(57)【要約】【課題】容易かつ高精度のパターニングを行うことができる半導体装置の製造方法、電気光学パネルの製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０の素子領域１２の上に形成される複数のスイッチング素子２０と、スイッチング素子２０と電気的に接続される複数の電気的接続部３０とを含み、基板１０の上に、複数の電気的接続部３０を形成する工程と、複数の電気的接続部３０を一体的に覆う保護部材６０を設ける工程と、基板１０の素子領域１２の上、及び保護部材６０の上に、少なくとも１層からなる絶縁層２６，４０を形成する工程と、少なくとも治具７０を使用することによって、保護部材６０を基板１０から剥離する工程と、を含む。【選択図】図７
2008096764.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の素子領域の上に形成される複数のスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続される複数の電気的接続部とを含む半導体装置を製造する方法であって、
（ａ）前記基板の上に、前記複数の電気的接続部を形成する工程と、
（ｂ）前記複数の電気的接続部を一体的に覆う保護部材を設ける工程と、
（ｃ）前記基板の前記素子領域の上、及び前記保護部材の上に、少なくとも１層からなる絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）少なくとも治具を使用することによって、前記保護部材を前記基板から剥離する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記スイッチング素子は、ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極に接触する有機半導体層と、前記有機半導体層に接触するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に接触するゲート電極と、を含み、
前記（ｃ）工程における前記絶縁層は、少なくとも前記ゲート絶縁層を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記保護部材を、前記基板の平面形状よりも外側に延在するように設ける半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程で、前記治具を、前記複数の電気的接続部の配列方向と平行な仮想線に沿って、前記絶縁層に接触させる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程で、前記治具を、前記基板の上面に対して斜めの角度で前記絶縁層に接触させる半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程で、前記治具を、前記保護部材の外縁付近において前記絶縁層に接触させる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護部材は、粘着性を有するテープである半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程後に、前記複数の電気的接続部に、駆動トランジスタに電気的に接続された第２電気的接続部を電気的に接続する工程をさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法を含み、
前記（ｄ）工程後に、前記基板の前記素子領域の上方に、電気光学素子が形成された対向基板を配置する工程をさらに含む電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
基板の素子領域の上に形成される電気光学素子と、前記電気光学素子と電気的に接続される複数の電気的接続部とを含む電気光学パネルを製造する方法であって、
（ａ）前記基板の上に、前記複数の電気的接続部を形成する工程と、
（ｂ）前記複数の電気的接続部を一体的に覆う保護部材を設ける工程と、
（ｃ）前記基板の前記素子領域の上、及び前記保護部材の上に、少なくとも１層からなる絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）少なくとも治具を使用することによって、前記保護部材を前記基板から剥離する工程と、
を含む、電気光学パネルの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の電気光学パネルの製造方法において、
