(57)【要約】【課題】配線板に歪みがあっても電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる多層配線板を提供する。【解決手段】互いに積層された複数の絶縁基材１１，２１，３１，４１と、最も外側に配置された一方の絶縁基材１１の外面に設けられた複数のベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃと、この複数のベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃにシード層５１を介して積層され、それぞれの表面高さが同じ位置になるよう高さが設定された複数の高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃとを備え、ベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃとシード層５１と高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃによって電極部５０が構成された。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、この絶縁基材の少なくとも一面に設けられた複数のベース電極部と、この複数のベース電極部にそれぞれ積層され、それぞれの表面高さが同じ位置となるよう高さが設定された複数の高さ調整用電極部とを備え、少なくとも前記ベース電極部と前記高さ調整用電極部によって電極部が構成されたことを特徴とする配線板。
【請求項２】
互いに積層された複数の絶縁基材と、最も外側に配置された少なくとも一方の前記絶縁基材の外面に設けられた複数のベース電極部と、この複数のベース電極部に積層され、それぞれの表面高さが同じ位置になるよう高さが設定された複数の高さ調整用電極部とを備え、少なくとも前記ベース電極部と前記高さ調整用電極部によって電極部が構成されたことを特徴とする配線板。
【請求項３】
前記高さ調整用電極部は、導電性ペーストにて形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載された配線板。
【請求項４】
前記高さ調整用電極部は、金属メッキによって形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載された配線板。
【請求項５】
前記絶縁基材は、可撓性を備えた材料であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載された配線板。
【請求項６】
複数のベース電極部が設けられた絶縁基材の面にレジスト層を形成し、次に、このレジスト層の前記各ベース電極部の位置に開口部を形成し、次に、この複数の開口部に導電性部材をそれぞれ配置し、前記レジスト層及び複数の前記導電性部材の表面を同じ高さの平坦面になるよう研磨し、前記導電性部材の研磨加工によって前記各開口部内に高さ調整用電極部をそれぞれ形成し、次に、前記レジスト層を除去し、少なくとも前記ベース電極部とこの上に積層された前記高さ調整用電極部によって電極部を構成したことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項７】
複数の絶縁基材を積層し、最も外側に配置された少なくとも一方の前記絶縁基材の外面に、複数のベース電極部を被うようにレジスト層を形成し、次に、この複数の開口部に導電性部材をそれぞれ配置し、次に、前記レジスト層及び複数の前記導電性部材の表面を同じ高さの平坦な面になるよう研磨し、前記導電性部材の研磨加工によって前記各開口部内に高さ調整用電極部をそれぞれ形成し、次に、前記レジスト層を除去し、少なくとも前記ベース電極部とこの上に積層された高さ調整用電極部によって電極部を構成したことを特徴とする配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基材の電極部上に電子部品を表面実装する配線板及び配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の軽薄短小化、半導体チップや部品の小型化および端子の狭ピッチ化に伴い、配線板の実装面積の縮小、配線の細密化が進んでいる。同時に、情報関連機器では、振動周波数の広帯域化に対応して部品間を連結する配線の短距離化が求められており、高密度、高性能を達成するための配線板の多層化は必要不可欠となっている。
【０００３】
