(57)【要約】【課題】アライメントマークの突出距離が少なくても、近傍の異物をアライメントマークと誤認識し難い配線基板を提供する。【解決手段】絶縁性基材の表面に形成された導体配線３と、導体配線の長手方向を横切って導体配線の両側に亘り形成された突起電極４と、導体配線における突起電極が形成された部分と同一の方向に延在させて形成された金属パターン５と、金属パターンの長手方向を横切って金属パターンの両側の絶縁性基材上の領域に亘り形成されたアライメントマーク６と、アライメントマークから所定の距離を隔てた位置に、金属パターンの長手方向を横切る方向に突出する形状に金属パターンを延在させて形成された誤認識検出パターン７とを具備する。アライメントマーク５近傍の異物を誤って認識した際に、認識画像９中に誤認識検出パターン７が入り認識装置の基準パターン１０とのマッチング率が低下し、異物による誤認識を回避できる。【選択図】図５
2008283130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の表面に形成された導体配線と、
前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁性基材上の領域に亘り形成された突起電極と、
前記導体配線における前記突起電極が形成された部分と同一の方向に延在させて前記絶縁性基材の表面に形成された金属パターンと、
前記金属パターンの長手方向を横切って前記金属パターンの両側の前記絶縁性基材上の領域に亘り形成されたアライメントマークと、
前記アライメントマークから所定の距離を隔てた位置に、前記金属パターンの長手方向を横切る方向に突出する形状に前記金属パターンを延在させて形成された誤認識検出パターンとを具備する配線基板。
【請求項２】
前記誤認識検出パターンは、前記金属パターンに沿った方向に設計中心位置から最大公差分離れた位置に形成された前記アライメントマークを認識装置が認識する際の認識エリアの外側で、かつ前記認識装置がアライメントマークを探すサーチエリアの範囲内に形成されている請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記誤認識検出パターンが前記金属パターンの長手方向を横切る方向に突出する距離は、前記アライメントマークが前記金属パターンから前記絶縁性基材上の領域に突出する距離よりも長い請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記誤認識検出パターンは、前記金属パターンから分岐する箇所において前記金属パターンから分離し独立して形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板と、前記配線基板上に搭載された半導体チップとを備え、前記半導体チップの電極パッドと前記配線基板に形成された突起電極とが電気的に接続された半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板を製造する方法であって、
前記導体配線と、前記誤認識検出パターンを有する前記金属パターンとが表面に形成された絶縁性基材を準備する工程と、
前記絶縁性基材の表面に感光性レジストを形成する工程と、
単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィー法により、前記感光性レジストに、前記導体配線を露出させる第１のレジスト開口部と前記金属パターンを露出させる第２のレジスト開口部とを設ける工程と、
前記第１のレジスト開口部に露出した前記導体配線に電解めっきにより前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁性基材の領域に亘り突起電極を形成すると同時に、前記第２のレジスト開口部に露出した前記金属パターンに電解めっきにより前記金属パターンの長手方向を横切って前記金属パターンの両側の前記絶縁性基材の領域に亘りアライメントマークを形成する工程とを備えた配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板を用い、
前記金属パターンに沿った方向に設計中心位置から最大公差分離れた位置に形成された前記アライメントマークを認識装置が認識する際の認識エリアに対して、前記誤認識検出パターンがその範囲外となるように、前記認識エリアを設定するとともに、前記認識装置が前記アライメントマークを探すサーチエリアを、前記誤認識検出パターンがその範囲内となるように設定して、前記配線基板上に形成された前記アライメントマークを認識し、
認識された前記アライメントマークの位置を基準として前記半導体チップを前記配線基板上に位置決めして搭載し、
