(57)【要約】【課題】製造システムのスループットに影響を与えることのない光エネルギ値に対する暗電流の補償方法を提供する。【解決手段】（ａ）光感応性デバイスの第１のアレイおよび第２のアレイから第１の暗電流値を求め、（ｂ）光エネルギを第１のアレイによって受信し、（ｃ）受信した光エネルギに基づいて第１のアレイの各エレメントごとに光エネルギ値を求め、（ｄ）光エネルギに不感の第２のアレイから前記ステップ（ｃ）とほぼ同時に第２の暗電流値を求め、（ｅ）光エネルギ値を第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整する。【選択図】図４
2008154234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）光感応性デバイスの第１のアレイおよび第２のアレイから第１の暗電流値を求め、
（ｂ）光エネルギを第１のアレイによって受信し、
（ｃ）受信した光エネルギに基づいて第１のアレイの各エレメントごとに光エネルギ値を求め、
（ｄ）光エネルギに不感の第２のアレイから前記ステップ（ｃ）とほぼ同時に第２の暗電流値を求め、
（ｅ）光エネルギ値を第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整する
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
第１のアレイおよび第２のアレイをＣＣＤとして形成する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
第２のアレイを第１のアレイの周縁に沿って形成する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
光エネルギ値に基づいて光エネルギを形成する波面収差を求める、請求項１記載の方法。
【請求項５】
調整された光エネルギ値に基づいて制御信号を形成し、これを収差の補正に用いる、請求項４記載の方法。
【請求項６】
第１のアレイおよび第２のアレイをリソグラフィ装置内のステージへ結合する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
第１のアレイおよび第２のアレイをウェハステージへ結合する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ステップ（ｅ）を用いて前記ステップ（ｃ）中に低光量レベルを補償する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
２次元アレイを第１のアレイとして形成する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
１次元アレイを第２のアレイとして形成する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
フルフレームアーキテクチャ技術を用いて前記ステップ（ａ）、ステップ（ｃ）、ステップ（ｄ）のうち少なくとも１つを実行する、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
インタラインアーキテクチャ技術を用いて前記ステップ（ａ）、ステップ（ｃ）、ステップ（ｄ）のうち少なくとも１つを実行する、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
フレームトランスファアーキテクチャ技術を用いて前記ステップ（ａ）、ステップ（ｃ）、ステップ（ｄ）のうち少なくとも１つを実行する、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）ＣＣＤの第１の部分および第２の部分から第１の暗電流値を求め、
（ｂ）受信した光エネルギに相関して第１の部分から光エネルギ値を求め、
（ｃ）光エネルギに不感の第２の部分から前記ステップ（ｂ）とほぼ同時に第２の暗電流値を求め、
（ｄ）光エネルギ値を第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整する
ことを特徴とするＣＣＤでの暗電流の補償方法。
【請求項１５】
ウェハステージを有するリソグラフィ装置の波面収差を補正する方法において、
ウェハステージ上に配置された第１のアレイおよび第２のアレイを有するＣＣＤをスキャニングし、
ＣＣＤの第１のアレイおよび第２のアレイから第１の暗電流値を求め、
ＣＣＤの第１のアレイで受信された波面収差を有する光から光エネルギ値を形成し、
ＣＣＤの第２のアレイから第２の暗電流値を求め、
