(57)【要約】【課題】貼り合わせにおいて、一方の基板に対して他方の基板の位置ずれが生じたとしても、他方の基板における遮光膜によって、表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のトランジスタを確実に遮光することができる構成を有する電気光学装置を提供する。【解決手段】対向配置された一対の基板を有する液晶装置であって、ＴＦＴ基板に、走査線１１ａとデータ線６ａとがマトリクス状に交差するように形成されているとともに、走査線１１ａとデータ線６ａとの交差領域８０に、ＴＦＴ３０の半導体層１が設けられており、対向基板に、ＴＦＴ３０を遮光する、半導体層１と少なくとも一部が平面視した状態で重なる島状のＢＭ２５が設けられていることを特徴とする。【選択図】図３
2008096966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板を有する電気光学装置であって、
前記一対の基板の一方の基板に、走査線とデータ線とがマトリクス状に交差するように
形成されているとともに、前記走査線と前記データ線との交差領域に、トランジスタの半
導体層が設けられており、
前記一対の基板の他方の基板に、前記トランジスを遮光する、前記半導体層と少なくと
も一部が平面視した状態で重なる島状の遮光膜が設けられていることを特徴とする電気光
学装置。
【請求項２】
前記半導体層は、前記交差領域において、前記データ線が延在する方向に沿って設けら
れており、
前記遮光膜は、前記データ線が延在する方向に沿った島状に形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記半導体層は、チャネル領域を具備しており、前記チャネル領域の上層には、前記半
導体層を平面視した状態で覆うゲート絶縁膜を介して、前記走査線に電気的に接続された
ゲート電極が、前記交差領域において前記走査線が延在する方向に沿って設けられており
、
前記遮光膜は、前記交差領域において、前記走査線が延在する方向に突出した、少なく
とも前記ゲート電極と平面視した状態で重なる凸部を具備して形成されていることを特徴
とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記凸部の幅は、前記走査線の線幅とは異なる線幅に形成されていることを特徴とする
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記走査線は、前記トランジスタを遮光する、前記遮光膜とは異なる前記一方の基板側
の遮光膜として機能することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記遮光膜は、矩形状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装
置。
【請求項７】
前記一方の基板に設けられた、前記データ線に沿った、一方の電極が固定電位に電気的
に接続された容量線及び前記データ線は、前記トランジスタを遮光する、前記遮光膜とは
異なる前記一方の基板側の遮光膜として機能することを特徴とする請求項１〜６のいずれ
かに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記遮光膜の幅は、前記データ線及び前記容量線の線幅とは異なる線幅に形成されてい
ることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
対向配置された一対の基板を有する電気光学装置を具備する電子機器であって、
前記一対の基板の一方の基板に、走査線とデータ線とがマトリクス状に交差するように
形成されているとともに、前記走査線と前記データ線との交差領域に、トランジスタの半
導体層が設けられており、
前記一対の基板の他方の基板に、前記トランジスタを遮光する、前記半導体層と少なく
とも一部が平面視した状態で重なる島状の遮光膜が設けられていることを特徴とする電気
光学装置を具備する電子機器。
【請求項１０】
対向配置された一対の基板を有する電気光学装置であって、
一方の前記基板に形成されたデータ線と、
前記データ線と電気的に接続されるトランジスタと、
チャネル領域と、第１のソースドレイン領域と、第１のソースドレイン領域側の第１の
ＬＤＤ領域と、第２のソースドレイン領域と、第２のソースドレイン領域側の第２のＬＤ
Ｄ領域とを具備する、前記トランジスタの半導体層と、
前記半導体層の下層に形成され、前記第１のＬＤＤ領域を下側から遮光する下側遮光膜
と、
他方の前記基板に形成され、前記第１のＬＤＤ領域を上側から覆う島状の遮光膜と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
前記データ線と交差する走査線を備え、
前記下側遮光膜は、前記走査線に平面視した状態で重なるよう形成されていることを特
徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記下側遮光膜は、前記データ線と交差する走査線であることを特徴とする請求項１０
に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
一方の前記基板における前記トランジスタの上層であって前記トランジスタ毎に、一方
の前記基板と他方の前記基板との間に挟持される電気光学物質に駆動電圧を印加する画素
電極が平面視した状態でマトリクス状に設けられており、
前記第１のソースドレイン領域は、前記画素電極に電気的に接続されているとともに、
前記第２のソースドレイン領域は、前記データ線に電気的に接続されていることを特徴と
する請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記下側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、平面視した状態で、前記データ線方向に突出
する２つの突出部を有し、
前記データ線方向において前記第１のソースドレイン領域側に突出した突出部は、前記
第２のソースドレイン領域側に突出した突出部よりも、平面視した状態で幅広に形成され
ていることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
前記下側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、前記半導体層の前記チャネル領域に、少なく
とも一部が平面視した状態で重なるよう形成されていることを特徴とする請求項１４に記
載の電気光学装置。
【請求項１６】
前記データ線と交差する走査線を備え、
前記半導体層の平面視した状態で前記走査線方向における両側部に、前記走査線方向に
延在する第１の延在部位を有するとともに、前記データ線方向における前記第１のソース
ドレイン領域側に延在する第２の延在部位を有する、前記走査線を、前記半導体層の前記
チャネル領域の上層に設けられた前記トランジスタのゲート電極に対して電気的に接続す
る際用いられる第１のコンタクトホールが形成されており、
前記下側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、前記第１のコンタクトホールの前記第２の延
在部位に、少なくとも一部が平面視した状態で重なるよう形成されていることを特徴とす
る請求項１４または１５に記載の電気光学装置。
【請求項１７】
前記第１のソースドレイン領域に、該第１のソースドレイン領域を、前記画素電極に電
気的に接続する際用いられる第２のコンタクトホールが形成されており、
前記下側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、前記第２のコンタクトホールに、少なくとも
一部が平面視した状態で重なるよう形成されていることを特徴とする請求項１４〜１６の
いずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１８】
前記下側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、前記第２のＬＤＤ領域に、少なくとも一部が
平面視した状態で重なるよう形成されていることを特徴とする請求項１４〜１７のいずれ
か１項に記載の電気光学装置。
【請求項１９】
対向配置された一対の基板を有する電気光学装置を具備する電子機器であって、
一方の前記基板に形成されたデータ線と、
前記データ線と電気的に接続されるトランジスタと、
チャネル領域と、第１のソースドレイン領域と、第１のソースドレイン領域側の第１の
ＬＤＤ領域と、第２のソースドレイン領域と、第２のソースドレイン領域側の第２のＬＤ
Ｄ領域とを具備する、前記トランジスタの半導体層と、
前記半導体層の下層に形成され、前記第１のＬＤＤ領域を下側から遮光する下側遮光膜
と、
他方の前記基板に形成され、前記第１のＬＤＤ領域を上側から覆う島状の遮光膜と、
を具備することを特徴とする電気光学装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向配置された一対の基板を有し、一方の基板のトランジスタを遮光する遮
光膜が他方の基板に具備された電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板、
シリコン基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されており、一方の基板に
、例えば薄膜トランジスタ等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、
他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層の光学特性を画像信号に
応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、トランジスタを配置した一方の基板である素子基板と、この素子基板に相対して
配置される他方の基板である対向基板とは、別々に製造される。素子基板及び対向基板は
、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜
を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程
とを繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
ところで、素子基板において、画素電極毎に設けられる複数のトランジスタは、液晶装
置における表示領域においてマトリクス状に形成された、画素電極に画像信号を供給する
データ線とトランジスタにオン信号を供給する走査線との交差領域にそれぞれ構成されて
いる。
【０００５】
ここで、トランジスタにおける既知の半導体層、特に半導体層のチャネル領域及び半導
体層における画素電極に電気的に接続される領域側に光が入射してしまうと、トランジス
タが誤動作し、液晶装置に、オフリーク電流に起因する表示ムラ、クロストーク、フリッ
カが発生してしまう他、表示におけるコントラストの低下等の表示不良が発生してしまう
といった問題があった。
【０００６】
このような問題に鑑み、素子基板に積層された各種薄膜の内、半導体層の下層に、半導
体層の下側を平面視した状態で覆う遮光膜が設けられ、半導体層の上層に、半導体層の上
側を平面視した状態で覆う遮光膜が設けられることにより、半導体層に光が入射してしま
うことを防止することができる液晶装置の構成が周知である。
【０００７】
一例を挙げると、走査線が、半導体層の下側を平面視した状態で覆う遮光膜として機能
し、データ線と画素電極の電圧を保持する容量線とが、半導体層の上側を平面視した状態
で覆う遮光膜として機能する構成が周知である。
【０００８】
また、対向基板においても、表示領域において、各画素の周囲にストライプ状またはマ
トリクス状に遮光膜が形成された構成が周知であり、例えば特許文献１に開示されている
。特許文献１に開示された対向基板に形成されたマトリクス状の遮光膜は、素子基板に対
し対向基板が貼り合わされた際、素子基板にマトリクス状に形成された走査線及びデータ
線に平面視した状態で重なって位置することにより、トランジスタに光が入射してしまう
ことを、素子基板側の遮光膜とともに防止するよう機能する。
【特許文献１】特開２００３−１２１８７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、薄膜が積層された後の対向基板は、ロボットの吸着ヘッド等により吸着され
て、薄膜が積層された後の素子基板に対して、シール材を介して位置精度良く貼り合わさ
れる。
【００１０】
具体的には、トランジスタを対向基板の遮光膜でも遮光するよう、素子基板側にマトリ
クス状に形成された走査線及びデータ線に対し、対向基板側にマトリクス状に形成された
遮光膜が、平面視した状態で重なるよう、位置精度良く貼り合わされる。
【００１１】
しかしながら、素子基板に対して、対向基板を完全に位置精度良く貼り合わせることは
難しい。また、仮に、素子基板に対して対向基板を位置精度良く貼り合わせたとしても、
