(57)【要約】【課題】薄膜コイルが発生する熱によって磁極層の媒体対向面側の端部が突出することを抑制する。【解決手段】記録ヘッドは、下部磁極層１１、上部磁極層１６、連結部２０、記録ギャップ層１４、薄膜コイル１５、冷却層１２を有している。連結部２０は、エアベアリング面３０から離れた位置において下部磁極層１１と上部磁極層１６を磁気的に連結する。記録ギャップ層１４は、下部磁極層１１と上部磁極層１６の各磁極部分の間に設けられている。薄膜コイル１５は下部磁極層１１と上部磁極層１６の間に設けられている。冷却層１２は、下部磁極層１１と同一平面上であって、下部磁極層１１よりもエアベアリング面３０から遠い位置に配置されている。下部磁極層１１と冷却層１２は間隙を介して隔てられ、薄膜コイル１５の両側の位置において２つの接続部３１，３２によって接続されている。【選択図】図７
2008004261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
前記媒体対向面から離れた位置に配置され、前記第１の磁極層の一部と前記第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、前記第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記連結部の回りに配置され、且つ一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
前記第１の磁極層および薄膜コイルを冷却するための冷却層と、
基板とを備え、
前記第１および第２の磁極層、ギャップ層、薄膜コイルおよび冷却層は前記基板に積層され、且つ前記第１および第２の磁極層のうち、第１の磁極層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１の磁極層と前記冷却層は、同じ磁性材料によって形成され、
前記第１の磁極層と前記冷却層は、それぞれ前記薄膜コイルにおける基板に近い面に対向するコイル対向部を有し、
前記冷却層のコイル対向部は、前記第１の磁極層のコイル対向部よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、
前記第１の磁極層のコイル対向部と前記冷却層のコイル対向部は、間隙を介して隔てられ、
薄膜磁気ヘッドは、更に、前記薄膜コイルの両側の位置において前記第１の磁極層と前記冷却層を接続する２つの接続部を備え、前記接続部は、前記第１の磁極層および冷却層と同じ磁性材料によって形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
更に、前記第１の磁極層と前記冷却層との間に配置された絶縁層を備え、前記第１の磁極層、冷却層、接続部および絶縁層の上面は平坦化されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記冷却層は、前記第１の磁極層よりも広い領域に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
更に、前記媒体対向面の近傍に配置された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上下に配置された２つのシールド層とを備え、
前記磁気抵抗効果素子および２つのシールド層は、前記基板と前記第１の磁極層との間に配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
前記媒体対向面から離れた位置に配置され、前記第１の磁極層の一部と前記第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、前記第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記連結部の回りに配置され、且つ一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
前記第１の磁極層および薄膜コイルを冷却するための冷却層と、
基板とを備え、
前記第１および第２の磁極層、ギャップ層、薄膜コイルおよび冷却層は前記基板に積層され、且つ前記第１および第２の磁極層のうち、第１の磁極層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、
前記冷却層は、第１の磁極層の熱伝導率以上の熱伝導率を有し、
前記第１の磁極層と前記冷却層は、それぞれ前記薄膜コイルにおける基板に近い面に対向するコイル対向部を有し、
前記冷却層のコイル対向部は、前記第１の磁極層のコイル対向部よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、
前記第１の磁極層のコイル対向部と前記冷却層のコイル対向部は、間隙を介して隔てられ、
薄膜磁気ヘッドは、更に、前記第１の磁極層の熱伝導率以上の熱伝導率を有し、前記薄膜コイルの両側の位置において前記第１の磁極層と前記冷却層を接続する２つの接続部を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
更に、前記第１の磁極層と前記冷却層との間に配置された絶縁層を備え、前記第１の磁極層、冷却層、接続部および絶縁層の上面は平坦化されていることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記冷却層は、前記第１の磁極層よりも広い領域に配置されていることを特徴とする請求項５または６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
更に、前記媒体対向面の近傍に配置された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上下に配置された２つのシールド層とを備え、
前記磁気抵抗効果素子および２つのシールド層は、前記基板と前記第１の磁極層との間に配置されていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近では、ハードディスク装置の面記録密度は、１００〜１６０ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００４】
記録ヘッドは、一般的に、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面）側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層および上部磁極層と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。
【０００５】
