(57)【要約】      （修正有）【課題】強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体及びその製造方法を提供する。【解決手段】強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体は、基板１０と、基板１０上に形成された下部電極２０と、下部電極２０上に形成された強誘電体ナノドット３２とを具備し、強誘電体ナノドット３２は、互いに離隔するように形成され、複数の強誘電体ナノドットが１つのビット領域を形成する。ヘッド４０と下部電極２０との間に電圧パルスを印加すれば、強誘電体ナノドット３２の分極が変化しうる。電圧の符号によって、分極方向が上向きまたは下向きになる。このような分極状態の読み取りは、記録／読み取りヘッド４０を利用して検出でき、強誘電体ナノドット３２からなる１ビット領域の記録データを読み取ることが可能である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された強誘電体ナノドットとを具備し、
前記強誘電体ナノドットは、互いに離隔するように形成され、複数の強誘電体ナノドットが１つのビット領域を形成することを特徴とする強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体。
【請求項２】
前記強誘電体ナノドットの大きさは、１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の強誘電体情報記録媒体。
【請求項３】
前記強誘電体ナノドットは、前記下部電極上に単一層で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の強誘電体情報記録媒体。
【請求項４】
前記強誘電体ナノドットは、ＰｂＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、ＢｉＦｅＯ３を含む強誘電体物質のうち、いずれか１つの物質から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の強誘電体情報記録媒体。
【請求項５】
前記基板は、シリコン、ガラス、アルミナのうち、いずれか１つの物質から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の強誘電体情報記録媒体。
【請求項６】
前記強誘電体ナノドット上には、保護層がさらに形成されたことを特徴とする請求項１に記載の強誘電体情報記録媒体。
【請求項７】
前記保護層上には、潤滑層がさらに形成されたことを特徴とする請求項６に記載の強誘電体情報記録媒体。
【請求項８】
基板上に下部電極を形成する第１段階と、
前記下部電極上に、強誘電体の金属物質を含む前駆体ナノドット層を形成する第２段階と、
前記前駆体ナノドット層上に、前記前駆体ナノドット層の前駆体ナノドットと結合して強誘電体ナノドットを形成する反応ガスを供給する第３段階と、
前記前駆体ナノドット層を加熱し、前記強誘電体ナノドットを形成する第４段階とを含むことを特徴とする強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記第２段階は、
前記前駆体ナノドット層の各前駆体ナノドットの表面に、有機物分散剤を配位する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記前駆体ナノドット層は、互いに離隔された前駆体ナノドットからなることを特徴とする請求項８に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記前駆体ナノドットは、１５ｎｍ以下の大きさに形成されたことを特徴とする請求項８に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記第２段階は、
前記前駆体ナノドットが分散された溶液を下部電極上に薄膜化し、前記前駆体ナノドット層を形成することを特徴とする請求項９に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記薄膜化は、
スピン・コーティング、ディップ・コーティング、ブレード・コーティング、スクリーン・プリンティング、化学的自己組織化、ラングミュア−ブロジェット法、スプレー・コーティング法のうち、いずれか１つの方法を使用することを特徴とする請求項１２に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記第２段階は、
前記溶液には、前記前駆体ナノドットが０．０５ｗｔ％ないし１ｗｔ％含まれたことを特徴とする請求項１２に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記溶液の溶媒は、クロロホルム、ジクロロメタン、ヘキサン、トルエン、エーテル、アセトン、エタノール、ピリジン、テトラヒドロフランを含む有機溶媒のうち、いずれか１つであることを特徴とする請求項１２に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記前駆体ナノドット層は、前駆体ナノドットの単一層であることを特徴とする請求項８に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記第２段階は、
