(57)【要約】【課題】迅速な銅研磨速度、及び、良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、更に、ディッシングが少なく平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供すること。【解決手段】半導体集積回路用基板の製造工程における銅膜の化学的機械的研磨に用いられ、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有し、且つ、無機リン酸化合物の含有量が０．０１ｇ／Ｌ以下であることを特徴とする研磨液。  ＨＯＯＣ−ＣＨＲ１−ＮＲ２Ｒ３      一般式（Ｉ）（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子、アルキル基、又はアリール基（ヘテロ環アリール基を含む）を表し、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はカルボニル基を含む基を表す。また、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうち２つが互いに結合して環構造を形成してもよい。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路用基板の製造工程における銅膜の化学的機械的研磨に用いられ、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有し、且つ、無機リン酸化合物の含有量が０．０１ｇ／Ｌ以下であることを特徴とする研磨液。
ＨＯＯＣ−ＣＨＲ１−ＮＲ２Ｒ３      一般式（Ｉ）
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子、アルキル基、又はアリール基（ヘテロ環アリール基を含む）を表し、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はカルボニル基を含む基を表す。また、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうち２つが互いに結合して環構造を形成してもよい。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、酸を添加して晶析させることにより精製された化合物であることを特徴とする請求項１に記載の研磨液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造に関するものであり、特に、半導体集積回路用基板の製造工程において銅膜の化学的機械的研磨に用いる研磨液に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（以下ＬＳＩと記す）で代表される半導体デバイスの開発においては、高集積化・高速化のため、配線の微細化と積層化による高密度化・高集積化が求められている。このための技術として、絶縁性薄膜（ＳｉＯ２など）や配線に用いられる金属薄膜を研磨し、基板の平滑化や配線形成時の余分な金属薄膜の除去を行う化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、以下ＣＭＰと記す）等の種々の術が用いられてきている。
ＣＭＰの一般的な方法は、円形の研磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨液で浸して、パッドに基板（ウエハ）の表面を押しつけ、その裏面から所定の圧力（研磨圧力）を加えた状態で、研磨定盤及び基板の双方を回転させ、発生する機械的摩擦により基板の表面を平坦化するものである。
ＣＭＰに用いる金属用研磨溶液は、一般には砥粒（例えば、アルミナ、シリカ）と酸化剤（例えば、過酸化水素、過硫酸）とを含むものであって、酸化剤によって金属表面を酸化し、その酸化皮膜を砥粒で除去することで研磨していると考えられている。
【０００３】
しかしながら、このような固体砥粒を含む研磨液を用いてＣＭＰを行うと、研磨傷（スクラッチ）、研磨面全体が必要以上に研磨される現象（シニング）、研磨金属面が平面状ではなく、中央のみがより深く研磨されて皿状のくぼみを生ずる現象（ディッシング）、金属配線間の絶縁体が必要以上に研磨されたうえ、複数の配線金属面表面が皿状の凹部を形成する現象（エロージョン）などが発生することがある。
このような従来の固体砥粒における問題点を解決するために、砥粒を含まず、過酸化水素／リンゴ酸／ベンゾトリアゾール／ポリアクリル酸アンモニウム及び水からなる研磨液が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法によれば、半導体基体の凸部の金属膜が選択的にＣＭＰされ、凹部に金属膜が残されて所望の導体パターンが得られるものの、従来の固体砥粒を含むよりもはるかに機械的に柔らかい研磨パッドとの摩擦によってＣＭＰが進むため、十分な研磨速度が得難いという問題点を有している。
【０００４】
一方、更なる高性能化を目指し、配線用の金属として、従来汎用のタングステンやアルミニウムに代えて、配線抵抗の低い銅を用いたＬＳＩが開発されるようになった。高密度化を目指す配線の微細化に伴って、銅配線の導電性や電子マイギュレート耐性などの向上が必要となり、それに伴って高純度銅に銀などの第３成分を微量添加した銅合金を用いることも検討されはじめてきている。同時に、これらの高精細で高純度の材料を汚染させることなく高生産性を発揮し得る高速金属研磨手段が求められている。
【０００５】
また、最近は生産性向上のため、ＬＳＩ製造時のウエハ径を大型化しており、現在は直径２００ｍｍ以上が汎用されており、３００ｍｍ以上の大きさでの製造も開始され始めてきた。このような大型化に伴い、ウエハ中心部と周辺部とでの研磨速度の差が大きくなり、面内均一性に対する改善要求が強くなってきている。
銅及び銅合金に対して機械的研磨手段をもたない化学研磨方法としては、溶解作用のみによる化学研磨方法も知られている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、凸部の金属膜が選択的に化学的機械的に研磨されるＣＭＰに比べ、ディッシングなどの発生による問題が発生しやすく平坦性の確保が課題となっている。
その他にも研磨面の段差平坦化を目的として、研磨パッドの劣化を抑える化学機械研磨用水系分散体（例えば、特許文献３参照。）や、ウエハ表面を修正するのに有用なイミノニ酢酸とその塩から選ばれるキレート剤を含有する加工液（例えば、特許文献４参照。）、α−アミノ酸を含有する化学機械研磨組成物（例えば、特許文献５参照。）などが提案されている。
これらの技術により、銅配線における研磨性能の向上が見られる。通常は、銅配線を高速研磨により実施した後、銅配線のバリア金属としてしばしば用いられるタンタルやその合金類と銅とを精密研磨して、配線近傍の平滑化を行うことが一般的である。このため、銅研磨の終了時において、銅が削れやすく、タンタルが削れにくいという、銅とタンタルとの研磨選択性（以下、適宜、銅／タンタル研磨選択性と称する。）を有する研磨液の実現が望まれているのが現状である。
【特許文献１】特開２００１−１２７０１９号公報
【特許文献２】特開昭４９−１２２４３２号公報
【特許文献３】特開２００１−２７９２３１号公報
【特許文献４】特表２００２−５３８２８４号公報
【特許文献５】特開２００３−５０７８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ＬＳＩの生産性を高めるために、銅金属及び銅合金を原料とする膜のより迅速な研磨を実現するＣＭＰスラリーが求められているという背景に基づいて行われたものである。
そこで、本発明の目的は、迅速な銅研磨速度、及び、良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、更に、ディッシングが少なく平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の研磨液に係る問題点について、本発明者は鋭意検討した結果、特定の構造を有するアミノ酸を含有する研磨液において、無機リン酸化合物の含有量を規定することで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明は下記の通りである。
すなわち、本発明の研磨液は、半導体集積回路用基板の製造工程における銅膜の化学的機械的研磨に用いられ、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有し、且つ、無機リン酸化合物の含有量が０．０１ｇ／Ｌ以下であることを特徴とする。
ＨＯＯＣ−ＣＨＲ１−ＮＲ２Ｒ３      一般式（Ｉ）
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子、アルキル基、又はアリール基（ヘテロ環アリール基を含む）を表し、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はカルボニル基を含む基を表す。また、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうち２つが互いに結合して環構造を形成してもよい。）
【０００８】
また、本発明において、上記一般式（Ｉ）で表される化合物が、酸を添加して晶析させることにより精製された化合物であることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
導体集積回路用基板の製造工程における銅膜の化学的機械的研磨に、本発明の研磨液を使用することにより、銅研磨速度、及び銅／タンタル研磨選択性が優れ、更に、ディッシングの発生が少なく平坦性をも向上させることができる。
また、このことから、ＬＳＩにおける、コロージョン、スクラッチ、シニング、エロージョンなどの研磨の局部的な不均一に伴う欠陥の発生が低レベルに維持することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の研磨液は、導体集積回路用基板の製造工程における銅膜の化学的機械的研磨に用いられるものであって、一般式（Ｉ）で表される化合物（以下、適宜、「特定アミノ酸誘導体」と称する。）を含有し、且つ、無機リン酸化合物の含有量が０．０１ｇ／Ｌ以下であることを特徴とする。
このように、特定アミノ酸誘導体を含有する研磨液において、無機リン酸化合物の含有量を０．０１ｇ／Ｌ以下とすることで、銅研磨速度、及び銅／タンタル研磨選択性が優れ、ディッシングの発生が少なく、平坦性に優れる導体集積回路用基板を得ることができる。
まず、本発明の研磨液を構成する成分である特定アミノ酸誘導体について説明する。
【００１１】
本発明における特定アミノ酸誘導体は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物である。
ＨＯＯＣ−ＣＨＲ１−ＮＲ２Ｒ３      一般式（Ｉ）
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子、アルキル基、又はアリール基（ヘテロ環アリール基を含む）を表し、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はカルボニル基を含む基を表す。
【００１２】
前記アルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のアルキル基や、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐のプロピル基、直鎖又は分岐のブチル基などの炭素数１〜４程度の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられ、中でも、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐のプロピル基が好ましい。
【００１３】
前記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ベンジル基が挙げられ、中でも、フェニル基が好ましい。
また、ヘテロ環アリール基としては、ピリジル、イミダゾリル、トリアゾリルが挙げられ、中でも、ピリジルが好ましい。
【００１４】
前記カルボニル基を含む基としては、アセチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基等が挙げられ、中でも、アセチル基が好ましい。
【００１５】
また、前記アルキル基、アリール基、カルボニル基を含む基は、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又はこれらの基を部分構造として含む置換基が導入されていてもよい。
ここで、「これらの基を部分構造として含む置換基」とは、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、及びヘテロ環基からなる群より選択される基を少なくとも１種以上含む置換基をいう。
【００１６】
本発明において、カルボキシ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、カルボキシ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、カルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシプロピルなどのカルボキシ基を一つ有する炭素数１〜３程度のアルキル基、すなわち、カルボキシアルキル基が好ましく、特に、カルボキシメチルがより好ましい。
【００１７】
また、ヒドロキシ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、ヒドロキシ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピルなどのヒドロキシ基を一つ有する炭素数１〜３程度のアルキル基、すなわち、ヒドロキシアルキル基が好ましく、特に、ヒドロキシメチルがより好ましい。
【００１８】
カルバモイル基を部分構造として含む置換基としては、例えば、カルバモイル基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、カルバモイルメチル、カルバモイルエチル、カルバモイルプロピルなどのヒドロキシ基を一つ有する炭素数１〜３程度のアルキル基、すなわち、カルバモイルアルキル基が好ましいものとして挙げられ、特に、カルバモイルメチル、カルバモイルエチルがより好ましい。
【００１９】
前記アルキル基又はアリール基に導入しうるアルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のアルキル基や、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基が挙げられ、メチル、エチル、直鎖又は分岐のプロピル、直鎖又は分岐のブチルなどの炭素数１〜４程度の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、特に、メチル、エチルがより好ましい。
また、特定アミノ酸誘導体に導入しうる、アルキル基を部分構造として含む置換基としては、活性メチン基を含むアルキル基が挙げられる。
【００２０】
前記アルキル基又はアリール基に導入しうるアリール基及びアリール基を部分構造として含む置換基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ベンジル基、ナフチルメチル、アントラニルメチルなどが挙げられる。
上記アリール基は、置換基を有していてもよく、また、無置換であってもよいが、無置換である方が好ましい。
【００２１】