また、再生ヘッドは、一般的に、下部シールド層と上部シールド層の間にＭＲ素子を配置した構造になっている。
【０００６】
ところで、例えばハードディスク装置に用いられる浮上型薄膜磁気ヘッドは、一般的に、後端部に薄膜磁気ヘッド素子が形成されたスライダによって構成されるようになっている。スライダは、記録媒体の回転によって生じる空気流によって記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。ハードディスク装置の面記録密度を向上させるためには、スライダの浮上量の縮小が求められる。スライダの浮上時における薄膜磁気ヘッド素子と記録媒体の表面との距離は、例えば５〜８ｎｍ程度である。
【０００７】
スライダの浮上量が小さくなると、スライダと記録媒体との衝突が生じやすくなり、その結果、記録媒体や薄膜磁気ヘッド素子の損傷が生じやすくなる。また、記録ヘッドでは、薄膜コイルが発生する熱によって磁極層が膨張し、磁極層の媒体対向面側の端部が突出する場合がある。この磁極層の突出は、スライダと記録媒体との衝突を生じやすくする。
【０００８】
特許文献１には、薄膜コイルが発生する熱による磁極層の突出を抑制するために、記録ヘッド部の上方に、記録ヘッド部を覆う保護層よりも熱伝導率の高い金属製の放熱層を設ける技術が記載されている。また、特許文献１には、下部コア層の後方（媒体対向面とは反対側）に、下部コア層と分離された熱伝達層を設け、この熱伝達層を放熱層に接続する技術が記載されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−９１８０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
複合型膜磁気ヘッドでは、上部磁極層と下部磁極層のうち下部磁極層の方が再生ヘッドに近い位置に配置され、上部磁極層によって記録トラック幅が規定され、下部磁極層は上部磁極層よりも大きく形成される場合が多い。この場合、下部磁極層は、上部磁極層に比べて体積が大きいことから、熱による膨張量も大きい。また、下部磁極層は、上部磁極層に比べて、スライダの表面から遠い位置に配置されるため、下部磁極層における熱は外部に放出されにくい。このことからも、下部磁極層における熱による膨張量は大きくなる。以上のことから、下部磁極層の突出量は大きくなりやすい。
【００１１】
そこで、下部磁極層の突出量を小さくするために、下部磁極層を小さくすることが考えられる。しかしながら、下部磁極層を小さくすると、コイルから下部磁極層に伝えられた熱が下部磁極層から放出されにくくなる。その結果、やはり、下部磁極層における熱による膨張量は大きくなり、下部磁極層の突出量も大きくなってしまう。
【００１２】
また、特に下部磁極層が再生ヘッドにおける上部シールド層を兼ねている場合には、下部磁極層を小さくすると、ＭＲ素子に対するシールド機能が低下し、再生ヘッドの特性が劣化するという問題が生じる。
【００１３】
特許文献１に記載された技術では、コイルから下部コア層に伝えられた熱が下部コア層から放出されにくいため、下部コア層の膨張およびそれに伴う下部コア層の突出を十分に抑制することが難しい。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、薄膜コイルが発生する熱によって磁極層の媒体対向面側の端部が突出することを抑制できるようにした薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１および第２の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
媒体対向面から離れた位置に配置され、第１の磁極層の一部と第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
連結部の回りに配置され、且つ一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
第１の磁極層および薄膜コイルを冷却するための冷却層と、
基板とを備え、
第１および第２の磁極層、ギャップ層、薄膜コイルおよび冷却層は基板に積層され、且つ第１および第２の磁極層のうち、第１の磁極層の方が基板に近い位置に配置されたものである。
【００１６】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁極層と冷却層は、同じ磁性材料によって形成されている。第１の磁極層と冷却層は、それぞれ薄膜コイルにおける基板に近い面に対向するコイル対向部を有している。冷却層のコイル対向部は、第１の磁極層のコイル対向部よりも媒体対向面から遠い位置に配置されている。第１の磁極層のコイル対向部と冷却層のコイル対向部は、間隙を介して隔てられている。
【００１７】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、更に、絶縁材料によって形成され、第１の磁極層と薄膜コイルとの間に配置された第１の絶縁部と、絶縁材料によって形成され、冷却層と薄膜コイルとの間に配置された第２の絶縁部とを備えていてもよい。第１の絶縁部は第２の絶縁部よりも厚くてもよい。
【００１８】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の磁極層と冷却層はそれぞれ側面を有し、第１の磁極層の側面は、媒体対向面に露出する第１の部分と、媒体対向面とは反対側の第２の部分と、第１の部分の一端と第２の部分の一端とを連結する第３の部分と、第１の部分の他端と第２の部分の他端とを連結する第４の部分とを含み、冷却層の側面の一部は、第１の磁極層の側面のうちの第２の部分、第３の部分および第４の部分に、所定の間隔を開けて対向していてもよい。
【００１９】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、更に、第１の磁極層と冷却層との間に配置された絶縁層を備え、第１の磁極層、冷却層および絶縁層の上面は平坦化されていてもよい。
【００２０】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、更に、薄膜コイルの両側の位置において第１の磁極層と冷却層を接続する２つの接続部を備え、接続部は、第１の磁極層および冷却層と同じ磁性材料によって形成されていてもよい。この場合、薄膜磁気ヘッドは、更に、第１の磁極層と冷却層との間に配置された絶縁層を備え、第１の磁極層、冷却層、接続部および絶縁層の上面は平坦化されていてもよい。
【００２１】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドにおいて、冷却層は、第１の磁極層よりも広い領域に配置されていてもよい。