前記有機物分散剤を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記有機物分散剤の除去段階は、
前記前駆体ナノドット層を熱処理するか、または前記前駆体ナノドット層を酸素（Ｏ２）プラズマ処理することを特徴とする請求項１７に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
前記第２段階は、
Ｔｉ、Ｎｂ、Ｆｅのうちいずれか一つを含む前駆体ナノドットを形成する段階であることを特徴とする請求項９に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記第４段階は、
４００℃ないし９００℃で加熱する段階を含むことを特徴とする請求項９に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記第４段階は、
ＰｂＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、ＢｉＦｅＯ３を含む強誘電体物質のうち、いずれか１つの物質からなるナノドット層を形成する段階であることを特徴とする請求項９に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記強誘電体ナノドットは、１５ｎｍ以下の大きさに形成されたことを特徴とする請求項８に記載の強誘電体情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報保存のための強誘電性物質を含む情報記録媒体に係り、さらに詳細には、情報保存部である強誘電体ナノドット層を有する情報記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク（ｈａｒｄ  ｄｉｓｋ）、光ディスク（ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｉｓｋ）のような情報保存（ｄａｔａ  ｓｔｏｒａｇｅ）装置技術の急激な発達により、１８０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度を有する情報保存装置が開発され、デジタル技術の急激な発達は、さらに高容量の情報保存装置を要求するようになっている。
【０００３】
従来のハードディスクの超常磁性（ｓｕｐｅｒｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ）限界や、光ディスクのレーザの回折限界などによって、記録密度が制限されている。最近、近接場光学（ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ  ｏｐｔｉｃｓ）技術を利用し、光の回折限界を克服して１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度を有する情報保存装置を開発しようとする研究が進められている。また、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の場合には、ディスクリートトラックメディアを利用し、４００Ｇｂ／ｉｎ２以上の密度をデモンストレーションしていた。
【０００４】
一方、既存の情報保存装置とは異なり、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で見ることができるチップ状のプローブ（ｔｉｐ−ｓｈａｐｅｄ  ｐｒｏｂｅｓ）を利用して高容量情報保存装置を製作しようとする研究も進められている。前記チップ状のプローブは数ｎｍサイズまで小さくできるので、このようなチップ状のプローブを利用して原子レベルの表面微細構造も観察できるようになった。このような特性を有するチップ状のプローブを利用すれば、理論的にテラビット（ｔｅｒａ  ｂｉｔ）級の情報保存装置も可能でありえる。チップ状のプローブを利用するとき、従来の強誘電体薄膜は、多結晶質による結晶サイズの不均一によってデータ維持特性が不良になりえる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前述の従来技術の問題点を改善するために創出されたものであり、本発明の目的は、大きさが均一なナノドットからなる情報保存層を具備した強誘電体ナノドットを有する情報記録媒体を提供することである。
【０００６】
