(57)【要約】【課題】  真空リークを発生させず、かつ電子源アレイ基板表面の表面帯電を防止することにより、画像表示装置内の放電発生を防止する。【解決手段】  電子放出電極の給電電極に、枠ガラスの外周より狭く、かつ枠ガラスの内周より広い領域に、電子放出電極を各給電電極毎に切断分離するための段差構造を具備する。また、電子放出電極を段差構造がある領域より狭くかつ枠ガラスの内周より広い領域に選択的に成膜する。あるいは、電子放出電極を段差構造がある領域より狭くかつ対向する蛍光面の高電圧を印加する電極より広い領域に選択的に成膜する。【選択図】  図１
2008066091.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子放出部から電子を放出する電子源アレイ基板と蛍光面基板を有し、電子源アレイ基板と蛍光面基板の間に、幅を有した枠ガラスを挟み込み、フリットガラスで接着して枠ガラス内部を真空に保ち、電子源アレイから放出された電子を蛍光面に高電圧を印加して射突させ発光させる画像表示装置において、電子源アレイ基板の電子放出部および給電電極を被覆する電子放出電極の給電電極は、枠ガラスの外周より狭い領域に、電子放出電極を各給電電極毎に切断分離するための段差構造を有していることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
複数の電子放出部から電子を放出する電子源アレイ基板と蛍光面基板を有し、電子源アレイ基板と蛍光面基板の間に、幅を有した枠ガラスを挟み込み、フリットガラスで接着して枠ガラス内部を真空に保ち、電子源アレイから放出された電子を蛍光面に高電圧を印加して射突させ発光させる画像表示装置において、電子源アレイ基板の電子放出部および給電電極を被覆する電子放出電極の給電電極は、枠ガラスの外周より狭く、かつ枠ガラスの内周より広い領域に、電子放出電極を各給電電極毎に切断分離するための段差構造を有しており、電子放出電極は段差構造がある領域より狭くかつ枠ガラスの内周より広い領域に選択的に成膜されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
複数の電子放出部から電子を放出する電子源アレイ基板と蛍光面基板を有し、電子源アレイ基板と蛍光面基板の間に、幅を有した枠ガラスを挟み込み、フリットガラスで接着して枠ガラス内部を真空に保ち、電子源アレイから放出された電子を蛍光面に高電圧を印加して射突させ発光させる画像表示装置において、電子源アレイ基板の電子放出部および給電電極を被覆する電子放出電極の複数の給電電極は、枠ガラスの内周より狭い領域に、電子放出電極を各給電電極毎に切断分離するための段差構造を有しており、電子放出電極は段差構造がある領域より狭くかつ対向する蛍光面の高電圧を印加する電極より広い領域に選択的に成膜されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３記載の給電電極は、両端の電極を除き、給電電極の片側側面に電子放出電極を切断するための段差構造を有し、給電電極のもう一方の側面は電子放出電極を接続するためのコンタクト部を有していることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の両端の給電電極は段差構造を有せず、給電電極の両側側面に電子放出電極を接続するためのコンタクト構造を有していることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置とその製造方法にかかり、特に電子源アレイを用いた自発光型のフラット・パネル・ディスプレイとも称する画像表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
微少で集積可能な電子源を利用する画像表示装置（フィールド・エミッション・ディスプレイ:ＦＥＤ）が開発されている。この種の画像表示装置の電子源は、電界放出型電子
源とホットエレクトロン型電子源とに分類される。前者には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源等が属し、後者には金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子
源がある。
【０００３】
ＭＩＭ型について、例えば特許文献１、金属―絶縁体―半導体型についてはＭＯＳ型（
非特許文献１）、金属―絶縁体―半導体−金属型ではＨＥＥＤ型(非特許文献２などに記
載)、ＥＬ型（非特許文献３などに記載）、ポーラスシリコン型（非特許文献４などに記
