(57)【要約】【課題】パルスレーザ光線を照射している加工中にパルスレーザ光線照射の不具合の発生を認識でき、適正な処置を採ることができるレーザ加工装置を提供する。【解決手段】パルス信号出力部１０２によるパルス信号の出力タイミング時にレーザ光線発振部５２３の発振で実際にパルスレーザ光線を照射されているか否か、および、設定されたパルス数に基づく出力タイミング時にパルス信号出力部１０２が設定通りにレーザ光線発振部５２３に対してパルス信号を出力しているか否かをそれぞれ第一の判定部１０７と第二の判定部１０８とで監視することで、パルスレーザ光線を照射している加工中にパルスレーザ光線照射の不具合があったときには不具合の発生を認識し、かつ、その不具合の原因がレーザ光線照射手段５２側にあるのか、パルス信号出力部１０２を含む制御部１０側にあるのかを認識できるようにした。【選択図】        図２
2008018464.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段と、該レーザ光線照射手段を制御する制御部と、前記チャックテーブルと前記レーザ光線照射手段とを加工送り方向であるＸ軸方向に相対的に加工送りしＸ軸座標値を出力する加工送り手段と、前記チャックテーブルと前記レーザ光線照射手段とを割り出し送り方向であるＹ軸方向に相対的に割り出し送りしＹ軸座標値を出力する割り出し送り手段と、を備えるレーザ加工装置であって、
前記レーザ光線照射手段は、
レーザ光線発振部と、
該レーザ光線発振部が発振したパルスレーザ光線を被加工物に照射する照射部と、
を含み、
前記制御部は、
パルス数を設定するパルス数設定部と、
該パルス数設定部で設定されたパルス数に従って前記パルス光線発振部にパルス信号を出力するパルス信号出力部と、
該パルス信号出力部が出力するパルス信号を検出するパルス信号検出部と、
前記レーザ光線発振部が発振したパルスレーザ光線の一部を分岐してフォトディテクタで受光しパルスレーザ光線を検出するパルスレーザ光線検出部と、
前記パルス信号検出部で検出したタイミングと前記パルスレーザ光線検出部で検出したタイミングとを比較して一致しているか否かを判定し一致していないときに異常信号を出力する第一の判定部と、
前記パルス数設定部に設定されている値に基づくタイミングと前記パルス信号検出部で検出したタイミングとを比較して一致しているか否かを判定し一致していないときに異常信号を出力する第二の判定部と、
を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記レーザ光線発振部が発振したパルスレーザ光線の一部を分岐してフォトディテクタで受光しパルスレーザ光線の出力を検出して所定範囲内の出力であるか否かを判定し所定範囲内の出力でないときに異常信号を出力する出力判定部を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記加工送り手段がＸ座標値出力部から出力するＸ軸座標値と、前記割り出し送り手段がＹ座標値出力部から出力するＹ軸座標値と、前記第一の判定部が出力する異常信号と、前記第二の判定部が出力する異常信号と、前記出力判定部が出力する異常信号と、を照合して異常信号が出力された被加工物のＸ座標値およびＹ座標値を記憶する座標記憶部を備えることを特徴とする請求項２に記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物にパルスレーザ光線を照射して被加工物に加工を施すレーザ加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ，ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザ加工装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話機、パソコン等の電子機器に利用される。
【０００３】
ここで、電子機器の軽量化、小型化を可能にするためにウエーハの厚みは１００μｍ〜５０μｍ程度に薄く加工されるとともに、デバイスのボンディングパッドの裏面にビアホール（貫通孔）を穿設してデバイスを積層する技術が実用に供されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に示される技術は、微細なビアホールをドリルによって形成するものであり、生産性が悪いという欠点がある。そこで、レーザ加工装置によってデバイスのボンディングパッドの裏面にビアホールを穿設する技術が案出され、本出願人により特願２００５−０６４８６７として特許出願されている。
【０００４】
また、レーザ加工装置としては、ビアホールの穿設以外にも、例えばレーザ光線をウエーハの分割予定ラインに照射して分割予定ラインに積層された低誘電率絶縁体膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）等を除去したり、または分割溝を形成したり、さらにはウエーハに対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射して分割予定ラインの内部に変質層を形成するようにしたレーザ加工装置もある（例えば、特許文献２〜４等参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６３３２３号公報
【特許文献２】特開２００３−３２０４６６号公報
【特許文献３】特開平６−１２０３３４号公報
【特許文献４】特開２００２−１９２３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、レーザ光線を照射してビアホールを穿設する場合、レーザ光線を照射する位置がＸＹ軸座標値で管理され所定数のパルスレーザ光線を照射させるにも関わらず、レーザ光線が十分に照射されずビアホールとして機能しない部分が存在するという問題がある。
【０００７】
また、レーザ光線照射により低誘電率絶縁体膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）等を除去したり、分割溝や変質層を形成する場合においても、パルスレーザ光線が連続的に照射されず低誘電率絶縁体膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）等が適正に除去されなかったり、分割溝または変質層が断続的に形成されてしまいウエーハを適正に分割できないという問題がある。
【０００８】
