(57)【要約】【課題】  スティッキングの発生を効果的に防止し、ウエーハのクラックや割れを防止し、エピタキシャルウエーハの生産性を高く行うことができる気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法を提供する。【解決手段】  気相成長装置においてウエーハを載置するための気相成長用サセプタであって、該気相成長用サセプタは、ウエーハを載置するウエーハ載置面と側壁とからなる凹形状のザグリが形成されたものであり、前記ウエーハ載置面は、中心側領域と、該中心側領域よりも表面粗さが大きい周辺側領域とからなる気相成長用サセプタ及び前記サセプタを備える気相成長装置及び前記サセプタのザグリにウエーハを載置し、該ウエーハの表面に薄膜を気相成長させる気相成長方法。【選択図】  図１
2008187020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長装置においてウエーハを載置するための気相成長用サセプタであって、該気相成長用サセプタは、ウエーハを載置するウエーハ載置面と側壁とからなる凹形状のザグリが形成されたものであり、前記ウエーハ載置面は、中心側領域と、該中心側領域よりも表面粗さが大きい周辺側領域とからなることを特徴とする気相成長用サセプタ。
【請求項２】
前記ウエーハ載置面における中心側領域の表面粗さＲａは、１μｍ以上１０μｍ未満であり、前記ウエーハ載置面における周辺側領域の表面粗さＲａは、１０μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の気相成長用サセプタ。
【請求項３】
前記ウエーハ載置面における周辺側領域の前記側壁からの幅は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の気相成長用サセプタ。
【請求項４】
少なくとも請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の気相成長用サセプタを備えることを特徴とする気相成長装置。
【請求項５】
前記気相成長装置は、縦型気相成長装置であることを特徴とする請求項４に記載の気相成長装置。
【請求項６】
少なくとも、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の気相成長用サセプタのザグリにウエーハを載置し、該ウエーハの表面に薄膜を気相成長させることを特徴とする気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主にエピタキシャルウエーハの製造に使用される気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法に関し、詳しくは対象となるウエーハをほぼ水平に保持してエピタキシャル成長を行う例えば水平円盤型の気相成長用サセプタ及びこれを備える気相成長装置並びに気相成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
気相エピタキシャル成長技術は、バイポーラトランジスタやＭＯＳＬＳＩ等の集積回路の製造に用いられる単結晶薄膜層を気相成長させる技術であり、清浄な半導体単結晶基板（ウエーハ）上に基板の結晶方位に合せて均一な単結晶薄膜を成長させたり、ドーパント濃度差が大きい接合の急峻な不純物濃度勾配を形成することができるので、極めて重要な技術である。気相エピタキシャル成長装置としては、縦型（パンケーキ型）、バレル型（シリンダー型）、さらに横型の３種類が一般的である。これらの成長装置の原理は共通している。
このうち、縦型（パンケーキ型）、横型の２機種は、ほぼ水平に基板ウエーハを保持する気相成長用サセプタを採用している。
【０００３】
図５は、従来の縦型気相成長装置の一例を示す断面概略説明図である（特許文献１参照）。この縦型気相成長装置２１においては、ベースプレート２上に釣鐘状のベルジャ３を載置することによって反応室４が形成される。この反応室４内には、半導体基板（ウエーハ）５を載置する水平円盤型のサセプタ１６が水平に配置され、その下面には該サセプタ１６を介してウエーハ５を加熱する高周波加熱コイル７がコイルカバー８内に設けられている。気相成長の際には、サセプタ１６の上面に設けられた円形の凹部であるザグリ１９にウエーハ５を載置し、原料ガスをガス導入口１０より供給し、ノズル１１の側面や上面に設けられた噴出孔１２から噴出して反応室４に導入し、ガス排出口１３から排出する。このとき、ウエーハ５は高周波加熱コイル７により加熱されているので、ウエーハ上に噴出された原料ガスはウエーハ表面で反応し、ウエーハ表面に薄膜のエピタキシャル層を気相成長させる。
