(57)【要約】      （修正有）【課題】エレクトロルミネッセンス素子等の製造に用いた場合、発光効率が優れた素子が得られる金属錯体等を提供する。【解決手段】下記式（１）：2008179617.tif 000071で表される金属錯体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）：
2008179617.tif 000061
［式中、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子であり、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ3及びＲ4、若しくはＲ5及びＲ6が結合して環を形成していてもよい。但し、Ｒ2及びＲ7の少なくとも一方は、下記式（２）：
2008179617.tif 000062
で表される基である。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数である。Ｚ1〜Ｚ5はそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｚ1〜Ｚ5の少なくとも２つは、窒素原子である。Ｚ1〜Ｚ5のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子は置換基により置換されていてもよい。下記式（３）：
2008179617.tif 000063
で表される部分は、モノアニオン性の２座配位子を表す。Ｒx及びＲyは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。］
で表される金属錯体。
【請求項２】
前記式（１）が、下記式（１ａ）：
2008179617.tif 000064
［式中、Ｍ、Ｒ1〜Ｒ8及びｍは、前記と同じ意味を有する。］
で表されるものである請求項１に記載の金属錯体。
【請求項３】
前記Ｒ7が、前記式（２）で表される基である請求項１又は２に記載の金属錯体。
【請求項４】
前記Ｒ2及びＲ7がそれぞれ独立に、前記式（２）で表される基である請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項５】
前記式（２）で表される基中のＺ1〜Ｚ5において、複数存在する窒素原子が隣接しない組み合わせである請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項６】
前記式（２）で表される基が、下記式（４−１）又は（４−７）：
2008179617.tif 000065
（式中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表し、複数存在するＲ’は同一であっても異なっていてもよい。）
で表されるものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項７】
前記Ｒ2及びＲ7がそれぞれ独立に、前記式（４−１）又は（４−７）で表される基である請求項６に記載の金属錯体。
【請求項８】
前記Ｒ7が前記式（４−１）で表される基であり、前記Ｒ2が水素原子である請求項６に記載の金属錯体。
【請求項９】
前記Ｒ7が前記式（４−７）で表される基であり、前記Ｒ2が水素原子である請求項６に記載の金属錯体。
【請求項１０】
前記Ｍが白金原子又はイリジウム原子である請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項１１】
ＰＬ発光スペクトルのピーク波長が５５０ｎｍ〜８００ｎｍである燐光発光を示す請求項１〜１０のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項１２】
下記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）：
2008179617.tif 000066
（式中、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子を表す。Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8、Ｌ1及びＬ2はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ3及びＲ4、若しくはＲ5及びＲ6が結合して環を形成していてもよい。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数である。下記式（３）：
2008179617.tif 000067
で表される部分は、モノアニオン性の２座配位子を表す。Ｒx及びＲyは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。Ｊ1及びＪ2はそれぞれ独立に、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）：
2008179617.tif 000068
で表される基である。）
のいずれかで表される化合物を、ハロゲン原子又はアルキルスルホネート基を有するヘテロ環芳香族化合物とカップリング反応させることを含む請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属錯体の製造方法。
【請求項１３】
前記式（Ａ−１）で表される化合物。
【請求項１４】
前記式（Ａ−２）で表される化合物。
【請求項１５】
前記式（Ａ−３）で表される化合物。
【請求項１６】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属錯体の残基を含む高分子化合物。
【請求項１７】
共役系高分子である請求項１６に記載の高分子化合物。
【請求項１８】
下記式（Ｉ）：
−Ａｒ−      （Ｉ）
（式中、Ａｒは、アリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミン基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。）
で表される基を含む請求項１６又は１７に記載の高分子化合物。
【請求項１９】
前記アリーレン基が、置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有していてもよいナフチレン基、又は下記式（３ａ）：
2008179617.tif 000069
（式中、Ｐ環及びＱ環はそれぞれ独立に芳香環を示すが、Ｐ環は存在してもしなくてもよい。２本の結合手は、Ｐ環が存在する場合には、それぞれ、Ｐ環又はＱ環上に存在し、Ｐ環が存在しない場合には、それぞれ、Ｙ1を含む５員環若しくは６員環、又はＱ環上に存在する。Ｐ環、Ｑ環、及びＹ1を含む５員環若しくは６員環は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも一種の置換基を有していてもよい。Ｙ1は、−Ｃ（Ｒ11）（Ｒ12）−、−Ｃ（Ｒ14）（Ｒ15）−Ｃ（Ｒ16）（Ｒ17）−、−Ｃ（Ｒ32）＝Ｃ（Ｒ33）−を表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14〜Ｒ17、Ｒ32及びＲ33は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。）
で表される基である請求項１８に記載の高分子化合物。
【請求項２０】
前記２価の複素環基が、下記式（３ｂ）：
2008179617.tif 000070
（式中、Ｐ’環及びＱ’環はそれぞれ独立に芳香環を示すが、Ｐ’環は存在してもしなくてもよい。２本の結合手は、Ｐ’環が存在する場合には、それぞれ、Ｐ’環又はＱ’環上に存在し、Ｐ’環が存在しない場合には、それぞれ、Ｙ2を含む５員環若しくは６員環、又はＱ’環上に存在する。Ｐ’環、Ｑ’環及びＹ2を含む５員環若しくは６員環は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも一種の置換基を有していてもよい。Ｙ2は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｂ（Ｒ6）−、−Ｓｉ（Ｒ7）（Ｒ8）−、−Ｐ（Ｒ9）−、−ＰＲ10（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ13）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ18）（Ｒ19）−、−Ｓ−Ｃ（Ｒ20）（Ｒ21）−、−Ｎ−Ｃ（Ｒ22）（Ｒ23）−、−Ｓｉ（Ｒ24）（Ｒ25）−Ｃ（Ｒ26）（Ｒ27）−、−Ｓｉ（Ｒ28）（Ｒ29）−Ｓｉ（Ｒ30）（Ｒ31）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ34）−又は−Ｓｉ（Ｒ35）＝Ｃ（Ｒ36）−を表す。Ｒ6〜Ｒ10、Ｒ13、Ｒ18〜Ｒ31及びＲ34〜Ｒ36は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。）
で表される基である請求項１８に記載の高分子化合物。
【請求項２１】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属錯体及び／又は請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む組成物。
【請求項２２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属錯体及び／又は請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の高分子化合物と、溶媒又は分散媒とを含む液状組成物。
【請求項２３】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属錯体及び／又は請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む膜。
【請求項２４】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属錯体及び／又は請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む素子。
【請求項２５】
陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属錯体及び／又は請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む層とを有する請求項２４に記載の素子。
【請求項２６】
前記素子が発光素子である請求項２４又は２５に記載の素子。
【請求項２７】
請求項２６に記載の素子を用いた面状光源。
【請求項２８】
請求項２６に記載の素子を用いた照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属錯体及び該金属錯体の残基を含む高分子化合物並びにこれらを含む素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネッセンス素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体は、一重項励起状態からの発光を示す蛍光材料よりも高発光効率が期待できる。三重項励起状態からの発光を示す金属錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属としたオルトメタル化錯体（Ir(ppy)3：Tris-Ortho-Metalated Complex of Iridium(III) with 2-Phenylpyridine）が緑色発光を示すものとして提案されている（非特許文献１）。
【０００３】
【非特許文献１】APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol.75, p.4 (1999)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、前記金属錯体は、エレクトロルミネッセンス素子等の製造に用いた場合、発光効率が優れた素子が得られるものではない。
そこで、本発明は、エレクトロルミネッセンス素子等の製造に用いた場合、発光効率が優れた素子が得られる金属錯体等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は第一に、下記式（１）：
2008179617.tif 000002
［式中、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子であり、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ3及びＲ4、若しくはＲ5及びＲ6が結合して環を形成していてもよい。但し、Ｒ2及びＲ7の少なくとも一方は、下記式（２）：
2008179617.tif 000003
で表される基である。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数である。Ｚ1〜Ｚ5は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｚ1〜Ｚ5の少なくとも２つは、窒素原子である。Ｚ1〜Ｚ5のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子は置換基により置換されていてもよい。下記式（３）：
2008179617.tif 000004
で表される部分は、モノアニオン性の２座配位子を表す。Ｒx及びＲyは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。］
で表される金属錯体を提供する。
本発明は第二に、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）：
2008179617.tif 000005
（式中、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子を表す。Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8、Ｌ1及びＬ2はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ3及びＲ4、若しくはＲ5及びＲ6が結合して環を形成していてもよい。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数である。下記式（３）：
2008179617.tif 000006
で表される部分は、モノアニオン性の２座配位子を表す。Ｒx及びＲyは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。Ｊ1及びＪ2はそれぞれ独立に、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）：
2008179617.tif 000007
で表される基である。）
のいずれかで表される化合物を、ハロゲン原子又はアルキルスルホネート基を有するヘテロ環芳香族化合物とカップリング反応させることを含む前記金属錯体の製造方法を提供する。
