(57)【要約】【課題】例えば、ＵＶ光照射によって生じるデータ線駆動回路等の劣化を抑制する。【解決手段】液晶装置１は、画像表示領域１０ａの周辺領域に設けられた周辺回路部のうち走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１のみに重なる遮光膜２０１ａおよび２０１ｂを備えている。遮光膜２０１ａ及び２０１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０が備える複数の層の一部の層と同層に形成されている。したがって、遮光膜２０１ａ及び２０１ｂによれば、液晶装置１の製造時に、ＴＦＴアレイ基板１０側からシール材５２或いは封止部１５６にＵＶ光を照射する際に、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４の夫々が有するＴＦＴ等の半導体素子に照射されるＵＶ光を遮ることができ、これら半導体素子がＵＶ光によって受けるダメージを低減できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画素領域で互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記基板上において前記画素領域の周辺に延びる周辺領域に設けられており、前記画素領域に形成された画素部に前記走査線を介して走査信号を供給する走査線駆動回路と、
前記周辺領域に設けられており、画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路にサンプリング信号を供給するデータ線駆動回路と、
前記周辺領域に設けられた周辺回路部のうち前記走査線駆動回路及び前記データ線駆動回路のみに重なるように形成された遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素部は、前記データ線に電気的に接続された画素電極及び該画素電極に対向する対向電極を有しており、
前記遮光膜は、前記対向電極に電気的に接続され、且つ該対向電極に共通電位を供給する共通電位線に重なるように形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記基板は、複数の層を有しており、
前記遮光膜は、前記複数の層の一部として形成された層と同層に形成されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記遮光膜は、タングステンシリサイド膜であること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の液晶装置では、相対向するように配置された一対の基板間に液晶層を封止し、液晶層の駆動によって画像表示が行われる表示領域が形成される。液晶装置に液晶を注入する方法としては、例えば一対の基板をシール材によって相互に接着し、シール材が部分的に配置されていない液晶注入口から液晶を注入する方法が採用される。封止部は、例えば、基板の裏面側からＵＶ光を照射することによって硬化される。
【０００３】
他方、特許文献１によれば、各画素に形成された画素スイッチング用のＴＦＴ等を遮光できる液晶表示装置を製造可能な液晶表示装置の製造方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２４１２０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の電気光学装置では、画素領域の周辺には、画素領域に形成された画素部を駆動するための走査線駆動回路及びデータ線駆動回路等の各種回路が配置されている。したがって、液晶を挟持する２枚の基板をＵＶ硬化樹脂等によって相互に接着した場合、樹脂硬化時に照射されるＵＶ光が、各種回路に含まれるＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の半導体素子に照射され、該半導体素子にダメージを与えてしまう問題点がある。
【０００６】
そこで、周辺回路部全体に重なるように遮光膜を形成し、該遮光膜によってＵＶ光を遮光する方法も考えられるが、遮光膜に作用する応力によって遮光膜にクラックが生じてしまい、十分に周辺回路部を遮光することができなくなる。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、ＵＶ光照射によって生じる半導体素子のダメージを低減できる電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の画素領域で互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、前記基板上において前記画素領域の周辺に延びる周辺領域に設けられており、前記画素領域に形成された画素部に前記走査線を介して走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記周辺領域に設けられており、画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路にサンプリング信号を供給するデータ線駆動回路と、前記周辺領域に設けられた周辺回路部のうち前記走査線駆動回路及び前記データ線駆動回路のみに重なるように形成された遮光膜とを備える。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、データ線駆動回路は、データ線を介してサンプリング信号をサンプリング回路に供給する。データ線駆動回路では、例えば調整後の転送信号がサンプリング信号として、サンプリング回路における、データ線に設けられたサンプリングスイッチに入力され、サンプリングスイッチはサンプリング信号に応じて画像信号をサンプリングし、サンプリングされた画像信号が対応するデータ線に入力される。
画素領域に形成された画素部では、例えば、走査線駆動回路から走査線を介して供給される走査信号に応じて、スイッチング動作を行う画素スイッチング素子を介して、データ線より画像信号が供給される。ここに本発明に係る「画素領域」とは、基板上で平面的に見て複数の画素部が配列された領域、即ち、複数の画素部の駆動により画像を表示させるための領域を意味し、例えば本発明の実施形態に係る「画像表示領域」が、その一例或いは典型例となる。
【００１０】
遮光膜は、周辺領域に設けられた周辺回路部のうち走査線駆動回路及びデータ線駆動回路のみに重なるように形成されている。より具体的には、例えば、ＴＦＴアレイ基板及び対向基板を相互に接着するＵＶ硬化樹脂を硬化させるために照射されるＵＶ光を遮るように、走査線駆動回路等から見てＵＶ光を照射する照射手段が配置された側、言い換えれば、基板に対してデータ線駆動回路等が形成された表面或いは層より下層側に形成されている。したがって、遮光膜は、データ線駆動回路及び走査線駆動回路に含まれる半導体素子に照射されるＵＶ光を遮ることができ、これら半導体素子がＵＶ光照射によって受けるダメージを低減できる。