前記（ｃ）工程における絶縁層は、前記電気光学素子を封止する封止材料層を少なくとも含む電気光学パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、電気光学パネルの製造方法、及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の製造プロセスでは、例えば、スイッチング素子等を有する電気光学装置用基板を製造し、その後、この電気光学装置用基板に、駆動トランジスタが搭載されたフレキシブル配線基板（ＦＰＣとも呼ばれる）を実装する工程を行う。電気光学装置用基板には、少なくとも１層の絶縁層が成膜されるが、ＦＰＣとの電気的接続を図るため、複数の電気的接続部を当該絶縁層から露出させる工程が要求される。従来の工程によれば、例えば、絶縁層を基板全面に形成した後、リソグラフィ及びエッチング技術を用いることによりパターニングを行うことが知られている。しかしながら、リソグラフィ及びエッチング技術によれば、パターニングのためのマスクの除去工程において使用される剥離液が、残しておくべき絶縁層までをも溶解させるおそれがある。また、マスクの形成工程を必要とするため、製造工程数が無駄に多くなる。
【０００３】
他のパターニング方法としては、例えば、基板全面に絶縁層を形成した後、所望の領域をスパチュラによって削ること方法もあるが、かかる方法によれば、絶縁層を物理的に削ることにより除去するため、下地となる配線層又は基板を損傷するおそれがある。あるいは、その他のパターニング方法としては、特開２００４−５３９５５号公報に開示される技術がある。
【特許文献１】特開２００４−５３９５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的の１つは、容易かつ高精度のパターニングを行うことができる半導体装置の製造方法、電気光学パネルの製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、基板の素子領域の上に形成される複数のスイッチング素子と、当該スイッチング素子と電気的に接続される複数の電気的接続部とを含む半導体装置を製造する方法であって、（ａ）前記基板の上に、前記複数の電気的接続部を形成する工程と、（ｂ）前記複数の電気的接続部を一体的に覆う保護部材を設ける工程と、（ｃ）前記基板の前記素子領域の上、及び前記保護部材の上に、少なくとも１層からなる絶縁層を形成する工程と、（ｄ）少なくとも治具を使用することによって、前記保護部材を前記基板から剥離する工程と、を含む。
【０００６】
上記構成によれば、複数の電気的接続部を一体的に覆う保護部材を設け、少なくとも１層からなる絶縁層を形成した後、当該保護部材を少なくとも治具を使用することによって剥離する。これによれば、保護部材を除去することにより、当該保護部材の上に形成された絶縁層を非常に容易に除去することができる。しかも、保護部材は少なくとも治具を使用して剥離されるため、絶縁層のうち保護部材の上の部分のみを正確に除去でき、周囲の絶縁層までもが余分に除去される弊害もなく、非常に高精度に絶縁層をパターニングすることができる。したがって、複数の電気的接続部を正確な領域において露出させることができる。
【０００７】
（２）この半導体装置の製造方法において、前記スイッチング素子は、ソース電極及びドレイン電極と、当該ソース電極及びドレイン電極に接触する有機半導体層と、当該有機半導体層に接触するゲート絶縁層と、当該ゲート絶縁層に接触するゲート電極と、を含み、前記（ｃ）工程における前記絶縁層は、少なくとも前記ゲート絶縁層を含むことができる。
【０００８】
（３）この半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程で、前記保護部材を、前記基板の平面形状よりも外側に延在するように設けることができる。
【０００９】
（４）この半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程で、前記治具を、前記複数の電気的接続部の配列方向と平行な仮想線に沿って、前記絶縁層に接触させることができる。
【００１０】
（５）この半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程で、前記治具を、前記基板の上面に対して斜めの角度で前記絶縁層に接触させることができる。
【００１１】