本発明は第三に、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で表される化合物を提供する。
本発明は第四に、金属錯体の残基を含む高分子化合物を提供する。
本発明は第五に、前記金属錯体及び／又は前記高分子化合物と、電荷輸送材料及び／又は発光材料とを含む組成物を提供する。
本発明は第六に、前記金属錯体及び／又は前記高分子化合物と、溶媒又は分散媒とを含む液状組成物を提供する。
本発明は第七に、前記金属錯体及び／又は前記高分子化合物を含む膜を提供する。
本発明は第八に、前記金属錯体及び／又は前記高分子化合物を含む素子を提供する。
本発明は第九に、前記素子を用いた面状光源及び照明を提供する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の金属錯体等は、エレクトロルミネッセンス素子等の製造に用いた場合、発光効率が優れた（即ち、量子収率が高い）素子が得られるものである。また、本発明の金属錯体等は、通常、発光性のものである。したがって、本発明の金属錯体等は、発光素子（例えば、エレクトロルミネッセンス素子）、光電素子等の素子の製造に特に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】
＜金属錯体＞
まず、本発明の金属錯体について説明する。
本発明の金属錯体は、前記式（１）で表されるものである。
【０００９】
前記式（２）で表される置換基は、Ｚ1〜Ｚ5のうち少なくとも２つが窒素原子のものであり、好ましくは２つ又は３つが窒素原子のものである。特には、これら複数存在する窒素原子が隣接しない（即ち、隣接位に存在しない）組み合わせであることが好ましい。具体的には、Ｚ1〜Ｚ5のうち２つ又は３つが窒素原子であり、且つ、窒素原子が隣接しないものである。該置換基は、Ｚ1〜Ｚ5のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子が置換基で置換されていてもよい。
【００１０】
前記式（２）で表される置換基の具体的な構造としては、以下の構造が例示され、これらの中でも、式（４−１）で表されるもの、式（４−７）で表されるものが好ましい。
2008179617.tif 000008
（式中、Ｒ’は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基である。複数存在するＲ’は、同一であっても異なっていてもよい。）
【００１１】
前記式中、Ｒ’で表されるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基及びシアノ基は、後述のＲで表されるものと同じ定義、具体例である。
【００１２】
前記式（１）で表される金属錯体は、Ｍで表される金属原子、添え字ｍでその数を定義されている配位子（以下、「２座キレート配位子」ともいう）と、添え字ｎでその数を定義されている前記式（３）で表されるモノアニオン性の２座配位子（以下、「モノアニオン性の２座配位子」ともいう）から構成されている。なお、以下において、単に「配位子」という場合には、前記２座キレート配位子と、前記モノアニオン性の２座配位子の両方の配位子を意味する。
【００１３】
前記式（１）中、ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数であり、好ましくはｎは０又は１であり、より好ましくはｎは０である。但し、中心金属Ｍに結合できる配位子の合計数ｍ＋ｎを満たすものとする。例えば、中心金属がイリジウムである場合、ｍ＝１かつｎ＝２、又はｍ＝２かつｎ＝１、又はｍ＝３かつｎ＝０であり、好ましくは、ｍ＝３かつｎ＝０、又はｍ＝２かつｎ＝１であり、より好ましくは、ｍ＝３かつｎ＝０である。
【００１４】
前記式（１）で表される金属錯体は、好ましくは下記式（１ａ）：
2008179617.tif 000009
（式中、Ｍ、Ｒ1〜Ｒ8及びｍは、前記と同じ意味を有する。）
で表されるもの（即ち、ｎ＝０）である。Ｒ1〜Ｒ8で表される原子、基は、具体的には、後述のＲとして説明し例示する原子、基と同じである。
【００１５】
金属錯体を構成する配位子は、金属錯体の発光色、発光強度、発光効率等に影響を与える。したがって、金属錯体としては、配位子内におけるエネルギー失活過程を最少にする構造からなる配位子から構成されるものが好ましい。さらに、配位子の有する置換基の種類及び／又は置換位置は、配位子の電子的特性に影響を及ぼすので、金属錯体の特性に影響を与える。以上の観点から、本発明の金属錯体は、前記式（１）で表される構造をとることにより、金属錯体の発光効率、安定性等を向上させることができたと考えられる。
【００１６】
本発明の金属錯体において、前記式（１）又は前記式（１ａ）におけるＲ2及びＲ7の少なくとも一方は前記式（２）で表される基であり、Ｒ7が前記式（２）で表される基であることが好ましい。また、本発明の金属錯体において、Ｒ2及びＲ7がそれぞれ独立に、前記式（２）で表される基である構造も好ましい。Ｒ7が前記式（４−１）で表されるものであって前記Ｒ2が水素原子であること、Ｒ7が前記式（４−７）で表されるものであって前記Ｒ2が水素原子であること、前記Ｒ2及びＲ7がそれぞれ独立に、前記式（４−１）又は（４−７）で表される基であることがより好ましい。本発明の金属錯体のＰＬ（フォトルミネッセンス）発光スペクトルのピーク波長は、好ましくは５５０ｎｍ〜８００ｎｍであり、さらに好ましくは５７０ｎｍ〜７５０ｎｍであり、より好ましくは５７０ｎｍ〜７００ｎｍであり、特に好ましくは６００ｎｍ〜７００ｎｍである。
【００１７】
本発明の金属錯体の中心金属となる金属原子Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子である。これらの金属原子は、金属錯体にスピン−軌道相互作用を及ぼし、一重項状態と三重項状態間の系間交差を起こし得るものである。前記金属原子Ｍは、好ましくはオスミウム、イリジウム、白金であり、さらに好ましくはイリジウム、白金であり、特に好ましくはイリジウムである。
【００１８】
前記式（１）又は前記式（１ａ）で表される金属錯体において、前記２座キレート配位子の具体例としては、下記式で表されるような構造が挙げられる。
2008179617.tif 000010
2008179617.tif 000011
2008179617.tif 000012
2008179617.tif 000013
（式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基である。＊は金属原子Ｍと結合する部位を表す。複数存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
【００１９】
前記Ｒで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が例示される。
【００２０】
前記Ｒで表されるアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。このアルキル基の炭素数は、通常、１〜１０程度である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられ、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００２１】
前記Ｒで表されるアルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。このアルコキシ基の炭素数は、通常、１〜１０程度である。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００２２】
前記Ｒで表されるアルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。このアルキルチオ基の炭素数は、通常、１〜１０程度である。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００２３】
前記Ｒで表されるアリール基は、炭素数が、通常、６〜６０程度のものであり、好ましくは７〜４８のものである。アリール基としては、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基（「Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基（「Ｃ1〜Ｃ12アルキル」は、アルキル部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。ここで、アリール基とは、芳香族炭化水素から水素原子１個を除いた原子団である。この芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。さらに、該アリール基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基等が挙げられる。
【００２４】
前記Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとしては、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシ等が例示される。
【００２５】
前記Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基としては、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が例示される。
【００２６】
前記Ｒで表されるアリールオキシ基は、炭素数が、通常、６〜６０程度のものであり、好ましくは７〜４８のものである。アリールオキシ基としては、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００２７】
前記Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとしては、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシ等が例示される。
【００２８】
前記Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基としては、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が例示される。
【００２９】
アリールチオ基は、炭素数が、通常、６〜６０程度のものであり、好ましくは７〜４８のものである。アリールチオ基としては、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００３０】
前記Ｒで表されるアリールアルキル基は、炭素数が、通常、７〜６０程度のものであり、好ましくは７〜４８のものである。アリールアルキル基としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基が好ましい。
【００３１】
前記Ｒで表されるアリールアルコキシ基は、炭素数が、通常、７〜６０程度のものであり、好ましくは７〜４８のものである。アリールアルコキシ基としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基等のフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が好ましい。
【００３２】
前記Ｒで表されるアリールアルキルチオ基は、炭素数が、通常、７〜６０程度のものであり、好ましくは７〜４８のものである。アリールアルキルチオ基としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基が好ましい。
【００３３】
前記Ｒで表されるアシル基は、炭素数が、通常、２〜２０程度のものであり、好ましくは２〜１８のものである。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が例示される。
【００３４】
前記Ｒで表されるアシルオキシ基は、炭素数が、通常、２〜２０程度のものであり、好ましくは２〜１８のものである。アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が例示される。
【００３５】
前記Ｒで表されるアミド基は、炭素数が、通常、２〜２０程度のものであり、好ましくは２〜１８のものである。アミド基としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が例示される。
【００３６】
前記Ｒで表される酸イミド基とは、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を１個除いて得られる１価の残基を意味する。この酸イミド基は、炭素数が、通常、２〜６０程度のものであり、好ましくは２〜４８のものである。酸イミド基としては、以下の構造式で示される基等が例示される。
2008179617.tif 000014
（式中、窒素原子から延びた線は結合手を表し、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｎ−Ｐｒはｎ−プロピル基を表す。以下、同じである。）
【００３７】
前記Ｒで表されるイミン残基とは、イミン化合物（即ち、分子内に−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物である。その例としては、アルジミン、ケチミン、及びこれらの分子中の窒素原子に結合した水素原子が、アルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。）から水素原子１個を除いた１価の残基を意味する。このイミン残基は、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基等が例示される。
2008179617.tif 000015
（式中、ｉ−Ｐｒはｉ−プロピル基、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を表す。波線で示した結合は、「楔形で表される結合」及び／又は「破線で表される結合」であることを意味する。ここで、「楔形で表される結合」とは、紙面からこちら側に向かって出ている結合を意味し、「破線で表される結合」とは、紙面の向こう側に出ている結合を意味する。）
【００３８】
前記Ｒで表される置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１個又は２個の基で置換されたアミノ基を意味する。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めないで、通常、１〜６０程度であり、好ましくは２〜４８である。置換アミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基等が例示される。
【００３９】
前記Ｒで表される置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基を意味する。置換シリル基の炭素数は、通常、１〜６０程度であり、好ましくは３〜４８である。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が例示される。
