(57)【要約】【課題】型の精度やリードフレームの位置決め精度を高めることなく、樹脂モールドした半導体チップの信頼性や量産性を向上させ得る半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。【解決手段】モールド成形装置２０では、半導体チップＳｃの表面側の樹脂モールドＭａを樹脂成形可能で半導体チップＳｃの露出領域Ｅａ上に窓部を形成可能な凸部２１ｂを有する上部キャビティ２１ａに樹脂が充填されるとき、凸部２１ｂと半導体チップＳｃとの間に緩衝シート２８が介在して半導体チップＳｃの露出領域Ｅａを覆う。これにより、半導体チップＳｃの露出領域Ｅａ上に窓部を形成可能な凸部２１ｂが露出領域Ｅａに直接接触することがないので、半導体チップＳｃの信頼性低下を防止でき、また歩留まりも良くできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームのダイパッドに搭載された半導体チップを外部に露出可能にこの半導体チップを樹脂でモールドする半導体製造装置であって、
前記半導体チップの表面側のモールド形状を樹脂成形可能で前記半導体チップの露出領域上に開口部を形成可能な凸部を有する第１のキャビティを備える一の型と、
前記一の型に対応して樹脂モールド可能に構成され、前記ダイパッドの裏面側のモールド形状を樹脂成形可能な第２のキャビティを有する他の型と、
少なくとも前記半導体チップの表面側のモールド形状を形成する樹脂が前記第１のキャビティに充填されるときに、前記凸部と前記半導体チップとの間に介在して前記半導体チップの露出領域を覆う緩衝シートと、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記緩衝シートが帯状のものである請求項１に記載の半導体製造装置であって、
帯状の緩衝シートの一端側に位置し前記帯状の緩衝シートを前記半導体チップ上に送り出す送出機構と、
前記帯状の緩衝シートの他端側に位置し前記送出機構から送り出されて前記半導体チップ上を通過した前記帯状の緩衝シートを巻き取る巻取機構と、
を有する搬送装置を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
前記リードフレームが線条に並んで複数形成されたリードフレーム集合体の、それぞれの前記ダイパッドに搭載された前記半導体チップを個別に樹脂でモールドする請求項２に記載の半導体製造装置であって、
前記帯状の緩衝シートは、前記複数形成されるリードフレームの線条配置方向に沿って前記搬送装置により搬送され、これらのリードフレームのうち、前記一の型と前記他の型との間を通過する部分のそれぞれの前記ダイパッドに搭載された前記半導体チップの露出領域を覆うことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
前記リードフレームが線条に並んで複数形成されたリードフレーム集合体の、それぞれの前記ダイパッドに搭載された前記半導体チップを個別に樹脂でモールドする請求項２に記載の半導体製造装置であって、
前記帯状の緩衝シートは、前記複数形成されるリードフレームの線条配置方向にほぼ垂直に前記搬送装置により搬送され、これらのリードフレームのうち、前記一の型と前記他の型との間を通過する部分の所定位置の前記ダイパッドに搭載された前記半導体チップの露出領域を覆うことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
前記リードフレームが線条に並んで複数形成されたリードフレーム集合体の、それぞれの前記ダイパッドに搭載された前記半導体チップを個別に樹脂でモールドする請求項２に記載の半導体製造装置であって、
前記帯状の緩衝シートは、前記複数形成されるリードフレームのうち、前記一の型と前記他の型との間を通過する部分の全面を覆うように前記搬送装置により搬送されることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
前記緩衝シートが帯状のものである請求項１に記載の半導体製造装置であって、
前記凸部は、前記開口部の形状が長方形をなすように形成されることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
前記一の型には、前記第１のキャビティを含めた前記一の型の内側空間に連通する複数の連通孔が形成され、
前記樹脂が前記第１のキャビティに充填される前に前記凸部と前記半導体チップとの間に介在する前記緩衝シートを前記複数の連通孔を介して吸引して前記第１のキャビティの壁面を含めた前記一の型の内壁面に前記緩衝シートを吸着する吸引手段を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記複数の連通孔は、前記一の型に形成される段部付近の方が当該段部付近以外に比べて多く存在していることを特徴とする請求項７に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記他の型には、前記リードフレームのダイパッドを支持可能な支持凸部が形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記凸部は、前記一の型から独立して前記半導体チップに対して、接近および離隔可能に構成されているとともに、前記一の型から独立して加圧力を制御可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記リードフレームに一端側が接続されて他端側に接続される前記ダイパッドを支持する支持バーには、前記樹脂成形されたモールドから外部に露出する穴部が形成されており、この穴部は、当該半導体製造装置により樹脂モールドされた半導体パッケージに後付けされる部材に対して位置決め穴として機能することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
リードフレームのダイパッドに搭載された半導体チップを外部に露出可能にこの半導体チップを樹脂でモールドする半導体製造方法であって、
前記半導体チップの表面側のモールド形状を樹脂成形可能で前記半導体チップの露出領域上に開口部を形成可能な凸部を有するキャビティに樹脂が充填されるとき、前記開口部により露出される前記半導体チップの露出領域を覆うことが可能な緩衝シートが前記凸部と前記半導体チップとの間に介在して前記露出領域を覆うことを特徴とする半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体チップを外部に露出可能にこの半導体チップを樹脂でモールドする半導体製造装置および半導体製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームのダイパッドに搭載された半導体チップを外部に露出可能にこの半導体チップを樹脂でモールドする技術として、例えば、下記特許文献１に開示される「固体撮像素子の製造方法」がある。この開示技術では、リードフレームのリードにワイヤボンディングされた撮像チップ（半導体チップ）を樹脂封入するモールド工程において、受光領域に対応する大きさの階段状突起を形成した上型を用いる。
【０００３】
これにより、樹脂モールドされた撮像チップの受光領域を露出させる空洞を形成可能にするとともに、予め焼結により形成したチップ収容器の空洞部に撮像チップを取り付けた後、チップパッドにワイヤボンディングするものよりも生産性を向上し得るとしている。また、この開示技術では、上型に形成される階段状突起の底面に溝を有するように上型を構成することで、モールド工程において、階段状突起と撮像チップの受光領域とが直接接触しないようにできることから、撮像チップの受光領域の汚染を防ぎ得るとしている。
【特許文献１】特許第３６３０４４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、一般的な撮像素子においては、受光領域（受光部）とそれに隣接して設けられるワイヤボンディング用のパッドとの離隔距離は、１mm程度以下（〜０．数mm）に設定されている。そのため、階段状突起の底面のうち、受光領域に対応する部分に溝を形成し、かつ、ワイヤボンディング用のパッドにも接触しない範囲（前述の離隔距離の範囲）内に、当該溝を取り囲む凸部（特許文献１；図８に示される溝２０’ａの両側に位置する階段状突起２０ａの最も突出した部分）が収まるように当該溝を形成するには、単なる樹脂モールドに要求される金型の加工精度では難しい。
【０００５】
したがって、特許文献１の開示技術を実現しようとすると、このような階段状突起をもつ上型に、高精度で加工された金型を用いる必要が生じるが、一般に、金型の精度が上がれば金型のコストも上昇することから、設備コストの増大に直結して製品コストの上昇をも招くという問題がある。また、このような微細加工が施された金型は、単なる樹脂モールドに要求される精度の金型に比べて、寿命が短くなる傾向にあることから、さらなる設備コストや製品コストの増大を招来してしまう。
【０００６】
また、このように１mm程度以下という狭い範囲内に階段状突起２０ａの最も突出した部分を位置決めするには、リードフレームにボンディングされた撮像チップに対し１０μｍオーダで位置合わせする必要が生じる。このため、リードフレームの平面方向の位置決め精度も高めなければならないことから、リードフレームの搬送機構等についても高精度化の対応を余儀なくされ、これによっても設備コストや製品コストの増大を招来する。
【０００７】
