(57)【要約】【課題】特性に優れた薄膜デバイスを効率的にかつ低コストで製造することができる薄膜デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本薄膜デバイスの製造方法は、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４を順次形成する工程と、第１のマスク１３を用いて上部電極膜４および絶縁膜３をパターニングする第１のパターニング工程と、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成された第２のマスク２３を用いて、上部電極膜４および下部電極膜２を互いに電気的に分離するようにパターニングする第２のパターニング工程とを含む。【選択図】図３
2008004876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜を順次形成する工程と、
第１のマスクを用いて前記上部電極膜および前記絶縁膜をパターニングする第１のパターニング工程と、
前記第１のパターニング工程によりパターニングされた前記上部電極膜および前記絶縁膜に基づく凸状パターンの上面における前記絶縁膜の外周より内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成された第２のマスクを用いて、前記上部電極膜および前記下部電極膜を互いに電気的に分離するようにパターニングする第２のパターニング工程とを含む薄膜デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第２のマスクのうち少なくとも前記側面に形成された外部マスクが、前記凸状パターンの上面の外周部を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１のパターニング工程において前記第１のマスクを形成するために第１のフォトマスクが用いられ、前記第１のフォトマスクは前記絶縁膜の外周を規定する第１のフォトマスク領域を有し、
前記第２のパターニング工程において前記第２のマスクを形成するために第２のフォトマスクが用いられ、前記第２のフォトマスクは、互いに分離した、前記上部電極膜の外周を規定する内部フォトマスク領域を有する内部フォトマスクと、前記下部電極膜の外周を規定する外部フォトマスク領域を有する外部フォトマスクを有し、
前記第１のフォトマスクと前記第２のフォトマスクの平面レイアウトにおいて、前記第１のフォトマスク領域と前記外部フォトマスク領域とが一部重複していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第２のパターニング工程は、前記上部電極膜および前記下部電極膜をエッチングによりパターニングする工程を含み、前記上部電極膜の全膜厚エッチング所要時間が前記下部電極膜の全膜厚エッチング所要時間以上であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１のパターニング工程と前記第２のパタニーング工程との間に、前記第１のパターニング工程によりパターニングされた前記上部電極および前記絶縁膜、ならびに前記下部電極膜を覆うように導電膜を形成する工程をさらに含み、
前記第２のマスクは、前記第１のパターニング工程によりパターニングされた前記上部電極膜および前記絶縁膜を覆うことにより導電膜の表面に生じた前記凸状パターンの上面における前記絶縁膜の外周より内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コンデンサ、薄膜圧電アクチュエータなどの薄膜デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜コンデンサ、薄膜圧電アクチュエータなどの薄膜デバイスは、基板上にパターニングして形成されている下部電極膜、絶縁膜および上部電極を備える。したがって、薄膜デバイスの製造方法においては、下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜の形成方法およびパターニング方法が重要となる。
【０００３】
薄膜デバイスの従来の製造方法として、下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜とのそれぞれについて順に膜を形成しパターニングする方法（たとえば、特開２００１−１３５１４３号公報（特許文献１）を参照）、基板上に下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜を形成した後、上部電極膜、絶縁膜および下部電極膜と順にパターニングする方法などが行なわれている。
【０００４】
たとえば、図９を参照して、特許文献１は以下の薄膜コンデンサの製造方法を開示している。図９（ａ）を参照して基板１の上に下部電極膜２を形成した後、図９（ｂ）を参照して下部電極膜２をパターニングする。次に、図９（ｃ）を参照して基板１および下部電極膜２上に絶縁膜３を形成した後、図９（ｄ）を参照して絶縁膜３をパターニングする。さらに、基板１、下部電極膜２および絶縁膜３上に上部電極膜４を形成した後、図９（ｅ）を参照して上部電極膜４をパターニングする。しかし、特許文献１の薄膜コンデンサの製造方法は、３回の膜形成工程と３回の膜パターニング工程が必要であり、製造工程が多くまた製造コストも高くなる問題があった。
【０００５】
また、基板上に下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜を形成した後、上部電極膜、絶縁膜および下部電極膜と順にパターニングする方法は、１回の連続した３つの膜の形成工程と、３回の膜パターニング工程とが必要であり、製造工程が多くまた製造コストも高くなる問題があった。
【０００６】
これらの方法に対して、製造工程を少なくして製造コストを低減するため、３つの膜のパターニングを３回より少ない回数で行なう方法も提案されている（たとえば、特開２０００−１５０８２５号公報（特許文献２）を参照）。たとえば、図１０を参照して、特許文献２は、従来技術として以下の半導体装置の製造方法を開示している。図１０（ａ）を参照して上部電極膜４、絶縁膜３および下部電極膜２をほぼ垂直に連続してエッチングして１回でパターニングする方法、図１０（ｂ）を参照して、上部電極膜４、絶縁膜３および下部電極膜２をテーパ状に連続してエッチングして１回でパターニングする方法、図１０（ｃ）を参照して、上部電極膜４および絶縁膜３をほぼ垂直に連続してエッチングした後、上部電極膜４および絶縁膜３の外周よりもさらに外周で下部電極膜２をほぼ垂直にエッチングをして２回でパターニングする方法などが開示されている。
【０００７】
