(57)【要約】【課題】撮影中に被写体画像と、対象被写体までの距離情報を同時に出力することができ、更に、自然光内の赤外光による影響を排除することができる撮像装置を提供する。【解決手段】ＣＰＵ８は、レンズ１、絞り２、ＣＭＯＳセンサ３、ＡＦＥ４、マルチプレクス５、ＡＧＣ６、ＴＧ７、カメラ信号処理回路９、輝度レベル検波部１２、カメラデータ用メモリ１４を制御する。カメラ信号処理回路９の信号は、ビデオ信号処理回路１０、モニタ１１に出力される。【選択図】図１
2008219370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光において、光の３原色であるＲ，Ｇ，Ｂそれぞれを吸収できる第１乃至第３の電磁波吸収膜と、該第１乃至第３の電磁波吸収膜で吸収されない電磁波から、近赤外光波長に対応した電磁波を吸収できる第４の電磁波吸収膜とを有する多層積層型の撮像素子と、該撮像素子付近に設置したＬＥＤを有する撮像装置において、
前記第１乃至第３の電磁波吸収膜で吸収した電荷から被写体画像を算出し、かつ、前記ＬＥＤからの照射光が被写体を介した反射光を前記第４の電磁波吸収膜で吸収し、照射光出力タイミングと到達反射光の吸収タイミングとの時間差から被写体までの距離情報を算出する算出手段と、
被写体画像と被写体画像に対応した距離情報を同時に出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤからの照射光にはパルス信号が重畳され、該パルス信号が被写体を介した反射光として前記第４の電磁波吸収膜から出力された信号のエッジ部と照射光に重畳したパルス信号のエッジ部とを比較する比較手段を備え、
前記算出手段は、前記比較手段の比較結果から被写体までの距離情報を算出することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の電磁波吸収膜は４００ｎｍ乃至５００ｎｍの電磁波を吸収する特性を有し、前記第２の電磁波吸収膜は５００ｎｍ乃至６００ｎｍの電磁波を吸収する特性を有し、前記第３の電磁波吸収膜は６００ｎｍ乃至７００ｎｍの電磁波を吸収する特性を有し、更に、前記第４の電磁波吸収膜は近赤外光ＬＥＤの波長の吸収特性を有することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１乃至第４の電磁波吸収膜は、読み出し電極と、該読み出し電極にそれぞれ接続したゲイン制御が可能なゲインアンプとを有することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像素子に隣接して配置した前記ＬＥＤからの照射光の発光タイミングが、映像Ｖブランキング期間内であることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像素子が高速フレーム読み出し可能な場合に、画像生成に使用するフレーム以外のフレーム部で前記ＬＥＤから照射光を照射する照射光発光制御手段を備えることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項７】
前記照射光発光制御手段は、画像生成に使用するフレーム以外のフレームでＬＥＤ発光制御を２回以上行い、距離情報の検出誤動作を防止することを特徴とする請求項６記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像素子から同時に出力された被写体画像と被写体までの距離情報とを合成する合成手段と、
前記合成手段によって合成された距離情報を有する被写体画像を画像データとして記録する記録手段と、
を備えることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項９】
前記撮像素子が有するすべての画素にアドレス情報を有することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記撮像素子から出力された画像信号と距離情報を用いて、ストロボ発光量調整とピント合わせを行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ等の撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車の安全性への関心から、自車両から、前方の走行車両までの距離算出や、安全な走行距離を保持した走行の要求や、道路上の障害物などを事前に察知して、回避を促す装置への要求が高まり、自動車内から道路を撮像装置で観察することが始まっている。