このように上記特許文献１の開示技術では、金型の高精度化に起因する種々の課題が新たに生じることから、金型や搬送機構等に要求される精度を高めることなく、撮像チップの受光領域の汚染を防ぐこと（信頼性の向上すること）は極めて困難であり、また歩留まりが悪くなることから量産性も低下する。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、型の精度やリードフレームの位置決め精度を高めることなく、樹脂モールドした半導体チップの信頼性や量産性を向上させ得る半導体製造装置および半導体製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１の半導体製造装置では、リードフレーム［Ｌｆ］のダイパッド［Ｄｐ］に搭載された半導体チップ［Ｓｃ］を外部に露出可能にこの半導体チップ［Ｓｃ］を樹脂でモールドする半導体製造装置であって、前記半導体チップ［Ｓｃ］の表面側のモールド形状［Ｍａ］を樹脂成形可能で前記半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］上に開口部［Ｗｄ］を形成可能な凸部［２１ｂ］を有する第１のキャビティ［２１ａ］を備える一の型［２１］と、前記一の型［２１］に対応して樹脂モールド可能に構成され、前記ダイパッド［Ｄｐ］の裏面側のモールド形状［Ｍｂ］を樹脂成形可能な第２のキャビティ［２３ａ］を有する他の型［２３］と、少なくとも前記半導体チップ［Ｓｃ］の表面側のモールド形状［Ｍａ］を形成する樹脂が前記第１のキャビティ［２１ａ］に充填されるときに、前記凸部［２１ｂ］と前記半導体チップ［Ｓｃ］との間に介在して前記半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］を覆う緩衝シート［２８］と、を備えることを技術的特徴とする。なお、［  ］内の数字等は、［発明を実施するための最良の形態］の欄で説明する符号に対応し得るものである（以下同じ）。
【００１０】
特許請求の範囲に記載の請求項２の半導体製造装置では、前記緩衝シート［２８］が帯状のものである請求項１に記載の半導体製造装置であって、帯状の緩衝シート［２８］の一端側に位置し前記帯状の緩衝シート［２８］を前記半導体チップ［Ｓｃ］上に送り出す送出機構［３１］と、前記帯状の緩衝シート［２８］の他端側に位置し前記送出機構から送り出されて前記半導体チップ［Ｓｃ］上を通過した前記帯状の緩衝シート［２８］を巻き取る巻取機構［３３］と、を有する搬送装置［３０］を備えることを技術的特徴とする。
【００１１】
特許請求の範囲に記載の請求項３の半導体製造装置では、前記リードフレーム［Ｌｆ］が線条に並んで複数形成されたリードフレーム集合体［ＬＦＣ］の、それぞれの前記ダイパッド［Ｄｐ］に搭載された前記半導体チップ［Ｓｃ］を個別に樹脂でモールドする請求項２に記載の半導体製造装置であって、前記帯状の緩衝シート［２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｆ］は、前記複数形成されるリードフレーム［Ｌｆ］の線条配置方向に沿って前記搬送装置［３０］により搬送され、これらのリードフレーム［Ｌｆ］のうち、前記一の型［２１］と前記他の型［２３］との間を通過する部分のそれぞれの前記ダイパッド［Ｄｐ］に搭載された前記半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］を覆うことを技術的特徴とする。
【００１２】
特許請求の範囲に記載の請求項４の半導体製造装置では、前記リードフレーム［Ｌｆ］が線条に並んで複数形成されたリードフレーム集合体［ＬＦＣ］の、それぞれの前記ダイパッド［Ｄｐ］に搭載された前記半導体チップ［Ｓｃ］を個別に樹脂でモールドする請求項２に記載の半導体製造装置であって、前記帯状の緩衝シート［２８ａ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ］は、前記複数形成されるリードフレーム［Ｌｆ］の線条配置方向にほぼ垂直に前記搬送装置［３０］により搬送され、これらのリードフレーム［Ｌｆ］のうち、前記一の型［２１］と前記他の型［２３］との間を通過する部分の所定位置の前記ダイパッド［Ｄｐ］に搭載された前記半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］を覆うことを技術的特徴とする。
【００１３】
特許請求の範囲に記載の請求項５の半導体製造装置では、前記リードフレーム［Ｌｆ］が線条に並んで複数形成されたリードフレーム集合体［ＬＦＣ］の、それぞれの前記ダイパッド［Ｄｐ］に搭載された前記半導体チップ［Ｓｃ］を個別に樹脂でモールドする請求項２に記載の半導体製造装置であって、前記帯状の緩衝シート［２８ｄ，２８ｆ］は、前記複数形成されるリードフレーム［Ｌｆ］のうち、前記一の型［２１］と前記他の型［２３］との間を通過する部分の全面を覆うように前記搬送装置［３０］により搬送されることを技術的特徴とする。
【００１４】
特許請求の範囲に記載の請求項６の半導体製造装置では、前記緩衝シート［２８］が帯状のものである請求項１に記載の半導体製造装置であって、前記凸部［２１ｂ］は、前記開口部［Ｗｄ］の形状が長方形をなすように形成されることを技術的特徴とする。
【００１５】
特許請求の範囲に記載の請求項７の半導体製造装置では、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体製造装置において、前記一の型［２１］には、前記第１のキャビティ［２１ａ］を含めた前記一の型［２１］の内側空間［２１ｓ］に連通する複数の連通孔［２１ｈ］が形成され、前記樹脂が前記第１のキャビティ［２１ａ］に充填される前に前記凸部［２１ｂ］と前記半導体チップ［Ｓｃ］との間に介在する前記緩衝シート［２８］を前記複数の連通孔［２１ｈ］を介して吸引して前記第１のキャビティ［２１ａ］の壁面を含めた前記一の型［２１］の内壁面に前記緩衝シート［２８］を吸着する吸引手段［４０］を備えることを技術的特徴とする。
【００１６】
特許請求の範囲に記載の請求項８の半導体製造装置では、請求項７に記載の半導体製造装置において、前記複数の連通孔［２１ｈ］は、前記一の型［２１］に形成される段部付近［α，β］の方が当該段部付近以外に比べて多く存在していることを技術的特徴とする。
【００１７】
特許請求の範囲に記載の請求項９の半導体製造装置では、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体製造装置において、前記他の型［２３］には、前記リードフレーム［Ｌｆ］のダイパッド［Ｄｐ］を支持可能な支持凸部［２３ｂ］が形成されていることを技術的特徴とする。
【００１８】
特許請求の範囲に記載の請求項１０の半導体製造装置では、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体製造装置において、前記凸部［５３］は、前記一の型［５１］から独立して前記半導体チップ［Ｓｃ］に対して、接近および離隔可能に構成されているとともに、前記一の型［５１］から独立して加圧力を制御可能に構成されている［５３，５５］ことを技術的特徴とする。
【００１９】
特許請求の範囲に記載の請求項１１の半導体製造方法では、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体製造装置において、前記リードフレーム［Ｌｆ］に一端側が接続されて他端側に接続される前記ダイパッド［Ｄｐ］を支持する支持バー［Ｓｂ］には、前記樹脂成形されたモールドから外部に露出する穴部［Ｈｒ］が形成されており、この穴部［Ｈｒ］は、当該半導体製造装置により樹脂モールドされた半導体パッケージ［ＤｖＥ，ＤｖＥ’，ＤｖＥ”］に後付けされる部材［Ｈｄ］に対して位置決め穴として機能することを技術的特徴とする。
【００２０】
特許請求の範囲に記載の請求項１２の半導体製造方法では、リードフレーム［Ｌｆ］のダイパッド［Ｄｐ］に搭載された半導体チップ［Ｓｃ］を外部に露出可能にこの半導体チップ［Ｓｃ］を樹脂でモールドする半導体製造方法であって、前記半導体チップ［Ｓｃ］の表面側のモールド形状［Ｍａ］を樹脂成形可能で前記半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］上に開口部［Ｗｄ］を形成可能な凸部［２１ｂ］を有するキャビティ［２１ａ］に樹脂が充填されるとき、前記開口部［Ｗｄ］により露出される前記半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］を覆うことが可能な緩衝シート［２８］が前記凸部［２１ｂ］と前記半導体チップ［Ｓｃ］との間に介在して前記露出領域［Ｅａ］を覆うことを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１の発明では、半導体チップ［Ｓｃ］の表面側のモールド形状［Ｍａ］を形成する樹脂が一の型［２１］の第１のキャビティ［２１ａ］に充填されるときに、凸部［２１ｂ］と半導体チップ［Ｓｃ］との間に緩衝シート［２８］が介在して半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］を覆う。これにより、半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］上に開口部［Ｗｄ］を形成可能な凸部［２１ｂ］が露出領域［Ｅａ］に直接接触することがないので、当該凸部［２１ｂ］が露出領域［Ｅａ］を汚すことにより半導体チップ［Ｓｃ］の信頼性が低下することを防止でき、また歩留まりも良くすることができる。したがって、型の精度やリードフレームの位置決め精度を高めなくても、樹脂モールドした半導体チップの信頼性や量産性を向上させることができる。
