(57)【要約】  【課題】ＩＣの高密度化や高集積化に伴う異物制御の厳格化の要求に対応する。  【解決手段】異物を制御するシーケンスは、サイドダミーウエハ１Ｂとフィルダミーウエハ１Ｃをボート４０に装填し処理室２６に搬入するダミーウエハのローディングステップと、処理室２６に酸素ガスを供給してサイドダミーウエハ１Ｂとフィルダミーウエハ１Ｃに付着した異物を除去する前処理ステップと、前処理ステップ後のサイドダミーウエハ１Ｂとフィルダミーウエハ１Ｃを搬出するダミーウエハのアンローディングステップと、サイドダミーウエハ１Ｂとフィルダミーウエハ１Ｃとプロダクトウエハ１Ａとを装填したボート４０を処理室２６に搬入するプロダクトウエハのローディングステップと、処理室２６にＴＥＯＳガスを供給して本処理する本処理ステップと、本処理後のボート４０を処理室２６から搬出するプロダクトウエハのアンローディングステップとを備えている。  【選択図】図５
2008066429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素原子を含むガスを用いてダミー基板を前処理するステップと、
製品基板と前記前処理後のダミー基板とを処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に処理ガスを供給して前記製品基板と前記前処理後のダミー基板を本処理するステップと、
前記本処理後の製品基板とダミー基板とを前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ダミー基板を支持した支持具を処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給して前記ダミー基板を前処理するステップと、
前記処理室内から前記前処理後のダミー基板を支持した支持具を搬出するステップと、
製品基板と前記前処理後のダミー基板とを支持した支持具を前記処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に処理ガスを供給して前記製品基板と前記前処理後のダミー基板とを本処理するステップと、
前記本処理後の製品基板とダミー基板とを支持した支持具を前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ダミー基板を前処理するステップは、前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給して前記ダミー基板に付着した有機物を除去するステップを有し、
前記製品基板と前記前処理後のダミー基板とを本処理するステップは、
前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給して前記製品基板と前記前処理後のダミー基板とに付着した有機物を除去するステップと、
前記処理室内にシリコン原子を含むガスを供給して有機物を除去した前記製品基板と前記ダミー基板とに膜を堆積させるステップと、
を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にＣＶＤ法によって絶縁膜や金属膜および半導体膜を形成する成膜工程に利用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、ウエハに酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜をＴＥＯＳ（テトラ
エトキシ  シラン、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）を用いて形成するのに、バッチ式縦型ホットウオール型減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）が広く使用されている。
【０００３】
近年、ＩＣの高密度化や高集積化に伴い１００ｎｍ以下の異物制御が必要となり、成膜後の測定による異物を低減することが要求されている。
例えば、ＩＴＲＳ(International technology roadmap for semiconductor)によれば、２００７年において管理すべきパーティクルのサイズは３３ｎｍであり、パーティクルの数は０．１１／ｃｍ2 （７７ｐｃｓ／ｗａｆｅｒ）未満であり、２０１０年では制御すべきパーティクルのサイズは２３ｎｍになると、予測されている。
このような背景において成膜後の異物数を低減するためには、成膜前のウエハを清浄にすることが必要であり、ウエハ洗浄後に異物や金属汚染物や有機物を低減させるプロセスの開発が必須となっている。
【０００４】
ＣＶＤ装置において、有機物を低減させる手段を検討する場合、装置内部から発生する有機物を低減させる手段を検討することはもとより必要であるが、装置外部から流入する有機物を低減する対策も併せて行う必要がある。
【０００５】
そこで、従来のＣＶＤ装置として、ウエハキャリアであるカセットを移載する移載棚に対向したファンフィルタにケミカルフィルタを設置したものが、提案されている。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００４−３６３２３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ケミカルフィルタの設置は有機物の低減とそれから誘発される成膜後の異物増加の抑制に効果的であるが、放置時間が１００時間以上となる長時間放置に対しては異物を完全には抑えられないという問題点が本発明者によって究明された。
また、ケミカルフィルタの寿命により定期的なフィルタの交換および管理が必要とされるために、管理上の負荷が増大する原因ともなる。
【０００７】
本発明の目的は、ケミカルフィルタを付けて１００時間以上長時間放置した時の異物増加の問題点およびケミカルフィルタの寿命による問題点を解決することができ、ＩＣの高密度化や高集積化に伴う異物制御の厳格化の要求に対応することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）酸素原子を含むガスを用いてダミー基板を前処理するステップと、
製品基板と前記前処理後のダミー基板とを処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に処理ガスを供給して前記製品基板と前記前処理後のダミー基板を本処理するステップと、
