(57)【要約】 【課題】  製造時における形状変化の少ない微細形状のスタンパーを低コストで得る。【解決手段】  表面に凹凸パターンが形成された光により記録再生される円盤状の記録媒体を製造するために用いられるスタンパーの製造方法において、金属板の表面に凹凸パターンを形成し金属原盤を作製する表面加工工程と、前記金属原盤の凹凸パターンの形成された面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の形成された金属原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、前記スタンパーを前記金属原盤より剥離する剥離工程と、により製造されることを特徴とするスタンパーの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸パターンが形成された磁気転写に用いられるマスター記録媒体の製造方法において、
金属板の表面に凹凸パターンを形成し金属原盤を作製する表面加工工程と、
前記金属原盤の凹凸パターンの形成された面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の形成された金属原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、
前記マスター記録媒体を前記金属原盤より剥離する剥離工程と、
により製造されることを特徴とするマスター記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記剥離工程終了後、前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項１に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記剥離工程終了後、前記金属原盤に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、
前記単分子層の除去された金属原盤の凹凸パターンの形成されている面に、単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の形成された金属原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、
前記マスター記録媒体を前記金属原盤より剥離する剥離工程と、
を繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項１に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項４】
表面に凹凸パターンが形成された磁気転写に用いられるマスター記録媒体の製造方法において、
非導電性材料又は半導体材料の表面に凹凸パターンを形成し非導電性原盤を作製する表面加工工程と、
前記非導電性原盤の凹凸パターンの形成された面に導電体層を形成する導電体層形成工程と、
前記導電体層の上に単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、
前記マスター記録媒体を前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、
により製造されることを特徴とするマスター記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記剥離工程終了後、前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項４に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記剥離工程終了後、前記非導電性原盤の導電体層の表面に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、
前記単分子層の除去された非導電性原盤の導電体層の表面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、
前記マスター記録媒体を前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、
を繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項４に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項７】
表面に凹凸パターンが形成された磁気転写に用いられるマスター記録媒体の製造方法において、
非導電性材料又は半導体材料の表面に凹凸パターンを形成し非導電性原盤を作製する表面加工工程と、
前記非導電性原盤の凹凸パターンの形成された面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の上に導電体層を形成する導電体層形成工程と、
前記導電体層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、導電体層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、
前記マスター記録媒体を前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、
により製造されることを特徴とするマスター記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記剥離工程終了後、前記導電体層形成工程と前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項７に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記剥離工程終了後、前記非導電性原盤に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、
前記単分子層の除去された非導電性原盤の凹凸パターンの形成されている面に、単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の上に導電体層を形成する導電体層形成工程と、
前記導電体層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、導電体層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、
前記マスター記録媒体を前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、
を繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項７に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記非導電性原盤は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３からなる材料により構成されていることを特徴とする請求項４から９のいずれかに記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記導電体層は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、無電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項４から１０のいずれかに記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記金属基板形成工程において、マスター記録媒体は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔａ、Ｃｒ又は金属単体、Ｆｅ又はＮｉを含む合金の電鋳により形成されることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記単分子層は、炭素を構成材料に含む材料であることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記剥離工程において剥離されたマスター記録媒体に、保護膜を形成し、前記保護膜を形成したマスター記録媒体を所定の型で打ち抜き、前記型で打ち抜いた後のマスター記録媒体に付着している保護膜を除去し、前記保護膜の除去されたマスター記録媒体の凹凸パターンの形成されている面に、軟磁性体からなる磁性層を形成し、前記磁性層の上に、保護層を形成したことを特徴とする請求項１から１３に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から１４に記載のマスター記録媒体と磁気記録媒体とを密着させる工程と、
密着させた前記マスター記録媒体と前記磁気記録媒体に磁界を印加することにより、前記マスター記録媒体に記録されている凹凸パターンからなる情報を前記磁気記録媒体に磁気転写する磁気転写工程と、
により磁気転写が行われることを特徴とする磁気転写方法。
【請求項１６】
請求項１から１４に記載のマスター記録媒体と磁気記録媒体とを密着させる工程と、
密着させた前記マスター記録媒体と前記磁気記録媒体に磁界を印加することにより、前記マスター記録媒体に記録されている凹凸パターンからなる情報を前記磁気記録媒体に磁気転写する磁気転写工程と、
