(57)【要約】  【課題】  フリー磁性層の両側に位置するハードバイアス層のＰｔ量を組成変調させて、フリー磁性層に対してバイアス磁界を効率良く印加できるようにした磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  ハードバイアス層２６はＣｏＰｔ、あるいは、ＣｏＰｔＣｒの単層構造で形成されている。前記ハードバイアス層２６には、素子部３０のトラック幅方向の側面近傍にＰｔ量が少ない低Ｐｔ領域２６ａ１と、低Ｐｔ領域２６ａ１の外側に前記低Ｐｔ領域２６ａ１に比べてＰｔ量が多い高Ｐｔ領域２６ｂ１が形成されている。したがって、フリー磁性層５の側面近傍でのＭｒ×ｔ（ｔは膜厚）を大きくできる。その結果、フリー磁性層５へのバイアス磁界の印加効率を高めることができる。また保磁力Ｈｃが大きい高Ｐｔ領域２６ｂ１を備えることで、ハードバイアス層２６自体の磁化安定性を向上させることが可能である。【選択図】図１
2008283016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部磁界に対して磁化方向が変動する感磁層を備えた磁気抵抗効果を発揮する素子部と、前記素子部のトラック幅方向の両側に位置し、前記感磁層にバイアス磁界を供給するためのハードバイアス層とを有し、
前記素子部のトラック幅方向の両側側面は、下方から上方に向けて徐々に前記素子部のトラック幅方向の幅寸法が小さくなるように傾斜面で形成され、
前記ハードバイアス層はＣｏＰｔあるいはＣｏＰｔＣｒの単層構造で形成され、
前記ハードバイアス層には、前記感磁層のトラック幅方向の側面側にＰｔ量が少ない低Ｐｔ領域と、低Ｐｔ領域よりもトラック幅方向の外側に前記低Ｐｔ領域に比べてＰｔ量が多い高Ｐｔ領域が形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項２】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ａ）  基板上に、外部磁界に対して磁化が変化する感磁層を備えた磁気抵抗効果を発揮する素子部を形成する工程、
（ｂ）  前記素子部の上面にリフトオフ用レジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない前記素子部のトラック幅方向の両側側面を、下方から上方に向けて徐々に前記素子部のトラック幅方向の幅寸法が小さくなるように傾斜面で形成する工程、
（ｃ）  前記リフトオフ用レジスト層はそのままの状態で、ＣｏＰｔあるいはＣｏＰｔＣｒのターゲットを用いて、イオンビームスパッタで、ハードバイアス層を前記素子部の前記両側側面上に成膜するとき、初期成膜角度を、フリー磁性層の膜厚中心からトラック幅方向に引いた仮想線と、前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側にて傾斜した成膜面とが交わる接点での前記成膜面に対する法線方向Ａに対し前記接点を基点にして前記基板から離れる方向（正値）、あるいは、前記基板へ近づく方向（負値）へθ１に設定して、前記フリー磁性層のトラック幅方向の側面側に、Ｐｔ量が少ない低Ｐｔ領域を形成する工程、
（ｄ）  前記（ｃ）工程と同一のターゲットを用い、成膜角度を、前記法線方向Ａに対し前記接点を基点として前記基板から離れる方向（正値）へθ２に設定し、このとき、前記成膜角度θ２を前記初期成膜角度θ１の絶対値よりも大きい値に設定して、前記低Ｐｔ領域よりもトラック幅方向の外側に前記低Ｐｔ領域よりもＰｔ量が多い高Ｐｔ領域をイオンビームスパッタで形成する工程、
（ｅ）  前記リフトオフ用レジスト層を除去する工程。
【請求項３】
前記（ｃ）工程では、前記初期成膜角度θ１を、−１０°〜１０°の範囲内に設定し、
前記（ｄ）工程では、前記成膜角度θ２を、前記基板表面の法線方向Ｂに対する成膜角度θ３が０°〜１５°の範囲内となるように、前記初期成膜角度θ１の絶対値よりも大きく設定する請求項２記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項４】
前記（ｃ）工程で、前記低Ｐｔ領域を、前記成膜面に沿って形成し、前記低Ｐｔ領域のトラック幅方向の外側に位置する空間領域を前記（ｄ）工程でのハードバイアス層の成膜によって埋める請求項２又は３に記載の磁気検出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリー磁性層のトラック幅方向の両側に位置するハードバイアス層のＰｔ量を組成変調させて、フリー磁性層に対してバイアス磁界を効率良く印加できるようにした磁気検出素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、トンネル型磁気検出素子のトンネル型磁気抵抗効果を発揮する素子部の両側には、ハードバイアス層が設けられている。
【０００３】
前記ハードバイアス層は、前記素子部を構成するフリー磁性層に対してバイアス磁界を与え、前記フリー磁性層の磁化の安定性を向上させるためのものである。
【０００４】
前記バイアス磁界を増大するには、前記ハードバイアス層のＭｒ×ｔ（残留磁化Ｍｒ，膜厚ｔ）を大きくすることが望ましい。
【特許文献１】特開２００２−１３３６１６号公報
【特許文献２】特開２００４−３１１６８６号公報
【特許文献３】特開２００２−１５１７５７号公報
【特許文献４】特開２００２−３０５３３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記素子部のトラック幅方向の両側側面は、上記の特許文献に示されるように、下方から上方に向うにしたがってトラック幅方向の幅寸法が徐々に小さくなる傾斜面で形成されている。
【０００６】
