(57)【要約】【課題】絶縁層の静電気を除去できながら、導体パターン間の短絡を防止することのできる、配線回路基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】配線回路基板１では、導体層８の下の下地層７に、導体層８の幅方向両側端部から幅方向内側に浸食されるサイドエッチング部分９を、エッチングにより形成する。その後、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面および導体パターン４の表面に、導体パターン４の厚み方向上方からのスパッタリングにより、酸化金属からなる半導電性層５を、サイドエッチング部分９に切り目１０が形成されるように、形成する。この半導電性層５により、ベース絶縁層３やカバー絶縁層６に帯電する静電気を除去できながら、ベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層５と導体層８の表面に形成される半導電性層５との導通を遮断する切り目１０により、配線１１間におけるイオンマイグレーションを阻止できる。【選択図】図１
2008283074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成される導体パターンとを備え、
前記導体パターンは、前記絶縁層の上に形成される下地層と、前記下地層の上に形成される導体層とを備え、
前記下地層には、前記導体層の側端部から内側に浸食される浸食部分が形成されており、
前記絶縁層の表面および前記導体パターンの表面には、半導電性層が形成され、
前記半導電性層は、前記金属支持基板と接触するように形成されるとともに、前記浸食部分において、前記絶縁層の表面に形成される前記半導電性層と前記導体層の表面に形成される前記半導電性層との導通を遮断する切り目が形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記浸食部分の浸食方向の長さが、２．５μｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記半導電性層が、酸化金属からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
金属支持基板を用意する工程と、
前記金属支持基板の上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に下地層を形成する工程と、
前記下地層の上に導体層を形成する工程と、
前記導体層から露出する前記下地層をエッチングして、導体パターンを形成する工程と、
前記下地層をさらにエッチングして、前記下地層に、前記導体層の側端部から内側に浸食される浸食部分を形成する工程と、
前記導体パターンの厚み方向上方からスパッタリングすることにより、前記絶縁層の表面および前記導体パターンの表面に、半導電性層を、前記金属支持基板と接触するように、かつ、前記浸食部分において、前記絶縁層の表面に形成される前記半導電性層と前記導体層の表面に形成される前記半導電性層との導通を遮断する切り目が形成されるように、形成する工程と
を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路付サスペンション基板などの配線回路基板では、例えば、金属支持基板と、その上に形成されるベース絶縁層と、その上に形成される導体パターンと、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備えている。そして、このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
【０００３】
例えば、導体パターンから露出するベース絶縁層と、カバー絶縁層との間に、導体パターンおよび金属支持基板に接触する半導電性層が連続して介在された回路付サスペンション基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この回路付サスペンション基板では、半導電性層によって、ベース絶縁層やカバー絶縁層の静電気を除去することができる。
【特許文献１】特開２００６−３３２５４９号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図４は、特許文献１に記載される回路付サスペンション基板の長手方向に直交する幅方向の断面図を示す。図４に示すように、この回路付サスペンション基板３１は、金属支持基板３２と、その上に形成されるベース絶縁層３３と、その上に形成され、複数の配線４１を含む導体パターン３４と、導体パターン３４を被覆するように、ベース絶縁層３３の上に形成されるカバー絶縁層３６とを備えている。そして、半導電性層３５が、金属支持基板３２の表面、ベース絶縁層３３の表面および導体パターン３４の表面に、幅方向に沿って連続して形成されている。
【０００５】
しかるに、この回路付サスペンション基板３１を高温高湿下で使用すると、導体パターン３４を形成する導体（具体的には、銅）がイオン化し、これが半導電性層３５の内部または表面に沿って移行してしまい、互いに隣接する配線４１間において短絡を生じる場合がある。
