第１及び第２の主面ＣＥ３ｅ，ＣＥ３ｆは、長方形状を呈しており、互いに対向している。第１及び第２の端面ＣＥ３ａ，ＣＥ３ｂは、第１及び第２の主面ＣＥ３ｅ，ＣＥ３ｆ間を連結するように第１及び第２の主面ＣＥ３ｅ，ＣＥ３ｆの短辺方向に延び且つ互いに対向している。第１及び第２の側面ＣＥ３ｃ，ＣＥ３ｄは、第１及び第２の主面ＣＥ３ｅ，ＣＥ３ｆ間を連結するように第１及び第２の主面ＣＥ３ｅ，ＣＥ３ｆの長辺方向に延び且つ互いに対向している。
【００６０】
入力端子電極３は、積層体ＣＥ３の第１の端面ＣＥ３ａに設けられており、積層体ＣＥ３の積層方向に延びた形状をなしている。出力端子電極４は、積層体ＣＥ３の第２の端面ＣＥ３ｂに設けられており、積層体ＣＥ３の積層方向に延びた形状をなしている。入力端子電極３と出力端子電極４とは、互いに対向するように設けられている。
【００６１】
一対のグランド端子電極５のうち、一方は積層体ＣＥ１の第１の側面ＣＥ３ｃの中央部に配置され、積層体ＣＥ３の積層方向に延びた形状をなしている。一対のグランド端子電極５のうち、他方は積層体ＣＥ１の第２の端面ＣＥ３ｄの中央部に配置され、積層体ＣＥ３の積層方向に延びた形状をなしている。一対のグランド端子電極５は、互いに対向するように設けられている。
【００６２】
積層体ＣＥ３について詳しく説明する。図７に示されるように、積層体ＣＥ１は、複数のインダクタ層６１〜６９が積層されてなるインダクタ積層部７と、複数のバリスタ層８１〜８５が積層されてなるバリスタ積層部９と、中間積層部１０とを含んでいる。インダクタ積層部７とバリスタ積層部９とは、中間積層部１０を介して積層されている。インダクタ層６１〜６９及びバリスタ層８１〜８５は、第１実施形態と同様の形状を呈しており、また同様の材料から構成されている。
【００６３】
インダクタ層６２〜６９の上にはそれぞれ、Ａｇ及びＰｄを含む材料からなるインダクタ導体部１２１〜１２８が形成されている。インダクタ導体部１２１〜１２８のうち、インダクタ導体部１２７，１２８は端子電極引き出しのために設けられており、インダクタ導体部１２１〜１２６はインダクタンスを大きくするためにコイル状をなしている。
【００６４】
より具体的には、インダクタ層６３，６７上のそれぞれには、積層体ＣＥ３の第１及び第２の側面ＣＥ３ｃ，ＣＥ３ｄと第２の端面ＣＥ３ｂとに沿うコの字状を呈したインダクタ導体部１２１，１２２が形成されている。インダクタ層６５上には、積層体ＣＥ３の第１及び第２の側面ＣＥ３ｃ，ＣＥ３ｄと第１の端面ＣＥ３ａとに沿うコの字状を呈したインダクタ導体部１２３が形成されている。インダクタ層６４，６８上のそれぞれには、積層体ＣＥ３の第１及び第２の端面ＣＥ３ａ，ＣＥ３ｂと第１の側面ＣＥ３ｃとに沿うコの字状を呈したインダクタ導体部１２４，１２５が形成されている。インダクタ層６６上には積層体ＣＥ３の第１及び第２の端面ＣＥ３ａ，ＣＥ３ｂと第２の側面ＣＥ３ｄとに沿うコの字状を呈したインダクタ導体部１２６が形成されている。インダクタ層６２上には、インダクタ導体部１２７が形成されており、インダクタ層６９上には、インダクタ導体部１２８が形成されている。
【００６５】
インダクタ導体部１２７の一端は、積層体ＣＥ３の第１の端面ＣＥ３ａに引き出されており、入力端子電極３に接続されている。インダクタ導体部１２７の他端は、スルーホールを介してインダクタ導体部１２１の一端に接続されており、インダクタ導体部１２１の他端は、スルーホールを介してインダクタ導体部１２４の一端に接続されている。インダクタ導体部１２４の他端は、スルーホールを介してインダクタ導体部１２３の一端に接続されており、インダクタ導体部１２３の他端は、スルーホールを介してインダクタ導体部１２６の一端に接続されている。インダクタ導体部１２６の他端は、スルーホールを介してインダクタ導体部１２２の一端に接続されており、インダクタ導体部１２２の他端は、スルーホールを介してインダクタ導体部１２５の一端に接続されている。インダクタ導体部１２５の他端は、スルーホールを介してインダクタ導体部１２８の一端に接続されており、インダクタ導体部１２８の他端は、積層体ＣＥ３の第２の端面ＣＥ３ｂに引き出され、出力端子電極４と接続されている。このようにしてインダクタ導体部１２１〜１２８が電気的に接続されることにより、図１０に示すインダクタ１３が形成されることとなる。
【００６６】
