(57)【要約】【課題】モールド樹脂で封止した場合のモールド圧力に対して優れた強度を備えた硬化物を与え、光半導体素子の封止剤として好適な光半導体封止用シリコーンゴム組成物及び光半導体装置を提供する。【解決手段】（Ａ）１分子中に平均０．２個以上のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサン、（Ｂ）（Ｂ１）分子鎖途中にＳｉＨ基を有するシロキサンと（Ｂ２）分子鎖両末端にＳｉＨ基を有するシロキサンからなるポリオルガノハイドロジェンシロキサン、（Ｃ）白金系触媒を含有し、（Ｂ）成分の配合量は（Ａ）成分のアルケニル基１個に対し（Ｂ）成分のＳｉＨ基の総和が０．２〜２．０個となる量であり、（Ｂ２）のＳｉＨ基が（Ｂ）成分のＳｉＨ基の総和に対し０．１〜０．８となる割合であり、（Ａ）成分のアルケニル基１個に対し（Ｂ１）のＳｉＨ基が０．２〜１．０個となる量であって、硬化後の硬さ（タイプＥ）が５〜５０である。【選択図】図１
2008150437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）２５℃における粘度が０．１〜１０００Ｐａ・ｓであり、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を平均０．２個以上有するポリオルガノシロキサン  １００重量部、（Ｂ）
（Ｂ１）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２個有し、一般式：
【化１】
2008150437.tif 000008
（式中、Ｒ１は脂肪族不飽和結合を除く同一または異なる置換または非置換の１価炭化水素基であり、Ｒ２は水素原子またはＲ１と同一であり、ｐ，ｑはｐ＋ｑは３〜５００の整数、かつ、０．２≦ｐ／（ｐ＋ｑ）≦１を満足する数。）で表されるシロキサン、及び
（Ｂ２）一般式：
【化２】
2008150437.tif 000009
（式中、Ｒ１は前記規定の通り、ｒは３〜３００の整数である。）で表されるシロキサンからなるポリオルガノハイドロジェンシロキサン                        （Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して（Ｂ）成分のケイ素原子に結合した水素原子の個数の総和が０．２〜２．０個となる量（但し、（Ｂ２）のケイ素原子に結合した水素原子の個数が（Ｂ）成分のケイ素原子に結合した水素原子の個数の総和に対して０．１〜０．８となる割合であり、かつ、（Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して（Ｂ１）のケイ素原子に結合した水素原子の個数が０．２〜１．０個となる量。）、
ならびに
（Ｃ）白金系触媒
を含有する光半導体封止用シリコーンゴム組成物であって、
硬化後の硬さ（ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９  タイプＥ）が、５〜５０であることを特徴とする光半導体封止用シリコーンゴム組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体封止用シリコーンゴム組成物の硬化物によって光半導体素子が封止されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
前記光半導体素子が、発光素子と受光素子からなることを特徴とする請求項２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記発光素子から出射した光を、前記光半導体用シリコーンゴム組成物の硬化物表面で反射させて前記受光素子で受光する反射型フォトカプラであることを特徴とする請求項３に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば反射型フォトカプラの発光素子と受光素子等の光半導体素子の封止剤として好適な光半導体封止用シリコーンゴム組成物およびこれを用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置として知られるフォトカプラは、光半導体素子として発光素子と受光素子とを有し、発光素子側リードフレームにダイボンドした発光素子と、受光素子側リードフレームにダイボンドした受光素子とを透明なシリコーン樹脂で封止し、外部環境から保護するために、さらにこのシリコーン樹脂の周囲をエポキシ樹脂等のモールド樹脂で封止した構成である。これら発光素子と受光素子とを封止するシリコーン樹脂としては、付加反応硬化型のシリコーン組成物が使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
フォトカプラのなかでも、反射型フォトカプラは、発光素子と受光素子とを同一平面上に配置した構成であり、発光素子から出射した光をシリコーン樹脂の硬化物表面で反射させて受光素子で受光する。
【０００４】
しかしながら、反射型フォトカプラの製造工程において、発光素子と受光素子に従来の付加反応硬化型シリコーン組成物を充填し、加熱して該組成物の硬化物を作成した後、この硬化物の外周を例えば射出成型等によりエポキシ樹脂等のモールド樹脂で封止した場合に、そのモールド圧力に対して、従来のシリコーン組成物ではその硬化物の強度が十分ではないため、硬化物の変形を招く。
【０００５】
このため、シリコーン組成物の硬化物の変形によって、発光素子と受光素子との満足な光結合路を確保できず、光結合効率が低下し、得られる反射型フォトカプラの信頼性が低下する問題があった。
