(57)【要約】【課題】欠損の発生を防止する多孔質ハニカム構造体の製造方法を提供する。【解決手段】乾燥装置１００は、次のとおり乾燥ケース１１０内に収容されたハニカム構造体１１（ワーク）を乾燥させる。すなわち、制御部１６０は、まず、前回の乾燥工程における乾燥前及び乾燥後のワークの質量の差を乾燥前の質量で除算することにより、質量減少率を算出する。次に、制御部１６０は、質量検出部１３０の検出信号により、今回の乾燥工程における乾燥前のワークの質量を測定する。次に、制御部１６０は、マイクロ波出力及び照射時間（乾燥条件）に対する補正量を、質量減少率に基づいて設定し、その補正量で乾燥条件を補正する。次に、制御部１６０、マイクロ波発信器１４０から補正後の乾燥条件に基づくマイクロ波を発生させる。次に、制御部１６０は、質量検出部１３０の検出信号により、今回の乾燥行程における乾燥後のワークの質量を測定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端が開口された複数のセルを有する粘土質のハニカム構造体を成形する工程と、その形成後、前記ハニカム構造体に電磁波を照射することで前記ハニカム構造体を乾燥させる乾燥処理を実施する工程とを含むハニカム構造体の製造方法であって、
前記ハニカム構造体の乾燥前及び乾燥後の質量を測定して、その乾燥前の質量と乾燥後の質量との差を乾燥前の質量で除算することにより質量減少率を算出し、
次の前記乾燥処理において前記電磁波の照射開始から照射停止までの照射時間及び前記電磁波の電磁波出力の少なくとも一方を前記質量減少率に基づいて補正することを特徴とするハニカム構造体の製造方法。
【請求項２】
前記乾燥処理はバッチ処理であり、
前記乾燥処理の処理対象である全ての前記ハニカム構造体の乾燥前の総質量及び乾燥後の総質量の差を乾燥前の総質量で除算することにより前記質量減少率を算出する請求項１に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項３】
前回の前記乾燥処理による前記質量減少率が目標値を基準とする所定範囲内である場合、前回の前記乾燥処理における前記照射時間及び前記電磁波出力をそのまま今回の前記乾燥処理における前記照射時間及び前記電磁波出力とし、前回の前記乾燥処理による前記質量減少率が前記所定範囲外である場合、今回の前記乾燥処理における前記照射時間及び前記電磁波出力の少なくともいずれか一方を、前回の前記乾燥処理による前記質量減少率に基づいて補正する請求項１又は２に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項４】
毎回の前記乾燥処理において、前記照射時間及び前記電磁波出力の少なくともいずれか一方に対する補正量を前記質量減少率に基づいて設定し、その補正量により前記照射時間及び前記電磁波出力の少なくともいずれか一方を補正するハニカム構造体の製造方法であって、
前回の前記乾燥処理における前記補正量に対して、なまし処理を行って今回の前記乾燥処理における前記補正量を反映する請求項１から３のいずれか一項に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項５】
前記ハニカム構造体の形状に応じて前記電磁波出力の下限値を設定し、
前記電磁波出力が前記下限値以上になるように前記照射時間及び前記電磁波出力を補正する、請求項１から４のいずれか一項に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項６】
前記ハニカム構造体の隣り合う前記セル間の隔壁の厚さは２５０μｍ〜４５０μｍであり、前記下限値は７．５Ｗ／ｃｃである、請求項５に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項７】
前記乾燥処理における前記電磁波出力を時間経過とともに段階的に低減させる請求項１から６のいずれか一項に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項８】
今回の前記乾燥処理の各段階における前記照射時間及び前記電磁波出力の少なくともいずれか一方を、前回の前記乾燥処理による前記質量減少率に基づいて補正する請求項７に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項９】
今回の前記乾燥処理の最後の段階における前記照射時間を、前回の前記乾燥処理による前記質量減少率に基づいて短縮又は延長する請求項７又は８に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項１０】
今回の前記乾燥処理の最初の段階における前記照射時間を、前回の前記乾燥処理による前記質量減少率に基づいて短縮又は延長する請求項７又は８に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項１１】