（６）この半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程で、前記治具を、前記保護部材の外縁付近において前記絶縁層に接触させることができる。
【００１２】
（７）この半導体装置の製造方法において、前記保護部材は、粘着性を有するテープであることができる。
【００１３】
（８）この半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後に、前記複数の電気的接続部に、駆動トランジスタに電気的に接続された第２電気的接続部を電気的に接続する工程をさらに含むことができる。
【００１４】
（９）本発明の一態様に係る電気光学装置の製造方法は、上記半導体装置の製造方法を含み、前記（ｄ）工程後に、前記基板の前記素子領域の上方に、電気光学素子が形成された対向基板を配置する工程をさらに含む。
【００１５】
（１０）本発明の一態様に係る電気光学パネルの製造方法は、基板の素子領域の上に形成される電気光学素子と、当該電気光学素子と電気的に接続される複数の電気的接続部とを含む電気光学パネルを製造する方法であって、（ａ）前記基板の上に、前記複数の電気的接続部を形成する工程と、（ｂ）前記複数の電気的接続部を一体的に覆う保護部材を設ける工程と、（ｃ）前記基板の前記素子領域の上、及び前記保護部材の上に、少なくとも１層からなる絶縁層を形成する工程と、（ｄ）少なくとも治具を使用することによって、前記保護部材を前記基板から剥離する工程と、を含む。
【００１６】
上記構成によれば、複数の電気的接続部を一体的に覆う保護部材を設け、少なくとも１層からなる絶縁層を形成した後、当該保護部材を少なくとも治具を使用することによって剥離する。これによれば、保護部材を除去することにより、当該保護部材の上に形成された絶縁層を非常に容易に除去することができる。しかも、保護部材は少なくとも治具を使用して剥離されるため、絶縁層のうち保護部材の上の部分のみを正確に除去でき、周囲の絶縁層までもが余分に除去される弊害もなく、非常に高精度に絶縁層をパターニングすることができる。したがって、複数の電気的接続部を正確な領域において露出させることができる。
【００１７】
（１１）この電気光学パネルの製造方法において、前記（ｃ）工程における絶縁層は、前記電気光学素子を封止する封止材料層を少なくとも含むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、本実施形態で説明される構成のすべてが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００１９】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態により製造される電気光学装置について説明する。図１は、電気光学装置の平面図であり、図２は、図１に示される電気光学装置のＹ方向の断面図である。なお、図１では、電気光学素子８０及び対向基板９０を含む電気光学パネル１１０は省略してある。この電気光学装置は、半導体装置１００と電気光学パネル１１０を含む。
【００２０】
図１に示すように、半導体装置（電気光学装置用基板）１００は、基板１０と、当該基板１０の素子領域１２の上に形成された複数のスイッチング素子２０と、当該スイッチング素子２０と電気的に接続された複数の電気的接続部３０とを含む。素子領域１２は、基板１０の中央部に設けられ、素子領域１２では、複数のスイッチング素子２０がマトリクス状に配列されている。各スイッチング素子２０の上には、画素電極１４が設けられている。また、電気的接続部３０は、配線１６を介して各スイッチング素子２０と電気的に接続され、外部に電気的に接続するための外部端子となっている。図１に示すように、基板１０の中央部に素子領域１２が配置され、基板１０の周囲（少なくとも１辺に沿った領域）に複数の電気的接続部３０が配列されている。図１に示す例では、複数の電気的接続部３０は、各スイッチング素子２０からＹ方向に沿って引き出された配線１６と電気的に接続され、基板１０のＸ方向に沿って少なくとも１行が配列されている。
【００２１】
基板１０は、透過性又は非透過性に限定することなく、各種材料によって構成されるものであり、例えばガラス基板やプラスチック基板を使用することができる。
【００２２】
