(57)【要約】【課題】ノズルの高密度化を可能にし、かつノズル間の圧力干渉を防止できる液滴吐出ヘッドを歩留まり良く製造することが可能な液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】液滴吐出ヘッドは、ノズル孔を有するノズル基板と、吐出室を有するキャビティ基板と、リザーバ２３となる凹部２４を有し且つノズル孔に連通するノズル連通孔２１が貫通形成されたリザーバ基板とを少なくとも備え、更にリザーバの壁の一部に圧力変動を緩衝するダイアフラム部が設けられたものであり、シリコン基板２００にリザーバ２３となる凹部２４を形成する際の酸化膜のフォトリソグラフィープロセスにおいて、シリコン基板２００のリザーバ２３となる凹部２４の形成面とは反対側の面全体に保護フィルム２２０を貼り付けて反対面を保護するようにし、保護フィルム２００の貼り付けを、減圧環境下で行うようにしたものである。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノズル孔を有するノズル基板と、前記各ノズル孔に連通し、室内に圧力を発生させて前記ノズル孔より液滴を吐出する複数の独立した吐出室を有するキャビティ基板と、前記吐出室に対して共通に連通するリザーバを有し且つ前記ノズル孔に連通するノズル連通孔が貫通形成され、前記ノズル基板と前記キャビティ基板との間に設けられるリザーバ基板とを少なくとも備え、前記リザーバの壁の一部に圧力変動を緩衝するダイアフラム部が設けられた液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
前記リザーバ基板となるシリコン基板に前記ノズル連通孔を貫通形成する工程と、
前記ノズル連通孔が貫通形成された前記リザーバ基板に、前記リザーバとなる凹部を形成するリザーバ形成工程と、
前記シリコン基板の前記リザーバとなる凹部の形成面とは反対側の面からエッチングを行って前記ダイアフラム部を形成する工程とを有し、
前記リザーバ形成工程は、前記シリコン基板上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜にフォトリソグラフィーを用いて、前記リザーバとなる凹部を形成するためのパターンを形成する工程と、前記パターンが形成された前記シリコン基板にエッチングを行って前記リザーバとなる凹部を形成する工程とを有し、前記酸化膜に前記パターンを形成する際には、前記シリコン基板の前記リザーバとなる凹部の形成面とは反対側の面全体に保護フィルムを貼り付けて前記反対面を保護するようにし、前記保護フィルムの貼り付けを、減圧環境下で行うようにしたことを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記保護フィルムは、前記フォトリソグラフィプロセスにおける薬液耐性を有する材質とすることを特徴とする請求項１記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記保護フィルムはポリエステルで構成されていることを特徴とする請求項２記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記シリコン基板に前記保護フィルムを貼り付ける工程では、前記シリコン基板を台座上に載置し、その状態で、前記シリコン基板の前記台座と反対側の面から前記保護フィルムを貼り付けるものであり、前記台座には、前記ノズル連通孔に対向する位置に、大気連通孔を設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとして、例えばインクジェット記録装置に搭載されるインクジェットヘッドが知られている。インクジェットヘッドは、一般に、インク滴を吐出するための複数のノズル孔が形成されたノズル基板と、このノズル基板に接合されノズル基板との間で上記ノズル孔に連通する吐出室、リザーバ等のインク流路が形成されたキャビティ基板とを備え、駆動部により吐出室に圧力を加えることによりインク滴を選択されたノズル孔より吐出するように構成されている。駆動手段としては、静電気力を利用する方式や、圧電素子による圧電方式、発熱素子を利用する方式等がある。
【０００３】
このようなインクジェットヘッドでは、印刷速度の高速化およびカラー化を目的として、ノズル列を複数有する構造のインクジェットヘッドが求められている。さらに、近年ノズル密度は高密度化するとともに、長尺化（１列当たりのノズル数の増加）しており、インクジェットヘッド内のアクチュエータ数はますます増加している。
インクジェットヘッドでは、ノズル孔のそれぞれに共通に連通するリザーバが設けられているので、ノズル密度の高密度化に伴い、吐出室の圧力がリザーバにも伝わり、その圧力の影響が他のノズル孔にも及ぶことになる。例えば、アクチュエータを駆動することにより、リザーバに正圧がかかると本来インク滴を吐出するべきノズル孔（駆動ノズル）以外の非駆動ノズルからもインク滴が漏れ出たり、逆にリザーバに負圧がかかると駆動ノズルから吐出するべきインク滴の吐出量が減少したりして印字品質が劣化する。そこで、このようなノズル間の圧力干渉を防止するために、リザーバの圧力変動を緩衝させためのダイアフラム部をノズル基板に設けたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１１９０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来のインクジェットヘッドでは、リザーバが吐出室と同一の基板（キャビティ基板）に形成される構造であるため、リザーバの体積確保の観点から、リザーバと同一基板に圧力変動緩衝部すなわちダイアフラム部を設けるのは困難である。上記の理由からダイアフラム部はノズル基板に形成されているが、この構造だと強度の低い部位が外部に露出するため、ダイアフラム部を薄くするのにも限界があり、また保護カバー等が別途必要になる。
【０００６】