前記半導体チップの電極パッドと前記配線基板に形成された突起電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、突起電極を形成した配線基板とその製造方法、ならびにその配線基板を用いた半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
突起電極を有する配線基板を用い、配線基板上に半導体素子をフェイスダウン実装し、配線基板の突起電極と、その突起電極に相対する半導体素子上の電極パッドとを接合する半導体装置の製造方法が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
以下、従来例の突起電極を有する配線基板について、図面を参照しながら説明する。図１１、図１２は各々、従来の配線基板２１を示す平面図、斜視図である。
【０００４】
図１１、図１２において、２２は絶縁性基材、２３は絶縁性基材２２の表面に形成された導体配線である。導体配線２３の先端部上には突起電極２４が形成されている。２５はアライメントマーク、２６は金属パターンである。金属パターン２６は、導体配線２３と同一の材料を延在させて形成され、アライメントマーク２５の周囲にアライメントマーク２５の背景を構成している。アライメントマーク２５と金属パターン２６とを別の金属で構成することで、アライメントマーク２５のコントラストを強調することができる。
【０００５】
従来の配線基板２１の製造方法においては、単一のフォトマスクを用い突起電極２４とアライメントマーク２５に相対する位置にレジストパターンの開口部を形成した後、電解メッキ法を用いて突起電極２４とアライメントマーク２５を同時に形成する。このため、突起電極２４とアライメントマーク２５との相対位置は、前記単一のフォトマスク中のパターニング精度で決定され、フォトマスクの位置合わせ精度には依存しないことから、その誤差は極めて少ない。
【特許文献１】特開２００２−１１１１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら上記従来の配線基板では、アライメントマーク２５と金属パターン２６を同一の金属で被覆した場合には、両者間で十分なコントラストを得ることができない。
【０００７】
例えば一般的なＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）等の配線基板では、突起電極２４を半導体素子との接続のためＡｕやＳｎでめっきする。そのため、上記従来の配線基板では、アライメントマーク２５と金属パターン２６も同時にめっき被覆されてしまい、金属パターン２６に対しアライメントマーク２５が十分なコントラストを得ることができない。
【０００８】
この対策として、図１３に示すように、金属パターン２６の長手方向を横切って電解めっき法を用いて金属パターン２６から突出する形状を形成し、アライメントマーク２５として利用することができる。
【０００９】
図１４（ａ）は、上記従来の配線基板の要部平面図、（ｂ）はアライメントマーク２５を認識装置が認識する際の認識画像および基準パターンを示す平面図である。
【００１０】
図１４（ａ）には、アライメントマーク２５を認識装置が認識する際の認識エリア２８が示される。（ｂ）には、認識エリア２８の認識画像２９と、認識装置にあらかじめ登録されている基準パターン３０が示される。認識装置はサーチエリア（図示せず）の範囲内で認識エリア２８を順次移動し、認識画像２９と基準パターン３０とのパターンマッチングを行い、マッチング率が判定閾値を超えた場合に、認識画像２９が正規のアライメントマークを示す画像であると判断し、アライメントマーク２５の位置を検出する。
【００１１】
アライメントマーク２５は突起電極２４と同時に電解めっき法で形成するため、金属パターン２６からのアライメントマーク２５が突出する距離ｄと、導体配線２３からの突起電極２４が突出する距離ｄは同一となる。突出距離ｄは、突起電極２４が相対して接続される半導体素子電極のピッチで制限される。たとえば半導体素子電極のピッチが４０μｍ、導体配線２３の幅を１５μｍに形成する場合、突起電極２４の突出距離ｄは、隣接する突起電極２４との絶縁距離を１０μｍ確保するためには、例えば７．５μｍ程度に制限される。
【００１２】
しかしながら金属パターン２６からのアライメントマーク２５の突出距離ｄが７．５μｍ程度であると、図１５に示す様にアライメントマーク２５の近傍の異物３１や配線基板の傷等を、アライメントマーク２５の突出パターンと誤認識しやすいという課題があった。
【００１３】
図１５は、アライメントマーク２５の近傍に付着した異物３１による誤認識の発生原理を示す。異物３１部分の認識パターン２９と比較用パターン３０とのパターンマッチングを行うと、比較的マッチング率が高くなるため、異物３１部分の認識パターン２９を正規のアライメントマーク２５と誤認識する。
【００１４】
