(57)【要約】【課題】樹脂封止工程において支障をきたすことなく、個々の半導体装置に分割する際にコーナー部の頂点部分に発生する基板カケやクラックを最小限に抑えることができる半導体装置用基板及びこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】表面に、配線パターンと、半導体素子１０を搭載する半導体素子搭載部３と、半導体素子１０と電気的に接続する電極とを有し、裏面に、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子を有した半導体装置用基板１において、外周端部から半導体素子搭載部３側に向かってゲートランナー６を設け、当該半導体装置用基板１における前記ゲートランナー６が形成されている部分に、被覆材としてのソルダレジスト８により被覆された貫通孔５を形成する。これにより、貫通孔５により、ゲートランナー６の切断時にかかる切断応力が緩和され、この結果、基板カケやクラックの発生が抑制される。【選択図】図１
2008066491.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に、配線パターンと、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、半導体素子と電気的に接続する電極とを有し、裏面に、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子を有した半導体装置用基板であって、
外周端部から前記半導体素子搭載部側に向かってゲートランナーが設けられ、
当該半導体装置用基板における前記ゲートランナーが形成されている部分に、被覆材により被覆された貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項２】
前記半導体素子搭載部と前記配線パターンとを周辺からコーナー部を除く４辺で囲むようにスリットが形成され、前記ゲートランナーが前記コーナー部を通るように形成され、前記貫通孔が、隣り合うスリット同士を接続するラインに沿って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板。
【請求項３】
前記貫通孔が、半導体装置毎に切断するための切断ラインに沿って形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置用基板。
【請求項４】
前記被覆材がソルダレジストであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置用基板。
【請求項５】
前記被覆材が金属めっきであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置用基板。
【請求項６】
表面に、配線パターンと、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、半導体素子と電気的に接続する電極とを有し、裏面に、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子を有した半導体装置用基板であって、
外周端部から前記半導体素子搭載部側に向かってゲートランナーが設けられ、
前記半導体素子搭載部と前記配線パターンとを周辺からコーナー部を除く４辺で囲むようにスリットが形成され、
前記ゲートランナーに、隣り合うスリットの間をつなぐようにノッチが形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項７】
前記ノッチが、半導体装置毎に切断するための切断ラインに沿って形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置用基板。
【請求項８】
前記ノッチがソルダレジストにより被覆されていることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置用基板。
【請求項９】
前記ノッチが金属めっきにより被覆されていることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置用基板。
【請求項１０】
表面に、配線パターンと、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、半導体素子と電気的に接続する電極とを有し、裏面に、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子を有した半導体装置用基板と、
この半導体装置用基板の半導体素子搭載部に搭載された半導体素子とを備え、
前記半導体素子と前記電極とが電気的に接続され、
少なくとも前記半導体素子と電気的に接続された領域が樹脂封止された半導体装置であって、
封止される領域に封止樹脂が流入する経路となるゲートランナーが露出し、
前記半導体装置用基板の、ゲートランナーが設けられているコーナー部の側面に、半筒状の切り欠き部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記切り欠き部が半円筒状であり、前記コーナー部の２つの側面に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記切り欠き部がソルダレジストにより被覆されていることを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記切り欠き部が金属めっきにより被覆されていることを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
表面に、配線パターンと、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、半導体素子と電気的に接続する電極とを有し、裏面に、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子を有した半導体装置用基板と、
この半導体装置用基板の半導体素子搭載部に搭載された半導体素子とを備え、
前記半導体素子と前記電極とが電気的に接続され、
少なくとも前記半導体素子と電気的に接続された領域が樹脂封止された半導体装置であって、
封止される領域に封止樹脂が流入する経路となるゲートランナーが露出し、
前記半導体装置用基板の、ゲートランナーが設けられているコーナー部の側面に、断面略Ｖ字形状の切り欠き部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
前記切り欠き部が略三角柱または円錐形状であり、前記コーナー部の２つの側面に形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記切り欠き部がソルダレジストにより被覆されていることを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記切り欠き部が金属めっきにより被覆されていることを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に用いる半導体装置用基板及びこれを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に対応するために、半導体装置などの半導体部品の小型化、高集積化、高密度実装化が要求されており、それに伴って、半導体素子をガラスエポキシなどの半導体装置用基板に搭載し、半導体装置用基板の片側（表面側）を封止し、裏面にハンダボールを格子状に配列したＢＧＡ型半導体装置が製造されている（例えば特許文献１等）。
【０００３】
以下に、従来の半導体装置用基板、及びそれを用いた半導体装置（いわゆる基板片側封止型の半導体装置）について、図１８から図２２を用いて、説明する。
図１８（ａ）において、１はプリント配線基板からなる半導体装置用基板である。また、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＡ部の拡大図である。
