(57)【要約】【課題】本発明は、取り扱いが簡便で、生産性に優れ、更に低背化に対応可能な圧電発振器の製造方法を提供する効果を奏する。【解決手段】容器体の下面側に形成された端子部接続用電極端子に対応した位置に端子部が位置するように複数の開口部が設けられ、この開口部の側面に複数の端子部を設けた絶縁基板の各端子部の表面に金属膜層を形成する端子部形成工程と、容器体の下面側に形成された集積回路素子搭載パッドに集積回路素子を電気的且つ機械的に接続することで搭載する集積回路素子接続工程と、端子部の金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続する端子部接続工程と、絶縁基板の開口部と端子部との境目で切断して複数個の圧電発振器を同時に得る切断分離工程と、を具備する圧電発振器の製造方法。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器体内に圧電振動素子を搭載して、蓋体で気密封止した圧電振動子に集積回路素子を搭載し、圧電振動子に搭載用の端子部を設けた圧電発振器の製造方法であって、
平板状の絶縁基板に設けられた複数の開口部の側面から延出して前記容器体の下面に形成された端子部接続用電極端子に対応した位置に設けられる複数の端子部の前記絶縁基板の両主面と同一方向を向く面に金属膜層を形成する端子部形成工程と、
前記容器体の下面側に形成された集積回路素子搭載パッドに対応する接続パッドを向かい合わせた形態で集積回路素子を電気的且つ機械的に接続することで搭載する集積回路素子接続工程と、
前記端子部の金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続する端子部接続工程と、  前記絶縁基板の前記開口部と前記端子部との境目で切断して複数個の圧電発振器を同時に得る切断分離工程と、
を具備することを特徴とする圧電発振器の製造方法。
【請求項２】
前記集積回路素子の周囲を絶縁性樹脂により覆う工程を前記端子部接合工程後に具備することを特徴とする請求項１記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項３】
前記圧電発振器の前記複数の端子部のうち少なくとも２つをデータ書込端子とすると共に、前記データ書込端子を介して前記集積回路素子に温度補償データを入力し、前記集積回路素子内のメモリに前記温度補償データを格納する工程を前記切断分離工程後に具備することを特徴とする請求項１又は２記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁基板の端子部の一部がデータ書込端子となり、前記データ書込端子となる端子部の高さが他の端子部の高さより低いことを特徴とする請求項３記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁基板の材質がシリコン、ガラス、ガラスエポキシ樹脂のうちいずれか１つであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の圧電発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられる圧電発振器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図９は、従来の圧電発振器を示す断面図である。尚、紙面に対して奥側を「上」、手前側を「下」として説明する。
図９に示すように従来の圧電発振器は、容器体２０１の内部に圧電振動素子２０２が収容され、蓋体により圧電振動素子２０２及び気密封止されている圧電振動子の下面側に導電性接合材によって導電体２０４と集積回路素子２０３とが接合されている構造が知られている。この導電体２０４は、外部接続用電極端子として用いられる（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
尚、前記容器体２０１は、通常、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成り、その内部及び表面には所定の配線パターンが形成され、従来周知のグリーンシート積層法等を採用することによって製作されている。そして、このような容器体２０１の下面側には導電体接続用電極端子が設けられており、これらの導電体接続用電極端子と導電体２０４を、導電性接着剤や半田等の導電性接合材を介して導通固着することにより、容器体２０１に導電体２０４が接合されていた。
