(57)【要約】【課題】設置スペースの縮小及び装置コストの低減を図ることのできる大気圧プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】対向配置された一対の電極（４０）と、一対の電極（４０）に接続された電源（５）と、被処理基材（Ｋ）を保持する保持手段（７，６３ａ）とを備え、一対の電極（４０）の少なくとも一方には、機能物質を含む含機能物質部材（４２）が着脱自在に設けられ、電源（５）は、一対の電極（４０）間の領域に大気圧雰囲気下でプラズマが励起し且つ含機能物質部材（４２）から機能物質がスパッタリングする電力を当該一対の電極（４０）に印加する構成とされ、保持手段（７，６３ａ）は、スパッタリングした機能物質が被処理基材（Ｋ）に到達する位置となるように被処理基材（Ｋ）を保持する構成とされたことを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の電極（４０）と、一対の電極（４０）に接続された電源（５）と、被処理基材（Ｋ）を保持する保持手段（７，６３ａ）とを備え、
一対の電極（４０）の少なくとも一方には、機能物質を含む含機能物質部材（４２）が着脱自在に設けられ、
電源（５）は、一対の電極（４０）間の領域に大気圧雰囲気下でプラズマが励起し且つ含機能物質部材（４２）から機能物質がスパッタリングする電力を当該一対の電極（４０）に印加する構成とされ、
保持手段（７，６３ａ）は、スパッタリングした機能物質が被処理基材（Ｋ）に到達する位置となるように被処理基材（Ｋ）を保持する構成とされたことを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。
【請求項２】
機能物質が撥水性を有する物質である請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項３】
機能物質がフッ素である請求項１または請求項２に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項４】
含機能物質部材（４２）がポリテトラフルオロエチレンである請求項１から請求項３のいずれかに記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項５】
一対の電極（４０）は、水平面に対して互いに略平行に対向配置され、保持手段（７）は、一対の電極（４０）間に被処理基材（Ｋ）の被処置面が当該一対の電極（４０）と略平行となるように被処理基材（Ｋ）を保持する構成とされた請求項１から請求項４のいずれかに記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項６】
一対の電極（４０）は、水平面に対して互いに略垂直に対向配置され、保持手段（６３ａ）は、一対の電極（４０）の下方に被処理基材（Ｋ）の被処置面が当該一対の電極（４０）と略垂直となるように被処理基材（Ｋ）を保持する構成とされた請求項１から請求項４のいずれかに記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項７】
保持手段（７，６３ａ）と一対の電極（４０）との少なくとも一方を被処理基材（Ｋ）の被処置面に沿う方向に移動させる駆動手段（６，６４ａ）を備える請求項１から請求項６のいずれかに記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項８】
機能物質の供給源として、電極（４０）に設けられた含機能物質部材（４２）のみを構成要素とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の大気圧プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は大気圧プラズマ処理装置に関する。より詳しくは、被処理基材の表面に撥水性物質等の機能物質を、大気圧雰囲気下でのプラズマ処理により付着させる装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理基材に撥水化処理を行う装置として、大気圧プラズマ処理装置が用いられている。大気圧プラズマ処理装置では、被処理基材の表面に撥水性物質等の機能物質を、大気圧雰囲気下でのプラズマ処理により付着させている。図５は従来の大気圧プラズマ処理装置を示す概略図である。図５に示すように、従来の大気圧プラズマ処理装置５０は、チャンバー５１、含フッ素化合物供給管５２、不活性ガス供給管５３、混合ガス供給管５４、対向配置された一対の電極５５、及び電源５６などを備える。
