(57)【要約】【課題】チップ及び基板の薄型化に伴って問題が顕著になる反りを極力少なくするために弾性率を下げたフィルム状接着剤であって、半導体素子とインターポーザ基板との接合時に発生する応力を抑制し、且つ接着作業時の加工性（仮接着性）に優れたフィルム状接着［材］剤を提供する。【解決手段】（Ａ)シロキサンポリイミド、(Ｂ)エポキシ樹脂及び(Ｃ)エポキシ樹脂硬化剤を必須成分として含有するフィルム接着剤を形成する組成物であり、組成物中の(Ｂ)エポキシ樹脂の含有量が５重量％〜８０重量％であり、且つ(Ｃ)エポキシ硬化剤の含有量が１０重量％〜６０重量％であることを特徴とするフィルム状接着剤組成物である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
(Ａ)シロキサンポリイミド、(Ｂ)エポキシ樹脂及び(Ｃ)エポキシ樹脂硬化剤を必須成分として含有するフィルム接着剤を形成する組成物であり、組成物中の(Ｂ)エポキシ樹脂の含有量が５重量％〜８０重量％であり、且つ(Ｃ)エポキシ硬化剤の含有量が１０重量％〜６０重量％であることを特徴とするフィルム状接着剤組成物。
【請求項２】
(Ａ)シロキサンポリイミドが下記一般式（１）
【化１】
2008094865.tif 000007
（式中のＡｒ1及びＡｒ4は芳香族テトラカルボン酸ニ無水物から生じる４価の芳香族基を示し、Ａｒ2及びＡｒ3は２価の芳香族基を示し、Ｘは存在しないか-Ｏ-、-ＣＯ-、-ＳＯ2-、-Ｓ-、-ＣＨ2-、-Ｃ(ＣＨ3)2-、又は-Ｃ(ＣＦ3)2-を示し、Ｒ1及びＲ2は炭素数１〜６の２価のアルキレン基又はフェニレン基を示し、Ｒ3〜Ｒ6は炭素数１〜６の炭化水素基を示し、ｍ及びnは１〜１０の自然数を示し、ｌは平均値であり１〜１０の数を示す）で表される請求項1記載のフィルム状接着剤組成物。
【請求項３】
（Ｂ）エポキシ樹脂の常温粘度が２０〜１００Ｐｏｉｓｅである請求項１記載のフィルム状接着剤組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のフィルム状接着剤組成物を厚さ10μｍ〜100μｍのフィルム状に成形してなるフィルム状接着剤。
【請求項５】
常温における弾性率が０．１〜１ＧＰａであり、２６０度における弾性率が２ＭＰａ〜８０ＭＰａである請求項４記載のフィルム状接着剤。
【請求項６】
複数の半導体素子が形成されたウェハ裏面に請求項４記載のフィルム状接着剤を付け、これにダイシングテープをフィルム状接着剤側に貼り合せて、フィルム状接着剤とウェハとを同時にダイシングすることにより、ウエハとフィルム状接着剤とを同時に個片化してフィルム状接着剤付き半導体素子とする工程、フィルム状接着剤付き半導体素子をダイシングテープから剥がして被着体であるインターポーザ基板にダイアタッチする工程、及びフィルム状接着剤を加熱硬化する工程を含む半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルム状接着剤組成物に関するものであり、具体的には半導体パッケージ内の半導体素子とインターポーザ基板とを接合した後でも、熱収縮による反りを低減することができるフィルム状接着剤組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び高機能化が進む中で、内部に搭載される半導体パッケージ構造は限られた実装領域の中で実装効率をより高めることが求められている。例えば、周辺端子配列のクワッドフラットパッケージ(以下、QFP)に代わり、面端子配列のチップサイズパッケージ(以下、CSP)やボールグリッドアレイ(BGA)が増えている。また単一パッケージ内に複数個の半導体素子を搭載することにより、携帯機器等に搭載されるメモリへ付加価値を付与したり、メモリ容量を増大させたりすることを狙ったチップ積層型パッケージ（以下、スタックドパッケージ）等の登場が代表的な例である。
【０００３】
