(57)【要約】【課題】母材の経時変化により光学的性質が変化しても、反応炉（チャンバー）内に堆積した膜の膜厚を精度良く測定できる半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体ウェーハを収容して成膜を行う反応炉２を有し、前記半導体ウェーハに成膜するための成膜ガス及び前記反応炉の内壁に堆積した膜をクリーニングするためのクリーニングガスが導入される半導体製造装置であって、光を発する発光部１と、前記発光部が発し、前記反応炉を透過した光を受光し、その受光した光の複数の波長における透過率を測定する受光部３と、所定の波長範囲での前記透過率を用いて前記反応炉内のクリーニングを行うか否かの判定、前記反応炉内のクリーニングの終了時期の判定及び前記反応炉の交換をするか否かの判定のうち少なくとも一つを行う計算部５と、を備える。【選択図】図１
2008004603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを収容して成膜を行う反応炉を有し、前記半導体ウェーハに成膜するための成膜ガス及び前記反応炉の内壁に堆積した膜をクリーニングするためのクリーニングガスが導入される半導体製造装置であって、
光を発する発光部と、
前記発光部が発し、前記反応炉を透過した光を受光し、その受光した光の複数の波長における透過率を測定する受光部と、
所定の波長範囲での前記透過率を用いて前記反応炉内のクリーニングを行うか否かの判定、前記反応炉内のクリーニングの終了時期の判定及び前記反応炉の交換をするか否かの判定のうち少なくとも一つを行う計算部と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記計算部は、前記所定の波長範囲での前記反応炉の取り付け後に前記反応炉内のクリーニングをｉ（ｉは０以上の整数）回、半導体ウェーハの成膜をｊ（ｊは１以上の整数）回行った後の透過率に前記反応炉の取り付け後で半導体ウェーハの成膜前の透過率を加算し、前記反応炉の取り付け後に前記反応炉内のクリーニングをｉ回行った後で半導体ウェーハの成膜を行う前の透過率を減算した結果を基準に、前記反応炉内のｉ＋１回目のクリーニングを行うか否か判定することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記計算部は前記反応炉内のクリーニング中の所定の波長範囲での透過率と前記反応炉内の前回クリーニング終了時の透過率を比較することで前記反応炉内のクリーニングの終了時期を判定することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記計算部は、前記反応炉内のクリーニングをｋ回（ｋは１以上の整数）行った後で半導体ウェーハの成膜前の透過率と前記反応炉内のクリーニングをｋ−１回行った後で半導体ウェーハの成膜前の透過率との比と、前記反応炉内のクリーニングをｋ回行った後で半導体ウェーハの成膜前の透過率と前記反応炉の取り付け後で半導体ウェーハの成膜前の透過率の比、の少なくとも一方を算出し、その結果を基準に前記反応炉の交換を行うか否か判定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項５】
発光部、受光部、計算部及び半導体ウェーハを収容して成膜を行う反応炉を有し、前記半導体ウェーハに成膜するための成膜ガス及び前記反応炉の内壁に堆積した膜をクリーニングするためのクリーニングガスが導入される半導体製造装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記発光部により光を発し、
前記受光部により前記発光部が発し、前記反応炉を透過した光を受光し、その受光した光の複数の波長における透過率を測定し、
前記計算部により所定の波長範囲での前記透過率を用いて前記反応炉内のクリーニングを行うか否かの判定、前記反応炉内のクリーニングの終了時期の判定及び前記反応炉の交換をするか否かの判定のうち少なくとも一つを行う
