(57)【要約】【課題】比較的面積の大きな試料を均一に加熱できる高温加熱炉を提供する。【解決手段】試料台１４に載置された平板状の試料を最適処理温度まで加熱する本加熱室２を有した高温加熱炉１であって、赤外線を放射して前記試料を加熱するＷメッシュヒータ１０と、前記Ｗメッシュヒータ１０から放射される赤外線を前記試料台１４に向けて反射する反射体１１とを前記本加熱室２に設け、前記反射体１１の反射面１１Ｓを前記試料台１４の位置に焦点Ｓ２を有する楕円面に形成すると共に、前記Ｗメッシュヒータ１０を円筒状に形成して面光源とした。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料台に載置された平板状の試料を最適処理温度まで加熱する加熱室を有した高温加熱炉であって、
赤外線を放射して前記試料を加熱する加熱ヒータと、前記加熱ヒータから放射される赤外線を前記試料台に向けて反射する反射体とを前記加熱室に設け、
前記反射体の反射面を前記試料台の位置に焦点を有する曲面に形成すると共に、前記加熱ヒータを面光源としたことを特徴とする高温加熱炉。
【請求項２】
請求項１に記載の高温加熱炉において、
前記加熱ヒータを、前記試料台の周囲を囲む円筒状に形成し、前記加熱室の床面に対して垂直に設けたことを特徴とする高温加熱炉。
【請求項３】
請求項２に記載の高温加熱炉において、
前記反射体が前記加熱ヒータ及び前記試料台を収容することを特徴とする高温加熱炉。
【請求項４】
請求項３に記載の高温加熱炉において、
前記試料台が上端部に取り付けられる棒状の支持部材と、当該支持部材を移動させて前記試料台を前記加熱室に導入又は導出する搬送手段を更に備え、
前記反射体に前記試料台を導入する試料導入口を形成すると共に、
前記試料導入口を閉塞する導入口閉塞部材を前記反射体と同一の素材から形成して前記支持部材に設け、前記試料台を前記反射体内に導入したときに前記導入口閉塞部材が前記試料導入口を閉塞することを特徴とする高温加熱炉。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の高温加熱炉において、
前記試料を加熱する間、０．００１〜１ｒｐｍの回転速度で前記試料台を回転する回転手段を設けたことを特徴とする高温加熱炉。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の高温加熱炉において、
前記反射体の反射面が複数のパーツを接合して構成され、当該接合箇所を、前記加熱ヒータが放射する赤外線を反射する材料を素材とする補強部材で補強したことを特徴とする高温加熱炉。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の高温加熱炉において、
前記加熱室の内側壁を加熱して吸着ガスを除去する内側壁加熱手段と、
前記加熱室内を排気する排気ポンプとを備えたことを特徴とする高温加熱炉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高真空高温に維持した雰囲気、又は、高純度の希ガスを若干含む高温雰囲気を形成し、当該雰囲気下において、結晶成長、化学反応或いは成膜といった化学変化及び物理変化を試料に生じさせるための高温加熱炉に係り、特に、約７６ｍｍ（３インチ）〜約３０５ｍｍ（１２インチ）程度の比較的大きな面積を有する平板状の１又は複数個の試料を高温処理する際の加熱むらを防止するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、真空雰囲気或いはガス雰囲気を高温状態に維持する加熱室と、当該加熱室内で試料を加熱するための加熱手段とを備え、当該加熱室に配置された試料に対して熱処理を行う高温加熱炉が知られている。このような高温加熱炉としては、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等のための結晶成長炉や化学反応炉といったものがある。また、このような高温加熱炉として、ロードロック室を上記加熱室に接続して、加熱室内を真空排気するのに要する時間を短縮するようにしたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２６０７３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、熱処理対象の試料が約７６ｍｍ（３インチ）以上の比較的大きな面積を有する場合、試料の面全体を均一に加熱することが困難であるという問題があった。