(57)【要約】【課題】  発生が必要となる位相遅延量が低減されて位相調整手段が小型化され、また、位相調整手段の数が削減された、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナを提供すること。【解決手段】  線状に配列した複数の放射素子の隣接する２個を互いに点対称に配置し、隣接する２個の放射素子を組にしてサブアレーと成し、前記サブアレーに対して位相調整手段で位相遅延を与えるもので、例えば、マイクロストリップ線路の片側の誘電体基板２の上面に、放射素子４を入出力端子９側から所定の間隔で直線状に配列し、それぞれ隣接する２個の放射素子４を互いに点対称配置で配列し、隣接する２個の放射素子４を組にして４つのサブアレーと成し、サブアレー間を接続するマイクロストリップ線路に位相調整回路７を設けて８個の放射素子４を同相で励振する。【選択図】  図１
2008245252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に地導体が設けられた誘電体基板の他方の面に形成されたストリップ導体から成るマイクロストリップアレーアンテナにおいて、前記誘電体基板の入出力端から延在するマイクロストリップ線路と、前記マイクロストリップ線路の片側の前記誘電体基板上に前記入出力端側から線状に配列すると共に、隣接する２個を互いに点対称配置で配列した複数個の放射素子と、前記放射素子の隣接配置された２個ずつを組にして形成され、前記組にした２個の放射素子間に１８０度の位相差を付けて励振するための位相差発生手段を有して成された複数のサブアレーと、を備え、前記マイクロストリップ線路で少なくとも前記サブアレーを前記入力端側から順に直列に接続すると共に少なくとも前記サブアレー間を接続する前記マイクロストリップ線路に位相調整手段を設けたことを特徴とするマイクロストリップアレーアンテナ。
【請求項２】
前記位相調整手段は、前記誘電体基板および前記ストリップ導体の諸元並びに前記組にした２個の放射素子間隔の２倍の間隔に基づいて決まる線路長のマイクロストリップ線路で形成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロストリップアレーアンテナ。
【請求項３】
前記位相調整手段は、Ｗ字形の線対称形状にマイクロストリップ線路で形成し、前記Ｗ字形の各部の線路長をそれぞれ伝搬波長の約１／４倍とすると共に前記Ｗ字形の開口間隔を前記誘電体基板および前記ストリップ導体の諸元並びに前記組にした２個の放射素子間隔の２倍の間隔に基づいて決まる線路長に基づいて設定した間隔としたことを特徴とする請求項１記載のマイクロストリップアレーアンテナ。
【請求項４】
前記マイクロストリップ線路は、前記サブアレー間を接続する前記マイクロストリップ線路に比べて線路幅の狭い高インピーダンス線路であることを特徴とする請求項２又は３記載のマイクロストリップアレーアンテナ。
【請求項５】
前記サブアレー間を接続する前記マイクロストリップ線路に対して前記放射素子が形成されている側の前記誘電体基板上に、前記Ｗ字形の開口を前記マイクロストリップ線路側に向けて設けたことを特徴とする請求項３又は４記載のマイクロストリップアレーアンテナ。
【請求項６】
前記位相差発生手段は、前記マイクロストリップ線路から引き続き形成したマイクロストリップ線路を２つに分岐して前記組にした２個の放射素子にそれぞれ接続すると共に前記分岐部から前記放射素子への接続部までの線路長の差を伝搬波長の約１／２倍として形成したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のマイクロストリップアレーアンテナ。
【請求項７】
前記位相差発生手段は、前記マイクロストリップ線路から引き続き形成したマイクロストリップ線路を２つに分岐して前記組にした２個の放射素子にそれぞれ接続すると共に前記分岐部から前記放射素子への接続部までの線路長の差を伝搬波長の約１／２倍の奇数倍とし、かつ、前記分岐部から前記入出力端側に配置された放射素子への接続部までの線路長の方を長く形成したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のマイクロストリップアレーアンテナ。
【請求項８】
前記放射素子は、前記放射素子への接続部の前記マイクロストリップ線路の傍らに、前記接続部からみた前記放射素子のインピーダンス整合に供する所定の幅と長さで形成されたスリットを有することを特徴とする請求項６、又は７記載のマイクロストリップアレーアンテナ。
【請求項９】
