(57)【要約】【課題】表示装置に割り当てられた識別子の読み取りを容易にし得る技術を提供する。【解決手段】本発明の表示装置は、複数の映像信号線ＤＬと、それらに対応してマトリクス状に配列すると共に、ソースが電源端子ＮＤ１に接続された駆動トランジスタＤＲと、表示素子ＯＬＥＤと、駆動トランジスタＤＲのドレインと電源端子ＮＤ２との間で表示素子ＯＬＥＤと直列に接続された出力制御スイッチＳＷａと、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートと映像信号線ＤＬとが互いに接続された状態とそれらが互いから切断された状態との間で切り替える書込スイッチ群ＳＷｂ，ＳＷｃとを各々が含んだ複数の画素ＰＸとを具備し、各画素ＰＸは、複数の第１画素と、それらとは駆動トランジスタＤＲのチャネル幅が異なる複数の第２画素とを含み、第２画素の配列は、文字、図形、記号、又はそれらの組み合わせを構成している。【選択図】図１
2008107643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の映像信号線と、
前記複数の映像信号線に対応してマトリクス状に配列すると共に、ソースが第１電源端子に接続された駆動トランジスタと、表示素子と、前記駆動トランジスタのドレインと第２電源端子との間で前記表示素子と直列に接続された出力制御スイッチと、前記駆動トランジスタのドレインとゲートと前記映像信号線とが互いに接続された第１状態とそれらが互いから切断された第２状態との間で切り替える書込スイッチ群とを各々が含んだ複数の画素とを具備し、
前記複数の画素は、複数の第１画素と、前記複数の第１画素とは前記駆動トランジスタのチャネル幅が異なる複数の第２画素とを含み、
前記複数の第２画素の配列は、文字、図形、記号、又はそれらの組み合わせを構成していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の映像信号線が接続され、前記複数の映像信号線に出力する信号を電流信号と電圧信号との間で切り替え可能な映像信号線ドライバをさらに具備したことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
複数の画素を具備し、前記複数の画素の各々に映像信号として電流信号を書き込むように構成され、前記複数の画素に前記映像信号の代わりに大きさが互いに等しい電圧信号を書き込んだときに、文字、図形、記号、又はそれらの組み合わせを表示することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係り、特にはアクティブマトリクス型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動方式は、表示装置の駆動方式の１つである。例えば、特許文献１には、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）表示装置が記載されている。
【０００３】
アクティブマトリクス型表示装置の製造では、パネル検査などの検査を実施する。これら検査は、不良品の発見に加え、不良の原因となった工程の特定などに役立つ。不良の原因となった工程が分かれば、その工程に起因して不良品がさらに製造されるのを防止できる可能性がある。
【０００４】
このようなフィードバックを行うためには、各製品の製造履歴を記録しておくことと、各製品にその製造履歴のデータベースからの取り出しを可能とする情報を記録しておくこととが必要である。例えば、製品又は部品に識別番号などの識別子を割り当て、データベースにこの識別子と製造履歴との組み合わせを記録し、製品又は部品に先の識別子を印字したラベルを貼り付ける。こうすると、識別子を利用して、データベースから不良品の製造履歴を取り出すことができる。
【０００５】
ところで、表示パネルの前面のうち、画像が表示される領域は、上述した検査に利用する。加えて、表示装置の額縁は、狭められる傾向にある。そのため、多くの場合、表示パネルの前面には、先のラベルを貼り付けられる領域はない。
【０００６】
また、典型的には、先の検査は、表示パネルをその前面が上向きになるように台の上に置いた状態で行う。さらに、先の検査は、表示パネルを筐体と組み合わせた後に行う可能性がある。そのため、識別子の読み取りを考慮すると、先のラベルを表示パネルの背面に貼り付けることは不利である。
【特許文献１】米国特許第６３７３４５４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、表示装置に割り当てられた識別子の読み取りを容易にし得る技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１側面によると、複数の映像信号線と、前記複数の映像信号線に対応してマトリクス状に配列すると共に、ソースが第１電源端子に接続された駆動トランジスタと、表示素子と、前記駆動トランジスタのドレインと第２電源端子との間で前記表示素子と直列に接続された出力制御スイッチと、前記駆動トランジスタのドレインとゲートと前記映像信号線とが互いに接続された第１状態とそれらが互いから切断された第２状態との間で切り替える書込スイッチ群とを各々が含んだ複数の画素とを具備し、前記複数の画素は、複数の第１画素と、前記複数の第１画素とは前記駆動トランジスタのチャネル幅が異なる複数の第２画素とを含み、前記複数の第２画素の配列は、文字、図形、記号、又はそれらの組み合わせを構成していることを特徴とする表示装置が提供される。
【０００９】
本発明の第２側面によると、複数の画素を具備し、前記複数の画素の各々に映像信号として電流信号を書き込むように構成され、前記複数の画素に前記映像信号の代わりに大きさが互いに等しい電圧信号を書き込んだときに、文字、図形、記号、又はそれらの組み合わせを表示することを特徴とする表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、表示装置に割り当てられた識別子の読み取りを容易にし得る技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置が含む表示パネルを概略的に示す断面図である。図３は、図２の表示パネルの一部を前面側から見た平面図である。図４は、図２の表示パネルの他の一部を前面側から見た平面図である。
