(57)【要約】【課題】吸着に寄与しない吸引口の個数およびその位置がその都度変化する場合にも、これを適切に吸着セットする。【解決手段】整列配置された多数の吸引口４２を有し、マザー基板Ｗが載置されるテーブル本体４１と、一端が吸引口４２に連なり、他端が真空吸引手段４５に連なる多数の個別吸引流路４３と、複数回に亘るブレイクによる吸着セットエリアの都度の変化分に応じて当該吸着セットエリアを区分した複数の区分エリアＥａに対応して、複数に系統分けされた個別吸引流路４３を、系統別に開閉する複数の流路開閉手段４６と、ブレイク手順と都度の吸着セットエリアを構成する区分エリアＥａとを関連付けたシーケンスデータを記憶する記憶手段４０と、シーケンスデータに基づいて、複数の流路開閉手段４６を制御する制御手段３４とを備えた。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数回に亘るブレイクにより、マザー基板を複数に分割するブレイク装置の吸着テーブルであって、
前記複数回に亘るブレイクのブレイク手順と、前記複数回に亘るブレイクにより矮小化していく前記マザー基板の都度の吸着セットエリアとが予め定められているものにおいて、
整列配置された多数の吸引口を有し、前記マザー基板が載置されるテーブル本体と、
一端が前記吸引口に連なり、他端が真空吸引手段に連なる多数の個別吸引流路と、
前記複数回に亘るブレイクによる前記吸着セットエリアの都度の変化分に応じて当該吸着セットエリアを区分した複数の区分エリアに対応して、複数に系統分けされた前記個別吸引流路を、系統別に開閉する複数の流路開閉手段と、
前記ブレイク手順と都度の前記吸着セットエリアを構成する前記区分エリアとを関連付けたシーケンスデータを記憶する記憶手段と、
前記シーケンスデータに基づいて、前記複数の流路開閉手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするブレイク装置の吸着テーブル。
【請求項２】
前記各個別吸引流路は、一端で単一の前記吸引口に接続しており、
前記各流路開閉手段は、前記各個別吸引流路に介設された複数の個別流路開閉手段により構成されていることを特徴とする請求項１に記載のブレイク装置の吸着テーブル。
【請求項３】
一端で前記多数の個別吸引流路が合流すると共に、他端で前記真空吸引手段に連なる合流吸引流路を、さらに備え、
前記合流吸引流路には、吸引圧力が適正な圧力値になるように調整する圧力調整手段が、設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のブレイク装置の吸着テーブル。
【請求項４】
前記合流吸引流路には、圧縮エアー供給手段に連なる流路切替え手段が、設けられており、
前記制御手段は、前記ワークの吸着終了時に、前記流路切替え手段を、前記圧縮エアー供給手段側に切り替えることを特徴とする請求項３に記載のブレイク装置の吸着テーブル。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の吸着テーブルを、備えたことを特徴とするブレイク装置。
【請求項６】
前記マザー基板の一方のブレイク側を吸着保持する第１の前記吸着テーブルと、
前記マザー基板の他方のブレイク側を吸着保持する第２の前記吸着テーブルと、
前記第１の吸着テーブルに対し前記第２の吸着テーブルをブレイク動作させるブレイク機構と、
を備えたことを特徴とする請求項５に記載のブレイク装置。
【請求項７】
前記マザー基板が、複数のＴＦＴ液晶パネルを作り込んだものであり、
ブレイクにより前記マザー基板から前記ＴＦＴ液晶パネルを複数枚取りすることを特徴とする請求項５または６に記載のブレイク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワーク（例えば複数のＴＦＴ液晶パネルを作り込んだマザー基板）を吸着セットするブレイク装置の吸着テーブルおよびこれを備えたブレイク装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、一定の載置エリアに対応して多数の吸引口が形成されたテーブル本体（ステージ）を備え、載置されたマザー基板を吸着セットする吸着テーブルが知られている。