(57)【要約】【課題】共通電極の形成時にゲート配線及びコモン配線がエッチング液に触れないようにしてその断面形状が設計形状から変化しないようにし、ゲート配線、コモン配線ないしソース配線の断線故障が抑制され、信頼性が高い横電界方式の表示装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】複数の互いに平行に配置されたゲート配線１２及びコモン配線１３を有するとともに、画素毎に絶縁膜１５、１８を介して透明導電性材料からなる共通電極１４と画素電極２１とが互いに積層配置され、前記共通電極１４が前記コモン配線１３Ａに接続される横電界方式の表示装置において、前記コモン配線１３Ａは前記共通電極１４上に形成されていることを特徴とする。【選択図】図２
2008310210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の互いに平行に配置されたゲート配線及びコモン配線を有するとともに、画素毎に
絶縁膜を介して透明導電性材料からなる第１電極と第２電極とが互いに積層配置され、前
記第１電極が前記コモン配線に接続される横電界方式の表示装置において、
前記コモン配線は前記第１電極上に形成されていることを特徴とする横電界方式の表示
装置。
【請求項２】
前記第２電極は複数の平行に形成されたスリットを備えていることを特徴とする請求項
１に記載の横電界方式の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は複層構造を有し、前記複層構造の絶縁膜の間にソース配線が前記ゲート配
線及びコモン配線と直交するように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記
載の横電界方式の表示装置。
【請求項４】
透明基板上に透明導電性材料からなる膜を形成する工程、
前記透明導電性材料からなる膜を、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、
画素毎に所定パターンの第１電極に形成する工程、
前記第１電極が形成された透明基板の表面全体に亘ってゲート配線材料からなる膜を形
成する工程、
前記ゲート配線材料からなる膜を、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、
互いに平行に、前記第１電極とは接しないゲート配線と、前記第１電極上に位置するコモ
ン配線とに形成する工程、
前記ゲート配線及びコモン配線が形成された基板の表面を絶縁膜によって被覆した後、
画素毎に第２電極を形成する工程、
とを有することを特徴とする横電界方式の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記透明導電性材料及びゲート配線材料のエッチング法が湿式エッチング法であること
を特徴とする請求項４に記載の横電界方式の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリンジフィールドスイッチング（Fringe Field Switching：以下、「ＦＦ
Ｓ」という。）モード等の横電界方式の表示装置及びその製造方法に関する。本発明は、
特に共通電極の形成時にゲート配線及びコモン配線がエッチング液に触れないようにして
その断面形状が設計形状から変化しないようにし、ゲート配線、コモン配線ないしソース
配線の断線故障が抑制され、信頼性が高い横電界方式の表示装置及びその製造方法に関す
る。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表面に電極等が形成された一対の透明基板と、この一対の基板間に挟
持された液晶層とを有し、両基板上の電極に電圧を印加することによって液晶を再配列さ
せて種々の情報を表示する縦方向電界方式のものが多く使用されている。このような縦方
向電界方式の液晶表示装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードのものが一般的であるが
、視野角が狭いという問題点が存在するため、ＶＡ（Vertical Alignment）モードやＭＶ
Ａ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等、種々の改良された縦方向電界方式の
液晶表示装置が開発されている。
【０００３】
一方、上述の縦方向電界方式の液晶表示装置とは異なり、一方の基板にのみ画素電極及
び共通電極からなる一対の電極を備えたＩＰＳ（In-Plane Switching）モードないしＦＦ
Ｓモード等の横方向電界モードの液晶表示装置も知られている。
【０００４】
このうちＩＰＳモードの液晶表示装置は、一対の電極を同一層に配置し、液晶に印加す
る電界の方向を基板にほぼ平行な方向として液晶分子を基板に平行な方向に再配列するも
のである。そのため、このＩＰＳモードの液晶表示装置は、前述の縦方向電界方式の液晶
表示装置と比すると非常に広視野角であるという利点を有している。しかしながら、ＩＰ
Ｓモードの液晶表示装置は、液晶に電界を印加するため一対の電極が同一層に設けられて
いるため、画素電極の上側に位置する液晶分子は十分に駆動されず、透過率等の低下を招
