(57)【要約】【課題】半導体装置に使用するための特性が優れて安定したタングステンシリサイド膜を得る。【解決手段】不活性ガス雰囲気中にシリコンウェーハを配置して昇温し、ジクロルシランを導入してシリコンウェーハの表面反応を起こさせた後、ジクロルシランにWF6を加えて導入して上記シリコンウェーハに薄くタングステンシリサイドを堆積させる。次にWF6  を止めてジクロルシランを導入し、その後に、ジクロルシランに加えてWF6を導入してタングステンシリサイドの堆積を行ないタングステンシリサイド膜を形成する。【選択図】図１
2008187190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不活性ガス雰囲気中にシリコンウェーハを配置し昇温する昇温工程と、
ジクロロシラン（DCS）を導入して上記シリコンウェーハの表面反応を起こす第１のDCS処理工程と、
ジクロロシランに加えて六ふっ化タングステンを導入して上記シリコンウェーハの表面にタングステンシリサイドを堆積させる第１の堆積工程と、
六ふっ化タングステンを止めてジクロロシランを導入する第２のDCS処理工程と、
ジクロロシランに加えて六ふっ化タングステンを導入してタングステンシリサイドの堆積を行う第２の堆積工程と、
六ふっ化タングステンを止めてジクロロシランを導入する第３のDCS処理工程と、
ジクロロシランを止めて不活性ガスを導入する処理工程とを順次実施し、
上記第１の堆積工程から上記第３のDCS処理工程に至るまでジクロロシランを導入し続け、上記第１の堆積工程と上記第２の堆積工程でのジクロロシラン及び六ふっ化タングステンの導入量が異なることを特徴とするタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項２】
上記昇温工程と、上記第１のDCS処理工程とにより上記シリコンウェーハの表面の還元を行うことを特徴とする請求項１に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項３】
上記第１のDCS処理工程と、上記第１の堆積工程とを、上記昇温工程、上記第２のDCS処理工程及び上記第２の堆積工程における雰囲気圧力の１．５〜３．０倍の雰囲気圧力で実施することを特徴とする請求項１又は２に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項４】
上記第１の堆積工程における六ふっ化タングステンとジクロロシランの混合比が1:300〜1:500の範囲であり、上記第２の堆積工程における六ふっ化タングステンとジクロロシランの混合比が1:30〜1:50の範囲であることを特徴とする請求項１又は３に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項５】
上記第２のDCS処理工程及び上記第２の堆積工程におけるジクロロシランの導入量を実質的に等しくすることを特徴とする請求項１又は３に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項６】
上記第１の堆積工程と上記第２の堆積工程とにおけるジクロロシランの流量比を1:1〜5:1の範囲とすることを特徴とする請求項１又は３に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項７】
上記第１の堆積工程と上記第２の堆積工程とにおけるジクロロシランの流量比を3:1〜5:1の範囲とすることを特徴とする請求項６に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項８】
上記第１のDCS処理工程に先立って、上記シリコンウェーハの表面をジクロロシランが分解し易い表面状態に加工する表面処理工程を実施することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項９】
上記表面状態がF（ふっ素）によるSiのターミネイトであることを特徴とする請求項８に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１０】
上記表面処理工程が、上記シリコンウェーハの表面を希弗酸水溶液（DHF）で処理する工程と、上記シリコンウェーハの表面にF成分を残して乾燥させる工程とを含むことを特徴とする請求項８又は９に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１１】
上記表面処理工程が、上記シリコンウェーハの表面を気相のHF、NF3又はClF3のいずれかにより処理する工程を含むことを特徴とする請求項８又は９に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１２】
上記気相のHFが無水弗酸（Anhydrous  HF）であることを特徴とする請求項１１に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１３】
上記気相のHFがアルコール系の溶媒に通気して生成された電離HFであることを特徴とする請求項１１に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１４】
上記表面処理工程を、上記タングステンシリサイド膜を形成する処理チャンバの中で実施することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１５】
上記昇温工程に代えて、上記シリコンウェーハを300℃以上850℃以下のH2ガスで処理する処理工程を実施することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１６】
上記昇温工程及び上記第１のDCS処理工程に代えて、上記シリコンウェーハを300℃以上850℃以下のH2ガスで処理する処理工程を実施することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１７】
上記昇温工程に先立って、上記シリコンウェーハを過酸化水素水の処理液、オゾンを溶解させた処理液、過酸化水素水とオゾンとを溶解させた処理液、過酸化水素水とオゾンとＨＦを含む処理液、過酸化水素水とＨＦを含む処理液、又はオゾンとＨＦを含む処理液で処理する処理工程を実施することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１８】
上記昇温工程と上記第１のDCS処理工程との間に、上記シリコンウェーハをO2ガス、O3ガス、もしくはH2O蒸気で処理する処理工程を実施することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項１９】