【００１３】
図１に示す表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、図１に示すように、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲと、コントローラＣＮＴとを含んでいる。
【００１４】
表示パネルＤＰは、図１及び図２に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、向き合っており、中空体を形成している。具体的には、封止基板ＣＳの中央部は、アレイ基板ＡＳから離間している。封止基板ＣＳの周縁部は、図２に示す枠形のシール層ＳＳを介して、アレイ基板ＡＳの一方の主面に貼り付けられている。
【００１５】
アレイ基板ＡＳは、図１及び図２に示すように、絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。基板ＳＵＢは、例えばガラス基板である。
【００１６】
基板ＳＵＢ上には、図２に示すように、アンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上にＳｉＮx層とＳｉＯx層とをこの順に積層してなる。
【００１７】
アンダーコート層ＵＣ上では、図２乃至図４に示す半導体層ＳＣが、後述する画素ＰＸに対応して配列している。各半導体層ＳＣは、例えば、ｐ型領域とｎ型領域とを含んだポリシリコン層である。ここでは、一例として、半導体層ＳＣのうち、参照符号Ｇで示す部材と向き合っている領域は真性半導体領域であり、それ以外の領域はｐ+型半導体領域であるとする。
【００１８】
アンダーコート層ＵＣ上では、図３及び図４に示す電極Ｅａが、画素ＰＸに対応してさらに配列している。電極Ｅａは、例えば、ｎ+型ポリシリコン層である。
【００１９】
半導体層ＳＣ及び電極Ｅａは、図２に示すゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成することができる。
【００２０】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１、図３及び図４に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、図１に示すように、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷからなる。
【００２１】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図３及び図４に示す電極Ｅｂがさらに配置されている。電極Ｅｂは、画素ＰＸに対応して配列している。電極Ｅｂは、例えばＭｏＷからなる。電極Ｅｂは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００２２】
図３及び図４に示すように、各画素ＰＸ内で、走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとは１箇所で交差し、走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとは２箇所で交差している。また、各画素ＰＸ内で、電極Ｅｂは、電極Ｅａと向き合うと共に、半導体層ＳＣと１箇所で交差している。
【００２３】
走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は、図１乃至図４に示す出力制御スイッチＳＷａを構成している。走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は、図１、図３及び図４に示す選択用スイッチＳＷｂとダイオード接続スイッチＳＷｃとを構成している。電極Ｅａ及びＥｂとそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは、図１、図３及び図４に示すキャパシタＣを構成している。電極Ｅｂと半導体層ＳＣとの交差部は、図１、図３及び図４に示す駆動トランジスタＤＲを構成している。
【００２４】
なお、本態様では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２並びに電極Ｅｂのうち参照符号Ｇで示す部分は、薄膜トランジスタのゲートである。
【００２５】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに電極Ｅｂは、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えば、プラズマＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯxからなる。
【００２６】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１、図３及び図４に示す映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、図３及び図４に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２７】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図２乃至図４に示すソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとがさらに形成されている。図３及び図４に示すように、各画素ＰＸは、２つのソース電極ＳＥと２つのドレイン電極ＤＥとを含んでいる。
【００２８】
