(57)【要約】【課題】光取り出し効率を向上させるために、半導体発光素子の光射出面に微小凹凸構造を形成することは従来行われていたが、さらに基板厚みを薄くして光取り出し効率を向上させるには、基板を研削しなければならず、基板を強固に固定するためには、光射出面にボンディングで電極を形成しなければならなかった。従って、大電流によるヒートショックでボンディング電極が劣化してしまうという課題があった。【解決手段】厚い基板を使った半導体発光素子とサブマウントの間に、バンプ２５を形成し、半導体発光装置とした後、充填材で固め、その後研削する。所望の厚みに基板１１を研削した後、表面に微小な凹凸構造１８を形成する。これによって、光射出面に微細凹凸構造を持つ薄い基板の半導体発光装置を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
引出電極が形成されたサブマウントと、
少なくとも一方の面に全反射防止処理を施した基板と、
前記基板の前記全反射防止処理を施した面の反対側の面上に形成した窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層と、
前記基板に対して前記発光層が形成されたのと同じ面側に形成されたｐ側電極およびｎ側電極と、
前記ｐ側電極またはｎ側電極と前記引出電極を接合するバンプとを有する半導体発光装置。
【請求項２】
前記基板の厚みは、前記基板の縦および横の長い方の辺の少なくとも１／１０より小さい請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記基板は劈開性を有する材料である請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記基板はＧａＮ、ＳｉＣ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯのいずれかである請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記サブマウントは導電体を充填したスルーホールを有する請求項１又は２のいずれか記載の半導体発光装置。
【請求項６】
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光体層を形成する工程と、
前記発光体層を加工して電極を形成し半導体発光体素子を作成する工程と、
前記発光体素子をサブマウントに溶着し半導体発光装置を作成する工程と、
前記サブマウントと前記発光素子の間に充填材を充填する工程と、
前記基板の発光体層を形成した面の反対側の面を研削する工程と、
前記研削した面に全反射防止処理を施す工程とを含む半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記全反射防止処理はナノインプリントによって、サブミクロンの幅の溝を作成する工程と、
前記溝に沿って前記基板をエッチングする工程を含む請求項６記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記全反射防止処理は前記基板を化学処理する工程を含む請求項６記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記研削する工程は、研削速度の異なる複数の研削処理の工程を含む請求項６記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記全反射防止処理はインクジェット印刷によって、サブミクロンの大きさのドットを前記研削した基板面に作成する請求項６記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光取り出し面となる基板の厚みを薄くし、基板側面からの漏れ光量を少なくすることで、光取り出し効率を高めた半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードやレーザーダイオードなどの半導体発光装置は、光変換効率が高いため注目されている。このような発光装置での課題の１つに光取り出し効率が上げられる。
【０００３】
現在高輝度の半導体発光装置で用いる発光素子としては、III−Ｖ族半導体がある。これらの半導体は内部屈折率が空気より高いため、空気との界面で全反射が生じ、発光素子から取り出せる光の効率が低下する。そのため光取り出し効率を向上させようとする試みが提案されている。
【０００４】
