(57)【要約】【課題】ワイヤボンディング評価と電気特性評価ができるとともに、大きさの異なる評価用チップを同じウェハから得られ、また、評価用チップ全体の評価ができる半導体回路のパッケージ評価用ウェハを提供する。【課題の解決手段】四辺に沿ってともに複数のワイヤボンディング評価用パッド５ａ〜５ｈと電気特性評価用パッド４ａ〜４ｄを設けるとともに、半導体回路素子を形成するのに十分な大きさを有する単位チップ２を複数形成してなり、所望数の単位チップ２毎に切り出して、評価対象となるパッケージの内部に収納し、そのパッケージによる影響を電気的に評価するウェハ１で、このウェハ１内に、ワイヤボンディング評価用パッド５ａ〜５ｈに接続したワイヤボンディング評価用配線６ａ〜６ｄ，７ａ〜７ｄと、電気特性評価用パッド４ａ〜４ｄに接続したウェハ１全域に及ぶ電気特性評価用配線８ａ〜８ｈを、互いに絶縁状態で設ける。【選択図】図１
2008187073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
四辺に沿って複数のワイヤボンディング評価用パッドと複数の電気特性評価用パッドとを設けてなる、半導体回路素子を形成するのに十分な大きさを有する単位チップを複数形成してなり、所望数の単位チップ毎に切り出して、評価対象となるパッケージの内部に収納し、そのパッケージによる影響を電気的に評価する半導体回路のパッケージ評価用ウェハであって、
ウェハ内に、前記ワイヤボンディング評価用パッドに接続したワイヤボンディング評価用配線と、前記電気特性評価用パッドに接続したウェハ内全域に及ぶ電気特性評価用配線とを、互いに絶縁状態で設けた
ことを特徴とする半導体回路のパッケージ評価用ウェハ。
【請求項２】
四辺に沿って複数のワイヤボンディング評価用パッドと複数の電気特性評価用パッドを設けてなる、半導体回路素子を形成するに十分な大きさを有する単位チップを複数形成してなり、所望数の単位チップ毎に切り出して、評価対象となるパッケージの内部に収納し、そのパッケージによる影響を電気的に評価する半導体回路のパッケージ評価用ウェハであって、
ワイヤボンディング評価をするために各単位チップ及びこれと隣接する各単位チップのワイヤボンディング評価用パッドをデイジーチェーンが構成されるようウェハ内で接続するワイヤボンディング評価用配線と、ウェハ内全域に前記ワイヤボンディング評価用配線とは絶縁層を介して設けるとともに、各単位チップの電気特性評価用パッドと接続した電気特性評価用配線とを備えた
ことを特徴とする半導体回路のパッケージ評価用ウェハ。
【請求項３】
ワイヤボンディング評価用配線は、単位チップ内のワイヤボンディング評価用パッドを接続する第１層配線と、隅部同士を突き合わせるようにして位置する４つの単位チップの突き合わせてなる各隅部に対応するよう位置する各ワイヤボンディング評価用パッドを接続する第２層配線との、２層の配線からなることを特徴とする請求項２に記載の半導体回路のパッケージ評価用ウェハ。
【請求項４】
電気特性評価用配線は、各単位チップの４隅部にそれぞれ設けた電気特性評価用パッドの直下に位置してこれら各パッドを結ぶ垂直面上を水平に伸びる配線と、各単位チップの各辺の中央部を通る垂直面上を水平に伸びる配線とからなり、前記各配線は互いに接続状態にあることを特徴とする請求項２に記載の半導体回路のパッケージ評価用ウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体回路素子を形成したチップ（以下、ＩＣチップという。）のパッケージを評価するために用いられる半導体回路のパッケージ評価用ウェハに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハに形成された半導体回路素子は、チップ状に切り出された後、リードフレーム等の支持部材に搭載され、半導体回路素子のパッドとリードフレームのリードとをボンディングワイヤで配線した状態でモールド樹脂等のパッケージによって封止される。このパッケージの信頼性評価は、封止されたＩＣチップのサイズ、モールド樹脂の材質、モールド方法、ワイヤボンディングの構成等によって異なる。そして、この評価に用いるＩＣチップは、量産されるＩＣチップと同じ形状、同じサイズであることが望ましい。
【０００３】
ところで、通常の半導体製造工程では、ＩＣチップは、一枚のウェハに縦横に整列した状態で同じものが複数製造される。したがって、評価用のＩＣチップをウェハに製造すると、必要数以上の評価用のＩＣチップが製造されてしまう。また、サイズの異なる複数の評価用のＩＣチップが必要な場合には、異なるサイズ毎にウェハが必要となる。このため、従来においては、評価用のＩＣチップは、製造効率が悪く、コストがかかるという問題を有していた。
【０００４】
この問題を解決するものとして、従来においても、第１に、ＩＣチップの四辺に沿ってパッドを設け、これらパッドを隣接するＩＣチップと導電パターンで接続することで、所望サイズのＩＣチップを切り出し可能とする（特許文献１参照）ことが提案されている。また、第２に、ウェハ内の一部に評価領域を設けるとともに、このウェハから切り出す評価用のＩＣチップの大きさを変えることができる複数のダイシングラインを設ける（特許文献２参照）ことにより、一つのウェハから大きさの異なる複数の評価用のＩＣチップを製造することが提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１０１２２３号公報
