(57)【要約】【課題】面内方向の磁場に対して等方性の高い応答を示し、かつスイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供する。また、この素子を用いた実用的な薄膜磁気センサを提供する。【解決手段】薄膜磁気抵抗素子については、絶縁基板１上に形成された内側軟磁性膜２、外側軟磁性膜３、薄膜磁気抵抗素子４及び必要な配線５を有し、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部との間に形成された一定間隔の間隙６内に磁気抵抗効果膜４を形成するという構成にする。薄膜磁気センサについては、この薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を組むという構成にする。外側軟磁性膜３には、半径方向に延びるスリット状の切欠部８を形成することもできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、当該絶縁基板に形成された内側軟磁性膜、外側軟磁性膜、磁気抵抗効果膜及び前記磁気抵抗効果膜の抵抗値を検出するための配線とを有し、前記外側軟磁性膜は前記内側軟磁性膜の外周を全周にわたって取り囲むか、又は前記内側軟磁性膜の外周を大部分にわたって取り囲むように形成されており、前記内側軟磁性膜の外縁部と前記外側軟磁性膜の内縁部との間には一定間隔の間隙が設けられていて、当該間隙内に前記磁気抵抗効果膜が形成されていることを特徴とする薄膜磁気抵抗素子。
【請求項２】
前記外側軟磁性膜は、径方向に延びるスリット状の切欠部によって２分割されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気抵抗素子。
【請求項３】
前記外側軟磁性膜は、その一部に内縁部まで達しないスリット状の切欠部を有していることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気抵抗素子。
【請求項４】
前記内側軟磁性膜の外縁部が円形で、前記外側軟磁性膜の内縁部及び外縁部が円形又は円弧形であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜磁気抵抗素子。
【請求項５】
前記内側軟磁性膜の外縁部と前記外側軟磁性膜の内縁部とが角形であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜磁気抵抗素子。
【請求項６】
絶縁基板と、当該絶縁基板に形成された内側軟磁性膜、外側軟磁性膜、磁気抵抗効果膜及び前記磁気抵抗効果膜の抵抗値を検出するための配線とを有し、前記外側軟磁性膜は前記内側軟磁性膜の外周を全周にわたって取り囲むか、又は前記内側軟磁性膜の外周を大部分にわたって取り囲むように形成されており、前記内側軟磁性膜の外縁部と前記外側軟磁性膜の内縁部との間には一定間隔の間隙が設けられていて、当該間隙内に前記磁気抵抗効果膜が形成された第１薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗とし、
絶縁基板と、当該絶縁基板に形成された内側非磁性金属膜、外側軟磁性膜、磁気抵抗効果膜及び前記磁気抵抗効果膜の抵抗値を検出するための配線とを有し、前記外側軟磁性膜は前記内側非磁性金属膜の外周を全周にわたって取り囲むか、又は前記内側非磁性金属膜の外周を大部分にわたって取り囲むように形成されており、前記内側非磁性金属膜の外縁部と前記外側軟磁性膜の内縁部との間には一定間隔の間隙が設けられていて、当該間隙内に前記磁気抵抗効果膜が形成された第２薄膜磁気抵抗素子を固定抵抗とし、
前記可変抵抗部の外側軟磁性膜と前記固定抵抗部の外側軟磁性膜とが離間して設けられたブリッジ回路からなることを特徴とする薄膜磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気抵抗素子及び薄膜磁気センサに係り、特に、面内におけるいかなる方向の外部磁場に対しても応答を示し、かつスイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子とこれを用いた薄膜磁気センサとに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、スイッチ動作を行う磁気センサとしては、ホールＩＣ及びＭＲ素子が広く用いられている。