(57)【要約】【課題】複数の空間光変調素子によって描画対象物の面上に光を照射することで描画対象物の面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置において、描画対象物の面上に解像不良が生じない描画方法およびコンピュータプログラムを実現する。【解決手段】描画対象物Ｐの相対移動方向に沿って規定された照射領域ごとに割り当てられて設置された複数の空間光変調素子Ｄ１、Ｄ２およびＤ３によって描画対象物の面上に光を照射することで描画対象物の面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置において、空間光変調素子による各照射領域の境界Ｔ１およびＴ２付近に位置することになる描画対象物Ｐの面上における所定の領域については、当該所定の領域がこの照射領域の中心Ｒ１、Ｒ２もしくはＲ３付近に位置するよう相対移動方向に直交する方向に描画対象物Ｐをずらした後、当該照射領域に対応する空間光変調素子Ｄ１、Ｄ２もしくはＤ３により光を照射する。【選択図】図３
2008003163.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画対象物の相対移動方向に沿って規定された照射領域ごとに割り当てられて設置された複数の空間光変調素子によって該描画対象物の面上に光を照射することで、前記面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法であって、
前記描画対象物の面上において前記相対移動方向に直交する方向に並んで存在する複数の所定の領域が、前記照射領域の中心付近にある安定照射領域内に最も多く位置するように決定した前記相対移動方向に直交する方向についての前記描画対象物の設置可能範囲内に、前記安定照射領域内に位置する前記所定の領域に光を照射する際における前記相対移動方向に直交する方向についての前記描画対象物の設置位置を画定する画定ステップを備えることを特徴とする描画方法。
【請求項２】
前記所定の領域が前記安定照射領域内に位置することができる、前記相対移動方向に直交する方向についての前記描画対象物の暫定設置範囲を、当該所定の領域の前記相対移動方向に直交する方向に隣接する他の前記所定の領域について先に算出された前記暫定設置範囲に収まる範囲内で算出する算出処理を、前記相対移動方向に直交する方向の一方から各前記所定の領域について順次実行していく算出ステップであって、先に算出された前記暫定設置範囲内に前記描画対象物を仮に設置した場合において前記安定照射領域内に位置することができない前記所定の領域については、次に算出すべき前記暫定設置範囲についての算出処理から除外する算出ステップと、
前記描画対象物の面上において前記相対移動方向に直交する方向に並ぶ一連の前記所定の領域の全てについて前記算出ステップを実行することにより算出された最終的な前記暫定設置範囲を、前記描画対象物についての前記設置可能範囲として決定する決定ステップと、
をさらに備える請求項１に記載の描画方法。
【請求項３】
前記画定ステップにおいて画定した前記設置位置に前記描画対象物を設置したときに前記安定照射領域内に位置しない前記所定の領域については、前記相対移動方向に直交する方向に前記描画対象物をずらした上で前記画定ステップを再度実行し、当該所定の領域に光を照射する際の前記描画対象物についての新たなる前記設置位置を画定する請求項１または２に記載の描画方法。
【請求項４】
前記所定の領域は、前記描画対象物の前記面上に面付けされる各個片内に存在する領域であって、同一個片内の当該所定の領域以外の領域に比べて高密度に描画パターンを形成すべき領域である請求項１に記載の描画方法。
【請求項５】
各前記所定の領域は、前記描画対象物の面上において、前記相対移動方向に直交する方向に略一定の間隔で並ぶ請求項１に記載の描画方法。
【請求項６】
前記安定照射領域は、高密度の描画パターンを形成することができる光が前記空間光変調素子から安定的に照射される領域である請求項１に記載の描画方法。
【請求項７】
描画対象物の相対移動方向に沿って規定された照射領域ごとに割り当てられて設置された複数の空間光変調素子によって該描画対象物の面上に光を照射することで、前記面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置における描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムであって、
前記描画対象物の面上において前記相対移動方向に直交する方向に並んで存在する複数の所定の領域が、前記照射領域の中心付近にある安定照射領域内に最も多く位置するように決定した前記相対移動方向に直交する方向についての前記描画対象物の設置可能範囲内に、前記安定照射領域内に位置する前記所定の領域に光を照射する際における前記相対移動方向に直交する方向についての前記描画対象物の設置位置を画定する画定ステップを備えることを特徴とする描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項８】
前記所定の領域が前記安定照射領域内に位置することができる、前記相対移動方向に直交する方向についての前記描画対象物の暫定設置範囲を、当該所定の領域の前記相対移動方向に直交する方向に隣接する他の前記所定の領域について先に算出された前記暫定設置範囲に収まる範囲内で算出する算出処理を、前記相対移動方向に直交する方向の一方から各前記所定の領域について順次実行していく算出ステップであって、先に算出された前記暫定設置範囲内に前記描画対象物を仮に設置した場合において前記安定照射領域内に位置することができない前記所定の領域については、次に算出すべき前記暫定設置範囲についての算出処理から除外する算出ステップと、
前記描画対象物の面上において前記相対移動方向に直交する方向に並ぶ一連の前記所定の領域の全てについて前記算出ステップを実行することにより算出された最終的な前記暫定設置範囲を、前記描画対象物についての前記設置可能範囲として決定する決定ステップと、
をさらに備える請求項７に記載の描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項９】
前記画定ステップにおいて画定した前記設置位置に前記描画対象物を設置したときに前記安定照射領域内に位置しない前記所定の領域については、前記相対移動方向に直交する方向に前記描画対象物をずらした上で前記画定ステップを再度実行し、当該所定の領域に光を照射する際の前記描画対象物についての新たなる前記設置位置を画定する請求項７または８に記載の描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１０】
前記所定の領域は、前記描画対象物の前記面上に面付けされる各個片内に存在する領域であって、同一個片内の当該所定の領域以外の領域に比べて高密度に描画パターンを形成すべき領域である請求項７に記載の描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１１】
各前記所定の領域は、前記描画対象物の面上において、前記相対移動方向に直交する方向に略一定の間隔で並ぶ請求項７に記載の描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１２】
前記安定照射領域は、高密度の描画パターンを形成することができる光が前記空間光変調素子から安定的に照射される領域である請求項７に記載の描画処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画対象物の相対移動方向に沿って規定された照射領域ごとに割り当てられて設置された複数の空間光変調素子によって描画対象物の面上に光を照射することで、描画対象物の面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置における描画方法およびそのコンピュータプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ディジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）などの空間光変調素子を用いて露光する直接描画装置すなわちマスクレス露光装置においては、描画対象面積が大きい描画対象基板（描画対象物）を連続的に露光するために、描画対象基板を一定の搬送速度で描画装置に対して一方向に相対移動させるとともに、この相対移動に合わせて空間変調素子から出力される描画パターンを変化させることで露光処理を行い、描画対象基板の面上に描画パターンを形成する（例えば、特許文献１参照）。この場合の直接描画装置は、描画対象基板の相対移動方向（搬送方向）と直交する方向については１つの空間光変調素子が一度に描画可能な領域は限られているので、当該方向についても満遍なく描画できるよう、複数の空間光変調素子が描画対象基板の搬送方向と直交する方向に配列される。