一方の面に地導体が設けられた誘電体基板の他方の面に形成されたストリップ導体から成るマイクロストリップアレーアンテナであって、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナの２台をそれぞれ点対称配置で線状に配置した構成を備え、前記２台のマイクロストリップアレーアンテナのそれぞれの入出力端への入出力信号を互いに逆相として駆動することを特徴とするマイクロストリップアレーアンテナ。
【請求項１０】
前記マイクロストリップアレーアンテナの２台は、請求項１〜８のいずれか１項に記載のマイクロストリップアレーアンテナであることを特徴とする請求項９記載のマイクロストリップアレーアンテナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波やミリ波などの送信または受信アンテナに用いることができるマイクロストリップアレーアンテナに関し、より詳細には、複数の放射素子を同相励振するマイクロストリップアレーアンテナに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロストリップアレーアンテナは鋭いアンテナ指向性を実現するために広く用いられる。各放射素子を直列給電で励振するマイクロストリップアレーアンテナの構成としてはマイクロストリップ線路に、放射素子を接続して個々に励振する構成が報告されている(例えば、特許文献１参照)。
【０００３】
この文献に記載のマイクロストリップアレーアンテナでは、複数の放射素子を給電マイクロストリップ線路の両側辺のうち少なくとも一方の第１側辺に沿って所定の間隔で、電界放射エッジ線が給電マイクロストリップ線路の長さ方向に対して０度（平行）でない角度を成すようにその側辺に接続して配列している。
【０００４】
【特許文献１】特開平１３−３３０６５９２号公報（第２図など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のような従来のマイクロストリップアレーアンテナでは、一定の間隔で並べられた放射素子に対して同相で励振しようとすると、隣り合う放射素子間の給電マイクロストリップ線路に位相調整手段を装荷するなどして位相を遅らせるなどの調整が必要となるが、隣り合う放射素子の間隔をグレーティングローブ発生回避のために狭くしている場合など、放射素子が給電マイクロストリップ線路に直接接続されているために位相調整手段の設置余地がなく、隣り合う放射素子の間に位相調整手段として給電マイクロストリップ線路を蛇行させた位相調整回路を設けることが困難であるという問題があった。
ここで、一般的な比誘電率が３、基板厚が０．１３ｍｍの誘電体基板にマイクロストリップアレーアンテナを形成し、上記位相調整回路を形成する場合の所要線路長の試算を示す。放射素子の間隔を、主ビームがアンテナ正面方向となるアレーアンテナにおいて、グレーティングローブを発生させない間隔として自由空間における波長λの０．９倍程度とすると、波長短縮効果により給電マイクロストリップ線路における伝搬波長λｇに対しては１波長を超える１．３５λｇ程度の間隔となり、隣り合う放射素子を同相で励振するためには、さらに位相を遅延させて位相差を波長λｇの整数倍の２倍（４π）とすることになり、その差の０．６５λｇの位相遅延量を発生させる線路長の位相調整回路の装荷が必要となる。また、例えば８個の放射素子を同相励振するためには、７ヶ所の放射素子間それぞれに位相調整回路の装荷が必要となる。
【０００６】
以上のように、従来のマイクロストリップアレーアンテナでは、大きな位相遅延量を発生させる必要があり、所要線路長が長くなるため位相調整回路が大きくなるという問題があった。
また、従来のマイクロストリップアレーアンテナでは、放射素子間それぞれに位相調整回路の装荷が必要であり、放射素子の増加にともない位相調整回路の数も増加するという問題があった。
【０００７】
また、位相調整手段とする給電マイクロストリップ線路が長くなるため蛇行させた場合には、蛇行部分からの不要放射によってマイクロストリップアンテナの放射パターンが劣化するという問題もあった。
【０００８】
さらに、製造ばらつき等により各放射素子に対する励振位相分布に誤差が生じた場合、マイクロストリップアレーアンテナの放射パターンにおける主ビーム方向が設計値に対してずれるという問題もあった。
【０００９】
この発明は、上記のような問題点を解決することを課題とする。具体的には、この発明は、発生が必要となる位相遅延量が低減されて位相調整手段が小型化された、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナを提供することを課題とする。
