(57)【要約】【課題】表示装置の端子部付近の有機膜に導電性物質が付着することにより、端子部をフレキシブル配線基板で接続した際、端子間に導通が生ずる問題を対策する。【解決手段】有機パッシベーション膜２８が基板２の端部付近まで形成されているが、この有機パッシベーション膜２８の端部に導電性物質が付着する。有機パッシベーション膜２８のブリッジ部３０を基板２の端部にまで延在させることによって、導電性付着物７０を遮断する。これによって、フレキシブル配線基板を接続したときも、端子間の導通を防止することが出来る。【選択図】図４
2008096708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の画像形成部には薄膜トランジスタと画素電極を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記基板の周辺には前記画素電極に信号を供給するための端子部が形成され、前記端子部には有機絶縁膜のスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆って形成された表示装置であって、
前記有機絶縁膜の端部は前記基板上に前記端子部よりも外側に、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の前記スルーホールの間に存在していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ブリッジ部の幅は前記有機絶縁膜の厚さよりも大きく、前記隣りあった前記端子部と前記端子部の間の距離の１/２よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ブリッジ部は前記隣りあった前記端子部の間に複数存在していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ブリッジ部は幅が大きい部分と幅が小さい部分が存在していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ブリッジ部は幅が大きい部分は前記隣りあった前記端子と前記端子の間の距離の１/２よりも小さく、前記幅が小さい部分は前記有機絶縁膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ブリッジ部と前記有機絶縁膜の前記端子部に形成された前記スルーホールとは同一のプロセスで形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記金属酸化物導電膜はＩＴＯであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置
【請求項８】
基板の画像形成部には薄膜トランジスタと画素電極を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記薄膜トランジスタの上層には有機絶縁膜が形成され、前記画素電極は前記有機絶縁膜上に形成された液晶表示装置であって、
前記薄膜トランジスタと接続するドレイン線と同一プロセスで形成された配線は端子部に延在し、前記有機絶縁膜は画像形成部の外側まで形成され、端子部において前記有機絶縁膜にスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆っており、前記ドレイン線と同一プロセスで形成された配線と前記酸化物導電膜とは前記スルーホールにおいて接続しており、
前記有機絶縁膜の端部は前記基板上に前記端子部よりも外側で、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の前記スルーホールの間に存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素電極と前記端子部に形成される金属酸化物導電膜は同一物質であり、同一プロセスで形成されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記金属酸化物導電膜はＩＴＯであることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記端子部に延在するドレイン線と同一プロセスで形成された配線はドレイン線であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
基板の画像形成部には薄膜トランジスタと画素電極を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記薄膜トランジスタの上層には有機絶縁膜が形成され、前記画素電極は前記有機絶縁膜上に形成された液晶表示装置であって、
前記薄膜トランジスタと接続するゲート線と同一プロセスで形成された配線は端子部に延在し、前記有機絶縁膜は前記画像形成部よりも外側まで形成され、前記端子部において前記有機絶縁膜にスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆っており、前記ゲート線と同一プロセスで形成された配線と前記酸化物導電膜とは前記スルーホールにおいて接続しており、
前記有機絶縁膜の端部は前記基板上に前記端子部よりも外側で、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の間に存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
前記ゲート線と同一プロセスで形成された配線はゲート線であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
基板の画像形成部には薄膜トランジスタと有機ＥＬ発光部を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記薄膜トランジスタの上層には有機絶縁膜が形成され、前記有機ＥＬ発光部は酸化物導電膜からなる下部電極と有機ＥＬ層と金属からなる上部電極で形成され、前記有機ＥＬ発光部は前記有機絶縁膜の上に形成される有機ＥＬ表示装置であって、
前記画像形成部の周辺には端子部が形成され、前記有機絶縁膜は前記画像形成部よりも外側まで形成され、端子部において前記有機絶縁膜にスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆っており、
前記有機絶縁膜の端部は前記基板上に前記端子部よりも外側で、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の間に存在していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
基板の画像形成部には薄膜トランジスタと有機ＥＬ発光部を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記薄膜トランジスタの上層には有機絶縁膜が形成され、前記有機ＥＬ発光部は金属からなる下部電極と有機ＥＬ層と酸化物導電膜からなるから成る上部電極で形成され、前記有機ＥＬ発光部は前記有機絶縁膜の上に形成される有機ＥＬ表示装置であって、