【０００３】
大気圧プラズマ処理装置５０において、含フッ素化合物供給管５２から供給された含フッ素化合物と、不活性ガス供給管５３から供給された不活性ガスとは、混合ガス供給管５４で混合されて一対の電極５５間に導かれる。一方、電源５６から供給された電力により電極５５間にプラズマ領域が形成され、該電極５５間に配置された被処理基材Ｋにプラズマ励起されたフッ素を付着させることで撥水化処理が行われる（特許文献１参照）。
【特許文献１】特許２９９０６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した特許文献１に記載の大気圧プラズマ処理装置５０では、撥水性物質の供給手段として、含フッ素化合物収容タンクや含フッ素化合物供給管などが必要であり、装置の設置スペースが大きくなり且つ装置コストが高くなるという問題があった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、設置スペースの縮小及び装置コストの低減を図ることのできる大気圧プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係る大気圧プラズマ処理装置（１）は、対向配置された一対の電極（４０）と、一対の電極（４０）に接続された電源（５）と、被処理基材（Ｋ）を保持する保持手段（７，６３ａ）とを備え、一対の電極（４０）の少なくとも一方には、機能物質を含む含機能物質部材（４２）が着脱自在に設けられ、電源（５）は、一対の電極（４０）間の領域に大気圧雰囲気下でプラズマが励起し且つ含機能物質部材（４２）から機能物質がスパッタリングする電力を当該一対の電極（４０）に印加する構成とされ、保持手段（７，６３ａ）は、スパッタリングした機能物質が被処理基材（Ｋ）に到達する位置となるように被処理基材（Ｋ）を保持する構成とされたことを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る大気圧プラズマ処理装置（１）によると、含機能物質部材（４２）から機能物質がプラズマによりスパッタリングされて放出される。被処理基材（Ｋ）の表面では表面反応が行われ、機能物質からなる撥水膜が形成される。このように、機能物質の供給源として、電極（４０）に設けられた含機能物質部材（４２）のみで済む。つまり、機能物質の供給手段としての含機能物質収容タンクや配管が必要とならず、設置スペースの縮小及び装置コストの低減を図ることができる。また、電極（４０）において、含機能物質部材（４２）は着脱自在に取り付けた構成とされるため、含機能物質部材（４２）が消耗した時点で新しい含機能物質部材（４２）と容易に交換可能である。
【０００７】
また、一対の電極（４０）は、水平面に対して互いに略平行に対向配置され、保持手段（７）は、一対の電極（４０）間に被処理基材（Ｋ）の被処置面が当該一対の電極（４０）と略平行となるように被処理基材（Ｋ）を保持する構成とされる。或いは、一対の電極（４０）は、水平面に対して互いに略垂直に対向配置され、保持手段（６３ａ）は、一対の電極（４０）の下方に被処理基材（Ｋ）の被処置面が当該一対の電極（４０）と略垂直となるように被処理基材（Ｋ）を保持する構成とされる。このような構成とすることで、被処理基材（Ｋ）の被処置面に効率良く機能物質を付着させることができる。
【０００８】
