(57)【要約】【課題】基板搬送に伴い生産性が低下することを防止する。【解決手段】処理部ＥＸ−ＳＹＳに対して基板の供給処理を行うとともに、処理部ＥＸ−ＳＹＳから基板の回収処理を行う。基板の供給に関する情報と、基板の回収に関する情報とに基づいて、基板の供給処理を優先させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理部に対して基板の供給処理を行うとともに、前記処理部から基板の回収処理を行う基板搬送装置であって、
前記基板の供給に関する情報と、前記基板の回収に関する情報とに基づいて、前記基板の供給処理を優先させることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板搬送装置において、
前記基板の回収に要する時間と、前記基板が供給可能となるまでの時間とを比較し、前記基板が供給可能となるまでの時間が前記基板の回収に要する時間よりも短いときに前記基板の供給処理を優先させることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板搬送装置において、
前記基板が供給可能となるまでの時間を計測する計測装置を有し、
前記計測装置の計測結果に基づいて、前記基板の供給処理を優先させることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項４】
請求項２記載の基板搬送装置において、
前記基板の処理状況に応じて、前記基板が供給可能となるまでの時間を予測した結果に基づいて、前記基板の供給処理を優先させることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれかに記載の基板搬送装置において、
前記基板の回収要求を出力する出力部を有し、
前記基板が供給可能となるまでの時間が前記基板の回収に要する時間よりも短くなったタイミング情報を前記出力部に出力し、
前記出力部は、前記タイミング情報が出力されたときに、前記回収要求の出力を停止することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板搬送装置において、
前記基板の供給処理を優先させている状況を表示する表示装置を有することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板搬送装置において、
前記処理部を、露光処理を行う露光装置とし、
前記露光装置から回収した基板をコータ・デベロッパ装置に搬送することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の基板搬送装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項１から６のいずれかに記載の基板搬送装置を備えたことを特徴とするコータ・デベロッパ装置。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれかに記載の基板搬送装置と、
露光処理を行う露光装置と、
コータ・デベロッパ装置とを備え、
前記処理部を、露光処理を行う露光装置とし、
前記露光装置から回収した基板を前記コータ・デベロッパ装置に搬送するように制御する制御部を有することを特徴とする露光システム。
【請求項１１】
処理部に対して基板の供給処理を行う供給工程と、前記処理部から基板の回収処理を行う回収工程とを有する基板搬送方法であって、
前記基板の供給に関する情報と、前記基板の回収に関する情報とに基づいて、前記基板の供給工程を優先させることを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の基板搬送方法において、
前記基板の回収に要する時間と、前記基板が供給可能となるまでの時間とを比較し、前記基板が供給可能となるまでの時間が前記基板の回収に要する時間よりも短いときに前記基板の供給工程を優先させることを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の基板搬送方法において、
前記基板の処理状況に応じて、前記基板が供給可能となるまでの時間を予測した結果に基づいて、前記基板の供給工程を優先させることを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３記載の基板搬送方法において、
前記基板の回収要求を出力する出力工程を有し、
前記基板が供給可能となるまでの時間が前記基板の回収に要する時間よりも短くなったタイミング情報を出力し、
前記タイミング情報が出力されたときに、前記回収要求の出力を停止する出力停止工程を有することを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１５】
