(57)【要約】      （修正有）【課題】試料の表面に形成する描画パターンの描画領域が大きい場合でも、描画パターンを正確、かつ容易に描画することができる荷電粒子ビーム描画装置および描画方法を提供する。【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、描画領域が分割された各分割画素に描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、先頭アドレスと走査開始点を設定Ｓ１０，Ｓ１２し、第１の走査方向に荷電粒子ビームを各分割画素に走査させつつ、荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、描画パターンのうち走査線部分のパターンを形成Ｓ１４し、これを繰返し行うＳ１６。基準分割画素と分割画素とを比較し、分割画素が大きい場合、同じ分割画素内で荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、パターンデータのうち、走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、荷電粒子ビームを第１の走査方向に複数回繰り返し走査させる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料の表面の描画パターンを形成する描画領域について、前記描画領域を所定の分解能で画素分割して、各分割画素に前記描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、直交する２方向のうち、第１の走査方向に前記荷電粒子ビームを前記描画領域に対応する前記各分割画素に走査させつつ、前記試料の表面に対する前記荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、前記描画パターンのうち、前記第１の走査方向の走査線部分のパターンを形成し、前記走査線部分のパターンの形成を前記第１の方向と直交する第２の方向にずらしつつ繰返し行い、前記描画パターンを形成する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビームを前記各分割画素に走査させる走査部と、
前記走査部の前記荷電粒子ビームの走査分解能よりも高い分解能を有し、前記第１の方向における前記荷電粒子ビームの走査開始位置を設定する第１の位置設定部と、
前記走査部の前記荷電粒子ビームの走査分解能よりも高い分解能を有し、前記第２の方向における前記荷電粒子ビームの走査開始位置を設定する第２の位置設定部と、
前記分割画素と、基準となる基準分割画素とを比較し、前記分割画素の方が大きい場合、前記第１の位置設定部および前記第２の位置設定部により、同じ分割画素内で前記荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、前記パターンデータのうち、前記走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、前記荷電粒子ビームを第１の走査方向に複数回繰り返し走査することにより前記走査線部分のパターンを形成させる制御部とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記分割画素に対する前記基準分割画素の面積比率により前記走査の繰返し回数を決定する請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記荷電粒子ビームは、電子ビームまたはイオンビームである請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
試料の表面の描画パターンを形成する描画領域について、前記描画領域を所定の分解能で画素分割して、各分割画素に前記描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、直交する２方向のうち、第１の走査方向に前記荷電粒子ビームを前記描画領域に対応する前記各分割画素に走査させつつ、前記試料の表面に対する前記荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、前記描画パターンのうち、前記第１の走査方向の走査線部分のパターンを形成し、前記走査線部分のパターンの形成を前記第１の方向と直交する第２の方向にずらしつつ繰返し行い、前記描画パターンを形成する描画方法であって、
前記分割画素と、基準となる基準分割画素とを比較し、前記分割画素の方が大きい場合、同じ分割画素内で前記荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、前記パターンデータのうち、前記走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、前記荷電粒子ビームを第１の走査方向に複数回繰り返し走査することにより前記走査線部分のパターンを形成することを特徴とする描画方法。
【請求項５】
前記荷電粒子ビームの第１の走査方向の走査の繰返し回数は、前記分割画素に対する前記基準分割画素の面積比率により決定されるものである請求項４に記載の描画方法。
【請求項６】
前記荷電粒子ビームは、電子ビームまたはイオンビームである請求項４または５に記載の描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビームなどの荷電粒子ビームを用い、ラスタ走査により、感光性材料などの試料の表面にパターンを形成する荷電粒子ビーム描画装置および描画方法に関し、特に、パターンの描画領域が大きい場合でも、パターンを正確、かつ容易に描画することができる荷電粒子ビーム描画装置および描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子ビームを用いた電子ビーム描画装置がある。この電子ビーム描画装置は、電子ビームを偏向させて、試料の表面に所定のパターンを直接描画するものである。
電子ビーム描画装置の描画方式としては、一定方向に繰返し走査し、この走査に合わせて電子ビームの試料表面への照射（オン）または非照射（オフ）を行い、描画するラスタ走査と呼ばれるものがある。また、描画領域内における所定のパターン領域内で、電子ビームを走査して、描画するベクタ走査と呼ばれるものがある。
【０００３】
ラスタ走査においては、予めパターンデータ（電子ビームの試料表面への照射（オン）または非照射（オフ）を示すデータ）をメモリ（ＲＡＭ）に蓄えておき、試料上の描画領域全域を走査しながら、メモリからパターンデータを順次読出し、電子ビームを走査するとともに、電子ビームの試料表面への照射（オン）および非照射（オフ）を制御することにより、所定のパターンを描画領域に形成する。
