(57)【要約】      （修正有）【課題】減衰回路の追加無く、減衰極周波数を独立に制御する事で、フィルタの減衰特性を改善できる積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサの提供。【解決手段】積層体内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、各第一の共振器が互いに電磁界結合してなる積層型バンドパスフィルタにおいて、各第一の共振器は、インダクタ導体と、接地導体と容量結合の導体とから成り、前記第一の共振器の一方と入力端子又は出力端子とが少なくとも一つのコンデンサを含む回路で接続され、前記各コンデンサを構成する二つの電極における入力端子又は出力端子と接続する側の電極を各々接地導体と対向させ、前記各電極自身が持つ微小なインダクタ成分と、各電極と接地導体との容量結合とによって第二の共振器を構成し、前記第二の共振器の共振周波数を、前記第一の共振器の共振周波数より高域側に設定してなる構成。【選択図】図１
2008278361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層体の内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、それらの第一の共振器が互いに電磁界結合してなるバンドパスフィルタにおいて、
各第一の共振器が、インダクタ導体と、接地導体と容量結合する導体とから成り、
前記第一の共振器の一方と入力端子とが少なくとも一つのコンデンサを含む回路で接続され、
前記第一の共振器の他方と出力端子とが少なくとも一つのコンデンサを含む回路で接続され、
前記各コンデンサを構成する二つの電極における入力端子又は出力端子と接続する側の電極を各々接地導体と対向させ、
前記各電極自身が持つ微小なインダクタ成分と、各電極と接地導体との間の容量結合とによって第二の共振器を構成し、
前記第二の共振器の共振周波数を、前記第一の共振器の共振周波数より高域側に設定した
ことを特徴とする積層型バンドパスフィルタ。
【請求項２】
第一の通過帯域を持つフィルタと、第二の通過帯域を持つフィルタとにより構成されたダイプレクサにおいて、
前記二つのフィルタの内の、何れか一方又は両方が、請求項１に記載のバンドパスフィルタから成る
ことを特徴とする積層型バンドパスフィルタを用いたダイプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波帯域で使用され得る積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の誘電体層を積層して成る共振器を備えたフィルタにおいて、共振器のインダクタ導体としてビアホールを用いる構造は提案されている。
具体的には、特許文献１において、積層される複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を厚み方向に貫通するビアホールによって形成される複数のインダクタと、前記複数の誘電体層間に形成されるコンデンサ電極間に形成される複数のコンデンサとを備え、前記インダクタを前記コンデンサ電極の主面に直交する方向に設け、前記複数のインダクタ及び前記複数のコンデンサをそれぞれ並列接続し、前記複数のインダクタ及び前記複数のコンデンサによって複数のＬＣ共振器を形成し、前記複数のＬＣ共振器の前記複数のインダクタを電磁結合したＬＣフィルタが提案されている。
【０００３】
また、特許文献２において、入力端子および出力端子と、前記入力端子と前記出力端子との間に電気的に接続された少なくとも二つのＬＣ共振器と、前記入力端子と前記ＬＣ共振器との間に電気的に接続された入力側ＬＣトラップ回路と、前記出力端子と前記ＬＣ共振器との間に電気的に接続された出力側ＬＣトラップ回路とを備え、前記入力端子に電気的に接続されたＬＣ共振器を形成するインダクタの一部分が前記入力側ＬＣトラップ回路を形成するインダクタとして共用され、かつ、前記出力端子に電気的に接続されたＬＣ共振器を形成するインダクタの一部分が前記出力側ＬＣトラップ回路を形成するインダクタとして共用されている積層型ＬＣフィルタが提案されている。この特許文献２においても、前記LC共振器及びLCトラップ回路のインダクタを、複数の誘電体層を厚み方向に貫通するビアホールで形成することが開示されている。
【０００４】
図１２は、特許文献２において開示されている積層型ＬＣフィルタの分解斜視図である。
図１２に示すように、積層型ＬＣフィルタ１００は、結合コンデンサ導体１１０を表面に設けた絶縁体シート１０３と、共振器用コンデンサ導体１１１，１１２を表面に設けた絶縁体シート１０４と、ＬＣトラップ用コンデンサ導体１１３，１１４、１１５及び１１６をそれぞれ表面に設けた絶縁体シート１０６及び１０７と、インダクタ用ビアホール１１７ｂ，１１８ｂ、１１７ｅ，１１８ｅをそれぞれ設けた絶縁体シート１０５，１０８と、グランド導体１１９，１２０をそれぞれ表面に設けた絶縁体シート１０２，１０９にて構成されている。
共振器用コイル導体であるインダクタ用ビアホール１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅは、それぞれ絶縁体シート１０２〜１０９の積み重ね方向に連接して実質的にλ／４の長さの共振器用インダクタＬ１０１，Ｌ１０２を構成し、これら共振器用インダクタＬ１０１，Ｌ１０２の軸方向は絶縁体シート１０２〜１０９の表面に対して垂直である。
前記絶縁体シート１０４において、共振器用コンデンサ導体１１１の引出し部１１１ａはシート１０４の左辺に露出し、入力端子に接続され、共振器用コンデンサ導体１１２の引出し部１１２ａはシート１０４の右辺に露出し、出力端子に接続される。
図１１は、図１２に示した積層型ＬＣフィルタ１００の電気等価回路図である。
共振器用インダクタＬ１０１と共振器用コンデンサＣ１０１は並列共振回路を形成し、ＬＣ共振器Ｑ１０１を形成している。共振器用インダクタＬ１０２と共振器用コンデンサＣ１０２は並列共振回路を形成し、ＬＣ共振器Ｑ１０２を形成している。ＬＣ共振器Ｑ１０１，Ｑ１０２は結合コンデンサＣ１０３を介して相互に電気的に接続され、２段のバンドパスフィルタを形成している。また、共振器用インダクタＬ１０１の一部分Ｌ１０１ａとＬＣトラップ用コンデンサＣ１０４とは入力側ＬＣトラップ回路Ｔ１０１を形成している。同様に、共振器用インダクタＬ１０２の一部分Ｌ１０２ａとＬＣトラップ用コンデンサＣ１０５とは出力側ＬＣトラップ回路Ｔ１０２を形成している。
【０００５】
【特許文献１】特許第３１２７７９２号特許公報
【特許文献２】特開２００３−１２４７６９号公開特許公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１及び２に記載のフィルタは、上記したように、共振器のインダクタ導体としてビアホールを用いている。そして、ビアホールの断面積は、ストリップラインの断面積より大きくなるため、導体の損失を低減し、挿入損失値を改善することが可能になる。