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、比較的面積の大きな試料を均一に加熱できる高温加熱炉を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明は、試料台に載置された平板状の試料を最適処理温度まで加熱する加熱室を有した高温加熱炉であって、赤外線を放射して前記試料を加熱する加熱ヒータと、前記加熱ヒータから放射される赤外線を前記試料台に向けて反射する反射体とを前記加熱室に設け、前記反射体の反射面を前記試料台の位置に焦点を有する曲面に形成すると共に、前記加熱ヒータを面光源としたことを特徴とする。
【０００５】
また本発明は、上記発明において、前記加熱ヒータを、前記試料台の周囲を囲む円筒状に形成し、前記加熱室の床面に対して垂直に設けたことを特徴とする。
【０００６】
また本発明は、上記発明において、前記反射体が前記加熱ヒータ及び前記試料台を収容することを特徴とする。
【０００７】
また本発明は、上記発明において、前記試料台が上端部に取り付けられる棒状の支持部材と、当該支持部材を移動させて前記試料台を前記加熱室に導入又は導出する搬送手段を更に備え、前記反射体に前記試料台を導入する試料導入口を形成すると共に、前記試料導入口を閉塞する導入口閉塞部材を前記反射体と同一の素材から形成して前記支持部材に設け、前記試料台を前記反射体内に導入したときに前記導入口閉塞部材が前記試料導入口を閉塞することを特徴とする。
【０００８】
また本発明は、上記発明において、前記試料を加熱する間、０．００１〜１ｒｐｍの回転速度で前記試料台を回転する回転手段を設けたことを特徴とする。
【０００９】
また本発明は、上記発明において、前記反射体の反射面が複数のパーツを接合して構成され、当該接合箇所を、前記加熱ヒータが放射する赤外線を反射する材料を素材とする補強部材で補強したことを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、上記発明において、前記加熱室の内側壁を加熱して吸着ガスを除去する内側壁加熱手段と、前記加熱室内を排気する排気ポンプとを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
反射体の反射面を試料台の位置に焦点を有する曲面に形成すると共に、加熱ヒータを面光源としたため、加熱ヒータから放射された赤外光の反射光が試料台を含む比較的大きな領域に分散され、当該領域全体が略均一に照射される。したがって、比較的大きな面積を有する試料であっても、その表面全体に対して均一に赤外光が照射されることとなり、当該試料を均一に加熱することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明においては、例えば、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）等の高融点半導体材料からなる約７６ｍｍ〜約３０６ｍｍの面積を有した平板状の材料を試料とし、当該試料に対する育成、結晶成長、表面処理といった加熱処理に用いて好適な高温加熱炉について説明する。
【００１３】
図１は本実施形態に係る高温加熱炉１の外観構成を示す正面図、図２は当該高温加熱炉１の側面図、図３は当該高温加熱炉１の断面図である。図１及び図２に示すように、高温加熱炉１は、大別して、予備加熱室３及び本加熱室２の２つの加熱室と、予備加熱室３及び本加熱室２との間で試料を搬送する搬送機構１６（図３参照）と、高温加熱炉１の背面に設けられ、上記本加熱室２の排気を行う真空ポンプ４ａ、及び、上記予備加熱室３の排気を行う真空ポンプ４ｂを備えた排気機構４とを備えている。
【００１４】
予備加熱室３は、試料を予備加熱温度（例えば、〜１５００℃）まで加熱して予備加熱処理を施すためのものであり、本加熱室２は、予備加熱室３にて予備加熱された試料を、予備加熱温度よりも高温の最適処理温度（例えば１２００℃〜２３００℃）まで加熱して本加熱処理を施すものである。図３に示すように、本加熱室２の底部には連通口９が形成されており、この連通口９に予備加熱室３の天井面が接続されて本加熱室２と予備加熱室３とが試料を搬送可能に連通している。
