(57)【要約】【課題】レーザーを用いる近接蒸着法による、高精細なパターニングが可能な蒸着方法を提供すること。【解決手段】本発明のレーザー蒸着方法は、（１）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（２）前記透光性支持体の第１の面に離間して基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記蒸着材料を前記基板に蒸着させ、前記基板上に蒸着材料のパターンを形成する工程を含む。本発明はさらに、このレーザー蒸着方法を含む色変換フィルタ基板およびカラー有機ＥＬ素子の製造方法を包含する。【選択図】図２
2008066147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、下記の層を順次成膜してベース膜を形成する工程と、
（ア）パターニングしたレーザー反射層
（イ）パターニングした断熱層
（ウ）レーザー吸収層、および
（エ）蒸着材料
（２）前記透光性支持体の第１の面に離間して基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記蒸着材料を前記基板に蒸着させ、前記基板上に蒸着材料のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするレーザー蒸着方法。
【請求項２】
前記蒸着材料が、色変換機能を有する蒸着材料であることことを特徴とする請求項１に記載のレーザー蒸着方法。
【請求項３】
（ａ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、下記の層を順次成膜してベース膜を形成する工程と、
（ア）パターニングしたレーザー反射層
（イ）パターニングした断熱層
（ウ）レーザー吸収層、および
（エ）色変換機能を有する蒸着材料
（ｂ）１種または複数種のカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板を提供する工程と、
（ｃ）前記透光性支持体の第１の面に離間して前記カラーフィルタ基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記カラーフィルタ基板に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とする色変換フィルタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記色変換機能を有する蒸着材料とは異なる種類の色変換機能を有する蒸着材料について、前記工程（ａ）および（ｃ）を繰り返すことで、異なる種類の色変換層のパターンを形成することを特徴とする請求項３に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。
【請求項５】
（ｉ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、下記の層を順次成膜してベース膜を形成する工程と、
（ア）パターニングしたレーザー反射層
（イ）パターニングした断熱層
（ウ）レーザー吸収層、および
（エ）色変換機能を有する蒸着材料
（ｉｉ）少なくとも、一対の電極とこれらの電極間に挟持され有機層が基板上に形成された有機ＥＬ素子基板を提供する工程と、
（ｉｉｉ）前記透光性支持体の第１の面に離間して有機ＥＬ素子基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記有機ＥＬ素子基板上に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記色変換機能を有する蒸着材料とは異なる種類の色変換機能を有する蒸着材料について、前記工程（ｉ）および（ｉｉｉ）を繰り返すことで、異なる種類の色変換層のパターンを形成することを特徴とする請求項５に記載のカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着材料のパターン形成方法に関する。特に本発明は、レーザーを用いた蒸着によるパターンを形成方法に関する。本発明はさらに、このパターン形成方法を含む色変換フィルタ基板およびカラー有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置に適用される発光素子の一例として、有機化合物の薄膜積層構造を有する有機ＥＬ素子が知られている。有機ＥＬ素子は、薄膜の自発光型素子であり、低駆動電圧、高解像度、高視野角といった優れた特徴を有することから、それらの実用化に向けて様々な検討がなされている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、例えば、陽極を形成したガラス基板の上に、有機ＥＬ層としての正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次形成され、さらに、電子注入層上に陰極が形成された構造を有する。
【０００４】
有機ＥＬ素子を用いた表示パネルの製造工程において、有機ＥＬ層などはウエットプロセスに適さないために、蒸着を用いて成膜されており、マスクを用いてその形状を制御していた（特許文献１）。
【０００５】
しかしながら、蒸着パターンが高精細になるとマスクで微細なパターンを作成することは困難になる。例えば、マスクの製造に関しては、開口部が小さくなりすぎるとマスクの製造時にエッチングが困難となる。また、開口部が大きくなりすぎて、パターンとパターンの間隔が狭くなりすぎると強度不足になる。さらに、高精細になればなるほどマスクと蒸着位置との位置あわせ精度も厳しくなる。これらのことから、マスク蒸着法の限界は２００ｐｐｉと言われている。
【０００６】
また、マスクを用いた蒸着材料の成膜においてはマスクにパーティクルが付着することがあり、パーティクルによるパターンの乱れが生じることがある。
【０００７】
そこでマスクレスで蒸着材料を微細なパターンに蒸着するための方法が求められている。例えば、蒸着材料のパターン形成方法として、レーザー加熱によって有機材料をベース基板からデバイス基板に転写する方法（ＬＩＴＩ）が知られている。
【０００８】
例えば、特開２００５−５１９２号公報（特許文献２）では蒸着円盤を回転させ、ベース膜と基板を離間し、レーザービームを照射して蒸着材料を蒸発させる蒸着材料のパターン形成方法が開示されている。
【０００９】
特開２００５−１００９３９号公報（特許文献３）、または特開２００２−７５６３６号公報（特許文献４）ではレーザーを走査して熱転写法によりカラー調節層等を形成している。これらの方法は、レーザーを走査するため、走査時間がかかるという問題がある。
【００１０】