また上記の特許文献１等に記載されているように前記素子部の形状加工をリフトオフ用レジスト層を用いて行い、さらに前記レジスト層をそのまま利用して前記素子部の側面にハードバイアス層等を成膜している。
【０００７】
前記ハードバイアス層を成膜するとき、前記素子部の側面にハードバイアス層を成膜し、且つ、リフトオフ用レジスト層を最後に簡単且つ適切に除去できるように、成膜角度を基板表面の法線方向（膜厚方向）に対して所定角度傾けている。例えば前記成膜角度を基板表面の法線方向（膜厚方向）に対して、大きく寝かせてしまうと、前記リフトオフ用レジスト層の側面に付着するハードバイアス材料が多くなりリフトオフ性が悪くなるので、前記成膜角度を上記のようにハードバイアス層を素子部の側面に適切に成膜でき且つリフトオフ性の観点から制御していた。
【０００８】
このように従来では、前記素子部の側面に対する成膜角度でなく、基板表面の法線方向に対する成膜角度で制御していたが、ハードバイアス層の組成は、前記素子部の側面に対する成膜角度に依存することがわかった。
【０００９】
そして、従来では、フリー磁性層の両側に形成される前記ハードバイアス層に含まれるＰｔ量は多く、残留磁化Ｍｒが低下しており、効果的に、前記ハードバイアス層のＭｒ×ｔ（残留磁化Ｍｒ，膜厚ｔ）を大きくできる構成ではなかった。
【００１０】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、フリー磁性層のトラック幅方向の両側に位置するハードバイアス層のＰｔ量を組成変調させて、フリー磁性層に対してバイアス磁界を効率良く印加できるようにした磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明における磁気検出素子は、外部磁界に対して磁化方向が変動する感磁層を備えた磁気抵抗効果を発揮する素子部と、前記素子部のトラック幅方向の両側に位置し、前記感磁層にバイアス磁界を供給するためのハードバイアス層とを有し、
前記素子部のトラック幅方向の両側側面は、下方から上方に向けて徐々に前記素子部のトラック幅方向の幅寸法が小さくなるように傾斜面で形成され、
前記ハードバイアス層はＣｏＰｔあるいはＣｏＰｔＣｒの単層構造で形成され、
前記ハードバイアス層には、前記感磁層のトラック幅方向の側面側にＰｔ量が少ない低Ｐｔ領域と、低Ｐｔ領域よりもトラック幅方向の外側に前記低Ｐｔ領域に比べてＰｔ量が多い高Ｐｔ領域が形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
このように本発明ではＣｏＰｔあるいはＣｏＰｔＣｒから成る単層構造のハードバイアス層において、前記フリー磁性層の側面側に低Ｐｔ領域を形成することで前記フリー磁性層の側面近傍でのハードバイアス層の残留磁化Ｍｒを大きくでき、よってＭｒ×ｔ（ｔは膜厚）を大きくでき、フリー磁性層に対して効率良くバイアス磁界を印加できる。また、フリー磁性層の側面側から離れた高Ｐｔ領域は、保磁力Ｈｃが前記低Ｐｔ領域よりも大きくハードバイアス層の磁化の安定性を向上できる。
【００１３】
本発明における磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００１４】
（ａ）  基板上に、外部磁界に対して磁化が変化する感磁層を備えた磁気抵抗効果を発揮する素子部を形成する工程、
（ｂ）  前記素子部の上面にリフトオフ用レジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない前記素子部のトラック幅方向の両側側面を、下方から上方に向けて徐々に前記素子部のトラック幅方向の幅寸法が小さくなるように傾斜面で形成する工程、
（ｃ）  前記リフトオフ用レジスト層はそのままの状態で、ＣｏＰｔあるいはＣｏＰｔＣｒのターゲットを用いて、イオンビームスパッタで、ハードバイアス層を前記素子部の前記両側側面上に成膜するとき、初期成膜角度を、フリー磁性層の膜厚中心からトラック幅方向に引いた仮想線と、前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側にて傾斜した成膜面とが交わる接点での前記成膜面に対する法線方向Ａに対し前記接点を基点にして前記基板から離れる方向（正値）、あるいは、前記基板へ近づく方向（負値）へθ１に設定して、前記フリー磁性層のトラック幅方向の側面側に、Ｐｔ量が少ない低Ｐｔ領域を形成する工程、
（ｄ）  前記（ｃ）工程と同一のターゲットを用い、成膜角度を、前記法線方向Ａに対し前記接点を基点として前記基板から離れる方向（正値）へθ２に設定し、このとき、前記成膜角度θ２を前記初期成膜角度θ１の絶対値よりも大きい値に設定して、前記低Ｐｔ領域よりもトラック幅方向の外側に前記低Ｐｔ領域よりもＰｔ量が多い高Ｐｔ領域をイオンビームスパッタで形成する工程、
（ｅ）  前記リフトオフ用レジスト層を除去する工程。
【００１５】
本発明では、前記（ｃ）工程、及び（ｄ）工程で、ＣｏＰｔあるいはＣｏＰｔＣｒから成る同じターゲットを用いて、イオンビームスパッタで、ハードバイアス層を成膜するが、このとき法線方向Ａに対する（ｃ）工程での初期成膜角度θ１の絶対値を、（ｄ）工程での成膜角度θ２よりも小さくすることで、初期の成膜方向が、傾斜面で形成された成膜面に対しては、前記成膜面の法線方向Ａに近くなり、この結果、前記フリー磁性層の側面近傍に低Ｐｔ領域を成膜でき、前記フリー磁性層の側面近傍でのＭｒ×ｔを適切且つ簡単に大きくできる。また（ｄ）工程の前記成膜角度θ２は、初期成膜角度θ１よりも、基板表面の法線方向Ｂに近づくので、リフトオフ用レジスト層の側面に付着するハードバイアス材料の量を低減できリフトオフ性を向上できる。また（ｄ）工程での成膜方向は、傾斜面で形成された成膜面に対しては、前記成膜面の法線方向Ａから遠ざかるため、低Ｐｔ領域の外側にはＰｔ量が大きい高Ｐｔ領域を形成できる。前記高Ｐｔ領域は低Ｐｔ領域よりも保磁力Ｈｃを大きくできるので、ハードバイアス層の磁化の安定性も向上できる。
