(57)【要約】【課題】基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】加熱処理部２には、ウエハＷの裏面（レジストが形成されている表面と反対側の面）を吸着保持して、そのウエハＷを加熱するためのプレート５と、プレート５に保持されたウエハＷの表面付近の空間を包囲するための包囲部材６とが配置されている。プレート５にウエハＷが保持されて、そのウエハＷの表面に包囲部材６が近接して配置され、包囲部材６からウエハＷの表面上の雰囲気が吸引されつつ、プレート５に内蔵されたヒータ１１によってウエハＷが加熱される。この加熱によって、ウエハＷの表面温度が約３００℃以上の高温に達して、ウエハＷの表面上のレジストにポッピング現象が生じ、レジストの表面に硬化層が破壊される。【選択図】図２
2008004877.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段、前記基板保持手段に保持された基板をレジストのポッピング現象が生じる温度に加熱する基板加熱手段、および前記基板保持手段に保持された基板の表面上の雰囲気を吸引する吸気手段を備える加熱処理部と、
前記加熱処理部で加熱された基板にレジスト剥離液を供給して、基板の表面のレジストを除去するレジスト除去処理部と、を含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記吸気手段は、
前記基板保持手段に保持された基板の表面全域に対向可能な吸気口を有し、この吸気口を当該基板の表面に近接させて、当該基板の表面上の空間を包囲するための包囲部材と、
前記包囲部材に包囲された空間内の雰囲気を吸引するための吸気路とを備えていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記吸気手段は、
前記基板保持手段に保持された基板の表面と平行な方向に移動可能に設けられ、当該基板の表面に対向配置される吸気口を有する吸気ヘッドと、
前記吸気ヘッドに接続された吸気路とを備えていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理方法であって、
基板をレジストのポッピング現象が生じる温度に加熱する基板加熱工程と、
この基板加熱工程と並行して、基板の表面上の雰囲気を吸引する吸気工程と、
前記基板加熱工程で加熱された基板にレジスト剥離液を供給して、基板の表面のレジストを除去するレジスト除去工程と、を含むことを特徴とする、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の表面から不要になったレジストを除去するために用いられる基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不所望な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入を所望しない部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを除去するためのレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
このレジスト除去処理の代表的なものでは、ウエハの表面に酸素プラズマが照射されて、ウエハの表面上のレジストがアッシングされる。そして、ウエハの表面に硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）などの薬液が供給されて、アッシングされたレジストが除去されることにより、ウエハの表面からのレジストの除去が達成される。
【０００４】
ところが、レジストのアッシングのための酸素プラズマの照射は、ウエハの表面のレジストで覆われていない部分（たとえば、レジストから露呈した酸化膜）にダメージを与えてしまう。
そのため、最近では、レジストのアッシングを行わずに、ウエハの表面にＳＰＭを供給して、このＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法が注目されつつある。
【特許文献１】特開２００５−３２８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、イオン注入（とくに、高ドーズのイオン注入）が行われたウエハでは、レジストの表面が変質（硬化）しているため、ＳＰＭを供給しても、レジストをウエハの表面から良好に除去できない場合がある。