【０００４】
また、横型気相成長装置の一種として枚葉式装置がある。この装置は、横型の加熱炉内に配置された水平円盤型のサセプタの上にウエーハを載置し、これを垂直軸まわりに回転させながら、炉内水平方向に原料ガスを流通させることにより、ウエーハ表面にエピタキシャル層を形成するものである。このような装置は、ウエーハの大径化と共に多用されるようになり、直径３００ｍｍのウエーハに対応できる装置としても主流と目されている。
【０００５】
前述のように、これらの気相成長装置では、エピタキシャル成長をさせるウエーハの上面にのみ原料ガスを接触させることを目的として、ウエーハを収容する円形の凹部がサセプタの上面に設けられる。そして、ザグリと呼ばれるこの凹部内にウエーハを収容してエピタキシャル成長を行う。
【０００６】
ところで、表面に薄膜をエピタキシャル成長させたウエーハは、例えばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のパワーデバイスに用いられる。このようなパワーデバイス向けエピタキシャルウエーハにおいては、エピタキシャル成長膜を１００μｍ程度以上に厚くする場合がある。このような厚い膜を形成する場合、サセプタ上のウエーハがザグリ内に収容されているにもかかわらず、ザグリのウエーハ載置面とウエーハの外周裏面との間等に両者に跨がって成長した析出物によりスティック（固着）する現象が発生しやすい。このスティッキング現象が生じると、エピタキシャル成長後にサセプタからウエーハを取り出すときに、スティック部分の析出物を剥がさなければならず、その際にウエーハのスティック部分に相当の力が付加されるために、しばしばウエーハにクラックが発生し、割れに至ることもある。このようなクラックや割れの発生はウエーハの歩留まりを低下させる。
【０００７】
このようなスティッキングは反応律速条件下で発生しやすい。すなわち、ザグリ側壁とウエーハ外周側面との間や、ザグリのウエーハ載置面の周辺側とウエーハ外周裏面との間のように、原料ガスが回り込みにくい狭い領域でも、エピタキシャル成長が起きる条件下で発生する。逆に言うと、スティッキングを抑えるには輸送律速条件下で反応させることが有効である。
したがって、輸送律速条件にするために、原料ガスの流量を少なくしたり、反応温度を高くしたりする必要がある。しかし、原料ガスの流量を少なくする場合、薄膜の成長速度が低くなってしまうので、生産性も低くなってしまう。また、反応温度を高くすると、スリップ転位が発生しやすくなったり、基板からのエピタキシャル層へのオートドーピングが強くなってしまうなどの問題があった。
【０００８】
【特許文献１】特開平７−４５５３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、スティッキングの発生を効果的に防止し、ウエーハのクラックや割れを防止し、エピタキシャルウエーハの生産性を高く行うことができる気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明は、気相成長装置においてウエーハを載置するための気相成長用サセプタであって、該気相成長用サセプタは、ウエーハを載置するウエーハ載置面と側壁とからなる凹形状のザグリが形成されたものであり、前記ウエーハ載置面は、中心側領域と、該中心側領域よりも表面粗さが大きい周辺側領域とからなることを特徴とする気相成長用サセプタを提供する（請求項１）。
【００１１】
このように、ウエーハを載置するウエーハ載置面と側壁とからなる凹形状のザグリが形成され、前記ウエーハ載置面は、中心側領域と、該中心側領域よりも表面粗さが大きい周辺側領域とからなる気相成長用サセプタであれば、気相成長装置に用いて、スティッキングの発生を効果的に防止し、ウエーハのクラックや割れを防止し、エピタキシャルウエーハの生産性を高く行うことができる気相成長用サセプタとなる。したがって、この時、高品質のエピタキシャルウエーハを効率よく生産することができる。
【００１２】