素子基板または対向基板に反り等が生じると、素子基板に対して対向基板が位置ずれして
しまう場合がある。
【００１２】
さらには、近年、画素の開口率を向上させる目的から、素子基板及び対向基板に形成す
る遮光膜の幅を、例えば従来の２．５〜３ミクロン程度から、１．５ミクロン程度に狭く
することが行われている。
【００１３】
よって、素子基板に対して、対向基板が位置ずれして貼り合わされてしまうと、即ち、
貼り合わせにより、例えば±０．５〜０．７ミクロン程度の貼り合わせによる位置ずれ誤
差が生じると、対向基板のマトリクス状の遮光膜が表示領域中の光の透過領域に食み出す
ことにより、液晶装置毎に、画素の開口率がばらついてしまうといった問題があった。ま
た、ある画素では開口率が確保されるが、ある画素では開口率が大幅に低下する等、画素
間で、画素の開口率がばらついてしまうといった問題があった。
【００１４】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、貼り合わせにおいて、一方の基板に
対して他方の基板の位置ずれが生じたとしても、他方の基板における遮光膜によって、表
示領域における各画素の開口率のばらつきを低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がば
らつくことを防ぐとともに、一方の基板のトランジスタを確実に遮光することで表示不良
を抑制することができる構成を有する電気光学装置、電子機器を提供することを目的とす
る。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、対向配置された一対の基板を
有する電気光学装置であって、前記一対の基板の一方の基板に、走査線とデータ線とがマ
トリクス状に交差するように形成されているとともに、前記走査線と前記データ線との交
差領域に、トランジスタの半導体層が設けられており、前記一対の基板の他方の基板に、
前記トランジスを遮光する、前記半導体層と少なくとも一部が平面視した状態で重なる島
状の遮光膜が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の電気光学装置によれば、貼り合わせ後、他方の基板に、一方の基板の半導体層
と少なくとも一部が平面視した状態で重なる遮光膜が島状に設けられていることにより、
一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、即ち、位置ずれ
が生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島状の遮光膜により、
電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減させ、液晶装置毎に、
画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のトランジスタに光が入射して
しまうことを確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する電気光
学装置を提供することができる。
【００１７】
また、前記半導体層は、前記交差領域において、前記データ線が延在する方向に沿って
設けられており、前記遮光膜は、前記データ線が延在する方向に沿った島状に形成されて
いることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとして
も、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島
状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のトランジ
スタの半導体層に光が入射してしまうことを確実に遮光することで表示不良を抑制するこ
とができる構成を有する電気光学装置を提供することができる。
【００１９】
さらに、前記半導体層は、チャネル領域を具備しており、前記チャネル領域の上層には
、前記半導体層を平面視した状態で覆うゲート絶縁膜を介して、前記走査線に電気的に接
続されたゲート電極が、前記交差領域において前記走査線が延在する方向に沿って設けら
れており、前記遮光膜は、前記交差領域において、前記走査線が延在する方向に突出した
、少なくとも前記ゲート電極と平面視した状態で重なる凸部を具備して形成されているこ
とを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、島状の遮光膜は、少なくともトランジスタのゲート電極と平面視した
状態で重なる走査線方向に突出した凸部を有していることにより、一方の基板に対して他
方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、即ち、位置ずれが生じたとしても、各
画素の光透過領域への食み出し領域が小さい凸部により、電気光学装置の表示領域におけ
る各画素の開口率のばらつきを低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを
防ぐとともに、交差領域において、走査線方向に延在するゲート電極に光が入射してしま
うことを確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する電気光学装
置を提供することができる。
【００２１】
また、前記凸部の幅は、前記走査線の線幅とは異なる線幅に形成されていることを特徴
とする。
【００２２】
本発明によれば、凸部の幅が走査線の線幅よりも幅広に形成されている場合は、一方の
基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、即ち、位置ずれが生じ
たとしても、凸部がゲート電極と重なったままとなるため、交差領域において、走査線方
向に延在するゲート電極に光が入射してしまうことをより確実に遮光することができる。
また、凸部の幅が走査線の線幅よりも幅狭に形成されている場合は、一方の基板に対して
他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、光透過領域へ食み出し難い凸部が電
気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきをより確実に低減させ、液晶装
置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。以上から、電気光学装置の表
示不良を抑制することができる。
【００２３】
さらに、前記走査線は、前記トランジスタを遮光する、前記遮光膜とは異なる前記一方
の基板側の遮光膜として機能することを特徴とする。
【００２４】
本発明によれば、凸部の幅が一方の基板側の遮光膜の線幅よりも幅広に形成されている
場合は、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、即ち、
位置ずれが生じたとしても、凸部がゲート電極と重なったままとなるため、交差領域にお
いて、走査線方向に延在するゲート電極に光が入射してしまうことをより確実に遮光する
ことができる。また、凸部の幅が一方の基板側遮光膜の線幅よりも幅狭に形成されている
場合は、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、光透過
領域へ食み出し難い凸部が電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを
より確実に低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。
以上から、電気光学装置の表示不良を抑制することができる。
【００２５】
また、前記遮光膜は、矩形状に形成されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、遮光膜が矩形状に形成されていることにより、一方の基板に対して他
方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、即ち、位置ずれが生じたとしても、矩
形状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減
させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、半導体層に光が入射
してしまうことを確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する電
気光学装置を提供することができる。
【００２７】
さらに、前記一方の基板に設けられた、前記データ線に沿った、一方の電極が固定電位
に電気的に接続された容量線及び前記データ線は、前記トランジスタを遮光する、前記遮
光膜とは異なる前記一方の基板側の遮光膜として機能することを特徴とする。
【００２８】
また、前記遮光膜の幅は、前記データ線及び前記容量線の線幅とは異なる線幅に形成さ
れていることを特徴とする。
【００２９】
本発明によれば、遮光膜の幅が一方の基板側の遮光膜の線幅よりも幅広に形成されてい
る場合は、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、即ち
、位置ずれが生じたとしても、遮光膜が半導体層及びゲート電極に重なったままとなるた
め、半導体層及びゲート電極に光が入射してしまうことをより確実に遮光することができ
る。また、遮光膜の幅が一方の基板側の遮光膜の線幅よりも幅狭に形成されている場合は
、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、光透過領域に
食み出し難い遮光膜が電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきをより
確実に低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。以上
から、電気光学装置の表示不良を抑制することができる。
【００３０】
また、本発明に係る電子機器は、対向配置された一対の基板を有する電気光学装置を具
備する電子機器であって、前記一対の基板の一方の基板に、走査線とデータ線とがマトリ
クス状に交差するように形成されているとともに、前記走査線と前記データ線との交差領
域に、トランジスタの半導体層が設けられており、前記一対の基板の他方の基板に、前記
トランジスタを遮光する、前記半導体層と少なくとも一部が平面視した状態で重なる島状
の遮光膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置を具備する。
【００３１】
本発明の電子機器によれば、貼り合わせ後、他方の基板に、一方の基板の半導体層と少
なくとも一部が平面視した状態で重なる遮光膜が島状に設けられていることにより、一方
の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとしても、即ち、位置ずれが生
じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島状の遮光膜により、電気
光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減させ、液晶装置毎に、画素
の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のトランジスタに光が入射してしま
うことを確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する電気光学装
置を具備する電子機器を提供することができる。
【００３２】
本発明に係る電気光学装置は、対向配置された一対の基板を有する電気光学装置であっ
て、一方の前記基板に形成されたデータ線と、前記データ線と電気的に接続されるトラン
ジスタと、チャネル領域と、第１のソースドレイン領域と、第１のソースドレイン領域側
の第１のＬＤＤ領域と、第２のソースドレイン領域と、第２のソースドレイン領域側の第
２のＬＤＤ領域とを具備する、前記トランジスタの半導体層と、前記半導体層の下層に形
成され、前記第１のＬＤＤ領域を下側から遮光する下側遮光膜と、他方の前記基板に形成
され、前記第１のＬＤＤ領域を上側から覆う島状の遮光膜と、を具備することを特徴とす
る。
【００３３】
本発明の電気光学装置によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合
わされたとしても、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し
領域が小さい島状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のば
らつきを低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。ま
た、一方の基板の第１のＬＤＤ領域に光が入射してしまうことを下側遮光膜とともに島状
の遮光膜が確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する電気光学