そこで、この発明の目的は、基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板（Ｗ）の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理装置（１）であって、基板を保持する基板保持手段（５）、前記基板保持手段に保持された基板をレジストのポッピング現象が生じる温度に加熱する基板加熱手段（１１）、および前記基板保持手段に保持された基板の表面上の雰囲気を吸引する吸気手段（６，１７，１８；６１）を備える加熱処理部と、前記加熱処理部で加熱された基板にレジスト剥離液を供給して、基板の表面のレジストを除去するレジスト除去処理部（３）と、を含むことを特徴とする、基板処理装置である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板を加熱して、その基板の表面上のレジストにポッピング（突沸）現象を生じさせることができる。このポッピング現象が生じると、レジストの表面に硬化層が形成されていても、硬化層は、その下層のレジストのポッピングによる衝撃で破壊される。すなわち、基板をレジストのポッピング現象が生じる温度に加熱することにより、レジストの表面に形成されている硬化層を破壊することができる。そのため、この基板の加熱処理後の基板の表面にレジスト剥離液を供給すれば、レジスト剥離液が硬化層の破壊された部分からレジストの内部に浸透し、基板の表面からレジストを硬化層ごと剥離して除去することができる。しかも、アッシングが不要であるから、アッシングによるダメージの問題を回避することができる。
【０００８】
また、レジストにポッピング現象が生じると、破壊されたレジストの破片が基板の表面から飛び散るが、このとき吸気手段を駆動させておけば、そのレジストの破片を雰囲気とともに吸引することができる。したがって、基板の加熱時に生じるレジストの破片が周囲に拡散することを防止することができる。
請求項２に記載の発明は、前記吸気手段は、前記基板保持手段に保持された基板の表面全域に対向可能な吸気口（１４）を有し、この吸気口を当該基板の表面に近接させて、当該基板の表面上の空間を包囲するための包囲部材（６）と、前記包囲部材に包囲された空間内の雰囲気を吸引するための吸気路（１８）とを備えていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置である。
【０００９】
この構成によれば、包囲部材を基板の表面に近接させて、その包囲部材の吸気口から吸気を行うことにより、包囲部材に包囲される基板の表面上の空間を減圧状態にすることができる。基板の加熱時に、基板の表面上の空間を減圧状態にすれば、基板の表面上のレジストのポッピング現象をより低温で生じさせることができる。そのため、レジストの表面に硬化層が形成されている場合に、その硬化層をより小さなエネルギーで破壊することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、前記吸気手段は、前記基板保持手段に保持された基板の表面と平行な方向に移動可能に設けられ、当該基板の表面に対向配置される吸気口（６２）を有する吸気ヘッド（６１）と、前記吸気ヘッドに接続された吸気路（１８）とを備えていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、吸気ヘッドを基板の表面と平行な方向に移動させつつ、吸気口から吸気を行うことにより、吸気ヘッドを小さなサイズに形成することができながら、レジストのポッピング現象時に生じる硬化層の破片を吸引することができる。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、基板（Ｗ）の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理方法であって、基板をレジストのポッピング現象が生じる温度に加熱する基板加熱工程と、この基板加熱工程と並行して、基板の表面上の雰囲気を吸引する吸気工程と、前記基板加熱工程で加熱された基板にレジスト剥離液を供給して、基板の表面のレジストを除去するレジスト除去工程と、を含むことを特徴とする、基板処理方法である。
【００１２】
この方法によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。
この基板処理装置１は、基板の一例であるウエハＷ（図２参照）の表面に不純物を注入するイオン注入処理後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。基板処理装置１は、ウエハＷを加熱して、ウエハＷの表面上のレジストにポッピング現象を生じさせるための加熱処理部２と、この加熱処理部２による処理後のウエハＷの表面にＳＰＭを供給して、ウエハＷの表面からレジストを剥離して除去するためのＳＰＭ処理部３とを備えている。