載）などが報告されている。
【０００４】
ＭＩＭ型電子源については、例えば特許文献２に開示されている。ＭＩＭ型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−６５７１０号公報
【特許文献２】特開平１０−１５３９７９号公報
【特許文献３】特願２００３−１３５２６８号公報
【非特許文献１】ｊ.Ｖａｃ.Ｓｃｉ.Ｔｅｃｈｏｎｏｌ.Ｂ１１(２)ｐ.４２９−４３２(１９９３)
【非特許文献２】ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ−ｅｌｅｃｔｒｏ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ、Ｊｐｎ、ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏｌ．３６、ｐｐ.９３９
【非特許文献３】Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、応用物理 第６３巻、第６号、５９２頁
【非特許文献４】応用物理  第６６巻、第５号、４３７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような電子源を複数の行（例えば水平方向）と複数の列（例えば垂直方向）に並べてマトリクスを形成し、各電子源対応に配列した多数の蛍光体を真空中に配置して画像表示装置を構成することができる。このような電子源では、表面汚染があると電子が放出しがたくなるため、電子放出電極の加工にホト工程等を用いるのは好ましくない。そのため、電子放出電極の給電電極の側面に段差構造を形成したり、逆テーパーの絶縁層を利用して、電子放出電極の成膜時に、自己整合的に電子放出電極を切断することが行われている。
【０００７】
一方、これらの電子源アレイ基板から放出された電子で蛍光面を発光させるには、蛍光面に高電圧を印加して、蛍光体を励起発光させる必要がある。その際、高電圧のため電子源アレイ基板と蛍光面の間にアーク放電や沿面放電等が発生すると、電子源アレイや蛍光面が破壊され重大な欠陥が発生してしまう。
【０００８】
放電の防止には、パネル内部を高真空に保つことが重要である。電子放出電極を分離するための段差構造は真空を保つためのフリットガラスが入りにくく、真空リーク経路を形成しやすい問題がある。
【０００９】
また、電子源基板表面に絶縁性の部分があると、対向する蛍光面に高電圧を印加した際に流入する反射電子等により表面が帯電し、やはり放電を誘起しやすい。
【００１０】
本発明の第１の目的は、真空リークを発生させない画像表示装置を提供することである。さらに第２の目的は電子源基板表面に絶縁膜が露出しないようにし、高電圧を印加しても放電を誘起しない画像表示装置を提供することにある。さらに本発明の第３の目的は、電子源基板表面の絶縁膜露出部を蛍光面の高電圧を印加する電極の外側に限定配置して、放電を誘起しない画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の第１の目的は、複数の電子放出部から電子を放出する電子源アレイ基板と蛍光面基板を有し、電子源アレイ基板と蛍光面基板の間に、幅を有した枠ガラスを挟み込み、フリットガラスで接着して枠ガラス内部を真空に保ち、電子源アレイから放出された電子を蛍光面に高電圧を印加して射突させ発光させる画像表示装置において、電子源アレイ基板の電子放出部および給電電極を被覆する電子放出電極の給電電極は、枠ガラスの外周より狭い領域に、電子放出電極を各給電電極毎に切断分離するための段差構造をすることにより実現される。
【００１２】
さらに上記第２の目的は、複数の電子放出部から電子を放出する電子源アレイ基板と蛍光面基板を有し、電子源アレイ基板と蛍光面基板の間に、幅を有した枠ガラスを挟み込み、フリットガラスで接着して枠ガラス内部を真空に保ち、電子源アレイから放出された電子を蛍光面に高電圧を印加して射突させ発光させる画像表示装置において、電子源アレイ基板の電子放出部および給電電極を被覆する電子放出電極の給電電極は、枠ガラスの外周より狭く、かつ枠ガラスの内周より広い領域に、電子放出電極を各給電電極毎に切断分離するための段差構造を有しており、電子放出電極は段差構造がある領域より狭くかつ枠ガラスの内周より広い領域に選択的に成膜されていることにより実現される。
【００１３】