いてしまうといった問題点が存在している。
【０００５】
このようなＩＰＳモードの液晶表示装置の問題点を解決するために、ＦＦＳモードの液
晶表示装置が開発されている（下記特許文献１及び２参照）。このＦＦＳモードの液晶表
示装置は液晶層に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介して異
なる層に配置したものである。
【０００６】
このＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰＳモードの液晶表示装置よりも広視野角かつ
高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共により高透過率であるため明るい表
示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰ
Ｓモードの液晶表示装置よりも平面視で画素電極と共通電極との重複面積が大きいために
、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける必要がなくなるという長
所も存在している。
【特許文献１】特開２００１−２３５７６３号公報
【特許文献２】特開２００２−１８２２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板は、透明基板上にそれぞれの画素毎に
形成された透明導電性材料からなる共通電極と、この共通電極の表面に形成された窒化珪
素等からなる絶縁膜と、この共通電極に対応する位置の絶縁膜の表面に形成された複数の
互いに平行に形成されたスリットを有する透明電極材料からなる画素電極と、を備えてい
る。このうち、透明電極材料からなる共通電極及び画素電極は、ＩＴＯ（Indium Thin Ox
ide）やＩＺＯ（Indium Zink Oxide）から作成されている。このような従来例のＦＦＳモ
ードの液晶表示装置は、ゲート配線及びコモン配線の断線故障がかなり見受けられ、更に
はソース配線もゲート配線ないしコモン配線との交差部において断線故障が時折見受けら
れた。
【０００８】
発明者等はこのようなゲート配線、コモン配線ないしソース配線の断線故障の生成原因
を調べるべく種々検討を重ねた結果、特にゲート配線及びコモン配線は、２度もエッチン
グ液に触れるために過剰にエッチングされ、断面形状が設計形状から変化していることが
原因であることに見出した。ゲート配線及びコモン配線が２度もエッチング液に触れる理
由は次のとおりである。
【０００９】
すなわち、共通電極は、最初に透明基板上に複数のゲート配線及びコモン配線を互いに
平行となるように形成した後、表面全体に亘って透明電極材料からなる膜を形成し、フォ
トリソグラフィー法によって所定のパターンに形成される。ところが、ゲート配線及びコ
モン配線は、通常は表面がＭｏで被覆されたＡｌ又はＡｌ合金から形成され、所定のパタ
ーンに形成するためには湿式エッチング法が採用されている。また、透明導電性材料のエ
ッチングにも同じく湿式エッチング法が採用されている。
【００１０】
そうすると、一旦湿式エッチング法によって所定のパターンに形成されたゲート配線及
びコモン配線は透明電極材料のエッチングが進むに従って再度エッチング液に露出される
ことになる。そのため、ゲート配線及び各画素間のコモン配線は２度もエッチング液に接
触することになるので、ゲート配線及びコモン配線は過剰にエッチングされてその断面形
状が設計形状から変化してしまうこととなるわけである。なお、ソース配線のゲート配線
ないしコモン配線との交差部における断線故障もこのゲート配線ないしコモン配線の断面
形状の変化に起因するものと推定される。
【００１１】
このようなゲート配線、コモン配線ないしソース配線の断線故障は、共通電極の形成時
にゲート配線及びコモン配線がエッチング液に触れることがない構成とすれば、抑制する
ことが可能である。そこで、発明者等は、上述のような共通電極の形成時にゲート配線及
びコモン配線がエッチング液に触れることがない構成のＦＦＳモードの液晶表示装置を得
るべく種々検討を重ねた結果、最初に共通電極を形成した後にゲート配線及びコモン配線
を形成することにより達成できることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００１２】
すなわち、本発明は、共通電極の形成時にゲート配線及びコモン配線がエッチング液に
触れないようにしてその断面形状が設計形状から変化しないようにし、ゲート配線、コモ
ン配線ないしソース配線の断線故障が抑制され、信頼性が高いＦＦＳモード等の横方向電
界方式の表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記第１の目的を達成するため、本発明の横電界方式の表示装置は、複数の互いに平行
に配置されたゲート配線及びコモン配線を有するとともに、画素毎に絶縁膜を介して透明
導電性材料からなる第１電極と第２電極とが互いに積層配置され、前記第１電極が前記コ
モン配線に接続される横電界方式の表示装置において、前記コモン配線は前記第１電極上
に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の横電界方式の表示装置においては、前記第１電極が共通電極を構成し、前記第