【００１５】
搬送機構１６は、試料が載置される高融点金属材料（例えばＷ（タングステン））から形成された円盤状の試料台１４を予備加熱室３及び本加熱室２との間で搬送するものであり、予備加熱室３の底面を貫通して垂直に延びる昇降ロッド１８と、当該昇降ロッド１８の下端を押し上げ又は引き下げて昇降駆動するサーボモータ４０を有した昇降駆動部１９とを備えている。
上記試料台１４は支持棒１５の上端に支持されると共に、この支持棒１５の下端が挿入される挿入孔２３が昇降ロッド１８の上端に設けられており、試料台１４を予備加熱室３から本加熱室２に搬送する際には、この挿入孔２３に支持棒１５が挿入され、昇降駆動部１９が昇降ロッド１８を上昇させることで、試料台１４が連通口９を通って本加熱室２に導入される。
【００１６】
また、上記昇降ロッド１８の軸上には、図３に示すように、上記連通口９を塞ぐ円盤状の閉塞板２４が設けられ、昇降ロッド１８が上昇して試料台１４が本加熱室２に搬送されたときには、この閉塞板２４によって連通口９が塞がれ、本加熱室２と予備加熱室３とが分離される。この閉塞板２４の上面には、Ｏリングが設けられており、連通口９の縁部との密着性を高め、本加熱室２の気密性が維持されている。また、本加熱室２から閉塞板２４への熱放射により、当該閉塞板２４が損傷するのを防止するために、連通口９には２枚のシャッター部材４７ａ、４７ｂ（図６参照）を有したシャッター機構４７が配設されている。
【００１７】
図４は予備加熱室３の構成を概略的に示す図であり、図５は予備加熱室３の上面図である。図４に示すように、予備加熱室３には、予備加熱槽５と、当該予備加熱槽５に試料台１４を搬送するためのスイング機構１７とが設けられている。予備加熱槽５は、試料台１４にセットされた試料に対して上記予備加熱処理を施すものであり、正面が開口した箱形形状の筐体８を有し、その筐体８の内部には、予備加熱手段としてのコの字状に形成されたロッドヒータ６と、このロッドヒータ６の左右両側及び上下を囲う保温用の反射板７と、当該予備加熱槽５内で発生したガスが吸着して除去されるコールドトラップ４４とが設けられている。
【００１８】
上記筐体８及び反射板７の各々の下面には、上記支持棒１５の通過溝７ａ及び８ａが形成されている。支持棒１５は、予備加熱室３において、上記スイング機構１７により支持され、予備加熱槽５への搬入或いは搬出が行われる。具体的には、スイング機構１７は、回転軸１７ａと、この回転軸１７ａに一端が支持されたアーム１７ｂとを備えている。回転軸１７ａは、予備加熱室３の底面を貫通し、図３に示す、サーボモータ４０の出力軸に図示せぬ減速機構を介して連結され、このサーボモータ４０により回転駆動される。アーム１７ｂには、その一端に上記回転軸１７ａが挿入される挿入孔（図示せず）が形成され、他端に、試料台１４を支持する支持棒１５が嵌る溝部（図示せず）が形成されている。一方、支持棒１５の軸上には、導入口閉塞部材４３が設けられており、支持棒１５がアーム１７ｂの溝部に嵌ったときには、この導入口閉塞部材４３により落下が規制されてアーム１７ｂに支持される。そして、回転軸１７ａの回転によりアーム１７ｂが予備加熱室３の正面側から背面側にスイングするように移動することで、支持棒１５と共に試料台１４が予備加熱槽５に搬入される。
【００１９】
予備加熱槽５に試料台１４が搬入されると、試料台１４がロッドヒータ６に囲まれた位置に配置され、真空雰囲気の下、ロッドヒータ６により試料台１４にセットされた試料が予備加熱温度（例えば室温〜約１５００℃程度の所定温度）に加熱され、予備加熱処理が施される。この予備加熱処理により、試料に吸着していた吸着ガスや当該試料に含まれていた内蔵ガスが気化し、上記コールドトラップ４４により吸着除去されるか、或いは、上記真空ポンプ４ｂにより高温加熱炉１の外へ排気され、試料の脱ガス処理が行われることとなる。
【００２０】
図６は本加熱室２の内部構成を示す概略的に示す図であり、図７は本加熱室２内を上から見た概略図である。