このような高密度実装化の要求に対し、半導体パッケージ内部に使用される部材は薄型化されている。スタックドパッケージにおいては、同じパッケージサイズの中でより多くの半導体素子を積層させるために、半導体素子、インターポーザ基板、封止樹脂、半導体素子とインターポーザ基板を接着するダイアタッチ材料等の各種部材が薄型化している。
【０００４】
ところが、インターポーザ基板が薄型化すると、半導体素子をインターポーザ基板に搭載するダイアタッチ工程において、熱による基板反りが発生しやすくなる。例えば、代表的なインターポーザ基板材料であるビスマレイミド・トリアジン(BT)基板においては、基板厚みが薄くなると、100℃ 以上で基板反りが発生する。また、半導体素子とインターポーザ基板を接着するダイアタッチ材料(以下、ダイアタッチフィルム)の熱収縮が基板反りへ影響を与える。従来のダイアタッチフィルムは弾性率が高く(特許文献1参照)、大きな応力が半導体素子とインターポーザ基板にかかるため反りが発生し、半導体パッケージの信頼性を下げる要因となっている。
【０００５】
例えば、前記の特許文献１のフィルムをＢＴ基板(200μｍ)に実装し、フィルム硬化すると、反り量は７５μｍ、更にモールドした後の反り量は１４０μｍと大きな反りが発生し半導体パッケージの信頼性を落とす結果となる。
【０００６】
一般的に、反りはダイアタッチフィルムの硬化収縮と冷却収縮の和によって得られる応力の値によって支配されている(図１)。硬化収縮はフィルムに含まれる官能基数、硬化触媒種等に影響され、冷却収縮は線膨張係数(α１)、ガラス転移温度(Ｔｇ)および弾性率(Ｅ’)の積に比例すると知られている。従って、反りの少ない半導体パッケージの作成を実現するためには硬化収縮および冷却収縮を低減させ、基板との収縮差を小さくする必要がある。
【特許文献１】特開2003−261833号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、チップ及び基板の薄型化に伴って問題が顕著になる反りを極力少なくするために弾性率を下げたフィルム状接着剤であって、半導体素子とインターポーザ基板との接合時に発生する応力を抑制し、且つ接着作業時の加工性（仮接着性）に優れたフィルム状接着剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記課題を達成するために鋭意検討した結果、特に半導体パッケージの製造方法において使用されるフィルム状接着剤（ダイアタッチフィルム）の組成を調整することで上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、(Ａ)シロキサンポリイミド、(Ｂ)エポキシ樹脂及び(Ｃ)エポキシ樹脂硬化剤を必須成分として含有するフィルム接着剤を形成する組成物であり、組成物中の(Ｂ)エポキシ樹脂の含有量が５重量％〜８０重量％であり、且つ(Ｃ)エポキシ硬化剤の含有量が１０重量％〜６０重量％であることを特徴とするフィルム状接着剤組成物である。
【００１０】
また、本発明は、上記フィルム状接着剤組成物を厚さ10μｍ〜100μｍのフィルム状に成形してなるフィルム状接着剤である。
【００１１】
更に、本発明は、複数の半導体素子が形成されたウェハ裏面に上記のフィルム状接着剤を付け、これにダイシングテープをフィルム状接着剤側に貼り合せて、フィルム状接着剤とウェハとを同時にダイシングすることにより、ウエハとフィルム状接着剤とを同時に個片化してフィルム状接着剤付き半導体素子とする工程、フィルム状接着剤付き半導体素子をダイシングテープから剥がして被着体であるインターポーザ基板にダイアタッチする工程、及びフィルム状接着剤を加熱硬化する工程を含む半導体パッケージの製造方法である。
更にまた、本発明は上記半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のフィルム状接着剤組成物によって、ハンドリングが良く、低弾性率な半導体素子接合用フィルム状接着剤を提供することができる。本発明のフィルム状接着剤組成物は、半導体素子とインターポーザ基板のような異種材料の接合時に発生する応力を最小限にとどめることが可能になることから、加熱硬化後の反りを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に用いる(Ａ)シロキサンポリイミドは、公知の重合方法を用いて得ることができるが、好ましくは(Ｄ)芳香族テトラカルボン酸二無水物と(Ｅ)ジアミンとから得られる下記一般式（１）で表されるポリイミド樹脂であるのがよい。
