(57)【要約】【課題】  配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって作製される高密度な半導体装置用基板を提供する。【解決手段】  絶縁基板１の裏面から表面まで、その絶縁基板１を貫通するように開口４を設ける。そしてその開口４を通して裏面側に露出されるめっき用給電線３を、エッチングによって除去する。そしてそのめっき用給電線３を除去した後、金めっき層１０の表面に貼り付けられた粘着フィルム１１を引き剥がすことで、その粘着フィルム１１と共に金めっき層１０およびニッケルめっき層９を確実に除去する。【選択図】  図３
2008066485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する線状配線を形成する工程と、少なくとも前記リードの表面にめっき層を形成するためのめっき処理を施す工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、
前記めっき処理に用いられる電解めっき用の電流を前記リードに供給するためのめっき用給電線を、前記リードに接続するように、前記めっき処理を施す工程以前に形成する工程と、
前記めっき処理を施した後、前記絶縁基板における前記めっき用給電線が形成されている部分の裏面側から、当該部分の絶縁基板および前記めっき給電線を除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する線状配線を形成する工程と、少なくとも前記リードの表面にめっき層を形成するためのめっき処理を施す工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、
前記めっき処理に用いられる電解めっき用の電流を前記リードに供給するためのめっき用給電線を、前記リードに接続するように、前記めっき処理を施す工程以前に形成する工程と、
前記めっき処理を施した後、前記絶縁基板における前記めっき用給電線が形成されている部分を当該絶縁基板の裏面側から除去して、前記めっき用給電線を露出させる開口を設ける工程と、
前記開口を通して、当該開口から露出している前記めっき用給電線をエッチングによって除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記めっき処理を施した後、前記めっき用給電線上に設けられためっき層の表面に粘着フィルムを貼り付ける工程と、
前記めっき用給電線を除去した後、前記粘着フィルムを前記絶縁基板上から引き剥がすことで、当該粘着フィルムと共に、前記めっき用給電線が存在していた位置に残留している部分のめっき層を除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する線状配線を形成する工程と、少なくとも前記リードの表面にめっき層を形成するためのめっき処理を施す工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、
前記めっき処理に用いられる電解めっき用の電流を前記リードに供給するためのめっき用給電線を、前記リードに接続するように、前記めっき処理を施す工程以前に形成する工程と、
前記めっき処理を施した後、前記絶縁基板における前記めっき用給電線が形成されている部分を当該絶縁基板の裏面側から除去して、前記めっき用給電線を露出させる開口を設ける工程と、
前記めっき用給電線上に設けられためっき層の表面に粘着フィルムを貼り付ける工程と、
前記開口を通して、当該開口から露出している前記めっき用給電線をエッチングによって薄肉化する工程と、
前記粘着フィルムを前記絶縁基板上から引き剥がして、当該粘着フィルムと共に、前記薄肉化されためっき用給電線および当該めっき用給電線上のめっき層を除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記絶縁基板および前記めっき給電線を除去する工程、または前記開口を設ける工程を、レーザビーム照射によって行う
ことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁基板と、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有して前記絶縁基板の表面に設けられた線状配線と、前記リードの先端における前記半導体チップに接続される所定部位に電解めっきによって形成されためっき層とを有し、かつ前記めっき層を形成してなるリード先端が前記絶縁基板上で所定寸法の矩形領域の周囲を取り囲むように前記線状配線を複数配列形成してなる半導体装置用基板において、
前記絶縁基板における前記矩形領域の直下に開口が設けられており、かつ前記開口の縦方向または横方向のうち少なくともいずれか一方の寸法が２００μｍ未満の大きさである