また、インクジェットヘッドを製造する際には、歩留まり良く製造することが望まれているが、特許文献１に開示されている製造プロセスでは、歩留まり低下の要因となる、フォトリソプロセスにおけるレジスト塗布不良について何ら記載されておらず、歩留まりの面での改善策が必要となるものと思われる。
【０００７】
本発明は、ノズルの高密度化を可能にし、かつノズル間の圧力干渉を防止できる液滴吐出ヘッドを歩留まり良く製造することが可能な液滴吐出ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、複数のノズル孔を有するノズル基板と、各ノズル孔に連通し、室内に圧力を発生させてノズル孔より液滴を吐出する複数の独立した吐出室を有するキャビティ基板と、吐出室に対して共通に連通するリザーバを有し且つノズル孔に連通するノズル連通孔が貫通形成され、ノズル基板とキャビティ基板との間に設けられるリザーバ基板とを少なくとも備え、リザーバの壁の一部に圧力変動を緩衝するダイアフラム部が設けられた液滴吐出ヘッドの製造方法であって、リザーバ基板となるシリコン基板にノズル連通孔を貫通形成する工程と、ノズル連通孔が貫通形成されたリザーバ基板に、リザーバとなる凹部を形成するリザーバ形成工程と、シリコン基板のリザーバとなる凹部の形成面とは反対側の面からエッチングを行ってダイアフラム部を形成する工程とを有し、リザーバ形成工程は、シリコン基板上に酸化膜を形成する工程と、酸化膜にフォトリソグラフィーを用いて、リザーバとなる凹部を形成するためのパターンを形成する工程と、パターンが形成されたシリコン基板にエッチングを行ってリザーバとなる凹部を形成する工程とを有し、酸化膜にパターンを形成する際には、シリコン基板のリザーバとなる凹部の形成面とは反対側の面全体に保護フィルムを貼り付けて反対面を保護するようにし、保護フィルムの貼り付けを、減圧環境下で行うようにしたものである。
このように、リザーバ内での圧力変動をダイアフラム部により抑制することで良好な吐出特性が得られる液滴吐出ヘッドの製造に際し、保護フィルムを減圧環境下でシリコン基板に貼り付けるようにしたため、シリコン基板との間に気泡を残存することなく貼り付けを行うことができ、フォトリソグラフィプロセスにおけるレジスト塗布性が向上する。その結果、レジスト塗布不良による欠陥発生を防止でき、歩留まりと生産性を向上することができる。
【０００９】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、保護フィルムが、フォトリソグラフィプロセスにおける薬液耐性を有する材質であるものを用いることができる。
【００１０】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、保護フィルムが、ポリエステルで構成されているものを用いることができる。
【００１１】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、シリコン基板に保護フィルムを貼り付ける工程では、シリコン基板を台座上に載置し、その状態で、シリコン基板の台座と反対側の面から保護フィルムを貼り付けるものであり、台座には、ノズル連通孔に対向する位置に、大気連通孔を設けられているものである。
シリコン基板に保護フィルムを貼り付ける工程は、減圧環境下で行われるものであるため、このように大気連通孔を設けておくことにより、貼り付け工程後の大気開放時に、シリコン基板と台座とが真空吸着により貼り付くのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を適用した液滴吐出ヘッドの実施形態を図面に基づいて説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、ノズル基板の表面に設けられたノズル孔からインク滴を吐出するフェイス吐出型のインクジェットヘッドについて図１及び図２を参照して説明する。なお、本発明は、以下の図に示す構造、形状に限定されるものではなく、基板の端部に設けられたノズル孔からインク滴を吐出するエッジ吐出型の液滴吐出ヘッドにも同様に適用することができるものである。また、アクチュエータは静電駆動方式で示してあるが、その他の駆動方式でもよいものである。
【００１３】
実施形態１．
図１は本発明の実施形態１に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は組立状態を示すインクジェットヘッドの断面図である。なお、図１および図２では、通常使用される状態とは上下逆に示されている。
【００１４】
図１、図２に示す本実施形態に係るインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッドの一例）１０は、従来の一般的な静電駆動方式のインクジェットヘッドのようにノズル基板、キャビティ基板、電極基板の３つの基板を貼り合わせた３層構造ではなく、ノズル基板１、リザーバ基板２、キャビティ基板３、電極基板４の４つの基板をこの順に貼り合わせた４層構造で構成されている。すなわち、吐出室３１とリザーバ２３が別々の基板に設けられている。以下、各基板の構成について詳述する。
【００１５】
ノズル基板１は、例えば厚さ約５０μｍのシリコン基板から作製されている。ノズル基板１には多数のノズル孔１１が所定のピッチで設けられている。ただし、図１には簡明のため１列５つのノズル孔１１で示してある。また、ノズル列は複数列とすることもある。
各ノズル孔１１は、基板面に対し垂直にかつ同軸上に小さい穴の噴射口部分１１ａと噴射口部分１１ａよりも径の大きい導入口部分１１ｂとから構成されている。
【００１６】
リザーバ基板２は、例えば厚さ約１８０μｍの面方位が（１００）のシリコン基板から作製されている。このリザーバ基板２には、リザーバ基板２を垂直に貫通し各ノズル孔１１に独立して連通する少し大きい径（導入口部分１１ｂの径と同等もしくはそれよりも大きい径）のノズル連通孔２１が設けられている。また、各ノズル連通孔２１および各ノズル孔１１に対して各供給口２２を介して連通する共通のリザーバ（共通インク室）２３となる凹部２４が形成されている。この凹部２４は、平面方向に延び、面積の大きい矩形形状で形成されており、ノズル基板１と接合する側の面（以下、Ｎ面ともいう）が開口されている。そして、この凹部２４の底部の一部にダイアフラム部２５が形成されている。また、ダイアフラム部２５の下方、すなわちキャビティ基板３と接合する側の面（以下、Ｃ面ともいう）には凹部２６が形成されており、凹部２６はダイアフラム部２５のたわみを許容する空間部となっている。この空間部２６はキャビティ基板３によって蓋がされ密閉されている。