【化１】
2008094865.tif 000002
（式中のＡｒ1及びＡｒ4は芳香族テトラカルボン酸ニ無水物から生じる４価の芳香族基を示し、Ａｒ2及びＡｒ3は２価の芳香族基を示し、Ｘは存在しないか-Ｏ-、-ＣＯ-、-ＳＯ2-、-Ｓ-、-ＣＨ2-、-Ｃ(ＣＨ3)2-、又は-Ｃ(ＣＦ3)2-を示し、Ｒ1及びＲ2は炭素数１〜６の２価のアルキレン基又はフェニレン基を示し、Ｒ3〜Ｒ6は炭素数１〜６の炭化水素基を示し、ｍ及びnは１〜１０の自然数を示し、ｌは平均値であり１〜１０の数を示す。）
【００１４】
一般式（１）で表されるポリイミド樹脂を得る際に用いられる(Ｅ)ジアミンは、下記一般式(２)で表される芳香族ジアミン（Ｅ１）と下記一般式（３）で表されるシロキサンジアミン(Ｅ２)を必須成分として含有させる事が接着性と耐熱性の点から望ましく、この場合(Ｅ)ジアミン中の(Ｅ１)成分の含有量が３０〜９５モル％であり、(Ｅ２)成分の含有量が５〜７０モル％の範囲とすることが好ましい。
Ｈ2Ｎ−Ａｒ2−Ｘ−Ａｒ3−ＮＨ2      （２）
（式中、Ａｒ1及びＡｒ2は２価の芳香族基を示し、Ｘは存在しないか-Ｏ-、-ＣＯ-、-ＳＯ2-、-Ｓ-、-ＣＨ2-、-Ｃ(ＣＨ3)2-、又は-Ｃ(ＣＦ3)2-を示す。）
【化２】
2008094865.tif 000003
（式中、Ｒ1及びＲ2は炭素数１〜６の２価のアルキレン基又はフェニレン基を示し、Ｒ3〜Ｒ6は炭素数１〜６の炭化水素基を示し、ｌは平均値であり１〜１０の数を示す。）
【００１５】
ここで、一般式(２)で表される芳香族ジアミン(Ｅ１)において、Ａｒ2及びＡｒ3は炭素数６〜１２の２価の芳香族基を示すのが好ましい。芳香族基を形成する構造として例えば、ベンゼン、ジフェニルエーテル、ビフェニルなどであり、これらは水酸基、アミノ基、カルボキシル基などの反応性置換基を１つ以上有していてもよい。好ましくはベンゼン環を２個以上、特に２〜５個有する芳香族ジアミン化合物を主として含有する芳香族ジアミンを挙げることができ、これらを単独あるいは２個以上混合して使用できることができる。(Ｅ１)成分のより好ましい具体例としては１，５−ビス(ｐ−アミノフェノキシ)ペンタン、１，４−ビス(アミノフェノキシ)ブタン等が挙げられる。
【００１６】
一般式(３)で表されるシロキサンジアミン(Ｅ２)において、Ｒ1およびＲ2は、独立に２価の炭化水素基を示し、炭素数が１〜６、より好ましくは３〜５のアルキレンまたはフェニレンが好ましい。Ｒ3〜Ｒ6は、独立に炭素数１〜６の炭化水素基を示し、メチル基、エチル基、プロピル基またはフェニル基から選ばれるものが好ましい。また、ｌは平均繰り返し単位で、１〜１０の数を示す。
【００１７】
シロキサンジアミン(Ｅ２)の具体的化合物の例としては、ω，ω’−ビス(２−アミノエチル)ポリジメチルシロキサン、ω，ω’−ビス(３−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン、ω，ω’−ビス(４−アミノフェニル)ポリジメチルシロキサン、ω，ω’−ビス(３−アミノプロピル)ポリジフェニルシロキサン、ω，ω’−ビス(２−アミノプロピル)ポリジメチルフェニルシロキサンなどが挙げられる。
【００１８】
(Ｅ)ジアミン成分中の芳香族ジアミン(Ｅ１)は、３０〜９５モル％の範囲、好ましくは４０〜７０モル％の範囲で使用する。この割合が３０モル％未満の場合は耐熱性の低いものとなり、９５モル％を超えると接着性の低いものとなる。また、シロキサンジアミン(Ｅ２)は、５〜７０モル％の範囲、好ましくは３０〜６０モル％の範囲で使用する。この割合が５モル％に満たないと接着性の低いものとなり、７０モル％を超えると耐熱性の低いものとなる。ただし、これら以外のほかのジアミン(Ｅ３)も少量であれば用いることができるが、有機溶媒に対する溶解性などを配慮して適宜選択することができる。