しかし、図１０（ａ）に示すようなパターニング方法では、上部電極膜４および絶縁膜３の側面へのエッチング除去された被加工物の再付着およびエッチングダメージが大きく、薄膜デバイスの特性低下が起こる問題があった。図１０（ｂ）に示すようなパターニング方法では、テーパエッチングをするための特殊なエッチング装置が必要となり、コスト高となる問題があった。また、図１０（ｃ）に示すようなパターニング方法では、図１０（ａ）の場合と同様に、上部電極膜４および絶縁膜３の側面へのエッチング除去された被加工物の再付着およびエッチングダメージが大きく、薄膜デバイスの特性低下が起こる問題があった。
【０００８】
また、上部電極膜をほぼ垂直に連続してエッチングした後、上部電極膜の外周よりもさらに外周で絶縁膜および下部電極膜をほぼ垂直にエッチングして２回パターニングする方法もあるが、このパターニング方法は下部電極膜の側面のみで外部との電気的接続を行なう必要があり、外部素子との電気的接続が困難となる問題があった。
【特許文献１】特開２００１−１３５１４３号公報
【特許文献２】特開２０００−１５０８２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決し、特性に優れた薄膜デバイスを効率的にかつ低コストで製造することができる薄膜デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板上に、下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜を順次形成する工程と、第１のマスクを用いて上部電極膜および絶縁膜をパターニングする第１のパターニング工程と、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜および絶縁膜に基づく凸状パターンの上面における絶縁膜の外周より内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成された第２のマスクを用いて上部電極膜および下部電極膜を互いに電気的に分離するようにパターニングする第２のパターニング工程とを含む薄膜デバイスの製造方法である。
【００１１】
本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法において、第２のマスクのうち少なくとも側面の部分に形成された外部マスクは、凸状パターンの上面の外周部を覆い得る。
【００１２】
また、本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法において、第１のパターニング工程において第１のマスクを形成するために第１のフォトマスクが用いられ、第１のフォトマスクは絶縁膜の外周を規定する第１のフォトマスク領域を有し、第２のパターニング工程において第２のマスクを形成するために第２のフォトマスクが用いられ、第２のフォトマスクは、互いに分離した、上部電極膜の外周を規定する内部フォトマスク領域を有する内部フォトマスクと、下部電極膜の外周を規定する外部フォトマスク領域を有する外部フォトマスクを有し、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクの平面レイアウトにおいて、第１のフォトマスク領域と外部フォトマスク領域とが一部重複し得る。
【００１３】
また、本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法において、第２のパターニング工程は、上部電極膜および下部電極膜をエッチングによりパターニングする工程を含み、上部電極膜の全膜厚エッチング所要時間が下部電極膜の全膜厚エッチング所要時間以上とすることができる。
【００１４】
また、本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法において、第１のパターニング工程と第２のパタニーング工程との間に、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極および絶縁膜、ならびに下部電極膜を覆うように導電膜を形成する工程をさらに含み、第２のマスクは、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜および絶縁膜を覆うことにより導電膜の表面に生じた凸状パターンの上面における絶縁膜の外周より内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成されることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、特性に優れた薄膜デバイスを効率的にかつ低コストで製造することができる薄膜デバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施形態１）
本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法の一実施形態は、図１の模式断面図および図２の模式上面図を参照して、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４を順次形成する工程（図１（ａ）参照）と、第１のマスク１３を用いて上部電極膜４および絶縁膜３をパターニングする第１のパターニング工程（図１（ｂ）〜（ｇ）、図２（１）を参照）と、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成された第２のマスク２３を用いて上部電極膜４および下部電極膜２を互いに電気的に分離するようにパターニングする第２のパターニング工程（図１（ｈ）〜（ｍ）、図２（２）〜（４）を参照）とを含む。
【００１７】
上記製造方法によれば、上部電極膜４と下部電極膜２との絶縁が良好で特性が高く安定した薄膜デバイスが得られる。また、上記製造方法によれば、１回の連続した３つの膜の形成工程と２回の膜パターニング工程により薄膜デバイスが得られるため、薄膜デバイスの製造コストを低減することができる。
【００１８】
以下、本実施形態の薄膜デバイスの製造方法について具体的に説明する。まず、図１（ａ）を参照して、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４を順次形成する（下部電極膜膜、絶縁膜および上部電極膜の形成工程）。
【００１９】
ここで、基板１の材料は、特に制限はないが、高温の膜形成条件においても安定かつ高品質の大型の薄膜デバイスを得る観点から、Ｓｉ、サファイアなどの単結晶、Ａｌ2Ｏ3、イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの多結晶が好適である。
【００２０】