上記O2ガス、O3ガス、もしくはH2O蒸気が0.001〜0.5％のHFを含むことを特徴とする請求項１８に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項２０】
上記処理工程の後に、上記シリコンウェーハとの界面に第１タングステンシリサイドである高タングステン成分層が形成され、この高タングステン成分層の上に第２タングステンシリサイドである低タングステン成分層が形成されるようにしたことを特徴とする請求項１、３〜１９のいずれか１項に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項２１】
タングステン原子とシリコン原子との比が、上記高タングステン成分層では2.4以下、上記低タングステン成分層では2.5以上であることを特徴とする請求項２０に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項２２】
タングステン原子とシリコン原子との比が、上記高タングステン成分層では2.2以上であることを特徴とする請求項２０又は２１に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか１項に記載の形成方法により、タングステンシリサイド膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１〜２２のいずれか１項に記載の形成方法により形成したタングステンシリサイド膜を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
第１のチャンバと、第２のチャンバと、上記第１のチャンバと第２のチャンバとを接続し上記第１のチャンバと第２のチャンバとの間を開放または閉鎖状態にするように移動可能な隔壁手段と、上記シリコンウェーハを上記第１のチャンバ及び／又は上記第２のチャンバの中で支持する支持手段と、上記第１のチャンバと第２のチャンバにそれぞれ上記シリコンウェーハに対する処理薬液または処理ガスを導入する導入手段と、上記第１のチャンバ及び／又は上記第２のチャンバに導入する薬液または処理ガスを制御する制御手段とを備え、上記シリコンウェーハに対する処理を行うようにした半導体ウェーハ処理装置を用いて、上記シリコンウェーハ上にタングステンシリサイド膜を形成することを特徴とする請求項１に記載のタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項２６】
処理チャンバ内に、表面にポリシリコンを堆積させたシリコンウェーハを導入し、不活性ガス雰囲気中で該シリコンウェーハを昇温する昇温工程と、
ジクロロシランを導入して上記ポリシリコンの表面反応を起こす第１の表面処理工程と、
ジクロロシランに加えて六ふっ化タングステンを導入して上記ポリシリコンの表面にタングステンシリサイド膜を堆積する第１の堆積工程と、
六ふっ化タングステンを止めてジクロロシランを導入する第２の表面処理工程と、
ジクロロシランに加えて六ふっ化タングステンを導入してタングステンシリサイド膜の堆積を行う第２の堆積工程と、
六ふっ化タングステンを止めてジクロロシランを導入する第３の表面処理工程と、
ジクロロシランを止めて不活性ガスを導入する処理工程とを順次実施し、
上記第１の堆積工程から上記第３の表面処理工程に至るまでジクロロシランを導入し続け、
上記処理工程の後に、上記シリコンウェーハ上に第１タングステンシリサイド層が設けられ、上記第１タングステンシリサイド層上に第２タングステンシリサイド層が設けられ、
上記第１タングステンシリサイド層の膜厚よりも上記第２タングステンシリサイド層の膜厚の方が厚いことを特徴とするタングステンシリサイド膜の形成方法。
【請求項２７】
上記昇温工程と、上記第１の表面処理工程とにより上記ポリシリコンの表面の還元を行うことを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
上記第１の堆積工程における六ふっ化タングステンとジクロロシランの混合比が1:300〜1:500の範囲であり、上記第２の堆積工程における六ふっ化タングステンとジクロロシランの混合比が1:30〜1:50の範囲であることを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
上記第２の表面処理工程及び上記第２の堆積工程におけるジクロロシランの導入量を実質的に等しくすることを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
上記第１の堆積工程と上記第２の堆積工程とにおけるジクロロシランの流量比を1:1〜5:1の範囲とすることを特徴とする請求項２９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
上記第１の堆積工程と上記第２の堆積工程とにおけるジクロロシランの流量比を3:1〜5:1の範囲とすることを特徴とする請求項３０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
上記処理工程後において、上記第１タングステンシリサイド層は高タングステン成分層であり、上記第２タングステンシリサイド層は低タングステン成分層であることを特徴とする請求項２６〜３１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
タングステン原子とシリコン原子との比が、上記第１タングステンシリサイド層では2.4以下、上記第２タングステンシリサイド層では2.5以上であることを特徴とする請求項３２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