さらに上記第３の目的は、複数の電子放出部から電子を放出する電子源アレイ基板と蛍光面基板を有し、電子源アレイ基板と蛍光面基板の間に、幅を有した枠ガラスを挟み込み、フリットガラスで接着して枠ガラス内部を真空に保ち、電子源アレイから放出された電子を蛍光面に高電圧を印加して射突させ発光させる画像表示装置において、電子源アレイ基板の電子放出部および給電電極を被覆する電子放出電極の給電電極は、枠ガラスの内周より狭い領域に、電子放出電極を各給電電極毎に切断分離するための段差構造を有しており、電子放出電極は段差構造がある領域より狭くかつ対向する蛍光面の高電圧を印加する電極より広い領域に選択的に成膜されていることにより実現される。
【００１４】
また上記の複数の給電電極は、表示領域の両端の給電電極を除き、給電電極の片側側面に電子放出電極を切断するための段差構造を有し、給電電極のもう一方の側面は電子放出電極を接続するため段差を設けないコンタクト部を有している。両端の給電電極は段差構造を有せず、給電電極の両側側面に電子放出電極を接続するためのコンタクト構造を有すことにより実現される。これにより、電子源アレイ基板表面は全て給電電極に接続された電子放出電極により被覆され、絶縁膜の露出部分をなくすか、または少なくすることができる。これにより帯電に起因する放電を防止することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。ここではＭＩＭ型電子源を用いた画像表示装置を例として説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の実施例１の説明図であり、ＭＩＭ型薄膜電子源を用いた画像表示装置を例とした模式平面図である。なお、図１では、主として電子源を有する一方の基板（電子源アレイ基板）１０の平面と枠ガラス４０の関係を示し、蛍光体を形成した他方の基板（蛍光体基板）は、省略している。
【００１７】
電子源アレイ基板１０には、信号線駆動回路５０に接続する信号線（データ線）を構成する下部電極１１、電子源アレイ基板の電子放出部および給電電極を被覆する電子放出電極となる上部電極、走査線駆動回路６０に接続して信号線と直交配置された走査電極（上部電極への給電電極）１６、走査電極の一部で上部電極を接続するためのコンタクト部１７、上部電極を各走査電極毎に分離するための段差構造（走査電極がコンタクト電極の端部からはみ出す形状の庇構造）１８、その他の後述する機能膜等が形成されている。なお、電子源アレイ（電子放出部）は、下部電極１１上の走査電極１６間に配置され、絶縁層１２を介して下部電極１１に積層する上部電極で形成され、電子放出部を制限する厚い保護絶縁層１４で囲まれた薄層部分で形成される絶縁層（トンネル絶縁層）１２の部分から電子が放出される。
【００１８】
スペーサ３０は、電子源アレイ基板１０の走査電極１６上に配置し、蛍光面基板のブラックマトリクス（図示せず）の下に隠れるように配置する。下部電極１１は信号線駆動回路５０へ接続し、走査電極配線である走査電極１６は走査線駆動回路６０に接続する。
【００１９】
枠ガラス４０は、図１に示すように有限の幅を有しており、フリットガラスによって電子源アレイ基板１０と蛍光面基板（図示せず）に接着される。この際、走査電極１６方向の枠ガラスの外周間距離a、内周間距離bとすれば、上部電極の成膜領域１３の両端間距離ｃ、走査電極の段差部の長さｄとの関係が
b＜c＜d＜a
となるようにする。
【００２０】
このうちｃ＜ｄの関係により、走査電極の段差部を用いて上部電極13を各走査電極毎に分離することが可能である。
【００２１】
またd＜aの関係により、段差部１８が枠ガラス４０の外周より狭い範囲にのみ形成されることになり、枠ガラス４０の下の段差部１８にフリットガラスが入り込まず、真空リーク経路が形成されるのを防止することができ、枠ガラス４０の内部の真空度を高く保つことができる。
【００２２】
さらにb＜cの関係により、走査電極１６に接続され、かつその段差部１８で各走査電極１６毎に分離された上部電極１３を枠ガラス４０内周より広い範囲に成膜することができ、枠ガラス４０内部の電子源アレイ基板表面は全て上部電極１３で被覆できるため、表面で絶縁膜が露出する部分がなくなる。これにより電子源アレイ基板表面の帯電による放電誘起を防止することが可能となる。なお、複数の走査電極１６の最も外側に位置する２本の電極については、段差部１８を設けなくてよい。外側に隣接走査電極がないので上部電極１３を分離する必要がないこと、逆に走査電極群の外側の上部電極１３を走査電極１６に接続することで走査電極１６の外側に絶縁層の露出部や電位が不定なフローティング電極を作らないようにするためである。
【００２３】
