(57)【要約】【課題】例えば、サンプルホルダー回路を構成するサンプリングスイッチに発生する光リール電流、及び該サンプリングスイッチが有する電極間に生じる結合容量を低減する。【解決手段】上側から入射する入射光が半導体層１７２ａに照射されないように遮光膜１７４ａ及び１７４ｂが遮光する。したがって、サンプリングスイッチ７２に光が照射されることによって生じる光リーク電流を低減できる。加えて、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂによれば、横クロストークの一因と考えられるソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄ間に生じる結合容量を低減でき、光リーク電流のみを低減する場合に比べて、より一層横クロストーク等の表示不良の発生を低減できる。【選択図】図１０
2008107434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の表示領域に配設された複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に夫々電気的に接続された複数の画素部と、
画像信号線を介して供給された画像信号をサンプリング信号に応じて前記データ線に供給し、且つ（ｉ）前記画像信号線に電気的に接続されたソース電極、（ｉｉ）前記データ電極に電気的に接続されたドレイン電極、及び（ｉｉｉ）前記サンプリング信号を供給するデータ線駆動回路に接続されたゲート電極を有するサンプリングスイッチを含むサンプルホールド回路と、
前記基板上において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の夫々を互いに隔てる隙間に重なるように前記ゲート電極上に形成されており、且つ導電性を有する遮光部と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記遮光部は、前記基板上に形成された回路部に電源を供給する電源線に電気的に接続されていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記電源線は、前記回路部に供給される電源のうち最も低い電位を有する電源を供給すること
を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記基板上において前記ゲート電極の上層側に形成されており、
前記遮光部は、前記前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成された第１遮光膜、並びに、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上層側に形成された第２遮光膜の少なくとも一方を含んでなること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素部は、画素電極を有しており、
前記一方は、前記画像信号に応じて前記画素電極に供給される電位を保持する保持容量の一部を構成する容量電極と同層に形成されていること
を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記一方は、ＴｉＮ層及びＡｌ層が相互に積層された多層構造を有すること
を特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記基板上において前記ゲート電極の上層側に形成されており、
前記遮光部は、前記前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成された第１遮光膜と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上層側に形成された画素電極と同層に形成された導電膜とを含んでなること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１遮光膜は、前記画像信号に応じて前記画素電極に供給される電位を保持する保持容量の一部を構成する容量電極と同層に形成されていること
を特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１遮光膜は、ＴｉＮ層及びＡｌ層が相互に積層された多層構造を有すること
を特徴とする請求項７又は８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置をライトバルブに用いたプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、複数の画素から構成される表示領域に縦横に配列された多数の走査線およびデータ線、並びにこれらの各交点に対応して多数の画素電極が基板上に設けられている。このような液晶装置は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動によるアクティブマトリクス駆動方式を採用しており、走査線等の配線部に加えて、サンプルホールド回路、プリチャージ回路、走査線駆動回路、データ線駆動回路、検査回路等のＴＦＴを構成要素とする各種の周辺回路がこのような基板上に設けられる。サンプルホールド回路は、例えば、基板上に形成されたＴＦＴ等のスイッチング素子によって構成されたサンプリングスイッチを有している。サンプリングスイッチは、画像信号線を介して供給された画像信号をサンプリング信号に応じて各データ線に供給する。データ線に供給された画像信号は、各画素に形成された画素スイッチング用ＴＦＴのスイッチング動作に応じて画素電極に供給され、表示領域に画像が表示される。
【０００３】
通常、ＴＦＴ等の半導体素子では、チャネル領域を含む半導体層に光が照射されることによって光リーク電流が発生する。仮に、画素に形成された画素スイッチング用ＴＦＴに対する遮光が十分でなく、該ＴＦＴに光が照射された場合、画像信号に応じた所定の電位が画素電極に印加されなくなり、表示不良を発生させてしまう問題点がある。
【０００４】
