(57)【要約】【課題】  低い製造コストであるにもかかわらず、高い信頼性を得ることができる、光出力をモニタするフォトダイオードを内蔵した半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】  半導体基板１０１上に形成された第１クラッド層１０２と、前記第１クラッド層１０２上に形成された活性層１０３と、前記活性層１０３上に形成されたリッジ構造を有する第２クラッド層１０４と、前記第２クラッド層１０４上に形成された前記第２クラッド層１０４とは極性の異なる半導体からなる電流ブロック層１０５とを有し、前記電流ブロック層１０５が、前記リッジ構造部分に形成された利得領域に隣接する第１の領域１０５ａと、前記第１の領域以外の第２の領域１０５ｂとの２つの領域に分割されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたリッジ構造を有する第２クラッド層と、前記第２クラッド層上に形成された前記第２クラッド層とは極性の異なる半導体からなる電流ブロック層とを有し、前記電流ブロック層が、前記リッジ構造部分に形成された利得領域に隣接する第１の領域と、前記第１の領域以外の第２の領域との２つの領域に分割されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１の領域の前記電流ブロック層に印加される電圧は、前記第２の領域の前記電流ブロック層に印加される電圧と同じかもしくは低い電位である請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記利得領域以外の端部領域が、ドーパントを高濃度で注入された窓構造を形成している請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記電流ブロック層の、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、誘電体膜を形成した請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ装置に係わり、特に光出力モニタ用フォトダイオードを内蔵したコスト力の高い半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＤやＤＶＤに代表される光ディスクを利用したデジタル情報機器は急速に普及している。光ディスクのデータの読み出しと書き込みには半導体レーザ装置が用いられているが、半導体レーザ装置及びその周辺部材に対しての低コスト化が強く要求されている。
【０００３】
半導体レーザの光出力は、時間的に一定であることが要求される一方で、実際には素子の温度や使用開始からの使用時間、さらには素子のバラツキ等の影響により駆動電流に対して一定とはならない。このため、光出力をモニタしながら所望の光出力が得られるように駆動電流を制御している（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ：ＡＰＣ）。また、光ディスクへデータを書き込む際には、書き込み信号に応じてレーザ光をＯＮ／ＯＦＦすることになるが、安定な書き込みを行うためには書き込み信号に対するレーザ光出力の追随性までも正確に制御する必要がある。
【０００４】
このような光出力モニタは、従来、半導体レーザの外部に別途フォトダイオードを設けることで行われていたが、特に、近年の書き込み速度の高速化に伴い書き込み信号の周期は短くなってきており、この短周期となってきている書き込み信号にレーザ光出力を追随させるためには光出力モニタにも更なる高速応答性が要求される。そして、このような要求を満たし、装置全体の低コスト化や高信頼性の確保のために、光出力モニタ用フォトダイオードを半導体レーザ素子の内部に形成することが検討されている。
【０００５】
光出力モニタ用フォトダイオードを素子の内部に形成した従来の半導体レーザ装置を図８および図９に示す。図８は、従来の半導体レーザ装置の概略平面図で、図９は、図８中に一点鎖線Ｆ−Ｆ'で示した部分の概略断面図である。
【０００６】
