(57)【要約】【課題】  良好な電子写真特性を持つ電子写真用感光体を、生産性良く製造することが可能な電子写真用感光体製造装置を提供する。【解決手段】  少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁と、前記第一の円筒状側壁を取り囲み、かつ、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁とで囲まれた空間が減圧可能な反応容器と、前記反応容器内に配置され円筒状基体を保持するための複数の基体保持部材と、前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段とを備えた堆積膜形成装置において、  前記第一の円筒状側壁によって取り囲まれる空間内に、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群が配置されると共に、前記第二の円筒状側壁の外側に、複数の高周波電極からなる第二の高周波電極群が配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置。【選択図】  図１
2008179862.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁と、前記第一の円筒状側壁を取り囲み、かつ、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁とで囲まれた空間が減圧可能な反応容器と、前記反応容器内に配置され円筒状基体を保持するための複数の基体保持部材と、前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段とを備えた堆積膜形成装置において、
前記第一の円筒状側壁によって取り囲まれる空間内に、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群が配置されると共に、前記第二の円筒状側壁の外側に、複数の高周波電極からなる第二の高周波電極群が配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記第一の円筒状側壁と前記第二の円筒状側壁が同一の中心軸を有するように配置され、前記第一の高周波電極群及び、前記第二の高周波電極群、前記基体保持部材が、それぞれ前記中心軸上に中心を持つ円周上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記第一の高周波電極群に属する高周波電極と、前記第二の高周波電極群に属する高周波電極と、前記円筒状基体とが同数であることを特徴とする請求項１乃至２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記第一の高周波電極群に属する高周波電極の内、前記円筒状基体に最近接する高周波電極と、前記第二の高周波電極群に属する高周波電極の内、前記円筒状基体に最近接する高周波電極と、前記円筒状基体と、前記第一の円筒状側壁の中心軸とが、直線上に並ぶことを特徴とする請求項１乃至３に記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
少なくとも一つの高周波電源を備え、前記高周波電源は、導体線路を介して、前記高周波電極の全てに接続されていることを特徴とする請求項１乃至４に記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
前記第一の高周波電極群に属する高周波電極の内、前記円筒状基体に最近接する高周波電極の表面から前記円筒状基体表面までの最短距離をＲ１、前記第二の高周波電極群に属する高周波電極の内、前記円筒状基体に最近接する高周波電極の表面から前記円筒状基体までの最短距離をＲ２とした場合、
１．２５≧Ｒ１／Ｒ２≧０．８０
を満たすことを特徴とする請求項１乃至５に記載の堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記第一の高周波電極群の材質と、前記第二の高周波電極群の材質が異なることを特徴とする請求項１乃至６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
前記第一の高周波電極群の材質と、前記第二の高周波電極群の材質が銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスの中から選択されていることを特徴とする請求項７に記載の堆積膜形成装置。
【請求項９】
前記高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項１乃至８に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記円筒状基体上にシリコン原子を含有する非晶質膜を形成することで、電子写真用感光体を製造することを特徴とした請求項１乃至９に記載の堆積膜形成製造装置。
【請求項１１】
