(57)【要約】【課題】インキ転移量が不十分となるのを抑制可能とする。【解決手段】本発明の方法は、透明基材とこれに支持された導電体パターンとを具備した光透過性電磁波シールド部材の製造方法であって、導電体層の一方の主面上にグラビア印刷によりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いて前記導電体層をエッチングすることにより前記導電体パターンを形成する工程とを含み、前記グラビア印刷は圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して前記版面から前記被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷であり、前記版面には溝２１１が網状に設けられ、前記溝２１１の底面及び／又は側壁は波形であることを特徴とする。【選択図】      図１０
2008283042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材とこれに支持された導電体パターンとを具備した光透過性電磁波シールド部材の製造方法であって、
導電体層の一方の主面上にグラビア印刷によりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして用いて前記導電体層をエッチングすることにより前記導電体パターンを形成する工程とを含み、
前記グラビア印刷は圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して前記版面から前記被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷であり、前記版面には溝が網状に設けられ、前記溝の底面及び／又は側壁は波形であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記底面は波形であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記側壁は波形であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
透明基材とこれに支持された導電体パターンとを具備した光透過性電磁波シールド部材の製造方法であって、
導電体層の一方の主面上にグラビア印刷によりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして用いて前記導電体層をエッチングすることにより前記導電体パターンを形成する工程とを含み、
前記グラビア印刷は圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して前記版面から前記被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷であり、前記版面には溝が網状に設けられ、前記溝内であってその各分岐点に柱状の突起が設けられていることを特徴とする方法。
【請求項５】
透明基材とこれに支持された導電体パターンとを具備した光透過性電磁波シールド部材の製造方法であって、
導電体層の一方の主面上にグラビア印刷によりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして用いて前記導電体層をエッチングすることにより前記導電体パターンを形成する工程とを含み、
前記グラビア印刷は圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して前記版面から前記被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷であり、前記版面には溝が網状に設けられ、前記溝の各分岐点において、前記溝は、各々が角部を形成している第１及び第２側壁と、一部が前記第１側壁の一部と向き合って溝部を形成すると共に他の一部が前記第２側壁の一部と向き合って溝部を形成している第３側壁とを含み、前記第１乃至第３側壁のうち前記第３側壁のみが、その前記分岐点の中心と向き合った部分がこれと隣り合う部分に対して前記中心に向けて突き出た突出部を形成していることを特徴とする方法。
【請求項６】
前記溝の少なくとも一部の分岐点において、前記溝は、一部が前記第１側壁の他の一部と向き合って溝部を形成すると共に他の一部が前記第２側壁の他の一部と向き合って溝部を形成している第４側壁をさらに含み、前記第４側壁の前記中心と向き合った部分はこれと隣り合う部分に対して前記中心に向けて突き出た突出部を形成していることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
透明基材とこれに支持された導電体パターンとを具備した光透過性電磁波シールド部材の製造方法であって、
導電体層の一方の主面上にグラビア印刷によりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして用いて前記導電体層をエッチングすることにより前記導電体パターンを形成する工程とを含み、
前記グラビア印刷は圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して前記版面から前記被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷であり、
前記版面には溝が網状に設けられ、前記溝は、
前記溝の底面及び／又は側壁が波形である第１構造と、
前記溝内であってその各分岐点に柱状の突起が設けられた第２構造と、
前記溝の各分岐点において、前記溝は、各々が角部を形成している第１及び第２側壁と、一部が前記第１側壁の一部と向き合って溝部を形成すると共に他の一部が前記第２側壁の一部と向き合って溝部を形成している第３側壁とを含み、前記第１乃至第３側壁のうち前記第３側壁のみが、その前記分岐点の中心と向き合った部分がこれと隣り合う部分に対して前記中心に向けて突き出た突出部を形成している第３構造と
の２以上を有していることを特徴とする方法。
【請求項８】
前記溝は各分岐点で３方向又は４方向に分岐していることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ダイレクトグラビア印刷はロール・ツー・ロール方式の輪転印刷であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光透過性電磁波シールド部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気設備や電子応用設備の利用が増加している。これに伴い、電磁波妨害（ＥＭＩ：electromagnetic interference）も増加の一途を辿っている。
【０００３】
電磁波ノイズには、伝導ノイズと放射ノイズとがある。伝導ノイズは、例えば、ノイズフィルタなどを用いて除去している。他方、放射ノイズは、例えば、ノイズ発生源とその周囲空間との間に電磁波シールド部材を設置して、先の周囲空間に放出されるのを防止している。
【０００４】
電磁波シールド部材としては、例えば、金属からなる筐体、回路基板間に設置する金属板、及びケーブルに巻き付ける金属箔がある。これら電磁波シールド部材は、電子回路、電気回路、電源、及び配線などのノイズ発生源が発生したノイズがその周囲空間に放出されるのを十分に防止する。しかしながら、これら電磁波シールド部材は、遮光性であるか又は透明性が不十分であるため、陰極線管ディスプレイ及びプラズマディスプレイなどのディスプレイの表示面から放出された電磁波ノイズが周囲空間に放出されるのを防止するのには適していない。
【０００５】