図８および図９に示すように、従来の半導体レーザ装置９００は、半導体基板９０１の上に、第１クラッド層９０２，活性層９０３，上部にリッジ構造を有する第２クラッド層９０４，コンタクト層９０９が順次積層されて形成されている。上面図である図８に示した２本の破線の間が、リッジ構造部分である。リッジ構造は、リッジとして残る領域以外のコンタクト層９０９と第２クラッド層９０４とをエッチングすることで形成するため、コンタクト層９０９はリッジ上部のみに存在する。第２クラッド層９０４およびコンタクト層９０９の上に設けられた絶縁膜９１０の、リッジ構造上に形成された部分の中央には開口部が設けられていて、絶縁膜９１０上に設けられた金属電極であるレーザ駆動用上部電極９０６とコンタクト層９０９が直接に接続されている。この部分にレーザ駆動用上部電極９０６から電流が注入され、レーザ光を発振する利得領域となる。また、リッジ構造上に形成された絶縁膜９１０の周辺部（図８および図９ではリッジ構造の右端寄りの部分）にも、別の開口部が設けられていて、この開口部を介して絶縁膜９１０上に形成されたもう一つの金属電極であるフォトダイオード用上部電極９０７とコンタクト層９０９とが、直接に電気的接続を取ってフォトダイオード部を形成している。なお、平面的な位置関係がわかりやすいように、図８ではレーザ駆動用上部電極９０６とフォトダイオード用上部電極９０７は、その外形のみを実線で示している。また、これら２つの金属電極９０６と９０７が形成された間の部分の絶縁膜９１０は、利得領域とフォトダイオード部とを分離する部分として認識される。
【特許文献１】特開平８−５６０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の構成では、レーザ駆動用上部電極９０６とフォトダイオード用上部電極９０７とがともにコンタクト層９０９に直接接触している状態であるため、レーザ駆動用上部電極１０６からのレーザ駆動用電流がフォトダイオード側へ漏れやすくなる。また、逆に、フォトダイオード用電極９０７へ流れるべき電流が、レーザ駆動用の電流パスへと漏れることが考えられる。このような場合、正確な光出力モニタができないばかりでなく、レーザ駆動電流をロスして発光効率が低下することとなる。
本発明は上記従来技術における課題を解決し、低い製造コストであるにもかかわらず、高い信頼性を得ることができる、光出力をモニタするフォトダイオードを内蔵した半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の半導体レーザ装置は、半導体基板上に形成された第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたリッジ構造を有する第２クラッド層と、前記第２クラッド層上に形成された前記第２クラッド層とは極性の異なる半導体からなる電流ブロック層とを有し、前記電流ブロック層が、前記リッジ構造部分に形成された利得領域に隣接する第１の領域と、前記第１の領域以外の第２の領域との２つの領域に分割されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体レーザ装置は、リッジ構造の利得領域に隣接する領域以外の領域の電流ブロック層をフォトダイオードとして利用することができる。このため、レーザ駆動用の電流がフォトダイオード部にリークすることがないため、レーザの発光効率が低下せず、光出力モニタ電流が安定した光出力モニタ内蔵の半導体レーザ装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
上記本発明の半導体レーザ装置では、前記第１の領域の前記電流ブロック層に印加される電圧は、前記第２の領域の前記電流ブロック層に印加される電圧と同じかもしくは低い電位であることが好ましい。また、前記利得領域以外の端部領域が、ドーパントを高濃度で注入された窓構造を形成していること、さらには、前記電流ブロック層の、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、誘電体膜を形成することがより好ましい。
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
本発明第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１００を図１，図２，および、図３に示す。図１は、本実施形態に係る半導体レーザ装置の概略平面図、図２は、図１中に一点鎖線Ａ−Ａ'で示した部分の概略断面図、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）は、それぞれ図１中に一点鎖線Ｂ−Ｂ' 、Ｃ−Ｃ'、Ｄ−Ｄ'で示した部分の概略断面図を示す。
【００１３】
