(57)【要約】【課題】マスクパターンの作成効率が高く、必要に応じて実露光機のパラメータを考慮できるパターンデータ処理方法を提供する。【解決手段】実露光機の光学像及びレジスト像に関するパラメータを取得するパラメータ入力部６２と、そのパラメータを用いて、シミュレーションによってテストパターンの光学像及びレジスト像を求めるシミュレーション部６４及び６５と、そのテストパターンから実露光機を用いて形成されるレジスト像のデータを取得するデータ入力部６６と、２つのレジスト像の形状誤差が所定の許容範囲内に収まったときのそのパラメータの値を用いて、レチクルパターンの設計を行う回路設計システム７０とを備える。【選択図】図１
2008310228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンの設計データを処理するパターンデータ処理方法において、
前記設計データに基づくマスクパターンが形成されたマスクを用いる実露光機の第１パラメータを用いて、シミュレーションによってテストパターンの前記実露光機による光強度情報を求める第１工程と、
前記マスクパターンの像が形成される感光材料に関する第２パラメータと、前記感光材料に対する前記第１工程で求められた前記実露光機による光強度情報とを用いて、シミュレーションによる感光材料の像の情報を取得する第２工程と、
前記第２工程で取得された前記シミュレーションによる感光材料の像の情報と、前記実露光機を用いて前記テストパターンの像を前記感光材料に形成した実際の感光材料の像の情報とに基づいて、前記シミュレーションによる感光材料の像と前記実際の感光材料の像との形状誤差を求める第３工程と、
前記第３工程で求められた前記形状誤差が所定の許容範囲内に収まるように、前記第１パラメータ又は前記第２パラメータの少なくとも一方を変更する第４工程と、
前記形状誤差が所定の許容範囲内に収まったときの前記第１パラメータ及び前記第２パラメータの値を用いて、前記マスクパターンの設計を行う第５工程と、を有することを特徴とするパターンデータ処理方法。
【請求項２】
前記第１パラメータ又は前記第２パラメータの少なくとも一方は、可変なパラメータを含み、
前記第４工程は、前記形状誤差が前記許容範囲を超えたときに、前記可変のパラメータの値を変更して、前記第１工程又は第２工程から前記第３工程までの動作を繰り返すことを特徴とする請求項１に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項３】
前記第１パラメータは、複数の実露光機の光強度情報に関する値の平均値であり、
前記実際の感光材料の像の情報は、前記複数の実露光機を用いて形成される感光材料の像に関する値の平均値であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項４】
前記複数の実露光機は製造日に関する順番で選択されることを特徴とする請求項３に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項５】
前記第５工程は、前記実露光機の光学的近接効果を補正するように前記マスクパターンの設計を行う工程を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項６】
前記第１パラメータは、可変のパラメータとして、前記実露光機の光学系の開口数、前記光学系の波面収差、前記実露光機の照明光学系のコヒーレンスファクタ、前記実露光機で使用される露光光の中心波長、及び前記露光光の波長幅を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項７】
前記実露光機は、光学系と露光対象の基板との間に液体を供給して、露光光で前記光学系と前記液体とを介して前記基板を露光する液浸露光装置であり、
前記第１パラメータは、可変のパラメータとして、前記液浸露光装置の前記液体の温度を含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項８】
前記第１パラメータは、非可変のパラメータとして、前記実露光機の光学系のアポダイゼーション、偏光収差、フレア、熱に起因する収差、及び前記実露光機の照明光学系における二次光源の光量分布を含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項９】
前記実露光機の前記第１パラメータを取得する工程を有することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項１０】
前記実露光機を用いて前記テストパターンの像を前記感光材料に形成して得られる、前記実際の感光材料の像の情報を取得する工程を有することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項１１】
マスクパターンの設計データを処理するパターンデータの処理システムにおいて、
前記設計データに基づくマスクパターンが形成されたマスクを用いる実露光機の第１パラメータを用いて、シミュレーションによってテストパターンの前記実露光機による光強度情報を求める第１シミュレーション手段と、
前記マスクパターンの像が形成される感光材料に関する第２パラメータと、前記第１シミュレーション手段によって求められた前記実露光機による光強度情報とを用いて、シミュレーションによる感光材料の像の情報を求める第２シミュレーション手段と、
前記第２シミュレーション手段によって求められた前記感光材料の像の情報と、前記実露光機を用いて前記テストパターンの像を前記感光材料上に形成した実際の感光材料の像の情報とに基づいて、前記シミュレーションによる感光材料の像と前記実際の感光材料の像との形状誤差を求める比較手段と、
前記比較手段で求められた前記形状誤差が所定の許容範囲内に収まるように、前記第１パラメータ又は前記第２パラメータの少なくとも一方を変更する変更手段と、
前記比較手段によって求められた前記形状誤差が所定の許容範囲内に収まったときの前記第１及び第２パラメータの値を用いて、前記マスクパターンの設計を行うマスクパターン設計手段とを備えることを特徴とするパターンデータ処理システム。
【請求項１２】
前記第１パラメータ又は前記第２パラメータの少なくとも一方は、可変なパラメータを含み、
前記変更手段は、前記比較手段によって求められた形状誤差が前記許容範囲を超えたときに、前記可変のパラメータの値を変更して、前記第１シミュレーションへの前記第１パラメータの供給又は前記第２シミュレーション手段への前記第２パラメータの供給を行うことを特徴とする請求項１１に記載のパターンデータ処理システム。
【請求項１３】
前記マスクパターン設計手段は、前記実露光機の光学的近接効果を補正するように前記マスクパターンの設計を行うことを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載のパターンデータ処理システム。
【請求項１４】
前記実露光機の前記第１パラメータを取得するパラメータ取得手段を備えることを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載のパターンデータ処理システム。