本加熱室２は、１０−２Ｐａ〜１０−３Ｐａの圧力雰囲気の下、試料を１２００℃〜２３００℃の間の最適処理温度まで加熱して試料に対する本加熱処理を実施するものである。この図に示すように、本加熱室２には、赤外線を放射して加熱するＷ（タングステン）をメッシュ状に形成してなる加熱ヒータとしてのＷ（タングステン）メッシュヒータ１０と、赤外線を反射する反射体１１とが内設されており、さらに、本加熱室２の内側壁には、シーズヒータ５１が複数箇所に配設されている。
【００２１】
シーズヒータ５１は、本加熱室２の内側壁に吸着したガスを除去するものである。詳述すると、本加熱室２の外側には本加熱室２の外壁を常時低温に維持するための図示せぬ水冷機構が設けられており、本加熱室２の内側壁においては、水冷機構の近傍と、遠方とで極端な温度差を生じ、温度が低い箇所には、ガスが吸着し易い。そこで、上記シーズヒータ５１が、水冷機構の近傍に配設されており、加熱処理を開始する前に、本加熱室２の内側壁を２００℃〜２５０℃に加熱することで吸着ガスを除去し、上記真空ポンプ４ａで排気することで、本加熱室２内が清浄に維持され、高品位な試料が作成可能となる。
【００２２】
上記Ｗメッシュヒータ１０は、図６及び図７に示すように、円筒状に形成され、その側面１０Ａが本加熱室２内の床面２Ａに対して垂直になるように設けられている。このように、Ｗメッシュヒータ１０を本加熱室２に立設することで、横向きに配置する場合に比べ、Ｗメッシュヒータ１０の側面１０Ａの熱変形が防止される。
【００２３】
また、Ｗメッシュヒータ１０は、その中心軸Ｃを連通口９の中心軸と合うように本加熱室２に配置されており、試料台１４が連通口９を通過して予備加熱室３から本加熱室２に導入されたときには、試料台１４が中心軸Ｃに沿って移動し、Ｗメッシュヒータ１０の中心Ｏの位置に配置され、Ｗメッシュヒータ１０からは試料台１４に載置された試料の上下のそれぞれの面に略均等に赤外線が放射される。
【００２４】
図８は、反射体１１の外観構成を示す一部透視図である。
反射体１１は、Ｗメッシュヒータ１０から放射された赤外線を試料台１４に向けて反射するものであり、図６〜図８に示すように、反射体１１がＷメッシュヒータ１０及び試料台１４を収容して密封するようになっている。これにより、Ｗメッシュヒータ１０の熱が反射体１１の外側に漏れにくくなり、Ｗメッシュヒータ１０の発生熱量が効率良く加熱処理に利用されることとなる。
【００２５】
図９は、Ｗメッシュヒータ１０から試料台１４までの赤外線の光線追跡の結果を示す図である。反射体１１の反射面１１Ｓは、２つの焦点Ｓ１、Ｓ２を有する楕円面を中心軸Ｃを回転軸として回転させた非球形回転体形状に形成されており、反射面１１Ｓに近い方の焦点Ｓ１がＷメッシュヒータ１０に位置し、遠方の焦点Ｓ２が試料台１４（円筒状のＷメッシュヒータ１０）の中心Ｏに位置するように配置されている。
Ｗメッシュヒータ１０から放射された赤外光は、反射面１１Ｓにて焦点Ｓ２である試料台１４に向けて反射されるが、このとき、Ｗメッシュヒータ１０が円筒状に形成されて側面１０Ａ全体が面光源となるため、図９に示すように、焦点Ｓ２では、赤外光の反射光が焦点Ｓ２の周囲に分散し、試料台１４を含む比較的広い範囲に略均一に赤外光が照射されることとなる。したがって、比較的大きな面積を有する試料であっても、その表面全体に対して均一に赤外光が照射されることとなり、当該試料を均一に加熱されることとなる。
【００２６】
ここで、中心軸Ｃから試料の中心がずれている場合等には、試料表面において赤外線の照射量にムラが生じる。特に、７６〜３０５ｍｍの大面積を有する試料では、照射量のムラにより、プラスマイナス数℃以上の表面温度のバラツキが生じる事がある。そこで、本実施形態では、昇降ロッド１８を長軸回りに回転させる回転機構（図示せず）を昇降駆動部１９に設け、０．００１〜１ｒｐｍの極めてゆっくりした回転速度で回転させている。これにより、昇降ロッド１８の回転に伴って、本加熱室２内で試料が回転することで照射ムラによる表面温度のバラツキが抑制されることとなる。
【００２７】
また、Ｗメッシュヒータ１０が反射体１１の焦点Ｓ１からズレたり、或いは、反射体１１の左右の形状に若干の異なりが生じたりした場合、試料台１４における反射光の分布にムラが生じる場合がある。そこで、本実施形態では、Ｗメッシュヒータ１０と反射体１１の構造及び配置に起因する照射ムラの影響を抑制すべく、試料台１４の回転軸を上記中心軸Ｃから若干偏芯させており、これにより、照射ムラによる表面温度のバラツキが抑制される。
【００２８】