により製造されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスター記録媒体の製造方法及び、製造されたマスター記録媒体を用いた磁気転写方法、磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、特に、剥離性が高く、製造コストの低いマスター記録媒体の製造方法及び、製造されたマスター記録媒体を用いた磁気転写方法、磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
記録媒体としては、ハードディスクに代表される磁気記録媒体が存在しており、このような磁気記録媒体においては、高密度化、情報の高速処理の要求は高く、多くの情報を記録することができる大容量で、安価で、かつ、好ましくは短時間で必要な箇所が読み出せる、いわゆる高速アクセスが可能な高密度磁気記録媒体が望まれている。これらの高密度磁気記録媒体は、情報記録領域が狭トラックで構成されており、狭いトラック幅において正確に磁気ヘッドを走査させて高いＳ／Ｎで信号を再生するために、いわゆるトラッキングサーボ技術が大きな役割を担っている。このトラッキングサーボを行うために、セクターサーボ方式が広く採用されている。
【０００３】
セクターサーボ方式とは、磁気ディスク等の磁気記録媒体のデータ面に、一定角度等で正しく配列されたサーボフィールドに、トラック位置決めのためのサーボ信号や、そのトラックのアドレス情報信号、再生クロック信号等のサーボ情報を記録しておき、磁気ヘッドが、このサーボフィールドを走査してサーボ情報を読み取り自らの位置を確認しつつ修正する方式である。
【０００４】
サーボ情報は、磁気記録媒体の製造時にプリフォーマットとして予め磁気記録媒体に記録する必要があり、現在は専用のサーボ記録装置を用いてプリフォーマットが行われている。現在用いられているサーボ記録装置は、例えばトラックピッチの７５％程度のヘッド幅を有する磁気ヘッドを備え、磁気ヘッドを磁気ディスクに近接させた状態で、磁気ディスクを回転させつつ、１／２トラック毎に磁気ディスクの外周から内周に移動させつつサーボ信号を記録する。そのため、１枚の磁気ディスクのプリフォーマット記録に長時間を要し、生産効率の点で問題があり、コストアップの要因となっている。
【０００５】
このため、プリフォーマットを正確にかつ効率的に行う方法として、サーボ情報に対応したパターンが形成されているマスター記録媒体の情報を磁気記録媒体に磁気転写する方法が開示されている。
【０００６】
この磁気転写は、転写用磁気ディスク等の磁気記録媒体（スレーブ媒体）に転写すべき情報に応じて凹凸パターンからなる転写パターンを有するマスター記録媒体を用い、このマスター記録媒体と磁気記録媒体とを密着させた状態で、記録用磁界を印加することにより、マスター記録媒体の凹凸パターンにより記録されている情報（例えばサーボ情報）に対応する磁気パターンを磁気記録媒体に磁気的に転写するものである。この方法では、マスター記録媒体と磁気記録媒体との相対的な位置を変化させることなく静的に記録を行うことができ、正確なプリフォーマット情報の記録が可能であり、しかも記録に要する時間も極めて短時間であるという利点を有している。磁気転写の方法としては、転写される磁化情報が、磁気記録媒体に垂直磁化により記録される垂直磁気記録の磁気転写と、磁気記録媒体に平行な面内磁化により記録される面内磁気記録の磁気転写の２種類が存在している。
【０００７】
このような磁気転写を行うためには、凹凸パターンの形成されたマスターディスクであるマスター記録媒体を用いる。特許文献１、２には、このマスター記録媒体の製造方法が開示されている。このハードディスクに代表される磁気記録媒体においても、高密度化の要求が高く、記録容量が増加するに伴い、マスター記録媒体に形成される凹凸パターンの形状も小さなものとなる。
【特許文献１】特開２００４−２６５５５８号公報
【特許文献２】特開２００６−５９５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、磁気転写に用いられるマスター記録媒体は、原盤に形成されたＮｉ電鋳層を剥離することにより作製されるが、Ｎｉ電鋳層に形成される凹凸パターンの形状が小さくなるに従って、原盤からＮｉ電鋳層を剥離する際の剥離性が悪くなる傾向にある。特に、パターンの幅が狭くなるほど、また、パターンの線幅に対する深さ（アスペクト比）が大きくなるほど、剥離性が悪くなる傾向にある。このように剥離性が低下すると、原盤に記録されている凹凸パターンがマスター記録媒体となるＮｉ電鋳層に正確に転写されないため、これにより製造される磁気記録媒体の品質が低下することとなる。従って、高密度化のために、いくら原盤に小さなパターンを形成することができても、そのパターンを正確にＮｉ電鋳層に転写することができなければ、高密度な磁気記録媒体を得ることができないのである。
【０００９】
また、磁気転写に用いられるマスター記録媒体は原盤と密着しており、原盤から剥離する際に変形する場合があり、このような変形が不可逆的なものである場合には、マスター記録媒体としての機能が失われてしまう。
【００１０】
この変形は、電鋳時のメッキ液の温度、印加電流変化方法、メッキ液の濃度等に対して依存するものであるが、これらは工程管理を行うことで低減することが可能である。一方、原盤を電鋳することにより形成されるマスター記録媒体となるＮｉ電鋳層を剥離する工程は、設備の自動化が困難であり、人手による剥離の方が精度は高いのが現状である。従って、変形の主な原因は、この剥離の際のＮｉ電鋳層に作用する力によって生じる歪によるものである。
【００１１】
特に、金属からなる原盤にＮｉ電鋳層を形成する場合においては、金属からなる原盤とＮｉ電鋳層との剥離性を高めるために、原盤表面を事前に酸化処理することが一般的に行われる。この酸化処理の方法としては、薬液（例えば、過マンガン酸カリウムパウダーの純水希釈液）に浸漬する方法や酸素プラズマによるアッシング処理などがあげられる。
【００１２】
しかしながら、微細で緻密な形状を有するものの場合、このような方法で剥離性を高めようとすると、原盤の表面の平坦性が悪くなり、また、形状が凹凸パターンである場合、凹部の表面の酸化を十分に行うことができず、酸化処理が不十分な領域において、原盤とＮｉ電鋳層との剥離が困難となり、Ｎｉ電鋳層が剥離により不可逆的に変形してしまう場合がある。
【００１３】
このようにマスター記録媒体が変形してしまうと、磁気転写の際に磁気記録媒体に情報が正確に転写されなくなり、特に高密度化に対応した微細な凹凸パターンの場合においては、その傾向が顕著となり、製品の均一性を低下させ、歩留まりを低下させることとなる。
【００１４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、磁気転写のためのマスター記録媒体をＮｉ電鋳等のメッキ法で作製する場合において、原盤からのマスター記録媒体を剥離する際、微細な凹凸パターンであっても剥離性が高く、平坦性も高いマスター記録媒体の製造方法及び、このマスター記録媒体を用いた磁気転写方法、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載の発明は、表面に凹凸パターンが形成された磁気転写に用いられるマスター記録媒体の製造方法において、金属板の表面に凹凸パターンを形成し金属原盤を作製する表面加工工程と、前記金属原盤の凹凸パターンの形成された面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の形成された金属原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、前記マスター記録媒体を前記金属原盤より剥離する剥離工程と、により製造されることを特徴とするマスター記録媒体の製造方法である。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項１に記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記金属原盤に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、前記単分子層の除去された金属原盤の凹凸パターンの形成されている面に、単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の形成された金属原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、前記マスター記録媒体を前記金属原盤より剥離する剥離工程と、を繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項１に記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、表面に凹凸パターンが形成された磁気転写に用いられるマスター記録媒体の製造方法において、非導電性材料又は半導体材料の表面に凹凸パターンを形成し非導電性原盤を作製する表面加工工程と、前記非導電性原盤の凹凸パターンの形成された面に導電体層を形成する導電体層形成工程と、前記導電体層の上に単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、前記マスター記録媒体を前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、により製造されることを特徴とするマスター記録媒体の製造方法である。