【０００３】
また、高精細の画像を実現し、かつフォーカス精度やストロボ発光量の調整精度を向上するために、画像情報と距離情報を同時に出力することができる撮像装置の要求も高まっている。
【０００４】
更に、このような撮像装置の小型化を図るため、従来のカラーフィルタがモザイク状の撮像素子（ベイヤー配列）に代わり、入射光をより有効利用できる１枚の撮像素子が要求されている。
【０００５】
このような状況を鑑み、固体撮像素子の画素単位毎に、光の３原色であるＲＧＢ、ぞれぞれの波長の光を吸収する電磁波吸収膜を積層化して、入射光の利用効率を向上させる技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。これにより、撮像素子の寸法を大きくすることなく、高解像度を実現することができる。
【０００６】
また、高解像度の画像と、被写体までの距離情報を２つの撮像素子を用いて同時に取得する撮像装置も提案されている（例えば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−２３４４６０号公報
【特許文献２】特開平１１−４１５２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように、画素単位毎に光の３原色であるＲＧＢ、ぞれぞれの波長を吸収する電磁波吸収膜を多層化して、高解像度を実現する手法では、画素単位毎に光のＲＧＢ波長を吸収できる。この構造により、モザイク状のカラーフィルタ型の固体撮像素子と比較して、光の利用効率が３倍に向上するため、高解像度を実現することができる。
【０００８】
しかし、本手法では、光の３原色ＲＧＢに対応した電磁波吸収膜を積層構造にしているため、高解像度を実現することは可能であるが、撮像素子からは、画像情報のみの出力であるため、被写体までの距離情報を同時に出力することができない。
【０００９】
また、２つの撮像素子を用いて、高解像度の画質と距離情報を同時に取得する手法では、画像用撮像素子と距離情報取得用撮像素子が１つのレンズからの入射光を分離するハーフミラーを介して光が入射される。そのため、レンズ等の光学デバイス１つで画像と距離情報を取得することができる。
【００１０】
しかし、１つの光学デバイスからハーフミラーを介して入射光を分離するため、２つの撮像素子への光の入射角がずれないように、ハーフミラーのメカ的な取り付け精度が要求される。
【００１１】
また、２つの撮像素子とハーフミラーを用いるため、撮像装置の小型化・低消費電力が難しく、更にコストも増加する問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、撮影中に被写体画像と、対象被写体までの距離情報を同時に出力することができ、更に、自然光内の赤外光による影響を排除することができる撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項１記載の撮像装置は、可視光において、光の３原色であるＲ，Ｇ，Ｂそれぞれを吸収できる第１乃至第３の電磁波吸収膜と、該第１乃至第３の電磁波吸収膜で吸収されない電磁波から、近赤外光波長に対応した電磁波を吸収できる第４の電磁波吸収膜とを有する多層積層型の撮像素子と、該撮像素子付近に設置したＬＥＤを有する撮像装置において、前記第１乃至第３の電磁波吸収膜で吸収した電荷から被写体画像を算出し、かつ、前記ＬＥＤからの照射光が被写体を介した反射光を前記第４の電磁波吸収膜で吸収し、照射光出力タイミングと到達反射光の吸収タイミングとの時間差から被写体までの距離情報を算出する算出手段と、被写体画像と被写体画像に対応した距離情報を同時に出力する出力手段とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、撮影中に被写体画像と、対象被写体までの距離情報を同時に出力することができ、更に、自然光内の赤外光による影響を排除することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施の形態に係る撮像装置のブロック構成図である。
【００１７】
本撮像装置は、光の３原色であるＲ，Ｇ，Ｂそれぞれを吸収できる第１乃至第３の電磁波吸収膜と、上記電磁波吸収膜で吸収されない電磁波から、近赤外光波長に対応した電磁波を吸収できる第４の電磁波吸収膜とを有する多層積層型の撮像素子を有する。また、撮像素子付近に設置したＬＥＤを有する。各ユニットについては後述する。