【０００４】
このプリント配線基板からなる半導体装置用基板１は、例えばコア基材となる銅箔とガラス布にエポキシ樹脂を含浸した基材とを積層させ、その表面及び裏面に銅箔を貼り付けた多層基板を使用する。
【０００５】
図１８（ａ）に示すように、半導体装置用基板１は、その表面に、配線パターン（図示せず）と、半導体素子１０を搭載する（図１９、図２０参照）半導体素子搭載部３と、半導体素子１０を電気的に接続する電極パッド（図示せず）とが設けられ、また、その裏面に、配線パターン（図示せず）と、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子１５（図１９（ｂ）参照）とが設けられている。半導体装置用基板１の表面と裏面との配線は、所定の箇所に設けられたスルーホール（図示せず）を介して電気的に接続されている。
【０００６】
１枚の半導体装置用基板１には、後述するスリット４を含む切断ライン１９に沿って切断することで、複数の半導体装置２０（図１９、図２０（ｆ）参照）を個別に分離した状態で１度に得ることができるように、前記した表面側の配線パターン、半導体素子搭載部３、電極パッドと、裏面側の配線パターン、外部接続端子１５とを、各半導体装置２０を形成する領域毎に対応させて複数並べた配置状態で形成している。
【０００７】
半導体装置用基板１における半導体素子搭載部３と配線パターンとを周辺からコーナー部を除く４辺で囲むようにスリット４が形成され、半導体装置用基板１におけるスリット４を除くコーナー部のフレーム支持部によって、配線パターン及び半導体素子搭載部３を含む部分が支持されている。なお、スリット４はルーター加工により形成され、その幅は例えば約１ミリである。半導体装置用基板１の表面及び裏面は、電極パッドやゲートランナー６を除き、ソルダレジスト（図示せず）によって被覆されている。
【０００８】
図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、フレーム支持部のうち、１箇所がフレーム支持部の外側から内側に向かって連続したゲートランナー６となっている。ゲートランナー６は、封止工程において、樹脂材料を外部から封止領域９に向かって注入し、半導体素子１０とワイヤ１１（図１９、図２０参照）とを含む封止領域９を封止するための樹脂（封止樹脂２と称す）の流入経路となる。ゲートランナー６は、銅箔などの金属で構成され、その表面には、封止樹脂２との離型性を高めるため、ニッケル、金などの金属めっきが施されている。
【０００９】
図１９（ａ）及び（ｂ）は、図１８に示す半導体装置用基板１を用いて製造された従来の半導体装置２０を示す。これらの図に示すように、前記スリット４を含む切断ライン１９で切断された各半導体装置用基板１の半導体素子搭載部３に半導体素子１０が搭載され、半導体素子１０上の電極パッドと半導体装置用基板１上の電極パッドとがワイヤ１で結線され、半導体素子１０とワイヤ１１とを含む封止領域９が封止樹脂２により封止されている。半導体装置用基板１の裏面には、表面の配線パターンと電気的に接続された外部接続端子１５が取り付けられている。
【００１０】
次に図１９に示す従来の半導体装置２０の製造方法について、図２０（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。
まず、図２０（ａ）に示すような半導体装置用基板１を製造する。次に、図２０（ｂ）に示すように、半導体装置用基板１上の半導体素子搭載部３にダイボンド材を用いて半導体素子１０を載置する。次に、図２０（ｃ）に示すように、半導体素子１０の電極パッド（図示せず）と半導体装置用基板１上の電極パッド（図示せず）とをワイヤ１１で接続する。
【００１１】
次に、図２０（ｄ）に示すように、封止用金型（図示せず）を用いて、半導体素子１０とワイヤ１１とを含む封止領域９を封止樹脂２により封止する。この際、封止樹脂２はポットからゲートランナー６を通って注入される。ゲートランナー６上に残った封止樹脂２はゲートブレイクによって取り除かれる。
【００１２】
次に、図２０（ｅ）に示すように、半導体装置用基板１の裏面にハンダボールなどの外部接続端子１５を取り付ける。次に、図２０（ｆ）に示すように、半導体装置用基板１のゲートランナー６を含むフレーム支持部をプレス切断装置、あるいはダイシング装置などで切断する。なお、図２０（ｆ）における１８は、プレス切断装置あるいはダイシング装置の切断刃を示す。
【００１３】
以上のプロセスにより、図１９（ａ）、（ｂ）に示すような個別の半導体装置２０が完成する。
【特許文献１】特開平１１−１７６９７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、前記従来の半導体装置用基板１を用いて半導体装置２０を製造するに際し、半導体装置用基板１をプレス切断、ダイシング切断といった切断方法を用いて個々の半導体装置２０に分割する場合に、図２１、図２２に示すように、半導体装置用基板１におけるコーナー部の頂点の部分に切断応力が集中して、図２１に示すようなクラック１６や図２２に示すような基板カケ１７が発生し、半導体装置２０としての信頼性を損なうといった問題が発生していた。なお、図２１及び図２２は図１９（ａ）において、四角で囲んだ部分Ｂの拡大図である。
【００１５】
このため、半導体装置用基板１のコーナー部の頂点となる部分に予め、貫通孔を開けておき、切断応力を緩和するといった対策が取られることがあるが、ゲート部においてはゲートランナー６に貫通孔を開けると貫通孔に封止樹脂２が流れ込み、半導体装置用基板１の裏面に封止樹脂２が漏れるため、貫通孔を開けることができなかった。
【００１６】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、樹脂封止工程において支障をきたすことなく、個々の半導体装置に分割する際にコーナー部の頂点部分に発生する基板カケやクラックを最小限に抑えることができる半導体装置用基板及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置用基板は、表面に、配線パターンと、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、半導体素子と電気的に接続する電極とを有し、裏面に、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子を有した半導体装置用基板であって、外周端部から前記半導体素子搭載部側に向かってゲートランナーが設けられ、当該半導体装置用基板における前記ゲートランナーが形成されている部分に、被覆材により被覆された貫通孔、またはノッチが形成されている。
【００１８】
この構成により、半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程における個々の半導体装置に切断して分割する際に、前記ゲートランナーに形成された貫通孔またはノッチによって、ゲートランナーの切断時にかかる切断応力が緩和され、この結果、基板カケやクラックの発生が抑制される。また、貫通孔を被覆材により被覆させること、またノッチとして半導体装置用基板の表面と裏面とに貫通しない形状としたり、被覆したりすることで、樹脂封止工程において、封止樹脂が半導体装置用基板の表面から裏面側に漏れる不具合を防止することができ、樹脂封止を支障無く行うことができる。
【００１９】
