(57)【要約】【課題】信頼性の高く、かつ大幅な製造コストの低減を可能にする半導体モジュールの提供することを目的とする。【解決手段】リードフレームは外周周辺部と該外周周辺部の内側に形成されてなる配線パターン部と、該外周周辺部と配線パターンを連結する連結部で構成されてなり、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップを搭載するＩＣチップボンディング部が存在し、該ＩＣチップのボンディング部にはＩＣチップがフェイスダウン実装されてなり、該配線パターン部の他方の面には外部接続端子部が存在し、上記のＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形用金型内に挿入し、インサート成形により、該配線パターンの他方の面に形成されている外部接続端子部を除く全ての表面を樹脂で覆うようにしたことを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームは外周周辺部と該外周周辺部の内側に形成されてなる配線パターン部と、該外周周辺部と配線パターンを連結する連結部で構成されてなり、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップを搭載するＩＣチップボンディング部が存在し、該ＩＣチップのボンディング部にはＩＣチップがフェイスダウン実装されてなり、該配線パターン部の他方の面には外部接続端子部が存在し、上記のＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形用金型内に挿入し、インサート成形により、該配線パターンの他方の面に形成されている外部接続端子部を除く全ての表面を樹脂で覆うようにしたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
上記の配線パターン部の他方の面に形成された外部接続端子部は、該外部接続端子部を除く該配線パターンの高さよりも高くなっており、インサート成形後の該回路該外部接続端子部の面と該外部接続端子部を除く該配線パターンの樹脂で覆われた面とが同一の平面状になっていることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項３】
リードフレームは外周周辺部と該外周周辺部の内側に形成されてなる配線パターン部と、該外周周辺部と配線パターンを連結する連結部で構成されてなり、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップを搭載するＩＣチップボンディング部が存在し、該ＩＣチップのボンディング部にはＩＣチップがフェイスダウン実装されてなり、該配線パターン部の他方の面には複数の外部接続端子部が存在し、該複数の外部接続端子部のそれぞれは、該外部接続端子の外周部は該外部接続端子を除く該配線パターンと同一面上に形成されてなり、該外部接続端子の外周部の内側は該外周部よりも凸になっており、少なくとも該配線パターンの他方の面は該外部接続端子の内周部を除いて樹脂フイルムで覆われており、上記のＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形用金型内に挿入し、インサート成形により、該配線パターンの一方の面の全ての表面を樹脂で覆うようにしたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項４】
上記の該樹脂フイルムの高さは該外部接続端子の内週部の高さを越えないものとすることを特徴とする請求項３記載の半導体モジュール。
【請求項５】
リードフレームはフープ状の板材に複数連続して形成されてなり、該リードフレームは外周周辺部と該外周周辺部の内側に形成されてなる配線パターン部と、該外周周辺部と配線パターンを連結する連結部で構成されてなり、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップを搭載するＩＣチップボンディング部が形成され、該配線パターン部の他方の面には外部接続端子が形成され、該外部接続端子部は該外部接続端子部を除く該配線パターンの高さよりも高くなっており、上記の構造のリードフレームをプレス・鍛造加工により製造する工程、次に、該リードフレームに錫めっきを、更に、該配線パターンの他方の面の該外部瀬悦族端子部のみに金めっきをする工程、次に、該リードフレームの一方の面の形成されたＩＣチップボンディング部にＩＣチップをフェイスダウンボンディングする工程、次に、上記のＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形用金型内に挿入し、インサート成形により、該配線パターンの他方の面に形成されている外部接続端子部を除く全てのリードフレーム表面の露出された表面を樹脂で覆うようにする工程、次に、該リードフレームの連結部を切断する工程からなることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項６】