バリスタ層８１〜８４の間には、バリスタ層８１〜８４の積層方向に対向するようにホット電極１６と、グランド電極１７とが配されている。ホット電極１６及びグランド電極１７は、Ａｇ及びＰｄを含む材料からなっている。
【００６７】
より具体的には、バリスタ層８３上には、積層体ＣＥ３の第１及び第２の側面ＣＥ３ｃ，ＣＥ３ｄに沿って延びる、略矩形状を呈したホット電極１６が形成されている。ホット電極１６の一端は積層体ＣＥ３の第２の端面ＣＥ３ｂに引き出され、出力端子電極４にそれぞれ接続されている。すなわち、ホット電極１６の一端は、インダクタ導体部１２８の他端に接続されている。バリスタ層８２上には、積層体ＣＥ３の第１及び第２の端面ＣＥ３ａ，ＣＥ３ｂに沿って延びる、略矩形状を呈したグランド電極１７が形成されている。グランド電極１７の一端は、積層体ＣＥ３の第１の側面ＣＥ３ｃに引き出され、第１の側面ＣＥ３ｃに配置されたグランド端子電極５に接続されている。グランド電極１７の他端は、積層体ＣＥ３の第２の側面ＣＥ３ｄに引き出され、第２の側面ＣＥ３ｄに配置されたグランド端子電極５に接続されている。
【００６８】
ホット電極１６とグランド電極１７とは、バリスタ層８１〜８４の積層方向から見たときにバリスタ層８２を介して一部が重なり合い、対向している。このように配置されたホット電極１６とグランド電極１７とによって、図１０に示すバリスタ２０が形成される。
【００６９】
中間積層部１０の中間層１１は、第１実施形態における中間層１１と同様である。すなわち、中間層１１は長方形薄板状を呈しており、インダクタ層６１〜６９及びバリスタ層８１〜８４とは異なる組成を有している。より具体的には、中間層１１は、電気絶縁性を有する絶縁材料から構成されており、絶縁材料として、例えば、ＺｎＯ及びＦｅ２Ｏ３を主成分としたものを用いている。また、中間層１１はＣｕ成分を含有しないこととする。
【００７０】
以上のように構成された積層型フィルタＦ３においても、ホット電極１６とグランド電極１７とで挟まれた領域にはバリスタ層８２が位置しており、バリスタ層８２は第１の実施形態と同様の理由から、Ｃｕ成分を含有している可能性が極めて低い。よって、減衰特性の悪化を抑えることができる。
（第４の実施形態）
【００７１】
図１１は、第４の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を分解して示す分解斜視図であり、図１２は、第４の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。第４の実施形態に係る積層型フィルタＦ４は、図１２に示すように、インダクタ１３とバリスタ２０１，２０２とからそれぞれ構成された１つのπ型フィルタ素子が設けられたものである。第４の実施形態に係る積層型フィルタＦ４は、積層体ＣＥ４の構成が第３の実施形態に係る積層型フィルタＦ３の積層体ＣＥ３と相違している。より具体的には、積層体ＣＥ４におけるバリスタ積層部９の構成が、積層体ＣＥ３のそれと一部相違している。
【００７２】
すなわち、積層体ＣＥ４は、第１及び第２の端面ＣＥ４ａ，ＣＥ４ｂと、第１及び第２の側面ＣＥ４ｃ，ＣＥ４ｄと、第１及び第２の主面ＣＥ４ｅ，ＣＥ４ｆとを有しており、これらの面は、積層体ＣＥ１の第１及び第２の端面ＣＥ１ａ，ＣＥ１ｂ、第１及び第２の側面ＣＥ１ｃ，ＣＥ１ｄ、第１及び第２の主面ＣＥ１ｅ，ＣＥ１ｆと同様である。積層体ＣＥ４は、インダクタ積層部７と、バリスタ積層部９と、中間積層部１０とを備え、インダクタ積層部７及び中間積層部１０の構成は積層体ＣＥ３のそれと同一である。
【００７３】
バリスタ積層部９は、バリスタ層８１とバリスタ層８５との間に複数のバリスタ層８２、８３、８４が順に積層されて構成されている。バリスタ層８１，８５の構成は積層体ＣＥ３のそれと同一であり、バリスタ層８２，８３，８４の構成が積層体ＣＥ３と異なっている。
【００７４】
バリスタ層８２上には、積層体ＣＥ４の第１及び第２の側面ＣＥ４ｃ，ＣＥ１ｄに沿って延びる、略矩形状を呈したホット電極１６１が形成されている。ホット電極１６１の一端は、積層体ＣＥ４の第２の端面ＣＥ１ｂに引き出され、出力端子電極４に接続されている。すなわち、ホット電極１６１の一端は、インダクタ導体部１２８の他端に接続されている。バリスタ層８４上には、積層体ＣＥ４の第１及び第２の側面ＣＥ４ｃ，ＣＥ１ｄに沿って延びる、略矩形状を呈したホット電極１６２が形成されている。ホット電極１６２の一端は、積層体ＣＥ４の第１の端面ＣＥ１ａに引き出され、入力端子電極３にそれぞれ接続されている。すなわち、ホット電極１６２の一端は、インダクタ導体部１２７の他端に接続されている。
