(57)【要約】 【課題】  基板が真空吸着されているか否かを確実に且つ短時間で検出することができる真空吸着装置を提供する。【解決手段】  一部に真空吸着されていない箇所があると、当該箇所において基板Ｗが基板載置テーブル５の上面から若干浮き上がることになる。そして、基板Ｗが浮き上がると当該箇所または個々に近接する箇所に開口する真空検知穴８で検出する圧力も外部から空気が入り込むため高くなる。したがって、複数設けた圧力センサ１１の全てが真空を感知した時点で、基板Ｗは確実に基板載置テーブル５の上面に吸着されたと判断できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板載置テーブルに吸引穴を形成し、この吸引穴の一端を基板載置テーブルの上面に開口させ、吸引穴の他端に真空源につながる配管を接続した真空吸着装置において、前記吸引穴とは別に真空検知穴を形成し、この真空検知穴の一端を基板載置テーブルの上面に開口させ、真空検知穴の他端を圧力センサを取り付けた検知用配管につなげたことを特徴とする真空吸着装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空吸着装置において、前記真空検知穴ごとに独立して圧力センサを取り付けた検知用配管が設けられていることを特徴とする真空吸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウェーハやガラス基板等の基板を真空吸着する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体ウェーハを薄くする研削中に半導体ウェーハを固定する装置として、或いは半導体ウェーハやガラス基板の表面に塗布液を塗布し、これを遠心力で回転して塗布液を均一に拡散せしめる際に半導体ウェーハやガラス基板を保持する装置として、特許文献１、２に開示される真空吸着装置が知られている。
【０００３】
特許文献１にはガラス基板を吸着する吸着テーブルとして、テーブルの上面外周部に溝を形成し、この溝内にキリ穴を開口させるとともにキリ穴に真空源につながる配管を接続した構成が開示されている。
【０００４】
特許文献２には、テーブルに開口した真空吸着穴につながる真空源として、真空ポンプと真空エジェクタを用意し、電源が正常な場合は真空ポンプを電源が使えない場合は真空エジェクタを用いる真空吸着装置が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１４５４７２号公報
【特許文献２】特開２００４−２００４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のように、全周に亘って吸着溝を形成した場合には、キリ穴の開口面積が溝の開口面積に広がることになるので、吸着力が低下する。一方、特許文献２のように吸着穴を直接テーブル上面に開口せしめた場合には、吸着力の低下はないが以下に述べる課題がある。
【０００７】
図３は従来の真空吸着装置の断面図であり、基板載置テーブル１００の厚み方向に吸引穴１０１が貫通して形成され、この吸引穴１０１の上端は基板載置テーブル１００の上面に開口し、吸引穴１０１の下端には真空源につながる配管１０２が接続され、更に配管１０２の途中に圧力センサ１０３を取り付けている。
【０００８】
このように、真空源につながる配管１０２に圧力センサ１０３を取り付けることは合理的であるが、誤作動を起こすことがある。即ち、圧力センサ１０３から離れた箇所の配管内が所定の圧力まで低下していなくても、圧力センサ１０３に近い箇所の配管内の圧力が所定値に達すると、真空吸着がなされたと判断してしまう。その結果、一部が吸着されていない状態、例えば基板の一部が浮いた状態で処理を開始してしまい、ノズル下端と基板とが衝突する破損することがある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明に係る真空吸着装置は、基板載置テーブルに吸引穴を形成し、この吸引穴の一端を基板載置テーブルの上面に開口させ、吸引穴の他端に真空源につながる配管を接続した真空吸着装置において、前記吸引穴とは別に真空検知穴を形成し、この真空検知穴の一端を基板載置テーブルの上面に開口させ、真空検知穴の他端を圧力センサを取り付けた検知用配管につなげた構成とした。
【００１０】