１つには、空気との間に屈折率がより小さい層を設けるという試みがある（特許文献１参照）。半導体発光素子はその内部屈折率が高い。そこで、空気より屈折率が高くてかつ半導体発光素子内部よりは屈折率の低い層を設けることで、光取り出し効率を向上させようとするものである。具体的には半導体発光素子の周囲に配置した樹脂層に屈折率の高い粒子を配置し、本来ならば半導体発光素子より低い樹脂層の屈折率を高め、光取り出し効率を向上させる（特許文献１第１９段など）。
【０００５】
また、微細凹凸構造を発光層や透明結晶基板に直接的に形成して光取り出し効率を向上させようという試みもある（特許文献２参照）。これは半導体発光素子の界面で生じる全反射を回避させるために、発光素子の表面を凹凸構造とすることで、多重反射による干渉を抑え、光取り出し効率を向上させるようにしたものである。具体的には透明結晶基板にシリコン系有機溶剤を塗布し、そこに微細凹凸構造を有するモールドを押し付け、凹凸構造を転写させ、ドライエッチングによって微細凹凸構造を作成する（特許文献２第１１段など）。
【０００６】
図６にこの半導体発光装置の概略図を示す。サブマウント１２１上の引出電極１２２、１２３にバンプ１２４、１２５によって半導体発光素子が接続されている。この半導体発光素子の基板１１１上面には全反射を防止するために微小な凹凸構造１１８が設けられている。半導体発光素子はバンプによってサブマウントと接着されるので、この接着の際の超音波溶着に耐えられるように基板は一定以上の厚みとなっている。
【０００７】
特に前面での発光輝度が高いものについては、表面を凹凸化し、なおかつ透明基板の厚さを薄くすることで側面からの漏れ光量を少なくする商品も実現されている。図７にはその概観を示す。サブマウント１２１上のｐ側引出電極１６０に半田１５０を介してｐ側電極１１６が接合されており、ｎ側電極１１５はｐ側電極とは基板１１２に対して反対の面に形成されている。このｎ側電極にワイヤーボンディングで電流供給線１９０が接続されている。
【特許文献１】特開２００４−１５０６３号公報
【特許文献２】特開２００６−１００６８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
半導体発光素子の周囲に屈折率の小さい層を設けて光取り出し効率を向上させる方法では、発光量の損失が生じてしまう。従って透明基板の表面に凹凸構造を設けるのは、有効な方法と言える。また、半導体発光素子の側面からの射出光は、従来反射鏡などを使って効率的に使用する方法がとられているが、基本的に扱いにくい。従って、基板自体を薄くして、側面からの射出光自体の割合を少なくするという観点から、図７に記載した構成は有効である。
【０００９】
このような構成にするためには、薄い基板を用いて半導体発光素子を作成し、サブマウントに搭載することで半導体発光装置となすことが考えられる。
【００１０】
ところで、特に高輝度用の半導体発光装置の場合、使用時における半導体発光素子自体の温度はかなり高くなり、ワイヤーボンディング１９０とｎ側電極１１５との間には繰り返し熱応力を受けることになる。結果、この接続部分の耐久性には課題がある。従って電極の取り出しには図６に示すバンプ方式を用いるのがよいが、バンプ方式では半導体発光素子とサブマウントの接続部が超音波振動による溶着であり、それほど機械的に強くはない。透明基板はサファイアのように強度のある材質を用いることもできるが、発光効率を高めるため窒化ガリウム（ＧａＮ）のような、劈開性を有する材料も用いる場合が多い。するとバンプを形成する際の高周波振動に耐えるために透明基板はある程度厚くなければならない。
【００１１】
このような事情によって、透明基板が薄く、しかもバンプ電極を有する半導体発光装置を作成するには、厚い透明基板でバンプ電極を構成し、その後透明基板を研削し、厚みを薄くしてから透明基板の表面に凹凸構造を形成しなければならない。
【００１２】
しかし、バンプ電極はそれほど機械的強度は強くなく、透明基板の研削時の応力に耐えられないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために本発明は、半導体発光素子を形成した厚い透明基板と、サブマウント部との間にバンプ電極を形成し、サブマウントと透明基板を含む半導体発光素子を充填材で充填し、加工に耐える状態にしてから、透明基板を研削して所定の厚さにする。その後、透明基板の表面に凹凸構造を形成する製造方法を提供する。
【００１４】