前記画像形成部の周辺には端子部が形成され、前記有機絶縁膜は前記画像形成部よりも周辺まで形成され、端子部において前記有機絶縁膜にスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆っており、
前記有機絶縁膜の端部はは前記基板上に前記端子部よりも外側で、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の間に存在していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に外部から電源、信号が供給される表示パネルの端子部の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ表示パネル等では、外部から電源、画像信号等を供給するために端子部が形成されている。端子部は例えば、フレキシブル配線基板等を介して、電源、信号源、駆動回路と接続される。端子部は外気に曝されるため、信頼性が重要である。一般の金属は大気中の酸素、水分等によって腐蝕するため、端子部には化学的に安定な金属酸化物導電膜が使用され、なかでも、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ‐Ｔｉｎ‐Ｏｘｉｄｅ）が多用されている。
【０００３】
ＩＴＯによって端子を形成する際、エッチングによって形成する。すなわち、ＩＴＯを基板全面にスパッタリング等によって形成し、画素部および端子部のみにＩＴＯを残す。「特許文献１」に記載の問題点は、端子部付近にまで形成されている厚い有機保護膜の段差の下部に、ＩＴＯがエッチングされずに残ってしまい、端子間の導通を引き起こすことである。「特許文献１」では、この問題を絶縁物の段差の傾斜を端子と端子の間では緩やかにすることによって端子と端子の間にＩＴＯのエッチング残りが生じないよう対策している。
【０００４】
「特許文献２」および「特許文献３」に記載の問題点は、ＩＴＯの有機膜上と無機膜上でのエッチング速度の違いに起因するものである。すなわち、ＩＴＯを画素電極と端子部に共通に使用した場合に、画素部では有機膜上にＩＴＯが被着され、端子部では無機膜上にＩＴＯが被着される。ＩＴＯのエッチング速度は有機膜上の方が速いため、端子部には、端子部と端子部の間のＩＴＯが完全にエッチングされずに残る。「特許文献２」等に記載の問題点は、このような現象によって端子部間が導通する問題である。特許文献「特許文献２」等では、ＩＴＯ端子間にも有機膜を形成しておき、端子部の間に被着されたＩＴＯのエッチング速度を画素部と同様にすることによって、端子部間の導通を防止するものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２４１０１号公報
【特許文献２】特開平９−９０３９７号公報
【特許文献３】特開平１０−１５３７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１から特許文献３に記載の問題点は、端子部を図２５および図２６に示すような構造とすることによって解決することができる。図２５は端子部５の一部を拡大した平面図である。図２６は図２５のＢ−Ｂ断面図である。図２５において、有効表示部から延びてきたドレイン配線２６１は有機パッシベーション膜（有機絶縁膜）２８によって保護されている。ドレイン配線２６１の端子部５には有機パッシベーション膜２８のスルーホール５１が形成され、このスルーホール５１を覆って、端子部ＩＴＯ５２が形成される。最上部は化学的に安定なＩＴＯ５２で覆われているので、端子部の信頼性を確保することができる。
【０００７】
図２６において、ドレイン線２６１はガラスで形成されたＴＦＴ基板２上に形成されている絶縁膜の上に形成される。ＴＦＴ基板２とドレイン線２６１の間には第１下地膜２０、第２下地膜２１、ゲート絶縁膜２３、層間絶縁膜２５等が形成されている。有機パッシベーション膜２８の下には無機パッシベーション膜（無機絶縁膜）２７が形成されているが、無機パッシベーション膜２７には有機パッシベーション膜２８と同じ形状のスルーホール５１が形成されている。
【０００８】
図２５および図２６に示すように、各端子部は有機パッシベーション膜２８によって隔離されているために、ＴＦＴ基板単独での、端子部間でのエッチング残り等による導電性付着物７０による導通の問題は回避することができる。図２７は図２５のＡ−Ａ断面図である。図２５および図２７に示すように、有機パッシベーション膜２８は基板２の端部付近まで形成されている。有機パッシベーション膜２８は約３μｍと厚い。この段差付近に導電性の付着物７０等が付着しやすい。
【０００９】
この導電性付着物７０は、液晶表示装置製造工程でのラビングによるＩＴＯ等の導電物の削り屑、ＩＴＯのエッチング残り等である。このような導電性物質７０が基板端部付近に残ったとしても、端子部間は有機パッシベーション膜２８によって隔離されているために、端子部間で導通を生ずるという問題は生じない。
【００１０】
ところが、この導電性付着物７０は外部回路と接続をするときに問題を生ずる。ＴＦＴ基板２に形成された端子と外部回路との接続は一般にはフレキシブル配線基板６１によって行われる。この様子を図２８および図２９に示す。図２８は端子部５にフレキシブル配線基板６１が接続された状態を示す平面透視図である。図２８において、フレキシブル配線基板６１に形成された配線部６２がＴＦＴ基板２に形成された端子部を覆って端子部と接続している。フレキシブル配線基板６１に形成された配線部６２は途中から保護フィルム６３によって覆われている。
【００１１】
図２９は図２８のＡ−Ａ断面図である。図２９において、端子部５に形成された端子部ＩＴＯ５２とフレキシブル配線基板６１の配線６２とは異方性導電フィルム６０を介して電気的に接続される。異方性導電フィルム６０は断面方向（端子部とフレキシブル配線基板６１の対向方向）には導通を生ずるが、平面方向（端子間の方向）には導通を生じない。図２９では、異方性導電フィルム６０がＴＦＴ基板２の導電性付着物７０も覆っている。そうすると、フレキシブル配線基板６１に形成された配線部６２はＴＦＴ基板の導電性付着物７０を介して互いに導通してしまうことになる。この導通の様子を図２８の両方向矢印によって示す。本発明はこの問題を対策するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以上のような問題点は次のような手段によって解決することができる。有機絶縁膜の端部は基板の端部よりも内側に形成されるが、隣り合う端子間の一部に、有機絶縁膜の端部から基板の端部に延びる有機絶縁膜のブリッジを形成する。このブリッジが、フレキシブル配線基板を接続した際に、有機絶縁膜の端部に付着した導電性物質が隣り合う端子間を導通する現象を阻止する。具体的手段は次の通りである。
【００１３】