タングステン原子とシリコン原子との比が、上記第１タングステンシリサイド層では2.2以上であることを特徴とする請求項３２又は３３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造において、多結晶(Poly)シリコンもしくは単結晶シリコンの上にタングステンシリサイド(WSiX)を形成する形成方法、及びこれを適用した半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ上の多結晶シリコン（Poly Si。以下、適宜、Poly Si又はポリシリコンと記す）や単結晶シリコン（Si）の上にタングステンシリサイド(WSiX) を成膜(堆積)する構造が半導体デバイスに適用されるようになっている。タングステンシリサイド（WSiX）は低い電気抵抗が実現できる可能性を持つ一方で、成膜プロセスがポリシリコン（Poly Si）もしくはSiの表面・界面の影響を大きく受けるため、膜剥がれ等のプロセス不良が起きやすく、特性の優れた膜を安定して堆積することが困難で、量産適用の上で問題となっていた。なお、本明細書では、シリコンウェーハという用語で、多結晶シリコン及び単結晶シリコンを含めて表現する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、性能の優れたタングステンシリサイド膜を安定して得ることを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係るタングステンシリサイド膜の形成方法は、不活性ガス雰囲気中にシリコンウェーハを配置し昇温する昇温工程と、
ジクロロシラン（DCS）を導入して上記シリコンウェーハの表面反応を起こす第１のDCS処理工程と、
ジクロロシランに加えて六ふっ化タングステンを導入して上記シリコンウェーハの表面にタングステンシリサイドを堆積させる第１の堆積工程と、
六ふっ化タングステンを止めてジクロロシランを導入する第２のDCS処理工程と、
ジクロロシランに加えて六ふっ化タングステンを導入してタングステンシリサイドの堆積を行う第２の堆積工程と、
六ふっ化タングステンを止めてジクロロシランを導入する第３のDCS処理工程と、
ジクロロシランを止めて不活性ガスを導入する処理工程とを順次実施し、
上記第１の堆積工程から上記第３のDCS処理工程に至るまでジクロロシランを導入し続け、上記第１の堆積工程と上記第２の堆積工程でのジクロロシラン及び六ふっ化タングステンの導入量が異なることを特徴とする。
【０００５】
本発明に係るタングステンシリサイド膜の形成方法は、処理チャンバ内に、表面にポリシリコンを堆積させたシリコンウェーハを導入し、不活性ガス雰囲気中で該シリコンウェーハを昇温する昇温工程と、
ジクロロシランを導入して上記ポリシリコンの表面反応を起こす第１の表面処理工程と、
ジクロロシランに加えて六ふっ化タングステンを導入して上記ポリシリコンの表面にタングステンシリサイド膜を堆積する第１の堆積工程と、
六ふっ化タングステンを止めてジクロロシランを導入する第２の表面処理工程と、
ジクロロシランに加えて六ふっ化タングステンを導入してタングステンシリサイド膜の堆積を行う第２の堆積工程と、
六ふっ化タングステンを止めてジクロロシランを導入する第３の表面処理工程と、
ジクロロシランを止めて不活性ガスを導入する処理工程とを順次実施し、
上記第１の堆積工程から上記第３の表面処理工程に至るまでジクロロシランを導入し続け、
上記処理工程の後に、上記シリコンウェーハ上に第１タングステンシリサイド層が設けられ、上記第１タングステンシリサイド層上に第２タングステンシリサイド層が設けられ、
上記第１タングステンシリサイド層の膜厚よりも上記第２タングステンシリサイド層の膜厚の方が厚いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、発明によれば、タングステンシリサイド膜の成膜の安定性を向上させることができる。
また、シリコンウェーハに対して密着性のすぐれたタングステンシリサイド膜を形成することができる。
また、シリコンウェーハの全面に対して均一なタングステンシリサイド膜を形成できる。
さらに、膜剥がれが生じないタングステンシリサイド膜を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、図中、同一の符号は、同一又は相当の工程を示す。
実施の形態1．
図1は、この発明の実施の形態１によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
この実施の形態１は、タングステンシリサイド(WSiX)膜をポリシリコン（Poly Si）もしくはSi単結晶上に堆積するプロセスにおいて、ガスの種類及び流量を規定するものである。
【０００８】
図１を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。
先ず、Siウェーハを処理チャンバ内に導入する（図示せず）。133Pa（1Torr）より低い圧力下のAr雰囲気中で、550℃以上に保持する（図１の工程１、昇温工程）。
次に、199.5±66.5Pa（1.5±0.5Torr）の圧力になるようジクロロシラン（DCS：dichlorosilane：SiH2Cl2)（以下、適宜、DCSと記す）を導入し、Siウェーハ表面の調製を行う(図１の工程２。第１のDCS処理工程、以下適宜、DCS処理１と記す）。このプロセスは、処理チャンバの容積にも依るが、本実施の形態では、300sccm以上の流量を確保した。なお、この昇温とDCS処理１とによりシリコンウェーハの表面の還元作用がある。
【０００９】
この後、このDCSの流量を確保しながら圧力を変えずにWF6（六ふっ化タングステン）をDCSの流量の300分の1以下程度混合する(図１の工程３。第１の堆積工程、以下適宜、DCS/WF6導入・堆積１と記す)。
引き続いて、DCSの流量を約1/3の100sccm程度に減じ同時にWF6の混合を中止する。この時、圧力を1torr以下に減じる(図１の工程４。第２のDCS処理工程、以下適宜、DCS処理２と記す)。この後のプロセスステップは、この低い圧力を保持したまま行なう。
【００１０】
この２回目のDCSのみを導入する工程の直後に、DCSの導入を保ったまま、再びWF6の導入を開始する。２回目のWF6導入は、１度目の導入の３倍以上の流量を確保するのが望ましい(図１の工程５。第２の堆積工程、以下適宜、DCS/WF6導入・堆積２と記す)。この工程で、実質的にタングステンシリサイド(WSiX)を化学的に堆積することができる(CVD:  Chemical Vapor Deposition)。
【００１１】
この実質的な堆積工程に引き続き、WF6の混合を中止し、DCSの流量を2.5倍に増加させながら、堆積後の表面の処理を行う(図１の工程６。第３のDCS処理工程、以下適宜、DCS処理３と記す)。
最後にDCSの導入も停止し、Arの導入のみでパージを行なう（図１の工程７）。
【００１２】
図２は、この実施の形態によるタングステンシリサイド膜の形成方法を実際に適用したデバイスの構造を示す図である。図２を参照して説明する。
Siウェーハ２１上にポリシリコン（Poly Si）２２を形成し、この上にDCS処理１による簡単な表面処理を行った。本処理により極微量のSiが分子レベルで界面に残るがこれは図２に示せるほどの厚みを持つものではない。次にDCS/WF6導入・堆積工程１を行い、タングステンシリサイド(WSiX)２３を100Å形成した。
