(57)【要約】【課題】隔壁を用いずに第２電極を分割でき、かつフォトレジストとして同じパターン精度のものを用いても、第２電極の分割間隔を従来に比べて狭くすることを可能にする。【解決手段】有機ＥＬディスプレイ１１は、基板１２と、基板１２上にストライプ状に形成された複数の第１電極１３と、第１電極１３を覆うように形成された有機ＥＬ層１４と、有機ＥＬ層１４上に、第１電極１３と交差するストライプ状に形成された複数の第２電極１５とを備えている。第２電極１５上には、第２電極１５と平行に形成された複数の第２電極被覆層１６を備えている。第２電極被覆層１６は、第２電極１５の材料に比較して第２電極用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料で形成されるとともに、隣接する第２電極被覆層１６の間隔が隣接する第２電極１５の間隔より広く設定されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイであって、
基板と、
前記基板上にストライプ状に形成された複数の第１電極と、
前記第１電極を覆うように形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に、前記第１電極と交差するストライプ状に形成された複数の第２電極と、
前記第２電極上に、前記複数の第２電極と平行に形成された複数の第２電極被覆層とを備え、
前記第２電極被覆層は、前記第２電極の材料に比較して前記第２電極用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料で形成されるとともに、隣接する前記第２電極被覆層の間隔が隣接する前記第２電極の間隔より広く設定されている有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
【請求項２】
前記第２電極被覆層は無機の非金属で形成されている請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
【請求項３】
前記各第２電極被覆層及び前記各第２電極の一部を覆うとともに前記各第２電極に沿って形成されたレジスト層が設けられ、前記レジスト層の幅方向の一端は前記各第２電極の幅方向の一端と一致するように形成されている請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
【請求項４】
前記基板上に形成された前記第１電極、前記有機エレクトロルミネッセンス層、前記第２電極、前記第２電極被覆層の露出部分を被覆する封止膜を備えている請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
【請求項５】
有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法であって、
基板上に複数の第１電極をストライプ状に形成する第１電極形成工程と、
前記第１電極形成工程後に行われ、前記第１電極を覆うように有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程後に行われ、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に第２電極形成層を形成する第２電極形成層形成工程と、
前記第２の電極形成層上に第２電極被覆層形成層を形成する第２電極被覆層形成層形成工程と、
前記第２電極被覆層形成層上に第１レジスト層を形成する第１レジスト層形成工程と、
前記第２電極被覆層形成層をエッチングしてストライプ状の第２電極被覆層を形成する第２電極被覆層形成工程と、
前記第２電極被覆層から露出した第２電極形成層の一部を覆うように第２レジスト層を形成する第２レジスト層形成工程と、
前記第２電極形成層をドライエッチングしてストライプ状の第２電極を形成する第２電極形成工程と
を備えた有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法。
【請求項６】
前記第１レジスト層を除去した後に前記第２レジスト層を形成する請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法。
【請求項７】
前記第２電極形成工程の終了後、前記基板上に形成された前記第１電極、前記有機エレクトロルミネッセンス層、前記第２電極、前記第２電極被覆層及び前記第２レジスト層の露出部分を被覆する封止膜を形成する封止膜形成工程を備えている請求項５又は請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法。
【請求項８】
