(57)【要約】【課題】チップが固定されていた支持基板を好適に回収して再利用することのできるマスクおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】複数のチップ２０を保持する支持基板３０を有するマスク１０において、支持基板３０には、クロム膜からなるアライメントマーク３３、３４が保護膜で覆われている。このため、複数のチップ２０のいずれかに不具合が発見されたときには、チップ２０を除去して支持基板３０を好適な状態で回収し、回収した支持基板３０を用いて再度マスク１０を製造することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上に成膜するパターンに対応する開口部が形成された複数のチップと、該複数のチップを保持する支持基板とを有するマスクにおいて、
前記支持基板には、アライメントマークが形成されているとともに、当該アライメントマークは保護膜で覆われていることを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記アライメントマークは、薄膜からなることを特徴とする請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記保護膜は、透明膜であることを特徴とする請求項１または２に記載のマスク。
【請求項４】
前記保護膜には、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリコン窒化膜、ＩＴＯ膜およびＩＺＯ膜のうちのいずれかが用いられていることを特徴とする請求項２に記載のマスク。
【請求項５】
被処理基板上に成膜するパターンに対応する開口部が形成された複数のチップと、該複数のチップを保持する支持基板とを有するマスクの製造方法において、
前記支持基板にアライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、
前記アライメントマークの上層に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記支持基板に前記複数のチップを固定するチップ固定工程と、
を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項６】
前記アライメントマークは、薄膜からなることを特徴とする請求項５に記載のマスクの製造方法。
【請求項７】
前記チップ固定工程の後、
前記複数のチップのいずれかに不具合を発見したときに前記複数のチップをエッチングにより前記支持基板から除去するチップ除去工程を行い、
該チップ除去工程で前記複数のチップが除去された支持基板に対して別のチップを固定することを特徴とする請求項５または６に記載のマスクの製造方法。
【請求項８】
前記チップ除去工程において前記保護膜が除去されたときには、再度、前記アライメントマークの上層に前記保護膜を形成し、
しかる後に、前記チップ除去工程で前記複数のチップが除去された支持基板に対して別のチップを固定することを特徴とする請求項７に記載のマスクの製造方法。
【請求項９】
前記保護膜は、前記チップ除去工程で用いるエッチング液に対する溶解性が前記チップよりも低いことを特徴とする請求項７または８に記載のマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板上に蒸着法、スパッタ法あるいは化学気相法により成膜するパターンに対応する開口部が形成されたマスク、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体装置や電気光学装置を製造するにあたって、開口部を備えたマスクを被処理基板に重ね、この状態で真空蒸着法、スパッタ法、化学気相法により成膜を行うことがある。例えば、電気光学装置として有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置を製造するにあたって、発光用の有機ＥＬ材料（有機機能層）を所定形状に形成する際にフォトリソグラフィ技術を利用すると、パターニング用のレジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機材料が水分や酸素に触れると劣化が起こる。このため、有機機能層を形成するには、レジストマスクを必要としないマスク蒸着法が適している。
【０００３】
しかしながら、被処理対象基板が大きい場合には、マスクも大きく形成しなければならないが、このようなマスクを高精度に製作することは非常に困難である。また、マスクが金属製である場合、マスクが大きい場合には成膜時の熱膨張を無視できず、成膜精度が低下するという問題点がある。
【０００４】
