(57)【要約】【課題】低電圧駆動が可能であり、安定した書き込み放電が実現でき、高効率の維持放電を実現する高精細化に適したパネルを提供する。【解決手段】走査電極３および維持電極４からなる表示電極５が複数対配置された第１のガラス基板２と、第１のガラス基板と放電空間１４を挟んで対向配置され、表示電極と交差する方向にデータ電極１０が複数配置された第２のガラス基板９とを備える。第２のガラス基板には、データ電極を覆うように背面側誘電体層１１が設けられ、背面側誘電体層上には、平面視で、データ電極と重なるように突起部１６が設けられ、突起部と表示電極との最短距離は、表示電極と背面側誘電体層との最短距離よりも短くなるように構成される。【選択図】図１
2008004436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極および維持電極からなる表示電極が複数対配置された第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板と放電空間を挟んで対向配置され、前記表示電極と交差する方向にデータ電極が複数配置された第２のガラス基板とを備え、
前記第２のガラス基板には、前記データ電極を覆うように背面側誘電体層が設けられ、
前記背面側誘電体層上には、平面視で、データ電極と重なるように突起部が設けられ、
前記突起部と前記表示電極との最短距離は、前記表示電極と前記背面側誘電体層との最短距離よりも短くなるように構成されたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
走査電極および維持電極からなる表示電極が複数対配置された第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板と放電空間を挟んで対向配置され、前記表示電極と交差する方向にデータ電極が複数配置された第２のガラス基板とを備え、
前記第２のガラス基板には、前記データ電極を覆うように背面側誘電体層が設けられ、
前記背面側誘電体層上には、平面視で、走査電極および維持電極の少なくとも一方とデータ電極とが重なる領域を含むように突起部が設けられたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記背面側誘電体層上には、前記表示電極と前記データ電極とで形成される複数の放電セルを区画するように隔壁が設けられ、
前記隔壁は、前記データ電極を挟み前記データ電極に平行に形成された複数のストライプ状の縦隔壁と、隣接する前記表示電極対の間に対応する位置に形成した前記ストライプ状の縦隔壁に交差するように設けられた横隔壁とを有する請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記背面側誘電体層上には、前記表示電極と前記データ電極とで形成される複数の放電セルを区画するように隔壁が設けられ、
前記隔壁は、前記データ電極を挟み前記データ電極に平行に形成した複数のストライプ状の縦隔壁と、隣接する前記表示電極対の間に対応する位置に形成した前記ストライプ状の縦隔壁に交差するように設けられた横隔壁とを有し、
前記突起部は、前記横隔壁の側部に接続して形成された請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記突起部は、その表面に、電子放出層が形成された請求項１、２、４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記電子放出層が、酸化マグネシウム、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、アルカリ金属、アルカリ土類金属の中から選ばれた少なくとも一つの材料を含む請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記材料が、微粒子である請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
基板上にデータ電極を形成するステップと、
前記データ電極を覆うように背面側誘電体層を形成するステップと、
前記背面側誘電体層上に低軟化点ガラスフリットと有機バインダとを含むペーストを、横隔壁に相当するパターンに形成するステップと、
前記背面側誘電体層上に低軟化点ガラスフリットと有機バインダとを含むペーストを、縦隔壁に相当するパターンに形成するステップと、
前記背面側誘電体層上に低軟化点ガラスフリットと有機バインダとを含むペーストを、突起部に相当するパターンに形成するステップと、
前記横隔壁部、前記縦隔壁部、および前記突起部それぞれに相当するパターンに形成された、低軟化点ガラスフリットと有機バインダとを含むペーストそれぞれを現像、焼成することで、縦隔壁、横隔壁、および突起部を形成するステップと、
前記背面側誘電体層の上面と、前記縦隔壁および前記横隔壁の側面とに蛍光体層を形成するステップとを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記ペーストの無機固形分比を３０％〜５０％とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
基板上にデータ電極を形成する工程と、
前記データ電極を覆うように背面側誘電体層を形成する工程と、
前記背面側誘電体層上に感光性を有する材料を塗布し、横隔壁に相当するパターンを露光する工程と、
前記背面側誘電体層上に感光性を有する材料を塗布し、縦隔壁に相当するパターンを露光する工程と、
前記背面側誘電体層上に感光性を有する材料を塗布し、突起部に相当するパターンを露光する工程と、
前記横隔壁部、前記縦隔壁部、および前記突起部それぞれに相当するパターンを露光されたそれぞれの感光性を有する材料を現像、焼成することで、縦隔壁、横隔壁、および突起部を形成する工程と、
前記背面側誘電体層の上面と、前記縦隔壁および前記横隔壁の側面とに蛍光体層を形成する工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記突起部を形成する工程の後に、前記突起部の表面に電子放出層を形成する電子放出層形成工程を有する請求項８または１０に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記蛍光体層を形成する工程は、酸化マグネシウム、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、アルカリ金属、アルカリ土類金属の中から選ばれる少なくとも一つの材料の微粒子を混合した蛍光体ペーストを、印刷法あるいはインクジェット法により塗布することにより行う請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大画面で、薄型、軽量のディスプレイ装置に用いられるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡＣ型として代表的な交流面放電型プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」ともいう）は、図１３に示すような構成である。
【０００３】
図１３において、前面板１は、第１のガラス基板２の表面上に、面放電を行う走査電極１０３および維持電極１０４からなる表示電極対１０５を平行に配列して形成されている。走査電極１０３および維持電極１０４はそれぞれ、第１のガラス基板２の表面上に形成された透明電極１０３ａ、１０４ａと、その上に形成された銀（Ａｇ）とその結着材であるガラスフリット材料からなる母線１０３ｂ、０４ｂとで構成される。また、表示電極対１０５の間には光吸収層１７が形成されている。そして表示電極対１０５を覆うように前面側誘電体層６が形成され、その上に保護膜７が形成されている。
【０００４】
背面板８は、第２のガラス基板９の表面上に、データ電極１０を平行に配列して形成されており、その上が背面側誘電体層１１で覆われている。そして、背面側誘電体層１１の上に隔壁１２が形成されている。隔壁１２は、データ電極１０に平行な方向に伸びて形成された縦隔壁１２ａと、それと直交する方向に形成された横隔壁１２ｂとで形成された井桁形状をしている。隔壁１２の側面と背面側誘電体層１１の表面とには、データ電極１０に対応して赤色（Ｒ）蛍光体層１３ｒ、緑色（Ｇ）蛍光体層１３ｇ、青色（Ｂ）蛍光体層１３ｂ（総称して「蛍光体層１３」ともいう）が塗布形成されている。
【０００５】
そしてこのような前面板１と背面板８とが、表示電極対１０５とデータ電極１０とがマトリックスを組むように対向させて配置されている。前面板１と背面板８との間隙には、放電空間１４が形成される。そして、前面板１と背面板８との外周部はガラスフリットなどの封着材によって封着され（図示せず）、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスからなる放電ガスが封入されている。放電ガスは、通常Ｘｅの割合が６％のものが用いられ、約４５０Ｔｏｒｒ（約６０ｋＰａ）の圧力で封入される。表示電極対１０５とデータ電極１０とが立体交差する部分の放電空間１４に、隔壁１２によって区画された放電セル１５が形成されている。
【０００６】
このような構成のパネルにおいて、ガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線でＲ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体層１３を励起して発光させることによりカラー表示を行う。
【０００７】
