(57)【要約】【課題】異方性導電層を介して突起電極の接合を行う際に、ＡＣＦ粒子を突起電極上に効率よく捕らえる。【解決手段】感光性樹脂層４の露光・現像を行うことにより、パッド電極２上に開口部５を形成し、無電解メッキを用いることにより、パッド電極２に接続された導電層６を開口部５内の途中の高さまで形成し、感光性樹脂層４と導電層６との間に段差を設ける。【選択図】      図１
2008004968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッド電極上に形成された突起電極と、
前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層とを備えることを特徴とする端子電極。
【請求項２】
前記突起電極と前記樹脂層との段差はＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする請求項１記載の端子電極。
【請求項３】
前記突起電極は、硬さの異なる導電材料が積層された多層構造から構成され、前記多層構造の最上層には柔らかい導電材料が用いられていることを特徴とする請求項１または２記載の端子電極。
【請求項４】
能動領域が形成された半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたパッド電極と、
前記パッド電極上に形成された突起電極と、
前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
能動領域が形成された半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたパッド電極と、
前記パッド電極上に形成された突起電極と、
前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層と、
前記突起電極と対向配置されたリード電極が形成された回路基板と、
前記半導体基板と前記回路基板との間に配置され、前記突起電極と前記リード電極とを導通させる異方性導電層とを備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項６】
能動領域が形成された半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたパッド電極と、
前記パッド電極上に形成された突起電極と、
前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層と、
前記突起電極と対向配置されたリード電極が形成された回路基板と、
前記半導体基板と前記回路基板との間に配置され、前記突起電極と前記リード電極とを導通させる異方性導電層と、
前記回路基板に接続された電子部品とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
パッド電極が設けられた基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、
前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、
前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、
前記導電層の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする端子電極の製造方法。
【請求項８】
パッド電極が設けられた基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、
インクジェット法により、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電材料を吐出させる工程と、
前記導電材料が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、
前記導電材料の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電材料の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする端子電極の製造方法。
【請求項９】
前記導電層または導電材料と前記樹脂層との段差はＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする請求項７または８記載の端子電極の製造方法。
【請求項１０】
前記導電層は、硬さの異なる導電材料が積層された多層構造から構成され、前記多層構造の最上層には柔らかい導電材料が用いられていることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項記載の端子電極の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板に能動領域を形成する工程と、
前記能動領域が形成された半導体基板にパッド電極を形成する工程と、
前記パッド電極が形成された半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、
前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、
前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、
前記突起電極の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板に能動領域を形成する工程と、
前記能動領域が形成された半導体基板にパッド電極を形成する工程と、
前記パッド電極が形成された基板上に樹脂層を形成する工程と、
前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、
インクジェット法により、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電材料を吐出させる工程と、
前記導電材料が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、
前記導電材料の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電材料の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記導電層または導電材料と前記樹脂層との段差はＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする請求項１１または１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導電層は、硬さの異なる導電材料が積層された多層構造から構成され、前記多層構造の最上層には柔らかい導電材料が用いられていることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端子電極、半導体装置、半導体モジュール、電子機器、端子電極の製造方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、異方性導電シートを用いたバンプ電極の接合方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）などでは、半導体チップとマザー基板とを接続するために、特許願２００１−４４８２４号の明細書および図面に開示されているように、半導体チップ上にバンプ電極を形成する方法がある。
