(57)【要約】【課題】ダイシング時のパッド電極の腐食を防止し、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を目的とする。また、ダイシング時に発生する汚染物による不良を防止することを目的とする。【解決手段】ダイシング工程の前にパッド電極４の表面を保護する保護膜１５を形成する。保護膜１５の形成は、例えば以下に述べる工程で形成する。ポストベーク処理前、つまり熱硬化前のポリイミド膜１０が形成された半導体基板１１を同一処理装置内に配置し、ポリイミド膜１０のベーク処理を行う。このベーク処理の際にポリイミド膜１０の揮発成分１２がパッド電極４を含め半導体基板１の最終表面上に付着する。これにより保護膜１５が形成される。保護膜１５は、ダイシング工程時の切削水とパッド電極４との接触を回避させ、電池反応を抑える。従って、ダイシング時にパッド電極４の腐食が防止される。また、汚染物の付着も防止される。【選択図】図３
2008004598.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の少なくとも一部が外部に露出された第１の金属層を備え、かつポリイミド膜が形成されていない第１の基板を準備し、
前記第１の金属層の露出部を被覆し、ダイシング時に電池反応による前記第１の金属層の溶出を防止する保護膜を形成する工程と、
切削水を供給しながら前記第１の基板をダイシングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜を形成する工程は、
有機膜が形成された第２の基板を準備し、
熱処理により前記有機膜の成分を揮発させ、当該揮発成分を前記第１の金属層の表面上に付着させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護膜を形成する工程で、前記第２の基板の前記有機膜が形成された面と、前記第１の基板の前記第１の金属層が形成された面を互いに向き合わせるように配置することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機膜はポリイミド膜であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜を形成する工程は、
有機系ガスが存在する装置内に前記第１の基板を配置することで、前記有機系ガスの成分を前記第１の金属層の表面上に付着させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機系ガスは少なくともポリイミドの硬化反応時の揮発成分と同種のガスを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の金属層の少なくとも一部上に第２の金属層を形成する工程を備え、前記第２の金属層は前記第１の金属層のイオン化傾向よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の金属層は、反射防止層であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の金属層は少なくともアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
表面の少なくとも一部が外部に露出された第１の金属層を備えた第１の基板を準備し、
切削水を供給しながら前記第１の基板を、ダイシング装置を用いてダイシングする工程を有し、
前記ダイシング工程を遮光条件下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも前記切削水を供給している際に前記ダイシング装置を遮光部材で被覆することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板の表面上に外部電極接続用の金属層を備える半導体装置であって、
前記金属層を被覆する有機系の保護膜を備え、
前記保護膜は、ポリイミド系樹脂の揮発成分が付着することで形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置と、
前記半導体装置を収納するパッケージとを有し、
前記保護膜を介して前記金属層と前記パッケージとがワイヤボンドされたことを特徴とするパッケージ型の半導体装置。
【請求項１４】
半導体基板を保持する保持部と、前記半導体基板をカットする切削部と、ダイシング工程時に切削水を前記半導体基板に供給する切削水供給部とを備えたダイシング装置であって、
ダイシング工程の際に前記半導体基板を遮光状態にするための遮光部材を備えることを特徴とするダイシング装置。
【請求項１５】
半導体基板を個々の半導体チップに分割するダイシング方法であって、
