(57)【要約】【課題】チャンバ内外の圧力を調整することにより、減圧下でも排水を可能にしてスループットを向上させつつも、基板を清浄に処理できる。【解決手段】制御部７１は、チャンバ２３内を溶剤雰囲気にさせ、基板Ｗを処理位置から乾燥位置に移動させ、第２真空ポンプ４８によりチャンバ２３内を第１の圧力ＰＳ１まで減圧させるとともに、処理液をバッファタンク５３に排出させるまでに、第３真空ポンプ６５を操作して、バッファタンク５３内の圧力を第１の圧力ＰＳ１以下の第２の圧力ＰＳ２に調整する。よって、減圧した溶剤雰囲気下であっても、内槽３からバッファタンク５３に処理液を排出できるので、スループットを向上させることができる。その上、チャンバ２３内の加圧が不要であるので、加圧よる悪影響を受けることがなく、基板Ｗを清浄に乾燥させることができる。【選択図】図１
2008004874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液中から溶剤雰囲気中に移動させることにより基板を乾燥させる基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、
基板を保持し、前記処理槽内の処理位置と前記チャンバ内であって前記処理槽上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な保持機構と、
前記チャンバ内に溶剤の蒸気を供給する供給手段と、
前記処理槽から排出される処理液を前記チャンバ外で回収するバッファタンクと、
前記チャンバ内を減圧する第１の減圧手段と、
前記バッファタンク内を減圧する第２の減圧手段と、
前記供給手段により前記チャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、前記保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、前記第１の減圧手段により前記チャンバ内を第１の圧力まで減圧させるとともに、前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに排出させるまでに、前記第２の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第１の圧力以下の第２の圧力に調整する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理液中から溶剤雰囲気中に移動させることにより基板を乾燥させる基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、
基板を保持し、前記処理槽内の処理位置と前記チャンバ内であって前記処理槽上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な保持機構と、
前記チャンバ内に溶剤の蒸気を供給する供給手段と、
前記処理槽から前記チャンバ内に排出された処理液を前記チャンバ外で回収するバッファタンクと、
前記チャンバ内を減圧する第１の減圧手段と、
前記バッファタンク内を減圧する第２の減圧手段と、
前記供給手段により前記チャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、前記保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、前記第１の減圧手段により前記チャンバ内を第１の圧力まで減圧させるとともに、前記チャンバ内に排出された処理液を前記バッファタンクに排出させるまでに、前記第２の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第１の圧力以下の第２の圧力に調整する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記チャンバ内を第１の圧力に減圧させるまでに、前記バッファタンク内の圧力を予め第２の圧力に調整しておくことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理槽は、処理液を注入するための注入管を備え、
