(57)【要約】【課題】所望値に対する誤差が従来に比較して小さい抵抗体が組み込まれた多層配線板、その製造方法およびこの多層配線板を利用したプローブ装置を提供する。【解決手段】本発明は抵抗体材料を堆積する多層配線層の面上に平坦面を形成し、該平坦面上に抵抗体材料を堆積するという基本構想に立脚する。多層配線板は、表面に凹凸が形成された多層配線層と、該多層配線層の前記表面の所望領域に、該領域内の前記凹凸を埋め込みかつほぼ平坦な表面を有するダミー層と、該ダミー層上および該ダミー層をはみ出す領域に堆積された電気抵抗材料で形成される抵抗材料層と、前記電気抵抗体材料上に堆積され導電材料からなる配線であって前記ダミー層からはみ出す領域から前記ダミー層の前記平坦面領域の一部に達する配線とを含み、前記抵抗材料層の前記配線が達していない領域で抵抗体が形成されていることを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸が形成された多層配線層を有する多層配線板の前記表面の所望領域に平坦面を形成し、該平坦面上に電気抵抗材料を堆積して抵抗体を形成することを特徴とする、多層配線板の製造方法。
【請求項２】
前記平坦面はダミー層の表面であり、前記ダミー層は、前記所望領域内の前記凹凸面を埋め込むに充分な厚さ寸法に前記ダミー層のための材料を堆積した後、その平面研磨によって形成される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記ダミー層は導電材料からなり、フォトレジストによって前記平坦面を作る領域を露出するレジストマスクを形成し、該レジストマスクから露出する領域に電気メッキ法によってダミー層のための前記導電材料が堆積されて前記ダミー層が形成される、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記多層配線層上の配線を形成するための導電材料の堆積と同時的に前記ダミー層のための導電材料が堆積される、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記ダミー層上に電気絶縁材料からなる絶縁層が形成され、該絶縁層上に前記電気抵抗材料が堆積される、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
表面に凹凸が形成された多層配線層と、該多層配線層の前記表面の所望領域に、該領域内の前記凹凸を埋め込みかつほぼ平坦な表面を有するダミー層と、該ダミー層上および該ダミー層をはみ出す領域に堆積された電気抵抗材料で形成される抵抗材料層と、前記電気抵抗体材料上に堆積され導電材料からなる配線であって前記ダミー層からはみ出す領域から前記ダミー層の前記平坦面領域の一部に達する配線とを含み、前記抵抗材料層の前記配線が達していない領域で抵抗体が形成されていることを特徴とする多層配線板。
【請求項７】
前記ダミー層は前記多層配線板の前記表面上の配線を形成するための導電材料と同層で堆積された導電材料からなる、請求項６に記載の多層配線板。
【請求項８】
前記ダミー層上には、該ダミー層を覆う絶縁層が形成され、該絶縁層を介して前記抵抗体が前記ダミー層上に形成されている、請求項７に記載の多層配線板。
【請求項９】
前記ダミー層は、該ダミー層下の他の導電層に電気的に接続された配線として機能する、請求項８に記載の多層配線板。
【請求項１０】
多層配線層を有する多層配線板からなるプローブ基板と、該プローブ基板の前記多層配線層の表面に設けられ、該多層配線層の導電路に接続される複数のプローブと、前記多層配線層の前記導電路に接続される抵抗体とを含むプローブ装置であって、前記多層配線層の前記表面には、凹凸が形成されており、前記多層配線層の前記表面の所望領域には、該領域内の前記凹凸面を埋め込むように平坦な表面を有するダミー層が形成されており、該ダミー層上に前記抵抗体が形成されている、プローブ装置。
【請求項１１】
前記ダミー層は、前記プローブが固着される前記多層配線板のパッド部と同層で前記多層配線層上に堆積された導電材料層からなり、前記ダミー層上には、該ダミー層を覆う絶縁層が形成され、該絶縁層を介して前記抵抗体が前記ダミー層上に形成されている、請求項１０に記載のプローブ装置。