【請求項１５】
前記実露光機を用いて前記テストパターンの像を前記感光材料上に形成して得られる、前記実際の感光材料の像の情報を取得する像情報取得手段を備えることを特徴とする請求項１１から請求項１４のいずれか一項に記載のパターンデータ処理システム。
【請求項１６】
パターン及び光学系を介した露光光で基板を露光する露光方法であって、
前記パターンが請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法によって作成されたマスクパターンであるときに、
前記第１工程で最初に用いた前記第１パラメータの値に基づいて、前記光学系の開口数、前記光学系の波面収差、前記パターンを照明する照明光学系のコヒーレンスファクタ、前記露光光の中心波長、及び前記露光光の波長幅の少なくとも一つを含むパラメータを調整し、
前記パラメータを調整した後、前記露光光で前記パターンを介して前記基板を露光することを特徴とする露光方法。
【請求項１７】
パターン及び光学系を介した露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記光学系の開口数、前記光学系の波面収差、前記パターンを照明する照明光学系のコヒーレンスファクタ、前記露光光の中心波長、及び前記露光光の波長幅の少なくとも一つのパラメータを調整するパラメータ調整手段と、
前記パターンが請求項１１から請求項１５のいずれか一項に記載のパターンデータ処理システムによって作成されたマスクパターンであるときに、前記第１シミュレーション手段で用いた前記第１パラメータの値に基づいて、前記パラメータ設定手段を調整する制御装置を備えることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ工程で基板上に転写されるマスクパターンの処理技術に関する。さらに本発明は、所定のマスクパターンの処理技術によって作成されたマスクパターンを基板上に転写するための露光技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体集積回路又は液晶表示素子等のデバイス（電子デバイス、マイクロデバイス）を製造するためのリソグラフィ工程中で、レチクル又はフォトマスク等のマスクに形成されたパターンを光学系を介して基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）の各ショット領域に転写するために、ステッパ等の一括露光型の投影露光装置又はスキャニング・ステッパ（スキャナ）等の走査露光型の投影露光装置等の露光装置が使用されている。
【０００３】
この種の露光装置において使用されるマスクパターンを作成するために、従来は、デバイスパターンに基づいてマスクパターンの初期形状を設計した後、露光装置の光学系の開口数、露光波長、及び照明光学系のコヒーレンスファクタ（σ値）よりなるパラメータを読み込み、このパラメータを用いてそのマスクパターン（初期形状）を転写したときの投影像を計算していた。そして、このように計算される投影像の形状がそのデバイスパターンと異なる場合に、そのマスクパターンの初期形状に対して所定の補正パターンを付加していた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−８２９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のマスクパターンの作成方法においては、上記パラメータを用いてマスクパターンを転写したときの投影像がデバイスパターンに近づくようにマスクパターンを設計していた。しかしながら、実際の露光装置には上記パラメータの他に、もっと多くのパラメータがある。そのため、上記パラメータを用いて計算される投影像のみに基づいて、マスクパターンを設計し、このマスクパターンを用いて実際の露光装置で露光を行うと、得られるデバイスパターンと目標とする形状との間に許容範囲を超える誤差が生じやすかった。このような誤差が生じた場合には、再びマスクパターンの設計工程まで戻る必要があるため、マスクパターンの作成効率が低下するという問題があった。
【０００５】
また、従来のマスクパターンの作成方法においては、上記パラメータの値は変化しない一定値であるものとしていた。しかしながら、こられのパラメータ中には露光装置の機種毎、あるいは露光装置の号機毎に値が変化するものがある。従って、マスクパターンの作成方法は、そのマスクパターンの露光を行う露光装置の機種または号機毎に最適化することが好ましい。
【０００６】
しかしながら、或る露光装置で露光対象とするマスクパターンが、必ずしもその露光装置用に最適化されたパターン形状になっていない場合があり、このような場合には、そのマスクパターンを露光することによって所望のデバイスパターンが得られるように露光装置側で何らかの対策を講じることが好ましい。
本発明はこのような問題点に鑑み、マスクパターンの作成効率を高めるとともに、必要に応じて実際にそのマスクパターンの露光を行う露光装置のパラメータを考慮したマスクパターン作成技術を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、例えば他の露光装置のパラメータを用いて作成されたマスクパターンを用いて所望のデバイスパターンを得ることができる露光技術を提供することをも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるパターンデータ処理方法は、マスクパターンの設計データを処理するパターンデータ処理方法において、その設計データに基づくマスクパターンが形成されたマスクを用いる実露光機（ＥＸ）の第１パラメータを用いて、シミュレーションによってテストパターン（４５Ａ〜４５Ｃ）のその実露光機による光強度情報を求める第１工程（ステップ１０３）と、そのマスクパターンの像が形成される感光材料に関する第２パラメータと、その感光材料に対するその第１工程で求められたその実露光機による光強度情報とを用いて、シミュレーションによる感光材料の像の情報を取得する第２工程（ステップ１０４）と、その第２工程で取得されたそのシミュレーションによる感光材料の像の情報と、その実露光機を用いてそのテストパターンの像をその感光材料に形成した実際の感光材料の像の情報とに基づいて、そのシミュレーションによる感光材料の像とその実際の感光材料の像との形状誤差を求める第３工程（ステップ１０６）と、その第３工程で求められたその形状誤差が所定の許容範囲内に収まるように、その第１パラメータ又はその第２パラメータの少なくとも一方を変更する第４工程（ステップ１０８〜１１１）と、その形状誤差が所定の許容範囲内に収まったときのその第１パラメータ及びその第２パラメータの値を用いて、そのマスクパターンの設計を行う第５工程（ステップ１２１〜１２７）と、を有するものである。
【０００９】