【００１６】
本発明では、前記（ｃ）工程では、前記初期成膜角度θ１を、−１０°〜１０°の範囲内に設定し、
前記（ｄ）工程では、前記成膜角度θ２を、前記基板表面の法線方向Ｂに対する成膜角度θ３が０°〜１５°の範囲内となるように、前記成膜角度θ１の絶対値よりも大きく設定することが、低Ｐｔ領域の残留磁化Ｍｒを効果的に大きく出来るとともに、高Ｐｔ領域の保磁力Ｈｃも増大でき、さらにリフトオフ性も向上できる。
【００１７】
また本発明では、前記（ｃ）工程で、前記低Ｐｔ領域を、傾斜する前記成膜面に沿って形成し、前記低Ｐｔ領域のトラック幅方向の外側に位置する空間領域を前記（ｄ）工程でのハードバイアス層の成膜によって埋めることが好ましい。これにより、フリー磁性層の側面に近い部分では高Ｍｒ×ｔを保ちつつ、ハードバイアス層の保磁力Ｈｃを効果的に増大させることができ、またより効果的にリフトオフ性を向上できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の磁気検出素子によれば、ＣｏＰｔあるいはＣｏＰｔＣｒから成る単層構造のハードバイアス層において、フリー磁性層の側面側のハードバイアス層の残留磁化Ｍｒを大きくでき、よってＭｒ×ｔ（ｔは膜厚）を大きくでき、フリー磁性層に対して効率良くバイアス磁界を印加できる。また、フリー磁性層の側面から離れた高Ｐｔ領域は、保磁力Ｈｃが前記低Ｐｔ領域よりも大きくハードバイアス層の磁化の安定性を向上できる。
【００１９】
また本発明の磁気検出素子の製造方法によれば、（ｃ）工程、及び（ｄ）工程で、ＣｏＰｔあるいはＣｏＰｔＣｒから成る同じターゲットを用いて、イオンビームスパッタで、ハードバイアス層を成膜するが、このとき法線方向Ａに対する（ｃ）工程での初期成膜角度θ１の絶対値を、（ｄ）工程での成膜角度θ２よりも小さくすることで、初期の成膜方向が、傾斜面で形成された成膜面に対しては、前記成膜面の法線方向Ａに近くなり、この結果、前記フリー磁性層の側面近傍に低Ｐｔ領域を成膜でき、前記フリー磁性層の側面近傍でのＭｒ×ｔを適切且つ簡単に大きくできる。また（ｄ）工程の前記成膜角度θ２は、初期成膜角度θ１よりも、基板表面の法線方向Ｂに近づくので、リフトオフ用レジスト層の側面に付着する硬磁性材料の量を低減できリフトオフ性を向上できる。また（ｄ）工程での成膜方向は、傾斜面で形成された成膜面に対しては、前記成膜面の法線方向Ａから遠ざかるため、低Ｐｔ領域の外側にはＰｔ量が大きい高Ｐｔ領域を形成できる。前記高Ｐｔ領域は低Ｐｔ領域よりも保磁力Ｈｃを大きくできるので、ハードバイアス層の磁化の安定性も向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は本実施形態のトンネル型磁気検出素子を備えた薄膜磁気ヘッドを記録媒体との対向面と平行な面から切断した断面図である。
【００２１】
トンネル型磁気検出素子は、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライダのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディスクなどの記録磁界をトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）に基づいて検出するものである。なお、図中においてＸ方向は、トラック幅方向、Ｙ方向は、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向（ハイト方向）、Ｚ方向は、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向及び前記トンネル型磁気検出素子の各層の積層方向、である。
【００２２】
図１の最も下に形成されているのは、例えばＮｉＦｅ合金で形成された下部シールド層２１である。前記下部シールド層２１上に素子部３０が形成されている。なお前記トンネル型磁気検出素子は、前記素子部３０と、前記素子部３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成された両側積層部２２とで構成される。
【００２３】
前記素子部３０の最下層は、シード層１である。前記シード層１は、ＮｉＦｅＣｒまたはＣｒによって形成される。前記シード層１をＮｉＦｅＣｒによって形成すると、前記シード層１は、面心立方（ｆｃｃ）構造を有し、膜面と平行な方向に{１１１}面として表される等価な結晶面が優先配向しているものになる。また、前記シード層１をＣｒによって形成すると、前記シード層１は、体心立方（ｂｃｃ）構造を有し、膜面と平行な方向に{１１０}面として表される等価な結晶面が優先配向しているものになる。なお、前記シード層１の下に、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち１種または２種以上の元素などの非磁性材料で形成された下地層が設けられていてもよい。
【００２４】
前記シード層１の上に形成された反強磁性層２は、元素α（ただしαは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。
【００２５】
これら白金族元素を用いたα−Ｍｎ合金は、耐食性に優れ、またブロッキング温度も高く、さらに交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできるなど反強磁性材料として優れた特性を有している。
【００２６】
また前記反強磁性層２は、元素αと元素α′（ただし元素α′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されてもよい。