【００１４】
図２は、加熱処理部２の構成を図解的に示す断面図である。
加熱処理部２は、内部を密閉可能な処理チャンバ４を備えている。この処理チャンバ４内には、ウエハＷの裏面（レジストが形成されている表面と反対側の面）を吸着保持して、そのウエハＷを加熱するためのプレート５と、プレート５に保持されたウエハＷの表面付近の空間を包囲するための包囲部材６とが配置されている。
【００１５】
プレート５は、たとえば、ウエハＷよりも大径な円板状に形成され、ほぼ水平に配置されている。このプレート５は、下面がウエハＷを吸着する吸着面をなし、この下面にウエハＷの裏面を吸着させて、ウエハＷをその表面が下方に向いたフェースダウンの水平姿勢で保持することができる。すなわち、プレート５の下面には、複数の吸着孔７が形成されている。各吸着孔７には、プレート５の内部に形成された吸着路８の分岐した先端が接続されている。吸着路８の基端には、真空ポンプなどの真空源（図示せず）を含む保持吸引機構９から延びる吸引管１０が接続されている。これにより、プレート５の下面にウエハＷの裏面が接触または近接した状態で、保持吸引機構９が駆動されると、吸着路８内の空気が吸引管１０に吸い出されて、ウエハＷの裏面がプレート５の下面に吸い付けられる。
【００１６】
また、プレート５の内部には、ウエハＷを加熱するためのヒータ１１が備えられている。プレート５の下面にウエハＷの裏面を吸着させて、ヒータ１１を駆動することにより、そのウエハＷを加熱することができる。
包囲部材６は、ウエハＷよりも少し大きな径を有する平面視円形状に形成され、その中心軸線をプレート５に保持されたウエハＷの中心を通る鉛直軸線と一致させて、プレート５の下方に昇降可能に設けられている。この包囲部材６は、プレート５に保持されたウエハＷの表面に対向配置される対向部１２と、この対向部１２の周縁から上方に向けて立ち上がる周面部１３とを一体的に備えている。包囲部材６の上面は、開放されており、プレート５に保持されたウエハＷの表面全域に対向可能な吸気口１４をなしている。
【００１７】
対向部１２の中央部には、排気口１５が貫通して形成されている。また、対向部１２の中央部には、下方に向けて延びる筒状の支持軸１６が結合されている。この支持軸１６の内部は、排気口１５と連通している。そして、支持軸１６には、負圧源（図示せず）を含む減圧吸引機構１７から延びる吸気管１８が接続されている。
また、支持軸１６には、モータなどの駆動源（図示せず）を含む昇降駆動機構１９が結合されている。この昇降駆動機構１９により、支持軸１６を上下動させることができ、包囲部材６をプレート５に近接する近接位置（図２に実線で示す位置）とプレート５の下方に退避する退避位置（図２に仮想線で示す位置）との間で昇降させることができる。
【００１８】
この加熱処理部２における処理を受けるウエハＷは、搬送ロボット（図示せず）により、処理チャンバ４内に搬入され、プレート５に受け渡される。このとき、包囲部材６は、プレート５の下方の退避位置に退避している。また、ヒータ１１は、すでにオン（駆動状態）にされている。
ウエハＷがプレート５に保持されると、昇降駆動機構１９が駆動されて、包囲部材６が退避位置から近接位置に移動される。包囲部材６が近接位置に配置された状態では、吸気口１４とプレート５に保持されたウエハＷの表面とが上下方向に所定間隔（たとえば、２〜５ｍｍ）を隔てて近接し、ウエハＷの表面上の空間が包囲部材６により包囲される。また、ウエハＷの周縁と包囲部材６の対向部１２の上端縁との間に僅かな隙間が形成され、包囲部材６に包囲された空間（ウエハＷの表面上の空間）は、その僅かな隙間を介して外部と連通する。
【００１９】
次いで、減圧吸引機構１７が駆動されて、包囲部材６に包囲された空間内の雰囲気が吸気管１８に吸い出される。これにより、包囲部材６に包囲された空間に、ウエハＷの周縁と包囲部材６の対向部１２の上端縁との間の隙間から空気が吸い込まれ、その隙間から排気口１５に向かう気流が形成される。このとき、ウエハＷの周縁と包囲部材６の対向部１２の上端縁との間の隙間からの空気の流入量は、排気口１５からの排気量よりも少なく、包囲部材６に包囲された空間は、その外部の空間よりも気圧が低い減圧状態となる。
【００２０】
この状態で、プレート５に保持されたウエハＷは、ヒータ１１からの発熱により加熱される。この加熱によって、ウエハＷの表面温度が約３００℃以上の高温に達し、ウエハＷの表面上のレジストにポッピング現象が生じる。そのため、レジストの表面に硬化層が形成されていても、硬化層は、その下層のレジストのポッピングによる衝撃で破壊される。このとき、破壊されたレジストの破片が飛び散るが、そのレジストの破片は、包囲部材６に包囲された空間に形成される気流に乗って、包囲部材６の排気口１５から排出される。これにより、ウエハＷの加熱時に生じるレジストの破片が周囲に拡散することを防止することができる。
