(57)【要約】【課題】半導体の各製造工程で生じるシリコンウェハの切削屑、研削屑、研磨屑等の屑中のシリコンを再利用することができる成形品の製造方法を提供すること。【解決手段】フェノール樹脂を揮発性溶剤に溶かし、ワニスを製造し、このワニスと、切削屑、研削屑、研磨屑等の屑中に含まれるシリコンとを混練し、硬化させた後、粉砕して成形材料とする（成形材料製造工程、処理Ｓ１）。その後、成形材料を加圧下で加熱して硬化させる（プレス成形工程、処理Ｓ２）。  その後、プレス成形された成形品を外周面を締付けながら、冷却し（冷却工程、処理Ｓ３）、さらに、熱処理を行なう（熱処理工程、処理Ｓ４）【選択図】図３
2008094937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン及びシリカの少なくともいずれかを含有する成形品の製造方法であって、
シリコンのインゴット切断、シリコンウェハの研削、研磨、及びシリコンウェハのダイシングのいずれかの半導体製造工程で生じたシリコン及びシリカの少なくともいずれかを含む屑と、樹脂系バインダ材料とを混合して、前記シリコン及び前記シリカの少なくともいずれかの含有量が５０質量％以上、７０質量％以下の成形材料を製造する成形材料製造工程と、
前記成形材料製造工程で製造された成形材料を、加圧下で加熱して成形品を成形する加熱プレス成形工程と、
前記加熱プレス工程で成形された成形品を冷却して硬化させる冷却工程とを備えることを特徴とする成形品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の成形品の製造方法において、
前記樹脂系バインダ材料は、耐アルカリ性フェノール樹脂であり、
前記成形材料製造工程では、前記フェノール樹脂を揮発性溶剤に溶かし、ワニスを製造し、このワニスと、前記シリコンとを混練し、硬化させた後、粉砕して成形材料とすることを特徴とする成形品の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の成形品の製造方法において、
前記冷却工程では、前記成形品の外周面を締付けて、冷却することを特徴とする成形品の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の成形品の製造方法において、
前記冷却工程で冷却した成形品の外周面を締付けて、熱処理する熱処理工程を備えることを特徴とする成形品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、コンピュータをはじめ様々な分野で、半導体が使用されている。この半導体は、ウェハ製造工程、チップ製造工程を経て製造される。
ウェハ製造工程では、シリコン単結晶のインゴットを切り出し、例えば、５〜１２インチ径のシリコンウェハを製造する。そして、このシリコンウェハに、研磨等を施し、表裏面を鏡面とする。さらにその後、シリコンウェハ上に、トランジスタや配線等を配置する。
チップ製造工程では、ウェハ製造工程で製造したウェハをダイシングし、分離してチップとする（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２０６１７５号公報（第２頁、〔０００４〕）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような半導体の各製造工程では、シリコンウェハの切削屑、研削屑、研磨屑等の屑が発生する。この屑は、排液とシリコンとを含有したものであるが、現在は、この屑を、廃棄処分としている。しかしながら、環境保護の観点及び廃棄処分にかかるコスト低減の観点から、この屑に含まれるシリコンの再利用が望まれている。
【０００５】
本発明の目的は、半導体の各製造工程で生じるシリコンウェハの切削屑、研削屑、研磨屑等の屑中のシリコンを再利用することができる成形品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の成形品の製造方法は、シリコン及びシリカの少なくともいずれかを含有する成形品の製造方法であって、