また、本発明によるパターンデータ処理システムは、マスクパターンの設計データを処理するパターンデータの処理システムにおいて、その設計データに基づくマスクパターンが形成されたマスクを用いる実露光機の第１パラメータを用いて、シミュレーションによってテストパターン（４５Ａ〜４５Ｃ）のその実露光機による光強度情報を求める第１シミュレーション手段（６４）と、そのマスクパターンの像が形成される感光材料に関する第２パラメータと、その第１シミュレーション手段によって求められたその実露光機による光強度情報とを用いて、シミュレーションによる感光材料の像の情報を求める第２シミュレーション手段（６５）と、その第２シミュレーション手段によって求められたその感光材料の像の情報と、その実露光機を用いてそのテストパターンの像をその感光材料上に形成した実際の感光材料の像の情報とに基づいて、そのシミュレーションによる感光材料の像とその実際の感光材料の像との形状誤差を求める比較手段（６８）と、その比較手段で求められたその形状誤差が所定の許容範囲内に収まるように、その第１パラメータ又はその第２パラメータの少なくとも一方を変更する変更手段（６１）と、その比較手段によって求められたその形状誤差が所定の許容範囲内に収まったときのその第１及び第２パラメータの値を用いて、そのマスクパターンの設計を行うマスクパターン設計手段（７０Ｂ）とを備えるものである。
【００１０】
また、本発明による露光方法は、パターン及び光学系（ＰＬ）を介した露光光で基板を露光する露光方法であって、そのパターンが本発明のパターンデータ処理方法によって作成されたマスクパターンであるときに、その第１工程で最初に用いたその第１パラメータの値に基づいて、その光学系の開口数、その光学系の波面収差、そのパターンを照明する照明光学系のコヒーレンスファクタ、その露光光の中心波長、及びその露光光の波長幅の少なくとも一つを含むパラメータを調整し、そのパラメータを調整した後、その露光光でそのパターンを介してその基板を露光するものである。
【００１１】
また、本発明による露光装置は、パターン及び光学系（ＰＬ）を介した露光光で基板を露光する露光装置であって、その光学系の開口数、その光学系の波面収差、そのパターンを照明する照明光学系（２０）のコヒーレンスファクタ、その露光光の中心波長、及びその露光光の波長幅の少なくとも一つのパラメータを調整するパラメータ調整手段（３１）と、そのパターンが本発明のパターンデータ処理システムによって作成されたマスクパターンであるときに、その第１シミュレーション手段で用いたその第１パラメータの値に基づいて、そのパラメータ設定手段を調整する制御装置（３１）を備えるものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のパターンデータ処理方法又はシステムによれば、テストパターンのシミュレーションによる像と実露光機による像とを比較して、マスクパターンの設計を行うため、シミュレーションによるパターンの像と実際に露光装置を用いて形成される像との誤差を小さくすることができる。従って、試行錯誤的にマスクパターンの設計を繰り返す回数を少なくでき、マスクパターンの作成効率を高めることができる。
【００１３】
また、本発明の露光方法又は露光装置によれば、実際の露光装置でマスクパターンを用いる際、露光装置のパラメータ値を、マスクパターン作成時に取得されたパラメータ値に調整することによって、露光装置をマスクパターンに最適な状態にすることができ、そのマスクパターンに対応する所望のデバイスパターンを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図１〜図９を参照して説明する。
図１は、本例の一つ又は複数のコンピュータよりなるパターンデータ処理システムとしてのレチクルパターン作成システム６０を示すブロック図であり、レチクルパターン作成システム６０を構成する複数のブロックはコンピュータのソフトウエアで実行される機能である。なお、複数のブロックのうち、少なくとも一部をハードウェアで構成することも可能である。図１において、レチクルパターン作成システム６０は、モデル設定システム７０Ａと回路設計シスム７０Ｂとを備えている。
【００１５】
モデル設定システム７０Ａは、システム全体の動作を統括的に制御する制御部６１と、パラメータ入力部６２とを備えている。パラメータ入力部６２には、露光装置（実露光機）の露光性能を規定するパラメータであるツールパラメータ（ＴＰ）、レチクルパターンが露光される感光材料を規定するパラメータである経験則パラメータ（ＥＰ）、及びシミュレーション用のテストパターンの形状等の情報が不図示の入力装置又は通信回線（電子メール、インターネット等）を介して入力される。なお、露光装置は、本例のレチクルパターン作成システム６０で作成したレチクルパターンの使用が予定されている装置である。入力されたパラメータ等の情報はパラメータファイル６３に記録される。本例のツールパラメータＴＰの一例は以下のＴＰｉ（ｉ＝１〜１２）である。
【００１６】
［表１］（ツールパラメータＴＰ）
ＴＰ１）投影光学系の開口数（ＮＡ）
ＴＰ２）照明光学系のコヒーレンスファクタ（σ値、又は輪帯照明の場合には、その輪帯比を含む）
ＴＰ３）露光波長及び波長幅（半値幅、又はＥ９５（レーザのスペクトル中の９５％のエネルギーが集中しているスペクトル幅）を含む）
ＴＰ４）液浸露光時に投影光学系とウエハ（基板）との間に供給される液体の温度
ＴＰ５）投影光学系の波面収差
ＴＰ６）アポダイゼーション：点光源の像の光強度分布
ＴＰ７）偏光収差（一例としてジョーンズマトリックスで規定）
ＴＰ８）偏光状態（一例としてストークスパラメータで規定）
ＴＰ９）二次光源のピューピルグラム(Pupilgram)：例えば４極照明時の偏心した４つの二次光源の強度分布の、理想的な分布（矩形状分布）からのずれ量
ＴＰ１０）熱収差：投影光学系において露光光の照射熱によって生じる収差
ＴＰ１１）ＭＳＤ(Moving Standard Deviation)：レチクルステージ（マスクステージ）とウエハステージ（基板ステージ）との相対的な振動による位置ずれ量
ＴＰ１２）フレア：主にローカルフレア
【００１７】
なお、これらのツールパラメータＴＰ中で、露光装置において或る程度調整又は補正可能なものは、ＴＰ１〜ＴＰ５である。
また、経験則パラメータＥＰの一例は、感光材料としてのレジスト（フォトレジスト）の種類、露光光に対する感度、現像工程で現像するときの感度、化学増幅型レジストの場合の使用条件（温度等）、ＰＥＢ（Post Exposure Bake）のベーク条件（温度、時間等）等である。
【００１８】
さらに、モデル設定システム７０Ａは、ツールパラメータＴＰで規定される露光装置を用いて上記のテストパターンを露光した場合の光学像の光強度分布を計算によって求める光学像シミュレーション部６４と、経験則パラメータを用いてその光学像に対応する現像後のレジスト像の形状を計算によって求めるレジスト像シミュレーション部６５と、実露光機の露光データ入力部６６と、比較部６８と、誤差要因解析部６９とを備えている。露光データ入力部６６には、テストパターンを実露光機でレジストが塗布されたウエハ上に露光し、そのレジストを現像して得られるレジスト像の形状等のデータである露光データが、不図示の入力装置又は通信回線（電子メール、インターネット等）を介して入力される。入力された露光データは露光データファイル６７に記録される。比較部６８は、レジスト像シミュレーション部６５から供給されるレジスト像と露光データ入力部６６から供給される実際のレジスト像との形状を比較し、比較結果を制御部６１に供給する。誤差要因解析部６９は、それらの形状の差が許容範囲を超えた場合に、その要因がツールパラメータおよび経験則パラメータのどのパラメータであるかの解析を行う。
