(57)【要約】【課題】配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成した基板の表面を、配線間に電流リークが発生するリスクを低減しつつ確実に洗浄し、しかる後、基板の表面に絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、
洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、
前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記配線は、銅または銅合金からなり、前記配線保護膜は、コバルト合金またはニッケル合金からなることを特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記絶縁膜は、ＳｉＣ，ＳｉＣＮ，ＳｉＮ，ＳｉＯ２系、ＳｉＯＣＨ系，低誘電率シロキサン系または低誘電率有機ポリマー系のいずれの材料からなることを特徴とする請求項１または２記載の配線形成方法。
【請求項４】
前記ウェット処理で前洗浄した直後に基板を乾燥させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項５】
層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板の表面を、洗浄液を用いたウェット処理で前洗浄する前洗浄ユニットと、
前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成ユニットを有することを特徴とする配線形成装置。
【請求項６】
前記前洗浄ユニットで前洗浄した直後に基板を乾燥させる乾燥ユニットを更に有することを特徴とする請求項５記載の配線形成装置。
【請求項７】
前記乾燥ユニットは、基板を高速で回転させてスピン乾燥させるスピンドライユニット及び基板を熱処理で乾燥させる熱処理乾燥ユニットの少なくとも一方からなることを特徴とする請求項６記載の配線形成装置。
【請求項８】
前記絶縁膜の表面を平坦化する平坦化ユニットを更に有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の配線形成装置。
【請求項９】
層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面に配線保護膜を選択的に形成する無電解めっきユニットを更に有することを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の配線形成装置。
【請求項１０】
層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面にめっき前処理を行うめっき前処理ユニットを更に有することを特徴とする請求項９記載の配線形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線形成方法及び配線形成装置に係り、特に半導体ウエハ等の基板の表面に設けた配線用凹部に銅や銀等の導電体（配線材料）を埋込んで埋込み配線を形成し、更にこの埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆って多層配線構造とするのに使用される配線形成方法及び配線形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の配線形成プロセスとして、配線溝及びコンタクトホールに金属（導電体）を埋込むようにしたプロセス（いわゆる、ダマシンプロセス）が使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め形成した配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、近年では銅や銀等の金属を埋込んだ後、余分な金属を化学機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去し平坦化するプロセス技術である。
【０００３】