今回の前記乾燥処理の最後の段階を除く少なくとも一つの段階における前記電磁波出力を、前回の前記乾燥処理による前記質量減少率に基づいて補正する請求項７から１０のいずれか一項に記載のハニカム構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハニカム構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ディーゼルエンジンには、排ガス中のＰＭ（パティキュレートマター）を捕集するフィルタ（ＤＰＦ）が搭載されている。このＤＰＦは、隔壁により区画された多数のセルを有するハニカム構造体と、隣り合うセルの端部を互い違いに閉塞する閉塞部とを備えている。
【０００３】
このようなＤＰＦの製造方法は、次のとおりである。すなわち、まずハニカム構造体を成形する。具体的には、セラミック粉及び水を混錬して粘土質のセラミック材料を生成し、セラミック材料の押出成形により長尺のハニカム構造体を形成し、そのハニカム構造体を切断することにより、粘土質のハニカム構造体を成形する。次に成形した粘土質のハニカム構造体を乾燥させる。次に乾燥させたハニカム構造体を焼成する。次にハニカム構造体に閉塞部を形成する。
【０００４】
一方、ハニカム構造体の乾燥方法としては、特許文献１に記載の方法が知られている。特許文献１に記載の方法では、高湿度雰囲気下でハニカム構造体にマイクロ波を照射する。この乾燥方法によれば、ハニカム構造体の雰囲気を高湿度に保つことにより、ハニカム構造体の表面の乾燥を抑制しつつ、マイクロ波でハニカム構造体を加熱し乾燥させることができる。これより、ハニカム構造体の表面及び内部の乾燥速度の差が低減されるため、ハニカム構造体の割れや皺などの欠損の発生を抑制することができる。
【特許文献１】特開２００２−２８３３３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、セラミック粉及び水の混錬の具合や工場内の温度変化や湿度変化などにより、ハニカム構造体の質量はハニカム構造体毎にばらつく。したがって、例えばハニカム構造体の質量が減少すると、ハニカム構造体に印加されるマイクロ波によるエネルギー量が過大となることから、ハニカム構造体は過乾燥の状態となる。その結果、ハニカム構造体の乾燥時にハニカム構造体に欠損が生じるおそれがある。一方、例えばハニカム構造体の質量が増加すると、マイクロ波によりハニカム構造体に印加されるエネルギー量が過小となることから、ハニカム構造体が十分に乾燥されない。その結果、ハニカム構造体の焼成時にハニカム構造体に欠損が生じるおそれがある。
【０００６】
本発明は、欠損の発生を防止するハニカム構造体の製造方法を提供することを主たる目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果について説明する。
【０００８】
請求項１に記載の発明では、乾燥処理において粘土質のハニカム構造体に電磁波を照射することにより、ハニカム構造体を加熱して乾燥させる。したがって、ハニカム構造体に適正なエネルギー量の電磁波を照射することができれば、ハニカム構造体に欠損が発生ことを防止することができる。ここで、電磁波によってハニカム構造体に印加されるエネルギー量は、電磁波出力及び照射時間の積分量である。したがって、電磁波出力及び照射時間により、上記エネルギー量を調整することができる。
【０００９】
しかしながら、上述したようにハニカム構造体の質量はハニカム構造体毎にばらつく。したがって、例えば製品として製造するハニカム構造体の乾燥処理前に、乾燥条件設定用のハニカム構造体を乾燥させ、その乾燥結果に基づいて電磁波出力及び照射時間を設定したとしても、ハニカム構造体の質量がばらつくことにより、製品として製造するハニカム構造体に印加されるエネルギー量が過大となったり、過小になったりする。
【００１０】
そこで請求項１に記載の発明では、ハニカム構造体の乾燥前及び乾燥後の質量を測定し、それら質量の差を上記乾燥前の質量で除算することにより質量減少率を算出し、次の乾燥処理において電磁波出力及び照射時間の少なくとも一方を質量減少率に基づいて補正する。すなわち、ハニカム構造体の質量減少率が目標値より高い場合は、ハニカム構造体に印加するエネルギー量を減少させるべく、電磁波出力を低減したり、照射時間を短縮したりする。もちろん、電磁波出力を低減するとともに照射時間を短縮してもよい。一方、実減少率が目標値より低い場合は、ハニカム構造体に印加するエネルギー量を増加させるべく、電磁波出力を増大させたり、照射時間を延長したりする。もちろん、電磁波出力を増大させるとともに照射時間を短縮してもよい。
【００１１】