また、特開平９−１６７６８４号公報（特許文献５）は、有機ＥＬ層を塗布したドナーシート内にパターン化した光吸収層を形成し、強いブランケット光源にさらしてパターンを転写する手法が開示されている(００１７段落等）。しかしながら、この手法では加熱した光吸収層は、パターン外の周辺にも影響を及ぼして、パターン外の有機ＥＬ層を昇華若しくは蒸発させるため、微細化したパターンを形成することが困難であった。
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−５４２７５号公報
【特許文献２】特開２００５−５１９２号公報
【特許文献３】特開２００５−１００９３９号公報
【特許文献４】特開２００２−７５６３６号公報
【特許文献５】特開平９−１６７６８４号公報
【特許文献６】特願２００４−１１５４４１号公報
【特許文献７】特願２００３−２１２８７５号公報
【特許文献８】特願２００３−２３８５１６号公報
【特許文献９】特願２００３−８１９２４号公報
【特許文献１０】国際公開第２００３／０４２８６８号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述のように、従来のマスクを用いたパターニング方法では高精細なパターニングが困難であった。また、これらのＬＩＴＩ方法では一定の面積をパターニングするのに、走査を繰り返してパターニングを行わなければならず、スループットが低かった。
【００１３】
本発明は、上記点に鑑みてなされたものであり、透光性支持体上に、パターニングしたレーザー反射層および断熱層と、レーザー吸収層および蒸着材料薄膜を含むベース膜を形成した蒸着用基板に、光学系を介してレーザー光を蒸着材料に面で照射し、蒸着材料を蒸着することにより高精細なパターニングを行う蒸着法を提供するものである。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、レーザーを用いる近接蒸着法による、高精細で所定の膜厚を有し、上記問題のないパターニングが可能な、蒸着方法を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の目的は、上記蒸着方法を用いた色変換フィルタ基板またはカラー有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の態様は、蒸着材料のレーザー蒸着法である。具体的には、本発明の蒸着方法は、（１）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（２）前記透光性支持体の第１の面に離間して基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記蒸着材料を前記基板に蒸着させ、前記基板上に蒸着材料のパターンを形成する工程を含む。この蒸着方法では、蒸着材料が、色変換機能を有する蒸着材料であることが好ましい。
【００１７】
本発明の第２の態様は、上記レーザー蒸着方法を利用した色変換フィルタ基板の製造方法である。具体的には、本発明の色変換基板の製造方法は、（ａ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）色変換機能を有する蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（ｂ）１種または複数種のカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板を提供する工程と、（ｃ）前記透光性支持体の第１の面に離間して前記カラーフィルタ基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記カラーフィルタ基板に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。本発明では、蒸着した色変換機能を有する蒸着材料とは異なる種類の色変換機能を有する蒸着材料について、工程（ａ）および（ｃ）を繰り返すことで、異なる種類の色変換層のパターンを形成することができる。
【００１８】
本発明の第３の態様は、上記レーザー蒸着方法を利用したカラー有機ＥＬ素子の製造方法である。具体的には、本発明の製造方法は、（ｉ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）色変換機能を有する蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（ｉｉ）少なくとも、一対の電極とこれらの電極間に挟持され有機層が基板上に形成された有機ＥＬ素子基板を提供する工程と、（ｉｉｉ）前記透光性支持体の第１の面に離間して有機ＥＬ素子基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記有機ＥＬ素子基板上に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。本発明では、蒸着した色変換機能を有する蒸着材料とは異なる種類の色変換機能を有する蒸着材料について、前記工程（ｉ）および（ｉｉｉ）を繰り返すことで、異なる種類の色変換層のパターンを形成することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の方法によれば、従来のマスクを用いた蒸着による蒸着材料の成膜の限界よりも高精彩なパターン形成が可能である。また、本発明では、レーザー光の面照射により従来のＬＩＴＩ法よりもスキャン回数が低減され、スループットが高くなるメリットがある。
【００２０】
また、本発明の方法は、ベース膜に断熱層を含むことにより、ベース膜に予め形成したパターン外へ熱が拡散せず、熱の影響を遮断することができる。このため、所望する微細なパターンを形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明は、（Ｉ）蒸着材料のレーザー蒸着方法、並びに、この蒸着方法を用いた（ＩＩ）色変換フィルタ基板の製造方法、および（ＩＩＩ）カラー有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【００２２】
以下に本発明を、適宜図面を参照しながら説明する。まず第１の態様である（Ｉ）蒸着材料のレーザー蒸着方法について説明する。
【００２３】
図１（Ａ）〜（Ｄ）および図２（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明のレーザー蒸着方法を説明するための図である。この方法は、（１）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（図１）と、（２）前記透光性支持体の第１の面に離間して基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記蒸着材料を前記基板に蒸着させ、前記基板上に蒸着材料のパターンを形成する工程（図２）を含む。
【００２４】
