(57)【要約】【課題】ＦＰＤの画素欠陥を補正して適正な放射線画像を得ることができ、経時等によってＦＰＤの画素欠陥が増加してしまった場合でも、画素欠陥の発生状態を適正に把握して、適正な診断等が可能な放射線画像を得ることができる放射線画像撮影装置を提供することにある。【解決手段】欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段と、放射線固定検出器に照射された曝射線量を測定する曝射線量測定手段及び前記放射線固定検出器の温度を測定する温度測定手段の少なくとも一方とを有し、制御手段が、曝射線量測定手段の測定結果及び温度測定手段の測定結果の少なくとも一方と、欠陥検出手段により画素欠陥が検出されてからの経過時間とに基づいて欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させるタイミングを算出することにより、上記課題を解決する。【選択図】図２
2008245049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線源と、
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段と、
前記放射線固定検出器に照射された曝射線量を測定する曝射線量測定手段及び前記放射線固定検出器の温度を測定する温度測定手段の少なくとも一方とを有し、
前記制御手段は、曝射線量測定手段の測定結果及び温度測定手段の測定結果の少なくとも一方と、前記欠陥検出手段により画素欠陥が検出されてからの経過時間とに基づいて前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させるタイミングを算出する放射線画像撮影装置。
【請求項２】
制御手段は、前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報が検出されてからの放射線固定検出器の、温度変化、累積曝射線量、一回の曝射線量の少なくとも１つ、及び画素欠陥位置情報が検出されてからの経過時間を検出し、検出した前記温度変化、前記累積曝射線量、前記一回の曝射線量及び前記経過時間の少なくとも１つが許容値を超えている場合に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させる請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記制御手段は、画像撮影の要求を検出した場合は、前記欠陥検出手段による画素欠陥位置情報の検出を待機させる請求項１または２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記制御手段は、さらに、終業処置時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させ、前記終業処理時に画素欠陥位置情報を検出した後の起動時は、前記欠陥検出手段により欠陥位置情報を検出させない請求項１〜３のいずれかに記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記曝射線量測定手段により測定された累積曝射線量及び前記放射線固定検出器により検出された温度の少なくとも一方に基づいて、前記経過時間の許容値を設定する請求項１〜４のいずれかに記載の放射線画像撮影装置。
【請求項６】
前記欠陥検出手段は、更新時に検出された画素欠陥と、更新前の画素欠陥位置情報の画素欠陥との論理和をとって、新たな画素欠陥位置情報とする請求項１〜５のいずれかに記載の放射線画像撮影装置。
【請求項７】
放射線源と、
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、終業処置時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させて、かつ、前記終業処理時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報が検出された後の起動時は、前記欠陥検出手段により欠陥位置情報を検出させない放射線画像撮影装置。
【請求項８】
放射線固定検出器の画素欠陥の位置情報を取得する画素欠陥情報取得方法であって、
前記画素欠陥位置情報を検出してからの経過時間、及び、前記画素欠陥位置情報を検出してからの前記放射線固定検出器の、温度変化、累計曝射線量及び一回の曝射線量の少なくとも１つを検出し、
検出した前記経過時間、温度変化、累計曝射線量及び一回の曝射線量のいずれか１つが設定値を超えている場合は、前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を更新する画素欠陥情報取得方法。
【請求項９】
放射線固定検出器の画素欠陥の位置情報を取得する画素欠陥情報取得方法であって、
前記放射線固定検出器の温度及び前記放射線検出器の曝射線量の少なくとも一方に基づいて、前記放射線固定検出器の前記画素欠陥位置情報の更新時間間隔を設定し、
前記画素欠陥位置情報を検出してからの経過時間と前記更新時間間隔とを比較し、
前記経過時間が前記更新時間間隔を超えている場合は、前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を取得し、前記画素欠陥位置情報を更新する画素欠陥情報取得方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線固定検出器を用いる放射線画像撮影に関するものであり、より詳しくは、放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を取得する放射線画像撮影装置及び画素欠陥情報取得方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、医療用の診断画像の撮影や工業用の非破壊検査などに、被写体を透過した放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）を電気的な信号として取り出すことにより放射線画像を撮影する、放射線画像検出器が利用されている。