かかる問題は、レーザ光線照射手段が設定されているパルス数のパルスレーザ光線を実際に照射しなかった場合や、１パルス当りのパルスレーザ光線のエネルギーが不均一である場合に生ずるが、従来にあっては、加工済みのウエーハを検証することでレーザ加工装置の不具合を認識しているため、ウエーハを犠牲にしてしまい不経済である。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、パルスレーザ光線を照射している加工中にパルスレーザ光線照射の不具合の発生を認識でき、適正な処置を採ることができるレーザ加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るレーザ加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段と、該レーザ光線照射手段を制御する制御部と、前記チャックテーブルと前記レーザ光線照射手段とを加工送り方向であるＸ軸方向に相対的に加工送りしＸ軸座標値を出力する加工送り手段と、前記チャックテーブルと前記レーザ光線照射手段とを割り出し送り方向であるＹ軸方向に相対的に割り出し送りしＹ軸座標値を出力する割り出し送り手段と、を備えるレーザ加工装置であって、前記レーザ光線照射手段は、レーザ光線発振部と、該レーザ光線発振部が発振したパルスレーザ光線を被加工物に照射する照射部と、を含み、前記制御部は、パルス数を設定するパルス数設定部と、該パルス数設定部で設定されたパルス数に従って前記パルス光線発振部にパルス信号を出力するパルス信号出力部と、該パルス信号出力部が出力するパルス信号を検出するパルス信号検出部と、前記レーザ光線発振部が発振したパルスレーザ光線の一部を分岐してフォトディテクタで受光しパルスレーザ光線を検出するパルスレーザ光線検出部と、前記パルス信号検出部で検出したタイミングと前記パルスレーザ光線検出部で検出したタイミングとを比較して一致しているか否かを判定し一致していないときに異常信号を出力する第一の判定部と、前記パルス数設定部に設定されている値に基づくタイミングと前記パルス信号検出部で検出したタイミングとを比較して一致しているか否かを判定し一致していないときに異常信号を出力する第二の判定部と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係るレーザ加工装置は、上記発明において、前記制御部は、前記レーザ光線発振部が発振したパルスレーザ光線の一部を分岐してフォトディテクタで受光しパルスレーザ光線の出力を検出して所定範囲内の出力であるか否かを判定し所定範囲内の出力でないときに異常信号を出力する出力判定部を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係るレーザ加工装置は、上記発明において、前記制御部は、前記加工送り手段がＸ座標値出力部から出力するＸ軸座標値と、前記割り出し送り手段がＹ座標値出力部から出力するＹ軸座標値と、前記第一の判定部が出力する異常信号と、前記第二の判定部が出力する異常信号と、前記出力判定部が出力する異常信号と、を照合して異常信号が出力された被加工物のＸ座標値およびＹ座標値を記憶する座標記憶部を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るレーザ加工装置によれば、パルス信号出力部が出力したパルス信号のタイミングとレーザ光線発振部の発振で実際に出力したパルスレーザ光線の出力タイミングとを比較して適正にパルスレーザ光線が照射されているか否か、および、設定されたパルス数に基づくタイミングとパルス信号出力部が出力したパルス信号のタイミングとを比較してパルス信号出力部が設定通りにレーザ光線発振部に対してパルス信号を出力しているか否かをそれぞれ第一の判定部と第二の判定部とで監視するので、パルスレーザ光線を照射している加工中にパルスレーザ光線照射の不具合があったときには不具合の発生を認識し、かつ、その不具合の原因がレーザ光線照射手段側にあるのか、パルス信号出力部を含む制御部側にあるのかを認識することができ、認識結果に基づき、例えば、不具合が生じた箇所の再加工を行う等の適正な処置を採ることができるという効果を奏する。
【００１４】
また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、実際に照射されるパルスレーザ光線の一部をフォトディテクタでモニタしてパルスエネルギーの強弱が所定範囲内にあるか否か判定するので、パルスレーザ光線照射に所定範囲を超えるような致命的な不具合が生じたときには、以後の加工を中止させることで被加工物の被害を最小限に食い止めることができるという効果を奏する。
【００１５】
また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、パルスレーザ光線照射に不具合が生じたときには、被加工物において不具合が生じた箇所のＸ軸座標値、Ｙ軸座標値が座標記憶部に記憶されるので、不具合が生じた箇所についての再加工を容易に行うことができ、被加工物の損失を回避することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための最良の形態であるレーザ加工装置について図面を参照して説明する。本実施の形態のレーザ加工装置は、ウエーハ上に複数形成されたデバイスのボンディングパッドの裏面に複数回のパルスレーザ光線の照射によりビアホール（貫通孔）を形成するための加工装置への適用例を示す。
【００１７】
図１は、本実施の形態のレーザ加工装置の主要部を示す外観斜視図である。本実施の形態のレーザ加工装置１は、静止基台２と、この静止基台２に加工送り方向であるＸ軸方向に移動可能に配設されて被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２にＸ軸方向と直交する割り出し方向であるＹ軸方向に移動可能に配設されたレーザ光線照射ユニット支持機構４と、このレーザ光線照射ユニット支持機構４にＺ軸方向に移動可能に配設されたレーザ光線照射ユニット５とを備えている。
【００１８】