装置を提供することができる。
【００３４】
さらに、前記データ線と交差する走査線を備え、前記下側遮光膜は、前記走査線に平面
視した状態で重なるよう形成されていることを特徴とする。
【００３５】
本発明によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとして
も、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島
状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。また、一方の基板
の第１のＬＤＤ領域に光が入射してしまうことを、走査線に平面視した状態で重なる下側
遮光膜とともに島状の遮光膜が確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構
成を有する電気光学装置を提供することができる。
【００３６】
また、前記下側遮光膜は、前記走査線であることを特徴とする。
【００３７】
本発明によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとして
も、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島
状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。また、一方の基板
の第１のＬＤＤ領域に光が入射してしまうことを、走査線とともに島状の遮光膜が確実に
遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する電気光学装置を提供するこ
とができる。
【００３８】
さらに、一方の前記基板における前記トランジスタの上層であって前記トランジスタ毎
に、一方の前記基板と他方の前記基板との間に挟持される電気光学物質に駆動電圧を印加
する画素電極が平面視した状態でマトリクス状に設けられており、前記第１のソースドレ
イン領域は、前記画素電極に電気的に接続されているとともに、前記第２のソースドレイ
ン領域は、前記データ線に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３９】
本発明によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとして
も、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島
状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。また、一方の基板
の半導体層における画素電極に電気的に接続される第１のソースドレイン領域側のＬＤＤ
領域となる第１のＬＤＤ領域に光が入射してしまうことを、下側遮光膜とともに島状の遮
光膜が確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する電気光学装置
を提供することができる。
【００４０】
また、前記下側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、平面視した状態で、前記データ線方向
に突出する２つの突出部を有し、前記データ線方向において前記第１のソースドレイン領
域側に突出した突出部は、前記第２のソースドレイン領域側に突出した突出部よりも、平
面視した状態で幅広に形成されていることを特徴とする。
【００４１】
本発明によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとして
も、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島
状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。また、平面視した
状態で、島状の遮光膜におけるデータ線方向において第２のソースドレイン領域側に突出
した突出部よりも幅広に突出した第１のソースドレイン領域側の突出部が、一方の基板の
第１のソースドレイン領域側に位置する第１のＬＤＤ領域に光が入射してしまうことを、
下側遮光膜とともに確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する
電気光学装置を提供することができる。
【００４２】
さらに、前記下側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、前記半導体層の前記チャネル領域に
、少なくとも一部が平面視した状態で重なるよう形成されていることを特徴とする。
【００４３】
本発明によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとして
も、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島
状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。また、平面視した
状態で、島状の遮光膜におけるデータ線方向において第２のソースドレイン領域側に突出
した突出部よりも幅広に突出した第１のソースドレイン領域側の突出部が、第１のＬＤＤ
領域に加えチャネル領域を遮光することにより、一方の基板の第１のソースドレイン領域
側に位置する第１のＬＤＤ領域及びチャネル領域に光が入射してしまうことを、下側遮光
膜とともにより確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する電気
光学装置を提供することができる。
【００４４】
さらに、前記データ線と交差する走査線を備え、前記半導体層の平面視した状態で前記
走査線方向における両側部に、前記走査線方向に延在する第１の延在部位を有するととも
に、前記データ線方向における前記第１のソースドレイン領域側に延在する第２の延在部
位を有する、前記走査線を、前記半導体層の前記チャネル領域の上層に設けられた前記ト
ランジスタのゲート電極に対して電気的に接続する際用いられる第１のコンタクトホール
が形成されており、前記下側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、前記第１のコンタクトホー
ルの前記第２の延在部位に、少なくとも一部が平面視した状態で重なるよう形成されてい
ることを特徴とする。
【００４５】
本発明によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとして
も、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島
状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。また、平面視した
状態で、島状の遮光膜におけるデータ線方向において第２のソースドレイン領域側に突出
した突出部よりも幅広に突出した第１のソースドレイン領域側の突出部が、第１のＬＤＤ
領域、チャネル領域に加え、平面視した状態で第１のコンタクトホールの第２の延在部位
を遮光することにより、一方の基板の第１のソースドレイン領域側に位置する第１のＬＤ
Ｄ領域に光が入射してしまうことを、下側遮光膜とともにより確実に遮光することで表示
不良を抑制することができる構成を有する電気光学装置を提供することができる。
【００４６】
さらに、前記第１のソースドレイン領域に、該第１のソースドレイン領域を、前記画素
電極に電気的に接続する際用いられる第２のコンタクトホールが形成されており、前記下
側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、前記第２のコンタクトホールに、少なくとも一部が平
面視した状態で重なるよう形成されていることを特徴とする。
【００４７】
本発明によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとして
も、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島
状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。また、平面視した
状態で、島状の遮光膜におけるデータ線方向において第２のソースドレイン領域側に突出
した突出部よりも幅広に突出した第１のソースドレイン領域側の突出部が、第１のＬＤＤ
領域、第１のコンタクトホールの第２の延在部位及びチャネル領域に加え第１のソースド
レイン領域に形成された第２のコンタクトホールを遮光することにより、一方の基板の第
１のソースドレイン領域側に位置する第１のＬＤＤ領域、チャネル領域及び第１のソース
ドレイン領域に光が入射してしまうことを、下側遮光膜とともにより確実に遮光すること
で表示不良を抑制することができる構成を有する電気光学装置を提供することができる。
【００４８】
また、前記下側遮光膜及び前記島状の遮光膜は、前記第２のＬＤＤ領域に、少なくとも
一部が平面視した状態で重なるよう形成されていることを特徴とする。
【００４９】
本発明によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わされたとして
も、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が小さい島
状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。また、平面視した
状態で、島状の遮光膜におけるデータ線方向において第１のソースドレイン領域側に突出
した突出部よりも幅狭に突出した第２のソースドレイン領域側の突出部が、第１のＬＤＤ
領域、第１のコンタクトホールの第２の延在部位、チャネル領域、第２のコンタクトホー
ルに加え、第２のＬＤＤ領域を遮光することにより、一方の基板の第１のソースドレイン
領域側に位置する第１のＬＤＤ領域、チャネル領域及び第１のソースドレイン領域に加え
、第２のソースドレイン領域側に位置する第２のＬＤＤ領域に光が入射してしまうことを
、下側遮光膜とともにより確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を
有する電気光学装置を提供することができる。
【００５０】
本発明に係る電子機器は、対向配置された一対の基板を有する電気光学装置を具備する
電子機器であって、一方の前記基板に形成されたデータ線と、前記データ線と電気的に接
続されるトランジスタと、チャネル領域と、第１のソースドレイン領域と、第１のソース
ドレイン領域側の第１のＬＤＤ領域と、第２のソースドレイン領域と、第２のソースドレ
イン領域側の第２のＬＤＤ領域とを具備する、前記トランジスタの半導体層と、前記半導
体層の下層に形成され、前記第１のＬＤＤ領域を下側から遮光する下側遮光膜と、他方の
前記基板に形成され、前記第１のＬＤＤ領域を上側から覆う島状の遮光膜と、を具備する
ことを特徴とする電気光学装置を具備する。
【００５１】
本発明の電子機器によれば、一方の基板に対して他方の基板が位置精度悪く貼り合わさ
れたとしても、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域
が小さい島状の遮光膜により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつ
きを低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。また、
一方の基板の第１のＬＤＤ領域に光が入射してしまうことを、下側遮光膜とともに島状の
遮光膜が確実に遮光することで表示不良を抑制することができる構成を有する電気光学装
置を具備する電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態に
おいて電気光学装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置にお
いて対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す
）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。
【００５３】
（第１実施の形態）
図１は、本実施の形態を示す液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿っ
て切断した断面図である。
【００５４】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板やガラス基板、シリコ
ン基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス
基板や石英基板、シリコン基板等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物
質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２
