(57)【要約】【課題】水平転送レジスタの取り扱い電荷量の増加を図りつつ信号電荷の水平転送の改善をも図ることができるＣＣＤ固体撮像装置を提供する。【解決手段】撮像部と、撮像部より転送された信号電荷を転送する水平転送レジスタを備えるＣＣＤ固体撮像装置において、転送電極をＨ１ａ、Ｈ１ｂ及びＨ１ｃ（Ｈ２ａ、Ｈ２ｂ、Ｈ２ｃ）に３分割し、転送電極Ｈ１ｃ（Ｈ２ｃ）に印加する転送クロックの立ち下がりタイミングを転送電極Ｈ１ａ、Ｈ１ｂ（Ｈ２ａ、Ｈ２ｂ）に印加する転送クロックの立ち下がりタイミングよりも早くする。【選択図】図２
2008283240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を転送する電荷転送部において、
前記電荷蓄積部は、第１の領域と、該第１の領域の信号電荷の転送方向側に隣接する第２の領域とを有し、
前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも早い
ことを特徴とする電荷転送部。
【請求項２】
前記第２の領域は、第３の領域と、該第３の領域の信号電荷の転送方向側に隣接する第４の領域とを有し、不純物注入により前記第３の領域から第４の領域に向けてポテンシャル差が形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の電荷転送部。
【請求項３】
前記第２の領域は、第３の領域と、該第３の領域の信号電荷の転送方向側に隣接する第４の領域とを有し、前記第３の領域から第４の領域に向けて転送電界が形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の電荷転送部。
【請求項４】
前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち上がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち上がりタイミングと略同タイミングである
ことを特徴とする請求項１に記載の電荷転送部。
【請求項５】
撮像部と、
該撮像部より転送された信号電荷を転送する電荷転送部とを備え、
前記電荷転送部は、信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を転送する固体撮像装置において、
前記電荷蓄積部は、第１の領域と、該第１の領域の信号電荷の転送方向側に隣接する第２の領域とを有し、
前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも早い
ことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電荷転送部及び固体撮像装置に関する。詳しくは、特にＣＣＤエリアセンサの水平転送レジスタやＣＣＤリニアセンサの転送レジスタ、ＣＣＤ遅延素子の転送レジスタに用いて好適な電荷転送部及びこうした電荷転送部を利用した固体撮像装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
図６は従来のＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）固体撮像装置を説明するための模式的な平面図であり、図７（ａ）は従来のＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタ（図６中符号Ａ−Ａ'で示す領域）のポテンシャルを説明するための模式図である。
【０００３】
従来のＣＣＤ固体撮像装置は、シリコン基板内にマトリクス状に配列された複数の受光部１０１、この受光部に隣接して設けられ、受光部で取り込んだ信号電荷を読み出す読み出しゲート（図示せず）、読み出しゲートに隣接して設けられ、読み出しゲートによって読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ１０３、垂直転送レジスタにより転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ１０４及び受光部の読み出しゲートとは逆側に設けられ、混色を抑制するチャネルストップ領域（図示せず）が形成されている（例えば、特許文献１参照。）。また、水平転送レジスタは受光部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有しており、水平転送レジスタ上の転送電極に転送クロックを印加することで電荷蓄積部のポテンシャルを変化させ、電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送する様に構成されている。
【０００４】
なお、各電荷蓄積部は、電荷保持を行なうＳｔｒａｇｅ部（Ｓｔ）と電荷転送を行なうＴｒａｎｓｆｅｒ部（Ｔｒ）とを有している。
更に、信号電荷の転送改善を実現すべく、不純物イオン注入によってＴｒａｎｓｆｅｒ部にもポテンシャル差を形成している。具体的には、図７（ａ）中符号Ｔｒ１で示すＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）と、図７（ａ）中符号Ｔｒ２で示すＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）とでは、信号電荷の転送方向側に位置するＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）のポテンシャルがＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）のポテンシャルよりも深くなるように不純物イオン注入を行なっている。