２電極が画素電極を構成する。なお、本発明の横電界方式の表示装置は、周知例の場合と
同様にゲート配線も形成されているが、このゲート配線は周知例の場合と同様にコモン配
線と平行にかつ前記第１電極及び第２電極とは接触しないように形成されている。
【００１５】
本発明の横電界方式の表示装置によれば、コモン配線が第１電極上に形成されているた
め、コモン配線は第１電極を形成した後にゲート配線と同時に形成できる。したがって、
第１電極を形成する際には、ゲート配線もコモン配線も存在していないので、従来例のよ
うに第１電極を形成する際にゲート配線及びコモン配線がエッチング液に触れることがな
いため、ゲート配線及びコモン配線共に過剰にエッチングされることがなくなる。従って
、本発明の横電界方式の表示装置によれば、ゲート配線及びコモン配線が過剰にエッチン
グされたことを起因とする断線故障が抑制された、信頼性が高い横方向電界方式の表示装
置となる。
【００１６】
また、本発明の横電界方式の表示装置においては、前記第２電極は複数の平行に形成さ
れたスリットを備えているものとすることができる。
【００１７】
係る態様の横電界方式の表示装置によれば、横電界方式の表示装置の一種であるＦＦＳ
モードの表示装置が得られる。
【００１８】
また、本発明の横電界方式の表示装置においては、前記絶縁膜は複層構造を有し、前記
複層構造の絶縁膜の間にソース配線が前記ゲート配線及びコモン配線と直交するように形
成されているものとすることができる。
【００１９】
係る態様の横電界方式の表示装置によれば、ゲート配線及びコモン配線は、過剰にエッ
チングされることがなくなっているので、それらの断面形状は実質的に設計形状と同じで
ある。したがって、ゲート配線ないしコモン配線との交点での段差が急変することがなく
なるので、これらの交点でのソース配線の断線故障が減少し、信頼性が高い横方向電界方
式の表示装置となる。
【００２０】
更に、上記第２の目的を達成するため、本発明の横電界方式の表示装置の製造方法は、
透明基板上に透明導電性材料からなる膜を形成する工程、
前記透明導電性材料からなる膜を、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、
画素毎に所定パターンの第１電極に形成する工程、
前記第１電極が形成された透明基板の表面全体に亘ってゲート配線材料からなる膜を形
成する工程、
前記ゲート配線材料からなる膜を、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、
互いに平行に、前記第１電極とは接しないゲート配線と、前記第１電極上に位置するコモ
ン配線とに形成する工程、
前記ゲート配線及びコモン配線が形成された基板の表面を絶縁膜によって被覆した後、
画素毎に第２電極を形成する工程、
とを有することを特徴とする。
【００２１】
本発明の横電界方式の表示装置の製造方法によれば、コモン配線は第１電極を形成した
後にゲート配線と同時に形成されている。そのため、第１電極を形成する際には、ゲート
配線もコモン配線も存在していないので、従来例のように第１電極を形成する際にゲート
配線及びコモン配線がエッチング液に触れることがないため、ゲート配線及びコモン配線
共に過剰にエッチングされることがなくなる。従って、本発明の横電界方式の表示装置の
製造方法によれば、ゲート配線及びコモン配線が過剰にエッチングされることに起因する
断線故障が抑制され、信頼性が高い横方向電界方式の表示装置を製造することができるよ
うになる。
【００２２】
加えて、コモン配線を第１電極上に形成したから、透明基板の表面に元キズがあった際
に発生しやすい断線に対してもカバーリング効果が発生するので、コモン配線の断線故障
をより低減させることができる。なお、透明基板の表面に元キズがあった場合には、第１
電極に対しても同様の悪影響が生じる可能性があるが、第１電極は独立パターンであるこ
とから第１電極の断線の心配はなく、従来例のようにコモン配線を第１電極の下に形成す
る場合と比すると、第１電極の断線リスクは遙かに小さくなる。
【００２３】
また、本発明の横電界方式の表示装置の製造方法は、前記透明導電性材料及びゲート配
線材料のエッチング法が湿式エッチング法を採用し得る。
【００２４】
上述のようなゲート配線及びコモン配線の過剰エッチングの問題は前記透明導電性材料
及びゲート配線材料のエッチング法が湿式エッチング法の場合に現れるものである。従っ
て、係る態様の横電界方式の表示装置の製造方法によれば、本発明の上記効果が特に顕著
に表れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、実施例、比較例及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態をＦＦＳ
モードの表示装置を例にとり説明する。しかしながら、以下に示す実施例は、本発明をこ
こに記載したものに限定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示
した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものであ
る。
【００２６】
なお、図１は実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板の２画素分の概略平面
図である。図２は図１のII−II線に沿った概略断面図である。図３は図１のIII−III線に
沿った概略断面図である。図４Ａは実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置の共通電極形成
工程の形成工程を示す１画素分の斜視図であり、図４Ｂは図４ＡのIVB−IVB線に沿った断
面図である。また、図５Ａは実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のゲート配線及びコモ
ン配線形成工程を示す１画素分の斜視図であり、図５Ｂは図５ＡのVB−VB線に沿った断面
図である。図６Ａ〜図６Ｅは実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のゲート絶縁膜形成工
程以降の工程を順を追って示す図１のII−II線に沿った部分の断面図である。
【００２７】
また、図７は比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板の図１のII−II線に対
応する部分の概略断面図である。図８Ａは比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置の共通電
極形成工程の形成工程を示す斜視図であり、図８Ｂは図８ＡのVIIIB−VIIIB線に沿った断
面図である。また、図９Ａは比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置のゲート配線及びコモ
ン配線形成工程を示す斜視図であり、図９Ｂは図９ＡのIXB−IXB線に沿った断面図である
。図１０Ａ〜図１０Ｅは比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置のゲート絶縁膜形成工程以
降の工程を順を追って示す図１のII−II線に対応する部分の断面図である。
【実施例１】
【００２８】
実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａを図１〜図６を参照して製造工程順に説明
する。この実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａのアレイ基板ＡＲは、ガラス基板
等の透明基板１１の表面全体に亘って例えばＩＴＯからなる透明導電性材料からなる膜を
形成し、次いで、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって画素毎に所定形
状の共通電極１４を形成する（図４Ａ及び図４Ｂ参照）。
【００２９】
次いで、下部がＡｌ金属からなり、表面がＭｏ金属からなる２層膜を形成した後、フォ
トリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって、Ｍｏ／Ａｌの２層配線からなる複数
のゲート配線１２及び複数のコモン配線１３Ａを互いに平行になるように形成する（図５
Ａ及び図５Ｂ参照））。なお、ここではコモン配線１３Ａをゲート配線１２に沿って設け
た例を示したが、隣り合うゲート配線１２の中間に設ける場合もある。このとき得られた
ゲート配線１２及びコモン配線１３Ａはテーパが形成され、断面が台形状となる。また、
共通電極１４は、コモン配線１３Ａとは電気的に接続されているが、ゲート配線１２ない
しゲート電極Ｇとは接続されていない。
【００３０】
なお、このゲート配線１２及びコモン配線１３Ａの製造工程では、共通電極１４もエッ
チング液に接触するが、共通電極１４は画素毎に独立したパターンであるために断線の問
題は生じないし、しかも共通電極１４の断面形状の変化の懸念はゲート配線１２及びコモ
ン配線１３Ａに生じるものと比するとそのリスクは非常に小さい。
【００３１】
更に、この表面全体に例えば窒化硅素層からなるゲート絶縁膜１５を被覆する（図６Ａ
）。次いで、例えばアモルファス・シリコン（以下「ａ−Ｓｉ」という。）層及びｎ＋ａ
−Ｓｉ層をゲート絶縁膜１５の表面全体に亘って被覆した後に、同じくフォトリソグラフ
ィー法及びエッチング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層から
なる半導体層１６を形成する（図６Ｂ）。この半導体層１６が形成されている位置のゲー
ト配線１２の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。
【００３２】
次いで、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層を半導体層１６を形成した透明
基板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法に
よって、信号線１７及びドレイン電極Ｄを形成する（図６Ｃ）。この信号線１７のソース
電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１６の表面に部分的に重なって
いる。
【００３３】