また、本発明の半導体装置は、表面に、配線パターンと、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、半導体素子と電気的に接続する電極とを有し、裏面に、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子を有した半導体装置用基板と、この半導体装置用基板の半導体素子搭載部に搭載された半導体素子とを備え、前記半導体素子と前記電極とが電気的に接続され、少なくとも前記半導体素子と電気的に接続された領域が樹脂封止された半導体装置であって、封止される領域に封止樹脂が流入する経路となるゲートランナーが露出し、前記半導体装置用基板の、ゲートランナーが設けられているコーナー部の側面に、半筒状の切り欠き部、または断面略Ｖ字形状の切り欠き部を有している。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る半導体装置用基板を用いることで、良好に樹脂封止され、かつ、半導体装置のゲート側のコーナー部にクラックや基板カケといった不具合の少ない、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用基板及び半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、半導体装置用基板１には、その表面に、配線パターン（図示せず）と、半導体素子１０を搭載する（図２（ｂ）等参照）半導体素子搭載部３と、半導体素子１０を電気的に接続する電極パッド１２（図３（ｂ）参照）とが設けられ、また、その裏面に、配線パターン（図示せず）と、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子１５（図２（ｅ）等参照）とが設けられている。半導体装置用基板１の表面と裏面との配線パターンは、所定の箇所に設けられたスルーホール（図示せず）を介して電気的に接続されている。前記表面と裏面との各配線パターンは例えば銅箔により形成され、厚みは１５ミクロン、幅は３０ミクロンである。また、半導体装置用基板１の表面には、ニッケル、金などのめっきが施されており、その厚みは約１０ミクロンである。半導体装置用基板１の表面及び裏面は、電極パッド１２や後述するゲートランナー６を除き、ソルダレジスト８によって被覆されている。
【００２３】
１枚の半導体装置用基板１には、後述するスリット４を含む切断ライン１９に沿って切断することで、複数の半導体装置２０（いわゆる基板片側封止型の半導体装置：図２（ｆ）等参照）を１度に得ることができるように、前記した表面の配線パターン、半導体素子搭載部３、電極パッド１２と、裏面の配線パターン、外部接続端子１５とを、各半導体装置２０を形成する領域毎に対応させて複数並べた配置状態で形成している。
【００２４】
半導体装置用基板１における半導体素子搭載部３と配線パターンとを周辺からコーナー部を除く４辺で囲むようにスリット４が形成され、半導体装置用基板１における前記コーナー部（スリット４を除く部分）からなるフレーム支持部によって、前記配線パターン及び半導体素子搭載部３を含む部分が外側から支持されている。なお、スリット４はルーター加工により形成され、その幅は例えば約１ミリであり、長さは完成後の外形サイズよりも内側にフレーム支持部の分、短くなっている。
【００２５】
図１（ａ）、（ｂ）などに示すように、半導体装置用基板１におけるフレーム支持部のうち、１箇所にフレーム支持部の外側に位置する半導体装置用基板１の外周端部から半導体素子搭載部３に向かって延びるようにゲートランナー６が設けられている。このゲートランナー６は、封止工程において、樹脂材料を外部から封止領域９に向かって注入し、半導体素子１０と金属細線からなるワイヤ１１と半導体装置用基板１上の配線パターンの一部とを含む封止領域９を封止するための樹脂（封止樹脂２と称す）の流入経路となる。ゲートランナー６は、銅箔などの金属で構成され、その表面には封止樹脂２との離型性を高めるため、ニッケル、金などの金属めっきが施されており、その厚みは約１０ミクロンであり、その幅は樹脂注入口の箇所で１．５ミリ程度である。
【００２６】
ここで特に、図１（ｂ）に示すように、半導体装置用基板１における、ゲートランナー６が形成されている箇所には貫通孔５が形成されており、貫通孔５は、被覆材の１例であるソルダレジスト８により被覆されている。より具体的には、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられている箇所において、隣り合うスリット４同士を接続するように、円形、或いは楕円形の貫通孔５が複数形成されている。なお、この実施の形態では、スリット４に沿った延長線上で互いに直交するようにライン状に並べられて（後述する半導体装置２０毎に切断するための切断ライン１９に沿って）形成されている。これらの貫通孔５は、ドリル加工やレーザー加工により形成され、その直径は例えば約２０ミクロン〜約５００ミクロンとされ、ソルダレジスト８により被覆できる程度の大きさとされている。
【００２７】
そして、上述したように、貫通孔５はソルダレジスト８により被覆されており、この半導体装置用基板１を用いて樹脂封止される際に、封止樹脂２が貫通孔５に流れ込まないようになっている。つまり、ソルダレジスト８により貫通孔５を被覆しないと、樹脂封止工程において、貫通孔５に封止樹脂２が流れ込み、半導体装置用基板１の裏面に封止樹脂２が漏れる不具合を生じるが、上記のようにソルダレジスト８により貫通孔５を被覆することでこのような不具合が生じないよう構成している。なお、この実施の形態では、これらの貫通孔５は、ソルダレジスト８により被覆されているとともに、貫通孔５内にもソルダレジスト８が充填されて埋め込まれているがこれに限るものではない。
【００２８】
また、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられていないコーナーのフレーム支持部においても、隣り合うスリット４同士を接続するように貫通孔５が複数個、ライン状に並べられて（後述する半導体装置２０毎に切断するための切断ライン１９に沿って）形成されている。なお、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられていない前記貫通孔５の箇所は、この半導体装置用基板１を用いて樹脂封止される際でも、封止樹脂２が流れ込まない箇所であり、ソルダレジスト８によって覆わなくても支障をきたさないので、ソルダレジスト８による被覆を行っていない。
【００２９】
この半導体装置用基板１も、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体装置用基板１上の半導体素子搭載部３にダイボンド材を用いて半導体素子１０が載置され、図２（ｃ）に示すように、半導体素子１０の電極パッド（図示せず）と半導体装置用基板１上の電極パッド１２（図３（ｂ）参照）とがワイヤ１１で接続され、図２（ｄ）に示すように、封止用金型（図示せず）を用いて、半導体素子１０とワイヤ１１とを含む封止領域９が封止樹脂２により封止される。
【００３０】
ここで、図３（ａ）は、封止直後の半導体装置用基板を示し、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＳ１−Ｓ１’における断面図を示している。
貫通孔５はソルダレジスト８によって被覆されているので、樹脂封止の際に貫通孔５に封止樹脂２が流れ込むことはない。なお、この封止工程の後に、ゲートランナー６上の樹脂であるゲート７は、ゲートブレイクにより取り除かれる。この場合に、貫通孔５を形成する工程、及び貫通孔５をソルダレジスト８で被覆する工程は、それぞれ、半導体装置用基板１にスルーホールを形成する工程、配線パターンをソルダレジスト８で被覆する工程で同時に行うことができるため、別途に貫通孔５を形成する工程やこの貫通孔５をソルダレジスト８で被覆する工程を設けなくても済み、この結果、製造コストの上昇を抑えることができる。
【００３１】
上記のように、ゲートランナー６上の樹脂であるゲート７を、ゲートブレイクにより取り除いた後、図２（ｅ）に示すように、半導体装置用基板１の裏面にハンダボールなどの外部接続端子１５を取り付け、図２（ｆ）に示すように、この後、半導体装置用基板１のゲートランナー６を含むフレーム支持部をプレス切断装置、あるいはダイシング装置などで切断することで、半導体装置２０を得る。なお、図２（ｆ）における１８は、プレス切断装置あるいはダイシング装置の切断刃を示す。
【００３２】
次に、この半導体装置用基板１を用いて製造する半導体装置２０について説明する。
図４（ａ）は、この半導体装置用基板１を用いた半導体装置の平面図、図４（ｂ）は半導体装置用基板１を用いた半導体装置２０の図４（ａ）のＳ２−Ｓ２’線で切断した断面図である。