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項４に記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記非導電性原盤の導電体層の表面に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、前記単分子層の除去された非導電性原盤の導電体層の表面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、前記マスター記録媒体を前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、を繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項４に記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、表面に凹凸パターンが形成された磁気転写に用いられるマスター記録媒体の製造方法において、非導電性材料又は半導体材料の表面に凹凸パターンを形成し非導電性原盤を作製する表面加工工程と、前記非導電性原盤の凹凸パターンの形成された面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の上に導電体層を形成する導電体層形成工程と、前記導電体層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、導電体層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、前記マスター記録媒体を前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、により製造されることを特徴とするマスター記録媒体の製造方法である。
【００２２】
請求項８に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記導電体層形成工程と前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項７に記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００２３】
請求項９に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記非導電性原盤に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、前記単分子層の除去された非導電性原盤の凹凸パターンの形成されている面に、単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の上に導電体層を形成する導電体層形成工程と、前記導電体層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、導電体層の形成されている面にメッキによりマスター記録媒体を形成する金属基板形成工程と、前記マスター記録媒体を前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、を繰り返すことにより、同一形状のマスター記録媒体を複数作製することを特徴とする請求項７に記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００２４】
請求項１０に記載の発明は、前記非導電性原盤は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３からなる材料により構成されていることを特徴とする請求項４から９のいずれかに記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００２５】
請求項１１に記載の発明は、前記導電体層は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、無電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項４から１０のいずれかに記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００２６】
請求項１２に記載の発明は、前記金属基板形成工程において、マスター記録媒体は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔａ、Ｃｒ又は金属単体、Ｆｅ又はＮｉを含む合金の電鋳により形成されることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００２７】
請求項１３に記載の発明は、前記単分子層は、炭素を構成材料に含む材料であることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００２８】
請求項１４に記載の発明は、前記剥離工程において剥離されたマスター記録媒体に、保護膜を形成し、前記保護膜を形成したマスター記録媒体を所定の型で打ち抜き、前記型で打ち抜いた後のマスター記録媒体に付着している保護膜を除去し、前記保護膜の除去されたマスター記録媒体の凹凸パターンの形成されている面に、軟磁性体からなる磁性層を形成し、前記磁性層の上に、保護層を形成したことを特徴とする請求項１から１３に記載のマスター記録媒体の製造方法である。
【００２９】
請求項１５に記載の発明は、請求項１から１４に記載のマスター記録媒体と磁気記録媒体とを密着させる工程と、密着させた前記マスター記録媒体と前記磁気記録媒体に磁界を印加することにより、前記マスター記録媒体に記録されている凹凸パターンからなる情報を前記磁気記録媒体に磁気転写する磁気転写工程と、により磁気転写が行われることを特徴とする磁気転写方法である。
【００３０】
請求項１６に記載の発明は、請求項１から１４に記載のマスター記録媒体と磁気記録媒体とを密着させる工程と、密着させた前記マスター記録媒体と前記磁気記録媒体に磁界を印加することにより、前記マスター記録媒体に記録されている凹凸パターンからなる情報を前記磁気記録媒体に磁気転写する磁気転写工程と、により製造されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【００３１】
尚、本明細書中では、非導電性原盤を構成する材料は、非導電性材料のほか半導体材料も含むものである。
【発明の効果】
【００３２】
以上のように、本発明におけるマスター記録媒体の製造方法では、剥離性が高く、形状の変形が少なく、低い製造コストで大量に製造することができる。このように製造されたマスター記録媒体は、微細な凹凸パターンを有していても変形等が生じていないため、磁気転写を行う際に、微細なパターンであっても正確に磁気転写することができるため、高密度記録に対応した磁気記録媒体、磁気記録再生装置を大量にかつ高い均一性で製造することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の第１の実施の形態について説明する。
【００３４】
〔マスターディスク〕
本発明における第１の実施の形態における磁気転写に用いられるマスター記録媒体であるマスターディスクの製造方法について説明する。本実施の形態では、原盤として金属原盤を用いマスターディスクの製造を行うものである。
【００３５】
図１は本実施の形態における電鋳によるマスター記録媒体の製造の流れを示すフローチャートであり、図２は本実施の形態における製造方法の工程図である。
【００３６】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）に示す表面加工工程を行う。具体的には、図２（ａ）に示す表面に凹凸パターンの形成された金属材料からなる原盤となる金属原盤７２を作製する。金属原盤７２の凹凸パターンの形成には、所定の凹凸パターンの形成されたＳｉ基板にＮｉ電鋳を行うことにより表面に凹凸パターンの形成された金属原盤７２を作製方法や、金属板の表面に切削等の加工により凹凸パターンを形成する方法がある。このような方法により、図２（ａ）に示すように原盤となる金属原盤７２を作製する。
【００３７】
次に、図１のステップ１０４（Ｓ１０４）の単分子層形成工程を行う。具体的には、図２（ｂ）に示すように、金属原盤７２上の凹凸の形成された面に、単分子層７３を２〜３〔ｎｍ〕形成する。単分子層７３の形成は、いわゆるディップコートにより行われる。単分子層７３を構成する材料としては、ヘキサデカンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）１５ＳＨ）、オクタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）７ＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＳＨ）、ブタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＳＨ）等炭素を含有する材料が挙げられる。
