(57)【要約】【課題】青色半導体レーザーで記録再生可能な３００〜５３０ｎｍの波長領域に高い光吸収特性を有し、かつ熱分解挙動及び溶媒に対する溶解性に優れ、耐光性と耐久性に優れたスクアリリウム化合物金属錯体及び該化合物を用いた光学記録媒体を提供すること。【解決手段】下記一般式（Ａ）で示されるスクアリリウム化合物と金属イオンとからなることを特徴とするスクアリリウム化合物金属錯体およびそれを用いた光学記録媒体。  【化１】2008138099.tif 000033【選択図】図２
2008138099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ）
【化１】
2008138099.tif 000029
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数が１〜８の直鎖又は分岐鎖のアルキルフェニル基、又は置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数が１〜６の直鎖又は分岐鎖のアルキルスルホン酸基を示し、
Ｒ３〜Ｒ８はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよいヒドロキシ基、置換基を有していてもよいシアノ基、置換基を有していてもよいニトロ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいスルホ基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜１８のアリール基、
置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環、置換基を有していてもよい炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアシル基、又は置換基を有していてもよい炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルコキシカルボニル基を示す。尚、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３及びＲ３とＲ４は連結して環を形成してもよい。）
で示されるスクアリリウム化合物と、
金属イオンと、
からなるスクアリリウム化合物金属錯体。
【請求項２】
前記金属イオンが、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｚｎイオン、Ｃｕイオン、Ｐｔイオン、Ｔｉイオン、Ａｌイオン、Ｖイオン、Ｍｎイオン、Ｆｅイオン、Ｍｏイオン、Ｗイオン、Ｉｎイオン、Ｓｎイオン、Ｒｕイオン、Ｃｒイオン、Ｐｂイオン及びＥｕイオンから成る群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする、請求項１に記載のスクアリリウム化合物金属錯体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のスクアリリウム化合物金属錯体を含有する記録層を有する光学記録媒体。
【請求項４】
前記記録層が、光安定化剤を含有することを特徴とする請求項３に記載の光学記録媒体。
【請求項５】
前記光安定化剤が、下記一般式（Ｂ）
【化２】
2008138099.tif 000030
（式中、Ｒ９はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。）、
一般式（Ｄ）
【化３】
2008138099.tif 000031
（式中、Ｒ１1はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。）、
および一般式（Ｆ）
【化４】
2008138099.tif 000032
（式中、Ｒ１３はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環を示す。また、ＸはＳｂＦ６イオン、ＣｌＯ４イオン、ＰＦ６イオン、ＣＦ３ＳＯ３イオン、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎイオン等の異なっていても良いアニオン成分を示す。）
からなる群より選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする、請求項４に記載の光学記録媒体。
【請求項６】
前記記録層はレーザー光による情報の書き込み、及び／または読みとりが可能であることを特徴とする、請求項３〜５のいずれかに記載の光学記録媒体。
【請求項７】
前記レーザー光による情報の書き込み、及び／または読みとりが、３００ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲にある波長のレーザー光により実施されることを特徴とする請求項６に記載の光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスクアリリウム化合物金属錯体及びそれを用いた光学記録媒体に関するものであり、より詳しくは３００ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲にある波長のレーザー光を用いて情報を記録、及び／または再生する追記型の光学記録媒体用途に適した、スクアリリウム化合物金属錯体およびそれを用いた光学記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光学的に情報の記録・再生を行う記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物などが提案されているが、これらの中でもレーザーにより一回限りの情報の記録が可能な追記型の光学記録媒体としてＣＤ−Ｒがコスト的に安価でかつ製造プロセスも容易であることから量産化され広く普及している。記録容量は０．６５ＧＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴って、より高密度で大容量の光学記録媒体への要求が高まっている。