【０００４】
具体的には、ラスタ走査では、図５（ａ）に示すように、矩形の描画領域１００に、矩形のパターン１０２を形成する場合、電子ビームを走査方向Ｘに延びる所定の走査線１０４上を走査し、走査線１０４の走査が終了した後、電子ビームの走査方向Ｘと直交する走査方向Ｙに電子ビームの走査開始点を移動させて、電子ビームを走査する。このような電子ビームの走査を繰返し行う。
【０００５】
メモリには、図５（ｂ）に示すように、描画領域１００（図５（ａ）参照）が所定の分割数で画素分割され、複数の分割画素１１２からなる分割描画領域１１０が仮想的に設けられている。この分割描画領域１１０において、斜線部で示す領域１１４がパターン１０２（図５（ａ）参照）に相当するものである。
メモリにおいては、描画領域１００をマッピングしてそのパターン１０２のパターンデータが二値データとして蓄えられている。このパターンデータは、走査順に、時系列的に並べられている。
例えば、分割描画領域１１０において、パターン１０２（図５（ａ）参照）に相当する領域に”１”（試料表面へ照射）が割り当てられ、パターン１０２（図５（ａ）参照）に相当しない領域には、”０”（試料表面へ非照射）が割り当てられている。
なお、分割描画領域１１０において、データ列１１６ａは、走査線１０４ａに対応し、データ列１１６ｂは、走査線１０４ｂに対応するものである。
【０００６】
また、描画領域１００において、パターン１０２を通過しない走査線１０４ａでは、パターンデータが、電子ビームの試料表面への非照射（オフ）であり、電子ビームは試料の表面に照射されない。一方、パターン１０２を通過する走査線１０４ｂにおいては、走査方向Ｘにおいて、パターン１０２となる前端部１０６ａで電子ビームが試料の表面に照射され、パターン１０２となる後端部１０６ｂで電子ビームの試料の表面への照射が停止される。
【０００７】
次に、電子ビーム描画装置におけるラスタ走査によるパターン描画について、図６（ａ）〜（ｃ）に基づいて、走査線１０４ａおよび走査線１０４ｂの走査について説明する。
走査線１０４ａ上を走査する場合、図６（ａ）に示すように、走査距離に応じて電圧を高くすることにより、電子ビームを走査方向Ｘに走査する。なお、図６（ａ）において、区間１２０ａが、走査線１０４ａに対応し、区間１２０ｂが、走査線１０４ａに対応する。
この電子ビームの走査に同期して、走査時間と画素数により決定される１画素当りのビーム照射時間毎にメモリからパターンデータを読み出し、更新することにより、所望の位置にて電子ビームの試料表面への照射、非照射を制御することができる。この場合、走査線１０４ａにおいては、パターンがないため、試料の表面に電子ビームが照射されない。
【０００８】
次に、走査線１０４ｂを走査する場合、電子ビームの走査開始位置を、走査方向Ｙに所定の距離移動させる。
そして、電子ビームを走査方向Ｘに走査する。この電子ビームの走査に同期して、メモリからパターンデータ（図６（ｂ）参照）が読み出される。走査線１０４ｂにおいては、パターン１０２（図５（ａ）参照）の一部があるため、パターンデータの値が”１”の区間１２２、すなわち、パターン１０２の前縁部１０６ａから後縁部１０６ｂの区間、試料の表面に電子ビームが照射される。
このように、電子ビームを走査する場合、電子ビームの走査開始位置を設定し、そして、電子ビームを走査方向Ｘに走査する。この電子ビームの走査に同期して、メモリからパターンデータを読み出し、電子ビームを試料の表面に照射することにより、所定のパターンを試料の表面に形成することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
電子ビーム描画装置においてラスタ走査を行う場合、図７（ａ）に示すように、通常、描画領域１００内のパターン１０２を形成するための分割描画領域１１０における分割画素１１２の数と、電子ビームのスポットαの移動のカウント数とが同じである。すなわち、描画領域１００においては、対応する分割描画領域１１０における各分割画素１１２に対して、分割画素１１２ａの一辺の長さｍと等しい長さの走査ピッチｐで、電子ビームが走査され、さらに、パターンデータ（電子ビームの試料表面への照射（オン）または非照射（オフ）を示すデータ）をメモリから読み出し、電子ビームの各走査点における試料の表面への電子ビームの照射、非照射の制御を行っている。これにより、パターンが形成される。
【００１０】
電子ビーム描画装置においては、描画領域１００が大きい場合には、分割数が一定の値であれば、図７（ｃ）に示すように、分割画素１１２ｂが大きくなり、分割画素１１２ｂの一辺の長さＭが長くなる。
分割画素１１２ｂが大きくなることに伴い、電子ビームの走査ピッチＰも長くなる。これにより、電子ビームによるスポットα間（走査点間）の距離が長くなり、試料の表面が電子ビームにより受ける受容エネルギの粗密が大きくなる。このため、形成されるパターンが正確ではなくなるという問題点がある。
例えば、直線パターンを形成する場合、描画領域１００が小さいときには、線幅が一定になる。しかしながら、描画領域１００が大きいときには、線幅が不均一になり、直線パターンを正確に形成することができない。
【００１１】
また、描画領域が大きい場合、分割数を増やすことにより、分割画素の大きさを一定にし、正確なパターンを形成することができる。
ここで、描画領域の分割数は、主走査方向Ｘおよび副走査方向Ｙともに、１００００程度である。
メモリには、描画領域の全ての分割画素について、パターンデータ（電子ビームの試料表面への照射（オン）または非照射（オフ）を示すデータ）を格納しなければならない。このため、分割数が１００００である場合に必要なメモリ容量は、１００００×１００００＝１０００００００（ｂｉｔ）＝１２．５（Ｍｂｙｔｅ）である。
【００１２】
ここで、メモリには、通常、記憶保持（リフレッシュ）動作が不要で、かつ高速アクセスが可能なＳＲＡＭ（static RAM）が使用されている。
上述のように、描画領域が大きくなっても、分割画素の大きさを所定の大きさにすること、すなわち、描画分解能を向上させるためには、メモリ容量を増加させる必要がある。
しかしながら、描画領域の面積の増加に伴い、分割画素の大きさを所定の大きさにする場合、例えば、描画領域の面積が２倍では、分割数が２倍となり、ＳＲＡＭの容量は４倍になる。また、描画領域の面積が３倍では、分割数が３倍となり、ＳＲＡＭの容量は９倍になる。このように、メモリの容量を増加させることは難しい。
また、メモリに用いるＳＲＡＭは、他のＲＡＭに比して高価であるという問題点がある。また、ＳＲＡＭは、記録密度が低く、実装面積が大きいという問題点がある。さらには、ＳＲＡＭの容量を増加させると、パターン描画前のパターンデータの転送時間が増大し、スループットが低下するという問題点がある。