【００２１】
ウエハＷの加熱が所定時間にわたって続けられると、ヒータ１１がオフにされる。そして、減圧吸引機構１７が駆動されたまま、昇降駆動機構１９が駆動されて、包囲部材６が近接位置から退避位置へと戻される。減圧吸引機構１７が駆動されているので、ウエハＷの表面付近の雰囲気中（包囲部材６に包囲されていた空間内）にレジストの破片が残っていても、包囲部材６が退避位置へ移動する間に、そのレジストの破片を排気口１５から吸引して排出することができる。そのため、ウエハＷの加熱終了後においても、レジストの破片が処理チャンバ４内に拡散することを防止することができる。
【００２２】
こうして処理を受けたウエハＷは、搬送ロボット（図示せず）により、加熱処理部２（処理チャンバ４）から搬出されて、次に述べるＳＰＭ処理部３に搬入される。
図３は、ＳＰＭ処理部３の構成を図解的に示す断面図である。
ＳＰＭ処理部３は、処理チャンバ２０内に、ウエハＷを水平な姿勢で保持して回転させるためのスピンチャック２１と、スピンチャック２１に保持されたウエハＷの表面にレジスト剥離液としてのＳＰＭを供給するためのＳＰＭノズル２２と、スピンチャック２１に保持されたウエハＷの表面にＤＩＷ（deionized water：脱イオン化された純水）を供給するためのＤＩＷノズル２３と、スピンチャック２１の周囲を取り囲み、ウエハＷから流下または飛散するＳＰＭやＤＩＷを受け取るためのカップ２４とを備えている。
【００２３】
スピンチャック２１は、モータ２５と、このモータ２５の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース２６と、スピンベース２６の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材２７とを備えている。これにより、スピンチャック２１は、複数個の挟持部材２７によってウエハＷを挟持した状態で、モータ２５の回転駆動力によってスピンベース２６を回転させることにより、そのウエハＷを、水平な姿勢を保った状態で、スピンベース２６とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。 
【００２４】
なお、スピンチャック２１としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面（非デバイス面）を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。
ＳＰＭノズル２２は、スピンチャック２１の上方で、吐出口をウエハＷの回転中心付近に向けて配置されている。このＳＰＭノズル２２には、ＳＰＭ供給管２８が接続されており、このＳＰＭ供給管２８からＳＰＭが供給されるようになっている。ＳＰＭ供給管２８には、ウエハＷの表面のレジストを良好に剥離可能な約８０℃以上の高温に昇温されたＳＰＭが供給されるようになっている。このような高温のＳＰＭは、たとえば、ＳＰＭ供給管２８に接続されたミキシングバルブ（図示せず）に硫酸と過酸化水素水とを供給し、それらをミキシングバルブで混合させることにより作成されて、ＳＰＭ供給管２８に供給される。また、ＳＰＭ供給管２８の途中部には、ＳＰＭノズル２２へのＳＰＭの供給を制御するためのＳＰＭバルブ２９が介装されている。
【００２５】
ＤＩＷノズル２３は、スピンチャック２１の上方で、吐出口をウエハＷの回転中心付近に向けて配置されている。このＤＩＷノズル２３には、ＤＩＷ供給管３０が接続されており、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷがＤＩＷ供給管３０を通して供給されるようになっている。ＤＩＷ供給管３０の途中部には、ＤＩＷノズル２３へのＤＩＷの供給を制御するためのＤＩＷバルブ３１が介装されている。
【００２６】
このＳＰＭ処理部３（処理チャンバ２０）に搬入されるウエハＷは、その表面を上方に向いたフェースアップの水平姿勢でスピンチャック２１に保持される。
ウエハＷがスピンチャック２１に保持されると、モータ２５が駆動されて、ウエハＷの回転が開始される。そして、ＳＰＭバルブ２９が開かれて、ＳＰＭノズル２２からウエハＷの表面の回転中心付近にＳＰＭが供給される。ウエハＷの表面に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央部から周縁に向けて流れ、ウエハＷの表面全域に拡がる。