上記アリール基に導入しうる置換基として、具体的には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基であっても、活性メチン基を含んでもよい）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基（置換基を有するカルバモイル基としては、例えば、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、チオカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基）、カルバゾイル基、カルボキシ基又はその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基若しくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、Ｎ−ヒドロキシウレイド基、イミド基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキル若しくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、ヒドロキシアミノ基、ニトロ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えば、ピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、メルカプト基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）チオ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）ジチオ基、（アルキル又はアリール）スルホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、スルホ基又はその塩、スルファモイル基（置換基を有するスルファモイル基としては、例えば、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基）又はその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの置換基の中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子、アルキル基がより好ましい。
なお、これらの置換基は、ここに挙げられた置換基により更に置換されていてもよい。
【００２２】
なお、前記活性メチン基とは、２つの電子求引性基で置換されたメチン基を意味し、電子求引性基とは、例えば、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）を意味する。２つの電子求引性基は互いに結合して環状構造をとってもよい。
また、前記塩とは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、重金属などの陽イオンや、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオンなどの有機の陽イオンを意味する。
【００２３】
ヘテロ環基及びヘテロ環基を部分構造として含む置換基としては、例えば、ピロリジニル、イミダゾリジニル、ピロリニル、イミダゾリニル、ピリジル、ピラジル、チアジアゾリル、チアゾリル、トリアゾリル、インダゾリル、イミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾオキサゾリル、テトラゾリル、オキサゾリル、メチルピロリジニル、メチルイミダゾリジニル、メチルピロリニル、メチルイミダゾリニル、メチルピリジル、メチルピラジル、メチルチアジアゾリル、メチルチアゾリル、メチルトリアゾリル、メチルインダゾリル、メチルイミダゾリル、メチルベンゾチアゾリル、メチルベンゾイミダゾリル、メチルベンゾトリアゾリル、メチルベンゾオキサゾリル、メチルテトラゾリル、メチルオキサゾリルが挙げられ、ピリジルが好ましい。
上記ヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、また、無置換であってもよいが、無置換である方が好ましい。
【００２４】
上記ヘテロ環基に導入しうる置換基としては、前記アリール基に導入しうる置換基として挙げられていたものを適用することができるが、中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子、アルキル基がより好ましい。
【００２５】
これらの置換基の中でも、アルキル基が好ましい。
ここで、複数の置換基が導入される場合、それらは同じものであっても、互いに異なるものであってもよい。
複数の置換基が導入される場合、それらが互いに結合して環状構造をとってもよい。
【００２６】
以下、本発明における特定アミノ酸誘導体の具体例（Ａ−１〜Ａ−１０、Ｂ−１〜Ｂ−１８、Ｃ−１〜Ｃ−１３、Ｄ−１〜Ｄ−１５、Ｅ−１〜Ｅ−２０）を示すが、これらに限定されるものではない。
【００２７】
【化１】
2008066588.tif 000002
【００２８】
【化２】
2008066588.tif 000003
【００２９】
【化３】
2008066588.tif 000004
【００３０】
【化４】
2008066588.tif 000005
【００３１】
【化５】
2008066588.tif 000006
【００３２】
【化６】
2008066588.tif 000007
【００３３】
本発明における特定アミノ酸誘導体は、公知の方法により合成できる。例えば、Bulletin de la Societe Chimique de France，185,189（1957）や、Journal of CHEMICAL SOCIETY: PERKIN TRANSACTIONS，539-546（1997）や、CRHebd.Seances Acad. Sci,1819(1954)や、Synthetic Communications, 573-586(1995)を参考にして合成することができる。
また、市販品を用いることも可能である。
【００３４】
本発明において特定アミノ酸誘導体は、単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
また、本発明における特定アミノ酸誘導体の添加量は、研磨に使用する際の研磨液（使用液）の１Ｌ中、好ましくは、０．０００５〜５ｍｏｌ、より好ましくは０．０１〜０．５ｍｏｌである。
【００３５】
本発明の研磨液は、無機リン酸化合物の含有量が０．０１ｇ／Ｌ以下であることを要し、好ましくは０．００５ｇ／Ｌ以下であり、より好ましくは０．００１ｇ／Ｌ以下である。
ここで、本発明の研磨液中に含有しうる無機リン酸化合物としては、リン酸及びその塩、ホスフィン酸及びその塩、ホスホン酸及びその塩、ジホスホン酸及びその塩、次リン酸及びその塩、ペルオキソ一リン酸及びその塩、ペルオキソ二リン酸及びその塩、ポリリン酸(二リン酸、三リン酸、四リン酸など)及びその塩、メタリン酸及びその塩、ジアミドリン酸及びその塩、アミドリン酸、トリメタホスフィミン酸及びその塩、テトラメタホスフィミン酸及びその塩、ペンタメタホスフィミン酸及びその塩、ヘキサメタホスフィミン酸及びその塩、ヘキサフルオロリン酸及びその塩、ヘキサクロロリン酸及びその塩、リン灰石、ホスホモリブデン酸及びその塩、ホスホタングステン酸及びその塩、ジホスホモリブデン酸及びその塩、ジホスホタングステン酸及びその塩、ウルトラリン酸及びその塩、三臭化リン、五臭化リン、二臭化窒化リン、三塩化リン、五塩化リン、四塩化二リン、二塩化フッ化リン、二塩化三フッ化リン、二塩化窒化リン、四塩化三酸化リン、テトラクロロリン酸及びその塩、三シアン化リン、三フッ化リン、五フッ化リン、四フッ化二リン、三ヨウ化リン、四ヨウ化二リン、窒化リン、酸化リン(一酸化リン、二酸化リン、三酸化二リン、五酸化二リン、六酸化四リン、十酸化四リンなど)、臭化ホスホリル、塩化ホスホリル、フッ化ホスホリル、窒化ホスホリル、ジホスホリルテトラアミド、硫化リン(五硫化二リン、三硫化四リン、五硫化四リン、七硫化四リンなど)、臭化チオホスホリル、塩化チオホスホリル、水素化リン、トリス(イソシアン酸)リン、トリス(イソシアン酸)ホスホリル、トリス(イソチオシアン酸)リン、トリス(イソチオシアン酸)ホスホリル、セレン化リン、三セレン化二リン、三セレン化四リン、五セレン化二リン、フッ化チオホスホリル、ヨウ化チオホスホリル、ホスホリルアミド、窒化チオホスホリル、チオホスホリルアミド、イソチオシアン酸ホスホリル、リン、リン化物(リン化亜鉛、リン化アルミニウム、リン化イットリウム、リン化イリジウム、リン化カリウム、リン化ガリウム、リン化カルシウム、リン化オスミウム、リン化カドミウム、リン化金、リン化インジウム、リン化ウラン、リン化クロム、リン化珪素、リン化銀、リン化ゲルマニウム、リン化コバルト、リン化ジルコニウム、リン化水銀、リン化スカンジウム、リン化スズ、リン化タリウム、リン化タングステン、リン化タンタル、リン化チタン、リン化鉄、リン化銅、リン化トリウム、リン化ナトリウム、リン化ニオブ、リン化ニッケル、リン化ネプツウム、リン化白金、リン化バナジウム、リン化ハフニウム、リン化パラジウム、リン化バリウム、リン化プルトニウム、リン化ベリリウム、リン化ホウ素、リン化マグネシウム、リン化マンガン、リン化モリブデン、リン化ランタン、リン化リチウム、リン化ルテニウム、リン化レニウム、リン化ロジウムなど)が挙げられる。好ましくは、リン酸及びその塩、ホスフィン酸及びその塩、ホスホン酸及びその塩、ジホスホン酸及びその塩、次リン酸及びその塩、ペルオキソ一リン酸及びその塩、ペルオキソ二リン酸及びその塩、ポリリン酸(二リン酸、三リン酸、四リン酸など)及びその塩、メタリン酸及びその塩、ジアミドリン酸及びその塩、アミドリン酸、トリメタホスフィミン酸及びその塩、テトラメタホスフィミン酸及びその塩、ペンタメタホスフィミン酸及びその塩、ヘキサメタホスフィミン酸及びその塩、ヘキサフルオロリン酸及びその塩、ヘキサクロロリン酸及びその塩、リン灰石、ウルトラリン酸及びその塩、三臭化リン、五臭化リン、二臭化窒化リン、三塩化リン、五塩化リン、四塩化二リン、二塩化フッ化リン、二塩化三フッ化リン、二塩化窒化リン、四塩化三酸化リン、テトラクロロリン酸及びその塩、三シアン化リン、三フッ化リン、五フッ化リン、四フッ化二リン、三ヨウ化リン、四ヨウ化二リン、窒化リン、酸化リン(一酸化リン、二酸化リン、三酸化二リン、五酸化二リン、六酸化四リン、十酸化四リンなど)、臭化ホスホリル、塩化ホスホリル、フッ化ホスホリル、窒化ホスホリル、ジホスホリルテトラアミド、硫化リン(五硫化二リン、三硫化四リン、五硫化四リン、七硫化四リンなど)、臭化チオホスホリル、塩化チオホスホリル、水素化リン、トリス(イソシアン酸)リン、トリス(イソシアン酸)ホスホリル、トリス(イソチオシアン酸)リン、トリス(イソチオシアン酸)ホスホリル、セレン化リン、三セレン化二リン、三セレン化四リン、五セレン化二リン、フッ化チオホスホリル、ヨウ化チオホスホリル、ホスホリルアミド、窒化チオホスホリル、チオホスホリルアミド、イソチオシアン酸ホスホリル、リンであり、更に好ましくは、リン酸及びその塩、ホスフィン酸及びその塩、ホスホン酸及びその塩、ジホスホン酸及びその塩、次リン酸及びその塩、ペルオキソ一リン酸及びその塩、ペルオキソ二リン酸及びその塩、ポリリン酸(二リン酸、三リン酸、四リン酸など)及びその塩、メタリン酸及びその塩、ジアミドリン酸及びその塩、アミドリン酸、ヘキサフルオロリン酸及びその塩、ヘキサクロロリン酸及びその塩、リン灰石、ウルトラリン酸及びその塩であり、特に好ましくは、リン酸及びその塩である。
【００３６】
本発明の研磨液中の無機リン酸化合物の含有量は、以下のようにしてイオンクロマトグラフィーにて測定することができる。
イオンクロマトグラフィーにより研磨液中の無機リン酸化合物の量を測定する場合、具体的には、以下の条件で測定することができる（なお、検出限界は０．００１ｇ／Ｌである）。
・カラム：TSKgel IC-Cation、TSK guard column IC-C（東ソー（株）製）
・溶離液：２ｍＭ  ＨＮＯ３
・流速：１．２ｍｌ／ｍｉｎ
・温度：４０℃
・検出法：電気伝導度
・サンプル濃度：１ｍｌ／２０ｍｌ
【００３７】
本発明において、無機リン酸化合物の研磨液中の含有量を上記の範囲にする方法としては、調製された研磨液から、晶析等の手段を用いて無機リン酸化合物を除去する方法や、研磨液を調製する前に無機リン酸化合物が混入することを防止する方法が用いられる。
ここで、前述の特定アミノ酸誘導体を合成する際、その合成方法に由来して、得られた生成物は、特定アミノ酸誘導体以外に、不純物として無機リン酸化合物を含有することが多い。そのため、合成後の特定アミノ酸誘導体をそのまま使用する際や、特定アミノ酸誘導体として市販品を使用する際には、予め、無機リン酸化合物を除去するようにそれらを精製することが好ましい。
なお、合成後の特定アミノ酸誘導体をそのまま使用する際や、特定アミノ酸誘導体として市販品を使用する場合であっても、研磨液中の無機リン酸化合物の濃度が上述の範囲となるようであれば、精製することなく使用してもよい。
【００３８】
以下、無機リン酸化合物の除去する精製方法について詳細に説明する。
本発明においては、精製前の特定アミノ酸誘導体（本発明において、精製前の特定アミノ酸誘導体とは、特定アミノ酸誘導体以外に不純物としての無機リン酸化合物を含んでいる状態を指す。）と酸を含む水溶液から特定アミノ酸誘導体を析出させる精製方法によって精製されることが好ましい。このような精製によって、精製前の特定アミノ酸誘導体から無機リン化合物が除去され、この特定アミノ酸誘導体を用いることで、結果的に、研磨液中の無機リン化合物の含有量を０．０１ｇ／Ｌ以下とすることができる。
この精製方法について以下に詳細に説明する。
【００３９】
本発明において、無機リン酸化合物を除去する特定アミノ酸誘導体の精製方法は、精製前の特定アミノ酸誘導体と酸を含む水溶液から特定アミノ酸誘導体を析出させる結晶化工程を有するものである。
この工程では、まず、特定アミノ酸誘導体を含む水溶液を調製する。
水溶液を構成する溶媒としては、例えば、水、水とアセトニトリル、水とアルコール（メタノール、エタノールなど）のような有機溶剤との混合溶媒が挙げられる。好ましくは水である。
また、溶媒の使用量は特に制限されないが、精製前の特定アミノ酸誘導体１ｋｇに対して、０．１〜３Ｌが好ましく、０．３〜２Ｌが更に好ましく、０．５〜１．５Ｌが特に好ましい。
また、溶媒の温度は特に制限されないが、１０℃以上が好ましく、２０〜１００℃が更に好ましく、５０〜１００℃が特に好ましい。
【００４０】
精製前の特定アミノ酸誘導体を溶媒に溶解させた後、得られた水溶液に酸を添加して混合液とする。
ここで用いられる酸としては、例えば、塩酸、硝酸が挙げられ、好ましくは塩酸である。
この酸は、混合液のｐＨが６以下、好ましくはｐＨ５以下、特に好ましくはｐＨ４〜５となるように、その量を調整する。
【００４１】
次に、精製前の特定アミノ酸誘導体と酸を含む水溶液に、貧溶媒を加えて特定アミノ酸誘導体を析出させる。
貧溶媒としては、例えば、アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノールなど）、アセトン、アセトニトリル、又はこれらの混合溶媒がよい。
析出後、析出した特定アミノ酸誘導体（精製後）を濾取し、風乾させる。
【００４２】
精製された特定アミノ酸誘導体に含まれる無機リン化合物の量は、精製後の特定アミノ酸誘導体の１ｍｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ｍｏｌ％以下であり、更に好ましくは０．１ｍｏｌ％以下であり、特に好ましくは０．０５ｍｏｌ％以下である。
【００４３】
なお、精製された特定アミノ酸誘導体に含まれる無機リン化合物の量の測定方法は、例えば、イオンクロマトグラフィーによるものが挙げられる。
イオンクロマトグラフィーにより無機リン酸化合物の量を測定する場合、具体的には、以下の条件で測定することができる。
・カラム：TSKgel IC-Cation、TSK guard column IC-C（東ソー（株）製）
・溶離液：２ｍＭ  ＨＮＯ３
・流速：１．２ｍｌ／ｍｉｎ
・温度：４０℃
・検出法：電気伝導度
・サンプル濃度：５ｍｇ／５ｍｌ
なお、精製前の特定アミノ酸誘導体中の無機リン酸化合物の量を測定する際も、同様の方法を用いることができる。
【００４４】
次に、本発明の研磨液を構成する任意成分について説明する。
本発明の研磨液は、構成成分として、特定アミノ酸誘導体の少なくとも１種を含む、且つ、無機リン酸化合物（含有量は０〜０．０１ｇ／Ｌ）の他に、酸化剤、及び溶媒／分散媒を含有する他は、その処方に特に制限はなく、本発明の効果を損なわない限りにおいては、公知の研磨液に用いられる化合物を目的に応じて選択して用いることができるが、芳香環を有する化合物、特に、芳香族へテロ環化合物を含有することが好ましい。