リードフレームは外周周辺部と該外周周辺部の内側に形成されてなる配線パターン部と、該外周周辺部と配線パターンを連結する連結部で構成されてなり、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップを搭載するＩＣチップボンディング部が形成され、該配線パターン部の他方の面には複数の外部接続端子部が存在し、該複数の外部接続端子部のそれぞれは、該外部接続端子の外周部が該外部接続端子を除く該配線パターンと同一面上に形成されてなり、該外部接続端子の外周部の内側は該外周部よりも凸になっており、上記の構造のリードフレームをプレス・鍛造加工により製造する工程、次に、該リードフレームの他方の面に該外部接続端子の内周部を除いて樹脂フイルムを貼付する工程、次に、該外部接続端子部に金属めっきを施す工程、次に、該リードフレームの一方の面の形成されたＩＣチップボンディング部にＩＣチップをフェイスダウンボンディングする工程、次に、上記のＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形用金型内に挿入し、該配線パターンの他方の面に形成されている外部接続端子部を除く該配線パターンの一方の面全てを樹脂で覆うようにするインサート成形工程、次に、該リードフレームの連結部を切断する工程からなることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にＩＣチップを搭載した半導体モジュールの製造方法、及びその半導体モジュールに関するものである。基板の一方の面にＩＣチップが搭載され、基板の他方の面には外部接続端子が形成されている半導体モジュールの製造方法、及びその半導体モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板の一方の面に半導体モジュールが搭載され、基板の他方の面に外部接続端子が形成されてなる半導体モジュールの製造方法としては、基板の両面に配線パターンが形成され、両面に形成された回路パターンは基板の一方の面に回路パターンが形成され、基板の両面に形成された回路パターンはスルホールを介して電気的に接続されている半導体モジュールが知られている。
また、配線パターンが形成されたリードフレームを金型内に挿入し、射出成形によりインサート成形を行い、該リードフレームの一方の面に形成されたボンディング部と該リードフレームの他方の面に形成された外部接続端子には樹脂を被覆しないようにし、インサート成形後、ＩＣチップを搭載し、該ＩＣチップとボンディング部をワイヤーボンディング法で電気的に接続するものである（例えば特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−２８１５０５号公報（図４(ａ)、(ｂ)、及び図５参照。）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記の従来技術の前者は、絶縁性基板の両面に回路配線を形成していること、及び基板の両面の形成されたスルホールを介して電気的に接続しているので、製造コストが高いという問題点を有する。
また、後者の従来技術は、インサート成形後、ＩＣチップをボンディングしているので、ＩＣチップを覆うことが必要になり、コストが高くなってしまうという問題点を有する。
【０００４】
そこで、本発明は上述した点に鑑み、信頼性の高い半導体モジュール提供と上記の従来技術に比べて、大幅な製造コストの低減を可能にする半導体モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明の半導体モジュールは、リードフレームは外周周辺部と該外周周辺部の内側に形成されてなる配線パターン部と、該外周周辺部と配線パターンを連結する連結部で構成されてなり、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップを搭載するＩＣチップボンディング部が存在し、該ＩＣチップのボンディング部にはＩＣチップがフェイスダウン実装されてなり、該配線パターン部の他方の面には外部接続端子部が存在し、上記のＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形用金型内に挿入し、インサート成形により、該配線パターンの他方の面に形成されている外部接続端子部を除く全ての表面を樹脂で覆うようにしたことを特徴とする。
