(57)【要約】【課題】回路動作上要求される仕上がり精度の高低も相まって発生する欠陥を抽出することができる欠陥検査システム及び欠陥検査方法を提供する。【解決手段】回路設計データを基に信号伝送動作の精度が他の箇所に比較して高く要求されるクリティカルパスを抽出するタイミング解析部４１２、回路設計データとパターンのレイアウト設計データとを照合し、タイミング解析部４１２で抽出されたクリティカルパスを含む図形データを抽出するクリティカルパス抽出部４１３、クリティカルパス抽出部４１３で抽出されたクリティカルパスを含む図形データの座標情報を基に検査箇所を決定する検査レシピ作成部４１６、及び検査レシピ作成部４１６により作成された検査レシピに従ってウェハ上の検査箇所の画像を取得するＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００とを備える。【選択図】図３
2008004840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造プロセスで半導体の欠陥を検査する欠陥検査システムにおいて、
回路設計データを記憶する回路設計データ記憶部と、
パターンレイアウトの設計データを記憶するレイアウト設計データ記憶部と、
前記回路設計データ記憶部から回路設計データを読み出して信号伝送動作の精度が他の箇所に比較して高く要求される回路上のクリティカルパスを抽出するタイミング解析部と、
前記回路設計データ記憶部から読み出した回路設計データと前記レイアウト設計データ記憶部から読み出したレイアウト設計データとを照合し、前記タイミング解析部で抽出されたクリティカルパスを含む図形データを抽出するクリティカルパス抽出部と、
このクリティカルパス抽出部で抽出されたクリティカルパスを含む図形データを記憶するクリティカルパス記憶部と、
このクリティカルパス記憶部に記憶された図形データの座標情報を基に検査箇所を決定する検査レシピ作成部と、
この検査レシピ作成部により作成された検査レシピに従ってウェハ上の検査箇所の画像を取得するＳＥＭ式欠陥レビュー装置と
を備えたことを特徴とする欠陥検査システム。
【請求項２】
請求項１の欠陥検査システムにおいて、
ＯＰＣマスクパターンを基に光強度シミュレーションして得られたパターン予測形状を前記レイアウト設計データと比較して抽出したＯＰＣ危険部位を記憶するＯＰＣ危険部位記憶部をさらに備え、
前記検査レシピ作成部は、前記クリティカルパス記憶部から読み出したクリティカルパスの情報と前記ＯＰＣ危険部位記憶部から読み出したＯＰＣ危険部位の情報を基に、クリティカルパスを含む図形データでかつＯＰＣ危険部位に該当する部分を検査箇所として決定する
ことを特徴とする欠陥検査システム。
【請求項３】
請求項２の欠陥検査システムにおいて、
ＳＥＭ式欠陥検査装置により取得された欠陥画像と前記レイアウト設計データ記憶部から読み出したレイアウト設計データとを比較して抽出された致命欠陥の情報を記憶する致命欠陥記憶部をさらに備え、
前記検査レシピ作成部は、前記致命欠陥記憶部から読み出した致命欠陥を検査箇所に付加する
ことを特徴とする欠陥検査システム。
【請求項４】
請求項３の欠陥検査システムにおいて、
前記検査レシピ作成部は、検査箇所に付加する致命欠陥を前記ＯＰＣ危険部位記憶部から読み出したＯＰＣ危険部位に該当するものに絞り込む
ことを特徴とする欠陥検査システム。
【請求項５】
請求項１の欠陥検査システムにおいて、
ＳＥＭ式欠陥検査装置により取得された欠陥画像と前記レイアウト設計データ記憶部から読み出したレイアウト設計データとを比較して抽出された致命欠陥の情報を記憶する致命欠陥記憶部をさらに備え、
前記検査レシピ作成部は、前記クリティカルパス記憶部から読み出したクリティカルパスの情報と前記致命欠陥記憶部から読み出した致命欠陥の情報を基に、クリティカルパスを含む図形データでかつ致命欠陥に該当する部分を検査箇所として決定する
ことを特徴とする欠陥検査システム。
【請求項６】
請求項５の欠陥検査システムにおいて、
ＯＰＣマスクパターンを基に光強度シミュレーションして得られたパターン予測形状を前記レイアウト設計データと比較して抽出したＯＰＣ危険部位を記憶するＯＰＣ危険部位記憶部をさらに備え、
前記検査レシピ作成部は、前記ＯＰＣ危険部位記憶部から読み出したＯＰＣ危険部位の情報と前記致命欠陥記憶部から読み出した致命欠陥の情報を基に、ＯＰＣ危険部位でかつ致命欠陥に該当する部分を検査箇所として付加する
ことを特徴とする欠陥検査システム。
【請求項７】
請求項１の欠陥検査システムにおいて、
ＳＥＭ式欠陥検査装置により取得された欠陥画像と前記レイアウト設計データ記憶部から読み出したレイアウト設計データとを比較して抽出された致命欠陥の情報を記憶する致命欠陥記憶部と、
ＯＰＣマスクパターンを基に光強度シミュレーションして得られたパターン予測形状を前記レイアウト設計データと比較して抽出したＯＰＣ危険部位を記憶するＯＰＣ危険部位記憶部とをさらに備え、
前記検査レシピ作成部は、前記ＯＰＣ危険部位記憶部から読み出したＯＰＣ危険部位の情報と前記致命欠陥記憶部から読み出した致命欠陥の情報を基に、ＯＰＣ危険部位でかつ致命欠陥に該当する部分を他の検査箇所として抽出し、前記クリティカルパス記憶部に記憶された図形データの座標情報を基にした検査箇所と前記他の検査箇所とから前記ＳＥＭ式欠陥レビュー装置による検査箇所を選択する
ことを特徴とする欠陥検査システム。
【請求項８】
請求項１の欠陥検査システムにおいて、
ＳＥＭ式欠陥検査装置により取得された欠陥画像と前記レイアウト設計データ記憶部から読み出したレイアウト設計データとを比較して抽出された致命欠陥の情報を記憶する致命欠陥記憶部と、
ＯＰＣマスクパターンを基に光強度シミュレーションして得られたパターン予測形状を前記レイアウト設計データと比較して抽出したＯＰＣ危険部位を記憶するＯＰＣ危険部位記憶部とをさらに備え、
前記検査レシピ作成部は、前記クリティカルパス記憶部から読み出したクリティカルパスの情報と前記致命欠陥記憶部から読み出した致命欠陥の情報を基に、クリティカルパスを含む図形データでかつ致命欠陥に該当する部分を一の検査箇所として抽出し、前記ＯＰＣ危険部位記憶部から読み出したＯＰＣ危険部位の情報と前記致命欠陥記憶部から読み出した致命欠陥の情報を基に、ＯＰＣ危険部位でかつ致命欠陥に該当する部分を他の検査箇所として抽出し、前記一の検査箇所と前記他の検査箇所とから前記ＳＥＭ式欠陥レビュー装置による検査箇所を選択する
ことを特徴とする欠陥検査システム。
【請求項９】
請求項３、５、７、８のいずれかの欠陥検査システムにおいて、光学式欠陥検査によりウェハ上の欠陥を検出する光学式欠陥検査装置と、この光学式欠陥検査装置により抽出された欠陥を前記レイアウト設計データ記憶部から読み出したレイアウト設計データと比較して前記ＳＥＭ式欠陥検査装置による画像取得位置を絞り込むＣＡＤフィルタ部をさらに備えることを特徴とする欠陥検査システム。
【請求項１０】
半導体製造プロセスで半導体の欠陥を検査する欠陥検査方法において、
回路設計データを基に信号伝送動作の精度が他の箇所に比較して高く要求される回路上のクリティカルパスを抽出し、
回路設計データとパターンのレイアウト設計データとを照合し、前記クリティカルパスを含む図形データを抽出し、
