(57)【要約】【課題】  パージガス消費を減じることの可能なリソグラフィ投影装置を提供する。【解決手段】  リソグラフィ投影装置のパージシステムにおいて、汚染レベルがしきい値レベル以下になったときに、システムへのパージガスの流量はかなり減じられる。その調整は汚染の検出レベルに基づいて、もしくはタイムテーブルに基づいてなされる。【選択図】図４
2008004969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
−  所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、
−  基板を保持する基板テーブルと、
−  パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、
−  投影ビームの経路の部分を囲むコンパートメントと、
−  パージガスにより前記のコンパートメントをパージするパージ手段とから成るリソグラフィ投影装置において、
−  前記のパージ手段は、前記のコンパートメントへのパージガスの入力の調整可能な流量制限器と、該コンパートメントにおける汚染がしきい値レベル以下になったとき、パージガスの流量を制限するために前記の流量制限器を調整する調整手段とを備えていることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
コンパートメントもしくは該コンパートメントからの排出ガスにおける汚染レベルを検出するセンサーをさらに備えており、前記の調整手段は該センサーの出力に反応することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記の調整手段は、汚染をしきい値レベル以下に減じるために必要なパージ量に関する実証的データおよび／または理論的計算に基づくタイムテーブルに基づいて、前記の流量制限器を調整するようにされていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
ガスの流量が制限されると、前記のコンパートメントへのパージガスの供給量は約１００ｌ／ｈ未満であることを特徴とする請求項１、２、または３に記載の装置。
【請求項５】
リソグラフィ装置のスイッチが切られる、または、パターニング手段交換、基板交換、パージガス供給における障害、パージガスサプライの汚染、あるいは他の通常と異なる事態等といった潜在的に汚染につながる事象の後に、前記の調整手段は、パージガスの流量を増すために流量制限器を調整するようにされていることを特徴とする請求項１、２、３、または４に記載の装置。
【請求項６】
パージガス供給がなされる複数のコンパートメントを備えており、ここで、全部のコンパートメントへの流量が同時に調整されるよう、各コンパートメントへのパージガス供給の共通部分に前記の流量制限器が配備されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
パージガス供給がなされる複数のコンパートメントを備えており、ここで、別々の流量制限器が前記のコンパートメントの各々に配備されており、前記の調整手段は該流量制限器を別々に、あるいは同時に調整するようにされていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記のパージ手段は、マニホールド、該マニホールドにほぼ一定の圧力でパージガスを供給する圧力レギュレータ、コンパートメントへの流量を決定する流量制限部を含む各コンパートメントへのサプライ、そのコンパートメントの過圧を決定する流量制限部を含む各コンパートメントからの排出口とから成り、ここで、圧力レギュレータはかなり高い流れ抵抗をもたらし、それにより、該コンパートメントに対する流れ抵抗の変動にもかかわらず、該マニホールドにおける圧力はほぼ一定に保たれることを特徴とする請求項６または７に記載の装置。
【請求項９】
前記のコンパートメントには、
−  前記基板テーブルと前記投影システムの最終的な構成要素間のスペースにおけるコンパートメント、
−  投影システムを含んだチャンバを囲むコンパートメント、
−  投影システムの構成要素を囲むコンパートメント、
−  前記パターニング手段と前記投影システム間のスペースにおけるコンパートメント、
−  前記パターニング手段の支持構造を囲むコンパートメント、
−  マスク処理装置を囲むコンパートメント、
−  前記放射線システムの全部あるいは部分を囲むコンパートメント、および、
−  投影ビームを放射線ソースから放射線システムに伝達するコンパートメントのうちの少なくとも１つが含まれることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記のパージガス手段はさらに、パージガスを浄化する第一浄化装置、該第一浄化装置へのパージガス入力を調整する第一バルブ、該第一浄化装置によるパージガス出力を浄化して、パージガス出力を前記コンパートメントに供給する第二浄化装置、該第一浄化装置と該第二浄化装置間のガスの流れを調整する第二バルブ、該第一浄化装置から該第二浄化装置へのガスの流れにおける汚染レベルを感知する汚染センサー、該センサーが該第一浄化装置から該第二浄化装置へのガスの流れにおける第一浄化装置しきい値レベルを超える汚染を検出した場合に、該第一バルブと該第二バルブのうちの少なくとも一方を閉じる調整手段とを備えることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
第二浄化装置は、パージガス出力を確実に、第一浄化装置しきい値レベルよりも低い別の汚染レベルよりもさらに少ないレベルにするようになっていることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１２】
−  放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
−  放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給するステップと、
−  パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与えるステップと、
−  放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影するステップと、
−  装置のコンパートメントをパージガスによりパージするステップとから成り、
−  コンパートメントにおける汚染がしきい値レベル以下になったとき、調整可能な流量制限器を使用してコンパートメントへのパージガス流量が制限されることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１３】