【特許文献２】特開平１１−６７８６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上述の第１の提案では、ワイヤボンディング評価しかできないという不都合があり、また、上述の第２の提案では、評価領域における電気特性評価はできるものの、評価用のＩＣチップの大きさが変わっても、評価領域は常に同じ位置にあるので、偏った部分の評価しかできず、ＩＣチップ全域の電気特性評価ができないという不都合がある。本発明は、このような不都合を解消した半導体回路のパッケージ評価用ウェハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体回路のパッケージ評価用ウェハは、四辺に沿ってともに複数のワイヤボンディング評価用パッドと電気特性評価用パッドとを設けるとともに、半導体回路素子を形成するのに十分な大きさを有する単位チップを複数形成してなり、所望数の単位チップ毎に切り出して、評価対象となるパッケージの内部に収納し、そのパッケージによる影響を電気的に評価する半導体回路のパッケージ評価用ウェハであって、ウェハ内に、前記ワイヤボンディング評価用パッドに接続したワイヤボンディング評価用配線と、前記電気特性評価用パッドに接続したウェハ内全域に及ぶ電気特性評価用配線とを、互いに絶縁状態で設けたものである。
【０００８】
より具体的には、ワイヤボンディング評価をするために各単位チップ及びこれと隣接する各単位チップのワイヤボンディング評価用パッドをデイジーチェーンが構成されるようウェハ内で接続するワイヤボンディング評価用配線と、ウェハ内全域に前記ワイヤボンディング評価用配線とは絶縁層を介して設けるとともに、各単位チップの電気特性評価用パッドと接続した電気特性評価用配線とを備えたものである。
【０００９】
上述のワイヤボンディング評価用配線は、単位チップ内のワイヤボンディング評価用パッドを接続する第１層配線と、隅部同士を突き合わせるようにして位置する４つの単位チップの当該突き合わせてなる各隅部に対応位置する各ワイヤボンディング評価用パッドを接続する第２層配線との、２層の配線から構成すると好適である。
【００１０】
また、上述の電気特性評価用配線は、各単位チップの４隅部にワイヤボンディング評価用パッドより外側に設けた電気特性評価用パッドの直下に位置してこれら各パッドを結ぶ垂直面上を水平に伸びる配線と、各単位チップの各辺の中央部を通る垂直面上を水平に伸びる配線とからなり、前記各配線が互いに接続状態にあるよう構成すると好適である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る半導体回路のパッケージ評価用ウェハによれば、次のような各効果を奏するものである。第１に、切り出した評価用のＩＣチップがいかなる大きさであっても、ワイヤボンディング評価のほか、マイグレーション評価やダイシング評価などの電気特性評価を行うことができる。第２に、一枚のウェハから大きさの異なる複数種類の評価用のＩＣチップを切り出すことができる。第３に、第１の効果とも関連するが、一つの評価用のＩＣチップ内に、複数種類の実装性の評価機能を備えている。第４に、電気特性評価を製品ＩＣチップの面積に相当する評価用のＩＣチップ全域において行うことができる。さらに、本発明に係る半導体回路のパッケージ評価用ウェハによれば、各配線を層状に配設し、互いの絶縁状態を絶縁層を介して確保する場合は、絶縁層の損傷の評価をも行うことができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施形態である、単位チップにおいてワイヤボンディング評価用のデイジーチェーンを構成するための配線と、隣接する単位チップにおいてワイヤボンディング評価用のデイジーチェーンを構成するための配線と、電気特性評価用の配線とを、３層に配線した構成について、図１〜図６に基づいて説明する。ここにおいて、図１は各層の配線関係を概略的に示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は同じくＢ−Ｂ線断面図、図４は第１層のワイヤボンディング評価用配線を概略的に示す平面図、図５は第２層のワイヤボンディング評価用配線を概略的に示す平面図、図６は第３層の電気特性評価用配線を概略的に示す平面図である。
【００１３】
図１に示すように、ウェハ１には、複数の単位チップ２を縦横に整列した状態で設けている。これら単位チップ２の境界は、図１〜図３において、仮想線３で示している。そして、この仮想線３は、チップを切り出す際の切断位置となるダイシングライン３である。各単位チップ２の表面には、４隅部にそれぞれ配置した４個の電気特性評価用パッド４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを設けるとともに、その内側に各辺と平行に等間隔に配置した８個のワイヤボンディング評価用パッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈを設けている。
【００１４】