前記第２電極被覆層と前記封止膜とは同じ材料で形成される請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法に係り、詳しくは有機化合物のエレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬと記載する場合もある。）を利用し、有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置した有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の有機ＥＬディスプレイとして、ストライプ状に形成された第１電極（陽極）と、第１電極と直交するストライプ状の第２電極（陰極）とを備え、第１電極及び第２電極との間に有機ＥＬ層が形成された所謂パッシブマトリックス型のものがある。この有機ＥＬディスプレイを製造する場合、有機ＥＬ層を形成した後に、第２電極を第１電極と直交する平行なストライプ状に形成する必要がある。しかし、有機ＥＬ材料は水分に弱いため、ウエットプロセスであるフォトリソグラフ法により第２電極を形成することは難しい。そこで、第２電極と第１電極との絶縁性及び隣接する第２電極同士の絶縁性を確保するため、第２電極と平行に延びる複数の隔壁を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、有機ＥＬ層上に形成された陰極層に対してドライエッチングを行って陰極を形成することが提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の方法では、図６（ａ）に示すように、透明基板５１上にストライプ状の陽極５２を形成し、陽極５２及び透明基板５１上に有機ＥＬ層５３を形成する。そして、有機ＥＬ層５３上に第１金属層５４、第２金属層５５及びブロッキング層５６を積層し、ブロッキング層５６の上にフォトレジスト５７を電極パターンに合わせて形成する。ブロッキング層５６は、第２金属層５５の結晶構造と異なる結晶構造を有し、所定パターンのフォトレジスト５７をフォトリソグラフィ工程で形成する際、現像液や水分などが第１金属層５４や有機ＥＬ層５３へ侵入するのを防止する役割を果たす。図６（ａ）の状態から、フォトレジスト５７をエッチングマスクとしてドライエッチングを行って、図６（ｂ）に示すように、ブロッキング層５６と第２金属層５５を連続的にドライエッチングする。次にフォトレジスト５７の剥離工程が実施され、フォトレジスト５７が除去されるとともに、露出した部分の第１金属層５４が酸化されて絶縁部となり、第１金属層５４、第２金属層５５、ブロッキング層５６の３層で構成されたストライプ状の陰極が形成される。
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【特許文献２】特開平１１−６７４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬディスプレイの利点の１つとして薄型化が可能な点がある。しかし、特許文献１のように隔壁を用いて第２電極を分割する構成では、第２電極を確実に分割するには隔壁を高くする必要があり、特許文献１には隔壁の高さ（厚さ）は１〜１０μｍが好ましいとされている。この値は第１電極、第２電極あるいは有機ＥＬ層の厚さの数倍から１０倍以上になる。従って、有機ＥＬディスプレイの薄型化に取ってマイナスとなる。また、第２電極を分割できる隔壁の線幅はフォトリソグラフィ設備の性能に左右され、現状では１５μｍ程度である。
【０００５】
また、有機ＥＬ材料は水分や酸素に弱いため、有機ＥＬ素子を封止する必要がある。従来、封止手段としてガラス製又はステンレス製の封止缶（カバーケース）が使用されているが、封止缶を使用した構成では有機ＥＬディスプレイの厚みが非常に増大して薄型化に支障を来す。そのため、薄型化を追求する場合は、無機膜による封止が行われている。しかし、隔壁の高さが高くなると、隔壁の陰になっている部分に封止膜が蒸着され難くなり、封止性が低下するという問題もある。
【０００６】
一方、特許文献２のようにドライエッチングで陰極を形成する方法では、隔壁を使用する方法に比較して薄型化が可能であり、膜封止を行う場合の封止性に関しても有利となる。しかし、特許文献２の場合、１回のドライエッチングで陰極を所定の間隔に分割しているため、分割間隔はフォトレジスト５７のパターンの精度が直接反映される。
【０００７】
本発明は前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、隔壁を用いずに第２電極を分割でき、かつフォトレジストとして同じパターン精度のものを用いても、第２電極の分割間隔を従来に比べて狭くすることができる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため請求項１に記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイである。そして、基板と、前記基板上にストライプ状に形成された複数の第１電極と、前記第１電極を覆うように形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に、前記第１電極と交差するストライプ状に形成された複数の第２電極と、前記第２電極上に、前記複数の第２電極と平行に形成された複数の第２電極被覆層とを備える。前記第２電極被覆層は、前記第２電極の材料に比較して前記第２電極用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料で形成されるとともに、隣接する前記第２電極被覆層の間隔が隣接する前記第２電極の間隔より広く設定されている。