【特許文献１】特開２００４−１４３３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、このような課題に対処するためになされたもので、外周をモールド樹脂で封止した場合のモールド圧力に対して優れた強度を備えた硬化物を与え、光半導体素子の封止剤として好適な光半導体封止用シリコーンゴム組成物および高信頼性の光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、（Ｂ）成分として、（Ｂ１）直鎖状で、ケイ素原子結合水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を分子鎖途中に有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンと、（Ｂ２）直鎖状で、Ｓｉ−Ｈ基を分子鎖両末端に有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンとを特定量で併用して、硬化後の硬さを所定の範囲にすることにより、外周をモールド樹脂で封止した場合のモールド圧力に対して優れた強度を備えた硬化物を与える光半導体封止用シリコーンゴム組成物および光半導体装置が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００８】
すなわち、本発明の光半導体封止用シリコーンゴム組成物は、
（Ａ）２５℃における粘度が０．１〜１０００Ｐａ・ｓであり、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を平均０．２個以上有するポリオルガノシロキサン  １００重量部、（Ｂ）
（Ｂ１）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２個有し、一般式：
【化３】
2008150437.tif 000003
（式中、Ｒ１は脂肪族不飽和結合を除く同一または異なる置換または非置換の１価炭化水素基であり、Ｒ２は水素原子またはＲ１と同一であり、ｐ，ｑはｐ＋ｑは３〜５００の整数、かつ、０．２≦ｐ／（ｐ＋ｑ）≦１を満足する数。）で表されるシロキサン、及び
（Ｂ２）一般式：
【化４】
2008150437.tif 000004
（式中、Ｒ１は前記規定の通り、ｒは３〜３００の整数である。）で表されるシロキサンからなるポリオルガノハイドロジェンシロキサン                        （Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して（Ｂ）成分のケイ素原子に結合した水素原子の個数の総和が０．２〜２．０個となる量（但し、（Ｂ２）のケイ素原子に結合した水素原子の個数が（Ｂ）成分のケイ素原子に結合した水素原子の個数の総和に対して０．１〜０．８となる割合であり、かつ、（Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して（Ｂ１）のケイ素原子に結合した水素原子の個数が０．２〜１．０個となる量。）、
ならびに
（Ｃ）白金系触媒
を含有する光半導体封止用シリコーンゴム組成物であって、硬化後の硬さ（ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９  タイプＥ）が、５〜５０であることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の光半導体装置は、光半導体封止用シリコーンゴム組成物の硬化物によって光半導体素子が封止されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成によれば、外周をモールド樹脂で封止した場合のモールド圧力に対して優れた強度を備えた硬化物を与え、光半導体素子の封止剤として好適な光半導体封止用シリコーンゴム組成物および高信頼性の光半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の光半導体封止用シリコーンゴム組成物について説明する。
【００１２】
［（Ａ）成分］
（Ａ）成分はベースポリマーであり、得られる組成物を十分に硬化させる上で、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を平均０．２個以上、好ましくは平均０．５個以上、より好ましくは平均２個以上有する。その分子構造は、直鎖状、環状、分岐鎖状のいずれでもよいが、硬化物のゴム物性の点から、直鎖状が好ましく、１種単独または２種以上を組み合わせてもよい。
【００１３】
ケイ素原子に結合したアルケニル基としては、例えばビニル基、アリル基、ブテニル基、ペテニル基、ヘキセニル基などが例示され、好ましくはビニル基である。このアルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよいが、得られる組成物の硬化速度、硬化後の物性の点から、少なくとも分子鎖末端のケイ素原子、特に、分子鎖両末端のケイ素原子に結合していることが好ましい。
【００１４】
また、アルケニル基以外のケイ素原子に結合した有機基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基あるいはこれらの水素原子が部分的に塩素原子、フッ素原子などで置換されたハロゲン化炭化水素基などの、炭素原子数１〜１２個、好ましくは炭素原子数１〜８個のものが挙げられ、好ましくはアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基である。
【００１５】
（Ａ）成分の２５℃における粘度は、０．１〜１０００Ｐａ・ｓ、好ましくは０．５〜１００Ｐａ・ｓである。粘度が０．１Ｐａ・ｓ未満であると、硬化後の機械的強度が低下しやすい。一方、１０００Ｐａ・ｓを超えると、得られる組成物の作業性が低下しやすい。
【００１６】
［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分は架橋剤であり、本発明の特徴を付与する成分である。すなわち、外周をモールド樹脂で封止した場合のモールド圧力に対して硬化物が変形し難くなるような、所望の硬さを付与する成分である。
【００１７】
（Ｂ）成分は、（Ｂ１）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２個有し、この水素原子が分子鎖途中のケイ素原子に結合する直鎖状のポリオルガノハイドロジェンシロキサン、及び（Ｂ２）水素原子が分子鎖両末端のケイ素原子に結合する直鎖状のポリオルガノハイドロジェンシロキサンからなる。