【０００６】
上記の本発明の半導体モジュールは、ＩＣチップはリードフレームに直接フェイスダウンボンディングし、ＩＣチップを搭載したリードフレームを射出成形によるインサート成形により、ＩＣチップを搭載したリードフレームを樹脂で覆うことが出来るので、大幅なコスト低減された半導体モジュールの提供が可能となる。また、ＩＣチップの実装面は樹脂が充填され、空気層が出来ないので信頼性の高い半導体モジュールの提供が可能になる。
【０００７】
更に、本発明の半導体モジュールは、上記の請求項１において、上記の配線パターン部の他方の面に形成された外部接続端子部は、該外部接続端子部を除く該配線パターンの高さよりも高くなっており、インサート成形後の該回路該外部接続端子部の面と該外部接続端子部を除く該配線パターンの樹脂で覆われた面とが同一の平面状になっていることを特徴とする。
【０００８】
上記の本発明の半導体モジュールは、リードフレームの他方の面は外部接続端子面を除き、樹脂フイルムで覆われ、かつフラットな面になっているので、インサート成形ではリードフレームの一方の面側に樹脂を充填すればよいので、インサート成形が容易となる。
【０００９】
更に、本発明の半導体モジュールは、リードフレームは外周周辺部と該外周周辺部の内側に形成されてなる配線パターン部と、該外周周辺部と配線パターンを連結する連結部で構成されてなり、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップを搭載するＩＣチップボンディング部が存在し、該ＩＣチップのボンディング部にはＩＣチップがフェイスダウン実装されてなり、該配線パターン部の他方の面には複数の外部接続端子部が存在し、該複数の外部接続端子部のそれぞれは、該外部接続端子の外周部が該外部接続端子を除く該配線パターンと同一面上に形成されてなり、該外部接続端子の外周部の内側は該外周部よりも凸になっており、少なくとも該配線パターンの他方の面は該外部接続端子の内周部を除いて樹脂フイルムで覆われており、上記のＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形用金型内に挿入し、インサート成形により、該配線パターンの一方の面の全ての表面を樹脂で覆うようにしたことを特徴とする。
【００１０】
上記の本発明の半導体モジュールは、リードフレームの他方の面は外部接続端子面を除き、樹脂フイルムで覆われているので、インサート成形ではリードフレームの一方の面側に樹脂を充填すればよいので、インサート成形が容易となり、信頼性の高い半導体モジュールの提供が可能になる。かつ該外部接続端子面と樹脂フイルムの面はフラットな面になっているので、電気的な接続が容易となる。
【００１１】
更に、本発明の半導体モジュールは、上記の請求項３において、上記の該樹脂フイルムの高さは該外部接続端子の内周部の高さを越えないものとすることを特徴とする。
【００１２】
上記の本発明の半導体モジュールは、該外部接続端子面と樹脂フイルムの面はフラットな面になっているので、該外部接続端子は電気的な接続が容易となる。
【００１３】
更に、本発明の半導体モジュールの製造方法は、リードフレームはフープ状の板材に複数連続して形成されてなり、該リードフレームは外周周辺部と該外周周辺部の内側に形成されてなる配線パターン部と、該外周周辺部と配線パターンを連結する連結部で構成されてなり、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップを搭載するＩＣチップボンディング部が形成され、該配線パターン部の他方の面には外部接続端子が形成され、該外部接続端子部は該外部接続端子部を除く該配線パターンの高さよりも高くなっており、上記の構造のリードフレームをプレス・鍛造加工により製造する工程、次に、該リードフレームに錫めっきを、更に、該配線パターンの他方の面の該外部瀬悦族端子部のみに金めっきをする工程、次に、該リードフレームの一方の面の形成されたＩＣチップボンディング部にＩＣチップをフェイスダウンボンディングする工程、次に、上記のＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形用金型内に挿入し、インサート成形により、該配線パターンの他方の面に形成されている外部接続端子部を除く全てのリードフレーム表面の露出された表面を樹脂で覆うようにする工程、次に、該リードフレームの連結部を切断する工程からなることを特徴とする。
【００１４】