抽出した図形データの座標情報を基に検査箇所を決定し、
決定したウェハ上の検査箇所の画像をＳＥＭ式欠陥レビュー装置により取得する
ことを特徴とする欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体製造プロセスで半導体の欠陥を検査する欠陥検査システム、欠陥検査方法、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope；ＳＥＭ）に代表される電子顕微鏡は半導体プロセスの評価ツールとして今や不可欠の存在であるが、光学顕微鏡に比べて高倍率であるが故に検査視野が狭くウェハ全面を電子顕微鏡で検査するには現在でも多大な労力及び時間を要するのが実情である。そのため、まず光学式の欠陥検査を行ってウェハ表面の欠陥の位置及び大きさのデータから検査箇所を高速で抽出し、光学式の欠陥検査で抽出された欠陥の形状を電子顕微鏡で観察するのが通常であった。しかし、単に欠陥の形状や大きさ、位置等を認識するだけでは、半導体パターンの設計形状に対して欠陥がどの程度相違しているのかが判然としない。
【０００３】
そこで、ＣＡＤ（Computer Aided Design）による半導体パターンのレイアウト設計データに基づくパターンの輪郭（以下、ＣＡＤデータと記載する）を電子顕微鏡で取得した欠陥画像と重ね合わせ、ＣＡＤデータと欠陥画像の形状を比較することによって欠陥を分類する方法が提唱されている（特許文献１等参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２９４６１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、光学式欠陥検査では、ウェハ上のチップ（ダイ）毎に画像を取得して別のチップの取得画像との比較によって形状が相違する箇所を抽出する。抽出された箇所は、他のチップと形状が相違しているので、例えばウェハへの異物の付着等といった半導体製造プロセスで不規則に発生する欠陥（以下、ランダム欠陥と記載する）を含んでいる可能性が高い。ところが、半導体パターンの微細化に伴ってパターン形成に対する光近接効果（Optical Proximity Effect；ＯＰＥ）の影響が年々シビアになってきており、パターンのレイアウト、光近接効果補正（Optical Proximity Correction；ＯＰＣ）によるマスクパターンの形状、或いは露光器の動作状態や露光条件等に起因する欠陥が発生し易くなってきている。こうした欠陥（以下、システマチック欠陥と記載する）は、ランダム欠陥と異なり、各チップに同じように発生するため光学式検査では検出し難い。
【０００６】
そこで、現在ではＯＰＣ処理を施したマスクパターンの設計データや露光条件等を基に、予定の条件で露光した後にウェハ上に形成されるパターン形状をシミュレーションし、シミュレーションで得られたパターン形状とＣＡＤデータを比較して形状の相違が事前検討された基準を超える箇所をＯＰＣ危険部位として検出することで、システマチック欠陥の発生の危険性が高い箇所を検出している。
【０００７】
しかしながら、半導体は近年の急激な高集積化とともに回路構造も複雑化も著しく、付着物があるでもなく一見するとＣＡＤデータに近い形状に仕上がっているような箇所が動作不良の原因となるようなケースが散見されるようになってきている。このような欠陥は、例えば実際の動作上、信号伝送速度と回路動作のタイミングが極めて高精度に要求されるような繊細な箇所に発生することが多い。こうした回路動作上要求される仕上がり精度の高低も相まって発生する欠陥は、既述のようにして形状にのみ基づいて欠陥を検査する方法で抽出することは困難である。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、回路動作上要求される仕上がり精度の高低も相まって発生する欠陥を抽出することができる欠陥検査システム及び欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、回路設計データを基に信号伝送動作の精度が他の箇所に比較して高く要求される回路上のクリティカルパスを検査箇所として抽出し、抽出した検査箇所の画像をＳＥＭで取得する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、回路動作上要求される仕上がり精度の高低も相まって発生する欠陥を抽出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
１．欠陥検査システムの全体構成
図１は本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムの全体構成を表した模式図である。
図１に例示した欠陥検査システムは、ウェハ上の欠陥の位置及び大きさを検出する欠陥検出部としての光学式検査装置１００、光学式検査装置１００により検出された欠陥座標位置の画像を検出する欠陥画像検出部としてのＳＥＭ式欠陥検査装置２００、最終的に抽出されたウェハ上の検査箇所を検査するＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００、必要なデータを格納するサーバ５００、及び検査箇所の抽出に関連して各装置との間でデータや信号を授受するコンピュータ４００を、ＬＡＮ（Local Area Network）６００を介して接続し構築してある。また、この欠陥検査システムに半導体設計者や顧客等が使用するコンピュータ７００を接続し、ＬＡＮ６００（必要に応じてインターネット）を介してコンピュータ７００に記憶されている半導体やマスクパターンの設計情報等をサーバ５００に出力し保存できるようにしても良い。
【００１２】
図１では、光学式検査装置１００、ＳＥＭ式欠陥検査装置２００、ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００、コンピュータ４００及びサーバ５００が全て個別に構成され、それぞれがＬＡＮ６００を介して接続された例を図示してあるが、システム全体として所望の機能を持ち合わせてさえいれば、各装置の機能的又は構成的な区分は限定されない。例えば、コンピュータ４００の記憶装置の容量に余裕があれば、必要なデータベースをコンピュータ４００の記憶装置に構築しサーバ５００を省略しても良い。また、コンピュータ４００の機能の一部又は全部をＳＥＭ式欠陥検査装置２００の制御装置等に持たせてコンピュータ４００を省略しても良い。さらに、光学式検査装置１００は電子ビームを用いた検査装置で代替しても良い。その場合、不要であればＳＥＭ式欠陥検査装置２００を省略することも考えられる。つまり、ＳＥＭ式欠陥検査装置でウェハを全面検査して欠陥の座標や画像等が取得できれば、光学式検査装置は必ずしも必要ではない。
【００１３】
２．ＳＥＭ式の欠陥検査装置２００・レビュー装置３００の構成
図２はＳＥＭ式欠陥検査装置２００やＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の概略を表すブロック図である。
図２において、陰極１と第一陽極２の間には、制御プロセッサ４０で制御される高圧制御電源２０により電圧が印加され、所定のエミッション電流で一次電子線４が陰極１から引き出される。陰極１と第二陽極３の間には、制御プロセッサ４０で制御される高圧制御電源２０により加速電圧が印加され、陰極１から放出された一次電子線４が加速されて後段のレンズ系に進行する。
