(57)【要約】【課題】補助電源の劣化を防止することが可能な放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置を提供する。【解決手段】充放電可能な補助電源から、記憶手段への放電制御を行う放電制御装置であって、前記記憶手段の消費電流を測定する電流測定手段と、前記消費電流に基づいて、前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出手段と、前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御手段と、を備える。【選択図】        図２
2008154321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充放電可能な補助電源から、記憶手段への放電制御を行う放電制御装置であって、
前記記憶手段の消費電流を測定する電流測定手段と、
前記消費電流に基づいて、前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出手段と、
前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御手段と、
を備えたことを特徴とする放電制御装置。
【請求項２】
前記記憶手段のリフレッシュを指示するリフレッシュ信号を出力するとともに、前記記憶手段のバックアップ時において、当該記憶手段にバックアップの開始を指示するセルフリフレッシュ開始信号を出力するリフレッシュ手段をさらに備え、
前記記憶手段は、前記リフレッシュ手段からのリフレッシュ信号の入力に応じてリフレッシュを行うとともに、前記バックアップ開始信号の入力に応じて、自発的にリフレッシュを行う動作モードへと切り替えることを特徴とする請求項１に記載の放電制御装置。
【請求項３】
前記消費電流の各値と当該消費電流の各値に対応する前記補助電源の終止電圧とを対応付けた終止電圧導出情報を記憶する設定情報記憶手段をさらに備え、
前記終止電圧導出手段は、前記消費電流に対応する終止電圧を、前記終止電圧設定情報を用いて導出することを特徴とする請求項１に記載の放電制御装置。
【請求項４】
前記終止電圧情報には、少なくとも前記補助電源の充放電サイクル特性、放電特性に基づいて、前記補助電源の放電深度が所定値以上となる終止電圧が、前記消費電流の値毎に対応付けて設定されていることを特徴とする請求項３に記載の放電制御装置。
【請求項５】
前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、
前記設定手段は、複数の抵抗器とスイッチとを有し、前記スイッチによりオン状態となる抵抗器の組み合わせにより、前記終止電圧を設定することを特徴とする請求項１に記載の放電制御装置。
【請求項６】
前記制御手段は、
前記補助電源の内部電圧と前記終止電圧とを比較し、当該内部電圧が前記終止電圧を下回った否かを判定する電圧判定手段と、
前記電圧判定手段による判定の結果、前記内部電圧が前記終止電圧を下回ったと判定された場合に、前記補助電源からの放電を停止させる放電制御手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の放電制御装置。
【請求項７】
前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、
前記設定手段は、複数の抵抗器とスイッチとを有し、前記スイッチの切り替えに応じてオン状態となる抵抗器の分圧電圧により、前記終止電圧を設定することを特徴とする請求項６に記載の放電制御装置。
【請求項８】
前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、
前記設定手段は、外部からの操作に応じて前記終止電圧を設定可能に構成されていることを特徴とする請求項６に記載の放電制御装置。
【請求項９】
前記消費電流の値が、所定の範囲内に収まるか否かを判定する電流判定手段をさらに備え、
前記終止電圧導出手段は、前記電流判定手段による判定の結果、前記消費電流が前記所定の範囲内に収まると判定された場合に、当該消費電流に対応する終止電圧を導出することを特徴とする請求項１に記載の放電制御装置。
【請求項１０】
充放電可能な補助電源から、記憶手段への放電制御を行う放電制御方法であって、
前記記憶手段の消費電流を測定する電流測定工程と、
前記消費電流に基づき、当該消費電流に対応する前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出工程と、
前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御工程と、
を含むことを特徴とする放電制御方法。
【請求項１１】
印刷対象となる印刷データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された印刷データを、所定の記録媒体に記録する画像形成手段と、
前記記憶手段に電力を供給する充放電可能な補助電源と、
前記記憶手段の消費電流を測定する電流測定手段と、
前記消費電流に基づいて、当該消費電流に対応する前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出手段と、
前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置に関し、特に、揮発性メモリのバックアップを行う補助電源の放電制御装置、放電制御方法及び当該放電制御装置を備えた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）や画像形成装置等の情報処理装置では、種々の処理に供する記憶手段としてＤＲＡＭ（Dynamic  Random  Access  Memory）やＳＲＡＭ（Static  RAM）等が用いられている。ＤＲＡＭやＳＲＡＭは揮発性メモリであるため、記憶したデータを保持するためには常に電力を供給し続ける必要があるが、停電等の障害により電力供給が途絶えると、記憶されたデータが失われてしまうという問題があった。そこで、リチウム・イオン電池等の二次電池を補助電源として設けることで、記憶手段に記憶されたデータを補助電源から供給される電力により保持する構成が採用されている。
【０００３】
例えば、ファクシミリ機能を有するＦＡＸ装置では、送信されたデータを一時記憶するための記憶手段が備えられており、主電源の電源ＯＦＦ時におけるデータ保持のため、記憶手段への電力供給を補助電源によりバックアップするよう構成されているものがある。
【０００４】
また、上記したＤＲＡＭ等の記憶手段では、自己の記憶手段が内蔵する回路（タイマー、カウンター等）により、外部からの制御を受けず供給される電力のみで自発的にリフレッシュを行うことが可能な「セルフリフレッシュモード」を有している。補助電源から記憶手段への電力供給時、即ち、記憶手段のバックアップ時には当該記憶手段をセルフリフレッシュモードとすることで、主電源から電力供給を受ける正常動作時と比較して、省電力でリフレッシュが行えるようになっている。
【０００５】
