(57)【要約】      （修正有）【課題】  配向異常の発生を低減することができる液晶表示装置、並びにその製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、透過部２１ｂと反射部２１ａとを有する画素がマトリクス状に配置されたＴＦＴアレイ基板２０１を有する液晶表示装置であって、ＴＦＴアレイ基板２０１上に設けられた開口部１５を有する平坦化膜１０と、平坦化膜１０上に設けられた反射画素電極１２と、平坦化膜１０の開口部に設けられた透過画素電極１１と、反射画素電極１２及び透過画素電極１１の上に設けられ、画素５０の配列方向から傾いたラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、開口部１５がラビング方向と垂直な方向の辺を有するものである。【選択図】  図３
2008003151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、
前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、
前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、
前記反射電極と透過電極の上に設けられ、前記画素の配列方向から傾いたラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、
前記開口部が前記ラビング方向と垂直な方向の辺を有する液晶表示装置。
【請求項２】
前記開口部が矩形状であり、前記開口部の対向する２辺が、前記ラビング方向と垂直に配置されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記開口部の１辺のみが、前記ラビング方向と垂直である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、
前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、
前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、
前記反射電極の上に設けられ、前記アレイ基板の端辺から傾いたラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、
前記開口部の少なくとも１辺が前記ラビング方向と垂直になるよう、前記画素が前記ラビング方向に沿って配列されている液晶表示装置。
【請求項５】
透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、
前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、
前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、
前記反射電極の上に設けられ、所定のラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、
前記開口部周辺の傾斜面に、前記ラビング方向に沿って設けられた凹溝が形成されている液晶表示装置。
【請求項６】
前記開口部周辺の傾斜面において、前記平坦化膜に凹凸形状を設けることによって、前記凹溝が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記開口部周辺の傾斜面において、前記透過電極に前記ラビング方向に沿ったスリットパターンが設けられ、
前記透過電極に設けられたスリットパターンによって、前記凹溝が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記開口部周辺の傾斜面において、前記反射電極に前記ラビング方向に沿ったスリットパターンが設けられ、
前記反射電極に設けられたスリットパターンによって、前記凹溝が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記アレイ基板上に、開口部を有する平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜の上に、反射電極を形成する工程と、
前記反射電極の上に、配向膜を形成する工程と、
前記画素の配列方向から傾いた方向であって、前記開口部の少なくとも１辺と垂直な方向に、前記配向膜をラビング処理する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ラビング処理を行うラビングローラが前記開口部から前記平坦化膜の上に乗り上げる箇所において、前記開口部の辺と垂直な方向に前記ラビング処理を行う請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記アレイ基板上に、開口部を有する平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜の上に、反射電極を形成する工程と、
前記反射電極の上に、配向膜を形成する工程と、
前記開口部周辺の傾斜面に所定の方向で設けられた凹溝に沿って、前記配向膜をラビング処理する工程を備える液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記開口部周辺の傾斜面において、前記平坦化膜に凹凸形状が形成され、
前記平坦化膜に形成された凹凸形状によって、前記凹溝が設けられている請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記平坦化膜の上に、前記反射電極と接続される透過電極を形成する工程をさらに備え、
前記開口部周辺の傾斜面において、前記透過電極に形成されたスリットパターンによって、前記凹溝が形成されている請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記開口部周辺の傾斜面において、前記反射電極に前記ラビング方向に沿ったスリットパターンが設けられ、
前記反射電極に設けられたスリットパターンによって、前記凹溝が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器においても、表示装置の適用が急速に普及している。特に、携帯型のものについては、消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が多く用いられている。しかし、この反射型液晶表示装置は、外光を光源としているため、暗い室内などでは、画面が見えにくくなってしまう。そこで、近年、透過型と反射型の性質を併せ持つ、半透過型液晶表示装置の開発が進められてきている。
【０００３】