【００１４】
一次電子線４は、レンズ制御電源２１で制御された収束レンズ５で収束され、絞り板８で一次電子線の不要な領域が除去された後に、レンズ制御電源２２で制御された収束レンズ６、及び対物レンズ制御電源２３で制御された対物レンズ７により試料１０に微小スポットとして収束される。
【００１５】
なお、対物レンズ７には、インレンズ方式、アウトレンズ方式、又はシュノーケル方式（セミインレンズ方式）等の種々の形態のレンズを適用することができる。また、試料に負の電圧を印加して一次電子線を減速させるリターディング方式も可能である。さらに、各々のレンズは、複数の電極で構成される静電型レンズで構成しても良い。
【００１６】
一次電子線４は、走査コイル制御電源２４によって制御される走査コイル９で試料１０上の照射位置を二次元的に走査される。一次電子線の照射で試料１０から発生した二次電子等の二次信号１２は、対物レンズ７の上部に進行した後、二次信号分離用の直交電磁界発生装置１１により、一次電子と分離されて二次信号検出器１３に検出される。二次信号検出器１３で検出された信号は、信号増幅器１４で増幅された後、画像メモリ２５に転送されて像表示装置２６に試料像として表示される。走査コイル９と同じ位置に対物レンズ用アライナー制御電源３１によって制御される２段の偏向コイル（対物レンズ用アライナー）５１が配置されており、試料１０上における一次電子線４の位置（観察視野）を二次元的に制御できる。ステージ１５は、少なくとも一次電子線と垂直な面内の２方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に試料１０を移動することができる。
【００１７】
試料１０には、例えば半導体製品を製造する工程の中にあるウェハが用いられる。リソグラフィー工程によりウェハ上に形成されたレジストパターンを用いても良い。
【００１８】
ポインティング装置４１は、試料像の位置を指定してその情報を得ることができる。入力装置４２からは、画像の取り込み条件（電子ビームの走査速度や画像積算枚数等）や視野補正方式等の指定、及び画像の出力や保存などを指定することができる。
【００１９】
なお、画像メモリのメモリ位置に対応したアドレス信号が、制御系内或いは別に設置されたコンピュータ内で生成され、アナログ変換された後に、走査コイルに供給される。Ｘ方向のアドレス信号は、例えば画像メモリが５１２×５１２画素（pixel）の場合、０から５１２を繰り返すデジタル信号であり、Ｙ方向のアドレス信号は、Ｘ方向のアドレス信号が０から５１２に到達したときに１加算される０から５１２の繰り返しのデジタル信号である。
【００２０】
画像メモリのアドレスと電子線を走査するための偏向信号のアドレスが対応しているので、画像メモリには走査コイルによる電子線の偏向領域の二次元像が記録される。なお、画像メモリ内の信号は、読み出しクロックで同期された読み出しアドレス生成回路で時系列に順次読み出すことができる。アドレスに対応して読み出された信号はアナログ変換され、画像表示装置９の輝度変調信号となる。
【００２１】
また本例で説明する装置は、検出された二次電子或いは反射電子等に基づいて、ラインプロファイルを形成する機能を備えている。ラインプロファイルは一次電子線を一次元、或いは二次元走査したときの電子検出量、或いは試料像の輝度情報等に基づいて形成されるものであり、得られたラインプロファイルは、例えば半導体ウェハ上に形成されたパターンの寸法測定等に用いられる。
【００２２】
更に、ＳＥＭ式欠陥検査装置２００やＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００は、例えば半導体ウェハ上の複数点を観察する際のコンピュータ４００から入力された条件（測定個所、走査電子顕微鏡の光学条件等）を予めレシピとして記憶しておき、そのレシピの内容に従って測定や観察を行う機能を備えている。
【００２３】
なお、図１の説明は制御プロセッサ４０が走査電子顕微鏡と一体、或いはそれに準ずるものとして説明したが、無論それに限られることはなく、走査電子顕微鏡鏡体とは別に設けられたプロセッサで処理を行っても良い。その際には二次信号検出器で検出される検出信号を画像としてプロセッサに伝達したり、プロセッサから走査電子顕微鏡のレンズや偏向器等に信号を伝達したりする伝達媒体と、当該伝達媒体経由で伝達される信号を入出力する入出力端子が必要となる。また、ＳＥＭ式欠陥検査装置２００やＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００は、ＬＡＮ６００や他の機器等と接続し信号を双方向に授受するための入出力インターフェイス（Ｉ／Ｏ）４３を有しており、図１の構成例においてＳＥＭ式欠陥検査装置２００やＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００はＩ／Ｏ４３をＬＡＮ６００に接続し、これによりコンピュータ４００等のＬＡＮ接続された他の機器と接続されている。
【００２４】
３．サーバ５００の構成
図３は本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたコンピュータ４００及びサーバ５００の概略構成を表すブロック図である。図３において既出図面と同様の部分又は同様の機能を果たす部分には既出のものと同符号を付して説明を省略する。
半導体パターンのレイアウト設計データ（ＣＡＤデータ等）を記憶したパターン設計データベース５０１、半導体の回路設計データ（回路図等）を記憶した回路設計データベース５０２、レイアウト設計データ等を基にＯＰＣ処理されたマスクパターンの設計データを記憶したＯＰＣモデルデータベース５０３、ＯＰＣシミュレーションにより特定したＯＰＣ危険部位（後述）の情報を記憶したＯＰＣ危険部位データベース５０４、パターン設計データベース５０１と回路設計データベース５０２の記憶情報等を基に特定した回路的な危険部位（後述）を含む図形データを記憶したクリティカルパスデータベース５０５、ＳＥＭ式欠陥検査装置２００で取得した欠陥画像を記憶した欠陥画像データベース５０６、及び管理対象の半導体製造プロセスの歩留まり履歴を記憶した歩留まり履歴データベース５０７を備えている。
【００２５】
パターン設計データベース５０１に格納されたＣＡＤデータの種類は、コンピュータ４００やＳＥＭ式欠陥検査装置２００，３００等で用いられている画像表示用のソフトウェアによって、当該ＣＡＤデータに基づく図形（例えばパターンの輪郭）を表示することができるフォーマット形式であれば良い。また、ＣＡＤデータは、回路設計データから変換されたもので回路設計データと関連性があり、パターンレイアウト上の特定の図形が回路設計データ上のどの信号伝送経路に対応するのかは予め特定されている。歩留まり履歴データベース５０７に記憶する歩留まり履歴は、例えば、不良品と判定された半導体のパターンレイアウト情報（ＣＡＤデータ）、回路設計データ、検出された欠陥情報（大きさ、位置等）、露光器の号機番号、露光条件等といった不良ロットに関する各種データである。
【００２６】
４．コンピュータ４００の構成