また、下部電極膜２の材料は、絶縁膜３の形成条件により異なるが、薄膜コンデンサまたは薄膜圧電アクチュエータの絶縁膜３である高誘電率膜または圧電膜は、一般に酸化性雰囲気（たとえば、酸素分圧０．１ｋＰａ以上）中において高温（たとえば、５００℃以上）で形成されるため、高温酸化性雰囲気で安定なＰｔが好適である。また、Ｐｔ以外に、同様の観点から、Ｉｒなどの白金族元素、Ａｕなどの耐酸化性の金属元素、およびＩｒＯ2、ＳｒＲｕＯ3などの導電性酸化物を用いることができる。ここで、下部電極膜２の形成方法は、特に制限はないが、スパッタリング法、真空蒸着法などが好適である。なお、下部電極膜２と基板１と間に、両者間の密着性の確保および原子の相互拡散を防止するためのＴｉ膜、Ｃｒ膜、ＴｉＯ2膜、ＺｒＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜などを形成してもよい。
【００２１】
また、絶縁膜３の材料は、特に制限はないが、薄膜コンデンサの場合はＢａＴｉＯ3系材料、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3（以下、ＢＳＴという）系材料が好適であり、薄膜圧電アクチュエータの場合はＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系材料が好適である。ここで、絶縁膜３の形成方法は、特に制限はなく、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相体積）法、スピンコート法（たとえば、ＭＯＤ（メタルオーガニックデコンポジッション）法、ゾル−ゲル法など）などを用いることができる。これらの形成方法の内、製造装置が安価で、大面積の絶縁膜の形成が容易な観点から、スピンコート法が好適である。
【００２２】
また、上部電極膜４の材料は、特に制限はなく、下部電極膜２と同じ材料（すなわち、高温酸化性雰囲気で安定なＰｔ、ＩｒなどのＰｔ以外の白金族元素、Ａｕなどの耐酸化性の金属元素、およびＩｒＯ2、ＳｒＲｕＯ3などの導電性酸化物など）が好適である。また、下部電極膜４の材料よりも安価で導電性が高く加工が容易なＡｌ、Ｃｕなどを用いることができる。ここで、上部電極膜４の形成方法は、特に制限はないが、スパッタリング法、真空蒸着法などが好適である。
【００２３】
たとえば、下部電極膜２としてＰｔ膜、絶縁膜３としてＢＳＴ膜、上部電極膜４としてＰｔ膜を用いた薄膜デバイスたる薄膜コンデンサにおいては、以下のようにして各膜が形成される。まず、基板１であるサファイア基板上に、スパッタリング法により基板温度２００℃で下部電極膜２である厚さ０．３μｍのＰｔ膜が形成される。次いで、この下部電極膜２上に、スピンコート法により厚さ０．２μｍのＢＳＴ膜を形成する。ＢＳＴ膜形成は、スピンコート、１５０℃における乾燥、有機成分除去、および６００℃〜８５０℃における焼成の膜形成プロセスを繰り返すことにより行なう。次いで、このＢＳＴ膜上に、下部電極膜形成と同様にして、上部電極膜４として厚さ０．３μｍのＰｔ膜が形成される。
【００２４】
次に、図１（ｂ）〜（ｇ）、図２（１）を参照して、第１のマスク１３を用いて上部電極膜４および絶縁膜３をパターニングする（第１のパターニング工程）。ここで、この第１のパターニング工程は、特に制限はないが、正確で効率的なパターニングを行なう観点から、第１のフォトマスク１２を用いてフォトリソグラフィ法により第１のマスク１３を形成し、第１のマスク１３を用いてエッチング法により上部電極膜４および絶縁膜３をパターニングすることが好適である。なお、図２（１）は、図１（ｆ）の薄膜ウエハの模式上面図である。
【００２５】
以下、第１のパターニング工程について具体的に説明する。図１（ｂ）を参照して、図１（ａ）の薄膜ウエハの上部電極膜４上に第１のフォトレジスト層１１を形成する（第１のフォトレジスト層の形成工程）。第１のフォトレジスト層を形成する方法には、特に制限はなく、通常フォトレジストを塗布乾燥することにより行われる。
【００２６】
次いで、図１（ｃ）を参照して、第１のフォトマスク領域Ｐ1を有する第１のフォトマスク１２を介して、第１のフォトレジスト層１１への露光１０ｄを行う（第１のフォトレジスト層の露光工程）。次いで、図１（ｄ）を参照して、第１のフォトマスク１２を第１のフォトレジスト層１１から離した後、第１のフォトレジスト層１１を現像して、上部電極膜４上に第１のマスク領域Ｅ1を有する第１のマスク１３を形成する（第１のマスクの形成工程）。ここで、第１のマスク１３の第１のマスク領域Ｅ1は、上記第１のフォトマスク１２の第１のフォトマスク領域Ｐ1の直下にそのパターンに対応するパターンで形成される。
【００２７】
次いで、図１（ｅ）および（ｆ）、図２（１）を参照して、第１のマスク１３を用いて上部電極膜４および絶縁膜３をエッチング１０ｅによりパターニングする（第１のエッチング工程）。こうして、第１のマスク１３の外周１３ｅに沿って絶縁膜３の外周３ｅがパターニングされる。すなわち、絶縁膜３の外周３ｅは第１のマスクにおける第１のマスク領域Ｅ1により規定され、第１の領域Ｅ1のパターンは第１のフォトマスク１２の第１のフォトマスク領域Ｐ1のパターンに対応している。すなわち、第１のフォトマスク１２の第１のフォトマスク領域Ｐ1は、絶縁膜３の外周３ｅを規定する。
【００２８】
この第１のエッチング工程におけるエッチング方法には、上部電極膜４および絶縁膜３をエッチングできる方法であれば特に制限はなく、エッチング液に浸漬して不要部を除去するウェットエッチング、および、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、イオンミリングなどのドライエッチングのいずれもが可能であるが、エッチングの異方性が高く正確なパターニングを行なう観点から、ドライエッチングが好適である。
【００２９】
次いで、図１（ｇ）を参照して、第１のマスク１３を上部電極膜４から除去して、上部電極膜４および絶縁膜３のパターニング（第１のパターニング）が完了する（第１のマスクの除去工程）。こうして、上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンが形成された薄膜ウエハが得られる。ここで、第１のマスクを除去する方法には、特に制限はないが、第１のマスクの除去効率を高め、また薄膜ウエハへのダメージを低減する観点から、Ｏ2プラズマなどにより除去する方法が好適である。
【００３０】
次に、図１（ｈ）〜（ｍ）、図２（２）〜（４）を参照して、第２のマスク２３を用いて上部電極膜４および下部電極膜２をパターニングする（第２のパターニング工程）。ここで、この第２のパターニング工程は、特に制限はないが、正確で効率的なパターニングを行なう観点から、第２のフォトマスク２２を用いてフォトリフォグラフィ法により第２のマスク２３を形成し、第２のマスク２３を用いてエッチング法により上部電極膜４および下部電極膜２をパターニングすることが好適である。なお、図２（２）、（３）および（４）は、それぞれ図１（ｊ）、（ｌ）および（ｍ）の薄膜ウエハまたは薄膜デバイスの模式上面図である。
【００３１】
