(57)【要約】【課題】より効率的に、希少金属を高純度で回収、再生することを可能とした基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】液晶パネルに対し、両基板の素子形成面に平行な方向へ相対移動させる外力を印加して、該両基板を分離させる基板分離処理工程と、分離された基板から金属を回収する金属回収処理工程と、を備え、金属回収処理工程は、透明導電性薄膜を溶解させる金属溶解溶液と、透明導電性薄膜を研磨する研磨材と、からなる混合物を両基板の素子形成面に対して吹き付ける金属薄膜除去工程Ｓ１と、研磨材によって研磨されたインジウム（透明導電性薄膜）及び溶解したインジウム（透明導電性薄膜）を含む金属溶解溶液を回収する回収物回収工程Ｓ２と、インジウムを含む金属溶解溶液からインジウムを分離する金属分離工程Ｓ３とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に積層されている薄膜から金属を回収する基板処理方法において、
前記基板から前記金属を回収する金属回収処理工程は、前記金属を溶解可能な溶媒と、前記薄膜を研磨する研磨材と、を含む混合物を前記基板に対して吹き付ける薄膜除去工程と、
前記研磨材によって研磨された前記薄膜と、溶媒によって溶解された前記金属とを含む回収物を回収する回収工程と、
前記回収工程において、回収された前記回収物から前記金属を分離する金属分離工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記基板は表示パネルを構成する基板であり、該表示パネルは２枚の基板を貼り合せて形成されており、
前記金属回収処理工程の前に、前記表示パネルの前記２枚の基板を分離させる基板分離処理工程を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記基板分離処理工程は、前記表示パネルに対し、前記２枚の基板の対向面に平行な方向へ相対移動させる外力を印加して、該２枚の基板を分離させることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記薄膜除去工程において、
前記基板に対して、加熱した前記混合物を吹き付けることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記薄膜除去工程では、複数枚の前記基板を一括で処理することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
基板に積層されている薄膜から金属を回収する基板処理装置において、
前記基板から前記金属を回収する金属回収処理装置は、前記金属を溶解可能な溶媒と、前記薄膜を研磨する研磨材と、を含む混合物を前記基板に対して吹き付ける薄膜除去装置と、
前記研磨材によって研磨された前記薄膜と、溶媒によって溶解された前記金属とを含む回収物を回収する回収装置と、
前記回収装置において、回収された前記回収物から前記金属を分離する金属分離装置と、を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、一般廃棄物や産業廃棄物の量が増加の一途を辿っており、廃棄量の増加の抑制や、廃棄物による環境の悪化を抑制するための無害化に対する要請が高まっている。
例えば、家電製品や情報機器等の表示部に用いられている液晶パネルは、省電力、省スペースという利点から今後も急速に使用量が増大することが予想され、それに伴う廃棄量の増大を抑えるためのリサイクル技術の確立は非常に重要である。
【０００３】
一般的に液晶パネルは、２枚のガラス基板をそれらの間に枠状のシール材を介在させて貼り合わせ、シール材の内側に液晶を封入した構成となっている。ガラス基板の内側（液晶側）には、インジウムすず酸化物（Indium Tin Oxide，以下「ＴＩＯ」と略記する。）等の透光性導電材料からなる電極や、着色した樹脂材料からなるカラーフィルタ等が設けられており、ガラス基板の間に封入された液晶は、有機物を主成分とするものである。一方、ガラス基板の外側には、樹脂フィルムからなる偏光板や位相差板が設けられている。