前記本処理後の製品基板とダミー基板とを前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）ダミー基板を支持した支持具を処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給して前記ダミー基板を前処理するステップと、
前記処理室内から前記前処理後のダミー基板を支持した支持具を搬出するステップと、
製品基板と前記前処理後のダミー基板とを支持した支持具を前記処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に処理ガスを供給して前記製品基板と前記前処理後のダミー基板とを本処理するステップと、
前記本処理後の製品基板とダミー基板とを支持した支持具を前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（３）前記（２）において、前記ダミー基板を前処理するステップは、前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給して前記ダミー基板に付着した有機物を除去するステップを有し、
前記製品基板と前記前処理後のダミー基板とを本処理するステップは、
前記処理室内に酸素原子を含むガスを供給して前記製品基板と前記前処理後のダミー基板とに付着した有機物を除去するステップと、
前記処理室内にシリコン原子を含むガスを供給して有機物を除去した前記製品基板と前記ダミー基板とに膜を堆積させるステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（４）前記（２）において、前記ダミー基板を前処理するステップは、支持具に製品基板を支持することなく行う半導体装置の製造方法。
（５）前記（２）において、前記ダミー基板を前処理するステップは、前記製品基板と前記前処理後のダミー基板とを本処理するステップよりも、前記処理室内の温度を高くして行う半導体装置の製造方法。
（６）前記（１）（２）（３）において、前記ダミー基板とは、サイドダミー基板または／およびフィルダミー基板である半導体装置の製造方法。
（７）前記（１）（２）（３）において、前記酸素原子を含むガスとは、酸素（Ｏ2 ）、オゾン（Ｏ3 ）、水（Ｈ2 Ｏ）、水素（Ｈ2 ）および酸素（Ｏ2 ）、およびプラズマ励起されたＯ2 からなる群から選択される少なくとも一つのガスである半導体装置の製造方法。
（８）前記（３）において、前記シリコン原子（Ｓｉ）を含むガスとは、ＴＥＯＳであり、前記堆積させる膜とは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）である半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
前記（１）によれば、ダミー基板に付着した異物は前処理ステップによって除去することができるので、本処理ステップにおいて製品基板がダミー基板を起因とする異物によって汚染される現象は防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１１】
本実施の形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＩＣの製造方法として構成されており、ウエハにＣＶＤ膜を形成する成膜工程を備えている。
本実施の形態において、ＩＣの製造方法における特徴工程である成膜工程は、図１〜図３に示されたＣＶＤ装置（バッチ式縦型ホットウオール型減圧ＣＶＤ装置）によって実施される。
【００１２】
まず、図１〜図３に示されたＣＶＤ装置について説明する。
一般に、ウエハを複数枚ずつ収容して搬送するためのキャリア（搬送治具）としては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオープンカセット（以下、カセットという。）と、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成されて開口面にキャップが着脱自在に装着されているＦＯＵＰ（front opening unified pod 。）とがある。
本実施の形態に係るＣＶＤ装置１０においては、ウエハ１のキャリアとしてはカセット２が使用されている。
【００１３】
図１に示されているように、ＣＶＤ装置１０は直方体の箱形状に構築された筐体１１を備えている。
筐体１１の正面壁の下部にはカセット２を筐体１１の内部に対して搬入搬出するためのカセット搬入搬出口１２が開設されており、カセット搬入搬出口１２に対してはカセット２が工程内搬送装置（図示せず）によって搬入搬出されるようになっている。カセット搬入搬出口１２はフロントシャッタ１３によって開閉されるように構成されている。
筐体１１の内部のカセット搬入搬出口１２に対向する位置には、カセット姿勢変更装置１４が設置されている。カセット姿勢変更装置１４はカセット搬入搬出口１２に搬入されたカセット２を垂直姿勢（収納されたウエハ１が垂直となる姿勢）から水平姿勢（収納されたウエハ１が水平となる姿勢）に変更させるように、かつまた、搬出するカセット２を水平姿勢から垂直姿勢に戻すように構成されている。
【００１４】
筐体１１の内部のカセット姿勢変更装置１４の後方には、ウエハ１をチャージおよびディスチャージするためのポート（以下、ウエハポートという。）１５が設定されている。ウエハポート１５は複数台のカセット２を水平姿勢で載置するように構成されている。
ウエハポート１５の上方には複数個のカセット２を水平姿勢で保管する保管棚１６が複数段、それぞれ水平に構築されている。
筐体１１の内部のカセット姿勢変更装置１４とウエハポート１５および保管棚１６との間には、カセット移載装置１７が昇降するように設置されている。カセット移載装置１７はカセット姿勢変更装置１４とウエハポート１５と保管棚１６との間でカセット２を搬送し移載するように構成されている。
【００１５】
筐体１１の内部の保管棚１６の後方にはクリーンユニット１８が垂直に配置されて、全面をカバーするように建て込まれている。クリーンユニット１８はパーティクルを捕集するフィルタ（以下、パーティクルフィルタという。）１８ａと複数のファン１８ｂとを備えており、パーティクルフィルタ１８ａがファン１８ｂ群の下流側になるように構成されている。
【００１６】
ウエハポート１５の後方の空間には待機室１９が設定されており、待機室１９にはウエハ移載装置２０が設置されている。
ウエハ移載装置２０はウエハ１をウエハポート１５と後記するボート４０との間で搬送して、カセット２およびボート４０に受け渡すように構成されている。
【００１７】