ホールＩＣは、ホール素子とホール素子の出力を整形する回路とを一体にパッケージングしたものであり、位置検出などに適用される。一方、ＭＲ素子は、同一平面内に所要の間隙を介して第１及び第２の軟磁性膜の端面を対向に配置し、これら第１及び第２の軟磁性膜の端面間の間隙内にナノグラニュラー合金薄膜などの磁気抵抗効果膜を形成したものであり、磁気ヘッドやサーボモータ又はロータリエンコーダ等における磁気センサなどに適用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述のように、ホールＩＣは、ホール素子とホール素子の出力を整形する回路とからなるので、センサモジュールが大形かつ高価であり、しかも感度の異方性が高いという特質を有する。これに対して、ＭＲ素子は、出力整形用の回路を備える必要がないので小型かつ安価に実施できるが、感度の異方性が高いという点においてはホールＩＣと同様であり、従来より、面内におけるいかなる方向の磁場に対しても応答を示すＭＲ素子の開発が求められている。
【０００４】
本発明は、かかる技術的な課題を解決するためになされたものであり、その目的は、面内におけるいかなる方向の磁場に対しても応答を示し、かつスイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、及びこれを用いた実用的な薄膜磁気センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前記の課題を解決するため、薄膜磁気抵抗素子については、第１に、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成された内側軟磁性膜、外側軟磁性膜、磁気抵抗効果膜及び前記磁気抵抗効果膜の抵抗値を検出するための配線とを有し、前記外側軟磁性膜は前記内側軟磁性膜の外周を全周にわたって取り囲むか、又は前記内側軟磁性膜の外周を大部分にわたって取り囲むように形成されており、前記内側軟磁性膜の外縁部と前記外側軟磁性膜の内縁部との間には一定間隔の間隙が設けられていて、当該間隙内に前記磁気抵抗効果膜が形成されているという構成にした。
【０００６】
内側軟磁性膜及び磁気抵抗効果膜の外周全体にわたって外側軟磁性膜を配置すると、外部磁場の印加方向によらず外側軟磁性膜の飽和磁束密度を一定にすることができるので、面内のいかなる方向に印加された外部磁場についても同等の応答を示す無指向性の薄膜磁気抵抗素子となる。内側軟磁性膜及び磁気抵抗効果膜の外周の大部分を外側軟磁性膜にて取り囲み、一部に外側軟磁性膜を有しない部分を形成した場合にも、全周にわたって外部磁場の印加方向に応じた外側軟磁性膜の飽和磁束密度をもたせることができるので、面内におけるいかなる方向の外部磁場に対しても応答を示す薄膜磁気抵抗素子となる。なお、この場合には、外部磁場の印加方向に応じて外側軟磁性膜の飽和磁束密度が変化するので、ＭＲ比の変化特性については外部磁場の印加方向に応じて変化する。
【０００７】
また本発明は、第２に、前記第１の構成の薄膜磁気抵抗素子において、前記外側軟磁性膜は、径方向に延びるスリット状の切欠部によって２分割されているという構成にした。かかる構成によると、面内のいかなる方向に作用する外部磁場についても応答を示し、かつ切欠部と平行な方向の外部磁界に対する抵抗変化率特性と切欠部と垂直な方向の外部磁界に対する抵抗変化率特性との差が大きい薄膜磁気抵抗素子となる。
【０００８】
また本発明は、第３に、前記第１の構成の薄膜磁気抵抗素子において、前記外側軟磁性膜は、その一部に内縁部まで達しないスリット状の切欠部を有しているという構成にした。かかる構成によると、面内のいかなる方向に作用する外部磁場についても応答を示し、かつ切欠部と平行な方向の外部磁界に対する抵抗変化率特性と切欠部と垂直な方向の外部磁界に対する抵抗変化率特性とが異なる薄膜磁気抵抗素子となる。
【０００９】
また本発明は、第４に、前記第１の構成の薄膜磁気抵抗素子において、前記内側軟磁性膜の外縁部が円形で、前記外側軟磁性膜の内縁部及び外縁部が円形又は円弧形であるという構成にした。外側軟磁性膜の内縁部及び外縁部を円形に形成すると、全周にわたって外側軟磁性膜の幅を一定にできるので、外部磁場の印加方向の変化に対する応答の均等性を最も高めることができる。また、外側軟磁性膜の内縁部及び外縁部を円弧形に形成した場合にも、外側軟磁性膜の幅を一定にできるので、外部磁場に対する応答の均等性を高めることができる。