本発明の他の目的は、前記情報記録媒体を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するために、本発明の強誘電体ナノドットを有する情報記録媒体は、基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体ナノドットとを具備し、前記強誘電体ナノドットは、互いに離隔するように形成され、複数の強誘電体ナノドットが１つのビット領域を形成することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、前記強誘電体ナノドットの大きさは、ほぼ１５ｎｍ以下である。
【０００９】
また、前記強誘電体ナノドットは、前記下部電極上に単一層で形成される。
【００１０】
前記強誘電体ナノドットは、ＰｂＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、ＢｉＦｅＯ３など強誘電体物質のうち、いずれか１つの物質から形成されることが望ましい。
【００１１】
前記基板は、シリコン、ガラス、アルミナのうち、いずれか１つの物質から形成される。
【００１２】
前記強誘電体ナノドット上には、保護層がさらに形成され、前記保護層上には、潤滑層がさらに形成されうる。
【００１３】
前記他の目的を達成するために、本発明の強誘電体ナノドットを有する情報記録媒体の製造方法は、基板上に下部電極を形成する第１段階と、前記下部電極上に、強誘電体の金属物質を含む前駆体ナノドット層を形成する第２段階と、前記前駆体ナノドット層上に、前記前駆体ナノドットと結合して強誘電体ナノドットを形成する反応ガスを供給する第３段階と、前記前駆体ナノドット層を加熱し、前記強誘電体ナノドットを形成する第４段階とを含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、前記第２段階は、前記前駆体ナノドット層の各ナノドットの表面が有機物で配位される段階である。
【００１５】
前記前駆体ナノドット層は、互いに離隔されたナノドットからなる。
【００１６】
前記前駆体ナノドットは、１５ｎｍ以下の大きさに形成されることが望ましい。
【００１７】
また、前記第２段階は、前記前駆体ナノドットが分散された溶液を下部電極上に薄膜化し、前記前駆体ナノドット層を形成することが望ましい。前記薄膜化方法としては、一般的に周知のスピン・コーティング、ディップ・コーティング、ブレード・コーティング、スクリーン・プリンティング、化学的自己組織化（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ）、ラングミュア−ブロジェット法、スプレー・コーティングなどが可能である。
【００１８】
前記溶液には、前記ナノドットが０．０５ｗｔ％ないし１ｗｔ％含まれうる。
【００１９】
前記溶液の溶媒は、極性溶媒と無極性溶媒とがいずれも使われ、クロロホルム、ジクロロメタン、ヘキサン、トルエン、エーテル、アセトン、エタノール、ピリジン、テトラヒドロフランなどが使われうる。
【００２０】
本発明によれば、前記前駆体ナノドット層は、前駆体ナノドットからなる単一層である。
【００２１】
前記第２段階は、前記ナノドット表面に配位された有機物分散剤を除去する段階をさらに含む。
【００２２】
前記有機物分散剤の除去段階は、前記前駆体ナノドット層を２００℃以上で熱処理するか、または前記前駆体ナノドット層を酸素（Ｏ２）プラズマ処理する段階である。
【００２３】
また、前記第２段階は、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｆｅのうちいずれか一つを含む前駆体ナノドットを形成する段階である。
【００２４】
前記第４段階は、４００℃ないし９００℃で加熱する段階を含む。
【００２５】
前記第４段階は、ＰｂＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、ＢｉＦｅＯ３のような強誘電体物質のうち、いずれか一つからなるナノドット層を形成する段階である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、強誘電体ナノドットの大きさが１５ｎｍ以下に均一に制御でき、強誘電体ナノドットが互いに離隔されているので、熱処理過程でナノドット間の再成長が抑制される。また、ナノドットが下部電極上に等しく自発的に配され（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ）、多数のナノドットが１つのビット領域を形成するので、それらナノドットが正確に配列されることが不要であり、従って精密なパターニング工程を必要としない。
【００２７】
また、薄膜形態の強誘電体層ではなく、互いに離隔されたナノドット層であるので、ナノドット結晶内の応力が減少し、従ってマグネチック情報特性が良好になる。
【００２８】
このような強誘電体情報記録媒体の製造方法は、その製造工程が簡単であって容易であるだけではなく、前記製造方法を利用すれば、記録特性の向上した強誘電体記録媒体の製造が可能でありえる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施例による強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体及びその製造方法について詳細に説明する。この過程で図面に図示された層や領域の厚さは、明細書の明確性のために誇張されて図示されている。