チャックテーブル機構３は、静止基台２上に加工送り方向であるＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１と、案内レール３１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、この第一の滑動ブロック３２上に割り出し方向であるＹ軸方向に移動可能に配設された第二の滑動ブロック３３と、この第二の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、チャックテーブル３６とを備えている。チャックテーブル３６は、多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を備えており、吸着チャック３６１上に被加工物を吸引手段によって保持するとともに、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転可能とされている。なお、チャックテーブル３６には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
【００１９】
また、第一の滑動ブロック３２は、その下面に一対の案内レール３１と嵌合する一対の被案内溝３２１が設けられているとともに、その上面にＹ軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２が設けられている。このように構成された第一の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１が案内レール３２２に嵌合することにより、一対の案内レール３１に沿ってＸ軸方向に移動可能である。
【００２０】
ここで、本実施の形態のチャックテーブル機構３は、第一の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１に沿ってＸ軸方向に移動させるための加工送り手段３７を備えている。加工送り手段３７は、一対の案内レール３１間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、この雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端がパルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第一の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ孔に螺合され、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１に沿ってＸ軸方向に加工送りされる。
【００２１】
また、加工送り手段３７は、チャックテーブル３６の加工送り量を検出してそのＸ軸座標値を出力する加工送り量検出手段３７４を備えている。加工送り量検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたＸ軸リニアスケール３７４ａと、第一の滑動ブロック３２に配設されて第一の滑動ブロック３２とともにＸ軸リニアスケール３７４ａに沿って移動するＸ軸読取ヘッド３７４ｂと、Ｘ軸読取ヘッド３７４ｂにより読み取られた結果であるＸ軸座標値を後述する制御部に対して出力するＸ座標値出力部３７４ｃ（図２参照）とからなっている。Ｘ軸読取ヘッド３７４ｂは、本実施の形態においては、１μｍ毎に１パルスのパルス信号をＸ座標値出力部３７４ｃに出力する。Ｘ座標値出力部３７４ｃは、パルス信号をカウントすることによりチャックテーブル３６の加工送り量をＸ軸座標値に換算して検出し、制御部に出力する。
【００２２】
また、第二の滑動ブロック３３は、その下面に第一の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１が設けられており、この被案内溝３３１を一対の案内レール３２２に嵌合することによりＹ軸方向に割り出し送り可能とされている。ここで、本実施の形態のチャックテーブル機構３は、第二の滑動ブロック３３を第一の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２に沿ってＹ軸方向に割り出し送りさせるための第一の割り出し送り手段３８を備えている。この第一の割り出し送り手段３８は、一対の案内レール３２２間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、この雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が第一の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端がパルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第二の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ孔に螺合され、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第二の滑動ブロック３３は案内レール３２２に沿ってＹ軸方向に割り出し送りされる。
【００２３】
また、第一の割り出し送り手段３８は、チャックテーブル３６（第二の滑動ブロック３３）の割り出し送り量を検出してそのＹ軸座標値を出力する第一の割り出し送り量検出手段３８３を備えている。第一の割り出し送り量検出手段３８３は、案内レール３２２に沿って配設された第一のＹ軸リニアスケール３８３ａと、第二の滑動ブロック３３に配設されて第二の滑動ブロック３３とともに第一のＹ軸リニアスケール３８３ａに沿って移動する第一のＹ軸読取ヘッド３８３ｂ（図２参照）と、第一のＹ軸読取ヘッド３８３ｂにより読み取られた結果であるＹ軸座標値を後述する制御部に対して出力するＹ座標値出力部３８３ｃ（図２参照）とからなっている。第一のＹ軸読取ヘッド３８３ｂは、本実施の形態においては、１μｍ毎に１パルスのパルス信号をＹ座標値出力部３８３ｃに出力する。
【００２４】
一方、レーザ光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上にＹ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１と、案内レール４１上にＹ軸方向に移動可能に配設された可動支持基台４２とを備えている。可動支持基台４２は、案内レール４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面にＺ軸方向に延びる一対の案内レール４２３が平行に設けられている。本実施の形態のレーザ光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１に沿ってＹ軸方向に割り出し送りさせるための第二の割り出し送り手段４３を備えている。第二の割り出し送り手段４３は、一対の案内レール４１間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、この雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端がパルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ孔に螺合され、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１に沿ってＹ軸方向に割り出し送りされる。