そこで、電磁波遮蔽性と透明性とを両立させた光透過性電磁波シールド部材が提案されている。例えば、特許文献１には、透明基材とその上に設けられた透明な金属薄膜とを含んだ電磁波シールド部材が記載されている。特許文献２には、透明基材とその上に設けられた透明無機導電層とを含んだ電磁波シールド部材が記載されている。特許文献３には、良導電性繊維からなる電磁波シールド部材が記載されている。特許文献４には、金属繊維からなる金属マットを含んだ電磁波シールド部材が記載されている。特許文献５には、樹脂と導電性粉末との混合物を透明基材上に格子状又は縞状に印刷してなる電磁波シールド部材が記載されている。特許文献６には、樹脂と導電性粉末との混合物を透明基材上に網目状に印刷してなる電磁波シールド部材が記載されている。特許文献７には、透明基材上に金属箔を貼り付け、この金属箔をエッチングによりパターニングしてなる電磁波シールド部材が記載されている。
【０００６】
これら電磁波シールド部材のうち、特許文献１及び２に記載された電磁波シールド部材では、導電体層はパターニングされていない連続膜である。そのような電磁波シールド部材では、導電体層は高い透明性を有していることが望まれるため、導電体層を薄くすることが要求される。しかしながら、導電体層を薄くすると、電磁波遮蔽性が低下する。すなわち、電磁波遮蔽性と透明性とは二律背反の関係にある。それゆえ、導電体層を連続膜とした電磁波シールド部材で、電磁波規制により要求される１．５Ω／□以下の表面抵抗率（クラスＢ：家庭用）と高い透明性とを同時に実現することは難しい。
【０００７】
特許文献３乃至７に記載された電磁波シールド部材では、導電体は、連続膜を形成しておらず、メッシュである。このような構造は、高い電磁波遮蔽性と高い透明性とを同時に実現するうえで有利である。
【０００８】
これらの中でも、特許文献７に記載されているように導電体パターンをエッチングにより形成した電磁波シールド部材は、品質が安定しており、１．５Ω／□以下の表面抵抗率と高い透明性とを同時に達成する。そのため、エッチングにより導電体パターンを形成した電磁波シールド部材は、ユーザから高い信頼を得ており、透明電磁波シールド部材のシェアの大部分を占めている。
【０００９】
導電体パターンをエッチングにより形成する場合、通常、連続膜としての導電体層上にレジストを塗布又は貼り付け、次いで、レジスト層をパターン露光し、これを現像する。そして、これにより得られたレジストパターンをエッチングマスクとして利用する。
【００１０】
この方法では、導電体層の全面をレジスト層で被覆し、その一部のみをレジストパターンとして使用する。換言すれば、導電体層上に設けたレジスト層の残りは、パターニングに利用することなしに廃棄する。それゆえ、この方法によると、電磁波シールド部材の材料コストを低減することが難しい。また、この方法は露光を必要とするため、基材の搬送と停止とを交互に繰り返すステップ搬送方式を採用せざるを得ない。そのため、タクトタイムを短くするうえで不利であり、それゆえ、生産性の向上が難しい。このような理由から、エッチングにより導電体パターンを形成した電磁波シールド部材の製造コストを低減することは難しい。
【００１１】
特許文献８には、導電性金属箔上にフレキソ印刷によりレジストパターンを形成することが記載されている。しかしながら、フレキソ印刷法では、版にゴム等の樹脂を使用しているため、印刷時にニップ圧を加えた際に変形が起き易く、それゆえ、寸法精度及び形状精度の双方に優れた印刷パターンを形成することが難しい。また、ニップ圧を大きくすることができないので、版から透明基材へのレジストインキの転移が不十分となり易い。さらに、版から透明基材へとレジストインキを転移させる際に、ニップ圧によりインキが版の凸部と被印刷体との間から端に押し出され、その結果、レジストパターンの縁が盛り上がると共に、その線幅が設計値と比較してより大きくなることがある。また、例えば、透明基材の表面のうちレジストパターンを形成すべき領域の一部が突起を含んでいる場合、版から透明基材へとレジストインキを転移させる際に、この突起がレジストインキを突き抜けて版と直接に接触し、その結果、レジストパターンにピンホールを生じる可能性がある。
【００１２】
孔版印刷及びインクジェット印刷などのフレキソ印刷以外の印刷方式でも、導電体層上にレジストパターンを形成することは可能である。しかしながら、スクリーン印刷などの孔版印刷は、逐次枚葉方式であるためスループットが低く、版のうちパターン形成に実際に利用可能な部分が例えば１／２程度と小さい。そのため、孔版印刷により高い生産性を達成することは難しい。また、インクジェット印刷では、ノズルが吐出するインキ滴は微小であるため、エッチングマスクとして十分な厚さを有するレジストパターンを短時間で形成することは困難である。そして、インクジェット印刷でより微細なレジストパターンを形成するにはインキ滴を小さくする必要があり、それゆえ、この場合、スループットがさらに低下すると考えられる。
【００１３】
特許文献９には、導電性金属上にグラビアオフセット印刷により印刷インクレジストを形成することが記載されている。グラビアオフセット印刷によれば、フレキソ印刷、孔版印刷及びインクジェット印刷に関して上述した問題は生じないか又は生じ難い。しかしながら、グラビアオフセット印刷では、オフセットロールに使用するシリコーンゴムなどのゴムがインキの溶媒を吸収して膨潤することがある。オフセットロールのゴムが膨潤すると、レジストパターンの寸法精度が低下し、線幅が設計値よりも大きくなる。また、膨潤量が安定しないため、レジストパターンの寸法にばらつきを生じ易く、それゆえ、連続運転には不向きである。
【００１４】
特許文献１０には、その解決策として、オフセットロールを乾燥させることが記載されている。しかしながら、印刷と乾燥とを交互に行った場合、高い生産性を達成することは難しい。また、この方法であっても、溶媒吸収を一定に保つことは難しいため、高い寸法精度を達成することは困難である。
【００１５】
また、グラビアオフセット印刷では、一般に、オフセットロール上でインキが広がらないように、粘度の高いインキを使用している。インキの粘度が高いと、印刷速度を高めたときに、インキの転移が不十分となることがある。そのため、グラビアオフセット印刷では、印刷速度を１０ｍ／分以上とすることは極めて困難である。
【００１６】
これらの点を考慮し、本発明者らは、導電体層上にダイレクトグラビア印刷によりレジストパターンを形成することを考えている。ダイレクトグラビア印刷によれば、フレキソ印刷、孔版印刷及びインクジェット印刷に関して上述した問題は生じないか又は生じ難い。また、ダイレクトグラビア印刷によると、オフセットロールを使用しないため、その膨潤に起因した問題を生じ得ない。そして、ダイレクトグラビア印刷によると、粘度が比較的小さなインキを使用できるため、例えば、数１０ｍ／分の印刷速度を達成することができる。
【００１７】
しかしながら、本発明者らは、本発明を発明するに際して、以下の事実を見出している。すなわち、導体層上にダイレクトグラビア印刷によりレジストパターンを形成した場合、インキの転移量が不十分となることがある。インキの転移量が少ないと、レジストパターンのエッチングマスクとしての機能が不十分となることがある。
【特許文献１】特開平１−２７８８００号公報
【特許文献２】特開平５−３２３１０１号公報
【特許文献３】特開平５−３２７２７４号公報
【特許文献４】特開平５−２６９９１２号公報
【特許文献５】特開昭６２−５７２９７号公報
【特許文献６】特開平２−５２４９９号公報
【特許文献７】特許第３４７３３１０号公報
【特許文献８】特開２００４−１１１７８４号公報
【特許文献９】特開２０００−９８９１１号公報