半透過型液晶表示装置は、１つの画素内に、透明電極を備えた透過部と、反射電極を備えた反射部を有している。そして、暗所においては、バックライトを点灯して画素の透過部を利用して画像を表示している。一方、明所においては、バックライトを点灯することなく、反射部の反射電極で外光を反射して、画像を表示している。これにより、明所、及び暗所のいずれでも優れた表示を行なうことができる。さらに、常時バックライトを点灯する必要がなくなるため、消費電力を低減することができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１５７１０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように、半透過型液晶表示装置は、同一画素内に透過部と反射部とを有している。よって、透過部と、反射部の液晶の光学特性を制御するため、透過部と反射部でセルギャップを変える必要がある。このため、特許文献１では、ＴＦＴアレイ基板側の透過部において、絶縁膜を掘り込み、透過部と、反射部とに１〜３μｍの段差を設けている。
【０００６】
ここで、図１４、及び図１５を用いて従来の液晶表示装置の画素構造について説明する。図１４は、従来の液晶表示装置の１画素の構成を模式的に示す平面図である。図１５は、従来の液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板に設けられた一部の画素を示す平面図である。図１５に示すように、矩形状の画素５０は、マトリクス状に配列されている。図１５では、横４×縦２の８つの画素５０のみを示している。半透過型液晶表示装置の場合、図１４に示すように、画素５０には、反射画素電極１２が形成されている。この反射画素電極１２が形成されている領域が外光を反射する反射部となる。そして、反射画素電極１２の一部には、矩形状の開口部１５が形成されている。開口部１５はバックライトからの光を透過する透過部となる。また、透過部と反射部との境界部Ａでは、傾斜面が形成されている。すなわち、開口部１５では、絶縁膜が除去されているため、開口部１５の周辺の境界部Ａでは急峻な傾斜面が形成されている。
【０００７】
ここで、画素５０が配列されている方向と配向膜のラビング方向とが傾いている。すなわち、図１４に示すように、ラビング方向は、画素５０を画定するゲート配線２、及びソース配線８のいずれとも平行になっていない。透過部と反射部との段差は、１〜３μｍあるため、従来の液晶表示装置では、境界部Ａにおいてラビング不良による配向異常が発生してしまうという問題点がある。すなわち、境界部Ａをラビングすると、開口部１５のコーナー部Ｄでは、図１６に示すように、傾斜面下方向への力の影響によって、ラビング方向にばらつきが生じてしまう。特に、矩形状の開口部１５の対角線方向にラビングが実施された場合、開口部１５のコーナー部Ｄで配向異常が発生しやすくなってしまう。このような、配向異常が発生すると、表示品位が劣化してしまう。
【０００８】
上述のように従来の液晶表示装置では、配向不良により表示品位が劣化してしまうという問題点があった。
本発明はこのような問題点を鑑みてなされたものであり、配向異常の発生を低減することができる液晶表示装置、並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様にかかる液晶表示装置は、透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、前記反射電極と透過電極の上に設けられ、前記画素の配列方向から傾いたラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、前記開口部が前記ラビング方向と垂直な方向の辺を有するものである。
【００１０】
本発明の第２の態様にかかる液晶表示装置は、透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、前記反射電極の上に設けられ、前記アレイ基板の端辺から傾いたラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、前記開口部の少なくとも１辺が前記ラビング方向と垂直になるよう、前記画素が前記ラビング方向に沿って配列されているものである。
【００１１】
本発明の第３の態様にかかる液晶表示装置は、透過部と反射部とを有する画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板を有する液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に設けられた開口部を有する平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられた反射電極と、前記平坦化膜の開口部に設けられた透過電極と、前記反射電極の上に設けられ、所定のラビング方向でラビングされた配向膜とを備え、前記開口部周辺の傾斜面に、前記ラビング方向に沿って設けられた凹溝が形成されているものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、配向異常の発生を低減することができる液晶表示装置、並びにその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態を説明する。説明の明確化のため以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１４】
実施の形態１．
液晶パネル２００の全体的な構成について図１を用いて説明する。図１は、液晶表示装置の一例として、ＴＮ（Twisted Nematic）タイプのアクティブマトリクス液晶パネル２００の構成を示す模式断面図である。以下の説明においては、アクティブマトリックス、ＴＮタイプの液晶表示装置を例として説明するが、本発明は、パッシブ駆動の液晶パネルにも適用可能である。図１に示すように液晶パネル２００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アレイ基板２０１、対向基板２０２、液晶２０３、ＴＦＴ２０４、画素電極２０５、コモン電極２０６、カラーフィルタ２０７、ブラックマトリクス２０８及び配向膜２０９を有する。また、ＴＦＴ２０４は、ゲート電極２ａ、ソース電極８ａ及びドレイン電極７を有する。このＴＦＴ２０４が設けられた画素の詳細な構成については後述する。
【００１５】
液晶パネル２００は、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向配置される対向基板２０２と両基板を接着する図示しないシール材との間の空間に液晶２０３を封入した構成を有する。ＴＦＴアレイ基板２０１上には、互いに直交する方向に図示しないゲート線（走査線）及びソース線（信号線）が形成されており、ゲート線とソース線との交差点近傍にはＴＦＴ２０４が設けられている。また、ゲート線とソース線との間にマトリクス状に形成された複数の画素電極２０５を有している。ＴＦＴ２０４のゲート電極２ａがゲート線に、ソース電極８ａがソース線に、ドレイン電極７が画素電極２０５に夫々接続される。なお、画素電極２０５は、後述する反射画素電極、及び透過画素電極を有している。この液晶パネル２００の背面側にバックライトユニットを配置することによって、半透過型液晶表示装置を構成することができる。この画素電極２０５の詳細な構成については、後述する。
【００１６】