【００１３】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、試料の表面に形成する描画パターンの描画領域が大きい場合でも、描画パターンを正確、かつ容易に描画することができる荷電粒子ビーム描画装置および描画方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、試料の表面の描画パターンを形成する描画領域について、前記描画領域を所定の分解能で画素分割して、各分割画素に前記描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、直交する２方向のうち、第１の走査方向に前記荷電粒子ビームを前記描画領域に対応する前記各分割画素に走査させつつ、前記試料の表面に対する前記荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、前記描画パターンのうち、前記第１の走査方向の走査線部分のパターンを形成し、前記走査線部分のパターンの形成を前記第１の方向と直交する第２の方向にずらしつつ繰返し行い、前記描画パターンを形成する荷電粒子ビーム描画装置であって、前記荷電粒子ビームを前記各分割画素に走査させる走査部と、前記走査部の前記荷電粒子ビームの走査分解能よりも高い分解能を有し、前記第１の方向における前記荷電粒子ビームの走査開始位置を設定する第１の位置設定部と、前記走査部の前記荷電粒子ビームの走査分解能よりも高い分解能を有し、前記第２の方向における前記荷電粒子ビームの走査開始位置を設定する第２の位置設定部と、前記分割画素と、基準となる基準分割画素とを比較し、前記分割画素の方が大きい場合、前記第１の位置設定部および前記第２の位置設定部により、同じ分割画素内で前記荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、前記パターンデータのうち、前記走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、前記荷電粒子ビームを第１の走査方向に複数回繰り返し走査することにより前記走査線部分のパターンを形成させる制御部とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置を提供するものである。
【００１５】
本発明においては、前記制御部は、前記分割画素に対する前記基準分割画素の面積比率により前記走査の繰返し回数を決定することが好ましい。
また、本発明においては、前記荷電粒子ビームは、電子ビームまたはイオンビームであることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の第２の態様は、試料の表面の描画パターンを形成する描画領域について、前記描画領域を所定の分解能で画素分割して、各分割画素に前記描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、直交する２方向のうち、第１の走査方向に前記荷電粒子ビームを前記描画領域に対応する前記各分割画素に走査させつつ、前記試料の表面に対する前記荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、前記描画パターンのうち、前記第１の走査方向の走査線部分のパターンを形成し、前記走査線部分のパターンの形成を前記第１の方向と直交する第２の方向にずらしつつ繰返し行い、前記描画パターンを形成する描画方法であって、前記分割画素と、基準となる基準分割画素とを比較し、前記分割画素の方が大きい場合、同じ分割画素内で前記荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、前記パターンデータのうち、前記走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、前記荷電粒子ビームを第１の走査方向に複数回繰り返し走査することにより前記走査線部分のパターンを形成することを特徴とする描画方法を提供するものである。
【００１７】
本発明においては、前記荷電粒子ビームの第１の走査方向の走査の繰返し回数は、前記分割画素に対する前記基準分割画素の面積比率により決定されるものであることが好ましい。
また、本発明においては、前記荷電粒子ビームは、電子ビームまたはイオンビームであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の荷電粒子ビーム描画装置によれば、試料の表面の描画パターンを形成する描画領域について、描画領域を所定の分解能で画素分割して、各分割画素に描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、直交する２方向のうち、第１の走査方向に荷電粒子ビームを描画領域に対応する各分割画素に走査させつつ、試料の表面に対する荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、描画パターンのうち、第１の走査方向の走査線部分のパターンを形成し、走査線部分のパターンの形成を前記第１の方向と直交する第２の方向にずらしつつ繰返し行うものであり、荷電粒子ビームを走査する走査部よりも、高い走査分解能を有し、荷電粒子ビームを走査開始位置を設定する第１の位置設定部および第２の位置設定部を備え、さらに、分割画素と、基準となる基準分割画素とを比較し、分割画素の方が大きい場合、第１の位置設定部および第２の位置設定部により、同じ分割画素内で荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、パターンデータのうち、走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、荷電粒子ビームを第１の走査方向に複数回繰り返し走査することにより走査線部分のパターンを形成させる制御部を有することにより、描画領域が大きくなって、分割画素が大きくなっても、荷電粒子ビームを各分割画素に対して、同じ分割画素に対して、走査開始位置を一致させることなく変えることにより、複数回走査することができる。このため、各分割画素に荷電粒子ビームを１回走査した場合に比して、荷電粒子ビームの走査密度が密になり、描画パターンを所定の分解能以上で形成することができる。これにより、試料の表面に形成する描画パターンの描画領域が大きい場合でも、描画パターンを正確、かつ容易に描画することができる。
【００１９】