そして、この吸着テーブルにより、一方の面にスクライブラインが形成されたマザー基板（ガラス基板）を吸着保持すると共に、これをスクライブラインを支点として折り曲げることにより、マザー基板を分割するブレイク装置（ガラス基板カット装置）が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２８３０３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この種の吸着テーブルでは、複数回に亘るブレイクによりマザー基板が矮小化していく都度、マザー基板（吸着セットエリア）から外れた吸引口の個数およびその位置が変化することになる。マザー基板から外れた吸引口は、マザー基板の吸着に寄与せず、却って、この吸引口からエアーがリークするために、マザー基板から外れていない吸引口における吸引力が低下してしまう。このため、テーブル本体に載置されたマザー基板を適切に吸着することができず、問題となる。
【０００４】
本発明は、吸着に寄与しない吸引口の個数およびその位置がその都度変化する場合にも、これを適切に吸着セットすることができるブレイク装置の吸着テーブルおよびこれを備えたブレイク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のブレイク装置の吸着テーブルは、複数回に亘るブレイクにより、マザー基板を複数に分割するブレイク装置の吸着テーブルであって、複数回に亘るブレイクのブレイク手順と、複数回に亘るブレイクにより矮小化していくマザー基板の都度の吸着セットエリアとが予め定められているものにおいて、整列配置された多数の吸引口を有し、マザー基板が載置されるテーブル本体と、一端が吸引口に連なり、他端が真空吸引手段に連なる多数の個別吸引流路と、複数回に亘るブレイクによる吸着セットエリアの都度の変化分に応じて当該吸着セットエリアを区分した複数の区分エリアに対応して、複数に系統分けされた個別吸引流路を、系統別に開閉する複数の流路開閉手段と、ブレイク手順と都度の吸着セットエリアを構成する区分エリアとを関連付けたシーケンスデータを記憶する記憶手段と、シーケンスデータに基づいて、複数の流路開閉手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、制御手段が、系統単位で、吸引口からの吸引／非吸引を制御する。そして、制御手段が、各回のブレイクにおいて、シーケンスデータに基づき、都度の吸着セットエリアから外れた区分エリアに対応する系統の吸引口を、非吸引とする。このため、マザー基板が複数回に亘るブレイクにより矮小化していくがために、吸着に寄与しない吸引口の個数およびその位置がその都度変化する場合にも、吸着に寄与しない吸引口からのエアーのリークを確実に防止することができる。したがって、複数回に亘るブレイクにより矮小化していくマザー基板を、適切に吸着セットすることができる。
【０００７】
この場合、各個別吸引流路は、一端で単一の吸引口に接続しており、各流路開閉手段は、各個別吸引流路に介設された複数の個別流路開閉手段により構成されていることが好ましい。
【０００８】
この構成によれば、個別吸引流路や流路開閉手段の構成を変更せずとも、各系統を構成する個別吸引流路の組合せを変更することが可能となり、制御手段により系統単位で吸引口からの吸引／非吸引を制御することが可能となる。したがって、例えばブレイクの仕方を変更したために、都度の吸着セットエリアが変更され、それに伴って、各系統を構成する個別吸引流路の組合せを変更することが必要となる場合にも、容易にその変更に対応することができる。
【０００９】
この場合、一端で多数の個別吸引流路が合流すると共に、他端で真空吸引手段に連なる合流吸引流路を、さらに備え、合流吸引流路には、吸引圧力が適正な圧力値になるように調整する圧力調整手段が、設けられていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、合流吸引流路に設けられた吸引圧力調整手段により、多数の吸引口における吸引力を一括して調整することができる。したがって、簡易な構成で、マザー基板全体に作用させる吸着力をコントロールすることができる。
【００１１】
この場合、合流吸引流路には、圧縮エアー供給手段に連なる流路切替え手段が、設けられており、制御手段は、ワークの吸着終了時に、流路切替え手段を、圧縮エアー供給手段側に切り替えることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、マザー基板の吸着終了時に、多数の個別吸引流路に圧縮エアーが導入されるため、各吸引口おいてマザー基板に対する吸着状態が確実に解除される。したがって、マザー基板の吸着終了後、テーブル本体からマザー基板を容易に取り外すことができる。