シリコンのインゴット切断、シリコンウェハの研削、研磨、及びシリコンウェハのダイシングのいずれかの半導体製造工程で生じたシリコン及びシリカの少なくともいずれかを含む屑と、樹脂系バインダ材料とを混合して、前記シリコン及び前記シリカの少なくともいずれかの含有量が５０質量％以上、７０質量％以下の成形材料を製造する成形材料製造工程と、
前記成形材料製造工程で製造された成形材料を、加圧下で加熱して成形品を成形する加熱プレス成形工程と、
前記加熱プレス工程で成形された成形品を冷却して硬化させる冷却工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
ここで、成形品は、シリコンのインゴットをワイヤソー等で切断する際に使用されるスライス台や、その他のシリコンウェハ加工用の治具として用いることができる。
また、半導体製造工程で生じる屑は、シリコンのインゴット切断、シリコンウェハの研削、研磨、シリコンウェハのダイシングのいずれかの工程で生じた水分を含むスラッジとして生成され、このスラッジを乾燥させることで粉体として得ることができる。
さらに、樹脂系バインダ材料としては、フェノール、キシレン、フラン、メラミン等種々の材料を採用することができるが、スライス台等の治具として用いる場合、アルカリ洗浄を行うので、耐アルカリ性のフェノール樹脂を採用するのが特に好ましい。
【０００８】
成形材料製造工程におけるシリコン及びシリカの少なくともいずれかの含有量が５０質量％未満の場合、屑の利用率が低く、リサイクル性に欠ける。
また、成形品をインゴット切断用のスライス台とした際、シリコン及びシリカの少なくともいずれかの含有量が５０質量％以上であれば、インゴット及びスライス台の硬度が略同様にできるので、両者をワイヤソーで同時に切断しても、硬度の相違による切削の偏りが生じることがなく、シリコンウェハの切削面の平坦度を向上させることができる。
一方、シリコン及びシリカの少なくともいずれかの含有量が７０質量％を超える場合には、脆くなってしまい、十分な強度を有する成形品とすることができない。
【０００９】
このような本発明によれば、半導体製造工程で生じる屑に含まれるシリコン及びシリカと、樹脂系バインダ材料とを含有する成形材料を加熱成形プレスして成形品とし、その後冷却硬化させて成形品としているため、半導体製造時に生じた屑を成形品として再利用することができる。
また、成形材料中の屑の含有量を５０質量％以上、７０質量％以下としているため、シリコン同士をバインダ材で確実に結合させることができる。これにより、成形品が脆くなってしまうのを防止することができる。
特に、成形品をシリコンウェハ加工時の加工治具として成形することにより、シリコンインゴットやシリコンウェハの切削とともに加工治具を切削するような場合に、シリコンを含む屑を上記のような含有量として成形品とすることで、切削対象となるシリコンと略同様の硬さとすることができるため、切削対象と加工治具に跨って切削が行われても、偏りなく切削対象を切削することができる。
【００１０】
また、本発明では、前記樹脂系バインダ材料は、耐アルカリ性フェノール樹脂であり、前記成形材料製造工程では、前記フェノール樹脂を揮発性溶剤に溶かし、バインダ材料としてのワニスを製造し、このワニスと、前記シリコンとを混練し、硬化させた後、粉砕し、成形材料とすることが好ましい。
このような本発明では、バインダ材料に含有される樹脂をフェノール樹脂としているため、成形品の耐酸性、耐アルカリ性を向上させることができる。
また、フェノール樹脂を揮発性溶剤に溶かし、ワニスとしているので、流動性が高くシリコンと混練する際に、容易に混練を行なうことができる。
【００１１】
さらに、本発明では、前記冷却工程では、前記成形品の外周面を締付けて、冷却することが好ましい。
このような本発明では、冷却工程で、成形品の外周面を締付けて冷却を行なっているので、成形品に冷却ムラが生じても、締め付けにより成形品が拘束され、反りが発生することを防止することができる。
【００１２】