また、保持手段（７，６３ａ）と一対の電極（４０）との少なくとも一方を被処理基材（Ｋ）の被処置面に沿う方向に移動させる駆動手段（６，６４ａ）を備える構成とすることで、比較的大きな面積の被処理基材（Ｋ）への処理も可能となる。なお、特許請求の範囲及び課題を解決するための手段の各欄において各構成要素に付した括弧書きの符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、設置スペースの縮小及び装置コストの低減を図ることのできる大気圧プラズマ処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明の第１実施形態及び第２実施形態について説明する。各図において直交座標系の３軸をＸ、Ｙ、Ｚとし、ＸＹ平面を水平面、Ｚ方向を鉛直方向とする。
〔第１実施形態〕
【００１１】
図１は本発明に係る第１実施形態の大気圧プラズマ処理装置を示す正面概略図、図２は図１のＩ−Ｉ線矢示図である。本発明に係る第１実施形態の大気圧プラズマ処理装置１は、被処理基材である基板Ｋの表面に撥水膜を形成して撥水化する装置であり、図１，２に示すように、チャンバー２、不活性ガス供給部３、プラズマ発生部４、電源５、電極駆動装置６、ホルダ７、搬入出ロボット８、基板ストッカー９、制御装置１０及び排気管１１などを備える。
【００１２】
チャンバー２は、開閉自在に設けられた搬入出扉２１を側部に有する密封体から構成される。
【００１３】
不活性ガス供給部３は、貯留タンク３ａ、流量調整バルブ３ｂ及びガス供給管３ｃを備える。貯留タンク３ａには、Ａｒガスが充填されている。
【００１４】
プラズマ発生部４は、チャンバー２内で水平面に対して互いに平行に対向配置された一対の電極４０からなる。一対の電極４０は、それぞれ長方形の金属電極４１と、この金属電極４１と略同一形状の含撥水性物質部材４２とからなる。含撥水性物質部材４２は、ポリテトラフルオロエチレンを材質とし、非金属製（例えば合成樹脂）の固定部材により金属電極４１に着脱自在に取り付けられる。
【００１５】
電源５は、一対の電極４０のそれぞれに接続される。その電力は、それぞれ一対の電極４０間の領域に大気圧雰囲気下でプラズマが励起し且つ各電極４０に設けられた含撥水性物質部材４２がスパッタリングされて、撥水性物質であるフッ素分子が放出される大きさとされる。具体的には、電力密度が２Ｗ／ｃｍ２〜５Ｗ／ｃｍ２であることが好ましい。
【００１６】
電極駆動装置６は、リニアモータまたはボールネジ機構及びサーボモータなどから構成され、対向配置された一対の電極４０をその状態で短手方向（図中Ｘ方向）に水平駆動するように構成される。一対の電極４０の移動範囲は、始端位置Ｐ１と終端位置Ｐ２との間とされる。ここで、始端位置Ｐ１とは、基板Ｋにおける一方の端部表面が一対の電極４０に垂直対向する位置であり、終端位置Ｐ２とは、基板Ｋにおける他方の端部表面が一対の電極４０に垂直対向する位置である。
【００１７】
ホルダ７は、一対の電極４０間に配設され、基板Ｋにおける表裏面をそれぞれ一対の電極４０に対向させた状態で基板Ｋの周縁部を支持可能な支持ピン７１を備える。この配設位置は、含撥水性物質部材４２からスパッタリングされたフッ素分子が基板Ｋに到達する位置である。
【００１８】
搬入出ロボット８は、モータ８１、アーム８２及び可動支持台８３を備える。可動支持台８３は、基板Ｋの周縁部を支持するための支持ピン８３１を備え、モータ８１の駆動によりアーム８２を介してＸ，Ｙ，Ｚ各方向に移動自在に構成される。
【００１９】
基板ストッカー９は、撥水未処理または撥水処理済みの基板Ｋを仮置きするための部位であり、チャンバー２における搬入出扉２１の外側に配設され、基板Ｋの周縁部を支持するための支持ピン９１を備える。
【００２０】
制御装置１０は、タッチパネル等の入出力装置、メモリチップやマイクロプロセッサなどを主体とした適当なハードウエア、このハードウエアを動作させるためのコンピュータプログラムを組み込んだハードディスク装置、及び各構成部とデータ通信を行う適当なインターフェイス回路などから構成され、大気圧プラズマ処理装置１が所定の撥水処理動作を行うように、大気圧プラズマ処理装置１における各構成部を動作制御可能とするものである。
【００２１】