従来、この種の配線、例えば配線材料として銅を使用した銅配線にあっては、信頼性向上のため、層間絶縁膜への配線材料（銅）の熱的拡散を防止しかつエレクトロマイグレーション耐性を向上させるためのバリア膜を配線の底面及び側面に形成したり、その後、絶縁膜（酸化膜）を積層して多層配線構造の半導体装置を作る場合の酸化性雰囲気における配線材料（銅）の酸化を防止したりするため酸化防止膜を形成するなどの方法が採用されている。従来、この種のバリア膜としては、タンタル、チタンまたはタングステンなどの金属あるいはその窒化物が一般に採用されており、また酸化防止膜としては、シリコンの窒化物または炭化物などが一般に採用されていた。
【０００４】
これに代わるものとして、最近になってコバルト合金やニッケル合金等からなる配線保護膜で埋込み配線の露出表面を選択的に覆って、配線の熱拡散、エレクトロマイグレーション及び酸化を防止することが検討されている。
【０００５】
例えば、図１に示すように、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に堆積したＳｉＯ２やＬｏｗ−Ｋ材等からなる層間絶縁膜２の内部に配線用の微細な凹部（トレンチ）４を形成し、表面にＴａＮ等からなるバリア層６を形成し、更に、バリア層６の表面に、必要に応じてシード層７を形成する。そして、銅めっきを施し基板Ｗの表面に銅膜を成膜して、凹部４の内部に銅を埋込み、しかる後、基板Ｗの表面にＣＭＰ（化学機械的研磨）を施して平坦化することで、層間絶縁膜２の内部に銅からなる配線８を形成する。次に、この配線（銅）８の表面に、例えば無電解めっきによって得られる、ＣｏＷＰ合金からなる配線保護膜（蓋材）９を選択的に形成して配線８を保護する。
【０００６】
このようにして、配線８の露出表面を配線保護膜９で覆って配線８を保護した後、層間絶縁膜２及び配線保護膜９の表面に、例えばＳｉＣ、ＳｉＣＮまたはＳｉＮからなる絶縁膜１０をＣＶＤ等によって一様に形成し、しかる後、この絶縁膜１０の表面に、内部に配線（上層配線）を形成するＳｉＯ２やＬｏｗ−Ｋ材等からなる上層の層間絶縁膜を堆積する。
【０００７】
一般的な無電解めっきによって、ＣｏＷＰ合金からなる配線保護膜（蓋材）９を配線８の表面に選択的に形成する工程を説明する。先ず、ＣＭＰ処理を施した半導体ウエハ等の基板Ｗを、例えば常温の希硫酸または希塩酸中に１分程度浸漬させて、層間絶縁膜２の表面の金属酸化膜や銅等ＣＭＰ残渣等の不純物を除去する。そして、基板Ｗの表面を純水等の洗浄液で洗浄（リンス）した後、例えば常温のパラジウム溶液（ＰｄＣｌ２／ＨＣｌ）中に基板Ｗを１分間程度浸漬させ、これにより、配線８の表面に触媒としてのＰｄを付着させて配線８の露出表面を活性化させる。
【０００８】
次に、基板Ｗの表面を純水等で洗浄（リンス）した後、例えば液温が８０℃のＣｏＷＰめっき液中に基板Ｗを１２０秒程度浸漬させて、活性化させた配線８の表面に選択的な無電解めっきを施し、しかる後、基板Ｗの表面を純水等の洗浄液で洗浄（リンス）する。これによって、配線８の露出表面に、ＣｏＷＰ合金からなる配線保護膜９を選択的に形成して配線８を保護する。
【０００９】
ここで、表面が露出した配線の表面を、ＢＴＡ（ベンゾトリアゾール）などの防食剤を使用して腐食から防止することが知られている（特許文献１参照）。また、埋込み配線を形成した基板の表面に絶縁膜を形成するのに先立って、配線保護膜表面の酸化膜や層間絶縁膜上の汚染物をプラズマ洗浄等によるドライ処理で除去（前洗浄）することが提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特許第３７０５７２４号公報
【特許文献２】特開２００５−１９４５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
プラズマ等によるドライ洗浄では、配線の表面に侵食性のあるラジカルが発生するプラズマ等を照射している。このため、プラズマ等の照射に伴って、基板の表面から銅などの配線材料が飛び散り、配線間に位置する層間絶縁膜の飛び散った配線材料が付着すると電流リークの原因となる。そのため、そのプロセスは、例えば銅等の配線材料が飛び散らないように調整している。
【００１１】
