(57)【要約】      （修正有） 【課題】  製造時における変形の少ない微細なパターンのスタンパーを得る。【解決手段】  表面に凹凸パターンが形成された光により記録再生される円盤状の記録媒体を製造するために用いられるスタンパーの製造方法において、金属板の表面に凹凸パターンを形成し金属原盤７２を作製する表面加工工程と、前記金属原盤７２の凹凸パターンの形成された面に単分子層７３を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層７３の形成された金属原盤７２をメッキ液に浸漬させ、単分子層７３の形成されている面にメッキによりスタンパー７４を形成する金属基板形成工程と、前記スタンパーを前記金属原盤７２より剥離する剥離工程により製造されることを特徴とするスタンパの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸パターンが形成された光により記録再生される円盤状の記録媒体を製造するために用いられるスタンパーの製造方法において、
金属板の表面に凹凸パターンを形成し金属原盤を作製する表面加工工程と、
前記金属原盤の凹凸パターンの形成された面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の形成された金属原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、
前記スタンパーを前記金属原盤より剥離する剥離工程と、
により製造されることを特徴とするスタンパーの製造方法。
【請求項２】
前記剥離工程終了後、前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項１に記載のスタンパーの製造方法。
【請求項３】
前記剥離工程終了後、前記金属原盤に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、
前記単分子層の除去された金属原盤の凹凸パターンの形成されている面に、単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の形成された金属原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、
前記スタンパーを前記金属原盤より剥離する剥離工程と、
を繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項１に記載のスタンパーの製造方法。
【請求項４】
表面に凹凸パターンが形成された光により記録再生される円盤状の記録媒体を製造するために用いられるスタンパーの製造方法において、
非導電性材料又は半導体材料の表面に凹凸パターンを形成し非導電性原盤を作製する表面加工工程と、
前記非導電性原盤の凹凸パターンの形成された面に導電体層を形成する導電体層形成工程と、
前記導電体層の上に単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、
前記スタンパーを前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、
により製造されることを特徴とするスタンパーの製造方法。
【請求項５】
前記剥離工程終了後、前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項４に記載のスタンパーの製造方法。
【請求項６】
前記剥離工程終了後、前記非導電性原盤の導電体層の表面に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、
前記単分子層の除去された非導電性原盤の導電体層の表面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、
前記スタンパーを前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、
を繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項４に記載のスタンパーの製造方法。
【請求項７】
表面に凹凸パターンが形成された光により記録再生される円盤状の記録媒体を製造するために用いられるスタンパーの製造方法において、
非導電性材料又は半導体材料の表面に凹凸パターンを形成し非導電性原盤を作製する表面加工工程と、
前記非導電性原盤の凹凸パターンの形成された面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の上に導電体層を形成する導電体層形成工程と、
前記導電体層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、導電体層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、
前記スタンパーを前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、
により製造されることを特徴とするスタンパーの製造方法。
【請求項８】
前記剥離工程終了後、前記導電体層形成工程と前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項７に記載のスタンパーの製造方法。
【請求項９】
前記剥離工程終了後、前記非導電性原盤に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、
前記単分子層の除去された非導電性原盤の凹凸パターンの形成されている面に、単分子層を形成する単分子層形成工程と、
前記単分子層の上に導電体層を形成する導電体層形成工程と、
前記導電体層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、導電体層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、
前記スタンパーを前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、
を繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項７に記載のスタンパーの製造方法。
【請求項１０】
前記非導電性原盤は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３からなる材料により構成されていることを特徴とする請求項４から９のいずれかに記載のスタンパーの製造方法。
【請求項１１】
前記導電体層は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、無電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項４から１０のいずれかに記載のスタンパーの製造方法。