【００１１】
加えて、周辺領域に設けられた周辺回路部のうち走査線駆動回路及びデータ線駆動回路のみに重なっているため、周辺領域で連続した遮光膜を形成する場合に比べて遮光膜にクラックが発生し難くなっている。したがって、遮光膜によれば、例えばＴＦＴアレイ基板及び対向基板を相互に接着するシール材を硬化する際に照射されるＵＶ光がデータ線駆動回路及び走査線駆動回路に照射されないように確実に遮光できる。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記画素部は、前記データ線に電気的に接続された画素電極及び該画素電極に対向する対向電極を有しており、前記遮光膜は、前記対向電極に電気的に接続され、且つ該対向電極に共通電位を供給する共通電位線に重なるように形成されていてもよい。
【００１３】
この態様によれば、例えば、共通電位線の電位変動、即ち共通電位線にＵＶ光が照射されることによって発生する電位変動を低減できる。この態様では、共通電位線の少なくとも一部に遮光膜が重なっていれば、ＵＶ光が共通電位線に照射されることによって生じる電位変動を遮光膜及び共通電位線相互の重なりに応じて、相応に低減できる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記基板は、複数の層を有しており、前記遮光膜は、前記複数の層の一部として形成された層と同層に形成されていてもよい。
【００１５】
この態様によれば、基板上の配線或いは導電膜等として形成された膜と共通の工程で遮光膜を形成できるため、別途遮光膜を形成する場合に比べて電気光学装置の製造プロセスを簡便にすることが可能である。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置の他の態様によれば、前記遮光膜は、タングステンシリサイド膜であってもよい。
【００１７】
この態様によれば、他のシリサイド膜を用いる場合に比べて遮光膜の遮光性を高めることができる。
【００１８】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００１９】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００２０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。
【００２２】
＜１：電気光学装置＞
先ず、図１乃至図３を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の具体的な構成を説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例としてアクティブマトリクス表示方式を採用した液晶装置１を挙げる。図１は、対向基板側から見た液晶装置１の平面図である。図２は、液晶装置１の主要部を示した平面図である。図３は、図１及び図２の夫々におけるＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。
【００２３】
図１及び図３において、液晶装置１は、相互に対向するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を備えている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明の「画素領域」の一具体例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるための紫外線硬化樹脂からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、ＵＶ光照射により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が含まれている。シール材５２が部分的に途切れている部分は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に接着した後、これら基板間に液晶を注入するための液晶注入口１６０であり、液晶注入口１６０は、液晶が注入された後、封止部１５６によって封止されている。封止部１５６は、例えば紫外線硬化樹脂であり、液晶注入口１６０に未硬化の紫外線硬化樹脂を充填した後、ＴＦＴアレイ基板１０側から、或いは対向基板２０側からＵＶ光を照射することによって硬化されている。シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２４】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域では、本発明の「周辺回路部」の一例を構成するデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４及びサンプリング回路７、並びに外部回路接続端子１０２が設けられている。データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、及び外部回路接続端子１０２は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２５】
ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の間には、両基板間の電気的導通を確保するための上下導通端子１０６が配置されている。液晶装置１は、外部回路接続端子１０２及び上下導通端子１０６を電気的に接続する共通電位線１０７を備えている。共通電位線１０７は、上下導通端子１０６を介して対向基板２０側に設けられた対向電極２１に共通電位ＬＣＣを供給する。液晶装置１の動作時には、対向電極２１の共通電位ＬＣＣと、画素電極９ａの画素電位との電位差に応じて液晶が駆動される。このような共通電位線１０７は、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０の各辺に沿って引き回され、各上下導通端子１０６に電気的に接続される。後述する遮光膜２０１ａ及び２０１ｂの少なくとも一方は、共通電位線１０７に重なっていてもよい。このような遮光膜２０１ａ及び２０１ｂによれば、シール材５２或いは封止部１５６を硬化する際に共通電位線１０７に照射されたＵＶ光によって共通電位ＬＣＣが変動することを低減でき、液晶装置１の表示性能を高めることが可能である。
【００２６】