【特許文献１０】特開２００５−１８６５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、導体層上にダイレクトグラビア印刷によりレジストパターンを形成し、これをエッチングマスクとして用いて導体層をパターニングする光透過性電磁波シールド部材の製造において、インキ転移量が不十分となるのを抑制可能とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の第１側面によると、透明基材とこれに支持された導電体パターンとを具備した光透過性電磁波シールド部材の製造方法であって、導電体層の一方の主面上にグラビア印刷によりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いて前記導電体層をエッチングすることにより前記導電体パターンを形成する工程とを含み、前記グラビア印刷は圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して前記版面から前記被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷であり、前記版面には溝が網状に設けられ、前記溝の底面及び／又は側壁は波形であることを特徴とする方法が提供される。
【００２０】
本発明の第２側面によると、透明基材とこれに支持された導電体パターンとを具備した光透過性電磁波シールド部材の製造方法であって、導電体層の一方の主面上にグラビア印刷によりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いて前記導電体層をエッチングすることにより前記導電体パターンを形成する工程とを含み、前記グラビア印刷は圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して前記版面から前記被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷であり、前記版面には溝が網状に設けられ、前記溝内であってその各分岐点に柱状の突起が設けられていることを特徴とする方法が提供される。
【００２１】
本発明の第３側面によると、透明基材とこれに支持された導電体パターンとを具備した光透過性電磁波シールド部材の製造方法であって、導電体層の一方の主面上にグラビア印刷によりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いて前記導電体層をエッチングすることにより前記導電体パターンを形成する工程とを含み、前記グラビア印刷は圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して前記版面から前記被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷であり、前記版面には溝が網状に設けられ、前記溝の各分岐点において、前記溝は、各々が角部を形成している第１及び第２側壁と、一部が前記第１側壁の一部と向き合って溝部を形成すると共に他の一部が前記第２側壁の一部と向き合って溝部を形成している第３側壁とを含み、前記第１乃至第３側壁のうち前記第３側壁のみが、その前記分岐点の中心と向き合った部分がこれと隣り合う部分に対して前記中心に向けて突き出た突出部を形成していることを特徴とする方法が提供される。
【００２２】
本発明の第４側面によると、透明基材とこれに支持された導電体パターンとを具備した光透過性電磁波シールド部材の製造方法であって、導電体層の一方の主面上にグラビア印刷によりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いて前記導電体層をエッチングすることにより前記導電体パターンを形成する工程とを含み、前記グラビア印刷は圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して前記版面から前記被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷であり、前記版面には溝が網状に設けられ、前記溝は、前記溝の底面及び／又は側壁が波形である第１構造と、前記溝内であってその各分岐点に柱状の突起が設けられた第２構造と、前記溝の各分岐点において、前記溝は、各々が角部を形成している第１及び第２側壁と、一部が前記第１側壁の一部と向き合って溝部を形成すると共に他の一部が前記第２側壁の一部と向き合って溝部を形成している第３側壁とを含み、前記第１乃至第３側壁のうち前記第３側壁のみが、その前記分岐点の中心と向き合った部分がこれと隣り合う部分に対して前記中心に向けて突き出た突出部を形成している第３構造との２以上を有していることを特徴とする方法が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によると、導体層上にダイレクトグラビア印刷によりレジストパターンを形成し、これをエッチングマスクとして用いて導体層をパターニングする光透過性電磁波シールド部材の製造において、インキ転移量が不十分となるのを抑制可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２５】
図１は、本発明の一態様に係る方法で製造可能な光透過性電磁波シールド部材の一例を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す光透過性電磁波シールド部材のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【００２６】
図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材１０は、光透過性を有している。この電磁波シールド部材１０は、透明基材１１と、導電体パターン１２と、それらの間に介在した接着剤層１３とを含んでいる。この電磁波シールド部材１０は、例えば、陰極線管ディスプレイ、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、及びエレクトロルミネッセンスディスプレイなどのディスプレイの表示面に取り付けられ、この表示面が放出する電磁波ノイズを遮断するのに使用される。
【００２７】
透明基材１１は、典型的には無色透明なプラスチックフィルムである。プラスチックフィルムの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステル、並びに、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、及びエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）などのポリオレフィンを使用することができる。
【００２８】
透明基材１１は、可視光領域，例えば４００ｎｍ乃至７００ｎｍの波長範囲，における透過率が７０％以上であることが望ましい。また、電磁波シールド部材１０の製造に後述するロール・ツー・ロール（roll to roll）方式を採用する場合を考慮すると、透明基材１１には、或る程度のコシがあり且つロールへ巻き取るのに十分な柔軟性を示すことが望まれる。したがって、透明基材１１の厚さｄ１は、１０μｍ乃至２５０μｍの範囲内とするのが好適である。
【００２９】
導電体パターン１２は、電磁波を遮蔽するシールド層である。導電体パターン１２は、例えば、連続膜としての導電体層をパターニングすることにより得られる。
【００３０】
導電体パターン１２は、網状又はメッシュ状である。図１では、導電体パターン１２は、各分岐点で４方向に分岐しており、略正方格子形状を有している。
【００３１】
導電体パターン１２は、高い電磁波遮蔽性及び高い光透過性を有していることが望ましい。これを考慮すると、導電体パターン１２を形成しているラインの幅Ｗは１０μｍ乃至２０μｍの範囲内とすることが望ましく、開口部の径、すなわち、ライン間隔Ｄは２００μｍ乃至３００μｍの範囲内とすることが望ましい。また、導電体パターン１２の厚さｄ２は、５μｍ乃至２０μｍの範囲内とすることが望ましい。
【００３２】
導電体パターン１２は、導電性材料からなる。導電性材料としては、例えば、亜鉛、ストロンチウム、硫黄、カルシウム、炭素、インジウム、錫、アルミニウム、ニッケル、銀、金、及び銅などを用いることができる。加工性及び導電性の観点では、これらの材料のうち銅が望ましい。
【００３３】