前記第１の減圧手段は、前記注入管からも減圧を行うことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対する乾燥処理を行う基板処理装置に係り、特に、溶剤雰囲気のチャンバ内を減圧した状態で、処理液中から基板を溶剤雰囲気中に基板を移動させて乾燥を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、純水を貯留する処理槽と、処理槽の周囲を囲うチャンバと、処理槽内の処理位置と処理槽上方の乾燥位置とにわたって基板を昇降させる保持機構と、チャンバ内にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気を供給するノズルと、チャンバ内を減圧する真空ポンプと、処理槽からチャンバの外部へ純水を排出する排出管とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような構成の装置では、まず、昇降アームを処理位置に移動させた状態で基板を純水洗浄する。そして、ノズルからイソプロピルアルコールの蒸気を供給してチャンバ内を溶剤雰囲気にした後、保持機構を乾燥位置に移動させる。次いで、真空ポンプによってチャンバ内を減圧して、基板に付着しているイソプロピルアルコールを乾燥させて基板を乾燥させる。
【特許文献１】特開平１１−８７３０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、減圧されているチャンバ内の処理槽に純水が貯留された状態であると、基板の乾燥処理に悪影響が生じる恐れがあるので、チャンバ内を減圧する前に、大気圧の状態で処理槽内の純水を排出する必要がある。つまり、チャンバの減圧中に排水を行うことができないので、処理液での処理から乾燥処理へという基板処理のスループットが悪くなるという問題がある。
【０００５】
また、上記の不都合を避けるために、溶剤雰囲気を形成してチャンバ内を減圧した後に、例えば窒素などの不活性ガスでチャンバ内を加圧しながら、処理槽内の純水を排出することも考えられる。しかしながら、このように加圧を行うと、チャンバ内のイソプロピルアルコールの蒸気が凝縮し、基板に液滴として付着して残渣が生じる。したがって、基板を清浄に乾燥させることができないという別異の問題が生じる。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、チャンバ内外の圧力を調整することにより、減圧下でも排水を可能にして基板処理のスループットを向上させつつも、基板を清浄に処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理液中から溶剤雰囲気中に移動させることにより基板を乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、基板を保持し、前記処理槽内の処理位置と前記チャンバ内であって前記処理槽上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な保持機構と、前記チャンバ内に溶剤の蒸気を供給する供給手段と、前記処理槽から排出される処理液を前記チャンバ外で回収するバッファタンクと、前記チャンバ内を減圧する第１の減圧手段と、前記バッファタンク内を減圧する第２の減圧手段と、前記供給手段により前記チャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、前記保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、前記第１の減圧手段により前記チャンバ内を第１の圧力まで減圧させるとともに、前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに排出させるまでに、前記第２の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第１の圧力以下の第２の圧力に調整する制御手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、制御手段は、供給手段によりチャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、第１の減圧手段によりチャンバ内を第１の圧力まで減圧させるとともに、処理槽内の処理液をバッファタンクに排出させるまでに、第２の減圧手段を操作して、バッファタンク内の圧力を第１の圧力以下の第２の圧力に調整する。これにより、チャンバ内の圧力とバッファタンク内の圧力は、互いに等しいか、バッファタンク内の圧力の方が低い状態となる。したがって、減圧した溶剤雰囲気下であっても、処理槽からバッファタンクに処理液を排出することができるので、基板処理のスループットを向上させることができる。その上、チャンバ内の加圧が不要であるので、加圧よる悪影響を受けることがなく、基板を清浄に乾燥させることができる。