【００２７】
前記反強磁性層２上には固定磁性層３が形成されている。前記固定磁性層３は、下から第１固定磁性層（例えばＣｏＦｅ合金）３ａ、非磁性中間層（例えばＲｕ）３ｂ、第２固定磁性層（例えばＣｏＦｅ合金）３ｃの順に積層された積層フェリ構造であることが、前記固定磁性層３の磁化固定力を大きくでき好適である。
【００２８】
前記固定磁性層３上には絶縁障壁層４が形成されている。前記絶縁障壁層４は、例えば、酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）や、酸化マグネシウム（Ｍｇ−Ｏ）で形成される。
【００２９】
前記絶縁障壁層４上には、フリー磁性層（感磁層）５が形成されている。前記フリー磁性層５は、例えばＮｉＦｅ合金で形成される軟磁性層５ｂと、前記軟磁性層５ｂと前記絶縁障壁層４との間に形成された例えばＣｏＦｅ合金からなるエンハンス層５ａとで構成されることが好ましい。これにより、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きく出来る等、再生特性の向上を図ることが可能である。
【００３０】
前記フリー磁性層５上にはＴａ等の非磁性金属材料で形成された保護層６が形成されている。
【００３１】
以上のようにしてトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を発揮する素子部３０が前記下部シールド層２１上に形成されている。前記素子部３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面は、下方から上方に向けて徐々に前記トラック幅方向の幅寸法が小さくなるように傾斜面１１，１１で形成されている。前記傾斜面１１は図１に示す断面において直線状あるいは湾曲状で現れる。前記傾斜面１１と下部シールド層２１の平坦面２１ａ間の角度θ５は、４０〜６０°であることが好ましい。傾斜面１１が湾曲面である場合、図１に示すフリー磁性層５の膜厚中心からトラック幅方向に引いた仮想線Ｃと前記傾斜面１１とが交わる位置を接点とし、その接点における接線と前記平坦面２１ａ間の角度で規定される。
【００３２】
図１に示すように、前記素子部３０の両側に広がる下部シールド層２１の上面に相当する平坦面２１ａ上から前記素子部３０の傾斜面１１上にかけて絶縁層２３が形成される。
【００３３】
図１に示すように絶縁層２３上には、バイアス下地層２４が形成され、前記バイアス下地層２４上にハードバイアス層２６が形成される。前記バイアス下地層２４は、例えばＴａ下地層と、その上にＣｒＴｉやＣｒの配向下地層との積層構造で形成される。また、前記ハードバイアス層２６はＣｏＰｔ、あるいは、ＣｏＰｔＣｒの単層構造で形成される。
【００３４】
前記ハードバイアス層２６上には例えばＴａで形成された保護層２８が形成されている。
【００３５】
前記バイアス下地層２４の傾斜面２４ｂを下部シールド層２１の平坦面２１ａ上にまで延長させたと仮定したときの前記傾斜面２４ｂと前記平坦面２１ａ間の角度θ６は、４０〜６０°であることが好ましい。傾斜面２４ｂが湾曲面である場合、図１に示すフリー磁性層５の膜厚中心からトラック幅方向に引いた仮想線Ｃと前記傾斜面２４ｂとが交わる位置を接点とし、その接点における接線と前記平坦面２１ａ間の角度で規定される。
【００３６】
図１に示すように、前記ハードバイアス層２６には、バイアス下地層２４の平坦面２４ａ上から傾斜面２４ｂ上に沿って、ほぼ一定の膜厚で形成された第１領域２６ａと、前記第１領域２６ａ上に形成された第２領域２６ｂとが形成されている。
【００３７】
前記第１領域２６ａの前記素子部３０の側面近傍は、低Ｐｔ領域２６ａ１であり、前記低Ｐｔ領域２６ａ１のトラック幅方向の外側に位置する第２領域２６ｂは前記低Ｐｔ領域２６ａ１よりもＰｔ量が多い高Ｐｔ領域２６ｂ１となっている。
【００３８】
図１に示すように、前記素子部３０上から前記両側積層部２２上にかけて上部シールド層３１が形成されている。前記上部シールド層３１は、例えばＮｉＦｅ合金で形成される。
【００３９】
図１に示す実施形態では、前記下部シールド層２１及び上部シールド層３１が前記素子部３０に対する電極層として機能し、前記素子部３０の各層の膜面に対し垂直方向（図示Ｚ方向と平行な方向）に電流が流される。
【００４０】
前記フリー磁性層５は、ハードバイアス層２６からのバイアス磁界を受けてトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に磁化されている。一方、固定磁性層３はハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に磁化されている。前記固定磁性層３は磁化が固定されている（外部磁界によって磁化変動しない）が、前記フリー磁性層５の磁化は外部磁界により変動する。
【００４１】
前記フリー磁性層５が、外部磁界により磁化変動すると、第２固定磁性層３ｃとフリー磁性層５との磁化が反平行のとき、前記第２固定磁性層３ｃとフリー磁性層５との間に設けられた絶縁障壁層４を介してトンネル電流が流れにくくなって、抵抗値は最大になり、一方、前記第２固定磁性層３ｃとフリー磁性層５との磁化が平行のとき、最も前記トンネル電流は流れ易くなり抵抗値は最小になる。
【００４２】
この原理を利用し、外部磁界の影響を受けてフリー磁性層５の磁化が変動することにより、変化する電気抵抗を電圧変化としてとらえ、記録媒体からの洩れ磁界が検出されるようになっている。
【００４３】
本実施形態のトンネル型磁気検出素子の特徴的部分について説明する。