図１および図２に示されているように、待機室１９の上には支持板としてのヒータベース１１Ａを介して処理炉２１が設置されている。
処理炉２１は加熱機構としてのヒータ２２を有する。ヒータ２２は円筒形状であり、支持板としてのヒータベース１１Ａに支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１８】
ヒータ２２の内側には反応管としてのプロセスチューブ２３が、ヒータ２２と同心円状に配設されている。プロセスチューブ２３は外部反応管としてのアウタチューブ２４と、その内側に設けられた内部反応管としてのインナチューブ２５とから構成されている。
アウタチューブ２４は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、内径がインナチューブ２５の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ２５と同心円状に設けられている。
インナチューブ２５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ２５の筒中空部には処理室２６が形成されており、基板としてのウエハ１を後記するボート４０によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
【００１９】
アウタチューブ２４の下方にはマニホールド２７が、アウタチューブ２４と同心円状に配設されている。マニホールド２７は例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。
マニホールド２７はインナチューブ２５とアウタチューブ２４とに係合しており、これらを支持するように設けられている。マニホールド２７がヒータベース１１Ａに支持されることにより、プロセスチューブ２３は垂直に据え付けられた状態となっている。
プロセスチューブ２３とマニホールド２７とにより反応容器が形成される。
なお、マニホールド２７とアウタチューブ２４との間には、シール部材としてのＯリング２８（図３参照）が設けられている。
【００２０】
マニホールド２７には処理室２６内の雰囲気を排気するラインとしての排気管３０が設けられている。排気管３０は、インナチューブ２５とアウタチューブ２４との隙間によって形成される筒状空間２９の下端部に配置されており、筒状空間２９に連通している。
排気管３０のマニホールド２７との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ３１および圧力調整装置（可変コンダクタンスバルブ）３２を介して真空ポンプ等の真空排気装置３３が接続されており、処理室２６内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。
圧力調整装置３２および圧力センサ３１には圧力制御部３４が、電気配線Ｂによって電気的に接続されている。
圧力制御部３４は圧力センサ３１により検出された圧力に基づいて圧力調整装置３２により処理室２６内の圧力が所望の圧力とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２１】
マニホールド２７の下方には、マニホールド２７の下端開口を気密に閉塞する炉口蓋体としてのシールキャップ３５が設けられている。シールキャップ３５はマニホールド２７の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。
シールキャップ３５は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ３５の上面には、マニホールド２７の下端と当接するシール部材としてのＯリング３５ａ（図３参照）が設けられている。
【００２２】
シールキャップ３５はプロセスチューブ２３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ３６によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これにより後記するボート４０を処理室２６に対し搬入搬出することが可能となっている。
【００２３】
シールキャップ３５の処理室２６と反対側には、ボートを回転させる回転機構３７が設置されている。回転機構３７の回転軸３８はシールキャップ３５を貫通して、後述するボートに接続されており、ボート４０を回転させることでウエハ１を回転させるように構成されている。
回転機構３７およびボートエレベータ３６には、駆動制御部３９が電気配線Ａによって電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２４】
基板支持具としてのボート４０は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる上下の端板４１、４２や複数本の保持柱４３が使用されて、全体的に見ると長い円筒形状になるように構築されており、保持柱４３には多数条のスロット（保持溝）４４（図３参照）が長手方向（垂直方向）に等間隔に配列されている。
ウエハ１の周縁部が同一段の複数個のスロット４４に同時に挿入されることにより、ボート４０は複数枚のウエハ１を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。
なお、ボート４０の下部には、断熱部材としての断熱板４５が水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板４５は例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料が使用されて、円板形状に形成されており、ヒータ２２からの熱がマニホールド２７側に伝わり難くなるよう構成されている。
【００２５】
プロセスチューブ２３内には温度検出器としての温度センサ４６が設置されている。
ヒータ２２と温度センサ４６とには温度制御部４７が、それぞれ電気配線Ｄによって電気的に接続されている。
温度制御部４７は温度センサ４６により検出された温度情報に基づきヒータ２２への通電具合を調整することにより、処理室２６内の温度を所望の温度分布とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２６】
図２に示されているように、マニホールド２７には処理ガス供給ノズル５０が処理室２６内外に挿通されており、処理ガス供給ノズル５０には処理ガス供給ライン５１の下流側端が接続されている。