【００２２】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、更に、媒体対向面の近傍に配置された磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の上下に配置された２つのシールド層とを備え、磁気抵抗効果素子および２つのシールド層は、基板と第１の磁極層との間に配置されていてもよい。
【００２３】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドでは、冷却層は、第１の磁極層の熱伝導率以上の熱伝導率を有している。第１の磁極層と冷却層は、それぞれ薄膜コイルにおける基板に近い面に対向するコイル対向部を有している。冷却層のコイル対向部は、第１の磁極層のコイル対向部よりも媒体対向面から遠い位置に配置されている。第１の磁極層のコイル対向部と冷却層のコイル対向部は、間隙を介して隔てられている。
【００２４】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、更に、絶縁材料によって形成され、第１の磁極層と薄膜コイルとの間に配置された第１の絶縁部と、絶縁材料によって形成され、冷却層と薄膜コイルとの間に配置された第２の絶縁部とを備えていてもよい。第１の絶縁部は第２の絶縁部よりも厚くてもよい。
【００２５】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の磁極層と冷却層はそれぞれ側面を有し、冷却層の側面の一部は、第１の磁極層の側面のうちの２分の１以上の部分に、所定の間隔を開けて対向していてもよい。
【００２６】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、更に、第１の磁極層と冷却層との間に配置された絶縁層を備え、第１の磁極層、冷却層および絶縁層の上面は平坦化されていてもよい。
【００２７】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、更に、第１の磁極層の熱伝導率以上の熱伝導率を有し、薄膜コイルの両側の位置において第１の磁極層と冷却層を接続する２つの接続部を備えていてもよい。この場合、薄膜磁気ヘッドは、更に、第１の磁極層と冷却層との間に配置された絶縁層を備え、第１の磁極層、冷却層、接続部および絶縁層の上面は平坦化されていてもよい。
【００２８】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドにおいて、冷却層は、第１の磁極層よりも広い領域に配置されていてもよい。
【００２９】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、更に、媒体対向面の近傍に配置された磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の上下に配置された２つのシールド層とを備え、磁気抵抗効果素子および２つのシールド層は、基板と第１の磁極層との間に配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルが発生する熱が冷却層に伝わることによって、第１の磁極層および薄膜コイルが冷却される。また、本発明によれば、第１の磁極層のコイル対向部と冷却層のコイル対向部が、間隙を介して隔てられているので、熱による第１の磁極層の膨張量を小さくすることができる。これらのことから、本発明によれば、磁極層の媒体対向面側の端部が突出することを抑制できるという効果を奏する。
【００３１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、第１の磁極層と薄膜コイルとの間に配置された第１の絶縁部と、冷却層と薄膜コイルとの間に配置された第２の絶縁部とを備え、第１の絶縁部は第２の絶縁部よりも厚くてもよい。この場合には、薄膜コイルが発生する熱は、第１の磁極層よりも冷却層の方に伝わりやすくなり、第１の磁極層の冷却をより効果的に行なうことができるという効果を奏する。
【００３２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の磁極層の側面は、媒体対向面に露出する第１の部分と、媒体対向面とは反対側の第２の部分と、第１の部分の一端と第２の部分の一端とを連結する第３の部分と、第１の部分の他端と第２の部分の他端とを連結する第４の部分とを含み、冷却層の側面の一部は、第１の磁極層の側面のうちの第２の部分、第３の部分および第４の部分に、所定の間隔を開けて対向していてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、冷却層の側面の一部は、第１の磁極層の側面のうちの２分の１以上の部分に、所定の間隔を開けて対向していてもよい。これらの場合には、第１の磁極層から冷却層へ熱が伝わりやすくなり、第１の磁極層の冷却をより効果的に行なうことができるという効果を奏する。
【００３３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、薄膜コイルの両側の位置において第１の磁極層と冷却層を接続する２つの接続部を備えていてもよい。この場合には、第１の磁極層から冷却層へ熱が伝わりやすくなり、第１の磁極層の冷却をより効果的に行なうことができるという効果を奏する。
【００３４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、冷却層は、第１の磁極層よりも広い領域に配置されていてもよい。この場合には、薄膜コイルから冷却層に伝わる熱量を多くすることができると共に、冷却層における放熱量を多くすることができ、第１の磁極層および薄膜コイルの冷却をより効果的に行なうことができるという効果を奏する。
【００３５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、媒体対向面の近傍に配置された磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の上下に配置された２つのシールド層とを備え、磁気抵抗効果素子および２つのシールド層は、基板と第１の磁極層との間に配置されていてもよい。この場合には、第１の磁極層が小さい場合であっても、シールド層による磁気抵抗効果素子に対するシールド機能が低下することを防止できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す平面図（ａ）と本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図（ｂ）とを対応させて示している。なお、断面図（ｂ）は、薄膜磁気ヘッドの、エアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示している。図２は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【００３７】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みに形成する。次に、めっき法またはスパッタ法によって、絶縁層２の上に、磁性材料よりなる、再生ヘッド用の下部シールド層３を、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層２１を、例えば３〜４μｍの厚みに形成し、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００３８】
