(57)【要約】【課題】  モータの駆動制御に伴って、装置各部の温度が上昇し、その許容温度に対して余裕がなくなってきた場合は、温度上昇を抑制する効果が得られる制御を行い、一方、その許容温度に対して余裕がある場合は、モータ電流の歪やスイッチング動作に起因するノイズを低減する効果が得られる制御を行うことができ、装置の発熱状態に応じて適切なモータの駆動制御を実行することができるモータ制御装置を提供すること。【解決手段】  モータ５０に駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング回路４と、スイッチング回路４を駆動させるためのプリドライバ３と、プリドライバ３を駆動させてモータ５０の駆動を制御するモータ制御手段２０と、スイッチング回路４のスイッチング切替時の動作速度を切り替えるための動作速度切替手段１１と、発熱状態に基づいて動作速度切替手段１１の設定を切り替える切替制御手段２０とを装備する。【選択図】  図３
2008278584.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータに駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング手段と、
該スイッチング手段を駆動させるための駆動手段と、
該駆動手段を駆動させてモータの駆動を制御するモータ制御手段と、
前記スイッチング手段のスイッチング切替時の動作速度を切り替えるための動作速度切
替手段と、
発熱状態に基づいて前記動作速度切替手段の設定を切り替える切替制御手段とを備えて
いることを特徴とするモータ制御装置。
【請求項２】
前記動作速度切替手段が、前記スイッチング手段の制御端子に接続される抵抗の値を切
り替え可能な可変抵抗手段を含んで構成され、
前記切替制御手段が、発熱状態に基づいて前記可変抵抗手段の抵抗値の設定を切り替え
る抵抗切替制御手段を含んで構成されていることを特徴とする請求項１記載のモータ制御
装置。
【請求項３】
前記動作速度切替手段が、前記スイッチング手段の端子間容量を切り替え可能な可変容
量手段を含んで構成され、
前記切替制御手段が、発熱状態に基づいて前記可変容量手段の容量の設定を切り替える
容量切替制御手段を含んで構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
モータ制御装置。
【請求項４】
車両の運転状況に応じて、操舵機構に設けられたモータを駆動させて操舵をアシストす
る制御を行う電動パワーステアリング制御装置に採用されるものであり、
操舵アシストが必要な運転状況であるか否かを判断する判断手段を備え、
前記切替制御手段が、前記判断手段による判断結果を考慮して、前記動作速度切替手段
の設定を切り替えるものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載のモ
ータ制御装置。
【請求項５】
温度情報を取得するステップと、
モータに駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング手段のスイッチング切替
時の動作速度を切り替えるための動作速度切替手段の設定を、前記取得した温度情報に基
づいて切り替えるステップと、
該切り替えられた前記動作速度切替手段の設定状態で、前記スイッチング手段を駆動さ
せる制御を行うステップとを含むことを特徴とするモータ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモータ制御装置、及びモータ制御方法に関し、より詳細には、モータの駆動制
御を行う際に、モータに駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング手段の駆動
信号にデッドタイムを設けて制御を行うモータ制御装置、及びモータ制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来のモータ制御装置が採用された車載用の電動パワーステアリング制御装置
の概略構成を示した図である。
電動パワーステアリング制御装置（以下、ＥＰＳ制御装置と記す）１は、車両の運転状
況に応じて、車両の操舵機構（図示せず）に連結されたモータ５０を駆動させることによ
り操舵補助力を与える制御を行うものであり、マイクロコンピュータ（マイコン）２と、
プリドライバ３と、スイッチング回路４と、電流検出回路５と、温度センサ６とを含んで
構成されている。
【０００３】
また、ハンドルの操舵状態を検出するトルクセンサ７など、操舵補助制御に必要な車両
各部の情報を得るための各種センサ（図示せず）がマイコン２に接続されており、トルク
センサ７などの各種センサで検出された信号がマイコン２に入力されるようになっている
。また、電流検出回路５で検出されたモータ５０の電流値がマイコン２に入力され、装置
内の所定箇所に設置された温度センサ６で検出された信号もマイコン２に入力されるよう
になっている。
【０００４】
スイッチング回路４は、スイッチング素子であるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、ＭＯ
Ｓと記す）１、ＭＯＳ２からなる上下アーム素子対と、ＭＯＳ３、ＭＯＳ４からなる上下
アーム素子対とを含むＨブリッジ回路で構成されており、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２の間の接続
点と、ＭＯＳ３、ＭＯＳ４の間の接続点とが、モータ５０の各端子に接続されており、Ｍ
ＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング状態に応じて、直流電源であるバッテリＢからモータ５
０に電流が供給されるようになっている。
【０００５】
また、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子とプリドライバ３との間には、所定値に設定
されたゲート抵抗Ｒ１〜Ｒ４が介装されている。また、ＭＯＳ２及びＭＯＳ４と接地ＧＮ
Ｄとの間には、電流検出用の抵抗Ｒ１１が介装されている。なお、各ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４
には、図示しない帰還ダイオードが並列に接続されている。
【０００６】
また、プリドライバ３は、マイコン２からの制御信号（ＰＷＭ信号）に基づいてＭＯＳ
１〜ＭＯＳ４をオン、オフし得るスイッチング信号を生成して出力するパルス変調回路を
含んで構成されており、プリドライバ３からＭＯＳ１〜ＭＯＳ４に対して出力されるスイ
ッチング信号には、貫通電流を抑えるための所定期間のデッドタイムが設けられている。
プリドライバ３、及びスイッチング回路４を含んでモータ駆動回路が構成されている。
【０００７】
このように構成されたＥＰＳ制御装置１のモータ駆動回路の動作について、図２に示し
たタイミング図に基づいて説明する。なお、ここではＭＯＳ１、ＭＯＳ２に対する制御に
ついて説明するが、ＭＯＳ３、ＭＯＳ４についても同様な制御が行われる。
【０００８】
図２（ａ）は、プリドライバ３からＭＯＳ１に出力された駆動信号の波形、（ｂ）は、
ＭＯＳ１のドレイン電流の波形、（ｃ）は、プリドライバ３からＭＯＳ２に出力された駆
動信号の波形、（ｄ）は、ＭＯＳ２のドレイン電流の波形、（ｅ）は、バッテリＢからＭ
ＯＳ１、ＭＯＳ２を介して流れる貫通電流の波形を示している。
【０００９】
プリドライバ３では、マイコン２からの制御信号に基づいて、ＭＯＳ１とＭＯＳ２とが
、同じタイミングでオンしないように、すなわち、交互にオン、オフを繰り返すように、
デューティ比が設定された駆動信号（スイッチング信号）を生成して出力するようになっ
ている。
【００１０】
ただし、プリドライバ３から出力される駆動信号のオン、オフの切り替えに対して、Ｍ
ＯＳ１やＭＯＳ２は、瞬時にオン状態、オフ状態に切り替わることはなく、ゲート抵抗Ｒ
１〜Ｒ４の設定値やＭＯＳ１、ＭＯＳ２の電気的特性（端子間に内在する寄生容量など）
の影響を受けて、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２のドレイン電流の立ち上がりや立ち下がりが遅れて
しまう、所謂ターンオン時間やターンオフ時間を要してしまう。
【００１１】
このため、プリドライバ３からＭＯＳ１をオン（又はオフ）させる駆動信号と、ＭＯＳ
２をオフ（又はオン）させる駆動信号とが同時に出力されると、ＭＯＳ１のドレイン電流
の立ち上がり（又は立ち下がり）と、ＭＯＳ２のドレイン電流の立ち下がり（又は立ち上
がり）とが重なる期間が長くなってしまい、その間、ＭＯＳ１とＭＯＳ２とが同時にオン
状態となって貫通電流が流れてしまう。
【００１２】
そこで、ＭＯＳ１やＭＯＳ２のドレイン電流の立ち上がりや立ち下がりの遅れによって
、ＭＯＳ１とＭＯＳ２とが同時にオン状態となる期間が短くなるように、プリドライバ３
からは、ＭＯＳ２（又はＭＯＳ１）をオフさせるＬレベルの駆動信号を出力した後、直ち