（１）基板の画像形成部には薄膜トランジスタと画素電極を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記基板の周辺には前記画素電極に信号を供給するための端子部が形成され、前記端子部には有機絶縁膜のスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆って形成された表示装置であって、前記有機絶縁膜の端部は前記基板上に前記端子部よりも外側に、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の前記スルーホールの間に存在していることを特徴とする表示装置。
（２）前記ブリッジ部の幅は前記有機絶縁膜の厚さよりも大きく、前記隣りあった前記端子部と前記端子部の間の距離の１/２よりも小さいことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（３）前記ブリッジ部は前記隣りあった前記端子部の間に複数存在していることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（４）前記ブリッジ部は幅が大きい部分と幅が小さい部分が存在していることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（５）前記ブリッジ部は幅が大きい部分は前記隣りあった前記端子と前記端子の間の距離の１/２よりも小さく、前記幅が小さい部分は前記有機絶縁膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする（４）に記載の表示装置。
（６）前記ブリッジ部と前記有機絶縁膜の前記端子部に形成された前記スルーホールとは同一のプロセスで形成されることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（７）前記金属酸化物導電膜はＩＴＯであることを特徴とする（１）に記載の表示装置
（８）基板の画像形成部には薄膜トランジスタと画素電極を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記薄膜トランジスタの上層には有機絶縁膜が形成され、前記画素電極は前記有機絶縁膜上に形成された液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタと接続するドレイン線と同一プロセスで形成された配線は端子部に延在し、前記有機絶縁膜は画像形成部の外側まで形成され、端子部において前記有機絶縁膜にスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆っており、前記ドレイン線と同一プロセスで形成された配線と前記酸化物導電膜とは前記スルーホールにおいて接続しており、前記有機絶縁膜の端部は前記基板上に前記端子部よりも外側で、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の前記スルーホールの間に存在していることを特徴とする液晶表示装置。
（９）前記画素電極と前記端子部に形成される金属酸化物導電膜は同一物質であり、同一プロセスで形成されることを特徴とする（８）に記載の液晶表示装置。
（１０）前記金属酸化物導電膜はＩＴＯであることを特徴とする（８）に記載の液晶表示装置。
（１１）前記端子部に延在するドレイン線と同一プロセスで形成された配線はドレイン線であることを特徴とする（８）に記載の液晶表示装置。
【００１４】
（１２）基板の画像形成部には薄膜トランジスタと画素電極を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記薄膜トランジスタの上層には有機絶縁膜が形成され、前記画素電極は前記有機絶縁膜上に形成された液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタと接続するゲート線と同一プロセスで形成された配線は端子部に延在し、前記有機絶縁膜は前記画像形成部よりも外側まで形成され、前記端子部において前記有機絶縁膜にスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆っており、前記ゲート線と同一プロセスで形成された配線と前記酸化物導電膜とは前記スルーホールにおいて接続しており、前記有機絶縁膜の端部は前記基板上に前記端子部よりも外側で、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の間に存在していることを特徴とする液晶表示装置。
（１３）前記ゲート線と同一プロセスで形成された配線はゲート線であることを特徴とする（１２）に記載の液晶表示装置。
【００１５】
（１４）基板の画像形成部には薄膜トランジスタと有機ＥＬ発光部を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記薄膜トランジスタの上層には有機絶縁膜が形成され、前記有機ＥＬ発光部は酸化物導電膜からなる下部電極と有機ＥＬ層と金属からなる上部電極で形成され、前記有機ＥＬ発光部は前記有機絶縁膜の上に形成される有機ＥＬ表示装置であって、前記画像形成部の周辺には端子部が形成され、前記有機絶縁膜は前記画像形成部よりも外側まで形成され、端子部において前記有機絶縁膜にスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆っており、前記有機絶縁膜の端部は前記基板上に前記端子部よりも外側で、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の間に存在していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１６】
（１５）基板の画像形成部には薄膜トランジスタと有機ＥＬ発光部を含む画素部がマトリクス状に配置され、前記薄膜トランジスタの上層には有機絶縁膜が形成され、前記有機ＥＬ発光部は金属からなる下部電極と有機ＥＬ層と酸化物導電膜からなるから成る上部電極で形成され、前記有機ＥＬ発光部は前記有機絶縁膜の上に形成される有機ＥＬ表示装置であって、前記画像形成部の周辺には端子部が形成され、前記有機絶縁膜は前記画像形成部よりも周辺まで形成され、端子部において前記有機絶縁膜にスルーホールが形成され、金属酸化物導電膜が前記スルーホールおよび前記スルーホールの周囲を覆っており、前記有機絶縁膜の端部はは前記基板上に前記端子部よりも外側で、かつ前記基板端部よりも内側に存在し、前記有機絶縁膜の一部は前記有機絶縁膜の端部よりも外側に、前記基板端部に延在するブリッジ部を形成し、前記ブリッジ部は隣り合った前記端子部の間に存在していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の効果を各手段毎に記載すると次のとおりである。
【００１８】
手段（１）によれば、表示装置の有機絶縁膜の端部は基板の端部よりも内側に形成されるが、隣り合う端子間の一部に、有機絶縁膜の端部から基板の端部に延びる有機絶縁膜のブリッジ部を形成し、このブリッジ部がフレキシブル配線基板と表示装置を接続したときに生ずる端子間の導通を阻止する。
【００１９】