特に、本発明では、レーザー光源と透光性支持体間に光学系（例えばレンズなど）を配置し、この光学系を介してレーザー光を透光性支持体の第２の面に面照射し、広い面積のＬＩＴＩを一度に行うものである。本明細書において、「面照射」とは、上述のように、レーザー光源からのレーザー光を、光学系を通して拡散させ、透過性支持体の第２の面全面にレーザー光を照射することをいう。このように面照射することで、従来のようなレーザー光を走査することにより、パターンを転写する場合と比べ、転写のスループットが高まる。
【００２５】
また、本発明では、透光性支持体上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）蒸着材料を順次成膜してベース膜を前もって形成しておく。さらに、蒸着材料が成膜される基板と透光性支持体は離間して配置され、透光性支持体の第２の面（ベース膜の形成されていない面（裏面とも称する））全面にレーザービームを照射し、蒸着材料を基板上に蒸着してパターンを形成する。
【００２６】
第１の工程（図１（Ａ）〜（Ｄ））は、第１の面１０４とこれに対向する第２の面１０６を有する透光性支持体１０２の第１の面に、パターニングしたレーザー反射層１１０、パターニングした断熱層１１２、レーザー吸収層１１４、および蒸着材料１１６を順次成膜してベース膜１０８を形成する工程である。ベース膜１０８は、図１（Ｄ）に示すように、透光性支持体上に、パターニングされたレーザー反射層１１０および断熱層１１２を含み、この断熱層上と、レーザー反射層および断熱層が形成されていない透光性支持体上（すなわち、透光性支持体の第１の面の全面）にレーザー吸収層１１４および蒸着材料１１６を含む。
【００２７】
透光性支持体１０２は、照射されるレーザー光を透過するものであれば特に限定されない。例えばガラス基板、石英基板、プラスチックなどの高分子材料からなる基板等を用いることができる。高分子材料を用いる場合、透明基板は剛直であっても可撓性であってもよい。透光性支持体は使用するレーザー光に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上の透過率を有することがさらに好ましい。
【００２８】
レーザー反射層１１０は、レーザーを反射してレーザー吸収層および蒸着材料にレーザーが到達して、これらの層が加熱されるのを防ぐ役割を持つ。レーザー反射層は、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇなどのレーザー光に対する反射率の高い材料で形成されることが好ましい。
【００２９】
本発明におけるレーザー反射層１１０は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚を有する。
【００３０】
断熱層は、レーザー光による熱がレーザー吸収層へ伝達されるのを阻止し、レーザー反射層とあわせて蒸着材料が加熱されるのを防ぐ役割を持つ。断熱層の材料としては、０．２Ｗ／ｍ・ｋ程度の低い熱伝導率を有するものが好ましい。例えば、好ましい材料として、ポリイミド、シリコーン樹脂、テフロン（登録商標）、ポリカーボネート等の熱伝導率の低い高融点ポリマーを挙げることができる。
【００３１】
本発明における断熱層１１２は、好ましくは１００μｍ以下の膜厚を有する。
【００３２】
レーザー反射層１１０および断熱層１１２は、蒸着が行われる基板上で、蒸着材料の所望のパターが形成できるように予めパターニングされている。すなわち、図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、透光性支持体１０２の第１の面１０４上に、蒸着材料の蒸着パターンで開口部を有するようにパターニングされる。
【００３３】
これらの層の成膜法は、使用する材料に合わせて適宜選択すればよく、いずれの方法で成膜してもよい。例えば、レーザー反射層１１０は、蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積（ＣＶＤ）法などの乾式プロセスにより、透光性支持体全面にレーザー反射層の材料を堆積させ、フォトリソグラフィー法などによりパターニングを行うことで成膜することができる。また、断熱層は、スピンコート法や上記のような乾式プロセスにより、所望の材料を堆積した後、フォトリソグラフィー法などによりパターニングを行うことで成膜することができる。
【００３４】
レーザー吸収層１１４は、レーザー光を吸収して熱に変換し、この熱を蒸着材料に伝達し、蒸着材料を昇華または蒸発させるための層である。レーザー吸収層の材料は、蒸着材料よりも融点の高い材料であればよい。レーザー吸収層の材料には、例えば炭素のような無機材料、クロムのような金属などを例に挙げることができる。
【００３５】
レーザー吸収層１１４は、例えば、蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積（ＣＶＤ）法などの乾式プロセスで成膜することができる。図１（Ｃ）に示すように、レーザー吸収層は、断熱層上且つ透光性支持体の全面に成膜される。
【００３６】
本発明におけるレーザー吸収層１１４は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚を有する。
【００３７】
レーザー吸収層の上には、基板に蒸着させたい蒸着材料の層１１６が形成される。蒸着材料は、図１（Ｄ）に示すように、レーザー吸収層上全面に成膜される。蒸着材料の成膜は、蒸着法などの従来の方法により成膜することができる。
【００３８】
本発明における蒸着材料の層１１６は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚を有する。
【００３９】
本発明のレーザー蒸着方法では、使用できる蒸着材料は、レーザー照射によるレーザー吸収層からの熱で昇華または蒸発されるものであれば特に限定されない。例えば、後述する有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層に使用される各種有機材料、色変換機能を有する材料などを蒸着材料として使用することができる。
【００４０】
特に、本発明では、色変換機能を有する材料（本明細書では色変換材料とも称する）を蒸着材料として用いることが好ましい。以下に色変換機能を有する材料について概略を説明する。
【００４１】
色変換機能を有する材料は、後述するカラー有機ＥＬ素子の色変換フィルタ基板の一部として用いられる場合、有機ＥＬ層で発光される近紫外領域ないし可視領域の光、特に青色ないし青緑色領域の光を吸収して異なる波長の可視光を蛍光として発光するものである。フルカラー表示を可能にするためには、少なくとも青色（Ｂ）領域、緑色（Ｇ）領域および赤色（Ｒ）領域の光を放出する独立した色変換機能を有する材料が用いられる。以下、このような色変換機能を有する材料を用いて形成される層を色変換層と称する。また、本明細書において、色変換フィルタ層の用語を用いるが、この用語は、カラーフィルタ層、色変換層、およびカラーフィルタ層と色変換層との積層体の総称として用いる。
【００４２】