このような表示不良を低減するために、例えば特許文献１は、プロジェクタのライトバルブに用いられる液晶装置であって、該画素スイッチング用ＴＦＴ或いはサンプルホールド回路が有する複数のサンプリングスイッチ等の半導体素子にＴＦＴアレイ基板側から照射される戻り光を遮光するために、これら素子とＴＦＴアレイ基板との間に遮光膜が形成された液晶装置を開示している。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１９４３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、サンプリングスイッチ等の半導体素子に照射される光は、ＴＦＴアレイ基板側照射される戻り光だけでなく、ＴＦＴアレイ基板の上側である光源側からＴＦＴ等の半導体素子に照射される光もある。このような光によれば、戻り光が照射された場合と同様に、ＴＦＴ等の半導体素子によって構成されるサンプリングスイッチに光リーク電流が発生してしまい、クロストーク等の不具合を生じさせてしまう問題点がある。より具体的には、サンプリングスイッチは、通常、走査線が延びる方向に沿って、ＴＦＴアレイ基板の表示領域の周辺に位置する周辺領域に複数の形成されることが一般的であるため、上述したクロストークは、走査線が延びる方向、即ち水平方向に沿って生じる「横クロストーク」として観察される。特に、プロジェクタのライトバルブに用いられる液晶装置では、光源から強力な光が照射されるため、横クロストーク等の表示不良は戻り光が照射される場合に比べてより顕著に発生すると考えられる。
【０００７】
加えて、表示領域の拡大、或いは、液晶装置のサイズの小型化に対する要請に伴う周辺回路の小型化に応じて、サンプリングスイッチとしてＴＦＴアレイ基板上に形成されたＴＦＴのソース電極及びドレイン電極間に生じる結合容量（カップリング容量）が増大した場合、サンプリングスイッチに電気的に接続されたデータ線の電位変動は、該結合容量の増大に応じて増大し、上述した横クロストークの発生はより一層顕在化する。
【０００８】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、横クロストーク等の表示不良を低減可能な電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の表示領域に配設された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に夫々電気的に接続された複数の画素部と、画像信号線を介して供給された画像信号をサンプリング信号に応じて前記データ線に供給し、且つ（ｉ）前記画像信号線に電気的に接続されたソース電極、（ｉｉ）前記データ線に電気的に接続されたドレイン電極、及び（ｉｉｉ）前記サンプリング信号を供給するデータ線駆動回路に接続されたゲート電極を有するサンプリングスイッチを含むサンプルホールド回路と、前記基板上において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の夫々を互いに隔てる隙間に重なるように前記ゲート電極上に形成されており、且つ導電性を有する遮光部とを備える。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置によれば、その駆動時には、画像信号が画像信号線に供給される。画像信号の供給と並行して、例えばデータ線駆動回路によって、サンプルホールド回路が含むサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。サンプリングスイッチは、例えば、基板上に形成されたＴＦＴ等の半導体素子である。複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線に画像信号が順次供給される。
【００１１】
尚、画像信号は、例えばシリアル−パラレル変換されたＮ個の画像信号として、これら画像信号に対応するＮ本の画像信号線に供給され、データ線群毎に供給されてもよい。このようなＮ個の画像信号は、例えば、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、例えば３相、６相、１２相、２４相、・・・など、複数のパラレルな画像信号に変換されることによって生成される。
【００１２】
このようにデータ線に画像信号が供給されると、各画素部では、例えば、走査線駆動回路から走査線を介して供給される走査信号に応じて画素電極が選択状態となり、スイッチング動作を行うＴＦＴ等の画素スイッチング素子を介して、データ線より画像信号が画素電極に供給される。これにより、電気光学物質の一例である液晶を含む液晶素子は供給された画像信号に基づいて画像表示を行う。
【００１３】
サンプリングスイッチは、画像信号線に電気的に接続されたソース電極、データ線に電気的に接続されたドレイン電極、及びサンプリング信号を供給するデータ線駆動回路に接続されたゲート電極を有している。より具体的には、ソース電極は、ソース電極と一体的に形成される、或いは電気的に接続されている。同様に、ドレイン電極も、ドレイン電極と一体的に形成される、或いはドレイン電極に電気的に接続されている。ソース電極、ゲート電極は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）等の絶縁膜を介してチャネル領域を含む半導体層上に形成されている。
【００１４】
遮光部は、基板上において、ソース電極及びドレイン電極の夫々を互いに隔てる隙間に重なるようにゲート電極上に形成されている。したがって、例えば光源、或いは光源から出射された光を導く光学系が基板上に配置されている場合、遮光部は、ソース電極及びドレイン電極を相互に隔てる隙間を介して、ゲート電極の下層側に位置する半導体層に光が照射されないように、光源或いは光学系から出射された光を遮光できる。したがって、遮光部によれば、サンプリングスイッチに光が照射されることによって該サンプリングスイッチに発生する光リーク電流を低減でき、横クロストーク等の表示不良を低減することが可能である。
【００１５】
加えて、遮光部は、導電性を有しているため、ソース電極及びドレイン電極と遮光部との間で、遮光部及びこれら電極の夫々の電位の差に応じて電界が発生する。このような電界は、ソース電極及びドレイン電極の夫々の電位の差に応じてこれら電極間に生じる結合容量を低減するように作用する。したがって、サンプルホールド回路を含む周辺回路の小型化の要請に伴って、即ち、ＴＦＴ等の半導体素子の小型化に伴ってソース電極及びドレイン電極間の間隔が狭められることによって増大する虞のあるソース電極及びドレイン電極間の結合容量を低減でき、該結合容量を一因として生じる横クロストーク等の表示不良を低減できる。
【００１６】
尚、遮光部は、ソース電極及びドレイン電極を互いに隔てる隙間の少なくとも一部に重なるように形成されていれば、上述した半導体層に対する遮光性向上及び結合容量低減の夫々の効果は相応に得られるが、ソース電極及びドレイン電極を互いに隔てる隙間の全体に重なるように形成されているほうがより好ましい。
【００１７】
