(57)【要約】【課題】抵抗値の温度依存性が極めて小さな抵抗を用いた場合でも、参照電流の温度依存性を少なくする。【解決手段】温度補償された基準電圧ＶＢＧを受けて出力点に電圧Ｖｏｕｔ１を発生させる非反転増幅回路１１０と、非反転増幅回路１１０の出力点に抵抗Ｒ３を介して接続されたトランジスタＱ１を含み、かつトランジスタＱ１の端子間に生じる端子間電圧ＶＢＥ１と同等の電圧を受けて電圧ＶＢＥ１に対応する電流を流すトランジスタＱ２から構成されたカレントミラーを含む電流源回路１２０とを備え、非反転増幅回路１１０は、端子間電圧に関してトランジスタＱ１と同等の温度特性をもつトランジスタＱ３を含み、かつ電圧Ｖｏｕｔ１が基準電圧ＶＢＧに基づく温度補償された電圧成分とトランジスタＱ３の端子間電圧ＶＢＥ３に相当する電圧成分との和になるように回路構成されている。【選択図】図１
2008271503.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度補償された基準電圧を受けて出力点に所定電圧を発生させる電圧発生回路と、
前記電圧発生回路の出力点に抵抗を介して接続された第１の半導体素子、および前記第１の半導体素子の端子間に生じる端子間電圧と同等の電圧を受けて当該電圧に対応する電流を流す第２の半導体素子から構成されたカレントミラーを含む電流源回路とを備え、
前記電圧発生回路は、端子間電圧に関して前記第１の半導体素子と同等の温度特性をもつ第３の半導体素子を含み、かつ前記所定電圧が前記基準電圧に基づく温度補償された電圧成分と前記第３の半導体素子の端子間電圧に相当する電圧成分との和になるように回路構成されていること
を特徴とする参照電流回路。
【請求項２】
前記電圧発生回路は、帰還経路に前記第３の半導体素子が挿設された非反転増幅回路からなること
を特徴とする請求項１に記載の参照電流回路。
【請求項３】
前記電圧発生回路は、さらに、反転入力端子と非反転入力端子と出力端子とをもつ増幅回路と、第１および第２の抵抗とを含み、
前記増幅回路の非反転入力端子に前記基準電圧が入力され、前記増幅回路の出力端子の電圧が前記所定電圧として出力され、前記増幅回路の反転入力端子と接地端子とを結ぶ第１の配線に前記第１の抵抗が挿設され、前記増幅回路の出力端子と前記増幅回路の反転入力端子とを結ぶ第２の配線に前記第２の抵抗が挿設され、前記第３の半導体素子が前記第２の配線に挿設されるように回路構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の参照電流回路。
【請求項４】
前記第１および第３の半導体素子は、いずれもダイオード接続されたバイポーラトランジスタであること
を特徴とする請求項３に記載の参照電流回路。
【請求項５】
前記第１および第３の半導体素子は、いずれもＰＮ接合ダイオードであること
を特徴とする請求項３に記載の参照電流回路。
【請求項６】
前記第１および第３の半導体素子は、いずれもダイオード接続されたＭＯＳトランジスタであること
を特徴とする請求項３に記載の参照電流回路。
【請求項７】
前記電圧発生回路は、さらに、ボルテージフォロワと、抵抗とを含み、
電源端子と前記ボルテージフォロワの入力点とを結ぶ配線に前記抵抗が挿設され、前記基準電圧の入力点と前記ボルテージフォロワの入力点とを結ぶ配線に前記第３の半導体素子が挿設され、前記ボルテージフォロワの出力点の電圧が前記所定電圧として出力されるように回路構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の参照電流回路。
【請求項８】
前記第１および第３の半導体素子は、いずれもダイオード接続されたバイポーラトランジスタであること
を特徴とする請求項７に記載の参照電流回路。
【請求項９】
前記第１および第３の半導体素子は、いずれもＰＮ接合ダイオードであること
を特徴とする請求項７に記載の参照電流回路。
【請求項１０】
前記第１および第３の半導体素子は、いずれもダイオード接続されたＭＯＳトランジスタであること
を特徴とする請求項７に記載の参照電流回路。
【請求項１１】
前記抵抗は、ベースにバイアス電圧が入力されたバイポーラトランジスタまたはゲートにバイアス電圧が入力されたＭＯＳトランジスタであること
を特徴とする請求項７に記載の参照電流回路。
【請求項１２】
前記電圧発生回路は、さらに、第１および第２の反転増幅回路と、抵抗とを含み、
