(57)【要約】【課題】電源電池の電池電圧を昇圧して負荷に供給する定電流昇圧回路において、電池電圧が高い場合においても正常動作させるとともに、電池電圧が低い場合においては消費電流を節約する。【解決手段】電源電池の電池電圧を昇圧して負荷に供給する定電流昇圧回路１１において、電池電圧が負荷１２の動作電圧に基づいて設定された所定電圧よりも高い場合には、負荷１２にダミー負荷を直列に接続し、電池電圧が所定電圧以下である場合には、ダミー負荷をショートする切替部１８を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源電池の電池電圧を昇圧して負荷に供給する定電流昇圧回路において、
前記電池電圧が前記負荷の動作電圧に基づいて設定された所定電圧よりも高い場合には、前記負荷にダミー負荷を直列に接続し、前記電池電圧が前記所定電圧以下である場合には、前記ダミー負荷をショートする切替部を備えたことを特徴とする定電流昇圧回路。
【請求項２】
前記切替部が、ＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項１記載の定電流昇圧回路。
【請求項３】
前記切替部が、複数の前記ＭＯＳＦＥＴから構成されていることを特徴とする請求項２記載の定電流昇圧回路。
【請求項４】
電源電池の電池電圧を昇圧して負荷に供給する定電流昇圧回路において、
前記電源電池から前記負荷への電圧の供給がスタンバイ状態である場合には、前記負荷に逆バイアスとなるダイオードを直列に接続し、前記電源電池から前記負荷への電圧の供給が行われるとともに、前記電池電圧が前記負荷の動作電圧に基づいて設定された所定電圧よりも高い場合には、前記負荷にダミー負荷を直列に接続し、前記電源電池から前記負荷への電圧の供給が行われるとともに、前記電池電圧が前記所定電圧以下である場合には、前記ダミー負荷をショートする切替部を備えたことを特徴とする定電流昇圧回路。
【請求項５】
前記切替部が、バックゲートを切替可能なＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項４記載の定電流昇圧回路。
【請求項６】
請求項１から５記載の定電流昇圧回路であって、表示部を有する装置のバックライトを前記負荷とする定電流昇圧回路において、
前記切替部が、前記ダミー負荷の接続の切替を前記表示部における表示画面の切替タイミングにおいて行うものであることを特徴とする定電流昇圧回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源電池の電池電圧を昇圧して負荷に供給する定電流昇圧回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器は電池駆動が必須であるが、電池電圧から入力電圧に対し、動作時の負荷の電圧が低くないと正常動作できないため、携帯機器のバックライト用の定電流回路としては通常定電流昇圧回路が使用される。
【０００３】
ここで、チョッパ式定電流昇圧回路は、電池残量が少ない場合には、正常に昇圧動作を行うが、電池残量が十分確保できており負荷側の動作電圧よりも電池電圧の方が高い場合には、昇圧する必要がない。このような場合、上記定電流昇圧回路は、正常に動作することができず、負荷に流れる電流が増大し、負荷が破壊してしまうおそれがある。
【０００４】
そこで、図６に示すように、負荷である発光ダイオード３２に直列にダミー負荷３３を接続することによってダミー負荷の動作電圧Ｖｄ分だけ負荷側の動作電圧を高くして定電流昇圧回路を正常動作させる方法が提案されている。なお、図６における３０は電源電池であり、３１は定電流昇圧回路である。
【特許文献１】特開２００５−１９６５５６号公報
【特許文献２】特開２００２−１０５２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のようにダミー負荷３３を接続するようにした場合、電池残量が少なくなり、電池電圧が低くなった場合には、もはやダミー負荷３３は必要なく、ダミー負荷３３の分だけ無駄に消費電流が流れていることになる。
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑み、電池電圧が高い場合においても正常動作することができるとともに、電池電圧が低い場合においては消費電流を節約することができる定電流昇圧回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の定電流昇圧回路は、電源電池の電池電圧を昇圧して負荷に供給する定電流昇圧回路において、電池電圧が負荷の動作電圧に基づいて設定された所定電圧よりも高い場合には、負荷にダミー負荷を直列に接続し、電池電圧が所定電圧以下である場合には、ダミー負荷をショートする切替部を備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、上記本発明の第１の定電流昇圧回路においては、切替部を、ＭＯＳＦＥＴとすることができる。