にＭＯＳ１（又はＭＯＳ２）をオンさせるＨレベルの駆動信号を出力するのではなく、そ
の間にデッドタイムＤＴという期間をおいて、ＭＯＳ１（又はＭＯＳ２）をオンさせるＨ
レベルの駆動信号を出力することにより、ＭＯＳ１とＭＯＳ２とが同時にオン状態となっ
てしまう期間を短くなるようにして、貫流電流を抑える構成が採用されている。
【００１３】
しかしながら、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のドレイン電流の立ち上がりや立ち下がりの速度、
すなわちスイッチング動作速度に対してデッドタイムＤＴの期間を十分に大きくとれば、
貫通電流が流れないようにスイッチング回路４を駆動させることが可能となるが、デッド
タイムＤＴの期間を大きくとると、モータ電圧や電流の歪みの増加やトルクリップルの増
大を招き、モータ５０の駆動制御に与える悪影響が大きくなってしまう。
【００１４】
そこで、従来は、両者のバランスを考慮して、個々の製品仕様（例えば、装置各部の許
容温度（耐熱温度）や操舵フィーリングなど）を満たすことができるように、設計計算や
実機確認による貫通電流の波形観測の結果などから適切と考えられる値を求め、その値を
制御に用いる固定値として予めソフトウェアに書き込んで使用しているが、実際には、図
２（ｅ）に示しているように、予め設計計算や実機確認等の結果から求めた値をデッドタ
イムＤＴとして設けた場合であっても、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２のオン、オフの切替時に貫通
電流がある程度流れてしまう。
【００１５】
したがって、大きな貫通電流が流れる状態が断続的に継続すると、部品の温度が許容温
度を越えてしまい、部品が破損したり、劣化が速まる虞があるため、このような温度上昇
に対応すべく、従来のＥＰＳ制御装置１には過熱保護機能が装備されている。すなわち、
マイコン２が、装置内の温度を温度センサ６を通じて検出し、検出温度が、所定の許容温
度に達する前に、モータ５０へ供給する電流を制限する制御を行うようになっている。
【００１６】
また、下記の特許文献１には、モータ駆動回路を構成する昇圧回路とスイッチング素子
の制御端子との間に、ダイオード、抵抗、コンデンサを含んで構成されたゲート信号調整
回路を介在させる構成として、前記抵抗や前記コンデンサの値を適切な値に設定しておく
ことにより、スイッチング素子の電力損失の低減、スイッチング素子の保護、及びＥＭＩ
ノイズの低減を図る技術が開示されている。
【００１７】
しかしながら、上記した過熱保護機能（駆動電流の制限）が作動すると、モータ５０に
よる操舵補助量が大きく制限されることとなるため、必要としている操舵アシスト量を付
与することができず、運転者の操舵フィーリングが悪化してしまうという問題があった。
【００１８】
また、温度上昇に対応すべく、耐熱性に優れた部品を採用することも考えられるが、部
品コストが高くつくという別の問題が生じることとなり、高コストな部品を使用しなくて
もすむように、装置の温度上昇を抑制する効果を高めることのできる対策が求められてい
た。
【００１９】
また、上記した特許文献１に開示された技術では、前記ゲート信号調整回路を構成する
抵抗やコンデンサの値を予め適切な値に設定しておくことはできるが、その設定された値
（固定された値）で、モータの駆動制御が行われるため、モータの駆動制御中に、装置各
部の発熱状態に応じてスイッチング素子の動作速度を適切な速度に切り替えることはでき
なかった。
【特許文献１】特開２００３−１８９５９２号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段及びその効果】
【００２０】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、モータの駆動制御に伴って、装置各部
の温度が上昇し、その許容温度（耐熱温度）に対して余裕がなくなってきた場合は、装置
各部の温度上昇を抑制する効果が得られる制御を行い、一方、その許容温度（耐熱温度）
に対して余裕がある場合は、モータ電流の歪やスイッチング動作に起因するノイズを低減
する効果が得られる制御を行うことができ、装置各部の発熱状態に応じて適切なモータの
駆動制御を実行することができるモータ制御装置、及びモ−タ制御方法を提供することを
目的としている。
【００２１】
上記目的を達成するために本発明に係るモータ制御装置（１）は、モータに駆動電流を
供給するラインに介装されるスイッチング手段と、該スイッチング手段を駆動させるため
の駆動手段と、該駆動手段を駆動させてモータの駆動を制御するモータ制御手段と、前記
スイッチング手段のスイッチング切替時の動作速度を切り替えるための動作速度切替手段
と、発熱状態に基づいて前記動作速度切替手段の設定を切り替える切替制御手段とを備え
ていることを特徴としている。
【００２２】
上記モータ制御装置（１）によれば、前記切替制御手段によって、前記スイッチング手
段のスイッチング切替時の動作速度を切り替えるための動作速度切替手段の設定が、発熱
状態に基づいて切り替えられるので、実際の発熱状態（温度変化）に対応させて、その状
況に対応した前記スイッチング動作速度に切り替えて、前記モータの駆動制御を行うこと
ができる。
【００２３】
したがって、例えば、前記スイッチング手段の温度が、その許容温度に対して余裕がな
くなってきた場合、上下アームを形成する各スイッチング手段のスイッチング切替時に、
同時にオン状態とならないように、前記スイッチング動作速度を速める切り替えを行うこ
とにより、前記スイッチング手段に貫通電流が流れないようにすることができ、前記スイ
ッチング手段の発熱を抑えて、温度上昇を防止することができる。したがって、許容温度
の高い（耐熱性の高い）コストの高く付く部品を採用しなくても済むため、装置のコスト
アップを抑えることができる。
【００２４】
また、前記スイッチング手段の温度が、その許容温度に対して余裕がある場合、上下ア
ームを形成する各スイッチング手段のスイッチング切替時に、共にオフ状態とならないよ
うに、前記スイッチング動作速度を緩める切り替えを行うことにより、モータ電圧や電流
の歪などのモータの制御に与える好ましくない影響を低減させることができ、モータの回
転駆動をよりスムーズなものにすることができる。また、スイッチング動作に起因するノ
イズを低減させることができる。
【００２５】
また、本発明に係るモータ制御方法（１）は、温度情報を取得するステップと、モータ
に駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング手段のスイッチング切替時の動作
速度を切り替えるための動作速度切替手段の設定を、前記取得した温度情報に基づいて切
り替えるステップと、該切り替えられた前記動作速度切替手段の設定状態で、前記スイッ
チング手段を駆動させる制御を行うステップとを含むことを特徴としている。
【００２６】
上記モータ制御方法（１）によれば、前記スイッチング手段のスイッチング動作速度を
切り替えるための動作速度切替手段の設定が、温度情報に基づいて切り替えられるので、
実際の温度変化に対応させて、その状況に対応した前記スイッチング動作速度に切り替え
て、前記モータの駆動制御を行うことができる。
【００２７】
したがって、前記スイッチング手段の温度が、その許容温度に対して余裕がなくなって
きた場合、前記スイッチング動作速度を速める切り替えを行うことにより、前記スイッチ
ング手段に貫通電流が流れないようにすることができ、前記スイッチング手段の発熱を抑
えて、温度上昇を防止することができる。また、前記スイッチング手段の温度が、その許
容温度に対して余裕がある場合、前記スイッチング動作速度を緩める切り替えを行うこと
により、モータ電圧や電流の歪などのモータの制御に与える好ましくない影響を低減させ
ることができ、モータの回転駆動をよりスムーズなものにすることができる。また、スイ
ッチング動作に起因するノイズを低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明に係るモータ制御装置、及びモ−タ制御方法の実施の形態を図面に基づい
て説明する。
図３は、実施の形態（１）に係るモータ制御装置（及びモータ制御方法）が採用された
車載用の電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。但し、図１に示
したＥＰＳ制御装置１と同一機能を有する構成部品については、同一符号を付し、その説
明を省略する。
【００２９】
電動パワーステアリング装置の制御を行うＥＰＳ制御装置１０は、ＣＰＵ２１、ＲＡＭ
２２、ＲＯＭ２３、ＥＥＰＲＯＭ２４を含んで構成されるマイコン２０と、プリドライバ
３と、スイッチング回路４と、電流検出回路５と、温度センサ６と、動作速度切替手段１
１とを含んで構成されている。スイッチング回路４は、車両の操舵機構（図示せず）に設