また、この発明は、装荷が必要となる位相調整手段の数が削減された、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナを提供することを課題とする。
また、この発明は、位相調整手段からの不要放射が低減された、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナを提供することを課題とする。
さらに、この発明は、製造ばらつき等による放射特性変動（放射パターンにおける主ビーム方向のずれ）が低減された、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係わるマイクロストリップアレーアンテナは、線状に配列した複数の放射素子の隣接する２個を互いに点対称に配置し、隣接する２個の放射素子を組にしてサブアレーと成し、前記サブアレーに対して位相調整手段で位相遅延を与えることにより、位相調整手段で発生が必要となる位相遅延量を低減したものである。また、給電マイクロストリップ線路へ設ける位相調整手段の数を削減したものである。
すなわち、この発明に係わるマイクロストリップアレーアンテナは、一方の面に地導体が設けられた誘電体基板の他方の面に形成されたストリップ導体から成るマイクロストリップアレーアンテナにおいて、前記誘電体基板の入出力端から延在するマイクロストリップ線路と、前記マイクロストリップ線路の片側の前記誘電体基板上に所定の間隔で線状に配列すると共に、隣接する２個を互いに点対称配置で配列した複数個の放射素子と、前記放射素子の隣接配置された２個ずつを組にして形成され、前記２個の放射素子間に１８０度の位相差を付けて励振するための位相差発生手段を有して成された複数のサブアレーと、を備え、前記マイクロストリップ線路で少なくとも前記サブアレーを前記入出力端側から順に直列に接続すると共に少なくとも前記サブアレー間を接続する前記マイクロストリップ線路に位相調整手段を設けたものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明は、前記のように、複数の放射素子を入出力端側から所定の間隔で線状に配列すると共に、隣接する２個を互いに点対称配置で配列し、前記放射素子の隣接配置された２個ずつを組にしてサブアレーを形成し、前記マイクロストリップ線路で少なくとも前記サブアレーを前記入力端側から順に直列に接続すると共に少なくとも前記サブアレー間を接続する前記マイクロストリップ線路に位相調整手段を設けたので、位相調整手段で発生が必要な位相遅延量が低減されて小型化され、また、必要な位相調整手段の数が削減された、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナを得られる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係わるマイクロストリップアレーアンテナを示す上面図である。また、図２は図１におけるＡ−Ａ’断面図である。図１及び図２において、１は誘電体基板２の上面に形成されたストリップ導体、３は誘電体基板２の裏面に設けられた地板導体であり、ストリップ導体１は図１のように形成され、マイクロストリップアレーアンテナを構成している。
なお、この発明の実施の形態１に係わるマイクロストリップアレーアンテナでは、説明を簡潔にするため、マイクロストリップ線路の片側の誘電体基板２の上面に、放射素子４を入出力端子９側から所定の１波長未満の一定間隔で直線状に配列し、それぞれ隣接する２個の放射素子４を互いに点対称配置で配列した８個の矩形の同一形状の放射素子４で構成した場合を例示して説明する。
また、ここでは、送信アンテナとして説明するが、一般にアンテナは送受可逆性があり、この発明は、受信アンテナとしても同様に成り立つものである。
【００１３】
次に構成の細部を説明する。
図１におけるストリップ導体１によるパターンについて、４ａ〜４ｈは所定の間隔で線状に配列すると共に、隣接する２個を互いに点対称配置で配列した放射素子、５はインピーダンス変成器、６ａ〜６ｃは分配器、７ａ〜７ｃは放射素子４ａと４ｂ、４ｃと４ｄ、４ｅと４ｆ、４ｇと４ｈからそれぞれ構成される２素子サブアレー８ａ〜８ｄ間を接続するマイクロストリップ線路に位相調整手段として設けられた位相調整回路、９はマイクロストリップアレーアンテナの入出力端子である。
【００１４】
ここで、位相調整回路７ａ〜７ｃを従来技術で示した位相調整回路と同様に形成する場合について説明する。この発明の位相調整回路７ａ〜７ｃについて、前記従来技術における位相調整回路の所要線路長の試算で示したことと同様にして、一般的な比誘電率が３、基板厚が０．１３ｍｍの誘電体基板にマイクロストリップアレーアンテナを形成し、上記位相調整回路を給電マイクロストリップ線路で形成する場合の所要線路長の試算を示す。なお、放射素子の間隔も前記従来技術同様に自由空間における波長λの０．９倍程度とする。