【００１７】
また、リザーバ２３となる凹部２４の底部にはダイアフラム部２５を回避した位置にそれぞれ貫通孔により、上記の供給口２２と外部からリザーバ２３にインクを供給するためのインク供給孔２７が設けられている。
さらに、リザーバ基板２のＣ面には、次に述べるキャビティ基板３の吐出室３１の一部を構成する細溝状の第２の凹部２８が形成されている。第２の凹部２８は、キャビティ基板３を薄くすることによる吐出室３１での流路抵抗の増加を防ぐために設けられているが、第２の凹部２８は省略することも可能である。
なお、図示は省略するが、リザーバ基板２の全面にはインクによるシリコンの腐食を防ぐために例えば熱酸化膜（ＳｉＯ2膜）からなるインク保護膜が形成されている。
【００１８】
リザーバ基板２を貫通するノズル連通孔２１は、ノズル基板１のノズル孔１１と同軸上に設けられているので、インク滴の吐出の直進性が得られ、そのため吐出特性が格段に向上するものとなる。特に、微小なインク滴を狙い通りに着弾させることができるため、色ずれ等を生じることなく微妙な階調変化を忠実に再現することができ、より鮮明で高品位の画質を実現することができる。
【００１９】
キャビティ基板３は、例えば厚さ約３０μｍのシリコン基板から作製されている。このキャビティ基板３にはノズル連通孔２１のそれぞれに独立して連通する吐出室３１となる第１の凹部３３が設けられている。そして、この第１の凹部３３と上記の第２の凹部２８とで各吐出室３１が区画形成されている。また、吐出室３１（第１の凹部３３）の底壁が振動板３２を構成している。振動板３２は、シリコンに高濃度のボロンを拡散することにより形成されるボロン拡散層により構成することができる。ボロン拡散層とすることにより、エッチングストップを十分に働かせることができるので振動板３２の厚さや面荒れを精度よく調整することができる。
【００２０】
キャビティ基板３の少なくとも下面には、例えばＴＥＯＳ（Tetraethylorthosilicate Tetraethoxysilane：テトラエトキシシラン、珪酸エチル）を原料としたプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法)によるＳｉＯ2膜からなる絶縁膜３４が例えば０．１μｍの厚さで形成されている。この絶縁膜３４は、インクジェットヘッド１０の駆動時における絶縁破壊や短絡を防止するために設けられている。キャビティ基板３の上面にはリザーバ基板２と同様のインク保護膜（図示せず）が形成されている。また、キャビティ基板３にはリザーバ基板２のインク供給孔２７に連通するインク供給孔３５が設けられている。
【００２１】
電極基板４は、例えば厚さ約１ｍｍのガラス基板から作製されている。中でも、キャビティ基板３のシリコン基板と熱膨張係数の近い硼珪酸系の耐熱硬質ガラスを用いるのが適している。硼珪酸系の耐熱硬質ガラスを用いることにより、電極基板４とキャビティ基板３を陽極接合する際、両基板の熱膨張係数が近いため、電極基板４とキャビティ基板３との間に生じる応力を低減することができ、その結果剥離等の問題を生じることなく電極基板４とキャビティ基板３を強固に接合することができる。
【００２２】
電極基板４には、キャビティ基板３の各振動板３２に対向する表面の位置にそれぞれ凹部４２が設けられている。各凹部４２は、エッチングにより約０．３μｍの深さで形成されている。そして、各凹部４２の底面には、一般に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）からなる個別電極４１が、例えば０．１μｍの厚さでスパッタにより形成されている。したがって、振動板３２と個別電極４１との間に形成されるギャップＧ（空隙）は、この凹部４２の深さ、個別電極４１および振動板３２を覆う絶縁膜３４の厚さにより決まることになる。このギャップ（電極間ギャップ）Ｇはインクジェットヘッドの吐出特性に大きく影響する。本実施形態の場合、電極間ギャップＧは０．２μｍとなっている。この電極間ギャップＧの開放端部はエポキシ接着剤等からなる封止材４３により気密に封止される。これにより異物や湿気等が電極間ギャップへ侵入するのを防止することができ、インクジェットヘッド１０の信頼性を高く保持することができる。
なお、個別電極４１の材料はＩＴＯに限定するものではなく、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）あるいは金、銅等の金属を用いてもよい。ただ、ＩＴＯは透明であるので振動板の当接具合の確認が行いやすいことなどの理由から、一般にはＩＴＯが用いられている。
【００２３】
また、個別電極４１の端子部４１ａは、リザーバ基板２およびキャビティ基板３の端部が開口された電極取り出し部４４に露出しており、電極取り出し部４４において例えばドライバＩＣ等の駆動制御回路５が搭載されたフレキシブル配線基板（図示せず）が各個別電極４１の端子部４１ａとキャビティ基板３の端部に設けられた共通電極３６とに接続されている。
【００２４】
電極基板４にはインクカートリッジ（図示せず）に接続されるインク供給孔４５が設けられている。インク供給孔４５は、キャビティ基板３に設けられたインク供給孔３５およびリザーバ基板２に設けられたインク供給孔２７を通じてリザーバ２３に連通している。
【００２５】
ここで、上記のように構成されたインクジェットヘッド１０の動作について概要を説明する。