また、本発明の描画方法によれば、試料の表面の描画パターンを形成する描画領域について、描画領域を所定の分解能で画素分割して、各分割画素に描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、直交する２方向のうち、第１の走査方向に荷電粒子ビームを描画領域に対応する各分割画素に走査させつつ、試料の表面に対する荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、描画パターンのうち、第１の走査方向の走査線部分のパターンを形成し、走査線部分のパターンの形成を前記第１の方向と直交する第２の方向にずらしつつ繰返し行うに際し、分割画素と、基準となる基準分割画素とを比較し、分割画素の方が大きい場合、同じ分割画素内で荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、パターンデータのうち、走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、荷電粒子ビームを第１の走査方向に複数回繰り返し走査することにより走査線部分のパターンを形成することにより、描画領域が大きくなって、分割画素が大きくなっても、荷電粒子ビームを各分割画素に対して、同じ分割画素に対して、走査開始位置を一致させることなく変えることにより、複数回走査することができる。このため、各分割画素に荷電粒子ビームを１回走査した場合に比して、荷電粒子ビームの走査密度が密になり、描画パターンを所定の分解能以上で形成することができる。これにより、試料の表面に形成する描画パターンの描画領域が大きい場合でも、描画パターンを正確、かつ容易に描画することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係る荷電粒子ビーム描画装置および描画方法について添付の図面を参照して詳細に説明する。
本実施例においては、荷電粒子ビーム描画装置のうち、電子ビーム描画装置を例にして説明する。
ここで、図１は、本発明の電子ビーム描画装置の実施例を示す模式的ブロック図である。
【００２１】
図１に示す本実施例の電子ビーム描画装置１０は、電子ビームを荷電粒子ビームとして用いるものであり、例えば、電子ビームをラスタ走査により描画パターンを試料Ｓの表面に描画するものである。このラスタ走査は、予めパターンデータ（電子ビームのオンまたはオフすることを示すデータ）をメモリ（ＲＡＭ）に蓄えておき、試料上の描画領域全域を電子ビームを走査しながら、メモリからパターンデータを順次読出し、電子ビームの試料表面への照射（オン）または非照射（オフ）を制御することにより、所定のパターンを描画領域に形成する方法である。
この電子ビーム描画装置１０は、描画部１２と、パターン発生部１４と、描画パターンデータ作成部１６とを有する。また、本実施例の電子ビーム描画装置１０は、電子ビームのスポット径は、変更しないで描画するものである。
電子ビーム描画装置１０においては、感光性材料などの試料、またはレジスト膜の表面にパターンを形成するものに用いられるものである。この電子ビーム描画装置１０は、例えば、回路、光学素子などの製造に利用される。
【００２２】
描画部１２は、電子銃２０、電界レンズ２２、ブランキング電極２４、収束レンズ２６、対物レンズ２８、走査偏向部３０、３２、ブランキングアンプ３４、偏向アンプ３６およびステージ３８を有する。電子銃２０、電界レンズ２２、ブランキング電極２４、収束レンズ２６、対物レンズ２８、走査偏向部３０、３２が鏡筒３９ａに収納されている。また、ステージ３８は、鏡筒３９ａに連続して設けられた真空チャンバ３９ｂに設けられている。
【００２３】
電子銃２０は、例えば、熱電界放射型のものが配置されている。鏡筒３９ａ内を超高真空状態にして、電子銃２０から電子ビームＢを試料Ｓに向かって照射させる。
【００２４】
電子銃２０から放射される電子ビームＢは、そのビーム径が数十ｎｍ程度の充分微小である。このため、微小ビーム径の電子ビームＢを得るという点では、電子銃２０から放射される電子ビームＢのビーム径に対する、試料Ｓの表面上に集束される電子ビームＢのビーム径の縮小率を大きく設定する必要はない。本実施例の場合、電界レンズ２２を配置していない場合の、電子ビームＢのビーム径の縮小率が、概略１に等しくなるように設定されている。
【００２５】
電界レンズ（静電レンズ）２２は、電子銃２０から照射される電子ビームＢを集束させる集束電極であり、電子銃２０の直下に配置されている。
【００２６】
ブランキング電極２４は、描画パターンを形成する場合、電子ビームＢ走査に同期して、電子ビームＢの試料Ｓへの照射（オン）、非照射（オフ）の制御に用いられるものである。すなわち、ブランキング電極２０によって電子ビームＢを偏向しなければ、電子ビームＢは、試料Ｓの表面上に照射される（オン）。一方、ブランキング電極２０により電子ビームＢを偏向することによって、電子ビームＢは、試料Ｓの表面に照射されない（オフ）。
このブランキング電極２４は、ブランキングアンプ３４に接続されている。このブランキングアンプ３４に、後述する描画パターンに対応したブランキング信号が入力され、ブランキング信号が増幅されて、ブランキング信号の増幅信号により電子ビームＢの試料Ｓへの照射、非照射が制御される。
【００２７】
集束レンズ（コンデンサレンズ）２６は、電界レンズ２２により集束された電子ビームをクロスオーバポイント（図示せず）に集束させる磁界レンズ（電磁レンズ）である。また、対物レンズ２８は、集束レンズ２６によりクロスオーバポイントに集束された電子ビームを試料Ｓの表面上に集束させる磁界レンズである。収束レンズ２６および対物レンズ２８は、それぞれこの順に電界レンズ２２の下方に配置されている。
【００２８】
走査偏向部３０、３２は、それぞれ、電子ビームＢを偏向することによって、試料Ｓの表面上における電子ビームＢのスポット位置の制御に用いられるものである。これら走査偏向部３０、３２により、走査方向Ｘ（第１の走査方向）と、走査方向Ｘに直交する走査方向Ｙ（第２の走査方向）とに電子ビームＢを走査することができる。
走査偏向部３０、３２は、それぞれ電子ビームＢを走査方向Ｘに走査させるＸ走査偏向板と、電子ビームＢを走査方向Ｙに走査させるＹ走査偏向板とが対にされたものであり、垂直方向に並べて２個設けられている。
また、走査偏向部３０、３２は、偏向アンプ３６に接続されている。この偏向アンプ３６は、入力される後述のビーム走査信号を増幅するものである。
【００２９】
また、偏向アンプ３６は、描画領域の大きさに応じて、電子ビームの走査距離を調節する機能を有する。例えば、基準となる描画領域（以下、基準描画領域という）の大きさを設定しておき、この基準描画領域とパターンを描画する描画領域との比率に応じて、ゲインが予め設定されている。