導電体パターン１２は、黒化処理した銅パターンであってもよい。そのような導電体パターン１２によると、ブラックマトリクス効果が得られる。したがって、導電体パターン１２を黒化処理した場合、黒化処理しない場合と比較して、より優れた表示品位を達成できる。
【００３４】
なお、黒化処理した銅パターンを導電体パターン１２として使用した場合、その厚さは、例えば、表面抵抗率が１．５Ω／□以下となるように設定する。加工寸法安定性及び銅箔の入手の容易さの観点から、導電体パターン１２の厚さは、１０μｍ程度であることが好ましい。
【００３５】
接着剤層１３は、透明基材１１と導電体パターン１２とを貼り合わせている。接着剤層１３の材料としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、又はウレタン系の接着剤を用いることができる。この接着剤は、シート状であっても液状であっても構わない。また、例えば、透明基材１１上に導電体層を形成して、これをパターニングする場合は、接着剤層１３は省略することができる。
【００３６】
図１では、導電体パターン１２は正方格子形状を有しているが、導電体パターン１２は、メッシュ状又は網状であれば他の形状を有していてもよい。
【００３７】
図３は、図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材の一変形例を概略的に示す平面図である。図４は、図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材の他の変形例を概略的に示す平面図である。
【００３８】
図３に示す光透過性電磁波シールド部材１０では、導電体パターン１２は六方格子形状を有している。すなわち、図３に示す光透過性電磁波シールド部材１０では、導電体パターン１２は、各分岐点で３方向に分岐している。具体的には、導電体パターン１２は、各分岐点で略Ｙ字型に分岐している。これにより、各々が六角形状を有している複数の開口を形成している。
【００３９】
図４に示す光透過性電磁波シールド部材１０では、導電体パターン１２は、各分岐点で３方向に分岐している。具体的には、導電体パターン１２は、各分岐点で略Ｔ字型に分岐している。これにより、各々が正方形状又は長方形状を有している複数の開口を形成している。
【００４０】
このように、導体パターン１２には、様々な構造を採用することができる。例えば、導体パターン１２は、三角格子形状又は平行四辺形格子形状を有していてもよい。或いは、網目の配置が一様であれば、導電体パターン１２には、形状が異なる２種以上の網目が設けられていてもよい。例えば、菱形の網目と二等辺三角形の網目との組み合わせが規則的に配置されていてもよい。
【００４１】
この光透過性電磁波シールド部材１０は、例えば、ディスプレイの表示面と向き合うように設置する。導電体パターン１２を高い形状精度で形成できれば、光透過性電磁波シールド部材１０に起因した表示ムラは生じ難く、ヘイズ又は透明性などの所望の光学特性を達成することが容易であり、明るい画像を表示可能となる。
【００４２】
次に、この光透過性電磁波シールド部材１０の製造方法について説明する。  
図５乃至図８は、図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材の製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【００４３】
この方法では、まず、図５に示すように、透明基材１１と導電体層１２ａとの積層体１０’を準備する。この積層体１０’は、例えば、接着剤層１３を介して透明基材１１と導電体層１２ａとを貼り合わせることにより得られる。或いは、この積層体１０’は、真空蒸着、スパッタリング及び無電解めっきなどの成膜法を用いて、透明基材１１上に導電体層１２ａを形成することにより得てもよい。或いは、透明基材１１上に、上記の方法により厚さが１μｍ以下の導電体層１２ａを形成し、その後、電気めっきにより導電体層１２ａを所望の厚さまで厚膜化してもよい。これらの方法のうち、簡便であり、低コストであることから、接着剤層１３を介して貼り合わせる方法が好適である。
【００４４】
次に、図６に示すように、導電体層１２ａ上に、グラビア印刷によりレジストパターン１４を形成して、積層体１０”を得る。ここで利用するグラビア印刷は、圧胴から版面に荷重を与えながらそれらの間に被印刷物を挿入して版面から被印刷物上へとインキを転移させるダイレクトグラビア印刷である。レジストパターン１４を形成するためのグラビア印刷については、後で詳述する。
【００４５】
レジストパターン１４の材料としては、エッチングレジストを使用する。エッチングレジストとしては、例えば、東京応化社製のレジスト又はＪＳＲ社製の液状レジストを使用することができる。エッチングレジストとして、例えば、紫外線硬化樹脂及び／又は熱可塑性樹脂を使用してもよい。また、エッチングレジストは、例えば、アクリル系又はエポキシ系であってもよい。エッチングレジストは、溶媒に溶解又は分散させて、インキとして用いてもよい。このインキは、エッチングレジスト及び溶媒以外に、一般に使用されている添加剤をさらに含んでいてもよい。
【００４６】
レジストパターン１４を形成するのに先立ち、インキの転移を良好にするために、導電体層１２ａの表面状態を改質してもよい。例えば、導電体層１２ａとして電解銅箔及び圧延銅箔などの銅箔を使用した場合、硫酸と過酸化水素水との混合溶液で導電体層１２ａの表面を処理することにより、導電体層１２ａの表面を平坦化してもよい。或いは、この平坦化処理の代わりに又はこの平坦化処理に加えて、コロナ処理及びプライマー塗布などの表面処理を行ってもよい。
【００４７】
レジストパターン１４を形成した後、これをマスクとして用いたエッチングにより、導電層１２ａをパターニングする。すなわち、導電層１２ａのうち、レジストパターン１４で被覆されていない部分を除去する。これにより、図７に示す導電体パターン１２を得る。なお、導電体パターン１２のサイドエッチングを十分に生じさせれば、そのライン幅をレジストパターン１４のライン幅と比較してより狭くすることができる。
【００４８】
導電体層１２ａのパターニングに使用するエッチング液としては、導電体層１２ａの材料として銅を用いた場合には、例えば、塩化第二鉄又は塩化第二銅を主要成分として含有した溶液を使用することができる。導電体層１２ａの材料として銅以外の金属を用いた場合には、各金属に対応したエッチング液を用いてエッチングを行うことができる。例えば、導電体層１２ａの材料としてニッケルを用いた場合には、メルテックス社製のメルストリップＭＮ−９５５などの市販のニッケル剥離剤をエッチング液として使用することができる。
【００４９】
次に、導電体パターン１２からレジストパターン１４を剥離する。剥離液としては、レジストとしてアルカリ可溶型エッチングレジストを用いた場合には、例えば、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液を用いることができる。その他のエッチングレジストを用いた場合には、例えば、溶剤可溶タイプの場合は、各々のエッチングレジストに対応した溶剤を用いて剥離することができる。  
以上のようにして、図８に示す光透過性電磁波シールド部材１０を得る。
【００５０】
次に、ダイレクトグラビア印刷によるレジストパターン１４の形成方法について、さらに詳しく説明する。
【００５１】
図９は、図５乃至図８に示す方法で利用可能なダイレクトグラビア印刷機の一例を概略的に示す図である。
【００５２】
このダイレクトグラビア印刷機は、１つの印刷ユニットを含んだ輪転グラビア印刷機である。この印刷ユニットは、グラビア版シリンダ２１と、インキパン２２と、ドクターブレード２３と、圧胴２４と、乾燥炉２５とを含んでいる。
【００５３】