【０００９】
この発明では、隔壁を用いずに第２電極が分割されているため、隔壁を用いた場合に比べて薄型化を図ることができる。また、有機ＥＬディスプレイの製造の際に、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いても、第２電極の分割間隔を従来に比べて狭くすることができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第２電極被覆層は無機の非金属で形成されている。この発明では、第２電極の材料に比較して第２電極用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料を入手し易い。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記各第２電極被覆層及び前記各第２電極の一部を覆うとともに前記各第２電極に沿って形成されたレジスト層が設けられ、前記レジスト層の幅方向の一端は前記各第２電極の幅方向の一端と一致するように形成されている。この発明では、レジスト層の幅方向の一端の位置をどこにするかで第２電極の間隔が設定されるため、隣接するレジスト層の間隔が広くても第２電極の間隔を狭く設定することができる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記基板上に形成された前記第１電極、前記有機エレクトロルミネッセンス層、前記第２電極、前記第２電極被覆層の露出部分を被覆する封止膜を備えている。この発明では、第２電極の分割に隔壁を用いないことと、相俟って有機ＥＬディスプレイのより薄型化を図ることができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法である。そして、基板上に複数の第１電極をストライプ状に形成する第１電極形成工程と、前記第１電極形成工程後に行われ、前記第１電極を覆うように有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程後に行われ、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に第２電極形成層を形成する第２電極形成層形成工程とを備えている。また、前記第２の電極形成層上に第２電極被覆層形成層を形成する第２電極被覆層形成層形成工程と、前記第２電極被覆層形成層上に第１レジスト層を形成する第１レジスト層形成工程と、前記第２電極被覆層形成層をエッチングしてストライプ状の第２電極被覆層を形成する第２電極被覆層形成工程とを備えている。さらに、前記第２電極被覆層から露出した第２電極形成層の一部を覆うように第２レジスト層を形成する第２レジスト層形成工程と、前記第２電極形成層をドライエッチングしてストライプ状の第２電極を形成する第２電極形成工程とを備えている。
【００１４】
この発明では、第１電極を覆う有機ＥＬ層上に形成された第２電極形成層をドライエッチングでエッチングすることにより、第２電極が分割形成される。従って、隔壁を使用して第２電極を分割する方法に比較して、薄型化が可能になる。また、第２電極形成層をドライエッチングする際のマスクの役割を果たすレジスト層が、１段階で形成されるのではなく２段階で形成される。第１段階では、分割後の第２電極の間隔より広い間隔で形成された第１レジスト層をマスクとして用いるエッチングで第２電極被覆層が所定の幅でエッチングされ、第２段階では第２電極被覆層のエッチングされた部分の一部を覆う第２レジスト層と、第２電極被覆層とがマスクとなって第２電極形成層のエッチングが行われる。従って、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いても、第２電極の分割間隔を従来に比べて狭くすることができる。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記第１レジスト層を除去した後に前記第２レジスト層を形成する。この発明では、第１レジスト層を除去せずに第２レジスト層を形成する場合に比較して、第２レジスト層を精度良く形成することができる。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、請求項５又は請求項６に記載の発明において、前記第２電極形成工程の終了後、前記基板上に形成された前記第１電極、前記有機エレクトロルミネッセンス層、前記第２電極、前記第２電極被覆層及び前記第２レジスト層の露出部分を被覆する封止膜を形成する封止膜形成工程を備えている。この発明では、有機ＥＬ素子の封止を缶封止で行う場合に比較して、薄型化された有機ＥＬディスプレイを製造することができる。