また、本発明では、前記冷却工程で冷却した成形品の外周面を締付けて、熱処理する熱処理工程を備えることが好ましい。
このような本発明では、冷却後の成形品に熱処理によるアニーリングを行っているため、成形品の内部応力を緩和して、成形品に反り等の変形が発生するのを一層確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
〔１〕マルチワイヤソーの構成
図１には、本発明の実施形態に係るスライス台５を使用して、シリコンインゴット３を切断するマルチワイヤソーシステムがしめされている。
マルチワイヤソーシステムは、細い１本のワイヤ（ピアノ線）をソーワイヤ１として、複数のワイヤガイドローラ２に設けた多数の溝に巻き架け、ソーワイヤ１を一方向に運動させ、あるいは往復運動をさせ、台座４上に設けられたスライス台５に接着剤６で接着した切断対象となるシリコンインゴット３を押し付けるように移動させ、砥粒を分散させた切断液（スラリー液）７をソーワイヤ１とインゴット３の接触部分に連続的に供給して切断するものである。
スライス台５は、インゴット３の表面形状に適用するように、表面が成形される。インゴット３が図示のように円柱状であれば、スライス台５の接着面は円弧状に凹形状が形成される。インゴット３は、円柱状に限られず、四角柱状、八角柱状等、適宜の形状であり得る。
【００１４】
スライス台５の接着面には、梨地、凹条等を形成する等して、接着剤との接着力を強化しておくことが、インゴット３から分離するときに接着剤がインゴット３側に残留する可能性を少なくすることができる、という意味合いで好ましい。
インゴット３は、多数張られているソーワイヤ１に対して、図１に示すように押し下げられて押し付けられるタイプの他、１８０°反転させた状態で、インゴット３が押し上げられて押し付けられるタイプ、また、９０°回転した状態で横方向に押し付けられるタイプのものでもよい。
【００１５】
また、図１では、ワイヤガイドローラ２が３個用いられる例を示すが、ワイヤガイドローラが２個の場合、あるいは、４個以上の場合であってもよい。
さらに、切断液７の供給は、ソーワイヤ１が往復運動する場合には特に、インゴット３の両側から行ってもよいし、インゴット３に向かってソーワイヤ１の側から（図１で下から上に向けて）供給しても差し支えない。
ソーワイヤ１は、インゴット３に対して押し付けられ、押圧力が作用し、砥粒を介する研削作用によってインゴット３を切断していく。押圧力とソーワイヤ１の速度とによって、インゴット３の切断される速度が決まる。
押圧力が大きいと、ソーワイヤ１の張力が増し、大きすぎるとソーワイヤ１が断線する危険性がある。
【００１６】
切断途中のインゴット３に作用するソーワイヤ１は、図示を略したが、インゴット３の内部では曲線状をなす切断線を描き、インゴット３とワイヤガイドローラ２との間では直線状となっている。
スライス台５は、インゴット３を完全に切断するために、その接着面側の一部が被切断ワークと共に切断されるもので、インゴット３は、スライスされた後も、接着剤６でスライス台５に保持され続ける。
【００１７】
〔２〕スライス台５を含む切断対象の詳細構成
図２には、本発明の成形品の製造方法により、製造される成形品としてのスライス台５及びサイドプロテクタ８が示されている。
スライス台５は、略円柱状のシリコンインゴット３を切断する際に、前記インゴット３を支持する台である。このスライス台５は平面略矩形形状であり、スライス台３の上面には、その長手方向に沿って、円弧状の凹部１１が形成され、インゴット３が載置され、接着剤によって固定される。尚、凹部１１の径は、インゴット３の径に応じて設定されており、例えば、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、又は３００ｍｍである。
スライス台５は、スライス後にあってもインゴット３を接着保持することができるように長さ寸法Ｌはインゴット３の長さ寸法と略同じ寸法とされ、幅寸法Ｗは、インゴット３の径よりも小さな寸法とされる。
【００１８】