また、補助電源の二次電池には、当該二次電池の特性や電力供給を行う電力負荷（記憶手段）の特性に応じて、終止電圧が予め設定されている。ここで終止電圧とは、放電終了時期を示すために規定した二次電池の内部電圧を意味するものである。以下、図１９及び図２０を参照して、二次電池の特性について説明する。
【０００６】
図１９は、二次電池の充放電サイクル特性の一例を示した図である。同図において、縦軸のサイクル数は二次電池の充放電の繰り返し回数を意味しており、横軸の放電深度（％）は、二次電池の蓄電容量の何％が放電されたかを意味する指標である。この図から、放電深度が深いほど二次電池の電池寿命が短いことが分かる。つまり、二次電池の放電深度を浅くすることで、充放電サイクル数を増加させることができ、電池寿命を延ばすことができる。
【０００７】
また、図２０は、電力負荷の負荷電流（消費電流）が夫々５ｍＡ、７ｍＡ、１０ｍＡの場合における、二次電池の放電特性の一例を示したグラフである。同図において、縦軸の電池電圧（Ｖ）は、二次電池の内部電圧（二次電池の両端子間の電圧）を意味しており、横軸の放電電圧（ｈｏｕｒ）は、二次電池の連続放電時間を意味している。この図から分かるように、二次電池から大きな電流を放電した場合には、内部電圧は急峻に降下し、二次電池から小さな電流を放電した場合には、内部電圧はゆるやかに降下する。なお、終止電圧を２．０Ｖとした場合、消費電流１０ｍＡでは約２５ｍＡｈの蓄電容量が、消費電流７ｍＡでは約３４ｍＡｈの蓄電容量が、消費電流５ｍＡでは約６０ｍＡｈの蓄電容量が電力負荷に供給されることになる。
【０００８】
上記した二次電池の特性から明らかなように、終止電圧の値が二次電池の電池寿命を決定している。そのため、従来、二次電源の設計段階では、想定される最大の消費電流（例えば、１０ｍＡ）に対応した一定の終止電圧（例えば、２．０Ｖ等）を設定することで、電池劣化の抑制が図られていた。しかし、最大消費電流に基づき算出された終止電圧を、他の消費電流（例えば、５ｍＡ、７ｍＡ等）の場合に適用すると、放電時間が延び、放電深度が深くなるため、二次電池が劣化するという問題があった。そこで、従来、終止電圧をメモリチップ数に応じて変動させることで、二次電池の保護を図った技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−１４４４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、記憶容量が同一のメモリチップであっても、その製造メーカや製造時期等の違いにより、各メモリチップに係る消費電流が異なることが知られている。このような場合、二次電池から放電される電力量は想定された値とならず、過放電となる場合があるため、二次電池の劣化が促進される可能性がある。そのため、特許文献１の技術では、メモリチップ数と終止電圧との関係を示したテーブルに基づいて、メモリチップ数に応じた終止電圧を一義的に特定するのみであるため、各メモリチップの実際の消費電流については何ら考慮されておらず、適切な終止電圧を設定することができないという問題があり、二次電池の劣化が促進されてしまう可能性がある。
【００１１】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、補助電源の劣化を防止することが可能な放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項１にかかる発明は、充放電可能な補助電源から、記憶手段への放電制御を行う放電制御装置であって、前記記憶手段の消費電流を測定する電流測定手段と、前記消費電流に基づいて、前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出手段と、前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御手段と、を備えたことを特徴としている。
【００１３】
また、請求項２にかかる発明は、請求項１にかかる発明において、前記記憶手段のリフレッシュを指示するリフレッシュ信号を出力するとともに、前記記憶手段のバックアップ時において、当該記憶手段にバックアップの開始を指示するセルフリフレッシュ開始信号を出力するリフレッシュ手段をさらに備え、前記記憶手段は、前記リフレッシュ手段からのリフレッシュ信号の入力に応じてリフレッシュを行うとともに、前記バックアップ開始信号の入力に応じて、自発的にリフレッシュを行う動作モードへと切り替えることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項３にかかる発明は、請求項１にかかる発明において、前記消費電流の各値と当該消費電流の各値に対応する前記補助電源の終止電圧とを対応付けた終止電圧導出情報を記憶する設定情報記憶手段をさらに備え、前記終止電圧導出手段は、前記消費電流に対応する終止電圧を、前記終止電圧設定情報を用いて導出することを特徴としている。
【００１５】
また、請求項４にかかる発明は、請求項３にかかる発明において、前記終止電圧情報には、少なくとも前記補助電源の充放電サイクル特性、放電特性に基づいて、前記補助電源の放電深度が所定値以上となる終止電圧が、前記消費電流の値毎に対応付けて設定されていることを特徴としている。
【００１６】
また、請求項５にかかる発明は、請求項１にかかる発明において、前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、前記設定手段は、複数の抵抗器とスイッチとを有し、前記スイッチによりオン状態となる抵抗器の組み合わせにより、前記終止電圧を設定することを特徴としている。
【００１７】
また、請求項６にかかる発明は、請求項１にかかる発明において、前記制御手段は、前記補助電源の内部電圧と前記終止電圧とを比較し、当該内部電圧が前記終止電圧を下回った否かを判定する電圧判定手段と、前記電圧判定手段による判定の結果、前記内部電圧が前記終止電圧を下回ったと判定された場合に、前記補助電源からの放電を停止させる放電制御手段と、を備えたことを特徴としている。
【００１８】
また、請求項７にかかる発明は、請求項６にかかる発明において、前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、前記設定手段は、複数の抵抗器とスイッチとを有し、前記スイッチの切り替えに応じてオン状態となる抵抗器の分圧電圧により、前記終止電圧を設定することを特徴としている。
【００１９】
また、請求項８にかかる発明は、請求項６にかかる発明において、前記電圧判定手段は、前記終止電圧を可変に設定することが可能な設定手段を備え、前記設定手段は、外部からの操作に応じて前記終止電圧を設定可能に構成されていることを特徴としている。
【００２０】
また、請求項９にかかる発明は、請求項１にかかる発明において、前記消費電流の値が、所定の範囲内に収まるか否かを判定する電流判定手段をさらに備え、前記終止電圧導出手段は、前記電流判定手段による判定の結果、前記消費電流が前記所定の範囲内に収まると判定された場合に、当該消費電流に対応する終止電圧を導出することを特徴としている。
【００２１】