この放射線画像検出器としては、放射線を電気的な画像信号として取り出す放射線固体検出器（いわゆる「Flat Panel Detector」、以下「ＦＰＤ」という。）や、放射線像を可視像として取り出すＸ線イメージ管などがある。
【０００３】
放射線画像検出器にＦＰＤを用いる方式としては、例えば放射線の入射によってアモルファスセレンなどの光導電膜が発した電子−正孔対（ｅ−ｈペア）を収集して電化信号として読み出す、いわば放射線を直接的に電気信号に変換する直接方式と、放射線の入射によって発光（蛍光）する蛍光体で形成された蛍光体層（シンチレータ層）を有し、この蛍光体層によって放射線を可視光に変換し、この可視光を光電変換素子で読み出す、いわば放射線を可視光として電気信号に変換する間接方式との、２つの方式がある。
【０００４】
このＦＰＤを利用する放射線画像撮影装置において、放射線画像の画質低下の一因として、ＦＰＤの画素欠陥が挙げられる。
すなわち、ＦＰＤの画素（検出素子）は、全てが必ずしも入射した放射線（放射線量）に対して適正な強度の信号を出力する訳ではなく、放射線に対して異常に低い値の信号や以上に高い信号を出力する画素が存在する。
【０００５】
当然のことであるが、画素欠陥を生じている部分（画素）は、適正な放射線画像を得ることができない。このような欠陥を有する画像は、誤診等の重大な問題の原因となる。また、ＦＰＤの画素欠陥は、経時的な増加を防ぐことはできない。
そのため、ＦＰＤを利用する放射線画像撮影装置では、所定のタイミングでＦＰＤの画素欠陥の位置を検出しておき、放射線画像を撮影する際には、画素欠陥の検出結果に応じて、周辺の画素（その画像データ）を利用して画素欠陥を補正する、画素欠陥補正を行い、画素欠陥補正済の放射線画像を診断画像等として表示やプリントとして再生することが提案されている。
このような撮像素子の画素欠陥の検出方法としては、特許文献１に記載されている方法がある。
【０００６】
特許文献１には、Ｘ線源及び横列と縦列の形に配列させたピクセル素子を備えたディジタル検出器と、較正動作フェーズの間に検出器を較正しかつ異なる時点で生じる使用動作フェーズの間に検出器に電源供給する制御器を用いて検出器をモニタリングするモニタリング装置を有するＸ線イメージングシステムが記載されている。
さらにモニタリング装置が、ピクセル素子が生成されたデータを読み取り、このデータを解析し、かつ較正動作フェーズの間、並びに複数の使用動作フェーズの所定部分の間で欠陥ピクセル素子を指示するデータに対応したピクセル素子を特定することも記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１９８９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載されているように、較正動作中に加え使用動作中も定期的に画素欠陥し、画素欠陥に関する情報を更新することで、画素欠陥の情報を得ることができる。
しかしながら、放射線固体検出器は、使用状況によって画素欠陥の数や位置が変化するため、検出されない画素欠陥もある。また、時間間隔を短くして頻繁に画素欠陥を検出することで、正確に画素欠陥を検出することができるが、作業が煩雑であり、装置への付加も大きくなる。
【０００９】
本発明の目的は、放射線固体検出器（ＦＰＤ）を用いる放射線画像撮影において、ＦＰＤの画素欠陥を補正して適正な放射線画像を得ることができ、さらに、経時等によってＦＰＤの画素欠陥が増加してしまった場合でも、画素欠陥の発生状態を適正に把握して、適正な診断等が可能な放射線画像を得ることができる放射線画像撮影装置及び画素欠陥情報取得方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様の第１の形態は、放射線源と、
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段と、
前記放射線固定検出器に照射された曝射線量を測定する曝射線量測定手段及び前記放射線固定検出器の温度を測定する温度測定手段の少なくとも一方とを有し、
前記制御手段は、曝射線量測定手段の測定結果及び温度測定手段の測定結果の少なくとも一方と、前記欠陥検出手段により画素欠陥が検出されてからの経過時間とに基づいて前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させるタイミングを算出する放射線画像撮影装置を提供する。
【００１１】
ここで、制御手段は、前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報が検出されてからの放射線固定検出器の、温度変化、累積曝射線量、一回の曝射線量の少なくとも１つ、及び画素欠陥位置情報が検出されてからの経過時間を検出し、検出した前記温度変化、前記累積曝射線量、前記一回の曝射線量及び前記経過時間の少なくとも１つが許容値を超えている場合に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させることが好ましい。
また、前記制御手段は、画像撮影の要求を検出した場合は、前記欠陥検出手段による画素欠陥位置情報の検出を待機させることが好ましい。