ことを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下ＣＶＤ）装置のような石英製の反応炉（チャンバー）を使用し、反応炉内で膜を堆積する装置は、その使用によって反応炉内にシリコン酸化膜などのＣＶＤ堆積膜が堆積する。このようなＣＶＤ堆積膜が厚くなりすぎると、膜剥がれが生じてダスト汚染が発生するという問題があり、また、反応炉内の堆積膜の膜厚が不均一であると半導体ウェーハ上に成膜されるＣＶＤ膜が均一に形成されないという問題がある。
【０００３】
そこで、従来はこのような問題が顕著になる前に三フッ化塩素（ＣｌＦ３）などのハロゲンを含むクリーニングガスによるエッチング処理によりこの堆積膜を除去するクリーニングを行っていた。通常、クリーニングは、正常なロット処理が困難な状況、例えば、累積膜厚が厚くなりすぎることによる膜剥がれによるダスト汚染、部材への堆積膜厚の不均一性などによって生じるウェーハ上に成膜される膜の膜厚の均一性の悪化などの状況が生じた場合に実施している。また、経験的にこれらの不具合が生じる時期が累積膜厚から分かっており、こうした不具合のみを対象にクリーニング実施時期を判断していた。
【０００４】
また、クリーニング実施時間は、累積膜種と累積膜厚から経験的に十分であると判断された時間であり、終点時間が分からないことで時間を多めに掛け、この過剰時間により堆積膜だけでなく、チャンバーの石英もクリーニングによりエッチングされてしまっていた。これは、石英材の失透、表面荒れの増加、肉厚の減少につながる。石英材の失透はヒータによる放射電熱の低減を起こす。石英材の表面荒れはガス消費量を増大させ、チャンバー内のガス濃度分布を悪化させる。石英材の肉厚の減少は、ピンホールによるリーク発生を起こす。適切なクリーニング時間が分からないことで、このような問題が起きていた。
【０００５】
この問題を解決するために、石英内管の内側に設置された石英管先端部から放出される一波長の光強度を赤外線放射温度計にて検出し、光強度の変化をモニターすることによりクリーニングの終点を検出する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
しかし、上記のような従来のクリーニング終点検出方法では、光を透過させる母材の経時変化により光学的性質が変化し、光の透過率が変わってしまうと、検出される光強度に誤差が生じ、反応炉（チャンバー）内で堆積した膜の膜厚を精度良く測定できず、クリーニングを適切な時期に終了できないという問題を有していた。
【特許文献１】特開平１１−２０００５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、母材の経時変化により光学的性質が変化しても、反応炉（チャンバー）内に堆積した膜のクリーニング時期、クリーニング終了時期およびチャンバーの交換時期を適切に判断できる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様による半導体製造装置は、半導体ウェーハを収容して成膜を行う反応炉を有し、前記半導体ウェーハに成膜するための成膜ガス及び前記反応炉の内壁に堆積した膜をクリーニングするためのクリーニングガスが導入される半導体製造装置であって、光を発する発光部と、前記発光部が発し、前記反応炉を透過した光を受光し、その受光した光の複数の波長における透過率を測定する受光部と、所定の波長範囲での前記透過率を用いて前記反応炉内のクリーニングを行うか否かの判定、前記反応炉内のクリーニングの終了時期の判定及び前記反応炉の交換をするか否かの判定のうち少なくとも一つを行う計算部と、を備えるものである。
【０００９】