【０００４】
液晶パネルのカラーフィルタ基板には反射防止として金属クロムが使用されている。また、透明電極には希少金属とされるインジウムが使用されている。クロムやインジウム等の有用金属を回収して再利用することによって省資源化を図る必要がある。
【０００５】
上述した構成を備える液晶パネルからクロムやインジウム等の希少金属を回収する方法の提案が既に成されている。例えば、下記特許文献１に記載の技術は、切断したガラス基板上に研磨材を吹き付けたり、研磨材に少量の水を供給しながら吹き付けることによって、ガラス基板上に形成されている膜を機械的に剥離してクロムやインジウム等の希少金属を回収するものである。
【０００６】
また、下記特許文献２に記載の技術は、液晶パネルを燃焼させて有機物を除去した後、燃え残ったガラス基板を破砕し、破砕された破砕物をボールミル内に入れて激しく振動させることによって、破砕物とされたガラス基板から薄膜を機械的に除去して金属を回収するものである。
【特許文献１】特開２００１−３０５５０２号公報
【特許文献２】特開２００１−２９６５０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献のように、ガラス基板から機械的に薄膜を除去する方法では、薄膜だけを剥離するのは非常に困難で、薄膜と同時にガラス基板の一部や薄膜以外の部分も研磨されてしまう虞がある。そのため、希少金属の回収率が低下し、再利用可能な濃度にするまでに複数の工程を要することになる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、より効率的に、希少金属を高純度で回収、再生することを可能とした基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基板処理方法は、上記課題を解決するために、基板に積層されている薄膜から金属を回収する基板処理方法において、前記基板から前記金属を回収する金属回収処理工程は、前記金属を溶解可能な溶媒と、前記薄膜を研磨する研磨材と、を含む混合物を前記基板に対して吹き付ける薄膜除去工程と、前記研磨材によって研磨された前記薄膜と、溶媒によって溶解された前記金属とを含む回収物を回収する回収工程と、前記回収工程において、回収された前記回収物から前記金属を分離する金属分離工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の基板処理方法によれば、溶媒及び研磨材を混合してなる混合物を基板の対向面（薄膜が形成された面）に対して吹き付けることにより、研磨材によって薄膜（金属）が研磨されるとともに溶媒によって金属が溶解することになる。つまり、化学的及び機械的（物理的）に融合した除去処理を行うことで、金属の回収効率を高めることができる。また、研磨された薄膜と、溶解した金属を含む溶媒とを含む回収物を回収して、回収物から金属のみを分離させることによって、高純度の金属を効率的且つ経済的に回収することが可能となり、金属回収物のリサイクルが容易なものとなる。
【００１１】
また、前記基板は表示パネルを構成する基板であり、該表示パネルは２枚の基板を貼り合せて形成されており、前記金属回収処理工程の前に、前記表示パネルの前記２枚の基板を分離させる基板分離処理工程を含むことも好ましい。その際、前記表示パネルに対し、前記２枚の基板の対向面に平行な方向へ相対移動させる外力を印加して、該２枚の基板を分離させることが好ましい。
このような方法によれば、貼り合わされている２枚の基板を直線方向へ応対移動させることで分離させるようにしたので、この両基板に曲げ方向への応力が発生せず、両基板が完全に分離される前に破断されてしまうようなことがない。
【００１２】
また、薄膜除去工程において、基板に対して、加熱した混合物を吹き付けることも好ましい。
このような方法によれば、基板に対して加熱した混合物を吹き付けることによって、混合物を構成している溶媒による金属の溶解速度を速めることが可能となる。これにより、処理能力が向上し、短時間で高純度の金属を回収することができる。高純度の金属を簡単且つ容易に回収することができるので、金属の回収効率を向上させることができる。