図１（ｈ）を参照して、図１（ｇ）の薄膜ウエハの上部電極膜４および下部電極膜２上に第２のフォトレジスト層２１を形成する（第２のフォトレジスト層の形成工程）。第２のフォトレジスト層を形成する方法には、特に制限はなく、通常フォトレジストを塗布乾燥することにより行なわれる。
【００３２】
次いで、図１（ｉ）を参照して、互いに分離した、内部フォトマスク領域Ｐ21を有する内部フォトマスク２２ａと、外部フォトマスク領域Ｐ22を有する外部フォトマスク２２ｂとで構成される第２のフォトマスク２２を介して、第２のフォトレジスト層２１への露光２０ｄを行う（第２のフォトレジスト層の露光工程）。ここで、第２のフォトマスク２２は、内部フォトマスク２２ａの内部フォトマスク領域Ｐ21が絶縁膜３の外周３ｅに囲まれた領域より内部の領域の直上に位置するように、外部フォトマスクの外部フォトマスク領域Ｐ22の内周２２ｉが絶縁膜３の外周３ｅの直上に位置するように配置されている。
【００３３】
次いで、図１（ｊ）および図２（２）を参照して、第２のフォトマスク２２を第２のフォトレジスト層２１から離した後、第２のフォトレジスト層２１を現像して、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離した第２のマスク２３を形成する（第２のマスクの形成工程）。
【００３４】
ここで、第２のマスク２３は、互いに分離している、上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分に形成されている内部マスク領域Ｅ21を有する内部マスク２３ａと、上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの少なくとも側面の部分に形成されている外部マスク領域Ｅ22を有する外部マスク２３ｂとで構成される。また、内部マスク領域Ｅ21は上記の内部フォトマスク領域Ｐ21の直下にそのパターンに対応するパターンで形成され、外部マスク領域Ｅ22は上記の外部フォトマスク領域Ｐ22の直下にそのパターンに対応するパターンで成形される。ここで、外部マスク２３ｂの外部マスク領域Ｅ22の内周２３ｉは、絶縁膜３の外周３ｅと一致している。
【００３５】
次いで、図１（ｋ）および（ｌ）、図２（３）を参照して、第２のマスク２３を用いて上部電極膜４および下部電極膜２をエッチング２０ｅによりパターニングする（第２のエッチング工程）。
【００３６】
ここで、上部電極膜４の外周４ｅは第２のマスク２３における内部マスク２３ａの内部マスク領域Ｅ21により規定される。より具体的には、上部電極膜４の外周４ｅは内部マスク２３ａの外周２３ｅに沿ってパターニングされる。内部マスク領域Ｅ21のパターンは第２のフォトマスク２２における内部フォトマスク２２ａの内部フォトマスク領域Ｐ21のパターンに対応している。
【００３７】
また、下部電極膜２の外周２ｅは第２のマスク２３における外部マスク２３ｂの外部マスク領域Ｅ22により規定される。より具体的には、下部電極膜２の外周２ｅは外部マスク２３ｂの外周２３ｆに沿ってパターニングされる。外部マスク領域Ｅ22のパターンは第２のフォトマスク２２における外部フォトマスク２２ｂの外部フォトマスク領域Ｐ22のパターンに対応している。
【００３８】
したがって、第２のフォトマスク２２は、その内部フォトマスク２２ａの内部フォトマスク領域Ｐ21が上部電極膜４の外周４ｅを規定し、その外部フォトマスク２２ｂの外部フォトマスク領域Ｐ22が下部電極膜２の外周２ｅを規定する。
【００３９】
この第２のエッチング工程におけるエッチング方法には、上部電極膜４および下部電極膜２をエッチングできる方法であれば特に制限はなく、エッチング液に浸漬して不要部を除去するウェットエッチング、および、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、イオンミリングなどのドライエッチングのいずれもが可能であるが、エッチングの異方性が高く正確なパターニングを行なう観点から、ドライエッチングなどが好適である。
【００４０】
次いで、図１（ｍ）を参照して、第２のマスク２３を上部電極膜４および下部電極膜２から除去して、上部電極膜４および下部電極膜２のパターニング（第２のパターニング）が完了する（第２のマスクの除去工程）。ここで、第２のマスクを除去する方法には、特に制限はないが、第２のマスクの除去効率を高め、また薄膜ウエハへのダメージを低減する観点から、Ｏ2プラズマなどにより除去する方法が好適である。
【００４１】
このようにして、基板１上に外周２ｅを有する下部電極膜２が形成され、下部電極膜２上にその外周２ｅより内側に位置する外周３ｅを有する絶縁膜３が形成され、絶縁膜３上にその外周３ｅより内側に位置する外周４ｅを有する上部電極膜４が形成されている薄膜デバイスが得られる。すなわち、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４が、それらの外周が階段状に小さくなるように形成されている薄膜デバイスが得られる。
【００４２】
図１を参照して、実施形態１において、上記のように、第２のパターニング工程が上部電極膜４および下部電極膜２をエッチングによりパターニングする工程を含む場合、上部電極膜４の全膜厚エッチング所要時間（全膜厚をエッチングするのに要する時間、以下同じ）は、下部電極膜２の全膜厚エッチング所要時間以上であることが好ましい。すなわち、上部電極膜４および下部電極膜２をエッチングする際に、上部電極膜４と下部電極膜２が同時か、または、上部電極膜４が後にエッチングを終了する方が、上部電極膜２の外周部付近の絶縁膜３への本エッチングによるダメージを回避する観点から、好ましい。たとえば、上部電極膜４および下部電極膜２が同じ材質の膜の場合、上部電極膜４の厚さは下部電極膜２の厚さ以上とすることが好ましい。
【００４３】
実施形態１の製造方法により、上部電極膜４と下部電極膜２との絶縁が良好で特性が高く安定した薄膜デバイスが得られる。また、実施形態１の製造方法により、１回の連続した３つの膜の形成工程と２回の膜パターニング工程により薄膜デバイスが得られるため、薄膜デバイスの製造コストを低減することができる。
【００４４】
（実施形態２）
本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法の他の実施形態は、図３の模式断面図および図４の模式上面図を参照して、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４を順次形成する工程（図３（ａ）参照）と、第１のマスク１３を用いて上部電極膜４および絶縁膜３をパターニングする第１のパターニング工程（図３（ｂ）〜（ｇ）、図４（１）を参照）と、第１のパターニング工程によりパターニングがされた上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成された第２のマスク２３を用いて上部電極膜４および下部電極膜２を互いに電気的に分離するようにパターニングする第２のパターニング工程（図３（ｈ）〜（ｍ）、図４（２）〜（４）を参照）とを含む点で、実施形態１の製造方法と同様である。
