(57)【要約】【課題】本発明は、製造コストを削減することのできる周期ドメイン反転構造を製造する方法を提供する。【解決手段】非線形光学強誘電材料基板を準備する。フォトレジスト層を基板の上表面および下表面に形成し、２つのレーザービームの干渉により形成される周期性格子を上表面のフォトレジスト層を露光することに用いる。同時に、２つのレーザービームを基板を通過させ、周期性格子を下表面のフォトレジスト層を露光することに用いる。現像プロセスを行い、基板の２つの表面上の周期性フォトレジストパターンを形成する。導電層を基板上方に形成し、フォトレジストパターンおよび露出された基板の表面を被覆する。フォトレジストパターンおよびその上の導電層の一部をリフトオフ法により除去する。電圧を残存導電層を経由して基板に印加し、基板の複数の部分を分極化する。【選択図】図７Ｆ
2008003566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期ドメイン反転構造の製造方法であって：
非線形光学強誘電材料である基板を準備することと；
前記基板の上表面および下表面にフォトレジスト層を形成することと；
２つのレーザービームの干渉により形成される複数の周期性格子を用いることで前記基板の前記上表面の前記フォトレジスト層を露光するとともに、前記２つのレーザービームが前記基板を通過することにより形成される前記格子を用いることで前記基板の前記下表面の前記フォトレジスト層を露光することと；
現像プロセスを行い、前記基板の前記上表面と前記下表面に周期性フォトレジストパターンを形成することと；
前記基板上に導電層を形成し、前記フォトレジストパターンおよび前記露出された基板表面を被覆することと；
リフトオフ技術により前記フォトレジストパターンおよびその上の前記導電層の一部分を除去することと；
残存する導電層を経由して前記基板に電圧を印加し、前記基板の複数の部分を分極化することと；
を含む周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項２】
前記基板が、前記露光プロセス期間に移動または回転させられる請求項１記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項３】
前記基板の回転角度が、０°より大きく且つ１８０°より小さい請求項２記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項４】
前記フォトレジストパターンの形状を周期性縞状、網状または島状とした請求項１記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項５】
前記レーザービームの波長が、１９０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内である請求項１記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項６】
前記２つのレーザービームの角度が、０°より大きく且つ１８０°より小さい請求項１記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項７】
前記フォトレジストパターンの周期が、０．２μｍ〜５０μｍの範囲内である請求項１記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項８】
前記周期性フォトレジストパターンの間隔が、０．１μｍ〜２５μｍの範囲内である請求項１記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項９】
前記導電層を形成するステップが物理気相堆積プロセスまたは化学気相体積プロセスを含む請求項１記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項１０】
周期ドメイン反転構造の製造方法であって：
非線形光学強誘電材料である基板を準備することと；
前記基板の上表面および下表面にフォトレジスト層を形成することと；
２つのレーザービームの干渉により形成される複数の周期性格子を用いることで前記基板の前記上表面の前記フォトレジスト層を露光するとともに、前記２つのレーザービームが前記基板を通過することにより形成される前記格子を用いることで前記基板の前記下表面の前記フォトレジスト層を露光することと；
現像プロセスを行い、前記基板の前記上表面と前記下表面に周期性フォトレジストパターンを形成することと；
前記基板上に誘電層を形成し、前記フォトレジストパターンおよび前記露出された基板表面を被覆することと；
リフトオフ法により前記フォトレジストパターンおよびその上の前記誘電層の一部分を除去することと；
前記基板の前記上表面および前記下表面に導電層を形成し、残存する誘電層および前記露出された基板表面を被覆することと；ならびに
前記導電層を経由して前記基板に電圧を印加し、前記基板の複数の部分を分極化することと；
を含む周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項１１】
