(57)【要約】【課題】半導体チップ上のボンディングパッドと半導体チップ周囲の電極パッドとをワイヤにより電気接続するワイヤのボンディング方法において、サイズの小さなボンディングパッドや電極パッドであっても、大きな径のワイヤを接合することができるようにする。【解決手段】ワイヤ５よりも小さい径の細線ワイヤを引き出す小径キャピラリを電極パッド３ａやボンディングパッド１ａに押し当てて金属製バンプ１１，１３を形成するバンプ形成工程を行った後に、キャピラリ２１の先端部から引き出されるワイヤ５の先端に金属製ボール２３を形成し、前記先端部を電極パッド３ａに押し当てて金属製ボール２３を接合するボールボンディング工程と、前記先端部からワイヤ５を引き出しながらキャピラリ２１をボンディングパッド１ａまで移動させ、ワイヤ５の後端をボンディングパッド１ａ上に押し当ててワイヤ５の後端を接合するウェッジボンディング工程とを行う。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ上のボンディングパッドと、該半導体チップの周囲に配される電気接点パッドとを金属製のワイヤにより電気接続するワイヤのボンディング方法であって、
キャピラリの先端部から引き出されるワイヤの先端に金属製ボールを形成して、前記キャピラリの先端部を前記ボンディングパッド及び前記電気接点パッドのいずれか一方のパッド上に押し当てて、前記金属製ボールを接合するボールボンディング工程と、
前記先端部から前記ワイヤを引き出しながら前記キャピラリを前記一方のパッドから他方のパッドまで移動させ、前記キャピラリの先端部により前記ワイヤの後端を前記他方のパッド上に押し当てて、前記ワイヤの後端を接合するウェッジボンディング工程とを備え、
前記ボールボンディング工程の前に、前記ワイヤよりも小さい径の細線ワイヤを引き出す小径キャピラリの先端部を、少なくとも前記一方のパッド若しくは前記他方のパッドの一方に押し当てて金属製バンプを形成するバンプ形成工程を行うことを特徴とするワイヤのボンディング方法。
【請求項２】
前記バンプ形成工程において、前記金属製バンプが前記一方のパッド上に形成され、
前記一方のパッドの上方から見た前記金属製バンプの直径をＤ１とし、前記金属製バンプに接合された前記金属製ボールの直径をＤ２として、
０．５×Ｄ２≦Ｄ１＜１．２×Ｄ２、
とすることを特徴とする請求項１に記載のワイヤのボンディング方法。
【請求項３】
前記バンプ形成工程において、前記金属製バンプが前記他方のパッド上に形成され、
前記他方のパッドの上方から見た前記金属製バンプの直径をＤ１とし、前記金属製バンプに接合された前記ワイヤの後端の直径をＤ３として、
１．４×Ｄ３≦Ｄ１＜２．０×Ｄ３、
とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のワイヤのボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップ上のボンディングパッドと、半導体チップの周囲に配される電気接点とを金属製のワイヤにより電気接続するワイヤのボンディング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップ上に形成されるボンディングパッドと、半導体チップの周囲に配される半導体チップを搭載する搭載基板上に形成される電極パッドや、リードフレームのリード等の電気接点とを、金属製のワイヤにより電気接続するワイヤのボンディング方法では、例えば、特許文献１，２に示すように、はじめに、ボールボンディング法によりワイヤの先端をボンディングパッド若しくは電気接点の一方に接合する第一ボンディングを行い、その後に、ウェッジボンディング法によりワイヤの後端をボンディングパッド若しくは電気接点の他方に接合する第二ボンディングを行う。
【０００３】
第一ボンディングにおいては、キャピラリの先端部から引き出されたワイヤの先端にワイヤの径よりも大きい金属製ボールを予め形成しておき、キャピラリの先端部でこの金属製ボールをボンディングパッド上若しくは電気接点上の一方に押しつけて圧着する。また、第二ボンディングにおいては、キャピラリの先端部とボンディングパッド上若しくは電気接点上の他方との間にワイヤの後端を挟み込んで圧着する。