【００７５】
バリスタ層８３上には、積層体ＣＥ４の第１及び第２の端面ＣＥ４ａ，ＣＥ４ｂに沿って延びる、略矩形状を呈したグランド電極１７が形成されている。グランド電極１７の一端は、積層体ＣＥ４の第１の側面ＣＥ４ｃに引き出され、第１の側面ＣＥ４ｃに配置されたグランド端子電極５に接続されている。グランド電極１７の他端は、積層体ＣＥ４の第２の側面ＣＥ４ｄに引き出され、第２の側面ＣＥ４ｄに配置されたグランド端子電極５に接続されている。
【００７６】
このような構成のバリスタ積層部９では、グランド電極１７とホット電極１６２とがバリスタ層８２を挟むことにより、バリスタ２０１が形成される。また、グランド電極１７とホット電極ホット電極１６２とがバリスタ層８３を挟むことにより、バリスタ２０２が形成される。
【００７７】
以上のように構成された積層型フィルタＦ４においても、ホット電極１６１，１６２とグランド電極１７とで挟まれた領域にはバリスタ層８２，８３が位置しており、バリスタ層８２，８３はＣｕ成分を含有している可能性が極めて低いことから、減衰特性の悪化を抑えることができる。
（第５の実施形態）
【００７８】
図１３は、第５の実施形態に係る積層型フィルタの斜視図である。図１４は、第５の実施形態に係る積層型フィルタの分解斜視図である。図１５は、第５の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。
【００７９】
積層型フィルタＦ５は、図１５に示すように、１つのπ型フィルタ素子が設けられたものであって、かかるπ型フィルタ素子は、コモンモードチョークコイルをなす複数（本実施形態では２つ）のコイル７０，７２と、複数（本実施形態では４つ）のバリスタ８１〜８４とから構成される。
【００８０】
積層型電子部品Ｆ５は、図１３に示すように、略直方体を呈した積層体ＣＥ５を備えている。積層体ＣＥ５の長手方向における一方の端部には、入力端子電極３４，３６が形成されており、積層体ＣＥ５の長手方向における他方の端部には、出力端子電極３８，４０が形成されている。積層体ＣＥ５の長手方向における両側面には、一対のグランド端子電極４２が形成されている。
【００８１】
積層体ＣＥ５は、図１４に示されるように、インダクタ積層部５３と、中間積層部５５と、バリスタ積層部６７とを有している。
【００８２】
インダクタ積層部５３は、複数のインダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４が積層されてなる第１の焼結体と、導体パターン４８１，４８２からなるコイル導体４８と、導体パターン５０１，５０２からなるコイル導体５０とを有している。コイル導体４８、５０は、第１の焼結体の内部に配されている。より具体的には、コイル導体４８、５０は、インダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４の間に配されている。コイル導体４８とコイル導体５０とは、第１の焼結体内において互いに磁気的に結合する。
【００８３】
第１の焼結体は、中間積層部５５やバリスタ積層部６７の第２の焼結体と一体的に焼成されている。第１の焼結体は、第１の層５３１と第２の層５３２，５３３とを有している。第１の層５３１は、インダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４の積層方向（第1の方向）において導体パターン４８１，４８２，５０１，５０２で挟まれた部分を含んでいる。
【００８４】
より具体的には、第１の層５３１は、導体パターン４８１，４８２，５０１，５０２が形成されたインダクタ層４６１〜４６４を含んでいる。導体パターン４８１はインダクタ層４６１上に形成されており、導体パターン４８２はインダクタ層４６２上に形成されている。導体パターン４８１，４８２は、中心から縁に向かってスパイラル状に形成されている。導体パターン４８１において、縁側に位置する一端部は、出力端子電極３８と接続可能なようにインダクタ層４６１の端面に引き出されている。導体パターン４８２において、縁側に位置する一端部は、入力端子電極３４と接続可能なようにインダクタ層４６２の端面に引き出されている。導体パターン４８１の他端部と導体パターン４８２の他端部とは、インダクタ層４６１に形成されたビア導体４９を介して電気的に接続されている。導体パターン４８１，４８２はコイル導体４８を構成しており、かかるコイル導体４８は図１５の回路図に示すコイル７０に相当する。