処理ガス供給ライン５１の上流側端には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）５２、下流側バルブ５３および上流側バルブ５４を介して処理ガス供給源５５が接続されている。
処理ガス供給源５５は処理ガスとしてのＴＥＯＳを供給するように構成されている。すなわち、処理ガス供給源５５はＴＥＯＳベーキング（気化）装置として構成されている。
処理ガス供給源５５であるＴＥＯＳベーキング装置は、常温常圧で液体のＴＥＯＳ５７を貯留するタンク５６を備えており、タンク５６内のＴＥＯＳ５７の上方空間には処理ガス供給ライン５１の一端が挿入されている。そして、タンク５６内の気化（ベーキング）したＴＥＯＳガスが処理ガスとして、処理ガス供給ライン５１を経由して処理ガス供給ノズル５０に供給されるように構成されている。
ＭＦＣ５２にはガス流量制御部５８が電気配線Ｃによって電気的に接続されている。
ガス流量制御部５８は供給するガスの流量を所望の量とさせるべく所望のタイミングにて、ＭＦＣ５２を制御するように構成されている。
【００２７】
また、マニホールド２７には第二前処理ガス供給ノズル６０が処理室２６内外に挿通されており、第二前処理ガス供給ノズル６０には第二前処理ガス供給ライン６１の下流側端が接続されている。
第二前処理ガス供給ライン６１の上流側端には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）６２、下流側バルブ６３および上流側バルブ６４を介して第二前処理ガス供給源６５が接続されている。
第二前処理ガス供給源６５は第二前処理ガスとして水素（Ｈ2 ）ガスを供給するように構成されている。
ＭＦＣ６２にはガス流量制御部５８が電気配線Ｃによって電気的に接続されている。
ガス流量制御部５８は供給するガスの流量を所望の量とさせるべく所望のタイミングにて、ＭＦＣ６２を制御するように構成されている。
【００２８】
さらに、マニホールド２７には第一前処理ガス供給ノズル７０が処理室２６内外に挿通されており、第一前処理ガス供給ノズル７０には第一前処理ガス供給ライン７１の下流側端が接続されている。
第一前処理ガス供給ライン７１の上流側端には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）７２、下流側バルブ７３および上流側バルブ７４を介して第一前処理ガス供給源７５が接続されている。
第一前処理ガス供給源７５は第一前処理ガスとして酸素原子を含むガスを供給するように構成されている。
ここで、酸素原子を含むガスとは、酸素（Ｏ2 ）、オゾン（Ｏ3 ）、水（Ｈ2 Ｏ）、水素（Ｈ2 ）および酸素（Ｏ2 ）、およびプラズマ励起されたＯ2 からなる群から選択される少なくとも一つのガスである。
なお、酸素原子を含むガスとして、水素（Ｈ2 ）および酸素（Ｏ2 ）を供給する場合は、第二前処理ガス供給源６５より第二前処理ガス供給ライン６１、第二前処理ガス供給ノズル６０を介してＨ2 を、第一前処理ガス供給源７５より第一前処理ガス供給ライン７１、第一前処理ガス供給ノズル７０を介してＯ2 を供給するように構成するのがよい。
Ｈ2 Ｏの供給は減圧下でも供給が可能なように、プラチナ（Ｐｔ）触媒式の発生器が用いられる。Ｐｔ触媒式の発生器は約４００℃に加熱されたＰｔ上にＨ2 とＯ2 を流すことにより生成される。
このように、従来のＣＶＤ装置にＯ2 、Ｏ3 、Ｈ2 、Ｈ2 Ｏの配管がそれぞれ施されていることにより、活性酸素による前処理が可能となっている。
ＭＦＣ７２にはガス流量制御部７６が電気配線Ｅによって電気的に接続されている。
ガス流量制御部７６は供給するガスの流量を所望の量とさせるべく所望のタイミングにて、ＭＦＣ７２を制御するように構成されている。
【００２９】
処理ガス供給ライン５１の途中にはパージガス供給ライン８１の下流側端が接続されており、パージガス供給ライン８１の上流側端には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）８２、下流側バルブ８３および上流側バルブ８４を介してパージガス供給源８５が接続されている。
パージガス供給源８５はパージガスとして窒素（Ｎ2 ）ガスを供給するように構成されている。
ＭＦＣ８２にはガス流量制御部５８が電気配線Ｃによって電気的に接続されている。
ガス流量制御部５８は供給するガスの流量を所望の量とさせるべく所望のタイミングにて、ＭＦＣ８２を制御するように構成されている。
【００３０】
圧力制御部３４、駆動制御部３９、温度制御部４７、ガス流量制御部５８および７６は、操作部および入出力部をも構成しており、ＣＶＤ装置全体を制御する主制御部８９に電気的に接続されている。
圧力制御部３４、駆動制御部３９、温度制御部４７、ガス流量制御部５８、７６および主制御部８９はコントローラ９０として構成されている。
【００３１】
なお、図２および図３においては便宜上、処理ガス供給ノズル５０、第二前処理ガス供給ノズル６０および第一前処理ガス供給ノズル７０が上下方向にずらされて図示されているが、実際上は周方向にずらして配管されるのが通例である。
また、図２に示されているように、筐体１１内には処理室２６内からボート４０を搬出した状態でマニホールド２７の下端開口を閉塞するシャッタ４８が設置されている。
【００３２】
以下、本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法における特徴工程としての成膜工程を図５に即して説明する。
図５はウエハに酸化シリコン膜をＴＥＯＳを用いて形成する成膜工程を前記構成に係るＣＶＤ装置を使用して実施するシーケンスを示すタイムチャートである。
なお、以下の説明において、ＣＶＤ装置を構成する各部の動作はコントローラ９０により制御される。
【００３３】
ＩＣの製造方法の成膜工程が実施されるに際して、図１で参照されるように、ＣＶＤ装置１０の保管棚１６には、プロダクトウエハ（製品ウエハ）１Ａが収容されたカセット（以下、プロダクトウエハカセットという。）２Ａと、サイドダミーウエハ１Ｂが収容されたカセット（以下、サイドダミーウエハカセットという。）２Ｂと、フィルダミーウエハ１Ｃが収容されたカセット（以下、フィルダミーウエハカセットという。）２Ｃとがそれぞれ所定の台数ずつ保管される。
サイドダミーウエハはプロダクトウエハの膜厚均一性を確保するために、ボートの上下域に装填されるウエハである。
フィルダミーウエハはプロダクトウエハに欠落がある場合に、ボートに代用的に装填されるウエハである。
これらのウエハを収容したカセットは図１の移載棚に置かれており、外部から取り込まれた外気を受けるため、大気中に有機物が含まれている場合には、棚に放置された時間により、ウエハ上に吸着する有機物量も増大することになる。