サイドプロテクタ８は、円盤形状であり、インゴット３の両端面に取り付けられ、インゴット３の切断時に、インゴット３の両端のシリコンウェハが落下するのを防止する。サイドプロテクタ８の径は、インゴット３の径に応じて設定されており、例えば、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、又は３００ｍｍとされる。尚、本実施形態では半導体ウェハ用のインゴット３であるため、サイドプロテクタ８の形状は円盤形状であるが、オリエンタルフラット面を形成している場合は、半円形状であってもよく、太陽電池パネル等を製造する際のインゴットである場合、矩形状であってもよい。
【００１９】
これらのスライス台３及びサイドプロテクタ８は、半導体製造工程で生じる屑に含まれるシリコンと、バインダ材料である樹脂（例えば、フェノール樹脂）とを含有する。
半導体製造工程は、ウェハ製造工程、チップ製造工程とで構成されており、ウェハ製造工程は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）や浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）等により、シリコン単結晶を成長させ、インゴット３を製造する。
そして、このインゴット３の外周を円筒研削盤等により研削して、外周面の形状を整える。次に、シリコン単結晶のインゴット３を切り出し、例えば、５〜１２インチ径のシリコンウェハを製造する。そして、このシリコンウェハに、研磨等を施し、表裏面を鏡面とする。さらにその後、シリコンウェハ上に、トランジスタや配線等を配置する。
【００２０】
チップ製造工程では、ウェハ製造工程で製造したウェハをダイシングし、分離してチップとする。
このような各製造工程では、シリコンウェハを切削、研削、研磨等する際に、切削屑、研削屑、研磨屑等の屑が生じる。この屑中のシリコンがスライス台１及びサイドプロテクタ２に含まれているのである。なお、前記屑は、一般に液体分を含みスラッジ状となっているため、このスラッジ状の屑のなかから、シリコンを抽出する必要がある。
【００２１】
このような、スライス台５及びサイドプロテクタ８は、図３に示すように、半導体製造工程で生じる屑に含まれるシリコンを含有する成形材料を製造する成形材料製造工程（処理Ｓ１）と、前記成形材料製造工程（処理Ｓ１）で製造された成形材料をプレス成形するプレス成形工程（処理Ｓ２）と、成形品を冷却する冷却工程（処理Ｓ３）と、成形品を熱処理する熱処理工程（処理Ｓ４）とを経て製造される。
【００２２】
（１．成形材料製造工程（処理Ｓ１））
成形材料製造工程では、プレス成形される成形材料を製造する。この成形材料は、半導体製造工程で生じる屑に含まれるシリコンと、ワニスとを含有するものである。この成形材料製造工程は、ワニス製造工程（処理Ｓ1-1）と、一次混練工程（処理Ｓ1-2）と、二次混練工程（処理Ｓ1-3）とを備える。
【００２３】
（1-1ワニス製造工程（処理Ｓ1-1））
まず、フェノール樹脂を含有するワニス（バインダ材料）を製造する。ノボラック型のフェノール樹脂と、メタノールとを反応缶にて溶解し、ワニスを得る。
なお、レゾール型フェノール樹脂を使用する場合には、フェノール樹脂とホルムアルデヒドとをアルカリ触媒にて反応させ、脱水反応終了後、メタノールを加え、レゾール型フェノール樹脂のワニスを得る。ここで、ワニス中のフェノール樹脂は、５５質量部以上、６５質量部以下とし、メタノールは、４５質量部以上、３５質量部以下とすることが好ましい。
【００２４】
（1-2一次混練工程（処理Ｓ1-2））
ワニス製造工程で得たワニスと、半導体製造工程で生じる屑に含まれるシリコンと、硬化剤と、メタノールとを混合し混練する。
この混練した材料のフェノール樹脂の含有量は３質量％以上、７質量％以下となることが好ましい。
次に、混練した材料を風乾し、さらに、１２０℃の乾燥機中に入れて乾燥させる。そして、揮発成分を測定する。揮発成分が１％以上、１．４％以下となったら、さらに、１６０℃の乾燥機中で硬化反応を行なう。