他方、対向基板２０２上にはコモン電極２０６及びＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ２０７、ブラックマトリクス２０８が形成されている。コモン電極２０６は、画素電極２０５と対向するように対向基板２０２の略全面に形成される短形状の透明電極である。コモン電極２０６としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いる。ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２との間は、図示しないビーズスペーサ、柱状スペーサ等によって所定の間隔になるように維持されている。
【００１７】
ＴＦＴアレイ基板２０１及び対向基板２０２は矩形状に形成されている。ＴＦＴアレイ基板２０１及び対向基板２０２の対向する面には、夫々所定の方向に配向された配向膜２０９が形成されている。両基板は、図示しない枠状のシール材により周辺を接着され、ＴＦＴアレイ基板２０１と対向基板２０２とシール材とで形成される空間に液晶２０３が封入されている。これら両基板に挟持された液晶２０３は、夫々の基板上に設けられた配向膜２０９によって所定の方向に配向する。なお、対向基板２０２には、コモン電極２０６の下にカラーフィルタ２０７、及びブラックマトリクス２０８を覆うためのオーバコート膜を形成してもよい。
【００１８】
液晶パネル２００の基板表面には、偏光板や位相差板等が貼着される。さらに、液晶パネル２００には画素電極２０５を駆動するドライバ（図示せず）を装着する。そして、バックライトを液晶パネル２００の背面側に配置することにより、液晶表示装置が完成する。
【００１９】
上述の様な配向膜２０９の液晶配向機能は、ＴＦＴアレイ基板２０１及び対向基板２０２上に形成された配向膜２０９表面をラビング（こする）ことにより与えられる。配向膜２０９のラビング処理について図を用いて説明する。図２（ａ）は、本実施形態に係るラビング処理を示す斜視図、図２（ｂ）は同上面図であるである。図２においては、１枚のマザー基板１０３上に２つのＴＦＴアレイ基板２０１が形成された多面取り構成を示している。しかしこれに限定されず、１枚のマザー基板１０３で１つのＴＦＴアレイ基板２０１を形成しても良いし、３つ以上のＴＦＴアレイ基板２０１を形成しても良い。以下の説明においては、ＴＦＴアレイ基板２０１のラビング処理の例について説明する。
【００２０】
本実施形態に係るラビング処理は、回転するラビングローラ１００を、マザー基板１０３に当接させながら、マザー基板１０３が載置されたステージ１０２をラビングローラ１００の回転方向と略反対方向に移動させることにより行う。ラビングローラ１００は円筒状の部材であり、その円筒軸を中心に回転している。
【００２１】
ラビングローラ１００には、例えばレーヨン布等のラビング布１０１が巻きつけられている。このラビング布１０１がマザー基板１０３表面に形成された配向膜２０９をこすることにより、当該配向膜２０９に液晶分子を配向する機能を持たせることができる。
【００２２】
ステージ１０２はマザー基板１０３を載置する台であり、マザー基板１０３が載置された状態で、ラビングローラ１００に対して相対的に移動する。ステージ１０２の移動方向は、マザー基板１０３載置面と平行な方向である。ステージ１０２とラビングローラ１００とは、マザー基板１０３載置面とラビングローラ１００の円筒軸とが平行になるように配置される。また、図２（ｂ）に示すように、マザー基板１０３載置面側から見た場合において、ステージ１０２の移動方向とラビングローラ１００の円筒軸とは直交しておらず、所定の角度を有するように配置されている。ここで、ラビングローラ１００の円筒軸と直交する方向がラビング方向となる。従って、ラビング方向は、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺から所定の角度だけ傾いた方向になる。すなわち、矩形状のＴＦＴアレイ基板２０１の直交する端辺の間の方向がラビング方向となる。このラビング方向は、液晶２０３を配向させる方向に応じて決定されている。このようにして、ＴＦＴアレイ基板２０１の表面に形成された配向膜２０９がラビング処理される。この場合、ＴＦＴアレイ基板２０１の画素の配列方向から傾いた方向がラビング方向となる。
【００２３】
次に、マザー基板１０３について説明する。マザー基板１０３は、上述したようにＴＦＴ２０４や画素電極２０５等が形成され画像表示を行う領域である表示領域１０４を複数備えている。なお、配向膜２０９は少なくとも表示領域１０４を覆うように形成される。矩形状の表示領域１０４内のゲート線は端子１０７を介してゲートドライバと接続され、ソース線は端子１０７を介してソースドライバと接続される。端子１０７は、表示領域１０４の直交する２辺に夫々複数形成されており、一方の辺に形成された端子１０７が表示領域１０４中のゲート線、他方の辺に形成された端子１０７がソース線に夫々接続されている。なお、端子１０７は、表示領域１０４の一辺に沿って全て配置されることもある。
【００２４】
なお、図２において、端子１０７は極めて簡略化されて示されている。典型的には、端子１０７はその大部分がマザー基板１０３表面において絶縁されており、表示領域１０４とは反対側の端部のみ導体面が露出している。端子１０７の導体面の露出した端部において、端子１０７とドライバとが接続される。
【００２５】
上記のように、ＴＦＴアレイ基板２０１には、矩形状の表示領域１０４が設けられている。そして、この表示領域１０４には、画素がマトリクス状に配置されている。そして、それぞれの画素にはＴＦＴ２０４が配置されている。次に、この画素の構成について図を用いて説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板２０１に設けられた１画素の構成を模式的に示す平面図である。また、図３では、反射画素電極１２で覆われている構成を説明するため、反射画素電極１２の下に設けられている一部の構成要素に付いても合わせて示している。図４は、図３のＸ−Ｘ'断面図であり、ＴＦＴアレイ基板の画素の構成を模式的に示している。
【００２６】
図３に示すように、ゲート配線２とソース配線８とが互いに交差するように設けられている。ＴＦＴアレイ基板２０１上には、複数のゲート配線２が平行に配置される。また、ＴＦＴアレイ基板２０１上には、複数のソース配線８が平行に配置される。ゲート配線２とソース配線８とは、ゲート絶縁膜４を介して直交するように配置されている。このゲート配線２とソース配線８とで囲まれた領域が画素５０となる。従って、画素５０は矩形状となる。よって、ＴＦＴアレイ基板２０１には、矩形状の画素５０がマトリクス状に配列されている。ゲート配線２とソース配線８との交差点近傍には、ＴＦＴ２０４が配置されている。ゲート配線２と、ソース配線８とは通常、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺と平行に配置されている。
【００２７】