認識パターン２９の誤認識を避けるためには、パターンマッチング率の判定閾値を高くすれば良いが、判定閾値を高くするとパターンの微細な欠けや突起を過剰に検出することで、正規のアライメントマーク２５も正常に認識できなくなる。
【００１５】
また、異物や配線基板の傷あるいはパターンの微細な欠けや突起に対して十分区別できるように、アライメントマークの突出距離ｄを大きくすれば、パターンマッチング率の判定閾値を高くすることでアライメントマークのみを認識することができるが、突出距離ｄは前述のように、半導体素子電極のピッチで制限され、大きくすることができない。
【００１６】
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、アライメントマークの突出距離ｄが少ない場合でも、アライメントマーク近傍の異物や傷をアライメントマークと誤認識し難い配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の配線基板は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材の表面に形成された導体配線と、前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁性基材上の領域に亘り形成された突起電極と、前記導体配線における前記突起電極が形成された部分と同一の方向に延在させて前記絶縁性基材の表面に形成された金属パターンと、前記金属パターンの長手方向を横切って前記金属パターンの両側の前記絶縁性基材上の領域に亘り形成されたアライメントマークと、前記アライメントマークから所定の距離を隔てた位置に、前記金属パターンの長手方向を横切る方向に突出する形状に前記金属パターンを延在させて形成された誤認識検出パターンとを具備する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の配線基板によれば、アライメントマークから所定の距離を隔てた位置で、金属パターンの長手方向を横切る方向に突出する形状に金属パターンを延在させて誤認識検出パターンが形成されていることにより、アライメントマークが金属パターンから突出する距離が少くても、誤認識を回避することが可能となる。
【００１９】
すなわち、アライメントマークの認識装置が、アライメントマークから所定距離以上外側にある配線基板上の異物やキズ等の形状をアライメントマークの形状と誤って認識する可能性がある場合であっても、認識装置の認識視野に誤認識検出パターンが入ることで認識装置の基準パターンとのマッチング率が低下し、誤認識を回避することが容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の配線基板は、上記構成を基本として、以下のような種々の形態をとることができる。
【００２１】
すなわち、前記誤認識検出パターンは、前記金属パターンに沿った方向に設計中心位置から最大公差分離れた位置に形成された前記アライメントマークを認識装置が認識する際の認識エリアの外側で、かつ前記認識装置がアライメントマークを探すサーチエリアの範囲内に形成されていることが好ましい。それにより、アライメントマークの認識装置が、アライメントマークの形成公差より外側にある配線基板上の異物やキズ等の形状をアライメントマークの形状と誤認識する可能性が低減され、実用上極めて有効である。
【００２２】
また、前記誤認識検出パターンが前記金属パターンの長手方向を横切る方向に突出する距離は、前記アライメントマークが前記金属パターンから前記絶縁性基材上の領域に突出する距離よりも長いことが好ましい。
【００２３】
また、前記誤認識検出パターンは、前記金属パターンから分岐する箇所において前記金属パターンから分離し独立して形成されている構成とすることができる。
【００２４】
本発明の半導体装置は、上記いずれかの構成の配線基板と、前記配線基板上に搭載された半導体チップとを備え、前記半導体チップの電極パッドと前記配線基板に形成された突起電極とが電気的に接続されている。
【００２５】
本発明の配線基板の製造方法は、上記いずれかの構成の配線基板を製造する方法であって、前記導体配線と、前記誤認識検出パターンを有する前記金属パターンとが表面に形成された絶縁性基材を準備する工程と、前記絶縁性基材の表面に感光性レジストを形成する工程と、単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィー法により、前記感光性レジストに、前記導体配線を露出させる第１のレジスト開口部と前記金属パターンを露出させる第２のレジスト開口部とを設ける工程と、前記第１のレジスト開口部に露出した前記導体配線に電解めっきにより前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁性基材の領域に亘り突起電極を形成すると同時に、前記第２のレジスト開口部に露出した前記金属パターンに電解めっきにより前記金属パターンの長手方向を横切って前記金属パターンの両側の前記絶縁性基材の領域に亘りアライメントマークを形成する工程とを備える。