【００８５】
導体パターン５０１はインダクタ層４６３上に形成されており、導体パターン５０２はインダクタ層４６４上に形成されている。導体パターン５０１，５０２は、中心から縁に向かってスパイラル状に形成されている。導体パターン５０１において、縁側に位置する一端部は、入力端子電極３６と接続可能なようにインダクタ層４６３の端面に引き出されている。導体パターン５０２において、縁側に位置する一端部は、出力端子電極４０と接続可能なようにインダクタ層４６４の端面に引き出されている。導体パターン５０１の他端部と導体パターン５０２の他端部とは、インダクタ層４６３に形成されたビア導体５１を介して電気的に接続されている。導体パターン５０１，５０２はコイル導体５０を構成しており、かかるコイル導体５０は図１５の回路図に示すコイル７２に相当する。
【００８６】
第２の層５３２，５３３は、インダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４の積層方向においてコイル導体４８，５０を挟む部分である。より具体的には、第２の層５３２は、第１の層５３１の上側に位置しており、導体パターンが形成されていないインダクタ層４４１〜４４４からなっている。第２の層５３３は、第１の層５３１の下側に位置しており、導体パターンが形成されていないインダクタ層４４４〜４４７からなっている。なお、本実施形態においてインダクタ層４６４は第１の層５３１に含まれているが、第１の層５３１ではなく第２の層５３３に含まれるとしてもよい。
【００８７】
インダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４は、非磁性体からなっている。これにより、導体パターン４８２と導体パターン５０１とに挟まれた領域は、非磁性体から構成されることとなる。また、導体パターン４８１の内側に位置する領域、導体パターン４８２の内側に位置する領域、導体パターン５０１の内側に位置する領域、導体パターン５０２の内側に位置する領域、導体パターン４８１と導体パターン４８２とに挟まれた領域、及び導体パターン５０１と導体パターン５０２とに挟まれた領域は、非磁性体から構成されることとなる。インダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４としては、フェライト（例えばＺｎ系フェライト）を用いることができる。Ｚｎ系フェライトを用いた場合には、高いインダクタンス値を得ることができるので、良好なフィルタ特性を得ることができる。なお、インダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４はＣｕ成分を含有していてもよい。
【００８８】
導体パターン４８１，４８２，５０１，５０２及びビア導体４９，５１に用いる導電材料には、インダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４と同時焼成できる金属材料を用いる。より具体的には、フェライトの焼成温度は通常８００℃〜１４００℃程度であるため、その温度で融解しない金属材料を用いる。例えば、Ａｇ、Ｐｄこれらの合金等を好適に使用することができる。
【００８９】
積層体ＣＥ５は、インダクタ積層部５３のほかに、電圧非直線特性を発現するバリスタ積層部６７を有している。バリスタ積層部６７は、複数のバリスタ層５６１〜５６１０が積層されてなる第２の焼結体と、ホット電極６０，６２，６４，６６及びグランド電極５８１〜５８５（複数の内部電極）とを有している。
【００９０】
複数のバリスタ層５６１〜５６１０は、上からこの順で積層されている。バリスタ層５６２，５６４，５６６，５６８，５６１０上には、グランド端子電極４２と電気的に接続された略矩形状のグランド電極５８１〜５８５がそれぞれ形成されている。また、バリスタ層５６３上には入力端子電極３６と電気的に接続された略矩形状のホット電極６０が形成され、バリスタ層５６５上には入力端子電極３４と電気的に接続された略矩形状のホット電極６２が形成され、バリスタ層５６７上には出力端子電極４０と電気的に接続された略矩形状のホット電極６４が形成され、バリスタ層５６９上には出力端子電極３８と電気的に接続された略矩形状のホット電極６６が形成されている。