前記のコンパートメントにおける計測された汚染レベル、もしくは前記のコンパートメントからの排出ガスの計測された汚染レベルがしきい値レベル以下になったとき、上記の流量が制限されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記の流量はタイムテーブルに従い制限されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施の形態は、放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、投影ビームの経路の部分を囲むコンパートメントと、パージガスによって該コンパートメントをパージするパージ手段とから成るリソグラフィ投影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ここに使用する「パターニング手段」なる用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に作り出されるべきパターンと一致するパターン化断面を与えるために使用し得る手段に当たるものとして広義に解釈されるべきである。また、「ライトバルブ」なる用語もこうした状況において使用される。一般的に、上記のパターンは、集積回路や他のデバイス（以下を参照）であるような、デバイスにおいて目標部分に作り出される特別な機能層に相当する。そのようなパターニング手段には以下が含まれる。すなわち、
−  マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスクパターンに従う選択的透過（透過性マスクの場合）や選択的反射（反射性マスクの場合）を可能にする。マスクの場合、その支持構造は一般的に、入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持しておくことが可能であり、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることの可能なマスクテーブルである。
−  プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。プログラマブルミラーアレイのまた別の実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従いパターン形成される。必要とされるマトリクスアドレッシングは適切な電子手段を用いて実行される。前述の両方の状況において、パターニング手段は１つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関するより多くの情報は、参考までに記載を行うと、例えば、米国特許第ＵＳ５，２９６，８９１号および同第ＵＳ５，５２３，１９３号、並びに、ＰＣＴ特許種出願第ＷＯ９８／３８５９７および同ＷＯ９８／３３０９６から得ることが出来る。プログラマブルミラーアレイの場合、上記支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
−  プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構成の例が、参考までに記載を行うと、米国特許第ＵＳ５，２２９，８７２号に開示されている。上記同様、この場合における支持構造も、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。簡潔化の目的で、本文の残りを、特定の箇所において、マスクおよびマスクテーブルを必要とする例に限定して導くものとする。しかし、こうした例において論じられる一般的な原理は、既に述べたようなパターニング手段のより広範な状況において理解されるべきである。
【０００３】
リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この場合、パターニング手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成する。そして、放射線感光原料（レジスト）の層が塗布された基板（シリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイから成る）にこのパターンを像形成することが出来る。一般的に、シングルウェハは、投影システムを介して１つずつ順次照射される近接目標部分の全体ネットワークを含んでいる。マスクテーブル上のマスクによるパターニングを用いる現在の装置は、異なる２つのタイプのマシンに区分される。リソグラフィ投影装置の一タイプでは、全体マスクパターンを目標部分に１回の作動にて露光することによって各目標部分が照射される。こうした装置は一般的にウェハステッパと称されている。ステップアンドスキャン装置と称される別の装置では、所定の基準方向（「スキャニング」方向）にマスクパターンを投影ビーム下で徐々にスキャニングし、これと同時に基板テーブルをこの方向と平行に、あるいは非並行にスキャニングすることにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影装置は倍率係数Ｍ（一般的に、＜１）を有することから、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスクテーブルが走査される速度の係数Ｍ倍となる。ここに記載を行ったリソグラフィデバイスに関するさらなる情報は、参考までに記載を行うと、例えば、米国特許第ＵＳ６，０４６，７９２号から得ることが出来る。
【０００４】
リソグラフィ投影装置を使用する製造工程において、パターン（例えばマスクにおける）は少なくとも部分的に放射線感光材（レジスト）の層で覆われた基板上に像形成される。この像形成ステップに先立ち、基板は、プライミング、レジスト塗布、およびソフトベークといったような各種の工程を経る。露光後、基板は、ポストベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、および像形成フューチャの測定／検査といったような他の工程を通る。この工程の配列は、例えばＩＣといったような素子の個々の層をパターン化するための基準として使用される。このようなパターン形成された層は、それから、全て個々の層を仕上げる目的である、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨等といった種々のプロセスを経る。数枚の層が必要とされる場合には、全体工程、もしくはその変形をそれぞれの新しい層に繰り返す必要がある。最終的に、素子のアレイが基板（ウェハ）上に形成される。次に、これらの素子はダイシングやソーイングといったような技法で相互より分離される。それから個々の素子は、キャリアに装着されたり、ピンに接続されたりし得る。こうした工程に関するさらなる情報は、参考までに例をあげると、１９９７年にマグローヒル出版会社より刊行された、Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ著、「マイクロチップ製造：半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍（“Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ”）の第３版、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４より入手可能である。