スイッチング素子２０としては、その役目を果たす各種半導体素子を用いることができ、例えば、有機トランジスタを用いることができる。有機トランジスタは、後述するように主として湿式成膜法を用いて形成することができる。具体的には、有機トランジスタとしてのスイッチング素子２０は、ソース電極及びドレイン電極２２と、当該ソース電極及びドレイン電極２２に接触する有機半導体層２４と、当該有機半導体層２４に接触する絶縁層（ゲート絶縁層）２６と、当該絶縁層２６に接触するゲート電極２８とを含む。図２に示すように、基板１０側から順番に、ソース及びドレイン電極２２、有機半導体層２４、絶縁層２６及びゲート電極２８が積層される、いわゆるトップゲート構造を適用してもよい。あるいは、トップゲート構造の代わりに各層の積層の順番が逆である、ボトムゲート構造を適用してもよい。スイッチング素子２０上には、保護膜４０が設けられてもよく、さらにその上には、図１のみに図示する画素電極１２が設けられている。画素電極１２は、例えばコンタクト部を介してソース電極及びドレイン電極２２の一方に電気的に接続されている。
【００２３】
図１及び図２に示す例では、電気的接続部３０は、スイッチング素子２０と、フレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circuit、以下ＦＰＣという）５０を電気的に接続するための外部端子である。また、ＦＰＣ５０は、半導体装置１００のスイッチング素子２０を駆動するための駆動トランジスタ（駆動回路）５４を主として備える回路基板であり、スイッチング素子２０のソース電極及びドレイン電極２２の一方にデータ信号を供給し、またゲート電極２８に選択信号を供給することによって、スイッチング素子２０を駆動する。ＦＰＣ５０は、ベース基板に支持された複数の第２電気的接続部５２を有し、半導体装置１００とＦＰＣ５０の接続は、各電気的接続部３０，５２が例えば導電ペーストやハンダ材料等を介して接合されることにより行われる。
【００２４】
電気光学パネル１１０は、電気光学素子８０と対向基板９０を少なくとも含んで構成され、半導体装置１００と平面的に重なるように配置されている。電気光学素子８０は、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させるもの全般を指し、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子８０として、液晶素子、電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子などが挙げられる。
【００２５】
図２に示す例では、電気光学素子８０は、マイクロカプセル８２を有する電気泳動素子である場合を例に示している。マイクロカプセル８２は、樹脂皮膜によって形成されており、その大きさは１画素と同程度とされ、基板１０の各画素電極１４に対応して複数配置されている。マイクロカプセル８２には、染料によって染色された分散媒８６と、無機酸化物又は無機水酸化物からなる略球状の微粒子である電気泳動粒子７２とが封入されている。
【００２６】
対向基板９０は、基板１０と同様に、透過性又は非透過性に限定することなく、各種材料によって構成されるものであり、例えばガラス基板やプラスチック基板を使用することができる。なお、対向基板９０には、共通電極９２が形成されている。
【００２７】
次に、本実施の形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する。図３〜図８は、電気光学装置の製造方法を説明する図であり、図２に対応した断面図である。この電気光学装置の製造方法は、半導体装置の製造方法を含む。
【００２８】
まず、基板１０の上に、金属層を全面に成膜し、当該金属層をパターニングすることにより、図３に示すように、ソース電極及びドレイン電極２２、並びに電気的接続部３０を形成する。
【００２９】
金属層は、蒸着法又はスパッタリングにより形成することができ、例えば３０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚で形成することができる。金属層としては、導電性が優れた種々の材料が採用されるが、特に光透過性が求められる場合には、ＩＴＯ、ＺｕＯ2などを用いることができる。また、有機トランジスタがＰチャネル型として動作する場合、金属層として、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇを使用することが有効である。なお、基板１０と金属層との間に、クロムやチタン等を薄く成膜して両者の密着性を向上させることができる。
【００３０】