電源端子から接地端子までを結ぶ配線に前記抵抗および前記第３の半導体素子がこの順に挿設され、前記配線における前記抵抗および前記第３の半導体素子の中間点の電圧が前記第１の反転増幅回路に入力され、前記第１の反転増幅回路の出力電圧が前記第２の反転増幅回路に入力され、前記第２の反転増幅回路の出力電圧が前記所定電圧として出力され、前記第１の反転増幅回路の非反転入力端子に接地電圧が入力され、前記第２の反転増幅回路の非反転入力端子に前記基準電圧が入力されるように回路構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の参照電流回路。
【請求項１３】
前記第１および第３の半導体素子は、いずれもダイオード接続されたバイポーラトランジスタであること
を特徴とする請求項１２に記載の参照電流回路。
【請求項１４】
前記第１および第３の半導体素子は、いずれもＰＮ接合ダイオードであること
を特徴とする請求項１２に記載の参照電流回路。
【請求項１５】
前記第１および第３の半導体素子は、いずれもダイオード接続されたＭＯＳトランジスタであること
を特徴とする請求項１２に記載の参照電流回路。
【請求項１６】
前記抵抗は、ベースにバイアス電圧が入力されたバイポーラトランジスタまたはゲートにバイアス電圧が入力されたＭＯＳトランジスタであること
を特徴とする請求項１２に記載の参照電流回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アナログ回路に供給するバイアス電流を発生する参照電流回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来の参照電流回路の構成を示す図である。
参照電流回路４００は、非反転増幅回路４１０と電流源回路１２０とを備えている。
非反転増幅回路４１０は、反転入力端子と非反転入力端子と出力端子とをもつ増幅回路ＯＰ４０と、反転入力端子と接地端子とを結ぶ配線に挿設された抵抗Ｒ１と、出力端子と反転入力端子とを結ぶ配線に挿設された抵抗Ｒ２から構成されている。増幅回路ＯＰ４０の非反転入力端子には、温度Ｔおよび電源電圧Ｖｄｄに依存しない、すなわち温度補償された基準電圧ＶＢＧが入力される。
【０００３】
電流源回路１２０は、一方の端子が増幅回路ＯＰ４０の出力端子に接続された抵抗Ｒ３と、抵抗Ｒ３の他方の端子にコレクタとベースが接続されエミッタが接地されたトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のコレクタとベースに、ベースが接続されたトランジスタＱ２から構成されている。
基準電圧ＶＢＧを出力する基準電圧回路５００は、一般的には、バンドギャップレファレンス回路がよく使用され、その一例を図５に示す。基準電圧回路５００は、増幅回路ＯＰ５の非反転入力端子と出力端子に接続された抵抗Ｒ１ａと、エミッタが増幅回路ＯＰ５の非反転入力端子に接続され、ベースとコレクタが接地されたトランジスタＱ１ａと、増幅回路ＯＰ５の反転入力端子と出力端子の間に接続された抵抗Ｒ２ａと、増幅回路ＯＰ５の反転入力端子とトランジスタＱ２ａのエミッタに接続された抵抗Ｒ３ａと、ベースとコレクタが接地されたトランジスタＱ２ａから構成されている。
【０００４】
以上のように構成された参照電流回路４００について、温度依存性の少ない参照電流を発生する原理の概要を説明する。
非反転増幅回路４１０に対して次式が成り立つ。
【０００５】
【数１】
2008271503.tif 000003
（４．１）式より、
【数２】
2008271503.tif 000004
ここで、ＶＢＧは温度Ｔおよび電源電圧Ｖｄｄに依存しない基準電圧であり、またＲ１およびＲ２は正の温度係数をもつ抵抗である。温度をＴとすると、
【０００６】
【数３】
2008271503.tif 000005
Ｒ１とＲ２の比は、温度が変化しても同じであるので、（４．２）式より、出力電圧Ｖｏｕｔ４は温度に依存しないことがわかる。
また、電流源回路１２０に対して次式が成り立つ。
【０００７】
【数４】
2008271503.tif 000006
（４．３）式より、
【数５】
2008271503.tif 000007
（４．４）式の両辺を温度Ｔで偏微分すると、
【数６】
2008271503.tif 000008
また、
【数７】
2008271503.tif 000009