【００２２】
請求項２の発明では、搬送装置［３０］の送出機構［３１］により帯状の緩衝シート［２８］を半導体チップ［Ｓｃ］上に送り出し、またこの送り出された帯状の緩衝シート［２８］で半導体チップ［Ｓｃ］上を通過したものを当該搬送装置［３０］の巻取機構［３３］により巻き取る。これにより、凸部［２１ｂ］と半導体チップ［Ｓｃ］との間に介在させる緩衝シート［２８］を自動的に移動させることができる。したがって、使用済みの緩衝シート［２８’］を容易に交換できるので、さらに量産性を向上させることができる。
【００２３】
請求項３の発明では、複数形成されるリードフレーム［Ｌｆ］の線条配置方向に沿って搬送装置［３０］により搬送される帯状の緩衝シート［２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｆ］が、これらのリードフレーム［Ｌｆ］のうち、一の型［２１］と他の型［２３］との間を通過する部分のそれぞれのダイパッド［Ｄｐ］に搭載された半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］を覆う。これにより、リードフレーム［Ｌｆ］の線条配置方向に対しては、帯状の緩衝シート［２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｆ］の位置合わせをする必要がないので、段取りを容易にすることができる。
【００２４】
請求項４の発明では、複数形成されるリードフレーム［Ｌｆ］の線条配置方向にほぼ垂直に搬送装置［３０］により搬送される帯状の緩衝シート［２８ａ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ］が、これらのリードフレーム［Ｌｆ］のうち、一の型［２１］と他の型［２３］との間を通過する部分の所定位置のダイパッド［Ｄｐ］に搭載された半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］を覆う。これにより、リードフレーム［Ｌｆ］の線条配置方向にほぼ垂直の方向に対しては、帯状の緩衝シート［２８ａ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ］の位置合わせをする必要がないので、段取りを容易にすることができる。
【００２５】
請求項５の発明では、搬送装置［３０］により搬送される帯状の緩衝シート［２８ｄ，２８ｆ］が、複数形成されるリードフレーム［Ｌｆ］のうち、一の型［２１］と他の型［２３］との間を通過する部分の全面を覆う。これにより、リードフレーム［Ｌｆ］の線条配置方向および線条配置方向にほぼ垂直の方向の、いずれについても帯状の緩衝シート［２８ｄ，２８ｆ］の位置合わせをする必要がないので、これらの一方または双方について位置合わせをする必要がある場合に比べて段取りを一層容易にすることができる。
【００２６】
請求項６の発明では、一の型［２１］の凸部［２１ｂ］は、開口部［Ｗｄ］の形状が長方形をなすように形成される。これにより、当該凸部［２１ｂ］によって半導体チップ［Ｓｃ］の方向に押し出されて生じ得る緩衝シート［２８］の皺（しわ）を、当該凸部［２１ｂ］の長手方向に逃がすことができるので、凸部［２１ｂ］の凸面形状を正方形状にした場合に比べて、当該凸部［２１ｂ］の周囲に緩衝シート［２８］の皺を出来き難くする。したがって、このような皺が原因となるモールド形状［Ｍａ］の開口部［Ｗｄ］の成形不良（バリや歪み等）を抑制することができるため、成形不良による歩留まりの悪化も抑えて量産性を一層向上させることができる。
【００２７】
請求項７の発明では、一の型［２１］には、第１のキャビティ［２１ａ］を含めた一の型［２１］の内側空間［２１ｓ］に連通する複数の連通孔［２１ｈ］が形成されるとともに吸引手段［４０］を備える。そして、この吸引手段［４０］によって、樹脂が第１のキャビティ［２１ａ］に充填される前に凸部［２１ｂ］と半導体チップ［Ｓｃ］との間に介在する緩衝シート［２８］を複数の連通孔［２１ｈ］を介して吸引して第１のキャビティ［２１ａ］の壁面を含めた一の型［２１］の内壁面に緩衝シート［２８］を吸着する。これにより、凸部［２１ｂ］と半導体チップ［Ｓｃ］との間に介在する緩衝シート［２８］は、一の型［２１］の内壁面に沿って張り付くので、このような緩衝シート［２８］が介在することによって生じ得るモールド形状［Ｍａ］の表面の成形不良（バリや歪み等）を抑制することができる。したがって、このような成形不良による歩留まりの悪化を抑えるので、量産性を向上させることができる。また、吸引によって緩衝シート［２８］を一の型［２１］の内壁面に張り付けているので、接着剤等により貼り付けた場合に比べて、吸引手段［４０］による吸引を中止することで、一の型［２１］から緩衝シート［２８］を容易に剥がすことができ、型抜け特性を良好にすることができる。
【００２８】
請求項８の発明では、複数の連通孔［２１ｈ］は、一の型［２１］に形成される段部付近［α，β］の方が当該段部付近以外に比べて多く存在していることから、緩衝シート［２８］が特に張り付き難い段部における吸着性を向上させることができる。これにより、第１のキャビティ［２１ａ］内の凸部［２１ｂ］の周囲に相当する段部においても、緩衝シート［２８］が張り付くので、モールド形状［Ｍａ］の開口部［Ｗｄ］の成形不良（バリや歪み等）を抑制することができる。したがって、このような成形不良による歩留まりの悪化を抑えるので、量産性を向上させることができる。
【００２９】
請求項９の発明では、他の型［２３］には、リードフレーム［Ｌｆ］のダイパッド［Ｄｐ］を支持可能な支持凸部［２３ｂ］が形成されていることから、例えば、ダイパッド［Ｄｐ］が撓みやすい部材でリードフレーム［Ｌｆ］に接続されていても、一の型［２１］の凸部［２１ｂ］により加圧される側の反対側からダイパッド［Ｄｐ］をこの支持凸部［２３ｂ］によって支えることができる。これにより、このような場合でも、一の型［２１］の凸部［２１ｂ］の加圧によって、ダイパッド［Ｄｐ］に搭載された半導体チップ［Ｓｃ］が他の型［２３］の第２のキャビティ［２３ａ］側に押し出されるのを防止するので、適正な樹脂モールドを可能することができる。したがって、これによっても歩留まりの悪化を防ぐので、量産性を向上させることができる。
【００３０】
請求項１０の発明では、凸部［５３］は、一の型［５１］から独立して半導体チップ［Ｓｃ］に対して、接近および離隔可能に構成されているとともに、一の型［５１］から独立して加圧力を制御可能に構成されている［５３，５５］。これにより、一の型［５１］の加圧制御とは別に、凸部［５３］による加圧力を制御できるので、例えば、一の型［５１］による加圧力よりも弱い加圧力を凸部［５３］に与えることができる。したがって、半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］が加圧によって損傷し易い場合には、このような一の型［５１］から独立して加圧力を制御可能に構成される凸部［５３］を用いることで、当該露出領域［Ｅａ］の損傷を防ぐので、このような場合においても、樹脂モールドした半導体チップの信頼性や量産性を向上させることができる。
【００３１】
請求項１１の発明では、リードフレーム［Ｌｆ］に一端側が接続されて他端側に接続されるダイパッド［Ｄｐ］を支持する支持バー［Ｓｂ］には、当該半導体製造装置により樹脂モールドされた半導体パッケージ［ＤｖＥ，ＤｖＥ’，ＤｖＥ”］に後付けされる部材［Ｈｄ］に対して位置決め穴として機能する穴部［Ｈｒ］が形成されている。これにより、半導体パッケージ［ＤｖＥ，ＤｖＥ’，ＤｖＥ”］に部材［Ｈｄ］を後付けする際には、このような穴部［Ｈｒ］が位置決め穴になる。このため、例えば、半導体チップ［Ｓｃ］が撮像素子である場合には、その受光領域（露出領域［Ｅａ］）に対して集光するレンズ［Ｌｅ］の光軸［Ｚ］を露出領域［Ｅａ］のほぼ中心に位置合わせする必要があるが、後付け部材［Ｈｄ］に対して位置決め穴として機能する穴部［Ｈｒ］が支持バー［Ｓｂ］の露出部分に形成されているので、このようなレンズ［Ｌｅ］を保持するホルダ［Ｈｄ］を後付け部材として組み付ける際に、容易かつ確実に位置決めをすることができる。したがって、後付け部材［Ｈｄ］の組み付け効率を向上させることができる。
【００３２】
請求項１２の発明では、半導体チップ［Ｓｃ］の表面側のモールド形状［Ｍａ］を樹脂成形可能で半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］上に開口部［Ｗｄ］を形成可能な凸部［２１ｂ］を有するキャビティ［２１ａ］に樹脂が充填されるとき、凸部［２１ｂ］と半導体チップ［Ｓｃ］との間に緩衝シート［２８］が介在して半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］を覆う。これにより、半導体チップ［Ｓｃ］の露出領域［Ｅａ］上に開口部［Ｗｄ］を形成可能な凸部［２１ｂ］が露出領域［Ｅａ］に直接接触することがないので、当該凸部［２１ｂ］が露出領域［Ｅａ］を汚すことにより半導体チップ［Ｓｃ］の信頼性が低下することを防止でき、また歩留まりも良くすることができる。したがって、型の精度やリードフレームの位置決め精度を高めなくても、樹脂モールドした半導体チップの信頼性や量産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の半導体製造装置および半導体製造方法の実施形態について図を参照して説明する。本実施形態では、固体撮像素子等の半導体チップＳｃを樹脂モールドによりパッケージするモールド成形装置２０に、本発明の半導体製造装置および半導体製造方法を適用したものを例示して説明する。