【請求項１２】
前記金属基板形成工程において、スタンパーは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔａ、Ｃｒ又は金属単体、Ｆｅ又はＮｉを含む合金の電鋳により形成されることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のスタンパーの製造方法。
【請求項１３】
前記単分子層は、炭素を構成材料に含む材料であることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載のスタンパーの製造方法。
【請求項１４】
請求項１から１３に記載のスタンパーの製造方法により製造されたことを特徴とするスタンパー。
【請求項１５】
光を照射することにより情報の記録再生を行う光ディスクの製造方法において、
請求項１から１３に記載されたスタンパーの製造方法により製造したスタンパーの凹凸パターンの形成された面に樹脂材料を注入する工程と、
前記樹脂材料が硬化した後、前記スタンパーと前記樹脂材料からなる樹脂基板とを剥離する工程と、
からなることを特徴とする光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタンパーの製造方法、スタンパー及び光ディスクの製造方法に関するものであり、特に、剥離性の高いスタンパーの製造方法、スタンパー及び光ディスクの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤやＤＶＤに代表される光ディスクにおいては、その基板面若しくは基板面上に、情報ピットやトラッキング用のグルーブが凹凸形状で形成されており、基板面上に凹凸形状を形成する際に、スタンパーが用いられる。このスタンパーは、まず、原盤が作成され、この原盤に形成した凹凸パターンの転写、または転写を繰り返すことにより作製される。
【０００３】
原盤の作成方法は、例えば、厚さ数〔ｍｍ〕のガラス円盤状基板の上に、０．１〔μｍ〕程度の膜厚の紫外線感光性ポジ型フォトレジスト層を均一にスピンコートし、この基板を回転させながら、基板上のフォトレジスト層に、例えば３５０〜４６０〔ｎｍ〕の青色光または紫外光で発振するＡｒ，Ｋｒレーザからのレーザ光を対物レンズで集光させ、このレーザ光をオン、オフさせてレジストを走査するレーザ描画による露光を行い、その後、レジストを現像することにより、このレジストパターンを形成して作製する。
【０００４】
この原盤作製で、一般的に使用されるポジ型レジストは、レーザ光が照射された領域を感光し、現像液に浸漬することにより、この感光領域が現像液に溶解する。これにより、凸領域が残存しレジストパターンを形成する。このように、形成された基板上のレジストパターンの形成された面に、厚さ数１００〔μｍ〕のＮｉメッキを施し、このＮｉメッキ層を基板から剥離することによって、目的とするスタンパー、或いは、目的とするスタンパーを転写しうるスタンパーを形成する。
【０００５】
このように形成されたスタンパーを用い、射出成型によりポリカーボネート等からなる樹脂基板を作製し、この樹脂基板に反射膜あるいは、記録層を形成する膜等を成膜することによりＲＯＭ型、ＲＡＭ型の光ディスクは作製される。
【０００６】
ところで、近年の情報通信及び画像処理技術の急速な発展に伴い、光ディスクの容量は近い将来、現在の数倍のものが要求されるものと推測される。このような高容量化に対し、現在と同等の形状の光ディスクで対応しようとするならば、光ディスクを高密度化する必要があり、トラックピッチを狭めることが必要となる。このための高密度なスタンパーの形成方法が特許文献１、２に開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２８８２８４号公報
【特許文献２】特開２００４−２８０９９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、射出成型等において光ディスクの製造に用いられるスタンパーは、原盤に形成されたＮｉ電鋳層を剥離することにより作製されるが、Ｎｉ電鋳層に形成される凹凸パターンの形状が小さくなるに従って、原盤からＮｉ電鋳層を剥離する際の剥離性が悪くなる傾向にある。特に、パターンの幅が狭くなるほど、また、パターンの線幅に対する深さ（アスペクト比）が大きくなるほど、剥離性が悪くなる傾向にある。このように剥離性が低下すると、原盤に記録されている凹凸パターンがスタンパーとなるＮｉ電鋳層に正確に転写されないため、これにより製造される光ディスクの品質が低下することとなる。従って、高密度化のために、いくら原盤に小さなパターンを形成することができても、そのパターンを正確にＮｉ電鋳層に転写することができなければ、高密度な光ディスクを得ることができないのである。
【０００８】
また、スタンパーの製造の際にはスタンパーは原盤と密着しており、原盤から剥離する際に変形する場合があり、このような変形が不可逆的なものである場合には、スタンパーとしての機能が失われてしまう。
【０００９】
この変形は、電鋳時のメッキ液の温度、印加電流変化方法、メッキ液の濃度等に対して依存するものであるが、これらは工程管理を行うことで低減することが可能である。一方、原盤を電鋳することにより形成されるスタンパーとなるＮｉ電鋳層を剥離する工程は、設備の自動化が困難であり、人手による剥離の方が精度は高いのが現状である。従って、変形の主な原因は、この剥離の際のＮｉ電鋳層に作用する力によって生じる歪によるものである。
【００１０】
特に、金属からなる原盤にＮｉ電鋳層を形成する場合においては、金属からなる原盤とＮｉ電鋳層との剥離性を高めるために、原盤表面を事前に酸化処理することが一般的に行われる。この酸化処理の方法としては、薬液（例えば、過マンガン酸カリウムパウダーの純水希釈液）に浸漬する方法や酸素プラズマによるアッシング処理などがあげられる。
【００１１】
しかしながら、微細で緻密な形状を有するものの場合、このような方法で剥離性を高めようとすると、原盤の表面の平坦性が悪くなり、また、形状が凹凸パターンである場合、凹部の表面の酸化を十分に行うことができず、酸化処理が不十分な領域において、原盤とＮｉ電鋳層との剥離が困難となり、Ｎｉ電鋳層が剥離により不可逆的に変形してしまう場合がある。
【００１２】