手段（２）によれば、手段（１）の効果に加え、ブリッジ部の幅を有機絶縁膜の厚さよりも大きく、端子と端子の間の距離の１／２よりも小さくしたので、基板を切断する際、ブリッジ部の剥がれを防止することができる。
【００２０】
手段（３）によれば、手段（１）の効果に加え、ブリッジ部を端子間で複数形成するので、基板とフレキシブル配線基板の合わせがずれても、いずれかのブリッジによって端子間の導通を遮断することが出来る。
【００２１】
手段（４）によれば、手段（１）の効果に加え、ブリッジ部には幅の広い部分と狭い部分があるので、ブリッジ部の下層膜との接着力を上げることができるとともに、基板を切断するときの剥離力を小さくすることができる。
【００２２】
手段（５）によれば、手段（１）の効果に加え、ブリッジ部の幅の広い部分を端子間の距離の１／２よりも小さくし、幅の狭い部分を有機絶縁膜の膜厚よりも大きくしたので、ブリッジ部の剥離を防止することができる。
【００２３】
手段（６）によれば、手段（１）の効果に加え、有機絶縁膜のブリッジ部と端子部のスルーホールを同一プロセスで形成するので、ブリッジ部の形成のための追加コストは不要となる。
【００２４】
手段（７）によれば、手段（１）の効果に加え、金属酸化物導電膜として広く使用されているＩＴＯを使用するので、信頼性を確保できるとともに、コストの低減が可能である。
【００２５】
手段（８）から手段（１１）によれば、本発明を液晶表示装置に適用することによって、信頼性の高い液晶表示装置を実現できる。また、有機絶縁膜、金属酸化物導電膜を画素部と端子部で共通の物質、プロセスで形成するのでコストの増大を抑制できる。また、抵抗の小さいドレイン線と同じ配線を端子まで延在させるので、端子部から有効画面までの配線抵抗を小さくすることが出来る。
【００２６】
手段（１２）および手段（１３）によれば、抵抗が小さく、かつ、ドレイン線に比し化学的に安定な材料が使用されることがあるゲート配線を端子部まで、延在するので、端子部から有効画面までの配線抵抗を小さくすることが出来る。
【００２７】
手段（１４）によれば、本発明をボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置に適用することによって、信頼性の高いボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。
【００２８】
手段（１５）によれば、本発明をトップエミッション型有機ＥＬ表示装置に適用することによって、信頼性の高いトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下の実施例に基づいて本発明を詳細に開示する。
【実施例１】
【００３０】
図１は本発明が使用される液晶表示装置１の概略平面図である。図１において、ＴＦＴ基板２には画素信号を供給するドレイン線２６１
と走査信号を供給するゲート線２４１が互いに交差して形成されている。トレイン線２６１とゲート線２４１の交差部の近傍に画素およびスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。ＴＦＴ基板２の周辺には液晶表示装置１に信号、電源等を供給するための端子部５が形成されている。ＴＦＴ基板２の上にはシール部４を介してカラーフィルタ基板３が設置される。
【００３１】
図２は液晶表示装置１の概略断面図である。図２において、画素電極７はＴＦＴ部６を介してドレイン線あるいはゲート線によって端子部５と接続している。画素電極７の上には液晶１０を配向させるための配向膜８が形成される。ＴＦＴ基板２と一定の距離をもってカラーフィルタ基板３がシール部４を介して設置される。液晶１０はＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とシール部４によって封止されている。カラーフィルタ基板３にはカラーフィルタ１１、ブラックマトリクス１２、透明電極で形成される対向電極９、および、配向膜８が形成される。
【００３２】
配向膜８は液晶１０を特定方向に配向させるためのものであるが、この特定方向はラビングによって形成される。ラビングは繊維状のもので配向膜表面をこするものであるため、静電気、削り屑等が発生しやすい。このラビングによる削り屑等が図２５等に示す導電性付着物７０の原因の一つである。その他、液晶製造工程では、金属等種々の導電物のエッチング工程等によって導電性の残渣が発生し、これらも図２５等に示す導電性付着物７０の原因になりうる。
【００３３】
図３は画素部の断面構造である。図３はいわゆるトップゲートタイプのＴＦＴの断面構造である。ＴＦＴ基板２において、画素部と端子部は同一のプロセスで形成される。図３において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板２の上にはＳｉＮで形成された第１下地膜２０とＳｉＯ２で形成された第２下地膜２１がコートされている。これらの下地膜はガラス基板からの不純物が半導体膜２２を汚染することを防止する役割をもっている。
【００３４】
第２下地膜２１の上には半導体膜２２が形成される。この場合の半導体膜２３はポリシリコンで形成される。半導体膜２２を覆ってＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）によるＳｉＯ２膜によるゲート絶縁膜２３が形成される。ゲート絶縁膜２３上にはゲート電極２４およびゲート線２４１および保持容量線２４２が形成される。ゲート電極２４を形成したあと、イオンインプランテーションによって、不純物が打ちこまれ、半導体膜２２に導電性を付与する。イオンプランテーションはゲート電極２４をマスクとしておこなわれるので、ゲート電極２４の下には不純物イオンは打ち込まれないため、ゲート電極２４の下はＴＦＴのチャネル部になる。半導体膜２２において、不純物イオンが打ち込まれた部分はＴＦＴのソース部あるいはドレイン部（Ｓ／Ｄ部）となる。
【００３５】
ゲート電極２４を覆って層間絶縁膜２５がＳｉＯ２によって形成される。層間絶縁膜２５の上にはソースまたはドレイン電極（Ｓ／Ｄ電極）２６およびドレイン線２６１が形成される。ゲート絶縁膜２３および層間絶縁膜２５に形成されたスルーホールを通して、半導体膜２２のドレイン部とドレイン線が電気的に接続される。Ｓ／Ｄ電極２６を覆って無機パッシべーション膜２７が形成され、さらにその上には有機パッシベーション膜２８が形成される。
【００３６】
無機パッシベーション膜２７および有機パッシベーション膜２８はいずれもＴＦＴを保護する役割を持つ。有機パッシベーション膜２８はこの他に、画素部を平坦にする役割を持っている。この目的のために、有機パッシベーション膜２８は３μｍというように、他の膜に比して非常に厚く形成される。この有機パッシベーション膜２８の材料としては、アクリル樹脂、シロキサン樹脂等が使用される。
【００３７】