更に、この基板の表面全体に窒化硅素層からなる絶縁膜１８を被覆した後、ドレイン電
極Ｄに対応する位置の絶縁膜１８にコンタクトホール１９を形成してドレイン電極Ｄの一
部を露出させる（図６Ｄ）。次いで、この表面全体に亘って例えばＩＴＯからなる透明導
電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、図１に示し
たパターンとなるように、ゲート配線１２及び信号線１７で囲まれた領域の絶縁膜１８上
に、互いに平行にフリンジフィールド効果を発生させるための複数のスリット２０を有す
る画素電極２１を形成する（図６Ｅ）。この画素電極２１はコンタクトホール１９を介し
てドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。
【００３４】
更に、この表面全体に亘り所定の配向膜（図示せず）を形成することによりアレイ基板
ＡＲが完成される。そして、このようにして製造されたアレイ基板ＡＲと別途製造された
カラーフィルタ基板とを対向させ、周囲をシール材でシールして両基板間に液晶を注入す
ることにより実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａが得られる。なお、カラー
フィルタ基板は、図示省略したが、ガラス基板等の透明基板の表面に順次カラーフィルタ
層、オーバーコート層及び配向膜が設けられており、共通電極が設けられていない外は従
来のＴＮ（Twisted Nematic）方式の液晶表示装置用のものと実質的に同一の構成を備え
ている。
【００３５】
このようにして作製された実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａによれば、コモ
ン配線１３Ａは共通電極１４を形成した後にゲート配線１２と同時に形成されている。そ
のため、共通電極１４を形成する際には、ゲート配線１２もコモン配線１３Ａも存在して
いないので、以下に示す従来例のように、共通電極１４を形成する際にゲート配線１２及
びコモン配線１３Ａがエッチング液に触れることがないため、ゲート配線１２及びコモン
配線１３共に過剰にエッチングされることがなくなる。従って、実施例で得られたＦＦＳ
モードの液晶表示装置によれば、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ａが過剰にエッチン
グされることに起因する断線故障が抑制され、信頼性が高いＦＦＳモードの液晶表示装置
を製造することができるようになる。
【００３６】
また、実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａでは、コモン配線１３Ａを共通電極
１４上に形成したから、透明基板１１の表面に元キズがあった際に発生しやすい断線に対
してもカバーリング効果が発生するので、コモン配線１３Ａの断線故障をより低減させる
ことができる。なお、透明基板１１の表面に元キズがあった場合には、共通電極１４に対
しても同様の悪影響が生じる可能性があるが、共通電極１４は独立パターンであることか
ら共通電極１４の断線の心配はなく、以下に示す比較例のようにコモン配線１３Ａを共通
電極１４の下に形成する場合と比すると、共通電極１４の断線リスクは遙かに小さくなる
。
【００３７】
なお、上記実施例では共通電極１４としてＩＴＯを用いた例を示したが、ＩＺＯを用い
ても同様の作用・効果を奏する。また、ゲート配線材料やソース配線材料としてＭｏ／Ａ
ｌの２層構造ないしＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造のものを用いたが、Ａｌに変えて例えば
Ｎｄ−Ａｌ合金等も使用し得る。また、上記実施例ではＦＦＳモードの液晶表示装置の場
合を例にとり説明したが、これに限られるものではなく、ゲート配線上にコモン配線を形
成し得る横電界方式の表示装置であれば等しく適用可能である。
【００３８】
［比較例］
比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂを図７〜図１０を参照して製造工程順に説
明する。なお、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂが実施例のＦＦＳモードの液
晶表示装置１０Ａと構成が相違している点は、実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０
Ａではコモン配線１３Ａが共通電極１４の上側に形成されているのに対し、比較例のＦＦ
Ｓモードの液晶表示装置１０Ｂではコモン配線１３Ｂが共通電極１４の下側に形成されて
いる点である。なお、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂのアレイ基板の２画素
分の平面図は図１と実質的に同一となり、同じく図１のIII−III線に対応する部分の断面
図も図３の実質的に同一となるので、必要に応じて図１及び図３を援用して説明する。ま
た、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂにおけるその他の図面においては、実施