しかし、特許文献１におけるフィルタにおいて、二つの共振器を用いてバンドパスフィルタを構成する場合、共振器間の結合が容量性であれば通過帯域の低域側に、磁界性（誘導性）であれば通過帯域の高域側に、一つの減衰極を発生させることはできるが、二つ以上の減衰極を発生させる為には新たに減衰回路を追加しなければならない。即ち、追加回路を形成する為のスペースを確保しなければならないため、小型化の妨げとなるという問題がある。
【０００７】
特許文献２では、新たに減衰回路（トラップ回路）を追加することが提案されている。このトラップ回路では、ＬＣ並列共振回路を形成するインダクタ電極をλ/4共振器を形成するインダクタ電極の一部と共用させ、またＬＣ並列共振回路を形成する為の接続電極を共振器用コンデンサ形成層と同一層に形成することで、導体印刷層を増大させることなくトラップ回路の追加を可能としている。しかしながらこの構成において入出力インピーダンスを調整する為には、入出力端子と共振器に電気的に接続されたトラップ回路の「電気的な接続位置」を調整する必要がある。具体的には図１２における引出し部１１１ａ及び１１２ａの積層方向の位置を調整する必要があり、必ずしも共振器用コンデンサ形成層と同一層に配置させることが最適となる訳ではなく、状況によってはやはり接続電極を印刷する為の層を追加しなければならなくなり、小型化の妨げとなるという問題がある。
本発明は、減衰回路を追加することなく新たに減衰極を発生させることができ、かつ、減衰極の周波数を独立に制御することにより、フィルタの減衰特性を改善することができる積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明による積層型バンドパスフィルタは、積層体の内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、それらの第一の共振器が互いに電磁界結合してなるバンドパスフィルタにおいて、各第一の共振器が、インダクタ導体と、接地導体と容量結合する導体とから成り、前記第一の共振器の一方と入力端子とが少なくとも一つのコンデンサを含む回路で接続され、前記第一の共振器の他方と出力端子とが少なくとも一つのコンデンサを含む回路で接続され、前記各コンデンサを構成する二つの電極における入力端子又は出力端子と接続する側の電極を各々接地導体と対向させ、前記各電極自身が持つ微小なインダクタ成分と、各電極と接地導体との間の容量結合とによって第二の共振器を構成し、前記第二の共振器の共振周波数を、前記第一の共振器の共振周波数より高域側に設定したことを特徴とする。
また、本発明によれば、第一の通過帯域を持つフィルタと、第二の通過帯域を持つフィルタとにより形成されたダイプレクサにおいて、前記二つのフィルタの内の、何れか一方又は両方が、前記バンドパスフィルタから成るダイプレクサが提供され得る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による積層型バンドパスフィルタは、積層体の内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、それらの第一の共振器が互いに電磁界結合してなるバンドパスフィルタにおいて、各第一の共振器が、インダクタ導体と、接地導体と容量結合する導体とから成り、前記第一の共振器の一方と入力端子とが少なくとも一つのコンデンサを含む回路で接続され、前記第一の共振器の他方と出力端子とが少なくとも一つのコンデンサを含む回路で接続され、前記各コンデンサを構成する二つの電極における入力端子又は出力端子と接続する側の電極を各々接地導体と対向させ、前記各電極自身が持つ微小なインダクタ成分と、各電極と接地導体との間の容量結合とによって第二の共振器を構成し、前記第二の共振器の共振周波数を、前記第一の共振器の共振周波数より高域側に設定する。
上記した構成により、共振を生じさせる所望の通過帯域は、第一の共振器を構成する素子により調整され、第一の共振器の共振周波数より高域側の減衰極は、第二の共振器を構成する素子により調整される。
ここで、第二の共振器は、第一の共振器を各々入力端子及び出力端子に接続するためのコンデンサを構成する二つの電極における入力端子又は出力端子と接続する側の電極を各々接地導体と対向させ、前記各電極自身が持つ微小なインダクタ成分と、各電極と接地導体との間の容量結合とによって構成されているので、新たな減衰回路が追加されるわけではなく、バンドパスフィルタの大きさに影響を与えない。
また、第二の共振器の共振周波数は、入出力結合用のコンデンサのコンデンサ容量を一定としたまま、入出力端子と接続した電極の形状を変更することで変えることができるので、バンドパスフィルタとしての通過帯域特性に影響を与えることなく、第二の共振器の共振周波数の調整を行うことができる。即ち、第一の共振器による所望の通過帯域特性と、第二の共振器による減衰極の周波数とを各々独立して調整することができるため、高域側の減衰特性に優れ、かつ、設計の自由度が高いバンドパスフィルタが提供され得る。
さらにまた、第一の通過帯域を持つフィルタと、第二の通過帯域を持つフィルタとを備えたダイプレクサにおいて、前記二つのフィルタの内の、何れか一方又は両方が、前記バンドパスフィルタであることにより、減衰特性に優れたダイプレクサが提供され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面に示した幾つかの実施例を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明のバンドパスフィルタの一実施例の回路構成を概略的に示す図である。
図１に示すように、このバンドパスフィルタは、四つの共振器を備えている。
共振器Ｒ１は、コンデンサＣ１１及び共振素子Ｌ１１，Ｌ１２から成り第一の共振器の一方を構成する。
共振器Ｒ２は、コンデンサＣ２１及び共振素子Ｌ２１，Ｌ２２から成り第一の共振器の他方を構成する。
共振器Ｒ３は、共振器Ｒ１と入力端子ＩＮとの間に接続されたコンデンサＣ１２を形成する一対の電極の入力端子ＩＮ側の電極（共用電極）をグランド電極と対向させることにより形成されるコンデンサＣ１３と、高周波になる程無視できなくなってくる分布定数的な振る舞いによって生じる、前記共用電極自身が持つ微小なインダクタ成分Ｌ１３とから成り、第二の共振器の一方を構成する。
共振器Ｒ４は、共振器Ｒ２と出力端子ＯＵＴとの間に接続されたコンデンサＣ２２を形成する一対の電極の出力端子ＯＵＴ側の電極（共用電極）をグランド電極と対向させることにより形成されるコンデンサＣ２３と、高周波になる程無視できなくなってくる分布定数的な振る舞いによって生じる、前記共用電極自身が持つ微小なインダクタ成分Ｌ２３とから成り、第二の共振器の他方を構成する。  一般に、使用する信号の周波数が高く、即ち波長が短くなればなる程、コンデンサ、インダクタ、グランドなどを構成する電極自身の大きさや形状の影響を考慮しなければならなくなる。例えば誘電率が１５の誘電体層中に形成されたストリップラインの場合、周波数が１０ＧＨｚでの１／４波長は１．９４ｍｍであり、例えば２ｍｍ程度の大きさを持つコンデンサ電極は、コンデンサ電極としてだけでなく、共振電極としても機能することになる。第二の共振器Ｒ３及びＲ４では、こうした高周波特有の現象を利用しており、コンデンサ電極自身が持つ微小なインダクタ成分と、コンデンサ本来の容量成分を用いて、共振器としての効果を得ている。