【００１０】
また本発明は、第５に、前記第１の構成の薄膜磁気抵抗素子において、前記内側軟磁性膜の外縁部と前記外側軟磁性膜の内縁部とが角形であるという構成にした。かかる構成によっても、全周にわたって外部磁場の印加方向に応じた外側軟磁性膜の飽和磁束密度をもたせることができるので、面内におけるいかなる方向の外部磁場に対しても応答を示す薄膜磁気抵抗素子とすることができる。
【００１１】
一方、本発明は、薄膜磁気センサに関しては、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成された内側軟磁性膜、外側軟磁性膜、磁気抵抗効果膜及び前記磁気抵抗効果膜の抵抗値を検出するための配線とを有し、前記外側軟磁性膜は前記内側軟磁性膜の外周を全周にわたって取り囲むか、又は前記内側軟磁性膜の外周を大部分にわたって取り囲むように形成されており、前記内側軟磁性膜の外縁部と前記外側軟磁性膜の内縁部との間には一定間隔の間隙が設けられていて、当該間隙内に前記磁気抵抗効果膜が形成された第１薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗とし、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成された内側非磁性金属膜、外側軟磁性膜、磁気抵抗効果膜及び前記磁気抵抗効果膜の抵抗値を検出するための配線とを有し、前記外側軟磁性膜は前記内側非磁性金属膜の外周を全周にわたって取り囲むか、又は前記内側非磁性金属膜の外周を大部分にわたって取り囲むように形成されており、前記内側非磁性金属膜の外縁部と前記外側軟磁性膜の内縁部との間には一定間隔の間隙が設けられていて、当該間隙内に前記磁気抵抗効果膜が形成された第２薄膜磁気抵抗素子を固定抵抗とし、前記可変抵抗部の外側軟磁性膜と前記固定抵抗部の外側軟磁性膜とが離間して設けられたブリッジ回路からなるという構成にした。
【００１２】
第１薄膜磁気抵抗素子は、その外側軟磁性膜に作用する磁場が飽和磁束密度に達したとき、磁気抵抗効果膜を介して外側軟磁性膜から内側軟磁性膜に磁束が流れるので、磁気抵抗効果膜の抵抗値の変化を可変抵抗として利用できる。これに対して、第２薄膜磁気抵抗素子は、外側軟磁性膜及び磁気抵抗効果膜の内側に軟磁性膜ではなく非磁性金属膜が形成されており、その外側軟磁性膜に作用する磁場が飽和磁束密度に達した後も、磁気抵抗効果（ＭＲ効果）が緩やかに発現されるので、固定抵抗として利用できる。よって、これらの可変抵抗及び固定抵抗を用いてブリッジ回路を構成すると、印加される磁場の方向によらずに印加される磁場の大きさを検出可能な薄膜磁気センサとすることができる。また、ブリッジ回路を構成することから、零位法によって磁気抵抗効果膜に作用する磁場の変動を検出できると共に、電源電圧の変動や検出器の入力インピーダンス若しくは膜由来の特性変化などの影響を除去することができ、高精度な薄膜磁気センサとすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の薄膜磁気抵抗素子は、内側軟磁性膜の外周を全周にわたって取り囲むか、又は内側軟磁性膜の外周を大部分にわたって取り囲むように外側軟磁性膜を形成したので、面内におけるあらゆる方向の外部磁場に対して応答するスイッチ素子として利用することができる。特に、内側軟磁性膜の外周全体に外側軟磁性膜を配置したものは、印加される外部磁場の方向によらず外部磁場の大きさのみによってスイッチング動作する無指向性の薄膜磁気抵抗素子とすることができる。
【００１４】
本発明の薄膜磁気センサは、内側軟磁性膜の外周を全周にわたって取り囲むか、又は内側軟磁性膜の外周を大部分にわたって取り囲むように外側軟磁性膜が形成された第１薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗として用い、当該第１薄膜磁気抵抗素子の内側軟磁性膜に代えて内側非磁性金属膜を備えた第２薄膜磁気抵抗素子を固定抵抗とするブリッジ回路をもって薄膜磁気センサとするので、面内におけるあらゆる方向の外部磁場を検出可能で、高精度な薄膜磁気センサとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