次に、多層配線板の一従来例を説明する。図３０に示すように、多層配線板１００は、互いに積層された第１〜第４基板１１０，１２０，１３０，１４０から構成されている。第１、第２及び第３基板１１０，１２０，１３０は、可撓性を備えた絶縁基材１１１，１２１，１３１と、この絶縁基材１１１，１２１，１３１の一面に形成され接着層１１２，１２２，１３２と、絶縁基材１１１，１２１，１３１の他面に形成された導電パターン層１１３，１２３，１３３と、絶縁基材１１１，１２１，１３１内に設けられた複数の層間導電部である導電性ペーストビア１１４，１２４，１３４とから主に構成されている。第４基板１４０は、可撓性を備えた絶縁基材１４１と、この一面に形成された導電パターン層１４２とから主に構成されている。第１〜第３基板１１０．１２０，１３０の各導電性ペーストビア１１４，１２４，１３４によって各層の導電パターン層１１３，１２３，１３３，１４２が電気的に接続されている。
【０００４】
このように第１〜第４基板１１０，１２０，１３０，１４０を重ね合わせる多層配線板１００は、例えば加熱プレスによって第１〜第４基板１１０，１２０，１３０，１４０を一括で積層する。
【０００５】
しかしながら、このような加熱プレスによる多層配線板１００の積層工程では、接着層１１２，１２２，１３２が流動性を持つ一方で、この接着層１１２，１２２，１３２に較べて導電性ペーストビア１１４，１２４，１３４の突起部（図示せず）が硬いこと、及び、各層の導電パターン層１１３，１２３，１３３による凹凸によって、図３０に示すように、多層配線板１００に歪みが発生する。特に、導電性ペーストビア１１４，１２４，１３４が直線状に配置された個所とそうでない箇所との間では大きな歪みが顕著に現れる。
【０００６】
このように多層配線板１００に歪みがあると、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できない。
【０００７】
つまり、多層配線板１００は、図３１に示すように、最上面の導電パターン層１１３の一部によって複数の電極部１１３ａが形成されている。この複数の電極部１１３ａ上に電子部品１５０の複数の電極部１５０ａが位置合わせされ、双方の電極部１１３ａ，１５０ａ間が半田バンプ１６０を介して接続される。ところが、上記したように多層配線板１００に歪みがあると、多層配線板１００の複数の電極部１１３ａに高低差（図３０のｈ）が発生し、双方の電極部１１３ａ，１５０ａ間の距離が離れすぎている箇所（図３１の中央の半田バンプ）では、実装不良が発生する。
【０００８】
実装不良の半田バンプ１６０は、図３２に示すように、半田バンプ１６０が形状不良となり、図３３に示すように、外部ストレスによって簡単に破断する。
【０００９】
このような不具合を解消する手段として、図３４に示すように、多層配線板１７０の両側の基板１７１，１７２をＣ線に沿って研磨し、各基板１７１，１７２を平坦化する方法がある（特許文献１参照）。この方法によれば、両側の基板１７１，１７２の電極部１７１ａ，１７２ａは、共に同じ高さとなるため、電子部品を良好な状態で表面実装できる。
【００１０】
又、特許文献２にもほぼ同じ方法が開示されている。
【特許文献１】特開平６−１３７５５号公報
【特許文献２】特開平７−２３１１４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来例では、各基板１７１，１７２の全ての導電パターン層を研磨することになるため、導電パターン層が損傷を受ける、電極部１７１ａ，１７２ａを含む導電パターン層が薄くなって回路抵抗が大きくなる、電極部１７１ａ，１７２ａを含む導電パターン層の厚み以上に歪みがあると、研磨によって平坦化できない等の種々の不具合が発生するため、実用的な対応策とはいえない。
【００１２】
また、単板の配線板においても何らかの理由によって歪みが発生すると、上記した多層配線板と同様の問題が発生し、その対策が望まれている。
【００１３】
そこで、本発明は、配線板に歪みがあっても電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる配線板及び配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成する本発明は、絶縁基材と、この絶縁基材の少なくとも一面に設けられた複数のベース電極部と、この複数のベース電極部にそれぞれ積層され、それぞれの表面高さが同じ位置となるよう高さが設定された複数の高さ調整用電極部とを備え、少なくとも前記ベース電極部と前記高さ調整用電極部によって電極部が構成されたことを特徴とする配線板である。配線板は、基板が単層でも多層であっても良い。高さ調整用電極部は、導電性ペースト又は金属メッキにて形成しても良い。絶縁基材は、可撓性を備えた材料であっても良い。