また無線通信機器に使用される外形サイズがおよそ２．５ｍｍ×２．０ｍｍ以下の小型電子部品、例えばフィルタ部品においては、およそ通過帯域の２倍以上の周波数領域において影響が顕著である。この為本発明は、例えば無線ランで使用される５ＧＨｚバンド用のフィルタ部品において、特にその効果が大きい。
第一の共振器Ｒ１における共振素子Ｌ１１，Ｌ１２の接続点はコンデンサＣ１２を介して入力端子ＩＮに接続され、かつ、コンデンサＣ３１を介して、第二の共振器Ｒ２における共振素子Ｌ２１、Ｌ２２間の接続点にも接続されている。前記共振素子Ｌ２１、Ｌ２２間の接続点は、コンデンサＣ２２を介して出力端子ＯＵＴにも接続されている。
また、第一の共振器Ｒ１における共振素子Ｌ１１及びコンデンサＣ１１は各々接地されている。第二の共振器Ｒ２における共振素子Ｌ２１及びコンデンサＣ２１は各々接地されている。
図１に示す符号Ｍは、共振素子Ｌ１１、Ｌ２１間及び共振素子Ｌ１２、Ｌ２２間の誘導性結合を示し、共振素子間の間隔に応じてその大きさが設定され得る。
上記したように構成されたバンドパスフィルタは、第一の共振器Ｒ１及びＲ２が所望の通過帯域で共振するよう設定され、第二の共振器Ｒ３及びＲ４が第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振して減衰極を発生させるように設定される。
【００１１】
上記した回路構成により、共振を生じさせる所望の通過帯域は、第一共振器Ｒ１及びＲ２を構成する素子により調整され、第一共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側の減衰極は、第二共振器Ｒ３及びＲ４を構成する素子により調整される。
ここで、第二共振器Ｒ３及びＲ４は、第一共振器Ｒ１及びＲ２を各々入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴに接続するためのコンデンサＣ１２及びＣ２２を構成する電極の一方をグランド電極に対向させて配置することにより構成されているので、新たな減衰回路が追加されるわけではなく、バンドパスフィルタの大きさに影響を与えない。
また、第二共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数は、入出力結合用のコンデンサＣ１２及びＣ２２のコンデンサ容量を一定としたまま入出力端子ＩＮ及びＯＵＴと接続した電極の形状を変更することで変えることができるので、バンドパスフィルタとしての通過帯域特性に影響を与えることなく、第二共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数の調整を行うことができる。
即ち、第一共振器Ｒ１及びＲ２による所望の通過帯域特性と、第二共振器Ｒ３及びＲ４による減衰極の周波数とを各々独立して調整することができるため、高域側の減衰特性に優れ、かつ、設計の自由度が高いバンドパスフィルタが提供され得る。
【００１２】
以下に、上記した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの幾つかの具体的実施例を説明していく。
図２は、図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの一実施例の外観の斜視図である。
このバンドパスフィルタは、６枚の誘電体層Ｍ１〜Ｍ６を積層した多層基板で構成され、縦幅約２．０ｍｍ、横幅約２．５ｍｍ、高さ約０．８５ｍｍの寸法を有する。
図２中、符号Ｔ１及びＴ２は接地端子を示し、符号ＩＮは入力端子を、符号ＯＵＴは出力端子を各々示している。
図３は、図２に示すバンドパスフィルタを構成する各誘電体層の概略平面図を、図４は図２に示すバンドパスフィルタの分解斜視図を各々示している。
誘電体層Ｍ１、Ｍ３、Ｍ５及びＭ６は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ２及びＭ４は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。
各誘電体層Ｍ１〜Ｍ６の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ１及びＴ２、入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが形成される。なお、切り欠き凹部を設けずに側面印刷などにより各端子を形成してもよい。
【００１３】
以下、各誘電体層Ｍ１〜Ｍ６の構成について詳細に説明していく。
最も下に位置する誘電体層Ｍ１上には、接地端子Ｔ１及びＴ２に接続されたグランド電極１が形成されている。
第２の誘電体層Ｍ２上には、共振器Ｒ１を形成するコンデンサＣ１１の一方の電極２と、共振器Ｒ２を形成するコンデンサＣ２１の一方の電極３とが各々形成されている。
前記コンデンサＣ１１及びＣ２１における他方の電極は、各々誘電体層Ｍ１におけるグランド電極１の対応する部分２’，３’で形成される。
【００１４】
第３の誘電体層Ｍ３上には、コンデンサＣ１２，Ｃ２２及びＣ３１の一方の電極４，５及び６が形成され、かつ、第４の誘電体層Ｍ４上には、コンデンサＣ１２，Ｃ２２及びＣ３１の他方の電極４’，５’及び６’が形成されている。
これにより、コンデンサＣ１２、Ｃ２２及びＣ３１は直列に接続された構成になる。
第３の誘電体層Ｍ３においてコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極４は、入力端子ＩＮに接続されている。また、同層Ｍ３におけるコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極５は、出力端子ＯＵＴに接続されている。
第５の誘電体層Ｍ５上には、接地端子Ｔ１及びＴ２に接続されたグランド電極７が形成されている。
【００１５】
前記第３の誘電体層Ｍ３に形成されたコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極４は、誘電体層Ｍ１に形成されたグランド電極１と対向している。これにより、電極４とグランド電極１との間の容量結合によりコンデンサＣ１３が形成される。ここで、電極４自身が微小なインダクタ成分Ｌ１３を有しているため、電極４とグランド電極１との間でＬＣ直列共振器Ｒ３が形成されることになる。