次に、下部シールド層３および絶縁層２１の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を、例えば１０〜１５ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、磁気的信号検出用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタ法によって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。また、ＭＲ素子５は、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面３０の近傍に配置される。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層６（図２参照）を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約１０〜１５ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学的気相成長（以下、ＣＶＤと記す。）法によって形成してもよい。
【００３９】
次に、めっき法またはスパッタ法によって、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料よりなる、再生ヘッド用の上部シールド層８を、例えば１．０〜１．５μｍの厚みに形成する。上部シールド層８の材料としては、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅまたはＦｅＮが用いられる。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層２２を、例えば２〜３μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、上部シールド層８が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。次に、ここまでの工程で得られた積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層９を、例えば０．１〜０．３μｍの厚みに形成する。
【００４０】
次に、めっき法またはスパッタ法によって、絶縁層９の上に、記録ヘッド用の下部磁極層１１と、冷却層１２とを形成する。下部磁極層１１と冷却層１２は、いずれも矩形の板状をなしている。冷却層１２は、下部磁極層１１よりも、エアベアリング面３０から遠い位置に配置される。
【００４１】
下部磁極層１１および冷却層１２の厚みは、例えば１．５〜２．５μｍである。下部磁極層１１は、磁性材料よりなる。下部磁極層１１の材料としては、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅまたはＦｅＮが用いられる。冷却層１２の材料は、下部磁極層１１と同じ磁性材料であってもよい。この場合には、下部磁極層１１および冷却層１２を同時に形成することができる。また、この場合、冷却層１２の熱伝導率は、下部磁極層１１の熱伝導率と等しい。
【００４２】
また、冷却層１２の材料として、下部磁極層１１の材料の熱伝導率以上の熱伝導率を有する材料を用い、冷却層１２が下部磁極層１１の熱伝導率以上の熱伝導率を有するようにしてもよい。この場合、冷却層１２の材料は、磁性材料でもよいし、非磁性材料であってもよい。冷却層１２に用いられる非磁性材料としては、例えばＣｕが挙げられる。
【００４３】
下部磁極層１１の側面は、エアベアリング面３０に露出する第１の部分１１ａと、エアベアリング面３０とは反対側の第２の部分１１ｂと、第１の部分１１ａの一端と第２の部分１１ｂの一端とを連結する第３の部分１１ｃと、第１の部分１１ａの他端と第２の部分１１ｂの他端とを連結する第４の部分１１ｄとを含んでいる。
【００４４】
冷却層１２の側面は、エアベアリング面３０に近い第１の部分１２ａと、エアベアリング面３０から遠い第２の部分１２ｂと、第１の部分１２ａの一端と第２の部分１２ｂの一端とを連結する第３の部分１２ｃと、第１の部分１２ａの他端と第２の部分１２ｂの他端とを連結する第４の部分１２ｄとを含んでいる。
【００４５】
冷却層１２の側面の第１の部分１２ａは、下部磁極層１１の側面の第２の部分１１ｂに対して、所定の間隔を開けて対向している。冷却層１２の側面の第１の部分１２ａと下部磁極層１１の側面の第２の部分１１ｂとの間隔は、０．２〜０．６μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４６】
部分１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂの長さは等しくなっている。部分１２ｃ，１２ｄは、部分１１ｃ，１１ｄよりも長くなっている。従って、冷却層１２は、下部磁極層１１よりも広い領域に配置されている。
【００４７】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、次に、下部磁極層１１および冷却層１２を覆い且つ下部磁極層１１と冷却層１２との間の間隙を埋めるように、例えばアルミナよりなる絶縁層１３を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層１１および冷却層１２が露出するまで、絶縁層１３を研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４８】
なお、下部磁極層１１と冷却層１２との間の間隙は、何の材料も充填されていない空間になっていてもよい。
【００４９】