一般に、研磨液には、酸化剤、不動態膜形成剤、有機酸、砥粒が含まれるが、本発明においては必ずしも砥粒を入れなくてもよい。本発明の研磨液は、更に他の成分を含有してもよく、好ましい成分としては、例えば、界面活性剤、水溶性ポリマー、及び各種添加剤を挙げることができる。
研磨液には、各成分を２種以上添加してもよい。
【００４５】
本発明における「研磨液」は、研磨に使用する際の研磨液（すなわち、必要により希釈された研磨液、以下、使用液と称する場合がある。）のみならず、研磨液の濃縮液を含んでいる。濃縮液又は濃縮された研磨液とは、研磨に使用する際の研磨液（使用液）よりも、溶質の濃度が高く調製された研磨液を意味し、研磨に使用する際に、水又は水溶液などで希釈して、研磨に使用されるものである。希釈倍率は、一般的には１〜２０体積倍である。
本明細書において「濃縮」及び「濃縮液」とは、使用状態よりも「濃厚」及び「濃厚な液」を意味する慣用表現にしたがって用いており、蒸発などの物理的な濃縮操作を伴う一般的な用語の意味とは異なる用法で用いている。
【００４６】
なお、研磨液の濃縮液作製時に添加する成分の内、室温での水に対する溶解度が５質量％未満のものの配合量は、濃縮液を５℃に冷却した際の析出を防止する点で、室温での水に対する溶解度の２倍以内とすることが好ましく、１．５倍以内とすることがより好ましい。
【００４７】
以下、本発明の研磨液に用いうる特定アミノ酸誘導体、無機リン酸化合物以外の構成成分について説明する。
【００４８】
〔酸化剤〕
本発明の研磨液は、研磨対象の金属を酸化できる化合物（酸化剤）を含有する。酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水、銀（II）塩、及び鉄（III）塩が挙げられる。
中でも、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、及びオゾン水が好ましい。
【００４９】
上記鉄（III）塩としては、例えば、硝酸鉄（III）、塩化鉄（III）、硫酸鉄（III）、臭化鉄（III）など無機の鉄（III）塩の他、鉄（III）の有機錯塩が好ましく用いられる。
鉄（III）の有機錯塩を用いる場合、鉄（III）錯塩を構成する錯形成化合物としては、例えば、酢酸、クエン酸、シュウ酸、サリチル酸、ジエチルジチオカルバミン酸、コハク酸、酒石酸、グリコール酸、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、チオグリコール酸、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，２−エタンジチオール、マロン酸、グルタル酸、３−ヒドロキシ酪酸、プロピオン酸、フタル酸、イソフタル酸、３−ヒドロキシサリチル酸、３，５−ジヒドロキシサリチル酸、没食子酸、安息香酸、マレイン酸などやこれらの塩の他、アミノポリカルボン酸及びその塩が挙げられる。
【００５０】
上記アミノポリカルボン酸及びその塩としては、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、１，３−ジアミノプロパン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、１，２−ジアミノプロパン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸（ラセミ体）、エチレンジアミンジコハク酸（ＳＳ体）、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、Ｎ−（カルボキシメチル）−Ｌ−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、メチルイミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸、イミノジ酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミン１−Ｎ，Ｎ’−ニ酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ−ジ酢酸など及びその塩が挙げられる。対塩の種類は、アルカリ金属塩及びアンモニウム塩が好ましく、特にはアンモニウム塩が好ましい。
これらの中でも、過酸化水素、硝酸、過ヨウ化酸カリウム、次亜塩素酸、及びオゾン水が好ましく、特に過酸化水素が好ましい。
【００５１】
酸化剤の添加量は、研磨に使用する際の研磨液（使用液）の１Ｌ中、０．００３ｍｏｌ〜８ｍｏｌとすることが好ましく、０．０３ｍｏｌ〜６ｍｏｌとすることがより好ましく、０．１ｍｏｌ〜４ｍｏｌとすることが特に好ましい。すなわち、酸化剤の添加量は、金属の酸化が十分で、高いＣＭＰ速度を確保する点で０．００３ｍｏｌ以上が好ましく、研磨面の荒れ防止の点から８ｍｏｌ以下が好ましい。
【００５２】
〔無機酸〕
本発明の研磨液は、無機酸を含有してもよい。ここでの酸は、酸化の促進、ｐＨ調整、緩衝剤としての作用を有する。無機酸としては、硫酸、硝酸、ホウ酸などが挙げられ、無機酸の中では硝酸が好ましい。
無機酸の添加量は、研磨に使用する際の研磨液（使用液）の１Ｌ中、０．０００５〜０．５ｍｏｌとすることが好ましく、０．００５ｍｏｌ〜０．３ｍｏｌとすることがより好ましく、０．０１ｍｏｌ〜０．１ｍｏｌとすることが特に好ましい。すなわち、無機酸の添加量は、エッチングの抑制の点から０．５ｍｏｌ以下が好ましく、充分な効果を得る上で０．０００５ｍｏｌ以上が好ましい。
【００５３】
〔芳香環を有する化合物（不動態膜形成剤）〕
また、本発明における研磨液には、金属表面に不動態膜を形成し、研磨速度を制御する不動態膜形成剤としての機能を有する化合物、具体的には、芳香環を有する化合物（以下、適宜、「芳香環化合物」と称する。）を含有することが好ましい。また、本発明の研磨液に、金属塩、金属イオンが含まれる場合、金属が触媒として機能してしまい酸化剤の分解を促進することがあるが、芳香環を有する化合物は、その酸化剤の分解を抑制する機能をも有する。
芳香環化合物とは、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香環を有する、好ましくは分子量２０〜６００の化合物であり、例えば、テトラゾール類及びその誘導体、アントラニル酸類及びその誘導体、アミノトルイル酸、キナルジン酸、アゾール類が挙げられる。これらの中でも、特に、アゾール類、テトラゾール類及びその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有することが好ましい。
【００５４】
芳香環化合物としてのアゾール類は、ベンズイミダゾール−２−チオール、２−［２−（ベンゾチアゾリル）］チオプロピオン酸、２−［２−（ベンゾチアゾリル）］チオブチル酸、２−メルカプトベンゾチアゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３−ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、４−カルボキシ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−メトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−ブトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−オクチルオキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−ヘキシルベンゾトリアゾール、Ｎ−（１，２，３−ベンゾトリアゾリル−１−メチル）−Ｎ−（１，２，４−トリアゾリル−１−メチル）−２−エチルヘキシルアミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ビス［（１−ベンゾトリアゾリル）メチル］ホスホン酸等が挙げられ、ベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、４−カルボキシ−１Ｈ−ベンゾトリアゾールブチルエステル、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾールが高いＣＭＰ速度と低いエッチング速度を両立する上で好ましい。
【００５５】
テトラゾール類及びその誘導体としては、下記一般式（II）で表される化合物が好ましい。
【００５６】
【化７】
2008066588.tif 000008
【００５７】
一般式（II）中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒ１及びＲ２はお互いに結合して環を形成してもよい。なお、Ｒ１及びＲ２が同時に水素原子の場合、一般式（II）で表される化合物は、その互変異性体でもよい。
【００５８】
一般式（II）において、Ｒ１及びＲ２で表される置換基は、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基であっても、活性メチン基を含んでもよい）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基（置換基を有するカルバモイル基としては、例えば、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、チオカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基）、カルバゾイル基、カルボキシ基又はその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基若しくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、Ｎ−ヒドロキシウレイド基、イミド基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキル若しくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、ヒドロキシアミノ基、ニトロ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えば、ピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、メルカプト基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）チオ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）ジチオ基、（アルキル又はアリール）スルホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、スルホ基又はその塩、スルファモイル基（置換基を有するスルファモイル基としては、例えば、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基）又はその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの置換基は、更にここで挙げた置換基で置換されていてもよい。
【００５９】
Ｒ１及びＲ２が結合して、一般式（II）における−Ｃ−Ｎ−結合と共に形成する環としては、単環であっても多環であってもよく、好ましくは５〜６員環の単環、又は５〜６員環から構成される多環である。
【００６０】
一般式（II）で表される化合物の分子量は、好ましくは２０〜６００、より好ましくは４０〜４００である。
【００６１】
一般式（II）で表される化合物の具体例（II−１）〜（II−３４）を以下に挙げるが、これらに限定するものではない。
【００６２】
【化８】
2008066588.tif 000009
【００６３】
【化９】
2008066588.tif 000010
【００６４】
一般式（II）で表される化合物の中で好ましいものとしては、化合物II−１、II−３、II−４、II−１０、II−１５、II−２１、II−２２、II−２３が挙げられ、化合物II−１、II−４、II−１５、II−２２、II−２３がより好ましい。
また、一般式（II）で表される化合物は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
一般式（II）で表される化合物は、常法に従って合成できるほか、市販品を使用してもよい。
【００６５】
芳香環化合物の添加量は、研磨に使用する際の研磨液（使用液）の１Ｌ中、０．０００１〜１．０ｍｏｌが好ましく、より好ましくは０．００１〜０．５ｍｏｌ、更に好ましくは０．０１〜０．１ｍｏｌである。すなわち、芳香環化合物の添加量は、酸化剤及びこれらの化合物の劣化（無効化、分解）防止の点から研磨に使用する際の研磨液１Ｌ中、１．０ｍｏｌ以下が好ましく、充分な効果を得る上で０．０００１ｍｏｌ以上が好ましい。
なお、アゾール類、テトラゾール類及びその誘導体の添加量よりも少ない添加量であれば、チオシアン酸塩、チオエーテル類、チオ硫酸塩、又はメソイオン化合物を併用することができる。
【００６６】
〔キレート剤〕
本発明の研磨液は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じてキレート剤（すなわち、硬水軟化剤）を含有することが好ましい。
キレート剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物であり、例えば、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジ酢酸、１，２−ジヒドロキシベンゼン−４，６−ジスルホン酸等が挙げられる。
【００６７】
キレート剤は必要に応じて２種以上併用してもよい。
キレート剤の添加量は混入する多価金属イオンなどの金属イオンを封鎖するのに充分な量であればよく、例えば、研磨に使用する際の研磨液（使用液）の１Ｌ中、０．０００３ｍｏｌ〜０．０７ｍｏｌになるように添加する。
【００６８】
〔添加剤〕
また、本発明の研磨液には以下の添加剤を用いることが好ましい。
すなわち、例えば、アンモニア；ジメチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、プロピレンジアミン等のアルキルアミンや、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム及びキトサン等のアミン；ジチゾン、クプロイン（２，２′−ビキノリン）、ネオクプロイン（２，９−ジメチル−１，１０−フェナントロリン）、バソクプロイン（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）及びキュペラゾン（ビスシクロヘキサノンオキサリルヒドラゾン）等のイミン；ノニルメルカプタン、ドデシルメルカプタン、トリアジンチオール、トリアジンジチオール、トリアジントリチオール等のメルカプタン、その他、アントラニル酸、アミノトルイル酸、キナルジン酸などが挙げられる。
これらの中でも、キトサン、エチレンジアミンテトラ酢酸、Ｌ−トリプトファン、キュペラゾン、トリアジンジチオールが高いＣＭＰ速度と低いエッチング速度を両立する上で好ましい。
【００６９】
これら添加剤の添加量は、研磨に使用する際の研磨液（使用液）の１Ｌ中、０．０００１ｍｏｌ〜０．５ｍｏｌとすることが好ましく０．００１ｍｏｌ〜０．２ｍｏｌとすることがより好ましく、０．００５ｍｏｌ〜０．１ｍｏｌとすることが特に好ましい。すなわち、添加剤の添加量は、エッチング抑制の点から０．０００１ｍｏｌ以上が好ましく、ＣＭＰ速度低下防止の点から０．５ｍｏｌ以下が好ましい。
【００７０】
〔界面活性剤及び／又は親水性ポリマー〕
本発明の研磨液は、界面活性剤及び／又は親水性ポリマーを含有することが好ましい。界面活性剤と親水性ポリマーは、いずれも被研磨面の接触角を低下させる作用を有して、均一な研磨を促す作用を有する。用いられる界面活性剤及び／又は親水性ポリマーとしては、以下の群から選ばれたものが好適である。
【００７１】