本発明の目的は、絶縁層の静電気を除去できながら、導体パターン間の短絡を防止することのできる、配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される導体パターンとを備え、前記導体パターンは、前記絶縁層の上に形成される下地層と、前記下地層の上に形成される導体層とを備え、前記下地層には、前記導体層の側端部から内側に浸食される浸食部分が形成されており、前記絶縁層の表面および前記導体パターンの表面には、半導電性層が形成され、前記半導電性層は、前記金属支持基板と接触するように形成されるとともに、前記浸食部分において、前記絶縁層の表面に形成される前記半導電性層と前記導体層の表面に形成される前記半導電性層との導通を遮断する切り目が形成されていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の配線回路基板では、前記浸食部分の浸食方向の長さが、２．５μｍ以上であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記半導電性層が、酸化金属からなることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に下地層を形成する工程と、前記下地層の上に導体層を形成する工程と、前記導体層から露出する前記下地層をエッチングして、導体パターンを形成する工程と、前記下地層をさらにエッチングして、前記下地層に、前記導体層の側端部から内側に浸食される浸食部分を形成する工程と、前記導体パターンの厚み方向上方からスパッタリングすることにより、前記絶縁層の表面および前記導体パターンの表面に、半導電性層を、前記金属支持基板と接触するように、かつ、前記浸食部分において、前記絶縁層の表面に形成される前記半導電性層と前記導体層の表面に形成される前記半導電性層との導通を遮断する切り目が形成されるように、形成する工程とを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線回路基板およびその製造方法によれば、絶縁層が静電気により帯電しても、その静電気を半導電性層によって除去することができる。
また、半導電性層には、絶縁層の表面に形成される半導電性層と導体層の表面に形成される半導電性層との導通を遮断する切り目が形成されている。そのため、配線回路基板の高温高湿下における使用において、導体層を形成する導体がイオン化しても、その切り目によって導体層間における半導電性層に沿ったイオンの移行（イオンマイグレーション）を阻止することができる。
【０００９】
その結果、絶縁層の静電気を十分に除去できながら、導体パターンでの短絡を防止することができる。
しかも、本発明の配線回路基板の製造方法では、下地層のエッチングおよび半導電性層のスパッタリングという簡便な方法で、半導電性層を上記した形状で形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図であって、（ａ）は、配線回路基板の長手方向に直交する幅方向における断面図、（ｂ）は、その部分拡大図を示す。
図１において、この配線回路基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びる金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３とを備えている。また、配線回路基板１は、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の表面および導体パターン４の表面に形成される半導電性層５と、半導電性層５を被覆するカバー絶縁層６とを備えている。
【００１１】
金属支持基板２は、平面視において配線回路基板１の外形形状に対応するように形成されており、平板状の金属箔や金属薄板からなる。
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の表面に形成されている。より具体的には、ベース絶縁層３は、導体パターン４に対応する部分に形成されており、長手方向および幅方向に連続して形成されている。
【００１２】
導体パターン４は、ベース絶縁層３の上であって、幅方向において互いに間隔を隔てて配置され、長手方向に沿って平行状に設けられる複数（例えば、４本）の配線１１と、各配線１１の長手方向両端部に設けられる図示しない端子部とを備える配線回路パターンとして形成されている。
各配線１１（後述する導体層８）の幅Ｗ１（図１（ｂ）参照）は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜５００μｍであり、各配線１１（導体層８）間の間隔は、例えば、１０〜５００μｍである。
【００１３】
また、導体パターン４は、ベース絶縁層３の上に形成される下地層７と、下地層７の上に形成される導体層８とを備えている。
導体層８は、図１（ｂ）に示すように、各配線１１において、断面略矩形状に形成されている。
下地層７は、厚み方向において、ベース絶縁層３および導体層８の間に介在されている。また、下地層７は、断面視において、下方に向うに従って幅狭となる略逆三角台形状に形成されている。下地層７の幅方向両側端部には、導体層８の幅方向両端部から幅方向内側に浸食される浸食部分としてのサイドエッチング部分９が形成されている。
【００１４】
各サイドエッチング部分９は、上端縁が導体層８の側端縁に隣接し、その上端縁から幅方向内側に向かうに従って下方へ傾斜し、下端縁が導体層８の側端縁よりも幅方向内側においてベース絶縁層３と隣接するように形成されている。なお、サイドエッチング部分９は、後述する下地層７のサイドエッチング（図２（ｄ’）および図３（ｅ）参照）により形成される。
【００１５】
各サイドエッチング部分９の幅（浸食方向の長さ）Ｗ２、より具体的には、各サイドエッチング部分９の幅方向外側端縁と幅方向内側端縁との間の幅方向長さＷ２は、例えば、２．５μｍ以上、好ましくは、２．８μｍ以上であり、通常、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、５．０μｍ以下である。
また、各サイドエッチング部分９の幅Ｗ２は、各配線１１の幅Ｗ１によって適宜選択され、各配線１１の幅Ｗ１が１０μｍ以上３０μｍ未満である場合には、例えば、２．５〜５μｍ、好ましくは、２．５〜３．５μｍである。また、各サイドエッチング部分９の幅Ｗ２は、各配線１１の幅Ｗ１が３０μｍ以上５０μｍ未満である場合には、例えば、２．５〜１０μｍ、好ましくは、２．５〜５μｍである。また、各サイドエッチング部分９の幅Ｗ２は、各配線１１の幅Ｗ１が５０μｍ以上１００μｍ未満である場合には、例えば、２．５〜２０μｍ、好ましくは、２．５〜１０μｍである。また、各サイドエッチング部分９の幅Ｗ２は、各配線１１の幅Ｗ１が１００μｍ以上である場合には、例えば、２．５〜５０μｍ、好ましくは、２．５〜１０μｍである。