【０００３】
図７は、従来のバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
図７（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板７１にはパッド電極７２が設けられ、パッド電極７２を含む半導体基板７１上には絶縁膜７３が形成されている。なお、絶縁膜７３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミド膜などを用いることができる。
そして、絶縁膜７３が形成された半導体基板７１上に感光性樹脂層７４を形成する。なお、感光性樹脂層７４は、例えば、スピンコート、カーテンコート、スクリーン印刷、インクジェット法などを用いて形成することができる。
【０００４】
次に、図７（ｂ）に示すように、感光性樹脂層７４の露光・現像を行うことにより、パッド電極７２上に開口部７５を形成する。
次に、図７（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、開口部７５内に導電層７６を形成する。なお、導電層７６としては、例えば、ニッケルＮｉ、金Ａｕ、銅Ｃｕなどを用いることができる。
次に、図７（ｄ）に示すように、感光性樹脂層７４を除去することにより、導電層７６の周囲を露出させ、導電層７６からなるバンプ電極を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のバンプ電極は突出構造となっているため、異方性導電シートを介して半導体チップと基板とを接続すると、バンプ電極上のＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）粒子が流出し、接続信頼性が劣化するという問題があった
そこで、本発明の目的は、異方性導電層を介して突起電極の接合を行う際に、ＡＣＦ粒子を突起電極上に効率よく捕らえることが可能な端子電極、半導体装置、半導体モジュール、電子機器、端子電極の製造方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の端子電極によれば、パッド電極上に形成された突起電極と、前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層とを備えることを特徴とする。
これにより、異方性導電層を用いて突起電極を接合する際に、ＡＣＦ粒子を異方性導電層内で流動させることで、ＡＣＦ粒子を突起電極上に移動させて、ＡＣＦ粒子を突起電極上に閉じ込めることが可能となる。
【０００７】
このため、突起電極上のＡＣＦ粒子の密度を増加させることが可能となり、導電層の表面の高さが感光性樹脂層の表面の高さよりも低くなるようにして、導電層の周囲を樹脂層で覆った場合においても、樹脂層上の異方性導電層の絶縁性を維持しつつ、導電層を電気的に接合することが可能となる。
この結果、突起電極を硬い金属で構成した場合においても、接合時のダメージを樹脂層で吸収することが可能となり、半導体チップに及ぶダメージを軽減しつつ、突起電極間の狭ピッチ化を進めて、突起電極の高密度化を図ることが可能となるとともに、ＡＣＦ粒子が突起電極上から流出することを防止して、異方性導電層による突起電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【０００８】
また、請求項２記載の端子電極によれば、前記突起電極と前記樹脂層との段差はＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする。
これにより、突起電極と樹脂層との間に段差を設け、ＡＣＦ粒子を突起電極上に閉じ込めた場合においても、突起電極上のＡＣＦ粒子を樹脂層上に突出させることが可能となり、異方性導電層を介して導電層を電気的に接合することが可能となる。
【０００９】
また、請求項３記載の端子電極によれば、前記突起電極は、硬さの異なる導電材料が積層された多層構造から構成され、前記多層構造の最上層には柔らかい導電材料が用いられていることを特徴とする。
これにより、硬い金属と柔らかい金属とを用いて突起電極を構成することが可能となり、突起電極の変形量の調整を可能としつつ、接合時のダメージを突起電極および樹脂層の双方を用いて吸収することが可能となるため、接合時のダメージをより効果的に吸収することができる。
【００１０】
また、請求項４記載の半導体装置によれば、能動領域が形成された半導体基板と、前記半導体基板に形成されたパッド電極と、前記パッド電極上に形成された突起電極と、前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層とを備えることを特徴とする。
これにより、異方性導電層を用いて突起電極を接合する際に、ＡＣＦ粒子を突起電極上に閉じ込めることが可能となるとともに、接合時のダメージを樹脂層で吸収することが可能となる。
このため、半導体基板に及ぶダメージを軽減しつつ、突起電極間の狭ピッチ化を進めて、半導体装置の高密度化を図ることが可能となるとともに、ＡＣＦ粒子が突起電極上から流出することを防止して、異方性導電層による突起電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００１１】
また、請求項５記載の半導体モジュールによれば、能動領域が形成された半導体基板と、前記半導体基板に形成されたパッド電極と、前記パッド電極上に形成された突起電極と、前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層と、前記突起電極と対向配置されたリード電極が形成された回路基板と、前記半導体基板と前記回路基板との間に配置され、前記突起電極と前記リード電極とを導通させる異方性導電層とを備えることを特徴とする。
これにより、接合時のダメージを樹脂層で吸収することを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を樹脂層の内側に閉じ込めることが可能となり、ＡＣＦ粒子を突起電極上に効率よく捕らえることが可能となる。
このため、異方性導電層を介して突起電極とリード電極との接合を行う場合においても、ＡＣＦ粒子が突起電極上から流出することを防止することができ、半導体基板に及ぶダメージを軽減しつつ、異方性導電層を用いた突起電極とリード電極との接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００１２】
また、請求項６記載の電子機器によれば、能動領域が形成された半導体基板と、前記半導体基板に形成されたパッド電極と、前記パッド電極上に形成された突起電極と、前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層と、前記突起電極と対向配置されたリード電極が形成された回路基板と、前記半導体基板と前記回路基板との間に配置され、前記突起電極と前記リード電極とを導通させる異方性導電層と、前記回路基板に接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