【００９１】
ホット電極６０とグランド電極５８１，５８２とが積層方向から見たときにバリスタ層５６２，５６３を介して一部が重なりあい対向することで、図１５に示すバリスタ８３がバリスタ積層部６７に構成される。ホット電極６２とグランド電極５８２，５８３とが積層方向から見たときにバリスタ層５６４，５６５を介して一部が重なりあい対向することで、図１５に示すバリスタ８１がバリスタ積層部６７に構成される。ホット電極６４とグランド電極５８３，５８４とが積層方向から見たときにバリスタ層５６６，５６７を介して一部が重なりあい対向することで、図１５に示すバリスタ８４がバリスタ積層部６７に構成される。ホット電極６６とグランド電極５８４，５８５とが積層方向から見たときにバリスタ層５６８，５６９を介して一部が重なりあい対向することで、図１５に示すバリスタ８２がバリスタ積層部６７に構成される。このように、ホット電極６０，６２，６４，６６とグランド電極５８１〜５８５とが、積層方向から見たときにバリスタ層５６２〜５６９を介して一部が重なりあい対向することで、バリスタ積層部６７に４つのバリスタ８１〜８４が構成されることとなる。
【００９２】
バリスタ層５６１〜５６１０は、ＺｎＯを主成分とするセラミックス材料から構成されている。このセラミックス材料中には、添加成分としてＰｒ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ａｌ等を含んでいても良い。Ｐｒに加えてＣｏを含むと、優れたバリスタ特性を有するものとなるほか、高い誘電率（ε）を有するものとなる。また、Ａｌを更に含むと低抵抗となる。また、必要に応じて他の添加物、例えば、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ等の元素が含まれても良い。ただし、バリスタ層５６１〜５６１０はＣｕ成分を含有しないこととする。
【００９３】
グランド電極５８１〜５８５及びホット電極６０，６２，６４，６６は、第１実施形態におけるグランド電極１７１，１７２及びホット電極１６と同様の導電材料から構成されている。すなわち、グランド電極５８１〜５８５及びホット電極６０，６２，６４，６６は、バリスタ層５６１〜５６１０を構成するセラミックス材料と同時焼成できる金属材料を用いる。より具体的には、バリスタセラミックスの焼成温度は通常８００℃〜１４００℃程度であるため、その温度で融解しない金属材料として、例えば、Ａｇ、Ｐｄこれらの合金等を好適に使用することができる。
【００９４】
積層体ＣＥ５は、インダクタ積層部５３及びバリスタ積層部６７のほかに、中間積層部５５を有している。中間積層部５５は、インダクタ積層部５３とバリスタ積層部６７との縮率を調整する目的で設けられた部分であって、インダクタ積層部５３とバリスタ積層部６７との間に位置している。中間積層部５５は、中間層５４１，５４２からなっている。中間層５４１，５４２は絶縁性を有する層であって、例えば、ＺｎＯ及びＦｅ２Ｏ３を主成分としたセラミックス材料から構成され、Ｃｕ成分を含有しない。このような中間積層部５５を設けることにより、インダクタ積層部５３からＣｕ成分がバリスタ積層部６７に拡散するのをより確実に抑えることができる。
【００９５】
次に、上述した積層型電子部品Ｅ５の製造方法について説明する。
【００９６】
まず、インダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４となるインダクタグリーンシートを用意する。このインダクタグリーンシートは、Ｚｎ系フェライト等のフェライトを原料としたスラリーを、例えば厚さが２０μｍ程度となるようにドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。
【００９７】