【００１７】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記第２電極被覆層と前記封止膜とは同じ材料で形成される。この発明では、第２電極被覆層と封止膜とを別の材料で形成する場合に比較して、有機ＥＬディスプレイの製造に使用する材料の種類を少なくできる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、隔壁を用いずに第２電極を分割でき、かつフォトレジストとして同じパターン精度のものを用いても、第２電極の分割間隔を従来に比べて狭くすることができる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図３にしたがって説明する。なお、図１〜図３は、有機ＥＬディスプレイの構成を模式的に示したものであり、図示の都合上、一部の寸法を誇張して分かり易くするために、それぞれの部分の幅、長さ、厚さ等の寸法の比は実際の比と異なっている。
【００２０】
図１（ｂ）は封止膜を省略した有機ＥＬディスプレイの概略斜視図である。図１（ａ），（ｂ）に示すように、有機ＥＬディスプレイ１１は、基板１２と、基板１２上にストライプ状に形成された複数の第１電極１３と、第１電極１３を覆うように形成された有機ＥＬ層１４（有機エレクトロルミネッセンス層）と、有機ＥＬ層１４上に、第１電極１３と交差するストライプ状に形成された複数の第２電極１５とを備えている。第２電極１５上には、第２電極１５と平行に形成された複数の第２電極被覆層１６を備えており、隣接する第２電極被覆層１６の間隔Ｓ１が隣接する第２電極１５の間隔Ｓ２より広く設定されている。また、各第２電極被覆層１６及び各第２電極１５の一部を覆うとともに各第２電極１５に沿って形成されたレジスト層１７が設けられ、レジスト層１７の幅方向の一端（図１（ａ）における右端）は各第２電極１５の幅方向の一端と一致するように形成されている。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、有機ＥＬディスプレイ１１は、基板１２上に形成された第１電極１３、有機ＥＬ層１４、第２電極１５、第２電極被覆層１６及びレジスト層１７の露出部分を被覆する封止膜１８を備えている。有機ＥＬディスプレイ１１は、第１電極１３と第２電極１５との各交差部において、両電極１３，１５との間に有機ＥＬ層１４が設けられた状態でそれぞれ有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）が形成されており、基板１２上に有機ＥＬ素子がマトリックス状に配置されている。
【００２２】
基板１２として透明なガラス基板が使用されている。
第１電極１３は陽極を構成するとともに、公知の有機ＥＬ素子で透明電極として用いられるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）により形成されている。
【００２３】
有機ＥＬ層１４は、第１電極１３側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が積層されて形成されている。
第２電極１５は陰極を構成するとともに、有機ＥＬ素子の陰極に適した金属、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）により形成され、光反射性を有している。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層１４から発せられた光が基板１２側から取り出される（出射される）所謂ボトムエミッションタイプに構成されている。
【００２４】
第２電極被覆層１６は、第２電極１５の材料に比較して第２電極１５用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料で形成されている。この実施形態では第２電極被覆層１６の材料として、無機の非金属が使用されている。具体的には第２電極被覆層１６は窒化ケイ素で形成されている。
【００２５】
レジスト層１７は、光硬化タイプの樹脂で形成されている。隣接するレジスト層１７の間隔Ｓ３は、隣接する第２電極被覆層１６の間隔Ｓ１と同じに形成されている。
封止膜１８は、第１電極１３、有機ＥＬ層１４、第２電極１５、第２電極被覆層１６及びレジスト層１７の露出部分、即ち、封止膜１８が形成される前の状態において露出している部分を覆うように形成されている。但し、第１電極１３の取り出し部及び第２電極１５の取り出し部、即ち端子部には封止膜１８は形成されない。封止膜１８は、第２電極被覆層１６と同じ材料である窒化ケイ素で形成されている。
【００２６】
次に有機ＥＬディスプレイ１１の製造方法を説明する。