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、基板を処理液中から溶剤雰囲気中に移動させることにより基板を乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、基板を保持し、前記処理槽内の処理位置と前記チャンバ内であって前記処理槽上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な保持機構と、前記チャンバ内に溶剤の蒸気を供給する供給手段と、前記処理槽から前記チャンバ内に排出された処理液を前記チャンバ外で回収するバッファタンクと、前記チャンバ内を減圧する第１の減圧手段と、前記バッファタンク内を減圧する第２の減圧手段と、前記供給手段により前記チャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、前記保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、前記第１の減圧手段により前記チャンバ内を第１の圧力まで減圧させるとともに、前記チャンバ内に排出された処理液を前記バッファタンクに排出させるまでに、前記第２の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第１の圧力以下の第２の圧力に調整する制御手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、制御手段は、供給手段によりチャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、第１の減圧手段によりチャンバ内を第１の圧力まで減圧させるとともに、チャンバ内に排出された処理液をバッファタンクに排出させるまでに、第２の減圧手段を操作して、バッファタンク内の圧力を第１の圧力以下の第２の圧力に調整する。これにより、チャンバ内の圧力とバッファタンク内の圧力は、互いに等しいか、バッファタンク内の圧力の方が低い状態となる。したがって、減圧した溶剤雰囲気下であっても、チャンバからバッファタンクに処理液を排出することができるので、スループットを向上させることができる。その上、チャンバ内の加圧が不要であるので、加圧による悪影響を受けることがなく、基板を清浄に乾燥させることができる。
【００１１】
また、制御手段は、前記チャンバ内を第１の圧力に減圧させるまでに、前記バッファタンク内の圧力を予め第２の圧力に調整しておくことが好ましい（請求項３）。チャンバ内の圧力とバッファタンク内の圧力を異なるタイミングで調整するので、第１の減圧手段と第２の減圧手段とを兼用することができる。したがって、構成を簡略化することができ、装置コストを低減することができる。
【００１２】
また、処理槽は、処理液を注入するための注入管を備え、前記第１の減圧手段は、前記注入管からも減圧を行うことが好ましい（請求項４）。注入管からも減圧を行うことにより、効率的にチャンバ内を減圧することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、供給手段によりチャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、第１の減圧手段によりチャンバ内を第１の圧力まで減圧させるとともに、処理槽内の処理液をバッファタンクに排出させるまでに、第２の減圧手段を操作して、バッファタンク内の圧力を第１の圧力以下の第２の圧力に調整する。これにより、チャンバ内の圧力とバッファタンク内の圧力は、互いに等しいか、バッファタンク内の圧力の方が低い状態となる。したがって、減圧した溶剤雰囲気下であっても、処理槽からバッファタンクに処理液を排出することができるので、基板処理のスループットを向上させることができる。その上、チャンバ内の加圧が不要であるので、加圧よる悪影響を受けることがなく、基板を清浄に乾燥させることができる。
【実施例１】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図１は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成図である。
【００１５】
本実施例に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽１を備えている。この処理槽１は、処理液を貯留し、基板Ｗを収容可能な内槽３と、内槽３から溢れた処理液を回収する外槽５とを備えている。内槽３の底部には、処理液を内槽３に供給する２本の注入管７が配設されている。注入管７には、配管９が連通接続されている。この配管９は、供給管１１と吸引管１３に分岐されている。供給管１１は、処理液供給源１５に接続されており、その流量が制御弁からなる処理液弁１７で制御される。吸引管１３は、第１真空ポンプ１９に接続され、開閉弁２１により開閉される。処理液供給源１５は、フッ化水素酸（ＨＦ）や、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）・過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の混合液などの薬液や、純水などを処理液として供給する。
【００１６】