また、前記制御手段は、さらに、終業処置時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させ、前記終業処理時に画素欠陥位置情報を検出した後の起動時は、前記欠陥検出手段により欠陥位置情報を検出させないことが好ましい。
ここで、終業処置とは、装置の稼動を休止または停止させる前に行う処置である。
【００１２】
また、前記制御手段は、前記曝射線量測定手段により測定された累積曝射線量及び前記放射線固定検出器により検出された温度の少なくとも一方に基づいて、前記経過時間の許容値を設定することが好ましい。
さらに、前記欠陥検出手段は、更新時に検出された画素欠陥と、更新前の画素欠陥位置情報の画素欠陥との論理和をとって、新たな画素欠陥位置情報とすることが好ましい。
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様の第２の形態は、放射線源と、
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、終業処置時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させて、かつ、前記終業処理時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報が検出された後の起動時は、前記欠陥検出手段により欠陥位置情報を検出させない放射線画像撮影装置を提供する。
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の第２の態様の第１の形態は、放射線固定検出器の画素欠陥の位置情報を取得する画素欠陥情報取得方法であって、
前記画素欠陥位置情報を検出してからの経過時間、及び、前記画素欠陥位置情報を検出してからの前記放射線固定検出器の、温度変化、累計曝射線量及び一回の曝射線量の少なくとも１つを検出し、
検出した前記経過時間、温度変化、累計曝射線量及び一回の曝射線量のいずれか１つが設定値を超えている場合は、前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を更新する画素欠陥情報取得方法を提供する。
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明の第２の態様の第２の形態は、放射線固定検出器の画素欠陥の位置情報を取得する画素欠陥情報取得方法であって、
前記放射線固定検出器の温度及び前記放射線検出器の曝射線量の少なくとも一方に基づいて、前記放射線固定検出器の前記画素欠陥位置情報の更新時間間隔を設定し、
前記画素欠陥位置情報を検出してからの経過時間と前記更新時間間隔とを比較し、
前記経過時間が前記更新時間間隔を超えている場合は、前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を取得し、前記画素欠陥位置情報を更新する画素欠陥情報取得方法を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、使用状況や特性に応じて適切に画素欠陥位置情報を取得することができる。これにより、画素欠陥を適切に補正することができ、高画質な画像を形成することができる。
また、本発明によれば、終業処理時に画素欠陥位置情報を検出することで、画素欠陥を適切に検出することができ、さらに、起動処理に画素欠陥位置情報の検出をしないことで、処理に必要な時間を短くすることができる。これにより、起動後、より短時間で使用することが可能となり、さらに、高画質な画像を形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明に係る放射線画像撮影装置及び画素欠陥情報取得方法について、添付の図面に示す実施形態を基に詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の画素欠陥情報取得方法を用いる放射線画像撮影装置の概略構成を示すブロック図である。
図１に示す放射線画像撮影装置１０（以下「撮影装置１０」という。）は、被検者Ｈ（つまり、被写体）の診断画像となる放射線画像を撮影する放射線画像診断装置であり、放射線画像を撮影する撮影部１２と、撮影部１２が撮影した放射線画像を処理する画像処理部１４と、モニタ１６と、プリンタ１８と、撮影部１２の放射線固定検出器３０の状態を測定する測定部１９と、撮影部１２、画像処理部１４及び測定部１９を制御する制御部２０とを有する。
【００１９】
撮影部１２は、放射線源２２と、撮影台２４と、撮影手段２６とを有し、被検体Ｈの放射線画像を撮影する。
放射線源２２は、各種の放射線画像撮影装置に設置される通常の放射線源である。
撮影台２４も、各種の放射線画像撮影装置で利用される通常の撮影台である。
なお、撮影装置１０は、必要に応じて、さらに放射線源２２の移動手段、撮影台２４の昇降手段や水平方向への移動手段、撮影台２４を傾ける傾斜手段等を有してもよい。
【００２０】
撮影手段２６は、放射線固定検出器３０（以下「ＦＰＤ３０」という。）を有し、ＦＰＤ３０に放射線画像を撮影するものである。
撮影装置１０は、通常の放射線画像撮影装置１０と同様に、放射線源２２が照射し、被検者Ｈを透過した放射線をＦＰＤ３０の受光面で受光し、放射線を光電変換することにより、被検者Ｈの放射線画像を撮影する。
【００２１】
本発明において、ＦＰＤ３０は、放射線画像撮影装置に利用される通常のＦＰＤ（Flat Panel Detector(フラットパネル検出器)）である。