本発明の製造方法によって、表面に凹凸構造を有する薄い透明基板上に作成された半導体発光素子であって、バンプ電極でサブマウントに接合された半導体発光装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の製造方法によって得られる半導体発光装置は、光が主として射出する前面に対して側面を非常に小さくでき、且つ前面に全反射防止処理を施しているため、側面からの射出光の割合が非常に少ない。また、バンプ電極を有しているため、大電流を流すことができかつ温度による歪に対する耐性も高い半導体発光装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１に本発明の半導体発光装置の製造方法によって得られる半導体発光装置１を示す。半導体発光装置１は、サブマウント２１上に形成された引出電極２２、２３とバンプ２４、２５を含む支持部２０と、基板１１とｎ型層１２と活性層１３とｐ型層１４と電極１５、１６を含む半導体発光素子１０を有する。
【００１７】
サブマウント２１は、半導体発光素子１０を支持し、ハウジングやリードフレームなどへの取り付けを容易にする。サブマウント２１は、シリコンツェナーダイオード、シリコンダイオード、シリコン、窒化アルミニウム、アルミナ、その他のセラミック等を用いることができる。また、サブマウント２１には、スルーホール２８を設けてもよい。スルーホールはサブマウントに穿たれた貫通孔で、内部に銅、アルミニウム、金等の導電材料を含む。
【００１８】
引出電極は、外部からの電流を半導体発光素子１０に与えるための端子である。従って、ｎ側引出電極２２とｐ側引出電極２３からなる。引出電極は、銅、アルミニウム、金、銀といった導電性の材料を用いる。引出電極は、半導体発光素子１０と比較しても大きな面積で作成することができるため、外部からの電流供給線（図示せず）と半田付けなどで接合することができ、大電流の印加による繰り返しヒートショックにも耐えられる。なお、サブマウントがスルーホールを有する場合は、引出電極に外部からの電流供給線を半田付けする必要はない。スルーホールを通じて、外部の電極もしくはリードフレームといった、電流供給線に接続できるからである。ただし、スルーホールと引き出し電極は電気的に導通状態になっている必要がある。
【００１９】
バンプは半導体発光素子１０をサブマウント２１上に固定し、また引出電極２２、２３との間を電気的に結合させる役割を有する。引出電極２２、２３に対応してｎ極バンプ２４とｐ極バンプ２５がある。また、バンプは半導体発光素子１０に設けられた電極に応じて設けられるので、それぞれ複数個あってもよい。
【００２０】
バンプと半導体発光素子の電極との接触面積は、半導体発光素子からサブマウントへの放熱を促進するために、ｎ側電極１５およびｐ側電極１６が形成されている半導体発光素子１０の一面の２０％以上であることが望ましく、好ましくは５０％以上である。
【００２１】
材料としては、金、金−錫、半田、インジウム合金、導電性ポリマーなどを用いることができるが、特に金や金を主成分とする材料が好ましい。これらの材料を用いて、メッキ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法、液滴射出法、ワイヤーバンプ法等を用いて形成することができる。
【００２２】
例えば、ワイヤーバンプ法で金ワイヤーを作成し、その一端をボンダーにてサブマウント上の引出電極に接着した後、ワイヤーを切断することで金バンプを形成する。また、金などの微粒ナノ粒子を揮発性溶剤に分散した液をインクジェット印刷と同様な手法で印刷し、溶剤を揮発除去してナノ粒子の集合体としてのバンプを形成する液滴射出法を用いることもできる。
【００２３】
サブマウントに引出電極とバンプを形成した状態のものを支持部２０と呼ぶ。支持部２０には上記説明で明らかなようにスルーホールがあってもよい。
【００２４】
基板１１は、発光する部分を保持する役目を負う。材質としては、絶縁性のサファイアを用いることができる。しかし、発光効率や発光する部分が窒化ガリウム系化合物半導体を母材とすることから、発光層、より具体的にはｎ型層１２と基板１１との界面での光の反射を少なくするために発光層と同等の屈折率を有するＧａＮやＳｉＣ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯを用いるのが好適である。これらの基板は、窒化ガリウム系化合物半導体と格子整合がとり易く、発光層の結晶性を良好にできる。
【００２５】