請求項１１から１４のいずれかに記載の基板搬送方法において、
前記基板の供給処理を優先させている状況を表示する表示工程を有することを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１６】
請求項１１から１５のいずれかに記載の基板搬送方法を用いて基板を処理することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬送装置、露光装置、コータ・デベロッパ装置、露光システム及び基板搬送方法並びにデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体の露光（リソグラフィ）工程では、例えば基板上に感光剤を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置（以下Ｃ／Ｄ装置）を露光装置に接続して運用することがある。
このような二つの装置間での基板の受け渡しは、ロボット等を用いた基板搬送装置で行われている。基板搬送装置は、露光装置から基板の受け取りが可能である通知が出力されると、Ｃ／Ｄ装置から露光装置の受取テーブルへ基板を供給・搬送する。
また、露光装置で処理が完了した基板が受渡テーブルに載置され、露光装置から回収が可能である通知が出力されると、基板搬送装置は受渡テーブルから基板を受け取って回収し、Ｃ／Ｄ装置に搬送する。このように、露光装置とＣ／Ｄ装置との間では、基板搬送装置による基板の搬送が連続的に行われる（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−４５１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
露光装置には、露光処理を行うステージまでの基板搬送経路上に、プリアライメント処理等の基板処理ポジションが設けられており、露光装置の処理能力を最大限に活用するためには、露光処理の処理周期以内にＣ／Ｄ装置から基板を供給する必要がある。
ここで、露光装置とＣ／Ｄ装置との処理能力が均衡している場合には、先に記載した基板の供給・回収動作が交互に行われ、露光装置に対して一定の周期毎に基板が供給されることになるが、二つの装置の処理能力に差がある場合には、基板の供給・回収動作の周期がくずれるため、いずれかの装置で待ち状態が発生して生産性が低下するという問題があった。
【０００４】
例えば、Ｃ／Ｄ装置から露光装置に基板を搬送する準備が整っていない状態で、露光装置から基板回収の指示が出力されると、基板搬送装置は露光装置の基板の回収動作を行うが、回収動作を開始した後に、Ｃ／Ｄ装置において露光装置に搬送する基板の準備が整った場合、露光装置の基板の回収動作が完了した後に、Ｃ／Ｄ装置から露光装置へ基板を供給する。そのため、基板供給動作が開始されるまでには、基板回収動作が完了するまでの待ち時間が生じ、生産性が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、基板搬送に伴い生産性が低下することを防止できる基板搬送装置、露光装置、コータ・デベロッパ装置、露光システム及び基板搬送方法並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図６に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板搬送装置は、処理部（ＥＸ−ＳＹＳ）に対して基板（Ｐ）の供給処理を行うとともに、処理部（ＥＸ−ＳＹＳ）から基板（Ｐ）の回収処理を行う基板搬送装置（ＨＣＤ）であって、基板（Ｐ）の供給に関する情報と、基板（Ｐ）の回収に関する情報とに基づいて、基板（Ｐ）の供給処理を優先させることを特徴とするものである。
【０００７】
従って、本発明の基板搬送装置では、基板の回収を行う際に、基板（Ｐ）の供給に関する情報（例えば時間）と、基板（Ｐ）の回収に関する情報（例えば時間）とを比較し、基板（Ｐ）が供給可能となるまでの時間が基板（Ｐ）の回収に要する時間よりも短い場合には、基板（Ｐ）の回収動作を行わずに、基板（Ｐ）の供給処理を優先させる。
これにより、本発明では、処理部（ＥＸ−ＳＹＳ）における基板処理に待ち時間が生じて、生産性が低下してしまうことを防止できる。
【０００８】
また、本発明の露光装置は、先に記載の基板搬送装置（ＨＣＤ）を備えたことを特徴とするものである。また、本発明のコータ・デベロッパ装置は、先に記載の基板搬送装置（ＥＸ−ＳＹＳ）を備えたことを特徴とするものである。
従って、本発明では、基板（Ｐ）に対する露光処理や感光剤塗布処理、現像処理等に待ち時間が生じて、生産性が低下してしまうことを防止できる。
【０００９】