ことを特徴とする半導体装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路チップのような半導体装置に接続されるためのリードを有する線状配線を絶縁基板の表面に設け、そのリード先端部分に金めっきのようなめっき層を形成する工程を含んだ導体装置用基板の製造方法、およびそれによって製造される導体装置用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁基板上に導体パターンを形成し、そのリード（インナーリードとも呼ばれる）に半導体チップを接続してなる構造の半導体装置においては、一般に、外部のプリント配線板等に対してアウターリードまたは接続パッドもしくは接続ピンなどを接続するために、はんだ付けが用いられている。はんだ付けは、プリント配線板の端子やパッドに対する半導体装置のアウターリードの電気的および機械的な接続を同時に実現することが可能であり、かつ簡易な工程で行うことが可能であることから、現在、広く用いられている。
【０００３】
しかし、プリント配線板上の端子やパッドの表面は、はんだ付けに適した材質であるとは限らない。例えばタングステン等の高融点金属で形成されている場合には、はんだ付けによる接合が実質的に不可能である。あるいは接合部位が酸化している場合にも、はんだ付けによる安定した接合を得ることは困難となる。また、半導体装置の内部における、インナーリードと半導体チップの接続パッド等との間での接合についても、上記と同様の原因から接合上の不都合が生じる場合がある。
このような接合の不安定化や不確実化といった不都合は、例えばポリイミドフィルムのような絶縁基板上に導体パターンを設けた配線基板に半導体チップを搭載してなるフィルムキャリア方式と呼ばれるような半導体装置およびその製造方法においても同様である。そして近年では、半導体装置のさらなる小型化・高密度化が進められており、それに対応するために、フィルムキャリア方式の半導体装置における接合の安定化を実現することが、さらに強く要請されるようになってきている。
【０００４】
そこで、半導体チップ搭載時の接合の安定化を図るために、配線基板上の表面の端子やパッドに金めっきを施して、その接合部位の酸化を防ぐことが行われている。またその下地めっきとしてニッケルめっき等を施すようにしている。しかし、特に高密度配線基板については、高密度配線回路を形成した後にめっき用給電線を形成することはできない。このため、無電解めっきを採用するか、あるいは高密度配線と同時にめっき用給電線を形成しておき、それを用いて電解めっきを行って、下地めっき層および金めっき層等を形成するようにしている。無電解めっきは一般に、めっき液やプロセス条件等の管理が煩雑で、形成される皮膜の品質が不安定になる傾向があり、またそのプロセスに時間が掛かる傾向にあるので製造コストが高くなるなど、不利な特質を有している。このため、めっき層の形成には電解めっきが採用されることが多い。
【０００５】
ところが、電解めっきの場合、半導体装置の動作信号の高周波化が進むにつれて、めっき用給電線が半導体装置の製品としての電気的動作特性に大きな悪影響を与える可能性が指摘されている。例えば、めっき用給電線の存在が原因となって、線状配線に入出力される信号に反射が生じたり、配線回路全体に対して無視できない寄生容量が生じるなどして、半導体装置の内部における配線回路全体のインピーダンスコントロール特性が阻害される虞がある。
このため、めっき用給電線は、金めっきを行った後に除去されることが必要となる。その最も簡易な除去方法としては、絶縁基板に貫通穴を穿つことが許容されるのであれば、例えば精密金型を用いたパンチングによって、めっき用給電線を打ち抜いて除去する、ということなどが可能である。
【０００６】
また、エッチングによってめっき用給電線を除去するという方法も提案されている（特許文献１参照）。あるいは、そのようなエッチングを行わずに、あらかじめ貼り付けておいた絶縁フィルム上にめっき用給電線を形成し、めっき完了後にその絶縁フィルムを引き剥がすことによって、めっき用給電線を除去するという方法なども提案されている（特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１０１１９５号公報
【特許文献２】特開２００６−３２５８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような従来の技術によるめっき用給電線の除去方法では、次のような問題がある。
【０００９】
パンチングによる打ち抜きには精密金型等を用いるが、その金型は、加工精度や耐久性等の制約上、打ち抜き幅が最小でも約２００μｍ以上は必要となる。このため、半導体装置の内部における配線のさらなる高密度化が阻害されてしまう。
【００１０】
また、エッチングによってめっき用給電線を除去する方法では、一度のエッチング工程でそれを行うためには、例えば配線回路本体の銅合金と、下地めっき層のニッケルと、仕上げめっき層の金と、のように、複数種類の金属の全てに適応したエッチングを行うことが必要となる。このため、最適条件を設定することが極めて困難なものとなる。あるいは個々の金属ごとにそれぞれ最適なエッチングプロセスを行うようにすると、このめっき用給電線を除去する工程が極めて煩雑なものとなってしまう。また、このエッチング工程で使用するエッチャントが実装端子等に触れることとなるので、その実装端子等の表面が酸化して接合強度の低下を引き起こす虞もある。このような種々の要因から、エッチングによって例えば２００μｍ未満のような微細なめっき用給電線およびその表面の金めっき層等を精確かつ確実に除去することは、実質的に極めて困難ないしは不可能であった。