なお、ウェッジボンディング法での接合は、ボールボンディング法による接合と比較して接合強度が弱いため、前記キャピラリを用いて予めボンディングパッド上若しくは電気接点上の他方に金属製のバンプを形成しておき、第二ボンディングの際に前記金属製バンプ上にワイヤの後端を接合している。
【特許文献１】特開２００４−５６０２１号公報
【特許文献２】特開２００５−１２１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来のボンディング方法においてボンディングパッド上や電気接点上に設けられる金属製ボールや金属製バンプは、いずれもワイヤを配するものと同一のキャピラリによってワイヤの先端部分をボンディングパッド上や電気接点上に押しつけて形成されるものである。このため、金属製ボールや金属製バンプの大きさは、ワイヤの径寸法よりも大きくなり、最低でもワイヤの径寸法の２倍程度となる。したがって、ボンディングパッドや電気接点の大きさは、ワイヤの径寸法ではなく、これら金属製ボールや金属製バンプの大きさに合わせて設定する必要がある。
【０００５】
一方、半導体チップや搭載基板、リードフレームをデジタルアンプ等に使用する場合には、ワイヤに流れる電流が大きくなるため、大きい径の太線ワイヤで接続する必要があるが、これに応じて上述したボンディングパッドや電気接点の大きさも拡大させなければならないという問題がある。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、サイズの小さなボンディングパッドや電気接点であっても、大きな径のワイヤを接合することができるワイヤのボンディング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、半導体チップ上のボンディングパッドと、該半導体チップの周囲に配される電気接点パッドとを金属製のワイヤにより電気接続するワイヤのボンディング方法であって、キャピラリの先端部から引き出されるワイヤの先端に金属製ボールを形成して、前記キャピラリの先端部を前記ボンディングパッド及び前記電気接点パッドのいずれか一方のパッド上に押し当てて、前記金属製ボールを接合するボールボンディング工程と、前記先端部から前記ワイヤを引き出しながら前記キャピラリを前記一方のパッドから他方のパッドまで移動させ、前記キャピラリの先端部により前記ワイヤの後端を前記他方のパッド上に押し当てて、前記ワイヤの後端を接合するウェッジボンディング工程とを備え、前記ボールボンディング工程の前に、前記ワイヤよりも小さい径の細線ワイヤを引き出す小径キャピラリの先端部を、少なくとも前記一方のパッド若しくは前記他方のパッドの一方に押し当てて金属製バンプを形成するバンプ形成工程を行うことを特徴とするワイヤのボンディング方法を提案している。
【０００７】
なお、上記電気接点パッドは、例えば、半導体チップを搭載する搭載基板の電極パッドやリードフレームのリード、別個の半導体チップのボンディングパッド等を示している。
この発明に係るワイヤのボンディング方法においては、ボンディングパッドや電気接続パッドに金属製バンプを形成した後にボールボンディング工程及びウェッジボンディング工程を行うため、ワイヤ先端の金属製ボールやワイヤ後端が、この金属製バンプを介してボンディングパッドや電気接続パッドと接合されることになる。すなわち、金属製ボールやワイヤ後端は、ボンディングパッドや電気接続パッドには直接接合されないため、金属製ボールの大きさやワイヤの径がボンディングパッドや電気接続パッドの大きさに影響を与えることはない。
そして、金属製バンプは小径キャピラリにより形成されるため、ワイヤを配するためのキャピラリにより金属製バンプを形成する場合と比較して、そのサイズを小さく形成することができる。以上のことから、サイズの小さい金属製バンプに合わせてボンディングパッドや電気接続パッドの大きさを設定することができる。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載のワイヤのボンディング方法において、前記バンプ形成工程において、前記金属製バンプが前記一方のパッド上に形成され、前記一方のパッドの上方から見た前記金属製バンプの直径をＤ１とし、前記金属製バンプに接合された前記金属製ボールの直径をＤ２として、０．５×Ｄ２≦Ｄ１＜１．２×Ｄ２、とすることを特徴とするワイヤのボンディング方法を提案している。