そして、本発明の露光システムは、先に記載の基板搬送装置（ＨＣＤ）と、露光処理を行う露光装置（ＥＸ−ＳＹＳ）と、コータ・デベロッパ装置（Ｃ／Ｄ−ＳＹＳ）とを備え、処理部を、露光処理を行う露光装置（ＥＸ−ＳＹＳ）とし、露光装置（ＥＸ−ＳＹＳ）から回収した基板（Ｐ）をコータ・デベロッパ装置（Ｃ／Ｄ−ＳＹＳ）に搬送するように制御する制御部（２０、ＣＯＮＴ）を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の露光システムでは、露光装置（ＥＸ−ＳＹＳ）から基板（Ｐ）の回収を行う際に、基板（Ｐ）の供給に関する情報と、基板（Ｐ）の回収に関する情報とを比較し、コータ・デベロッパ装置（Ｃ／Ｄ−ＳＹＳ）から基板（Ｐ）が供給可能となるまでの時間が基板（Ｐ）の回収に要する時間よりも短い場合には、基板（Ｐ）の回収動作を行わずに、基板（Ｐ）の供給処理を優先させる。
これにより、本発明では、露光装置（ＥＸ−ＳＹＳ）における露光処理に待ち時間が生じて、生産性が低下してしまうことを防止できる。
【００１０】
そして、本発明の基板搬送方法は、処理部（ＥＸ−ＳＹＳ）に対して基板（Ｐ）の供給処理を行う供給工程と、処理部（ＥＸ−ＳＹＳ）から基板（Ｐ）の回収処理を行う回収工程とを有する基板搬送方法であって、基板（Ｐ）の供給に関する情報と、基板（Ｐ）の回収に関する情報とに基づいて、基板（Ｐ）の供給工程を優先させることを特徴とするものである。
従って、本発明の基板搬送方法では、基板の回収を行う際に、基板（Ｐ）の供給に関する情報（例えば時間）と、基板（Ｐ）の回収に関する情報（例えば時間）とを比較し、基板（Ｐ）が供給可能となるまでの時間が基板（Ｐ）の回収に要する時間よりも短い場合には、基板（Ｐ）の回収動作を行わずに、基板（Ｐ）の供給処理を優先させる。
これにより、本発明では、処理部（ＥＸ−ＳＹＳ）における基板処理に待ち時間が生じて、生産性が低下してしまうことを防止できる。
【００１１】
また、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の基板搬送方法を用いて基板（Ｐ）を処理することを特徴とするものである。
従って、本発明のデバイス製造方法では、生産性が低下することなくデバイスを製造することが可能になる。
【００１２】
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１３】
本発明では、基板の供給処理を優先するため、供給された基板を用いる処理部に滞りなく搬入することができ、基板の供給遅れに起因して生産性が低下することを防止できる。また、本発明では、オペレータ等の作業者が処理状況を容易に把握することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の基板搬送装置、露光装置、コータ・デベロッパ装置、露光システム及び基板搬送方法並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図８を参照して説明する。ここでは、本発明の基板搬送装置が例えば、コータ・デベロッパ装置に収容されて設けられる場合の例を用いて説明するが、本発明はこれに限定されない。
なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１５】
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光システムＳＹＳを示す概略構成図であり、図２は、基板Ｐの搬送経路を主眼としてモデル的に図示した露光システムＳＹＳの平面図である。
この露光システムＳＹＳは、露光装置（処理部）ＥＸ−ＳＹＳと、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとが、インターフェースＩＦを介して接続された構成になっている。
【００１６】
コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳは、図２に示すように、露光処理される前の基板Ｐの基材（半導体ウエハ）に対して感光材（レジスト）の塗布処理を行う塗布テーブルＣＤ１、及び露光装置本体ＥＸにおいて露光処理された後の基板Ｐに対して現像処理を行う現像テーブルＣＤ２を含むコータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄと、コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ及びインターフェースＩＦの間で基板Ｐを搬送する搬送系（基板搬送装置）ＨＣＤとを備えている。これら塗布テーブルＣＤ１における塗布処理、現像テーブルＣＤ２における現像処理、及び搬送系ＨＣＤの搬送動作は、制御装置によって制御される。
【００１７】
コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ（塗布テーブルＣＤ１、現像テーブルＣＤ２）及び搬送系ＨＣＤなどは、後述する第１チャンバ装置ＣＨ１とは別の第２チャンバ装置ＣＨ２内部に配置されている。第１チャンバ装置ＣＨ１と第２チャンバ装置ＣＨ２とは、インターフェース部ＩＦを介して接続されている。
【００１８】
露光装置ＥＸ−ＳＹＳは、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄとの接続部を形成するインターフェース部ＩＦと、基板Ｐの露光処理を行う露光装置本体ＥＸと、基板Ｐを搬送する搬送系Ｈと、プリアライメントユニットＰＵと、温調ユニットＳＵと、露光装置ＥＸ−ＳＹＳ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えており、インターフェース部ＩＦ、露光装置本体ＥＸ及び搬送系Ｈは清浄度が管理された第１チャンバ装置ＣＨ１内部に配置されている。
【００１９】
インターフェース部ＩＦには、図２に示すように、搬送系ＨＣＤによって塗布テーブルＣＤ１から基板を供給される供給用テーブル１１と、露光装置本体ＥＸで露光処理された基板が載置され、搬送系ＨＣＤによって回収される回収用テーブル１２とが設けられている。
【００２０】
露光装置本体ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有し、基板Ｐを保持した基板ホルダＰＨを移動可能な基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬとを備えている。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
また、本実施形態では、露光装置本体ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。
【００２１】
露光装置本体ＥＸは、本実施形態では露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を形成し、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して基板Ｐを露光する。
なお、本発明は、上記液浸法が適用されな露光装置にも用いることができる。
【００２２】
プリアライメントユニットＰＵは、基板ステージＰＳＴに搬送される基板に対して、予備的に（大まかに）位置決めするものである。
温調ユニットＳＵは、基板ステージＰＳＴに搬送される基板に対して、当該基板ステージＰＳＴの温度（露光装置本体ＥＸの雰囲気温度）に温度調整するものである。
【００２３】
搬送系Ｈは、インターフェース部ＩＦにおける供給用テーブル１１と露光装置本体ＥＸとの間で基板Ｐを搬送する複数の搬送アームＨ１〜Ｈ３（図１参照、図２では図示せず）と、回収用テーブル１２と露光装置本体ＥＸとの間で基板Ｐを搬送する複数の搬送アームＨ４、Ｈ５（図２参照、図１では図示せず）とを備えている。
より詳細には、搬送系Ｈは、供給用テーブル１１からプリアライメントユニットＰＵに基板Ｐを搬送する搬送アームＨ１と、プリアライメントユニットＰＵから温調ユニットＳＵに基板Ｐを搬送する搬送アームＨ２と、温調ユニットＳＵから露光装置本体ＥＸ（基板ステージＰＳＴ）に露光処理前の基板Ｐを搬入する搬送アームＨ３と、露光処理が終了した基板Ｐを露光装置本体ＥＸ（基板ステージＰＳＴ）から搬出するアンロードアーム（スライダ）Ｈ４と、アンロードアームＨ４から基板Ｐを受け取って回収用テーブル１２に搬送する搬送アームＨ５とを備えている。これら搬送系Ｈの動作は、上述した制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２４】
制御装置ＣＯＮＴは、露光装置ＥＸ−ＳＹＳにおける各構成機器、具体的には露光装置本体ＥＸによる露光処理に関する状況や搬送系Ｈにおける基板Ｐの搬送状況、プリアライメントユニットＰＵにおけるアライメント状況、温調ユニットＳＵおける温調状況等、各機器における処理状況を表示する表示装置７を備えている。
また、制御装置ＣＯＮＴと制御装置２０とは、例えばＬＡＮ等で接続され、互いに通信可能となっている。
【００２５】
ここで、基板Ｐの搬送手順の概略を説明する。
露光装置ＥＸ−ＳＹＳの制御装置ＣＯＮＴから基板Ｐの供給要求がコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳの制御装置２０に出力されると、制御装置２０はコータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄの塗布テーブルＣＤ１で感光材の塗布処理を施された基板Ｐを、搬送系ＨＣＤによってインターフェース部ＩＦの供給用テーブル１１まで搬送させる。インターフェース部ＩＦの供給用テーブル１１に搬送された基板Ｐは、搬送アームＨ１によって、プリアライメントユニットＰＵに渡される。ここで、プリアライメントユニットＰＵに渡された基板Ｐは、基板ステージＰＳＴに対して大まかに位置合わせ（プリアライメント）される。