次に、大気圧プラズマ処理装置１による撥水膜の形成動作について説明する。初期状態として、流量調整バルブ３ｂは閉、搬入出扉２１は閉、一対の電極４０の配置位置は始端位置Ｐ１、電源５はオフとする。
【００２２】
作業者は、基板Ｋの種類及び目的とする撥水膜の厚さなどの各種条件を制御装置１０に入力後、撥水膜の形成動作開始の指示を入力する。これにより搬入出ロボット８は、アーム８２を基板ストッカー９の側に伸延させ、基板ストッカー９に載置保持された撥水未処理の基板Ｋを可動支持台８３上に受け取る。続いて搬入出扉２１が開き、搬入出ロボット８はアーム８２を収縮させる。続いて搬入出ロボット８はアーム８２をチャンバー２の側に伸延させて、基板Ｋをチャンバー２内に搬入する。そして、基板Ｋをホルダ７における支持ピン７１の上に置く。ホルダ７に基板Ｋがセットされると、搬入出ロボット８はアーム８２を収縮させる。
【００２３】
続いて搬入出扉２１が閉じ、撥水膜の成膜処理が開始する。すなわち、制御装置１０からの信号に基づいて流量調整バルブ３ｂが開き、Ａｒガスをチャンバー２内に導入する。Ａｒガスを添加することで、比較的小エネルギーのプラズマで解離反応を行うことができるようになる。続いて、電源５がオンとなり、一対の電極４０間に高周波電流を流す。これにより、一対の電極４０間の領域にプラズマが発生する。
【００２４】
一対の電極４０における含撥水性物質部材４２は、プラズマにより活性化したＡｒによりスパッタリングされフッ素分子を放出する。基板Ｋの表面（本形態では表側及び裏側の両面）では表面反応が行われ、フッ素分子からなる撥水膜が形成される。この間、電極駆動装置６は、一対の電極４０を始端位置Ｐ１から終端位置Ｐ２まで水平駆動する。これにより、形成される撥水膜は、基板Ｋの表面全体に亘って一様なものとなる。
【００２５】
撥水膜の形成が終わると、流量調整バルブ３ｂは閉じ、電源５はオフとなる。そして、一対の電極４０は始端位置Ｐ１に戻り、搬入出扉２１が開く。搬入出ロボット８はチャンバー２内にアーム８２を伸延させて基板Ｋをホルダ７から受け取る。続いて搬入出ロボット８はアーム８２を収縮させ、搬入出扉２１が閉じる。続いて搬入出ロボット８はアーム８２を基板ストッカー９の側に伸延させて、撥水処理済みの基板Ｋを基板ストッカー９に移載し、その後アーム８２を収縮させる。次の基板Ｋに撥水処理を行う場合は、上に記した動作と同様にして行う。
【００２６】
大気圧プラズマ処理装置１によると、含撥水性物質部材４２は、プラズマにより活性化したＡｒによりスパッタリングされフッ素分子を放出する。基板Ｋの表面では表面反応が行われ、フッ素分子からなる撥水膜が形成される。このように、撥水性物質の供給源として、電極４０に設けられた含撥水性物質部材４２のみで済む。つまり、撥水性物質の供給手段としての含フッ素化合物収容タンク、含フッ素化合物供給管及び混合ガス供給管などが必要とならず、設置スペースの縮小及び装置コストの低減を図ることができる。また、電極４０において含撥水性物質部材４２は、非金属製の固定部材により着脱自在に取り付けた構成とされるため、含撥水性物質部材４２が消耗した時点で新しい含撥水性物質部材４２と容易に交換可能である。固定部材に非金属のものを使うことにより、固定部材自身がスパッタリングされてしまうことが防止される。また、電極駆動装置６は、一対の電極４０を始端位置Ｐ１から終端位置Ｐ２まで水平駆動するので、比較的大きな面積の基板Ｋへの撥水処理も可能となる。
〔第２実施形態〕
【００２７】
図３は本発明に係る第２実施形態の大気圧プラズマ処理装置を示す正面概略図、図４は図３のＩＩ−ＩＩ線矢示図である。本発明に係る第２実施形態の大気圧プラズマ処理装置１Ａは、第２実施形態の大気圧プラズマ処理装置１と同様に、被処理基材である基板Ｋの表面に撥水膜を形成して撥水化する装置であり、図３，４に示すように、チャンバー２Ａ、不活性ガス供給部３、プラズマ発生部４Ａ、電源５、基板搬送装置６Ａ、搬入ロボット８ａ、搬出ロボット８ｂ及び制御装置１０Ａなどを備える。なお、第１実施形態の大気圧プラズマ処理装置１と実質上同一の構成要素については、特に区別して扱う必要のない限り、第１実施形態の大気圧プラズマ処理装置１の構成要素と同一の符号を付してある。