ここで質量減少率は、ハニカム構造体から蒸発した水分量のハニカム構造体の乾燥前の質量に対する割合である。すなわち、質量減少率はハニカム構造体の乾燥具合を示している。そこで、請求項１に記載の発明では、上述したようにハニカム構造体の質量の実測値から質量減少率を算出する。これにより、ハニカム構造体の乾燥具合を的確に示す質量減少率を求めることができる。一方、工場内の温度や湿度などはある傾向をもって変化することから、ハニカム構造体の質量も、それらの変化にともなってある傾向をもって変化する。そこで、請求項１に記載の発明では、次の乾燥処理において電磁波出力及び照射時間の少なくとも一方を、前回の乾燥処理における質量減少率、すなわちハニカム構造体の乾燥具合に応じて補正する。これにより、ハニカム構造体に過不足のない適正なエネルギー量の電磁波を照射することができる。この結果、ハニカム構造体を適度に乾燥させることができるため、ハニカム構造体に欠損が発生することを防止することができる。
【００１２】
ここで、電磁波出力は、その振幅及び周波数に依存する。したがって、電磁波出力に対する補正は、その振幅及び周波数の少なくとも一方に対して行えばよい。すなわち、電磁波出力に対する補正量は、電磁波の振幅に対する補正量でもよいし、電磁波の周波数に対する補正量でもよい。また、電磁波の周波数はハニカム構造体を加熱できる程度に高ければよい。したがって、電磁波は、例えば１０００MHｚ〜１００００MHｚ程度のマイクロ波である。
【００１３】
上述したようにハニカム構造体の質量は巨視的にはある傾向をもって変化する。しかしながら、例えば原材料が不均一であるなどの理由により、ハニカム構造体の質量は微視的にはハニカム構造体毎にばらつく。
【００１４】
そこで請求項２に記載の発明では、乾燥処理をバッチ工程とし、乾燥処理の処理対象である全てのハニカム構造体の乾燥前及び乾燥後の総質量に基づいて質量減少率を算出する。総質量ではハニカム構造体毎の質量のばらつきが均されるため、結果としてハニカム構造体の乾燥具合を的確に示す質量減少率を得ることができる。したがって、電磁波出力及び照射時間の少なくとも一方を適正に補正することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明では、前回の乾燥処理による質量減少率が目標値を基準とする所定範囲内である場合、前回の乾燥処理における電磁波出力及び照射時間をそのまま今回の乾燥処理における電磁波出力及び照射時間とする。一方、前回の乾燥処理による質量減少率が上記所定範囲外である場合、今回の前記乾燥処理における電磁波出力及び照射時間の少なくとも一方を、前回の乾燥処理による質量減少率に基づいて補正する。すなわち、質量減少率の目標値からのずれが小さい場合は、電磁波出力及び照射時間を補正しない。このように電磁波出力及び照射時間の制御に不感帯をもたせることにより、これらの制御を安定させることができる。
【００１６】
請求項４に記載の発明では、前回の乾燥処理における補正量に対して、なまし処理を行って今回の乾燥処理における補正量を反映する。したがって、特異な要因により今回の乾燥処理における補正量が急増又は急減したとしても、過補正を防止することができる。
【００１７】
請求項５に記載の発明では、ハニカム構造体の形状に応じて電磁波出力の下限値を設定し、電磁波出力が下限値以上になるように電磁波出力及び照射時間を補正する。このようにして電磁波出力が下限値以上である電磁波をハニカム構造体に照射することにより、ハニカム構造体の隔壁の表面及び内部の温度差を低減することができる。その結果、ハニカム構造体の隔壁の表面及び内部の収縮速度差が低減されるため、ハニカム構造体に欠損が発生することを防止することができる。ここで「下限値」とは、ハニカム構造体の形状、特に隔壁の厚さに基づいて設定される値である。例えば、請求項６に記載の発明のように、ハニカム構造体の隔壁の厚さが２５０μｍ〜４５０μｍである場合は、下限値は７．５Ｗ／ｃｃ程度に設定すればよい。
【００１８】
ここで、乾燥処理の処理時間を短縮するためには、電磁波出力が大きな電磁波をハニカム構造体に照射することにより、電磁波の照射によってハニカム構造体に印加される単位時間当たりのエネルギー量を増大させる必要がある。一方、ハニカム構造体を適度に乾燥させるためには、電磁波出力が小さな電磁波をハニカム構造体に照射することにより、電磁波の照射によってハニカム構造体に印加される単位時間当たりのエネルギー量を低減する必要がある。
【００１９】
そこで請求項７に記載の発明では、乾燥処理における電磁波出力を時間経過とともに段階的に低減させる。これにより、電磁波出力が大きい段階においてハニカム構造体に効率よく大きなエネルギー量を印加することができ、電磁波出力の小さな段階においてハニカム構造体に印加するエネルギー量を微調整することができる。したがって、乾燥処理の処理時間を抑制しつつ、ハニカム構造体に過不足のない適正なエネルギー量を印加することができる。
【００２０】
請求項８に記載の発明では、今回の乾燥処理の各段階における電磁波出力及び照射時間を、前回の乾燥処理による質量減少率に基づいて補正する。このように乾燥処理の各段階における電磁波出力及び照射時間を補正することにより、電磁波の照射パターンを様々に変化させてハニカム構造体に印加するエネルギー量を補正することができる。