けられたモータ（ＤＣブラシ付きモータ）５０に接続されており、プリドライバ３、スイ
ッチング回路４、及び動作速度切替手段１１を含んでモータ駆動回路が構成されている。
【００３０】
また、ハンドルの操舵状態を検出するトルクセンサ７など、操舵補助制御に必要な車両
各部の情報を得るための各種センサ（図示せず）がマイコン２０に接続されており、トル
クセンサ７などの各種センサで検出された信号がマイコン２０に入力されるようになって
いる。また、電流検出回路５で検出されたモータ５０の電流値がマイコン２０に入力され
、装置内の所定箇所に設置されたサーミスタなどの温度センサ６で検出された信号もマイ
コン２０に入力されるようになっている。
【００３１】
スイッチング回路４は、スイッチング素子であるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、ＭＯ
Ｓと記す）１、ＭＯＳ２からなる上下アーム素子対と、ＭＯＳ３、ＭＯＳ４からなる上下
アーム素子対とを含むＨブリッジ回路で構成されており、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２の間の接続
点と、ＭＯＳ３、ＭＯＳ４の間の接続点とが、モータ５０の各端子に接続されており、Ｍ
ＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング状態に応じて、直流電源であるバッテリＢからモータ５
０に電流が供給されるようになっている。
【００３２】
また、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子Ｇ（制御端子）とプリドライバ３との間には
、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄが介装されており、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄにより動
作速度切替手段１１が構成されている。可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄは、ＭＯＳ１〜ＭＯ
Ｓ４のゲート抵抗の値を切り替え可能に構成されたものであって、ここでは可変抵抗器と
しての機能を有するディジタルポテンショメータが採用されており、マイコン２０から出
力されるディジタル信号（抵抗値切替信号）に基づいて、所定の可変範囲内における任意
の値に抵抗値の設定が切り替えられるようになっている。
【００３３】
また、ＭＯＳ２及びＭＯＳ４と接地ＧＮＤとの間には、電流検出用の抵抗Ｒ１１が介装
されている。なお、各ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４には、図示しない帰還ダイオードが並列に接続
されている。
【００３４】
また、プリドライバ３は、マイコン２からの制御信号（ＰＷＭ信号）に基づいてＭＯＳ
１〜ＭＯＳ４をオン、オフし得るスイッチング信号を生成して出力するパルス変調回路を
含んで構成されており、プリドライバ３から各ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４に対して出力されるス
イッチング信号には、貫通電流を抑えるための所定期間のデッドタイムが設けられている
。
【００３５】
実施の形態（１）に係るＥＰＳ制御装置１０では、プリドライバ３とＭＯＳ１〜ＭＯＳ
４の各ゲート端子Ｇとの間に、動作速度切替手段１１として可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄ
が介装されており、ＥＰＳ制御中に、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を
、装置の発熱状態に基づいて適宜切り替え、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速度
を調整できるように構成されている点に特徴がある。
【００３６】
より具体的には、装置各部の温度が所定の許容温度（耐熱温度）に対して余裕がなくな
ってきた場合は、更なる温度上昇を抑えるために、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定す
る抵抗の値が小さな値に切り替えられ、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速度を速
めて、スイッチング切替時に各上下アーム素子対に貫通電流が流れないように駆動制御が
行われる。
【００３７】
また、装置各部の温度が所定の許容温度に対して余裕がある場合は、モータ電圧や電流
の歪、さらにＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作に起因するノイズが少なくなる状態
でＥＰＳ制御が行えるように、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄの抵抗の値が大きな値に切り
替えられ、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速度を緩めて、スイッチング切替時に
各上下アーム素子対が共にオフ状態となる期間が生じない様に駆動制御が行われる。
【００３８】
また、実施の形態（１）に係るＥＰＳ制御装置１０では、ＥＰＳ制御装置１０の工場出
荷前の検査工程、又は車両の組立工程や該工程後の検査工程などにおけるＥＰＳ制御装置
１０の検査通電時に、ＲＯＭ２３に格納されている可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄの抵抗値
と温度上昇との関係を記憶するプログラムを実行し、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄの抵抗
値と温度上昇との関係をＥＥＰＲＯＭ２４に記憶しておき、車両搭載後の実際のＥＰＳ制
御に使用するように構成されている。
【００３９】
図４は、実施の形態（１）に係るＥＰＳ制御装置１０におけるマイコン２０の行うマッ
プ情報記憶処理動作（可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄの抵抗値と温度上昇との関係を記憶す
る処理動作）を示したフローチャートである。なお、本処理動作は、ＥＰＳ制御装置１０
の工場出荷前の検査工程、又は車両の組立工程や該工程後の検査工程などにおけるＥＰＳ
制御装置１０の検査通電時等において実行されるものとして説明するが、エンジン始動後
の通電時に実行する構成としてもよい。
【００４０】
上記所定の工程において、ＥＰＳ制御装置１０への検査通電が開始されると、まず、可
変抵抗手段の抵抗値と温度上昇との関係が記憶済であることを示す記憶実行フラグＦが１
であるか否かを判断し（ステップＳ１）、記憶実行フラグＦが１である、すなわち、記憶
済であると判断すれば処理を終える一方、記憶実行フラグＦが１ではない、すなわち、未
記憶であると判断すればステップＳ２に進む。
【００４１】
ステップＳ２では、温度上昇との関係を求める可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄの抵抗値の
設定情報を読み出し、その設定情報の中からまず最も値の小さな抵抗値を可変抵抗手段１
１ａ〜１１ｄの抵抗値に設定する処理を行い、次にスイッチング回路４の各上下アーム素
子対（ＭＯＳ１とＭＯＳ２、並びにＭＯＳ３とＭＯＳ４）を、モータ５０に電流が流れな
い様に駆動させる制御を開始し（ステップＳ３）、該駆動制御を所定時間実行したときの
温度上昇を計測する処理を行う（ステップＳ４）。
【００４２】
なお、上記ステップＳ３において、プリドライバ３から出力されるＭＯＳ１、ＭＯＳ３
に対する駆動信号は、オン、オフのデューティ比が５０％に設定されており、一方、ＭＯ
Ｓ２、ＭＯＳ４に対する駆動信号は、ＭＯＳ１、ＭＯＳ３に対する駆動信号のオン、オフ
の切替えに対して、所定のデッドタイムＤＴを設けたタイミングでオン、オフの切替えを
行うように設定されている。つまり、ＭＯＳ１とＭＯＳ３とを同時にオン（又はオフ）さ
せるとともに、ＭＯＳ２とＭＯＳ４とを同時にオフ（又はオン）させる駆動制御を行うよ
うになっている。
【００４３】
続いて、所定時間が経過したか否かを判断し（ステップＳ５）、所定時間が経過したと
判断すれば、所定時間内に上昇した温度を算出し（ステップＳ６）、設定した抵抗値と上
昇温度とを対応付けて、ＥＥＰＲＯＭ２４に記憶する処理を行う（ステップＳ７）。    
【００４４】
次のステップＳ８では、次に設定する抵抗値があるか否かを判断し、次に設定する抵抗
値があると判断すれば、前記設定情報の中から次に値の小さな抵抗値を可変抵抗手段１１
ａ〜１１ｄの抵抗値に設定する処理を行い（ステップＳ９）、その後ステップＳ３に戻り
処理を繰り返す一方、ステップＳ８において、次に設定する抵抗値がないと判断すれば、
記憶実行フラグＦを１にして（ステップＳ１０）、その後処理を終える。