このようにスタンパーが変形してしまうと、光ディスクの製造の際に、光ディスクに情報が正確に転写されなくなり、特に高密度化に対応した微細な凹凸パターンの場合においては、その傾向が顕著となり、製品の均一性を低下させ、歩留まりを低下させることとなる。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、光ディスク等の製造のためのスタンパーをＮｉ電鋳等のメッキ法で作製する場合において、原盤からのスタンパーを剥離する際、微細な凹凸パターンであっても剥離性が高く、平坦性も高いスタンパーの製造方法、スタンパー及び、このスタンパーを用いた光ディスクの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に記載の発明は、表面に凹凸パターンが形成された光により記録再生される円盤状の記録媒体を製造するために用いられるスタンパーの製造方法において、金属板の表面に凹凸パターンを形成し金属原盤を作製する表面加工工程と、前記金属原盤の凹凸パターンの形成された面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の形成された金属原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、前記スタンパーを前記金属原盤より剥離する剥離工程と、により製造されることを特徴とするスタンパーの製造方法である。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項１に記載のスタンパーの製造方法である。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記金属原盤に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、前記単分子層の除去された金属原盤の凹凸パターンの形成されている面に、単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の形成された金属原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、前記スタンパーを前記金属原盤より剥離する剥離工程と、を繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項１に記載のスタンパーの製造方法である。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、表面に凹凸パターンが形成された光により記録再生される円盤状の記録媒体を製造するために用いられるスタンパーの製造方法において、非導電性材料又は半導体材料の表面に凹凸パターンを形成し非導電性原盤を作製する表面加工工程と、前記非導電性原盤の凹凸パターンの形成された面に導電体層を形成する導電体層形成工程と、前記導電体層の上に単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、前記スタンパーを前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、により製造されることを特徴とするスタンパーの製造方法である。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項４に記載のスタンパーの製造方法である。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記非導電性原盤の導電体層の表面に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、前記単分子層の除去された非導電性原盤の導電体層の表面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、単分子層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、前記スタンパーを前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、を繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項４に記載のスタンパーの製造方法である。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、表面に凹凸パターンが形成された光により記録再生される円盤状の記録媒体を製造するために用いられるスタンパーの製造方法において、非導電性材料又は半導体材料の表面に凹凸パターンを形成し非導電性原盤を作製する表面加工工程と、前記非導電性原盤の凹凸パターンの形成された面に単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の上に導電体層を形成する導電体層形成工程と、前記導電体層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、導電体層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、前記スタンパーを前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、により製造されることを特徴とするスタンパーの製造方法である。
【００２１】
請求項８に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記導電体層形成工程と前記金属基板形成工程と前記剥離工程とを繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項７に記載のスタンパーの製造方法である。
【００２２】
請求項９に記載の発明は、前記剥離工程終了後、前記非導電性原盤に付着している単分子層を除去する単分子層除去工程と、前記単分子層の除去された非導電性原盤の凹凸パターンの形成されている面に、単分子層を形成する単分子層形成工程と、前記単分子層の上に導電体層を形成する導電体層形成工程と、前記導電体層の形成された非導電性原盤をメッキ液に浸漬させ、導電体層の形成されている面にメッキによりスタンパーを形成する金属基板形成工程と、前記スタンパーを前記非導電性原盤より剥離する剥離工程と、を繰り返すことにより、同一形状のスタンパーを複数作製することを特徴とする請求項７に記載のスタンパーの製造方法である。
【００２３】
請求項１０に記載の発明は、前記非導電性原盤は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３からなる材料により構成されていることを特徴とする請求項４から９のいずれかに記載のスタンパーの製造方法である。
【００２４】
請求項１１に記載の発明は、前記導電体層は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、無電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項４から１０のいずれかに記載のスタンパーの製造方法である。
【００２５】
請求項１２に記載の発明は、  前記金属基板形成工程において、スタンパーは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔａ、Ｃｒ又は金属単体、Ｆｅ又はＮｉを含む合金の電鋳により形成されることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のスタンパーの製造方法である。