【００２６】
位置合わせされた基板Ｐは、搬送アームＨ２によって温調ユニットＳＵに搬送されて、基板ステージＰＳＴの温度と略同一の所定温度に温度調整された後に、搬送アームＨ３によって、露光装置本体ＥＸの基板ステージＰＳＴ上に搬入される。そして、露光処理が施された基板Ｐは、アンロードアームＨ４により基板ステージＰＳＴから搬出された後に、搬送アームＨ５に受け渡され、この搬送アームＨ５によって回収用テーブル１２に搬送される。
【００２７】
基板Ｐが回収用テーブル１２に載置されて基板回収が可能な状態となると、制御装置ＣＯＮＴは基板回収要求をコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳの制御装置２０に出力する。基板回収要求が通知されると、制御装置２０は、回収用テーブル１２に載置された基板Ｐを搬送系ＨＣＤによって回収させ、現像テーブルＣＤ２に搬送する。
このように、基板Ｐは、搬送系ＨＣＤ、Ｈによって搬送されることにより、感光剤塗布処理、露光処理、現像処理の一連の工程が施される。
【００２８】
ここで、上記の基板搬送処理は、基板供給要求が出力された際に、支障なく対応可能であることを前提として説明したが、実際にはコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳにおいて基板Ｐの供給準備が整っていないことも想定される。
以下、このような事態が生じた場合の基板搬送処理について、図３に示すフローチャートを参照して説明する。
【００２９】
まず、ステップＳ１において、露光装置ＥＸ−ＳＹＳの制御装置ＣＯＮＴから基板供給要求が出されると、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳの制御装置２０は、塗布テーブルＣＤ１における基板の塗布処理状況に基づいて基板供給が可能かどうかを判断し（ステップＳ２）、供給可能な場合は、上述した基板搬送動作にて基板供給処理を実行する（ステップＳ７）。
【００３０】
一方、ステップＳ２において、基板の準備が整っておらず、基板供給が不能な場合、制御装置２０は、露光装置ＥＸ−ＳＹＳの制御装置ＣＯＮＴから基板回収要求が出力されているかを判断し（ステップＳ３）、基板回収要求が通知されていない場合は、基板の準備が整うまでそのまま待機する（ステップＳ８）。
【００３１】
そして、ステップＳ３において基板回収要求が通知された場合、制御装置２０はステップＳ４において、搬送系ＨＣＤによる基板回収処理に要する時間が、基板供給可能となるまでの時間よりも長いか否かを比較判断する。この搬送系ＨＣＤによる基板回収処理に要する時間は、露光処理前に予め計測して制御装置２０に記憶されているものである。また、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳにおいて基板が供給可能となるまでの時間は、制御装置２０が基板Ｐに対する感光剤塗布処理のシーケンスに基づいて、ソフトウェア的に予測したものである。
【００３２】
ステップＳ４で、基板回収処理に要する時間が基板供給までに要する時間よりも短い場合、基板が供給可能となるまでに基板の回収処理が完了することになるため、制御装置２０は搬送系ＨＣＤによって基板回収処理を実行させる（ステップＳ５）。
一方、ステップＳ４で、基板回収処理に要する時間が基板供給までに要する時間よりも長い場合、基板が供給可能となったときには、基板回収処理が完了しておらず、基板供給処理を実施できないため、露光装置ＥＸ−ＳＹＳに基板供給待ちの状態が生じることになる。
【００３３】
そのため、制御装置２０は、このような場合、搬送系ＨＣＤによる基板回収処理を行わせずに、基板が供給可能となるまで待機させる（ステップＳ８）。そして、制御装置２０は、基板Ｐが供給可能となって搬送された後に、上述したステップＳ５において基板回収処理を搬送系ＨＣＤに実行させる。
なお、上記のような基板の準備による待ちで基板回収処理を実施していない状況は、表示装置７に供給動作優先中等の表示がなされる。
【００３４】
このように、本実施形態では、基板回収要求が通知された場合でも、基板回収に要する時間よりも、基板が供給可能となるまでの時間が短いときには、基板の供給処理を優先するため、供給された基板Ｐを用いる露光装置（処理部）ＥＸ−ＳＹＳに滞りなく搬入することができ、基板Ｐの供給遅れに起因して、露光処理に待ち時間が生じ生産性が低下することを防止できる。
まや、本実施形態では、基板供給処理を優先するために、基板回収処理を実施しないという待機状況が表示装置７に表示されるため、オペレータ等の作業者が処理状況を容易に把握することが可能となっている。