【００３０】
図１は、本発明の望ましい実施例による強誘電体ナノドット層３０を有する強誘電体情報記録媒体の断面図である。
【００３１】
図１を参照すれば、基板１０上に、下部電極２０が形成されており、前記下部電極２０上には、強誘電体ナノドット３２からなる強誘電体ナノドット層３０が形成されている。強誘電体ナノドット３２は、均一に（ｕｎｉｆｏｒｍｌｙ）分布されている。前記基板１０と前記下部電極２０との間には、それらの接着性を良好にするために、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒのような接着物質（図示せず）がさらに形成されうる。また、前記下部電極２０及び強誘電体ナノドット３２間にも、前記接着物質のような接着剤がさらに形成されうる。
【００３２】
前記基板１０は、半導体産業で広く使われるシリコン基板が使われるが、ガラス基板またはアルミナ基板が使われることもある。
【００３３】
前記下部電極２０は、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、イリジウム酸化物（ＩｒＯ２）またはＳｒＲｕＯ３などが使われうる。
【００３４】
前記ナノドット３２は、強誘電性物質、例えばＰｂＴｉＯ３ナノドットであり、それらナノドット３２は、図２で分かるように、互いに離隔するように配されている。それらは、後述する製造方法で説明するように、その大きさが一定に形成され、望ましくは、前記ナノドット３２は、直径が１５ｎｍ以下に形成され、ナノドット３２間の間隔は、調節が可能である。それらナノドット３２は、製造過程で自発的に一定の間隔をおいて形成されるが、整列された構造を取っていないこともある。このような複数のナノドット３２が集まって、１ビット情報領域になる。それらナノドット３２の直径が数ｎｍに形成されれば、１平方インチ当たり１テラビットの形成が可能になる。従って、本発明の情報記録媒体は、従来の情報記録媒体より顕著に向上した集積密度を示すことができる。
【００３５】
前記強誘電体ナノドット３２は、ＰｂＴｉＯ３ナノドットに限定されるものではない。すなわち、ＢｉＦｅＯ３またはＫＮｂＯ３のような強誘電体物質からも形成されうる。
【００３６】
前記強誘電体ナノドット層３０は、単一層で形成される。前記強誘電体ナノドット層３０上には、保護層（図示せず）がさらに形成されうる。前記保護層は、例えばＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）により形成され、それ以外にも多様な他の物質から形成されうる。また前記保護層上には、潤滑層（図示せず）がさらに形成されうる。
【００３７】
図１で参照番号４０は、記録／読み取りヘッドを指し、これは、抵抗性プローブ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ｐｒｏｂｅ）またはハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の記録／読み取りヘッドでありうる。前記ヘッド４０と下部電極２０との間に電圧パルスを印加すれば、強誘電体ナノドット３２の分極（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）が変化しうる。前記電圧の符号によって、分極方向が上向きまたは下向きになる。このような分極状態の読み取りは、記録／読み取りヘッド４０を利用して検出でき、従って強誘電体ナノドット３２からなる１ビット領域の記録データを読み取ることが可能である。
【００３８】
本発明の情報記録媒体の構造は、後述する製造方法から明らかである。
【００３９】
図３Ａないし図３Ｄは、本発明の望ましい実施例による強誘電体薄膜の製造方法を示す工程図である。図１の構成要素と実質的に同じ構成要素には、同じ参照番号を使用して詳細な説明は省略する。
【００４０】
図３Ａを参照すれば、基板１０上に、接着層１２及び下部電極２０を形成する。前記基板１０として、シリコン基板、ガラス基板またはアルミナ基板が使われうる。シリコン基板を使用する場合、基板１０上にＳｉＯ２層が形成されうる。前記接着層１２は、下部電極２０及び基板１０間の接着を良好にするためのものであり、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒのような接着物質を蒸着して形成できる。前記下部電極２０は、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、イリジウム酸化物（ＩｒＯ２）またはＳｒＲｕＯ３などで蒸着し、１００ｎｍ以下の厚さに形成する。
【００４１】