導電体２０４を容器体２０１に接合する方法としては、前記容器体２０１の下面側に形成されている導電体接続用電極端子に導電性接着剤や半田等の導電性接合材を塗布し、  導電体２０４を容器体２０１の各導電体接続用電極端子に１つずつ搭載して、熱処理をすることで、導電体接続用電極端子に導電体２０４が接合されていた。
【０００４】
前記のような形態の圧電発振器については、以下のような先行技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−４６２５１号公報
【０００５】
尚、前記した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献以外を、本件出願時までに発見するに至らなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記した従来の圧電発振器の製造方法においては、容器体の下面側に形成されている導電体接続用電極端子に導電性接着剤や半田等の導電性接合材を塗布し、導電体を容器体の各導電体接続用電極端子に１つずつ搭載して、すべてを搭載後に熱処理をすることで、導電体接続用電極端子に導電体が接合されるので、個々の容器体に導電体を１つずつ搭載するような煩雑な工程が必要となり、生産性が低下してしまうといった課題があった。
【０００７】
本発明は前記課題に鑑み案出されたもので、その目的は、製造時の取り扱いが簡便で、生産性を向上させる圧電発振器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の圧電発振器の製造方法は、前記課題を解決するために成されたものであり、容器体内に圧電振動素子を搭載して、蓋体で気密封止した圧電振動子に集積回路素子を搭載し、圧電振動子に搭載用の端子部を設けた圧電発振器の製造方法であって、平板状の絶縁基板に設けられた複数の開口部の側面から延出して容器体の下面に形成された端子部接続用電極端子に対応した位置に設けられる複数の端子部の絶縁基板の両主面と同一方向を向く面に金属膜層を形成する端子部形成工程と、容器体の下面側に形成された集積回路素子搭載パッドに対応する接続パッドを向かい合わせた形態で集積回路素子を電気的且つ機械的に接続することで搭載する集積回路素子接続工程と、端子部の金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続する端子部接続工程と、  絶縁基板の開口部と端子部との境目で切断して複数個の圧電発振器を同時に得る切断分離工程と、を具備することを特徴とするものである。
【０００９】
また、集積回路素子の周囲を絶縁性樹脂により覆う工程を端子部接合工程後に具備しても良い。
【００１０】
更に、圧電発振器の前記複数の端子部のうち少なくとも２つをデータ書込端子とすると共に、前記データ書込端子を介して前記集積回路素子に温度補償データを入力し、前記集積回路素子内のメモリに前記温度補償データを格納する工程を前記切断分離工程後に具備しても良い。
【００１１】
また更に、絶縁基板の端子部の一部がデータ書込端子となり、データ書込端子となる端子部の高さが他の端子部の高さより低くても良い
【００１２】
更にまた、絶縁基板の材質がシリコン、ガラス、ガラスエポキシ樹脂のうちいずれか１つであっても良い。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の圧電発振器の製造方法によれば、平板状の絶縁基板に設けられた複数の開口部の側面から延出して容器体の下面に形成された端子部接続用電極端子に対応した位置に設けられる複数の端子部に形成された金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続することによって、すべての端子部を容器体へ同時に搭載するので、個々の容器体に導電体を１つずつ搭載するような煩雑な工程が必要なく、生産性が向上されるようになる。
【００１４】
また、端子部の表面の一部を含む集積回路素子の周囲を絶縁性樹脂で充填することにより、端子部を絶縁基板から切断分離する際に、絶縁性樹脂が切断時に端子部に生じるストレスの緩衝材となるので、切断時のストレスによる端子部と端子部接続用電極端子との剥がれなどの不具合を更に低減することが可能となる。
【００１５】