【００２６】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、上記いずれかの構成の配線基板を用い、前記金属パターンに沿った方向に設計中心位置から最大公差分離れた位置に形成された前記アライメントマークを認識装置が認識する際の認識エリアに対して、前記誤認識検出パターンがその範囲外となるように、前記認識エリアを設定するとともに、前記認識装置が前記アライメントマークを探すサーチエリアを、前記誤認識検出パターンがその範囲内となるように設定して、前記配線基板上に形成された前記アライメントマークを認識し、認識された前記アライメントマークの位置を基準として前記半導体チップを前記配線基板上に位置決めして搭載し、前記半導体チップの電極パッドと前記配線基板に形成された突起電極とを電気的に接続する。
【００２７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２８】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態における配線基板の平面図、図２は図１の要部斜視図である。図３〜図５における（ａ）は配線基板の要部平面図、（ｂ）はアライメントマーク６を認識装置が認識する際の認識画像および基準パターンを示す平面図である。
【００２９】
図１〜５に示す配線基板１は、絶縁性基材２を用いて構成され、絶縁性基材２の表面に導体配線３が形成されている。導体配線３の長手方向を横切って、導体配線３の両側の絶縁性基材２上の領域に亘り突起電極４形成されている。絶縁性基材２の表面にはさらに、金属パターン５が形成されている。金属パターン５は、突起電極４が形成された部分の導体配線３と同一の方向に配列されている。金属パターン５の長手方向を横切って、金属パターン５の両側の絶縁性基材２上の領域に亘りアライメントマーク６が形成されている。
金属パターン５のアライメントマーク６が形成されている部分の近傍に、金属パターン５の長手方向を横切る方向に突出する形状に金属パターン６を延在させて、誤認識検出パターン７が形成されている。
【００３０】
ここで、誤認識検出パターン７が金属パターン６から突出する距離Ｄ（図３参照）は、アライメントマーク６との形状の差異を認識装置が十分認識できるように、アライメントマーク６が金属パターン５の長手方向を横切って金属パターン５の両側に突出する距離ｄよりも長く設定されている。
【００３１】
アライメントマーク６は突起電極４と同時に電解めっき法で形成するため、金属パターン５からアライメントマーク６が突出する距離ｄと、突起電極４が導体配線３から突出する距離ｄは同一となる。突出距離ｄは、突起電極４が相対して接続される半導体素子電極のピッチにより制限される。たとえば半導体素子電極のピッチが４０μｍであり、導体配線３の幅を１５μｍに形成した場合、隣接する突起電極との絶縁距離を１０μｍ確保するためには、例えば突起電極４の突出距離ｄ＝７．５μｍ程度に設定される。
【００３２】
この場合に、誤認識検出パターン７が金属パターン５から突出する距離Ｄは、アライメントマーク６との形状の差異を認識装置が十分認識できるように、突出距離ｄより大きく、例えばＤ＝１５μｍ程度以上に設定する。
【００３３】
図３〜図５（ａ）には各々、アライメントマーク６を認識装置が認識する際の認識エリア８が示され、（ｂ）に、認識エリア８の認識画像９、および認識装置にあらかじめ登録されている基準パターン１０が示される。認識装置はサーチエリア（図示せず）の範囲内で認識エリア８を順次移動し、認識画像９と基準パターン１０とのパターンマッチングを行い、マッチング率が判定閾値を超えた場合に認識画像９が正規のアライメントマークを示す画像であると判断し、アライメントマーク６の位置を検出する。
【００３４】
ここで、アライメントマーク６は後述するフォトリソグラフィー工法で形成するため、金属パターン７に対してフォトリソグラフィー法で用いる露光機の合わせ精度分の公差ｄｘ（図４参照）をもって形成される。
【００３５】
図４は、アライメントマーク６が、金属パターン５に沿った方向に設計中心位置６’の位置から最も左にずれて形成された場合を示す。誤認識検出パターン７は、この状態で、アライメントマーク６の認識画像９に影響を与えない位置に形成されている。すなわち、金属パターン５に沿った方向に設計中心位置６’から公差ｄｘ分離れた位置に形成されたアライメントマーク６を、認識装置が認識した際の認識エリア８の外側に誤認識検出パターン７は形成される。但し、誤認識検出パターン７は、認識装置がアライメントマーク６を探すサーチエリア（図示せず）の範囲内に形成される。