このパネルは、１フィールド期間を複数のサブフィールド（以下、「ＳＦ」と略記する）に分割し、発光させるＳＦの組み合わせによって階調表示を行う。各ＳＦは初期化期間、書き込み期間および維持期間を有する。そして、画像データを表示するために、初期化期間、書き込み期間および維持期間のそれぞれで異なる信号波形を各電極に印加している。初期化期間には、例えば、正のパルス電圧をすべての走査電極１０３に印加し、走査電極１０３および維持電極１０４を覆う前面側誘電体層６上の保護膜７および蛍光体層１３上に必要な壁電荷を蓄積する。書き込み期間では、すべての走査電極１０３に、順次負の走査パルスを印加する走査を行う。表示すべきデータがある場合、走査電極１０３を走査している間に、データ電極１０に正のデータパルスを印加すると、走査電極１０３とデータ電極１０との間で放電が起こり、走査電極１０３と維持電極１０４との間にも放電が起こる。このように書き込み放電が発生する。その結果、走査電極１０３上と維持電極１０４上の保護膜７の表面に壁電荷が形成される。
【０００８】
続く維持期間では、一定の期間、走査電極１０３と維持電極１０４との間に放電を維持するのに十分な電圧を印加する。これにより、書き込み期間にデータパルスが印加された放電セルでは、走査電極１０３と維持電極１０４との間に維持放電が発生して紫外線が発生する。発生した紫外線は、一定の期間、蛍光体層１３を励起発光させる。書き込み期間においてデータパルスが印加されなかった放電セル１５では、維持放電は発生せず蛍光体層１３の励起発光は起こらない。
【０００９】
最近、このようなパネルにおいて、高効率化を図る目的で、Ｘｅ分圧を１０％以上に上げる取り組みがなされている。しかし、Ｘｅ分圧を上げると放電開始電圧が上昇するため、書き込み期間の放電に大きな放電遅れが発生して書き込み動作が不安定になる、あるいは書き込み放電を安定化するためには書き込み期間に費やす時間を長く取る必要があるという課題がある。
【００１０】
これを解決するために、表示放電をする表示放電セル以外に、これと連通部によって繋がったアドレス放電セルを設けた構成のパネルが提案されている。そして、アドレス放電セル内のデータ電極上に嵩上げ誘電体層を設け、走査電極とデータ電極との間隔を実質的に狭くして書き込み放電を発生しやすくした構成としている。この構成により、アドレス放電セル内で速く発生するアドレス放電によりプライミング粒子（すなわち、放電の「起爆剤」）を発生させ、プライミング粒子が連通部を通して表示放電セル内に入って書き込み放電を発生させる。したがって、書き込み放電を安定にしながら、高効率化が可能となる。このような従来技術については、例えば特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００３−３１１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、このようなパネル構成では、表示放電セル以外にアドレス放電セルを設ける必要があるため、高精細化が困難となる、あるいは、表示輝度が低下するという課題が発生してしまう。
【００１２】
また、パネル内の放電ガスのＸｅ分圧を高くすると、維持放電の放電開始電圧が上昇して維持放電の放電電流が多く流れ、このため、表示電極対１０５のインピーダンスやパネル駆動回路の出力インピーダンスによる維持放電時の電圧降下が大きくなり、放電セル１５に印加される電圧が低下して維持放電の輝度が低下する。この結果、表示画面の点灯率に応じて輝度が変化するという、いわゆるローディング現象が大きく発生するという課題が発生してしまう。
【００１３】
本発明は、上述のような状況に鑑みなされたものであり、低電圧駆動が可能であり、安定した書き込み放電が実現でき、高効率の維持放電を実現する高精細化に適したパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の構成のプラズマディスプレイパネルは、走査電極および維持電極からなる表示電極が複数対配置された第１のガラス基板と、前記第１のガラス基板と放電空間を挟んで対向配置され、前記表示電極と交差する方向にデータ電極が複数配置された第２のガラス基板とを備え、前記第２のガラス基板には、前記データ電極を覆うように背面側誘電体層が設けられ、前記背面側誘電体層上には、平面視で、データ電極と重なるように突起部が設けられ、前記突起部と前記表示電極との最短距離は、前記表示電極と前記背面側誘電体層との最短距離よりも短くなるように構成されたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の第２の構成のプラズマディスプレイパネルは、走査電極および維持電極からなる表示電極が複数対配置された第１のガラス基板と、前記第１のガラス基板と放電空間を挟んで対向配置され、前記表示電極と交差する方向にデータ電極が複数配置された第２のガラス基板とを備え、前記第２のガラス基板には、前記データ電極を覆うように背面側誘電体層が設けられ、前記背面側誘電体層上には、平面視で、走査電極および維持電極の少なくとも一方とデータ電極とが重なる領域を含むように突起部が設けられたことを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の第１の構成のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上にデータ電極を形成する工程と、前記データ電極を覆うように背面側誘電体層を形成する工程と、前記背面側誘電体層上に低軟化点ガラスフリットと有機バインダとを含むペーストを、横隔壁に相当するパターンに形成する工程と、前記背面側誘電体層上に低軟化点ガラスフリットと有機バインダとを含むペーストを、縦隔壁に相当するパターンに形成する工程と、前記背面側誘電体層上に低軟化点ガラスフリットと有機バインダとを含むペーストを、突起部に相当するパターンに形成する工程と、前記横隔壁部、前記縦隔壁部、および前記突起部それぞれに相当するパターンに形成された、低軟化点ガラスフリットと有機バインダとを含むペーストそれぞれを現像、焼成することで、縦隔壁、横隔壁、および突起部を形成する工程と、前記背面側誘電体層の上面と、前記縦隔壁および前記横隔壁の側面とに蛍光体層を形成する工程とを有する。
【００１７】
本発明の第２の構成のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上にデータ電極を形成する工程と、前記データ電極を覆うように背面側誘電体層を形成する工程と、前記背面側誘電体層上に感光性を有する材料を塗布し、横隔壁に相当するパターンを露光する工程と、前記背面側誘電体層上に感光性を有する材料を塗布し、縦隔壁に相当するパターンを露光する工程と、前記背面側誘電体層上に感光性を有する材料を塗布し、突起部に相当するパターンを露光する工程と、前記横隔壁部、前記縦隔壁部、および前記突起部それぞれに相当するパターンを露光されたそれぞれの感光性を有する材料を現像、焼成することで、縦隔壁、横隔壁、および突起部を形成する工程と、前記背面側誘電体層の上面と、前記縦隔壁および前記横隔壁の側面とに蛍光体層を形成する工程とを有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、低電圧駆動が可能であり、安定した書き込み放電が実現でき、高効率の維持放電を実現する高精細化に適したパネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の第１または第２の構成のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記背面側誘電体層上には、前記表示電極と前記データ電極とで形成される複数の放電セルを区画するように隔壁が設けられ、前記隔壁は、前記データ電極を挟み前記データ電極に平行に形成された複数のストライプ状の縦隔壁と、隣接する前記表示電極対の間に対応する位置に形成した前記ストライプ状の縦隔壁に交差するように設けられた横隔壁とを有する構成とすることができる。
【００２０】
また、第１または第２の構成のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記背面側誘電体層上には、前記表示電極と前記データ電極とで形成される複数の放電セルを区画するように隔壁が設けられ、前記隔壁は、前記データ電極を挟み前記データ電極に平行に形成した複数のストライプ状の縦隔壁と、隣接する前記表示電極対の間に対応する位置に形成した前記ストライプ状の縦隔壁に交差するように設けられた横隔壁とを有し、前記突起部は、前記横隔壁の側部に接続して形成された構成とすることができる。
【００２１】
好ましくは、前記突起部は、その表面に、電子放出層が形成される。前記電子放出層は、酸化マグネシウム、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、アルカリ金属、アルカリ土類金属の中から選ばれた少なくとも一つの材料を含む構成とすることができる。前記材料は、微粒子であることが好ましい。
【００２２】
本発明の第１の構成のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記ペーストの無機固形分比を３０％〜５０％とすることが好ましい。
【００２３】
本発明の第２の構成のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記突起部を形成する工程の後に、前記突起部の表面に電子放出層を形成する電子放出層形成工程を有することが好ましい。
【００２４】
前記蛍光体層を形成する工程は、酸化マグネシウム、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、アルカリ金属、アルカリ土類金属の中から選ばれる少なくとも一つの材料の微粒子を混合した蛍光体ペーストを、印刷法あるいはインクジェット法により塗布することにより行うことができる。
【００２５】
以下、本発明の一実施の形態によるプラズマディスプレイパネル（以下、パネルと略記する）およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の態様はこれに限定されるものではない。
【００２６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネルの概略構成の一部を示す断面斜視図である。また、図２は同一部の断面図、図３は同側面から見た一部の断面図を示す。
【００２７】
