(57)【要約】【課題】基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制する。【解決手段】表示領域に表示用配線を有し、表示領域の周囲に設けられた非表示領域に表示用配線が延設された入力端子Ｔを有するアクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０に対向して配置されたカラーフィルタ基板２０と、アクティブマトリクス基板１０及びカラーフィルタ基板２０の間に設けられた液晶層１５とを備えた液晶表示装置３０であって、カラーフィルタ基板２０は、アクティブマトリクス基板１０に対し平面視で同寸法に形成されていると共に、厚さが１００μｍ以下であり、カラーフィルタ基板２０には、入力端子Ｔに達する貫通孔２１が設けられ、貫通孔２１を介して入力端子Ｔに接続されたドライバＩＣチップ２５が実装されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に表示用配線を有し、該表示領域の周囲に設けられた非表示領域に上記表示用配線が延設された入力端子を有する第１基板と、
上記第１基板に対向して配置された第２基板とを備えた表示装置であって、
上記第２基板は、上記第１基板に対し平面視で同寸法に形成されていると共に、厚さが１００μｍ以下であり、
上記第２基板には、上記入力端子に達する貫通孔が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
上記第２基板には、上記貫通孔を介して上記入力端子に接続された電子部品が実装されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置において、
上記電子部品は、上記表示用配線に表示用信号を供給するためのドライバＩＣチップであることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置において、
上記第１基板及び第２基板は、ガラス製であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載された表示装置において、
上記第１基板は、アクティブマトリクス基板であり、
上記第２基板は、カラーフィルタ基板であり、
上記アクティブマトリクス基板及びカラーフィルタ基板の間に液晶層が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
表示領域に表示用配線を有し、該表示領域の周囲に設けられた非表示領域に上記表示用配線が延設された入力端子を有するガラス製の第１基板と、
上記第１基板に対向して配置されたガラス製の第２基板とを備え、
上記第２基板は、上記第１基板に対し平面視で同寸法に形成されていると共に、厚さが１００μｍ以下であり、
上記第２基板には、上記入力端子に達する貫通孔が設けられた表示装置を製造する方法であって、
上記第１基板、及び該第１基板に対し平面視で同寸法に形成され上記第２基板を形成するための第２基板母材を貼り合わせることにより、貼り合わせ基板体を形成する貼り合わせ工程と、
上記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ基板体の上記第２基板母材側をエッチングすることにより、該第２基板母材を上記所定厚さになるように薄板化するエッチング工程と、
上記エッチング工程で薄板化された貼り合わせ基板体に対し、上記第２基板母材側からレーザーを照射することにより、上記貫通孔を形成して上記第２基板を作製するレーザー照射工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された表示装置の製造方法において、
上記レーザー照射工程で貫通孔が形成された第２基板に対し、該貫通孔を介して上記入力端子に接続するように電子部品を実装する実装工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、互いに対向して配置された一対の基板を備えた表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置を構成する液晶表示パネルには、パネル内の表示用配線に表示用信号を供給するためのドライバＩＣ（集積回路：Integrated Circuit）チップが実装されている。このドライバＩＣチップを実装する技術としては、ベアチップと呼ばれるパッケージ化されていないＩＣチップをガラス基板上に直接実装するＣＯＧ（Chip on Glass）実装が広く知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ＩＣチップを直接フェイスダウンにて液晶表示パネル上に搭載するＣＯＧ構造において、ＩＣチップを液晶表示パネルに接合する異方導電性接着剤のガラス転移点及び軟化点が、ＩＣチップを駆動する入力信号を供給するフレキシブル回路基板を液晶パネルに接合する異方導電性接着剤のガラス転移点及び軟化点よりも１０℃以上高いことを特徴とする液晶パネルの実装構造が開示されている。これによれば、ＩＣ実装及びフレキシブル回路基板実装の接続信頼性を向上させ、液晶パネルのブロックサイズを大きくしない効果がある、と記載されている。