図１、図３及び図４に示すように、各単位チップ２のワイヤボンディング評価用パッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈは、ウェハ１内に設けた第１層のワイヤボンディング評価用配線６ａによって前記パッド５ａと５ｈが、同じく配線６ｂによって前記パッド５ｂと５ｃが、同じく配線６ｃによって前記パッド５ｄと５ｅが、同じく配線６ｄによって前記パッド５ｆと５ｇが、それぞれ接続されている。
【００１５】
また、図１、図３及び図５に示すように、隅部同士を突き合わせるようにして隣接する４つの単位チップ２の当該各隅部にそれぞれ対応位置する各ワイヤボンディング評価用パッド５ａ，５ｃ，５ｅ，５ｇは、ウェハ１内に設けた第２層のワイヤボンディング評価用配線７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄによって、四角形状にそれぞれ接続されている。
【００１６】
このようにして、ウェハ１内に設けた第２層のワイヤボンディング評価用配線７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄと第１層のワイヤボンディング評価用配線６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄとによって、ウェハ１から切り出したチップの周囲に位置する各ワイヤボンディング評価用パッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈを、外部で接続することによりデイジーチェーンが構成されるものである（図7，図８参照）。
【００１７】
さらに、図１及び図６に示すように、各単位チップ２の４隅部にそれぞれ設けた電気特性評価用パッド４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの直下に位置して、各パッド４ａ，４ｂを結ぶ垂直面上を水平に伸びる配線８ａ、各パッド４ｃ，４ｄを結ぶ垂直面上を水平に伸びる配線８ｂ、各パッド４ａ，４ｄを結ぶ垂直面上を水平に伸びる配線８ｃ、各パッド４ｂ，４ｃを結ぶ垂直面上を水平に伸びる配線８ｄ、各パッド４ａ，４ｃを結ぶ垂直面上を水平に伸びる配線８ｅ、各パッド４ｂ，４ｄを結ぶ垂直面上を水平に伸びる配線８ｆと、各単位チップ２の各辺の中央部を通る垂直面上を水平に伸びる配線８ｇ，８ｈとからなる第３層の配線である電気特性評価用配線を設けている。
【００１８】
これらの各電気特性評価用配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆは、ウェハ１表面と平行な同一水平面上に位置している。そして、ウェハ１内において、第１層及び第２層である各ワイヤボンディング評価用配線６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄとは絶縁層９を介して下方に位置する第３層として、ウェハ１の全域に及ぶように延びて互いに交差し、接続している。また、これらの各電気特性評価用配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆは、図示してはいないが、前記各電気特性評価用パッド４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄにそれらの直下に位置する部分でそれぞれ接続している。
【００１９】
続いて、上述のように構成したウェハ１を用いたパッケージ評価について説明する。まず、ウェハ１のダイシングライン３に沿って、所望の大きさ、すなわち評価対象となる半導体回路に使用されるＩＣチップのサイズに適合する大きさとなるよう、所望数の単位チップ２を切り出す。本実施例では、単位チップ２一つで適合サイズになるものとして以下に説明する。
【００２０】
切り出した単位チップ２は絶縁性樹脂でモールドし、評価用チップを形成する。具体的には、図７に示すように、各ワイヤボンディング評価用パッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈをそれぞれリード１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｆ，１３ｉ，１３ｋ，１３ｌ，１３ｎの各接点とボンディングし、また、電気特性評価用パッド４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄをそれぞれリード１３ａ，１３ｅ，１３ｊ，１３ｍの各接点とボンディングし、モールド樹脂１４でパッケージ化して、評価用チップ１１とする。
【００２１】
次に、この評価用チップ１１を用いた評価方法を図７に基づいて説明する。まず、ワイヤボンディング評価の場合は、ワイヤボンディング評価用パッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈについて、ワイヤプル強度、バンプシェア強度、接触抵抗などの測定を行う。ここで、接触抵抗の測定は、例えば各リード１３ｌ，１３ｎ間の抵抗を測定して行う。
【００２２】