図１に示すように、前面板１と背面板８とが放電空間１４を挟んで対向して配置されている。パネルは、前面板１と背面板８とがその端部で、封止フリット（図示せず）により封止され、その間に形成される放電空間１４に放電ガスが封入されている。放電により紫外線を放射する放電ガスとして、例えば、ネオン（Ｎｅ）８０％とキセノン（Ｘｅ）２０％との混合ガスが、約４００Ｔｏｒｒ（約５３．３ｋＰａ）の圧力で封入されている。
【００２８】
前面板１の第１のガラス基板２上には、走査電極３と維持電極４とで対をなすストライプ状の表示電極対５が、ピッチＶの間隔で、複数対互いに平行に形成されている。表示電極対５は、走査電極３と維持電極４とが放電間隙Ｗｇを挟んで並行に配置された構成である。なお、走査電極３は、幅広の透明電極３ａ、および導電性を高めるために、透明電極３ａに重なるように形成された銀（Ａｇ）等からなる幅狭の金属母線３ｂにより構成される。同様に、維持電極４は、幅広の透明電極４ａと、それに重なるように形成された幅狭の金属母線４ｂとから構成される。
【００２９】
そして、隣り合う表示電極対５の間にはそれぞれ発光時のコントラストを高めるための、ブラックストライプと呼称される帯状の光吸収層１７が設けられている。そして、表示電極対５を覆うように前面側誘電体層６が形成され、前面側誘電体層６を覆うように酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護膜７が形成されている。
【００３０】
他方、背面板８は、第２のガラス基板９の表面上に、表示電極対５に直交する方向（以下「垂直方向」という）に伸びるデータ電極１０が平行に配列して形成され、それらを覆うように背面側誘電体層１１が形成されている。そして、背面側誘電体層１１の上には、隔壁１２が形成されている。隔壁１２は、垂直方向に伸びてストライプ状に形成された高さｄの縦隔壁１２ａと、それと直交する方向（すなわち表示電極対５に平行な方向、以下「水平方向」という）に形成された、高さｅの横隔壁１２ｂとで形成された井桁形状をしている。縦隔壁１２ａは水平方向にピッチＨで複数互いに平行に形成されている。
【００３１】
そして、背面側誘電体層１１上には突起１６が、例えば、少なくともその一部分が、平面視で、走査電極１４および／または維持電極１５とデータ電極２２とが重なる領域を含むように形成されている。図２に示すように、突起１６の高さはｃで、それらはともに、水平方向の幅がａ、垂直方向の奥行きがｆ、放電セル１５の境界から突起１６の先端までの距離がｂである。また、突起１６のうち、走査電極３に近い側を突起１６ｃ、維持電極４に近い側を突起１６ｕとする。
【００３２】
図１〜図３に示すパネルおいては、突起１６ｃ、１６ｕが横隔壁１２ｂと接続されて形成されている。従って、距離ｂは奥行きｆに横隔壁１２ｂの幅（Ｗｓ）の半分を加えた値となる。なお、縦隔壁１２ａの幅はＷLである。
【００３３】
隔壁１２の側面と背面側誘電体層１１の表面とには、蛍光体層１３が形成されている。蛍光体の材料としては、Ｒ蛍光体層１３ｒにＹ2Ｏ3：Ｅｕまたは（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕを、Ｇ蛍光体層１３ｇにＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎまたは（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｔｂを、Ｂ蛍光体層１３ｂにＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：ＥｕまたはＢａＳｒＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕを用いる。各色の蛍光体材料は、それぞれ２種類の蛍光体材料から１つの材料を単体で用いるか、あるいは２種類の蛍光体を混合して使用する。
【００３４】
このような前面板１と背面板８とは、表示電極対５とデータ電極１０とがマトリックスを組むように対向配置されている。そして、データ電極１０と表示電極対５とが交差する部分の放電空間１４には、隔壁１２で区画された放電セル１５が形成されている。
【００３５】
そしてこのような構成のパネルにおいて、ガス放電により紫外線を発生させ、この発生した紫外線でＲ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体層１３を励起して発光させることによりカラー表示を行う。
【００３６】
なお、図１および図３においては、パネルの構成をわかりやすく図示するための便宜上、前面板１と背面板８とは離間させて描いている。
【００３７】
また、上記構成においては、隔壁１２の形状が井桁形状のものについて説明したが、これに限らずストライプ形状の隔壁であってもよい。また、隔壁１２が井桁形状の場合には、突起１６ｃ、１６ｕは、横隔壁１２ｂに接続されて形成されていてもよいし、横隔壁１２ｂと分離していてもよい。
【００３８】
また、上記実施の形態1では、放電ガスとして、ネオン（Ｎｅ）８０％およびキセノン（Ｘｅ）２０％の混合ガスを約４００Ｔｏｒｒの圧力で封入する例を示したが、この放電ガスの混合比や封入圧力に限定するものではなく、パネルの駆動に実用上問題の起こらない混合比と封入圧力であればよい。たとえばＸｅ１００％の約７６０Ｔｏｒｒ（約１０１．３ｋＰａ）の放電ガスであってもよい。
【００３９】
つぎに、上記構成のパネルの製造方法の一例について、特に、上記構成の特徴である背面基板８に設けられる突起部１６の形成方法を中心に説明する。従って、従来のＰＤＰと同様にして作製される前面基板のユニットの製造方法については説明を省略する。
【００４０】
図４は、本発明の実施の形態１におけるパネルの背面板の製造プロセスフロー図である。左側に各工程の流れが示され、その右側には、各工程において背面基板２１上に形成される要素の途中段階の断面が示される。
【００４１】
図４に示すように、まず、第２のガラス基板９を準備する（工程Ｓ１）。
【００４２】
次に工程Ｓ２で、ガラス基板９にデータ電極１０を形成する。具体的には、ガラス基板９に銀（Ａｇ）ペーストを塗布し、フォトリソグラフ法によって幅１５０μｍの銀（Ａｇ）ラインを形成する。データ電極１０を構成するガラス成分のうちの少なくとも１つの軟化点温度は５９０℃である。その銀（Ａｇ）ラインを６００℃で焼成、固化することで、データ電極１０とする。
【００４３】
次に工程Ｓ３で、背面側誘電体層１１を形成する。背面側誘電体層１１の材料としては、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系の混合物、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物、又はＢｉ２Ｏ３−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物等を用いることができる。例えば、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物で、ＰｂＯ：６５ｗｔ％〜７０ｗｔ％−Ｂ2Ｏ3：５ｗｔ％−ＳｉＯ2：２５ｗｔ％〜３０ｗｔ％の組成を有し、軟化点温度５８０℃のものを用いる。そして上述のような材料をペースト状にし、データ電極１０を覆うように第２のガラス基板９上に塗布する。
【００４４】
塗布方法は特に限定されず、公知の塗布方法又は印刷方法を適用することができる。例えば、ロールコート法、スリットダイコート法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法等のいずれかを用いれば良い。
【００４５】
ここで背面側誘電体層１１のペースト塗布厚みは、５μｍ〜４０μｍであることが好ましい。背面側誘電体層１１のペースト塗布厚みを５μｍ以上とすることにより、焼成後のデータ電極１０に起因する背面側誘電体層１１の表面の凹凸を緩和することができる。なお、背面側誘電体層１１のペースト塗布厚みの最適値は、ペースト中の無機成分含有量に応じて異なる。
【００４６】
次に、背面側誘電体層１１のペーストを温度５８５℃で焼成、固化することで、背面側誘電体層１１とする。このように、背面側誘電体層１１の焼成温度はデータ電極１０の軟化点温度（５９０℃以上）よりも低いので、背面側誘電体層１１の焼成時におけるデータ電極１０の変質や変形を抑制することができる。
【００４７】
次に、工程Ｓ４で突起部１６のパターニングを行う。まず、突起部１６の形成に用いるペーストとして、例えば、低軟化点ガラスフリットをベースにして、焼成の際の変形を抑制するためにアルミナ等のフィラーを含有させ、感光剤を含有させた有機バインダを混ぜたものを用いる。この感光性のペースト３０を塗布し、乾燥させてから露光することで突起部１６のパターニング（露光像としての）を行う。参考のため、図中のペースト３０中にパターニングされた突起部１６の形状を破線で示す。
【００４８】
続く工程Ｓ５で横隔壁１２ｂのパターニングを行う。本実施形態では、突起部１６は横隔壁１２ｂにつながっており両者は一体に形成されるが、工程上、工程Ｓ４と工程Ｓ５とに分けて形成している。こうすることにより、背面側誘電体層１１の表面からの高さが異なる突起部１６と横隔壁１２ｂとを形成することができる。
【００４９】
横隔壁１２ｂの形成には、突起部１６と同じ材料のペーストが使用される。突起部１６の形成工程と同様に、感光性のペースト３１を塗布し、乾燥させてから露光することで横隔壁１２ｂのパターニングを行う。参考のため、図中のペースト３１中にパターニングされた横隔壁１２ｂの形状を破線で示す。後の工程Ｓ７で現像したときに、突起部１６及び横隔壁１２ｂのパターンとして露光した部分が残ることになる。
【００５０】