【００１６】
各サイドエッチング部分９の幅Ｗ２が、上記範囲に満たない場合には、半導電性層５に後述する切り目１０を確実に形成できない場合があり、あるいは、切り目１０を形成できても、半導電性層５に沿うイオンマイグレーションを有効に防止できない場合がある。一方、サイドエッチング部分９の幅Ｗ２が、上記範囲を超える場合には、配線１１が倒れてベース絶縁層３から剥離する場合がある。
【００１７】
半導電性層５は、導体パターン４の表面、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面、および、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面に、長手方向において延びるように形成されている。より具体的には、半導電性層５は、導体層８の上面および幅方向両側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および幅方向両側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、長手方向において延びるように形成されている。
【００１８】
一方、半導電性層５は、各配線１１間において連続して形成されないように、形成されている。すなわち、半導電性層５は、各配線１１間において、下地層７の幅方向両側面、すなわち、各サイドエッチング部分９には形成されておらず、これにより、半導電性層５には、その連続しない部分が、切り目１０として形成されている。
各切り目１０は、サイドエッチング部分９に対応して形成され、各配線１１に沿って延びるように形成されている。これにより、半導電性層５の各配線１１間における導通、より具体的には、ベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層５と、導体層８の表面に形成される半導電性層５との導通が、遮断されている。
【００１９】
カバー絶縁層６は、ベース絶縁層３の上に、半導電性層５を被覆するように形成されている。すなわち、カバー絶縁層６は、半導電性層５の表面に、長手方向および幅方向に連続して形成されている。
また、カバー絶縁層６は、サイドエッチング部分９内に充填されている。より具体的には、カバー絶縁層６は、サイドエッチング部分９内において、切り目１０から露出するベース絶縁層３の表面および切り目１０から露出する下地層７の幅方向両側面に形成されている。
【００２０】
図２および図３は、図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であり、図１（ａ）に対応する断面図である。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図２および図３を参照して、説明する。
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
【００２１】
金属支持基板２としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属箔が用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、上記したパターンで形成する。
【００２２】
ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる。耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。
ベース絶縁層３を上記したパターンで形成するには、例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、金属支持基板２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
【００２３】
このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図２（ｃ）および（ｄ）に示すように、下地層７および導体層８を、ベース絶縁層３の上に形成する。
下地層７を形成する金属としては、例えば、銅、クロムなどが用いられる。また、導体層８を形成する導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
【００２４】
下地層７および導体層８を形成するには、図２（ｃ）に示すように、まず、下地層７を、金属支持基板２を含むベース絶縁層３の表面全面に形成する。下地層７の形成では、例えば、スパッタリング、めっきなどが用いられ、好ましくは、スパッタリングが用いられる。スパッタリングでは、例えば、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
【００２５】
このようにして形成される下地層７の厚みは、例えば、２０〜５００ｎｍ、好ましくは、５０〜３００ｎｍであり、より具体的には、例えば、クロム薄膜の厚みが、１０〜１００ｎｍ、銅薄膜の厚みが、１０〜２００ｎｍである。
次いで、図２（ｄ）に示すように、導体層８を、下地層７の上に上記した配線回路パターンで形成する。
【００２６】
導体層８は、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、形成する。
アディティブ法では、まず、下地層７の上面に、配線回路パターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する下地層７の上面に、電解めっきにより、導体パターン４を配線回路パターンで形成する。その後、めっきレジストを、エッチングや剥離などにより除去する。