【請求項１２】
前記ダミー層上および該ダミー層をはみ出す領域には電気抵抗材料層が形成されており、該電気抵抗材料層上には、前記電気抵抗体材料上に堆積された導電材料からなる配線であって前記ダミー層からはみ出す領域から前記ダミー層の前記平坦面領域の一部に達する配線が形成され、前記抵抗材料層の前記配線が達していない領域で抵抗体が形成されていることを特徴とする、請求項１１に記載のプローブ装置。
【請求項１３】
前記ダミー層は、該ダミー層下の他の導電層に電気的に接続された配線として機能する、請求項１２に記載のプローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線板およびその製造方法並びに多層配線板を用いたプローブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップのような半導体ＩＣは、半導体ウエハ上に集合的に形成され、各チップに分離される前に、電気的な検査を受ける。この電気検査のために、一般的には、被検査体である各半導体ＩＣの電極パッドに接続されるプローブ装置が用いられる。プローブ装置の各プローブは被検査体の対応する電極パッドに接触し、これにより被検査体は電気的検査のためのテスタに接続される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなプローブ装置は、多層配線板をプローブ基板として、該プローブ基板の一方の面に多数のプローブが配置されている。また、このプローブ基板すなわち多層配線板に組み込まれた配線回路には、例えばインピーダンスマッチングのような電気的整合を目的として電気抵抗体が組み込まれる。
【０００４】
このような多層配線板に抵抗体を組み込む方法が、例えば、特許文献２に提案されている。この特許文献２に記載の方法によれば、絶縁基板および該絶縁基板上の多層配線層を有する多層配線板の製造過程に関連してその多層配線層上に、配線のための下地層として作用しかつ抵抗体として作用する窒化チタン膜を形成し、該窒化チタン膜上に銅のような導電体で配線を形成することにより、多層配線板に抵抗体を効率的に作り込むことができる。
【０００５】
ところで、多層配線板の多層配線層では、例えば絶縁基板上に形成された下層導電層と、該下層導電層上に中間絶縁層を介して積層された上層導電層とが接続される。この両導電層の接続のために、中間絶縁層を厚さ方向に貫通するビア穴が形成され、該ビア穴に堆積されるビアを介して下層導電層および上層導電層が電気的に接続される。このビアのための金属材料をビア穴に堆積するとき、ビアの金属材料がビア穴の縁部で部分的に盛り上がりを生じる。そのため、このビアを介して下層導電層に接続される上層導電層を覆うように上層絶縁層が形成されると、この上層絶縁膜上に、ビアの盛り上がりに対応した凹凸が形成されてしまう。
【０００６】
この凹凸を生じた上層絶縁膜上に、前記した抵抗体がその材料の堆積により形成されると、この抵抗体は前記上層絶縁膜の凹凸面に沿って上下方向に波状に形成されてしまう。そのため、抵抗体の実質的な長さが増大し、また抵抗体の厚さ寸法が部分的に変化し易く、その結果、多層配線板に作り込まれる抵抗体の値の誤差が大きくなるという欠点があった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１７１２１号公報
【特許文献２】特開２０００−１３０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、所望値に対する誤差が従来に比較して小さい抵抗体が組み込まれた多層配線板、その製造方法およびこの多層配線板を利用したプローブ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基本的に、抵抗体材料を堆積する多層配線層の面上に平坦面を形成し、該平坦面上に抵抗体材料を堆積することを特徴とする。
【００１０】
より具体的には、本発明に係る多層配線板の製造方法は、表面に凹凸が形成された多層配線層を有する多層配線板の前記表面の所望領域に平坦面を形成し、該平坦面上に電気抵抗材料を堆積して抵抗体を形成することを特徴とする。