そこで、開口部が形成されたシリコン製の複数のチップを支持基板に固定してマスクを構成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２７６４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来は、支持基板は、成膜精度の面から支持基板には平面度の高いものが求められることから高価であるにもかかわらず、複数のチップのいずれかに不具合が発生した場合には、支持基板も含めてマスクが廃棄されており、成膜コストを増大させる原因となっている。
【０００６】
ここに、本願発明者は、複数のチップのいずれかに不具合が発見されたときには、チップを除去して支持基板を回収し、回収した支持基板を用いて再度マスクを製造することにより、成膜コストを低減することを提案するものである。
【０００７】
しかしながら、チップをウエットエッチングにより支持基板上から除去する際、シリコンを溶解可能なエッチング液としては、その種類が限定されてしまい、その結果、支持基板に形成されていたアライメントマークも溶解されてしまうという新たな問題点が発生してしまう。また、チップをウエットエッチングにより支持基板上から除去する際、アライメントマークがマスクとして作用し、支持基板に不要な凹凸を形成してしまう結果、回収した支持基板をマスクの製造に再利用できなくなるという問題点もある。さらに、アライメントマークを凹部により形成した場合も、チップをウエットエッチングにより支持基板上から除去する際、支持基板が溶解して凹部の変形し、機能しなくなるという問題点がある。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、チップが固定されていた支持基板を好適に回収して再利用することのできるマスクおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解消するために、本発明では、被処理基板上に成膜するパターンに対応する開口部が形成された複数のチップと、該複数のチップを保持する支持基板とを有するマスクにおいて、前記支持基板には、アライメントマークが形成されているとともに、当該アライメントマークは保護膜で覆われていることを特徴とする。
【００１０】
本発明において、被処理基板上に成膜するパターンに対応する開口部が形成された複数のチップと、該複数のチップを保持する支持基板とを有するマスクの製造方法において、前記支持基板にアライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、前記アライメントマークの上層に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記支持基板に前記複数のチップを固定するチップ固定工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、以下の工程を行うことによって、複数のチップのいずれかに不具合が発見されたときには、チップを除去して支持基板を回収し、回収した支持基板を用いて再度マスクを製造することができるので、成膜コストを低減することができる。ここで、支持基板では、アライメントマークが保護膜で覆われている。このため、チップをエッチングにより支持基板上から除去する際、アライメントマークが残るので、アライメントマークをそのまま利用することができる。それ故、支持基板を好適な状態で回収することができるので、マスクの製造に再利用することができる。
【００１２】
また、前記アライメントマークを金属膜などの薄膜により構成した場合でも、アライメントマークが保護膜で覆われていれば、チップをウエットエッチングにより支持基板上から除去する際、アライメントマークおよび支持基板がエッチング液に晒されないので、アライメントマークが支持基板上でマスクとして作用して支持基板に不要な凹凸を形成してしまうことを回避できる。それ故、支持基板を好適な状態で回収することができるので、マスクの製造に再利用しても、新品と同等の品質を備えたマスクを製造することができる。
【００１３】
本発明においては、前記チップ固定工程の後、前記複数のチップのいずれかに不具合を発見したときに前記複数のチップをエッチングにより前記支持基板から除去するチップ除去工程を行い、該チップ除去工程で前記複数のチップが除去された支持基板に対して別のチップを固定することができる。
【００１４】
本発明において、前記チップ除去工程において前記保護膜が除去されたときには、再度、前記アライメントマークの上層に前記保護膜を形成し、しかる後に、前記チップ除去工程で前記複数のチップが除去された支持基板に対して別のチップを固定する。
【００１５】