図３Ｂを参照すれば、下部電極２０上に、強誘電体物質の金属物質を含む前駆体ナノドット層３４を形成する。前駆体ナノドット層３４は、複数の前駆体ナノドット３６から形成され、前記前駆体ナノドット３６は、図２での強誘電体ナノドット３２のように、互いに離隔するように形成される。前記前駆体ナノドット３６が有機物分散剤３８により分散された溶液を下部電極２０上に薄膜化し、前記前駆体ナノドット層３４が形成されうる。前記強誘電体物質は、ＰｂＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、ＢｉＦｅＯ３のような強誘電体物質からなりうる。前記金属物質は、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｆｅであり、それら金属物質が酸化物または窒化物の形態で前記強誘電体物質は形成されうる。
【００４２】
前記薄膜化工程は、スピン・コーティング、ディップ・コーティング、ブレード・コーティング、スクリーン・プリンティング、化学的自己組織化、ラングミュア−ブロジェット法、スプレー・コーティング法のうち、いずれか１つの方法を使用できる。
【００４３】
前記前駆体ナノドット３６の表面には、前記有機物分散剤３８が配位されており、この有機物分散剤３８によって、ナノドット３６が離隔される。前記ナノドット３６は、望ましくは１５ｎｍ以下の大きさに形成され、単一層（ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）で形成される。
【００４４】
次に、ＴｉＯ２ナノドットを下部電極２０上に形成する方法について説明する。
【００４５】
まず、ＴｉＯ２のナノドットを溶液中で合成する。このために、０．４ｇのオレイン酸（ｏｌｅｉｃ  ａｃｉｄ）、２０μｌのトリオクチルアミン（ｔｒｉｏｃｔｙｌａｍｉｎｅ）、１μｌのオレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）、０．１ｇの塩化チタンを同時に還流コンデンサ（ｒｅｆｌｕｘ  ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）の設けられた１２５μｌフラスコに入れ、撹拌しつつ、反応温度をゆっくり３２０℃に上げて３２０℃で約２時間反応させた。反応が終った後、反応混合物をできる限り速く冷却させた後、非溶媒（ｎｏｎ  ｓｏｌｖｅｎｔ）であるアセトンを付加して遠心分離を実施した。遠心分離された沈殿物を除外した溶液の上澄み液は捨て、沈殿をヘキサンに約１ｗｔ％溶液になるように分散させた。溶媒として前記ヘキサンの代りに、クロロホルム、ジクロロメタン、ヘキサン、トルエン、エーテル、アセトン、エタノール、ピリジン、テトラヒドロフランを含む有機溶媒のうち、いずれか一つを使用できる。
【００４６】
このように製造されたＴｉＯ２ナノドットの電子顕微鏡写真（ＴＥＭ）が図４に示されている。
【００４７】
ＴｉＯ２ナノドットの表面は、図５に図示されているように、オレイン酸基によって取り囲まれている。ＴｉＯ２ナノドットの分散された溶液を下部電極２０上にスピン・コーティングする。このとき、スピン・コーティングの速度、またはＴｉＯ２ナノドットの濃度、溶媒の種類を調節し、ＴｉＯ２ナノドットを単一層で形成する。下部電極２０上にスピン・コーティングされたＴｉＯ２ナノドットは、表面に取り囲まれたオレイン酸によって、互いに離隔されており、自発的に整列される（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ）。すなわち、精密な配列ではないが、ある程度一定の間隔を維持する。
【００４８】
前記ＴｉＯ２の濃度は、０．０５ｗｔ％ないし１ｗｔ％であることが望ましい。前記濃度が０．０５ｗｔ％以下である場合、ナノドット間の距離が離れすぎて密度が落ちてしまい、１ｗｔ％以上である場合、ナノドット層が過度に厚く形成され、単一層で形成し難くなる。
【００４９】
次に、前記前駆体ナノドット３６の表面に配位された有機物分散剤３８を除去する。有機物分散剤３８は、Ｏ２プラズマ法によって１ないし５分処理することによって除去されてよい。また、後述する熱処理工程で、有機物分散剤３８を除去することも可能である。
【００５０】
図３Ｃを参照すれば、前記前駆体ナノドット３６を強誘電体ナノドット３２に変換するために、ＴｉＯ２前駆体ナノドット３６にＰｂＯ反応ガスを反応させる。前記前駆体の物質が変わる場合、それによる反応ガスの物質が変わる。例えば、前駆体がＴｉまたはＴｉＮである場合には、酸素ガスをさらに供給する。前駆体がＦｅＯである場合、Ｂｉ２Ｏ３反応ガスを使用し、前駆体がＮｂＯである場合、Ｋ２Ｏ反応ガスを使用する。また、前駆体がＦｅまたはＮｂである場合、酸素雰囲気で当該反応ガスを供給して強誘電体ナノドット３２を形成する。前記強誘電体ナノドット３２は、単一層の強誘電体ナノドット層３０を形成する。
【００５１】
前記ＰｂＯ反応ガスは、熱蒸発（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリングの工程により供給されうる。例えば、ＰｂＯ粉末を加熱処理して蒸発させることによって、ガス状のＰｂＯを得ることができる。他の方法として、ＰｂターゲットまたはＰｂＯターゲットをスパッタに設け、酸素（Ｏ２）を含んだプラズマ雰囲気でスパッタリングすることによって、ガス状のＰｂＯを容易に得ることができる。
