(57)【要約】【課題】部品の両面実装を可能とする基板を簡便に得られる、回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】液滴吐出法を用いて、キャリアシートＰ上に導電性材料を配置し、導電性材料を焼成して導電部１０を形成する。そして、液滴吐出法を用いて、導電部１０の少なくとも一部を露出させるように、キャリアシートＰ上に基材材料を配置し、基材材料を硬化させて基材１１を形成する。そして、液滴吐出法を用いて、基材１１から露出する導電部１０に接続させるように、基材１１上に導電性材料を配置し、導電性材料を焼成して他の導電部１２を形成し、液滴吐出法を用いて、他の導電部１２の少なくとも一部を露出させるように、基材１１上に絶縁材料を配置し、絶縁材料を硬化させて絶縁層１３を形成する。そして、導電部１０及び基材１１からキャリアシートＰを剥離する。【選択図】図２
2008066576.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴吐出法を用いて、キャリアシート上に導電性材料を配置し、該導電性材料を焼成して導電部を形成する工程と、
液滴吐出法を用いて、前記導電部の少なくとも一部を露出させるように、前記キャリアシート上に基材材料を配置し、該基材材料を硬化させて基材を形成する工程と、
液滴吐出法を用いて、前記基材から露出する前記導電部に接続させるように、前記基材上に導電性材料を配置し、該導電性材料を焼成して他の導電部を形成する工程と、
液滴吐出法を用いて、前記他の導電部の少なくとも一部を露出させるように、前記基材上に絶縁材料を配置し、該絶縁材料を硬化させて絶縁層を形成する工程と、
前記導電部及び前記基材から前記キャリアシートを剥離する工程と、を備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記キャリアシートとして、ポリイミドからなる基材と、該基材上に形成された剥離層とから構成されるものを用いることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記他の導電部を形成する工程と、前記絶縁層を形成する工程とを順次繰り返し、複数の導電部が絶縁層を介して積層されてなる多層構造を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多層の回路基板を製造する方法としては、印刷法を用いたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。まず、基材上に設けられた下側電極と、該下側電極上にスクリーン印刷により絶縁層を形成し、該絶縁層に前記下側電極の露出させる穴部を形成する。そして、前記絶縁層上に、前記穴部を介して下側電極に導通する上部電極を積層することで、多層の回路基板を形成していた。
【０００３】
印刷法によって形成された回路基板は、電子部品等を実装する電極面を、基板の上面側（印刷面側）にのみ有している。そのため、電極面のない基板下面に電子部品を実装する場合、基板の下面側から穴をあけ、その穴の内部にめっきを形成して基板内部に導通する導電部を形成する必要がある。
【特許文献１】実公平０４−２７１８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような電子部品の両面実装を可能とする回路基板を製造する場合には、印刷法による絶縁層の形成工程の他に、基板に穴を設ける工程、及び該穴の内面にめっきを形成する工程等が必要となるため、製造工程が複雑になってしまう。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、部品の両面実装を可能とする基板を簡便に得られる、回路基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の回路基板の製造方法は、液滴吐出法を用いて、キャリアシート上に導電性材料を配置し、該導電性材料を焼成して導電部を形成する工程と、液滴吐出法を用いて、前記導電部の少なくとも一部を露出させるように、前記キャリアシート上に基材材料を配置し、該基材材料を硬化させて基材を形成する工程と、液滴吐出法を用いて、前記基材から露出する前記導電部に接続させるように、前記基材上に導電性材料を配置し、該導電性材料を焼成して他の導電部を形成する工程と、液滴吐出法を用いて、前記他の導電部の少なくとも一部を露出させるように、前記基材上に絶縁材料を配置し、該絶縁材料を硬化させて絶縁層を形成する工程と、前記導電部及び前記基材から前記キャリアシートを剥離する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明の回路基板の製造方法によれば、キャリアシート上に形成された導電部は、キャリアシートを剥離することによって基材から露出した状態に形成される。また、前記導電部上に形成された他の導電部は絶縁層から露出した状態に形成されるので、本発明によって得られる回路基板は、例えば半導体チップ等の電子部品を基板の両面に実装することが可能となる。したがって、インクジェット法によるキャリアシート上への材料配置工程、及びキャリアシートを剥離する工程といった簡便な工程により、電子部品の両面実装を可能とする回路基板を提供できる。