本発明において、前記保護膜は、透明膜であることが好ましい。保護膜が透明であれば、アライメントの際、カメラを介してアライメントマークを認識するのに支障がない。このような保護膜としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）、シリコン窒酸化膜（ＳｉＮＯ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｏ4）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide／インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide／インジウム亜鉛酸化物）のうちのいずれかを用いることができる。このような保護膜は、スパッタ法、化学気相法、パルスレーザデポジション（ＰＬＤ）法などにより成膜することができる。本発明において、前記保護膜がＩＴＯ膜である場合、膜厚を３０ｎｍから２００ｎｍとすることが好ましい。
【００１６】
本発明において、前記保護膜は、前記チップ除去工程で用いるエッチング液に対する溶解性が前記チップよりも低いことが好ましい。このように構成すると、保護膜は、分厚く形成しなくても十分な保護機能を発揮する。
【００１７】
本発明において、前記チップ除去工程で用いるエッチング液が水酸化カリウム水溶液であって、前記保護膜はシリコン酸化膜である場合、前記保護膜は、前記支持基板の再生回数の１回当たりの膜厚が１μｍ以上であることが好ましい。また、本発明において、前記チップ除去工程で用いるエッチング液がテトラメチル酸化アルミニウム水溶液であって、前記保護膜はシリコン酸化膜である場合、前記保護膜は、前記支持基板の再生回数の１回当たりの膜厚が０．５μｍ以上であることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施形態に係るマスクを説明する前に、マスクを用いて成膜が行われる有機ＥＬ装置の構成例を説明する。
【００１９】
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の要部断面図である。図１に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置や、電子写真方式を利用したプリンタに使用されるラインヘッドとして用いられるものであり、複数の有機ＥＬ素子３を配列してなる発光素子群３Ａを備えている。有機ＥＬ装置１が、発光層７で発光した光を画素電極４側から出射するボトムエミッション方式の場合には、素子基板２側から発光光を取り出す。このため、素子基板２としては透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。また、素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ５ａ（薄膜トランジスタ）などを含む回路部５が、発光素子群３Ａの下層側に形成されており、その上層側に有機ＥＬ素子３が形成されている。有機ＥＬ素子３は、陽極として機能する画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層６と、有機ＥＬ物質からなる発光層７（有機機能層）と、電子を注入／輸送する電子注入層８と、陰極９とがこの順に積層された構造になっている。
【００２０】
このような有機ＥＬ装置１を製造するには、素子基板２に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成されるが、正孔輸送層６、発光層７、電子注入層８などの有機機能層は、水分や酸素により劣化しやすい。このため、発光層７などの有機機能層を形成する際、さらには、陰極９を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能層が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、発光層７などの有機機能層を形成する際、さらには陰極９を形成する際には、マスク蒸着法を利用して、素子基板２に所定形状の薄膜を形成し、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。このマスク蒸着法では、大型基板（素子基板２／被処理基板）の所定位置にマスクを重ねた状態で蒸着を行う。発光層７を形成する場合には、低分子有機ＥＬ材料を加熱、蒸発させ、マスクの開口部を介して大型基板２Ａの下面に発光層７をストライプ状に形成する。正孔輸送層６、電子注入層８、陰極９などの形成も略同様に行う。
【００２１】
（マスクの構造）
図２は、本発明を適用したマスクの概略斜視図である。図２に示すマスク１０は、マスク蒸着に用いるマスクであり、ベース基板をなす支持基板３０に、複数のチップ２０を取り付けた構成を有している。本形態では、チップ２０はシリコンからなるものとする。各チップ２０は、それぞれアライメントされて支持基板３０に陽極接合や接着剤などの方法で接合されている。接着剤としては、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤、ゴム系接着剤などを用いることができる。
【００２２】