第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として光エネルギ値を調整し、
調整された光エネルギ値に基づいて制御信号を形成し、これによりリソグラフィ装置の光デバイスを制御し、波面収差を補償する
ことを特徴とするリソグラフィ装置の波面収差を補正する方法。
【請求項１６】
第２のアレイは光に不感である、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
光エネルギ値が形成されるのとほぼ同時に第２の暗電流値を求める、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
ＣＣＤのスキャニング中に光エネルギ値を形成するステップを実行する、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
光エネルギ値を形成するステップおよび暗電流値を求めるステップのうち少なくとも１つを実行する際にフルフレームアーキテクチャ技術、インタラインアーキテクチャ技術またはフレームトランスファアーキテクチャ技術を用いる、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
光エネルギ値に基づいてＺｅｒｎｉｋｅ多項式を形成し、該Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式に基づいて制御信号を形成する、請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
前記ステップ（ｃ）が実行されるたびに前記ステップ（ｄ）を実行する、請求項１記載の方法。
【請求項２２】
前記ステップ（ｂ）が実行されるたびに前記ステップ（ｃ）を実行する、請求項１４記載の方法。
【請求項２３】
光エネルギ値を求めるたびに第２の暗電流値を求める、請求項１５記載の方法。
【請求項２４】
デバイスの第１のアレイおよび第２のアレイを用いて第１の暗電流値を求める手段と、
デバイスの第１のアレイによって光エネルギを受信する手段と、
受信した光エネルギに基づいて各デバイスごとの光エネルギ値を求める手段と、
光エネルギ値を求めるのとほぼ同時に光エネルギに不感の第２のアレイから第２の暗電流値を求める手段と、
光エネルギ値を第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整する手段とを有する
ことを特徴とするシステム。
【請求項２５】
ウェハステージを有するリソグラフィ装置の波面収差の補正システムにおいて、
ウェハステージ上に配置された第１のアレイおよび第２のアレイを有するＣＣＤと、
第１のアレイおよび第２のアレイから第１の暗電流値を求める手段と、
第１のアレイで受信された波面収差を有する光から光エネルギ値を形成する手段と、
第２のアレイから第２の暗電流値を求める手段と、
光エネルギ値を第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整する手段と、
調整された光エネルギ値に基づいて制御信号を形成し、これにより光デバイスを制御して波面収差を補償する手段とを有する
ことを特徴とするリソグラフィ装置の波面収差の補正システム。
【請求項２６】
光エネルギ値を調整するステップにおいて第１の暗電流値と第２の暗電流値とのあいだのパーセンテージ変化分を求める、請求項１記載の方法。
【請求項２７】
光エネルギ値を調整するステップにおいて第１の暗電流値と第２の暗電流値とのあいだのパーセンテージ変化分を求める、請求項１４記載の方法。
【請求項２８】
光エネルギ値を調整するステップにおいて第１の暗電流値と第２の暗電流値とのあいだのパーセンテージ変化分を求める、請求項１５記載の方法。
【請求項２９】
第１のアレイおよび第２のアレイをＣＭＯＳ半導体デバイスから形成する、請求項１記載の方法。
【請求項３０】
（ａ）デバイスの第１の部分および第２の部分から第１の暗電流値を求め、
（ｂ）受信した光エネルギに相関してデバイスの第１の部分から光エネルギ値を求め、
（ｃ）光エネルギに不感のデバイスの第２の部分から前記ステップ（ｂ）とほぼ同時に第２の暗電流値を求め、
（ｄ）光エネルギ値を第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整する