【００４５】
実施形態２の製造方法の特徴は、図３および図４を参照して、第２のパターニング工程において用いられる第２のマスク２３のうち第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの少なくとも側面に形成された外部マスク２３ｂが、第１のパターニング工程によりパターニングされた上記凸状パターンの上部電極膜４の上面の外周部を覆っている点にある。すなわち、外部マスク２３ｂによる上部電極膜４の外周部被覆領域Ｅ3が存在する。このような外部マスク２３ｂを形成することにより、第２のパターニング工程において、上部電極膜４と下部電極膜２をパターニングする際に、絶縁膜３の外周３ｅ近傍の下部電極膜２を誤って除去することを防止することができる。
【００４６】
実施形態２の薄膜デバイスの製造方法について具体的に説明する。まず、図３（ａ）を参照して、実施形態１と同様にして、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４を順次形成する（下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜の形成工程）。
【００４７】
次に、図３（ｂ）〜（ｇ）、図４（１）を参照して、第１のパターニング工程として、実施形態１と同様にして、第１のフォトレジスト層の形成工程（図３（ｂ））、第１のフォトレジスト層の露光工程（図３（ｃ））、第１のマスクの形成工程（図３（ｄ））、第１のエッチング工程（図３（ｅ）、（ｆ））および第１のマスクの除去工程（図３（ｇ））を行なうことにより、第１のフォトマスク１２を用いて形成された第１のマスク１３を用いて上部電極膜４および絶縁膜３をエッチング１０ｅによりパターニングする。
【００４８】
次に、図３（ｈ）〜（ｍ）、図４（２）〜（４）を参照して、第２のマスク２３を用いて上部電極膜４および下部電極膜２をエッチング２０ｅによりパターニングする（第２のパターニング工程）。図３（ｈ）を参照して、図３（ｇ）の薄膜ウエハの上部電極膜４および下部電極膜２上に第２のフォトレジスト層２１を形成する（第２のフォトレジスト層の形成工程）。
【００４９】
次いで、図３（ｉ）を参照して、互いに分離した、内部フォトマスク領域Ｐ21を有する内部フォトマスク２２ａと、外部フォトマスク領域Ｐ22を有する外部フォトマスク２２ｂとで構成される第２のフォトマスク２２を介して、第２のフォトレジスト層２１への露光２０ｄを行なう（第２のフォトレジスト層の露光工程）。
【００５０】
ここで、図５の模式図を参照して、実施形態２における第１のフォトマスク１２および第２のフォトマスク２２の平面レイアウトについて説明する。第１のフォトマスク１２および第２のフォトマスク２２は、いずれも、石英基板などの透明基板１２０の下面に形成されている。
【００５１】
第１のフォトマスク１２は、絶縁膜３の外周３ｅ（図３（ｆ）、図４（１）を参照）を規定する第１のフォトマスク領域Ｐ1を有する。より具体的には、後述するように、第１のフォトマスク領域Ｐ1の外周１２ｅが絶縁膜３の外周３ｅに対応する。なお、実施形態１の第１のフォトマスクも同様である。
【００５２】
第２のフォトマスク２２は、互いに分離した、上部電極膜４の外周４ｅを規定する内部フォトマスク領域Ｐ21を有する内部フォトマスク２２ａと、下部電極膜２の外周２ｅを規定する外部フォトマスク領域Ｐ22を有する外部フォトマスク２２ｂとから構成されている。より具体的には、後述するように、内部フォトマスク領域Ｐ21の外周２２ｅが上部電極膜４の外周４ｅに対応し、外部フォトマスク領域Ｐ22の外周２２ｆが下部電極膜２の外周２ｅに対応する。なお、この点については、実施形態１の第２のフォトマスクも同様である。
【００５３】
ここで、第２のフォトマスク２２の外部フォトマスク領域Ｐ21の内周２２ｉは、第１のフォトマスク１２の第１のフォトマスク領域Ｐ1の外周１２ｅよりも内側に存在する。すなわち、第１のフォトマスク１２の第１のフォトマスク領域Ｐ1と第２のフォトマスク２２における外部フォトマスク領域Ｐ22との間に重複領域Ｐ3が存在する。
【００５４】
なお、実施形態１のフォトマスクにおいては、第１のフォトマスク１２の第１のフォトマスク領域Ｐ1と第２のフォトマスク２２における外部フォトマスク領域Ｐ22との間には重複領域がなく、平面レイアウトにおいて、外部フォトマスク領域Ｐ22の内周２２ｉは第１のフォトマスク領域Ｐ1の外周１２ｅと一致している（図示せず）。
【００５５】
次いで、図３（ｊ）、図４（２）を参照して、第２のフォトマスク２２を第２のフォトレジスト層２１から離した後、第２のフォトレジスト層２１を現像して、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分および少なくとも側面の部分に第２のマスク２３を形成する（第２のマスクの形成工程）。
【００５６】
ここで、第２のマスク２３は、互いに分離している、上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分に形成されている内部マスク領域Ｅ21を有する内部マスク２３ａと、上部電極膜４および絶縁膜３に基づく凸状パターンの少なくとも側面の部分に形成されている外部マスク領域Ｅ22を有する外部マスク２３ｂとで構成される。
【００５７】
上記のように、第２のフォトマスク２２の外部マスク領域Ｐ22の内周２２ｉは、第１のフォトマスク１２の第１のフォトマスク領域Ｐ1の外周１２ｅより内側に位置することから、第２のマスク２３の外部マスク２３ｂは、その外部マスク領域Ｅ22の内周２３ｉが絶縁膜３の外周３ｅより内側に位置するように形成されている。すなわち、実施形態２においては、第１のフォトマスク領域Ｐ1と第２のフォトマスク２２における外部フォトマスク領域Ｐ22との間に存在する重複領域Ｐ3に対応して、第２のマスク２３のうちの外部マスク２３ｂによる凸状パターンの上部電極膜４の上面の外周部被覆領域Ｅ3が形成される。
【００５８】
次いで、図３（ｋ）および（ｌ）、図４（３）を参照して、第２のマスク２３を用いて上部電極膜４および下部電極膜２をエッチング２０ｅによりパターニングする（第２のエッチング工程）。
【００５９】
ここで、上部電極膜４の外周４ｅは第２のマスク２３における内部マスク２３ａの内部マスク領域Ｅ21により規定される。より具体的には、上部電極膜４の外周４ｅは内部マスク２３ａの外周２３に沿ってパターニングされる。内部マスク領域Ｅ21のパターンは第２のフォトマスク２２における内部フォトマスク２２ａの内部フォトマスク領域Ｐ21のパターンに対応している。
【００６０】
また、下部電極膜２の外周２ｅは第２のマスク２３における外部マスク２３ｂの外部マスク領域Ｅ22により規定される。より具体的には、下部電極膜２の外周２ｅは外部マスク２３ｂの外周２３ｆに沿ってパターニングされる。外部マスク領域Ｅ22のパターンは第２のフォトマスク２２における外部フォトマスク２２ｂの外部フォトマスク領域Ｐ22のパターンに対応している。