しかし、配線の表面にコバルト合金やニッケル合金などからなる配線保護膜を形成した後、例えば銅等の配線材料が飛び散らないように調整された乾式洗浄プロセスで基板の表面を洗浄すると、配線保護膜に対するエッチング力のあるプラズマ等によって、コバルト合金などの金属が基板の表面から飛び散り、この飛び散った金属が配線間の層間絶縁膜の表面に付着して電流リークの原因となる。このことは、ＢＴＡ（ベンゾトリアゾール）などの防食剤で配線保護膜の表面を腐食から防止した場合も同様で、ＢＴＡ錯体やＣｕ金属そのものが基板の表面に飛び散って配線間の層間絶縁膜の表面に付着すると電流リークの原因となる。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成した基板の表面を、配線間に電流リークが発生するリスクを低減しつつ確実に洗浄し、しかる後、基板の表面に絶縁膜を形成できるようにした配線形成方法及び配線形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載の発明は、層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成することを特徴とする配線形成方法である。
【００１４】
このように、層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板の表面を、洗浄液を用いたウェット処理で前洗浄することで、この前洗浄に伴って、コバルト合金などの金属やＢＴＡ錯体等が基板の表面から飛び散り、この飛び散った金属やＢＴＡ錯体等が配線間の層間絶縁膜の表面に付着して電流リークの原因となることを抑制しつつ、基板の表面を確実に洗浄することができる。この洗浄液としては、例えば、有機酸などのエッチング力の弱い酸が好ましく用いられる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、前記配線は、銅または銅合金からなり、前記配線保護膜は、コバルト合金またはニッケル合金からなることを特徴とする請求項１記載の配線形成方法である。
請求項３に記載の発明は、前記絶縁膜は、ＳｉＣ，ＳｉＣＮ，ＳｉＮ，ＳｉＯ２系、ＳｉＯＣＨ系，低誘電率シロキサン系または低誘電率有機ポリマー系のいずれの材料からなることを特徴とする請求項１または２記載の配線形成方法である。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、前記ウェット処理で前洗浄した直後に基板を乾燥させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線形成方法である。
基板を乾燥させる方式としては、例えば基板を高速で回転させる、いわゆるスピンドライ方式、または制御されたガス雰囲気中で基板を加熱して乾燥させる方式の少なくとも一方が採用される。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板の表面を、洗浄液を用いたウェット処理で前洗浄する前洗浄ユニットと、前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成ユニットを有することを特徴とする配線形成装置である。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、前記前洗浄ユニットで前洗浄した直後に基板を乾燥させる乾燥ユニットを更に有することを特徴とする請求項５記載の配線形成装置である。
請求項７に記載の発明は、前記乾燥ユニットは、基板を高速で回転させてスピン乾燥させるスピンドライユニット及び基板を熱処理で乾燥させる熱処理乾燥ユニットの少なくとも一方からなることを特徴とする請求項６記載の配線形成装置である。
【００１９】
請求項８に記載の発明は、前記絶縁膜の表面を平坦化する平坦化ユニットを更に有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の配線形成装置である。
請求項９に記載の発明は、層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面に配線保護膜を選択的に形成する無電解めっきユニットを更に有することを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の配線形成装置である。
これにより、無電解めっきユニットで配線の表面に配線保護膜を選択的に形成し、しかる後、基板の表面に絶縁膜を形成する一連の処理を連続して行うことができる。
【００２０】
請求項１０に記載の発明は、層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面にめっき前処理を行うめっき前処理ユニットを更に有することを特徴とする請求項９記載の配線形成装置である。