これにより、ＡＣＦ粒子を突起電極上に効率よく捕らえることが可能となり、異方性導電層を介して突起電極とリード電極との接合を行う場合においても、突起電極とリード電極との接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００１３】
また、請求項７記載の端子電極の製造方法によれば、パッド電極が設けられた基板上に樹脂層を形成する工程と、前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、前記導電層の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する際に、導電層の厚みのばらつきと樹脂層の厚みのばらつきとの双方を均一化することができる。
このため、導電層の一部を除去する際の厚みのばらつきで、導電層と樹脂層との間の段差のばらつきを決定することが可能となり、導電層と樹脂層との間の段差のばらつきを低減させて、ＡＣＦ粒子を導電層上に安定して捕らえることが可能となる。
【００１４】
また、請求項８記載の端子電極の製造方法によれば、パッド電極が設けられた基板上に樹脂層を形成する工程と、前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、インクジェット法により、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電材料を吐出させる工程と、前記導電材料が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、前記導電材料の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電材料の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、様々の導電材料を用いて開口部内に導電材料を埋め込むことが可能となるとともに、導電材料が埋め込まれた樹脂層を平坦化する際に、導電材料の厚みのばらつきと樹脂層の厚みのばらつきとの双方を均一化することができる。
このため、導電材料の一部を除去する際の厚みのばらつきで、導電材料と樹脂層との間の段差のばらつきを決定することが可能となり、導電材料と樹脂層との間の段差のばらつきを低減させて、ＡＣＦ粒子を導電材料上に安定して捕らえることが可能となる。
【００１５】
また、請求項９記載の端子電極の製造方法によれば、前記導電層または導電材料と前記樹脂層との段差はＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする。
これにより、突起電極の周囲に緩衝層を設けることを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を突起電極上に効率よく捕らえることが可能となり、異方性導電層を介して突起電極とリード電極との接合を行う場合においても、突起電極とリード電極との接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００１６】
また、請求項１０記載の端子電極の製造方法によれば、前記導電層は、硬さの異なる導電材料が積層された多層構造から構成され、前記多層構造の最上層には柔らかい導電材料が用いられていることを特徴とする。
これにより、積層時の導電材料を変えることで、硬い金属と柔らかい金属とを用いて突起電極を構成することが可能となり、製造工程の複雑化を抑制しつつ、突起電極の変形量およびダメージ吸収量を容易に調整することが可能となる。
【００１７】
また、請求項１１記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板に能動領域を形成する工程と、前記能動領域が形成された半導体基板にパッド電極を形成する工程と、前記パッド電極が形成された半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、前記突起電極の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、導電層の一部を除去する際の厚みのばらつきで、電層と樹脂層との間の段差のばらつきを決定することが可能となり、導電層と樹脂層との間の段差のばらつきを低減させて、ＡＣＦ粒子を導電層上に安定して捕らえることが可能となる。
【００１８】
また、請求項１２記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板に能動領域を形成する工程と、前記能動領域が形成された半導体基板にパッド電極を形成する工程と、前記パッド電極が形成された基板上に樹脂層を形成する工程と、前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、インクジェット法により、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電材料を吐出させる工程と、前記導電材料が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、前記導電材料の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電材料の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、様々の導電材料を用いて開口部内に導電材料を埋め込むことが可能となるとともに、導電材料の一部を除去する際の厚みのばらつきで、導電材料と樹脂層との間の段差のばらつきを決定することが可能となり、導電材料と樹脂層との間の段差のばらつきを低減させて、ＡＣＦ粒子を導電材料上に安定して捕らえることが可能となる。
【００１９】
また、請求項１３記載の半導体装置の製造方法によれば、前記導電層または導電材料と前記樹脂層との段差はＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする。
これにより、突起電極の周囲に緩衝層を設けることを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を突起電極上に効率よく捕らえることが可能となり、接合時のダメージから半導体基板を保護することを可能としつつ、異方性導電層を用いた突起電極とリード電極との接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００２０】
また、請求項１４記載の半導体装置の製造方法によれば、前記導電層は、硬さの異なる導電材料が積層された多層構造から構成され、前記多層構造の最上層には柔らかい導電材料が用いられていることを特徴とする。
