(57)【要約】【課題】  パーティクル管理用基板及び電子デバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法に関し、ウェーハプロセスの変動に起因するブラシスクラブ工程におけるパーティクルの発生状況の把握を精度良く且つ低コストで行う。【解決手段】  基板１上に複数の区画領域２を設けるとともに、各区画領域２において規則的に配列した凹凸パターン３を設ける。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の区画領域を設けるとともに、前記各区画領域において規則的に配列した凹凸パターンを設けたことを特徴とするパーティクル発生管理用基板。
【請求項２】
上記規則的に配列した凹凸パターンが、縦長矩形パターン或いは横長矩形パターンであることを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生管理用基板。
【請求項３】
上記各区画領域の内の少なくとも一つの区画領域内に形成した複数の凹凸パターンの内の少なくとも一つの凹凸パターンの高さが他の凹凸パターンの高さと異なっていることを特徴とする請求項１または２に記載のパーティクル発生管理用基板。
【請求項４】
上記規則的に配列した凹凸パターンに対して、凹凸パターンの個別形状、配列形状、或いは、高さに応じてインデックスパターンを設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のパーティクル発生管理用基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のパーティクル発生管理用基板に対してブラシスクラバー処理を行って発生するパーティクル数を測定し、前記測定値に基づいて、製品製造用基板にブラシスクラバー処理を施した場合に発生するパーティクル数を定量的に評価することを特徴とする電子デバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法。
【請求項６】
上記測定値に基づいて、上記電子デバイス製造ラインのクリーンルーム雰囲気、成膜装置における成膜膜質・膜厚変動、或いは、ブラシスクラバーの装置コンディションのうちの少なくとも一つをフィードバック管理することを特徴とする請求項５記載の電子デバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はパーティクル管理用基板及び電子デバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法に関するものであり、電子デバイス製造工程、特に、半導体製造工程の主に前工程において、成膜工程の前後処理に使用されるブラシスクラバーを用いた清浄化工程におけるパーティクルの発生状況を事前に把握するための構成に特徴のあるパーティクル管理用基板及びデバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路装置の集積度の向上と高速化に伴い、より微細なパーティクルや、パーティクルによって生じたウェーハ表面上の突起が配線のショート／断線やコンタクトホールの非導通／コンタクト高抵抗等を誘発して製品歩留まりを低下させる要因となる。
【０００３】
そのため、半導体ウェーハプロセスにおけるパーティクル管理は非常に重要になり、従来においては、半導体製造工程の主に前工程において、特に、成膜工程の前後処理において、ブラシスクラバーを用いて、ウェーハをブラシで物理的にスクラブすることでウェーハ上に付着した０．２μｍ以上のサイズのパーティクルを除去して製品歩留まりの改善を図っている（例えば、特許文献１或いは特許文献２）。
【０００４】
しかし、本来パーティクル除去を目的として使用しているブラシスクラバー処理であるが、クリーンルームの雰囲気変動、前工程の膜質／膜厚変動、或いは、ブラシの押し圧／高さ変動により、逆にブラシスクラバー処理自体がパーティクル発生を誘発する場合がある。
【０００５】
例えば、半導体ウェーハプロセスにおいては、クリーンルーム雰囲気、前工程の膜質／膜厚、或いは、ブラシの装置／パーティクル等について個別に管理を行っているが、各要因の統合効果により、マージンの低い製品パターンによってはパーティクルが発生してしまうことがある。
【０００６】