【００３０】
ステージ３８は、パターンが形成される試料Ｓを載置するとともに、試料Ｓを電子ビームＢに対して水平方向および垂直方向に移動させる機能を有するものである。
このステージ３８は、真空チャンバ３９ｂ内に設けられている。この真空チャンバ３９ｂには、真空ポンプ（図示せず）が接続されており、この真空ポンプにより高真空状態にされる。この高真空状態で、電子ビームＢにより試料Ｓの表面にパターンが形成される。
また、ステージ３８は、水平面内で回転できるものであってもよい。
なお、真空チャンバ３９ｂには、内部に試料Ｓの搬送装置が設けられているロードロックを設けてもよい。
【００３１】
ステージ３８により、試料Ｓと電子ビームＢとの相対的な位置を変えて、試料Ｓ表面の所定の位置に描画パターンを形成することができる。なお、ラスタ走査による描画中（ビーム走査中）、ステージ３８は固定状態とする。
【００３２】
パターン発生部１４は、制御部４０、ブランキング信号発生ユニット４２、メモリデータ読出し用カウンタ（以下、メモリカウンタという）４４、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６、走査クロック発生部４８、スキャンＤＡＣ６０、第１のポジションＤＡＣ６２、加算器６４および第２のポジションＤＡＣ６６を有する。
【００３３】
描画パターンデータ作成部１６は、制御部４０に接続されており、描画領域の大きさ、および分割数に基づいて、パターンデータを作成するものである。さらに、描画パターンデータ作成部１６は、パターンデータを、パターン発生部１４の制御部４０に出力するものである。
また、電子ビーム描画装置１０において、パターンについては、作製する回路、光学素子などに応じて適宜形成されるものであり、矩形状のパターン等に特に限定されるものではない。
【００３４】
制御部４０は、パターン発生部１４を構成するブランキング信号発生ユニット４２、メモリカウンタ４４、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６、走査クロック発生部４８、スキャンＤＡＣ（走査部）６０、第１のポジションＤＡＣ（第１の位置設定部）６２、および第２のポジションＤＡＣ（第２の位置設定部）６６を制御するものである。
【００３５】
ブランキング信号発生ユニット４２は、メモリ５０およびメモリコントローラ５２を有する。メモリ５０は、パターンデータが格納されるものであり、例えば、記憶保持（リフレッシュ）動作が不要で、かつ高速アクセスが可能なＳＲＡＭ（static RAM）が使用される。パターンデータは、ブランキング信号発生ユニット４２により発生されるブランキング信号と同じルールで電子ビームＢの試料Ｓへの照射を”０”もしくは”１”、または非照射を”１”もしくは”０”で表わしたものである。
メモリコントローラ５２は、メモリ５０からパターンデータを読み出し、ブランキング信号を作成するものである。
【００３６】
ブランキング信号発生ユニット４２においては、所定のパターンを描画する際に、メモリ５０に蓄えられたパターンデータをメモリコントローラ５２が読出し、電子ビームＢの走査方向Ｘの走査に同期して、このパターンデータを、描画部１２における電子ビームＢを試料Ｓの表面に照射するか否かを制御するブランキング信号として発生する。
ブランキング信号発生ユニット４２は、ブランキング信号（パターンデータ）をブランキングアンプ３４に出力する。なお、ブランキング信号発生ユニット４２からブランキング信号が、１ラインの走査線７６部分（図２（ｂ）参照）における電子ビームＢの走査始点７２（図２（ｂ）参照）から走査終点７４（図２（ｂ）参照）までの間発生される。
【００３７】
メモリカウンタ４４は、電子ビーム走査前に制御部４０から描画するパターンの走査開始点に対応するパターンデータの先頭アドレス情報が入力されて、パターンデータの先頭アドレスが設定される。
メモリカウンタ４４内のパターンデータのアドレスは、走査クロック入力毎にインクリメントされる。
メモリカウンタ４４にて、カウントされたアドレスが、メモリコントローラ５２に出力されて、メモリコントローラ５２が、メモリ５０のパターンデータからカウントアドレス、すなわち、電子ビーム走査箇所に対応するパターンデータを読出し、読出したパターンデータをブランキング信号としてブランキングアンプ３４に出力する。
【００３８】
スキャンＤＡＣ用カウンタ４６には、制御部４０から電子ビームの１走査当りのカウント数が入力され設定される。後述するように、走査クロック部４８から受けたクロック信号をカウントし、後述するように、カウントした走査クロック数（デジタル信号）をスキャンＤＡＣ６０に出力する。
また、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６は、カウントした走査クロック数と制御部４０により設定された電子ビーム１走査当りのカウント数とを比較することにより、電子ビームの１回の走査を検出し、この電子ビームの走査が終了したことを示す信号（走査終了信号）を制御部４０に出力するものである。
例えば、スキャンＤＡＣ６０による１回の電子ビームの走査のカウント数が、１００００であれば、後述するように、走査開始点（走査開位置）からの電子ビームのカウント数が１００００となった時点で、１回の電子ビームの走査が終了したことが分かる。
【００３９】
走査クロック発生部４８は、メモリカウンタ４４およびスキャンＤＡＣ用カウンタ４６の動作の同期をとるものであり、それぞれに同じクロック信号を出力するものである。
【００４０】
スキャンＤＡＣ６０は、描画領域における電子ビームを高速で走査するためのものである。このスキャンＤＡＣ６０は、走査クロック部４８により出力され、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６によりカウントされた走査クロック数が入力されて、その入力値（デジタル信号）に応じて、これをアナログ信号に変換し、偏向アンプ３６に出力して、電子ビームＢを走査方向Ｘに所定の走査間隔で走査させるものである。
このスキャンＤＡＣ６０は、例えば、電圧の増加または減少により、描画領域の走査方向Ｘにおける走査開始点から走査終点まで電子ビームを所定の走査間隔で走査させる。
また、スキャンＤＡＣ６０は、デジタル信号からアナログ信号への信号変換を、例えば、１４ビットの分解能で行うものである。
【００４１】
第１のポジションＤＡＣ６２は、描画領域における電子ビームの走査方向Ｘの走査開始点（走査開始位置）を高精度で決定するものである。
この第１のポジションＤＡＣ６２は、制御部４０から走査方向Ｘの走査開始点の位置を示す位置情報データ（デジタル信号）を、アナログ信号に変換することにより、その走査開始点を決定するものである。