前記要求に応えるべく、記録媒体の高密度化を行う目的で、記録再生に用いるレーザー波長の短波長化や対物レンズの開口数を大きくすることによりビームスポットを小さくするなどの手段が用いられている。ＣＤ−Ｒの記録再生には、近赤外域レーザーの波長（通常は７８０ｎｍ）が用いられているが、近年、短波長（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）の赤色半導体レーザーを用いる高密度の大容量記録を実現した有機色素系光学記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）が実用化され、片面４．７ＧＢのＤＶＤ−Ｒ媒体が市場に供給されている。この様なＤＶＤ−Ｒに適した、スクアリリウム化合物金属錯体を用いた光学記録媒体が提案されている（特許文献１）。
さらに将来はより高密度な記録が求められ、その記録情報量は１枚あたり１５〜３０ＧＢに達すると予想される。
このため、短波長（３００〜５３０ｎｍ）の青色半導体レーザーを用いた高密度の記録再生が可能な光学記録媒体が要望され、既に４０５ｎｍの青色半導体レーザーを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称する光記録媒体が上市された。
【０００３】
ところで、一般的な追記型光学記録媒体は、透明な円盤状基板上に、順次、有機色素等からなる記録層、金や銀などの金属等からなる光反射層および樹脂製の保護層等を積層させて構成される。情報の書き込み（記録）時は、記録層にレーザー光を照射して行われ、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じ、その光学的な特性変化を利用して情報が記録される。
一方、情報の読み取り（再生）もまた記録用のレーザーと同じ波長のレーザーを照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。
従って、青色半導体レーザーを用い高密度の記録再生が可能な光学記録媒体に使用される色素としては、前記基板上に良好なピットを形成・検出するために、使用する青色レーザー光の波長に対する光学的性質や分解挙動が良好であるものが求められ、特に極大吸収波長が３００〜５３０ｎｍの範囲にある色素が望まれている。
また、記録層形成に簡便なスピンコート法等の塗布法による媒体製造する際には、色素を塗布溶剤に溶解するために高溶解性が要求されており、この点についても配慮する必要がある。
この点に関連し、有機色素を含む記録層を有する光学記録媒体において、前記有機色素として特許文献１に開示されたものに加え、特許文献２および３にスクアリリウム系色素が提案されているが、その吸収波長が５３０〜６００ｎｍの範囲にあり、特許文献１に記載されたものと同様、青色レーザー光の波長領域ではないため不適切であった。
また、特許文献４にスクアリリウム系色素を提案したが、青色レーザー光と同じ波長に吸収ピークをもっているため、青色レーザー光で壊れやすくなり耐光性が不十分であるという問題がある。すなわち、レーザー光照射による該色素の吸収変化を利用し、反射層の反射率を低い状態から高い状態に変化させることによって記録を行う、Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ型といわれる記録方式においては、該特許文献４に記載された構造の色素は、青色レーザー光と同じ４０５ｎｍに吸収ピークが重なるため青色レーザー光に対する感度が高く、耐光性が低下する。従って、さらに耐光性が向上し、該記録方式に好適な有機色素及び光学記録媒体が求められている。
【０００４】
【特許文献１】国際公開番号第Ｗ０２００２／０５０１９０号公報
【特許文献２】特開２００４−２６４８０５号公報
【特許文献３】特開２００４−２５８５１４号公報
【特許文献４】特開２００６−２４９２０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のように、記録層に用いられる有機色素としては、青色レーザー波長に対する光学的性質や分解挙動の適切な色素を選択する必要があり、特に、有機色素が分解し大きな屈折率変化が生じるようにするために、記録再生波長は極大吸収波長の長波長側の裾、もしくは吸収変化が生じるようにするために、記録再生波長は極大吸収波長の短波長側に位置するよう選択される。
【０００６】
有機色素において、青色レーザー波長近傍に極大吸収波長を持たせるには、一般に、分子骨格を小さくするか、共役系を短くすることが考えられるが、そのような場合同時に、吸光係数の低下、即ち屈折率の低下も起こり、記録層に用いられる有機色素として好ましくないものとなる。
【０００７】
また、極大吸収波長が３００〜５３０ｎｍにある有機色素も存在するが、これらの有機色素として有機キレート錯体等を適用した場合には溶媒に対する溶解性が低い、成膜時に結晶が析出する現象が見られるため適切な記録層を形成できない等の問題があり、これらの有機キレート錯体等を使用した場合には記録再生ができない等の問題があった。
【０００８】
本発明の目的は、青色半導体レーザーにより記録再生可能な３００〜５３０ｎｍの波長領域に高い光吸収特性と高屈折率性を有し、かつ溶媒に対する溶解性に優れ、耐光性と耐久性に優れたスクアリリウム化合物金属錯体および前記スクアリリウム化合物金属錯体を用いた光学記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは上記問題を解決すべく鋭意検討を行った結果、特定のスクアリリウム化合物金属錯体が３００〜５３０ｎｍの領域に高い光吸収特性と高屈折率性を有し、かつ溶媒に対する溶解性に加え、耐光性と耐久性に優れることから光学記録媒体の記録層として有用であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、
［１］下記一般式（Ａ）
【００１１】
【化１】
2008138099.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数が１〜８の直鎖又は分岐のアルキルフェニル基、又は置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数が１〜６の直鎖又は分岐のアルキルスルホン酸基を示し、