【００４５】
なお、図５には、ＥＥＰＲＯＭ２４に記憶された、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄの設定
抵抗値と上昇温度との関係を示したマップ情報の一例を示しており、設定抵抗値として、
可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄの可変範囲（Ｒｍｉｎ〜Ｒｍａｘ）内の４つの値（Ｒｍｉｎ
＜Ｒａ＜Ｒｂ＜Ｒｃ＜Ｒｄ＜Ｒｍａｘ）が設定されており、各設定抵抗値における上昇温
度が、ΔＴａ＜ΔＴｂ＜ΔＴｃ＜ΔＴｄとなっている、すなわち、抵抗値が大きくなるに
つれて上昇温度が大きくなる（貫通電流により発熱しやすくなる）傾向を示している。
【００４６】
次に実施の形態（１）に係るＥＰＳ制御装置１０におけるマイコン２０の行う可変抵抗
手段１１ａ〜１１ｄの抵抗値の設定処理動作を図６に示したフロ−チャ−トに基づいて説
明する。なお、本処理動作は、車両のエンジン始動後に実行される。
【００４７】
エンジン始動後、まず、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄの抵抗の値を、予め設定されてい
るデフォルト値に設定する処理を行い（ステップＳ１１）、続いて、通常のＥＰＳ制御を
開始する（ステップＳ１２）。なお、ステップＳ１１で設定される抵抗のデフォルト値と
しては、例えば、エンジン始動後で温度上昇も小さいので、可変範囲内におけるやや大き
めの値、又は温度センサ６で検出された温度に対応付けられた値などが設定される。
【００４８】
その後、トルクセンサ７から取得した信号に基づいて算出された操舵トルク指令値Ｔ＊
（操舵補助トルクの目標値）が所定値Ｔ’以上であるか否かを判断し（ステップＳ１３）
、操舵トルク指令値Ｔ＊が所定値Ｔ’以上である、すなわち、操舵アシストが必要な運転
状況であると判断すれば、温度センサ６から取得した信号に基づいて、装置各部、例えば
ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の温度（推定温度）Ｔｓを算出する（ステップＳ１４）。
【００４９】
次にＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度（すなわち、耐熱設定温度）Ｔｍａｘと、算出され
た推定温度Ｔｓとの差が所定値ΔＴ以上あるか、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温
度に対して余裕があるか否かを判断し（ステップＳ１５）、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温
度Ｔｍａｘと推定温度Ｔｓとの差が所定値ΔＴ未満である、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ
４の許容温度に対して余裕がないと判断すれば、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の動作速度が速くな
るように、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を小さな値に切り替える処理
を行い（ステップＳ１６）、その後、ステップＳ１３に戻り処理を繰り返す。
【００５０】
すなわち、ステップＳ１６では、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度Ｔｍａｘと推定温度Ｔ
ｓとの温度差を、ＥＥＰＲＯＭ２４に記憶された設定抵抗値と上昇温度との関係マップ（
図５参照）に当てはめて、該関係マップから前記温度差に対応する設定抵抗値を求め、可
変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を、前記温度差から求めた設定抵抗値に切
り替える処理を行う。その後は、切り替えた抵抗値でＥＰＳ制御が実施される。
【００５１】
なお、この場合、許容温度に対して余裕がない、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容
温度と推定温度との温度差が小さくなっているので、該温度差以上の温度上昇が起きない
ように（換言すると、許容温度を越えないように）するための抵抗値（すなわち、小さめ
の抵抗値）が設定される。また、許容温度に対して余裕がない状況で小さな抵抗値が設定
された場合のモータ駆動回路を構成する各部の動作については、後ほど説明する。
【００５２】
一方ステップＳ１５において、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度Ｔｍａｘと推定温度Ｔｓ
との差が、所定値ΔＴ以上あると判断すれば、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速
度を緩めるように、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を大きな値に切り替
える処理を行い（ステップＳ１７）、その後、ステップＳ１３に戻り処理を繰り返す。
【００５３】
すなわち、ステップＳ１７では、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度Ｔｍａｘと推定温度Ｔ
ｓとの温度差を、ＥＥＰＲＯＭ２４に記憶された設定抵抗値と上昇温度との関係マップ（
図５参照）に当てはめて、該関係マップから前記温度差に対応する抵抗値を求め、可変抵
抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を、前記温度差から求めた抵抗値に切り替える
処理を行う。その後は、切り替えられた抵抗値でＥＰＳ制御が実施される。
【００５４】
なお、この場合、許容温度に対して余裕がある、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容
温度Ｔｍａｘと推定温度Ｔｓとの温度差が大きいので、該温度差以上の温度上昇が起きな
いようにすればよく、大きめの抵抗値が設定できる。また、許容温度に対して余裕がある
状況で大きめの抵抗値が設定された場合のモータ駆動回路を構成する各部の動作について
は、後ほど説明する。
【００５５】
また一方、ステップＳ１３において、操舵トルク指令値Ｔ＊が所定値Ｔ’以上ではない
、すなわち、操舵アシストが必要されていない運転状況であると判断すれば、ステップＳ
１７に進み、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速度を緩めるように、可変抵抗手段
１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を切り替える処理を行い、その後、ステップＳ１３に
戻り処理を繰り返す。
【００５６】
次に、実施の形態（１）に係るＥＰＳ制御装置１０におけるモータ駆動回路の各部の動
作について、図７、８に示した波形図に基づいて説明する。なお、ここではＭＯＳ１、Ｍ
ＯＳ２からなる上下アーム素子対に対する制御について説明するが、ＭＯＳ３、ＭＯＳ４
からなる上下アーム素子対についても同様な制御が行われる。
【００５７】
図７は、図６のステップＳ１６において、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗
の値が小さな値（可変範囲内での小さめの値）に切り替えられた後の動作を示しており、
（ａ）は、プリドライバ３からＭＯＳ１に出力された駆動信号の波形、（ｂ）は、プリド
ライバ３からＭＯＳ２に出力された駆動信号の波形、（ｃ）〜（ｇ）は、順に、ＭＯＳ１
のゲート電圧、ドレイン電流の各波形、ＭＯＳ２のゲート電圧、ドレイン電流の各波形、
ＭＯＳ１、ＭＯＳ２を介して流れる貫通電流の波形を示している。
【００５８】
まず、時刻ｔ１において、プリドライバ３からＭＯＳ１に対してＨレベルの信号が出力
されると、可変抵抗手段１１ａを通過してＭＯＳ１のゲート端子にゲート電圧Ｖｇが印加
され始め、可変抵抗手段１１ａで設定された小さな値の抵抗と、ＭＯＳ１に内在するゲー
ト・ソース間の寄生容量との作用によって、期間αの間、ＭＯＳ１のゲート電圧Ｖｇが立
ち上がり始める。そして、期間αの途中で、ＭＯＳ１のゲート電圧Ｖｇが、ＭＯＳ１のス
イッチングの閾値電圧Ｖｔｈを越えると、ＭＯＳ１のドレイン電流Ｉｄが流れ始め、ＭＯ
Ｓ１のドレイン・ソース間が、オン抵抗を伴いながら導通を開始する。
【００５９】
ＭＯＳ１にドレイン電流Ｉｄが流れ始めると、可変抵抗手段１１ａで設定された小さな
値の抵抗と、ＭＯＳ１に内在するゲート・ソース間、及びドレイン・ゲート間の合成容量
によって、次の期間βの間、ゲート電圧Ｖｇがさらに緩やかに立ち上がる。
【００６０】
そして、次の期間γの間、傾きを増加しながらゲート電圧Ｖｇが上昇し、期間γの経過
後ゲート電圧Ｖｇの立ち上がりが完了する。なお、閾値電圧Ｖｔｈを越えてから期間βが