図１に示すように、ハードバイアス層２６はＣｏＰｔ、あるいは、ＣｏＰｔＣｒの単層構造で形成されている。また図１に示すように、前記ハードバイアス層２６には、素子部３０のトラック幅方向の側面近傍にＰｔ量が少ない低Ｐｔ領域２６ａ１と、低Ｐｔ領域２６ａ１よりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）の外側に前記低Ｐｔ領域２６ａ１に比べてＰｔ量が多い高Ｐｔ領域２６ｂ１が形成されている。よって図１の形態では、前記フリー磁性層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の側面近傍にＰｔ量が少ない低Ｐｔ領域２６ａ１が形成されている。
【００４４】
低Ｐｔ領域２６ａ１は高Ｐｔ領域２６ｂ１よりも残留磁化Ｍｒが大きい。一方、高Ｐｔ領域２６ｂ１は低Ｐｔ領域２６ａ１よりも保磁力Ｈｃが大きい。
【００４５】
したがって図１に示すハードバイアス層２６を用いることで、フリー磁性層５の側面近傍でのＭｒ×ｔ（ｔは膜厚）を大きくできる。その結果、フリー磁性層５へのバイアス磁界の印加効率を高めることができる。
【００４６】
また保磁力Ｈｃが大きい高Ｐｔ領域２６ｂ１を備えることで、ハードバイアス層２６自体の磁化安定性を向上させることが可能である。
【００４７】
前記低Ｐｔ領域２６ａ１でのＰｔ量は、１８〜１８．５ａｔ％の範囲内であることが好ましい。またＣｏＰｔＣｒでハードバイアス層２６を形成する場合、低Ｐｔ領域２６ａ１でのＣｒ量は４〜８ａｔ％の範囲内であることが好ましい。また高Ｐｔ領域２６ｂ１でのＰｔ量は、２０．５〜２３ａｔ％の範囲内であることが好適である。またＣｏＰｔＣｒでハードバイアス層２６を形成する場合、高Ｐｔ領域２６ｂ１でのＣｒ量は４〜８ａｔ％の範囲内であることが好ましい。
【００４８】
図１に示すように、フリー磁性層５の膜厚中心からトラック幅方向（図示Ｘ方向）へ仮想線Ｃを引いたとき、前記仮想線Ｃ上の低Ｐｔ領域２６ａ１の幅寸法Ｔ１は、前記低Ｐｔ領域２６ａ１の外側にある第２領域２６ｂの幅寸法Ｔ２に比べて十分に小さい。
【００４９】
これにより前記フリー磁性層５の側面近傍での高Ｍｒ×ｔを損なうことなく、ハードバイアス層２６の保磁力Ｈｃを効果的に増大させることができる。
【００５０】
本実施形態では、前記ハードバイアス層２６のＰｔ量は、前記フリー磁性層５の側面側からトラック幅方向へ離れるにしたがって段階的に大きくなる形態であったが、例えば前記Ｐｔ量は、前記フリー磁性層５の側面側からトラック幅方向へ離れるにしたがって連続的に（徐々に）大きくなる形態であってもよい。またＰｔ量が段階的に変化する形態の場合、図１の実施形態ではＰｔ量は、低Ｐｔ領域２６ａ１から高Ｐｔ領域２６ｂ１への一段階だけの変化であるが、２段階以上変化するものであってもよい。かかる場合、フリー磁性層５から離れるほどＰｔ量を多くする。
【００５１】
本実施形態のトンネル型磁気検出素子の製造方法について説明する。図２ないし図５は、製造工程中におけるトンネル型磁気検出素子を図１と同じ面から切断した部分断面図である。
【００５２】
図２に示す工程では、下部シールド層２１上に、下から、シード層１、反強磁性層２、固定磁性層３、絶縁障壁層４、フリー磁性層５及び保護層６の順に、例えばスパッタ法で成膜する。
【００５３】
次に、図３に示すように、前記シード層１から保護層６までの素子部３０の上面３０ａに、リフトオフ用レジスト層３２を形成し、前記リフトオフ用レジスト層３２に覆われていない前記素子部３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面をエッチングで除去する。このエッチングにより、前記両側端面は、下方から上方に向かうにしたがって徐々にトラック幅方向の幅寸法が小さくなる傾斜面１１で形成される。
【００５４】
次に図４に示す工程では、前記素子部３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に広がる前記下部シールド層２１の平坦面２１ａ上から前記素子部３０の傾斜面１１上にかけて下から、絶縁層２３、及び、バイアス下地層２４の順に成膜する。
【００５５】
続いて所定の組成比から成るターゲット（図示しない）を用いて、イオンビームスパッタ（ＩＢＤ）で、ＣｏＰｔ、あるいは、ＣｏＰｔＣｒの単層構造から成るハードバイアス層２６を成膜する。まず、以下に示すように第１領域２６ａを成膜する。
【００５６】
図４に示す断面において、フリー磁性層５の膜厚中心からトラック幅方向（図示Ｘ方向）へ引いた仮想線Ｃと前記フリー磁性層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側での成膜面（バイアス下地層２４の傾斜面２４ｂ）とが交わる点を接点Ｄとする。まずハードバイアス層２６を成膜する初期成膜角度を、前記接点Ｄでの前記成膜面に対する法線方向Ａに対して前記接点Ｄを起点として前記下部シールド層２１から離れる方向（正値）、あるいは下部シールド層２１に近づく方向（負値）にθ１に設定する。このとき、下部シールド層２１の表面（平坦面２１ａ）の法線方向Ｂに対する初期成膜角度はθ４である。なお図４には、前記初期成膜角度θ１は、法線方向Ａに対して前記接点Ｄを起点として前記下部シールド層２１から離れる方向（正値）のみを図示している。なおこの実施形態では前記下部シールド層２１を「基板」とみなして説明するが、下部シールド層２１でなく、例えば図示しないスライダを「基板」とみなしてもよい。また磁気センサ等のように下部シールド層２１やスライダが形成されない形態のものでは磁気検出素子を成膜するための絶縁基板にて規定する。
【００５７】
本実施形態では法線方向Ａに対する初期成膜角度θ１を−１０°〜１０°の範囲内に設定することが好適である。このとき、例えば、前記下部シールド層２１と傾斜面２４ｂ間の角度θ６が５５°であるとき、法線方向Ｂに対する初期成膜角度θ４は、４５°〜６５°の範囲内である。
