(57)【要約】      （修正有）【課題】解像度や光感度が高く、残留電位が低い電子写真感光体、及びその製造方法、並びに、小型化、及び高画質化を実現した画像形成装置、及びプロセスカートリッジの提供。【解決手段】導電性支持体上の感光層には、少なくともトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が含まれ、前記感光層を、Ｚ偏光を用いた共焦点ラマン分光測定を行った場合の、トリアリールアミン構造に起因する測定波数１，３２４±２ｃｍ−１におけるラマン散乱スペクトルでのピーク高さのうち、該感光層の深さ５μｍ以上の領域を測定した場合に得られるピーク高さをＩ（ｉｎｓｉｄｅ）、前記感光層の表面から深さ５μｍまでの領域を測定した場合に得られるピーク高さをＩ（ｓｕｒｆａｃｅ）としたとき、下記数式（１）で表されることを特徴とする電子写真感光体等である。ε＝Ｉ（ｉｎｓｉｄｅ）／Ｉ（ｓｕｒｆａｃｅ）≧１．１・・数式（１）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に少なくとも感光層を有する電子写真感光体において、前記感光層には、少なくとも下記一般式（１）で表わされるトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が含まれ、前記感光層を、Ｚ偏光を用いた共焦点ラマン分光測定を行った場合の、トリアリールアミン構造に起因する測定波数１，３２４±２ｃｍ−１におけるラマン散乱スペクトルでのピーク高さのうち、該感光層の深さ５μｍ以上の領域を測定した場合に得られるピーク高さをＩ（ｉｎｓｉｄｅ）、前記感光層の深さ５μｍ未満の領域を測定した場合に得られるピーク高さをＩ（ｓｕｒｆａｃｅ）としたとき、下記数式（１）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2008096968.tif 000124
（上記一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は置換、又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ２とＡｒ３、Ａｒ３とＡｒ１は結合して複素環を形成してもよい。）
ε＝Ｉ（ｉｎｓｉｄｅ）／Ｉ（ｓｕｒｆａｃｅ）≧１．１・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
【請求項２】
電荷輸送物質が、下記一般式（２）で示されるスチルベン化合物を含む請求項１に記載の電子写真感光体。
【化２】
2008096968.tif 000125
（上記一般式（２）中、ａは０又は１の整数である。Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６は、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ４とＡｒ５、Ａｒ５とＡｒ６、Ａｒ６とＡｒ４は結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【請求項３】
一般式（２）で表わされる化合物が、下記一般式（３）で表わされる化合物である請求項２に記載の電子写真感光体。
【化３】
2008096968.tif 000126
（上記一般式（３）中、ａは、０又は１の整数である。Ｒ４〜Ｒ２０は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ４〜Ｒ１７、Ｒ１９とＲ２０は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ４〜Ｒ２０はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【請求項４】
一般式（３）で表わされる化合物が、下記一般式（４）で表わされる化合物であることを特徴とする請求項３に記載の電子写真感光体。
【化４】
2008096968.tif 000127
（上記一般式（４）中、Ｒ２１〜Ｒ４４は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ２１〜Ｒ４４は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ２１〜Ｒ４４はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【請求項５】
トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が、下記一般式（５）で示されるジスチリルベンゼン化合物である請求項１に記載の電子写真感光体。
【化５】
2008096968.tif 000128
（上記一般式（５）中、Ａｒ７は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。Ａ１、Ａ２は下記一般式（６）で表わされ、同一でも異なっていてもよい。）
【化６】
2008096968.tif 000129
（上記一般式（６）中、Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ８とＡｒ９、Ａｒ９とＡｒ１０、Ａｒ１０とＡｒ８は結合して複素環を形成してもよい。）
【請求項６】
一般式（５）で表わされる化合物が、下記一般式（７）で表わされる化合物である請求項５に記載の電子写真感光体。
【化７】
2008096968.tif 000130
（上記一般式（７）中、Ｒ４５〜Ｒ７４は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ４５〜Ｒ７４は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ４５〜Ｒ７４はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【請求項７】
トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が、下記一般式（８）で示されるアミノビフェニル化合物を含む請求項１から２のいずれかに記載の電子写真感光体。
【化８】
2008096968.tif 000131
（上記一般式（８）中、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３、Ａｒ１４は置換、又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ１１〜Ａｒ１４において隣り合う基は結合して複素環を形成してもよい。）
【請求項８】
一般式（８）で表わされる化合物が、下記一般式（９）で表わされる化合物である請求項７に記載の電子写真感光体。
【化９】
2008096968.tif 000132
（上記一般式（９）中、Ｒ７５〜Ｒ９３は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ７５〜Ｒ９３は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ７５〜Ｒ９３はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【請求項９】
トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が、下記一般式（１０）で示されるベンジジン化合物を含む請求項１に記載の電子写真感光体。
【化１０】
2008096968.tif 000133
（上記一般式（１０）中、Ａｒ１５〜Ａｒ２０は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ１５〜Ａｒ２０において隣り合う基は結合して複素環を形成してもよい。）
【請求項１０】
一般式（１０）で表わされる化合物が、下記一般式（１１）で表わされる化合物を含む請求項９に記載の電子写真感光体。
【化１１】
2008096968.tif 000134
（上記一般式（１１）中、Ｒ９４〜Ｒ１２１は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ９４〜Ｒ１２１は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ９４〜Ｒ１２１はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の電子写真感光体の感光層を形成中、及び形成後の少なくともいずれかに磁場を印加することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項１２】
磁場の印加が、感光層を塗工し、固化する前に行われる請求項１１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１３】
磁場の印加が、感光層を塗工し、加熱乾燥する間に行われる請求項１１から１２のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法によって作製されたことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項１５】
請求項１から１０、及び１４のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、画像露光手段、現像手段、及び転写手段とを少なくとも有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１６】
少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段、及び電子写真感光体を有し、前記現像手段は、異なる色のトナーが充填された複数の現像部を有し、該複数の現像部に対応した複数の電子写真感光体を有するタンデム方式の画像形成装置であって、前記電子写真感光体が、請求項１から１０、及び１４のいずれかに記載の電子写真感光体である画像形成装置。
【請求項１７】
請求項１から１０、及び１４のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段のうちの少なくとも一つの手段が一体となり、かつ画像形成装置本体に着脱可能であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、解像度と光感度が高く、また残留電位も低く静電特性に優れた電子写真感光体並びにその製造方法、並びに、前記電子写真感光体を使用した画像形成装置、及び画像形成装置用プロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子写真方式によるレーザープリンタやデジタル複写機等の画像形成装置は、画像品質やその安定性が向上し、広く普及されている。最近では、これらの高速化、小型化、フルカラー化が急速に進行しており、それらに用いられる電子写真感光体（以下、感光体ということがある。）は、更なるキャリアの高移動度化、高光感度化、また残留電位の低減が要求されている。
【０００３】
これらの画像形成装置に使用される電子写真感光体としては、有機系の感光材料を用いたものが、コスト、生産性及び環境安定性等の理由から一般に広く応用されている。これらの電子写真感光体の層構成としては、電荷発生機能と電荷輸送機能を一つの層に備えた単層型、電荷発生機能を有する電荷発生層と電荷輸送機能を有する電荷輸送層とに機能分離した積層型の感光体に大別され、静電特性の安定性や耐久性の面から後者が広く用いられている。
【０００４】
積層型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され電荷を生成する。それによって発生した電荷が電荷発生層及び電荷輸送層の界面で電荷輸送層に注入され、更に電界によって電荷輸送層中を移動し、感光体の表面に達し、帯電により与えられた表面電荷を中和することにより静電潜像を形成する。
【０００５】
このような積層型の有機感光体は、解像度の低下、光感度の低下、残留電位の上昇、電荷移動度の低下等が画像形成装置の高画質化、並びに、高速化に対する大きな課題として認識されていた。
前記解像度の低下は、電荷が基板に対して平行方向に拡散することによって起こると考えられる。
また、前記光感度の低下や、残留電位の上昇、電荷移動度の低下は、電荷輸送物質を電荷がホッピング移動する過程でトラップされることに由来すると考えられる。
【０００６】
このような課題に対して、電荷輸送性を有する液晶材料（特許文献１〜８参照）、有機磁性体（特許文献９参照）、ポリシラン（特許文献１０〜１１参照）を電荷輸送物質として用い、それらの配向性を制御することで解像度や光感度を向上させた技術は公知である。
電荷輸送物質を配向させる手段としては、磁場、電場、ラビング処理、蒸着など様々である。しかし、これらの従来技術に用いられている電荷輸送物質は、電子写真特性を満足させ得るものではなく、実用化されていないのが実情である。
また、電子写真感光体分野において、上記のような目的以外に、耐摩耗性を向上させる目的で表面層に含まれる磁性材料を配向させる技術（特許文献１２〜１３参照）や、下引き層の平滑性向上のために下引き層内の磁性粉末を磁場により配向させる技術（特許文献１４参照）が公知である。
しかし、これらの技術は、耐摩耗性や下引き層の平滑性向上に効果が得られても、感光体の高画質化に必要不可欠な解像度、感度、残留電位、移動度等の特性に対して効果が得られるものではなく、むしろそれらの特性が犠牲にされているのが実情である。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１３２７７７号公報
【特許文献２】特開２００１−３４８３５１号公報
【特許文献３】特開２００１−３０２５７８号公報
【特許文献４】特開２０００−３４７４３２号公報
【特許文献５】特開平１１−３０５４６４号公報
【特許文献６】特開平１１−０８７０６４号公報
【特許文献７】特開２００３−０７３３８２号公報
【特許文献８】特開平１１−３３８１７１号公報
【特許文献９】特許第３０４５７６４号公報
【特許文献１０】特開平１０−１３３４０４号公報
【特許文献１１】特開平０９−１１４１１４号公報
【特許文献１２】特開平１０−０２０５３６号公報
【特許文献１３】特公平０５−０４９２３３号公報
【特許文献１４】特開昭６１−１２４９５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、電荷が感光層中をホッピング移動する際の電荷の広がりや電荷の停滞を抑制し、解像度や光感度が高く、残留電位も低い電子写真感光体、及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、前記感光体を用いることにより、高速印刷やフルカラー印刷、あるいはそれらの両立が可能で、かつ感光体の小径化に伴う装置の小型化並びに高画質化を実現した画像形成装置、及びその画像形成装置に用いられるプロセスカートリッジを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、トリアリールアミン構造を含む電荷輸送物質を含有した電荷輸送層において、前記電荷輸送物質の配向性を制御することで、電荷のホッピング移動をスムーズかつ基板に対して平行方向への拡散を抑制し、光感度や解像度の向上、及び残留電位が低減することを知見した。また、前記電荷輸送物質の配向性を制御する手段としては、磁場配向処理が有効であることを知見した。
【００１０】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  導電性支持体上に少なくとも感光層を有する電子写真感光体において、前記感光層には、少なくとも下記一般式（１）で表わされるトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が含まれ、前記感光層を、Ｚ偏光を用いた共焦点ラマン分光測定を行った場合の、トリアリールアミン構造に起因する測定波数１，３２４±２ｃｍ−１におけるラマン散乱スペクトルでのピーク高さのうち、該感光層の深さ５μｍ以上の領域を測定した場合に得られるピーク高さをＩ（ｉｎｓｉｄｅ）、前記感光層の深さ５μｍ未満の領域を測定した場合に得られるピーク高さをＩ（ｓｕｒｆａｃｅ）としたとき、下記数式（１）を満たすことを特徴とする電子写真感光体である。
【化１２】
2008096968.tif 000002
（上記一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は置換、又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ２とＡｒ３、Ａｒ３とＡｒ１は結合して複素環を形成してもよい。）
ε＝Ｉ（ｉｎｓｉｄｅ）／Ｉ（ｓｕｒｆａｃｅ）≧１．１・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
＜２＞  電荷輸送物質が、下記一般式（３）で示されるスチルベン化合物を含む前記＜１＞に記載の電子写真感光体である。
【化１３】
2008096968.tif 000003
（上記一般式（２）中、ａは０又は１の整数である。Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６は、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ４とＡｒ５、Ａｒ５とＡｒ６、Ａｒ６とＡｒ４は結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
＜３＞  一般式（２）で表わされる化合物が、下記一般式（３）で表わされる化合物である前記＜２＞に記載の電子写真感光体である。
【化１４】
2008096968.tif 000004
