(57)【要約】【課題】  均一な成膜を形成することができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】  成膜室内の薄膜形成用基板の片側に接地電極を、他方側に高周波電極を配置し、該高周波電極を、高周波電源に接続され、反応ガスが導入されるガス導入口を有する電極本体部と、板面に、ガス流通孔を有する表面電極部とで構成し、前記接地電極と前記高周波電極との間のプラズマ放電によって前記薄膜形成用基板の成膜面に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記表面電極部を、複数に分割し、これら複数の表面電極４０の端部を重合して前記高周波電極４を構成した装置。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室内の薄膜形成用基板の片側に接地電極を、他方側に高周波電極を配置し、該高周波電極を、高周波電源に接続され、反応ガスが導入されるガス導入口を有する電極本体部と、板面に、ガス流通孔を有する表面電極部とで構成し、前記接地電極と前記高周波電極との間のプラズマ放電によって前記薄膜形成用基板の成膜面に薄膜を形成する薄膜形成装置で、前記表面電極部を、複数に分割し、電極本体部と分割表面電極部とを一体に形成した高周波分割電極において、
前記分割表面電極部を、前記電極本体部に対して着脱自在に構成し、隣り合う前記分割表面電極部相互間に、それぞれ重合部を設け、これら重合部を介して前記電極本体部に固定したことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記各分割表面電極部の重合部を、前記電極本体部の縁部に跨るように形成し、該重合部に、前記電極本体部の縁部のネジ孔に対応する取付孔を千鳥状に形成し、これら取付孔を介して前記対向する電極本体部に共締めしたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記電極本体部と前記表面電極部を、それぞれ縦横に４分割構造に形成するとともに、前記縦横に４分割に形成した分割表面電極部相互間に、隣接する分割表面電極部の裏表を逆にすることで互いに同一面位置になるように重合する段差状の延出部を形成し、これら延出部に、対向する電極本体部の縁部のネジ孔に一致する取付孔を、前記分割表面電極部の裏表で一致するように形成し、前記分割表面電極部の延出部を重ねた重合部の取付孔を用いて千鳥状に前記電極本体部の縁部のネジ孔に螺着したことを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
前記高周波電極の周縁部と成膜室内壁面との間に、断続的に支柱を介在させたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜室内に配置した接地電極と高周波電極との間でプラズマ放電を発生させて、薄膜形成用基板の成膜面に、薄膜太陽電池、半導体、感光体などに用いられる各種薄膜の形成を行うための薄膜形成装置に関し、詳しくは、前記高周波電極を分割構造に形成して取り扱いを容易にした薄膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜太陽電池は、薄型・軽量であるとともに、低コストで製造でき、さらに大面積化が容易であることなどから、今後の太陽電池の主流になると考えられている。薄膜太陽電池は、例えば、電気絶縁性を有する可撓性フィルム基板上に、第１電極（金属電極）、薄膜半導体層からなる光電変換層および第２電極（透明電極）が積層されてなる光電変換素子（またはセル）が複数形成される。ある光電変換素子の第１電極と隣接する光電変換素子の第２電極とを電気的に接続することを次々繰り返すことにより、最初の光電変換素子の第１電極と最後の光電変換素子の第２電極とに必要な電圧を出力させることができる。
【０００３】
このように薄膜太陽電池は、その内部に各種薄膜が積層された構造を有し、通常、これらの薄膜は、プラズマ放電を利用した薄膜形成装置を用いて形成される。可撓性フィルム基板に対する薄膜の形成方法としては、現在、主に、ロールツーロール方式またはステッピングロール方式がある。両方式とも複数のロールによる基板搬送手段を備え、ロールツーロール方式は、各成膜室内を連続的に移動する基板上に連続的に成膜する方式であり、一方、ステッピングロール方式は、各成膜室内で同時に停止させた基板上に成膜し、成膜の終わった基板部分を次の成膜室へ送り出す方式である。このうちステッピングロール方式の薄膜形成装置は、隣接する成膜室間のガス相互拡散を防止できることから、各薄膜の特性が安定して得られるなどの点で優れている。