前記基板が、前記露光プロセス期間に移動または回転させられる請求項１０記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項１２】
前記基板の回転角度が、０°より大きく且つ１８０°より小さい請求項１１記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項１３】
前記フォトレジストパターンの形状を周期性縞状、網状または島状とした請求項１０記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項１４】
前記レーザービームの波長が、１９０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内である請求項１０記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項１５】
前記２つのレーザービームの角度が、０°より大きく且つ１８０°より小さい請求項１０記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項１６】
前記フォトレジストパターンの周期が、０．２μｍ〜５０μｍの範囲内である請求項１０記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項１７】
前記周期性フォトレジストパターンの間隔が、０．１μｍ〜２５μｍの範囲内である請求項１０記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【請求項１８】
前記導電層を形成するステップが、物理気相堆積プロセスまたは化学気相堆積プロセスを含む請求項１０記載の周期ドメイン反転構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子の製造方法に関し、特に、周期ドメイン反転構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９６２年、Bleombergen他は、光波長変換技術を提案しており、そこでは、光波長変換素子が、基本波を第２次高調波に変換することに用いられている。光波長変換素子は、いくつかのドメインを有する周期ドメイン反転構造であり、そこでは、ドメインが、自発分極化した強誘電体材料を含み、ドメインの半分は、ドメインの他の半分の分極化方向と反対の分極化方向を有し、２種のドメインが、周期性分布を形成するよう交互に配列される。このような光波長変換素子の応用分野は、光コミュニケーションネットワークのための波長分割多重化（WDM）およびディスプレイに用いられる赤，緑および青色のレーザービーム等を含むものである。
【０００３】
ドメイン反転構造の形成は、格子の運動を起こすために高電圧が用いられる。従って、ドメインは、高電圧を有する電極にしっかりと接続しなければならず、図１Ａ〜図１Ｃに示すようなステップを通して製造することができる。図１Ａ〜図１Ｃは、公知の周期ドメイン反転構造の製造方法の説明図である。先ず、図１Ａにおいて、非線形光学強誘電体材料基板１００が準備され、フォトレジスト層１０２が塗布される。フォトマスク１０３がフォトレジスト層１０２上に配置される。そして、図１Ｂにおいて、周期性フォトレジストパターン１０２ａが、光学リソグラフィープロセスを通して形成される。次に、図１Ｃにおいて、周期性パルス電圧Ｖｐが、基板露出部を有する基板１００に印加され、パルス電圧Ｖｐにより形成された電界が基板１００の自発的分極化方向を制御するので、基板１００がドメイン１００ａとドメイン１００ｂとに分割され、そこでは、ドメイン１００ａがＰ＋の分極化方向を有し、ドメイン１００ｂがＰ−の分極化方向を有し、かつＰ＋およびＰ−の分極化方向が互いに反対となっている。従って、基板１００は、周期ドメイン反転構造となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
周期性フォトレジストパターンは、マスク・アライナーを有する光学リソグラフィープロセスを通して製造することができるが、このような装置では、短周期性のフォトレジストパターンを製造することが非常に困難である。そして、ステッパー（stepper）またはスキャナーのような露光装置に適用されなければならず、従って、製造コストが高くなる。更に、インターネットおよび電子科学技術の普及に伴って、簡単かつ低コストな周期ドメイン反転構造に対する需要が次第に高まり、このような需要は本分野の製造業者にとって非常に望まれるものとなっている。
【０００５】
本発明は、製造コストを削減することができる周期ドメイン反転構造を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、周期ドメイン反転構造を製造する方法を提供し、以下のようなステップを含むものである。先ず、非線形光学強誘電（ferroelectric）材料である基板を準備する。次に、フォトレジスト層を、基板の上表面と下表面に形成し、２つのレーザービームの干渉により形成した周期性格子を用いて、基板の上表面上のフォトレジスト層を露光する。同時に、２つのレーザービームが、基板を通過するので、周期性格子が、基板の下表面上のフォトレジスト層を露光することに用いられる。次に、現像プロセスを行ない、周期性フォトレジストパターンを、基板の上表面および下表面に形成する。続いて、導電層を基板上に形成し、フォトレジストパターンおよび露出された基板表面を被覆する。その後、フォトレジスト層およびその上の導電層の一部分を、リフトオフ法により除去し、それから、残存導電層を経由して電圧を基板に印加し、基板複数の部分を分極化する。