本実施形態に係る半導体レーザ装置１００では、ｎ型ＧａＡｓ半導体からなる基板１０１、ｎ型半導体の第１クラッド層１０２、活性層１０３、上部にリッジ構造を有するｐ型半導体の第２クラッド層１０４が順次積層されおり、後に利得領域となるリッジ上部にはコンタクト層１０９が積層されている。第２クラッド層１０４のリッジ構造は、図１において破線で示すように、半導体レーザ装置１００の中央部分に長手方向に形成されている。そして、第２クラッド層１０４の上には、第２クラッド層とは異なる極性の半導体であるｎ型半導体の電流ブロック層１０５が形成されている。電流ブロック層１０５のうち、第２クラッド層１０４に設けられたリッジ構造部分と重複する部分には、切り欠き部が形成されていて、電流ブロック層１０５の上に積層されるレーザ駆動用上部電極１０６と第２クラッド層１０４のリッジ構造部分上のコンタクト層１０９が直接に電気的導通をとれるようになっている。この部分が、レーザ機能を有する利得領域となる。
【００１４】
電流ブロック層１０５は、この利得領域に隣接する第１の領域１０５ａと、この第１の領域１０５ａ以外の第２の領域１０５ｂとの２つの領域に分割されている。そして、電流ブロック層の第２の領域１０５ｂの上に、フォトダイオード用上部電極１０７が形成されている。本発明に係る半導体レーザ装置１００では、図８および図９に示した従来の半導体レーザ装置９００とは異なり、フォトダイオード用上部電極１０７と第２クラッド層１０４との間には電流ブロック層１０５が形成されている。なお、図１においても、本実施形態に係る半導体レーザ装置１００の平面的な構成がわかりやすいよう、従来例を示す図８と同様にレーザ駆動用上部電極１０６、および、フォトダイオード用上部電極１０７は、その外形のみを実線で表している。
【００１５】
ここで、各層の具体的な構造を詳述すると、基板１０１はｎ型ＧａＡｓ半導体からなり厚さは１００μｍ、第１クラッド層１０２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなり厚さは２μｍ、活性層１０３はＡｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰとの多重量子井戸構造からなり総厚は０．０５μｍ、第２クラッド層はｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなり厚さは１．５μｍで、リッジ部の幅は３μｍ、高さは１．２μｍ、コンタクト層１０９は第２クラッド層側のｐ型ＧａＩｎＰと電極側のｐ型ＧａＡｓの積層膜からなりそれぞれの厚さはそれぞれ０．０５μｍと０．２μｍである。また、電流ブロック層１０５はｎ型ＡｌＩｎＰからなり厚さは０．５μｍである。さらに、レーザ駆動用上部電極１０６、および、フォトダイオード用上部電極１０７は、いずれもＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜でそれぞれの膜厚が０．０５μｍ／０．１μｍ／３μｍである。
【００１６】
なお、本実施形態では、第１の領域の電流ブロック層１０５ａと第２の領域の電流ブロック層１０５ｂとを、同じ材料の同じ厚さの層から形成している。このようにすることで、２つの領域に分けられた電流ブロック層１０５ａおよび１０５ｂを、製造プロセス上容易に形成することができる。すなわち、半導体チップ全体に電流ブロック層１０５を形成した後に、これを所定の形状にパターンニングする、もしくは、電流ブロック層１０５を形成しない場所にあらかじめ誘電体などを配置しておき、選択的に電流ブロック層１０５を成長させる等の、従来からの工法を利用してこのような形状の電流ブロック層１０５ａ、１０５ｂを形成することができ、製造コストの低減を実現できる。なお、このことは、レーザ駆動用上部電極１０６、および、フォトダイオード用上部電極１０７という２つの金属電極に関しても同じである。
【００１７】
また、これとは逆に、２つの電流ブロック層１０５ａおよび１０５ｂについて、その組成や膜厚を変更することで、例えば、フォトダイオードの受光感度を高めるために、電流ブロック層１０５ａよりも電流ブロック層１０５ｂのキャリア濃度を薄くし、膜厚を厚く形成する等、それぞれの部分でより適した構成としてもよい。
【００１８】
さらに、本実施形態に係る半導体レーザ装置１００では、第２クラッド層１０４に形成されたリッジ構造の利得領域以外の部分（図１および図２では利得領域の左右方向両側に当たる部分）に位置する、活性層１０３と第１クラッド層１０２および第２クラッド層１０４に、ＺｎやＭｇといったドーパントを、利得領域よりも濃くドープすることで、いわゆる窓構造１０８を形成している。この窓構造１０８部分では、活性層のバンドギャップを広くすることで、発光波長に対しての光吸収を極度に低減することができる。なお、図２および図３において、窓構造１０８が形成されている領域を点線で示している。このように、利得領域の両端の半導体レーザを形成しない部分を窓構造とすることで、従来例として図８および図９に示した半導体レーザ装置９００のような、活性層９０３の端部部分を受光部とする構造と比較して、利得領域以外のいわゆる電流非注入領域における光吸収が無くなり、これによって半導体レーザの高効率化と、光出射端面の発熱によって起きる端面破壊（ＣＯＤ：Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄａｍａｇｅ）に対する耐性向上を実現できる。