真空検知穴は基板載置テーブルの上面に均等に配置するか、真空になりにくい傾向にある箇所、例えば真空ポンプからの配管の距離が遠い箇所に設けることが好ましい。また、吸着されているか否かを個々の場所ごとに正確に検知するには、真空検知穴ごとに独立して圧力センサを取り付けた検知用配管が設けることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体ウェーハやガラス基板が載置テーブル上面に確実に真空吸着されているか否かを正確に知ることができる。したがって、例えばスリットノズルを移動させて塗布する際に、基板の一部が浮いた状態となって、ノズルと基板とが衝突するような不具合が発生することがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る真空吸着装置の断面図、図２は同吸着装置の平面図である。
【００１３】
図中１，２，３，４は平面視で環状をなすように配置された吸引用配管であり、これら吸引用配管１，２，３，４は独立した配管１ａ，２ａ，３ａ，４ａを介して真空源につながっている。
【００１４】
前記吸引用配管１，２，３，４は基板載置テーブル５の下面側に配置され、基板載置テーブル５には吸引穴６…が厚み方向に貫通して形成され、吸引穴６の上端は基板載置テーブル５の上面に開口し、下端はジョイント７を介して前記吸引用配管１，２，３，４のいずれかにつながっている。
【００１５】
このように、吸引用配管１，２，３，４を環状に配置するとともにそれぞれを独立して真空源につなげることで、基板Ｗの寸法に合せて使用する吸引用配管と使用しない吸引用配管とを分けることができ、無駄な電力の消費を抑えることができる。
【００１６】
一方、基板載置テーブル５の厚み方向には前記吸引穴６とは別に真空検知穴８を貫通して形成している。この真空検知穴８の上端は基板載置テーブル５の上面に開口し、下端はジョイント９を介して検知用配管１０につながり、この検知用配管１０には圧力センサ１１が取り付けられ、この圧力センサ１１によって基板Ｗと真空検知穴８直上との間の圧力を測定するようにしている。
【００１７】
上記圧力検出の機構においては、真空検知穴８と検知用配管１０と圧力センサ１１とが１セットになっている。即ち、１本の検知用配管１０には１つの真空検知穴８のみが対応し、個々の圧力検出の機構は独立している。このようにすることで、仮に真空吸着されない事態が生じても、どの箇所で真空吸着されていないかを直ちに知ることができる。
【００１８】
また、実施例の基板載置テーブル５は水平度調整機構２０を備えている。この水平度調整機構２０はベース２１上にボールネジ機構２２によって進退する楔部材２３を設け、一方基板載置テーブル５の下面を支える脚部２４には前記楔部材２３の上面の傾斜面に当接する傾斜面を設け、ボールネジ機構２２によって楔部材２３を水平方向にスライド移動させることで、基板載置テーブル５が部分的に昇降し、これによって水平度を調整する。
【００１９】
以上において、基板載置テーブル５の上面に基板Ｗを載置し、吸引用配管１，２，３，４及び吸引穴６…を介して吸引固定する際に、真空吸着されている箇所にあっては、基板Ｗと真空検知穴８直上との間は極めて小さくなり当該真空検知穴８に近い吸引穴６の圧力を圧力センサ１１によって検出することになる。この場合には正常に吸着されていると判断できる。
【００２０】
一方、一部に真空吸着されていない箇所があると、当該箇所において基板Ｗが基板載置テーブル５の上面から若干浮き上がることになる。そして、基板Ｗが浮き上がると当該箇所または個々に近接する箇所に開口する真空検知穴８で検出する圧力も外部から空気が入り込むため高くなる。したがって、複数設けた圧力センサ１１の全てが真空を感知した時点で、基板Ｗは確実に基板載置テーブル５の上面に吸着されたと判断できる。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明の真空吸着装置は、例えば、半導体ウェーハの厚みを薄くする研削工程で半導体ウェーハを固定する装置として、半導体ウェーハやガラス基板の表面に塗布液を塗布する工程で半導体ウェーハやガラス基板を固定する装置として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る真空吸着装置の断面図
【図２】同吸着装置の平面図
【図３】従来の吸着装置の問題点を指摘した断面図
【符号の説明】
【００２３】
１，２，３，４，１ａ，２ａ，３ａ，４ａ…吸引用配管、５…基板載置テーブル、６…吸引穴、７…ジョイント、８…真空検知穴、９…ジョイント、１０…検知用配管、１１…圧力センサ、２０…水平度調整機構、２１…ベース、２２…ボールネジ機構、２３…楔部材、２４…脚部、Ｗ…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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