インクジェットヘッド１０には、外部のインクカートリッジ（図示せず）内のインクがインク供給孔４５、３５、２７を通じてリザーバ２３内に供給され、さらにインクは個々の供給口２２からそれぞれの吐出室３１、ノズル連通孔２１を経てノズル孔１１の先端まで満たされている。また、このインクジェットヘッド１０の動作を制御するためのドライバＩＣ等の駆動制御回路５が各個別電極４１とキャビティ基板３に設けられた共通電極３６との間に接続されている。したがって、この駆動制御回路５により個別電極４１に駆動信号（パルス電圧）を供給すると、個別電極４１には駆動制御回路５からパルス電圧が印加され、個別電極４１をプラスに帯電させ、一方これに対応する振動板３２はマイナスに帯電する。このとき、個別電極４１と振動板３２間に静電気力（クーロン力）が発生するため、この静電気力により振動板３２は個別電極４１側に引き寄せられて撓む。これによって吐出室３１の容積が増大する。次に、パルス電圧をオフにすると、上記静電気力がなくなり振動板３２はその弾性力により元に戻り、その際、吐出室３１の容積が急激に減少するため、そのときの圧力により、吐出室３１内のインクの一部がノズル連通孔２１を通過しインク滴となってノズル孔１１から吐出される。そして、再びパルス電圧が印加され、振動板３２が個別電極４１側に撓むことにより、インクがリザーバ２３から供給口２２を通って吐出室３１内に補給される。
【００２６】
この実施形態１に係るインクジェットヘッド１０の構成によれば、上記のようなインクジェットヘッド１０の駆動時において、吐出室３１の圧力はリザーバ２３にも伝達される。このとき、リザーバ２３には底部の一部にダイアフラム部２５が設けられているので、リザーバ２３が正圧になるとダイアフラム部２５は凹部２６の空間部内で下方へ撓み、逆にリザーバ２３が負圧になるとダイアフラム部２５は上方へ撓むため、リザーバ２３内の圧力変動を緩衝することができ、ノズル間の圧力干渉を防止することができる。そのため、駆動ノズル以外の非駆動ノズルからインクが漏れ出たり、駆動ノズルから吐出に必要な吐出量が減少するといったような不具合をなくすことができる。
また、ダイアフラム部２５はリザーバ２３の底部に設けられているため、ダイアフラム部２５の面積を大きくすることができ、圧力緩衝効果を大きくすることができる。
さらに、ダイアフラム部２５はキャビティ基板３によって蓋がされ外部に露出していないので、薄膜部からなるダイアフラム部２５を外力から確実に保護することができ、かつ保護カバー等特別な保護部材を全く必要としない。そのため、インクジェットヘッド１０の小型化およびコスト低減が可能となる。
【００２７】
なお、ダイアフラム部２５は上記のように広い面積を有するので、密閉された空間部２６内でも確実に変位（振動）させることができる。また必要に応じて、外部から空間部２６に連通する小さい通気孔（図示せず）をキャビティ基板３および電極基板４に設けても構わない。
【００２８】
次に、実施形態１に係るインクジェットヘッド１０の製造方法について図３乃至図９を参照して説明する。なお、以下において示す基板の厚さやエッチング深さ、温度、圧力等の値はあくまでも一例を示すものであり、本発明はこれらの値によって限定されるものではない。
【００２９】
初めに、実施形態１に係るインクジェットヘッドの製造のために使用するリザーバ基板の製造方法を図３乃至図６の工程断面図により説明する。
【００３０】
まず、面方位（１００）、厚さ１８０μｍのシリコン基板２００を用意し、このシリコン基板２００の全面に厚さ１．５μｍの熱酸化膜２０１を形成する（図３（ａ））。熱酸化膜２０１は、例えば熱酸化装置にシリコン基板２００をセットし、酸化温度１０７５℃、酸素と水蒸気の混合雰囲気中で８時間熱酸化を行うことにより形成する。熱酸化膜２０１はシリコンの耐エッチング材として使用するものである。
【００３１】
次に、シリコン基板２００のキャビティ基板との接合面（以下、Ｃ面という）側の熱酸化膜２０１にレジストをコーティングし、フォトリソグラフィーによりノズル連通孔２１、第２の凹部２８、供給口２２、インク供給孔２７の外周部、およびダイアフラム部２５にそれぞれ対応する部分２１ａ、２８ａ、２２ａ、２７ａ、２５ａをパターニングしてエッチングする（図３（ｂ））。このとき、例えばフッ酸水溶液とフッ化アンモニウム水溶液を混合した緩衝フッ酸水溶液を用いてＣ面における各部分２１ａ、２８ａ、２２ａ、２７ａ、２５ａの熱酸化膜２０１の残り膜厚が次の関係となるようにエッチングする。
熱酸化膜２０１の残り膜厚：ノズル連通孔部分２１ａ＝０＜供給口部分２２ａ＝インク供給孔外周部分２７ａ＜第２の凹部部分２８ａ＝ダイアフラム部分２５ａ
その後レジストを剥離する。
【００３２】
次に、Ｃ面のノズル連通孔２１に対応する部分２１ａをＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）ドライエッチングによって深さ１５０μｍ程度異方性ドライエッチングする（図３（ｃ））。この場合のエッチングガスとしては、例えば、Ｃ4Ｆ8（フッ化炭素）、ＳＦ6（フッ化硫黄）を交互に使用するとよい。ここで、Ｃ4Ｆ8は穴部２１ａの側面方向にエッチングが進行しないように穴部２１ａの側面を保護するために使用し、ＳＦ6は穴部２１ａの垂直方向のエッチングを促進するために使用する。
【００３３】
次に、供給口２２に対応する部分２２ａおよびインク供給孔２７の外周部に対応する部分２７ａの熱酸化膜２０１を適量エッチングしてこれらの部分２２ａ、２７ａを開口させた後、上記２種類のエッチングガスを使用したＩＣＰドライエッチングにより深さ１５μｍ程度異方性ドライエッチングする（図３（ｄ））。
【００３４】
次に、第２の凹部２８に対応する部分２８ａおよびダイアフラム部２５に対応する部分２５ａの熱酸化膜２０１を適量エッチングしてこれらの部分２８ａ、２５ａを開口させた後、上記２種類のエッチングガスを使用したＩＣＰドライエッチングにより深さ２５μｍ程度異方性ドライエッチングする（図４（ｅ））。このとき、上記のノズル連通孔２１に対応する穴部２１ａはさらに深くエッチングされてシリコン基板２００を貫通しノズル連通孔２１が形成される。
【００３５】