（上記一般式（３）中、ａは、０又は１の整数である。Ｒ４〜Ｒ２０は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ４〜Ｒ１７、Ｒ１９とＲ２０は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ４〜Ｒ２０はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
＜４＞  一般式（３）で表わされる化合物が、下記一般式（４）で表わされる化合物であることを特徴とする前記＜３＞に記載の電子写真感光体である。
【化１５】
2008096968.tif 000005
（上記一般式（４）中、Ｒ２１〜Ｒ４４は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ２１〜Ｒ４４は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ２１〜Ｒ４４はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
＜５＞  トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が、下記一般式（５）で示されるジスチリルベンゼン化合物である前記＜１＞に記載の電子写真感光体である。
【化１６】
2008096968.tif 000006
（上記一般式（５）中、Ａｒ７は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。Ａ１、Ａ２は下記一般式（６）で表わされ、同一でも異なっていてもよい。）
【化１７】
2008096968.tif 000007
（上記一般式（６）中、Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０は置換、又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ８とＡｒ９、Ａｒ９とＡｒ１０、Ａｒ１０とＡｒ８は結合して複素環を形成してもよい。）
＜６＞  一般式（５）で表わされる化合物が、下記一般式（７）で表わされる化合物である前記＜５＞に記載の電子写真感光体である。
【化１８】
2008096968.tif 000008
（上記一般式（７）中、Ｒ４５〜Ｒ７４は水素原子、置換、又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ４５〜Ｒ７４は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ４５〜Ｒ７４はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
＜７＞  トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が、下記一般式（８）で示されるアミノビフェニル化合物を含む前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電子写真感光体である。
【化１９】
2008096968.tif 000009
（上記一般式（８）中、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３、Ａｒ１４は置換、又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ１１〜Ａｒ１４において隣り合う基は結合して複素環を形成してもよい。）
＜８＞  一般式（８）で表わされる化合物が、下記一般式（９）で表わされる化合物である前記＜７＞に記載の電子写真感光体である。
【化２０】
2008096968.tif 000010
（上記一般式（９）中、Ｒ７５〜Ｒ９３は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ７５〜Ｒ９３は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ７５〜Ｒ９３はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
＜９＞  トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が、下記一般式（１０）で示されるベンジジン化合物を含む前記＜１＞に記載の電子写真感光体である。
【化２１】
2008096968.tif 000011
（上記一般式（１０）中、Ａｒ１５〜Ａｒ２０は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ１５〜Ａｒ２０において隣り合う基は結合して複素環を形成してもよい。）
＜１０＞  一般式（１０）で表わされる化合物が、下記一般式（１１）で表わされる化合物を含む前記＜９＞に記載の電子写真感光体である。
【化２２】
2008096968.tif 000012
（上記一般式（１１）中、Ｒ９４〜Ｒ１２１は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ９４〜Ｒ１２１は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ９４〜Ｒ１２１はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
＜１１＞  前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の電子写真感光体の感光層を形成中、及び形成後の少なくともいずれかに磁場を印加することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
＜１２＞  磁場の印加が、感光層を塗工し、固化する前に行われる前記＜１１＞に記載の電子写真感光体の製造方法である。
＜１３＞  磁場の印加が、感光層を塗工し、加熱乾燥する間に行われる前記＜１１＞から＜１２＞のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法である。
＜１４＞  前記＜１１＞から＜１３＞のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法によって作製されたことを特徴とする電子写真感光体である。
＜１５＞  前記＜１＞から＜１０＞、及び＜１４＞のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、画像露光手段、現像手段、及び転写手段とを少なくとも有することを特徴とする画像形成装置である。
＜１６＞  少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段、及び電子写真感光体を有し、前記現像手段は、異なる色のトナーが充填された複数の現像部を有し、該複数の現像部に対応した複数の電子写真感光体を有するタンデム方式の画像形成装置であって、前記電子写真感光体が、前記＜１＞から＜１０＞、及び＜１４＞のいずれかに記載の電子写真感光体である画像形成装置である。
＜１７＞  前記＜１＞から＜１０＞、及び＜１４＞のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段のうちの少なくとも一つの手段が一体となり、かつ画像形成装置本体に着脱可能であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、電荷が感光層中をホッピング移動する際の電荷の広がりや電荷の停滞を抑制し、解像度や光感度が高く、残留電位も低い電子写真感光体、及びその製造方法を提供することができる。
また、前記電子写真感光体を用いることにより、高速印刷やフルカラー印刷、あるいはそれらの両立が可能で、かつ感光体の小径化に伴う装置の小型化並びに高画質化を実現した画像形成装置、及びその画像形成装置に用いられるプロセスカートリッジを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
従来の感光体においては、電荷輸送層の膜厚が厚いほど解像度が低下し、残留電位が上昇する傾向がみられ、高耐久化と高画質化の両立において大きな問題となっていた。
しかし、トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質の配向性を高めることで、それらの課題が解決されることを見出し、感光体の高耐久化と高画質化の両立が実現することができた。
また、その手法として、少なくともトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質を含有させた感光層形成用塗工液を用いて、該感光層形成用塗工液を、塗工中、及び塗工後の少なくともいずれかに磁場を印加することで電荷輸送物質の配向性が高まることで実現できた。
【００１３】
磁場を印加することで、トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質の配向性が制御された理由については以下のように考えられる。
一般的に磁性体を有するものとしては、遷移金属元素や希土類元素が挙げられる。これらは３ｄ軌道、あるいは４ｄ軌道が完全に満たされておらず、それらの軌道中に存在する不対電子が自転運動しながら軌道運動している。
この運動に伴うスピン角運動量と軌道角運動量がもたらす磁気モーメントが、原子やイオンにおける磁石としての性質を発現している。
自然界に存在するほとんどの有機化合物は、磁性の起源となる不対電子を持たないことから、顕著な磁気的性質は示さないと考えられていた。
しかし、有機分子であっても不対電子スピンを持つ場合、磁気的性質を持ち、磁場により配向性が高まることが可能であると考えられる。
【００１４】
本発明において、トリアリールアミンを電荷輸送物質として含有する感光体に対して磁場を印加した場合、トリアリールアミンの配向性と感光体特性が変化することを見出した。
トリアリールアミンは、π電子が非局在化していることから良好な電荷輸送性を示すという特徴がある。
また、有機分子における磁性は、Ｎ原子などのＰ軌道中にある電子スピン、特に非局在性が高いπ電子スピンが担っていると考えられることから、トリアリールアミンは磁場下において配向性制御されたと考えられる。
また、トリアリールアミンの中でも高い電荷輸送性を示す、スチルベン、ジスチリルベンゼン、アミノビフェニル、ベンジジンなどの化合物は分子の長軸方向にπ共役の広がりがあると考えられ、磁場中において、磁力線に対しそれらの分子の長軸方向が平行になるように配向されやすいと考えられる。
よって、本発明において基体に対して垂直方向の磁力線で磁場を印加した場合、これらの電荷輸送物質の長軸方向が基体に対して垂直方向に配向したと考えられる。
【００１５】
本発明において、電荷輸送物質のＺ軸方向、即ち、基体に対して垂直方向での配向性を制御することで、感光層における層厚方向での電荷輸送性が高まった理由は以下のように考えられる。
一般的に、有機分子を電荷がホッピング移動する際、分子間を電荷が移動するよりも、分子内を電荷が移動するほうが相当速いことが知られている。
よって、電荷輸送層を電荷が横切る際、できるだけ、電荷輸送物質間の電荷移動を少なくすることが理想的であり、そのためには、電荷輸送物質分子内で電荷が移動する方向が、電荷輸送層の層厚方向に配向していることが好ましいと考えられる。
本発明において特に有効に用いられる電荷輸送物質として、スチルベン、ジスチリルベンゼン、アミノビフェニル、ベンジジンなどを用いる場合は、電荷輸送物質の長軸方向が感光層の層厚方向に配向したため、より良好な感光体特性が得られた。
【００１６】
また、本発明の感光体においては、感光層内部において、電荷輸送物質の配向性が高いことが特徴として挙げられる。
配向処理を施していない従来の感光体においては、感光層の内部と表面での電荷輸送物質の配向性の違いは小さいが、本発明の感光層においては、感光層内部の方が表面より明らかに電荷輸送物質の配向性が高いことが確認された。
この理由については明らかではないが、表面においては外界の影響を受けるため、内部に比べ、配向制御されにくい可能性や、また、配向処理する際に感光層の表面に対し、内部の方が、流動性が高い状態にあり、配向しやすかったなどの理由が考えられる。
【００１７】
感光層の層厚方向の電荷輸送性は、感光層内部の電荷輸送物質の配向性に大きく依存すると考えられ、本発明で得られた感光体においては、感光層の表面での電荷輸送物質の配向性は従来のものと大きな違いはなくとも、感光層内部での電荷輸送物質の配向性が明らかに高まったため、従来の感光体よりもより良好な感光体特性を示したものと考えられる。
【００１８】
＜配向性の評価方法＞
次に、本発明における電荷輸送物質の配向性の評価方法について説明する。
電荷輸送物質の配向性の評価方法としては、共焦点ラマン分光測定法が挙げられる。
ラマン分光測定においては、物質の分極の方向とレーザーの偏光の方向が一致した場合に、ラマン活性が得られるため、配向性を評価できる方法であることが従来知られている。
共焦点ラマン分光測定装置としては、ＲＡＭＡＮ−１１（ナノフォトン株式会社製）を用いることができる。
そして、この共焦点ラマン分光測定装置に、Ｚ偏光素子（Ｚｐｏｌ（ナノフォトン株式会社））を組み込み、Ｚ偏光レーザー光を照射したときのラマン散乱光を検出することで、基板に対して垂直方向の分子の配向性を評価することができる。
前記Ｚ偏光素子に通す前のレーザーの光強度は、例えば、５ｍＷ、レーザー光の励起波長は５３２ｎｍ、対物レンズは×１００（開口数（ＮＡ）＝０．９）、スリット幅１２０μｍで測定が行われる。
本測定方法において、Ｚ偏光素子を組み込んでいるため、実際の測定レーザー光強度は、入射レーザー光強度よりも減衰している。
測定は、感光層表面と感光層内部での配向性を評価するために、それぞれ、感光層の深さ５μｍ未満の領域と、感光層の深さ５μｍ以上の領域を測定するように焦点を合わせそれぞれのトリアリールアミン構造に起因するラマン散乱強度を比較する。
これは、前述の様に、配向処理の影響を受けにくい表面部分と、配向処理の効果が得られる感光層内部でのラマン散乱強度を比較することで、配向処理の効果の有無を明確にするために行われる。
本測定方法においては、深さ方向での分解能が５μｍと推定されるため、感光層の深さ５μｍ未満の領域（感光層の表面から深さ５μｍまでの領域）での配向性を評価する場合は、感光層の表面（深さ０μｍ）にレーザー光の焦点を合わせて測定を行う。
また、感光層の深さ５μｍ以上の領域を測定する場合は、例えば、感光層の表面から深さ１０μｍに焦点を合わせて測定を行う。
また、ラマン散乱ピークは、トリアリールアミンに起因するラマン散乱スペクトルのピーク高さで比較される。すなわち、トリアリールアミンに起因する測定波数１，３２４±２ｃｍ−１における最も大きい強度のラマン散乱強度から、ピークがみられなかった測定波数１，３５６±２ｃｍ−１でのラマン散乱強度の平均値を引いた値をピーク高さとし、感光層の表面から５μｍの領域におけるピーク高さをＩ（ｓｕｒｆａｃｅ）とし、感光層の表面から深さ５μｍ以上の領域におけるピーク高さをＩ（ｉｎｓｉｄｅ）とし、下記式で表されるこれらの比εからトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質の配向性を評価する。
ε＝Ｉ（ｉｎｓｉｄｅ）／Ｉ（ｓｕｒｆａｃｅ）
従来の感光体においては、この比εが１．０以下であり、基体に対して垂直方向のトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質の配向性は感光層の表面領域と内部での差異はほとんどなかった。
しかし、本発明における感光体においては、感光層の表面領域と比較して、内部でのトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質の配向性が高く、前述の比εは１．１以上であった。
そして、εが１．１以上の感光体については、残留電位の低減や、ドット再現性の向上や、移動度特性の向上などの効果が明確であり、εが１．３以上の場合にはその効果は更に顕著であった。
これは、感光層内部でのトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質の、層厚方向での配向性が高いために、感光層中の電荷輸送性が高く、残留電位の低減や、移動度特性の向上、更には電荷の拡散が抑制されたことにより、ドット再現性が向上する効果が得られたと考えられる。
また、基体に対して垂直方向の電荷輸送物質の配向性は高ければ高いほど、電荷輸送特性は高まると考えられるため、εも大きいほど、特性は向上すると考えられる。
【００１９】
以下、トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質を配向制御する製造方法について詳しく説明する。
本発明の電子写真感光体は、トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質を含む感光層の形成中、及び形成後の少なくともいずれかにおいて磁場を印加することで得られる。
感光層の形成中、及び形成後の少なくともいずれかにおいて磁場を印加するタイミングとしては、感光層塗布液の塗工開始以降、どのタイミングで磁場を印加してもよいが、塗工中あるいは塗工直後の固化する前において磁場を印加することが好ましい。ここで、前記固化とは、指で触っても指に膜がつかない状態のことをいう。これは溶媒を多く含んだ状態の方が、トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が動きやすい状態にあるためである。
この場合、塗工開始から磁場を印加することが好ましいが、塗工直後の固化する前から磁場を印加しても十分に効果が得られる。また、配向状態を安定に維持させるために、感光層に含まれる溶媒が蒸発して膜が固化するまで磁場を印加することが好ましい。