この場合、前記ウエーハ載置面における中心側領域の表面粗さＲａは、１μｍ以上１０μｍ未満であり、前記ウエーハ載置面における周辺側領域の表面粗さＲａは、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい（請求項２）。また、前記ウエーハ載置面における周辺側領域の前記側壁からの幅は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい（請求項３）。
【００１３】
このように、ウエーハ載置面における中心側領域の表面粗さＲａが１μｍ以上１０μｍ未満であり、前記ウエーハ載置面における周辺側領域の表面粗さＲａが１０μｍ以上２０μｍ以下であったり、ウエーハ載置面における周辺側領域の側壁からの幅が１ｍｍ以上５ｍｍ以下であれば、より効果的にスティッキングの発生を防止することができ、かつ、エピタキシャルウエーハを材料として作製される半導体デバイスへのスリップ転位などによる影響を少なくすることができる。
【００１４】
また、本発明は、少なくとも前記の気相成長用サセプタを備えることを特徴とする気相成長装置を提供する（請求項４）。
【００１５】
このような少なくとも前記の気相成長用サセプタを備える気相成長装置であれば、スティッキングの発生を効果的に防止し、ウエーハのクラックや割れを防止し、エピタキシャルウエーハの生産性を高く行うことができる気相成長装置となる。
【００１６】
この場合、前記気相成長装置は、縦型気相成長装置であることができる（請求項５）。
このような少なくとも前記の気相成長用サセプタを備える縦型気相成長装置であれば、特にスティッキングが発生しやすい縦型気相成長装置においても、スティッキングの発生を効果的に防止し、ウエーハのクラックや割れを防止し、エピタキシャルウエーハの生産性を高く行うことができる縦型気相成長装置とすることができる。
【００１７】
また、本発明は、少なくとも、前記の気相成長用サセプタのザグリにウエーハを載置し、該ウエーハの表面に薄膜を気相成長させることを特徴とする気相成長方法を提供する（請求項６）。
【００１８】
このように、前記の気相成長用サセプタのザグリにウエーハを載置し、ウエーハの表面に薄膜を気相成長させれば、スティッキングの発生を効果的に防止し、ウエーハのクラックや割れを防止し、エピタキシャルウエーハの生産性を高く行うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の気相成長用サセプタ、気相成長装置、気相成長方法であれば、特にウエーハ外周裏面でのスティッキングの発生を効果的に防止できるので、ウエーハのクラック、割れを防止でき、ウエーハの歩留まりの低下を防止できる。また、気相成長速度を低くしなくてもよいので、エピタキシャルウエーハの生産性を高く行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
前述のように、従来、スティッキング防止を目的として、原料ガスの流量を少なくする場合、薄膜の成長速度が低くなってしまうので、生産性も低くなってしまうという問題があった。また、反応温度を高くすると、スリップ転位が発生しやすくなったり、基板からエピタキシャル層へのオートドーピングが強くなってしまうなどの問題があった。
【００２１】
そこで、本発明者は、このようなデメリットを抑え、ウエーハ裏面でのスティッキングの発生を効果的に防止する方法について鋭意検討を行った。その結果、サセプタのザグリ表面の粗さを粗くして、基板ウエーハとザグリ表面の接触面積を小さくすることが、ウエーハ裏面とザグリのウエーハ載置面との間におけるスティッキングを効果的に防止するために重要であることを見出した。
さらに、ウエーハ裏面とザグリのウエーハ載置面との間におけるスティッキングの発生は、ウエーハの外周側のみで起こることに着目した。すなわち、原料ガスが回り込まないウエーハ中央付近では、スティッキングは発生しない。このため、ウエーハ裏面とザグリのウエーハ載置面との間におけるスティッキングを防止するには、ザグリの表面粗さを粗くする領域は、ウエーハ載置面の周辺側のみとすればよいことに想到し、本発明を完成させた。
【００２２】
以下では、本発明の実施の形態について、添付した図面に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１は本発明に従う気相成長用サセプタのザグリ部分の一例を示す断面概略説明図である。このサセプタ６は、ウエーハ５を載置するウエーハ載置面９ａと側壁９ｂとからなる凹形状のザグリ９が形成されたものであり、ウエーハ載置面９ａは、中心側領域９ｃと、中心側領域９ｃよりも表面粗さが大きい周辺側領域９ｄとからなることを特徴とする。