および、Ｖｏｕｔ４＞ＶＢＥより、（４．５）式の右辺第１項は正、右辺第２項は負となり、（４．５）式右辺が０となるように各パラメータを調整することによって、温度依存性の少ない参照電流Ｉｒｅｆ４を発生させる。このようにトランジスタＱ１の温度特性は、抵抗Ｒ３の温度特性によって補償されることになる。
【非特許文献１】渡辺嘉二郎、中村哲夫  共著、「アナログＬＳＩ設計の基礎」、オーム社、２００６、ｐ１４９−ｐ１５１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、半導体集積回路の分野では抵抗の微細化に伴い、抵抗値の温度依存性が極めて小さくなってきている。また各パラメータを調整するにしても、現実には調整できる範囲には限界がある。そのため上記従来の構成では、参照電流の温度依存性を少なくすることが困難になってきている。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、抵抗値の温度依存性が極めて小さな抵抗を用いた場合でも、参照電流の温度依存性を少なくすることができる参照電流回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る参照電流回路は、温度補償された基準電圧を受けて出力点に所定電圧を発生させる電圧発生回路と、  前記電圧発生回路の出力点に抵抗を介して接続された第１の半導体素子、および前記第１の半導体素子の端子間に生じる端子間電圧と同等の電圧を受けて当該電圧に対応する電流を流す第２の半導体素子から構成されたカレントミラーを含む電流源回路とを備え、前記電圧発生回路は、端子間電圧に関して前記第１の半導体素子と同等の温度特性をもつ第３の半導体素子を含み、かつ前記所定電圧が前記基準電圧に基づく温度補償された電圧成分と前記第３の半導体素子の端子間電圧に相当する電圧成分との和になるように回路構成されている。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成によれば、抵抗値の温度依存性が極めて小さな抵抗を用いた場合でも、参照電流の温度依存性を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる参照電流回路の構成を示す図である。
参照電流回路１００は、非反転増幅回路１１０と、非反転増幅回路１１０の出力を入力した電流源回路１２０とを備えている。
【００１２】
非反転増幅回路１１０は、反転入力端子と非反転入力端子と出力端子とをもつ増幅回路ＯＰ１０と、反転入力端子と接地端子とを結ぶ配線に挿設された抵抗Ｒ１と、出力端子と反転入力端子とを結ぶ配線に挿設された抵抗Ｒ２および温度補償素子としてのトランジスタＱ３とから構成されている。増幅回路ＯＰ１０の非反転入力端子には、温度Ｔおよび電源電圧Ｖｄｄに依存しない、すなわち温度補償された基準電圧ＶＢＧが入力される。
【００１３】
電流源回路１２０と基準電圧回路５００は、従来の技術で説明した構成と同じであるので、説明を省略する。
次に、上記の通りに構成された第１の実施形態の参照電流回路１００について、抵抗の温度係数がほぼ０の場合に、温度依存性の少ない参照電流を発生する原理の概要を説明する。
【００１４】
非反転増幅回路１１０に対して次式が成り立つ。
【数８】
2008271503.tif 000010
（１．１）式より、非反転増幅回路の出力電圧Ｖｏｕｔ１は、
【数９】
2008271503.tif 000011
ここで、ＶＢＧは温度Ｔおよび電源電圧Ｖｄｄに依存しない基準電圧であり、またＲ１、Ｒ２およびＲ３は温度係数がほぼ０の抵抗である。
温度をＴとすると、
【００１５】
【数１０】
2008271503.tif 000012
より、（１．２）式の右辺第１項は、温度に依存しないが、ＶＢＥ３が温度特性を持つ。
また、電流源回路１２０に対して次式が成り立つ。
【数１１】
2008271503.tif 000013
（１．２）式と（１．３）式より、
【数１２】
2008271503.tif 000014
よって、
【数１３】
2008271503.tif 000015
となる。
ＶＢＥ３とＶＢＥ１とが同じ、もしくは、ほぼ同じであるとき、（１．４）式右辺第２項は、０とみなすことができる。
すなわち、
【００１６】
【数１４】
2008271503.tif 000016
となる。
ここで、抵抗について
【数１５】
2008271503.tif 000017
と表すと、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は温度係数がほぼ０の抵抗であるので、