少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁と、前記第一の円筒状側壁を取り囲み、かつ、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁とで囲まれた空間が減圧可能な反応容器内に基体を配置し、前記反応容器内に原料ガスを供給し、前記反応容器内に高周波電力を導入することによって、前記原料ガスを分解して前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
前記第一の円筒状側壁によって取り囲まれる空間内に配置された、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群及び、前記第二の円筒状側壁の外側に配置された、複数の高周波電極からなる第二の高周波電極群より、高周波電力が反応容器内に導入されることを特徴とした堆積膜形成方法。
【請求項１２】
少なくとも一つの高周波電源から出力された高周波電力が、導体線路及び全ての前記高周波電極を介して前記反応容器内に導入されることによって、前記基体上に堆積膜を形成することを特徴とした請求項１１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項１３】
前記高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項１１乃至１２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項１４】
前記円筒状基体上にシリコン原子を含有する非晶質膜を形成することで、電子写真用感光体を製造することを特徴とした請求項１１乃至１３に記載の堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、光起電力デバイス等における堆積膜形成に用いられる、高周波電力を用いた堆積膜形成装置及び方法に関するものである。特には、電子写真装置に使用される電子写真用感光体の製造装置及び方法に関するものであり、より具体的には、プラズマCVD法を用いたアモルファスシリコン電子写真用感光体の製造装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
堆積膜形成方法の一つとして放電エネルギーを利用するプラズマＣＶＤ法があり、この方法により形成される非晶質薄膜 (例えば水素又は／及びハロゲンによって補償されたアモルファスシリコン) は電子写真用感光体、半導体デバイス、ＴＦＴ等の半導体素子への応用が提案され、その中のいくつかは実用に至っている。特に１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法は基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理でき、又、その取り扱いが比較的容易であるため広く用いられている。又、近年においては、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法（以下、「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法」と省略する）が注目を浴びており、これを用いた各種堆積膜形成方法の開発も積極的に進められている。これは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では堆積膜形成速度が速く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるためである。（例えば、特許文献１参照）
図２（Ａ）にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用感光体製造装置の代表例を示す模式的な構成図を示す。図２（Ａ）は製造装置を横から見た概略断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｘ−Ｘ’に沿う真上から見た概略断面図である。
【０００３】
図２に示した製造装置は、少なくとも一部が誘電体からなる円筒状側壁（２０１）で囲まれた減圧可能な空間内に、堆積膜が形成される複数の円筒状基体（１０３）、原料ガスを前記空間内に導入する原料ガス導入手段（１０５）等が設置され、前記空間内に高周波電力を導入するための高周波電極（２０６）等が前記円筒状側壁（２０１）外部に設置されている。
【０００４】
図２に示した製造装置を使用した場合の電子写真用感光体の製造方法の一例を以下に示す。
【０００５】
高周波電源（１０８）より出力された高周波電力は、整合器（１１０）を介した後、導電性部材で構成される電力分割容器（１１１）内に導入される。次に、電力分割容器（１１１）内に導入された高周波電力は、電力分割容器（１１１）内に設置された電力分割部（１１２）によって複数の高周波電力伝送部へと分割された後、高周波電極（２０６）を介して少なくとも一部が誘電体からなる円筒状側壁（２０１）で囲まれた空間内に導入される。原料ガス導入手段（１０５）により前記空間内に導入された原料ガスが、前記空間に導入された高周波電力のエネルギーによって分解され、プラズマが形成される。その結果、円筒状基体（１０３）上に堆積膜が形成される。このような製造装置を使用することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によって、速い堆積膜形成速度でも高品質な堆積膜を得ることができ、さらには、複数の基体を同時に処理することが可能となり、製品の低コスト化、及び高品質化を実現することができる。そして、現在実用上問題ない水準の電子写真用感光体の製造は可能となっている。
