(57)【要約】【課題】例えば５００℃以上の比較的高い温度で熱処理を行わなくても、絶縁性能に優れたパターン膜を得ることができる感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法、半導体素子を提供する。【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得られた成分（Ｘ）と、露光されると酸又は塩基を発生する酸又は塩基発生剤（Ｙ）とを含有する感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法、半導体素子。【選択図】図１
2008107409.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得られた成分（Ｘ）と、露光されると酸又は塩基を発生する酸又は塩基発生剤（Ｙ）とを含有することを特徴とする、感光性組成物。
【請求項２】
基板上に、請求項１に記載の感光性組成物からなる感光性組成物層を形成する工程と、
形成するパターンに応じて前記感光性組成物層を選択的に露光し、前記酸又は塩基発生剤（Ｙ）から発生した酸又は塩基の作用により、露光部において前記成分（Ｘ）を架橋させて前記感光性組成物層を硬化し、露光部の前記感光性組成物層を現像液に不溶にする工程と、
露光部の前記感光性組成物層を現像液に不溶にした後、前記感光性組成物層を現像液で現像し、未露光部の前記感光性組成物層を除去し、パターン膜を得る工程とを備えることを特徴とする、パターン膜の製造方法。
【請求項３】
ゲート絶縁膜、パッシベーション膜及び層間絶縁膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜を備え、該膜が請求項１に記載の感光性組成物を用いて形成された膜であることを特徴とする、半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性を有し、選択的に露光した後、現像することによりパターン膜を形成することが可能な感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法及び半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体などの電子デバイスの製造に際しては、パッシベーション膜やゲート絶縁膜などが、微細パターン形成法により構成されている。これらの膜を構成するのに、例えばアルコキシシランの縮合物などを含む感光性樹脂組成物が用いられている。
【０００３】
下記の特許文献１には、パターン形成に用いられる感光性樹脂組成物の一例として、（１）アルカリ可溶性シロキサンポリマー、（２）光によって反応促進剤を発生する化合物、および（３）溶剤を主成分とする感光性樹脂組成物が開示されている。特許文献１では、（１）アルカリ可溶性シロキサンポリマーとして、アルコキシシランに水および触媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液から、水および触媒を除去して得られたアルカリ可溶性シロキサンポリマーが用いられている。
【０００４】
特許文献１には、上記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥した後、マスクを介して露光し、つづいて現像するパターン膜の形成方法が開示されている。このパターン膜の形成方法において、マスクを介して露光した後、現像する前に加熱してもよいことが記載されている。現像する前に加熱することで、露光により発生した反応促進剤の作用により露光部における重合が進行し、未露光部との現像液溶解度差が広がり、解像コントラストが向上するという効果が得られるとされている。
【特許文献１】特開平０６−１４８８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、感光性樹脂組成物層を硬化した後に、アルコキシシランの縮合物の架橋反応が十分に進行していないことがあった。すなわち、感光性樹脂組成物層を硬化した後に、アルコキシシランの縮合物の未架橋成分が感光性樹脂組成物層に残存することがあった。アルコキシシランの縮合物の未架橋成分には、ＳｉＯＨ基が多く存在する。そのため、得られたパターン膜では、絶縁性能に劣りがちであった。
【０００６】
例えば、半導体素子のパッシベーション膜やゲート絶縁膜等には非常に高い絶縁性能が要求されている。しかしながら、特許文献１に記載の感光性樹脂組成物を用いて構成されたパターン膜は絶縁性能が低く、このような用途に用いるには絶縁性能が十分ではなかった。
【０００７】
また、特許文献１には、露光した後、現像する前に加熱することで、露光により発生した反応促進剤の作用により露光部における重合を進行させ得ることが記載されている。しかしながら、光により発生した反応促進剤の多くは露光により消費されているため、露光後に残存している反応促進剤だけでは、露光部における重合を十分に進行させることは困難であった。
【０００８】
なお、アルコキシランの縮合物の架橋反応を十分に進行させるためには、露光した後に、感光性樹脂組成物層を例えば５００℃以上の高温で熱処理する必要がある。このような５００℃以上の非常に高い温度で熱処理する場合には、特別な加熱設備を用いる必要がある。さらに、５００℃以上で熱処理すると、基板やパターン膜のみならず、基板上のパターン膜以外の部分も劣化しがちとなる。
【０００９】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、例えば５００℃以上の比較的高い温度で熱処理を行わなくても、絶縁性能に優れたパターン膜を得ることができる感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法及び半導体素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る感光性組成物は、アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得られた成分（Ｘ）と、露光されると酸又は塩基を発生する酸又は塩基発生剤（Ｙ）とを含有することを特徴とする。
【００１１】