めっき前処理ユニットには、基板の表面を洗浄する前洗浄ユニットと、配線の露出表面に触媒を付与する触媒付与ユニットが含まれ、触媒付与ユニットは、必要に応じて備えられる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板の表面を、プラズマなどの合金膜に侵食性のあるラジカルが発生するドライ処理ではなく、洗浄液を用いたウェット処理で前洗浄することで、配線間にリーク電流が発生するリスクを低減しつつ、確実に洗浄することができる。しかも、配線保護膜の選択性を向上させ、配線保護膜とその後に形成される絶縁膜との密着性を増大させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図２は、本発明の実施の形態の配線形成装置の平面配置図を示す。図２に示すように、この配線形成装置は、矩形状の装置フレーム２０と、装置フレーム２０に外付けされるロード・アンロードユニット２２を有し、装置フレーム２０の外壁には、制御ユニット２４が取付けられている。装置フレーム２０の内部には、その四隅に位置して、前洗浄ユニット２６、乾燥ユニット２８、絶縁膜形成ユニット３０及び平坦化ユニット３２が配置され、更に、これらの各ユニットに挟まれた位置に、各ユニット間で基板の受渡しを行う第１基板搬送ロボット３４と第２基板搬送ロボット３６が配置されている。
【００２３】
前洗浄ユニット２６は、洗浄液（薬液）を使用したウェット処理で基板の表面を洗浄（前洗浄）するためのもので、この例では、表面を下向き（フェースダウン）または上向き（フェースアップ）にして基板を保持し回転させる基板ホルダと、多数のスプレーノズルを備え、多数のスプレーノズルから、基板ホルダで保持して回転させた基板の表面に向けて洗浄液（薬液）を噴射することで、基板の表面を洗浄液で洗浄するように構成されている。このように、洗浄液を流動させながら、基板の表面を洗浄液で洗浄することで、洗浄液によって除去された金属等が基板の表面に再付着することを防止することができる。
【００２４】
この洗浄液として、コバルト合金やニッケル合金に対するエッチグレートが、例えば０．１〜１０ｎｍ／ｍｉｎ程度のエッチング力の弱い酸を用いることが好ましい。これにより、下記のように、配線５０の表面を覆う、例えばコバルト合金やニッケル合金からなる配線保護膜５２のエッチング量を最小限に抑えることができる。また、エッチングされた金属等が層間絶縁膜上に再付着しないように、洗浄液中にアニオン界面活性剤を添加することが好ましい。洗浄液中に有機酸を添加し、配線保護膜５２の表面に錯体の不動態を形成することで、洗浄後の配線保護膜５２の表面での酸化膜の成長を抑制することができる。更に、洗浄液中にＢＴＡ等の防食剤を添加して、コバルト合金やニッケル合金等が洗浄液中に溶解しないようにしてもよい。
【００２５】
なお、基板の表面に洗浄液を供給しながら、該表面にロールブラシを物理的に接触させてスクラブ洗浄するようにしてもよい。この場合、洗浄液のｐＨおよび組成を適切に調整することによって、除去された金属等の層間絶縁膜表面等への再付着を更に低減させることができる。
【００２６】
前洗浄ユニット２６として、回転している基板表面の、例えば中央等の局部にノズルから洗浄液を供給し、洗浄液が遠心力によって基板の全面に拡がるようにしたものや、洗浄液を内部に含んだ多孔質体を、回転させながら基板の表面に接触させて基板の表面を洗浄するようにしたものを使用しても良い。
【００２７】
乾燥ユニット２８は、この例ではスピンドライユニットから構成されており、基板ホルダで保持し低速で回転させた基板の表面に向けて、先ず、純水等からなる洗浄液を供給して基板の表面をリンス洗浄し、しかる後、基板を高速で回転させてスピン乾燥させるようにしている。
【００２８】
絶縁膜形成ユニット３０は、前洗浄後の基板の全表面に、下記のように、例えばＳｉＣ、ＳｉＣＮまたはＳｉＮからなる絶縁膜５４を一様に形成するためのもので、この例ではプラズマＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶＤ）ユニットから構成されている。絶縁膜５４は、ＳｉＯ２系またはＳｉＯＣＨ系の材料であってもよい。また、絶縁膜５４は、低誘電率シロキサン系または低誘電率有機ポリマー系の材料であってもよく、この場合、絶縁膜形成ユニット３０として、塗布形式を採用したユニットが使用される。
平坦化ユニット３２は、下記のように、基板の全表面に一様に形成された絶縁膜５４の表面を平坦化するためのもので、例えばＣＭＰユニットから構成される。