ことを特徴とするＣＭＯＳ半導体デバイスでの暗電流の補償方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセンサのデバイスによって形成される光エネルギ値を暗電流に対して調整する方法およびシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（チャージドカプルドデバイス）センサおよびＣＭＯＳ（コンプリメンタリメタルオキサイドセミコンダクタ）センサは種々のタイプの光システムにおいて多数の波長範囲にわたる光を検出するのに用いられる。センサはデバイスアレイ（ピクセルとも称される）を含む半導体であり、デバイスアレイは入射光の光エネルギを吸収し、これを電子へ変換してキャパシタへ蓄積する。センサは各ピクセルに入射した光エネルギに比例する光エネルギ値（例えば電子）を形成する。ただしここでセンサピクセルは暗電流をも形成する。暗電流はサーマル効果やリーク効果で発生した電子の存在に起因する望ましくないセンサ信号（例えばノイズ）に関連する。暗電流は温度依存性であり、センサの動作温度を低下させることにより低減することができる。また暗電流が存在するときはこれを個々のホットピクセルにローカライズすることができる。所定の温度での暗電流の値はアレイの各ピクセルごとにプロセスバリエーションに依存して異なる。暗電流は、その名が示唆しているように出力信号のブラックレベルを引き上げ、望ましくない成分を加算する。その純粋な効果は望ましくない成分を所望の信号に加えることであり、正確かつ最適な光画像値を形成するためにはこの効果を補償しなければならない。
【０００３】
典型的には３つのタイプのＣＣＤ技術が存在する。すなわちフルフレーム、フレームトランスファ、インタラインの３つである。これらのアーキテクチャの基本的な説明はCCD Primer MTD/PS-0218 Charged Coupled Device(CCD) Image Sensors, Eastman Kodak Company-Image Sensor Solutions, Revision No.1, May 29 2001に記載されている。
【０００４】
受信した光エネルギを正確に測定するために、光エネルギ値に対して暗電流の調整を行わなければならない。従来はキャリブレーションフレームを用いて入射光が受信される前にセンサ全体にわたってこの調整を行っていた。キャリブレーションフレームは後に入射光に基づいて形成された相応の光エネルギ値から減算される。しかし暗電流によって形成された電子の数は露出時間に比例し、温度に影響される。したがって光エネルギ値に対する暗電流のキャリブレーションは測定フレームの時間と同じ時間で行われなければならない。測定フレームでの光エネルギ値のセンシングとキャリブレーションフレームでの光エネルギ値のセンシングとのあいだの温度変動は所望の調整に悪影響を与える。このときセンサはキャリブレーションフレームの温度に等しい所定の温度に保持されなければならない。そうでないとキャリブレーションフレームを用いても正確に暗電流を補償することができない。
【０００５】
この現象は特にきわめて低い光エネルギレベルの測定に用いられるシステムにとって重大である。こうしたシステムは長い露出時間を必要とするので、暗電流によって発生した電子が累積されてしまう。
【０００６】
典型的には暗電流の補償を確実に行うためにキャリブレーションフレームを採用することが多い。ただしこれにより動作全体に対して露出時間に相当する時間が加算される。例えば周期的にリソグラフィ装置を停止してキャリブレーションフレームを用いれば時間および生産性の点でコストがかさみ、スループットが低下してしまう。このことは低いエネルギレベルでの光測定に用いられるシステム全てに当てはまる。
【非特許文献１】CCD Primer MTD/PS-0218 Charged Coupled Device(CCD) Image Sensors, Eastman Kodak Company-Image Sensor Solutions, Revision No.1, May 29 2001
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって本発明の課題は、製造システムのスループットに影響を与えることのない光エネルギ値に対する暗電流の補償方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この課題は、（ａ）光感応性デバイスの第１のアレイおよび第２のアレイから第１の暗電流値を求め、（ｂ）光エネルギを第１のアレイによって受信し、（ｃ）受信した光エネルギに基づいて第１のアレイの各エレメントごとに光エネルギ値を求め、（ｄ）光エネルギに不感の第２のアレイから前記ステップ（ｃ）とほぼ同時に第２の暗電流値を求め、（ｅ）光エネルギ値を第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整することにより解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の第１の実施形態は暗電流値の補償方法および補償システムを提供する。