【００３８】
次に、図１のステップ１０６（Ｓ１０６）における金属層形成工程を行う。具体的には、図２（ｃ）に示すように、Ｎｉ電鋳を行うことにより、金属原盤７２に形成された単分子層７３上に、金属層であるＮｉ電鋳層７４を形成する。単分子層７３は、絶縁性を有しないため、この表面に直接Ｎｉ電鋳を施すことができる。
【００３９】
図３にＮｉ電鋳を行うための電鋳装置１を示す。この電鋳装置１は、メッキ液２が入っている電鋳槽４と、電鋳槽４よりオーバーフローしたメッキ液２を受けるドレーン槽６と、陽極となるＮｉペレット８が充填されており電鋳槽４よりオーバーフローしたメッキ液２を受けるアノード室１０と、金属原盤７２を保持する陰極１２により構成されている。
【００４０】
電鋳槽４には、メッキ液供給配管１４によりメッキ液２が供給されるようになっている。電鋳槽４よりドレーン槽６にオーバーフローしたメッキ液２は、ドレーン槽排水配管１６により回収されるようになっている。また、電鋳槽４よりアノード室１０にオーバーフローしたメッキ液２は、アノード室排水管１８より回収される構成となっている。
【００４１】
電鋳槽４とアノード室１０とは、隔壁板２０により区切られている。また、電鋳槽４側の隔壁板２０の表面には、電極遮断板２２が陰極１２と対向するように固定されている。この電極遮断板２２は、電鋳した膜厚が面内で均一になるように、電極の所定部分を覆うように形成されているものである。
【００４２】
以上の構成からなる電鋳装置１において、陰極１２に金属原盤７２を保持させ、陰極１２を負電極に接続し、アノード室１０を正電極に接続して通電することにより、Ｎｉ電鋳層７４の電鋳が行われる。
【００４３】
尚、電鋳の際に電流密度と時間を制御することにより、Ｎｉ電鋳層７４に内部応力を低減させることができ、電鋳された後のＮｉ電鋳層７４の表面の平坦度を高めるとともに、表面粗さを非常に小さくすることが可能である。
【００４４】
次に、図１におけるステップ１０８（Ｓ１０８）の剥離工程を行う。具体的には、図２（ｅ）に示すように、原盤である金属原盤７２と、Ｎｉ電鋳層７４とを剥離する。金属原盤７２とＮｉ電鋳層７４との間には、単分子層７３が形成されているが、この単分子層７３が設けられることにより、金属原盤７２からＮｉ電鋳層７４を剥離する際の剥離性が高くなり、金属原盤７２よりＮｉ電鋳層７４を極めて良好な状態で剥離することができる。
【００４５】
以上の工程により、Ｎｉ電鋳層７４からなるマスターディスクが作製される。尚、金属層形成工程においては、電鋳の際の溶液を変えることにより、Ｎｉ以外にＦｅＣｏ、Ｃｒ等の金属材料の電鋳を行うことが可能である。また、本実施の形態では、ステップ１０６における金属層形成工程は、電気メッキによる電鋳法について説明したが、無電解メッキであってもよく、この場合であっても剥離性を高めることができる。
【００４６】
このようにして、金属層であるＮｉ電鋳層７４からなるマスターディスクが作製される。
【００４７】
マスターディスクは、Ｎｉ電鋳層７４のみであってもよいが、本実施の形態では、Ｎｉ電鋳層７４に保護膜を形成した後、０．８５インチ、１インチ、１．８インチ、２．５インチ、３．２５インチのハードディスクに対応した所定の型（本実施の形態では、２．５インチに対応した型を使用した）で打ち抜き、保護膜を除去し、図５（ｂ）に示すように、Ｎｉ電鋳層７４であるＮｉ電鋳ディスク４７の凹凸パターンの形成されている面に軟磁性体からなる磁性層４８を成膜した後、保護層４９を形成することによりマスターディスク４６を作製した。
【００４８】
磁性層４８を構成する材料は、保磁力Ｈｃが４８ｋＡ／ｍ（≒６００Ｏｅ）以下の軟磁性材料により構成されていることが好ましい。具体的には、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）等が挙げられる。特に好ましいのは、磁気特性からＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉである。又、磁性層４８の厚さは、４０ｎｍ〜３２０ｎｍの範囲が好ましく、特に、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲が更に好ましい。磁性層４８は、上記材料のターゲットを用いスパッタリング等により行われる。
【００４９】
保護層４９はダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等からなる膜である。後述するように、マスターディスク４６は、転写用磁気ディスク４０と密着させるが、密着させた際に磁性層４８が傷つきやすく、マスターディスク４６として使用できなくなってしまうことを防止するために設けるものである。更に、保護層４９上に潤滑剤層を設けてもよい。潤滑剤層は、転写用磁気ディスク４０との接触の際に生じる摩擦による傷の発生などを防止し、耐久性を向上させる効果があるからである。
【００５０】
本実施の形態では、図２０に示す（保護層不図示）ように、マスターディスク４６に形成される凹凸パターンは、長さＰ：３０〜３００ｎｍ、長さＬ：３０〜３００ｎｍのパターンが形成されており、形成される突起状のパターンの高さ（深さ）ｔは、３０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【００５１】
〔転写用磁気ディスク〕
次に、磁気転写に用いられる磁気記録媒体である転写用磁気ディスクについて説明する。
【００５２】
図４（ａ）に示すように、最初に磁気記録媒体である転写用磁気ディスク４０の初期磁化を行うが、まず、これに用いられる転写用磁気ディスク４０について説明する。
【００５３】
転写用磁気ディスク４０は円盤状の基板の表面の片面或いは、両面に面内磁化膜からなる磁性層が形成されたものであり、高密度ハードディスク等が挙げられる。
【００５４】
円盤状の基板は、ガラスやＡｌ（アルミニウム）等の材料から構成されており、この基板上に非磁性層を形成した後、磁性層を形成する。
【００５５】
非磁性層は、後に形成する磁性層の面内方向の磁気異方性を大きくする等の理由により設けられる。非磁性層に用いられる材料は、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｐｄ（パラジウム）等が好ましい。非磁性層は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。非磁性層の厚さは、１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜８０ｎｍであることが更に好ましい。
【００５６】
磁性層は、面内磁化膜により形成されており、磁性層に情報が記録される。磁性層に用いられる材料は、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）等が好ましい。これらの材料は、磁束密度が大きく、成膜条件や組成を調整することにより面内の磁気異方性を有している。磁性層は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。磁性層の厚さは、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
【００５７】
尚、必要に応じて、基板と非磁性層との間に、軟磁性層を設ける場合がある。磁性層の面内磁化状態を安定させ、記録再生時の感度を向上させるためである。軟磁性層の厚さは、５０ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましく、８０ｎｍ〜４００ｎｍであることが更に好ましい。
【００５８】
本実施の形態では、転写用磁気ディスクの基板として、外形２．５インチの円盤状のガラス基板を用い、スパッタリング装置のチャンバー内にガラス基板を設置し、１．３３×１０−５Ｐａ（１．０×１０−７Ｔｏｒｒ）まで減圧した後、チャンバー内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入し、ＣｒＴｉターゲットを用い、基板温度が２００℃の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜をおこなう。これによりＣｒＴｉからなる非磁性層を６０ｎｍ成膜する。
【００５９】
この後、上記と同様にＡｒガスを導入し、同じチャンバー内にあるＣｏＣｒＰｔターゲットを用い、同じく基板温度が２００℃の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜をおこなう。これによりＣｏＣｒＰｔからなる磁性層を２５ｎｍ成膜する。
【００６０】
以上のプロセスにより、ガラス基板に、非磁性層と磁性層が成膜された転写用磁気ディスク４０を作製した。
【００６１】
〔転写用磁気ディスクの初期磁化〕