遮光条件下、切削水を供給しながらダイシングを行うことを特徴とするダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に外部電極との接続用の金属層を備えた半導体装置及びその製造方法に関するものである。また、本発明は半導体ウェハーを個々の半導体チップに分割するためのダイシング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多数の半導体素子を作り込んだ半導体ウェハーは、所定のダイシングラインに沿って個々のチップに分割される。このダイシング工程では通常、ダイシングブレードやダイシングソーと呼ばれる刃を用いて半導体ウェハーを機械的に分割する。そして、ダイシング工程の際には各種の汚染物（例えば、シリコンダスト）が生じるとともに多量の摩擦熱が生じるため、洗浄及び冷却といった観点から切削水を供給しながらダイシング工程を行っている。なお、切削水としては純水も用いられるが、切削水の導電性が低いとダイシング工程の際に静電気が生じ、半導体素子が静電破壊するおそれがある。そのため、切削水に二酸化炭素（ＣＯ２）を添加して比抵抗値を下げ、静電気の発生を抑えるという方法が一般的に採用されている。
【０００３】
また、一般的な半導体装置の外部接続用のパッド電極としてはアルミニウム（Ａｌ）系の金属が用いられている。図８は従来の半導体装置のパッド電極部を示す断面図である。
【０００４】
シリコン（Ｓｉ）等から成る半導体基板１００の表面には、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサ等のデバイス素子（不図示）が設けられ、パッド電極１０１が第１の絶縁膜１０２を介して形成されている。パッド電極１０１は半導体装置の入出力端子や電源端子，接地端子等となり、ボンディングワイヤや他の電子デバイスの電極（例えばハンダバンプ）等を介してリードフレームや周辺素子と電気的に接続される部位である。パッド電極１０１には、アルミニウムやアルミニウム合金が用いられている。
【０００５】
また、半導体基板１００の表面上には、パッド電極１０１の一部上を被覆するパッシベーション膜１０３が形成されている。パッシベーション膜１０３は、例えばＣＶＤ法等によって形成されたシリコン窒化膜やシリコン酸化膜やＴＥＯＳ膜等の絶縁膜であり、最終表面を保護する。なお、ＴＥＯＳ膜とはＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソシリケート）を用いたＣＶＤ法等で形成された絶縁膜である。
【０００６】
また、パッシベーション膜１０３はパッド電極１０１上に、パッド電極１０１の表面を露出させる開口部１０４を有している。そのため、当該開口部１０４で露出したパッド電極１０１にボンディングワイヤや他の電子デバイスの電極等が接続される構成となっている。
【０００７】
また、製造プロセス中にパッド電極１０１の材料であるアルミニウムによってパターニングマスクに対して露光の反射が起きてしまう。このような光の反射が起きると露光・現像の精度が低下するため、パッド電極１０１の一部上に例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）から成る反射防止層１０５を形成する場合がある。
【０００８】
また、図示はしないがパッド電極１０１上にバリア層（例えばニッケル層と金層を積層した層）を形成することもある。当該バリア層はパッド電極１０１とボンディングワイヤや他の電子デバイスの電極との電気的な接続を介在し、パッド電極１０１を保護する機能を有するものである。バリア層の材質はチタン，タングステン，銅，スズ等でもよい。
【０００９】
本願と関連する技術は、例えば以下の特許文献に記載されている。
【特許文献１】特開２００１−３０１７０号公報
【特許文献２】特開平１１−１９１５４０号公報
【特許文献３】特開２００４−１５８６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述したようにパッド電極１０１と異種金属を含む層（例えば、上記反射防止層１０５やバリア層）が形成されていると、ダイシング工程時に二酸化炭素が添加された切削水１０６によってパッド電極１０１と異種金属との間でいわゆる電池反応が進行し、パッド電極１０１のアルミニウムが切削水１０６中に溶出し、図９に示すような溶出部１０７が発生していた。ここで電池反応とは、異なる２種類の金属と電解液とを組み合わせると電池ができ、イオン化傾向の大きい金属が負極となり、小さい方が正極となり、酸化還元反応を起こすことである。
【００１１】
当該電池反応はパッド電極１０１と半導体基板１００（シリコン）との間で進行する場合もある。また、パッド電極１０１が半導体基板１００と直接接触しない場合よりも、半導体基板１００と直接接触する場合（例えば、パッド電極１０１が半導体基板１００の表面に形成された不純物拡散領域（ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域等）と接触している場合）の方が電池反応の進行が大きいことが確認されている。さらにまた、ダイシング時に生じる汚染物の金属と，パッド電極１０１と，切削水１０６とで電池反応が進行する場合も考えられる。