ここで、突起部１６及び横隔壁１２ｂの形成に使用されるペーストのベース材である低軟化点ガラスとしては、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系の混合物、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物、Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物等を用いることができる。例えば、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の混合物で、ＰｂＯ：６５ｗｔ％〜７０ｗｔ％−Ｂ2Ｏ3：５ｗｔ％−ＳｉＯ2：２５ｗｔ％〜３０ｗｔ％の組成を有し、軟化点温度５８０℃のものを用いて、ペーストの低軟化点ガラスの材料とする。また、突起部１６及び横隔壁１２ｂのペーストの塗布方法として、ロールコート法、スリットダイコート法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法等の公知の方法を使用することができる。
【００５１】
次に、工程Ｓ６で、感光性のペースト３２を塗布し、乾燥させてから露光することで縦隔壁１２ａのパターニングを行う。ペースト３２に用いる材料も、突起部１６及び横隔壁１２ｂの形成に使用されるペーストと同じものを用いてもよいし、その材料組成を変えてもよい。その塗布形成方法は、例えば、ロールコート法、スリットダイコート法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法等を用いることができる。
【００５２】
次に、工程Ｓ７で、突起部１６、横隔壁１２ｂ及び縦隔壁１２ａの現像を行い、工程Ｓ８でこれらの焼成を行う。
【００５３】
更に工程Ｓ９で、背面側誘電体層１１の表面と隔壁１２の側面に蛍光体層１３を形成する。蛍光体層１３は、蛍光体ペーストの塗布、乾燥及び焼成によって形成される。このようにして、突起部１６を有する構造の背面板２が作製される。
【００５４】
ここで、以上の工程においては、突起部１６の形成に感光性のペーストを用いることから、現像された突起部１６を焼成する際に、露光した形状に収縮（シュリンク）が発生し、その結果、図３、あるいは図４における工程Ｓ８、Ｓ９での断面図に示すように、突起部１６において、ガラス基板９からの高さが他の部分に比べて高くなった頂点部２７ａが形成される。
【００５５】
これは、感光性のペーストが一般には、ベース材と有機バインダの含有比率が、例えば５０％対５０％と、他の、例えば印刷などの方法で用いられるペーストと比較して、バインダー含有量が多くなっており、このことにより、焼成時にバインダーが焼失する際、現像された形状にシュリンクが発生するためである。
【００５６】
なお、隔壁１２及び蛍光体層１３の軟化点温度は５５０℃以下であり、そこで、隔壁１２及び蛍光体層１３を例えば焼成温度５５５℃で同時に焼成して形成するようにしてもよい。
【００５７】
また、突起部１６、横隔壁１２ｂ及び縦隔壁１２ａの形成に際しては、上述したような、ガラス成分及び感光性有機成分を含む感光性ペーストを塗布して乾燥し、現像および焼成を行う工程を採用するのではなく、突起部１６、横隔壁１２ｂ及び縦隔壁１２ａをそれぞれ、低軟化点ガラスフリットおよび有機バインダを含む非感光性ペーストを用いて形成することもできる。
【００５８】
その場合は、まず、非感光性ペーストを突起部１６の形状にパターンニング形成し、突起部１６の形状にパターンニング形成された層の上に、非感光性ペーストを横隔壁１２ｂの形状にパターンニング形成し、突起部１６及び横隔壁１２ｂの形状にパターンニング形成された層の上に非感光性ペーストを縦隔壁１２ａの形状にパターンニング形成する。
【００５９】
次に、突起部１６、横隔壁１２ｂ及び縦隔壁１２ａの形状にパターンニング形成されたペーストを焼成する。後の工程は、感光性ペーストを用いた場合と同様である。
【００６０】
なお上記における非感光性ペーストとしては、焼成によって、突起部１６に頂点部２７aが形成される程度に収縮（シュリンク）が発生するように、ペースト中の無機固形分の含有比率を調整することが望ましい。実験に基づく検討の結果、その無機固形分比としては３０％〜７０％の範囲が望ましいという知見を得た。
【００６１】
なお、非感光性ペーストをパターンニング形成するための方法としては、型押し法、ロールコータ法、サンドブラスト法等を用いることができる。
【００６２】
つぎに、本実施の形態におけるパネルの駆動方法について説明する。図５は本実施の形態におけるパネルの電極配列図である。行方向にｎ本の走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎ（図１の走査電極３）およびｎ本の維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎ（図１の維持電極４）が交互に配列され、列方向にｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極１０）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣＮｉおよび維持電極ＳＵＳｉ（ｉ＝１〜ｎ）と１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に、放電セルＣｉｊ（図１の放電セル１５）が形成され、放電セル１５は放電空間１４内に（ｍ×ｎ）個形成されている。
【００６３】
つぎに、パネルを駆動するための駆動波形とその動作について説明する。本実施の形態においては、１フィールドを１０のＳＦ（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第１０ＳＦ）に分割し、各ＳＦはそれぞれ（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを持つものとする。このように、後ろのＳＦほど輝度重みが大きく（輝度が高く）なるように構成している。ただし、ＳＦ数や各ＳＦの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。各ＳＦは初期化期間、書き込み期間および維持期間を有する。
【００６４】
図６は、本実施の形態におけるパネルの各電極に印加する駆動波形図であり、全セル初期化動作を行う初期化期間を有するＳＦ（以下、「全セル初期化ＳＦ」と略記する）と選択初期化動作を行う初期化期間を有するＳＦ（以下、「選択初期化ＳＦ」と略記する）に対する駆動波形図である。図６は、説明のため、第１ＳＦを全セル初期化ＳＦ、第２ＳＦを選択初期化ＳＦとして示している。
【００６５】
まず、全セル初期化ＳＦの駆動波形とその動作について説明する。
【００６６】
初期化期間の前半部では、維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎと、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとを０（Ｖ）に保持し、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｐ（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｒ（Ｖ）に向かって緩やかに上昇するランプ電圧を印加する。すると、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎを陽極とし、維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の走査電極に近い側の突起１６ｃとをそれぞれ陰極とする微弱な初期化放電が発生する。このときの放電は陰極となる維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎの表面が二次電子放出係数の大きい保護層７で覆われているため安定した放電となる。
【００６７】
つづいて走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎを陽極としデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の背面側誘電体層１１を陰極とする微弱な初期化放電が発生する。このときの放電は、維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎを陰極とする放電で生じたプライミングが十分存在する状態で発生するために、二次電子放出係数の小さい蛍光体層１３が塗布されているにもかかわらず安定した放電となる。
【００６８】
この放電は、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎと突起１６ｃとの間で始まり、やがて走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の背面基板との間に放電が広がる。これは、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎと突起１６ｃとの距離が、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとの距離よりも近いために起こる。このように、全セル初期化の動作は、全ての放電セルにおいて１回目の微弱な、しかし安定した初期化放電を発生し、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎ上に負の壁電圧を蓄えるとともに維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎ上およびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の突起１６ｃと背面側誘電体層１１とに正の壁電圧を蓄える。ここで、電極上の壁電圧とは、電極を覆う背面側誘電体層１１あるいは蛍光体層１３上に蓄積した壁電荷により生じる電圧を表す。また、突起１６ｃ上にも背面側誘電体層１１上と同極性の壁電荷が蓄積される。
【００６９】