製品上でのパーティクルの発生は、パターン段差が大きくパターンとブラシ走査方向が垂直に交差する部分で多いことが分かっているが、製品のチップ内及びウェーハ内でのパターン配置が任意であるため、製品でのパーティクル検査は不正確で非効率である。
【０００７】
そのため、上述のような原因で発生するパーティクルを定量的に且つ効率的に把握するためにＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）を開発し、工程を適正に管理することで最大の歩留まりを実現するようにしている。
【０００８】
例えは、ウェーハプロセスの変動に起因するパーティクル障害対策として、ブラシスクラバーの定期保守、パターン無しウェーハでのパーティクル日常点検管理、或いは、成膜工程における膜質の日常点検管理等を実施している。
【特許文献１】特開平１０−３３５２８２号公報
【特許文献２】特開平０７−０７４１３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、現状のブラシスクラバーのブラシ定期交換及びブラシ押し圧・高さ調整を６ヵ月毎としているが、ブラシの磨耗が毎回一定ではないので、正確なブラシ交換タイミングが分からず、障害が発生してしまう場合がある。
【００１０】
また、従来はパーティクル検査に使用しているパターン無しのウェーハでは、ブラシスクラブ工程においてパーティクルが発生しない場合が多く、製品ウェーハのように下地にパターンを有するウェーハを使用したパーティクル検査で初めて再現確認が可能となる場合が多い。
【００１１】
即ち、ウェーハ表面におけるパターンの有無でパーティクルの発生確率が格段に異なるため、従来のパターン無しウェーハの管理では問題なくても、製品ウェーハでパーティクルが発生してしまう場合がある。
【００１２】
一方、パターン無しウェーハでのパーティクル日常点検管理の代替案として、製品ウェーハでの抜き取り検査も考えられるが、品種によりパターンが異なるため、多品種少量生産を行っている際には、同一感度での定常的な管理が難しいという問題がある。
【００１３】
また、仮に、抜き取り検査を採用する製品の品種を固定できたとしても、パーティクルが発生し易いパターンがチップ内及びウェーハ内で限定されるため、正確で効率的なパーティクル管理には向かない場合が殆どである。
【００１４】
したがって、上述の理由により、一旦、製品でパーティクルが発生するとブラシスクラバー工程を省略することが多いが、そうすると、パーティクル除去装置としてのブラシスクラバーを適正に使用していないという問題が発生する。
【００１５】
さらに、パーティクルの発生を防ぐために、各個別工程の管理を綿密におこなうと、各個別工程の管理が過多となるため、製造コストが上昇するという問題がある。
【００１６】
したがって、本発明は、ウェーハプロセスの変動に起因するブラシスクラブ工程におけるパーティクルの発生状況の把握を精度良く且つ低コストで行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号６は、パーティクル発生領域である。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、パーティクル発生管理用基板において、基板１上に複数の区画領域２を設けるとともに、各区画領域２において規則的に配列した凹凸パターン３を設けたことを特徴とする。
【００１８】
基板１上に設けた複数の区画領域２において規則的に配列した凹凸パターン３、特に、製品ウェーハと比較してパーティクルの発生を加速させるようなパターンを設けることによって、検査すべきパターンの位置座標も既知であることから、検査領域を限定し、即ち、検査面積を縮小して検査作業の精度向上と効率化を両立させることができる。
凹凸パターン３とは、配線パターン等の凸状パターンが典型的であるが、溝等の凹状パターンでも良いものである。
【００１９】
この場合、規則的に配列した凹凸パターン３としては、縦長矩形パターン或いは横長矩形パターンが典型的であり、これらの縦長矩形パターン或いは横長矩形パターンを各区画領域２毎に種類毎に設けても良いし、同じ区画領域２内に混在させても良いものであり、各区画領域２内のパターン数は任意である。
【００２０】
或いは、規則的に配列した凹凸パターン３として、マトリクス状に配置した矩形パターンを用いても良いし、放射状に配置した長矩形パターンを用いても良いものである。