前記第３の誘電体層Ｍ３に形成されたコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極５は、誘電体層Ｍ１に形成されたグランド電極１と対向している。これにより、電極５とグランド電極１との間の容量結合によりコンデンサＣ２３が形成される。ここで、電極５自身が微小なインダクタ成分Ｌ２３を有しているため、電極５とグランド電極１との間でＬＣ直列共振器Ｒ４が形成される。
【００１６】
前記誘電体層Ｍ３，Ｍ４及びＭ５には、共振素子を構成するビア導体が形成されている。ここで、ビア導体とは、誘電体層に設けられた貫通孔（ビアホール）の中に柱状の導電性材料を形成するか、又は貫通孔の内壁に沿って導電性材料を設けるかして、誘電体層間を電気的に接続するための導電経路のことをいう。
図３及び図４において、符号８，９は誘電体層Ｍ３に形成されているビア導体を示し、符号１０，１１は誘電体層Ｍ４に形成されているビア導体を示し、符号１２，１３は誘電体層Ｍ５に形成されているビア導体を示す。
誘電体層Ｍ３に形成されているビア導体８は、誘電体層Ｍ３を貫通し、その上端がコンデンサＣ３１を形成する一方の電極６に接続され、その下端がコンデンサＣ１１を形成する一方の電極２に接続されている。
誘電体層Ｍ３に形成されているビア導体９は、誘電体層Ｍ３を貫通し、その下端がコンデンサＣ２１を形成する一方の電極３に接続されている。
誘電体層Ｍ４に形成されているビア導体１０は、誘電体層Ｍ４を貫通し、その上端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４’に接続され、その下端がコンデンサＣ３１を形成する一方の電極６を通して誘電体層Ｍ３のビア導体８に接続されている。
誘電体層Ｍ４に形成されているビア導体１１は、誘電体層Ｍ４を貫通し、その上端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極５’及びコンデンサＣ３１を形成する他方の電極６’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ３のビア導体９に接続されている。
誘電体層Ｍ５に形成されているビア導体１２は、誘電体層Ｍ５を貫通し、その上端がグランド電極７に接続され、その下端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４’を通して誘電体層Ｍ４のビア導体１０に接続されている。
誘電体層Ｍ５に形成されているビア導体１３は、誘電体層Ｍ５を貫通し、その上端がグランド電極７に接続され、その下端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極５’及びコンデンサＣ３１を形成する他方の電極６’を通して誘電体層Ｍ４のビア導体１１に接続されている。
上記した構成により、ビア導体８，１０及び１２とコンデンサＣ１１を形成する電極２で一つの共振素子Ｌ１が形成され、ビア導体９，１１及び１３とコンデンサＣ２１を形成する電極３で一つの共振素子Ｌ２が形成される。
前記二つの共振素子Ｌ１，Ｌ２の軸方向は、誘電体層Ｍ１〜Ｍ６の表面に対して垂直であり、共振素子Ｌ１，Ｌ２に電流が流れると、各共振素子Ｌ１，Ｌ２の周囲に共振素子の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
ビア導体８，１０及び１２とコンデンサＣ１１を形成する電極２で形成される一方の共振素子Ｌ１は、コンデンサＣ１２及びＣ３１を形成する電極４，４’及び６により、ビア導体８及び１０からなる共振素子Ｌ１２の部分と、ビア導体１２からなる共振素子Ｌ１１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
また、ビア導体９，１１及び１３とコンデンサＣ２１を形成する電極３で形成される他方の共振素子Ｌ２は、コンデンサＣ２２及びＣ３１を形成する電極５，５’及び６’により、ビア導体９及び１１からなる共振素子Ｌ２２の部分と、ビア導体１３からなる共振素子Ｌ２１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
【００１７】
上記したように構成された積層型バンドパスフィルタにおいて、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数は、誘電体層Ｍ３，Ｍ４及びＭ５に形成されたビアホール８〜１３によって構成された、インダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、積層型バンドパスフィルタの厚みにより調整され得る。またコンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ２における電極２及び３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ２の厚みを変化させることでも調整され得る。
一方、第二の共振器Ｒ３及びＲ４は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振するように設定され、かつ、コンデンサＣ１３及びインダクタＬ１３を形成する電極４及びコンデンサＣ２３及びインダクタＬ２３を形成する電極５の形状を、各々コンデンサＣ１２及びコンデンサＣ２２のコンデンサ容量に影響を及ぼさないよう変更することにより調整される。
上記したように、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に影響を与えずに独立して調整することが可能である。
【００１８】
図２〜図４に示した実施例において、誘電体層Ｍ１の厚みは０．０６ｍｍ、誘電体層Ｍ２の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ３の厚みは０．０３ｍｍ、誘電体層Ｍ４の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ５の厚みは０．５４９ｍｍ、そして、誘電体層Ｍ６の厚みは０．０３ｍｍである。
図５（ａ）は、減衰極を発生させるための直列共振器を持たない従来の積層型バンドパスフィルタの電気特性を示すグラフであり、図５（ｂ）は、図２〜図４に示した本発明に係る積層型バンドパスフィルタの電気特性を示すグラフである。
図５（ａ）に示すように、従来のバンドパスフィルタでは、８ＧＨｚの周波数帯域にのみ減衰極が発生している。
これに対して、本発明に係る積層型バンドパスフィルタでは、８ＧＨｚの周波数帯域において第一共振器Ｒ１及びＲ２の共振器間結合による減衰極が発生し、かつ、それより高域側の１４ＧＨｚ付近の周波数帯域において第二共振器Ｒ３及びＲ４による減衰極が発生していることが図５（ｂ）から分かる。
【００１９】
次に、図６及び図７を参照して、図１に示す回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第二実施例を説明する。
図６は、図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第二実施例の各誘電体層の概略平面図を、図７は図６に示すバンドパスフィルタの分解斜視図を各々示している。