次に、形成した転写用磁気ディスク４０の初期磁化を行う。図４（ａ）に示すように、転写用磁気ディスク４０の初期磁化（直流磁化）は、磁界印加手段３０により行う。磁界印加手段３０は、電磁石により矢印の方向に初期化磁界Ｈｉを発生させることができるものであり、コア３２による転写用磁気ディスク４０の半径方向に延びるギャップ３１を有している。このギャップ３１より漏れる初期化磁界Ｈｉにより、図５（ａ）に示すように、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍをトラック方向（円周方向）の一方向に初期磁化を行う。具体的には、この初期磁化は、転写用磁気ディスク４０の保磁力Ｈｃ以上の強度の磁界をギャップ３１に発生させ、転写用磁気ディスク４０を回転させることにより、転写用磁気ディスク４０の全トラックの初期磁化を行う。初期化磁界Ｈｉは転写用磁気ディスク４０のトラックと略平行に矢印の方向に印加する。尚、初期磁化は、転写用磁気ディスク４０を回転させるのではなく、磁界印加手段３０を転写用磁気ディスク４０に対し相対的に回転させることにより行ってもよい。
【００６２】
〔密着工程〕
次に、図４（ｂ）に示すように密着工程において、上記工程により作製したマスターディスク４６の凹凸パターンの形成されている面と、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍの形成されている面とを所定の押圧力で密着させる。
【００６３】
転写用磁気ディスク４０には、マスターディスク４６に密着させる前に、グライドヘッド、研磨体等により、表面の微少突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）が必要に応じて施される。
【００６４】
尚、密着工程では、図４（ｂ）に示すように、転写用磁気ディスク４０の片面にマスターディスク４６を密着させる場合と、両面に磁性層４０Ｍが形成された転写用磁気ディスク４０について、両面からマスターディスク４６を密着させる場合とがある。後者の場合では、両面を同時転写することができる利点がある。
【００６５】
〔磁気転写工程〕
次に、図４（ｃ）に基づき磁気転写工程を説明する。
【００６６】
上記密着工程により転写用磁気ディスク４０とマスターディスク４６とを密着させたものについて、磁界印加手段３０により初期磁化の向きと反対方向に磁界を発生させる。磁界を発生させることにより生じた磁束はコア３２内において矢印の向きに生じ、ギャップ３１より漏れた記録用磁界Ｈｄの磁束が転写用磁気ディスク４０とマスターディスク４６に進入することにより磁気転写が行われる。
【００６７】
図６は、磁気転写に用いられる磁気転写装置について、更に詳細に示したものである。磁気転写装置１００は、コア３２にコイル３３が巻きつけられた電磁石３４からなる磁界印加手段３０を有するものであり、このコイル３３に電流を流すことによりギャップ３１に磁界が発生する構造になっている。発生する磁界の向きは、コイル３３に流す電流の向きによって変えることができる。従って、磁気転写を行う場合には、磁界印加手段３０のコイル３３に、初期磁化したときにコイル３３に流した電流の向きと逆向きの電流を流す。尚、図７では、磁界印加手段３０は、密着させた転写用磁気ディスク４０とマスターディスク４６を介し上下に設けられており、上下に設けられた磁界印加手段３０により、ギャップ３１に同じ方向に磁界を発生させることができる構成のものである。
【００６８】
磁気転写は、転写用磁気ディスク４０及びマスターディスク４６を密着させたものを回転させつつ、磁界印加手段３０によって記録用磁界Ｈｄを印加し、マスターディスク４６に形成されている凹凸パターンからなる情報を転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍに磁気転写するため、不図示の回転手段が設けられている。尚、この構成以外にも、磁界印加手段３０を回転させる機構を設け、転写用磁気ディスク４０及びマスターディスク４６に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００６９】
磁気転写工程における、転写用磁気ディスク４０とマスターディスク４６に磁界が印加されている時の断面の様子を図５（ｂ）に示す。
【００７０】
図５（ｂ）に示すように、Ｎｉ電鋳層７４であるＮｉ電鋳ディスク４７の表面に凹凸パターンが形成され、その上に磁性層４８及び保護層４９が形成されたマスターディスク４６と転写用磁気ディスク４０とが密着した状態では、マスターディスク４６の凸領域は、マスターディスク４６の磁性層４８が保護層４９を介し、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍと接触している。
【００７１】
このため、記録用磁界Ｈｄを印加すると、マスターディスク４６の凸領域、即ち、マスターディスク４６の磁性層４８が保護層４９を介し、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍと接触している領域では、磁束はマスターディスク４６の磁性層４８を貫くこととなる。これは、マスターディスク４６に形成された磁性層４８が軟磁性材料に形成されているためである。一方、マスターディスク４６の凹領域、即ち、マスターディスク４６の磁性層４８が保護層４９を介し、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍが接触していない領域では、磁束はマスターディスク４６の磁性層４８、及び転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍを貫くこととなる。
【００７２】
従って、記録用磁界Ｈｄを印加することにより生じた磁束は、マスターディスク４６の凹領域に対応する転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍに進入し、この領域の磁化向きを記録用磁界Ｈｄと同一の磁化向きに反転させる。一方、マスターディスク４６の凸領域では、磁束は転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍへは殆ど進入しないため、この領域において磁化向きは反転することなく、初期磁化された向きを保っている。
【００７３】
これにより、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍに、マスターディスク４６に設けられた凹凸パターンによる情報が、面内の磁気パターンとして記録される。
【００７４】
この後、転写用磁気ディスク４０をマスターディスク４６から取り外す。これにより、図５（ｃ）に示すように、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍには、サーボ信号等の磁気パターンが情報として記録されたものが作製される。
【００７５】
尚、マスターディスク４６に形成された凹凸パターンは、ポジパターンと反対のネガパターンであってもよい。この場合、初期化磁界Ｈｉの方向及び記録用磁界Ｈｄの方向を各々逆方向にすることにより、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍに、同様の磁化パターンを磁気転写することができるからである。
【００７６】
尚、本実施の形態では、磁界印加手段３０は、電磁石の場合について説明したが、同様に磁界が発生する永久磁石を用いても良い。
【００７７】
以上の磁気転写方法により転写用磁気ディスク４０に磁気転写を行うことにより、サーボ情報の記録された磁気記録媒体が作製される。また、この作製された磁気記録媒体を回転系に取り付け、によりこの磁気記録媒体に情報の記録や再生を行うためのＭＲヘッド等の磁気ヘッドを備えることにより磁気記録再生装置を作製することができる。
【００７８】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は、Ｓｉ等からなる非導電性原盤を用いてマスター記録媒体であるマスターディスクを製造する方法である。尚、前述したように、本明細書中において非導電性原盤を構成する材料は、非導電性材料のみならず半導体材料を含むものである。
【００７９】
図７は本実施の形態における電鋳によるマスターディスクの製造の流れを示すフローチャートであり、図８は本実施の形態における製造方法の工程図である。
【００８０】
最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）に示す表面加工工程を行う。具体的には、図８（ａ）に示すものを作製するため、表面が平滑なＳｉ基板９０上に、ポジ型のフォトレジストをスピンコーター等により塗布し、プリベーク後に、Ｓｉ基板９０を回転させながら、記録する信号に対応して変調したレーザ光（或いは電子ビーム）をフォトレジストに照射し、フォトレジストの略全面に所定のパターンを露光する。その後、露光したＳｉ基板９０を現像液に浸漬することにより、フォトレジストの露光された部分が除去され、図８（ａ）に示すようにＳｉ基板９０上の所定の領域にフォトレジスト層９１が形成されたものが作製される。尚、Ｓｉ基板９０以外にガラス、石英、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣの基板を用いることも可能である。
【００８１】