上記コンピュータ４００は、外部機器とデータや信号を授受するための入出力インターフェイス（Ｉ／Ｏ）４０１と、半導体ウェハの欠陥の検査・解析に関するプログラムや処理に必要な定数等を格納したＲＯＭ４０２と、各種演算処理を行う演算部４１０と、演算部４１０の演算結果や演算途中のデータ等を一時的に記憶するＲＡＭ４０３と、各種データを記憶する記憶部４０４と、モニタ等の表示装置４２０及びキーボードやポインティングデバイス等といった入力装置４３０等と信号を授受するための入出力部４０５とを備えている。
【００２７】
上記演算部４１０は、ＣＡＤフィルタ部４１１、タイミング解析部４１２、クリティカルパス抽出部４１３、ＯＰＣシミュレーション部４１４、欠陥致命度判定部４１５、及び検査レシピ作成部４１６を備えている。
【００２８】
（４−１）タイミング解析部
タイミング解析部４１２は、回路設計データベース５０２の記憶情報を基に回路に信号を出力した場合における回路中の設計上の信号伝送動作を解析し、回路中の信号の伝送動作を考慮すると他の部位と比較してシビアなタイミング精度が要求されることからパターンの仕上がりを重点的に管理すべき信号伝送経路（以下、クリティカルパスと称する）を抽出する処理を司る。タイミング解析部４１２の処理によって抽出されたクリティカルパスの情報（例えばネットリスト上のデータ等）は、ＲＡＭ４０３に一時的に記憶される。同時に記憶部４０４に記憶するようにしても良い。
【００２９】
（４−２）クリティカルパス抽出部
クリティカルパス抽出部４１３は、タイミング解析部４１２によって抽出されたクリティカルパスとパターン設計データベース５０１の記憶情報とを基に、パターンレイアウト上のどの図形がクリティカルパスに相当するのかを解析する処理を司る。このクリティカルパス抽出部４１３により抽出されたパターンレイアウト上のクリティカルパスを含む図形データはクリティカルパスデータベース５０５に伝送されて格納される。同時に記憶部４０４等に記憶するようにしても良い。
【００３０】
（４−３）ＯＰＣシミュレーション部
ＯＰＣシミュレーション部４１４は、ＯＰＣモデルデータベース５０３の記憶情報及び使用する露光器や露光条件等を基にして露光後にウェハ上に形成されるパターン形状をシミュレーションし、そのシミュレーション結果からパターンの予測形状と設計データとの形状の相違がしきい値を超える箇所をＯＰＣ危険部位として抽出する処理を司る。ＯＰＣシミュレーション部４１４で抽出されたＯＰＣ危険部位の座標データ又はＯＰＣ危険部位のパターンの図形データはＯＰＣ危険部位データベース５０４に伝送されて格納される。同時に記憶部４０４等に記憶するようにしても良い。
【００３１】
（４−４）ＣＡＤフィルタ部
ＣＡＤフィルタ部４１１は、光学式検査装置１００で検出された検出欠陥情報（欠陥の座標及び大きさ）とパターン設計データベース５０１の記憶情報とを照合し、半導体パターンのレイアウト設計データとの位置関係から各検出欠陥の検査要否を判定する処理を司る。
【００３２】
ＣＡＤフィルタ部４１１における検査の要否判断は、一例として、パターンレイアウト上のＲＡＭ等といった機能領域を分類し、機能領域毎に欠陥検査の重要度を分け、例えば、重要度の低い領域の欠陥は大きさによっては検査不要、重要度の高い領域の欠陥は微小なものでも検査が必要等といった要領で機能領域毎に事前に決められたルールに従って行われる。その他、光学式検査装置１００で検出された欠陥とパターンとの位置関係にしきい値を用意してしきい値を超える（パターンとの重なり量が大きい）欠陥を要検査の欠陥に分類する、或いは複数のパターンを跨ぎ短絡の原因となる等といった特定の不良の原因となる欠陥を要検査の欠陥に分類する等の判定方法も考えられる。
【００３３】
ＣＡＤフィルタ部４１１で検査が必要と判定された欠陥の位置情報や大きさはＲＡＭ４０３又は記憶部４０４に記憶される。また、ＣＡＤフィルタ部４１１は、欠陥の位置や大きさの情報を基にＳＥＭ式欠陥検査部２００でのＳＥＭ画像取得条件すなわちレシピ（検査座標、画素サイズ、ビーム径、ビーム加速電圧、検出される二次電圧に対するしきい値等）を作成する。作成したレシピは、例えばＲＡＭ４０３や記憶部４０４に記憶され、その後ＬＡＮ６００を介して伝送され入出力インターフェイス４３を介してＳＥＭ式欠陥検査装置２００に入力される。制御プロセッサ４０は受け取った欠陥の位置情報を基にウェハ上の対応箇所の画像を取得する。これにより取得された欠陥の画像データは、ＬＡＮ６００を介して欠陥画像データベース５０６に伝送され格納される。
【００３４】
（４−５）欠陥致命度判定部
欠陥致命度判定部４１５は、ＳＥＭ式欠陥検査装置２００で取得された欠陥画像を欠陥画像データベース５０６から読み出してパターン設計データベース５０１の記憶情報と照合し、半導体パターンのレイアウト設計データとの位置関係等から各検出欠陥の致命度を判定する処理を司る。欠陥致命度判定部４１５により抽出された欠陥の位置情報や大きさのデータはＲＡＭ４０３や記憶部４０４等に記憶される。
【００３５】
欠陥致命度判定部４１５による致命度の判定方法としては、例えば、欠陥画像とパターンとの位置関係にしきい値を用意してしきい値を超える（パターンとの重複量が大きい）欠陥を致命欠陥に分類する、或いは複数のパターンを跨ぎ短絡の原因となる等といった特定の不良の原因となる欠陥を致命欠陥に分類する等の判定方法が考えられる。
【００３６】
（４−６）検査レシピ作成部
検査レシピ作成部４１６は、欠陥致命度判定部４１５で抽出された欠陥の情報、クリティカルパスデータベース５０５に記憶されたクリティカルパスの情報、及びＯＰＣ危険部位データベース５０４に記憶されたＯＰＣ危険部位の情報等を基に最終的にＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００でレビューする検査箇所を決定し、ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００に対する検査条件すなわちレシピ（検査座標、画素サイズ、ビーム径、ビーム加速電圧、検出される二次電圧に対するしきい値等）を作成する。作成したレシピは例えばＲＡＭ４０３や記憶部４０４に保存されるとともに、ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００の入出力インターフェイス４３に出力される。ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００は、入出力インターフェイス４３を介して受け取ったレシピ情報を基に指定された検査箇所の画像を取得する。取得した画像データは、ＬＡＮ６００を介して欠陥画像データベース５０６に伝送され格納される。
【００３７】
上記の演算部４１０を構成する上記の各処理部４１１〜４１６の処理手順に関わるプログラムはＲＯＭ４０２に格納されている。各処理部４１１〜４１６の処理手順についてはそれぞれ後述する。
【００３８】
５．動作説明
上記構成の本実施の形態に係る欠陥検査システムの動作を以下に説明する。
【００３９】
（５−１）全体動作の概要
図４は本実施の形態に係る欠陥検査システム全体の機能ブロック図、図５はコンピュータ４００の処理手順の概要を表すフローチャートである。図４において既出図面と同様の部分又は同様の機能を果たす部分には既出図面と同符号を付してある。