【０００９】
ここで、金属製バンプの直径Ｄ１を、０．５×Ｄ２≦Ｄ１＜１．２×Ｄ２、としたのは、直径Ｄ１が１．２×Ｄ２以上である場合には、金属製ボールを直接一方のパッドに接合する場合と比較して、一方のパッドを小さく設定することができないためである。なお、金属製ボールを直接一方のパッドに接合して金属製バンプを形成する場合、その大きさは金属製ボールよりも大きくなる。
また、直径Ｄ１が０．５×Ｄ２よりも小さい場合には、ボールボンディング工程の際に金属製バンプの周囲から金属製ボールがダレて、相互に隣り合うボンディングパッド間や電気接点パッド間等で電気的な短絡が発生する虞があり、また、ボールボンディング工程の際に金属製バンプと電気接点パッドとの接合部分にダメージを与えて接合強度を低下させ、金属製バンプと電気接点パッドとの間で電気的な開放が発生する虞があるためである。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載のワイヤのボンディング方法において、前記バンプ形成工程において、前記金属製バンプが前記他方のパッド上に形成され、前記他方のパッドの上方から見た前記金属製バンプの直径をＤ１とし、前記金属製バンプに接合された前記ワイヤの後端の直径をＤ３として、１．４×Ｄ３≦Ｄ１＜２．０×Ｄ３、とすることを特徴とするワイヤのボンディング方法を提案している。
【００１１】
ここで、金属製バンプの直径Ｄ１を、１．４×Ｄ３≦Ｄ１＜２．０×Ｄ３、としたのは、直径Ｄ１が、２．０×Ｄ３以上である場合には、ワイヤを配するためのキャピラリにより金属製バンプを形成する場合と同等以上の大きさとなってしまうためである。また、直径Ｄ１が、１．４×Ｄ３よりも小さい場合には、ワイヤの後端と金属製バンプとの接合強度が不足する虞があるためである。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に係る発明によれば、サイズの小さい金属製バンプに合わせてボンディングパッドや電気接続パッドの大きさを設定することができるため、サイズの小さいボンディングパッドや電気接続パッドであっても大きな径のワイヤを接合することが可能となる。
【００１３】
請求項２に係る発明によれば、０．５×Ｄ２≦Ｄ１≦１．２×Ｄ２、とすることにより、金属製ボールを直接一方のパッドに接合する場合と比較して一方のパッドをより小さく設定することができると共に電気的な短絡の発生も防止できる。
【００１４】
請求項３に係る発明によれば、１．４×Ｄ３≦Ｄ１＜２．０×Ｄ３、とすることにより、ワイヤを配するためのキャピラリにより金属製バンプを形成するよりも小さい金属製バンプを確実に形成できると共に、ワイヤの後端と金属製バンプとの接合強度を十分に確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図１〜５を参照して本発明の一実施形態に係るワイヤのボンディング方法について説明する。この実施形態に係るワイヤのボンディング方法は、図１〜３に示すように、半導体チップ１上のボンディングパッド１ａと、半導体チップ１の周囲に配される搭載基板３の電極パッド（電気接点パッド）３ａとを金属製のワイヤ５により電気接続するものである。
【００１６】
図１に示すように、ワイヤ５のボンディング方法においては、はじめに、半導体チップ１の周囲に搭載基板３の電極パッド３ａが配されるように、予め半導体チップ１を搭載基板３に搭載しておく。そして、電気接続用のワイヤ５よりも小さい径の細線ワイヤ７を引き出す小径キャピラリ９の先端部を電極パッド３ａ及びボンディングパッド１ａに押し当てて、金属製バンプ１１，１３を各々形成する（バンプ形成工程）。この工程において、金属製バンプ１１，１３を形成するための細線ワイヤ７は、図示しないワイヤ供給装置からワイヤクランプ１５を介して小径キャピラリ９内の貫通孔に導かれるようになっており、小径キャピラリ９の先端部から引き出すことができるようになっている。また、この工程においては、小径キャピラリ９の先端部をボンディングパッド１ａや電極パッド３ａ上に押し当てた状態で熱や超音波振動を加えることで、金属製バンプ１１，１３が電極パッド３ａ及びボンディングパッド１ａに接合される。