【００３６】
このため、アライメントマーク６が設計中心値から最もずれて形成された場合でも、アライメントマーク６の認識時に、認識エリア８の視野中に誤認識検出パターン７が入らず正常に認識動作を行うことが出来る。
【００３７】
図５は、アライメントマーク６の近傍に異物１１が付着した状態を示す。この状態では、異物１１部分の認識エリア８の視野内に誤認識検出パターン７が入るため、異物１１部分の認識パターン９と基準パターン１０とのパターンマッチングを行うと、マッチング率が低くなり、異物１１部分を正規のアライメントマーク６ではないことが認識できる。
【００３８】
以上のように、本発明の第１の実施形態によれば、アライメントマークが形成されている部分の近傍に金属パターンを延在させて形成した誤認識検出パターンを具備することで、アライメントマーク近傍の異物を誤って認識した際に、認識装置の認識視野中に前記誤認識検出パターンが入り認識装置の基準パターンとのマッチング率が低下することで、異物による誤認識を回避することができる。
【００３９】
（第２の実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態における配線基板の要部平面図を示す。図６において、図３等に示した第１の実施形態にかかる配線基板の要素と同一の要素には、同一の参照番号を付して説明の繰り返しを省略する。
【００４０】
本実施形態においては、誤認識検出パターン７ａの構成が、第１の実施形態における誤認識検出パターン７と相違する。誤認識検出パターン７ａは、金属パターンのアライメントマーク６が形成されている部分の近傍に、金属パターン６とは独立させて形成されている。
【００４１】
アライメントマーク６の近傍に付着した異物１１を認識した場合、認識エリア８の視野内に誤認識検出パターン７が入るが、誤認識検出パターン７ａが金属パターン６から延在して形成されていないため、異物１１部分の認識パターン９が特異な形状となる。その結果、比較用パターン１０とのパターンマッチングを行うと、マッチング率が更に低くなるため、異物１１部分を正規のアライメントマーク６ではないことを更に精度良く認識できる。
【００４２】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態における半導体装置を示す平面図である。
【００４３】
図７において、配線基板１は、第１あるいは第２の実施形態で示したものと同様の、絶縁性基材２、導体配線３、突起電極（図示ぜず）、金属パターン５、アライメントマーク６、及び誤認識検出パターン７を有する。
【００４４】
この配線基板１上に、半導体素子１２がフェイスダウン実装されている。半導体素子１２の主面上には電極パッド（図示ぜず）が形成されており、突起電極と相対して接合されている。接合部は封止樹脂１３により封止されており、これらにより半導体装置１４が形成されている。
【００４５】
この第３の実施形態によれば、第１もしくは第２の実施形態の配線基板１を用いるため、半導体素子１２を配線基板１にフェイスダウン実装する際に誤認識による接合ずれの発生が抑制され、半導体装置１４の歩留及び信頼性を向上させることができる。
【００４６】
本実施形態の半導体装置を製造する工程においては、配線基板１に形成されたアライメントマーク６を認識し、アライメントマーク６の位置を基準として半導体素子１２を配線基板１上に位置決めして搭載する。その後、半導体素子１２の電極パッドと配線基板１に形成された突起電極とを電気的に接続する。アライメントマーク６を認識する工程においては、金属パターン５に沿った方向に設計中心位置から最大公差分離れた位置に形成されたアライメントマーク６を認識装置が認識する際の認識エリアに対して、誤認識検出パターン７がその範囲外となるように、認識エリアを設定する。同時に、認識装置がアライメントマーク６を探すサーチエリアを、誤認識検出パターン７がその範囲内となるように設定する。
【００４７】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態における配線基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図８〜図１０は、図１〜図３及び図６に示した配線基板１を製造する工程を工程順に示す要部平面図である。図１〜図３及び図６に示した配線基板１と同一の構成要素については同一の参照番号を付して、説明の繰返しを省略する。
【００４８】
まず図８に示すように、導体配線３、金属パターン５、及び金属パターンから延在して形成された誤認識検出パターン７を有する配線基板を準備する。次に、この配線基板上にレジストフィルム（図示せず）を張り付けた後、レジストフィルムに複数の導体配線３にまたがる第１の開口部１５と、アライメントマーク部の金属パターン５にまたがる第２の開口部１６を、単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィー法にて形成する。