その後、金属層を公知のリソグラフィイ技術及びエッチング技術を適用してパターニングする。こうして、同一の金属層から、ソース電極及びドレイン電極２２、並びに電気的接続部３０を共に形成することができる。あるいは、それらの形成に加えて、さらに、スイッチング素子２０と電気的接続部３０を結ぶ配線１６を形成してもよいし、画素電極１４を形成してもよい。
【００３１】
なお、上述とは異なり、ソース電極及びドレイン電極２２と、電気的接続部３０とを別々の工程又は別々の金属材料から形成してもよく、さらには、金属層のパターニング工程は、公知のリソグラフィ技術等に限定されずに、無電解メッキ法、電気メッキ、インクジェット技術等の公知の技術を適用して行うことができる。
【００３２】
次に、図４に示すように、ソース電極及びドレイン電極２２の上に、有機半導体層２４を形成する。
【００３３】
有機半導体層２４は、例えば、液相プロセスによって塗布形成されることができる。液相プロセスとしては、例えば、インクジェット法（液滴吐出法）を適用することができる。また、液相プロセスの前処理として、ソース電極及びドレイン電極２２の表面を分子レベルで清浄化を行うことができる。
【００３４】
また、有機半導体層２４の材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料を用いるのが好ましい。
【００３５】
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、フルオレン−ビチオフェン共重合体、あるいは、ポリアリールアミンを用いるのが特に好ましい。
【００３６】
また、図４に示すように、複数の電気的接続部３０の上に、保護部材６０を設ける。保護部材６０は、複数の電気的接続部３０を一体的に覆うように設ける。
【００３７】
保護部材６０としては、各種の粘着性を有するテープ（例えばスコッチテープ、ヒタレックステープ（いずれも商品名））を使用することができる。保護部材６０は、少なくとも基板１０側において粘着性を有している。保護部材６０は、応力を加えることにより剥離できるものがよく、剥離の際に紫外線照射や加熱等を要しないものの方が剥離工程が容易となって好ましいが、かかる形態に限定するものではない。保護部材６０の厚さは限定されないが、例えば１μｍ〜１００μｍ程度であってもよく、特に５μｍ〜２０μｍであることが好ましい。保護部材６０の平面形状も限定されないが、例えば長手方向を有する形状であってもよい。図１に示すように、保護部材６０は、Ｘ方向に沿って長い形状を有してもよい。
【００３８】
図１に示すように、保護部材６０は、複数の電気的接続部３０の配列方向に沿って設けることができる。保護部材６０は、例えば、基板１０の１辺に配列される全ての電気的接続部３０を一体的に覆うように設ける。また、図１に示すように、保護部材６０を、基板１０の平面形状よりも外側に延在するように設けてもよい。例えば、複数の電気的接続部３０がＸ方向に配列される場合、保護部材６０を、基板１０の平面形状よりもＸ方向において外側に延在させてもよい。これにより、保護部材６０における基板１０から食み出る部分を把持部とすることができるので、非常に容易に、保護部材６０を基板１０から剥離することができる。かかる把持部は、剥離工程前にあらかじめ折り目を付しておくと剥離しやすく好ましい。また、保護部材６０を、基板１０の平面形状よりもＹ方向において外側に延在させてもよい。これにより、保護部材６０の上に設けられる各種の絶縁層の形成領域が広がるため、高いマージンをもって成膜工程を行うことができる。例えば、絶縁層をスピンコート法を適用して成膜した場合、電気的接続部３０付近においても所定の厚みを確保して成膜することが可能になる。
【００３９】
次に、図５に示すように、素子領域１２の上、すなわちスイッチング素子２０の形成予定領域の上（具体的には有機半導体層２４の上）、及び保護部材６０の上に、絶縁層２６を形成する。
【００４０】
絶縁層２６は、例えば、絶縁性のポリマーをスピンコートで塗布して形成することができる。ポリマーとしては、ポリビニルフェノール又は、フェノール樹脂（別名ノボラック樹脂）を使用した。その他にもポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂、ＰＣ、ポリスチレン、ポレオレフィン、ポリイミド、フッ素系樹脂等を使うことができる。あるいは、絶縁層２６をＣＶＤ法によって形成してもよい。
【００４１】
