(57)【要約】      （修正有）【課題】基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】プレート２によって、ウエハＷの裏面を吸着保持して、そのウエハＷを回転させる。その一方で、回転しているウエハＷを加熱しつつ、そのウエハＷの表面に、ＳＰＭノズル３から超音波振動の付与されたＳＰＭを供給する。ウエハＷの加熱によって、ウエハＷの表面上のレジストの硬化層が軟化するので、超音波振動の付与されたＳＰＭがウエハＷの表面に供給されると、その硬化層は、超音波振動の物理的なエネルギーによって破壊される。レジストの表面の硬化層が破壊されると、その破壊された部分からレジストの内部にＳＰＭを浸透させることができ、そのＳＰＭの化学的な力により、レジストをウエハＷの表面から硬化層ごと剥離させて除去することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理方法であって、
基板をその表面と交差する軸線まわりに回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程と並行して、基板を加熱する基板加熱工程と、
前記基板回転工程および基板加熱工程と並行して、基板の表面に超音波振動が付与されたレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
前記レジスト剥離液供給工程と並行して、基板の表面におけるレジスト剥離液の供給位置を基板の回転方向と交差する方向に移動させる供給位置移動工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記基板加熱工程は、基板の表面と反対側の裏面に所定温度の流体を供給することにより基板を加熱する工程であることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
基板の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理装置であって、
基板を保持して、その基板を基板の表面と交差する軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段により回転される基板を加熱する基板加熱手段と、
前記基板保持手段により回転される基板の表面にレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給手段と、
前記レジスト剥離液供給手段により基板の表面に供給されるレジスト剥離液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、
前記基板加熱手段、前記レジスト剥離液供給手段および前記超音波振動付与手段を制御して、前記基板回転手段により回転される基板を加熱しつつ、その基板の表面に超音波振動が付与されたレジスト剥離液を供給させるための制御手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の表面から不要になったレジストを除去するために用いられる基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不所望な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入を所望しない部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを除去するためのレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
このレジスト除去処理の代表的なものでは、ウエハの表面に酸素プラズマが照射されて、ウエハの表面上のレジストがアッシングされる。そして、ウエハの表面に硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）などの薬液が供給されて、アッシングされたレジストが除去されることにより、ウエハの表面からのレジストの除去が達成される。
【０００４】
ところが、レジストのアッシングのための酸素プラズマの照射は、ウエハの表面のレジストで覆われていない部分（たとえば、レジストから露呈した酸化膜）にダメージを与えてしまう。
そのため、最近では、レジストのアッシングを行わずに、ウエハの表面にＳＰＭを供給して、このＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法が注目されつつある。
【特許文献１】特開２００５−３２８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、イオン注入（とくに、高ドーズのイオン注入）が行われたウエハでは、レジストの表面が変質（硬化）しているため、ＳＰＭを供給しても、レジストをウエハの表面から良好に除去できない場合がある。