また、圧電発振器の端子部の一部がデータ書込端子となり、データ書込端子となる端子部の高さが他の端子部の高さより低くしたことから、圧電発振器とマザーボード等の外部の電気回路に搭載した場合でも、マザーボード表面に形成されている配線パターンとデータ書込端子が不要に接触することがなくなるため、安定した発振周波数を出力することが可能となる。
【００１６】
よって、本発明は、取り扱いが簡便で、生産性に優れ、更に低背化に対応可能な圧電発振器の製造方法を提供する効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電材料を水晶として説明する。よって圧電振動子を水晶振動子として説明する。
【００１８】
（第一の実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す分解斜視図である。図２は、本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。図３（ａ）は、圧電振動子を集積回路素子搭載側主面（一方の主面）よりみた斜視図である。図３（ｂ）は、本発明の圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器を実装側よりみた斜視図である。
尚、図１〜図３では、紙面に対して、紙面に対して奥側を「上」、手前側を「下」として説明する。また、各図では、同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明を省略する。説明を明りょうにするため説明に不必要な構造体の一部は図示していない。さらに図示した寸法も一部誇張して示している。
【００１９】
図１〜図３に示す圧電発振器１００は、主面外形形状が矩形状の容器体１０の内部に水晶振動素子２０を収容されており、この容器体１０の一方の主面には、集積回路素子５０が接続されると共に、外部接続用電極端子４１ａやデータ書込端子４１ｂとなる端子部４１が接続されている。
【００２０】
容器体１０は、例えば、アルミナセラミックス、ガラス−セラミックス等のセラミック材料から成り、前記のとおり一方の主面（図２では下主面）には、集積回路素子５０内に搭載した電子回路網との電気的接続を取ると共に集積回路素子５０を機械的に接合するための集積回路素子搭載パッド１５が容器体１０の中央部に、また端子部４１を機械的に接合するための端子部接続用電極端子１２が容器体１０の４隅に設けられている。また、他方の主面（図２では上主面）には、その中央域に矩形状に凹部空間１４が形成されている。凹部空間１４を囲繞する側壁の頂面には、環状の封止用導体パターン１１が形成されている。
【００２１】
また、端子部４１を容器体１０の端子部接続用電極端子１２に取着固定する際は、端子部４１の上面に形成された金属膜層４３ａと、容器体１０に設けられている端子部接続用電極端子１２とが、半田や導電性接着剤等の導電性接合材６０によって機械的且つ電気的に接合している。更に、容器体１０は、凹部空間１４の内部に水晶振動素子２０を収容するためのものであり、凹部空間１４内の底面には、水晶振動素子２０の表裏両主面に形成された励振用電極２１と各個電気的に接続される圧電振動素子搭載パッド１３が被着形成されている。
【００２２】
また、容器体１０の側壁部の凹部空間１４開口部側頂面に形成された封止用導体パターン１１は、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、等から成る基層の表面にニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層を順次、凹部空間１４開口部を環状に囲繞する形態で被着させることによって、１０μｍ〜２５μｍの厚みに形成されている。また、その封止用導体パターン１１の内周側縁部は凹部空間１４の内壁面に、外周側縁部は容器体１０の外側面にそれぞれ露出されている。この封止用導体パターン１１は、後述する蓋体３０を、蓋体３０に形成された封止部材３１の濡れ性を良好とし、圧電振動素子搭載空間の気密信頼性及び生産性を向上させることができる。
【００２３】
かかる容器体１０の側壁部の凹部空間１４内底面に設けられている圧電振動素子搭載パッド１３は、容器体１０に設けられた端子部接続用電極端子１２の一部と容器体１０に構成されている各層表面の配線パターンや各層を貫通するビア導体を介して電気的に接続されている。また圧電振動素子搭載パッド１３は、その上面側で、後述する水晶振動素子２０の励振用電極２１に導電性接着剤７０を介して電気的且つ機械的に接続されている。