【０００５】
ここで、一般に水平転送レジスタの水平転送は２相駆動、即ち、水平転送レジスタ上の転送電極（Ｈ１，Ｈ２）に転送クロック（φＨ１，φＨ２）を印加することで信号電荷が転送される構造を採っている。具体的には、図７（ａ）中符号Ｈ１で示す転送電極に図７（ｂ）中符号φＨ１で示す転送クロックを印加し、図７（ａ）中符号Ｈ２で示す転送電極に図７（ｂ）中符号φＨ２で示す転送クロックを印加し（一般にはφＨ１の振幅／φＨ２の振幅は３〜５Ｖ程度であり、φＨ１とφＨ２とは逆位相の転送クロックとなる。）、水平転送レジスタのポテンシャルを上下させることで、出力方向（図７（ａ）の場合には右方向から左方向）に信号電荷が転送されることとなる。
【０００６】
ところで、水平転送レジスタの取り扱い電荷量は電荷蓄積部の中のポテンシャルが最も浅い領域のポテンシャルで決定される。
具体的には、図８（ａ）で示す様に、各電荷蓄積部に蓄積することができる信号電荷量は、φＨ１とφＨ２が共にミドルレベル（以下、「Ｍレベル」と称する。）となった際に各電荷蓄積部に蓄積することができる信号電荷量（図８（ａ）中符号ａで示す信号電荷量）であるために、各電荷蓄積部に蓄積することができる信号電荷量はＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）のポテンシャル（電荷蓄積部の中のポテンシャルが最も浅い領域のポテンシャル）によって決定されることとなる。従って、水平転送レジスタの取り扱い電荷量についても、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（２）のポテンシャル（電荷蓄積部の中のポテンシャルが最も浅い領域のポテンシャル）によって決定されることとなるのである。
従って、水平転送レジスタの取り扱い電荷量を増加させるためには、電荷蓄積部の中のポテンシャルが最も浅い領域のポテンシャルを浅くすることが必要となる。即ち、電荷蓄積部のポテンシャルが最も浅い領域であるＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）のポテンシャルを浅くすることで水平転送レジスタの取り扱い電荷量を増加することができる。
【０００７】
一方、Ｈ１電極下領域（φＨ１が印加される領域）からＨ２電極下領域（φＨ２が印加される領域）への信号電荷の転送の改善及びＨ２電極下領域からＨ１電極下領域への信号電荷の転送の改善を目的として、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（２）のポテンシャルを深くすると、Ｈ１電極下領域からＨ２電極下領域への信号電荷の転送及びＨ２電極下領域からＨ１電極下領域への信号電荷の転送は改善されるものの、電荷蓄積部の取り扱い電荷量の減少を招いてしまう。具体的には、図８（ｂ）で示す様に、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（２）のポテンシャルを深くすると、Ｈ１電極下領域からＨ２電極下領域への転送電界（図８（ｂ）中符合ｂで示す転送電界）が大きくなるものの、電荷蓄積部の取り扱い電荷量（図８（ｂ）中符合ｃで示す信号電荷量）が減少してしまう。
【０００８】
なお、Ｈ１電極下での転送やＨ２電極下での転送よりもＨ１電極下からＨ２電極下への転送やＨ２電極下からＨ１電極下への転送の方が水平転送レジスタ全体における信号電荷の転送に与える影響が大きいことが知られている。
具体的には、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（２）とＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）とのポテンシャル差やＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）とＳｔｒａｇｅ部とのポテンシャル差（図８（ｂ）中符合ｄで示すポテンシャル差や図８（ｂ）中符合ｅで示すポテンシャル差）よりも、Ｓｔｒａｇｅ部とＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）とのポテンシャル差（図８（ｂ）中符合ｂで示すポテンシャル差）の方が信号電荷全体に及ぼす影響が大きいことが知られているのである。
【０００９】
ここで、電荷蓄積部の取り扱い電荷量が減少すると、高輝度の被写体を撮影した場合に、受光部にて光電変換された信号電荷の全てを各電荷蓄積部に蓄積することができずに、信号電荷の一部が隣接する電荷蓄積部に漏れ込むことがある。そして、信号電荷の一部が隣接する電荷蓄積部に漏れ込んだ場合には、結果として混色を招くことになってしまう。
【００１０】
また、Ｈ１電極下領域からＨ２電極下領域へのポテンシャル差やＨ２電極下領域からＨ１電極下領域へのポテンシャル差が小さくなると、信号電荷が完全には転送されずに、信号電荷の一部が取り残されて、直後に転送されてくる信号電荷と一緒に転送されてしまうことがある。そして、信号電荷の一部が直後に転送されてくる信号電荷と一緒に転送された場合には、結果として混色を招くことになってしまう。