【００１９】
前記一般式（１）で表される（Ａ）シロキサンポリイミドの製造で用いられる(Ｄ)芳香族テトラカルボン酸二無水物は、特に限定されるものではないが、例を挙げると、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１，２、４，５−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１，２，６，７−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８テトラクロロナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’’，３，３’’−ｐ−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’’，４’’−ｐ−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス(２，３−ジカルボキシフェニル)−プロパン二無水物、２，２−ビス(３，４−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(２，３ − ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(３，４−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、１，１−ビス(２，３−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、１，１−ビス(３，４−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン−２，３，８，９−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−４，５，１０，１１−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−５，６，１１，１２−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，７，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，６，７−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物などが挙げられる。また、これらは単独で又は２種類以上混合して用いる事ができる。
【００２０】
これらの中でも、ピロメリット酸二無水物および下記一般式（４）
【化３】
2008094865.tif 000004
（式中Ｙは不存在か、ＣＯ、またはＳＯ2のいずれかを示す。Ａｒ5及びＡｒ6はベンゼン環または置換基を有するベンゼン環を示す）で示される酸二無水物から選ばれるものが望ましい。ここで、Ａｒ5又はＡｒ6の置換基を有するベンゼン環の置換基としては炭素数１〜４の低級アルキル基が好ましく、１つのベンゼン環中の置換基の数は０〜２が好ましい。より好ましい芳香族テトラカルボン酸二無水物の例としては、ポリイミド樹脂とした際の有機溶媒に対する溶解性に優れるという点で４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）または３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）が好適である。
【００２１】
上述したように、（Ａ）シロキサンポリイミドは、公知の重合方法を用いて得る事ができる。本発明で用いられるシロキサンポリイミドはシロキサンポリイミド前駆体樹脂を経由して製造することができるが、シロキサンジアミン（Ｅ２）を用いない全芳香族ポリイミド前駆体樹脂に比較して、シロキサンジアミン（Ｅ２）を用いたポリイミド前駆体は加水分解性が高く、イミド化時に発生する水により加水分解が進行するため、あらかじめ（Ｄ）芳香族テトラカルボン酸二無水物とシロキサンジアミン（Ｅ２）とを反応させたアミック酸部位をイミド化した後、芳香族ジアミン（Ｅ１）を重合することが望ましい。