【００２６】
請求項１３に記載の発明は、前記単分子層は、炭素を構成材料に含む材料であることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載のスタンパーの製造方法である。
【００２７】
請求項１４に記載の発明は、請求項１から１３に記載のスタンパーの製造方法により製造されたことを特徴とするスタンパーである。
【００２８】
請求項１５に記載の発明は、光を照射することにより情報の記録再生を行う光ディスクの製造方法において、請求項１から１３に記載されたスタンパーの製造方法により製造したスタンパーの凹凸パターンの形成された面に樹脂材料を注入する工程と、前記樹脂材料が硬化した後、前記スタンパーと前記樹脂材料からなる樹脂基板とを剥離する工程と、からなることを特徴とする光ディスクの製造方法である。
【００２９】
尚、本明細書中では、非導電性原盤を構成する材料は、非導電性材料のほか半導体材料も含むものである。
【発明の効果】
【００３０】
以上のように、本発明におけるスタンパーの製造方法では、剥離性が高く、形状の変形が少なく、低い製造コストで大量に製造することができる。このように製造されたスタンパーは、微細な凹凸パターンを有していても変形等が生じていないため、微細なパターンであっても正確に転写された光ディスクを製造することができるため、高密度記録に対応した光ディスクを大量にかつ高い均一性で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の第１の実施の形態について説明する。
【００３２】
〔スタンパー〕
本発明における第１の実施の形態におけるスタンパーの製造方法について説明する。本実施の形態では、原盤として金属原盤を用いてスタンパーの製造を行うものである。
【００３３】
図１は本実施の形態における電鋳によるスタンパーの製造の流れを示すフローチャートであり、図２は本実施の形態における製造方法の工程図である。
【００３４】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）に示す表面加工工程を行う。具体的には、図２（ａ）に示す表面に凹凸パターンの形成された金属材料からなる原盤となる金属原盤７２を作製する。金属原盤７２の凹凸パターンの形成には、所定の凹凸パターンの形成されたＳｉ基板にＮｉ電鋳を行うことにより表面に凹凸パターンの形成された金属原盤７２を作製方法や、金属板の表面に切削等の加工により凹凸パターンを形成する方法がある。このような方法により、図２（ａ）に示すように原盤となる金属原盤７２を作製する。
【００３５】
次に、図１のステップ１０４（Ｓ１０４）の単分子層形成工程を行う。具体的には、図２（ｂ）に示すように、金属原盤７２上の凹凸の形成された面に、単分子層７３を２〜３〔ｎｍ〕形成する。単分子層７３の形成は、いわゆるディップコートにより行われる。単分子層７３を構成する材料としては、ヘキサデカンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）１５ＳＨ）、オクタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）７ＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＳＨ）、ブタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＳＨ）等炭素を含有する材料が挙げられる。
【００３６】
次に、図１のステップ１０６（Ｓ１０６）における金属層形成工程を行う。具体的には、図２（ｃ）に示すように、Ｎｉ電鋳を行うことにより、金属原盤７２に形成された単分子層７３上に、金属層であるＮｉ電鋳層７４を形成する。単分子層７３は、絶縁性を有しないため、この表面に直接Ｎｉ電鋳を施すことができる。
【００３７】
図３にＮｉ電鋳を行うための電鋳装置１を示す。この電鋳装置１は、メッキ液２が入っている電鋳槽４と、電鋳槽４よりオーバーフローしたメッキ液２を受けるドレーン槽６と、陽極となるＮｉペレット８が充填されており電鋳槽４よりオーバーフローしたメッキ液２を受けるアノード室１０と、金属原盤７２を保持する陰極１２により構成されている。
【００３８】
電鋳槽４には、メッキ液供給配管１４によりメッキ液２が供給されるようになっている。電鋳槽４よりドレーン槽６にオーバーフローしたメッキ液２は、ドレーン槽排水配管１６により回収されるようになっている。また、電鋳槽４よりアノード室１０にオーバーフローしたメッキ液２は、アノード室排水管１８より回収される構成となっている。
【００３９】
電鋳槽４とアノード室１０とは、隔壁板２０により区切られている。また、電鋳槽４側の隔壁板２０の表面には、電極遮断板２２が陰極１２と対向するように固定されている。この電極遮断板２２は、電鋳した膜厚が面内で均一になるように、電極の所定部分を覆うように形成されているものである。
【００４０】
以上の構成からなる電鋳装置１において、陰極１２に金属原盤７２を保持させ、陰極１２を負電極に接続し、アノード室１０を正電極に接続して通電することにより、Ｎｉ電鋳層７４の電鋳が行われる。
【００４１】
尚、電鋳の際に電流密度と時間を制御することにより、Ｎｉ電鋳層７４に内部応力を低減させることができ、電鋳された後のＮｉ電鋳層７４の表面の平坦度を高めるとともに、表面粗さを非常に小さくすることが可能である。
【００４２】
次に、図１におけるステップ１０８（Ｓ１０８）の剥離工程を行う。具体的には、図２（ｄ）に示すように、原盤である金属原盤７２と、Ｎｉ電鋳層７４とを剥離する。金属原盤７２とＮｉ電鋳層７４との間には、単分子層７３が形成されているが、この単分子層７３が設けられることにより、金属原盤７２からＮｉ電鋳層７４を剥離する際の剥離性が高くなり、金属原盤７２よりＮｉ電鋳層７４を極めて良好な状態で剥離することができる。
【００４３】
以上の工程により、Ｎｉ電鋳層７４からなるスタンパーが作製される。尚、金属層形成工程においては、電鋳の際の溶液を変えることにより、Ｎｉ以外にＦｅＣｏ、Ｃｒ等の金属材料の電鋳を行うことが可能である。また、本実施の形態では、ステップ１０６における金属層形成工程は、電気メッキによる電鋳法について説明したが、無電解メッキであってもよく、この場合であっても剥離性を高めることができる。
【００４４】
このようにして、金属層であるＮｉ電鋳層７４からなるスタンパーが作製される。
【００４５】
本実施の形態におけるスタンパーには、幅が３００〜２０００ｎｍ、深さ２０〜１５０ｎｍの凹凸パターンが形成されている。
【００４６】
〔光ディスクの製造方法〕
上記により作製したスタンパーを用いた光ディスクの製造方法について説明する。尚、このスタンパーには、ＲＯＭ型の光ディスクでは、ＲＯＭ型の光ディスクに必要な情報のパターンが、ＲＡＭ型の光ディスクでは、ＲＡＭ型の光ディスクに必要な情報のパターンが又はトラックが、凹凸パターンとして形成されている。