【００３４】
なお、固体撮像素子は、半導体素子の製造技術を用いて集積回路化された光電変換素子のことで、樹脂モールド等によりパッケージされたものは、例えば、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等のイメージセンサＤｖとして機能する。このため、半導体チップＳｃは、外来光等を受け得る受光部Ｐｔが外部に露出可能にパッケージされており、その外観形状等は、例えば、図９〜図１１、図１５〜図１７に示すように構成されている。
【００３５】
まず、本実施形態に係るモールド成形装置２０の構成を図１〜図３、図９を参照して説明する。なお、図１に示す上型２１は図２(A) に示すＩ−Ｉ線断面による断面形状、また図１に示す下型２３は図２(B) に示すＩ−Ｉ線断面による断面形状、をそれぞれ表していることに留意されたい。
【００３６】
図１に示すように、モールド成形装置２０は、リードフレームＬｆのダイパッドＤｐに搭載された半導体チップＳｃを樹脂でモールドする半導体製造装置で、上型２１、加圧装置２２、下型２３、基台２４、緩衝シート２８、搬送装置３０、吸引装置４０等から構成されている。なお、図１に示す半導体チップＳｃは、ダイパッドＤｐ上にダイボンディングされており、またリードフレームＬｆのリードＬａには、ワイヤボンディングされたワイヤＷｈが接続されている。
【００３７】
上型２１は、イメージセンサＤｖの樹脂モールドのうち、半導体チップＳｃの表面側、つまり受光部Ｐｔ側のモールド形状を樹脂成形可能に構成される金型で、加圧装置２２および図略のガイド装置によって上下動可能に構成されている。
【００３８】
即ち、上型２１の内側には、図９(A) 等に示すイメージセンサＤｖの上半分にあたる樹脂モールドＭａを樹脂成形可能に窪んだ上部キャビティ２１ａが形成されているとともに、この上部キャビティ２１ａのほぼ中央には、台形柱形状をなして突出する凸部２１ｂが形成されている。
【００３９】
この凸部２１ｂは、後述するように、イメージセンサＤｖの窓部Ｗｄを形成可能にするもので、その頂部に相当する凸面２１b1の形状が窓部Ｗｄの形状となる。またこの窓部Ｗｄは、半導体チップＳｃを外部に露出させる開口部に相当する。凸部２１ｂの高さは、上型２１の当接面２１ｆよりもｄｄだけ低く設定されている。
【００４０】
ここで、上型２１をその内側から見た図２(A) を参照すると、上型２１のほぼ中央に位置する凸部２１ｂの凸面２１b1は長辺ｍ、短辺ｎの長方形状に形成されていることがわかる。このため、この凸部２１ｂで構成される窓部Ｗｄは長方形状になり（図９(A) 参照）、またこの凸部２１ｂに加圧される範囲（以下「加圧範囲」という）Ｐａもこのような長方形状となる。これにより、当該凸部２１ｂによって半導体チップＳｃの方向に押し出されて生じ得る緩衝シート２８の皺（しわ）を、当該凸部２１ｂの長手方向に逃がすことができるので、凸部２１ｂの凸面２１b1の形状を正方形状にした場合に比べて、当該凸部２１ｂの周囲に緩衝シート２８の皺を出来き難くする。
【００４１】
また図１および図２(A) に示すように、この上型２１には、複数の吸着孔２１ｈが形成されている。この吸着孔２１ｈは、上型２１の厚さ方向に当該上型２１の内外を連通し得る連通孔で、本実施形態の場合、凸部２１ｂを含めた上型２１内部空間２１ｓと加圧装置２２の内部通路（通気路２２ａ）とを連通させる。
【００４２】
図１に示すように、上型２１の外側、つまり上部キャビティ２１ａが形成されている側の反対側には、図略の油圧シリンダ等を備えた加圧装置２２が接続されており、油圧シリンダにより上型２１を下方に加圧したり、また上方に引き上げたりできるように構成されている。本実施形態の場合、後述する吸引装置４０のエアパイプ４２に接続可能な通気路２２ａが加圧装置２２内に形成されており、この通気路２２ａは前述の各吸着孔２１ｈに連通している。
【００４３】
上型２１には、このほか、樹脂モールドを形成するための樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を外部から注入するためランナー２１ｃ（溝）や、上部キャビティ２１ａ内の空気を外部に逃がし得る図略の通気孔が形成されている。
【００４４】
なお、上型２１の構成として、例えば、図３(A) 〜図３(C) に示すものを採用しても良い。例えば、図３(A) に示すように、前述した吸着孔２１ｈを、上型２１に形成される段部付近、つまり当接面２１ｆに対して窪む上部キャビティ２１ａによる段部付近αや上部キャビティ２１ａに対して突出する凸部２１ｂによる段差部付近βの方がこれらの段部付近α，β以外に比べて多く形成する構成を採っても良い。これにより、吸着孔２１ｈが多く形成される分、後述する吸引装置４０の吸引による吸着力がこのような段部付近α，βにおいて高められる。
【００４５】
また、図３(B) に示すように、上型２１の上部キャビティ２１ａ内に、後述するホルダＨｄの取付溝Ｄｈを形成可能な突起部２１ｄを所定位置に形成しても良い。これにより、図１０(A) および図１０(B) に示すようなホルダＨｄをイメージセンサＤｖ’の表側に取り付けることができ、またバレルＢｒ介してホルダＨｄに保持されるレンズＬｅの位置決めを容易かつ確実にすることができる。
【００４６】
さらに、上型２１の上部キャビティ２１ａに形成される凸部２１ｂの凸面形状は、前述したような長方形状に限られることはなく、例えば図３(C) に示すように、凸面形状が正方形状に設定された凸部１２１ｂを上型１２１に形成しても良い。これにより、表面側の樹脂モールドＭａに形成される窓部Ｗｄの形状が正方形状になるため、必要最小限の範囲に絞って半導体チップＳｃを外部に露出させることができる。
【００４７】
一方、下型２３は、撮像素子Ｄｖの樹脂モールドのうち、半導体チップＳｃの裏側、つまりダイパッドＤｐのモールド形状を樹脂成形可能に構成される金型で、基台２４に固定されており、この基台２４は、モールド成形装置２０の基準面に固定されている。
【００４８】
即ち、下型２３の内側には、図９(A) 等に示すイメージセンサＤｖの下半分にあたる樹脂モールドＭｂを樹脂成形可能に窪んだ下部キャビティ２３ａが形成されているとともに、この下部キャビティ２３ａのほぼ中央には、円錐台形状をなして突出するダイマウント２３ｂが形成されている。
【００４９】
このダイマウント２３ｂは、半導体チップＳｃが搭載されたダイパッドＤｐをその下方からを支持可能にするもので、これにより後述するように、半導体チップＳｃが上型２１の凸部２１ｂにより加圧されても下部キャビティ２３ａ側に押し出されないようにしている。なお、ダイマウント２３ｂの高さは、下型２３の当接面２３ｆと面一になるように設定されている。なお、この下型２３にも、下部キャビティ２３ａ内の空気を外部に逃がし得る図略の通気孔が形成されている。
【００５０】
緩衝シート２８は、例えばテフロン（「テフロン」は登録商標）系の合成樹脂からなる厚さ数１０μｍ〜１００μｍ程度の帯状に形成されたフィルムシートである。この緩衝シート２８は、半導体チップＳｃの表面側のモールド形状Ｍａを形成する樹脂材料が上型２１の凸部２１ｂに充填されるときに、当該凸部２１ｂと半導体チップＳｃの受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）との間に介在してこの受光部Ｐｔを覆い得るように、その幅および長さが設定されている。なお、厚さについては、テフロン系の場合には数１０μｍ〜１００μｍ程度に設定するが、材質に応じて、凸部２１ｂによる押圧に対して破れることがなく、かつ、上型２１の内壁面に馴染んで張り付きやすい値を適宜選択して設定する。
【００５１】
緩衝シート２８の幅については、図４(A) 〜図４(D) に示すように、リードフレームＬｆのリードＬａの長手方向（リードＬａが延設される方向、以下「リード長手方向」という）に沿ってリードフレームＬｆが搬送される場合には、ダイパッドＤｐに搭載された半導体チップＳｃの、少なくとも受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）を覆い得る幅ｔw1に設定してリード長手方向に移動するように配置する（図４(A) 参照）。つまり、緩衝シート２８ａの幅ｔw1を、受光部Ｐｔの幅でリード長手方向に垂直な方向（リード長手方向や緩衝シート２８ａの搬送方向に、対して直交方向）の幅に設定する。これにより、少なくとも受光部Ｐｔは緩衝シート２８ａにより覆われるので、上型２１の凸部２１ｂが受光部Ｐｔに直接接触することを防止できる。なお、緩衝シート２８ａは帯状であるので、受光部Ｐｔのリード長手方向の幅以上を覆う。
【００５２】
また、このような幅ｔw1よりも広い幅を緩衝シート２８において確保できる場合には、例えば、半導体チップＳｃの全面を覆い得る幅ｔw2に緩衝シート２８ｂを設定しても良い（図４(B) 参照）。これにより、受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）が緩衝シート２８ｂにより覆われるだけでなく、半導体チップＳｃの全体も覆われることになるので、受光部Ｐｔのリード長手方向に垂直な方向（緩衝シート２８ａの搬送方向に対して直交方向）に当該緩衝シート２８ｂがずれても幅ｔw2（＞ｔw1）が広く設定されている分、当該緩衝シート２８ａの位置合わせを容易にすることができる。
【００５３】