支持基板３０には、開口部が長方形の貫通穴からなる複数の開口領域３２が平行、かつ一定間隔で設けられており、チップ２０には、長孔形状の開口部２２が複数一定間隔で平行に設けられている。複数のチップ２０は、支持基板３０の開口領域３２を塞ぐように支持基板３０上に固定されている。
【００２３】
ここで、チップ２０の開口部２２は、被処理基板の被成膜面に形成される薄膜パターンの形状に対応した形状となっている。なお、マスク１０は、被処理基板に対する被成膜領域と同一サイズを有している構成、および被成膜領域よりも小さなサイズを有している構成のいずれであってもよい。後者の場合には、マスク１０を用いて被成膜領域の所定領域に成膜を行った後、マスク１０をずらしながら複数回、成膜することにより、被成膜領域全体への成膜を行う。また、後者の場合、複数枚のマスク１０を用いて、被成膜領域全体への成膜を行ってもよい。
【００２４】
本形態において、チップ２０は、面方位（１００）を有する単結晶シリコンや、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン等をフォトリソグラフィ技術、ウエットエッチング、ドライエッチングなどを用いて、貫通溝からなる開口部２２を形成することにより、製造される。また、複数のチップ２０の各々にはアライメントマーク２４が少なくとも２ヶ所形成されている。これらのアライメントマーク２４は、支持基板３０にチップ２０を固定する際の位置合わせに使用される。アライメントマーク２４は、フォトリソグラフィ技術または結晶異方性エッチングなどにより形成される。
【００２５】
支持基板３０の構成材料は、チップ２０の構成材料の熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数を有するものが好ましい。チップ２０はシリコンであるので、シリコンの熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数をもつ材料で支持基板３０を構成する。このようにすることにより、支持基板３０とチップ２０との熱膨張量の違いによる「歪み」又は「橈み」の発生を抑えることができる。但し、本形態では、支持基板３０としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英などからなる透明基板が用いられている。
【００２６】
支持基板３０には、例えば、対角線上に第１のアライメントマーク３３が形成されている。第１のアライメントマーク３３は、マスク１０を使用して蒸着などを行うときに、マスク１０の位置合わせを行うためのものである。なお、チップ２０に第１のアライメントマーク３３を形成してもよい。
【００２７】
また、支持基板３０には、成膜の際にマスク１０の位置合わせを行うための第１のアライメントマーク３３に加えて、支持基板３０にチップ２０を貼り合わせる際、チップ２０側のアライメントマーク２４と位置合わせされる第２のアライメントマーク３４が開口領域３２の周りに形成されている。
【００２８】
これらのアライメントマーク３３、３４は、フォトリソグラフィ技術およびウエットエッチングにより、クロム（Ｃｒ膜）などの金属膜（薄膜）で形成することができる。また、アライメントマーク３３、３４は、支持基板３０に対して、レーザ照射や、ドライエッチングあるいはウエットエッチオングにより、凹部として形成することもできる。
【００２９】
さらに、本形態のマスク１０では、支持基板３０の表面には、その全面に保護膜３５が形成されている。ここで、保護膜３５は、アライメントマーク３３、３４の上層側に形成されており、アライメントマーク３３、３４は保護膜３５で覆われた状態にある。
【００３０】
本形態では、アライメントの際、カメラを介してアライメントマーク３３、３４を認識できるように、アライメントマーク３３、３４は、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリコン窒化膜などのシリコン系薄膜や、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性透明膜などといった透明膜によって構成されている。このような透明膜は、スパッタ法、化学気相法、パルスレーザデポジション（ＰＬＤ）法などにより成膜することができる。
【００３１】
（マスクの製造方法）
図３は、本発明を適用したマスクの製造方法を示す工程図である。図３を参照して、マスクの製造方法を説明する前に、チップ２０の製造方法の一例、および支持基板の製造方法の一例を簡単に説明しておく。
【００３２】
（チップの製造方法）
まず、チップ２０を製造するには、例えば、面方位（１１０）のシリコンウエハーを用意し、熱酸化法により耐エッチングマスク材となる酸化シリコン膜のシリコンウエハーの表面に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、酸化シリコン膜をパターニングし、耐エッチングマスク材を形成する。次に、テトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などを用いたアルカリ水溶液を用いてシリコンウエハーに結晶異方性エッチングを行い、貫通溝からなる開口部２２を形成する。しかる後に、緩衝ふっ酸溶液を用いて酸化シリコン膜を除去し、チップ２０を作成する。