【００４７】
図４（ａ）は、第１の実施の形態により作製されたＮｉ電鋳層７４からなるスタンパー７６を示す。
【００４８】
このスタンパー７６の凹凸の形成されている面に、図４（ｂ）に示すように、ポリカーボネート等の樹脂材料７７ａを流し込み硬化させる。
【００４９】
樹脂材料８７ａが硬化した後、スタンパー７６から樹脂材料７７ａを剥離することにより、図４（ｃ）に示すように樹脂材料７７ａからなる樹脂基板７７が形成される。
【００５０】
尚、用いられる樹脂材料としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体などの塩化ビニル樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン及びポリエステルなどが挙げられる。これらの樹脂材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点から、現在のところポリカーボネートが好ましい。
【００５１】
次に、図４（ｄ）に示すように、このように作製された樹脂基板７７の凹凸の形成された面上に、ＲＯＭ型の光ディスクの場合には、反射膜からなる金属層７８を形成する。
【００５２】
これにより、ＲＯＭ型の光ディスク７９が作製される。
【００５３】
尚、ＲＡＭ型の光ディスクの場合には、ＲＡＭ型の光ディスクに必要なパターン等を転写させた後、金属層７８に代えて、記録層或いは記録層と金属層、必要に応じて保護層等を形成することにより、ＲＡＭ型の光ディスクを作製することが可能である。
【００５４】
本実施の形態のおいては、スタンパーを製造する際の剥離性が高いことから、剥離の際の応力が少なく、微細な凹凸パターンであっても正確に転写することができ、高い歩留まりで高密度な光ディスクを製造することができる。
【００５５】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は、Ｓｉ等からなる非導電性原盤を用いて光ディスク基板を作製するためのスタンパーを製造する方法である。尚、前述したように、本明細書中において非導電性原盤を構成する材料は、非導電性材料のみならず半導体材料を含むものである。
【００５６】
図５は本実施の形態における電鋳によるスタンパーの製造の流れを示すフローチャートであり、図６は本実施の形態における製造方法の工程図である。
【００５７】
最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）に示す表面加工工程を行う。具体的には、図６（ａ）に示すものを作製するため、表面が平滑なＳｉ基板９０上に、ポジ型のフォトレジストをスピンコーター等により塗布し、プリベーク後に、Ｓｉ基板９０を回転させながら、記録する信号に対応して変調したレーザ光（或いは電子ビーム）をフォトレジストに照射し、フォトレジストの略全面に所定のパターンを露光する。その後、露光したＳｉ基板９０を現像液に浸漬することにより、フォトレジストの露光された部分が除去され、図６（ａ）に示すようにＳｉ基板９０上の所定の領域にフォトレジスト層９１が形成されたものが作製される。尚、Ｓｉ基板９０以外にガラス、石英、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣの基板を用いることも可能である。
【００５８】
次に、Ｓｉ基板９０上のフォトレジスト層９１が形成されている面について、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）を行う。具体的には、フォトレジスト層９１の形成されたＳｉ基板９０をＲＩＥ装置の減圧チャンバー内に設置し、真空ポンプ等により減圧チャンバー内を減圧した後、ＣＦ４等の反応性ガスを導入し、ＲＦ電界を印加することによりプラズマを発生させてＳｉ基板９０のエッチングを行う。ＣＦ４等の反応性ガスを導入したＲＩＥでは、Ｓｉはエッチングされるもののフォトレジストはエッチングされ難いため、Ｓｉ基板９０において、フォトレジスト層９１の形成されていない領域のＳｉのみがエッチングされる。この後、フォトレジスト層９１を有機溶剤等により除去することにより、図６（ｂ）に示すように原盤となるＳｉ原盤９２が作製される。
【００５９】
次に、図５のステップ２０４（Ｓ２０４）の導電体層形成工程を行う。具体的には、図６（ｃ）に示すように、Ｓｉ原盤９２上の凹凸の形成された面に、導電体層９３を形成する。導電体層９３の形成方法は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、無電解メッキ法により行われる。本実施の形態では、導電体層９３を構成する材料としてＦｅＣｏを用いたが、Ｎｉ等の材料であっても良い。
【００６０】
次に、図５のステップ２０６（Ｓ２０６）の単分子層形成工程を行う。具体的には、図６（ｄ）に示すように、Ｓｉ原盤９２の導電体層９３が形成されている面に、単分子層９４を２〜３〔ｎｍ〕形成する。単分子層９４の形成は、いわゆるディップコートにより行われる。単分子層９４を構成する材料としては、ヘキサデカンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）１５ＳＨ）、オクタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）７ＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＳＨ）、ブタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＳＨ）等炭素を含有する材料が挙げられる。
【００６１】
次に、図５のステップ２０８（Ｓ２０８）における金属層形成工程を行う。具体的には、図６（ｅ）に示すように、Ｎｉ電鋳を行うことにより、Ｓｉ原盤９２に形成された単分子層９４上に、スタンパーであるＮｉ電鋳層９５を形成する。単分子層９４は、絶縁性を有しないため、この表面に直接Ｎｉ電鋳を施すことができる。電鋳方法は、第１の実施の形態と同様の方法により行う。
【００６２】
次に、図５におけるステップ２１０（Ｓ２１０）の剥離工程を行う。具体的には、図６（ｆ）に示すように、原盤であるＳｉ原盤９２と、スタンパーであるＮｉ電鋳層９５とを剥離する。Ｎｉ電鋳層９５と導電体層９３の間には、単分子層９４が形成されているが、この単分子層９４が設けられることにより、Ｓｉ原盤９２からＮｉ電鋳層９５を剥離する際の剥離性が高くなり、Ｓｉ原盤９２からＮｉ電鋳層９５を極めて良好な状態で剥離することができる。
【００６３】
以上の工程により、Ｎｉ電鋳層９５からなるスタンパーが形成される。尚、金属層形成工程では、電鋳の際の溶液を変えることにより、Ｎｉ以外にＦｅＣｏ、Ｃｒ等の電鋳を行うことが可能である。また、本実施の形態では、ステップ２０８における金属層形成工程は、電気メッキによる電鋳法について説明したが、無電解メッキであってもよく、この場合であっても剥離性を高めることができる。