【００２９】
次に、この配線形成装置による配線形成例を図３及び図４を参照して説明する。先ず、図４（ａ）に示すように、層間絶縁膜４０に凹部（トレンチ）４２を設け、この表面にバリア層４４とシード層４６を順次形成し、更にシード層４６の表面に銅からなる金属膜（銅膜）４８を形成し、凹部４２以外の余剰な金属材料をＣＭＰで除去し表面を平坦化して銅膜４８からなる配線５０を形成した後、配線５０の露出表面にＣｏＷＰ等のコバルト合金またはニッケル合金等からなる配線保護膜５２を選択的に形成した基板Ｗを用意する。
【００３０】
この基板Ｗにあっては、層間絶縁膜４０の表面に不純物６０が付着していたり、配線保護膜５２の表面に酸化膜６２が形成されていたりすることがあり、下記の絶縁膜５４の形成に先立って、これらの不純物６０や酸化膜６２を除去しておく必要がある。
【００３１】
そして、この基板Ｗを、ロード・アンロードユニット２２を通して、第１基板搬送ロボット３４で前洗浄ユニット２６に搬入する（ステップ１）。前洗浄ユニット２６では、洗浄液を用いたウェット処理で基板Ｗの表面を洗浄（前洗浄）し、これによって、層間絶縁膜４０の表面に付着した不純物６０や配線保護膜５２の表面に形成された酸化膜６２を除去（洗浄）する（ステップ２）。
【００３２】
このように、層間絶縁膜４０の内部に形成した埋込み配線５０の表面を配線保護膜５２で選択的に覆った基板Ｗの表面を、洗浄液を用いたウェット処理で前洗浄することで、この前洗浄に伴って、コバルト合金などの金属やＢＴＡ錯体等が基板の表面から飛び散り、この飛び散った金属やＢＴＡ錯体等が配線５０間の層間絶縁膜４０の表面に付着して電流リークの原因となることを抑制しつつ、基板Ｗの表面を確実に洗浄することができる。
【００３３】
次に、前洗浄後の基板Ｗを第２基板搬送ロボット３６で乾燥ユニット２８に搬送し、この乾燥ユニット２８で、基板Ｗの表面を純水等でリンス洗浄し、しかる後、基板Ｗを高速回転させてスピン乾燥させる（ステップ３）。そして、スピン乾燥後の基板Ｗを第２基板搬送ロボット３６で絶縁膜形成ユニット３０に搬送する。
【００３４】
絶縁膜形成ユニット３０では、図４（ｂ）に示すように、例えばＳｉＣ、ＳｉＣＮまたはＳｉＮからなる絶縁膜５４を基板Ｗの全表面に一様に形成し（ステップ４）、これによって、層間絶縁膜４０及び配線保護膜５２の表面を絶縁膜５４で覆って保護する。そして、この絶縁膜５４を形成した基板を第２基板搬送ロボット３６で平坦化ユニット３２に搬送し、この平坦化ユニット３２で、図４（ｃ）に示すように、絶縁膜５４の表面を平坦化する（ステップ５）。
【００３５】
次に、絶縁膜５４の表面を平坦化した基板Ｗを第１基板搬送ロボット３４でロード・アンロードユニット２２に搬出し（ステップ６）、これによって、一連の処理を終了する。この絶縁膜５４の表面には、図５に示すように、内部に配線（上層配線）が形成されるＳｉＯ２やＬｏｗ−Ｋ材等からなる上層の層間絶縁膜５６が形成され、これによって、配線が多層化される。
【００３６】
なお、この例では、基板Ｗの表面にＳｉＮ等からなる絶縁膜５４を形成し、この絶縁膜５４の表面に上昇の層間絶縁膜５６を形成するようにした例を示しているが、絶縁膜形成ユニット３０で、基板Ｗの表面に上昇の層間絶縁膜５６を直接形成し、平坦化ユニット３２で層間絶縁膜５６の表面を平坦化するようにしてもよい。
【００３７】
配線の表面に配線保護膜を形成した基板を用意し、この基板の表面に絶縁膜を直接形成して、配線間のリーク電流を測定した結果を図６に曲線１で示す。配線の表面に配線保護膜を形成した基板を用意し、この基板の表面を、プラズマを使用したドライ洗浄した後に、基板の表面に絶縁膜を形成して、配線間のリーク電流を測定した結果を図６に曲線２で示す。配線の表面に配線保護膜を形成した基板を用意し、この基板の表面を、前述と同様にして、洗浄液を用いたウェット洗浄した後に、基板の表面に絶縁膜を形成して、配線間のリーク電流を測定した結果を図６に曲線３（本発明）で示す。
【００３８】
曲線１と曲線２とを比較すると、曲線２は、約４割の測定点で、曲線１よりリーク電流が大きくなったことが分かる。これは、ドライ洗浄時に、配線上の配線保護膜（合金膜）がエッチングされて飛び散り、そのパーティクルまたはクラスターが配線間の層間絶縁膜上に付着することによって、部分的にリーク電流が悪化したからであると考えられる。これに対して、曲線１と曲線３（本発明）とを比較すると、曲線３（本発明）は、すべての測定点で、曲線１よりリーク電流が小さくなっていることが分かる。これは、適切なウェット洗浄により、配線間の層間絶縁膜上に残存する金属粒または膜等を除去することで、リーク電流が改善される方向にシフトしたからであると考えられる。