本発明に係るパターン膜の製造方法は、基板上に、本発明の感光性組成物からなる感光性組成物層を形成する工程と、形成するパターンに応じて感光性組成物層を選択的に露光し、酸又は塩基発生剤（Ｙ）から発生した酸又は塩基の作用により、露光部において成分（Ｘ）を架橋させて感光性組成物層を硬化し、露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にする工程と、露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にした後、感光性組成物層を現像液で現像し、未露光部の感光性組成物層を除去し、パターン膜を得る工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る半導体素子では、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜及び層間絶縁膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜を備えており、該膜が本発明に従って構成された感光性組成物を用いて形成された膜とされている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る感光性組成物では、アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得られた成分（Ｘ）と、露光されると酸又は塩基を発生する酸又は塩基発生剤（Ｙ）とを含有するので、例えば形成するパターンに応じて感光性組成物を選択的に露光した後に、現像することにより、ＳｉＯＨ基の存在割合が低減されたパターン膜を得ることができる。よって、ＳｉＯＨ基の存在割合を低減することができるため、パターン膜の絶縁性能を高めることができる。
【００１４】
従来の感光性樹脂組成物では、アルコキシシランの縮合物を架橋させて得られたパターン膜においてＳｉＯＨ基が比較的多く残存しているため、絶縁性能に劣りがちであった。従来の感光性樹脂組成物を用いた場合には、パターン膜においてＳｉＯＨ基の存在割合を低減し、絶縁性能を高めるためには、例えば５００℃以上の非常に高温で熱処理する必要がある。このような５００℃以上の非常に高い温度で熱処理する場合には、特別な加熱設備を用いる必要がある。さらに、５００℃以上で熱処理すると、基板やパターン膜のみならず、基板上のパターン膜以外の部分も劣化しがちとなる。
【００１５】
これに対し、本発明では、アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得られた成分（Ｘ）を用いているため、成分（Ｘ）を架橋させて得られたパターン膜において、ＳｉＯＨ基の存在割合が低減されている。よって、例えば５００℃以上の比較的高温で熱処理しなくても、優れた絶縁性能を有するパターン膜を提供することができる。
【００１６】
本発明に係るパターン膜の製造方法では、基板上に、本発明の感光性組成物からなる感光性組成物層を形成する工程と、形成するパターンに応じて感光性組成物層を選択的に露光し、酸又は塩基発生剤（Ｙ）から発生した酸又は塩基の作用により、露光部において成分（Ｘ）を架橋させて感光性組成物層を硬化し、露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にする工程と、露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にした後、感光性組成物層を現像液で現像し、未露光部の感光性組成物層を除去し、パターン膜を得る工程とを備えているので、ＳｉＯＨ基の存在割合が低減されており、優れた絶縁性能を有するパターン膜を得ることができる。
【００１７】
本発明に係る半導体素子では、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜及び層間絶縁膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜を備えており、該膜が本発明の感光性組成物を用いて形成された膜とされているため、電気的特性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００１９】
本願発明者らは、上記課題を達成するために、パターン膜の形成に用いられる感光性組成物について鋭意検討した結果、アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得られた成分（Ｘ）と、露光されると酸又は塩基を発生する酸又は塩基発生剤（Ｙ）とを含有する感光性組成物を用いれば、パターン膜を形成したときに、パターン膜の絶縁性能が高められることを見出し、本発明をなすに至った。
【００２０】
本発明に係る感光性組成物は、アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得られた成分（Ｘ）と、露光されると酸又は塩基を発生する酸又は塩基発生剤（Ｙ）とを含有する。
【００２１】
上記アルコキシシランの縮合物（Ａ）としては、アルコキシシランを縮合させて得られた縮合物が用いられる。好ましくは、酸触媒によりアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシランの縮合物（Ａ）が用いられる。アルコキシシランの縮合物は、少なくとも１種含まれており、従って２種以上のアルコキシシランの縮合物が含まれていてもよい。
【００２２】
下記式（１）で表されるアルコキシシランの縮合物（Ａ）がより好ましく用いられる。
【００２３】
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ２）ｑ（Ｒ３）４−ｐ−ｑ・・・式（１）
上述した式（１）中、Ｒ１は水素又は炭素数が１〜３０である非加水分解性の有機基を表し、Ｒ２はアルコキシ基を表し、Ｒ３はアルコキシ基以外の加水分解性基を表し、ｐは０〜３の整数を表し、ｑは１〜４の整数を表し、ｐ＋ｑ≦４である。ｐが２又は３であるとき、複数のＲ１は同一であってもよく異なっていてもよい。ｑが２〜４であるとき、複数のＲ２は同一であってもよく異なっていてもよい。ｐ＋ｑ≦２であるとき、複数のＲ３は同一であってもよく異なっていてもよい。
【００２４】
上記アルコキシ基Ｒ２及びアルコキシ基以外の加水分解性基Ｒ３は、通常、過剰の水の共存下、無触媒で、室温（２５℃）〜１００℃の温度範囲内で加熱することにより、加水分解されてシラノール基を生成することができる基、またはさらに縮合してシロキサン結合を形成することができる基である。
【００２５】