【００２２】
具体的には、まずあらかじめ（Ｄ）芳香族テトラカルボン酸二無水物を有機溶媒中に溶解あるいは懸濁させておき、シロキサンジアミン（Ｅ２）を徐々に添加する。その後、１５０〜２１０℃の温度で、縮合水を除去しながら１０〜２４時間重合およびイミド化を行い、末端に酸無水物基を有するシロキサンポリイミドオリゴマーを得る。次に、一旦、反応混合物を室温まで冷却した後、酸無水物と全ジアミン成分が等モルになるように、芳香族ジアミン（Ｅ１）又はそれとその他のジアミン(Ｅ３)からなるジアミン混合物を添加し１０〜８０℃で、１〜３時間反応させて、ポリイミド前駆体樹脂溶液を得る。その後、加熱または触媒を用いた化学イミド化によりシロキサンポリイミドとする。
【００２３】
なお、反応に用いられる有機溶媒は特に限定されるものではないが、樹脂組成物の主成分を均一溶解可能なものならば、一種類あるいは二種類以上を併用した混合溶媒であっても差し支えない。例えば、フェノール系溶媒、アミド系溶媒(ピロリドン系溶媒、アセトアミド系溶媒など)、オキサン系溶媒(ジオキサン、トリオキサンなど)、ケトン系溶媒(シクロヘキサノンなど)、グライム系溶媒(メチルグライム、メチルトリグライムなど)などがある。また、必要に応じて、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒を、均一に溶解できる範囲で混合し使用することもできる。反応時間の短縮、溶媒散逸の問題により、沸点１５０℃以上のものがよく、特に２００℃以上である有機極性溶媒(例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、メチルトリグライムなど)が最も好ましい。
【００２４】
本発明に用いる(Ｂ)エポキシ樹脂の好ましいものとしてはグリシジルエーテル型エポキシ樹脂があり、これを単独あるいは複数の混合物として使用することが可能である。使用できるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂としては、フェノールノボラックグリシジルエーテル型、オルソクレゾールノボラックグリシジルエーテル型、フルオレンビスフェノールグリシジルエーテル型、トリアジングリシジルエーテル型、ナフトールグリシジルエーテル型、ナフタレンジオールグリシジルエーテル型、トリフェニルグリシジルエーテル型、テトラフェニルグリシジルエーテル型、ビスフェノールＡグリシジルエーテル型、ビスフェノールＦグリシジルエーテル型、ビスフェノールＡＤグリシジルエーテル型、ビスフェノールＳグリシジルエーテル型、トリメチロールメタングリシジルエーテル型等のエポキシ樹脂が例として挙げられる。これらの中でも、分子内に２個以上のグルシジルエーテル基を持つものが好ましく、常温粘度が２０〜１００Ｐｏｉｓｅのものがより好ましい。また、フィルム状接着剤組成物中における（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は５重量％〜８０重量％とする。この範囲以上の量を入れると弾性率が保つことが出来ず、この範囲以下であるとフィルム性が強くなり低温ラミネートが出来なくなってしまう。
【００２５】
本発明に用いる(Ｃ)エポキシ樹脂硬化剤としては、アミン類、酸無水物類、多価フェノール類等の汎用の硬化剤や潜在性硬化剤を使用することができる。潜在性硬化剤は、ジシアンジアミド、イミダゾール類、ヒドラジド類、三弗化ホウ素−アミン錯体、アミンイミド、ポリアミン塩及びこれらの変性物、更にマイクロカプセル型のものが使用可能なものとして例示される。特に、常温以上の所定の温度、例えばエポキシ樹脂成分が必要な粘着性を示す温度以上で硬化性を発揮し、しかも速硬化性を発揮する潜在性硬化剤であることが好ましい。潜在性硬化剤を使用することで室温での長期保存も可能な保存安定性の高いフィルム接着剤用組成物を提供できる。エポキシ樹脂硬化剤は、単独あるいは２種以上混ぜて使用できる。潜在性硬化剤を使用することで室温での長期保存も可能な保存安定性の高いフィルム状接着剤用組成物を提供できる。エポキシ樹脂硬化剤の使用量は、通常、エポキシ樹脂に対して０．５〜５０ｗｔ％の範囲である。好ましくはフェノール硬化剤であり、フィルム状接着剤用組成物中のエポキシ樹脂に対して含有量が１０重量％〜６０重量％とする。この範囲以上の量を入れるとフィルム性が悪くなり、この範囲以下であると弾性率が下がり取扱い性に劣る。