【００１１】
また、剥離可能な絶縁フィルム上にめっき用給電線を形成する方法では、絶縁フィルムに配線しない部分に対して精確に穴を開ける加工が必要となり、かつフィルムの貼り付けの際に高精度な位置合わせが要求されるなど、製造プロセスおよびその設定条件が煩雑かつ困難なものとなるという問題がある。さらには、絶縁フィルムを剥がす際に、その絶縁フィルム上の配線を絶縁基板上の配線から確実に切断（せん断）できなければならないが、そのためには配線を薄く形成せざるを得なくなって、絶縁フィルム側の配線の幅や厚さが著しく制約され、このことに起因して、配線の高密度化やインピーダンスコントロール特性の良好性が阻害されるという問題がある。
【００１２】
このように、従来の高密度配線を有する半導体装置用基板の製造方法では、いずれも、製造プロセスを煩雑なものとすることなく、また配線の高密度化を阻害することなしに、確実にめっき用給電線の除去を行うことは、実際上極めて困難ないしは不可能であった。
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって製造される高密度な半導体装置用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の半導体装置用基板の製造方法は、絶縁基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する線状配線を形成する工程と、少なくとも前記リードの表面にめっき層を形成するためのめっき処理を施す工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、前記めっき処理に用いられる電解めっき用の電流を前記リードに供給するためのめっき用給電線を、前記リードに接続するように、前記めっき処理を施す工程以前に形成する工程と、  前記めっき処理を施した後、前記絶縁基板における前記めっき用給電線が形成されている部分の裏面側から、当該部分の絶縁基板および前記めっき給電線を除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の第２の半導体装置用基板の製造方法は、絶縁基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する線状配線を形成する工程と、少なくとも前記リードの表面にめっき層を形成するためのめっき処理を施す工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、前記めっき処理に用いられる電解めっき用の電流を前記リードに供給するためのめっき用給電線を、前記リードに接続するように、前記めっき処理を施す工程以前に形成する工程と、前記めっき処理を施した後、前記絶縁基板における前記めっき用給電線が形成されている部分を当該絶縁基板の裏面側から除去して、前記めっき用給電線を露出させる開口を設ける工程と、前記開口を通して、当該開口から露出している前記めっき用給電線をエッチングによって除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の第３の半導体装置用基板の製造方法は、第1または第2の半導体装置用基板の製造方法において、前記めっき処理を施した後、前記めっき用給電線上に設けられためっき層の表面に粘着フィルムを貼り付ける工程と、前記めっき用給電線を除去した後、前記粘着フィルムを前記絶縁基板上から引き剥がすことで、当該粘着フィルムと共に、前記めっき用給電線が存在していた位置に残留しているめっき層を除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の第４の半導体装置用基板の製造方法は、絶縁基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する線状配線を形成する工程と、少なくとも前記リードの表面にめっき層を形成するためのめっき処理を施す工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、前記めっき処理に用いられる電解めっき用の電流を前記リードに供給するためのめっき用給電線を、前記リードに接続するように、前記めっき処理を施す工程以前に形成する工程と、前記めっき処理を施した後、前記絶縁基板における前記めっき用給電線が形成されている部分を当該絶縁基板の裏面側から除去して、前記めっき用給電線を露出させる開口を設ける工程と、前記めっき用給電線上に設けられためっき層の表面に粘着フィルムを貼り付ける工程と、前記開口を通して、当該開口から露出している前記めっき用給電線をエッチングによって薄肉化する工程と、前記粘着フィルムを前記絶縁基板上から引き剥がして、当該粘着フィルムと共に、前記薄肉化されためっき用給電線および当該めっき用給電線上のめっき層を除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の第５の半導体装置用基板の製造方法は、上記第１ないし４のうちいずれかに記載の半導体装置用基板の製造方法において、前記絶縁基板および前記めっき給電線を除去する工程、または前記開口を設ける工程を、レーザビーム照射によって行うことを特徴としている。