また、下部磁極層１１および冷却層１２は、以下の方法で形成してもよい。まず、絶縁層９の上に下部磁極層１１を形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる薄い絶縁膜を形成する。この絶縁膜は、下部磁極層１１の側面にも付着する。次に、上記絶縁膜の上に冷却層１２を形成する。下部磁極層１１と冷却層１２との間の間隙は、上記絶縁膜によって形成される。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層１１および冷却層１２が露出するまで、絶縁層を研磨して、表面を平坦化処理する。
【００５０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、次に、積層体の上面全体の上に、記録ギャップ層１４を、例えば５０〜８０ｎｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１４の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ等の非磁性金属材料でもよい。次に、記録ギャップ層１４のうち、後述する連結部に対応する部分を選択的にエッチングして、記録ギャップ層１４に開口部を形成する。
【００５１】
次に、例えばフレームめっき法によって、記録ギャップ層１４の上に、金属、例えばＣｕよりなる第１のコイル１５Ａを形成する。第１のコイル１５Ａは、平面渦巻き状をなしている。第１のコイル１５Ａは、その内側の端部近傍に形成され、後述する第２のコイル１５Ｂに接続される接続部１５Ａａを有している。
【００５２】
次に、エアベアリング面３０の近傍の位置において記録ギャップ層１４の上に磁極部分層１６Ａを形成すると共に、記録ギャップ層１４の開口部の位置において下部磁極層１１の上に連結層１６Ｂを形成する。磁極部分層１６Ａおよび連結層１６Ｂは、共に磁性材料によって形成される。また、磁極部分層１６Ａおよび連結層１６Ｂは、例えばフレームめっき法によって形成される。なお、磁極部分層１６Ａおよび連結層１６Ｂの厚みは、第１のコイル１５Ａの厚みよりも大きい。磁極部分層１６Ａのエアベアリング面３０とは反対側の端部は、記録ヘッドのスロートハイトを規定する。また、磁極部分層１６Ａの幅は、記録ヘッドのトラック幅を規定する。
【００５３】
次に、第１のコイル１５Ａ、磁極部分層１６Ａおよび連結層１６Ｂを覆い且つ第１のコイル１５Ａの巻線間を埋めるように、例えばアルミナよりなる絶縁層１７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁極部分層１６Ａおよび連結層１６Ｂが露出するまで、絶縁層１７を研磨して、表面を平坦化処理する。次に、絶縁層１７のうち、接続部１５Ａａの上に存在する部分を選択的にエッチングして、絶縁層１７に開口部を形成する。
【００５４】
次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１７の上に、金属、例えばＣｕよりなる第２のコイル１５Ｂを形成する。第２のコイル１５Ｂは、平面渦巻き状をなしている。ただし、第２のコイル１５Ｂの巻線の外側の端部から内側の端部へ向かう回転の方向は、第１のコイル１５Ａの巻線の外側の端部から内側の端部へ向かう回転の方向とは逆である。第２のコイル１５Ｂは、その内側の端部近傍に形成され、絶縁層１７の開口部を通して、第１のコイル１５Ａの接続部１５Ａａに接続される接続部１５Ｂａを有している。第１のコイル１５Ａと第２のコイル１５Ｂは、接続部１５Ａａ，１５Ｂａ同士が接続されて、薄膜コイル１５を構成する。
【００５５】
次に、第２のコイル１５Ｂを覆い且つ第２のコイル１５Ｂの巻線間を埋めるように、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１８を形成する。
【００５６】
次に、例えばフレームめっき法によって、磁極部分層１６Ａ、連結層１６Ｂおよび絶縁層１８の上に、磁性材料よりなるヨーク部分層１６Ｃを形成する。ヨーク部分層１６Ｃは、磁極部分層１６Ａと連結層１６Ｂとを磁気的に連結する。磁極部分層１６Ａ、連結層１６Ｂおよびヨーク部分層１６Ｃは、上部磁極層１６を構成する。磁極部分層１６Ａは、上部磁極層１６における磁極部分を構成する。下部磁極層１１のうち、記録ギャップ層１４を介して磁極部分層１６Ａと対向する部分は、下部磁極層１１における磁極部分となる。
【００５７】
連結層１６Ｂは、下部磁極層１１と上部磁極層１６とを磁気的に連結する連結部２０を構成する。薄膜コイル１５は、連結部２０の回りに配置される。
【００５８】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１９を形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５９】
なお、図１における（ａ）では、記録ギャップ層１４、第２のコイル１５Ｂ、絶縁層１７，１８およびオーバーコート層１９を省略している。また、図２では、オーバーコート層１９を省略している。
【００６０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面３０と、再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１に積層されている。
【００６１】
再生ヘッドは、エアベアリング面３０の近傍に配置されたＭＲ素子５と、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層８との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを有している。
【００６２】
記録ヘッドは、下部磁極層１１、上部磁極層１６、連結部２０、記録ギャップ層１４、薄膜コイル１５および冷却層１２を有している。下部磁極層１１と上部磁極層１６のうち、下部磁極層１１の方が基板１に近い位置に配置されている。下部磁極層１１および上部磁極層１６は、エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部分を含んでいる。連結部２０は、エアベアリング面３０から離れた位置に配置され、上部磁極層１６の一部である連結層１６Ｂを含み、下部磁極層１１と上部磁極層１６とを磁気的に連結する。記録ギャップ層１４は、下部磁極層１１の磁極部分と上部磁極層１６の磁極部分との間に設けられている。薄膜コイル１５は、下部磁極層１１と上部磁極層１６の間に、下部磁極層１１および上部磁極層１６に対して絶縁された状態で設けられている。冷却層１２は、下部磁極層１１および薄膜コイル１５を冷却するための層である。下部磁極層１１、上部磁極層１６は、それぞれ本発明における第１の磁極層、第２の磁極層に対応する。
【００６３】