さらには、各区画領域２を同心円状円環領域とし、凹凸パターン３を円環領域内において放射状に配置した長矩形パターンとしても良いものである。
【００２１】
また、各区画領域２の内の少なくとも一つの区画領域２内に形成した複数の凹凸パターン３の少なくとも一つの凹凸パターン３の高さが他の凹凸パターン３の高さと異なるように構成しても良いし、隣接パターンとのスペースや断面形状におけるテーパ角度等を互いに異なるようにしても良いものである。
【００２２】
また、規則的に配列した凹凸パターン３は互いに異なる場合には、凹凸パターン３の個別形状、配列形状、或いは、高さに応じてインデックスパターン４を設けることが望ましく、それによって、各凹凸パターン３の特徴を容易に区別することができる。
【００２３】
また、本発明は、電子デバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法において、上述のパーティクル発生管理用基板に対してブラシスクラバー処理を行って発生するパーティクル数を測定し、測定値に基づいて、製品製造用基板にブラシスクラバー処理を施した場合に発生するパーティクル数を定量的に評価することを特徴とする。
【００２４】
上述の凹凸パターン３を持つウェーハはブラシスクラバー５での処理後、電子デバイス検査の画像検出装置にて欠陥数検査を実施する際、ウェーハ全面を検査して、各凹凸パターン３毎のパーティクル発生数を管理することで、パーティクル発生の危険度を定量的に把握することができる。
【００２５】
この場合、測定値に基づいて、製品ウェーハ製造に際して、パーティクル発生の原因となる電子デバイス製造ラインのクリーンルーム雰囲気、成膜装置における成膜膜質・膜厚変動、或いは、ブラシスクラバー５の装置コンディションのうちの少なくとも一つをフィードバック管理するのが望ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、ウェーハプロセスの変動に起因するパーティクルの発生マージンを正確且つ効率的に管理することができ、それによって、個別工程の管理が過多となることなく、ブラシスクラバーのブラシ交換周期の適正管理、クリーンルーム雰囲気の適正管理、或いは、成膜装置の膜質／膜厚適正管理を図ることが可能になり、延いては、プロセスが安定し、製品品質が向上し、また、製造トラブルが低減するとともに、過剰なブラシ交換等のメンテナンスが無くなることにより製品ウェーハ処理数の向上が期待でき、ブラシ交換コストも大幅に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明は、基板上に設けた複数の区画領域において規則的に配列した凹凸パターン、特に、製品ウェーハと比較してパーティクルの発生を加速させるようなパターン、例えば、縦長矩形パターン或いは横長矩形パターン、マトリクス状に配置した矩形パターン、同心円状円環領域からなる区画領域に放射状に配置した長矩形パターン等を設けて、このパーティクル発生管理用基板に対してブラシスクラバー処理を行って発生するパーティクル数を測定し、測定値に基づいて、製品用基板にブラシスクラバー処理を施した場合に発生するパーティクル数を定量的に評価し、その結果に基づいて、ブラシスクラバーのブラシ交換周期の適正管理、クリーンルーム雰囲気の適正管理、或いは、成膜装置の膜質／膜厚適正管理を図るものである。
【実施例１】
【００２８】
ここで、図２乃至図６を参照して、本発明の実施例１のパーティクル発生管理方法を説明するが、まず、図２乃至図５を参照してブラシスクラバー処理工程を用いるブラシスクラバー及びパーティクルの発生状況を説明する。
図２参照  
図２は、ブラシスクラバー処理時のウェーハ回転方向とブラシ進行（回転）方向の説明図であり、上図はドラム型ブラシスクラバーを示し、下図は、スピン型ブラシスクラバーを示している。
【００２９】
上図に示すように、ドラム型ブラシスクラバーの場合には、ドラム状のブラシ本体１２の円筒面にブラシ毛１３を密植したドラム型ブラシスクラバー１１を毎分数百回転で回転させた状態でウェーハ１４を回転させて、ウェーハ１４上に付着したパーティクルを除去するものである。
なお、この場合のブラシ毛１３は、０．１ｍｍ径或いは０．２ｍｍ径等のナイロン、山羊毛、モヘア、スポンジ等で構成される。                                          
【００３０】