【００１７】
これら２つの金属製バンプ１１，１３は、図示のように、電極パッド３ａ上に形成し（図１（ａ），（ｂ））、その後にボンディングパッド１ａ上に形成する（図１（ｃ））としてもよいし、ボンディングパッド１ａ上に形成した後に電極パッド３ａ上に形成するとしても構わない。
なお、ボンディングパッド１ａや電極パッド３ａの上方から見た２つの金属製バンプ１１，１３の大きさは略等しくなる。例えば、細線ワイヤ７を挿通するホール径が３８μｍで先端部の開口径（ＣＤ径）が５５μｍの小径キャピラリ９を用いて、直径２８μｍの細線ワイヤ７により金属製バンプ１１，１３を形成する場合には、金属製バンプ１１，１３の直径は最小で５５μｍ程度となる。
【００１８】
上記バンプ形成工程の終了後には、図２に示すように、キャピラリ２１の先端部から引き出される電気接続用のワイヤ５の先端を水素炎等で溶融してワイヤ５の先端に金属製ボール２３を形成し（図２（ａ））、キャピラリ２１の先端部を電極パッド３ａ（一方のパッド）上に押し当てて金属製ボール２３を接合する（図２（ｂ））（ボールボンディング工程）。
この工程及び後述するウェッジボンディング工程において使用するキャピラリ２１は、細線ワイヤ７よりも太い径のワイヤ５を引き出すものであり、例えば、直径３８μｍのワイヤ５を挿通するホール径が４５μｍ、ＣＤ径が７６μｍのものとする。そして、ワイヤ５は、上述した細線ワイヤ７と同様に、不図示のワイヤ供給装置からワイヤクランプ２５を介してキャピラリ２１内の貫通孔に導かれるようになっており、キャピラリ２１の先端部から引き出すことができるようになっている。
【００１９】
上記ボールボンディング工程においては、既に金属製バンプ１１が電極パッド３ａ上に形成されているため、金属製ボール２３は金属製バンプ１１を介して電極パッド３ａに接合されることになる。そして、金属製ボール２３と金属製バンプ１１との接合は、キャピラリ２１の先端部を電極パッド３ａ上に押し当てた状態で熱や超音波振動を加えることで行われる。
なお、例えば前述した寸法のキャピラリ２１及びワイヤ５を使用した場合には、金属製バンプ１１上に形成される金属製ボール２３の直径は最小で７６μｍ程度となる。
【００２０】
その後、図３に示すように、キャピラリ２１の先端部からワイヤ５を引き出しながらキャピラリ２１を電極パッド３ａからボンディングパッド（他方のパッド）１ａまで移動させ（図３（ａ））、キャピラリ２１の先端部によりワイヤ５の後端をボンディングパッド１ａ上に押し当てて（図３（ｂ））、ワイヤ５の後端を接合する（ウェッジボンディング工程）。このウェッジボンディング工程においては、既に金属製バンプ１３がボンディングパッド１ａ上に形成されているため、ワイヤ５の後端は金属製バンプ１３を介してボンディングパッド１ａに接合されることになる。そして、ワイヤ５の後端と金属製バンプ１３との接合は、ボールボンディング工程の場合と同様に、キャピラリ２１の先端部を電極パッド３ａ上に押し当てた状態で熱や超音波振動を加えることで行われる。
このようにワイヤ５の後端が接合された後には、ワイヤ供給装置からのワイヤ５の供給を止めた状態でキャピラリ２１をボンディングパッド１ａから離間させることでワイヤ５を切断する。以上により、ワイヤ５のボンディングが完了する。
【００２１】
次に、上述したワイヤ５のボンディング方法によって構成される電極パッド３ａ及びボンディングパッド１ａに対するワイヤ５のボンディング構造について説明する。なお、この実施形態においては、図４（ｂ），図５（ｂ）に示すように、上方から見た電極パッド３ａ及びボンディングパッド１ａの平面視形状は略正方形となっている。
図４に示すように、電極パッド３ａ上には、金属製バンプ１１及びワイヤ５に連なる金属製ボール２３が順次積層されており、電極パッド３ａの上方から見た金属製バンプ１１の直径は、金属製ボール２３の直径よりも小さくなっている。ここで、電極パッド３ａの上方から見た金属製バンプ１１の直径Ｄ１は、金属製バンプ１１に接合された金属製ボール２３の直径をＤ２として、０．５×Ｄ２≦Ｄ１＜１．２×Ｄ２、とすることが好ましい。