【００２７】
ウエハＷの表面上のレジストは、その表面の硬化層が加熱処理部２における処理により破壊されている。そのため、ウエハＷの表面に供給されるＳＰＭは、その硬化層の破壊された部分からレジストの内部に浸透する。その結果、レジストにＳＰＭの強酸化力が作用し、そのレジストは、ウエハＷの表面から硬化層ごと剥離（リフトオフ）されて除去される。
【００２８】
ＳＰＭの供給開始から所定時間が経過すると、ＳＰＭバルブ２９が閉じられて、ウエハＷの表面へのＳＰＭの供給が停止される。そして、ウエハＷの回転が継続されたまま、ＤＩＷバルブ３１が開かれて、ＤＩＷノズル２３からウエハＷの表面の回転中心付近にＤＩＷが供給される。ウエハＷの表面上に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央部から周縁に向けて流れる。これによって、ウエハＷの表面全域にＤＩＷが行き渡り、ウエハＷの表面上のＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される。
【００２９】
ＤＩＷ処理の開始から所定時間が経過すると、ＤＩＷバルブ３１が閉じられて、ウエハＷの表面に対するＤＩＷの供給が停止される。その後は、ウエハＷの回転速度が所定の高回転速度（たとえば、２５００〜５０００ｒｐｍ）に上げられて、ウエハＷに付着しているＤＩＷが振り切って乾燥される。このスピンドライ処理が所定時間にわたって行われると、モータ２５の駆動が停止されて、ウエハＷの回転が止められた後、搬送ロボットにより、ウエハＷがＳＰＭ処理部３から搬出されていく。
【００３０】
以上のように、ウエハＷの表面上のレジストが硬化層を有していても、加熱処理部２において、ウエハＷを加熱し、そのウエハＷの表面上のレジストにポッピング現象を生じさせることにより、その硬化層を破壊することができる。そのため、加熱処理部２における加熱処理後に、ＳＰＭ処理部３において、ウエハＷの表面にＳＰＭが供給されると、ウエハＷの表面に供給されるＳＰＭは、その硬化層の破壊された部分からレジストの内部に浸透することができる。よって、レジストをアッシングすることなく、硬化層を有するレジストをウエハＷの表面から良好に除去することができる。レジストのアッシングが不要であるから、アッシングによるウエハＷの表面のダメージの問題を回避することができる。
【００３１】
また、レジストにポッピング現象が生じると、破壊されたレジストの破片がウエハＷの表面から飛び散るが、このとき、包囲部材６がウエハＷに近接する近接位置に配置されて、減圧吸引機構１７が駆動されているので、そのレジストの破片は、包囲部材６内に形成される気流に乗って吸引される。したがって、レジストの破片が周囲に拡散することを防止することができる。
【００３２】
しかも、包囲部材６がウエハＷの表面に近接した状態で、減圧吸引機構１７が駆動されると、その包囲部材６に包囲されるウエハＷの表面上の空間が減圧状態となる。そのため、ウエハＷの表面上のレジストのポッピング現象をより低温で生じさせることができる。その結果、レジストの表面の硬化層をより小さなエネルギーで破壊することができる。
図４は、加熱処理部２の他の構成を図解的に示す断面図である。この図４において、前述した各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
【００３３】
図４に示す加熱処理部２は、図２に示す加熱処理部２と天地反転させた構成を有している。すなわち、プレート５は、ウエハＷを吸着する吸着面を上方に向けて配置されている。そして、包囲部材６は、プレート５の上方に、吸気口１４をプレート５に向けて（下方に向けて）配置されている。
この構成によっても、図２に示す加熱処理部２においてウエハＷに対して行われる処理と同じ処理を達成することができ、前述した作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
【００３４】
図５は、プレート５の他の構成を図解的に示す断面図である。この図５において、前述した各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
図５に示すプレート５は、図４に示す加熱処理部２に好適に用いることができるものであり、プレート５の上面に、複数の吸着孔７が形成されている。また、プレート５の上面には、複数の支持ピン５１が配置されている。さらに、プレート５の上面の周縁部には、リング状のガイド５２が配設されている。このガイド５２のウエハＷの裏面（下面）と接触する支持面５３には、Ｏリングなどのシール部材５４が設けられている。