このように、本発明に係る電気光学装置によれば、サンプリングスイッチに発生する光リーク電流と、ソース電極及びドレイン電極間に生じる結合容量を低減できるため、横クロストーク等の表示不良を低減することが可能であり、表示品位に優れた電気光学装置を提供することが可能である。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記遮光部は、前記基板上に形成された回路部に電源を供給する電源線に電気的に接続されていてもよい。
【００１９】
この態様によれば、通常、電源線を介して回路部に供給される電源の電位と、ソース電極及びドレイン電極の夫々の電位とは相互に異なる。したがって、遮光部及びこれら電極間に生じる電界が、これら電極間に生じる電界を低減するように作用し、ソース電極及びドレイン電極間に生じる結合容量を低減することが可能である。
【００２０】
この態様では、前記電源線は、前記回路部に供給される電源のうち最も低い電位を有する電源を供給してもよい。
【００２１】
この態様によれば、遮光部と、ソース電極及びドレイン電極との間に生じる電界強度を最大にすることができ、結合容量をより一層低減することが可能である。尚、画素電極に対向するように配置された対向電極に供給された共通電位を遮光部に供給することも考えられるが、対向電極及び遮光部を電気的に接続することによって、対向電極に共通電位を変動させるノイズが乗り易くなるため、共通電位に比べてノイズによる影響が小さい電源のうち最も低い電位を有する電源を遮光部に供給することによって、電気光学装置の表示品位が低下することを避けることが可能である。
【００２２】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記基板上において前記ゲート電極の上層側に形成されており、前記遮光部は、前記前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成された第１遮光膜、並びに、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上層側に形成された第２遮光膜の少なくとも一方を含んでいてもよい。
【００２３】
この態様によれば、遮光部が、第１遮光膜或いは第２遮光膜から構成されている場合、第１遮光膜或いは第２遮光膜の存在によって、半導体層に照射される光を遮光できると共に、第１遮光膜或いは第２遮光膜によって結合容量を低減できる。また、遮光部が、第１遮光膜及び第２遮光膜の両方を含んで構成されている場合には、一枚の遮光膜を設ける場合に比べて、遮光性の向上及び結合容量の低下は大きくなり、上述した横クロストークを低減する効果は一層大きくなる。
【００２４】
この態様では、前記画素部は、画素電極を有しており、前記一方は、前記画像信号に応じて前記画素電極に供給される電位を保持する保持容量の一部を構成する容量電極と同層に形成されていてもよい。
【００２５】
この態様によれば、容量電極を形成する工程と共通の工程を経て一方を形成できるため、横クロストークが低減された電気光学装置を製造するプロセスを簡便にすることが可能である。
【００２６】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記一方は、ＴｉＮ層及びＡｌ層が相互に積層された多層構造を有していてもよい。
【００２７】
この態様によれば、ＡＬ層は、基板上に形成された他の金属膜に比べて電気抵抗が小さいため、例えば、一方が電源線に電気的に接続されている場合には、該電源線に乗るノイズを低減できる。ＴｉＮ層は、光反射率が他の材料を用いた場合に比べて低く、一方によって反射される光を低減する反射防止膜として用いられる。したがって、単に一方が遮光膜として用いられるだけでなく、光反射も低減できるため、基板上に生じる迷光を低減でき、該迷光が照射されることによってサンプリングスイッチに発生する光リーク電流も低減できる。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記基板上において前記ゲート電極の上層側に形成されており、前記遮光部は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成された第１遮光膜と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上層側に形成された画素電極と同層に形成された導電膜とを含んでいてもよい。
【００２９】
この態様によれば、第１遮光膜によって、半導体層に照射される光を遮光できると共に、第１遮光膜及び導電膜によって結合容量を低減できる。したがって、一枚の遮光膜の場合に比べて、結合容量の低下は大きくなり、上述した横クロストークを低減する効果は一層大きくなる。加えて、導電膜をＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極と同層に形成することによって、画素電極を形成する工程と共通の工程を用いて導電膜を形成でき、横クロストークが低減された電気光学装置の製造プロセスを簡便なものにできる。
【００３０】
この態様では、前記第１遮光膜は、前記画像信号に応じて前記画素電極に供給される電位を保持する保持容量の一部を構成する容量電極と同層に形成されていてもよい。
【００３１】
この態様によれば、容量電極を形成する工程と共通の工程を経て一方を形成できるため、横クロストークが低減された電気光学装置を製造するプロセスを簡便にすることが可能である。
【００３２】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１遮光膜は、ＴｉＮ層及びＡｌ層が相互に積層された多層構造を有していてもよい。
【００３３】
この態様によれば、ＡＬ層は、基板上に形成される他の金属膜に比べて電気抵抗が小さいため、例えば、一方が電源線に電気的に接続されている場合には、該電源線に乗るノイズを低減できる。ＴｉＮ層は、光反射率が他の材料を用いた場合に比べて低く、一方によって反射される光を低減する反射防止膜として用いられる。したがって、単に一方が遮光膜として用いられるだけでなく、光反射も低減できるため、基板上に生じる迷光を低減でき、該迷光が照射されることによってサンプリングスイッチに発生する光リーク電流も低減できる。
【００３４】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００３５】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００３６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。本実施形態では、本発明に係る電気光学装置を液晶装置に適用した例を説明する。