図２及び図３において、液晶装置１は、画像表示領域１０ａの周辺領域に設けられた周辺回路部のうち走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１のみに重なる島状の遮光膜２０１ａおよび２０１ｂを備えている。遮光膜２０１ａ及び２０１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０が備える複数の層の一部の層と同層に形成されている。したがって、遮光膜２０１ａ及び２０１ｂによれば、液晶装置１の製造時に、ＴＦＴアレイ基板１０側からシール材５２或いは封止部１５６にＵＶ光を照射する際に、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４の夫々が有するＴＦＴ等の半導体素子に照射されるＵＶ光を遮ることができ、これら半導体素子がＵＶ光によって受けるダメージを低減できる。加えて、遮光膜２０１ａ及び２０１ｂは、周辺領域に設けられた周辺回路部のうち走査線駆動回路１０１及びデータ線駆動回路１０４のみに重なっているため、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域に連続した遮光膜を形成する場合に比べて遮光膜にクラックが発生し難くなっている。したがって、遮光膜２０１ａ及び２０１ｂによれば、シール材５２或いは封止部１５６を硬化する際に照射されるＵＶ光がデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４に照射されないように確実に遮光できる。
【００２７】
また、遮光膜２０１ａ及び２０１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上の配線或いは導電膜等として形成された膜と共通の工程で遮光膜を形成できるため、別途遮光膜を形成する場合に比べて液晶装置１の製造プロセスを簡便にすることが可能である。このような遮光膜２０１ａ及び２０１ｂとして、例えばタングステンシリサイド膜を用いることができる。タングステンシリサイド膜によれば、他のシリサイド膜を用いる場合に比べて遮光膜２０１ａ及び２０１ｂの遮光性を高めることができる。
【００２８】
尚、図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用ＴＦＴや各種配線等の上に画素電極９ａが、更にその上から配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上の画像表示領域１０ａには、液晶層５０を介して複数の画素電極９ａと対向する対向電極２１が形成されている。即ち、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。対向電極２１上には、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成され、更にその上を配向膜が覆っている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２９】
また、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、 ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。以上が、この液晶装置の具体的構成の概要である。
【００３０】
次に、図４及び図５を参照しながら、液晶装置１の回路構成を参照して説明する。ここに、図４は、液晶装置１の要部の回路構成を示している。図５は、図４に示した構成のうち転送信号の整形に関する回路系を示した回路部である。
【００３１】
図４において、液晶装置１は、例えば石英基板、ガラス基板或いはシリコン基板等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０（ここでは図示せず）とが液晶層を介して対向配置され、画像表示領域１０ａにおいて区画配列された画素電極９ａに印加する電圧を制御し、液晶層にかかる電界を画素毎に変調する構成となっている。これにより、両基板間の透過光量が制御され、画像が階調表示される。液晶装置１は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、ＴＦＴアレイ基板１０における画素表示領域１０ａには、マトリクス状に配置された複数の画素電極９ａと、互いに交差して配列された複数の走査線２及びデータ線３とが形成され、画素に対応する画素部が構築されている。尚、ここでは図示しないが、各画素電極９ａとデータ線３との間には、走査線２を介して夫々供給される走査信号に応じて導通、非導通が制御されるトランジスタまたは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのスイッチング素子や、画素電極９ａに印加した電圧を維持するための蓄積容量が形成されている。また、画像表示領域１０ａの周辺領域には、データ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００３２】
データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ５１、及び論理回路５２を備えて構成されている。シフトレジスタ５１は、データ線駆動回路１０１内に入力される所定周期のＸ側クロック信号ＣＬＸ（及びその反転信号ＣＬＸ'）、シフトレジスタスタート信号ＤＸに基づいて、各段から転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）を順次出力するように構成されている。
【００３３】
論理回路５２は、転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）をイネーブル信号に基づいて整形し、それを基にして最終的にサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、・・・、２ｎ）を出力する機能を有している。
【００３４】
ここで、図５に示すように、論理回路５２は、ＡＮＤ回路５２Ａ及びＡＮＤ回路５２Ｂからなる。ＡＮＤ回路５２Ａは、シフトレジスタ５１から入力される転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）と、４本のイネーブル供給線８１の夫々から供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のうちの一つとの論理積を、一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、・・・、２ｎ）として出力するように構成されている。ＡＮＤ回路５２Ｂは、その後段に設けられ、一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）とイネーブル供給線８２から供給されるマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢとの論理積をサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、・・・、２ｎ）として出力するように構成されている。論理積を求めることにより、転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）や一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、・・・、２ｎ）の波形は、よりパルス幅の狭いイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４やマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの波形に基づいてトリミングされ、パルス幅がイネーブル信号のパルス幅に制限される。