【０００３】
ディジタルマイクロミラーデバイスを用いたマスクレス露光装置においては、描画対象基板の面上に形成したレジストを直接露光するにあたり、露光すべきパターンに対応したパターンデータを作成し、このパターンデータをディジタルマイクロミラーデバイスに入力し、ディジタルマイクロミラーデバイス中の複数の各マイクロミラーをパターンデータに応じて傾動させることにより、ディジタルマイクロミラーデバイスに光を投射して得られる各マイクロミラーからの反射光の向きを適宜変えて、描画対象基板上のレジストに照射してパターンデータに対応した露光パターンを形成する（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
ディジタルマイクロミラーデバイス中のマイクロミラーは、各行の並びの方向と各列の並びの方向とが直交するように２次元配列されている（例えば、特許文献３参照）。描画ヘッドに搭載されたディジタルマイクロミラーデバイスのマイクロミラーの列（もしくは行）を、描画対象基板の相対移動方向（すなわち描画対象基板が載るステージの走査方向）に対して所定の角度で傾斜させることにより、ディジタルマイクロミラーデバイス中のマイクロミラー間のピッチより細かい分解能で露光を行うことができる。この場合、ディジタルマイクロミラーデバイスのマイクロミラーの上記傾斜の角を適切に選択し、描画対象基板の面上におけるある１点を、同一走査線上において略一定間隔離れて位置する複数のマイクロミラーによって多重露光するようにする。このような複数のマイクロミラーによる多重露光により、ディジタルマイクロミラーデバイス中の照度のバラツキ、および、異なるディジタルマイクロミラーデバイス間の照度のバラツキが抑制される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３００８０５号公報
【特許文献２】特開平１０−１１２５７９号公報
【特許文献３】特開２００４−９５９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
直接描画装置においては、ディジタルマイクロミラーデバイスと共に描画ヘッドに装着される光学系のレンズ収差やレンズ組付け誤差などの影響から、ディジタルマイクロミラーデバイスによって形成される像に歪が発生し、多重露光の際にスポットの位置ずれが生じる。
【０００７】
図１８は、ディジタルマイクロミラーデバイスを用いた直接描画装置において生じ得る、マイクロミラーによる多重露光の際のスポットの位置ずれを例示する模式図である。図中、白丸印は、各マイクロミラーによる描画対象基板上における照射スポットをそれぞれ表す。直接描画装置中の描画ヘッドに装着された光学系のレンズ収差やレンズ組付け誤差などがない理想的な場合では、図１８（ａ）に例示するように、描画対象基板面上に結像する像に歪みは生じず、同一の走査線Ｌ上には、マイクロミラーによる照射スポットが一定間隔で現れる。しかしながら実際には、上述のように光学系にはレンズ収差やレンズ組付け誤差などがあるので、図１８（ｂ）〜（ｄ）に例示するように、描画対象基板面上に結像する像に歪みが生じ、マイクロミラーによる照射スポットに位置ずれが生じる。このようなマイクロミラーによる照射スポットの位置ずれにより、同一の走査線Ｌ上に現れるマイクロミラーによる照射スポットの間隔は、不均一になる。光学系は描画ヘッドごとに個別に装着されるので、マイクロミラーによる照射スポットの位置ずれ具合は、描画ヘッドごとすなわちディジタルマイクロミラーデバイスごとに異なったものとなる。したがって、複数のマイクロミラーによる多重露光で得られるある照射スポットにおける露光量（すなわち光の照射積算量）は、図１８（ｂ）〜（ｄ）に例示するように、ディジタルマイクロミラーデバイスごとに異なったものになる。
【０００８】
図１９は、直接描画装置中のディジタルマイクロミラーデバイスによる光の照度分布を例示する図である。図示の例では、３個のディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３が、描画対象基板の相対移動方向（図中、太い矢印で示す。）とほぼ直交する方向に配列される。図中、白丸印および黒丸印は、ディジタルマイクロミラーデバイス中に２次元配列されたマイクロミラーをそれぞれ表す。各ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３は、２次元配列されているマイクロミラーの列（もしくは行）が、描画対象基板の相対移動方向に対して所定の角度で傾斜するように、直接描画装置中の各描画ヘッドにそれぞれ装着されている。
【０００９】
図１９の黒丸印は、各ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３のマイクロミラーの配列面のつなぎ目部分（以下、「スティッチ部」と称する。）付近に位置するマイクロミラーを表す。図１８を参照して説明した光学系のレンズ収差やレンズ組付け誤差などの影響により、ディジタルマイクロミラーデバイスのスティッチ部における光の照度は、ディジタルマイクロミラーデバイスの中央付近に比べて減少する。このような光の照度分布の不均一性により、描画対象基板上に露光ムラが生じてしまう。
【００１０】
図２０は、ディジタルマイクロミラーデバイスを用いた直接描画装置の露光ムラと解像不良との関係を説明する図である。図示の例では、３個のディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３が、描画対象基板Ｐの相対移動方向（図中、太い矢印で示す。）とほぼ直交する方向に配列される。図中、白丸印および黒丸印は、ディジタルマイクロミラーデバイス中に２次元配列されたマイクロミラーをそれぞれ表し、特に黒丸印は、各ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３のスティッチ部付近に存在するマイクロミラーを表す。
【００１１】
ここでは一例として、描画対象基板Ｐには半導体パッケージとなる個片Ｑ１〜Ｑ８が面付けされ、各個片ごとに配線パターンが形成される場合を考える。また、各個片Ｑ１〜Ｑ８には、特に高密度な配線パターンが形成される領域（図中、一点鎖線で表す。）が存在するものとする。以下、特に高密度な配線パターンが形成される領域を、「微細パターン領域」と称する。
【００１２】
図示の位置関係でディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３が、これらディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３に対して相対移動する描画対象基板Ｐを露光していくと、ディジタルマイクロミラーデバイスの中央付近に位置する各マイクロミラーは、描画対象基板Ｐ上の領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３を露光し、一方、ディジタルマイクロミラーデバイスのスティッチ部付近に位置する各マイクロミラーは、領域Ｔ１およびＴ２を露光する。露光ムラが生じるディジタルマイクロミラーデバイスのスティッチ部付近に位置する各マイクロミラーにより、微細パターン領域（図中、網掛けで囲まれた領域で表す。）（領域Ｔ１およびＴ２）を露光すると、当該領域に解像不良が発生してしまう。
【００１３】
このような解像不良の原因となる露光ムラを解消するには、高精度の光学系を用いたり、描画ヘッド間の取り付け位置を高精度に微調整することが考えられるが、直接描画装置の組立て作業や調整作業に時間と手間がかかり、またコストもかかる。
【００１４】