図７で理解できるように、リード１３ｌの接点、ワイヤボンディング評価用パッド５ｇ、配線６ｄ、ワイヤボンディング評価用パッド５ｆ、リード１３ｋの接点、リード１３ｉの接点、ワイヤボンディング評価用パッド５ｅ、配線６ｃ、ワイヤボンディング評価用パッド５ｄ、リード１３ｆの接点、リード１３ｄの接点、ワイヤボンディング評価用パッド５ｃ、配線６ｂ、ワイヤボンディング評価用パッド５ｂ、リード１３ｃの接点、リード１３ｂの接点、ワイヤボンディング評価用パッド５ａ、配線６ａ、ワイヤボンディング評価用パッド５ｈ、リード１３ｎの接点、というように、ボンディングワイヤを介して、デイジーチェーンを構成している。したがって、いずれかのボンディングワイヤが断線あるいは接触不良にあると、各リード１３ｌ，１３ｎ間で、高抵抗値が検出される。
【００２３】
次に、電気特性評価の例として、マイグレーション評価、ダイシング評価及び絶縁層評価について説明する。第１に、マイグレーション評価、すなわち配線における腐蝕に関する評価は、電気特性評価用パッド４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを用いて接触抵抗の測定をすることにより行う。具体的には、例えば、リード１３ａ，１３ｅ間に電流源（図示せず）を接続して、リード１３ｊ，１３ｍ間の電圧を測定する。前記電流源に接続した各リード１３ａ，１３ｅの接点は、電気特性評価用パッド４ａ，４ｂを介して電気特性評価用配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，８ｇ，８ｈと接続し、同様に、前記各リード１３ｊ，１３ｍの接点は、電気特性評価用パッド４ｃ，４ｄを介して電気特性評価用配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，８ｇ，８ｈと接続している。したがって、前記電気特性評価用配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，８ｇ，８ｈのいずれかに腐蝕箇所が存在すると、正規の電圧よりも低い電圧が検出される。
【００２４】
第２に、ダイシング評価、すなわちダイシングによる欠損不良に関する評価は、上記マイグレーション評価の場合と同様に、電気特性評価用パッドを用いて接触抵抗の測定を行う。すなわち、例えば、リード１３ａ，１３ｅ間に電流源を接続し、リード１３ｊ，１３ｍ間の電圧を測定する。この場合は、ダイシングによる欠損不良が存在すると、この欠損不良に対応する箇所の電気特性評価配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，８ｇ，８ｈが破損されていることにより、正規の電圧よりも低い電圧が検出される。
【００２５】
第３に、絶縁層評価、すなわち第１、第２の配線層と第３の配線層との間の絶縁層９の破壊に関する評価は、ワイヤボンディング評価用パッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈと電気特性評価用配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，８ｇ，８ｈ間の電流リークを検出する。具体的には、例えば、リード１３ｌ，１３ｍ間の抵抗を測定する。前記リード１３ｍの接点と接続する電気特性評価用パッド４ｄは、電気特性評価用配線８ｅと接続しており、この電気特性評価用配線８ｅはリード１３ｌの接点と接続したワイヤボンディング用パッド５ｇの直下に、絶縁層９を介して位置している。したがって、前記絶縁層９が破壊されていると、前記両リード１３ｌ、１３ｍ間に電流が流れるので、この電流が検出されたか否かで、絶縁層破壊の有無を検出できる。
【００２６】
図８は本発明の他の実施形態における評価用チップ２１を示すもので、隣接する４個の単位チップ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを切り出してなるチップ１２（以下４個取りチップ１２という。）をモールド樹脂１５でパッケージ化したものである。本実施形態においても、上述した第１の実施形態の評価用チップ１１と同様に、ワイヤボンディング評価及び電気特性評価を行うことができるが、ワイヤボンディング評価における接触抵抗の測定は、例えば、単位チップ２ｄの各ワイヤボンディング評価用パッド５ｇ，５ｈとそれぞれワイヤボンディングした各リード１３ｕ，１３ｖ間の抵抗を測定することで行うものである。
【００２７】
各リード１３ｕ，１３ｖと接続した単位チップ２ｄのワイヤボンディング評価用パッド５ｇ，５ｈは、４個取りチップ１２の四辺に沿って位置する各ワイヤボンディング評価用パッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈ及び各配線６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ、前記各パッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈとリードの接点とをボンディングしたワイヤによって、デイジーチェーンを構成するよう接続している。したがって、いずれかのボンディングワイヤが断線あるいは接触不良にあると、各リード１３ｕ，１３ｖ間で高抵抗値が検出される。
【００２８】
また、電気特性評価におけるマイグレーション評価とダイシング評価は、例えば、単位チップ２ａの電気特性評価用パッド４ａとワイヤボンディングしたリード１３ｐと、単位チップ２ｂの電気特性評価用パッド４ｂとワイヤボンディングしたリード１３ｑ間に電流源を接続して、単位チップ２ｃの電気特性評価用パッド４ｃとワイヤボンディングしたリード１３ｓと、単位チップ２ｄの電気特性評価用パッド４ｄとワイヤボンディングしたリード１３ｔ間の電圧を測定することで行うものである。