【００３３】
これらの図に示すように、半導体装置用基板１の半導体素子搭載部３に半導体素子１０が、例えば銀ペースト等の接着剤で接着されている。半導体素子１０の電極パッドと対応する半導体装置用基板１上の電極パッド１２は、ワイヤ１１で電気的に接続されている。半導体素子１０及びワイヤ１１を含む封止領域９は封止樹脂２により、樹脂封止されている。また、半導体装置用基板１の裏面にハンダボールなどの外部接続端子１５が接続されている。
【００３４】
ここで、図１（ｂ）、図２（ｆ）などに示すように、半導体装置用基板１のゲートランナー６を含むフレーム支持部は、プレス切断装置あるいはダイシング装置などの切断装置で切断されるが、前記貫通孔５は、ゲートランナー６が設けられている箇所とゲートランナー６が設けられていない箇所との何れも、切断装置の切断刃１８により切断される切断ライン１９上に沿って形成されている。このため、フレーム支持部を連続するように並べられて形成された貫通孔５に沿って、切断装置の切断刃１８により外力を加えて分割する際に、貫通孔５が設けられていない場合に比べて、比較的小さな外力で切断ライン１９に沿って良好に切断（分割）することができる。
【００３５】
この点をさらに詳しく説明すると、図５（ａ）、（ｂ）は、切断装置の切断刃１８により切断（分割）した状態を示し、図５（ｂ）は図４（ａ）において、四角で囲んだ部分Ｂの拡大図、図５（ａ）はゲート部分の側面図であるが、これらの図に示すように、完成後の半導体装置２０の切断面はゲートランナー６のあるコーナー部に連続した貫通孔５を切断したことにより生じる半円筒状の切り欠き部を複数有し、その切り欠き部はソルダレジスト８で埋められている。
【００３６】
このように、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられている箇所に貫通孔５が形成されているので、半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程における個々の半導体装置に切断して分割する際に、ゲートランナー６に形成された複数の貫通孔５がゲートランナー６の切断時にかかる切断応力（特に、半導体装置用基板１におけるコーナーの頂点の部分集中する切断応力）を緩和する。そして、これらの貫通孔５が隣り合うスリット４同士を接続する切断ライン１９に沿って形成されているため、極めて良好に切断されて、図２１に示すようなクラック１６や図２２に示すような基板カケ１７が発生することが抑制され、信頼性の高い半導体装置２０を得ることができる。
【００３７】
また、上述したように、貫通孔５を被覆材としてのソルダレジスト８で被覆しているので、樹脂封止工程において、封止樹脂２が貫通孔５を通して半導体装置用基板１の表面から裏面側に漏れる不具合を防止することができ、樹脂封止を支障無く行うことができ、これによっても、信頼性を向上させることができる。
【００３８】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置用基板及び半導体装置について、図６〜図９を参照しながら説明する。なお、この半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程については、図２に示す第１の実施形態の場合とほぼ同様であるので、図２を参照しながら説明する。
【００３９】
図６（ａ）に示すように、半導体装置用基板１には、その表面に、配線パターン（図示せず）と、半導体素子１０を搭載する（図２（ｂ）等参照）半導体素子搭載部３と、半導体素子１０を電気的に接続する電極パッド１２（図７（ｂ）参照）とが設けられ、また、その裏面に、配線パターン（図示せず）と、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子１５（図２（ｅ）等参照）とが設けられている。半導体装置用基板１の表面と裏面との配線パターンは、所定の箇所に設けられたスルーホール（図示せず）を介して電気的に接続されている。前記配線パターンは例えば銅箔により形成され、厚みは１５ミクロン、幅は３０ミクロンである。また、半導体装置用基板１の表面には、ニッケル、金などのめっき（金属めっき部）が施されており、その厚みは約１０ミクロンである。半導体装置用基板１の表面及び裏面は、電極パッド１２や後述するゲートランナー６を除き、ソルダレジストによって被覆されている。
【００４０】
１枚の半導体装置用基板１には、後述するスリット４を含む切断ライン１９に沿って切断することで、複数の半導体装置２０（いわゆる基板片側封止型の半導体装置：図２（ｆ）等参照）を１度に得ることができるように、前記した表面の配線パターン、半導体素子搭載部３、電極パッド１２と、裏面の配線パターン、外部接続端子１５とを、各半導体装置２０を形成する領域毎に対応させて複数並べた配置状態で形成している。
【００４１】
半導体装置用基板１における半導体素子搭載部３と配線パターンとを周辺からコーナー部を除く４辺で囲むようにスリット４が形成され、半導体装置用基板１における前記コーナー部（スリット４を除く部分）からなるフレーム支持部によって、前記配線パターン及び半導体素子搭載部３を含む部分が外側から支持されている。なお、スリット４はルーター加工により形成され、その幅は例えば約１ミリであり、長さは完成後の外形サイズよりも内側にフレーム支持部の分、短くなっている。
【００４２】
図６（ａ）、（ｂ）などに示すように、半導体装置用基板１におけるフレーム支持部のうち、１箇所にフレーム支持部の外側に位置する半導体装置用基板１の外周端部から半導体素子搭載部３に向かって延びるようにゲートランナー６が設けられている。このゲートランナー６は、封止工程において、樹脂材料を外部から封止領域９に向かって注入し、半導体素子１０と金属細線からなるワイヤ１１と半導体装置用基板１上の配線パターンの一部とを含む封止領域９を封止するための樹脂（封止樹脂２と称す）の流入経路となる。図７（ｂ）に示すように、ゲートランナー６は、銅箔などの金属６ａで構成され、その表面には封止樹脂２との離型性を高めるため、ニッケル、金などの金属めっき（以下、金属めっき部６ｂと称す）が施されており、その厚みは約１０ミクロンであり、その幅は樹脂注入口の箇所で１．５ミリ程度である。
【００４３】
ここで特に、図６（ｂ）に示すように、半導体装置用基板１における、ゲートランナー６が形成されている箇所には貫通孔５が形成されており、貫通孔５はゲートランナー６の金属めっき部（被覆材の他の例）６ｂにより被覆されている。より具体的には、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられている箇所において、隣り合うスリット４同士を接続するように、円形、或いは楕円形の貫通孔５が複数形成されている。なお、この実施の形態では、スリット４に沿った延長線上で互いに直交するようにライン状に並べられて（後述する半導体装置２０毎に切断するための切断ライン１９に沿って）形成されている。これらの貫通孔５は、ドリル加工やレーザー加工により形成されている。そして、上述したように、貫通孔５は金属めっき部６ｂにより被覆されており、この半導体装置用基板１を用いて樹脂封止される際に、封止樹脂２が貫通孔５に流れ込まないようになっている。
【００４４】
なお、一般的に、貫通孔５を金属めっき部６ｂで塞ぐには、貫通孔５の孔径が金属めっき部６ｂの膜厚の２倍以下であれば良いので、例えば、２５ミクロンの貫通孔５であれば、１２．５ミクロン以上の膜厚のめっき加工が行われ、これにより、貫通孔５を良好に塞ぐよう構成されている。
【００４５】
このように、金属めっき部６ｂにより貫通孔５を被覆しないと、樹脂封止工程において、貫通孔５に封止樹脂２が流れ込み、半導体装置用基板１の裏面に封止樹脂２が漏れる不具合を生じるが、上記のように金属めっき部６ｂにより貫通孔５を被覆することでこのような不具合が生じないよう構成されている。なお、この実施の形態では、これらの貫通孔５は、金属めっき部６ｂにより被覆されている一方、貫通孔５内には金属めっき部６ｂが導入されていないがこれに限るものではない。
【００４６】