第１のポジションＤＡＣ６２は、例えば、電圧の増加または減少により描画領域における電子ビームの走査方向Ｘの走査開始点を変えるものである。
なお、第１のポジションＤＡＣ６２は、スキャンＤＡＣ６０よりも高い分解能を有する。また、第１のポジションＤＡＣ６２は、デジタル信号からアナログ信号への信号変換を、例えば、１６ビットまたは１８ビットの分解能で行うものである。
【００４２】
加算器６４は、スキャンＤＡＣ６０と第１のポジションＤＡＣ６２との出力信号を加算するものである。本実施形態においては、図２（ａ）に示すように、このスキャンＤＡＣ６０と第１のポジションＤＡＣ６２との加算信号がビーム走査信号として、加算器６４から偏向アンプ３６に出力される。
例えば、図２（ｂ）に示す描画領域７０における走査開始点７２が、第１のポジションＤＡＣ６２による出力信号により決定される。また、図２（ｂ）に示すスキャンＤＡＣ６０からの出力信号が増加または減少されることにより、電子ビームが走査開始点７２から走査線７６上を走査終点７４まで走査される。
【００４３】
第２のポジションＤＡＣ６６は、描画領域における電子ビームの走査方向Ｙの走査開始点（走査開始位置）を高精度で決定するものである。
この第２のポジションＤＡＣ６６は、制御部４０から走査方向Ｙの走査開始点の位置を示す位置情報データ（デジタル信号）を、アナログ信号に変換することにより、その走査開始点を決定するものである。
この第２のポジションＤＡＣ６６は、例えば、電圧の増加または減少により描画領域における電子ビームの走査方向Ｙの走査開始点を変えるものである。
なお、第２のポジションＤＡＣ６６は、スキャンＤＡＣ６０よりも高い分解能を有する。この第２のポジションＤＡＣ６６は、デジタル信号からアナログ信号への信号変換を、例えば、１６ビットまたは１８ビットの分解能で行うものである。
【００４４】
本実施例の電子ビーム描画装置１０においては、第１のポジションＤＡＣ６４および第２のポジションＤＡＣ６６による位置決めの分解能が、スキャンＤＡＣ６０の走査分解能よりも高いため、スキャンＤＡＣ６０による電子ビームの走査点間に、電子ビームの走査開始点を設定することができる。これにより、電子ビームＢの走査密度を密にすることができ、試料Ｓの表面が受ける受容エネルギの変動を小さくすることができる。
【００４５】
次に、制御部４０について説明する。制御部４０は、描画パターンデータ作成部１６から入力されたパターンデータをブランキング信号発生ユニット４２のメモリ５０に記憶させるものである。
さらには、制御部４０は、ブランキング信号発生ユニット４２のメモリコントローラ５２にブランキング信号を作成させるものである。
制御部４０は、メモリカウンタ４４に、描画領域の所定の走査線の走査開始点に対応するパターンデータのラインの先頭アドレスを設定する。
【００４６】
制御部４０は、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６に電子ビームを走査させるための制御信号を出力する。
また、制御部４０は、走査クロック発生部４８で所定のクロック信号を発生させるとともに、メモリカウンタ４４およびスキャンＤＡＣ用カウンタ４６にクロック信号を出力し、メモリカウンタ４４およびスキャンＤＡＣ用カウンタ４６の動作を同期させる。これにより、ブランキング信号と、ビーム走査信号とが同期する。
さらに、制御部４０は、基準描画領域の大きさと、描画する描画領域の大きさとの比率に応じて、偏向アンプ３６に設定されたゲインを調整する。
【００４７】
また、制御部４０は、描画領域が大きい場合、分割画素の大きさが、所定の大きさ（基準となる基準分割画素の大きさ）よりも大きいか否かを判定し、所定の大きさを超えるとき、同一走査線に対して、走査開始点を変えて、複数回繰返し走査することを決定するとともに、繰返し回数を設定する。
なお、繰り返し回数は、分割画素を整数分割した数の２乗である。これは、所定の分割画素（基準分割画素）の面積と描画する描画領域における分割画素の面積との比率（描画する分割画素に対する基準分割画素の面積比率）である。例えば、分割画素の面積が基準分割画素の面積に対して４倍であれば、繰返し回数は４回となる。
また、制御部４０は、内部カウンタ（図示せず）を備えるものである。この内部カウンタに、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６から電子ビームの走査が終了したことを示す信号（走査終了信号）が入力されて、その信号（走査終了信号）が内部カウンタでカウントされる。これにより、制御部４０で、電子ビームの走査回数が何回であるかが判定される。さらに、制御部４０においては、電子ビームの走査回数に応じて、電子ビームの走査を停止するか、または走査位置を変更する。
【００４８】
制御部４０は、描画領域における電子ビームの走査方向Ｘの走査開始点の位置を示す位置情報データ（デジタル信号）を出力し、第１のポジションＤＡＣ６２により走査方向Ｘの走査開始点の位置を設定させる。
また、制御部４０は、描画領域における電子ビームの走査方向Ｙの走査開始点の位置を示す位置情報データ（デジタル信号）を出力し、第２のポジションＤＡＣ６６により走査方向Ｘの走査開始点の位置を設定させる。
【００４９】
次に、本実施例の電子ビーム描画装置１０による描画方法について、例えば、１辺の長さがＬμｍの正方形の描画領域（図示せず）を、１辺の長さが２Ｌμｍの正方形の描画領域（図示せず）に拡大して、パターンを形成することを例に、図３および図４を用いて説明する。
なお、１辺の長さが２倍になるため、分割数が同じであれば、分割画素の面積は４倍になる。このため、従来のパターン描画方法では、正確なパターンを形成することができない。なお、基準分割画素の面積は、Ｌμｍの正方形の描画領域に対して、図４に示す分割画素８０の１／４の面積に設定されている。
ここで、図３は、本実施例の電子ビーム描画装置による描画方法を示すフローチャートであり、図４は、本実施例の電子ビーム描画装置による描画方法によるパターン描画を説明する模式図である。
【００５０】
電子ビーム描画装置１０においては、描画領域が拡大されて、同じパターンを形成する際、描画パターンデータ作成部１６からのパターンデータが制御部４０に入力された場合、偏向アンプ３６において、拡大された描画領域を走査可能なように、制御部４０により偏向アンプ３６のゲインの値が設定される。そして、偏向アンプ３６のゲインが制御部４０により設定される。また、制御部４０により、ブランキング信号発生ユニット４２のメモリ５０にパターンデータが蓄えられる。
一方、描画部１２においては、試料Ｓの表面の所定の位置に描画パターンが形成されるように、試料Ｓの位置をステージ３８により予め調整しておく。
【００５１】