ここでは（ａ）光感応性デバイスの第１のアレイおよび第２のアレイから第１の暗電流値を求め、（ｂ）光エネルギを第１のアレイによって受信し、（ｃ）受信した光エネルギに基づいて第１のアレイの各エレメントごとに光エネルギ値を求め、（ｄ）光エネルギに不感の第２のアレイから前記ステップ（ｃ）とほぼ同時に第２の暗電流値を求め、（ｅ）光エネルギ値を第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整する。
【００１０】
本発明の第２の実施形態はＣＣＤまたはＣＭＯＳ半導体デバイスでの暗電流の補償方法および補償システムを提供する。ここでは（ａ）デバイスの第１の部分および第２の部分から第１の暗電流値を求め、（ｂ）受信した光エネルギに基づいて第１の部分の各エレメントごとに光エネルギ値を求め、（ｃ）光エネルギに不感の第２の部分から前記ステップ（ｂ）とほぼ同時に第２の暗電流値を求め、（ｄ）光エネルギ値を第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整する。
【００１１】
さらに本発明の第３の実施形態はリソグラフィ装置の波面収差の補正方法および補正システムを提供する。シアリング干渉計は光源をレチクルに置換し、ウェハステージ上に適切な回折格子を有するＣＣＤを備えた状態でリソグラフィ装置にインストールされることがある。ここで本発明の方法では、第１のアレイおよび第２のアレイを有するデバイスをスキャニングし、デバイスの第１のアレイおよび第２のアレイから第１の暗電流値を求め、第１のアレイで受信された波面収差を有する光から光エネルギ値を形成し、第２のアレイから第２の暗電流値を求め、第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として光エネルギ値を調整し、調整された光エネルギ値に基づいて制御信号を形成し、これによりリソグラフィ装置の光デバイスを制御し、波面収差を補償する。
【００１２】
本発明の他の実施形態、特徴、利点、種々の実施形態の構造および動作を以下に添付図を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】
ここに組み込まれた添付図は本発明を図示するものである。これらの図は以下の説明とともに本発明のコンセプトの理解を助け、当該技術分野の技術者が本発明を利用できるようにするものである。
【００１４】
本発明を以下に添付図を参照しながら詳細に説明する。図中、同じ素子または同様の機能を有する素子には同じ参照番号を付してある。なお参照番号の最左方の桁は当該のエレメントの初出の図番号を表している。
【００１５】
概観
本発明の実施例はセンサ（例えばＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサ）における暗電流の補償手段を提供する。センサのデバイスまたはピクセルの第１のアレイは入射光を受信し、そこから光エネルギ値を形成する。センサのピクセルの第２のアレイは光エネルギ値が形成されるのとほぼ同時に暗電流を求めるために用いられる。デバイスの第２のアレイは入射光に不感である。暗電流は光エネルギ値から減算され、暗電流を考慮して調整された光エネルギ値が形成される。
【００１６】
ある種の製造システム、例えばリソグラフィ装置では、このように調整された光エネルギ値が用いられて制御信号が形成される。制御信号は入射光の波面収差を補正するために用いられる。例えば調整された光エネルギ値からＺｅｒｎｉｋｅ多項式が形成され、これにより制御信号が形成される。この制御信号がデフォーマブル光学素子（例えばデフォーマブルミラー）の制御に用いられ、収差補正のために光が変更される。
【００１７】
上述の本発明のシステムおよび方法は学術用、消費者用または商業用の種々のグレードのカメラに適用することができる。例えば夜間監視カメラや科学機器用カメラはもちろん、宇宙望遠鏡などの宇宙分野などにも適用することができる。これは本発明のシステムおよび方法の特徴が低光量レベル環境での暗視野補償にあるためである。また本発明のシステムおよび方法はセンサを利用する他のさまざまな分野にも応用可能である。
【００１８】
これから特定のコンフィグレーションおよび配置構成について述べるが、これは単に説明のための例であることを理解されたい。当該技術分野の技術者であれば本発明の範囲内で他のコンフィグレーションおよび配置構成も可能であることが理解できるはずである。当該技術分野の技術者にとっては本発明のシステムおよび方法をさまざまな分野に応用可能である。