【００１８】
（Ｂ１）は、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２個、好ましくは３個以上有し、一般式：
【化５】
2008150437.tif 000005
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサンである。
【００１９】
式中、Ｒ１は脂肪族不飽和結合を除く同一または異なる置換または非置換の１価炭化水素基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基あるいはこれらの水素原子が部分的に塩素原子、フッ素原子などで置換されたハロゲン化炭化水素基などの、炭素原子数１〜１２個、好ましくは炭素原子数１〜８個のものが挙げられ、好ましくはアルキル基であり、合成のし易さ、コストの点から、より好ましくはメチル基である。
【００２０】
Ｒ２は水素原子またはＲ１と同一であり、好ましくはメチル基である。
【００２１】
ｐ，ｑはｐ＋ｑは３〜５００、好ましくは１０〜３００の整数であり、かつ、０．２≦ｐ／（ｐ＋ｑ）≦１、好ましくは０．３≦ｐ／（ｐ＋ｑ）≦０．９を満足する数である。ｐ／（ｐ＋ｑ）が０．２未満であると、十分な架橋が得られない。なお、ｐ，ｑは、（Ｂ１）の一般式での組成、数値を示しているにすぎず、分子レベルを制限するものではない。
【００２２】
一方、（Ｂ２）は、一般式：
【化６】
2008150437.tif 000006
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサンである。
【００２３】
式中、Ｒ１は脂肪族不飽和結合を除く同一または異なる置換または非置換の１価炭化水素基であり、（Ｂ１）で上述したとおりであり、好ましくはメチル基である。
【００２４】
ｒは３〜３００、好ましくは５〜２００の整数である。ｒが３未満であると、揮発し易くなり電子部品には不適である。一方、３００を超えると、得られる組成物の粘度が高くなり作業性が低下する。
【００２５】
（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して、（Ｂ）成分のケイ素原子に結合した水素原子の個数の総和が０．２〜２．０個となる量、好ましくは０．４〜１．８となる量である。０．２個未満では、十分な架橋が得られない。一方、２個を越えると、未反応のＳｉ−Ｈ基が残存し、硬化後のゴム物性が不安定になりやすい。
【００２６】
但し、（Ｂ２）のケイ素原子に結合した水素原子の個数は、（Ｂ）成分のケイ素原子に結合した水素原子の個数の総和（（Ｂ１）と（Ｂ２）との合計量）に対して０．１〜０．８となる割合、好ましくは０．２〜０．７となる割合である。
【００２７】
さらに、（Ｂ１）のケイ素原子に結合した水素原子の個数が、（Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して０．２〜１．０個となる量、好ましくは０．３〜０．９個となる量である。０．２個未満であると、硬化後、十分な硬さが得られ難くなるため、例えば反射型フォトカプラ等の製造工程で、モールド圧力に対して硬化物の強度が不十分となり、変形を起こしやすい。一方、１．０を越えると、硬化後、硬くなりすぎて、モールド樹脂への形状追随性が乏しく、例えば反射型フォトカプラが熱衝撃を受けた場合に生じる応力を緩和し難くなり、不良個数の増加を招く。
【００２８】
［（Ｃ）成分］
（Ｃ）成分は、本組成物の硬化を促進させる成分である。
【００２９】
（Ｃ）成分としては、ヒドロシリル化反応に用いられる周知の触媒を使用することができる。例えば白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類やビニルシロキサンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等が挙げられる。
【００３０】
（Ｃ）成分の配合量は、硬化に必要な量であればよく、所望の硬化速度などに応じて適宜調整することができる。通常、得られる組成物の合計量に対し、白金元素に換算して０．１〜１０００ｐｐｍの範囲、好ましくは０．５〜５００ｐｐｍの範囲である。
【００３１】
本発明の光半導体封止用シリコーンゴム組成物は、上記（Ａ）〜（Ｃ）の各成分を基本成分とし、これらに必要に応じて、その他任意成分として硬化速度を調整するための反応抑制剤、着色剤、難燃性付与剤、耐熱性向上剤、可塑剤、補強性シリカ、接着性付与剤等を本発明の目的を損なわない範囲で添加してもよい。
【００３２】
本発明の光半導体封止用シリコーンゴム組成物の製造方法としては、例えば（Ａ）〜（Ｃ）成分及びその他任意成分をプラネタリーミキサー、ニーダー、品川ミキサー等の混合機で混合する方法等が挙げられる。
【００３３】
本発明の光半導体封止用シリコーンゴム組成物の粘度は、２５℃で０．１〜１０００Ｐａ・ｓ、好ましくは０．５〜１０００Ｐａ・ｓである。
【００３４】
本発明の光半導体封止用シリコーンゴム組成物の硬化方法は、該組成物を成形した後、室温で放置する方法や、５０〜２００℃で加熱する方法が挙げられるが、迅速に硬化させる上で、加熱する方法が好ましい。
【００３５】
硬化後の硬さ（ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９  タイプＥ）は、５〜５０、好ましくは１０〜４０である。硬さが５未満であると、例えば反射型フォトカプラの製造工程において、硬化物の外周をモールド樹脂で樹脂封止する際に、モールド圧力に対して硬化物の強度が不十分であり、硬化物の変形を起こしやすい。一方、５０を越えると、モールド樹脂に対する形状追随性が得られない。
【００３６】
硬化物はゴム状であり、モールド圧力に対する十分な強度と高い透明性を備えているため、発光素子と受光素子とを備えるフォトカプラのなかでも、モールド圧力に対して硬化物の形状を保持しにくい形態を有する、例えば反射型フォトカプラの発光素子、受光素子の封止剤として好適である。
【００３７】