その後、図６に示すように、ゲート電極２８の材料である液体材料を絶縁層２６に滴下し、絶縁層２６上にゲート電極２８を形成する。この液体材料の吐出は、例えば、インクジェット法によって行われる。液体材料としては、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）の水分散液が採用される。また、ＰＥＤＯＴの他に、金属コロイドを用いることができる。これらの分散液としては水を主成分とするが、アルコールを添加した液体をインクとしてインクジェット印刷を行ってもよい。また、液体材料は、ソース及びドレイン電極２２の間（チャネル上）を覆うように塗布されると共に、複数のゲート電極２８を接続するゲート接続部（配線１６の一部）も形成してもよい。
【００４２】
このように、ゲート電極２８等をインクジェット法によって形成することにより、基板１０や有機半導体層２４に対して熱負荷を与えることがない。そのため、スイッチング素子２０や電気的接続部３０を形成する一連の工程においては、基板１０に対して熱負荷を与える成膜工程等の工程数が最小で済むことになる。その結果、基板１０として例えばプラスチック材料を採用した場合には、熱負荷に起因する基板の熱膨張や撓み等の変形を抑制することができる。したがって、低コスト、低温、かつ低エネルギーでの製造を実現することができる。
【００４３】
そして、ゲート電極２８を覆うように、他の絶縁層として保護層４０を形成する。保護層４０は、例えば高分子溶液をスピンコートすることによって形成することができる。保護層４０は、絶縁層２６の上に形成され、保護部材６０の上にも形成される。なお、必要に応じて保護層４０の上に、画素電極１４を形成することができる。
【００４４】
次に、図７に示すように、少なくとも治具７０を使用することによって、保護部材６０を基板１０から剥離する。保護部材６０の上には、少なくとも絶縁層２６及び保護層４０が設けられており、保護部材６０を除去すると共にそれらの絶縁層を除去することができる。
【００４５】
保護部材６０が粘着性を有するテープである場合には、図１に示す基板１０の平面形状からＸ方向に食み出る部分を把持部として、治具７０で保護層４０の表面を支持した状態で、引っ張り応力を加えることにより剥離する。言い換えれば、絶縁層２６及び保護層４０に対して、複数の電気的接続部３０の配列方向（Ｘ方向）と平行な線（すなわち保護部材６０の境目）に沿って、せん断応力を加える。
【００４６】
治具７０の形状は限定されるものではないが、例えば、薄い板状のような部材を使用することができる。治具７０の材質も限定されず、プラスチックであっても金属であってもよい。治具７０は、複数の電気的接続部３０の配列方向（Ｘ方向）と平行な線に沿って、保護層４０に接触させることができる。また、治具７０は、保護部材６０の外縁付近において保護層４０に接触させることができる。また、治具７０は、基板１０の上面となす角度θは、例えば５°〜１７５°であってもよく、その中でも６０°〜１２０°であることが好ましい。治具７０を、基板１０の上面に対して斜めの角度で接触させると（例えば０°＜θ＜９０°とすると）、治具７０が邪魔とならず、保護部材６０を容易に剥離することができる。
【００４７】
これによれば、少なくとも治具７０を使用することにより保護部材６０を除去するため、保護部材６０の上の絶縁層２６及び保護層４０におけるのみを正確に除去でき、周囲の層が余分に除去される弊害もなく、非常に容易かつ高精度にパターニングすることができる。また、治具７０は、基板１０と非接触状態で使用するため、基板１０及びその上に形成される電気的接続部３０等を損傷させることがなく、製品の信頼性を損なうこともない。
【００４８】
こうして半導体装置１００を製造したら、その後、図８に示すように、基板１０の素子領域１２上、すなわちスイッチング素子２０上に、電気光学素子８０が形成された対向基板９０を配置する。基板１０と対向基板９０は、両者間にスイッチング素子２０及び電気光学素子８０が内在するように貼り合わされる。
【００４９】
その後、半導体装置１００における複数の電気的接続部３０に、ＦＰＣ５０を電気的に接続することにより、図２に示される電気光学装置を製造することができる。
【００５０】
なお、上述ではＦＰＣを介して駆動トランジスタを接続する構成について説明したが、駆動トランジスタを有する集積回路チップを基板１０上に直接実装することも可能である。この場合、電気的接続部３０に、集積回路チップの電気的接続部を対向させて配置し、両者をハンダや異方性導電材料等で接続すればよい。
【００５１】