【００１８】
図１において、本撮像装置は、ＣＰＵ（算出手段、出力手段、比較手段、照射光発光制御手段、合成手段、記録手段構成要素）８を中心に以下の構成要素を備える。以下、その構成を動作と併せて説明する。
【００１９】
レンズ１を通った光信号（可視光）は、絞り２を介して、ＣＭＯＳセンサ３に入力される。ＣＭＯＳセンサ３は、ＴＧ（タイミングジェネレータ）７より出力されるタイミングパルスにより駆動され、入射された光信号を光電変換により電気信号に変換して出力する。
【００２０】
ＴＧ７は、ＣＰＵ８によって制御され、例えば、ＴＧ７は３Ｖ振幅のタイミングパルスを水平同期信号ＨＤに同期して、一定の周期で出力する。
【００２１】
ＣＭＯＳセンサ３の出力信号は、信号レベルを示す“Ｓ”と、ノイズレベルを示す“Ｎ”で構成され、“Ｓ−Ｎ”が入射光を電気信号に変換した値を示す。
【００２２】
ＣＭＯＳセンサ３の出力信号は、“Ｓ−Ｎ”の差分値を算出するための相関二重サンプリングを行うＣＤＳと、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器で構成されたＡＦＥ４に入力され、デジタル信号に変換された後、マルチプレクス５に入力される。
【００２３】
マルチプレクス５は、ＣＭＯＳセンサ３内部の各層で吸収された電磁波を変換した電荷を合成処理し、その出力信号はＡＧＣ６を介して、カメラ信号処理回路９に入力される。
【００２４】
カメラ信号処理回路９は、ＹＣ分離と、映像信号処理、色信号処理、ガンマ補正を施して画像を生成する。
【００２５】
カメラ信号処理回路９の出力は、ビデオ信号処理回路１０に入力され、ビデオ信号処理回路１０において、ビデオ信号処理を行って信号を出力する。モニタ１１は、ビデオ信号処理回路１０から出力された信号に基づき画像を表示する。
【００２６】
また、カメラ信号処理回路９からは、撮像装置の露出補正を行うための評価値を輝度レベル検波部１２に出力する。
【００２７】
輝度レベル検波部１２は、該評価値から輝度レベル検波値を算出し、ＣＰＵ８に出力する。
【００２８】
ＣＰＵ８は、輝度レベル検波部１２からの出力信号から、予め備えた露出補正テーブルを参照して、露出補正量の差分値を算出し、差分がある場合には、絞り２とＣＭＯＳセンサ３とＡＧＣ６に制御信号を出力して露出補正を行う。
【００２９】
また、ＣＰＵ８にはメモリ１３が接続される。更に、カメラ信号処理回路９にはカメラデータ用メモリ１４が接続される。
【００３０】
次に、ＣＭＯＳセンサ３が備える多層積層膜からの電荷読み出し構成を図２と、図３、及び図４を用いて説明する。
【００３１】
図２は、図１におけるＣＭＯＳセンサに入力される電磁波波長と各電磁波吸収膜の透過率を表す図である。図３は、図１におけるＣＭＯＳセンサの各電磁波吸収膜と電極の構成図である。図４は、図１におけるＡＦＥの構成図である。
【００３２】
図２において、入力信号波長は、例えば、レンズ１とＣＭＯＳセンサ３の間に挿入した光学ＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）が備えた紫外線（ＵＶ）カット特性により、４００ｎｍ以上の電磁波波長である。
【００３３】
次に、ＣＭＯＳセンサ３を構成する多層積層構造の電磁波吸収膜において、第１の電磁波吸収膜は、第１の電磁波吸収膜は、可視光において、光の３原色であるＲ，Ｇ，Ｂそれぞれを吸収できる有機膜で形成される。具体的には、第１の電磁波吸収膜は、可視光である入射光の電磁波波長の４００ｎｍ乃至５００ｎｍの電磁波を吸収する有機膜で形成される。
【００３４】
図３において、第１の電磁波吸収膜には、該吸収膜で吸収された電磁波を電荷に変換し、変換した電荷を読み出すための電極３００が接続される。
【００３５】
電極３００から読み出された電荷は、ＡＭＰ３０４を介して、ＤＡＴＡ１として、ＡＦＥ４に出力される。
【００３６】
図４において、ＤＡＴＡ１は、ＡＦＥ４内部のＣＤＳ４００と、Ａ／Ｄ４０４で相関二重サンプリングとＡ／Ｄ変換される。
【００３７】
一方、前記第１の電磁波吸収膜で吸収された電磁波以外は第１の電磁波吸収膜を通過して、第２の電磁波吸収膜に浸透する。
【００３８】
第２の電磁波吸収膜は、可視光において、光の３原色であるＲ，Ｇ，Ｂそれぞれを吸収できる有機膜で形成される。具体的には、第２の電磁波吸収膜は、入射光の電磁波波長の５００ｎｍ乃至６００ｎｍの電磁波を吸収する有機膜で形成される。