【００３８】
＜１：電気光学装置＞
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１乃至図３を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を説明する。図１は、対向基板側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【００３９】
図１及び図２において、液晶装置１は、互いに対向するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を含んで構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明の「表示領域」の一具体例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４０】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域では、データ線駆動回路１０１、外部回路接続端子１０２及び不図示のサンプルホールド回路が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の間には、両基板間の電気的導通を確保するための上下導通端子１０６が配置されている。
【００４１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用ＴＦＴや各種配線等の上に画素電極９ａが、更にその上から配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上の画像表示領域１０ａには、液晶層５０を介して複数の画素電極９ａと対向する対向電極２１が形成されている。即ち、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。対向電極２１上には、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成され、更にその上を配向膜が覆っている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４２】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００４３】
＜１−２：電気光学装置の回路構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の主要な回路構成を説明する。ここに、図３は、液晶装置１の要部の回路構成を示したブロック図である。
【００４４】
図３において、液晶装置１は、画素電極９ａ、走査線１１ａ、データ線６ａ、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、及びサンプルホールド回路７を備えている。
【００４５】
液晶装置１は、例えば石英基板、ガラス基板或いはシリコン基板等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０（ここでは図示せず）とが液晶層を介して対向配置され、画像表示領域１０ａにおいて区画配列された画素電極９ａに印加する電圧を制御し、液晶層にかかる電界を画素毎に変調する構成となっている。これにより、両基板間の透過光量が制御され、画像が階調表示される。液晶装置１はＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、ＴＦＴアレイ基板１０における画素表示領域１０ａには、マトリクス状に配置された複数の画素電極９ａと、互いに交差して配列された複数の走査線１１ａ及びデータ線６ａとが形成され、画素に対応する画素部が構築されている。尚、ここでは図示しないが、各画素電極９ａとデータ線６ａとの間には、走査線１１ａを介して夫々供給される走査信号に応じて導通、非導通が制御される画素スイッチング用ＴＦＴや、画素電極９ａに印加した電圧を維持するための保持容量が形成されている。また、画像表示領域１０ａの周辺領域には、データ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００４６】
データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ５１、論理回路５２、及び位相差補正回路１０８を備えて構成されている。
【００４７】
シフトレジスタ５１は、データ線駆動回路１０１内に入力される所定周期のＸ側クロック信号ＣＬＸ（及びその反転信号ＣＬＸＢ）、シフトレジスタスタート信号ＤＸに基づいて、各段から転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）を順次出力するように構成されている。液晶装置１の動作時において、シフトレジスタ５１には、電源ＶＤＤＸ及び該電源より低電位の電源ＶＳＳＸが供給され、シフトレジスタ５１を構成するトランジスタが駆動される。より具体的には、電源ＶＤＤＸは、シフトレジスタ５１を構成するトランジスタのドレインに供給される電源であり、電源ＶＳＳＸは、シフトレジスタ５１を構成するトランジスタのソースに供給される電源である。尚、電源ＶＳＳＸ及びＶＳＳＹは、電源ＶＤＤＸ及びＶＤＤＹより低電位の電源である。
【００４８】
論理回路５２は、パルス幅制限手段を含み、電源ＶＤＤＸ及びＶＳＳＸによって駆動される。論理回路５２は、シフトレジスタ５１から順次出力される転送信号Ｐｉを、ＮＲＧ信号に応じて信号の鈍りが低減されたイネーブル信号ＥＮＢ１乃至ＥＮＢ４に基づいて整形し、それを基にして最終的にサンプリング回路駆動信号Ｓｉを出力する。
【００４９】
位相差補正回路１０８は、双安定回路を含んでおり、電源ＶＤＤＸ及びＶＳＳＸによって駆動される。位相差補正回路１０８は、反転クロック信号ＣＬＸＢの位相及びクロック信号ＣＬＸの位相間に位相差が生じた場合に、これら信号の位相差を補正する。
【００５０】
サンプルホールド回路７は、複数のサンプリングスイッチ７２を備えて構成されている。サンプルホールド回路７は、画像信号線２１６を介して供給された画像信号ＶＩＤをサンプリング信号Ｓｉに応じてサンプリングし、データ線６ａに供給する。尚、本実施形態では、１本の画像信号線２１６を介して１系統の画像信号ＶＩＤが供給される場合を例にあげているが、シリアル−パラレル変換によって相展開された複数系統の画像信号が同時に供給されてもよい。このようにシリアルな画像信号を変換して得たパラレルな画像信号を同時供給すると、複数のデータ線を一群とするグループ毎にデータ線６ａへの画像信号入力を行うことができ、駆動周波数を抑えることが可能である。