Ｒ３〜Ｒ８はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよいヒドロキシ基、置換基を有していてもよいシアノ基、置換基を有していてもよいニトロ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいスルホ基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜１８のアリール基、
置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環、置換基を有していてもよい炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアシル基、又は置換基を有していてもよい炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルコキシカルボニル基を示す。尚、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３及びＲ３とＲ４は連結して環を形成してもよい。）
で示されるスクアリリウム化合物と、
金属イオンと、
からなるスクアリリウム化合物金属錯体を提供するものであり、
【００１２】
［２］前記金属イオンが、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｚｎイオン、Ｃｕイオン、Ｐｔイオン、Ｔｉイオン、Ａｌイオン、Ｖイオン、Ｍｎイオン、Ｆｅイオン、Ｍｏイオン、Ｗイオン、Ｉｎイオン、Ｓｎイオン、Ｒｕイオン、Ｃｒイオン、Ｐｂイオン及びＥｕイオンから成る群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする、上記［１］に記載のスクアリリウム化合物金属錯体を提供するものであり、
【００１３】
［３］上記［１］又は［２］に記載のスクアリリウム化合物金属錯体を含有する記録層を有する光学記録媒体を提供するものであり、
【００１４】
［４］前記記録層が、光安定化剤を含有することを特徴とする上記［３］に記載の光学記録媒体を提供するものであり、
【００１５】
［５］前記光安定化剤が、下記一般式（Ｂ）
【００１６】
【化２】
2008138099.tif 000004
（式中、Ｒ９はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。）、
一般式（Ｄ）
【００１７】
【化３】
2008138099.tif 000005
（式中、Ｒ１１はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。）、
および一般式（Ｆ）
【００１８】
【化４】
2008138099.tif 000006
（式中、Ｒ１３はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環を示す。またＸはＳｂＦ６イオン、ＣｌＯ４イオン、ＰＦ６イオン、ＣＦ３ＳＯ３イオン、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎイオン等の異なっていても良いアニオン成分を示す。）
からなる群より選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする、上記［４］に記載の光学記録媒体を提供するものであり、
【００１９】
［６］前記記録層はレーザー光による情報の書き込み、及び／または読みとりが可能であることを特徴とする、上記［３］〜［５］のいずれかに記載の光学記録媒体を提供するものであり、
【００２０】
［７］前記レーザー光による情報の書き込み、及び／または読みとりが、３００ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲にある波長のレーザー光により実施されることを特徴とする上記［６］に記載の光学記録媒体を提供するものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、青色半導体レーザーにより記録再生可能な３００〜５３０ｎｍの波長領域に高い光吸収特性と高屈折率性を有し、かつ溶媒に対する溶解性に優れ、耐光性と耐久性に優れたスクアリリウム化合物金属錯体及び前記スクアリリウム化合物金属錯体を用いた光学記録媒体を提供することができる。
また、本発明のスクアリリウム化合物金属錯体にもちいるスクアリリウム化合物を上記一般式（Ａ）に示す構造とすることにより、吸収ピークがより長波長側にシフトし、青色レーザー光の波長４０５ｎｍにおける吸収を小さくでき、その結果、青色レーザー光に対する感度を低下でき、優れた耐光性を維持できるという効果が現われる。従って、特にＬｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ型の記録方式に用いる光学記録媒体として極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明のスクアリリウム化合物金属錯体について詳細に説明する。
【００２３】
本発明のスクアリリウム化合物金属錯体は一般式（Ａ）で示されるスクアリリウム化合物と金属イオンとからなるものである。
【００２４】
一般式（Ａ）におけるＲ１、Ｒ２は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキルフェニル基、又は置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキルスルホン酸基を示す。
【００２５】
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられ、好ましくはフッ素原子である。
【００２６】
置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖のアルキル基があげられ、好ましくは炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖のアルキル基である。
【００２７】
置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基は下記一般式（Ｇ）で表される。
【００２８】
一般式（Ｇ）
【００２９】
【化５】
2008138099.tif 000007