有機パッシベーション膜２８の上には画素電極７としてＩＴＯ膜が形成される。本実施例では画素電極７にＩＴＯを使用するが、ＩＴＯの他にＡＺＯ、ＩＺＯ等の金属酸化物導電膜を使用することも出来る。以後の実施例もＩＴＯは金属酸化物導電膜の例として記載しているものとする。なお、画素電極７で使用されるＩＴＯは、端子部５に使用されるＩＴＯと同一であり、同一のプロセスによって形成される。画素電極７とＳ／Ｄ電極２６とは無機パッシベーション膜２７および有機パッシベーション膜２８に形成されたスルーホールを介して電気的に導通を取る。
【００３８】
図３において、ＴＦＴ６の近傍には画素容量と並列に接続されることになる保持容量が形成される。保持容量は保持容量線２４２と半導体膜のＳ／Ｄ部と導通しているポリシリコン半導体膜２２とで、ゲート絶縁膜２３を介して形成される。以上のように、ＴＦＴ基板２に形成された画素部は、ＴＦＴ部、保持容量部ＣＡＰ、および、画素電極部ＰＩＸによって形成されている。
【００３９】
図４は本発明を示す端子部５付近の透視図である。端子部５の構造は図２５および図２６に説明した通りである。端子部５の、各膜は上記で説明したＴＦＴを形成するときに同時に形成される。図４において、端子部５の周辺は有機パッシベーション膜２８によって覆われている。本実施例の特徴は、有機パッシベーション膜２８とＴＦＴ基板２の端部との間に、有機パッシベーション膜２８および無機パッシベーション膜２７のブリッジ部３０を形成している点である。このブリッジ部３０によって導電性付着物７０が分断されている。このブリッジ部３０は図４に示すように、隣りあった端子部５の間に形成するのが効果的である。
【００４０】
図５は図４のＡ−Ａ断面図である。図５は、有機パッシベーション膜２８の端部に付着した導電性付着物７０はブリッジ部３０が壁になって分断されている様子を示している。ブリッジ部３０は有機パッシベーション膜２８を現像またはエッチングするときに同時に形成される。すなわち、図５の壁の高さは有機パッシベーション膜２８の高さと同じである。なお、図４の７１に示すように、導電性付着物７０は壁部３０に沿って付着する場合もあるが、壁によって他方の導電性付着物７０とは分断されることには変わりない。図５ではドレイン線２６１が配線として端子部５まで延在している。しかしこの配線は必ずしもドレイン線２６１と接続していなくともよく、ドレイン線２６１と同一プロセスで形成された配線という意味である。例えば、ゲート線２４１を端子まで引き出すかわりに、層間絶縁膜２５に形成したスルーホールを通してゲート線２４１と導通したドレイン線と同一プロセスで形成された配線を端子部５まで引き出してもよい。
【００４１】
図６は本実施例の端子部５にフレキシブル配線基板６１が接続された状態を示す透視図である。図７は図６のＡ−Ａ断面図である。図７において、フレキシブル配線基板６１とＴＦＴ基板２に形成された端子部５とは異方性導電フィルム６０を介して接続される。異方性導電フィルム６０と導電性付着物７０は導通するが、有機パッシベーション膜２８から延びるブリッジ部３０によって導電性付着物７０が分断されているためにフレキシブル配線基板６１の配線同士が導通することは無い。
【００４２】
図８は図６のＢ−Ｂ断面図である。図６において、７１は導電性付着物７０がブリッジ部３０の端部にまで付着した場合の例である。この場合であっても、図８に示すように、ブリッジ部３０の壁によって導電性付着物７０が分断されているために、フレキシブル配線基板６１の配線同士が導通することは無い。
【００４３】
本実施例では、図４等に示すように、端子間には２つのブリッジ部３０が形成されている。フレキシブル配線基板６１の配線部６２とＴＦＴ基板２の端子部５とは合わせ作業が必要である。作業のばらつきによってはフレキシブル配線基板６１の配線部６２と端子部５とがずれることもあり得る。この場合、フレキシブル配線基板６１の配線部６２がＴＦＴ基板２に形成されたブリッジ部３０を超えてずれるような場合があると、本発明の効果を達成できない。これに対して、ブリッジ部３０が２個あれば、フレキシブル配線基板６１とＴＦＴ基板２に形成された端子部５のずれが１個のブリッジ部３０を超えて生じたような場合であっても、もう一つのブリッジ部３０が配線間の導通を阻止できるので、本発明の効果を確実に達成することが出来る。
【００４４】
ところで、図９に示すように、有機パッシベーション膜２８をＴＦＴ基板２の端部にまで完全に形成すれば有機パッシベーション膜２８の端部に導電性付着物７０が付着するという問題は起こらない。しかし、このような構成とすると、図１０に示すように、ＴＦＴ基板２を切断する際、有機パッシベーション膜２８の剥がれが生ずる。有機パッシベーション膜２８は約３μｍというように他の膜に比べて非常に厚いためである。この有機パッシベーション膜２８の剥がれを防止するため、有機パッシベーション膜２８の端部はＴＦＴ基板２の端部より約１００μｍ程度内側に形成される（図４のＭを参照）。
【００４５】
図４に示すブリッジ部３０の幅ＢＰはＴＦＴ基板切断時の有機パッシベーション膜２８の剥がれに対する応力と有機パッシベーション膜２８の接着力との関係で決める必要がある。ブリッジ部３０の幅が小さければ、切断時に有機パッシベーション膜２８を剥離しようとする力は小さい。一方、有機パッシベーション膜２８の下地膜との接着力はブリッジ部３０の幅が大きいほうが大きい。したがって、ブリッジ部３０の幅はＴＦＴ基板切断時の剥離力と有機パッシベーション膜２８の接着力とを勘案して決める必要がある。
【００４６】
本実施例では、ブリッジ部３０の幅ＢＰは１０μｍである。有機パッシベーション膜２８は約３μｍと厚いため、エッチング精度から幅をあまり小さくすることは出来ない。エッチング精度と有機パッシベーション膜２８の接着力を考慮すると幅ＢＰの最小は３μｍ程度である。一方、幅ＢＰをあまり大きくすると切断時の剥離力が強くなる。しかし、本実施例では、ブリッジ部３０の幅ＢＰは単独では、端子部ＩＴＯ５２の２つの端子部の間隔ＤＩの１/２を上回ることは無い。端子部ＩＴＯ５２の間隔ＤＩの１/２以下であれば、有機パッシベーション膜２８が連続膜である場合に比して剥離力は相当小さく出来る。したがって、本実施例の上限は端子部ＩＴＯ５２の間隔ＤＩの１/２以下とすることが出来る。
【００４７】
以上の説明では、端子部５にはドレイン線２６１が延在して端子部ＩＴＯ５２と接続しているとして説明した。しかし、設計によっては、端子部５にはドレイン線２６１ではなく、ゲート線２４１が延在して端子部ＩＴＯ５２と接続する場合がある。この場合も以上に説明した構成をそのまま適用することが出来る。図１１は端子部５にゲート線２４１が延在しているケースである。図１１においてはゲート線２４１を覆って端子部ＩＴＯ５２が形成されている。ゲート線２４１が使用されている関係で、有機パッシベーション膜２８、あるいは無機パッシベーション膜２７の下層の絶縁膜は第１下地膜２０、第２下地膜２１、ゲート絶縁膜２３の３層となっている。図５等と比較すると絶縁膜が１層少ないが、本質的には同じである。すなわち、図１１に示すように、無機パッシベーション膜２７および有機パッシベーション膜２８のブリッジ部３０をＴＦＴ基板端部にまで延在することによって、導電性付着物７０による端子間導通を阻止するという構成はそのままである。
【００４８】