一方、下図に示すスピン型ブラシスクラバーの場合には、円板状のブラシ本体２２の底面にブラシ毛２３を密植したスピン型ブラシスクラバー２１を回転させることなくウェーハ２４の径方向に移動させた状態でウェーハ１４を回転させて、ウェーハ２４上に付着したパーティクルを除去するものである。
なお、この場合のブラシ毛２３もスポンジ等で構成される。                        
【００３１】
このような、ブラシスクラバーを用いたブラシスクラバー処理後にウェーハ上でパーティクルの発生する箇所は下地のパターン走査方向と密接な関係があるので、この事情を図３を参照して説明するが、ここでは、スピン型ブラシスクラバーを代表させて説明する。
図３参照  
図３は、パーティクルの発生箇所の説明図であり、簡単のため、チップ２５内のパターンが４つの凸パターン２７からなる十字パターン２６を配したものと仮定すると、ウェーハ２４の上部に設けたチップ２５にスピン型ブラシスクラバー２１を移動した時、ブラシ毛２３とチップ２５に設けた凸パターン２７との接触は下図に示すようになる。
【００３２】
この時、ブラシ毛２３が、凸パターン２７を被覆する層間絶縁膜２８の段差を乗り上げる乗上部分２９で最も摩擦係数が大きくこの乗上部分２９でパーティクルが発生し易くなる。
【００３３】
図４参照  
図４は、パーティクルの発生箇所のパターン依存性の説明図であり、ウェーハ２４の上下左右に同様の十字パターン２６を設けたチップ２５1 〜２５4 が配置された場合、パーティクル発生箇所とパターンとの関係は図４のようになる。
【００３４】
図５参照  
図５は、パーティクル発生し易さに影響を与えるファクターの説明図であり、図に示すように、孤立パターン３１が急峻であるほどブラシスクラバー処理後のパーティクル発生率は上昇するため、孤立パターン３１の高さが変わればパーティクルの発生率も変化する。
【００３５】
また、隣接する孤立パターン３２とのスペース３３が変化すればパターン間の膜の埋め込み性が変化するため、パーティクルの発生率も変化する。
さらに、一つの孤立パターン３１を厳密に見た場合には、孤立パターン３１の断面における角度α、βが変化することでもパーティクルの発生率は変動する。
【００３６】
したがって、これらのパターンの要素を故意に変動させればパーティクルの発生率を変化させることができるため、パーティクル発生数のパターン依存性を調査することができる。
【００３７】
例えば、これらの効果を利用して例えば製品ウェーハより急峻なパターンを管理用基板に故意に作り込むことで製品ウェーハでパーティクル障害が発生する以前にパーティクル発生率の上昇を未然に防いだり、異なるパターンをウェーハ内に配置すればパーティクルの発生し易さを定量的に確認でき、マージン変動を把握することが可能となる。
【００３８】
図６参照  
図６は、本発明の実施例１に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図であり、ここでは、チップ４１内に、例えば、幅０．２μｍ、長さ１０μｍ、高さが１．０μｍの横長の長矩形パターン４２を縦方向の相互の間隔が０．２μｍになるように配置したものである。
なお、この場合、長矩形パターン４２の形状や配置状況が容易に把握できるようにインデックスパターン４３も併せて設けておく。
【００３９】
このような、長矩形パターン４２をＢＰＳＧ膜で覆ったパーティクル発生管理用ウェーハを用いてブラシスクラバー処理を行った後、デバイス検査の画像検出装置によって欠陥数検査を実施する際、ウェーハ全面を検査したところ、
（１）ＢＰＳＧ膜内における管理値内でのＢ／Ｐ濃度・膜厚変動に起因して、ウェーハ中心にパーティクルが寄せ集められるＷｆ中心パーティクルモードの発生が確認された。
【００４０】
また、
（２）ウェーハ表面の有機物の凝集によりパーティクルが発生することも確認した。      なお、この場合の有機物は、プロセス起因のシロキサンや建屋起因の脱ガスによるものである。
【００４１】
また、
（３）ブラシスクラバーの不具合により、パーティクルが突発的に発生し、ブラシ交換によりパーティクルが収まったりブラシ押し圧を上げることでパーティクル数が増加することも確認した。
【００４２】
いずれの場合も、上記の図４に示したようなブラシ毛が段差を乗り上げる箇所にパーティクルが集中発生していることを確認した。
このように、各凹凸パターン毎のパーティクル発生数を管理することで、パーティクル発生の危険度を定量的に把握することができる。
【００４３】