【００１３】
更に、この後DCS処理２を行い、引き続いてDCS/WF6導入・堆積２を行い、前者と異なる組成のタングステンシリサイド(WSiX)２４を600Å形成した。この後DCS処理３を行った後、パージした。このような構造とすることで、安定な特性を得たが、最も良い特性を得たのは、成膜完了後の構造が下部からポリシリコン（Poly Si）/WSi2.4/WSi2.5の順となっているときであった。
【００１４】
以上のように、この実施の形態では、シリコンウェーハとの界面に高タングステン成分層を堆積し、この高タングステン成分層の上に低タングステン成分層を堆積して、タングステンシリサイド膜を形成する。
また、タングステンシリサイド膜のタングステン原子とシリコン原子との比が、高タングステン層では2.4以下、低タングステン層では2.5以上となるように形成するのがよい。また、高タングステン層では2.2以上となるように形成するのがよい。
なお、これから後に説明する各実施の形態によっても、図２に示す構造と同様のタングステンシリサイド膜が得られるが、膜の構造については、これで代表させる。
【００１５】
この実施の形態の膜形成プロセスの特徴をいくつか挙げると、次のとおりである。
まず、DCS処理１と、DCS/WF6導入・堆積１とは、昇温工程、DCS処理２及びDCS/WF6導入・堆積２における雰囲気圧力の１．５〜３．０倍の雰囲気圧力で実施する。
また、DCS/WF6導入・堆積１におけるWF6とDCSの混合比を１：３００〜１：５００の範囲とし、DCS/WF6導入・堆積２におけるWF6とDCSの混合比を１：３０〜１：５０の範囲とする。
また、DCS処理２とDCS/WF6導入・堆積２におけるDCSの導入量を実質的に等しくする。
また、DCS/WF6導入・堆積１とDCS/WF6導入・堆積２とにおけるDCSの流量比を１：１〜５：１の範囲とする。また、さらに好ましくは、３：１〜５：１の範囲とする。
なお、本願において、いちいちことわらないが、液体の混合比は重量比、気体の混合比は流量比または容積比であらわす。
【００１６】
以上説明したこの実施の形態によれば、タングステンシリサイド膜の成膜の安定性を向上させることができる。また、シリコンウェーハに対して密着性のすぐれたタングステンシリサイド膜を形成することができる。また、シリコンウェーハの全面に対して均一なタングステンシリサイド膜を形成できる。さらに、膜剥がれが生じないタングステンシリサイド膜を得ることができる。
【００１７】
実施の形態２．
図３は、この発明の実施の形態２によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
本実施の形態はタングステンシリサイド(WSiX)膜をポリシリコン（Poly Si）上に形成する際に、予めポリシリコン（Poly Si）表面をDCSが分解しやすいように調整しておくプロセスに関するものである。
【００１８】
図３を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。
先ず、ウェーハ上にポリシリコン（Poly Si）の形成を行う（図示せず）。
そのウェーハを300rpmで回転させながら、上部より0.05%の希弗酸（DHF：dilute  Hydrofloride。以下、適宜、DHFと記す)を滴下する（図３の工程３１）。実験によれば、ポリシリコン（Poly Si）表面とDHFの実質的な接触時間が30秒に到達した時点で充分にポリシリコン（Poly Si）上の自然酸化膜が除去されていることが、接触角により判断された。
【００１９】
従来は、このDHFによる自然酸化膜除去の後、通常、水洗を行いHFをポリシリコン（Poly Si）上より取り除いた後、更に充分な水洗を追加もしくは継続し、表面上に存在するSiと結合したF成分をも置換して取り除くことが行われる。
しかし、本実施の形態では、水洗時間を短縮し、意図的にF成分を表面に残しておく（図３の工程３２）。具体的には、従来、水洗時間は通常300秒で行っていたが、本実施の形態では例えば15秒とする。
この短縮水洗の後、回転数を3000rpmに高め、振り切り乾燥を行なう（図３の工程３３）。
実験によれば、この後の、別の評価で、表面の17%程度のSiの手がFで終端されていることが判った。
【００２０】
この表面を保持したまま、不活性ガス中にウェーハをロードし、昇温の後DCSを導入し、DCS処理１を行う。この時、ウェーハ表面にはFが残っていたので、安定してDCSは最表面で分解し極微量のSi系のサイトが残り、その直上に形成するタングステンシリサイド(WSiX)はポリシリコン（Poly Si）との密着性が向上した。また、この後、実施の形態１に示したプロセスステップを繰り返したが、成膜の再現性も良かった。
【００２１】
図４は、この実施の形態の変形例によるプロセスフローを示す図である。この変形例では、DHFによる自然酸化膜除去（図４の工程４１）の後、更に処理を加速した例として、水洗を行わず（図４の工程４２）、DHFを回転しながら振り切って乾燥してしまう（図４の工程４３）。この方法でも、水洗を短縮した場合と同様に望ましい結果が得られた。
本実施の形態におけるDHF処理は枚葉式に限定するものではない。
【００２２】
以上のように、この実施の形態では、DCS処理１に先立って、シリコンウェーハの表面をDCSが分解し易い表面状態に加工するための表面処理工程を実施する。また、その表面状態が、FによるSiのターミネイトであるようにする。これにより、成膜工程が安定し、密着性にすぐれたタングステンシリサイド膜を形成できる。
【００２３】
実施の形態３．
図５は、この発明の実施の形態３により、タングステンシリサイド膜の形成をするための半導体ウェーハ処理装置の概要を示す断面図、図６は、この実施の形態３によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
本実施の形態は、タングステンシリサイド(WSiX)膜をポリシリコン（Poly Si）上に形成する際に、予めポリシリコン（Poly Si）表面をDCSが分解しやすいように調整しておく装置及びプロセスに関するものである。
【００２４】
図５及び図６を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。