図４に示すように、ゲート電極２ａを有するゲート配線２の上には、ゲート絶縁膜４が形成されている。ゲート絶縁膜４は、ゲート配線２、及びゲート電極２ａを覆うように形成されている。さらに、隣接するゲート配線２の間には、補助容量配線３が形成されている。補助容量配線３は、ゲート配線２と平行に設けられている。そして、補助容量配線３は、ゲート配線２と同じ層で形成されている。従って、補助容量配線３も、ゲート絶縁膜４によって覆われている。ゲート配線２、ゲート電極２ａ、補助容量配線３は、例えば、Ａｌ、Ｃｒなどの金属膜によって形成されている。ゲート絶縁膜４は、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコンなどの透明性無機絶縁膜によって形成されている。
【００２８】
ゲート絶縁膜４の上には、半導体層５が設けられている。半導体層５は、ゲート絶縁膜４上に設けられた半導体能動膜５ａと、半導体能動膜５ａ上に設けられたオーミックコンタクト膜５ｂとから構成されている。半導体層５は、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）や、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によって形成される。また、オーミックコンタクト膜５ｂにはリンなどの不純物が所定量注入されている。半導体層５は、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極２ａと対向するよう配置されている。半導体層５の半導体能動膜５ａは、ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル領域を備えている。また、半導体層５を、ソース配線８とゲート配線２との交差部に設けてもよい。これにより、交差部における断線等を防ぐことができる。
【００２９】
半導体層５の上には、ソース電極８ａ、及びドレイン電極７が設けられている。ソース電極８ａは、ソース配線８から延在されている。ソース電極８ａは半導体層５のソース領域の上に配置され、ドレイン電極７は半導体層５のドレイン領域の上に配置される。従って、ソース電極８ａとドレイン電極７は、チャネル領域を挟んで対向配置されている。ゲート電極２ａ、半導体層５、ソース電極８ａ、及びドレイン電極７によってＴＦＴ２０４が形成される。ソース配線８、ソース電極８ａ、及びドレイン電極７は、例えば、Ｃｒなどの金属膜から形成される。また、ドレイン電極７は、補助容量配線３の上まで延在され、補助容量を形成している。すなわち、ドレイン電極７と補助容量配線３とがゲート絶縁膜４を介して一部重複することで、補助容量が形成される。これにより、画素５０の電圧保持特性を向上することができる。
【００３０】
ソース電極８ａ、及びドレイン電極７の上には、層間絶縁膜９が形成されている。層間絶縁膜９は、ソース電極８ａ、ドレイン電極７、及びソース配線８を覆うように形成されている。層間絶縁膜９は、例えば、ＳｉＮなどの透明性無機絶縁膜から形成される。層間絶縁膜９の上には、平坦化膜１０が形成されている。平坦化膜１０は、ドレイン電極７、平坦化膜１０は、例えば、アクリル系樹脂などの透明性有機絶縁膜から形成される。平坦化膜１０のは、例えば、１〜３μｍの厚さで形成され、ゲート配線２、ゲート絶縁膜４、ソース配線８、及び層間絶縁膜９よりも十分厚く形成されている。この平坦化膜１０によって、ＴＦＴなどの段差が低減され、平坦化を図ることができる。さらに、平坦化膜１０の表面には、反射特性を向上するための凹凸パターン１０ａが形成されている。この凹凸パターン１０ａは、少なくとも、後述する反射部２１ａに形成されている。
【００３１】
平坦化膜１０の上には、透過画素電極１１が形成されている。透過画素電極１１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜によって形成されている。透過画素電極１１の上には、反射画素電極１２が形成されている。反射画素電極１２は、例えば、反射率の高い金属材料によって形成されている。具体的には、反射画素電極１２としてＡｌやＡｇなどの反射膜を用いることができる。反射画素電極１２は、透過画素電極１１の上に直接成膜されているため、反射画素電極１２と透過画素電極１１とは、導通している。この反射画素電極１２と透過画素電極１１によって、図１で示した画素電極２０５が形成される。すなわち、液晶２０３を駆動するための画素電極２０５は、透過画素電極１１と、その上に設けられた反射画素電極１２との２層から構成される。さらに、ドレイン電極７上の平坦化膜１０、及び層間絶縁膜９には、コンタクトホール１９が形成されている。このコンタクトホール１９を介して透過画素電極１１とドレイン電極７とが接続されている。また、反射画素電極１２と透過画素電極１１とが電気的に接続されているため、ＴＦＴ２０４がＯＮするとソース配線８からＴＦＴ２０４を介して、反射画素電極１２と透過画素電極１１とに同じ表示電圧が印加される。
【００３２】
ここで、透過画素電極１１は、画素５０の略全体に設けられている。一方。反射画素電極１２は、透過画素電極１１よりも若干大きなパターン形状となっているが、その一部に開口部１５が形成されている。この開口部１５では、平坦化膜１０が形成されていない。開口部１５は、矩形状に形成されている。この開口部１５では、反射画素電極１２が除去され、透過画素電極１１が露出している。すなわち、開口部１５では、反射膜からなる反射画素電極１２が設けられていない。よって、開口部１５がバックライトからの光を透過する透過部２１ｂとなる。一方、反射画素電極１２が設けられている箇所が、外光を反射する反射部２１ａとする。このように、本実施の形態にかかる液晶表示装置は、１画素内に外光を反射する反射部２１ａと、バックライトからの光を透過する透過部２１ｂと、が設けられている半透過型液晶表示装置である。また、開口部１５では、反射画素電極１２のみでなく平坦化膜１０、及び層間絶縁膜９も除去されている。すなわち、開口部１５では、基板１上に直接、透過画素電極１１が形成されている。このように、開口部１５において、平坦化膜１０等を除去することによって、透過部２１ｂと反射部２１ａとの間に所望のセルギャップ差を設けることが可能となる。
【００３３】
開口部１５は、図３に示すように、隣の画素５０のＴＦＴ２０４に接続されたゲート配線２と補助容量配線３との間に配置されている。すなわち、開口部１５は、画素５０内のＴＦＴ２０４から離れた側に配置されている。従って、開口部１５は、隣接するソース配線８と、補助容量配線３と、隣のゲート配線２との間に配置されている。そして、開口部１５は、画素５０において、傾いて配置されている。従って、開口部１５は、ゲート配線２、及びソース配線８の方向から傾いて設けられている。すなわち、矩形状の開口部１５は、ゲート配線２、及びソース配線８と所定の角度だけ傾いて配置されている。そして、開口部１５の辺がラビング方向と直交するように配置されている。従って、矩形状の開口部１５は、ラビング方向に垂直な方向の２辺と平行な方向の２辺とを有している。すなわち、ラビング方向に応じた角度だけ、開口部１５がソース配線８、及びゲート配線２から傾いて配置されている。換言すると、開口部１５の２辺が、ラビングローラ１００の円筒軸と平行になるよう配設されている。