【００２５】
また、レーザ光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２の割り出し送り量を検出してそのＹ軸座標値を出力する第二の割り出し送り量検出手段４３３を備えている。第二の割り出し送り量検出手段４３３は、案内レール４１に沿って配設された第二のＹ軸リニアスケール４３３ａと、可動支持基台４２に配設されて第二のＹ軸リニアスケール４３３ａに沿って移動する第二のＹ軸読取ヘッド４３３ｂと、第二のＹ軸読取ヘッド４３３ｂにより読み取られた結果であるＹ軸座標値を後述する制御部に対して出力するＹ座標値出力部３８３ｃ（図２参照）とからなっている。第二のＹ軸読取ヘッド４３３ｂは、本実施の形態においては、１μｍ毎に１パルスのパルス信号をＹ座標値出力部３８３ｃに出力する。Ｙ座標値出力部３８３ｃは、第一のＹ軸読取ヘッド３８３ｂまたは第二のＹ軸読取ヘッド４３３ｂから出力されるパルス信号をカウントすることによりチャックテーブル３６またはレーザ光線照射ユニット５の割り出し送り量をＹ軸座標値に換算して検出し、制御部に出力する。このため、第一のＹ軸リニアスケール３８３ａと第二のＹ軸リニアスケール４３３とは互いに関連付けられて配設され、第一のＹ軸読取ヘッド３８３ｂおよび第二のＹ軸読取ヘッド４３３ｂから出力される双方のパルス信号に基づき割り出し位置（Ｙ軸座標値）が特定されるように設定されている。
【００２６】
また、レーザ光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、このユニットホルダ５１に取り付けられたレーザ光線照射手段５２とを備えている。ユニットホルダ５１は、装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１が設けられており、この被案内溝５１１を案内レール４２３に嵌合することにより、Ｚ軸方向に移動可能に支持される。
【００２７】
レーザ光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１の先端に装着された照射部５２２からパルスレーザ光線を照射する。また、レーザ光線照射手段５２は、図２中に示すように、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ等のレーザ光線発振部５２３と、レーザ光線発振部５２３が発振したパルスレーザ光線中に含まれるＰ波、Ｓ波の入射角度を調整するための波長板５２４と、波長板５２４を透過して入射角度が調整されたパルスレーザ光線中に含まれるＰ波成分とＳ波成分とを照射部５２２側と後述のフォトディテクタ側とに分岐する偏光ビームスプリッタ５２５とを備え、照射部５２２は、偏向ミラー５２２ａ、集光レンズ５２２ｂ等を備える。
【００２８】
さらに、ケーシング５２１の前端部には、レーザ光線照射手段５２によってレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段６が配設されている。この撮像手段６は、被加工物を照明する照明手段と、この照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２９】
また、レーザ光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３に沿ってＺ軸方向に移動させるための移動手段５３を備えている。移動手段５３は、一対の案内レール４２３間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、この雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３に沿ってＺ軸方向に移動させる。
【００３０】
また、本実施の形態のレーザ加工装置１は、レーザ光線照射手段５２を制御する制御部１０を備えている。図２は、制御部１０の構成例を主体に示すブロック図である。制御部１０は、パルス数設定部１０１とパルス信号出力部１０２とフォトディテクタ１０３とＡ／Ｄ変換部１０４とパルス信号検出部１０５とパルスレーザ光線検出部１０６と第一の判定部１０７と第二の判定部１０８と出力判定部１０９と照合部１１０と座標記憶部１１１とを備えている。
【００３１】
パルス数設定部１０１は、デバイスにパルスレーザ光線を照射してビアホールを形成する上で、個々のビアホールを形成するために照射すべきパルスレーザ光線のパルス数がそのタイミング（繰り返し周波数）とともに予め設定されたものである。パルス信号出力部１０２は、パルス数設定部１０１で設定されたパルス数に従ってレーザ光線発振部５２３に駆動用のパルス信号を出力するためのものである。フォトディテクタ１０３は、偏光ビームスプリッタ５２５で分岐されたパルスレーザ光線の一部（例えば、１％程度）を受光する受光素子である。パルス信号検出部１０５は、パルス信号出力部１０２がレーザ光線発振部５２３に対して実際に出力するパルス信号を検出するためのものである。パルスレーザ光線検出部１０６は、レーザ光線発振部５２３が発振したパルスレーザ光線の一部を偏光ビームスプリッタ５２５で分岐してフォトディテクタ１０３で受光しＡ／Ｄ変換部１０４でＡ／Ｄ変換してなるレーザ光線発振部５２３から実際に照射されたパルスレーザ光線を検出するためのものである。
【００３２】
第一の判定部１０７は、パルス信号検出部１０５でパルス信号を検出したタイミングと、パルスレーザ光線検出部１０６で検出したパルスレーザ光線のタイミングとを比較して一致しているか否かを判定し一致していないときにはレーザ光線照射手段５２側にパルスレーザ光線照射抜けの原因がある旨の異常信号を出力するためのものである。第二の判定部１０８は、パルス数設定部１０１に予め設定されている値に基づくパルス信号のタイミングとパルス信号検出部１０５でパルス信号を検出したタイミングとを比較して一致しているか否かを判定し一致していないときにはパルス信号出力部１０２を含む制御部１０側にパルス信号抜けの原因がある旨の異常信号を出力するためのものである。出力判定部１０９は、フォトディテクタ１０３で受光しＡ／Ｄ変換部１０４でＡ／Ｄ変換されたたパルスレーザ光線の強弱を示す出力値が予め設定された所定の閾値（下限値ＴＨＬ，上限値ＴＨＨ）で規定される所定範囲内にあるか否かを判定し、所定範囲内の出力でないときには照射されたパルスレーザ光線の出力強度に不具合がある旨の異常信号を出力するものである。