経過するまでの期間Ｔｏｎがターンオン時間に相当し、期間Ｔｏｎの後にＭＯＳ１がオン
状態となる。
【００６１】
その後、時刻ｔ２において、プリドライバ３からＭＯＳ１に対してＬレベルの信号が出
力されると、ＭＯＳ１に蓄えられた電荷が放電され、電流となって可変抵抗手段１１ａに
流れる。すると、期間δの間、負の傾きを増加しながらゲート電圧Ｖｇが下降する。
【００６２】
次の期間εの間は、ＭＯＳ１に内在するゲート・ソース間の寄生容量と、ドレイン・ゲ
ート間の寄生容量とに蓄えられた電荷も放電され始め、減少傾向が緩やかになるとともに
、ターンオフが開始されてドレイン電流Ｉｄが減少し始め、寄生容量の放電が終了すると
、ＭＯＳ１のドレイン・ソース間が遮断する方向に向かい、次の期間ζの間、ゲート電圧
Ｖｇがさらに下降し、ＭＯＳ１の閾値電圧Ｖｔｈを下回るとターンオフが終了し、ＭＯＳ
１のオフ状態への移行が完了する。なお、期間εが開始してから閾値電圧Ｖｔｈを下回る
までの期間Ｔｏｆｆがターンオフ時間に相当し、期間Ｔｏｆｆの経過後にＭＯＳ１がオフ
状態となる。
【００６３】
そして、プリドライバ３からＭＯＳ１に対するＬレベル信号が出力された時刻ｔ２の後
、デッドタイムＤＴが経過した時刻ｔ３において、プリドライバ３からＭＯＳ２に対して
Ｈレベルの信号が出力される。すると、可変抵抗手段１１ｂを通過してＭＯＳ２のゲート
端子にゲート電圧Ｖｇが印加され始め、以下、ＭＯＳ２のゲート電圧Ｖｇ、ドレイン電流
Ｉｄが、ＭＯＳ１のゲート電圧Ｖｇ、ドレイン電流Ｉｄと略同様なパターンで変化する。
【００６４】
この場合、可変抵抗手段１１ａ、１１ｂの抵抗の値が、可変範囲内での小さめの値に設
定されているので、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２のスイッチング動作速度、すなわち、各ドレイン
電流の立ち上がり、立ち下がり速度を速めることができ、スイッチング切替時に、ＭＯＳ
１とＭＯＳ２とが共にオン状態となる期間が生じないため、貫通電流の発生を防止するこ
とができ、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２の発熱に伴う温度上昇が抑制されることとなる。
【００６５】
図８（ａ）は、プリドライバ３からＭＯＳ１に出力された駆動信号の波形、（ｂ）は、
プリドライバ３からＭＯＳ２に出力された駆動信号の波形、（ｃ）〜（ｇ）は、可変抵抗
手段１１ａ、１１ｂの抵抗の値が、可変範囲内での大きめの値に設定されている場合のＭ
ＯＳ１のゲート電圧、ドレイン電流の各波形、ＭＯＳ２のゲート電圧、ドレイン電流の各
波形、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２を介して流れる貫通電流の波形をそれぞれ示している。
【００６６】
以下、図７との相違点について説明する。図８（ｃ）〜（ｇ）と、図７（ｃ）〜（ｇ）
とを比較すると明らかなように、図８（ｃ）、（ｅ）に示したゲート電圧Ｖｇの立ち上が
りを示す期間α’、β’、γ’の長さ及び、立ち下がりを示す期間δ’、ε’、ζ’の長
さは、図７（ｃ）、（ｅ）に示したゲート電圧Ｖｇの立ち上がりを示す期間α、β、γ及
び、立ち下がりを示す期間δ、ε、ζよりもそれぞれ長くなっている。
【００６７】
それに伴い、図８（ｄ）、（ｆ）に示したドレイン電流Ｉｄが流れ始めるタイミングが
、図７（ｄ）、（ｆ）に示したタイミングよりも遅れ、また、ターンオン時間Ｔｏｎやタ
ーンオフ時間Ｔｏｆｆも長くなっており、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２のスイッチング動作速度、
すなわち、各ドレイン電流の立ち上がり、立ち下がり速度がより緩やかになっている。
【００６８】
その結果、プリドライバ３からＭＯＳ１（又はＭＯＳ２）のＬレベル信号が出力されて
から、次にプリドライバ３からＭＯＳ２（又はＭＯＳ１）のＨレベル信号が出力されるま
でのデッドタイムＤＴの間に、ＭＯＳ１（又はＭＯＳ２）のオフ状態への移行が完了せず
、プリドライバ３からＭＯＳ２（又はＭＯＳ１）のＨレベル信号が出力された後に、オフ
状態への移行が完了する。
【００６９】
したがって、ＭＯＳ１とＭＯＳ２とが同時にオン状態となる期間が生じて、貫通電流が
流れてしまうが、この場合、ＭＯＳの許容温度に対して余裕がある状態であるので、温度
上昇は余り問題とならず、逆に、スイッチング切替時にＭＯＳ１とＭＯＳ２とが共にオフ
状態となる期間が生じないため、モータ電流の歪や放射ノイズを低減させることが可能と
なり、操舵フィーリングの良い操舵アシスト制御を行うことが可能となる。
【００７０】
上記実施の形態（１）に係るＥＰＳ制御装置１０によれば、動作速度切替手段１１を構
成する可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値が、装置の発熱状態に基づいて多
段階に切り替えられるので、実際の発熱状態（温度変化）に対応させて、その状況に応じ
たスイッチング動作速度に切り替えてモータ５０の駆動制御を行うことができる。
【００７１】
したがって、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の温度が、その許容温度に対して余裕がなくなってき
た場合、上下アーム素子対のスイッチング切替時に、同時にオン状態とならないように、
可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を小さくすることにより、スイッチング
切替時にＭＯＳ１〜ＭＯＳ４に貫通電流が流れないようにすることができ、ＭＯＳ１〜Ｍ
ＯＳ４の発熱を抑えて、温度上昇を防止することができる。したがって、許容温度の高い
（耐熱性の高い）コストの高く付く部品を採用しなくても済むため、装置のコストアップ
を抑えることができる。
【００７２】
また、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の温度が、その許容温度に対して余裕がある場合、上下アー
ム素子対のスイッチング切替時に、共にオフ状態とならないように、可変抵抗手段１１ａ
〜１１ｄに設定する抵抗の値を大きくすることにより、モータ電圧や電流の歪などのモー
タ５０の制御に与える好ましくない影響を低減させることができ、モータ５０の回転駆動
をよりスムーズなものにすることができる。また、スイッチング動作に起因するノイズを
低減させることができる。
【００７３】
なお、上記実施の形態（１）では、動作速度切替手段１１を構成する可変抵抗手段１１
ａ〜１１ｄとして、ディジタルポテンショメータを適用した場合について説明したが、別
の実施の形態に係るＥＰＳ制御装置１０Ａでは、図９に示したように、動作速度切替手段
１１Ａを、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート抵抗Ｒ１〜Ｒ４に、アナログスイッチ１２ａ〜
１２ｄと抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４とを並列に接続したものから構成し、これらアナログスイッ
チ１２ａ〜１２ｄをマイコン２０Ａから制御信号に基づいて、オン／オフの切替を行うこ
とによって、プリドライバ３とＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子との間に設定する抵抗
の値を切り替える構成とすることができる。このような構成は、可変抵抗器の許容電流が
小さいために、十分な電流が流せない場合などに適用することができる。
【００７４】
また、さらに別の実施の形態に係るＥＰＳ制御装置１０Ｂでは、図１０に示したように
、動作速度切替手段１１Ｂを、プリドライバ３と、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子と
の間に、ＭＯＳ１１〜ＭＯＳ１４と、ゲート抵抗Ｒ１〜Ｒ４とを直列に接続したもので構
成することができる。
【００７５】
すなわち、プリドライバ３をＭＯＳ１１〜ＭＯＳ１４の各ドレイン端子Ｄに接続し、Ｍ
ＯＳ１１〜ＭＯＳ１４の各ソース端子Ｓを、ゲート抵抗Ｒ１〜Ｒ４に接続し、ＭＯＳ１１
〜ＭＯＳ１４の各ゲート端子Ｇをゲート抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４を介してマイコン２０Ｂに接
続して、マイコン２０ＢからＤＡコンバータ（ＤＡＣ）２５で変換された電圧信号をＭＯ
Ｓ１１〜ＭＯＳ１４の各ゲート端子Ｇに印加し、該電圧信号に応じてＭＯＳ１１〜ＭＯＳ
１４のドレイン電流Ｉｄを調整することで、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のゲート端子Ｇへ流れる
電流量を調整し、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速度を切り替える構成とするこ
ともできる。
【００７６】