【００２４】
容器体１０の凹部空間１４内に収容される水晶からなる圧電振動素子２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施した概略平板状で主面形状が四角形の水晶素板を主構造体としている。その水晶素板の表裏両主面に一対の励振用電極２１を被着・形成することで、外部からの交番電圧が励振用電極２１を介して水晶素板に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こさせることができる。このような水晶振動素子２０は、その両主面に被着されている励振用電極２１から水晶素板の一方の短辺側に引き出した引き出し電極と、凹部空間１４内底面の対応する圧電振動素子搭載パッド１３とを導電性接接着剤７０を介して電気的・機械的に接続することによって容器体１０の凹部空間１４内底面に搭載される。
【００２５】
導電性接着剤７０は、シリコン樹脂やポリイミド樹脂等から成る樹脂材料中にＡｇ等から成る導電性粒子を所定量、添加、混合してなるものである。
【００２６】
また、容器体１０上に配置される蓋体３０は、従来周知の金属加工法を採用し、４２アロイ等の金属を所定形状に整形することによって製作される。蓋体３０の上面には、ニッケル（Ｎｉ）層が形成され、更にニッケル（Ｎｉ）層の上面に少なくとも封止用導体パターン１１に相対する箇所に封止部材３１である金錫（Ａｕ−Ｓｎ）層が形成される。金錫（Ａｕ−Ｓｎ）層の厚みは、１０μｍ〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が８０％、錫が２０％のものが使用されている。また、このような封止部材３１は、封止用導体パターン１１表面の凹凸を緩和し、気密性の低下を防ぐことが可能となる。このような蓋体３０を水晶振動素子２０が内部に搭載された凹部空間１４を囲繞する側壁部頂部に形成した封止用導体パターン１１上に、凹部空間１４の開口部を覆う形態で配置され、封止部材３１と封止用導体パターン１１とを溶融接合することにより、凹部空間１４内を気密に封止し、圧電振動子９０を構成している。
【００２７】
端子部４１は、シリコンやガラス、ガラスエポキシ樹脂等の一枚板である絶縁基板４０を従来周知の打ち抜き加工法やエッチング加工法等により一体で形成する。
端子部４１は、集積回路素子５０の高さ寸法よりも高い高さ寸法を有する柱状形状となっている。
端子部４１は、平板状の絶縁基板に設けられた複数の開口部の側面から延出して、圧電振動子８０の前記容器体１０の下面に形成された端子部接続用電極端子１２に対応した位置に設けられる複数の端子部４１の前記絶縁基板の両主面と同一方向を向く面にＮｉメッキ、Ａｕメッキを施した金属膜層４３ａ、４３ｂを形成し、前記端子部４１を切り離して形成される。
【００２８】
尚、金属膜層４３ａと金属膜層４３ｂは、端子部４１の内部又は、表面に形成された配線やビアホールにより、導通がとられている。
又、各端子部４１の上面に形成された金属膜層４３ａと、容器体１０に設けられた端子部接続用電極端子１２は半田や導電性接着剤等の導電性接合材６０によって接合されている。
【００２９】
このように端子部４１は絶縁基板を加工して形成されたものであるため、容器体の外部接続用電極端子として、マザーボード等の外部電気回路に搭載する際、半田等の導電性接合材によって外部電気回路の回路配線と電気的に接続されても、導電性接合材が端子部４１の表面に這い上がらないため、他の端子部や集積回路素子５０と短絡を防止することが可能となる。
【００３０】
また、各端子部４１は、機能毎に外部接続用電極端子４１ａ（電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子）の他にデータ書込端子４１ｂとして用いられる。外部接続用電極端子４１ａは、圧電発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、半田付け等によって外部電気回路の回路配線と電気的に接続されることとなる。また、データ書込端子４１ｂは、温度補償データ書込装置のプローブ針を当て、水晶振動素子２０の温度特性に応じた温度補償データを書き込むことによって集積回路素子５０のメモリ内に温度補償データが格納される。尚、それぞれの電極端子として使用される端子部４１は、その電極端子の用途によって外形形状に差異が設けられている。