また、感光層を加熱乾燥する際、トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質の配向性が変化する場合があるので、磁場を印加した状態で加熱乾燥することが好ましく、そのまま室温に冷却されるまで磁場を印加し続けることがより好ましい。
一方、膜が固化する前に磁場印加を停止したり、膜が固化した後に磁場を印加したり、加熱乾燥時に磁場を印加しない場合には、磁場印加による効果は認められるものの効果はやや低下する傾向が見られる。
よって、本発明においては、塗工開始から、塗工後加熱乾燥し、その後室温に冷却されるまで磁場を印加することが配向させる上で最も好ましいが、少なくとも塗工直後の固化する前から、加熱乾燥して膜が固化するまで磁場を印加することが好ましく、いずれも高い効果が得られる。
【００２０】
効果を発揮する磁場の強度は配向制御する対象物質の配向のし易さによっても異なるため、特に規定はしないが、前記一般式（１）で表わされるトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質に用いた場合、５テスラ以上、より好ましくは８テスラ以上であれば十分な効果を発揮し、磁場強度は大きいほど好ましい。
磁場を印加する方向は基体に対して垂直方向と平行方向が考えられ、分子構造によってどちらも選択できるが、前述のように本発明において有効に用いられるスチルベン、ジスチリルベンゼン、アミノビフェニル、ベンジジンなどの電荷輸送物質を用いた場合、感光体の基体に対して垂直方向に印加する方がより好ましい。
【００２１】
次に、本発明の感光体について、図面を参照して以下に説明する。
図１に示すように、本発明の感光体１は、導電性支持体２上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３と、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層４が積層された構成をなしている。
また、本発明の感光体１は、図２に示すように、導電性支持体２と、電荷発生層３との間に、下引き層６、あるいは中間層を形成してもよい。
また、本発明の感光体１は、図３に示すように、電荷輸送層４の上に保護層５を形成してもよい。
更に、本発明の感光体１は、図４に示すように、導電性支持体２上に、電荷発生物質と電荷輸送物質を含む単層の感光層７を有した単層型感光体の態様をなしてもよい。
【００２２】
導電性支持体としては、体積抵抗１０１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又はスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらを、押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理した管などを使用することができる。また、エンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体として用いる
ことができる。
【００２３】
この他、上記支持体上に導電性粉体を適当なバインダー樹脂に分散して塗工したものについても、本発明の導電性支持体として用いることができる。
この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉体などが挙げられる。
また、同時に用いられるバインダー樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が挙げられる。
このような導電性層は、これらの導電性粉体とバインダー樹脂を適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗布することにより設けることができる。
【００２４】
更に、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、ポリテトラフロロエチレン系フッ素樹脂などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性支持体として良好に用いることができる。
【００２５】
次に、感光層について説明する。
積層構成の感光層は、少なくとも電荷発生層、及び電荷輸送層が順次積層されることによって構成されている。
前記電荷発生層は、電荷発生物質を含む層である。該電荷発生層には、公知の電荷発生物質を用いることが可能であり、その例としては、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、非対称ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料等のアゾ顔料、チタニルフタロシアニン、銅フタロシアニン、バナジルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、無金属フタロシアニン等のフタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、インジゴ顔料、ピロロピロール顔料、アントラキノン顔料、キナクリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、スクエアリウム顔料等が挙げられる。これら電荷発生物質は単独でも、２種以上混合してもよい。
【００２６】
電荷発生層に用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。バインダー樹脂の量は、電荷発生物質１００質量部に対し、０〜５００質量部が好ましく、１０〜３００質量部がより好ましい。
【００２７】
前記電荷発生層は、電荷発生物質を必要に応じてバインダー樹脂とともに適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などの公知の分散方法を用いて分散し、これを導電性支持体上、もしくは下引き層や中間層上に塗布し、乾燥することにより形成される。バインダー樹脂の添加は、電荷発生物質の分散前、あるいは分散後のどちらでも構わない。
【００２８】
前記電荷発生層の形成に用いられる前記溶剤としては、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等の一般に用いられる有機溶剤が挙げられるが、これらの中でも、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が特に好ましい。これらは単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
【００２９】
前記電荷発生層の形成用塗工液は、電荷発生物質、溶媒及びバインダー樹脂を主成分とするが、その中には、増感剤、分散剤、界面活性剤、シリコーンオイル等のいかなる添加剤が含まれていてもよい。
【００３０】
上記塗工液を用いて電荷発生層を塗工する方法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の公知の方法を用いることができる。
前記電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が好ましく、０．１〜２μｍがより好ましい。塗工後には、オーブン等で加熱乾燥される。本発明における電荷発生層の乾燥温度としては、５０℃以上１６０℃以下が好ましく、８０℃以上１４０℃以下がより好ましい。
【００３１】
前記電荷輸送層は、トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質、及びバインダー樹脂を適当な溶剤に溶解乃至分散し、これを塗工中、及び塗工後の少なくともいずれかに磁場を印加することにより形成できる。
本発明に用いられるトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質のうち、特に有効に用いられるスチルベン、ジスチリルベンゼン、アミノビフェニル、ベンジジンを以下に示す。
【００３２】
＜スチルベン構造を有する電荷輸送物質＞
スチルベン構造を有する電荷輸送物質を下記一般式（２）〜（４）に示す。
【化２３】
2008096968.tif 000013
（上記一般式（２）中、ａは０又は１の整数である。Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６は、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ４とＡｒ５、Ａｒ５とＡｒ６、Ａｒ６とＡｒ４は結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【００３３】
【化２４】
2008096968.tif 000014
（上記一般式（３）中、ａは、０又は１の整数である。Ｒ４〜Ｒ２０は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ４〜Ｒ１７、Ｒ１９とＲ２０は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ４〜Ｒ２０はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【００３４】
【化２５】
2008096968.tif 000015
（上記一般式（４）中、Ｒ２１〜Ｒ４４は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ２１〜Ｒ４４は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ２１〜Ｒ４４はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【００３５】
本発明に用いられるジスチリルベンゼン構造を有する電荷輸送物質を一般式（５）、及び一般式（７）に示す。
【００３６】
【化２６】
2008096968.tif 000016
（上記一般式（５）中、Ａｒ７は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。Ａ１、Ａ２は下記一般式（６）で表わされ、同一でも異なっていてもよい。）
【００３７】
【化２７】
2008096968.tif 000017
（上記一般式（６）中、Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ８とＡｒ９、Ａｒ９とＡｒ１０、Ａｒ１０とＡｒ８は結合して複素環を形成してもよい。）
【００３８】
【化２８】
2008096968.tif 000018
（上記一般式（７）中、Ｒ４５〜Ｒ７４は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ４５〜Ｒ７４は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ４５〜Ｒ７４はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【００３９】
本発明に用いられるアミノビフェニル構造を有する電荷輸送物質を一般式（８）〜（９）に示す。
【００４０】
【化２９】
2008096968.tif 000019
（上記一般式（８）中、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３、Ａｒ１４は置換、又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ１１〜Ａｒ１４において隣り合う基は結合して複素環を形成してもよい。）
【００４１】
【化３０】
2008096968.tif 000020
（上記一般式（９）中、Ｒ７５〜Ｒ９３は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ７５〜Ｒ９３は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ７５〜Ｒ９３はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【００４２】
本発明に用いられるベンジジン構造を有する電荷輸送物質を一般式（１０）〜（１１）に示す。
【００４３】
【化３１】
2008096968.tif 000021
（上記一般式（１０）中、Ａｒ１５〜Ａｒ２０は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ１５〜Ａｒ２０において隣り合う基は結合して複素環を形成してもよい。）
【００４４】
【化３２】
2008096968.tif 000022
（上記一般式（１１）中、Ｒ９４〜Ｒ１２１は水素原子、置換又は無置換の炭素数１〜４のアルキル基、もしくは、置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ９４〜Ｒ１２１は隣り合う置換基と結合して複素環を形成してもよい。また、Ｒ９４〜Ｒ１２１はＣ原子と直接結合してもよいし、アルキレン基、又はヘテロ原子を介してＣ原子と結合してもよい。）
【００４５】
なお、上記アルキル基としては炭素数１〜４が好ましくメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリン基、フェナンスリル基、ピリニル基、チオフェニル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基、ベンゾキノリル基、ガルバゾリル基、フェノチアジニル基、ベンゾフリル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチオフェニル基などが挙げられる。上記各基が有してもよい置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子や、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基や、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、ピレニル基などのアリール基や、ベンジル基、フェニル基、ナフチルメチル基、フルフリル基、チエニル基などのアラルキル基や、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ基や、フェノキシ基、ナフトキシ基などのアリールオキシ基や、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基などの置換アミノ基や、スチリル基、ナフチルビニル基などのアリールビニル基や、ニトロ基や、シアノ基や、水酸基などが挙げられる。ヘテロ原子としては、酸素原子や硫黄原子などが挙げられる。
【００４６】
前記スチルベンの具体例としては、次のようなものが挙げられる。
【化３３】
2008096968.tif 000023
【００４７】
【化３４】
2008096968.tif 000024
【００４８】
【化３５】
2008096968.tif 000025
【００４９】
【化３６】
2008096968.tif 000026
【００５０】
前記ジスチリルベンゼンの具体例としては、次のようなものが挙げられる。
【化３７】
2008096968.tif 000027
【００５１】
【化３８】
2008096968.tif 000028
【００５２】
【化３９】
2008096968.tif 000029
【００５３】
【化４０】
2008096968.tif 000030
【００５４】
前記アミノビフェニルの具体例としては、次のようなものが挙げられる。
【化４１】
2008096968.tif 000031
【００５５】
【化４２】
2008096968.tif 000032
【００５６】
【化４３】
2008096968.tif 000033
【００５７】
【化４４】
2008096968.tif 000034
【００５８】
前記ベンジジンの具体例としては、次のようなものが挙げられる。
【化４５】
2008096968.tif 000035
【００５９】
【化４６】
2008096968.tif 000036
【００６０】
これらの電荷輸送物質は従来公知であり、スチルベン化合物は、特公平０３−３９３０６号公報、特公昭６３−１９８６７号公報など、ジスチリルベンゼン化合物は、特開昭５０−１６５３８号公報、特許第２５５２６９５号公報など、アミノビフェニル化合物は、特許第２７５３５８２号公報など、ベンジジン化合物は、特公昭５８−３２３７２号公報などに記載されている。
【００６１】
前記電荷輸送層の形成に用いられるバインダー樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性又は熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００６２】
前記電荷輸送層の形成に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、キシレン、アセトン、ジエチルエーテル、メチルエチルケトン等が用いられる。これらは、単独で使用しても２種以上混合して使用してもよい。
塗工後に磁場を印加する場合は、磁場を印加する際により流動性がある方がよいと考えられるため、揮発性の低い溶媒を用い、残留溶媒が多い状態で磁場を印加するのがより好ましい。
また、電荷輸送層の膜厚は、解像度や応答性の点から、１５μｍ以上、５０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上、３０μｍ以下がより好ましい。
【００６３】
次に、感光層が単層構成の場合について述べる。
上述した電荷発生物質、電荷輸送物質をバインダー樹脂中に分散乃至溶解させ、電荷発生機能、及び電荷輸送機能を一つの層で実現した感光体である。