【００３５】
なお、上記実施形態では、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳにおいて基板が供給可能となるまでの時間は、制御装置２０が感光剤塗布処理状況に基づいて、ソフトウェア的に予測するものとしたが、これに限定されるものではなく、塗布テーブルＣＤ１及びその周辺にセンサ等の各種計測装置を設置し、この計測装置によって基板Ｐが供給可能となるまでの時間を計測する構成としてもよい。この場合、感光剤塗布処理に要する時間が変動しても、基板Ｐが供給可能となるまでの時間を正確に把握することが可能になり、より確実に待ち時間を生じさせることなく露光装置ＥＸ−ＳＹＳに基板Ｐを供給することが可能になる。
【００３６】
＜第２実施形態＞
続いて、本発明に係る基板搬送装置の第２実施形態について、図４及び図５を参照して説明する。上記第１実施形態では、制御装置２０が搬送系ＨＣＤによる基板回収処理に要する時間と、基板が供給可能となるまでの時間とを比較し、基板回収処理に要する時間が基板供給までに要する時間よりも長い場合、基板回収処理を実施させない構成としたが、本実施形態では、このような場合に基板回収要求を出力しない構成とする場合について、図４及び図５に示すフローチャートを用いて説明する。
なお、これらの図において、図３に示す第１実施形態のフローチャートと同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【００３７】
ステップＳ１において、露光装置ＥＸ−ＳＹＳの制御装置ＣＯＮＴから基板供給要求が出されると、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳの制御装置２０は、塗布テーブルＣＤ１における基板の塗布処理状況に基づいて基板供給が可能かどうかを判断し（ステップＳ２）、供給可能な場合は、上述した基板搬送動作にて基板供給処理を実行する（ステップＳ７）。
【００３８】
そして、ステップＳ２において、基板の準備が整っておらず、基板供給が不能な場合、制御装置２０は、搬送系ＨＣＤによる基板回収処理に要する時間が、基板供給可能となるまでの時間よりも長いか否かを比較判断する（ステップＳ４）。ステップＳ４において、基板回収処理に要する時間の方が短い場合には、制御装置２０は露光装置ＥＸ−ＳＹＳの制御装置ＣＯＮＴから基板回収要求が出力されているかを判断し（ステップＳ３）、基板回収要求が通知されていない場合には、ステップＳ２へ戻って基板供給が可能となるまで待機し、基板回収要求が通知されている場合には、搬送系ＨＣＤによって基板回収処理を実行させた後に、ステップＳ２へ戻って基板供給が可能となるまで待機する。
【００３９】
一方、ステップＳ４において、基板供給可能となるまでの時間の方が短い場合には、制御装置２０は露光装置ＥＸ−ＳＹＳの制御装置ＣＯＮＴに対して、基板供給可能となるまでの時間が基板回収処理に要する時間以下となったというタイミング情報を出力する（ステップＳ６）。
【００４０】
ここで、図５に示すように、露光装置ＥＸ−ＳＹＳの制御装置ＣＯＮＴにおいては、回収用テーブル１２が基板回収状態となったら（ステップＳ３１）、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳからタイミング情報が出力されているか否かを判断し（ステップＳ３２）、タイミング情報が通知されていない場合には、出力部として、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳの制御装置２０の基板回収要求を出力する（ステップＳ３３）。
また、ステップＳ３２でタイミング情報が通知されている場合には、制御装置ＣＯＮＴは基板の供給処理が完了するまでコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳに対して基板回収要求を出力することを停止して待機する（ステップＳ３４）。
従って、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳにおいては、基板回収要求が通知され、且つ基板回収処理に要する時間の方が短い場合のみ基板回収処理が実施されることになる。
【００４１】
このように、本実施形態においても、基板回収に要する時間よりも、基板が供給可能となるまでの時間が短いときには、基板の供給処理を優先するため、上記第１実施形態と同様の効果が得られ、基板Ｐの供給遅れに起因して、露光処理に待ち時間が生じ生産性が低下することを防止できる。
【００４２】
（第３実施形態）
続いて、第３実施形態について、図６を参照して説明する。
第３実施形態においては、搬送系ＨＣＤとは別に、露光装置ＥＸ−ＳＹＳに基板Ｐを搬送する搬送系が設けられている。