【００１９】
制御部６１（フィードバック手段）は、それらの形状誤差が許容範囲を超えた場合に、誤差要因解析部６９からの分析結果に応じて制御可能なパラメータの値を可変範囲内で変える。そして、制御部６１は、光学像シミュレーション部６４又はレジスト像シミュレーション部６５にシミュレーションを繰り返して実行させる。最終的に２つのレジスト像の形状の差が許容範囲内になったときのパラメータＴＰ，ＥＰの値はパラメータファイル６３に記録されるとともに、次に回路設計を行う回路設計システム７０Ｂの制御部７１（図２参照）に送信される。
【００２０】
図２は、図１の制御部６１から供給されるパラメータＴＰ，ＥＰを用いて光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）等を行いながらレチクルパターンの設計を行う回路設計システム７０Ｂを示すブロック図である。この図２において、回路設計システム７０Ｂは、システム全体の動作を統括的に制御する制御部７１と、設計対象のデバイスパターンの形状データが入力されるデバイスパターンデータ入力部７２と、上記のパラメータＴＰ，ＥＰに基づいて、入力されたデバイスパターンにＯＰＣ処理を行い、レチクルパターンを設計する回路パターン設計部７４と、露光結果予測部７５と、実露光機の露光データ入力部７６と、比較部７８とを備えている。設計対象のデバイスパターンの形状データはデータファイル７３に記録される。露光結果予測部７５は、シミュレーションによって、設計されたレチクルパターンを実露光機でレジスト上に露光して、このレジストを現像して形成されるレジストパターンの形状（設計対象のデバイスパターンにほぼ等しい）を予測する。
【００２１】
実露光機の露光データ入力部７６には、試作されたレチクルパターンを実露光機で露光して得られるレジスト像の形状等の露光データが入力される。このレチクルパターンは、回路パターン設計部７４でレチクルパターンが設計された後、実際に、そのレチクルパターンをブランクスに形成されたものである。入力された露光データは露光データファイル７７に記録される。比較部７８は、露光結果予測部７５から供給されるレジスト像と露光データ入力部７６から供給される実際のレジスト像との形状を比較し、比較結果を制御部７１に供給する。制御部７１は、それらの形状誤差が許容範囲を超えた場合に、回路パターン設計部７４にレチクルパターンの設計を繰り返して実行させる。最終的に２つのレジスト像の形状の差が許容範囲内になったときのレチクルパターンの形状データは、データファイル７３に記録されるとともに、次にレチクルの量産を行うレチクル製造部８０に送信される。
【００２２】
次に、図３は、図１のレチクルパターン作成システム６０によって作成されたレチクルパターンの露光を行うためのスキャニング・ステッパよりなる走査露光型の露光装置（投影露光装置）ＥＸの概略構成を示す。この図３において、露光装置ＥＸは、露光光源１と、露光光源１からの露光光ＩＬを用いて転写用のパターンが形成されたレチクルＲ（マスク）を照明する照明光学系２０と、レチクルＲを駆動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターンの像をウエハＷ（基板）上に投影する光学系ＰＬと、ウエハＷを駆動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータよりなる主制御系３１と、露光量制御系３２と、ステージ制御系３３と、その他の処理系等とを備えている。
【００２３】
本例では、露光光源１としてはＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）が使用されている。なお、露光光源は、ＡｒＦエキシマレーザ光源に代えて、ＫｒＦエキシマレーザ光源（波長２４７ｎｍ）、Ｆ2 レーザ光源（波長１５７ｎｍ）などの紫外パルスレーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）なども使用できる。露光量制御系３２は、露光光源１の露光光ＩＬの中心波長、波長幅（例えば半値幅）、発振周波数、平均パルスエネルギー、発光タイミング等を制御する。主制御系３１は、ホストコンピュータ３４との間で露光条件等のデータの送受信を行う。
【００２４】
露光光ＩＬは、照明光学系２０において、露光光源１からミラー２を介して入射して、レンズ３Ａ及び３Ｂによって断面形状が所定形状に整形される。整形された露光光ＩＬは、ミラー４を介してレボルバ５に固定された回折光学素子６Ａに入射して、照明光学系２０の瞳面で所定の光量分布（円形分布、輪帯状分布、４極分布等）が得られるように複数方向に回折される。レボルバ５には、別の回折特性を持つ回折光学素子６Ｂ，６Ｃ等も取り付けられている。駆動部５ａを介してレボルバ５の回転角を制御することで、設定された照明条件に対応して、露光光ＩＬの光路上に回折光学素子６Ａ，６Ｂ等の何れかが設置される。
【００２５】
図１において、回折光学素子６Ａを通過した露光光ＩＬは、リレーレンズ７により集光され、アキシコン系よりなる１対のプリズム８及び９を経てオプティカル・インテグレータとしてのフライアイレンズ１０の入射面に集光される。フライアイレンズ１０の射出面が照明光学系２０の瞳面である。また、プリズム８及び９の間隔を制御することで、その射出面における光量分布を半径方向に調整でき、コヒーレンスファクタ（σ値）を調整できる。なお、フライアイレンズ１０の近傍に、光量分布が大きい領域が開口とされた開口絞り１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ等が形成された開口絞り板１１を配置してもよい。
【００２６】
フライアイレンズ１０を通過した露光光ＩＬは、リレーレンズ１３Ａを経て、レチクルＲ上の照明領域２１Ｒを規定する固定ブラインド（固定視野絞り）１４Ａ、及び照明領域２１Ｒの走査方向及びこれに直交する非走査方向の幅を制御する可動ブラインド（可動視野絞り）１４Ｂを順次通過する。可動ブラインド１４Ｂは、レチクルＲのパターン面（レチクル面）とほぼ共役な面に配置され、固定ブラインド１４Ａは、そのレチクル面と共役な面から僅かにデフォーカスされた面に配置されている。ブラインド１４Ａ，１４Ｂを通過した露光光ＩＬは、サブコンデンサレンズ１３Ｂ、光路折り曲げ用のミラー１５、及びメインコンデンサレンズ１６を経て、レチクルＲのパターン領域の照明領域２１Ｒを均一な照度分布で照明する。レンズ３Ａ，３Ｂからメインコンデンサレンズ１６までの部材を含んで照明光学系２０が構成されている。
【００２７】
露光光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域２１Ｒ内のパターンは、両側テレセントリックの投影光学系ＰＬを介して投影倍率β（βは例えば１／４，１／５等）で、ウエハＷ上の一つのショット領域上の非走査方向に細長い投影領域に投影される。