感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質及びバインダー樹脂をテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン等の溶剤に溶解ないし分散し、これを浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート、リングコートなどの従来公知の方法を用いて塗工して形成できる。また、本発明においては、感光層の形成中、及び形成後の少なくともいずれかに磁場を印加する。
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質の双方が含有されることが好ましい。また、必要により可塑剤やレベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
単層の感光層に用いられる電荷発生物質、電荷輸送物質、バインダー樹脂、有機溶剤及び各種添加剤等に関しては、前述の電荷発生層及び電荷輸送層に含有されるいずれの材料をも使用することが可能である。
バインダー樹脂としては、先に電荷輸送層で挙げたバインダー樹脂のほかに、電荷発生層で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。バインダー樹脂１００質量部に対する電荷発生物質の量は、５〜４０質量部が好ましく、１０〜３０質量部がより好ましい。また、電荷輸送物質の量は、０〜１９０質量部が好ましく、５０〜１５０質量部がより好ましい。また、感光層の膜厚は、５〜４０μｍが好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。
【００６４】
本発明においては、耐摩耗性の向上を目的として、感光体の最表面に保護層を設けてもよい。該保護層としては、電荷輸送成分とバインダー成分とを重合させた高分子電荷輸送物質型、フィラーを含有させたフィラー分散型、硬化させた硬化型などが知られているが、本発明においては従来公知のいずれの保護層を用いてもよい。
【００６５】
本発明の感光体においては、導電性支持体と電荷発生層との間に下引き層を設けることができる。これら下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。
このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、イソシアネート、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。
また、下引き層には、モアレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
【００６６】
これらの下引き層は、前述の感光層の如く適当な溶媒及び塗工法を用いて形成することができる。
更に、本発明の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。
この他、本発明の下引き層には、Ａｌ２Ｏ３を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＣｅＯ２等の無機物を真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。この他にも公知のものを用いることができる。下引き層の膜厚は０〜１０μｍが好ましく、２〜６μｍがより好ましい。
【００６７】
本発明の感光体において、導電性支持体と下引き層の間もしくは下引き層と電荷発生層との間に中間層を設けることも可能である。
前記中間層には、一般に、バインダー樹脂が含まれる。該バインダー樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール等が挙げられる。また、中間層の形成法としては、前述のごとく一般に用いられる塗布法が採用される。なお、中間層の厚さは、０．０５〜２μｍが好ましい。
【００６８】
本発明においては、耐環境性の改善のため、特に、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、保護層、及び中間層等の少なくとも１層に、酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、低分子電荷輸送物質及びレベリング剤を添加することができる。これらの化合物の代表的な材料を以下に記す。
【００６９】
各層に添加できる酸化防止剤として、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７０】
（ａ）フェノール系化合物
フェノール系化合物としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、ｎ−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］グリコールエステル、トコフェロール類等が挙げられる。
【００７１】
（ｂ）パラフェニレンジアミン類
パラフェニレンジアミン類としては、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン等が挙げられる。
【００７２】
（ｃ）ハイドロキノン類
ハイドロキノン類としては、２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノン等が挙げられる。
【００７３】
（ｄ）有機硫黄化合物類
有機硫黄化合物類としては、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネート等が挙げられる。
【００７４】
（ｅ）有機燐化合物類
有機燐化合物類としては、トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィン等が挙げられる。
【００７５】
各層に添加できる可塑剤として、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸エステル系可塑剤としては、リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ（２−エチルヘキシル）、リン酸トリフェニル等が挙げられる。
【００７６】
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸エステル系可塑剤としては、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ（２−エチルヘキシル）、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチル等が挙げられる。
【００７７】
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
芳香族カルボン酸エステル系可塑剤としては、トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチル等が挙げられる。
【００７８】
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤としては、アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ（２−エチルヘキシル）、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ（２−エチルヘキシル）、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ（２−エチルヘキシル）、セバシン酸ジ（２−エトキシエチル）、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチル等が挙げられる。
【００７９】
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
脂肪酸エステル誘導体としては、オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリン等が挙げられる。
【００８０】
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
オキシ酸エステル系可塑剤としては、アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチル等が挙げられる。
【００８１】
（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ可塑剤としては、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシル等が挙げられる。
【００８２】
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
二価アルコールエステル系可塑剤としては、ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ（２−エチルブチラート）等が挙げられる。
【００８３】
（ｉ）含塩素可塑剤
含塩素可塑剤としては、塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチル等が挙げられる。
【００８４】
（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリエステル系可塑剤としては、ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステル等が挙げられる。
【００８５】
（ｋ）スルホン酸誘導体
スルホン酸誘導体としては、ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミド等が挙げられる。
【００８６】
（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸誘導体としては、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ（２−エチルヘキシル）、アセチルクエン酸ｎ−オクチルデシル等が挙げられる。
【００８７】
（ｍ）その他
その他の可塑剤としては、ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチル等が挙げられる。
【００８８】
各層に添加できる滑剤としては、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００８９】
（ａ）炭化水素系化合物
炭化水素系化合物としては、流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレン等が挙げられる。
【００９０】
（ｂ）脂肪酸系化合物
脂肪酸系化合物としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸等が挙げられる。
【００９１】
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物
脂肪酸アミド系化合物としては、ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレイルアミド、メチレンビスステアリルアミド、エチレンビスステアロアミド等が挙げられる。
【００９２】
（ｄ）エステル系化合物
エステル系化合物としては、脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル等が挙げられる。
【００９３】
（ｅ）アルコール系化合物
アルコール系化合物としては、セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロール等が挙げられる。
【００９４】
（ｆ）金属石けん
金属石けんとしては、ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウム等が挙げられる。
【００９５】
（ｇ）天然ワックス
天然ワックスとしては、カルナウバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウ等が挙げられる。
【００９６】
（ｈ）その他
その他の滑剤としては、シリコーン化合物、フッ素化合物等が挙げられる。
【００９７】
各層に添加できる紫外線吸収剤として、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００９８】
（ａ）ベンゾフェノン系
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【００９９】
（ｂ）サルシレート系
サルシレート系紫外線吸収剤としては、フェニルサルシレート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート等が挙げられる。
【０１００】
（ｃ）ベンゾトリアゾール系
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾール等が挙げられる。
【０１０１】
（ｄ）シアノアクリレート系
シアノアクリレート系紫外線吸収剤としては、２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリル酸エチル、２−カルボメトキシ−３−ｐ−メトキシアクリル酸メチル等が挙げられる。
【０１０２】
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
クエンチャー（金属錯塩系）紫外線吸収剤としては、ニッケル（２，２’−チオビス（４−ｔ−オクチル）フェノレート）、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェート等が挙げられる。
【０１０３】
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）系紫外線吸収剤としては、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン等が挙げられる。
【０１０４】
次に、図面を用いて本発明の電子写真方法、並びに、画像形成装置を詳しく説明する。
図５は、本発明の電子写真プロセス、及び画像形成装置を説明するための概略図であり、下記のような例も本発明の範疇に属するものである。
図５に示すように、感光体１はドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであってもよい。帯電チャージャ１２、転写前チャージャ１５、転写チャージャ１８、分離チャージャ１９、クリーニング前チャージャ２１には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャ）のほか、ローラ状の帯電部材あるいはブラシ状の帯電部材等が用いられ、公知の手段がすべて使用可能である。
【０１０５】
帯電部材は、コロナ帯電等の非接触帯電方式やローラあるいはブラシを用いた帯電部材による接触帯電方式が一般的であり、本発明においてはいずれも有効に使用することが可能である。特に、帯電ローラは、コロトロンやスコロトロン等に比べてオゾンの発生量を大幅に低減することが可能であり、感光体の繰り返し使用時における安定性や画質劣化防止に有効である。
しかし、感光体と帯電ローラとが接触していることにより、繰り返し使用によって帯電ローラが汚染され、それが感光体に影響を及ぼし異常画像の発生や耐摩耗性の低下等を助長する原因となっていた。
特に、耐摩耗性の高い感光体を用いる場合、表面の摩耗によるリフェイスがしにくいことから、帯電ローラの汚染を軽減させる必要があった。
【０１０６】
そこで、図６に示すように、帯電チャージャ（帯電ローラ）１２にギャップ形成部材１２ａを設け、感光体１に対してギャップを介して近接配置させることによって、汚染物質が帯電ローラに付着しにくく、あるいは除去しやすくなり、それらの影響を軽減することが可能である。この場合、感光体と帯電ローラとのギャップは小さい方が好ましく、例えば、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。
しかし、前記帯電ローラを非接触とすることによって、放電が不均一になり、感光体の帯電が不安定になる場合がある。このような問題は、直流成分に交流成分を重畳させることによって帯電の安定性を維持し、これによりオゾンの影響、帯電ローラの汚染の影響及び帯電性の影響を同時に軽減することが可能となる。
【０１０７】
一方、画像露光部１３、除電ランプ１１等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。これらの中でも半導体レーザー（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）が主に用いられる。
所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
【０１０８】
光源等は、光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感光体１に光が照射される。但し、除電工程における感光体１への露光は、感光体１に与える疲労の影響が大きく、特に帯電低下や残留電位の上昇を引き起こす場合がある。
したがって、露光による除電ではなく、帯電工程やクリーニング工程において逆バイアスを印可することによっても除電することが可能な場合もあり、感光体の高耐久化の面から有効な場合がある。
【０１０９】
電子写真感光体１に正（負）帯電を施し、画像露光を行なうと、感光体表面上には正（負）の静電潜像が形成される。これを負（正）極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正（負）極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。
かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
【０１１０】
転写手段には、一般に前述の帯電器を使用することができるが、図５に示すように、転写チャージャ１８と、分離チャージャ１９とを併用したものが効果的である。
また、このような転写手段を用いて、感光体からトナー像を紙に直接転写されるが、本発明においては感光体上のトナー像を一度中間転写体に転写し、その後中間転写体から紙に転写する中間転写方式であることが感光体の高耐久化、あるいは高画質化においてより好ましい。
感光体表面に付着する汚染物質の中でも帯電によって生成する放電物質やトナー中に含まれる外添剤等は、湿度の影響を拾いやすく異常画像の原因となっているが、このような異常画像の原因物質には、紙粉もその一つであり、それらが感光体に付着することによって、異常画像が発生しやすくなるだけでなく、耐摩耗性を低下させたり、偏摩耗を引き起こしたりする傾向が見られる。したがって、上記の理由により感光体と紙とが直接接触しない構成であることが高画質化の点からより好ましい。
【０１１１】
また、中間転写方式は、フルカラー印刷が可能な画像形成装置に特に有効であり、複数のトナー像を一度中間転写体上に形成した後に紙に一度に転写することによって、色ズレの防止の制御もしやすく高画質化に対しても有効である。
しかし、中間転写方式は、一枚のフルカラー画像を得るのに４回のスキャンが必要となるため、感光体の耐久性が大きな問題となっていた。
本発明における感光体は、ドラムヒーターなしでも画像ボケが発生しにくいことから中間転写方式の画像形成装置に組み合わせて用いることが容易であり、特に有効かつ有用である。
中間転写体には、ドラム状やベルト状など種々の材質あるいは形状のものがあるが、本発明においては従来公知である中間転写体のいずれも使用することが可能であり、感光体の高耐久化あるいは高画質化に対し有効かつ有用である。
【０１１２】
現像ユニット１４により、感光体１上に現像されたトナーは、転写紙１７に転写されるが、すべてが転写されるわけではなく、感光体１上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ２２、あるいはクリーニングブレード２３により、感光体１から除去される。
このクリーニング工程は、クリーニングブラシだけで行なわれたり、ブレードと併用して行なわれることもあり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものが用いられる。
【０１１３】
クリーニングは、前述のとおり転写後に感光体１上に残ったトナー等を除く工程であるが、上記のブレード２３、あるいはブラシ２２等によって感光体１が繰り返し擦られることにより、感光体１の摩耗が促進されたり、傷が入ったりすることによって異常画像が発生することがある。
また、クリーニング不良によって感光体の表面が汚染されたりすると異常画像の発生の原因となるだけでなく、感光体の寿命を大幅に低減させることにつながる。特に、耐摩耗性の向上のためにフィラーを含有させた層を最表面に形成された感光体の場合には、感光体表面に付着した汚染物質が除去されにくいことから、フィルミングや異常画像の発生を助長することになる。したがって、感光体のクリーニング性を高めることは感光体の高耐久化及び高画質化に対し非常に有効である。
【０１１４】
感光体のクリーニング性を高める手段としては、感光体表面の摩擦係数を低減させる方法が知られている。感光体表面の摩擦係数を低減させる方法としては、各種の潤滑性物質を感光体表面に含有させる方法と、外部より感光体表面に潤滑性物質を供給させる方法とに分類される。前者はエンジン廻りのレイアウトの自由度が高いため、小径感光体には有利であるが、繰り返し使用によって摩擦係数は顕著に増加するため、その持続性に課題が残されている。一方、後者は潤滑性物質を供給する部品を備える必要があるが、摩擦係数の安定性は高いことから感光体の高耐久化に対しては有効である。その中で、潤滑性物質を現像剤に含有させることによって現像時に感光体に付着させる方法は、エンジン廻りのレイアウトにも制約を受けずに、感光体表面の摩擦係数低減効果の持続性も高いため、感光体の高耐久化及び高画質化に対しては非常に有効な手段である。
【０１１５】
これらの潤滑性物質としては、シリコーンオイル、フッ素オイル等の潤滑性液体、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＰＶＤＦ等の各種フッ素含有樹脂、シリコーン樹脂、ポリオレフィン系樹脂、シリコングリース、フッ素グリース、パラフィンワックス、脂肪酸エステル類、ステアリン酸亜鉛等の脂肪酸金属塩、黒鉛、二硫化モリブデン等の潤滑性液体や固体、粉末等が挙げられるが、特に現像剤に混合させる場合には粉末状である必要があり、特にステアリン酸亜鉛は悪影響が少なく、極めて有効に使用することができる。ステアリン酸亜鉛粉末をトナーに含有させる場合には、それらのバランスやトナーに与える影響を考慮する必要があり、トナーに対して０．０１〜０．５質量％が好ましく、０．１〜０．３質量％がより好ましい。
【０１１６】
本発明による感光体は、電荷の輸送性を高め、高光感度を実現したことから小径感光体に適用できる。従って、上記の感光体がより有効に用いられる画像形成装置あるいはその方式としては、複数色のトナーに対応した各々の現像部に対して、対応した複数の感光体を具備し、それによって並列処理を行なう、いわゆるタンデム方式の画像形成装置に極めて有効に使用される。上記タンデム方式の画像形成装置は、フルカラー印刷に必要とされるイエロー（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の少なくとも４色のトナー及びそれらを保持する現像部を配置し、更にそれらに対応した少なくとも４本の感光体を具備することによって、従来のフルカラー印刷が可能な画像形成装置に比べ極めて高速なフルカラー印刷を可能としている。
【０１１７】
図７は、本発明のタンデム方式のフルカラー電子写真装置を説明するための概略図であり、下記するような変形例も本発明の範疇に属するものである。
図７において、感光体１Ｃ（シアン），１Ｍ（マゼンタ），１Ｙ（イエロー），１Ｋ（ブラック）は、ドラム状の感光体１であり、これらの感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋは、図中の矢印方向に回転し、その周りに少なくとも回転順に帯電部材１２Ｃ，１２Ｍ，１２Ｙ，１２Ｋ、現像部材１４Ｃ，１４Ｍ，１４Ｙ，１４Ｋ、クリーニング部材１５Ｃ，１５Ｍ，１５Ｙ，１５Ｋが配置されている。帯電部材１２Ｃ，１２Ｍ，１２Ｙ，１２Ｋは、感光体１の表面を均一に帯電するための帯電装置１２を構成する。
【０１１８】
この帯電部材１２Ｃ，１２Ｍ，１２Ｙ，１２Ｋと、現像部材１４Ｃ，１４Ｍ，１４Ｙ，１４Ｋとの間の感光体１の裏面側より、図示しない露光部材からのレーザー光１３Ｃ，１３Ｍ，１３Ｙ，１３Ｋが照射され、感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋに静電潜像が形成されるようになっている。
そして、このような感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋを中心とした４つの画像形成要素１０Ｃ、１０Ｍ、１０Ｙ、１０Ｋが、転写材搬送手段である転写搬送ベルト２５に沿って並置されている。
転写搬送ベルト２５は、各画像形成ユニット１０Ｃ、１０Ｍ、１０Ｙ、１０Ｋの現像部材１４Ｃ，１４Ｍ，１４Ｙ，１４Ｋと、クリーニング部材１５Ｃ，１５Ｍ，１５Ｙ，１５Ｋとの間で感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋに当接しており、転写搬送ベルト２５の感光体１側の裏側に当たる面（裏面）には転写バイアスを印加するための転写ブラシ２６Ｃ，２６Ｍ，２６Ｙ，２６Ｋが配置されている。各画像形成要素１０Ｃ、１０Ｍ、１０Ｙ、１０Ｋは現像装置内部のトナーの色が異なることであり、その他は全て同様の構成となっている。
【０１１９】
図７に示す構成のカラー電子写真装置において、画像形成動作は次のようにして行なわれる。まず、各画像形成要素１０Ｃ、１０Ｍ、１０Ｙ、１０Ｋにおいて、感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋが、矢印方向（感光体１と連れ周り方向）に回転する帯電部材１２Ｃ，１２Ｍ，１２Ｙ，１２Ｋにより帯電され、次に、感光体１の外側に配置された露光部（図示せず）でレーザー光１３Ｃ，１３Ｍ，１３Ｙ，１３Ｋにより、作成する各色の画像に対応した静電潜像が形成される。
【０１２０】
次に現像部材１４Ｃ，１４Ｍ，１４Ｙ，１４Ｋにより潜像を現像してトナー像が形成される。現像部材１４Ｃ，１４Ｍ，１４Ｙ，１４Ｋは、それぞれＣ（シアン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー），Ｋ（ブラック）のトナーで現像を行なう現像部材で、４つの感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋ上で作られた各色のトナー像は転写紙上で重ねられる。
転写紙１７は給紙コロ２４によりトレイから送り出され、一対のレジストローラ１６で一旦停止し、上記感光体上への画像形成とタイミングを合わせて転写搬送ベルト２５に送られる。転写搬送ベルト２５上に保持された転写紙１７は搬送されて、各感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋとの当接位置（転写部）で各色トナー像の転写が行なわれる。
【０１２１】
感光体上のトナー像は、転写ブラシ２６Ｃ，２６Ｍ，２６Ｙ，２６Ｋに印加された転写バイアスと感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋとの電位差から形成される電界により、転写紙１７上に転写される。
そして、４つの転写部を通過して４色のトナー像が重ねられた記録紙１７は、定着装置２７に搬送され、トナーが定着されて、図示しない排紙部に排紙される。
また、転写部で転写されずに各感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋ上に残った残留トナーは、クリーニング装置１５Ｃ，１５Ｍ，１５Ｙ，１５Ｋで回収される。
【０１２２】
なお、図７の例では画像形成要素は転写紙搬送方向上流側から下流側に向けて、Ｃ（シアン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー），Ｋ（ブラック）の色の順で並んでいるが、この順番に限るものでは無く、色順は任意に設定されるものである。また、黒色のみの原稿を作成する際には、黒色以外の画像形成要素１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙが停止するような機構を設けることは本発明に特に有効に利用できる。
更に、図７において帯電部材は感光体と当接しているが、図６に示したような帯電機構にすることにより、両者の間に適当なギャップ（１０〜２００μｍ程度）を設けてやることにより、両者の摩耗量が低減できると共に、帯電部材へのトナーフィルミングが少なくて済み良好に使用できる。
【０１２３】
以上に示すような画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンタ内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。
前記プロセスカートリッジとは、図８に示すように、感光体１を内蔵し、他に帯電手段１２、露光手段１３、現像手段１４、転写手段１７、クリーニング手段１８、及び除電手段１を含んだ１つの装置（部品）である。
【０１２４】
上記のタンデム方式による画像形成装置は、複数のトナー像を一度に転写できるため高速フルカラー印刷が実現される。
しかし、感光体が少なくとも４本を必要とすることから、装置の大型化が避けられず、また使用されるトナー量によっては、各々の感光体の摩耗量に差が生じ、それによって色の再現性が低下したり、異常画像が発生したりするなど多くの課題を有していた。
それに対し、本発明による感光体は、高光感度が実現されたことにより小径感光体でも適用可能であり、かつ残留電位上昇や感度劣化等の影響が低減されたことから、４本の感光体の使用量が異なっていても、残留電位や感度の繰り返し使用経時における差が小さく、長期繰り返し使用しても色再現性に優れたフルカラー画像を得ることが可能となる。
【実施例】
【０１２５】
以下、本発明について、実施例を挙げて説明するが、本発明は、これら実施例により制約を受けるものではない。
（実施例１）
−スチルベン−
まず、直径３０ｍｍの円形状を断面とするアルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層用塗工液、及び下記組成の電荷発生層用塗工液を、浸漬塗工法により順次塗布し、オーブンで乾燥を行ない、膜厚３．５μｍの下引き層、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。なお、各層の乾燥条件は、下引き層は１３０℃、電荷発生層は９０℃で各々２０分間乾燥を行なった。
【０１２６】
（下引き層用塗工液の組成）                                                    
・酸化チタンＣＲ−ＥＬ（石原産業社製）                              ５０質量部
・アルキッド樹脂ベッコライトＭ６４０１−５０                        １４質量部
（固形分５０質量％、大日本インキ化学工業社製）
・メラミン樹脂Ｌ−１４５−６０                                        ８質量部
（固形分６０質量％、大日本インキ化学工業社製）
・２−ブタノン                                                    １２０質量部
【０１２７】
（電荷発生層用塗工液の組成）                                                  
・図９に示すＸ線回折スペクトルを示すチタニルフタロシアニン            ８質量部
・ポリビニルブチラールＢＸ−１（積水化学工業社製）                    ５質量部
・２−ブタノン                                                    ４００質量部
【０１２８】
本実施例では、図１２〜１３に示す磁場配向装置を用いて、電荷輸送層用塗工液を塗工して電荷輸送層を形成した。ここで、図１２は、本発明に用いられる磁場配向装置の構成を示す側面側おける断面図であり、図１３は、図１２の上面図である。
図１２〜１３に示すように、下記組成の電荷輸送層用塗工液１０３に、下引き層と電荷発生層を表面に塗工した前記アルミニウムシリンダー１ａを、昇降機１０４を用いて浸漬し、アルミニウムシリンダー１ａを引き上げ、電荷輸送層を塗工した。
引き上げ後は、図１２に示すような状態で、電荷輸送層が固化する前に、マグネット１０１，１０２により、磁場印加を開始し、アルミニウムシリンダー１ａの内側から外側に向かって、すなわちアルミ基板に対して垂直方向に磁場を印加しながら、指触乾燥を行なった。磁場の強度は８テスラに設定した。
指触乾燥後、磁場を印加したまま、ヒーター１０５にて基体内部から加熱することで１１０℃にて６０分乾燥を行なった後、室温まで自然冷却する間、磁場を印加しつづけた。なお、電荷輸送層用塗工液１０３への浸漬中、及び電荷輸送層の乾燥中において、基体は回転することなく上下移動するのみである。電荷輸送層の膜厚は２７μｍで形成し、感光体１を作製した。
【０１２９】
（電荷輸送層用塗工液の組成）                                              
・ポリカーボネート（Ｚポリカ、帝人化成社製）                    １０質量部
・下記構造式の電荷輸送物質                                        ７質量部
・シリコーンオイル（ＫＦ−５０、信越化学工業社製）        ０．００２質量部
・テトラヒドロフラン                                            ４０質量部
・キシレン                                                      ４０質量部
【化４７】
2008096968.tif 000037
【０１３０】
（実施例２）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体２を作製した。
【０１３１】
【化４８】
2008096968.tif 000038
【０１３２】
（実施例３）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体３を作製した。
【０１３３】
【化４９】
2008096968.tif 000039
【０１３４】
（実施例４）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体４を作製した。
【０１３５】
【化５０】
2008096968.tif 000040
【０１３６】
（実施例５）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体５を作製した。
【０１３７】
【化５１】
2008096968.tif 000041
【０１３８】
（実施例６）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体６を作製した。
【０１３９】
【化５２】
2008096968.tif 000042