【０００６】
しかしながら、近年においては、電子写真用感光体が搭載される電子写真装置の高速化及び高画質化が進んできている。その結果、アモルファスシリコン膜を用いた電子写真用感光体に求められる電位特性及び画像欠陥の水準も格段に高くなってきており、さらには、電子写真用感光体の個体間のバラツキも極力小さくすることが求められてきている。
【０００７】
そのような状況下においては、従来の製造装置及び製造方法で作製した電子写真用感光体では改善の余地を残しているのが現状であり、早急な対応が求められている。
【０００８】
図２に示した製造装置を使用して、円筒状基体（１０３）に堆積膜形成を行う場合において、電子写真用感光体の電位特性を向上させるためには、少なくとも一部が誘電体からなる円筒状側壁（２０１）で囲まれた放電空間内に導入される高周波電力を増加させることによって、原料ガスの分解を促進し、さらには、分解によって生成された活性種の基板への到達エネルギーを高める手段が有効である。
【０００９】
しかし、図２に示した製造装置を使用して、上記手法による電位特性の向上を試みた場合、従来までは表面化することがなかった新たな問題が発生する場合がある。
【００１０】
図２に示した製造装置を使用した場合、前記放電空間内に高周波電力を導入するための高周波電極（２０６）が、円筒状基体（１０３）からみて、図中α方向にしか設置されていないため、図２に示す、円筒状基体（１０３）と高周波電極（２０６）とで囲まれた空間αと、前記空間と逆方向の空間βの間で、高周波電力密度に差が生じる場合がある。具体的には、空間βの方が空間αに比べて高周波電力密度が低くなる。さらに、空間βの中でも、高周波電極（２０６）から見て円筒状基体（１０３）の影となる空間においてその傾向は顕著であり、円筒状基体（１０３）が実質的なシールドとして作用する場合がある。
【００１１】
そのため、空間αに面した円筒状基体（１０３）上に形成される堆積膜と、空間βに面した円筒状基体（１０３）上に形成される堆積膜間で膜中の欠陥密度等に差が生じ、空間αに面した円筒状基体（１０３）上に形成される堆積膜から形成した電子写真用感光体の方が、空間βに面した円筒状基体（１０３）上に形成される堆積膜から形成した電子写真用感光体よりも、電位特性は良好となる場合がある。
【００１２】
通常は、堆積膜形成中に円筒状基体（１０３）を円周方向に回転させるため、前記したような円筒状基体（１０３）円周方向の電位特性ムラは均一化され問題とはならない。
【００１３】
しかし、近年の電子写真装置の高機能化に対応するために求められる、より良好な電位特性を実現するには、空間βに面した円筒状基体（１０３）上に形成される堆積膜の品質を改善する必要性が出てくる場合がある。
【００１４】
そのために、前記した従来手法に基き、放電空間に導入する高周波電力を増加させると、空間βに面した円筒状基体（１０３）上に形成される堆積膜の品質を改善することは可能であるが、その結果、空間αには過剰に高周波電力が導入され、堆積膜の損傷による電位特性の悪化、堆積膜剥れによる画像欠陥レベルの悪化を招くという新たな問題が発生する場合がある。
【００１５】
上記の課題の対応策としては、図３に示すような製造装置が考えられる。
【００１６】
図３（Ａ）は製造装置を横から見た概略断面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ−Ｘ’に沿う真上から見た概略断面図である。
【００１７】
図３に示した製造装置は、少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁（１０１）及び、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁（１０２）に囲まれた減圧可能な空間内に、堆積膜が形成される円筒状基体（１０３）、原料ガスを反応容器内に導入する原料ガス導入手段（１０５）等が設置され、第一の円筒状側壁（１０１）の内部空間に一本の高周波電極（３０６）が配置され、かつ、第二の円筒状側壁（１０２）の外部空間に複数の高周波電極（３０７）が配置されている。
【００１８】
このような製造装置を使用した場合、図３に示す、空間α及び空間βが共に、円筒状基体（１０３）と高周波電極（３０６，３０７）とに囲まれた空間となるために、空間αと空間β間の高周波電力密度の差を小さくすることが可能となる。
【００１９】
その結果、前述したような問題は概ね解決され、求められる電位特性及び画像欠陥水準を実現することができる。
【特許文献１】特開平０６−２８７７６０（第１７頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、図３で示した製造装置を使用し、反応容器内に設置された複数の円筒状基体に堆積膜形成を行った場合、製造された電子写真用感光体間の電位特性のバラツキという点で十分とはいえない場合がある。
【００２１】