初期化期間の後半部では、維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎを正の電圧Ｖｈ（Ｖ）に保ち、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎに電圧Ｖｇ（Ｖ）から電圧Ｖａ（Ｖ）に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると、全ての放電セルにおいて、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎを陰極とし維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと突起１６ｃを陽極とする２回目の微弱な初期化放電を起こす。そして、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎ上の壁電圧および維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎ上の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の突起１６ｃと背面側誘電体層１１との壁電圧も書き込み動作に適した値に調整される。このように、全セル初期化ＳＦの初期化動作は全ての放電セルにおいて初期化放電させる全セル初期化動作である。
【００７０】
次に図7Ａ〜７Ｄを用いて、本実施の形態におけるパネル内の壁電荷の挙動を模式的に説明する。図７Ａは初期化後の壁電荷の様子を示し、図７Ｂは書き込み期間における書き込み放電発生後の壁電荷の様子を示す。そして、図７Ｃは維持期間において、走査電極に１発目以降の正の維持パルス電圧Ｖｍが印加されて維持放電が発生した後の壁電荷の様子、図７Ｄは同じく、維持電極に１発目以降の正の維持パルス電圧Ｖｍが印加されて維持放電が発生した後の壁電荷の様子を示す。
【００７１】
全セル初期化ＳＦの初期化後に蓄積される壁電荷は、図７Ａのようになる。初期化後には、走査電極３の上には負の壁電荷が蓄積され、走査電極３に近い側の突起１６ｃの上とデータ電極上には正の壁電荷が蓄積されている。そして、維持電極４の上（厳密には、維持電極４を覆う誘電体層６を覆う保護膜７上の、維持電極４に対応する領域付近、であるが、便宜上、このようにも表現する。以下、同様である。）には正の壁電荷が蓄積されている。
【００７２】
つづく書き込み期間では、走査電極３を一旦Ｖｓ（Ｖ）に保持し、維持電極４を正の電圧Ｖｈ２（Ｖ）に保持する。つぎに、データ電極１０のうち、１行目に表示すべき放電セルのデータ電極１０に正の書き込みパルス電圧Ｖｗ（Ｖ）を印加するとともに、１行目の走査電極３に走査パルス電圧Ｖｂ（Ｖ）を印加する。このとき、データ電極１０と走査電極３との交差部の電圧は、外部印加電圧（Ｖｗ−Ｖｂ）（Ｖ）にデータ電極１０上の突起１６ｃの壁電圧および走査電極３上の壁電圧の大きさが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、データ電極１０上の突起１６ｃと走査電極３との間でトリガー放電２０が発生する。そして、このトリガー放電２０で生成される高密度の電子やイオンにより、走査電極３とデータ電極１０との間に放電２１が起こり、走査電極３と維持電極４との間にも主放電２２が起こって書き込み放電が行われる。
【００７３】
この結果、図７Ｂに示すように、走査電極３上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極４上に負の壁電圧が蓄積される。走査電極３に近い側の突起１６ｃ上と背面側誘電体層１１上には負の壁電荷が蓄積される。このようにして、１行目に表示すべき放電セルで書き込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書き込み動作が行われる。一方、正の書き込みパルス電圧Ｖｗ（Ｖ）を印加しなかったデータ電極１０と走査電極３との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書き込み放電は発生しない。以上の書き込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書き込み期間が終了する。
【００７４】
このトリガー放電２０の放電開始電圧は、従来の突起１６ｃがない構造における書き込み放電の開始電圧よりも低くすることができる。その理由は、走査電極３と突起１６ｃとの距離が、走査電極３と背面側誘電体層１１との距離よりも、突起１６ｃの高さＣ（図３参照）だけ近くなり、それに対応して放電開始電圧が低くなるためである。したがって、正の書き込みパルス電圧Ｖｗの設定電圧を低くすることができる。特にパネルに高Ｘｅ分圧の放電ガスを充填した場合には、従来構造のパネルよりも書き込みパルス電圧Ｖｗの設定電圧を低くできるので、高Ｘｅにより上昇する放電開始電圧を相殺することが可能となり、駆動用のドライバＩＣのコストアップを抑制できるという効果を有する。
【００７５】
つづく維持期間では、まず、維持電極３と、データ電極１０とを０（Ｖ）に戻し、走査電極３に正の維持パルス電圧Ｖｍ（Ｖ）を印加する。この維持パルス電圧Ｖｍ（Ｖ）は、突起１６ｃがない従来構造パネルにおいては維持放電が発生しないような低い電圧に設定する。このとき、書き込み放電を起こした放電セルにおいては、走査電極３上と維持電極４上との間の電圧は維持パルス電圧Ｖｍ（Ｖ）に走査電極３上および維持電極４上の壁電圧の大きさが加算されたものとなる。また、走査電極３上と突起１６ｃ上との間の電圧は維持パルス電圧Ｖｍ（Ｖ）に走査電極３上および突起１６ｃ上の壁電圧の大きさに書き込みパルス電圧Ｖｗ（Ｖ）が加算されたものとなる。
【００７６】
そして、突起１６ｃを適切な構造とすることにより、走査電極３上と維持電極４上との間で放電が始まる前に、走査電極３上と突起１６ｃ上との間で図７Ｃに示すトリガー放電２０を起こさせることができる。これは、走査電極３上の前面側誘電体層６の表面とデータ電極１０上の背面側誘電体層１１の表面との距離を、データ電極１０上の突起１６ｃの存在により、従来構造よりも近づけた構造としたことによるものである。走査電極３上と突起１６ｃ上との間で起こったトリガー放電２０により生成された高密度電子とイオンとにより、走査電極３と維持電極４との間でも主放電２２が起こる。
【００７７】
そして、走査電極３と維持電極４との間の維持放電の結果、図７Ｃに示すように、走査電極３上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極４上に正の壁電圧が蓄積される。このときデータ電極１０上の突起１６ｃにも正の壁電圧が蓄積される。書き込み期間において書き込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧状態が保持される。つづいて、走査電極３を０（Ｖ）に戻し、維持電極４に正の維持パルス電圧Ｖｍ（Ｖ）を印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極４上と突起１６ｕ上との間の電圧が維持パルス電圧Ｖｍ（Ｖ）に維持電極４上の壁電圧の大きさが加わり放電開始電圧を超えて、図７Ｄのようにトリガー放電２０が開始される。これは、１発目の維持放電によってプライミングが発生されたために放電セル内の放電開始電圧が低下することと、維持電極４と突起１６ｕとの距離が近いために起こる。このトリガー放電２０により生成される高密度の電子とイオンとにより、維持パルス電圧Ｖｍ（Ｖ）が低いために放電が発生していなかった走査電極ＳＵＳｉと維持電極ＳＵＳｉとの間にも放電が広がり主放電２２が起こり維持放電となる。この維持放電により、図７Ｄに示すように、維持電極４上に負の壁電圧が蓄積され走査電極３上に正の壁電圧が蓄積される。
【００７８】
以降同様に、走査電極３と維持電極４とに交互に維持パルス電圧Ｖｍ（Ｖ）を印加することにより、書き込み期間において書き込み放電を起こした放電セルでは維持放電が継続して行われる。なお、維持期間の最後には走査電極３と維持電極４との間に、いわゆる細幅パルスを印加して、データ電極１０上の突起１６ｃと背面側誘電体層１１とに正の壁電荷を残したまま、走査電極３および維持電極４上の壁電圧を消去している。こうして維持期間における維持動作が終了する。
【００７９】
つづいて、選択初期化ＳＦの駆動波形とその動作について、再度、図６を用いて説明する。
【００８０】
初期化期間では、維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎをＶｈ（Ｖ）に保持し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを０（Ｖ）に保持し、走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎにＶｑ（Ｖ）からＶａ（Ｖ）に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると前のＳＦの維持期間で維持放電を行った放電セルでは、微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣＮｉ上および維持電極ＳＵＳｉ上の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の突起１６ｃ上と背面側誘電体層１１上の壁電圧も書き込み動作に適した値に調整される。一方、前のＳＦで書き込み放電および維持放電を行わなかった放電セルについては放電することはなく、前のＳＦの初期化期間終了時における壁電荷状態がそのまま保たれる。このように、選択初期化ＳＦの初期化動作は前のＳＦで維持放電を行った放電セルにおいて初期化放電させる選択初期化動作である。選択初期化後の壁電荷の様子は、図７Ａとなる。
【００８１】
書き込み期間および維持期間については全セル初期化ＳＦの書き込み期間および維持期間と同様であるため説明を省略する。
【００８２】
上述のように、本発明の一実施の形態のパネルによれば、最低維持パルス電圧だけでなく、書き込み電圧Ｖｗや走査パルス電圧（Ｖｓ−Ｖｂ）などの駆動電圧の低電圧化が可能となる。これは、走査電極３と突起１６ｃとの距離、あるいは維持電極４と突起１６ｕまでの距離が短い構成とすることができるため、駆動時にこれらの間で先にトリガー放電２０が発生し、これにより他の場所に放電が誘発されるためであると考えられる。すなわち、トリガー放電２０により生成された高密度の電子とイオンとが、走査電極３とデータ電極１０間との放電や、走査電極３と維持電極４間との放電の開始電圧を低下させ、もって、書き込み放電や維持放電のための設定電圧を低くできるという効果が得られるものと考えられる。