【００２３】
気相成長用サセプタ６の材質はウエーハ５の材質や成長条件等により適宜選択することができ、例えば、ウエーハ５をシリコン基板とするときには、気相成長用サセプタ６は黒鉛をＳｉＣで被覆したものとすることができる。
ウエーハ載置面を上記のような表面粗さの分布、すなわち、中心側領域の表面を滑らかにし、周辺側領域を粗くするには、ウエーハ載置面の研磨条件を変えて研磨することによって実現することができるが、これに限定されず、上記の黒鉛製サセプタ基材にＳｉＣで被覆した気相成長用サセプタであれば、あらかじめ黒鉛製サセプタ基材の表面のうち相当領域部分を研磨して局所的に滑らかにしておくことや、逆に、エンドミル等の加工機の加工条件を変えて粗くしておくことなどによってもよい。
【００２４】
このように、ウエーハ載置面９ａの表面を、中心側領域９ｃよりも周辺側領域９ｄの方を粗いものとすることにより、ウエーハ５において、中心側領域９ｃと接するウエーハ中心部分では接触面積を大きくし、局所的な熱集中によるスリップ転位の発生を抑制しつつ、周辺側領域９ｄと接するウエーハ外周部分では、ウエーハ載置面との接触面積を小さくすることができ、効果的にウエーハ裏面とザグリのウエーハ載置面との間におけるスティッキングを防止することができる。すなわち、本発明に係る気相成長用サセプタ６は、ウエーハ外周裏面におけるスティッキングの発生を効果的に防止し、ウエーハのクラックや割れを防止し、かつ、成長速度を低下させる必要もないので、エピタキシャルウエーハの生産性を高くすることができる気相成長用サセプタとなる。
【００２５】
中心側領域９ｃ、周辺側領域９ｄのそれぞれの表面粗さの具体的な数値は、Ｒａ値（基準線平均粗さ：ウエーハ載置面の基準線（波形までの偏差の２乗和が最小になるように設定した直線）からの距離の平均値）で、中心側領域９ｃが１μｍ以上１０μｍ未満であり、周辺側領域９ｄが１０μｍ以上２０μｍ以下であることが望ましい。
このうち、周辺側領域９ｄの数値の意義は、表面粗さＲａが１０μｍ以上であれば、ウエーハ５とザグリ表面との接触面積を十分に小さくすることができ、より効果的にスティッキングを防止することができるためであり、一方、表面粗さＲａが２０μｍ以下であれば、特に、サセプタを加熱源とする縦型反応器の場合であっても、周辺側領域における局所的な熱集中によるスリップ転位の発生を一定レベルに抑制することができるためである。
また、中心側領域９ｃの数値の意義は、表面粗さＲａを１０μｍ未満とすれば、半導体デバイスの作り込み領域内へのスリップ転位の発生をより確実に抑制することができるためである。一方、表面粗さＲａを１μｍ未満とするためには、研磨に要するコストが増大し、不経済であるからであり、これよりさらに小さい表面粗さＲａであっても構わない。
【００２６】
また、ウエーハ載置面９ａにおける周辺側領域９ｄの側壁９ｂからの幅は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが望ましい。
周辺側領域９ｄの側壁９ｂからの幅が１ｍｍ以上であれば、周辺側領域９ｄと、ウエーハ５の周辺側領域９ｄに接触する部分（ウエーハ外周裏面）との間のスティッキングをより確実に防止することができるためである。一方、周辺側領域９ｄの側壁９ｂからの幅が５ｍｍ以下であれば、ウエーハ５の、周辺側領域９ｄと接触する部分（ウエーハ外周裏面）において局所的な熱集中によりスリップ転位が発生したとしても、ウエーハ中央部に作製されることになる半導体デバイスに、より確実に悪影響を及ぼさないためである。従って、半導体デバイスの作りこまない領域がウエーハ外周端から５ｍｍ以上である場合などは、周辺側領域側９ｄの幅を５ｍｍよりさらに広くしても構わない。
【００２７】
なお、サセプタ全体の形状は例えば水平円盤型であるが特に限定されず、また、形成されるザグリは１つ又はそれ以上とできる。ザグリの直径、深さ等は載置するウエーハのサイズに合わせて適宜選択することができる。
【００２８】
図２は本発明に従う気相成長装置の一例を示す断面概略説明図である。
この縦型気相成長装置１においては、ベースプレート２上に釣鐘状のベルジャ３を載置することによって反応室４が形成される。この反応室４内には、ウエーハ５を載置する水平円盤型のサセプタ６が水平に配置され、その下面には該サセプタ６を介してウエーハ５を加熱する高周波加熱コイル７がコイルカバー８内に設けられている。