【特許文献１】特開平６−８５００４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図８は、ＣＯＧ実装により実装されたドライバＩＣチップ１２５を備えた一般的な液晶表示装置１３０の平面図であり、図９は、その液晶表示装置１３０のＣＯＧ実装部における側面図である。
【０００５】
液晶表示装置１３０は、図８及び図９に示すように、例えば、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０を有し、カラーフィルタ基板１２０よりも突出したアクティブマトリクス基板１２０の実装領域ＰにドライバＩＣチップ１２５が実装されている。
【０００６】
ここで、アクティブマトリクス基板１１０では、図８に示すように、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びる複数のゲート線１１２、各ゲート線１１２と直交する方向に互いに平行に延びる複数のソース線１１１などの複数の表示用配線が配設されている。そして、それらの各表示用配線は、実装領域Ｐまで延設されていると共に、実装領域Ｐにおいて、表示用信号を供給するための入力端子Ｔを有している。また、ドライバＩＣチップ１２５は、図９に示すように、チップ本体１２５ａの下面から突出した電極である複数のバンプ電極１２５ｂを有している。
【０００７】
そして、ＣＯＧ実装では、ドライバＩＣチップ１２５のバンプ電極１２５ｂと、アクティブマトリクス基板１１０の実装領域Ｐに配置する入力端子Ｔとを、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）によって電気的に接続するようになっている。
【０００８】
ところで、上記従来のＣＯＧ実装の液晶表示装置１３０を製造する際には、図９に示すように、カラーフィルタ基板１２０を形成するためのガラス母基板（図９中の２点鎖線参照）を位置Ｃ１及び位置Ｃ２で２回分断する必要があった。
【０００９】
また、実装領域Ｐにおける表示用配線は、保護膜で覆うなどの手段を講じない限り、その表面が露出してしまうので、腐食するおそれがあった。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、表示用配線及びその表示用配線に接続された入力端子を有する第１基板に対向して配置された第２基板が、第１基板に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、第１基板の入力端子に達する貫通孔を有するようにしたものである。
【００１２】
具体的に本発明に係る表示装置は、表示領域に表示用配線を有し、該表示領域の周囲に設けられた非表示領域に上記表示用配線が延設された入力端子を有する第１基板と、上記第１基板に対向して配置された第２基板とを備えた表示装置であって、上記第２基板は、上記第１基板に対し平面視で同寸法に形成されていると共に、厚さが１００μｍ以下であり、上記第２基板には、上記入力端子に達する貫通孔が設けられていることを特徴とする。
【００１３】
上記の構成によれば、第２基板が第１基板に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、また、第２基板には、貫通孔を介して第１基板の入力端子に接続される電子部品などが実装可能であるので、従来のように、第２基板のうち、ドライバＩＣチップなどを実装するための領域を分断により除去する必要がない。そのため、第２基板の分断が第１基板に対し平面視で同寸法にするための分断だけになるので、第２基板に対する分断回数が減ることになる。
【００１４】
また、第２基板が第１基板に対し平面視で同寸法に形成されているので、第１基板上の表示用配線が第２基板に覆われ、第１基板上の表示用配線の腐食が抑制される。
【００１５】
したがって、上記の構成によれば、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することが可能になる。
【００１６】
また、電子部品などを実装する領域には、上記のように、第１基板だけでなく、第２基板も配置されているので、実装領域Ｐにアクティブマトリクス基板１１０（第１基板）だけが配置された従来の液晶表示装置１３０（図８及び図９参照）よりも、電子部品などを実装する領域における表示装置自体の強度が向上する。