〈第１実施形態〉
以下、本発明に係る薄膜磁気抵抗素子の一例を、図１乃至図３に基づいて説明する。図１は第１実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の平面図、図２は図１のＡ−Ａ部拡大断面図、図３は第１実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の外部磁場に対するＭＲ比の変化を示すグラフ図である。
【００１６】
図１及び図２に示すように、本例の薄膜磁気抵抗素子は、絶縁基板１と、当該絶縁基板１に形成された内側軟磁性膜２、外側軟磁性膜３、磁気抵抗効果膜４及び磁気抵抗効果膜４の抵抗値を検出するための配線５とから主に構成されている。
【００１７】
絶縁基板１は、無機誘電体、プラスチックス又は非磁性セラミックスなどの高剛性の非磁性絶縁体をもって所要の形状及びサイズに形成される。
【００１８】
内側軟磁性膜２及び外側軟磁性膜３は、例えばＣｏ７７Ｆｅ５Ｓｉ９Ｂ８合金やパーマロイ合金（Ｆｅ６５Ｎｉ３５）などの飽和磁束密度が高い軟磁性体をもって形成される。これら内側軟磁性膜２及び外側軟磁性膜３の形成方法としては、スパッタリングを用いることができる。図１に示すように、内側軟磁性膜２は平面形状が円形に形成されており、外側軟磁性膜３は平面形状が内側軟磁性膜２の外径よりも大きな内径と外径とを有する円環状に形成されており、互いに同心に配置されている。したがって、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部との間には、一定幅の円環状の間隙６が形成される。
【００１９】
磁気抵抗効果膜４としては、パーマロイ合金系の磁気抵抗効果膜に比べて格段に大きなＭＲ比を有し、かつ１層で大きなＭＲ比が得られることから、絶縁体マトリクス中に強磁性微粒子を分散してなるグラニュラー磁性膜が形成される。グラニュラー磁性膜としては、３２ｖｏｌ％のＣｏＦｅ−ＭｇＦ２やＣｏＹＯなどを挙げることができる。この磁気抵抗効果膜４は、図２に示すように、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部との間の間隙６内にスパッタリングなどにより形成される。なお、図２の例では、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部とが絶縁基板１に対して傾斜する形状に形成されているが、これは磁気抵抗効果膜４をスパッタリングにて形成する場合に、間隙６内への磁気抵抗効果膜４の形成を容易にするためであり、例えばスパッタリング時の条件などを工夫することにより間隙６内に磁気抵抗効果膜４を密に形成できる場合には、各縁部を絶縁基板１に対して垂直に形成することもできる。
【００２０】
配線５は、銅やアルミニウムなどの導電性に優れた金属材料にて形成される。この配線５の形成方法としても、スパッタリングを用いることができる。
【００２１】
図３に、本実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の試験例を示す。試料は、以下の４例である。
【００２２】
試料（１）：外側軟磁性膜３の外径φ１が１５０μｍ、内側軟磁性膜２の外径φ２が４０μｍ、間隙６の大きさＬｇが２μｍ、内側軟磁性膜２及び外側軟磁性膜３の厚みｔｓｏｆが１．５μｍ
試料（２）：外側軟磁性膜３の外径φ１が１５０μｍ、内側軟磁性膜２の外径φ２が２０μｍ、間隙６の大きさＬｇが２μｍ、内側軟磁性膜２及び外側軟磁性膜３の厚みｔｓｏｆが１．５μｍ
試料（３）：外側軟磁性膜３の外径φ１が７５μｍ、内側軟磁性膜２の外径φ２が２０μｍ、間隙６の大きさＬｇが２μｍ、内側軟磁性膜２及び外側軟磁性膜３の厚みｔｓｏｆが１．５μｍ
試料（４）：外側軟磁性膜３の外径φ１が１５０μｍ、内側軟磁性膜２の外径φ２が４０μｍ、間隙６の大きさＬｇが２μｍ、内側軟磁性膜２及び外側軟磁性膜３の厚みｔｓｏｆが２μｍ。
【００２３】
外部磁場Ｈｅｘを変更しながら試料（１）〜（４）に係る薄膜磁気抵抗素子のＭＲ比の変化を測定したところ、図３に示す結果が得られた。この図から明らかなように、試料（１）〜（４）に係る薄膜磁気抵抗素子は、ＭＲ比が急激に変化する外部磁場Ｈｅｘをもつ特性を有しており、スイッチ素子として利用することができる。