【０００７】
本発明は、更に、周期ドメイン反転構造の製造方法を提供し、該方法は、以下のステップを含む。先ず、非線形光学強誘電材料である基板を準備する。次に、フォトレジスト層を基板の上表面および下表面に形成し、２つのレーザービームの干渉により形成した複数の周期性格子を用いて、基板の上表面のフォトレジスト層を露光する。同時に、２つのレーザービームを基板に通過させて、周期性格子を基板の下表面のフォトレジスト層を露光することに使用する。次に、現像プロセスを行い、周期性フォトレジストパターンを基板の上表面および下表面に形成する。続いて、誘電層を基板上に形成し、フォトレジストパターンおよび露出された基板表面を被覆する。その後、フォトレジスト層およびその上の導電層の一部をリフトオフ技術により除去し、それから、基板の上表面および下表面に導電層を形成し、残存誘電層および露出された基板表面を被覆する。その後、基板の一部を分極化するために、残存導電層を経由して電圧を基板に印加する。
【０００８】
本発明において、導電層は、製造コストを削減するために、通常の光学リソグラフィープロセスの代わりにレーザー干渉リソグラフィー法を用いて画成される。更に、基板の上表面および下表面のフォトレジスト層が、２つのプロセスで別々に露光される代わりに１つのプロセスで露光され、かくして、露光プロセスのコストを更に削減することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の周期ドメイン反転構造の製造方法は、通常の光学リソグラフィープロセスの代わりに、導電層パターンを画成するレーザー干渉リソグラフィーを利用する。ステッパーまたはスキャナーのような高価な装置を必要としないので、製造コストが効果的に削減される。更に、基板の上表面および下表面のフォトレジストパターンが１つの露光ステップを通して画成され、露光プロセスのコストが更に削減される。本発明の他の観点に基づき、基板の上表面および下表面に対して２つのフォトレジストパターンの間隔および周期性が１つの露光ステップで画成されるので、本発明の製造方法は、製造コストを削減させるだけではなく、製造プロセスも簡略化することができる。
【００１０】
上記一般的な記載及び以下の詳細な記載はともに例示的なものであり、特許請求している発明をさらに説明をするものと理解すべきである。
【００１１】
添付する図面は本発明をさらに理解するために提供するものであり、本明細書に統合してありその一部となるものである。図面に本発明の実施態様を例示し、発明の記載と一緒に本発明の原理を説明する役目を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、通常の光学リソグラフィープロセスの代わりに、レーザー干渉リソグラフィーを利用する。ステッパーまたはスキャナーのような通常の光学リソグラフィープロセスの装置と比較して、レーザー干渉リソグラフィー装置を購入するコストが比較的低いものであるので、周期ドメイン反転構造の製造コストを効果的に制御することができる。更に、１つの基板にレーザー干渉リソグラフィーを行う時、光ビームが基板を通過し、基板の両面を露光する。本発明のそのような特徴は、製造プロセスのステップを効果的に削減させることもできるものであり、以下に詳細に説明する。
〈第１実施形態〉
【００１３】
レーザー干渉リソグラフィーについて言えば、例えば、１つのレーザービームを平行化し、分光器（splitter）および反射器を通して２つのビームを形成する。次に、該２つのレーザービームが相互に干渉し、露光プロセスに用いる周期性干渉格子を形成する。レーザー干渉リソグラフィー装置の作動原理は、図２Ａおよび図２Ｂを参照して以下に説明する。図２Ａは、レーザー干渉リソグラフィー装置の説明図であり、図２Ｂは、図２Ａのレーザー干渉リソグラフィー装置のプラットフォームの上面図である。しかしながら、理解すべきことは、他の類似するレーザー干渉リソグラフィー装置も、本発明の方法に使用することができるということである。
【００１４】
図２Ａおよび図２Ｂにおいて、レーザー干渉リソグラフィー設備２００は、光源２０２と、反射器２０４，２０６，２０８と、分光器２１０とを含む。矢印Ａにより示される方向は、レーザービームの進行方向である。露光プロセス期間に、光源２０２にレーザービームＬ１を発生させる。次に、レーザービームＬ１を反射器２０４により分光器２１０に反射させ、その結果、レーザービームＬ２，Ｌ３を発生させる。続いて、レーザービームＬ２，Ｌ３を、反射器２０６，２０８により反射した後、相互に干渉させ、それにより、露光プロセスに用いる平行な周期性格子Ｇをプラットフォーム２１２に形成する。レーザービームＬ１，Ｌ２，Ｌ３の波長は、例えば、１９０ｎｍ〜６００ｎｍである。それは、１９０ｎｍより短い波長を有するレーザービームＬ１，Ｌ２，Ｌ３は、周期ドメイン反転構造の材料である強誘電材料に容易に吸収され、従って、上述したようには基板を通過することができないからである。更に、レーザービームＬ１，Ｌ２，Ｌ３の波長が、６００ｎｍより長い場合、周期性格子Ｇは、大部分の種類のフォトレジストを感光性のないものにしてしまうからである。