【００３３】
また、照合部１１０は、第一の判定部１０７、第二の判定部１０８または出力判定部１０９から異常信号が出力されたとき、その異常信号が出力された時点の加工位置を特定するために、Ｘ座標値出力部３７４ｃから出力されるＸ軸座標値と、Ｙ座標値出力部３８３ｃから出力されるＹ軸座標値を、異常信号の種類とともに座標記憶部１１１に記憶させるものである。
【００３４】
図３は、本実施の形態のレーザ加工装置１に用いられる被加工物２０の構成例を示す平面図である。被加工物２０は、例えば半導体ウエーハであり、その表面２０ａに格子状に配列された複数の分割予定ライン２０１によって複数の領域が区画され、区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ等のデバイス２０２がそれぞれ形成されている。各デバイス２０２は、全て同一構成のものである。また、デバイス２０２の表面にはそれぞれ図４に示すように複数の電極２０３（２０３ａ〜２０３ｊ）が形成されている。なお、本実施の形態では、電極２０３ａ，２０３ｆ、電極２０３ｂ，２０３ｇ、電極２０３ｃ，２０３ｈ、電極２０３ｄ，２０３ｉ、電極２０３ｅ，２０３ｊは、Ｘ軸方向の位置が同一となるように設定されている。これら電極２０３（２０３ａ〜２０３ｊ）部分にそれぞれビアホール（貫通孔）が形成されるものである。
【００３５】
各デバイス２０２における電極２０３（２０３ａ〜２０３ｊ）のＸ軸方向（図４における左右方向）の間隔Ａ、および各デバイス２０２に形成された電極２０３における分割予定ライン２０１を挟んでＸ軸方向に隣接する電極、すなわち電極２０３ｅ，２０３ａの間隔Ｂは、それぞれ同一間隔となるように設定されている。また、各デバイス２０２における電極２０３のＹ軸方向（図４における上下方向）の間隔Ｃ、および各デバイス形成された電極２０３における分割予定ライン２０１を挟んでＹ軸方向に隣接する電極、すなわち電極２０３ｆ，２０３ａの間隔Ｄは、それぞれ同一間隔となるように設定されている。このように構成された半導体ウエーハからなる被加工物２０について、図３中に示す各行Ｅ１，Ｅ２，…，Ｅｎおよび各列Ｆ１，Ｆ２，…，Ｆｎに配設されたデバイス２０２の個数と上記各間隔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、その設計値のデータが図示しない記憶部に格納されている。
【００３６】
このようなレーザ加工装置１において、まず、被加工物２０に形成された各デバイス２０２の電極２０３（２０３ａ〜２０３ｊ）部にレーザ加工によるビアホールの形成の仕方について説明する。
【００３７】
まず、上述のように構成された被加工物２０は、図５に示すように、環状のフレーム２１に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ２２に表面２０ａを上側にして貼着する。環状フレーム２１に保護テープ２２を介して支持された被加工物２０は、図１に示したレーザ加工装置１のチャックテーブル３６上に保護テープ２２を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより被加工物２０は、保護テープ２２を介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。また、フレーム２１は、クランプ３６２によって固定される。
【００３８】
上述したように被加工物２０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段６の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、チャックテーブル３６上の被加工物２０は、図６に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル３６に保持された被加工物２０に形成されている格子状の分割予定ライン２０１がＸ軸方向とＹ軸方向に平行に配設されているか否かのアライメント作業を実施する。すなわち、撮像手段６によってチャックテーブル３６に保持された被加工物２０を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。
【００３９】
次に、チャックテーブル３６を移動して、被加工物２０に形成されたデバイス２０２における最上位の行Ｅ１の図６において最左端のデバイス２０２を撮像手段６の直下に位置付ける。そして、さらにデバイス２０２に形成された電極２０３（２０３ａ〜２０３ｊ）における図６において左上の電極２０３ａを撮像手段６の直下に位置付ける。この状態で撮像手段６が電極２０３ａを検出したら、その座標値（ａ１）を第一の加工送り開始位置座標値として図示しない制御手段に送る。図示しない制御手段は、この座標値（ａ１）を第一の加工送り開始位置座標値として図示しないメモリに格納する。このとき、撮像手段６と照射部５２２は、Ｘ軸方向に所定の間隔をおいて配設されているので、Ｘ軸座標値は撮像手段６と照射部５２２との間隔を加えた値が格納される。
【００４０】
このようにして図６において最上位の行Ｅ１のデバイス２０２における第一の加工送り開始位置座標値（ａ１）を検出したら、チャックテーブル３６を分割予定ライン２０１の間隔でＹ軸方向に割り出し送りするとともに、Ｘ軸方向に移動させて、図６において最上位から２番目の行Ｅ２における最左端のデバイス２０２を撮像手段６の直下に位置付ける。そして、さらにデバイスに形成された電極２０３（２０３ａ〜２０３ｊ）における図６において左上の電極２０３ａを撮像手段６の直下に位置付ける。この状態で撮像手段６が電極２０３ａを検出したら、その座標値（ａ２）を第二の加工送り開始位置座標値として図示しない制御手段に送る。図示しない制御手段は、この座標値（ａ２）を第二の加工送り開始位置座標値として図示しないメモリに格納する。このとき、撮像手段６と照射部５２２は、Ｘ軸方向に所定の間隔をおいて配設されているので、Ｘ軸座標値は撮像手段６と照射部５２２との間隔を加えた値が格納される。
【００４１】
以後、上述した割り出し送りと加工送り開始位置検出処理を図６において最下位の行Ｅｎまで繰り返し実行し、各行に形成されたデバイス２０２の加工送り開始位置座標値（ａ３〜ａｎ）を検出し、図示しないメモリに格納する。