発光層となるｎ型層１２と活性層１３とｐ型層１４は基板１１上に順次積層される。材質は特に制限はないが、窒化ガリウム系化合物であれば好ましい。具体的には、それぞれ、ＧａＮのｎ型層１２、ＩｎＧａＮの活性層１３、ＧａＮのＰ型層１４である。なお、ｎ型層１２やｐ型層１４としては、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮを用いてもよいし、ｎ型層１２と、基板１１との間に、ＧａＮやＩｎＧａＮで構成したバッファ層を用いることも可能である。また、例えば、活性層１３は、ＩｎＧａＮとＧａＮが交互に積層した多層構造（量子井戸構造）としてもよい。
【００２６】
このように基板１１上に積層したｎ型層１２と活性層１３とｐ型層１４の一部から、活性層１３とｐ型層１４を除去し、ｎ型層１２を露出させる。この露出させたｎ型層１２上に形成されたのが、ｎ側電極１５である。また、ｐ型層１４上に同じくｐ側電極１６が形成される。つまり、活性層１３とｐ型層１４を除去し、ｎ型層１２を露出させることで、発光層とｐ側電極およびｎ側電極は基板に対して同じ側の面に形成することができる。
【００２７】
ｐ側電極１６は発光層で発した光を基板１１の側に反射するために反射率の高いＡｇやＡｌ、Ｒｈ等の第１の電極を用いる。ｐ型層１４とｐ側電極１６のオーミック接触抵抗を小さくするためにｐ型層１４と第１の電極の間にＰｔやＮｉ、Ｃｏ、ＩＴＯ等の第２の電極を用いることが望ましい。また、ｎ側電極１５はＡｌやＴｉ等を用いることができる。ｐ側電極１６およびｎ側電極１５の表面にはバンプとの接着強度を高めるためにＡｕやＡｌを用いることが望ましい。これらの電極は真空蒸着法、スパッタリング法などによって、形成することができる。
【００２８】
半導体発光素子１０のサイズは、特に限定はないが、前面からの光取り出し効率の向上をより効果的に実現するために一辺が４００μｍ以上であることが望ましい。
【００２９】
図２に本発明の半導体発光装置１の製造方法を示す。上記で説明したように、サブマウント上に引出電極、バンプを形成した支持部２０を用意する。サブマウントは、所定の材料の表面を研磨し、半導体発光装置より大きい面積を有するものを使う。生産性を高めるためである。
【００３０】
さらに、基板上にｎ型層、活性層、ｐ型層とｎ側電極、ｐ側電極を形成した半導体発光素子１０を乗せ、超音波振動によって溶着する。溶着は支持部２０若しくは半導体発光素子１０側を固定しておき、他方を超音波溶着装置のチャックで固定し、超音波振動を与えることによって行なう。この時、支持部２０若しくは半導体発光素子１０側から加熱することにより、加熱しない場合に比べて低い超音波出力でバンプとｎ側電極１５およびｐ側電極１６の溶着を行うことができるので、半導体発光素子１０へのダメージを低減することができる。加熱温度は１００〜４００℃が好ましい。
【００３１】
図２（Ａ）は、バンプとｎ側電極およびｐ側電極が溶着された状態を示している。この時、基板は厚さが０．３ｍｍから１ｍｍ程度の厚さである。なお、厚さが２００μｍ程度までは超音波溶着による振動にも耐えうるが、１５０μｍ程度になるとＧａＮの基板に割れが生じることがある。
【００３２】
次にこれを充填材３で埋める。この状態を図２（Ｂ）に示す。充填材としては、フォトレジスト、エポキシ、シリコン、各種ワックスを用いることができる。この充填材は、基板を研削する際に、ｎ側電極やｐ側電極とバンプとの間、若しくはバンプと引出電極の間の接着を補強するためのものである。基板の研削後は除去する場合もあるので、除去可能なリムーバー（除去液）若しくは除去方法が用意できるものが好適である。
【００３３】
このように充填材で補強した状態にして、上方から研削していく。図２（Ｃ）は、研削を行なった状態を示す。研削は、各種の研磨機を用いることができる。具体的には、研削盤、ラップ盤といった装置を利用することができる。研削後の基板の厚みは、１５０μｍ以下が望ましい。１５０μｍより厚い基板でよければ、研削をしなくても、バンプ形成ができるからである。基板の厚みは薄くする方が側面からの射出光の割合が減少するため好ましい。製品の仕様や、使用する材料によって好ましい基板の厚みは異なるが、少なくとも、基板の縦横の長さのうち、長い方の１／１０以下であるのが望ましい。
【００３４】
なお、基板厚みが１ｍｍから数μｍまで研削するため、研削は複数の工程に分けて行なうのが好ましい。すなわち、目標厚みまでの研削量が多いうちは、研削レートの高い研削方法を行い、目標厚みに近づいたら、研削レートの低い研削方法で削る。例えば、研削盤やラップ盤では、砥石の粒度を変える事で研削レートを変えることができる。