特に、サイドダミーウエハ、フィルダミーウエハは、一般に、放置時間が長く、有機物の吸着量が大きく、その影響も大きい。
各カセット（以下、特に区別する必要がない場合には単にカセット２という。）内にはウエハ（以下、特に区別する必要がない場合には単にウエハ１という。）が水平に収容されており、ウエハ１とウエハ１との間にはクリーンユニット１８からの気流が通るようになっている。
【００３４】
クリーンユニット１８のパーティクルフィルタ１８ａには、ＵＬＰＡ(U1tra Low Penetration Air) が用いられており、微細な異物を除去するには有効であるが、有機物等の除去には不充分である。
そこで、ＣＶＤ装置１０のエア取り込み口にケミカルフィルタを取り付けたり、クリーンユニット１８のパーティクルフィルタ１８ａにケミカルフィルタを重ねて設置して有機物の除去を行う対策を講じることが提案されている。
【００３５】
図６はＣＶＤ装置１０の大気取り込み口にケミカルフィルタを設置した場合と、設置しない場合とにおいて、ウエハに酸化シリコン膜をＴＥＯＳを用いて形成した後のウエハ上の異物数を比較したグラフである。
図６において、縦軸には０．１μｍ以上の大きさの異物の個数が取られ、横軸には放置時間（時、Ｈｒ）が取られている。
図６において、点線がケミカルフィルタを設置しない場合を示しており、実線がケミカルフィルタを設置した場合を示している。
図６によれば、ケミカルフィルタを設置することによって成膜前のウエハの表面に付着する有機物量を低減すれば、異物量を低減し得ることが判る。
すなわち、ケミカルフィルタを設置しない場合には、保管棚１６に３０時間放置すると、０．１μｍの異物が１００個以上となる。
これに対して、ケミカルフィルタを設置した場合には、８０時間の放置時間に対しても異物の増加は見られない。
このように、ケミカルフィルタの設置は有機物の低減と、それから誘発される成膜後の異物増加の抑制に効果的である。
しかし、放置時間が１００時間以上となる長時間放置に対しては異物を完全には抑えられない。
また、ケミカルフィルタの寿命により定期的なフィルタの交換および管理が必要とされ、管理上の負荷が増大する原因となる。
【００３６】
図５に示されたシーケンスは、ケミカルフィルタを付けて１００時間以上長時間放置した時の異物増加やケミカルフィルタの寿命による問題を解決するのに有効である。
すなわち、図５に示されたシーケンスは、本処理（成膜）ステップの前処理ステップとして減圧下にて酸素やオゾン等の酸化ガスあるいは水分（Ｈ2 Ｏ）を処理室２６内に設置されたウエハ１に流してウエハ１の表面に付着した有機物を除去して成膜後の異物を低減しようとするものである。
【００３７】
ところで、酸化膜形成プロセス（工程または方法）において、有機物がウエハ上に付着している場合は絶縁耐圧の劣化等の現象を起こすことが知られており、特に、ゲート形成工程で有機物の低減が積極的に行われた。
有機物を除去する方法としては酸化装置においては、雰囲気を酸化性雰囲気として大気圧下で行われるが、ＤＯＰ（ジオクチルホスヘート) やＤＢＰ（ジブチルホスヘート）は７００℃の酸化処理であっても、３〜５×１０10atoms ／ｃｍ2 程度の残留があるとされ、９５０℃程度の高温で熱処理が行われる。
これはＤＯＰやＤＢＰがその構造に環状のベンゼン環を持つため、燃焼するのに高温が必要とされるためである。
このように有機物の低減方法として酸化装置では高温および大気圧下で酸化性雰囲気で処理すればよい訳であるが、 高温を用いないＣＶＤ装置に関しては、本実施の形態のように、減圧下で活性化した酸素（励起した酸素、以下、活性酸素ともいう。）を用いた前処理ステップを実施することが必要になる。
【００３８】
励起方法として酸化チタン（ＴｉＯ2 ）光触媒と紫外光を用いた紫外線（ＵＶ）−オゾンによるウエハ洗浄方法も提案されているが、多数枚のウエハを処理する方法としては不適当な処理方法であった。多数枚のウエハを処理する方法としては、本実施の形態の方法が適切といえる。
Ｓｉウエハ上に付着するＤＢＰ、ＤＯＰのような高分子の有機性ガスの特徴としては、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−結合を有する。
−ＣＯ−、−ＣＯＯ−結合部は親水性であるため、シリコンウエハ上の−ＯＨあるいは−Ｈと水素結合により結びつく。
ウエハ表面に吸着した有機物と活性化酸素との反応を示すと、次の通りである。
【化１】
2008066429.tif 000003
ウエハ上に吸着した有機物は活性化した酸素と反応してＣＯ2 とＨ2 Ｏに変わる。
この活性酸素を供給する方法としてオゾンを用いる場合は、
Ｏ3 ＝Ｏ2 ＋Ｏ* 
Ｈ2 、Ｏ2 を用いる場合は、
Ｈ2 ＋Ｏ2 ＝Ｈ2 Ｏ＋Ｏ* 
Ｈ2 Ｏを用いる場合は、
Ｈ2 Ｏ＝Ｈ2 ＋Ｏ* 
の反応に示されるような活性酸素が用いられる。
Ｏ2 プラズマの場合は、
Ｏ2 ＋ｅ- ＝Ｏ- 
のように活性酸素を生成する。
【００３９】
次に、図５に示されたシーケンスを前記構成に係るＣＶＤ装置を使用して実施する場合を具体的に説明する。
【００４０】
図５に示されたダミーウエハのローディングステップにおいては、まず、図１に示されているように、サイドダミーウエハカセット２Ｂおよびフィルダミーウエハカセット２Ｃが保管棚１６からウエハポート１５に搬送されてそれぞれ載置される。
ウエハ移載装置２０はコントローラ９０の指令に基づいて、図１および図２に示されているように、複数枚のサイドダミーウエハ１Ｂをボート４０の上端部および下端部の所定のスロット４４に適宜に装填（ウエハチャージ）し、複数枚のフィルダミーウエハ１Ｃをボート４０の指定された位置のスロット４４に適宜に装填する。
【００４１】
以上のようにしてサイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃがボート４０に装填されると、図３に示されているように、サイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃを保持したボート４０は、ボートエレベータ３６によって持ち上げられて処理室２６に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ３５はＯリング３５ａを介してマニホールド２７の下端をシールした状態となる。
【００４２】