【００１３】
また、薄膜除去工程では、複数枚の基板を一括で処理することも好ましい。
このような方法によれば、複数枚の基板を一括で処理することから、処理効率が向上して、より経済的に高純度の金属を回収することができる。
【００１４】
本発明の基板処理装置は、基板に積層されている薄膜から金属を回収する基板処理装置において、前記基板から前記金属を回収する金属回収処理装置は、前記金属を溶解可能な溶媒と、前記薄膜を研磨する研磨材と、を含む混合物を前記基板に対して吹き付ける薄膜除去装置と、前記研磨材によって研磨された前記薄膜と、溶媒によって溶解された前記金属とを含む回収物を回収する回収装置と、前記回収装置において、回収された前記回収物から前記金属を分離する金属分離装置と、を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の基板処理装置における金属回収処理装置によれば、薄膜除去装置、回収装置、及び金属分離装置を有することから、薄膜除去装置にて混合物を吹き付けることによって基板上から薄膜を除去して、回収装置にて除去された薄膜と溶媒によって溶解された金属を含む回収物を回収し、金属分離装置にて回収物から金属を分離することによって金属のみを取り出すことができる。よって、一連の作業を各装置により連続して行うことが可能となり作業効率が向上する。このように、化学的及び機械的（物理的）に融合した除去処理を行うことができるので、金属の回収効率を高めることができる。また、高純度の金属を効率的且つ経済的に回収することが可能となり、金属回収物のリサイクルが容易なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
[第１実施形態]
図１〜図４に本発明の第１実施形態を示す。
図１は基板処理方法を示す工程図、図２は廃液晶パネルとなる一般的な液晶パネルの縦断面図、図３は金属回収工程における処理内容を示す工程図、図４は金属薄膜除去工程の処理内容を示す説明図、図５及び図６は金属分離工程の処理内容を示す説明図である。図７は、図１に示す基板処理方法を行う基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
なお、本実施形態では廃液晶パネルの一例として液晶表示装置（ＬＣＤ）に組み込まれている液晶パネルを示す。
【００１７】
（液晶パネルの構成）
まず、図２を参照して一般的な液晶パネル１０の構成について説明する。廃液晶パネルとなる液晶パネル１０は、腕時計、携帯電話、情報端末機、テレビ受像機、プロジェクタ等の表示装置付き製品の表示部に組み込まれている。以下、表示部に液晶パネルが組み込まれている製品を液晶製品と称する。なお、この液晶製品には液晶パネル単体も含まれる。
【００１８】
液晶パネル１０は、所定の間隔で対向配置された２枚のガラス基板１ａ，１ｂを有し、この両ガラス基板１ａ，１ｂの対向面間がエポキシ樹脂等のシール材７を介して貼り合わされているとともに、両ガラス基板１ａ，１ｂの間隔がスペーサー８により維持されている。
【００１９】
一方のガラス基板１ａの対向面にはカラーフィルタ３、インジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す）等の透明導電性薄膜６が形成されたオーバーコート４、配向膜５が配設されている。また、他方のガラス基板１ｂの対向面にも透明導電性薄膜（ＩＴＯ膜）６と配向膜５とが配設されている。さらに、両ガラス基板１ａ，１ｂとシール材７とで密閉された空間に有機溶媒からなる液晶９が充填されている。また、両ガラス基板１ａ，１ｂの外面に偏光板２がそれぞれ粘着材により貼着されている。この偏光板２は、染色された偏光フィルム（ＰＶＡ：ポリビニルアルコール）の両面に保護フィルム（ＴＡＣ：トリアセテート）が貼り合わされた三層構造をなしている。また、透明導電性薄膜６にはインジウムを代表とする希少金属が含まれている。なお、符号１１１は、スイッチ素子で金属類を素材としている。
【００２０】
（基板処理方法）