【００２２】
これは、金属製バンプ１１の直径Ｄ１を１．２×Ｄ２以上とすると、金属製ボール２３を直接電極パッド３ａに接合する場合と比較して、電極パッド３ａを小さく設定することができないためである。なお、金属製ボール２３を直接電極パッド３ａに接合して金属製バンプを形成する場合、その大きさは金属製ボール２３よりも大きくなる。
また、金属製バンプ１１の直径Ｄ１を０．５×Ｄ２よりも小さくすると、ボールボンディング工程の際に金属製バンプ１１の周囲から金属製ボール２３がダレて、相互に隣り合う電極パッド３ａ間等で電気的な短絡が発生する虞があり、また、ボールボンディング工程の際に金属製バンプ１１と電極パッド３ａとの接合部分にダメージを与えて接合強度を低下させ、金属製バンプ１１と電極パッド３ａとの間で電気的な開放が発生する虞があるためである。
【００２３】
また、図５に示すように、ボンディングパッド１ａ上には、金属製バンプ１３及びワイヤ５の後端が順次積層されており、電極パッド３ａの上方から見た金属製バンプ１３の直径は、ワイヤ５の直径よりも大きくなっている。ここで、金属製バンプ１３の直径Ｄ１は、ワイヤ５の直径をＤ３として、１．４×Ｄ３≦Ｄ１＜２．０×Ｄ３、とすることが好ましい。
これは、金属製バンプ１３の直径Ｄ１を２．０×Ｄ３以上とすると、ワイヤ５を配するためのキャピラリ２１により金属製バンプを形成する場合と同等以上の大きさとなってしまうためである。また、金属製バンプ１３の直径Ｄ１を１．４×Ｄ３よりも小さくすると、ワイヤ５の後端と金属製バンプ１３との接合強度が不足するためである。
【００２４】
上記ワイヤのボンディング方法によれば、金属製ボール２３やワイヤ５の後端は、電極パッド３ａやボンディングパッド１ａには直接接合されないため、金属製ボール２３の大きさやワイヤ５の直径が電極パッド３ａやボンディングパッド１ａの大きさに影響を与えることはない。そして、金属製バンプ１１，１３は、ワイヤ５を配するためのキャピラリ２１と別個の小径キャピラリ９により形成されるため、キャピラリ２１により金属製バンプを形成する場合と比較して、そのサイズを小さく形成することができる。以上のことから、サイズの小さい金属製バンプ１１，１３に合わせてボンディングパッド１ａや電極パッド３ａの大きさを設定することができ、サイズの小さいボンディングパッド１ａや電極パッド３ａであっても大きな径のワイヤ５を接合することが可能となる。
【００２５】
具体的には、例えば、前述した寸法のキャピラリ２１を用いて直径３８μｍのワイヤ５により金属製バンプを形成すると、金属製バンプの直径が８０μｍとなり、これに対応するボンディングパッド１ａや電極パッド３ａを、一辺９０μｍ程度の正方形とする必要がある。これに対して、前述した寸法の小径キャピラリ９を用いて直径２８μｍの細線ワイヤ７により金属製バンプ１１，１３を形成すると、金属製バンプ１１，１３の直径を５５μｍとすることができ、これに対応するボンディングパッド１ａや電極パッド３ａを、一辺６５μｍ程度の正方形まで縮小することが可能となる。
【００２６】
また、上記ボンディング方法によれば、金属製バンプ１１の直径Ｄ１を、０．５×Ｄ２≦Ｄ１＜１．２×Ｄ２、とすることにより、金属製ボール２３を直接電極パッド３ａに接合する場合と比較して電極パッド３ａをより小さく設定することができると共に、電気的な短絡の発生も防止できる。
なお、電極パッド３ａのサイズを最小限とするためには、電極パッド３ａ上に形成する金属製バンプ１１の直径Ｄ１を０．５×Ｄ２と同等若しくは若干大きくすればよい。
【００２７】
さらに、金属製バンプ１３の直径Ｄ１を、１．４×Ｄ３≦Ｄ１＜２．０×Ｄ３、とすることにより、ワイヤ５を配するためのキャピラリ２１により金属製バンプ１３を形成するよりも小さい金属製バンプ１３を確実に形成できると共に、ワイヤ５の後端と金属製バンプ１３との接合強度を十分に確保することができる。
なお、ボンディングパッド１ａのサイズを最小限とするためには、ボンディングパッド１ａ上に形成する金属製バンプ１３の直径Ｄ１を、１．４×Ｄ３と同等若しくは若干大きくすればよい。例えば、ワイヤ５の直径Ｄ３が３８μｍである場合には、金属製バンプ１１の頭頂部直径もこれに合わせて３８μｍ程度とすればよく、その場合の金属製バンプ１１の直径Ｄ１は５５μｍ程度となる。