図４及び図５を併せて参照すると、コンピュータ４００は、まずステップ１１０で、光学式検査装置（欠陥検出部）１００による光学式の欠陥検査の結果抽出された検出欠陥の情報（座標及び大きさ）がＩ／Ｏ４０１を介して入力されたかどうかの判定を繰り返し、検出欠陥情報の入力を確認したらステップ１２０に手順を移す。
【００４０】
ステップ１２０において、コンピュータ４００は、ＲＯＭ４０２に格納された欠陥ＣＡＤフィルタ処理のプログラムを読み出し、このプログラムに順じステップ１１０で入力された検出欠陥情報をＣＡＤフィルタ部４１１によって後述するようにフィルタ処理し、光学式検査装置１００で抽出された欠陥の中からＳＥＭ式欠陥検査装置２００で検査すべき箇所を抽出する。こうして抽出されたＳＥＭ式欠陥検査装置２００でＳＥＭ画像を取得する欠陥の座標及びサイズのデータはＲＡＭ４０３又は記憶部４０４に記憶される。
【００４１】
続くステップ１３０に手順を移すと、コンピュータ４００は、ステップ１２０で抽出された検出欠陥の座標等のデータから画像取得レシピを作成し、作成したレシピを例えばＲＡＭ４０３や記憶部４０４に記憶した後、ＳＥＭ式欠陥検査装置（欠陥画像検出部）２００に出力する。ＳＥＭ式欠陥検査装置２００は、光学式欠陥検査装置１００で検査後のウェハがロードされたら、入力された対応ウェハの検査レシピに従って指定の箇所（ステップ１２０で抽出された検査箇所）の欠陥画像を取得する。
【００４２】
ステップ１４０に手順を移すと、コンピュータ４００は、ＳＥＭ式欠陥検査装置２００から検出欠陥画像がＩ／Ｏ４０１を介して入力されたかどうかの判定を繰り返し、検出欠陥画像の入力を確認したらステップ１５０に手順を移す。
【００４３】
ステップ１５０において、コンピュータ４００は、ＳＥＭ式欠陥検査装置２００から入力された検出欠陥画像をサーバ５００に出力し、欠陥画像データベース５０６に保存する。このとき、検出欠陥画像を欠陥画像データベース５０６の他にＲＡＭ４０３や記憶部４０４に保存するようにしても良い。
【００４４】
ステップ１６０に手順を移すと、コンピュータ４００は、ＳＥＭ式欠陥検査装置２００により取得された欠陥画像を欠陥画像データベース５０６から読み出すとともに、読み出した欠陥画像と対応する座標位置のパターンの図形データ（ＣＡＤデータ）をパターン設計データベース５０１から読み出す。
【００４５】
ステップ１７０において、コンピュータ４００は、ステップ１６０で読み出した欠陥画像と対応箇所の図形データを重ね合わせて両者の位置関係を後述のように比較することにより、ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００で形状測定をする必要がある検査箇所の候補を抽出して続くステップ１８０に手順を移す。なお、このステップ１７０の欠陥致命度判定の処理の結果、致命欠陥と判定された欠陥の座標や大きさ、画像等はＲＡＭ４０３又は記憶部４０４に記憶される。
【００４６】
コンピュータ４００は、続くステップ１８０でクリティカルパスデータベース５０５からクリティカルパスを含む図形データ（又は座標データ）を読み出し、さらにステップ１９０でＯＰＣ危険部位データベース５０４からＯＰＣ危険部位の図形データ（又は座標データ）を読み出す。これらクリティカルパスやＯＰＣ危険部位のデータは、タイミング解析部４１２・クリティカルパス抽出部４１３・ＯＰＣシミュレーション部４１４の処理（後述）によって別途抽出され、クリティカルパスデータベース５０５・ＯＰＣ危険部位データベース５０４に格納されている。
【００４７】
ステップ２００に手順を移すと、コンピュータ４００は、ステップ１７０で致命欠陥と判定された欠陥の画像データ（又は座標データ）をＲＡＭ４０３又は記憶部４０４から読み出し、読み出した致命欠陥のデータとステップ１８０，１９０で読み出したクリティカルパス及びＯＰＣ危険部位のデータとを基に、検査レシピ作成部４１６によってＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００で検査する検査箇所を決定し、決定した検査箇所の検査のためのレシピ（既述）を作成する。
【００４８】
本実施の形態において、検査レシピ作成部４１６によるステップ２００の検査箇所の決定の処理では、まず致命欠陥を含む或いは致命欠陥と部分的に重なるクリティカルパスを含む図形データ（検査箇所の第一候補とする）、及び致命欠陥を含む或いは致命欠陥と部分的に重なるＯＰＣ危険部位の図形データ（検査箇所の第二候補とする）を抽出する。次いで、検査箇所の第一候補か第二候補のいずれかに挙げられた図形データを全て最終的な検査箇所として抽出する。
【００４９】
以上のステップ２００の処理が完了したらステップ２１０に手順が移り、コンピュータ４００は、ステップ２００で作成した検査レシピをＲＡＭ４０３や記憶部４０４に保存した後、ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３０に出力して図５の手順を終了する。これにより、ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００にて検査レシピに従って指定箇所の画像が取得され、ＳＥＭ式欠陥レビュー相違３００の取得画像を基に欠陥などの形状が測定される。
【００５０】
（５−２）欠陥ＣＡＤフィルタ処理
図５のステップ１２０の欠陥ＣＡＤフィルタ処理について説明する。
既述のように、コンピュータ４００は、図５のステップ１１０で光学式欠陥検査装置１００により検出された欠陥の情報（座標・サイズ）が入力されたことが確認されると、ＣＡＤフィルタ部４１１によりステップ１２０の欠陥ＣＡＤフィルタ処理を実行する。
【００５１】
図６はＣＡＤフィルタ部４１１による欠陥ＣＡＤフィルタ処理の具体的手順を表すフローチャートである。
欠陥ＣＡＤフィルタ処理に移行すると、ＣＡＤフィルタ部４１１は、まずステップ１２１で、パターン設計データベース５０１からレイアウト設計データ（ＣＡＤデータ）を読み込み、ステップ１２２に手順を移す。
【００５２】
続くステップ１２２において、ＣＡＤフィルタ部４１１は、入力された光学式欠陥検査装置１００による検出欠陥が半導体上のどの領域に属するのかをレイアウト設計データと座標を照合させることによって分類し、各欠陥に領域データを付加する。
【００５３】
図７はＣＡＤフィルタ部４１１による欠陥ＣＡＤフィルタ処理で用いられる領域データの概念図である。
図７では、ＣＰＵ（Central Processing Unit）６０、ＡＬＵ（Arithmetic and Logic Unit）６１、ＣＬＫ（Clock）６３、ＲＡＭ（Random Access Memory）６４の各機能領域を配置された箇所近傍において、光学式欠陥検査装置１００により検出された欠陥（黒く塗りつぶして図示した）が存在している場合を例示している。すなわち、ステップ１２２では、光学式欠陥検査装置１００で検出された各欠陥の座標データから欠陥の周辺のレイアウト設計データを抽出し、設計段階で定まっている既知の機能領域（図７の例では機能領域６０〜６４）のいずれに欠陥が存在しているのか（或いは欠陥はいずれの領域にも属していないのか）を判定し、欠陥毎に領域データを付加する。
【００５４】
ステップ１２３に手順を移すと、ＣＡＤフィルタ部４１１は、領域毎に分類した欠陥に対しパターンとの位置関係を解析し、解析したパターンとの位置関係（接触、交差、包含等）を各欠陥のデータに付加する。