図２及び図３に示すように、本実施形態に係る基板処理方法は、腕時計、携帯電話、パーソナルコンピューターのモニタ、テレビ電話機、或いはプロジェクタ装置等の廃液晶製品を解体して液晶パネル１０を取り出す解体処理工程Ｍ１と、取り出した液晶パネル１０から２枚のガラス基板１ａ，１ｂを分離させるガラス基板分離処理工程Ｍ２と、分離された各ガラス基板１ａ，１ｂを再資源化すべく、ガラス自体、及び各ガラス基板１ａ，１ｂに積層されている薄膜から希少金属、貴金属等を回収する金属回収処理工程Ｍ３とを備えている。
【００２１】
図３に示すガラス基板分離処理工程Ｍ２及び金属回収処理工程Ｍ３は、図７に示す基板処理装置３０を用いて行われる。基板処理装置３０は、基板分離装置３１と、薄膜除去装置３２、回収装置３３、金属分離装置３４を有する金属回収処理装置３５とから構成される。そして、ガラス基板分離処理工程Ｍ２は基板分離装置３１を用いて行われる。また、金属回収処理工程Ｍ３は金属回収処理装置３５の薄膜除去装置３２、回収装置３３、金属分離装置３４を用いて行われる。
【００２２】
解体処理工程Ｍ１では、廃液晶製品を解体して、廃液晶パネル１０を取り出すとともに、金属、プラスチック、ガラス等の資源を回収する。なお、廃液晶パネル１０とは別に回収された資源は、図示しない処理工程において処理されて再資源化が図られる。
【００２３】
ガラス基板分離処理工程Ｍ２では、廃液晶パネル１０における互いに接合されている２枚のガラス基板１ａ，１ｂを分離させる。例えば、基板分離装置３１における一対のベルトコンベア間に廃液晶パネル１０を配置してこれらベルトコンベアを互いに逆回転させ、両ガラス基板１ａ，１ｂの対向面に相対移動による平行な方向の引き裂き応力を発生させることによって、両ガラス基板１ａ，１ｂを分離させるという方法を用いる。この方法によれば、ガラス基板１ａ，１ｂに対して曲げ方向への応力が発生せず、ガラス基板１ａ，１ｂが完全に分離される前に破断してしまうことがない。そのため、この後行われる処理をスムーズに行うことができる。なお、この方法に限らず、その他両ガラス基板１ａ，１ｂを良好に分離させる手段であれば用いることができる。
【００２４】
金属回収処理工程Ｍ３では、金属回収処理装置３５により、分離された両ガラス基板１ａ，１ｂを各々洗浄した後、両ガラス基板１ａ，１ｂから透明導電性薄膜６（金属薄膜）を除去し、除去した透明導電性薄膜６から、この透明導電性薄膜６に含まれているインジウム等の希少金属、及び貴金属を回収する。さらに、透明導電性薄膜６が除去されたガラス基板１ａ，１ｂを洗浄して、ガラス基板１ａ，１ｂ自体も回収する。
【００２５】
ガラス基板１ａ，１ｂから透明導電性薄膜６を除去する手段として、本実施形態においては、酸性液等の溶媒を用いた化学的な手段を適用する。このとき、２枚のガラス基板１ａ，１ｂは既に分離されており、従って、両ガラス基板１ａ，１ｂの、透明導電性薄膜６が積層されている対向面が露呈されているため、廃液晶パネル１０を粉砕或いは切断することなく、ガラス基板１ａ，１ｂの表面から金属薄膜である透明導電性薄膜６等を容易に回収することができる。
【００２６】
以下、本実施形態の金属回収処理工程Ｍ３について図１から図６を用いて詳しく説明する。以下の説明においては、適宜図７に示す基板処理装置３０を参照することとする。
金属回収処理工程Ｍ３は、図１及び図４に示すように、分離されたガラス基板１ａ，１ｂから透明導電性薄膜６を除去する金属薄膜除去工程Ｓ１と、除去された透明導電性薄膜６等の回収物を回収する回収物回収工程Ｓ２と、回収された回収物から希少金属を分離する金属分離工程Ｓ３とを有する。
【００２７】
金属薄膜除去工程Ｓ１においては、図４に示すように、ガラス基板１ａ，１ｂの素子形成面１１上に形成されている透明導電性薄膜６を、湿式サンドブラスト等、化学的及び機械的（物理的）に融合した除去処理で以って除去する。本実施形態においては、図７に示す薄膜除去装置３２を用いて、研磨材２１と金属溶解溶液２０（溶媒）とを混合してなる混合物２５をガラス基板１ａ，１ｂ上に吹き付けることによってガラス基板１ａ，１ｂ上の透明導電性薄膜６を除去する。
【００２８】
研磨材２１としてはシリカ等の微細粉が用いられる。
研磨材２１の粒径は、ガラス基板１ａ，１ｂ上の透明導電性薄膜６を完全に除去可能とする処理時間と、研磨力とから考慮され適宜設定される。また、研磨材２１の硬度は、透明導電性薄膜６の硬度と同等以上、且つガラス基板１ａ，１ｂの硬度以下であることが好ましい。