【００１３】
本発明のブレイク装置は、上記した吸着テーブルを、備えたことを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、マザー基板が複数回に亘るブレイクにより矮小化していく場合にも、これを適切に吸着セットすることができる。
【００１５】
この場合、マザー基板の一方のブレイク側を吸着保持する第１の吸着テーブルと、マザー基板の他方のブレイク側を吸着保持する第２の吸着テーブルと、第１の吸着テーブルに対し第２の吸着テーブルをブレイク動作させるブレイク機構と、を備えたことが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、マザー基板を適切に吸着保持した状態で、ブレイク動作を行うことができる。このため、チッピングやカケ等を生じさせることなく、マザー基板を適切に分割することができる。
【００１７】
この場合、マザー基板が、複数のＴＦＴ液晶パネルを作り込んだものであり、ブレイクによりマザー基板からＴＦＴ液晶パネルを複数枚取りすることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、チッピングやカケ等が生じることなく、適切に分割されたＴＦＴ液晶パネルを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。本実施形態に係るブレイク装置は、複数のＴＦＴ液晶パネルを作り込んだマザー基板を、スクライブ・ブレイク法により分割（割断）して、ＴＦＴ液晶パネル（セル）を複数枚取りするブレイクシステムに組み込まれたものである。
【００２０】
図１に示すように、分割対象となるマザー基板Ｗは、ＯＤＦ方式（One Drop Filling）により液晶を滴下して、複数のＴＦＴ液晶パネルＰを作り込んだものである。すなわち、マザー基板Ｗは、ＴＦＴアレイ基板Ｗａ（以下、単に「アレイ基板」という。）と、カラーフィルタ基板Ｗｃ（以下、単に「ＣＦ基板」という。）とを有している。アレイ基板ＷａおよびＣＦ基板Ｗｃは、脆性を有する材料（例えばガラス板）で構成され、円形の薄板状に形成されている。そして、一方の基板に対し、複数の長方形をマトリクス状に描くようにしてシール材Ｓを塗布し、さらに、各長方形（シール材Ｓ）の内側に液晶材を定量滴下した後、真空中で両基板を位置決めし貼り合わせたものである。このマザー基板Ｗを後述するブレイクシステムにより分割することで、複数のＴＦＴ液晶パネルＰが得られる。なお、図中の符号Ｌ（Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ）は、後述するスクライブラインを示している。
【００２１】
図１（ｂ）に示すように、分割して得られた各ＴＦＴ液晶パネルＰは、アレイ基板ＷａとＣＦ基板Ｗｃとが、両基板の外縁部をシールするシール材Ｓにより貼り合わされると共に、両基板の間隙において、シール材Ｓにより液晶材が封入された構成となる。そして、両基板は、一方の短辺部分において、アレイ基板Ｗａに対してＣＦ基板Ｗｃが後退（セットバック）し、不揃いとなっている。このＣＦ基板Ｗｃが後退した部分のアレイ基板Ｗａ上に、ＦＰＣ等を接続するための端子エリアＰａが形成されている。つまり、ＣＦ基板Ｗｃにおけるこの部分は、分割されて取り除かれる不要チップＰｂとなっている。
【００２２】
図２に示すように、ブレイクシステムは、搬入されたマザー基板Ｗに対しスクライブを行うレーザスクライブ装置１１と、スクライブ後にブレイクを行うブレイク装置１２と、不要チップを取り除くためのチップ分割装置１３とを備えている。
【００２３】
レーザスクライブ装置１１は、レーザ光（例えばフェムト秒レーザ）を照射するレーザ照射ヘッド２１と、セットされたマザー基板Ｗをレーザ照射ヘッド２１に対して移動させるＸＹテーブル２２とを備えている。ＸＹテーブル２２によりマザー基板Ｗを縦横に移動させながら、レーザ照射ヘッド２１によりアレイ基板ＷａまたはＣＦ基板Ｗｃに対してレーザ光を照射すると、照射された部分が強度の低下した変質部となり、スクライブラインＬが形成される。
【００２４】