【００６４】
このように作製されたＮｉ電鋳層９５からなるスタンパーは、第１の実施の形態と同様に光ディスク基板を製造するために用いられ、均一性の高い高密度な光ディスクを大量に製造することができる。
【００６５】
〔第３の実施の形態〕
以下、本発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態は、Ｓｉ等からなる非導電性原盤を用いて光ディスク基板を作製するためのスタンパーを製造する方法である。
【００６６】
図７は本実施の形態における電鋳によるスタンパーの作製の流れを示すフローチャートであり、図８は本実施の形態における製造方法の工程図である。
【００６７】
最初に、ステップ３０２（Ｓ３０２）に示す表面加工工程を行う。具体的には、図８（ａ）に示すものを作製するために、表面が平滑なＳｉ基板５０上に、ポジ型のフォトレジストをスピンコーター等により塗布し、プリベーク後に、Ｓｉ基板５０を回転させながら、記録する信号に対応して変調したレーザ光（或いは電子ビーム）をフォトレジストに照射し、フォトレジストの略全面に所定のパターンを露光する。その後、露光したＳｉ基板５０を現像液に浸漬することにより、フォトレジストの露光された部分が除去され、図８（ａ）に示すようにＳｉ基板５０上の所定の領域にフォトレジスト層５１が形成されたものが作製される。尚、Ｓｉ基板５０以外にガラス、石英、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣの基板を用いることも可能である。
【００６８】
次に、Ｓｉ基板５０上のフォトレジスト層５１が形成されている面について、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）を行う。具体的には、フォトレジスト層５１の形成されたＳｉ基板５０をＲＩＥ装置の減圧チャンバー内に設置し、真空ポンプ等により減圧チャンバー内を減圧した後、ＣＦ４等の反応性ガスを導入し、ＲＦ電界を印加することによりプラズマを発生させてＳｉ基板５０のエッチングを行う。ＣＦ４等の反応性ガスを導入したＲＩＥでは、Ｓｉはエッチングされるもののフォトレジストはエッチングされ難いため、Ｓｉ基板５０において、フォトレジスト層５１の形成されていない領域のＳｉのみがエッチングされる。この後、フォトレジスト層５１を有機溶剤等により除去することにより、図８（ｂ）に示すように原盤となるＳｉ原盤５２が作製される。
【００６９】
次に、図７のステップ３０４（Ｓ３０４）の単分子層形成工程を行う。具体的には、図８（ｃ）に示すように、Ｓｉ原盤５２上の凹凸の形成された面に、単分子層５３を２〜３〔ｎｍ〕形成する。単分子層５３の形成は、いわゆるディップコートにより行われる。単分子層５３を構成する材料としては、ヘキサデカンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）１５ＳＨ）、オクタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）７ＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＳＨ）、ブタンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＳＨ）等炭素を含有する材料が挙げられる。
【００７０】
次に、図７のステップ３０６（Ｓ３０６）の導電体層形成工程を行う。具体的には、図８（ｄ）に示すように、Ｓｉ原盤５２の凹凸が形成されている面の単分子層５３の形成されたものの上に、導電体層５４を形成する。導電体層５４の形成方法は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、無電解メッキ法により行われる。本実施の形態では、導電体層５４を構成する材料としてＮｉを用いたが、ＦｅＣｏ等の材料であっても良い。
【００７１】
このように、単分子層５３上に導電体層５４を形成することにより、効率的な電鋳を行うことができるとともに、スタンパーの表面をスタンパー本体とは異なる材料からなる膜でコートする場合や、同じ材料であっても異なる形成方法によりスタンパーの表面のコートを行う場合において、原盤の形状をそのまま転写することができるため、微細な形状であっても均一性の高いスタンパーを作製することができる。
【００７２】
次に、図７のステップ３０８（Ｓ３０８）における金属層形成工程を行う。具体的には、図８（ｅ）に示すように、Ｎｉ電鋳を行うことにより、導電体層５４上に金属層であるＮｉ電鋳層５５を形成する。電鋳方法は、第１の実施の形態と同様の方法により行う。
【００７３】
次に、図７におけるステップ３１０（Ｓ３１０）の剥離工程を行う。具体的には、図８（ｆ）に示すように、原盤であるＳｉ原盤５２と、導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５とを剥離する。Ｓｉ原盤５２と導電体層５４の間には、単分子層５３が形成されているが、この単分子層５３が設けられることにより、Ｓｉ原盤５２から導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５を剥離する際の剥離性が高くなり、Ｓｉ原盤５２から導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５とを非常に良好な状態で剥離することができる。
【００７４】
以上の工程により、導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるスタンパーが作製される。尚、金属層形成工程では、電鋳の際の溶液を変えることにより、Ｎｉ以外にＦｅＣｏ、Ｃｒ等の電鋳を行うことが可能である。また、本実施の形態では、ステップ３０８における金属層形成工程は、電気メッキによる電鋳法について説明したが、無電解メッキであってもよく、この場合であっても剥離性を高めることができる。
【００７５】
このように形成された導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるからなるスタンパーは、第１の実施の形態と同様に光ディスク基板を製造するために用いられ、均一性の高い高密度な光ディスクを大量に製造することができる。
【００７６】
〔第４の実施の形態〕
本実施の形態は、第１の実施の形態において作製した金属原盤を用い、複数の光ディスク基板を作製するためのスタンパーを作製するものである。
【００７７】
本実施の形態について図２、図９に基づき説明する。図９は、本実施の形態におけるスタンパーの作製の流れを示す。
【００７８】