０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００５５】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する表面１０ｆ側に、液晶装置１００の表示領
域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１
０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を
印加する画素電極（ＩＴＯ）９ａが、後述する図３に示すように、マトリクス状に配置さ
れている。
【００５６】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられて
いる。尚、配向膜１６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００５７】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、後述するゲート電極３ａをオンオ
フする信号を供給する複数本の走査線１１ａ（図３参照）と画素電極９ａに画像信号を供
給する複数本のデータ線６ａ（図３参照）とが交差するようにマトリクス状に配線され、
走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置さ
れる。
【００５８】
そして、複数本の走査線１１ａと複数本のデータ線６ａとの各交差領域８０（図３参照
）に対応してスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）３０（図
３参照）が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが接続されている。
【００５９】
ＴＦＴ３０は、例えばポリシリコン膜等の結晶化シリコン膜からなる半導体層１（図３
参照）と、走査線１１ａに、コンタクトホール１２ｃｖ（図３参照）を介して電気的に接
続されたゲート電極３ａ（図３参照）と、半導体層１を平面視した状態で覆うことにより
ゲート電極３ａと半導体層１とを絶縁する図示しないゲート絶縁膜とから主要部が構成さ
れている。
【００６０】
半導体層１は、チャネル領域１ａと、コンタクトホール８１（図３参照）を介してデー
タ線６ａと電気的に接続された図示しないソース領域と、コンタクトホール８３（図３参
照）を介して後述する蓄積容量と電気的に接続された図示しないドレイン領域とを備えて
いる。
【００６１】
尚、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の半導体層１を平面視した状態で覆うことにより、Ｔ
ＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮るＴＦＴ基板１０側の遮光膜としても機能し
ている。また、データ線６ａは、ＴＦＴ３０の半導体層１を平面視した状態で覆うことに
より、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮るＴＦＴ基板１０側の遮光膜として
も機能している。尚、ＴＦＴ基板１０に、走査線１１ａとは別に、ＴＦＴ３０に下側から
入射しようとする光を遮る遮光膜を設けても構わない。
【００６２】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは走査線１１ａのＯＮ信号によってチャネル領域１ａをオ
ンさせ、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。
この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印
加される。
【００６３】
また、図示しないが、画素電極９ａと並列に、蓄積容量が設けられている。尚、蓄積容
量は、コンタクトホール８３（図３参照）を介して、半導体層１のドレイン領域と電気的
に接続されている。
【００６４】
蓄積容量は、一方の電極が固定電位に電気的に接続された容量として機能するものであ
り、他方の電極が画素電極９ａに電気的に接続されている。該蓄積容量によって、液晶５
０に印加される電圧の保持時間が延長され、例えば画像信号が画素電極９ａに供給される
時間よりも３桁も長い時間の保持が可能となる。
【００６５】
さらには、画素電極９ａと並列に、容量線４００（図３参照）が設けられている。容量
線４００も、一方の電極が固定電位に電気的に接続された容量として機能するものであり
、他方の電極が画素電極９ａに電気的に接続され、画素電極９ａの電圧を保持する。
【００６６】
尚、容量電極と容量線４００とは、ＴＦＴ３０の半導体層１を平面視した状態で覆うこ
とにより、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮るＴＦＴ基板１０側の遮光膜と
しても機能している。
【００６７】
また、対向基板２０の表面２０ｆにおける後述する表示領域２０ｈにおける各画素の周
辺領域であって、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差領域８０に対向する位置に、例
えばアルミ、クロム等から構成された島状の遮光膜（以下、ＢＭと称す）２５がそれぞれ
設けられている。ＢＭ２５は、ＴＦＴ３０に入射する光を遮光するよう機能する。尚、Ｂ
Ｍ２５については、後に図３を用いて詳細に説明する。
【００６８】
また、ＢＭ２５上であって、表面２０ｆの全面に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆
動電圧を印加する対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、さらに、対向電極２１上に
も、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。尚、配向膜２６は、例えば、
ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００６９】
また、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接
する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが
構成されている。
【００７０】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈ
の外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁と
してのＢＭ２５とは異なる遮光膜５３が設けられている。
【００７１】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入
される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されてい
る。尚、液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶滴下方式
で滴下される場合、シール材５２は、途中で欠落することなく連続的に周状に塗布される
。
【００７２】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及
び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液
晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。尚、液晶滴下方式で液晶５
０が滴下される場合は、液晶注入口１０８、封止材１０９は不要となる。
【００７３】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定
のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及
び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設け
られている。
【００７４】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１ａ及びゲート電極３ａ
に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａを
駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回
路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ
基板１０上に形成されている。
【００７５】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４
、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３
辺に対向して設けられている。
【００７６】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成
されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０
７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導
通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられてい
る。
【００７７】
次に、対向基板２０のＢＭ２５について、図３を用いて説明する。図３は、図１のＴＦ
Ｔ基板に積層された成膜パターンの一部と、対向基板のＢＭの配置位置とを示す部分平面
図である。
【００７８】
図３に示すように、ＴＦＴ３０の半導体層１は、データ線６ａと走査線１１ａとの各交
差領域８０において、データ線６ａが延在する方向である図３中Ｙ方向に、データ線６ａ
に沿ってそれぞれ設けられている。
【００７９】
また、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、各交差領域８０において、データ線６ａに交差
する走査線１１ａが延在する方向である図３中Ｘ方向に、走査線１１ａに沿ってそれぞれ
設けられている。尚、走査線１１ａは、図３に示すように、一部がデータ線６ａ方向に突
出した部位を有して形成されている。
【００８０】
ＢＭ２５は、図３に示すように、各交差領域８０において、ＴＦＴ３０の半導体層１と
少なくとも一部が平面視した状態で重なる島状にそれぞれパターニングされて形成されて
いる。
【００８１】
具体的には、各交差領域８０において、本体部２５ｈが、図３中Ｙ方向に沿って長い島
状にパターニングされてそれぞれ形成されている。尚、各本体部２５ｈは、半導体層１よ
りも平面視した状態で大きな領域にそれぞれ形成されている。
【００８２】
尚、以下、複数の交差領域８０毎に位置するＢＭ２５の内、１つの交差領域８０に位置
するＢＭ２５を例に挙げて説明する。
【００８３】
さらに、ＢＭ２５は、交差領域８０において、ゲート電極３ａが、図３中Ｘ方向に沿っ
て設けられていることから、少なくともゲート電極３ａと平面視した状態で重なる図３中
Ｘ方向にそれぞれ突出した各凸部２５ｔを、本体部２５ｈに交差するよう有した島状にパ
ターニングされて形成されている。即ち、ＢＭ２５は、図３に示すように、平面的な形状
が十字状に形成されている。
【００８４】
尚、凸部２５ｔは、ゲート電極３ａよりも平面視した状態で大きな領域に形成されてい
る。また、凸部２５ｔは、ゲート電極３ａのみならず、例えば図３中のＸ方向において、
ＴＦＴ基板１０側の遮光膜として機能する容量線４００が幅狭になる領域まで重なるよう
、島状に形成されていても構わない。
【００８５】
ＢＭ２５は、少なくとも半導体層１、好ましくは、ＴＦＴ３０に対し、少なくとも一部
が平面視した状態で重なるよう配置されることにより、ＴＦＴ３０に対し、光が入射して
しまうことを、上述したＴＦＴ基板１０側のデータ線６ａ、走査線１１ａ、蓄積容量、容
量線４００とともに遮光する機能を有している。
【００８６】
尚、画素電極９ａにおいて、ＢＭ２５、ＴＦＴ基板１０側のデータ線６ａ、走査線１１
ａ、蓄積容量、容量線４００と平面視した状態で重なっていない領域は、画素における光
の透過領域となっている。
【００８７】
また、以上のＢＭ２５の構成は、各交差領域８０に設けられるＢＭ２５においても同様
である。
【００８８】
次に、本実施の形態の作用について説明する。図４は、図３の対向基板のＢＭが、交差
領域においてＸ方向及びＹ方向にずれて配置された状態をＴＦＴ基板に積層された成膜パ
ターンの一部とともに示す部分平面図である。尚、以下においても、複数の交差領域８０
毎に位置するＢＭ２５の内、１つの交差領域８０に位置するＢＭ２５を例に挙げて説明す
る。
【００８９】
ＴＦＴ基板１０に対して、対向基板２０が位置ずれして貼り合わされた際、即ち、貼り
合わせにより位置ずれ誤差が生じると、図４に示すように、対向基板２０に形成されたＢ
Ｍ２５は、交差領域８０において、図４中、Ｘ方向とＹ方向との少なくとも一方にずれて
位置する。その結果、ＢＭ２５は、一部の画素における光の透過領域に、食み出してしま