【００５５】
図８はＣＡＤフィルタ部４１１による検出欠陥とパターンとの位置関係の解析を説明するための模式図である。
図８では、図７に点線で示した欠陥存在領域Ｘ内のレイアウト設計データ（ＣＡＤデータ）が検出欠陥に重ねて表示されているものとする。また、図８の例において、欠陥ａはパターンＡと部分的に重なり合う位置関係（この位置関係を“接触”と記載する）、欠陥ｂは全体がパターンＢ上に重なる位置関係（この位置関係を“包含”と記載する）、欠陥ｃは複数（この場合２つ）のパターンＣ１，Ｃ２に跨る位置関係（この位置関係を“交差”と記載する）にそれぞれある。欠陥ｄ等のようにパターンとは非接触の位置関係にあるものもある。ＣＡＤフィルタ部４１１は、欠陥の座標及びサイズのデータから図８に示したように光学式欠陥検査装置１００による検出欠陥とパターンとの位置関係を解析し、各欠陥にパターンとの位置関係の種別のデータを付加する。
【００５６】
ステップ１２４に手順を移すと、ＣＡＤフィルタ部４１１は、各欠陥につき、ステップ１２２で分類した領域データとステップ１２３で分類したパターンとの位置関係の種別データとを基にしてフィルタ処理し、次にＳＥＭ式欠陥検査装置２００で画像取得する欠陥を絞り込む。この絞込みは事前に設定された手順に準ずるもので、例を挙げると、領域データ毎に設定された検査の必要性、パターンとの位置関係の種別データ毎に設定された検査の必要性を基に、付加された領域データ又はパターンとの位置関係の種別データの属性が高い検査の必要性を示すものであればＳＥＭ画像を取得する欠陥として判定し、それ以外は除外する等といった手順でＳＥＭ画像を取得する欠陥を絞り込む。領域データ及びパターンとの位置関係の種別データの双方の組み合わせにより検査必要性を設定しておいても良い。
【００５７】
ＣＡＤフィルタ部４１１は、続くステップ１２５で、ステップ１２４の処理で絞り込んだ欠陥の座標及びサイズのデータをＲＡＭ４０３又は記憶部４０４に記憶し、欠陥ＣＡＤフィルタ処理の手順を終了する。この欠陥ＣＡＤフィルタ処理の手順終了後、コンピュータ４００は、既述のステップ１３０（図５参照）に手順を移す。
【００５８】
（５−３）クリティカルパス抽出
図５のステップ１８０でコンピュータ４００に読み出されるクリティカルパスの抽出の処理について説明する。
このクリティカルパスの抽出の処理は図５のフローとは別途実行され、処理の結果抽出されクリティカルパスデータベース５０５に記憶されたクリティカルパス（厳密にはそれを含む図形データ）が、既述のように図５のステップ１８０でコンピュータ４００により読み出される。このクリティカルパス抽出処理には、図４の機能ブロック図では、レイアウト設計データベース５０１、回路設計データベース５０２、タイミング解析部４１２、クリティカルパス抽出部４１３、クリティカルパスデータベース５０５が主に関わる。
【００５９】
図９はタイミング解析部４１２及びクリティカルパス抽出部４１３によるクリティカルパス抽出手順を表すフローチャートである。
回路上のクリティカルパスを抽出する際、コンピュータ４００は、まずステップ３１０で、タイミング解析部４１２によって回路設計データ（回路図及びこれに基づく半導体回路の配線接続情報を表すネットリスト）を回路設計データベース５０２から読み出す。
【００６０】
ステップ３２０に手順を移し、タイミング解析部４１２は、読み出した回路設計データを基にタイミングシミュレーションをして（又はタイミングチャートを作成して）回路の設計上の信号伝送動作を解析し、回路的に信号伝送動作の精度が他の箇所に比較して高く要求される箇所すなわちクリティカルパスを抽出する。タイミング解析部４１２の処理によって抽出されたクリティカルパスのネットリスト上の情報等は、ＲＡＭ４０３に一時的に記憶される。同時に記憶部４０４に記憶するようにしても良い。
図１０はこの解析によって抽出されたクリティカルパス（点線参照）を回路図上に示した図である。回路図の下にはタイミングチャートが示されている。
【００６１】
クリティカルパス抽出部４１３は、ステップ３３０においてパターン設計データベース５０１からレイアウト設計データ（ＣＡＤデータ）を読み込み、次いでステップ３４０にてレイアウト設計データと回路設計データとを照合（ＬＶＳ）し、ノード情報をレイアウト設計データに対応させる。このようにして、クリティカルパス抽出部４１３は、タイミング解析部４１２によって抽出されたクリティカルパスのレイアウト設計データ上の位置を特定し（ステップ３５０）、パターンレイアウト上のどの図形がクリティカルパスに相当するのかを解析する。
図１１はレイアウト設計データ上に特定されたクリティカルパス（◎印参照）を模式的に表した図である。
【００６２】
そしてクリティカルパス抽出部４１３は、ステップ３６０に手順を移し、クリティカルパスの図形データを抽出し、それをクリティカルパスデータベース５０５に保存する。本実施の形態の場合、クリティカルパス抽出部４１３は、クリティカルパスを含む一つの図形を最終的に回路性能危険部位として抽出しクリティカルパスデータベース５０５に記憶する。クリティカルパスを含む一つの図形とは、例えば配線パターンやコンタクトホール等を表す一つの閉図形を意味する。
【００６３】
（５−４）ＯＰＣ危険部位の抽出
図５のステップ１９０でコンピュータ４００に読み出されるＯＰＣ危険部位の抽出の処理について説明する。
このＯＰＣ危険部位の抽出の処理は図５のフローとは別途実行され、処理の結果抽出されＯＰＣ危険部位データベース５０４に記憶されたＯＰＣ危険部位が、既述のように図５のステップ１９０でコンピュータ４００により読み出される。このＯＰＣ危険部位の抽出処理には、図４の機能ブロック図では、ＯＰＣモデル解析部５０３、パターン設計データベース５０１、ＯＰＣシミュレーション部４１４、ＯＰＣ危険部位データベース５０４が主に関わる。
【００６４】
図１２はＯＰＣシミュレーション部４１４によるＯＰＣシミュレーション部抽出手順を表すフローチャートである。
ＯＰＣ危険部位を抽出する際、コンピュータ４００は、まずステップ４１０で、ＯＰＣシミュレーション部４１４によってＯＰＣモデル（光近接効果補正を施したマスクパターンの設計データ）をＯＰＣモデルデータベース５０３から読み出す。
【００６５】
ステップ４２０に手順を移し、ＯＰＣシミュレーション部４１４は、読み出したＯＰＣモデル及び使用する露光器や露光条件（事前に設定された値）等を基にして露光後にウェハ上に形成されるパターン形状を光強度シミュレーションする。そして、その結果を基に、光強度を表す等高線（図１３参照）を作成し、予め設定された閾値と比較することによりＯＰＣモデルを用いて露光した場合にウェハ上に転写されるイメージ（パターンの予測形状）の輪郭線を作成する。作成したパターン予測形状は、ＲＡＭ４０３に一時的に記憶される。同時に記憶部４０４に記憶するようにしても良い。
図１３はＯＰＣ危険部位の抽出に利用される光強度を表す等高線を示した図である。
【００６６】