【００４０】
前記Ｒで表される置換シリルオキシ基は、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基及び１価の複素環オキシ基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルオキシ基を意味する。置換シリルオキシ基の炭素数は、通常、１〜６０程度であり、好ましくは３〜４８である。該アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基又は１価の複素環オキシ基は置換基を有していてもよい。置換シリルオキシ基としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリ−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ジメチル−ｉ−プロピリシリルオキシ基、ジエチル−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリルオキシ基、ヘキシルジメチルシリルオキシ基、ヘプチルジメチルシリルオキシ基、オクチルジメチルシリルオキシ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルオキシ基、ノニルジメチルシリルオキシ基、デシルジメチルシリルオキシ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルオキシ基、ラウリルジメチルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等が例示される。
【００４１】
前記Ｒで表される置換シリルチオ基は、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基及び１価の複素環チオ基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルチオ基を意味する。置換シリルチオ基の炭素数は、通常、１〜６０程度であり、好ましくは３〜４８である。該アルコキシ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基又は１価の複素環チオ基は置換基を有していてもよい。置換シリルチオ基としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリ−ｉ−プロピルシリルチオ基、ジメチル−ｉ−プロピリシリルチオ基、ジエチル−ｉ−プロピルシリルチオ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルチオ基、ペンチルジメチルシリルチオ基、ヘキシルジメチルシリルチオ基、ヘプチルジメチルシリルチオ基、オクチルジメチルシリルチオ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルチオ基、ノニルジメチルシリルチオ基、デシルジメチルシリルチオ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルチオ基、ラウリルジメチルシリルチオ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基等が例示される。
【００４２】
前記Ｒで表される置換シリルアミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基及び１価の複素環アミノ基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルアミノ基を意味する。置換シリルアミノ基の炭素数は、通常、１〜６０程度であり、好ましくは３〜４８である。該アルコキシ基、アリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基又は１価の複素環アミノ基は置換基を有していてもよい。置換シリルアミノ基としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリ−ｉ−プロピルシリルアミノ基、ジメチル−ｉ−プロピリシリルアミノ基、ジエチル−ｉ−プロピルシリルアミノ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルアミノ基、ペンチルジメチルシリルアミノ基、ヘキシルジメチルシリルアミノ基、ヘプチルジメチルシリルアミノ基、オクチルジメチルシリルアミノ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルアミノ基、ノニルジメチルシリルオアミノ基、デシルジメチルシリルアミノ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルアミノ基、ラウリルジメチルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルアミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基等が例示される。
【００４３】
前記Ｒで表される１価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。１価の複素環基の炭素数は、通常、３〜６０程度であり、好ましくは３〜２０である。なお、１価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここで、複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。１価の複素環基としては、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が例示され、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。また、１価の複素環基は、１価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【００４４】
前記Ｒで表されるヘテロアリールオキシ基は、炭素数が、通常、６〜６０程度のものであり、好ましくは７〜４８のものである。ヘテロアリールオキシ基としては、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシチエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジルオキシ基、ピリジルオキシ基、イソキノリルオキシ基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
前記Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとしては、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシ等が例示される。
前記Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジルオキシ基としては、メチルピリジルオキシ基、エチルピリジルオキシ基、ジメチルピリジルオキシ基、プロピルピリジルオキシ基、1,3,5−トリメチルピリジルオキシ基、メチルエチルピリジルオキシ基、ｉ−プロピルピリジルオキシ基、ブチルピリジルオキシ基、ｉ−ブチルピリジルオキシ基、ｔ−ブチルピリジルオキシ基、ペンチルピリジルオキシ基、イソアミルピリジルオキシ基、ヘキシルピリジルオキシ基、ヘプチルピリジルオキシ基、オクチルピリジルオキシ基、ノニルピリジルオキシ基、デシルピリジルオキシ基、ドデシルピリジルオキシ基等が例示される。
【００４５】
前記Ｒで表されるヘテロアリールチオ基は、炭素数が、通常、６〜６０程度のものであり、好ましくは７〜４８のものである。ヘテロアリールチオ基としては、ピリジルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジルチオ基、イソキノリルチオ基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジルチオ基が好ましい。
【００４６】
前記Ｒで表されるアリールアルケニル基は、炭素数が、通常、８〜６０程度のものであり、好ましくは８〜４８のものである。アリールアルケニル基としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基（「Ｃ2〜Ｃ12アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００４７】
前記Ｒで表されるアリールアルキニル基は、炭素数が、通常、８〜６０程度のものであり、好ましくは８〜４８のものである。アリールアルキニル基としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基（「Ｃ2〜Ｃ12アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基等が例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００４８】
前記Ｒで表される置換カルボキシル基は、炭素数が、通常、２〜６０程度のものであり、好ましくは２〜４８のものであり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基を意味する。置換カルボキシル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、等が挙げられる。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には、該置換基の炭素数は含まれない。
【００４９】
前記モノアニオン性の２座配位子としては、モノアニオン性で２座の配位子であれば特に限定されないが、前記式（３）におけるＲxとＲyとを結ぶ円弧の部分は水素原子以外の原子数が３〜３０の２価の基であることが好ましく、例えば、以下の構造が挙げられる
2008179617.tif 000016
2008179617.tif 000017
2008179617.tif 000018
（式中、＊は金属原子Ｍと結合する部位を示す。）
【００５０】
本発明の金属錯体としては、以下に示すものが挙げられる。
2008179617.tif 000019
2008179617.tif 000020
2008179617.tif 000021
2008179617.tif 000022
2008179617.tif 000023
【００５１】
本発明の金属錯体としては、安定した高効率発光の観点から、禁制遷移を解きやすい三重項励起状態の寿命が短い金属錯体が好ましい。
【００５２】
−金属錯体の製造方法−
次に、本発明の金属錯体の製造方法を説明する。
本発明の金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを溶液中で反応させることにより合成することができる。必要に応じて、反応系中に塩基、銀塩化合物等が存在していてもよい。また、2-フェニルピリジン誘導体を配位子に有する金属錯体とヘテロ環芳香族化合物とのカップリング反応により、本発明の金属錯体を合成することができる。
【００５３】
錯体化の方法（即ち、配位子となる化合物と金属化合物とを溶液中で反応させる方法）としては、イリジウム錯体の場合、J. Am. Chem. Soc. 1984, 106, 6647 ;Inorg. Chem. 1991, 30, 1685；Inorg. Chem. 1994, 33, 545；Inorg. Chem. 2001, 40, 1704；Chem.Lett., 2003, 32, 252等に記載の方法が例示され、白金錯体の場合、Inorg.Chem.,1984, 23, 4249；Chem. Mater. 1999, 11, 3709；Organometallics, 1999, 18, 1801等に記載の方法が例示され、パラジウム錯体の場合、J.Org.Chem.,1987, 52, 73等に記載の方法が例示される。
【００５４】
錯体化の反応温度は、特に限定されないが、通常、溶媒の融点から沸点の間で反応させることができ、−78℃〜溶媒の沸点が好ましい。反応時間は特に限定されないが、通常、30分間から30時間程度である。但し、錯体化反応においてマイクロウェーブ反応装置を使用する場合、溶媒の沸点以上で反応させることもでき、反応時間も特に限定されないが、数分から数時間程度である。
【００５５】
前記配位子となる化合物は、例えば、2-フェニルピリジン誘導体とヘテロ環芳香族化合物とのSuzukiカップリング、Grignardカップリング、Stilleカップリング等により合成することができる。必要に応じて有機溶媒に溶解し、例えば、アルカリ、適切な触媒等を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させることにより合成することができる。この合成には、例えば、“オルガニック  シンセシス（Organic Syntheses）”、コレクティブ第６巻（Collective Volume VI）、407-411頁、ジョンワイリー  アンド  サンズ（John Wiley＆Sons, Inc.）、1988年；ケミカル  レビュー(Chem. Rev.)、第106巻、2651頁（2006年）；ケミカル  レビュー(Chem. Rev.)、第102巻、1359頁（2002年）；ケミカル  レビュー（Chem.Rev.）、第95巻、2457頁（1995年）；ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（J.Organomet.Chem.）、第576巻、147頁（1999年）等に記載の方法を用いることができる。
【００５６】
前記ヘテロ環芳香族化合物は、“HOUBEN-WEYL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY 4TH EDITION”, 第E9b巻、1頁、GEORG THIEME VERLAG STUTTGART；HOUBEN-WEYL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY 4TH EDITION, 第E9c巻、667頁、GEORG THIEME VERLAG STUTTGART等に記載の方法で合成することができる。
【００５７】
また、本発明の金属錯体は、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）のいずれかで表される化合物を、ハロゲン原子又はアルキルスルホネート基を有するヘテロ環芳香族化合物とカップリング反応させることを含む方法により製造することも好ましい。
【００５８】
前記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）中、Ｍ、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8、ｍ、ｎ、Ｒx及びＲyは、前記と同じ意味を有する。Ｌ1及びＬ2は、前記Ｒ1で説明し例示したものと同じ意味を有する。
【００５９】