従って本発明の目的は、上記問題に鑑み、描画対象物の相対移動方向に直交する方向に設置された複数の空間光変調素子によって描画対象物の面上に光を照射することで、描画対象物の面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置において、描画対象物の面上に解像不良が生じない描画方法およびそのコンピュータプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を実現するために、本発明によれば、描画対象物の相対移動方向に沿って規定された照射領域ごとに割り当てられて設置された複数の空間光変調素子によって描画対象物の面上に光を照射することで、描画対象物の面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置において、描画対象物の面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する複数の所定の領域が、空間光変調素子による照射領域の中心付近にある安定照射領域内に最も多く位置することになるときの、相対移動方向に直交する方向についての描画対象物の位置を、安定照射領域内に位置する上記所定の領域に光を照射する際における相対移動方向に直交する方向についての描画対象物の設置位置として画定する。すなわち、本発明によれば、空間光変調素子による各照射領域の境界付近に位置することになる描画対象物の面上における所定の領域については、当該所定の領域がこの照射領域の中心付近に位置するよう相対移動方向に直交する方向に描画対象物をずらした後、当該照射領域に対応する空間光変調素子により光を照射する。
【００１６】
上記描画対象物の設置位置を画定する処理は、例えばコンピュータ等の演算処理装置が実行することができるコンピュータプログラムとして実現できる。以上の処理を実施する装置や、以上の処理をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムを作成することは、以下の説明を理解した当業者には容易に実施できる事項である。また、以上の処理をコンピュータにより実行させるコンピュータプログラムを記録媒体に格納するという事項も当業者には自明である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、描画対象物の相対移動方向に直交する方向に設置された複数の空間光変調素子によって描画対象物の面上に光を照射することで、描画対象物の面上に所望の描画パターンを形成する直接描画装置において、描画対象物の面上に解像不良が生じることのない描画処理を低コストで実現することができる。
【００１８】
本発明によれば、描画ヘッドに装着される光学系を高精度に設計する必要はなく、直接露光装置の組立作業や調整作業の手間、時間およびコストを低減することができる。また、既存の直接描画装置においても本発明を適用することができ、例えば、直接描画装置を制御するコンピュータプログラムに本発明による描画方法を実現するコンピュータプログラムを組み込むだけで、描画対象物の面上における解像不良の発生を容易に防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１および２は、本発明の実施例による直接描画装置における描画方法の動作原理を説明する図である。本実施例では、３個のディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３が、描画対象基板Ｐの相対移動方向（図中、太い矢印で示す。）とほぼ直交する方向に配列される。図中、白丸印および黒丸印は、ディジタルマイクロミラーデバイス中に２次元配列されたマイクロミラーをそれぞれ表し、特に黒丸印は、各ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３のスティッチ部付近に存在するマイクロミラーを表す。ここでは、一例として描画対象基板Ｐには半導体パッケージとなる個片Ｑ１〜Ｑ８が面付けされ、各個片ごとに配線パターンが形成される場合を考える。また、各個片Ｑ１〜Ｑ８には、特に高密度な配線パターンであって露光ムラが解像に影響するほどの配線パターンが形成される微細パターン領域（図中、一点鎖線で表す。）が存在するものとする。なお、ディジタルマイクロミラーデバイスの個数、および描画対象基板に面付けされる個片の個数は本発明を限定するものではなく、図示された個数以外のその他の個数であってもよい。
【００２０】
ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３による照射領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３の中心付近にある安定照射領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３と、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３のスティッチ部に存在するマイクロミラーによる露光ムラが生じ得る領域Ｔ１およびＴ２とに分けられる。
【００２１】
描画対象基板Ｐの面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する各個片Ｑ１、Ｑ３、Ｑ５およびＱ７について、各Ｑ１、Ｑ３、Ｑ５およびＱ７内にそれぞれ存在する微細パターン領域が、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３による安定照射領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３内に最も多く位置する状態が、図１に例示されている。図示のように、個片Ｑ１内の微細パターン領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１による安定照射領域Ｒ１内に位置し、個片Ｑ７内の微細パターン領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ３による安定照射領域Ｒ３内に位置する。このときの相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの位置を、安定照射領域Ｒ１およびＲ３内に位置する個片Ｑ１およびＱ７内の微細パターン領域に光を照射する際における、相対移動方向に直交する方向についての描画対象物の設置位置として画定する。本実施例では、個片Ｑ１およびＱ７については、図１に示されるような位置関係の下でディジタルマイクロミラーデバイスＤ１およびＤ３を用いて光を照射し、露光する。同様に、個片Ｑ１およびＱ７に対して描画対象基板の相対移動方向に位置する個片Ｑ２およびＱ８についても、図１に示される位置関係の下で、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１およびＤ３を用いて光を照射し、露光する。
【００２２】
一方、個片Ｑ３内の微細パターン領域は、図１に示される位置関係の下では、いずれの安定照射領域内にも位置しておらず、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１およびＤ２間のスティッチ部にあるマイクロミラーにより照射される領域Ｔ１に位置している。また、個片Ｑ５内の微細パターン領域は、図１に示される位置関係の下では、いずれの安定照射領域内にも位置しておらず、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ２およびＤ３間のスティッチ部の領域Ｔ２に位置している。微細パターン領域を露光ムラが発生するスティッチ部に存在するマイクロミラーで露光すると解像不良が生じ得ることから、本実施例では、個片Ｑ３およびＱ５内の微細パターン領域については、図１に示されるような位置関係の下では光を照射せず、露光は行わない。
【００２３】
図１に示される位置関係の下ではディジタルマイクロミラーデバイス間のスティッチ部付近に位置することになる個片Ｑ３およびＱ５内の微細パターン領域については、図２に示すように、これら微細パターン領域がディジタルマイクロミラーデバイスの安定照射領域に位置するよう、描画対象基板Ｐを相対移動方向に直交する方向にずらす。すなわち、個片Ｑ３内の微細パターン領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ２による安定照射領域Ｒ２内に位置し、個片Ｑ５内の微細パターン領域は、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ３による安定照射領域Ｒ３内に位置するようにずらす。このときの相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの位置を、安定照射領域Ｒ２およびＲ３内に位置する個片Ｑ３およびＱ５内の微細パターン領域に光を照射する際における、相対移動方向に直交する方向についての描画対象物の設置位置として画定する。すなわち、個片Ｑ３１およびＱ５内の微細パターン領域については、図２に示されるような位置関係の下でディジタルマイクロミラーデバイスＤ２およびＤ３を用いて光を照射し、露光する。同様に、個片Ｑ３およびＱ７に対して描画対象基板の相対移動方向に位置する個片Ｑ４およびＱ６についても、図２に示されるような位置関係の下でディジタルマイクロミラーデバイスＤ２およびＤ３を用いて光を照射し、露光する。