【００６１】
したがって、第２のフォトマスク２２は、その内部フォトマスク２２ａの内部フォトマスク領域Ｐ21が上部電極膜４の外周４ｅを規定し、その外部フォトマスク２２ｂの外部フォトマスク領域Ｐ22が下部電極膜２の外周２ｅを規定する。
【００６２】
実施形態２においては、第２のマスク２３の外部マスク領域Ｐ22の内周２３ｉが絶縁膜３の外周３ｅよりも内側に位置しているため、外部マスク２３ｂによる外部電極膜４の外周部被覆領域Ｅ3の直下の絶縁膜３はエッチングされず、絶縁膜３の外周部（外周３ｅの近傍部）上に、残り電極膜４ｒとして残存する。
【００６３】
次いで、図１（ｌ）および（ｍ）を参照して、第２のマスク２３を上部電極膜４および下部電極膜２から除去して、上部電極膜４および下部電極膜２のパターニング（第２のパターニング）が完了する（第２のマスクの除去工程）。
【００６４】
このようにして、基板１上に外周２ｅを有する下部電極膜２が形成され、下部電極膜２上にその外周２ｅより内側に位置する外周３ｅを有する絶縁膜３が形成され、絶縁膜３上にその外周３ｅより内側に位置する外周４ｅを有する上部電極膜４が形成されている薄膜デバイスが得られる。すなわち、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４が、それらの外周が階段状に小さくなるように形成されている薄膜デバイスが得られる。
【００６５】
なお、上記のように、絶縁膜３の外周部には残り電極膜４ｒが残存するが、上部電極膜４とは分離されていることから、上部電極膜４と残り電極膜４ｒとは電気的に分離されているため、薄膜デバイスとして問題はない。
【００６６】
したがって、実施形態２においては、第１のフォトマスク領域Ｐ1と第２のフォトマスク２２における外部フォトマスク領域Ｐ22との間に重複領域Ｐ3が存在するため、第１のフォトマスク１２と第２のフォトマスク２２との間のアライメント（位置合せ）のずれが生じても、そのアライメントずれが上記重複領域Ｐ3の範囲内であれば、上記の第２のパターニング工程において、上部電極膜４と下部電極膜２をパターニングする際に、絶縁膜３の外周３ｅ近傍の下部電極膜２を誤ってエッチングすることを防止することができる。
【００６７】
実施形態２の製造方法により、上部電極膜４と下部電極膜２との絶縁が良好で特性が高く安定した薄膜デバイスが歩留まりよく得られる。また、実施形態２の製造方法により、１回の連続した３つの膜の形成工程と２回の膜パターニング工程により薄膜デバイスが歩留まりよく得られるため、薄膜デバイスの製造コストをさらに低減することができる。
【００６８】
また、実施形態２の製造方法においても、実施形態１の製造方法と同様に、第２のパターニング工程の上部電極膜４および下部電極膜２をエッチングによりパターニングする工程において、上部電極膜４の全膜厚エッチング所要時間（全膜厚をエッチングするのに要する時間、以下同じ）は、下部電極膜２の全膜厚エッチング所要時間以上であることが好ましい。
【００６９】
（実施形態３）
本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法のさらに他の実施形態は、図６の模式断面図および図７の模式上面図を参照して、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４を順次形成する工程（図６（ａ）を参照）と、第１のマスク１３を用いて上部電極膜４および絶縁膜３をパターニングする第１のパターニング工程（図６（ｂ）〜（ｄ）を参照）と、第１のパターニング工程によりパターニングがされた上部電極膜４および絶縁膜３、ならびに下部電極膜２を覆うように導電膜３１を形成する工程（図６（ｅ）、図７（１）を参照）と、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜４および絶縁膜３を覆うことにより導電膜３１の表面に生じた凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成された第２のマスク２３を用いて、上部電極膜４および下部電極膜２を互いに電気的に分離するようにパターニングする第２のパターニング工程（図６（ｆ）〜（ｈ）、図７（２）〜（４）を参照）とを含む。
【００７０】
すなわち、実施形態３の製造方法は、実施形態１または２の製造方法において、第１のパターニング工程と第２のパターニング工程との間に、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極および絶縁膜、ならびに下部電極膜を覆うように導電膜を形成する工程をさらに含み、第２のマスクは、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜および絶縁膜を覆うことにより導電膜の表面に生じた凸状パターンの上面における絶縁膜の外周より内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成されていることを特徴とする製造方法と理解することができる。なお、図６および図７においては、フォトマスクによりマスクを形成する工程が記載されていないが、実施形態１および２と同様にマスクを形成するためにフォトマスクを用いることは好適な方法である。
【００７１】
実施形態３の製造方法によれば、上部電極膜４および下部電極膜２のそれぞれに導電膜３１を積層することが可能となり、上部電極膜４および下部電極膜２の膜厚を大きくすることにより、薄膜デバイスの電極膜の電気抵抗を低減するとともに機械的強度を高めることができる。
【００７２】
実施形態３の薄膜デバイスの製造方法について具体的に説明する。本実施形態においても、上記のようにフォトマスクを用いてマスクを形成することが好適であるが、かかる方法は実施形態１および実施形態２と同様であるため、説明を省略する。
【００７３】
まず、図６（ａ）を参照して、実施形態１または２と同様にして、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４を順次形成する（下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜の形成工程）。
【００７４】
次に、図６（ｂ）〜（ｄ）を参照して、第１のパターニング工程として、実施形態１または２と同様にして、第１のエッチング工程（図６（ｂ）、（ｃ））および第１のマスクの除去工程（図６（ｄ））を行なうことにより、第１のマスク１３を用いて上部電極膜４および絶縁膜３をエッチング１０ｅによりパターニングする。
【００７５】