【００２７】
このようにして形成される導体層８は、その厚みが、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
次いで、この方法では、図２（ｄ’）および図３（ｅ）に示すように、導体層８から露出する下地層７をエッチングして、導体パターン４を形成し、続いて、導体層８の下の下地層７をさらにエッチング（サイドエッチング）して、下地層７に、サイドエッチング部分９を形成する。
【００２８】
導体層８から露出する下地層７のエッチングおよび導体層８の下の下地層７のサイドエッチングでは、例えば、プラズマエッチングなどのドライエッチング、例えば、化学エッチングなどのウエットエッチングなどが用いられ、好ましくは、ウエットエッチングが用いられる。
ウエットエッチングでは、例えば、導体層８が形成された配線回路基板１を、エッチング液に浸漬する。エッチング液としては、下地層７を形成する金属の種類に応じて適宜選択され、例えば、下地層７の金属が銅およびクロムである場合には、過酸化水素水および硝酸の混合液などが用いられる。ウエットエッチングでは、エッチング液の温度を、例えば、３０〜３８℃に設定し、エッチング液の浸漬時間を、例えば、０．５〜５分間、好ましくは、１〜２分間に設定する。
【００２９】
このエッチングによって、まず、図２（ｄ’）に示すように、導体層８から露出する下地層７が除去される。続いて、図３（ｅ）に示すように、導体層８の下の下地層７の幅方向両側端部がサイドエッチングにより除去され、サイドエッチング部分９が形成される。なお、下地層７のエッチングとともに、導体層８の表面がエッチングされるが、導体層８は、下地層７に比べ十分に厚く形成されているため、かかるエッチングによる導体層８の厚みの変化は無視できる。
【００３０】
次いで、この方法では、図３（ｆ）に示すように、半導電性層５を、導体層８の表面、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面、および、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面に形成する。
半導電性層５を形成する半導電性材料としては、金属または導電性樹脂が用いられ、好ましくは、金属が用いられる。
【００３１】
金属は、例えば、酸化金属などが用いられる。半導電性層５として酸化金属を用いる場合には、半導電性層５を均一な厚みに形成することができる。酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。
【００３２】
酸化金属からなる半導電性層５の形成は、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、例えば、反応性スパッタリングする方法、例えば、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。
金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法では、例えば、クロムなどの金属をターゲットとし、スパッタリング装置において、導体パターン４が形成された配線回路基板１を、導体パターン４側がターゲットと対向するように設置する。次いで、アルゴンなどの不活性ガスを導入しながらスパッタリングする。その後、必要に応じて、加熱炉などを用いて、大気中で、５０〜４００℃、１分間〜１２時間、加熱により酸化することにより、酸化金属からなる半導電性層５を形成する。
【００３３】
反応性スパッタリングする方法では、例えば、クロムなどの金属をターゲットとし、スパッタリング装置において、導体パターン４が形成された配線回路基板１を、導体パターン４側がターゲットと対向するように設置する。次いで、酸素を含む反応性ガスを導入しながらスパッタリングすることにより、酸化金属からなる半導電性層５を形成する。
酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法では、例えば、酸化クロムなどの酸化金属をターゲットとし、スパッタリング装置において、導体パターン４が形成された配線回路基板１を、導体パターン４側がターゲットと対向するように設置する。次いで、アルゴンなどの不活性ガスを導入しながらスパッタリングすることにより、酸化金属からなる半導電性層５を形成する。
【００３４】
なお、このような酸化金属からなる半導電性層５は、例えば、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠して形成することができる。
このスパッタリングにおいて、ターゲットとしての金属または酸化金属が飛散しながら、図３（ｆ）の矢印で示すように、導体パターン４の厚み方向上方から下方に向かって、導体層８の表面、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面、および、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面に向かって、付着する。そのため、金属または酸化金属は、サイドエッチング部分９には、付着せず、これにより、半導電性層５は、サイドエッチング部分９において、切り目１０が形成されるように、形成される。
【００３５】
このようにして形成される半導電性層５の厚みは、例えば、５〜５０ｎｍ、好ましくは、１０〜２０ｎｍである。
次いで、この方法では、図３（ｇ）に示すように、カバー絶縁層６を、半導電性層５を被覆するパターンで形成する。
カバー絶縁層６は、ベース絶縁層３と同様の樹脂からなり、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。
【００３６】