前記カップリング反応に用いる触媒としては、特に限定されないが、パラジウム触媒が好ましい。パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス(ジベンジリデナセトン)二パラジウム(O)等が例示され、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス(ジベンジリデナセトン)二パラジウム(O)が好ましい。必要に応じて、リン配位子を存在させてもよい。前記リン配位子としては、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン等が例示される。
【００６０】
前記カップリング反応に用いる触媒の量は、特に限定されないが、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で表される化合物に対して１ｍｏｌ％以上であることが好ましく、１０ｍｏｌ％以上であることがより好ましく、３０ｍｏｌ％以上であることが特に好ましい。
【００６１】
前記式（Ａ−１）〜（Ａ−３）のいずれかで表される化合物は、例えば、下記式（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）：
2008179617.tif 000024
（式中、Ｍ、Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ6、Ｒ8、Ｌ1、Ｌ2、Ｒx、Ｒy、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を有する。Ｊ3及びＪ4はそれぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。）
のいずれかで表される化合物をホウ酸化又はホウ酸エステル化することにより合成することができる。
また、本発明の金属錯体は、前記式（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）のいずれかで表される化合物とヘテロ環芳香族化合物とのSuzukiカップリング、Grignardカップリング、Stilleカップリング等により合成することができる。
【００６２】
得られた金属錯体の同定・分析は、ＣＨＮ元素分析、ＮＭＲ分析及びＭＳ分析により行うことができる。
【００６３】
＜高分子化合物＞
本発明の高分子化合物は、本発明の金属錯体の残基を含むものであり、導電性の観点から、共役系高分子であることが好ましい。前記金属錯体の残基を含む分子としては、例えば、後述の電荷輸送材料として用いられる高分子有機化合物が挙げられ、共役系高分子有機化合物であることが、共役が広がりキャリア（電子又は正孔）移動度が高くなるので好ましい。
【００６４】
本発明の金属錯体が高分子有機化合物内に含まれている場合、高分子有機化合物の構造と金属錯体の残基とを同一分子内に有する高分子化合物の例としては、
１．高分子有機化合物の主鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物；
２．高分子有機化合物の末端に金属錯体の残基を有する高分子化合物；
３．高分子有機化合物の側鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物；
等が挙げられる。主鎖に金属錯体の残基を有する場合は、線形高分子の主鎖に金属錯体が組み込まれたものの他に、金属錯体から３個以上の高分子鎖が結合しているものも含まれる。
【００６５】
前記高分子化合物としては、前記式（１）等で表される構造を有する金属錯体の残基を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×103〜１×108であり、その側鎖、主鎖若しくは末端又はこれらの２個以上に前記式（１）等で表される構造を有する金属錯体の残基を有するものが挙げられる。
【００６６】
高分子有機化合物の主鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物は、例えば、下記式のいずれかで示される。
2008179617.tif 000025
〔式中、Ｍ1、Ｍ2は金属錯体の残基を示し、その結合手は、該金属錯体の配位子が有する。該Ｍ1、Ｍ2は該結合手により、高分子主鎖を形成する繰り返し単位と結合している。〕
【００６７】
高分子有機化合物の末端に金属錯体の残基を有する高分子化合物は、例えば、下記式で示される。
2008179617.tif 000026
〔式中、Ｍ3は金属錯体の一価の残基を表し、その結合手は、該金属錯体の配位子が有する。該Ｍ3は該結合手により、Ｘと結合している。Ｘは単結合、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、又は置換されていてもよい２価の複素環基を表す。〕
【００６８】
高分子有機化合物の側鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物は、例えば、式：−Ａｒ’−で示される。該式中、Ａｒ’は、２価の芳香族基、又は酸素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子からなる群から選ばれる原子を１個以上有する２価の複素環基を表し、該Ａｒ’は、−Ｌ−Ｘで示される基を１〜４個有し、Ｘは金属錯体の１価の残基を表し、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ2）−、−Ｓｉ（Ｒ68）（Ｒ69）−、Ｎ（Ｒ70）−、−Ｂ（Ｒ71）−、−Ｐ（Ｒ72）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ73）−、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、又は置換されていてもよい２価の複素環基を表し、該アルキレン基、該アルケニレン基、該アルキニレン基が−ＣＨ2−基を含む場合、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ2−基の１個以上、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ2−基の１個以上、該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ2−基の１個以上が、それぞれ、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ2）−、−Ｓｉ（Ｒ74）（Ｒ75）−、Ｎ（Ｒ76）−、−Ｂ（Ｒ77）−、−Ｐ（Ｒ78）−及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ79）−からなる群から選ばれる基と置換されていてもよい。Ｒ68〜Ｒ79は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基及びシアノ基からなる群より選ばれる基を表す。Ａｒは、−Ｌ−Ｘで示される基以外に、さらに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ａｒ’が複数の置換基を有する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【００６９】
前記式中、Ｒ68〜Ｒ79で表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基及びシアノ基、並びにＡｒ’が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基は、前記Ｒで表される置換基として、説明し例示したものと同じである。
【００７０】
前記式中、２価の芳香族基としては、例えば、フェニレン、ピリジニレン、ピリミジレン、ナフチレン等が挙げられる。
【００７１】
前記式中、２価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の複素環基の炭素数は、通常、４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、２価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。前記複素環式化合物は、前記１価の複素環基として説明し例示したものと同じである。また、２価の複素環基は、２価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【００７２】
本発明の高分子化合物は、本発明の金属錯体の残基を有するものであれば、特に限定されないが、電荷輸送性や電荷注入性等を大きく損なわないものであることが好ましく、具体的には、キャリア（電子又は正孔）輸送性が優れる共役系高分子であることが好ましい。
【００７３】
本発明の高分子化合物は、下記式（Ｉ）：
−Ａｒ−      （Ｉ）
（式中、Ａｒは、アリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミン基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。）
で表される基を含むものが好ましい。
【００７４】
前記式（Ｉ）中、Ａｒで表されるアリーレン基としては、置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有していてもよいナフチレン基、又は下記式（３ａ）で表される基が例示される。
2008179617.tif 000027
（式中、Ｐ環及びＱ環はそれぞれ独立に芳香環を示すが、Ｐ環は存在してもしなくてもよい。２本の結合手は、Ｐ環が存在する場合には、それぞれ、Ｐ環又はＱ環上に存在し、Ｐ環が存在しない場合には、それぞれ、Ｙ1を含む５員環若しくは６員環、又はＱ環上に存在する。Ｐ環、Ｑ環、及びＹ1を含む５員環若しくは６員環は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも一種の置換基を有していてもよい。Ｙ1は、−Ｃ（Ｒ11）（Ｒ12）−、−Ｃ（Ｒ14）（Ｒ15）−Ｃ（Ｒ16）（Ｒ17）−、−Ｃ（Ｒ32）＝Ｃ（Ｒ33）−を表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14〜Ｒ17、Ｒ32及びＲ33は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。）
【００７５】
前記式（Ｉ）中、Ｐ環、Ｑ環、及びＹ1を含む５員環又は６員環が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基は、前記Ｒで表される基として説明し例示したものと同じである。
【００７６】
前記式（Ｉ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14〜Ｒ17、Ｒ32及びＲ33で表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子は、前記Ｒで表される基として説明し例示したものと同じである。
【００７７】
前記式（Ｉ）中、Ａｒで表される２価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。前記複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、窒素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子からなる群から選ばれる原子を一種以上有するものをいう。また、２価の複素環基は、２価の芳香族複素環基であることが好ましい。２価の複素環基の置換基を除いた部分の炭素数は、通常、３〜60程度である。２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常、３〜100程度である。
【００７８】
前記式（Ｉ）中、Ａｒで表される２価の複素環基としては、下記式（３ｂ）：
2008179617.tif 000028
（式中、Ｐ’環及びＱ’環はそれぞれ独立に芳香環を示すが、Ｐ’環は存在してもしなくてもよい。２本の結合手は、Ｐ’環が存在する場合には、それぞれ、Ｐ’環又はＱ’環上に存在し、Ｐ’環が存在しない場合には、それぞれ、Ｙ2を含む５員環若しくは６員環、又はＱ’環上に存在する。Ｐ’環、Ｑ’環及びＹ2を含む５員環若しくは６員環は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも一種の置換基を有していてもよい。Ｙ2は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｂ（Ｒ6）−、−Ｓｉ（Ｒ7）（Ｒ8）−、−Ｐ（Ｒ9）−、−ＰＲ10（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ13）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ18）（Ｒ19）−、−Ｓ−Ｃ（Ｒ20）（Ｒ21）−、−Ｎ−Ｃ（Ｒ22）（Ｒ23）−、−Ｓｉ（Ｒ24）（Ｒ25）−Ｃ（Ｒ26）（Ｒ27）−、−Ｓｉ（Ｒ28）（Ｒ29）−Ｓｉ（Ｒ30）（Ｒ31）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ34）−又は−Ｓｉ（Ｒ35）＝Ｃ（Ｒ36）−を表す。Ｒ6〜Ｒ10、Ｒ13、Ｒ18〜Ｒ31及びＲ34〜Ｒ36は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。）
で表される基が例示される。
【００７９】
前記式中、Ｐ’環、Ｑ’環及びＹ2を含む５員環又は６員環が有してもよい置換基であるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基は、前記Ｒで表される基として説明し例示したものと同じである。
【００８０】
前記式中、Ｒ6〜Ｒ10、Ｒ13、Ｒ18〜Ｒ31及びＲ34〜Ｒ36で表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子は、前記Ｒで表される基として説明し例示したものと同じである。
【００８１】
前記式（Ｉ）中、Ａｒで表される２価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の芳香族アミン基の炭素数は、通常、５〜100程度であり、好ましくは15〜60である。なお、２価の芳香族アミン基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
【００８２】
前記式（Ｉ）中、Ａｒで表される２価の芳香族アミン基としては、下記式（７）で表される基が例示される。
2008179617.tif 000029
（式中、Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8及びＡｒ9は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ10、Ａｒ11及びＡｒ12は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ6〜Ａｒ12は置換基を有していてもよい。ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０又は１であり、０≦ｘ＋ｙ≦１である。）