図１１ではゲート線２４１が配線として端子部５まで延在している。しかしこの配線は必ずしもゲート線と接続していなくともよく、ゲート線と同一プロセスで形成された配線という意味である。例えば、ドレイン線を端子まで引き出すかわりに、層間絶縁膜２５に形成されたスルーホールを通してドレイン線と導通したゲート線と同一プロセスで形成された配線を端子部５まで引き出してもよい。
【実施例２】
【００４９】
図１２は本発明の第２の実施例である。実施例１と異なるところは、ブリッジ部３０の形状を平行線ではなく、幅に段差がある形状としたことである。図１２のブリッジ部３０の拡大図を図１３に示す。図１３に示すように、ブリッジ部３０は幅の広い部分と幅の狭い部分が交互に形成されている。幅の広い部分は有機パッシベーション膜２８の下部に形成された層間絶縁膜等との接着力が強くなる。一方、ＴＦＴ基板２の切断時は、有機パッシベーション膜２８の幅は小さい方が切断による剥離力は小さくすることができる。
【００５０】
本実施例ではＴＦＴ基板２の切断部分ではブリッジの幅を小さくし、一定距離隔てた部分で幅を大きくした部分を設けている。ＴＦＴ基板切断部分では幅を小さくして切断時の剥離力を小さくし、他の部分では幅を大きくして下方の膜との接着力を確保している。図１３において、有機パッシベーション膜２８の端部からＴＦＴ基板２の端部までの距離Ｍは１００μｍである。ブリッジの幅の狭い部分の幅ＢＷ１は例えば１０μｍ、幅の広い部分の幅ＢＷ２は２５μｍである。また、幅の狭い部分の長さＢＬ１は例えば、２５μｍ、幅の広い部分の長さＢＬ２は２５μｍである。つまり、ブリッジの幅の広い部分は正方形となっている。
【００５１】
幅の狭い部分と広い部分を交互に形成する理由は次の通りである。ＴＦＴ基板２の切断時等に、有機パッシベーション膜２８で形成されたブリッジ部３０が剥離する場合がある。ブリッジ部３０が剥離する場合があっても、幅の細い部分を形成することによって、幅の狭い部分でブリッジが破壊し、剥離する。そうすると、幅の広い部分が剥離せずに残ることになり、有機パッシベーション膜２８の剥がれによる不良の発生を防止することができる。
【００５２】
図１３では、ブリッジ部３０の幅の広い部分と狭い部分を２組ずつ設けたが、２組に限定する必要が無いことは言うまでも無い。また、図１３では、切断部をブリッジの幅の狭い部分としたが、上記で説明したように、もし、ブリッジ部３０で剥離が生じても、ブリッジ部３０の幅の狭い部分でブリッジ部３０が切れてしまえば、有機パッシベーション膜２８の剥離不良は防止できるので、切断部をブリッジ部３０の幅の狭い部分に必ずしも限定する必要は無い。
【００５３】
ブリッジ部３０の幅の狭い部分と広い部分の形状は次のようにして決めることが出来る。幅の狭い部分は実施例１でも説明したように、エッチング精度による限界がある。したがって、有機パッシベーション膜２８の膜厚である３μｍ程度以上とする必要がある。一方、ブリッジ部３０の幅の広い部分の上限は端子部ＩＴＯ間の距離ＤＩの１／２以下とする必要がある。
【００５４】
図１４は有機パッシベーション膜２８のブリッジ部３０の形状の他の例である。図１４は図１２に示す例と本質的には同様であるが、ブリッジ部３０の幅の広い部分と狭い部分とに段差が無く、滑らかな曲線で結ばれている点が図１２と異なる。このようにブリッジ部３０の幅の広い部分と狭い部分が滑らかな曲線によって結ばれていれば、ＴＦＴ基板２の切断時に、切断線がずれても、いきなりブリッジ部３０の幅の広い部分を切断してしまうという可能性は小さくなる。また、有機パッシベーション膜２８によるブリッジの一部が剥離したときも、ブリッジの最も狭い部分で破断するということが生じ易くなり、この点でも信頼性を増すことが出来る。
【００５５】
図１４の例でも、ブリッジ部３０の最小幅は、エッチング精度を考慮し、有機パッシベーション膜２８の膜厚の３μｍ程度、最大は実施例１で述べたと同様に、端子部ＩＴＯ間の距離ＤＩの１／２以下にするのが良い。
【００５６】
図１５は有機パッシベーション膜２８のブリッジ部３０をＩＴＯ端子間に３個形成した例である。図１５では実施例１に比較して、ブリッジ部３０を３個形成した分、端子間が導電性付着物７０によって導通することに対する信頼性は向上する。また、ＴＦＴ基板２の端子とフレキシブル配線基板６１の配線部６２のあわせが２個のブリッジ部３０を超えてずれたとしても、導電性付着物７０による端子間の導通を防ぐという本発明の目的は達成することができる。
【００５７】
図１５において、ブリッジ部３０の最小幅は、実施例１等と同様、エッチング精度、有機パッシベーション膜２８と下部絶縁膜との接着力を考慮して、有機パッシベーション膜２８の厚さ程度の３μｍ以上とする必要がある。一方上限は、必然的に端子部ＩＴＯ間の距離ＤＩの１／３以下になる。図１５は端子部ＩＴＯ間に３個のブリッジを形成しているが、４個以上を形成することができることはいうまでも無い。
【００５８】
図１６は有機パッシベーション膜２８のブリッジ部３０が端子部ＩＴＯ間に１個形成された例である。ブリッジ数が少なければ、ブリッジ部３０の剥がれの確率も小さくなる。図１６においては、ブリッジ部３０は端子部ＩＴＯ間の中央に設置される。したがって、フレキシブル配線基板６１の配線とＴＦＴ基板２の端子部５とのあわせが、端子部ＩＴＯ間の距離ＤＩの１／２よりもずれることが無ければ、本発明の目的は達成することが出来る。
【００５９】
図１６におけるブリッジ部３０の最小幅については実施例１等と同様に、有機パッシベーション膜２８のエッチング精度、有機パッシベーション膜２８も下地膜との接着強度を考慮して３μｍ以上とする。一方最大幅は形状的には端子部ＩＴＯ間の距離ＤＩまで広げることが出来るが、ＴＦＴ基板２の切断時の有機パッシベーション膜２８の剥がれを考慮して、端子部ＩＴＯ間の距離ＤＩの１／２程度とすることが出来る。
【実施例３】
【００６０】
図１７から図２０に本発明の第３の実施例を示す。液晶表示装置１はその製造工程において、ラビング工程が存在する。ラビング工程は繊維状のもので配向膜表面をこする工程である。このとき静電気が発生してＴＦＴ等を破壊する恐れがある。この静電気による破壊を防止するために、液晶表示装置１の製造工程では、ＴＦＴ基板２を切断形成する前の状態の基板に、図１９および図２０に示すような静電気をショートするためのショートリング８０が形成される。図１７に示すように、ＴＦＴ基板２の端子部５にはこのショートリング８０と接続するためのショートリング用接続線８１が形成されている。ショートリング８０が形成されている場合も本発明は問題なく適用できる。
【００６１】
図１８は端子部５にショートリング用接続線８１が形成されている場合の端子部５の拡大図である。図１８において、ショートリング接続線８１が端子部５からＴＦＴ基板２の端部まで延びている。図１９はＴＦＴ基板２の切断前の状況を示す平面図である。２点鎖線が最終工程において切断される部分である。
【００６２】