【００５１】
走査線駆動回路１０４は、走査線駆動回路１０４に入力される所定周期のＹ側クロック信号ＣＬＹ、シフトレジスタスタート信号ＤＹに基づいて、各段から走査信号Ｇｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）を順次出力するように構成されており、電源ＶＤＤＹ及びＶＳＳＹによって駆動される。
【００５２】
＜１−３：画素部の原理的構成＞
次に、図４を参照しながら、液晶装置１の画像表示領域１０ａにおける回路構成を詳細に説明する。図４は、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５３】
液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込まれる画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、・・・、ＶＩＤｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５４】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、・・・、ＶＩＤｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５５】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、・・・、ＶＩＤｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５６】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０が付加されている。保持容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に電気的に接続されている。
【００５７】
＜１−４：画素部の具体的な構成＞
次に、図５乃至図８を参照しながら、液晶装置１の画素部の具体的な構成を説明する。図５乃至図７は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。図５及び図６の夫々は、後述する積層構造のうち下層部分（図５）と上層部分(図６)に相当する。図７は、積層構造を拡大した平面図であり、図５及び図６を重ね合わせた平面図である。図８は、図５及び図６を重ね合わせたＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ´線断面図である。尚、図８では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００５８】
図５乃至図８では、上述した画素部の各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、保持容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図５に示され、第４層から第５層が上層部分として図６に示されている。
【００５９】
（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図５のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図５中のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。本実施形態では特に、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａ´に対向する領域を含むように配置された導電膜である。したがって、走査線１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、液晶装置をライトバルブとして用いて複板式のプロジェクタを構築した場合に、他の液晶装置から発せられプリズム等の合成光学系を突き抜けてくる光等の戻り光について、チャネル領域１ａ´を下層側から遮光できる。
【００６０】
（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０を含んで構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有しているほうが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型のＴＦＴであってもよい。
【００６１】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもかまわない。
【００６２】
（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線６ａ及び中継層６００を含んで構成されている。
【００６３】
データ線６ａは、アルミニウム等の金属膜を含む単層或いは多層構造を有する金属膜である。また、データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されていてもよい。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を部分的に覆うように形成されている。このため、チャネル領域１ａ´に近接配置可能なデータ線６ａによって、上層側からの入射光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を遮光できる。データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【００６４】
中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図５に示したように、夫々が分断されるように形成されている。中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００６５】
第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００６６】
（第４層の構成―保持容量等―）
第４層は、保持容量７０を含んで構成されている。保持容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。容量電極３００の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。
