(57)【要約】【課題】測定媒体が感圧ダイアフラムに付着堆積した場合でも感圧ダイアフラムの撓みを抑制して零点シフトを抑制するようにした静電容量型圧力センサを提供する。【解決手段】測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出するダイアフラム構造の圧力センサチップ３０を備えた静電容量型圧力センサにおいて、圧力センサの感圧ダイアフラム３２の測定媒体と接触する面３２ａに所定パターンの凹凸部３２ｂを連続して形成することで当該面を複数の小さい領域３２ｃに画成した形状として、感圧ダイアフラム３２の測定媒体と接触する面３２ａに付着して堆積した測定媒体の収縮又は伸長に起因する感圧ダイアフラム３２の厚さ方向の撓みを抑えて圧力センサの零点シフトを軽減する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出するダイアフラム構造の圧力センサチップを備えた静電容量型圧力センサにおいて、
前記圧力センサの感圧ダイアフラムの前記測定媒体と接触する面に所定パターンの凹凸部を連続して形成することで当該面を複数の小さい領域に画成したことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
前記所定パターンは前記面側から見てハニカム形状をなすことを特徴とする、請求項１に記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項３】
前記感圧ダイアフラムは前記測定媒体と接触する面の内側の領域が前記ハニカム形状をなす領域として形成されると共に、該ハニカム形状の外側の領域に厚肉部が連続して形成されていることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の静電容量型圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出するダイアフラム構造を備えた静電容量型圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から被測定圧力の変化を静電容量の変化として検出するダイアフラム構造を備えた圧力センサ（隔膜式センサ）は広く知られている。かかる圧力センサの一例として、真空チャンバと隔膜真空計との連通孔にフィルタを被せることにより、未反応生成物や副反応生成物及びパーティクル等が真空チャンバから真空計内に入るのを防止して隔膜センサを構成する感圧ダイアフラムに付着して堆積することを防ぐようにした構造の隔膜式センサが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−１５３５１０号公報（２―３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記構成の隔膜式センサにおいては、測定媒体が直進性の高い堆積物（未反応生成物や副反応生成物及びパーティクル等）の感圧ダイアフラムへの付着を回避することは可能であるが、測定圧を感圧ダイアフラムに導く必要上完全にフィルタによって堆積物を排除することは不可能である。
【０００４】
測定媒体の一部が感圧ダイアフラムの測定媒体と接触する面に堆積すると、当該感圧ダイアフラムを一方向に撓ませこととなり、零点シフト（零点移動）が発生する。即ち、感圧ダイアフラム上の堆積物は、付着後に収縮を起こし、これに伴い感圧ダイアフラムの測定媒体と接触する側も収縮され、感圧ダイアフラムの厚さ方向でのバランスが崩れる。これにより、測定媒体側が凹状となるように感圧ダイアフラムに撓みが発生する。測定媒体ごとに異なる堆積物と感圧ダイアフラムの材料を常に一致させることは不可能であり、かつミクロ的に堆積物と感圧ダイアフラムの原子の配列が、完全に一致することは稀有であるため、堆積物は、通常、上述したように収縮もしくは伸長を生じることとなる。そして、零点シフトは、感圧ダイアフラムに堆積する堆積物が多くなる程大きくなる。
【０００５】
静電容量式の圧力センサにおいては、感圧ダイアフラムの撓みにより変化する静電容量に基づいて圧力差を検出しており、感圧ダイアフラムの両側で圧力差がない状態でも、「差がある」との信号を検出することとなり、いわゆる零点シフトと呼ばれる零点誤差を生じることとなる。このため、測定誤差を生ずるという問題がある。また、感圧ダイアフラム、即ち隔膜センサの交換頻度が高くなり、耐久性の低下及び費用が嵩むという問題もある。
【０００６】