陰イオン界面活性剤としては、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステル塩が挙げられ、より具体的には、カルボン酸塩として、石鹸、Ｎ−アシルアミノ酸塩、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド；スルホン酸塩として、アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼン及びアルキルナフタレンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、スルホコハク酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、Ｎ−アシルスルホン酸塩；硫酸エステル塩として、硫酸化油、アルキル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテル硫酸塩、アルキルアミド硫酸塩；リン酸エステル塩として、アルキルリン酸塩、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテルリン酸塩を挙げることができる。
【００７２】
陽イオン界面活性剤としては、脂肪族アミン塩、脂肪族４級アンモニウム塩、塩化ベンザルコニウム塩、塩化ベンゼトニウム、ピリジニウム塩、イミダゾリニウム塩を挙げることができる。
両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン型、アミノカルボン酸塩、イミダゾリニウムベタイン、レシチン、アルキルアミンオキサイドを挙げることができる。
非イオン界面活性剤としては、エーテル型、エーテルエステル型、エステル型、含窒素型が挙げられ、より具体的には、エーテル型として、ポリオキシエチレンアルキル及びアルキルフェニルエーテル、アルキルアリルホルムアルデヒド縮合ポリオキシエチレンエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル；、エーテルエステル型として、グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソルビタンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソルビトールエステルのポリオキシエチレンエーテル；エステル型として、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ポリグリセリンエステル、ソルビタンエステル、プロピレングリコールエステル、ショ糖エステル；含窒素型として、脂肪酸アルカノールアミド、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレンアルキルアミド等が例示される。
また、フッ素系界面活性剤を用いることもできる。
【００７３】
更に、その他の界面活性剤、親水性化合物、親水性ポリマー等としては、グリセリンエステル、ソルビタンエステル、メトキシ酢酸、エトキシ酢酸、３−エトキシプロピオン酸及びアラニンエチルエステル等のエステル；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリエチレングリコールアルケニルエーテル、アルキルポリエチレングリコール、アルキルポリエチレングリコールアルキルエーテル、アルキルポリエチレングリコールアルケニルエーテル、アルケニルポリエチレングリコール、アルケニルポリエチレングリコールアルキルエーテル、アルケニルポリエチレングリコールアルケニルエーテル、ポリプロピレングリコールアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールアルケニルエーテル、アルキルポリプロピレングリコール、アルキルポリプロピレングリコールアルキルエーテル、アルキルポリプロピレングリコールアルケニルエーテル、アルケニルポリプロピレングリコール、アルケニルポリプロピレングリコールアルキルエーテル及びアルケニルポリプロピレングリコールアルケニルエーテル等のエーテル；アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、カードラン及びプルラン等の多糖類；グリシンアンモニウム塩及びグリシンナトリウム塩等のアミノ酸塩；ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ−スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩；ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマー；メチルタウリン酸アンモニウム塩、メチルタウリン酸ナトリウム塩、硫酸メチルナトリウム塩、硫酸エチルアンモニウム塩、硫酸ブチルアンモニウム塩、ビニルスルホン酸ナトリウム塩、１−アリルスルホン酸ナトリウム塩、２−アリルスルホン酸ナトリウム塩、メトキシメチルスルホン酸ナトリウム塩、エトキシメチルスルホン酸アンモニウム塩、３−エトキシプロピルスルホン酸ナトリウム塩、メトキシメチルスルホン酸ナトリウム塩、エトキシメチルスルホン酸アンモニウム塩、３−エトキシプロピルスルホン酸ナトリウム塩及びスルホコハク酸ナトリウム塩等のスルホン酸及びその塩；プロピオンアミド、アクリルアミド、メチル尿素、ニコチンアミド、コハク酸アミド及びスルファニルアミド等のアミド等が挙げられる。
【００７４】
但し、研磨する対象が半導体集積回路用シリコン基板などの場合は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないため、酸若しくはそのアンモニウム塩が望ましい。研磨する対象がガラス基板等である場合はその限りではない。
上記例示化合物の中でも、シクロヘキサノール、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリビニルアルコール、コハク酸アミド、ポロビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマーがより好ましい。
【００７５】
界面活性剤及び／又は親水性ポリマーの添加量は、総量として、研磨に使用する際の研磨液（使用液）の１Ｌ中、０．００１〜１０ｇとすることが好ましく、０．０１〜５ｇとすることがより好ましく０．１〜３ｇとすることが特に好ましい。すなわち、界面活性剤及び／又は親水性ポリマーの添加量は、充分な効果を得る上で、０．００１ｇ以上が好ましく、ＣＭＰ速度の低下防止の点から１０ｇ以下が好ましい。また、これらの界面活性剤及び／又は親水性ポリマーの重量平均分子量としては、５００〜１０００００が好ましく、特には２０００〜５００００が好ましい。
【００７６】
〔アルカリ剤及び緩衝剤〕
本発明の研磨液は、必要に応じて、ｐＨ調整のためにアルカリ剤、更にはｐＨの変動抑制の点から緩衝剤を含有することができる。
【００７７】
アルカリ剤及び緩衝剤としては、水酸化アンモニウム、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイドなどの有機水酸化アンモニウム、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミンなどのようなアルカノールアミン類などの非金属アルカリ剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ金属水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、四ホウ酸塩、ヒドロキシ安息香酸塩、グリシル塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン塩、ロイシン塩、ノルロイシン塩、グアニン塩、３，４−ジヒドロキシフェニルアラニン塩、アラニン塩、アミノ酪酸塩、２−アミノ−２−メチル−１，３−プロパンジオール塩、バリン塩、プロリン塩、トリスヒドロキシアミノメタン塩、リシン塩などを用いることができる。
【００７８】
アルカリ剤及び緩衝剤の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸三カリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸二カリウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、四ホウ酸ナトリウム（ホウ砂）、四ホウ酸カリウム、ｏ−ヒドロキシ安息香酸ナトリウム（サリチル酸ナトリウム）、ｏ−ヒドロキシ安息香酸カリウム、５−スルホ−２−ヒドロキシ安息香酸ナトリウム（５−スルホサリチル酸ナトリウム）、５−スルホ−２−ヒドロキシ安息香酸カリウム（５−スルホサリチル酸カリウム）、水酸化アンモニウムなどを挙げることができる。
特に好ましいアルカリ剤としては、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドが挙げられる。
【００７９】
アルカリ剤及び緩衝剤の添加量としては、ｐＨが好ましい範囲に維持される量であればよく、研磨に使用する際の研磨液（使用液）の１Ｌ中、０．０００１ｍｏｌ〜１．０ｍｏｌとすることが好ましく、０．００３ｍｏｌ〜０．５ｍｏｌとすることがより好ましい。
また、研磨に使用する際の研磨液（使用液）のｐＨは２〜１４が好ましく、３〜１２がより好ましく、３．５〜８が最も好ましい。
この範囲において本発明の金属液は特に優れた効果を発揮する。
【００８０】
本発明においては、研磨面への吸着性や反応性、研磨金属の溶解性、被研磨面の電気化学的性質、化合物官能基の解離状態、液としての安定性などにより、適時化合物種、添加量やｐＨを設定することが好ましい。
【００８１】
〔砥粒〕
本発明の研磨液は砥粒を含有していてもよい。
好ましい砥粒としては、例えば、シリカ（沈降シリカ、フュームドシリカ、コロイダルシリカ、合成シリカ）、セリア、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、酸化マンガン、炭化ケイ素、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリテレフタレートなどが挙げられる。
また、砥粒は平均粒径が５〜１０００ｎｍが好ましく、特には１０〜２００ｎｍが好ましい。
【００８２】
砥粒の添加量としては、砥粒は、使用する際の研磨液（使用液）の全質量に対して、０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．０５〜５質量％の範囲であることがより好ましい。すなわち、研磨速度の向上とウエハ面内の研磨速度のばらつきの低減における充分な効果を得る上で０．０１質量％以上が好ましく、ＣＭＰによる研磨速度が飽和するため、２０質量％以下が好ましい。
【００８３】
本発明の研磨液を用いた化学的機械的研磨について以下に説明する。
本発明の研磨液は、半導体集積回路用基板の製造工程において、銅配線を形成するために余分な銅膜を化学的機械的研磨する際に使用される研磨液である。
本発明の研磨液を用いることで、平坦化に優れた銅配線を有する半導体集積回路用基板を得ることができる。
【００８４】
〔ウエハ（研磨対象）〕
本発明の研磨液が研磨する対象は、銅配線を有する半導体集積回路用基板を得るためのウエハであり、銅膜を有する。この銅膜（銅配線）を構成する材料は、銅金属及び／又は銅合金であることが好ましく、特には銅合金が好ましい。更には、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。銅合金に含有される銀含量は、４０質量％以下が好ましく、特には１０質量％以下、更には１質量％以下が好ましく、０．００００１〜０．１質量％の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
【００８５】
（配線の太さ）
本発明においては、研磨後に得られる半導体集積回路用基板が、例えば、ＤＲＡＭデバイス系では、ハーフピッチで０．１５μｍ以下であり、更に０．１０μｍ以下であり、特に０．０８μｍ以下である配線を有するものであることが好ましい。一方、ＭＰＵデバイス系では、０．１２μｍ以下であり、更に０．０９μｍ以下であり、特に０．０７μｍ以下である配線を有するものであることが好ましい。
このような配線の太さを有するウエハ（研磨対象）に対して、本発明の研磨液は特に優れた効果を発揮する。
【００８６】
（バリア金属）
本発明においては、研磨対象であるウエハは、銅金属及び／又は銅合金からなる銅配線と層間絶縁膜又は基板との間に、銅の拡散を防ぐためのバリア層を有することが好ましい。バリア層としては低抵抗のメタル材料がよく、特に、ＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｗ、ＷＮが好ましく、中でもＴａ、ＴａＮが特に好ましい。
また、層間絶縁膜としては、例えば、ＳｉＯ２が挙げられる。
【００８７】
本発明の研磨液でＣＭＰを行なう対象ウエハは、径が２００ｍｍ以上であることが好ましく、３００ｍｍ以上がより好ましい。径が３００ｍｍ以上である時に、顕著に本発明の効果を発揮する。
【００８８】
＜化学的機械的研磨：研磨方法＞
本発明の研磨液を用いて、半導体集積回路用基板の製造工程における銅膜の化学的機械的研磨を行う方法は、特に限定されない。
例えば、被研磨面を有する研磨対象であるウエハを保持するホルダーと、研磨パッドを貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）研磨定盤と、を有する一般的な研磨装置を使用して、本発明の研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させることで研磨するのが好ましい態様として挙げられる。
【００８９】
本発明の研磨液は、その使用における好ましい態様として、例えば、（１）濃縮液であって、使用する際に水又は水溶液を加えて希釈して使用液とする場合、（２）各成分が次項に述べる水溶液の形態で準備され、これらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、（３）使用液として調製されている場合が挙げられる。
本発明の研磨液を用いた研磨方法では、本発明の研磨液の使用における好ましい態様について、いずれの場合も適用できる。
【００９０】
本発明の研磨液を用いる研磨方法において使用される研磨用のパッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体（乾式発泡系）、連続発泡体（湿式発泡系）、２層複合体（積層系）の３つがあり、特に、２層複合体（積層系）が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に、パッドは、研磨に用いる砥粒（例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など）を含有したものでもよい。
また、パッドは、硬さについて、軟質のものと硬質のものがあり、本発明の研磨液を用いる研磨方法においてはどちらも使用することができる。積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。
パッドの材質としては、不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等が好ましい。
また、パッドが研磨面と接触する面に、例えば、格子溝／穴／同心溝／らせん状溝などの加工を施してもよい。
【００９１】
研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は、ウエハが飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転が好ましい。
被研磨面（被研磨膜）を有するウエハ（研磨対象）の研磨パッドへの押しつけ圧力は、５〜５００ｇ／ｃｍ２であることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、１２〜２４０ｇ／ｃｍ２であることがより好ましい。
【００９２】
研磨している間、研磨パッドには研磨液をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。
この研磨液の供給速度は、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するため、１０〜１０００ｍｌ／ｍｉｎが好ましく、１７０〜８００ｍｌ／ｍｉｎであることがより好ましい。