色変換機能を有する材料（色変換材料）として、有機蛍光色素がある。有機蛍光色素の例としては、少なくとも赤色領域の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上、さらに緑色領域の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上を挙げることができる。これらの材料は、光源として青色ないし青緑色領域の光を発光する有機ＥＬ層を用いる場合、有機ＥＬ層からの光を単なる赤色フィルタに通して赤色領域の光を得ようとすると、元々赤色領域の波長の光が少ないために極めて暗い出力光になってしまうため、これらを補償するのに好適である。
【００４３】
このような有機蛍光色素を用い、有機ＥＬ素子と組み合わせることにより、青色ないし青緑色領域の光を、蛍光色素によって赤色領域の光に変換して、十分な強度を有する赤色領域の光の出力が可能となる。発光体から発せられる青色から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えばローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２などのローダミン系色素、シアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウムパークロレート（ピリジン１）などのピリジン系色素、あるいはオキサジン系色素などが挙げられる。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も蛍光性があれば使用することができる。
【００４４】
発光体から発せられる青色ないし青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノ−クマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノ−クマリン（クマリン７）、３−（２’−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノ−クマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）などのクマリン系色素、あるいはクマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、さらにはソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６などのナフタルイミド系色素などが挙げられる。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も蛍光性があれば使用することができる。
【００４５】
さらに、本発明では、１種または複数種の色変換材料を含んだ蒸着材料を用いることもできる。例えば、色変換材料は、いわゆるホスト・ゲスト型を構成する２種類の色変換材料を含むものを包含する。
【００４６】
複数種の色変換材料を用いる場合、複数種の色変換材料を所定の比率で混合した予備混合物をあらかじめ作製し、その予備混合物を用いて共蒸着を行ってもよい。あるいはまた、複数種の色変換材料を別個の加熱部位に配置し、それぞれの色変換材料を別個に加熱して共蒸着を行ってもよい。特に複数種の色変換材料の間に特性（蒸着速度、蒸気圧など）の大きな差が存在する場合、後者の方法が有効である。
【００４７】
ホスト・ゲスト型を構成する２種類の色変換材料（第１色素および第２色素）を含む場合、以下のものを例として挙げることができる。
【００４８】
第１色素は、色変換層への入射光、好ましくは有機ＥＬ素子の発する青色から青緑色の光を吸収し、吸収したエネルギーを第２色素に移動させる色素である。したがって、第１色素の吸収スペクトルが有機ＥＬ素子の発光スペクトルと重なっていることが望ましく、第１色素の吸収極大と有機ＥＬ素子の発光スペクトルの極大とが重なっている（または一致している）ことがより望ましい。また、第１色素の発光スペクトルが第２色素の吸収スペクトルと重なっていることが望ましく、第１色素の発光スペクトルの極大と第２色素の吸収極大とが重なっている（または一致している）ことがより望ましい。本発明において第１色素として好適に用いることができる色素は、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２−ベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、クマリン１３５などのクマリン系色素を含む。あるいはまた、ソルベントイエロー４３、ソルベントイエロー４４のようなナフタルイミド系色素を、第１色素として用いてもよい。第１色素は、色変換材料の総構成分子数を基準として９０重量％以上、好ましくは、９０〜９９．９９重量％の量で存在することが望ましい。このような濃度範囲で存在することによって、色変換層の入射光を十分に吸収して、吸収した光エネルギーを第２色素へとエネルギー移動することが可能となる。
【００４９】
第２色素は、第１色素から移動されるエネルギーを受容し、光を放射させる色素である。ここで、前述のように、第１色素の発光スペクトルが第２色素の吸収スペクトルと重なっていることが望ましく、第１色素の発光スペクトルの極大と第２色素の吸収極大とが重なっている（または一致している）ことがより望ましい。したがって、第２色素が放射する光は、第１色素が吸収する光よりも長波長である。本発明において第２色素として好適に用いることができる色素は、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ−１、（Ｉ））、ＤＣＭ−２（II）、およびＤＣＪＴＢ（III）などのシアニン色素；４，４−ジフルオロ−１，３，５，７−テトラフェニル−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダセン（IV）、ルモゲンＦレッド、ナイルレッド（Ｖ）などを含む。あるいはまた、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇなどのキサンテン系色素、またはピリジン１などのピリジン系色素を用いてもよい。
【００５０】
【化１】
2008066147.tif 000003
【００５１】
第２色素の濃度の下限は、後述する工程で色変換層を形成した際に、十分な変換光強度が得られることを条件として、第１および第２色素の種類、あるいは目的とする用途に依存して変化し得る。一般的には、本発明の色変換材料における第２色素の好ましい濃度は、該色変換材料の全重量を基準にして、１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜５重量％の範囲内である。
【００５２】