【００２９】
金属溶解溶液２０は、所定の希少金属を溶解可能とする酸性溶液等が用いられる。
例えば、透明導電性薄膜６が多結晶のインジウムティンオキサイド（ｐｏｌｙ−ＩＴＯ）からなる場合、硝酸、硝酸（ＨＮＯ３）、塩酸（ＨＣｌ）、塩化鉄−塩酸（ＦｅＣｌ２−ＨＣｌ）、亜鉛−塩酸（Ｚｎ−ＨＣｌ）等が挙げられ、さらに希塩酸や濃硫酸、或いはこれらの混合液であってもよい。
【００３０】
また、透明導電性薄膜６が非結晶のアモルファスインジウムティンオキサイド（ａ−ＩＴＯ）からなる場合には、シュウ酸（Ｃ２Ｈ２Ｏ４）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、及びその混合液等が挙げられる。
【００３１】
近年においては、透明導電性薄膜６を構成する材料として、ｐｏｌｙ−ＩＴＯから有機酸等の弱酸による剥離が可能なａ−ＩＴＯに移行する傾向にある。弱酸はインジウムのみに作用するため、例えば、モリブデン（Ｍｏ）合金やアルミニウム（Ａｌ）合金からなる画像信号線、ゲート配線等にダメージを与えることなくインジウムのみを溶解させることが可能となる。そのため、金属溶解溶液２０として弱酸性の溶液を用いれば、他の干渉成分を抑えることができてインジウム２２の回収に有利である。
【００３２】
金属溶解溶液２０として用いる溶液を、回収したい希少金属の種類に応じて変えることによって、所定の金属のみを反応（溶解）させることができる。
【００３３】
このような研磨材２１と金属溶解溶液２０とを所定の割合で混合させることによって混合物２５が構成されている。薄膜除去装置３２による混合物２５の射出圧力及び射出時間（処理時間）は、透明導電性薄膜６の除去具合によって適宜設定及び調整される。
【００３４】
透明導電性薄膜６は、研磨材２１によって研磨されて金属粉となり除々に除去されていく。その一方で透明導電性薄膜６は金属溶解溶液２０によっても除々に溶解されていく。このとき、混合物２５を加熱しながら射出するようにしても良い。また、予め加熱しておいた金属溶解溶液２０に研磨材２１を混合させて混合物２５を作り出すようにしてもよい。このようにして金属溶解溶液２０の温度を上げておけば、透明導電性薄膜６の溶解速度を向上させることができる。
【００３５】
上記金属薄膜除去工程Ｓ１と同じくして回収物回収工程Ｓ２を行なう。
回収物回収工程Ｓ２では、図４に示すように、研磨された金属粉と溶解されたインジウム２２（透明導電性薄膜６）を含む金属溶解溶液２０を回収物２８として、ガラス基板１ａ，１ｂの下方に配置された回収装置３３の回収容器２３に回収する。また、勿論混合物２５に含まれていた研磨材２１も金属粉及び金属溶解溶液２０とともに回収される。回収容器２３としては、ガラス基板１ａ，１ｂの外形よりも大きい開口を有する容器が用いられる。
【００３６】
そして、透明導電性薄膜６の除去作業を行なっている間、回収容器２３内に、研磨材２１、溶解されたインジウム２２を含む金属溶解溶液２０、及び金属粉が次々に回収されていく。金属粉は、回収容器２３へと回収される過程、或いは回収容器２３へと回収された後に、金属溶解溶液２０によって溶解される。
【００３７】
また、例えば金属溶解溶液２０の添加量が少量であるが故に金属粉がうまく溶解されないという場合には、回収容器２３内に金属溶解溶液２０をさらに加えるようにしてもよい。このとき、例えば混合棒でかき混ぜながら行なうことによって金属粉がはやく溶解し、金属溶解溶液２０の使用量（追加量）を抑えることができる。
【００３８】
研磨材２１によって研磨を行なった場合、透明導電性薄膜６だけがうまく研磨されればよいが、ガラス基板１ａ，１ｂや他の配線等までもが研磨されてしまう虞がある。その場合、回収容器２３内には、ガラス基板１ａ，１ｂや他の配線等の研磨粉が混在してしまうことになる。
【００３９】
このような研磨粉は金属溶解溶液２０には反応しないことから、溶解されることなく回収容器２３内に固体のまま存在することになる。そこで、上記したように、金属粉を金属溶解溶液２０によって完全に溶解させておくことによって、研磨粉と区別することができる。