本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、発光部、受光部、計算部及び半導体ウェーハを収容して成膜を行う反応炉を有し、前記半導体ウェーハに成膜するための成膜ガス及び前記反応炉の内壁に堆積した膜をクリーニングするためのクリーニングガスが導入される半導体製造装置を用いる半導体装置の製造方法であって、前記発光部により光を発し、前記受光部により前記発光部が発し、前記反応炉を透過した光を受光し、その受光した光の複数の波長における透過率を測定し、前記計算部により所定の波長範囲での前記透過率を用いて前記反応炉内のクリーニングを行うか否かの判定、前記反応炉内のクリーニングの終了時期の判定及び前記反応炉の交換をするか否かの判定のうち少なくとも一つを行うことを含むものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、チャンバー内に堆積した膜のクリーニング時期、クリーニング終了時期およびチャンバーの交換時期を適切に判断できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１２】
図１に本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す。
【００１３】
本実施形態の半導体製造装置は、シリコン窒化膜(以下ＳｉＮ膜)を成膜する減圧気相成長（以下ＬＰＣＶＤ）装置である。発光部１は石英チャンバー２の外側に設置されており、石英材を透過する光を発する。本実施形態ではハロゲンランプを用いた。光は反応炉加熱用のヒータから発せられる赤外線を使用する構成にしても良い。発光部１が光を発するのは、半導体ウェーハに成膜を行った後、石英チャンバー内のクリーニング中、および石英チャンバー内のクリーニング終了後である。
【００１４】
受光部３は発光部１より発せられ、石英材を透過した光を受光し、受光した光のスペクトルデータとして、複数の波長ごとの透過率を測定する。受光部３のセンサには半導体検出器、シンチレーション検出器、比例計数管検出器等が使用できる。受光部３によって測定されたスペクトルデータは、記憶部４に送られ保存される。記憶部４には石英材の交換を行った直後のスペクトルデータ、前回クリーニングを行った直後のスペクトルデータ、前回成膜後のスペクトルデータ等の基準スペクトルデータも保存されている。
【００１５】
計算部５は、保存されたスペクトルデータから、石英チャンバー２内のクリーニングが必要か否かの判定、石英チャンバー２内のクリーニングを終了するか否かの判定および石英チャンバー２の石英材が使用可能か否か（使用限界が来たか否か）の判定を行う。計算部５により計算された結果は記憶部４に保存することができる。また、判定結果を表示部６に表示させ、ユーザが確認することができる。
【００１６】
ウェーハにＳｉＮ膜を成膜するときは成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２とＮＨ３）を成膜ガス導入管７を介して石英チャンバー２内に導入する。また、石英チャンバー２内のクリーニングを行うときはクリーニングガス（三フッ化塩素ＣｌＦ３）をクリーニングガス導入管８を介して石英チャンバー２内に導入する。成膜ガス、クリーニングガスは排気管９から石英チャンバー２の外部へ排気される。
【００１７】
図２に示すフローチャートを参照して、半導体製造装置のクリーニング処理の流れ及び各部の動作を説明する。受光部３により測定された透過光のスペクトルデータは、ＬＰＣＶＤ装置に石英チャンバー２が取り付けられてから行ったクリーニング回数ｉ、前回クリーニングを行ってから実施した成膜回数ｊ、光の波長ｘを用いてｙ(ｉ、ｊ、ｘ)の形で保存する。測定する光の波長は、０．１〜１．０μｍまでを０．００１μｍ刻みとする。
【００１８】
（ステップ１）未使用の石英チャンバーを装置に取り付ける。
【００１９】
（ステップ２）未使用石英チャンバー取り付け直後の透過光のスペクトルデータy(０,０,ｘ)を取得する。
【００２０】