次に、図１の各画素の製造方法の実施例の一例を、図２〜図１４を参照して説明する。
先ず、図２に示したように、ガラス等の絶縁性の基板１０上に下部電極１１用の金属膜を成膜する。下部電極１１の材料としてＡｌ合金を用いる。Ａｌ合金を用いるのは、陽極酸化により良質の絶縁膜を形成できるからである。ここでは、Ｎｄを２原子量％ドープしたＡｌ−Ｎｄ合金を用いた。成膜には、例えば、スパッタリング法を用いる。膜厚は６００ｎｍとした。
【００２４】
成膜後はパターニング工程、エッチング工程によりストライプ形状の下部電極１１を形成した(図３)。下部電極１１の電極幅は画像表示装置のサイズや解像度により異なるが、そのサブピクセルのピッチ程度、大体１００〜２００ミクロン（μｍ）程度とする。エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。この電極は幅の広い簡易なストライプ構造のため、レジストのパターニングは安価なプロキシミティ露光や、印刷法などで行うことができる。
【００２５】
次に、電子放出部を制限し、下部電極１１のエッジへの電界集中を防止する保護絶縁層１４と、絶縁層１２を形成する。まず、図４に示した下部電極１１上の電子放出部となる部分をレジスト膜２５でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化して保護絶縁層１４とする。化成電圧を２００Ｖとすれば、厚さ約２７０ｎｍの保護絶縁層１４が形成される。その後、レジスト膜２５を除去して残りの下部電極１１の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を６Ｖとすれば、下部電極１１上に厚さ約１０ｎｍの絶縁層（トンネル絶縁層）１２が形成される（図５）。
【００２６】
次に、第１の層間膜（層間絶縁膜）１５と、走査電極の下で段差１８を形成するための第２の層間膜１９をスパッタ法で連続成膜する（図６）。第１の層間膜１５としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化膜などを用いることができる。ここでは、ＡｒとＮ２雰囲気中で反応性スパッタにより成膜したシリコン窒化膜を用い膜厚は２００ｎｍとした。この第１の層間膜１５は、陽極酸化で形成する保護絶縁層１４にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極１１と走査電極１６間の絶縁を保つ役割を果たす。第２の層間膜１９としては、第１の層間膜１５に対し例えばＦ系ガスを用いたドライエッチングで高い選択比でエッチングできる材料、例えば第１の層間膜１５がシリコン酸化物の場合はシリコン窒化物（ＳｉＮ）、例えば第１の層間膜１５がシリコン窒化物の場合はシリコン（Ｓｉ）等を用いる。ここではノンドープＳｉや、ＢやＰ等をドープしたＳｉターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中でスパッタ成膜した。厚さを２００ｎｍとした。スパッタで形成したＳｉは非常に高抵抗の半絶縁材料として用いることが可能である。
【００２７】
続いて、走査電極材料となるＡｌ膜を４．５μｍの厚さでスパッタ成膜し（図７）、ホトエッチング工程により、下部電極１１とはする走査電極１６を形成した。エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる（図８）。
【００２８】
続いて、ドライエッチを用い、第２の層間膜１９と第１の層間膜１５を保護絶縁膜１４上で選択的にエッチングし、コンタクト部１７の下地となる部分を開口する（図９）。ドライエッチは、ＣＦ４とＯ２の混合ガス、またはＳＦ6とＯ２の混合ガスにより行った。
【００２９】
続いて、走査電極１６の一部としてコンタクト部となるＡｌＮｄ膜を６００ｎｍの厚さでスパッタ成膜し（図１０）、ホトエッチング工程により、下部電極１１とは直交し、電子放出部側の端面が、第１の層間膜１５と第２の層間膜１９を開口している部分に来て、反対側の端面が走査電極１６上に来るように加工する。エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる（図１１）。
【００３０】