【００１９】
ＣＣＤアーキテクチャ
図１には本発明の実施例の第１のシステム１００が示されている。システム１００はフルフレームアーキテクチャ技術を用いたＣＣＤである。ピクセル１０２に入射した光からイメージアレイ１０４（例えばフレーム）へ収集された光エネルギは、ピクセルによる光エネルギ値（例えば電子、アナログ信号、イメージ情報、シーン情報など）の形成に用いられる。光エネルギ値は入射光の特性を基礎としており、パラメータ（例えば積算時間）は例えば、特定の時間範囲においてどれだけの光が受信されたかに相関してピクセル１０２で形成された電荷量に関連している。
【００２０】
システム１００は前述の情報を例えばピクセル１０２ごとに離散的な要素へ量子化する。量子化情報の相応の行は並列にクロック１０６によるタイミング制御のもとでパラレルレジスタ１０８により矢印Ａの方向のシリアルレジスタ１１０へシフトされる。そののち当該の情報は矢印Ｂの方向へシリアルに、クロック１１２によるタイミング制御のもとでシリアルレジスタ１１０を介して増幅器１１４へシフトされる。増幅器１１４は情報信号が処理装置１１６へ伝送される前に増幅し、処理装置は情報信号を処理する。この動作は全ての行がイメージアレイから移し替えられるまで反復される。処理された情報信号はイメージ形成または他の目的での情報信号の評価に用いられる。例えばここから波面収差が求められたり、システム１００の特性が求められたりする。
【００２１】
パラレルレジスタ１０８およびシリアルレジスタ１１０は個別のクロックを備えた個別のデバイスとして示されているが、これらは共通のクロックを備えた周知の形式の１つのデバイスであってもよい。他の代替的なコンフィグレーションも本発明の範囲内で可能である。
【００２２】
またＣＣＤを用いた光学センサ技術は種々の目的で用いられるので、これらも本発明の範囲内で種々に選択可能である。上述の動作は当該の技術分野では“読み出し（readout）”と称されることもある。
【００２３】
１つの実施例では、イメージアレイ１０４のセクション１１８は入射光に不感である。セクション１１８は所定の時間範囲にわたって暗電流値をサンプリングする（例えば第２の暗電流を求める）ために用いられる。このことについては後に詳述する。セクション１１８の不感性はブロッキング、シールディング、フィルタリングや不感ピクセルを用いることなどによって得られる。セクション１１８を暗電流のサンプリングに用いたのち、外挿を行い、イメージアレイ１０４の全ピクセル１０２に対する所定の時間範囲での暗電流補正係数を形成する。セクション１１８は図示されているような周辺コラムばかりでなく、イメージアレイ１０４のどこに存在してもよい。
【００２４】
図２には本発明の実施例の第２のシステム２００が示されている。システム２００はフレームトランスファアーキテクチャ技術を用いたＣＣＤである。第１のシステム１００と第２のシステム２００との主たる相違点は、後者にクロック２３２によってタイミング制御されるストレージアレイ２３０、例えばパラレルレジスタが付加されていることである。ストレージアレイ２３０はイメージアレイ１０４内のピクセル１０２と同数のストレージデバイス２０６を有する。動作中、情報はきわめて迅速にイメージアレイ１０４からストレージアレイ２３０へシフトされる。そののちパラレルレジスタ１０８は情報の行をシリアルレジスタ１１０および増幅器１１４を介して処理装置１１６へ移す。こうした配置構成は連続動作またはシャッタレス／ストローブレス動作に適しており、これによりフレームトランスファレートが増大する。ただし２つのアレイが必要となるので、フルフレームアーキテクチャ技術に比べると全システムに関して多少コスト高となる。
【００２５】
図３には本発明の実施例の第３のシステム３００が示されている。システム３００はインタラインアーキテクチャ技術を用いたＣＣＤである。第１のシステム１００と第３のシステム３００との主たる相違点は、後者のイメージアレイ３０４が相応のピクセル１０２に隣接してストレージエレメント３４０（例えば遮光ピクセルまたは不感ピクセル）を備えたストレージアレイを含むということである。これにより光検出機能と読み出し機能とが分離される。ピクセル１０２で収集された全ての信号がほぼ同時にピクセル３４０へ転送される。システム２００と同様に読み出し中ピクセル１０２は次フレームの情報を取得するので、連続動作と高いフレームレートとが達成される。
【００２６】
暗電流の補償方法