【００３１】
ここで、４つの外部接続用電極端子４１ａのうち、グランド端子と発振出力端子を近接に配置するようにすれば、発振出力端子より出力される発振信号にノイズが干渉するのを有効に防止することができる。従って、グランド端子と発振出力端子は近接させて配置することが好ましい。
【００３２】
集積回路素子５０は、例えば容器体１０の実装面側の集積回路素子搭載パッド１５と１対１に対応する複数個の接続パッドを一方の主面に有した矩形状のフリップチップ型集積回路素子等が用いられ、その回路形成面には水晶振動素子２０に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等が設けられ、この発振回路で生成された発振出力は、外部に出力された後、例えば、クロック信号等の基準信号として利用されることとなる。
【００３３】
又、集積回路素子５０に設けた接続パッドを集積回路素子搭載パッド１５に導電性接合材６０を介して個々に接合させることによって集積回路素子５０が容器体１０に取着され、これによって集積回路素子５０内の電子回路が水晶振動素子２０や端子部４１に電気的に接続される。
【００３４】
次に前記圧電発振器の製造方法について図６〜図８を用いて説明する。
ここで、図６（ａ）は、圧電発振器の製造方法の端子部形成工程を示す断面図であり、（ｂ）は、圧電発振器の製造方法の集積回路素子接続工程を示す断面図であり、（ｃ）は、圧電発振器の製造方法の端子部接続工程を示す断面図であり、（ｄ）は、圧電発振器の製造方法の切断分離工程を示す断面図である。図７は、絶縁基板に圧電振動子を搭載する前を示す外観斜視図である。また図８は、絶縁基板に圧電振動子を搭載した後を示す平面図である。
【００３５】
（端子部形成工程）
まず、図６（ａ）、図７、図８に示す端子部形成工程は、平板状の絶縁基板４０に設けられた複数の開口部４２の側面から延出して前記容器体４１の下面に形成された端子部接続用電極端子１２に対応した位置に設けられる複数の端子部４１の前記絶縁基板４０の両主面と同一方向を向く面に金属膜層４３ａ、４３ｂを形成する。
絶縁基板４０は、ウエハ形状であり、端子部４１を有する基板領域Ｘと、捨代領域Ｙとを相互に隣接させて、これらをマトリクス状に複数個ずつ配置した形態を有しており、前記絶縁基板４０の基板領域Ｘには、開口部４２が設けられる。
集積回路素子５０の高さ寸法よりも高い高さ寸法ｈを有する直方体形状をした端子部４１を、容器体１０の下面側に形成された端子部接続用電極端子１２に対応した位置に端子部４１が位置するように、前記開口部４２の側面に接続した形態で複数個直列に配置されており、各端子部４１の上面及び下面に金属膜層４３ａ、４３ｂが形成されている。
尚、図６（ａ）に示した絶縁板４０の断面図は、図７に記載の仮想切断線Ａ−Ａで切断した場合の部分断面図である。
【００３６】
このような絶縁基板４０は、シリコンやガラス、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料で形成された一枚板である絶縁基板４０を従来周知の打ち抜き加工法やフォトエッチング加工法等により形成される。端子部４１の上面及び下面には、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキを施した金属膜層４３ａ、４３ｂが形成されている。
この絶縁基板４０のうちの少なくとも端子部４１の高さ寸法ｈは、集積回路素子５０の高さ寸法よりも高くなるように形成されている。このようにすることにより、集積回路素子５０がマザーボード等に接触することがなくなる。
この端子部４１の上面及び下面に金属膜層４３ａ、４３ｂを形成し、配線やビアホールによって上面に形成した金属膜層４３ａと下面に形成した金属膜層４３ｂを電気的に接続している。
また、この実施形態においては、この絶縁基板４０を、後述する工程で、端子部４１と捨代領域Ｙとを切断することになる。
【００３７】
絶縁基板４０がシリコンから成る場合は、単結晶シリコンのインゴットを所定厚みにスライスしてシリコンウエハを形成する。前記シリコンウエハの各基板領域Ｘの端子部４１には、貫通孔が設けられ、前記端子部の上面と下面に金属膜層４３ａ、４３ｂが形成される。
この場合端子部４１の上面と下面に形成した金属膜層４３ａ、４３ｂは、貫通孔により導通接続する。前記貫通孔には、金錫（Ａｕ−Ｓｎ）等の導体ペーストを充填することによって形成することができる。