そこで、この発明の目的は、基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板（Ｗ）の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理方法であって、基板をその表面と交差する軸線まわりに回転させる基板回転工程（Ｓ３）と、前記基板回転工程と並行して、基板を加熱する基板加熱工程（Ｓ３，Ｓ４）と、前記基板回転工程および基板加熱工程と並行して、基板の表面に超音波振動が付与されたレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給工程（Ｓ４）とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この方法によれば、基板が加熱されつつ、その基板の表面に超音波振動の付与されたレジスト剥離液が供給される。また、その一方で、基板は、その表面と交差する軸線まわりに回転される。これにより、基板の表面に供給されるレジスト剥離液は、回転による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。その結果、加熱されている基板の表面の全域に、超音波振動の付与されたレジスト剥離液がむらなく拡がる。
【０００８】
基板の表面上のレジストが硬化層を有していても、基板が加熱されることによって、そのレジストの硬化層は軟化する。そのため、超音波振動の付与されたレジスト剥離液が基板の表面に供給されると、硬化層は、その超音波振動の物理的なエネルギーによって破壊される。レジストの表面の硬化層が破壊されると、その破壊された部分からレジストの内部にレジスト剥離液を浸透させることができ、そのレジスト剥離液の化学的な力により、レジストを基板の表面から硬化層ごと剥離（リフトオフ）させて除去することができる。したがって、レジストをアッシングすることなく、硬化層を有するレジストを基板の表面から良好に除去することができる。レジストのアッシングが不要であるから、アッシングによる基板の表面のダメージの問題を回避することができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、前記レジスト剥離液供給工程と並行して、基板の表面におけるレジスト剥離液の供給位置を基板の回転方向と交差する方向に移動させる供給位置移動工程（Ｓ４）をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板の表面におけるレジスト剥離液の供給位置が基板の回転方向と交差する方向に移動される。基板の表面に供給された直後のレジスト剥離液は、超音波振動が減衰しておらず、大きな物理的エネルギーを有する。そのため、基板の表面におけるレジスト剥離液の供給位置が移動されることにより、大きな物理的エネルギーを有するレジスト剥離液を、基板の表面上の同じ部分だけでなく、その他の部分にも供給することができる。その結果、基板の表面上のレジストの広い範囲に大きな物理的エネルギーを付与することができるので、レジストの表面の硬化層をより良好に破壊することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、前記基板加熱工程は、基板の表面と反対側の裏面に所定温度の流体を供給することにより基板を加熱する工程であることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理方法である。
基板の加熱は、ヒータからの発熱を基板に伝達することによっても達成できるが、この方法の場合、基板の近傍にヒータを配置する必要がないので、基板加熱工程を実施する装置における基板の近傍の構成を簡素化することができる。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、基板（Ｗ）の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理装置（１）であって、基板を保持して、その基板を基板の表面と交差する軸線まわりに回転させる基板回転手段（２；４１）と、前記基板回転手段により回転される基板を加熱する基板加熱手段（１６；４６，４８）と、前記基板保持手段により回転される基板の表面にレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給手段（３，２０）と、前記レジスト剥離液供給手段により基板の表面に供給されるレジスト剥離液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段（２５，２６）と、前記基板加熱手段、前記レジスト剥離液供給手段および前記超音波振動付与手段を制御して、前記基板回転手段により回転される基板を加熱しつつ、その基板の表面に超音波振動が付与されたレジスト剥離液を供給させるための制御手段（２５）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
【００１２】
この構成によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
この基板処理装置１は、基板の一例であるウエハＷの表面に不純物を注入するイオン注入処理後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。基板処理装置１は、ウエハＷの裏面（レジストが形成されている表面と反対側の面）を吸着保持して回転させるためのプレート２と、このプレート２により回転されるウエハＷの表面にレジスト剥離液としてのＳＰＭを供給するためのＳＰＭノズル３とを備えている。
【００１４】
プレート２は、たとえば、ウエハＷよりも大径な円板状に形成され、ほぼ水平に配置されている。このプレート２は、上面がウエハＷを吸着する吸着面をなし、この上面にウエハＷの裏面を吸着させて、ウエハＷをその表面が上方に向いたフェースアップの水平姿勢で保持することができる。