【数１６】
2008271503.tif 000018
である。
（１．５）式の両辺を温度Ｔで偏微分すると、
【数１７】
2008271503.tif 000019
となり、（１．６）式は、参照電流Ｉｒｅｆ１が温度Ｔに依存しないことを表している。
したがって、図１に示した構成とすることにより、参照電流Ｉｒｅｆ１の温度依存性を少なくすることができる。
【００１７】
以上のように、非反転増幅回路１１０の負帰還経路に、トランジスタＱ１と同等の温度特性をもつトランジスタＱ３を挿入することにより、トランジスタＱ１の温度特性を打ち消すことができる。すなわち、参照電流Ｉｒｅｆ１の温度依存性を無くする、または、小さくすることができる。
なお、第１の実施形態の電流源回路１２０では、トランジスタＱ１、Ｑ２を用いているが、図６に示す電流源回路１２１のようにＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２を用いてもよい。この場合には、トランジスタＱ３に代えて、ＭＯＳトランジスタＭ１と同等の温度特性をもつＭＯＳトランジスタを用いるのが望ましい。
【００１８】
また、非反転増幅回路１１０に含まれるトランジスタＱ３は、ＮＰＮバイポーラトランジスタを用いているが、ＰＮＰバイポーラトランジスタのダイオード接続やＰＮ接合ダイオードでもよく、さらに、温度特性が似ている素子や回路であれば、特に限定されない。
（第２の実施の形態）
図２は、本発明の第２の実施形態に係わる参照電流回路の構成を示す図である。
【００１９】
参照電流回路２００は、温度補償回路２１０と、温度補償回路２１０の出力を入力したボルテージフォロワ２２０と、ボルテージフォロワ２２０の出力を入力した電流源回路１２０とを備える。
温度補償回路２１０は、エミッタに基準電圧ＶＢＧが入力され、コレクタとベースとが接続されたトランジスタＱ４と、トランジスタＱ４のコレクタおよびベースと電源端子との間に接続された抵抗Ｒ４から構成されている。
【００２０】
ボルテージフォロア２２０は、反転入力端子と非反転入力端子と出力端子とをもち、非反転入力端子にトランジスタＱ４のコレクタとベースが接続され、反転入力端子と出力端子とが接続されている増幅回路ＯＰ２０から構成されている。
電流源回路１２０と基準電圧回路５００は、従来の技術で説明した構成と同じであるので、説明を省略する。
【００２１】
次に、上記の通りに構成された第２の実施形態の参照電流回路２００について、抵抗の温度係数がほぼ０の場合に、温度依存性の少ない参照電流を発生する原理の概要を説明する。
温度補償回路２１０の出力電圧ＶＴＣは、
【００２２】
【数１８】
2008271503.tif 000020
であるので、ボルテージフォロア２２０の出力電圧Ｖｏｕｔ２は、
【数１９】
2008271503.tif 000021
また、電流源回路１２０に対して、第１の実施形態と同様に、次式が成り立つ。
【数２０】
2008271503.tif 000022
（２．２）式と（２．３）式より、
【数２１】
2008271503.tif 000023
よって、
【数２２】
2008271503.tif 000024
となる。
ＶＢＥ４とＶＢＥ１が同じ、もしくは、ほぼ同じであるとき、
【数２３】
2008271503.tif 000025
となる。ここで、ＶＢＧは温度Ｔおよび電源電圧Ｖｄｄに依存しない基準電圧であり、またＲ３は温度係数がほぼ０の抵抗であるので、温度をＴとすると、
【００２３】
【数２４】
2008271503.tif 000026
である。
また、（２．５）式の両辺を温度Ｔで偏微分すると、
【００２４】
【数２５】
2008271503.tif 000027
となり、（２．６）式は、参照電流Ｉｒｅｆ２が温度Ｔに依存しないことを表している。
したがって、図２に示した構成とすることにより、参照電流Ｉｒｅｆ２の温度依存性を少なくすることができる。
【００２５】
以上のように、温度補償回路２１０に、トランジスタＱ１と同等の温度特性をもつトランジスタＱ４を用いることにより、トランジスタＱ１の温度特性を打ち消すことができる。すなわち、参照電流Ｉｒｅｆ２の温度依存性を無くする、または、小さくすることができる。
なお、第２の実施形態の電流源回路１２０では、トランジスタＱ１、Ｑ２を用いているが、図６に示す電流源回路１２１のようにＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２を用いてもよい。この場合には、トランジスタＱ４に代えて、ＭＯＳトランジスタＭ１と同等の温度特性をもつＭＯＳトランジスタを用いるのが望ましい。