【０００５】
簡潔化の目的で、これより投影システムを「レンズ」と称するものとする。しかし、この用語は、例えば屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。放射線システムはまた、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う、こうした設計タイプのいずれかに応じて稼動する構成要素も備えることが出来る。こうした構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。さらに、リソグラフィ装置は２つあるいはそれ以上の基板テーブル（および、あるいは２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」デバイスにおいては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。例えば、参考までに記載を行うと、デュアルステージリソグラフィ装置について、米国特許第ＵＳ５，９６９，４４１号および国際特許出願第ＷＯ９８／４０７９１号において記載がなされている。
【０００６】
リソグラフィ投影装置において、さまざまな理由で、ビームパスにおける、かつ装置の他の構成部分における気体の調整を行うことが一般に必要とされる。ビームパスにおいて、光学素子と反応する、あるいは光学素子に堆積する汚染物をコントロールすることは重要であり、かつ、ビームパスにおける気体による投影ビームの吸収を回避することもまた重要である。後者の要求は、空気によって強く吸収される、１５７ｎｍあるいはこれ未満の波長の露光放射線を使用するリソグラフィ装置においては特に重要となっている。よって、清浄な空気または他のガスのようなパージガスによって装置のビームパスをパージすることが知られている。１５７ｎｍあるいはこれ未満の波長の露光放射線を使用する装置の場合、投影ビームの放射線を実質的に透過する、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、もしくはこれらのガスの混合といったようなパージガスによってビームパスをパージすることも周知である。しかし、必要とされる純度のガスは高価であり、装置の稼動中、あるいは場合によっては装置の稼動中でないときでさえも継続的に流動する必要のあるパージガス消費は、例えば、装置の最初のインストール時の初期パージの間に、１，０００ ｌ／ｍｉｎあるいは２，０００ ｌ／ｍｉｎといったような相当な量になる。パージガスは窒素のみが使用される場合でさえもプラントに持ち込まれなくてはならないが、周囲空気からそれを浄化するためのプラントは法外に大きくかつ高価である。ゆえに、パージガスの消費はリソグラフィ装置におけるかなりの稼動コストとなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、パージガス消費を減じることの可能なリソグラフィ投影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本効果並びに他の効果は、冒頭の段落において特定したようなリソグラフィ装置において、本発明の実施の形態に従って達成される。ここで、前記のパージ手段は、前記のコンパートメントへのパージガスの入力部における調整可能な流量制限器と、前記コンパートメントにおける汚染がしきい値レベル以下のときに、パージガスの流量を制限する該流量制限器を調整する調整手段とから成ることを特徴とする。
【０００９】
コンパートメントにおける汚染が低レベルとなったとき、パージガスの流量を制限することによってパージガス消費をかなりセーブすることが可能となる。コンパートメントにおける、例えば、水、酸素、あるいは炭化水素といったような、１つ以上の汚染物の計測を基にして、もしくは、汚染物がしきい値レベル以下に減じられたかどうかを判断するための排出ガス計測を基にして流量制限器を調整することが可能である。あるいは、汚染をしきい値レベル以下に減じるために必要なパージ量に関する実証的データおよび／または理論的計算に基づくタイムテーブルに基づいて流量制限器を調整することも可能である。ここで使用しているように、流量制限器は、パージガスの流量調整に使用される、バルブ、流量制限部、マニホールド等のうちのいずれか１つ、もしくはこれらを結合させたものである。
【００１０】
流量制限器は、例えばリソグラフィ装置のスイッチが、手入れもしくは他の理由により切られる、または、マスク交換、基板交換、パージガス供給の中継、パージガスサプライの汚染、あるいは他の通常と異なる事態等といった潜在的に汚染につながる事象の後に、パージガスの流量を増すために調整され得る。
【００１１】
装置に複数のコンパートメントを含むことがある。その場合、全コンパートメントへの流量が同時に調整されるよう流量制限器が各コンパートメントへのパージガス供給の共通部分に配備され得る。もしくは、別々の流量制限器が各コンパートメントに配備され得る。この場合、流量制限器は別々に調整されるか、または同時に調整される。
【００１２】
装置が複数のコンパートメントを備える場合、パージ手段は、マニホールド、該マニホールドにほぼ一定の圧力でパージガスを供給する圧力レギュレータ、コンパートメントへの流量を決定する流量制限部を含む各コンパートメントへのサプライ、そのコンパートメントの過圧を決定する流量制限部を含む各コンパートメントからの排出口とから成り、ここで、圧力レギュレータはかなり高い流れ抵抗をもたらし、それにより、該コンパートメントに対する流れ抵抗の変動にもかかわらず、該マニホールドにおける圧力はほぼ一定に保たれる。この装置により、他のコンパートメントにおいてパージガス消費が変わった場合にも、圧力／流量状態は混乱せず、各コンパートメントにおける安定した流量および過圧を可能にする。パージガスの全体流量と個々のコンパートメントへの流量が一定に維持されているときでさえも、この装置は効果をもたらすことに注目されたい。
【００１３】
１つまたは複数のコンパートメントには以下のコンパートメントが含まれる。すなわち、
−  基板テーブルと投影システムの最終的な構成要素間のスペースにおけるコンパートメント、
−  投影システムを含んだチャンバを囲むコンパートメント、