図１１は、実施の形態（２）に係るモータ制御装置が採用された車載用の電動パワース
テアリング制御装置の概略構成を示した図である。但し、図３に示したＥＰＳ制御装置１
０と同一機能を有する構成部品については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００７７】
実施の形態（１）に係るＥＰＳ制御装置１０では、動作速度切替手段１１として、プリ
ドライバ３と、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子との間に、可変抵抗手段１１ａ〜１１
ｄがそれぞれ介装されているが、実施の形態（２）に係るＥＰＳ制御装置１０Ｃでは、動
作速度切替手段１１Ｃとして、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの
間に、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄとコンデンサＣ１〜Ｃ４とがそれぞれ介装され、
また、プリドライバ３と、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子との間には、固定値のゲー
ト抵抗Ｒ１〜Ｒ４が介装されている点が大きな相違点である。
【００７８】
このようにＥＰＳ制御装置１０Ｃでは、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子とソース端
子との間に、それぞれアナログスイッチ１３ａ〜１３ｄとコンデンサＣ１〜Ｃ４とを含ん
で構成される可変容量手段が介装されており、ＥＰＳ制御中に、アナログスイッチ１３ａ
〜１３ｄのオン／オフ状態を切り替えることにより、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子
とソース端子との間の合成容量を、装置の発熱状態に基づいて適宜切り替え、ＭＯＳ１〜
ＭＯＳ４のスイッチング動作速度を調整できるように構成されている点に特徴がある。
【００７９】
より具体的には、装置各部の温度が所定の許容温度（耐熱温度）に対して余裕がなくな
ってきた場合は、更なる温度上昇を抑えるために、可変容量手段を構成するアナログスイ
ッチ１３ａ〜１３ｄがオフに切り替えられ、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子とソース
端子との間の容量を内在する寄生容量のみとし、合成容量を小さくすることによって、Ｍ
ＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速度を速めて、スイッチング切替時に上下アーム素
子対に貫通電流が流れないように駆動制御が行われる。
【００８０】
また、装置各部の温度が所定の許容温度に対して余裕がある状態の場合には、モータ電
圧や電流の歪、さらにＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作に起因するノイズが少なく
なる状態でＥＰＳ制御が行えるように、可変容量手段を構成するアナログスイッチ１３ａ
〜１３ｄがオンに切り替えられ、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子とソース端子との間
の合成容量を大きくして、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速度を緩めて、スイッ
チング切替時に各上下アーム素子対が共にオフ状態となる期間が生じない様に駆動制御が
行われる。
【００８１】
図１２は、実施の形態（２）に係るＥＰＳ制御装置１０Ｃにおけるマイコン２０Ｃの行
う可変容量手段の容量設定処理動作を示したフローチャートである。なお、本処理動作は
、車両のエンジン始動後に実行される。
【００８２】
エンジン始動後、まず、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄをオンさせる処理を行い、す
なわち、ゲート・ソース間の容量を、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４にそれぞれ内在するゲート・ソ
ース間の寄生容量と、コンデンサＣ１〜Ｃ４の容量との合成容量とし（ステップＳ２１）
、続いて、通常のＥＰＳ制御を開始する（ステップＳ２２）。
【００８３】
その後、トルクセンサ７から取得した信号に基づいて算出された操舵トルク指令値Ｔ＊
が所定値Ｔ’以上であるか否かを判断し（ステップＳ２３）、操舵トルク指令値Ｔ＊が所
定値Ｔ’以上である、すなわち、操舵アシストが必要な運転状況であると判断すれば、温
度センサ６から取得した信号に基づいて、装置各部、例えばＭＯＳ１〜４の温度（推定温
度）Ｔｓを算出する（ステップＳ２４）。
【００８４】
次に、ＭＯＳ１〜４の許容温度（すなわち、耐熱設定温度）Ｔｍａｘと、算出された推
定温度Ｔｓとの差が所定値ΔＴ以上あるか、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度に
対して余裕があるか否かを判断し（ステップＳ２５）、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度Ｔ
ｍａｘと推定温度Ｔｓとの差が所定値ΔＴ未満である、すなわち、許容温度に対して余裕
がないと判断すれば、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄをオフさせる処理を行い、すなわ
ちＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速度が速くなるように、ゲート・ソース間の容
量を、ＭＯＳの寄生容量のみにして、容量を小さくする処理を行い（ステップＳ２６）、
その後、ステップＳ２３に戻り処理を繰り返す。
【００８５】
一方ステップＳ２５において、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度Ｔｍａｘと推定温度Ｔｓ
との差が、所定値ΔＴ以上あると判断すれば、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄのオン状
態を継続する処理を行い、すなわちＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の動作速度を緩めるように、ゲー
ト・ソース間の容量を大きくした状態を継続する処理を行い（ステップＳ２７）、その後
、ステップＳ２３に戻り処理を繰り返す。
【００８６】
また一方、ステップＳ２３において、操舵トルク指令値Ｔ＊が所定値Ｔ’以上ではない
、すなわち、操舵アシストが必要ない運転状況であると判断すれば、ステップＳ２７に進
み、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の動作速度を緩めるように、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄの
オン状態を継続する処理を行い、その後、ステップＳ２３に戻り処理を繰り返す。
【００８７】
このように許容温度に対して余裕がない、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度と
推定温度との温度差が小さい場合は、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄがオフされ、この
ときのモータ駆動回路を構成する各部の動作は、図７に示した各部の動作と略同様のパタ
ーンで行われ、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２のスイッチング動作速度、すなわち、各ドレイン電流
の立ち上がり、立ち下がり速度を速めて、スイッチング切替時に、ＭＯＳ１とＭＯＳ２と
が共にオン状態となる期間が生じないようにして、貫通電流の発生を防止して、ＭＯＳ１
、ＭＯＳ２の発熱に伴う温度上昇を抑制するようになっている。
【００８８】
また、許容温度に対して余裕がある、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度と推定
温度との差が大きい場合は、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄがオンされ、このときのモ
ータ駆動回路を構成する各部の動作は、図８に示した各部の動作と略同様のパターンで行
われ、ＭＯＳ１、ＭＯＳ２のスイッチング動作速度、すなわち、各ドレイン電流の立ち上
がり、立ち下がり速度を緩めて、スイッチング切替時にＭＯＳ１とＭＯＳ２とが共にオフ
状態となる期間が生じないようにして、モータ電流の歪や放射ノイズを低減させ、操舵フ
ィーリングの良い操舵アシスト制御が行われるようになっている。
【００８９】
上記実施の形態（２）に係るＥＰＳ制御装置１０Ａによれば、動作速度切替手段１１Ｃ
としての可変容量手段を構成するアナログスイッチ１３ａ〜１３ｄのオン／オフが、装置