【００３９】
第２の電磁波吸収膜には、該吸収膜で吸収された電磁波を電荷に変換し、変換した電荷を読み出すための電極３０１が接続される。
【００４０】
電極３０１から読み出された電荷は、ＡＭＰ３０５を介して、ＤＡＴＡ２として、ＡＦＥ４に出力される。
【００４１】
ＤＡＴＡ２は、ＡＦＥ４内部のＣＤＳ４０１と、Ａ／Ｄ４０５で相関二重サンプリングとＡ／Ｄ変換される。
【００４２】
一方、前記第２の電磁波吸収膜で吸収された電磁波以外は第２の電磁波吸収膜を通過して、第３の電磁波吸収膜に浸透する。
【００４３】
第３の電磁波吸収膜は、可視光において、光の３原色であるＲ，Ｇ，Ｂそれぞれを吸収できる有機膜で形成される。具体的には、第３の電磁波吸収膜は、入射光の電磁波波長の６００ｎｍ乃至７００ｎｍの電磁波を吸収する有機膜で形成される。
【００４４】
第３の電磁波吸収膜には、該吸収膜で吸収された電磁波を電荷に変換し、変換した電荷を読み出すための電極３０２が接続される。
【００４５】
電極３０２から読み出された電荷は、ＡＭＰ３０６を介して、ＤＡＴＡ３として、ＡＦＥ４に出力される。
【００４６】
ＤＡＴＡ３は、ＡＦＥ内部のＣＤＳ４０２と、Ａ／Ｄ４０６で相関二重サンプリングとＡ／Ｄ変換される。
【００４７】
次に、撮像素子のそばに配置したＬＥＤを用いた被写体までの距離情報算出の仕組みを図３、図４及び図５を用いて説明する。
【００４８】
図５は、図１の撮像装置において、ＬＥＤからの照射光と反射光を用いて距離算出を行う距離算出方法の説明図である。
【００４９】
図５において、撮像装置５００で被写体を撮影中に、撮影被写体５０１に対して、撮像部５０２を構成するＬＥＤ５０４から波長が８００ｎｍ乃至１２００ｎｍの赤外光を照射する（照射光５０５）。
【００５０】
照射光５０５は、撮影被写体５０１内に映し出されている人や物体等に照射され、照射光５０５が到達する距離に人や物体がいる場合には、人や物体によって、照射光５０５が反射する（反射光５０６）。
【００５１】
反射光５０６は、撮影被写体５０１の光信号として、多層積層型の撮像素子５０３に入射される。
【００５２】
多層積層型の撮像素子５０３に入射された反射光５０６は、波長が８００ｎｍ乃至１２００ｎｍの信号であるため、撮像素子５０３が備える第１から第３の電磁波吸収膜では吸収されずに通過して、最下層部に配置された第４の電磁波吸収膜に浸透する。
【００５３】
第４の電磁波吸収膜は、第１乃至第３の電磁波吸収膜で吸収されない電磁波から、近赤外光波長に対応した電磁波を吸収できる有機膜で形成されている。具体的には、入射光の電磁波波長の８００ｎｍ乃至１２００ｎｍの電磁波を吸収する有機膜で形成されているため、反射光５０６は該吸収膜で吸収され、電荷に変換される。
【００５４】
変換された電荷は、電荷読み出し用電極３０３を介して、ＤＡＴＡ４として、ＡＦＥ４に出力される。
【００５５】
ＤＡＴＡ４は、ＡＦＥ４内部のＣＤＳ４０３とＡ／Ｄ４０７で相関二重サンプリングとＡ／Ｄ変換されて、ＡＭＰ３０７を介してマルチプレクス５に出力される。
【００５６】
次に、ＬＥＤからの照射光と、被写体からの反射光での被写体までの距離算出方法を図６と図７を用いて説明する。
【００５７】
図６は、例えば、撮像装置が備える撮像素子の画素情報を表し、すべての画素にアドレス情報を備えておく。
【００５８】
図７は、距離情報を取得するためのＬＥＤ照射タイミングと、距離算出方法を示しており、ＬＥＤの照射は映像信号内のＶランキング期間内に開始する。
【００５９】
ＬＥＤから照射されたパルスは、被写体を介して、撮像素子５０３が有する各画素に入射され、各画素では、反射パルスの到達時間の検出を行う。
【００６０】
ここで、反射パルスの到達時間の検出に際しては、照射パルスの立ち上がりエッジ部と反射パルスの立ち上がりエッジ部を比較して、時間差を算出する。
【００６１】
図７では、初めにセンサ２３画素と、センサ３３画素に反射パルスが到達し、該パルスと、照射パルスと比較して時間差Φ１を算出する。
【００６２】
次に、センサ１３画素と、センサ２２画素と、センサ３２画素に反射パルスが到達し、該パルスと照射パルスを比較して時間差Φ２を算出する。
【００６３】
次に、センサ１２画素に反射パルスが到達し、該パルスと照射パルスを比較して、時間差Φ３を算出する。
【００６４】
最後に、センサ１１画素と、センサ２１画素と、センサ３１画素には、被写体までの距離が非常に遠いため、反射パルスは到達しない。