これにより、製造工程の複雑化を抑制しつつ、突起電極の変形量およびダメージ吸収量を容易に調整することが可能となり、半導体装置の高密度化および高信頼性化を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、突起電極の周囲を樹脂層で囲むことにより、突起電極を硬い金属で構成した場合においても、突起電極にかかるダメージを樹脂層で緩和することが可能となり、突起電極間の狭ピッチ化を進めて、バンプ電極の高密度化を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態に係る電極構造について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第１実施形態は、導電層６の周囲を感光性樹脂層４で覆うとともに、導電層６と感光性樹脂層４との間に段差を設けるようにしたものである。
図１（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板１にはパッド電極２が設けられ、パッド電極２を含む半導体基板１上には絶縁膜３が形成されている。なお、絶縁膜３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミド膜などを用いることができる。
そして、絶縁膜３が形成された半導体基板１上に感光性樹脂層４を形成する。なお、感光性樹脂層４は、例えば、スピンコート、カーテンコート、スクリーン印刷、インクジェット法などを用いて形成することができる。
【００２３】
次に、図１（ｂ）に示すように、感光性樹脂層４の露光・現像を行うことにより、パッド電極２上に開口部５を形成する。そして、この開口部５が形成された感光性樹脂層４をマスクとして、絶縁膜３のエッチングを行うことにより、パッド電極２を露出させる。
次に、図１（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、パッド電極２に接続された導電層６を開口部５内の途中の高さまで形成し、感光性樹脂層４と導電層６との間に高さＤの段差を設ける。なお、段差の高さＤは、ＡＣＦ粒子の平均直径よりも小さいことが好ましい。また、導電層６としては、例えば、ニッケルＮｉ、金Ａｕ、銅Ｃｕなどを用いることができる。
【００２４】
また、無電解メッキとしては、例えば、パッド電極２がアルミニウムＡｌで構成され、導電層６としてニッケルＮｉを用いる場合、アルカリ性亜鉛溶液を用いて、パッド電極２にジンケート処理を施し、パッド電極２の表面に亜鉛Ｚｎを置換・析出させる。
そして、表面が亜鉛Ｚｎに置換されたパッド電極２を無電解ニッケルメッキ液に浸すことで、亜鉛ＺｎとニッケルＮｉとを置換させ、ニッケルＮｉで構成される導電層６をパッド電極２上に形成することができる。
【００２５】
また、ジンケート処理とは別の方法として、例えば、アルミニウムＡｌからなるパッド電極２をパラジウムなどの還元剤を含む溶液に浸した後、無電解ニッケルメッキ液に浸すことで、パラジウムなどを核として、ニッケルＮｉで構成される導電層６をパッド電極２上に析出させることもできる。
これにより、導電層６上に配置されるＡＣＦ粒子が樹脂層４上に突出することを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を導電層６上に閉じ込めることが可能となり、ＡＣＦ粒子を導電層６上に効率よく捕らえることが可能となる。
このため、異方性導電層を介して導電層６の接合を行う場合においても、ＡＣＦ粒子が導電層６上から流出することを防止することができ、異方性導電層を用いたバンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００２６】
図２は、本発明の第２実施形態に係るモジュール構造の製造方法を示す断面図である。なお、この第２実施形態は、異方性導電性シート１２を介し、感光性樹脂層４との間に段差が設けられた導電層６をガラス基板１０上に実装するようにしたものである。
図２（ａ）において、ガラス基板１０には、例えば、ＩＴＯ電極などからなる端子１１が形成されている。そして、異方性導電性シート１２を介し、図１の半導体基板１をガラス基板１０上に実装する場合、異方性導電性シート１２を間に挟んで、感光性樹脂層４との間に段差が設けられた導電層６を端子１１に対向配置する。
【００２７】
次に、図２（ｂ）において、異方性導電性シート１２を間に挟んだ状態で、加熱・加圧下でガラス基板１０と半導体基板１とを接着することにより、導電層６とリード端子１１とを電気的に接続する。
ここで、異方性導電性シート１２を加熱すると、ＡＣＦ粒子１３は、異方性導電性シート１２内で流動できるようになるとともに、感光性樹脂層４と導電層６との間の段差が障壁となって、導電層６上に閉じ込められる。
このため、図２（ｃ）に示すように、ＡＣＦ粒子１３が導電層６上に集められ、感光性樹脂層４上のＡＣＦ粒子１３の密度に比べて、導電層６上のＡＣＦ粒子１３の密度が大きくなる。
【００２８】
この結果、導電層６の表面の高さが感光性樹脂層４の表面の高さよりも低くなるようにして、導電層６の周囲を感光性樹脂層４で覆った場合においても、感光性樹脂層４上の異方性導電性シート１２の絶縁性を維持しつつ、導電層６とリード端子１１とを電気的に接続することが可能となる。
従って、導電層６を硬い金属で構成した場合においても、接合時のダメージを感光性樹脂層４で吸収することが可能となり、半導体基板１に及ぶダメージを軽減しつつ、バンプ電極間の狭ピッチ化を進めて、バンプ電極の高密度化を図ることが可能となるとともに、ＡＣＦ粒子が導電層６上から流出することを防止して、異方性導電層によるバンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００２９】
図３は、本発明の第３実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第３実施形態は、導電層２６の周囲を感光性樹脂層２４で覆うとともに、インクジェット法により導電層２６を形成するようにしたものである。
図３（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板２１にはパッド電極２２が設けられ、半導体基板２１上にはパッド電極２２が露出するようにして絶縁膜２３が形成されている。そして、絶縁膜２３が形成された半導体基板２１上に感光性樹脂層２４を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、感光性樹脂層２４の露光・現像を行うことにより、パッド電極２２の周囲に感光性樹脂層２４が残るようにして、パッド電極２２上に開口部２５を形成する。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、インクジェットヘッド２７を介して液滴２８を開口部２５内に吐出させ、パッド電極２２に接続された導電層２６を開口部２５内の途中の高さまで形成し、感光性樹脂層２４と導電層２６との間に段差を設ける。なお、液滴２８としては、例えば、ニッケルＮｉ、金Ａｕまたは銅Ｃｕなどの金属粉が溶媒に分散された金属スラリーあるいは金属ペーストなどを用いることができる。
これにより、製造工程の簡略化を図りつつ、導電層２６の周囲に感光性樹脂層２４を設けることが可能となり、ＡＣＦ粒子を導電層２６上に閉じ込めることを可能として、ＡＣＦ粒子を導電層２６上に効率よく捕らえることが可能となる。
【００３１】