【００２１】
請求項９に記載の発明では、今回の乾燥処理の最後の段階における照射時間を、前回の乾燥処理による質量減少率に基づいて短縮又は延長する。ここで、電磁波出力が小さい最後の段階では、電磁波の照射によってハニカム構造体に印加される単位時間当たりのエネルギー量が小さい。したがって、最後の段階における照射時間を補正することにより、ハニカム構造体に印加するエネルギー量を微調整することができる。
【００２２】
請求項１０に記載の発明では、前回の乾燥処理による質量減少率に基づいて、今回の乾燥処理の最初の段階における照射時間を短縮又は延長する。ここで、電磁波出力が大きい最初の段階では、電磁波の照射によってハニカム構造体に印加される単位時間当たりのエネルギー量が大きい。したがって、最初の段階における照射時間を補正することにより、乾燥処理の処理時間を抑制しつつ、ハニカム構造体に印加するエネルギー量を増加させることができる。
【００２３】
請求項１１に記載の発明では、今回の乾燥処理の最後の段階における電磁波出力を補正することなく、前回の乾燥処理による質量減少率に基づいて、今回の乾燥処理の最後の段階を除く少なくとも一つの段階における電磁波出力を補正する。このように乾燥処理の最後の段階における電磁波出力を補正しなければ、電磁波出力が小さい最後の段階における電磁波出力が質量減少率により増大することはない。したがって、最後の段階における照射時間を短縮又は延長することにより、ハニカム構造体に印加するエネルギー量を微調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した複数の実施形態を図面に基づいて説明する。各実施形態において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施形態の構成要素と対応する。
【００２５】
（第１実施形態）
１．ＤＰＦの構成
図２に示すＤＰＦ１０は、ディーゼルエンジンの排ガスに含まれるＰＭを捕集するフィルタである。ＤＰＦ１０は、ハニカム構造体１１と閉塞部１６とを備えている。ハニカム構造体１１は、隔壁１２により区画された多数のセル１４を有している。隣り合うセル１４の端部は、閉塞部１６により互い違いに閉塞されている。その結果、エンジンの排気系にＤＰＦ１０を設けた場合には、セル１４の一端に流入した排ガスは、隔壁１２を通って隣り合うセル１４の他端から流出する。排ガスが隔壁１２を通過する際、排ガスに含まれるＰＭが隔壁１２に捕集される。
【００２６】
２．ＤＰＦの製造方法
このようなＤＰＦ１０は、次のとおり製造される。すなわち、まずセラミック粉及び水を混錬して粘土質のセラミック材料を生成する。次に、セラミック材料の押出成形により長尺のハニカム構造体を形成し、そのハニカム構造体を所定の長さに切断する。これにより、ハニカム構造体１１が成形される。次に、成形した粘土質のハニカム構造体１１を乾燥させる。具体的には、ハニカム構造体１１にマイクロ波を照射することにより、ハニカム構造体１１を加熱して乾燥させる。次に乾燥後のハニカム構造体１１を焼成する。次にハニカム構造体１１に閉塞部１６を形成する。以上説明した方法により、ＤＰＦ１０を製造することができる。
【００２７】
ところで、ハニカム構造体１１を乾燥させる工程（以下、乾燥処理という）において、ハニカム構造体１１が過乾燥の状態になったり、十分に乾燥されていなかったりすると、上述したようにハニカム構造体１１に割れや皺などの欠損が生じるおそれがある。そこで、第１実施形態のハニカム構造体１１の製造方法では、図１に示す乾燥装置１００を用いて、ハニカム構造体１１に適正なエネルギー量のマイクロ波を照射することにより、ハニカム構造体１１を適度に乾燥させる。以下、乾燥装置１００の構成、その作動、マイクロ波出力及び照射時間の補正方法の順に説明する。
【００２８】
３．乾燥装置の構成
図１に示す乾燥装置１００は、乾燥ケース１１０、ターンテーブル１１２、駆動部１２０、質量検出部１３０、マイクロ波発振器１４０、操作部１５０、制御部１６０などを備えている。乾燥ケース１１０には、ターンテーブル１１２、マイクロ波発振器１４０が収容されている。ターンテーブル１１２には、ハニカム構造体１１が載置される。マイクロ波発振器１４０は、ハニカム構造体１１に照射するマイクロ波を発生させる。以下、ターンテーブル１１２に載置されたハニカム構造体１１を「ワーク」と言う。
【００２９】
駆動部１２０はターンテーブル１１２を回転駆動する。駆動部１２０は、例えば電動機や電動機の動力をターンテーブル１１２に伝達するギアなどから構成される。質量検出部１３０は、ターンテーブル１１２上のワークの質量に応じた検出信号を出力する。操作部１５０には、例えば表示部１５２や入力部１５４が設けられている。表示部１５２は、マイクロ波出力や照射時間などの乾燥条件を表示するものである。また入力部１５４は、作業者が乾燥処理の開始や強制終了を指示するためのスイッチである。制御部１６０は、図示しないＣＰＵやメモリなどから構成されている。メモリは、各種のプログラムやパラメータを記憶する。ＣＰＵは、メモリに格納されたプログラムを実行することにより各部を制御する。