【００１７】
上記第２基板には、上記貫通孔を介して上記入力端子に接続された電子部品が実装されていてもよい。
【００１８】
上記の構成によれば、電子部品が実装される表示装置において、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００１９】
上記電子部品は、上記表示用配線に表示用信号を供給するためのドライバＩＣチップであってもよい。
【００２０】
上記の構成によれば、ドライバＩＣチップが実装される表示装置において、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００２１】
上記第１基板及び第２基板は、ガラス製であってもよい。
【００２２】
上記の構成によれば、表示装置を構成する第１基板及び第２基板がガラス製であるので、エッチングによる基板の薄板化が可能になり、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００２３】
また、電子部品などを実装する領域には、第１基板だけでなく、第２基板も配置されているので、実装領域Ｐにアクティブマトリクス基板１１０（第１基板）だけが配置された従来の液晶表示装置１３０（図８及び図９参照）よりも、電子部品などを実装する領域における表示装置自体の割れが抑制される。
【００２４】
上記第１基板は、アクティブマトリクス基板であり、上記第２基板は、カラーフィルタ基板であり、上記アクティブマトリクス基板及びカラーフィルタ基板の間に液晶層が設けられていてもよい。
【００２５】
上記の構成によれば、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板及びカラーフィルタ基板と、それらの両基板の間に設けられた液晶層とを備えた液晶表示装置において、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００２６】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、表示領域に表示用配線を有し、該表示領域の周囲に設けられた非表示領域に上記表示用配線が延設された入力端子を有するガラス製の第１基板と、上記第１基板に対向して配置されたガラス製の第２基板とを備え、上記第２基板は、上記第１基板に対し平面視で同寸法に形成されていると共に、厚さが１００μｍ以下であり、上記第２基板には、上記入力端子に達する貫通孔が設けられた表示装置を製造する方法であって、上記第１基板、及び該第１基板に対し平面視で同寸法に形成され上記第２基板を形成するための第２基板母材を貼り合わせることにより、貼り合わせ基板体を形成する貼り合わせ工程と、上記貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ基板体の上記第２基板母材側をエッチングすることにより、該第２基板母材を上記所定厚さになるように薄板化するエッチング工程と、上記エッチング工程で薄板化された貼り合わせ基板体に対し、上記第２基板母材側からレーザーを照射することにより、上記貫通孔を形成して上記第２基板を作製するレーザー照射工程とを備えることを特徴とする。
【００２７】
上記の方法によれば、エッチング工程において、貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ基板体の第２基板母材側をエッチングするので、第２基板母材の厚さを容易に１００μｍ以下にすることが可能になる。さらに、レーザー照射工程において、貼り合わせ基板体の１００μｍ以下に薄板化された第２基板母材に対しレーザーを照射するので、第２基板母材に第１基板上の入力端子に達する貫通孔が容易に形成されると共に、第２基板が作製される。
【００２８】
これにより、第２基板が第１基板に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、また、第２基板には、例えば、実装工程において、貫通孔を介して第１基板の入力端子に接続される電子部品などが実装可能であるので、従来のように、第２基板のうち、ドライバＩＣチップなどを実装するための領域を分断により除去する必要がない。そのため、第２基板の分断が第１基板に対し平面視で同寸法にするための分断だけになるので、第２基板に対する分断回数が減ることになる。
【００２９】
また、第２基板が第１基板に対し平面視で同寸法に形成されるので、第１基板上の表示用配線が第２基板に覆われ、第１基板上の表示用配線の腐食が抑制される。
【００３０】
したがって、上記の方法によれば、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することが可能になる。