先ず、ウェーハ５１上にポリシリコン（Poly Si）の形成を行う。そのウェーハ５１を処理チャンバ５２に導入する（図６の工程６１）。チャンバ５２は、実際は２つの部分からなり、例えばそれぞれ上部チャンバ５３（第１のチャンバ）、下部チャンバ５４（第２のチャンバ）とよぶ。上部チャンバ５３と下部チャンバ５４は可動ウォール５５（隔壁手段）で仕切られている。
【００２５】
そのウェーハ５１をローダ５６からチャンバ５２に導入し、下部チャンバ５４に導き（図６の工程６２）、可動ウォール５５で密封する。下部チャンバ５４にはウェーハ５１を固定した後回転するウェーハ固定台５７（支持手段）が存在し、ウェーハ５１はウェーハ固定台５７に保持される（図６の工程６３）。
【００２６】
下部チャンバ５４内には同時に薬液吐出管５８（薬液導入手段）が設置されており、薬液吐出管５８の吐出口５９がウェーハ５１の直上になるように移動する。ウェーハ固定台５７が回転を開始し、回転数が300rpm一定となったところで、上部より0.05%のDHF(dilute Hydrofloride:希弗酸)が滴下される（図６の工程６４）。なお、図示しないが、導入する薬液又は処理ガスの種類・導入時間などを制御する制御手段が備えられている。
【００２７】
この回転数は、ウェーハ上の親水面と疎水面の割合や、段差を含む平坦性、ウェーハ径によって決定されるもので、本実施の形態で適用したデバイスの場合は、薬液の回り込みやエッチングの均一性の観点から回転数300rpmが適当であった。
【００２８】
ウェーハ５１のポリシリコン（Poly Si）表面とDHFの実質的な接触時間が30秒に到達した時点で充分にポリシリコン（Poly Si）上の自然酸化膜が除去されるので、薬液吐出管５８からの薬液の吐出を停止し、ウェーハ固定台５７の回転数を3000rpmに高め、振り切り乾燥を行う。
【００２９】
この表面を保持したまま、可動ウォール５５を開け、ウェーハ５１を上部チャンバ５３にロードする。可動ウォール５５を閉じ、速やかにArを導入する。
この後、実施の形態１に示すプロセスを行う。
なお、図５に示した処理装置は、他の実施の形態においても用いることができるものであり、以後に適宜、図５を参照する。
【００３０】
実施の形態４．
図７は、この発明の実施の形態４によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
本実施の形態はタングステンシリサイド(WSiX)膜をポリシリコン（Poly Si）上に形成する際に、予めポリシリコン（Poly Si）表面をDCSが分解しやすいようにAHF(Anhydrous Hydro Floride)で調整しておくプロセスに関するものである。
【００３１】
図７を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。処理装置については、図５を参照する。
先ず、ウェーハ５１上にポリシリコン（Poly Si）の形成を行う（図示せず）。そのウェーハ５１を処理チャンバ５２に導入する（図７の工程７１）。
【００３２】
そのウェーハ５１をローダ５６からチャンバ５２に導入し、密封する。
チャンバ内で、AHFガスにより、ウェーハ５１のポリシリコン（Poly Si）表面に存在する自然酸化膜を十分に除去する（図７の工程７２）。自然酸化膜が十分に除去された時点で、この表面を保持したまま、実施の形態１に示すプロセスを行う。
【００３３】
実験によれば、このAHFガス処理直後のウェーハの表面は、20%以上がFに依り終端されていることが判った。この効果は、実施の形態２に示す場合よりも終端率が高いため、より高い効果が得られるものと推論される。実際に成膜を行った結果、密着性に関する信頼性は、意図通り高いものであった。
【００３４】
なお、以上ではAHFガスを用いる場合について説明したが、処理ガスとしては、さらに、次に説明するHFガスのほかに、NF3ガス又はClF3ガスを用いることができる。
【００３５】
実施の形態５．
図８は、この発明の実施の形態５によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
実施の形態４において、非常に高い密着安定性が得られたが、AHFを用いた場合、酸化膜のエッチングが始まるまでの遅延時間が発生することがあった。これは、AHFがSiO2をエッチングするときの反応(a)が、
H2O
4HF+2SiO2 ⇒  SiF4+2H2O・・・・・・・・(a)
であり、開始剤としてH2Oを要することによる。
【００３６】
この実施の形態５は、この遅延時間の問題を解決し、更に良いプロセスを得るために、改善したものである。
図８を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。
先ず、ウェーハを適宜昇温する（図８の工程８１）。次に、AHFをIPA中に通気し、ウェーハ表面に到着するまでに、予め電離させる（図８の工程８２）。この電離されたHFガスを導入することによってこの遅延時間を実質的になくし、より均一な自然酸化膜除去性を得ることができる。
これに続いて、実施の形態１の方法を適用し、ウェーハ全面に均一なタングステンシリサイド(WSiX)を成膜することができた。
【００３７】
実施の形態６．
図９は、この発明の実施の形態６によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
実施の形態４及び実施の形態５によれば、現在のデバイス製造に対し充分安定したプロセスを提供することが可能となったが、この実施の形態６は、さらに今後の製品である現在の開発中の製品に対して、マージンのあるプロセスを提供しようとするものである。
【００３８】
図９を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。
一般に、化学反応は温度に対して指数関数的に反応速度は向上する。本実施の形態では、ウェーハ５１をチャンバ５２にロードし、密封した後、成膜プロセスを開始するが、この時に例えば１２０℃に昇温しておく（図９の工程９１）。この昇温下でHFガスを通じ、表面の自然酸化膜除去を行うと同時に、表面のボンドをFで終端させる（図９の工程９２）。
【００３９】
これに続いて実施の形態１で説明した成膜プロセスを行う。これによって、より密着性の高いタングステンシリサイド(WSiX)膜の形成をより短い処理時間で実現することができる。
なお、上記の例では、昇温下でHFガスを通じているが、これは減圧下及び／又は昇温下でHFガスを通じるようにしてもよい。
【００４０】
実施の形態７．
図１０は、この発明の実施の形態７によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