【００３３】
（支持基板の製造方法）
支持基板３０を製造するには、ガラス材料などを所定形状に切り出した後、開口領域３２を形成する。開口領域３２を形成するには、その材料がガラス基板であれば、ブラスト法により削る方法、または、フォトリソグラフィ技術およびふっ酸を用いたウエットエッチングにより形成する方法がある。また、支持基板３０が４２アロイなどの金属材料からなる場合は、フォトリソグラフィ技術とウエットエッチングとで開口領域３２を形成してもよく、複数の金属材料を溶接により組み立てて製造してもよく、切削加工又は鋳造により製造してもよい。
【００３４】
次に、図３に示すアライメントマーク形成工程ＳＴ１０において、フォトリソグラフィ技術を用いて、アライメントマーク３３、３４を形成する。より具体的には、まず、支持基板３０の表面にクロム（Ｃｒ）膜を例えば、約１００ｎｍの厚さにスパッタ成膜した後、ポジレジストを塗布し、３０分間プリベークを行い、レジストを乾燥させる。次に、フォトマスクを介してレジストを露光した後、現像し、さらに２０分間、ポストベークを行い、レジストパターンを形成する。次に、硝酸第二セリウムアンモニウムと水とを１：１で配合したクロムエッチング液を用い、レジストパターンをマスクにしてクロム膜をウエットエッチングする。その後、レジストを除去することにより、支持基板３０上の所定位置にアライメントマーク３３、３４を形成する。
【００３５】
次に、図３に示す保護膜形成工程ＳＴ２０において、支持基板３０の表面に、例えば、スパッタ法により、厚さが３０ｎｍから２００ｎｍのＩＴＯ膜、例えば、厚さが約１５０ｎｍのＩＴＯ膜を保護膜３５として形成する。その結果、アライメントマーク３３、３４は保護膜３５で覆われた状態となる。
【００３６】
（マスクの組み立て工程）
次に、図３に示すチップ接合工程ＳＴ３０（チップ固定工程）において、支持基板３０の第２のアライメントマーク３４と、チップ２０のアライメントマーク２４を利用して、複数枚のチップ２０を各々、位置合わせしながら、支持基板３０上の所定位置に固定する。本形態では、チップ２０を各々、支持基板３０上の所定位置にエポキシ系の接着剤により固定する。このようにしてマスク１０が完成する。
【００３７】
（マスクの再生方法）
このようにしてマスク１０を製造した後、検査工程において、あるいは成膜工程での使用により、複数のチップ２０のいずれかに損傷などの不具合が発生した場合には、図３のチップ除去工程ＳＴ４０でエッチングを行い、複数のチップ２０を溶解させて除去する。ここで行うエッチングは、例えば、３％の水酸化カリウム水溶液を用い、その液温は８０℃である。水酸化カリウム水溶液は、テトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物の水溶液に比較して、シリコンに対する溶解速度が高いので、短時間でチップ２０を溶解させることができる。
【００３８】
但し、水酸化カリウム水溶液は、ガラスに対する溶解速度がシリコンに対する溶解速度よりも低いものの、ガラスに対する溶解速度が比較的高い。このため、チップ２０をエッチングにより除去する際、支持基板３０も溶解するので、保護膜４５がない場合には、アライメントマーク３３、３４がマスクとして働き、支持基板３０に不要な凹凸が形成されてしまい、このような凹凸がマスク１０に形成されていると、アライメントの妨げになる。しかるに本形態では、アライメントマーク３３、３４が保護膜３５で覆われているので、アライメントマーク３３、３４がマスクとして働いて上記の不具合を発生させることを回避できる。それ故、支持基板３０に不要な凹凸が形成されず、再度の使用が可能となる。また、チップ２０を除去する際、水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングを採用することも可能になる。
【００３９】
次に、図３に示す接着剤除去工程ＳＴ５０において、支持基板３０に付着している接着剤を除去する。これにより、支持基板３０に再度、チップ２０を接合する際、チップ２０を平滑かつ正確に接合することができる。本形態では、エポキシ系接着剤を用いたので、硫酸と過酸化水素水の混合液に支持基板３０を浸漬して接着剤を除去する。
【００４０】
次に、図３に示すチップ接合工程ＳＴ３０（チップ固定工程）において、チップ２０を除去した支持基板３０に対して、アラメントマーク２４、３４により、新たなチップ２０を位置合わせしながら、支持基板３０上の所定位置に固定する。その際も、チップ２０を各々、支持基板３０上の所定位置にエポキシ系の接着剤により固定する。このようにして、再生した支持基板３０を用いたマスク１０が完成する。
【００４１】