【００２６】
本発明のフィルム状接着剤は、例えばトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ＭＩＢＫやＭＥＫ等のケトン系、モノグライム、ジグライム等のエーテル系の単独又は混合物に本組成物を溶解させたワニスを、離型処理されたＰＰ、ＰＥ、ＰＥＴ等の基材（保護フィルム）に塗工し、本発明のフィルム状接着剤組成物の硬化開始温度以下の熱処理を施し、乾燥することで得られる。本発明の組成物から形成されるフィルム状接着剤の厚みは、１０〜１５０μｍの範囲であるのがよい。
【００２７】
本発明のフィルム状接着剤をダイアタッチフィルムとして使用する場合には、一般的に次のような工程を経て使用される（図２参照）。先ず、半導体素子が形成されたシリコンウエハ１の裏面（半導体素子が形成されていない方）に本発明のフィルム状接着剤２を貼り付けた後、ダイシングテープ３を下地にしてシリコンウエハとフィルム状接着剤とを切断して、フィルム状接着剤付き半導体素子を得る。次いで、フィルム状接着剤付き半導体素子をダイシングテープから剥がし、ヒートステージ上でインターポーザ基板４に搭載（ダイアタッチ）する。そして、加熱することによりフィルム状接着剤を形成するフィルム状接着剤組成物中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体素子とインターポーザ基板とを熱圧着する。この場合の加熱温度は通常は80℃〜180℃であり、加熱時間は1分〜180分間である。この様な加熱により、エポキシ樹脂が硬化し、半導体素子とインターポーザ基板とを強固に接着できる。以降、ワイヤーボンディングやモールドについては通常の方法を採用することができ、これによって半導体パッケージを得ることができる。
【００２８】
以下、本発明を実施例に基づき説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下の実施例及び比較例において、「シート性状」、「ラミネート性」、「弾性率」及び「反り」は次のように評価した。
【００２９】
「シート性状」
フィルム状接着剤の表面状態、離型処理されたＰＥＴフィルムからの剥離性、単独シートでの支持性、柔軟性、脆さ等を観察し、○(良好)、△(やや悪い)、×(悪い)の３段階で評価した。
【００３０】
「ラミネート性」
マニュアルラミネーター(テクノビジョン社製)を用いてシリコンウェハに各温度でフィルム状接着剤を貼り付けし、フィルム状接着剤付きウェハを常温に戻したのちウェハからフィルム状接着剤を剥がすことが出来るか、出来ないかでラミネート性の○／×を評価した。
【００３１】
「弾性率」
フィルム状接着剤を１８０℃／１時間で硬化させた後のフィルムを５×１７ｍｍの短冊状にカットしたものをサンプルとして、ＤＶＥ−Ｖ４（株式会社ＵＢＭ製）を用いて昇温速度５℃/ｍｉｎ、周波数１１Ｈｚで、動的粘弾性を測定し、常温および２６０℃における貯蔵弾性率Ｅ’を弾性率として評価した。
【００３２】
「反り」
長方形チップ(１０×８ｍｍ、１５０μｍ厚)にダイアタッチフィルムをラミネートし、ＢＴ基板(１２×１２ｍｍ、２００μｍ厚、三菱ガス化学社製)に実装した。その後、１８０℃／１時間の硬化を行い、接触式表面粗さ計サーフコム５７０Ａ(東京精密社製)を使用して反りの最大値を測定し評価した。
【実施例１】
【００３３】