（式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ｎは１〜１２の自然数、ｍは１〜２５の自然数を示す。）
上記ハロゲン化アルキル基の炭素数は１〜１２の範囲が好ましい。炭素数が１２個を越えると、スクアリリウム化合物の質量吸光係数が低下してしまう場合がある。ハロゲン化アルキル基のハロゲン原子としては特に限定はないが、スクアリリウム化合物の耐熱性、耐光性を向上させる効果に優れる点から、特にフッ素原子、すなわちフッ化アルキル基が好ましい。
【００３０】
上記フッ化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、５，５，５−トリフルオロペンチル基、６，６，６−トリフルオロヘキシル基、８，８，８−トリフルオロオクチル基、２−メチル−３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロオクチル基、２−トリフルオロメチル−ペルフルオロプロピル基等があげられる。
【００３１】
上記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基としては特に限定はないが、例えばプロピオニトリル基、ブチロニトリル基、ペンチルニトリル基、１−メチルプロピオニトリル基、１−メチルブチロニトリル基等があげられる。好ましくは炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖のシアノアルキル基であり、置換されているシアノ基の数は、１〜３個が好ましい。
【００３２】
上記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、２−メトキシエトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、メトキシヘキシル基、メトキシオクチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシヘキシル基、エトキシオクチル基、プロポキシメチル基、プロポキシプロピル基、プロポキシヘキシル基、ブトキシエチル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基があげられ、より好ましくは炭素数３〜９の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基である。
【００３３】
置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキルフェニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、フェニル−α−メチルプロピル基、フェニル−β−メチルプロピル基、フェニルブチル基、フェニルペンチル基等があげられる。炭素数が１〜８の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を有するものが好ましく、また、フェニル基にアルキル基、水酸基、スルホン酸基、アルキルスルホン酸基、ニトロ基、アミノ基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基及びハロゲンからなる群から選ばれる少なくとも１種の置換基を有していてもよい。
【００３４】
置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキルスルホン酸基としては、メチルスルホン酸基、エチルスルホン酸基、プロピルスルホン酸基が挙げられる。炭素数１〜６の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を有するアルキルスルホン酸基が好ましい。
【００３５】
一般式（Ａ）において、Ｒ３〜Ｒ８はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよいヒドロキシ基、置換基を有していてもよいシアノ基、置換基を有していてもよいニトロ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいスルホ基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルケニル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロ環、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアシル基、又は置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルコキシカルボニル基を示す。
【００３６】
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられ、好ましくはフッ素原子である。
【００３７】
前記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキル基としては、前述のＲ１、Ｒ２で挙げた直鎖又は分岐鎖のアルキル基と同様である。また、前記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基及び前記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、についても前述と同様である。
【００３８】
前記置換基を有していてもよいヒドロキシ基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、ヒドロキシエトキシメチル基、２−ヒドロキシエトキシエチル基、３−ヒドロキシエトキシプロピル基、２−ヒドロキシエトキシプロピル基、４−ヒドロキシエトキシブチル基、３−ヒドロキシエトキシブチル基、２−ヒドロキシエトキシブチル基等が挙げられる。
【００３９】
前記置換基を有していてもよいシアノ基としては、シアノメチル基、シアノエチル基、シアノプロピル基、シアノブチル基、シアノイソプロピル基等が挙げられる。
【００４０】
前記置換基を有していてもよいニトロ基としては、ニトロメチル基、ニトロエチル基、ニトロブチル基、ニトロプロピル基等が挙げられる。
【００４１】