【００８３】
さらに、走査電極３と維持電極４との間で発生する維持放電が従来構造パネルよりも低い電圧で行われるために、発光効率の向上が図れると考えられる。これは、維持パルス電圧Ｖｍが低くなり、放電セル１５内の電界により加速される電子エネルギーが低下するためと考えられる。加速電子エネルギーが低くなると、電子とＸｅ原子との衝突の際の電離過確率が低下して、その反対に紫外線発光準位への励起確立が増加する。したがって、少ない投入電気エネルギーによって、より多い紫外線発光量が得られると考えられる。そのため、高発光効率が得られると考えられる。
【００８４】
以上のように、突起部１６ｃ、１６ｕを設けることにより、初期化期間、書き込み期間、維持期間のそれぞれにおいて、初期化放電やトリガー放電２０を発生させるために必要な電圧を、低下させることが可能となる。
【００８５】
また、主放電２２が発生する空間に対応する背面板８の突起１６ｃ、１６ｕ以外の部分は背面側誘電体層１１の蛍光体層１３であるので、前面側誘電体層６との距離は縦隔壁１２ａにより確保されており、放電空間を十分に大きく取ることができる。このために、主放電２２で発生する電子やイオンが蛍光体層１３表面で冷やされることが少なく、主放電２２の発光効率を高くすることができる。
【００８６】
さらに、本実施の形態の構成によれば、放電開始電圧を決定するトリガー放電が発生する部位と、主放電２２が発生する部位とが分離することとなるので、突起１６の形状を適当にすることで、放電開始電圧は低く維持したままで、背面側誘電体層１１上の蛍光体層１３と前面側誘電体層６との距離を従来より広くすることが可能であり、もって、維持放電の発光効率を向上させることができる。
【００８７】
このように、本実施の形態では、維持パルス電圧の低電圧化と高効率化が同時に得られている。このため、低消費電力化が図られるという効果を有する。そして、維持放電を行う放電セル以外に補助的なセルを設けることがないので、高精細化に適している。
【００８８】
なお、従来、初期化電圧の上昇時には、二次電子放出係数が保護層７よりも低いデータ電極１０側（すなわち蛍光体層１３側）がカソードとなる放電が行われることとなるため、初期化放電の開始電圧は高くなり、その結果、放電を微弱かつ安定に過不足なく発生させることは容易ではなかったのに対し、本実施の形態の構造によれば、カソードとなるデータ電極１０側に突起部１６が設けられており、このことで従来の構造に比べ、初期化放電の放電開始電圧を低電圧化することができ、放電の微弱かつ安定化を比較的容易に行うことが可能となるという効果も有する。
【００８９】
つぎに、試作したパネルを用いて行った実験結果について説明する。
（実験１）
背面板８の突起１６ｃ、１６ｕの寸法のみを２種類変えた試料番号１、２のパネルを試作した。あわせて、突起１６ｃ、１６ｕのない従来構造の比較パネルも試作した。放電セル１５のサイズは水平方向のピッチ幅Ｈが３００μｍで、垂直方向のピッチ幅Ｖが６７５μｍである。表１には、作製したパネルに用いた背面板の突起１６ｃ、１６ｕの各寸法を示す。
【００９０】
【表１】
2008004436.tif 000003
【００９１】
突起１６ｃ、１６ｕの水平方向の幅をａ、その垂直方向の幅をｆ、高さをｃとし、縦隔壁１２ａの高さをｄ、横隔壁１２ｂの高さをｅとしている。縦隔壁１２ａの幅ＷLおよび横隔壁１２ｂの幅ＷSはともに３５μｍである。試料番号１は、突起１６ｃ、１６ｕの幅ａが３５μｍ、放電セル境界から突起先端までの距離ｂが９０μｍ、高さｃが５０μｍであり、縦隔壁１２ａの高さｄが１０５μｍ、横隔壁１２ｂの高さｅが８５μｍである。試料２はａが５０μｍ、ｂが１５０μｍ、ｃが９０μｍであり、縦隔壁１２ａの高さｄは１３５μｍ、横隔壁１２ｂの高さｅは１１５μｍである。背面側誘電体層１１の厚みは試料番号１、２ともに１２μｍ、データ電極は幅が１００μｍ、厚みが３μｍである。表面板１は、試料番号１、２ともに同じものを用いている。
【００９２】
維持電極対は銀電極を用いて作製した。その寸法は、走査電極３と維持電極４ともに幅が８０μｍで厚みは４μｍ、その両者の間隔すなわち放電間隙は９０μｍである。また、前面側誘電体層６の厚みは３５μｍである。
【００９３】
以上の背面板８と前面板１とを対向させた上でその周縁部で封着し、その後、Ｎｅ−Ｘｅ（２０％）の放電ガスを約４００Ｔｏｒｒの圧力で封入して、試料番号１、２のパネルを試作した。パネルサイズは対角方向が１３インチで、画素数は、水平方向に６００列、垂直方向に２００行で構成している。
【００９４】
試作したパネルを、上述した図６に示す駆動波形を用いて駆動して、最低維持電圧と、発光効率とを測定した。各駆動電圧条件は、Ｖｐ＝２１５〜２６０（Ｖ）、Ｖｒ＝２５０（Ｖ）、Ｖｇ＝２１０〜２６０（Ｖ）、Ｖｓ＝１０（Ｖ）、Ｖａ＝１５０（Ｖ）、Ｖｂ＝１４０（Ｖ）、Ｖｗ＝８０（Ｖ）、Ｖｑ＝１８０（Ｖ）、Ｖｈ＝２１０（Ｖ）、Ｖｈ２＝２２０（Ｖ）である。
【００９５】
図８はパネルの維持電圧Ｖｍを変えたときの発光効率を示す図である。図８中、三角印は試料番号２のパネルの値を示し、丸印は比較パネルの値を示す。維持パルス電圧Ｖｍが低くなると正常に点灯しなくなる。正常に点灯する最低の維持パルス電圧を最低維持電圧と呼ぶと、比較パネルの最低維持電圧が２６０（Ｖ）であるのに対し、試料番号２のパネルの最低維持放電電圧が２１５（Ｖ）と４５（Ｖ）低くなっている。また、発光効率に関しては、比較パネルがＶｍ＝３２０（Ｖ）のとき発光効率が２．５２（ｌｍ／Ｗ）であるのに対して、試料２はＶｍ＝２７０（Ｖ）のとき発光効率が２．９６（ｌｍ／Ｗ）と、１７．５％、発光効率が向上していることがわかる。
【００９６】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２におけるＰＤＰの前面基板および背面基板の構造は、基本的には図１〜図３に示した実施の形態１と同様であるが、図１〜図３に示した実施の形態１と比較して、走査電極３と維持電極４との距離を長くとってＡＣ駆動を行う、いわゆる長ギャップ放電を採用したものである点が相違する。
【００９７】
本実施の形態のＰＤＰにおける長ギャップ放電を行うための駆動に関して、以下に説明する。なお実施の形態１において説明した構成と共通なものには同じ符号を用いて説明する。
【００９８】
一般的なＡＣ型ＰＤＰと同様、１フィールド期間を２進法に基づいた発光期間の重みを持った複数のサブフィールドに分割し、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う。各サブフィールドは初期化期間、アドレス期間及び維持期間からなる。
【００９９】
図９は、本発明の実施の形態２によるＰＤＰを駆動するための駆動波形の一例を示す波形図である。図９における（Ｘｉ）は、走査電極３に印加する電圧波形を示す。（Ｙｉ）は、維持電極４に印加する電圧波形を示す。（Ａｋ）は、データ電極１０に印加する電圧波形を示す。（Ｉｄ）は、放電によって流れる電流波形を示す。（Ｘｉ）において、破線はデータ電極１０上の蛍光体層１３及び走査電極３上の前面側誘電体層６及び保護膜７に発生した壁電圧を示す。また、（Ｙｉ）において、破線はデータ電極１０上の背面側誘電体層１１及び蛍光体層１３に発生した壁電圧、又は維持電極４上の前面側誘電体層６及び保護膜７に発生した壁電圧を示す。これらの壁電圧は、発生した放電に応じて保護膜１３または蛍光体層２８上に蓄積される壁電荷によって生じたものである。図９に示すように、印加電圧（Ｘｉ）（実線）と壁電圧（破線）との差が、それぞれの電極間の放電空間に加わる電圧を表すことになる。
【０１００】
次に、各期間における印加電圧波形と放電の状態について説明する。初期化期間の前半には、走査電極３及び維持電極４の電圧（Ｘｉ）、（Ｙｉ）として、データ電極１０の電位（Ａｋ）に対して下降する傾斜電圧が印加され、走査電極３とデータ電極１０との間、及び、維持電極４とデータ電極１０との間で微弱な放電を起こす。この放電によって、走査電極３と維持電極４との間、及び維持電極４とデータ電極１０との間に、後に続く動作のための初期電荷が形成される。ここで走査電極３及び維持電極４に、データ電極１０の電位（Ａｋ）に対して下降する電圧を印加するのは、二次電子放射係数が比較的大きい保護膜７を陰極とすることによって放電開始を容易にするためである。
【０１０１】
初期化期間の中間には、走査電極３及び維持電極４に、データ電極１０の電位（Ａｋ）に対して比較的振幅の大きな上昇する傾斜電圧を印加し、走査電極３とデータ電極１０との間、及び、維持電極４とデータ電極１０との間で放電を起こす。この結果、走査電極３及び維持電極４上の保護膜７には負電荷が蓄積される。
【０１０２】
初期化期間の後半には、データ電極１０に対して下降する傾斜電圧を走査電極３に印加し、走査電極３とデータ電極１０との間で放電を起こす。この結果、走査電極３上の保護膜７表面の負電荷が調整される。
【０１０３】
傾斜電圧を印加している間、持続的に放電電流が流れ、走査電極３とデータ電極１０との間には放電維持電圧Ｖｓ程度の電圧が常に加わっている。したがって、初期化期間が終了した時点においては、印加電圧と壁電圧との差はその放電空間の放電維持電圧Ｖｓにほぼ等しい。図９において、初期化期間の終了時に、走査電極３とデータ電極４との間に加わる電圧をＶｓx-aと表している。
【０１０４】
アドレス期間には、走査電極３にバイアス電圧Ｖａｂを加えて、選択された放電セルのみで放電が起こるようにする。放電セルの選択は、走査電極３に順次負極性のパルスを印加することによって行う。表示データがある場合、走査電極３を走査している間に、データ電極１０に正極性のデータパルス電圧Ｖａが印加される。これによって時間ｔ１では、走査電極３とデータ電極１０との間に電圧Ｖｓx-a＋Ｖａが印加され、両電極間で放電が開始する。ここで、Ｖｓx-aは、前述したように走査電極３とデータ電極１０との間の放電維持電圧にほぼ等しいので、比較的小さな電圧Ｖａで放電を開始することができる。
【０１０５】