本発明において、ＦＰＤ３０は、アモルファスセレン等の光導電膜とＴＦＴ(Thin Film Transistor)等を用い、放射線の入射によって光導電膜が発した電子−正孔対（ｅ−ｈペア）を収集してＴＦＴによって電化信号として読み出す、いわゆる直接方式のＦＰＤ、および、「ＣｓＩ：Ｔｌ」などの放射線の入射によって発光（蛍光）する蛍光体で形成されたシンチレータ層とフォトダイオードとＴＦＴ等を用い、放射線の入射によるシンチレータ層の発光をフォトダイオードで光電変換して、ＴＦＴによって電気信号として読み出す、いわゆる間接方式のＦＰＤの、いずれでもよい。
【００２２】
また、撮影手段２６は、ＦＰＤ３０以外にも、散乱放射線がＦＰＤ３０に入射する散乱放射線を遮蔽するためのグリッド、グリッドの移動手段等、公知の放射線画像撮影装置が有する各種の部材を有してもよいのは、もちろんである。
撮影手段２６（ＦＰＤ３０）が撮影した放射線画像の出力信号は、画像処理部１４に出力される。
【００２３】
画像処理部１４は、データ処理手段３２と、欠陥検出手段３６と、画像補正手段３８とを有し、ＦＰＤ３０から出力された出力信号から、モニタ１６による表示に対応する画像データや、プリンタ１８でのプリント出力、さらには、ネットワークや記録媒体を用いた放射線画像（データ）の出力に対応する画像データを作成する。
画像処理部１４は、一例として、１台もしくは複数台のコンピュータやワークステーションで構成されるものであり、図示した部位以外にも、各種の操作や指示の入力等をするためのキーボードやマウス等を有する。
【００２４】
データ処理手段３２は、ＦＰＤ３０から出力された出力信号に、Ａ／Ｄ変換やｌｏｇ変換等の処理を施して、放射線画像の画像データに変換するものである。
【００２５】
欠陥検出手段３６（以下「検出手段３６」という。）は、ＦＰＤ３０の画素欠陥を検出するものである。
ここで、画素欠陥とは、入射した放射線の線量に対して、不適正に高い出力信号や不適正に低い出力信号を出力する画素（または、検出素子、領域）であり、例えば、１つの画素の単位画素欠陥や、複数の画素が連続して欠陥となっている線欠陥、連続欠陥等がある。
検出手段３６は、ＦＰＤ３０の画素欠陥を検出し、ＦＰＤ３０上におけるすべての画素欠陥の位置（つまり、欠陥を有する画素の位置）を示す欠陥マップを作成する。このように、検出手段３６は、ＦＰＤ３０の画素欠陥位置情報を検出する。
検出手段３６は、作成した欠陥マップを、画像補正手段３８に送る。
【００２６】
なお、検出手段３６による画素欠陥の検出方法は、特に限定はなく、例えば、暗画像（暗電流）を用いる検出方法、被検者Ｈがいない状態で放射線源２２からの所定量の放射線をＦＰＤ３０に一様に照射（暴露）して得られた放射線画像を用いる検出方法等、各種の放射線画像撮影装置で行なわれている画素欠陥の検出方法が、全て利用可能である。
以下、本実施形態では、暗画像を用いて欠陥マップを作成する例として説明する。
【００２７】
画像補正手段３８は、画像データに画像処理を施す手段であり、データ処理部３２が処理した放射線画像（正確には、放射線画像の画像データ）に、所定の画像処理を施して、モニタ１６などによる画像表示、プリンタ１８によるプリント（ハードコピー）の出力、ネットワークや記憶媒体への出力に対応する放射線画像とする。
【００２８】
画像補正手段３８は、欠陥マップに基づいて、データ処理手段３２で処理が施された画像データの画素欠陥を補正する。具体的には、画像補正手段３８は、欠陥マップから、各画素欠陥の位置情報を取得する。さらに画像補正手段３８は、取得した画素欠陥の位置情報に基づいて画素欠陥の位置を特定し、特定した画素欠陥６０を、当該孤立点画素欠陥の周囲の２つの正常画素の平均値により補正する。
画像補正手段３８は、欠陥マップに示された全ての画素欠陥に対して同様の補正を行うことで、画像データ上の画素欠陥を補正する。
【００２９】
ここで、画素欠陥補正の方法に特に限定はなく、本実施形態のような両隣や周辺の画素の平均値を画素欠陥（その画素）のデータとする方法以外にも、画素欠陥周辺の所定領域の画素の変化の傾向から画素欠陥のデータを生成する方法等、各種の放射線画像撮影装置で行なわれている画素欠陥補正方法が利用可能である。
例えば、画素欠陥を、当該画素欠陥の周囲の３つ以上の正常画素と各正常画素と画素欠陥との距離を用いて算出した重み付け平均値により補正してもよい。
【００３０】
なお、画像補正手段３８が実施する画像処理は、画素欠陥補正には限定されず、例えば、画素欠陥補正と共にキャリブレーションに応じて行われるオフセット補正（暗補正）やゲイン補正（シェーディング補正）、階調補正や濃度補正、さらには、モニタ表示用やプリント出力用のデータに画像データを変換するデータ変換など、各種の放射線画像撮影装置で行なわれている画像処理を行うようにしてもよい。
【００３１】
画像補正手段３８は、所定の画像処理を施した画像データを、必要に応じてモニタ１６及び／またはプリンタ１８に送る。
【００３２】
測定部１９は、ＦＰＤ３０の温度を測定する温度測定手段４２と、ＦＰＤ３０が曝射された線量を測定する曝射線量測定手段４４とを有し、ＦＰＤ３０の状態を測定する。
温度測定手段４２としては、熱電対、サーミスタ等の接触型の測定装置や、放射温度計等の非接触型の測定装置等の種々の温度を測定する装置を用いることができる。
また、曝射線量測定手段４４としては、例えば曝射時に放射線源に流れる管電流（ｍＡ）と時間（ｓｅｃ）との積から曝射線量（ｍＡｓ）を算出する装置、曝射時の設定値及び／または入力値から曝射線量を算出する装置、ＦＰＤの出力信号（より正確には出力信号の強度）から曝射線量を算出する装置等の種々の線量を測定（もしくは算出）する装置を用いることができる。