その後、冷却し、粉砕機にかけて粉砕を行なう。これにより、一次混練材料を得る。
【００２５】
（1-3二次混練工程（処理Ｓ1-3））
一次混練材料に、ワニス製造工程で製造したワニスを添加し、混練する。そして、混練した材料を風乾した後、粗粉砕を行い、一次篩により０．６mm径以下の粉砕物を篩い分け、
その後、微細粉砕を行なって二次篩により０．３mm径以下の粉砕物を篩い分ける。
そして、この粉砕物を、揮発成分が２．０％以上、２．７％以下となるように乾燥を行なう。これにより、成形材料が完成することとなる。成形材料５中のシリコンの含有量は、５０質量％以上、７０質量％以下であり、フェノール樹脂の含有量は、約３０質量％以上、５０質量％未満であることが好ましく、より好適には、約３５質量％である。
例えば、成形材料中のシリコンの含有量は５９質量％であり、フェノール樹脂の含有量は３９質量％である。
【００２６】
（２．プレス成形工程（処理Ｓ２））
プレス成形工程では、成形材料を加圧下で加熱して加熱プレス成形する（処理２）。
図４に示すように、成形材料５Ａを、プレス成形装置９にて加熱プレス成形を行なうが、このプレス成形装置９は、固定型９１及び可動型９２を備えた金型９０と、この金型９０の周囲に配置されたヒータ９３とを備える。ヒータ９３により、可動型９２及び固定型９１を例えば、１１５℃〜１２０℃まで加熱するとともに、固定型９１の内部に成形材料５Ａを充填する。その後、可動型９２を可動して、型締めを行なう。
型締めを行なった後、ヒータ９３の温度を徐々に上げ、一定温度（例えば、１５５℃程度）に達したら、ヒータ９３を切り、金型９０が所定の温度（例えば、１２０℃程度）まで下がったら、成形品（スライス台５又はサイドプロテクタ８）を取り出す。
【００２７】
（３．冷却工程（処理Ｓ３）、熱処理工程（処理Ｓ４））
プレス成形した成形品（スライス台５又はサイドプロテクタ８）を金型９０から取り出し、冷却エアシリンダでその周囲を締め付け、冷却を行なう（処理Ｓ３）。
その後、冷却エアシリンダから成形品を取り出し、治具に成形品（スライス台５又はサイドプロテクタ８）を挟み、外周面を締付けて、熱処理を行なう（処理Ｓ４）。熱処理は、９０℃で、４．５〜５時間行なうことが好ましい。
熱処理工程が終了したら、成形品（スライス台５、サイドプロテクタ８）の反りの検査を行い、反りが発見されなければ、成形品（スライス台５、サイドプロテクタ８）が完成となる。
【００２８】
従って、本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）半導体製造工程で生じる屑に含まれるシリコンと、バインダ材料とを含有する成形材料５Ａを加熱プレス成形し、成形品（スライス台５、サイドプロテクタ８）としているため、半導体製造工程で生じる屑に含まれるシリコンの有効利用を図ることができる。
また、成形材料５Ａ中のシリコンの含有量を５０質量％以上、７０質量％以下としているため、シリコン同士をバインダ材で確実に結合させることができる。これにより、成形品であるスライス台５、サイドプロテクタ８が脆くなってしまうのを防止することができる。
【００２９】
（２）本実施形態では、バインダ材料を、フェノール樹脂を含有するワニスとしているため、成形品であるスライス台５及びサイドプロテクタ８の耐酸性、耐アルカリ性を向上させることができる。
また、フェノール樹脂を揮発性溶剤に溶かし、ワニスとしているので、流動性が高くシリコンと混練する際に、容易に混練を行なうことができる。
（３）さらに、本実施形態では、冷却工程で、成形品の外周面を締付けて冷却を行なっているので、冷却時に成形品に反りが発生することを防止することができる。
（４）また、本実施形態では、熱処理工程において、成形品であるスライス台５、サイドプロテクタ８の外周面を締付けて熱処理を行なっているので、成形品の内部応力をアニーリングによって解放して、成形品の変形を確実に防止することができる。
【００３０】