【００２６】
また、温度補償回路２１０に抵抗Ｒ４を用いているが、図７に示す温度補償回路２１１のように、ベースにバイアス電圧ＶＢＩＡＳを入力したＰＮＰバイポーラトランジスタを用いてもよく、また、温度補償回路２１０を図８に示すようにＭＯＳトランジスタＭ３、Ｍ４に置換えた温度補償回路２１２としてもよい。
（第３の実施の形態）
図３は、本発明の第３の実施形態に係わる参照電流回路の構成を示す図である。
【００２７】
参照電流回路３００は、温度補償回路２１０と、温度補償回路２１０の出力を入力した反転増幅回路３２０と、反転増幅回路３２０の出力を入力した反転増幅回路３３０と、反転増幅回路３３０の出力を入力した電流源回路１２０から構成されている。
温度補償回路２１０は、エミッタが接地され、ベースおよびコレクタが接続されたトランジスタＱ４と、電源端子とトランジスタＱ４のベースおよびコレクタに接続された抵抗Ｒ４から構成されている。
【００２８】
反転増幅回路３２０は、反転入力端子と非反転入力端子と出力端子とをもち、非反転入力端子が接地端子に接続されている増幅回路ＯＰ３０と、反転入力端子と温度補償回路２１０の出力端子とを結ぶ配線に挿設された抵抗Ｒ６と、出力端子と反転入力端子とを結ぶ配線に挿設された抵抗Ｒ７とから構成されている。
反転増幅回路３３０は、反転入力端子と非反転入力端子と出力端子とをもち、非反転入力端子に基準電圧ＶＢＧが入力された増幅回路ＯＰ３１と、反転入力端子と増幅回路ＯＰ３０の出力端子とを結ぶ配線に挿設された抵抗Ｒ８と、出力端子と反転入力端子とを結ぶ配線に挿設された抵抗Ｒ９とから構成されている。
【００２９】
電流源回路１２０と基準電圧回路５００は、従来の技術で説明した構成と同じであるので、説明を省略する。
次に、上記の通りに構成された第３の実施形態の参照電流回路３００について、抵抗の温度係数がほぼ０の場合に、温度依存性の少ない参照電流を発生する原理の概要を説明する。
【００３０】
温度補償回路２１０の出力は、トランジスタＱ４のベースとエミッタ間の電圧ＶＢＥ４である。
次に、反転増幅回路３２０の出力電圧をＶ３２０とすると、
【数２６】
2008271503.tif 000028
さらに、反転増幅回路３３０の出力電圧Ｖｏｕｔ３は、
【数２７】
2008271503.tif 000029
ここで、Ｒ＝Ｒ６＝Ｒ７＝Ｒ８＝Ｒ９とすると、Ｖｏｕｔ３は、
【数２８】
2008271503.tif 000030
となる。
また、電流源回路１２０に対して、第１の実施形態と同様に、次式が成り立つ。
【００３１】
【数２９】
2008271503.tif 000031
（３．３）式と（３．４）式より、
【数３０】
2008271503.tif 000032
よって、
【数３１】
2008271503.tif 000033
となる。
ＶＢＥ４とＶＢＥ１が同じ、もしくは、ほぼ同じであるとき、
【数３２】
2008271503.tif 000034
となる。ここで、ＶＢＧは温度Ｔおよび電源電圧Ｖｄｄに依存しない基準電圧であり、またＲ３は温度係数がほぼ０の抵抗であるので、温度をＴとすると、
【数３３】
2008271503.tif 000035
である。
また、（３．６）式の両辺を温度Ｔで偏微分すると、
【数３４】
2008271503.tif 000036
となり、（３．７）式は、参照電流Ｉｒｅｆ３が温度Ｔに依存しないことを表している。
したがって、図３に示した構成とすることにより、参照電流Ｉｒｅｆ３の温度依存性を少なくすることができる。
【００３２】
以上のように、温度補償回路２１０に、トランジスタＱ１と同等の温度特性をもつトランジスタＱ４を用いることにより、トランジスタＱ１の温度特性を打ち消すことができる。すなわち、参照電流Ｉｒｅｆ３の温度依存性を無くする、または、小さくすることができる。
なお、上記の説明では、抵抗値をＲ＝Ｒ６＝Ｒ７＝Ｒ８＝Ｒ９としたが、Ｒ６＝Ｒ９とＲ７＝Ｒ８との場合でもよい。
【００３３】
また、第３の実施の形態の電流源回路１２０では、トランジスタＱ１、Ｑ２を用いているが、図６に示す電流源回路１２１のようにＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２を用いてもよい。この場合には、トランジスタＱ４に代えて、ＭＯＳトランジスタＭ１と同等の温度特性をもつＭＯＳトランジスタを用いるのが望ましい。