これらのバラツキは、従来までの実用水準においては、概ね問題の無い程度ではあるのだが、先述したように、近年の電子写真装置の高機能化の流れの中で新たな問題として表面化してきている場合がある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明者らは、上記課題を解決する為に鋭意検討を行った結果、課題となる電子写真用感光体間の電位特性のバラツキは、第一の円筒状側壁の内部空間に設置された一本の高周波電極と複数の円筒状基体とに囲まれた空間β内で、放電状況が不均一になる場合があることが主原因であることを突き止めた。
【００２３】
そして、前述した放電状況の不均一性を解消するために、本発明者らは鋭意検討を行った結果、第一の円筒状側壁の内部空間に設置される第一の高周波電極群の設置本数及び設置構成、さらには、第一の高周波電極群と第二の円筒状側壁の外部空間に設置される第二の高周波電極群との設置構成等を適正化することによって上記した問題を解消し、さらには、図２の製造装置では到達できなかった電位特性及び画像欠陥水準の電子写真用感光体の製造を実現できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００２４】
即ち、本発明の電子写真用感光体製造装置は、少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁と、第一の円筒状側壁を取り囲み、かつ、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁とで囲まれた空間が減圧可能な反応容器と、反応容器内に配置され円筒状基体を保持するための複数の基体保持部材と、反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段とを備えた堆積膜形成装置において、第一の円筒状側壁によって取り囲まれる空間内に、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群が配置されると共に、第二の円筒状側壁の外側に、複数の高周波電極からなる第二の高周波電極群が配置されていることを特徴としている。
【００２５】
又、本発明の電子写真用感光体製造方法は、少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁と、第一の円筒状側壁を取り囲み、かつ、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁とで囲まれた空間が減圧可能な反応容器内に基体を配置し、反応容器内に原料ガスを供給し、反応容器内に高周波電力を導入することによって、原料ガスを分解して基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、第一の円筒状側壁によって取り囲まれる空間内に配置された、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群及び、第二の円筒状側壁の外側に配置された、複数の高周波電極からなる第二の高周波電極群より、高周波電力が反応容器内に導入されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
これらの手段によって、反応容器内で均一性の高いプラズマを形成することが可能となり、近年高機能化が進んだ電子写真装置に十分対応可能な、電位特性及び画像欠陥水準を有した電子写真用感光体を個体間のバラツキ無く提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に、上記のような効果が得られる本発明を図を用いて詳述する。
【００２８】
図１は、本発明に用いることができる堆積膜形成装置の概略構成図の一例である。図１（Ａ）は製造装置を横から見た概略断面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ−Ｘ’に沿う真上から見た概略断面図である。
【００２９】
図１に示した製造装置は、少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁（１０１）と、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁（１０２）で囲まれた減圧可能な空間内に、基体保持部材（１０４）に保持された複数の円筒状基体（１０３）、原料ガスを前記空間内に導入する原料ガス導入手段（１０５）が配置される。又、第一の円筒状側壁（１０１）によって取り囲まれる空間内に、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群（１０６）が配置されると共に、第二の円筒状側壁（１０２）の外側に、複数の高周波電極からなる第二の高周波電極群（１０７）が配置されている。
【００３０】
図１示した製造装置を使用した場合の電子写真用感光体の製造方法の一例を以下に示す。
【００３１】
高周波電源（１０８）より出力された高周波電力は、整合器（１１０）を介した後、導電性部材で構成される電力分割容器（１１１）内に導入される。次に、電力分割容器（１１１）内に導入された高周波電力は、電力分割容器（１１１）内に設置された電力分割部（１１２）によって複数の高周波電力伝送部（１１３）へと分割された後、第一の高周波電極群（１０６）及び第二の高周波電極群（１０７）を介して少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁（１０１）と、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁（１０２）で囲まれた空間内に導入される。原料ガス導入手段（１０５）により前記空間内に導入された原料ガスが、前記空間に導入された高周波電力のエネルギーによって分解され、プラズマが形成される。その結果、円筒状基体（１０３）上に堆積膜が形成される。