−  投影システムの構成要素を囲むコンパートメント、
−  パターニング手段と投影システム間のスペースにおけるコンパートメント、
−  パターニング手段の支持構造を囲むコンパートメント、
−  マスク処理装置を囲むコンパートメント、
−  放射線システムの全部あるいは部分を囲むコンパートメント、および／または、
−  投影ビームを放射線ソースから放射線システムに伝達するコンパートメントである。
【００１４】
パージガスシステムはさらに、パージガスを浄化する第一浄化装置、該第一浄化装置へのパージガス入力を調整する第一バルブ、該第一浄化装置によるパージガス出力を浄化してパージガス出力を前記コンパートメントに供給する第二浄化装置、該第一浄化装置と該第二浄化装置間のガスの流れを調整する第二バルブ、該第一浄化装置から該第二浄化装置へのガスの流れにおける汚染レベルを感知する汚染センサー、該センサーが該第一浄化装置から該第二浄化装置へのガスの流れにおける第一浄化装置しきい値レベルを超える汚染を検出した場合に、該第一バルブと該第二バルブのうちの少なくとも一方を閉じる調整手段とを備える。さらに、第二浄化装置は、パージガス出力を確実に、第一浄化装置しきい値レベルよりも低い別の汚染レベルよりさらに低いレベルにするようにされている。
【００１５】
この装置により、コンパートメントへのパージガス供給の汚染レベルは、専門的用途において必要とされているかなり高価なセンサーによってのみ計測可能なレベルとなる。よって、かなり高いレベルの汚染のみを検出する、それほど高感度ではないセンサーのみが必要とされる。第二浄化装置は、その入力における汚染レベルが汚染センサーにより計測可能なレベル以下に維持される場合、その出力における汚染レベルがさらに低いレベルとなることを可能にするサイズおよび／または形態のものである。例えば、コンパートメントに供給されるパージガスの最大許容汚染レベルは数ｐｐｔである。そのような汚染レベルを計測できるセンサーは法外に高価であるが、数ｐｐｂの汚染レベルを検出できるセンサーは比較的安価で、かつ操作が容易である。よって、数ｐｐｂの位のしきい値よりも大きくない汚染レベルを有する入力ガスが供給されると、その出力は所望の数ｐｐｔレベルよりも大きくない汚染レベルを有するように第二浄化装置は設計される。第二浄化装置は、この低汚染レベルが所定時間内に確実に達成されるような性能を有するとともに、第一浄化装置からの出力に汚染上昇がかなりある場合に、入力を閉じることに要する時間内に、汚染の発生を防止することが可能な性能を有する。第二浄化装置は置き換えられるが、コンパートメントに必要とされるかなり低いレベルの汚染の計測に必要なセンサーよりも単純で安価なものである。もう一度述べると、この装置は、パージガスの全体流量と、個々のコンパートメントへの流量が一定に維持されるときでさえも、効果をもたらすものである。
【００１６】
本発明のさらなる態様に基づいて、放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給するステップと、パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与えるステップと、放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影するステップと、装置のコンパートメントをパージガスによりパージするステップとから成り、コンパートメントにおける汚染がしきい値レベル以下になったとき、調整可能な流量制限器を使用してコンパートメントへのパージガス流量が制限されることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明による装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細な参照説明を行うものであるが、こうした装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、本発明による装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「レチクル」、「ウェハ」、「ダイ」といった用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることは当該技術分野の専門家にとって明らかである。
【００１８】
本明細書において使用した「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）、およびＥＵＶ（極紫外線、例えば５ｎｍ−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。
【００１９】
本発明の１つ以上の実施の形態についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとする
【実施例１】
【００２０】
図１は、本発明の具体的実施形態に基づくリソグラフィ投影装置を示したものである。この装置は、特別な本実施形態において放射線源ＬＡも備えた、放射線の投影ビームＰＢ（例えばＤＵＶ放射線）を供給する放射線システムＥｘ、ＩＬと、マスクＭＡ（例えばレクチル）を保持するマスクホルダーを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段に連結を行った第一オブジェクト・テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば、レジスト塗布シリコンウェハ）を保持する基板ホルダを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段に連結を行った第二オブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの照射部分を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に像形成する投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば反射屈折レンズシステム）とにより構成されている。ここで示しているように、この装置は透過タイプ（すなわち透過マスクを有する）である。しかし、一般的には、例えば反射マスクを有する反射タイプのものも可能である。あるいは、本装置は、上記に関連するタイプであるプログラマブルミラーアレイといったような、他の種類のパターニング手段も使用可能である。
【００２１】