（５）本実施形態では、成形品として、スライス台５を製造している。成形品には、シリコンが含まれているため、従来のカーボンや、樹脂のみ、ガラス等で構成されているスライス台に比べ、硬度が高くなっている。そして、スライス台５の硬度は、従来のスライス台に比べ、インゴット３の硬度に近い高度となっている。
スライス台５上にインゴット３を設置し、マルチワイヤソーでインゴット３を切断する際には、ワイヤソーが、スライス台５にまで達することとなる。インゴット３と、スライス台５の硬度が大きく異なる場合には、ワイヤソーがスライス台５に達する際に、ワイヤソーに反りが発生することがある。このワイヤソーの反りが、ウェハの平坦度に影響を及ぼすことがある。
これに対し、本実施形態のスライス台５はその硬度が、インゴット３の硬度に近いため、ワイヤソーがスライス台５に達する際に、反りが発生しにくい。従って、平坦度が良好なウェハを得ることができる。
【００３１】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、成形品として、スライス台５及びサイドプロテクタ８を例示したが、成形品としては、これに限られない。例えば、成形品として、床や壁等に貼り付けるタイルを製造してもよい。成形品は耐酸性、耐アルカリ性が良好であるため、タイルとして使用しても問題が生じない。
また、前記実施形態では、熱処理工程において、成形品の外周面を締付けて熱処理を行なっていたが、これに限らず、成形品の外周面を締付けなくても良い。
【００３２】
さらに、前記実施形態では、熱処理工程を実施したが、熱処理工程はなくてもよい。このようにすることで、成形品の製造工程を簡略化することができる。
また、前記実施形態では、成形材料を構成する樹脂としてフェノール樹脂を使用したが、これに限らず、他の樹脂であってもよい。例えば、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を使用してもよい。
そして、前記実施形態では、あくまでも、半導体製造工程で生じた屑を樹脂系バインダと混練し、これを粉砕して成形品を製造していたが、これに限られない。
すなわち、例えば、マルチワイヤソーにより切削傷がついたスライス台を金型にセットし、さらに、シリコン等を含む屑と樹脂系バインダとを混練させ、粉砕したものを加えて加熱プレス成形して成形品を得るようにしてもよい。
【実施例】
【００３３】
次に、本発明の実施例について説明する。
実施例では、インゴット３の径に応じて、凹部１１の径がそれぞれ１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍの３種類のスライス台５を製造した。各スライス台５の長さ寸法Ｌ、幅寸法Ｗは共通であり、Ｌ＝４５０ｍｍ、Ｗ＝８５ｍｍとし、高さ寸法Ｔは、１５０ｍｍ径のものがＴ＝８ｍｍ、２００ｍｍ径のものがＴ＝５ｍｍ、３００ｍｍ径のものがＴ＝１０ｍｍとした。
また、インゴット３の径に応じて、径が１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍのサイドプロテクタ８を製造した。各サイドプロテクタ８の厚さ寸法は、５ｍｍ〜２０ｍｍである。
【００３４】
（１．成形材料製造工程（処理Ｓ１））
（1-1ワニス製造工程（処理Ｓ1-1））
まず、ノボラック型のフェノール樹脂と、メタノールとを反応缶にて溶解し、ワニスを製造した。ノボラック型のフェノール樹脂と、メタノールとを反応缶にて溶解し、ワニスを得た。ワニス中のフェノール樹脂を、６０質量部とし、メタノールを、４０質量部とした。
【００３５】
（1-2一次混練工程（処理Ｓ1-2））
次に、半導体製造工程で生じる屑に含まれるシリコン１０ｋｇと、ワニス工程で製造したワニス０.７８３ｋｇと、ヘキサメチレンテトラミン（硬化剤）０.０５６ｋｇと、メタノール３.０ｋｇをニーダ中で、約１０〜３０分間混練した。次に、この混練した材料をバット上に出し、風乾した。その後、風乾した前記材料を１２０℃、５分間、乾燥機中に入れて、揮発成分を測定した。揮発成分が１％以上、１.４％以下となったのを確認した後、１６０℃の乾燥機中で、約３０分〜４５分間、硬化反応を行なった。