【００３０】
４．乾燥装置の作動
図３は、制御部１６０により実行される乾燥処理プログラムの流れを示すフローチャートである。作業者が乾燥ケース１１０内にワークを収容し、操作部１５０の操作により乾燥開始を乾燥装置１００に指示すると、制御部１６０により乾燥処理プログラムが実行される。
【００３１】
はじめに、制御部１６０は、前回の乾燥処理（以下、「前回バッチ」という）における質量減少率Ｒを算出する（ステップＳ１００参照）。具体的には、制御部１６０は、前回バッチにおける乾燥前のワークの質量ＭＡ(i-1)及び乾燥後のワークの質量ＭＢ(i-1)の差ΔＭを算出し、この差ΔＭを前回バッチのワーク乾燥前の質量ＭＡ(i-1)で除算することにより、質量減少率Ｒを算出する（次式（１）、（２）参照）。前回バッチにおける乾燥前のワークの質量ＭＡ(i-1)及び乾燥後のワークの質量ＭＢ(i-1)は、例えば制御部１６０のメモリなどに格納しておけばよい。もちろん、本ステップは、前回バッチの乾燥処理において実行してもよい。
【００３２】
ΔＭ＝ＭＡ(i-1)−ＭＢ(i-1)  ・・・（１）
Ｒ＝ΔＭ／ＭＡ(i-1)       ・・・（２）
次に、制御部１６０は、質量検出部１３０の検出信号により、今回の乾燥処理（以下、「今回バッチ」という）におけるワークの質量ＭＡ(i)を測定する（ステップＳ１０２参照）。
【００３３】
次に、制御部１６０は、質量減少率がその目標値（以下、「目標減少率」という）を基準とする所定範囲内の値か否かを判別する（ステップＳ１０４参照）。ここで所定範囲は、ハニカム構造体１１の形状等に応じて設定する。例えば、隔壁１２の厚さが２５０μｍ〜４５０μｍのハニカム構造体１１の乾燥処理では、上記所定範囲を１８．５％±１％程度に設定するとよい。
【００３４】
質量減少率が所定範囲外と判別された場合、制御部１６０は、質量減少率に基づいてマイクロ波出力Ｐの補正量ΔＰ及び照射時間Ｔの補正量ΔＴの少なくとも一方を設定する。すなわち、制御部１６０は、目標減少率（例えば、１８．５％）に対する質量減少率のずれが大きい（例えば、１％以上）と認識すると、マイクロ波出力及び照射時間を補正する。具体的には、制御部１６０は、例えば次式（３）及び（４）に示すように目標減少率Ｒｔに対する質量減少率ＲのずれΔＲと前回バッチにおける照射時間Ｔとに基づいて、今回バッチにおける補正量ΔＴを設定する。
【００３５】
ΔＲ＝Ｒ−Ｒｔ      ・・・（３）
ΔＴ＝Ｔ＊ΔＲ／Ｋ１・・・（４）
ここでＫ１は、ずれΔＲを補正量ΔＴにどの程度反映させるかを決定づけるパラメータであり、ハニカム構造体１１の形状に応じて設定されるパラメータである。例えば、隔壁１２の厚さが２５０μｍ〜４５０μｍのハニカム構造体１１の乾燥処理では、Ｋ１を１０
程度に設定するとよい。
【００３６】
また、制御部１６０は、例えば次式（５）に示すように、今回バッチにおける乾燥前のワークの質量ＭＡ(i)の前回バッチにおける乾燥前のワークの質量ＭＡ(i-1)に対する比と前回バッチにおけるマイクロ波出力Ｐとに基づいて、今回バッチにおける補正量ΔＰを設定する。
【００３７】
ΔＰ＝Ｐ＊((ＭＡ(i)−ＭＡ(i-1))／ＭＡ(i-1))・・・（５）
一方、質量減少率Ｒが所定範囲内と判別された場合、制御部１６０は、新たな補正量ΔＰ、ΔＴを設定することなく、以下のステップＳ１０８の処理を実行する。
【００３８】
次に、制御部１６０は、補正量ΔＰ、ΔＴでそれぞれマイクロ波出力Ｐ、照射時間Ｔを補正する（ステップＳ１０８参照）。すなわち、前回バッチにおける質量減少率Ｒが所定範囲外と判別された場合は、その質量減少率Ｒに基づいて更新した補正量でマイクロ波出力及び照射時間を補正し、前回バッチにおける質量減少率Ｒが所定範囲内と判別された場合は、補正量を更新することなく、メモリなどに格納されている前回バッチにおける補正量でマイクロ波出力及び照射時間を補正する。補正方法の詳細は後述する。
【００３９】
次に、制御部１６０は、ターンテーブル１１２を駆動部１２０に回転駆動させる（ステップＳ１１０参照）。
【００４０】
次に、制御部１６０は、マイクロ波発振器１４０からマイクロ波出力がＰであるマイクロ波を乾燥ケース１１０内に発生させる（ステップＳ１１２参照）。制御部１６０は、照射時間Ｔが経過するまでマイクロ波発振器１４０からマイクロ波を発生させる（ステップＳ１１４参照）。そして、照射時間Ｔが経過すると、制御部１６０はマイクロ波発振器１４０によるマイクロ波の発振を停止させる（ステップＳ１１６参照）。
【００４１】
次に、制御部１６０は、ターンテーブル１１２の回転駆動を駆動部１２０に停止させる（ステップＳ１１８参照）。
【００４２】
次に、制御部１６０は、質量検出部１３０の検出信号により、今回バッチにおける乾燥後のワークの質量ＭＢ(i)を測定する（ステップＳ１２０参照）。