【００２９】
各リード１３ｐ，１３ｑの接点は、上述の各電気特性評価用パッド４ａ，４ｂを介して４個取りチップ１２全域に及ぶ各電気特性評価用配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，８ｇ，８ｈと接続し、同様に、各リード１３ｓ，１３ｔの接点は、上述の各電気特性評価用パッド４ｃ，４ｄを介して前記各電気特性評価用配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，８ｇ，８ｈと接続している。したがって、前記各電気特性評価用配線８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，８ｇ，８ｈのいずれかに腐蝕箇所や破損箇所が存在すると、各リード１３ｐ，１３ｑ間で正規の電圧よりも低い電圧が検出される。
【００３０】
さらに、電気特性評価における絶縁層評価は、例えば、単位チップ２ｃのワイヤボンディング評価用パッド５ｅとワイヤボンディングしたリード１３ｒと、単位チップ２ｄの電気特性評価用パッド４ｄとワイヤボンディングしたリード１３ｔ間の抵抗を測定することで、絶縁層破壊によるリーク電流の検出を行うものである。
【００３１】
リード１３ｔの接点と接続する単位チップ２ｄの電気特性評価用パッド４ｄは、電気特性評価用配線８ｅと接続しており、この電気特性評価用配線８ｅはリード１３ｒの接点と接続した単位チップ２ｃのワイヤボンディング用パッド５ｅの直下に、絶縁層９を介して位置する電気特性評価用配線８ｆと接続している。したがって、前記絶縁層９が破壊されていると、前記両リード１３ｔ、１３ｒ間に電流が流れるので、この電流が検出されたか否かで、絶縁層破壊の有無を検出できる。
【００３２】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、評価用チップのサイズは、１個取り、４個取りに限らず、９個取りなど種々変更可能である。また、各評価を行うために用いる測定用のリードも、上述の例に限らない。さらに、複数個取りした評価用チップの中央部分のワイヤボンディング評価用パッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈを別途設けたリードの接点とワイヤボンディングすれば、評価用チップの周囲のみならず、中央部分についてもワイヤボンディング評価をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】３層の配線関係を示す概略的な平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図。
【図４】第１層のワイヤボンディング評価用配線を示す概略的な平面図。
【図５】第２層のワイヤボンディング評価用配線を示す概略的な平面図。
【図６】第３層の電気特性評価用配線を示す概略的な平面図。
【図７】単位チップ１個取りの評価用チップを示す概略的な平面図。
【図８】単位チップ４個取りの評価用チップを示す概略的な平面図。
【符号の説明】
【００３４】
１      ウェハ
２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ      単位チップ
３      ダイシングライン
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ      電気特性評価用パッド
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈ      ワイヤボンディング評価用パッド
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ      第１層のワイヤボンディング評価用配線
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ      第２層のワイヤボンディング評価用配線
８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，８ｇ，８ｈ      第３層の電気特性評価用配線
９      絶縁層
１１、２１      評価用チップ
１２      ４個取りチップ
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ，１３ｉ，１３ｊ，１３ｋ，１３ｌ，１３ｍ，１３ｎ，１３ｐ，１３ｑ，１３ｒ，１３ｓ，１３ｔ，１３ｕ，１３ｖ      リード
１４，１５      モールド樹脂
【図１】
2008187073.tif 000003
【図２】
2008187073.tif 000004
【図３】
2008187073.tif 000005
【図４】
2008187073.tif 000006
【図５】
2008187073.tif 000007
【図６】
2008187073.tif 000008
【図７】
2008187073.tif 000009
【図８】
2008187073.tif 000010