【００１５】
他の本発明は、複数のベース電極部が設けられた絶縁基材の面にレジスト層を形成し、次に、このレジスト層の前記各ベース電極部の位置に開口部を形成し、次に、この複数の開口部に導電性部材をそれぞれ配置し、次に、前記レジスト層及び複数の前記導電性部材の表面を同じ高さの平坦面になるよう研磨し、前記導電性部材の研磨加工によって前記各開口部内に高さ調整用電極部を形成し、次に、前記レジスト層を除去し、少なくとも前記ベース電極部とこの上に積層された前記高さ調整用電極部によって電極部を構成したことを特徴とする配線板の製造方法である。配線板は基板が単層でも多層であっても良い。導電性部材は、導電性ペースト又は金属メッキであっても良い。レジスト層の除去工程前に、絶縁基材を熱硬化させる熱硬化工程を行っても良い。絶縁基材は、可撓性を備えたものであっても良い。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、配線板に歪みがあっても複数の電極部の表面高さが同じであるため、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。そして、従来例のように配線板の導電パターン層を研磨しないため、導電パターン層を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態に係る配線基板及びその製造方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各材料層の厚みやその比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１〜図１３は本発明の第１の実施の形態を示し、図１は多層配線板の断面図、図２〜図７は各基板作製工程の断面図、図８及び図９は基板積層工程の断面図、図１０〜図１３は電極作製工程の断面図である。
【００１９】
図１に示すように、配線板である多層配線板１Ａは、互いに積層された第１〜第４基板１０，２０，３０，４０から構成されている。第１、第２及び第３基板１０，２０，３０は、可撓性を備えた絶縁基材１１，２１，３１と、この絶縁基材１１，２１，３１の一面に形成された接着層１２，２２，３２と、絶縁基材１１，２１，３１の他面に形成された導電パターン層１３，２３，３３と、絶縁基材１１，２１，３１内に設けられた複数の層間導電部である導電性ペーストビア１４，２４，３４とから主に構成されている。第４基板４０は、可撓性を備えた絶縁基材４１とこの一面に形成された導電パターン層４２とから主に構成されている。第１〜第３基板１０，２０，３０の各導電性ペーストビア１４，２４，３４によって各層の導電パターン層１３，２３，３３，４２が電気的に接続されている。
【００２０】
又、第１基板１０の上面の導電パターン層（ベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃ）１３の下部には、導電性ペーストビアが備えられている。この各ベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃの上面にはシード層５１を介して高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃが積層され、高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃとシード層５１とベース電極部１３ａとによって各電極部５０が構成されている。
【００２１】
各高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、それぞれの表面高さが同じ位置Ｈ１になるようその高さが設定されている。つまり、図１に示すように、ベース電極部１３ａ，１３ｃの表面高さが高い場合には、高さ調整用電極部５２ａ，５２ｃの高さ寸法が小さく、ベース電極部１３ｂの表面高さが低い場合には、高さ調整用電極部５２ｂの高さ寸法が大きく設定されている。
【００２２】
次に、多層配線板１Ａの製造方法を説明する。多層配線板１Ａは、第１〜第４基板１０，２０，３０，４０をそれぞれ作製する基板作製工程と、これら第１〜第４基板１０，２０，３０，４０を加熱プレスによって一括積層する基板積層工程と、第１基板１０の上面に電極部５０を作製する電極作製工程とから作製される。
【００２３】
先ず、基板作製工程を説明する。基板作製工程は、第１基板１０を例に取って説明する。非熱可塑性ポリイミド材で、厚さ２０μｍの絶縁基材１１と、この片面に貼られた厚さ１０μｍの銅箔層６０とからなる基材を出発基材とする。図２に示すように、銅箔層に塩化鉄による銅エッチングを施し、絶縁基材１１の一面に所定パターンの導電パターン層１３を形成する。導電パターン層１３の一部によって複数のベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃが形成される。