【００３４】
ここで、図４に示すように、反射部２１ａにおける透過部２１ｂ側の境界近傍を境界部Ａとする。境界部Ａは開口部１５の周辺に配置される。開口部１５の周辺の境界部Ａでは、傾斜面が形成されている。反射部２１ａと透過部２１ｂとでは、ゲート絶縁膜４、層間絶縁膜９、平坦化膜１０、及び反射画素電極１２の厚さだけ段差がある。よって、開口部１５の周辺の境界部Ａには、ゲート絶縁膜４、層間絶縁膜９、平坦化膜１０、及び反射画素電極１２の合計厚さに応じた傾斜面が形成されている。この境界部Ａでは、開口部１５から離れるほど、表面が高くなる。なお、この境界部Ａ上においても反射画素電極１２が形成されているため、視認側から入射した外光を反射する。
【００３５】
このように、開口部１５の各辺が、ラビング方向と垂直又は平行に配置されている。そのため、境界部Ａをラビングローラ１００が通過する際、図５に示すように、傾斜面下方向への力の影響が小さく、境界部Ａ以外の箇所と同様にラビングすることができる。なお、図５は、図３に示す開口部１５のコーナー部近傍Ｅにおけるラビング処理を模式的に示す図である。境界部Ａではラビングローラ１００が一定の傾斜角度を持つ傾斜面を、傾斜面に沿って上るようラビングする。そのため、傾斜面下方向の力が一定となる。これにより、境界部Ａにおけるラビング方向のバラツキが低減される。従って、境界部Ａに対しても所定の方向にラビングすることができる。これにより、境界部Ａにおける配向不良の発生を防ぐことができる。特に、従来の液晶表示装置において、開口部１５のコーナー近傍での配向異常の発生を低減することができる。さらに、境界部Ａからの配向異常領域の広がりを低減することができる。そのため、透過部２１ｂを広げることにより開口率向上が可能となる。従って、液晶表示装置の表示品位を向上することができる。
【００３６】
実施の形態２．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について図６を用いて説明する。図６は、本実施の形態にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板２０１の画素構成を示す平面図である。本実施の形態にかかる液晶表示装置の基本的構成、及びラビング処理については、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。本実施の形態では、開口部１５の形状が実施の形態１と異なっている。ここで、図６（ａ）〜図６（ｃ）のそれぞれに、開口部１５の形状の例を示す。まず、図６（ａ）に示された構成について説明する。図６（ａ）に示す構成では、画素５０に直角三角形状の開口部１５が設けられている。ここで、三角形状の開口部１５の１辺がラビング方向と垂直となっている。そして、開口部１５のラビング方向と垂直な辺は、平坦化膜１０が設けられていない透過部２１ｂから平坦化膜１０が設けられている反射部２１ａにラビングローラ１００が乗り上げる箇所に配置されている。すなわち、ラビング処理において、ラビングローラ１００のラビング布１０１が透過部２１ｂを通過して反射部２１ａとなる箇所では、境界部Ａがラビング方向と垂直な方向になっている。このように、開口部１５のうち、ラビングローラ１００のラビング布１０１が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる１辺のみをラビング方向と垂直にしている。したがって、実施の形態１と同様に、実施の形態１と同様に、境界部Ａにおける傾斜面下方向の力によって発生する配向異常領域の広がりを低減することができる。
【００３７】
このように、本実施の形態では、開口部１５のうち、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる方向にラビングする箇所のみをラビング方向と垂直にしている。従って、開口部１５を矩形以外の形状にすることができる。すなわち、本実施の形態では、開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる１辺以外の辺を任意の傾きとすることができる。そのため、画素をさまざまな構成とすることができる。すなわち、本実施の形態では、特定の１辺のみをラビング方向と垂直にしている。なお、開口部１５の形状は三角形に限られるものではない。すなわち、境界部Ａのうち、平坦化膜１０が設けられていない透過部２１ｂから平坦化膜１０が設けられている反射部２１ａにラビングローラが乗り上げる箇所に、開口部１５のラビング方向と垂直な辺が配置されていればよい。したがって、平坦化膜１０が設けられている反射部２１ａから平坦化膜１０が設けられていない透過部２１ｂにラビングする箇所では、開口部１５の辺を任意の傾きとすることができる。これにより、ラビング方向のバラツキによって生じる配向異常を防ぐことができる。よって、表示品位の低下を防ぐことができる。
【００３８】
具体的には、開口部１５の形状を図６（ｂ）に示すように十字形とすることも可能である。さらに、開口部１５の形状を、図６（ｃ）に示すように、五角形とすることも可能である。この場合も、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる方向にラビングする箇所において、開口部１５の辺をラビング方向と垂直にしている。これにより、配向異常の発生を防ぐことができる。もちろん、開口部１５の形状は、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すものに限られるものではない。本実施の形態では、開口部１５を様々な形状にすることができるため、設計の自由度を高くすることができる。
【００３９】
実施の形態３．
本実施の形態にかかる液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板２０１の構成について図７を用いて説明する。図７は、ＴＦＴアレイ基板２０１の画素配列を示す平面図である。なお、液晶表示装置の基本的構成、及びラビング処理については、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。本実施の形態では、実施の形態１、２と画素の配列が異なっており、具体的には図７に示すように画素が配列されている。本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺から一定の傾きを有する画素５０がマトリクス状に配列されている。図７では、横４×縦２の８つの画素５０が示されている。なお、図７において、画素５０の符号に後に付したｒ、ｇ、ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色のカラーフィルターに対応する画素５０であることを示している。本実施の形態では、画素５０をラビング方向に対して傾けて配列している。すなわち、矩形状の画素５０がラビング方向と垂直な辺を備えている。このように、本実施の形態では、画素５０自体がラビング方向にと垂直に配列されている。ここで、開口部１５は、画素５０の各辺と平行に形成されている。すなわち、矩形状の開口部１５の辺は、画素５０を画定するゲート配線２、又はソース配線８と平行になっている。