図４は、本発明の第４実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第４実施形態は、バンプ電極の周囲を感光性樹脂層４４で覆うとともに、バンプ電極を導電層４６、４７からなる２層構造としたものである。
図４（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板４１にはパッド電極４２が設けられ、パッド電極４２を含む半導体基板４１上には絶縁膜４３が形成されている。そして、絶縁膜４３が形成された半導体基板４１上に感光性樹脂層４４を形成する。
次に、図４（ｂ）に示すように、感光性樹脂層４４の露光・現像を行うことにより、パッド電極４２上に開口部４５を形成する。そして、この開口部４５が形成された感光性樹脂層４４をマスクとして、絶縁膜４３のエッチングを行うことにより、パッド電極４２を露出させる。
【００３２】
次に、図４（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、パッド電極４２に接続された導電層４６を開口部４５内の途中の高さまで形成する。なお、導電層４６としては、例えば、ニッケルＮｉ、銅Ｃｕなどの硬い金属を用いることができる。
次に、メッキ液を交換し、無電解メッキを用いることにより、導電層４６に接続された導電層４７を開口部４５内の途中の高さまで形成し、感光性樹脂層４４と導電層４７との間に段差を設ける。なお、段差の高さは、ＡＣＦ粒子の平均直径よりも小さいことが好ましい。また、導電層４７としては、例えば、金Ａｕなどの柔らかい金属を用いることができる。また、導電層４７としては、例えば、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｕなどのハンダ材を用いるようにしてもよい。
【００３３】
これにより、異なる材質の導電層４６、４７でバンプ電極を構成することを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を導電層４７上に閉じ込めることが可能となり、接合時のダメージ吸収を導電層４７で行うことを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を導電層４７上に効率よく捕らえることが可能となる。
このため、異方性導電層を介してパンプ電極の接合を行う場合においても、ＡＣＦ粒子がパンプ電極上から流出することを防止することが可能となるとともに、感光性樹脂層４４および導電層４７の双方を用いて接合時のダメージを緩和することが可能となり、異方性導電層を用いたバンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００３４】
図５は、本発明の第５実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第５実施形態は、導電層５６が埋め込まれた感光性樹脂層５４を平坦化した後、導電層５６と感光性樹脂層５４との間に段差を設けるようにしたものである。
図５（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板５１にはパッド電極５２が設けられ、パッド電極５２を含む半導体基板５１上には絶縁膜５３が形成されている。そして、絶縁膜５３が形成された半導体基板５１上に感光性樹脂層５４を形成する。
【００３５】
次に、図５（ｂ）に示すように、感光性樹脂層５４の露光・現像を行うことにより、パッド電極５２上に開口部５５を形成する。そして、この開口部５５が形成された感光性樹脂層５４をマスクとして、絶縁膜５３のエッチングを行うことにより、パッド電極５２を露出させる。
次に、図５（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、導電層５６が感光性樹脂層５４上に盛り上がるようにして、パッド電極５２に接続された導電層５６を開口部５５内に形成する。
なお、導電層５６を開口部５５内に形成する場合、無電解メッキの他、インクジェット法を用いるようにしてもよい。
【００３６】
次に、図５（ｄ）に示すように、例えば、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）などの方法を用いて、導電層５６が埋め込まれた感光性樹脂層５４の表面を研磨することにより、感光性樹脂層５４の表面を平坦化する。
次に、図５（ｅ）に示すように、感光性樹脂層５４に埋め込まれた導電層５６をエッチングすることにより、導電層５６の一部を除去し、感光性樹脂層５４と導電層５６との間に段差を設ける。なお、段差の高さは、ＡＣＦ粒子の平均直径よりも小さいことが好ましい。
【００３７】
これにより、導電層５６が埋め込まれた感光性樹脂層５４の表面を平坦化する際に、導電層５６の高さと感光性樹脂層５４の高さとを一致させることが可能となり、導電層５６の厚みのばらつきと樹脂層５４の厚みのばらつきとの双方を均一化することができる。
このため、導電層５６と樹脂層５４との間の段差のばらつきを、導電層５６をエッチングする際のばらつきで決定することが可能となり、導電層５６の表面が樹脂層５４の表面より低くなるように、開口部５５内に導電層５６を埋め込む方法に比べて、導電層５６と樹脂層５４との間の段差のばらつきを低減させることが可能となる。
【００３８】
図６は、本発明の第６実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第６実施形態は、バンプ電極が埋め込まれた感光性樹脂層６４を平坦化した後、バンプ電極と感光性樹脂層６４との間に段差を設けるとともに、バンプ電極を導電層６６、６７からなる２層構造としたものである。
図６（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板６１にはパッド電極６２が設けられ、パッド電極６２を含む半導体基板６１上には絶縁膜６３が形成されている。そして、絶縁膜６３が形成された半導体基板６１上に感光性樹脂層６４を形成する。
【００３９】
次に、図６（ｂ）に示すように、感光性樹脂層６４の露光・現像を行うことにより、パッド電極６２上に開口部６５を形成する。そして、この開口部６５が形成された感光性樹脂層６４をマスクとして、絶縁膜６３のエッチングを行うことにより、パッド電極６２を露出させる。
次に、図６（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、パッド電極６２に接続された導電層６６を開口部６５内の途中の高さまで形成する。なお、導電層６６としては、例えば、ニッケルＮｉ、銅Ｃｕなどの硬い金属を用いることができる。
【００４０】
さらに、メッキ液を交換し、無電解メッキを行うことにより、導電層６７が感光性樹脂層６４上に盛り上がるようにして、導電層６６に接続された導電層６７を開口部６５内に形成する。なお、導電層６７としては、例えば、金Ａｕなどの柔らかい金属を用いることができる。また、導電層６７としては、例えば、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｕなどのハンダ材を用いるようにしてもよい。
なお、導電層６６、６７を開口部６５内に形成する場合、無電解メッキの他、インクジェット法を用いるようにしてもよい。