先ず第１電極形成工程において、基板１２上に複数の第１電極１３をストライプ状に形成する。具体的には、基板１２の上に透明電極を構成するＩＴＯ膜を形成する。ＩＴＯ膜はスパッタリング法、真空蒸着法、イオン化蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成される。次に、このＩＴＯ膜に対してエッチングを行い、第１電極１３をストライプ状に形成する。
【００２７】
次に図２（ａ）に示すように、第１電極１３の間を埋めるように絶縁膜１９を形成する。絶縁膜１９は、ポジ型レジストを使用したフォトリソグラフィ法により形成される。
次に有機エレクトロルミネッセンス層形成工程において第１電極１３及び絶縁膜１９を覆うように有機ＥＬ層１４を形成する。有機ＥＬ層１４は、有機ＥＬ層１４を構成する各層が公知の真空蒸着法により順次形成されることで形成される。各層の厚みは、例えば、１〜１００ｎｍの範囲である。
【００２８】
次に第２電極形成層形成工程において、有機ＥＬ層上に第２電極形成層２０を形成する。第２電極形成層２０はＡｇ又はＡｌを蒸着することにより形成される。その結果、図２（ｂ）に示す状態となる。
【００２９】
次に第２電極被覆層形成層形成工程において、第２電極形成層２０上に第２電極被覆層形成層２１を形成する。第２電極被覆層形成層２１は、第２電極形成層２０が形成された後、真空一環で公知のプラズマＣＶＤ法で窒化ケイ素を成膜することにより形成される。第２電極被覆層形成層２１は図２（ｃ）に示すように、有機ＥＬ層１４及び第２電極形成層２０の端面を覆う状態に形成される。
【００３０】
次に第１レジスト層形成工程において第２電極被覆層形成層２１上に第１レジスト層２２を形成する。そして、図２（ｃ）に示すように、第２電極被覆層形成層２１のエッチングすべき部分を除いた箇所に第１レジスト層２２が形成される。第１レジスト層２２は、フォトレジストを使用してフォトリソグラフィで形成しても、光硬化タイプの樹脂をインクジェットあるいは印刷で第１レジスト層２２を形成すべき箇所に塗布した後、光照射を行って硬化させることで形成してもよい。第２電極被覆層形成層２１が第２電極形成層２０及び有機ＥＬ層１４の端部を覆うように形成されているため、フォトリソグラフィで形成しても、有機ＥＬ層１４に悪影響を及ぼさない。
【００３１】
次に第２電極被覆層形成工程において第２電極被覆層形成層２１をドライエッチングしてストライプ状の第２電極被覆層１６を形成する。ドライエッチングは、エッチングガスとして、三フッ化窒素（ＮＦ３）あるいは六フッ化硫黄（ＳＦ６）を使用して行われる。その結果、図３（ａ）に示すように、第２電極被覆層１６が間隔Ｓ１をおいて形成された状態になる。
【００３２】
次に第１レジスト層除去工程において第１レジスト層２２を除去する。第１レジスト層２２はＡｒ、Ｎ２等の不活性ガス単体あるいはそれらの組合せ等によるエッチングで除去される。
【００３３】
次に第２レジスト層形成工程において、第２電極被覆層１６から露出した第２電極形成層２０の一部を覆うように第２レジスト層２３を形成する。第２レジスト層２３は、光硬化タイプの樹脂をインクジェットあるいは印刷で第２レジスト層２３を形成すべき箇所に塗布した後、光照射を行って硬化させることで形成される。第２レジスト層２３をフォトレジストを使用したフォトリソグラフィ法により形成すると、第１レジスト層２２を形成する場合と異なり、フォトレジスト層を現像する際、水分が第２電極形成層２０に付着するため好ましくない。第２レジスト層２３は最終製品である有機ＥＬディスプレイ１１にレジスト層１７として残る。第２レジスト層２３の間隔Ｓ３は、隣接する第２電極被覆層１６の間隔Ｓ１と同じに形成される。その結果、図３（ｂ）に示す状態となる。
【００３４】
次に第２電極形成工程において、第２電極形成層２０をドライエッチングしてストライプ状の第２電極１５を形成する。ドライエッチングは、エッチングガスとして、アルゴンガスを使用して行われる。なお、第２電極形成層２０をＡｌで形成した場合は、エッチングガスに塩素系のガス（ＣＣｌ４−Ｏ２）等を用いてもよい。その結果、図３（ｃ）に示すように、第２電極１５が間隔Ｓ２をおいて形成された状態になる。第２レジスト層２３を形成する際、第１レジスト層２２と１／２ピッチずらした状態で形成すれば、第２電極１５の間隔Ｓ２は第２レジスト層２３の間隔Ｓ３の１／２の大きさになる。
【００３５】
次に封止膜形成工程で封止膜１８が形成される。封止膜１８は、第２電極１５が形成された後、公知のプラズマＣＶＤ法で窒化ケイ素を蒸着することにより形成される。そして、図１（ａ）に示すように、有機ＥＬディスプレイ１１が完成する。
【００３６】
この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）有機ＥＬディスプレイ１１は、有機ＥＬ層１４上にストライプ状に第２電極１５を形成する際に隔壁で第２電極１５を分割するのではなく、第２電極形成層２０をドライエッチングすることにより第２電極１５を形成する。従って、隔壁を使用して第２電極を分割する構成に比較して、薄型化が可能になる。