【００６５】
以上のように、撮像素子５０３が有するすべての画素において、反射パルスの到達時間を検出し、該到達時間から、すべての画素で被写体までの距離情報を算出する。
【００６６】
ここで、検出した到達時間から距離情報を算出場合、反射光の到達時間から飛行時間を換算し、該飛行時間に光速を乗ずる。
【００６７】
また、撮像素子が有する画素の読み出し周波数は以下の通りである。
【００６８】
Ｆ＝１／（Ｘ／Ａ＊Ｃ）      （１）
Ｃ：光の速さ
Ｘ：距離検出精度
Ａ：撮像素子が有する画素数
（１）式で算出される画素読み出し周波数で撮像素子を駆動することにより、撮像素子５０３が有するすべての画素において、距離情報を算出することが可能になる。
【００６９】
このように、被写体画像は、撮像素子５０３が有する第１から第３の電磁波吸収膜から電荷として出力され、被写体までの距離情報は、撮像素子５０３が有する第４の電磁波吸収膜から電荷として出力される。
【００７０】
それぞれの出力電荷は、ＡＦＥ４を介して、デジタル信号に変換された後、マルチプレクス５、ＡＧＣ６を介して、カメラ信号処理回路９に入力される。
【００７１】
カメラ信号処理回路９は、被写体画像と被写体までの距離情報を合成して、カメラデータ用メモリ１４に出力し、ＲＡＷデータとして記録する。
【００７２】
本実施の形態によれば、１枚の固体撮像素子と該撮像素子のそばに配置したＬＥＤにより、撮影時の被写体画像に影響を及ぼすことなく、被写体画像と被写体までの距離情報を同時に出力可能な撮像装置を実現することができる。
【００７３】
更に、被写体画像と被写体までの距離情報を同時に取得することができるため、被写体撮影中に各距離情報を用いて、距離毎にフォーカス合わせを行うことが可能となる。
【００７４】
また、被写体までの距離情報を正確に算出することができるため、距離に対応したストロボ発光量の調節も行うこともできる。
【００７５】
上記の実施の形態では、多層積層型撮像素子と該撮像素子のそばに配置したＬＥＤを用いて、ＬＥＤ照射タイミングが映像Ｖブランキング期間で発生して、被写体画像と被写体までの距離情報を同時に出力する技術を説明した。
【００７６】
以下では、距離情報取得用ＬＥＤの照射タイミングを映像信号期間内に発生させる手段を、図８を用いて説明する。
【００７７】
図８は、高速読み出しが可能な撮像素子を採用した場合で、撮像素子の読み出しフレームに、例えば、３００フレームを適用した時の画像生成と距離情報生成及びＬＥＤ照射タイミングをそれぞれ示している。
【００７８】
撮像素子５０３は、３００フレームを１Ｖ（フィールド）内に読み出すための電荷蓄積と、読み出し電極構造を備えている。撮像素子５０３が有する第１から第４の電磁波吸収膜に接続した読み出し用電極からは、３００フレームの画像情報に対応した電荷が出力される。
【００７９】
第１から第４の電磁波吸収膜から読み出された電荷はＡＦＥ４、マルチプレクス５、ＡＧＣ６を介して、カメラ信号処理回路９に入力される。
【００８０】
カメラ信号処理回路９は、入力された３００フレームの信号から、初めに“１”乃至“６０”フレームデータを使用して、画像を生成する。
【００８１】
次に、画像生成に使用しない“６１”乃至“３００”フレームデータを使用して、距離情報を生成する。
【００８２】
ここで、被写体画像に影響を及ぼさないようにするため、画像生成に使用しないフレームの先頭、つまり“６１”フレーム内で被写体に対してＬＥＤ５０４から信号を照射する。
【００８３】
被写体を介して反射したＬＥＤ照射信号に基づく、撮像素子が有する各画素での距離情報の算出方法は、上記実施の形態と同様である。
【００８４】
また、被写体を介して反射したＬＥＤ照射信号を撮像素子が有する各画素で検出する精度を向上するため、画像生成に使用しない２４０フレームを２分割して、ＬＥＤからの信号照射動作を“６１”フレーム目と、“１８１”フレーム目で行う。このように、距離情報算出動作を２度行っても良い。
【００８５】
これにより、撮影時の被写体画像に影響を及ぼすことなく、被写体画像と距離情報を同時に取得することができ、更にＬＥＤから信号を照射するタイミングを２度設けることにより、信号の誤検出を防止し、被写体までの距離情報算出精度を向上させることができる。
【００８６】
本実施の形態の撮像装置は、第１乃至第３の電磁波吸収膜で吸収した電荷から被写体画像を算出し、かつ、ＬＥＤ５０４からの照射光が被写体を介した反射光を第４の電磁波吸収膜で吸収する。そして、照射光出力タイミングと到達反射光の吸収タイミングとの時間差から被写体までの距離情報を算出する。また、被写体画像と被写体画像に対応した距離情報を同時に出力する。