下部磁極層１１と冷却層１２は、同一平面上、すなわち絶縁層９の上面の上に配置されている。冷却層１２は、下部磁極層１１よりも広い領域に配置されている。図１における（ａ）に示したように、下部磁極層１１と冷却層１２は、それぞれ薄膜コイル１５における基板１に近い面（第１のコイル１５Ａの下面）に対向するコイル対向部１１Ａ，１２Ａを有している。冷却層１２のコイル対向部１２Ａは、下部磁極層１１のコイル対向部１１Ａよりもエアベアリング面３０から遠い位置に配置されている。コイル対向部１１Ａ，１２Ａは、絶縁層１３よりなる間隙を介して隔てられている。また、下部磁極層１１、冷却層１２および絶縁層１３の上面は平坦化されている。
【００６４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル１５が発生する熱は、下部磁極層１１と冷却層１２とに伝わる。本実施の形態では、薄膜コイル１５が発生する熱が冷却層１２に伝わることにより、下部磁極層１１および薄膜コイル１５が冷却される。すなわち、本実施の形態では、薄膜コイル１５が発生する熱が冷却層１２に伝わることにより、冷却層１２がない場合に比べて、下部磁極層１１および薄膜コイル１５の温度上昇を抑制することができる。
【００６５】
また、本実施の形態では、それぞれ薄膜コイル１５における基板１に近い面に対向する下部磁極層１１のコイル対向部１１Ａと冷却層１２のコイル対向部１２Ａとが、間隙を介して隔てられている。更に、本実施の形態では、下部磁極層１１の全体と冷却層１２の全体も、間隙を介して隔てられている。従って、本実施の形態によれば、下部磁極層が薄膜コイル１５における基板１に近い面の全体に対向するように広い領域に形成されている場合に比べて、熱による下部磁極層１１の膨張量を小さくすることができる。
【００６６】
以上のことから、本実施の形態によれば、薄膜コイル１５が発生する熱によって下部磁極層１１のエアベアリング面３０側の端部が突出することを抑制することができる。
【００６７】
また、本実施の形態では、冷却層１２が下部磁極層１１よりも広い領域に配置されているので、薄膜コイル１５から冷却層１２に伝わる熱量を多くすることができると共に、冷却層１２における放熱量を多くすることができる。これにより、下部磁極層１１および薄膜コイル１５の冷却をより効果的に行なうことができる。
【００６８】
ここで、図８ないし図１１に示す第１ないし第４の比較例の薄膜磁気ヘッドと本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとについて、作用および効果を比較する。第１ないし第４の比較例の薄膜磁気ヘッドは、いずれも、冷却層１２を有していない。図８ないし図１１は、それぞれ、第１ないし第４の比較例の薄膜磁気ヘッドについて、図１と同様に、薄膜磁気ヘッドの要部を示す平面図（ａ）と係る薄膜磁気ヘッドの断面図（ｂ）とを対応させて示している。また、図８ないし図１１では、主要な部材の符号のみを記載している。
【００６９】
図８に示した第１の比較例の薄膜磁気ヘッドは、図１における上部シールド層８、絶縁層２２、絶縁層９および冷却層１２を備えていない。第１の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、下部磁極層１１は上部シールド層を兼ねている。下部磁極層１１は、薄膜コイル１５における基板１に近い面（第１のコイル１５Ａの下面）の全体に対向するように広い領域に形成されている。第１の比較例の薄膜磁気ヘッドにおけるその他の構成は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様である。
【００７０】
第１の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに比べて、下部磁極層１１が薄膜コイル１５から受ける熱量が多く、且つ熱による下部磁極層１１の膨張量も大きくなる。その結果、第１の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに比べて、下部磁極層１１の突出量が大きくなる。
【００７１】
図９に示した第２の比較例の薄膜磁気ヘッドは、第１の比較例の薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極層１１を小さくしたものである。第２の比較例における下部磁極層１１の大きさおよび位置は、本実施の形態における下部磁極層１１と同様である。第２の比較例の薄膜磁気ヘッドにおけるその他の構成は、第１の比較例の薄膜磁気ヘッドと同様である。
【００７２】
第２の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、第１の比較例に比べて、薄膜コイル１５から下部磁極層１１に伝えられた熱が下部磁極層１１から放出されにくくなる。その結果、第２の比較例の薄膜磁気ヘッドでも、やはり、下部磁極層１１における熱による膨張量は大きくなり、下部磁極層１１の突出量も大きくなってしまう。また、本実施の形態では冷却層１２によって放熱できるのに対し、第２の比較例ではそれができないため、第２の比較例では、本実施の形態に比べて、下部磁極層１１の突出量が大きくなる。
【００７３】
また、第２の比較例では、第１の比較例に比べて、下部磁極層１１が小さくなるため、ＭＲ素子５に対するシールド機能が低下し、再生ヘッドの特性が劣化するという問題が生じる。再生ヘッドの特性の劣化としては、例えば、再生ヘッドのトランスファカーブの劣化がある。再生ヘッドのトランスファカーブとは、ＭＲ素子への印加磁界の変化に対するＭＲ素子の抵抗の変化を表す曲線である。
【００７４】
ここで、図３を参照して、トランスファカーブの劣化について簡単に説明する。図３は、トランスファカーブを模式的に表したものである。図３において、横軸はＭＲ素子への印加磁界を表し、縦軸はＭＲ素子の抵抗変化量を表している。図３において、符号１０１で示す線は、理想的なトランスファカーブを表している。また、符号１０２で示す線は、良品と判定される再生ヘッドのトランスファカーブ（以下、良好なトランスファカーブと言う。）を表している。また、符号１０３で示す線は、不良品と判定される再生ヘッドのトランスファカーブ（以下、不良なトランスファカーブと言う。）を表している。符号１０３で示すトランスファカーブでは、磁界の変化に対して抵抗がほとんど変化しない部分が存在している。トランスファカーブの劣化とは、トランスファカーブが、符号１０２で示した良好なものから、符号１０３で示した不良なものに近づくことである。
【００７５】
第１の比較例では、上部シールド層を兼ねた下部磁極層１１が十分に広い領域に配置されているので、トランスファカーブは良好なものになりやすい。しかし、第２の比較例では、上部シールド層を兼ねた下部磁極層１１が小さいため、下部磁極層１１のＭＲ素子５に対するシールド機能が低下し、トランスファカーブは不良なものになりやすい。
【００７６】