すなわち、プレート２の上面には、複数の吸着孔４が形成されている。各吸着孔４には、プレート２の内部に形成された吸着路５の分岐した先端が接続されている。吸着路５の基端には、真空ポンプなどの真空源（図示せず）を含む保持吸引機構６から延びる吸引管７が接続されている。また、プレート２の上面には、ウエハＷを点接触の状態で支持するための複数の支持ピン８が配置されている。さらに、プレート２の上面の周縁部には、リング状のガイド９が配設されている。このガイド９には、ウエハＷの裏面（下面）と接触する接触面１０に、Ｏリングなどのシール部材１１が設けられている。複数の支持ピン８によりウエハＷの裏面を支持した状態で、保持吸引機構６を駆動して、複数の吸着孔４から吸気させることにより、ウエハＷの裏面の周縁部をシール部材１１に密着させて、ウエハＷとプレート２との間に真空な空間を形成し、ウエハＷを支持ピン８を介してプレート２の上面に吸着させることができる。
【００１５】
また、ガイド９の内側には、ガイド９と同心円周上に、複数の昇降ピン１２が昇降可能に設けられている。複数の昇降ピン１２は、プレート２の下方にある支持部材１３に支持されて、一体的に昇降可能となっている。支持部材１３には、エアシリンダなどにより構成されるピン昇降駆動機構１４が結合されている。また、各昇降ピン１２は、プレート２に設けられた挿通孔１５を挿通している。プレート２の上面への吸着を解除した状態（吸着孔４からの吸気を停止した状態）で、ピン昇降駆動機構１４を駆動して、複数の昇降ピン１２を昇降させることにより、ウエハＷを支持ピン８上から持ち上げたり、ウエハＷを支持ピン８上に載置したりすることができる。
【００１６】
さらに、プレート２の内部には、ウエハＷを加熱するためのヒータ１６が備えられている。プレート２の上面にウエハＷの裏面を吸着させた状態で、ヒータ１６を駆動することにより、そのウエハＷを加熱することができる。
また、プレート２の下面には、鉛直方向に延びる回転軸１７が結合されている。この回転軸１７は、中空軸となっており、その内部に保持吸引機構６から延びる吸引管７やヒータ１６への給電線が挿通されている。また、回転軸１７には、モータなどを含む回転駆動機構１８から回転力が入力されるようになっている。ウエハＷをプレート２の上面に吸着させて保持した状態で、回転軸１７に回転駆動機構１８から回転力を入力することにより、ウエハＷをプレート２とともに、その表面に直交する鉛直軸線まわりに回転させることができる。
【００１７】
ＳＰＭノズル３には、ＳＰＭ供給管１９が接続されている。このＳＰＭ供給管１９には、ウエハＷの表面のレジストを良好に剥離可能な約８０℃以上のＳＰＭが供給されるようになっている。このＳＰＭは、たとえば、ＳＰＭ供給管１９に接続されたミキシングバルブ（図示せず）に硫酸と過酸化水素水とを供給し、それらをミキシングバルブで混合させることにより作成され、そのミキシングバルブからＳＰＭ供給管１９に供給される。ＳＰＭ供給管１９の途中部には、ＳＰＭノズル３へのＳＰＭの供給を制御するためのＳＰＭバルブ２０が介装されている。
【００１８】
また、ＳＰＭノズル３は、ウエハＷの表面におけるＳＰＭの供給位置を変更できるスキャンノズルとしての基本形態を有している。具体的には、プレート２の側方には、ノズル支持軸２１が鉛直方向にほぼ沿って配置されており、ＳＰＭノズル３は、そのノズル支持軸２１の上端部からほぼ水平に延びたアーム２２の先端部に取り付けられている。ノズル支持軸２１には、このノズル支持軸２１を中心軸線まわりに所定の角度範囲内で回動させるＳＰＭノズル駆動機構２３が結合されている。ＳＰＭノズル駆動機構２３からノズル支持軸２１に駆動力を入力して、ノズル支持軸２１を所定の角度範囲内で回動させることにより、プレート２に保持されたウエハＷの上方でアーム２２を揺動させることができ、これに伴って、そのウエハＷの表面上で、ＳＰＭノズル３からのＳＰＭの供給位置をスキャン（移動）させることができる。
【００１９】
さらに、ＳＰＭノズル３には、超音波発振器２６（図２参照）からの発振信号を受けて、所定の周波数（たとえば、０．７５〜５ＭＨｚ）で振動する超音波振動子２４が組み込まれている。ＳＰＭ供給管１９からＳＰＭノズル３にＳＰＭが供給されている状態で、超音波振動子を振動させることにより、ＳＰＭノズル３から吐出されるＳＰＭに超音波振動を付与することができる。
【００２０】
図２は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１はさらに、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御装置２５を備えている。
制御装置２５には、保持吸引機構６、ピン昇降駆動機構１４、ヒータ１６、回転駆動機構１８、ＳＰＭバルブ２０、ＳＰＭノズル駆動機構２３および超音波発振器２６が制御対象として接続されている。制御装置２５は、予め定められたプログラムに従って、保持吸引機構６、ピン昇降駆動機構１４、ヒータ１６、回転駆動機構１８、ＳＰＭノズル駆動機構２３および超音波発振器２６の駆動を制御し、また、ＳＰＭバルブ２０の開閉を制御する。
【００２１】
図３は、基板処理装置１におけるレジスト除去処理を説明するための図である。
レジスト除去処理に際しては、搬送ロボット（図示せず）によって、基板処理装置１にイオン注入処理後のウエハＷが搬入されてくる（Ｓ１：ウエハ搬入）。このウエハＷは、レジストをアッシング（灰化）するための処理を受けておらず、その表面上のレジストの表面には、イオン注入によって変質した硬化層が存在している。
【００２２】