【００１２】
このようにパッド電極１０１に溶出部１０７が発生するのは、その材料であるアルミニウムのイオン化傾向が他のほとんどの金属に比して高いということに起因すると考える。つまり、上記反射防止層１０５との関係であれば、アルミニウムはチタンのイオン化傾向に比して高いので、チタンイオンに比して多くのアルミニウムイオンが移動し、溶出部１０７が発生することになる。
【００１３】
パッド電極１０１に溶出部１０７が生じるとワイヤボンド不良や、他の電子デバイスの電極と接続する際に接続不良が生じ、半導体装置の信頼性及び歩留まりが劣化する。近年は半導体チップの微細化が進み、ダイシング工程にかける時間が長くなっており、半導体チップ表面に切削水が触れる時間も長くなっている。そのため、従来に比べてダイシング時の電池反応によるパッド電極の腐食の問題が顕在化している。
【００１４】
こういった問題に対してパッド電極１０１上に有機系膜（例えばポリイミド膜）を標準的な成膜法（塗布法）で形成し、その後にダイシングすること等も考えられるが、最終製品の用途・仕様上、コストの関係から、このプロセスを採用しない場合もある。また、ダイシング時にのみ有機系絶縁膜を形成しておき、その後除去するとすれば、製造プロセスが煩雑となり、コスト高や新たな不良発生が生じることも考えられる。
【００１５】
そこで本発明の目的の一つは、最終製品の特性を劣化させることなく、電池反応による金属層（上記例であれば、パッド電極１０１）の溶出・腐食を防止し、半導体装置の信頼性及び歩留まりを向上させることを目的とする。
【００１６】
また、図９に示すように、ダイシング時に生じる汚染物１０８（例えばシリコンくず）は、電気を帯びてダイシングブレードや、半導体チップの表面（特にパッド電極部）に付着する傾向がある。従って、この汚染物はダイシングブレードの負荷を大きくしてダイシングの質を落とし、半導体チップのクラックを引き起こすことがある。また、特にパッド電極１０１に付着すると、上記のようにパッド電極１０１が電池反応で腐食し、ワイヤボンド不良，接続不良等の問題が生じる。また、表面が黒っぽくなる等、外観不良となるため歩留まりも低下する。
【００１７】
これら汚染物による不良を回避する観点から、切削水中に界面活性剤を添加することで汚染物の付着を減らす方法も検討されているが（特許文献２参照）、この方法は界面活性剤の原料、廃液処理設備等によって製造コストが増大するという問題もある。
【００１８】
そこで本発明の別の目的は、ダイシング時に生じる汚染物による不良を防止し、半導体装置の信頼性及び歩留まりを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その主な特徴は以下のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、表面の少なくとも一部が外部に露出された第１の金属層を備え、かつ、ポリイミド膜が形成されていない第１の基板を準備し、前記第１の金属層の露出部を被覆し、ダイシング時に電池反応による前記第１の金属層の溶出を防止する保護膜を形成する工程と、切削水を供給しながら前記第１の基板をダイシングする工程を有することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記保護膜を形成する工程が、有機膜が形成された第２の基板を準備し、熱処理により前記有機膜の成分を揮発させ、当該揮発成分を前記第１の金属層の表面上に付着させることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記保護膜を形成する工程が、有機系ガスが存在する装置内に前記第１の基板を配置することで、前記有機系ガスの成分を前記第１の金属層の表面上に付着させることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、表面の少なくとも一部が外部に露出された第１の金属層を備えた第１の基板を準備し、切削水を供給しながら前記第１の基板をダイシング装置を用いてダイシングする工程を有し、前記ダイシング工程を遮光条件下で行うことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、少なくとも前記切削水を供給している際に前記ダイシング装置を遮光部材で被覆することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の半導体装置は、半導体基板の表面上に外部電極接続用の金属層を備える半導体装置であって、前記金属層を被覆する有機系の保護膜を備え、前記保護膜は、ポリイミド系樹脂の揮発成分が付着することで形成されたことを特徴とする。
【００２５】