なお、これらの図において、図２に示した第１実施形態と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【００４３】
図６に示すように、本実施形態の露光装置ＥＸ−ＳＹＳには、第１チャンバ装置ＣＨ１の一部に開口部Ｋ及びこの開口部Ｋを開閉するシャッタＳＹが設けられている。また、開口部Ｋを挟んで搬送アームＨ５と対向する位置には、搬送アームＨ５との間で基板Ｐを受け渡しするローカルキャリアＬＣが配設されている。
【００４４】
また、本実施形態では、プリアライメント機能と温調機能の双方を有する温調／アライメントユニットＰＳＵが、供給用テーブル１１との間に搬送アームＨ６を挟む位置に配設されている。温調／アライメントユニットＰＳＵと露光装置本体ＥＸ（基板ステージＰＳＴ）との間には、これらの間で基板Ｐを搬送するロードアーム（ロードスライダ）Ｈ７が設けられている。
【００４５】
一方、搬送アームＨ５と搬送アームＨ６との間には、中継用テーブル１３が配設されている。そして、搬送アームＨ５は、ローカルキャリアＬＣ、搬送アームＨ４，回収用テーブル１２、及び中継用テーブル１３との間で基板Ｐを搬送する。また、搬送アームＨ６は、供給用テーブル１１、中継用テーブル１３、及び温調／アライメントユニットＰＳＵとの間で基板Ｐを搬送する。
【００４６】
上記の構成の露光装置ＥＸ−ＳＹＳにおいては、例えば実験時や緊急時等で基板Ｐに対して優先的に露光処理を実施する場合には、シャッタＳＹを開けた状態で露光処理前で感光剤が塗布された基板ＰをローカルキャリアＬＣから搬送アームＨ５に対して搬送する（搬送後にシャッタＳＹは閉じられる）。基板Ｐを受け取った搬送アームＨ５は、中継用テーブル１３に基板Ｐを載置する。
【００４７】
続いて、搬送アームＨ６が中継用テーブル１３上の基板Ｐを温調／アライメントユニットＰＳＵに搬送する。温調／アライメントユニットＰＳＵでプリアライメント及び温度調整された基板Ｐは、ロードアームＨ７によって露光装置本体ＥＸ（基板ステージＰＳＴ）に搬入される。露光装置本体ＥＸで露光処理が施された基板Ｐは、アンロードアームＨ４で搬出されて搬送アームＨ５に受け渡される。
ここで、基板Ｐを搬出する場合は、再度シャッタＳＹを開けた後に、基板ＰをローカルキャリアＬＣに受け渡して搬出する。また、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳにおいて現像処理を実施する場合には、基板Ｐを回収用テーブル１２に搬送し、搬送系ＨＣＤにより回収させる。
【００４８】
本実施形態では、例えば搬送アームＨ５が基板搬送装置として、アンロードアームＨ４から基板Ｐを回収するとともに、ローカルキャリアＬＣから受け渡された基板Ｐを中継用テーブル１３に対して供給するに際し、基板回収に要する時間と基板が供給可能となるまでの時間を比較し、その比較結果に基づいて基板の供給処理を優先させることにより、基板Ｐの供給遅れに起因して、露光処理に待ち時間が生じ生産性が低下することを防止できる。
【００４９】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５０】
例えば、上記実施形態では、露光装置ＥＸ−ＳＹＳとコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの間で基板Ｐを搬送する搬送系ＨＣＤを、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳの第２チャンバ装置ＣＨ２内に設ける構成としたが、これに限定されるものではなく、露光装置ＥＸ−ＳＹＳの第１チャンバＣＨ１内に設ける構成や、インターフェース部ＩＦに設ける構成としてもよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、本発明に係る基板搬送装置を、露光装置ＥＸ−ＳＹＳとコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの間で基板Ｐを搬送する搬送系ＨＣＤに適用するものとして説明したが、これに限られず、例えばコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳにおいて、塗布テーブルＣＤ１に対して基板を供給するとともに、現像テーブルＣＤ２から基板を回収する基板搬送装置として設置する構成や、露光装置ＥＸ−ＳＹＳにおいて、供給用テーブル１１に対して基板を供給するとともに、回収用テーブル１２にから基板を回収する基板搬送装置として設置する構成としてもよい。
【００５２】