次に、上記熱酸化膜２０１をすべて剥離した後、再度シリコン基板２００の全面に熱酸化により熱酸化膜２０２を１．１μｍの厚さで形成する。そして、シリコン基板２００を台座２１０にセットする。シリコン基板２００のノズル基板との接合面（以下、Ｎ面という）側が台座２１０に対向するように台座２１０上にセットする。なお、台座２１０には、シリコン基板２００が載置される載置面から側面へと貫通する大気連通孔２１０ａが形成されており、この大気連通孔２１０ａの前記載置面側の開口にノズル連通孔２１が位置するようにシリコン基板２００が台座２１０にセットされる（図４（ｆ））。なお、大気連通孔２１０ａは、図４では１箇所のみを示しているが、ウエハー（シリコン基板２００）のパターンレイアウトに応じて複数、台座２１０に形成されている。
【００３６】
そして、シリコン基板２００のＣ面側に、樹脂（例えばポリエステル）フィルムで構成された保護フィルム２２０を貼り付ける（図４（ｇ））。この保護フィルム２２０には、熱収縮率が低く、耐薬品性の高いポリエステルを使うのが望ましいが、これに限るものではなく、他に例えばポリオレフィンを用いてもよい。
【００３７】
ここで、保護フィルム２２０は、後述のレジスト塗布プロセスにおけるレジスト塗布不良を防止する観点から、シリコン基板２００に対して気泡等を介在することなく密着して貼り付けられることが望まれている。本発明の製造プロセスでは、これが可能であることに一つの特徴を有している。以下、保護フィルム２２０の貼り付け工程について詳細に説明する。
【００３８】
まず、保護フィルム２２０を、その外周部分でテープ等の仮固定手段２２１を用いて台座２２２に仮固定したものを用意する。そして、これを、台座２１０にセットしたシリコン基板２００と共に、真空チャンバーとしてのグローブボックス（真空環境を作り出し、その環境下で作業が行える装置）２３０内に収納し、シリコン基板２００と対向させ、グローブボックス２３０内部を減圧する（図４（ｇ））。なお、保護フィルム２２０のシリコン基板２００と対向する表面には、粘着材がコーティングされている。
【００３９】
そして、グローブボックス２３０内を減圧した状態で、保護フィルム２２０を、シリコン基板２００のＣ面に接触させて貼り付ける（図４（ｈ））。このように減圧状態で貼り付けを行うことで、保護フィルム２２０とシリコン基板２００との界面に気泡が残存することなく両者を貼り付けることが可能となっている。
【００４０】
また、シリコン基板２００のノズル連通孔２１と第２の凹部部分２８ａとによって形成される空間は、台座２１０に設けた大気連通孔２１０ａによって外部に連通しているため、この貼り付け工程後の大気開放時に、シリコン基板２００と台座２１０とが真空吸着により貼り付くことはない。
【００４１】
次に、シリコン基板２００のＮ面全体にレジスト２４０を塗布する（図５（ｉ））。レジスト２４０の塗布は、スピンコート法によりレジストを塗布する塗布装置によって行われる。塗布装置は、シリコン基板２００を真空吸着により回転プレート上に保持し、そのシリコン基板２００上にレジスト２４０を滴下し、回転プレートを回転させることで遠心力により均一にレジスト２４０をシリコン基板２００上に塗布するものである。したがって、仮に、保護フィルム２２０を貼着せずにレジスト２４０を塗布した場合、シリコン基板２００にはノズル連通孔２１が貫通形成されているため、レジスト２４０がノズル連通孔２１のＮ面側開口から流入し、Ｃ面側開口から流れ出てシリコン基板２００のＣ面側に回り込んでしまう。そうすると、シリコン基板２００のＣ面に付着してキャビティ基板との接合強度低下を招いたり、また、回転プレートに付着して塗布装置にダメージを与えたりといった問題が発生する。
【００４２】
しかしながら、本例ではシリコン基板２００のＣ面全体に保護フィルム２２０を貼着してからレジスト２４０を塗布するようにしているので、保護フィルム２２０によってガラス基板３１の裏面に回り込むのを防止することができる。
【００４３】
また、本例では、上述したように保護フィルム２２０をシリコン基板２００のＣ面に対して気泡等を残存することなく貼り付けることができるため、気泡等が残存した場合のレジスト塗布不良の問題を回避することが可能となっている。この点について、図６を用いて説明する。
【００４４】
図６は、保護フィルム２２０とシリコン基板２００のＣ面との間に気泡等が残存した場合のレジスト塗布不良の説明図である。
図６に示すように、保護フィルム２２０とシリコン基板２００のＣ面との界面部分に気泡２４１が残存した場合、レジスト２４０の塗布の際に気泡部分にレジスト２４０が侵入し、ノズル連通孔２１の開口面周囲のレジスト２４０が少なくなってしまう。また、このような気泡２４１は、塗布装置での塗布プロセスで次第に成長して大きくなることから、前記界面部分へのレジスト２４０の引き込み量も大きくなる。そうすると、図６に示すように、ノズル連通孔２１の開口面周囲部分に、レジスト２４０が塗布されていない状態となる。この場合、レジスト２４０で保護すべきノズル連通孔２１の開口面周囲の熱酸化膜２０２が保護されていない状態となり、次の図５（ｊ）に示す熱酸化膜２０２のエッチングの際に、ノズル連通孔２１の開口面周囲に対応する熱酸化膜２０２がエッチングされてしまう。そうすると、後述の図５（ｋ）に示すシリコン基板２００のエッチングの際に、ノズル連通孔２１の開口面周囲部分もエッチングされてしまい、酸化膜保護不良による欠陥となってしまう。
【００４５】
これに対し、本例では、保護フィルム２２０とシリコン基板２００のＣ面との界面部分に気泡２４１が残存することなく両者を貼り付けることができるため、シリコン基板２００のＮ面に均一にレジスト２４０を塗布することでき、レジスト塗布不良による欠陥発生を回避することが可能となっている。
【００４６】
以上のようにしてレジスト２４０をシリコン基板２００のＮ面全体に塗布した後、フォトリソグラフィーを用いて熱酸化膜２０２に、リザーバ２３となる凹部２４を形成するためのパターンを形成する（図５（ｊ））。すなわち、フォトリソグラフィーを用いてレジスト２４０をパターニングし、そのレジストパターンを用いて、熱酸化膜２０２からリザーバ２３となる凹部２４に対応する部分２４ａをエッチング除去し、熱酸化膜２０２にリザーバ２３となる凹部２４を形成するためのパターンを形成する。このとき、上述したようにノズル連通孔２１の開口面周囲部分のレジスト２４０は、他の部分と同様に均一に塗布されているので、ノズル連通孔２１の開口面周囲部分の熱酸化膜２０２はエッチングされることなく保護される。そして、レジスト２４０を剥離するとともに、保護フィルム２２０を剥がす。