【００４３】
以上説明したように、ワークは乾燥装置１００によって乾燥される。乾燥されたワークは、作業者によって乾燥装置１００の乾燥ケース１１０から取り出される。
【００４４】
５．マイクロ波出力及び照射時間の補正方法
マイクロ波出力及び照射時間の補正方法としては、次の３つの補正方法が考えられる。すなわち、第一にマイクロ波出力及び照射時間の両方を補正する方法（以下、「第１の補正方法」という）、第二にマイクロ波の照射時間のみを補正する方法（以下、「第２の補正方法」という）、第三にマイクロ波出力のみを補正する方法（以下、「第３の補正方法」という）である。以下、これらの補正方法について説明する。
【００４５】
（第１の補正方法）
第１の補正方法では、図４（ａ）に示すように、前回バッチのマイクロ波出力Ｐ(i-1)に補正量ΔＰを加えて、今回バッチのマイクロ波出力Ｐ(i)とし、前回バッチの照射時間Ｔ(i-1)に補正量ΔＴを加えて、今回バッチの照射時間Ｔ(i)とする。
【００４６】
ここで、マイクロ波出力がハニカム構造体１１の形状に基づく下限値（以下、単に「下限値」という）より小さい範囲では、マイクロ波出力を増大させるにつれてハニカム構造体１１に生じる欠損の発生率が低下し、マイクロ波出力が下限値より大きい範囲では、上記欠損の発生率が概ね一定になることが実験により判明した。例えば、図５に示すグラフは、隔壁１２の厚さが２５０μｍ〜４５０μｍのハニカム構造体１１に対する上記実験結果を示している。この実験結果によると、マイクロ波出力が７．５Ｗ／ｃｃ以上になると、欠損の発生率が概ね一定になることが分かる。
【００４７】
そこで、第１設定方法を用いて次のとおりマイクロ波出力が下限値以上になるようにマイクロ波出力及び照射時間の補正量を設定する。これによりハニカム構造体１１に生じる欠損の発生率を低減することができる。すなわち、まず、ワークに印加するエネルギー量を減少させる場合において、マイクロ波出力が下限値以上になるマイクロ波出力に対する補正値を設定する。そして、マイクロ波出力に対する補正量を減少させるだけでは十分なエネルギー量を減少させることができない場合は、照射時間に対する補正量を減少させることによりエネルギー量を減少させる。
【００４８】
（第２の補正方法）
第２の補正方法では、図４（ｂ）に示すように、前回バッチのマイクロ波出力Ｐ(i-1)をそのまま今回バッチのマイクロ波出力Ｐ(i)とし、前回バッチの照射時間Ｔ(i-1)に補正量ΔＴを加えて、今回バッチの照射時間Ｔ(i)とする。
【００４９】
第２の設定方法では、マイクロ波出力が質量減少率により増減しない。したがって、マイクロ波出力を小さな一定値とすることにより、マイクロ波の照射によってハニカム構造体１１に印加される単位時間当たりのエネルギー量を小さくすることができる。このようにマイクロ波の照射によってハニカム構造体１１に印加される単位時間当たりのエネルギー量を小さくしたうえで照射時間を補正することにより、ワークに印加するエネルギー量を微調整することができる。
【００５０】
（第３の補正方法）
第１の補正方法では、図４（ｃ）に示すように、前回バッチのマイクロ波出力Ｐ(i-1)に補正量ΔＰを加えて、今回バッチのマイクロ波出力Ｐ(i)とし、前回バッチの照射時間Ｔ(i-1)をそのまま今回バッチの照射時間Ｔ(i)とする。第３の設定方法では、照射時間が質量減少率に応じて増減しない。
【００５１】
以上詳述した第１実施形態によれば、以下の優れた効果が得られる。
【００５２】
質量減少率は、ワークから蒸発した水分量のワークの乾燥前の質量に対する割合であり、ワークの乾燥具合を示している。これに対して、ワークの質量の実測値から質量減少率を算出するようにしたため、ワークの乾燥具合を的確に示す質量減少率を求めることができる。一方、工場内の温度や湿度などはある傾向をもって変化することから、ハニカム構造体１１の質量も、それらの変化によりある傾向をもって変化する。これに対して、前回バッチにおける質量減少率に基づいて、すなわち前回バッチにおけるワークの乾燥具合に応じて、今回バッチにおけるマイクロ波出力及び照射時間を補正するようにしたため、ワークに過不足のない適正なエネルギー量のマイクロ波を照射することができる。この結果、ハニカム構造体１１を適度に乾燥させることができるため、ハニカム構造体に欠損が発生することを防止することができる。
【００５３】
また、上述したようにハニカム構造体１１の質量は巨視的にはある傾向をもって変化する。しかしながら、例えばセラミック及び水の混錬具合が不均一であるなどの理由により、ハニカム構造体１１の質量は微視的にはハニカム構造体毎にばらつく。これに対し、乾燥処理をバッチ工程とし、ワークの総質量に基づいて質量減少量を算出するようにした。ワークの総質量では、ハニカム構造体毎の質量のばらつきが均されるため、結果として前回バッチにおけるワークの乾燥具合を的確に示す質量減少量を得ることができる。
【００５４】