図面に示すように、この積層型バンドパスフィルタは、７枚の誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７で構成されている。
ここで、誘電体層Ｍ１１、Ｍ１３、Ｍ１６及びＭ１７は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ１２、Ｍ１４及びＭ１５は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。
誘電体層Ｍ１１の厚みは０．０６ｍｍ、誘電体層Ｍ１２の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ１３の厚みは０．０３ｍｍ、誘電体層Ｍ１４の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ１５の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ１６の厚みは、０．５０ｍｍ、そして、誘電体層Ｍ１７の厚みは０．０３ｍｍである。
各誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが形成される。なお、切り欠き凹部を設けずに側面印刷などにより各端子を形成してもよい。
【００２０】
以下、各誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７の構成について詳細に説明していく。
最も下に位置する誘電体層Ｍ１１上には、接地端子Ｔ２１、Ｔ２２及びＴ２３に接続されたグランド電極２１が形成されている。
第２の誘電体層Ｍ１２上には、共振器Ｒ１を形成するコンデンサＣ１１の一方の電極２２と、共振器Ｒ２を形成するコンデンサＣ２１の一方の電極２３とが各々形成されている。
前記コンデンサＣ１１及びＣ２１における他方の電極は、各々誘電体層Ｍ１１におけるグランド電極２１の対応する部分２２’，２３’で形成される。
【００２１】
第３の誘電体層Ｍ１３上には、コンデンサＣ１２及びＣ２２の一方の電極２４及び２５が形成され、かつ、第４の誘電体層Ｍ１４上には、コンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極２４’及び２５’が形成されている。
第３の誘電体層Ｍ１３においてコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極２４は、入力端子ＩＮに接続されている。また、同層Ｍ１３におけるコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極２５は、出力端子ＯＵＴに接続されている。
第５の誘電体層Ｍ１５には、コンデンサＣ３１の一方の電極を形成する電極２６が形成されており、第６の誘電体層Ｍ１６には、接地端子Ｔ２１及びＴ２２に接続されたグランド電極２７が形成されている。
前記コンデンサＣ３１の他方の電極は、誘電体層Ｍ１４に形成されたコンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極２４’及び２５’より形成される。これにより、コンデンサＣ１２、Ｃ２２及びＣ３１は、直列に接続された構成になる。
【００２２】
前記第３の誘電体層Ｍ１３に形成されたコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極２４は、誘電体層Ｍ１１に形成されたグランド電極２１と対向している。これにより、電極２４とグランド電極２１との間の容量結合によりコンデンサＣ１３が形成される。ここで、電極２４自身が微小なインダクタ成分Ｌ１３を有しているため、電極２４とグランド電極２１との間でＬＣ直列共振器Ｒ３が形成されることになる。
前記第３の誘電体層Ｍ１３に形成されたコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極２５は、誘電体層Ｍ１１に形成されたグランド電極２１と対向している。これにより、電極２５とグランド電極２１との間の容量結合によりコンデンサＣ２３が形成される。ここで、電極２５自身が微小なインダクタ成分Ｌ２３を有しているため、電極２５とグランド電極２１との間でＬＣ直列共振器Ｒ４が形成される。
【００２３】
前記誘電体層Ｍ１３，Ｍ１４、Ｍ１５及びＭ１６には、共振素子を形成するビア導体が形成されている。
図６及び図７において、符号２８，２９は誘電体層Ｍ１３に形成されているビア導体を示し、符号３０，３１は誘電体層Ｍ１４に形成されているビア導体を示し、符号３２，３３は誘電体層Ｍ１５に形成されているビア導体を示し、符号３４，３５は誘電体層Ｍ１６に形成されているビア導体を示す。
誘電体層Ｍ１３に形成されているビア導体２８は、誘電体層Ｍ１３を貫通し、その下端がコンデンサＣ１１を形成する一方の電極２２に接続されている。
誘電体層Ｍ１３に形成されているビア導体２９は、誘電体層Ｍ１３を貫通し、その下端がコンデンサＣ２１を形成する一方の電極２３に接続されている。
誘電体層Ｍ１４に形成されているビア導体３０は、誘電体層Ｍ１４を貫通し、その上端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極２４’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１３のビア導体２８に接続されている。
誘電体層Ｍ１４に形成されているビア導体３１は、誘電体層Ｍ１４を貫通し、その上端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極２５’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１３のビア導体２９に接続されている。
誘電体層Ｍ１５に形成されているビア導体３２は、誘電体層Ｍ１５を貫通し、その下端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極２４’を通して誘電体層Ｍ１４のビア導体３０に接続されている。
誘電体層Ｍ１５に形成されているビア導体３３は、誘電体層Ｍ１５を貫通し、その下端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極２５’を通して誘電体層Ｍ１４のビア導体３１に接続されている。
誘電体層Ｍ１６に形成されているビア導体３４は、誘電体層Ｍ１６を貫通し、その上端がグランド電極２７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１５のビア導体３２に接続されている。
誘電体層Ｍ１６に形成されているビア導体３５は、誘電体層Ｍ１６を貫通し、その上端がグランド電極２７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ１５のビア導体３３に接続されている。