次に、Ｓｉ基板９０上のフォトレジスト層９１が形成されている面について、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）を行う。具体的には、フォトレジスト層９１の形成されたＳｉ基板９０をＲＩＥ装置の減圧チャンバー内に設置し、真空ポンプ等により減圧チャンバー内を減圧した後、ＣＦ４等の反応性ガスを導入し、ＲＦ電界を印加することによりプラズマを発生させてＳｉ基板９０のエッチングを行う。ＣＦ４等の反応性ガスを導入したＲＩＥでは、Ｓｉはエッチングされるもののフォトレジストはエッチングされ難いため、Ｓｉ基板９０において、フォトレジスト層９１の形成されていない領域のＳｉのみがエッチングされる。この後、フォトレジスト層９１を有機溶剤等により除去することにより、図８（ｂ）に示すように原盤となるＳｉ原盤９２が作製される。
【００８２】
次に、図７のステップ２０４（Ｓ２０４）の導電体層形成工程を行う。具体的には、図８（ｃ）に示すように、Ｓｉ原盤９２上の凹凸の形成された面に、導電体層９３を形成する。導電体層９３の形成方法は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、無電解メッキ法により行われる。本実施の形態では、導電体層９３を構成する材料としてＦｅＣｏを用いたが、Ｎｉ等の材料であっても良い。
【００８３】
次に、図７のステップ２０６（Ｓ２０６）の単分子層形成工程を行う。具体的には、図８（ｄ）に示すように、Ｓｉ原盤９２の導電体層９３が形成されている面に、単分子層９４を２〜３〔ｎｍ〕形成する。単分子層９４の形成は、いわゆるディップコートにより行われる。単分子層９４を構成する材料としては、ヘキサデカンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）１５ＳＨ）、オクタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）７ＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＳＨ）、ブタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＳＨ）等炭素を含有する材料が挙げられる。
【００８４】
次に、図７のステップ２０８（Ｓ２０８）における金属層形成工程を行う。具体的には、図８（ｅ）に示すように、Ｎｉ電鋳を行うことにより、Ｓｉ原盤９２に形成された単分子層９４上に、マスターディスクであるＮｉ電鋳層９５を形成する。単分子層９４は、絶縁性を有しないため、この表面に直接Ｎｉ電鋳を施すことができる。電鋳方法は、第１の実施の形態と同様の方法により行う。
【００８５】
次に、図７におけるステップ２１０（Ｓ２１０）の剥離工程を行う。具体的には、図８（ｆ）に示すように、原盤であるＳｉ原盤９２と、マスターディスクであるＮｉ電鋳層９５とを剥離する。Ｎｉ電鋳層９５と導電体層９３の間には、単分子層９４が形成されているが、この単分子層９４が設けられることにより、Ｓｉ原盤９２からＮｉ電鋳層９５を剥離する際の剥離性が高くなり、Ｓｉ原盤９２からＮｉ電鋳層９５を極めて良好な状態で剥離することができる。
【００８６】
以上の工程により、Ｎｉ電鋳層９５からなるマスターディスクが形成される。尚、金属層形成工程では、電鋳の際の溶液を変えることにより、Ｎｉ以外にＦｅＣｏ、Ｃｒ等の電鋳を行うことが可能である。また、本実施の形態では、ステップ２０８における金属層形成工程は、電気メッキによる電鋳法について説明したが、無電解メッキであってもよく、この場合であっても剥離性を高めることができる。
【００８７】
このように作製されたＮｉ電鋳層９５からなるマスターディスクは、凹凸パターンの形成されている面に、第１の実施の形態に示したように必要に応じて磁性層、保護層を形成することにより、磁気転写におけるマスターディスク４６として使用することができ、磁気記録媒体である転写用磁気ディスク４０にサーボパターンを磁気転写する際に用いられる。よって、これにより磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を製造することができる。
【００８８】
〔第３の実施の形態〕
以下、本発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態は、Ｓｉ等からなる非導電性原盤を用いてマスター記録媒体であるマスターディスクを製造する方法である。
【００８９】
図９は本実施の形態における電鋳によるマスターディスクの作製の流れを示すフローチャートであり、図１０は本実施の形態における製造方法の工程図である。
【００９０】
最初に、ステップ３０２（Ｓ３０２）に示す表面加工工程を行う。具体的には、図１０（ａ）に示すものを作製するために、表面が平滑なＳｉ基板５０上に、ポジ型のフォトレジストをスピンコーター等により塗布し、プリベーク後に、Ｓｉ基板５０を回転させながら、記録する信号に対応して変調したレーザ光（或いは電子ビーム）をフォトレジストに照射し、フォトレジストの略全面に所定のパターンを露光する。その後、露光したＳｉ基板５０を現像液に浸漬することにより、フォトレジストの露光された部分が除去され、図１０（ａ）に示すようにＳｉ基板５０上の所定の領域にフォトレジスト層５１が形成されたものが作製される。尚、Ｓｉ基板５０以外にガラス、石英、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣの基板を用いることも可能である。
【００９１】
次に、Ｓｉ基板５０上のフォトレジスト層５１が形成されている面について、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）を行う。具体的には、フォトレジスト層５１の形成されたＳｉ基板５０をＲＩＥ装置の減圧チャンバー内に設置し、真空ポンプ等により減圧チャンバー内を減圧した後、ＣＦ４等の反応性ガスを導入し、ＲＦ電界を印加することによりプラズマを発生させてＳｉ基板５０のエッチングを行う。ＣＦ４等の反応性ガスを導入したＲＩＥでは、Ｓｉはエッチングされるもののフォトレジストはエッチングされ難いため、Ｓｉ基板５０において、フォトレジスト層５１の形成されていない領域のＳｉのみがエッチングされる。この後、フォトレジスト層５１を有機溶剤等により除去することにより、図１０（ｂ）に示すように原盤となるＳｉ原盤５２が作製される。
【００９２】
次に、図９のステップ３０４（Ｓ３０４）の単分子層形成工程を行う。具体的には、図１０（ｃ）に示すように、Ｓｉ原盤５２上の凹凸の形成された面に、単分子層５３を２〜３〔ｎｍ〕形成する。単分子層５３の形成は、いわゆるディップコートにより行われる。単分子層５３を構成する材料としては、ヘキサデカンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）１５ＳＨ）、オクタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）７ＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＳＨ）、ブタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＳＨ）等炭素を含有する材料が挙げられる。
【００９３】
次に、図９のステップ３０６（Ｓ３０６）の導電体層形成工程を行う。具体的には、図１０（ｄ）に示すように、Ｓｉ原盤５２の凹凸が形成されている面の単分子層５３の形成されたものの上に、導電体層５４を形成する。導電体層５４の形成方法は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、無電解メッキ法により行われる。本実施の形態では、導電体層５４を構成する材料としてＮｉを用いたが、ＦｅＣｏ等の材料であっても良い。
【００９４】
このように、単分子層５３上に導電体層５４を形成することにより、効率的な電鋳を行うことができるとともに、マスターディスクの表面をマスターディスクとは異なる材料からなる膜でコートする場合や、同じ材料であっても異なる形成方法によりマスターディスクの表面のコートを行う場合において、原盤の形状をそのまま転写することができるため、微細な形状であっても均一性の高いマスターディスクを作製することができる。
【００９５】
次に、図９のステップ３０８（Ｓ３０８）における金属層形成工程を行う。具体的には、図１０（ｅ）に示すように、Ｎｉ電鋳を行うことにより、導電体層５４上に金属層であるＮｉ電鋳層５５を形成する。電鋳方法は、第１の実施の形態と同様の方法により行う。
【００９６】
次に、図９におけるステップ３１０（Ｓ３１０）の剥離工程を行う。具体的には、図１０（ｆ）に示すように、原盤であるＳｉ原盤５２と、導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５とを剥離する。Ｓｉ原盤５２と導電体層５４の間には、単分子層５３が形成されているが、この単分子層５３が設けられることにより、Ｓｉ原盤５２から導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５を剥離する際の剥離性が高くなり、Ｓｉ原盤５２から導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５とを非常に良好な状態で剥離することができる。
【００９７】
以上の工程により、導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるマスターディスクが作製される。尚、金属層形成工程では、電鋳の際の溶液を変えることにより、Ｎｉ以外にＦｅＣｏ、Ｃｒ等の電鋳を行うことが可能である。また、本実施の形態では、ステップ３０８における金属層形成工程は、電気メッキによる電鋳法について説明したが、無電解メッキであってもよく、この場合であっても剥離性を高めることができる。