上記アルコキシ基Ｒ２としては、特に限定されないが、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
【００２６】
上記アルコキシ基以外の加水分解性基Ｒ３としては、特に限定されないが、具体的には、塩素、臭素等のハロゲノ基、アミノ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基等が挙げられる。
【００２７】
上記非加水分解性の有機基Ｒ１としては、特に限定されないが、加水分解を起こし難く、安定な疎水基である炭素数１〜３０の有機基が挙げられる。安定な疎水基である炭素数１〜３０の有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ペンチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基及びエイコシル基等の炭素数１〜３０のアルキル基、アルキル基のフッ素化物、塩素化物、臭素化物等のハロゲン化アルキル基（例えば、３−クロロプロピル基、６−クロロプロピル基、６−クロロヘキシル基および、６，６，６−トリフルオロヘキシル基等）、ハロゲン置換ベンジル基等の芳香族置換アルキル基（例えば、ベンジル基、４−クロロベンジル基及び４−ブロモベンジル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、トリル基、メシチル基、ナフチル基等）、ビニル基やエポキシ基を含む有機基、アミノ基を含む有機基、チオール基を含む有機基等が挙げられる。
【００２８】
上記アルコキシシランの具体例としては、例えば、トリフェニルエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、エチルジメチルメトキシシラン、メチルジエチルメトキシシラン、エチルジメチルエトキシシラン、メチルジエチルエトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジエチルメトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、フェニルジエチルエトキシシラン、メチルジフェニルメトキシシラン、エチルジフェニルメトキシシラン、メチルジフェニルエトキシシラン、エチルジフェニルエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブトキシトリメチルシラン、ブトキシトリメチルシラン、ジメチルエトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、エトキシジメチルビニルシラン、ジフェニルジエトキシラン、フェニルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジアセトキシメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、３−クロロポロピルジメトキシメチルシラン、クロロメチルジエトキシメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジアセトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリプロポキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリプロポキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリプロポキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリプロポキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリプロポキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリプロポキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリプロポキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリプロポキシシラン、エイコシルデシルトリメトキシシラン、エイコシルトリエトキシシラン、エイコシルトリプロポキシシラン、６−クロロヘキシルトリメトキシシラン、６，６，６−トリフルオロヘキシルトリメトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、４−クロロベンジルトリメトキシシラン、４−ブロモベンジルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン；ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、Ｎ−β−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリアセトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラアセトキシシラン等が挙げられる。これらのアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシランの縮合物がより好ましく用いられる。アルコキシシランの縮合物（Ａ）を構成するに際しては、少なくとも１種のアルコキシシランが用いられていればよく、従って２種以上のアルコキシシランが用いられていてもよい。
【００２９】
感光性組成物は成分（Ｘ）を含有するが、成分（Ｘ）は、上記アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得ることができる。
【００３０】
本発明の特徴は、アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得られた成分（Ｘ）を用いることにある。アルコキシシランの縮合物（Ａ）に化合物（Ｂ）を反応させることで、より詳細にはアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に対してキャップ剤として化合物（Ｂ）を反応させることで、得られた成分（Ｘ）においてＳｉＯＨ基の存在割合を低減することができる。その結果、感光性組成物を用いてパターン膜を形成したときに、パターン膜におけるＳｉＯＨ基の存在割合を低減することができ、パターン膜の絶縁性能を高めることができる。