【００３５】
ＡＮＤ回路５２Ａは、一対の組毎にシフトレジスタ５１から転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）が入力されるように構成されている。即ち、この部分では配線本数が半減されていることから、このような構成のデータ線駆動回路１０１では、レイアウトを省スペースに設計でき、狭ピッチ化に寄与する。そして、対をなすＡＮＤ回路５２Ａは、転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）が同時に入力されるので、夫々が相異なるタイミングで一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、・・・、２ｎ）を出力するように、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のうち相異なる信号が入力されるように構成されている。
【００３６】
サンプリング回路７は、画像信号線６に供給される画像信号ＶＩＤを、基準クロック信号であるサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、・・・、２ｎ）に応じてサンプリングし、夫々をデータ信号としてデータ線３に印加する。サンプリング回路７は、例えばＰチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ７１からなる。
【００３７】
尚、ここでは説明の簡便のために画像信号線６は一本とし、いずれのサンプリングスイッチ７１もこの画像信号線６から画像信号ＶＩＤが供給されるようにしたが、画像信号は、シリアル−パラレル展開（即ち、相展開）されていてもよい。例えば、画像信号を画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の６相にシリアル−パラレル展開した場合、これらの画像信号は、６本の画像信号線を夫々介してサンプリング回路７に入力される。複数の画像信号線に対し、シリアルな画像信号を変換して得たパラレルな画像信号を同時供給すると、データ線３への画像信号入力をグループ毎に行うことができ、駆動周波数が抑えられる。
【００３８】
再び、図４において、走査線駆動回路１０４は、マトリクス状に配置された複数の画素電極９ａをデータ信号及び走査信号により走査線２の配列方向に走査するために、走査信号印加の基準クロックであるＹ側クロック信号ＣＬＹ（及びその反転信号ＣＬＹ'）、シフトレジスタスタート信号ＤＹに基づいて生成される走査信号を、複数の走査線２に順次印加するように構成されている。その際には、各走査線２には、両端から同時に電圧が印加される。
【００３９】
尚、クロック信号等の各種タイミング信号は、図示しないタイミングジェネレータにて生成され、ＴＦＴアレイ基板１０上の各回路に供給される。また、各駆動回路の駆動に必要な電源電圧等もまた外部回路から供給される。更に、上下導通端子１０６から引き出された信号線には、外部回路から対向電極電位である共通電位ＬＣＣが供給される。共通電位ＬＣＣは、既に述べたように上下導通端子１０６を介して対向電極２１に供給される。共通電位ＬＣＣは、画素電極９ａとの電位差を適正に保持して液晶保持容量を形成するための対向電極２１の基準電位となる。
【００４０】
図４及び図５を参照しながら説明したように、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、各種信号を処理するためにＴＦＴ等の半導体素子を複数備えている。したがって、図１乃至図３を参照しながら説明したように、本実施形態の遮光膜２０１ａ及び２０１ｂによれば、シール材５２或いは封止部１５６を硬化する際に照射されるＵＶ光を遮光でき、ＵＶ光によってデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４の夫々の回路部が備える半導体素子が劣化することを低減できる。これにより、液晶装置１の製造時における、液晶装置１に生じる表示性能の低下が抑制される。
【００４１】
＜２：電子機器＞
次に、上述した液晶装置を、本発明の電子機器の一例であるプロジェクタに応用した実施形態を説明する。上述した液晶装置１は、プロジェクタ１１００のライトバルブに用いられている。図６は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００４２】
図６に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００４３】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００４４】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００４５】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００４６】
このようなプロジェクタ１１００によれば、その製造時における液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの表示性能の低下が抑制されているため、高品位の画像表示が可能である。加えて、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇを小型化できるため、プロジェクタ１１００全体のサイズを小型化できる。
【００４７】
また、本発明に係る電気光学装置は、上述の実施形態で説明したプロジェクタ以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本実施形態に係る液晶装置を対向基板側から見た平面図である。
【図２】本実施形態に係る液晶装置の主要部を示した平面図である。
【図３】図１及び図２の夫々におけるＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の要部の回路構成を示したブロック図である。
【図５】図４に示したブロック図のうち転送信号の整形に関する回路系を詳細に示した回路図である。
【図６】本発明に係る電子機器の一実施形態に係る液晶プロジェクタの構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、１０１・・・データ線駆動回路、１０４・・・走査線駆動回路、２０１ａ，２０１ｂ・・・遮光膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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