アドレス期間において、維持電極４には走査電極３に対して正極性の電圧が加わっているので、走査電極３とデータ電極１０との間で生じた上記の放電は維持電極４の方向へと伸展し、時間ｔ２では維持電極４とデータ電極１０との間でも放電が発生する。以上の結果、走査電極３上の保護膜７に蓄積される電荷の極性は、維持電極４上の保護膜７に蓄積される電荷の極性と逆になる。
【０１０６】
また、表示データがない場合は、走査電極３とデータ電極１０との間に放電が発生せず、走査電極３と維持電極４との上の保護膜７に蓄積された電荷は、ほぼ初期化期間終了時のまま保持される。
【０１０７】
維持期間には、走査電極３と維持電極４に交互に振幅Ｖｓｕｓの維持パルス電圧を印加する。維持パルス電圧は、時間ｔ３において維持電極４とデータ電極１０との間で維持電極４を陰極側とする放電が開始するような位相で印加される。このとき、走査電極３には維持電極４に対して正極性の電圧が加わっているので、維持電極４とデータ電極１０との間で生じた上記の放電は走査電極３の方向へ伸展し、時間ｔ４には走査電極３とデータ電極１０との間でも放電が発生する。その結果、走査電極３及び維持電極４の上の保護膜７に蓄積される電荷の極性は逆転する。
【０１０８】
維持期間は以上の動作が交互に繰り返され、そのサブフィールドの重みに応じた回数の放電発光が行われる。
【０１０９】
次に、走査電極３とデータ電極１０との間、及び、維持電極４とデータ電極１０との間の一方で開始した放電が他方へ伸展する原理について、図１０Ａ〜１０Ｆを参照しながら詳細に説明する。
【０１１０】
図１０Ａ〜１０Ｆは、本実施形態のＰＤＰの維持期間における印加電圧と壁電荷及び放電プラズマの様子を模式的に示す断面図である。図１０Ａ〜１０Ｆにおいては、放電空間における放電の範囲が模式的に楕円（又は長円）で描かれている。
【０１１１】
図１０Ａは、維持期間の時間ｔ３（図９参照）における壁電荷と印加電圧を示す。時間ｔ３では、走査電極３に外部維持電圧Ｖｓｕｓが印加され、維持電極４は接地される。アドレス期間において、維持電極４上の保護膜７上には負極性の壁電荷が蓄積しているので、維持電極４とデータ電極１０との間には維持電極４を負極とする電圧が加わり、放電が開始する。走査電極３とデータ電極１０との間にもＶｓｕｓ程度の電圧が加わるが、蛍光体層１３を陰極とする極性なので、放電は開始しない。なお、データ電極１０上の蛍光体層１３上には、正極性の壁電荷が蓄積されている。これはアドレス期間において維持電極４に大きな正電圧が加わっているのに対して、電位の低いデータ電極１０が正電荷を引き寄せるからである。
【０１１２】
図１０Ｂは、維持電極４とデータ電極１０との間で放電が開始した状態を示す。維持電極４とデータ電極１０との間で放電が開始すると、多量の正電荷及び負電荷が発生し、それぞれ維持電極４及びデータ電極１０の方向へ引き寄せられ壁電荷を形成する。壁電荷によって生じた壁電圧は、維持電極４とデータ電極１０との間にかかる電圧を打ち消して放電を停止させるように働く。
【０１１３】
維持電極４上の保護層７および前面側誘電体層６と、データ電極１０上の蛍光体層１３とを比較すると、後者の方が小さい誘電率を有するので、壁電荷の蓄積はデータ電極１０側で速く進行する。その結果、放電の陽極端は負電荷を流し込める蛍光体層表面を求めて移動することになる。その移動方向は、正の外部維持電圧Ｖｓｕｓが印加されている走査電極３の方向となる。
【０１１４】
図１０Ｃは放電の陽極端が移動している状態を示す。放電の陽極端は蛍光体層１３の上に蓄積された正電荷を打ち消しながら、走査電極３の方向へと伸展していく。
【０１１５】
図１０Ｄは時間ｔ４（図９参照）において、放電の陽極端（長円の右端部）が走査電極３上に到達した様子を示す。このとき、走査電極３とデータ電極１０との間から維持電極４とデータ電極１０との間を結ぶように陽光柱放電が形成され、多量の紫外線が放射される。
【０１１６】
図１０Ｅは放電が停止する直前の状態を示す。放電は走査電極３とデータ電極１０との間において、走査電極３上の保護層７上に負極性の壁電荷を、またデータ電極１０上の蛍光体層１３上に正極性の壁電荷を形成する。これによって、維持放電が発生したことが走査電極３とデータ電極１０との間の壁電荷として記憶される。
【０１１７】
図１０Ｆは、保護層７上及び蛍光体層１３上に壁電荷が蓄積した結果、放電が停止した状態を示す。正の外部維持電圧Ｖｓｕｓが印加された走査電極３上の保護層７には負電荷が蓄積され、維持電極４上の保護層７及び蛍光体層１３には正電荷が蓄積されている。これは、時間ｔ３における壁電荷の分布（図１０Ａ参照）を走査電極３、維持電極４について逆転させたものに相当する。
【０１１８】
したがって、図１０Ｆの状態で、維持電極４に正の外部維持電圧Ｖｓｕｓを印加し、走査電極３を接地する（図９中の時間ｔ５）と、時間ｔ３において走査電極１４と維持電極１５とを入れ替えた状態となり、同様の維持放電を繰り返すことができる。
【０１１９】
ここで、前回の放電状態は、放電の陽極端が到達した側の対向放電空間の壁電荷として記憶されている。たとえば、ある回の放電が維持電極４とデータ電極１０との間に到達して終了したとすると、次の回の放電は維持電極４とデータ電極１０との間で開始し、走査電極３とデータ電極１０との間に到達することによって完了する。放電終了時、放電が開始した側の対向放電空間の壁電圧は、図１０Ａまたは図１０Ｆに示すようにほとんど消去されており、前回の放電状態を記憶していない。
【０１２０】
上記のように、走査電極３とデータ電極１０との間の放電、及び、維持電極４とデータ電極１０との間の放電を交互に繰り返すことによって維持放電を行うＡＣ型ＰＤＰにおいて、走査電極３と維持電極４との距離を長くすると発光効率は上昇することが知られている。しかし、その反面、放電開始電圧が高くなり、より高い電圧の駆動パルスが必要になる。特に、キセノン分圧が高い放電ガスを使用するときには、維持放電のための駆動パルスの電圧を高くしないとアドレスが不安定になる。
【０１２１】
しかしながら本発明の一実施形態のＰＤＰにおいては、突起部１６が形成され、このことにより走査電極３及び維持電極４とデータ電極１０との放電距離（空間距離）が短くなり、その分だけ放電開始電圧が低くなる。したがって、発光効率を高めるために走査電極３と維持電極４との距離を長くした場合でも、比較的低い電圧の駆動パルスで維持放電を行わせることが可能となる。これにより、高効率化と低消費電力とを両立させることが可能になる。
【０１２２】
上述した長ギャップ放電のＰＤＰにおける、維持期間に関する突起部１６による効果について、再度、説明する。すなわち、長ギャップ放電の場合、維持パルスを印加して放電維持する際に、走査電極３と維持電極４との間隙と比べて距離の短い、表示電極５の一方の電極である走査電極３とデータ電極１０との間、もしくは表示電極５の一方の電極である維持電極４とデータ電極１０との間で放電（トリガー放電）が開始され、その後、表示電極５の他方の電極の方に放電が伸展することとなるので、走査電極３と維持電極４との間隙が大きいにもかかわらず、放電開始のための印加電圧を低く抑制した状態で維持放電を行わせることができる。
【０１２３】
また、初期化期間についても、以下のような効果が得られる。すなわち、従来、初期化電圧の上昇時には、二次電子放出係数が保護層７よりも低いデータ電極１０側（すなわち蛍光体層１３側）がカソードとなる放電が行われることとなるため、初期化放電の開始電圧は高くなり、その結果、放電を微弱かつ安定に過不足なく発生させることは容易ではなくなかった。これに対して、カソードとなるデータ電極１０側に突起部１６が設けられていると、初期化放電の放電開始電圧を低電圧化することができ、放電の微弱かつ安定化を従来の構造に比べ、比較的容易に行うことが可能となる。
【０１２４】
さらに、アドレス期間についても、以下のような効果が得られる。すなわち、データ電極１０側に突起部１６が設けられていると、アドレス放電開始電圧を低電圧化することができる。この場合も、突起部１６の先端に二次電子放出材料の層を形成することで、さらに低電圧化が可能である。
【０１２５】
また、キセノン分圧を高く設定した放電ガスを使用し、放電空間中にキセノンを多量に存在させることにより、高い発光効率を得ることが可能となるが、この場合、高キセノン分圧により各放電開始電圧が上昇してしまうという問題が発生する場合があった。しかしながらそのような場合においても上述した本発明の一実施の形態によるＰＤＰによれば、、データ電極１０側に突起部１６が設けられているので、高キセノン分圧による放電開始電圧の上昇という問題の発生を抑制することが可能である。
【０１２６】
（実施の形態３）
図１１は、本発明の実施の形態３におけるパネルの一部の断面図を示す。実施の形態１および２と異なる点は、突起１６ｃ、１６ｕ上が電子放出層５１で覆われていることである。電子放出層５１の材料としてＭｇＯを用いると、二次電子放出係数が大きく、かつ、イオン衝撃に対しても耐性が高いので好ましい。このように、電子放出層５１を突起１６ｃ、１６ｕ上に形成することにより、走査電極３や維持電極４上の前面側誘電体層６（保護層７）に対してデータ電極１０が負にバイアスされる際のトリガー放電の放電開始電圧を下げることができる。これは、前面側誘電体層６（保護層７）と突起１６ｃあるいは１６ｕとの間に前駆放電は起こり、発生した正イオンが電界により移動して電子放出層５１に衝突する際に二次電子を放出するため、この間の放電開始電圧が低下することによる。
【０１２７】
また、電子放出層５１の材料としては、ＭｇＯ以外に、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、アルカリ金属、アルカリ土類金属の中から選ばれる少なくとも一つの材料を用いても同様の効果が得られることを確認した。この場合にも、走査電極３や維持電極４上の前面側誘電体層６（保護層７）に対してデータ電極１０が負にバイアスされる際のトリガー放電の放電開始電圧を下げることができる。この場合は、電子放出層５１の表面から電界印加による電子放出が起こり、トリガー放電の発生電圧を下げることができる。
【０１２８】