【００１８】
本発明の半導体装置用基板は、絶縁基板と、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有して前記絶縁基板の表面に設けられた線状配線と、前記リードの先端における前記半導体チップに接続される所定部位に電解めっきによって形成されためっき層とを有し、かつ前記めっき層を形成してなるリード先端が前記絶縁基板上で所定寸法の矩形領域の周囲を取り囲むように前記線状配線を複数配列形成してなる半導体装置用基板において、前記絶縁基板における前記矩形領域の直下に開口が設けられており、かつ前記開口の縦方向または横方向のうち少なくともいずれか一方の寸法が２００μｍ未満の大きさであることを特徴としている。
【００１９】
すなわち本発明の第１の半導体装置用基板の製造方法では、絶縁基板の裏面側からめっき用給電線およびそれが形成されていた部分の絶縁基板が除去される。
【００２０】
また、本発明の第２の半導体装置用基板の製造方法では、絶縁基板の裏面から表面まで、その絶縁基板を貫通するように開口が設けられる。そしてその開口を通して裏面側に露出されるめっき用給電線がエッチングによって除去される。
【００２１】
また本発明の第３の半導体装置用基板の製造方法では、めっき用給電線の除去後にめっき層が残留する場合に、めっき用給電線を除去した後、っき層の表面に貼り付けられた粘着フィルムを引き剥がすことで、その粘着フィルムと共に、めっき用給電線上に形成されためっき層が除去される。
【００２２】
また、第４の半導体装置用基板の製造方法では、開口を通して絶縁基板の裏面側からめっき用給電線を薄肉化した後に、粘着フィルムを引き剥がすことで、その粘着フィルムと共に、薄肉化されためっき用給電線とその表面上に設けられているめっき層とが除去される。
【００２３】
また、本発明の第５の半導体装置用基板の製造方法では、めっき用給電線を除去する工程、または開口を設ける工程を、レーザビーム照射によって行うことで、その除去または開口の形成を高精度に行うことが可能となる。
【００２４】
本発明の半導体装置用基板では、上記のような製造方法によって、リード先端によって囲まれた矩形領域の直下に、縦方向または横方向のうち少なくともいずれか一方の寸法が２００μｍ未満の大きさである開口が設けられており、この半導体装置用基板の内部における配線の高密度化を実現可能な構成となっている。そしてその開口の存在によって半導体チップの電極およびその付近に封止剤樹脂をスムースに流し込むことが可能となり、その封止剤樹脂における気泡の混入やボイドの発生等を回避することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことが可能な半導体装置用基板の製造方法を提供することができる。また、それによって高密度な半導体装置用基板を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法、およびそれによって製造される半導体装置用基板について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造工程における、めっき層形成後〜めっき用給電線の除去前の状態を示す平面図である。図２は、図１に示した状態に引き続いて、粘着フィルムの引き剥がしと共にめっき層およびめっき用給電線を除去した後の状態を示す平面図である。図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法における主要工程を時系列的に並べて示す断面図である。
【００２７】
この製造方法によって作製される半導体装置用基板は、図２および図３（ｈ）に示したように、絶縁基板１と、線状配線２と、めっき用給電線３と、開口４と、実装端子５と、リード６と、ニッケルめっき層９と、金めっき層１０とを、その主要部として備えている。
【００２８】
線状配線２は、絶縁基板１の表面上に形成された配線パターンであり、その一端には外部接続用の実装端子５を有すると共に、他端には半導体チップ（図示省略）接続用のリード６とを有している。そのリード６の先端における半導体チップに接続される所定部位には、電解めっきによってニッケルめっき層９および金めっき層１０が形成されている。そのリード６の先端は絶縁基板１上で所定寸法の矩形領域７の周囲を取り囲むように配列形成されている。そして絶縁基板１における矩形領域７の直下を含みそれよりも若干広い部分に開口４が設けられている。その開口４の縦方向または横方向のうち少なくともいずれか一方の寸法は、２００μｍ未満の大きさに形成されている。このような半導体装置用基板は、次のような製造工程によって作製される。
【００２９】