【０００８】
上記回路基板の製造方法においては、前記キャリアシートとして、ポリイミドからなる基材と、該基材上に形成された剥離層とから構成されるものを用いるのが好ましい。
この構成によれば、キャリアシートを構成する基材が耐熱性及び熱膨張し難いポリイミドから構成されているので、加熱時における伸縮が低減されて、これによりキャリアシート上に形成される回路基板に破損やヒビ割れ等が生じるのを防止することができる。
【０００９】
上記回路基板の製造方法においては、前記他の導電部を形成する工程と、前記絶縁層を形成する工程とを順次繰り返し、複数の導電部が絶縁層を介して積層されてなる多層構造を形成するのが好ましい。
この構成によれば、複数の導電部が絶縁層を介して積層されてなる多層構造の回路基板を、液滴吐出法を用いた導電部形成工程及び絶縁層形成工程によって容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を詳しく説明する。まず、本発明における回路基板の製造方法の一実施形態について、図面を参照して説明する。図１、図２は、本実施形態に係る回路基板の製造工程を説明する図である。なお、本発明では、回路基板を構成する材料を配置する工程を、全て液滴吐出法（インクジェット法）により行っている。
【００１１】
はじめに、キャリアシートＰを用意し、図１（ａ）に示すように、インクジェット法により、キャリアシートＰ上に導電性材料Ｌを配置する。なお、前記導電性材料Ｌは、インクジェットヘッドＨから液滴と吐出することでキャリアシートＰ上に配置され、後述の焼成工程により導電部を構成するようになる。
【００１２】
このキャリアシートＰは、ポリイミドからなる基材と該基材上に形成された剥離層とから構成されたものである。このキャリアシートＰは、回路基板を形成する支持板として機能するもので、後述するように回路基板を形成した後、剥離される。したがって、前記剥離層は、接着性及び剥離性に優れた接着層などを好適に用いられる。具体的に本実施形態では、キャリアシートＰとして、剥離層がシリコーン系粘着材からなる、３Ｍ社製のポリイミドテープ（型番；５４１３）を用いた。このポリイミドテープは、高耐熱性（２６０℃〜３７０℃）に優れたものとなっている。なお、上記剥離層はシリコーン系粘着材に限定されることはなく、例えばアクリル系粘着材を用いてもよい。このようなアクリル系粘着材を用いれば、上記シリコーン系粘着材に比べ、耐熱が２６０℃となり若干低下するものの、後述するキャリアシートＰの剥離時に、剥離面に粘着材の成分が残留するのを防止することができる。よって、キャリアシートＰ上に形成する回路基板に応じて、キャリアシートを適宜変更するのが好ましい。
【００１３】
ここで、導電性材料Ｌについて説明する。
本実施形態では、前記導電性材料Ｌとして、例えば直径１０ｎｍ程度の銀微粒子が有機溶剤に分散した銀微粒子分散液の分散媒をテトラデカンで置換してこれを希釈したものを用いた。なお、銀微粒子の表面には、分散媒に分散させた際の凝縮を防止する目的で、有機物のコーティングを施しておいてもよい。
【００１４】
また、上記分散媒としては、銀微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００１５】
液体材料（分散液）の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ〜０．０７Ｎ／ｍの範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体材料を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、前記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００１６】
また、分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周囲がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【００１７】