上記のような構成とすることにより、全セル初期化期間の前半部において、走査電極３と突起１６ｃとの間の微弱な放電が起こり易くなる。このため、初期化期間における初期化放電不良が原因で起こる異常放電を抑制することができるという効果を有する。また、維持期間における、走査電極３と突起１６ｃとの間や、維持電極４と突起１６ｕとの間のトリガー放電がより低い電圧で発生するため、最低維持電圧を下げることができるという効果を有する。これにより、低電圧で維持放電が発生できるため、前に説明したように、発光効率が向上するという効果を得ることができる。
【０１２９】
次に、上述した構成の製造方法について説明する。基本的には図４を用いて説明した製造方法と共通するものであり、その相違点のみを説明する。
【０１３０】
すなわち、図４の工程Ｓ８により突起部１６を形成した後に、例えば、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法、イオンビームスパッタ法のいずれか一つの物理蒸着法あるいはＣＶＤ法などを用いて、ＭｇＯ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ダイヤアモンド、アルカリ金属、アルカリ土類金属の中から選ばれる少なくとも一つの材料を蒸着することにより突起部１６の上面に電子放出層５１を形成すればよい。
【０１３１】
あるいは別の方法としては、突起部１６を形成した後に、ＭｇＯ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ダイヤアモンド、アルカリ金属、アルカリ土類金属の中から選ばれる少なくとも一つの材料の微粒子を含むペーストを用いて塗布し、乾燥させることにより電子放出層５１を形成すればよい。
【０１３２】
その後、工程Ｓ９で蛍光体層１３の塗布を行っても、突起１６が背面側誘電体層１１の表面よりも突出しているので、突起１６上に塗布された蛍光体ペーストはほとんど流れ落ちて、電子放出層５１の上には蛍光体粒子サイズ程度の極薄い蛍光体層１３しか残らない。従って、前述した電子放出層５１が蛍光体層１３の表面に現れる。そしてこの状態は蛍光体焼成後も保たれるので、その結果、電子放出層５１は電子放出の働きをすることができる。
【０１３３】
また、別の方法としては以下の方法を挙げることができる。すなわち、図４における工程Ｓ９の蛍光体層形成での蛍光体塗布の際に、蛍光体ペーストとして、ＭｇＯ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、アルカリ金属、アルカリ土類金属の中から選ばれる少なくとも一つの材料の微粒子を混合させた蛍光体ペーストを用いる。このような蛍光体ペーストを用いて蛍光体層塗布を行うと、突起１６上に塗布された蛍光体ペーストはそのほとんど流れ落ちて、電子放出層５１の上には蛍光体粒子サイズ程度の極薄い蛍光体層しか残らない。そして、突起１６上に残った蛍光体層の中に含まれる上述した材料の微粒子が蛍光体層（極薄）の表面に現れて電子放出層５１を形成することとなる。
【０１３４】
（実施の形態４）
図１２は、本発明の実施の形態４におけるパネルの一部の断面図を示す。実施の形態１と異なる点は、突起１６ｃ、１６ｕ上が横隔壁１２ｂと分離していることである。図１２では、突起１６ｃ、１６ｕをそれぞれ走査電極３、維持電極４と対向する位置に配置している。このような構成とすることにより、突起の高さｃを高くすることなく、突起１６ｃと走査電極３の距離、突起１６ｕと維持電極４との距離を近づける、すなわち、トリガー放電の発生電圧を下げることができる。
【０１３５】
また、この構成の製造方法としては、実施の形態１において説明した方法に対して、パターン形成のためのマスク、スクリーン版などを変更するだけで良い。
【０１３６】
本実施の形態によるパネルにおいても、同様に、維持パルス電圧の低電圧化と高効率化が同時に得られる。このため、低消費電力化が図れるという効果を有する。そして、維持放電を行う放電セル以外に補助的なセルを設けることがないので、高精細化に適している。
【０１３７】
なお、以上の実施の形態１から４においては、背面側誘電体層１１上には、平面視で、データ電極１０と重なるように突起部１６を設け、且つ突起部１６と表示電極対５との最短距離は、表示電極対５と背面側誘電体層１１との最短距離よりも短くなるように構成している。すなわち、表示電極３と突起部１６ｃとの最短距離は表示電極３と背面側誘電体層１１との最短距離よりも短くなるように構成し、また、維持電極４と突起部１６ｕとの最短距離は、維持電極４と背面側誘電体層１１との最短距離よりも短くなるように構成しており、その具体的な構成の一例として、平面視で、走査電極３および維持電極４の少なくとも一方とデータ電極１０とが重なる領域を含むように突起部１６を設けた構成を示している。
【０１３８】
しかしながら本発明の効果は、上述した構成に限るものではなく、前述したように、平面視で、データ電極と重なるように突起部を設け、且つ前記突起部と前記表示電極対との最短距離は、前記表示電極対と前記背面側誘電体層との最短距離よりも短くなるように構成したものであれば同様に得られることは明らかである。
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、高効率でかつ低電圧駆動が可能な、低消費電力化を図られるプラズマディスプレイパネルを実現する上で有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明の実施の形態１によるプラズマディスプレイパネルの概略構成の一部を示す断面斜視図
【図２】同プラズマディスプレイパネルの概略構成の一部を示す平面図
【図３】同プラズマディスプレイパネルの概略構成の一部を示す断面図
【図４】同プラズマディスプレイパネルの背面板の製造プロセスを示す流れ図
【図５】同プラズマディスプレイパネルの電極配列図
【図６】同プラズマディスプレイパネルの各電極に印加する駆動波形の一例を示す波形図
【図７Ａ】同プラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動を模式的に示す断面図
【図７Ｂ】同プラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動の他の状態を模式的に示す断面図
【図７Ｃ】同プラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動の更に他の状態を模式的に示す断面図
【図７Ｄ】同プラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動の更に他の状態を模式的に示す断面図
【図８】同プラズマディスプレイパネルの維持電圧Ｖｍを変えたときの発光効率を示す図
【図９】本発明の実施の形態２によるプラズマディスプレイパネルを駆動するための駆動波形の一例を示す波形図
【図１０Ａ】本発明の実施の形態２によるプラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動を模式的に示す図
【図１０Ｂ】同プラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動の他の状態を模式的に示す図
【図１０Ｃ】同プラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動の更に他の状態を模式的に示す図
【図１０Ｄ】同プラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動の更に他の状態を模式的に示す図
【図１０Ｅ】同プラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動の更に他の状態を模式的に示す図
【図１０Ｆ】同プラズマディスプレイパネル内の壁電荷の挙動の更に他の状態を模式的に示す図
【図１１】本発明の実施の形態３によるプラズマディスプレイパネルの概略構成の一部を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態４によるプラズマディスプレイパネルの概略構成の一部を示す断面図
【図１３】従来のプラズマディスプレイパネルの概略構成の一部を示す断面斜視図
【符号の説明】
【０１４１】
１  前面板
２  第１のガラス基板
３  走査電極
３ａ  透明電極
３ｂ  金属母線
４  維持電極
４ａ  透明電極
４ｂ  金属母線
５  表示電極対
６  前面側誘電体層
７  保護膜
８  背面板
９  第２のガラス基板
１０  データ電極
１１  背面側誘電体層
１２  隔壁
１２ａ  縦隔壁
１２ｂ  横隔壁
１３、１３ｒ、１３ｇ、１３ｂ  蛍光体層
１４  放電空間
１５  放電セル
１６、１６ｃ、１６ｕ  突起
１７  光吸収層
５１  電子放出層
【図１】
2008004436.tif 000004
【図２】
2008004436.tif 000005
【図３】
2008004436.tif 000006
【図４】
2008004436.tif 000007
【図５】
2008004436.tif 000008
【図６】
2008004436.tif 000009
【図７Ａ】
2008004436.tif 000010
【図７Ｂ】
2008004436.tif 000011
【図７Ｃ】
2008004436.tif 000012
【図７Ｄ】
2008004436.tif 000013
【図８】
2008004436.tif 000014
【図９】
2008004436.tif 000015
【図１０Ａ】
2008004436.tif 000016
【図１０Ｂ】
2008004436.tif 000017
【図１０Ｃ】
2008004436.tif 000018
【図１０Ｄ】
2008004436.tif 000019
【図１０Ｅ】
2008004436.tif 000020
【図１０Ｆ】
2008004436.tif 000021
【図１１】
2008004436.tif 000022
【図１２】
2008004436.tif 000023
【図１３】
2008004436.tif 000024