【００９８】
このように形成された導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるマスターディスクは、凹凸パターンの形成されている面に、第１の実施の形態に示したように必要に応じて磁性層、保護層を形成することにより、磁気転写におけるマスターディスク４６として使用することができ、磁気記録媒体である転写用磁気ディスク４０にサーボパターンを磁気転写する際に用いられる。よって、これにより磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を製造することができる。
【００９９】
〔第４の実施の形態〕
本実施の形態は、第１の実施の形態において作製した金属原盤を用い、複数のマスター記録媒体であるマスターディスクを作製するものである。
【０１００】
本実施の形態について図２、図１１に基づき説明する。図１１は、本実施の形態におけるマスターディスクの作製の流れを示す。
【０１０１】
ステップ１０２（Ｓ１０２）の表面加工工程、ステップ１０４（Ｓ１０４）の単分子層形成工程、ステップ１０６（Ｓ１０６）の金属層形成工程、ステップ１０８（Ｓ１０８）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０２】
この後、図２（ｄ）に示されるＮｉ電鋳層７４からなるマスターディスクを剥離した後の単分子層７３の付着している金属原盤７２を用いて、再び図１１のステップ１０６の金属層の形成をおこなう。形成される単分子層７３は比較的強固なものであり、電鋳を行った程度では殆ど破壊されることはないため、マスターディスクを高スループット、低コストで作製する場合には有利となるからである。具体的には、図２（ｃ）に示すようにＮｉ電鋳を行い、ステップ１０８の剥離を行うことによりマスターディスクを作製する。
【０１０３】
このように、図１１に示すステップ１０６からステップ１０８の工程を繰り返すことにより、新たに金属原盤７２を作製することなく、同一形状のマスターディスクを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも極めて有利である。
【０１０４】
このように作製されたＮｉ電鋳層７４からなるマスターディスクは、第１の実施の形態に示したように必要に応じて磁性層、保護層を形成することにより、磁気転写におけるマスターディスク４６として使用することができ、磁気記録媒体である転写用磁気ディスク４０にサーボパターンを磁気転写する際に用いられる。よって、これにより磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を製造することができる。
【０１０５】
〔第５の実施の形態〕
本実施の形態は、第２の実施の形態において作製したＳｉ原盤を用い、複数のマスター記録媒体であるマスターディスクを作製するものである。
【０１０６】
本実施の形態について図８、図１２に基づき説明する。図１２は、本実施の形態におけるマスターディスクの作製の流れを示す。
【０１０７】
ステップ２０２（Ｓ２０２）の表面加工工程、ステップ２０４（Ｓ２０４）の導電体層形成工程、ステップ２０６（Ｓ２０６）の単分子層形成工程、ステップ２０８（Ｓ２０８）の金属層形成工程、ステップ２１０（Ｓ２１０）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第２の実施の形態と同様である。
【０１０８】
この後、図８（ｆ）に示されるＮｉ電鋳層９５からなるマスターディスクを剥離した後の導電体層９３上に単分子層９４の付着しているＳｉ原盤９２を用いて、再び図１２のステップ２０８の金属層の形成をおこなう。形成される単分子層９４は比較的強固なものであり、電鋳を行った程度では殆ど破壊されることはないため、マスターディスクを高スループット、低コストで作製する場合には有利となるからである。具体的には、図８（ｅ）に示すようにＮｉ電鋳を行い、ステップ２１０の剥離を行うことによりマスターディスクを作製する。
【０１０９】
このように、図１２に示すステップ２０８からステップ２１０の工程を繰り返すことにより、新たにＳｉ原盤９２を作製することなく、同一形状のマスターディスクを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも極めて有利である。
【０１１０】
このように作製されたＮｉ電鋳層９５からなるマスターディスクは、第１の実施の形態に示したように必要に応じて磁性層、保護層を形成することにより、磁気転写におけるマスターディスク４６として使用することができ、磁気記録媒体である転写用磁気ディスク４０にサーボパターンを磁気転写する際に用いられる。よって、これにより磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を製造することができる。
【０１１１】
〔第６の実施の形態〕
本実施の形態は、第３の実施の形態において作製したＳｉ原盤を用い、複数のマスター記録媒体であるマスターディスクを作製するものである。
【０１１２】
本実施の形態について図１０、図１３に基づき説明する。図１３は、本実施の形態におけるマスターディスクの作製の流れを示す。
【０１１３】
ステップ３０２（Ｓ３０２）の表面加工工程、ステップ３０４（Ｓ３０４）の単分子層形成工程、ステップ３０６（Ｓ３０６）の導電体層形成工程、ステップ３０８（Ｓ３０８）の金属層形成工程、ステップ３１０（Ｓ３１０）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第３の実施の形態と同様である。
【０１１４】
この後、図１０（ｆ）に示される導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるマスターディスクを剥離した後の単分子層５３の付着しているＳｉ原盤５２を用いて、再び図１３のステップ３０６の導電体層５４を図１０（ｄ）に示すように形成した後、ステップ３０８の金属層の形成をおこなう。形成される単分子層５３は比較的強固なものであり、電鋳を行った程度では殆ど破壊されることはないため、マスターディスクを高スループット、低コストで作製する場合には有利となるからである。具体的には、図１０（ｅ）に示すようにＮｉ電鋳を行い、ステップ３１０の剥離を行うことにより、マスターディスクを作製する。
【０１１５】
このように、図１３に示すステップ３０６からステップ３１０の工程を繰り返すことにより、新たにＳｉ原盤５２を作製することなく、同一形状のマスターディスクを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも極めて有利である。
【０１１６】
このように形成された導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるマスターディスクは、第１の実施の形態に示したように必要に応じて磁性層、保護層を形成することにより、磁気転写におけるマスターディスク４６として使用することができ、磁気記録媒体である転写用磁気ディスク４０にサーボパターンを磁気転写する際に用いられる。よって、これにより磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を製造することができる。
【０１１７】
〔第７の実施の形態〕
本実施の形態は、第１の実施の形態において作製した金属原盤を用い、複数のマスター記録媒体であるマスターディスクを作製するものである。
【０１１８】
本実施の形態について図２、図１４、図１５に基づき説明する。図１４は、本実施の形態におけるマスターディスクの作製の流れを示す。
【０１１９】
図１４に示すステップ１０２（Ｓ１０２）の表面加工工程、ステップ１０４（Ｓ１０４）の単分子層形成工程、ステップ１０６（Ｓ１０６）の金属層形成工程、ステップ１０８（Ｓ１０８）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第１の実施の形態と同様である。
【０１２０】
この後、図１４に示すステップ１１０（Ｓ１１０）の単分子層除去工程において、図２（ｄ）においてＮｉ電鋳層７４からなるマスターディスクを剥離した後の図１５（ａ）に示される金属原盤７２に付着している単分子層７３の除去を行う。これは金属原盤７２に形成された単分子層７３が、剥離工程の際に何らかの原因で、破壊や変形等している可能性が皆無であるとは言えないため、特に精度の高いマスターディスクを作製する場合には、これを回避する必要があるからである。
【０１２１】
具体的には、酸素プラズマによるアッシングにより行う。これにより、図１５（ｂ）に示すように、金属原盤７２から単分子層７３を完全に除去することができる。
【０１２２】
この後、図１４のステップ１０４に移行し、図２（ｂ）に示されるように再び単分子層７３を形成した後にＮｉ電鋳を行い、ステップ１０８の剥離を行うことにより、マスターディスクを作製する。このように、ステップ１０４からステップ１１０の工程を繰り返すことにより、新たに金属原盤７２を作製することなく、精度の高い同一形状のマスターディスクを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも有利である。