【００３５】
また、ガイド５２の内側には、ガイド５２と同心円周上に、複数の昇降ピン５５が昇降可能に設けられている。複数の昇降ピン５５は、プレート５の下方にある支持部材５６に結合されており、一体的に昇降可能となっている。複数の昇降ピン５５は、エアシリンダなどにより構成されるピン昇降駆動機構５７によって昇降駆動される。各昇降ピン５５は、プレート５に設けられた挿通孔５８を挿通している。
【００３６】
この構成により、複数個の支持ピン５１によって、ウエハＷの裏面とほぼ点接触の状態で、ウエハＷを水平に支持することができる。そして、ウエハＷの裏面の周縁部がシール部材５４によってシールされるとともに、複数の吸着孔７から吸気されることにより、ウエハＷを、支持ピン５１を介してプレート５の上面に吸着された状態で支持することができる。また、プレート５の上面への吸着を解除した状態（吸着孔７からの吸気を停止した状態）で、複数の昇降ピン５５を昇降させることにより、ウエハＷを支持ピン５１上から持ち上げたり、ウエハＷを支持ピン５１上に載置したりすることができる。
【００３７】
図６は、加熱処理部２のさらに他の構成を図解的に示す断面図である。この図６において、前述した各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
図６に示す加熱処理部２は、図４に示す加熱処理部２の包囲部材６に代えて、プレート５に保持されたウエハＷの表面と平行な方向（水平方向）に移動可能な吸気ヘッド６１が設けられている。
【００３８】
吸気ヘッド６１は、プレート５に保持されたウエハＷの表面に向けて開放される吸気口６２を有している。この吸気口６２は、たとえば、ウエハＷの直径とほぼ同じ長さを有するスリット状（長方形状）に形成されている。また、吸気ヘッド６１の上面には、排気口６３が形成されており、この排気口６３の周囲から上方に延びる筒状の支持軸６４が結合されている。支持軸６４には、負圧源（図示せず）を含む減圧吸引機構１７から延びる吸気管１８が接続されるとともに、吸気ヘッド６１を水平移動させるための水平移動機構６５が結合されている。
【００３９】
プレート５によるウエハＷの加熱時には、減圧吸引機構１７および水平移動機構６５が駆動されて、吸気ヘッド６１が、吸気口６２がウエハＷの表面に近接した位置で、ウエハＷの表面と平行な方向に移動する。これにより、ウエハＷの表面上のレジストのポッピング現象により生じる硬化層の破片は、吸気ヘッド６１の吸気口６２に吸い込まれて、吸気ヘッド６１の排気口６３から排出される。したがって、包囲部材６よりも小さなサイズの吸気ヘッド６１を採用し、加熱処理部２の小型化を図ることができながら、ウエハＷの加熱時に生じるレジストの破片が周囲に拡散することを防止することができる。
【００４０】
以上、この発明のいくつかの実施形態を説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、プレート５にヒータ１１が内蔵され、このヒータ１１によりウエハＷが加熱される構成を取り上げたが、プレート５に保持されるウエハＷの表面に対向する位置に赤外線ランプヒータが配置され、この赤外線ランプヒータによりウエハＷが加熱されてもよい。この場合、ヒータ１１は、プレート５に内臓されていてもよいし、省略されてもよい。
【００４１】
また、レジスト剥離液としてＳＰＭが用いられているが、ＳＰＭに限らず、レジストを剥離する能力を有する液であれば、たとえば、硫酸とオゾンガスとを混合して生成される硫酸オゾンが用いられてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】加熱処理部の構成を図解的に示す断面図である。
【図３】ＳＰＭ処理部の構成を図解的に示す断面図である。
【図４】加熱処理部の他の構成を図解的に示す断面図である。
【図５】プレートの他の構成を図解的に示す断面図である。
【図６】加熱処理部のさらに他の構成を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１    基板処理装置
６    包囲部材
１１  ヒータ
１４  吸気口
１７  減圧吸引機構
１８  吸気管
６１  吸気ヘッド
６２  吸気口
Ｗ    ウエハ
【図１】
2008004877.tif 000003
【図２】
2008004877.tif 000004
【図３】
2008004877.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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