【０００９】
また、切替部を、複数のＭＯＳＦＥＴから構成するようにすることができる。
【００１０】
本発明の第２の定電流昇圧回路は、電源電池の電池電圧を昇圧して負荷に供給する定電流昇圧回路において、電源電池から負荷への電圧の供給がスタンバイ状態である場合には、負荷に逆バイアスとなるダイオードを直列に接続し、電源電池から負荷への電圧の供給が行われるとともに、電池電圧が負荷の動作電圧に基づいて設定された所定電圧よりも高い場合には、負荷にダミー負荷を直列に接続し、電源電池から負荷への電圧の供給が行われるとともに、電池電圧が所定電圧以下である場合には、ダミー負荷をショートする切替部を備えたことを特徴とする。
【００１１】
また、上記本発明の第２の定電流昇圧回路においては、切替部を、バックゲートを切替可能なＭＯＳＦＥＴとすることができる。
【００１２】
本発明の第３の定電流昇圧回路は、上記本発明の第１および第２の定電流昇圧回路であって、表示部を有する装置のバックライトを負荷とする定電流昇圧回路において、切替部が、ダミー負荷の接続の切替を表示部における表示画面の切替タイミングにおいて行うものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の第１の定電流昇圧回路によれば、電源電池の電池電圧を昇圧して負荷に供給する定電流昇圧回路において、電池電圧が負荷の動作電圧に基づいて設定された所定電圧よりも高い場合には、負荷にダミー負荷を直列に接続し、電池電圧が所定電圧以下である場合には、ダミー負荷をショートするようにしたので、電池電圧が高い場合には、ダミー負荷を接続することによって負荷全体の動作電圧を高くし、電池電圧よりも負荷全体の動作電圧を高くすることができるため定電流昇圧回路を正常に動作させることができるとともに、電池電圧が低い場合には、ダミー負荷をショートすることによって負荷全体の消費電流を節約することができる。
【００１４】
本発明の第２の定電流昇圧回路によれば、電源電池の電池電圧を昇圧して負荷に供給する定電流昇圧回路において、電源電池から負荷への電圧の供給がスタンバイ状態である場合には、負荷に逆バイアスとなるダイオードを直列に接続し、電源電池から負荷への電圧の供給が行われるとともに、電池電圧が負荷の動作電圧に基づいて設定された所定電圧よりも高い場合には、負荷にダミー負荷を直列に接続し、電源電池から負荷への電圧の供給が行われるとともに、電池電圧が所定電圧以下である場合には、ダミー負荷をショートするようにしたので、スタンバイ状態においてＧＮＤにリーク電流が流れるのを回避することができるとともに、上記と同様の効果を得ることができる。
【００１５】
本発明の第３の定電流昇圧回路によれば、上記本発明の第１および第２の定電流昇圧回路であって、表示部を有する装置のバックライトを負荷とする定電流昇圧回路において、切替部が、ダミー負荷の接続の切替を表示部における表示画面の切替タイミングにおいて行うようにしたので、ダミー負荷の接続の切替によるバックライトの明るさの変化を目立たないようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の定電流昇圧回路の第１の実施形態を用いた発光装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態を用いた発光装置の回路図である。
【００１７】
本発明の第１の実施形態を用いた発光装置は、図１に示すように、電源電池１０と、電源電池１０の電池電圧Ｖｂａｔを昇圧して後述する発光ダイオード１２に電圧を供給する定電流昇圧回路１１と、定電流昇圧回路１１によって昇圧された電圧が供給されて発光する発光ダイオード１２とを備えている。
【００１８】
そして、定電流昇圧回路１１は、図１に示すように、コイル１３と、ダイオード１４と、第１のＭＯＳＦＥＴ１５と、制御部１７と、駆動アンプ１７と、第２のＭＯＳＦＥＴ１８と、電流検出用抵抗１９とを備えている。そして、定電流昇圧回路１１は、電流検出用抵抗１９に流れる電流が一定になるように電池電圧を昇圧するものである。
【００１９】
次に、本発明の第１の実施形態を用いた発光装置の作用について説明する。
【００２０】
まず、定電流昇圧回路１１の動作がスタートすると、電源電池１０から出力された電池電圧が定電流昇圧回路１１により昇圧されて発光ダイオード１２に供給される。
【００２１】