この発明に係わるマイクロストリップアレーアンテナでは、２個ずつ放射素子を組にしてサブアレーと成し、このサブアレーを給電マイクロストリップ線路で直列給電する構成であり、８個の放射素子で成る４つのサブアレーの隣り合う２つのサブアレーの間隔は自由空間での波長λでの放射素子の間隔０．９λの２倍となり、自由空間における波長λの１．８倍となる。これは波長短縮効果によりマイクロストリップ線路における伝搬波長λｇに対しては２．７λｇ程度の間隔となり、隣り合うサブアレーを同相で励振するためには、さらに位相を遅延させて位相差を波長λｇの整数倍の３倍（６π）とすることになるが、その差の０．３λｇの位相遅延を発生させる線路長の位相調整回路を装荷すればよいことになる。
したがって、所要線路長は前記従来技術での０．６５λｇの半分以下となり、位相調整回路７ａ〜７ｃを小型化できる効果がある。また、位相調整回路の数も３つ装荷すればよいことになり、従来技術では７つ必要となるのに比べ半分以下に削減できる。さらに、放射素子の個数が増加すると、削減の効果も増大する。
また、上記同様に基板厚が０．１３ｍｍの誘電体基板にマイクロストリップアレーアンテナを形成する場合には、放射素子の間隔が自由空間における波長λの０．９倍程度の場合に、２素子サブアレーの間隔をマイクロストリップ線路における伝搬波長λｇの３倍以下とするには、比誘電率が３．９よりも小さい誘電体基板を用いればよいことになる。
【００１５】
以上のことから、この発明の実施の形態１に係わるマイクロストリップアレーアンテナでは、位相調整回路で発生が必要な位相遅延量が低減されて小型化され、また、必要な位相調整回路の数が削減される効果がある。
【００１６】
次に位相調整回路７ａ〜７ｃを図６に示すＷ字形に形成した場合について説明する。
図３は図１における分配器６ａを拡大した上面図である。図３における１０ａ〜１０ｃはそれぞれ分配器６ａの有するインピーダンス変成器であり、１１ａはインピーダンス変成器１０ａ〜１０ｃが互いに接続される部位である分岐部、１２a、１２ｂはそれぞれ放射素子４ｂ、４ａへの給電部である。また、図３に示すように、ここでは分岐部１１ｂから給電部１２aまでの線路長（線路の電気長）よりも、分岐部１１ｂから給電部１２bまでの線路長（線路の電気長）の方を長く、即ち、図１に示すように、２素子サブアレー８ａ〜８ｄを構成するそれぞれの放射素子への分岐部から給電部までの線路長（線路の電気長）は、入出力端子９に近い側に配置された放射素子の方を入出力端子９から遠い側に配置された放射素子より長く設定する。なお、ここでは矩形の放射素子４ａ、４ｂの一角から給電して４５度偏波を励振する場合を例示しているが、放射素子４への給電位置はこれに限るものではなく、励振する偏波などにより適宜設定する。インピーダンス変成器１０ａは、入出力端子９側とのインピーダンス整合をとるために設けられている。インピーダンス変成器１０ｂは、位相調整回路７ａとのインピーダンス整合をとるために設けられている。インピーダンス変成器１０ｃは、２素子サブアレー８ａとのインピーダンス整合をとるために設けられている。また、インピーダンス変成器１０ａ、１０ｂ、１０ｃのインピーダンス比を変えることで、各放射素子４に対して励振振幅の分布を持たせることができる。
【００１７】
図４は放射素子４ａの上面図である。図４において、１３は放射素子４ａの給電部１２ｂに設けられたスリットである。放射素子４ａには２つのスリット１３が設けられており、スリットの長さおよび幅の少なくとも一方を調整することで放射素子４ａとマイクロストリップ線路とのインピーダンス整合を図っている。なお、図５にスリットがない場合とスリットを設けた場合の給電部１２ｂからみた放射素子４ａのインピーダンス特性（スミスチャート）の計算結果を示す。図５において、１０１はスリットがない場合の特性であり、１０２はスリットを設けた場合の特性である。図５において、特性１０２ではスミスチャート上において中心付近となっており、スリット１３を設けることにより、給電部１２ｂからみた放射素子４ａのインピーダンスが変化し、整合がとれていることがわかる。
【００１８】