ホスト・ゲスト型を構成する２種類の色変換材料（第１色素および第２色素）を含む場合の別の例としては、以下のものを挙げることができる。すなわち、ホスト材料（第１色素）としては、ＢＡＰＰ、ＣｚＰＰ、ＣｚＢＰなどのような高分子量ペリレン系材料（特願２００４−１１５４４１号公報（特許文献６））、アリールアミノ基が結合したアザフルオランテン骨格を有するアザ芳香族化合物（特開２００３−２１２８７５号公報（特許文献７））、アミノ基と結合したフルオランテン骨格を有する縮合芳香族化合物（特開２００３−２３８５１６号公報（特許文献８））、アミノ基を有するトリフェニレン芳香族化合物（特開２００３−８１９２４号公報（特許文献９））、または、アミノ基を有するペリレン系芳香族化合物（国際公開第２００３／０４２８６８号パンフレット（特許文献１０））を挙げることができる。一方、ゲスト材料（第２色素）としては、ＤＣＭ−１、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢなどのジシアニン系色素；１−エチル−２−（４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）−ピリジウム−パークロレート（ピリジン−１）等のピリジン系材料；ローダミン系のキサンテン系材料；オキサジン系材料；クマリン系色素；アクリジン色素；その他の縮合芳香族環材料（ジケトピロロ［３，４−ｃ］ピロール誘導体、チアジアゾールの類縁複素環骨格が縮環したベンゾイミダゾール化合物、ポルフィリン誘導体化合物、キナクリドン系化合物、ビス（アミノスチル）ナフタレン化合物など）を挙げることができる。
【００５３】
本発明でホスト・ゲスト型の蒸着材料を用いて、カラー有機ＥＬ素子の色変換層を形成する場合、光を発する色素は第２色素であるので、第２色素が濃度消光を起こさないことが重要である。第２色素が濃度消光を起こすと、色変換の効率が低下するからである。本発明の色変換材料における第２色素の濃度の上限は、濃度消光を起こさないことを条件として、第１および第２色素の種類に依存して変化し得る。このような範囲内の濃度で第２色素を用いることによって、濃度消光を防止すると同時に、十分な変換光強度を得ることが可能となる。色変換層における好ましい第１色素および第２色素の濃度は、先に色変換材料の説明で述べた濃度範囲である。すなわち、ゲスト材料の含有量は、色変換材料の全重量を基準にして１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜５重量％の範囲内である。
【００５４】
第２の工程（図２（Ａ）〜（Ｂ））は、透光性支持体の第２の面１０６からレーザー光を照射し、基板１２０上に蒸着材料１１６のパターンを形成する工程である。この工程では、まず、透光性支持体を、基板とは離間しているが近接した位置に配置し、透光性支持体の第２の面１０６側からレーザー光を、光学系１２２を介して面照射する。レーザー光は、レーザー吸収層１１４において吸収され、熱を発生する波長を含むものを用いればよいが、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、色素レーザーなどを用いることができる。また、レーザーのパルスエネルギー密度は０．１〜１Ｊ／ｃｍ２である。
【００５５】
また、離間して配置される透光性支持体と基板間の距離は、好ましくは１００μｍ〜５００μｍである。
【００５６】
本発明では１種類のレーザー光源１２４を用いて、透光性支持体の第２の面１０６から透光性支持体全面を面照射するように構成される。この面照射により、透光性支持基板上の、レーザー反射層および断熱層の形成されていない領域のレーザー吸収層でレーザー光が吸収され、熱に変換されて、蒸着材料を昇華または蒸発させる。これにより、基板１２０上に蒸着材料のパターンが形成される。このように、本発明では、ベース膜の裏面より光学系で広げられたレーザー光が、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分でのみ蒸着材料を蒸発させて、基板に蒸着材料を蒸着させる（図２（Ａ））。このようにして、図２（Ｂ）に示すようなパターニングされた蒸着材料が基板１２０上に形成される。
【００５７】
蒸着材料をレーザー蒸着によって体積させる基板１２０は、蒸着材料が堆積できるものであれば特に限定されない。ガラス基板、石英、プラスチックなどの高分子材料からなる基板、あるいは、後述するカラーフィルタ基板または有機ＥＬ素子などを例として挙げることができる。
【００５８】
また、本発明で用いる光学系１２２は、レーザー光を面照射させることができるものであれば特に限定されない。例えば、レンズまたはレンズの組み合わせを用いて、レーザー光を面照射できるようにしたものなど、従来から面照射用に通常用いられるものを用いればよい。また、透光性支持体へレーザー光が斜め照射するのを防止する必要がある場合には、光学系は、レーザー光が透光性支持体へ垂直に入射するような機構（凹レンズと凸レンズの組み合わせなど）を含んでいてもよい。
【００５９】
本発明では、基板、ベース膜が形成されている透光性支持体、レーザー出射装置などは、減圧可能な真空チャンバー（図示せず）を有する装置内の、該真空チャンバ内に支持されている。
【００６０】
本発明では、蒸着材料を所定の膜厚で形成するために、必要に応じて同じパターンを形成できる透光性支持体を用いて、蒸着を繰り返すこともできる。
【００６１】
さらに、図示していないが、既に蒸着した材料とは異なる蒸着材料を用いて、別途調製した透光性支持体を基板の別の位置に離間配置して、上記のようなレーザーによる蒸着を行うことで、異なる材料からなる別の蒸着材料のパターンを形成することもできる。
【００６２】
本発明の第２の形態は、（ＩＩ）色変換フィルタ基板の製造方法である。この製造方法は、（ａ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）色変換機能を有する蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（ｂ）１種または複数種のカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板を提供する工程と、（ｃ）前記透光性支持体の第１の面に離間して前記カラーフィルタ基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記カラーフィルタ基板に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００６３】
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の色変換フィルタ基板の製造工程を示す図である。本発明の色変換フィルタ基板の製造方法では、工程（ａ）は、先に本発明の第１の形態で説明した工程（１）と同じであり、本発明の第１の形態と同じ手順をとることができる。但し、第１の実施形態において、蒸着材料として色変換材料を成膜しておき、複数の異なる種類の色変換層を形成する場合には、目的の種類の色変換材料（例えば、１１６ａまたは１１６ｂ）を含むベース膜を成膜した透光性支持体を作成しておく。以下では、工程（ｂ）および（ｃ）について説明する。