続いて、インダクタグリーンシートの所望の位置、すなわちビア導体４９，５１が形成される予定の位置に、スルーホールを形成する。スルーホールはレーザー加工機等により形成することができる。スルーホール形成後、スクリーン印刷法等によりインダクタグリーンシート上に導体パターン４８１，４８２，５０１，５０２を形成する。また、インダクタグリーンシートに形成されたスルーホールに導電ペーストを充填してビア導体４９，５１を形成する。導体パターン４８１，４８２，５０１，５０２及びビア導体４９，５１の印刷等に用いる導電ペーストは、Ａｇ、Ｐｄ、これらの合金等を主成分として含んでいるものを用いることができる。
【００９８】
続いて、バリスタ層５６１〜５６１０となるバリスタグリーンシートを用意する。このインダクタグリーンシートは、例えば、ＺｎＯ、Ｐｒ6Ｏ11、ＣｏＯ、Ｃｒ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、ＳｉＯ2、Ｋ2ＣＯ3及びＡｌ2Ｏ3を所定量含む混合粉を原料としたスラリーを、例えば厚さが３０μｍ程度となるようにドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。なお、スラリーの原料粉末は、一体焼成後に所定組成のバリスタとなるのであれば、その形態は特に限定するものではなく、所定組成のバリスタセラミックスを予め仮焼きして粉砕したバリスタ粉末を用いても良い。ただし、スラリーにはＣｕ成分を含有しないこととする。
【００９９】
続いて、スクリーン印刷法等によりバリスタグリーンシート上に導電ペーストを用いてグランド電極５８１〜５８５及びホット電極６０，６２，６４，６６を形成する。導電ペーストは、Ａｇ、Ｐｄ、これらの合金を主成分として含んでいるものを用いることができる。
【０１００】
続いて、中間層５４１，５４２となる中間材グリーンシートを用意する。中間材グリーンシートは電気絶縁性を有する絶縁体であって、例えばＺｎＯ及びＦｅ２Ｏ３を主成分とした混合粉を原料としたスラリーを、例えば厚さ３０μｍ程度となるようにドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。なお、スラリーにはＣｕ成分を含有しないこととする。
【０１０１】
続いて、所定形状の導体パターン４８１，４８２，５０１，５０２及びビア導体４９，５１が形成されたインダクタグリーンシートと、導体パターン及びビア導体が形成されていないインダクタグリーンシートと、ホット電極６０，６２，６４，６６が形成されたバリスタグリーンシートと、グランド電極５８１〜５８５が形成されたバリスタグリーンシートと、ホット電極及びグランド電極が形成されていないバリスタグリーンシートと、中間材グリーンシートと、を図１４に示すように順次積層しプレスした後に、チップ単位に切断してグリーン積層体を得る。その後、所定の条件（例えば、大気中で１１００℃〜１２００℃）で焼成を行うことで、積層体ＣＥ５を得る。
【０１０２】
続いて、積層体ＣＥ５の長手方向における端部及び長手方向における両側面中央に導電ペーストを塗布し、所定の条件（例えば、大気中で７００℃〜８００℃）にて熱処理を行って、端子電極を焼き付ける。導電ペーストは、Ａｇを主成分とする粉末を含むものを用いることができる。その後、端子電極表面にめっきを施し、入力端子電極３４，３６、出力端子電極３８，４０、及びグランド端子電極４２が形成された積層型電子部品Ｅ５を得ることができる。なお、めっきは電解めっきが好ましく、その材料としては、例えばＮｉ／Ｓｎ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｇ等を用いることができる。
【０１０３】
以上のように本実施形態によれば、コモンモードチョークコイルを構成するインダクタ部とバリスタを構成するバリスタ部とを備える積層型フィルタにおいて、Ｃｕ成分を含有しないスラリーからバリスタ層５６１〜５６１０を形成している。これにより、積層型フィルタＦ５は、バリスタ部における減衰特性の悪化が生じにくいものとなる。また、積層型フィルタＦ５では、中間材グリーンシートもＣｕ成分を含有しないスラリーから形成し、且つ中間材グリーンシートを十分な厚さとすることで、焼成時にバリスタ層５６１〜５６１０にＣｕ成分が拡散される可能性を抑制している。そのため、積層型フィルタＦ５では、バリスタ部における減衰特性の悪化がより生じにくくなっている。
【０１０４】