ＯＰＣシミュレーヨン部４１４は、ステップ４３０においてパターン設計データベース５０１からレイアウト設計データ（ＣＡＤデータ）を読み込む。ステップ４４０に手順を移すと、ＯＰＣシミュレーション部４１４は、シミュレーション結果（ステップ４２０で作成したパターン予測形状のデータ）をＲＡＭ４０３から読み込んでパターン予測形状をレイアウト設計データと重ねて比較する。そして、ステップ４５０で、パターンの予測形状がレイアウト設計データと著しく異なっている部位（例えば予測形状と設計データの輪郭線の距離が事前に決められたしきい値以上になる部位）をＯＰＣ危険部位として抽出する。
図１４はある図形においてレイアウト設計データとパターン予測形状を重ねて比較してＯＰＣ危険部位が抽出された様子を例示した図である。
【００６７】
そしてＯＰＣシミュレーション部４１４は、ステップ４６０に手順を移し、抽出されたＯＰＣ危険部位の座標データをＯＰＣ危険部位データベース５０４に伝送して記憶してこの手順を終了する。抽出されたＯＰＣ危険部位を含むパターンの図形データ（一閉図形）をＯＰＣ危険部位データベース５０４に記憶することも考えられる。
【００６８】
６．作用効果
（６−１）クリティカルパスの事前検出による効果
本実施の形態によれば、回路動作上、高い信号伝送精度が要求されるが故にパターンの仕上がりに要求される精度が厳しいクリティカルパスを回路設計データに基づいて抽出し、ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００で検査する検査箇所の決定の過程でクリティカルパスを考慮することにより、付着物もなく一見すると設計データに近い形状に仕上がっているにも関わらず動作異常の原因となるような新たな欠陥の製造プロセスでの早期発見に貢献する。
【００６９】
例えば、微細な集積回路では並行配線間隔のクロストークにより、電磁誘導等の影響を受けて信号品質が低下することがある。また、配線幅（配線抵抗）によって信号遅延、信号品質、動作信頼性等にも影響が出る。こうした動作的要因に起因する欠陥は昨今の高度に微細化された半導体回路では、設計に起因する欠陥なのか、露光器や露光条件等の製造プロセスに起因する欠陥なのかが判別し難く、ＯＰＣシミュレーションでも検出が難しくなりつつある。そして、このことは今後の更なる半導体の高集積化に伴ってより顕著化されるものと予想される。
【００７０】
本実施の形態におけるクリティカルパスを考慮に入れた検査箇所の特定は、半導体プロセスにおける管理ポイントの新たなパラメータとなり、これまでは製造過程では発見されずに製造後の動作テストで初めて検出されていたような欠陥が検出されることも大いに期待される。
【００７１】
（６−２）欠陥の絞込みによる効果
例えば、光学式欠陥検査により検出された検査箇所とＯＰＣシミュレーションにより検出された検査箇所を全てＳＥＭ式レビュー装置の検査箇所とすると、検査箇所が膨大になるのが通常である。近年では半導体の高集積化に伴って光学式欠陥検査での致命的欠陥の検出率が低下傾向にあるため、検出率低下を抑制すべく検出感度を上げればノイズの増大により誤った検査箇所の検出数が著しく増大してしまう。また、光学式欠陥検査で検出された欠陥については、例えばパターンのレイアウト設計データとの比較に基づいて致命度の低い箇所をフィルタリングすることは可能であるが、露光後のパターン形状に依存した検査箇所（致命欠陥）の特定では検査箇所の的確性に課題が残る。
【００７２】
それに対し、本実施の形態では、光学式欠陥検査で抽出された欠陥をＣＡＤフィルタ処理により絞り込んで致命欠陥を抽出し、それらをＯＰＣ危険部位に該当する箇所にさらに絞り込む。これにより特に重要性の高い箇所を重点的に検査することができる。また、それとは別にクリティカルパスでかつＯＰＣ危険部位に該当する図形を併せて検査することにより、漏れの少ない適正な検査をすることができる。
【００７３】
致命欠陥でかつＯＰＣ危険部位に該当する箇所とクリティカルパスでＯＰＣ危険部位に該当する箇所は実際には一部重複する場合もあるので、後者を検査箇所に加えることにより検査箇所が必要以上に増加することはなく、結果として検査必要性の高い必要最小限の検査箇所を抽出することができる。よって、検査箇所を最適化して測定効率を向上させることができる。
【００７４】
７．変形例
本発明の本質的効果は、従来製造過程では発見されずに製造後の動作テストで初めて検出されていたような欠陥をクリティカルパスの抽出により製造段階で検査することにあり、その本質的効果である上記（６−１）を得る限りでは、ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００での検査箇所を決定するに際し、ＯＰＣ危険部位であることや致命欠陥であることとの条件の組み合わせは本実施の形態の態様に限定されるものではない。
【００７５】
クリティカルパスを用いたＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００での検査箇所の特定方法の変形例を次に幾つか例示する。
【００７６】
（７−１）変形例１
まず、単にクリティカルパスをＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００による検査箇所とすることも場合によっては考えられる。この場合、致命欠陥やＯＰＣ危険部位が必ずしも抽出されないが、致命欠陥やＯＰＣ危険部位を考慮に入れた検査とは別にクリティカルパスに重点を置いた検査をするような場合等はこうした方法も特に有用である。
【００７７】
（７−２）変形例２
既述の実施の形態では、クリティカルパスでかつＯＰＣ危険部位に該当する図形に致命欠陥でかつＯＰＣ危険部位に該当する箇所を加えたものを検査箇所としたが、前者だけを検査箇所に採用することも考えられる。つまり、検査目的によっては、クリティカルパスでかつＯＰＣ危険部位に該当する図形をＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００による検査箇所に採用することも有用である。
【００７８】
（７−３）変形例３
また、クリティカルパスでかつＯＰＣ危険部位に該当する図形ではなく、クリティカルパスに該当しかつ致命欠陥を含む図形を検査箇所とすることも考えられる。致命欠陥はＣＡＤフィルタ処理する場合もしない場合も考えられる。このようにすると、簡便ながらパターン形状の致命欠陥部分と動作的危険部位を双方考慮に入れた検査箇所を抽出することができる。クリティカルパスでかつＯＰＣ危険部位でなく、クリティカルパスかＯＰＣ危険部位のいずれかに該当する部位又は図形を検査箇所とすることも考えられる。
【００７９】
（７−４）変形例４
既述の実施の形態では、クリティカルパスでかつＯＰＣ危険部位に該当する図形に致命欠陥でかつＯＰＣ危険部位に該当する箇所を加えたものを検査箇所としたが、クリティカルパスに該当する図形に致命欠陥でかつＯＰＣ危険部位に該当する箇所を加えたものを検査箇所とすることも考えられる。致命欠陥は抽出過程でＣＡＤフィルタ処理をすることも考えられるがＣＡＤフィルタ処理でフィルタリングしない場合も考えられる。
【００８０】
（７−５）変形例５
（７−１）又は（７−３）に致命欠陥でかつＯＰＣ危険部位に該当する箇所を加えたものを検査箇所とすることも考えられる。致命欠陥は抽出過程でＣＡＤフィルタ処理をすることも考えられるがＣＡＤフィルタ処理でフィルタリングしない場合も考えられる。
【００８１】
（７−６）変形例６