また、請求項１０にかかる発明は、充放電可能な補助電源から、記憶手段への放電制御を行う放電制御方法であって、前記記憶手段の消費電流を測定する電流測定工程と、前記消費電流に基づき、当該消費電流に対応する前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出工程と、前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御工程と、を含むことを特徴としている。
【００２２】
また、請求項１１にかかる発明は、印刷対象となる印刷データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された印刷データを、所定の記録媒体に記録する画像形成手段と、前記記憶手段に電力を供給する充放電可能な補助電源と、前記記憶手段の消費電流を測定する電流測定手段と、前記消費電流に基づいて、当該消費電流に対応する前記補助電源の終止電圧を導出する終止電圧導出手段と、前記補助電源の内部電圧が前記終止電圧に到達すると、当該補助電源の放電を停止させる制御手段と、を備えたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、バックアップ時における記憶手段の消費電流を事前に測定し、当該消費電流に応じた終止電圧を導出するため、記憶手段毎に適した終止電圧を導出することができる。また、この終止電圧に基づいて補助電源から記憶手段への放電を制御することで、補助電源の劣化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置の最良な実施の形態を詳細に説明する。
【００２５】
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態にかかる画像形成装置１００のハードウェア構成を示すブロック図である。図１に示すように、画像形成装置１００は、コントローラ１０とエンジン部（Engine）６０とをＰＣＩ（Peripheral  Component  Interconnect）バスで接続した構成となる。コントローラ１０は、画像形成装置１００全体の制御と描画（画像形成）、通信、操作部２１からの入力、表示部２２への画像表示を制御するコントローラである。エンジン部２６は、ＰＣＩバス２７に接続可能なプリンタエンジン等の画像形成手段であり、たとえば白黒プロッタ、１ドラムカラープロッタ、４ドラムカラープロッタ、ファックスユニット等である。なお、このエンジン部２６には、所定の記録媒体に画像形成を行うプロッタ等の所謂エンジン部分に加えて、誤差拡散やガンマ変換等の画像処理部分が含まれる。
【００２６】
コントローラ１０は、ＣＰＵ１１と、システムメモリ（ＭＥＭ−Ｐ）１２と、ノースブリッジ（ＮＢ）１３と、サウスブリッジ（ＳＢ）１４と、ＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）１６と、ローカルメモリ（ＭＥＭ−Ｃ）１７と、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１８とを有し、ノースブリッジ（ＮＢ）１３とＡＳＩＣ１６との間をＡＧＰ（Accelerated  Graphics  Port）バス１５で接続した構成となる。また、ＭＥＭ−Ｐ１２は、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）１２１と、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）１２２とをさらに有する。
【００２７】
ＣＰＵ１１は、画像形成装置１００全体を統括的に制御するものであり、ＭＥＭ−Ｐ１２、ＮＢ１３及びＳＢ１４からなるチップセットを有し、このチップセットを介して他の機器と接続される。
【００２８】
ＮＢ１３は、ＣＰＵ１１とＭＥＭ−Ｐ１２、ＳＢ１４、ＡＧＰ１５とを接続するためのブリッジであり、ＭＥＭ−Ｐ１２に対する読み書き等を制御するメモリコントローラと、ＰＣＩマスタ及びＡＧＰターゲットとを有する。
【００２９】
ＭＥＭ−Ｐ１２は、プログラムやデータの格納用メモリ、プログラムやデータの展開用メモリ、プリンタの描画用メモリ等として用いるシステムメモリであり、ＲＯＭ１２１、ＲＡＭ１２２等から構成される。ＲＯＭ１２１は、プログラムやデータの格納用メモリとして用いる読み出し専用のメモリであり。ＲＡＭ１２２は、プログラムやデータの展開用メモリ、プリンタの描画用メモリ等として用いる書き込み及び読み出し可能な揮発性のメモリである。
【００３０】
ＳＢ１４は、ＮＢ１３とＰＣＩデバイス、周辺デバイスとを接続するためのブリッジである。このＳＢ１４は、ＰＣＩバスを介してＮＢ１３と接続されており、このＰＣＩバスには、ネットワークインターフェース（Ｉ／Ｆ）部等も接続される。
【００３１】
ＡＧＰ１５は、グラフィック処理を高速化するために提案されたグラフィックスアクセラレーターカード用のバスインターフェースであり、ＭＥＭ−Ｐ１２に高スループットで直接アクセスすることにより、グラフィックスアクセラレーターカードを高速にするものである。
【００３２】
ＡＳＩＣ１６は、画像処理用のハードウェア要素を有する画像処理用途向けのＩＣ（Integrated  Circuit）であり、ＡＧＰ１５、ＰＣＩバス、ＭＥＭ−Ｃ１７及びＨＤＤ１８を夫々接続するブリッジとしての機能を有する。このＡＳＩＣ１６は、ＰＣＩターゲット及びＡＧＰマスタと、ＡＳＩＣ１６の中核をなすアービタ（ＡＲＢ）と、ＭＥＭ−Ｃ１７を制御するメモリコントローラと、ハードウェアロジック等により画像データの回転等をおこなう複数のＤＭＡＣ（Direct  Memory  Access  Controller）と、エンジン部６０との間でＰＣＩバスを介したデータ転送をおこなうＰＣＩユニットとからなる。このＡＳＩＣ１６には、ＰＣＩバスを介してＦＣＵ（Fax  Control  Unit）２３、ＵＳＢ（Universal  Serial  Bus）２４、ＩＥＥＥ１３９４（the  Institute  of  Electrical  and  Electronics  Engineers  1394）インターフェース２５等が接続される。
【００３３】
ＭＥＭ−Ｃ１７は、ＳＲＡＭやＤＲＡＭ等であって、コピー用画像バッファ、符号バッファ、ＦＡＸデータのバッファ等として用いる揮発性の記憶手段である。ＨＤＤ１８は、画像データの蓄積、プログラムの蓄積、フォントデータの蓄積、フォームの蓄積を行うためのストレージである。
【００３４】
図２は、画像形成装置１００が備える放電制御装置３０の構成を示したブロック図である。図２に示すように、放電制御装置３０は、主電源３１、充電回路３２、補助電源３３、放電制御回路３４、電源回路３５、電流監視回路３６、揮発性メモリ３７、リフレッシュ回路３８、システム制御部３９、電圧監視回路４０等を備える。
【００３５】
主電源３１は、図示しない画像形成装置１００の電源ＯＮ／ＯＦＦスイッチの切り替えに応じて、外部の商用電源（ＡＣ電源）から供給された電力を、当該画像形成装置１００の各部に供給する電源装置である。
【００３６】
充電回路３２は、主電源３１から供給された電力を補助電源３３に供給し、当該補助電源３３を充電する。
【００３７】