【００２４】
図３は、本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置についての画定処理の動作フローを示す図である。また、図４〜１６は、本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図である。
【００２５】
この具体例では、図４に示す３個のディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３を用いて、図５に示す描画対象基板Ｐを露光する場合を考える。
【００２６】
図４において、太い矢印はディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３の相対移動方向を表し、白丸印はディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３中に２次元配列されたマイクロミラーをそれぞれ表す。さらに、本明細書では、本具体例の説明を簡明にするために、相対移動方向に直交する方向に、図示するような座標軸を設定する。本具体例では、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１、Ｄ２およびＤ３の中心付近にある安定照射領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３の、相対移動方向に直交する方向の幅を「６０」とし、各安定照射領域Ｒ１、Ｒ２およびＲ３の間には「３０」の間隔が空いているものとする。すなわち、相対移動方向に直交する方向に沿って、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ１の中心付近にある安定照射領域Ｒ１は「０〜６０」の範囲に、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ２の中心付近にある安定照射領域Ｒ２は「９０〜１５０」の範囲に、ディジタルマイクロミラーデバイスＤ３の中心付近にある安定照射領域Ｒ３は「１８０〜２４０」の範囲に、それぞれ位置する。
【００２７】
また、図５に示すように、本具体例では、描画対象基板Ｐ上には、ディジタルマイクロミラーデバイス間のスティッチ部に位置するマイクロミラーによっては光が照射されるべきでない領域Ｆ１〜Ｆ８（以下、「割付対象領域」と称する。）が、相対移動方向に直交する方向に沿って、一定の間隔で並んでいるものとする。本具体例における割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８は、上述の微細パターン領域である。また、本具体例では割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８以外の描画対象基板Ｐの面上にも配線パターンが形成されるが、当該配線パターンは、ディジタルマイクロミラーデバイス間のスティッチ部に位置するマイクロミラーによる光の照射でも、解像不良を発生することがなく、露光され得るものであると仮定する。
【００２８】
本具体例では、描画対象基板Ｐの相対移動方向に直交する方向の幅を「２１０」とする。便宜上、描画対象基板Ｐの最左端をＰＬ、最右端をＰＲで表すものとし、特に限定がない限り、描画対象基板Ｐの位置は、「描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標」でもって表すものとする。また、割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８の、相対移動方向に直交する方向の幅をそれぞれ「１５」とし、各割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８の間には長さ「１０」の一定の間隔が空いているものとする。また、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬと割付対象領域Ｆ１の最左辺との間にも「１０」の間隔が存在し、描画対象基板Ｐの最左端ＰＲと割付対象領域Ｆ８の最右辺との間にも「１０」の間隔が存在するものとする。
【００２９】
まず、図３のステップＳ１００において、未割付けの割付対象領域があるか否かを判定する。このステップについては後述する。
【００３０】
図３のステップＳ１０１において、描画対象基板Ｐの面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する各割付対象領域のうち、最左端に位置する割付対象領域を、最左端の安定照射領域に割り付ける。すなわち、図６に示すように、描画対象基板Ｐの面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する各割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８のうち描画対象基板Ｐの最左端にある割付対象領域Ｆ１を、最左端にある安定照射領域Ｒ１に割り付ける。その後、割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８が安定照射領域内に位置することができる描画対象領域Ｐの暫定設置範囲の算出処理（すなわち図３のステップＳ１０２における処理）を、描画対象基板Ｐの相対移動方向に直交する方向の一方から順に、すなわち本実施例では割付対象領域Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、およびＦ８の順に、以下に説明するように実行していく。なお、当該算出処理の実行の順は本発明を限定するものではなく、本実施例とは逆の順、すなわち割付対象領域Ｆ８、Ｆ７、Ｆ６、Ｆ５、Ｆ４、Ｆ３、Ｆ２、およびＦ１の順に実行してもよく、この場合は、図３のステップＳ１０１において、描画対象基板Ｐの面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する各割付対象領域Ｆ１〜Ｆ８のうち描画対象基板Ｐの最右端にある割付対象領域Ｆ８を、最右端にある安定照射領域Ｒ３に割り付けた上で、実行すればよい。
【００３１】
すなわち、まず、図６を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ１が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。描画対象基板Ｐが、図６（ａ）に示すようにその最左端ＰＬが安定照射領域Ｒ１の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「０」）から、図６（ｂ）に示すようにその最右端ＰＲが安定照射領域Ｒ３の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「３０」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ１は安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ付近および最右端ＰＲ付近の領域についても安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ１が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「０〜３０」となる。
【００３２】