【００８３】
前記式（７）中、Ａｒ6〜Ａｒ9で表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は、通常、６〜60程度であり、好ましくは６〜20である。アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜100程度である。
【００８４】
前記式（７）中、Ａｒ6〜Ａｒ9で表される２価の複素環基は、前記Ａｒで表される２価の複素環基として説明し例示したものと同じである。
【００８５】
前記式（７）中、Ａｒ10〜Ａｒ12で表されるアリール基及び１価の複素環基は、前記Ｒで表されるアリール基及び１価の複素環基として説明し例示したものと同じである。
【００８６】
前記式（７）中、アリーレン基、２価の複素環基、アリール基及び１価の複素環基が有してもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。これらの置換基は、具体的には、本発明の金属錯体を構成する配位子が有してもよい置換基として説明し例示したものと同じである。
【００８７】
前記式（３ａ）、前記式（３ｂ）で表される基としては、下記式（３−１）、下記式（３−２）又は下記式（３−３）：
2008179617.tif 000030
〔式中、Ａ環、Ｂ環及びＣ環はそれぞれ独立に芳香環を表す。式（３−１）、式（３−２）及び式（３−３）は、各々、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１個以上の置換基を有していてもよい。Ｙは、前記Ｙ1又はＹ2と同じ意味を表す。〕
で表される基；下記式（３−４）又は下記式（３−５）：
2008179617.tif 000031
〔式中、Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環及びＧ環はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１個以上の置換基を有していてもよい芳香環を示す。Ｙは前記と同じ意味を表す。〕
で表される基が挙げられ、前記式（３−４）又は前記式（３−５）で表される基が好ましい。
【００８８】
前記式中、Ｙは、−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ11）（Ｒ12）−であることが、高発光効率の観点から好ましく、さらに好ましくは−Ｓ−、−Ｏ−である。ここで、Ｒ11、Ｒ12は前記と同じ意味を表す。
【００８９】
前記式（３−１）〜（３−５）における芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環；ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環等の複素芳香環が挙げられる。
【００９０】
前記式（３−１）〜（３−５）で表される基が有してもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、又は置換カルボキシル基が好ましい。
【００９１】
＜組成物＞
本発明の組成物は、前記金属錯体及び／又は高分子化合物を含み、好ましくは更に電荷輸送材料及び／又は発光材料を含むものである。
【００９２】
前記電荷輸送材料は、正孔輸送材料と電子輸送材料に分類され、具体的には有機化合物（低分子有機化合物及び／又は高分子有機化合物）を用いることができる。
【００９３】
前記正孔輸送材料としては、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体等、有機ＥＬ素子の正孔輸送材料として公知のものが挙げられる。前記電子輸送材料としては、有機ＥＬ素子に電子輸送材料として公知のもの、例えば、オキサジアゾール誘導体アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体が挙げられる。前記電荷輸送材料の低分子有機化合物とは、低分子有機ＥＬ素子に用いられるホスト化合物、電荷注入輸送化合物を意味し、具体的には、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸共著、オーム社）１０７頁、月刊ティスプレイ（ｖｏｌ９、Ｎｏ９、２００３年２６−３０頁）、特開２００４−２４４４００号公報、特開２００４−２７７３７７号公報等に記載の化合物が挙げられる。これら電荷輸送材料の種類にもよるが、一般的には、金属錯体からの良好な発光を得るためには、これら電荷輸送材料の最低三重項励起エネルギーが、金属錯体の最低三重項励起エネルギーよりも大きいことが好ましい。
【００９４】
前記電荷輸送材料の低分子有機化合物としては、下記化合物を挙げることができる。
2008179617.tif 000032
2008179617.tif 000033
2008179617.tif 000034
2008179617.tif 000035
【００９５】
前記電荷輸送材料の高分子有機化合物としては、非共役系高分子、共役系高分子が挙げられる。非共役系高分子としては、ポリビニルカルバゾール等が挙げられる。共役系高分子としては、主鎖に芳香環を含むポリマーが例として挙げられ、例えば、置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有していてもよいフルオレン、置換基を有していてもよいジベンゾチオフェン、置換基を有していてもよいジベンゾフラン、置換基を有していてもよいジベンゾシロール等を繰り返し単位として主鎖に含むものや、それらのユニットとの共重合体が挙げられる。具体的には、置換基を有していてもよいベンゼン環を部分構造として有することを特徴とする高分子化合物が挙げられる。さらに具体的には、例えば、特開２００３−２３１７４１号公報、特開２００４−０５９８９９号公報、特開２００４−００２６５４号公報、特開２００４−２９２５４６号公報、ＵＳ５７０８１３０、ＷＯ９９／５４３８５、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ０２／０７７０６０、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸  共著、オーム社）１１１頁、月刊ディスプレイ（ｖｏｌ．９、Ｎｏ．９、２００２年）４７−５１頁等に記載の高分子が挙げられる。
【００９６】
前記電荷輸送材料の高分子有機化合物としては、その他にも、前記式（３ａ）又は（３ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子が挙げられ、例えば、下記の基（即ち、下記の例示において、括弧を除いたもの）を含むもの、下記の構造を繰り返し単位として含むものが挙げられる。
2008179617.tif 000036
2008179617.tif 000037
【００９７】
前記電荷輸送材料の低分子有機化合物又は高分子有機化合物の最低三重項励起エネルギー（ＴＨ）と、金属錯体の最低三重項励起エネルギー（ＴＭ）とが、
ＴＨ＞ＴＭ−０．２（ｅＶ）
の関係を満たすことが好ましい。
【００９８】
前記電荷輸送材料の高分子有機化合物を用いる場合、該高分子有機化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは103〜108、さらに好ましくは104〜106である。また、該高分子のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは103〜108であり、さらに好ましくは５×104〜５×106である。
【００９９】
前記発光材料としては、公知のものが使用でき、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等の低分子発光材料等が挙げられる。
【０１００】
本発明の組成物における本発明の金属錯体の配合量は、組み合わせる有機化合物の種類や、最適化したい特性により異なるので特に限定されないが、本発明の組成物の全体量を100重量部としたとき、通常、0.01〜80重量部であり、好ましくは0.1〜60重量部である。前記金属錯体は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１０１】
＜素子＞
本発明の素子は、本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を含むものであり、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を含む層とを有する素子である。以下、その代表的なものとして、本発明の素子が発光素子である場合について説明する。
【０１０２】
本発明の発光素子は、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に少なくとも発光層を有する一層（単層型）又は複数層（多層型）からなる薄膜が挟持されているものである。該薄膜層の少なくとも１層は、本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を含有する。前記薄膜中の本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物の合計含有量は、発光層全体の重量に対して、通常、０．１〜１００重量％であり、０．１〜３０重量％であることが好ましく、０．５〜１５重量％であることがより好ましく、１〜１０重量％であることが特に好ましい。本発明の発光素子は、前記発光層が、本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を発光材料として含有することが好ましい。
【０１０３】
本発明の発光素子が前記単層型である場合には、前記薄膜が発光層であり、この発光層が本発明の金属錯体を含有する。また、本発明の発光素子が多層型である場合には、例えば、以下の層構成をとる。
(a)陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／陰極
(b)陽極／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極
(c)陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極
【０１０４】
本発明の発光素子の陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等を用いることができる。具体的には、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン類、ポリチオフェン類（PEDOT等）、ポリピロール等の有機導電性材料、これらとＩＴＯとの積層物等が挙げられる。
【０１０５】
本発明の発光素子の陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものである。陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を用いることができる。陰極の材料の具体例としては、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム、バリウム、セシウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類（ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等）、希土類金属（インジウム、イッテルビウム等）等が挙げられる。
【０１０６】
本発明の発光素子の正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。これらの層の材料には、公知の材料を適宜選択して使用できるが、具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、本発明の金属錯体等、これらを含む重合体等が挙げられる。その他にも、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。これらの材料は１成分単独であっても複数の成分が併用されていてもよい。また、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１０７】
本発明の発光素子の電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。公知の材料を適宜選択して使用できるが、具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８ − キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、本発明の金属錯体化合物等が挙げられる。また、前記電子注入層及び前記電子輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１０８】
また、本発明の発光素子において、電子注入層、電子輸送層の材料としては、絶縁体又は半導体の無機化合物も使用することもできる。電子注入層、電子輸送層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物を使用できる。好ましいアルカリ金属カルコゲニドの具体例としては、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅが挙げられる。また、電子注入層、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等が挙げられる。これら酸化物、窒化物及び酸化窒化物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１０９】
本発明において、陰極と接する薄膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物が好ましい。
【０１１０】
本発明の発光素子の発光層は、電圧印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有するものである。本発明の発光素子の発光層は、少なくとも本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を含有することが好ましく、該金属錯体及び／又は該高分子化合物をゲスト材料とするホスト材料を含有させてもよい。前記ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有するもの、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの、アリールシラン骨格を有するもの等が挙げられる。前記ホスト材料のＴ１（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、ゲスト材料のそれより大きいことが好ましく、その差が０．２ｅＶよりも大きいことがさらに好ましい。前記ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、前記ホスト材料と前記金属錯体等の発光材料とを混合して塗布するか、或いは共蒸着等することによって、前記発光材料が前記ホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。