また、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられていないコーナーのフレーム支持部においても、隣り合うスリット４同士を接続するように貫通孔５が複数個、ライン状に並べられて（後述する半導体装置２０毎に切断するための切断ライン１９に沿って）形成されている。なお、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられていない前記貫通孔５の箇所は、この半導体装置用基板１を用いて樹脂封止される際でも、封止樹脂２が流れ込まない箇所であり、金属めっき部６ｂによって覆わなくても支障をきたさないので、金属めっき部６ｂによって被覆していない。
【００４７】
この半導体装置用基板１も、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体装置用基板１上の半導体素子搭載部３にダイボンド材を用いて半導体素子１０が載置され、図２（ｃ）に示すように、半導体素子１０の電極パッド（図示せず）と半導体装置用基板１上の電極パッド１２（図７（ｂ）参照）とがワイヤ１１で接続され、図２（ｄ）に示すように、封止用金型（図示せず）を用いて、半導体素子１０とワイヤ１１とを含む封止領域９が封止樹脂２により封止される。
【００４８】
ここで、図７（ａ）は、封止直後の半導体装置用基板を示し、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＳ１−Ｓ１’における断面図を示している。
貫通孔５は金属めっき部６ｂによって被覆されているので、樹脂封止の際に貫通孔５に封止樹脂２が流れ込むことはない。なお、この封止工程の後に、ゲートランナー６上の樹脂であるゲート７は、ゲートブレイクにより取り除かれる。この場合に、貫通孔５を形成する工程、及び貫通孔５を金属めっき部６ｂで被覆する工程は、それぞれ、半導体装置用基板１にスルーホールを形成する工程、ゲートランナー６や配線パターンをめっき加工する工程で同時に行うことができるため、別途に貫通孔５を形成する工程やこの貫通孔５を金属めっき部６ｂで被覆する工程を設けなくても済み、この結果、製造コストの上昇を抑えることができる。
【００４９】
上記のように、ゲートランナー６上の樹脂であるゲート７を、ゲートブレイクにより取り除いた後、図２（ｅ）に示すように、半導体装置用基板１の裏面にハンダボールなどの外部接続端子１５を取り付け、図２（ｆ）に示すように、この後、半導体装置用基板１のゲートランナー６を含むフレーム支持部をプレス切断装置、あるいはダイシング装置などで切断することで、半導体装置２０を得る。なお、図２（ｆ）における１８は、プレス切断装置あるいはダイシング装置の切断刃を示す。
【００５０】
次にこの半導体装置用基板１を用いた半導体装置２０について説明する。
図８（ａ）は、この半導体装置用基板１を用いた半導体装置の平面図、図８（ｂ）は半導体装置用基板１を用いた半導体装置２０の図８（ａ）のＳ２−Ｓ２’線で切断した断面図である。
【００５１】
これらの図に示すように、半導体装置用基板１の半導体素子搭載部３に半導体素子１０が、例えば銀ペースト等の接着剤で接着されている。半導体素子１０の電極パッドと対応する半導体装置用基板１上の電極パッド１２は、ワイヤ１１で電気的に接続されている。半導体素子１０及びワイヤ１１を含む封止領域９は封止樹脂２により、樹脂封止されている。また、半導体装置用基板１の裏面にハンダボールなどの外部接続端子１５が接続されている。
【００５２】
ここで、図６（ｂ）、図２（ｆ）などに示すように、半導体装置用基板１のゲートランナー６を含むフレーム支持部は、プレス切断装置あるいはダイシング装置などの切断装置で切断されるが、前記貫通孔５は、ゲートランナー６が設けられている箇所とゲートランナー６が設けられていない箇所との何れも、切断装置の切断刃１８により切断される切断ライン１９上に沿って形成されている。このため、フレーム支持部を連続するように並べられて形成された貫通孔５に沿って、切断装置の切断刃１８により外力を加えて分割する際に、貫通孔５が設けられていない場合に比べて、比較的小さな外力で切断ライン１９に沿って良好に切断（分割）することができる。
【００５３】
この点をさらに詳しく説明すると、図９（ａ）、（ｂ）は、切断装置の切断刃１８により切断（分割）した状態を示し、図９（ｂ）は図８（ａ）において、四角で囲んだ部分Ｂの拡大図、図９（ａ）はゲート部分の側面図であるが、これらの図に示すように、完成後の半導体装置２０の切断面はゲートランナー６のあるコーナーに連続した貫通孔５を切断したことにより生じる半円筒状の切り欠き部を複数有し、その切り欠き部の上部に金属めっき部６ｂが形成され、切り欠き部の下部は空洞となっている。
【００５４】
このように、この第２の実施の形態においても、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられている箇所に貫通孔５が形成されているので、半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程における個々の半導体装置に切断して分割する際に、ゲートランナー６に形成された複数の貫通孔５がゲートランナー６の切断時にかかる切断応力（特に、半導体装置用基板１におけるコーナーの頂点の部分集中する切断応力）を緩和する。そして、これらの貫通孔５が隣り合うスリット同士を接続する切断ライン１９に沿って形成されているため、極めて良好に切断されて、図２１に示すようなクラック１６や図２２に示すような基板カケ１７が発生することが抑制され、信頼性の高い半導体装置２０を得ることができる。
【００５５】
また、上述したように、貫通孔５を被覆材としての金属めっき部６ｂで被覆しているので、樹脂封止工程において、封止樹脂２が貫通孔５を通して半導体装置用基板１の表面から裏面側に漏れる不具合を防止することができ、樹脂封止を支障無く行うことができ、これによっても、信頼性を向上させることができる。
【００５６】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置用基板及び半導体装置について、図１０〜図１３を参照しながら説明する。なお、この半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程については、図２に示す第１の実施形態の場合とほぼ同様であるので、図２を参照しながら説明する。
【００５７】
図１０（ａ）に示すように、半導体装置用基板１には、その表面に、配線パターン（図示せず）と、半導体素子１０を搭載する（図２（ｂ）等参照）半導体素子搭載部３と、半導体素子１０を電気的に接続する電極パッド１２（図１１（ｂ）参照）とが設けられ、また、その裏面に、配線パターン（図示せず）と、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子１５（図２（ｅ）等参照）とが設けられている。半導体装置用基板１の表面と裏面との配線パターンは、所定の箇所に設けられたスルーホール（図示せず）を介して電気的に接続されている。前記配線パターンは例えば銅箔により形成され、厚みは１５ミクロン、幅は３０ミクロンである。また、半導体装置用基板１の表面には、ニッケル、金などのめっき（金属めっき部）が施されており、その厚みは約１０ミクロンである。半導体装置用基板１の表面及び裏面は、電極パッドやゲートランナー６を除き、ソルダレジストによって被覆されている。
【００５８】
１枚の半導体装置用基板１には、後述するスリット４を含む切断ライン１９に沿って切断することで、複数の半導体装置２０（図２（ｆ）等参照）を１度に得ることができるように、前記した表面側の配線パターン、半導体素子搭載部３、電極パッド１２と、裏面側の配線パターン、外部接続端子１５とをそれぞれ対応させた状態で複数並べて形成している。
【００５９】
半導体装置用基板１における半導体素子搭載部３と配線パターンとを周辺からコーナー部を除く４辺で囲むようにスリット４が形成され、半導体装置用基板１における前記コーナー部分（スリット４を除く区分）からなるフレーム支持部によって、前記配線パターン及び半導体素子搭載部３を含む部分が外側から支持されている。なお、スリット４はルーター加工により形成され、その幅は例えば約１ミリであり、長さは完成後の外形サイズよりも内側にフレーム支持部の分、短くなっている。