補助電源３３は、リチウム・イオン電池等の二次電池から構成され、放電制御回路３４及び電圧監視回路４０の制御の下、充電回路３２により充電（蓄電）された電力を揮発性メモリ３７に供給（放電）する。
【００３８】
放電制御回路３４は、主電源３１及び補助電源３３から供給される電力を切り替えて、電源回路３５に供給する切替手段を有する。具体的に、放電制御回路３４は、主電源３１の電源ＯＮ時に、当該主電源３１から供給される電力を電源回路３５に供給し、主電源３１の電源ＯＦＦ時に、補助電源３３から供給される電力を電源回路３５に供給する。
【００３９】
また、放電制御回路３４は、システム制御部３９及び電圧監視回路４０から入力される制御信号に応じて、補助電源３３から電源回路３５に供給される電力を遮断する補助電源ＯＮ／ＯＦＦ手段を有する。
【００４０】
図３は、放電制御回路３４の構成の一例を示した回路図である。同図に示すように、放電制御回路３４は、ダイオード３４１、ダイオード３４２、補助電源ＯＮ／ＯＦＦスイッチ３４３を備える。ここで、ダイオード３４１及び３４２が、上述した切替手段に対応し、主電源３１の電源ＯＮ／ＯＦＦに応じて、主電源３１及び補助電源３３から供給される電力を切り替えて電源回路３５に出力するようになっている。なお、主電源３１から供給される電力の電圧は、補助電源３３から供給される電力の電圧より大なるものとする。
【００４１】
補助電源ＯＮ／ＯＦＦＳＷ３４３は、上述した補助電源ＯＮ／ＯＦＦ手段に対応し、システム制御部３９及び電圧監視回路４０から入力される制御信号に応じて、補助電源３３からの通電を制御する。
【００４２】
具体的に、補助電源ＯＮ／ＯＦＦＳＷ３４３は、システム制御部３９から揮発性メモリ３７のバックアップを指示する旨の制御信号（バックアップ指示信号）が入力され、且つ、電圧監視回路４０からＯＮを指示する旨の制御信号（補助電源ＯＮ信号）が入力された場合に、補助電源３３から電源回路３５への通電をＯＮとする。また、システム制御部３９から揮発性メモリ３７のバックアップを行わない旨の制御信号（バックアップ停止信号）及び／又は電圧監視回路４０からＯＦＦを指示する旨の制御信号（補助電源ＯＦＦ信号）が入力された場合には、補助電源３３から電源回路３５への通電をＯＦＦとする。
【００４３】
図２に戻り、電源回路３５は、放電制御回路３４からの電力供給を受けて、揮発性メモリ３７の動作電圧を生成し、揮発性メモリ３７に供給するものである。なお、本実施形態では、電源回路３５を、揮発性メモリ３７に特化した電源回路としたが、これに限らず、画像形成装置１００が備える各部に電力を供給する電源回路としてもよい。
【００４４】
電流監視回路３６は、電源回路３５から揮発性メモリ３７に供給される電流値を測定（検出）し、システム制御部３９に出力する。図４は、電流監視回路３６の構成の一例を示した回路図である。同図に示すように、電流監視回路３６は、電流検出用抵抗器３６１、増幅器３６２、Ａ／Ｄコンバータ３６３を備える。
【００４５】
電流検出用抵抗器３６１は、電源回路３５と揮発性メモリ３７との間に直列に接続されている。電流監視回路３６では、揮発性メモリ３７の消費電流に応じて発生する電流検出用抵抗器３６１の端子間電圧を検出し、増幅器３６２で増幅する。そして、増幅された端子間電圧は、Ａ／Ｄコンバータ３６３でＡ／Ｄ変換された後、揮発性メモリ３７の消費電流としてシステム制御部３９に出力される。
【００４６】
なお、本実施形態では、電流検出用抵抗器３６１の端子間電圧を揮発性メモリ３７の消費電流としたが、これに限らず、電流検出用抵抗器３６１の抵抗値と、電流検出用抵抗器３６１の端子間電圧とから、電流値（消費電流）を実際に導出し、この導出した消費電流をシステム制御部３９に出力する態様としてもよい。また、システム制御部３９が、電流検出用抵抗器３６１の抵抗値と、電流検出用抵抗器３６１の端子間電圧とから、電流値（消費電流）を導出する態様としてもよい。この場合、電流検出用抵抗器３６１の抵抗値は、ＲＯＭ１２１に予め記憶されているものとする。
【００４７】
図２に戻り、揮発性メモリ３７は、ＳＲＡＭやＤＲＡＭ等の揮発性の記憶手段であって、図１のＭＥＭ−Ｃ１７やＲＡＭ１２２に対応するものである。なお、本実施形態において、揮発性メモリ３７は、「セルフリフレッシュモード」を有するものとし、リフレッシュ回路３８からセルフリフレッシュモードの有効化を指示する制御信号（以下、セルフリフレッシュ開始信号という）が入力されると、通常動作モードからセルフリフレッシュモードへと切り替える。ここで、通常動作モードとは、リフレッシュ回路３８から出力される後述するリフレッシュ信号に応じて、リフレッシュを行う状態を意味する。
【００４８】
リフレッシュ回路３８は、揮発性メモリ３７に対し、当該揮発性メモリ３７をリフレッシュするためのリフレッシュ信号や、揮発性メモリ３７をセルフリフレッシュモードに移行させるセルフリフレッシュ開始信号（バックアップ開始信号）、揮発性メモリ３７を通常動作モードに移行させる信号等を出力するものである。また、リフレッシュ回路３８は、主電源３１のＯＮ／ＯＦＦ状態を監視し、主電源３１の起動時（ＯＦＦからＯＮへの切り替わり時）や、主電源３１の電源断時（ＯＮからＯＦＦへの切り替わり時）に、セルフリフレッシュ開始信号を揮発性メモリ３７に出力する。
【００４９】
システム制御部３９は、図１のＣＰＵ１１とＲＯＭ１２１に予め記憶された所定のプログラムとの協働により実現される制御手段であって、電流監視回路３６から入力される電流値に基づいて、当該電流値に対応する補助電源３３の終止電圧を導出し、この導出した終止電圧を電圧監視回路４０に設定する。
【００５０】
具体的に、システム制御部３９は、電流監視回路３６から消費電流が入力されると、ＲＯＭ１２１に予め記憶された、消費電流の各値と当該消費電流の各値に対応する終止電圧とを対応付けた終止電圧テーブル１２１１を参照し、入力された消費電流に対応する終止電圧を導出する。
【００５１】
図５は、ＲＯＭ１２１に記憶された終止電圧テーブル１２１１の一例を示した図である。同図に示すとおり、消費電流の各値と、当該消費電流の各値に対応する終止電圧と、が夫々対応付けて格納されている。なお、終止電圧テーブル１２１１は、図１９、図２０に示した充放電特性や放電特性等の補助電源３３（二次電池）の特性に基づいて作成されており、補助電源３３の放電深度が所定値以上となる終止電圧が、前記消費電流の値毎に対応付けて設定されている。ここで指標となる放電深度は、例えば、５０％等、補助電源の寿命（サイクル数）を考慮した値であることが好ましい。
【００５２】
本実施形態では、システム制御部３９は、ＲＯＭ１２１に予め記憶された終止電圧テーブル１２１１に基づいて補助電源３３の終止電圧を導出する態様としたが、これに限らないものとする。例えば、図６のグラフで表したような、消費電流の各値から、当該消費電流の各値に対応する終止電圧の値を一意に導出可能な関係式をＲＯＭ１２１に予め記憶し、この関係式に基づいて消費電流に対応する終止電圧を、導出（算出）する態様としてもよい。なお、図６では、終止電圧＝０．１×消費電流＋２．４で表される関係式のグラフを示しており、縦軸は終止電圧（Ｖ）を、横軸は電流値（ｍＡ）を意味している。
【００５３】