各画素ＰＸにおいて、ドレイン電極ＤＥの１つは、ソース電極ＳＥの１つに接続されている。この電極ＳＥ，ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩ及びゲート絶縁膜ＧＩに設けられたコンタクトホールを介して、駆動トランジスタＤＲのドレインとスイッチＳＷａのソースとに接続されている。他のソース電極ＳＥは、層間絶縁膜ＩＩ及びゲート絶縁膜ＧＩに設けられたコンタクトホールを介してスイッチＳＷｃのソースに接続されており、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介して電極Ｅｂに接続されている。他のドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩ及びゲート絶縁膜ＧＩに設けられたコンタクトホールを介して、スイッチＳＷａのドレインに接続されている。
【００２９】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。
【００３０】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、図２に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxからなる。
【００３１】
パッシベーション膜ＰＳ上では、図２乃至図４に示す画素電極ＰＥが、画素ＰＸに対応して配列している。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けたコンタクトホールを介して、ドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００３２】
画素電極ＰＥは、光透過性の前面電極である。また、本態様では、画素電極ＰＥは、陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などの透明導電性酸化物を使用することができる。
【００３３】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図２に示す隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００３４】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００３５】
画素電極ＰＥ上には、発光層を含んだ活性層ＡＣＴが形成されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この活性層ＡＣＴは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００３６】
隔壁絶縁層ＰＩ及び活性層ＡＣＴは、対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された電極，すなわち共通電極，である。また、本態様では、対向電極ＣＥは、陰極であり且つ光反射性の背面電極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと、活性層ＡＣＴと、対向電極ＣＥとを含んでいる。
【００３７】
各画素ＰＸは、図１、図３及び図４に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、本態様では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃは、ｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００３８】
駆動トランジスタＤＲとスイッチＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３９】
スイッチＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチＳＷｂは、映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されている。スイッチＳＷｂのゲートは、走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されている。スイッチＳＷｃのゲートは、走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチＳＷｂ及びＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートと映像信号線ＤＬとが互いに接続された第１状態と、それらが互いから切断された第２状態との間で切り替える書込スイッチ群を構成している。
【００４０】
キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。定電位端子ＮＤ１’は、例えば、図３及び図４に示すように電源端子ＮＤ１に接続することができる。
【００４１】
封止基板ＣＳは、図２に示すように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを間に挟んで基板ＳＵＢと向き合っている。封止基板ＣＳは、対向電極ＣＥから離間している。封止基板ＣＳは、例えばガラス基板である。
【００４２】
シール層ＳＳは、上記の通り、枠形状を有しており、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳの周縁部との間に介在している。シール層ＳＳは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを取り囲んでいる。シール層ＳＳの材料としては、例えば、フリットガラス及び接着剤を使用することができる。
【００４３】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、図１に示すように、表示パネルＤＰにＣＯＧ（chip on glass）実装されている。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装の代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装されてもよい。