【０００４】
図１０は従来のステッピングロール方式の薄膜形成装置の構成概略図である。図１０に示す薄膜形成装置１００は、共通真空室１０１内に、可撓性フィルム基板２００の巻出し用のコア１０２ａを有するアンワインダー室１０２と、可撓性フィルム基板２００に金属電極、光電変換層および透明電極などの薄膜を形成するための複数の独立した処理空間としての成膜室１０３と、可撓性フィルム基板２００の巻取り用のコア１０４ａを有するワインダー室１０４とを備える。可撓性フィルム基板２００は、アンワインダー室１０２のコア１０２ａから巻き出されてワインダー室１０４のコア１０４ａで巻き取られる間に、各成膜室１０３で所定の薄膜が形成されるようになっている。
【０００５】
各成膜室１０３では、スパッタ成膜またはプラズマ化学気相成長法（以下「プラズマＣＶＤ法」という。）により成膜が行われる。例えば、プラズマＣＶＤ法により成膜するステッピングロール方式の場合には、順に、成膜室１０３の開放、可撓性フィルム基板２００の１フレーム移動、成膜室１０３の封止、原料ガスの導入、圧力制御、放電開始、放電終了、原料ガスの停止、ガス引き、成膜室１０３の開放、といった手順を繰り返して成膜が行われる。
【０００６】
図１１および図１２は成膜室の一構成例を示す図であって、図１１は開放時の成膜室の概略断面図、図１２は封止時の成膜室の概略断面図である。ただし、図１１および図１２では、図１０に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【０００７】
上記図１０に示した成膜室１０３は、図１１に示すように、断続的に搬送されてくる可撓性フィルム基板２００の両側に、函状の成膜部室壁体１０３ａと成膜部室壁体１０３ｂとが対向配置されて構成されている。封止時には、図１２に示すように、可撓性フィルム基板２００を挟んで成膜部室１０３ｃおよび成膜部室１０３ｄの独立した処理空間が構成されるようになっている。成膜部室１０３ｃには、ヒータ１０６ａを内蔵した接地電極１０６が配置され、成膜部室１０３ｄには、電源１０８に接続された高周波電極１０５が配置されるようになっている。成膜室１０３と高周波電極１０５の電極取付ベース１０５ａとの間はシール１０７で絶縁されている。
【０００８】
成膜時には、成膜部室壁体１０３ａが図１１に示した位置から図１２に示した位置まで移動し、接地電極１０６が可撓性フィルム基板２００を押さえ、成膜部室壁体１０３ｂの開口側端面に取り付けられたシール部材１０３ｅに接触する。これにより、可撓性フィルム基板２００と高周波電極１０５との間に成膜空間１０９が形成される。
【０００９】
このように構成される各成膜室１０３において、高周波電極１０５へ高周波電圧を印加することにより、成膜空間１０９にプラズマを発生させ、図示しない導入管から導入された原料ガスを分解して可撓性フィルム基板２００上に膜が形成されるようになる。
【００１０】
図１３は、従来の一般的な薄膜形成装置における電極構造を示したもので、図１１と同一部分は同符号を付して同一部分の説明は省略して説明する。
高周波電極１０５は、電極本体１０５ａと、ガス導入口１０５ｂと、表面電極とも呼ばれるシャワー電極としての１枚の電極板１０５ｃとを有する。反応ガスは、ガス導入口１０５ｂから導入されて電極板１０５ｃの貫通孔より 可撓性フィルム基板側に噴射される。
【００１１】
上記成膜室１０３で例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を成膜する場合、高周波電極１０５の電極板１０５ｃの表面にａ−Ｓｉ膜が付着してその膜厚が数十μｍになると、そのａ−Ｓｉ膜が内部応力によって剥離してフレークとなって可撓性フィルム基板２００に付着し、ピンホールなどの要因になる。そのため、電極板１０５ｃ表面をサンドブラストで凹凸化することによって、可撓性フィルム基板２００に対し安定して剥離のない成膜が行える最大付着膜厚を５０μｍ〜１００μｍ程度まで伸ばすようにすることが行われる。最大付着膜厚に達した段階で、図１０の共通真空室１０１内を大気開放して電極板１０５ｃの交換を行い、取り外した電極板１０５ｃは洗浄装置を用いて酸洗い処理する。