【００２４】
次に、図３に示すように、導電パターン層１３が形成されていない絶縁基材１１の反対面に、フィルム状の接着層１２を形成し、このフィルム状の接着層１２の上にカバー層６１を形成する。フィルム状の接着層１２は、エポキシ樹脂及びアクリル系エラストマーからなるフィルム状熱硬化接着シート（厚さ２５μｍ）を１００℃で３０秒間熱ラミネートすることによって形成する。カバー層６１は、ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）を１０℃で３０秒間熱ラミネートすることによって形成する。
【００２５】
次に、図４に示すように、ＵＶ−ＹＡＧレーザ（波長３５５ｎｍ）を照射してカバー層６２、フィルム状の接着層１２及び絶縁基材１１を貫通する貫通孔６２を形成し、この貫通孔６２の中心に導電パターン層１３を貫通する小孔６３を形成する。貫通孔６２は直径１００μｍの孔であり、小孔６３は直径３０μｍの孔である。
【００２６】
次に、図５に示すように、小孔６３より空気を減圧吸引しながらスクリーン印刷によって貫通孔６２及び小孔６３内に、銅フィラー及びエポキシ樹脂からなる導電性ペースト６４を充填する。図６に示すように、充填した導電性ペースト６４によって層間導電部である導電性ペーストビア１４を形成する。ここで、小孔６３は、スクリーン印刷時に貫通孔６２を減圧して導電性ペースト６４の充填をスムーズに行うためのものであり、省略可能である。
【００２７】
次に、図７に示すように、カバー層６１を剥離する。これによって、導電性ペーストビア１４の先端には、フィルム状の接着層６１より突出する突起部１４ａが形成される。以上によって、第１基板１０の作製を完了する。第２及び第３基板２０，３０も同様にして作製する。
【００２８】
第４基板４０は、フレキシブル基板であり、その作製工程は省略する。
【００２９】
次に、基板の積層工程を説明する。図８に示すように、上記方法によって製造した第１基板１０、第２基板２０、第３基板３０及び第４基板４０とを互いに位置合わせして重ね合わせ、加熱プレスする。加熱プレスの条件は、温度：１８０℃、プレス力：４ＭＰａ、プレス時間：１時間とし、この加熱プレス条件によってペーストビア、及び接着層が効果し、一括積層される。これによって、図９に示す多層積層体１ａを作製する。
【００３０】
次に、電極作製工程を説明する。先ず、図１０に示すように、第１基板１０の絶縁基材１１の導電パターン層１３側の面に、メッキレジストフィルムをラミネートすることによってメッキレジスト層６５を形成する。
【００３１】
次に、図１１に示すように、フォトリソ工程によりパターニングして、第１基板１０の導電パターン層１３のベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃの位置を特定する。この特定した各位置のメッキレジスト層６５に開口部６６を形成する。
【００３２】
次に、図１２に示すように、スパッタリングによってメッキレジスト層６５の表面、開口部６６の周面、ベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃの表面にシード層５１を形成する。そして、シード層５１を電極とし、シード層５１の表面にパネルメッキによる金属メッキ層６７を形成する。尚、金属メッキ層６７は、無電界メッキによって形成しても良い。
【００３３】
次に、図１３に示すように、バフ研磨機によってメッキレジスト層６５及び金属メッキ層６７を、その表面が同じ高さの平坦な面になるよう研磨する。この金属メッキ層６７の研磨加工によって、各開口部６６内に高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃをそれぞれ形成する。
【００３４】
最後に、均一高さとされたメッキレジスト層６５を除去する。以上によって、図１に示す多層配線板１Ａを作製することができる。
【００３５】
このようにして作製された多層配線板１Ａは、多層配線板１Ａに歪みがあっても複数の電極部５０の表面高さの位置Ｈ１が同じになるため、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。そして、多層配線板１Ａの導電パターン層１３を研磨しないため、導電パターン層１３を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