一般的に半導体製造プロセスは、半導体中の金属などの不純物の拡散や応力発生を避けるため、出来るだけ低温で行うことが好ましいとされている。上記の実施の形態は、自然酸化膜除去処理を出来るだけ低温で行うことを意図したものであった。
しかし、場合によっては、850℃を越えない程度の熱処理は、それほど深刻な悪影響を与えないとされている。
この実施の形態は、昇温下で自然酸化膜除去を行ない、均質な清浄表面を得るものである。
【００４１】
図１０を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。
本実施の形態では、ウェーハ５１をチャンバ５２にロードし、密封した後、成膜プロセスを開始するが、この時に先ずウェーハ５１を、例えば８３０℃に昇温する（図１０の工程１０１）。この昇温下でH2ガスを通じ、１分程度処理を行う（図１０の工程１０２）。これにより、表面の自然酸化膜除去を行うと同時に、表面のボンドをHで終端する。次に、そのまま続いて実施の形態１で説明した成膜プロセスを行う。これによって、より密着性の高いタングステンシリサイド(WSiX)膜の形成をより短い処理時間で実現するものである。
なお、上記の例では、昇温下でHFガスを通じているが、これは減圧下及び／又は８３０℃昇温下でHFガスを通じるようにしてもよい。
【００４２】
本実施の形態は、水素を高温で扱うため、安全面での注意が必要であるが、表面を完全に水素で終端してしまうため、均質な清浄表面が得られ、タングステンシリサイド(WSiX)のSi表面への初期の堆積がムラなく行えるという効果が得られる。
【００４３】
なお、以上の説明では、８３０℃に昇温してH2ガス処理を行っているが、これは300℃以上850℃以下の範囲で処理すれば効果がある。
また、この実施の形態では、H2ガス処理に続いて、DCS処理１を行う例を示しているが、DCS処理１を省略してDCS/WF6導入・堆積１へと続けてもよい。
【００４４】
実施の形態８．
図１１は、この発明の実施の形態８によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
本実施の形態はタングステンシリサイド(WSiX)膜をポリシリコン（Poly Si）上に形成する際に、予めポリシリコン（Poly Si）表面を意図的に化学酸化膜で均一に覆っておくプロセスに関するものである。
【００４５】
従来のタングステンシリサイド(WSiX)成膜の問題点は、WF6等を導入しタングステンシリサイド(WSiX)の堆積を開始した際に、一旦RCA洗浄などのウエット洗浄を行った後に成長する自然酸化膜が、面内に均一に成長しないことにあった。このため、Si表面にタングステンシリサイド(WSiX)が堆積を始めるところとなかなか堆積を始めないところが同一表面に存在したため、均一に膜が堆積せず、膜剥がれ等の原因となっていた。
この実施の形態は、これを防止し、膜が均一に堆積するようにしたものである。
【００４６】
図１１を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。処理装置については、図５を参照する。
本実施の形態では、ポリシリコン（Poly Si）の形成を行ったウェーハ５１に、H2O2を30%含み同時に0.005%のHFを含む薬液を塗布する（図１１の工程１１１）。これにより、ウェーハ表面の自然酸化膜除去を行い、更に強制的に化学酸化膜の形成を行い、表面に数原子層の化学酸化膜を均一に形成する。
【００４７】
具体的にプロセスを説明すると、ポリシリコン（Poly Si）を形成したウェーハ５１をローダ５６からチャンバ５２に導入し、密封する。可動ウォール５５を開け、ウェーハ５１を下部チャンバ５４に導き、ウェーハ固定台５７に保持し可動ウォール５５を封じる。
【００４８】
ウェーハ５１を回転させながら、H2O2を30%含み同時に0.005%のHFを含む薬液を薬液吐出管５８から塗布し、実質的に、望ましくは３分接触させ、全面に均一な化学酸化膜を形成させる。
次に、ウェーハ固定台５７の回転数を3000rpmにあげ、振り切り乾燥を行う。
次に、可動ウォール５５を開け、ウェーハ５１を上部チャンバ５３に挿入し、可動ウォール５５にて密閉する。その後は実施の形態１で説明したプロセスにより成膜を行う。
【００４９】
本実施の形態で、タングステンシリサイド(WSiX)の堆積は初期の段階から良好に行われたが、発明者らは、これは本実施の形態の濃度条件ではウェーハ面が全体に一様な性質となったことと、その化学酸化膜に徴量のF成分が残留しており、表面への最初のDCSによるSiのサイト形成が促進されたためと考えている。
【００５０】
また、従来は、前処理の後、気中その他から極微量の有機物が表面に吸着し、ポリシリコン（Poly Si）とタングステンシリサイド(WSiX)の界面に存在することとなるため、膜剥がれや成膜不良が生じていたが、本実施の形態の薬液処理により、同時にこの問題も解決されるため、より成膜安定性が向上したものと考えている。
なお、実験例からすると、DCS/WF6導入・堆積２に先立って、シリコンウェーハの最表面を実質的に一分子層以上1.8nm以下のSiO2で覆うようにするとよい。
【００５１】
この実施の形態における薬液は、以上の例では、H2O2とHFの混合液を用いたが、この代わりに10ppmのオゾンを含むHF濃度0.005%の薬液を用いても、同じ効果が得られた。
【００５２】
実施の形態９．
図１２は、この発明の実施の形態９によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
本実施の形態は、タングステンシリサイド(WSiX)膜をポリシリコン（Poly Si）上に形成する際に、予めポリシリコン（Poly Si）表面に均一な化学酸化膜を形成してからそれを除去することにより、表面に露出するポリシリコン（Poly Si）を数原子層エッチした非常に清浄で均一なものとするプロセスに関するものである。
【００５３】
従来のタングステンシリサイド(WSiX)成膜の問題点は、実施の形態８で記載したのと同様に、WF6等を導入しタングステンシリサイド(WSiX)の堆積を開始した際に、一旦RCA洗浄などのウエット洗浄を行った後に成長する自然酸化膜が、面内に均一に成長しないことにあった。このため、Si表面にタングステンシリサイド(WSiX)が堆積を始めるところとなかなか堆積を始めないところが同一表面に存在したため、均一に膜が堆積せず、膜剥がれ等の原因となっていた。
この実施の形態は、これを防止し、膜が均一に堆積するようにしたものである。
【００５４】
図１２を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。処理装置については、図５を参照する。