【００３１】
上記単官能のアルコキシシラン化合物としては、特に限定されないが、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチルプロポキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジエチルエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、メチルメトキシシラン、メチルエトキシシラン、エチルメトキシシラン、エチルエトキシシラン、ジイソプロピルエトキシシラン、ジメチルアミノメチルエトキシシラン、ジフェニルメチルエトキシシラン、ジフェニルメチルメトキシシラン、ジフェニルエチルメトキシシラン、ジフェニルエチルエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ｎ−オクタデシルジメチルメトキシシラン、オクチルジメチルメトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、トリメチルアセトキシシラン、トリプロピルメトキシシラン等を挙げることができる。なかでも、成分（Ｘ）においてＳｉＯＨ基の存在割合をより一層低減することができるので、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジエチルエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、メチルメトキシシラン、メチルエトキシシラン、エチルメトキシシラン、エチルエトキシシランが好ましく用いられる。
【００３２】
上記単官能のシラノール化合物としては、特に限定されないが、トリメチルシラノール、トリエチルシラノール、トリフェニルシラノール、ｔ−ブチルジメチルシラノール等を挙げることができる。なかでも、成分（Ｘ）においてＳｉＯＨ基の存在割合をより一層低減することができるので、トリメチルシラノール、トリエチルシラノールが好ましく用いられる。
【００３３】
上記単官能のエポキシ化合物としては、特に限定されないが、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、デシルグリシジルエーテル、フェニル−２−メチルグリシジルエーテル、セチルグリシジルエーテル、ステアリルグリシジルエーテル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、オルソクレジルグリシジルエーテル、メタパタクレジルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、イソプロピルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル等を挙げることができる。上記単官能エポキシ化合物の市販品としては、日本油脂社製の商品名「エピオールＭ」（メチルグリシジルエーテル）、商品名「エピオールＥＨ」（２−エチルヘキシルグリシジルエーテル）等が挙げられる。なかでも、成分（Ｘ）においてＳｉＯＨ基の存在割合をより一層低減することができるので、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテルが好ましく用いられる。
【００３４】
上記単官能のイソシアネート化合物としては、特に限定されないが、トリメチルシリルイソシアネート、トリエチルシリルイソシアネート等を挙げることができる。なかでも、成分（Ｘ）においてＳｉＯＨ基の存在割合をより一層低減することができるので、トリメチルシリルイソシアネートが好ましく用いられる。
【００３５】
アルコキシシランの縮合物（Ａ）に化合物（Ｂ）を反応させる方法としては、特に限定されないが、例えば、アルコキシシランの縮合物（Ａ）を生成した直後に化合物（Ｂ）を投入し、所望の温度に加温して反応させる方法がある。その際、例えば、必要に応じて酸や塩基性化合物を反応触媒として用いても良い。
【００３６】
アルコキシシランの縮合物（Ａ）と化合物（Ｂ）とを反応させる際の配合割合としては、アルコキシシランの縮合物（Ａ）において残存しているＳｉＯＨ基の存在割合により適宜設定することができ、特に限定されるものではないが、アルコキシシランの縮合物（Ａ）１００重量部に対して、化合物（Ｂ）を１．０〜１５０重量部の割合で配合することが好ましい。化合物（Ｂ）が１．０重量部未満であると、ＳｉＯＨ基の存在割合を十分に低減できないことがあり、１５０重量部を超えると、化合物（Ｂ）が過剰となり、パターン膜の絶縁性能に悪影響を及ぼすことがある。
【００３７】
感光性組成物は、上記成分（Ｘ）に加えて、露光されると酸又は塩基を発生する酸又は塩基発生剤（Ｙ）をさらに含有する。
【００３８】
上記露光されると酸又は塩基を発生する酸又は塩基発生剤（Ｙ）としては、特に限定されないが、例えば、オニウム塩などが挙げられる。より具体的には、ジアゾニウム、ホスホニウム、及びヨードニウムのＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳＢＦ６−、ＣｌＯ４−などの塩や、その他、有機ハロゲン化合物、有機金属、及び有機ハロゲン化物などが挙げられる。
【００３９】
上記露光されると酸を発生する酸発生剤（Ｙ）としては、特に限定されないが、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンアンチモナート、トリフェニルスルホニウムベンゾスルホナート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジシクロヘキシルスルホニルシクロヘキサノン、ジメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のスルホニウム塩化合物、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート等のヨードニウム塩、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられる。酸発生剤（Ｙ）は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４０】
上記酸発生剤（Ａ）としては、特に限定されないが、好ましくは、より反応性の高いオニウム塩、ジアゾニウム塩、及びスルホン酸エステルからなる群から選択した少なくとも１種の化合物が用いられる。