研磨終了後のウエハは、流水中で良く洗浄した後、スピンドライヤ等を用いて研磨面上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。
【００９３】
本発明において、前記（１）の方法のように、濃縮液を希釈する際には、下記に示す水溶液を用いることができる。水溶液は、予め、酸化剤、有機酸、添加剤、界面活性剤のうち少なくとも１つ以上を含有した水であり、この水溶液中に含有している成分と、希釈される濃縮液中に含有している成分と、を合計した成分が、研磨する際に使用する研磨液、即ち使用液の成分となるようにする。
このように、濃縮液を水溶液で希釈して使用する場合には、溶解しにくい成分を水溶液の形で後から配合することができることから、より濃縮した濃縮液を調製することができる。
【００９４】
また、濃縮液に水又は水溶液を加え希釈する方法としては、濃縮された研磨液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管とを途中で合流させて混合し、混合し希釈された研磨液の使用液を研磨パッドに供給する方法がある。濃縮液と水又は水溶液との混合は、圧力を付した状態で狭い通路を通して液同士を衝突混合する方法、配管中にガラス管などの充填物を詰め液体の流れを分流分離、合流させることを繰り返し行う方法、配管中に動力で回転する羽根を設ける方法など通常に行われている方法を採用することができる。
【００９５】
更に、濃縮液を水又は水溶液などにより希釈しつつ、研磨する方法としては、研磨液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管とを独立に設け、それぞれから所定量の液を研磨パッドに供給し、研磨パッドと被研磨面の相対運動で混合しつつ研磨する方法がある。また、１つの容器に、所定量の濃縮液と水又は水溶液とを入れ混合してから、研磨パッドにその混合した研磨液を供給し、研磨をする方法を用いることもできる。
【００９６】
別の研磨方法としては、研磨液が含有すべき成分を少なくとも２つの構成成分に分けて、それらを使用する際に、水又は水溶液を加え希釈して研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する方法がある。
例えば、酸化剤を構成成分（Ａ）とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分（Ｂ）とし、それらを使用する際に水又は水溶液で、構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）を希釈して使用することができる。
また、溶解度の低い添加剤を２つの構成成分（Ａ）と（Ｂ）に分け、例えば、酸化剤、添加剤、及び界面活性剤を構成成分（Ａ）とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分（Ｂ）とし、それらを使用する際に水又は水溶液を加え、構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）を希釈して使用する。
【００９７】
上記のような例の場合、構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）と水又は水溶液とをそれぞれ供給する３つの配管が必要であり、希釈混合は、３つの配管を、研磨パッドに供給する１つの配管に結合し、その配管内で混合する方法があり、この場合、２つの配管を結合してから他の１つの配管を結合することも可能である。具体的には、溶解しにくい添加剤を含む構成成分と他の構成成分を混合し、混合経路を長くして溶解時間を確保してから、更に、水又は水溶液の配管を結合する方法である。
その他の混合方法は、上記したように直接に３つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法や、１つの容器に３つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された研磨液（使用液）を供給する方法がある。
【００９８】
上記した研磨方法において、酸化剤を含む１つの構成成分を４０℃以下にし、他の構成成分を室温から１００℃の範囲に加温し、１つの構成成分と他の構成成分とを混合する際、又は、水若しくは水溶液を加え希釈する際に、液温を４０℃以下とするようにすることができる。この方法は、温度が高いと溶解度が高くなる現象を利用し、研磨液の溶解度の低い原料の溶解度を上げるために好ましい方法である。
【００９９】
上記の他の構成成分を室温から１００℃の範囲で加温することで溶解させた原料は、温度が下がると溶液中に析出するため、低温状態の他の構成成分を用いる場合は、予め加温して析出した原料を溶解させる必要がある。これには、加温し、原料が溶解した他の構成成分を送液する手段と、析出物を含む液を攪拌しておき、送液し、配管を加温して溶解させる手段と、を採用することができる。加温した他の構成成分が、酸化剤を含む１つの構成成分の温度を４０℃以上に高めると酸化剤が分解する恐れがあるので、この加温した他の構成成分と酸化剤を含む１つの構成成分とを混合した場合、４０℃以下となるようにすることが好ましい。
【０１００】
このように、本発明の研磨液を用いる研磨方法においては、研磨液の成分を二分割以上に分割して、研磨面に供給してもよい。この場合、酸化物を含む成分と有機酸を含有する成分とに分割して供給することが好ましい。また、研磨液を濃縮液とし、希釈水を別にして研磨面に供給してもよい。
【実施例】
【０１０１】
以下、実施例により本発明を説明する。本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
＜特定アミノ酸誘導体Ａ−１の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ａ−１を以下のようにして合成した。
ヒドロキシルスクシン酸と塩化リン又はオキシ塩化リンから得られたクロロスクシン酸１０ｇを含む溶液にアンモニアを加えた。得られた反応液を濃縮後、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−１を３ｇ得た。
【０１０２】
【化１０】
2008066588.tif 000011
【０１０３】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−１）１３３ｇを水７０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これにエタノール３５０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ａ−１を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−１が９５ｇ得られた。
【０１０４】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−１中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−１中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−１中の無機リン酸化合物の量：０．７ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ａ−１中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１０５】
＜特定アミノ酸誘導体Ａ−２の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ａ−２を以下のようにして合成した。
アミノホスホノキシプロパン酸１０ｇを塩酸、塩化マグネシウムを含む水溶液に溶解し、１時間加熱した。得られた反応液を濃縮後、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−２を３ｇ得た。
【０１０６】
【化１１】
2008066588.tif 000012
【０１０７】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−２）１０５ｇを水６０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これにエタノール２５０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ａ−２を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−２が８２ｇ得られた。
【０１０８】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−２中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−２中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−２中の無機リン酸化合物の量：０．６ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ａ−２中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１０９】
＜特定アミノ酸誘導体Ａ−７の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ａ−７を以下のようにして合成した。
アミノホスホノキシブタン酸１０ｇを塩酸、塩化マグネシウムを含む水溶液に溶解し、１時間加熱した。得られた反応液を濃縮後、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−７を３ｇ得た。
【０１１０】
【化１２】
2008066588.tif 000013
【０１１１】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−７）１１９ｇを水６５ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これにエタノール３００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ａ−７を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−７が９１ｇ得られた。
【０１１２】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−７中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−７中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−７中の無機リン酸化合物の量：０．９ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ａ−７中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１１３】
＜特定アミノ酸誘導体Ａ−８の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ａ−８を以下のようにして合成した。
特定アミノ酸誘導体Ａ−２に過剰量のオキシ塩化リンを作用させることで、アミノクロロプロパン酸を得た。これを含む溶液にアンモニアを加えることで、精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−８を得た。
【０１１４】
【化１３】
2008066588.tif 000014
【０１１５】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−８）１０４ｇを水５５ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５．５に調整した。これにエタノール３００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ａ−８を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−８が８６ｇ得られた。
【０１１６】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−８中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−８中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−８中の無機リン酸化合物の量：０．８ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ａ−８中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１１７】
＜特定アミノ酸誘導体Ａ−９の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ａ−９を以下のようにして合成した。
アミノヒドロキシペンタン酸エステルとオキシ塩化リン又は塩化リンからアミノクロロペンタン酸エステルを得た。これをアルカリ水溶液中加熱することで精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−９を得た。
【０１１８】
【化１４】
2008066588.tif 000015
【０１１９】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−９）１１５ｇを水５５ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これにエタノール３００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ａ−９を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−９が１０６ｇ得られた。
【０１２０】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−９中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−９中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−９中の無機リン酸化合物の量：０．８ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ａ−９中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１２１】
＜特定アミノ酸誘導体Ａ−１０の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ａ−１０を以下のようにして合成した。
マロン酸モノエステルとオキシ塩化リン又は塩化リンから得られたクロロカルボニル酢酸エステルに対し、アミノスクシン酸ジエステルを作用させた後、アルカリ水溶液中加水分解することで、精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−１０を得た。
【０１２２】
【化１５】
2008066588.tif 000016
【０１２３】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−１０）２１９ｇを水１５０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４．５に調整した。これにエタノール６００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ａ−１０を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−１０が１７６ｇ得られた。