投影光学系ＰＬは、可変開口絞りを備えている。さらに、投影光学系ＰＬには、例えば投影光学系を構成する複数のレンズエレメント中の所定のレンズエレメントを光軸方向に駆動するか、又は光軸に垂直な軸の周りに傾斜させることによって、投影光学系ＰＬの波面収差を制御又は調整する結像特性補正機構（不図示）も備えられている。主制御系３１は、その可変開口絞り及び／又は結像特性補正機構を介して投影光学系ＰＬの開口数及び／又は波面収差を制御又は調整することができる。露光対象の基板としてのウエハＷは、本例ではシリコン又はＳＯＩ(silicon on insulator)等の半導体からなる円板状の基材の表面にレジスト（感光材料）を塗布したものである。
【００２８】
本例の光学系ＰＬは例えば屈折型の投影光学系であるが、反射屈折型の投影光学系等も使用できる。以下、光学系ＰＬを投影光学系ＰＬとして説明する。図３において、投影光学系ＰＬの光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向に直交する非走査方向に沿ってＸ軸を取り、その走査方向に沿ってＹ軸を取って説明する。
先ず、レチクルＲはレチクルステージＲＳＴ上に吸着保持される。レチクルステージＲＳＴはレチクルベース２４上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、例えば同期誤差（又はレチクルＲのパターン像とウエハＷ上の露光中のショット領域との位置ずれ量）を補正するようにＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸周りの回転方向に微動して、レチクルＲの走査を行う。レーザ干渉計２５Ｘ及び２５Ｙは、例えば投影光学系ＰＬを基準として少なくともレチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置を分解能０．１ｎｍ程度で計測するとともに、Ｚ軸周りの回転角を計測する。これらの計測値はステージ制御系３３及び主制御系３１に供給される。ステージ制御系３３は、その計測値及び主制御系３１からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介してレチクルステージＲＳＴの位置及び速度を制御する。
【００２９】
また、本例の露光装置ＥＸは、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウエハＷ側）の光学素子（不図示）を取り囲むように、局所液浸機構の一部を構成するノズルユニット４０が設けられている。そして、走査露光時には、液体供給装置４１から供給管４２を介してノズルユニット４０内の流路に純水等の露光光ＩＬを透過する液体ＬＱが供給される。本例の液体ＬＱの温度は所定の可変範囲内で制御可能である。投影光学系ＰＬとウエハＷとの間の露光領域を囲む局所的な空間（局所液浸空間）が所定温度の液体ＬＱで満たされる。また、そのように供給された液体ＬＱは、ノズルユニット４０内の流路、回収管４４を介して液体回収装置４３によって回収される。液体供給装置４１及び液体回収装置４３は主制御系３１によって制御される。なお、本例の液浸機構としては、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット、又は国際公開第２００４／０５３９５５号パンフレット等に開示されている液浸機構も使用できる。
【００３０】
図３において、ウエハＷは、ウエハホルダ（不図示）を介してウエハステージＷＳＴ上に保持される。ウエハステージＷＳＴはウエハベース２６上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、Ｘ方向、Ｙ方向にステップ移動するＸＹステージ２７と、Ｚチルトステージ２８とを備えている。Ｚチルトステージ２８は、不図示のオートフォーカスセンサによるウエハＷのＺ方向の位置の計測値に基づいて、ウエハＷのフォーカシング及びレベリングを行う。ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内での位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の回りの回転角等はレーザ干渉計２９Ｘ，２９Ｙによって計測され、この計測値及び主制御系３１からの制御情報に基づいて、ステージ制御系３３は不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介してウエハステージＷＳＴの動作を制御する。
【００３１】
また、投影光学系ＰＬの側面にはウエハＷ上のアライメントマークを計測するためのオフ・アクシス方式のアライメントセンサＡＬＧが配置されており、この検出結果に基づいて主制御系３１はウエハＷのアライメントを行う。
露光時には、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを駆動して、露光光ＩＬを照射した状態でレチクルＲとウエハＷ上の一つのショット領域とを走査方向ＳＤ（Ｙ方向）に同期走査する動作と、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動する動作とが繰り返される。これによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の各ショット領域にレチクルＲのパターン像が露光される。
【００３２】
次に、図４（Ａ）は、図１のモデル設定システム７０Ａで使用されるテストパターンの一例を示し、図４（Ａ）のＸ軸、Ｙ軸は図３の露光装置ＥＸのレチクルステージＲＳＴ上でのＸ軸、Ｙ軸と同じ方向である。このテストパターンは、Ｘ方向に比較的粗いピッチでライン状の透過パターンを配置したライン・アンド・スペースパターン（以下、Ｌ＆Ｓパターンと言う）４５Ａと、露光装置ＥＸの解像限界に近いピッチのＬ＆Ｓパターン４５Ｂと、Ｘ方向及びＹ方向に伸びた孤立線パターン４５Ｃとを含んでいる。
【００３３】
次に、図５及び図６のフローチャートを参照して、パターンデータ処理方法としての、本例の図１のレチクルパターン作成システム６０でレチクルパターンを作成する処理の一例につき説明する。本例では、図３の露光装置ＥＸによって露光されるレチクルに形成されるレチクルパターン（回路パターン）を作成するものとする。、また、露光装置ＥＸは最新機種であるものとする。本例のレチクルパターンの作成処理は、図５に示すように露光装置を規定するツールパラメータＴＰ及び現像工程を規定する経験則パラメータＥＰの値を設定して、光学像モデル及びレジスト像モデルを設定するモデル設定処理と、図６に示すように、設定されたモデル（パラメータＴＰ，ＥＰの値）に基づいて実デバイスの回路パターン用のレチクルパターンを設計する回路設計処理とに大別される。
【００３４】