【００４０】
したがって、開口部１５は、ラビング方向と垂直な方向の辺を有している。これにより、実施の形態１と同様に、境界部Ａにおける傾斜面下方向の力によって発生する配向異常領域の広がりを低減することができる。なお、本実施の形態では、例えば、ソース配線８、及びゲート配線２の方向をラビング方向に応じて決定すればよい。すなわち、ラビング方向に応じて、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺からゲート配線２、及びソース配線８を傾けて配置すればよい。具体的には、ソース配線８をラビング方向と平行に形成すればよい。そして、ゲート配線２が画素間を通るように、ゲート配線２を蛇行させて形成する。この蛇行したゲート配線２をラビング方向と垂直な方向に形成すればよい。また、画素５０の配列方向は、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺から傾いた方向となる。
【００４１】
このように、開口部１５の少なくとも１辺がラビング方向と垂直になるよう、ラビング方向に沿って画素５０が配列されている。さらに、開口部１５の辺のうち、開口部１５から平坦化膜１０の上に乗り上げる箇所の辺をラビング方向と垂直にする。実施の形態１、２では、画素５０に対して必要サイズの面積を確保することが困難になり、透過部２１ｂの面積が小さくなる可能性がある。また、透過部２１ｂの割合を高くしようとする場合、画素サイズによっては、開口部１５の辺をラビング方向に対して垂直な方向に形成できず、配向不良を起こす可能性がある。この問題を解消するため、本実施の形態では、画素５０の開口部１５の辺がラビング方向と垂直な方向になるように、画素５０の配列をラビング方向に沿った方向にしている。これにより、ラビングローラ１００が透過部２１ｂから平坦化膜１０と反射画素電極１２とに乗り上げる箇所では、ラビング方向が開口部１５の辺と垂直になるようラビング処理される。よって、境界部Ａでの配向異常が抑制される。また、透過部２１ｂの形状を変更しないため、画素サイズによる透過部２１ｂの面積低下が生じない。よって、画素５０における透過部２１ｂの割合を維持することができる。なお、本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板２０１の端辺から傾いた方向にラビングしている。
【００４２】
実施の形態４．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について図８を用いて説明する。図８は、ＴＦＴアレイ基板２０１の画素配列を示す平面図である。本実施の形態では、実施の形態３と異なる画素配列になっている。なお、液晶表示装置の基本的構成、及びラビング処理については、実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略する。図８では、横４×縦２の８つの画素５０が示されている。なお、図８において、画素５０の符号に後に付したｒ、ｇ、ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色のカラーフィルターに対応する画素５０であることを示している。本実施の形態では、実施の形態３と同様に、ラビング方向に応じて画素５０を傾けて配置している。すなわち、画素５０がラビング方向と垂直な辺を有している。さらに、本実施の形態では、１列目の画素５０と、２列目の画素５０との傾きを直交させている。すなわち、図８に示すように、１列目の画素では、実施の形態３と同じ方向に配列され、２列目の画素５０では、１列目の画素に対して９０°傾いて配列されている。１列目では、矩形状の画素５０の長辺がラビング方向に平行となり、２列目では、矩形状の画素５０の短辺がラビング方向と平行になっている。
【００４３】
このような構成とすることによって、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。すなわち、どの画素５０においても、開口部１５がラビング方向と垂直な辺を有している。そして、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０の上に乗り上げる箇所では、この垂直な辺を通過する。したがって、ラビング方向が開口部１５の辺と垂直になるようラビング処理され、境界部Ａでの配向異常が抑制される。これにより、表示品位を向上することができる。また、ラビング方向に応じて透過部２１ｂの形状を変更する必要がないため、画素サイズによる透過部２１ｂの面積低下が生じない。これにより、透過光の輝度を維持することができる。このように、開口部１５の少なくとも１辺がラビング方向と垂直になるよう、ラビング方向に沿って画素５０が配列されている。そして、開口部１５の辺のうち、開口部１５から平坦化膜１０の上に乗り上げる箇所の辺をラビング方向と垂直にする。
【００４４】
実施の形態５．
本実施の形態にかかる液晶表示装置の構成について図９〜図１１を用いて説明する。図９は、ＴＦＴアレイ基板２０１の画素構成を示す平面図である。図１０は、ＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す工程断面図である。図１１は、画素５０に設けられた開口部１５の角部Ｇを示す図である。なお、本実施の形態にかかる液晶表示装置の基本的構成、及びラビング処理は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。本実施の形態では、図９に示すように、開口部１５がラビング方向と垂直な辺を有していない。すなわち、本実施の開口部１５が画素に対して傾いておらず、開口部１５がゲート配線２、及びソース配線８と平行な辺を有している。
【００４５】
ここで、図１０（ｃ）に示すように、開口部１５の周辺の境界部Ｂにおいて、平坦化膜１０には凹凸形状１０ｂが形成されている。すなわち、開口部１５の周辺の傾斜面には、凹凸形状１０ｂが形成されている。ここで、凹凸形状１０ｂは、平坦化膜１０の表面に形成されている。境界部Ｂでは、凹凸形状１０ｂの上に、透過画素電極１１、及び反射画素電極１２が形成されている。従って、境界部Ｂの表面には、凹凸形状１０ｂに応じた凹溝１８が形成される。すなわち、開口部１５の周辺の傾斜面では、凹溝１８を有する凹凸が形成される。この凹凸は、平坦化膜１０の凹凸形状１０ｂに応じたパターンとなっている。すなわち、配向膜２０９の表面には凹溝１８に基づく凹凸が形成される。
【００４６】
ここで、凹凸形状１０ｂは、ラビング方向に沿って設けられている。従って、境界部Ｂにおける傾斜面には、図１１に示すように、凹溝１８がラビング方向と平行に形成されている。境界部Ｂでは、この凹溝１８を有する凹凸の上をラビングローラ１００が通過する。この凹溝１８に沿ってラビングすることによって、境界部Ｂでの配向不良を防ぐことができる。すなわち、境界部Ｂにおいて、傾斜面下方向への力によって生じるラビング方向のばらつきを低減することができる。これにより、ラビング布１０１の毛先の乱れを抑制し、配向異常による表示不良を低減することができる。