【０１２４】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−１０中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−１０中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ａ−１０中の無機リン酸化合物の量：０．７ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ａ−１０中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１２５】
＜特定アミノ酸誘導体Ｂ−１の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、アミノエタノール５ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を１時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１を９ｇ得た。
【０１２６】
【化１６】
2008066588.tif 000017
【０１２７】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１）１１９ｇを水６０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４．５に調整した。これにエタノール１８０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｂ−１を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−１が９５ｇ得られた。
【０１２８】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−１中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１中の無機リン酸化合物の量：１．５ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１２９】
＜特定アミノ酸誘導体Ｂ−２の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｂ−２を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、アミノジエタノール８ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を１時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−２を１４ｇ得た。
【０１３０】
【化１７】
2008066588.tif 000018
【０１３１】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−２）１６３ｇを水１５０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これにエタノール３５０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｂ−２を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−２が１３８ｇ得られた。
【０１３２】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−２中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−２中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−２中の無機リン酸化合物の量：０．５ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｂ−２中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１３３】
＜特定アミノ酸誘導体Ｂ−４の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｂ−４を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、ビスヒドロキシメチルアミノエタノール９ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を１時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−４を５ｇ得た。
【０１３４】
【化１８】
2008066588.tif 000019
【０１３５】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−４）１７９ｇを水１００ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５に調整した。これにエタノール３００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｂ−４を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−４が１６５ｇ得られた。
【０１３６】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−４中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−４中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−４中の無機リン酸化合物の量：０．１ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｂ−４中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１３７】
＜特定アミノ酸誘導体Ｂ−５の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｂ−５を以下のようにして合成した。
ヒドロキシプロピオン酸と塩化リン又はオキシ塩化リンから得られたクロロプロピオン酸１０ｇを、アミノエタノール１０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を１時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−５を１１ｇ得た。
【０１３８】
【化１９】
2008066588.tif 000020
【０１３９】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−５）１３３ｇを水９０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４．５に調整した。これに、エタノール２７０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｂ−５を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−５が１０４ｇ得られた。
【０１４０】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−５中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−５中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−５中の無機リン酸化合物の量：２．１ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｂ−５中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１４１】
＜特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５を以下のようにして合成した。
ヒドロキシプロピオン酸と塩化リン又はオキシ塩化リンから得られたクロロプロピオン酸１０ｇを、アミノプロパノール１２ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を１時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５を２ｇ得た。
【０１４２】
【化２０】
2008066588.tif 000021
【０１４３】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５）１４７ｇを水８０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４．５に調整した。これに、エタノール３６０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５が１０６ｇ得られた。
【０１４４】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５中の無機リン酸化合物の量：１．２ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１５中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１４５】
＜特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、アミノプロパノール１０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を１時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６を２ｇ得た。
【０１４６】
【化２１】
2008066588.tif 000022
【０１４７】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６）１３３ｇを水７０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４．５に調整した。これに、エタノール５００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６が８９ｇ得られた。
【０１４８】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６中の無機リン酸化合物の量：０．７ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１６中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１４９】
＜特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、アミノエタノール１ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８を０．７ｇ得た。
【０１５０】
【化２２】
2008066588.tif 000023
【０１５１】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８）１７７ｇを水５０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール５５０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８が９７ｇ得られた。
【０１５２】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８中の無機リン酸化合物の量：０．７ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｂ−１８中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１５３】
＜特定アミノ酸誘導体Ｃ−１の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、エチレンジアミン１５ｇに分割添加した。反応液を１時間室温で攪拌した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１を１０ｇ得た。
【０１５４】
【化２３】
2008066588.tif 000024
【０１５５】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１）１１８ｇを水６０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５．５に調整した。これに、エタノール４００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｃ−１を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−１が７６ｇ得られた。
【０１５６】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−１中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１中の無機リン酸化合物の量：０．６ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１５７】
＜特定アミノ酸誘導体Ｃ−２の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｃ−２を以下のようにして合成した。
ヒドロキシルプロパン酸と塩化リン又はオキシ塩化リンから得られたクロロプロパン酸１０ｇを、エチレンジアミン１２ｇに分割添加した。反応液を１時間室温で攪拌した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−２を１１ｇ得た。
【０１５８】
【化２４】
2008066588.tif 000025
【０１５９】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−２）１３２ｇを水７０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５．５に調整した。これに、エタノール４５０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｃ−２を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−２が８１ｇ得られた。
【０１６０】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−２中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−２中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−２中の無機リン酸化合物の量：２．１ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｃ−２中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１６１】
＜特定アミノ酸誘導体Ｃ−４の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｃ−４を以下のようにして合成した。
ヒドロキシルスクシン酸と塩化リン又はオキシ塩化リンから得られたクロロスクシン酸１０ｇを、エチレンジアミン１０ｇに分割添加した。反応液を１時間室温で攪拌した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−４を１１ｇ得た。
【０１６２】
【化２５】
2008066588.tif 000026
【０１６３】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−４）１７６ｇを水８０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５．５に調整した。これに、エタノール５００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｃ−４を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−４が９５ｇ得られた。