【００６０】
図１０（ａ）、（ｂ）などに示すように、半導体装置用基板１におけるフレーム支持部のうち、１箇所にフレーム支持部の外側に位置する半導体装置用基板１の外周端部から半導体素子搭載部３に向かって延びるようにゲートランナー６が設けられている。このゲートランナー６は、封止工程において、樹脂材料を外部から封止領域９に向かって注入し、半導体素子１０と金属細線からなるワイヤ１１と半導体装置用基板１上の配線パターンの一部とを含む封止領域９を封止するための樹脂（封止樹脂２と称す）の流入経路となる。ゲートランナー６は、銅箔などの金属で構成され、その表面には封止樹脂２との離型性を高めるため、ニッケル、金などの金属めっきが施されており、その厚みは約１０ミクロンであり、その幅は樹脂注入口の箇所で１．５ミリ程度である。
【００６１】
ここで特に、図１０（ｂ）〜（ｅ）に示すように、半導体装置用基板１における、ゲートランナー６が形成されている箇所には溝形状のノッチ１４が形成されており、ノッチ１４にはソルダレジスト８が埋められて被覆されている。より具体的には、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられている箇所において、隣り合うスリット４同士を接続するように溝形状のノッチ１４が形成されている。なお、ノッチ１４は、図１０（ｂ）、（ｃ）に示すように、三角柱からなるＶ字形状の断面の切り欠き部により、隣り合うスリット４同士を線状に接続するように形成したり、或いは、図１０（ｄ）、（ｅ）に示すように、円錐からなるＶ字形状の断面の複数の切り欠き部により、隣り合うスリット４同士を点状に並べられて接続するように形成したりする。なお、この実施の形態では、ノッチ１４は、スリット４に沿った延長線上で互いに直交する方向にライン状に並べられて（後述する半導体装置２０毎に切断するための切断ライン１９に沿って）形成されている。これらのノッチ１４は、研削加工により形成され、その幅は例えば約２０ミクロン〜約５００ミクロンとされており、ソルダレジスト８により被覆できる程度の大きさである。
【００６２】
そして、上述したように、ノッチ１４はソルダレジスト８により被覆されており、この半導体装置用基板１を用いて樹脂封止される際に、封止樹脂２がノッチ１４に流れ込まないようになっている。つまり、ソルダレジスト８によりノッチ１４を被覆しないと、樹脂封止工程において、ノッチ１４に封止樹脂２が流れ込む不具合を生じるが、上記のようにソルダレジスト８によりノッチ１４を被覆することでこのような不具合が生じないよう構成している。
【００６３】
また、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられていないコーナーのフレーム支持部においても、隣り合うスリット４同士を接続するようにノッチ１４が、後述する半導体装置２０毎に切断するための切断ライン１９に沿って形成されている。なお、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられていない前記ノッチ１４の箇所は、この半導体装置用基板１を用いて樹脂封止される際でも、封止樹脂２が流れ込まない箇所であり、ソルダレジスト８によって覆わなくても支障をきたさないので、ソルダレジスト８によって被覆していない。
【００６４】
この半導体装置用基板１も、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体装置用基板１上の半導体素子搭載部３にダイボンド材を用いて半導体素子１０が載置され、図２（ｃ）に示すように、半導体素子１０の電極パッド（図示せず）と半導体装置用基板１上の電極パッド１２（図１１（ｂ）参照）とがワイヤ１１で接続され、図２（ｄ）に示すように、封止用金型（図示せず）を用いて、半導体素子１０とワイヤ１１とを含む封止領域９が封止樹脂２により封止される。
【００６５】
図１１（ａ）は、封止直後の半導体装置用基板を示し、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＳ１−Ｓ１’における断面図を示している。
樹脂封止の際、上述したように、ノッチ１４はソルダレジスト８によって被覆されているので、樹脂封止の際にノッチ１４に封止樹脂２が流れ込むことはない。なお、この後、ゲートランナー６上の樹脂であるゲート７は、ゲートブレイクにより取り除かれる。この場合に、ノッチ１４を形成する工程は別途必要であるが、ノッチ１４をソルダレジスト８で被覆する工程は、配線パターンをソルダレジスト８で被覆する工程で同時に行うことができる。
【００６６】
上記のように、ゲートランナー６上の樹脂であるゲート７を、ゲートブレイクにより取り除いた後、図２（ｅ）に示すように、半導体装置用基板１の裏面にハンダボールなどの外部接続端子１５を取り付け、図２（ｆ）に示すように、この後、半導体装置用基板１のゲートランナー６を含むフレーム支持部をプレス切断装置、あるいはダイシング装置などで切断することで、半導体装置２０を得る。
【００６７】
次にこの半導体装置用基板１を用いた半導体装置２０について説明する。
図１２（ａ）は、本半導体装置用基板１を用いた本半導体装置の平面図、図１２（ｂ）は本半導体装置用基板１を用いた半導体装置２０の図１２（ａ）のＳ２−Ｓ２’線で切断した断面図である。
【００６８】
これらの図に示すように、半導体装置用基板１の半導体素子搭載部３に半導体素子１０が、例えば銀ペースト等の接着剤で接着されている。半導体素子１０の電極パッドと対応する半導体装置用基板１上の電極パッド１２は、ワイヤ１１で電気的に接続されている。半導体素子１０及びワイヤ１１を含む封止領域９は封止樹脂２により、樹脂封止されている。また、半導体装置用基板１の裏面にハンダボールなどの外部接続端子１５が接続されている。
【００６９】
ここで、図１０（ｂ）、（ｄ）、図２（ｆ）などに示すように、半導体装置用基板１のゲートランナー６を含むフレーム支持部はプレス切断装置、あるいはダイシング装置などの切断装置で切断されるが、前記ノッチ１４は、ゲートランナー６が設けられている箇所とゲートランナー６が設けられていない箇所との何れも、切断装置の切断刃１８により切断される切断ライン１９上に沿って形成されているので、フレーム支持部を連続するように形成されたノッチ１４に沿って、切断装置の切断刃１８により外力を加えて分割する際に、ノッチ１４が設けられていない場合に比べて、比較的小さな外力で切断ライン１９に沿って良好に切断（分割）することができる。
【００７０】
この点をさらに詳しく説明すると、図１３（ａ）、（ｂ）は、切断装置の切断刃１８により切断（分割）した状態を示し、図１３（ｂ）は図１２（ａ）において、四角で囲んだ部分Ｂの拡大図、図１３（ａ）はゲート部分の側面図であるが、これらの図に示すように、完成後の半導体装置２０の切断面はゲートランナー６のあるコーナーに連続したノッチ１４を切断したことにより生じる三角柱または円錐からなるＶ字形状の断面の切り欠き部を複数有し、その切り欠き部はソルダレジスト８で埋められている。
【００７１】
このように、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられている箇所にノッチ１４が形成されているので、半導体装置用基板１を用いた半導体装置の製造工程における個々の半導体装置に切断して分割する際に、ゲートランナー６に形成された複数の貫通孔５がゲートランナー６の切断時にかかる切断応力（特に、半導体装置用基板１におけるコーナーの頂点の部分集中する切断応力）を緩和する。そして、これらの貫通孔５が隣り合うスリット４同士を接続する切断ライン１９に沿って形成されているため、極めて良好に切断されて、図２１に示すようなクラック１６や図２２に示すような基板カケ１７が発生することが抑制され、信頼性の高い半導体装置２０を得ることができる。
【００７２】