硬化反応後、冷却し、パワーミル粉砕機にかけて粉砕を行なった。これにより、一次混練材料を得た。
【００３６】
（1-3二次混練工程（処理Ｓ1-3））
一次混練材料１０.０ｋｇと、ワニス製造工程で製造したワニス９.２９ｋｇとを混ぜ、１０〜３０分間混練して、バット上で風乾させた。その後、パワーミル粉砕機にかけて、粗粉砕を行い、一次篩を行って０．６ｍｍ以下の粉砕物に篩い分け、さらにこれをアトマイザーにより、さらに微細化させて、二次篩を行って０．３ｍｍ以下の粉砕物を得た。
そして、揮発成分を２.０％以上、２.７％以下となったものを成形材料とした。
なお、揮発成分を２.０％以上、２.７％以下にするために、５０℃の乾燥機にて揮発成分の調整をおこなった。
【００３７】
（２．プレス成形工程（処理Ｓ２））
次に、成形材料を所定量、精秤し、図５のグラフに示されるような温度変化で前記実施形態と同様に加熱プレス成形を行なった。
具体的には、ヒータ９３により、可動型９２及び固定型９１を例えば、１１５℃〜１２０℃まで加熱し、固定型９１の内部に成形材料５Ａを充填する。その後、可動型９１を可動して、型締めを行なった。
型締めを行なった後、ヒータ９３の温度を徐々に上げ、一定時間Ａの間に１６０℃まで昇温し、この状態で一定時間Ｃ保持し、その後、一定時間Ｂをかけて１１５〜１２０℃まで金型９０を冷却し、その後、成形品（スライス台５、サイドプロテクタ８）を取り出した。
【００３８】
時間Ａ、Ｂ、Ｃは、インゴット３の径により異なり、次のような時間で設定した。
時間              Ａ          Ｂ          Ｃ
１５０ｍｍ径用      １８分        ８分      ３０分
２００ｍｍ径用    ３０〜３５分  １５分      ３０分
３００ｍｍ径用    ６５〜７５分  ３０分      ３０分
また、プレス成形工程における成形圧力は０．１９６Ｎ／ｍ２（２００ｋｇｆ／ｃｍ２を換算した値）である。
【００３９】
（３．冷却工程（処理Ｓ３）、熱処理工程（処理Ｓ４））
プレス成形した成形品（スライス台５、サイドプロテクタ８）を金型９０から取り出し、冷却エアシリンダでその周囲を締め付け、冷却を行なった。冷却は、フラット板で自然冷却し、時間は約２０分程度とした。
その後、冷却エアシリンダから成形品（スライス台５、サイドプロテクタ８）を取り出し、治具に成形品（スライス台５、サイドプロテクタ８）を挟み、外周面を締付けて、熱処理を行なった。熱処理は、９０℃で、４．５〜５時間行なった。その後、成形品（スライス台５、サイドプロテクタ８）の反りの検査を行なった。
以上により、半導体の各製造工程で生じるシリコンウェハの切削屑、研削屑、研磨屑等の屑のシリコンを再利用した、成形品（スライス台５、サイドプロテクタ８）を得ることができた。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、半導体の各製造工程で生じるシリコンウェハの切削屑、研削屑、研磨屑等の屑のシリコンの再利用に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態に係る成形品を治具として使用したマルチワイヤソーの構造を示す模式図。
【図２】本発明の実施形態にかかる成形品である、スライス台、サイドプロテクタを示す斜視図である。
【図３】本実施形態の前記成形品の製造工程を示すフローチャートである。
【図４】前記成形品の製造工程で使用するプレス成形装置を示す模式図である。
【図５】成形品のプレス成形工程における金型の温度と、時間との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
３…インゴット、５…スライス台（成形品）、５Ａ…成形材料、８…サイドプロテクタ、９…プレス成形装置、１１…凹部、９０…金型、９１…固定型、９２…可動型、９３…ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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