【００４４】
映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、電流源と定電圧源とを含んでいる。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号として電流信号を出力すると共に、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに、映像信号として電流信号を出力する代わりに、大きさが互いに等しい電圧信号を出力することができる。
【００４５】
走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号として電圧信号を出力する。電源線ＰＳＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続する代わりに、走査信号線ドライバＹＤＲに接続してもよい。
【００４６】
コントローラＣＮＴは、映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとに接続されている。
【００４７】
コントローラＣＮＴは、通常の使用時（以下、通常画像表示時という）には、映像信号線ドライバＸＤＲに、シリアル信号としてのディジタル映像信号とスタート信号及びクロック信号を含む制御信号とを出力する。映像信号線ドライバＸＤＲは、これら信号に基づいて、各映像信号線に電流信号としてのアナログ映像信号を出力する。
【００４８】
また、コントローラＣＮＴは、後述する隠し画像を可視化する場合（以下、隠し画像表示時という）には、映像信号線ドライバＸＤＲに、上述した映像信号及び制御信号は供給せず、他の制御信号を供給する。映像信号線ドライバＸＤＲは、この制御信号に基づいて、映像信号線ＤＬに大きさが互いに等しい電圧信号を出力する。
【００４９】
さらに、コントローラＣＮＴは、通常画像表示時及び隠し画像表示時に、映像信号線ドライバＸＤＲに第１及び第２電源電圧を出力する。映像信号線ドライバＸＤＲは、これら第１及び第２電源電圧を電源線ＰＳＬ及び電源端子ＮＤ２にそれぞれ出力する。
【００５０】
加えて、コントローラＣＮＴは、通常画像表示時及び隠し画像表示時に、走査信号線ドライバＹＤＲに、スタート信号及びクロック信号を含む制御信号を出力する。走査信号線ドライバＹＤＲは、これら信号に基づいて、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２に電圧信号としての走査信号を出力する。
【００５１】
この表示装置では、画素ＰＸは、駆動トランジスタＤＲのチャネル幅が互いに異なる第１及び第２画素ＰＸを含んでいる。第２画素の配列は、文字、図形、記号、又はそれらの組み合わせを構成している。一例として、図３に示す画素ＰＸを第１画素とし、図４に示す画素ＰＸを第２画素とする。図３の画素ＰＸが含む駆動トランジスタＤＲのチャネル幅Ｗ１は、図４の画素ＰＸが含む駆動トランジスタＤＲのチャネル幅Ｗ２と比較してより広い。
【００５２】
通常画像表示時には、この表示装置は、例えば以下の方法で駆動する。  
図５は、図１に示す表示装置の駆動方法の一例を概略的に示すタイミングチャートである。図５には、画素ＰＸがＭ個の行を形成している場合の駆動方法を描いており、横軸は時間を示し、縦軸は電位を示している。
【００５３】
図５において、「ＸＤＲ出力」のうち、「Ｉsigｍ」と表記した期間は、映像信号線ドライバＸＤＲが映像信号線ＤＬに電流信号としての映像信号Ｉsigｍを出力する期間を示している。また、図５において、「ＳＬ１電位」及び「ＳＬ２電位」で示す波形は、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の電位をそれぞれ示している。
【００５４】
この駆動方法では、有効走査期間と垂直ブランキング期間とを交互に繰り返す。  
有効走査期間では、画素ＰＸが形成する複数の画素行を１行づつ順次選択する。選択中の画素行が含む画素ＰＸには書込動作を行い、非選択中の画素行が含む画素ＰＸでは表示動作を行う。
【００５５】
例えば、ｍ行目の画素行について説明すると、ｍ行目の画素行を選択する期間（以下、ｍ行目選択期間という）は、走査信号線ドライバＹＤＲが、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる走査信号を出力することにより開始する。ｍ行目選択期間は、走査信号線ドライバＹＤＲが、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる走査信号を出力している期間である。
【００５６】
なお、ｍ行目の画素行を選択している間、走査信号線ドライバＹＤＲは、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチＳＷａを開く走査信号を出力し続ける。すなわち、ｍ行目選択期間において、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸでは、スイッチＳＷａは開いたままとし、スイッチＳＷｂ及びＳＷｃは閉じたままとしておく。
【００５７】
この状態で、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸに書込動作を実施する。具体的には、映像信号線ドライバＸＤＲは、各映像信号線ＤＬに、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸに書き込むべきアナログ映像信号を出力する。すなわち、第１電源端子ＮＤ１と映像信号線ＤＬとの間に、映像信号に対応した大きさの書込電流Ｉsigｍを流す。これにより、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧を、駆動トランジスタＤＲのソース−ドレイン間に書込電流Ｉsigｍが流れるときの値に設定する。
【００５８】