【００１１】
前記平坦面上に堆積された電気抵抗材料からなる抵抗体は、従来のような凹凸表面に沿って上下方向へ波打つことはなく、この上下方向への蛇行経路による実質的な抵抗長の増減や凹凸表面上への電気抵抗材料の堆積による厚さ寸法のばらつきを防止できる。したがって、正確な抵抗値を示す抵抗体を形成できるので、抵抗値のばらつきが従来に比較して小さな多層配線板を提供することができる。
【００１２】
前記平坦面はダミー層の表面で形成することができる。前記ダミー層は、前記所望領域内の前記凹凸面を埋め込みかつほぼ平坦な表面を形成するに充分な厚さ寸法に前記ダミー層のための材料を堆積することによって形成できる。
【００１３】
前記ダミー層は導電材料で形成することができる。この導電材料からなるダミー層の形成のために、前記多層配線層の表面にフォトレジストによって前記平坦面を作る領域を露出するレジストマスクを形成し、該レジストマスクから露出する領域に電気メッキ法によってダミー層のための前記導電材料を堆積することができる。
【００１４】
ダミー層のための導電材料の堆積に電気メッキ法を用いることができる。この電気メッキ法により、表面の凹凸を埋め込むに充分な厚さ寸法にダミー層のための導電材料を堆積した後、平面研磨により、表面の平坦なダミー層を形成することができる。
【００１５】
前記多層配線層上の配線を形成するための導電材料の堆積と同時的に前記ダミー層のための導電材料を堆積することができる。これにより、より効率的に多層配線板を形成することができる。
【００１６】
前記ダミー層上に電気絶縁材料からなる絶縁層を形成し、該絶縁層上に前記電気抵抗材料を堆積することができる。
【００１７】
ダミー層の形成のための電気メッキで、パルス電流を用いることができる。このパルス電流を適正に制御することにより、直流電流を用いる通常の電気メッキに比較してダミー層の表面の平坦化を図ることができる。したがって、パルス電流の条件を適正に選択することより、平面研削を行うことなく平坦面を有するダミー層を形成することができる。
【００１８】
本発明に係る多層配線基板は、表面に凹凸が形成された多層配線層と、該多層配線層の前記表面の所望領域に、該領域内の前記凹凸を埋め込みかつほぼ平坦な表面を有するダミー層と、該ダミー層上および該ダミー層をはみ出す領域に堆積された電気抵抗材料で形成される抵抗材料層と、前記電気抵抗体材料上に堆積され導電材料からなる配線であって前記ダミー層からはみ出す領域から前記ダミー層の前記平坦面領域の一部に達する配線とを含み、前記抵抗材料層の前記配線が達していない領域で抵抗体が形成されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る多層配線基板は、平坦面上に抵抗体が形成されていることから、従来のような凹凸表面に沿った上下方向への蛇行経路による実質的な抵抗長の増減が防止される。したがって、本発明に係る多層配線基板によれば、従来に比較して抵抗体の抵抗値のばらつきを抑制できるので、組み込まれた抵抗体の抵抗値の精度を高めることができる。
【００２０】
前記ダミー層は前記多層配線板の前記表面上の配線を形成するための導電材料と同層で堆積された導電材料で形成することができる。
【００２１】
前記ダミー層上に該ダミー層を覆う絶縁層を形成することができ、該絶縁層を介して前記抵抗体を前記ダミー層上に形成することができる。
【００２２】
導電材料で形成された前記ダミー層は、該ダミー層下の他の導電層に電気的に接続された配線として機能させることができる。
【００２３】
本発明に係るプローブ装置は、多層配線層を有する多層配線板からなるプローブ基板と、該プローブ基板の前記多層配線層の表面に設けられ、該多層配線層の導電路に接続される複数のプローブと、前記多層配線層の前記導電路に接続される抵抗体とを含むプローブ装置であって、前記多層配線層の前記表面には、凹凸が形成されており、前記多層配線層の前記表面の所望領域には、該領域内の前記凹凸面を埋め込むように平坦な表面を有するダミー層が形成されており、該ダミー層上に前記抵抗体が形成されている。
【００２４】