また、システム制御部３９は、導出した終止電圧の値が、所定の電圧値（例えば、１．０Ｖ）を下回った場合には、放電制御回路３４にバックアップ停止信号を出力し、補助電源３３から揮発性メモリ３７への電力供給が行われないよう制御する。なお、ここで判断の指標となる所定の電圧値は、補助電源３３の劣化速度、安定動作等の観点に基づいて予め決定された電圧値であって、ＲＯＭ１２１に予め記憶されているものとする。これにより、補助電源３３の動作に悪影響を及ぼすような終止電圧が設定されてしまうことを、未然に防止することができるため、補助電源３３の劣化を防止することができる。なお、デフォルトの状態では、システム制御部３９から放電制御回路３４に、バックアップ指示信号が出力されているものとする。
【００５４】
電圧監視回路４０は、補助電源３３の内部電圧（補助電源３３の両端子間の電圧）を常時又は所定の時間毎に検出し、この内部電圧がシステム制御部３９により設定された終止電圧に達したか否かを判定する。ここで、終止電圧に達したと判定した場合、電圧監視回路４０は、放電制御回路３４に補助電源ＯＦＦ信号を出力することで、揮発性メモリ３７への電力供給を停止させる。なお、デフォルトの状態では、電圧監視回路４０から放電制御回路３４に、補助電源ＯＮ信号が出力されているものとする。
【００５５】
図７は、電圧監視回路４０の構成を示した回路図である。同図に示すように、電圧監視回路４０は、抵抗器群４０１、スイッチ群４０２、抵抗器４０３、ＲｅｓｅｔＩＣ４０４等から構成される。
【００５６】
ここで、抵抗器群４０１とスイッチ群４０２は、システム制御部３９で導出された終止電圧を設定するためのものである。抵抗器群４０１及びスイッチ群４０２のより具体的な構成は、図８に示すように、フリップフロップ（ＦＦ）４０５、トランジスタ４０６及び抵抗器４０７の組からなるユニットＵを複数備えている。ここで、各ユニットＵに含まれた抵抗器４０７が抵抗器群４０１に対応し、フリップフロップ４０５及びトランジスタ４０６がスイッチ群４０２に対応している。なお、図８では、ユニットＵの個数を４（ユニットＵ１〜Ｕ４）としたが、これに限定されないものとする。また、図８では、ユニットＵ１〜Ｕ４を並列に接続する構成としたが、接続形態はこれに限らないものとする。
【００５７】
システム制御部３９は、ユニットＵ１〜Ｕ４のうち、何れか又は全てのトランジスタ４０６を、フリップフロップ４０５を介してＯＮ状態（導通状態）とし、抵抗器４０７を介して補助電源３３から印加される電圧の分圧比を変化させることで、先に導出した終止電圧を、抵抗器群４０１の分圧電圧として設定する。
【００５８】
具体的に、システム制御部３９は、ＲＯＭ１２１に予め記憶された各終止電圧と各ユニットＵにおけるトランジスタ４０６のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせとの関係を定義した終止電圧設定テーブル１２１２を参照し、導出した終止電圧に対応するトランジスタ４０６のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせを特定する。そしてシステム制御部３９は、特定した組み合わせに基づいて、各ユニットＵにおけるトランジスタ４０６のＯＮ／ＯＦＦ状態を設定する。
【００５９】
図９は、ＲＯＭ１２１に記憶された終止電圧設定テーブル１２１２の一例を示した図である。同図に示すとおり、終止電圧の各値と、当該終止電圧の各値に対応する各ユニットＵのトランジスタ４０６のＯＮ／ＯＦＦ状態と、が対応付けて格納されている。
【００６０】
図８において、補助電源３３から電力供給を受けるフリップフロップ４０５を介してトランジスタ４０６のＯＮ／ＯＦＦ状態を設定する態様としているが、このような構成を採用することで、主電源３１の電源ＯＦＦ時においても、トランジスタ４０６の状態を制御する制御信号を保持することが可能となっている。なお、本実施形態では、ユニットＵ毎にフリップフロップ４０５を個別に備えた構成としたが、これに限らず、例えば、一のフリップフロップ４０５を介して、トランジスタ４０６及び抵抗器４０７からなる各ユニットＵのＯＮ／ＯＦＦ状態を設定する態様としてもよい。
【００６１】
図７に戻り、ＲｅｓｅｔＩＣ４０４は、補助電源３３の内部電圧を監視し、当該内部電圧が抵抗器群４０１とスイッチ群４０２に設定された終止電圧に達した場合に、放電制御回路３４に補助電源ＯＦＦ信号を出力し、補助電源３３から電源回路３５への通電をＯＦＦとする。
【００６２】
以下、図１０、１１を参照して、放電制御装置３０の動作について説明する。図１０は、主電源３１がＯＦＦからＯＮに切り替わった際の、放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
【００６３】
まず、画像形成装置１００の起動等により主電源３１がＯＮ状態になると、リフレッシュ回路３８は、当該主電源３１のＯＮ状態に応じ、揮発性メモリ３７にセルフリフレッシュ開始信号を出力する（ステップＳ１１）。即ち、ステップＳ１１以降、揮発性メモリ３７はセルフリフレッシュモードで動作することになる。
【００６４】
次いで、電流監視回路３６により検出された揮発性メモリ３７の消費電流が、システム制御部３９に入力されると（ステップＳ１２）、システム制御部３９は、ＲＯＭ１２１に記憶された終止電圧テーブル１２１１を参照し、当該終止電圧テーブル１２１１に基づいて、消費電流に対応する補助電源３３の終止電圧を導出する（ステップＳ１３）。
【００６５】
続いてシステム制御部３９は、導出した終止電圧の値が所定値以上か否かを判定する（ステップＳ１４）。ここで、終止電圧が所定値を下回ったと判定した場合には（ステップＳ１４；Ｎｏ）、システム制御部３９は、放電制御回路３４にバックアップ停止信号を出力し（ステップＳ１５）、ステップＳ１８に移行する。
【００６６】
一方、ステップＳ１４において、終止電圧が所定値以上と判定した場合には（ステップＳ１４；Ｙｅｓ）、システム制御部３９は、ＲＯＭ１２１に記憶された終止電圧設定テーブル１２１２を参照し、終止電圧に対応するトランジスタ４０６のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせを特定する（ステップＳ１６）。そして、システム制御部３９は、特定したＯＮ／ＯＦＦ状態を電圧監視回路４０のトランジスタ４０６に設定することで、ステップＳ１３で導出した終止電圧を電圧監視回路４０に設定する（ステップＳ１７）。
【００６７】
続いてシステム制御部３９は、通常動作モードへの移行を指示する制御信号をリフレッシュ回路３８から揮発性メモリ３７に出力させることで、当該揮発性メモリ３７を通常モードに移行し（ステップＳ１８）、本処理を終了する。
【００６８】
次に、障害等により主電源３１がＯＮからＯＦＦに切り替わった際の放電制御装置３０の動作を説明する。図１１は、主電源３１がＯＮからＯＦＦに切り替わった際の、放電制御処理の手順を示したフローチャートである。なお、本処理の前提として、システム制御部３９から、放電制御回路３４にバックアップ停止信号は出力されていないものとする。
【００６９】
まず、主電源３１のＯＦＦ状態に応じ、放電制御回路３４は、揮発性メモリ３７への電力源を主電源３１から補助電源３３に切り替え、補助電源３３からの電力供給をＯＮ状態とする（ステップＳ２１）。
【００７０】