グラビア版シリンダ２１は、金属又は合金などの硬質材料からなり、円柱又は円筒形状を有している。シリンダ２１の柱面は、レジストパターン１４に対応した形状の凹部，すなわち溝，が設けられた版面である。シリンダ２１は、図９において反時計回りに転動可能である。グラビア版シリンダ２１は、ダイレクトグラビア印刷が転写に遠心力を利用している点を考慮し、印刷速度が例えば１０乃至６０ｍ／分となるように回転させる。
【００５４】
シリンダ２１の版面に設ける溝の深さは、例えば、１０μｍ乃至５０μｍの範囲内とする。溝が浅い場合、レジストパターン１４が薄くなり、エッチングマスクとしての性能が不十分となることがある。例えば、レジストパターン１４に浮き及び／又は割れが発生し、その結果、導電体パターン１２に欠落部を生じる可能性がある。
【００５５】
この溝の幅は、例えば、１０μｍ乃至６０μｍの範囲内とする。溝の幅が狭い場合、ドクタリングの際に後述するレジストインキ１４’が溝に入り難い。また、溝の幅が広い場合、導電体パターン１２の線幅を十分に狭くすることが難しい。例えば、溝の幅が６０μｍを超える場合、導電体パターン１２の線幅を２０μｍとすると、片側で２０μｍを超えるサイドエッチングが必要である。そのため、レジストパターン１４の割れや折れが発生し易く、エッチング条件の設定及び制御が難しくなる。
【００５６】
インキパン２２は、レジストインキ１４’を収容している。レジストインキ１４’は、上述したレジストパターン１４の材料である。インキパン２２は、レジストインキ１４’中にシリンダ２１が部分的に浸るように設置されている。
【００５７】
圧胴２４は、円柱状又は円筒状のコア２４ａと樹脂層２４ｂとを含んでいる。コア２４ａは、例えば、金属、合金、セラミックス、及び硬質樹脂などの硬質材料からなる。樹脂層２４ｂは、コア２４ａの柱面を被覆している。
【００５８】
圧胴２４は、その柱面がシリンダ２１の版面と向き合うように設置されている。圧胴２４は、図９において時計回りに転動可能である。圧胴２４は、上述した積層体１０’を間に挟んで、シリンダ２１の版面に荷重を与える。なお、積層体１０’は、その導電体層１２ａがシリンダ２１と向き合うように、シリンダ２１と圧胴２４との間に挿入する。
【００５９】
乾燥炉２５は、シリンダ２１と圧胴２４との間から送り出された積層体１０”のレジストパターン１４を乾燥させる。乾燥炉２５は、例えば、赤外線乾燥方式と温風乾燥方式とを組み合わせた構成を採用している。このような構成によると、レジストパターン１４を、効率よく及び均質に乾燥させることができる。
【００６０】
レジストパターン１４の形成に上記のダイレクトグラビア印刷機を用いた場合、光透過性電磁波シールド部材１０は、以下のロール・ツー・ロール方式により行うことができる。
【００６１】
すなわち、まず、ロール状に巻いた透明基材１１を準備する。そして、このロールから透明基材１１を繰り出し、これに上述した処理を順次施した後、これにより得られる積層体をロール状に巻き取る。
【００６２】
具体的には、ロールから繰り出した透明基材１１上に、まず、導電体層１２ａを設ける。次いで、この導電体層１２ａに平坦化処理を施し、続いて、その上に図９のダイレクトグラビア印刷機を用いてレジストパターン１４を形成する。その後、このレジストパターン１４をエッチングマスクとして用いたエッチングにより、導電体層１２ａをパターニングする。次いで、これにより得られた導電体パターン１２からレジストパターン１４を除去する。さらに、このようにして得られた光透過性電磁波シールド部材１０をロール状に巻き取る。この光透過性電磁波シールド部材１０は、通常、適当な寸法に切断する。
【００６３】
このロール・ツー・ロール方式を採用すると、材料及び製品の保管や運搬が容易になる。また、ロール・ツー・ロール方式を採用した場合、高い歩留まりを達成できる。例えば、光透過性電磁波シールド部材１０の製造にステップ搬送方式を採用し、最終製品の対角寸法を４２インチとした場合、導電体パターン１２に１ｍｍ程度の断線不良が１箇所でも発見されれば、通常、その断線不良を含んだ最終製品の全体を不良品として扱うこととなる。これに対し、ロール・ツー・ロール方式を採用した場合、切断前の光透過性電磁波シールド部材１０の一部に不良があったとしても、その部分のみを切り取れば、残りの部分は最終製品に利用することができる。
【００６４】
この方法では、シリンダ２１の版面に、例えば以下の構成を採用する。これにより、インキ転移量が不十分となるのを抑制することが可能となる。
【００６５】
図１０は、図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造の一例を概略的に示す平面図である。図１１は、図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造の他の例を概略的に示す平面図である。図１２は、図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図である。
【００６６】
図１０乃至図１２に示す構造では、グラビア版シリンダ２１の版面には、溝２１１が網状に設けられている。溝２１１は、各分岐点で４方向に分岐しており、略正方格子形状を有している。
【００６７】
溝２１１は、版面に垂直な方向から見たときに側壁が波形である。具体的には、図１０に示す構造では、側壁は略正弦波形状を有している。図１１に示す構造では、側壁は略三角波形状を有している。図１０及び図１１に示す構造において、向き合った側壁間の距離は、溝２１１の長さ方向に沿ってほぼ一定である。
【００６８】
また、図１２に示す構造では、側壁は略正弦波形状を有している。但し、図１２に示す構造では、向き合った側壁間の距離は、溝２１１の長さ方向に沿って変化している。
【００６９】
溝２１１の側壁が波形である場合、溝２１１の側壁が平坦である場合と比較して、溝２１１の側壁とレジストインキ１４’との接触面積をより大きくすることができる。そのため、この場合、溝２１１の側壁が平坦である場合と比較して、圧胴２４から版面に荷重を与えることに起因した溝２１１内におけるレジストインキ１４’の長さ方向への移動が生じ難い。すなわち、版面からの印圧を有効に伝えることができる。それゆえ、溝２１１の側壁を波形とすると、レジストインキ１４’の転移を生じ易くすることができ、したがって、インキ転移量が不十分となるのを抑制することが可能となる。
【００７０】
溝２１１の側壁が形成する波形状は、複数の波を重ね合わせることにより得られる形状であってもよい。波の振幅は、一定であってもよく、不規則であってもよい。また、波の周期も、一定であってもよく、不規則であってもよい。なお、図１０乃至図１２に示す構造では、向き合った側壁の双方が波形であるが、それら側壁の一方のみが波形であってもよい。
【００７１】
溝２１１の側壁がほぼ規則的な波形状を有している場合、その波の振幅は、例えば、溝２１１の幅の平均値の５％乃至５０％の範囲内とする。この比が小さい場合、レジストインキ１４’の転移を生じ易くする効果が小さい。この比が大きい場合、導電体パターン１２の線幅が不均一になり易い。
【００７２】
図１２に示すように、向き合った側壁間の距離が溝２１１の長さ方向に沿って変化している場合、例えば、その最小値は平均値の８０％以上とし、その最大値は平均値の１２０％以下とする。この距離の変化が小さければ、レジストインキ１４’のレベリング効果により、レジストパターン１４の線幅をほぼ一定とすることができる。この距離の変化が大きいと、レジストパターン１４の線幅が不均一になることがある。
【００７３】
シリンダ２１の版面には、他の構成を採用することもできる。  
図１３は、図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図である。図１４は、図１３に示すシリンダのＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。図１５は、図１３に示すシリンダのＸＶ−ＸＶ線に沿った断面図である。
【００７４】