電子ビーム描画装置１０における電子ビームによる描画パターン形成においては、分割画素８０の面積は４倍（基準分割画素の４倍）となるため、パターンデータのうち、形成する走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、電子ビームの走査を繰り返し４回行う。すなわち、同じデータを用いて、同じ走査線を４回走査して、パターンを形成する、なお、図４に示すように、分割画素８０は正方形であり、１辺の長さはＱである。
【００５２】
ここで、本実施例においては、４回走査するために、走査が１回の場合に比して、更に詳細に位置情報データを付与する必要がある。本実施例においては、分割画素８０を４分割して、各分割領域を、それぞれ走査開始点として走査する。
このため、１回目の電子ビームの走査においては、分割画素８０の中心位置から、走査方向Ｘに−Ｑ／４、走査方向Ｙに−Ｑ／４ずれた位置がスポットαの中心位置となるように走査開始点８２ａを設定した。
【００５３】
先ず、描画領域における所定の走査線部分の走査開始位置と、メモリ５０のパターンデータにおいてこの走査線部分の走査開始位置に対応する先頭アドレスとを一致させるために、形成する走査線部分の走査開始位置に対応するパターンデータのラインにおける先頭の分割画素８０のアドレスをメモリカウンタに設定する（ステップＳ１０）。なお、「パターンデータのラインにおける先頭の分割画素８０のアドレス」を単に「先頭アドレス」という。
【００５４】
次に、パターンデータにおいて、先頭アドレスに加えて、さらに、分割画素内での走査線部分の走査開始点８２ａに対応した試料の描画領域における位置情報データを、第１のポジションＤＡＣ６２および第２のポジションＤＡＣ６６に設定する（ステップＳ１２）。これにより、試料Ｓの表面の描画領域における電子ビームの分割画素８０での走査開始点８２ａが設定される。
本実施例においては、分割画素８０の中心位置から、走査方向Ｘに−Ｑ／４、走査方向Ｙに−Ｑ／４ずれた位置の位置情報データが制御部４０から第１のポジションＤＡＣ６２および第２のポジションＤＡＣ６６に出力される。
【００５５】
次に、走査クロック発生部４８からクロック信号がメモリカウンタ４４およびスキャンＤＡＣ用カウンタ４６に出力され、さらにスキャンＤＡＣ用カウンタ４６から描画領域における走査方向Ｘにおける分割画素の数だけのカウントされた走査クロック数がスキャンＤＡＣ６０に出力される。これにより、電子ビームが描画領域の走査開始点８２ａから走査方向Ｘに所定の走査間隔ｔで走査される（ステップＳ１４）。
この場合、メモリカウンタ４４にもクロック信号が入力されているため、ブランキング信号発生ユニット４２からブランキング信号が電子ビームの走査周期に同期して、ブランキングアンプ３４に出力され、電子ビームのスポットαの位置における電子ビームの試料への照射、非照射が制御される。
【００５６】
電子ビームの走査方向Ｘへの走査開始点から走査終了点までの走査が１回されると、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６から走査終了信号が制御部４０に出力され、制御部４０の内部カウンタにて、その走査終了信号がカウントされ、電子ビームの走査回数が何回であるかが、判定される（ステップＳ１６）。
スキャンＤＡＣ用カウンタ４６は、電子ビーム走査終了後にリセットされる。
【００５７】
なお、ステップＳ１６において、電子ビームの走査回数が、画像領域に応じて設定された繰返し回数に達した場合、１ラインの走査線の電子ビーム走査が終了したとされる。そして、走査方向Ｙに所定の距離ずらして、次の走査線部分の電子ビームの走査に移行する。なお、本実施例において、電子ビームの走査回数は４回である。
【００５８】
ここで、電子ビームの走査回数は１回である。電子ビームの走査回数が、繰返し回数（４回）未満であるため、再度ステップＳ１０に戻り、パターンデータにおいて、走査線に相当する前回読み出した先頭アドレスをメモリカウンタに設定する。
【００５９】
次に、ステップＳ１２において、２回目の走査であるため、１回目の走査開始点８２ｂに対して、走査方向Ｘに分割画素８０の１辺の長さの半分（Ｑ／２）ずらした位置の位置情報データが、制御部４０から第１のポジションＤＡＣ６２に入力される。この時、第２のポジションＤＡＣ６６には、１回目の走査開始点８２ａと同じ位置情報データが制御部４０から入力される。これにより、２回目の走査の分割画素８０での走査開始点８２ｂが設定される。
【００６０】
次に、ステップＳ１４において、電子ビームが描画領域の走査開始点８２ｂから走査方向Ｘに所定の走査間隔ｔで走査される。この場合、ブランキング信号発生ユニット４２からブランキング信号が電子ビームの走査周期に同期して、ブランキングアンプ３４に出力され、電子ビームの試料への照射、非照射が制御される。
【００６１】
次に、電子ビームの走査が終了すると、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６から走査終了信号が制御部４０に出力され、制御部４０の内部カウンタにて、その走査終了信号がカウントされる。この場合、カウント数が１つ増えて２であり、電子ビームの走査回数が２回と判定される。この電子ビームの走査回数は繰返し回数（４回）未満である。このため、再度ステップＳ１０に戻り、パターンデータにおいて、走査線に相当する前回読み出した先頭アドレスをメモリカウンタ４４に設定する。
なお、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６は、電子ビーム走査終了後にリセットされる。
【００６２】
次に、ステップＳ１２において、３回目の走査であるため、走査方向Ｘについては、１回目の走査開始点８２ａの位置情報データを第１のポジションＤＡＣ６２に入力する。第２のポジションＤＡＣ６６については、走査方向Ｙについては、走査方向Ｙに、１回目の走査開始点８２ａから分割画素８０の１辺の長さの半分（Ｑ／２）ずらした位置の位置情報データを入力する。これにより、３回目の走査の分割画素８０での走査開始点８２ｃを設定する。
【００６３】
次に、ステップＳ１４において、電子ビームが描画領域の走査開始点８２ｃから走査方向Ｘに所定の走査間隔ｔで走査される。この場合、ブランキング信号発生ユニット４２からブランキング信号が電子ビームの走査周期に同期して、ブランキングアンプ３４に出力され、電子ビームの試料への照射、非照射が制御される。
【００６４】