上記の本発明の半導体モジュールの製造方法は、リードフレームはプレス・鍛造加工により、ＩＣチップのボンディングはフェイスダウンボンディング加工により、リードフレームの樹脂充填は射出成形によるインサート成形加工により行うものであり、上記いずれの加工も、フープ材による連続加工が可能で量産性に富み、信頼性の高い加工法であるので、低コストな、信頼性の高い半導体モジュールの製造が可能となる。また、該外部接続端子は、該外部接続端子を除く該回路パターンの高さよりも高くなっているので、該外部接続端子の面がインサート成形による外部接続端子の外周部近傍の樹脂面の高さと等しくできるので、該外部接続端子は電気的な接続が容易となる。
【００１５】
更に、本発明の半導体モジュールの製造方法は、リードフレームは外周周辺部と該外周周辺部の内側に形成されてなる配線パターン部と、該外周周辺部と配線パターンを連結する連結部で構成されてなり、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップを搭載するＩＣチップボンディング部が形成され、該配線パターン部の他方の面には複数の外部接続端子部が存在し、該複数の外部接続端子部のそれぞれは、該外部接続端子の外周部が該外部接続端子を除く該配線パターンと同一面上に形成されてなり、該外部接続端子の外周部の内側は該外周部よりも凸になっており、上記の構造のリードフレームをプレス・鍛造加工により製造する工程、次に、該リードフレームの他方の面に該外部接続端子の内周部を除いて樹脂フイルムを貼付する工程、次に、該外部接続端子部に金属めっきを施す工程、次に、該リードフレームの一方の面の形成されたＩＣチップボンディング部にＩＣチップをフェイスダウンボンディングする工程、次に、上記のＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形用金型内に挿入し、該配線パターンの他方の面に形成されている外部接続端子部を除く該配線パターンの一方の面全てを樹脂で覆うようにするインサート成形工程、次に、該リードフレームの連結部を切断する工程からなることを特徴とする。
【００１６】
上記の本発明の半導体モジュールの製造方法は、上記の本発明の半導体モジュールの製造方法は、リードフレームはプレス・鍛造加工により、ＩＣチップのボンディングはフェイスダウンボンディング加工により、リードフレームの樹脂充填は射出成形によるインサート成形加工により行うものであり、上記いずれの加工、及び樹脂フイルムの貼付工程は、フープ材による連続加工が可能で量産性に富み、信頼性の高い加工法であるので、低コストな、信頼性の高い半導体モジュールの製造が可能となる。また、上記のリードフレームの樹脂充填は、該回路パターンの一方の面のみ射出成形によるインサート成形により行うので、樹脂充填が容易となり、より信頼性の高い半導体モジュールの提供が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施例について、図を用いて、以下に説明する。
【００１８】
（実施例１）
図１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、本発明の半導体モジュールに使用されるリードフレームの平面図、側面図を示すものである。
図１（ａ）から明らかのように、リードフレームは、外周周辺部３と該外周周辺部の内側に形成された配線パターン部５と該外周周辺部と該配線パターン部を連結する連結部４から形成されており、該リードフレームの配線パターンの他方の面には外部接続端子部６が形成され、該配線パターン部の一方の面にはＩＣチップがボンディングされるＩＣチップのボンディング部７が形成されている。
なお、該リードフレームの配線パターンの一方の面とは図１（ａ）において、紙面に向かって裏側の面を云い、該リードフレームの配線パターン部の他方の面とは紙面に向かって見える面を云う。
【００１９】
図２は、リードフレームの外部接続端子部（同図の四角の点線で囲まれた部分）、及びＩＣチップのボンディング部（同図の楕円形の点線で囲まれた部分）のめっき箇所を示すものである。外部接続端子は機械的な導通となるので、最表面は金めっきが施される。また、ＩＣチップのボンディング部は錫めっきが施されている。
【００２０】
図３（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、リードフレームのＩＣチップのボンディング部にＩＣチップをフェイスダウンボンディングした様子を示す平面図、及び断面図である。図３（ｂ）の断面図は、同図（ａ）のＡ−Ａ箇所での断面図を示すものである。
ＩＣチップの金バンプ２０とリードフレームのＩＣチップのボンディング部７とを位置合わせをし、加圧・加熱して、金バンプの金とリードフレームのＩＣチップのボンディング部７の錫めっき層により、金−錫の共晶合金を形成し、フェイスダウンボンディングがなされる。