そして、ここで、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔの値と所定の閾値電圧の値とが、図示省略した全体制御部において比較される。なお、ここで閾値電圧とは、定電流昇圧回路１１から電圧の供給を受ける負荷（発光ダイオード１２）の動作電圧に基づいて設定される電圧値であり、ここでは、発光ダイオード１２の動作電圧値Ｖｌｅｄと電流検出用抵抗１９に印加される予め設定された電圧値（電流検出用抵抗１９に予め設定された一定電流値が流れたときの電圧値）とを加算した値が閾値電圧として用いられる。そして、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが閾値電圧よりも高い場合には、全体制御部から定電流昇圧回路１１の制御部１６に制御信号が出力され、制御部１６は上記制御信号に応じて第２のＭＯＳＦＥＴ１８のゲート電圧をオフ（ＧＮＤ）にする。したがって、発光ダイオード１２と電流検出用抵抗１９との間に第２のＭＯＳＦＥＴ１８の寄生ダイオードが直列に接続された状態となる。これにより、電源電池１０から電圧の供給を受ける全体負荷（発光ダイオード１２、ＭＯＳＦＥＴ１８の寄生ダイオードおよび電流検出用抵抗１９）の動作電圧は、上記閾値電圧よりも第２のＭＯＳＦＥＴ１８の寄生ダイオードの動作電圧Ｖｄ分高くなり、電源電池１０の電圧よりも全体負荷の動作電圧の方が高くなるようにすることができ、定電流昇圧回路１１を正常に動作させることができるので、発光ダイオード１２に過剰な電流が流れるのを防止することができる。
【００２２】
一方、電源電池１０から出力された電池電圧が閾値電圧の値以下である場合には、全体制御部は定電流昇圧回路１１の制御部１６に制御信号を出力し、制御部１６は上記制御信号に応じて駆動アンプ１７に第２のＭＯＳＦＥＴ１８のゲート電圧をオンするような制御信号を出力し、駆動アンプ１７は、上記制御信号とＶｂｏｏｓｔの電圧とに基づいて第２のＭＯＳＦＥＴ１８のゲート電圧をＯＮにする。つまり、第２のＭＯＳＦＥＴ１８の寄生ダイオードをショートする。これにより、第２のＭＯＳＦＥＴ１８の寄生ダイオードに流れる電流分だけ消費電流を節約することができる。
【００２３】
なお、上記第１の実施形態の定電流昇圧回路においては、全体負荷の動作電圧を上げるため第２のＭＯＳＦＥＴを設けるようにしたが、必ずしもＭＯＳＦＥＴである必要はなく、たとえば、切替スイッチを設け、電池電圧の大きさに応じてダミー負荷を接続する場合とショートする場合とを切り換えるようにしてもよい。
【００２４】
また、上記第１の実施形態の定電流昇圧回路１１においては、全体負荷の動作電圧を電池電圧よりも高くするためにＭＯＳＦＥＴを１つ設けるようにしたが、１つのＭＯＦＥＴの寄生ダイオードの動作電圧分だけ動作電圧を高くしても電池電圧の方が高くなる場合には、図２に示すように、ＭＯＳＦＥＴを複数設けるようにしてもよい。
【００２５】
そして、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔの値と第１の閾値電圧の値とを比較し、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが第１の閾値電圧よりも高い場合には、定電流昇圧回路１１の制御部１６により、まず、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａおよび第３のＭＯＳＦＥＴ１８７ｂのゲート電圧をオフするにする。したがって、発光ダイオード１２と電流検出用抵抗１９との間に第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードと第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードが直列に接続されることになる。なお、上記第１の閾値電圧とは、発光ダイオード１２の動作電圧と電流検出用抵抗１９に印加される予め設定された電圧値（電流検出用抵抗１９に予め設定された一定電流値が流れたときの電圧値）と第２のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードの動作電圧Ｖｄ２とを加算した値である。これにより、全体負荷の動作電圧は、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードの動作電圧Ｖｄ１および第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードの動作電圧Ｖｄ２の分だけ高くなる。したがって、電池電圧Ｖｂａｔの値よりも全体負荷の電圧値を大きくすることができ、定電流昇圧回路１１を正常に動作させることができるので、発光ダイオード１２に過剰な電流が流れるのを防止することができる。
【００２６】
一方、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔの値と第１の閾値電圧の値とを比較し、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが第１の閾値電圧の値以下である場合には、全体制御部は定電流昇圧回路１１の制御部１６に制御信号を出力し、制御部１６は上記制御信号に応じて第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂのゲート電圧をオンにする。したがって、発光ダイオード１２と電流検出用抵抗１９との間に第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードのみが直列に接続され、第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードはショートされることになる。これにより、第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードに流れる電流分だけ消費電流を節約することができる。