【０１１１】
本発明の発光素子では、前記各層の形成方法は特に限定されず公知の方法を使用できる。具体的には、真空蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等）、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法、塗布法（キャスティング法、スピンコート法、バーコート方、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等）等が挙げられる。これらの中では、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布で成膜することが好ましい。前記塗布法では、本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を溶媒に溶解して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に、塗布・乾燥することによって形成することができる。該塗布液中には、ホスト材料及び／又はバインダーとして樹脂を含有させてもよく、該樹脂は溶媒に溶解状態とすることも、分散状態とすることもできる。前記樹脂としては、非共役系高分子（例えば、ポリビニルカルバゾール）、共役系高分子（例えば、ポリオレフィン系高分子）を使用することができる。より具体的には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等から目的に応じて選択できる。溶液は目的に応じて、任意成分として、酸化防止剤、粘度調整剤等を含有してもよい。
【０１１２】
−光電素子−
本発明の金属錯体、高分子化合物は、光電素子の製造に用いることができる。
【０１１３】
光電素子としては、例えば、光電変換素子があり、具体的には、少なくとも一方が透明又は半透明な二個の電極間に、本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を含む層が設けられた素子や、基板上に製膜した本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を含む層上に形成した櫛型電極を有する素子等が挙げられる。特性を向上するために、フラーレンやカーボンナノチューブ等を混合してもよい。
【０１１４】
光電変換素子の製造方法としては、特許第３１４６２９６号公報に記載の方法が例示される。具体的には、第一の電極を有する基板上に本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を含む層（薄膜）を形成し、その上に第二の電極を形成する方法、基板上に形成した一組の櫛型電極の上に本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を含む層（薄膜）を形成する方法が例示される。第一又は第二の電極のうち一方が透明又は半透明である。
【０１１５】
本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物を含む層（薄膜）の形成方法やフラーレンやカーボンナノチューブを混合する方法については特に制限はないが、発光素子で例示したものが好適に利用できる。
【０１１６】
＜液状組成物＞
本発明の液状組成物は、本発明の金属錯体及び／又は本発明の高分子化合物と、溶媒又は分散媒とを含有してなるものである。本発明の液状組成物に用いられる溶媒、分散媒としては、薄膜の成分を均一に溶解又は分散し安定なものを公知の溶媒から適宜選択して使用できる。このような溶媒としては、塩素系溶媒（クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等）、エーテル系溶媒（テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、芳香族炭化水素系溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等）、ケトン系溶媒（アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等）、エステル系溶媒（酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等）、多価アルコール及びその誘導体（エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等）、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等）、スルホキシド系溶媒（ジメチルスルホキシド等）、アミド系溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等）等が挙げられる。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１１７】
前記液状組成物をインクジェット法に適用する場合には、該液状組成物の吐出性及びその再現性を良好にするために、該液状組成物は公知の添加剤を含有していてもよい。この公知の添加剤としては、ノズルからの蒸発を押さえるために高沸点の溶媒（アニソール、ビシクロヘキシルベンゼン等）等が挙げられる。そして、この公知の添加剤を含有してなる液状組成物は、２５℃における粘度が１〜１００mPa・sであることが好ましい。
【０１１８】
本発明の発光素子の各層の好ましい膜厚は、材料の種類や層構成によって異なり特に限定されないが、一般的には膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり発光効率が悪くなるため、通常、数ｎｍ〜１μｍが好ましい。
【０１１９】
本発明の発光素子の用途としては、特に制限されないが、面状光源、照明用光源（あるいは、光源）、サイン用光源、バックライト用光源、ディスプレイ装置、プリンターヘッド等が挙げられる。前記ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術、駆動回路等を用い、セグンメント型、ドットマトリクス型等の構成を選択することができる。
【０１２０】
＜その他の用途＞
本発明の金属錯体、本発明の高分子化合物は、素子の作製に有用であるだけではなく、例えば、有機半導体材料等の半導体材料、発光材料、光学材料、導電性材料（例えば、ドーピングにより適用する）等としても用いることもできる。したがって、該金属錯体、該高分子化合物を用いて、発光性膜、導電性膜、有機半導体膜等の膜（即ち、前記金属錯体及び／又は前記高分子化合物を含む膜）を作製することができる。
【０１２１】
本発明の金属錯体、本発明の高分子化合物は、前記発光素子の発光層に用いられる発光性膜の作製方法と同様の方法で、導電性薄膜及び半導体薄膜を製膜、素子化することができる。半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、１０-5ｃｍ2／Ｖ／秒以上であることが好ましい。また、有機半導体膜は、有機太陽電池、有機トランジスタ等に用いることができる。
【実施例】
【０１２２】
以下、本発明をより詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２３】
＜実施例１＞（金属錯体（ＭＣ−１））
金属錯体（ＭＣ−１）と有機溶媒との溶液を調製し、そのフォトルミネッセンスを測定すると、発光が観測される。
2008179617.tif 000038
【０１２４】
＜実施例２＞（金属錯体（ＭＣ−２）の合成）
・5-ブロモ-2-フェニルピリジンの合成
2008179617.tif 000039
反応容器に、2,5-ジブロモピリジン(7.11g、30mmol)、トルエン(130mL)、フェニルホウ酸(4.57g、37.5mmol)、及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(1.73g、1.5mmol)を量りとり、窒素気流下、50℃で撹拌しながら反応物を溶解させた。これに2 M 炭酸ナトリウム水溶液(30mL)を加えて、80℃で6時間撹拌した。得られた反応溶液の有機層を回収し、炭酸ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過した後に留去した。この残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン/トルエン）で精製し、溶媒を留去して、5-ブロモ-2-フェニルピリジン(6.21g、26.5 mmol)を得た。
【０１２５】
・金属錯体（complex1,2）の合成
2008179617.tif 000040
反応容器に、5-ブロモ-2-フェニルピリジン（７．３９ｇ、３０mmol）、塩化イリジウム三水和物(4.76g、13.5mmol)、2-エトキシエタノール(58mL)、及び水(19mL)を量り取り、窒素気流下、140℃で16時間加熱した。空冷後、得られた反応混合物を濾別し、水、メタノール、ヘキサンの順で洗浄することにより、黄色固体として、上記式で表される金属錯体（complex 1、9.10g、6.58mmol）を得た。
反応容器に、金属錯体（complex 1、6.94g、5.0mmol）、5-ブロモ-2-フェニルピリジン（7.32g、30.0mmol）及びジグライム（43mL）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（2.57g、10.0mmol）を加え、130℃で14時間撹拌した。得られた反応物を濾別し、固体を塩化メチレン(1.3 L)に溶解させた。この溶液を濾過し、濾液を約１５０ｍL程度に濃縮した。析出した固体を濾別回収し、ヘキサンで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（complex2、6.35g、7.1mmol）を得た。
LC-MS (positive) m/z : 890 ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, DMSO-d6)
δ 6.51 (d, J = 7.8 Hz, 3 H), δ 6.72 (m, 3 H), δ 6.84 (m, 3 H), δ 7.66 (d, J = 2.0 Hz, 3 H), δ 7.80 (d, J = 7.8 Hz, 3 H), δ 8.05 (dd, J = 2.0, 8.8 Hz, 3 H),δ 8.14 (d, J = 8.8 Hz, 3 H)
【０１２６】
・金属錯体（complex3）の合成
2008179617.tif 000041
窒素気流下、反応容器に、金属錯体（complex2、3.27g、3.7mmol）、酢酸カリウム（3.27g、33.3mmol）、ビス（ピナコラート）ジボロン（3.38g、13.3mmol）、1,1'-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（245mg、0.44mmol）、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)（361mg、0.44mmol）、及びテトラヒドロフラン（400mL）を量りとり、30時間還流した。得られた反応溶液を濃縮し、塩化メチレン（150mL）を加えて溶解させた後に、ろ過した。この濾液をシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン）で精製し、溶媒を留去して残渣をジエチルエーテルで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（complex3、2.55g、2.47mmol)を得た。
LC-MS (positive) m/z : 1072 ([M+K]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 1.21 (s, 36 H), δ 6.87 (m, 9 H), δ 7.69 (d, J = 7.7 Hz, 3 H), δ 7.82 (s, 3 H), δ 7.86 (m, 6 H)
【０１２７】
・２−クロロ−４，６−ジ（４’−tert-ブチル）フェニルピリミジンの合成
2008179617.tif 000042
窒素気流下、反応容器に塩化シアヌル(１．８３g、10mmol)、４-tert-ブチルフェニルボロン酸(３．７３g、21mmol)、炭酸ナトリウム(６．５７ｇ、62mmol)、酢酸パラジウム(８９ｍｇ、０．４０mmol)、トリフェニルホスフィン(０．２１g、０．８０mmol)、グライム(50ｍＬ)、及び水（２０ｍL）を仕込み、８．５時間還流した。得られた反応混合物中の溶媒を留去し、クロロホルム(５０mL)と水(５０ｍＬ)を加え、有機層を抽出した。この有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過した後に溶媒を留去した。この残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン/トルエン)で2回精製し、溶媒を留去することにより、２−クロロ−４，６−ジ（４'−tert-ブチル）フェニルピリミジン(２．６４ｇ、７．０mmol)を得た。
LC-MS (APPI,  positive) m/z : 379.2  ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 1.38 (s, 18 H), δ 7.55 (d, J = 6.9 Hz, 4 H), δ 7.97 (s, 1 H), δ 8.07 (d, J = 6.9 Hz, 4 H)
【０１２８】
・金属錯体（ＭＣ-２）の合成
2008179617.tif 000043
窒素気流下、反応容器に、上記式で表される金属錯体（complex3、１０３mg、０．１０mmol）、２−クロロ−４，６−ジ（４'−tert-ブチル）フェニルピリミジン(１２５mg、０．３３mmol)、フッ化カリウム(５８mg、１．０mmol)、トリス(ジベンジリデナセトン)二パラジウム(O) (１３．７mg、０．０１５mmol)、及びテトラヒドロフラン(１０mL)を量りとり、トリ-ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（７．３μL）を加えて６時間還流した。得られた反応溶液を濃縮し、トルエンに溶解させ、硫酸ナトリウムで乾燥した。この有機層をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し（トルエン）、溶媒を留去した。残渣をメタノールで洗浄することにより、下記式：
2008179617.tif 000044
で表される金属錯体（ＭＣ−２）(６９．８mg, ０．０４２mmol)を得た。
LC-MS (APCI,  positive) m/z : １６８３  ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 1.19 (s, 54 H), δ 6.93 (m, 9 H), δ 7.41 (d, J = 8.4 Hz, 12 H),δ 7.79 (d, J = 7.5 Hz, 3 H),δ 7.82 (s, 3 H),δ 7.90 (d, J = 8.4 Hz, 12 H),δ 8.12 (d, J = 8.4 Hz, 3 H),δ 9.12 (d, J = 8.4 Hz, 3 H),δ 9.34 (s, 3 H)