そして、測定結果に基づいて、パーティクル発生の原因となる電子デバイス製造ラインのクリーンルーム雰囲気、成膜装置における成膜膜質・膜厚変動、或いは、ブラシスクラバーの装置コンディションのうちの少なくとも一つをフィードバック管理すれば良い。
【００４４】
例えば、ウェーハ表面の有機物の凝集によりパーティクルが発生することが確認された場合には、製品ウェーハの処理工程に先立って、有機酸の由来となる製造ラインのクリーンルーム雰囲気を代えれば良い。
【００４５】
また、Ｂ／Ｐ濃度・膜厚変動に起因して、Ｗｆ中心パーティクルモードの発生が確認された場合には、成膜装置において成膜膜質・膜厚変動が発生しているので、適正なＢ／Ｐ濃度比／膜厚になるように成膜条件にフィードバックすれば良い。
【００４６】
さらに、ブラシスクラバーが原因であると推測される場合には、製品ウェーハに対するブラシスクラバー処理に際して、ブラシ押圧力を低くしたり、或いは、ウェーハに対する当接角度を変えたりしてパーティクルの発生を低減するようにフィードバックすれば良い。
【実施例２】
【００４７】
次に、図７を参照して、本発明の実施例２のパーティクル発生管理方法を説明するが、用いるパーティクル発生管理用ウェーハに形成するパターンが異なるだけであるので、パターンのみを説明する。
図７参照  
図７は、本発明の実施例２に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図であり、ここでは、チップ４１内に、例えば、幅０．２μｍ、長さ１０μｍ、高さが１．５μｍの縦長の長矩形パターン４４を横方向の相互の間隔が０．２μｍになるように配置したものである。
なお、この場合も、長矩形パターン４４の形状や配置状況が容易に把握できるようにインデックスパターン４５も併せて設けておく。
【実施例３】
【００４８】
次に、図８を参照して、本発明の実施例３のパーティクル発生管理方法を説明するが、用いるパーティクル発生管理用ウェーハに形成するパターンが異なるだけであるので、パターンのみを説明する。
図８参照  
図８は、本発明の実施例３に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図であり、ここでは、チップ４１内に、例えば、幅０．２μｍ、長さ１０μｍ、高さが１．５μｍの横長の長矩形パターン４２を縦方向の相互の間隔が０．２μｍになるように配置するとともに、例えば、幅０．４μｍ、長さ５μｍ、高さが２．０μｍの縦長の長矩形パターン４４を横方向の相互の間隔が０．４μｍになるように混在して配置したものである。
なお、この場合も、長矩形パターン４２，４４の形状や配置状況が容易に把握できるようにインデックスパターン４３，４５も併せて設けておく。
【実施例４】
【００４９】
次に、図９を参照して、本発明の実施例４のパーティクル発生管理方法を説明するが、用いるパーティクル発生管理用ウェーハに形成するパターンが異なるだけであるので、パターンのみを説明する。
図９参照  
図９は、本発明の実施例４に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図であり、ここでは、チップ４１内に、例えば、一辺の長さが１．０μｍ、高さが２．５μｍの正方形パターン４６を横方向の相互の間隔が３．０μｍ、縦方向の相互の間隔が３．０μｍになるようにマトリクス状（飛び石状）に配置したものである。
なお、この場合も、正方形パターン４６の形状や配置状況が容易に把握できるようにインデックスパターン４７も併せて設けておく。
【実施例５】
【００５０】
次に、図１０を参照して、本発明の実施例５のパーティクル発生管理方法を説明するが、用いるパーティクル発生管理用ウェーハに形成するパターンが異なるだけであるので、パターンのみを説明する。
図１０参照  
図１０は、本発明の実施例５に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図であり、ここでは、チップ４１内に、例えば、幅０．２μｍ、長さ１０μｍ、高さが３．０μｍの長矩形パターン４８を８方向に放射状に配置したものである。
なお、この場合も、長矩形パターン４８の形状や配置状況が容易に把握できるようにインデックスパターン４９も併せて設けておく。
【実施例６】
【００５１】
次に、図１１を参照して、本発明の実施例６のパーティクル発生管理方法を説明するが、用いるパーティクル発生管理用ウェーハに形成するパターンが異なるだけであるので、パターンのみを説明する。