【０１４０】
（実施例７）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体７を作製した。
【０１４１】
【化５３】
2008096968.tif 000043
【０１４２】
（実施例８）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体８を作製した。
【０１４３】
【化５４】
2008096968.tif 000044
【０１４４】
（実施例９）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体９を作製した。
【０１４５】
【化５５】
2008096968.tif 000045
【０１４６】
（実施例１０）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体１０を作製した。
【０１４７】
【化５６】
2008096968.tif 000046
【０１４８】
（実施例１１）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体１１を作製した。
【０１４９】
【化５７】
2008096968.tif 000047
【０１５０】
（実施例１２）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体１２を作製した。
【０１５１】
【化５８】
2008096968.tif 000048
【０１５２】
（実施例１３）
実施例３において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層の塗工中から開始し、加熱乾燥後、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例３と同様にして感光体１３を作製した。
【０１５３】
（実施例１４）
実施例３において、磁場を印加するタイミングを、塗工直後、電荷輸送層が固化する前に開始し、２０分間印加した後に印加を停止し、それ以降の加熱乾燥工程においては印加しないことに変更した以外は、実施例３と同様にして感光体１４を作製した。
【０１５４】
（実施例１５）
実施例３において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層が固化した後に開始し、２０分間印加した後に加熱乾燥し、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例３と同様にして感光体１５を作製した。
【０１５５】
（実施例１６）
直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に下記組成の感光層用塗工液を、図１２〜１３の製造装置により塗工し、単層の感光層を形成した。感光層用塗工液にアルミニウムシリンダーを浸漬し、アルミニウムシリンダーを引き上げ、感光層を塗工した。引き上げ後は図１２に示すような状態で、感光層が固化する前に磁場印加を開始し、アルミニウムシリンダーの内側から外側に向かって、すなわちアルミ基板に対して垂直方向に磁場を印加しながら、指触乾燥を行なった。磁場の強度は８テスラにて行なった。
指触乾燥後、磁場を印加したまま、ヒーター１０５にて基体内部から加熱することで１１０℃にて６０分乾燥を行なったのち、室温まで自然冷却する間、磁場を印加しつづけた。なお、浸漬中、乾燥中において、基体は回転することなく上下移動するのみである。感光層の膜厚は２０μｍで形成し、感光体１６を作製した。
【０１５６】
（感光層用塗工液の組成）                                                      
・ポリカーボネート（Ｚポリカ、帝人化成社製）                        １０質量部
・下記構造式の電荷輸送物質                                            ７質量部
【化５９】
2008096968.tif 000049
・下記構造式の電子輸送物質                                            ４質量部
【化６０】
2008096968.tif 000050
・シリコーンオイル（ＫＦ−５０、信越化学製）                  ０．００２質量部
・テトラヒドロフラン                                                ４０質量部
・キシレン                                                          ４０質量部
・図９に示すＸ線回折スペクトルを示すチタニルフタロシアニン        ０．２質量部  
【０１５７】
（実施例１７）
−ジスチリルベンゼン−
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体１７を作製した。
【０１５８】
【化６１】
2008096968.tif 000051
【０１５９】
（実施例１８）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体１８を作製した。
【０１６０】
【化６２】
2008096968.tif 000052
【０１６１】
（実施例１９）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体１９を作製した。
【０１６２】
【化６３】
2008096968.tif 000053
【０１６３】
（実施例２０）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体２０を作製した。
【０１６４】
【化６４】
2008096968.tif 000054
【０１６５】
（実施例２１）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体２１を作製した。
【０１６６】
【化６５】
2008096968.tif 000055
【０１６７】
（実施例２２）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体２２を作製した。
【０１６８】
【化６６】
2008096968.tif 000056
【０１６９】
（実施例２３）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体２３を作製した。
【０１７０】
【化６７】
2008096968.tif 000057
【０１７１】
（実施例２４）
実施例１７において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層の塗工中から開始し、加熱乾燥後、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例１７と同様にして感光体２４を作製した。
【０１７２】
（実施例２５）
実施例１７において、磁場を印加するタイミングを、塗工直後、電荷輸送層が固化する前に開始し、２０分間印加した後に印加を停止し、それ以降の加熱乾燥工程においては印加しないことに変更した以外は、実施例１７と同様にして感光体２５を作製した。
【０１７３】
（実施例２６）
実施例１７において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層が固化した後に開始し、２０分間印加した後に加熱乾燥し、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例１７と同様にして感光体２６を作製した。
【０１７４】
（実施例２７）
実施例１６において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１６と同様にして感光体２７を作製した。
【０１７５】
【化６８】
2008096968.tif 000058
【０１７６】
（実施例２８）
−アミノビフェニル−
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体２８を作製した。
【０１７７】
【化６９】
2008096968.tif 000059
【０１７８】
（実施例２９）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体２９を作製した。
【０１７９】
【化７０】
2008096968.tif 000060
【０１８０】
（実施例３０）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体３０を作製した。
【０１８１】
【化７１】
2008096968.tif 000061
【０１８２】
（実施例３１）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体３１を作製した。
【０１８３】
【化７２】
2008096968.tif 000062
【０１８４】
（実施例３２）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体３２を作製した。
【０１８５】
【化７３】
2008096968.tif 000063
【０１８６】
（実施例３３）
実施例２８において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層の塗工中から開始し、加熱乾燥後、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例２８と同様にして感光体３３を作製した。
【０１８７】
（実施例３４）
実施例２８において、磁場を印加するタイミングを、塗工直後、電荷輸送層が固化する前に開始し、２０分間印加した後に印加を停止し、それ以降の加熱乾燥工程においては印加しないことに変更した以外は、実施例２８と同様にして感光体３４を作製した。
【０１８８】
（実施例３５）
実施例２８において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層が固化した後に開始し、２０分間印加した後に加熱乾燥し、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例２８と同様にして感光体３５を作製した。
【０１８９】
（実施例３６）
実施例１６において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１６と同様にして感光体３６を作製した。
【０１９０】
【化７４】
2008096968.tif 000064
【０１９１】
（実施例３７）
−ベンジジン−
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体３７を作製した。
【０１９２】
【化７５】
2008096968.tif 000065
【０１９３】
（実施例３８）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体３８を作製した。
【０１９４】
【化７６】
2008096968.tif 000066
【０１９５】
（実施例３９）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体３９を作製した。
【０１９６】
【化７７】
2008096968.tif 000067
【０１９７】
（実施例４０）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体４０を作製した。
【０１９８】
【化７８】
2008096968.tif 000068
【０１９９】
（実施例４１）
実施例３７において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層の塗工中から開始し、加熱乾燥後、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例３７と同様にして感光体４１を作製した。
【０２００】
（実施例４２）
実施例３７において、磁場を印加するタイミングを、塗工直後、電荷輸送層が固化する前に開始し、２０分間印加した後に印加を停止し、それ以降の加熱乾燥工程においては印加しないことに変更した以外は、実施例３７と同様にして感光体４２を作製した。
【０２０１】
（実施例４３）
実施例３７において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層が固化した後に開始し、２０分間印加した後に加熱乾燥し、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例３７と同様にして感光体４３を作製した。
【０２０２】
（実施例４４）
実施例１６において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１６と同様にして感光体４４を作製した。
【０２０３】
【化７９】
2008096968.tif 000069
【０２０４】
（比較例１）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体４５を作製した。
【０２０５】
【化８０】
2008096968.tif 000070
【０２０６】
（比較例２）
比較例１において、磁場を印加しないこと以外は比較例１と同様にして感光体４６を作製した。
【０２０７】
（比較例３）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体４７を作製した。
【０２０８】
【化８１】
2008096968.tif 000071
【０２０９】
（比較例４）
比較例３において、磁場を印加しないこと以外は比較例３と同様にして感光体４８を作製した。
【０２１０】
（比較例５）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体４９を作製した。
【０２１１】
【化８２】
2008096968.tif 000072
【０２１２】
（比較例６）
比較例５において、磁場を印加しないこと以外は比較例５と同様にして感光体５０を作製した。
【０２１３】
（比較例７）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体５１を作製した。
【０２１４】
【化８３】
2008096968.tif 000073
【０２１５】
（比較例８）
比較例７において、磁場を印加しないこと以外は比較例７と同様にして感光体５２を作製した。
【０２１６】
（比較例９）
実施例１において、磁場を印加しないこと以外は実施例１と同様にして感光体５３を作製した。
【０２１７】
（比較例１０）
実施例２において、磁場を印加しないこと以外は実施例２と同様にして感光体５４を作製した。
【０２１８】
（比較例１１）
実施例３において、磁場を印加しないこと以外は実施例３と同様にして感光体５５を作製した。
【０２１９】
（比較例１２）
実施例４において、磁場を印加しないこと以外は実施例４と同様にして感光体５６を作製した。
【０２２０】
（比較例１３）
実施例５において、磁場を印加しないこと以外は実施例５と同様にして感光体５７を作製した。
【０２２１】
（比較例１４）
実施例６において、磁場を印加しないこと以外は実施例６と同様にして感光体５８を作製した。
【０２２２】
（比較例１５）
実施例７において、磁場を印加しないこと以外は実施例７と同様にして感光体５９を作製した。
【０２２３】
（比較例１６）
実施例８において、磁場を印加しないこと以外は実施例８と同様にして感光体６０を作製した。
【０２２４】
（比較例１７）
実施例９において、磁場を印加しないこと以外は実施例９と同様にして感光体６１を作製した。
【０２２５】
（比較例１８）
実施例１０において、磁場を印加しないこと以外は実施例１０と同様にして感光体６２を作製した。
【０２２６】
（比較例１９）
実施例１１において、磁場を印加しないこと以外は実施例１１と同様にして感光体６３を作製した。
【０２２７】
（比較例２０）
実施例１２において、磁場を印加しないこと以外は実施例１２と同様にして感光体６４を作製した。
【０２２８】
（比較例２１）
実施例１６において、磁場を印加しないこと以外は実施例１６と同様にして感光体６５を作製した。
【０２２９】
（比較例２２）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体６６を作製した。
【０２３０】
【化８４】
2008096968.tif 000074
【０２３１】
（比較例２３）
比較例２２において、磁場を印加しないこと以外は比較例２２と同様にして感光体６７を作製した。
【０２３２】
（比較例２４）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体６８を作製した。
【０２３３】
【化８５】
2008096968.tif 000075
【０２３４】
（比較例２５）
比較例２４において、磁場を印加しないこと以外は比較例２４と同様にして感光体６９を作製した。
【０２３５】
（比較例２６）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体７０を作製した。
【０２３６】
【化８６】
2008096968.tif 000076
【０２３７】
（比較例２７）
比較例２６において、磁場を印加しないこと以外は比較例２６と同様にして感光体７１を作製した。
【０２３８】
（比較例２８）
実施例１７において、磁場を印加しないこと以外は実施例１７と同様にして感光体７２を作製した。
【０２３９】
（比較例２９）
実施例１８において、磁場を印加しないこと以外は実施例１８と同様にして感光体７３を作製した。
【０２４０】
（比較例３０）
実施例３１９において、磁場を印加しないこと以外は実施例１９と同様にして感光体７４を作製した。