【０１６４】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−４中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−４中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−４中の無機リン酸化合物の量：０．８ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｃ−４中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１６５】
＜特定アミノ酸誘導体Ｃ−６の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｃ−６を以下のようにして合成した。
アミノエチルアミノホスホノキシプロパン酸１０ｇを塩酸、塩化マグネシウムを含む水溶液に溶解し、１時間加熱した。得られた反応液を濃縮後、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−６を３ｇ得た。
【０１６６】
【化２６】
2008066588.tif 000027
【０１６７】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−６）１４８ｇを水７０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５．５に調整した。これに、エタノール４５０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｃ−６を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−６が７６ｇ得られた。
【０１６８】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−６中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−６中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−６中の無機リン酸化合物の量：０．７ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｃ−６中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１６９】
＜特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、プロパンジアミン１５ｇに分割添加した。反応液を１時間室温で攪拌した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０を８ｇ得た。
【０１７０】
【化２７】
2008066588.tif 000028
【０１７１】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０）１３２ｇを水６５ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５．５に調整した。これに、エタノール４５０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０が７３ｇ得られた。
【０１７２】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０中の無機リン酸化合物の量：０．５ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１０中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１７３】
＜特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、プロパンジアミン１５ｇに分割添加した。反応液を１時間室温で攪拌した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１を７ｇ得た。
【０１７４】
【化２８】
2008066588.tif 000029
【０１７５】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１）１３２ｇを水６０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５．５に調整した。これに、エタノール４５０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１が７５ｇ得られた。
【０１７６】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１中の無機リン酸化合物の量：０．６ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｃ−１１中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１７７】
＜特定アミノ酸誘導体Ｄ−１の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、グリシン３０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１を７ｇ得た。
【０１７８】
【化２９】
2008066588.tif 000030
【０１７９】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１）１３３ｇを水７０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール５００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｄ−１を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−１が９８ｇ得られた。
【０１８０】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−１中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１中の無機リン酸化合物の量：０．６ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１８１】
＜特定アミノ酸誘導体Ｄ−２の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｄ−２を以下のようにして合成した。
ヒドロキシルスクシン酸と塩化リン又はオキシ塩化リンから得られたクロロスクシン酸１０ｇを、グリシン３０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−２を８ｇ得た。
【０１８２】
【化３０】
2008066588.tif 000031
【０１８３】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−２）１９１ｇを水９５ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール６００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｄ−２を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−２が１１０ｇ得られた。
【０１８４】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−２中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−２中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−２中の無機リン酸化合物の量：０．７ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｄ−２中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１８５】
＜特定アミノ酸誘導体Ｄ−４の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｄ−４を以下のようにして合成した。
ヒドロキシルプロパン酸と塩化リン又はオキシ塩化リンから得られたクロロプロパン酸１０ｇを、アミノヒドロキシプロパン酸２５ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−４を２ｇ得た。
【０１８６】
【化３１】
2008066588.tif 000032
【０１８７】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−４）１７７ｇを水７０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール６００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｄ−４を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−４が８６ｇ得られた。
【０１８８】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−４中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−４中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−４中の無機リン酸化合物の量：１．８ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｄ−４中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１８９】
＜特定アミノ酸誘導体Ｄ−６の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｄ−６を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、アラニン４０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−６を９ｇ得た。
【０１９０】
【化３２】
2008066588.tif 000033
【０１９１】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−６）１４７ｇを水７０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール６００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｄ−６を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−６が８０ｇ得られた。
【０１９２】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−６中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−６中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−６中の無機リン酸化合物の量：０．８ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｄ−６中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１９３】
＜特定アミノ酸誘導体Ｄ−８の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｄ−８を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、イミノジ酢酸２０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−８を８ｇ得た。
【０１９４】
【化３３】
2008066588.tif 000034
【０１９５】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−８）１９１ｇを水９０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール６００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｄ−８を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−８が１０３ｇ得られた。
【０１９６】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−８中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−８中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−８中の無機リン酸化合物の量：０．４ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｄ−８中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０１９７】
＜特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、カルバモイルメチルアミノ酢酸２０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０を６ｇ得た。
【０１９８】
【化３４】
2008066588.tif 000035
【０１９９】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０）１９０ｇを水９０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５に調整した。これに、エタノール６００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０が１０５ｇ得られた。
【０２００】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０中の無機リン酸化合物の量：０．７ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１０中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０２０１】
＜特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸１０ｇを、アミノカルバモイルプロパン酸２０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３を８ｇ得た。
【０２０２】
【化３５】
2008066588.tif 000036
【０２０３】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３）１９０ｇを水９５ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ５に調整した。これに、エタノール６００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３が１０８ｇ得られた。
【０２０４】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３中の無機リン酸化合物の量：０．８ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１３中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０２０５】