クリティカルパスであってＯＰＣ危険部位を有し、さらに致命欠陥にも該当する箇所をＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００による検査箇所に決定する方法も考えられる。この場合が最も検査箇所を減少させることができる。
【００８２】
（７−７）変形例７
（７−１）〜（７−３）のいずれかの検査箇所と、致命欠陥でかつＯＰＣ危険部位に該当する箇所とで選択的にＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００による検査箇所を決定する方法も考えられる。致命欠陥は抽出過程でＣＡＤフィルタ処理をすることも考えられるがＣＡＤフィルタ処理でフィルタリングしない場合も考えられる。
【００８３】
８．その他
致命欠陥・クリティカルパス・ＯＰＣ危険部位等の抽出、抽出した致命欠陥・クリティカルパス・ＯＰＣ危険部位の図形データの抽出は、必ずしもコンピュータ４００で果たさなければならない機能ではない。他の演算装置でこれらの処理をするような構成としても良い。つまり、ＣＡＤフィルタ部４１１・タイミング解析部４１２・クリティカルパス抽出部・ＯＰＣシミュレーション部４１４・欠陥致命度解析部４１５等の一部又は全部をコンピュータ４００とは別の演算装置に設ける構成としても良い。例えば検査装置１００，２００，３００の制御プロセッサでこれらの制御を実行する構成としても良い。
【００８４】
また、以上の各例では、歩留まり履歴データベース５０７の記憶情報の使用例に特に触れていないが、ＳＥＭ式欠陥レビュー装置３００による検査箇所を決定する過程で、歩留まり履歴データベース５０７から同種の半導体パターンの過去の歩留まり履歴を読み込み、歩留まり履歴に記録された過去の不良箇所のパターンと重複する箇所を優先的に検査箇所として抽出するようにしても良い。
【００８５】
さらに、例えば、シミュレーションによるパターンの予測形状とパターンのレイアウト設計データ（ＣＡＤデータ）とを比較してパターンの予測形状とレイアウト設計データの輪郭線の距離がしきい値以上の箇所をＯＰＣ危険部位として抽出する場合を説明したが、このように演算部４１０（ＯＰＣシミュレーション部４１４）による判断でＯＰＣ危険部位を選出する構成の他、パターンの予測形状とレイアウト設計データを重ねて表示させた画面を見ながらオペレータがＯＰＣ危険部位を判断するようにしても良い。光学式欠陥検査で抽出された欠陥をレイアウト設計データと比較して致命欠陥を抽出する場合も同様である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムの全体構成を表した模式図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたＳＥＭ式欠陥検査装置やＳＥＭ式欠陥レビュー装置の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の概略を表すブロック図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたコンピュータ及びサーバの概略構成を表すブロック図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムの全体構成を表す機能ブロック図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたコンピュータの処理手順の概要を表すフローチャートである。
【図６】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたＣＡＤフィルタ部による欠陥ＣＡＤフィルタ処理の具体的手順を表すフローチャートである。
【図７】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたＣＡＤフィルタ部による欠陥ＣＡＤフィルタ処理で用いられる領域データの概念図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたＣＡＤフィルタ部による検出欠陥とパターンとの位置関係の解析を説明するための模式図である。
【図９】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたタイミング解析部及びクリティカルパス抽出部によるクリティカルパス抽出手順を表すフローチャートである。
【図１０】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたクリティカルパス抽出部で抽出されたクリティカルパス（点線参照）を回路図上に示した図である。
【図１１】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたクリティカルパス抽出部で抽出されたクリティカルパスをレイアウト設計データ上に模式的に表した図である。
【図１２】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたＯＰＣシミュレーション部によるＯＰＣシミュレーション部抽出手順を表すフローチャートである。
【図１３】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたＯＰＣシミュレーション部によるＯＰＣ危険部位の抽出に利用される光強度を表す等高線を示した図である。
【図１４】本発明の一実施の形態に係る欠陥検査システムに備えられたＯＰＣシミュレーション部により作成されたパターン予測形状とレイアウト設計データとを重ねて比較してＯＰＣ危険部位が抽出する様子を例示した図である。
【符号の説明】
【００８７】
１００    光学式欠陥検査装置
２００    ＳＥＭ式欠陥検査装置
３００    ＳＥＭ式欠陥レビュー装置
４００    コンピュータ
４１０    演算部
４１１    ＣＡＤフィルタ部
４１２    タイミング解析部
４１３    クリティカルパス抽出部
４１４    ＯＰＣシミュレーション部
４１５    欠陥知名度判定部
４１６    検査レシピ作成部
５００    データベース
５０１    レイアウト設計データベース
５０２    回路設計データベース
５０３    ＯＰＣモデルデータベース
５０４    ＯＰＣ危険部位データベース
５０５    クリティカルパス記憶部
５０６    欠陥画像データベース
５０７    歩留まり履歴データベース
６００    ＬＡＮ
７００    コンピュータ
ａ〜ｃ    欠陥
Ａ〜Ｃ    パターン
【図１】
2008004840.tif 000003
【図２】
2008004840.tif 000004
【図３】
2008004840.tif 000005
【図４】
2008004840.tif 000006
【図５】
2008004840.tif 000007
【図６】
2008004840.tif 000008
【図７】
2008004840.tif 000009
【図８】
2008004840.tif 000010
【図９】
2008004840.tif 000011
【図１０】
2008004840.tif 000012
【図１１】
2008004840.tif 000013
【図１２】
2008004840.tif 000014
【図１３】
2008004840.tif 000015
【図１４】
2008004840.tif 000016