上記した構成により、ビア導体２８，３０，３２及び３４とコンデンサＣ１１を形成する一方の電極２２で一つの共振素子Ｌ１が形成され、ビア導体２９，３１，３３及び３５とコンデンサＣ２１を形成する一方の電極２３で一つの共振素子Ｌ２が形成される。
前記二つの共振素子Ｌ１，Ｌ２の軸方向は、誘電体層Ｍ１１〜Ｍ１７の表面に対して垂直であり、共振素子Ｌ１，Ｌ２に電流が流れると、各共振素子Ｌ１，Ｌ２の周囲に共振素子の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
ビア導体２８，３０，３２及び３４とコンデンサＣ１１を形成する一方の電極２２で形成される一方の共振素子Ｌ１は、コンデンサＣ１２及びＣ３１を形成する電極２４，２４’及び２６により、ビア導体２８及び３０からなる共振素子Ｌ１２の部分と、ビア導体３２及び３４からなる共振素子Ｌ１１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
また、ビア導体２９，３１，３３及び３５とコンデンサＣ２１を形成する一方の電極２３で形成される他方の共振素子Ｌ２は、コンデンサＣ２２及びＣ３１を形成する電極２５，２５’及び２６により、ビア導体２９及び３１からなる共振素子Ｌ２２の部分と、ビア導体３３及び３５からなる共振素子Ｌ２１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
【００２４】
上記したように構成された積層型バンドパスフィルタにおいて、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数は、誘電体層Ｍ１３，Ｍ１４，Ｍ１５及びＭ１６に形成されたビアホール２８〜３５によって構成されたインダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、積層型バンドパスフィルタの厚みにより調整され得る。またコンデンサＣ１１及びＣ１２の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ２１の静電容量は、誘電体層Ｍ１２における電極２２及び２３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ１２の厚みを変化させることでも調整され得る。
一方、第二の共振器Ｒ３及びＲ４は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振するように設定され、かつ、コンデンサＣ１３及びインダクタＬ１３を形成する電極２４及びコンデンサＣ２３及びインダクタＬ２３を形成する電極２５の形状を、各々コンデンサＣ１２及びコンデンサＣ２２のコンデンサ容量に影響を及ぼさないよう変更することにより調整される。
上記したように、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に影響を与えずに独立して調整することが可能である。
【００２５】
次に、図８及び図９を参照して、図１に示す回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第三実施例を説明する。
図８は、図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第三実施例の各誘電体層の概略平面図を、図９は図８に示すバンドパスフィルタの分解斜視図を各々示している。
図面に示すように、この積層型バンドパスフィルタは、８枚の誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２８を積層した多層基板で構成され、縦幅約１．２５ｍｍ、横幅約２．０ｍｍ、高さ約０．８ｍｍの寸法を有する。
ここで、誘電体層Ｍ２１、Ｍ２３、Ｍ２７及びＭ２８は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ２２、Ｍ２４、Ｍ２５及びＭ２６は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。
誘電体層Ｍ２１の厚みは０．０６ｍｍ、誘電体層Ｍ２２の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ２３の厚みは０．０３ｍｍ、誘電体層Ｍ２４の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ２５の厚みは０．０１９ｍｍ、誘電体層Ｍ２６の厚みは、０．０３ｍｍ、誘電体層Ｍ２７の厚みは、０．４６ｍｍ、そして、誘電体層Ｍ２８の厚みは０．０３ｍｍである。
各誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２８の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ３１〜Ｔ３４及び入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが形成される。
【００２６】
以下、各誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２８の構成について詳細に説明していく。
最も下に位置する誘電体層Ｍ２１上には、接地端子Ｔ３１〜Ｔ３４に接続されたグランド電極４１が形成されている。
第２の誘電体層Ｍ２２上には、共振器Ｒ１を形成するコンデンサＣ１１の一方の電極４２と、共振器Ｒ２を形成するコンデンサＣ２１の一方の電極４３とが各々形成されている。
前記コンデンサＣ１１及びＣ２１における他方の電極は、各々誘電体層Ｍ２１におけるグランド電極４１の対応する部分４２’，４３’で形成される。
【００２７】
第３の誘電体層Ｍ２３上には、コンデンサＣ１２及びＣ２２の一方の電極４４及び４５が形成され、かつ、第４の誘電体層Ｍ２４上には、コンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極４４’及び４５’が形成されている。
第３の誘電体層Ｍ２３においてコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極４４は、入力端子ＩＮに接続されている。また、同層Ｍ２３におけるコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極４５は、出力端子ＯＵＴに接続されている。
第５の誘電体層Ｍ２５には、コンデンサＣ３１の一方の電極を形成する電極４６が形成されており、第６の誘電体層Ｍ２６には、各々共振素子Ｌ１１及びＬ１２の一部を形成する電極４７及び４８が形成されている。
第７の誘電体層Ｍ２７には、接地端子Ｔ３１〜Ｔ３４に接続されたグランド電極４９が形成されている。
前記コンデンサＣ３１の他方の電極は、誘電体層Ｍ２４に形成されたコンデンサＣ１２及びＣ２２の他方の電極４４’及び４５’より形成される。これにより、コンデンサＣ１２、Ｃ２２及びＣ３１は、直列に接続された構成になる。