本実施の形態では、ポリシリコン（Poly Si）の形成を行ったウェーハ５１に、H2O2を3%含み同時に0.1%のHFを含む薬液を塗布する（図１２の工程１２１）。これにより、ウェーハ表面に強制的に化学酸化膜の形成を行い、表面に数原子層の化学酸化膜を均一に形成しながら、よりエッチング速度の速いエッチャントを同時に存在させることでそれを除去し、最終的には、表面にFの残るポリシリコン（Poly Si）を露出させる。
【００５５】
具体的にプロセスについて説明すると、ポリシリコン（Poly Si）を形成したウェーハ５１をローダ５６からチャンバ５２に導入し、密封する。可動ウォール５５を開け、ウェーハ５１を下部チャンバ５４に導き、ウェーハ固定台５７に保持し可動ウォール５５を封じる。
【００５６】
ウェーハ５１を回転させながら、H2O2を3%含み同時に0.1%のHFを含む薬液を薬液吐出管５８から塗布し、望ましくは実質的に３分接触させ、全面に均一な化学酸化膜を形成させる。
【００５７】
次に、ウェーハ固定台５７の回転数を3000rpmにあげ、振り切り乾燥を行う。
次に、可動ウォール５５を開け、ウェーハ５１を上部チャンバ５３に挿入し、可動ウォール５５にて密閉する。その後は実施の形態１で説明したプロセスにより成膜を行う。
【００５８】
本実施の形態で、タングステンシリサイド(WSiX)の堆積は初期の段階から良好に行われたが、発明者らは、これは本実施の形態の濃度条件ではウェーハ面が全体に一様な性質となったことと、その表面に実施の形態８よりも多くの徴量F成分が残留しており、表面への最初のDCSによるSiのサイト形成が促進されたためと考えている。
【００５９】
また、従来は、前処理の後、気中その他から極微量の有機物が表面に吸着し、ポリシリコン（Poly Si）とタングステンシリサイド(WSiX)の界面に存在することとなるため、膜剥がれや成膜不良が生じていたが、本実施の形態の薬液処理により、同時にこの問題も解決されたため、より成膜安定性が向上したものと考えている。
本実施の形態の薬液は、以上のような3%のH2O2の代わりに、１ppmのオゾンを含む薬液を適用しても同等の効果が得られた。
また、過酸化水素水とオゾンとを溶解させた液に少量のHFを含ませた薬液によっても処理できる。
【００６０】
実施の形態１０．
図１３は、この発明の実施の形態１０によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
本実施の形態はタングステンシリサイド(WSiX)膜をポリシリコン（Poly Si）上に形成する際に、予めポリシリコン（Poly Si）表面に均一な化学酸化膜を形成してからそれを除去することにより、表面に露出するポリシリコン（Poly Si）を数原子層エッチした非常に清浄で均一なものとするプロセスに関するものである。
【００６１】
従来のタングステンシリサイド(WSiX)成膜の問題点は、実施の形態８，９で記載したのと同様に、WF6等を導入しタングステンシリサイド(WSiX)の堆積を開始した際に、一旦RCA洗浄などのウエット洗浄を行った後に成長する自然酸化膜が、面内に均一に成長しないことにあった。このため、Si表面にタングステンシリサイド(WSiX)が堆積を始めるところとなかなか堆積を始めないところが同一表面に存在したため、均一に膜が堆積せず、膜剥がれ等の原因となっていた。
この実施の形態は、これを防止し、膜が均一に堆積するようにしたものである。
【００６２】
図１３を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。処理装置については、図５を参照する。
本実施の形態では、ポリシリコン（Poly Si）の形成を行ったウェーハ５１に、H2O2のみを30%含む薬液を塗布する（図１３の工程１３１）。これにより、ウェーハ表面に強制的に化学酸化膜の形成を行い、表面に数原子層の化学酸化膜を均一に形成させる。
【００６３】
具体的にプロセスについて説明すると、ポリシリコン（Poly Si）を形成したウェーハ５１をローダ５６からチャンバ５２に導入し、密封する。可動ウォール５５を開け、ウェーハ５１を下部チャンバ５４に導き、ウェーハ固定台５７に保持し可動ウォール５５を封じる。
【００６４】
ウェーハ５１を回転させながら、H2O2を30%含む薬液を薬液吐出管５８から塗布し、実質的に３分接触させ、全面に均一な化学酸化膜を形成させる。
次に、ウェーハ固定台５７の回転数を3000rpmにあげ、振り切り乾燥を行う。
次に、可動ウォール５５を開け、ウェーハ５１を上部チャンバ５３に挿入し、可動ウォール５５にて密閉する。その後は実施の形態１に示す成膜プロセスを行う。
【００６５】
本実施の形態で、タングステンシリサイド(WSiX)の堆積は初期の段階から良好に行われたが、発明者らは、これは本実施の形態の濃度条件ではウェーハ面が全体に一様な性質となったことによると考えている。
また、従来は、前処理の後、気中その他から極微量の有機物が表面に吸着し、ポリシリコン（Poly Si）とタングステンシリサイド(WSiX)の界面に存在することとなるため、膜剥がれや成膜不良が生じていたが、本願発明者は、本実施の形態の薬液処理により、この問題も解決されたため、より成膜安定性が向上したものと考えている。
【００６６】
本実施の形態の薬液として、30%のH2O2の代わりに、10ppmのオゾンを含む薬液を適用しても同等の効果が得られた。
また、過酸化水素水とオゾンとを溶解させた処理液で処理することもできる。
【００６７】
実施の形態１１．
図１４は、この発明の実施の形態１１によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
実施の形態８〜１０では、より高い成膜安定性が得られ、手法としては優れている。しかしながら、半導体製造工場の装置設置場所によっては充分な湿式洗浄に対するファシリティや環境が準備されていないところがある。
本実施の形態は、上記実施の形態８〜１０で実現したプロセスをドライプロセスで実現するものである。
【００６８】
図１４を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。
ポリシリコン（Poly Si）を形成したウェーハ５１をローダ５６からチャンバ５２に導入し、密封する。一旦不活性ガスに密閉雰囲気を置換した後、450℃以下、例えば400℃に昇温する（図１４の工程１４１）。次に、HFガスとオゾンガスの混合ガスを導入する（図１４の工程１４２）。この時の昇温は高いほど反応が速く時間が短縮される傾向にあったが、高すぎると反応が急激に進み表面粗度が高くなるため、好ましくない。その後は、実施の形態１に示す、DCS導入とそれに続く成膜プロセスを行う。