ところで、インクジェット法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００１８】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。なお、本実施形態では、上記ピエゾ素子による吐出方式を採用した。
【００１９】
図３は、ピエゾ方式による液状体材料の吐出原理を説明するための液滴吐出ヘッドＨの概略構成図である。液滴吐出ヘッド３０１において、液状体材料（インク）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液状体材料を収容する材料タンクを含む液状体材料供給系３２３を介して液状体材料が供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させて液体室３２１を弾性変形させる。そして、この弾性変形時の内容積の変化によってノズル３２５から液状体材料が吐出されるようになっている。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度を制御することができる。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有している。
【００２０】
上述したような導電性材料ＬをキャリアシートＰ上に配置した後、該導電性材料Ｌを焼成する。
具体的に本実施形態では、導電性材料Ｌを配置した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理としては、通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理を採用することができる。なお、本実施形態では、ホットプレートを用いて、例えば１２０℃〜１５０℃で６０分間程度の加熱処理を行った。なお、この加熱処理は窒素雰囲気下で行ってもよく、必ずしも大気中で行う必要はない。
【００２１】
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。
【００２２】
ところで、前記導電性材料Ｌにおける微粒子間の電気的接触をよくするためには、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。そのため、前記導電性材料Ｌに対して熱処理及び／又は光処理が施される（焼成処理）。
【００２３】
通常、焼成処理は、大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。焼成処理の温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基板の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約２５０℃で焼成処理を行う必要がある。以上の工程により、導電性材料Ｌの乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。以上のようにして、図１（ｂ）に示すように、キャリアシートＰ上に下部電極（導電部）１０を形成することができる。
【００２４】
ところで、導電性材料の焼成処理や絶縁材料の硬化処理時には、キャリアシートＰ自体が加熱されてしまう。そして、キャリアシートＰが熱膨張することで、キャリアシートＰ上に形成された回路基板を構成部材に応力が加わって破損するおそれがある。
【００２５】
そこで、本発明では、キャリアシートＰを構成する基材に熱膨張し難く、かつ耐熱性に優れたポリイミドを用いているので、加熱時のキャリアシートＰの伸縮が低減されて、キャリアシートＰ上に形成した回路基板の構成部材に破損やヒビ割れ等が生じるのを防止できる。
【００２６】
次に、インクジェット法により、前記下部電極１０の上面の一部を露出させるようにして、キャリアシートＰ上に基材材料を配置する。
上記基材材料としては、乾燥後（硬化処理後）にＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４となる液状材料、ポリイミド樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリエステル樹脂系、フェノール樹脂系、フッ素樹脂系、紫外線硬化樹脂等が例示でき、本実施形態では、前記基材材料として、ポリイミドを溶剤（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）に希釈したものを用い、２００℃の加熱処理で硬化させる。