次に、電子ビームの走査が終了すると、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６から走査終了信号が制御部４０に出力され、制御部４０の内部カウンタにて、その走査終了信号がカウントされる。この場合、カウント数が１つ増えて３であり、電子ビームの走査回数が３回と判定される。この電子ビームの走査回数は繰返し回数（４回）未満である。このため、再度ステップＳ１０に戻り、パターンデータにおいて、走査線に相当する前回読み出した先頭アドレスをメモリカウンタに設定する。
なお、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６は、電子ビーム走査終了後にリセットされる。
【００６５】
次に、ステップＳ１２において、４回目の走査であるため、走査方向Ｘについては、１回目の走査開始点８２ａに対して、走査方向Ｘに分割画素８０の１辺の長さの半分（Ｑ／２）ずらした位置の位置情報データを第１のポジションＤＡＣ６２に入力する。第２のポジションＤＡＣ６６については、走査方向Ｙについては、１回目の走査開始点８２ａに対して、走査方向Ｙに分割画素８０の１辺の長さの半分（Ｑ／２）ずらした位置の位置情報データを入力する。これにより、４回目の走査の分割画素８０での走査開始点８２ｄが設定される。
【００６６】
次に、ステップＳ１４において、電子ビームが描画領域の走査開始点８２ｄから走査方向Ｘに所定の走査間隔ｔで走査される。この場合、ブランキング信号発生ユニット４２からブランキング信号が電子ビームの走査周期に同期して、ブランキングアンプ３４に出力され、電子ビームの試料への照射、非照射が制御される。
【００６７】
次に、電子ビームの走査が終了すると、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６から走査終了信号が制御部４０に出力され、制御部４０の内部カウンタにて、その走査終了信号がカウントされる。この場合、カウント数が１つ増えて４であり、電子ビームの走査回数が４回と判定される。この電子ビームの走査回数は繰返し回数（４回）と等しい。これにより、１ライン（走査線）の電子ビーム走査が終了する。なお、この場合でも、スキャンＤＡＣ用カウンタ４６は、電子ビーム走査終了後にリセットされる。
そして、次のライン（走査線）の電子ビーム走査を、ステップＳ１０〜ステップＳ１４を繰返し行う。
さらに、描画領域全域について電子ビーム走査を行い、試料Ｓの表面にパターンデータに基づく所定のパターンを形成する。
【００６８】
このように、本実施例の電子ビーム描画装置１０および描画方法においては、分割画素の大きさに応じて、パターンデータにおける同一ライン（走査線）のデータを用いて、分割画素８０内において、走査開始点を一致させることなく、走査開始点を変えて、複数回繰り返して電子ビーム走査することができる。これにより、描画領域を拡大した場合、電子ビーム走査のスポットα間（走査間隔ｔ）が長くなっても、電子ビーム走査によるスポットα間（走査間隔ｔ）の間に、さらに電子ビームを走査することができる。このため、電子ビームＢの走査密度を密にすることができる。これにより、試料に対して電子ビームを均一に走査することができ、パターンを正確に形成することができる。
さらに、本実施例の電子ビーム描画装置１０および描画方法においては、描画領域を大きくしても、パターンを正確に形成することができるため、パターンが広範囲に及ぶ場合でも、パターンの分割数を減らすことができ、各パターンの繋ぎ目におけるパターンのずれの発生を抑制することができる。これにより、広範囲に及ぶパターンを高精度で形成することができる。
【００６９】
また、本実施例の電子ビーム描画装置１０および描画方法においては、描画領域を拡大した場合でも、分割数を多くすることがないため、パターンデータのデータ量が多くならない。このため、メモリの容量の増加を抑制することができる。このため、メモリの実装面積の増加を抑制することができるとともに、コストを抑えることができる。
【００７０】
なお、本実施例においては、荷電粒子ビーム描画装置のうち、電子ビーム描画装置を例にして説明したが、本発明は、電子ビームを用いるものに限定されるものではなく、イオンビームを用いたインビーム描画装置であってもよい。
【００７１】
以上、本発明の荷電粒子ビーム描画装置および描画方法について説明したが、本発明は上述の実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良または変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の電子ビーム描画装置の実施例を示す模式的ブロック図である。
【図２】（ａ）は、本発明の電子ビーム描画装置における電子ビームの走査をするための回路構成を示す模式図であり、（ｂ）は、電子ビームの走査を示す模式図である。
【図３】本実施例の電子ビーム描画装置による描画方法を示すフローチャートである。
【図４】本実施例の電子ビーム描画装置による描画方法によるパターン描画を説明する模式図である。
【図５】（ａ）は、ラスタ走査を示す模式図であり、（ｂ）は、ラスタ走査に用いられるパターンデータを示す模式図である。
【図６】（ａ）は、電子ビームを走査線上を走査するための出力波形を示すグラフであり、（ｂ）は、メモリからのパターンデータの読出しデータを示すグラフであり、（ｃ）は、電子ビームの試料への照射、非照射を示すグラフである。
【図７】（ａ）は、分割画素の大きさと電子ビームのスポットの大きさとの関係が適正な状態を示す模式図であり、（ｂ）は、分割画素の大きさが電子ビームのスポットの大きさに対して、大きい状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０  電子ビーム描画装置
１２  描画部
１４  パターン発生部
１６  描画パターンデータ作成部
２０  電子銃
２２  電界レンズ
２４  ブランキング電極
２６  収束レンズ
２８  対物レンズ
３０、３２  走査偏向部
３４  ブランキングアンプ
３６  偏向アンプ
３８  ステージ
４０  制御部
４２  ブランキング信号発生部
４６  スキャンＤＡＣ用カウンタ
４８  走査クロック発生部
５０  メモリ
５２  メモリコントローラ
６０  スキャンＤＡＣ
６２  第１のポジションＤＡＣ
６４  加算器
６６  第２のポジションＤＡＣ
７０、１００  描画領域
７２、８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ｄ  走査開始点
７４  走査終点
７６、１０４  走査線
８０、分割画素  分割画素
１０２  パターン
【図１】
2008096580.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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