その後、走査信号線ドライバＹＤＲは、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を出力する。これにより、ｍ行目選択期間を終了する。
【００５９】
ｍ行目選択期間を終了してから次のｍ行目選択期間を開始するまでの期間，すなわち、ｍ行目非選択期間，では、走査信号線ドライバＹＤＲは、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を出力し続ける。ｍ行目非選択期間では、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸにおいて表示動作を実施する。
【００６０】
すなわち、ｍ行目非選択期間を開始してから一定時間経過後に、走査信号線ドライバＹＤＲは、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチＳＷａを閉じる走査信号を出力する。走査信号線ドライバＹＤＲは、この走査信号の出力を一定時間継続し、ｍ行目非選択期間を終了する前に、ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に出力する走査信号を、スイッチＳＷａを閉じる走査信号からスイッチＳＷａを開く走査信号へと切り替える。ｍ行目の画素行が含む画素ＰＸでは、スイッチＳＷａを閉じている間、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに、書込電流Ｉsigｍの大きさに対応した大きさの駆動電流Ｉdrvｍが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉdrvｍの大きさに対応した輝度で発光する。
【００６１】
ｍ行目選択期間を終了した後、ｍ＋１行目選択期間を開始する。ｍ＋１行目選択期間では、ｍ行目選択期間について説明したのと同様の書込動作を実施する。また、ｍ＋１行目非選択期間では、ｍ行目非選択期間について説明したのと同様の表示動作を実施する。このようにして、各走査期間において、全ての画素行を順次選択する。
【００６２】
垂直ブランキング期間では、何れの画素行も選択しない。垂直ブランキング期間では、各画素ＰＸで表示動作を継続する。
【００６３】
このように、図５の駆動方法によると、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、書込電流Ｉsigの大きさに対応した大きさの駆動電流Ｉdrvが流れる。それゆえ、駆動トランジスタＤＲの閾値Ｖthだけでなく移動度や寸法などが駆動電流Ｉdrvに与える影響も排除することができる。
【００６４】
隠し画像表示時には、この表示装置は、例えば以下の方法で駆動する。  
図６は、図１に示す表示装置の駆動方法の他の例を概略的に示すタイミングチャートである。図６には、画素ＰＸがＭ個の行を形成している場合の駆動方法を描いており、横軸は時間を示し、縦軸は電位を示している。
【００６５】
図６において、「ＸＤＲ出力」の「Ｖvis」と表記した期間は、映像信号線ドライバＸＤＲが映像信号線ＤＬに電圧信号Ｖvisを出力する期間を示している。また、図６において、「ＳＬ１電位」及び「ＳＬ２電位」で示す波形は、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の電位をそれぞれ示している。
【００６６】
この駆動方法では、映像信号線ドライバＸＤＲは、常時、全ての映像信号線ＤＬに定電圧Ｖsigを出力する。これ以外は、図６の駆動方法は、図５の駆動方法と同様である。
【００６７】
この駆動方法によると、画素ＰＸの特性が互いに等しければ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは互いに等しい輝度で発光する筈である。しかしながら、上記の通り、画素ＰＸは、駆動トランジスタＤＲのチャネル幅がより広い第１画素と、駆動トランジスタＤＲのチャネル幅がより狭い第２画素とを含んでいる。駆動トランジスタＤＲのチャネル幅は、そのチャネルコンダクタンスに影響を及ぼす。
【００６８】
それゆえ、第２画素が含む駆動トランジスタＤＲのチャネル幅Ｗ２が第１画素が含む駆動トランジスタＤＲのチャネル幅Ｗ１と比較して十分に狭ければ、第１画素が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度と第２画素が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度とは、目視で確認できるほどの相違を生じる。具体的には、第２画素が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第１画素が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較してより低い輝度で発光する。
【００６９】
このようにして、隠し画像表示時には、第１画素の配列と第２画像の配列とによって構成された画像を表示する。すなわち、通常使用時及び非使用時には見ることのできない隠し画像を可視化する。
【００７０】
図７は、隠し画像を表示している画面の一例を概略的に示す図である。図８は、図７に示す画面の一部を拡大して示す図である。図８において、ハッチングを付している四角は第２画素に相当し、それ以外の四角は第１画素に相当している。
【００７１】
図７では、第２画素の配列は、文字列「Ｎｏ．１２３４５６７８９」を形成している。図８には、数字「９」を形成している第２画素と、それらの近傍の第１画素とを描いている。
【００７２】
この文字列は、例えば、以下のように利用することができる。すなわち、表示パネルＤＰに９桁の通し番号を割り当てる。各々の表示パネルＤＰにおいて、第２画素の配列には、その表示パネルＤＰの通し番号を含んだ文字列を形成させる。また、各表示パネルＤＰの製造履歴を、その通し番号と共にデータベースに記録しておく。そして、例えば、検査によって或る表示パネルＤＰが不良品であることを発見した場合、この表示パネルＤＰに先の文字列を表示させる。この文字列をデータベースに参照することにより、この表示パネルＤＰの製造履歴を取り出すことができる。この製造履歴は、不良の原因となった工程の特定などに役立つ。それゆえ、このようなフィードバックを行うと、先の工程に起因して不良品がさらに製造されるのを防止できる可能性が大きくなる。