【００２７】
基材材料を配置した後、硬化させることにより図１（ｃ）に示す、基材１１を形成する。この基材１１は、回路基板の基板本体をなすもので、前記下部電極１０の上面を露出させる開口部１１ａが設けられたものとなる。
【００２８】
なお、本発明では、前記基材材料を配置する際にインクジェット法を用いた。そのため、前記基材材料は前記下部電極１０上に配置された際に、表面張力により端部が丸みを帯びたスロープ状に配置されるようになる。このような状態で硬化されてなる基材１１に設けられた開口部１１ａの端面は、図１（ｃ）中、領域Ａに示されるように湾曲したスロープ状に形成されるようになる。
【００２９】
次に、インクジェット法により、基材１１から露出する前記下部電極１０に接続させるように、具体的には、開口部１１ａを埋め込むようにして、前記基材１１上に導電性材料を配置する。このとき、開口部１１ａの端面が湾曲したスロープ状に形成されていることから、導電性材料が開口部１１ａ内に良好に配置されるようになる。そして、前記下部電極１０ａと同様に、乾燥処理、及び焼成処理を行うことにより、図１（ｄ）に示す上部電極（他の導電部）１２が形成されるようになる。よって、上述したように下部電極１０ａと上部電極１２とは、スロープ状の端面を有する開口部１１ａを介し、良好に導通されたものとなる。
【００３０】
次に、インクジェット法により、前記上部電極１２の上面の一部を露出させるように、前記基材１１上に絶縁材料を配置する。上記絶縁材料としては、乾燥後に絶縁性を有するＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４を構成する液状材料が用いられる。
【００３１】
絶縁材料を配置した後、硬化させることにより図２（ａ）に示す、絶縁層１３を形成する。この絶縁層１３には、前記上部電極１２の上面を露出させる開口部１３ａが形成された状態となる。
【００３２】
続いて、図２（ｂ）に示すように、キャリアシートＰを剥離する。このとき、上述したようにキャリアシートＰはポリイミドからなる基材を主体として構成されており、可撓性を備えたものとなっている。よって、キャリアシートＰを剥離する際に、該キャリアシートＰ上に形成されている回路基板が破壊されることを確実に防止することができる。以上の工程により、図２（ｃ）に示す回路基板２０を製造することができる。
【００３３】
本実施形態に係る回路基板２０の製造方法によれば、キャリアシートＰ上に形成された下部電極１０は基材１１から露出した状態に形成される。また、前記下部電極１０上に形成された上部電極１１は、絶縁層１３から露出した状態に形成されるので、例えば半導体チップ（ＩＣチップ）等の電子部品を回路基板２０の両面側に実装することが可能となっている。
【００３４】
したがって、本発明によれば、キャリアシートＰ上へのインクジェット法による材料配置工程、及びキャリアシートＰの剥離工程といった簡便な工程により、電子部品の両面実装を可能とする回路基板２０を製造することができる。
【００３５】
回路基板２０は、その上面２０ａ側に上部電極１２が露出し、その下面２０ｂ側に下部電極１０が露出している。すなわち、この回路基板２０は、電子部品を基板の両面に実装することが可能となっており、本実施形態では、図４に示すようにＩＣチップ３０が基板の上面２０ａ側に露出する上部電極１２上に実装されている。このように上部電極１２上にＩＣチップ３０を実装する場合、前記絶縁層１３としてソルダーレジストを形成してもよい。これにより、上部電極１２上にＩＣチップ３０をはんだ付けによって良好に実装することができる。なお、前記ＩＣチップ３０を裏面２０ｂ側に露出する下部電極１０上に実装するようにしてもよい。
【００３６】
（多層回路基板）
次に、本発明の回路基板の製造方法の他の実施形態について説明する。図５は、本実施形態の製造方法により得られた回路基板４０を示すもので、該回路基板４０上にＩＣチップ３０が実装されている。
【００３７】
具体的には、図５に示すように、前記基材１１上には、開口部１１ａを介して下部電極１０に導通する配線部（他の導電部）１４が形成されている。この配線部１４は、下部電極１０における再配置配線等として機能するものである。そして、この下層導電部１４上には下層絶縁層（絶縁層）１６が設けられ、該下層絶縁層１６に設けられた開口部１６ａを介して前記配線部１４に導通する上部電極（他の導電部）１２が形成されている。さらに、前記下層絶縁層１６及び前記上部電極１２上には、上層絶縁層（絶縁層）１７が形成されている。また、上層絶縁層１７には開口部１７ａが設けられ、該開口部１７ａ内に上部電極１２が露出した状態に形成されている。