図４には本発明の方法の第１の実施例４００のフローチャートが示されている。本発明の方法は処理装置１１６またはシステム１００，２００，３００に対してリモートで実行される。ステップ４０２で第１の暗電流値がデバイスの第１のアレイおよび第２のアレイを用いて求められる。ステップ４０４で光エネルギがデバイスの第１のアレイで受信される。ステップ４０６で第１のアレイごとに受信した光エネルギに基づいて光エネルギ値が求められる。ステップ４０８で光エネルギ値が求められるのとほぼ同時に第２のアレイから第２の暗電流値が求められる。ステップ４１０で光エネルギ値が第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整される（例えば補償される）。
【００２７】
図５には本発明の方法の第２の実施例５００のフローチャートが示されている。ステップ５０２で第１の暗電流値がＣＣＤの第１の部分および第２の部分を用いて求められる。ステップ５０４で受信した光エネルギ値に相関してＣＣＤの第１の部分から光エネルギ値が形成される。ステップ５０６で光エネルギ値が求められるのとほぼ同時に第２のアレイから第２の暗電流値が求められる。ステップ５０８で光エネルギ値が第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整される。
【００２８】
第１の暗電流値は第１のアレイおよび第２のアレイにわたる暗電流の空間分布に相関している。第２の暗電流値はリーク量、温度または他の要素に基づく所定の時間での暗電流の変化分を基礎としている。第２の暗電流値はデバイスの第１のアレイおよび第２のアレイに対する所定の時間での暗電流のパーセンテージ変化分を表すために用いられる。調整ステップではデバイスの第２のアレイでサンプリングされた暗電流が外挿され、第１のアレイに対する暗電流として用いられる。これは暗電流が温度上昇１℃ごとに所定のパーセンテージだけ変化するので、不感ピクセル（例えば第２のアレイ）を用いてパーセンテージを求めるための情報を得られるからである。このパーセンテージは第１のアレイのパーセンテージ変化分に相関するものとして用いられる。
【００２９】
別の実施例では、付加的なフルフレームでの暗電流測定が行われ、他の２次効果が考慮に入れられる。こうした時に応じた非周期的なフルフレームキャリブレーションはスループットをほとんど低下させない。
【００３０】
リソグラフィ装置の実施例
図６には本発明の実施例の第４のシステム６００が示されている。例えばシステム６００はリソグラフィ装置である。光源６５０からの光は照明光学系６５２を介してビームスプリッタ６５４へ送信され、光学系６５６を介してステージ６６０上のレチクル６５８（例えばこの分野の光源専用に設計されたレチクル）で反射される。レチクル６５８で反射された光は光学系６５６、ビームスプリッタ６５４および投影光学系６６２を介してステージ６６８上にウェハ６６４をパターニングする。ステージ６６８がウェハ６６４をスキャンするにつれて、ステージ６６８に結合されたシステム１００，２００，３００のイメージアレイ１０４，３０４はウェハ６６４の代わりに光を受信する。システム１００，２００，３００は図ではステージ６６８の左側に結合されているが、本発明の範囲内で種々の位置またはステージ６６８の近傍に結合することもできる。また図示されているものだけではなく、回折格子その他のデバイスをシアリング干渉計に関連してシステム１００，２００，３００の前面に配置してもよい。
【００３１】
光の波面が例えば干渉測定によってイメージングされ、測定されおよび／または処理されると、処理装置１１６を用いてその特性が求められる。この処理から波面収差またはイメージング技術で知られている他の特性が求められる。これに基づいてＺｅｒｎｉｋｅ多項式が形成され、これにより照明光学系６５２または投影光学系６６２内の図示しないデフォーマブル光学素子（例えばデフォーマブルミラーを）制御するための制御信号が形成される。波面収差は実際にはデフォーマブル光学素子の制御を介してほぼ補償される。
【００３２】
暗電流測定を上述のリソグラフィ装置で行うためにはパターニングレチクルと専用レチクル３５８とを置換してスループットをいったん中断する必要がある。その後システム１００，２００，３００はデータを取得するために１回以上スキャニングされる。Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式はこれらのデータから抽出される。上述のように、シアリング干渉計を用いる場合にはシステム１００，２００，３００のＣＣＤは隣接して回折格子を有する。
【００３３】