ここで、チップ除去工程ＳＴ４０を行った際、支持基板１０のアラメントマーク３３、３４は保護膜３５で覆われていたので、損傷していない。従って、支持基板１０にアラメントマーク３３、３４を形成し直し必要はない。
【００４２】
また、チップ除去工程ＳＴ４０を行った際、保護膜３５が損傷していない場合には、図４に点線で示すように、チップ除去工程ＳＴ４０でチップ２０を除去した支持基板１０に対してチップ接合工程ＳＴ３０を行い、チップ除去工程ＳＴ４０を行った際、保護膜３５が損傷した場合には、図４に一点鎖線で示すように、チップ除去工程ＳＴ４０でチップ２０を除去した支持基板１０に対して、保護膜形成工程ＳＴ２０を行った後、チップ接合工程ＳＴ３０を行う。
【００４３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、被処理基板上に成膜するパターンに対応する開口部２２が形成された複数のチップ２０と、複数のチップ２０を保持する支持基板３０とを有するマスク１０において、支持基板３０には、アライメントマーク３３、３４が形成されているとともに、アライメントマーク３３、３４は保護膜３５で覆われている。このため、複数のチップ２０のいずれかに不具合を発見したときに複数のチップ２０をエッチングにより支持基板３０から除去し、この支持基板３０を再利用してマスク１０を製造しようとした際、支持基板３０を損傷させずに回収することができる。
【００４４】
すなわち、水酸化カリウム水溶液などのように、チップ２０および支持基板３０の双方に溶解性を有するエッチング液でチップ２０を溶解させる際、本形態では、アライメントマーク３３、３４の上層に保護膜３５が形成されているので、アライメントマーク３３、３４および支持基板３０がエッチング液に晒されないので、アライメントマーク３３、３４がマスクとして働いて支持基板３０に不要な凹凸を発生させることがない。また、アライメントマーク３３、３４が消失することもない。それ故、高価な支持基板３０を再利用してマスク１０を安価に提供することができるので、成膜コストを低減することができる。
【００４５】
また、保護膜３５によってアライメントマーク３３、３４および支持基板３０を保護できるので、シリコンに対する溶解速度の高い水酸化カリウム水溶液でチップ２０を溶解、除去することができる。それ故、テトラメチル酸化アルミニウム水溶液でチップ２０を溶解、除去する場合と比較して、支持基板３０を効率よく回収することができる。
【００４６】
［その他の実施の形態］
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記形態では、チップ除去工程ＳＴ４０で用いるエッチング液が水酸化カリウム水溶液であって、保護膜３５はシリコン酸化膜であったが、チップ除去工程ＳＴ４０で用いるエッチング液がテトラメチル酸化アルミニウム水溶液であってもよい。なお、保護膜３５の厚さについては、チップ除去工程ＳＴ４０で用いるエッチング液が水酸化カリウム水溶液であって、保護膜３５はシリコン酸化膜である場合、保護膜３５は、支持基板３０の再生回数の１回当たりの膜厚が１μｍ以上であることが好ましい。また、本発明において、チップ除去工程ＳＴ４０で用いるエッチング液がテトラメチル酸化アルミニウム水溶液であって、保護膜３５がシリコン酸化膜である場合、保護膜３５は、支持基板３０の再生回数の１回当たりの膜厚が０．５μｍ以上であることが好ましい。
【００４７】
また、上記形態では、アライメントマーク３３、３４がクロム膜（薄膜）により形成されていたが、アライメントマーク３３、３４が支持基板３０に対する凹部として形成されている場合に本発明を適用しても効果的である。すなわち、保護膜３５がない状態でチップ除去工程ＳＴ４０を行うと、支持基板３０の溶解により、アライメントマーク３３、３４としての凹部が変形してしまうが、本発明を適用すれば、保護膜３５によって、アライメントマーク３３、３４としての凹部の変形を防止することができる。
【００４８】
さらに、上記形態では、マスク蒸着用のマスクを例に説明したが、スパッタ用のマスクあるいは化学気相成膜用のマスクに本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明を適用した有機ＥＬ装置の一例を示す要部断面図である。
【図２】本発明を適用したマスクの斜視図である。
【図３】本発明を適用したマスクに用いた支持基板の説明図である。
【図４】本発明を適用したマスクの製造方法、および再生した支持基板を用いてマスクを製造する方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０・・マスク、２０・・チップ、３０・・支持基板、３３，３４・・アライメントマーク
【図１】
2008088463.tif 000003
【図２】
2008088463.tif 000004
【図３】
2008088463.tif 000005
【図４】
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