先ず、モデル設定が開始されると、図５のステップ１０１において、図１のモデル設定システム７０Ａのパラメータ入力部６２に、図３の露光装置ＥＸと同じ機種でほぼ製造日が最も新しい１台又は製造日が新しい順に選択された複数台（例えば初期ロット）の露光装置のツールパラメータ（ＴＰ）（露光装置が複数台の場合にはその平均値）と、レチクルパターンが露光される感光材料を規定する経験則パラメータ（ＥＰ）と、図４（Ａ）のテストパターンの形状等の情報とが入力される。入力されたパラメータＴＰ，ＥＰの値は制御部６１に供給され、テストパターンの形状等の情報は光学像シミュレーション部６４に供給される。次のステップ１０２において、制御部６１は、パラメータＴＰ，ＥＰの初期値（ここでは入力された値そのもの）をそれぞれ光学像シミュレーション部６４及びレジスト像シミュレーション部６５に設定する。
【００３５】
次のステップ１０３において、光学像シミュレーション部６４は、シミュレーションによって、設定されたツールパラメータＴＰで規定される光学像モデル（ほぼ露光装置ＥＸに近いモデル）を用いて図４（Ａ）のテストパターン４５Ａ〜４５Ｃを露光した場合の光学像の光強度分布を求め、この光学像の情報をレジスト像シミュレーション部６５に供給する。次のステップ１０４において、レジスト像シミュレーション部６５は、シミュレーションによって、その光学像をその経験則パラメータＥＰで規定されるレジスト像モデル（レジスト）上に投影し、その後現像を行って得られるレジスト像の形状を求める。このようにして得られる計算上のレジスト像の一例は、図４（Ｂ）の線幅がそれぞれｄｃ１，ｄｃ２，ｄｃ３，ｄｃ４のレジストパターン４６Ａ，４６Ｂ，４６Ｃである。なお、説明の便宜上、投影光学系は等倍の正立像を投影するものとしている。
【００３６】
また、これまでの動作と並行して、図３の露光装置ＥＸにおいても、図４（Ａ）のテストパターン４５Ａ〜４５Ｃをステップ１０４で用いられる経験則パラメータＥＰと同じ条件でレジストが塗布されたウエハ上に露光し、露光後のウエハを経験則パラメータＥＰと同じ条件で現像する。図４（Ｃ）に示すように、実際の線幅がそれぞれｄｅ１，ｄｅ２，ｄｅ３，ｄｅ４のレジストパターン４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃが得られている。複数台の露光装置ＥＸで露光を行った場合には、線幅の平均値が改めて線幅ｄｅ１〜ｄｅ４とされる。
【００３７】
そして、図５のステップ１０５では、図１の実露光機の露光データ入力部６６が、その露光装置ＥＸの露光によって形成されたレジストパターン４７Ａ〜４７Ｃの形状データ（線幅ｄｅ１〜ｄｅ４）を読み込む。次のステップ１０６において、比較部６８は、ステップ１０４で計算によって得られた図４（Ｂ）のレジストパターン４６Ａ〜４６Ｃの線幅ｄｃｉ（ｉ＝１〜４）と、ステップ１０５で実際の露光によって得られた図４（Ｃ）のレジストパターン４７Ａ〜４７Ｃの線幅ｄｅｉとの比較を行うために、次式から両者の偏差の絶対値である形状誤差δ１ｉを求めて制御部６１に供給する。
【００３８】
δ１ｉ＝｜ｄｃｉ−ｄｅｉ｜  …（１）
次のステップ１０７において、形状誤差δ１ｉ（ｉ＝１〜４）の少なくとも一つが予め定められている許容値ε１ｉ以上であるときには、ステップ１０８に移行して、ツールパラメータＴＰの値に変更があるかどうかが判定される。具体的に、図３の露光装置ＥＸの製造台数が増加して、最新の所定台数の露光装置ＥＸのツールパラメータＴＰの平均値の値が、それまでに設定されていたツールパラメータＴＰの値に比べて大きく変化する場合がある。この場合には、ステップ１１１に移行して、ツールパラメータＴＰの値を最新の露光装置ＥＸで計測された値に変更して、ステップ１０３の光学像のシミュレーション以降の動作が繰り返される。
【００３９】
また、ステップ１０８でツールパラメータＴＰの値が変更されていない場合には、ステップ１０９に移行して、図１の誤差要因解析部６９が形状誤差δ１ｉ（ｉ＝１〜４）に基づいて誤差要因を解析する。具体的に、図４（Ａ）のテストパターン４５Ａ〜４５Ｃのうち、Ｌ＆Ｓパターン４５Ｂ（密集線）及び孤立線パターン４５Ｃの両方で形状誤差δ１２〜δ１４が許容値以上になったときには、レジスト像モデルに要因があると判定される。この場合には、ステップ１１０に移行して、経験則パラメータＥＰの一部の値が可変範囲内で変更されてレジスト像シミュレーション部６５に設定された後、ステップ１０４に移行して、レジストパターンの形状の再計算以降の動作が繰り返される。
【００４０】
また、ステップ１０９において、図４（Ａ）の孤立線パターン４５Ｃの形状誤差δ１３，δ１４のみが許容値以上になったときには、光学像モデルに要因があると判定される。この場合には、ステップ１１１に移行して、ツールパラメータＴＰ内の可変パラメータのうちの一部のパラメータの値が可変範囲内で変更されて光学像シミュレーション部６４に設定された後、ステップ１０３に移行して、光学像の再計算以降の動作が繰り返される。これによって、パラメータＴＰ，ＥＰの最適化が行われる。
【００４１】
そして、ステップ１０７において、全ての形状誤差δ１ｉ（ｉ＝１〜４）が許容値ε１ｉよりも小さくなった場合には、制御部６１は、ステップ１１２に移行して、現在のツールパラメータＴＰ及び経験則パラメータＥＰの値をパラメータファイル６３に格納するとともに、図２の回路設計システム７０Ｂの制御部７１に送信する。これによって、光学像モデル及びレジスト像モデルが完成したことになり、図６のステップ１２０において回路設計が開始される。
【００４２】
次に、図２の回路設計システム７０Ｂにおいて、図６のステップ１２０で回路設計が開始されると、先ずステップ１２１において、図２のデバイスパターンデータ入力部７２は実デバイスの回路パターンの形状データ（以下、マスク設計データともいう）を読み込み、形状データを回路パターン設計部７４に供給する。また、制御部７１に図１の制御部６１から供給されたパラメータＴＰ，ＥＰの値は回路パターン設計部７４及び露光結果予測部７５に供給されるとともに、デバイスパターンデータ入力部７２を介してデータファイル７３に記録される。
【００４３】
なお、マスク設計データ、すなわちレチクルパターン描画用のパターンデータとは、半導体集積回路等の製造におけるリソグラフィ工程で使用されるレチクル（フォトマスクを含む）上に形成すべき回路パターンを構成する各パターンの位置情報、形状情報、透過率情報を含む情報である。
また、マスク設計データは、レチクルパターン描画用のパターンデータに限らず、パターンの形状が可変可能な可変マスクで用いられるパターンデータを用いることも可能である。なお、可変マスクには、例えばガラス基板上に液晶で微細な多数のそれぞれ開閉自在の窓部を形成し、液晶で各窓部の開閉をすることによって、そのガラス基板上に所望の回路パターンを表示する構成が含まれる。
【００４４】
なお、マスク設計データとしては、上述の如く、レチクル上にパターンを形成した際に、透過部となる部分の値が１であり、遮光部となる部分の値が０である２値データをビットマップ状に配列したビットマップデータ形式（ラスターデータ形式ともいう）を使用できる。また、マスク設計データとしては、上記のビットマップデータ形式で表されるパターンを、微小な四角形や三角形に分割し、その頂点のＸ、Ｙ座標値を記載した形式（例えばＧＤＳ２形式）等のベクトルデータ形式のデータを使用することも可能である。
【００４５】