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−１４４９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記した様に、水平転送レジスタの取り扱い電荷量と信号電荷の転送改善とはトレードオフの関係にあり、両者の両立は非常に困難であるものの、水平転送レジスタの取り扱い電荷量の増加を図りつつも信号電荷の転送改善を行なうことが強く望まれていた。
【００１３】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、転送レジスタの取り扱い電荷量の増加を図りつつ信号電荷の転送改善をも図ることができる電荷転送部及び固体撮像装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明に係る電荷転送部では、信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を転送する電荷転送部において、前記電荷蓄積部は、第１の領域と、該第１の領域の信号電荷の転送方向側に隣接する第２の領域とを有し、前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも早い。
【００１５】
ここで、第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングが、第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも早いために、信号電荷の転送に悪影響を及ぼすことなく取り扱い電荷量を増大することができる。
【００１６】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置では、撮像部と、該撮像部より転送された信号電荷を転送する電荷転送部とを備え、前記電荷転送部は、信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を転送する固体撮像装置において、前記電荷蓄積部は、第１の領域と、該第１の領域の信号電荷の転送方向側に隣接する第２の領域とを有し、前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも早い。
【００１７】
ここで、第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングが、第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも早いために、信号電荷の転送に悪影響を及ぼすことなく電荷転送部の取り扱い電荷量を増大することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明を適用した電荷転送部及び固体撮像装置では、トレードオフの関係にあるとされていた信号電荷の転送と取り扱い電荷量の増大の双方を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（１）を説明するための模式的な平面図であり、図２は本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置（１）の水平転送レジスタを説明するための模式図である。
【００２０】
ここで示すＣＣＤ固体撮像装置は、上記した従来のＣＣＤ固体撮像装置と同様に、シリコン基板内に、マトリクス状に配列された受光部１、この受光部に隣接して設けられ、受光部で取り込んだ信号電荷を読み出す読み出しゲート（図示せず）、読み出しゲートに隣接して設けられ、読み出しゲートによって読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ３、垂直転送レジスタにより転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ４及び受光部の読み出しゲートとは逆側に設けられ、混色を抑制するチャネルストップ領域（図示せず）が形成されている。また、水平転送レジスタは受光部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有しており、水平転送レジスタ上の転送電極に転送クロックを印加することで電荷蓄積部のポテンシャルを変化させ、電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送する様に構成されている。
【００２１】
ここで、水平転送レジスタの各電荷蓄積部は、図２中符合Ｔｒで示すＴｒａｎｓｆｅｒ部と図２中符合Ｓｔで示すＳｔｒａｇｅ部とに分けられ、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部は更に図２中符合Ｔｒ１で示すＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）と図２中符合Ｔｒ２で示すＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）とに分けられており、Ｓｔｒａｇｅ部上の転送電極（Ｈ１ａ，Ｈ２ａ）、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（１）上の転送電極（Ｈ１ｂ，Ｈ２ｂ）及びＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）上の転送電極（Ｈ１ｃ，Ｈ２ｃ）に対して、バイアス回路５で発生するＤＣバイアスを個別に印加することでＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）からＳｔｒａｇｅ部に向けて転送電界が形成される様に構成されている。