まず、絶縁基板１を用意する。この絶縁基板１としては、例えば５０μｍ程度の厚さのポリイミド系材料からなるキャリアテープを用いることができる。この絶縁基板１の表面（おもてめん）上に、３０μｍ程度の厚さの銅箔８を貼り合せる（図３（ａ））。
この貼り合わせには、接着剤を用いる方法や、絶縁基板１の表面粗度を所定の値に調整した後、その表面に銅箔積層材を熱圧着する方法などが適用可能である。
その銅箔８の表面に、所望の電気回路のパターニングを施し、サブトラクティブ法（フォトエッチング法等）によって、線状配線２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６等を所望のパターンに形成する（図３（ｂ））。このとき、めっき用給電線３は全てのリード６の先端に接続する（連続する）パターンとして矩形領域７内に形成される。
【００３０】
続いて、形成された線状配線２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６の表面に、電解めっきによって、下地層としてニッケルめっき層９を５〜１０μｍ程度の厚さに形成し（図３（ｃ））、さらにその上ほぼ全面に、金めっき層１０を０．５〜２μｍの厚さに形成する（図３（ｄ）、および図１）。この電解めっき工程で用いられる電流は、めっき用給電線３を介して供給される。
【００３１】
その後、絶縁基板１における、上記の線状配線２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６等が形成されたいわゆる配線面側である表面（おもてめん）のほぼ全面に、接着剤が塗布されて適正な引き剥がし粘着力を備えた粘着フィルム１１を貼り付ける（図３（ｅ））。この粘着フィルム１１の適正な粘着力としては、次のようなものとすることが望まれる。すなわち、銅箔８からなる線状配線２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６等の表面上に付着しているニッケルめっき層９および金めっき層１０に対しては、この粘着フィルム１１を絶縁基板１上から引き剥がしても、それらニッケルめっき層９および金めっき層１０が剥がれることなく、かつ、開口４の上に位置する部分の（後述する図３（ｇ）に示すような、めっき用給電線３が下層には存在していない状態の）ニッケルめっき層９および金めっき層１０に対しては、この粘着フィルム１１を絶縁基板１上から引き剥がす際に、それらニッケルめっき層９および金めっき層１０が確実に引き剥がされることができるようなものであることが望ましい。そのような粘着フィルム１１としては、例えば、ポリ塩化ビニルフィルムにアクリル系粘着層を貼り合わせたもの（図示省略）などが適用可能である。
【００３２】
粘着フィルム１１を貼り付けた後、絶縁基板１の裏面の所定位置に、例えばＣＯ２レーザー光を、所望の微細加工が可能なビーム径に絞るなどして、ビームスポットとして照射・走査し、その絶縁基板１の裏面から表面へと貫通する開口４を絶縁基板１に穿ち設ける（図３（ｆ））。このとき、照射するレーザービームの出力や照射深度等の諸条件を調節することで、絶縁基板１を貫通するまでは開口４を掘り進めるが、リード６（銅箔８）の裏面までは開口４を掘り進めないようにすることができる（換言すれば、この段階では銅箔８には開口４を開けないようにすることができる）。
このようにして、多数配列形成されたリード６の先端によって囲まれる所定の大きさの矩形領域７内に存在しているめっき用給電線３の直下（より詳細には、それよりも若干広い領域）に、２００μｍ未満のような所望の微細な寸法および精密な加工精度の開口４を設けることができる。この開口４を通して、銅箔８からなるめっき用給電線３の裏面が、絶縁基板１の裏面側に向かって露出される。
【００３３】
この開口４を穿設する工程では、レーザービームを絶縁基板１の裏面から照射しているので、そのレーザービーム自体やその照射によって周囲に拡散される熱エネルギが直接的にニッケルめっき層９や金めっき層１０の材質を劣化させる虞は極めて少ない。またリード６の材質や形状に対して悪影響を与える虞も殆どない。この点も本実施の形態の製造方法における利点の一つである。
【００３４】
続いて、上記の開口４を通して、その開口４から露出している銅箔８の一部分つまりめっき用給電線３を、エッチングによって除去する。このとき、めっき用給電線３の除去部１２が空所となるので、その上に形成されていたニッケルめっき層９および金めっき層１０は、あたかも宙に浮いたような状態で残留していることとなる（図３（ｇ））。
【００３５】
そして、その金めっき層１０の表面を含めて絶縁基板１の表面ほぼ全面に貼り付けられている粘着フィルム１１を、絶縁基板１の表面から全面的に引き剥がす。このとき、ニッケルめっき層９および金めっき層１０は、引き剥がされる粘着フィルム１１の粘着力によって、その粘着フィルム１１に伴われて絶縁基板１から除去される（図３（ｈ）、および図２）。
【００３６】