次に、本発明の光半導体装置について図面を参照して説明する。図１は、本発明に係る光半導体装置の一例を示す断面図であり、反射型フォトカプラを示している。反射型フォトカプラ１は、発光素子２から出射し、上述した光半導体用シリコーンゴム組成物の硬化物４の表面で反射した光を受光素子３で受光する。
【００３８】
反射型フォトカプラ１は、発光素子２と受光素子３が、光半導体封止用シリコーンゴム組成物の硬化物４で封止され、さらにこの硬化物４がエポキシ樹脂等のモールド樹脂５で樹脂封止されている。
【００３９】
この反射型フォトカプラ１は、例えば以下のようにして作製される。
【００４０】
まず、発光素子側リードフレーム６にダイボンドされた発光素子２と、受光素子側リードフレーム７にダイボンドされた受光素子３とを、光半導体封止用シリコーンゴム組成物で充填した後、例えば１５０℃で１時間加熱して硬化させ、硬化物４を形成する。
【００４１】
次に、トランスファー成形、射出成形、圧縮成形等の公知の成形方法により、硬化物４の外周を透明なエポキシ樹脂等のモールド樹脂５で封止する。
【００４２】
このようにして得られる反射型フォトカプラ１は、硬化物４がモールド圧力に対して変形し難いため、発光素子２と受光素子３との満足な光結合路を確保でき、高光結合効率が得られ、信頼性に優れた反射型フォトカプラ１を提供できる。
【００４３】
なお、上記実施形態では、光半導体装置の一例として反射型フォトカプラを用いて説明したが、これ以外に、外周をモールド樹脂で封止した場合のモールド圧力に対して変形しやすい形態を有するような光半導体装置にも、本発明の光半導体封止用シリコーンゴム組成物を適用することができる。
【実施例】
【００４４】
本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例及び比較例で得られた光半導体封止用シリコーンゴム組成物は、以下のようにして評価し、結果を表１に示した。表１に示した特性は、２５℃において測定した値である。
【００４５】
［硬化後の硬さ］
得られた組成物を６ｍｍ厚の金型に充填し、１５０℃で１時間加熱硬化させて厚さ６ｍｍのシリコーンゴムシートを作製し、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９  タイプＥに準拠して測定した。
【００４６】
［硬化後の切断時伸び］
得られた光半導体封止用シリコーンゴム組成物を２ｍｍ厚の金型に充填し、１５０℃で１時間加熱硬化させ、厚さ２ｍｍのシリコーンゴムシートを用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準じて、測定した。
【００４７】
［反射型フォトカプラの信頼性評価］
図１で示した反射型フォトカプラ１を次のようにして作製した。すなわち、発光素子側リードフレーム６と受光素子側リードフレーム７にそれぞれダイボンドされた発光素子２と受光素子３を光半導体封止用シリコーンゴム組成物で充填した後、１５０℃で１時間加熱して硬化物４を形成した。続けて、射出成型により、硬化物４の外周をモールド樹脂５（透明エポキシ樹脂）で封止した。
このようにして１０個の反射型フォトカプラを作製した。これらの反射型フォトカプラについて、冷熱サイクル試験（１サイクル：−４０℃×３０分＋１５０℃×３０分）を１０００サイクル行った。冷熱サイクル試験後の硬化物４を１００倍の顕微鏡（ＫＨ−７０００、ＫＥＹＥＮＣＥ社製）を用いて観察した。硬化物４に割れのある反射型フォトカプラを不良とし、その不良個数を調べて不良率を算出した。
【００４８】
［実施例１］
（Ａ）２５℃における粘度が３Ｐａ・ｓであり、式：
［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］［（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２］１３［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２４７［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］
で表されるビニル基含有ポリオルガノシロキサン１００重量部、（Ｂ１）式：
［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン０．５８重量部、（Ｂ２）式：
［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン４．９４重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金元素換算）５ｐｐｍ、１‐エチニル‐１‐シクロヘキサノール０．１重量部を混合して、光半導体封止用シリコーンゴム組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４９】
［実施例２］
（Ａ）２５℃における粘度が３Ｐａ・ｓであり、式：
［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］［（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２］１３［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２４７［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］
で表されるビニル基含有ポリオルガノシロキサン１００重量部、（Ｂ１）式：
［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン０．８８重量部、（Ｂ２）式：
［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン４．２９重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金元素換算）５ｐｐｍ、１‐エチニル‐１‐シクロヘキサノール０．１重量部を混合して、光半導体封止用シリコーンゴム組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００５０】