【００４１】
これらの感光剤である酸又は塩基発生剤（Ｙ）に加え、より感度を高めるために、さらに増感剤を加えてもよい。
【００４２】
上記増感剤としては、特に限定されず、具体的には、ベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−テトラエチルアミノベンゾフェノン、２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシアントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアントラセン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリン、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、１，２−ベンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，２−ナフトキノン、３，３′−カルボニル−ビス（５，７−ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等が挙げられ、好ましく用いられる。
【００４３】
上記露光されると塩基を発生する塩基発生剤（Ｙ）としては、特に限定されないが、例えばコバルトアミン錯体、ｏ−アシルオキシム、カルバミン酸誘導体、ホルムアミド誘導体、第４級アンモニウム塩、トシルアミン、カルバメート、アミンイミド化合物などを挙げることができる。具体的には、２−ニトロベンジルカルバメート、２，５−ジニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、Ｎ−シクロヘキシル−４−メチルフェニルスルホンアミド、１，１−ジメチル−２−フェニルエチル−Ｎ−イソプロピルカルバメート等が挙げられる。塩基発生剤（Ｙ）は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４４】
上記塩基発生剤（Ｙ）として、好ましくは、光線もしくは放射線の照射により塩基を発生するアミンイミド化合物が好適に用いられる。このようなアミンイミド化合物については、光線もしくは放射線が照射された際に塩基を発生する限り特に限定されない。このようなアミンイミド化合物としては、例えば、下記の一般式（２）または（３）で表される化合物が挙げられる。
【００４５】
【化１】
2008107409.tif 000003
【００４６】
【化２】
2008107409.tif 000004
【００４７】
上述した式（２）及び（３）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は独立に水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキリデン基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、炭素数７〜１２のフェノキシアルキル基、フェニル基、電子供与性基及び／または電子吸引性基が置換したフェニル基、ベンジル基、電子供与性基及び／または電子吸引性基が置換したベンジル基等が挙げられる。炭素数１〜８のアルキル基としては、直鎖上のアルキル基の他に、置換基を有するアルキル基、例えばイソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等も含む。これらの置換基の中で、合成の簡便性、アミンイミドの溶解性等の点から、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜８のシクロアルキル基、炭素数７〜１２のフェノキシアルキル基が好ましい。また、Ｒ４は独立に炭素数１〜５のアルキル基、水酸基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フェニル基を表す。上記一般式（２）中のＡｒ１は芳香族基であり、このようなアミンイミド化合物は、例えば特開２００３−３５９４９号に開示されているように、本願出願前において知られており、かつ一般的に入手可能である。上記一般式（３）中、Ａｒ２は芳香族基である。
【００４８】
上記アミンイミド化合物は、光線もしくは放射線が照射された際に、１級もしくは２級アミンを発生する化合物に比べて、塩基発生効率が高い。従って、アミンイミド化合物を含むことが、露光時間の短縮、ひいては製造工程の短縮を図ることができるので、望ましい。
【００４９】
上記酸又は塩基発生剤（Ｙ）の含有割合は、成分（Ｘ）１００重量部に対して、０．０５〜５０重量部の範囲であることが望ましい。酸又は塩基発生剤（Ｙ）が０．０５重量部未満であると、感度が十分でないことがあり、パターン膜の形成が困難なことがある。酸又は塩基発生剤（Ｙ）が５０重量部を超えると、感光性組成物を均一に塗布することが困難となり、さらに現像後に残渣が生じることがある。
【００５０】
なお、最適なレジスト形状を得るために、上記酸を発生する酸発生剤（Ａ）及び上記塩基を発生する塩基発生剤（Ａ）は、それぞれ２種以上を組み合わせて用いられてもよい。
【００５１】
感光性組成物には、上述した各成分に加えて、適宜の溶剤が添加され得る。溶剤を添加することにより、容易に塗布し得る感光性組成物を提供することができる。
【００５２】
ところで、感光性組成物を用いてパターン膜を形成する際に、未露光部の硬化していない感光性組成物を現像液に溶解させるときに、未露光部の硬化していない感光性組成物が現像液に容易に溶解しないことがある。これは、成分（Ｘ）においてＳｉＯＨ基の存在割合が低減されているためである。感光性組成物が現像液に容易に溶解し得るので、すなわち現像性が高められるので、感光性組成物は界面活性剤を含有することが好ましい。
【００５３】
上記界面活性剤としては、特に限定されないが、ポリエチレングリコールオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルアルコールエーテル、モノオレイン酸ソルビタン、セスキオレイン酸ソルビタン等が挙げられ、好ましく用いられる。
【００５４】
感光性組成物には、適宜の溶剤がさらに添加され得る。溶剤を添加することにより、容易に塗布し得る感光性組成物を提供することができる。
【００５５】