温度測定手段４２及び曝射線量測定手段４４は、測定した温度及び曝射線量を制御部２０に送る。
【００３３】
制御部２０は、欠陥マップ作成後の経過時間に加え、温度測定手段４２及び曝射線量測定手段４２から送られてきたＦＰＤ３０の温度及び曝射線量に基づいて、欠陥マップの算出のタイミングを算出し決定する。つまり、制御部２０は、欠陥マップ作成後の経過時間に加え、ＦＰＤ３０の温度及び曝射線量に基づいて、欠陥マップの更新の要否を判定する。
具体的には、欠陥マップを作成してからの（より正確には、前回の欠陥マップの作成からの）、経過時間、ＦＰＤ３０の温度変化、ＦＰＤ３０の累積の曝射線量、ＦＰＤ３０の一回の曝射線量等と、それぞれの閾値（つまり、許容値、設定値）とを比較し、各値が閾値を超えているか否かを検出し、閾値を超えている場合は欠陥マップを更新させる。
【００３４】
ここで、経過時間の検出方法は、特に限定されず、例えば、制御部２０に時間を計測する装置を設け、欠陥マップを作成してからの時間の経過を検出すればよい。
また、ＦＰＤ３０の温度変化は、温度測定手段４２で変化まで検出しても、温度測定手段４２からは測定結果を送るのみで、制御部２０が測定結果と前回の欠陥マップの作成時の温度とを比較して検出してもよい。
また、ＦＰＤ３０の温度変化としては、温度差、一定の温度差以上となった時間の長さ等を設定することができる。
また、累積の曝射線量は、曝射線量測定手段４２が測定した曝射線量を加算することで検出しても、曝射線量測定手段４２は、曝射線量を測定するのみで、制御部２０が測定結果を加算して検出してもよい。
また、一回の曝射線量とは、被写体の撮影時にＦＰＤが受けた放射線の最大値である。この一回の曝射線量も曝射線量測定手段４２で検出しても、曝射線量測定手段４２から送られてきた測定結果を制御部２０で解析して算出してもよい。
【００３５】
以下、図２を用いて制御部２０による欠陥マップ（つまり、ＦＰＤ３０の画素欠陥位置情報）の更新の要否の判定について詳細に説明する。図２は、欠陥マップの更新の要否の判定方法の一例を示すフロー図である。なお、図２に示す例では、累積の曝射線量、温度変化、経過時間に基づいて欠陥マップの更新の要否を判定している。
【００３６】
まず、装置が起動されると起動処理（つまり、キャリブレーション）を行う（Ｓ１０２）。具体的には、オフセット補正、ゲイン補正（つまり、シェーディング補正）、欠陥マップの取得若しくは更新を行う。さらに、欠陥マップの取得若しくは更新後、後述する経過時間ＴをＴ＝０とする。
これにより、放射線画像が記録可能な状態となる。
【００３７】
次に、現在使用している欠陥マップを作成してから（つまり、現在使用しているＦＰＤ３０の画素欠陥位置情報を検出してから）の累積の曝射線量が閾値を超えているか否かを検出する（Ｓ１０４）。
累積の曝射線量が閾値を超えている場合は、欠陥マップを更新する必要ありと判定し、暗画像を取得する（Ｓ１１０）。
他方、累積の曝射線量が閾値を超えていない場合は、現在使用している欠陥マップを作成してからの温度変化が閾値を超えているか否かを検出する（Ｓ１０６）。
温度変化が閾値を超えている場合は、欠陥マップを更新する必要ありと判定し、暗画像を取得する（Ｓ１１０）。
温度変化が閾値を超えていない場合は、現在使用している欠陥マップを作成してからの経過時間が閾値を超えているか否かを検出する（Ｓ１０８）。つまり、経過時間の閾値をｔとし、経過時間をＴとするとｔ≦Ｔか否かを検出する。
経過時間が閾値を超えている場合（つまりｔ≦Ｔ）は、欠陥マップを更新する必要ありと判定し、暗画像を取得する（Ｓ１１０）。
暗画像を取得すると、取得した暗画像から画素欠陥を検出し、欠陥マップを作成する。このようにして作成した欠陥マップを新たな欠陥マップとして設定する。つまり、欠陥マップを更新する（Ｓ１１２）。
欠陥マップを更新したら、経過時間、累積曝射線量をリセット、つまり経過時間ＴをＴ＝０とし、累積曝射線量を０とする。さらに、欠陥マップ更新時の温度を温度変化の基準温度として設定する（Ｓ１１４）。
【００３８】
経過時間、累積曝射線量をリセットし、基準となる温度を設定したら、終業要求があるか否かを判断する（Ｓ１１６）。ここで、終業要求とは、装置の稼動を停止または休止させる旨の指示である。
また、Ｓ１０８において、経過時間が閾値を超えてない場合（つまりｔ＞Ｔ）も、終業要求があるか否かを判断する（Ｓ１１６）。
【００３９】
終業要求がない場合は、Ｓ１０４に戻り、累積の曝射線量が閾値を超えているか否か等、上述した処理を再び行う。
終業要求がある場合は、終業処理をする（Ｓ１１８）。
【００４０】
制御部２０は、終業要求を受け処理を終了するまで、以上の処理を繰り返すことで、欠陥マップの更新の要否の判定を行う。
また、画像処理部１４の画像補正手段３８は、更新された欠陥マップ（つまり、最新の欠陥マップ）に基づいて画素欠陥を補正する。
【００４１】
また、制御部２０は、欠陥マップの更新の要否の判定以外にも、撮影部１２の撮影動作、画像処理部１４の画像データの処理、また、画像データのモニタ１６やプリンタ１８への送信等の制御をする。
本実施形態の放射線画像撮影装置１０は基本的に以上のような構成である。
【００４２】
放射線画像撮影装置１０は、経過時間に加え、ＦＰＤ３０の温度変化及びＦＰＤ３０の累積の曝射線量に基づいて、欠陥マップの検出のタイミングを算出し、欠陥マップを新たに検出（つまり更新）することで、撮影装置１０の使用状況やＦＰＤ３０の特性に応じて適切に画素欠陥を検出することができる。
これにより、正確な欠陥マップつまり画素欠陥位置情報に基づいて画素欠陥を補正することができ、正確に画素欠陥が補正された高画質な画像を作成することができる。これにより、医療用画像に用いる場合も、画素欠陥が生じ誤診の原因となることを防止できる。