ウエハＷは、その表面を上方に向けて、プレート２に吸着保持される。具体的には、ピン昇降駆動機構１４が制御されて、昇降ピン１２が上昇され、昇降ピン１２の上端がガイド９の接触面１０よりも高い位置に配置される。搬送ロボットにより搬入されるウエハＷは、その昇降ピン１２上に載置される。昇降ピン１２上にウエハＷが載置されると、ピン昇降駆動機構１４が制御されて、昇降ピン１２が下降され、昇降ピン１２の上端がガイド９の接触面１０よりも下方に配置されることにより、ウエハＷは、ガイド９の接触面１０上に載置される。そして、保持吸引機構６が制御されて、ウエハＷは、支持ピン８を介してプレート２の上面に吸着された状態で保持される。
【００２３】
このとき、ヒータ１６は、すでにオン（駆動状態）にされており、ウエハＷがプレート２に吸着保持されると、ヒータ１６からの発熱によるウエハＷの加熱が開始される（Ｓ２：ウエハ加熱）。この加熱によって、ウエハＷの表面温度が約２００℃以上の高温に上昇し、ウエハＷの表面上のレジストの硬化層が軟化する。
また、ウエハＷがプレート２に保持されると、回転駆動機構１８が制御されて、ウエハＷの回転が開始される（Ｓ３：ウエハ回転）。
【００２４】
次に、ＳＰＭノズル駆動機構２３が制御されて、ＳＰＭノズル３が、プレート２の側方に設定された待機位置からプレート２に保持されているウエハＷの上方に移動される。そして、ＳＰＭバルブ２０が開かれて、ＳＰＭノズル３から回転中のウエハＷの表面にＳＰＭが供給される（Ｓ４：ＳＰＭ供給）。また、超音波発振器２６が制御されて、超音波振動子２４が発振し、ＳＰＭノズル３からウエハＷの表面へ供給されるＳＰＭに超音波振動が付与される。すなわち、ウエハＷの表面には、ＳＰＭノズル３から超音波振動の付与されたＳＰＭが供給される。
【００２５】
この一方で、ＳＰＭノズル駆動機構２３が制御されて、アーム２２が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、ＳＰＭノズル３からのＳＰＭが導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハＷの表面に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央部から周縁に向けて流れ、ウエハＷの表面の全域に拡がる。したがって、ウエハＷの表面の全域に、超音波振動の付与されたＳＰＭがむらなく供給される。
【００２６】
ウエハＷの表面上のレジストの硬化層は、約２００℃以上の高温に加熱されていることにより軟化している。そのため、超音波振動の付与されたＳＰＭがウエハＷの表面に供給されると、硬化層は、その超音波振動の物理的なエネルギーによって破壊される。レジストの表面の硬化層が破壊されると、その破壊された部分からレジストの内部にＳＰＭが浸透し、そのＳＰＭの強酸化力により、レジストは、ウエハＷの表面から硬化層ごと剥離（リフトオフ）されて除去されていく。
【００２７】
ＳＰＭ供給位置の往復移動が所定回数行われると、ＳＰＭバルブ２０が閉じられ、ウエハＷへのＳＰＭの供給が停止されて、ＳＰＭノズル３がプレート２の側方の退避位置に戻される。
その後は、ウエハＷの表面に純水ノズル（図示せず）から純水が供給されることにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭが純水によって洗い流される。そして、純水の供給が所定時間にわたって続けられると、純水の供給が停止された後、回転駆動機構１８が制御されて、ウエハＷの回転速度が所定の高回転速度（たとえば、２５００〜５０００ｒｐｍ）に上げられる。このウエハＷの高速回転により、ウエハＷに付着している純水が振り切って乾燥される。この処理が所定時間にわたって行われると、回転駆動機構１８が制御されて、プレート２の回転が止められる。そして、ウエハＷが静止した後、ウエハＷの吸引が解除される。その後、ピン昇降駆動機構１４が制御されて、ウエハＷは、昇降ピン１２によってガイド９の接触面１０よりも高い位置に持ち上げられ、搬送ロボット（図示せす）によって搬出されていく。
【００２８】
以上のように、この実施形態では、ウエハＷが加熱されつつ、そのウエハＷの表面に超音波振動の付与されたＳＰＭが供給される。また、その一方で、ウエハＷは、その表面と直交する鉛直軸線まわりに回転される。これにより、ウエハＷの表面に供給されるＳＰＭは、回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を周縁に向けて流れる。その結果、加熱されているウエハＷの表面の全域に、超音波振動の付与されたＳＰＭがむらなく拡がる。
【００２９】
ウエハＷの表面上のレジストが硬化層を有していても、ウエハＷが加熱されることによって、そのレジストの硬化層は軟化する。そのため、超音波振動の付与されたＳＰＭがウエハＷの表面に供給されると、硬化層は、その超音波振動の物理的なエネルギーによって破壊される。レジストの表面の硬化層が破壊されると、その破壊された部分からレジストの内部にＳＰＭを浸透させることができ、そのＳＰＭの化学的な力（強酸化力）により、レジストをウエハＷの表面から硬化層ごと剥離（リフトオフ）させて除去することができる。したがって、レジストをアッシングすることなく、硬化層を有するレジストをウエハＷの表面から良好に除去することができる。レジストのアッシングが不要であるから、アッシングによるウエハＷの表面のダメージの問題を回避することができる。
【００３０】