【００７３】
この方法では、識別子の表示にラベルを利用していないため、ラベルの剥離に起因して表示パネルＤＰの識別が不可能となることはない。また、画面に識別子を表示させるため、表示パネルを筐体と組み合わせた後であっても識別子の読み取りが可能である。したがって、表示パネルＤＰを完成した後であれば何時でも、その製造履歴をデータベースから取り出すことができる。
【００７４】
すなわち、表示パネルＤＰを完成してからこれを搭載した表示装置を完成するまでの期間だけでなく、この表示装置を完成した後やこの表示装置を搭載した機器を完成した後であっても、製造履歴をデータベースから取り出すことができる。したがって、例えば、エンドユーザのもとで表示に関する異常が発見された場合、表示装置及び／又は機器の分解なしに、そのユーザ自身に識別子を報告してもらうことができる。
【００７５】
隠し画像を表示させる場合、第２画素と隣接していない第１画素には、電圧信号Ｖvisとは大きさが異なる電圧信号Ｖvis’を書き込んでもよい。これについて、図９を参照しながら説明する。
【００７６】
図９は、隠し画像を表示している画面の他の例を概略的に示す図である。図９では、第２画素の配列は、図７と同様に文字列「Ｎｏ．１２３４５６７８９」を形成している。但し、図９の例では、表示領域を隠し画像領域ＨＩＡとその外側の領域とに分割し、隠し画像領域ＨＩＡでは文字列を表示し、その外側の領域では黒色画像を表示している。この場合、図７の場合と比較して、文字列を探し易い。
【００７７】
図９に示す画像は、例えば、以下の方法で表示させることができる。隠し画像領域ＨＩＡ内の画素ＰＸには上述した電圧信号Ｖvisを書き込み、これ以外の画素ＰＸには電圧信号Ｖvisと比較して十分に高電位の電圧信号Ｖvis’を書き込む。
【００７８】
図７乃至図９には、識別子が文字列である場合を例示しているが、識別子は文字列でなくてもよい。例えば、識別子として、バーコード及び二次元コードなどの記号を使用してもよい。或いは、識別子として、三角、四角及び丸などの図形を使用してもよい。或いは、識別子として、それらの組み合わせを使用してもよい。
【００７９】
上述した表示装置は、映像信号線ドライバＸＤＲに、隠し画像の表示を可能とする構成を採用している。すなわち、映像信号線ドライバＸＤＲに、電圧信号Ｖvisを出力可能な構成を採用している。表示装置又はこれを搭載した機器で隠し画像を表示する必要がない場合は、映像信号線ドライバＸＤＲに、隠し画像の表示を可能とする構成を採用しなくてもよい。
【００８０】
図１では、スイッチＳＷｃを、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続している。その代わりに、スイッチＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのゲートと映像信号線ＤＬとの間に接続してもよい。また、図１では、スイッチＳＷｂを、駆動トランジスタＤＲのドレインと映像信号線ＤＬとの間に接続している。その代わりに、スイッチＳＷｂは、駆動トランジスタＤＲのゲートと映像信号線ＤＬとの間に接続してもよい。
【００８１】
図３及び図４の画素ＰＸをそれぞれ第１及び第２画素とする代わりに、図３及び図４の画素ＰＸをそれぞれ第２及び第１画素としてもよい。また、第１画素と第２画素とで駆動トランジスタＤＲのチャネル幅を異ならしめる代わりに、第１画素と第２画素とで駆動トランジスタＤＲのチャネル長を異ならしめてもよい。或いは、第１画素と第２画素とで駆動トランジスタＤＲのチャネル幅を異ならしめる代わりに、第１画素と第２画素とで駆動トランジスタＤＲの閾値電圧を異ならしめてもよい。或いは、第１画素と第２画素とで駆動トランジスタＤＲのチャネル幅を異ならしめる代わりに、第１画素と第２画素とで駆動トランジスタＤＲの移動度を異ならしめてもよい。
【００８２】
以上、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例示したが、上述した技術は他の表示装置に適用することができる。例えば、上述した技術は、発光ダイオード表示装置に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１の表示装置が含む表示パネルを概略的に示す断面図。
【図３】図２の表示パネルの一部を前面側から見た平面図。
【図４】図２の表示パネルの他の一部を前面側から見た平面図。
【図５】図１に示す表示装置の駆動方法の一例を概略的に示すタイミングチャート。
【図６】図１に示す表示装置の駆動方法の他の例を概略的に示すタイミングチャート。
【図７】隠し画像を表示している画面の一例を概略的に示す図。
【図８】図７に示す画面の一部を拡大して示す図。
【図９】隠し画像を表示している画面の他の例を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００８４】
ＡＣＴ…活性層、ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＮＴ…コントローラ、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、Ｅａ…電極、Ｅｂ…電極、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＩＡ…隠し画像領域、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…出力制御スイッチ、ＳＷｂ…選択用スイッチ、ＳＷｃ…ダイオード接続スイッチ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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