本実施の形態によれば、複数の電気的接続部３０を一体的に覆う保護部材６０を設け、少なくとも１層からなる絶縁層（例えば絶縁層２６及び保護層４０）を形成した後、当該保護部材６０を少なくとも治具７０を使用することによって剥離する。これによれば、保護部材６０を除去することにより、当該保護部材６０の上に形成された絶縁層を非常に容易に除去することができる。しかも、保護部材６０は少なくとも治具７０を使用して剥離されるため、絶縁層のうち保護部材６０の上の部分のみを正確に除去でき、周囲の絶縁層までもが余分に除去される弊害もなく、非常に高精度に絶縁層をパターニングすることができる。したがって、複数の電気的接続部３０を正確な領域において露出させることができ、信頼性の高い半導体装置又は電気光学装置を製造することができる。
【００５２】
また、レジスト層などのマスクを形成する必要がないため、工程数に削減を図ることができる。これにより、電気光学パネルの製造にかかるコストの低減を図ることができる。さらに、マスクを形成しないために、剥離液を使用することもなく、絶縁層に悪影響を与えることがなく、信頼性のさらなる向上を図ることができる。
【００５３】
また、保護部材６０及び治具７０を使用することにより、正確な領域に複数の電気的接続部３０を露出させることができるので、あらかじめ電気的接続部３０の開口領域にマージンを確保しておく必要がなく、電気的接続部３０の形成領域の縮小化を図ることにより、装置の狭額縁化を図ることができる。
【００５４】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態では、電気光学パネル２００の製造方法を説明する。なお、第１の実施形態の内容と重複する部分はその説明を省略する。
【００５５】
図９は、電気光学パネルの平面図であり、図１０〜図１２は、この電気光学パネルの製造工程を説明する図である。なお、図１０〜図１２は、図９のＹ方向の断面図に対応する。
【００５６】
本実施形成に係る電気光学パネル２００は、少なくとも基板２１０の素子領域２１２の上に形成された電気光学素子２２０と、当該電気光学素子２２０と電気的に接続される複数の電気的接続部２３０と、を含む。ここで、「電気光学パネル」とは、電気光学素子２２０に電圧又は電流を選択的に加えるスイッチング素子（半導体トランジスタ）を有しないもののみならず、当該スイッチング素子を有するものを含み、当該スイッチング素子を有する場合には「半導体装置」と呼ぶこともできる。本実施形態では、電気光学パネルの一例として、有機ＥＬパネルを説明する。
【００５７】
図９に示すように、電気光学パネル２００は、基板２１０と、基板２１０の素子領域２１２の上に形成された電気光学素子２２０と、当該電気光学素子２２０と電気的に接続された複数の電気的接続部３０とを含む。素子領域２１２は、基板１０の中央部に設けられ、素子領域２１２には複数のＲ，Ｇ，Ｂの各画素がマトリクス状に配列されている。素子領域２１２の周辺領域には、ダミー領域２１４が設けられ、このダミー領域２１４には、例えば走査線駆動回路２０２や作動状況を検査する検査回路２０４等が設けられている。素子領域２１２及びダミー領域２１４により構成される領域を画素部２１６と呼ぶことができる。
【００５８】
走査線駆動回路２０２及び検査回路２０４の駆動電圧及び駆動制御信号は、図示しない所定の電源部及びドライバ部から図示しない信号配線を介して印加される。画素部２１６の外側には、陰極用配線２０６が設けられており、この陰極用配線２０６の延在領域と対応して透明な保護基板２９０が設けられている（図１２参照）。この保護基板２９０は、基板２１０と対向して配置された基板であり、基板２１０との間に素子領域２１２上の電気光学素子２２０を挟持した構成となっている。なお、電気的接続部２３０、フレキシブルプリント基板２５０、及び駆動トランジスタ２５４の説明は第１の実施形態で説明したとおりである。
【００５９】
次に図１０〜図１２を参照して、この電気光学パネルの製造方法を説明する。本実施の形態では、保護部材２６０及び治具２７０を使用することにより、少なくとも、電気光学素子２２０を封止する封止材料層２８０を除去する。
【００６０】
図１０に示すように、基板２１０の上に必要に応じて絶縁層２４０を形成し、この絶縁層２４０の上に複数の電気的接続部２３０を形成する。図１０に示す例では、絶縁層２４０の上に、画素電極２４４、電気光学素子２２０、及び共通電極２４６を順番に積層して形成し、各電気的接続部２３０は共通電極２４６に電気的に接続されている。電気光学素子２２０は、少なくとも発光層２２４を有する。発光層２２４を構成する材料は、ポリマー系材料又は低分子系材料あるいは両者を複合的に用いた材料のいずれであってもよい。発光層２２４は、電流が流れることで発光し、発光色に応じてその発光効率が異なっていてもよい。図１０に示す例では、電気光学素子２２０は、発光層２２４と、発光層２２４の両側に設けられる第１及び第２バッファ層２２２，２２６を有している。例えば、第１バッファ層２２２は、発光層２２４への正孔注入の安定化を図る正孔注入層を含み、さらに正孔輸送層を含むことができる。一方、第２バッファ層２２６は、発光層２２４への電子注入の安定化を図る電子注入層を含み、さらに電子輸送層を含むことができる。また、隣同士の電気光学素子２２０は、バンク２４２によって区画（電気的に絶縁）されている。