【００３５】
基板を目標の厚さまで研削したら、次に基板表面に全反射防止処理として凹凸構造を形成する。凹凸構造のパターンには特に限定はない。ナノインプリント技術を用いた微細加工を用いれば、光の波長と同程度若しくは、使う光の波長によっては、それ以下のスケールの微細パターンを形成することもできる。また形状も溝形状、錘状、半円球状など、さまざまなパターンの形成が可能である。なお、ナノインプリントを行う面は平坦であることが必要であるが、半導体発光素子１０と充填材３からなる研削面は非常に平坦に形成されるので、精度良く微細パターンを形成することができる。
【００３６】
エッチングによる表面の凹凸形状の形成は、工程が簡単であり、また光取り出し効果も向上する。しかし、凹凸形状の正確な制御が困難であり、また全く同じ凹凸形状を多くの基板表面上に形成できないという特性がある。
【００３７】
また、研削する工程の最後に用いる砥石の粒度を調節して、研削が終わった状態で、ある範囲の表面粗さに仕上げ、基板表面の凹凸構造とすることもできる。
【００３８】
また、インクジェット印刷法により基板表面に凹凸構造を作成することもできる。この方法は基板をエッチングする工程を含まないので簡便に行うことができる。作成する凹凸構造自体の屈折率を調整することで、光取り出し効果を得る事ができる。
【００３９】
図３には、ナノインプリント技術によって基板表面に凹凸構造１８を形成する場合を説明する。
【００４０】
充填材で固めて基板を所定の厚みに研削した後（図２（Ｃ）の状態）、表面にレジストを塗布する。レジストは、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などのポリマーレジストや、シリコン系有機溶剤などを用いることができる。これらを基板表面に塗布したのち、プリベークをしてレジストを硬化させ、それから予めパターンを形成したモールドを押し付けて、モールド表面に形成された微細凹凸パターンをレジストに転写させる。
【００４１】
凹凸構造のパターンは、ドットパターンや溝パターンなどが考えられるが、特に限定しない。また、基板上面について全て同一のパターンでなくてもよい。パターンの大きさは使う光の波長にもよるが、１μｍ以下のサブミクロンの大きさのパターンが好ましい。例えば、幅がサブミクロンの長さの溝パターンなどである。
【００４２】
モールドの転写には大きな力がかかるので、充填材を強いものとするか、若しくはそれほど大きな力でなくてもパターンが転写できるレジストを選択する。図３（Ｄ）は、微細パターン４０を形成した状態を示す。
【００４３】
次にこれをエッチングする。エッチングはウェットエッチングでもドライエッチングでも利用する事ができる。ドライエッチングでは、イオンミリング法や塩素ガス法などがある。ウェットエッチングでは、酸を主体としたエッチャントを用いてエッチングを行うことができる。
【００４４】
図３（Ｅ）には、エッチングを行なった状態を示している。エッチングによってレジストや充填材も削られるので、充填材がなくなっている部分もある。
【００４５】
図３（Ｆ）には、その後充填材を除去した状態を示す。図３（Ｆ）の例では、引出電極を露出させるために充填材を除去したが、サブマウントにスルーホールが設けられており、外部電流線との接続に引出電極を用いない場合は、充填材の除去は必要ない。
【００４６】
図３（Ｇ）は、充填材を除去したのち、それぞれの半導体発光装置を切り出した工程を示す。すでに基板の厚みを薄くて表面に凹凸構造を持ち、バンプによって電流が供給される半導体発光装置がサブマウント上に出来上がっているので、これを１つ１つに切断する。これは、マイクロスライサなどを用いることによって、切り取るのが好適であるが、この方法に限定するものではない。また、予め複数の半導体発光装置を１つのサブマウント上に並べて作成する場合などは、複数個まとめて切り出してもよい。
【００４７】
図４を用いて、ウェットエッチングによって凹凸構造を形成する場合を説明する。図２（Ｃ）の状態までは上記の説明と同じである。図２（Ｃ）の状態は、基板の表面が露出しているので、これをそのまま水酸化カリウム（ＫＯＨ）の水溶液中に浸す。水酸化カリウムの濃度、温度、浸食時間などの条件を適宜決めてやると、大きさが、サブミクロンから数μの大きさの凹凸構造を基板表面に形成させることができる。図４（Ｄ）は水酸化カリウムのエッチングにて凹凸構造４２が出来た状態を示している。なお、ウェットエッチングの際に半導体発光素子１０の側面および電極形成面は充填材３によって浸食されないように保護することができる。