【００１２】
そのため、電極板１０５ｃは、薄膜形成装置１００が大面積薄膜形成に対応できるようになってきている反面、洗浄装置の洗浄容器内積が小さいことや、電極板１０５ｃの取り付け、取り外し作業時における取り扱い性を向上させるために、図１４ないし図１６に示すように、４枚に分割して構成している。ここでは4枚に分割しているが、電極板の大きさとハンドリング性を考慮して4枚以外に分割しても良い。また、大面積の基板上に薄膜を形成する装置では、各電極板１０５ｃは、電極本体１０５ａとの電気的コンタクトを確保するため、複数の固定用ねじ１０５ｄにて電極本体１０５ａに締結されるようになっている。図１４に示したガス導入口１０５ｂから導入される反応ガスは、電極本体１０５ａで４方向に分配され、図１５および図１６に示すそれぞれの電極板１０５ｃの孔１０５ｅから噴射される。ただし、図１５および図１６には、４枚の電極板１０５ｃのうち１枚にのみ孔１０５ｅを図示し、残りの３枚についてはその図示を省略している（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２４２３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記薄膜形成装置によれば、表面電極を4分割することによって、加熱による伸び・歪等によって各表面電極と電極本体との間に隙間が生じ、その間から成膜ガスが漏れることがあった。前記隙間は線状であり、表面電極の貫通孔と比較して断面積が大きいため、前記貫通孔を通過するガス量と比べて相対的に多くなる。結果放電空間中におけるガス密度分布が大きくなり、膜厚分布が大きくなるという問題があった。さらに上記課題を解決するために、電極本体と表面電極を接続するネジの本数を多くすると、表面電極交換等の作業時間が多くなり、生産性が低下するという問題があった。
【００１４】
また、電極板を電極中心のみで成膜室に固定する場合、電極の加熱による歪や洗浄時における変形等により、成膜中対向電極と平行にならない場合がある。これは電極板のサイズが大きくなる程顕著であり、電極面内の任意の部位で電極間距離が異なることに起因した膜厚分布の悪化が生じるという問題があった。
【００１５】
本発明は、上記課題を解決し、均一な成膜を生成することができる薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、上記課題を解決するため、成膜室内の薄膜形成用基板の片側に接地電極を、他方側に高周波電極を配置し、該高周波電極を、高周波電源に接続され、反応ガスが導入されるガス導入口を有する電極本体部と、板面に、ガス流通孔を有する表面電極部とで構成し、前記接地電極と前記高周波電極との間のプラズマ放電によって前記薄膜形成用基板の成膜面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記表面電極部を、分割し、組み付けた前記高周波電極において、
前記分割表面電極部を、前記電極本体部に対して着脱自在に構成し、隣り合う前記分割表面電極部相互間に、それぞれ重合部を設け、これら重合部を介して前記対向する電極本体部に固定したことにある。
さらに、本発明は、前記各分割表面電極部の重合部を、前記対向する電極本体部の縁部双方に跨るように形成し、該重合部に前記電極本体部の縁部のネジ孔に対応する取付孔を千鳥状に形成し、これら取付孔を介して前記対向する電極本体部に共締めしたことにある。
また、本発明は、前記表面電極部を、それぞれ縦横に４分割構造に形成するとともに、前記縦横に４分割に形成した分割表面電極部相互間に、隣接する分割表面電極部の裏表を逆にすることで互いに同一面位置になるように重合する段差状の延出部を形成し、これら延出部に、対向する電極本体部の縁部のネジ孔に一致する取付孔を、前記分割表面電極部の裏表で一致するように形成し、前記分割表面電極部の延出部を重ねた重合部の取付孔を用いて千鳥状に前記電極本体部の縁部のネジ孔に螺着したことにある。
さらに、本発明は、前記高周波電極の周縁部と成膜室内壁面との間に、断続的に支柱を介在させたことにある。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