本実施の形態では、下部磁極層１１は小さいが、下部磁極層１１とは別に上部シールド層８が設けられている。従って、本実施の形態では、上部シールド層８を十分に広い領域に配置することにより、良好なトランスファカーブを得ることができる。
【００７７】
図１０に示した第３の比較例の薄膜磁気ヘッドは、図１における冷却層１２を備えていない。下部磁極層１１は、薄膜コイル１５における基板１に近い面（第１のコイル１５Ａの下面）の全体に対向するように広い領域に形成されている。第３の比較例の薄膜磁気ヘッドにおけるその他の構成は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様である。
【００７８】
第３の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに比べて、下部磁極層１１が薄膜コイル１５から受ける熱量が多く、且つ熱による下部磁極層１１の膨張量も大きくなる。その結果、第３の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに比べて、下部磁極層１１の突出量が大きくなる。
【００７９】
図１１に示した第４の比較例の薄膜磁気ヘッドは、第３の比較例の薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極層１１を小さくしたものである。第４の比較例における下部磁極層１１の大きさおよび位置は、本実施の形態における下部磁極層１１と同様である。第４の比較例の薄膜磁気ヘッドにおけるその他の構成は、第３の比較例の薄膜磁気ヘッドと同様である。
【００８０】
第４の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、第３の比較例に比べて、薄膜コイル１５から下部磁極層１１に伝えられた熱が下部磁極層１１から放出されにくくなる。その結果、第４の比較例の薄膜磁気ヘッドでも、やはり、下部磁極層１１における熱による膨張量は大きくなり、下部磁極層１１の突出量も大きくなってしまう。また、本実施の形態では冷却層１２によって放熱できるのに対し、第４の比較例ではそれができないため、第４の比較例では、本実施の形態に比べて、下部磁極層１１の突出量が大きくなる。
【００８１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、薄膜コイル１５が発生する熱によって下部磁極層１１のエアベアリング面３０側の端部が突出することを抑制することができると共に、良好な再生ヘッドのトランスファカーブを得ることができる。
【００８２】
［第２の実施の形態］
次に、図４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図４は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す平面図（ａ）と本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図（ｂ）とを対応させて示している。なお、断面図（ｂ）は、薄膜磁気ヘッドの、エアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示している。
【００８３】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、下部磁極層１１の上面のうち、薄膜コイル１５における基板１に近い面（第１のコイル１５Ａの下面）に対向する領域に凹部が形成され、この凹部に、例えばアルミナよりなる絶縁層２４が配置されている。下部磁極層１１、冷却層１２、絶縁層１３および絶縁層２４の上面は平坦化されている。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのその他の構成は、第１の実施の形態と同様である。
【００８４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部磁極層１１および冷却層１２を形成した後、エッチングによって下部磁極層１１の上面に凹部を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁材料の層を形成し、例えばＣＭＰによって、下部磁極層１１および冷却層１２が露出するまで、絶縁材料の層を研磨して、表面を平坦化処理する。これにより、絶縁層１３と絶縁層２４とが形成される。本実施の形態におけるその他の工程は、第１の実施の形態と同様である。
【００８５】
本実施の形態では、下部磁極層１１と薄膜コイル１５との間には、いずれも絶縁材料によって形成された絶縁層２４および記録ギャップ層１４が介在する。一方、冷却層１２と薄膜コイル１５との間には、記録ギャップ層１４のみが介在する。ここで、絶縁層２４および記録ギャップ層１４のうち、下部磁極層１１と薄膜コイル１５との間に配置された部分を、第１の絶縁部と呼ぶ。また、記録ギャップ層１４のうち、冷却層１２と薄膜コイル１５との間に配置された部分を、第２の絶縁部と呼ぶ。第１の絶縁部は第２の絶縁部よりも厚い。従って、本実施の形態によれば、第１の実施の形態に比べて、薄膜コイル１５が発生する熱が、下部磁極層１１よりも冷却層１２の方に伝わりやすくなり、下部磁極層１１の冷却をより効果的に行なうことができる。
【００８６】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８７】
［第３の実施の形態］
次に、図５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図５は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す平面図である。
【００８８】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、下部磁極層１１の幅（部分１１ａ，１１ｂの長さ）が、第１の実施の形態における下部磁極層１１の幅よりも小さくなっている。従って、本実施の形態では、下部磁極層１１の幅は、冷却層１２の幅（部分１２ａ，１２ｂの長さ）よりも小さくなっている。その結果、本実施の形態では、第１の実施の形態に比べて、［冷却層１２の上面の面積］／［下部磁極層１１の上面の面積］の値が大きくなっている。これにより、本実施の形態によれば、第１の実施の形態に比べて、薄膜コイル１５が発生する熱が、下部磁極層１１よりも冷却層１２の方に伝わりやすくなり、下部磁極層１１の冷却をより効果的に行なうことができる。
【００８９】
なお、本実施の形態においても、第２の実施の形態と同様に、絶縁層２４を設けてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００９０】