【０２４１】
（比較例３１）
実施例２０において、磁場を印加しないこと以外は実施例２０と同様にして感光体７５を作製した。
【０２４２】
（比較例３２）
実施例２１において、磁場を印加しないこと以外は実施例２１と同様にして感光体７６を作製した。
【０２４３】
（比較例３３）
実施例２２において、磁場を印加しないこと以外は実施例２２と同様にして感光体７７を作製した。
【０２４４】
（比較例３４）
実施例２３において、磁場を印加しないこと以外は実施例２３と同様にして感光体７８を作製した。
【０２４５】
（比較例３５）
実施例２７において、磁場を印加しないこと以外は実施例２７と同様にして感光体７９を作製した。
【０２４６】
（比較例３６）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体８０を作製した。
【０２４７】
【化８７】
2008096968.tif 000077
【０２４８】
（比較例３７）
比較例３６において、磁場を印加しないこと以外は比較例３６と同様にして感光体８１を作製した。
【０２４９】
（比較例３８）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体８２を作製した。
【０２５０】
【化８８】
2008096968.tif 000078
【０２５１】
（比較例３９）
比較例３８において、磁場を印加しないこと以外は比較例３８と同様にして感光体８３を作製した。
【０２５２】
（比較例４０）
実施例２８において、磁場を印加しないこと以外は実施例２８と同様にして感光体８４を作製した。
【０２５３】
（比較例４１）
実施例２９において、磁場を印加しないこと以外は実施例２９と同様にして感光体８５を作製した。
【０２５４】
（比較例４２）
実施例３０において、磁場を印加しないこと以外は実施例３０と同様にして感光体８６を作製した。
【０２５５】
（比較例４３）
実施例３１において、磁場を印加しないこと以外は実施例３１と同様にして感光体８７を作製した。
【０２５６】
（比較例４４）
実施例３２において、磁場を印加しないこと以外は実施例３２と同様にして感光体８８を作製した。
【０２５７】
（比較例４５）
実施例３６において、磁場を印加しないこと以外は実施例３６と同様にして感光体８９を作製した。
【０２５８】
（比較例４６）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体９０を作製した。
【０２５９】
【化８９】
2008096968.tif 000079
【０２６０】
（比較例４７）
比較例４６において、磁場を印加しないこと以外は比較例４６と同様にして感光体９１を作製した。
【０２６１】
（比較例４８）
実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１と同様にして感光体９２を作製した。
【０２６２】
【化９０】
2008096968.tif 000080
【０２６３】
（比較例４９）
比較例４８において、磁場を印加しないこと以外は比較例４８と同様にして感光体９３を作製した。
【０２６４】
（比較例５０）
実施例３７において、磁場を印加しないこと以外は実施例３７と同様にして感光体９４を作製した。
【０２６５】
（比較例５１）
実施例３８において、磁場を印加しないこと以外は実施例３８と同様にして感光体９５を作製した。
【０２６６】
（比較例５２）
実施例３９において、磁場を印加しないこと以外は実施例３９と同様にして感光体９６を作製した。
【０２６７】
（比較例５３）
実施例４０において、磁場を印加しないこと以外は実施例４０と同様にして感光体９７を作製した。
【０２６８】
（比較例５４）
実施例４４において、磁場を印加しないこと以外は実施例４４と同様にして感光体９８を作製した。
【０２６９】
（静電特性の測定）
実施例１〜４４、及び比較例１〜５４において作製された電子写真感光体を、電子写真プロセス用カートリッジ（ただし、クリーニング前露光はなし）に装着し、帯電ローラ及び画像露光光源を７８０ｎｍの半導体レーザーを用いたデジタル複写機Ｎｅｏ２７１改造機（リコー社製）で、初期における露光後の電位（ＶＬ）の測定を行なった。
その後、トータル５万枚の印刷を行ない、印刷後における露光後の電位（ＶＬ）の測定を行なった。なお、実施例１６，２７，３６，及び４４、並びに、比較例２１，３５，４５，及び５４のみ正帯電で行い、それ以外は負帯電で評価を行った。
【０２７０】
（解像度の評価）
解像度の評価は、感光体に帯電、露光をした後に、現像段階（即ち、静電潜像の上にトナーが付着した段階）で、複写機を停止し、感光体を取り出して、感光体に付着したトナーをルーペにて拡大観察し、トナーの散りなどから下記評価基準に基づき、ドット再現性を評価した。結果を表１に示す。
【０２７１】
［評価基準］
◎・・・ドット径が小さく、またドットの密度も高く、静電潜像に対し忠実に現像されている。
○・・・ドット径がやや大きくなったが、チリが少なく、高い解像度を維持している。
△・・・チリが増加し、ドット径はより増大し、解像度が若干低下したと認められる。
×・・・チリが広範囲に広がり、ドットの密度が減少しており、解像度が明らかに低下したことが判断できる。
【０２７２】
（配向性の評価）
電荷輸送物質の配向性を評価するために、共焦点ラマン分光測定を行った。
共焦点ラマン分光測定装置としては、ＲＡＭＡＮ−１１（ナノフォトン株式会社製）を用いた。
そして、この共焦点ラマン分光測定装置に、Ｚ偏光素子（Ｚｐｏｌ（ナノフォトン株式会社））を組み込み、Ｚ偏光レーザー光を照射したときのラマン散乱光を検出することで、基板に対して垂直方向の分子の配向性を評価した。
前記Ｚ偏光素子を通す前のレーザーの光強度は５ｍＷ、レーザー光の励起波長は５３２ｎｍ、対物レンズは×１００（開口数（ＮＡ）＝０．９）、スリット幅１２０μｍで測定を行った。
測定は、感光層表面と感光層内部にて行った。感光層表面の測定は、感光体表面（深さ０μｍ）にレーザー光の焦点を合わせて行い、また、感光体内部の測定は、感光層表面から深さ１０μｍにレーザー光の焦点を合わせて行った。
そして、トリアリールアミンに起因するラマン散乱強度ピークのピーク高さを、感光層表面においてはＩ（ｓｕｒｆａｃｅ）、また感光層内部においては、Ｉ（ｉｎｓｉｄｅ）で表した。
ここで、ラマン散乱強度ピーク高さは、トリアリールアミンに起因する測定波数１，３２４±２ｃｍ−１の範囲における最も大きい強度のラマン散乱強度から、ピークがみられなかった測定波数１，３５６±２ｃｍ−１でのラマン散乱強度の平均値を引いた値とした。そして、配向処理の影響を受けにくい表面部分のラマン散乱強度ピーク高さＩ（ｓｕｒｆａｃｅ）と、配向処理の効果が得られた感光層内部でのラマン散乱ピーク強度ピーク高さＩ（ｉｎｓｉｄｅ）の比ε＝Ｉ（ｉｎｓｉｄｅ）／Ｉ（ｓｕｒｆａｃｅ）から評価した。結果を表１〜２に示す。
ここで、一例として、実施例３、及び比較例１１において作製された電子写真感光体の表面、及び内部における測定波数と、ラマン散乱強度との関係を図１０〜１１に示す。
【０２７３】
【表１】
2008096968.tif 000081
【０２７４】
【表２】
2008096968.tif 000082
【０２７５】
（電荷移動度の評価）
（実施例４５）
−スチルベン−
ｔｉｍｅ−ｏｆ−ｆｒｉｇｈｔ法によるドリフト移動度の測定を行った。サンプルは一部分に半透明のＡｌ電極が蒸着されたＰＥＴフィルムをアルミニウムシリンダーに巻きつけ、その上に下記組成の電荷輸送層を図１２〜１３の製造装置によって浸漬塗工して作製した。すなわち電荷輸送層用塗工液にＰＥＴフィルムを巻きつけたアルミニウムシリンダーを電荷輸送層用塗工液に浸漬し、アルミニウムシリンダーを引き上げ、電荷輸送層を塗工した。
引き上げ後は、図１２に示すような状態で、電荷輸送層が固化する前に磁場印加を開始し、アルミニウムシリンダーの内側から外側に向かって、すなわちアルミ基板に対して垂直方向に磁場を印加しながら、指触乾燥を行なった。磁場の強度は８テスラにて行なった。
指触乾燥後、磁場を印加したまま、ヒーター１０５にて基体内部から加熱することで１１０℃にて６０分乾燥を行なった後、室温まで自然冷却する間、磁場を印加しつづけた。なお、浸漬中、乾燥中において、基体は回転することなく上下移動するのみである。電荷輸送層の膜厚は１５μｍで形成した。
【０２７６】
（電荷輸送層用塗工液の組成）                                              
・ポリカーボネート（Ｚポリカ、帝人化成社製）                    １０質量部
・下記構造式の電荷輸送物質                                        ７質量部
・シリコーンオイル（ＫＦ−５０、信越化学製）              ０．００２質量部
・テトラヒドロフラン                                            ４０質量部
・キシレン                                                      ４０質量部
【化９１】
2008096968.tif 000083
【０２７７】
（実施例４６）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２７８】
【化９２】
2008096968.tif 000084
【０２７９】
（実施例４７）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２８０】
【化９３】
2008096968.tif 000085
【０２８１】
（実施例４８）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２８２】
【化９４】
2008096968.tif 000086
【０２８３】
（実施例４９）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２８４】
【化９５】
2008096968.tif 000087
【０２８５】
（実施例５０）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２８６】
【化９６】
2008096968.tif 000088
【０２８７】
（実施例５１）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２８８】
【化９７】
2008096968.tif 000089
【０２８９】
（実施例５２）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２９０】
【化９８】
2008096968.tif 000090
【０２９１】
（実施例５３）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２９２】
【化９９】
2008096968.tif 000091
【０２９３】
（実施例５４）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２９４】
【化１００】
2008096968.tif 000092
【０２９５】
（実施例５５）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２９６】
【化１０１】
2008096968.tif 000093
【０２９７】
（実施例５６）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０２９８】
【化１０２】
2008096968.tif 000094
【０２９９】
（実施例５７）
実施例４５において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層の塗工中から開始し、加熱乾燥後、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３００】
（実施例５８）
実施例４５において、磁場を印加するタイミングを、塗工直後、電荷輸送層が固化する前に開始し、２０分間印加した後に印加を停止し、それ以降の加熱乾燥工程においては印加しないことに変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３０１】
（実施例５９）
実施例４５において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層が固化した後に開始し、２０分間印加した後に加熱乾燥し、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３０２】
（実施例６０）
−ジスチリルベンゼン−
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３０３】
【化１０３】
2008096968.tif 000095
【０３０４】
（実施例６１）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３０５】
【化１０４】
2008096968.tif 000096
【０３０６】
（実施例６２）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３０７】
【化１０５】
2008096968.tif 000097
【０３０８】
（実施例６３）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３０９】
【化１０６】
2008096968.tif 000098
【０３１０】
（実施例６４）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３１１】
【化１０７】
2008096968.tif 000099
【０３１２】
（実施例６５）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３１３】
【化１０８】
2008096968.tif 000100
【０３１４】
（実施例６６）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３１５】
【化１０９】
2008096968.tif 000101
【０３１６】
（実施例６７）
実施例６０において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層の塗工中から開始し、加熱乾燥後、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例６０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３１７】
（実施例６８）
実施例６０において、磁場を印加するタイミングを、塗工直後、電荷輸送層が固化する前に開始し、２０分間印加した後に印加を停止し、それ以降の加熱乾燥工程においては印加しないことに変更した以外は、実施例６０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３１８】
（実施例６９）
実施例６０において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層が固化した後に開始し、２０分間印加した後に加熱乾燥し、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例６０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３１９】
（実施例７０）
―アミノビフェニル―
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３２０】
【化１１０】
2008096968.tif 000102
【０３２１】
（実施例７１）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３２２】
【化１１１】
2008096968.tif 000103
【０３２３】
（実施例７２）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３２４】
【化１１２】
2008096968.tif 000104
【０３２５】
（実施例７３）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３２６】
【化１１３】
2008096968.tif 000105
【０３２７】
（実施例７４）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３２８】
【化１１４】
2008096968.tif 000106
【０３２９】
（実施例７５）
実施例７０において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層の塗工中から開始し、加熱乾燥後、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例７０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３３０】
（実施例７６）
実施例７０において、磁場を印加するタイミングを、塗工直後、電荷輸送層が固化する前に開始し、２０分間印加した後に印加を停止し、それ以降の加熱乾燥工程においては印加しないことに変更した以外は、実施例７０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３３１】
（実施例７７）
実施例７０において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層が固化した後に開始し、２０分間印加した後に加熱乾燥し、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例７０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３３２】