本発明の目的は、測定媒体が感圧ダイアフラムに付着して堆積した場合でも感圧ダイアフラムの撓みを抑制して零点シフトを抑制するようにした静電容量型圧力センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明にかかる静電容量型圧力センサは、
測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出するダイアフラム構造の圧力センサチップを備えた静電容量型圧力センサにおいて、
前記圧力センサの感圧ダイアフラムの前記測定媒体と接触する面に所定パターンの凹凸部を連続して形成することで当外面を複数の小さい領域に画成したことを特徴としている。
【０００８】
圧力センサチップの感圧ダイアフラム（センサダイアフラム）の測定媒体と接触する面に所定形状の凹凸部を連続して形成してこの面を複数の小さい領域に画成することで、感圧ダイアフラムに測定媒体が付着して堆積した場合にこの堆積物を実質的に多数の堆積片に分断し、測定媒体の収縮又は伸長に起因するセンサダイアフラムの厚み方向の撓みを抑制する。これにより、圧力センサの零点シフトを抑制することが可能となる。
【０００９】
また、本発明の請求項２に記載の静電容量型圧力センサは、請求項１に記載の静電型圧力センサにおいて、前記所定パターンは前記面側から見てハニカム形状をなすことを特徴としている。
【００１０】
感圧ダイアフラムの測定媒体と接触する面に形成する所定パターンをハニカム形状とすることで、感圧ダイアフラムの剛性が向上し感圧ダイアフラムの板厚を薄くすることが可能となり、軽量化を図ることができると共に厚さ方向の撓みを有効に抑えることが可能となる。また、感圧ダイアフラムの剛性を高くすることで共振周波数を高くすることができ、これに伴い静電容量型圧力センサの電極間に印加する駆動電圧の周波数を高めに設定することができ、その応答性の低下を抑えることができる。
【００１１】
また、本発明の請求項３に記載の圧力センサは、請求項１又は請求項２に記載の静電容量型圧力センサにおいて、前記感圧ダイアフラムは前記測定媒体と接触する面の内側の領域が前記ハニカム形状をなす領域として形成されると共に、該ハニカム形状の外側の領域に厚肉部が連続して形成されていることを特徴としている。
【００１２】
センサダイアフラムの測定媒体と接触する面の内側の領域がハニカム形状のパターンをなす領域として形成されると共に、この内側の領域と連続する外側の領域に厚肉部が形成されるようにしたことで、センサダイアフラムの厚さ方向の撓みをより有効に抑えることが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、感圧ダイアフラムの測定媒体と接触する面に測定媒体が付着して堆積した場合でも測定媒体の収縮又は伸長に起因するセンサダイアフラムの一方向への撓みを抑制することができ、圧力センサの零点シフトを抑えることができる。
【００１４】
また、感圧ダイアフラムの測定媒体と接触する面側から見てハニカム形状をなすパターンを形成することで、感圧ダイアフラムの剛性が向上して厚さを薄くすることが可能となり軽量化を図ることができると共に厚さ方向の撓みを有効に抑えることが可能となる。
【００１５】
また、感圧ダイアフラムの剛性を高くすることで共振周波数を高くすることができ、静電容量型圧力センサの電極間に印加する駆動電圧の周波数を高めに設定することができ、その応答性の低下を抑えることができる。これに伴い圧力センサの感度を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態にかかる静電容量型圧力センサ（以下単に「圧力センサ」という）について図面に基づいて説明する。図１及び図２に示すように圧力センサ１は、パッケージ１０と、パッケージ１０内に収容された台座プレート２０と、同じくパッケージ１０内に収容され台座プレート２０に接合された圧力センサチップ３０と、パッケージ１０に直接取付けられ当該パッケージ１０の内外を導通接続する電極リード部４０とを備えている。また、台座プレート２０は、パッケージ１０に対して隔間しており、支持ダイアフラム５０のみを介してパッケージ１０に支持されている。
【００１７】
パッケージ１０は、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３から構成されている。なお、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３は、耐食性の金属であるインコネルからなり、それぞれ溶接により接合されている。
【００１８】