また、本発明のダイシング装置は、半導体基板を保持する保持部と、前記半導体基板をカットする切削部と、ダイシング時に切削水を前記半導体基板に供給する切削水供給部とを備えたダイシング装置であって、ダイシング工程の際に前記半導体基板を遮光状態にするための遮光部材を備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明のダイシング方法は、半導体基板を個々の半導体チップに分割するダイシング方法であって、遮光条件下、切削水を供給しながらダイシングを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明では、ダイシング時に電池反応で溶出させたくない金属層上を保護膜で被覆し、その後にダイシングを行っている。そのため、当該金属層の腐食を防止することができる。
【００２８】
また、最終表面が絶縁性の保護膜であるため、ダイシング時に電気を帯びた汚染物が生じたとしても、金属層上に付着することが抑えられる。そのため、ダイシング時の汚染物による不良（ワイヤボンド等の接続不良や外観不良）を防止するができる。
【００２９】
また、遮光条件化でダイシングを行うことで、電池反応の進行を抑制し、金属層の腐食を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
次に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図１乃至図５は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【００３１】
まず、図１に示すように、その表面に不図示の電子デバイスが形成された半導体基板１を準備する。次に、半導体基板１の表面に第１の絶縁膜２（例えば、熱酸化法やＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜やＢＰＳＧ膜）を例えば２μｍの膜厚に形成する。
【００３２】
次に、スパッタリング法やＣＶＤ法、その他の成膜方法によりアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金の金属層を形成する。次に、当該金属層を被覆する反射防止層３を形成する。その後、不図示のレジスト層をマスクとして当該金属層及び反射防止層３をエッチングしてパターニングする。これにより、第１の絶縁膜２上にパッド電極４が例えば１μｍの膜厚で形成され、パッド電極４上には反射防止層３が例えば２０〜８０ｎｍの膜厚で形成される。
【００３３】
なお、このパターニングの際、パターニングマスクに対する露光の反射が反射防止層３によって抑えられており、露光・現像の精度が高められている。反射防止層３は例えばチタン（Ｔｉ）層やチタンナイトライド（ＴｉＮ）層である。パッド電極３は半導体基板１上の電子デバイスやその周辺素子と不図示の配線を介して電気的に接続されている。
【００３４】
次に、第１の絶縁膜２，反射防止層３，パッド電極４を被覆するパッシベーション膜５（例えばプラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜やＴＥＯＳ膜）を例えば９００ｎｍの膜厚で形成する。なお、パッシベーション膜５は積層構造（例えば、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層）であってもよい。次に、パッシベーション膜５の一部と反射防止層３をエッチングにより除去し、図２に示すようにパッド電極４の表面の一部を露出させる開口部６を形成する。
【００３５】
次に、本発明の半導体装置とは別の製造プロセスの途中であって、ポストベーク処理（熱処理）前、つまり最終的な熱硬化前のポリイミド膜１０がその表面上に形成された半導体基板１１を準備する。なお、図示はしないが、この半導体基板１１の表面にはデバイス素子が形成されていたり、各種の絶縁膜や配線層などが形成されているものである。そして、ポリイミド膜１０が最終表面のパッシベーション膜として形成される途中の段階であるとする。
【００３６】
次に、図３に示すように、半導体基板１と半導体基板１１の両基板を同一のベーク処理装置に配置する。なお、後述するポリイミド膜１０の揮発成分１２が半導体基板１の表面上に行き渡るようにすればよいので、必ずしも同一装置内に配置する必要はない。例えば、揮発成分１２を回収するガスパイプを設け、当該パイプを半導体基板１が配置された処理装置内に導くように装置を構成することも可能である。
【００３７】
次に、例えば３５０℃で６０分間の条件でベーク処理を行い、ポリイミド膜１０を熱硬化させるとともに、ポリイミド膜１０の揮発成分１２を生じさせる。このようにポリイミド膜１０の形成過程で生じた揮発成分１２を、パッド電極４の表面を含め半導体基板１の表面上に付着させ、ポリイミド膜１０の揮発成分１２から成る薄い保護膜１５が開口部６内を含む半導体基板１の全面に形成される。なお、本実施形態で用いたポリイミド膜１０は、半導体製造用樹脂の一つであるＣＲＣ−６０６１（住友ベークライト（株））を用いて形成したものであるが、他のポリイミド系樹脂でもよい。また、ポリイミドの揮発成分と同種の揮発成分が生成できる他の有機系樹脂を用いてもよい。