本発明に係るプローブ装置によれば、プローブ基板に形成される抵抗体をその抵抗値が所望値となるように高精度で形成することができるので、インピーダンスマッチングのような電気的整合を適正に行うことができ、ノイズのような障害を抑制して高精度での電気的検査が可能となる。
【００２５】
前記ダミー層は、前記プローブが固着される前記多層配線板のパッド部と同層で前記多層配線層上に堆積された導電材料層で形成することができる。前記ダミー層上には、該ダミー層を覆う絶縁層を形成し、該絶縁層を介して前記抵抗体を前記ダミー層上に形成することができる。
【００２６】
前記ダミー層上および該ダミー層をはみ出す領域に、電気抵抗材料層を形成し、該電気抵抗材料層上に、前記電気抵抗体材料上に堆積された導電材料からなる配線であって前記ダミー層からはみ出す領域から前記ダミー層の前記平坦面領域の一部に達する配線を形成し、前記抵抗材料層の前記配線が達していない領域で抵抗体を形成することができる。
【００２７】
前記ダミー層は、該ダミー層を導電材料で形成することにより、該ダミー層下の他の導電層に電気的に接続された配線として機能させることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、平坦な面上に抵抗体が形成され、該抵抗体の蛇行による実行長の増減を防止できるので、従来に比較して誤差の小さな電気抵抗値を有する抵抗体を組み込んだ多層配線板およびプローブ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１ないし図７は、本発明に係るプローブ装置１０（図７（ｒ）参照）の製造方法を示す。本発明に係るプローブ装置１０では、そのプローブ基板として、多層配線板１２が用いられている。
【００３０】
図１（ａ）に示されているように、本発明に係る多層配線板１２は、例えばセラミックスのような絶縁基板１４と、該絶縁基板上に堆積された多層配線層１６とを備える。多層配線層１６は、複数の絶縁層１８（１８ａ、１８ｂ、１８ｂ…）と、それぞれが絶縁層１８間に形成された複数の導電層２０（２０ａ、２０ｂ、２０ｂ…）とを有する。
【００３１】
多層の導電層２０は、その間に位置する絶縁層１８に形成されたビア穴２２を通して形成されたビア２４を経て、相互に電気的に接続されている。このビア２４の形成のために、各絶縁層１８および導電層２０のビア２４を取り巻く縁部には、導電層２０の有無に伴う凹凸が形成されており、上下のビア２４の位置関係によっては、最上部の絶縁層１８ａの表面の凹凸が顕著になる。
【００３２】
そこで、本発明の以下のプロセスを適用して多層配線板１２の表面に後述する平坦面が形成される。この平坦面の形成に関連して、所定のプローブのための接続パッドを形成するために、多層配線板１２の表面である絶縁層１８ａの全面を覆うように、例えばＴｉ、Ｐｄのような導電金属層２６が例えばスパッタ法を用いて形成される。
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示すように、導電金属層２６の全面を覆うようにフォトレジスト２８が例えばスピンコート法を用いて塗布され、このレジスト２８の所定部分が除去される。フォトレジスト２８がポジティブタイプの場合、除去すべき部分を露光するためのガラスマスク３０を通してフォトレジスト２８が露光される。この露光後の現像処理により、図１（ｃ）に示すように、フォトレジスト２８のうち、ガラスマスク３０の遮光領域３０ａを除く透光領域に対応する部分が除去される。この透光領域は、図示の例では、後述する電極パッド、ダミー層およびプローブ接合パッドの各領域に対応し、フォトレジスト２８には、電極パッド用開口２８ａ、ダミー層用開口２８ｂおよびプローブ接合パッド用開口２８ｃがそれぞれ形成される。
【００３４】
これらフォトレジスト２８の開口２８ａ、２８ｂ、２８ｃには、例えば電鋳法と称される電気メッキ法により、導電金属層２６を介して、図２（ｄ）に示すように、銅のような導電金属材料３２（３２ａ、３２ｂ、３２ｃ）が堆積される。このようなメッキにより堆積された導電金属材料３２の表面は、下地表面の凹凸およびメッキ層の厚さ寸法のばらつきの影響等を受けることから、導電金属材料３２の表面は平坦ではない。