ソースＬＡ（例えばエキシマレーザー）は放射線のビームを作り出す。このビームは、直接的に、あるいは、例えばビームエキスパンダーＥｘといったようなコンディショニング手段を横断した後に、照明システム（照明装置）ＩＬに供給される。照明装置ＩＬは、ビームにおける強度分布の外部かつ／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒに相当する）を設定する調整手段ＡＭから成る。さらに、照明装置ＩＬは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに照射するビームＰＢは、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。
【００２２】
図１に関して、ソースＬＡはリソグラフィ装置のハウジング内にある（これは例えばソースが水銀ランプである場合に多い）が、しかし、リソグラフィ投影装置から離して配置することも可能であることを注記する。この場合、ソースＬＡが作り出す放射線ビームは（適した誘導ミラーにより）装置内に導かれる。この後者のシナリオでは、ソースＬＡがエキシマレーザーである場合が多い。本発明および請求項はこれら両方のシナリオを網羅するものである。
【００２３】
続いてビームＰＢはマスクテーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡを横切る。ビームＰＢはマスクＭＡを横断して基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせるレンズＰＬを通過する。第二位置決め手段（および干渉計測手段ＩＦ）により、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め手段は、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするように使用可能である。一般的に、オブジェクト・テーブルＭＴおよびオブジェクト・テーブルＷＴの運動はロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。これについては図１に明示を行っていない。しかし、ウェハステッパの場合（ステップアンドスキャン装置とは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。
【００２４】
ここに表した装置は２つの異なるモードにて使用可能である。
１．  ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が１回の作動（すなわち１回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分ＣがビームＰＢにより照射され得る。
２．  スキャンモードにおいて、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Ｃは１回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルＭＴが、速度ｖにて所定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に運動可能であり、それによってビームＰＢがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルＷＴが速度Ｖ＝Ｍｖで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（一般的にＭ＝１／４あるいは１／５）である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Ｃを露光することが可能となる。
【００２５】
図２は、リソグラフィ投影露光装置のコンパートメントの例を示したものである。このコンパートメントにはパージシステムによりパージガスが供給されるが、これについては図３を参照にして後で説明を行う。パージされる第一コンパートメントはビーム供給管ＢＤコンパートメントであり、放射線ソースＬＡからの露光放射線を照明システムＩＬに持ちこむ。エキシマレーザーの場合、放射線ソースはしばしばリソグラフィ投影装置の残りの部分と離して配置されることから、ビーム供給管におけるビームの光パス長は１０ｍオーダーのものであろう。よって、ビーム供給管ＢＤ内において潜在的に吸収される汚染は、非常に低いレベルに維持されなくてはならない。照明システムＩＬは、装置メンテナンスの利便性から、上部コンパートメントＩＬ−Ｔと下部コンパートメントＩＬ−Ｂとに分けられており、これらは別々にパージされる。これら部分における投影ビームの光パス長も比較的長いことから、比較的低い汚染レベルが維持されなくてはならない。マスク処理装置ＭＨおよびマスクステージＭＳもまた別々のコンパートメントに分けられている。これらの部分は比較的頻繁にマスク交換のために開けられるため、比較的頻繁に完全にパージされなくてはならない。しかし、マスクステージを通るビームパスが比較的短いとき、この領域の汚染レベルはそれほど低レベルである必要性はない。投影システムＰＬの主部分は別に分かれたシステムを介してヘリウムによりパージされるが、装置の残りの部分は、窒素、もしくはほとんどが窒素から成る混合ガスによりパージされる。従来技術において明らかなように、これと異なるガスもしくは混合ガスを使用することも可能であり、各コンパートメントに使用されるガスもしくは合成ガスが同一の場合もあり、異なる場合もある。投影レンズＰＬの主部分を囲むコンパートメントはパージガスによりパージされ、投影システムシールドＰＬ−Ｓを形成する。この投影システムシールドＰＬ−Ｓにより、投影レンズ内へのどのような漏れも吸収の少ない、かつ汚染の少ないガスであることを可能にする。投影レンズＰＬ−ＴＥの上部の構成要素もまたコンパートメントに分けられており、投影レンズの主部分とは別にパージされる。また、シールドＰＬ−ＴＳが、投影レンズＰＬ−ＴＥの上端部とマスクステージＭＳの底部間に設けられている。最後にウェハステージフードＷＳＨが、投影レンズの底部周辺に、これとウェハＷ間に設けられている。明らかであるように、他の種類の構成要素や追加の構成要素を配備するか、あるいは使用することも可能である。
【００２６】
次に図３を参照にして、主パージシステム、およびそのパージガス流動成分について詳細説明を行う。パージガスコンディショニングシステム１０は、ファブに設けられたパイプ状のサプライＦＳ−Ｎ２から窒素を、また、サプライＦＳ−ＳＡから合成エアーを取得する。窒素のファブサプライは大気圧より６バールである６ｂａｒｇの圧力で、純度９９．９９９９９％の窒素である「７Ｎ」窒素を可能にする。マスター入力バルブ１１は、浄化装置１２への窒素入力を調整する。この浄化装置１２はさらに純度９９．９９９９９９９％の「９Ｎ」純度へと入力窒素を浄化する。浄化装置１２の出力は、実質的に純粋な窒素と実質的に純粋な酸素の混合である合成エアーをバルブ１５、レデューサ１６、および制限部１７を介して受け取るパッシブミキサ１３（アクティブミキサも使用可能である）に供給される。これにより、浄化の目的で、Ｏ２約１００ｐｐｂのレベルで、酸素を純窒素サプライに混合させることが可能である。パッシブミキサの出力は、所望の稼動温度である１°Ｋ内にパージガスの温度を維持する熱交換器１４に供給される。熱交換器によるパージガスの出力は、メインパージガス分配システム２０に供給される。