さらに、緩衝シート２８の幅をより広く確保できる場合には、ダイパッドＤｐの全面および凸部２１ｂによる加圧範囲Ｐａを覆い得る幅ｔw3（＞ｔw2，図４(C) 参照）に設定しても良い。これにより、凸部２１ｂによる加圧範囲Ｐａを緩衝シート２８ｃによりほぼ全面で覆うことができるので、凸部２１ｂが半導体チップＳｃに直接接触することを防止できる。また、受光部Ｐｔのリード長手方向に垂直な方向（緩衝シート２８ａの搬送方向に対して直交方向）に対してさらに余裕ができるので、当該緩衝シート２８ｃの位置合わせを一層容易にすることができる。また搬送装置３０における当該緩衝シート２８ｃの幅方向の位置精度に対する要求も緩やかになるので、当該搬送装置３０の段取りが簡単になる。
【００５４】
また、緩衝シート２８の幅を一層広く確保できる場合には、リードフレームＬｆの全面を覆い得る幅ｔw4（＞ｔw3，図４(D) 参照）に設定しても良い。これにより、受光部Ｐｔのリード長手方向に垂直な方向（緩衝シート２８ａの搬送方向に対して直交方向）に対してより一層余裕ができるので、当該緩衝シート２８ｄの位置合わせが大雑把なものであっても、緩衝シート２８ｄにより受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）を覆うことが可能となる。また、搬送装置３０による当該緩衝シート２８ｄの幅方向の位置合わせもほとんど不要となり、当該搬送装置３０の段取りが簡素化できる。
【００５５】
このようなリードフレームＬｆは、図５に示すように、通常、複数個が１列以上の線条に並んで配置されてテープ状をなすリードフレーム集合体ＬＦＣとして取り扱われる。このため、このようなリードフレーム集合体ＬＦＣに対しては、前述した帯状の緩衝シート２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄをリードフレームＬｆが線条に配置される方向（以下「線条配置方向」という）に沿って搬送する。
【００５６】
図５(A) に示すように、リードフレームＬｆが１列の線条に並んで配置されている場合には、例えば、リードフレームＬｆの全面を覆い得る幅ｔw4の緩衝シート２８ｄを用いることによって、線条配置方向および線条配置方向にほぼ垂直の方向の、いずれについても緩衝シート２８ｄの位置合わせをする必要がない。このため、これらの一方または双方について位置合わせをする必要がある場合に比べて搬送装置３０等の段取りを一層容易にすることができる。
【００５７】
また、図５(B) に示すように、リードフレームＬｆが２列の線条に並んで配置されている場合には、例えば、２列分のリードフレームＬｆを覆い得る幅に設定された緩衝シート２８ｆを用いる。これにより、リードフレームＬｆの２列について、線条配置方向および線条配置方向にほぼ垂直の方向の、いずれについても緩衝シート２８ｆの位置合わせをする必要がないので、これらの一方または双方について位置合わせをする必要がある場合に比べて搬送装置３０等の段取りを一層容易にすることができる。
【００５８】
このように図４および図５を参照して説明した例では、帯状の緩衝シート２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄを、リードフレームＬｆのリード長手方向に配置したが、例えば、図６に示すように、緩衝シート２８ａ等をリード長手方向にほぼ垂直に配置しても良い。
【００５９】
具体的には、図６(A) 〜図６(D) に示すように、リードフレームＬｆのリード長手方向に沿ってリードフレームＬｆが搬送される場合であっても、ダイパッドＤｐに搭載された半導体チップＳｃの、少なくとも受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）を覆い得る幅ｔw1に設定された緩衝シート２８ａを、リード長手方向にほぼ垂直に搬送する（図６(A) 参照）。これにより、少なくとも受光部Ｐｔは緩衝シート２８ａにより覆われるので、上型２１の凸部２１ｂが受光部Ｐｔに直接接触することを防止できる。
【００６０】
また、このような幅ｔw1よりも広い幅で、凸部２１ｂによる加圧範囲Ｐａの短辺とほぼ同様の幅ｔw5に設定された緩衝シート２８ｅを用いても良い（図６(B) 参照）。これにより、受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）が緩衝シート２８ｅにより覆われるだけでなく、凸部２１ｂによる加圧範囲Ｐａの長辺の長さに関係なく、当該加圧範囲Ｐａほぼ全面を覆うことができるので、緩衝シート２８ｅを効率良く使用することができる。
【００６１】
さらに、前述した緩衝シート２８ｃ，２８ｄを用いることによって、半導体チップＳｃの全面を覆ったり、リードフレームＬｆの全面を覆うこともできる。
【００６２】
例えば、図６(C) に示すように、リード長手方向のほぼ垂直方向から半導体チップＳｃの全面を緩衝シート２８ｃによって覆う場合には、リード長手方向に当該緩衝シート２８ｃがずれても、緩衝シート２８ｂの幅ｔw2（＞ｔw1）が広く設定されている分、当該緩衝シート２８ｂの位置合わせを容易にすることができる。
【００６３】
また、図６(D) に示すように、リード長手方向のほぼ垂直方向からリードフレームＬｆの全面を緩衝シート２８ｄによって覆う場合には、リード長手方向に対してより余裕ができるので、当該緩衝シート２８ｄの位置合わせが大雑把なものであっても、緩衝シート２８ｄにより受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）を覆うことが可能となる。
【００６４】
なお、このようにリード長手方向のほぼ垂直方向から緩衝シート２８ａ等を搬送する場合には、リードフレームＬｆの搬送方向に対してもほぼ垂直方向に緩衝シート２８ａ等を位置させることになるので、リードフレームＬｆの搬送装置に対するリードフレームＬｆの位置合わせ制御が必要となる。つまり、緩衝シート２８等の下方にリードフレームＬｆが位置しているタイミングにおいて、前述するように、上型２１の上部キャビティ２１ａと下型２３の下部キャビティ２３ａとに樹脂材料を充填する必要がある。
【００６５】
ここで再び図１に戻って、搬送装置３０および吸引装置４０の構成を説明する。図１に示すように、搬送装置３０は、送出機構３１、巻取機構３３等から構成されている。この搬送装置３０は、これまでに説明した帯状の緩衝シート２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ，２８ｆ（以下「緩衝シート２８ａ等」という）を搬送する装置で、本実施形態では、ロール状に巻回された緩衝シート２８を送出機構３１によって上型２１と下型２３との間に位置するリードフレームＬｆの半導体チップＳｃ上に送り出し、半導体チップＳｃ上を通過した使用済みの緩衝シート２８’を巻取機構３３によって巻き取り得るように、送出機構３１および巻取機構３３がそれぞれ構成されている。
【００６６】
送出機構３１による緩衝シート２８の送り出しや巻取機構３３による使用済みの緩衝シート２８の巻き取りは、後述するように、上型２１および下型２３による樹脂モールドが完了することにより発生する使用済みの緩衝シート２８’を使用前の緩衝シート２８と交換し得るように、上型２１の上下動に同期した制御が行われる。これにより、緩衝シート２８の送り出しおよび巻き取りの自動化が可能となる。
【００６７】
また、このように搬送される緩衝シート２８は、前述したように、半導体チップＳｃの受光部Ｐｔ等に対して緩衝シート２８の幅方向の位置合わせが必要になるので、搬送装置３０の段取り等において、このような緩衝シート２８の幅方向の位置合わせを可能に送出機構３１および巻取機構３３が構成されている。
【００６８】
吸引装置４０は、空気等の気体の吸引（吸気）が可能に構成される吸気ポンプで、図略の吸気口に接続されるエアパイプ４２を介して加圧装置２２の通気路２２ａに連通可能に接続されている。これにより、吸引装置４０が作動すると、加圧装置２２および吸着孔２１ｈを介して上型２１の内部空間２１ｓに存在する物を吸引することが可能となるため、当該内部空間２１ｓに緩衝シート２８が存在する場合には、緩衝シート２８が上型２１の内壁面に吸着される。なお、本実施形態の吸引装置４０は、吸気動作だけでなく、吸気とは逆に吸気口から加圧空気を排出し得る排気動作も可能に構成されている。
【００６９】
このようにモールド成形装置２０を構成することにより、リードフレームＬｆにダイボンドされた半導体チップＳｃを当該モールド成形装置２０にセットすることで（図７(A) 参照）、例えば、図７および図８に示すような各工程を経て樹脂モールドされることによってイメージセンサＤｖとして完成される（図８(D) 参照）。なお、これから説明するリードフレームセット工程の前には、リードフレームＬｆや緩衝シート２８ａ等を、前述した図４〜図６に示すような所定位置や所定方向にセットする前準備にあたる「段取り」がある。
【００７０】
即ち、図７(A) に示すように、リードフレームセット工程により、ダイパッドＤｐ上に半導体チップＳｃを搭載したリードフレームＬｆを、下型２３のダイマウント２３ｂ上にセットした後、当該リードフレームＬｆの半導体チップＳｃと上型２１の凸部２１ｂとの間に緩衝シート２８を介在させる。緩衝シート２８の幅や位置については、図４〜図６を参照して説明した通りで、ここでは図５(A) に示すように、複数のリードフレームＬｆが１列の線条に並んで配置されているリードフレーム集合体ＬＦＣに半導体チップＳｃが搭載されている場合を想定するので、リードフレームＬｆの全面を覆い得る幅ｔw4の緩衝シート２８ｄを用いる。
【００７１】