【００３５】
そこで、図２（ｅ）に示すように、フォトレジスト２８を除去した後、導電金属材料３２（３２ａ、３２ｂ、３２ｃ）の表面が、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ）により、平面研磨を受ける。この平面研磨により、導電金属材料３２で構成されるダミー層３２ｂの表面は、電極パッド３２ａおよびプローブ接合パッド３２ｃのそれらと同様な平坦面３４となる。
【００３６】
導電金属材料３２の平面研磨の後、例えばイオンビームを用いたエッチング処理により、導電金属層２６の各導電金属材料３２が堆積されていない部分が除去される。このエッチング処理により、図２（ｆ）に示すように、電気的に相互に絶縁されかつそれぞれが平坦面（３４）を有する電極パッド３２ａ、ダミー層３２ｂおよびプローブ接合パッド３２ｃが形成される。
【００３７】
電極パッド３２ａ、ダミー層３２ｂおよびプローブ接合パッド３２ｃの形成後、図３（ｇ）に示すように、電極パッド３２ａ、ダミー層３２ｂおよびプローブ接合パッド３２ｃおよびこれらから露出する絶縁層１８ａ上には、例えば感光性ポリイミドのような感光性絶縁層３６が、例えば前記したようなスピンコート法により形成される。この感光性絶縁層３６は、ダミー層３２ｂを含む電極パッド３２ａおよびプローブ接合パッド３２ｃ上では、それらの平坦面（３４）上に均等な厚さ寸法で形成される。
【００３８】
感光性絶縁層３６のうち、その不要部分を除去するために、図３（ｈ）に示すように、ガラスマスク３８を用いて感光性絶縁層３６が部分的に露光を受ける。感光性絶縁層３６がネガティブタイプの場合、感光性絶縁層３６の残存すべき領域を露光するために、ガラスマスク３８には、除去部分に対応した遮光領域３６ａが形成されており、ガラスマスク３８の透光領域は、ダミー層３２ｂおよび該ダミー層上からその両側に位置する電極パッド３２ａとプローブ接合パッド３２ｃの上面の隣接縁部とに至る領域に対応する。
【００３９】
したがって、露光を受けた感光性絶縁層３６に現像処理を施すことにより、図３（ｉ）に示すように、ダミー層３２ｂ上、該ダミー層上からその両側に位置する電極パッド３２ａとプローブ接合パッド３２ｃの上面の隣接縁部とに至る領域に、連続的に絶縁層３６ａが残存する。
【００４０】
絶縁層３６ａの形成後、図４（ｊ）に示すように、ＣｒおよびＰｄが、例えばスパッタ法あるいは蒸着法により、絶縁層３６ａ上、電極パッド３２ａおよびプローブ接合パッド３２ｃの絶縁層３６ａから露出する面、および絶縁層１８ａの露出面上に堆積される。この堆積により、絶縁基板１４の表面に、ほぼ均一な所定の厚さ寸法を有するＣｒ／Ｐｄ合金層４０が形成される。このＣｒ／Ｐｄ合金層は薄膜抵抗体として作用する薄膜抵抗体層４０であり、後述する配線メッキの下地電極としても利用される。
【００４１】
薄膜抵抗と、該薄膜抵抗のための配線メッキのための下地層とを兼ねる薄膜抵抗体層４０は、Ｃｒ／Ｐｄ合金に代えて、窒化タンタル、酸化タンタル、Cr単体、Ｔｉ単体、Ｔｉ／Ｐｄ合金など、必要とする適切なシート抵抗値を示す金属で形成することができる。また、薄膜抵抗体層４０に窒化チタンを用いることができる。しかしながら、この窒化チタンからなる薄膜抵抗体層４０は比較的高いシート抵抗値を示し、そのばらつきも比較的大きくなる。これに対し、Ｃｒ／Ｐｄ合金からなる薄膜抵抗体層４０は、窒化チタンに比較して低い適正なシート抵抗値を示し、また均一な厚さの微細配線に適する。
【００４２】
ダミー層３２ｂの平坦面３４上にはほぼ均一な厚さ寸法で絶縁層３６ａが形成され、該絶縁層の平坦面上にスパッタ法あるいは蒸着法によって形成された薄膜抵抗体層４０は、ダミー層３２ｂ上では、その平坦面３４に沿って、ほぼ均一な厚さ寸法に堆積される。したがって、薄膜抵抗体層４０のダミー層３２ｂ上の部分は、上下方向に波打つことなくほぼ等厚の平板状に形成されることから、波打つことによって長さが変化することなくまた厚さ寸法に部分的なばらつきを生じ難いことから、凹凸面上に形成された従来の抵抗体に比較して、安定した抵抗値特性を示す。
【００４３】