【００３１】
上記レーザー照射工程で貫通孔が形成された第２基板に対し、該貫通孔を介して上記入力端子に接続するように電子部品を実装する実装工程を備えてもよい。
【００３２】
上記の方法によれば、実装工程において、レーザー照射工程で第２基板母材に形成された貫通孔を介して第１基板の入力端子に接続するように電子部品が実装されるので、電子部品が実装される表示装置において、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、表示用配線及びその表示用配線が延設された入力端子を有する第１基板に対向して配置された第２基板が、第１基板に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、第１基板の入力端子に達する貫通孔を有しているため、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、電子部品が実装された表示装置として、ドライバＩＣチップが実装された液晶表示装置について説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３５】
図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置３０の平面図である。そして、図２は、液晶表示装置３０の実装部の側面図であり、図３は、図２に対応する液晶表示装置３０の実装部の断面図である。
【００３６】
液晶表示装置３０は、図１〜図３に示すように、第１基板であるアクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０に対向して配置された第２基板であるカラーフィルタ基板２０と、アクティブマトリクス基板１０及びカラーフィルタ基板２０の間に設けられた液晶層１５と、アクティブマトリクス基板１０及びカラーフィルタ基板２０の間で液晶層１５を包囲するように枠状に設けられたシール部１６とを備えている。また、液晶表示装置３０では、表示に寄与する表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲の表示に寄与しない非表示領域Ｎとが規定され、非表示領域ＮにドライバＩＣチップ２５が異方性導電フィルム（以下、ＡＣＦと称する）２６を介して実装されている。
【００３７】
アクティブマトリクス基板１０は、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びる複数のゲート線１２と、各ゲート線１２と直交する方向に互いに平行に延びる複数のソース線１１と、各ゲート線１２及び各ソース線１１の交差部分にそれぞれスイッチング素子として設けられた複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）と、各ＴＦＴに対応してそれぞれ設けられた複数の画素電極とを備えている。
【００３８】
アクティブマトリクス基板１０では、ゲート線１２及びソース線１１などの表示用配線が非表示領域Ｎに延設され非表示領域ＮのドライバＩＣチップ２５が実装される領域で入力端子Ｔとなっている。
【００３９】
カラーフィルタ基板２０は、アクティブマトリクス基板１０を覆うように、アクティブマトリクス基板１０に対し平面視で同寸法に形成され、厚さが１００μｍ以下（好ましくは、１０μｍ〜５０μｍ）になっている。
【００４０】
また、カラーフィルタ基板２０は、表示領域Ｄにおいて、アクティブマトリクス基板１０の各画素電極に対応するようにＲ・Ｇ・Ｂの着色層が設けられたカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層を覆うように設けられた共通電極とを備えている。
【００４１】
カラーフィルタ基板２０には、非表示領域Ｎにおいて、アクティブマトリクス基板１０と貼り合わされた際に、アクティブマトリクス基板１０の各入力端子Ｔに達する貫通孔２１が設けられている。
【００４２】
液晶層１５は、電気光学特性を有するネマチック液晶を含んでいる。
【００４３】
ドライバＩＣチップ２５は、図２及び図３に示すように、半導体素子であるチップ本体２５ａと、そのチップ本体２５ａの下面に突出するように設けられた複数のバンプ電極２５ｂとを備えている。ここで、カラーフィルタ基板２０の貫通孔２１は、ドライバＩＣチップ２５の各バンプ電極２５ｂが収容されるように直径１００μｍ（又は１００μｍ角）程度に形成されている。なお、カラーフィルタ基板２０の貫通孔２１は、ドライバＩＣチップ２５のチップ本体２５ａの少なくとも下部が収容されるように、チップ本体２５ａの外形サイズに開口して形成されていてもよい。
【００４４】