次いで、上記反射体１１の構成について、より詳細に説明する。
反射体１１は、図１０に示すように、高融点金属材料のＭｏ（モリブテン）から形成された８枚の板材を積層した断熱材１３０と、Ｗメッシュヒータ１０が放射する赤外光に対して高い反射率を有する、高融点金属材料であるＷ（タングステン）から形成された４枚の板材を積層した反射材１３１とを有し、各板材が締結具１３により締結されて構成されており、上記断熱材１３０により反射体１１内の熱が外部に伝導し難くなっている。
【００２９】
この反射体１１の底部には、前掲図６に示すように、本加熱室２の連通口９と対向する箇所に、試料台１４を反射体１１内に導入するための試料導入口１１０が開口すると共に、当該試料導入口１１０を閉塞する閉塞反射体（導入口閉塞部）１８０が昇降ロッド１８に設けられており、昇降ロッド１８を上昇させて試料台１４を反射体１１内に導入したときに、閉塞反射体１８０が試料導入口１１０を閉塞し、これにより、反射体１１が密封される。この閉塞反射体１８０は、反射体１１と同様に、断熱材１３０及び反射材１３１から構成され、図９に示すように、反射体１１の反射面１１Ｓの一部を構成する。これにより、試料台１４の下面においても反射光が制御され、広い範囲に均一に赤外線を照射される。
【００３０】
また、反射体１１は、上記のように、Ｗメッシュヒータ１０及び試料台１４を密封する形状であり、また、Ｍｏ（モリブテン）の板材及びＷ（タングステン）の板材を積層して構成されているため、一体成形が極めて難しく、前掲図６及び図８に示すように、上側反射体１１Ａと、上記試料導入口１１０が形成された下側反射体１１Ｂの２つのパーツを有し、これらの上側反射体１１Ａ及び下側反射体１１Ｂを接合して構成されている。このように２つのパーツを接合して反射体１１を構成した場合、Ｗメッシュヒータ１０の熱により、接合箇所には熱変形が生じ易い。そこで、この接合箇所を、高融点金属材料であり赤外線に対して高反射率を有するＷ（タングステン）からなる帯材５０で挟み込み、各帯材５０をＷ（タングステン）からなるリベット（螺子でも良い）で締結して補強することで、接合箇所の熱変形を防止し、かつ、反射体１１の反射面１１Ｓの反射率の低下が防止される。
【００３１】
なお、反射体１１においては、温度勾配や大気開放時の表面酸化状態の差異によって、その一部に応力歪による変形や表面劣化による損傷が発生する事がある。このように反射体１１に変形や損傷が生じた場合には、当該反射体１１を交換する必要があるが、本実施形態では、複数パーツを接合して反射体１１を構成すると共に、変形や損傷が生じ易い箇所を各パーツの接合箇所とし、この接合箇所が上記帯材５０により補強されているため、応力歪が緩和されると共に、表面劣化が生じた場合には帯材５０のみを交換すれば良いため、ランニングコストを抑えることが可能となる。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態によれば、反射体１１の反射面１１Ｓを試料台１４の位置に焦点Ｓ２を有する楕円面に形成すると共に、加熱ヒータたるＷメッシュヒータ１０を円筒状に構成し面光源としたため、Ｗメッシュヒータ１０から放射された赤外光の反射光が試料台１４を含む比較的大きな領域に分散され、当該領域全体が略均一に照射される。したがって、比較的大きな面積を有する試料であっても、その表面全体に対して均一に赤外光が照射されることとなり、当該試料を均一に加熱することができる。
【００３３】
また、本実施形態によれば、Ｗメッシュヒータ１０を、試料台１４の周囲を囲む円筒状に形成し、本加熱室２の床面２Ａに対して垂直に設けたため、横向きに配置した場合に比べ、Ｗメッシュヒータ１０の側面１０Ａの熱変形が防止される。
また、本実施形態によれば、反射体１１がＷメッシュヒータ１０及び試料台１４を収容し密封する構成としたため、Ｗメッシュヒータ１０の熱が反射体１１の外側に漏れにくくなり、Ｗメッシュヒータ１０の発生熱量を効率良く加熱処理に利用することができる。
さらに、本実施形態によれば、試料に対して加熱処理する間、０．００１〜１ｒｐｍの回転速度で試料台１４を回転させるため、照射ムラによる試料の表面温度のバラツキを抑制することができる。
【００３４】