続いて、ドライエッチングにより第２の層間膜１９のＳｉを第１の層間膜１５のＳｉＮに対し高い選択比でエッチングし、図1で図示した範囲ｄに走査電極１６の電子放出部とは反対側の端面の下に段差部１８を形成する（図１２）。範囲ｄのみ段差部を形成するため、範囲ｄは走査電極の片側が露出するようにレジストをパターン化し、範囲ｄの外側は走査電極の両側をレジストで被覆してドライエッチを行う。これにより範囲ｄのみ、走査電極の片側のＳｉをエッチングしてアンダーカットを形成することができ、段差部１８を作成することができる。ドライエッチは、ＣＦ４とＯ２の混合ガス、またはＳＦ6とＯ２の混合ガスにより行った。これらのガスはＳｉとＳｉＮをともにエッチングするが、Ｏ２の比率を最適化することにより、Ｓｉのエッチング選択比を高めることができる。
【００３１】
続いて、ホトレジストを用い、電子放出部上の第１の層間膜１５を加工し、電子放出部を開口する。エッチングは、例えばＣＦ4やＳＦ6を主成分とするエッチング剤を用いたドライエッチングによって行うことができる（図１３）。
【００３２】
次に、図1で図示した成膜範囲ｃに上部電極１３膜の成膜を行う。この成膜法は、例えばスパッタ成膜を用いる。成膜範囲をｃに限定するには、スパッタの基板ホルダーにより基板周辺部をマスクするマスクスパッタにより行う。上部電極１３としては、例えばＩｒ、Ｐｔ、Ａｕの積層膜を用い、膜厚は例えば３ｎｍとした。（図１４）。
【００３３】
以上の工程により、走査電極１６の片側側面に上部電極１３を切断するための段差部１８を有し、走査電極１６のもう一方の側面は上部電極１３を接続するためコンタクト部１７を設けた電子源アレイを作成することができる。なお、外側の２本の走査電極については、図９、図１１、図１２の工程でレジストパターンを変えることにより、段差部１８を設けず、両側にコンタクト部１７を作成した。
【実施例２】
【００３４】
図１５は、本発明の実施例２の説明図であり、ＭＩＭ型薄膜電子源を用いた画像表示装置を例とした模式平面図である。なお、図１５では、主として電子源を有する一方の基板（電子源アレイ基板）１０の平面と枠ガラス４０、および蛍光面基板１１０の関係を示している。蛍光面基板に形成するブラックマトリクス１２０についてはその一部のみ図示している。
【００３５】
電子源アレイ基板１０には、信号線駆動回路５０に接続する信号線（データ線）を構成する下部電極１１、電子放出電極となる上部電極１３、走査線駆動回路６０に接続して信号線と直交配置された走査電極（上部電極への給電電極）１６、上部電極を接続するためのコンタクト部１７、上部電極１３を各走査電極毎に分離するための段差構造１８、その他の後述する機能膜等が形成されている。なお、電子源アレイ（電子放出部）は、下部電極１１上の走査電極１６間に配置され、絶縁層１２を介して下部電極１１に積層する上部電極１３で形成され、電子放出部を制限する厚い保護絶縁層１４で囲まれた薄層部分で形成される絶縁層（トンネル絶縁層）１２の部分から電子が放出される。
【００３６】
スペーサ３０は、電子源アレイ基板１０の走査電極１６上に配置し、蛍光面基板のブラックマトリクス１２０の下に隠れるように配置する。下部電極１１は信号線駆動回路５０へ接続し、走査電極配線である走査電極１６は走査線駆動回路６０に接続する。
【００３７】
枠ガラス４０は、図１５に示すように有限の幅を有しており、フリットガラスによって電子源アレイ基板１０と蛍光面基板（図示せず）に接着される。この際、走査電極１６方向の枠ガラスの内周間距離b、上部電極１３の成膜領域の両端間距離ｃ、走査電極の段差部の長さｄ、蛍光面基板の高電圧を印加する電極、この場合は導電性のブラックマトリクス１２０の両端間距離eとの関係が
e＜c＜d＜b
となるようにする。このうちｃ＜ｄの関係により、走査電極の段差部を用いて上部電極13を各走査電極毎に分離することが可能である。またd＜ｂの関係により、段差部１８が枠ガラス４０の内周より狭い範囲にのみ形成されることにより、段差部１８が枠ガラス４０の下に真空リーク経路が形成され、貫通するのを防止することができ、枠ガラス４０の内部の真空度を高く保つことができる。
【００３８】
一方、実施例１とは異なり、上部電極１３は枠ガラス４０内部の電子源アレイ基板表面は全て覆うことはできないので、一部絶縁膜が露出する部分が生じる。そこで、e＜cの関係により高電圧を印加する蛍光面基板１１０の電極、本実施例の場合は導電性のブラックマトリクス１２０を形成する領域を上部電極１３を成膜する領域より小さくすることにより、絶縁膜が露出する部分に高電圧面が対向しないようにすることができ、反射電子等の流入を抑制し、絶縁膜表面の帯電を低減することができる。また高電圧面が離れることで放電距離が長くなり放電が発生しにくくなる。
【００３９】
なお、各画素の製造方法は実施例１と同様に製造可能である。
【００４０】
上記の実施例１および２はＭＩＭ電子源を例に説明したが、本実施例は背景技術の欄で説明した各種の電子源でも応用可能である。