【００５２】
前記前駆体ナノドット３６と反応ガスとの反応は、４００℃ないし９００℃範囲の雰囲気で行われることが望ましい。前記加熱処理の結果、加熱処理温度が４００℃以下と低い場合、前記前駆体ナノドット３６と反応ガスとの反応が円滑に行われないことがある。また、加熱処理温度が９００℃以上と高すぎる場合、すでに形成された強誘電体ナノドット３２から反応ガスが揮発しうる。
【００５３】
図３Ｄを参照すれば、前記強誘電体ナノドット３２上に、保護層４１及び潤滑層４２をさらに形成でき、このような保護層４１及び潤滑層４２の形成方法は、情報記録媒体の製造方法で周知であるので、詳細な説明は省略する。
【００５４】
本発明の強誘電体ナノドットを有する情報記録媒体の製造方法によれば、８００℃ないし９００℃の高温でも、強誘電体ナノドット３２の形成時に分離された前駆体ナノドット３６のために、前駆体ナノドット３６が接触して再成長することが防止されるので、強誘電体ナノドット３２のサイズは一定になる。従って、高温成長による結晶性が良好になり、情報保存特性が向上しうる。
【００５５】
また、強誘電体ナノドット３２間のギャップがほとんどなく、強誘電体ナノドット３２と接触される記録／読み取りヘッドの部分が相対的に前記ギャップより大きいので、強誘電体ナノドット３２の粗度（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が良好であると認識される。
【００５６】
以上、このような本願発明の理解の一助となるべく、いくつかの模範的な実施例について説明を行い、かつ添付された図面に図示したが、このような実施例は例示的なものにすぎず、当分野で当業者ならば、前記実施例から多様な変形及び均等な他実施例が可能であるという点を理解していることであろう。従って、本発明は、図示されて説明された構造並びに工程順序のみに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の技術思想を中心に保護されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明の強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体及びその製造方法は、例えば、記録媒体関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の望ましい実施例による強誘電体ナノドット層を有する強誘電体情報記録媒体の断面図である。
【図２】図１の強誘電体ナノドットの配置を示す図面である。
【図３Ａ】本発明の望ましい実施例による強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体の製造方法を段階的に示す工程図である。
【図３Ｂ】本発明の望ましい実施例による強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体の製造方法を段階的に示す工程図である。
【図３Ｃ】本発明の望ましい実施例による強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体の製造方法を段階的に示す工程図である。
【図３Ｄ】本発明の望ましい実施例による強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体の製造方法を段階的に示す工程図である。
【図４】ＴｉＯ２ナノドットの大きさと形態とを示すＴＥＭ写真である。
【図５】ＴｉＯ２ナノドットの表面にカルボキシル基が含まれた分散剤の配位された（ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅｄ）ところを示す模型図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  基板
１２  接着層
２０  下部電極
３０  強誘電体ナノドット層
３２  ナノドット
３４  前駆体ナノドット層
３６  前駆体ナノドット
３８  有機物分散体
４０  記録／読み取りヘッド
４１  保護層
４２  潤滑層
【図１】
2008219007.tif 000003
【図２】
2008219007.tif 000004
【図３Ａ】
2008219007.tif 000005
【図３Ｂ】
2008219007.tif 000006
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
2008219007.tif 000008
【図５】
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【図４】
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