【００２２】
具体的には、バイアス回路で、（図２中符合５ａで示す回路で発生するＤＣバイアス値）＝（図２中符合５ｄで示す回路で発生するＤＣバイアス値）＞（図２中符合５ｂで示す回路で発生するＤＣバイアス値）＝（図２中符合５ｅで示す回路で発生するＤＣバイアス値）＞（図２中符合５ｃで示す回路で発生するＤＣバイアス値）＝（図２中符合５ｅで示す回路で発生するＤＣバイアス値）であるＤＣバイアスを発生させ、図２中符合５ａで示す回路で発生するＤＣバイアスを図２中符合Ｈ１ａで示す転送電極に印加し、図２中符合５ｂで示す回路で発生するＤＣバイアスを図２中符合Ｈ１ｂで示す転送電極に印加し、図２中符合５ｃで示す回路で発生するＤＣバイアスを図２中符合Ｈ１ｃで示す転送電極に印加すると共に、図２中符合５ｄで示す回路で発生するＤＣバイアスを図２中符合Ｈ２ａで示す転送電極に印加し、図２中符合５ｅで示す回路で発生するＤＣバイアスを図２中符合Ｈ２ｂで示す転送電極に印加し、図２中符合５ｆで示す回路で発生するＤＣバイアスを図２中符合Ｈ２ｃで示す転送電極に印加することによってＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）からＳｔｒａｇｅ部に向けて転送電界が形成される様に構成されている。
【００２３】
なお、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（２）が第１の領域の一例であり、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（１）及びＳｔｒａｇｅ部が第２の領域の一例である。更に、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（１）が第３の領域の一例であり、Ｓｔｒａｇｅ部が第４の領域の一例である。
【００２４】
また、図２中符合Ｈ１ａで示す転送電極に図３中符合φＨ１αで示す転送クロックをコンデンサＣを介して印加し、図２中符合Ｈ１ｂで示す転送電極及び図２中符合Ｈ１ｃで示す転送電極に図３中符合φＨ１βで示す転送クロックをコンデンサＣを介して印加すると共に、図２中符合Ｈ２ａで示す転送電極に図３中符合φＨ２αで示す転送クロックをコンデンサＣを介して印加し、図２中符合Ｈ２ｂで示す転送電極及び図２中符合Ｈ２ｃで示す転送電極に図３中符合φＨ２βで示す転送クロックをコンデンサＣを介して印加する様に構成されている。
【００２５】
従って、図２中符合Ｈ１ａで示す転送電極には図２中符合５ａで示す回路で発生するＤＣバイアスが印加されると共に図３中符合φＨ１αで示す転送クロックがコンデンサを介して印加され、図２中符合Ｈ１ｂで示す転送電極には図２中符合５ｂで示す回路で発生するＤＣバイアスが印加されると共に図３中符合φＨ１βで示す転送クロックがコンデンサを介して印加され、図２中符合Ｈ１ｃで示す転送電極には図２中符合５ｃで示す回路で発生するＤＣバイアスが印加されると共に図３中符合φＨ１βで示す転送クロックがコンデンサを介して印加される。また、図２中符合Ｈ２ａで示す転送電極には図２中符合５ｄで示す回路で発生するＤＣバイアスが印加されると共に図３中符合φＨ２αで示す転送クロックがコンデンサを介して印加され、図２中符合Ｈ２ｂで示す転送電極には図２中符合５ｅで示す回路で発生するＤＣバイアスが印加されると共に図３中符合φＨ２βで示す転送クロックがコンデンサを介して印加され、図２中符合Ｈ２ｃで示す転送電極には図２中符合５ｆで示す回路で発生するＤＣバイアスが印加されると共に図３中符合φＨ２βで示す転送クロックがコンデンサを介して印加される。
【００２６】
以下、上記の様に構成されたＣＣＤ固体撮像装置の駆動について説明を行なう。
なお、上記の様に構成されたＣＣＤ固体撮像装置における水平転送の各転送クロックのタイミングチャートは図３に示す通りであり、転送クロックφＨ１βは転送クロックφＨ１αと同タイミングで立ち上がり、転送クロックφＨ１βは転送クロックφＨ１αよりも立ち下がりタイミングが早い。また、転送クロックφＨ２βは転送クロックφＨ２αと同タイミングで立ち上がり、転送クロックφＨ２βは転送クロックφＨ２αよりも立ち下がりタイミングが早い。なお、φＨ１αとφＨ２αとは従来のＣＣＤ固体撮像装置に印加しているφＨ１とφＨ２と同一の転送クロックであり、φＨ１αとφＨ２αとは逆位相の転送クロックである。
【００２７】
さて、図３中符合ｔ１で示すタイミングでは、φＨ１α及びφＨ１βがＨレベル、φＨ２α及びφＨ２βがＬレベルであり、Ｈ１ａ電極下、Ｈ１ｂ電極下及びＨ１ｃ電極下に信号電荷が蓄積されることとなる（図４Ａ（ａ）参照。）。なお、この時点では上述の従来のＣＣＤ固体撮像装置と特に異なる点は無い。
【００２８】
次に、図３中符合ｔ２で示すタイミングで、φＨ１βをＬレベルとすることによって、Ｈ１ｃ電極下のポテンシャルを浅くする（図４Ａ（ｂ）参照。）。ここで、φＨ１βをφＨ１αに先立ってＬレベルとするのは、Ｈ１電極（Ｈ１ａ，Ｈ１ｂ，Ｈ１ｃ）によって転送クロックが印加される電荷蓄積部の取り扱い電荷量を増加させるためである。