前記置換基を有していてもよいアミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基等のアルキル置換アミノ基、アシルアミノ基、スルホアミノ基等が挙げられる。
【００４２】
前記置換基を有していてもよいスルホ基としては、メチルスルホ基、ブチルスルホ基、アリールスルホ基等が挙げられる。
【００４３】
前記置換基を有していてもよいアルケニル基としては、ビニル基、アリール基、１−プロペニル基、２−ペンテニル基、１，３−ブタジエニル基、２−オクテニル基、３−ドデセニル基等が挙げられる。好ましくは炭素数２〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルケニル基があげられ、より好ましくは炭素数３〜６の直鎖または分岐鎖のアルケニル基である。
【００４４】
前記置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、２−メトキシエトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、メトキシヘキシル基、メトキシオクチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシヘキシル基、エトキシオクチル基、プロポキシメチル基、プロポキシプロピル基、プロポキシヘキシル基、ブトキシエチル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基があげられ、好ましくは炭素数１〜６の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基である。
【００４５】
前記置換基を有していてもよいアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、ナフチル基などの炭素数６〜１８のアリール基があげられ、好ましくは炭素数６〜１２の置換または未置換のアリール基である。
【００４６】
前記置換基を有していてもよいヘテロ環としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、アクリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、フェナジン環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環等があげられる。
【００４７】
前記置換基を有していてもよいアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基等の炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアシル基があげられ、好ましくは炭素数３〜９の直鎖または分岐鎖のアシル基である。
【００４８】
前記置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、２−メトキシエトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ウンデシルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、ヘキサデシルオキシカルボニル基、オクタデシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜１８の直鎖又は分岐鎖のアルコキシカルボニル基があげられ、好ましくは炭素数２〜８の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基である。
【００４９】
本発明のスクアリリウム化合物金属錯体に含まれる前記スクアリリウム化合物は、例えば一般式（Ａ）の場合であれば、下記一般式（Ｈ）のジクロロスクアリン酸を公知の方法により合成し、例えば下記一般式（Ｉ）で示されるナフトール誘導体化合物と反応させることにより得ることができる。
【００５０】
一般式（Ｈ）
【００５１】
【化６】
2008138099.tif 000008
【００５２】
一般式（Ｉ）
【００５３】
【化７】
2008138099.tif 000009
上記式中、Ｒ１〜Ｒ８は一般式（Ａ）の場合と同様である。
【００５４】
以下に、本発明におけるスクアリリウム化合物金属錯体におけるスクアリリウム化合物の具体例（化合物（１）〜（１２））を挙げるが、前記スクアリリウム化合物はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
【化８】
2008138099.tif 000010
【００５６】
本発明において、前記スクアリリウム化合物との錯体を生成させる金属イオンとしては、前記スクアリリウム化合物と錯体を形成するものであれば特に限定はないが、例えば、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｚｎイオン、Ｃｕイオン、Ｐｔイオン、Ｔｉイオン、Ａｌイオン、Ｖイオン、Ｍｎイオン、Ｆｅイオン、Ｍｏイオン、Ｗイオン、Ｓｎイオン、Ｒｕイオン、Ｃｒイオン、Ｐｂイオン、Ｅｕイオン及びＩｒイオン等の各種イオンが好ましく、各種溶媒への溶解度や耐光性、耐久性の点から特にＮｉイオン、Ｃｕイオン、Ｚｎイオン、Ｃｏイオン、Ｔｉイオン、Ｆｅイオンが好ましい。
【００５７】
前記金属イオンは一種又は二種以上を使用することができる。
【００５８】
本発明のスクアリリウム化合物金属錯体では、金属は金属イオンとして１又は２以上のスクアリリウム分子と結合して錯体として存在していても、金属塩として１又は２以上のスクアリリウム分子と相互作用を互いに及ぼして弱い結合を形成していても良い。
錯体の場合の配位数は、金属の種類やスクアリリウム化合物の置換基などによって変化する。
【００５９】
本発明の光学記録媒体は、一般式（Ａ）の少なくとも一種のスクアリリウム化合物と、金属イオンとからなるスクアリリウム化合物金属錯体を含有する記録層を有するものである。
【００６０】
ここで、本発明のスクアリリウム化合物金属錯体は、Ｊ型会合体またはＨ型会合体の一種もしくは二種を形成していてもよい。
【００６１】
前記スクアリリウム化合物金属錯体は、３００ｎｍ〜５３０ｎｍという短い波長領域に、レーザー光による記録再生に適した光学定数を有しているため、短波長レーザーによる記録再生用光学記録媒体に使用する化合物として極めて有用である。