【００４１】
次に、図６（ｄ）に示すように、例えば、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）などの方法を用いて、導電層６６、６７が埋め込まれた感光性樹脂層６４の表面を研磨することにより、感光性樹脂層６４の表面を平坦化する。
次に、図６（ｅ）に示すように、感光性樹脂層６４に埋め込まれた導電層６７をエッチングすることにより、導電層６７の一部を除去し、感光性樹脂層６４と導電層６７との間に段差を設ける。なお、段差の高さは、ＡＣＦ粒子の平均直径よりも小さいことが好ましい。
【００４２】
これにより、導電層６６、６７が埋め込まれた感光性樹脂層６４の表面を平坦化する際に、導電層６７の高さと感光性樹脂層６４の高さとを一致させることが可能となり、導電層６６、６７の厚みのばらつきと樹脂層６４の厚みのばらつきとの双方を均一化することができる。
このため、異なる材質の導電層６６、６７でバンプ電極を構成することを可能としつつ、導電層６６と樹脂層６４との間の段差のばらつきを、導電層６７をエッチングする際のばらつきで決定することが可能となる。
【００４３】
従って、導電層６６と樹脂層６４との間の段差のばらつきを低減させることを可能としつつ、感光性樹脂層６４および導電層６７の双方を用いて接合時のダメージを緩和することが可能となり、異方性導電層を用いたバンプ電極の接続信頼性を容易に向上させることが可能となる。
なお、上述した実施形態では、半導体基板上にバンプ電極を形成する方法について説明したが、本発明は、半導体基板に限定されることなく、例えば、ガラス基板、プリント基板、フィルム基板、テープ基板上などにバンプ電極を形成する方法に適用してもよい。
【００４４】
また、上述したバンプ電極構造は、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｃ）プレーヤなどの電子機器に適用することができ、電子機器の信頼性を劣化させることなく、電子機器の小型・軽量化を図ることが可能となる。
また、上述した実施形態では、バンプ電極の周囲を感光性樹脂で覆う方法について説明したが、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などでバンプ電極の周囲を覆うようにしてもよく、この場合、フォトリソグラフィー技術を用いて、熱硬化性樹脂などの非感光性樹脂のパターニングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係るモジュール構造の製造方法を示す断面図である。面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の第５実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第６実施形態に係るモジュール構造の製造方法を示す断面図である。
【図７】従来のバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１、２１、４１、５１、６１  半導体基板、２、２２、４２、５２、６２  パッド電極、３、２３、４３、５３、６３  絶縁膜、４、２４、４５、５４、６４  感光性樹脂層、５、２５、４６、５５、６５  開口部、６、２６、５６  導電層、１０  ガラス基板、１１  電極、１２  異方性導電性シート、１３  ＡＣＦ粒子、２７  インクジェットヘッド、２８  液滴、３４  シード電極、４６、６６  第１導電層、４７、６７  第２導電層
【図１】
2008004968.tif 000003
【図２】
2008004968.tif 000004
【図３】
2008004968.tif 000005
【図４】
2008004968.tif 000006
【図５】
2008004968.tif 000007
【図６】
2008004968.tif 000008
【図７】
2008004968.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月8日(2007.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１電極と、
前記基板上に形成され、前記第１電極と離間して形成された第２電極と、
前記基板上、前記第１電極上及び前記第２電極上に形成され、該第１電極上に第１開口部及び該第２電極上に第２開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記第１開口部上に第３開口部及び前記第２開口部上に第４開口部を有する樹脂層と、
前記第１開口部及び前記第３開口部に形成された第１導電層と、前記第２開口部及び前記第４開口部に形成された第２導電層と、を含み、
前記第１導電層は、第１導電材料及び該第１導電材料上に形成された第２導電材料を含み、
前記第２導電層は、第３導電材料及び該第３導電材料上に形成された第４導電材料を含み、  
前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の表面は、前記第１導電層の表面及び前記第２導電層の表面よりも高いことを特徴とする端子電極。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板は、半導体基板、ガラス基板、プリント基板、フィルム基板又はテープ基板であることを特徴とする端子電極。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記１電極は、第１パッド電極であり、
前記第２電極は、第２パッド電極であることを特徴とする端子電極。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第１導電層及び前記第２導電層は、ニッケル、金又は銅を含むことを特徴とする端子電極。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第２導電材料は、前記第１導電材料よりも柔らかく、
前記第４導電材料は、前記第３導電材料よりも柔らかいことを特徴とする端子電極。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか、又は請求項５において、
前記第１導電材料は、ニッケル又は銅を含み、
前記第２導電材料は、金又はハンダ材を含むことを特徴とする端子電極。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、  
前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の前記表面は、平坦であることを特徴とする端子電極。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成された第１電極と、
前記基板上に形成され、前記第１電極と離間して形成された第２電極と、
前記基板上、前記第１電極上及び前記第２電極上に形成され、該第１電極上に第１開口部及び該第２電極上に第２開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記第１開口部上に第３開口部及び前記第２開口部上に第４開口部を有する樹脂層と、