続いて、図７を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ１の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ２が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ２が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６を参照して説明した割付対象領域Ｆ１が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「０〜３０」の範囲内で、算出するべきである。すなわち、描画対象基板Ｐが、図７（ａ）に示すように描画対象基板Ｐの最左端ＰＬが安定照射領域Ｒ１の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「０」）から、図７（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ２の最右端が安定照射領域Ｒ１の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「１０」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ２は安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ１は安定照射領域Ｒ１内に位置することができる。なお、図６を参照して既に説明したように、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ付近および最右端ＰＲ付近の領域については、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「０〜３０」であれば安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができるので、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「０〜１０」である場合も、当然に安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「０〜１０」となる。
【００３３】
次いで、図８を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ２の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ３が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ３が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６および７を参照して説明した割付対象領域Ｆ１および２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「０〜１０」の範囲内で、算出するべきである。この場合、描画対象基板Ｐを暫定設置範囲「０〜１０」の範囲内に仮に設置したとしても、割付対象領域Ｆ３は、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、その最左端の座標が「６０〜７０」の範囲内にとどまるのみで、いずれの安定照射領域内にも位置することができない。したがって、割付対象領域Ｆ３が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲はこの段階では算出せず、割付対象領域Ｆ３はいずれの安定照射領域内にも割り付けない。
【００３４】
次いで、図９を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ３の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ４が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ４が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６および７を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１および２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「０〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ４が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３を考慮せず、除外する。すなわち、描画対象基板Ｐが、図９（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ４の最左端が安定照射領域Ｒ２の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「５」）から、図９（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ２が安定照射領域Ｒ１の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「１０」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ４は安定照射領域Ｒ２内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ１およびＦ２は安定照射領域Ｒ１内に位置することができる。なお、図６を参照して既に説明したように、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ付近および最右端ＰＲ付近の領域については、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「０〜３０」であれば安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができるので、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「５〜１０」である場合も、当然に安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ４が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「５〜１０」となる。
【００３５】
次いで、図１０を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ４の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ５が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ５が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６、７および９を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１および２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ割付対象領域Ｆ４が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ５が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３を考慮せず、除外する。すなわち、描画対象基板Ｐが、図１０（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ４の最左端が安定照射領域Ｒ２の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「５」）から、図１０（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ２が安定照射領域Ｒ１の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬの座標が「１０」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ５は安定照射領域Ｒ２内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ４は安定照射領域Ｒ２内に、割付対象領域Ｆ１およびＦ２は安定照射領域Ｒ１内に、それぞれ位置することができる。なお、図６を参照して既に説明したように、描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ付近および最右端ＰＲ付近の領域については、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「０〜３０」であれば安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができるので、描画対象基板Ｐの暫定設置範囲が「５〜１０」である場合も、当然に安定照射領域Ｒ１もしくはＲ３内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ５が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「５〜１０」となる。
【００３６】
次いで、図１１を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ５の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６、７および９を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１および２が安定照射領域Ｒ２内に位置することができ、なおかつ割付対象領域Ｆ４およびＦ５が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３を考慮せず、除外する。この場合、描画対象基板Ｐを暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内に仮に設置したとしても、割付対象領域Ｆ６は、図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、その最左端の座標が「１４０〜１４５」の範囲内にとどまるのみで、いずれの安定照射領域内にも位置することができない。したがって、割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲はこの段階では算出せず、割付対象領域Ｆ６はいずれの安定照射領域内にも割り付けない。
【００３７】
次いで、図１２を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ６の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６、７、９および１０を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１および２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ割付対象領域Ｆ４およびＦ５が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８および１１を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３およびＦ６はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３およびＦ６を考慮せず、除外する。この場合、描画対象基板Ｐを暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内に仮に設置したとしても、割付対象領域Ｆ７は、図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、その最左端の座標が「１６５〜１７０」の範囲内にとどまるのみで、いずれの安定照射領域内にも位置することができない。したがって、割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲はこの段階では算出せず、割付対象領域Ｆ７はいずれの安定照射領域内にも割り付けない。
【００３８】
次いで、図１３を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ７の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ８が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐの暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ８が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図６、７、９および１０を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ１および２が安定照射領域Ｒ１内に位置することができ、なおかつ割付対象領域Ｆ４およびＦ５が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内で、算出するべきである。なお、図８、１１および１２を参照して既に説明したように割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７はいずれの安定照射領域内にも位置することができないので、割付対象領域Ｆ８が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲の算出処理においては割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７を考慮せず、除外する。この場合、図１３（ａ）および（ｂ）に示すように、描画対象基板Ｐが、先に算出した描画対象基板Ｐの暫定設置範囲「５〜１０」の範囲内に存在すれば、割付対象領域Ｆ８は安定照射領域Ｒ３内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ４およびＦ５は安定照射領域Ｒ２内に、割付対象領域Ｆ１およびＦ２は安定照射領域Ｒ１内に、それぞれ位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ８が安定照射領域Ｒ３内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、「５〜１０」となる。
【００３９】
以上より、割付対象領域Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、およびＦ８の全てについて、図３のステップＳ１０２における算出処理が完了し、この結果、描画対象基板Ｐの最終的な暫定設定範囲として「５〜１０」という範囲が求まるので、図３のステップＳ１０３において、この「５〜１０」という範囲を、描画対象基板Ｐの相対移動方向に直交する方向についての設置可能範囲として決定する。描画対象基板Ｐを設置可能範囲「５〜１０」の範囲内に設置すれば、割付対象領域Ｆ１およびＦ２は安定照射領域Ｒ１内に位置し、割付対象領域Ｆ４およびＦ５は安定照射領域Ｒ２内に位置し、割付対象領域Ｆ８は安定照射領域Ｒ３内に位置する。そこで、描画対象基板Ｐを設置可能範囲「５〜１０」の範囲内に設置したときに、いずれかの安定照射領域内に位置する割付対象領域Ｆ１、Ｆ２、Ｆ４、Ｆ５およびＦ８について露光を行う。このとき、未割付けの割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７は、いずれの安定照射領域内にも位置していないのでこの段階では露光を行わない。
【００４０】
未割付けの割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７については、相対移動方向に直交する方向に露光対象基板Ｐをずらした上で、図３のステップＳ１０２における算出処理を再度実行する。すなわち、図３のＳ１００において、未割付けの割付対象領域があると判定された上で、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３の各処理が再度実行される。なお、この演算処理では、図６〜１３における描画対象基板Ｐを、図１４に示すように割付対象基板Ｆ３の最左端が描画対象基板の最左端ＰＬ’かつ割付対象基板Ｆ３の最右端が描画対象基板の最右端ＰＲ’であるような描画対象基板Ｐ’に定義し直した上で実行する。
【００４１】