【００５８】
本実施形態では上記した法線方向Ａに対する初期成膜角度θ１で前記ハードバイアス層２６をイオンビームスパッタし、前記バイアス下地層２４の平坦面２４ａ上から傾斜面２４ｂ上に沿ってほぼ一定の膜厚の第１領域２６ａを成膜する。
【００５９】
図４の工程では、前記法線方向Ａに対する初期成膜角度θ１の絶対値を小さく設定している。すなわち成膜方向は法線方向Ａに近づいている。この結果、前記素子部３０の側面に沿って成膜される第１領域２６ａの部分は、Ｐｔ量が実際のターゲット組成よりも小さくなりやすく低Ｐｔ領域２４ａ１として形成される。前記低Ｐｔ領域２６ａ１でのＰｔ量は１８〜１８．５ａｔ％の範囲内であることが好適である。
【００６０】
次に図５に示す工程では、図４工程と同じターゲットを用いて、イオンビームスパッタで、第１領域２６ａ上に第２領域２６ｂを形成する。
【００６１】
図５では、成膜角度を、前記法線方向Ａに対して前記接点Ｄを基点として前記下部シールド層２１から離れる方向（正値）にθ２で設定し、このとき法線方向Ａに対する成膜角度θ２を前記初期成膜角度θ１の絶対値よりも大きい値に設定する。このとき、下部シールド層２１の表面（平坦面２１ａ）の法線方向Ｂに対する成膜角度はθ３である。
【００６２】
本実施形態では、法線方向Ｂに対する前記成膜角度θ３が０°〜１５°の範囲内となるように、法線方向Ａに対する前記成膜角度θ２を規定することが好ましい。例えば、前記下部シールド層２１と傾斜面２４ｂ間の角度θ６が５５°であるとき、法線方向Ｂに対する前記成膜角度θ３が０°〜１５°の範囲内となるようにするには、法線方向Ａに対する前記成膜角度θ２を、４０°〜５５°の範囲内に設定する。
【００６３】
これにより前記第１領域２６ａ上の空間領域を第２領域２６ｂによって適切に埋めることが出来る。このとき、傾斜した前記低Ｐｔ領域２６ａ１上では、成膜方向が、法線方向Ａから遠ざかるため、低Ｐｔ領域２６ａ１上に形成される第２領域２６ｂには、ターゲット組成よりもＰｔ量が多く入りやすく、低Ｐｔ領域２６ａ１に比べてＰｔ量が大きい高Ｐｔ領域２６ｂ１が形成される。前記高Ｐｔ領域２６ｂ１でのＰｔ量は、２０．５〜２３ａｔ％の範囲内であることが好適である。
なお図４及び図５での成膜方向は、法線方向Ａから法線方向Ｂ間の間で調整される。
【００６４】
続いて、図１に示す保護層２８をスパッタ成膜した後、前記リフトオフ用レジスト層３２を除去し、最後に、上部シールド層３１を形成する。
【００６５】
本実施形態の磁気検出素子の製造方法の特徴的部分は、図４工程、及び図５工程で、ＣｏＰｔ、あるいは、ＣｏＰｔＣｒから成る単層構造のハードバイアス層２６をイオンビームスパッタにて成膜するとき、成膜方向をフリー磁性層５の側面に近い側と遠い側とで変化させる点にある。
【００６６】
イオンビームスパッタにおいて、ＣｏＰｔ、あるいはＣｏＰｔＣｒからなるハードバイアス層を成膜するとき、成膜方向を、成膜面の法線方向に近づけるほど成膜される膜中のＰｔ量が減少することがわかっている。そして膜中に含まれるＰｔ量が少ないほど残留磁化Ｍｒが大きくなってＭｒ×ｔが大きくなり、また角形比Ｓが大きくなることがわかっている。一方、成膜方向を、成膜面の法線方向から遠ざけるほど成膜される膜中のＰｔ量が増大し、その結果、保磁力Ｈｃが増大することがわかっている。
【００６７】
本実施形態では、このように、同じターゲットを用いたイオンビームスパッタにおいて、成膜角度を変えると膜中に含まれるＰｔ量が変化することを利用する。
【００６８】
図４に示すように、フリー磁性層５の両側は傾斜面１１であるため、フリー磁性層５の両側にハードバイアス層２６を成膜するときの成膜面（バイアス下地層２４の傾斜面２４ｂ）も傾斜しているが、この傾斜する成膜面を基準として、成膜角度を規定する。
【００６９】
上記したように成膜角度が成膜面に対して法線方向に近いほど膜中に取り込まれるＰｔ量を少なくできるので、まず成膜面（バイアス下地層２４の傾斜面２４ｂ）の法線方向Ａに対する初期成膜角度θ１を例えば−１０°〜１０°と法線方向Ａに近付けてフリー磁性層５の両側近傍に低Ｐｔ領域２６ａ１を形成して前記フリー磁性層５の両側近傍での残留磁化Ｍｒを大きくする。
【００７０】
このとき、基板表面（下部シールド層２１の平坦面２１ａ）の法線方向Ｂに対する成膜角度θ４は大きいため、前記リフトオフ用レジスト層３２の側面に硬磁性材料層２６ｃが付着しやすくなる。
【００７１】
このとき前記低Ｐｔ領域２６ａ１を厚く成膜しすぎると、前記リフトオフ用レジスト層３２の下面側に形成されている切欠部３２ａ，３２ａ内にも硬磁性材料層２６ｃが付着する等して、リフトオフ性が悪化する問題が発生する。
【００７２】
前記フリー磁性層５の膜厚中心からトラック幅方向に引いた仮想線Ｃ上での前記低Ｐｔ領域２６ａ１の幅寸法Ｔ１を２０〜５０Å程度の薄い膜で形成する。
【００７３】
そして図５の工程では、成膜面（バイアス下地層２４の傾斜面２４ｂ）の法線方向Ａに対する成膜角度θ２を、例えば前記基板表面の法線方向Ｂに対する成膜角度θ３が０°〜１５°の範囲内となるように、前記初期成膜角度θ１の絶対値よりも大きく設定する。
【００７４】
これにより同じターゲットからイオンビームスパッタにて、前記低Ｐｔ領域２６ａ１上に成膜される第２領域２６ｂのＰｔ量は、低Ｐｔ領域２６ａ１のＰｔ量より多くなり、前記低Ｐｔ領域２６ａ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の外側に高Ｐｔ領域２６ｂ１が形成される。高Ｐｔ領域２６ｂ１は低Ｐｔ領域２６ａ１に比べて保磁力Ｈｃが大きい。
【００７５】