＜特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸３０ｇを、ピリジルメタンアミン１０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５を１１ｇ得た。
【０２０６】
【化３６】
2008066588.tif 000037
【０２０７】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５）２２４ｇを水１６０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール６００ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５が１８０ｇ得られた。
【０２０８】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５中の無機リン酸化合物の量：０．６ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｄ−１５中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０２０９】
＜特定アミノ酸誘導体Ｅ−１の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸５ｇを、ピリジルメタンアミン２０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１を１ｇ得た。
【０２１０】
【化３７】
2008066588.tif 000038
【０２１１】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１）１６６ｇを水９０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール５５０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｅ−１を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−１が１３０ｇ得られた。
【０２１２】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−１中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１中の無機リン酸化合物の量：０．５ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０２１３】
＜特定アミノ酸誘導体Ｅ−２の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｅ−２を以下のようにして合成した。
ヒドロキシルプロパン酸と塩化リン又はオキシ塩化リンから得られたクロロプロパン酸１０ｇを、ピリジルメタンアミン２０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−２を８ｇ得た。
【０２１４】
【化３８】
2008066588.tif 000039
【０２１５】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−２）１８０ｇを水９０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール５７０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｅ−２を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−２が１２０ｇ得られた。
【０２１６】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−２中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−２中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−２中の無機リン酸化合物の量：１．２ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｅ−２中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０２１７】
＜特定アミノ酸誘導体Ｅ−４の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｅ−４を以下のようにして合成した。
ヒドロキシルスクシン酸と塩化リン又はオキシ塩化リンから得られたクロロスクシン酸１０ｇを、ピリジルメタンアミン２０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−４を２ｇ得た。
【０２１８】
【化３９】
2008066588.tif 000040
【０２１９】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−４）２２４ｇを水９０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール５７０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｅ−４を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−４が１６０ｇ得られた。
【０２２０】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−４中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−４中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−４中の無機リン酸化合物の量：０．８ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｅ−４中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０２２１】
＜特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸５ｇを、ピリジルエチルアミン２０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５を２ｇ得た。
【０２２２】
【化４０】
2008066588.tif 000041
【０２２３】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５）１８０ｇを水９０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール５７０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５が１００ｇ（０．５６ｍｏｌ、収率５６％）得られた。
【０２２４】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５中の無機リン酸化合物の量：０．７ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１５中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０２２５】
＜特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６の合成と精製＞
下記構造の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６を以下のようにして合成した。
酢酸と赤リンと塩素から得られたクロロ酢酸５ｇを、ピリミジルメタンアミン２０ｇを含むメタノール溶液に分割添加した。反応液を５時間加熱還流した後濃縮し、エタノールを加えることで精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６を３ｇ得た。
【０２２６】
【化４１】
2008066588.tif 000042
【０２２７】
上記の合成法により得られた生成物（精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６）１６７ｇを水９０ｍＬに溶解させ、これに、塩酸を加えてｐＨ４に調整した。これに、エタノール５７０ｍＬを加えることによって、特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６を析出させた。
析出物を濾取し、風乾させることによって、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６が１１０ｇ得られた。
【０２２８】
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６中の無機リン酸化合物の量と、精製された特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６中の無機リン酸化合物の量と、をイオンクロマトグラフィーにてそれぞれ測定した。なお、測定条件は、前述の通りである。
精製前の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６中の無機リン酸化合物の量：０．５ｍｏｌ％
精製後の特定アミノ酸誘導体Ｅ−１６中の無機リン酸化合物の量：＜０．０５ｍｏｌ％
【０２２９】
＜実施例１＞
下記に示す組成の研磨液を調製し、実施例１の研磨液を得た。この研磨液を、下記の方法により研磨試験を行って評価した。
【０２３０】
（研磨液の組成）
・過酸化水素（酸化剤）                                  ・・・５ｇ
・前述のように精製された特定アミノ酸誘導体Ａ−１      ・・・１２ｇ
・ベンゾトリアゾール（芳香環化合物）                    ・・・０．４ｇ
・コロイダルシリカ（砥粒）                            ・・・１１ｇ
・純水                                      ・・・全量が１０００ｍｌとなる量
研磨液のｐＨは、アンモニア水と硝酸とを用いることにより、６．４に調整した。
なお、上記過酸化水素、特定アミノ酸誘導体、ベンゾトリアゾール、及びコロイダルシリカの質量は、これらの成分自体の質量を示す。
【０２３１】
（研磨液中の無機リン酸化合物の含有量の測定）
得られた研磨液中の無機リン酸化合物の含有量を前述の方法で測定した。
結果を表１に示す。なお、表中の「Ｎ．Ｄ．」は、測定限界値以下であることを示す。
【０２３２】
（研磨試験）
・研磨パッド：ＩＣ１４００ＸＹ＋Ｋ  Ｇｒｏｏｖｅ（ロームアンドハース社）
・研磨機：ＬＧＰ−６１２（ＬａｐｍａＳｔｅｒＳＦＴ社）
・押さえ圧力：１４０ｈＰａ
・研磨液供給速度：２００ｍｌ／ｍｉｎ
・銅ブランケットウエハ：厚さ１．４μｍの銅膜を形成したウエハ（φ２００ｍｍ）
・タンタルブランケットウエハ：厚さ１μｍのタンタル膜を形成したウエハ（φ２００ｍｍ）
・パターンウエハ：ａｔｄｆ社製ＣＭＰ８５４パターンウエハ（φ２００ｍｍ）
・研磨パッド／ウエハの回転数：９５／１２０ｒｐｍ
・定盤温調：２０℃
【０２３３】
（評価方法）
・研磨速度：銅ブランケットウエハ面上の４９箇所と、タンタルブランケットウエハ面上の４９箇所に対し、金属膜のＣＭＰ前後での膜厚さを電気抵抗値から換算して、それぞれの平均研磨速度を求めた。また、求められた研磨速度を、下記の式に導入し、銅とタンタルの研磨速度比（銅／タンタル研磨速度比）を算出した。
（銅／タンタル研磨速度比）＝（銅の平均研磨速度）／（タンタルの平均研磨速度）
【０２３４】
・ディッシング：パターンウエハに対し、非配線部の銅が完全に研磨されるまでの時間に加えて、該時間の３０％に相当する時間研磨し、ラインアンドスペース部（ライン１００μｍ、スペース１００μｍ）のディッシングを触針式段差計で測定した。
上記研磨液を用いてＣＭＰを行って得られた銅研磨速度、銅／タンタル研磨速度比、及びディッシングを下記表１に示す。
【０２３５】
＜実施例２〜３３＞
実施例１の研磨液の組成において、特定アミノ酸誘導体Ａ−１を下記表１に示す特定アミノ酸誘導体にそれぞれ代えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜３３の研磨液を作製した。
得られた研磨液中の無機リン酸化合物の含有量を前述の方法で測定した。また、得られた研磨液を用いて、実施例１と同様の方法で、銅研磨速度、銅／タンタル研磨速度比、及びディッシングを求めた。これらの結果を表１に併記する。
【０２３６】
＜実施例３４＞
実施例１の研磨液の組成において、ベンゾトリアゾール（芳香環化合物）をテトラゾールに代えた以外は、実施例１と同様にして、実施例３４の研磨液を作製した。
得られた研磨液中の無機リン酸化合物の含有量を前述の方法で測定した。また、得られた研磨液を用いて、実施例１と同様の方法で、銅研磨速度、銅／タンタル研磨速度比、及びディッシングを求めた。これらの結果を表２に示す。
【０２３７】
＜実施例３５〜６６＞
実施例３４の研磨液の組成において、特定アミノ酸誘導体Ａ−１を下記表２に示す特定アミノ酸誘導体にそれぞれ代えた以外は、実施例３４と同様にして、実施例３５〜６６の研磨液を作製した。
得られた研磨液中の無機リン酸化合物の含有量を前述の方法で測定した。また、得られた研磨液を用いて、実施例１と同様の方法で、銅研磨速度、銅／タンタル研磨速度比、及びディッシングを求めた。これらの結果を表２に併記する。
【０２３８】
＜比較例１〜３＞
実施例１の研磨液の組成において、特定アミノ酸誘導体Ａ−１を下記表３に示す有機酸にそれぞれ代えた以外は、実施例１と同様にして、比較例１〜３の研磨液を作製した。
得られた研磨液中の無機リン酸化合物の含有量を前述の方法で測定した。また、得られた研磨液を用いて、実施例１と同様の方法で、銅研磨速度、銅／タンタル研磨速度比、及びディッシングを求めた。これらの結果を表３に併記する。
【０２３９】
＜比較例４〜１４＞
実施例１の研磨液の組成において、特定アミノ酸誘導体Ａ−１を下記表３に示す特定アミノ酸誘導体であって精製前のものにそれぞれ代えた以外は、実施例１と同様にして、比較例４〜１４の金属用研磨液を作製した。
得られた研磨液中の無機リン酸化合物の含有量を前述の方法で測定した。また、得られた研磨液を用いて、実施例１と同様の方法で、銅研磨速度、銅／タンタル研磨速度比、及びディッシングを求めた。これらの結果を表３に併記する。
【０２４０】
＜比較例１５〜２９＞
実施例１の研磨液の組成において、特定アミノ酸誘導体Ａ−１を下記表３に記載の特定アミノ酸誘導体にそれぞれ代え、更に、この特定アミノ酸誘導体に対して１ｍｏｌ％となる下記表３に記載の無機リン酸化合物を添加した以外は、実施例１と同様にして、比較例１５〜２９の研磨液を作製した。
得られた研磨液中の無機リン酸化合物の含有量を前述の方法で測定した。また、得られた研磨液を用いて、実施例１と同様の方法で、銅研磨速度、銅／タンタル研磨速度比、及びディッシングを求めた。これらの結果を表３に併記する。
【０２４１】
【表１】
2008066588.tif 000043
【０２４２】
【表２】
2008066588.tif 000044
【０２４３】
【表３】
2008066588.tif 000045
【０２４４】
表１〜表３に示されるように、特定アミノ酸誘導体を含有し、無機リン酸化合物の含有量が０．０１ｇ／Ｌ以下の研磨液（実施例１〜６６）は、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸のように、本願の範囲を外れた有機酸を含有する研磨液（比較例１〜３）と比較して、銅研磨速度が高く、ディッシングが大幅に改善され、更に、銅／タンタル研磨速度比に優れていることがわかる。
また、実施例の研磨液は、無機リン化合物を本願の範囲を外れた範囲で含有する研磨液（比較例４〜２９）に比べ、銅／タンタル研磨速度比を落とさず、また、ディッシングを著しく悪化させることなく、銅研磨速度が大幅に改善されるが明らかとなった。
このような結果から、本発明の研磨液は、主として銅膜（銅配線）の研磨に用いられることが好ましい。