【００１５】
更に、周期性格子Ｇの周期Λが、以下の等式（1）を満足させる：
Λ＝λ／２ｓｉｎθ・・・（1）
ここで、λはレーザービームＬ１，Ｌ２，Ｌ３の波長であり；θはレーザービームＬ２およびＬ３間の角度の半分の角度である。周期性格子Ｇの周期Λは、波長λおよびレーザービームＬ２およびＬ３間の角度を調節することにより変化させることができる。本実施形態中、レーザービームＬ２およびＬ３間の角度は、例えば、０°より大きく且つ１８０°より小さいものであり、周期Λは、例えば、０．２〜５０μｍである。
【００１６】
続いて、本発明の周期ドメイン反転構造を製造する方法を以下に説明する。
【００１７】
図３Ａ〜図３Ｅは、本発明の第１実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法の説明図である。先ず、図３Ａにおいて、基板３００を準備する。基板３００は、非線形光学強誘電材料であり、該誘電材料は、強誘電材料の性質を有し、明らかな非線形光学効果を示すものである。本実施形態中、非線形光学強誘電材料が、例えば、コングルエントＬｉＮｂＯ３，ＭｇＯドープコングルエントＬｉＮｂＯ３，化学量論比のＬｉＮｂＯ３，ＭｇＯドープ化学量論比のＬｉＮｂＯ３，コングルエントＬｉＴａＯ３，ＭｇＯドープコングルエントＬｉＴａＯ３，化学量論比のＬｉＴａＯ３，ＭｇＯドープ化学量論比のＬｉＴａＯ３ある。次に、フォトレジスト層３０２，３０４をそれぞれ基板３００の上表面および下表面に形成する。フォトレジスト層３０２，３０４は、例えば、スピンコーターを通してフォトレジストを２回コーティングすることにより形成し、その後、必須であるフォトレジスト焼付けプロセスを行う。続いて、基板３００を、プラットフォーム２１２上に配置し、その後、レーザー干渉リソグラフィー装置２００により形成された周期性格子Ｇが、フォトレジスト層３０２，３０４を露光することに用いられる。２つのレーザービームＬ２，Ｌ３が基板３００を通過する時に、周期性格子Ｇが、基板３００の下表面のフォトレジスト層３０４を露光することに用いられる。更に、露光プロセスの間に、基板３００を移動させて広い面積の周期性パターンを形成するか、または多重露光を行うように回転して2次元周期パターンを形成し、基板３００上のフォトレジスト層３０２，３０４全体を露光する。基板３００は、例えば、ステッピングモーターの制御の下、移動または回転されるが、基板３００の回転角度は、０°より大きく且つ１８０°より小さい。
【００１８】
次に、図３Ｂにおいて、それぞれ基板３００の上表面と下表面に周期性フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａを形成するため現像プロセスを行う。周期性格子Ｇの周期Λが０．２〜５０μｍであるので、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａの周期も０．２〜５０μｍである。図３Ｂに示されるように、本実施形態中、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａは同一である。しかし、本発明をこれに限定するものではない。特に、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａを露光する時、周期性格子Ｇの周期Λを変化させることもできる。更に、フォトレジストパターン３０２ａ，３０２ｂ間の間隔Ｓが、例えば０．１〜２５μｍである。間隔Ｓもまた周期性格子Ｇの強度および露光時間により制御することができる。特に、周期性格子Ｇの強度がより大きくなるか、または露光時間がより長くなると、間隔Ｓはより大きくなる。
【００１９】
図４〜図６において、現像プロセス後のフォトレジストパターン３０２ａ，３０２ｂの形状を以下に説明する。図４は、本実施形態の基板およびフォトレジストパターンの上面図である。図５および図６は、本発明の他の実施形態にかかる基板およびフォトレジストパターンの上面図である。更に、図４中、示された領域ｉが、図３Ｂの上面図である。
【００２０】
図４において、本実施例中、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａ（下面を図示せず）が、周期性縞模様である。次に、図５および図６において、本発明の他の実施形態中、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａは、網状とすることもできる。しかしながら、本発明中、上記フォトレジストパターンの形状を限定するものではない。特に、周期干渉格子をフォトレジスト層３０２，３０４を露光することに用いるので、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａを、任意の周期性パターンまたは繰り返しパターン、例えば、島状とすることができる。