また、高Ｐｔ領域２６ｂ１を成膜する際の成膜方向は、図４工程より基板表面の法線方向Ｂに近づくので、前記リフトオフ用レジスト層３２の側面に付着する硬磁性材料層２６ｃを少なくでき、よってリフトオフ用レジスト層３２のリフトオフ性を向上させることが可能である。
【００７６】
また図４に示すように、低Ｐｔ領域２６ａ１をバイアス下地層２４の傾斜面２４ｂ上に沿ってほぼ一定の薄い膜厚で形成して、第１領域２６ａを屈曲形状で形成し、前記第１領域２６ａ上に存在する空間領域を、前記第２領域２６ｂで埋めてしまうことで、フリー磁性層５の側面近傍でのＭｒ×ｔを高い状態に維持しつつ、ハードバイアス層２６の保磁力Ｈｃを効果的に増大させることができ、さらにリフトオフ性をより効果的に向上させることが可能である。
【００７７】
上記ではトンネル型磁気検出素子を提示して説明したが本実施形態のハードバイアス層２６の構成は、トンネル型磁気検出素子への使用に限定されない。例えば、前記絶縁障壁層４の部分がＣｕ等の非磁性金属層で形成されたＣＰＰ−ＧＭＲ素子、下部シールド層２１と素子部３０間、及び上部シールド層３１と素子部３０間に絶縁性のギャップ層が形成され、前記絶縁層２３は形成されず、前記ハードバイアス層２６上に電極層が形成されて、電流が素子部３０の各層間の膜面と平行な面方向に流れるＣＩＰ−ＧＭＲ素子やＡＭＲ素子であってもよい。
【００７８】
本実施形態の磁気検出素子は、ハードディスク装置に内蔵される磁気ヘッドとしての用途以外に、ＭＲＡＭ（磁気抵抗メモリ）や磁気センサとして用いることも出来る。
【実施例１】
【００７９】
以下の膜構成を形成した。
基板上に、下から、Ｃｒ（３５）／ハードバイアス層；ＣｏＰｔ（２３０）／Ｔａ（５０）の順に積層した。括弧内の数値は平均膜厚を示し単位はÅである。
【００８０】
実験では、Ｃｏ７８ａｔ％Ｐｔ２２ａｔ％のターゲットを用い、基板上のＣｒ層上にＣｏＰｔをイオンビームスパッタにより成膜した。
【００８１】
実験では、前記ハードバイアス層を成膜する際の基板表面の法線方向に対する成膜角度を種々変化させて、成膜角度とＰｔ量との関係、成膜角度と保磁力Ｈｃとの関係、成膜角度と角形比Ｓとの関係、成膜角度とＭｒ×ｔとの関係について調べた。
【００８２】
図６に示すように成膜面の法線方向に対する成膜角度が大きくなるとＣｏＰｔから成るハードバイアス層中に含まれるＰｔ量が徐々に大きくなることがわかった。すなわち、成膜方向を、成膜面の法線方向に近付けるほど前記成膜面に形成されるハードバイアス層中に含まれるＰｔ量を小さく出来ることがわかった。
【００８３】
よって図４工程で、素子部３０の傾斜面１１の上方に低Ｐｔ領域２６ａ１を形成するには、成膜面であるバイアス下地層２４の傾斜面２４ｂとフリー磁性層５の膜厚中心から引いた仮想線Ｃとが交わる接点Ｄでの前記傾斜面２４ｂに対する法線方向Ａからの初期成膜角度θ１を小さくすればよいことがわかった。この場合、前記初期成膜角度θ１は、接点Ｄを基点として法線方向Ａに対して下部シールド層２１から離れる方向（正値）に規定しても、下部シールド層２１方向に近づく方向（負値）に規定してもどちらでもよい。
【００８４】
一方、図５工程で、傾斜する低Ｐｔ領域２６ａ１上に高Ｐｔ領域２６ｂ１を形成するには、成膜面であるバイアス下地層２４の傾斜面２４ｂとフリー磁性層５の膜厚中心から引いた仮想線Ｃとが交わる接点Ｄの法線方向Ａからの成膜角度θ２を初期成膜角度θ１よりも大きくすればよいことがわかった。この場合、リフトオフ性から、前記成膜角度θ２は、接点Ｄを基点として法線方向Ａに対して下部シールド層２１から離れる方向（正値）に規定する。
【００８５】
図６に示す横軸に記載されている括弧内の数値は、図４及び図５工程において、傾斜面２４ｂと下部シールド層２１の平坦面２１ａ間の角度θ６を５５°に設定したときの、法線方向Ｂからの成膜角度θ３，θ４（初期成膜角度θ１は正値）を示している。
【００８６】
特に法線方向Ｂからの成膜角度は図５工程の第２領域２６ｂの成膜過程で重要である。すなわちリフトオフ用レジスト層３２のリフトオフ性を向上させるには、法線方向Ｂからの前記成膜角度θ３を出来る限り小さくしたほうが好ましい。図５工程では、リフトオフ性の向上のために、図６の横軸の括弧内に示す法線方向Ｂからの成膜角度θ３を０°〜１５°の範囲内に設定することが好ましい。このとき、法線方向Ａからの成膜角度θ２は、４０°〜５５°の範囲内であり、図６に示すようにＰｔ量が多くなる。
【００８７】
図７に示すように、成膜角度を大きくすると、保磁力Ｈｃは徐々に増大することがわかった。すなわち図６の実験結果を合わせて考えるとＰｔ量が多く成ると保磁力Ｈｃが増大することがわかった。
【００８８】
また図８に示すように、成膜角度を小さくすると、Ｍｒ×ｔ（残留磁化Ｍｒ，膜厚ｔ）が大きくなることがわかった。ここで、実験では膜厚ｔは一定であるから、成膜角度を小さくすると、残留磁化Ｍｒが増大することがわかった。すなわち図６の実験結果を合わせて考えるとＰｔ量が小さくなると残留磁化Ｍｒが増大することがわかった。
【００８９】
また図９に示すように、成膜角度を小さくすると角形比Ｓが大きくなることがわかった。
【００９０】
以上の実験結果により、図４工程の法線方向Ａからの初期成膜角度θ１については小さい値（具体的には−１０°〜１０°の範囲が好適）に設定することで、低Ｐｔ領域２６ａ１をフリー磁性層５の側面近傍に形成でき、よって、フリー磁性層５の側面近傍でのＭｒ×ｔを向上させることができるとわかった。
【００９１】
一方、図５工程での法線方向Ａからの成膜角度θ２については、前記初期成膜角度θ１の絶対値よりも大きい値に設定するが、このとき、図５工程に示す法線方向Ｂからの成膜角度θ３が０°〜１５°の範囲内となるように、前記法線方向Ａからの成膜角度θ２を制御することで、リフトオフ性を向上させることが出来る。しかも、図５工程により低Ｐｔ領域２６ａ１のトラック幅方向の外側にＰｔ量が低Ｐｔ領域２６ａ１よりも大きい高Ｐｔ領域２６ｂ１を形成でき、図７に示すように保磁力Ｈｃを増大させることができ、この結果、ハードバイアス層２６の磁化の安定性を向上させることが可能である。