【００２７】
そして、引き続いて電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔの値と第２の閾値電圧の値とを比較し、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが第２の閾値電圧よりも高い場合には、定電流昇圧回路１１の制御部１６により、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａのゲート電圧をオフしたままにするとともに、第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂのゲート電圧をオンしたままにする。なお、上記第２の閾値電圧とは、発光ダイオード１２の動作電圧と電流検出用抵抗１９に印加される予め設定された電圧値（電流検出用抵抗１９に予め設定された一定電流値が流れたときの電圧値）とを加算した値である。
【００２８】
一方、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが第２の閾値電圧の値以下である場合には、定電流昇圧回路１１の制御部１６により、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａと第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂとの両方のゲート電圧をオンにする。これにより、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードと第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードの両方がショートされた状態となる。これにより、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードに流れる電流分だけ消費電流を節約することができる。
【００２９】
次に、本発明の定電流昇圧回路の第２の実施形態を用いた発光装置について説明する。
【００３０】
本発明の第２の実施形態を用いた発光装置は、図３に示すように、電源電池２０と、電源電池２０の電池電圧Ｖｂａｔを昇圧して後述する発光ダイオード２２に電圧を供給する定電流昇圧回路２１と、定電流昇圧回路２１によって昇圧された電圧が供給されて発光する発光ダイオード２２とを備えている。
【００３１】
そして、定電流昇圧回路２１は、図３に示すように、コイル２３と、ダイオード２４と、第１のＭＯＳＦＥＴ２５と、制御部２６と、第２のＭＯＳＦＥＴ２７と、電流検出用抵抗２８とを備えている。そして、定電流昇圧回路１１は、電流検出用抵抗２８に流れる電流が一定になるように電池電圧を昇圧するものである。
【００３２】
また、第３のＭＯＳＦＥＴ２７は、バックゲートを切替可能なＭＯＳＦＥＴであり、図３に示すように、第１のゲートＱ１と、第２のゲートＱ２と、第３のゲートＱ３とを備えている。
【００３３】
次に、本発明の第２の実施形態を用いた発光装置の作用について説明する。
【００３４】
まず、定電流昇圧回路２１の動作がスタンバイ状態であるときには、図示省略した全体制御部から定電流昇圧回路２１の制御部２６に制御信号が出力され、制御部２６は上記制御信号に応じて第３のＭＯＳＦＥＴ２７の第１のゲートＱ１のゲート電圧と第３のゲートＱ３のゲート電圧をオフにするとともに、第２のゲートＱ２のゲート電圧をオンにする。これにより図４Ａに示すように、発光ダイオード２２と電流検出用抵抗２８との間に、第１のゲートＱ１の寄生ダイオードが逆バイアスで接続されることになる。上記のように寄生ダイオードを逆バイアスで接続することによって、定電流昇圧回路１１からＧＮＤへリーク電流が流れるのを回避することができる。
【００３５】
そして、次に、定電流昇圧回路２１が動作を開始したときには、電源電池２０から出力された電池電圧Ｖｂａｔの値と所定の閾値電圧の値とが、図示省略した全体制御部において比較される。なお、閾値電圧としては、発光ダイオード２２の動作電圧値Ｖｌｅｄと電流検出用抵抗２８に印加される予め設定された電圧値（電流検出用抵抗２８に予め設定された一定電流値が流れたときの電圧値）とを加算した値が用いられる。そして、電源電池２０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが閾値電圧よりも高い場合には、全体制御部から定電流昇圧回路２１の制御部２６に制御信号が出力され、制御部２６は上記制御信号に応じて第２のＭＯＳＦＥＴ２７の第１のゲートＱ１のゲート電圧をオンするとともに、第２のゲートＱ２および第３のゲートＱ３のゲート電圧をオフにする。したがって、図４Ｂに示すように、発光ダイオード２２と電流検出用抵抗２８との間に第２のＭＯＳＦＥＴ１８の第２のゲートＱ２の寄生ダイオードが順バイアスで直列に接続された状態となる。これにより、電源電池２０から電圧の供給を受ける全体負荷（発光ダイオード２２、ＭＯＳＦＥＴ２７の第２のゲートＱ２の寄生ダイオードおよび電流検出用抵抗２８）の動作電圧は、上記閾値電圧よりも第２のＭＯＳＦＥＴ１８の第２のゲートＱ２の寄生ダイオードの動作電圧分高くなり、電源電池２０の電圧よりも全体負荷の動作電圧の方が高くなるようにすることができ、定電流昇圧回路２１を正常に動作させることができるので、発光ダイオード２２に過剰な電流が流れるのを防止することができる。