【００３２】
図１に示した堆積膜形成装置においては、第一の円筒状側壁（１０１）と第二の円筒状側壁（１０２）が同一の中心軸を有するように配置され、第一の高周波電極群（１０６）及び、第二の高周波電極群（１０７）、基体保持部材（１０４）によって保持された円筒状基体（１０３）が、それぞれ前記中心軸上に中心を持つ円周上に配置されていることが、プラズマの均一性の面で好ましい。
【００３３】
又、図１の装置においては、第一の円筒状側壁（１０１）によって取り囲まれる空間内に、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群（１０６）を設置することにより、製造される電子写真用感光体間のバラツキを抑制することが可能となるが、第一の高周波電極群（１０６）に属する高周波電極と、第二の高周波電極群（１０７）に属する高周波電極と、円筒状基体（１０３）の数を同数とすることにより、より顕著な効果を得ることができる。
【００３４】
さらに、第一の高周波電極群（１０６）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極と、第二の高周波電極群（１０７）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極と、円筒状基体（１０３）と、第一の円筒状側壁（１０１）の中心軸とが直線上に並ぶ配置とすることにより、本発明の効果をより顕著に得ることができる。ここで、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極とは、図１（Ｂ）の装置においては、円筒状基体（１０３ａ）に対する、高周波電極（１０６ａ）及び（１０７ａ）がそれに該当する。
【００３５】
さらに、図１の装置においては、高周波電源（１０８）は、導体線路（１０９）を介して、第一の高周波電極群（１０６）及び第二の高周波電極群（１０７）に属する高周波電極全てに接続されているが、二つの高周波電源（図示せず）を用意し、一方は第一の高周波電極群（１０６）に属する高周波電極のみに接続し、他方は第二の高周波電極群（１０７）に属する高周波電極のみに接続させる構成としても良い。
【００３６】
但し、操作性、コストといった生産性の面を考慮すると、一つの高周波電源（１０８）から、導体線路（１０９）を介して、第一の高周波電極群（１０６）及び第二の高周波電極群（１０７）に属する高周波電極全てに接続された構成とすることが好ましい。
【００３７】
さらに、第一の高周波電極群（１０６）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極の表面から円筒状基体表面までの最短距離をＲ１、第二の高周波電極群（１０７）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極の表面から円筒状基体表面までの最短距離をＲ２とした場合、
１．２５≧Ｒ１／Ｒ２≧０．８０
を満たす構成とすることで、本発明の効果を顕著に得ることができ好ましい。
【００３８】
Ｒ１／Ｒ２が上記範囲外となった場合においては、高周波電力が均一に導入されず、反応容器内でプラズマが不均一になる場合があり、そのために本発明の効果を十分に得られない場合があるのではないかと推察している。
【００３９】
又、本発明で使用される高周波電極の材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス等が、熱伝導が良く、電気伝導も良いので好ましい。さらには、第一の高周波電極群（１０６）の材質と、第二の高周波電極群（１０７）の材質を必要に応じて異なる材料とすることで本発明の効果を顕著に得ることができる場合がある。これは、高周波電極の材質を変えることで、第一の高周波電極群（１０６）から導入される高周波電力の導入効率と、第二の高周波電極群（１０７）から導入される高周波電力の導入効率とが調整されるためではないかと推察している。
【００４０】
又、図１に示した堆積膜形成装置においては、高周波電力の周波数が５０〜２５０ＭＨｚの範囲にあることによって、本発明の効果をより顕著に得ることができる。高周波電力の周波数が５０ＭＨｚより小さい場合においては、放電空間内でプラズマが不均一となる場合があり、本発明の効果を十分に得ることができない場合がある。又、高周波電力の周波数が２５０ＭＨｚより大きい場合においては、高周波電力を複数の高周波電極に分割する際に、発熱等によるロスが大きく、均一に分割されない場合があり、その結果本発明の効果を十分に得ることができない場合がある。
【００４１】