【００３８】
揮発成分１２によって形成された保護膜１５はポリイミド膜１０と完全に同じ成分からなる膜ではないと考えられるが、具体的な分子構造や成分比は現在のところ不明である。ただし、少なくとも炭素（Ｃ）や窒素（Ｎ）を含む膜であり、通常用いられるポリイミド膜と同じように最終表面を保護できる膜であると考えられる。また、保護膜１５の成分は、ポリイミドの溶剤（例えば、Ｎ‐メチル-ピロリドン（ＮＭＰ））の揮発成分ではなく、ポリイミド材料自身の硬化反応過程で脱離する揮発成分から成ると考えられる。
【００３９】
保護膜１５は、後述するようにダイシング時に用いられる切削水とパッド電極４との接触を防止し、そのことで電池反応の進行を抑制する機能を有する。また、当該保護膜１５は絶縁性であると考えられるため、ダイシング時に生じる汚染物のパッド電極４等への付着を防止する機能も有する。なお、保護膜１５の膜厚が厚すぎると抵抗の上昇やワイヤボンディング不良となる懸念があるので上記機能を有しながらも、保護膜１５の膜厚を出来る限り薄くするようにすることが好ましい。
【００４０】
保護膜１５を効率よく形成する観点からは、同図に示すように半導体基板１１のポリイミド膜１０側の面と半導体基板１のパッド電極４側の面が互いに向き合うように配置することが好ましい。ただし、この方法はポリイミド膜１０の形成工程を含む半導体装置の製造方法を行っている場合には合理的であるが、そうでない場合には煩雑となる。また、ポリイミド膜１０が揮発成分を常に放出し続けるものではないため、継続的にかつ確実に保護膜１５を形成するにはその精度が落ちる。
【００４１】
そのため、保護膜１５は以下のプロセスによって形成することも可能である。図４に示すようにポリイミドの揮発成分と同種の材料ガス１６で満たされた処理装置内に半導体基板１を配置する。材料ガス１６は例えばポリイミド材料を別の容器に入れ加熱して，発生するガスを処理装置内に引き込む方法でもよい。また、上記では各種の素子が形成された半導体基板１１を用いていたが、素子が形成されていないダミー基板（半導体基板やガラス基板等）を準備し、当該ダミー基板上にポリイミド膜１０の形成工程と同様の工程を再現し、その硬化反応過程時の揮発成分を用いて保護膜１５を形成することもできる。  
【００４２】
次に、材料ガス１６がパッド電極４の表面を含め最終表面に堆積するまで一定時間その状態を保持することで保護膜１５が形成される。この方法によれば、半導体基板１が配置された装置内に材料ガス１６を供給するだけでよいので継続的かつ確実に保護膜１５を形成できる利点がある。
【００４３】
次に、図５に示すように所定のダイシングラインＤＬに沿ったダイシングにより、個々の半導体チップに分割する。このダイシング時に使用する切削水には二酸化炭素を添加して比抵抗値を下げ、ダイシング時の静電気の発生を抑えている。
【００４４】
以上の工程によって、目的の半導体チップは完成し、保護膜１５を介してパッド電極４とボンディングワイヤ１７や他の電子デバイスの電極との電気的な接続が可能となる。なお、本実施形態のように形成された保護膜１５は、ポリイミドの揮発成分であり、非常に薄く形成できるため抵抗は大きくない。そのため、保護膜１５によってデバイス特性が劣化することはない。
【００４５】
上述したように、本実施形態ではパッド電極４上が保護膜１５で被覆されている。そのため、ダイシング時に用いる切削水や大気中に含まれる湿気等とパッド電極４とが接することが防止される。そのため、異種金属（本実施形態であれば反射防止層３や半導体基板１）との電池反応が回避され、パッド電極４の溶出が回避される。また、電池反応による腐食以外でも，大気中の湿気によるパッド電極４の変質も抑制できる。また、保護膜１５は絶縁性であるため、ダイシング時に電気を帯びた汚染物が生じたとしても、パッド電極４を含め半導体チップの表面に付着することが低減される。従って、ダイシング時の汚染物によるパッド電極４の腐食も低減される。
【００４６】
結果として、パッド電極４に対するワイヤボンディングや他の電子デバイスの電極との接続を良好に行うことが可能となり、半導体装置の信頼性及び歩留まりが向上する。また、パッド電極の腐食や汚染物の付着が少ないため外観不良も防止できる。
【００４７】
次に本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、パッシベーション膜５にパッド電極４に至る開口部６を形成するまでの工程は上記第１の実施形態と同様であるため、その説明を省略する。また、上記第１の実施形態と同様の構成については同一符号を用いてその説明を省略する。
【００４８】