う。尚、図４は、対向基板２０がＸ方向に位置ずれして貼り合わされた場合において、Ｂ
Ｍ２５のＹ方向に突出する本体部２５ｈが、図４中上下方向に隣り合う２つの画素におけ
る光の透過領域に食み出した図となっている。
【００９０】
この際、本実施の形態においては、ＢＭ２５が島状に形成されていることにより、従来
のように、ＢＭが走査線１１ａ及びデータ線６ａに沿ってマトリクス状またはストライプ
状に形成されている場合と比して、ＢＭ２５が、画素の透過領域に食み出す領域が小さく
なる。
【００９１】
具体的には、図４に示すように、Ｙ方向のみＢＭ２５の本体部２５ｈが食み出している
場合、データ線６ａに沿って形成された従来の２点鎖線で示すＢＭの場合、画素の透過領
域に対して、ＢＭが、領域Ｒ２の大きさ食み出してしまうが、本実施形態のＢＭ２５にお
いては、画素の透過領域に対して、領域Ｒ２よりも小さい領域Ｒ１のみしか食み出さなく
なる。尚、このことは、ＢＭ２５の凸部２５ｔが画素の光の透過領域に食み出した場合で
あっても同様である。
【００９２】
また、ＢＭ２５は、交差領域８０において、データ線６ａに沿って設けられたＴＦＴ３
０の半導体層１に沿って長い島状に、本体部２５ｈがパターニングされていることにより
、ＴＦＴ基板１０に対して、対向基板２０が位置ずれして貼り合わされた際、即ち、貼り
合わせにより位置ずれ誤差が生じた場合であっても、多少のずれ、例えば±０．５〜０．
７ミクロンのずれであれば、図４に示すように、本体部２５ｈは、半導体層１に重なって
位置する。
【００９３】
さらに、ＢＭ２５に凸部２５ｔが形成されていることにより、ＴＦＴ基板１０に対して
、対向基板２０が位置ずれして貼り合わされた際、即ち、貼り合わせにより位置ずれ誤差
が生じた場合であっても、多少のずれ、例えば±０．５〜０．７ミクロンのずれであれば
、図４に示すように、凸部２５ｔは、少なくともゲート電極３ａに重なって位置する。
【００９４】
また、以上の作用は、各交差領域８０に設けられるＢＭ２５においても同様である。
【００９５】
このように、本実施の形態においては、交差領域８０に配置される対向基板２０のＢＭ
２５は、少なくとも一部が、交差領域８０においてデータ線６ａに沿って設けられた半導
体層１に、本体部２５ｈが平面視した状態で重なる島状にパターンニングされて形成され
ていると示した。
【００９６】
また、ＢＭ２５は、交差領域８０において、データ線６ａと交差する走査線１１ａに沿
って設けられたゲート電極３ａに平面視した状態で重なる凸部２５ｔを有していると示し
た。即ち、ＢＭ２５は、平面的な形状が十字状に形成されていると示した。
【００９７】
このことによれば、貼り合わせ後、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０の位置ずれが
生じたとしても、島状のＢＭ２５が画素の透過領域に食み出す領域Ｒ１が、従来のマトリ
クス状またはストライプ状のＢＭが画素の透過領域に食み出す領域Ｒ２よりも小さくなる
。
【００９８】
このことから、隣り合う画素間で、ＴＦＴ基板１０に対する対向基板２０の位置ずれに
伴う、画素の開口率のばらつきが小さくなることから、即ち、ある画素において、開口率
が低下したとしても、従来のマトリクス状またはストライプ状のＢＭに比べ、島状のＢＭ
２５は、開口率の低下を最低限に抑えることができることから、液晶装置１００の表示領
域４０における各画素の開口率がばらついてしまうこと及び、液晶装置毎に、画素の開口
率がばらつくことを従来に比べ低減させることができる。
【００９９】
また、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０の位置ずれが生じたとしても、多少のずれ
、例えば±０．５〜０．７ミクロンのずれであれば、ＢＭ２５は、本体部２５ｈ及び凸部
２５ｔにより、ＴＦＴ３０に対して平面視した状態で重なったまま配置されることから、
トランジスタ３０に光が入射してしまうことを確実に遮光することができる。
【０１００】
以上から、表示不良を抑制することができる構成を有する液晶装置１００を提供するこ
とができる。
【０１０１】
尚、以下変形例を、図５を用いて示す。図５は、図３のＢＭの凸部の幅を、走査線の線
幅よりも幅広に形成した変形例をＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの一部とともに示
す部分平面図である。
【０１０２】
図５に示すように、本実施の形態におけるＢＭ２５の凸部２５ｔの幅Ｈ１を、走査線１
１ａの線幅Ｈ２の幅よりも異なる線幅である幅広に形成しても構わない。
【０１０３】
このことによれば、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０の位置ずれが生じたとしても
、凸部２５ｔがゲート電極３ａに重なったままとなることから、交差領域８０において、
走査線１１ａが設けられたＸ方向に延在するゲート電極３ａに光が入射してしまうことを
、幅広な凸部２５ｔにより確実に遮光することができる。よって、ゲート電極３ａに対す
る遮光効果が本実施の形態よりも向上する。
【０１０４】
このこととは逆に、図３に示す本実施の形態のように、凸部２５ｔの幅Ｈ１が、走査線
１１ａの線幅Ｈ２よりも異なる線幅である幅狭に形成されている場合は、ＴＦＴ基板１０
に対して対向基板２０の位置ずれが生じてしまっても、凸部２５ｔが、画素の光透過領域
に食み出し難くなり、表示領域４０における各画素の開口率のばらつきをより確実に低減
させることができ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことも防ぐことができる。
【０１０５】
尚、以下別の変形例を、図６を用いて示す。図６は、図３のＢＭの本体部の幅を、デー
タ線及び容量線の線幅よりも幅広に形成した変形例をＴＦＴ基板に積層された成膜パター
ンの一部とともに示す部分平面図である。
【０１０６】
図６に示すように、本実施の形態におけるＢＭ２５の本体部２５ｈの幅Ｈ５を、データ
線６ａの線幅Ｈ３及び容量線４００の線幅Ｈ４よりも異なる線幅である幅広に形成しても
構わない。尚、図５に示すように、凸部の幅Ｈ１を、走査線１１ａの線幅Ｈ２よりも大き
くした上で、ＢＭ２５の本体部２５ｈの幅Ｈ５を、データ線６ａの線幅Ｈ３及び容量線４
００の線幅Ｈ４よりも幅広に形成しても構わない。
【０１０７】
このことによれば、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０の位置ずれが生じたとしても
、交差領域８０において、本体部２５ｈが半導体層１に重なったままとなることから、デ
ータ線６ａ及び容量線４００が設けられたＹ方向に延在する半導体層１に光が入射してし
まうことを、幅広な本体部２５ｈにより確実に遮光することができる。よって、半導体層
１に対する遮光効果が本実施の形態よりも向上する。
【０１０８】
これとは逆に、図３に示す本実施の形態のように、本体部２５ｈの幅Ｈ５が、データ線
６ａの線幅Ｈ３及び容量線４００の線幅Ｈ４よりも異なる線幅である幅狭に形成されてい
る場合は、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０の位置ずれが生じてしまっても、本体部
２５ｈが、画素の透過光透過領域に食み出し難くなり、表示領域４０における各画素の開
口率のばらつきをより確実に低減させることができ、液晶装置毎に、画素の開口率がばら
つくことを防ぐことができる。
【０１０９】
（第２実施の形態）
図７は、本実施の形態を示す液晶装置において、ＴＦＴ基板に積層された成膜パターン
の一部と、対向基板のＢＭの配置位置を示す部分平面図である。
【０１１０】
この第２実施の形態の液晶装置の構成は、上述した第１実施の形態の液晶装置１００と
比して、対向基板２０に形成するＢＭを矩形状に形成する点のみが異なる。よって、この
相違点のみを説明し、第１実施の形態の液晶装置１００と同様の構成部材には、同じ符号
を付し、その説明は省略する。
【０１１１】
図７に示すように、ＢＭ２５０は、各交差領域８０において、ＴＦＴ３０の半導体層１
と少なくとも一部が平面視した状態で重なる矩形状を有する島状にそれぞれパターニング
されて形成されている。
【０１１２】
具体的には、各交差領域８０において半導体層１が、データ線６０に沿って、図７中Ｙ
方向に沿って設けられていることから、ＢＭ２５０が、図７中Ｙ方向に沿って長い矩形状
を有する島状にそれぞれパターニングされて形成されている。尚、各ＢＭ２５０は、半導
体層１よりも平面視した状態で大きな領域に形成されている。
【０１１３】
尚、以下、複数の交差領域８０毎に位置するＢＭ２５０の内、１つの交差領域８０に位
置するＢＭ２５０を例に挙げて説明する。
【０１１４】
ＢＭ２５０は、少なくとも半導体層１に対し、少なくとも一部が平面視した状態で重な
るよう配置されることにより、半導体層１に対し、光が入射してしまうことを、上述した
ＴＦＴ基板１０側のデータ線６ａ、走査線１１ａ、蓄積容量、容量線４００とともに遮光
する機能を有している。尚、以上のＢＭ２５０の構成は、各交差領域８０に設けられるＢ
Ｍ２５０においても同様である。
【０１１５】
このように、本実施の形態においては、ＢＭ２５０は、半導体層１に沿って、図７中Ｙ
方向に沿って長い矩形状を有する島状に形成されていると示した。
【０１１６】
このことによれば、貼り合わせ後、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０の位置ずれが
生じたとしても、ＢＭ２５０は、第１実施の形態のように、凸部を有していないことから
、図７中のＸ方向において、ＢＭ２５０が一部の画素の光透過領域に食み出することによ
り、表示領域４０における各画素の開口率がばらつき、液晶装置毎に、画素の開口率がば
らついてしまうことを、第１実施の形態よりも低減させることができる。
【０１１７】
また、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０の位置ずれが生じたとしても、多少のずれ
、例えば±０．５〜０．７ミクロンのずれであれば、ＢＭ２５０は、半導体層１に対して
平面視した状態で重なったまま配置されることから、半導体層１に光が入射してしまうこ
とを確実に遮光することができる。
【０１１８】
以上から、表示不良を抑制することができる構成を有する液晶装置を提供することがで
きる。
【０１１９】
尚、以下変形例を、図８を用いて示す。図８は、図７のＢＭのＸ方向の幅を、データ線
及び容量線の線幅よりも幅広に形成した変形例をＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの
一部とともに示す部分平面図である。
【０１２０】
本実施の形態においては、図７には、ＢＭ２５０のＸ方向の線幅Ｈ５は、データ線６ａ
の線幅Ｈ３及び容量線４００の線幅Ｈ４よりも幅狭となるように図示したが、図８に示す
ように、ＢＭ２５０の幅Ｈ６を、データ線６ａの線幅Ｈ３及び容量線４００の線幅Ｈ４よ
りも異なる線幅である幅広な、ゲート電極３ａと平面視した状態で重なる幅に形成しても
構わない。
【０１２１】
このような構成によれば、貼り合わせ後、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０の位置
ずれが生じたとしても、多少のずれ、例えば±０．５〜０．７ミクロンのずれであれば、
ＢＭ２５０は、半導体層１のみならず、ゲート電極３ａに対しても平面視した状態で重な
ったまま配置されることから、半導体層１のみならず、本実施の形態では、防ぐことので
きないゲート電極３ａに光が入射してしまうことを確実に遮光することができる構成を有
す液晶装置を提供することができる。
【０１２２】
また、ＢＭ２５０の幅を、データ線６ａの線幅Ｈ３及び容量線４００の線幅Ｈ４よりも
幅広に形成すると、ＢＭ２５０は、ＴＦＴ基板１０に対する適正な対向基板２０の貼り合
わせ位置において、図８に示すように、左右に隣り合う画素の各光透過領域に食み出すこ
とになる。
【０１２３】
しかしながら、貼り合わせ後、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０の位置ずれが生じ
た際、一方の画素においては、ＢＭ２５０の大きな食み出しにより、画素の開口率が低下
するが、一方の画素の隣り合う他方の画素においては、ＢＭ２５０が一方の画素に食み出
した分、ＢＭ２５０の食み出しが減ることから、画素の開口率が向上する。
【０１２４】
即ち、表示領域４０中の画素全体でみれば、画素の開口率が変化しないことになること
から、画素の開口率のばらつきを低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくこと
を防ぐことができる液晶装置を提供することができる。
【０１２５】
尚、上述した第１及び第２実施の形態においては、ＢＭ２５の本体部２５ｈ、及びＢＭ
２５０は、半導体層１に沿って、データ線６ａが延在する方向にパターニングされて島状
に形成されていると示したが、これに限らず、半導体層１が、走査線１１ａが延在する方
向、即ち、データ線６ａに対し交差する方向に形成されている場合は、走査線１１ａが延