の発熱状態に基づいて切り替えられるので、実際の発熱状態（温度変化）に対応させて、
その状況に応じたスイッチング動作速度に切り替えてモータ５０の駆動制御を行うことが
できる。
【００９０】
したがって、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の温度が、その許容温度に対して余裕がなくなってき
た場合、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄをオフにして、容量を小さくすることにより、
上下アーム素子対のスイッチング動作速度を速めて、スイッチング切替時に上下アーム素
子対が同時にオン状態とならないように、すなわちＭＯＳ１〜ＭＯＳ４に貫通電流が流れ
ないようにすることができ、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の発熱を抑えて、温度上昇を防止するこ
とができる。したがって、許容温度の高い（耐熱性の高い）コストの高く付く部品を採用
しなくても済むため、装置のコストアップを抑えることができる。
【００９１】
また、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の温度が、その許容温度に対して余裕がある場合、アナログ
スイッチ１３ａ〜１３ｄをオンにして、容量を大きくすることにより、上下アーム素子対
のスイッチング動作速度を緩めて、スイッチング切替時に共にオフ状態とならないように
することができ、モータ電圧や電流の歪などのモータ５０の制御に与える好ましくない影
響を低減させることができ、モータ５０の回転駆動をよりスムーズなものにすることがで
きる。また、スイッチング動作に起因するノイズを低減させることができる。
【００９２】
なお、上記実施の形態（２）に係るＥＰＳ制御装置１０Ｃでは、可変容量手段として、
ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のゲート端子とソース端子との間に、それぞれアナログスイッチ１３
ａ〜１３ｄとコンデンサＣ１〜Ｃ４とが介装されている場合について説明したが、別の実
施の形態に係るＥＰＳ制御装置１０Ｄでは、図１３に示したように、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４
の各ゲート端子とドレイン端子との間に、それぞれアナログスイッチ１４ａ〜１４ｄとコ
ンデンサＣ１１〜Ｃ１４とが介装された構成にして、ゲート・ドレイン間の容量をアナロ
グスイッチ１４ａ〜１４ｄのオン／オフの切り替え制御に基づいて増減させる構成とする
こともできる。
【００９３】
また、さらに別の実施の形態ＥＰＳ制御装置１０Ｅでは、図１４に示したように、ＭＯ
Ｓ１〜ＭＯＳ４の各ドレイン端子とソース端子との間に、それぞれアナログスイッチ１５
ａ〜１５ｄとコンデンサＣ２１〜Ｃ２４とが介装された構成にして、ドレイン・ソース間
の容量をアナログスイッチ１５ａ〜１５ｄのオン／オフの切り替え制御に基づいて増減さ
せる構成とすることもできる。
【００９４】
さらに、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子とソース端子との間、各ゲート端子とドレ
イン端子との間、又は各ドレイン端子とソース端子との間のいずれか２箇所以上に、それ
ぞれ上記したアナログスイッチとコンデンサとが介装された構成にすることもできる。
【００９５】
また、上記実施の形態では、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各端子間に、アナログスイッチとコ
ンデンサとが１つ並列に介装されている場合について説明したが、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の
各端子間に、アナログスイッチとコンデンサとを並列に接続して、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の
各端子間の容量を多段階に切り替える構成とすることもできる。
【００９６】
図１５は、実施の形態（３）に係るモータ制御装置が採用された車載用の電動パワース
テアリング制御装置の概略構成を示した図である。但し、図３に示したＥＰＳ制御装置１
０と同一機能を有する構成部品については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００９７】
実施の形態（１）に係るＥＰＳ制御装置１０では、動作速度切替手段１１として、プリ
ドライバ３と、各ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のゲート端子との間に、それぞれ可変抵抗手段１１
ａ〜１１ｄが介装されているが、実施の形態（３）に係るＥＰＳ制御装置１０Ｆでは、動
作速度切替手段１１Ｆとして、プリドライバ３とＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の各ゲート端子との
間に、それぞれ可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄが介装されるとともに、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４
の各ゲート端子とソース端子との間に、それぞれアナログスイッチ１３ａ〜１３ｄとコン
デンサＣ１〜Ｃ４とが介装されている点が大きな相違点である。
【００９８】
すなわち、実施の形態（３）に係るＥＰＳ制御装置１０Ｆにおける動作速度切替手段１
１Ｆは、実施の形態（１）における動作速度切替手段１１と、実施の形態（２）における
動作速度切替手段１１Ｃとを組み合わせた構成となっている。
【００９９】
次に実施の形態（３）に係るＥＰＳ制御装置１０Ｆにおけるマイコン２０Ｆの行う抵抗
値・容量設定処理動作を図１６に示したフロ−チャ−トに基づいて説明する。なお、本処
理動作は、車両のエンジン始動後に実行される。
【０１００】
エンジン始動後、まず、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄの抵抗の値を、予め設定されてい
るデフォルト値に設定する処理と、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄをオンさせる処理と
を行い（ステップＳ３１）、続いて、通常のＥＰＳ制御を開始する（ステップＳ３２）。
【０１０１】
その後、トルクセンサ７から取得した信号に基づいて算出された操舵トルク指令値Ｔ＊
（操舵補助トルクの目標値）が所定値Ｔ’以上であるか否かを判断し（ステップＳ３３）
、操舵トルク指令値Ｔ＊が所定値Ｔ’以上である、すなわち、操舵アシストが必要な運転
状況であると判断すれば、温度センサ６から取得した信号に基づいて、装置各部、例えば
ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の温度（推定温度）Ｔｓを算出する（ステップＳ３４）。
【０１０２】
次にＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度（すなわち、耐熱設定温度）Ｔｍａｘと、算出され
た推定温度Ｔｓとの差が所定値ΔＴ以上あるか、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温
度に対して余裕があるか否かを判断し（ステップＳ３５）、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温
度Ｔｍａｘと推定温度Ｔｓとの差が所定値ΔＴ未満である、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ
４の許容温度に対して余裕がないと判断すれば、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の動作速度が速くな
るように、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を小さな値に切り替える処理
、及び／又はアナログスイッチ１３ａ〜１３ｄをオフさせる処理を行い（ステップＳ３６
）、その後、ステップＳ３３に戻り処理を繰り返す。
【０１０３】
すなわち、ステップＳ３６では、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度Ｔｍａｘと推定温度Ｔ
ｓとの温度差を、マイコン２０Ｆ内のＥＥＰＲＯＭに記憶された設定抵抗値と上昇温度と
の関係マップに当てはめて、該関係マップから前記温度差に対応する設定抵抗値を求め、
可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を、前記温度差から求めた設定抵抗値に
切り替える処理、及び／又はアナログスイッチ１３ａ〜１３ｄをオフにして、ゲート・ソ