また、本実施形態によれば、反射体１１の反射面１１Ｓが複数のパーツを接合して構成され、当該接合箇所を、Ｗメッシュヒータ１０が放射する赤外線を反射し、かつ、高融点材料であるＷ（タングステン）を素材とする帯材５０で補強する構成としたため、接合箇所の熱変形を防止し、かつ、反射体１１の反射面１１Ｓの反射率の低下を防止することが可能となる。
また、本実施形態によれば、本加熱室２の内側壁を加熱して吸着ガスを除去する内側壁加熱手段としてのシーズヒータ５１を設けたため、本加熱室２内を清浄に維持し、高品位な試料が作成可能となる。
【００３５】
なお、上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形及び応用が可能である。
例えば、上述した実施形態では、反射体１１の反射面１１Ｓを楕円面としたが、これに限らず、試料台１４の配置位置に焦点を有する曲面であれば、例えば放物面や球面等の任意の曲面を用いることができる。
【００３６】
また、上述した実施形態では、図６〜図１０に示すように、複数枚の板材を積層して非球形回転体形状の反射体１１を構成したが、これに限らない。
詳述すると、非球形回転体形状の反射体１１においては、複数枚の板材の積層構造により反射効率が向上するものの、１枚１枚の板材の形状が異なるため、１枚の板材毎に個別の加工方法を用いる必要があり、また、組み立ての場合も層間距離の維持に配慮する必要が生じる。例えば、１２層構成の反射体１１をプレス成形する場合では、１２種類の成型用の異なる形状の金型を１枚毎に用意する必要があり、また、スピニングの場合でも同様に、小差をつけた金型を用意して加工する必要がある。
【００３７】
そこで、上記反射体１１に代えて、図１１に示すように、略平曲面の反射面１１１ＳＡを側面に形成する円筒形状の反射体１１１Ａと、中心軸Ｃを回転軸とした回転楕円面の反射面１１１ＳＢを天面に形成する反射体１１１Ｂと、中心軸Ｃを回転軸とした回転楕円面の反射面１１１ＳＣを底面に形成する反射体１１１Ｃとを組み合わせて反射体１１１を構成することで、上記の問題を解決することが可能である。
【００３８】
すなわち、反射体１１１の側面を構成する反射体１１１Ａを、試料台１４及びＷメッシュヒータ１０を囲む円筒状とすることで、加工及び組み立てが容易となると共に製造コストが削減され、また、試料の均熱性に大きく寄与する上下部の反射体１１１Ｂ及び１１１Ｃの反射面１１１ＳＢ及び１１１ＳＣの形状を、反射体１１と同様の反射面形状とすることで、試料への集光性が維持されると共に、試料の均一加熱が可能となる。
さらに、図１１に示す反射体１１１の形状であれば、例えば、１種類の金型で、上下の反射体１１１Ｂ及び１１１Ｃを構成する全ての板材がプレス成形可能となり、かつ、個々の板材の層間距離の維持も容易になしえるため、製造コストがより削減されると共に、製造容易性がより高められる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態に係る高温加熱炉の正面図である。
【図２】高温加熱炉の側面図である。
【図３】高温加熱炉の断面図である。
【図４】予備加熱室の構成を模式的に示す図である。
【図５】スイング機構を説明するための図である。
【図６】本加熱室の構成を模式的に示す断面図である。
【図７】本加熱室の構成を模式的に示す上面図である。
【図８】反射体の構成を示す一部透視図である。
【図９】Ｗメッシュヒータから試料台までの赤外線の光線追跡の結果を示す図である。
【図１０】反射体の構成を示す図である。
【図１１】本発明の変形例に係る反射体の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  高温加熱炉
２  本加熱室（加熱室）
３  予備加熱室
９  連通口
１０  Ｗメッシュヒータ（加熱ヒータ）
１１、１１１、１１１Ａ〜１１１Ｃ  反射体
１１Ａ  上側反射体
１１Ｂ  下側反射体
１１Ｓ、１１１ＳＡ〜１１１ＳＣ  反射面
１４  試料台
１５  支持棒
１６  搬送機構
１８  昇降ロッド
４３  導入口閉塞部材
５０  帯材（補強部材）
５１  シーズヒータ（内側壁加熱手段）
１１０  試料導入口
１８０  閉塞反射体
Ｓ１、Ｓ２  焦点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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