【００２９】
この気相成長装置に備えられるサセプタ６は、本発明に従うサセプタであり、例えば図１に示すサセプタを用いることができる。本発明に従うサセプタを備える気相成長装置であれば、スティッキングの発生を効果的に防止し、ウエーハのクラックや割れを防止し、エピタキシャルウエーハの生産性を高く行うことができる気相成長装置となる。
なお、本発明の気相成長装置は、このような縦型のものに限定されず、横型のものであってもよい。
【００３０】
次に、本発明の気相成長方法によりウエーハ表面に薄膜を気相成長させる方法を、図２の気相成長装置を用いる場合について説明する。
まず、サセプタ６のザグリ９にウエーハ５を載置する。そして、原料ガスをガス導入口１０より供給し、ノズル１１の側面や上面に設けられた噴出孔１２から噴出して反応室４に導入し、ガス排出口１３から排出する。このとき、ウエーハ５は高周波加熱コイル７により加熱されているので、噴出された原料ガスはウエーハ表面で反応し、ウエーハ表面に薄膜のエピタキシャル層を気相成長させる。
【００３１】
このとき、ザグリ９のウエーハ載置面が、上記のような表面粗さ分布、すなわち、中心側領域の表面粗さよりも周辺側領域の表面粗さが大きくなっているため、上述したように、ウエーハ外周裏面とザグリのウエーハ載置面の周辺側領域との間におけるスティッキングの発生が防止され、また、ウエーハの中心側ではスリップ転位の発生が抑制される。このようにして、本発明に係る気相成長方法では、スティッキングの発生を効果的に防止し、ウエーハのクラックや割れを防止することができ、成長速度を低下させる必要もないので、エピタキシャルウエーハの生産性を高く行うことができる。
【００３２】
なお、ウエーハは、例えばシリコンウエーハを用いることができるが、化合物半導体等の他の半導体ウエーハ等でもよく、特に限定はされない。
また、薄膜は例えばシリコン薄膜とできるが、原料ガスを適宜選択すること等により他の半導体薄膜ともでき、特に限定されない。
【００３３】
また、このときエピタキシャル成長させる薄膜の厚さを１００μｍ以上とすることができる。薄膜の厚さが厚いとザグリにも膜が厚く堆積するのでスティッキングが発生しやすいが、本発明の方法であれば、ウエーハ外周裏面におけるスティッキングの発生を効果的に防止できるので有益である。
【００３４】
また、本発明の気相成長方法によりウエーハの表面に薄膜を気相成長させたエピタキシャルウエーハであれば、スティッキングの発生によるウエーハのクラック、割れが防止された、歩留まりの高いエピタキシャルウエーハであり、かつ高い速度で薄膜を成長させた、生産性の高いエピタキシャルウエーハであるから、安価なものとできる。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１〜１８）
図２に示したような縦型気相成長装置１を用い、直径６インチ（１５０ｍｍ）のシリコンウエーハを、サセプタ６のザグリ９に収容し、ウエーハ５上にシリコンのエピタキシャル層を成長させた。
このとき、６インチウエーハ用のサセプタ６として、下記の表１に水準表を示したように、１８個のザグリ９のそれぞれの周辺側領域９ｄの側壁９ｂからの幅Ｗを０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、５．０ｍｍ、３０．０ｍｍ、表面粗さＲｏｕｔ（Ｒａ）を７μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍと振ったものを図３（ａ）に示したように配置したサセプタを用いた。なお、中心側領域９ｃの表面粗さＲｉｎ（Ｒａ）はすべてのザグリにおいて３μｍとした。また、図３（ｂ）に、周辺側領域の幅Ｗと表面粗さＲｏｕｔ、中心側領域の表面粗さＲｉｎを示す模式図を示した。
なお、実施例１〜１８はそれぞれ水準１〜１８に対応する。
【００３６】
【表１】
2008187020.tif 000003
【００３７】
なお、反応ガスとしてＳｉＨＣｌ３を用い、成長速度を１．５μｍ／ｍｉｎ、反応温度を１０５０℃、成長膜厚を１２０μｍとした。
それぞれの水準について、一度の気相成長につき１枚ずつ、３０回の気相成長を繰り返して、それぞれの水準について３０枚ずつのエピタキシャルウエーハを得た。
そして、このようにエピタキシャル層を成長させた後のウエーハとサセプタとの間のスティッキング発生割合を調べた。
【００３８】