請求項１によれば、前記表面電極部を、それぞれ複数に分割し、隣り合う前記分割表面電極部相互間に、それぞれ重合部を設け、これら重合部を介して前記対向する電極本体部に固定したので、分割表面電極部間からのガス漏れを防止することができる。よって、薄膜形成用基板上に均一な薄膜が形成される。さらに、従来の高周波電極に比べて高周波分割電極が小形軽量化されるため、取り扱い性の向上が図れると共に、洗浄器を小型化出来る。
請求項２によれば、各分割表面電極部の重合部を、前記対向する電極本体部の縁部双方に跨るように形成し、該重合部に、前記電極本体部の縁部の取付孔に対応する取付孔を千鳥状に形成し、これら取付孔を介して前記対向する電極本体部に共締めしたので、取付孔の数を低減できるとともに、着脱作業時の工数を削減することができる。
請求項３によれば、前記電極本体部と前記表面電極部を、それぞれ縦横に４分割構造に形成するとともに、前記縦横に４分割に形成した分割表面電極部相互間に、隣接する分割表面電極部の裏表を逆にすることで互いに同一面位置になるように重合する段差状の延出部を形成し、これら延出部に、対向する電極本体部の縁部のネジ孔に一致する取付孔を、前記分割表面電極部の裏表で一致するように形成し、前記分割表面電極部の延出部を重ねた重合部の取付孔を用いて千鳥状に前記電極本体部の縁部のネジ孔に螺着したので、同一の形状に形成した分割表面電極部を用いる事ができる。この様に分割表面電極を共通化する事により、分割表面電極の表裏を逆転させて再使用する事が可能になるため、分割表面電極のメンテナンス周期を伸ばす事が可能になる。
請求項４によれば、高周波電極の周縁部と成膜室内壁面との間に、電気絶縁性を有する支柱を介在させたので、高周波電極を確実に固定でき、熱歪や変形に起因した電極間距離のずれを回避することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、開放時の成膜室を示す概略断面図、図２は高周波電極を示す正面図である。
【００１９】
図１および図２において、１は薄膜形成装置の成膜室であり、この成膜室１は、断続的に搬送されてくる可撓性フィルム基板等の薄膜形成用基板２を挟んで、成膜室壁体１０ａ，１０ｂが対向して配設されている。これら成膜室壁体１０ａ，１０ｂの内面側の対向面には、軸線上に電極取付ベース１１，１２が設けられている。電極取付ベース１１には、薄膜形成用基板２の非成膜面側に配置される接地電極３が取付けられ、他方側の電極取付ベース１２には、高周波電源が接続され、高電圧が印加される高周波電極４が接地電極３に対向して取り付けられている。接地電極３と高周波電極４は、薄膜形成用基板２を挟んで、成膜室１内に互いに対向して配置されている。また、成膜室壁体１０ｂと電極取付ベース１２の間は、シール１０ｃで電気的に絶縁されている。但し、成膜室壁体１０ｂと電極取付ベース１２が同電位である場合には、シール１０ｃは導電性でも良い。
【００２０】
前記高周波電極４は、接地電極３側から見て、縦横にそれぞれ２分割して４分割構造に形成されている。これら高周波分割電極４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄは、表面側に表面電極としての分割表面電極部（分割電極板部）４０が配置され、裏面側に電極本体部４１が配置されている。高周波分割電極４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄの内部は、それぞれ中空に形成され、この中空部４２には、前記電極取付ベース１２の内部に形成されたガス通路１２ａから４つに分岐されて、高周波分割電極４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄの各電極本体部４１の壁面に形成された各ガス導入口４１ａを通して反応ガスが導入されるものである。分割表面電極部４０には、例えば５ｍｍ〜5０ｍｍ間隔で直径０．５ｍｍ〜２ｍｍの複数のガス流通孔４３を開けたアルミニウムやステンレススティールの金属板が用いられる。
【００２１】
反応ガスは、電極本体部４１内に形成されたガス導入口４１ａから導入され、電極本体部４１で４つの高周波分割電極４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄの中空部４２へと分配され、それぞれの分割表面電極部４０のガス流通孔４３から、接地電極３側に配置された薄膜形成用基板２の成膜面側に向かって噴射されるようになっている。
【００２２】