ＡＣＦ２６は、プラスチックビーズにＮｉやＡｕなどをメッキした導電粒子２６ａと、導電粒子２６ａの分散媒であるエポキシ樹脂などからなるフィルム状の樹脂層２６ｂとを備えている。そして、液晶表示装置３０では、図３に示すように、ＡＣＦ２６を介してドライバＩＣチップ２５を加熱及び加圧することにより、導電粒子２６ａが各バンプ電極２５ｂ及び入力端子Ｔの間に押さえつけられた状態で各バンプ電極２５ｂ及び入力端子Ｔが樹脂層２６ｂによって固定され、各バンプ電極２５ｂと入力端子Ｔバンプ２とが電気的に接続されている。
【００４５】
上記構成の液晶表示装置３０では、各画素電極毎に１つの画素が構成されており、各画素において、ドライバＩＣチップ２５を介してゲート線１２からゲート信号がゲート電極に送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ドライバＩＣチップ２５を介してソース線１１からソース信号がソース電極に送られることにより、半導体層及びドレイン電極を介して画素電極に所定の電荷を書き込まれる。このとき、画素電極と共通電極との間で電位差が生じ、液晶層１５に所定の電圧が印加される。そして、液晶表示装置３０では、液晶層１５に印加される電圧を変えることによって、液晶層１５の配向状態を変えて液晶層１５の光透過率を調整して画像が表示される。
【００４６】
次に、上記構成の液晶表示装置３０を製造する方法について図４〜図７を用いて説明する。本実施形態の製造方法は、アクティブマトリクス基板作製工程、カラーフィルタ基板母材作製工程、貼り合わせ工程、エッチング工程、液晶注入工程、レーザー照射工程及び実装工程を備えている。
【００４７】
＜アクティブマトリクス基板作製工程＞
まず、厚さ０．４ｍｍ程度のガラス基板の基板全体に、アルミニウムなどの金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターン形成して、ゲート線１２、及びゲート線１２の突出部であるゲート電極などを形成する。
【００４８】
続いて、ゲート線１２及びゲート電極などが形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。
【００４９】
さらに、ゲート絶縁膜が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を順に成膜し、その後、ゲート電極上にＰＥＰ技術により島状にパターン形成して半導体層を形成する。
【００５０】
そして、半導体層が形成された基板全体に、アルミニウムなどからなる金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ソース線１１、ソース線１１の突出部であるソース電極、及びソース電極に対峙して配置するドレイン電極などを形成する。
【００５１】
さらに、ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、ｎ＋アモルファスシリコン層の一部を除去することにより、チャネル領域をパターン形成して、ＴＦＴを形成する。
【００５２】
続いて、ＴＦＴが形成された基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜などを成膜して、層間絶縁膜を形成する。
【００５３】
その後、層間絶縁膜のドレイン電極に対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホールを形成する。
【００５４】
さらに、層間絶縁膜上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、画素電極を形成する。
【００５５】
最後に、画素電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を塗布し、ラビング法により、その表面に配向処理を施し配向膜を形成する。
【００５６】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板１０を作製することができる。
【００５７】
＜カラーフィルタ基板母材作製工程＞
まず、厚さ０．４ｍｍ程度のガラス基板上に、顔料分散法等を用いて、カラーフィルタ層を形成する。
【００５８】
次いで、カラーフィルタ層上に、印刷法により、オーバーコート層を形成する。
【００５９】
さらに、オーバーコート層上に、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜を成膜した後、ＰＥＰ技術などによりパターン形成して、共通電極を形成する。
【００６０】
最後に、共通電極を覆うように基板全面に、印刷法により、ポリイミド系樹脂を塗布し、ラビング法により、その表面に配向処理を施し配向膜を形成する。
【００６１】