【００４７】
そして、水酸化カリウム水溶液にシリコン基板２００を浸漬し、リザーバ２３となる凹部２４を深さ１５０μｍ程度ウェットエッチングする（図５（ｋ））。なおこのウェットエッチング工程では、最初は、エッチングレートの速い濃度（例えば３５ｗｔ％）の水酸化カリウム水溶液を用いて開始し、途中からエッチングレートの遅い濃度（例えば３ｗｔ％）の水酸化カリウム水溶液に切り替えてエッチングを行うことが好ましい。これによりダイアフラム部２５の面荒れを抑制することができ、表面精度の向上および表面欠陥の防止に効果がある。
【００４８】
最後に、熱酸化膜２０２をすべて剥離した後、再度ドライ酸化によりシリコン基板２００の全面にインク保護膜２９を厚さ０．１μｍで形成する（図５（ｌ））。なお熱酸化膜２０２を剥離したとき、インク供給孔２７は貫通孔となる。
以上により、リザーバ基板２の各部２１〜２８が形成される。
【００４９】
次に、インクジェットヘッドの完成までの製造方法を図７乃至図９により説明する。
電極基板４は以下のようにして製造される。
まず、硼珪酸ガラス等からなる厚さ約１ｍｍのガラス基板４００に、例えば金・クロムのエッチングマスクを使用してフッ酸によってエッチングすることにより凹部４２を形成する。なお、この凹部４２は個別電極４１の形状より少し大きめの溝状のものであり、個別電極４１ごとに複数形成される。
そして、凹部４２の内部に、例えばスパッタによりＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）からなる個別電極４１を形成する。
その後、ブラスト等によってインク供給孔４５となる孔部４５ａを形成することにより、電極基板４が作製される（図７（ａ））。
【００５０】
次に、例えば厚さ約２２０μｍに表面加工および表面の加工変質層の除去処理（前処理）がなされたシリコン基板３００を用意し、このシリコン基板３００の片面に例えばＴＥＯＳを原料としたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって厚さ０．１μｍの熱酸化膜からなる絶縁膜３４を成膜する（図７（ｂ））。絶縁膜３４の成膜は、例えば、温度３６０℃、高周波出力２５０Ｗ、圧力６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で行う。また、シリコン基板３００は所要の厚さのボロンドープ層（図示せず）を有するものを用いるのが望ましい。
【００５１】
次に、このシリコン基板３００と、図７（ａ）のように個別電極４１が作製された電極基板４とを、絶縁膜３４を介して陽極接合する（図７（ｃ））。陽極接合は、シリコン基板３００と電極基板４を３６０℃に加熱した後、電極基板４に負極、シリコン基板３００に正極を接続して、８００Ｖの電圧を印加して陽極接合する。
【００５２】
次に、陽極接合された上記シリコン基板３００の表面を、例えばバックグラインダーや、ポリッシャーによって研削加工し、さらに例えば水酸化カリウム水溶液で表面を１０〜２０μｍエッチングして加工変質層を除去し、厚さが例えば３０μｍになるまで薄くする（図７（ｄ））。
【００５３】
次に、この薄板化されたシリコン基板３００の表面に、エッチングマスクとなるＴＥＯＳ酸化膜３０１を、例えばプラズマＣＶＤによって厚さ約１．０μｍで成膜する（図７（ｅ））。
そして、そのＴＥＯＳ酸化膜３０１の表面上にレジスト（図示せず）をコーティングし、フォトリソグラフイーによってレジストをパターニングし、ＴＥＯＳ酸化膜３０１をエッチングすることにより、吐出室３１、インク供給孔３５、および電極取り出し部４４に対応する部分３１ａ、３５ａ、４４ａを開口する（図７（ｆ））。そして、開口後にレジストを剥離する。
【００５４】
次に、この陽極接合済みの基板を水酸化カリウム水溶液でエッチングすることにより、薄板化されたシリコン基板３００に、吐出室３１となる第１の凹部３３とインク供給孔３５となる貫通孔を形成する（図８（ｇ））。このとき、電極取り出し部４４となる部分４４ａは未だ貫通させず基板厚さが薄くなる程度にとどめておく。また、ＴＥＯＳエッチングマスク３０１の厚さも薄くなる。なおこのエッチング工程では、最初は、濃度３５ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液を用いて、シリコン基板３００の残りの厚さが例えば５μｍになるまでエッチングを行い、ついで濃度３ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液に切り替えてエッチングを行う。これにより、エッチングストップが十分に働くため、振動板３２の面荒れを防ぎ、かつその厚さを０．８０±０．０５μｍと高精度の厚さに形成することができる。エッチングストップとは、エッチング面から発生する気泡が停止した状態と定義し、実際のウェットエッチングにおいては、気泡の発生の停止をもってエッチングがストップしたものと判断する。
そして、エッチング後、レジストを剥離する。
【００５５】
シリコン基板３００のエッチングが終了した後に、フッ酸水溶液でエッチングすることによりシリコン基板３００の上面に形成されているＴＥＯＳ酸化膜３０１を除去する（図８（ｈ））。
次に、シリコン基板３００の吐出室３１となる第１の凹部３３が形成された表面に、プラズマＣＶＤによりＴＥＯＳ膜からなるインク保護膜３７を例えば厚さ０．１μｍで形成する（図８（ｉ））。
【００５６】
その後、ＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）等によって電極取り出し部４４を開口する。また、振動板３２と個別電極４１の間の電極間ギャップの開放端部をエポキシ樹脂等の封止材４３で気密に封止する（図８（ｊ））。また、Ｐｔ（白金）等の金属電極からなる共通電極３６がスパッタによりシリコン基板３００の表面の端部に形成される。
【００５７】
以上により、電極基板４に接合した状態のシリコン基板３００からキャビティ基板３が作製される。