図４に、周辺側領域９ｄの側壁９ｂからの幅Ｗ（周辺側領域幅Ｗ）及び周辺側領域の表面粗さＲｏｕｔとスティッキング発生割合との関係を示すグラフを示した。周辺側領域の幅Ｗが１．０ｍｍ以上の場合は、いずれも表面粗さが１０μｍ以上においてスティッキング発生率が３％以下であり、スティッキングの発生が効果的に防止された。周辺側領域の表面粗さが７μｍの場合では、スティッキング発生率は２０％程度であった。また、周辺側領域幅が０．５ｍｍの場合は、いずれの表面粗さにおいてもスティッキング発生割合が２０％程度であった。
【００３９】
また、表２に局所的熱集中によるウエーハ外周部におけるスリップ転位の発生の有無を示した。
【００４０】
【表２】
2008187020.tif 000004
【００４１】
周辺側領域の表面粗さが２５μｍの場合は、いずれもスリップ転位の発生が見られた。周辺側領域の表面粗さが２０μｍと１５μｍのものは、一部に発生が見られた。周辺側領域の表面粗さが１０μｍのものにはほとんど発生せず、７μｍのものには全く発生しなかった。
また、実施例１〜１８のいずれの場合も、ウエーハ載置面の中心側領域に相当する、ウエーハ中央付近には、スリップ転位の発生はまったく見られなかった。
【００４２】
これら結果から、実施例１〜１８では、いずれにおいてもスティッキングを防止しつつウエーハ中央付近におけるスリップ転位の発生を抑制できる本発明の効果が明らかに得られた。
特に、周辺側領域の表面粗さＲｏｕｔを１０μｍ以上２０μｍ以下にし、周辺側領域の幅Ｗを１ｍｍ以上にすれば、ほとんどスティッキングは発生せず、周辺側領域においてもスリップ転位の発生を抑制することができた。また、周辺側領域の幅を５ｍｍ以下とすることで、半導体デバイスの作りこみ領域となるウエーハ中央付近でのスリップ転位の発生も抑えることができた。
【００４３】
（比較例１〜６）
ウエーハ載置面の表面粗さが、それぞれ一様に３μｍ（比較例１）、７μｍ（比較例２）、１０μｍ（比較例３）、１５μｍ（比較例４）、２０μｍ（比較例５）、２５μｍ（比較例６）である６種のザグリが３個ずつ、合計１８個形成されたサセプタを備えた以外は実施例１〜１８と同一の気相成長装置を用いて、実施例１〜１８と同様の成長条件で１０回の気相成長を行い、比較例１〜６について合計それぞれ３０枚ずつのエピタキシャルウエーハを得た。
【００４４】
その結果、比較例１〜３では、ウエーハ全面においてスリップ転位の発生がほとんど見られなかったが、スティッキングの発生率が比較例１で８０％以上、比較例２で２０％以上、比較例３では３％以下であった。
比較例４〜６では、スティッキングの発生率は３％以下であったが、ウエーハ中央付近を含むウエーハ全面においてスリップ転位が発生した。特に、ウエーハ載置面の表面粗さが大きくなるにつれ、スリップ転位の発生量がウエーハ全面において増加した。
以上の結果より、本発明の、スティッキングを防止しつつウエーハ中央付近におけるスリップ転位の発生を抑制できる効果が明らかとなった。
【００４５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に従う気相成長用サセプタのザグリの断面概略説明図である。
【図２】本発明の気相成長装置の一例を示す断面概略説明図である。
【図３】（ａ）ザグリの配置について水準表（表１）との対応を示す図である。（ｂ）ザグリのウエーハ載置面における周辺側領域の幅Ｗと表面粗さＲｏｕｔ、中心側領域の表面粗さＲｉｎを示す模式図である。
【図４】実施例における、周辺側領域の幅Ｗ及び周辺側領域の表面粗さＲｏｕｔとスティッキング発生割合との関係を示すグラフである。
【図５】従来の気相成長装置の一例を示す断面概略説明図である。
【符号の説明】
【００４７】
１、２１…縦型気相成長装置、  ２…ベースプレート、  ３…ベルジャ、
４…反応室、  ５…ウエーハ、  ６，１６…サセプタ、  ７…高周波加熱コイル、
８…コイルカバー、  ９、１９…ザグリ、  ９ａ…ウエーハ載置面、
９ｂ…側壁、  ９ｃ…中心側領域、  ９ｄ…周辺側領域、
１０…ガス導入口、  １１…ノズル、
１２…噴出孔、  １３…ガス排出口。
【図１】
2008187020.tif 000005
【図２】
2008187020.tif 000006
【図３】
2008187020.tif 000007
【図４】
2008187020.tif 000008
【図５】
2008187020.tif 000009