【００２１】
続いて、図３Ｃにおいて、導電層３０６を基板３００の上表面に形成し、フォトレジストパターン３０２ａおよび基板３００の露出された上表面部を被覆する。同時に、導電層３０８を基板３００の下表面に形成し、フォトレジストパターン３０２ｂおよび基板３００の露出された下表面を被覆する。導電層３０６，３０８は、例えば、Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，インジウム錫酸化物（ITO）、ＺｎＯまたはＳｎＯ等を含む高融点金属である。更に、導電層３０６，３０８は、物理気相堆積プロセスおよび化学気相堆積プロセスにより形成される。
【００２２】
そして、図３Ｄにおいて、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａおよびその上の導電層３０６，３０８の一部分をリフトオフ法により除去し、残存導電層３０６ａ，３０８ａを残す。続いて、図３Ｅにおいて、電圧を基板３００に印加し、基板３００の一部分を分極化する。基板３００に電圧を印加する方式は、例えば、直流電源３１０を設け、残存導電層３０６ａ，３０８ａを直流電源３１０の正極および負極に電気接続する電極として用い、それにより、基板３００に電圧を印加することを含む。もちろん、基板３００に印加する電圧の電圧信号を直流信号に限定するものではない。特に、電圧信号は、直流信号、パルス信号または任意の信号の組み合わせとすることができる。更に、電圧を印加する時、基板３００を大気雰囲気または酸素が含まれる雰囲気中、１００〜１２００℃に加熱して、抗電界（Ec）の強度を減少させる。また、直流電源により印加された電圧は、例えば、数十ボルトから数千ボルト／ｃｍである。このように、基板３００が、例えば、Ｐ＋およびＰ−の分極化方向を有するドメイン３００ａ，３００ｂにそれぞれ分割され、そこでは、周期Λが、ドメイン３００ａ，３００ｂの幅の合計に等しいものであり、それが、例えば、０．２〜５０μｍの間となっている。残留導電層３０６ａ，３０８ａの幅が、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａ間の間隔Ｓに等しくなっており、該間隔は、例えば、０．１〜５０μｍの間となっている。現在のプロセスまでで、基板３００が、周期ドメイン反転構造となる。その後、残留導電層３０６ａ，３０８ａを除去することができる。
【００２３】
レーザー干渉リソグラフィーを利用して発生される平行な周期性格子によって画成される周期性導電層パターンの応用を上記で説明した。そして、本方法の他の応用方式を、第２実施形態を介して以下に説明する。
〈第２実施形態〉
【００２４】
図７Ａ〜図７Ｃは、本発明の第２実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法の説明図である。以下の説明において、第１実施例中の素子と同一である素子は、同一の符号で示し、第１実施例と異なる部分のみを説明し、重複する説明は、ここでは省略する。
【００２５】
先ず、図７Ａにおいて、基板３００を準備し、フォトレジスト層３０２，３０４を塗布する。それから、図７Ｂにおいて、レーザー干渉リソグラフィー装置により露光した後、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａが、それぞれ基板３００の上表面および下表面に形成される。続いて、図７Ｃにおいて、誘電層７０２，７０４が基板３００上に形成され、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａと基板３００の露出された上表面および下表面とを被覆する。誘電層７０２，７０４の材料は、例えば、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＮまたはＳｉＯ２のような高温環境下で安定な材料である。
【００２６】
次に、図７Ｄにおいて、フォトレジストパターン３０２ａ，３０４ａおよびその上の誘電層７０２，７０４の一部をリフトオフ法により除去し、基板３００の上表面および下表面の誘電層７０２ａ，７０４ａを残し、基板３００の上表面と下表面の一部を露出する。続いて、図７Ｅにおいて、導電層７０６，７０８をそれぞれ基板３００の上表面および下表面に形成し、残存誘電層７０２ａ，７０４ａおよび露出された基板３００の表面を被覆する。その後、図７Ｆにおいて、導電層７０６，７０８を経由して、基板３００の上表面および下表面に電圧を印加し、基板３００の複数の部分を分極化する。電圧を印加する方法は、例えば、直流電源３１０に導電層７０６,７０８を電気接続するものである。もちろん、印加される電圧信号は、直流信号、パルス信号または任意の信号の組み合わせとすることができる。本ステップまでで、基板３００は、周期ドメイン反転構造となる。その後、残存導電層７０６，７０８および残存誘電層７０２ａ，７０４ａを除去する。
【００２７】