そして、このキャビティ基板３に、前述のようにノズル連通孔２１、供給口２２、リザーバ２３、ダイアフラム部２５等が作製されたリザーバ基板２を接着剤により接着する（図９（ｋ））。
【００５８】
最後に、予めノズル孔１１が形成されたノズル基板１をリザーバ基板２上に接着剤により接着する（図９（ｌ））。そして、ダイシングにより個々のヘッドに分離すれば、図２に示したインクジェットヘッド１０の本体部が作製される（図９（ｍ））。
【００５９】
以上のように、本実施形態のインクジェットヘッドの製造方法によれば、保護フィルム２２０をシリコン基板２００のＣ面との間に気泡を残すことなく貼り付けることができるため、シリコン基板２００のＣ面に対し、レジスト２４０を均一な膜厚で塗布することができる。その結果、レジスト塗布不良によるフォトリソ欠陥に起因した歩留まり低下を防止でき、生産性を向上させることができる。
【００６０】
また、シリコン基板２００のＮ面側を支持する台座２１０に、大気連通孔２１０ａを設けたため、減圧環境下で保護フィルム２２０をシリコン基板２００に貼り付けるに際し、シリコン基板２００と台座２１０とが真空吸着により貼り付くのを防止することが可能である。
【００６１】
実施形態２．
図１０は本発明の実施形態２に係るインクジェットヘッド１０の概略構成を示す分解斜視図、図１１は組立状態を示すインクジェットヘッドの断面図である。
【００６２】
実施形態２に係るインクジェットヘッド１０は、面方位（１００）のシリコン基板からなるリザーバ基板２におけるダイアフラム部２５Ａを実施形態１とは逆にリザーバ基板２のＮ面（ノズル基板１との接合面）側に設けたものである。すなわち、リザーバ２３Ａとなる凹部２４Ａ（図１１参照）はＣ面（キャビティ基板３との接合面）側に開口しており、ダイアフラム部２５Ａの上方への変位を許容する空間部となる凹部２６Ａはリザーバ基板２のＮ面側に開口している。
【００６３】
また、実施形態２では、リザーバ基板２以外のノズル基板１、キャビティ基板３および電極基板４は実施形態１と同じ構成であるので各部には同一の符号を付して説明は省略する。
このリザーバ基板２においては、ノズル基板１のノズル孔１１に連通する円筒状のノズル連通孔２１が同様に形成されている。また、各吐出室３１の一部を構成する第２の凹部２８と、リザーバ２３Ａとなる凹部２４Ａとは細溝状の供給口２２Ａで連通している。また、キャビティ基板３に設けられたインク供給孔３５はこの凹部２４Ａの開口面に開口している。
【００６４】
実施形態２に係るインクジェットヘッド１０は、その駆動時において、リザーバ２３Ａの底部に設けられたダイアフラム部２５Ａが大きな面積を有して上下方向に振動するので、実施形態１と同様の効果がありノズル間の圧力干渉を防止することができる。また、ダイアフラム部２５Ａはノズル基板１で蓋がされているので、外力に対して確実に保護され、かつ特別な保護カバー等も必要としない。
【００６５】
次に、実施形態２に係るインクジェットヘッドの製造のために使用するリザーバ基板の製造方法を図１２乃至図１４の工程断面図により説明する。
【００６６】
まず、面方位（１００）、厚さ１８０μｍのシリコン基板２００を用意し、このシリコン基板２００の全面に厚さ１μｍの熱酸化膜２０１を形成する。熱酸化膜２０１は、例えば熱酸化装置にシリコン基板２００をセットし、酸化温度１０７５℃、酸素と水蒸気の混合雰囲気中で４時間熱酸化を行うことにより形成する。熱酸化膜２０１はシリコンの耐エッチング材として使用するものである。そして、シリコン基板２００のＣ面側の熱酸化膜２０１にレジストをコーティングし、フォトリソグラフィーによりノズル連通孔２１に対応する部分２１ａをパターニングしてエッチングにより開口する（図１２（ａ））。その後レジストを剥離する。
【００６７】
次に、Ｃ面のノズル連通孔２１に対応する部分２１ａをＩＣＰドライエッチングによってシリコン基板２００を貫通するまで異方性ドライエッチングする（図１２（ｂ））。この場合のエッチングガスとしては、例えば、Ｃ4Ｆ8（フッ化炭素）、ＳＦ6（フッ化硫黄）を交互に使用するとよい。ここで、Ｃ4Ｆ8は穴部の側面方向にエッチングが進行しないように穴部の側面を保護するために使用し、ＳＦ6は穴部の垂直方向のエッチングを促進するために使用する。
【００６８】
次に、上記熱酸化膜２０１をすべて剥離した後、再度シリコン基板２００の全面に熱酸化により熱酸化膜２０２を形成する（図１２（ｃ））。そして、シリコン基板２００を台座２１０にセットする。ここでは、シリコン基板２００のＣ面側が台座２１０に対向し、且つ、大気連通孔２１０ａ上にノズル連通孔２１が位置するように台座２１０上に載置する（図１２（ｄ））。
【００６９】
そして、台座２１０にセットしたシリコン基板２００をグローブボックス２３０内に入れ、グローブボックス２３０内部を減圧する（図１２（ｅ））。そして、減圧環境下にてシリコン基板２００のＮ面側に保護フィルム２２０を貼り付ける。ここでは、フィルムローラ２５０をシリコン基板２００の表面から所定距離離れた位置で表面に沿うように走行させ、基板外周→中央→基板外周の順で徐々に保護フィルム２２０を送り出しながらＮ面に貼り付ける（図１３（ｆ））。
【００７０】
ここで、保護フィルム２２０を貼り付ける際、シリコン基板２００を保護フィルム２２０越しに加圧することは行わずに、保護フィルム２２０の弾性力のみでシリコン基板２００表面に接触し貼り付くよう、フィルムローラ２５０とシリコン基板２００間の前記所定距離はあらかじめ決められている。このようにすることで、シリコン基板２００の厚みが薄く剛性が弱くても、シリコン基板２００が破損等することなく保護フィルム２２０を貼り付けることができる。
【００７１】
また、この保護フィルム２２０の貼り付け工程は、実施形態１と同様に、減圧環境内で行うため、シリコン基板２００と保護フィルム２２０との間に気泡が入ることなく両者を貼り付けることができる。
【００７２】