また、ノッチ１４は、半導体装置用基板１の裏面側には貫通していないので、樹脂封止工程において、封止樹脂２が貫通孔５を通して半導体装置用基板１の表面から裏面側に漏れる不具合を防止することができ、また、ノッチ１４をソルダレジスト８で被覆することで、ノッチ１４の箇所に封止樹脂２が充填されることも防止でき、樹脂封止を支障無く良好に行うことができ、これによっても、信頼性を向上させることができる。
【００７３】
（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置用基板及び半導体装置について、図１４〜図１７を参照しながら説明する。なお、この半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程については、図２に示す第１の実施形態の場合とほぼ同様であるので、製造工程については図２を参照しながら説明する。
【００７４】
図１４（ａ）に示すように、半導体装置用基板１には、その表面に、配線パターン（図示せず）と、半導体素子１０を搭載する（図２（ｂ）等参照）半導体素子搭載部３と、半導体素子１０を電気的に接続する電極パッド１２（図１５（ｂ）参照）とが設けられ、また、その裏面に、配線パターン（図示せず）と、表面の配線パターンと電気的に導通した外部接続端子１５（図２（ｅ）等参照）とが設けられている。半導体装置用基板１の表面と裏面との配線パターンは、所定の箇所に設けられたスルーホール（図示せず）を介して電気的に接続されている。前記配線パターンは例えば銅箔により形成され、厚みは１５ミクロン、幅は３０ミクロンである。また、半導体装置用基板１の表面には、ニッケル、金などのめっき（金属めっき部）が施されており、その厚みは約１０ミクロンである。半導体装置用基板１の表面及び裏面は、電極パッド１２やゲートランナー６を除き、ソルダレジストによって被覆されている。
【００７５】
１枚の半導体装置用基板１には、後述するスリット４を含む切断ライン１９に沿って切断することで、複数の半導体装置２０（図２（ｆ）等参照）を１度に得ることができるように、前記した表面側の配線パターン、半導体素子搭載部３、電極パッド１２と、裏面側の配線パターン、外部接続端子１５とをそれぞれ対応させた状態で複数並べて形成している。
【００７６】
半導体装置用基板１における半導体素子搭載部３と配線パターンとを周辺からコーナー部を除く４辺で囲むようにスリット４が形成され、半導体装置用基板１における前記コーナー部分（スリット４を除く区分）からなるフレーム支持部によって、前記配線パターン及び半導体素子搭載部３を含む部分が外側から支持されている。なお、スリット４はルーター加工により形成され、その幅は例えば約１ミリであり、長さは完成後の外形サイズよりも内側にフレーム支持部の分、短くなっている。
【００７７】
図１４（ａ）、（ｂ）などに示すように、半導体装置用基板１におけるフレーム支持部のうち、１箇所にフレーム支持部の外側に位置する半導体装置用基板１の外周端部から半導体素子搭載部３に向かって延びるようにゲートランナー６が設けられている。このゲートランナー６は、封止工程において、樹脂材料を外部から封止領域９に向かって注入し、半導体素子１０と金属細線からなるワイヤ１１と半導体装置用基板１上の配線パターンの一部とを含む封止領域９を封止するための樹脂（封止樹脂２と称す）の流入経路となる。図１５（ｂ）に示すように、ゲートランナー６は銅箔などの金属６ａで構成され、ゲートランナー６の表面には封止樹脂２との離型性を高めるため、ニッケル、金などの金属めっき（以下、金属めっき部６ｂと称す）が施されており、その厚みは約１０ミクロンであり、ゲートランナー６の幅は樹脂注入口の箇所で１．５ミリ程度である。
【００７８】
ここで特に、図１４（ｂ）〜（ｅ）に示すように、半導体装置用基板１における、ゲートランナー６が形成されている箇所には溝形状のノッチ１４が形成されており、ノッチ１４はゲートランナー６の金属めっき部６ｂにより被覆されている。より具体的には、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられている箇所において、隣り合うスリット４同士を接続するように溝形状のノッチ１４が形成されている。なお、ノッチ１４は、図１４（ｂ）、（ｃ）に示すように、三角柱からなるＶ字形状の断面の切り欠き部により、隣り合うスリット４同士を線状に接続するように形成したり、或いは、図１４（ｄ）、（ｅ）に示すように、円錐からなるＶ字形状の断面の複数の切り欠き部により、隣り合うスリット４同士を点状に並べられて接続するように形成したりする。なお、この実施の形態では、ノッチ１４は、スリット４に沿った延長線上で互いに直交する方向にライン状に並べられて（後述する半導体装置２０毎に切断するための切断ライン１９に沿って）形成されている。これらのノッチ１４は、研削加工により形成されている。そして、上述したように、ノッチ１４は金属めっき部６ｂにより被覆されており、この半導体装置用基板１を用いて樹脂封止される際に、封止樹脂２がノッチ１４に流れ込まないようになっている。
【００７９】
なお、一般的に、ノッチ１４を金属めっき部６ｂで塞ぐには、ノッチ１４の幅が金属めっき部６ｂの膜厚の２倍以下であれば良いので、例えば、２５ミクロンの幅のノッチ１４であれば、１２．５ミクロン以上の膜厚のめっき加工が行われ、これにより、ノッチ１４を良好に塞ぐよう構成されている。
【００８０】
このように、金属めっき部６ｂによりノッチ１４を被覆しないと、樹脂封止工程において、ノッチ１４に封止樹脂２が流れ込み、半導体装置用基板１の裏面に封止樹脂２が漏れる不具合を生じるが、上記のように金属めっき部６ｂによりノッチ１４を被覆することでこのような不具合が生じないよう構成されている。なお、この実施の形態では、これらのノッチ１４は、金属めっき部６ｂにより被覆されている一方、ノッチ１４内には金属めっき部６ｂが導入されていないがこれに限るものではない。
【００８１】
また、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられていないコーナーのフレーム支持部においても、隣り合うスリット４同士を接続するようにノッチ１４が複数個、ライン状に並べられて（後述する半導体装置２０毎に切断するための切断ラインに沿って）形成されている。なお、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられていない前記ノッチ１４の箇所は、この半導体装置用基板１を用いて樹脂封止される際でも、封止樹脂２が流れ込まない箇所であり、金属めっき部６ｂによって覆わなくても支障をきたさないので、金属めっき部６ｂによって被覆していない。
【００８２】
この半導体装置用基板１も、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体装置用基板１上の半導体素子搭載部３にダイボンド材を用いて半導体素子１０が載置され、図２（ｃ）に示すように、半導体素子１０の電極パッド（図示せず）と半導体装置用基板１上の電極パッド１２（図１５（ｂ）参照）とがワイヤ１１で接続され、図２（ｄ）に示すように、封止用金型（図示せず）を用いて、半導体素子１０とワイヤ１１とを含む封止領域９が封止樹脂２により封止される。
【００８３】
図１５（ａ）は、封止直後の半導体装置用基板を示し、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＳ１−Ｓ１’における断面図を示している。
樹脂封止の際、上述したように、ノッチ１４は金属めっき部６ｂによって被覆されているので、樹脂封止の際にノッチ１４に封止樹脂２が流れ込むことはない。なお、この後、ゲートランナー６上の樹脂であるゲート７は、ゲートブレイクにより取り除かれる。この場合に、ノッチ１４を形成する工程は別途必要であるが、ノッチ１４を金属めっき部６ｂで被覆する工程は、ゲートランナー６や配線パターンをめっき加工する工程で同時に行うことができる。
【００８４】