【００３７】
（２）第２電極形成層２０をドライエッチングする際のマスクの役割を果たすレジスト層１７が、１段階で形成されるのではなく２段階で形成される。第１段階では、分割後の第２電極１５の間隔より広い間隔で形成された第１レジスト層２２をマスクとして用いるエッチングで、第２電極１５の材料に比較して第２電極用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料で形成された第２電極被覆層１６が所定の幅でエッチングされる。第２段階では、第２電極被覆層１６のエッチングされた部分の一部を覆う第２レジスト層２３と、第２電極被覆層１６とがマスクとなって第２電極形成層２０のエッチングが行われる。隣接する第２電極１５の間隔Ｓ２は、第１レジスト層２２あるいは第２レジスト層２３の間隔と同じに形成されるのではなく、第２レジスト層２３の一端の位置によって設定され、第２レジスト層２３の間隔Ｓ３が広くても第２電極１５の間隔Ｓ２を狭く設定できる。従って、レジストとして同じパターン精度のものを用いても、第２電極１５の分割間隔を従来に比べて狭くすることができる。その結果、有機ＥＬディスプレイ１１の開口率を大きくすることができ、同じ輝度で消費電力を少なくすることができる。
【００３８】
（３）第２電極被覆層１６及び第２電極形成層２０上に形成される第２レジスト層２３の幅方向の一端の位置を変更することで、第２電極１５の間隔Ｓ２を第２レジスト層２３を形成する際の位置精度の範囲で自由に設定することができる。第２電極１５の間隔Ｓ２は現状のフォトリソグラフィを用いて形成できる第２レジスト層２３の間隔Ｓ３の１／２に、容易にすることができる。
【００３９】
（４）第２電極被覆層１６は無機の非金属で形成されている。従って、第２電極１５の材料に比較して第２電極用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料を入手し易くなる。例えば、金属酸化物や窒化物を使用することで、第２電極用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料を入手し易くなる。
【００４０】
（５）第１レジスト層２２を除去した後に第２レジスト層２３を形成するため、第１レジスト層２２を除去せずに第２レジスト層２３を形成する場合に比較して、第２レジスト層２３を精度良く形成することができる。
【００４１】
（６）基板１２上に形成された第１電極１３、有機ＥＬ層１４、第２電極１５、第２電極被覆層１６及びレジスト層１７の露出部分を被覆する封止膜１８を備えている。従って、有機ＥＬ素子の封止を缶封止で行う場合に比較して、薄型化された有機ＥＬディスプレイ１１を製造することができる。
【００４２】
（７）第２電極被覆層１６と封止膜１８とは同じ材料で形成される。従って、第２電極被覆層１６と封止膜１８とを別の材料で形成する場合に比較して、有機ＥＬディスプレイ１１の製造に使用する材料の種類を少なくでき、製造が容易になる。
【００４３】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  第２電極被覆層１６を形成する無機の非金属材料は窒化ケイ素に限らず、例えば、酸化ケイ素等の金属酸化物であってもよい。
【００４４】
○  第２電極被覆層１６は、第２電極１５の材料に比較して第２電極用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料で形成されていればよく、無機の非金属に限らず、金属や樹脂であってもよい。第２電極被覆層１６の材料に金属を使用する場合は、第２電極被覆層１６が第２電極１５の一部を構成することになるため、図４（ａ）に示すように、第２電極被覆層１６は有機ＥＬ層１４や第２電極１５の端部を覆わない状態で第２電極１５上に積層される。なお、第１レジスト層２２の形成はフォトリソグラフィで行うことはできず、光硬化タイプの樹脂をインクジェットあるいは印刷で第１レジスト層２２を形成すべき箇所に塗布した後、光照射を行って硬化させることで行われる。この場合、金属製の第２電極被覆層１６が第２電極１５に積層されることにより、同じ電流を流すのに必要な第２電極１５の厚さを薄くすることができる。
【００４５】
○  第２電極被覆層１６を窒化ケイ素で形成した場合、エッチング剤は三フッ化窒素あるいは六フッ化硫黄に限らず、例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ５Ｆ８等のフッ素化合物を使用したり、フッ素化合物の混合物を使用したり、フッ素化合物にＯ２、Ｈ２、あるいは不活性ガスを混合したりしてもよい。
【００４６】