また、前回バッチにおける質量減少率の目標減少率からのずれが所定範囲内である場合、補正量を更新することなく、前回バッチにおける補正量をそのまま今回バッチにおける補正量とするようにした。このようにマイクロ波出力及び照射時間の制御に不感帯をもたせることにより、これらの制御を安定させることができる。
【００５５】
また、ハニカム構造体１１にマイクロ波を照射する際にターンテーブル１１２を回転させるようにした。これより、ハニカム構造体１１に対するマイクロ波の照射むらを抑制することができる。
【００５６】
（第２実施形態）
第２実施形態は、ハニカム構造体１１の製造方法における乾燥処理を除き、第１実施形態と実質的に同一である。また、第２実施形態に係る乾燥処理の各処理は、補正量設定処理を除き、第１実施形態に係る乾燥処理の対応する処理と実質的に同一である。ここで、補正量設定処理とは、第１実施形態に係る乾燥処理のステップＳ１０６に対応する処理を意味する。
【００５７】
第２実施形態に係る補正量設定処理では、マイクロ波出力及び照射時間の補正量になまし処理を行う。具体的には、例えば次式（６）に示す演算により、前回バッチにおけるなまし処理後の照射時間に対する補正量Ｔy(i-1)及び今回バッチにおけるなまし処理前の照射時間に対する補正量ΔＴx(i)から、今回バッチのなまし処理後の補正量をΔＴy(i)を算出する。
【００５８】
ΔＴy(i)＝ΔＴx(i)＋K２＊（ΔＴy(i-1)−ΔＴx(i) ）・・・（６）
ここで、なまし係数Ｋ２は、なまし処理のなましの度合いを決定づけるパラメータである。具体的には、なまし係数Ｋ２を大きくすると、今回バッチのなまし処理後の補正量ΔＴy(i)に対する前回バッチのなまし処理後の補正量ΔＴy(i-1)の影響度合いが大きくなる。すなわち、なまし処理によるなましの度合いが大きくなる。一方、なまし係数Ｋ２を小さくすると、今回バッチのなまし処理後の補正量ΔＴy(i)に対する前回バッチのなまし処理後の補正量ΔＴy(i-1)の影響度合いが小さくなる。すなわち、なまし処理によるなましの度合いが小さくなる。なまし係数Ｋ２は定数でもよいし、乾燥装置１００や作業者が設定する変数でもよい。
【００５９】
マイクロ波出力に対する補正量についても、照射時間に対する補正値と同様に、次式（７）に示す演算により、なまし処理を行う。ここで、ΔＰy(i-1)は前回バッチのなまし処理後のマイクロ波出力に対する補正量であり、ΔＰx(i)は今回バッチのマイクロ波出力に対する補正量であり、ΔＰy(i)は今回バッチのなまし処理後の補正量である。
【００６０】
ΔＰy(i)＝ΔＰx(i)＋K２＊（ΔＰy(i-1)−ΔＰx(i) ）・・・（７）
以上詳述した第２実施形態によれば、以下の優れた効果が得られる。すなわち、マイクロ波出力及び照射時間の補正量になまし処理を行うようにした。これにより、特異な要因により補正量が急増又は急減したとしても、その補正量がなまし処理によって、なまされるため、特異な要因による過補正を防止することができる。
【００６１】
（第３実施形態）
第３実施形態は、ハニカム構造体１１の製造方法における乾燥処理を除き、第１実施形態と実質的に同一である。
【００６２】
第３実施形態に係る乾燥処理では、図６（ａ）に示すようにマイクロ波出力を照射時間の経過とともに段階的に低減させる。また、この乾燥処理の補正量設定処理において、各段階におけるマイクロ波出力及び照射時間に対する補正量をそれぞれ設定する。ここで、補正量設定処理とは、第１実施形態に係る乾燥処理のステップＳ１０６に対応する処理を意味する。
【００６３】
具体的には、例えば図６（ｂ）に示すように、質量減少率に基づいて第１段階における照射時間に対する補正量ΔＴ１を増減させる。例えばマイクロ波の出力が大きい第１段階の補正量ΔＴ１を増大させることにより、マイクロ波の照射時間の増大を抑制しつつ、ハニカム構造体１１に印加するエネルギー量を増加させることができる。
【００６４】
また、例えば図６（ｃ）に示すように、質量減少率に基づいて第２段階における照射時間に対する補正量ΔＴ２を増減させる。マイクロ波の出力が小さい第２段階の補正量ΔＴ２を増減させることにより、ハニカム構造体１１に印加するエネルギー量を微調整することができる。
【００６５】
また、例えば図７に示すように、第１段階におけるマイクロ波出力に対する補正量ΔＰ１を増減させたり、第２段階におけるマイクロ波出力に対する補正量ΔＰ２を増減させたりする。ただし、補正量ΔＰ２はゼロにすることが望ましい。補正量ΔＰ２をゼロにすれば、第２段階のマイクロ波の出力が質量減少率によって増大しない。したがって、マイクロ波の出力が小さい第２段階におけるマイクロ波の照射時間に対する補正量を増減させることにより、ハニカム構造体１１に印加するエネルギー量を微調整することができる。
【００６６】
（第３実施形態の変形例）