【００４７】
次に、図１０を用いて本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造工程について説明する。まず、基板１上に、スパッタ法などによってＡｌ、Ｔｉ、又はＣｒ等からなる第１の金属膜を成膜する。そして、写真製版工程等によって、レジストを露光、現像して、第１の金属膜をパターニングする。これにより、ゲート配線２、ゲート電極２ａ及び補助容量配線３が形成される。次に、プラズマＣＶＤ法等によって、ゲート配線２、ゲート電極２ａ及び補助容量配線３の上に、シリコン窒化膜等からなるゲート絶縁膜４、及びａ−Ｓｉ膜を成膜する。そして、写真製版工程によって、ａ−Ｓｉ膜をパターニングする。これにより、ＴＦＴとなる箇所に、島状の半導体層５のパターンが形成される。
【００４８】
そして、ゲート絶縁膜４、半導体層５の上に、Ｃｒ膜等からなる第２の金属膜をスパッタ法等によって成膜する。写真製版工程等によって第２の金属膜をパターニングする。これにより、ソース電極８ａ、ドレイン電極７、及びソース配線８が形成される。このとき、ドレイン電極７が補助容量配線３の一部と重複するようパターニングを行なう。これにより、補助容量が形成される。また、ここで、ＴＦＴのチャネル領域のオーミックコンタクト膜５ｂをエッチングする。次に、ソース電極８ａ、ドレイン電極７、及びソース配線８の上に、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜９を成膜する。層間絶縁膜９の上に、平坦化膜１０となる感光性樹脂膜を塗布する。これにより、ＴＦＴなどの段差が緩和され、図１０（ａ）に示す構成となる。なお、実施の形態１〜３においても、本実施の形態と同様の工程を用いている。
【００４９】
そして、写真製版工程によって、感光性樹脂膜をパターニングして、平坦化膜１０を形成する。開口部１５、コンタクトホール１９となる箇所では、平坦化膜１０が除去される。さらに、平坦化膜１０の表面には、凹凸パターン１０ａ、及び凹凸形状１０ｂが形成される。凹凸パターン１０ａは反射部２１ａに形成され、凹凸形状１０ｂは境界部Ｂの傾斜面に形成される。感光性樹脂膜の露光量を部分的に変化させることによって、平坦化膜１０の表面に凹凸パターン１０ａ、及び凹凸形状１０ｂを形成することができる。さらに、平坦化膜１０をマスクとして、ゲート絶縁膜４、及び層間絶縁膜９をエッチングする。これにより、開口部１５、コンタクトホール１９が形成され、図１０（ｂ）に示す構成となる。
【００５０】
凹凸パターン１０ａ、凹凸形状１０ｂ、開口部１５、及びコンタクトホール１９が形成された平坦化膜１０の上に、透過画素電極１１となる透明導電膜を成膜する。透明導電膜としては、例えば、ＩＴＯを用いることができる。そして、写真製版工程によって、レジスト塗布、露光、現像を行った後、透明導電膜をエッチングする。これにより、透明導電膜がパターニングされ、透過画素電極１１が形成される。透過画素電極１１は、コンタクトホール１９を介してドレイン電極７と接続される。また、平坦化膜１０が形成されていない開口部１５にも、透過画素電極１１が形成される。次に、透過画素電極１１の上に、Ａｌ等からなる反射膜を成膜する。そして、反射膜を同様にパターニングして、透過画素電極１１の上に、反射画素電極１２を形成する。この工程では、開口部１５に成膜された反射膜がエッチングされ、透過部２１ｂが形成される。これにより、図１０（ｃ）に示す構成となる。そして、反射画素電極１２の上に配向膜２０９を形成する。従って、平坦化膜１０に形成された凹凸形状１０ｂによって、開口部周辺の傾斜面に凹溝１８を有する凹凸が形成される。
【００５１】
ここで、反射部２１ａでは、反射画素電極１２が、凹凸パターン１０ａの上に形成されている。従って、反射画素電極１２の表面は粗くなる。よって、反射画素電極１２に入射した光は任意の方向に散乱して反射される。これにより、所望の散乱角度特性を得ることができ、表示品位を向上することができる。
【００５２】
さらに、境界部Ｂでは、透過画素電極１１、及び反射画素電極１２が凹凸形状１０ｂの上に形成されている。従って、凹凸形状１０ｂを有する下地の上に反射画素電極１２が形成され、傾斜面の表面に凹部と凸部が形成される。ここで、凹凸形状１０ｂは、ラビング方向に応じた方向にパターニングされている。これにより、境界部Ｂの表面に、ラビング方向と平行な凹溝１８を有する凹凸が形成される。これにより、配向異常を防ぐことができ、表示品位の低下を防ぐことができる。なお、凹凸形状１０ｂについては、境界部Ｂの全体に形成しなくてもよく、例えば、図１２に示すように、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる２辺のみに形成してもよい。すなわち、開口部１５の４辺うち、ラビングローラ１００が開口部１５から平坦化膜１０、及び反射画素電極１２に乗り上げる方向にラビングするコーナーを形成する２辺にのみ、凹凸形状１０ｂを設けても良い。これにより、開口部１５のコーナー部分近傍での配向異常の発生を防ぐことができる。さらに、本実施の形態では、平坦化膜１０の露光量を部分的に変えるだけで、凹凸形状１０ｂを形成することができる。よって、製造工程の増加を防ぐことができる。これにより、高い表示品位の液晶表示装置を生産性よく製造することができる。
【００５３】
実施の形態６．
本実施の形態にかかる液晶表示装置について、図１３を用いて説明する。図１３は、ＴＦＴアレイ基板の画素の製造工程を示す工程断面図である。本実施の形態では、実施の形態５と同様に、開口部１５がラビング方向と垂直な辺を有しておらず、開口部１５の周辺の境界部Ｂに凹凸が形成されている。しかしながら、本実施の形態では、実施の形態５と異なり、境界部Ｂにおいて、平坦化膜１０に凹凸形状１０ｂが形成されていない。すなわち、本実施の形態では、図１３（ｄ）に示すように、平坦化膜１０上に透過画素電極１１によってスリットパターン１１ａを設けて、境界部Ｂの傾斜面に凹凸を形成している。例えば、スリットパターン１１ａは、透過画素電極１１にラビング方向と平行なスリットによって形成される。また、複数のスリットパターン１１ａを、同じ方向に形成する。そして、スリットパターン１１ａを有する透過画素電極１１の上から反射画素電極１２を形成する。これにより、境界部Ｂの表面には、ラビング方向と平行な凹溝１８が形成される。すなわち、配向膜２０９の表面には凹溝１８を有する凹凸が形成される。よって、実施の形態５と同様に、配向異常の発生を防ぐことができる。
【００５４】
次に、ＴＦＴアレイ基板の製造工程について説明する。まず、層間絶縁膜９の上に平坦化膜１０を塗布する。これにより、図１３（ａ）に示す構成となる。なお、ここまでの工程は、実施の形態５で示した図１０（ａ）までの工程と同様であるため説明を省略する。そして、平坦化膜１０を露光、現像する。これにより、平坦化膜１０がパターニングされる。なお、本実施の形態では、境界部Ｂの平坦化膜１０に凹凸形状１０ｂを形成しないため、境界部Ｂにおける露光量を一定としている。一方、境界部Ｂ以外の反射部２１ａでは、実施の形態５と同様に、凹凸パターン１０ａを形成するため、露光量を変化させている。さらに、この工程で、開口部１５、及びコンタクトホール１９となる箇所では、平坦化膜１０を除去して層間絶縁膜９を露出させる。さらに、平坦化膜１０をマスクとして、層間絶縁膜９、及びゲート絶縁膜４をエッチングする。これにより、コンタクトホール１９、及び開口部１５が形成される。これにより、図１３（ｂ）に示す構成となる。