薄膜抵抗体層４０のうち、ダミー層３２ｂ上に所定の抵抗値を示す薄膜抵抗体および必要部分を残し、不要部分を除去する。そのために、図４（ｋ）に示すように、薄膜抵抗体層４０の全面を覆って前記したと同様な感光性絶縁層４２が形成される。この感光性絶縁層４２は、図４（ｌ）に示すように、ガラスマスク４４を通して露光を受けた後、現像処理を受ける。ガラスマスク４４には、遮光領域４４ａにより、所望の平面形状を有する透過開口が形成されている。また、この透過開口は、ダミー層３２ｂ上に所望の抵抗値を示す抵抗体（４０ａ）の平面形状に対応する。
【００４４】
したがって、感光性絶縁層４２の現像処理により、図５（ｍ）に示すように、ダミー層３２ｂ上には、所望の抵抗体の平面形状に一致した平面形状を有する絶縁層４２ａが残存する。
【００４５】
その後、図５（ｎ）に示すように、絶縁層４２ａを含む多層配線板１２の全面に、前記したと同様なフォトレジスト４６が塗布される。フォトレジスト４６は、遮光領域４８ａを有するガラスマスク４８を通して、露光を受けた後、現像処理を受ける。これにより、フォトレジスト４６には、図５（ｏ）に示されるように、ダミー層３２ｂ上に形成される抵抗体４０ａと電極パッド３２ａとの配線路のための開口４６ａおよび抵抗体４０ａとプローブ接合パッド３２ｃとの配線路のための開口４６ｂがそれぞれ形成される。
【００４６】
これらの開口４６ａ、４６ｂの底部に露出して残存する薄膜抵抗体層４０を下地電極として、各開口４６ａ、４６ｂ内には、銅のような導電金属材料がメッキ法により堆積され、この堆積物によって配線５０（５０ａ、５０ｂ）が形成される。
【００４７】
配線５０（５０ａ、５０ｂ）の形成後、図６（ｐ）に示すように、フォトレジスト４６が除去され、多層配線板１２の表面がイオンビームによりエッチングを受ける。このイオンビームを用いたエッチング処理により、薄膜抵抗体層４０上に導電性金属材料がメッキされた配線メッキ部分（５０ａ、５０ｂ）および絶縁層４２ａで覆われた部分を除くすべての領域で、薄膜抵抗体層４０が図６（ｑ）に示すように除去される。このとき、露出する配線５０ａ、５０ｂもエッチングを受けるが、配線５０ａ、５０ｂは、このエッチング処理によって消失しない充分な厚さ寸法を有する。また、絶縁層４２ａも薄くなるが、消失することはない。したがって、絶縁層４２ａ下には、配線５０ａ、５０ｂによりそれぞれ電極パッド３２ａおよびプローブ接合パッド３２ｃに接続されかつ絶縁層４２ａにより封止された抵抗体４０ａが形成される。
【００４８】
図７（ｒ）に示すように、プローブ接合パッド３２ｃ上には、例えばレーザを用いた溶着により、プローブ５２が、その針先５２ａを上方すなわち絶縁基板１４から離れる方向へ向けて、固着される。
【００４９】
これにより、ダミー層３２ｂ上に形成された薄膜状の抵抗体４０ａは、その一端が一方の配線路５０ａを経て電極パッド３２ａに接続され、その他端が他方の配線路５０ｂを経てプローブ５２に接続される。したがって、プローブ５２は、薄膜状の抵抗体４０ａを経て、多層配線板１２の内部の配線路の一部を構成する導電層２０ａすなわち導電路に接続される。電極パッド３２ａに接続される導電路２０ａは、図示しないテスタに接続される。
【００５０】
図１ないし図７には、一つのプローブ５２が代表的に示されたが、多層配線板１２には、被検査体である半導体ＩＣに形成された電極パッドに対応して、多数のプローブ５２が設けられる。したがって、多層配線板１２の各プローブ５２の針先５２ａを前記被検査体の対応する前記電極パッドに押し付けることにより、プローブ装置１０を経て前記被検査体を前記テスタに接続することができる。
【００５１】
本発明に係るプローブ装置１０では、電極パッド３２ａとプローブ接合パッド３２ｃとを接続する配線５０ａ、５０ｂに抵抗体４０ａが挿入されている。この抵抗体４０ａは、ダミー層３２ｂの平坦面３４上に堆積された平坦な薄膜抵抗体層４０の一部により形成されているので、上下方向に波打つことなくほぼ等厚の平板状に形成される。したがって、抵抗体４０ａの実効長と、該抵抗体の配線路５０ａ、５０ｂが接続される両端間の長さ方向寸法がほぼ一致する。
【００５２】