処理槽１は、その周囲がチャンバ２３で囲われている。チャンバ２３は、上部に開閉自在の上部カバー２５を備えている。起立姿勢で基板Ｗを保持するリフタ２７は、チャンバ２３の上方にあたる「待機位置」と、内槽３の内部にあたる「処理位置」と、内槽３の上方であってチャンバ２３の内部にあたる「乾燥位置」とにわたって移動可能である。上部カバー２５の下方には、一対の溶剤ノズル２９と、一対の不活性ガスノズル３１とが配設されている。
【００１７】
溶剤ノズル３１には、供給管３３の一端側が連通接続され、その他端側が蒸気発生装置３５に連通接続されている。この供給管３３には、流量調整のための制御弁からなる蒸気弁３７が配設されている。蒸気発生装置３５には、キャリアガス供給源３９から窒素などの不活性ガスがキャリアガスとして供給されるとともに、溶剤供給源４１からイソプロピルアルコールなどの溶剤が供給される。蒸気発生装置３５は、溶剤供給源４１からの溶剤を蒸気にするとともに、キャリアガスと混合して所定の温度で供給管３３に供給する。
【００１８】
不活性ガスノズル２９には、供給管４３の一端側が連通接続され、その他端側が、窒素ガスなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給源４５に連通接続されている。不活性ガスの供給量は、不活性ガス弁４７によって調整される。
【００１９】
チャンバ２３には、内部の気体を排出して減圧する第２真空ポンプ４８が配設されている。また、チャンバ２３内の減圧を解消するための開閉弁からなる呼吸弁４９が取り付けられている。
【００２０】
なお、上述した第１真空ポンプ１９と第２真空ポンプ４８とが第１の減圧手段に相当する。また、リフタ２７が本発明における保持機構に相当する。
【００２１】
内槽３の底部には、排出口５０が形成されている。この排出口５０には、排出管５１の一端側が連通接続されている。その他端側は、チャンバ２３の外部に配設されているバッファタンク５３に連通接続されている。排出管５１には、二つの制御弁が直列的に配設されている。上流側がＱＤＲ弁５５であり、下流側が排液弁５７である。これらの間には、外槽５に一端側を連通接続された排出管５９の他端側が連通接続されている。
【００２２】
バッファタンク５３には、バッファタンク吸引管６１とバッファタンク排液管６３とが連通接続されている。バッファタンク吸引管６１には、第３真空ポンプ６５が配設されている。また、バッファタンク排液管６３には、制御弁からなるバッファタンク排液弁６７が配設されている。
【００２３】
上述した第１真空ポンプ１９、開閉弁２１、上部カバー２５、リフタ２７、不活性ガス弁４７、第２真空ポンプ４８、呼吸弁４９、ＱＤＲ弁５５、排液弁５７、第３真空ポンプ６５、バッファタンク排液弁６７などの動作は、本発明における制御手段に相当する制御部７１により統括的に制御される。
【００２４】
次に、図２を参照して、上述した構成を備えた装置の動作について説明する。なお、図２は、処理毎に各部の動作状況を示す図である。この図２中において、弁の動作が開放である箇所には「開放」と記してあるが、空白の部分は「閉止」を意味する。同様に、ポンプが動作されている箇所には「ＯＮ」と記してあるが、空白の部分は「停止」を意味する。
【００２５】
制御部７１は、上部カバー２５を開放し、未処理の基板Ｗを複数枚保持しているリフタ２７を「待機位置」から「乾燥位置」に搬入させる（ステップＳ１）。このとき、排液弁５７は開放のままである。次に、制御部７１は、チャンバ２３内の酸素濃度低減処理を行う（ステップＳ２）。具体的には、不活性ガス弁４７及び呼吸弁４９を開放し、不活性ガス供給源４５からチャンバ２３内に不活性ガスを供給させる。これにより、チャンバ２３内の空気が不活性ガスによってパージされ、その結果、酸素濃度が低減される。
【００２６】
チャンバ２３内の酸素濃度が低減されると、制御部７１は、処理液弁１７を開放するとともに排液弁５７を開放する。これにより、処理液供給源１５から薬液が処理液として内槽３に供給され、溢れた処理液が外槽５に回収される。回収された処理液は、排出管５９を通してバッファタンク５３に回収されるとともに、バッファタンク排液管６３を通して排出される。このようにして処理液が供給された後、制御部７１は、リフタ２７を乾燥位置から処理位置にまで下降させ、これを所定時間だけ維持して基板Ｗに対して処理液による処理を行う（ステップＳ３）。
【００２７】
薬液処理を開始して所定時間が経過すると、制御部７１は、リフタ２７を処理位置に維持させたまま、処理液供給源１５からの薬液に代えて純水を処理液として供給させる。そして、その状態を所定時間だけ維持して、基板Ｗを純水で洗浄処理する（ステップＳ４）。
【００２８】
純水洗浄が完了すると、制御部７１は、処理液弁１７を閉止して純水の供給を停止させる。さらに、蒸気弁３７を開放して、蒸気発生装置３５からイソプロピルアルコール(IPA)の蒸気を所定の温度に過熱した状態で供給させる。これにより、内槽３に貯留している純水の液面がイソプロピルアルコールの蒸気によって置換される（ステップＳ５）。