【００３６】
特に、この多層配線板１Ａは、加熱プレスによる一括積層によって作製され、接着層１２，２２，３２が流動性を持つ一方で、この接着層１２，２２，３２に較べて導電性ペーストビア１４，２４，３４の突起部１４ａ，２４ａ，３４ａ（図８に示す）が硬いこと、及び、各層の導電パターン層１３，２３，３３による凹凸によって、図１に示すように、多層配線板１Ａに歪みが発生し易い。その上、導電性ペーストビア１４，２４，３４が直線状に配置された個所（ベース電極部１３ａ，１３ｃの位置）とそうでない箇所（ベース電極部１３ｂの位置）との間では歪みによる大きな高低差が顕著に現れる可能性がある。このような歪み発生条件が重なった場合においても、本発明によれば、上記した理由によって電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。
【００３７】
この第１の実施の形態では、導電性部材が金属メッキであるので、高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃの作製に金属メッキ機を利用できる。基板の作製工程で金属メッキ機を使用する場合には、装置の兼用が可能である。
【００３８】
（第２の実施の形態）
図１４は本発明の第２の実施の形態に係る多層配線板の断面図である。
【００３９】
図１４に示すように、この第２の実施の形態に係る多層配線板１Ｂは、前記第１の実施の形態に係る多層配線板１Ａと比較するに、第１〜第５基板１０，２０，３０，４０，５０の５枚の基板によって構成され、且つ、多層配線板１Ｂの両面側に電極部５０，７０が構成されている。両面側の電極部５０，７０の構成は、前記第１の実施の形態と同様であるため、図面の同一構成箇所に対応符号を付してその説明を省略する。又、電極作製工程も同様であるため、その説明を省略する。
【００４０】
図１４において、第１の実施の形態と同一構成箇所には同一符号を図面に付してその明確化を図る。
【００４１】
この第２の実施の形態では、多層配線板１Ｂに歪みがあっても両面側の複数の電極部５０，７０の表面高さ位置Ｈ１，Ｈ２がそれぞれ同じであるため、両面に電子部品を接続信頼性の高い状態でそれぞれ表面実装できる。
【００４２】
（第３の実施の形態）
図１５〜図１９は本発明の第３の実施の形態を示し、図１５は多層配線板の断面図、図１６〜図１９は各電極作製工程の断面図である。
【００４３】
図１５に示すように、この第３の実施の形態に係る多層配線板１Ｃは、前記第１の実施の形態に係る多層配線板１Ａと比較するに、その両面側に電極部５０，７１が構成されている。そして、一方面側の電極部５０は、前記第１の実施の形態のものと同様であるが、他方面側の電極部７１の構成が相違する。尚、図１５は図１に対して上下逆である。以下、説明する。
【００４４】
第４基板４０Ａは、絶縁基材４１と、絶縁基材４１の一面側に形成された導電パターン層４２と、絶縁基材４１の他面側に形成され、導電パターン層４２に接続された複数のベース電極部４４ａ，４４ｂ，４４ｃとを備えている。この各ベース電極部４４ａ，４４ｂ，４４ｃは、レーザビアホール（ＬＶＨ）によって形成されている。そして、レーザビアホールによるベース電極部４４ａ，４４ｂ，４４ｃの上にシード層５１を介して高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃが積層され、ベース電極部４４ａ，４４ｂ，４４ｃとシード層５１と高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃとによって電極部７１が構成されている。
【００４５】
一方面側の電極部５０の作製工程は、前記第１の実施の形態のものと同様であるため、説明を省略し、他方面側の電極部７１の作製工程を説明する。先ず、図１６に示すように、第４基板４０Ａのベース電極部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ側の面に、メッキレジストフィルムをラミネートすることによってメッキレジスト層６５を形成する。
【００４６】
次に、図１７に示すように、フォトリソ工程によりパターニングし、第４基板４０Ａのベース電極部４４ａ，４４ｂ，４４ｃの一を特定する。この特定した各位置のメッキレジスト層６５に開口部６６を形成する。
【００４７】
次に、図１８に示すように、スパッタリングによってメッキレジスト層６５の表面、開口部６６の周面、ベース電極部４４ａ，４４ｂ，４４ｃの表面にシード層５１を形成する。そして、このシード層５１を電極とし、シード層５１の表面にパネルメッキによって金属メッキ層６７を形成する。尚、金属メッキ層６７は、無電界メッキによって形成しても良い。