［第４の実施の形態］
次に、図６を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図６は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す平面図である。
【００９１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、下部磁極層１１の形状は第３の実施の形態と同様であるが、冷却層１２の形状は第３の実施の形態とは異なっている。すなわち、本実施の形態における冷却層１２は、第３の実施の形態における冷却層１２に、２つの張り出し部１２Ｂ，１２Ｃを付加した形状になっている。張り出し部１２Ｂ，１２Ｃは、下部磁極層１１の幅方向の両側に配置されている。張り出し部１２Ｂの側面の一部は、下部磁極層１１の側面の第３の部分１１ｃに対して、所定の間隔を開けて対向している。張り出し部１２Ｃの側面の一部は、下部磁極層１１の側面の第４の部分１１ｄに対して、所定の間隔を開けて対向している。
【００９２】
本実施の形態では、冷却層１２の側面の一部は、下部磁極層１１の側面のうちの第２の部分１１ｂ、第３の部分１１ｃおよび第４の部分１１ｄに、所定の間隔を開けて対向している。また、本実施の形態では、冷却層１２の側面の一部は、下部磁極層１１の側面のうちの２分の１以上の部分に、所定の間隔を開けて対向している。本実施の形態では、第３の実施の形態と比較して、下部磁極層１１の側面と冷却層１２の側面とが対向する領域が大きい。従って、本実施の形態によれば、第３の実施の形態と比較して、下部磁極層１１から冷却層１２へ熱が伝わりやすくなり、下部磁極層１１の冷却をより効果的に行なうことができる。
【００９３】
なお、本実施の形態においても、第２の実施の形態と同様に、絶縁層２４を設けてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第３の実施の形態と同様である。
【００９４】
［第５の実施の形態］
次に、図７を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す平面図である。
【００９５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、薄膜コイル１５の両側の位置において下部磁極層１１と冷却層１２を接続する２つの接続部３１，３２を備えている。接続部３１，３２および冷却層１２の材料は、下部磁極層１１と同じ磁性材料であってもよい。この場合には、下部磁極層１１、冷却層１２および接続部３１，３２を同時に形成することができる。また、この場合、冷却層１２および接続部３１，３２の熱伝導率は、下部磁極層１１の熱伝導率と等しい。
【００９６】
また、接続部３１，３２の材料として、下部磁極層１１の材料の熱伝導率以上の熱伝導率を有する材料を用い、接続部３１，３２が下部磁極層１１の熱伝導率以上の熱伝導率を有するようにしてもよい。この場合、接続部３１，３２の材料は、磁性材料でもよいし、非磁性材料であってもよい。接続部３１，３２に用いられる非磁性材料としては、例えばＣｕが挙げられる。
【００９７】
下部磁極層１１、冷却層１２および接続部３１，３２は、同一平面上、すなわち絶縁層９の上面の上に配置されている。また、下部磁極層１１、冷却層１２、接続部３１，３２および絶縁層１３の上面は平坦化されている。
【００９８】
本実施の形態では、接続部３１，３２によって、下部磁極層１１から冷却層１２へ熱が伝わりやすくなり、下部磁極層１１の冷却をより効果的に行なうことができる。
【００９９】
また、本実施の形態では、接続部３１，３２によって下部磁極層１１と冷却層１２とが接続されているが、接続部３１，３２の間の領域では、下部磁極層１１の側面と冷却層１２の側面とが間隙を介して隔てられている。接続部３１，３２は、薄膜コイル１５に対向しない位置に配置されているため、接続部３１，３２の近傍の領域における下部磁極層１１および冷却層１２の熱による膨張量は小さい。そのため、接続部３１，３２によって下部磁極層１１と冷却層１２とが接続されていても、下部磁極層１１のエアベアリング面３０側の端部が突出することを抑制することができる。
【０１００】
なお、本実施の形態においても、第２の実施の形態と同様に、絶縁層２４を設けてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０１】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、下部磁極層が上部シールド層を兼ねた構造の薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。この構造において、冷却層が磁性材料によって形成される場合には、冷却層も上部シールド層の機能を有するため、ＭＲ素子に対するシールド機能が低下することを防止することができる。
【０１０２】
また、各実施の形態では、薄膜コイル１５が２つの層によって構成された例を示したが、本発明において、薄膜コイルは、１つの層によって構成されていてもよいし、３つ以上の層によって構成されていてもよい。
【０１０３】
また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【図３】トランスファカーブの劣化について説明するための説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す説明図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す平面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す平面図である。
【図７】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部を示す平面図である。
【図８】第１の比較例の薄膜磁気ヘッドを示す説明図である。
【図９】第２の比較例の薄膜磁気ヘッドを示す説明図である。
【図１０】第３の比較例の薄膜磁気ヘッドを示す説明図である。
【図１１】第４の比較例の薄膜磁気ヘッドを示す説明図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８…上部シールド層、９…絶縁層、１１…下部磁極層、１２…冷却層、１３…絶縁層、１４…記録ギャップ層、１５…薄膜コイル、１６…上部磁極層、１９…オーバーコート層、２０…連結部、３０…エアベアリング面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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