また、本実施形態によれば、インダクタ積層部５３の第１の焼結体は、非磁性体からなる第１の層５３１の両側に、同じく非磁性体からなる第２の層５３２，５３３を積層したものとなる。そのため、コイル導体４８，５０（コイル８１，８２）によってインダクタンス値が得られる周波数帯域を、より高周波領域まで高めることができ、積層型電子部品Ｅ５をフィルタ特性により優れたものとすることができる。
【０１０５】
以上、積層型フィルタＦ５及びその製造方法の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。
【０１０６】
例えば、上記実施形態では第１の層５３１を形成するインダクタ層４６１〜４６４は非磁性体層であるとしたが、インダクタ層４６１〜４６４の全体が非磁性体でなくてもよい。すなわち、インダクタ層４６１〜４６４それぞれにおける所定領域が、非磁性体となっていればよい。より具体的には、インダクタ層４６１〜４６４のうち、少なくとも、導体パターン４８１，４８２と導体パターン５０１，５０２との間に挟まれた領域と、導体パターン４８１，４８２の内側に位置する領域と、導体パターン５０１，５０２の内側に位置する領域とが、非磁性体であればよい。
【０１０７】
また、上記実施形態では、第１の層５３１を形成するインダクタ層４６１〜４６４および第２の層５３２，５３３を形成するインダクタ層４４１〜４４７は、いずれも非磁性体層であるとしたが、インダクタ層４４１〜４４７は磁性体層であり、インダクタ層４６１〜４６４は非磁性体層であるとしてもよい。この場合、非磁性体からなる第１の層５３１の両側に、磁性体からなる第２の層５３２，５３３を積層することとなるので、コイル導体４８，５０（コイル８１，８２）のインダクタンス値が確保できる周波数帯域を、比較的高周波領域まで高めることができる。よって、コモンモードチョークコイルのフィルタ特性がより優れた積層型フィルタＦ５を提供できる。
【０１０８】
また、インダクタ層４４１〜４４７，４６１〜４６４はいずれも磁性体層であるとしてもよい。磁性体層とする場合は、フェライト材料として、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト又はＮｉ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライトを用いることが好ましい。この場合、磁性体からなる第１の層５３１の両側に、同じく磁性体からなる第２の層５３２を積層することとなるので、第１の層５３１が非磁性体からなり第２の層５３２が磁性体からなるものと比べて、より低周波の領域におけるコイル導体４８，５０（コイル８１，８２）のインダクタンス値をいっそう高めることができる。よって、コモンモードチョークコイルのフィルタ特性がより優れた積層型フィルタＦ５を提供できる。
【０１０９】
また、上記実施形態ではコイル導体（コイル）の数を２つとしたが、これに限られない。
【０１１０】
以上、第１〜第５実施形態について説明したが、本実施形態において減衰特性の悪化を抑制できることを、実施例１及び比較例１〜３によって具体的に示す。減衰特性はインダクタンス（Ｌ）と静電容量（Ｃ）の共振現象を利用しており、実施例１及び比較例１〜３では、減衰特性の構成要件として静電容量の変化量及び変化率を求めている。
【０１１１】
実施例１では、第１の実施形態の積層型フィルタＦ１と同一構成の積層型フィルタを用いた。比較例１〜３としては、積層型フィルタＦ１とほぼ同じ構成を有しているが、バリスタ層８２，８３に相当するバリスタ層のＣｕ成分量が積層型フィルタＦ１と異なるものを用いた。つまり、比較例１では、上記バリスタ積層部のＣｕ成分量が０．０２０ｗｔ％となっている積層型フィルタを用い、比較例２では、上記バリスタ積層部のＣｕ成分量が０．０１２ｗｔ％となっている積層型フィルタを用い、比較例３では、上記バリスタ積層部のＣｕ成分量が０．００３ｗｔ％となっている積層型フィルタを用いた。
【０１１２】