【００４８】
次に、図１９に示すように、バフ研磨機によってメッキレジスト層６５及び金属メッキ層６７を、その表面が同じ高さの平坦な面になるよう研磨する。この金属メッキ層６７の研磨加工によって、各開口部６６内に高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃをそれぞれ形成する。
【００４９】
最後に、均一高さとされたメッキレジスト層６５を除去する。以上によって、図１５に示す多層配線板１Ｃを作製することができる。
【００５０】
従来のレーザビアホールによる電極のみを備えた配線板では、その電極が絶縁基材より突出していないため、電子部品を表面実装することは困難であったが、この第３の実施の形態では、絶縁基材４１上に電極部７１が突出し、且つ、その突出面が平坦であることから電子部品を表面実装できる。その上、多層配線板１Ｃは、多層配線板１Ｃに歪みがあっても両面側の複数の電極部５０，７１の表面高さの位置Ｈ１，Ｈ２がそれぞれ同じであるため、電子部品を接続信頼性の高い状態でそれぞれ表面実装できる。そして、多層配線板１Ｃの導電パターン層を研磨しないため、導電パターン層を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
【００５１】
（第４の実施の形態）
図２０は本発明の第４の実施の形態に係る配線板の断面図である。
【００５２】
図２０に示すように、この第４の実施の形態に係る配線板１Ｄは、前記第１〜第３の実施の形態に係る多層配線板１Ａ〜１Ｃではなく、単層の基板より構成されている。つまり、配線板１Ｄは、絶縁基材８０と、絶縁基材８０の一面側に形成された導電パターン層８１と、絶縁基材８０の他面側に形成され、導電パターン層８１に接続された複数のベース電極部８２ａ，８２ｂ，８２ｃとを備えている。この複数のベース電極部８２ａ，８２ｂ，８２ｃは、レーザビアホール（ＬＶＨ）によって形成されている。そして、レーザビアホールによるベース電極部８２ａ，８２ｂ，８２ｃの上にシード層５１を介して高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃが積層され、ベース電極部８２ａ，８２ｂ，８２ｃとシード層５１と高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃとによって電極部７２が構成されている。
【００５３】
次に、電極部７２の電極作製工程を説明する。先ず、図２１に示すように、絶縁基材８０のベース電極部８２ａ，８２ｂ，８２ｃの面に、メッキレジストフィルムをラミネートすることによってメッキレジスト層６５を形成する。
【００５４】
次に、図２２に示すように、フォトリソ工程によりパターニングし、ベース電極部８２ａ，８２ｂ，８２ｃの位置を特定する。この特定した各位置のメッキレジスト層６５に開口部６６を形成する。
【００５５】
次に、図２３に示すように、スパッタリングによってメッキレジスト層６５の表面、開口部６６の周面、ベース電極部８２ａ，８２ｂ，８２ｃの表面にシード層５１を形成する。そして、このシード層５１を電極とし、シード層５１の表面にパネルメッキによって金属メッキ層６７を形成する。尚、金属メッキ層６７は、無電界メッキによって形成しても良い。
【００５６】
次に、図２４に示すように、バフ研磨機によってメッキレジスト層６５及び金属メッキ層６７を、その表面が同じ高さの平坦な面になるよう研磨する。この金属メッキ層６７の研磨加工によって、各開口部６６内に高さ調整用電極部５２ａ，５２ｂ，５２ｃをそれぞれ形成する。
【００５７】
最後に、均一高さとされたメッキレジスト層６５を除去する。以上によって、図２０に示す配線板１Ｄを作製することができる。
【００５８】
従来のレーザビアホールによる電極のみを備えた配線板では、その電極が絶縁基材より突出していないため、電子部品を表面実装することは困難であったが、この第４の実施の形態では、絶縁基材８０上に電極部７２が突出し、且つ、その突出面が平坦であることから電子部品を表面実装できる。その上、配線板１Ｄに歪みがあっても、複数の電極部７２の表面高さの位置Ｈ１が同じであるため、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。そして、配線板１Ｄの導電パターン層８１を研磨しないため、導電パターン層８１を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
【００５９】
（第５の実施の形態）
図２５〜図２９は本発明の第５の実施の形態を示し、図２５は多層配線板の断面図、図２６〜図２９は各電極作製工程の断面図である。