【００２９】
続いて、図３中符合ｔ３で示すタイミングでφＨ１αとφＨ２αがＭレベルとなり、このタイミングでの取り扱い電荷量が最小となるのであるが、図３中符合ｔ２で示すタイミングでＨ１ｃ電極下のポテンシャルを浅くしているために、信号電荷が転送方向と反対方向に溢れることはなく、隣り合う画素と信号電荷が混ざることは無い。なお、取り扱い電荷量の増加に伴って信号電荷の転送方向に信号電荷が溢れることは考えられるが、信号電荷の転送方向に信号電荷が溢れたとしても隣り合う画素と信号電荷が混ざることはない（図４Ｂ（ｃ）参照。）。
【００３０】
その後、図３中符合ｔ４で示すタイミングでφＨ１α及びφＨ１βがＬレベル、φＨ２α及びφＨ２βがＬレベルとなることによって、Ｈ１電極（Ｈ１ａ，Ｈ１ｂ，Ｈ１ｃ）で転送クロックが印加される電荷蓄積部からＨ２電極（Ｈ２ａ，Ｈ２ｂ，Ｈ２ｃ）で転送クロックが印加される電荷蓄積部への信号電荷の転送が完了する（図４Ｂ（ｄ）参照。）。
【００３１】
以後、上記と同様の駆動を繰り返すことによって水平転送が実現する。
【００３２】
図５（ａ）は本発明を適用した固体撮像装置の他の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（２）の水平転送レジスタを説明するための模式図である。なお、本発明を適用した固体撮像装置の他の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（２）は水平転送レジスタ以外の構造は上述した本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（１）と同様である。即ち、図１と同様の構造を採っている。
【００３３】
ここで示すＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタの各電荷蓄積部は、図５（ａ）中符合Ｔｒで示すＴｒａｎｓｆｅｒ部と図５（ａ）中符号Ｓｔで示すＳｔｒａｇｅ部とに分けられており、不純物イオン注入によってＳｔｒａｇｅ部のポテンシャルがＴｒａｎｓｆｅｒ部のポテンシャルよりも深くなる様なポテンシャル差が形成されている。
更に、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部は図５（ａ）中符合Ｔｒ１で示すＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）と図５（ａ）中符合Ｔｒ２で示すＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）とに分けられており、不純物イオン注入によってＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）のポテンシャルがＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）のポテンシャルよりも深くなる様なポテンシャル差が形成されている。
【００３４】
また、図５（ａ）中符合Ｈ１ａで示す転送電極に図３中符合φＨ１αで示す転送クロックを印加し、図５（ａ）中符合Ｈ１ｂで示す転送電極に図３中符合φＨ１βで示す転送クロックを印加すると共に、図５（ａ）中符合Ｈ２ａで示す転送電極に図３中符合φＨ２αで示す転送クロックを印加し、図５（ａ）中符号Ｈ２ｂで示す転送電極に図３中符合φＨ２βで示す転送クロックを印加する様に構成されている。
【００３５】
上記の様に構成されたＣＣＤ固体撮像装置についても、上述の本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（１）と同様に駆動して信号電荷の水平転送を行なうこととなる。
【００３６】
図５（ｂ）は本発明を適用した固体撮像装置の更に他の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（３）の水平転送レジスタを説明するための模式図である。なお、本発明を適用した固体撮像装置の更に他の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（３）は水平転送レジスタ以外の構造は上述した本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（１）及び本発明を適用した固体撮像装置の他の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（２）と同様である。即ち、図１と同様の構造を採っている。
【００３７】
ここで示すＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタの各電荷蓄積部は、図５（ｂ）中符合Ｔｒで示すＴｒａｎｓｆｅｒ部と図５（ｂ）中符号Ｓｔで示すＳｔｒａｇｅ部とに分けられており、不純物イオン注入によってＳｔｒａｇｅ部のポテンシャルがＴｒａｎｓｆｅｒ部のポテンシャルよりも深くなる様なポテンシャル差が形成されている。