以上のごとく、この発明を最良の実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】公知の周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図１Ｂ】公知の周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図１Ｃ】公知の周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図２Ａ】レーザー干渉リソグラフィー装置を示す説明図である。
【図２Ｂ】図２Ａのレーザー干渉リソグラフィー装置のプラットフォームを示す上面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図３Ｃ】本発明の第１実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図３Ｄ】本発明の第１実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図３Ｅ】本発明の第１実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図４】現像プロセス後のフォトレジストパターンの形状を示す上面図である。
【図５】現像プロセス後のフォトレジストパターンの形状を示す上面図である。
【図６】現像プロセス後のフォトレジストパターンの形状を示す上面図である。
【図７Ａ】本発明の第２実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図７Ｂ】本発明の第２実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図７Ｃ】本発明の第２実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図７Ｄ】本発明の第２実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図７Ｅ】本発明の第２実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【図７Ｆ】本発明の第２実施形態にかかる周期ドメイン反転構造の製造方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００２９】
１００，３００  基板
１００ａ，１００ｂ，３００ａ，３００ｂ  ドメイン
１０２，１０４  電極
２００  レーザー干渉リソグラフィー装置
２０２  光源
２０４，２０６，２０８  反射器
２１０  分光器
２１２  プラットフォーム
３０２，３０４  フォトレジスト層
３０２ａ，３０４ａ  フォトレジストパターン
３０６，３０６ａ,３０８，３０８ａ，７０６，７０８  導電層
３１０  直流電源
７０２，７０２ａ，７０４，７０４ａ  誘電層
Ａ  矢印
ｉ  表示領域
Ｇ  周期性格子
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３  レーザービーム
Ｐ＋，Ｐ−  分極化方向
Ｓ  間隔
Ｖｐ  パルス電圧
Λ  周期
λ  レーザービームの波長
θ  レーザービームＬ２，Ｌ３の挟み角の半分の角度
【図１Ａ】
2008003566.tif 000003
【図１Ｂ】
2008003566.tif 000004
【図１Ｃ】
2008003566.tif 000005
【図２Ａ】
2008003566.tif 000006
【図２Ｂ】
2008003566.tif 000007
【図３Ａ】
2008003566.tif 000008
【図３Ｂ】
2008003566.tif 000009
【図３Ｃ】
2008003566.tif 000010
【図３Ｄ】
2008003566.tif 000011
【図３Ｅ】
2008003566.tif 000012
【図４】
2008003566.tif 000013
【図５】
2008003566.tif 000014
【図６】
2008003566.tif 000015
【図７Ａ】
2008003566.tif 000016
【図７Ｂ】
2008003566.tif 000017
【図７Ｃ】
2008003566.tif 000018
【図７Ｄ】
2008003566.tif 000019
【図７Ｅ】
2008003566.tif 000020
【図７Ｆ】
2008003566.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月25日(2007.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ｃ】
2008003566.tif 000022
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ｄ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ｄ】
2008003566.tif 000023
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｄ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｄ】
2008003566.tif 000024
【外国語明細書】
2008003566000001.pdf