本実施の形態で、タングステンシリサイド(WSiX)の堆積は初期の段階から良好に行われ、成膜安定性が向上した。
【００６９】
本実施の形態によれば、ドライプロセスにより、動力や環境に係わる多額の追加コストを抑えながら、従来より安定したタングステンシリサイド(WSiX)の成膜を行うことができる。また、チャンバ間の移動が省けるので、全プロセス時間が短縮され、スループットが向上し生産性が改善される効果も得られる。
なお、以上では、オゾンガスとHFガスとの混合ガスを使う場合について説明したが、これは酸素ガスとHFガスとの混合ガス、あるいはH2O蒸気とHFガスとの混合ガスを用いることもできる。また、オゾンガス、酸素ガスあるいはH2O蒸気に、HFガスを0.001〜0.5％含ませるようにするとよい。
【００７０】
実施の形態１２．
図１５は、この発明の実施の形態１２によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
実施の形態１１ではオゾンガスとHFガスを混合することによる酸化とエッチングの平衡反応により表面のクリーニングとFの終端を実現するものであったが、ポリシリコン（Poly Si）にPが含まれる場合など、エッチングが促進され増加する表面粗度のため、逆に密着性が劣る現象が認められた。
この実施の形態は、このような場合に、実施の形態８〜１０で実現したプロセスをドライプロセスで実現するとともに、成膜安定性が向上したプロセスを提供しようとするものである。
【００７１】
図１５を参照して、タングステンシリサイド膜の形成プロセスについて説明する。
ポリシリコン（Poly Si）を形成したウェーハ５１をローダ５６からチャンバ５２に導入し、密封する。一旦不活性ガスに密閉雰囲気を置換した後、450℃以下、例えば450℃に昇温する（図１５の工程１５１）。次に、HFガスを供給せずにオゾンガスのみを導入する（図１５の工程１５２）。その後は、実施の形態１に示す、DCS導入とそれに続く成膜プロセスを行う。
【００７２】
以上のように、この実施の形態では、HFガスを供給せずにオゾンガスによる有機物の除去と極薄酸化膜の形成のみを、実施の形態１に示すDCS導入に先立って行う。これによりポリシリコン（Poly Si）にPが含まれる場合などにも、密着性が得られることが認められた。
【００７３】
本実施の形態の導入ガスをオゾンから酸素に変えることによっても近い効果が得られた。効果はオゾンの方が高かったが、酸素は半導体ラインでは容易に得ることが出来るので、汎用性の意味からは酸素で行うことも生産に大きく寄与すると考えられる。
更に、水蒸気の導入を試み、微妙な流量制御が必要であったものの、類似の効果が得られたので、オゾンの代わりに水蒸気であっても良い。
【００７４】
実施の形態１３．
以上各実施の形態で説明したタングステンシリサイド膜の形成方法は、各種の半導体装置の製造工程において、活用できる。
半導体装置の例えばメモリ装置において、ゲート電極、ビット線、ワード線などの配線の形成のために、低抵抗導電膜として有効に用いることができる。
この発明は、上記に説明したいずれかのタングステンシリサイド膜の形成を、半導体装置の製造工程に含むものである。また、この発明は、上記に説明したいずれかの形成方法により形成したタングステンシリサイド膜を半導体装置の中に含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】この発明の実施の形態１によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図２】この発明の実施の形態１によるタングステンシリサイド膜を形成したデバイスの構造を示す図である。
【図３】この発明の実施の形態２によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図４】この発明の実施の形態２の変形例によるプロセスフローを示す図である。
【図５】この発明の実施の形態３により、タングステンシリサイド膜の形成をするための半導体ウェーハ処理装置の概要を示す断面図である。
【図６】この実施の形態３によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である
【図７】この発明の実施の形態４によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図８】この発明の実施の形態５によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図９】この発明の実施の形態６によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図１０】この発明の実施の形態７によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図１１】この発明の実施の形態８によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図１２】この発明の実施の形態９によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図１３】この発明の実施の形態１０によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図１４】この発明の実施の形態１１によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【図１５】この発明の実施の形態１２によるタングステンシリサイド膜の形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【符号の説明】
【００７６】
５１  ウェーハ、  ５２  チヤンバ、  ５３  上部チャンバ（第１のチャンバ）、  ５４  下部チャンバ（第２のチャンバ）、  ５５  可動ウォール（隔壁手段）、  ５６  ローダ、  ５７  ウェーハ固定台（支持手段）、  ５８  薬液吐出管（薬液導入手段）、  ５９  吐出口。
【図１】
2008187190.tif 000003
【図２】
2008187190.tif 000004
【図３】
2008187190.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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