【００２７】
合成エアーを使用する代わりに、他のガスによる解決法も考えられる。特に、浄化圧縮ドライエアーは（経済的に）魅力ある代替案と思われる。
【００２８】
メインパージガス分配システム２０の入力にて、圧力レギュレータ２０１は入力されたガスの圧力を３．５ｂａｒｇに減じ、それをマニホールド２０２に供給する。次に別々の供給ラインにより、図２において示すコンパートメントの各々にパージガスを供給する。異なるコンパートメントのそのほとんどからの出力は、出力マニホールド２１０、２１２、および２１５に導かれる。この出力マニホールドから、使用されたパージガスが排出システム２１６を介して安全に利便性が良く放出される。
【００２９】
投影システムシールドＰＬ−Ｓ、投影レンズトップエレメントＰＬ−ＴＥ、および投影レンズトップシールドＰＬ−ＴＳのこれらのコンパートメントへの供給ラインにはさらに制限部２０７が配備されており、これらシステムへのパージガスの流量を調整する。さらに、投影レンズは温度変化に特に敏感であることから、パージガスを一定の温度に維持するため、熱交換器２０８を配備している。投影レンズ上部構成要素ＰＬ−ＴＥ、投影レンズトップシールドＰＬ−ＴＳ、およびマスクステージＭＳのこれらのコンパートメントからの出力は、これらのコンパートメントにおける所望の過圧を維持する出力制限部２１１を介し、出力マニホールド２１２に向かう。同様の理由で、投影システムシールドＰＬ−Ｓ、マスク処理ＭＨ、およびビーム供給管ＢＤのこれらのコンパートメントからの出力には出力制限部２０９、２１３、２１４が備えられている。ウェハステージフードＷＳＨへの供給ラインにも制限部２０３および熱交換器２０４が配備され、この部分の熱変動を最小限に抑える。また、出力制限部２０５が所望の過圧を維持するために配備されている。ウェハ上のレジストは、例えば露光中に排出される粒子といったような汚染物の主原因であるため、ウェハステージフードからの出力は、主出力マニホールドシステム２１０、２１２、２１５にではなく、粒子摘出器２０６に送られる。
【００３０】
本発明の実施形態に従ってコンパートメントにおける汚染レベルがパージガスの流動により、しきい値レベル以下に減じられると、マニホールド２０２へのガスの流量は実質的に減じられる。最初に、ガスの流量は１０００−２０００ｌ／ｍｉｎの位のものであるが、制限後に流量は１００ｌ／ｈ以下、好ましくは約６０ｌ／ｈに減じられる。この方法でパージガスの消費はかなり減じられる。これとは別に、一般的に、酸素含有量は全コンパートメントにおいて、パージ中に人間が受容可能な、常に１９．５％以上に保たれるべきである。パージガスの流量を減じることはまた、酸素減少のリスクを減じることから、人間への安全性改善に寄与するものである。
【００３１】
汚染レベルは、酸素、水、および／または炭化水素に関して、別々のもしくは合わさった基準（クライテリア）を含む。さらに、汚染レベルは一般にｐｐｍ、またはｐｐｂにて計測される。従来技術において明らかであるように、他の汚染レベル基準（クライテリア）および計測が使用され得る。さらに、汚染レベルはコンパートメントごとに別々に計測されるか、複数のコンパートメントへの共通流動成分において計測されるか、もしくは、複数の他のコンパートメントの調整としてマスターコンパートメントあるいは流動成分において計測される等であろう。従来技術において明らかなように、複数の汚染レベルは別々に計測可能である。例えば、水と炭化水素の汚染レベルは、コンパートメントごとに、または流動成分ごとに別々に計測可能である。
【００３２】
しきい値レベルは所定値であるか、設定可能であるか、もしくはリソグラフィ投影装置の稼動中に調整される。しきい値レベルは、複数の汚染レベルの各々について複数レベルおよび／または異なるレベルを網羅する。例えば、パージガスの流量は異なる汚染レベルにより、かつ異なる汚染物に応じ、異なるレートに段階づけされる。さらに、しきい値レベルはコンパートメントごとに別々に設けられるか、同一しきい値レベルが複数のコンパートメントあるいは複数の流動成分に対して設けられる。もしくは、複数のコンパートメントへの共通流動成分に対して、または複数の他のコンパートメントの調整としてマスターコンパートメントあるいは流動成分に対して等、１つ以上のしきい値レベルを設けることも可能である。
【００３３】
上記で述べたように、汚染レベルがしきい値レベル以下に減じられたかどうかを判断するための、１つ以上のコンパートメント、もしくは１つ以上の（排出ガスといったような）流動成分における、例えば、水、酸素、あるいは炭化水素の汚染レベルといったような汚染レベル計測を基に、ガスの流量を調整することが可能である。あるいは、汚染をしきい値レベル以下に減じるために必要なパージ量に関する実証的データおよび／あるいは理論的計算に基づいたタイムテーブルを基にガスの流量を調整することが可能である。こうしたタイムテーブルはあらかじめ決定されるか、設定可能であるか、もしくはリソグラフィ装置の稼動中に調整される。
【００３４】
実施例１の別形態において（図示せず）、異なるコンパートメントへの供給ラインの各々に入力制限部および出力制限部が配備される。各供給ラインへの入力制限は供給ラインにおける所望の流量を維持するために設定されるが、出力制限は所望の過圧を維持するために設定される。マニホールドへの入力制限はいずれかのコンパートメントにおけるパージガス消費の変化に関係なく、マニホールドにおいて安定した圧力を維持するように設定される。
【実施例２】
【００３５】
図４は、異なるコンパートメントへのガスの流れを制限する装置を示したパージガスシステムの部分を示した図である。実施例２の残りの部分は実施例１と同様である。
【００３６】
実施例２において、バルブ３１は一定の圧力でパージガスの供給を行う。このパージガスは、流量制限部３２を介してマニホールド３３に入力される。制限部３２は、パージされる異なるコンパートメントＣ１、Ｃ２における汚染レベルがしきい値レベル以下に減じられるのに十分な一定時間の後に流量を減じるようにされたタイムテーブルに従ってマニホールドへの流量を調整する。異なるコンパートメントＣ１、Ｃ２への入力および出力における流量制限部３４から３７は、これらコンパートメントにおける流量と過圧を所望のレベルに維持する。
【実施例３】
【００３７】
実施例３において、流量は計測された汚染レベルを基に調整される。そのための装置を図５に示している。本実施例はこの部分以外には実施例１と同様である。
【００３８】