【００６０】
図２５に示すように、この第５の実施の形態に係る多層配線板１Ｅは、前記第１の実施の形態に係る多層配線板１Ａと比較するに、電極部７３は、ベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃと高さ調整用電極部５３ａ，５３ｂ，５３ｃとから構成され、高さ調整用電極部５３ａ，５３ｂ，５３ｃが導電性ペーストである半田ペーストにて形成されている点が相違する。
【００６１】
他の構成は、前記第１の実施の形態と同様であるため、図面の同一構成箇所には同一符号を付してその説明を省略する。
【００６２】
多層配線板１Ｅの製造過程にあって、第１の実施の形態と比較して異なるのは、電極部７３の電極作製工程のみであるため、電極作製工程を次に説明する。
【００６３】
先ず、図２６に示すように、第１基板１０の絶縁基材１１の導電パターン層１２側の面に、レジストフィルムをラミネートすることによってレジスト層６８を形成する。
【００６４】
次に、図２７に示すように、フォトリソ工程によりパターニングし、第１基板１０のベース電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃの位置を特定する。この特定した位置のレジスト層６８に開口部６６を形成する。
【００６５】
次に、図２８に示すように、スクリーン印刷によって導電性ペーストである半田ペーストをレジスト層６８の開口部６６に充填して半田ペースト層６９を形成する。
【００６６】
次に、レジスト層６８の開口部６６内に半田ペースト層６９をリフローにより加熱溶融する。
【００６７】
次に、図２９に示すように、バフ研磨機によってレジスト層６８及び半田ペースト層６９を、その表面が同じ高さの平坦な面になるよう研磨する。この半田ペースト層６９の研磨加工によって各開口部６６内に高さ調整用電極部５３ａ，５３ｂ，５３ｃをそれぞれ形成する。
【００６８】
最後に、均一高さとされたレジスト層６８を除去する。以上によって、図２５に示す多層配線板１Ｅを作製することができる。
【００６９】
このようにして作製された多層配線板１Ｅは、多層配線板１Ｅに歪みがあっても複数の電極部７３の表面高さの位置Ｈ１が同じであるため、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。そして、多層配線板１Ｅの導電パターン層１３を研磨しないため、導電パターン層１３を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
【００７０】
この第５の実施の形態では、導電性部材が半田ペーストであるので、高さ調整用電極部５３ａ，５３ｂ，５３ｃの作製に半田ペースト用のスクリーン印刷機を利用できる。基板の作製工程で半田ペースト用のスクリーン印刷機を使用する場合には、装置の兼用が可能である。導電性部材は、半田ペースト以外の導電性ペーストであっても良いことはもちろんである。
【００７１】
（その他の実施の形態）
前記第２の実施の形態では、導電性部材として金属メッキを使用した場合を示したが、第５の実施の形態のように、導電性部材として導電性ペースト（半田ペースト）を使用し、導電性ペースト（半田ペースト）によって高さ調整用電極部を形成しても良い。
【００７２】
前記第３の実施の形態では、導電性部材として金属メッキを使用した場合を示したが、第５の実施の形態のように、導電性部材として導電性ペースト（半田ペースト）を使用し、導電性ペースト（半田ペースト）によって高さ調整用電極部を形成しても良い。
【００７３】
前記第４の実施の形態では、導電性部材として金属メッキを使用した場合を示したが、第５の実施の形態のように、導電性部材として導電性ペースト（半田ペースト）を使用し、導電性ペースト（半田ペースト）によって高さ調整用電極部を形成しても良い。
【００７４】
単層の配線板としては、第４の実施の形態においてレーザビアホールによる電極を備えたものを示したが、例えば導電性ペーストビアによる電極を備えたものであっても本発明を適用できることはもちろんである。
【００７５】
又、前記各実施形態では、本発明を複数の基板を一括して積層する一括積層タイプの多層配線板に適用した場合を示したが、絶縁基材と導電パターン層を一層づつ積み上げていくビルドアップタイプの多層積層板にも適用可能である。但し、上述したように一括積層タイプの多層配線板は、ビルドアップタイプの多層積層板に較べて、多層積層板に歪みが発生し易いため、本発明の適用に際して有効である。
【００７６】
（従来例と本発明の実験比較例）