ステップ１０２（Ｓ１０２）の表面加工工程、ステップ１０４（Ｓ１０４）の単分子層形成工程、ステップ１０６（Ｓ１０６）の金属層形成工程、ステップ１０８（Ｓ１０８）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第１の実施の形態と同様である。
【００７９】
この後、図２（ｄ）に示されるＮｉ電鋳層７４からなるスタンパーを剥離した後の単分子層７３の付着している金属原盤７２を用いて、再び図９のステップ１０６の金属層の形成をおこなう。形成される単分子層７３は比較的強固なものであり、電鋳を行った程度では殆ど破壊されることはないため、スタンパーを高スループット、低コストで作製する場合には有利となるからである。具体的には、図２（ｃ）に示すようにＮｉ電鋳を行い、ステップ１０８の剥離を行うことによりスタンパーを作製する。
【００８０】
このように、図９に示すステップ１０６からステップ１０８の工程を繰り返すことにより、新たに金属原盤７２を作製することなく、同一形状のスタンパーを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも極めて有利である。
【００８１】
このように作製されたＮｉ電鋳層７４からなるスタンパーは、第１の実施の形態と同様に光ディスク基板を製造するために用いられ、均一性の高い高密度な光ディスクを大量に製造することができる。
【００８２】
〔第５の実施の形態〕
本実施の形態は、第２の実施の形態において作製したＳｉ原盤を用い、複数の光ディスク基板を作製するためのスタンパーを作製するものである。
【００８３】
本実施の形態について図６、図１０に基づき説明する。図１０は、本実施の形態におけるスタンパーの作製の流れを示す。
【００８４】
ステップ２０２（Ｓ２０２）の表面加工工程、ステップ２０４（Ｓ２０４）の導電体層形成工程、ステップ２０６（Ｓ２０６）の単分子層形成工程、ステップ２０８（Ｓ２０８）の金属層形成工程、ステップ２１０（Ｓ２１０）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第２の実施の形態と同様である。
【００８５】
この後、図６（ｆ）に示されるＮｉ電鋳層９５からなるスタンパーを剥離した後の導電体層９３上に単分子層９４の付着している金属原盤９２を用いて、再び図１０のステップ２０８の金属層の形成をおこなう。形成される単分子層９４は比較的強固なものであり、電鋳を行った程度では殆ど破壊されることはないため、スタンパーを高スループット、低コストで作製する場合には有利となるからである。具体的には、図６（ｅ）に示すようにＮｉ電鋳を行い、ステップ２１０の剥離を行うことによりスタンパーを作製する。
【００８６】
このように、図１０に示すステップ２０８からステップ２１０の工程を繰り返すことにより、新たに金属原盤９２を作製することなく、同一形状のスタンパーを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも極めて有利である。
【００８７】
このように作製されたＮｉ電鋳層９５からなるからなるスタンパーは、第１の実施の形態と同様に光ディスク基板を製造するために用いられ、均一性の高い高密度な光ディスクを大量に製造することができる。
【００８８】
〔第６の実施の形態〕
本実施の形態は、第３の実施の形態において作製したＳｉ原盤を用い、複数の光ディスク基板を作製するためのスタンパーを作製するものである。
【００８９】
本実施の形態について図８、図１１に基づき説明する。図１１は、本実施の形態におけるスタンパーの作製の流れを示す。
【００９０】
ステップ３０２（Ｓ３０２）の表面加工工程、ステップ３０４（Ｓ３０４）の単分子層形成工程、ステップ３０６（Ｓ３０６）の導電体層形成工程、ステップ３０８（Ｓ３０８）の金属層形成工程、ステップ３１０（Ｓ３１０）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第３の実施の形態と同様である。
【００９１】
この後、図８（ｆ）に示される導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるスタンパーを剥離した後の単分子層５３の付着しているＳｉ原盤５２を用いて、再び図１１のステップ３０６の導電体層５４を図８（ｄ）に示すように形成した後、ステップ３０８の金属層の形成をおこなう。形成される単分子層５３は比較的強固なものであり、電鋳を行った程度では殆ど破壊されることはないため、スタンパーを高スループット、低コストで作製する場合には有利となるからである。具体的には、図８（ｅ）に示すようにＮｉ電鋳を行い、ステップ３１０の剥離を行うことにより、スタンパーを作製する。
【００９２】
このように、図１１に示すステップ３０６からステップ３１０の工程を繰り返すことにより、新たにＳｉ原盤５２を作製することなく、同一形状のスタンパーを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも極めて有利である。
【００９３】
このように形成された導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるからなるスタンパーは、第１の実施の形態と同様に光ディスク基板を製造するために用いられ、均一性の高い高密度な光ディスクを大量に製造することができる。
【００９４】
〔第７の実施の形態〕
本実施の形態は、第１の実施の形態において作製した金属原盤を用い、複数の光ディスク基板を作製するためのスタンパーを作製するものである。
【００９５】
本実施の形態について図２、図１２、図１３に基づき説明する。図１２は、本実施の形態におけるスタンパーの作製の流れを示す。
【００９６】
図１２に示すステップ１０２（Ｓ１０２）の表面加工工程、ステップ１０４（Ｓ１０４）の単分子層形成工程、ステップ１０６（Ｓ１０６）の金属層形成工程、ステップ１０８（Ｓ１０８）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第１の実施の形態と同様である。
【００９７】
この後、図１２に示すステップ１１０（Ｓ１１０）の単分子層除去工程において、図２（ｄ）においてＮｉ電鋳層７４からなるスタンパーを剥離した後の図１３（ａ）に示される金属原盤７２に付着している単分子層７３の除去を行う。これは金属原盤７２に形成された単分子層７３が、剥離工程の際に何らかの原因で、破壊や変形等している可能性が皆無であるとは言えないため、特に精度の高いスタンパーを作製する場合には、これを回避する必要があるからである。
【００９８】
具体的には、酸素プラズマによるアッシングにより行う。これにより、図１３（ｂ）に示すように、金属原盤７２から単分子層７３を完全に除去することができる。
【００９９】
この後、図１２のステップ１０４に移行し、図２（ｂ）に示されるように再び単分子層７３を形成した後にＮｉ電鋳を行い、ステップ１０８の剥離を行うことにより、スタンパーを作製する。このように、ステップ１０４からステップ１１０の工程を繰り返すことにより、新たに金属原盤７２を作製することなく、精度の高い同一形状のスタンパーを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも有利である。