【００１９】
次に、本実施形態に係る半導体レーザ装置１００の動作について説明する。図４は、本実施形態にかかる半導体レーザ装置１００を駆動する際の、電位と電流の関係を示している。
【００２０】
図４に示すように、本実施形態に係る半導体レーザ装置１００では、フォトダイオード用上部電極１０７に印加する電圧をＶｍｏｎ、レーザ駆動用上部電極１０６に印加する電圧をＶｏｐとするとき、これらを、Ｖｍｏｎ≧Ｖｏｐの関係とする。この関係を満たすことで、光出力モニタ部であるフォトダイオード領域、すなわち、第２の領域に形成された電流ブロック層１０５ｂと、ｐ型半導体から形成されている第２クラッド層１０４との間に、逆バイアスが印加されることになる。なお、２つの印加電圧の関係がＶｍｏｎ＝Ｖｏｐである場合であっても、ｎ型半導体であるブロック層１０５ｂとｐ型半導体である第２クラッド層１０４との間にはビルトイン電位が生じるため、実際には逆バイアスが印加されたときと同じ状態になる。ここで、図４では図示を省略している半導体基板１０１の下側電極には、電圧Ｖｓｕｂが印加されている。
【００２１】
本実施形態に係る半導体レーザ装置１００のレーザ駆動用上部電極１０６にレーザ駆動電圧Ｖｏｐが印加されると駆動電流Ｉｏｐが発生し、電流注入領域である電極１０６の下に位置する活性層１０３で発光が生じる。この発光は、第１クラッド層１０２および第２クラッド層１０４とストライプ形状によって形成される導波路に沿って、半導体レーザ装置１００の端面まで到達する。ここで導波路内部の光分布は、活性層１０３を中心に電流ブロック層１０５の内部まで分布していると考えられる。ここで、上記した駆動電圧の関係から、フォトダイオード領域の電流ブロック層１０５ｂと第２クラッド層１０４の間には逆バイアスが印加され、両者の境界領域には空乏層が発生する。この空乏層内部に活性層１０３で発生した光が侵入することでモニタ電流Ｉｍｏｎが生じ、このＩｍｏｎは本実施形態に係る半導体レーザ装置１００の光出力を反映した値となる。従って、Ｉｍｏｎをモニタすることで半導体レーザの出力を把握し、それに基づいて所定の出力光が得られるように制御することが可能となる。
【００２２】
一方、Ｖｍｏｎ＜Ｖｏｐの場合には、電流ブロック層１０５ｂと第２クラッド層１０４の間には順バイアスが印加されることになる。電流ブロック層１０５ｂと第２クラッド層１０４の間には１Ｖ程度のビルトイン電圧が発生しているため、Ｖｏｐ−Ｖｍｏｎ＜ビルトイン電圧（＝１Ｖ程度）までは電流ブロック層１０５ｂと第２クラッド層１０４の境界には空乏層が存在しフォトダイオードとしての機能を有するが、Ｖｏｐ−Ｖｍｏｎ≧ビルトイン電圧（＝１Ｖ程度）では空乏層は消失しフォトダイオードとしての機能も失われる。また、Ｖｏｐ−Ｖｍｏｎ≧ビルトイン電圧（＝１Ｖ程度）となり空乏層が消失した状態では、駆動電流Ｉｏｐの一部がフォトダイオード部の電極１０７へと漏れることなり、光出力をモニタできないだけでなく、レーザ発光効率の低下も招く。
【００２３】
さらに、Ｉｍｏｎは半導体レーザ装置１００の光出力を反映するが、電流ブロック層１０５ｂと第２クラッド層１０４の境界で発生する空乏層の幅にも影響を受ける（空乏層幅が広いほうが受光領域が大きくなりＩｍｏｎは大きくなる）。一般的に、順バイアスでの空乏層幅の制御は難しく、安定した光出力モニタを実現する為には、Ｖｍｏｎ≧Ｖｏｐであることが望ましい。
【００２４】
半導体レーザ装置の出力モニタとして、通常のフォトダイオードを用いた場合には、フォトダイオードのｐｎ接合部（＝空乏層）に光が到達するまでに、電極の役割を果たす高濃度ドーピング層での光の吸収が必ず発生してしまう。また、半導体レーザ出力光のモニタとして、Ｓｉ系のフォトダイオードを用いた場合を考えると、応答速度は数百ＭＨｚ程度までが限界となってしまう。これに比較して、本実施形態の半導体レーザ装置の上記構成によれば、発生したレーザ光が光吸収層を通過することなく直接フォトダイオード部分のｐｎ接合部（＝空乏層）に到達するため、高感度化が実現できる。また、本実施形態の場合、ｐｎ接合部をＳｉよりもキャリア移動度の高い化合物半導体で形成するため、応答速度としてＧＨｚオーダーの高速応答が可能となる。
【００２５】