図６は図１における位相調整回路７ａ付近を拡大した上面図である。この実施の形態１のマイクロストリップアレーアンテナの位相調整回路７ａは２素子サブアレー８ａ、８ｂ間を接続するマイクロストリップ線路に設けられており、マイクロストリップ線路に対して放射素子４ｂ、４ｃが形成されている側と反対側に開口させたＷ字形に形成されている。また、１４ａ、１４ｂは位相調整回路７ａのマイクロストリップ線路への接続端、１５ａ〜１５ｅはマイクロストリップ線路のベンド部であり、ベンド部１５ａ〜１５ｅのそれぞれの間を、それぞれマイクロストリップ線路における伝搬波長λｇのおよそ１／４倍の間隔でＷ形に接続して信号を伝搬波長λｇの経路に迂回させ、位相調整回路７ａの接続端１４ａと接続端１４ｂの間の直線的間隔である、Ｗ字形の開口間隔を調整して必要な位相遅延量を発生させる。
以上のように、位相調整回路７ａは放射素子４ｂ、４ｃの間においてベンド部１５ａ、１５ｃ、１５ｅよりもベンド部１５ｂ、１５ｄが放射素子４ｂ、４ｃ側に配置されるように、放射素子４ｂ、４ｃの反対側に開口させたＷ字形に形成することで、２素子サブアレー８ａ、８ｂ間の誘電体基板２のスペース専有効率を向上でき、位相調整回路７ａの設置余地の確保に有利になる。また、２素子サブアレー８ａ、８ｂ間を接続するマイクロストリップ線路に位相調整回路７ａを設けても、マイクロストリップアレーアンテナの延在するマイクロストリップ線路を横切る方向の幅を狭く構成することができる。
【００１９】
また、位相調整回路７ａのそれぞれのベンド部１５ａ〜１５ｅは、ベンド部１５ａとベンド部１５ｃ、ベンド部１５ｃとベンド部１５ｅ間隔が、マイクロストリップ線路における伝搬波長λｇでのおよそ１／４倍の間隔で設けられており、各ベンド部１５ａ〜１５ｅにおける反射が位相調整回路７ａの接続端１４ａにおいて打ち消され、良好な反射特性が得られるという効果がある。
【００２０】
また、図７はベンド部１５ｃでの電流が０となる瞬間の位相調整回路７ａを流れる電流の向きを表したものである。Ｂ１〜Ｂ４はそれぞれベンド部１５ａ〜１５ｅの間を流れる電流の向きを表し、Ｃ１、Ｃ２はそれぞれ２つの電流Ｂ１と電流Ｂ２、電流Ｂ３と電流Ｂ４を合成した電流の大きさと向きを表す。合成された電流Ｃ１、Ｃ２の大きさは同じで方向は逆向きとなるため、アレーアンテナの正面方向への放射は打ち消し合う。このことは時間が経過しても常に成り立つことから、位相調整回路７ａを流れる電流からのアレーアンテナの正面方向への放射は常に打ち消され、不要放射を抑えられるという効果もある。
【００２１】
次に、実施の形態１の動作について説明する。
図１において、入出力端子９からマイクロストリップアレーアンテナに入力された高周波信号は、マイクロストリップ線路を伝搬して分配器６ａに入力される。ここで、図３に示す通り、分配器６ａの入力部にはインピーダンス変成器１０ａが設けられており、入出力端子９側とインピーダンス整合がとられているため、反射を生じることなく分配器６ａに入力される。分配器６ａでは、後段に接続されるサブアレーが３個あるため、インピーダンス変成器１０ａ〜１０ｃが互いに接続される部位からインピーダンス変成器１０ｂおよび１０ｃ側を見たインピーダンス比がおよそ１：３となるようにインピーダンス変成器１０ｂおよび１０ｃが設計されているため、分配器６ａに入力された信号は上記インピーダンス比に応じたおよそ１：３の電力比で２素子サブアレー８ａと位相調整回路７ａにそれぞれ分配される。
【００２２】
このうち、位相調整回路７ａに分配された高周波信号は、位相調整回路７ａを通って所定の位相遅れを生じた後、分配器６ｂに入力される。分配器６ｂでは、後段に接続されるサブアレーが２個あるため、分配器６ａと同様にインピーダンス比に応じておよそ１：２の電力比で２素子サブアレー８ｂと位相調整回路７ｂにそれぞれ分配される。以下同様にして、位相調整回路７ｂに分配された信号は、位相調整回路７ｂを介して所定の位相遅れを生じた後に、分配器６ｃにおいておよそ１：１の電力比で２素子サブアレー８ｃと位相調整回路７ｃにそれぞれ分配される。さらに、位相調整回路７ｃに分配された信号は位相調整回路７ｃにて所定の位相遅れを生じた後に２素子サブアレー８ｄに入力される。
【００２３】
このように分配器６ａ〜６ｃでは上記した電力比で順に分配されるため、２素子サブアレー８ａ〜８ｄに入力される信号の振幅はすべて等しくなる。さらに、前記したように、位相調整回路７ａ〜７ｃにおいて、それぞれ必要な所定の位相遅れを発生させるため、２素子サブアレー８ａ〜８ｄへ入力される信号の位相はすべて同相となる。
【００２４】