【００２８】
前記第３の誘電体層Ｍ２３に形成されたコンデンサＣ１２の一方の電極を形成する電極４４は、誘電体層Ｍ２１に形成されたグランド電極４１と対向している。これにより、電極４４とグランド電極４１との間の容量結合によりコンデンサＣ１３が形成される。ここで、電極４４自身が微小なインダクタ成分Ｌ１３を有しているため、電極４４とグランド電極４１との間でＬＣ直列共振器Ｒ３が形成されることになる。
前記第３の誘電体層Ｍ２３に形成されたコンデンサＣ２２の一方の電極を形成する電極４５は、誘電体層Ｍ２１に形成されたグランド電極４１と対向している。これにより、電極４５とグランド電極４１との間の容量結合によりコンデンサＣ２３が形成される。ここで、電極４５自身が微小なインダクタ成分Ｌ２３を有しているため、電極４５とグランド電極４１との間でＬＣ直列共振器Ｒ４が形成される。
【００２９】
前記誘電体層Ｍ２３，Ｍ２４、Ｍ２５、Ｍ２６及びＭ２７には、共振素子を形成するビア導体が形成されている。
図８及び図９において、符号５０，５１は誘電体層Ｍ２３に形成されているビア導体を示し、符号５２，５３は誘電体層Ｍ２４に形成されているビア導体を示し、符号５４，５５は誘電体層Ｍ２５に形成されているビア導体を示し、符号５６，５７は誘電体層Ｍ２６に形成されているビア導体を示し、符号５８，５９は誘電体層Ｍ２７に形成されているビア導体を示す。
誘電体層Ｍ２３に形成されているビア導体５０は、誘電体層Ｍ２３を貫通し、その下端がコンデンサＣ１１を形成する一方の電極４２に接続されている。
誘電体層Ｍ２３に形成されているビア導体５１は、誘電体層Ｍ２３を貫通し、その下端がコンデンサＣ２１を形成する一方の電極４３に接続されている。
誘電体層Ｍ２４に形成されているビア導体５２は、誘電体層Ｍ２４を貫通し、その上端がコンデンサＣ１２を形成する他方の電極４４’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２３のビア導体５０に接続されている。
誘電体層Ｍ２４に形成されているビア導体５３は、誘電体層Ｍ２４を貫通し、その上端がコンデンサＣ２２を形成する他方の電極４５’に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２３のビア導体５１に接続されている。
誘電体層Ｍ２５に形成されているビア導体５４は、誘電体層Ｍ２５を貫通し、その下端が誘電体層Ｍ２４の電極４４’に接続されている。
誘電体層Ｍ２５に形成されているビア導体５５は、誘電体層Ｍ２５を貫通し、その下端が誘電体層Ｍ２４の電極４５’に接続されている。
誘電体層Ｍ２６に形成されているビア導体５６は、誘電体層Ｍ２６を貫通し、その上端が同層Ｍ２６に形成された電極４７に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２５に形成されたビア導体５４に接続される。
誘電体層Ｍ２６に形成されているビア導体５７は、誘電体層Ｍ２６を貫通し、その上端が同層Ｍ２６に形成された電極４８に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２５に形成されたビア導体５５に接続される。
誘電体層Ｍ２７に形成されているビア導体５８は、誘電体層Ｍ２７を貫通し、その上端がグランド電極４９に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２６の電極４７に接続されている。
誘電体層Ｍ２７に形成されているビア導体５９は、誘電体層Ｍ２７を貫通し、その上端がグランド電極４９に接続され、その下端が誘電体層Ｍ２６の電極４８に接続されている。
上記した構成により、ビア導体５０，５２，５４，５６，５８及び電極４４’，４７で一つの共振素子Ｌ１が形成され、ビア導体５１，５３，５５，５７，５９及び電極４５’，４８で一つの共振素子Ｌ２が形成される。
前記二つの共振素子Ｌ１，Ｌ２の電極４４’，４５’，４７，４８以外の部分の軸方向は、誘電体層Ｍ２１〜Ｍ２８の表面に対して垂直であり、共振素子Ｌ１，Ｌ２に電流が流れると、各共振素子Ｌ１，Ｌ２の周囲に共振素子の軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
ビア導体５０，５２，５４，５６，５８及び電極４４’，４７で形成される一方の共振素子Ｌ１は、コンデンサＣ１２及びＣ３１を形成する電極４４，４４’及び４６により、ビア導体５０，５２及び電極４４’からなる共振素子Ｌ１２の部分と、ビア導体５４，５６，５８及び電極４７からなる共振素子Ｌ１１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
また、ビア導体５１，５３，５５，５７，５９及び電極４５’，４８で形成される他方の共振素子Ｌ２は、コンデンサＣ２２及びＣ３１を形成する電極４５，４５’及び４６により、ビア導体５１，５３及び電極４５’からなる共振素子Ｌ２２の部分と、ビア導体５５，５７，５９及び電極４８からなる共振素子Ｌ２１の部分との間に中間タップが形成された構造となる。
【００３０】
上記したように構成された積層型バンドパスフィルタにおいて、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数は、誘電体層Ｍ２３，Ｍ２４，Ｍ２５，Ｍ２６及びＭ２７に形成されたビアホール５１〜５９によって構成されたインダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。具体的には、前記インダクタの大きさは、積層型バンドパスフィルタの厚みにより調整され得る。また誘電体層Ｍ２２の電極４２及び４３と、誘電体層Ｍ２６の電極４７，４８の形や大きさを変化させる、即ちインダクタの大きさを変化させることにより調整され得る。さらに、コンデンサＣ１１及びコンデンサＣ１２の静電容量を変化させることにより、その共振周波数が調整され得る。具体的には、コンデンサＣ１１及びＣ１２の静電容量は、誘電体層Ｍ２２における電極４２及び４３の大きさにより調整され得る。また誘電体層Ｍ２２の厚みを変化させることでも調整され得る。
一方、第二の共振器Ｒ３及びＲ４は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数より高域側で共振するように設定され、かつ、コンデンサＣ１３及びインダクタＬ１３を形成する電極４４及びコンデンサＣ２３及びインダクタＬ２３を形成する電極４５の形状を、各々コンデンサＣ１２及びコンデンサＣ２２のコンデンサ容量に影響を及ぼさないよう変更することにより調整される。
上記したように、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数は、第一の共振器Ｒ１及びＲ２の共振周波数に影響を与えずに独立して調整することが可能である。
図１０に、誘電体層Ｍ２３における電極４４及び４５の寸法を矢印の方向に０．３５ｍｍ，０．５５ｍｍ及び０．７５ｍｍに変更した時の積層型バンドパスフィルタの周波数特性を示す。