実施例１の積層型フィルタの減衰特性を、図１６に示す。また、比較例１の積層型フィルタの減衰特性を図１７に示し、比較例２の積層型フィルタの減衰特性を図１８に示し、比較例３の積層型フィルタの減衰特性を図１９に示す。図１６（ａ）、図１７（ａ）、図１８（ａ）、及び図１９（ａ）は、実施例１及び比較例１〜３の静電容量の変化量を示している。図１６（ｂ）、図１７（ｂ）、図１８（ｂ）、及び図１９（ｂ）は、実施例１及び比較例１〜３の静電容量の変化率を示している。図１６からわかるように、実施例１の積層型フィルタは、高周波領域において十分な静電容量を維持している。よって、実施例１の積層型フィルタは、高周波領域における減衰特性に優れた積層型フィルタであるといえる。また、図１６に示すように、実施例１の積層型フィルタでは、１〜１０００ＭＨｚの周波数範囲では静電容量がほぼ一定であり、周波数が約１０００ＭＨｚを超えると静電容量が急激に減少する。つまり実施例１の積層型フィルタでは、カットオフ周波数が１０００ＭＨｚであることが明確に判別できる。よって、かかる判別を利用すれば高周波領域での減衰特性を設計することができる。これに対して図１４〜１５に示すように、比較例１〜３の積層型フィルタでは、１〜１０００ＭＨｚの周波数範囲であっても、周波数が高くなるにつれて静電容量が低下してしまっている。つまり、判別を利用できないので、高周波領域での減衰特性の設計が困難となる。以上のことから、本実施形態の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】第１の実施形態に係る積層型フィルタを示す概略斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を分解して示す分解斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係る積層型フィルタの中央断面を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。
【図５】第２の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を分解して示す分解斜視図である。
【図６】第２の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。
【図７】第２の実施形態に係る積層型フィルタの積層体の変形例であって、その分解斜視図である。
【図８】第３の実施形態に係る積層型フィルタを示す概略斜視図である。
【図９】第３の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を分解して示す分解斜視図である。
【図１０】第３の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。
【図１１】第４の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を分解して示す分解斜視図である。
【図１２】第４の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。
【図１３】第５の実施形態に係る積層型フィルタを示す概略斜視図である。
【図１４】第５の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を分解して示す分解斜視図である。
【図１５】第５の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路図である。
【図１６】実施例１の積層型フィルタの減衰特性を示すグラフである。
【図１７】比較例１の積層型フィルタの減衰特性を示すグラフである。
【図１８】比較例２の積層型フィルタの減衰特性を示すグラフである。
【図１９】比較例３の積層型フィルタの減衰特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１４】
Ｆ１〜Ｆ５…積層型フィルタ、ＣＥ１〜ＣＥ５…積層体、６１〜６９，４４１〜４４７，４６１〜４６４…インダクタ層、３，３４，３６…入力端子電極、４，３８，４０…出力端子電極、５，４２…グランド端子電極、７，５３…インダクタ積層部（インダクタ部）、８１〜８５，５６１〜５６１０…バリスタ層、９，６７…バリスタ積層部（バリスタ部）、１０，５５…中間積層部（中間部）、１１，５４１，５４２…中間層、１２１〜１２８…インダクタ導体部、１６，１６１，１６２，６０，６２，６４，６６…ホット電極、１７，１７１，１７２，５８１〜５８５…グランド電極、４８，５０…コイル導体部、４８１，４８２，５０１，５０２…導体パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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