【００２８】
チャンバー２Ａは、下部に開口を有しプラズマ発生部４Ａを上方及び側方から包囲するように構成される。
【００２９】
不活性ガス供給部３は、貯留タンク３ａ、流量調整バルブ３ｂ及びガス供給管３ｃを備える。貯留タンク３ａには、Ａｒガスが充填されている。
【００３０】
プラズマ発生部４Ａは、水平面に対して互いに垂直に対向配置された一対の電極４０からなる。一対の電極４０は、それぞれ長方形の金属電極４１と、この金属電極４１と略同一形状の含撥水性物質部材４２とからなる。含撥水性物質部材４２は、ポリテトラフルオロエチレンを材質とし、非金属製の固定部材により金属電極４１に着脱自在に取り付けられる。
【００３１】
電源５は、一対の電極４０のそれぞれに接続される。その電力は、それぞれ一対の電極４０間の領域に大気圧雰囲気下でプラズマが励起し且つ各電極４０に設けられた含撥水性物質部材４２がスパッタリングされて、撥水性物質であるフッ素分子が放出される大きさとされる。具体的には、電力密度が２Ｗ／ｃｍ２〜５Ｗ／ｃｍ２であることが好ましい。
【００３２】
基板搬送装置６Ａは、回転式サーボモータ６４ａにより回転駆動される駆動側プーリ６１ａ、駆動側プーリ６１ａからＸ方向に所定距離の位置に配設された従動側プーリ６２ａ、及び基板Ｋを載置可能な載置面を有し前記２つのプーリに掛け渡された無端ベルト６３ａなどで構成される。基板搬送装置６Ａは、一対の電極４０の下方に次のようにして配設される。すなわち、一対の電極４０と無端ベルト６３ａの表面とが略垂直となるように、且つ含撥水性物質部材４２からスパッタリングされた機能物質が基板Ｋに到達する位置となるように配設される。
【００３３】
搬入ロボット８ａは、第１実施形態における搬入出ロボット８と同様な構成とされ、モータ８１ａ、アーム８２ａ及び可動支持台８３ａを備える。可動支持台８３ａは、基板Ｋの周縁部を支持するための支持ピン８３１ａを備え、モータ８１ａの駆動によりアーム８２ａを介してＸ，Ｙ，Ｚ各方向に移動自在に構成される。
【００３４】
基板ストッカー９ａは、撥水未処理の基板Ｋを仮置きするための部位であり、基板搬送装置６Ａの上流側に配設され、基板Ｋの周縁部を支持するための支持ピン９１ａを備える。
【００３５】
搬出ロボット８ｂは、第１実施形態における搬入出ロボット８と同様な構成とされ、モータ８１ｂ、アーム８２ｂ及び可動支持台８３ｂを備える。可動支持台８３ｂは、基板Ｋの周縁部を支持するための支持ピン８３１ｂを備え、モータ８１ｂの駆動によりアーム８２ｂを介してＸ，Ｙ，Ｚ各方向に移動自在に構成される。
【００３６】
基板ストッカー９ｂは、撥水処理済みの基板Ｋを仮置きするための部位であり、基板搬送装置６Ａの下流側に配設され、基板Ｋの周縁部を支持するための支持ピン９１ｂを備える。
【００３７】
制御装置１０Ａは、タッチパネル等の入出力装置並びにメモリチップやマイクロプロセッサなどを主体とした適当なハードウエア、このハードウエアを動作させるためのコンピュータプログラムを組み込んだハードディスク装置、及び各構成部とデータ通信を行う適当なインターフェイス回路などから構成され、大気圧プラズマ処理装置１Ａが所定の撥水処理動作を行うように、大気圧プラズマ処理装置１Ａにおける各構成部を動作制御可能とするものである。
【００３８】
次に、大気圧プラズマ処理装置１Ａによる撥水膜の形成動作について説明する。初期状態として、流量調整バルブ３ｂは閉、電源５はオフとする。
【００３９】
作業者は、基板Ｋの種類及び目的とする撥水膜の厚さなどの各種条件を制御装置１０Ａに入力後、撥水膜の形成動作開始の指示を入力する。これにより搬入ロボット８ａは、アーム８２ａを基板ストッカー９ａの側に伸延させ、基板ストッカー９ａに載置保持された撥水未処理の基板Ｋを可動支持台８３ａ上に受け取る。続いて搬入ロボット８ａはアーム８２ａを収縮させる。続いて搬入ロボット８ａはアーム８２ａを基板搬送装置６Ａの側に伸延させて、基板Ｋを無端ベルト６３ａの上に載せる。無端ベルト６３ａの上に基板Ｋがセットされると、搬入ロボット８ａはアーム８２ａを収縮させる。