図５において、マニホールド４２へのパージガス供給は調整バルブ４１によって一定の圧力に維持される。Ｃ１への供給ラインに流量制限部４３が配備されている。この流量制限部は、センサー４４により計測されたコンパートメントＣ１における汚染レベルを基に調整される。コンパートメントＣ１からの出力にある流量制限部４５は所望の過圧を維持する。他のコンパートメント（本図には示しておらない）への流量は、各々の汚染センサーに基づき、あるいは時間の関数として、あるいはマスターコンパートメントへの流量調整のスレーブとして同様に調整される。
【実施例４】
【００３９】
実施例４におけるそのパージガス供給システムの部分を図６に示している。マニホールドへのパージガスの供給圧は検出された汚染レベルに基づいて調整される。実施例４は、以下に記載の内容を除いて実施例１と同様である。
【００４０】
実施例４において、マニホールド５２における汚染レベルを計測するために汚染センサー５３が配備される。リソグラフィ装置において許容される最大レベルにて汚染を検出するのに十分な感度を有する汚染センサーは複雑かつ敏感である。システムにおけるそれぞれに異なるコンパートメントにおける汚染レベルは類似すると考えられることから、例えばマニホールド５２のような主流動成分あるいは共通流動成分、もしくは、マスターコンパートメントあるいは共通コンパートメントにおいて計測された汚染レベルに基づいて調整を行うことが可能である。入力バルブ５１は、センサー５３にて計測された汚染レベルに基づいてマニホールド５２へのガス供給圧を調整する。流量制限部５４から５７はコンパートメントＣ１、Ｃ２への入力部および出力部に配備され、その所望の流量と過圧を維持する。
【実施例５】
【００４１】
実施例５における、時間の関数としてマニホールドへのガス供給圧を調整するパージガス供給システムの部分を図７に示している。実施例５は、以下に記載の内容を除いて前に記載を行った実施例１と同様である。
【００４２】
実施例５において、バルブ６１はマニホールド６２へのガス供給圧を調整する。一旦、１つ以上のコンパートメントにおける汚染レベルがしきい値レベル以下になると、バルブ６１は調整システム（図示せず）によって調整され、ガスの流量を減じるためのタイムテーブルに従ってマニホールドへのガス供給圧を減じる。コンパートメントＣ１、Ｃ２への供給ラインに配置された流量制限部６３から６６は、これらコンパートメントにおける流量および過圧を限定する。
純粋ガス供給システム
【００４３】
図８は、前述の実施例において使用され得る、純粋ガスもしくは混合ガスを供給するシステムを図示したものである。図８に示したシステムにおいて、入力バルブ７１は、例えばファブに配備されたサプライからの窒素ガス供給を調整する。次に、このガスは第一浄化装置７２に送られ、マニホールド７３を満たす。システムへの入力ガスは、純度９９．９９９９９％である７Ｎ純度レベルにあり、第一浄化装置７２の出力ガスは純度９９．９９９９９９９％である９Ｎ純度レベルにある。第二調整バルブ７４は、マニホールド７３から第二浄化装置７６へのガスの流れを調整し、それの出力は（例えば、前述のコンパートメント、あるいはガス分配システム２０といったような）１つ以上のコンパートメントＣ１．．．に供給される。他の調整バルブ７８は（例えば、前述のコンパートメント、あるいはガス分配システム２０といったような）１つ以上のコンパートメントＣ２．．．へのガスの流れを調整する。センサー７５は第二浄化装置７６への入力ガスの汚染レベルを計測する。センサー７５は、ｐｐｂレベル範囲で炭化水素汚染レベルを検出することが可能な光イオン化検出器（ＰＩＤ）であるか、もしくは水素炎イオン化検出器（ＦＩＤ）であろう。しかし、１つ以上のコンパートメントＣ１．．．に対するパージガス供給システムにおける炭化水素汚染の最大許容レベルはｐｐｔレベルに設定される。ゆえに、その汚染レベルがセンサー７５により検出可能な汚染レベルよりも高くない入力ガスによって、その出力が確実に要求されるｐｐｔレベルとなるよう第二浄化装置が設計され、かつ形成される。よって、第二浄化装置への入力ガスの汚染レベルが仕様外であることをセンサー７５が検出しない場合、１つ以上のコンパートメントＣ１．．．に供給されるパージガスが確実に所望の純度レベルを有するといえる。仕様外のコンディションが検出された場合、調整バルブ７１および７４が調整手段７７によって閉じ、１つ以上のコンパートメントＣ１．．．を保護する。第二浄化装置７６もまた、このシャットダウンに要する間、１つ以上のコンパートメントＣ１．．．に供給されるガスの汚染レベルが確実に所定のレベルを超過しないように設計される。
【００４４】
以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく他の方法でも具体化できることは当業者にとって明らかである。本詳細説明は本発明を制限する意図ではない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態に基づくリソグラフィ投影装置を示したものである。
【図２】パージガス供給がなされる、図１の装置のまた異なるコンパートメントの例を示したものである。
【図３】図１の装置におけるパージガス供給システムを示したものである。
【図４】本発明の実施例２に基づいたリソグラフィ装置におけるパージガス供給システムの部分を示したものである。
【図５】本発明の実施例３に基づいたリソグラフィ装置におけるパージガス供給システムの部分を示したものである。
【図６】本発明の実施例４に基づいたリソグラフィ装置におけるパージガス供給システムの部分を示したものである。
【図７】本発明の実施例５に基づいたリソグラフィ装置におけるパージガス供給システムの部分を示したものである。
【図８】本発明の実施の形態において使用可能な汚染しきい値レベルを有するガスを供給する装置を開示したものである。 尚、図面において、一致する参照符合はその対応一致する部分を示すものとする。
【図１】
2008004969.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008004969.tif 000009
【図８】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
−  所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、
−  基板を保持する基板テーブルと、
−  パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、
−  投影ビームの経路の部分を囲むコンパートメントと、
−  パージガスにより前記のコンパートメントをパージするパージ手段と、
−  前記コンパートメントからの排出ガスにおける汚染レベルを検出するセンサーとから成るリソグラフィ投影装置において、