この粘着フィルム１１の引き剥がしによるニッケルめっき層９および金めっき層１０の除去工程では、粘着フィルム１１の粘着力だけで確実にニッケルめっき層９および金めっき層１０を除去することができる。何故なら、それが可能であるように粘着フィルム１１の粘着特性をあらかじめ設定しているからである。また、ニッケルめっき層９および金めっき層１０のような貴金属めっき層は一般に、材料コストが極めて高価なものであることから、リード６の先端領域１３における接合効果や線状配線２の表面の保護効果等を損なわない範囲内で可能な限り薄く形成される傾向にある。このため、ニッケルめっき層９および金めっき層１０のせん断強度は、粘着フィルムの引き剥がしの際に掛かるせん断力によって容易に屈服する程度の大きさとなっている場合が殆どだからである。このように、本実施の形態に係る製造方法では、めっき層の材料力学的なせん断強度を巧く利用して、粘着フィルム１１を引き剥がす際の粘着力によってニッケルめっき層９および金めっき層１０を確実かつ簡易に除去することが可能となっている。
【００３７】
以上のようにして、この半導体装置用基板の配線の高密度化を阻害することなく、めっき用給電線３およびその表面上に形成されたニッケルめっき層９ならびに金めっき層１０を、簡易かつ確実に完全除去することができる。ひいては、めっき用給電線３の存在に起因して生じていたインピーダンスコントロール特性の悪化を解消することが可能となる。
【００３８】
しかも、そのような本実施の形態に係る製造方法によって、高密度化を阻害することなく作製された半導体装置用基板は、リード６の先端によって囲まれた矩形領域７の直下すなわち半導体チップが配置される部位の直下に、絶縁基板４の表面から裏面へと通じる開口４が形成されているので、この開口４を通して、例えば粘性液体状の熱硬化型エポキシ樹脂などからなる封止剤樹脂を半導体チップの電極およびその付近へとスムースに流し込むことが可能となり、その封止剤樹脂における気泡の混入やボイドの発生等を回避して確実な封止を実現することができる。
【００３９】
なお、上記実施の形態では、配線構造を１層の場合に限って説明したが、２層以上の多層配線構造の場合にも本発明を適用可能であることは勿論である。その場合には、ビア等によって多層配線間を接続することで、電解めっき工程での給電を上記同様に行うことができる。
【００４０】
また、上記実施の形態では、粘着フィルム１１を絶縁基板１の表面ほぼ全面に貼り付けるようにしたが、この粘着フィルム１１は、めっき用給電線３の表面上のみに貼り付けるようにしてもよい。あるいはめっき用給電線３の表面上を含む所定の面積内に限定的に貼り付けるようにしてもよい。
【００４１】
また、開口４を通して、エッチングまたはレーザービーム照射によって、めっき用給電線３を薄肉化し、その後、粘着フィルム１１を引き剥がして、その粘着フィルム１１と共に、薄肉化されためっき用給電線３およびその表面上のニッケルめっき層９ならびに金めっき層１０を一括して除去するようにしてもよい。
【００４２】
あるいは、上記実施の形態ではレーザービーム照射によって絶縁基板１を貫通するように開口４を穿ち設け、その開口4の深さをめっき用給電線３の裏面で止めるようにしたが、開口４を穿設する深さはこれのみには限定されない。この他にも、例えばレーザービーム照射を、絶縁基板１に開口４を貫通させた後にもさらに進めて行き、めっき用給電線３もそのレーザービーム照射によって除去するようにし、かつそのめっき用給電線３の除去に伴って、ニッケルめっき層９および金めっき層１０が除去されるようにすることなども、さらなるバリエーションとして可能である。
または、めっき用給電線３をレーザービームによって除去し、かつその後、宙に浮いた状態のニッケルめっき層９および金めっき層１０を粘着フィルム１１の引き剥がしによって除去するようにしてもよい。もしくは、レーザービーム以外にも、たとえば電子ビームのようなエネルギービームを照射して開口4を設けるようにすることなども可能である。もしくは、薬剤等を用いて絶縁基板1における該当部位に開口４を設けるようにすることなども、さらなるバリエーションとして可能である。
【００４３】
また、本発明の半導体装置用基板の製造方法は、開口４の寸法が２００μｍ以上の場合にも適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造工程における、めっき層形成後〜めっき用給電線の除去前の状態を示す平面図である。
【図２】図１に示した状態に引き続いて、粘着フィルムの引き剥がしと共にめっき層およびめっき用給電線を除去した後の状態を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法における主要工程を時系列的に並べて示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１    絶縁基板
２    線状配線
３    めっき用給電線
４    開口
５    実装端子
６    リード
７    矩形領域
８    銅箔
９    ニッケルめっき層
１０  金めっき層
１１  粘着フィルム
１２  除去部
【図１】
2008066485.tif 000003
【図２】
2008066485.tif 000004
【図３】
2008066485.tif 000005