シロキサンポリイミド（以下、ＳＰＩ、カルボン酸０．２モル、アミン０．１モル、粘度４０００〜１５０００Ｐｏｉｓｅ、新日鐵化学社製）３０ｇ（ＳＰＩ：３０ｗｔ％、溶剤：７０ｗｔ％）、エポキシ樹脂としてＺＸ−１０５９（ビスフェノールＡ／Ｆ型エポキシ樹脂、東都化成社製）１５ｇ、及びエポキシ樹脂硬化剤としてＶＨ４１７０（ビスフェノールＡ／フェノールノボラック型、大日本インキ化学工業社製）５ｇを１００ｍｌの軟こう瓶に秤量し、２分間撹拌して樹脂ワニスを得た。このワニスを脱泡処理後、厚さ５０μｍの離型処理されたＰＥＴフィルム上に塗布後、１２０℃／１０分で熱風乾燥させ、３０μｍ厚の接着シート、すなわちフィルム状接着剤を得た。このフィルム状接着剤について、上述した方法で「シート性状」、「ラミネート性」、「弾性率」及び「反り」を評価した。結果を表１及び表２に示す。
【実施例２】
【００３４】
エポキシ樹脂として、ＺＸ−１０５９（ビスフェノールＡ／Ｆ型エポキシ樹脂、東都化成社製）１５ｇ、エポキシ樹脂硬化剤としてＶＨ４１７０（ビスフェノールＡ／フェノールノボラック型、大日本インキ化学工業社製）４ｇ使用した以外は、実施例１と同様にして接着シートを製造し、評価した。結果を表１に示す。
【実施例３】
【００３５】
エポキシ樹脂として、ＺＸ−１０５９（ビスフェノールＡ／Ｆ型エポキシ樹脂、東都化成社製）１５ｇ、エポキシ樹脂硬化剤としてＨ−１（ビスフェノールＡ／フェノールノボラック型、明和化成社製）５ｇ使用した以外は、実施例１と同様にして接着シートを製造し、評価した。結果を表１に示す。
【実施例４】
【００３６】
エポキシ樹脂として、ＺＸ−１０５９（ビスフェノールＡ／Ｆ型エポキシ樹脂、東都化成社製）１５ｇ、エポキシ樹脂硬化剤としてＨ−１（ビスフェノールＡ／フェノールノボラック型、明和化成社製）４ｇ使用した以外は、実施例１と同様にして接着シートを製造し、評価した。結果を表１に示す。
【００３７】
［比較例1］
前記特許文献１の実施例１に従って以下のとおり接着シートを製造した。すなわち、エピコート828（ヒ゛スフェノールA型エポキシ樹脂；ジャパンエポキシレジン社製）２８g、ZX-1059（ヒ゛スフェノールA型とヒ゛スフェノールF型エポキシ樹脂の等量混合物；東都化成社製）２７g、PKHP-200（重量平均分子量58000のフェノキシ樹脂；インケム社製）１６gを準備し、この樹脂分と共に溶剤として４０gのＭＩＢＫを使用してフラスコ中、１４０℃で２hr加熱攪拌して樹脂ワニスを得た。また、SN-170（フェノール樹脂；新日鐵化学社製）４７gを装入し１００℃で溶解させた後、２３．５gのＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）を投入し、１００℃で１hr時間撹拌して、樹脂溶液を得た。この樹脂溶液と樹脂ワニスの全量をプラネタリーミキサーに装入し、シリカC２５６gとシリカD２８．５gを加えて撹拌混合した。次に、これを３本ロールで更に混練した。この混合物に、マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤１gを加えてプラネタリーミキサーで攪拌混合後、真空脱泡して混合ワニスを得た（Ａ法）。上記Ａ法で作製した混合ワニスを厚さ５０μｍの離型処理されたＰＥＴフィルム上に塗布後、熱風乾燥（80℃：16分及び150℃：1分）し、５０μｍ厚の接着シートを製造し、反り量を含めて各特性を評価した。この比較例と比べるために実施例１の接着シートの反り量を測定した結果をあわせて表２に示す。
【００３８】
【表１】
2008094865.tif 000005
【００３９】
【表２】
2008094865.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】一般的な硬化と収縮に関するメカニズムを示した模式図
【図２】本発明のフィルム状接着剤を用いた半導体製造プロセスの例を示した工程図
【符号の説明】
【００４１】
１：ウエハー
２：フィルム状接着剤
３：ダイシングテープ
４：インターポーザ基板
５：ボンディングワイヤ
【図１】
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【図２】
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