図１１参照  
図１１は、本発明の実施例６に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの平面図であり、ここでは、ウェーハ５０全体を例えば、径方向の幅が５ｍｍの同心円環状領域５１1 〜５１n に分割し、各同心円環状領域５１i に下図に示すように、長矩形パターン５２i を放射状に配置したものである。
なお、この場合も、長矩形パターン５２i の形状や配置状況が容易に把握できるようにインデックスパターン５３i も併せて設けておく。
【００５２】
この実施例６のパターンは、ウェーハの半径方向で処理の仕方を変動させている装置のパーティクル発生管理等に利用するものであり、各同心円環状領域５１i に設ける長矩形パターン５２i の形状や配置状況を代えてテストすることによって、ウェーハの半径方向で処理の仕方をパーティクルが発生しにくいように最適化することができる。
【００５３】
以上、本発明の実施例を説明してきたが、本発明は実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の各実施例においては管理用基板に設けるパターンを凸パターンとして説明しているが、凸パターンに限られるものではなく、溝パターンを掘るプロセスでも良く、いずれにしても、段差が形成されさえすれば良い。
【００５４】
なお、上述の各実施例におけるパターンは単なる一例であって、チップ内に設ける凸パターンの数は任意であり、また、凸パターンが形成する段差、隣接パターンとのスペース、パターン断面の形成角度等をウェーハ内でマトリクスを組んで故意に変動させ、パターン近傍にパターンの特徴を区別するためのインデックスパターンを同時にパターニングすることでパーティクルのパターン毎の発生数を管理することができる。
なお、パターニングに際しては、イオンビーム等の加工法によりパターンの幅、深さや形成角度等を変動させれば良い。
【００５５】
また、この場合のパターンの変動のさせ方は、個別のチップ内でも良いし、或いは、チップ毎に異なる配置、高さの凸パターンを形成しても良いし、或いは、ウェーハ毎に変動させシリーズで作成しても良い。
さらには、パターンを変動させずウェーハ面内に各チップに均一パターンを作成する場合も当然含まれる。
【００５６】
また、上記の実施例６においては、レーン状の同心円環状領域を設け、各同心円環状領域内に長矩形パターンを放射状に配置しているが、同様の目的と達成するためには、図９に示した正方形のパターンを各同心円環状領域において１個以上半径方向に並べて配置しても良いものである。
【００５７】
ここで、再び、図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  基板１上に複数の区画領域２を設けるとともに、前記各区画領域２において規則的に配列した凹凸パターン３を設けたことを特徴とするパーティクル発生管理用基板。
（付記２）  上記規則的に配列した凹凸パターン３が、縦長矩形パターン３或いは横長矩形パターン３であることを特徴とする付記１記載のパーティクル発生管理用基板。
（付記３）  上記縦長矩形パターン３或いは横長矩形パターン３を、上記各区画領域２内に混在して設けたことを特徴とする付記２記載のパーティクル発生管理用基板。
（付記４）  上記規則的に配列した凹凸パターン３が、マトリクス状に配置した矩形パターン３であることを特徴とする付記１記載のパーティクル発生管理用基板。
（付記５）  上記規則的に配列した凹凸パターン３が、放射状に配置した長矩形パターン３であることを特徴とする付記１記載のパーティクル発生管理用基板。
（付記６）  上記各区画領域２が同心円状円環領域であり、上記凹凸パターン３が、前記円環領域内において放射状に配置した長矩形パターン３であることを特徴とする付記１記載のパーティクル発生管理用基板。
（付記７）  上記各区画領域２の内の少なくとも一つの区画領域２内に形成した複数の凹凸パターン３の内の少なくとも一つの凹凸パターン３の高さが他の凹凸パターン３の高さと異なっていることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１に記載のパーティクル発生管理用基板。