図３のステップＳ１０１において、描画対象基板Ｐ’の面上において相対移動方向に直交する方向に並んで存在する未割付の割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７のうち、最左端に位置する割付対象領域Ｆ３を、最左端の安定照射領域Ｒ１に割り付ける。以下、割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象領域Ｐ’の暫定設置範囲の算出処理（すなわち図３のステップＳ１０２における処理）を、描画対象基板Ｐ’の相対移動方向に直交する方向の一方から順に、すなわち割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７の順に、実行していく。
【００４２】
まず、図１４を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ３が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲を算出する。描画対象基板Ｐ’が、図１４（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ３の最左端が安定照射領域Ｒ１の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「０」）から、図１４（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ３の最右端が安定照射領域Ｒ３の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐの最左端ＰＬ’の座標が「４５」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ３は安定照射領域Ｒ１内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ３が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲は、「０〜４５」となる。
【００４３】
続いて、図１５を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ３の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ６が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲は、図１４を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ３が安定照射領域Ｒ１内に位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲「０〜４５」の範囲内で、算出するべきである。すなわち、描画対象基板Ｐ’が、図１５（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ６の最左端が安定照射領域Ｒ２の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「１５」）から、図１５（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ３の最右端が安定照射領域Ｒ１の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「４５」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ６は安定照射領域Ｒ２内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ３は安定照射領域Ｒ１内に位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ６が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲は、「１５〜４５」となる。
【００４４】
次いで、図１６を参照して説明するように、割付対象領域Ｆ６の相対移動方向に直交する方向に隣接する割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲を算出する。この割付対象領域Ｆ７が安定照射領域内に位置することができる描画対象基板Ｐの暫定設置範囲は、図１４および１５を参照して既に説明した割付対象領域Ｆ３が安定照射領域Ｒ１内に、割付対象領域Ｆ６が安定照射領域Ｒ２内に、それぞれ位置することができるという要件も満たす必要があるので、先に算出した描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲「１５〜４５」の範囲内で、算出するべきである。すなわち、描画対象基板Ｐ’が、図１６（ａ）に示すように割付対象領域Ｆ６の最左端が安定照射領域Ｒ２の最左端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「１５」）から、図１６（ｂ）に示すように割付対象領域Ｆ７の最右端が安定照射領域Ｒ２の最右端に位置する場合（換言すれば描画対象基板Ｐ’の最左端ＰＬ’の座標が「３５」）までの間に存在すれば、割付対象領域Ｆ７は安定照射領域Ｒ２内に位置することができ、なおかつ、割付対象領域Ｆ３は安定照射領域Ｒ１内に、割付対象領域Ｆ６は安定照射領域Ｒ２内に、それぞれ位置することができる。以上より、割付対象領域Ｆ７が安定照射領域Ｒ２内に位置することができるという要件を満たす描画対象基板Ｐ’の暫定設置範囲は、「１５〜３５」の範囲内に位置するものとなる。
【００４５】
以上より、割付対象領域Ｆ３、Ｆ６、およびＦ７の全てについて、図３のステップＳ１０２における算出処理が完了して描画対象基板Ｐ’の最終的な暫定設定範囲として「１５〜３５」という範囲が求まるので、図３のステップＳ１０３において、この「１５〜３５」という範囲を、描画対象基板Ｐ’の相対移動方向に直交する方向についての設置可能範囲として決定する。描画対象基板Ｐ’を設置可能範囲「１５〜３５」の範囲内に設置すれば、割付対象領域Ｆ３は安定照射領域Ｒ１内に位置し、割付対象領域Ｆ６およびＦ７は安定照射領域Ｒ２内に位置する。そこで、描画対象基板Ｐ’を設置可能範囲「１５〜３５」の範囲内に設置したときに、いずれかの安定照射領域内に位置する割付対象領域Ｆ３、Ｆ６およびＦ７について露光を行う。
【００４６】
なお、本具体例には当てはまらないが、この段階においても、未割付けの割付対象領域が未だ存在しているのであれば、当該未割付けの割付対象領域については、いずれの安定照射領域内にも位置していないのでこの段階では露光を行なわず、相対移動方向に直交する方向に露光対象基板Ｐ’を再度ずらした上で、図３のステップＳ１０２における算出処理を再度実行することになる。すなわち、図３のＳ１００において、未割付けの割付対象領域があると判定された上で、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３の各処理が再度実行されることになる。
【００４７】
以上説明した、ステップＳ１００〜Ｓ１０３を未割付の割付対象領域が存在しなくなるまで実行することにより、割付対象領域全てについて安定照射領域内に位置させることができる描画対象基板の設置位置が画定する。そして、このように画定した設置位置で描画対象基板上の当該設置位置に対応する割付対象領域について露光すれば、描画対象基板の面上に解像不良が生じることはない。なお、描画処理に必要なパターンデータは描画対象基板の設置位置に応じて予め補正しておく必要があり、この補正後のパターンデータを、直接描画装置の制御部を介して各ディジタルマイクロミラーデバイスに供給し、描画処理を行うべきである。また、この描画処理は、上記算出処理により描画対象基板の設置位置が全ての割付対象領域について算出された後に一括して実行してもよく、あるいは、上記算出処理により描画対象基板の設置位置が割付対象領域ごとに算出される度に分割して実行してもよい。
【００４８】
なお、上述の実施例および具体例では、半導体パッケージのような、複数の個片が描画対象基板に面付けされ、かつ個片の一部に露光ムラが解像に影響するほどの微細パターンを含む場合について説明したが、本発明は、特に微細パターンではない特定の領域を含む個片に対しても適用することもできる。また、ディジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた直接描画装置以外、例えばＬＣＤアレイなどの空間光変調素子を用いて露光する描画装置に適用することもできる。
【００４９】