さらに、上記のように本実施形態に係る半導体レーザ装置１００では、半導体レーザの出力光をモニタするフォトダイオード部分の光電変換を、第２クラッド層１０４の上に設けられたこれと極性の異なる半導体層である電流ブロック層２０５ｂで行うため、この変換を活性層９０３によって行っていた従来の半導体レーザ装置９００と比較して、高い精度での光出力モニタを行うことが可能となる。また、半導体レーザ領域の周囲の利得領域以外の部分を、光吸収の生じない窓構造とすることができるので、レーザとしての発光効率が低下するということもなく、低コストでありながら、自己の光出力をモニタできるフォトダイオード機能を付加した半導体レーザ装置を得ることができる。
【００２６】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置２００の概略図を示す。図５は、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置２００の概略平面図、図６は、図５中に一点鎖線Ｅ−Ｅ'で示した部分の概略断面図である。
【００２７】
本実施形態に係る半導体レーザ装置２００は、基本的な構造は図１から図３に示した第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１００と同じである。すなわち、ｎ型ＧａＡｓ半導体からなる基板１０１、ｎ型半導体の第１クラッド層１０２、活性層１０３、上部にリッジ構造を有するｐ型半導体の第２クラッド層１０４、コンタクト層１０９、第２クラッド層１０４上に形成された第２クラッド層とは異なる極性の半導体であるｎ型半導体の電流ブロック層１０５、その上にレーザ駆動用上部電極１０６とフォトダイオード用上部電極１０７が順次積層されている。このため、同じ構造の部分には同じ符号を付し詳細な説明を省略する。また、第１の実施形態の半導体レーザ装置１００と同様に、コンタクト層１０９は利得領域となるリッジ上部に位置し、また、利得領域以外の両端部分には活性層１０３を中心として窓領域１０８が設けられている。
【００２８】
本実施形態が、第１の実施形態と異なる点は、電流ブロック層１０５の２つの領域、すなわち、半導体レーザとして機能する電流注入領域である第２クラッド層１０４に設けられたリッジ構造の利得領域に隣接する第１の領域１０５ａと、フォトダイオードとして機能する非電流注入領域である第２の領域１０５ｂとの間に、誘電体膜２０９が設けられている点である。この誘電体膜２０９は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮからなっており、その厚さは例えば０．３μｍである。
【００２９】
誘電体膜２０９が無い場合には、ｐ型半導体層である第２クラッド層１０４とこれと逆極性の半導体層である電流ブロック層１０５との境界部分、即ちｐｎ接合部分に、わずかな異物が付着しただけでも容易にリークしてしまうことが考えられる。具体的には、Ｖｍｏｎ≧Ｖｏｐであるとき、すなわち、第２クラッド層１０４と電流ブロック層１０５ｂとの間に逆バイアスが印加されているとき、両者のｐｎ接合領域には空乏層が発生し光が入射しない限りは暗電流と呼ばれるｎＡオーダーの微小電流しか流れない。ところが、ｐｎ接合領域に異物が付着した場合には、異物を通過して暗電流よりも値の大きいリーク電流が発生する。この場合、入射光の有無に関わらずＩｍｏｎが発生することとなり、正確な光出力モニタが出来なくなる。特に、本発明に関わる半導体レーザー装置をジャンクションダウン半田実装（電極１０６および１０７側とサブマウントを半田接合）するとき、実装時に拡がった半田が容易に上記の異物となり得るため、異物によるリーク防止策を講じることが好ましい。上記理由により、誘電体膜２０９を設けることで、これら第２クラッド層１０４と電流ブロック層１０５との境界部分での接合部の露出を防止して信頼性の高い半導体レーザ装置を実現することができる。
【００３０】
（第３の実施形態）
上記本発明の各実施形態では、フォトダイオードが形成される部分は、第２のクラッド層１０４に形成されたリッジ構造と重なって形成される電流ブロック層１０５の部分であったが、本発明においてはこれに限らず、例えば、リッジ構造上に形成される利得領域と平行に形成してもよい。この場合の半導体レーザ装置３００を第３の実施形態として図７にその概略平面図を示す。
【００３１】
図７に示すとおり、第３の実施形態に係る半導体レーザ装置３００では、第２クラッド層１０４に設けられたリッジ構造（図中点線で示す）の左右方向中央部分には、開口部が形成されていて、図中その外形形状のみを実線で示すレーザ駆動用上部電極１０６とコンタクト層１０９とが直接接触している。この部分が利得領域を形成することとなる。この利得領域に隣接する電流ブロック層１０５の第１の領域１０５ａ以外の領域として、第２の領域１０５ｂは、本実施形態では図７に示すようにリッジ構造と平行に、その両側（図中の上下方向）の２カ所に形成されている。そして、この第２の領域１０５ｂ部分に形成されるフォトダイオード部の電流を検出するためのフォトダイオード用上部電極１０７も、電流ブロック層の領域１０５ｂに対応するように、リッジ構造と平行に２カ所に形成されている。