【００２４】
本例の薄膜磁気抵抗素子は、円形に形成された内側軟磁性膜２の外周全体に円環状の外側軟磁性膜３を同心に配置したので、印加される外部磁場の方向によらず外側軟磁性膜３が飽和するまでの磁束密度が外側軟磁性膜３の周方向に関して一定になり、外部磁場に対する応答の等方性が最良のものとなる。
【００２５】
〈第２実施形態〉
本例の薄膜磁気抵抗素子は、図４に示すように、内側軟磁性膜２を四角形に形成すると共に外側軟磁性膜３を角形の枠状に形成したことを特徴とする。本例の薄膜磁気抵抗素子は、外部磁場の印加方向によって外側軟磁性膜３の飽和磁束密度が異なるため、外部磁場の印加方向に応じたＭＲ比の変化特性が異なるが、内側軟磁性膜２の外周の全周にわたって外側軟磁性膜３が形成されているため、外部磁場の印加方向によらず全周にわたって外部磁場に対する応答を示す。よって、本例の薄膜磁気抵抗素子によれば、面内におけるいかなる方向の外部磁場に対しても応答を示し、かつ外部磁場の印加方向をも特定可能な薄膜磁気抵抗素子とすることができる。
【００２６】
〈第３実施形態〉
本例の薄膜磁気抵抗素子は、図５に示すように、磁気抵抗効果膜４の内端側の上面と外端側の上面とにそれぞれ内側軟磁性膜２の外端部及び外側軟磁性膜３の内端部が重なるようにこれらの各膜２，３，４を形成したことを特徴とする。かかる構成によっても、第１実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子と同様の効果を奏することができる。
【００２７】
〈第４実施形態〉
本例の薄膜磁気抵抗素子は、図６（ａ），（ｂ）及び図７に示すように、外側軟磁性膜３にスリット状の切欠部８ａ，８ｂ，８ｃを形成したことを特徴とする。図６（ａ）は、外側軟磁性膜３の外周縁部から外側軟磁性膜３の半径方向に向けて、外側軟磁性膜３の幅（外径と内径の差分）の１／２の長さの切欠部８ａを外側軟磁性膜３の中心（内側軟磁性膜２の中心及び磁気抵抗効果膜４の中心）Ｏを介してその両側に設けた例であり、図６（ｂ）は、外側軟磁性膜３の外周縁部から外側軟磁性膜３の半径方向に向けて、外側軟磁性膜３の幅の３／４の長さの切欠部８ｂを外側軟磁性膜３の中心を介してその両側に設けた例である。また、図７は、外周縁部から内周縁部まで達するスリット状の切欠部８ｃを外側軟磁性膜３の半径方向に形成し、外側軟磁性膜３を半円形の２つの部分に分割した例である。図６（ａ）の薄膜磁気抵抗素子を試料（５）、図６（ｂ）の薄膜磁気抵抗素子を試料（６）、図７の薄膜磁気抵抗素子を試料（７）とする。切欠部以外のサイズについては、前出の試料（１）と同じとした。
【００２８】
外部磁場Ｈｅｘを変更しながら試料（１），（５）、（６）、（７）に係る薄膜磁気抵抗素子のＭＲ比の変化を測定したところ、図８に示す結果が得られた。なお、外部磁場Ｈｅｘの印加方向は図６及び図７のｘ方向であり、試料（５）、（６）、（７）について図６及び図７のｙ方向に外部磁場Ｈｅｘを印加した場合のＭＲ比の変化は、図８における試料（１）の結果とほぼ同一であった。
【００２９】
図８から明らかなように、試料（１），（５）、（６）、（７）に係る薄膜磁気抵抗素子も、ＭＲ比が急激に変化する外部磁場Ｈｅｘをもつ特性を有しており、スイッチ素子として利用することができる。また、図３と図８の比較から明らかなように、試料（１）に係る薄膜磁気抵抗素子と試料（５）、（６）、（７）に係る薄膜磁気抵抗素子とは、外部磁場Ｈｅｘに対するＭＲ比の変化特性が異なっており、かつ試料（５）、（６）、（７）に係る薄膜磁気抵抗素子は、外部磁場Ｈｅｘの印加方向によって外部磁場Ｈｅｘに対するＭＲ比の変化特性がそれぞれ異なることが分かる。よって、本例の薄膜磁気抵抗素子によれば、面内におけるいかなる方向の外部磁場に対しても応答を示し、かつ外部磁場の印加方向をも特定可能な薄膜磁気抵抗素子とすることができる。
【００３０】
以下、第１実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子を利用した薄膜磁気センサの構成を、図９至図１２を用いて説明する。図９は実施形態に係る薄膜磁気センサの構成図、図１０は実施形態に係る薄膜磁気センサの等価回路図、図１１は実施形態に係る薄膜磁気センサにおける外部磁場に対する可変抵抗及び固定抵抗の抵抗変化率特性を示すグラフ図、図１２は実施形態に係る薄膜磁気センサの外部磁場に対する中点電位変化特性を示すグラフ図である。