【００４９】
次に図９に示す様に、導体配線３と金属パターン５を陰極とする電解Ｃｕめっきを行うことで、第１の開口部１５から露出する導体配線３にＣｕめっきが析出し突起電極４が形成されると同時に、第２の開口部１６から露出する金属パターン５にＣｕめっきが析出し、アライメントマーク６が形成される。
【００５０】
アライメントマーク６は突起電極４と同時に電解めっき法で形成するため、金属パターン６からアライメントマーク５が突出する距離と、突起電極４が導体配線３から突出する距離は同一の距離ｄとなる。突出距離ｄは、突起電極４が相対して接続される半導体素子電極のピッチで制限される。たとえば半導体素子電極のピッチが４０μｍで、導体配線３の幅を１５μｍに形成した場合、隣接する突起電極との絶縁距離を１０μｍ確保するためには、例えば突起電極の突出距離ｄ＝７．５μｍ程度になるように電解めっき厚を設定する。
【００５１】
次に図１０に示すように、めっきレジストを剥離する。突起電極４とアライメントマーク５との相対位置は前記単一のフォトマスク中のパターニング精度で決定され、フォトマスクの位置合わせ精度には依存しないことから、その誤差は極めて少ない。
【００５２】
その後、導体配線３と金属パターン５を陰極とする電解Ａｕめっきを実施することで、導体配線３、突起電極４、金属パターン５、アライメントマーク６及び突起部７を、Ａｕで被覆する。
【００５３】
ここでＡｕめっきの代替としてＮｉを下地とするＡｕめっきを用いても良く、無電解Ｓｎめっきを用いても良い。
【００５４】
この第４の実施形態によれば、突起電極４とアライメントマーク６を単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィー法にて形成するため、突起電極４とアライメントマーク６との相対位置は前記単一のフォトマスク中のパターニング精度で決定され、フォトマスクの位置合わせ精度には依存しないことから、その誤差は極めて少ない配線基板を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の配線基板は、アライメントずれによる歩留低下及び信頼性低下を防止することができ、突起電極がめっきで形成されたフリップチップ用の配線基板として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施形態における配線基板を示す平面図
【図２】同配線基板の要部斜視図
【図３】同配線基板の要部平面図
【図４】同配線基板の要部平面図
【図５】同配線基板の要部平面図
【図６】本発明の第２の実施形態における配線基板を示す要部平面図
【図７】本発明の第３の実施形態における半導体装置を示す平面図
【図８】本発明の第４の実施形態における配線基板の製造方法を示す要部平面図
【図９】本発明の第４の実施形態における配線基板の製造方法を示す要部平面図
【図１０】本発明の第４の実施形態における配線基板の製造方法を示す要部平面図
【図１１】従来の配線基板を示す平面図
【図１２】従来の配線基板を示す斜視図
【図１３】従来の配線基板の他の例を示す斜視図
【図１４】（ａ）は従来の配線基板の要部平面図、（ｂ）はアライメントマークを認識装置が認識する際の認識画像および基準パターンを示す平面図
【図１５】アライメントマークの近傍に付着した異物による誤認識の発生原理を示し、（ａ）は配線基板の要部平面図、（ｂ）はアライメントマークを認識装置が認識する際の認識画像および基準パターンを示す平面図
【符号の説明】
【００５７】
１、２１  配線基板
２、２２  絶縁性基材
３、２３  第１の導体配線
４、２４  突起電極
５、２６  金属パターン
６、２５  アライメントマーク
７、７ａ  誤認識検出パターン
８、２８  認識エリア
９、２９  認識画像
１０、３０  基準パターン
１１、３１  異物
１２  半導体素子
１３  封止樹脂
１４  半導体装置
【図１】
2008283130.tif 000003
【図２】
2008283130.tif 000004
【図３】
2008283130.tif 000005
【図４】
2008283130.tif 000006
【図５】
2008283130.tif 000007
【図６】
2008283130.tif 000008
【図７】
2008283130.tif 000009
【図８】
2008283130.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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