【００６７】
容量電極３００及び下部電極７１は、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属のうち少なくとも一種の金属を含む単層或いは多層構造を有する金属膜である。また容量電極３００及び下部電極７１は、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライドこれらを積層したものであってもよい。データ線６ａ上に層間絶縁膜４２を介してＴＦＴ３０に近接して配置された保持容量７０は、上層側からの入射光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を確実に遮光できる。
【００６８】
加えて、図６に示すように、容量電極３００は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、下部電極７１よりも小さい領域に形成されている。即ち、下部電極７１の縁付近において、誘電体膜７５を介して対向する側に容量電極３００が形成されていないので、縁付近における製造不良でショートが生じる可能性や、電界集中により欠陥が生じる可能性を低減できる。
【００６９】
図６に示すように、誘電体膜７５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている。即ち、誘電体膜７５は、開口領域に殆ど形成されていない。よって、誘電体膜７５が、仮に不透明な膜であっても、開口領域における光の透過率を低下させないで済む。従って、誘電体膜７５は、透過率を考慮せず、誘電率が高いシリコン窒化膜等から形成されている。このため更に、誘電体膜７５は、水分や湿気を防ぐための膜としても機能させることが可能となり、耐水性、耐湿性を高めることも可能となる。尚、誘電体膜としては、シリコン窒化膜の他、例えば、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。
【００７０】
（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、第２層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。
【００７１】
画素電極９ａ（図６中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図５及び図６参照）。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる。
【００７２】
画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、容量電極３００の延在部と電気的に接続されている（図８参照）。よって、画素電極９ａの直下の導電膜である容量電極３００の電位は、画素電位となっている。従って、液晶装置１の動作時に、画素電極９ａとその下層の導電膜との間の寄生容量により、画素電位が悪影響を受けることはない。
【００７３】
更に上述したように、容量電極３００の延在部及び中継層６００と、中継層６００及びＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００の延在部を中継して電気的に接続されている。従って、画素電極及びドレイン間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を回避できる。しかも、積層構造及び製造工程の複雑化を招かない。画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。
【００７４】
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図８では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【００７５】
このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【００７６】
以上説明した画素部の構成は、図５及び図６に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置１では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００７７】
＜１−５：サンプリングスイッチの具体的な構成＞
次に、図９乃至図１２を参照しながら、サンプリングスイッチ７２の具体的な構成を説明する。図９は、サンプリングスイッチ７２の平面図である。図１０は、図９のＸ−Ｘ´線断面図である。図１１は、本実施形態に係る液晶装置が備えるサンプリングスイッチの比較例の構成を示す断面図であって、図１０の比較対象となる断面図である。
【００７８】
図９及び図１０において、液晶装置１は、画像信号線２１６に電気的に接続されたソース電極１７２ｓ、データ線６ａに電気的に接続されたドレイン電極１７２ｄ、論理回路５２に電気的に接続されたゲート電極１７２ｇ、及びチャネル領域を含む半導体層１７２ａを有するサンプリングスイッチ７２と、遮光部１７４を構成する遮光膜１７４ａ及び１７４ｂとを備えている。
【００７９】
サンプリングスイッチ７２は、ゲート電極１７２ｇに供給されたサンプリング信号Ｓｉによってオンオフが切り換えられるＴＦＴであり、サンプリング信号Ｓｉの供給に応じて、画像信号ＶＩＤをデータ線６ａに供給する。ＴＦＴアレイ基板１０上において、ソース線の一部として形成されたソース電極１７２ｓと、ドレイン線の一部として形成されたドレイン電極１７２ｄとは、ゲート線の一部であるゲート電極３ａの上層側に設けられている。ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄの夫々は、コンタクトホール１７３ｓ及び１７３ｄの夫々を介して、半導体層１７２ａのソース領域及びドレイン領域の夫々に電気的に接続されている。尚、半導体層１７２ａは、画素毎に形成されたＴＦＴ３０の一部である半導体層１ａと同層に形成されており、半導体層１ａを形成する工程と共通の工程によって形成されている。
【００８０】
図１０において、遮光膜１７４ａは、本発明の「第１導電膜」の一例であり、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄと、ゲート電極３ａとの間に形成されている。より具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるサンプルホールド回路７が配置される領域において、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄは、第１層間絶縁膜４１を構成する絶縁膜４１ａ及び４１ｂのうち上層側に位置する絶縁膜４１ｂ上に形成されており、遮光膜１７４ａは、絶縁膜４１ａ上に形成されている。