【００４２】
次に、被加工物２０の各デバイス２０２に形成された各電極２０３（２０３ａ〜２０３ｊ）部分にビアホールを穿孔する穿孔工程を実施する。穿孔工程は、まず、加工送り手段３７を作動しチャックテーブル３６を移動して、メモリに格納されている第一の加工送り開始位置座標値（ａ１）を照射部５２２の直下に位置付ける。図７−１は、第一の加工送り開始位置座標値（ａ１）が照射部５２２の直下に位置付けられた状態を示す説明図である。図７−１に示す状態で、レーザ光線照射手段５２を作動し、照射部５２２から１パルス分のパルスレーザ光線を照射するように制御するとともに、チャックテーブル３６を図７−１において矢印Ｘ１で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように加工送り手段３７を制御する。したがって、第一の加工送り開始位置座標値（ａ１）の電極２０３ａ部分に１パルス分のパルスレーザ光線が照射される。このとき、照射部５２２から照射されるパルスレーザ光線の集光点Ｐは、被加工物２０の表面２０ａ付近に合わせる。
【００４３】
一方、図示しない制御手段は、加工送り量検出手段３７４のＸ軸読取ヘッド３７４ｂからの検出信号を入力しており、この検出信号を図示しないカウンタによってカウントしている。そして、カウント値が電極２０３の図４においてＸ軸方向の間隔Ａに相当する値に達したら、レーザ光線照射手段５２を作動し、照射部５２２から１パルスのパルスレーザ光線を照射するように制御する。この後も、図示しない制御手段は、カウンタによるカウント値がＸ軸方向の間隔Ａおよび間隔Ｂに達する度に、レーザ光線照射手段５２を作動し、照射部５２２から１パルスのパルスレーザ光線を照射するように制御する。
【００４４】
そして、図７−２に示すように、被加工物２０のＥ１行の最右端のデバイス２０２に形成された最右端の電極２０３ｊが照射部５２２に達したら、レーザ光線照射手段５２を作動し、照射部５２２から１パルスのパルスレーザ光線を照射するように制御した後、加工送り手段３７の作動を停止してチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、被加工物２０には、図７−２に示すように、各電極２０３（図示せず）部分にビアホール用のレーザ加工孔２０４が形成される。この場合のレーザ加工孔２０４の深さは、加工条件にもよるが、例えば５μｍ程度となる。
【００４５】
次に、図示しない制御手段は、レーザ光線照射手段５２の照射部５２２を図７−２において紙面に垂直な方向（表裏方向）に割り出し送りするように第二の割り出し送り手段４３を制御する。また、該制御手段は、第二の割り出し送り量検出手段４３３の第二のＹ軸読取ヘッド４３３ｂからの検出信号を入力しており、この検出信号を図示しないカウンタによってカウントしている。そして、カウント値が電極２０３のＹ軸方向の間隔Ｃに相当する値に達したら、第二の割り出し送り手段４３の作動を停止し、レーザ光線照射手段５２の割り出し送りを停止する。この結果、照射部５２２は電極２０３ｅと同列の電極２０３ｊの直上に位置付けられる。図８−１は、この位置付け状態を示す説明図である。
【００４６】
図８−１に示す状態で、図示しない制御手段は、レーザ光線照射手段５２を作動し照射部５２２から１パルス分のパルスレーザ光線を照射するように制御するとともに、チャックテーブル３６を図８−１において矢印Ｘ２で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように加工送り手段３７を制御する。そして、該制御手段は、加工送り量検出手段３７４のＸ軸読取ヘッド３７４ｂからの検出信号をカウンタによりカウントし、そのカウント値が電極２０３に関するＸ軸方向の間隔Ａおよび間隔Ｂに達する度に、レーザ光線照射手段５２を作動し照射部５２２から１パルス分のパルスレーザ光線を照射するように制御する。
【００４７】
そして、図８−２に示すように、被加工物２０のＥ１行の最右端に形成された電極２０３ｆが照射部５２２に達したら、レーザ光線照射手段５２を作動し照射部５２２から１パルス分のパルスレーザ光線を照射するように制御した後、加工送り手段３７の作動を停止してチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、被加工物２０には、図８−２に示すように各電極２０３（図８−２には図示せず）部分にレーザ加工孔２０４が形成される。
【００４８】
以上のようにして、被加工物２０のＥ１行のデバイス２０２に形成された電極２０３部分にレーザ加工孔２０４が形成されたら、図示しない制御手段は、加工送り手段３７および第二の割り出し送り手段４３を作動し、被加工物２０のＥ２行のデバイス２０２に形成された電極２０３用にメモリに格納されている第二の加工送り開始位置座標値（ａ２）を照射部５２２の直下に位置付ける。そして、レーザ光線照射に手段５２と加工送り手段３７および第二の割り出し送り手段４３を制御し、被加工物２０のＥ２行のデバイスに形成された電極２０３部分に上述した穿孔工程を実施する。以後、被加工物２０のＥ３〜Ｅｎ行のデバイス２０２に形成された電極２０３部分に対しても上述した穿孔工程を実施する。この結果、被加工物２０の各デバイス２０２に形成された全ての電極２０３部分にレーザ加工孔２０４が形成される。
【００４９】
この際、所定の加工条件によって穿孔工程を実施すると、被加工物２０には例えば深さ５μｍ程度のレーザ加工孔２０４を形成することができる。したがって、被加工物２０の厚さが例えば５０μｍの場合であれば、上述した穿孔工程を１０回繰り返し実施することにより、電極２０３部分にレーザ加工孔２０４によるビアホールを貫通孔として形成することができる。このためには、被加工物２０の厚さと１パルス分のパルスレーザ光線の照射によって被加工物２０に形成できるレーザ加工孔２０４の深さに基づいてビアホールを形成するに必要なパルス数を予め設定しておく必要がある。そして、上述の穿孔工程をカウントし、そのカウント値がビアホールを形成するに必要なパルス数に達するまで穿孔工程を繰り返し実施する。
【００５０】
ここで、上述した穿孔工程に適用される加工条件の一例を以下に例示する。
レーザ光線発振部５２３：ＹＶＯ４またはＹＡＧ
パルスレーザ光線の波長：３５５ｎｍ、５３２ｎｍ、１０６４ｎｍ
出力                  ：０．５Ｗ〜５０Ｗ
繰り返し周波数        ：１ｋＨｚ〜２００ｋＨｚ
集光スポット径        ：直径５μｍ〜直径２００μｍ
加工送り速度          ：１０ｍｍ／ｓ〜１０００ｍｍ／ｓ