（ステップ３）ＬＰＣＶＤ装置で半導体ウェーハにＳｉＮ膜を成膜する。１回に２０ｎｍのＳｉＮ膜が成膜される。
【００２１】
（ステップ４）半導体ウェーハへの成膜を行った後のスペクトルデータを取得する。半導体ウェーハへの成膜をｊ回行った後のスペクトルデータはy(０,ｊ,ｘ)となる。また、クリーニングをｉ回行った後に、成膜をｊ回行った後のスペクトルデータはy(ｉ,ｊ,ｘ)となる。
【００２２】
（ステップ５）ｚ(ｉ,ｊ,ｘ)＝y（ｉ,ｊ,ｘ）＋ｙ(０,０,ｘ)−ｙ(ｉ,０,ｘ)で定義される関数ｚを計算部にて計算する。関数ｚは、ステップ４で得られたスペクトルデータに未使用の石英材を取り付けた直後のスペクトルデータを加算し、前回チャンバー内のクリーニングを行った後のスペクトルデータを減算したものである。これによりｚはｉ回クリーニングを行うまでに蓄積された石英材の失透の影響が除かれ、未使用の石英材を取り付けてからｊ回成膜を行ったかのようなデータとなる。従って、経時変化に伴う石英材の変化により生じる透過率の誤差を低減できる。
【００２３】
そしてｚの１回微分であるｚ′が０.２５≦ｘ≦０.７０μｍの範囲内で０となることがあるかどうか調べる。つまり、ｚの値が０.２５≦ｘ≦０.７０μｍの範囲内で上昇から減少に転じる、または減少から上昇に転じるかどうかを調べる。
【００２４】
ｚ′＝０となる波長がある場合、波長が０.７０μｍ以下で、ｚ′＝０となる凸分布（曲線が上に凸）の最も大きい波長をｍ１とする。本実施形態では、ｍ１が０.６５μｍ以上の場合に、石英チャンバー２の内壁に堆積したＳｉＮ膜がクリーニングすべき膜厚に達したと判定し、ステップ６に進み、クリーニングを実施する。ｍ１が０.６５μｍ未満の場合は、ステップ３に戻り、ｍ１が０.６５μｍ以上になるまで、成膜を繰り返す。
【００２５】
チャンバー内壁の堆積膜厚が０、４０、８０、１５０ｎｍの時の波長と透過率の関係を図３に示す。堆積膜厚が厚いほど、透過率の増減変化の頻度が増すことがわかる。また膜厚による透過率増減変化の違いは波長が２００ｎｍ（＝０．２μｍ）以上の範囲で明瞭になる。関数ｚの増減変化を調べる波長範囲を０.２５≦ｘ≦０.７０μｍとしたのはこのためである。また、この波長範囲は、０．００１μｍ刻みの波長で得られる離散データである関数ｚを連続関数（指数関数）で近似（フィッティング）するにも適している。
【００２６】
関数ｚを表す曲線の例を図４および図５に示す。図４は堆積膜厚が厚い場合、図５は堆積膜厚が薄い場合の一例を示す。堆積膜厚が薄い場合は、関数ｚの増減変化の頻度は少なく、ｍ１は小さい。堆積膜厚が厚くなるに従って、ｍ１の値が大きくなることがわかる。
【００２７】
（ステップ６）石英チャンバー２内へクリーニングガスを導入し、クリーニングを行う。クリーニング中は所定時間毎にスペクトルデータｙ２（ｉ、ｔ、ｘ）を測定する。tはクリーニング開始から経過した時間（秒）で、本実施形態では１秒刻みでスペクトルデータを測定する。そして各時間毎にｙ２の１回微分ｙ２′が０となる波長があるかどうか調べる。ｙ２′＝０となる波長がある場合、ｙ２′＝０となる凸分布の最も大きい波長をｎ１とする。スペクトルデータｙ２（ｉ、ｔ、ｘ）をプロットした曲線の一例を図６に示す。ｎ１が０.２５μｍ以下となり、ｙ２（ｉ、ｔ、０．２５）がｙ２（ｉ−１、ｔ、０．２５）×０．９５以上になった場合に堆積したＳｉＮ膜がなくなったと判断し、クリーニングを終了する。クリーニングを終了したらステップ７へ進む。
【００２８】
ここで前回クリーニング終了時の透過率に０．９５を乗じた値を基準としたのは、成膜を行ったことでの失透を考慮して前回クリーニング終了時より小さい透過率を基準とするためである。本実施形態では前回クリーニング終了時より５％小さい透過率を基準とした。
【００２９】
（ステップ７）クリーニング実施後のスペクトルデータｙ(ｉ＋１,０,ｘ)を測定し、記憶部４に保存する。保存後、ステップ８へ進む。
【００３０】