【００４０】
続いて撥水膜の成膜処理が開始する。すなわち、制御装置１０Ａからの信号に基づいて流量調整バルブ３ｂが開き、Ａｒガスをチャンバー２Ａ内に導入する。Ａｒガスを添加することで、比較的小エネルギーのプラズマで解離反応を行うことができるようになる。続いて、電源５がオンとなり、一対の電極４０間に高周波電流を流す。これにより一対の電極４０間の領域にプラズマが発生する。
【００４１】
続いて回転式サーボモータ６４ａは、駆動側プーリ６１ａを図中時計周り方向に回転駆動する。その結果、無端ベルト６３ａは水平方向に走行し、基板ＫはＸ方向に移動する。一対の電極４０における含撥水性物質部材４２は、プラズマにより活性化したＡｒによりスパッタリングされフッ素分子を放出し下方へと向かう。基板Ｋの表面（本形態では表側の面のみ）では表面反応が行われ、フッ素分子からなる撥水膜が形成される。基板ＫがＸ方向に移動するので、形成される撥水膜は、基板Ｋの表面全体に亘って一様なものとなる。
【００４２】
撥水膜の形成が終わると、流量調整バルブ３ｂは閉じ、電源５はオフとなる。そして、搬出ロボット８ｂは基板搬送装置６Ａにアーム８２ｂを伸延させて基板Ｋを無端ベルト６３ａから受け取る。続いて搬出ロボット８ｂはアーム８２ｂを収縮させ、基板ストッカー９ｂの側に伸延させて、撥水処理済みの基板Ｋを基板ストッカー９ｂに移載し、その後アーム８２ｂを収縮させる。次の基板Ｋに撥水処理を行う場合は、上に記した動作と同様にして行う。
【００４３】
大気圧プラズマ処理装置１Ａにおいても、大気圧プラズマ処理装置１と同様な作用効果を奏す。なお、大気圧プラズマ処理装置１Ａでは、無端ベルト６３ａの水平方向への走行により、基板ＫはＸ方向に移動する。これにより第１実施形態の場合と同様に、比較的大きな面積の基板Ｋへの撥水処理も可能となる。
【００４４】
以上、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上に開示した実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこの実施の形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、更に特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。
【００４５】
例えば、上述の第１実施形態では、成膜中に一対の電極４０を駆動する形態としたが、ホルダ７を駆動する形態、または一対の電極４０とホルダ７との両方を駆動する形態とすることもできる。また、上述の第１及び第２実施形態では、撥水処理を施す装置としたが、これとは反対に親水処理を施す装置とすることも可能である。その場合は、一対の電極４０の少なくとも一方に設ける含機能物質部材４２に、親水性を有する機能物質を含むものを用いる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る第１実施形態の大気圧プラズマ処理装置を示す正面概略図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線矢示図である。
【図３】本発明に係る第２実施形態の大気圧プラズマ処理装置を示す正面概略図である。
【図４】図３のＩＩ−ＩＩ線矢示図である。
【図５】従来の大気圧プラズマ処理装置を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  大気圧プラズマ処理装置
４  電極
５  電源
６  電極駆動装置（駆動手段）
７  ホルダ（保持手段）
４２  含撥水性物質部材（含機能物質部材）
６３ａ  無端ベルト（保持手段）
Ｋ  基板（被処理基材）
【図１】
2008088457.tif 000003
【図２】
2008088457.tif 000004
【図３】
2008088457.tif 000005
【図４】
2008088457.tif 000006
【図５】
2008088457.tif 000007