【００３８】
絶縁基板４０がホウケイ酸ガラス、ソーダガラスのガラス材料から構成されている場合は、絶縁基板４０の各基板領域Ｘの端子部４１に対応した耐蝕膜を予め形成し、次にフォトエッチング加工法等により、開口部４２を形成する。
各基板領域Ｘの端子部４１に対応した耐蝕膜を剥離して、貫通孔が設けられ、前記端子部４１の上面と下面に金属膜層４３ａ、４３ｂが形成される。
【００３９】
絶縁基板４０がガラス布基材エポキシ樹脂から成る場合は、ガラス糸を編み込んで形成したガラス布基材にエポキシ樹脂の液状前駆体を含浸させるとともに、前駆体を高温で重合させることによってベースが形成され、ベースに貼着される銅箔等の金属箔を従来周知のフォトエッチング加工法を採用し、所定パターンに加工することによって金属箔からなる金属膜層４３ａ、４３ｂが形成される。その後、従来周知の打ち抜き加工等で、絶縁基板４０の基板領域Ｘに開口部４２を形成する。
【００４０】
（集積回路素子接続工程）
図６（ｂ）に示すように、前記容器体１０の下面側に形成された集積回路素子搭載パッド１５に決められた機能に対応する接続パッドを向かい合わせた形態で集積回路素子５０を電気的且つ機械的に接続することで搭載する。
集積回路素子５０としては、接合面に複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型集積回路素子が用いられる。前記集積回路素子５０は、その接合面に設けられている複数個の接続パッドが、容器体１０の各集積回路素子搭載パッド１５に導電性接合材を介して当接されるようにして載置され、しかる後、この導電性接合材を熱の印加によって溶融した後冷却固化し、接続パッドと集積回路素子搭載パッド１５とを導電性接合材を介して接合することによって集積回路素子５０が容器体１０に取着搭載される。
【００４１】
（端子部接続工程）
図６（ｃ）、図７、図８に示す如く、前記端子部４１の金属膜層４３ａと容器体１０の端子部接続用電極端子と１２を接続する。
水晶からなる圧電振動素子２０が収容され、集積回路素子５０が取着搭載されている容器体１０を、絶縁基板４０の開口部４２に取着搭載された集積回路素子５０が挿入するようにして、圧電振動子９０を構成する容器体１０の下面に形成された端子部接続用電極端子１２と絶縁基板４０に形成された個々の端子部４１の上面の金属層４３ａとを、金属膜層４３ａに印刷手段により一括で形成した半田や導電性接着剤などの導電性接合材６０で接合することにより、絶縁基板４０の所定の複数の端子部４１に圧電振動子を搭載する。
【００４２】
（切断分離工程）
図６（ｄ）及び図８に示す如く、前記絶縁基板４０の前記開口部４２と前記端子部４１との境目で切断して複数個の圧電発振器１００を同時に得る。
各絶縁基板４０の捨代領域Ｙと基板領域Ｘの端子部４１との接続部分（二点鎖線部分）を切断することにより、各端子部４１を捨代領域Ｙより切り離し、複数個の圧電発振器１００を同時に得る。絶縁基板４０の切断は、ダイサーを用いたダイシング等によって行なわれ、かかる切断工程を経て、端子部４１が外部接続用電極端子４１ａやデータ書込端子４１ｂの各種機能をなす形態の複数個の圧電発振器１００が同時に得られる。
【００４３】
尚、圧電発振器１００に温度補償機能を有する場合は、各端子部４１を捨代領域Ｙより切断分離した端子部４１のうちのデータ書込端子４１ｂを介して集積回路素子５０に温度補償データを入力し、集積回路素子５０内のメモリに温度補償データを格納する。このような温度補償データの書込作業は、温度補償データ書込装置のプローブ針をデータ書込端子４１ｂに当てて、水晶振動素子２０の温度特性に応じて作成された温度補償データを集積回路素子５０の温度補償回路内に設けられているメモリに入力し、これを記憶させることによって行なわれる。尚、ここで集積回路素子５０に書き込まれる温度補償データは、水晶振動素子２０毎の温度特性バラツキを補正するためのものであり、その温度補償型水晶発振器に使用される水晶振動素子２０の温度特性を事前に測定しておくことにより得られるものである。
【００４４】
（第二の実施形態）
図４は、本発明の第二の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
端子部形成工程時の絶縁基板に開口を形成した後、データ書き込み端子となる端子部４１ｂのみに再度フォトエッチング加工法等を行なっている点で、第一の実施形態とは異なる。よって、データ書込端子となる端子部４１ｂの高さが他の端子部４１ａの高さより低くなる。