（ステップ８）前回クリーニング実施後のスペクトルデータｙ(ｉ,０,ｘ)と今回クリーニング実施後のスペクトルデータｙ(ｉ＋１,０,ｘ)の比ｒ(ｉ＋１、ｘ)＝ｙ(ｉ＋１,０,ｘ)／ｙ(ｉ,０,ｘ)を計算部５にて計算する。比ｒを計算後、ステップ９へ進む。
【００３１】
（ステップ９）ｒ(ｉ＋１,ｘ)が０.２５μｍ≦ｘ≦０.７０μｍの範囲内で０.０５（＝５％）を超えることがあるか否かを計算部５で調べる。ある場合はステップ１２へ進む。ない場合はステップ１０へ進む。
【００３２】
（ステップ１０）未使用石英チャンバー取り付け直後のスペクトルデータｙ(０，０，ｘ)と今回クリーニング実施後のスペクトルデータｙ(ｉ＋１、０、ｘ)の比ｒ０(ｉ＋１,ｘ)＝ｙ(ｉ＋１,０,ｘ)／ｙ(０，０，ｘ)を計算部５で計算する。比ｒ０を計算後、ステップ１１へ進む。
【００３３】
（ステップ１１）計算部５にてｒ０（ｉ＋１、ｘ）が０.２５μｍ≦ｘ≦０.７０μｍの範囲内で０.６（＝６０％）を超えることがあるか否か調べる。ある場合はステップ１２へ進む。ない場合はステップ３へ戻り、半導体ウェーハへのＳｉＮ膜の成膜を行う。
【００３４】
（ステップ１２）石英チャンバー２の使用限界（寿命）に来ており、交換時期であると判定され、その内容が表示部６に表示される。ステップ１１でも石英チャンバーの使用限界の判定を行ったのは、１回のクリーニングでの失透が小さくステップ９では判定できない石英母材の変化を、未使用石英チャンバー取り付け直後のスペクトルデータとの比較をすることで判定するためである。
【００３５】
石英チャンバー２の光の透過率は堆積した膜厚だけでなく、経時変化に伴う母材の変化（失透）によっても変わる。本実施形態はその母材の変化を考慮しており、上記ステップ６ではｙ２′＝０となる凸分布の最も大きい波長ｎ１が０．２５μｍ以下となり、ｙ２（ｉ、ｔ、０．２５）が前回クリーニング実施後のスペクトルデータｙ２（ｉ−１、ｔ、０．２５）の９５％以上になったときにクリーニングを終了するようにしている。また、ステップ８では前回クリーニング実施後のスペクトルデータｙ(ｉ,０,ｘ)と今回クリーニング実施後のスペクトルデータｙ(ｉ＋１,０,ｘ)の比ｒ(ｉ＋１、ｘ)＝ｙ(ｉ＋１,０,ｘ)／ｙ(ｉ,０,ｘ)を求め、石英チャンバー２の寿命予測に用いている。前回クリーニング実施後のスペクトルデータｙ(ｉ,０,ｘ)と今回クリーニング実施後のスペクトルデータｙ(ｉ＋１,０,ｘ)の間には経時変化に伴う母材の変化の影響は大きくないため、比ｒ(ｉ＋１、ｘ)を用いた石英チャンバー２の寿命予測は誤差を低減することができる。
【００３６】
このように、本発明の一実施形態による半導体製造装置により、石英チャンバー内に堆積した膜のクリーニング時期、クリーニング終了時期および石英チャンバーの交換時期を適切に判断することができる。
【００３７】
上述した実施の形態は一例であって制限的なものではないと考えられるべきである。例えば、ステップ５にてｍ１ではなく、図７に示すような、ｍ１以下の波長の中で、ｚ′＝０となる凹分布（下に凸）の最も大きい波長ｍ２を基準に用いてもよい。ｍ２を基準に用いる場合、チャンバー内のクリーニングを行うか否かは例えばｍ２が０．６４μｍ以上か否かで判定する。
【００３８】
また、図８に示すような、波長が０．７μｍのｚ(ｉ,ｊ,０．７)の点と、波長がｍ１であるｚ(ｉ,ｊ,ｍ１)の点とを結んだ直線Ｌ１の傾きや切片を基準に用いてもよい。堆積膜厚が厚くなるとＬ１の傾きは急峻になる。例えばＬ１の傾きが−１０（単位は１／μｍ）以下になったときにクリーニングを行うと判定する。
【００３９】
また、図９に示すように波長が０．７μｍのｚ(ｉ,ｊ,０．７)の点と、波長がｍ２であるｚ(ｉ,ｊ,ｍ２)の点とを結んだ直線Ｌ２の傾きや切片を基準に用いてもよい。また、ｚ(ｉ,ｊ,ｍ１)の点とｚ(ｉ,ｊ,ｍ２)の点とを結んだ直線Ｌ３の傾きや切片を基準に用いてもよい。
【００４０】