例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａと同一の構成部分については同一の参照符号を付
与して説明することとする。
【００３９】
この比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂのアレイ基板ＡＲは、ガラス基板等の
透明基板１１の表面全体に亘って下部がＡｌ金属からなり、表面がＭｏ金属からなる２層
膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって、Ｍｏ／Ａｌの
２層配線からなる複数のゲート配線１２及び複数のコモン配線１３Ｂを互いに平行になる
ように形成する（図８Ａ及び図８Ｂ参照）。なお、ここではコモン配線１３Ｂをゲート配
線１２側に沿って設けた例を示したが、隣り合うゲート配線１２の中間に設ける場合もあ
る。
【００４０】
次いで、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂを形成した透明基板１１の表面全体に亘
って例えばＩＴＯからなる透明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及び湿
式エッチング法によって共通電極１４を形成する（図９Ａ及び図９Ｂ参照）。この共通電
極１４はコモン配線１３Ｂとは電気的に接続されているが、ゲート配線１２ないしゲート
電極Ｇとは接続されていない。
【００４１】
湿式エッチング開始前はゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂともに透明導電性層によ
って被覆されているが、エッチングが進行して所定部分の透明導電性層が全て除かれると
、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂの一部が露出してエッチング液に触れるようにな
る。すなわち、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂはここで２回目のエッチング液と接
触する工程を経ることになる。透明導電性層の厚さは、均一であることが望ましいが、ゲ
ート配線１２及びコモン配線１３Ｂの形状には凹凸があることもあり、ある程度のバラツ
キが存在している。加えて、湿式エッチング時の撹拌状態も全体的に均一になるわけでは
ないから、透明導電性層のエッチング速度にも場所によってバラツキが生じる。そのため
、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂ上の透明導電性層がエッチングされて除去される
時間には場所によってバラツキが存在する。
【００４２】
従って、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂ上の透明導電性層が早くエッチングされ
て除去された部分は、他の部分の透明導電性層がエッチングされて除去されるまでエッチ
ング液と接触している状態となる。この透明導電性層のエッチング液には酸性エッチング
液が使用されるが、この酸性エッチング液はＭｏ、ＡｌないしＡｌ合金も溶解してしまう
ので、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂの上の透明導電性層が早くエッチングされて
除去された部分は透明導電性層用のエッチング液によって更にエッチングが進行してしま
う。そのため、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂのアレイ基板ＡＲにおいては
、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂの断面形状が設計形状から変化してしまったり、
幅が細くなったりすることが生じる。
【００４３】
このようにして共通電極１４を形成した後、この表面全体に窒化硅素層からなるゲート
絶縁膜１５を被覆する（図１０Ａ）。次いで、例えばａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層をゲ
ート絶縁膜１５の表面全体に亘って被覆した後に、同じくフォトリソグラフィー法及びエ
ッチング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層からなる半導体層
１６を形成する（図１０Ｂ）。この半導体層１６が形成されている位置のゲート配線１２
の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。
【００４４】
次いで、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層を半導体層１６を形成した透明
基板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法に
よって、信号線１７及びドレイン電極Ｄを形成する（図１０Ｃ、図１及び図３参照）。こ
の信号線１７のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１６の表
面に部分的に重なっている。なお、この比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂにお
いては、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂの断面形状が設計形状から変化してしまっ
たり、幅が細くなったりすることが生じているためか、ゲート絶縁膜１５上に形成された
ソース配線１７がゲート配線１２ないしコモン配線１３と交差する部分において断線故障
が生じることがある。
【００４５】
更に、この基板の表面全体に窒化硅素層からなる絶縁膜１８を被覆した後、ドレイン電
極Ｄに対応する位置の絶縁膜１８にコンタクトホール１９を形成してドレイン電極Ｄの一
部を露出させる（図１０Ｄ）。次いで、この表面全体に亘って例えばＩＴＯからなる透明
導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、図１に示
したパターンとなるように、ゲート配線１２及び信号線１７で囲まれた領域の絶縁膜１８
上に、互いに平行にフリンジフィールド効果を発生させるための複数のスリット２０を有
する画素電極２１を形成する（図１０Ｅ）。この画素電極２１はコンタクトホール１９を
介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。更に、この表面全体に亘り所定の配向
膜（図示せず）を形成することによりアレイ基板ＡＲが完成される。
【００４６】
なお、その他の構成は、実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂの場合と同様であ
るので、その詳細な説明は省略する。
【００４７】
このように、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂによれば、ゲート配線１２及
びコモン配線１３Ｂの断面形状が設計形状から変化してしまったり、幅が細くなったりす
ることが生じるので、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂの断線故障が生じ易くなる。
加えて、このゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂの断面形状の変化に起因して、ソース
配線１７にも、ゲート配線１２及びコモン配線１３Ｂとの交点近傍で断線故障がおおくな
る。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板の２画素分の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った概略断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿った概略断面図である。
【図４】図４Ａは実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置の共通電極形成工程の形成工程を示す斜視図であり、図４Ｂは図４ＡのIVB−IVB線に沿った断面図である。
【図５】図５Ａは実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のゲート配線及びコモン配線形成工程を示す斜視図であり、図５Ｂは図５ＡのVB−VB線に沿った断面図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｅは実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のゲート絶縁膜形成工程以降の工程を順を追って示す図１のII−II線に沿った部分の断面図である。
【図７】比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板の図１のII−II線に対応する部分の概略断面図である。
【図８】図８Ａは比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置の共通電極形成工程の形成工程を示す斜視図であり、図８Ｂは図８ＡのVIIIB−VIIIB線に沿った断面図である。
【図９】図９Ａは比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置のゲート配線及びコモン配線形成工程を示す斜視図であり、図９Ｂは図９ＡのIXB−IXB線に沿った断面図である。
【図１０】図１０Ａ〜図１０Ｅは比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置のゲート絶縁膜形成工程以降の工程を順を追って示す図１のII−II線に対応する部分の断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０：ＦＦＳモードの液晶表示装置  １１：透明基板  １２：ゲート配線  １３Ａ、１
３Ｂ：コモン配線  １４：共通電極  １５：ゲート絶縁膜  １６：半導体層  １７：信号
線  １８：絶縁膜  １９：コンタクトホール  ２０：スリット  ２１：画素電極  ＡＲ：
アレイ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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