【００２９】
上述したイソプロピルアルコールによる液面置換を所定時間だけ維持した後、制御部７１は、呼吸弁４９とバッファタンク排液弁６７を閉止する。この状態を所定時間だけ維持すると、チャンバ２３内にイソプロピルアルコールの蒸気が充満することになり、チャンバ２３内が溶剤雰囲気にされる（ステップＳ６）。
【００３０】
次いで、制御部７１は、リフタ２７を処理位置から乾燥位置へと移動させる。これにより、基板Ｗの表面に付着している純水がイソプロピルアルコールの蒸気によって置換され始める（ステップＳ７）。
【００３１】
蒸気による置換を開始した後、制御部７１は、不活性ガス弁４７を閉止させるとともに、第２真空ポンプ６５及び第３真空ポンプ５３を作動させる。これにより、チャンバ２３内が減圧され始め、チャンバ２３において乾燥位置にある基板Ｗに対する減圧乾燥が開始される（ステップＳ８）。このときの減圧は、第１の圧力ＰＳ１まで行われる。さらに、第３真空ポンプにより、バッファタンク５３内が減圧される。このときの減圧は、第２の圧力ＰＳ２まで行われる。この第２の圧力ＰＳ２は、第２の圧力ＰＳ１以下である。
【００３２】
減圧乾燥が開始されるとともに、制御部７１は、内槽３に残っている純水を急速排水させる（ステップＳ９）。これは、チャンバ２３内に大量の純水が存在することにより、乾燥処理に悪影響が及ばないようにするためである。制御部７１は、ＱＤＲ弁５５を開放する。すると、内槽３内に貯留している純水が排出管５１を介してバッファタンク５３内に排出される。
【００３３】
急速排水が完了すると、排液弁５７及びＱＤＲ弁５５を閉止する。さらに、第１真空ポンプ１９を作動させて、注入管７を介しての減圧も行う（ステップＳ１０）。注入管７からも減圧を行うことにより、効率的にチャンバ２３内を減圧することができる。但し、この減圧により、第２の圧力ＰＳ２よりチャンバ２３内の圧力が低下しないように制御する。
【００３４】
減圧乾燥を所定時間だけ行った後、気圧リカバリを行う（ステップＳ１１）。具体的には、第１〜第３真空ポンプ１９，４８，６５を停止させる。さらに、ＱＤＲ弁５５、排液弁５７、不活性ガス弁４７、呼吸弁４９を開放する。これにより第１の圧力ＰＳ１まで減圧されていたチャンバ２３内の圧力が大気圧にまで回復される。
【００３５】
気圧リカバリの後、制御部７１は、ＱＤＲ弁５５、排液弁５７、不活性ガス弁４７、呼吸弁４９を閉止するとともに、乾燥位置にあるリフタ２７をチャンバ２３外の待機位置にまで上昇させて基板Ｗを搬出させる（ステップＳ１２）。その後、制御部７１は、チャンバ２３の上部カバー２５を閉止するとともに、処理液弁１７を開放して、内槽３に処理液を満たしておくとともに、不活性ガス弁４７を開放してチャンバ２３内を不活性ガスで充満させておく（ステップＳ１３）。
【００３６】
上述したように制御部７１は、チャンバ２３内を溶剤雰囲気にさせ、リフタ２７により基板Ｗを処理位置から乾燥位置に移動させ、第２真空ポンプ４８によりチャンバ２３内を第１の圧力ＰＳ１まで減圧させるとともに、内槽３内の処理液をバッファタンク５３に排出させるまでに、第３真空ポンプ６５を操作して、バッファタンク５３内の圧力を第１の圧力ＰＳ１以下の第２の圧力ＰＳ２に調整する。これにより、チャンバ２３内の圧力とバッファタンク５３内の圧力は、互いに等しいか、バッファタンク５３内の圧力の方が低い状態となる。したがって、減圧した溶剤雰囲気下であっても、内槽３からバッファタンク５３に処理液を排出することができるので、基板Ｗ処理のスループットを向上させることができる。その上、チャンバ２３内の加圧が不要であるので、加圧よる悪影響を受けることがなく、基板Ｗを清浄に乾燥させることができる。
【実施例２】
【００３７】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
図３は、実施例２に係る基板処理装置の概略構成図である。なお、上述した実施例１と同じ構成について、同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
【００３８】
本実施例２における基板処理装置は、上述した実施例１における構成と以下の点において相違する。
すなわち、処理槽１は、内槽３のみで外槽５を備えていない。また、内槽３の排出口５０には、ＱＤＲ弁５５Ａが設けられ、ＱＤＲ弁５５Ａから排液すると、内槽３内の処理液がチャンバ２３内に一旦排出される。チャンバ２３の底部には、バッファタンク５３に連通接続された排出管５１Ａが取り付けられ、ここに排液弁５７Ａが設けられている。この排液弁５７Ａを開放することにより、チャンバ２３底部に貯留された処理液がバッファタンク５３に排出される。
【００３９】