【０１２３】
このように作製されたＮｉ電鋳層７４からなるマスターディスクは、第１の実施の形態に示したように必要に応じて磁性層、保護層を形成することにより、磁気転写におけるマスターディスク４６として使用することができ、磁気記録媒体である転写用磁気ディスク４０にサーボパターンを磁気転写する際に用いられる。よって、これにより磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を製造することができる。
【０１２４】
〔第８の実施の形態〕
本実施の形態は、第２の実施の形態において作製したＳｉ原盤を用い、複数のマスター記録媒体であるマスターディスクを作製するものである。
【０１２５】
本実施の形態について図８、図１６、図１７に基づき説明する。図１６は、本実施の形態におけるマスターディスクの作製の流れを示す。
【０１２６】
図１６に示すステップ２０２（Ｓ２０２）の表面加工工程、ステップ２０４（Ｓ２０４）の導電体層形成工程、ステップ２０６（Ｓ２０６）の単分子層形成工程、ステップ２０８（Ｓ２０８）の金属層形成工程、ステップ２１０（Ｓ２１０）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第２の実施の形態と同様である。
【０１２７】
この後、図１６に示すステップ２１２（Ｓ２１２）の単分子層除去工程において、図８（ｆ）においてＮｉ電鋳層９５からなるマスターディスクを剥離した後の図１７（ａ）に示されるＳｉ原盤９２の凹凸が形成されている面の導電体層９３上に付着している単分子層９４の除去を行う。これはＳｉ原盤９２に形成された単分子層９４が、剥離工程の際に何らかの原因で、破壊や変形等している可能性が皆無であるとは言えないため、特に精度の高いマスターディスクを作製する場合には、これを回避する必要があるからである。
【０１２８】
具体的には、酸素プラズマによるアッシングにより行う。これにより、図１７（ｂ）に示すように、Ｓｉ原盤９２の導電体層９３から単分子層９４を完全に除去することができる。
【０１２９】
この後、図１６のステップ２０６に移行し、図８（ｄ）に示されるように再び単分子層９４を形成した後にＮｉ電鋳を行い、ステップ２１０の剥離を行うことにより、マスターディスクを作製する。このように、ステップ２０６からステップ２１２の工程を繰り返すことにより、新たにＳｉ原盤９２を新たに作製することなく、精度の高い同一形状のマスターディスクを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも有利である。
【０１３０】
このように作製されたＮｉ電鋳層９５からなるマスターディスクは、第１の実施の形態に示したように必要に応じて磁性層、保護層を形成することにより、磁気転写におけるマスターディスク４６として使用することができ、磁気記録媒体である転写用磁気ディスク４０にサーボパターンを磁気転写する際に用いられる。よって、これにより磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を製造することができる。
【０１３１】
〔第９の実施の形態〕
本実施の形態は、第３の実施の形態において作製したＳｉ原盤を用い、複数のマスター記録媒体であるマスターディスクを作製するものである。
【０１３２】
本実施の形態について図１０、図１８、図１９に基づき説明する。図１８は、本実施の形態におけるマスターディスクの作製の流れを示す。
【０１３３】
図１８に示すステップ３０２（Ｓ３０２）の表面加工工程、ステップ３０４（Ｓ３０４）の単分子層形成工程、ステップ３０６（Ｓ３０６）の導電体層形成工程、ステップ３０８（Ｓ３０８）の金属層形成工程、ステップ３１０（Ｓ３１０）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第３の実施の形態と同様である。
【０１３４】
この後、図１８に示すステップ３１２（Ｓ３１２）の単分子層除去工程において、図１０（ｆ）において導電体層５４とＮｉ電鋳層５５からなるマスターディスクを剥離した後の図１９（ａ）に示されるＳｉ原盤５２の凹凸が形成されている面に付着している単分子層５３の除去を行う。これはＳｉ原盤５２に形成された単分子層５３が、剥離工程の際に何らかの原因で、破壊や変形等している可能性が皆無であるとは言えないため、特に精度の高いマスターディスクを作製する場合には、これを回避する必要があるからである。
【０１３５】
具体的には、酸素プラズマによるアッシングにより行う。これにより、図１９（ｂ）に示すように、Ｓｉ原盤５２から単分子層５３を完全に除去することができる。
【０１３６】
この後、図１８のステップ３０４に移行し、図１０（ｃ）に示されるように再び単分子層５３の形成した後に導電体層の形成及びＮｉ電鋳を行い、ステップ３１０の剥離を行うことにより、マスターディスクを作製する。このように、ステップ３０４からステップ３１２の工程を繰り返すことにより、新たにＳｉ原盤５２を新たに作製することなく、精度の高い同一形状のマスターディスクを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも有利である。
【０１３７】
このように形成された導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるマスターディスクは、第１の実施の形態に示したように必要に応じて磁性層、保護層を形成することにより、磁気転写におけるマスターディスク４６として使用することができ、磁気記録媒体である転写用磁気ディスク４０にサーボパターンを磁気転写する際に用いられる。よって、これにより磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を製造することができる。
【０１３８】
尚、実施の形態の説明においては、原盤作製の際に例としてポジ型のレジストを用いた作製方法について説明したが、ネガ型のレジストであっても反転パターンの露光を行うことにより同様に原盤の作製が可能である。
【０１３９】
以上、本発明によるマスター記録媒体の製造方法及び、これにより製造されたマスター記録媒体を用いた磁気転写方法、磁気記録媒体の製造方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】第１の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法のフローチャート
【図２】第１の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法の工程図
【図３】本発明において用いられる電鋳装置の概要図
【図４】第１の実施の形態に係る磁気転写方法の工程図
【図５】第１の実施の形態に係る磁気転写の説明図
【図６】本発明において用いられる磁気転写装置の概略図
【図７】第２の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法のフローチャート
【図８】第２の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法の工程図
【図９】第３の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法のフローチャート
【図１０】第３の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法の工程図
【図１１】第４の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法のフローチャート
【図１２】第５の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法のフローチャート
【図１３】第６の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法のフローチャート
【図１４】第７の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法のフローチャート
【図１５】第７の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法の説明図
【図１６】第８の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法のフローチャート
【図１７】第８の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法の説明図
【図１８】第９の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法のフローチャート
【図１９】第９の実施の形態に係るマスターディスクの製造方法の説明図
【図２０】本発明により製造されるマスターディスクの斜視図
【符号の説明】
【０１４１】
７２…金属原盤、７３…単分子層、７４…Ｎｉ電鋳層（マスターディスク）
【図１】
2008004200.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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