上記のように、ゲートランナー６上の樹脂であるゲート７を、ゲートブレイクにより取り除いた後、図２（ｅ）に示すように、半導体装置用基板１の裏面にハンダボールなどの外部接続端子１５を取り付け、図２（ｆ）に示すように、この後、半導体装置用基板１のゲートランナー６を含むフレーム支持部をプレス切断装置、あるいはダイシング装置などで切断することで、半導体装置２０を得る。
【００８５】
次にこの半導体装置用基板１を用いた半導体装置２０について説明する。
図１６（ａ）は、本半導体装置用基板１を用いた本半導体装置の平面図、図１６（ｂ）は本半導体装置用基板１を用いた半導体装置２０の図１６（ａ）のＳ２−Ｓ２’線で切断した断面図である。
【００８６】
これらの図に示すように、半導体装置用基板１の半導体素子搭載部３に半導体素子１０が、例えば銀ペースト等の接着剤で接着されている。半導体素子１０の電極パッドと対応する半導体装置用基板１上の電極パッド１２は、ワイヤ１１で電気的に接続されている。半導体素子１０及びワイヤ１１を含む封止領域９は封止樹脂２により封止されている。また、半導体装置用基板１の裏面にハンダボールなどの外部接続端子１５が接続されている。
【００８７】
ここで、図１４（ｂ）、（ｄ）、図２（ｆ）などに示すように、半導体装置用基板１のゲートランナー６を含むフレーム支持部はプレス切断装置、あるいはダイシング装置などの切断装置で切断されるが、前記ノッチ１４は、ゲートランナー６が設けられている箇所とゲートランナー６が設けられていない箇所との何れも、切断装置の切断刃１８により切断される切断ライン１９上に沿って形成されているので、フレーム支持部を連続するように並べられて形成されたノッチ１４に沿って、切断装置の切断刃１８により外力を加えて分割する際に、ノッチ１４が設けられていない場合に比べて、比較的小さな外力で切断ライン１９に沿って良好に切断（分割）することができる。
【００８８】
この点をさらに詳しく説明すると、図１７（ａ）、（ｂ）は、切断装置の切断刃１８により切断（分割）した状態を示し、図１７（ｂ）は図１６（ａ）において、四角で囲んだ部分Ｂの拡大図、図１７（ａ）はゲート部分の側面図であるが、これらの図に示すように、完成後の半導体装置２０の切断面はゲートランナー６のあるコーナーに連続したノッチ１４を切断したことにより生じる三角柱または円錐からなるＶ字形状の断面の切り欠き部を複数有し、その切り欠き部の上部に金属めっき部６ｂが貼られ、切り欠き部の下部は空洞となっている。
【００８９】
このように、半導体装置用基板１におけるゲートランナー６が設けられている箇所にノッチ１４が形成されているので、半導体装置用基板１を用いた半導体装置の製造工程における個々の半導体装置に切断して分割する際に、ゲートランナー６に形成された複数の貫通孔５がゲートランナー６の切断時にかかる切断応力（特に、半導体装置用基板１におけるコーナーの頂点の部分集中する切断応力）を緩和する。そして、これらの貫通孔５が隣り合うスリット４同士を接続する切断ライン１９に沿って形成されているため、極めて良好に切断されて、図２１に示すようなクラック１６や図２２に示すような基板カケ１７が発生することが抑制され、信頼性の高い半導体装置２０を得ることができる。
【００９０】
また、ノッチ１４は、半導体装置用基板１の裏面側には貫通していないので、樹脂封止工程において、封止樹脂２が貫通孔５を通して半導体装置用基板１の表面から裏面側に漏れる不具合を防止することができ、また、ノッチ１４を金属めっき部６ｂで被覆することで、ノッチ１４の箇所に封止樹脂２が充填されることも防止でき、樹脂封止を支障無く良好に行うことができ、これによっても、信頼性を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
以上、説明したように、本発明は半導体装置用基板を用いた半導体装置を提供するのに有効である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用基板の平面図及び要部拡大平面図
【図２】（ａ）は本発明の実施形態に係る半導体装置用基板の平面図、（ｂ）〜（ｆ）はそれぞれこの半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程を示す断面図
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用基板の封止後の平面図及び断面図
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の平面図及び断面図
【図５】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の要部拡大側面図および要部拡大平面図
【図６】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置用基板の平面図及び要部拡大平面図
【図７】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置用基板の封止後の平面図及び断面図
【図８】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の平面図及び断面図
【図９】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の要部拡大側面図および要部拡大平面図
【図１０】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体装置用基板の平面図、（ｂ）は同半導体装置用基板の要部拡大平面図、（ｃ）はそのノッチを簡略的に示す斜視図、（ｄ）は同半導体装置用基板の他の例の要部拡大平面図、（ｅ）はそのノッチを簡略的に示す斜視図
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体装置用基板の封止後の平面図及び断面図
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の平面図及び断面図
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の要部拡大側面図および要部拡大平面図
【図１４】（ａ）は本発明の第４の実施形態に係る半導体装置用基板の平面図、（ｂ）は同半導体装置用基板の要部拡大平面図、（ｃ）はそのノッチを簡略的に示す斜視図、（ｄ）は同半導体装置用基板の他の例の要部拡大平面図、（ｅ）はそのノッチを簡略的に示す斜視図
【図１５】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４の実施形態に係る半導体装置用基板の封止後の平面図及び断面図
【図１６】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の平面図及び断面図
【図１７】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の要部拡大側面図および要部拡大平面図
【図１８】（ａ）及び（ｂ）は従来の半導体装置用基板の平面図及び要部拡大平面図
【図１９】（ａ）及び（ｂ）は同従来の半導体装置の平面図及び断面図
【図２０】（ａ）は同従来の半導体装置用基板の平面図、（ｂ）〜（ｆ）はそれぞれこの半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程を示す断面図
【図２１】従来の半導体装置に発生する課題を説明する図
【図２２】従来の半導体装置に発生する課題を説明する他の図
【符号の説明】
【００９３】
１    半導体装置用基板
２    封止樹脂
３    半導体素子搭載部
４    スリット
５    貫通孔
６    ゲートランナー
６ｂ  金属めっき部（金属めっき）
７    ゲート
８    ソルダレジスト
９    封止領域
１０    半導体素子
１１    ワイヤ
１２    電極パッド
１４    ノッチ
１５    外部接続端子
１８    切断刃
１９    切断ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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