また、温度補償回路２１０に抵抗Ｒ４を用いているが、図７に示す温度補償回路２１１のように、ベースにバイアス電圧ＶＢＩＡＳを入力したＰＮＰバイポーラトランジスタを用いてもよく、また、温度補償回路２１０を図８に示すようにＭＯＳトランジスタＭ３、Ｍ４に置換えた温度補償回路２１２としてもよい。
【００３４】
また、反転増幅回路３２０の非反転入力端子と接地端子との間に抵抗を接続してもよい。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限られない。第１の実施形態における反転増幅回路１１０、第２の実施形態における温度補償回路２１０およびボルテージフォロワ２２０、第３の実施形態における温度補償回路２１０および反転増幅回路３２０、３３０は、いずれも出力電圧Ｖｏｕｔが「Ｖｏｕｔ＝α×ＶＢＧ＋ＶＢＥ」の関係式を満たす電圧発生回路とみなすことができる。このような関係式を満たす電圧発生回路であれば、どのような回路構成であっても上記実施形態と同様の効果を得ることができる。なおαは温度依存性が極めて小さな任意の係数であり、ＶＢＥは電流源回路１２０に含まれる半導体素子と同等の温度特性をもつ半導体素子の端子間電圧である。ここで半導体素子とは、ダイオード接続されたバイポーラトランジスタ、ＰＮ接合ダイオードあるいはダイオード接続されたＭＯＳトランジスタを意味する。また端子間電圧とは、例えばバイポーラトランジスタの場合、ベースエミッタ間電圧（ダイオード接続されているため、コレクタエミッタ間電圧とも言える）を意味する。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の参照電流回路は、アナログ回路を内蔵した半導体集積回路等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わる参照電流回路の構成を示す図
【図２】本発明の第２の実施形態に係わる参照電流回路の構成を示す図
【図３】本発明の第３の実施形態に係わる参照電流回路の構成を示す図
【図４】従来の参照電流回路の構成を示す図
【図５】基準電圧回路の構成を示す図
【図６】第１または第２または第３の実施形態の電流源回路の変形例の構成を示す図
【図７】第２または第３の実施形態の温度補償回路の変形例の構成を示す図
【図８】第２または第３の実施形態の温度補償回路のＭＯＳトランジスタを用いた変形例の構成を示す図
【符号の説明】
【００３７】
１００、２００、３００、４００  参照電流回路
１１０  温度補償素子を備えた非反転増幅回路
１２０、１２１  電流源回路
２１０、２１１、２１２  温度補償回路
２２０  ボルテージフォロア
３２０、３３０  反転増幅回路
４１０  非反転増幅回路
５００  基準電圧回路
ＯＰ５、ＯＰ１０、ＯＰ２０、ＯＰ３０、ＯＰ３１、ＯＰ４０  増幅回路
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９  抵抗
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ１ａ、Ｑ２ａ  バイポーラトランジスタ
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４  ＭＯＳトランジスタ
Ｖｄｄ  電源電圧
Ｖｓｓ  接地
ＶＢＧ  基準電圧回路の出力電圧
ＶＢＥ、ＶＢＥ１、ＶＢＥ３、ＶＢＥ４  トランジスタのベース・エミッタ間電圧
ＶＴ  ＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧
ＶＢＩＡＳ  バイアス電圧
Ｖｏｕｔ１  温度補償素子を備えた非反転増幅回路の出力電圧
Ｖｏｕｔ２  ボルテージフォロアの出力電圧
Ｖｏｕｔ３  反転増幅回路の出力電圧
Ｖｏｕｔ４  非反転増幅回路の出力電圧
Ｉｒｅｆ１、Ｉｒｅｆ２、Ｉｒｅｆ３、Ｉｒｅｆ４  参照電流
【図１】
2008271503.tif 000037
【図２】
2008271503.tif 000038
【図３】
2008271503.tif 000039
【図４】
2008271503.tif 000040
【図５】
2008271503.tif 000041
【図６】
2008271503.tif 000042
【図７】
2008271503.tif 000043
【図８】
2008271503.tif 000044