図５に示されているように、ダミーウエハのローディングステップにおいては、パージガスとして窒素ガスが処理室２６内にパージガス供給ライン８１や処理ガス供給ライン５１および処理ガス供給ノズル５０を通じて供給され、処理室２６内の圧力は大気圧以上に維持される。
【００４３】
図５に示されたダミーウエハの前処理ステップにおいては、処理室２６内が所定の温度となるようにヒータ２２によって加熱される。
このダミーウエハの前処理ステップにおいては、サイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃのみの加熱であるので、処理温度に対する制約はない。
したがって、ダミーウエハの前処理ステップにおける処理室２６内の温度は、図５に示されているように、本処理ステップにおける処理室２６内の温度よりも高い温度、例えば、８００℃程度以下の温度に設定することができる。
なお、前処理ステップで用いる酸素原子を含むガス、すなわち、酸化種の違いにより活性酸素を生ずる温度は異なる。
おおよそ、Ｏ2 では５００℃以上、Ｏ3 では室温である２０℃以上、Ｈ2 Ｏでは２５０℃以上、Ｈ2 およびＯ2 では２５０℃以上の加熱温度が必要である。
ウエハを反応室に導入した後それぞれの加熱温度まで昇温して一定時間酸化雰囲気にて処理を行う。
プラズマによる活性酸素を用いる場合は、例えば、リモートプラズマユニット（ＲＰＵ）等により処理室２６の外部でプラズマを発生させて、酸素を励起し第一前処理ガス供給ライン７１、第一前処理ガス供給ノズル７０より処理室２６内に供給することになる。
この場合は、反応室温度はＯ2 のみ流す場合（Ｏ2 をプラズマにより励起することなく導入する場合）に比べ低くすることができ、室温である２０℃以上の温度で処理が可能である。
この際、処理室２６内が所定の温度分布となるように温度センサ４６が検出した温度情報に基づきヒータ２２への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構３７によってボート４０が回転されることにより、ウエハ１が回転される。
【００４４】
図５に示されたダミーウエハの前処理ステップにおいては、処理室２６内を大気圧未満の所望の圧力（真空度）、例えば、１〜１００００Ｐａの範囲内の所定の圧力、となるように真空排気装置３３によって真空引きしながら、前処理ガスとして酸素原子を含むガス（図５の実施の形態では酸素ガス）を処理室２６内に第一前処理ガス供給ライン７１を通じて供給する。
この際には、図５に示されているように、パージガスの供給は停止される。
【００４５】
供給された前処理ガスとしての酸素ガスは減圧に維持された処理室２６内を上昇し、インナチューブ２５の上端開口から筒状空間２９に流出して排気管３０から排気される。
減圧に維持された処理室２６内を通過する際に、酸素ガスは励起されて活性酸素を生じ、サイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃの表面と接触し、サイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃの表面に付着した有機物のような異物を酸化反応や熱化学反応によって除去する。
【００４６】
予め設定された処理時間が経過すると、図５に示されたパージステップにおいて、パージガスとして窒素ガスが処理室２６内にパージガス供給ライン８１を通じて再び供給され、処理室２６内の圧力が大気圧に復帰される。
【００４７】
続いて、図５に示されたダミーウエハのアンローディングステップにおいて、ボートエレベータ３６によりシールキャップ３５が下降されて、マニホールド２７の下端が開口されるとともに、前処理済のサイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃがボート４０に保持された状態で、マニホールド２７の下端からプロセスチューブ２３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００４８】
図５に示されたプロダクトウエハのローディングステップにおいては、まず、指定されたプロダクトウエハカセット２Ａが保管棚１６からウエハポート１５に搬送されて適宜に載置される。
その後、ウエハ移載装置２０はコントローラ９０の指令に基づいて、図４で参照されるように、所定のプロダクトウエハ１Ａをボート４０の複数枚のサイドダミーウエハ１Ｂおよび複数枚のフィルダミーウエハ１Ｃの無いスロット４４に適宜に装填する。
【００４９】
以上のようにしてプロダクトウエハ１Ａがサイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃと共に装填されたボート４０は、ボートエレベータ３６によって持ち上げられて、図４に示されているように、処理室２６に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ３５はＯリング３５ａを介してマニホールド２７の下端をシールした状態となる。
【００５０】
図５に示されているように、プロダクトウエハのローディングステップにおいても、パージガスとして窒素ガスが処理室２６内にパージガス供給ライン８１を通じて供給され、処理室２６内の圧力は大気圧以上に維持される。
【００５１】
図５に示されているように、この間、処理室２６内は所定の処理温度となるようにヒータ２２によって加熱されている。
本実施の形態においては、本処理ステップにてＴＥＯＳによる酸化シリコン膜の成膜処理を行う場合について説明する。
この場合、処理室２６内の温度は、例えば５００〜７００℃の範囲内の所定の圧力に維持され、処理室２６内の圧力は、例えば１〜１００００Ｐａの範囲内の所定の圧力に維持される。
この際、処理室２６内が所定の温度分布となるように温度センサ４６が検出した温度情報に基づきヒータ２２への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構３７によってボート４０が回転されることにより、ウエハ１が回転される。
【００５２】
図５に示されたプロダクトウエハの前処理ステップにおいては、処理室２６内を所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置３３によって真空引きしながら、前処理ガスとして酸素原子を含むガス（図５の実施の形態では酸素ガス）を処理室２６内に第一前処理ガス供給ライン７１を通じて供給する。
【００５３】
供給された前処理ガスとしての酸素ガスは減圧に維持された処理室２６内を上昇し、インナチューブ２５の上端開口から筒状空間２９に流出して排気管３０から排気される。