以上のようにして、カラーフィルタ基板母材２０ａを作製することができる。
【００６２】
＜貼り合わせ工程＞
まず、アクティブマトリクス基板１０及びカラーフィルタ基板母材２０ａの一方の基板にスクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂などからなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布して、シール部１６を形成する。
【００６３】
続いて、アクティブマトリクス基板１０及びカラーフィルタ基板母材２０ａの他方の基板に液晶層１５の厚さに相当する直径を有し、プラスチックなどからなる球状のスペーサーを散布する。
【００６４】
さらに、図４に示すように、アクティブマトリクス基板１０とカラーフィルタ基板母材２０ａとを貼り合わせた後に、シール部１６を硬化させて貼り合わせ基板体３０ａを形成する。
【００６５】
＜エッチング工程＞
まず、貼り合わせ基板体３０ａのアクティブマトリクス基板１０側の表面に保護フィルムを貼り付ける。
【００６６】
続いて、保護フィルムが貼り付けられた貼り合わせ基板体３０ａのカラーフィルタ基板母材２０ａ側の表面をフッ酸系のエッチング液に浸し、カラーフィルタ基板母材２０ａの表面をエッチングすることにより、図５に示すように、５０μｍ程度に薄板化されたカラーフィルタ基板母材２０ｂを有する貼り合わせ基板体３０ｂを形成する。
【００６７】
その後、貼り合わせ基板体３０ｂのアクティブマトリクス基板１０側の表面に貼り付けられた保護フィルムを剥離する。
【００６８】
なお、エッチング工程では、エッチング液に研磨剤を分散させ、エッチング液による化学的研磨と、研磨剤による機械的研磨とを同時に行ってもよい。
【００６９】
＜液晶注入工程＞
貼り合わせ基板体３０ｂに減圧法により液晶材料を注入した後、液晶注入口にＵＶ（Ultraviolet）硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射により、液晶材料を封止して液晶層１５を形成する。
【００７０】
＜レーザー照射工程＞
図６に示すように、貼り合わせ基板体３０ｂに対しカラーフィルタ基板母材２０ｂ側から、例えばＫｒＦエキシマレーザー（λ＝２４８ｎｍ）などのＵＶレーザー光５を照射することにより、アクティブマトリクス基板１０上の各入力端子Ｔに達する貫通孔２１を形成して、貼り合わせ基板体３０ｃを形成する。
【００７１】
＜実装工程＞
まず、図７に示すように、貫通孔２１及びバンプ電極２５ｂが嵌合するように位置合わせして、貼り合わせ基板体３０ｃの非表示領域ＮにＡＣＦ２６を介してドライバＩＣチップ２５を配置させる。
【００７２】
続いて、ドライバＩＣチップ２５の背面に圧着ツールを押し当てて、その圧着ツールで、例えば１５０℃〜２００℃で加熱しながら加圧する。これによって、図３に示すように、ＡＣＦ２６中の導電粒子２６ａが各バンプ電極２５ｂ及び入力端子Ｔの間に押さえつけられた状態で樹脂層２６ｂがチップ本体２５ａの下側で硬化して各バンプ電極２５ｂ及び入力端子Ｔが固定されるので、各バンプ電極２５ｂと入力端子Ｔとが電気的に接続されると共に、カラーフィルタ基板２０上の非表示領域ＮにドライバＩＣチップ２５が実装される。
【００７３】
以上のようにして、液晶表示装置３０を製造することができる。
【００７４】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置３０及びその製造方法によれば、エッチング工程において、貼り合わせ工程で形成された貼り合わせ基板体３０ａのカラーフィルタ基板母材２０ａ側をエッチングするので、カラーフィルタ基板母材２０ａの厚さを容易に１００μｍ以下にすることができる。さらに、レーザー照射工程において、貼り合わせ基板体３０ｂの１００μｍ以下に薄板化されたカラーフィルタ基板母材２０ｂに対しレーザーを照射するので、カラーフィルタ基板母材２０ｂにアクティブマトリクス基板１０上の入力端子Ｔに達する貫通孔２１が容易に形成されて、カラーフィルタ基板２０を作製することができる。
【００７５】
これにより、カラーフィルタ基板２０がアクティブマトリクス基板１０に対し平面視で同寸法に形成され、且つ１００μｍ以下の厚さであり、また、カラーフィルタ基板２０には、実装工程において、貫通孔２１を介してアクティブマトリクス基板１０の入力端子Ｔに接続されるドライバＩＣチップ２５が実装されるので、従来のように、カラーフィルタ基板のうち、ドライバＩＣチップなどを実装するための領域を分断により除去する必要がない。そのため、カラーフィルタ基板２０の分断がアクティブマトリクス基板１０に対し平面視で同寸法にするための分断だけになるので、カラーフィルタ基板２０に対する分断回数を減らすことができる。
【００７６】