【００３６】
一方、電源電池２０から出力された電池電圧が閾値電圧の値以下である場合には、全体制御部は定電流昇圧回路２１の制御部２６に制御信号を出力し、制御部２６は上記制御信号に応じて第２のＭＯＳＦＥＴ２７の第１のゲートＱ１および第２のゲートＱ３をオンするとともに、第２のゲートＱ２をオフにする。これにより、図４Ｃに示すように、第２のＭＯＳＦＥＴ２７の第３のゲートＱ３の寄生ダイオードがショートされた状態となる。これにより、第３のゲートＱ３の寄生ダイオードに流れる電流分だけ消費電流を節約することができる。
【００３７】
また、上記第１および第２の実施形態の発光装置は、モニタを備えたデジタルカメラなどの撮像装置の上記モニタのバックライトの光源として用いることができる。そして、上記のようにデジタルカメラのモニタのバックライトとして上記実施形態の発光装置を用いるようにした場合には、上記実施形態の発光装置における第２のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧のオンオフの切替は、上記モニタの表示画面の切替タイミングにおいて行うことが望ましい。なお、上記モニタの表示画面の切替タイミングとしては、たとえば、デジタルカメラのフラッシュ充電するためにブラックアウトするタイミングや、レリーズボタンを押したタイミング（ＣＣＤの駆動モードが切り替わるタイミング。たとえば、プレビューモードからＡＦ（auto focus）モードに切り替わるタイミング）や、再生モードから撮影モードに切り替わるタイミングや、プレビュー画面からメニュー画面に切り替わるタイミングや、垂直ブランキングの切替タイミングなどがあるが、要は、表示画面が第１の状態から第２の状態に切り替わるタイミングであって、発光装置の発光ダイオードの明るさが多少変化しても問題のないタイミングであれば如何なるタイミングでもよい。
【００３８】
ここで、図２に示す発光装置をデジタルカメラのモニタの光源として用いた場合における上記発光装置の第２のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧のオンオフの切替方法について、図５のフローチャートを用いて説明する。
【００３９】
まず、定電流昇圧回路１１による定電流昇圧がスタートし（Ｓ１）、図示省略した全体制御部により電源電池１０の電池電圧Ｖｂａｔがチェックされる（Ｓ２）。そして、全体制御部は、電池電圧Ｖｂａｔの値と第１の閾値電圧の値とを比較し（Ｓ３）、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが第１の閾値電圧よりも高い場合には（Ｓ３：Ｙｅｓ）、定電流昇圧回路１１の制御部１６により、まず、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａおよび第３のＭＯＳＦＥＴ１８７ｂのゲート電圧をオフするにする。したがって、発光ダイオード１２と電流検出用抵抗１９との間に第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードと第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードが直列に接続されることになる。なお、上記第１の閾値電圧とは、発光ダイオード１２の動作電圧と電流検出用抵抗１９に印加される予め設定された電圧値（電流検出用抵抗１９に予め設定された一定電流値が流れたときの電圧値）と第２のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードの動作電圧Ｖｄ２とを加算した値である。これにより、全体負荷の動作電圧は、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードの動作電圧Ｖｄ１および第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードの動作電圧Ｖｄ２の分だけ高くなる。
【００４０】