上記溶剤としては、成分（Ｘ）を溶解し得る限り、特に限定されないが、ベンゼン、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、スチレン、トリメチルベンゼン、ジエチルベンゼンなどの芳香族炭化水素化合物；シクロヘキサン、シクロヘキセン、ジペンテン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ｎ−ノナン、イソノナン、ｎ−デカン、イソデカン、テトラヒドロナフタレン、スクワランなどの飽和または不飽和炭化水素化合物；ジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン；ジプロピルエーテル、ジブチルエーテルなどのエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、酢酸ブチルセロソルブ、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソアミル、ステアリン酸ブチルなどのエステル類などが挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５６】
上記溶剤の配合割合は、例えば基板上に感光性組成物を塗工し、感光性組成物層を形成する際に、均一に塗工されるように適宜選択すればよい。好ましくは、感光性組成物の濃度は、固形分濃度で、０．５〜６０重量％、より好ましくは、２〜４０重量％程度とされる。
【００５７】
感光性組成物には、必要に応じて、他の添加剤をさらに添加してもよい。このような添加剤としては、充填剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、ｐＨ調整剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、可塑促進剤、タレ防止剤などが挙げられる。
【００５８】
本発明に係るパターン膜の製造方法では、基板上に感光性組成物層を形成する工程、感光性組成物を露光する工程、感光性組成物層を現像し、パターン膜を得る工程が、この順で行われる。具体的には、基板上に、本発明の感光性組成物からなる感光性組成物層を形成する工程と、形成するパターンに応じて感光性組成物層を選択的に露光し、酸又は塩基発生剤（Ｙ）から発生した酸又は塩基の作用により、露光部において成分（Ｘ）を架橋させて感光性組成物層を硬化し、露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にする工程と、露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にした後、感光性組成物層を現像液で現像し、未露光部の前記感光性組成物層を除去し、パターン膜を得る工程がこの順で行われる。
【００５９】
本発明に係るパターン膜の製造方法では、先ず、例えば図１（ａ）に示すように、基板上に、本発明の感光性組成物からなる感光性組成物層１を形成する工程が行われる。
【００６０】
上記感光性組成物層１を形成する工程は、特に限定されないが、例えば本発明に係る感光性組成物を図１に示す基板２上に付与し、感光性組成物層１を形成する方法が挙げられる。この場合の具体的な方法としては、一般的な塗工方法を用いることができ、例えば、浸漬塗工、ロール塗工、バー塗工、刷毛塗工、スプレー塗工、スピン塗工、押出塗工、グラビア塗工などを使用することができる。感光性組成物が塗工される基板２としては、シリコン基板、ガラス基板、金属板、プラスチックス板などが用途に応じて用いられる。感光性組成物層１の厚さは、用途によって異なるが、１０ｎｍ〜１０μｍが目安となる。
【００６１】
基板２上に塗工された感光性組成物層１は、成分（Ｘ）を溶解させるために溶剤を用いた場合には、その溶剤を乾燥させるために加熱処理することが望ましい。加熱処理温度は、一般には４０℃〜２００℃であり、溶剤の沸点や蒸気圧に応じて適宜選択される。
【００６２】
次に、図１（ｂ）に示すように、感光性組成物層１を露光する工程が行われる。パターン形状に応じたフォトマスク３等を用いて、感光性組成物層１を選択的に露光する。露光された感光性組成物層１Ａでは、酸又は塩基発生剤（Ｙ）から酸又は塩基が発生する。一方、露光されていない感光性組成物層１Ｂでは、酸又は塩基発生剤（Ｙ）から酸又は塩基は発生しない。
【００６３】
露光された感光性組成物層１Ａでは、酸又は塩基発生剤（Ｙ）から発生した酸又は塩基の作用により、成分（Ｘ）が架橋する。成分（Ｘ）が架橋すると、感光性組成物層１Ａは硬化する。その結果、露光部の感光性組成物層１Ａは現像液に不溶になる。
【００６４】
露光する際に、紫外線や可視光などの活性エネルギー線を照射するための光源としては、特に限定されないが、超高圧水銀灯、Ｄｅｅｐ  ＵＶ  ランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は、感光性組成物の構成成分の感光波長に応じて適宜選択される。光の照射エネルギーは、所望とする膜厚や感光性組成物の構成成分にもよるが、一般に、１０〜３０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲である。１０ｍＪ／ｃｍ２よりも小さいと、未露光部の感光性組成物層１Ｂを現像液で充分に除去することができないことがあり、３０００ｍＪ／ｃｍ２より大きいと露光時間が長すぎることがあり、パターン膜の時間あたりの製造効率が低下するおそれがある。
【００６５】
次に、感光性組成物層１Ａ、１Ｂを現像液で現像し、パターン膜１Ｃを得る工程が行われる。現像液で現像することにより、未露光部の感光性組成物層１Ｂが現像液に溶解して除去され、パターン膜１Ｃが得られる。
【００６６】
感光性組成物層１を選択的に露光した後に、感光性組成物層１Ａ、１Ｂを現像液で現像することにより、未露光部の感光性組成物層１Ｂが現像液に溶解して除去され、露光部の感光性組成物層１Ａが基板２上に残る。その結果、パターン膜１Ｃが得られる。このパターンは、未露光部の感光性組成物層１Ｂが除去されることから、ネガ型パターンといわれるものである。
【００６７】
ここで、現像とは、アルカリ水溶液等の現像液に、露光部の感光性組成物層１Ａや未露光部の感光性組成物層１Ｂを浸漬する操作の他、該感光性組成物層１Ａ、１Ｂの表面を現像液で洗い流す操作、あるいは現像液を上記感光性組成物層１Ａ、１Ｂの表面に噴射する操作など、現像液で感光性組成物層１Ａ、１Ｂを処理する様々な操作を含むものとする。
【００６８】