ロアハウジング１１は、径の異なる円筒体を連結した形状を備え、その大径部１１ａは支持ダイアフラム５０との接合部を有し、その小径部１１ｂは測定媒体（被測定流体）が流入する圧力導入部１０Ａをなしている。なお、大径部１１ａと小径部１１ｂとの結合部にはバッフル１１ｃが形成されると共に、当該バッフル１１ｃはその周囲に周方向所定の間隔で圧力導入孔１１ｄが形成されている。
【００１９】
バッフル１１ｃは、圧力導入部１０Ａからプロセスガスなどの測定媒体を後述する圧力センサチップ３０に直接到達させずに迂回させる役目を果たすものであり、圧力センサチップ３０に測定媒体の成分や測定媒体中の不純物が直接衝突することで付着して堆積するのを防止するようになっている。
【００２０】
アッパーハウジング１２は、略円筒体形状を有し、後述するカバー１３、支持ダイアフラム５０、台座プレート２０、及び圧力センサチップ３０を介してパッケージ１０内に測定媒体の導入する領域と独立した真空の基準真空室（密閉空間）１０Ｂを形成している。なお、基準真空室１０Ｂにはいわゆるゲッター（図示せず）と呼ばれる気体吸着物質が備わり、高い真空度を維持している。
【００２１】
また、アッパーハウジング１２の支持ダイアフラム取付け側には周方向適所にストッパ１２ａが突出形成されている。なお、このストッパ１２ａは、測定媒体の急激な圧力上昇により台座プレート２０が過度に変移するのを規制する役目を果たしている。
【００２２】
また、カバー１３は円形のプレートからなり、カバー１３の所定位置には電極リード挿通孔１３ａが形成されており、ハーメチックシール６０を介して電極リード部４０が埋め込まれ、この部分のシール性が確保されている。
【００２３】
一方、支持ダイアフラム５０はパッケージ１０の形状に合わせた外形形状を有するインコネルの薄板からなり、周囲縁部は上述したロアハウジング１１とアッパーハウジング１２の縁部に挟まれて溶接等により接合されている。なお、支持ダイアフラム５０の厚さは、例えば本実施形態の場合数十μｍであって、台座プレート２０を形成するロア台座プレート２１、アッパ台座プレート２２より充分薄い厚さとなっている。また、支持ダイアフラム５０の中央部分には、圧力センサチップ３０に圧力を導くための圧力導入孔５０ａが形成されている。
【００２４】
支持ダイアフラム５０の両面には、支持ダイアフラム５０とパッケージ１０の接合部から周方向全体に亘って或る程度隔間した位置に酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアからなる薄いリング状のロア台座プレート２１とアッパー台座プレート２２が接合されている。
【００２５】
なお、各台座プレート２１，２２は、支持ダイアフラム５０の厚さに対して上述の通り十分に厚くなっており、かつ支持ダイアフラム５０を両台座プレート２１，２２でいわゆるサンドイッチ状に挟み込む構造を有している。これによって、支持ダイアフラム５０と台座プレート２０の熱膨張率の違いによって発生する熱応力でこの部分が反るのを防止している。
【００２６】
また、アッパー台座プレート２２には酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアでできた上面視矩形状の圧力センサチップ３０が接合後にスペーサ３１やアッパー台座プレート２２と同一の材料に変化する酸化アルミニウムベースの接合材を介して接合されている。なお、この接合方法については、特開２００２−１１１０１１号公報において詳しく記載されているのでここでの詳細な説明を省略する。
【００２７】
圧力センサチップ３０は、四角角型の薄板からなるスペーサ３１と、スペーサ３１に接合されかつ圧力の印加に応じて歪が生じる感圧ダイアフラムとしてのセンサダイアフラム３２と、センサダイアフラム３２に接合して真空の容量室（リファレンス室）３０Ａを形成するセンサ台座３３を有している。なお、センサダイアフラム３２の詳細については後述する。また、真空の容量室３０Ａと基準真空室１０Ｂとはセンサ台座３３の適所に穿設された図示しない連通孔を介して共に同一の真空度を保っている。
【００２８】
なお、スペーサ３１、センサダイアフラム３２、及びセンサ台座３３はいわゆる直接接合によって互いに接合され、一体化した圧力センサチップ３０を構成している。また、圧力センサチップ３０の容量室３０Ａには、図１及び図２に示すように、センサ台座３３の凹み部に白金等の導体でできた感圧側固定電極１１０、参照側固定電極１２０が形成されているとともに、これと対向するセンサダイアフラム３２の表面上に白金等の導体でできた感圧側可動電極２１０、参照側可動電極２２０が形成されている。
【００２９】