また、図３において、２素子サブアレー８ａに入力された高周波信号は分岐部１１ｂで等分配される。ここでは、放射素子４ａと放射素子４ｂ間に１８０度の位相差を付ける位相差発生手段として、分岐部１１ｂから給電部１２ａまでの線路長と分岐部１１ｂから給電部１２ｂまでの線路長に伝搬波長の約１／２の差を付けており、放射素子４ａ、４ｂには等振幅かつ逆相で入力される。ここで、放射素子４ａ、４ｂは点対称配置で配列しており、互いに１８０度異なる逆方向から給電されるため、結局２素子サブアレー８ａの放射素子４ａ、４ｂから放射される電波は等振幅かつ同相となる。また、他の２素子サブアレー８ｂ〜８ｄそれぞれの動作も２素子サブアレー８ａと同様であり、放射素子４ａ〜４ｈから放射される電波はすべて等振幅かつ同相となる。
【００２５】
前記動作の説明では、全ての放射素子が同相で励振されるような設計など、マイクロストリップアレーアンテナの主要諸元が設計どおりに製作された場合の通常の動作について述べた。ここではさらに、実施の形態１に係わるマイクロストリップアレーアンテナにおいて、製作誤差などでマイクロストリップ線路幅が設計値からずれた場合の動作について説明する。
まず、マイクロストリップ線路幅が設計値よりも細く製作された場合には、マイクロストリップ線路の実効比誘電率は小さくなるため、マイクロストリップアレーアンテナ内のマイクロストリップ線路を通過する信号の位相遅延量が設計よりも小さくなる。
このとき、前述のように、２素子サブアレー８ａ〜８ｄを構成するそれぞれの放射素子への分岐部から給電部までの線路長（線路の電気長）は、入出力端子９に近い側に配置された放射素子の方を入出力端子９から遠い側に配置された放射素子より長く設定しているため、それぞれの２素子サブアレー８ａ〜８ｄ内の放射素子は、入出力端子９から遠い側に配置された放射素子よりも入出力端子９に近い側に配置された放射素子の方が位相が進んで励振され、それぞれの２素子サブアレー８ａ〜８ｄの放射パターンの主ビーム方向は入出力端子９と反対側に傾くような影響を受ける。一方、入出力端子９から位相調整回路７ａ〜７ｃなどのマイクロストリップ線路を介して配置されている２素子サブアレー８ａ〜８ｄは、入出力端子９から遠い側に配置された２素子サブアレーよりも入出力端子９に近い側に配置された２素子サブアレーの方が位相が遅れて励振されるため、それぞれの２素子サブアレー８ａ〜８ｄの合成された放射パターンの主ビーム方向は入出力端子９の側に傾くような影響を受ける。
以上のように、２素子サブアレー内の放射素子の励振位相誤差と各２素子サブアレーの励振位相誤差の影響が打ち消し合うため、マイクロストリップアレーアンテナの放射パターンの主ビーム方向はほぼ正面となる。
なお、マイクロストリップ線路幅が設計値よりも太く製作された場合には、前記と逆の状態となり、前記同様にして２素子サブアレー内の放射素子の励振位相誤差と各２素子サブアレーの励振位相誤差の影響が打ち消し合うため、マイクロストリップアレーアンテナの放射パターンの主ビーム方向はほぼ正面となる。
また、同様に、高周波信号の周波数が変化した場合でも、それぞれのマイクロストリップアレーアンテナの放射パターンの主ビーム方向が設計に対して傾くが、２素子サブアレー内の放射素子の励振位相誤差と各２素子サブアレーの励振位相誤差の影響が打ち消し合うため、マイクロストリップアレーアンテナの放射パターンの主ビーム方向はほぼ正面となり、主ビームの方向がほぼ正面となる周波数帯域が広くなる。
さらに、温度変動、経時変化などによる放射特性の変化を低減できる。
なお、分岐部１１ｂから給電部１２ａまでの線路長と分岐部１１ｂから給電部１２ｂまでの線路長の差は大きい方が効果的であり、差は伝搬波長の約１／２倍の奇数倍としても良い。
【００２６】
なお、分配器６ａ〜６ｃでの分配比を適宜設定することにより、２素子サブアレー８ａ〜８ｄに入力される信号の振幅を変えることもでき、放射素子４ａ〜４ｈに対して励振振幅の分布を持たせることができる。
【００２７】
以上のように、この発明の実施の形態１に係わるマイクロストリップアレーアンテナによれば、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振するために給電マイクロストリップ線路に装荷が必要な位相調整手段で発生が必要な位相遅延量を低減できると共に必要な位相調整手段の数を削減でき、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナを得られる効果がある。なお、インピーダンス変成器１０ａ、１０ｂ、１０ｃのインピーダンス比の設定、または、分配器６ａ〜６ｃでの分配比の設定を適宜行うことにより、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を等振幅かつ同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナを得られる効果がある。
さらに、製作誤差や周波数変動による励振位相誤差にともなう放射パターンの主ビーム方向の変化が低減されたマイクロストリップアレーアンテナを得られる効果がある。