【００６１】
そして、図１０に示すように、複数の電気的接続部３０の上に、保護部材２６０を設ける。保護部材２６０は、複数の電気的接続部２３０を一体的に覆うように設ける。保護部材２６０の詳細は、第１の実施形態で説明したとおりである。
【００６２】
その後、素子領域２１２の上、すなわち電気光学素子２２０の上、及び保護部材２６０の上に、封止材料層２８０を形成する。封止材料層２８０は、少なくとも電気光学素子２２０の一部又は全部を封止するものであり、絶縁材料を用いることができる。
【００６３】
そして、図１１に示すように、少なくとも治具２７０を使用することによって、保護部材２６０を基板２１０から剥離する。保護部材２６０の上には、少なくとも封止材料層２８０が設けられており、保護部材２６０を除去すると共に封止材料層２８０を除去することができる。保護部材２６０の剥離工程及び治具２７０の詳細は、第１の実施形態で説明したとおりである。
【００６４】
本実施の形態によれば、上述の実施形態と同様に、複数の電気的接続部２３０を正確な領域において露出させることができるので、信頼性の高い電気光学パネルを製造することができる。特に、封止材料層２８０を除去する場合には、電気的接続部２３０の形成領域の縮小化を図る一方で、封止材料層２８０を可能な限り広い領域に残しておくことができるので、封止機能を最大限発揮させることができ、さらなる信頼性の向上を図ることができる。
【００６５】
以上のとおり、本発明の実施形態を通じて説明された実施例や応用例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施形態の記載に限定されるものではない。そのような組み合わせ又は変更若しくは改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることは、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＹ方向断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る電気光学パネルの平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る電気光学パネルの製造方法を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る電気光学パネルの製造方法を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る電気光学パネルの製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０…基板  １２…素子領域  ２０…スイッチング素子
２２…ソース電極及びドレイン電極  ２４…有機半導体層  ２６…絶縁層
２８…ゲート電極  ３０…電気的接続部  ４０…保護層  ５２…第２電気的接続部
６０…保護部材  ７０…治具  ８０…電気光学素子  ９０…対向基板
１００…半導体装置  １１０，２００…電気光学パネル  ２１０…基板
２１２…素子領域  ２２０…電気光学素子  ２３０…電気的接続部
２５４…駆動トランジスタ  ２６０…保護部材  ２７０…治具  ２８０…封止材料層
【図１】
2008096764.tif 000003
【図２】
2008096764.tif 000004
【図３】
2008096764.tif 000005
【図４】
2008096764.tif 000006
【図５】
2008096764.tif 000007
【図６】
2008096764.tif 000008
【図７】
2008096764.tif 000009
【図８】
2008096764.tif 000010
【図９】
2008096764.tif 000011
【図１０】
2008096764.tif 000012
【図１１】
2008096764.tif 000013
【図１２】
2008096764.tif 000014