【００３８】
回路基板４０は、その上面４０ａ側に上部電極１２が露出し、その下面４０ｂ側に下部電極１０が露出している。すなわち、この回路基板４０は、半導体チップ（ＩＣチップ３０）等の電子部品を基板の両面に実装することが可能となっている。なお、本実施形態では、図５に示したようにＩＣチップ３０が基板の上面４０ａ側に露出する上部電極１２上に実装されているが、裏面４０ｂ側に設けられた下部電極１０上に実装するようにしてもよい。
【００３９】
ところで、従来、同一層上に形成された配線は、互いが接触することでショートを生じさせるため、配線同士を交差させた構造を採用することができず、基板が大型化するといった問題があった。本発明の回路基板４０は、このような配線層の多層構造を備えているので、平面形状を大型化させることなく、多数の配線層を自由に引き回す構造を採用することができる。また、配線層を積層することによる厚みの増加は、３０〜５０μｍ程度であることから、多層構造により回路基板の厚みが極端に増加することはなく、上述した利点を主に得ることができる。
【００４０】
次に、回路基板４０を製造する方法について説明する。回路基板４０を製造する工程は、キャリアシートＰ上に下部電極１０を形成し、該下部電極１０上に開口部１１ａが設けられた基材１１を形成する工程（図１（ａ）〜（ｃ）に示した工程）については、上記実施形態と同等である。基材１１を形成した後、他の導電部を形成する工程と、絶縁層を形成する工程とを順次繰り返すことで、導電部の多層構造を形成している。
【００４１】
具体的には、インクジェット法を用いて、開口部１１ａが埋め込まれるように基材１１上に導電性材料を配置する。そして、下部電極１０ａと同様に、乾燥処理、及び焼成処理を行うことにより配線層１４を形成できる。
【００４２】
次に、インクジェット法により、前記配線１４の上面の一部を露出させるように基材１１上に上記実施形態と同様の絶縁材料を配置し硬化させる。これにより、配線層１４の上面を露出させる開口部１６ａが設けられた下層絶縁層１６を形成できる。
【００４３】
続いて、インクジェット法を用いて、開口部１６ａを埋め込むように下層絶縁層１６上に導電性材料を配置する。そして、配線層１４と同様に、乾燥処理、及び焼成処理を行うことで上部電極１２を形成することができる。
【００４４】
そして、インクジェット法により、前記上部電極１２の上面の一部を露出させるように下層絶縁層１６上に絶縁材料を配置し硬化させる。これにより、上部電極１２の上面を露出させる開口部１７ａが設けられた上層絶縁層１７を形成できる。なお、上層絶縁層１７は、ソルダーレジストであってもよく、これにより上部電極１２上にＩＣチップ３０をはんだ付けによって良好に実装することができる。最後に、キャリアシートＰを剥離することで、回路基板４０を形成することができる。すなわち、本実施形態に係る製造工程では、液滴吐出法を用いる、他の導電部を形成する工程と、絶縁層を形成する工程とを順次繰り返すことにより、簡便な工程により、導電部の多層構造を有した回路基板４０を形成することができる。
【００４５】
なお、上記回路基板４０は、下部電極（導電部）１０上に他の導電層（配線層１４、上部電極１０）及び絶縁層（下層絶縁層１６、上層絶縁層１７）が２層ずつ積層された多層構造について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、他の導電部を形成する工程と、絶縁層を形成する工程を３回以上繰り返すことで、基材１０上に導電部（他の導電部）及び絶縁層が３層以上積層された多層構造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本実施形態に係る回路基板の製造工程を説明する図である。
【図２】図１に続く回路基板の製造工程を説明する図である。
【図３】ピエゾ方式による液状体材料の吐出原理を説明するための図である。
【図４】ＩＣチップが実装された回路基板の概略を示す図である。
【図５】多層回路基板の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
Ｐ…キャリアシート、Ｌ…導電性材料、１０…下部電極（導電部）、１１…基材、１２…上部電極（他の導電部）、１３…絶縁層、１４…配線部（他の導電部）、１６…下層絶縁層（絶縁層）、１７…上層絶縁層、２０…回路基板
【図１】
2008066576.tif 000003
【図２】
2008066576.tif 000004
【図３】
2008066576.tif 000005
【図４】
2008066576.tif 000006
【図５】
2008066576.tif 000007