【００５５】
そして、平坦化膜１０の上に、透過画素電極１１となる透明導電膜をスパッタ法などによって成膜する。そして、写真製版工程によって、透明導電膜上にレジストを塗布し、露光、現像する。そして、レジストを介して透明導電膜をエッチングすることによって、透過画素電極１１が形成される。これにより、図１３（ｃ）に示す構成となる。ここで、透過画素電極１１は、境界部Ｂにおいてスリットパターン１１ａを有するようパターニングされる。すなわち、境界部Ｂの傾斜面では、透過画素電極１１にラビング方向と平行なスリットパターン１１ａが形成される。ここで、スリットパターン１１ａと、透過画素電極１１は導通している。
【００５６】
そして、スリットパターン１１ａが形成された透過画素電極１１の上に、反射画素電極１２となる反射膜を成膜する。反射膜としては、Ａｌ、又はＡｇなどの反射機能の高い金属材料を用いることができる。この反射膜を上記と同様にパターニングすることによって、反射画素電極１２が形成される。これにより、図１３（ｄ）に示す構成となる。そして、反射画素電極１２の上に配向膜２０９を形成する。従って、透過画素電極１１に形成されたスリットパターン１１ａによって、開口部周辺の傾斜面に凹溝１８を有する凹凸が形成される。
【００５７】
このように、透過画素電極１１をパターニングすることによって、境界部Ｂにスリットパターン１１ａが形成される。従って、境界部Ｂでは、反射画素電極１２にも、スリットパターン１１ａに応じて凹凸が形成される。これにより、境界部Ｂの表面に凹凸が形成される。従って、実施の形態５と同様に、配向異常の発生を防ぐことができる。さらに、本実施の形態では、透過画素電極１１にスリットパターン１１ａを設けるだけで、境界部Ｂの表面に凹凸を形成することができる。よって、透過画素電極１１のパターニング時にスリットパターン１１ａを形成することで、製造工程の増加を防ぐことができる。これにより、高い表示品位の液晶表示装置を生産性よく製造することができる。もちろん、本実施の形態においても、乗り上げる側の辺についてのみ凹溝１８を形成してもよい。
【００５８】
なお、本実施の形態では、透過画素電極１１にスリットパターン１１ａを設ける構成について説明したが、これに限るものではない。例えば、反射画素電極１２にスリットパターンを形成してもよい。この反射画素電極１２に設けられたスリットパターンによって、境界部Ｂの表面に凹凸を形成することができる。すなわち、反射画素電極１２に形成されたスリットパターンによって、開口部１５の周辺の傾斜面に凹溝１８を有する凹凸が形成される。よって、配向異常の発生を防ぐことができる。
【００５９】
なお、本発明は上述した実施の形態１〜６のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。さらに、実施の形態１〜６を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施の形態１にかかる液晶パネルの構成を模式的に示す断面図である。
【図２】実施の形態１にかかるラビング工程を示す図である。
【図３】実施の形態１にかかるＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す平面図である。
【図４】実施の形態１にかかるＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す断面図である
【図５】ＴＦＴアレイ基板の画素の境界部Ａでのラビング処理を模式的に示す図である。
【図６】実施の形態２にかかるＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す平面図である。
【図７】実施の形態３にかかるＴＦＴアレイ基板の画素配列を模式的に示す平面図である。
【図８】実施の形態４にかかるＴＦＴアレイ基板の画素配列を模式的に示す平面図である。
【図９】実施の形態５にかかるＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す平面図である。
【図１０】実施の形態５にかかるＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す工程断面図である。
【図１１】ＴＦＴアレイ基板の画素の境界部Ｂでのラビング処理を模式的に示す図である。
【図１２】実施の形態５にかかるＴＦＴアレイ基板の別の画素構造を模式的に示す平面図である。
【図１３】実施の形態６にかかるＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す工程断面図である。
【図１４】従来のＴＦＴアレイ基板の画素構造を模式的に示す平面図である。
【図１５】従来のＴＦＴアレイ基板の画素配列を模式的に示す平面図である。
【図１６】ＴＦＴアレイ基板の画素の境界部Ａでのラビング処理を模式的に示す図である
【符号の説明】
【００６１】
１  基板、２  ゲート配線、２ａ、ゲート電極、３  補助容量配線、４  ゲート絶縁膜、
５  半導体層、５ａ  半導体能動膜、５ｂ  オーミックコンタクト膜、
７  ドレイン電極、８  ソース配線、８ａ  ソース電極、９  層間絶縁膜、
１０  平坦化膜、１０ａ  凹凸パターン、１０ｂ  凹凸形状、１１  透過画素電極、
１１ａ  スリットパターン、１２  反射画素電極、１５  開口部、１８  凹溝、
１９  コンタクトホール、５０  画素、
１００  ラビングローラ、１０１  ラビング布、１０２  ステージ、
１０３  マザー基板、１０４  表示領域、２００  液晶パネル
２０１  ＴＦＴアレイ基板、２０２  対向基板、２０３  液晶、２０４  ＴＦＴ、
２０５  画素電極、２０６  コモン電極、２０７  カラーフィルタ、
２０８  ブラックマトリクス、２０９  配向膜
【図１】
2008003151.tif 000003
【図２】
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【図３】
2008003151.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008003151.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
2008003151.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2008003151.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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