次に、上述したように構成された基板処理装置の動作について、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、処理毎に各部の動作状況を示す図である。
【００４０】
基板表面のイソプロピルアルコールによる置換処理（ステップＳ７）までは、上述した実施例１と同様であるので詳細な説明については省略する。但し、処理槽１は、外槽５を備えていないので、薬液洗浄や純水洗浄時に供給された処理液は、内槽３から溢れてチャンバ２３の底部で回収され、排出管５１Ａを介してバッファタンク５３に回収され、バッファタンク排液管６３を通して排出される。
【００４１】
制御部７１は、基板Ｗ表面のイソプロピルアルコールによる置換処理が終了すると、不活性ガス弁４７及び蒸気弁３７を閉止するとともにＱＤＲ弁５５Ａを開放して、内槽３内の処理液をチャンバ２３に排出させるとともに、第３真空ポンプ６５を作動させる（ステップＳ２１）。これにより、内槽３内の処理液が急速排水されるとともに、バッファタンク５３内が減圧される。このときのバッファタンク５３の圧力は、第２の圧力ＰＳ２である。
【００４２】
次に、制御部７１は、排液弁５７Ａを開放し、第１真空ポンプ１９及び第２真空ポンプ４８を作動させ、チャンバ２３内を減圧する（ステップＳ２２）。このときのチャンバ２３の圧力は、第１の圧力ＰＳ１である。これにより、基板Ｗの乾燥が促されるとともに、チャンバ２３の底部に貯留している処理液が、内圧がチャンバ２３の圧力以下にされたバッファタンク５３に排出される。
【００４３】
上述したように制御部７１は、チャンバ２３内を溶剤雰囲気にさせ、リフタ２７により基板Ｗを処理位置から乾燥位置に移動させ、第２真空ポンプ４８によりチャンバ２３内を第１の圧力ＰＳ１まで減圧させるとともに、内槽３からチャンバ２３内に排出された処理液をバッファタンク５３に排出させるまでに、第３真空ポンプ６５を操作して、バッファタンク５３内の圧力を第１の圧力ＰＳ１以下の第２の圧力ＰＳ２に調整する。これにより、チャンバ２３内の圧力とバッファタンク５３内の圧力は、互いに等しいか、バッファタンク５３内の圧力の方が低い状態となる。したがって、減圧した溶剤雰囲気下であっても、チャンバ２３からバッファタンク５３に処理液を排出することができるので、スループットを向上させることができる。その上、チャンバ２３内の加圧が不要であるので、加圧による悪影響を受けることがなく、基板Ｗを清浄に乾燥させることができる。
【００４４】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４５】
（１）必ずしも第１真空ポンプ１９による注入管７からの減圧を併せて行う必要はなく、第２真空ポンプ４８からの減圧だけを行うようにしてもよい。これにより、真空ポンプ及び減圧に係る配管を少なくすることができる。
【００４６】
（２）バッファタンク５３の減圧は、急速排水までに行えばよく、例えば、基板表面のイソプロピルアルコールによる置換の時点（ステップＳ７）までにバッファタンク５３内の減圧を完了しておいてもよい。具体的には、第２真空ポンプ４８と第３真空ポンプ６５を一つの真空ポンプで構成し、切替弁でチャンバ２３かバッファタンク５３のいずれかに切り替える。これにより、装置の構成を簡単化することができる。
【００４７】
（３）上記の各実施例１，２では、処理槽１に供給した処理液を排出する構成を採用しているが、処理液を循環させるタイプの装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施例1に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図２】処理毎に各部の動作状況を示す図である。
【図３】実施例２に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図４】処理毎に各部の動作状況を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
Ｗ  …  基板
１  …  処理槽
３  …  内槽
５  …  外槽
７  …  注入管
９  …  配管
１１  …  供給管
１３  …  分岐管
１５  …  処理液供給源
１９  …  第１真空ポンプ（第１の減圧手段）
２７  …  リフタ（保持機構）
４８  …  第２真空ポンプ（第１の減圧手段）
５３  …  バッファタンク
５５  …  ＱＤＲ弁
５７  …  排液弁
６５  …  第３真空ポンプ（第２の減圧手段）
７１  …  制御部（制御手段）
ＰＳ１  …  第１の圧力
ＰＳ２  …  第２の圧力
【図１】
2008004874.tif 000003
【図２】
2008004874.tif 000004
【図３】
2008004874.tif 000005
【図４】
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