又、本発明で使用される第一の円筒状側壁（１０１）及び第二の円筒状側壁（１０２）の材質としては、セラミックス材料が好ましく、具体的には、アルミナ、ジルコニア、ムライト、コージュライト、炭化珪素、チッ化ホウ素、チッ化アルミ、チッ化珪素等の少なくとも一つ以上を含む材料によって構成することが好ましい。これらの中でも、アルミナ、チッ化ホウ素、チッ化アルミは絶縁抵抗等の電気特性に優れ、高周波電力の吸収が少ないことからより好ましい。又、必要に応じては、第一の円筒状側壁（１０１）の材質と第二の円筒状側壁（１０２）の材質を異なるものとしても良い。材質を変えることで、第一の高周波電極群（１０６）から導入される高周波電力の導入効率と、第二の高周波電極群（１０７）から導入される高周波電力の導入効率とが調整され、本発明の効果を顕著に得ることができる場合があるからである。
【実施例１】
【００４２】
図１に示した電子写真用感光体製造装置において、第一の高周波電極群（１０６）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極の表面から円筒状基体表面までの最短距離をＲ１、第二の高周波電極群（１０７）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極の表面から円筒状基体表面までの最短距離をＲ２とした場合に、Ｒ１とＲ２の関係を、
Ｒ１／Ｒ２＝１
とした電子写真用感光体製造装置を使用し、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源（１０８）を使用し、前記した方法により、アルミナセラミックスからなる第一の円筒状側壁（１０１）と、同じくアルミナセラミックスからなる第二の円筒状側壁（１０２）で囲まれた空間内に設置された直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状基体（１０３）上に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる電子写真用感光体を１ロット（６本）作製した。
【００４３】
【表１】
2008179862.tif 000003
*ＳｉＨ４に対して
**左項より右項へ連続的に変化させる
（比較例１）
実施例１で使用した図１に示した電子写真用感光体製造装置に代えて、図２に示した電子写真用感光体製造装置を使用し、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源（１０８）を使用し、前記した方法により、アルミナセラミックスからなる円筒状側壁（２０１）に囲まれた空間内に設置された直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状基体（１０３）上に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる電子写真用感光体を１ロット（６本）作製した。
【００４４】
（比較例２）
実施例１で使用した図１に示した電子写真用感光体製造装置に代えて、図３に示した電子写真用感光体製造装置を使用し、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源（１０８）を使用し、前記した方法により、アルミナセラミックスからなる第一の円筒状側壁（１０１）と、アルミナセラミックスからなる第二の円筒状側壁（１０２）で囲まれた空間内に設置された直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状基体（１０３）上に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる電子写真用感光体を１ロット（６本）作製した。
【００４５】
（実施例１、比較例１及び比較例２評価）
実施例１、比較例１及び比較例２において作製した、各６本の電子写真用感光体の電子写真特性を以下に記載した方法で評価し、比較例１で作製した電子写真用感光体を基準としてそれぞれ比較を行った。
【００４６】
『電子写真特性評価方法』
作成した各々の電子写真用感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機iＲ６０１０に設置し、評価項目は、『帯電能』、『感度』、『画像欠陥』、『帯電能バラツキ』及び『感度バラツキ』の５項目とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００４７】
『帯電能』
複写機の主帯電器に一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を『帯電能』とする（但し、周方向一周の平均値とし、又本例においては、母線方向中位置を測定する）。従って、数値が大きいほど良好である。実施例１、比較例１及び比較例２において作成した、それぞれ６本の電子写真用感光体の『帯電能』を測定し、それぞれの６本の平均値を求め、比較例１を基準として以下のランクに区分した。
【００４８】
Ａ：比較例１より５％以上増加
Ｂ：比較例１より２％以上５％未満の範囲で増加
Ｃ：比較例１に対し９８％以上１０２％未満で同等レベル
Ｄ：比較例１に対し９８％未満
『感度』
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように、主帯電器の電流値を調整した後、像露光を照射する。ついで像露光光源の光量を調整して、現像器位置における表面電位（明電位）が所定の値となるようにし、そのときの露光量を『感度』とする（但し、周方向一周の平均値とし、又本例においては、母線方向中位置を測定する）。従って、数値が小さいほど良好である。実施例１、比較例１及び比較例２において作成した、それぞれ６本の電子写真用感光体の『感度』を測定し、それぞれ６本の平均値を求め、比較例１を基準として以下のランクに区分した。