また、主電源３１のＯＦＦ状態に応じ、リフレッシュ回路３８は、揮発性メモリ３７にセルフリフレッシュ開始信号を出力する（ステップＳ２２）。
【００７１】
続いて、電圧監視回路４０は、システム制御部３９により設定された終止電圧と、補助電源３３の内部電圧とを比較することで、当該内部電圧を監視し（ステップＳ２３）、内部電圧が終止電圧を下回ったか否かを判定する（ステップＳ２４）。ここで、内部電圧が終止電圧以上であると判定した場合には（ステップＳ２４；Ｎｏ）、ステップＳ２３に再び戻る。
【００７２】
一方、ステップＳ２４において、内部電圧が終止電圧を下回ったと判定した場合には（ステップＳ２４；Ｙｅｓ）、電圧監視回路４０は、放電制御回路３４に補助電源ＯＦＦ信号を出力し、揮発性メモリ３７への電力供給を停止し（ステップＳ２５）、本処理を終了する。
【００７３】
以上のように、本実施形態によれば、バックアップ時、即ちセルフリフレッシュモード時における揮発性メモリ３７の消費電流を事前に測定し、当該消費電流に応じた終止電圧を導出するため、揮発性メモリ３７毎に適した終止電圧を導出することができる。また、この終止電圧に基づいて補助電源３３から揮発性メモリ３７への放電を制御することで、補助電源３３の劣化を防止することができる。
【００７４】
なお、本実施形態では、電圧監視回路４０を抵抗器群４０１、スイッチ群４０２、抵抗器４０３、ＲｅｓｅｔＩＣ４０４から構成することとしたが、これに限らず、例えば、図１２に示すような専用ＩＣにより構成する態様としてもよい。図１２は、専用ＩＣによる電圧監視回路４０の構成を示した図である。図１２に示すように、電圧監視回路４０は、ＣＰＵ４１１、内部メモリ４１２、Ａ／Ｄコンバータ４１３、比較器４１４等を備える。
【００７５】
ＣＰＵ４１１は、電圧監視回路４０内の各部の動作を統括的に制御するものである。内部メモリ４１２は、補助電源３３の終止電圧を記憶するための記憶手段である。システム制御部３９は、導出した終止電圧を内部メモリ４１２に記憶させることで、当該終止電圧の設定を行う。Ａ／Ｄコンバータ４１３は、補助電源３３の内部電圧をＡ／Ｄ変換し、比較器４１４に出力する。
【００７６】
比較器４１４は、内部メモリ４１２に記憶された終止電圧と、Ａ／Ｄコンバータ４１３から入力される内部電圧とを比較することで、当該内部電圧を監視し、内部電圧が終止電圧を下回ったか否かを判定する。ここで、比較器４１４は、内部電圧が終止電圧を下回ったと判定した場合、放電制御回路３４に補助電源ＯＦＦ信号を出力し、揮発性メモリ３７への電力供給を停止する。なお、電圧監視回路４０は、主電源３１のＯＦＦ時に稼働させる必要があるため、補助電源３３から電力供給を受けるよう設けられているものとする。
【００７７】
また、本実施形態の他の態様として、補助電源３３のサイクル数の履歴をＨＤＤ１８等に記憶しておき、この履歴に基づいて、補助電源３３の終止電圧を導出することとしてもよい。具体的には、充電回路３２、放電制御回路３４、電圧監視回路４０等が、補助電源３３の充放電のサイクル毎に、その回数を履歴情報としてＨＤＤ１８に記憶し、システム制御部３９は、この記憶された履歴情報に基づいて、補助電源３３の終止電圧を導出する。例えば、図１９に示したように、サイクル数の上昇に伴い、放電深度は浅くなるため、補助電源３３のサイクル数に応じた放電深度の終止電圧を導出し、電圧監視回路４０に設定することで、二次電池の劣化をより防止することが可能となる。
【００７８】
［第２の実施形態］
次に、画像形成装置の第２の実施形態について説明する。なお、上述した第１の実施形態と同様の要素については、同一の符号を用いて示し、その説明は適宜省略する。
【００７９】
上記第１の実施形態では、補助電源３３の終止電圧を、システム制御部３９が電圧監視回路４０に設定する態様としたが、電圧監視回路４０での部品数の増加や、設定にかかる制御が煩雑となる可能性がある。そのため、本実施形態では、終止電圧の設定をより簡便に行うことが可能な態様を説明する。
【００８０】
まず、図１３を参照して、本実施形態の放電制御装置５０について説明する、図１３は、本実施形態の画像形成装置１００が備える放電制御装置５０の構成を示すブロック図である。図１３に示すように、放電制御装置５０は、主電源３１、充電回路３２、補助電源３３、放電制御回路３４、電源回路３５、電流監視回路３６、揮発性メモリ３７、リフレッシュ回路３８、システム制御部３９、電圧監視回路４０、操作部５１、表示部５２、終止電圧設定部５３等を備える。
【００８１】
操作部５１は、図１に示した画像形成装置１００の操作部２１に対応するものであり、各種入力キー等を備え、ユーザから操作入力された情報を入力信号として受け付け、その入力信号をシステム制御部３９に出力する。
【００８２】
表示部５２は、図１に示した画像形成装置１００の表示部２２に対応するものであり、ＬＣＤ（Liquid  Crystal  Display）等により構成され、システム制御部３９からの表示信号に基づいて、各種情報を表示する。なお、表示部５２は、操作部５１と一体的にタッチパネルを構成する態様としてもよい。
【００８３】
終止電圧設定部５３は、手動操作可能なディップスイッチ等であって、ユーザからの操作に応じて設定されたＯＮ／ＯＦＦ状態に応じた信号を、システム制御部３９及び電圧監視回路４０に渡すことが可能となっている。なお、本実施形態では、終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせにより、補助電源３３の終止電圧が表されるものとする。
【００８４】
また、本実施形態のシステム制御部３９は、導出した終止電圧に対応する終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態を示した表示信号を表示部５２に出力し、このＯＮ／ＯＦＦ状態を終止電圧設定部５３に設定することをユーザに促す。
【００８５】
具体的に、システム制御部３９は、終止電圧を導出すると、ＲＯＭ１２１に予め記憶された終止電圧と終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態との関係を定義した終止電圧設定テーブル１２１３を参照し、導出した終止電圧に対応するトランジスタ４０６のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせを特定する。そしてシステム制御部３９は、特定したＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせを示す表示信号を生成し、表示部５２に出力することで、当該表示信号を表示部５２に表示させる。
【００８６】
図１４は、ＲＯＭ１２１に記憶された終止電圧設定テーブル１２１３の一例を示した図である。同図に示すとおり、各終止電圧に対応する終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態が夫々対応付けて格納されている。なお、図１４において、「０」はＯＦＦ状態を意味し、「１」はＯＮ状態を意味する。
【００８７】
次に、図１５を参照して、放電制御装置５０の動作について説明する。図１５は、主電源３１がＯＦＦからＯＮに切り替わった際の、放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