【００８７】
また、本実施の形態の撮像装置において、ＬＥＤ５０４からの照射光にはパルス信号が重畳され、該パルス信号が被写体を介した反射光として第４の電磁波吸収膜から出力された信号のエッジ部と照射光に重畳したパルス信号のエッジ部とを比較する。そして、比較結果から被写体までの距離情報を算出する。
【００８８】
また、本実施の形態の撮像装置において、第１の電磁波吸収膜は４００ｎｍ乃至５００ｎｍの電磁波を吸収する特性を有し、第２の電磁波吸収膜は５００ｎｍ乃至６００ｎｍの電磁波を吸収する特性を有する。また、第３の電磁波吸収膜は６００ｎｍ乃至７００ｎｍの電磁波を吸収する特性を有し、更に、第４の電磁波吸収膜は近赤外光ＬＥＤの波長と同等の吸収特性を有する。
【００８９】
また、本実施の形態の撮像装置において、第１乃至第４の電磁波吸収膜は、読み出し電極と、該読み出し電極にそれぞれ接続したゲイン制御が可能なゲインアンプとを有する。
【００９０】
また、本実施の形態の撮像装置において、撮像素子５０３に隣接して配置したＬＥＤ５０４からの照射光の発光タイミングが、映像Ｖブランキング期間内である。
【００９１】
また、本実施の形態の撮像装置において、ＣＰＵ８は、撮像素子５０３が高速フレーム読み出し可能な場合に、画像生成に使用するフレーム以外のフレーム部でＬＥＤ５０４から照射光を照射する照射光発光制御手段として機能する。
【００９２】
また、本実施の形態の撮像装置において、照射光発光制御手段は、画像生成に使用するフレーム以外のフレームでＬＥＤ発光制御を２回以上行い、距離情報の検出誤動作を防止する。
【００９３】
また、本実施の形態の撮像装置において、ＣＰＵ８は、撮像素子５０３から同時に出力された被写体画像と被写体までの距離情報とを合成する合成手段と、記合成手段によって合成された距離情報を有する被写体画像を画像データとして記録する記録手段との機能を有する。
【００９４】
また、本実施の形態の撮像装置は、撮像素子５０３が有するすべての画素にアドレス情報を有する。
【００９５】
また、本実施の形態の撮像装置は、撮像素子５０３から出力された画像信号と距離情報を用いて、ストロボ発光量調整とピント合わせを行う。
【００９６】
以上の構成の撮像装置により、所期の目的を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の実施の形態に係る撮像装置のブロック構成図である。
【図２】図１におけるＣＭＯＳセンサに入力される電磁波波長と各電磁波吸収膜の透過率を表す図である。
【図３】図１におけるＣＭＯＳセンサの各電磁波吸収膜と電極の構成図である。
【図４】図１におけるＡＦＥの構成図である。
【図５】図１の撮像装置において、ＬＥＤからの照射光と反射光を用いて距離算出を行う距離算出方法の説明図である。
【図６】図１の撮像装置が備える撮像素子のすべての画素の位置情報を表す図である。
【図７】図１の撮像装置において、映像Ｖブランキング期間内にＬＥＤを照射するタイミングと、各画素での距離情報算出方法を示すタイミングチャートである。
【図８】図１の撮像装置において、被写体画像への影響を防止し、被写体までの距離情報算出方法を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００９８】
１  レンズ
２  絞り
３  ＣＭＯＳセンサ
４  ＡＦＥ
５  マルチプレクス
６  ＡＧＣ
７  ＴＧ
８  ＣＰＵ
９  カメラ信号処理回路
１０  ビデオ信号処理回路
１１  モニタ
１２  輝度レベル検波部
１３  メモリ
１４  カメラデータ用メモリ
３００  電極
３０１  電極
３０２  電極
３０３  電極
３０４  ＡＭＰ
３０５  ＡＭＰ
３０６  ＡＭＰ
３０７  ＡＭＰ
４００  ＣＤＳ
４０１  ＣＤＳ
４０２  ＣＤＳ
４０３  ＣＤＳ
４０４  Ａ／Ｄ
４０５  Ａ／Ｄ
４０６  Ａ／Ｄ
４０７  Ａ／Ｄ
５００  撮像装置
５０１  撮影被写体
５０２  撮像部
５０３  撮像素子
５０４  ＬＥＤ
５０５  照射光
５０６  反射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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