このスクライブラインＬの形成は、アレイ基板ＷａおよびＣＦ基板Ｗｃに対して個別に行われる。すなわち、まず、アレイ基板Ｗａを上にした状態でマザー基板ＷがＸＹテーブル２２にセットされ、アレイ基板Ｗａに対して、各ＴＦＴ液晶パネルＰの四辺に対応する縦スクライブラインＬａおよび横スクライブラインＬｂを形成する。次に、ＣＦ基板Ｗｃが上となるようにマザー基板Ｗを反転し、ＣＦ基板Ｗｃに対して、アレイ基板Ｗａと同様に、各ＴＦＴ液晶パネルＰの四辺に対応する縦スクライブラインＬａおよび横スクライブラインＬｂを形成する。さらに、上記の不要チップＰｂを分割するためのスクライブライン（チップ用スクライブラインＬｃ）を、縦スクライブラインＬａと平行に複数形成する。
【００２５】
ブレイク装置１２は、メインテーブル３１（第１の吸着テーブル）と、サブテーブル３２（第２の吸着テーブル）と、メインテーブル３１に対しサブテーブル３２をブレイク動作させるブレイク機構３３と、テーブル制御部３４（図４参照）とを備えている。メインテーブル３１は、４隅に設けられた４本の支柱３５により水平に支持されている。サブテーブル３２は、メインテーブル３１の端部に設けられた回動軸３６により、メインテーブル３１と平行（面一）となるセット位置と、メインテーブル３１に対し下方に傾斜したブレイク位置との間で回動自在に支持されている。
【００２６】
ブレイク機構３３は、回動軸３６の両端部に設けられた一対のＬ字部材３７と、各Ｌ字部材３７の先端部に連結された一対のエアーシリンダー３８（図では一方のみ示す）とで構成されている。そして、エアーシリンダー３８のピストンロッドを後退させるとサブテーブル３２が下方（ブレイク位置）に回動し、ピストンロッドを前進させるとサブテーブル３２が上方（セット位置）に回動する。このセット位置からブレイク位置への回動により、吸着セットしたマザー基板Ｗをブレイクする。
【００２７】
テーブル制御部３４（例えばＰＬＣ）は、ＣＰＵ３９とメモリ４０とを有し、メモリ４０には、後述するシーケンスデータが記憶されている。そして、テーブル制御部３４は、ブレイク装置１２の各部を統括制御している。
【００２８】
このように構成されたブレイク装置１２により、マザー基板Ｗがブレイクされ複数のＴＦＴ液晶パネルＰが得られる。すなわち、まず、搬入されたマザー基板Ｗを、最外端の縦スクライブラインＬａがメインテーブル３１とサブテーブル３２との境界線に合致するようにして、位置合わせする。続いて、テーブル制御部３４が、メインテーブル３１およびサブテーブル３２の吸着を開始させ、位置合わせされたマザー基板Ｗを吸着セットする。つまり、最外端の縦スクライブラインＬａを境にして、一方のブレイク側がメインテーブル３１に吸着保持され、他方のブレイク側がサブテーブル３２に吸着保持される。そして、テーブル制御部３４が、ブレイク機構３３にブレイク動作を行わせることで、マザー基板Ｗを最外端の縦スクライブラインＬａの位置でブレイクする。
【００２９】
この手順で、順次、縦スクライブラインＬａに沿ってマザー基板Ｗをブレイクし、短冊状に分割されたマザー基板（短冊基板）を複数得る。次に、各短冊基板を、今度は横スクライブラインＬｂに沿って上記と同様の手順で１つずつ分割していく。このような複数回に亘るブレイクにより、複数のＴＦＴ液晶パネルＰ（不要チップＰｂ付き）が単品化される。そして、詳細は後述するが、ブレイク装置１２では、複数回に亘るブレイクのブレイク手順と、複数回に亘るブレイクにより矮小化していくマザー基板Ｗの都度の吸着セットエリアＥ（図３参照）とが予め定められている。
【００３０】
ここで、ブレイクシステムによる一連のスクライブ・ブレイク方法について説明する。まず、前工程において作成されたマザー基板Ｗ（図２（ａ）参照）をブレイク装置１２に搬入し（図２（ｂ）参照）、搬入されたマザー基板Ｗに対してスクライブラインＬを形成する（図２（ｃ）参照）。スクライブラインＬが形成されたマザー基板Ｗを、ブレイク装置１２にセットし、ブレイクする（図２（ｄ）参照）。単品化されたＴＦＴ液晶パネルＰ（不要チップＰｂ付き）から、チップ分割装置１３により不要チップＰｂを取り除き（図２（ｅ）参照）、ＴＦＴ液晶パネルＰ（不要チップＰｂなし）を得る（図２（ｆ）参照）。
【００３１】
図３は、上記のブレイク工程（図２（ｄ）参照）において、マザー基板Ｗがメインテーブル３１およびサブテーブル３２にセットされた状態を示す図である。すなわち、図３（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ１〜４回目のブレイク動作におけるセット状態を示している。詳細は後述するが、メインテーブル３１およびサブテーブル３２は、それぞれ吸着テーブルで構成されており、マザー基板Ｗが載置されるテーブル本体４１には、多数の吸引口４２が整列配置されている。