また、適切な頻度で欠陥マップを更新することができるため、装置への付加を少なくすることができ、作業効率も高くすることができる。
【００４３】
特に、アモルファスセレンのような放射線を直接電荷に変換する直接方式のＦＰＤを用いる場合は、温度上昇や放射線が曝射されることにより、アモルファスセレンの結晶化が進行するため、上記効果をより好適に得ることができる。具体的には、アモルファスセレンは、大面積の基板への蒸着が容易である、セレンが暗抵抗が１０１２Ωｃｍ以上であるためＸ線検出用の半導体材料として用い易い、比較的低い温度での成膜が可能（具体的には、ＦＰＤとして製造する場合にＴＦＴ基板に影響を与えない温度条件での成膜が可能）という有利な点はあるが、温度変化や、放射線が曝射されることにより結晶化が進行し易い、つまり欠陥が増加する。
このように、温度変化や放射線の曝射により画素欠陥が増加するアモルファスセレンを用いたＦＰＤの場合でも、画素欠陥を好適に検出することができるため、正確に画素欠陥を補正した高画質な画像を形成することができる。
【００４４】
ここで、更新する欠陥マップは、更新前の欠陥マップの画素欠陥と暗画像から検出した画素欠陥との論理和（ｌｏｇｉｃａｌ  ＯＲ）により作成することが好ましい。つまり、欠陥マップは、検出した画素欠陥を順次加算して更新することが好ましい。
このように検出した画素欠陥を順次加算していくことにより、使用状態によっては、検出されない画素欠陥も、一度検出されればその後の欠陥マップでは画素欠陥として検出することができる。
具体的には、完全には画素欠陥とはなっておらず、状態によって正常画素にも画素欠陥にもなる画素（以下「予備画素欠陥」という。）で、更新時の暗画像には正常に機能している画素も、画素欠陥として検出することができる。
このように、予備画素欠陥も画素欠陥として検出することで、画素欠陥を確実に補正することができる。
【００４５】
また、暗画像から検出した画素欠陥と前回の欠陥マップと比較し、極端に大きな画素欠陥、つまり、一定以上の領域の画素欠陥を検出した場合は、ゴミ、埃として、画素欠陥から除外することが好ましい。このように、表面上に付着している等により除去が可能であり、また経時により位置が変化するゴミ、埃を除外することで、論理和を用いる場合も誤検出を防止でき、適切に画素欠陥を補正することができる。
また、ゴミ、埃として検出した場合には、ブザーを鳴らす、画面に警告表示を行う等により、ユーザーにゴミ、埃が付着していることを通知することが好ましい。これにより、迅速にゴミ、埃を除去することができ、高画質な画像を記録することができる。
【００４６】
また、上述した論理和により欠陥マップを更新する場合は、一度画素欠陥として検出した画素欠陥も、一定回数の欠陥マップの更新の際に暗画像から検出されない画素欠陥は、欠陥マップ上の画素欠陥から除外することが好ましい。これにより、論理和を用いる場合も誤検出を防止でき、適切に画素欠陥を補正することができる。
【００４７】
ここで、上記実施形態では、累積の曝射線量（Ｓ１０４）、温度変化（Ｓ１０６）、経過時間（Ｓ１０８）の順でそれぞれ閾値を超えているか否かを検出した（つまり、各値と閾値とを比較した）が、検出の順序は特に限定されず、任意の順序とすることができる。
【００４８】
また、上記実施形態では、経過時間、温度変化、累積の曝射線量により、欠陥マップの更新を行うか否かを判定したが（つまり、欠陥マップの更新のタイミングを算出したが）、さらに、または温度変化、累積の曝射線量に変えて、ＦＰＤ３０の一回の曝射線量により、欠陥マップの更新を行うか否かを判定してもよい。
一回の曝射線量を基準に欠陥マップの更新の要否を判定する方法としては、現在使用している欠陥マップを作成してから、行われた曝射の中で一回の曝射線量が閾値を超えた曝射があったか否かを検出し、閾値を超えた曝射があったことを検出したら欠陥マップの行い、閾値を超えた曝射を検出しなかったら欠陥マップの更新は行わない方法が例示される。
さらに、曝射線量測定手段の測定結果に基づいて、欠陥マップが作成されてからのＦＰＤの曝射回数を算出し、曝射回数に基づいて欠陥マップの更新の要否を判定してもよい。
【００４９】
なお、画素欠陥をより確実に検出することができるため、経過時間に加え、温度変化、累積の曝射線量の両方、より好ましくは、さらに、一回の曝射線量の全てを検出することが好ましいが、温度変化、累積の曝射線量及び一回の曝射線量の少なくとも１つと経過時間に基づいて、欠陥マップの更新を行うか否かを判定することで、装置の使用状態及びＦＰＤの特性に応じて画素欠陥を検出することができる。
【００５０】
また、制御部２０に記録部を設け、欠陥マップを更新したタイミング、検出結果、更新を決定した条件（つまり、敷居値を超えた値）や更新時の温度、累積曝射線量、一回の曝射の最大曝射線量、経過時間等を記録し、ログとして保存することが好ましい。このようにログを保存することにより、画素欠陥と測定条件との関係や、ＦＰＤ３０の状態を判断することが容易になる。
【００５１】
ここで、制御部２０は、終業処理として、欠陥マップを更新する（つまり、画素欠陥位置情報を検出する）ことが好ましい。
図３は、図２に示す終業処理（Ｓ１１８）の好適な一例を示すフロー図である。
【００５２】
制御部２０は、終業要求がある場合は、暗画像を取得する（Ｓ１２０）。
暗画像を取得すると、取得した暗画像から画素欠陥を検出し、欠陥マップを作成する。このようにして作成した欠陥マップを新たな欠陥マップとして設定する。つまり、欠陥マップを更新する（Ｓ１２２）。
その後、その他の終業処理を行う（Ｓ１２４）。
【００５３】