【００４１】
すなわち電子源アレイの電子放出電極を給電電極に形成した段差で分離しようとする場合は、実施例１および２の形態は、パネルの真空度維持、蛍光面に高電圧を印加する際の放電防止のため、電子源の種類を問わず有効な技術である。
【００４２】
そのうち、ＭＩＭ電子源と同様に、電子放出部に薄い電子放出電極を用いるホットエレクトロン型の電子源、例えば金属―絶縁体―半導体型のＭＯＳ型、金属―絶縁体―半導体−金属型ではＨＥＥＤ型、ＥＬ型、ポーラスシリコン型などは、上部電極が薄いため給電電極の段差部を利用して上部電極を各給電電極毎に自己整合的に分離することが容易であり、本発明が特に有効である。
【００４３】
また、表面伝導型素子や電子放出電極においても電子放出電極を給電電極の段差を用いて加工することも可能であり、その際は本実施例のような枠ガラスと段差部、電子放出電極、蛍光面電極の配置にすることが有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施例１を説明するＭＩＭ型薄膜電子源を用いた画像表示装置を例とした模式平面図である。
【図２】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図である。
【図３】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図２に続く図である。
【図４】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図３に続く図である。
【図５】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図４に続く図である。
【図６】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図５に続く図である。
【図７】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図６に続く図である。
【図８】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図７に続く図である。
【図９】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図８に続く図である。
【図１０】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図９に続く図である。
【図１１】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１０に続く図である。
【図１２】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１１に続く図である。
【図１３】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１２に続く図である。
【図１４】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１３に続く図である。
【図１５】本発明の実施例１を説明するＭＩＭ型薄膜電子源を用いた画像表示装置を例とした模式平面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０・・・電子源アレイ基板、１１・・・下部電極、１２・・・絶縁層（トンネル絶縁層）、１３・・・上部電極、１４・・・保護絶縁層、１５・・・第１の層間膜、１６・・・走査電極、１７・・・コンタクト部、１８・・・段差部、１９・・・第２の層間膜、２５・・・レジスト膜、３０・・・スペーサ、５０・・・信号線駆動回路、６０・・・走査線駆動回路、１１０・・・蛍光面基板、１２０・・・ブラックマトリクス。
【図１】
2008066091.tif 000003
【図２】
2008066091.tif 000004
【図３】
2008066091.tif 000005
【図４】
2008066091.tif 000006
【図５】
2008066091.tif 000007
【図６】
2008066091.tif 000008
【図７】
2008066091.tif 000009
【図８】
2008066091.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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