ビアホールの間隔Ａ    ：５０μｍ〜１０００μｍ
【００５１】
次に、本実施の形態のレーザ加工装置１におけるレーザ光線照射手段５２の動作を監視して制御する制御部１０の動作について説明する。本実施の形態では、上述したようにパルスレーザ光線の照射によるレーザ加工孔２０４の形成を複数回行ってビアホールを形成するために必要なパルス数がそのタイミングとともにパルス数設定部１０１に予め設定されているものであり、この設定内容に基づいて上述のレーザ加工孔２０４の形成時の動作を監視する。
【００５２】
すなわち、上述したような電極２０３毎にレーザ加工孔２０４を形成するためのパルスレーザ光線の照射は、パルス数設定部１０１に設定された設定内容に従いパルス信号出力部１０２がレーザ光線発振部５２３に対してパルス信号を出力し、レーザ光線発振部５２３がパルスレーザ光線を発振出力することにより実施される。これにより、正常動作時であれば、パルス信号出力部１０２がパルス信号を出力したタイミングでレーザ光線発振部５２３もパルスレーザ光線を発振出力し、該パルスレーザ光線の一部を偏光ビームスプリッタ５２５で分岐してモニタするフォトディテクタ１０３も受光し受光信号をＡ／Ｄ変換部１０４を介してパルスレーザ光線検出部１０６に出力するので、パルスレーザ光線検出部１０６も実際に照射されたパルスレーザ光線を同一タイミングで検出することとなる。
【００５３】
一方、或るレーザ加工孔２０４の形成のためにパルス信号出力部１０２がレーザ光線発振部５２３に対してパルス信号を出力してもレーザ光線照射手段５２に何らかの異常があり、例えば、レーザ光線発振部５２３がパルスレーザ光線を発振出力しなかったときには、モニタ用のフォトディテクタ１０３が該パルスレーザ光線の一部を受光しないため、パルスレーザ光線検出部１０６はパルス信号出力のタイミングでパルスレーザ光線を検出できず、レーザ加工孔２０４形成部分に実際にはパルスレーザ光線が照射されない異常があったこととなる。
【００５４】
そこで、第一の判定部１０７は、パルス信号出力部１０２が出力したパルス信号をパルス信号検出部１０５で検出したタイミング時に、レーザ光線発振部５２３の発振により実際に照射されたパルスレーザ光線をパルスレーザ光線検出部１０６が検出しているか否かを常時監視しており、該タイミングでパルスレーザ光線検出部１０６がパルスレーザ光線を検出できなかったときには、照合部１１０に対して異常信号を出力する。この場合の異常信号は、レーザ光線照射手段５２側にパルスレーザ光線の照射抜けの原因がある旨の異常信号となる。
【００５５】
また、制御部１０内においてもパルス信号出力部１０２に何らかの異常があり、パルス数設定部１０１に予め設定されている値に基づくパルス信号の出力タイミング時に、パルス信号出力部１０２がレーザ光線発振部５２３に対して実際にパルス信号を出力しなかったときには、該タイミングでレーザ光線発振部５２３がパルスレーザ光線を発振出力しないこととなり、レーザ加工孔２０４形成部分に実際にはパルスレーザ光線が照射されない異常があったこととなる。
【００５６】
そこで、第二の判定部１０８は、パルス数設定部１０１に予め設定されたパルス数に基づくパルス信号の出力タイミング時に、パルス信号出力部１０２がレーザ光線発振部５２３に対して実際にパルス信号を出力したか否かをパルス信号検出部１０５の検出結果によって常時監視しており、該タイミングでパルス信号検出部１０５がパルス信号の出力を検出できなかったときには、照合部１１０に対して異常信号を出力する。この場合の異常信号は、パルス信号出力部１０２を含む制御部１０側にパルスレーザ光線の照射抜けの原因がある旨の異常信号となる。
【００５７】
照合部１１０は、第一の判定部１０７または第二の判定部１０８から異常信号が出力された場合には、いずれの場合もパルスレーザ光線を照射しているレーザ加工孔２０４の加工中にパルスレーザ光線の照射抜けなる不具合が発生したことを認識するとともに、異常信号が出力された時点でＸ軸座標値出力部３７４ｃおよびＹ軸座標値出力部３８３ｃから出力されたＸ軸座標値とＹ軸座標値とにより、パルスレーザ光線の照射抜けなる不具合を生じたレーザ加工孔２０４の座標を特定し、該Ｘ軸座標値とＹ軸座標値とを座標記憶部１１１に記憶させる。この際、第一の判定部１０７が異常信号を出力したか第二の判定部１０８が異常信号を出力したかに応じて異常信号の種類も併せて座標記憶部１１１に記憶される。
【００５８】
このように、本実施の形態によれば、パルスレーザ光線を照射しているレーザ加工孔２０４の加工中にパルスレーザ光線の照射抜けなるパルスレーザ光線照射の不具合があったときには不具合の発生を認識し、かつ、その不具合の原因がレーザ光線照射手段５２側にあるのか、パルス信号出力部１０２を含む制御部１０側にあるのかを認識することができる。そして、このようなパルスレーザ光線照射に不具合が生じたときには、被加工物２０において不具合が生じた箇所のＸ軸座標値、Ｙ軸座標値が座標記憶部１１１に記憶されるので、加工位置を不具合が生じたＸ軸座標値、Ｙ軸座標値の箇所（電極２０３部分）に位置付けて不足分のパルスレーザ光線を照射し直す等のレーザ加工孔２０４の再加工を容易に行うことができ、被加工物２０の損失を回避することができることとなる。
【００５９】
ところで、パルス数設定部１０１に設定されたパルス数に基づくパルス信号に対応してレーザ光線照射手段５２によってレーザ加工孔２０４形成用のパルスレーザ光線が実際に被加工物２０に対して照射されている場合であっても、そのパルスレーザ光線のパルスエネルギーの強弱がフォトディテクタ１０３、Ａ／Ｄ変換部１０４を通じてモニタされ、照射されるパルスレーザ光線の強弱が予め設定されて所定範囲内に収まっているか否かが出力判定部１０９によって常時監視される。ここで、或るレーザ加工孔２０４を形成するために照射されたパルスレーザ光線が所定の上限値ＴＨＨを超えるような大きすぎるパルスエネルギーであった場合、出力判定部１０９は照合部１１０に対して出力異常なる旨の異常信号を出力する。逆に、或るレーザ加工孔２０４を形成するために照射されたパルスレーザ光線が所定の下限値ＴＨＬを下回るような小さすぎるパルスエネルギーであった場合も、出力判定部１０９は照合部１１０に対して出力異常なる旨の異常信号を出力する。
【００６０】
照合部１１０は、出力判定部１０９から異常信号が出力された場合には、パルスレーザ光線を照射しているレーザ加工孔２０４の加工中にパルスレーザ光線の出力に異常が発生したことを認識するとともに、異常信号が出力された時点でＸ軸座標値出力部３７４ｃおよびＹ軸座標値出力部３８３ｃから出力されたＸ軸座標値とＹ軸座標値とにより、出力異常なる不具合を生じたレーザ加工孔２０４の座標を特定し、該Ｘ軸座標値とＹ軸座標値とを座標記憶部１１１に記憶させる。この際、出力異常なる異常信号の種類も併せて座標記憶部１１１に記憶される。