【００６４】
工程（ｂ）において、基板２１０の上に１つまたは複数種のカラーフィルタ層２００を形成する（図３（Ａ）。図３においては、３種のカラーフィルタ層２００（ａ，ｂ，ｃ）を形成した例を示した。カラーフィルタ層２００は、フラットパネルディスプレイ用材料として市販されている任意の材料を用い、該材料に対応した既知の方法によって塗布およびパターン化を行うことによって形成することができる。また、任意選択的であるが、カラーフィルタ層の上に、可視域における透明性、電気絶縁性、ならびに水分、酸素および低分子成分に対するバリア性を有するポリマー材料からなる平坦化層２２０を形成して、その上面を平坦化してもよい。
【００６５】
次に、工程（ｃ）（図３（Ｂ））に従って、得られたカラーフィルタ層を形成した基板に工程（ａ）で成膜した色変換材料を蒸着し、色変換フィルタ層を形成する。
【００６６】
パターン化された色変換層２３０ａは、１つまたは複数種のカラーフィルタ層２００のいずれかと対応する位置に形成される。例えば、図３に示した構成例では、色変換層２３０ａ（たとえば、赤色）は、カラーフィルタ層２００ａ（たとえば、赤色）に対応する位置に形成されている。
【００６７】
本発明では、工程（ｃ）を複数回繰り返すことで所定の膜厚を有する色変換層のパターンを形成することができる（図３（Ｃ））。さらに、別の色変換材料１１６ｂを含むベース膜を透光性支持体に形成したものを使用して、工程（ｃ）を繰り返すことで、別の色変換層（例えば、緑色変換層または必要であれば青色変換層）を形成することができる（図３（Ｃ）；図２（Ｃ）では緑色変換層２３０ｂを形成した例を示した。）。
【００６８】
なお、図３では、１つのサブピクセルについてのみ図示したが、同一の色変換材料を蒸着させるべき複数のサブピクセルに対しても、ベース膜を予めパターニングすることで、同時に色変換材料を蒸着することができる。
【００６９】
本発明における色変換層２３０は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚を有する。
【００７０】
本発明の色変換フィルタ基板の製造方法の各工程の諸条件（色変換材料の種類やベース膜等の成膜条件等）は、第１の実施形態で先に説明した通りである。
【００７１】
本発明の製造方法で得られた色変換フィルタ基板は、例えば、貼り合わせ型のカラー有機ＥＬ素子の色変換フィルタ基板として使用することができる。
【００７２】
本発明の第３の形態（ＩＩＩ）はカラー有機ＥＬ素子の製造方法である。この製造方法は、（ｉ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、パターニングしたレーザー反射層および断熱層と、レーザー吸収層および色変換機能を有する蒸着材料を含むベース膜を成膜する工程と、（ｉｉ）少なくとも、一対の電極とこれらの電極間に挟持され有機層が基板上に形成された有機ＥＬ素子基板を提供する工程と、（ｉｉｉ）前記透光性支持体の第１の面に離間して有機ＥＬ素子基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記有機ＥＬ素子基板上に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００７３】
図４（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造工程を示す図である。本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造方法では、工程（ｉ）は、先に本発明の第１の形態で説明した工程（１）と同じであり、本発明の第１の形態と同じ手順をとることができる。但し、第１の実施形態において、蒸着材料として色変換材料を成膜しておき、複数の異なる種類の色変換層を形成する場合には、目的の種類の色変換材料（例えば、１１６ａまたは１１６ｂ）を含むベース膜を成膜した透光性支持体を作成しておく。以下では、工程（ｉｉ）および（ｉｉｉ）について説明する。図４では、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ素子基板を形成する場合の例である。
【００７４】
基板３１０は、上記本発明の第１の形態で説明したものと同様の材料を用いて形成してもよい。しかしながら、基板３１０は光の経路とはならないため、シリコンなどの半導体あるいはセラミックのような光学的に不透明な材料を基板３１０として用いることができる。
【００７５】
工程（ｉｉ）においては、最初に、基板３１０の上にスイッチング素子３００を形成する（図４（Ａ））。スイッチング素子３００は、ＴＦＴ、ＭＩＭのような当該技術において知られている任意の構造であってもよい。スイッチング素子３００は任意の既知の方法で形成することができる。任意選択的であるが、スイッチング素子３００と反射電極３０２とを接続する端子部分を除いて、スイッチング素子３００を覆ってその上面を平坦化する平坦化絶縁膜３０４を形成してもよい。平坦化絶縁膜３０４は、当該技術において知られている任意の材料および方法を用いて形成することができる。
【００７６】
反射電極３０２は、本実施形態のカラー有機ＥＬ素子の独立した発光部を画定する電極であり、複数の部分電極から構成され、該部分電極のそれぞれはスイッチング素子３００と１対１に接続される。反射電極３０２は、高反射率の金属（Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなど）、アモルファス合金（ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰ、ＣｒＢなど）、微結晶性合金（ＮｉＡｌなど）を用いて、蒸着法などのドライプロセスによって形成することができる。また、任意選択的であるが、反射電極３０２の複数の部分電極の間隙に、絶縁性金属酸化物（ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＯｘなど）あるいは絶縁性金属窒化物（ＡｌＮ、ＳｉＮなど）などを用いて、絶縁膜（図示せず）を形成してもよい。
【００７７】
次いで、反射電極３０２の上に有機ＥＬ層３２０を形成する。有機ＥＬ層３２０は、少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。具体的には、有機ＥＬ素子基板は陰極および陽極を含めて下記のような層構造からなるものが採用される。
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の層構成において、陽極および陰極は、反射電極３０２または透明電極３３０のいずれかである。
【００７８】