なお、感圧側固定電極１１０は、図３に示すように、凹み部の中央部に平面視で円形をなして形成され、参照側固定電極１２０は感圧側固定電極１１０と僅かに離間してこれの周囲をほぼ囲むように平面視円弧をなして同心状に形成されている。
【００３０】
また、感圧側可動電極２１０及び参照側可動電極２２０は、それぞれ感圧側固定電極１１０及び参照側固定電極１２０と対向配置するようにそれぞれ対応する形状をなしてセンサダイアフラム３２の容量室３０Ａ側表面に形成されている。そして、感圧側固定電極１１０と感圧側可動電極２１０は、圧力に対して高感度であって、圧力測定を行う役目を果たし、参照側固定電極１２０と参照側可動電極２２０は圧力に対して低感度であって電極間の誘電率を補正する役目を果たしている。
【００３１】
また、圧力センサチップ３０の上面四隅には、それぞれ電極取り出し用パッドが蒸着されている。これらの電極取り出し用パッドは、感圧側固定電極取り出し用パッド１１１、感圧側可動電極取り出し用パッド２１１、参照側固定電極取り出し用パッド１２１、参照側可動電極取り出し用パッド２２１である。そして、感圧側固定電極１１０と感圧側固定電極取り出し用パッド１１１は電極取り出し穴に成膜された導体を介して電気的に接続されている。
【００３２】
同様に、参照側固定電極１２０と参照側固定電極取り出し用パッド１２１、感圧側可動電極２１０と感圧側可動電極取り出し用パッド２１１、参照側可動電極２２０と参照側可動電極取り出し用パッド２２１もそれぞれ電極取り出し穴に成膜された導体を介して個別に電気的に接続されている。
【００３３】
一方、電極リード部４０は、各電極取り出し用パッドに対応して４本設けられ、図１に示すように、電極リードピン４１と金属製のシールド４２を備え、電極リードピン４１は金属製のシールド４２にガラスなどの絶縁性材料からなるハーメチックシール４３によってその中央部分が埋設され、電極リードピン４１の両端部間で気密状態を保っている。
【００３４】
そして、電極リードピン４１の一端はパッケージ１０の外部に露出して図示しない配線によって圧力センサ１の出力を外部の信号処理部に伝達するようになっている。なお、シールド４２とカバー１３との間にも上述の通りハーメチックシール６０が介在している。また、電極リードピン４１の他方の端部には導電性を有するコンタクトバネ４５が接続されている。
【００３５】
コンタクトバネ４５は、圧力導入部１０Ａから測定媒体が急に流れ込むことで発生する急激な圧力上昇により支持ダイアフラム５０が若干変移しても、コンタクトバネ４５の付勢力が圧力センサチップ３０の測定精度に影響を与えない程度の十分な柔らかさを有している。
【００３６】
なお、圧力センサチップ３０の製造方法は以下の通りである。まず、最適化したパッド形状がパターニングされたメタルマスクをステンレス薄板のエッチングにより作製する（第１工程）。
【００３７】
次いで、センサパッケージ体（パッドを蒸着する前の図２にある構造体）に第１工程で作製したメタルマスクを被せ、位置決めした後、冶具によりセンサパッケージ体とメタルマスクを固定する（第２工程）。
【００３８】
次いで、白金や金などを蒸着することによりパッドを形成すると同時に、センサチップ内部のセンサ電極との電気的接続を得て（第３工程）、これによって圧力センサチップ３０の製造を終える。
【００３９】
次に、前記センサダイアフラム３２について詳細に説明する。センサダイアフラム３２は、外形が図４に示すように四角角型のスペーサ３１の外径と同じ四角角型の板体をなし、図２において下側の面、即ち測定媒体側と接触する側の面（測定媒体の接触面）３２ａにはスペーサ３１の内径と同じ大きさの円形をなし実質的にダイアフラムを形成するダイアフラム部３２Ａに所定パターンの凹凸部３２ｂが連続して形成されている。そして、ダイアフラム部３２Ａの外側の領域３２Ｂがスペーサ３１とセンサ台座３３との間にサンドイッチ状に挟持されて接合される接合部とされている。
【００４０】
この凹凸部３２ｂは、多角形、例えば正六角形状の複数の凹部（堀り込み部）３２ｃが隣り合う各凹部３２ｃと隔壁（凸部）３２ｄを共有して連続して形成されており、測定媒体側から見ていわゆる蜂の巣の形状（以下「ハニカム形状」という）をなしている。
【００４１】
センサダイアフラム３２の凹凸部３２ｂは、図５に示すように測定媒体と接触する側の面３２ａに凹部３２ｃを穿って形成したものであり、従って、凹部３２ｃの底部３２ｅの板厚は、センサダイアフラム３２の板厚よりも薄く形成され、隔壁３２ｄの上面がセンサダイアフラム３２の測定媒体と接触する側の面３２ａであってダイアフラム部３２Ａの外側の領域３２Ｂと面一をなしている。従って、センサダイアフラム３２、即ちダイアフラム部３２Ａの軽量化が図られる。