【００８８】
まず、画像形成装置１００の起動等により主電源３１がＯＮ状態になると、リフレッシュ回路３８は、当該主電源３１のＯＮ状態に応じ、揮発性メモリ３７にセルフリフレッシュ開始信号を出力する（ステップＳ３１）。即ち、ステップＳ３１以降、揮発性メモリ３７はセルフリフレッシュモードで動作することになる。
【００８９】
次いで、電流監視回路３６により検出された揮発性メモリ３７の消費電流が、システム制御部３９に入力されると（ステップＳ３２）、システム制御部３９は、ＲＯＭ１２１に記憶された終止電圧テーブル１２１１を参照し、当該終止電圧テーブル１２１１に基づいて、消費電流に対応する補助電源３３の終止電圧を導出する（ステップＳ３３）。
【００９０】
続いてシステム制御部３９は、導出した終止電圧の値が所定値以上か否かを判定する（ステップＳ３４）。ここで、終止電圧が所定値を下回ったと判定した場合には（ステップＳ３４；Ｎｏ）、システム制御部３９は、放電制御回路３４にバックアップ停止信号を出力し（ステップＳ３５）、ステップＳ３９に移行する。
【００９１】
一方、ステップＳ３４において、終止電圧が所定値以上と判定した場合には（ステップＳ３４；Ｙｅｓ）、システム制御部３９は、ＲＯＭ１２１に記憶された終止電圧設定テーブル１２１３を参照し、終止電圧に対応する終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせを特定する（ステップＳ３６）。そして、システム制御部３９は、特定したＯＮ／ＯＦＦ状態を表示部５２に表示させる（ステップＳ３７）。
【００９２】
図１６は、ステップＳ３７において、表示部５２に表示された画面の一例を示した図である。同図に示すように、表示部５２には、終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態を示した画像（テキストを含む）が表示される。なお、表示形態をこの図に限らないものとする。
【００９３】
画像形成装置１００のユーザは、表示部５２に表示された画像（図１６参照）に基づいて、図１７に示すように、終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態を設定することで、電圧監視回路４０に補助電源３３の終止電圧が設定されることになる。
【００９４】
図１５に戻り、システム制御部３９は、表示部５２に表示させた終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態と、ユーザが実際に設定した終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態とを比較し、当該終止電圧設定部５３に正しい終止電圧が設定されていない、即ち両ＯＮ／ＯＦＦ状態が一致しないと判定した場合には（ステップＳ３８；Ｎｏ）、ステップＳ３７へと再び戻る。
【００９５】
一方、ステップＳ３８において、終止電圧設定部５３に正常な終止電圧が設定されている、即ち両ＯＮ／ＯＦＦ状態が一致すると判定した場合には（ステップＳ３８；Ｙｅｓ）、通常動作モードへの移行を指示する制御信号をリフレッシュ回路３８から揮発性メモリ３７に出力させることで、当該揮発性メモリ３７を通常モードに移行し（ステップＳ３９）、本処理を終了する。
【００９６】
以上のように、本実施形態によれば、終止電圧設定部５３を介して終止電圧を設定可能に構成したことにより、終止電圧の設定にかかる動作をより簡便に行うことができるため、電圧監視回路４０の部品数を減少させることができ、画像形成装置１００（放電制御装置５０）にかかるコストを減少させることができる。
【００９７】
また、終止電圧設定部５３に終止電圧が正しく設定されたか否かを判定することで、誤操作等により誤った終止電圧が設定されてしまうことを未然に防ぐことができるため、補助電源３３から不用意に電力が供給されてしまうことを未然に防止することができ、二次電池の劣化を防止することができる。
【００９８】
なお、本実施形態では、終止電圧設定部５３に終止電圧が正しく設定されたか否かを判定することとしたが、これに限らず、ステップＳ３６の判定処理を行わず、ステップＳ３５の後、ステップＳ３７に移行する態様としてもよい。
【００９９】
また、本実施形態では、終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態を表示部４１に表示させることとしたが、これに限らず、スピーカ等の音声出力手段を備える場合には、当該音声出力手段を介して終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態を報知する態様としてもよい。
【０１００】
［第３の実施形態］
次に、画像形成装置の第３の実施形態について説明する。なお、上述した第１及び第２の実施形態と同様の要素については、同一の符号を用いて示し、その説明は適宜省略する。
【０１０１】
本実施形態では、上記した第２の実施形態の構成を用い、揮発性メモリ３７の異常を検出可能な形態を説明する。
【０１０２】
まず、本実施形態のシステム制御部３９は、電流監視回路３６から入力された消費電流が、所定の電流範囲内に収まるか否かを判定し、電流範囲内に収まらないと判定した場合、表示部５２に、揮発性メモリ３７に異常が発生した旨の画面を表示させることで、ユーザに揮発性メモリ３７の異常を報知する。なお、揮発性メモリ３７の異常判定の指標となる電流範囲は、正常動作時における揮発性メモリ３７の消費電流に基づいて予め定められており、ＲＯＭ１２１に予め記憶されているものとする。
【０１０３】
以下、図１８を参照して、本実施形態の放電制御装置５０の動作について説明する。図１８は、主電源３１がＯＦＦからＯＮに切り替わった際の、放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
【０１０４】
まず、画像形成装置１００の起動等により主電源３１がＯＮ状態になると、リフレッシュ回路３８は、当該主電源３１のＯＮ状態に応じ、揮発性メモリ３７にセルフリフレッシュ開始信号を出力する（ステップＳ４１）。即ち、ステップＳ４１以降、揮発性メモリ３７はセルフリフレッシュモードで動作することになる。
【０１０５】
次いで、電流監視回路３６により検出された揮発性メモリ３７の消費電流が、システム制御部３９に入力されると（ステップＳ４２）、ＲＯＭ１２１に記憶され電流範囲を参照し、入力された消費電流が電流範囲内に含まれるか否かを判定する（ステップＳ４３）。
【０１０６】
ここで、入力された消費電流が電流範囲内に含まれないと判定した場合には（ステップＳ４３；Ｎｏ）、システム制御部３９は、揮発性メモリ３７に異常が発生したことを報知する表示信号（エラー信号）を生成し、このエラー信号を表示部５２に表示させた後（ステップＳ４４）、本処理を終了する。
【０１０７】
一方、ステップ４３において、入力された消費電流が電流範囲内に含まれると判定した場合には（ステップＳ４３；Ｙｅｓ）、システム制御部３９は、ＲＯＭ１２１に記憶された終止電圧テーブル１２１１を参照し、当該終止電圧テーブル１２１１に基づいて、消費電流に対応する補助電源３３の終止電圧を導出する（ステップＳ４５）。