上述した本発明の実施例による描画処理は、直接描画装置本体とこれを制御するためのコンピュータなどの演算処理装置とを用いて実現される。図１７は、記録媒体に格納されたコンピュータプログラムに基づいて動作する本発明の実施例による描画処理を説明する原理ブロック図である。
【００５０】
本発明の実施例による描画処理をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムは、図１７に示すように、記憶媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の外部記憶媒体）１１０に格納されており、例えば、次に説明するような構成によるコンピュータにインストールされて直接描画装置の制御部として動作する。
【００５１】
ＣＰＵ１１１は、直接描画装置の制御部全体を制御する。このＣＰＵ１１１に、バス１１２を介してＲＯＭ１１３、ＲＡＭ１１４、ＨＤ（ハードディスク装置）１１５、マウスやキーボード等の入力装置１１６、外部記憶媒体ドライブ装置１１７およびＬＣＤ、ＣＲＴ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ等の表示装置１１８が接続されている。ＣＰＵ１１１の制御プログラムはＲＯＭ１１３に格納されている。
【００５２】
本発明による描画処理を実行するプログラム（描画処理プログラム）は、記憶媒体１１０からＨＤ１１５にインストール（記憶）される。また、ＲＡＭ１１４には、描画処理をＣＰＵ１１１が実行する際の作業領域や、描画処理処理を実行するプログラムの一部が記憶される領域が確保されている。また、ＨＤ１１５には、入力データ、最終データ、さらにＯＳ（オペレーティングシステム）等が予め記憶される。
【００５３】
まず、コンピュータの電源を投入すると、ＣＰＵ１１１がＲＯＭ１１０から制御プログラムを読み出し、さらにＨＤ１１５からＯＳを読み込み、ＯＳを起動させる。これによりコンピュータは描画処理プログラムを記憶媒体１１０からインストール可能な状態となる。
【００５４】
次に、記憶媒体１１０を外部記憶媒体ドライブ装置１１７に装着し、入力装置１１６から制御コマンドをＣＰＵ１１１に入力し、記憶媒体１１０に格納された描画処理プログラムを読み取ってＨＤ１１５等に記憶する。つまり描画処理プログラムがコンピュータにインストールされる。
【００５５】
その後は、描画処理プログラムを起動させると、コンピュータは直接描画装置の制御部として動作する。オペレータは、表示装置１１８に表示される例えば対話形式による作業内容と手順に従って、入力装置１１６を操作することで、上述した描画処理を実行することができる。処理の結果得られた「割付対象領域ごとの、相対移動方向に直交する方向についての描画対象基板の設置位置に関するデータ」は、例えば、ＨＤ１１５に記憶しておいて後日利用できるようにしたり、あるいは、処理結果を表示装置１１８に視覚的に表示するのに用いてもよい。
【００５６】
なお、図１７のコンピュータでは、記憶媒体１１０に記憶されたプログラムをＨＤ１１５にインストールするようにしたが、これに限らず、ＬＡＮ等の情報伝送媒体を介して、コンピュータにインストールされてもよいし、コンピュータに内蔵のＨＤ１１５に予めインストールされておいてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、ディジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＬＣＤアレイなどの空間光変調素子を用いて露光する描画装置すなわち露光装置において、描画対象面積が大きい描画対象基板（描画対象物）上に描画パターンを直接描画する場合に適用することができる。例えば、本発明は、金属板、金属フープ材、配線基板、フレキシブル基板などのシート状の描画対象基板が順次搬送されていく間に描画処理を実行する直接描画装置に適用することができる。
【００５８】
本発明によれば、描画対象物が連続的に相対移動する間に該描画対象物を全面に亘って直接描画できるように並んだ複数の空間光変調素子を用いて、描画対象基板上に解像不良が生じることのない高い描画精度を有する直接描画処理を低コストで実行することができ、描画完成品において、回路パターンのショートや接触不良などの重大な欠陥は生じない。
【００５９】
特に、本発明によれば、描画ヘッドに装着される光学系を高精度に設計する必要はなく、直接露光装置の組立作業や調整作業の手間、時間およびコストを低減することができる。また、既存の直接描画装置においても本発明を適用することができ、例えば、直接描画装置を制御するコンピュータプログラムに本発明による描画方法を実現するコンピュータプログラムを組み込むだけで、描画対象物の面上における解像不良の発生を容易に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施例による直接描画装置における描画方法の動作原理を説明する図（その１）である。
【図２】本発明の実施例による直接描画装置における描画方法の動作原理を説明する図（その２）である。
【図３】本発明の実施例による直接描画装置における描画方法の動作フローを示す図である。
【図４】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１）である。
【図５】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その２）である。
【図６】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その３）である。
【図７】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その４）である。
【図８】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その５）である。
【図９】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その６）である。
【図１０】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その７）である。
【図１１】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その８）である。
【図１２】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その９）である。
【図１３】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１０）である。
【図１４】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１１）である。
【図１５】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１２）である。
【図１６】本発明の実施例における、描画対象基板の設置位置の画定の一具体例を説明する図（その１３）である。
【図１７】記録媒体に格納されたコンピュータプログラムにより動作する本発明の実施例の描画処理を説明する原理ブロック図である。
【図１８】ディジタルマイクロミラーデバイスを用いた直接描画装置において生じ得る、マイクロミラーによる多重露光の際のスポットの位置ずれを例示する模式図である。
【図１９】直接描画装置中のディジタルマイクロミラーデバイスによる光の照度分布を例示する図である。
【図２０】ディジタルマイクロミラーデバイスを用いた直接描画装置の露光ムラと改造不良との関係を説明する図である。
【符号の説明】
【００６１】
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３    ディジタルマイクロミラーデバイス
Ｐ    描画対象基板
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６、Ｑ７、Ｑ８    割付対象領域
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３    安定照射領域
Ｔ１、Ｔ２    ディジタルマイクロミラーデバイス間のスティッチ部にあるマイクロミラーにより照射される領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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