図１３に示す構造では、グラビア版シリンダ２１の版面には、溝２１１が網状に設けられている。溝２１１は、各分岐点で４方向に分岐しており、略正方格子形状を有している。溝２１１は、版面に平行な少なくとも１つの方向から見たときに底面が波形である。
【００７５】
溝２１１の底面が波形である場合、溝２１１の底面が平坦である場合と比較して、溝２１１の底面とレジストインキ１４’との接触面積をより大きくすることができる。そのため、この場合、溝２１１の底面が平坦である場合と比較して、圧胴２４から版面に荷重を与えることに起因した溝２１１内におけるレジストインキ１４’の長さ方向への移動が生じ難い。すなわち、版面からの印圧を有効に伝えることができる。それゆえ、溝２１１の底面を波形とすると、レジストインキ１４’の転移を生じ易くすることができ、したがって、インキ転移量が不十分となるのを抑制することが可能となる。
【００７６】
溝２１１の底面が形成する波形状は、複数の波を重ね合わせることにより得られる形状であってもよい。波の振幅は、一定であってもよく、不規則であってもよい。また、波の周期も、一定であってもよく、不規則であってもよい。
【００７７】
溝２１１の底面がほぼ規則的な波形状を有している場合、その波の振幅は、例えば、溝２１１の深さの平均値の５％乃至５０％の範囲内とする。この比が小さい場合、レジストインキ１４’の転移を生じ易くする効果が小さい。この比が大きい場合、レジストインキ１４’のレベリング効果が不十分となり、レジストパターン１４の厚さが不均一となることがある。例えば、溝２１１の深さの平均値が２０μｍである場合、波の振幅は約８μｍとしてもよい。
【００７８】
図１０乃至図１２を参照しながら説明した構造と図１３乃至図１５を参照しながら説明した構造とでは、溝２１１は、４方向に分岐している。その代わりに、溝２１１は、例えば、図３及び図４に示す導電体パターン１２のように３方向に分岐していてもよい。或いは、溝２１１は、３方向に分岐している部分と４方向に分岐している部分とを含んでいてもよい。
【００７９】
図１０乃至図１２を参照しながら説明した構造と図１３乃至図１５を参照しながら説明した構造とは、組み合わせることができる。すなわち、溝２１１の側壁及び底面の双方が波形であってもよい。こうすると、上述した効果がより顕著となる。
【００８０】
シリンダ２１の版面には、他の構成を採用することもできる。  
図１６は、図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図である。図１７は、図１６に示すシリンダのＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿った断面図である。
【００８１】
図１６及び図１７に示す構造では、グラビア版シリンダ２１の版面には、溝２１１が網状に設けられている。溝２１１は、図１に示す導電体パターン１２と同様に４方向に分岐しており、略正方格子形状を有している。
【００８２】
溝２１１内であってその各分岐点には、柱状の突起２１２が設けられている。突起２１２は、版面に垂直な方向から見た形状が星形であり、版面に垂直な断面が順テーパ状である。また、溝２１１の側壁及び底面は略平坦である。
【００８３】
溝２１１の幅が広い場合、溝２１１の幅が狭い場合と比較して、ドクタリングによってより多くのレジストインキ１４’が掻き取られる。これと同様に、突起２１２を省略した場合、溝２１１の分岐点では、溝２１１のその他の部分と比較して、ドクタリングによってより多くのレジストインキ１４’が掻き取られる傾向にある。このような理由で、溝２１１の分岐点では、他の部分と比較して、レジストインキ１４’の転移量が不十分になり易い。
【００８４】
突起２１２を設けると、溝２１１の分岐点からより多くのレジストインキ１４’が掻き取られるのを抑制することができる。したがって、この構造を採用すると、レジストインキ１４’の転移量が不十分となるのを抑制することができる。
【００８５】
突起２１２は、様々な形状を有し得る。例えば、突起２１２は、錐体、先端を丸めた錐体、切頭錐体、又は柱体状であってもよい。
【００８６】
突起２１２の版面に垂直な方向から見た形状は、星形でなくてもよい。例えば、この形状は、円形であってもよい。また、突起２１２の版面に垂直な断面は、順テーパ状でなくてもよい。例えば、この断面は、正方形状又は長方形状を有していてもよい。
【００８７】
突起２１２の高さは、例えば、溝２１１の深さと等しくてもよい。或いは、突起２１２の高さは、溝２１１の深さよりも小さくてもよい。この場合、典型的には、突起２１２の高さは、溝２１１の深さの６０％以上とする。
【００８８】
各分岐点の全ての位置において、その位置から溝の側壁又は突起２１２までの最短距離は、例えば、溝２１１の開口幅と同等又はそれよりも小さくする。典型的には、分岐点の略中心に突起２１２を位置させ、突起２１２の最大径を溝２１１の開口幅の１０％乃至７０％の範囲内とする。先の径が小さければ、レジストインキ１４’のレベリング効果により、レジストパターン１４に突起２１２に対応した凹部又は孔が生じるのを防止することができる。すなわち、この場合、突起２１２に対応した孔が導電体パターン１２に生じることはなく、それゆえ、突起２１２が導電体パターン１２の形状精度に影響を及ぼすことはない。但し、この径が小さすぎるか又は先の距離が大きすぎると、レジストインキ１４’の転移量が不十分となるのを抑制する効果が顕著には現れない。
【００８９】
溝２１１の各分岐点には、突起２１２を１つのみ設けてもよい。或いは、溝２１１の各分岐点に、複数の突起２１２を設けてもよい。但し、典型的には、溝２１１の各分岐点には突起２１２を１つのみ設ける。
【００９０】
図１６及び図１７を参照しながら説明した構造では、溝２１１は、４方向に分岐している。その代わりに、溝２１１は、例えば、図３及び図４に示す導電体パターン１２のように３方向に分岐していてもよい。或いは、溝２１１は、３方向に分岐している部分と４方向に分岐している部分とを含んでいてもよい。
【００９１】
図１０乃至図１２を参照しながら説明した構造及び／又は図１３乃至図１５を参照しながら説明した構造と、図１６及び図１７を参照しながら説明した構造とは、組み合わせることができる。すなわち、図１６及び図１７を参照しながら説明した構造において、溝２１１の側壁及び／又は底面を波形としてもよい。こうすると、上述した効果がより顕著となる。
【００９２】
シリンダ２１の版面には、さらに他の構成を採用することもできる。  
図１８は、図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図である。図１９は、図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図である。
【００９３】
図１８に示す構造では、グラビア版シリンダ２１の版面には、溝２１１が網状に設けられている。溝２１１は、各分岐点において、図４に示す導電体パターン１２と同様に３方向に分岐している。具体的には、溝２１１は、各分岐点において、略Ｔ字型に分岐している。
【００９４】
各分岐点において、溝２１１は、各々が角部を形成している第１側壁２１１１ａ及び第２側壁２１１１ｂと、一部が第１側壁２１１１ａの一部と向き合って溝部を形成すると共に他の一部が第２側壁２１１１ｂの一部と向き合って溝部を形成している第３側壁２１１１ｃとを含んでいる。側壁２１１１ａ乃至２１１１ｃのうち第３側壁２１１１ｃのみが、分岐点の中心と向き合った部分がこれと隣り合う部分に対して先の中心に向けて突き出た突出部２１１２を形成している。
【００９５】
なお、ここでは、理解し易いように、１つの分岐点に着目して参照符号２１１１ｃａ乃至２１１１ｃを付しているが、例えば、図中上方向に隣り合う分岐点に着目した場合には、図１８において参照符号２１１１ｃ及び２１１１ａで示した側壁はそれぞれ第２及び第３側壁に相当する。また、図中下方向に隣り合う分岐点に着目した場合には、図１８において参照符号２１１１ｃ及び２１１１ｂで示した側壁はそれぞれ第１及び第３側壁に相当する。
【００９６】