したがって、抵抗体４０ａの上下方向への波打ち変形による従来のような実効長の増大や厚さ寸法の増減による抵抗値のばらつきを招くことはなく、抵抗体４０ａの所望値に対する実効値のばらつきを従来に比較して小さくすることができる。これにより、多層配線板１２の配線路に適正な抵抗値を有する抵抗体を高精度で挿入することができることから、高精度での電気的測定に極めて有利になる。
【００５３】
図８および図９は、それぞれ本発明に係るプローブ装置の他の例を示す。図８に示すプローブ装置１１０では、プローブ接合パッド部分３２ｃおよびダミー層部分３２ｂが連続して形成されている。このプローブ接合パッド部分およびダミー層部分の連続層（３２ｂ、３２ｃ）は、多層配線板１２の前記配線路の一部として使用することができる。また、図９に示すプローブ装置１２０では、電極パッド部分３２ａおよびダミー層部分３２ｂが連続して形成されている。この電極パッド部分およびダミー層部分の連続層（３２ａ、３２ｂ）は、多層配線板１２の前記配線路の一部として使用することができる。
【００５４】
また、前記した各例では、各プローブ装置１０、１１０、１２０の抵抗体４０ａから伸びる配線路５０ａ、５０ｂのうち、一方の配線路５０ａは、電極パッド３２ａの上面に至らずに配線下地領域４０上で終端する。また、他方の配線路５０ｂは、プローブ接合パッド３２ｃに至らずに配線下地領域４０上で終端する。しかしながら、これら両配線路５０ａ、５０ｂの前記各端部を対応するパッド３２ａ、３２ｃに直接的に接触するように、該各パッド上で終端させることができる。
【００５５】
前記したところでは、ダミー層３２ｂの平坦面３４に抵抗体４０ａを形成した例について説明した。絶縁層１８ａあるいは該絶縁層上に堆積される層の上面を平面研削することができる場合、ダミー層３２ｂを形成することに代えて、この平面研削面上に薄膜抵抗体層４０を形成することができる。
【００５６】
また、ダミー層３２ｂとして電気絶縁材料を用いることができる。ダミー層３２ｂを電気絶縁材料で形成することにより、ダミー層３２ｂ上の絶縁層３６ａを不要とすることができる。しかしながら、電極パッド３２ａおよびプローブ接合パッド３２ｃの形成工程を利用してこれらと同時的にダミー層３２ｂを形成できる点および配線の一部として利用できる点で、該ダミー層を導電材料で形成することが望ましい。
【００５７】
また、前記したところでは、単一の抵抗体４０ａを示したが、該抵抗体を分割して形成し、これら分割抵抗体を相互に直列結線して抵抗体４０ａとすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、上記実施例に限定されず、その趣旨を逸脱しない限り、種々に変更することができる。また、プローブ装置のプローブ基板に限らず、種々の実装回路基板に本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明に係るプローブ装置の製造工程（その１）を示す説明図である。
【図２】本発明に係るプローブ装置の製造工程（その２）を示す説明図である。
【図３】本発明に係るプローブ装置の製造工程（その３）を示す説明図である。
【図４】本発明に係るプローブ装置の製造工程（その４）を示す説明図である。
【図５】本発明に係るプローブ装置の製造工程（その５）を示す説明図である。
【図６】本発明に係るプローブ装置の製造工程（その６）を示す説明図である。
【図７】本発明に係るプローブ装置の具体例を示す断面図である。
【図８】本発明に係るプローブ装置の他の具体例を示す図７と同様な図面である。
【図９】本発明に係るさらに他の具体例を示す図７と同様な図面である。
【符号の説明】
【００６０】
１０、１１０、１２０  プローブ装置
１２  多層配線板
１４  絶縁基板
１６  多層配線層
１８  多層配線層の絶縁層
２０  多層配線層の導電層
３２ｂ  ダミー層
３４  ダミー層の平坦面
３６  絶縁層
４０  抵抗体層（配線下地領域）
４０ａ  抵抗体（抵抗体領域）
４４ａ  絶縁膜（封止膜）
５０ａ、５０ｂ  抵抗体の配線路
５２  プローブ
５２ａ  プローブの針先
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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