【００４２】
なお、このダイアフラム部３２Ａの形状は、公知のマイクロマシニング技術によって形成される。
【００４３】
このようにダイアフラム部３２Ａの測定媒体の接触する側の面３２ａに隣り合う凹部３２ｃの隔壁３２ｄを共有する連続した複数の小さい領域を画成することにより、ダイアフラム部３２Ａの厚み方向の剛性が大幅に向上して撓みが抑制される。また、ダイアフラム部３２Ａに付着する堆積物を多数の堆積片に実質的に分断することが可能となる。
【００４４】
また、ダイアフラム部３２Ａの厚み方向の剛性が大幅に向上して撓みが抑制されることにより、共振周波数が低下することを防止することが可能となる。このため、静電容量型圧力センサにおいて電極間に印加される駆動電圧の周波数を高めに設定することができ、その応答性の低下を妨げる効果もある。
【００４５】
なお、ダイアフラム部３２Ａに形成する凹凸部３２ｂの形状としては、上述した正六角形状（ハニカム形状）に限るものではなく他の形状、例えば四角形や五角形等の多角形、正弦波形、ずれ六角形、複波形等の形状としても良い。更に、凹凸部３２ｂとして例えば凹部（堀込み部）３２ｃと隔壁（凸部）３２ｄとを反対にして凹部３２ｃがスリット状になると共に凸部３２ｄが或る程度の広さを有する領域となった構造としても良い。
【００４６】
このセンサダイアフラム３２は、図２及び図６に示すようにダイアフラム部３２Ａの外側の領域３２Ｂがスペーサ３１とセンサ台座３３との間にサンドイッチ状に挟まれて接合される。図６は、図２に示すセンサダイアフラム３２、スペーサ３１、センサ台座３２等からなる圧力センサチップ３０の拡大図で、対応する部材には対応する符号を付して詳細な説明を省略する。なお、図６においてセンサダイアフラム３２は、断面形状を分かり易くするためにハッチングを省略してある。
【００４７】
図７は、図４に示したセンサダイアフラム３２の変形例を示し、センサダイアフラム３２’は、測定媒体と接触する面３２ａ’のダイアフラム部３２Ａ’を２つの領域３２Ｃ’と３２Ｄ’とを同心的にかつ全周に亘り連続して形成したものである。そして、ダイアフラム部３２Ａ’を形成する外側の環状の領域３２Ｃ’は、外径がスペーサ３１の内径と同一とされ、かつその板厚が当該センサダイアフラム３２’の板厚と同じ板厚の厚肉部とされている。そして、ダイアフラム部３２Ａ’の外側の領域３２Ｂ’がスペーサ３１とセンサ台座３３との間にサンドイッチ状に挟持されて接合される接合部とされている。
【００４８】
また、ダイアフラム部３２Ａ’を形成する内側の円形の領域３２Ｄ’は、図７及び図８に示すように測定媒体と接触する側の面３２ａ’に前述したセンサダイアフラム３２の所定パターンとしての凹凸部３２ｂと同様に複数の正六角形状の凹部３２ｃ’と、各隣り合う凹部３２ｃ’が隔壁３２ｄ’を共有して形成され、凹部３２ｃ’の底部３２ｅ’が当該センサダイアフラム３２’の板厚よりも薄い凹凸部（堀込み部）３２ｂ’とされている。
【００４９】
これにより、センサダイアフラム３２’の厚み方向の剛性が更に向上し測定媒体が付着堆積した場合でも撓み量が抑制される。なお、ダイアフラム部３２Ａ’の内側の領域３２Ｄ’（堀込み部）の外径（最外径）は、外側の領域３２Ｃ’の外径よりも数パーセント程度小さく設定されているに過ぎず、外側の領域３２Ｃ’（厚肉部）の幅は、狭く形成されている。
【００５０】
このセンサダイアフラム３２’は、前述したセンサダイアフラム３２と同様に図９に示すようにダイアフラム部３２Ａ’の外側の領域３２Ｂ’がスペーサ３１とセンサ台座３３との間にサンドイッチ状に挟まれて接合される。図９は、センサダイアフラム３２’を図２に示すセンサダイアフラム３２に代えて取り付けた場合におけるスペーサ３１、センサダイアフラム３２’、センサ台座３３等からなる圧力センサチップ３０の拡大図で、対応する部材には対応する符号を付して詳細な説明を省略する。なお、図９においてセンサダイアフラム３２’は、断面形状を分かり易くするためにハッチングを省略してある。
【００５１】
続いて、上述した圧力センサ１に図４及び図７に示した本発明に係るセンサダイアフラム３２，３２’を適用した場合の圧力センサと、従来の単なる板状のセンサダイアフラムを適用した場合の圧力センサを比較例とした場合の特性評価試験の結果を図１０に示す。
【００５２】