図１９の切断前の基板において、有機パッシベーション膜２８のブリッジ部３０は切断線９０を越えて形成されている。ショートリング用接続線８１は切断線９０を越えてショートリング８０まで延びている。ショートリング８０はドレイン線と同じＡｌによって形成されている。ショートリング８０は各端子を電気的に導通させて、端子間に電圧が発生することを防止する。端子部５とショートリング８０を結ぶショートリング用接続線８１は半導体層で形成されている。半導体層は金属に比べて抵抗は高いが、静電気を逃がす目的では十分である。図１９において、２点鎖線で示す切断線９０の部分で最終的に切断されて、図１８に示すような最終ＴＦＴ基板２が形成される。
【００６３】
図２０は図９のＡ−Ａ断面図である。図２０において、ショートリング用接続線８１が切断線９０を越えてショートリング８０と接続している。ショートリング用接続線８１は半導体によって形成されているので、ショートリング用接続線８１に下には第１下地膜２０と第２下地膜２１がコーティングされている。ショートリング用接続線８１の上にはドレイン線と同じ工程で形成されたショートリング８０が積層されている。
【００６４】
図２０で示すように、半導体層によるショートリング用接続線８１が形成されていても、本発明である、有機パッシベーション膜２８によるブリッジ部３０は問題なく形成でき、本発明の作用も変わりない。図２０からわかるように、ショートリング用接続線８１はゲート絶縁膜２３の下に形成されるため、本発明の有機パッシベーション膜２８によるブリッジ部３０の形成にはほとんど影響が無い。加えて、ショートリング用接続線８１を形成している半導体は約１００ｎｍと薄いため、この点からもショートリング用接続線８１の本発明に対する影響は無視できる。
【実施例４】
【００６５】
図２１は画素部分に形成されるＴＦＴがいわゆるボトムゲートの場合のＴＦＴの断面図である。端子は画素部のＴＦＴと同時に形成されるため、実施例１のトップゲートの場合と本実施例のボトムゲートの場合とでは、端子構造が異なってくる。
【００６６】
図２１において、ガラス基板上にはゲート電極２４が形成される。ゲート電極２４を覆ってゲート絶縁膜２３が形成される。ゲート絶縁膜上にはａ−Ｓｉで形成される半導体膜２２が被着される。半導体層の両側には図示しない半導体のｎ＋層が形成される。半導体のｎ＋層と接触してソース電極またはドレイン電極（Ｓ／Ｄ電極）２６がＡｌによって形成される。ドレイン線２６１はソース電極またはドレイン電極（Ｓ／Ｄ電極）２６と同層で形成され、このドレイン線２６１は端子部５まで延在する。ドレイン線２６１を覆って、無機パッシベーション膜２７が被着され、続いて有機パッシベーション膜２８が形成される。そして、有機パッシベーション膜２８の上に画素電極７が形成されることはトップゲートの場合と同じである。
【００６７】
ボトムゲートの場合はゲート電極２４と同層で形成された保持容量線２４２とソース電極またはドレイン電極（Ｓ／Ｄ電極）２６との間にゲート絶縁膜２３を介して保持容量が形成される。図２１に示すように、ボトムゲートの場合の画素部もＴＦＴ部、保持容量部ＣＡＰ、画素電極部ＰＩＸによって形成される。
【００６８】
図２２はＴＦＴがボトムゲートの場合に対応する端子部構造の断面図である。図２２は実施例１における図４のＡ−Ａ断面に相当する図である。図２２において、ガラス基板上にはゲート絶縁膜２３が形成されている。ゲート絶縁膜上にはドレイン線２６１が端子部５まで延在している。端子部５のスルーホール５１はドレイン線２６１を覆う無機パッシベーション膜２７および、有機パッシベーション膜２８を現像またはエッチングして形成される。この端子部５のスルーホール５１を覆って端子部ＩＴＯ５２が形成される。
【００６９】
これらの、ゲート絶縁膜２３、ドレイン線２６１、無機パッシベーション膜２７、有機パッシベーション膜２８、ＩＴＯ５２等は、画素部を形成するのと同じプロセスによって、被着、エッチング等がなされる。ボトムゲートの場合の端子部５の層構造はトップゲートの場合の層構造に比較して単純になっている。
【００７０】
ボトムゲートの場合の端子部５の問題点は、トップゲートの場合の問題点と全く同じである。すなわち、図２２に示すように、有機パッシベーション膜２８の端部に導電性付着物７０が付着して、フレキシブル配線基板６１を接続後に端子間に導通を引き起こすという問題点は実施例１等と同様である。本実施例においても、有機パッシベーション膜２８からなるブリッジ部３０をＴＦＴ基板２の端部にまで形成することによって、導電性付着物７０による端子間の導通を分断できることは図２２に示すとおりである。理由は実施例１等で説明したと同様である。
【実施例５】
【００７１】
以上の実施例では、液晶表示装置を例にとって説明した。液晶表示装置で生じたと同様な問題は有機ＥＬ表示装置についても生ずる。つまり、有機ＥＬ表示装置も外部回路と接続をするための端子部を必要とし、その製造プロセスにおいて、多くの導電物質を被着、エッチング等を行う。これによって、端子部にも実施例１等で説明したような問題が端子部に生ずる。
【００７２】
図２３は有機ＥＬ表示装置１００の全体図である。有機ＥＬ表示装置は基板１１０が完成したあと、有機ＥＬ層を水分から保護するために、図示しない乾燥剤とともに図示しない背面ガラスによって気密封止される。図２３は背面ガラスが取り付けられる前の、基板１１０を上から見た平面図である。基板１１０の中央の大部分には表示領域１２１が形成されている。この表示領域の両側に走査信号駆動回路１２２、１２３が配置されている。各走査信号駆動回路１２２、１２３からはゲート信号線が延在している。左側の走査信号駆動回路１２２からのゲート信号線１２４と右側の走査信号駆動回路１２３からのゲート信号線１２５とは交互に配置されている。
【００７３】
表示領域１２１の下側には映像信号駆動回路１２６が配置され、この映像信号駆動回路からは表示領域１２１側にデータ信号線１２７が延在している。表示領域１２１の上側には電流供給母線１２８が配置され、この電流供給母線１２８からは表示領域１２１側に電流供給線１２９が延在している。
【００７４】
データ信号線１２７と電流供給線１２９は交互に配置され、これにより、これらデータ信号線１２７、電流供給線１２９、および前記ゲート信号線１２４、ゲート信号線１２５で囲まれた各領域において一つの画素ＰＸの領域を構成する。
【００７５】
表示領域の上側にはコンタクトホール群１３０が形成されている。コンタクトホール群１３０は表示領域全域に形成される有機ＥＬ層の上部電極を、絶縁膜の下に形成されていて端子まで延在する配線と電気的に接続する役割をもつ。表示領域の下側には端子１３１が形成され、これらの端子１３１から走査信号、データ信号、有機ＥＬ層に対する陽極電位、陰極電位等が供給される。
【００７６】
表示領域１２１、走査信号駆動回路１２２、１２３、映像信号駆動回路１２６、電流供給母線１２８を囲むようにして封着材１３２が形成され、この部分に背面ガラスと基板１１０を封止する枠となる部分が封着される。封着材の外側の基板１１０には端子部１３１が形成され、この端子１３１から、走査信号駆動回路１２２、１２３、映像信号駆動回路１２６、電流供給母線１２８等に信号または電流が供給される。
【００７７】