さらに、制御部２０は、起動処理時に終業処理時に欠陥マップを更新しているか否かを検出し、終業処理で欠陥マップを更新している場合は、起動処理時の欠陥マップの作成を省略する（つまり、欠陥マップを更新しない）ことが好ましい。
【００５４】
図４は、図２に示す起動処理（Ｓ１０２）の好適な一例を示すフロー図である。
制御部２０は、撮影装置１０が起動されると、キャリブレーション処理として、オフセット補正及びゲイン補正を行わせる（Ｓ１３０）。
次に、前回終業処理時に欠陥マップの更新を行ったか否かを検出する（Ｓ１３２）。
前回終業処理時に欠陥マップの更新を行っている場合は、経過時間ＴをＴ＝０とする（Ｓ１３６）。
その後、累積の曝射線量が閾値を超えているかを検出するＳ１０４に進む。
【００５５】
他方、前回終業処理時に欠陥マップの更新を行っていない場合、または、初回の起動である場合は、上述と同等の方法で、暗画像を取得し、暗画像から欠陥マップ作成する（Ｓ１３４）。
欠陥マップを作成した後に、経過時間ＴをＴ＝０とする（Ｓ１３６）。
その後、累積の曝射線量が閾値を超えているかを検出するＳ１０４に進む。
【００５６】
このように、終業処理時に画素欠陥を検出することにより、起動処理時に画素欠陥を検出するよりもより確実に画素欠陥を検出することができる。この点については、起動直後は、予備画素欠陥が正常画素として機能しやすく、画素欠陥として検出しにくいため、一定時間継続的に装置を駆動させた終業処理時に検出した方が予備画素欠陥を確実に検出できるためであると推測される。
これにより、より確実に画素欠陥を検出することができ、より正確に画素欠陥を補正することができる。
さらに、終業処理時に欠陥マップを更新し、起動時に欠陥マップの更新を省略することで、起動時の起動処理に係る時間を短くすることができ、また、終業処理時に作成した欠陥マップを用いることで、画素欠陥をより正確に補正することができる。
【００５７】
次に、制御部２０による欠陥マップの更新の要否の判定方法の他の一例について説明する。図５は、欠陥マップの更新の要否の判定方法の他の一例を示すフロー図である。なお、図５において、図２と同様の処理工程は、同様の符番を付し、その詳細な説明は省略する。
【００５８】
まず、装置が起動されると起動処理（つまり、キャリブレーション）を行う（Ｓ１０２）。
次に、現在使用している欠陥マップを作成してからの累積の曝射線量が閾値を超えているか否かを検出する（Ｓ１０４）。
累積の曝射線量が閾値を超えている場合は、撮影要求があるかを検出する（Ｓ１４０）。ここで、撮影要求とは、欠陥マップ作成用の暗画像の撮影ではなく、被写体Ｈの画像取得のため撮影等の要求である。つまり、撮影要求がある、撮影メニュー情報が入力されている等の撮影のための準備が開始されていることを検出している状態である。
他方、累積の曝射線量が閾値を超えていない場合は、現在使用している欠陥マップを作成してからの温度変化が閾値を超えているか否かを検出する（Ｓ１０６）。
温度変化が閾値を超えている場合は、撮影要求があるかを検出する（Ｓ１４０）。
他方、温度変化が閾値を超えていない場合は、現在使用している欠陥マップを作成してからの経過時間が閾値を超えているか否かを検出する（Ｓ１０８）。
【００５９】
経過時間が閾値を超えている場合（つまりｔ≦Ｔ）は、撮影要求があるかを検出する（Ｓ１４０）。
撮影要求があることを検出したら、暗画像は取得せず、被写体等の撮影を行う（Ｓ１４２）。
撮影した画像の画像処理を行う（Ｓ１４４）。その後、また撮影要求があるか否かを検出する（Ｓ１４０）。
他方、撮影要求がない（つまり、撮影要求が検出されない）場合は、欠陥マップの更新のために暗画像を取得する（Ｓ１１０）。
【００６０】
暗画像を取得すると、取得した暗画像から画素欠陥を検出し、欠陥マップを作成する。このようにして作成した欠陥マップを新たな欠陥マップとして設定する。つまり、欠陥マップを更新する（Ｓ１１２）。
欠陥マップを更新したら、経過時間、累積曝射線量をリセット、つまり経過時間ＴをＴ＝０とし、累積曝射線量を０とする。さらに、欠陥マップ更新時の温度を温度変化の基準温度として設定する（Ｓ１１４）。
【００６１】
経過時間、累積曝射線量をリセットし、基準となる温度を設定したら、終業要求があるか否かを判断する（Ｓ１１６）。
また、Ｓ１０８において、経過時間が閾値を超えてない場合（つまりｔ＞Ｔ）も、終業要求があるか否かを判断する（Ｓ１１６）。
【００６２】
終業要求がない場合は、Ｓ１０４に戻り、累積の曝射線量が閾値を超えているか否か等、上述した処理を再び行う。
他方、終業要求がある場合は、終業処理をする（Ｓ１１８）。
【００６３】
このように、経過時間、累積曝射線量、温度変化のいずれかが閾値を超えた場合も、撮影要求がある場合は、撮影をした後に、暗画像取得等（つまりＳ１１０、Ｓ１１２及びＳ１１４）の欠陥マップの更新に関する処理を行うこと、つまり、撮影を優先させることで、ユーザを待機させることなく画像を撮影することができる。具体的には、医療用に用いる場合は、急患などで早急に撮影する必要がある場合にも対応することが可能となる。
【００６４】
なお、上記実施形態では、経過時間、ＦＰＤの曝射線量、ＦＰＤの温度をそれぞれ別々の基準で判定したが、それぞれを組み合わせて欠陥マップの更新の要否の判定をしてもよい。
以下、図６とともに、経過時間と、曝射線量及び温度とを組み合わせて判定を行う判定方法の一例を説明する。図６は、欠陥マップの更新の要否の判定方法の一例を示すフロー図である。
【００６５】
まず、装置が起動されると起動処理（つまり、キャリブレーション）を行う（Ｓ１０２）。
次に、ＦＰＤを設置してからの累積した曝射線量（つまり、ＦＰＤの全累積曝射線量）が閾値を超えているか否かを検出する（Ｓ１６０）。