この構造において、突出部２１１２は、図１６及び図１７を参照しながら説明した突起２１２とほぼ同様の役割を果たす。すなわち、突出部２１１２は、溝２１１の分岐点からより多くのレジストインキ１４’が掻き取られるのを抑制する。したがって、この構造を採用すると、レジストインキ１４’の転移量が不十分となるのを抑制することができる。
【００９７】
また、この構造では、側壁２１１１ｃのみが突出部２１１２を形成し、側壁２１１１ａ及び２１１１ｂは突出部２１１２を形成していない。側壁２１１１ｃに加え、側壁２１１１ａ及び／又は２１１１ｂが突出部２１１２を形成していると、分岐点におけるレジストパターン１４の形状精度及び膜厚均一性が不十分となり、その結果、導電体パターン１２の形状精度が不十分となる可能性がある。これに対し、側壁２１１１ｃのみが突出部２１１２を形成している場合、レジストインキ１４’のレベリング効果により、レジストパターン１４の分岐点において優れた形状精度及び高い膜厚均一性を達成することができ、それゆえ、形状精度に優れた導電体パターン１２を形成することができる。
【００９８】
また、側壁２１１１ｃに加え、側壁２１１１ａ及び／又は２１１１ｂが突出部２１１２を形成している構造を採用した場合には、通常、溝２１１に幅が極端に狭い部分を設けることとなる。そのような溝２１１は、形成すること自体が難しい。図１８に示す構造では、側壁２１１１ａ乃至２１１１ｃのうち側壁２１１１ｃのみが突出部２１１２を形成しているため、溝２１１の形成が比較的容易である。
【００９９】
図１８に示す溝２１１は、３方向に分岐し、図４に示す導電体パターン１２とほぼ同様の構造を有している。３方向に分岐している場合、溝２１１は、図３に示す導電体パターン１２とほぼ同様の構造を有していてもよい。
【０１００】
図１９に示す構造では、グラビア版シリンダ２１の版面には、溝２１１が網状に設けられている。溝２１１は、各分岐点において、図１に示す導電体パターン１２と同様に４方向に分岐しており、略正方格子形状を有している。
【０１０１】
各分岐点において、溝２１１は、各々が角部を形成している第１側壁２１１１ａ及び第２側壁２１１１ｂと、一部が第１側壁２１１１ａの一部と向き合って溝部を形成すると共に他の一部が第２側壁２１１１ｂの一部と向き合って溝部を形成している第３側壁２１１１ｃと、一部が第１側壁２１１１ａの他の一部と向き合って溝部を形成すると共に他の一部が第２側壁２１１１ｂの他の一部と向き合って溝部を形成している第４側壁２１１１ｄとを含んでいる。側壁２１１１ａ乃至２１１１ｄのうち側壁２１１１ｃ及び２１１１ｄのみが、分岐点の中心と向き合った部分がこれと隣り合う部分に対して先の中心に向けて突き出た突出部２１１２を形成している。この構造を採用した場合も、図１８を参照しながら説明したのとほぼ同様の効果を得ることができる。
【０１０２】
また、この構造では、側壁２１１１ｃ及び２１１１ｄのみが突出部２１１２を形成し、側壁２１１１ａ及び２１１１ｂは突出部２１１２を形成していない。側壁２１１１ｃ及び２１１１ｄに加え、側壁２１１１ａ及び／又は２１１１ｂが突出部２１１２を形成していると、分岐点におけるレジストパターン１４の形状精度及び膜厚均一性が不十分となり、その結果、導電体パターン１２の形状精度が不十分となる可能性がある。また、例えば、側壁２１１１ａ及び側壁２１１１ｃが突出部２１１２を形成し、側壁２１１１ｂ及び２１１１ｄが突出部２１１２を形成していない場合にも、分岐点におけるレジストパターン１４の形状精度及び膜厚均一性が不十分となり、その結果、導電体パターン１２の形状精度が不十分となる可能性がある。
【０１０３】
これに対し、側壁２１１１ｃ及び２１１１ｄのみが突出部２１１２を形成している場合、レジストインキ１４’のレベリング効果により、レジストパターン１４の分岐点において優れた形状精度及び高い膜厚均一性を達成することができ、それゆえ、形状精度に優れた導電体パターン１２を形成することができる。
【０１０４】
また、側壁２１１１ｃと側壁２１１１ａ及び２１１１ｂの少なくとも一方とが突出部２１１２を形成している構造を採用した場合には、通常、溝２１１に幅が極端に狭い部分を設けることとなる。そのような溝２１１は、形成すること自体が難しい。図１９に示す構造では、側壁２１１１ａ乃至２１１１ｄのうち側壁２１１１ｃ及び２１１１ｄのみが突出部２１１２を形成しているため、溝２１１の形成が比較的容易である。
【０１０５】
図１９に示す構造では、各分岐点に２つの突出部２１１２を設けている。これら突出部２１１２の一方は、省略してもよい。
【０１０６】
図１８及び図１９に示す構造では、例えば、各分岐点の全ての位置において、その位置から側壁までの最短距離が溝２１１の開口幅と同等又はそれよりも小さくなるように突出部２１１２を設ける。図１８に示すように各分岐点に突出部２１１２を１つのみ設ける場合、突出部２１１２の突出し長は、典型的には、溝２１１の開口幅の３０％乃至７０％の範囲内とする。また、図１９に示すように各分岐点に突出部２１１２を２つ設ける場合、突出部２１１２の突出し長は、典型的には、溝２１１の開口幅の１０％乃至６０％の範囲内とする。
【０１０７】
先の突出し長が小さければ、レジストインキ１４’のレベリング効果により、レジストパターン１４に突出部２１１２に対応した形状の凹みが生じるのを防止することができる。すなわち、この場合、突出部２１１２に対応した形状の凹みが導電体パターン１２に生じることはなく、それゆえ、突出部２１１２が導電体パターン１２の形状精度に影響を及ぼすことはない。但し、この突出し長が小さすぎるか又は先の距離が大きすぎると、レジストインキ１４’の転移量が不十分となるのを抑制する効果が顕著には現れない。
【０１０８】
図１０乃至図１２を参照しながら説明した構造及び／又は図１３乃至図１５を参照しながら説明した構造と、図１８及び図１９を参照しながら説明した構造とは、組み合わせることができる。すなわち、例えば、図１８又は図１９を参照しながら説明した構造において、溝２１１の側壁及び／又は底面を波形としてもよい。こうすると、上述した効果がより顕著となる。
【０１０９】
以上説明した通り、グラビア版シリンダ２１の版面に先の構造を採用すると、レジストインキ１４’の転移量が不十分となるのを抑制することができる。したがって、形状精度に優れた導電体パターン１２を形成することができる。例えば、レジストパターン１４にピンホールや欠けが生じるのを抑制でき、それゆえ、導電体パターン１２にピンホールや欠けが生じるのを抑制できる。
【０１１０】
また、図５乃至図９を参照しながら説明した方法では、レジストパターン１４は、印刷法により形成し、フォトリソグラフィは利用しない。そのため、この方法は、フォトリソグラフィを利用する方法と比較して、レジストの使用量を大幅に低減できる。
【０１１１】
また、フォトリソグラフィを利用した場合にはステップ搬送方式を採用せざるを得ないのに対し、この方法では、ロール・ツー・ロール方式を採用することも可能である。したがって、この方法によると、フォトリソグラフィを利用した場合と比較して、より高い生産性を達成できる。
【０１１２】
この製造方法には、様々な変形が可能である。  
上述した方法では、透明基材１１のロールを使用している。その代わりに、積層体１０’のロールを準備して、導電体層１２ａを設ける工程を省略してもよい。
【０１１３】
また、光透過性電磁波シールド部材１０に関して上述したのと同様の方法により、転写基材と導電体パターン１２とそれらの間に介在した粘着剤層とを含んだ転写箔を作製し、これを用いて光透過性電磁波シールド部材１０を製造してもよい。すなわち、この転写箔と別途準備した透明基材１１とを、接着剤層１３を介して導電体パターン１２と透明基材１１とが向き合うように貼り合わせ、転写基材と粘着剤層との積層体を導電体パターン１２から剥離してもよい。なお、粘着剤層には、粘着力が比較的弱い転写用粘着剤を使用する。
【実施例】
【０１１４】
以下に、本発明の実施例を記載する。
【０１１５】
（例１）