【００８１】
遮光膜１７４ｂは、本発明に係る「第２遮光膜」の一例であり、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄ上に形成された第２層間絶縁膜４２上に形成されている。遮光膜１７４ａ及び１７４ｂは、平面的に見てソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄを互いに隔てる隙間に重なるように形成されている。
【００８２】
ここで、図１１に示す液晶装置１の比較例では、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂが形成されていないため、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄを互いに隔てる隙間を介してサンプリングスイッチに入射光が照射されてしまう。したがって、サンプリングスイッチを構成するＴＦＴのチャネル領域を含む半導体層に入射光が照射され、光リーク電流が発生してしまう。
【００８３】
そこで、液晶装置１では、図１０に示すように、図中上側から入射する入射光が半導体層１７２ａに照射されないように遮光膜１７４ａ及び１７４ｂが遮光する。したがって、サンプリングスイッチ７２に光が照射されることによって生じる光リーク電流が低減される。これにより、複数のサンプリングスイッチ７２の夫々の間において、画像信号に対応した電位を変動させる電荷の移動が低減される。遮光膜１７４ａ及び１７４ｂによれば、サンプリングスイッチ７２に生じる光リーク電流を低減できるため、画像表示領域１０ａに画像を表示した際に生じる横クロストーク等の表示不良を低減することが可能である。
【００８４】
また、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂは、導電性を有している。加えて、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂは、電源ＶＤＤＸ、ＶＳＳＸ、ＶＤＤＹ、及びＶＳＳＹから選択された電源をデータ線駆動回路１０１を含む周辺回路に供給する電源線と電気的に接続されている。したがって、電源線を介して供給された電源の電位と、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄの夫々の電位との電位差に応じて、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂと、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄの夫々との間に電界が発生する。このような電界によれば、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄ間に生じる結合容量を低減できる。したがって、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂによれば、横クロストークの一因と考えられるソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄ間に生じる結合容量を低減でき、光リーク電流のみを低減する場合に比べて、より一層横クロストーク等の表示不良の発生を低減できる。
【００８５】
特に、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂによれば、サンプルホールド回路７を含む周辺回路の小型化の要請に伴って増大する虞のあるソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄ間の結合容量を低減できるため、ＴＦＴアレイ基板１０上において画像表示領域１０ａを拡げることができると共に、結合容量を一因として生じる横クロストーク等の表示不良を低減できる。
【００８６】
尚、本実施形態では、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂの両方を備えた液晶装置１を例に挙げたが、液晶装置１は、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂの少なくとも一方を備えていればよい。このような場合でも、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄを互いに隔てる隙間に重なるように遮光膜が形成されていない場合に比べて、光リーク電流及び結合容量の夫々を低減する効果は相応に得られる。
【００８７】
遮光膜１７４ａ及び１７４ｂの両方、或いは、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂの一方は、電源ＶＤＤＸ、ＶＳＳＸ、ＶＤＤＹ及びＶＳＳＹのうち最も低い電源を供給する電源線に電気的に接続されているほうが好ましい。より具体的には、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂの両方、或いは、遮光膜１７４ａ及び１７４ｂの一方は、一般的に電源ＶＤＤＸ及びＶＤＤＹより低い電位である電源ＶＳＳＸ或いはＶＳＳＹの一方の電源を供給する電源線に電気的に接続されているほうがよい。
【００８８】
ここで、画素電極９ａに対向するように配置された対向電極２１に供給された共通電位ＬＣＣ（図３参照）を遮光膜１７４ａ等に供給することも考えられるが、対向電極２１及び遮光膜１７４ａ等を電気的に接続することによって、対向電極２１に共通電位を変動させるノイズが乗り易くなる。したがって、共通電位に比べてノイズによる影響が小さい電源のうち最も低い電位を有する電源ＶＳＳＸ又はＶＳＳＹを遮光膜１７４ａ等に供給することによって、液晶装置１の表示品位が低下することを避けることが可能である。
【００８９】
また、遮光膜１７４ｂは、容量電極３００と同層に形成されているため、容量電極３００を形成する工程と共通の工程によって形成される。したがって、本実施形態に係る液晶装置１によれば、横クロストークが低減された液晶装置１を製造するプロセスを簡便にすることが可能である。
【００９０】