【０１０８】
続いてシステム制御部３９は、導出した終止電圧の値が所定値以上か否かを判定する（ステップＳ４６）。ここで、終止電圧が所定値を下回ったと判定した場合には（ステップＳ４６；Ｎｏ）、システム制御部３９は、放電制御回路３４にバックアップ停止信号を出力し（ステップＳ４７）、ステップＳ５１に移行する。
【０１０９】
一方、ステップＳ４６において、終止電圧が所定値以上と判定した場合には（ステップＳ４６；Ｙｅｓ）、システム制御部３９は、ＲＯＭ１２１に記憶された終止電圧設定テーブル１２１２を参照し、終止電圧に対応するトランジスタ４０６のＯＮ／ＯＦＦ状態の組み合わせを特定する（ステップＳ４８）。そして、システム制御部３９は、特定したＯＮ／ＯＦＦ状態を表示部５２に表示させる（ステップＳ４９）。
【０１１０】
続いてシステム制御部３９は、表示部５２に表示させた終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態と、ユーザが実際に設定した終止電圧設定部５３のＯＮ／ＯＦＦ状態とを比較し、当該終止電圧設定部５３に正常な終止電圧が設定されていない、即ち両ＯＮ／ＯＦＦ状態が一致しないと判定した場合には（ステップＳ５０；Ｎｏ）、ステップＳ４７へと再び戻る。
【０１１１】
また、ステップＳ５０において、終止電圧設定部５３に正常な終止電圧が設定されている、即ち両ＯＮ／ＯＦＦ状態が一致すると判定した場合には（ステップＳ５０；Ｙｅｓ）、通常動作モードへの移行を指示する制御信号をリフレッシュ回路３８から揮発性メモリ３７に出力させることで、当該揮発性メモリ３７を通常モードに移行し（ステップＳ５１）、本処理を終了する。
【０１１２】
以上のように、本実施形態によれば、揮発性メモリ３７の異常を検出することが可能であるため、補助電源３３から不用意に電力が供給されてしまうことを未然に防止することができ、二次電池の劣化を防止することができる。
【０１１３】
以上、本発明を第１〜第３の実施形態を用いて説明してきたが、上述した実施形態に多様な変更または改良を加えることができる。また、上述した第１〜第３の実施形態において説明した構成や機能は、自由に組み合わせることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
以上のように、本発明にかかる放電制御装置、放電制御方法及び画像形成装置は、補助電源により揮発性メモリのバックアップを行う場合に有効であり、特に、セルフリフレッシュモードを有した揮発性メモリのバックアップを行う場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】画像処理装置のハードウェア構成を示したブロック図である。
【図２】第１の実施形態における放電制御装置の構成を示したブロック図である。
【図３】放電制御回路の構成の一例を示した回路図である。
【図４】電流監視回路の構成の一例を示した回路図である。
【図５】終止電圧テーブルの一例を示した図である。
【図６】消費電流と終止電圧との関係の一例を示した図である。
【図７】電圧監視回路の構成を示した回路図である。
【図８】電圧監視回路に含まれた抵抗器群及びスイッチ群の構成を示した回路図である。
【図９】第１の実施形態における終止電圧設定テーブルの一例を示した図である。
【図１０】第１の実施形態における放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
【図１１】第１の実施形態における放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
【図１２】他の態様における電圧監視回路の構成を示した図である。
【図１３】第２の実施形態における放電制御装置の構成を示すブロック図である。
【図１４】第２の実施形態における終止電圧設定テーブルの一例を示した図である。
【図１５】第２の実施形態における放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
【図１６】表示部に表示された画面の一例を示した図である。
【図１７】終止電圧設定部のＯＮ／ＯＦＦ状態の一例を示した図である。
【図１８】第３の実施形態における放電制御処理の手順を示したフローチャートである。
【図１９】二次電池の充放電サイクル特性の一例を示した図である。
【図２０】二次電池の放電特性の一例を示したグラフである。
【符号の説明】
【０１１６】
１００  画像形成装置
１０  コントローラ
１１  ＣＰＵ
１２  システムメモリ（ＭＥＭ−Ｐ）
１２１  ＲＯＭ
１２１１  終止電圧テーブル
１２１２  終止電圧設定テーブル
１２１３  終止電圧設定テーブル
１２２  ＲＡＭ
１３  ノースブリッジ（ＮＢ）
１４  サウスブリッジ（ＳＢ）
１５  ＡＧＰバス
１６  ＡＳＩＣ
１７  ローカルメモリ（ＭＥＭ−Ｃ）
１８  ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）
２１  操作部
２２  表示部
２３  ＦＣＵ
２４  ＵＳＢ
２５  ＩＥＥＥ１３９４インターフェース
２６  エンジン部
２７  ＰＣＩバス
３０  放電制御装置
３１  主電源
３２  充電回路
３３  補助電源
３４  放電制御回路
３４１  ダイオード
３４２  ダイオード
３４３  補助電源ＯＮ／ＯＦＦスイッチ
３５  電源回路
３６  電流監視回路
３６１  電流検出用抵抗器
３６２  増幅器
３６３  Ａ／Ｄコンバータ
３７  揮発性メモリ
３８  リフレッシュ回路
３９  システム制御部
４０  電圧監視回路
４０１  抵抗器群
４０２  スイッチ群
４０３  抵抗器
４０４  ＲｅｓｅｔＩＣ
４０５  フリップフロップ（ＦＦ）
４０６  トランジスタ
４０７  抵抗器
４１１  ＣＰＵ
４１２  内部メモリ
４１３  Ａ／Ｄコンバータ
４１４  比較器
５０  放電制御装置
５１  操作部
５２  表示部
５３  終止電圧設定部
【図１】
2008154321.tif 000003
【図２】
2008154321.tif 000004
【図３】
2008154321.tif 000005
【図４】
2008154321.tif 000006
【図５】
2008154321.tif 000007
【図６】
2008154321.tif 000008
【図７】
2008154321.tif 000009
【図８】
2008154321.tif 000010
【図９】
2008154321.tif 000011
【図１０】
2008154321.tif 000012
【図１１】
2008154321.tif 000013
【図１２】
2008154321.tif 000014
【図１３】
2008154321.tif 000015
【図１４】
2008154321.tif 000016
【図１５】
2008154321.tif 000017
【図１６】
2008154321.tif 000018
【図１７】
2008154321.tif 000019
【図１８】
2008154321.tif 000020
【図１９】
2008154321.tif 000021
【図２０】
2008154321.tif 000022