【０１２９】
・金属錯体（ＭＣ−２）の物性測定
金属錯体（ＭＣ−２）とポリメチルメタクリレート樹脂（アルドリッチ社製）（以下、「ＰＭＭＡ」という）とを重量比で２：９８の比率で混合したものの、１０重量％クロロホルム液を調製した。この溶液を石英基板上に滴下、乾燥し、石英基板上に金属錯体（ＭＣ−２）ドープのＰＭＭＡ膜を成膜した。得られた基板を用い、フォトルミネッセンス測定したところ、５７５ｎｍにピークをもつ発光が観測され、量子収率は８０％であった。フォトルミネッセンス量子収率は、有機ＥＬ発光特性評価装置（（株）オプテル社製、商品名：ＩＥＳ−１５０）を用い、励起波長は３２５ｎｍにて測定した。
【０１３０】
＜実施例３＞（金属錯体（ＭＣ−３）の合成）
・2,4-ジクロロ-６−（４−tert-ブチル）フェニルピリミジン合成
2008179617.tif 000045
窒素気流下、反応容器に２，４，６−トリクロロピリミジン（18.3g、100mmol）、4-tert-ブチルフェニルボロン酸(37.4g, 210mmol) 炭酸ナトリウム(65.7g、620mmol)、酢酸パラジウム(0.56g、2.5mmol)、トリフェニルホスフィン(1.31g、5.0mmol)、及びグライム(500ｍＬ)を仕込み、80℃で20時間還流した。得られた反応混合物中の溶媒を留去し、酢酸エチル(200mL)と水(200ｍＬ)を加え、有機層を抽出した。この有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過した後に濾液を留去した。この残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル)で精製し、溶媒を留去した。この残渣をヘキサンで再結晶化することにより、2,4-ジクロロ-6-（4-tert-ブチル）フェニルピリミジン(2.0g、7.1mmol)を得た。
LC-MS (positive) m/z : ２８１ ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 1.36 (s, 9 H), δ 7.54 (d, J = 6.9 Hz, 2 H), δ 7.64 (s, 1 H), δ 8.01 (d, J = 6.9 Hz, 2 H)
【０１３１】
・金属錯体（ＭＣ−３）の合成
2008179617.tif 000046
窒素気流下、反応容器に金属錯体（complex3、341mg、0.33mmol）、2,4-ジクロロ-6-（4-tert-ブチル）フェニルピリミジン (540mg、1.7mmol)、炭酸カリウム(547mg、3.9mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(97mg、0.084mmol)、テトラヒドロフラン(60mL)、及びエタノール(10mL)を量りとり、7時間還流した。得られた反応溶液をろ過し、濾液を濃縮してメタノール（50mL）を加えた。生じた沈殿を濾別回収し、塩化メチレンに溶解させ、硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を濾過した後に、シリカゲルクロマトグラフィー（一回目：塩化メチレン、二回目：トルエン）で二回精製し、溶媒を留去した。残渣をメタノール及びヘキサンで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（MC-3、56.0mg、0.040mmol）を得た。
LC-MS (positive) m/z : 1388 ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 1.31 (s, 27 H), δ 6.99 (m, 6 H), δ 7.08 (m, 3 H), δ 7.42 (d, J = 6.8 Hz, 6 H), δ 7.55 (s, 3 H), δ 7.80 (m, 9 H), δ 8.05 (d, J = 8.4 Hz, 3 H), δ 8.40 (m, 6 H)
【０１３２】
・金属錯体（ＭＣ−３）の物性測定
金属錯体（ＭＣ−３）を、ポリメチルメタクリレート樹脂（アルドリッチ社製）の１０重量％トルエン溶液に、２重量％の濃度で溶解したものを調製した。この溶液を石英基板上に滴下、乾燥し、石英基板上に金属錯体（ＭＣ−３）ドープのＰＭＭＡ膜を成膜した。得られた基板を用い、フォトルミネッセンス測定したところ、６３０ｎｍにピークをもつ発光が観測され、量子収率は６５％であった。フォトルミネッセンス量子収率は、有機ＥＬ発光特性評価装置（（株）オプテル社製、商品名：ＩＥＳ−１５０）を用い、励起波長は３２５ｎｍにて測定した。
【０１３３】
＜実施例４＞（金属錯体（ＭＣ−４）の合成）
2008179617.tif 000047
窒素気流下、反応容器に、金属錯体（complex3、９２９mg、0.９０mmol）、２−クロロ−４，６−ジ（４'−ヘキシルフェニル）−１，３，５−トリアジン(1.29g、3.0mmol)、炭酸セシウム(２．９３g、９．０mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０） (３１２mg、０.２７mmol)、及びテトラヒドロフラン(９０mL)を量りとり、８時間還流した。得られた反応混合物にトルエンを加えてろ過し、濾液を濃縮した。このトルエン溶液をシリカゲルクロマトグラフィーで三回精製し（一回目の展開溶媒:トルエン／二回目及び三回目の展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝１／１）、溶媒を留去した。この残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−４）(２２７mg、０.１２mmol)を得た。
LC-MS (APCI,  positive) m/z : 1854  ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 0.88 (t, J = 6.6 Hz, 18 H), δ 1.22 (m, 36 H), δ 1.49 (m, 12 H), δ 2.48 (m, 12 H), δ 6.96 (m, 9 H), δ 7.22 (d, J = 7.8 Hz, 12 H),δ 7.83 (d, J = 7.5 Hz, 3 H),δ 8.18 (d, J = 8.4 Hz, 3 H),δ 8.35 (d, J = 7.8 Hz, 12 H),δ 9.19 (d, J = 8.4 Hz, 3 H),δ 9.31 (s, 3 H)
【０１３４】
・金属錯体（ＭＣ−４）の物性測定
金属錯体（ＭＣ−４）とＰＭＭＡとを重量比で２：９８の比率で混合したものの、１０重量％クロロホルム液を調製した。この溶液を石英基板上に滴下、乾燥し、石英基板上に金属錯体（ＭＣ−４）ドープのＰＭＭＡ膜を成膜した。得られた基板を用い、フォトルミネッセンス測定したところ、６０５ｎｍにピークをもつ発光が観測され、量子収率は８８％であった。
【０１３５】
・化合物（Ｐ−１）の合成
ジムロートを接続した２００ｍＬセパラブルフラスコに、９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジホウ酸エチレングリコールエステル  ３．１８ｇ（６．０ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン  ３．０６ｇ（５．４ｍｍｏｌ）、N，N’−ビス（４−ブロモフェニル）−N，N’−ビス（２，６−ジブロモ−４−tert−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン  ０．４４ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ社製）  ０．８２ｇ、及びトルエン６０ｍＬを加えた。窒素雰囲気下、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド  ４．２ｍｇを加え、８５℃に加熱した。得られた溶液に、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液  １６．３ｍＬを滴下しながら１０５℃に加熱した後、１．５時間攪拌した。次に、フェニルホウ酸  ０．７４ｇ、及びビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド  ４．２ｍｇとトルエン３０ｍＬを加え、１０５℃で１７時間攪拌した。
得られた溶液から、水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物  ３．６５ｇ、イオン交換水  ３６ｍＬを加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水  ８０ｍＬ（２回）、３重量％酢酸水溶液  ８０ｍＬ（２回）、イオン交換水  ８０ｍＬ（２回）の順番で洗浄した。
有機層をメタノール  ９３０ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し固体を得た。この固体をトルエン  １９０ｍＬに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに溶液を通液し、この溶液をメタノール  ９３０ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し、下記式：
2008179617.tif 000048
で表される化合物（Ｐ−１）４．１７ｇを得た。この化合物（Ｐ−１）のポリスチレン換算の数平均分子量Ｍｎは２．７×１０5であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗは７．１×１０5であった。
【０１３６】
金属錯体（ＭＣ−４）を、前記化合物（Ｐ−１）に５重量％の割合で添加してなる混合物の、１．０重量％キシレン溶液と、下記ポリマー（ＴＦＢ）の０．５重量％キシレン溶液を調製した。
2008179617.tif 000049
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いて、スピンコートにより５０ｎｍの厚みで溶液の成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記で調製したＴＦＢのキシレン溶液を用いてスピンコートにより、２０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、窒素ガス雰囲気下１８０℃で１５分間乾燥した。この基板を室温に戻した後、上記で調製した金属錯体（ＭＣ−４）と化合物（Ｐ−１）との混合キシレン溶液を用いて、スピンコートにより２０００ｒｐｍの回転速度で成膜した。得られた膜の平均膜厚は約１００ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお、真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、６０５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。発光効率は最大７．８ｃｄ／Ａであった。
さらに、この素子を用いて初期輝度を4000cd/m2に設定し、定電流駆動で５０時間駆動したところ、初期輝度に対して７０％の輝度を保持しており、長寿命であった。
【０１３７】
＜実施例５＞（金属錯体（ＭＣ−５）の合成）
・２，４−ジ（４’−tert-ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジン合成
2008179617.tif 000050
アルゴン気流下、反応容器に、１−ブロモ−４−tert-ブチルベンゼン(１２５ g、５８７ mmol)とテトラヒドロフラン(４７０ mL)を仕込み、−７０℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液(１．６Ｍ、３６７ mL、５８７ mmol)を−７０℃で90分かけて滴下し、滴下終了後−７０℃で２時間攪拌して４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルリチウム／ＴＨＦ溶液を得た。アルゴン気流下、別の反応容器に塩化シアヌル(５０．８ｇ、２７６  ｍｍｏｌ)とテトラヒドロフラン（４６３ｍＬ）を仕込み、−７０℃に冷却した。これに、先に調製した４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルリチウム／ＴＨＦ溶液を、反応温度が−60℃以下となるように冷却しながらゆっくりと滴下した。滴下終了後、反応溶液を−４０℃で4時間、室温で４時間攪拌した。この反応混合物に水（５０ｍＬ）を加えて反応を終了させ、テトラヒドロフランを留去した。この残渣に水（１Ｌ）とクロロホルム（２Ｌ）を加えて有機層を抽出し、さらに水（１Ｌ）で有機層を洗浄した後に溶媒を留去した。この残渣をアセトニトリル（６００ｍＬ）に溶解させ熱時濾過で不溶固体を取り除いた。得られた濾液を１００ｍＬ程度まで濃縮し、−70℃に冷却させて析出した固体を濾別回収した。回収した固体をクロロホルム（２００ｍＬ）／ヘキサン（６００ｍＬ）混合溶媒に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム／ヘキサン)で精製した。溶媒を留去し、この残渣をアセトニトリルから再結晶することにより、２，４−ジ（４’−tert-ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジン（４１．３ｇ、１０９ｍｍｏｌ）を得た。
LC-MS (APPI,  positive) m/z : ３８０ ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 1.39 (s, 18 H), δ 7.56 (d, J = 8.4 Hz, 4 H), δ 8.54 (d, J = 8.4 Hz, 4 H)
【０１３８】
・金属錯体（ＭＣ−５）の合成
2008179617.tif 000051
窒素気流下、反応容器に、金属錯体（complex3、５４６mg、０．５３ mmol）、２，４−ジ（４’−tert-ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジン(７０２mg、１．８５  mmol)、炭酸セシウム(１．７３ｇ、５．３１mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(１９６mg、０．１７mmol)、及びテトラヒドロフラン(５３mL)を量りとり、９時間還流した。得られた反応溶液を濃縮し、これにトルエンを加えて溶解させた。この溶液を濾過し、濾液をシリカゲルクロマトグラフィーで２回精製した（１回目、展開溶媒：トルエン、２回目、展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝１／１）。溶媒を留去し、残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−５、２５７mg、０．１５mmol)を得た。