図１０から、電極４４及び４５の寸法を小さくする程、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数が高域側に離れることが分かる。
また、図１０から、電極４４及び４５の寸法を変更すると、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数は変動するが、通過帯域の共振周波数と、共振素子Ｌ１及びＬ２の電磁界結合によって生ずる減衰極の周波数は変動しないことが分かる。
このように、電極４４及び４５の寸法を変更して、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数を調整しても、通過帯域の共振周波数と、共振素子Ｌ１及びＬ２の電磁界結合によって生ずる減衰極の周波数には影響がないため、第二の共振器Ｒ３及びＲ４の共振周波数は独立して調整することが可能である。
【００３１】
以上説明した実施例では、一つの通過帯域を有する積層型バンドパスフィルタを例に挙げて説明しているが、本発明によれば、第一の通過帯域を持つバンドパスフィルタと、第二の通過帯域を持つバンドパスフィルタとにより形成されたダイプレクサにおいて、何れか一方又は両方を、本発明に係るバンドパスフィルタで形成することにより、高域側の減衰特性に優れたダイプレクサを提供することができる。
具体的には、前記ダイプレクサとしては、前記したように第一の通過帯域を有するバンドパスフィルタと、第二の通過帯域を有するバンドパスフィルタとの両方を上記した実施例に挙げた分布定数タイプのバンドパスフィルタで形成したダイプレクサが例として挙げられる。
また、別の例として、第一の通過帯域を有するバンドパスフィルタを上記した実施例に挙げた分布定数タイプのバンドパスフィルタで形成すると共に、第二の通過帯域を有するバンドパスフィルタを集中定数タイプのバンドパスフィルタで形成したダイプレクサが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明のバンドパスフィルタの一実施例の回路構成を概略的に示す図である。
【図２】図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの一実施例の外観の斜視図である。
【図３】図２に示すバンドパスフィルタを構成する各誘電体層の概略平面図である。
【図４】図２に示すバンドパスフィルタの分解斜視図である。
【図５】（ａ）は、減衰極を発生させるための直列共振器を持たない従来の積層型バンドパスフィルタの電気特性を示すグラフであり、（ｂ）は、図２〜図４に示した本発明に係る積層型バンドパスフィルタの電気特性を示すグラフである。
【図６】図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第二実施例の各誘電体層の概略平面図である。
【図７】６に示すバンドパスフィルタの分解斜視図である。
【図８】図１に示した回路構成を実現する積層型バンドパスフィルタの第三の実施例を構成する各誘電体層の概略平面図である。
【図９】図８に示すバンドパスフィルタの分解斜視図である。
【図１０】図８及び図９に示した積層型バンドパスフィルタにおける誘電体層Ｍ２３の電極４４及び４５の寸法を変更した時の共振周波数を示すグラフである。
【図１１】従来の積層型ＬＣフィルタ１００の電気等価回路図である。
【図１２】従来の積層型ＬＣフィルタの分解斜視図である。
【符号の説明】
【００３３】
Ｒ１    第一共振器
Ｒ２    第一共振器
Ｒ３    第二共振器
Ｒ４    第二共振器
Ｃ１１  コンデンサ
Ｃ１２  コンデンサ
Ｌ１    共振素子
Ｌ１１  共振素子
Ｌ１２  共振素子
Ｃ２１  コンデンサ
Ｃ２２  コンデンサ
Ｌ２    共振素子
Ｌ２１  共振素子
Ｌ２２  共振素子
Ｃ３１  コンデンサ
Ｔ１    接地端子
Ｔ２    接地端子
ＩＮ    入力端子
ＯＵＴ  出力端子
Ｍ１〜Ｍ６  誘電体層
１    グランド電極
２    コンデンサＣ１１の一方の電極
２’  コンデンサＣ１１の他方の電極
３    コンデンサＣ２１の一方の電極
３’  コンデンサＣ２１の他方の電極
４    コンデンサＣ１２の一方の電極
４’  コンデンサＣ１２の他方の電極
５    コンデンサＣ２２の一方の電極
５’  コンデンサＣ２２の他方の電極
６    コンデンサＣ３１の一方の電極
６’    コンデンサＣ３１の一方の電極
７    グランド電極
８    共振素子Ｌ１２の一部を構成するビア導体
９    共振素子Ｌ２２の一部を構成するビア導体
１０  共振素子Ｌ１２の一部を構成するビア導体
１１  共振素子Ｌ２２の一部を構成するビア導体
１２  共振素子Ｌ１１を構成するビア導体
１３  共振素子Ｌ２１を構成するビア導体
Ｍ１１〜Ｍ１７  誘電体層
Ｔ２１  接地端子
Ｔ２２  接地端子
Ｔ２３  接地端子
２１    グランド電極
２２    コンデンサＣ１１の一方の電極
２２’  コンデンサＣ１１の他方の電極
２３    コンデンサＣ２１の一方の電極
２３’  コンデンサＣ２１の他方の電極
２４    コンデンサＣ１２の一方の電極
２４’  コンデンサＣ１２の他方の電極
２５    コンデンサＣ２２の一方の電極
２５’  コンデンサＣ２２の他方の電極
２６    コンデンサＣ３１の一方の電極
２７    グランド電極
２８〜３５    ビア導体
Ｍ２１〜Ｍ２８  誘電体層
Ｔ３１  接地端子
Ｔ３２  接地端子
Ｔ３３  接地端子
Ｔ３４  接地端子
４１    グランド電極
４２    コンデンサＣ１１の一方の電極
４２’  コンデンサＣ１１の他方の電極
４３    コンデンサＣ２１の一方の電極
４３’  コンデンサＣ２１の他方の電極
４４    コンデンサＣ１２，Ｃ１３，Ｌ１３の一方の電極
４４’  コンデンサＣ１２，Ｃ１３，Ｌ１３の他方の電極
４５    コンデンサＣ２２，Ｃ２３，Ｌ２３の一方の電極
４５’  コンデンサＣ２２，Ｃ２３，Ｌ２３の他方の電極
４６    コンデンサＣ３１の一方の電極
４７    共振素子の一部を構成する電極
４８    共振素子の一部を構成する電極
４９    グランド電極
５０〜５９    ビア導体
【図１】
2008278361.tif 000003
【図２】
2008278361.tif 000004
【図３】
2008278361.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2008278361.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2008278361.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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