なお、現像液とは、感光性組成物層１を選択的に露光した後に、未露光部の感光性組成物１Ｂを溶解する液である。露光部の感光性組成物層１Ａは硬化しているため、現像液に溶解しない。現像液としては、アルカリ水溶液に限らず、酸性水溶液や各種溶媒を用いてもよい。溶媒としては、前述した各種溶剤が挙げられる。酸性水溶液としては、シュウ酸、ギ酸、酢酸等が挙げられる。
【００６９】
現像液としては、防爆設備が不要であり、腐蝕等による設備負担も少ないので、アルカリ水溶液が好ましく用いられる。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、珪酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液が挙げられる。現像に要する時間は、感光性組成物層の厚みや溶剤の種類にもよるが、効率良く現像でき製造効率が高められるため、１０秒〜５分の範囲が好ましい。現像後にパターン膜を蒸留水で洗浄し、膜上に残存しているアルカリ水溶液等の現像液を除去することが好ましい。
【００７０】
なお、本発明に係る感光性組成物は、様々な装置において、パターン膜を形成するのに好適に用いられるが、電子機器の絶縁保護膜に上記感光性組成物が好適に用いられる。電子機器の絶縁保護膜として、上記感光性組成物を用いて構成されたパターン膜を用いることにより、得られた絶縁保護膜の形状安定性を効果的に高めることができる。このような電子機器の絶縁保護膜の例としては、例えば、液晶表示素子において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を保護するためのＴＦＴ保護膜や、カラーフィルタにおいてフィルタを保護する保護膜などが挙げられる。
【００７１】
また、本発明に係る感光性組成物は、半導体素子の層間絶縁膜、あるいはパッシベーション膜を構成するのにより好適に用いられる。
【００７２】
図２は、本発明に係る感光性組成物からなるパッシベーション膜および層間絶縁膜を備える半導体素子を模式的に示す正面断面図である。
【００７３】
図２に示す半導体素子１１では、基板１２の上表面の中央にゲート電極１３が設けられている。ゲート電極１３を覆うように、基板１２の上表面にゲート絶縁膜１４が形成されている。ゲート絶縁膜１４上に、ソース電極１５とドレイン電極１６とが設けられている。ソース電極１５の一部及びドレイン電極１６の一部を覆うように、ゲート絶縁膜１４上に半導体層１７が形成されている。さらに、ソース電極１５及びドレイン電極１６の半導体層１７により覆われていない部分と半導体層１７とを覆うように、パッシベーション膜１８が形成されている。半導体素子１１では、上記ゲート絶縁膜１４及びパッシベーション膜１８が、本発明に係る感光性組成物を用いて形成された膜である。
【００７４】
感光性組成物を用いて形成された膜は、様々な用途に用いられる。ここで、「感光性組成物を用いて形成された膜」とは、熱や光などのエネルギーを感光性組成物に与えて架橋構造を導入して得られた膜であることを意味する。
【００７５】
本発明に係る感光性組成物は、例えば、有機ＥＬ素子のＴＦＴ保護膜、ＩＣチップの層間保護膜、センサの絶縁層などの様々な電子機器用絶縁保護膜としても広く用いられ得る。
【００７６】
近年、上記パターン膜が形成される基材として、ガラス基板等に代えて、ポリフェニレンオキサイド、ポリエチレンテレフタレート等からなるフィルムが用いられてきている。上述のように、本発明の感光性組成物を用いて形成されたパターン膜は、５００℃以上の高温で熱処理されなくても、優れた絶縁性能を有する。よって、本発明の感光性組成物は、このような５００℃以上の熱処理を行い得ない基材に、パターン膜を形成するのに好ましく用いられる。また、フレキシブルディスプレイ用途に本発明の感光性組成物を用いる場合には、例えば２２０℃以上の熱処理を行い得ないことがあり、このような用途にも本発明の感光性組成物を好ましく用いることができる。
【００７７】
以下、本発明の実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００７８】
（実施例１）
冷却管をつけた１００ｍｌのフラスコにフェニルトリエトキシシラン１５ｇ、トリエトキシシラン１０ｇ、シュウ酸０．５ｇ、水７ｍｌ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６０ｍｌを加えた。半円形型のメカニカルスターラーを用いて溶液を撹拌し、マントルヒーターで７０℃・３時間反応させ、アルコキシシランの縮合物（Ａ１）を含む溶液を得た。
【００７９】
次いで、単官能のシラノール化合物であるトリエチルシラノール５ｇを添加し、７０℃で２時間さらに反応させた。その後、エバポレーターを用いて水との縮合反応で生成したエタノールと残留水とを除去した。反応終了後、フラスコを室温になるまで放置し、成分（Ｘ１）を調製した。成分（Ｘ１）のポリスチレン換算による重量平均分子量は、１１００であった。
【００８０】
上記成分（Ｘ１）１００重量部と、酸発生剤（Ｙ１）としてのナフタルイミド  カンファスルホン酸塩（スルホニウム塩系光酸発生剤、ＣＡＳ  Ｎｏ．８３６９７−５６−７）２重量部とを混合し、感光性組成物を得た。
【００８１】
（実施例２）
トリエチルシラノール５ｇに代えて、単官能のアルコキシシラン化合物であるジメチルエトキシシラン６ｇを用いたことを除いては実施例１と同様にして、成分（Ｘ２）を調製した。成分（Ｘ２）のポリスチレン換算による重量平均分子量は、１０００であった。
【００８２】
成分（Ｘ１）１００重量部に代えて、得られた成分（Ｘ２）１００重量部を用いたことを除いては実施例１と同様にして、感光性組成物を得た。
【００８３】
（実施例３）
トリエチルシラノール５ｇに代えて、単官能のシラノール化合物であるトリメチルシラノール５ｇを用いたことを除いては実施例１と同様にして、成分（Ｘ３）を調製した。成分（Ｘ３）のポリスチレン換算による重量平均分子量は、９５０であった。
【００８４】
成分（Ｘ１）１００重量部に代えて、得られた成分（Ｘ３）１００重量部を用いたことを除いては実施例１と同様にして、感光性組成物を得た。
【００８５】
（実施例４）
トリエチルシラノール５ｇに代えて、単官能のアルコキシシラン化合物であるトリメチルエトキシシラン５ｇを用いたことを除いては実施例１と同様にして、成分（Ｘ４）を調製した。成分（Ｘ４）のポリスチレン換算による重量平均分子量は、１２５０であった。
【００８６】
成分（Ｘ１）１００重量部に代えて、得られた成分（Ｘ４）１００重量部を用いたことを除いては実施例１と同様にして、感光性組成物を得た。