−  前記のパージ手段は、前記のコンパートメントへのパージガスの入力の調整可能な流量制限器と、該コンパートメントにおける汚染がしきい値レベル以下になったとき、パージガスの流量を制限するために前記の流量制限器を調整する調整手段とを備え、
−  前記の調整手段は該センサーの出力に反応することを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記の調整手段は、汚染をしきい値レベル以下に減じるために必要なパージ量に関する実証的データおよび／または理論的計算に基づくタイムテーブルに基づいて、前記の流量制限器を調整するようにされていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ガスの流量が制限されると、前記のコンパートメントへのパージガスの供給量は約１００ｌ／ｈ未満であることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
リソグラフィ装置のスイッチが切られる、または、パターニング手段交換、基板交換、パージガス供給における障害、パージガスサプライの汚染、あるいは他の通常と異なる事態等といった潜在的に汚染につながる事象の後に、前記の調整手段は、パージガスの流量を増すために流量制限器を調整するようにされていることを特徴とする請求項１、２、または３に記載の装置。
【請求項５】
パージガス供給がなされる複数のコンパートメントを備えており、ここで、全部のコンパートメントへの流量が同時に調整されるよう、各コンパートメントへのパージガス供給の共通部分に前記の流量制限器が配備されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
パージガス供給がなされる複数のコンパートメントを備えており、ここで、別々の流量制限器が前記のコンパートメントの各々に配備されており、前記の調整手段は該流量制限器を別々に、あるいは同時に調整するようにされていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記のパージ手段は、マニホールド、該マニホールドにほぼ一定の圧力でパージガスを供給する圧力レギュレータ、コンパートメントへの流量を決定する流量制限部を含む各コンパートメントへのサプライ、そのコンパートメントの過圧を決定する流量制限部を含む各コンパートメントからの排出口とから成り、ここで、圧力レギュレータはかなり高い流れ抵抗をもたらし、それにより、該コンパートメントに対する流れ抵抗の変動にもかかわらず、該マニホールドにおける圧力はほぼ一定に保たれることを特徴とする請求項５または６に記載の装置。
【請求項８】
前記のコンパートメントには、
−  前記基板テーブルと前記投影システムの最終的な構成要素間のスペースにおけるコンパートメント、
−  投影システムを含んだチャンバを囲むコンパートメント、
−  投影システムの構成要素を囲むコンパートメント、
−  前記パターニング手段と前記投影システム間のスペースにおけるコンパートメント、
−  前記パターニング手段の支持構造を囲むコンパートメント、
−  マスク処理装置を囲むコンパートメント、
−  前記放射線システムの全部あるいは部分を囲むコンパートメント、および、
−  投影ビームを放射線ソースから放射線システムに伝達するコンパートメントのうちの少なくとも１つが含まれることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記のパージガス手段はさらに、パージガスを浄化する第一浄化装置、該第一浄化装置へのパージガス入力を調整する第一バルブ、該第一浄化装置によるパージガス出力を浄化して、パージガス出力を前記コンパートメントに供給する第二浄化装置、該第一浄化装置と該第二浄化装置間のガスの流れを調整する第二バルブ、該第一浄化装置から該第二浄化装置へのガスの流れにおける汚染レベルを感知する汚染センサー、該センサーが該第一浄化装置から該第二浄化装置へのガスの流れにおける第一浄化装置しきい値レベルを超える汚染を検出した場合に、該第一バルブと該第二バルブのうちの少なくとも一方を閉じる調整手段とを備えることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
第二浄化装置は、パージガス出力を確実に、第一浄化装置しきい値レベルよりも低い別の汚染レベルよりもさらに少ないレベルにするようになっていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
−  放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
−  放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給するステップと、
−  パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与えるステップと、
−  放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影するステップと、
−  装置のコンパートメントをパージガスによりパージするステップとから成り、
−  前記コンパートメントからの排出ガスの計測された汚染レベルがしきい値レベル以下になったとき、調整可能な流量制限器を使用してコンパートメントへのパージガス流量が制限されることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１２】
前記の流量はタイムテーブルに従い制限されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
−  放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
−  所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、
−  基板を保持する基板テーブルと、
−  パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、
−  投影ビームの経路の部分を囲むコンパートメントと、
−  パージガスにより前記のコンパートメントをパージするパージ手段と、
−  前記パージガスを一定の温度に維持するための熱交換器、とから成るリソグラフィ投影装置において、
−  前記のパージ手段は、前記のコンパートメントへのパージガスの入力の調整可能な流量制限器と、該コンパートメントにおける汚染がしきい値レベル以下になったとき、パージガスの流量を制限するために前記の流量制限器を調整する調整手段とを備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【外国語明細書】
2008004969000001.pdf