更に、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部は図５（ｂ）中符合Ｔｒ１で示すＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）、図５（ｂ）中符合Ｔｒ２で示すＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）及び図５（ｂ）中符合Ｔｒ３で示すＴｒａｎｓｆｅｒ部（３）とに分けられており、不純物イオン注入によってＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（２）、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（３）の順にそのポテンシャルが浅くなる様に形成されている。
【００３８】
また、図５（ｂ）中符合Ｈ１ａで示す転送電極に図３中符合φＨ１αで示す転送クロックを印加し、図５（ｂ）中符合Ｈ１ｂで示す転送電極に図３中符合φＨ１βで示す転送クロックを印加すると共に、図５（ｂ）中符合Ｈ２ａで示す転送電極に図３中符合φＨ２αで示す転送クロックを印加し、図５（ｂ）中符合Ｈ２ｂで示す転送電極に図３中符合φＨ２βで示す転送クロックを印加する様に構成されている。
【００３９】
上記の様に構成されたＣＣＤ固体撮像装置についても、上述の本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（１）や本発明を適用した固体撮像装置の他の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（２）と同様に駆動して信号電荷の水平転送を行なうこととなる。
【００４０】
上記した本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置（１）及びＣＣＤ固体撮像装置（２）ではＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）がＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）やＳｔｒａｇｅ部とは個別に駆動することができるために、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（２）に印加する転送クロックの立ち下がりタイミングをＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）やＳｔｒａｇｅ部に印加する転送クロックの立ち下がりタイミングよりも早くすることによって、水平転送レジスタの取り扱い電荷量の増加を図ると共に水平転送レジスタにおける信号電荷の転送改善を実現することができる。
【００４１】
同様に、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置（３）ではＴｒａｎｓｆｅｒ部（３）がＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）やＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）やＳｔａｒａｇｅ部とは個別に駆動することができるために、Ｔｒａｎｓｆｅｒ部（３）に印加する転送クロックの立ち下がりタイミングをＴｒａｎｓｆｅｒ部（１）やＴｒａｎｓｆｅｒ部（２）やＳｔｒａｇｅ部に印加する転送クロックの立ち下がりタイミングより早くすることによって、水平転送レジスタの取り扱い電荷量の増加を図ると共に水平転送レジスタにおける信号電荷の転送改善を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（１）を説明するための模式的な平面図である。
【図２】本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置（１）の水平転送レジスタを説明するための模式図である。
【図３】各転送クロックを説明するための図である。
【図４Ａ】信号電荷の水平転送を説明するための模式図（１）である。
【図４Ｂ】信号電荷の水平転送を説明するための模式図（２）である。
【図５】本発明を適用した固体撮像装置の他の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（２）や本発明を適用した固体撮像装置の更に他の一例であるＣＣＤ固体撮像装置（３）の水平転送レジスタを説明するための模式図である。
【図６】従来のＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式的な平面図である。
【図７】従来のＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタのポテンシャルを説明するための模式図及び各転送クロックを説明するための図である。
【図８】電荷転送部の取り扱い電荷量及び信号電荷の転送を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００４３】
１    受光部
３    垂直転送レジスタ
４    水平転送レジスタ
５    バイアス回路
【図１】
2008283240.tif 000003
【図２】
2008283240.tif 000004
【図３】
2008283240.tif 000005
【図４Ａ】
2008283240.tif 000006
【図４Ｂ】
2008283240.tif 000007
【図５】
2008283240.tif 000008
【図６】
2008283240.tif 000009
【図７】
2008283240.tif 000010
【図８】
2008283240.tif 000011