このようにすることで、圧電発振器とマザーボード等の外部の電気回路に搭載した場合でも、マザーボード表面に形成されている配線パターンとデータ書込端子が不要に接触することがなくなるため、安定した発振周波数を出力することが可能となる。
【００４５】
（第三の実施形態）
図５は、本発明の第三の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
端子部接続工程と切断分離工程との間に絶縁性樹脂形成工程を行っている点で、第一の実施形態とは異なる。
絶縁性樹脂形成工程は、前記絶縁性樹脂８０を前記絶縁基板４１の開口部４２内に塗布し、硬化させることによって、集積回路素子５０の周囲が絶縁性樹脂８０により覆われているようになる。
絶縁性樹脂８０は、エポキシやポリイミドなどが多く用いられ、加熱により軟化あるいは溶融することで流動する特性を持つ熱可塑性樹脂により構成されている。
このように絶縁性樹脂８０により集積回路素子５０の周囲を被覆保護されることになるので、異物等の影響により周波数が変動することを防止することが可能となる。
また、端子部４１を絶縁基板４０の捨代領域Ｙから切断分離する際に、集積回路素子５０の周囲を絶縁性樹脂８０で覆うようにしたことから、絶縁性樹脂８０が切断時に端子部４１に生じるストレスの緩衝材となるので、切断時のストレスによる端子部４１と端子部接続用電極端子１２との剥がれなどの不具合を更に低減することが可能となる。
【００４６】
尚、本発明は前記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
尚、前記した本実施例では、圧電振動素子を構成する圧電素材として水晶を用いた水晶振動素子を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。
また、集積回路素子接続工程と端子部接続工程の順序を入れ替えても良く、端子部接続工程を先にすることで、集積回路素子搭載用のキャリアは不要になり、基板の分割によって得られた個々の基体をキャリアに搭載するといった煩雑な作業も一切不要となる。これによっても、圧電発振器の生産性が向上されるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例である水晶発振器を構成する容器体を実装側主面からみた斜視図であり、（ｂ）は、本発明の圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例である水晶発振器を実装側主面からみた斜視図である。
【図４】本発明の第二の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の第三の実施形態となる圧電発振器の製造方法で形成された圧電発振器の一例を示す断面図である。
【図６】本発明における圧電発振器の製造方法を、工程中の形態（ａ）から形態（ｄ）を圧電発振器の断面図を用いて示した工程説明図である。
【図７】本発明における圧電発振器の製造方法で用いられる絶縁基板並びに容器体を斜視図を用いて示した説明図である。
【図８】本発明における圧電発振器の製造方法を、図６（ｃ）における形態を容器体の上方から見た平面図を用いて示した工程説明図である。
【図９】従来における圧電発振器の一例である水晶発振器を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０・・・容器体
１１・・・封止用導体パターン
１２・・・端子部接続用電極端子
１３・・・圧電振動素子搭載パッド
１４・・・凹部空間
１５・・・集積回路素子搭載パッド
１６・・・モニタ用電極端子
２０・・・圧電振動素子
２１・・・励振用電極
３０・・・蓋体
３１・・・封止部材
４０・・・絶縁基板
４１・・・端子部
４１ａ・・・外部接続用電極端子
４１ｂ・・・データ書込端子
４２・・・開口部
４３ａ、４３ｂ・・・金属膜層
５０・・・集積回路素子
６０・・・導電性接合材
７０・・・導電性接着剤
８０・・・絶縁性樹脂
９０・・・圧電振動子
１００・・・圧電発振器
Ｘ・・・基板領域
Ｙ・・・捨代領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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