図７(A) に示すリードフレームセット工程が完了すると、次に図７(B) に示す緩衝シート吸着工程により、緩衝シート２８ｄを上型２１の内側壁に吸着させる。本実施形態では、前述した吸引装置４０を作動させることにより上型２１の吸着孔２１ｈを介して当該上型２１の凸部２１ｂと半導体チップＳｃとの間に介在する当該緩衝シート２８ｄを当該上型２１の内壁面に吸着させることで、緩衝シート２８ｄを上型２１の内側に張り付ける。これにより、凸部２１ｂと半導体チップＳｃとの間に緩衝シート２８ｄ等が介在しても、上型２１の凸部２１ｂやその上部キャビティ２１ａに対して緩衝シート２８ｄをピッタリと吸着させることができる。
【００７２】
図７(B) に示す緩衝シート吸着工程が完了すると、次に図７(C) に示す加圧工程により、上型２１と下型２３との間に存在するリードフレーム集合体ＬＦＣを両型２１，２３によって挟み込むようにして加圧して、樹脂材料を注入する上部キャビティ２１ａおよび下部キャビティ２３ａを両型２１，２３によって区画形成する。このとき、両型２１，２３の間には緩衝シート２８が介在し、上型２１の凸部２１ｂと半導体チップＳｃの受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）との間にも、当該緩衝シート２８ｄが介在する。
【００７３】
このため、当該両型２１，２３の中央部では、ダイパッドＤｐ上の半導体チップＳｃを、上型２１の凸部２１ｂと下型２３のダイマウント２３ｂとにより加圧しても、凸部２１ｂと半導体チップＳｃの受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）との間には緩衝シート２８ｄが介在するため、当該凸部２１ｂが受光部Ｐｔに直接接触することなく、凸部２１ｂによる受光部Ｐｔの汚染を防止する。
【００７４】
また、このような凸部２１ｂによる加圧によって当該凸部２１ｂがいわゆる金型押さえの役割を果たすため、樹脂注入工程において樹脂材料が上部キャビティ２１ａに注入されてもこの凸部２１ｂが存在する部分に樹脂材料が充填されることを阻止する結果、半導体チップＳｃの受光部Ｐｔ（露出領域Ｅａ）上に窓部Ｗｄを形成することが可能となる。
【００７５】
なお、上型２１による加圧力は、本来、次の樹脂注入工程において上部キャビティ２１ａおよび下部キャビティ２３ａに充填される樹脂材料が両型２１，２３外に漏れ出ない十分な圧力で加圧されるが、本実施形態では、樹脂材料が漏れ出ない圧力で、かつ、凸部２１ｂにより加圧される受光部Ｐｔが当該加圧によって損傷しない程度の圧力に設定されている。
【００７６】
図８(A) に示す樹脂注入工程では、上型２１のランナー２１ｃを介して、上部キャビティ２１ａおよび下部キャビティ２３ａに樹脂材料を注入する。このとき、上型２１および下型２３に形成される図略の通気孔から上部キャビティ２１ａや下部キャビティ２３ａ内の空気が外部に抜けるので、樹脂材料の注入を容易にしている。
【００７７】
図８(A) に示す樹脂注入工程により樹脂材料の充填が完了すると、次に、樹脂材料が硬化することによって樹脂モールド化された半導体チップＳｃおよびリードフレームＬｆを、図８(B) に示す型抜き工程により上型２１および下型２３から取り出す。
【００７８】
このとき、それまで上部キャビティ２１ａ内を吸気していた吸引装置４０の吸気動作を中止したり、逆の排気動作に切り替える。これにより、複数の吸着孔２１ｈを介して上型２１の内壁面に緩衝シート２８ｄを吸着していた吸着力が急速に失われ、またこれとは逆に当該複数の吸着孔２１ｈから排出される空気圧によって上型２１の内壁面から緩衝シート２８ｄを剥がす方向に力が働く排出力が生じる。このため、緩衝シート２８ｄとともに樹脂モールドＭａを上型２１から外し易くして、型抜け特性を良好にすることができる。
【００７９】
なお、この型抜き工程により上型２１から樹脂モールドＭａとともに外された緩衝シート２８ｄは、使用済みの緩衝シート２８’となるので、前述した搬送装置３０により、交換すべき使用前の新しい緩衝シート２８を搬送することで、前述した図７(A) に示すリードフレームセット工程に戻って次のリードフレームＬｆに搭載された半導体チップＳｃの樹脂モールドに備える。
【００８０】
このようにして型抜きされた樹脂モールドＭａ，Ｍｂは、図８(C) に示すように、まだダイバーを介してリードフレームＬｆに接続されているため、ダイバーカット工程により上型２１のランナー２１ｃ部分により形成された不要な樹脂モールド部分Ｍｃや、リードＬａを切断して除去し、さらにフォーミング工程によりリードＬａを所定形状にフォーミングする。
【００８１】
これにより、図８(D) に示すように、半導体チップＳｃの受光部Ｐｔを外部に露出し得る窓部Ｗｄのある樹脂モールドＭａのイメージセンサＤｖが完成する。なお、この図８(D) に示すイメージセンサＤｖは、ＳＯＰ（Small Outline Package)型のもので、その外観等は図９(A) 〜図９(C) に図示されている。また、この例では、ＳＯＰ型のイメージセンサを例示したが、勿論、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded）型やＤＩＰ（Dual In-line Package）型のイメージセンサＤｖであっても同様に上述した各工程が適用できる。
【００８２】
また、このようなイメージセンサＤｖには、図１０(A) および図１０(B) に示すように、樹脂モールドＭａの窓部Ｗｄに、レンズＬｅを保持するバレルＢｒをホルダＨｄを介して取り付ける構成を採るものもある。このイメージセンサＤｖ’の場合には、図３(B) を参照して説明したように、上型２１の上部キャビティ２１ａ内の所定位置に、ホルダＨｄの各ポストＰｏに対応して取付溝Ｄｈを形成可能な突起部２１ｄを形成する。これにより、前述したフォーミング工程の後工程で、樹脂モールドＭａにホルダＨｄを取り付ける際において、当該ホルダＨｄの位置決め、つまりバレルＢｒに保持されたレンズＬｅの位置決め（例えば図１０(A) に示す受光部Ｐｔの中心ＣｔにレンズＬｅの軸Ｚを一致させる位置決め）を容易かつ確実にすることができる。
【００８３】
さらに、このようなイメージセンサＤｖには、図１１(A) および図１１(B) に示すように、樹脂モールドＭａの窓部Ｗｄを透明カバーＣｖで覆う構成を採るものもある。このイメージセンサＤｖ”の場合には、前述したフォーミング工程の後工程で、樹脂モールドＭａに透明カバーＣｖを接着剤等で取り付ける。これにより、外部から窓部Ｗｄを介して内部に塵等が侵入することを防ぐので、当該窓部Ｗｄにより露出した半導体チップＳｃの受光部Ｐｔに塵等が付着して汚染されるのを防止することが可能となる。
【００８４】
以上説明したように、本実施形態に係るモールド成形装置２０によると、半導体チップＳｃの表面側の樹脂モールドＭａを樹脂成形可能で半導体チップＳｃの露出領域Ｅａ上に窓部Ｗｄを形成可能な凸部２１ｂを有する上部キャビティ２１ａに樹脂が充填されるとき、凸部２１ｂと半導体チップＳｃとの間に緩衝シート２８が介在して半導体チップＳｃの露出領域Ｅａである受光部Ｐｔを覆う。つまり、半導体チップＳｃの表面側の樹脂モールドＭａを形成する樹脂が上型２１の上部キャビティ２１ａに充填されるときに、凸部２１ｂと半導体チップＳｃとの間に緩衝シート２８が介在して半導体チップＳｃの露出領域Ｅａである受光部Ｐｔを覆う。
【００８５】
これにより、半導体チップＳｃの露出領域Ｅａ上に窓部Ｗｄを形成可能な凸部２１ｂが露出領域Ｅａである受光部Ｐｔに直接接触することがないので、当該凸部２１ｂが露出領域Ｅａである受光部Ｐｔを汚すことにより半導体チップＳｃの信頼性が低下することを防止でき、また歩留まりも良くすることができる。したがって、上型２１の精度やリードフレームＬｆの位置決め精度を高めなくても、樹脂モールドした半導体チップＳｃの信頼性や量産性を向上させることができる。
【００８６】
また、本実施形態に係るモールド成形装置２０では、搬送装置３０の送出機構３１により帯状の緩衝シート２８ａ等を半導体チップＳｃ上に送り出し、またこの送り出された帯状の緩衝シート２８ａ等で半導体チップＳｃ上を通過したものを当該搬送装置３０の巻取機構３３により巻き取る。これにより、上型２１の凸部２１ｂと半導体チップＳｃとの間に介在させる緩衝シート２８ａ等を自動的に移動させることができる。したがって、使用済みの緩衝シート２８’を容易に交換できるので、さらに量産性を向上させることができる。
【００８７】
また、本実施形態に係るモールド成形装置２０では、複数形成されるリードフレームＬｆの線条配置方向に沿って搬送装置３０により搬送される帯状の緩衝シート２８ａ等が、これらのリードフレームＬｆのうち、上型２１と下型２３との間を通過する部分のそれぞれのダイパッドＤｐに搭載された半導体チップＳｃの露出領域Ｅａである受光部Ｐｔを覆う。これにより、リードフレームＬｆの線条配置方向に対しては、帯状の緩衝シート２８ａ等の位置合わせをする必要がないので、段取りを容易にすることができる。
【００８８】
さらに、本実施形態に係るモールド成形装置２０では、複数形成されるリードフレームＬｆの線条配置方向にほぼ垂直に搬送装置３０により搬送される帯状の緩衝シート２８ａ等が、これらのリードフレームＬｆのうち、上型２１と下型２３との間を通過する部分の所定位置のダイパッドＤｐに搭載された半導体チップＳｃの露出領域Ｅａである受光部Ｐｔを覆う。これにより、リードフレームＬｆの線条配置方向にほぼ垂直の方向に対しては、帯状の緩衝シート２８ａ等の位置合わせをする必要がないので、段取りを容易にすることができる。
【００８９】