全累積曝射線量が閾値を超えている場合は、経過時間の閾値ｔ（つまり、欠陥マップの更新時間間隔の設定値ｔ）をｔ１とする（Ｓ１６２）。つまり、ｔ＝ｔ１とする。その後、経過時間Ｔが、経過時間の閾値ｔを超えているかを否かを検出する（Ｓ１７０）。
他方、全累積曝射線量が閾値を超えていない場合は、ＦＰＤ３０の温度が閾値を超えているか否かを検出する（Ｓ１６４）。
【００６６】
温度が閾値を超えている場合は、経過時間の閾値ｔをｔ２とする（Ｓ１６６）。つまり、ｔ＝ｔ２とする。その後、経過時間Ｔが、経過時間の閾値ｔを超えているかを否かを検出する（Ｓ１７０）。
他方、温度が閾値を超えていない場合は、経過時間の閾値ｔをｔ３とする（Ｓ１６８）。つまり、ｔ＝ｔ３とする。その後、経過時間Ｔが、経過時間の閾値ｔを超えているかを否かを検出する（Ｓ１７０）。
【００６７】
Ｓ１７０では、経過時間Ｔが、Ｓ１６０〜Ｓ１６８で設定された経過時間の閾値ｔを超えているか否かを検出する。
経過時間が閾値を超えている場合（つまりｔ≦Ｔ）は、欠陥マップを更新する必要ありと判定し、暗画像を取得する（Ｓ１１０）。
暗画像を取得すると、取得した暗画像から画素欠陥を検出し、欠陥マップを作成する。このようにして作成した欠陥マップを新たな欠陥マップとして設定する。つまり、欠陥マップを更新する（Ｓ１１２）。
欠陥マップを更新したら、経過時間、つまり経過時間ＴをＴ＝０とし、累積曝射線量を０とする（Ｓ１７２）。
【００６８】
経過時間をリセットしたら、終業要求があるか否かを判断する（Ｓ１１６）。
また、Ｓ１０８において、経過時間が閾値を超えてない場合（つまりｔ＞Ｔ）も、終業要求があるか否かを判断する（Ｓ１１６）。
【００６９】
終業要求がない場合は、Ｓ１０４に戻り、累積の曝射線量が閾値を超えているか否か等、上述した処理を再び行う。
終業要求がある場合は、終業処理をする（Ｓ１１８）。
【００７０】
このように、本実施形態では、ＦＰＤ３０の温度及び全累積曝射線量に応じて、経過時間の閾値を設定し、ＦＰＤの温度または全累積曝射線量が一定以上となった場合は、短い間隔で欠陥マップを更新する。
これにより、温度が高くなり画素欠陥が発生しやすくなった場合や、曝射線量が多くなり画素欠陥が発生しやすくなった場合にも対応することができ、適切に画素欠陥を検出することができる。
【００７１】
ここで、温度、全累積曝射線量の閾値は、１つの値に限定されず、複数の閾値を設け、その閾値毎に経過時間の閾値ｔを設定することが好ましく、温度の閾値と、全累積曝射線量の閾値とを組み合わせて、組み合わせ毎に経過時間の閾値ｔを設定することがさらに好ましい。
このように、経過時間の閾値ｔを段階的に設定することで、使用状況に応じて画素欠陥を適切に検出することができる。つまり、画素欠陥が発生しやすい状況の場合は欠陥マップを高い頻度で更新することで、画素欠陥を確実に検出することができ、また、必要以上の頻度で欠陥マップを更新することもなくなり、装置への付加も少なくすることができる。
【００７２】
以上、本発明に係る放射線画像撮影装置及び画素欠陥情報取得方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよい。
【００７３】
例えば、上記実施形態を組み合わせて欠陥マップの検出のタイミング、つまり、更新のタイミングを検出（もしくは、制御）してもよい。具体的には、経過時間の敷値は、ＦＰＤの温度及び全累積曝射線量に基づいて決定し、さらに、欠陥マップを作成してからの、経過時間、ＦＰＤの温度変化、ＦＰＤの累積曝射線量、ＦＰＤの一回の曝射線量のいずれかが閾値を超えた場合は、欠陥マップを更新するようにしてもよい。
【００７４】
また、より正確に画素欠陥を検出できるため、本実施形態のように、装置の稼動時は、曝射線量及び温度の少なくとも一方と経過時間とに基づいて欠陥マップの更新のタイミングを検出し、さらに、終業処理時に欠陥マップを更新することが好ましいが、本発明はこれに限定されず、稼動時の欠陥マップの検出方法、検出タイミングによらず、終業処理時に欠陥マップを更新（もしくは検出）することで、起動時に検出する場合よりも、画素欠陥を正確に検出することができる。これにより、正確に画素欠陥を補正でき、より高画質な画像を作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の放射線画像撮影装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】欠陥マップの更新の要否の判定方法の一例を示すフロー図である。
【図３】終業処理の一例を示すフロー図である。
【図４】起動処理の一例を示すフロー図である。
【図５】欠陥マップの更新の要否の判定方法の他の一例を示すフロー図である。
【図６】欠陥マップの更新の要否の判定方法の他の一例を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００７６】
１０  放射線画像撮影装置
１２  撮影部
１４  画像処理部
１６  モニタ
１８  プリンタ
１９  測定部
２０  制御部
２２  放射線源
２４  撮影台
２６  撮影手段
３０  ＦＰＤ（放射線固体検出器）
３２  データ処理手段
３６  画素欠陥検出手段
３８  画像補正手段
４２  温度測定手段
４４  曝射線量測定手段
【図１】
2008245049.tif 000003
【図２】
2008245049.tif 000004
【図３】
2008245049.tif 000005
【図４】
2008245049.tif 000006
【図５】
2008245049.tif 000007
【図６】
2008245049.tif 000008