○  第２電極被覆層１６の材料は、第２電極１５の材料に比較して第２電極用のエッチング剤に対するエッチング速度が速い材料であればよく、第２電極形成層２０をエッチングする際に、第２電極被覆層１６が多少エッチングされてもよい。即ち、第２電極形成層２０のエッチングが完了するまで、エッチング用のマスクの機能を保持できれば、第２電極被覆層１６の厚みが薄くなってもよい。
【００４７】
○  第２電極１５を形成した後、封止膜１８を形成する場合、第２レジスト層２３を除去した後、封止膜形成工程を行ってもよい。この場合、有機ＥＬディスプレイ１１は図４（ｂ）に示すように、第２電極被覆層１６の上に封止膜１８が形成されるため、有機ＥＬディスプレイ１１にレジスト層１７が存在せず、より薄型化が可能になる。
【００４８】
○  第２レジスト層２３を形成する場合、第１レジスト層２２を除去せずに、図５に示すように、第１レジスト層２２の上に第２レジスト層２３を形成するようにしてもよい。この場合、第１レジスト層２２の除去作業が不要になる。
【００４９】
○  封止膜１８の材料は、第２電極被覆層１６と同じ材料にする必要はない。
○  第１電極１３の間に形成した絶縁膜１９を省略してもよい。しかし、絶縁膜１９を設けた方が、隣接する第１電極１３同士の絶縁が確実になるだけでなく、第１電極１３上に順次積層される有機ＥＬ層１４及び第２電極形成層２０が平坦な状態で積層され、絶縁膜１９を形成しない場合に比較して、エッチング等の処理が円滑に行われる。
【００５０】
○  有機ＥＬ層１４を酸素や水分から保護するための封止手段として封止膜を設ける代わりに缶封止を行ってもよい。
○  第１電極１３と第２電極１５とは交差していればよく、必ずしも直交でなくてもよい。
【００５１】
○  有機ＥＬ層１４の構成は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の構成に限らず、少なくとも発光層を含む構成であればよい。例えば、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の３層構成や、発光層を挟んで正孔注入輸送層と電子注入輸送層とを設けた３層構成としてもよい。また、発光層の材料によっては、有機ＥＬ層１４を発光層のみから構成してもよい。
【００５２】
○  基板１２はガラスに限らず、透明な樹脂基板やフィルムであってもよい。
○  第１電極１３が陽極で第２電極１５が陰極に限らず、第１電極１３が陰極、第２電極１５が陽極としてもよい。
【００５３】
○  有機ＥＬディスプレイ１１は、所謂ボトムエミッション型に限らず、基板１２と反対側から光が出射するトップエミッション型の構成としてもよい。トップエミッション型の場合、基板１２及び基板１２側に配置される第１電極１３は透明でなくてもよい。
【００５４】
○  第１電極１３を構成する透明電極は、ＩＴＯに限らず、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ２（酸化錫）等を用いることができる。
○  第２電極１５は、銀やアルミニウムに限らず、従来用いられている公知の陰極材料等が使用でき、例えば、金、銅、クロム等の金属やこれらの合金等を用いてもよい。
【００５５】
○  第２電極１５は光反射機能を備えていなくてもよい。
○  第１電極形成工程では、あらかじめ第１電極１３が設けられた基板１２を用意してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）は一実施形態の有機ＥＬディスプレイの部分模式断面図、（ｂ）は封止膜を省略した概略部分斜視図。
【図２】（ａ）は有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する概略部分斜視図、（ｂ），（ｃ）は有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する部分模式断面図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する部分模式断面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は別の実施形態における有機ＥＬディスプレイの部分模式断面図。
【図５】別の実施形態における第２レジスト層の形成状態を示す部分模式断面図。
【図６】（ａ），（ｂ）は従来技術における製造工程の一部を示す部分模式断面図。
【符号の説明】
【００５７】
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…間隔、１１…有機ＥＬディスプレイ、１２…基板、１３…第１電極、１４…有機ＥＬ層、１５…第２電極、１６…第２電極被覆層、１７…レジスト層、１８…封止膜、２０…第２電極形成層、２１…第２電極被覆層形成層、２２…第１レジスト層、２３…第２レジスト層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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