電極部がベース電極部のみの従来例の場合（図３０参照）と、電極部が少なくともベース電極部と高さ調整用電極部とから構成された本発明の場合（例えば図１、図２５参照）とを、６層の多層配線板を作製して比較した。この結果、従来例の場合には、電極部の高低差が４０μｍ程度であったが、本発明の場合には、電極部の高低差が１０μｍ以内であった。そして、双方の多層配線板に、−２５℃と１２５℃の温度変化を１サイクルとした熱衝撃試験を行った結果、従来例の多層配線板に表面実装した電子部品は、５００サイクル程度で破壊した。これに対し、本発明の多層配線板に表面実装された電子部品は、１０００サイクル以上の耐久性を示した。以上によって、本発明に係る多層配線板は、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できることが実証された。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる多層配線板の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態にかかる基板積層工程の断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態にかかる基板積層工程の断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態にかかる多層配線板の断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態にかかる多層配線板の断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図２０】本発明の第４の実施の形態にかかる配線板の断面図である。
【図２１】本発明の第４の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図２２】本発明の第４の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図２３】本発明の第４の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図２４】本発明の第４の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図２５】本発明の第５の実施の形態にかかる多層配線板の断面図である。
【図２６】本発明の第５の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図２７】本発明の第５の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図２８】本発明の第５の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図２９】本発明の第５の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。
【図３０】従来例の多層配線板の断面図である。
【図３１】従来例の多層配線板に電子部品が表面実装された状態の断面図である。
【図３２】半田バンプが形状不良となった状態を示す断面図である。
【図３３】半田バンプが破断した状態を示す断面図である。
【図３４】従来例の断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅ  多層配線板（配線板）
１Ｄ  配線板
１０  第１基板（基板）
１１  絶縁基材
１３  導電パターン層
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ  ベース電極部
２０  第２基板（基板）
２１  絶縁基材
２３  導電パターン層
３０  第３基板（基板）
３１  絶縁基材
３３  導電パターン層
４０，４０Ａ  第４基板（基板）
４１  絶縁基材
４２  導電パターン層
４４ａ，４４ｂ，４４ｃ  ベース電極部
５０  電極部
５１  シード層
５２ａ，５２ｂ，５２ｃ  高さ調整用電極部
５３ａ，５３ｂ，５３ｃ  ベース電極部
６４  導電性ペースト（導電性部材）
６５  メッキレジスト層（レジスト層）
６６  開口部
６７  金属メッキ層
６８  レジスト層
６９  半田ペースト層
７０  電極部
７１  電極部
７２  電極部
７３  電極部
８０  絶縁基材
８１  導電パターン層
８２ａ，８２ｂ，８２ｃ  ベース電極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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