【００３２】
このようにすることで、上記したリッジ構造上にフォトダイオードを形成する第１および第２の実施形態のものと比較して、フォトダイオード部の面積を広くでき、より大きなモニタ電流を取り出すことが出来るという優れた効果を得ることができる。
【００３３】
以上、本発明の半導体レーザ装置について、その具体的な実施形態を図面を用いて説明してきたが、本発明はこれらの具体例にのみ限定されるものではないことは言うまでもない。例えば、上記各実施形態では、第１クラッド層と電流ブロック層をｎ型半導体層として、また、第２クラッド層をｐ型半導体層として説明したが、これらの極性が逆であっても何ら問題はない。また、上記各実施形態ではＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザ装置としたが、ＡｌＧａＡｓの赤外色半導体レーザやＧａＮ系の青紫色半導体レーザ等であっても良い。さらに、上記各実施形態では電流ブロック層としてＡｌＩｎＰ形としたが、ＧａＡｓ系や異なる材料形の積層膜でも良い。
【００３４】
なお、モニタ用フォトダイオードの位置は半導体レーザ装置のリヤ側が望ましいが、フロント側、或いは両方に設けても良い。フロント側とは光ディスク等に向けたレーザ光が出射される端面側を、リヤ側とはその反対側を指す。通常、半導体レーザ装置はフロント側の方が発熱量が大きくなるため、フロント側の実装面積を大きくする方が望ましく、このためにはフォトダイオード部をリヤ側に配置し、フロント側の電極面積を大きくする方が望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
以上説明したように、本発明によれば、高い発光効率で、かつ、安定な光出力モニタ用ができるフォトダイオードを内蔵した半導体レーザ装置を、製造コストを増大させることなく得ることができる。このため、光ディスクを利用したデジタル情報機器の読み出しと書き込みに用いられる半導体レーザ装置として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す概略平面図
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の断面を示す概略断面図
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の断面を示す概略断面図
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の使用状態を示す図
【図５】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す概略平面図
【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の断面を示す概略断面図
【図７】本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す概略平面図
【図８】従来のフォトダイオードを内蔵する半導体レーザ装置を示す概略平面図
【図９】従来のフォトダイオードを内蔵する半導体レーザ装置の断面を示す概略断面図
【符号の説明】
【００３７】
１００、２００、３００、９００  半導体レーザ装置
１０１、９０１  半導体基板
１０２、９０２  １クラッド層
１０３、９０３  活性層
１０４、９０４  第２クラッド層
１０５          電流ブロック層
１０５ａ        第１の領域
１０５ｂ        第２の領域
１０６、９０６  レーザ駆動用上側電極
１０７、９０７  フォトダイオード用上部電極
１０８          窓領域
１０９、９０９  コンタクト層
２０９          誘電体膜
９１０          絶縁膜
【図１】
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【図２】
2008066406.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008066406.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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