また、ウエハＷの表面に超音波振動の付与されたＳＰＭが供給されている間、ウエハＷの表面におけるＳＰＭの供給位置がウエハＷの回転方向と交差する方向に移動される。ウエハＷの表面に供給された直後のＳＰＭは、超音波振動が減衰しておらず、大きな物理的エネルギーを有する。そのため、ウエハＷの表面におけるＳＰＭの供給位置が移動されることにより、大きな物理的エネルギーを有するＳＰＭを、ウエハＷの表面上の同じ部分だけでなく、その他の部分にも供給することができる。その結果、ウエハＷの表面上のレジストの広い範囲に大きな物理的エネルギーを付与することができるので、レジストの表面の硬化層をより良好に破壊することができる。
【００３１】
図４は、この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。この図４において、前述した各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
図４に示す構成では、図１に示すプレート２に代えて、スピンチャック４１が備えられている。このスピンチャック４１は、鉛直方向に延びる回転軸４２と、この回転軸４２の上端に固定されたスピンベース４３と、このスピンベース４３の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材４４と、回転軸４２を回転させるための回転駆動機構４５とを備えている。スピンチャック４１は、複数個の挟持部材４４によってウエハＷを挟持した状態で、回転駆動機構４５によって回転軸４２を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース４３とともに、回転軸４２の中心軸線まわりに回転させることができる。
【００３２】
回転軸４２は、中空軸であって、その内部に裏面ノズル４６が中心軸ノズルの形態をなして挿通されている。裏面ノズル４６には、裏面ＳＰＭ供給管４７が接続されている。この裏面ＳＰＭ供給管４７には、約２００℃の高温のＳＰＭが供給されるようになっている。裏面ＳＰＭ供給管４７の途中部には、裏面ノズル４６へのＳＰＭの供給を制御するための裏面ＳＰＭバルブ４８が介装されている。
【００３３】
ウエハＷがスピンチャック４１に保持されると、回転駆動機構４５が制御されて、ウエハＷの回転が開始される。そして、ＳＰＭバルブ２０が開かれるとともに、ＳＰＭノズル駆動機構２３が制御されることにより、前述したように、ＳＰＭノズル３からのＳＰＭがウエハＷの表面に供給位置を変えつつ供給される。
また、ＳＰＭバルブ２０の開成とともに、裏面ＳＰＭバルブ４８が開かれる。裏面ＳＰＭバルブ４８が開かれると、裏面ノズル４６から回転しているウエハＷの裏面の回転中心付近に、約２００℃のＳＰＭが供給される。ウエハＷの裏面に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの回転による遠心力を受け、ウエハＷの裏面を伝って、ウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面に約２００℃のＳＰＭが行き渡り、ウエハＷは、そのＳＰＭによって裏面側から加熱される。
【００３４】
このように、ウエハＷの裏面に約２００℃のＳＰＭを供給することによって、ウエハＷの加熱を達成することができる。この場合、スピンチャック４１にヒータを配置する必要がないので、図１に示すプレート２と比較して、スピンチャック４１の構成を簡素化することができる。
なお、ウエハＷの加熱のためには、ＳＰＭに限らず、他の種類の液体または気体がウエハＷの裏面に供給されてもよい。たとえば、ウエハＷの裏面を洗浄する能力を有する洗浄液が約２００℃に熱せられ、その約２００℃の洗浄液がウエハＷの裏面に供給されてもよい。この場合、ウエハＷの表面のレジストの除去とともに、ウエハＷの裏面の洗浄を達成することができる。
【００３５】
また、ウエハＷの裏面に液体が供給される場合には、図４に示すように、裏面ノズル４６に超音波振動子４９が組み込まれて、そのウエハＷの裏面に供給される液体に超音波振動が付与されてもよい。
ウエハＷの加熱は、さらに他の構成によっても達成することができる。たとえば、プレート２に保持されるウエハＷの表面に対向する位置に赤外線ランプヒータを配置し、この赤外線ランプヒータによりウエハＷを加熱してもよい。
【００３６】
また、レジスト剥離液としてＳＰＭが用いられているが、ＳＰＭに限らず、レジストを剥離する能力を有する液であれば、たとえば、硫酸とオゾンガスとを混合して生成される硫酸オゾンが用いられてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図２】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】基板処理装置におけるレジスト除去処理を説明するための図である。
【図４】この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１    基板処理装置
２    プレート
３    ＳＰＭノズル
１６  ヒータ
２０  ＳＰＭバルブ
２４  超音波振動子
２５  制御装置
２６  超音波発振器
４１  スピンチャック
４６  裏面ノズル
４８  裏面ＳＰＭバルブ
Ｗ    ウエハ
【図１】
2008004879.tif 000003
【図２】
2008004879.tif 000004
【図３】
2008004879.tif 000005
【図４】
2008004879.tif 000006