図６に示すように、開口部６を有するパッシベーション膜５が形成された半導体基板１をダイシング装置３０に配置する。ここで、ダイシング装置３０は少なくとも半導体基板１を保持する保持部と、ダイシングブレード等の切削部と、ダイシング時に半導体基板１の表面（特にダイシングブレードとの接触部）に切削水を供給するための切削水供給部を備えるとする。
【００４９】
次に、カットを行う前に半導体基板１の表面全体が遮光状態となるように装置内の照度を落とす。本実施形態では、ダイシング装置３０全体を遮光部材３１（例えば黒カーテン）で覆うことで完全遮光状態としている。次に所定のダイシングラインＤＬに沿ったダイシングにより個々の半導体チップに分割する。なお、本実施形態では遮光部材３１でダイシング装置３０を覆っているが、ダイシング工程を行う部屋自体の明かりをなくす等して遮光状態としてもよい。
【００５０】
このように、本実施形態ではダイシング装置３０内の照度を落とし、好ましくは完全な遮光状態を維持しながらダイシングを行う。さらに詳しく言えば、切削水が供給されている間、照度を落とす。かかる状況の下でダイシングを行うとパッド電極４の溶出を防止することができた。一方、照度を出来るだけ上げた条件で同じようにダイシングを行うとパッド電極４の溶出の程度が大きかった。従って、ダイシング装置の照度を落とすことで電池反応の進行は緩やかになると考えられる。
【００５１】
なお、電池反応は可視光が影響していると推測され、可視光以外の光源であれば電池反応に対する影響はないと考えられる。そのため、ダイシングラインＤＬの位置合わせは例えば赤外線を発する光源を用いて行えるため、遮光状態であっても問題なくダイシング工程を行うことができる。
【００５２】
また、このような遮光条件下であればダイシング時に生じる汚染物の電気の帯び具合が減少すると推測され、汚染物が付着しにくくなると考えられる。そのため、遮光条件下でダイシング工程を行うことは汚染物不良（外観不良や、ダイシングの質の劣化等）の防止にも寄与すると考えられる。
【００５３】
従って、第２の実施形態によっても、パッド電極４の腐食や汚染物不良を防止することができ、半導体装置の信頼性及び歩留まりが向上する。また、パッド電極の腐食や汚染物の付着が少ないため外観不良も防止できる。
【００５４】
なお、本発明は上記第１及び第２の実施形態に限定されることはなくその要旨を逸脱しない範囲で変更が可能であることは言うまでも無い。例えば上記実施形態では反射防止層３が形成されていたが、図７に示すように反射防止層３が形成されていない場合でも適用できる。
【００５５】
また、上記では保護膜１５の形成としてポリイミド系の材料を用いたが、パッド電極の表面を切削水や汚染物や大気中の湿気等から保護する機能を有するのであれば材料を変える事は可能である。また、保護膜１５の形成方法を変更することも可能である。
【００５６】
また、上記実施形態ではパッド電極４が最上層であったが、パッド電極４上にさらに別の金属層を形成させ、その上で保護膜１５の形成や、遮光条件化のダイシングを行ってもよい。例えば、パッド電極４上にバリア層（例えば、チタン層，チタンナイトライド層，タンタル層，タンタルナイトライド層，チタンタングステン層等）をスパッタリング法やＰＶＤ法やＣＶＤ法等で形成し、パッド電極４及びバリア層を腐食や汚染物から保護するために本発明を適用することもできる。すなわち、本発明は金属層が形成され、当該金属層を腐食や汚染物から保護するために幅広く適用できるものである。    
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法及び本発明のダイシング装置を説明する断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る半導体装置を説明する断面図である。
【図８】従来の半導体装置及びその製造方法を説明する断面図である。
【図９】従来の半導体装置及びその製造方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  半導体基板    ２  第１の絶縁膜    ３  反射防止層    ４  パッド電極
５  パッシベーション膜    ６  開口部  １０  ポリイミド膜    １１  半導体基板
１２  揮発成分    １５  保護膜    １６  材料ガス    １７  ボンディングワイヤ
３０  ダイシング装置    ３１  遮光部材
１００  半導体基板    １０１  パッド電極    １０２  第１の絶縁膜    
１０３  パッシベーション膜    １０４  開口部    １０５  反射防止層
１０６  切削水    １０７  溶出部    １０８  汚染物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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