【００２８】
なお、上記実施形態において、電極パッド３ａ及びボンディングパッド１ａの平面視形状は略正方形であるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも金属製バンプ１１，１３を接合できる形状に形成されていればよく、例えば、略円形であっても構わない。
さらに、ボンディングパッド１ａ上及び電極パッド３ａ上に形成される金属製バンプ１１，１３は、同一の細線ワイヤ７及び小径キャピラリ９により形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくともワイヤ５よりも細い径の細線ワイヤ及び小径キャピラリを用いて形成されればよく、例えば、相互に異なる径の細線ワイヤ、及び、ホール径やＣＤ径等の寸法が異なる小径キャピラリにより各々形成されるとしても構わない。
【００２９】
また、金属製バンプ１１，１３は、バンプ形成工程においてボンディングパッド１ａ上及び電極パッド３ａ上の両方に形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくともボンディングパッド１ａ上若しくは電極パッド３ａ上のいずれか一方のみに形成されていればよい。
さらに、上記実施形態においては、搭載基板３の電極パッド３ａに対してボールボンディング工程を行った後に半導体チップ１のボンディングパッド１ａに対してウェッジボンディング工程を行う所謂リバースボンドについて説明したが、これに限ることはなく、例えば、ボンディングパッド１ａに対してボールボンディング工程を行った後に、電極パッド３ａに対してウェッジボンディング工程を行う、すなわち、通常の順序でワイヤ５のボンディングを行うとしても構わない。
この場合でも、上記実施形態と同様に、バンプ形成工程において、ボンディングパッド１ａ上及び電極パッド３ａ上の両方に金属製バンプが形成されるとしてもよいし、ボンディングパッド１ａ上若しくは電極パッド３ａ上のいずれか一方のみに金属製バンプが形成されるとしても構わない。
【００３０】
また、上記実施形態においては、本発明を半導体チップ１のボンディングパッド１ａと搭載基板３の電極パッド３ａとの電気接続に適用して説明したが、これに限ることはなく、少なくとも半導体チップ１のボンディングパッド１ａと半導体チップ１の周囲に配される電気接点パッドとの電気接続に適用することができる。すなわち、本発明は、例えば、半導体チップ１のボンディングパッド１ａとこれを搭載するリードフレームのリード（電気接点パッド）や、別個の半導体チップのボンディングパッド（電気接点パッド）との電気接続にも適用することができる。
【００３１】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】この発明の一実施形態に係るワイヤのボンディング方法のバンプ形成工程を示す概略側面図である。
【図２】この発明の一実施形態に係るワイヤのボンディング方法のボールボンディング工程を示す概略側面図である。
【図３】この発明の一実施形態に係るワイヤのボンディング方法のウェッジボンディング工程を示す概略側面図である。
【図４】図１〜図３に示すワイヤのボンディング方法によって構成される電極パッドに対するワイヤのボンディング構造を示しており、（ａ）は概略側面図であり、（ｂ）は概略平面図である。
【図５】図１〜図３に示すワイヤのボンディング方法によって構成されるボンディングパッドに対するワイヤのボンディング構造を示しており、（ａ）は概略側面図であり、（ｂ）は概略平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１・・・半導体チップ、１ａ・・・ボンディングパッド（他方のパッド）、３ａ・・・電極パッド（電気接点パッド、一方のパッド）、５・・・ワイヤ、７・・・細線ワイヤ、９・・・小径キャピラリ、１１，１３・・・金属製バンプ、２１・・・キャピラリ、２３・・・金属製ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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