有機ＥＬ層３２０を構成する各層の材料としては、公知のものが使用される。また、有機ＥＬ層３２０を構成する各層は、蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。たとえば、青色から青緑色の発光を得るための有機発光層の材料としては、たとえばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などの材料が好ましく使用される。
【００７９】
正孔注入層の材料としては、Ｐｃ類（ＣｕＰｃなどを含む）またはインダンスレン系化合物などを用いることができる。正孔輸送層は、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料を用いて形成することができる。用いることができる材料は、好ましくは、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ＭＴＤＡＰＢ（ｏ−，ｍ−，ｐ−）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡなどを含む。
【００８０】
電子輸送層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体；ＰＢＤ、ＴＰＯＢのようなオキサジアゾール誘導体；ＴＡＺのようなトリアゾール誘導体；以下に示す構造を有するもののようなトリアジン誘導体；フェニルキノキサリン類；ＢＭＢ−２Ｔのようなチオフェン誘導体などを用いることができる。電子注入層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体、あるいはアルカリ金属ないしアルカリ土類金属をドープしたアルミニウムのキノリノール錯体などを用いることができる。
【００８１】
続いて、有機ＥＬ層３２０の上に、透明電極３３０を形成する。透明電極３３０は、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＺＯ、酸化亜鉛、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物、またはこれらの酸化物に対してＦ、Ｓｂなどのドーパントを添加した導電性透明金属酸化物を用いて形成することができる。透明電極３３０は、蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いて形成され、好ましくはスパッタ法を用いて形成される。
【００８２】
上記のようにして形成された、反射電極、有機ＥＬ層および透明電極は、平坦化層および／またはパッシベーション層３４０によって保護されてもよい。平坦化層およびパッシベーション層の材料には、公知のものが使用される。例えば、平坦化層としては、ポリマー材料を用いる場合には、イミド変性シリコーン樹脂、無機金属化合物（ＴｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等）をアクリル、ポリイミド、シリコーン樹脂等の中に分散した材料、アクリレートモノマー／オリゴマー／ポリマーの反応性ビニル基を有した樹脂、レジスト樹脂、フッ素系樹脂、または高い熱伝導率を有するメソゲン構造を有するエポキシ樹脂などの光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂を挙げることができる。また、パッシベーション層は、例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘ等の無機酸化物、無機窒化物等の材料を使用できる。パッシベーション層として、上記平坦化層で述べた種々のポリマー材料を用いることもできる。平坦化層およびパッシベーション層の形成方法は特に制約はなく、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手法により形成できる。平坦化層およびパッシベーション層の膜厚等の条件は従来の通りである。
【００８３】
なお、本発明は、上述のアクティブ型のカラー有機ＥＬ素子のみではなく、パッシブ型のカラー有機ＥＬ素子も製造することができる。この場合には、工程（ｉｉ）において、例えば図５に示すような、パッシブ型の有機ＥＬ素子基板４００を形成すればよい。この有機ＥＬ素子基板４００は、例えば、以下のように製造することができる。基板４１０の上にストライプ状の第１電極４１２をフォトリソグラフィー法等の従来の方法で形成する。次いで、上述のように有機ＥＬ層４１４を形成し、第１電極と交差する方向に透明な第２電極４１６をフォトリソグラフィー法等の従来の方法で形成する。パッシブ型の有機ＥＬ素子基板を製造する際には、第１電極、有機ＥＬ層および透明電極は、平坦化層および／またはパッシベーション層４２０によって保護することが好ましい。平坦化層およびパッシベーション層の材料には、上述のような公知のものが使用できる。
【００８４】
次に、工程（ｉｉｉ）に従って、得られた有機ＥＬ素子基板に工程（ｉ）で成膜した色変換材料をレーザー蒸着する（図４（Ｂ）〜（Ｃ））。
【００８５】
パターン化された色変換層２３０ａは、１つまたは複数種の画素のいずれかと対応する位置に形成される。例えば、図４に示した構成例では、色変換層２３０ａ（たとえば、赤色）は、１つの画素（たとえば、赤色）に対応する位置に形成されている。
【００８６】
本発明では、工程（ｉｉｉ）を複数回繰り返すことで所定の膜厚を有する色変換層のパターンを形成することができる。さらに、別の色変換材料１１６ｂを含むベース膜を透光性支持体に形成したものを使用して、工程（ｉｉｉ）を繰り返すことで、別の色変換層（例えば、緑色変換層または必要であれば青色変換層）を形成することができる（図４（Ｃ）；図４（Ｃ）では緑色変換層２３０ｂを形成した例を示した。）。
【００８７】
本発明における色変換層２３０は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚を有する。
【００８８】
なお、図４では、１つのサブピクセルについてのみ図示したが、同一の色変換材料を蒸着させるべき複数のサブピクセルに対しても、ベース膜を予めパターニングすることで、同時に色変換材料を蒸着することができる。
【００８９】
本発明のカラー有機ＥＬ素子では、必要に応じて、成膜された色変換層の上にさらにカラーフィルタ層等の必要な層を形成し、色変換フィルタ層としてもよい。カラーフィルタ層等の形成は、従来の手順を用いればよい。
【００９０】
本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造方法の各工程の諸条件（色変換材料の種類やベース膜等の成膜条件等）は、第１の実施形態または第２の実施形態で先に説明した通りである。
【００９１】