このような遮光膜１７４ｂは、ＴｉＮ層及びＡｌ層が相互に積層された多層構造を有して構成されているほうが好ましい。このような多層構造を有する遮光膜１７４ｂによれば、ＡＬ層は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される他の金属膜に比べて電気抵抗が小さいため、遮光膜１７４ｂに電気的に接続された電源線に乗るノイズを低減できる。また、ＴｉＮ層は、光反射率が他の材料を用いた場合に比べて低いため、遮光膜１７４ｂが単に入射光を遮光するだけでなく、光反射を低減する反射防止膜としても機能する。このような遮光膜１７４ｂによれば、光反射によってＴＦＴアレイ基板１０上に生じる迷光を低減でき、該迷光が照射されることによってサンプリングスイッチ７２に発生する光リーク電流も低減できる。
【００９１】
このように、本実施形態に係る液晶装置によれば、サンプリングスイッチ７２に発生する光リーク電流と、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄ間に生じる結合容量を低減できるため、横クロストーク等の表示不良を低減することが可能であり、表示品位に優れた液晶装置を提供できる。
【００９２】
（変形例）
次に、図１２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の変形例を説明する。図１２は、本実施形態に係る液晶装置１が備えるサンプリングスイッチの変形例の構成を示した断面図である。尚、以下では、上述した液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００９３】
本例に係る液晶装置は、本発明の「遮光部」の一例を構成する遮光膜１７４ａと、透明な導電膜１７４ｃとを備えている。遮光膜１７４ａは、本発明の「第１遮光膜」の一例である。導電膜１７４ｃは、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄの上層側において、これら電極を互いに隔てる隙間に重なるように形成されている。遮光膜１７４ａは、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄを互いに隔てる隙間に重なるように、これら電極とゲート電極１７２ｇとの間に形成されている。したがって、遮光膜１７４ａが、入射光が照射されないように半導体層１７２ａを遮光する。加えて、遮光膜１７４ａ及び導電膜１７４ｃによって、ソース電極１７２ｓ及びドレイン電極１７２ｄ間に生じる結合容量が低減される。このように、遮光膜１７４ａ及び導電膜１７４ｃによれば、画像表示領域１０ａに画像を表示した際に生じる横クロストーク等の表示不良を低減できる。
【００９４】
導電膜１７４ｃは、ＩＴＯからなる透明導電膜である。導電膜１７４ｃは、ＩＴＯからなる画素電極９ａと同層に形成されているため、画素電極９ａを形成する工程と共通の工程によって形成される。したがって、本例に係る液晶装置の構成によれば、横クロストークが低減された液晶装置の製造プロセスを簡便なものにできる。
【００９５】
尚、本例では、遮光膜１７４ａは、第１層間絶縁膜４１の一部である絶縁膜４１ａ上に形成されているが、画素部の保持容量の一部を構成する容量電極が絶縁膜４１ａ上に形成されるように液晶装置が設計されている場合には、該容量電極と共通の工程によって遮光膜１７４ａを形成することもできる。このような遮光膜１７４ａは、容量電極と同一の膜構成を有することになる。より具体的には、遮光膜１７４ａは、ＴｉＮ層及びＡｌ層が互いに積層された積層構造を有していてもよい。このような積層構造によれば、遮光膜１７４ａを光反射防止膜として機能させることができると共に、周辺回路に電源を供給する電源線に遮光膜１７４ａが電気的に接続されている場合には、電源線に乗るノイズを低減することも可能である。
【００９６】
＜２：電子機器＞
次に、図１３を参照しながら、上述した液晶装置が適用された電子機器を説明する。図１３は、本発明に係る電子機器の一例である液晶プロジェクタの構成を示した平面図である。
【００９７】
図１３において、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００９８】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９９】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１００】
このようなプロジェクタ１１００によれば、プロジェクタ１１００の動作時において液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの夫々の画像表示領域に生じる横クロストークが低減されているため、高品位の画像表示が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置を対向基板側から見た平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る電気光学装置の要部の回路構成を示したブロック図である。
【図４】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図５】本実施形態に係る電気光学装置の画素部の平面図（その１）である。
【図６】本実施形態に係る電気光学装置の画素部の平面図（その２）である。
【図７】図５及び図６を重ね合わせた平面図である。
【図８】図５及び図６を重ね合わせたＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ´線断面図である。
【図９】本実施形態に係る電気光学装置が備えるサンプリングスイッチ７２の平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ´線断面図である。
【図１１】本実施形態に係る電気光学装置の比較例が備えるサンプリングスイッチの断面図である。
【図１２】本実施形態に係る電気光学装置の一変形例が備えるサンプリングスイッチの断面図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の一実施形態に係る液晶プロジェクタの構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、７２・・・サンプリングスイッチ、１７４・・・遮光部、１７４ａ，１７４ｂ・・・遮光膜、１７４ｃ・・・導電膜
【図１】
2008107434.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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