【００４０】
その後、回収容器２３内に回収された回収物２８を濾過することによって、異物として混入していた研磨粉を除去する。また、この作業と同時に研磨材２１も除去する。これにより、回収容器２３内には溶解したインジウム２２と金属溶解溶液２０とからなる混合溶液２６（図６参照）が収容されることになる。
【００４１】
金属分離工程Ｓ３では、図５に示すように、溶解したインジウム２２と金属溶解溶液２０とからなる混合溶液２６を、図７に示す金属分離装置３４を用いて減圧下で蒸留する等して金属溶解溶液２０を除去する。混合溶液２６から金属溶解溶液２０が除去されると、回収容器２３内にはインジウム２２のみが残留することになる。こうすることで高純度のインジウム２２を回収することができる。
【００４２】
また、図６に示すように、金属溶解溶液２０とインジウム２２との比重の違いを利用して分離させても良い。混合溶液２６をそのまま所定時間放置しておくと、回収容器２３の底部には、溶解したインジウム２２が金属溶解溶液２０と分離して沈殿することになる。このように、比重分離など、種々の物理的分離によって金属溶解溶液２０に溶け込んだ希少金属を分離回収するようにしてもよい。
【００４３】
本実施形態の基板処理方法によれば、金属溶解溶液２０及び研磨材２１を混合してなる混合物２５をガラス基板１ａ，１ｂの素子形成面１１に対して吹き付けることにより、研磨材２１によって透明導電性薄膜６が研磨されるとともに金属溶解溶液２０によってインジウム２２（透明導電性薄膜６）が溶解することになる。金属粉及び溶解したインジウム２２を含む金属溶解溶液２０を回収して、インジウム２２を含む金属溶解溶液２０からインジウム２２のみを分離させることによって、高純度のインジウム２２を効率的且つ経済的に回収することが可能となり、金属回収物のリサイクルが容易なものとなる。
【００４４】
また、ガラス基板１ａ，１ｂの素子形成面１１に対して加熱した混合物２５を吹き付けることによって、混合物２５を構成している金属溶解溶液２０によるインジウム２２の溶解速度を速めることが可能となる。これにより、短時間で透明導電性薄膜６を除去することができるので処理能力が向上する。
【００４５】
なお、上記金属薄膜除去工程Ｓ１では、複数枚のガラス基板１ａ，１ｂを連続的に処理するようにしても良い。そうすれば、回収容器２３内に回収される回収物が増えるので、金属分離工程Ｓ３において一回に得られるインジウム２２の量を多くすることができる。このように、金属薄膜除去工程Ｓ１において複数枚のガラス基板１ａ，１ｂを処理することによって作業効率が格段に向上し、後の工程（回収物回収工程Ｓ２、金属分離工程Ｓ３）をより効率良く行なうことができる。また、これら一連の作業工程を基板処理装置３０を用いて連続して行うシステムを確立することができる。よって、作業を迅速に行うことができ、作業時間の短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本実施形態に係る基板処理方法を示す工程図である。
【図２】本実施形態に係る廃液晶パネルとなる一般的な液晶パネルの縦断面図である。
【図３】本実施形態に係る金属回収工程における処理内容を示す工程図である。
【図４】金属溶解工程の処理内容を示す説明図である。
【図５】金属分離工程の処理内容を示す説明図である。
【図６】金属分離工程の他の処理内容を示す説明図である。
【図７】本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００４７】
１ａ，１ｂ…ガラス基板、１０…液晶パネル（表示パネル）、１１…素子形成面（対向）、６…透明導電性薄膜（金属薄膜）、２２…インジウム（金属）、２０…金属溶解溶液、２１…研磨材、２５…混合物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2008138273.tif 000007
【図６】
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【図７】
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