次のステップ１２２において、図２の回路パターン設計部７４は、上記のパラメータＴＰ，ＥＰに基づいてＯＰＣを考慮した実デバイスの回路パターンを得るためのパターン設計を行い、その設計データを露光結果予測部５に供給する。
具体的に、投影像の光学的近接効果であるＯＰＥ（Optical Proximity Effect）を説明するために、図７（Ａ）に示すテストパターンを図３の露光装置ＥＸによってウエハ上に投影する場合を想定する。このテストパターンは、例えばテストレチクルＴＲ上で、同じ線幅Ｄのラインパターン５２，５４及び５５を、Ｘ方向に異なるピッチＰ１，Ｐ２及びほぼ孤立線とみなせる状態で配置したＬ＆Ｓパターン５１，５３及び孤立線パターンである。このテストパターンを露光装置ＥＸによってウエハＴＲＷ上に投影し、その後のウエハＴＲＷ上のレジストを現像する。現像処理によって、図７（Ｂ）に示すように、異なる線幅ｄ１，ｄ２のラインパターン５２Ｗ，５４ＷをＸ方向に配列したレジストパターン５１Ｗ，５３Ｗと、線幅ｄ３の孤立線パターンよりなるレジストパターン５５Ｗとが得られる。このようにＯＰＥによって、同じ線幅のパターンであってもピッチによってレジストパターンの線幅が異なってくる。
【００４６】
図８の曲線Ｃ１は、図３の露光装置ＥＸによって同じ線幅で異なるピッチの種々のＬ＆Ｓパターンの像を露光した場合に、露光装置ＥＸのツールパラメータＴＰによって計算されるＯＰＥ特性の一例を示す。図８の横軸はウエハ上での投影像のパターンピッチ（ｎｍ）、縦軸はウエハ上での投影像の線幅（ｎｍ）である。図８の曲線Ｃ１では、パターンピッチが５００ｎｍ付近で線幅が小さくなっている。
【００４７】
図２の回路パターン設計部７４では、例えば図８のＯＰＥ特性を計算によって求めた後、最終的に得られる回路パターンの線幅が図６のステップ１２１で入力された線幅になるように、ＯＰＥ特性を相殺するようにレチクルパターンの線幅を調整する。さらに、不要な光学像が生じる場合には、その光学像を相殺するような補助パターンを付加する。
実デバイスに必要な回路パターンの形状を図９（Ａ）の回路パターン４８及び４９であるとすると、回路パターン設計部７４では、一例として図９（Ｂ）に示すような回路パターン４８を投影光学系の投影倍率の逆数で拡大した像４８Ｒに対して線幅が僅かに細いレチクルパターン５６、及び回路パターン４９を投影光学系の投影倍率の逆数で拡大した像４９Ｒに対して線幅が僅かに太いレチクルパターン５７を生成する。なお、説明の便宜上、投影倍率を等倍で、正立像が投影されるものとしている。さらに、レチクルパターン５６及び５７のみでは不要な光学像が形成される場合に、その不要な光学像を相殺するために、補助パターン５６Ａ及び５７Ａを付加している。
【００４８】
次の図６のステップ１２３において、露光結果予測部７５は、設計されたレチクルパターンをツールパラメータＴＰで規定された露光装置で、経験則パラメータＥＰで規定される感光材料上に露光する。その後、露光結果予測部７５は、その感光材料を現像して得られるレジストパターンの形状（線幅をＤｃｉ（ｉ＝１，２，…）とする）を予測する。この予測されるレジストパターンの形状は、ステップ１２１で入力される実デバイスの回路パターンの形状とほぼ等しい。
【００４９】
また、ステップ１２２で設計された後に試作されたレチクルパターンを図３の露光装置ＥＸを用いて、ステップ１２３で用いられる経験則パラメータＥＰと同じ条件でレジストが塗布されたウエハ上に露光する。そして、露光後のウエハを経験則パラメータＥＰと同じ条件で現像することによって、図９（Ｃ）に示すように、実際の線幅がそれぞれＤｅ１，Ｄｅ２等のレジストパターン５６Ｗ，５７Ｗ等が得られる。複数台の露光装置ＥＸで露光を行った場合には、線幅の平均値が改めて線幅Ｄｅ１，Ｄｅ２等とされる。
【００５０】
そして、図６のステップ１２４では、図２の実露光機の露光データ入力部７６が、その露光装置ＥＸの露光によって形成されたレジストパターン５６Ｗ，５７Ｗ等の形状データ（線幅Ｄｅ１，Ｄｅ２等）を読み込む。次のステップ１２５において、図２の比較部７８は、ステップ１２３で計算によって得られたレジストパターンの線幅Ｄｃｉ（ｉ＝１，２，…）と、ステップ１２４で実際の露光によって得られた図９（Ｃ）のレジストパターンの線幅Ｄｅｉとの比較を行うために、次式から両者の偏差の絶対値である形状誤差δ２ｉを求めて制御部７１に供給する。
【００５１】
δ２ｉ＝｜Ｄｃｉ−Ｄｅｉ｜  …（２）
次のステップ１２６において、形状誤差δ２ｉの少なくとも一つが予め定められている許容値ε２ｉ以上であるときには、制御部７１は、回路パターン設計部７４にレチクルパターンの再設計を実行させる。
そして、ステップ１２６において、全ての形状誤差δ２ｉが許容値ε２ｉよりも小さくなった場合には、制御部７１は、ステップ１２７に移行して、現在のレチクルパターン（回路パターン）のデータをデータファイル７３に格納するとともに、ステップ１２８において、そのレチクルパターンのデータを不図示のレチクルの製造装置に送信する。これによって、実デバイスの回路パターンに対応したレチクルパターンが完成したことになり、レチクルの量産が開始される。
【００５２】
その後、図５及び図６の作成方法によって作成されたレチクルパターンを図３の露光装置ＥＸで露光する場合について説明する。露光装置ＥＸでレチクルパターンを露光する前に、ステップ１０１で読み込まれた露光装置のツールパラメータの値に対して、現時点における露光装置ＥＸのパラメータ値が変更されているかどうか確認する。露光装置ＥＸのパラメータ値が変更されていた場合には、ステップ１０１で読み込まれた露光装置のツールパラメータの値に調整する。なぜなら、レチクルパターンの形状は、このツールパラメータに対して最適化されているからである。露光装置のツールパラメータの値を調整した後、露光装置ＥＸでそのレチクルパターンで作成した時、指定した経験則パラメータＥＰで規定される感光材料上に露光して、現像を行う。そうすることによって、所望のデバイスの回路パターンを高精度に形成することができる。
【００５３】
上述のように、本例のレチクルパターン作成方法及びレチクルパターン作成システム６０によれば、テストパターン４５Ａ〜４５Ｃのシミュレーションによるレジストパターンと、露光装置ＥＸによるレジストパターンとを比較して、レチクルパターン作成システムに入力するツールパラメータＴＰの値を設定しているため、レチクルパターンの設計時に、シミュレーションによってレチクルパターンから予測される像（レジストパターン）と実際に露光装置ＥＸを用いて形成される像（レジストパターン）との誤差が小さくなる。従って、試行錯誤的に例えば図６のステップ１２２〜１２６に示すようにレチクルパターンの設計を繰り返す回数を少なくでき、レチクルパターンの作成効率が高い。
【００５４】
また、そのツールパラメータＴＰには、露光装置の機種又は号機毎に異なるパラメータ（例えば表１のパラメータＴＰ６〜ＴＰ１２等）が含まれている。従って、例えば試作から量産に移行しつつあるような露光装置に関しても、実際にそのレチクルパターン作成方法で作成されたレチクルパターンの露光を行う露光装置のツールパラメータを考慮でき、その露光装置に最適化されたレチクルパターンを設計できる。