前記高周波電極４の周縁部と成膜室壁体１０ｂとの間には、前記電極取付ベース１２と同等の厚みを有する絶縁体の支柱５が設けられ、各高周波分割電極４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄの保持を図っている。
支柱５は、成膜室壁体１０ｂの内壁面に、前記高周波電極４の周縁部に対応するようにして取付けられており、この支柱５と前記電極取付ベース１２に跨って各高周波分割電極４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄをネジ等によって固定している。尚、支柱５は、断続的に設けられている。
【００２３】
図１ないし図４は、本発明の第１の実施形態である。高周波電極を構成する４つの高周波分割電極４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄの隣り合う分割表面電極40の端部を重合する様に構成したものである。分割表面電極部４０は、一つの角部から両側の二辺に沿って段差状の延出部４０ａが一定幅で設けられている。これら分割表面電極部４０は、隣接する分割表面電極部４０の裏表を逆にすることで、互いに同一面位置になるように重なる前記延出部４０ａが形成されている。
【００２４】
前記分割表面電極部４０は、隣接する分割表面電極部４０との延出部４０ａ相互間で形成される重合部４４を介して対向する電極本体部４１の縁部に形成されたネジ孔４１ｂ（図５、図６参照）にそれぞれネジ留めされている。
上記延出部４０ａには、長手方向に沿って一定間隔で、裏表で一致する取付孔４０ｂが形成されている。角部４０ｃに設けられる延出部４０ａの先端部は、斜めにカットされて対角線に配置される分割表面電極部４０の角部４０ｃを突き合わせるように形成されている。
【００２５】
この第１の実施の形態では、分割表面電極部４０を電極本体部４１に、図示しないネジを介してそれぞれ螺着する。このとき、対角線の一方に配置される分割表面電極部４０に対して、対角線の他方に配置される分割表面電極部４０の角部４０ｃを突き合わせて配置する。次に、隣接する分割表面電極部４０を裏返して、隣りあう分割表面電極部４０の延出部４０ａを互いに重ねて、表面が面一になるように組み合わせ（図３、図４参照）、電極本体部４１に重ねる。そして、分割表面電極部４０は、重合部４４の取付孔４０ｂを介して対向する電極本体部４１のネジ孔４１ｂ（図５、図６参照）に、ネジ４５を螺合してネジ留めする。こうして、分割表面電極部４０は、それぞれ対向する電極本体部４１にネジ留めされるとともに、隣り合う電極本体部４１にネジ留めされる。このようにして組み立てられた高周波分割電極４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄは、支柱５と前記電極取付ベース１２にそれぞれ固定される。
【００２６】
したがって、第１の実施の形態によれば、分割表面電極部４０は、延出部４０ａを互いに重ねる事により、分割表面電極部４０の重合部からのガス漏れを防止することができるため、薄膜形成用基板２上に均一な薄膜が形成される。
図５ないし図７は、電極本体部４１への分割表面電極部４０の取付けを示したもので、電極本体部４１への組み付けには、分割表面電極部４０の取付孔４０ｂを電極本体部４１のネジ孔４１ｂに合わせてネジ留めする。分割表面電極部４０の延出部４０ａが重合する部分では、取付孔４０ｂおよびネジ孔４１ｂを互いに対応する位置に千鳥状に形成することで、重合する部分の取付孔４０ｂおよびネジ孔４１ｂの数を削減できることから、ネジの本数を削減できると共に、作業工数を低減できる。
【００２７】
図８ないし図９は本発明の第２の実施形態を示したもので、この場合、隣接する分割表面電極部４０の裏表を逆にすることで、互いに同一面位置になるように重合する段差状の延出部４０ａを形成したものである。
延出部４０ａには、長手方向に沿って一定間隔で、取付孔４０ｂを２列に形成し、分割表面電極部４０の組み付けには、１列目の取付孔４０ｂと２列目の取付孔４０ｂを交互に用いる、いわゆる取付孔４０ｂを千鳥状に用いてネジ留めすればよいので、分割表面電極部４０の共通化を図ることができる。これらの取付孔４０ｂは、分割表面電極部４０の裏表で一致するように形成され、分割表面電極部４０の延出部４０ａを重ねた重合部の取付孔４０ｂを用いて千鳥状に電極本体部４１の縁部のネジ孔４１ｂに螺着することができる。