図７には本発明の方法の第３の実施例７００のフローチャートが示されている。本発明の方法は処理装置１１６またはシステム６００からリモートで実行される。ステップ７０２で第１のアレイおよび第２のアレイを有するＣＣＤがウェハステージへ入射する１つの光路へ結合される。ステップ７０４で第１の暗電流値がデバイスの第１のアレイおよび第２のアレイを用いて求められる。ステップ７０６で第１のアレイで受信された波面収差を有する光から光エネルギ値が形成される。ステップ７０８で第２のアレイから第２の暗電流値が求められる。ステップ７１０で光エネルギ値が第１の暗電流値および第２の暗電流値の関数として調整される。ステップ７１２では、例えばソフトウェアルゴリズムを介して、調整された光エネルギ値に基づいて制御信号が形成される。この制御信号はリソグラフィ装置６００の光学装置の制御に用いられ、波面収差が補償される。
【００３４】
上述したように、他の実施例として低光量環境で補償の必要な消費者用または商業用のスチールカメラまたはビデオカメラに本発明を適用することもできる。上述のようにＣＣＤにおける暗電流を補償する全ての分野に本発明を適用可能である。
【００３５】
ＣＭＯＳセンサ
図８には本発明の実施例のセンサ８００、特にＣＭＯＳセンサの一部が示されている。ＣＭＯＳセンサ８００は増幅器８０４に結合された光感応性領域８０２を有している。コントローラ８０６は制御線路を介して増幅器８０４を制御する。光感応性領域８０２に入射した光は増幅器８０４で増幅され、プロセッサ８０８へ送信される。プロセッサ８０８は増幅器８０４からの信号を前述のＣＣＤセンサの場合と同様に処理する。
【００３６】
ＣＭＯＳセンサ８００はＣＭＯＳアーキテクチャの例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。当該技術分野の技術者は他の周知のＣＭＯＳアーキテクチャまたは将来のＣＭＯＳアーキテクチャを本発明の範囲内で使用可能である。各ＣＭＯＳセンサは上述のように光に不感の第２の領域を有するように構成されている。
【００３７】
ＣＭＯＳセンサ８００を含むチップはこのセンサに隣接して他の回路も含んでいる。これにより付加的なオンチップフィーチャを簡単に低コストで実現することができる。通常はＣＭＯＳセンサ８００を含むカメラが構成されるが、これはＣＣＤセンサを含むカメラよりも小さくすることができ、またパワーも低減することができる。ＣＭＯＳセンサの他の特徴はスチール画像と動画像とを動作中に停止なしで切り換えられることである。ただしＣＭＯＳセンサは屋外環境に比べて低光量環境では効果が低下する。
【００３８】
しかし上述の暗電流の補償手段を用いるとこれを克服することができる。さらに上述の暗電流の補償手段はそれぞれのイメージの撮影時間中に行うことができる。例えば光感応性領域８０２の一部を上述のような不感領域に変更するのみで暗電流値を撮影時間内に求めることができる。
【００３９】
むすび
本発明を特定のコンフィグレーションおよび配置構成について説明したが、これは例示にすぎず、本発明を限定するものではないことを理解されたい。当該技術分野の技術者であれば本発明の範囲内で個々の点に種々の変更または修正が可能であることは明らかなはずである。すなわち本発明の範囲は上述の実施例によってではなく、特許請求の範囲およびこれと等価の事項によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明のフルフレームアーキテクチャのＣＣＤを示す図である。
【図２】本発明のフレームトランスファアーキテクチャのＣＣＤを示す図である。
【図３】本発明のインタラインアーキテクチャのＣＣＤを示す図である。
【図４】本発明の第１の実施例を表すフローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施例を表すフローチャートである。
【図６】本発明のリソグラフィ装置を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施例を表すフローチャートである。
【図８】本発明のＣＭＯＳセンサの一部を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
６００ リソグラフィ装置
６５０ 光源
６５２ 照明光学系
６５４ ビームスプリッタ
６５６ 光学系
６５８ レチクル
６６０，６６８ ステージ
６６２ 投影光学系
６６４ ウェハ
１０４，３０４ イメージアレイ
１１６ 処理装置
１００，２００，３００ システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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