LC-MS (APCI,  positive) m/z : １６８６ ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 1.14 (s, 54 H), δ 6.96 (m, 9 H), δ 7.39 (d, J = 8.4 Hz, 12 H),δ 7.83 (d, J = 7.5 Hz, 3 H),δ 8.18 (d, J = 8.4 Hz, 3 H),δ 8.36 (d, J = 8.4 Hz, 12 H),δ 9.14 (d, J = 8.4 Hz, 3 H),δ 9.33 (s, 3 H)
【０１３９】
・金属錯体（ＭＣ−５）の物性測定
金属錯体（ＭＣ−５）を、ポリメチルメタクリレート樹脂（アルドリッチ社製）の１０重量％トルエン溶液に、２重量％の濃度で溶解したものを調製した。この溶液を石英基板上に滴下、乾燥し、石英基板上に金属錯体（ＭＣ−５）ドープのＰＭＭＡ膜を成膜した。得られた基板を用い、フォトルミネッセンス測定したところ、６１０ｎｍにピークをもつ発光が観測され、量子収率は８９％であった。
実施例４において、金属錯体（ＭＣ−４）に代えて金属錯体（ＭＣ−５）を用いた以外は、実施例４と同様にしてＥＬ素子を作製した。
得られたＥＬ素子に電圧を引加することにより、６２０ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。発光効率は最大６．９ｃｄ／Ａであった。初期輝度を４０００ｃｄ／ｍ2に設定し、５０時間駆動したところ、初期輝度に対して７３％の輝度を保持しており、長寿命であった。
【０１４０】
＜実施例６＞（金属錯体（ＭＣ−６）の合成）
・２−（４’−ベンゾイルフェニル）−５−ブロモピリジンの合成
2008179617.tif 000052
アルゴン気流下、反応容器に、2,5-ジブロモピリジン(15.85g、66.0mmol)を量り取り、トルエン(300mL)を加えて溶液とした。これに、４−ベンゾイルフェニルホウ酸(18.86g、83.0mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(3.05g、2.6mmol)、および1.41 M 炭酸ナトリウム水溶液(100mL)を加えて、90℃で8時間撹拌した。得られた反応混合物から固体を濾別回収し、この固体を冷トルエン、冷ジエチルエーテルの順で洗浄した。この固体をトルエン／クロロホルム混合溶媒（容積比２／１）に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。溶媒を留去し、得られた残渣をクロロホルム／エタノール混合溶媒（容積比９／２）に溶解させ、再結晶を数回繰り返すことにより、黄色固体として２−（４’−ベンゾイルフェニル）−５−ブロモピリジン(3.00g、8.87 mmol)を得た。
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 7.49-7.92 (m, 9H), δ 8.08 (d,J = 7.8 Hz, 2H), δ 8.77 (s, 1H)
13C NMR (75 MHz, CDCl3)
δ 120.5, δ 122.9, δ 126.9, δ 128.6, δ 130.3, δ 130.9, δ 132.8, δ 137.7, δ 138.3, δ 139.8, δ 142.0, δ 151.2, δ 154.9, δ 196.5
【０１４１】
・金属錯体（complex4,5）の合成
2008179617.tif 000053
反応容器に、２−（４’−ベンゾイルフェニル）−５−ブロモピリジン（1.01ｇ、3.0mmol）、塩化イリジウム三水和物(0.48g、1.4mmol)、2-エトキシエタノール(12mL)、及び水(4mL)を量り取り、窒素気流下、140℃で9時間加熱した。空冷後、得られた反応混合物を濾別し、メタノール、ヘキサンの順で洗浄することにより、オレンジ色固体として、上記式で表される金属錯体（complex4、1.23g、0.68mmol）を得た。
反応容器に、金属錯体（complex4、1.23g、0.68mmol）、２−（４’−ベンゾイルフェニル）−５−ブロモピリジン（1.38g、4.1mmol）、及びジグライム（12mL）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（0.35g、1.4mmol）を加え、150℃で35時間撹拌した。得られた反応混合物を濾別し、固体を塩化メチレン(100 mL)に溶解させた。この溶液を濾過し、濾液から溶媒を留去した。この残渣をメタノール、ヘキサンの順で洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（complex5、1.26g、1.05mmol）を得た。
LC-MS (APPI 、positive) m/z : 1203.9 ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 7.02 (s, 3 H), δ 7.19 (dd, J = 7.1, 7.5 Hz, 6 H), δ 7.35 (m, 12 H), δ 7.64 (s, 3 H), δ 7.67 (d, J = 8.1 Hz, 3 H), δ 7.89 (dd, J = 6.9, 8.8 Hz, 6 H)
13C NMR (75 MHz, CDCl3)
δ 119.1, δ 121.3, δ 123.0, δ 124.5, δ 128.1, δ 130.1, δ 132.1, δ 137.9, δ 138.3, δ 138.9, δ 140.3, δ 146.5, δ 148.6, δ 157.6, δ 164.3, δ 197.4
【０１４２】
・金属錯体（complex6）の合成
2008179617.tif 000054
窒素気流下、反応容器に金属錯体（complex5、1.21g、1.0mmol）、酢酸カリウム（1.10g、11.2 mmol）、ビス（ピナコラート）ジボロン（1.19 g、4.2 mmol）、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)（0.32 g、0.35mmol）、及びテトラヒドロフラン（100mL）を量りとり、8時間還流した。得られた反応溶液を濃縮し、塩化メチレンを加えて溶解させた後、ろ過した。この濾液をシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン/メタノール＝10/1）で精製し、溶媒を留去した。この残渣をメタノール、ヘキサンの順で洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（complex6、0.62g、0.46mmol）を得た。
LC-MS (APPI、positive) m/z :  1346.4 ([M+H]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 1.24 (s, 36 H), δ 7.17 (m, 9 H), δ 7.34 (m, 12 H), δ 7.73 (d, J = 8.1 Hz, 3 H), δ 7.84 (s, 3 H), δ 7.95 (d, J = 8.1 Hz, 3 H), δ 8.02 (d, J = 8.1 Hz, 3 H)
【０１４３】
・金属錯体（ＭＣ−６）の合成
2008179617.tif 000055
窒素気流下、反応容器に金属錯体（complex6、460mg, 0.342 mmol）、２，４−ジ（４’−tert-ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジン(456mg、1.20  mmol)、炭酸セシウム(1.11ｇ、3.40mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(121mg、０．105mmol)、及びテトラヒドロフラン(34mL)を量りとり、20時間還流した。得られた反応溶液を濃縮し、塩化メチレンを加えて溶解させたのちに、ろ過した。この濾液をシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン/メタノール  20/1）で３回精製し、溶媒を留去した。この残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（MC-6、121 mg、0.060mmol）を得た。
ESI-MS (positive) m/z : 2036 ([M+K]+)
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 1.20 (s, 54 H), δ 7.18-7.45 (m, 33 H), δ 7.87 (d, J = 8.2 Hz, 3 H), δ 8.30 (d, J = 8.6 Hz, 3 H), δ 8.38 (d, J = 8.4 Hz, 12 H), δ 9.25(d, J = 8.6 Hz, 3 H), δ 9.39 (s, 3 H)
【０１４４】
・金属錯体（ＭＣ−６）の物性測定
金属錯体（ＭＣ−６）を、ポリメチルメタクリレート樹脂（アルドリッチ社製）の１０重量％トルエン溶液に、２重量％の濃度で溶解したものを調製した。この溶液を石英基板上に滴下、乾燥し、石英基板上に金属錯体（ＭＣ−６）ドープのＰＭＭＡ膜を成膜した。得られた基板を用い、フォトルミネッセンス測定したところ、６２０ｎｍにピークをもつ発光が観測された。なお、フォトルミネッセンス測定は、浜松ホトニクス社製  ＰＬ量子収率測定装置（商品名：Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起波長は３２５ｎｍにて測定した。
【０１４５】
＜実施例７＞（金属錯体（ＭＣ−７）の合成）
・２−（４’−ビフェニル）−５−ブロモピリジンの合成
2008179617.tif 000056
アルゴン気流下、反応容器に、2,5-ジブロモピリジン(2.37g、10mmol)を量り取り、トルエン(100mL)を加えて溶液とした。これに、４−ビフェニルホウ酸(2.47g、12.5mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(0.46g、0.4mmol)、及び２ M 炭酸ナトリウム水溶液(10mL)を加えて、90℃で8時間撹拌した。得られた反応混合物から固体を濾別回収し、この固体を冷トルエンで洗浄した。この固体をクロロホルム／エタノール混合溶媒（容積比１／１）に溶解させ、再結晶を数回繰り返すことにより、黄色固体として２−（４’−ビフェニル）−５−ブロモピリジン(1.10g、3.55 mmol)を得た。
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 7.72-7.28 (m, 8H), δ 7.88 (d, J = 10.5 Hz, 1H), δ 8.05(d, J = 6.6 Hz, 2H), δ 8.75 (s, 1H)
【０１４６】
・金属錯体（complex7,8）の合成
2008179617.tif 000057
反応容器に、２−（４’−ビフェニル）−５−ブロモピリジン（463 mg、1.5mmol）、塩化イリジウム三水和物(241 mg、0.68mmol)、2-エトキシエタノール(6 mL)、及び水(2 mL)を量り取り、窒素気流下、140℃で14時間加熱した。空冷後、得られた反応混合物を濾別し、メタノール、ヘキサンの順で洗浄することにより、黄色固体として、上記式で表される金属錯体（complex7、539 mg、0.32 mmol）を得た。
反応容器に、金属錯体（complex7、539 mg、0.32 mmol）、２−（４’−ビフェニル）−５−ブロモピリジン（609 mg、0.20 mmol）及びジグライム（12 mL）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（175 mg、0.68 mmol）を加え、150℃で１１時間撹拌した。得られた反応混合物を濾別し、固体を塩化メチレンに溶解させた。この溶液を濾過し、濾液から溶媒を留去した。この残渣をメタノール、ヘキサンの順で洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（complex８、５８０ｍｇ、０．５２ｍｍｏｌ）を得た。
【０１４７】
・金属錯体（complex9）の合成
2008179617.tif 000058
窒素気流下、反応容器に金属錯体（complex８、５８０ｍｇ、０．５２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（４６８ｍｇ、４．８ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（５３８ｍｇ、２．１ｍｍｏｌ）、 [1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II) （１３０ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（６０ｍＬ）を量りとり、18時間還流した。得られた反応溶液を濃縮し、塩化メチレンに溶解させ、ろ過した。この濾液をシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン／メタノール  20／1）で精製し、溶媒を留去した。この残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（complex９、４８３ｍｇ、０．３８ｍｍｏｌ）を得た。
【０１４８】
・金属錯体（ＭＣ−７）の合成
2008179617.tif 000059
窒素気流下、反応容器に金属錯体（complex９）、２，４−ジ（４’−tert-ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジン、炭酸セシウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）、及びテトラヒドロフランを量りとり、還流する。得られる反応溶液を濃縮し、これにトルエンを加えて溶解させる。この溶液を濾過し、濾液をシリカゲルクロマトグラフィーで精製する。溶媒を留去し、残渣を洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−７）を得る。
【０１４９】
＜比較例１＞
下記式：
2008179617.tif 000060
で表される金属錯体を、ＷＯ０３／０４０２５６Ａ２に記載の方法により合成した。
この金属錯体について、実施例３と同様にしてフォトルミネッセンス量子収率を測定した。６４３ｎｍにピークをもつ発光が観測され、量子収率は５１％であった。
次いで、実施例４において、前記金属錯体（ＭＣ−４）に代えて、上記式で表される金属錯体を用いた以外は、実施例４と同様にしてＥＬ素子を作製した。
得られた素子に電圧を引加することにより、６２０ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。発光効率は最大５．６ｃｄ／Ａであった。初期輝度を４０００ｃｄ／ｍ2に設定し、５０時間駆動したところ、初期輝度に対して４５％にとどまった。