【００９２】
次に、図１に示すトンネル型磁気抵抗効果素子を構成した。前記トンネル型磁気検出素子の両側積層部２２を、下から、Ｔａ（１５）／Ｃｒ（３５）／ハードバイアス層；ＣｏＰｔ（２２０）／Ｔａ（２００）の順に積層した。括弧内の数値は平均膜厚を示し単位はÅである。
【００９３】
なお図１に示す傾斜面２４ｂと下部シールド層２１の平坦面２１ａ間の角度θ６を５５°に調整した。
【００９４】
実験では、ハードバイアス層の平均膜厚のうち低Ｐｔ領域の割合を２０％〜６０％の範囲で変動させ、そのときのフリー磁性層の磁気感度とアシンメトリーのばらつきσとの関係について調べた。なおハードバイアス層の膜厚変化は、図１に示す第２領域２６ｂの膜厚を変化させることで行った。
【００９５】
実験ではＣｏ７８ａｔ％Ｐｔ２２ａｔ％のターゲットを用い、イオンビームスパッタで、図４の初期成膜角度θ１を０°にして、第１領域２６ａを成膜し、続いて、図５の成膜角度θ２を４５°に設定して第２領域２６ｂを成膜した。
【００９６】
フリー磁性層の磁気感度は、図１に示す固定磁性層３の磁化方向であるハイト方向（図示Ｙ方向）に非常に大きい外部磁界（４ｋＯｅ）を印加したときのトンネル型磁気検出素子の抵抗変化量をΔＲ、前記ハイト方向に小さい外部磁界（６００Ｏｅ）を印加したときのトンネル型磁気検出素子の抵抗変化量をΔｒとしたとき、Δｒ／ΔＲで求められる。
【００９７】
フリー磁性層の磁気感度が良好であるということはフリー磁性層が外部磁界の変動に従って磁化変動しやすいことを意味しており、抵抗変化率等の向上のためにはフリー磁性層の磁気感度が良好であることが要求されるが、あまり磁気感度が良すぎてもノイズが生じやすくなる等、再生特性が不安定化する要因ともなるため、前記フリー磁性層の磁気感度については、従来と特に変わらない範囲とすることが好ましい。
【００９８】
また、アシンメトリーについては図１１に示すように、ベースラインからプラス波形の頂点までの高さをＡ、ベースラインからマイナス波形の底点までの高さをＢとしたとき、アシンメトリー＝{（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）}×１００（％）で求めることが出来る。
【００９９】
そしてアシンメトリーのばらつきσは、１つのウェハー内にある多数の素子の個々のアシンメトリーの値から計算される標準分散の値である。またフリー磁性層の磁気感度は、前記ばらつきσを求めるのに用いた多数の素子の磁気感度の平均である。
【０１００】
実験では、従来例として、Ｃｏ７８ａｔ％Ｐｔ２２ａｔ％のターゲットを用い、イオンビームスパッタで、図４の初期成膜角度θ１を３０°にして全てハードバイアス層を成膜した。このときハードバイアス層の平均膜厚が異なる複数の試料を形成し、各試料について、磁気感度とばらつきσとの関係を調べた。その実験結果を図１０に示す。
【０１０１】
図１０に示すように、実施例、及び、従来例のフリー磁性層の磁気感度は大体同じであったが、実施例のばらつきσは、従来例のばらつきσよりも小さくなり、再生特性の安定性が向上したことがわかった。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本実施形態のトンネル型磁気検出素子を記録媒体との対向面と平行な面から切断した断面図、
【図２】製造工程中における本実施形態のトンネル型磁気検出素子を図１と同じ面から切断した部分断面図、
【図３】図２の次に行われる一工程図（製造工程中における本実施形態のトンネル型磁気検出素子を図１と同じ面から切断した部分断面図）、
【図４】図３の次に行われる一工程図（製造工程中における本実施形態のトンネル型磁気検出素子を図１と同じ面から切断した部分断面図）、
【図５】図４の次に行われる一工程図（製造工程中における本実施形態のトンネル型磁気検出素子を図１と同じ面から切断した部分断面図）、
【図６】ＣｏＰｔの成膜角度とＰｔ量との関係を示すグラフ、
【図７】ＣｏＰｔの成膜角度と保磁力Ｈｃとの関係を示すグラフ、
【図８】ＣｏＰｔの成膜角度とＭｒ×ｔとの関係を示すグラフ、
【図９】ＣｏＰｔの成膜角度と角形比Ｓとの関係を示すグラフ、
【図１０】実施例（成膜角度を変化させてハードバイアス層を成膜）、及び、従来例（成膜角度を変えずにハードバイアス層を成膜）におけるフリー磁性層の磁気感度と再生波形のばらつきσとの関係を示すグラフ、
【図１１】再生波形のばらつきσの求め方についての説明図、
【符号の説明】
【０１０３】
１  シード層
２  反強磁性層
３  固定磁性層
４  絶縁障壁層
５  フリー磁性層
６、２８  保護層
１１  傾斜面
２１  下部シールド層
２２  両側積層部
２３  絶縁層
２４  バイアス下地層
２６  ハードバイアス層
２６ａ  第１領域
２６ａ１  低Ｐｔ領域
２６ｂ  第２領域
２６ｂ１  高Ｐｔ領域
３１  上部シールド層
３２  リフトオフ用レジスト層
３３  素子部
【図１】
2008283016.tif 000003
【図２】
2008283016.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008283016.tif 000006
【図５】
2008283016.tif 000007
【図６】
2008283016.tif 000008
【図７】
2008283016.tif 000009
【図８】
2008283016.tif 000010
【図９】
2008283016.tif 000011
【図１０】
2008283016.tif 000012
【図１１】
2008283016.tif 000013