また、位相遅延量を発生させる位相調整手段である位相調整回路の各ベンド部からの反射が打ち消され、良好な反射特性が得られる効果がある。
さらに、位相遅延量を発生させる位相調整手段である位相調整回路からの不要放射を抑えられる効果がある。
【００２８】
なお、前記説明では、位相調整回路７ａ〜７ｃをすべて同じ線路幅で構成した場合を例示して説明したが、図８に示すように、ベンド部の間に設けられたマイクロストリップ線路の線路幅を狭くするなど、線路幅を変化させても良い。マイクロストリップ線路の線路幅を狭くすることで線路のインピーダンスが高められ、高インピーダンス線路１６となるため、ベンド部１５ａ〜１５ｅに存在する寄生容量を打ち消すことができる。したがって、位相調整回路７ａ〜７ｃを高インピーダンス線路１６で構成することにより、ベンド部１５ａ〜１５ｅ間を接続しているマイクロストリップ線路の長さを短縮することができる。
以上のように、位相調整回路７ａ〜７ｃにおけるベンド部１５ａ〜１５ｅ間のマイクロストリップ線路の線路幅を狭くすることで位相調整回路７ａ〜７ｃを更に小形に構成でき、マイクロストリップアレーアンテナを更に小型化できる効果がある。
【００２９】
以上では、マイクロストリップアレーアンテナが偶数個の放射素子４ａ〜４ｈで成り、それぞれの放射素子４ａ〜４ｈは矩形の同一形状で、矩形の一角から斜め４５度で給電され、所定の１波長未満の一定間隔で線状に配列された場合を例示したが、この発明に係るマイクロストリップアレーアンテナはこれに限るものではなく、次のような場合にもこの発明は同様に成り立ち、前記説明と同様の理由で効果を奏する。すなわち、２素子サブアレーを形成しない放射素子を有する場合、放射素子が矩形以外の同一形状の場合、異なる形状の放射素子を含む場合、放射素子の給電位置が上記と異なる場合、一定間隔で配列されていない放射素子を含む場合、などである。
また、後述の実施の形態２のマイクロストリップアレーアンテナに適用する場合などには、実施の形態１のマイクロストリップアレーアンテナにおいて、必ずしも前記２素子サブアレー８ａ〜８ｄを構成するそれぞれの放射素子への分岐部から給電部までの線路長（線路の電気長）は、入出力端子９に近い側に配置された放射素子の方を入出力端子９から遠い側に配置された放射素子より長く設定されている、に限るものではない。
なお、以上の説明で、送信アンテナとして説明したものについて、アンテナの送受可逆性から、受信アンテナとしても同様に機能し、効果を得られることは言うまでもない。
【００３０】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２に係わるマイクロストリップアレーアンテナは、例えば、この発明の実施の形態１に係わるマイクロストリップアレーアンテナのような各放射素子から放射される電波が同相となるマイクロストリップアレーアンテナ２台を、それぞれの給電方向が逆方向になるような点対称配置で線状に配置し、それぞれの入出力端子から逆相で給電する構成である。
図９はこの発明の実施の形態２に係わるマイクロストリップアレーアンテナを示す上面図であり、誘電体基板２の上面にストリップ導体１が設けられ、誘電体基板２の裏面に地板導体が設けられ、実施の形態１の図１に示した構成のマイクロストリップアレーアンテナ２台を、それぞれのマイクロストリップアレーアンテナの入出力端子９ａと入出力端子９ｂを外側にして点対称配置で線状に配置して構成した場合を示している。また、この例では、逆相電力分配器（図示省略）を介して入出力端子９ａと入出力端子９ｂからトーナメント方式により給電するものとして説明する。
なお、それぞれのマイクロストリップアレーアンテナの細部の構成および動作の説明は、前記実施の形態１での説明と同様であり省略する。
【００３１】
次に、実施の形態２の動作について説明する。
図９において、入出力端子９ａ、９ｂから各マイクロストリップアレーアンテナに逆相電力分配器により１つの高周波信号を等振幅かつ逆相に分岐して入力する。一方の入出力端子９ａからマイクロストリップアレーアンテナに入力された高周波信号は、実施の形態１で説明したと同様に、マイクロストリップアレーアンテナの各放射素子から等振幅かつ同相で放射される。また、同様に、他方の入出力端子９ｂから入力された高周波信号もマイクロストリップアレーアンテナの各放射素子から等振幅かつ同相で放射される。
ここで、それぞれのマイクロストリップアレーアンテナは給電方向が逆方向になるような点対称配置で配置されているため、それぞれのマイクロストリップアレーアンテナの入出力端子９ａ、９ｂへの入力を予め逆相としており、それぞれのマイクロストリップアレーアンテナの全ての放射素子から放射される電波は等振幅かつ同相となる。