カバー絶縁層６を上記したパターンで形成するには、例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、半導電性層５（切り目１０から露出するベース絶縁層３を含む）の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
【００３７】
このようにして形成されるカバー絶縁層６の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、３〜５μｍである。
その後、図示しないが、導体パターン４の端子部の上面に形成されている半導電性層５を、エッチングなどにより除去した後、金属支持基板２を所望の形状に外形加工して、配線回路基板１を得る。
【００３８】
このようにして形成される配線回路基板１においては、金属支持基板および導体パターン間の電気抵抗が、例えば、１×１０8Ω以上、好ましくは、１×１０9Ω以上、通常、１×１０13Ω以下に設定されている。なお、金属支持基板および導体パターン間の電気抵抗の値が低いほど、導体パターン間が短絡し易いことを示す。
そして、このようにして得られる配線回路基板１では、ベース絶縁層３やカバー絶縁層６が、静電気により帯電しても、その静電気を半導電性層５によって除去することができる。
【００３９】
また、半導電性層５には、ベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層５と導体パターン４の表面に形成される半導電性層５との導通を遮断する切り目１０が形成されている。そのため、配線回路基板１の高温高湿下における使用において、導体層８を形成する導体、および、下地層７を形成する金属がイオン化しても、その切り目１０によって、各配線１１間において、これらのイオンの半導電性層５に沿った移行（イオンマイグレーション）を阻止することができる。
【００４０】
その結果、ベース絶縁層３やカバー絶縁層６の静電気を十分に除去できながら、各配線１１間の短絡を防止することができる。
しかも、この配線回路基板１の製造方法では、下地層７のエッチング（図２（ｄ’））、サイドエッチング（図３（ｅ）参照）および半導電性層５のスパッタリング（図３（ｆ）参照）という簡便な方法で、半導電性層５を上記した形状で形成することができる。
【００４１】
なお、図示しないが、この配線回路基板１では、端子部においても、各配線１１と同様に、端子部の下地層７の周端部に、端子部の導体層８の周端部から内側に浸食されるサイドエッチング部分９が形成されている。これにより、端子部における半導電性層５には、切り目１０が形成されている。そのため、配線回路基板１の高温高湿下における使用においても、各端子部間において、端子部の導体層８の導体および下地層７の金属のイオンマイグレーションを阻止することができる。
【００４２】
なお、上記の説明では、図１（ｂ）の実線で示すように、半導電性層５は、サイドエッチング部分９内に全く形成されていないが、半導電性層５は、切り目１０が形成されるように形成されていればよく、図１（ｂ）の仮想線で示すように、サイドエッチング部分９内に部分的に形成されている場合も許容される。
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、金属支持基板２を備える回路付サスペンション基板として例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、金属支持基板２を補強層として備えるフレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。
【実施例】
【００４３】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意し（図２（ａ）参照）、次いで、金属支持基板の全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を、上記したパターンで形成した（図２（ｂ）参照）。
【００４４】
次いで、金属支持基板を含むベース絶縁層の表面全面に、下地層を形成した（図２（ｃ）参照）。下地層は、厚み３０ｎｍのクロム薄膜と厚み７０ｎｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した。
次いで、アディティブ法により、導体層を、下地層の上に上記した配線回路パターンで形成した（図３（ｄ）参照）。
【００４５】
アディティブ法では、ドライフィルムレジストからなるめっきレジストを、下地層の表面に設けて、それを露光および現像することにより、配線回路パターンの逆パターンで形成した。次いで、めっきレジストから露出する下地層の表面に、厚み１０μｍの導体層を、電解銅めっきにより形成した。各配線の幅は３０μｍであり、各配線間の間隔は、３０μｍであった。
【００４６】
次いで、導体層から露出する下地層をエッチングして（図２（ｄ’）参照）、続いて、その下地層をサイドエッチングして、下地層にサイドエッチング部分を形成した（図３（ｅ）参照）。
導体層から露出する下地層のエッチングおよび導体層の下の下地層のサイドエッチングでは、製造途中の配線回路基板を、３５℃の過酸化水素水および硝酸の混合水溶液（過酸化水素濃度：３５重量％、硝酸濃度２０重量％）に、１分間、浸漬した。サイドエッチング部分の幅は３．０μｍであった。なお、サイドエッチング部分の幅は、断面観察により、測定した。
【００４７】
次いで、酸化クロムからなる半導電性層を、導体層の表面、導体パターンから露出するベース絶縁層の表面、および、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の表面に、長手方向に延びるように形成した（図３（ｆ）参照）。酸化クロムからなる半導電性層は、クロムをターゲットとし、スパッタリング装置においてターゲットと導体パターンとが対向配置されるようにスパッタリングして、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜を形成した後、これを加熱により酸化して、形成した。