【００５５】
なお、図５及び図６の作成方法によって作成されたレチクルパターンを、図３の露光装置ＥＸで露光する場合に、図３の露光装置ＥＸのツールパラメータＴＰの値が図５のステップ１０１で格納された値ＴＰＤ（即ち、図６のステップ１２１で回路設計時に使用されるツールパラメータＴＰの値ＴＰＤ）と異なる場合には、露光装置ＥＰのツールパラメータＴＰのうちの可変パラメータ（例えば表１のパラメータＴＰ１〜ＴＰ５）の値をその回路設計時に使用されたツールパラメータＴＰの値ＴＰＤに合わせるようにしてもよい。
【００５６】
また、そのように可変パラメータの値を直接制御する場合の他に、図１０に示すように、図６のステップ１２２及び１２３で回路設計時に使用されるツールパラメータＴＰの値ＴＰＤから予測される曲線Ｃ１で示すＯＰＥ特性に対して、図３の露光装置ＥＰのツールパラメータＴＰから予測される曲線Ｃ２で示すＯＰＥ特性が外れている場合には、露光装置ＥＸのツールパラメータＴＰの値を他の結像特性に実質的に影響を与えない範囲で調整することによって、曲線Ｃ２を曲線Ｃ１に合わせるようにしてもよい。具体的に、露光装置ＥＸにおいて、例えばコヒーレンスファクタ（σ値）を微調整することによって、曲線Ｃ２上の点Ｃ２Ｄを曲線Ｃ１に近付け、開口数ＮＡを微調整することによって、曲線Ｃ２上の点Ｃ２Ｂを曲線Ｃ１に近付けることによって、ＯＰＥ特性を合わせることができる。この結果、そのレチクルパターンを露光装置ＥＸで露光することによって、所望のデバイスパターンを得ることができる。
【００５７】
なお、上記の実施形態における図１のレチクルパターン作成システム６０を用いてレチクルパターンの作成を行う者がデバイスメーカであるならば、パラメータ入力部６２で取得する露光装置のパラメータ、及び露光データ入力部６６で取得する実際の感光材料の像の情報は、露光装置メーカから記録媒体や、通信回線（電子メール、インターネット）を介して取得してもよい。
また、上記の実施形態では、実際に感光材料を現像した後に形成される感光材料の像（レジストパターン）とシミュレーションによる感光材料の像とを比較部６８で比較している。しかしながら、その代わりに実際にテストパターンを投影して形成される感光材料上の潜像と、シミュレーションによる感光材料上の像（潜像）とを比較してもよい。このように潜像を対象とする場合には、経験則パラメータＥＰ（第２パラメータ）として、レジスト感度、露光光に対する感度を考慮してシミュレーションを行えば良い。
【００５８】
また、本発明の「シミュレーションによる感光材料の像の情報」には、光強度分布が含まれ、「実際の感光材料の像の情報」には、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で計測した計測値、イメージセンサで撮像された撮像データなども含まれる。
また、上記の実施形態におけるレチクルパターンのＯＰＣ処理には、ラインパターンの両先端部を中央部に比べて相対的に太くする処理も含まれる。
また、ＯＰＣ処理を施したパターンとして、例えばマスクパターンのコーナー部若しくは隣り合うパターンから所定間隔以上離れている部分に補正用パターンを追加したマスクパターン、リソグラフィ・シミュレータ若しくは実験データに基づいて補正パターンを生成したマスクパターン、パターンの角が丸くなるのを防止する「シェリフ・パターン」若しくは「ハンマーヘッド・パターン」等のパターン、又はパターンの線幅変動を補正する「バイアス」などを加えたマスクパターン等もある。
【００５９】
なお、本発明は、走査露光型の投影露光装置のみならず、一括露光型の投影露光装置で露光する場合にも同様に適用することができる。また、本発明は、投影光学系と基板との間に液体を供給しないドライ型の露光装置、又は露光光として軟Ｘ線等の極端紫外光（EUV(Extreme Ultravolet )光）を用いる露光装置等で露光する場合にも適用できる。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイスを製造する場合、この半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、このステップに基づいてレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを形成するステップ、上記の実施形態の露光装置によりレチクルのパターンを基板（ウエハ）に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、並びに検査ステップ等を経て製造される。
【００６０】
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレート等に形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム)、セラミックスウエハ等を基板として用いる薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、製造工程にも適用することができる。
【００６１】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】実施形態の一例で使用されるレチクルパターン作成システムを示すブロック図である。
【図２】図１中の回路設計システムの構成を示すブロック図である。
【図３】実施形態の一例で使用される露光装置を示す斜視図である。
【図４】（Ａ）はテストパターンの一例を示す拡大図、（Ｂ）はテストパターンからシミュレーションによって得られるレジストパターンを示す拡大図、（Ｃ）はテストパターンから実露光機の露光によって得られるレジストパターンを示す拡大図である。
【図５】実施形態の一例のレチクルパターン作成方法のうちのモデル設定処理を示すフローチャートである。
【図６】実施形態の一例のレチクルパターン作成方法のうちの回路設計処理を示すフローチャートである。
【図７】光学的近接効果（ＯＰＥ）の説明図であり、（Ａ）はレチクルパターンの一例を示す拡大図、（Ｂ）は図７（Ａ）のレチクルパターンに対応するレジストパターンを示す拡大図である。
【図８】ＯＰＥ特性の一例を示す図である。
【図９】（Ａ）は実デバイスの回路パターンの一例を示す拡大図、（Ｂ）は実施形態の方法で作成されるレチクルパターンの一例を示す拡大図、（Ｃ）はそのレチクルパターンを実露光機で露光して得られるレジストパターンの一例を示す拡大図である。
【図１０】２つのＯＰＥ特性が異なる場合を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
ＥＸ…露光装置、６０…レチクルパターン作成システム、６１…制御部、６２…パラメータ入力部、６４…光学像シミュレーション部、６５…レジスト像シミュレーション部、６６…実露光機の露光データ入力部、６８…比較部、６９…誤差要因解析部、７０Ａ…モデル設定システム、７０Ｂ…回路設計システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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