【００４９】
Ａ：比較例１より５％以上減少
Ｂ：比較例１より２％以上５％未満の範囲で減少
Ｃ：比較例１に対し９８％以上１０２％未満で同等レベル
Ｄ：比較例１に対し１０２％以上
『画像欠陥』
反射濃度１．５のＡ３サイズのベタ黒原稿を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。従って数値が小さいほど良好である。画像濃度の測定は、画像濃度計：Ｍａｃｂｅｔｈ  ＲＤ９１４を用いた。実施例１、比較例１及び比較例２において作成した、それぞれ６本の電子写真用感光体の『画像欠陥』を測定し、それぞれ６本の平均値を求め、比較例１を基準として以下のランクに区分した。
【００５０】
Ａ：比較例１より３０％以上減少
Ｂ：比較例１より１０％以上３０％未満の範囲で減少
Ｃ：比較例１に対し９０％以上１１０％未満で同等レベル
Ｄ：比較例１に対し１１０％以上
『帯電能バラツキ』
実施例１、比較例１及び比較例２において作製した、それぞれ６本の電子写真用感光体の『帯電能』を測定し、実施例１、比較例１及び比較例２毎に６本の平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙを求める。そして、実施例１、比較例１及び比較例２それぞれにおいて、（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『帯電能バラツキ』として評価する。従って数値が小さいほど良好である。又、比較例１を基準として以下のランクに区分した。
【００５１】
Ａ：比較例１より３０％以上減少
Ｂ：比較例１より１０％以上３０％未満の範囲で減少
Ｃ：比較例１に対し９０％以上１１０％未満で同等レベル
Ｄ：比較例１に対し１１０％以上
『感度バラツキ』
実施例１、比較例１及び比較例２において作製した、それぞれ６本の電子写真用感光体の『感度』を測定し、実施例１、比較例１及び比較例２毎に６本の平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙを求める。そして、実施例１、比較例１及び比較例２それぞれにおいて、（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『感度バラツキ』として評価する。従って数値が小さいほど良好である。又、比較例１を基準として以下のランクに区分した。
【００５２】
Ａ：比較例１より３０％以上減少
Ｂ：比較例１より１０％以上３０％未満の範囲で減少
Ｃ：比較例１に対し９０％以上１１０％未満で同等レベル
Ｄ：比較例１に対し１１０％以上
その結果を表２に示す。
【００５３】
【表２】
2008179862.tif 000004
本実施例の結果から明らかな様に、図１に示すように、第一の円筒状側壁（１０１）によって取り囲まれる空間内に、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群（１０６）を配置し、第二の円筒状側壁（１０２）の外側に、複数の高周波電極からなる第二の高周波電極群（１０７）を配置した電子写真用感光体製造装置を使用することにより、電気特性及び画像欠陥レベルが良好な電子写真用感光体を、バラツキなく製造することができることがわかる。
【実施例２】
【００５４】
本例では、図１に示した電子写真用感光体製造装置において、第一の高周波電極群（１０６）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極の表面から円筒状基体表面までの最短距離をＲ１、第二の高周波電極群（１０７）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極の表面から円筒状基体表面までの最短距離をＲ２とした場合に、Ｒ１とＲ２の関係を、
（イ） Ｒ１＝７５ｍｍ、Ｒ２＝５７．５ｍｍ、Ｒ１／Ｒ２＝１．３０
（ロ） Ｒ１＝７５ｍｍ、Ｒ２＝６０ｍｍ、Ｒ１／Ｒ２＝１．２５
（ハ） Ｒ１＝６０ｍｍ、Ｒ２＝７５ｍｍ、Ｒ１／Ｒ２＝０．８０
（ニ） Ｒ１＝６０ｍｍ、Ｒ２＝８５ｍｍ、Ｒ１／Ｒ２＝０．７１
とした電子写真用感光体製造装置を使用し、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源（１０８）を使用し、前記した方法により、アルミナセラミックスからなる第一の円筒状側壁（１０１）と、アルミナセラミックスからなる第二の円筒状側壁（１０２）で囲まれた空間内に設置された直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状基体（１０３）上に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる電子写真用感光体を各１ロット（各６本）作製した。
【００５５】
実施例２において作製した、６本の電子写真用感光体の電子写真特性を実施例１と同様の方法で評価し、比較例１で作製した電子写真用感光体を基準としてそれぞれ比較を行った。評価項目は、『帯電能』、『感度』、『画像欠陥』、『帯電能バラツキ』及び『感度バラツキ』の５項目としている。