【００２１】
図４は、ＩＣチップが搭載されたリードフレーム２を射出成形によるインサート成形する様子を示す断面図である。同図において、ＩＣチップが塔載されたリードフレーム２の断面図は、図３（ｂ）の断面図と同じである。
図４において、ＩＣチップが搭載されたリードフレーム２は上型２１と下型２２とからなる射出成形用金型１３に固定セットされ、金型キャビティ１４（図の充填樹脂１１で満たされた部分）内に、ゲート２３から溶融した樹脂が射出され、インサート成形が行われる。
なお、上記の金型キャビティ１４内にインサート成形により充填される樹脂１１は、機械的強度が優れている汎用エンジニアリング樹脂（例えば、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネイト樹脂など）、スーパーエンジニアリング樹脂（例えば、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサルフォンなど）が好ましい。
【００２２】
射出成形が終了し、金型から取り出し、図１に示す切断箇所１７で切断すると本発明の半導体モジュール１が完成される。
その完成された本発明の半導体モジュール１の断面図を図６に示す。同図は、図３（ａ）の平面図に示されるＣ−Ｃ断面図である。
なお、同図は該外部接続端子の表面が充填樹脂１１の面より凹になっているが、該外部接続端子部６の面と該充填樹脂１１の面と同一平面状にすると外部配線（図示しない）との接続が容易となる。また、該外部接続端子部６が図５に示す構造においても、該充填樹脂１１と該外部接続端子部６の面と該充填樹脂１１の面とを同一平面状にすると外部配線（図示しない）との接続が容易となる。
【００２３】
次に、本発明の半導体モジュールの製造方法について、図７に基づき説明する。
図７は、リードフレームの基材となるフープ材を用いて、本発明の半導体モジュールを製造する様子を示したものである。
図７から明らかのように、フープ材９にはパイロットホール１０が形成され、
パイロットホール１０を位置決めとし、図１に示されるリードフレームが一列に連続して形成される。
まず、まずプレス金型を用いて、パイロットホール１０を基準にして、プレス金型を位置合わせし、プレス金型で打ち抜き、図１に示されるリードフレームを図７に示すように、順次形成する。
その後のめっき工程、ＩＣチップのフェイスダウンボンディング工程、射出成形によるインサート成形工程、切断工程などの本発明の半導体モジュールの完成品を作るうえに必要な工程の全てが、図７に示すフープ材を用いた連続加工が可能となる。以下に、必要な各工程について、更に詳しく説明する。
【００２４】
フープ材に使用できる金属は、ニッケル、銅、鉄などの単金属、及びそれらの金属が主成分とした合金が使用できる。合金としては、市販のりん青銅、真鍮などが上げられる。
【００２５】
リードフレームが平坦な形状の場合は、図１に示される形状のリードフレームは、プレス加工で行うのが、量産性、品質の点において一番優れている。図７に示される射出成形用金型１３に代えてプレス金型を用いる事により、連続加工が出来る。
また、外部接続端子部の高さを他の面よりも高くしたい場合は、鍛造金型を用いた鍛造加工が可能である。
なお、上記のプレス加工と鍛造加工を同時に行ってもよいし、プレス加工の後に、鍛造加工を行ってもよい。いずれの加工においても、連続加工は可能である。
【００２６】
次に、該外部接続端子部、及びＩＣチップのボンディング部に選択めっきする方法は、フープ材の両面を絶縁性基板で鋏み、選択めっきする箇所のみ露出して、選択めっきする方法が簡便な方法として適用できる。もちろん、フープ材による連続加工は可能である。
【００２７】
次に、リードフレームのＩＣチップのボンディング部にＩＣチップをフェイスダウンボンディングする方法としては、リードフレームのＩＣチップのボンディング部（錫めっきが施されている）にＩＣチップの金バンプを位置決めして重ね合わせ、ＩＣチップ上から加熱したツール（２８０℃以上）を用いて加圧して、フェイスダウンボンディングをする方法が採用できる。接合部が金−錫の共晶合金を形成することにより接合するものであり、信頼性のある接合が出来る。ボンディングは金−錫に限るものではなく、金−はんだ接合、超音波を併用した金−金接合などの金属接合技術を適用する事が出来る。これらの方法も、もちろん、フープ材による連続加工が可能となる。
【００２８】
次に、射出成形用金型の上型２１と下型２２の間に、ＩＣチップがボンディングされたリードフレーム部を位置合わせをしてセットし、金型キャビティ１４内にゲート２３から樹脂を充填するインサート成形を行う。もちろん、このインサート成形もフープ材による連続加工が可能である。