【００６２】
本発明の光学記録媒体の好ましい構成としては、一定のトラックピッチのプレグルーブが形成された円盤状基板上に、順次、記録層、光反射層および保護層を形成させた構成、該基板上に、順次、光反射層、記録層および保護層を形成させた構成、または、一定のトラックピッチのプレグルーブが形成された透明な円盤状基板上に、順次、記録層および光反射層が形成されてなる二枚の積層体を、記録層が各々内向するように接合された構成などがあげられる。以下に、光学記録媒体について詳細に説明する。
【００６３】
本発明の光学記録媒体における基板の材質は、従来の光学記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。基板材料としては、例えばガラス、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン樹脂およびポリエステル樹脂などを挙げることができ、前記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価格などの点から射出成型ポリカーボネートが好ましい。記録層に接して樹脂基板または樹脂層を設け、その樹脂基板または樹脂層上に記録再生光の案内溝やピットを有していてもよい。案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチが０．５〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
【００６４】
前記記録層の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の気相法やドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の液相法など一般に行われている薄膜形成方法によって行うことができるが、量産性、コスト面からスピンコート法が好ましい。
【００６５】
液相法の溶媒としては、基板を侵さない溶媒であればよく、特に限定されない。例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエステルケトン系溶媒；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素系溶媒；ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒；メチルシクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒；ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール系溶媒；２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。上記溶媒は使用する化合物の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。
【００６６】
前記記録層の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲であり、好ましくは３０〜３００ｎｍの範囲であり、より好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲である。
【００６７】
前記記録層に、前記記録層の耐光性を向上させるために、光安定化剤を用いてもよい。光安定化剤として、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等の遷移金属キレート錯体や、芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ジイモニウム化合物、ビスイミニウム化合物等が挙げられる。
【００６８】
前記光安定化剤としては、例えば、下記一般式（Ｂ）〜（Ｆ）、（Ｊ）〜（Ｋ）等の一種もしくは二種以上を挙げることができる。
【００６９】
一般式（Ｂ）
【００７０】
【化９】
2008138099.tif 000011
ここでＲ９はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。
【００７１】
一般式（Ｃ）
【００７２】
【化１０】
2008138099.tif 000012
ここでＲ１０はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。またＸはアニオン成分を示す。
【００７３】
前記Ｘのアニオン成分として、ＳｂＦ６イオン、ＣｌＯ４イオン、ＰＦ６イオン、ＣＦ３ＳＯ３イオン、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎイオン等が挙げられる。
【００７４】
一般式（Ｄ）
【００７５】
【化１１】
2008138099.tif 000013
ここでＲ１１はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。
【００７６】
一般式（Ｅ）
【００７７】
【化１２】
2008138099.tif 000014
ここでＲ１２はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。またＸはアニオン成分を示す。
【００７８】
前記Ｘのアニオン成分として、ＳｂＦ６イオン、ＣｌＯ４イオン、ＰＦ６イオン、ＣＦ３ＳＯ３イオン、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎイオン等が挙げられる。
【００７９】
一般式（Ｆ）
【００８０】
【化１３】
2008138099.tif 000015
ここでＲ１３はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。またＸは、アニオン成分を示す。
【００８１】
前記Ｘのアニオン成分として、ＳｂＦ６イオン、ＣｌＯ４イオン、ＰＦ６イオン、ＣＦ３ＳＯ３イオン、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎイオン等が挙げられる。
【００８２】
一般式（Ｊ）
【００８３】
【化１４】
2008138099.tif 000016