前記第１開口部及び前記第３開口部に形成された第１導電層と、前記第２開口部及び前記第４開口部に形成された第２導電層と、を含み、
前記第１導電層は、第１導電材料及び該第１導電材料上に形成された第２導電材料とを含み、
前記第２導電層は、第３導電材料及び該第３導電材料上に形成された第４導電材料とを含み、
前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の表面は、前記第１導電層の表面及び前記第２導電層の表面よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記基板は、半導体基板、ガラス基板、プリント基板、フィルム基板又はテープ基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記１電極は、第１パッド電極であり、
前記第２電極は、第２パッド電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれかにおいて、
前記第１導電層及び前記第２導電層は、ニッケル、金又は銅を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項８乃至１０のいずれかにおいて、
前記第２導電材料は、前記第１導電材料よりも柔らかく、
前記第４導電材料は、前記第３導電材料よりも柔らかいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項８乃至１０のいずれか、又は請求項１２において、
前記第１導電材料は、ニッケル又は銅を含み、
前記第２導電材料は、金又はハンダ材を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれかにおいて、  
前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の前記表面は、平坦であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
第１基板と、
前記第１基板上に形成された第１電極と、
前記第１基板上に形成され、前記第１電極と離間して形成された第２電極と、
前記第１基板上、前記第１電極上及び前記第２電極上に形成され、該第１電極上に第１開口部及び該第２電極上に第２開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記第１開口部上に第３開口部及び前記第２開口部上に第４開口部を有する樹脂層と、
前記第１開口部及び前記第３開口部に形成された第１導電層と、前記第２開口部及び前記第４開口部に形成された第２導電層と、
前記樹脂層上、前記第３電極上及び前記第４電極上に形成された異方性導電シートと、
前記異方性導電シート上に形成された第２基板と、を含み、
前記第１導電層は、第１導電材料及び該第１導電材料上に形成された第２導電材料とを含み、
前記第２導電層は、第３導電材料及び該第３導電材料上に形成された第４導電材料とを含み、  
前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の表面は、前記第３電極の表面及び前記第４電極の表面よりも高いことを特徴とするモジュール。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第１基板は、半導体基板、ガラス基板、プリント基板、フィルム基板又はテープ基板であることを特徴とするモジュール。
【請求項１７】
請求項１５又は１６において、
前記１電極は、第１パッド電極であり、
前記第２電極は、第２パッド電極であることを特徴とするモジュール。
【請求項１８】
請求項１５乃至１７のいずれかにおいて、
前記第１導電層及び前記第２導電層は、ニッケル、金又は銅を含むことを特徴とするモジュール。
【請求項１９】
請求項１５乃至１７のいずれかにおいて、
前記第２導電材料は、前記第１導電材料よりも柔らかく、
前記第４導電材料は、前記第３導電材料よりも柔らかいことを特徴とするモジュール。
【請求項２０】
請求項５乃至１７のいずれか、又は請求項２０において、
前記第１導電材料は、ニッケル又は銅を含み、
前記第２導電材料は、金又はハンダ材を含むことを特徴とするモジュール。
【請求項２１】
請求項１５乃至２０のいずれかにおいて、
前記異方性導電性シートは、ＡＣＦ粒子を含み、
前記第１導電層の表面と前記樹脂層の表面との段差及び前記第２導電層の表面と該樹脂層の該表面との段差は、前記ＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とするモジュール。
【請求項２２】
請求項１５乃至２１のいずれかにおいて、
前記第２基板は、回路基板又はガラス基板であることを特徴とするモジュール。
【請求項２３】
請求項２２において、
前記回路基板は、リード電極を含むことを特徴とするモジュール。
【請求項２４】
請求項１５乃至２３のいずれかにおいて、
前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の前記表面は、平坦であることを特徴とするモジュール。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、端子電極、半導体装置およびモジュールに関し、特に、異方性導電シートを用いたバンプ電極の接合方法に適用して好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、従来のバンプ電極は突出構造となっているため、異方性導電シートを介して半導体チップと基板とを接続すると、バンプ電極上のＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）粒子が流出し、接続信頼性が劣化するという問題があった
そこで、本発明の目的は、異方性導電層を介して突起電極の接合を行う際に、ＡＣＦ粒子を突起電極上に効率よく捕らえることが可能な端子電極、半導体装置およびモジュールを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る端子電極によれば、基板と、前記基板上に形成された第１電極と、前記基板上に形成され、前記第１電極と離間して形成された第２電極と、前記基板上、前記第１電極上及び前記第２電極上に形成され、該第１電極上に第１開口部及び該第２電極上に第２開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記第１開口部上に第３開口部及び前記第２開口部上に第４開口部を有する樹脂層と、前記第１開口部及び前記第３開口部に形成された第１導電層と、前記第２開口部及び前記第４開口部に形成された第２導電層と、を含み、前記第１導電層は、第１導電材料及び該第１導電材料上に形成された第２導電材料を含み、前記第２導電層は、第３導電材料及び該第３導電材料上に形成された第４導電材料を含み、前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の表面は、前記第１導電層の表面及び前記第２導電層の表面よりも高いことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る端子電極によれば、前記基板は、半導体基板、ガラス基板、プリント基板、フィルム基板又はテープ基板であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る端子電極によれば、前記１電極は、第１パッド電極であり、前記第２電極は、第２パッド電極であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る端子電極によれば、前記第１導電層及び前記第２導電層は、ニッケル、金又は銅を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る端子電極によれば、前記第２導電材料は、前記第１導電材料よりも柔らかく、前記第４導電材料は、前記第３導電材料よりも柔らかいことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る端子電極によれば、前記第１導電材料は、ニッケル又は銅を含み、前記第２導電材料は、金又はハンダ材を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る端子電極によれば、前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の前記表面は、平坦であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、基板と、前記基板上に形成された第１電極と、前記基板上に形成され、前記第１電極と離間して形成された第２電極と、前記基板上、前記第１電極上及び前記第２電極上に形成され、該第１電極上に第１開口部及び該第２電極上に第２開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記第１開口部上に第３開口部及び前記第２開口部上に第４開口部を有する樹脂層と、前記第１開口部及び前記第３開口部に形成された第１導電層と、前記第２開口部及び前記第４開口部に形成された第２導電層と、を含み、前記第１導電層は、第１導電材料及び該第１導電材料上に形成された第２導電材料とを含み、前記第２導電層は、第３導電材料及び該第３導電材料上に形成された第４導電材料とを含み、前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の表面は、前記第１導電層の表面及び前記第２導電層の表面よりも高いことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記基板は、半導体基板、ガラス基板、プリント基板、フィルム基板又はテープ基板であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記１電極は、第１パッド電極であり、前記第２電極は、第２パッド電極であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第１導電層及び前記第２導電層は、ニッケル、金又は銅を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第２導電材料は、前記第１導電材料よりも柔らかく、前記第４導電材料は、前記第３導電材料よりも柔らかいことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第１導電材料は、ニッケル又は銅を含み、前記第２導電材料は、金又はハンダ材を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の前記表面は、平坦であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、第１基板と、前記第１基板上に形成された第１電極と、前記第１基板上に形成され、前記第１電極と離間して形成された第２電極と、前記第１基板上、前記第１電極上及び前記第２電極上に形成され、該第１電極上に第１開口部及び該第２電極上に第２開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記第１開口部上に第３開口部及び前記第２開口部上に第４開口部を有する樹脂層と、前記第１開口部及び前記第３開口部に形成された第１導電層と、前記第２開口部及び前記第４開口部に形成された第２導電層と、前記樹脂層上、前記第３電極上及び前記第４電極上に形成された異方性導電シートと、前記異方性導電シート上に形成された第２基板と、を含み、前記第１導電層は、第１導電材料及び該第１導電材料上に形成された第２導電材料とを含み、前記第２導電層は、第３導電材料及び該第３導電材料上に形成された第４導電材料とを含み、前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の表面は、前記第３電極の表面及び前記第４電極の表面よりも高いことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、前記第１基板は、半導体基板、ガラス基板、プリント基板、フィルム基板又はテープ基板であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、前記１電極は、第１パッド電極であり、前記第２電極は、第２パッド電極であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、前記第１導電層及び前記第２導電層は、ニッケル、金又は銅を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、前記第２導電材料は、前記第１導電材料よりも柔らかく、前記第４導電材料は、前記第３導電材料よりも柔らかいことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、前記第１導電材料は、ニッケル又は銅を含み、前記第２導電材料は、金又はハンダ材を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、前記異方性導電性シートは、ＡＣＦ粒子を含み、前記第１導電層の表面と前記樹脂層の表面との段差及び前記第２導電層の表面と該樹脂層の該表面との段差は、前記ＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、前記第２基板は、回路基板又はガラス基板であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、前記回路基板は、リード電極を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るモジュールによれば、前記第３開口部と前記第４開口部との間に位置する前記樹脂層の前記表面は、平坦であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
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【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
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【補正の内容】