【００４８】
図４（Ｅ）および図４（Ｆ）に示すように、その後充填材を除去し、切断するのは図３（Ｆ）、（Ｇ）の場合と同じである。
【００４９】
図５はインクジェット印刷法によって凹凸構造４４を形成する方法を示す。図２（Ｃ）のように基板の厚さを削り込んだ状態で、充填材を除去したのが、図５（Ｄ）で示す状態である。ここに、インクジェット印刷法によって樹脂を所定のパターンで印刷する。パターンとしては、ドットパターン、溝パターン、ドットと溝の混合パターンなどが考えられるが、特に限定するものではない。インクジェット印刷法では、サブミクロン大のインクを噴射させながら基板表面に印刷を行なうので、溝パターンもドットの連続体として形成される。
【００５０】
また樹脂中にナノ粒子を混在させておくことで、この凹凸構造の屈折率を基板に対して、同等若しくは低く設定することが可能である。また、ナノ粒子は蛍光体を混在させてもよい。蛍光体を混在させることで、基板前面から射出する光の色合いを変える事ができる。凹凸構造を形成した後は、乾燥硬化する。
【００５１】
蛍光体は、サブミクロン径のものが好ましい。凹凸構造自体がサブミクロンのスケールで形成されることが有り得るからである。この蛍光体は、特に限定されるものではないが、例えば半導体発光素子１０から放射された光が青色だとすると、青色光を吸収し、励起された後、黄色光を発する黄色蛍光体などがあげられる。このような黄色蛍光体としては、希土類ドープ窒化物系、または、希土類ドープ酸化物系の蛍光体が好ましい。具体的には、希土類ドープアルカリ土類金属硫化物、希土類ドープガーネットの（Ｙ・Ｓｍ）3（Ａｌ・Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅや（Ｙ0.39Ｇｄ0.57Ｃｅ0.03Ｓｍ0.01）3Ａｌ5Ｏ12、希土類ドープアルカリ土類金属オルソ珪酸塩、希土類ドープチオガレート、希土類ドープアルミン酸塩等を好適に用いることができる。
【００５２】
なお、樹脂の代わりにゾルゲル法で作成されるガラス材料を用いることもできる。具体的には、一般式Ｓｉ(Ｘ)ｎ(Ｒ)４−ｎ (ｎ＝１〜３）で表される化合物である。ここで、Ｒはアルキル基であり、Ｘはハロゲン（Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、アルコキシ基（−ＯＲ）から選ばれる。このガラス材の中にも蛍光体や一般式がＭ（ＯＲ）ｎで表されるアルコキシドを添加することもできる。アルコキシドを添加することによって凹凸構造の屈折率を変えることができる。
【００５３】
また、これらのガラス材料は硬化反応温度が摂氏２００度程度のものもあり、バンプや電極各部に用いる材料の耐熱性を考慮しても好適な材料と言える。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、半導体発光装置、特に高輝度出力を目的とした半導体発光装置に利用する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の半導体発光装置の構成を表す図
【図２】本発明の半導体発光装置の製造方法中研削までの工程を示す図
【図３】本発明の半導体発光装置の上面にナノインプリント工法で凹凸構造を作成する工程を示す図
【図４】本発明の半導体発光装置の上面にウェットエッチング工法で凹凸構造を作成する工程を示す図
【図５】本発明の半導体発光装置の上面にインクジェット印刷工法で凹凸構造を作成する工程を示す図
【図６】従来の半導体発光装置の構造を示す図
【図７】従来の半導体発光装置の構造を示す図
【符号の説明】
【００５６】
１  半導体発光装置
３  充填材
１０  半導体発光素子
１１、１１１  基板
１２、１１２  ｎ型層
１３、１１３  活性層
１４、１１４  ｐ型層
１５、１１５  ｎ側電極
１６、１１６  ｐ側電極
１８、１１８  表面凹凸構造
２０  支持部
２１、１２１  サブマウント
２２、１２２  ｎ側引出電極
２３、１２３、１６０  ｐ側引出電極
２４、１２４  ｎ極バンプ
２５、１２５  ｐ極バンプ
１５０  半田
１９０  電流供給線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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