在する方向にパターニングされて島状に形成されていれば、上述した第１及び第２実施の
形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２６】
また、上述した第１及び第２実施の形態においては、ＢＭ２５の本体部２５ｈ、及びＢ
Ｍ２５０は、半導体層１と重なるよう配置されると示したが、半導体層１が、既知のＬＤ
Ｄ構造を有している場合は、チャネル領域１ａに光が入射してしまうのを遮光する目的で
、さらに、半導体層１のソース領域及びドレイン領域における少なくともＬＤＤ領域に重
なって配置される本体部２５及びＢＭ２５０の部位のみ、ＴＦＴ基板１０側の遮光膜より
も幅広に形成しても構わない。
【０１２７】
（第３実施の形態）
図１０は、本実施の形態を示す液晶装置において、ＴＦＴ基板に積層された成膜パター
ンの下層側の一部と、対向基板のＢＭの配置位置を示す部分平面図、図１１は、本実施の
形態を示す液晶装置のＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの上層側の一部を示す部分平
面図、図１２は、図１０、図１１を重ね合わせた場合におけるＴＦＴ基板の図１０、図１
１中のXII-XII線に沿う部分断面図である。
【０１２８】
この第３実施の形態の液晶装置の構成は、上述した第１実施の形態の液晶装置１００、
第２実施の形態の液晶装置と比して、平面視した状態における走査線の形状及び対向基板
に島状に形成されるＢＭの形状のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実
施の形態の液晶装置１００及び第２実施形態の液晶装置と同様の構成部材には、同じ符号
を付し、その説明は省略する。
【０１２９】
図１０及び図１１に示すように、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、後述す
るゲート電極１１３ａをオンオフする信号を供給する複数本の走査線１１０と画素電極９
ａに画像信号を供給する複数本のデータ線６ａとが交差するようにマトリクス状に配線さ
れ、走査線１１０とデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配
置される。尚、走査線１１０は、上述した走査線１１ａと同等の機能を有する。
【０１３０】
そして、複数本の走査線１１０と複数本のデータ線６ａとの各交差領域１８０に対応し
てＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【０１３１】
走査線１１０、データ線６ａ、蓄積容量７０、中継層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴ基
板１０上において、平面視した状態で、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（画素
における光の透過領域）を囲む、非開口領域内に配設されている。
【０１３２】
図１２に示すように、ＴＦＴ基板１０上には、走査線１１０、ＴＦＴ３０、蓄積容量７
０、画素電極９ａ等の各種の構成要素が、積層構造をなして設けられている。
【０１３３】
この積層構造は、下から順に、走査線１１０を含む第１層、ゲート電極１１３ａを有す
るＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層
、画素電極９ａ等を含む最上層の第５層からなる。
【０１３４】
また、第１層と第２層との間に下地絶縁膜１２が設けられており、第２層と第３層との
間に第１層間絶縁膜４１が設けられており、第３層と第４層との間に第２層間絶縁膜４２
が設けられており、第４層と第５層との間に第３層間絶縁膜４３が設けられており、それ
ぞれ各絶縁膜１２、４１、４２、４３によって、上述した各要素間が短絡されてしまうこ
とが防止されている。
【０１３５】
以下、これらの各要素について、下層から順に説明を行う。尚、上述した積層構造のう
ち第１層〜第２層までが、平面図として図１０に示されており、第３層〜第５層までが、
平面図として図１１に示されている。
【０１３６】
図１２に示すように、第１層として、走査線１１０が設けられている。図１０に示すよ
うに、走査線１１０は、Ｘ方向に沿うように、ストライプ状にパターニンクされて形成さ
れている。具体的には、走査線１１０は、Ｘ方向に沿うように延在された本線部分１１０
ｘと、該本線部分１１０ｘから交差領域１８０において、データ線６ａに沿ってＹ方向に
突出された突出部１１０ｙ１、１１０ｙ２とを備えて主要部が構成されている。
【０１３７】
尚、図１０に示すように、データ線６ａに沿ったＹ方向において、後述する第１のソー
スドレイン領域１ｅ側に突出した突出部１１０ｙ２は、第２のソースドレイン領域１ｄ側
に突出した突出部１１０ｙ１よりも、平面視した状態でＸ方向に幅広に形成されている。
さらに、突出部１１０ｙ２は、データ線６ａよりもＸ方向に幅広に形成されている。また
、Ｙ方向に隣接する走査線１１０の突出部１１０ｙ１と１１０ｙ２とは相互に接続される
ことはない。
【０１３８】
走査線１１０は、突出部１１０ｘ、１１０ｙの少なくとも一部によって、図１０に示す
ように、半導体層１における後述するチャネル領域１ａ、第１のソースドレイン領域１ｅ
、第１のＬＤＤ領域１ｃ、第２のＬＤＤ領域１ｂ、後述するコンタクトホール８１０にＹ
方向における第１のソースドレイン領域１ｅ側に延在する部位８１０ｂに対し、平面視し
た状態で重なるように設けられている。
【０１３９】
走査線１１０は、ＴＦＴ３０の半導体層１の少なくとも第１のＬＤＤ領域１ｃを平面視
した状態で下側から覆うことにより、具体的には、第１のＬＤＤ領域１ｃのみならず、チ
ャネル領域１ａ、第１のソースドレイン領域１ｅ、第２のＬＤＤ領域１ｂ、コンタクトホ
ール８１０の延在部位８１０ｂを下側から覆うことにより、少なくとも第１のＬＤＤ領域
１ｃに下側から入射しようとする光を遮るＴＦＴ基板１０側の遮光膜としても機能してい
る。従って、走査線１１０は、本実施の形態における下側遮光膜を構成している。
【０１４０】
尚、ＴＦＴ基板１０に、走査線１１０とは別に、少なくとも第１のＬＤＤ領域１ｃに下
側から入射しようとする光を遮る下側遮光膜を設けても構わない。この場合、下側遮光膜
は、走査線１１０に平面視した状態で重なるよう形成されていても構わないし、少なくと
も第１のＬＤＤ領域１ｃのみに平面視した状態で重なるよう形成されていても構わない。
【０１４１】
また、走査線１１０とは別途に形成される下側遮光膜は、第１のＬＤＤ領域１ｃに対し
、平面視した状態で重なっていれば、第１のＬＤＤ領域１ｃに加え、それぞれチャネル領
域１ａ、第１のソースドレイン領域１ｅ、第１のＬＤＤ領域１ｃ、第２のＬＤＤ領域１ｂ
、コンタクトホール８１０の延在部位８１０ｂのいずれか１つまたは全てに対し、平面視
した状態で重なるよう形成されていても構わない。
【０１４２】
図１２に示すように、第２層として、ＴＦＴ３０が設けられている。図１０及び図１２
に示すように、ＴＥＴ３０は、半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極１１３ａと
のより主要部が構成されている。
【０１４３】
半導体層１は、チャネル領域１ａと、第１のソースドレイン領域１ｅと、該第１のソー
スドレイン領域側のＬＤＤ領域である第１のＬＤＤ領域１ｃと、第２のソースドレイン領
域１ｄと、該第２のソースドレイン領域側のＬＤＤ領域である第２のＬＤＤ領域１ｂとを
具備するＬＤＤ構造を有して主要部が構成されている。
【０１４４】
第２のソースドレイン領域１ｄと第１のソースドレイン領域１ｅとは、チャネル領域１
ａを基準として、Ｙ方向に沿ってほぼ対称に形成されている。第２のＬＤＤ領域１ｂは、
チャネル領域１ａと第２のソースドレイン領域１ｄとの間に形成されている。また、第１
のＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａと第１のソースドレイン領域１ｅとの間に形成さ
れている。
【０１４５】
第１のソースドレイン領域１ｅ、第１のＬＤＤ領域１ｃ、第２のソースドレイン領域１
ｄ、第２のＬＤＤ領域１ｂは、半導体層１に、例えばイオンインプランテーション法等に
よって、不純物が打ち込まれることにより形成される。
【０１４６】
第１のＬＤＤ領域１ｃ、第２のＬＤＤ領域１ｂは、第１のソースドレイン領域１ｅ、第
２のソースドレイン領域１ｄよりも、打ち込まれた不純物の濃度が少ない領域として形成
されている。
【０１４７】
このように、半導体層１は、ＬＤＤ構造を有しておれば、ＴＦＴ３０の非動作時におい
て、第１のソースドレイン領域１ｅ及び第２のソースドレイン領域１ｄに流れるオフ電流
を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下及びオフリーク電流の上昇を
抑制できる。
【０１４８】
下地絶縁膜１２に、第１のコンタクトホールであるコンタクトホール８１０が形成され
ている。コンタクトホール８１０は、図１０に示すように、交差領域１８０において、平
面視した状態で半導体層１のＸ方向における両側部に、Ｘ方向に延在する第１の延在部材
である延在部位８１０ａを有するとともに、Ｙ方向における第１のソースドレイン領域１
ｅ側に延在する第２の延在部位である延在部位８１０ｂを有するＬ字状に形成されている
。
【０１４９】
コンタクトホール８１０は、走査線１１０を、ＴＦＴ３０のゲート電極１１３ａに対し
て電気的に接続する際用いられるものであり、ゲート絶縁膜２及び下地絶縁膜１２を貫通
して形成されている。尚、コンタクトホール８１０は、上述した第１及び第２実施の形態
におけるコンタクトホール１２ｃｖと同等の機能を有している。
【０１５０】
図１０及び図１２に示すように、ゲート電極１１３ａは、半導体層１よりもゲート絶縁
膜２を介して上層側に設けられている。図１０に示すように、ゲート電極１１３ａは、平
面視した状態でＴＦＴ３０のチャネル領域１ａに重なる本体部分１３０と、該本体部分１
３０からＸ方向に沿って延設された延在部分１３２と、半導体層１の両側部において、本
体部分１３０からＹ方向に沿って、第１のソースドレイン領域１ｅ側に延在される延在部
分１３１とを有している。尚、ゲート電極１１３ａは、上述した第１及び第２実施の形態
におけるゲート電極３ａと同等の機能を有している。
【０１５１】
図１２に示すように、第３層として蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、
下部容量電極７１と上部容量電極３００ａとが誘電体膜７５を介して対向配置されること
により形成されている。
【０１５２】
図１１、図１２に示すように、上部容量電極３００ａは、容量線３００の一部として形
成されている。容量線３００は、画素電極９ａが配置された表示領域１０ｈの周囲に配設
されている。
【０１５３】
上部容量電極３００ａは、容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され固定電位
に維持された固定電位側容量電極である。また、上部容量電極３００ａは、上層側からＴ
ＦＴ３０に光が入射するのを遮光する機能も有している。
【０１５４】
下部容量電極７１は、第１のソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続
された画素電位側の容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、第２のコン
タクトホールであるコンタクトホール１８３を介して第１のソースドレイン領域１ｅと電
気的に接続されるとともに、第２層間絶縁膜４２及び誘電体膜７５を貫通して開孔された
コンタクトホール８４を介して、中継層９３に電気的に接続されている。
【０１５５】
さらに、中継層９３は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンククトホール８５を介し
て画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３とと
もに第１のソースドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの間の電気的な接続を中継する。尚
、下部容量電極７１は、上層側からＴＦＴ３０に光が入射するのを遮光する機能も有して
いる。
【０１５６】
また、図１０及び図１１に示すように、蓄積容量７０は、コンタクトホール８１０を平
面視した状態で覆うように形成されている。
【０１５７】
図１２に示すように、第４層としてデータ線６ａが設けられている。図１１に示すよう
に、データ線６ａは、Ｙ方向に沿うように、ストライプ状にパターニンクされて形成され
ている。また、第４層には、中継層９３が、データ線６ａと同一膜から形成されている。
【０１５８】
図１１及び図１２に示すように、データ線６ａは、半導体層１の第２のソースドレイン
領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１、誘電体膜７５及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコン
タクトホール１８１を介して電気的に接続されている。また、データ線６ａは、上層側か
らＴＦＴ３０に光が入射するのを遮光する機能も有している。
【０１５９】
図１２に示すように、第５層として画素電極９ａが設けられている。図１１、図１２に
示すように、画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール１８３、８４、８５
、及び中継層９３を介して半導体層１の第１のソースドレイン領域１ｅに電気的に接続さ
れている。
【０１６０】
ここで、対向基板２０の表面２０ｆにおける表示領域２０ｈにおける各画素の周辺領域
であって、走査線１１０とデータ線６ａとの各交差領域１８０に対向する位置に、例えば
アルミ、クロム等から構成されたＢＭ１２５がそれぞれ設けられている。ＢＭ１２５は、
上述したＢＭ２５と同等の機能を有する。
【０１６１】
ＢＭ１２５は、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼り合わせた際、図１０に示す
ように、各交差領域１８０において、ＴＦＴ３０の半導体層１の少なくとも第１のＬＤＤ
領域１ｃと、少なくとも一部が平面視した状態で重なるとともに、少なくとも一部が走査
線１１０の一部と平面視した状態で重なるよう、島状にそれぞれパターニングされて形成
されている。
【０１６２】
具体的には、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼り合わせた際、各交差領域１８
０において、ＢＭ１２５は、平面視した状態でＹ方向に沿って配置され、Ｙ方向において
、第１のソースドレイン領域１ｅ側に突出した突出部１２５ａと、第２のソースドレイン
領域１ｄ側に突出した突出部１２５ｂとにより主要部が構成されている。
【０１６３】
突出部１２５ａのＸ方向の幅Ｈ１０は、突出部１２５ｂのＸ方向の幅Ｈ１１よりも、平
面視した状態でＸ方向に幅広に形成されている（Ｈ１０＞Ｈ１１）。即ち、ＢＭ１２５は
、平面視した状態の形状が、Ｙ方向に沿って上向きの凸状に形成されている。また、突出
部１２５ａのＸ方向の幅は、データ線６ａのＸ方向の幅より、幅広に形成されている。
【０１６４】
また、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼り合わせた際、突出部１２５ａは、走
査線１１０の突出部１１０ｙ２に平面視した状態で、少なくとも一部が重なるように島状
にパターニングされており、突出部１２５ｂは、走査線１１０の突出部１１０ｙ１に少な
くとも一部が平面視した状態で重なるように島状にパターニングされている。
【０１６５】
より具体的には、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼り合わせた際、ＢＭ１２５
は、突出部１２５ａ、１２５ｂによって、図１０に示すように、半導体層１におけるチャ
ネル領域１ａ、第１のソースドレイン領域１ｅ、第１のＬＤＤ領域１ｃ、第２のＬＤＤ領
域１ｂ、コンタクトホール８１０の延在部位８１０ｂに対し、平面視した状態で重なるよ
うに島状にパターニングされている。
【０１６６】
ＢＭ１２５は、少なくとも半導体層１の第１のＬＤＤ領域１ｃに対し、少なくとも一部
が平面視した状態で重なるよう配置されることにより、ＬＤＤ領域１ｃに対し、光が上側
から入射してしまうことを、上述したＴＦＴ基板１０側のデータ線６ａ、下部容量電極７
１、上部容量電極３００ａとともに遮光する機能を有している。
【０１６７】
尚、ＢＭ１２５を用いて、少なくとも第１のＬＤＤ領域１ｃを遮光するのは、ＴＦＴ３
０動作の際、第１のＬＤＤ領域１ｃにおいて、第２のＬＤＤ領域１ｂに比べ、光リーク電
流が相対的に発生しやすいためである。即ち、ＴＦＴ３０動作の際に、第１のＬＤＤ領域
１ｃに光が入射されてしまった場合には、第２のＬＤＤ領域１ｂに光が入射されてしまっ
た場合よりも、ＴＦＴ３０におけるリーク電流が発生しやすいためである。
【０１６８】
このように、本実施の形態においては、走査線１１０が、交差領域１８０において、本
線部分１１０ｘからデータ線６ａに沿ってＹ方向に突出された突出部１１０ｙ１、１１０
ｙ２を備えているとともに、突出部１１０ｙ２は、突出部１１０ｙ１よりも、平面視した
状態でＸ方向に幅広に形成されていると示した。
【０１６９】
また、ＢＭ１２５は、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼り合わせた際、図１０
に示すように、各交差領域１８０において、ＴＦＴ３０の半導体層１の少なくとも第１の
ＬＤＤ領域１ｃと、少なくとも一部が平面視した状態で重なるとともに、少なくとも一部
が走査線１１０の一部と平面視した状態で重なるよう、島状にそれぞれパターニングされ
て形成されていると示した。
【０１７０】
具体的には、ＢＭ１２５の突出部１２５ａのＸ方向の幅Ｈ１０は、突出部１２５ｂのＸ
方向の幅Ｈ１１よりも、平面視した状態でＸ方向に幅広に形成されており（Ｈ１０＞Ｈ１
１）、突出部１２５ａは、走査線１１０の突出部１１０ｙ２に平面視した状態で、少なく
とも一部が重なるように島状にパターニングされており、突出部１２５ｂは、走査線１１
０の突出部１１０ｙ１に少なくとも一部が平面視した状態で重なるように島状にパターニ
ングされていると示した。
【０１７１】
より詳しくは、ＢＭ１２５は、突出部１２５ａ、１２５ｂによって、図１０に示すよう
に、半導体層１におけるチャネル領域１ａ、第１のソースドレイン領域１ｅ、第１のＬＤ
Ｄ領域１ｃ、第２のＬＤＤ領域１ｂ、コンタクトホール８１０の延在部位８１０ｂに対し
、平面視した状態で重なるように島状にパターニングされていると示した。
【０１７２】
このことによれば、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０が位置精度悪く貼り合わされ
たとしても、即ち、位置ずれが生じたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が
小さい島状のＢＭ１２５により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばら
つきを低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。
【０１７３】
また、ＢＭ１２５は、平面視した状態で、広範囲に亘って、第１のＬＤＤ領域１ｃを覆
うよう配置されることから、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０が位置精度悪く貼り合
わされたとしても、平面視した状態で、確実に、ＢＭ１２５は、第１のＬＤＤ領域１ｃを
覆うことができる。
【０１７４】
即ち、下側遮光膜とともにＢＭが第１のＬＤＤ領域１ｃに入射する光を確実に遮光する
ことにより、ＴＦＴ基板１０の半導体層１の第１のＬＤＤ領域１ｃに光が入射してしまい
、ＴＦＴ３０においてリーク電流が発生するとともに表示不良が発生してしまうことを抑
制することができる構成を有する電気光学装置を提供することができる。
【０１７５】
尚、以下、図１３〜図１７を用いて、本実施の形態における変形例を示す。図１３は、
ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板の図１０とは異なる形
状のＢＭの配置位置とを示す部分平面図、図１４は、ＴＦＴ基板に積層された成膜パター
ンの下層側の一部と、対向基板の図１０及び図１３とは異なる形状のＢＭの配置位置とを
示す部分平面図である。
【０１７６】
また、図１５は、ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板の
図１０及び図１３、図１４とは異なる形状のＢＭの配置位置とを示す部分平面図、図１６
は、ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板の図１０及び図１
３〜図１５とは異なる形状のＢＭの配置位置とを示す部分平面図、さらに、図１７は、Ｔ
ＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板の図１０及び図１３〜図
１６とは異なる形状のＢＭの配置位置とを示す部分平面図である。
【０１７７】
本実施の形態においては、ＢＭ１２５は、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼り
合わせた際、半導体層１におけるチャネル領域１ａ、第１のソースドレイン領域１ｅ、第
１のＬＤＤ領域１ｃ、第２のＬＤＤ領域１ｂ、コンタクトホール８１０の延在部位８１０
ｂに対し、平面視した状態で重なるように島状にパターニングされていると示した。
【０１７８】
これに限らず、図１３に示すように、ＢＭ１２５は、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板
２０を貼り合わせた際、第１のＬＤＤ領域１ｃを含む領域のみに、平面視した状態で重な
るように島状にパターニングされていても構わない。尚、このことは、走査線１１０の他
に、下側遮光膜を形成する場合も同様である。
【０１７９】
このことによっても、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０が位置精度悪く貼り合わさ
れたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が本実施の形態よりも小さい島状の
ＢＭ１２５により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。
【０１８０】
また、最小限の面積でＢＭ１２５が、第１のＬＤＤ領域１ｃに入射する光を確実に遮光
することにより、ＴＦＴ基板１０の半導体層１における第１のＬＤＤ領域１ｃに光が入射
してしまい、ＴＦＴ３０におけるリーク電流が発生するとともに、表示不良が発生してし
まうことを、下側遮光膜とともに抑制することができる構成を有する電気光学装置を提供
することができる。
【０１８１】
また、図１４に示すように、ＢＭ１２５は、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼
り合わせた際、第１のＬＤＤ領域１ｃ及びチャネル領域１ａを含む領域のみに、平面視し
た状態で重なるように島状にパターニングされていても構わない。尚、このことは、走査
線１１０の他に、下側遮光膜を形成する場合も同様である。
【０１８２】
このことによっても、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０が位置精度悪く貼り合わさ
れたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が本実施の形態よりも小さい島状の
ＢＭ１２５により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。
【０１８３】
また、平面視した状態で、ＢＭ１２５及び下側遮光膜が、第１のＬＤＤ領域１ｃに加え
チャネル領域１ａに入射する光を、図１３に示すＢＭ１２５よりも広い面積で確実に遮光
することにより、ＴＦＴ基板１０の半導体層１における第１のＬＤＤ領域１ｃ及びチャネ
ル領域１ａに光が入射してしまい、ＴＦＴ３０におけるリーク電流が発生するとともに、
表示不良が発生してしまうことを、抑制することができる構成を有する電気光学装置を提
供することができる。
【０１８４】
また、図１５に示すように、ＢＭ１２５は、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼
り合わせた際、第１のＬＤＤ領域１ｃに加え、チャネル領域１ａ、コンタクトホール８１
０の延在部位８１０ｂを含む領域のみに、平面視した状態で重なるように島状にパターニ
ングされていても構わない。尚、このことは、走査線１１０の他に、下側遮光膜を形成す
る場合も同様である。
【０１８５】
このことによっても、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０が位置精度悪く貼り合わさ
れたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が本実施の形態よりも小さい島状の
ＢＭ１２５により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。
【０１８６】
また、平面視した状態で、ＢＭ１２５及び下側遮光膜が、第１のＬＤＤ領域１ｃ、チャ
ネル領域１ａに加え、コンタクトホール８１０の延在部位８１０ｂに入射する光を、図１
３、図１４に示す変形例よりも広い面積で確実に遮光することにより、ＴＦＴ基板１０の
半導体層１における第１のＬＤＤ領域１ｃに光が入射してしまい、ＴＦＴ３０におけるリ
ーク電流が発生するとともに、表示不良が発生してしまうことを、図１３、図１４の構成
よりも確実に抑制することができる構成を有する電気光学装置を提供することができる。
【０１８７】