【００３９】
図７は、本発明の他の実施の形態の配線形成装置の平面配置図を示す。この例は、図２に示す配線形成装置における装置フレーム２０の内部に、めっき前処理ユニットとして前洗浄ユニット７０及び触媒付与ユニット７２、無電解めっきユニット７４及び第２の乾燥ユニット７６を更に備えたものである。
【００４０】
この第２の乾燥ユニット７６は、制御されたガス雰囲気中で基板を加熱して乾燥させる熱処理乾燥ユニットから構成されている。この制御されたガス雰囲気は、Ｈ２及びＮＨ３のいずれかを含む、金属酸化物に還元力を持つガス雰囲気、またはＮ２及びＡｒのいずれかを含む、不活性ガス雰囲気である。
【００４１】
この例によれば、図４（ａ）において、配線５０の表面に配線保護膜５２を形成する前の基板、つまりＣＭＰ処理後の基板を用意する。そして、この基板をめっき前処理ユニットとしての前洗浄ユニット７０に搬送し、例えば常温の希硫酸または希塩酸中に１分程度浸漬させて、基板の表面を洗浄した後、基板の表面を純水等の洗浄液で洗浄（リンス）する。そして、基板をめっき前処理ユニットとしての触媒付与ユニット７２に搬送し、ここで、例えば常温のパラジウム溶液（ＰｄＣｌ２／ＨＣｌ）中に基板を１分間程度浸漬させ、配線の表面に触媒としてのＰｄを付着させて配線の露出表面を活性化させた後、基板の表面を純水等で洗浄（リンス）する。
【００４２】
次に、基板を無電解めっきユニット７４に搬送し、ここで、例えば液温が８０℃のＣｏＷＰめっき液中に基板を１２０秒程度浸漬させて、活性化させた配線の表面に選択的な無電解めっきを施し、しかる後、基板Ｗの表面を純水等の洗浄液で洗浄（リンス）する。これによって、図４（ａ）に示すように、配線５０の露出表面に、ＣｏＷＰ合金からなる配線保護膜５２を選択的に形成して配線５０を保護する。
【００４３】
これ以降の処理は、前述の例とほぼ同様であるが、この例では、乾燥ユニット（スピンドライユニット）２８でスピン乾燥させた基板を、第２の乾燥ユニット（熱処理乾燥ユニット）７６に搬送し、この第２の乾燥ユニット７６で基板を完全に乾燥させるようにしている。
【００４４】
この例によれば、無電解めっきユニット７４で配線の表面に配線保護膜を選択的に形成し、しかる後、絶縁膜形成ユニット３０基板の表面に絶縁膜５４を形成する一連の処理を連続して行うことができる。
なお、触媒を付与することなく配線保護膜を成膜できる場合や、めっき前処理（前洗浄及び触媒付与）を一つの処理液で行うことができ場合には、触媒付与ユニット７２を省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】埋込み配線の表面に配線保護膜を形成した状態を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の配線形成装置を示す平面配置図である。
【図３】図２に示す配線形成装置による配線形成例のフローチャートである。
【図４】図２に示す配線形成装置による配線形成例を工程順に示す図である。
【図５】絶縁膜の表面に上層の層間絶縁膜を形成した状態を示す断面図である。
【図６】配線間のリーク電流を測定した結果を示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施の形態の配線形成装置を示す平面配置図である。
【符号の説明】
【００４６】
２０  装置フレーム
２２  ロード・アンロードユニット
２４  制御ユニット
２６  前洗浄ユニット
２８  乾燥ユニット（スピンドライユニット）
３０  絶縁膜形成ユニット
３２  平坦化ユニット
４０  層間絶縁膜
４２  凹部
５０  配線
５２  配線保護膜
５４  絶縁膜
５６  層間絶縁膜
７０  前洗浄ユニット（めっき前処理ユニット）
７２  触媒付与ユニット（めっき前処理ユニット）
７４  無電解めっきユニット
７６  乾燥ユニット（熱処理乾燥ユニット）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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