この様に分割表面電極４０を共通化する事により、分割表面電極４０の表裏を逆転させて再使用する事が可能になるため、分割表面電極４０のメンテナンス周期を伸ばす事が可能になる。
なお、電極本体部４１のネジ孔４１ｂは、図５ないし図７（ａ）（ｂ）に示すように、千鳥状に形成して、交互にネジ留めを行うようにしてもよい。
【００２８】
また、電極本体部４１と成膜室壁体１０ｂとの間に介在させる支柱５は、絶縁性の材質のもの、もしくは一部絶縁性の材質を介在した構造にしている。また、成膜室壁体１０ｂと支柱５とを接続するネジと、支柱５と電極本体部４１を接続するネジは別のものとし、かつ両者が接触しないよう配置する。但し、成膜室壁体１０ｂが、電極板と同電位である場合、導電性の支柱でも良く、前記2つのネジが接触しても良い。
【００２９】
以上述べたように、上記実施の形態によれば、高周波電極４を、接地電極３側から見て、縦横に２分割して４分割構造に形成したので、分解、組立て作業を容易に行うことができるとともに、小形の容器内で洗浄作業を行うことができる。分割表面電極部４０の隣り合う端部が重合されるので、分割表面電極部４０の重合部からのガス漏れを防止することができ、薄膜形成用基板２上に均一な薄膜を形成することができる。
【００３０】
なお、本発明は、上記実施の形態のみに限定されるものではなく、例えば、上記実施の形態では、高周波電極４を４分割して高周波分割電極４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄを形成したが、４分割に限らず、２分割以上など多分割することもできる。なお、電極本体部４１は分割表面電極部４０の互いに重合する延出部４０ａによって結合されるので、分割表面電極部４０と同様に４分割構造に形成しても良く、一体構造であっても良い。また、高周波電極４を、支持するための電極取付ベース１２と支柱５はどのような形状でも良く、支柱５の数および幅も任意に設定することができる。高周波電極４を電極取付ベース１２と支柱５に取付ける構造はどのような取り付け方法でもよい。その他、本発明の要旨を変更しない範囲内で適宜変更して実施し得ることができることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１の実施の形態の薄膜形成装置における開放時の成膜室を示す断面図である。
【図２】図１の高周波電極を示す概念図である。
【図３】図１の高周波電極の分割表面電極部を示す分解斜視図である。
【図４】図３の分割表面電極部の重合部を示す分解斜視図である。
【図５】高周波分割電極の千鳥状の取付孔を示す概念図である。
【図６】図５の分解斜視図である。
【図７】高周波分割電極の重合部を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の右側面図である。
【図８】第２の実施の形態の高周波電極の分割表面電極部を示す分解斜視図である。
【図９】図８の分割表面電極部の重合部を示す分解斜視図である。
【図１０】従来のステッピングロール方式の薄膜形成装置の構成概略図である。
【図１１】開放時の成膜室の概略断面図である。
【図１２】封止時の成膜室の概略断面図である。
【図１３】従来の高周波電極を用いた薄膜形成装置を示す断面図である。
【図１４】従来の高周波電極を示す断面図である。
【図１５】従来の高周波電極の平面図である。
【図１６】従来の高周波電極の斜視図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  成膜室
２  薄膜形成用基板
３  接地電極
４  高周波電極
５  支柱
１１，１２  電極取付ベース
４０  分割表面電極部
４１  電極本体部
４２  中空部
４３  ガス流通孔
４４  重合部
４５  ネジ
４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ  高周波分割電極
１２ａ  ガス通路
４０ａ  延出部
４０ｂ  取付孔
４０ｃ  角部
４１ａ  ガス導入口
４１ｂ  ネジ孔
【図１】
2008106304.tif 000003
【図２】
2008106304.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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