【００３１】
図９に示すように、本例の薄膜磁気センサは、絶縁基板１と、絶縁基板１上に形成された可変抵抗１１及び固定抵抗２１と、これら可変抵抗１１及び固定抵抗２１を相互に接続して図１０に示すブリッジ回路を構成する配線５とからなる。
【００３２】
可変抵抗１１としては、図１及び図２に示した薄膜磁気抵抗素子が用いられる。これに対して、固定抵抗２１としては、可変抵抗１１の内側軟磁性膜２に代えて非磁性金属膜２２を形成したものが用いられる。その他の部分の形状及びサイズについては、可変抵抗１１と同様に形成される。
【００３３】
可変抵抗１１は、先に説明したように磁場に対して図１１に実線で示す抵抗変化率特性を有する。これに対して、固定抵抗２１は、非磁性金属膜２２を備えているので、外側軟磁性膜３が飽和磁束密度に達したとき、磁気抵抗効果が緩やかに発現され、図１１に破線で示す抵抗変化率を有する。したがって、これらの可変抵抗１１及び固定抵抗２１をもってブリッジ回路を構成すると、零位法によって磁気抵抗効果膜に作用する磁場の変動を検出できると共に、電源電圧の変動や検出器の入力インピーダンス若しくは非直線性などの影響を除去することができ、高精度にして実用的な薄膜磁気センサとすることができる。なお、試料としては、前出の試料（１）に係る薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗１１として用い、試料（１）に係る薄膜磁気抵抗素子と同一形状及び同一サイズで、可変抵抗１１の内側軟磁性膜２に代えて非磁性金属膜２２を形成したものを固定抵抗２１として用いた。
【００３４】
本例の薄膜磁気センサは、薄膜磁気抵抗素子の面内におけるいかなる方向の外部磁化に対しても、図１２に示す出力特性又はこれに近似する出力特性を示した。
【００３５】
なお、可変抵抗１１としては、第１実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子に代えて、第２乃至第４実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子を用いることもできる。勿論、これらの場合には、固定抵抗２１として、可変抵抗１１と同一形状及び同一サイズに形成されたものが用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ部拡大断面図である。
【図３】第１実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の外部磁場に対するＭＲ比の変化特性を示すグラフ図である。
【図４】第２実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の平面図である。
【図５】第３実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の要部拡大断面図である。
【図６】第４実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の平面図である。
【図７】第４実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の他の例を示す平面図である。
【図８】第４実施形態に係る薄膜磁気抵抗素子の外部磁場に対するＭＲ比の変化特性を示すグラフ図である。
【図９】実施形態に係る薄膜磁気センサの構成図である。
【図１０】実施形態に係る薄膜磁気センサの等価回路図である。
【図１１】実施形態に係る薄膜磁気センサにおける外部磁場に対する可変抵抗及び固定抵抗の抵抗変化率特性を示すグラフ図である。
【図１２】実施形態に係る薄膜磁気センサの外部磁場に対する中点電位変化特性を示すグラフ図である。
【符号の説明】
【００３７】
１    絶縁基板
２    内側軟磁性膜
３    外側軟磁性膜
４    磁気抵抗効果膜
５    配線
６    間隙
８    切欠部
１１    可変抵抗
２１    固定抵抗
２２    非磁性金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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