【００３２】
図３に示すように、複数回（ここでは４回）に亘るブレイクのブレイク手順と、複数回に亘るブレイクにより矮小化していくマザー基板の都度の吸着セットエリアＥとが予め定められている。ここで、吸着セットエリアＥとは、メインテーブル３１やサブテーブル３２において、マザー基板Ｗが載置され、これを吸着セットするエリアのことである。
【００３３】
図中の符号Ｅａは、複数回に亘るブレイクによる吸着セットエリアＥの都度の変化分に応じて、吸着セットエリアＥを複数に区分した区分エリア（Ｅａ１〜Ｅａ１６、図３（ｅ）参照）を示している。すなわち、メインテーブル３１やサブテーブル３２においては、ブレイク工程の進行に従って、区分エリアＥａ単位で、吸着セットエリアＥとなったり、そうでなくなったりする。図示では、都度の吸着セットエリアＥを構成する区分エリアＥａにハッチを付し、それ以外の区分エリアＥａにはハッチを付していない。すなわち、吸着セットエリアＥを構成する区分エリアＥａは、第１回目のブレイクでは「３，７−９，１１−１５，１７−１９，２３」、第２回目のブレイクでは「８，１１−２０，２２−２４」、第３回目のブレイクでは「１３，１７−１９，２１−２５」、第４回目のブレイクでは「１８，２２−２４」となっている。そして、ブレイク手順と都度の吸着セットエリアＥを構成する区分エリアＥａとを関連付けたシーケンスデータ（図４参照）が、上記のテーブル制御部３４のメモリ４０に記憶されている。
【００３４】
吸着セットエリアＥ内にある吸引口（エリア内吸引口４２ｉ）は、マザー基板Ｗの吸着に寄与しているが、他方、吸着セットエリアＥ外にある吸引口（エリア外吸引口４２ｏ）は、マザー基板Ｗの吸着に寄与していない。そして、エリア外吸引口４２ｏからエアーがリークすると、エリア内吸引口４２ｉにおける吸引力が低下してしまう。そこで、メインテーブル３１およびサブテーブル３２は、このようにエリア外吸引口４２ｏの個数およびその位置がその都度変化する場合にも、マザー基板Ｗを適切に吸着セットできるようにすべく、吸着セットエリアＥを構成する区分エリアＥａが吸引となり、その他の区分エリアＥａが非吸引となるようになっている。なお、以下では、メインテーブル３１を例にして説明するが、サブテーブル３２も同様の構成である。
【００３５】
図５は、図３に示したメインテーブル３１のテーブル本体４１を簡略化して示すと共に、各吸引口４２に連なる吸着機構を説明する図である。同図に示すように、メインテーブル３１は、テーブル本体４１と、各吸引口４２に上流端が接続された多数の個別吸引チューブ４３と、上流端で多数の個別吸引チューブ４３が合流すると共に、下流端で真空ポンプ４５に連なる合流吸引チューブ４４とを備えている。多数の個別吸引チューブ４３は、複数の区分エリア（Ｅａａ〜Ｅａｃ）に属する吸引口※に対応して、複数に系統分け（図示では一点鎖線の枠で示す）されている。なお、真空吸引手段としては、真空ポンプ４５のほか、工場真空系統やエゼクタでもよい。
【００３６】
また、各個別吸引チューブ４３には、当該チューブを開閉する電動の流路開閉弁４６（個別流路開閉手段）が介設されている。そして、これらの流路開閉弁４６は、後述する個別制御部５１による制御を受けて、複数に系統分けされた個別吸引チューブ４３を、系統別に開閉するようになっている。
【００３７】
すなわち、本実施形態では、１個の吸引口４２に１本の個別吸引チューブ４３が対応しているため、各系統に属する複数の流路開閉弁４６により、系統別に複数の個別吸引チューブ４３を一括して開弁あるいは閉弁させている。なお、この構成に代えて、各区分エリアＥａに属する複数の吸引口４２に１本の個別吸引チューブ４３を対応（各個別吸引チューブ４３の上流端をさらに分岐させ複数の吸引口４２と接続）させてもよい。この場合には、各系統に１本の個別吸引チューブ４３が対応することから、単一の流路開閉弁４６により、系統別に個別吸引チューブ４３を開閉させることができる。もっとも、本実施形態のように、１個の吸引口４２に１本の個別吸引チューブ４３を対応させると共に、各系統に属する複数の流路開閉弁４６により、系統別に複数の個別吸引チューブ４３を開閉させるようにすることで、個別吸引チューブ４３や流路開閉弁４６の構成を変更せずとも、各系統を構成する個別吸引チューブ４３の組合せを変更することが可能となる。つまり、テーブル制御部３４により一括して開弁・閉弁制御（後述する）する流路開閉弁４６の組合せを変更しさえすればよい。なお、個別流路開閉手段としては、各個別吸引チューブ４３に介設した流量調整弁であってもよい。