これまでに説明した本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造方法は、トップエミッション方式のアクティブ型およびパッシブ型カラー有機ＥＬ素子を作製する場合の例であるが、本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造方法はこれらに限定されない。例えば、本発明の第２の態様で得られた色変換フィルタ基板と、上述のアクティブ型の有機ＥＬ素子基板を貼り合わせることによってもトップエミッション方式のカラー有機ＥＬ素子を製造することができる。さらに、本発明の第２の態様で得られた色変換フィルタ基板の基板２１０を透明基板とし、この色変換フィルタ基板上に、上述のような平坦化層およびパッシベーション層およびパッシブ型有機ＥＬ素子を順次形成することで、ボトムエミッション方式のパッシブ型カラー有機ＥＬ素子を形成することができる。
【実施例】
【００９２】
（実施例１）
４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）、０．７ｍｍｔのガラス基板にベース膜を形成した。まず、フォトリソグラフィーでＡｇからなる反射層１００ｎｍ、および、ポリイミドからなる断熱層２μｍを形成した。レーザー反射層および断熱層の間は３０μｍとしてパターニングした。その上にＣｒからなるレーザー吸収層１００ｎｍをスパッタ法で形成し、次いで、ＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）を３００ｎｍ蒸着により形成した。
【００９３】
あらかじめＯＬＥＤを形成した４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）のＴＦＴ基板を真空容器内に保持し、ＴＦＴ基板に対向してベース膜を形成した透光性支持体を保持した。ＴＦＴ基と透光性支持体間の距離を２５０μｍとした。ＴＦＴ基板および支持体を設置後、真空容器を減圧し、１０−３Ｐａ以下とした。
【００９４】
レーザーを照射する（図４のように光学系によりレーザー光を面照射させた）（エキシマレーザー：０．５４Ｊ／ｃｍ２）と、レーザー反射層および断熱層のついていない部分のＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）が加熱され、蒸発してＴＦＴ基板に蒸着された。このときのパターン幅は３２μｍであった。
【００９５】
このように本発明ではメタルマスクの限界（２００ｐｐｉ＝４０μｍ幅）以下のパターンを形成することが可能であった。
【００９６】
（比較例１）
４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）、０．７ｍｍｔのガラス基板上にＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）を３００ｎｍの膜圧で蒸着した。すなわち、レーザー反射層、断熱層およびレーザー吸収層を形成せずに、実施例１と同様にＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）を形成した。
【００９７】
あらかじめＯＬＥＤを形成した４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）のＴＦＴ基板を真空容器内に保持し、ＴＦＴ基板に対向して、ＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）を成膜した上記ガラス基板を保持した。ＴＦＴ基板とガラス基板間の距離を２５０μｍとした。両基板を設置後、真空容器を減圧し、１０−３Ｐａ以下とした。
【００９８】
レーザー光源は光学系を用いることなく、ベース膜の裏面より照射（エキシマレーザー：０．５４Ｊ／ｃｍ２）して、３２μｍのパターンをＴＦＴ基板上に転写した。レーザー光源を移動させ次のパターンを転写した。この動作を繰り返し、４００ｃｍ２基板のパターンをすべて形成した。
【００９９】
比較例１の場合、４００ｃｍ２上のパターン形成時間は実施例１のパターン形成時間の５倍の時間を要した。
【０１００】
このように実施例１の方法を用いればメタルマスクの限界以下のパターンが形成可能であり、且つ、スループットを高くすることができる。
【０１０１】
（比較例２）
ポリイミドからなる断熱層を形成しなかった以外実施例１と同様にベース膜を形成した。次いで、あらかじめＯＬＥＤを形成した４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）のＴＦＴ基板を真空容器内に保持し、ＴＦＴ基板に対向して、上述のようにベース膜を形成した透光性支持体を保持した。ＴＦＴ基板と透光性支持体間の距離を２５０μｍとした。基板および支持体を設置後、真空容器を減圧し、１０−３Ｐａ以下とした。
【０１０２】
レーザーを照射する（図４のように光学系を介して面照射した）（エキシマレーザー：０．５４Ｊ／ｃｍ２）と、レーザー反射層の形成されていない部分のＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）が加熱され、蒸発してＴＦＴ基板に蒸着された。
【０１０３】
しかしながら、この比較例のようにポリイミドからなる断熱層を形成しなかった構成では、レーザー反射層により形成されているパターン以外の部分で一部蒸着材料が転写され、パターン不良が生じた。これは断熱層を形成せず、反射層だけでベース膜をパターニングすると、レーザー光による熱が蒸着材料の転写部分以外にも伝達され、断熱が不十分となるためであると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の蒸着方法を説明するための図である。
【図２】本発明の蒸着方法を説明するための図である。
【図３】本発明の色変換フィルタ基板の製造方法の製造工程を説明するための図である。
【図４】本発明のカラー有機ＥＬ素子（アクティブ型）の製造方法の製造工程を説明するための図である。
【図５】本発明のパッシブ型カラー有機ＥＬ素子の有機ＥＬ素子基板を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１０２    透光性支持体
１０４    第１の面
１０６    第２の面
１０８    ベース膜
１１０    レーザー反射層
１１２    断熱層
１１４    レーザー吸収層
１１６    蒸着材料
１２０、２１０、３１０、４１０    基板
２２０    平坦化層
２３０、２３０ａ、２３０ｂ    色変換層
２００ａ、２００ｂ、２００ｃ    カラーフィルタ層
３００    スイッチング素子
３０２    反射電極
３０４    平坦化絶縁膜
３２０、４１４    有機ＥＬ層
３３０    透明電極
３４０、４２０    平坦化層および／またはパッシベーション層
４００    有機ＥＬ素子基板
４１２    第１電極
４１６    第２電極
【図１】
2008066147.tif 000004
【図２】
2008066147.tif 000005
【図３】
2008066147.tif 000006
【図４】
2008066147.tif 000007
【図５】
2008066147.tif 000008