さらに、図１６に示すように、ＢＭ１２５は、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を
貼り合わせた際、第１のＬＤＤ領域１ｃに加え、チャネル領域１ａ、コンタクトホール８
１０の延在部位８１０ｂ、コンタクトホール１８３を含む領域のみに、平面視した状態で
重なるように島状にパターニングされていても構わない。尚、このことは、走査線１１０
の他に、下側遮光膜を形成する場合も同様である。
【０１８８】
このことによっても、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０が位置精度悪く貼り合わさ
れたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が本実施の形態よりも小さい島状の
ＢＭ１２５により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。
【０１８９】
また、平面視した状態で、ＢＭ１２５及び下側遮光膜が、第１のＬＤＤ領域１ｃ、チャ
ネル領域１ａ、コンタクトホール８１０の延在部位８１０ｂに加え、コンタクトホール１
８３に入射する光を、図１３〜図１５に示す変形例よりも広い面積で確実に遮光すること
により、ＴＦＴ基板１０の半導体層１における第１のＬＤＤ領域１ｃに光が入射してしま
い、ＴＦＴ３０におけるリーク電流が発生するとともに、表示不良が発生してしまうこと
を、図１３〜図１５の構成よりも確実に抑制することができる構成を有する電気光学装置
を提供することができる。
【０１９０】
また、図１７に示すように、ＢＭ１２５は、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼
り合わせた際、第１のＬＤＤ領域１ｃ、チャネル領域１ａ、コンタクトホール８１０の延
在部位８１０ｂに加え、第２のＬＤＤ領域１ｂを含む領域のみに、平面視した状態で重な
るように島状にパターニングされていても構わない。
【０１９１】
即ち、ＢＭ１２５は、コンタクトホール１８３に対し、必ずしも平面視した状態で重な
るようパターニングされていなくても構わない。尚、このことは、走査線１１０の他に、
下側遮光膜を形成する場合も同様である。
【０１９２】
このことによっても、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０が位置精度悪く貼り合わさ
れたとしても、各画素の光透過領域への食み出し領域が本実施の形態よりも小さい島状の
ＢＭ１２５により、電気光学装置の表示領域における各画素の開口率のばらつきを低減さ
せ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐことができる。
【０１９３】
また、平面視した状態で、ＢＭ１２５及び下側遮光膜が、第１のＬＤＤ領域１ｃ、チャ
ネル領域１ａ、コンタクトホール８１０の延在部位８１０ｂに加え、第２のＬＤＤ領域１
ｂに入射する光を、図１３〜図１５に示す変形例よりも広い面積で確実に遮光することに
より、ＴＦＴ基板１０の半導体層１における第１のＬＤＤ領域１ｃに光が入射してしまい
、ＴＦＴ３０におけるリーク電流が発生するとともに、表示不良が発生してしまうことを
、図１３〜図１５の構成よりも確実に抑制することができる構成を有する電気光学装置を
提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１９４】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置
は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマ
トリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄
膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液
晶表示モジュールであっても構わない。
【０１９５】
さらに、上述した第１〜第３実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に
挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、
有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマ
ディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥ
Ｄ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓ
ｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウ
ン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置
に適用できる。
【０１９６】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ
（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として
単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジス
タを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電
極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１９７】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイ
ス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対
の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わ
ない。
【０１９８】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的に
は、プロジェクタが挙げられる。図９は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタ
の構成を示す図である。
【０１９９】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライ
トバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。
【０２００】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１
０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー
１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応
するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。
【０２０１】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレー
レンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれ
る。
【０２０２】
そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対
応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ
１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【図面の簡単な説明】
【０２０３】
【図１】本実施の形態を示す液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】図１のＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの一部と、対向基板のＢＭの配置位置とを示す部分平面図。
【図４】図３の対向基板のＢＭが、交差領域においてＸ方向及びＹ方向にずれて配置された状態をＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの一部とともに示す部分平面図。
【図５】図３のＢＭの凸部の幅を、走査線の線幅よりも幅広に形成した変形例をＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの一部とともに示す部分平面図。
【図６】図３のＢＭの本体部の幅を、データ線及び容量線の線幅よりも幅広に形成した変形例をＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの一部とともに示す部分平面図。
【図７】第２実施の形態を示す液晶装置において、ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの一部と、対向基板のＢＭの配置位置を示す部分平面図。
【図８】図７のＢＭのＸ方向の幅を、データ線及び容量線の線幅よりも幅広に形成した変形例をＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの一部とともに示す部分平面図。
【図９】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【図１０】第３実施の形態を示す液晶装置において、ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板のＢＭの配置位置を示す部分平面図。
【図１１】第３実施の形態を示す液晶装置のＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの上層側の一部を示す部分平面図。
【図１２】図１０、図１１を重ね合わせた場合におけるＴＦＴ基板の図１０、図１１中のXII-XII線に沿う部分断面図。
【図１３】ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板の図１０とは異なる形状のＢＭの配置位置とを示す部分平面図。
【図１４】ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板の図１０及び図１３とは異なる形状のＢＭの配置位置とを示す部分平面図。
【図１５】ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板の図１０及び図１３、図１４とは異なる形状のＢＭの配置位置とを示す部分平面図。
【図１６】ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板の図１０及び図１３〜図１５とは異なる形状のＢＭの配置位置とを示す部分平面図。
【図１７】ＴＦＴ基板に積層された成膜パターンの下層側の一部と、対向基板の図１０及び図１３〜図１６とは異なる形状のＢＭの配置位置とを示す部分平面図。
【符号の説明】
【０２０４】
１…半導体層、１ａ…チャネル領域、１ｂ…第２のＬＤＤ領域、１ｃ…第１のＬＤＤ領
域、１ｄ…第２のソースドレイン領域、１ｅ…第１のソースドレイン領域、３ａ…ゲート
電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１１ａ…走査線、１０…ＴＦＴ基板、２０…対
向基板、２５…ＢＭ、２５ｔ…凸部、３０…ＴＦＴ、５０…液晶、８０…交差領域、１０
０…液晶装置、１１０…走査線、１１０ｙ１…突出部、１１０ｙ２…突出部、１１３ａ…
ゲート電極、１２５…ＢＭ、１２５ａ…突出部、１２５ｂ…突出部、１８０…交差領域、
１８３…コンタクトホール、２５０…ＢＭ、４００…容量線、８１０…コンタクトホール
、８１０ａ…延在部材、８１０ｂ…延在部材、１１００…プロジェクタ、Ｈ１…ＢＭの凸
部の幅、Ｈ２…走査線の線幅、Ｈ３…データ線の線幅、Ｈ４…容量線の線幅、Ｈ５…十字
状のＢＭ本体部の幅、Ｈ６…矩形状のＢＭの幅。
【図１】
2008096966.tif 000003
【図２】
2008096966.tif 000004
【図３】
2008096966.tif 000005
【図４】
2008096966.tif 000006
【図５】
2008096966.tif 000007
【図６】
2008096966.tif 000008
【図７】
2008096966.tif 000009
【図８】
2008096966.tif 000010
【図９】
2008096966.tif 000011
【図１０】
2008096966.tif 000012
【図１１】
2008096966.tif 000013
【図１２】
2008096966.tif 000014
【図１３】
2008096966.tif 000015
【図１４】
2008096966.tif 000016
【図１５】
2008096966.tif 000017
【図１６】
2008096966.tif 000018
【図１７】
2008096966.tif 000019