次に、図６（ｅ）、図７（１）を参照して、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極４および絶縁膜３ならびに下部電極膜２を覆うように導電膜３１を形成する（導電膜の形成工程）。導電膜としては、特に制限はないが、電極膜の電気抵抗を低減し機械的強度を高める観点から、Ａｕ膜、Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ｎｉ膜などが好ましい。導電膜の材質を適宜選択することにより、後述する引出し電極形成工程において、導電性ペーストなどの濡れ性を高めたり、ワイヤボンディングが容易にできるようになる。たとえば、導電膜としてＡｕ膜、Ａｇ膜などを選択すると、Ｐｔ膜などで形成される上部電極膜および下部電極膜よりも濡れ性が高まり、Ａｕ膜を選択すると上記ワイヤボンディングが容易となる。また、導電膜の形成方法は、特に制限はないが、膜厚精度が高く、緻密な膜がダメージなく得られるという観点から、スパッタリング法、真空蒸着法などが好適である。
【００７６】
次に、図６（ｆ）および（ｇ）、図７（２）および（３）を参照して、実施形態２と同様に、第２のフォトマスクを用いて、第１のパターニング工程によりパターニングされた上部電極膜４および絶縁膜３を覆うことにより導電膜３１の表面に生じた凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分と少なくとも側面の部分とに分離して形成された第２のマスク２３を用いて、上部電極膜４および下部電極膜２をエッチング２０ｅによりパターニングする（第２のエッチング工程）。
【００７７】
ここで、第２のマスク２３は、互いに分離している、上部電極膜４および絶縁膜３を覆うことにより導電膜３１の表面に生じた凸状パターンの上面における絶縁膜３の外周３ｅより内側の部分に形成されている内部マスク領域Ｅ21を有する内部マスク２３ａと、上部電極膜４および絶縁膜３を覆うことにより導電膜３１の表面に生じた凸状パターンの少なくとも側面の部分に形成されている外部マスク領域Ｅ22を有する外部マスク２３ｂとで構成される。ここで、第２のマスク２３の外部マスク２３ｂは、その外部マスク領域Ｅ22の内周２３ｉが絶縁膜３の外周３ｅより内側になるように形成されている。
【００７８】
ここで、また、上部電極膜４の外周４ｅは第２のマスク２３における内部マスク２３ａの内部マスク領域Ｅ21により規定される。より具体的には、上部電極膜４の外周４ｅは内部マスク２３ａの外周２３に沿ってパターニングされる。
【００７９】
また、下部電極膜２の外周２ｅは第２のマスク２３における外部マスク２３ｂの外部マスク領域Ｅ22により規定される。より具体的には、下部電極膜２の外周２ｅは外部マスク２３ｂの外周２３ｆに沿ってパターニングされる。
【００８０】
実施形態３においては、第２のマスク２３の外部マスク領域Ｐ22の内周２３ｉが絶縁膜３の外周３ｅよりも内側に位置しているため、外部マスク２３ｂによる外部電極膜４の外周部被覆領域Ｅ3の直下の導電膜３１および上部電極膜４はエッチングされず、絶縁膜３の外周部（外周３ｅの近傍部）上に、それぞれ導電膜３１および残り電極膜４ｒとして残存する。したがって、上部電極膜４上には導電膜３１が保持され、下部電極膜３の上の外部マスク領域Ｅ22には導電膜３１が保持されて、残り電極膜４ｒと電気的に接続する。
【００８１】
次いで、図６（ｈ）を参照して、第２のマスク２３を上部電極膜４および下部電極膜２から除去して、上部電極膜４および下部電極膜２のパターニング（第２のパターニング）が完了する（第２のマスクの除去工程）。
【００８２】
このようにして、基板１上に外周２ｅを有する下部電極膜２が形成され、下部電極膜２上にその外周２ｅより内側に位置する外周３ｅを有する絶縁膜３が形成され、絶縁膜３上にその外周３ｅより内側に位置する外周４ｅを有する上部電極膜４が形成されている薄膜デバイスが得られる。すなわち、基板１上に、下部電極膜２、絶縁膜３および上部電極膜４が、それらの外周が階段状に小さくなるように形成されている薄膜デバイスが得られる。
【００８３】
ここで、実施形態３の薄膜デバイスにおいては、上部電極膜４および下部電極膜２の外周部にはそれぞれ導電膜３１および残り導電膜３１ｒが積層されており、電極膜の電気抵抗が低減するとともに機械的強度が高くなる。なお、残り電極膜４ｒは導電膜３１を介して下部電極膜と電気的に接続しているが、残り電極膜４ｒと上部電極膜４とが電気的に分離されているため、薄膜デバイスとして問題はない。
【００８４】
実施形態３の製造方法により、上部電極膜４と下部電極膜２との絶縁が良好で特性が高く安定した薄膜デバイスが歩留まりよく得られる。また、実施形態２の製造方法により、１回の連続した３つの膜の形成工程と２回の膜パターニング工程により薄膜デバイスが歩留まりよく得られるため、薄膜デバイスの製造コストをさらに低減することができる。
【００８５】
また、実施形態３の製造方法においても、実施形態１の製造方法と同様に、第２のパターニング工程の上部電極膜４および下部電極膜２をエッチングによりパターニングする工程において、上部電極膜４の全膜厚エッチング所要時間（全膜厚をエッチングするのに要する時間、以下同じ）は、下部電極膜２の全膜厚エッチング所要時間以上であることが好ましい。
【００８６】
（実施形態４）
本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法のさらに他の実施形態は、図８の模式断面図を参照して、実施形態２による薄膜デバイスの製造方法に、さらに後工程を加えた製造方法である。図８においては、実施形態２で得られた薄膜デバイスを用いた後工程が示されているが、実施形態４の製造方法においては、実施形態１または３で得られた薄膜デバイスを用いることも好適である。
【００８７】
実施形態４の薄膜デバイスの製造方法について具体的に説明する。まず、図８（ａ）および（ｂ）を参照して、実施形態２と同様にして、薄膜デバイスを形成する（下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜の形成工程、第１および第２のパターニング工程）。
【００８８】
次に、図８（ｃ）を参照して、図８（ｂ）の薄膜デバイスに、上部電極膜４と下部電極膜２とのショート（短絡）を防止するための絶縁保護膜４１を形成する（絶縁保護膜の形成工程）。絶縁保護膜４１を形成する材料は、その目的を達成するものであれば特に制限はなく、ＳｉＮx、ＳｉＯx、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの無機材料、ポリイミドなどの有機材料が好ましく用いられる。また、絶縁保護膜４１の形成方法は、特に制限はなく、ＣＶＤ（化学気相堆積）法、スピンコート法などが可能である。
【００８９】