【００６１】
このように、本実施の形態によれば、被加工物２０に対して実際に照射されるパルスレーザ光線の一部をフォトディテクタ１０３でモニタして出力判定部１０９でパルスエネルギーの強弱が所定範囲内にあるか否か判定するので、パルスレーザ光線の照射に関する不具合の発生を認識することができる。特に、出力異常は、継続して生ずることが多いので、例えばパルスレーザ光線が所定の上限値ＴＨＨを超えるような大きすぎるパルスエネルギーとなる致命的な不具合が生じたときには、不具合発生時点で、以後のレーザ加工を中止させることで被加工物２０の被害を最小限に食い止めることが可能となる。また、パルスレーザ光線が所定の下限値ＴＨＬを下回るようなパルスエネルギーとなる不具合が生じた場合であれば、パルスレーザ光線の照射抜けの場合と同様に、被加工物２０において不具合が生じた箇所のＸ軸座標値、Ｙ軸座標値が座標記憶部１１１に記憶されるので、不具合が生じた箇所（電極２０３部分）についての不足分のパルスレーザ光線の照射し直し等によるレーザ加工孔２０４の再加工を容易に行うことができ、被加工物２０の損失を回避することができることとなる。
【００６２】
なお、本実施の形態では、デバイス２０の電極２０３部分にパルスレーザ光線を照射することでビアホールを形成するレーザ加工装置１への適用例として説明したが、ビアホール形成用に限らず、被加工物に対してパルスレーザ光線を照射して加工を施す各種レーザ加工装置に適用可能である。例えば、特許文献２等に示されるように、パルスレーザ光線をウエーハの分割予定ラインに照射して分割予定ラインに積層された低誘電率絶縁体膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）等を除去するためのレーザ加工装置であってもよい。低誘電率絶縁体膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）としては、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）、Ｈ含有ポリシロキサン（ＨＳＱ）等の無機物の膜、ポリイミド系、パリレン系、ポリテトラフルオロエチレン系等のポリマー膜である有機物系の膜、およびメチル含有ポリシロキサン等のポーラスシリカ膜を挙げることができる。該レーザ加工装置の場合、低誘電率絶縁体膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）に照射するパルスレーザ光線のパルスエネルギーの強度が所定範囲を超えるような場合には、低誘電率絶縁体膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）に対するダメージが致命的となるので、出力判定部の判定結果により異常信号が生じた場合に、以後の加工を即座に中止させることで被加工物の被害を最小限に食い止めることによるメリットは大きい。
【００６３】
また、特許文献３等に示されるように、パルスレーザ光線をウエーハの分割予定ラインに照射して分割予定ラインに沿って分割溝を形成するレーザ加工装置であってもよい。また、特許文献４等に示されるように、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザ光線を照射して分割予定ラインの内部に変質層を形成するようにしたレーザ加工装置であってもよい。これらのレーザ加工装置の場合、分割溝や変質層が連続するように形成し、または再加工で形成することができ、ウエーハを適正に分割することが可能となる。
【００６４】
また、本実施の形態では、第一の割り出し送り手段３８と第二の割り出し送り手段４３とを備え、チャックテーブル３６とレーザ光線照射ユニット支持機構４（レーザ光線照射手段５２）との双方を割り出し送り方向であるＹ軸方向に移動可能としたが、相対的に割り出し送り可能であればよく、例えば第二の割り出し送り手段４３を省略してレーザ光線照射ユニット支持機構４（レーザ光線照射手段５２）側は静止基台２に対して位置固定的に設け、チャックテーブル３６側のみ第一の割り出し送り手段３８によって割り出し送り可能に構成してもよい。この場合、第二のＹ軸読取ヘッド４３３ｂは省略し、第一のＹ軸読取ヘッド３８３ｂのみを備えればよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本実施の形態のレーザ加工装置の主要部を示す外観斜視図である。
【図２】制御部の構成例を主体に示すブロック図である。
【図３】本実施の形態のレーザ加工装置に用いられる被加工物の構成例を示す平面図である。
【図４】被加工物の一部を拡大して示す平面図である。
【図５】被加工物を環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図である。
【図６】被加工物がチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図である。
【図７−１】レーザ加工装置によって実施する穿孔工程の最初の様子を示す説明図である。
【図７−２】穿孔工程によりレーザ加工孔が形成された様子を示す説明図である。
【図８−１】レーザ加工装置によって実施する穿孔工程の途中の様子を示す説明図である。
【図８−２】穿孔工程によりレーザ加工孔が形成された様子を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０  制御部
２０  被加工物
３６  チャックテーブル
３７  加工送り手段
３８，４３  割り出し送り手段
５２  レーザ光線照射手段
１０１  パルス数設定部
１０２  パルス信号出力部
１０３  フォトディテクタ
１０５  パルス信号検出部
１０６  パルスレーザ光線検出部
１０７  第一の判定部
１０８  第二の判定部
１０９  出力判定部
１１１  座標記憶部
３７４ｃ  Ｘ座標値出力部
３８３ｃ  Ｙ座標値出力部
５２２  照射部
５２３  レーザ光線発振部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図８−１】
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【図８−２】
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