本例では、以下に説明する方法により図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材１０を製造した。なお、本例では、ロール・ツー・ロール方式を採用した。
【０１１６】
まず、図５に示す積層体１０’を準備した。透明基材１１として、厚さが１２５μｍである無色透明のポリエチレンテレフタレートフィルムである東洋紡績社製のコスモシャイン（登録商標）を使用した。導電体層１２ａとしては、一方の主面を黒化処理した厚さが１０μｍである銅箔である三井金属鉱業社製のＴＱ−Ｍ２−ＶＬＰを使用した。接着剤層１３の材料としては、東洋モートン社製のＡＥシリーズを使用した。
【０１１７】
透明基材１１と導電体層１２ａとは、導電体層１２ａの黒化処理された主面が透明基材１１と向き合うように接着剤層１３を介して貼り合わせた。
【０１１８】
次に、図９に示すダイレクトグラビア印刷機を用いて、導電体層１２ａ上に図６に示すレジストパターン１４を形成した。レジストインキ１４’としては、東洋紡績社製のエッチングレジストであるＥＲグレードを使用した。
【０１１９】
印圧は２．０ＭＰａとし、ドクターブレード圧力は０．２ＭＰａとし、印刷速度は２５ｍ／分とした。乾燥炉２５には、赤外線乾燥方式と温風乾燥方式とを組み合わせた構成を採用し、加熱時間は３０秒とした。
【０１２０】
グラビア版シリンダ２１の版面には、図１６及び図１７に示すのと類似の構造を採用した。具体的には、溝２１１は正方格子形状とし、ライン幅を２０μｍとし、ラインピッチを３００μｍとした。突起２１２は、直径が約５μｍであり且つ溝２１１の深さと等しい高さを有する略円柱形とし、溝２１１の分岐点の中心に位置させた。
【０１２１】
続いて、このレジストパターン１４をマスクとして用いて、導電体層１２を４０℃でエッチングした。エッチング液としては、比重が１．４５０であり、０．５ｍｏｌ／ＬのＨＣｌと２５ｇ／ＬのＦｅＣｌ3とを含有した第二塩化鉄系エッチング液を使用した。これにより、図７に示す構造を得た。なお、導電体パターン１２のライン幅は、上面側では１０μｍであり、底面側では１４μｍであった。
【０１２２】
次に、これを、４０℃の剥離液中に２分間浸漬させて、導電体パターン１２からレジストパターン１４を剥離した。剥離液としては、水酸化ナトリウムを５０ｇ／Ｌの濃度で含有した水酸化ナトリウム水溶液を使用した。以上のようにして、図１、図２及び図８に示す光透過性電磁波シールド部材１０を得た。
【０１２３】
（例２）
本例では、グラビア版シリンダ２１の版面に以下の構造を採用したこと以外は例１で説明したのと同様の方法により図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材１０を製造した。すなわち、本例では、版面に図１８の構造を採用すると共に、溝２１１の側壁を図１２に示すように波形とした。具体的には、各分岐点で溝２１１を略Ｔ字型に３方向に分岐させ、縦方向及び横方向のラインピッチを３００μｍとした。突出部２１１２の形状は、底辺が８μｍであり、高さが１３μｍの二等辺三角形とし、溝２１１の幅は、その長さ方向に沿って２２μｍ乃至２８μｍの範囲内で変化させた。なお、本例では、導電体パターン１２のライン幅は、上面側では１５μｍであり、底面側では１９μｍであった。
【０１２４】
例１及び例２に係る光透過性電磁波シールド部材１０の導電体パターン１２は、フォトリソグラフィを利用して形成可能な導電体パターンと同等のライン幅を有していた。また、これら光透過性電磁波シールド部材１０の導電体パターン１２を顕微鏡で観察したところ、断線やカケ等は殆ど発生しておらず、形状精度に優れていることを確認できた。
【０１２５】
また、フォトリソグラフィを利用してレジストパターン１４を形成する方法では、レジスト塗布工程、露光工程、及び現像工程の３工程が必要である。これに対し、例１及び例２に係る方法では、印刷工程のみでレジストパターン１４を形成することができる。加えて、フォトリソグラフィを利用する方法ではステップ搬送方式を採用せざるを得ないのに対し、例１及び例２に係る方法ではロール・ツー・ロール方式を採用している。そのため、例１及び例２に係る方法によると、フォトリソグラフィを利用する方法と比較して、２倍以上の生産性を達成することができた。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明の一態様に係る方法で製造可能な光透過性電磁波シールド部材の一例を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す光透過性電磁波シールド部材のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図。
【図３】図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材の一変形例を概略的に示す平面図。
【図４】図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図５】図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図６】図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図７】図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図８】図１及び図２に示す光透過性電磁波シールド部材の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図９】図５乃至図８に示す方法で利用可能なダイレクトグラビア印刷機の一例を概略的に示す図。
【図１０】図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造の一例を概略的に示す平面図。
【図１１】図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造の他の例を概略的に示す平面図。
【図１２】図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図。
【図１３】図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図。
【図１４】図１３に示すシリンダのＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図。
【図１５】図１３に示すシリンダのＸＶ−ＸＶ線に沿った断面図。
【図１６】図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図。
【図１７】図１６に示すシリンダのＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿った断面図。
【図１８】図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図。
【図１９】図９に示すダイレクトグラビア印刷機においてグラビア版シリンダの版面に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【０１２７】
１０…光透過性電磁波シールド部材、１０’…積層体、１０”…積層体、１１…透明基材、１２…導電体パターン、１２ａ…導電体層、１３…接着剤層、１４…レジストパターン、１４’…レジストインキ、２１…グラビア版シリンダ、２２…インキパン、２３…ドクターブレード、２４…圧胴、２５…乾燥炉、２４ａ…コア、２４ｂ…樹脂層、２１１…溝、２１２…突起、２１１１ａ…側壁、２１１１ｂ…側壁、２１１１ｃ…側壁、２１１１ｄ…側壁、２１１２…突出部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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