ここでＲ１４はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。またＸはアニオン成分を示す。
【００８４】
前記Ｘのアニオン成分として、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、テトラヘキシルホスホニウムイオン等を示す。
【００８５】
一般式（Ｋ）
【００８６】
【化１５】
2008138099.tif 000017
ここでＮｉイオンに替えて、Ｆｅイオン、Ｐｄイオン等であってもよい。
またＸはＰ（ＯＣＨ３）３等を示す。
【００８７】
一般式（Ｌ）
【００８８】
【化１６】
2008138099.tif 000018
ここでＲ１５はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数３〜２０のヘテロ環等を示す。またＸはＳＯ３基等、ＭはＮｉイオン、Ｃｏイオン等の遷移金属を示す。
【００８９】
前記光安定化剤の中でも、一般式（Ｂ）、（Ｄ）および（Ｆ）が、前記スクアリリウム化合物金属錯体と有機溶媒中で混合した場合でも沈殿物が生じないことから好ましい。
前記一般式（Ｂ）のＲ９は、それぞれ独立にイソブチル基またはシアノブチル基であればさらに好ましい。
【００９０】
また前記一般式（Ｄ）のＲ１１は、それぞれ独立にイソブチル基またはシアノブチル基Ｎ，Ｎ−ジイソブチルアミノ基またはＮ，Ｎ−ジシアノブチル基であればさらに好ましい。
また前記一般式（Ｆ）のＲ１３は、それぞれ独立にイソブチル基またはシアノブチル基Ｎ，Ｎ−ジイソブチルアミノ基またはＮ，Ｎ−ジシアノブチル基であればさらに好ましい。
【００９１】
前記光安定化剤の使用量は、通常は前記スクアリリウム化合物金属錯体１００質量部に対し、０．０１〜１００質量部の範囲であるが、１〜８０質量部の範囲であれば好ましい。これ以上使用量を増やすと吸光係数が減少し、少なくすると十分な安定化効果が得られない場合がある。
【００９２】
前記記録層の上には、光反射層を形成してもよく、その膜厚は好ましくは、厚さ５０〜３００ｎｍである。光反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。反射層は、例えば、上記光反射性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより基板若しくは記録層の上に形成することができる。光反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲であり、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。
【００９３】
前記反射層の上に形成する保護層の材料としては、反射層を外力から保護するものであれば特に限定されない。具体的には、有機系材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。また、無機系材料としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２等が挙げられる。
【００９４】
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いた保護層は、該樹脂を適当な溶剤に溶解した塗布液を、記録層または光反射層を形成した基板表面に塗布し、乾燥することによって形成することができる。
【００９５】
ＵＶ硬化性樹脂を用いた保護層は、該樹脂単独もしくは適当な溶剤に溶解した塗布液を記録層または光反射層を形成させた基板表面に塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は単独ないしは混合して用いてもよいし、１層または多層膜を形成させてもよい。
【００９６】
保護層の形成方法としては、前記記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に０．１〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３〜３０μｍが好ましい。
【００９７】
本発明の光学記録媒体について使用されるレーザー光は、高密度記録が可能な短い波長領域が選ばれるが、好ましくは３５０〜４３０ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザー光が、より好ましくは３９０〜４２０ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザー光が用いられる。
【００９８】
本発明の光学記録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けられた記録層に０．４〜０．６μｍ程度に集束させたレーザー光を照射することにより行われる。レーザー光の照射された部分には、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶解等の記録層の熱的変形が起こり、光学特性が変化し、記録ピットが形成される。記録された情報は、再生用レーザー光を照射させて、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより再生される。これにより本発明の光学記録媒体はレーザー光による情報の書き込み、及び／又は読みとりが可能となる。
【実施例】
【００９９】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。なお、実施例中、「部」は「質量部」を表す。
【０１００】
（実施例１）
（１）冷却管を付けた三ツ口フラスコに３，４−ジクロロ−３−シクロブテン−１，２−ジオン２３．０部、Ｎ、Ｎ―ジメチル−１−ナフチルアミン２５．０部を入れ、そこにトルエン３００部を加え、１０時間室温にて撹拌した。反応終了後、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。アセトンにて再結晶後、減圧乾燥してスクアリリウム中間体３８．０部を得た。次に冷却管を付けた三ツ口フラスコに、得られたスクアリリウム中間体３８．０部、酢酸５０．０部を入れ、そこに水１００部を入れ、１００℃にて２４時間加熱撹拌した。反応後、冷却し析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物（１）２９．０部を得た。