さらに、露光装置ＥＸ−ＳＹＳとコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの間の基板供給処理及び基板回収処理について優先的な処理動作を選択する以外にも、露光装置ＥＸ−ＳＹＳ内、またはコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳ内において基板搬送処理に関して優先的な処理動作を選択してもよい。
例えば、露光装置ＥＸ−ＳＹＳ内、またはコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳ内で基板回収処理と基板供給処理が実施される場合に、基板搬送が一部滞った際には、該当する供給処理または回収処理を優先的に実施するようにしてもよい。
【００５３】
また、本発明に係る基板搬送装置は、露光装置ＥＸ−ＳＹＳとコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの間で基板Ｐを搬送する構成の他に、露光装置ＥＸ−ＳＹＳとの間、及びコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの間でそれぞれ基板が搬送され、搬送された基板に対して所定の検査処理を行う検査装置など、各種処理装置との間で基板を搬送する構成とすることも可能である。
【００５４】
さらに、上記実施形態では、露光装置ＥＸ−ＳＹＳの制御装置ＣＯＮＴとコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳの制御装置２０とが情報を直接通信する構成としたが、これに限定されるものではなく、これらの制御装置ＣＯＮＴ、２０を統括的に制御するホスト系を設け、このホスト系を介して露光装置ＥＸ−ＳＹＳとコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとを制御する構成としてもよい。
【００５５】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００５６】
露光装置本体ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００５７】
露光装置本体ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００５８】
また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
【００５９】
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００６０】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
【００６１】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００６２】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図７は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００６３】
図８は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６４】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１実施形態に係る露光システムを示す概略構成図である。
【図２】露光システムをモデル的に示した平面図である。
【図３】基板搬送処理工程を示すフローチャート図である。
【図４】第２実施形態に係る基板搬送処理工程を示すフローチャート図である。
【図５】第２実施形態に係る基板搬送処理工程を示すフローチャート図である。
【図６】第３実施形態に係る露光システムをモデル的に示した平面図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図８】図７におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
Ｃ／Ｄ−ＳＹＳ…コータ・デベロッパ装置、  ＣＯＮＴ…制御装置（出力部、制御部）、  ＥＸ−ＳＹＳ…露光装置（処理部）、  ＨＣＤ…搬送系（基板搬送装置）、  Ｈ５…搬送アーム（基板搬送装置）、  Ｐ…基板、  ＳＹＳ…露光システム、  ７…表示装置、  ２０…制御装置（制御部）
【図１】
2008066463.tif 000003
【図２】
2008066463.tif 000004
【図３】
2008066463.tif 000005
【図４】
2008066463.tif 000006
【図５】
2008066463.tif 000007
【図６】
2008066463.tif 000008
【図７】
2008066463.tif 000009
【図８】
2008066463.tif 000010