ース間の容量を小さくする処理を行う。その後は、切り替えた抵抗値でＥＰＳ制御が実施
される。
【０１０４】
なお、この場合、許容温度に対して余裕がない、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容
温度と推定温度との温度差が小さくなっているので、該温度差以上の温度上昇が起きない
ように（換言すると、許容温度を越えないように）するための抵抗値（すなわち、小さめ
の抵抗値）が設定される。また、許容温度に対して余裕がない状況で小さな抵抗値に設定
された場合、及び／又はアナログスイッチ１３ａ〜１３ｄがオフされた場合のモータ駆動
回路を構成する各部の動作については、図７に示した動作と略同様なので、ここでは説明
を省略する。
【０１０５】
一方ステップＳ３５において、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度Ｔｍａｘと推定温度Ｔｓ
との差が、所定値ΔＴ以上あると判断すれば、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速
度を緩めるように、可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を大きな値に切り替
える処理とアナログスイッチ１３ａ〜１３ｄのオン状態を継続する処理とを行い（ステッ
プＳ３７）、その後、ステップＳ３３に戻り処理を繰り返す。
【０１０６】
すなわち、ステップＳ３７では、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容温度Ｔｍａｘと推定温度Ｔ
ｓとの温度差を、マイコン２０Ｆ内のＥＥＰＲＯＭに記憶された設定抵抗値と上昇温度と
の関係マップに当てはめて、該関係マップから前記温度差に対応する抵抗値を求め、可変
抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を、前記温度差から求めた抵抗値に切り替え
る処理と、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄのオン状態を継続する処理とを行う。その後
は、切り替えられた抵抗値でＥＰＳ制御が実施される。
【０１０７】
なお、この場合、許容温度に対して余裕がある、すなわち、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４の許容
温度Ｔｍａｘと推定温度Ｔｓとの温度差が大きいので、該温度差以上の温度上昇が起きな
いようにすればよく、大きめの抵抗値が設定できる。また、許容温度に対して余裕がある
状況で大きめの抵抗値が設定され、アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄがオン状態である場
合のモータ駆動回路を構成する各部の動作については、図８に示した動作と略同様である
ので、ここでは説明を省略する。
【０１０８】
また一方、ステップＳ３３において、操舵トルク指令値Ｔ＊が所定値Ｔ’以上ではない
、すなわち、操舵アシストが必要されていない運転状況であると判断すれば、ステップＳ
３７に進み、ＭＯＳ１〜ＭＯＳ４のスイッチング動作速度を緩めるように、可変抵抗手段
１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値を切り替える処理とアナログスイッチ１３ａ〜１３ｄ
のオン状態を継続する処理とを行い、その後、ステップＳ３３に戻り処理を繰り返す。
【０１０９】
上記実施の形態（３）に係るＥＰＳ制御装置１０Ｆによれば、動作速度切替手段１１Ｆ
を構成する可変抵抗手段１１ａ〜１１ｄに設定する抵抗の値と、可変容量手段を構成する
アナログスイッチ１３ａ〜１３ｄのオン／オフとが、装置の発熱状態に基づいて切り替え
られるので、実際の温度変化に対応させて、その状況に応じたスイッチング動作速度をよ
り細かく調整することができる。
【０１１０】
なお、上記実施の形態では、モータ５０にＤＣブラシ付きモータが適用されている場合
で説明しているが、３相ブラシレスモータ等の他の構成のモータにも適用することができ
、例えば、３相ブラシレスモータを適用する場合は、それに対応するモータ駆動回路、例
えば、バッテリＢから供給される直流電圧をパルス幅変調（ＰＷＭ）制御により３相の交
流電圧に変換してモータに供給するように構成された回路を使用すればよく、そのスイッ
チング回路には、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各相に対応する上下アーム素子対を備えた３相ブリ
ッジ回路構成を備えたものを使用すればよい。
【０１１１】
また、上記実施の形態では、装置内に設けた温度センサ６から取り込んだ信号に基づい
て、温度を検出するように構成されているが、モータ５０やスイッチング回路３１に流れ
る電流値などから演算により温度を求める構成を採用することもできる。
【０１１２】
また、本発明に係るモータ制御装置は、上述した電動パワーステアリング制御装置のみ
ならず、上下アーム素子対を有するスイッチング回路を駆動させて、モータを駆動させる
他のモータ制御装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】従来の電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。
【図２】従来の電動パワーステアリング制御装置におけるモータ駆動回路の動作を説明するための波形図である。
【図３】本発明の実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。
【図４】実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行うマップ情報記憶処理動作を示したフローチャートである。
【図５】実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンのＥＥＰＲＯＭに格納されたマップ情報を説明するための図である。
【図６】実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う抵抗値切替処理動作を示したフローチャートである。
【図７】（ａ）〜（ｇ）は、実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるモータ駆動回路の動作を説明するための波形図である。
【図８】（ａ）〜（ｇ）は、実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるモータ駆動回路の動作を説明するための波形図である。
【図９】別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成図である。
【図１０】さらに別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成図である。
【図１１】実施の形態（２）に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。
【図１２】実施の形態（２）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う容量切替処理動作を示したフローチャートである。
【図１３】別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成図である。
【図１４】さらに別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成図である。
【図１５】実施の形態（３）に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。
【図１６】実施の形態（３）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う容量切替処理動作を示したフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１４】
３  プリドライバ
４  スイッチング回路
６  温度センサ
１０、１０Ａ〜１０Ｆ  電動パワーステアリング制御装置
１１、１１Ａ〜１１Ｆ  動作速度切替手段
２０、２０Ａ〜２０Ｆ  マイコン
５０  モータ
【図１】
2008278584.tif 000003
【図２】
2008278584.tif 000004
【図３】
2008278584.tif 000005
【図４】
2008278584.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008278584.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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