（実施例７８）
―ベンジジン―
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３３３】
【化１１５】
2008096968.tif 000107
【０３３４】
（実施例７９）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３３５】
【化１１６】
2008096968.tif 000108
【０３３６】
（実施例８０）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３３７】
【化１１７】
2008096968.tif 000109
【０３３８】
（実施例８１）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３３９】
【化１１８】
2008096968.tif 000110
【０３４０】
（実施例８２）
実施例７８において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層の塗工中から開始し、加熱乾燥後、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例７８と同様にしてサンプルを作製した。
【０３４１】
（実施例８３）
実施例７８において、磁場を印加するタイミングを、塗工直後、電荷輸送層が固化する前に開始し、２０分間印加した後に印加を停止し、それ以降の加熱乾燥工程においては印加しないことに変更した以外は、実施例７８と同様にしてサンプルを作製した。
【０３４２】
（実施例８４）
実施例７８において、磁場を印加するタイミングを、電荷輸送層が固化した後に開始し、２０分間印加した後に加熱乾燥し、室温まで自然冷却する間、印加し続けることに変更した以外は、実施例７８と同様にしてサンプルを作製した。
【０３４３】
（比較例５５）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３４４】
【化１１９】
2008096968.tif 000111
【０３４５】
（比較例５６）
比較例５５において、磁場を印加しないこと以外は比較例５５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３４６】
（比較例５７）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３４７】
【化１２０】
2008096968.tif 000112
【０３４８】
（比較例５８）
比較例５７において、磁場を印加しないこと以外は比較例５７と同様にしてサンプルを作製した。
【０３４９】
（比較例５９）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３５０】
【化１２１】
2008096968.tif 000113
【０３５１】
（比較例６０）
比較例５９において、磁場を印加しないこと以外は比較例５９と同様にしてサンプルを作製した。
【０３５２】
（比較例６１）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３５３】
【化１２２】
2008096968.tif 000114
【０３５４】
（比較例６２）
比較例６１において、磁場を印加しないこと以外は比較例６１と同様にしてサンプルを作製した。
【０３５５】
（比較例６３）
実施例４５において、磁場を印加しないこと以外は実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３５６】
（比較例６４）
実施例４６において、磁場を印加しないこと以外は実施例４６と同様にしてサンプルを作製した。
【０３５７】
（比較例６５）
実施例４７において、磁場を印加しないこと以外は実施例４７と同様にしてサンプルを作製した。
【０３５８】
（比較例６６）
実施例４８において、磁場を印加しないこと以外は実施例４８と同様にしてサンプルを作製した。
【０３５９】
（比較例６７）
実施例４９において、磁場を印加しないこと以外は実施例４９と同様にしてサンプルを作製した。
【０３６０】
（比較例６８）
実施例５０において、磁場を印加しないこと以外は実施例５０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３６１】
（比較例６９）
実施例５１において、磁場を印加しないこと以外は実施例５１と同様にしてサンプルを作製した。
【０３６２】
（比較例７０）
実施例５２において、磁場を印加しないこと以外は実施例５２と同様にしてサンプルを作製した。
【０３６３】
（比較例７１）
実施例５３において、磁場を印加しないこと以外は実施例５３と同様にしてサンプルを作製した。
【０３６４】
（比較例７２）
実施例５４において、磁場を印加しないこと以外は実施例５４と同様にしてサンプルを作製した。
【０３６５】
（比較例７３）
実施例５５において、磁場を印加しないこと以外は実施例５５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３６６】
（比較例７４）
実施例５６において、磁場を印加しないこと以外は実施例５６と同様にしてサンプルを作製した。
【０３６７】
（比較例７５）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３６８】
【化１２３】
2008096968.tif 000115
【０３６９】
（比較例７６）
比較例７５において、磁場を印加しないこと以外は比較例７５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３７０】
（比較例７７）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３７１】
【化１２４】
2008096968.tif 000116
【０３７２】
（比較例７８）
比較例７７において、磁場を印加しないこと以外は比較例７７と同様にしてサンプルを作製した。
【０３７３】
（比較例７９）
実施例において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例１２と同様にしてサンプルを作製した。
【０３７４】
【化１２５】
2008096968.tif 000117
【０３７５】
（比較例８０）
比較例７９において、磁場を印加しないこと以外は比較例７９と同様にしてサンプルを作製した。
【０３７６】
（比較例８１）
実施例６０において、磁場を印加しないこと以外は実施例６０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３７７】
（比較例８２）
実施例６１において、磁場を印加しないこと以外は実施例６１と同様にしてサンプルを作製した。
【０３７８】
（比較例８３）
実施例６２において、磁場を印加しないこと以外は実施例６２と同様にしてサンプルを作製した。
【０３７９】
（比較例８４）
実施例６３において、磁場を印加しないこと以外は実施例６３と同様にしてサンプルを作製した。
【０３８０】
（比較例８５）
実施例６４において、磁場を印加しないこと以外は実施例６４と同様にしてサンプルを作製した。
【０３８１】
（比較例８６）
実施例６５において、磁場を印加しないこと以外は実施例６５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３８２】
（比較例８７）
実施例６６において、磁場を印加しないこと以外は実施例６６と同様にしてサンプルを作製した。
【０３８３】
（比較例８８）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３８４】
【化１２６】
2008096968.tif 000118
【０３８５】
（比較例８９）
比較例８８において、磁場を印加しないこと以外は比較例８８と同様にしてサンプルを作製した。
【０３８６】
（比較例９０）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３８７】
【化１２７】
2008096968.tif 000119
【０３８８】
（比較例９１）
比較例９０において、磁場を印加しないこと以外は比較例９０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３８９】
（比較例９２）
実施例７０において、磁場を印加しないこと以外は実施例７０と同様にしてサンプルを作製した。
【０３９０】
（比較例９３）
実施例７１において、磁場を印加しないこと以外は実施例７１と同様にしてサンプルを作製した。
【０３９１】
（比較例９４）
実施例７２において、磁場を印加しないこと以外は実施例７２と同様にしてサンプルを作製した。
【０３９２】
（比較例９５）
実施例７３において、磁場を印加しないこと以外は実施例７３と同様にしてサンプルを作製した。
【０３９３】
（比較例９６）
実施例７４において、磁場を印加しないこと以外は実施例７４と同様にしてサンプルを作製した。
【０３９４】
（比較例９７）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３９５】
【化１２８】
2008096968.tif 000120
【０３９６】
（比較例９８）
比較例９７において、磁場を印加しないこと以外は比較例９７と同様にしてサンプルを作製した。
【０３９７】
（比較例９９）
実施例４５において、電荷輸送物質を下記構造式で示される電荷輸送物質に変更した以外は、実施例４５と同様にしてサンプルを作製した。
【０３９８】
【化１２９】
2008096968.tif 000121
【０３９９】
（比較例１００）
比較例９９において、磁場を印加しないこと以外は比較例９９と同様にしてサンプルを作製した。
【０４００】
（比較例１０１）
実施例７８において、磁場を印加しないこと以外は実施例７８と同様にしてサンプルを作製した。
【０４０１】
（比較例１０２）
実施例７９において、磁場を印加しないこと以外は実施例７９と同様にしてサンプルを作製した。
【０４０２】
（比較例１０３）
実施例８０において、磁場を印加しないこと以外は実施例８０と同様にしてサンプルを作製した。
【０４０３】
（比較例１０４）
実施例８１において、磁場を印加しないこと以外は実施例８１と同様にしてサンプルを作製した。
【０４０４】
上記の方法によって得られた各サンプルの一部分を切り出し、移動度測定用のサンプル４ａとして、図１４に示すように、ＰＥＴフィルム２０１上に蒸着形成されたＡｌ電極２０２と、Ａｕ電極２０３とにより挟持させた。
Ａｌ電極２０２、及びＡｕ電極２０３にはリード線２０４が接続されており、図１５に示すような移動度の測定装置を構成した。
図１５に示すように、移動度の測定装置は、リード線２０４を介してサンプル４ａに電圧を印加するＡｌ電極２０２に接続された高圧電源３０２、及びＡｕ電極２０３に差動増幅器３０３（ＦＬＵＫＥ４１５Ｂ、ＦＬＵＫＥ社製）を介して接続されたデジタルオシロスコープ３０４を有している。
移動度の測定は、サンプル４ａに電圧を印加した後、窒素ガスレーザー発生装置（ＪＳ−１０００Ｌ、ＮＤＣ社製）により、窒素ガスレーザーパルス光を電圧印加するＡｌ電極２０２側からサンプル４ａに照射した。その際、Ａｌ電極２０２の対向電極（Ａｕ電極２０３）とアース間に設けた挿入抵抗ＲＬを電流が流れることによって生じる電位の時間変化を差動増幅装置（ＮＦ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ  ５３０５、エヌエフ回路設計ブロック株式会社製）を介してデジタルオシロスコープ３０４（ＤＳ−８８１２、岩崎通信株式会社製）で記録した。測定は２３℃で行った。
図１６に示されるような光電流波形について、肩の前後から接線を引き、この交点からトランジットタイム（ｔ）を求めた。ここでは、光電流波形が分散型になる場合を想定し、得られる出力波形の全てについて両対数プロットをとり、この接線の交点からトランジットタイムを求めた。
電荷移動度（μ）の算出は、膜厚をＬ、印加電圧をＶとして次式から決定した。
μ＝Ｌ２／（Ｖ・ｔ）  ［単位：ｃｍ２・Ｖ−１・ｓｅｃ−１］
なお、膜厚Ｌは、電子マイクロメータ（アンリツ社製）を用いて測定した。
また、トランジットタイムｔは、印加電圧が１００Ｖの場合と、５００Ｖの場合を求め、以下の式によって移動度の電界強度依存性τ［−］を算出した。結果を表３〜４に示す。
τ［−］＝印加電圧５００Ｖのときの移動度μ５００Ｖ／印加電圧１００Ｖのときの移動度μ１００Ｖ
【０４０５】
【表３】
2008096968.tif 000122
【表４】
2008096968.tif 000123
【産業上の利用可能性】
【０４０６】
本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上に少なくともトリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質を含有させた感光層を有する電子写真感光体において、前記トリアリールアミン構造を有する電荷輸送物質が、基体に対して垂直方向に配向性を有するため、し解像度の向上、移動度の向上や、残留電位の低減を実現した画像形成装置、及びプロセスカートリッジに好適である。
【図面の簡単な説明】
【０４０７】
【図１】図１は、本発明の電子写真感光体の層構成を表わした図である。
【図２】図２は、本発明に用いられる別の電子写真感光体の層構成を表わした図である。
【図３】図３は、本発明に用いられる別の電子写真感光体の層構成を表わした図である。
【図４】図４は、本発明に用いられる別の電子写真感光体の層構成を表わした図である。
【図５】図５は、本発明の電子写真プロセス及び画像形成装置を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明の別の電子写真プロセス及び画像形成装置を説明するための図である。
【図７】図７は、本発明の別の電子写真プロセス及び画像形成装置を説明するための図である。
【図８】図８は、本発明の画像形成装置用プロセスカートリッジを説明するための図である。
【図９】図９は、実施例で用いたチタニルフタロシアニンのＸＤスペクトルを表わした図である
【図１０】図１０は、実施例３において作製された電子写真感光体の表面、及び内部における測定波数と、ラマン散乱強度との関係を示すグラフである。
【図１１】図１１は、比較例１１において作製された電子写真感光体の表面、及び内部における測定波数と、ラマン散乱強度との関係を示すグラフである。
【図１２】図１２は、実施例で用いた電荷輸送層に磁場配向処理を施す装置の断面概略図である。
【図１３】図１３は、実施例で用いた電荷輸送層に磁場配向処理を施す装置の上面概略図である。
【図１４】図１４は、実施例で用いた移動度測定用サンプルの断面概略図である。
【図１５】図１５は、実施例で用いた移動度測定の装置図である。
【図１６】図１６は、実施例の移動度測定によって得られた、光電流波形の一例である。
【符号の説明】
【０４０８】
１      感光体
１Ｃ、１Ｍ、１Ｙ、１Ｋ  感光体
２      導電性支持体
３      電荷発生層
４      電荷輸送層
５      保護層
６      下引き層
７      単層型感光層
１０Ｃ、１０Ｍ、１０Ｙ、１０Ｋ      画像形成要素
１１      除電ランプ
１２      帯電チャージャ
１２Ｃ、１２Ｍ、１２Ｙ、１２Ｋ      帯電部材
１３      画像露光部
１３Ｃ、１３Ｍ、１３Ｙ、１３Ｋ      レーザー光
１４      現像ユニット
１４Ｃ、１４Ｍ、１４Ｙ、１４Ｋ      現像部材
１５      転写前チャージャ
１５Ｃ、１５Ｍ、１５Ｙ、１５Ｋ      クリーニング部材
１６      レジストローラ
１７      転写紙
１８      転写チャージャ
１９      分離チャージャ
２０      分離爪
２１      クリーニング前チャージャ
２２      ファーブラシ
２３      クリーニングブレード
２４      給紙コロ
２５      転写搬送ベルト
２６Ｃ、２６Ｍ、２６Ｙ、２６Ｋ      転写ブラシ
２７      定着装置
１０１      マグネット
１０２      マグネット
１０３      電荷輸送層用塗工液
１０４      昇降機
１０５      ヒーター
２０１      ＰＥＴフィルム
２０２      Ａｌ電極
２０３      Ａｕ電極
２０４      リード線
２０５      Ａｇペースト
３０１      窒素ガスレーザー
３０２      高圧電源
３０３      差動増幅器
３０４      オシロスコープ
【図１】
2008096968.tif 000135
【図２】
2008096968.tif 000136
【図３】
2008096968.tif 000137
【図４】
2008096968.tif 000138
【図１３】
2008096968.tif 000139
【図５】
2008096968.tif 000140
【図６】
2008096968.tif 000141
【図７】
2008096968.tif 000142
【図８】
2008096968.tif 000143
【図９】
2008096968.tif 000144
【図１０】
2008096968.tif 000145
【図１１】
2008096968.tif 000146
【図１２】
2008096968.tif 000147
【図１４】
2008096968.tif 000148
【図１５】
2008096968.tif 000149
【図１６】
2008096968.tif 000150