【００３８】
さらに、各個別吸引チューブ４３には、当該チューブ内における吸引圧力を測定する圧力計４７が介設されている。なお、本実施形態では、圧力計４７により吸引圧力を測定することで、個別吸引チューブ４３内の吸引状態を計測しているが、流量計により個別吸引チューブ４３内の吸引流量を測定することで、さらには圧力計４７と流量計とを併用することで、個別吸引チューブ４３内の吸引状態を計測するようにしてもよい。また、各個別吸引チューブ４３には、エアフィルタを設けてもよい。
【００３９】
合流吸引チューブ４４には、下流端（真空ポンプ４５）側から順に、電動の三方弁４８（流路切替え手段）と、流量調整弁４９（圧力調整手段）とが介設されている。
【００４０】
三方弁４８の１のポートは、エアーコンプレッサー等で構成された圧縮エアー供給手段５０に連通している。マザー基板Ｗの吸着終了時に、テーブル制御部３４が、三方弁４８を圧縮エアー供給手段５０側に切替え、各個別吸引チューブ４３に圧縮エアーを導入する。これにより、各エリア内吸引口４２ｉおいてマザー基板Ｗに対する吸着状態が確実に解除されるようになっている。
【００４１】
流量調整弁４９は、吸引圧力が適正な圧力値になるように調整するものであり、これにより、多数の吸引口４２における吸引力を一括して調整することができる。したがって、簡易な構成で、マザー基板Ｗ全体に作用させる吸着力をコントロールすることができる。
【００４２】
さらに、メインテーブル３１は、多数の個別制御部５１を備えている。各個別制御部５１は、例えば制御ＩＣで構成され、上記のテーブル制御部３４の制御を受ける共に、対応する流路開閉弁４６を開閉制御している。
【００４３】
そして、テーブル制御部３４は、系統単位で、吸引口４２からの吸引／非吸引を制御する。すなわち、メモリ４０に記憶されたシーケンスデータに基づいて、各個別制御部５１へ制御信号を出力する。これにより、複数の区分エリアＥａのうち吸着セットエリアＥを構成する区分エリアＥａに対応する流路開閉弁４６のみ開弁し、それ以外の流路開閉弁４６を閉止するようにする。したがって、吸着セットエリアＥを構成していない区分エリアＥａに位置する吸引口（エリア外吸引口４２ｏ）が、非吸引状態となり、エリア外吸引口４２ｏからのエアーのリークが防止される。
【００４４】
以上より、マザー基板Ｗが複数回に亘るブレイクにより矮小化していくがために、エリア外吸引口４２ｏ（吸着に寄与しない吸引口４２）の個数およびその位置がその都度変化する場合にも、エリア外吸引口４２ｏからのエアーのリークを確実に防止することができる。したがって、複数回に亘るブレイクにより矮小化していくマザー基板Ｗを、適切に吸着セットすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）はマザー基板の外観斜視図、（ｂ）はＴＦＴ液晶パネルの外観斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るブレイクシステムによるマザー基板のスクライブ・ブレイク方法を説明する図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、ブレイク工程において、マザー基板がメインテーブルおよびサブテーブルにセットされた状態を示す図であり、（ｅ）は区分エリアを説明するための図である。
【図４】図３に示したブレイク手順と吸着セットエリアとを関連付けたシーケンスデータを示す図である。
【図５】メインテーブルのテーブル本体を簡略化して示すと共に、各吸引口に連なる吸着機構を説明する図である。
【符号の説明】
【００４６】
１２…ブレイク装置  ３１…メインテーブル  ３２…サブテーブル  ３３…ブレイク機構  ３４…テーブル制御部  ３９…ＣＰＵ  ４０…メモリ  ４１…テーブル本体  ４２…吸引口  ４３…個別吸引チューブ  ４４…合流吸引チューブ  ４５…真空ポンプ  ４６…流路開閉弁  ４８…三方弁  ４９…流量調整弁  ５０…圧縮エアー供給手段  Ｅ…吸着セットエリア  Ｅａ…区分エリア  Ｗ…マザー基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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