【００８７】
（実施例５）
トリエチルシラノール５ｇに代えて、単官能のエポキシ化合物であるメチルグリシジルエーテル５ｇを用いたことを除いては実施例１と同様にして、成分（Ｘ５）を調製した。成分（Ｘ５）のポリスチレン換算による重量平均分子量は、１０５０であった。
【００８８】
成分（Ｘ１）１００重量部に代えて、得られた成分（Ｘ５）１００重量部を用いたことを除いては実施例１と同様にして、感光性組成物を得た。
【００８９】
（実施例６）
トリエチルシラノール５ｇに代えて、単官能のイソシアネート化合物であるトリメチルシリルイソシアネート５ｇを用いたことを除いては同様にして、成分（Ｘ６）を調製した。成分（Ｘ６）のポリスチレン換算による重量平均分子量は、９８０であった。
【００９０】
成分（Ｘ１）１００重量部に代えて、得られた成分（Ｘ６）１００重量部を用いたことを除いては実施例１と同様にして、感光性組成物を得た。
【００９１】
（実施例７）
冷却管をつけた１００ｍｌのフラスコにフェニルトリエトキシシラン１５ｇ、メチルトリエトキシシラン１０ｇ、シュウ酸０．５ｇ、水７ｍｌ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６０ｍｌを加えた。半円形型のメカニカルスターラーを用いて溶液を撹拌し、マントルヒーターで７０℃・３時間反応させ、アルコキシシランの縮合物（Ａ２）を含む溶液を得た。
【００９２】
次いで、単官能のシラノール化合物であるトリエチルシラノール５ｇを添加し、７０℃で２時間さらに反応させた。その後、エバポレーターを用いて水との縮合反応で生成したエタノールと残留水とを除去した。反応終了後、フラスコを室温になるまで放置し、成分（Ｘ７）を調製した。成分（Ｘ７）のポリスチレン換算による重量平均分子量は、１１００であった。
【００９３】
成分（Ｘ１）１００重量部に代えて、得られた成分（Ｘ７）１００重量部を用いたことを除いては実施例１と同様にして、感光性組成物を得た。
【００９４】
（比較例１）
冷却管をつけた１００ｍｌのフラスコにフェニルトリエトキシシラン１５ｇ、トリエトキシシラン１０ｇ、シュウ酸０．５ｇ、水７ｍｌ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６０ｍｌを加えた。半円形型のメカニカルスターラーを用いて溶液を撹拌し、マントルヒーターで７０℃・３時間反応させ、アルコキシシランの縮合物（Ａ１）を含む溶液を得た。
【００９５】
その後、エバポレーターを用いて水との縮合反応で生成したエタノールと残留水とを除去した。反応終了後、フラスコを室温になるまで放置し、アルコキシシランの縮合物（Ａ１）を調製した。アルコキシシランの縮合物（Ａ１）のポリスチレン換算による重量平均分子量は、９５０であった。
【００９６】
成分（Ｘ１）１００重量部に代えて、得られたアルコキシシランの縮合物（Ａ１）１００重量部を用いたことを除いては実施例１と同様にして、感光性組成物を得た。
【００９７】
（体積抵抗の評価）
表層にアルミニウムが蒸着されたガラス基板を用い、このガラス基板上に各感光性組成物を回転数１５００ｒｐｍでスピン塗工した。塗工後、８０℃の熱風オーブンで乾燥させ、厚さ１μｍの塗膜を形成した。
【００９８】
次に、所定のパターンを有するフォトマスクを介して、紫外線照射装置（ウシオ電機社製、スポットキュアＳＰ−５）を用い、塗膜に３６５ｎｍの波長の紫外線を、照射エネルギーが５００ｍＪ／ｃｍ２となるように１００ｍＷ／ｃｍ２の紫外線照度で５秒間照射した。その後、塗膜を１００℃の熱風オーブンで５分間乾燥した。
【００９９】
次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８％水溶液に、塗膜を浸漬して現像し、パターン膜を形成した。
【０１００】
得られたパターン膜を、２００℃の熱風オーブンで３０分間、もしくは５００℃の熱風オーブンで１時間熱処理した。
【０１０１】
熱処理した後のパターン膜について、Ｒ８２５２（エレクトロメーター）、Ｒ１２７０４(モジュール)（アドバンテスト社製）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ６９１１に従って、体積抵抗を求めた。
【０１０２】
結果を下記表１に示す。
【０１０３】
【表１】
2008107409.tif 000005
【０１０４】
（実施例８）
実施例１で得られた成分（Ｘ１）１００重量部と、酸発生剤（Ｙ１）としてのナフタルイミド  カンファスルホン酸塩（スルホニウム塩系光酸発生剤、ＣＡＳ  Ｎｏ．８３６９７−５６−７）２重量部と、界面活性剤であるポリエチレングリコールオクチルフェニルエーテル（ＣＡＳ  Ｎｏ．９００２−９３−１）５重量部とを混合し、感光性組成物を得た。
【０１０５】
（現像性の評価）
界面活性剤が配合されていない実施例１の感光性組成物と、界面活性剤が配合された実施例８の感光性組成物について、現像性を評価した。
【０１０６】
上記体積抵抗の評価と同様にして、基板上に厚さ１μｍの塗膜を形成し、紫外線を照射し、塗膜を１００℃の熱風オーブンで５分間乾燥した後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８％水溶液に、塗膜を浸漬して現像した。このときの現像性、すなわち、未露光部の感光性組成物層の溶解性について下記評価基準で評価した。
【０１０７】
◎：良好なパターンを形成
○：部分的にしかパターンが形成されず
×：未露光部の感光性組成物層が溶解せず、パターン膜が形成されなかった
結果を下記表２に示す。
【０１０８】
【表２】
2008107409.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る感光性組成物を用いてパターン膜を製造する方法を説明するための各工程の断面図。
【図２】本発明に係る感光性組成物からなるパッシベーション膜および層間絶縁膜を備える半導体素子を示す正面断面図。
【符号の説明】
【０１１０】
１…感光性組成物層
１Ａ…露光部の感光性組成物層
１Ｂ…未露光部の感光性組成物層
１Ｃ…パターン膜
２…基板
３…フォトマスク
１１…半導体素子
１２…基板
１３…ゲート電極
１４…ゲート絶縁膜
１５…ソース電極
１６…ドレイン電極
１７…半導体層
１８…パッシベーション膜
【図１】
2008107409.tif 000007
【図２】
2008107409.tif 000008