以上のようにして保護フィルム２２０をシリコン基板２００のＮ面全体に貼り付けた後、減圧を解除し、大気開放する。そして、シリコン基板２００外周に沿って保護フィルム２２０をカッター等で切断する（図１３（ｇ））。そして、シリコン基板２００を台座２１０から取り外す。なお、実施形態１と同様、台座２１０には大気連通孔２１０ａが設けられているため、大気解放時に、シリコン基板２００と台座２１０とが真空吸着により貼り付くようなことはない。
【００７３】
次に、シリコン基板２００のＣ面全体にレジスト２４０を塗布する（図１３（ｈ））。レジスト２４０の塗布は、上記実施形態１と同様、スピンコート法によりレジストを塗布する塗布装置によって行われる。ここで、本例では上述したように、シリコン基板２００と保護フィルム２２０との間に気泡が入ることなく両者を貼り付けることが可能となっているため、上記実施形態１と同様の作用効果を得ることができる。
【００７４】
次に、フォトリソグラフィーにより供給口２２Ａ、リザーバ２３Ａ、第２の凹部２８にそれぞれ対応する部分２２ａ、２３ａ、２８ａをパターニングしてエッチングする。これにより、熱酸化膜２０２において供給口２２Ａ、リザーバ２３Ａ、第２の凹部２８にそれぞれ対応する部分２２ａ、２３ａ、２８ａが除去され、供給口２２Ａ、リザーバ２３Ａ、第２の凹部２８を形成するためのパターンが形成される（図１４（ｉ））。
このとき、各部分のパターン幅が次の関係となるようにパターニングする。
パターン幅：リザーバ部分２３ａ＞第２の凹部部分２８ａ＞供給口部分２２ａ
その後レジスト２４０を剥離するとともに、保護フィルム２２０を剥がす（図１４（ｊ））。
【００７５】
次に、Ｃ面のリザーバ２３Ａとなる凹部２４Ａを水酸化カリウム水溶液によるウェットエッチングにより形成する（図１４（ｋ））。なおこのウェットエッチング工程においても、前述したように２種類の異なる濃度の水酸化カリウム水溶液を用いるのがよい。すなわち、最初はエッチングレートの速い濃度（例えば３５ｗｔ％）で開始し、途中からエッチングレートの遅い濃度（例えば３ｗｔ％）に切り替えてエッチングするのが好ましい。また、第２の凹部２８と供給口２２Ａは、面方位が（１００）のシリコン基板であるため、開口幅に応じた深さでエッチングがストップする。
すなわち、各部の深さは、リザーバ２３Ａ（＝１５０μｍ）＞第２の凹部２８＞供給口２２Ａとなる。
【００７６】
そして、上記の熱酸化膜２０２を剥離後、再度シリコン基板２００の全面に熱酸化膜２０３を厚さ０．２μｍで形成し、Ｎ面をマスク（シリコンマスク又は金属マスク）２６０でマスキングして、ドライエッチングによりダイアフラム部２５Ａの熱酸化膜２０３を除去する（図１４（ｌ））。
【００７７】
そして、Ｎ面からＳＦ5 プラズマによるドライエッチングでダイアフラム部２５のシリコン部分を所定の厚さになるまでエッチングし、凹部２６Ａを形成する（図１４（ｍ））。そして、最後に、上記の熱酸化膜２０３を剥離後、再度ドライ酸化によりシリコン基板２００の全面にインク保護膜２９を厚さ０．１μｍで形成する（図１４（ｎ））。
以上によりリザーバ基板２が作製される。
【００７８】
そして、上記のように作製されたリザーバ基板２を用いて、前述の図７乃至図９で説明したように製造すれば、実施形態２に係るインクジェットヘッド１０を製造することができる。
【００７９】
実施形態２のインクジェットヘッド１０の製造方法によれば、実施形態１と同様の作用効果を得ることができる。
【００８０】
なお、ダイアフラム部２５、２５Ａの変位可能な空間部は、リザーバ基板２とキャビティ基板３あるいはノズル基板１との接合面の間に形成されていればよく、いずれか一方もしくは両方の基板に凹部２６、２６Ａが形成されていればよい。
【００８１】
上記の実施形態では、静電駆動方式のインクジェットヘッドおよびその製造方法について述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものでなく、本発明の思想の範囲内で種々変更することができる。例えば、静電駆動方式以外の駆動方式によるインクジェットヘッドについても本発明を適用することができる。圧電方式の場合は、電極基板に代えて、圧電素子を各吐出室の底部に接着すればよく、バブル方式の場合は各吐出室の内部に発熱素子を設ければよい。また、ノズル孔より吐出される液状材料を変更することにより、インクジェットプリンタのほか、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】実施形態１に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】図１の組立状態を示すインクジェットヘッドの断面図。
【図３】図１のリザーバ基板の製造工程の断面図。
【図４】図３に続くリザーバ基板の製造工程の断面図。
【図５】図４に続くリザーバ基板の製造工程の断面図。
【図６】レジスト塗布不良の説明図。
【図７】実施形態１に係るインクジェットヘッドの製造工程の断面図。
【図８】図７に続く製造工程の断面図。
【図９】図８に続く製造工程の断面図。
【図１０】実施形態２に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図１１】図１０の組立状態を示すインクジェットヘッドの断面図。
【図１２】図１０のリザーバ基板の製造工程の断面図。
【図１３】図１２に続く製造工程の断面図。
【図１４】図１３に続く製造工程の断面図。
【符号の説明】
【００８３】
１  ノズル基板、２  リザーバ基板、３  キャビティ基板、４  電極基板、１０  インクジェットヘッド、１１  ノズル孔、２１  ノズル連通孔、２３  リザーバ、２３Ａ  リザーバ、２４  凹部、２４Ａ  凹部、２５  ダイアフラム部、２５Ａ  ダイアフラム部、２５ａ  ダイアフラム部分、２６  凹部、２６Ａ  凹部、３１  吐出室、２００  シリコン基板、２０１  熱酸化膜、２０２  熱酸化膜、２０３  熱酸化膜、２１０  台座、２１０ａ  大気連通孔、２２０  保護フィルム、２３０  グローブボックス、２４０  レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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