また、カラーフィルタ基板２０がアクティブマトリクス基板１０に対し平面視で同寸法に形成されているので、アクティブマトリクス基板１０上のゲート線１２やソース線１１などの表示用配線がカラーフィルタ基板２０に覆われ、アクティブマトリクス基板１０上の表示用配線の腐食を抑制することができる。
【００７７】
したがって、本実施形態の液晶表示装置３０及びその製造方法によれば、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することができる。
【００７８】
また、上記実施形態では、ドライバＩＣチップ２５を実装する領域に、アクティブマトリクス基板１０だけでなく、カラーフィルタ基板２０も配置されているので、実装領域Ｐにアクティブマトリクス基板１１０だけが配置された従来の液晶表示装置１３０（図８及び図９参照）よりも、ドライバＩＣチップ２５を実装する領域における液晶表示装置３０自体の割れを抑制することができる。
【００７９】
また、上記実施形態では、ドライバＩＣチップ２５がカラーフィルタ基板２０の表面上に実装されているので、例えば、ドライバＩＣチップ２５を表示領域Ｄの近傍に配置することができ、ドライバＩＣチップ２５を実装する位置の自由度が高くなっている。これに対して、従来では、図９に示すように、カラーフィルタ基板１２０の縁部との物理的な位置関係によって、ドライバＩＣチップ１２５の実装可能な位置に制約があり、ドライバＩＣチップ１２５を表示領域Ｄの近傍に配置できなかった。
【００８０】
さらに、上記実施形態では、実装工程において、ドライバＩＣチップ２５のバンプ電極２５ｂとアクティブマトリクス基板１０の入力端子ＴとをＡＣＦ２６によって接続させる方法を例示したが、本発明は、バンプ電極２５ｂと入力端子Ｔとをレーザー光による共晶、及びＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）やＮＣＰ（Non Conductive Paste）のようなペースト系の接着剤などによって接続させてもよい。
【００８１】
また、上記実施形態では、カラーフィルタ基板２０に実装する電子部品として、ドライバＩＣチップ２５を例示したが、本発明は、電子部品として、光センサーなどを実装してもよい。
【００８２】
さらに、上記実施形態では、表示装置として、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置を例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の液晶表示装置、及び水分混入防止用に対向基板が貼り合わせられたＥＬ（electroluminescence）表示装置などのその他の表示装置にも適用することができる。
【００８３】
また、上記実施形態では、ガラス基板により構成された表示装置を例示したが、本発明は、プラスチック基板などにより構成された表示装置にも適用することができる。さらに、第１基板がプラスチック基板により構成され、第２基板がガラス基板により構成された表示装置であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
以上説明したように、本発明は、基板の分断回数を減らすと共に、表示用配線の腐食を抑制することができるので、互いに対向して配置された一対の基板を備えた表示装置全般について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置３０の平面図である。
【図２】液晶表示装置３０の側面図である。
【図３】液晶表示装置３０の断面図である。
【図４】液晶表示装置３０を製造する際の貼り合わせ工程を示す断面図である。
【図５】液晶表示装置３０を製造する際のエッチング工程を示す断面図である。
【図６】液晶表示装置３０を製造する際のレーザー照射工程を示す断面図である。
【図７】液晶表示装置３０を製造する際の実装工程を示す断面図である。
【図８】従来の液晶表示装置１３０の平面図である。
【図９】液晶表示装置１３０の側面図である。
【符号の説明】
【００８６】
Ｄ      表示領域
Ｎ      非表示領域
Ｔ      入力端子
５      ＵＶレーザー光
１０    アクティブマトリクス基板（第１基板）
１１    ソース線（表示用配線）
１２    ゲート線（表示用配線）
１５    液晶層
２０    カラーフィルタ基板（第２基板）
２１    貫通孔
２５    ドライバＩＣチップ（電子部品）
３０    液晶表示装置
３０ａ〜３０ｃ    貼り合わせ基板体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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