減圧に維持された処理室２６内を通過する際に、酸素ガスは励起されて活性酸素を生じ、プロダクトウエハ１Ａやサイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃの表面と接触し、プロダクトウエハ１Ａやサイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃの表面に付着した有機物のような異物を酸化反応や熱化学反応によって除去する。
【００５４】
次いで、本処理ステップにおいて、図４に示されているように、処理ガスとしてのＴＥＯＳガスが処理ガス供給ライン５１および処理ガス供給ノズル５０を通じて処理室２６内に供給される。
供給されたＴＥＯＳガスは処理室２６内を上昇し、インナチューブ２５の上端開口から筒状空間２９に流出して排気管３０から排気される。
ＴＥＯＳガスは処理室２６内を通過する際にウエハ１の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ１の表面上に酸化シリコン膜が堆積（デポジション）される。
【００５５】
予め設定された処理時間が経過すると、図５に示されたパージステップにおいて、パージガスとして窒素ガスが処理室２６内にパージガス供給ライン８１や処理ガス供給ライン５１および処理ガス供給ノズル５０を通じて供給され、処理室２６内の圧力が大気圧に復帰される。
【００５６】
続いて、図５に示されたプロダクトウエハのアンローディングステップにおいて、ボートエレベータ３６によりシールキャップ３５が下降されて、マニホールド２７の下端が開口されるとともに、本処理済のプロダクトウエハ１Ａやサイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃがボート４０に保持された状態で、マニホールド２７の下端からプロセスチューブ２３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００５７】
その後、処理済のプロダクトウエハ１Ａはボート４０から取り出され、元のプロダクトウエハカセット２Ａに戻される（ウエハディスチャージ）。
サイドダミーウエハ１Ｂおよびフィルダミーウエハ１Ｃは、処理条件に変動が無い場合には、ボート４０にそのまま残しておいてもよい。
【００５８】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００５９】
（１）サイドダミーウエハおよびフィルダミーウエハを処理室内に搬入して、処理室内に酸素原子を含むガスを供給することにより、サイドダミーウエハおよびフィルダミーウエハに付着した有機物のような異物を事前に除去することができるので、本処理ステップにおいてプロダクトウエハがサイドダミーウエハおよびフィルダミーウエハを起因とする異物によって汚染されるのを防止することができる。
特に、サイドダミーウエハ、フィルダミーウエハ上に大量の有機物が吸着している場合、このサイドダミーウエハ、フィルダミーウエハに対面するプロダクトウエハには加熱時にサイドダミーウエハ、フィルダミーウエハより離脱した有機物がプロダクトウエハに再吸着することがある。このような場合であっても、離脱有機物の再付着を有効に防止することができる。
【００６０】
（２）ダミーウエハの前処理ステップをプロダクトウエハをボートに装填しないで実施することにより、前処理温度に対する制約がなく、前処理ステップにおける処理温度を本処理ステップにおける処理温度よりも高い温度に設定することができるので、サイドダミーウエハおよびフィルダミーウエハに付着した有機物のような異物を高い温度で確実に除去することができる。
【００６１】
（３）前処理ステップにおける処理温度を本処理ステップにおける処理温度よりも高い温度に設定することにより、酸素ガスのような高い処理温度（５００℃以上）が要求される酸素原子を含むガスを前処理ガスとして使用することができるので、前処理ステップの導入によるコストの増加を抑制することができる。
【００６２】
（４）ダミーウエハの前処理後にダミーウエハをアンローディングしてボートにプロダクトウエハを装填する際に、ダミーウエハに有機物が再付着することも考えられるが、その場合であっても、その後に行うプロダクトウエハの前処理により除去することができる。すなわち、ダミーウエハについては２段階で前処理を行っているので、より一層確実に有機物を除去することができる。
【００６３】
（５）前処理ステップによって有機物のような異物を確実に除去することにより、ケミカルフィルタの設置を省略することができるので、ケミカルフィルタの寿命による定期的なフィルタの交換および管理を廃止することができる。
【００６４】
（６）ケミカルフィルタを設置しダミーウエハを１００時間放置し、異物が増加したダミーウエハであっても、事前に、有機物を有効に除去できるので、本処理ステップにおいて、ダミーウエハが汚染源とはならないようにできる。
【００６５】
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００６６】
例えば、ケミカルフィルタを設置してもよい。
【００６７】
前記実施の形態においてはＴＥＯＳを使用して酸化シリコン膜を成膜する場合について説明したが、本発明はこれに限らず、他のシリコン原子を含むガスを使用して酸化シリコン膜を成膜する場合や、ヒドラジン系ガスを使用して窒化シリコン膜を成膜する場合、その他のガスを使用して他の窒化膜や酸化膜、さらには、金属膜および半導体膜（例えば、ポリシリコン膜）等の他のＣＶＤ膜を形成する場合に適用することができる。
【００６８】
ダミーウエハの前処理ステップと、プロダクトウエハの前処理ステップでは異なる前処理ガスを用いるようにしてもよい。
例えば、ダミーウエハ前処理ステップでＯ3 を、プロダクトウエハの前処理ステップでＯ2 を用いるようにしてもよい。
また、ダミーウエハ前処理ステップでＯ2 をプロダクトウエハの前処理ステップでＯ3 を用いるようにしてもよい。
また、ダミーウエハ前処理ステップでＨ2 Ｏをプロダクトウエハの前処理ステップでＯ3 を用いるようにしてもよい。
【００６９】
移載室がロードロックチャンバ（減圧室）でなく大気の場合には、基板を反応室に導入する際に巻き込まれた大気中に含まれる酸素により有機物を処理するようにしてもよい。
また、プロダクトウエハへの転写を防止する観点から酸素原子を含むガスを用いることなく、Ｎ2 等の不活性ガスのみを供給して、前処理を行うようにしてもよい。
【００７０】
ＣＶＤ装置はバッチ式縦型ホットウオール型減圧ＣＶＤ装置に限らず、横型ホットウオール型減圧ＣＶＤ装置等の他のＣＶＤ装置であってもよい。