【００３２】
以上のことから、この発明の実施の形態２に係わるマイクロストリップアレーアンテナでは、例えばこの発明の実施の形態１に係わるマイクロストリップアレーアンテナのような、すべての放射素子が同相で励振されるように設計されたマイクロストリップアレーアンテナにおいて、製作誤差などによりマイクロストリップアレーアンテナ内の位相調整回路の位相遅延量が設計よりも小さかった場合、図９においてマイクロストリップアレーアンテナのサブアレーを成す隣り合う放射素子は、左側の放射素子よりも右側の放射素子の方が位相が遅れて励振されることになる。その結果、マイクロストリップアレーアンテナの放射パターンの主ビーム方向は入出力端子９ａ側に傾くことになる。一方、マイクロストリップアレーアンテナの放射パターンの主ビーム方向は入出力端子９ｂ側に傾くことになる。このように、それぞれのマイクロストリップアレーアンテナの主ビームは逆方向にずれることになるが、互いの放射パターンが合成されるため、互いの主ビームの傾きが相殺され、正面方向に主ビームが形成される。
同様に、高周波信号の周波数が変化した場合でも、それぞれのマイクロストリップアレーアンテナの放射パターンの主ビーム方向が設計に対して傾くが、それぞれ反対方向への傾きとなって相殺されるため、実施の形態１のようにマイクロストリップアレーアンテナを単体で用いる場合よりも、主ビームの方向がほぼ正面となる周波数帯域が広くなる。
【００３３】
以上のことから、この発明の実施の形態２に係わるマイクロストリップアレーアンテナによれば、製造誤差などにより各放射素子の励振位相分布が設計からずれた場合でも、放射パターンの主ビーム方向のずれを低減でき、また、主ビームの方向がほぼ正面となる周波数が広帯域になるという効果がある。
さらに、温度変動、経時変化などによる放射特性の変化を低減できる。
【００３４】
なお、以上の説明で、送信アンテナとして説明したものについて、アンテナの送受可逆性から、受信アンテナとしても同様に機能し、効果を得られることは言うまでもない。
また、この発明の実施の形態２に係わるマイクロストリップアレーアンテナは、実施の形態１のマイクロストリップアレーアンテナに限らず、所定の間隔で線状に配列された複数個の放射素子を同相で励振できるマイクロストリップアレーアンテナ２台の組み合わせにより実現でき、上記同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の実施の形態１に係わるマイクロストリップアレーアンテナを示す上面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ’断面図である。
【図３】図１における分配器６ａを拡大した上面図である。
【図４】放射素子４ａの上面図である。
【図５】スリットがない場合とスリットを設けた場合の給電部１２ｂからみた放射素子４ａのインピーダンス特性（スミスチャート）の計算結果を示す図である。
【図６】図１における位相調整回路７ａ付近を拡大した上面図である。
【図７】ベンド部１５ｃでの電流が０となる瞬間の位相調整回路７ａを流れる電流の向きを表した説明図である。
【図８】ベンド部の間に設けられたマイクロストリップ線路の線路幅を狭くするなど、線路幅を変化させた場合の位相調整回路７ａの説明図である。
【図９】この発明の実施の形態２に係わるマイクロストリップアレーアンテナを示す上面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  ストリップ導体、２  誘電体基板、３  地板導体、４ａ〜４ｈ  放射素子、５  インピーダンス変成器、６ａ〜６ｃ  分配器、７ａ〜７ｃ  位相調整回路、８ａ〜８ｄ  ２素子サブアレー、９  入出力端子、１０ａ〜１０ｃ  インピーダンス変成器、１１ａ、１１ｂ  分岐部、１２a、１２ｂ  給電部、１３  スリット、１４ａ、１４ｂ  接続端、１５ａ〜１５ｅ  ベンド部、１６  高インピーダンス線路。
【図１】
2008245252.tif 000003
【図２】
2008245252.tif 000004
【図３】
2008245252.tif 000005
【図４】
2008245252.tif 000006
【図５】
2008245252.tif 000007
【図６】
2008245252.tif 000008
【図７】
2008245252.tif 000009
【図８】
2008245252.tif 000010
【図９】
2008245252.tif 000011