【００５６】
その結果を表３に示す。
【００５７】
【表３】
2008179862.tif 000005
本実施例の結果から明らかな様に、第一の高周波電極群（１０６）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極の表面から円筒状基体表面までの最短距離をＲ１、第二の高周波電極群（１０７）に属する高周波電極の内、円筒状基体（１０３）に最近接する高周波電極の表面から円筒状基体表面までの最短距離をＲ２の関係を、
１．２５≧Ｒ１／Ｒ２≧０．８０
とすることで、電気特性及び画像欠陥レベルが良好な電子写真用感光体を、バラツキなく製造することができることがわかる。
【実施例３】
【００５８】
本例では、図１に示した電子写真用感光体製造装置を使用し、高周波電力の周波数を
（イ） ５０ＭＨｚ
（ロ） ２５０ＭＨｚ
とした以外は、実施例１と同様の方法により、アルミナセラミックスからなる第一の円筒状側壁（１０１）と、アルミナセラミックスからなる第二の円筒状側壁（１０２）で囲まれた空間内に設置された直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状基体（１０３）上に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる電子写真用感光体を各１ロット（各６本）作製した。
【００５９】
実施例３において作製した、各６本の電子写真用感光体の電子写真特性を実施例１と同様の方法で評価し、比較例１で作製した電子写真用感光体を基準として、実施例３（イ）及び（ロ）で作製した電子写真用感光体間の比較を行った。その結果を表４示す。
【００６０】
【表４】
2008179862.tif 000006
本例の結果から明らかな様に、高周波電力の周波数を５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下とした場合においても、本発明の効果を得ることができることがわかる。
【実施例４】
【００６１】
本例では、実施例１で使用した図１に示した電子写真用感光体製造装置に代えて、図４に示した、周波数の異なる高周波電力を供給するための高周波電源Ａ及びＢ（４０８Ａ、４０８Ｂ）が設置された電子写真用感光体製造装置を使用した。
【００６２】
実施例１と同様の方法で、アルミナセラミックスからなる第一の円筒状側壁（１０１）と、アルミナセラミックスからなる第二の円筒状側壁（１０２）で囲まれた空間内に設置された直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状基体（１０３）上に、表５に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる電子写真用感光体を１ロット（６本）作製した。
【００６３】
尚、本例においては、周波数の異なる高周波電源（４０８Ａ、４０８Ｂ）としては、一方は１０５ＭＨｚ、他方は５５ＭＨｚを使用している。
【００６４】
実施例４において作製した、６本の電子写真用感光体の電子写真特性を実施例１と同様の方法で評価し、比較例１で作製した電子写真用感光体を基準として、実施例４で作製した電子写真用感光体間の比較を行った。その結果を表６示す。
【００６５】
【表５】
2008179862.tif 000007
*ＳｉＨ４に対して
**左項より右項へ連続的に変化させる
【００６６】
【表６】
2008179862.tif 000008
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明で使用した電子写真用感光体製造装置の一例で、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用感光体製造装置の概略図である。
【図２】従来使用していた電子写真用感光体製造装置の一例で、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用感光体製造装置の概略図である。
【図３】本発明で比較に使用した電子写真用感光体製造装置の一例で、ＶＨＦ−ＣＶＤ法による電子写真用感光体製造装置の概略図である。
【図４】本発明で使用した電子写真用感光体製造装置の一例で、ＶＨＦ−ＣＶＤ法による電子写真用感光体製造装置の概略図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０１  誘電体で構成された反応容器
１０２  円筒状基体
１０３  原料ガス導入手段
１０４  回転機構
１０５  下部基体支持手段
１０６  基体キャップ
１０７  上蓋
１０８  基体加熱ヒーター
１０９  高周波電極
１１０  原料ガス導入配管
１１１  圧力測定手段
１１２  スロットルバルブ
１１３  高周波電源
１１４  整合器
１１５  電力分割容器
１１６  電力分割部
１１７  複数の高周波電力伝送部
１１８  アースシールド
２０２  円筒状基体
４０１  導電性部材
【図１】
2008179862.tif 000009
【図２】
2008179862.tif 000010
【図３】
2008179862.tif 000011
【図４】
2008179862.tif 000012