【００７１】
本発明に係る半導体装置の製造方法はＣＶＤ装置を使用する場合に限らず、酸化膜形成装置や拡散装置およびアニール装置等を使用する場合にも適用することができる。
【００７２】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００７３】
図７は本発明の第二の実施の形態であるＩＣの製造方法の成膜工程のシーケンスを示すタイムチャートである。
本実施の形態においては、サイドダミーウエハ、フィルダミーウエハおよびプロダクトウエハの前処理を同時に行う。すなわち、第二の実施の形態は、第一の実施の形態におけるダミーウエハ（サイドダミーウエハ、フィルダミーウエハ）のみ単独で前処理するステップを省いたものである。
それぞれのウエハの有機物を除去するための酸化種として、Ｏ2 、Ｏ3 またはＨ2 Ｏの三つの例を挙げている。それぞれ酸化種の違いにより活性酸素を生ずる温度は異なる。
おおよそ、Ｏ2 では５００℃以上、Ｏ3 では室温である２０℃以上、Ｈ2 Ｏでは２５０℃以上の加熱温度が必要である。
ウエハを処理室に導入した後、それぞれの加熱温度まで昇温して一定時間処理室内に酸化種を供給しつつ排気することで、処理室内を酸化雰囲気にしてサイドダミーウエハ、フィルダミーウエハおよびプロダクトウエハの前処理を行う。
その後に、ＣＶＤ成膜を実施する温度までさらに昇温する。
なお、このときも処理室内には酸化種を供給しつつ排気することで、それぞれのウエハの前処理を継続して行う。
ここでは、明示しないが、プラズマによる活性酸素を用いる場合は、Ｏ2 を流す真空引きステップにおいて、プラズマを発生させることになる。この場合は、反応室温度はＯ2 のみ流す場合に比べ低くすることができ、室温である２０℃以上の温度で処理が可能である。
【００７４】
図８は本発明の第三の実施の形態であるＩＣの製造方法の成膜工程のシーケンスを示すタイムチャートである。
本実施の形態においては、第二の実施の形態と同様、ダミーウエハとプロダクトウエハの前処理を同時に行う。第一の実施の形態における酸化種であるＯ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏの代わりに酸化種としてＨ2 とＯ2 とを用いている。ダミーウエハおよびプロダクトウエハの前処理は２５０℃以上の温度で行われる。
なお、第二、第三の実施の形態の方が第一の実施の形態よりも、トータルの処理時間を短くすることができる。逆に第一の実施の形態の方が第二、第三の実施の形態よりもダミーウエハをより一層清浄化することができる。
なお、第二、第三の実施の形態におけるダミーウエハおよびプロダクトウエハの前処理を、第一の実施の形態におけるダミーウエハの前処理ステップ、プロダクトウエハの前処理ステップに適用してもよいことは、もちろんのことである。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法に使用されるＣＶＤ装置を示す一部切断側面図である。
【図２】その主要部を示す回路図を含む縦断面図である。
【図３】ダミーウエハの前処理ステップ時を示す主要部の正面断面図である。
【図４】本処理ステップ時を示す主要部の正面断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法の成膜工程のシーケンスを示すタイムチャートである。
【図６】ＣＶＤ装置の大気取り込み口にケミカルフィルタを設置した場合と、設置しない場合とにおいて、ウエハに酸化シリコン膜をＴＥＯＳを用いて形成した後のウエハ上の異物数を比較したグラフである。
【図７】本発明の第二の実施の形態であるＩＣの製造方法の成膜工程のシーケンスを示すタイムチャートである。
【図８】本発明の第三の実施の形態であるＩＣの製造方法の成膜工程のシーケンスを示すタイムチャートである。
【符号の説明】
【００７６】
１…ウエハ、１Ａ…プロダクトウエハ（製品基板）、１Ｂ…サイドダミーウエハ（ダミー基板）、１Ｃ…フィルダミーウエハ（ダミー基板）、２…カセット、２Ａ…プロダクトウエハカセット、２Ｂ…サイドダミーウエハカセット、２Ｃ…フィルダミーウエハカセット、１０…ＣＶＤ装置、１１…筐体、１１Ａ…ヒータベース、１２…カセット搬入搬出口、１３…フロントシャッタ、１４…カセット姿勢変更装置、１５…ウエハポート、１６…保管棚、１７…カセット移載装置、１８…クリーンユニット、１８ａ…パーティクルフィルタ、１８ｂ…ファン、１９…待機室、２０…ウエハ移載装置、２１…処理炉、２２…ヒータ、２３…プロセスチューブ、２４…アウタチューブ、２５…インナチューブ、２６…処理室、２７…マニホールド、２８…Ｏリング、２９…筒状空間、３０…排気管、３１…圧力センサ、３２…圧力調整装置（可変コンダクタンスバルブ）、３３…真空排気装置、３４…圧力制御部、３５…シールキャップ、３５ａ…Ｏリング、３６…ボートエレベータ、３７…回転機構、３８…回転軸、３９…駆動制御部、４０…ボート、４１、４２…端板、４３…保持柱、４４…スロット（保持溝）、４５…断熱板、４６…温度センサ、４７…温度制御部、４８…シャッタ、５０…処理ガス供給ノズル、５１…処理ガス供給ライン、５２…ＭＦＣ（マスフローコントローラ）、５３…下流側バルブ、５４…上流側バルブ、５５…処理ガス供給源、５６…タンク、５７…ＴＥＯＳ、５８…ガス流量制御部、６０…第二前処理ガス供給ノズル、６１…第二前処理ガス供給ライン、６２…ＭＦＣ（マスフローコントローラ）、６３…下流側バルブ、６４…上流側バルブ、６５…第二前処理ガス供給源、７０…第一前処理ガス供給ノズル、７１…第一前処理ガス供給ライン、７２…ＭＦＣ（マスフローコントローラ）、７３…下流側バルブ、７４…上流側バルブ、７５…第一前処理ガス供給源、７６…ガス流量制御部、８１…パージガス供給ライン、８２…ＭＦＣ（マスフローコントローラ）、８３…下流側バルブ、８４…上流側バルブ、８５…パージガス供給源、８９…主制御部、９０…コントローラ、Ａ…電気配線、Ｂ…電気配線、Ｃ…電気配線、Ｅ…電気配線。
【図１】
2008066429.tif 000004
【図２】
2008066429.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008066429.tif 000008
【図６】
2008066429.tif 000009
【図７】
2008066429.tif 000010
【図８】
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