さらにまた、本実施形態に係るモールド成形装置２０では、搬送装置３０により搬送される帯状の緩衝シート２８ｄ，２８ｆが、複数形成されるリードフレームＬｆのうち、上型２１と下型２３との間を通過する部分の全面を覆う。これにより、リードフレームＬｆの線条配置方向および線条配置方向にほぼ垂直の方向の、いずれについても帯状の緩衝シート２８ｄ，２８ｆの位置合わせをする必要がないので、これらの一方または双方について位置合わせをする必要がある場合に比べて段取りを一層容易にすることができる。
【００９０】
また、本実施形態に係るモールド成形装置２０では、上型２１の凸部２１ｂは、窓部Ｗｄの形状が長方形をなすように形成される。これにより、当該凸部２１ｂによって半導体チップＳｃの方向に押し出されて生じ得る緩衝シート２８の皺（しわ）を、当該凸部２１ｂの長手方向に逃がすことができるので、凸部２１ｂの凸面２１b1の形状を正方形状にした場合に比べて、当該凸部２１ｂの周囲に緩衝シート２８の皺を出来き難くする。したがって、このような皺が原因となる樹脂モールドＭａの窓部Ｗｄの成形不良（バリや歪み等）を抑制することができるため、成形不良による歩留まりの悪化も抑えて量産性を一層向上させることができる。
【００９１】
さらに、本実施形態に係るモールド成形装置２０では、上型２１には、上部キャビティ２１ａを含めた上型２１の内部空間２１ｓに連通する複数の吸着孔２１ｈが形成されるとともに吸引装置４０を備える。そして、この吸引装置４０によって、樹脂材料が上部キャビティ２１ａに充填される前に凸部２１ｂと半導体チップＳｃとの間に介在する緩衝シート２８ａ等を複数の吸着孔２１ｈを介して吸引して上部キャビティ２１ａの壁面を含めた上型２１の内壁面に緩衝シート２８ａ等を吸着する。これにより、凸部２１ｂと半導体チップＳｃとの間に介在する緩衝シート２８ａ等は、上型２１の内壁面に沿って張り付くので、このような緩衝シート２８ａ等が介在することによって生じ得る樹脂モールドＭａの表面の成形不良（バリや歪み等）を抑制することができる。したがって、このような成形不良による歩留まりの悪化を抑えるので、量産性を向上させることができる。また、吸引によって緩衝シート２８ａ等を上型２１の内壁面に張り付けているので、接着剤等により貼り付けた場合に比べて、吸引装置４０による吸引を中止することで、上型２１から緩衝シート２８ａ等を容易に剥がすことができ、型抜け特性を良好にすることができる。
【００９２】
また、本実施形態に係るモールド成形装置２０では、複数の吸着孔２１ｈは、上型２１に形成される段部付近α，βの方が当該段部付近α，β以外に比べて多く存在していることから、緩衝シート２８ａ等が特に張り付き難い段部における吸着性を向上させることができる。これにより、上部キャビティ２１ａ内の凸部２１ｂの周囲に相当する段部においても、緩衝シート２８ａ等が張り付くので、樹脂モールドＭａの窓部Ｗｄの成形不良（バリや歪み等）を抑制することができる。したがって、このような成形不良による歩留まりの悪化を抑えるので、量産性を向上させることができる。
【００９３】
さらに、本実施形態に係るモールド成形装置２０では、下型２３には、リードフレームＬｆのダイパッドＤｐを支持可能なダイマウント２３ｂが形成されていることから、例えば、ダイパッドＤｐが撓みやすい部材でリードフレームＬｆに接続されていても、上型２１の凸部２１ｂにより加圧される側の反対側からダイパッドＤｐをこのダイマウント２３ｂによって支えることができる。これにより、このような場合でも、上型２１の凸部２１ｂの加圧によって、ダイパッドＤｐに搭載された半導体チップＳｃが下型２３の下部キャビティ２３ａ側に押し出されるのを防止するので、適正な樹脂モールドを可能することができる。したがって、これによっても歩留まりの悪化を防ぐので、量産性を向上させることができる。
【００９４】
次に、上述したモールド成形装置２０の上型２１の改変例を図１２に基づいて説明する。この改変例に係る上型５１は、いわゆる金型押さえの役割を果たして樹脂モールドＭａに窓部Ｗｄを形成する前述の上型２１の凸部２１ｂに相当する可動型５３を、上型５１から独立して半導体チップＳｃに対して接近および離隔可能に構成し、また上型５１から独立して加圧力を制御可能に構成した点において、前述の上型２１等と相違する。このため、図１２(A) および図１２(B) では前述の上型２１等と実質的に同一の構成部分については同一符号を付してそれらの説明を省略する。
【００９５】
図１２(A) に示すように、上型５１は、上型２１の上部キャビティ２１ａに相当し内部空間５１ｓを形成する上部キャビティ５１ａを有するとともに、この上部キャビティ５１ａのほぼ中央に可動型５３が上下に摺動可能な摺動穴５１ｂを有する。また、上型２１と同様に、ランナー２１ｃに相当するランナー５１ｃ、吸着孔２１ｈに相当する吸着孔５１ｈを有する。
【００９６】
可動型５３は、上型２１の凸部２１ｂに相当する台形柱形状をなして、上型５１の摺動穴５１ｂ内で軸方向に摺動自在可動するいわゆる金型押さえの役割を果たすものである。この可動型５３は、上型５１を加圧制御する加圧装置とは別個に設けられた加圧装置５５によって加圧制御され、またこの可動型５３による加圧力は圧力センサ５６によって検出されて加圧装置５５にフィードバックされて加圧制御に寄与可能に構成されている。なお、可動型５３の先端の凸部５３ａが、前述の上型２１の凸部２１ｂに相当する。
【００９７】
このように上型５１等を構成することにより、上型５１の加圧制御とは別に、可動型５３による加圧力を制御できるので、例えば、上型５１による加圧力（図１２(B) に示す大きい矢印）よりも弱い加圧力（図１２(B) に示す小さい矢印）を可動型５３に与えることができる。したがって、半導体チップＳｃの露出領域Ｅａである受光部Ｐｔが加圧によって損傷し易い場合には、このような上型５１から独立して加圧力を制御可能に構成される可動型５３をいわゆる金型押さえとして用いることで、当該露出領域Ｅａの損傷を防ぐことができる。よって、このような場合においても、樹脂モールドした半導体チップＳｃの信頼性や量産性を向上させることができる。
【００９８】
ここで、図４〜図６を参照して説明したリードフレームＬｆに代えて、穴部Ｈｒを有するサポータＳｂを備えたリードフレームＬｆＥの例を図１３および図１４を参照して説明する。なお、図４〜図６を参照して説明したリードフレームＬｆと実質的に同一の構成部分については、前述したリードフレームＬｆと同一符号をリードフレームＬｆＥに付してそれらの説明を省略する。
【００９９】
図１３に示すように、リードフレームＬｆＥは、当該リードフレームＬｆＥに一端側が接続されて他端側に接続されるダイパッドＤｐを支持するサポータＳｂを備えている。そして、このサポータＳｂには、前述したモールド成形装置２０によって樹脂成形された樹脂モールドＭａ，Ｍｂから外部に露出可能な穴部Ｈｒが形成されている。
【０１００】
即ち、このサポータＳｂは、前述した通常のリードフレームＬｆ（図４〜図６）のものよりも幅広かつ長尺の帯形状に形成されており、その一端側（ダイパッドＤｐに接続される他端側とは反対側）に穴部Ｈｒが形成されている。なお、この穴部Ｈｒが形成される部分は、樹脂成形された樹脂モールドＭａ，Ｍｂから外部に露出し得る寸法形状、例えば、一番外側に位置するリードＬａよりもさらに外側に突出しかつ穴部Ｈｒを形成可能な長さおよび幅に設定されている。
【０１０１】
なお、図１３に示すリードフレームＬｆＥは、当該リードフレームＬｆＥが１列の線条に並んで配置されるリードフレーム集合体ＬＦＣＥの例で、前述した図５(A) のリードフレームＬｆに対応するものである。これに対し、図５(B) に示すリードフレーム集合体ＬＦＣに対応するもの、即ちリードフレームＬｆＥが２列の線条に並んで配置されるものとしては、図１４に示すリードフレーム集合体ＬＦＣＥの例が挙げられるが、リードフレームＬｆＥが２列の線条に配置されている点を除いて、図１３に示すリードフレーム集合体ＬＦＣＥを実質的に同様に構成される。
【０１０２】
このように構成されるリードフレームＬｆＥを用いて前述したモールド成形装置２０によって、リードフレームセット工程（図７(A) ）、緩衝シート吸着工程（図７(B) ）、加圧工程（図７(C) ）、樹脂注入工程（図８(A) ）および型抜き工程（図８(B) ）を経て、さらにダイバーカット工程（図８(B) ）およびフォーミング工程を経ることにより、例えば図１５に示すように、サポータＳｂの一端側が樹脂モールドＭａ，Ｍｂから外部に露出したイメージセンサＤｖＥが形成される。
【０１０３】
即ち、図１５(A) および図１５(B) に示すように、イメージセンサＤｖＥは、図９を参照して説明したイメージセンサＤｖに比べると、ダイパッドＤｐに一端側が接続されるサポータＳｂを幅広かつ長尺の帯形状で、その他端側を、ダイパッドＤｐとは反対側、つまりリードフレームＬｆＥ側に延びるように形成したため、サポータＳｂの他端側が樹脂モールドＭａ，Ｍｂから外部に突出している。またこのように突出したサポータＳｂの他端側には、穴部Ｈｒが外部に露出して形成されている（図９(A) 、図９(C) 参照）。
【０１０４】
これにより、図１５(C) に示すように、例えば、イメージセンサＤｖＥの樹脂モールドＭａの窓部Ｗｄに、レンズＬｅを保持するバレルＢｒをホルダＨｄを介して取り付ける構成を採る場合には、サポータＳｂの他端側に穴部Ｈｒが形成されていることから、図１５(A) に示す受光部Ｐｔの中心ＣｔにレンズＬｅの軸Ｚを一致させ得るように、ホルダＨｄに形成される各ポストＰｏと当該穴部Ｈｒとの位置関係を設定する。つまり、穴部ＨｒをホルダＨｄに対する位置決め穴として機能させることで、モールド成形装置２０により樹脂モールドされた半導体パッケージとしてのイメージセンサＤｖＥに、ホルダＨｄを後付け部材として組み付ける際に、容易かつ確実に位置決めをすることができる。したがって、ホルダＨｄの組み付け効率を向上させることができる。