一方、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔの値と第１の閾値電圧の値とを比較し（Ｓ３）、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが第１の閾値電圧の値以下である場合には（Ｓ３：Ｎｏ）、全体制御部は、デジタルカメラのモニタの画面の切替タイミングであるか否を確認する（Ｓ４）。そして、デジタルカメラのモニタの画面の切替タイミングである場合には（Ｓ４：Ｙｓｅｓ）、定電流昇圧回路１１の制御部１６に制御信号を出力し、制御部１６は上記制御信号に応じて第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂのゲート電圧をオンにする（Ｓ５）。したがって、発光ダイオード１２と電流検出用抵抗１９との間に第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードのみが直列に接続され、第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードはショートされることになる。これにより、第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードに流れる電流分だけ消費電流を節約することができる。
【００４１】
そして、引き続いて全体制御部は、電源電池１０の電池電圧をチェックし（Ｓ６）、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔの値と第２の閾値電圧の値とを比較し（Ｓ７）、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが第２の閾値電圧よりも高い場合には（Ｓ７：Ｙｅｓ）、定電流昇圧回路１１の制御部１６により、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａのゲート電圧をオフしたままにするとともに、第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂのゲート電圧をオンしたままにする。なお、上記第２の閾値電圧とは、発光ダイオード１２の動作電圧と電流検出用抵抗１９に印加される予め設定された電圧値（電流検出用抵抗１９に予め設定された一定電流値が流れたときの電圧値）とを加算した値である。
【００４２】
一方、電源電池１０から出力された電池電圧Ｖｂａｔが第２の閾値電圧の値以下である場合には（Ｓ７：Ｎｏ）、全体制御部は、デジタルカメラのモニタの画面の切替タイミングであるか否を確認する（Ｓ８）。そして、デジタルカメラのモニタの画面の切替タイミングである場合には（Ｓ８：Ｙｓｅｓ）、定電流昇圧回路１１の制御部１６により、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａと第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂとの両方のゲート電圧をオンにする（Ｓ９）。これにより、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードと第３のＭＯＳＦＥＴ１８ｂの寄生ダイオードの両方がショートされた状態となる。これにより、第２のＭＯＳＦＥＴ１８ａの寄生ダイオードに流れる電流分だけ消費電流を節約することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の定電流昇圧回路の第１の実施形態を用いた発光装置の概略構成図
【図２】本発明の定電流昇圧回路の第１の実施形態の変形例を用いた発光装置の概略構成図
【図３】本発明の定電流昇圧回路の第２の実施形態を用いた発光装置の概略構成図
【図４Ａ】本発明の定電流昇圧回路の第２の実施形態を用いた発光装置の動作を説明するための図
【図４Ｂ】本発明の定電流昇圧回路の第２の実施形態を用いた発光装置の動作を説明するための図
【図４Ｃ】本発明の定電流昇圧回路の第２の実施形態を用いた発光装置の動作を説明するための図
【図５】本発明の第１の実施形態を用いた発光装置をデジタルカメラのモニタの光源として用いた場合における上記発光装置の動作を説明するためのフローチャート
【図６】従来の定電流昇圧回路を用いた発光装置の概略構成図
【符号の説明】
【００４４】
１０，２０，３０  電源電池
１１，２１，３１  定電流昇圧回路
１２，２２，３２  発光ダイオード
１３，２３  コイル
１４，２４  ダイオード
１５，２５  第１のＭＯＳＦＥＴ
１６，２６  制御部
１７  駆動アンプ
１８，１８ａ，２７  第２のＭＯＳＦＥＴ
１８ｂ  第３のＭＯＳＦＥＴ
１９，２８  電流検出用抵抗
３３  ダミー負荷
【図１】
2008187816.tif 000003
【図２】
2008187816.tif 000004
【図３】
2008187816.tif 000005
【図４Ａ】
2008187816.tif 000006
【図４Ｂ】
2008187816.tif 000007
【図４Ｃ】
2008187816.tif 000008
【図５】
2008187816.tif 000009
【図６】
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