上記実施形態では、成膜を終了する毎にスペクトルデータを測定していたが、石英チャンバー２内に成膜ガスが導入された時間が所定値に達する度に測定するようにしてもよい。この場合は、所定値に応じて成膜中にスペクトルデータを測定することもある。
【００４１】
また、図１０に示すように、ステップ６において、波長が０．２５μｍのｙ２(ｉ,ｔ,０．２５)の点と、波長がｎ１であるｙ２(ｉ,ｔ,ｎ１)の点とを結んだ直線Ｌ４の傾きや切片をクリーニング終了判定の基準に用いてもよい。また、ｙ２(ｉ,ｔ,ｎ１)の点と波長が０．７μｍのｙ２(ｉ,ｔ,０．７)の点とを結んだ直線Ｌ５の傾きや切片を基準に用いてもよい。
【００４２】
また、ステップ９において、比ｒ(ｉ＋１、ｘ)を連続関数（指数関数）に近似（フィッティング）し、所定の波長での接線の傾きや切片を基準に用いてもよい。また、比ｒ(ｉ＋１、ｘ)ではなく、０.２５μｍ≦ｘ≦０.７０μｍの範囲のｙ(ｉ＋１,０,ｘ)を指数関数に近似させたときの所定の波長での接線の傾きや切片を基準に用いてもよい。
【００４３】
また、ステップ１１において、比ｒ０(ｉ＋１、ｘ)を連続関数（指数関数）に近似（フィッティング）し、所定の波長での接線の傾きや切片を基準に用いてもよい。
【００４４】
また、スペクトルデータy（ｉ,ｊ,ｘ）の代わりに、ｙｃ（ｉ，ｊ，ｘ）＝y（ｉ,ｊ,ｘ）／ｒ０（ｉ、ｘ）で定義される石英透過率補正スペクトルｙｃ（ｉ，ｊ，ｘ）を用いてチャンバー内のクリーニングを実施するか否かの判定を行うようにしてもよい。
【００４５】
上記実施形態の透過光にはチャンバー加熱用のヒータ１２から発せられる赤外線を使用することができる。他にも各種レーザなどの光を透過光に用いることができ、用いる光によってスペクトルの分布は変わるため、測定に使用される波長範囲は透過光の種類に応じて変わる。
【００４６】
石英チャンバー２だけでなく、石英チューブ１０、成膜ガス導入管７、クリーニングガス導入管８、ウェーハボート１１等は石英材を使用されることが多く、発光部１′及び対応する受光部３′を用い、上記実施形態の手法によって、これらに堆積した膜のクリーニング時期の判定等を行うことができる。
【００４７】
本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態による半導体製造装置の概略構成を示す図である。
【図２】同一実施形態による半導体製造装置の処理のフローチャートを示す図である。
【図３】堆積膜厚毎の透過光のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図４】透過光のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図５】透過光のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図６】透過光のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図７】透過光のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図８】透過光のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図９】透過光のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図１０】透過光のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
１  発光部
２  石英チャンバー
３  受光部
４  記憶部
５  計算部
６  表示部
７  成膜ガス導入管
８  クリーニングガス導入管
９  排気管
１０  石英チューブ
１１  ウェーハボート
１２  ヒータ
１３  装置筐体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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