図１０は、上記した測定媒体がセンサダイアフラムに付着して堆積した状態でのセンサダイアフラムの撓みをシミュレーションした結果の一例を示し、横軸にセンサダイアフラム径（図中左側がダイアフラムの中心方向、図中右側がダイアフラムの周縁）を、縦軸に撓み量（比）を取ったものである。図１０において曲線Ｉは、従来の単なる板状のセンサダイアフラムを使用した場合の特性を示し、曲線IIは、図４に示したセンサダイアフラムを使用した場合の特性を示し、曲線IIIは、図７に示したセンサダイアフラムを使用した場合の特性を示す。なお、曲線Ｉ〜曲線IIIに示す各センサダイアフラムは、同じ量の堆積物が付着しているものとする。図１０から明らかなように従来形状のセンサダイアフラムに比べて本発明を適用した形状のセンサダイアフラムを適用した場合、他のセンサダイアフラムと同じ量の堆積物が付着しているにも拘らず、その堆積物が測定媒体の接触する面において実質的に複数(多数)の堆積片に分断されているため、ダイアフラム径に対する撓み量が極めて小さくなっていることが明かであった。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態及び本発明に関連する圧力センサの断面図である。
【図２】図１に示した圧力センサを部分的に示す一部断面斜視図である。
【図３】図１に示した圧力センサチップの平面図である。
【図４】図１に示したセンサダイアフラムを拡大して測定媒体と接触する側から見た平面図である。
【図５】図４に示したセンサダイアフラムの矢線Ｖ―Ｖに沿う拡大断面図である。
【図６】図４に示したセンサダイアフラムを図２に示した圧力センサチップに装着した状態の拡大断面図である。
【図７】図４に示した本発明に係るセンサダイアフラムの変形例を示し、センサダイアフラムを拡大して測定媒体と接触する側から見た平面図である。
【図８】図７に示したセンサダイアフラムの矢線VIII―VIIIに沿う拡大断面図である。
【図９】図７に示したセンサダイアフラムを図２に示した圧力センサチップに装着した状態の拡大断面図である。
【図１０】本発明に係るセンサダイアフラムと従来のセンサダイアフラムの堆積物による撓みのシミュレーション結果の一例を示す特性図である。
【符号の説明】
【００５４】
１    圧力センサ
１０    パッケージ
１０Ａ    圧力導入部
１０Ｂ    基準真空室（密閉空間）
１１    ロアハウジング
１１ａ    大径部
１１ｂ    小径部
１１ｃ    バッフル
１１ｄ    圧力導入孔
１２    アッパーハウジング
１２ａ    ストッパ
１３    カバー
１３ａ    電極リード挿通孔
２０    台座プレート
２１    ロア台座プレート
２２    アッパー台座プレート
３０    圧力センサチップ
３０Ａ    容量室（リファレンス室）
３１    スペーサ
３２    センサダイアフラム（感圧ダイアフラム）
３２ａ    センサダイアフラムの測定媒体と接触する面
３２ｂ    凹凸部（所定パターン）
３２ｃ    凹部
３２ｄ    隔壁（凸部）
３２ｅ    底部
３２Ａ    ダイアフラム部
３２Ｂ    ダイアフラム部３２Ａの外側の領域
３２’    センサダイアフラム（感圧ダイアフラム）
３２ａ’    センサダイアフラムの測定媒体と接触する面
３２ｂ’    凹凸部（所定パターン）
３２ｃ’    凹部
３２ｄ’    隔壁（凸部）
３２ｅ’    底部
３２Ａ’    ダイアフラム部
３２Ｂ’    ダイアフラム部３２Ａ’の外側の領域
３２Ｃ’    ダイアフラム部３２Ａ’を形成する外側の環状の領域
３２Ｄ’     ダイアフラム部３２Ａ’を形成する内側の円形の領域
３３    センサ台座
４０    電極リード部
４１    電極リードピン
４２    シールド
４３    ハーメチックシール
４５    コンタクトバネ
５０    支持ダイアフラム
５０ａ    圧力導入孔
６０    ハーメチックシール
１１０    感圧側固定電極
１１１    感圧側固定電極取り出し用パッド
１２０    参照側固定電極
１２１    参照側固定電極取り出し用パッド
２１０    感圧側可動電極
２１１    感圧側可動電極取り出し用パッド
２２０    参照側可動電極
２２１    参照側可動電極取り出し用パッド
【図１】
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【図２】
2008107214.tif 000004
【図３】
2008107214.tif 000005
【図４】
2008107214.tif 000006
【図５】
2008107214.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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