次に、図８（ｄ）を参照して、上部電極膜４に電気的に接続する引出し電極４３ｕと下部電極膜に電気的に接続する引出し電極４３ｄを形成する（引出し電極の形成工程）。引出し電極４３ｄ，４３ｕを形成する材料は、その目的を達成するものであれば特に制限なく、Ａｌ膜、Ａｇ膜、Ｃｕ／Ｔｉ膜などが好ましく用いられる。ここで、Ｃｕ／Ｔｉ膜とは、下からＴｉ膜、Ｃｕ膜の順に積層された膜をいい、たとえば、厚さ０．０５μｍのＴｉ膜上に厚さ０．５μｍのＣｕ膜が形成される。必要に応じて、上記引出し電極の最上層膜としてＮｉ膜、Ａｕ膜などを形成してもよい。また、引出し電極４３ｄ，４３ｕの形成方法は、特に制限がなく、スパッタリング法、めっき法、印刷法、電子ビーム蒸着法などが可能である。
【００９０】
さらに、図８（ｅ）を参照して、必要に応じて、上部電極膜４に電気的に接続する引出し電極４３ｕと下部電極膜に電気的に接続する引出し電極４３ｄの機械的保護およびショート（短絡）を防止するための絶縁保護膜４４を形成し、上部電極膜４に電気的に接続する引出し電極４３ｕに電気的に接続するハンダバンプ４５ｕと、下部電極膜２に電気的に接続する引出し電極４３ｄに電気的に接続するハンダバンプ４５ｄとを形成する（ハンダパンプの形成工程）。なお、はんだバンプ４５ｕ，４５ｄの代わりにワイヤーボンディングなどで外部回路と電気的に接続してもよい。
【００９１】
こうして、使用の態様に適した薄膜デバイスを製造することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。ここで、（ａ）は下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜の形成工程、（ｂ）は第１のフォトレジスト層の形成工程、（ｃ）は第１のフォトレジスト層の露光工程、（ｄ）は第１のマスクの形成工程、（ｅ）および（ｆ）は第１のエッチング工程、（ｇ）は第１のマスクの除去工程、（ｈ）は第２のフォトレジスト層の形成工程、（ｉ）は第２のフォトレジスト層の露光工程、（ｊ）は第２のマスクの形成工程、（ｋ）および（ｌ）は第２のエッチング工程、（ｍ）は第２のマスクの除去工程を示す。
【図２】本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法の一実施形態を部分的に示す模式上面図である。ここで、（１）〜（４）は、それぞれ、図１（ｆ）、（ｊ）、（ｌ）および（ｍ）に対応する模式上面図である。
【図３】本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法の他の実施形態を示す模式断面図である。ここで、（ａ）は下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜の形成工程、（ｂ）は第１のフォトレジスト層の形成工程、（ｃ）は第１のフォトレジスト層の露光工程、（ｄ）は第１のマスクの形成工程、（ｅ）および（ｆ）は第１のエッチング工程、（ｇ）は第１のマスクの除去工程、（ｈ）は第２のフォトレジスト層の形成工程、（ｉ）は第２のフォトレジスト層の露光工程、（ｊ）は第２のマスクの形成工程、（ｋ）および（ｌ）は第２のエッチング工程、（ｍ）は第２のマスクの除去工程を示す。
【図４】本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法の他の実施形態を部分的に示す模式上面図である。ここで、（１）〜（４）は、それぞれ、図３（ｆ）、（ｊ）、（ｌ）および（ｍ）に対応する模式上面図である。
【図５】本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法の他の実施形態において用いられる第１のフォトマスクおよび第２のフォトマスクの平面レイアウトを示す模式図である。ここで、（ａ）は第１のフォトマスクを示す模式下面図、（ｂ）は第２のフォトマスクを示す模式下面図、（ｃ）は（ａ）のＶＣ−ＶＣにおける模式断面図、（ｄ）は（ｂ）のＶＤ−ＶＤにおける模式断面図を示す。
【図６】本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法のさらに他の実施形態を示す模式断面図である。ここで、（ａ）は下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜の形成工程、（ｂ）および（ｃ）は第１のマスクを用いた第１のエッチング工程、（ｄ）は第１のマスクの除去工程、（ｅ）は導電膜の形成工程、（ｆ）および（ｇ）は第２のマスクを用いた第２のエッチング工程、（ｈ）は第２のマスクの除去工程を示す。
【図７】本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法のさらに他の実施形態を部分的に示す模式上面図である。ここで、（１）〜（４）は、それぞれ、図６（ｅ）〜（ｈ）に対応する模式上面図である。
【図８】本発明にかかる薄膜デバイスの製造方法のさらに他の実施形態を示す模式断面図である。ここで、（ａ）は下部電極膜、絶縁膜および上部電極膜の形成工程、（ｂ）は第１および第２のパターニング工程、（ｃ）は絶縁保護膜の形成工程、（ｄ）は引出し電極の形成工程、（ｅ）はハンダパンプの形成工程を示す。
【図９】薄膜デバイスの従来の製造方法の一例を示す模式断面図である。ここで、（ａ）は下部電極膜の形成工程、（ｂ）は下部電極膜のパターニング工程、（ｃ）は絶縁膜の形成工程、（ｄ）は絶縁膜のパターニング工程、（ｅ）は上部電極膜の形成およびパターニング工程を示す。
【図１０】薄膜デバイスの従来の製造方法の他の例を示す模式断面図である。ここで、（ａ）は上部電極膜、絶縁膜および下部電極膜をほぼ垂直に連続してエッチングして１回でパターニングする方法、（ｂ）は上部電極膜、絶縁膜および下部電極膜をテーパ状に連続してエッチングして１回でパターニングする方法、（ｃ）は上部電極膜および絶縁膜を連続してエッチングした後、下部電極膜をエッチングをして２回でパターニングする方法を示す。
【符号の説明】
【００９３】
１  基板、２  下部電極膜、２ｅ，３ｅ，４ｅ，１２ｅ，１３ｅ，２２ｅ，２２ｆ，２３ｅ，２３ｆ  外周、３  絶縁膜、４  上部電極膜、４ｒ  残り電極膜、１０ｄ，２０ｄ  露光、１０ｅ，２０ｅ  エッチング、１１  第１のフォトレジスト層、１２  第１のフォトマスク、１３  第１のマスク、２１  第２のフォトレジスト層、２２  第２のフォトマスク、２２ａ  内部フォトマスク、２２ｂ  外部フォトマスク、２２ｉ，２３ｉ  内周、２３  第２のマスク、２３ａ  内部マスク、２３ｂ  外部マスク、３１  導電膜、３１ｒ  残り導電膜、４１，４４  絶縁保護膜、４３ｄ，４３ｕ  引出し電極、４５ｄ，４５ｕ  ハンダバンプ、１２０，２２０  透明基板、Ｅ1  第１のマスク領域、Ｅ21  内部マスク領域、Ｅ22  外部マスク領域、Ｅ3  外周部被覆領域、Ｐ1  第１のフォトマスク領域、Ｐ21  内部フォトマスク領域、Ｐ22  外部フォトマスク領域、Ｐ3  重複領域。
【図１】
2008004876.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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