図２４は図２３の画素部ＰＸの断面図である。図２４は透明基板側に光を放射するボトムエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置についての図である。有機ＥＬ表示装置も液晶表示装置と同様にＴＦＴをスイッチング素子として使用することには変わりが無い。そして、ＴＦＴ部の構造は図３に示した液晶表示装置のときのトップゲートの場合と同じ構造である。すなわち、ガラス基板１１０の上には第１下地膜２０、第２下地膜２１、半導体層２２、ゲート絶縁膜２３、ゲート電極２４、層間絶縁膜２５、ソースまたはドレイン電極２６、無機パッシベーション膜２７、有機パッシベーション膜２８が順に形成される。各膜の作り方、作用等は図３で説明したと同じである。
【００７８】
液晶表示装置においては、有機パッシベーション膜２８の上には画素電極がＩＴＯによって形成されたが、有機ＥＬ表示装置では有機ＥＬ層の下部電極１４０が形成される。この場合、下部電極１４０は陽極である。ただし、この下部電極もＩＴＯで形成されるので、ＩＴＯの形成プロセスまでは、図３で述べた液晶表示装置と同じである。そして端子部のＩＴＯを下部電極（陽極）として使用するＩＴＯと同時に形成する点も液晶表示装置の場合と同じである。
【００７９】
有機ＥＬ表示装置で下部電極１４０を形成後、各画素を分離するためのバンク１４１が形成される。このバンク１４１の材料としては、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、ポロイミド等が使用されるが、有機パッシベーション膜２８と同様の材料が使用される場合が多い。バンク１４１に対して有機ＥＬ層１４２が形成される発光部分にエッチングによってスルーホールを形成した後、このスルーホール部分に有機ＥＬ層１４２を蒸着によって形成する。有機ＥＬ層１４２は通常、電子注入部、電子輸送部、発光部、ホール輸送部、ホール注入部等の５層構造であり、各膜厚は１０ｎｍから５０ｎｍ程度である。有機ＥＬ層１４２の上には上部電極１４３がＡｌ等によって形成される。有機ＥＬ層１４２から発光した光はガラス基板１１０の方向に向かう（ボトムエミッション）。上部電極１４３の方向に向かう光は上部電極１４３で反射されてガラス基板１１０の方向に向かう（ボトムエミッション）。
【００８０】
図２４で説明したように、ＴＦＴ部は液晶表示装置と同様であるから、端子部の構造は液晶表示装置と同じである。したがって、以上説明した有機ＥＬ表示装置の端子部は図２５および、図２６の構造と同じになる。そして、有機ＥＬ表示装置の製造プロセスにおいても多くの導電物質のコーティング工程、エッチング工程等が存在する。したがって、端子部付近の有機パッシベーション膜２８の端部に導電性被着物が付着しやすい。つまり、図２７、図２８、図２９で説明したような問題点が発生する。したがって、本発明の実施例１等で説明したような対策がそのまま適用できる。
【００８１】
以上はボトムエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置について説明したが、トップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置についても同様に本発明を適用することが出来る。トップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ層１４２の層構造、および有機ＥＬ層１４２を挟む電極構造が異なるだけで、ＴＦＴ部分はボトムエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置と同様である。トップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置では下部電極１４０には陰極として、ＡｌまたはＡｌ合金等の反射率の高い金属使用され、ＩＴＯが上部電極１４３すなわち、陽極として使用される。この場合、有機ＥＬ層１４２からの発光は上部電極１４３であるＩＴＯ側に出射する。この場合は、上部電極１４３としてのＩＴＯを形成するときに、端子部に形成されるＩＴＯも同一プロセスで形成する。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】液晶表示装置の概略平面図である。
【図２】液晶表示装置の概略断面図である。
【図３】トップゲート型ＴＦＴの断面図である。
【図４】実施例１の平面図である。
【図５】実施例１の断面図である。
【図６】実施例１にフレキシブル配線基板が設置された透視図である。
【図７】実施例１にフレキシブル配線基板が設置された断面図である。
【図８】実施例１にフレキシブル配線基板が設置された他の断面図である。
【図９】比較例の平面図である。
【図１０】比較例の断面図である。
【図１１】実施例１の他の形態を示す断面図である。
【図１２】実施例２の１形態である。
【図１３】実施例２の１形態の詳細図である。
【図１４】実施例２の他の形態である。
【図１５】実施例２のさらに他の形態である。
【図１６】実施例２のさらに他の形態である。
【図１７】実施例３が適用される液晶表示装置の概略平面図である。
【図１８】実施例３の平面図である。
【図１９】実施例３の途中プロセスでの平面図である。
【図２０】実施例３の途中プロセスでの断面図である。
【図２１】ボトムゲート型ＴＦＴの断面図である。
【図２２】実施例４の断面図である。
【図２３】有機ＥＬ表示装置の概略平面図である。
【図２４】ボトムエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２５】本発明の課題を示す平面図である。
【図２６】図２５のＢ−Ｂ断面図である。
【図２７】図２５のＡ−Ａ断面図である。
【図２８】本発明の課題を示す透視図である。
【図２９】図２８のＡ−Ａ断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１…液晶表示装置、２…ＴＦＴ基板、  ３…カラーフィルタ基板、  ４…シール部、  ５…端子部、  ６…ＴＦＴ部、  ７…画素電極、  ８…配向膜、  ９…対向電極、  １０…液晶、  ２２…半導体膜、  ２３…ゲート絶縁膜、  ２４…ゲート電極、  ２５…層間絶縁膜、  ２６…ソースまたはドレイン電極、  ２７…無機パッシベーション膜、２８…有機パッシベーション膜  ３０…ブリッジ部、  ５１…有機パッシベーション膜の端子部スルーホール、  ５２…端子部ＩＴＯ、６０…異方性導電フィルム  ６１…フレキシブル配線基板、６２…フレキシブル配線基板配線部、  ８０…ショートリング、  ８１…ショートリング接続線、  ９０…接続線、  １００…有機ＥＬ表示装置、  １１０…有機ＥＬ表示装置基板、  １４０…下部電極、１４２…有機ＥＬ層  １４３…上部電極、  ２４１…ゲート配線、  ２４２…保持容量線、  ２６１…ドレイン配線
【図１】
2008096708.tif 000003
【図２】
2008096708.tif 000004
【図３】
2008096708.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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