（付記８）  上記各区画領域２の内の少なくとも一つの区画領域２内に形成した複数の凹凸パターン３の少なくとも一つの凹凸パターン３の断面形状におけるテーパ角が他の凹凸パターン３の断面形状におけるテーパ角と異なっていることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１に記載のパーティクル発生管理用基板。
（付記９）  上記規則的に配列した凹凸パターン３に対して、凹凸パターン３の個別形状、配列形状、或いは、高さに応じてインデックスパターン４を設けたことを特徴とする付記１乃至８のいずれか１に記載のパーティクル発生管理用基板。
（付記１０）  付記１乃至９のいずれか１に記載のパーティクル発生管理用基板に対してブラシスクラバー処理を行って発生するパーティクル数を測定し、前記測定値に基づいて、製品製造用基板にブラシスクラバー処理を施した場合に発生するパーティクル数を定量的に評価することを特徴とする電子デバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法。
（付記１１）  上記測定値に基づいて、上記電子デバイス製造ラインのクリーンルーム雰囲気、成膜装置における成膜膜質・膜厚変動、或いは、ブラシスクラバー５の装置コンディションのうちの少なくとも一つをフィードバック管理することを特徴とする付記１０記載の電子デバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の活用例としては、半導体製造ラインにおけるブラシスクラバー処理工程を必要とする成膜工程におけるパーティクル発生管理であるが、半導体製造ラインに限られるものではなく、液晶表示装置、強誘電体光デバイス、超伝導デバイス、或いは、磁気ヘッド等の他の電子デバイス製造ラインにおけるブラシスクラバー処理工程を必要とする成膜工程におけるパーティクル発生管理にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】ブラシスクラバー処理時のウェーハ回転方向とブラシ進行（回転）方向の説明図である。
【図３】パーティクルの発生箇所の説明図である。
【図４】パーティクルの発生箇所のパターン依存性の説明図である。
【図５】パーティクル発生し易さに影響を与えるファクターの説明図である。
【図６】本発明の実施例１に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図である。
【図７】本発明の実施例２に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図である。
【図８】本発明の実施例３に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図である。
【図９】本発明の実施例４に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図である。
【図１０】本発明の実施例５に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの図３に示した当接位置における平面図である。
【図１１】本発明の実施例６に用いるパーティクル発生管理用ウェーハに設けるテストパターンの平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  基板
２  区画領域
３  凹凸パターン
４  インデックスパターン
５  ブラシスクラバー
６  パーティクル発生領域
１１  ドラム型ブラシスクラバー
１２  ブラシ本体
１３  ブラシ毛
１４  ウェーハ
２１  スピン型ブラシスクラバー
２２  ブラシ本体
２３  ブラシ毛
２４  ウェーハ
２５  チップ
２５1 〜２５4   チップ
２６  十字パターン
２７  凸パターン
２８  層間絶縁膜
２９  乗上部分
３１  孤立パターン
３２  孤立パターン
３３  スペース
４１  チップ
４２  長矩形パターン
４３  インデックスパターン
４４  長矩形パターン
４５  インデックスパターン
４６  正方形パターン
４７  インデックスパターン
４８  長矩形パターン
４９  インデックスパターン
５０  ウェーハ
５１1 〜５０n   同心円環状領域
５２i   長矩形パターン
５３i   インデックスパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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