【００２９】
次に、最後に、打ち抜き金型を用いて、図１（ａ）の切断箇所から、打ち抜くと図６に示される本発明の半導体モジュールが完成する。この打ち抜き工程も、フープ材による連続加工が可能とである。
なお、図７は、図１に示されるリードフレームが一列に連続して形成されているが、図１に示されるリードフレームが複数列に連続して形成してもかまわない。
【００３０】
別の実施例を図５に基づき説明する。
図５は、リードフレームの配線パターン５の他方の面に、外部接続端部を除く全ての面に樹脂フイルムを貼付した様子を示すものである。
同図に示すように、該外部接続端子部は、該外部接続端子部の外周部１５は該外部接続端子部を除く該配線パターンと同じ平面状にあり、該外部接続端子部外周部の内側部１６は該外部接続端子部の外周部１５の高さよりも高く、凸状になっている。そして、該リードフレームの配線パターンの他方の面には、樹脂フイルム１２が該外部接続端子部外周部の内側部１６以外は被覆されており、かつ、貼付されたフイルムは該外部接続端子部外周部の内側部１６の面と同一平面状になっている。このものは、リードフレームの配線パターンの一方の面は該外部接続端子部外周部の内側部１６を除き、該樹脂フイルムで覆われているので、射出成形用の金型を用いてのインサート成形に際し、リードフレームの配線パターン部５の一方の面のみの樹脂充填でよいので、樹脂の充填が容易となり、より信頼性の高い半導体モジュールの提供が可能となる。
図５に示す樹脂フイルムの穴あけ加工は、プレス型を用いて連続加工が出来、樹脂フイルム１２の貼付も樹脂フイルムに形成されたパイロットホールとフープ材９のパイロットホールを用いて位置あわせをする事により容易に連続加工が可能である。なお、該樹脂フイルム１２とリードフレームの配線パターンとの固定は、該樹脂フイルム１２に接着剤を塗布したものを用いる事により、可能となる。
なお、図５に示す、該外部接続端子の内周部の凸部は、該樹脂フイルム１２をリードフレームの配線パターン部５の貼付してから樹脂フイルム１２をマスキングにして、めっきをする事により形成する事も可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明の半導体モジュールは、上記の如く、量産性に富み、製造コストの大幅な低減が可能となり、また、電子部品としての長期信頼性の高い半導体モジュールの提供が可能とし、インクジェット用インクタンク、携帯電話などに使用されるＥＥＰＲＯＭを搭載した半導体モジュールに寄与するところ大である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、本発明の半導体モジュールに使用されるリードフレームの平面図、側面を示すものである。
【図２】は、図１（ａ）において、リードフレームの外部接続端子部、及びＩＣチップのボンディング部のめっき箇所を示すものである。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、リードフレームのＩＣチップのボンディング部にＩＣチップをフェイスダウンボンディングした様子を示す平面図、及び断面図である。
【図４】は、ＩＣチップが搭載されたリードフレームを射出成形によるインサート成形する様子を示す断面図である。
【図５】は、リードフレームの回路パターンの他方の面に、外部接続端部を除く全ての面に樹脂フイルムを貼付した様子を示すものである。
【図６】は、本発明の半導体モジュールの断面図を示すものである。
【図７】は、リードフレームの基材となるフープ材を用いて、本発明の半導体モジュールを製造する様子を示したものである。
【符号の説明】
【００３３】
1  半導体モジュール
2  リードフレーム
3  リードフレームの外周周辺部
4  リードフレームの連結部
5  リードフレームの配線パターン部
6  リードフレームの外部接続端子部
7  ＩＣチップのボンディング部
8  ＩＣチップ
9  フープ材
10  フープ材のパイロットホール
11  充填樹脂
12  樹脂フイルム
13  射出成形用金型
14  金型キャビティ
15  外部接続端子部外周部
16  外部接続端子部外周部の内側部
17  切断箇所
18  外部接続端子部のめっき箇所
19  ボンディングのめっき箇所
20  ＩＣチップのバンプ
21  射出成形用金型の上型
22  射出成形用金型の下型
23  ゲート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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