【０１００】
このように作製されたＮｉ電鋳層７４からなるスタンパーは、第１の実施の形態と同様に光ディスク基板を製造するために用いられ、均一性の高い高密度な光ディスクを大量に製造することができる。
【０１０１】
〔第８の実施の形態〕
本実施の形態は、第２の実施の形態において作製したＳｉ原盤を用い、複数の光ディスク基板を作製するためのスタンパーを作製するものである。
【０１０２】
本実施の形態について図６、図１４、図１５に基づき説明する。図１４は、本実施の形態におけるスタンパーの作製の流れを示す。
【０１０３】
図１４に示すステップ２０２（Ｓ２０２）の表面加工工程、ステップ２０４（Ｓ２０４）の導電体層形成工程、ステップ２０６（Ｓ２０６）の単分子層形成工程、ステップ２０８（Ｓ２０８）の金属層形成工程、ステップ２１０（Ｓ２１０）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第２の実施の形態と同様である。
【０１０４】
この後、図１４に示すステップ２１２（Ｓ２１２）の単分子層除去工程において、図６（ｆ）においてＮｉ電鋳層９５からなるスタンパーを剥離した後の図１５（ａ）に示されるＳｉ原盤９２の凹凸が形成されている面の導電体層９３上に付着している単分子層９４の除去を行う。これはＳｉ原盤９２に形成された単分子層９４が、剥離工程の際に何らかの原因で、破壊や変形等している可能性が皆無であるとは言えないため、特に精度の高いスタンパーを作製する場合には、これを回避する必要があるからである。
【０１０５】
具体的には、酸素プラズマによるアッシングにより行う。これにより、図１５（ｂ）に示すように、Ｓｉ原盤９２の導電体層９３から単分子層９４を完全に除去することができる。
【０１０６】
この後、図１４のステップ２０６に移行し、図６（ｄ）に示されるように再び単分子層９４を形成した後にＮｉ電鋳を行い、ステップ２１０の剥離を行うことにより、スタンパーを作製する。このように、ステップ２０６からステップ２１２の工程を繰り返すことにより、新たにＳｉ原盤９２を新たに作製することなく、精度の高い同一形状のスタンパーを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも有利である。
【０１０７】
このように作製されたＮｉ電鋳層９５からなるスタンパーは、第１の実施の形態と同様に光ディスク基板を製造するために用いられ、均一性の高い高密度な光ディスクを大量に製造することができる。
【０１０８】
〔第９の実施の形態〕
本実施の形態は、第３の実施の形態において作製したＳｉ原盤を用い、複数の光ディスク基板を作製するためのスタンパーを作製するものである。
【０１０９】
本実施の形態について図８、図１６、図１７に基づき説明する。図１６は、本実施の形態におけるスタンパーの作製の流れを示す。
【０１１０】
図１６に示すステップ３０２（Ｓ３０２）の表面加工工程、ステップ３０４（Ｓ３０４）の単分子層形成工程、ステップ３０６（Ｓ３０６）の導電体層形成工程、ステップ３０８（Ｓ３０８）の金属層形成工程、ステップ３１０（Ｓ３１０）の剥離工程を順次行う。具体的な方法は、第３の実施の形態と同様である。
【０１１１】
この後、図１６に示すステップ３１２（Ｓ３１２）の単分子層除去工程において、図８（ｆ）において導電体層５４とＮｉ電鋳層５５からなるスタンパーを剥離した後の図１７（ａ）に示されるＳｉ原盤５２の凹凸が形成されている面に付着している単分子層５３の除去を行う。これはＳｉ原盤５２に形成された単分子層５３が、剥離工程の際に何らかの原因で、破壊や変形等している可能性が皆無であるとは言えないため、特に精度の高いスタンパーを作製する場合には、これを回避する必要があるからである。
【０１１２】
具体的には、酸素プラズマによるアッシングにより行う。これにより、図１７（ｂ）に示すように、Ｓｉ原盤５２から単分子層５３を完全に除去することができる。
【０１１３】
この後、図１６のステップ３０４に移行し、図８（ｃ）に示されるように再び単分子層５３の形成した後に導電体層の形成及びＮｉ電鋳を行い、ステップ３１０の剥離を行うことにより、スタンパーを作製する。このように、ステップ３０４からステップ３１２の工程を繰り返すことにより、新たにＳｉ原盤５２を新たに作製することなく、精度の高い同一形状のスタンパーを大量に低コストで製造することができ、コスト的にも時間的にも有利である。
【０１１４】
このように形成された導電体層５４及びＮｉ電鋳層５５からなるスタンパーは、第１の実施の形態と同様に光ディスク基板を製造するために用いられ、均一性の高い高密度な光ディスクを大量に製造することができる。
【０１１５】
尚、実施の形態の説明においては、原盤作製の際に例としてポジ型のレジストを用いた作製方法について説明したが、ネガ型のレジストであっても反転パターンの露光を行うことにより同様に原盤の作製が可能である。
【０１１６】
以上、本発明によるスタンパーの製造方法、スタンパー及びこのスタンパーを用いた光ディスクの製造方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】第１の実施の形態に係るスタンパーの製造方法のフローチャート
【図２】第１の実施の形態に係るスタンパーの製造方法の工程図
【図３】本発明において用いられる電鋳装置の概要図
【図４】第１の実施の形態に係る光ディスクの製造方法の工程図
【図５】第２の実施の形態に係るスタンパーの製造方法のフローチャート
【図６】第２の実施の形態に係るスタンパーの製造方法の工程図
【図７】第３の実施の形態に係るスタンパーの製造方法のフローチャート
【図８】第３の実施の形態に係るスタンパーの製造方法の工程図
【図９】第４の実施の形態に係るスタンパーの製造方法のフローチャート
【図１０】第５の実施の形態に係るスタンパーの製造方法のフローチャート
【図１１】第６の実施の形態に係るスタンパーの製造方法のフローチャート
【図１２】第７の実施の形態に係るスタンパーの製造方法のフローチャート
【図１３】第７の実施の形態に係るスタンパーの製造方法の説明図
【図１４】第８の実施の形態に係るスタンパーの製造方法のフローチャート
【図１５】第８の実施の形態に係るスタンパーの製造方法の説明図
【図１６】第９の実施の形態に係るスタンパーの製造方法のフローチャート
【図１７】第９の実施の形態に係るスタンパーの製造方法の説明図
【符号の説明】
【０１１８】
７２…金属原盤、７３…単分子層、７４…Ｎｉ電鋳層（スタンパー）
【図１】
2008004201.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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