【０１０５】
また、図１６(A) および図１６(B) に示すように、サポータＳｂの軸長が、前述したイメージセンサＤｖＥのサポータＳｂの軸長よりも短く設定されているイメージセンサＤｖＥ’においても、このような短尺のサポータＳｂの他端側が位置する樹脂モールドＭａ，Ｍｂの一部に切欠部Ｋａを形成することによって、穴部Ｈｒを外部に露出可能に構成することができる。なお、このような切欠部Ｋａの形成は、前述した上型２１や下型２３に形成される図略の凸部によって可能となる。
【０１０６】
これにより、図１６(C) に示すように、このようなイメージセンサＤｖＥ’であっても、サポータＳｂの他端側に外部に露出した穴部Ｈｒが形成されることから、図１６(A) に示す受光部Ｐｔの中心ＣｔにレンズＬｅの軸Ｚを一致させ得るように、ホルダＨｄに形成される各ポストＰｏと当該穴部Ｈｒとの位置関係を設定することで、前述したイメージセンサＤｖＥと同様に、穴部ＨｒがホルダＨｄに対する位置決め穴として機能する。このため、イメージセンサＤｖＥ’に、ホルダＨｄを後付け部材として組み付ける際に、容易かつ確実に位置決めできるので、ホルダＨｄの組み付け効率を向上させることができる。
【０１０７】
さらに、図１７(A) および図１７(B) に示すように、サポータＳｂの軸長が、前述したイメージセンサＤｖＥのサポータＳｂの軸長よりも長く設定されているイメージセンサＤｖＥ”においても、このような長尺のサポータＳｂの他端側をＬ字形状にフォーミングすることによって、外部に露出する穴部Ｈｒをコンパクトに構成することができる。なお、このようなサポータＳｂのフォーミングは、前述したリードＬａのフォーミング工程において、リードＬａとほぼ同様に行うことが可能である。
【０１０８】
これにより、図１７(C) に示すように、このようなイメージセンサＤｖＥ”であっても、サポータＳｂの他端側に外部に露出した穴部Ｈｒが形成されることから、図１７(A) に示す受光部Ｐｔの中心ＣｔにレンズＬｅの軸Ｚを一致させ得るように、ホルダＨｄに形成される各ポストＰｏと当該穴部Ｈｒとの位置関係を設定することで、前述したイメージセンサＤｖＥ，ＤｖＥ’と同様に、穴部ＨｒがホルダＨｄに対する位置決め穴として機能する。このため、イメージセンサＤｖＥ”に、ホルダＨｄを後付け部材として組み付ける際に、容易かつ確実に位置決めできるので、ホルダＨｄの組み付け効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の実施形態に係るモールド成形装置の主な構成を示す説明図である。
【図２】図１に示す上型および下型の構成を示す図で、図２(A) は上型、図２(B) は下型、をそれぞれ内側方向から見た平面図である。
【図３】図２(A) に示す上型の改変例を示す図で、図３(A) は凸部の凸面形状を長方形状に設定した例、図３(B) は凸部の凸面形状を長方形状に設定するとともに上型に形成される吸着孔の密度を段部付近に高めた例、図３(C) は凸部の凸面形状を長方形状に設定しさらにバレルホルダの位置決め溝を形成した例である。
【図４】緩衝シートの搬送方向をリード長手方向やリードフレームの搬送方向に沿った方向に設定した場合において、緩衝シートの幅の例を示す説明図で、図４(A) は受光部（露出領域）を覆い得る幅ｔw1、図４(B) は半導体チップの全面を覆い得る幅ｔw2、図４(C) は上型の凸部による加圧範囲を覆い得る幅w3、図４(D) はリードフレームの全体を覆い得る幅ｔw4、にそれぞれ設定したものである。
【図５】緩衝シートの搬送方向をリード長手方向やリードフレーム集合体の搬送方向に沿った方向に設定した場合において、緩衝シートの幅の例を示す説明図で、図５(A) は１列のリードフレームの全体を覆い得る幅ｔw4、図５(B) は２列のリードフレームの全体を覆い得る幅にそれぞれ設定したものである。
【図６】緩衝シートの搬送方向をリード長手方向やリードフレームの搬送方向にほぼ垂直（ほぼ直交）方向に設定した場合において、緩衝シートの幅の例を示す説明図で、図６(A) は受光部（露出領域）を覆い得る幅ｔw1、図６(B) は上型の凸部による加圧範囲を覆い得る幅ｔw5、図６(C) は半導体チップの全面を覆い得る幅w2、図６(D) はリードフレームの全体を覆い得る幅ｔw4、にそれぞれ設定したものである。
【図７】本実施形態に係るモールド成形装置によってイメージセンサＤｖを製造する各工程を示す説明図で、図７(A) はリードフレームセット工程、図７(B) は緩衝シート吸着工程、図７(C) は加圧工程、をそれぞれ示すものである。
【図８】図７(C) に続いて、本モールド成形装置によってイメージセンサＤｖを製造する各工程を示す説明図で、図８(A) は樹脂材料注入工程、図８(B) は型抜き工程、図８(C) はダイバーカット工程、図８(D) はフォーミング工程、をそれぞれ示すものである。
【図９】本実施形態に係る半導体製造装置により製造されたイメージセンサを示す図で、図９(A) はイメージセンサの平面図、図９(B) は図９(A) に示す９Ｂ線による断面図、図９(C) は図９(A) に示す９Ｃ線による断面図、である。
【図１０】本実施形態に係る半導体製造装置により製造されたレンズ付きのイメージセンサを示す図で、図１０(A) はイメージセンサの平面図、図１０(B) は図１０(A) に示す１０Ｂ線による断面図、である。
【図１１】本実施形態に係る半導体製造装置により製造された透明カバー付きのイメージセンサを示す図で、図１１(A) はイメージセンサの平面図、図１１(B) は図１１(A) に示す１１Ｂ線による断面図、である。
【図１２】本発明の実施形態に係るモールド成形装置の上型の改変例を示す図で、図１２(A) は改変例に係る上型の構成を示す説明図、図１２(B) は、本改変例に係る上型を用いたモールド成形装置の主な構成を示す説明図である。
【図１３】本実施形態に係る半導体製造装置により製造されたレンズ付きのイメージセンサに用いられるリードフレームの構成例を示す図で、リードフレームが１列の線条に並んで配置されるリードフレーム集合体の例である。
【図１４】本実施形態に係る半導体製造装置により製造されたレンズ付きのイメージセンサに用いられるリードフレームの構成例を示す図で、リードフレームが２列の線条に並んで配置されるリードフレーム集合体の例である。
【図１５】図１３または図１４に示すリードフレームを用いて製造されるレンズ付きのイメージセンサを示す図で、図１５(A) はイメージセンサの平面図、図１５(B) は図１５(A) に示す１５Ｂ線による断面図、図１５(C) はイメージセンサに後付け部材のホルダを組み付けた状態を示す断面図、である。
【図１６】図１３または図１４に示すリードフレームを用いて製造されるレンズ付きのイメージセンサを示す図で、図１６(A) はイメージセンサの平面図、図１６(B) は図１６(A) に示す１５Ｂ線による断面図、図１６(C) はイメージセンサに後付け部材のホルダを組み付けた状態を示す断面図、である。
【図１７】図１３または図１４に示すリードフレームを用いて製造されるレンズ付きのイメージセンサを示す図で、図１７(A) はイメージセンサの平面図、図１７(B) は図１７(A) に示す１５Ｂ線による断面図、図１７(C) はイメージセンサに後付け部材のホルダを組み付けた状態を示す断面図、である。
【符号の説明】
【０１１０】
２０…モールド成形装置（半導体製造装置）
２１、５１…上型（一の型）
２１ａ…上部キャビティ（第１のキャビティ、キャビティ）
２１ｂ、５３ａ…凸部
２１b1…凸面
２１ｈ…吸着孔（連通孔）
２１ｓ…内部空間
２２…加圧装置
２３…下型（他の型）
２３ａ…下部キャビティ（第１のキャビティ）
２３ｂ…ダイマウント（支持凸部）
２４…基台
２８、２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄ、２８ｅ、２８ｆ…緩衝シート
２８’…使用済みの緩衝シート
３０…搬送装置
３１…送出機構
３３…巻取機構
４０…吸引装置（吸引手段）
５３…可動型
５５…加圧装置
５６…圧力センサ
Ｄｐ…ダイパッド
Ｄｖ，Ｄｖ’，Ｄｖ”…イメージセンサ
ＤｖＥ，ＤｖＥ’，ＤｖＥ”…イメージセンサ（半導体パッケージ）
Ｅａ…露出領域
Ｈｄ…ホルダ（後付け部材）
Ｈｒ…穴部（位置決め穴）
Ｌａ…リード
Ｌｆ…リードフレーム
ＬＦＣ，ＬＦＣＥ…リードフレーム集合体
Ｍａ…樹脂モールド（表面側のモールド形状）
Ｍｂ…樹脂モールド（裏面側のモールド形状）
Ｐａ…加圧範囲
Ｐｔ…受光部
Ｓｂ…サポータ（支持バー）
Ｓｃ…半導体チップ
Ｗｄ…窓部（開口部）
Ｚ…レンズの軸
α、β…段部付近
【図１】
2008066696.tif 000003
【図２】
2008066696.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008066696.tif 000012
【図１１】
2008066696.tif 000013
【図１２】
2008066696.tif 000014
【図１３】
2008066696.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2008066696.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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