図８に示す第３実施形態の変形例では、乾燥処理においてマイクロ波出力を時間の経過とともに３段階に変化させる。この場合であっても、上述した第３実施形態と同様にマイクロ波出力及び照射時間を補正することができる。したがって、マイクロ波出力が大きい第１段階の補正量ΔＴ１（図８（ｂ）参照）を増大させることにより、マイクロ波の照射時間の増大を抑制しつつ、ハニカム構造体１１に印加するエネルギー量を大幅に増加させることができる。また、マイクロ波出力が小さい第３段階の補正量ΔＴ３（図８（ｃ）参照）を増減させることにより、ハニカム構造体１１に印加するエネルギー量を微調整することができる。また、第３段階におけるマイクロ波出力に対する補正量をゼロにすれば、第３段階におけるマイクロ波の照射時間を制御することにより、ハニカム構造体１１に印加するエネルギー量を微調整することができる。
【００６７】
このように、乾燥処理においてマイクロ波出力を何段階に変化させてもよい。上述したように各段階のマイクロ波出力及び照射時間を前回バッチにおける質量減少率に応じた補正量で補正することにより、ハニカム構造体１１に欠損が生じることを防止することができる。なお、第３実施形態及びその変形例の乾燥処理における第１段階が「最初の段階」に相当し、第３実施形態の第２段階及びその変形例の第３段階が「最後の段階」に相当する。
【００６８】
（第４実施形態）
第３実施形態では、乾燥処理においてマイクロ波出力を照射時間の経過とともに段階的に低減させた。しかしながら、図９に示す第４実施形態のように、乾燥処理においてマイクロ波出力を照射時間の経過とともに連続的に低下させてもよい。この場合であっても、前回バッチにおける質量減少率Ｒに基づいてマイクロ波の照射時間やその出力パターンを適正に補正することにより、ハニカム構造体１１に欠損が生じることを防止することができる。
【００６９】
（他の実施形態）
本発明は上記複数の実施形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施されてもよい。
【００７０】
上記複数の実施形態では、乾燥処理に乾燥装置１００を用いた。しかしながら、乾燥処理に用いる乾燥装置の構成は、上述したハニカム構造体１１の製造方法に応じて、適宜変更することができる。
【００７１】
上記複数の実施形態では、ワークの質量測定及び補正量の設定を乾燥装置１００により自動化した。しかしながら、これらの処理は手動で行ってもよい。具体的には、乾燥装置１００とは別の装置で測定したワークの質量を、乾燥装置１００の入力部１５４の操作により乾燥装置１００に手入力するようにしてもよい。また、質量減少率に基づいて求めたマイクロ波出力及び照射時間の少なくとも一方に対する補正量を、入力部１５４の操作により乾燥装置１００に手入力するようにしてもよい。
【００７２】
上記複数の実施形態では、前記バッチによる質量減少率に基づく補正量を前回バッチのマイクロ波出力及び照射時間に加えることにより、今回バッチのマイクロ波出力及び照射時間を補正した。しかしながら、質量減少率とマイクロ波出力及び照射時間とを関連づけるマップや次式（８）及び（９）に示すような演算を用いて、前回バッチによる質量減少率から直接、今回バッチのマイクロ波出力及び照射時間を求めてもよい。
【００７３】
ΔＴ＝Ｔ＊(１＋ΔＲ／Ｋ１)    ・・・（８）
ΔＰ＝Ｐ＊(ＭＡ(i)／ＭＡ(i-1))・・・（９）
上記複数の実施形態では、１回の乾燥処理で複数のハニカム構造体１１を乾燥させた。しかしながら、１回の乾燥処理で１個のハニカム構造体１１を乾燥させてもよい。
【００７４】
上記第２実施形態では、前回バッチにおける補正量を用いて今回バッチにおける補正量になまし処理を行った。しかしながら、過去複数回のバッチにおける補正量を用いて今回バッチにおける補正量になまし処理を行ってもよい。また、なまし処理は、式（６）及び（７）に示すものに限定されない。例えば、なまし処理には、今回及び過去のバッチにおける、なまし処理前の補正量の相加平均演算を用いてもよいし、加重平均演算を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】乾燥装置の構成を示す説明図。
【図２】（ａ）はＤＰＦの断面図、（ｂ）はＤＰＦの正面図。
【図３】乾燥処理プログラムの流れを示すフローチャート。
【図４】第１実施形態に係る補正量の設定方法を示す説明図。
【図５】マイクロ波出力と欠損の発生率との関係を示す説明図。
【図６】第３実施形態に係る補正量の設定方法を示す説明図。
【図７】第３実施形態に係る補正量の設定方法を示す説明図。
【図８】第３実施形態の変形例に係る補正量の設定方法を示す説明図。
【図９】第４実施形態に係る補正量の設定方法を示す説明図。
【符号の説明】
【００７６】
１１…ハニカム構造体、１２…隔壁、１４…セル、１００…乾燥装置、１１０…乾燥ケース、１２０…駆動部、１３０…質量検出部、１４０…マイクロ波発信器、１５０…表示部、１６０…制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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