［比較例１］
（Ａ）２５℃における粘度が３Ｐａ・ｓであり、式：
［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］［（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２］１３［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２４７［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］
で表されるビニル基含有ポリオルガノシロキサン１００重量部、（Ｂ１）式：
［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン０．２５重量部、（Ｂ２）式：
［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン４．９４重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金元素換算）５ｐｐｍ、１‐エチニル‐１‐シクロヘキサノール０．１重量部を混合して、光半導体封止用シリコーンゴム組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００５１】
［比較例２］
（Ａ）２５℃における粘度が３Ｐａ・ｓであり、式：
［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］［（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２］１３［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２４７［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］
で表されるビニル基含有ポリオルガノシロキサン１００重量部、（Ｂ１）式：
［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン１．３５重量部、（Ｂ２）式：
［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン４．２９重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金元素換算）５ｐｐｍ、１‐エチニル‐１‐シクロヘキサノール０．１重量部を混合して、光半導体封止用シリコーンゴム組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００５２】
［比較例３］
（Ａ）２５℃における粘度が３Ｐａ・ｓであり、式：
［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］［（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２］１３［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２４７［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］
で表されるビニル基含有ポリオルガノシロキサン１００重量部、（Ｂ１）式：
［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン０．１９重量部、（Ｂ２）式：
［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］２０［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］
で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン６．１７重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金元素換算）５ｐｐｍ、１‐エチニル‐１‐シクロヘキサノール０．１重量部を混合して、光半導体封止用シリコーンゴム組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【表１】
2008150437.tif 000007
【００５３】
表１から明らかなように、（Ｂ）成分として（Ｂ１）直鎖状で、ケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を分子鎖途中に有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンと、（Ｂ２）直鎖状で、Ｓｉ−Ｈ基を分子鎖両末端に有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンとを、（Ｂ１）のＳｉ−Ｈ基が、（Ａ）成分のアルケニル基１個に対して０．２〜１．０個となる量であり、かつ、（Ｂ１）と（Ｂ２）のＳｉ−Ｈ基の総和に対して（Ｂ２）のＳｉ−Ｈ基が０．１〜０．８となる割合で併用した各実施例は、硬化後の硬さ（タイプＥ）が５〜５０の範囲であり、モールド圧力に対して優れた強度を発揮する硬化物が得られ、硬化物の形状を良好に保持できる。
【００５４】
したがって、本発明の光半導体封止用シリコーンゴム組成物は、モールド圧力に対する十分な強度を備えているため、例えば反射型フォトカプラの発光素子および受光素子などの光半導体素子の封止剤として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の光半導体装置の構成の一例を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１…反射型フォトカプラ、２…発光素子、３…受光素子、４…光半導体封止用シリコーンゴム組成物の硬化物、５…モールド樹脂、６…発光素子側リードフレーム、７…受光素子側リードフレーム。
【図１】
2008150437.tif 000010