【０１０１】
（２）冷却管を付けた三ツ口フラスコに、スクアリリウム化合物（１）４．０部、酢酸ニッケル・４水和物２．０部を入れ、そこにＴＨＦ５０部を入れ、６０℃にて４時間加熱撹拌した。反応後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物（１）−ニッケル錯体４．５部を得た。
【０１０２】
実施例１により得られたスクアリリウム化合物金属錯体（１）−ニッケル錯体
【０１０３】
【化１７】
2008138099.tif 000019
【０１０４】
（実施例２）
酢酸ニッケル・４水和物に変え、コバルトの酢酸塩を用いた以外は、実施例１と同様にしてスクアリリウム化合物金属錯体を得た。その化学構造を以下に記す。
【０１０５】
実施例２により得られたスクアリリウム化合物金属錯体（１）−コバルト錯体
【０１０６】
【化１８】
2008138099.tif 000020
【０１０７】
（実施例３）
（１）冷却管を付けた三ツ口フラスコに３，４−ジクロロ−３−シクロブテン−１，２−ジオン２３．０部、４−ナフタレン−１−モルホリン３０．０部を入れ、そこにトルエン３００部を加え、１０時間室温にて撹拌した。反応終了後、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。アセトンにて再結晶後、減圧乾燥してスクアリリウム中間体３９．０部を得た。次に冷却管を付けた三ツ口フラスコに、得られたスクアリリウム中間体３９．０部、酢酸５０．０部を入れ、水１００部、ＤＭＦ１００部を入れ、１００℃にて２４時間加熱撹拌した。反応後、冷却し析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物（８）２８．０部を得た。
【０１０８】
（２）冷却管を付けた三ツ口フラスコに、スクアリリウム化合物（８）４．０部、酢酸亜鉛・２水和物２．０部を入れ、そこにＴＨＦ５０部を入れ、６０℃にて４時間加熱撹拌した。反応後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物（８）−亜鉛錯体４．５部を得た。
【０１０９】
実施例３により得られたスクアリリウム化合物金属錯体（８）−亜鉛錯体
【０１１０】
【化１９】
2008138099.tif 000021
【０１１１】
（実施例２）
酢酸亜鉛・２水和物に変え、塩化鉄を用いた以外は、実施例３と同様にしてスクアリリウム化合物金属錯体を得た。その化学構造を以下に記す。
【０１１２】
実施例４により得られたスクアリリウム化合物金属錯体（８）−鉄錯体
【０１１３】
【化２０】
2008138099.tif 000022
【０１１４】
（比較例１、２、３）
比較例として、特開２００６−２４９２０９号公報に記載された以下に示すスクアリリウム化合物金属錯体の特性を実施例と同様にして測定し、結果を表１に示した。
【０１１５】
（比較例１）
【０１１６】
【化２１】
2008138099.tif 000023
【０１１７】
（比較例２）
【０１１８】
【化２２】
2008138099.tif 000024
【０１１９】
（比較例３）
【０１２０】
【化２３】
2008138099.tif 000025
【０１２１】
結果を表１に示す。
【０１２２】
【表１】
2008138099.tif 000026
【０１２３】
本発明の実施例１〜４のスクアリリウム化合物金属錯体は４３０〜４５０ｎｍに光吸収を持ち、かつ高いモル吸光係数を有している。比較例１〜３のスクアリリウム化合物金属錯体では３７０〜４１０ｎｍであり、実施例１〜４の方が３０〜５０ｎｍほど長波長シフトする結果となった。
【０１２４】
（塗布膜の耐光性試験）
それぞれ、フッ素アルコールとエタノールとの１：１混合溶媒を用いてスピンコート法により２０００ｒｐｍ、１０秒の条件でガラス基板に成膜した。このときの膜厚は１００ｎｍであった。
【０１２５】
前述の実施例１〜２のスクアリリウム化合物金属錯体に光安定化剤を加えたものをそれぞれ実施例５〜６とし、実施例３〜４のスクアリリウム化合物金属錯体に光安定化剤を加えたものをそれぞれ実施例７〜８とし、比較例１〜３のスクアリリウム化合物金属錯体に光安定化剤を加えたものをそれぞれ比較例４〜６とする。光安定化剤の使用量は、前記金属錯体の量に対して２５質量％とした。
前記光安定化剤は下記に示したものを使用した。
【０１２６】
【化２４】
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実施例１〜８、比較例１〜６の塗布膜を３２０Ｗキセノンランプ、６３℃雰囲気下で所定時間照射した。λｍａｘにおける初期の吸光度を１００％とし、所定時間後の吸光度の百分率を色素残存率として算出した。これらの結果を表２に示す。
表２に示すように、本発明の実施例１〜４の塗布膜は照射２４時間経過後では色素残存率が８０％程度の耐光性を有し、安定化剤を加えた実施例５〜８は照射２４時間経過後で色素残存率が９３％程度と優れた耐光性を示した。
一方、比較例１〜３では２４時間後の色素残存率が０％とスクアリリウム化合物が変化し、比較例４〜６においても２４時間後の色素残存率が３０％程度と低く、良好な耐光性を維持することができなかった。
吸収ピークを長波長側にシフトさせることにより４０５ｎｍにおける吸光係数を小さくし、また耐光性が向上する結果となった。
【０１２７】
【表２】
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【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】実施例１の溶液のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトル
【図２】実施例１の塗布膜のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトル
【図１】
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【図２】
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