【００４８】
スパッタリングは、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠する方法で、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１．３３×１０-3Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０-3ｍ3／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ１８０Ｗ
スパッタリング時間：５秒
スパッタリング皮膜の厚み：７ｎｍ
また、加熱による酸化では、スパッタリング皮膜を、１２５℃、１２時間、大気中で加熱した。この半導電性層には、サイドエッチング部分において切り目が形成された。半導電性層の厚みは、７ｎｍであった。
【００４９】
次いで、半導電性層の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を、上記したパターンで形成した（図３（ｇ）参照）。なお、上記したカバー絶縁層を、端子部に対応する部分が開口されるように、形成した。
その後、端子部の上面に形成された半導電性層を、エッチングにより除去した後、金属支持基板を外形加工して、回路付サスペンション基板を得た。
【００５０】
実施例２
導体層から露出する下地層のエッチングおよび導体層の下の下地層のサイドエッチングにおける浸漬時間を、１．５分間に変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。なお、サイドエッチング部分の幅は３．３μｍであった。
実施例３
導体層から露出する下地層のエッチングおよび導体層の下の下地層のサイドエッチングにおける浸漬時間を、２分間に変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。なお、サイドエッチング部分の幅は３．５μｍであった。
【００５１】
実施例４
導体層から露出する下地層のエッチングおよび導体層の下の下地層のサイドエッチングにおける浸漬時間を、０．５分間に変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。なお、サイドエッチング部分の幅は２．０μｍであった。
比較例１
導体層から露出する下地層のエッチングにおける浸漬時間を、０．３分間に変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図４参照）。なお、上記したエッチングでは、下地層にサイドエッチング部分が形成されなかった（図２（ｄ’）参照）。また、半導電性層は、幅方向において連続して形成され、切り目が形成されなかった。
【００５２】
評価
（１）  金属支持基板および導体パターン間の電気抵抗
各実施例および比較例で得られた回路付サスペンション基板において、金属支持基板および導体パターン間の電気抵抗を、抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ＵＰ  ＭＣＰ−ＨＴ４５０）により測定した。その結果を表１に示す。
（２）  導体パターン間における短絡までの時間
各実施例および比較例で得られた回路付サスペンション基板において、互いに隣接する配線間に６Ｖの電圧をかけ、その状態で８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下に放置して、導体パターン間における短絡を生じるまでの時間を測定した。その結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
2008283074.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図であって、（ａ）は、幅方向における断面図、（ｂ）は、その部分拡大図を示す。
【図２】図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であり、図１（ａ）に対応する断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ａ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、下地層を、金属支持基板を含むベース絶縁層の表面全面に形成する工程、（ｄ）は、導体層を、下地層の上に形成する工程を示す。（ｄ’）は、導体層から露出する下地層をエッチングする工程を示す。
【図３】図２に続いて、図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であり、図１（ａ）に対応する断面図であって、（ｅ）は、導体層の下の下地層をサイドエッチングする工程、（ｆ）は、半導電性層を、金属支持基板、ベース絶縁層および導体パターンの表面に、切り目が形成されるように、形成する工程、（ｇ）は、カバー絶縁層を、半導電性層の表面に形成する工程を示す。
【図４】回路付サスペンション基板の幅方向の断面図を示す。
【符号の説明】
【００５５】
１    回路付サスペンション基板
２    金属支持基板
３    ベース絶縁層
４    導体パターン
５    半導電性層
７    下地層
８    導体層
９    サイドエッチング部分
１０  切り目
１１  配線
【図１】
2008283074.tif 000004
【図２】
2008283074.tif 000005
【図３】
2008283074.tif 000006
【図４】
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