(57)【要約】【課題】積層型電子部品に備える積層体における、複数の内部電極の各端部が露出した端面上に、外部電極をめっきのみで形成することにより、実効体積率に優れたものとしながら、はんだ付けによる実装時の接合信頼性が高められた、積層型電子部品を製造する方法を提供する。【解決手段】積層体２の端面５，６から露出した複数の内部電極８，９の各端部にめっき析出物を析出させかつめっき析出物が互いに接続されるようにめっき成長させることによって、外部電極１０，１１を形成した後、積層体２の主面３，４および側面の各々における、端面５，６に隣接する各端縁部に、導電性ペーストの焼き付けにより、外部電極１０，１１と導通する端縁厚膜電極１４，１５を形成する。さらに、外部電極１０，１１および端縁厚膜電極１４，１５上に、Ｓｎ、Ａｕを主成分とするめっき膜１７および１８を形成することが好ましい。【選択図】図８
2008283170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する第１および第２の主面と前記第１および第２の主面間を連結する第１および第２の端面ならびに第１および第２の側面とを有する直方体状をなし、積層された複数の絶縁体層と、前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含み、複数の前記内部電極の各端部が互いに絶縁された状態で前記第１および第２の端面のいずれかに露出している、積層体を用意する工程と、
前記第１および第２の端面の各々から露出した複数の前記内部電極の各端部にめっき析出物を析出させるように、前記積層体の前記第１および第２の端面に対して、直接めっきを施すとともに、複数の前記内部電極の各端部に析出した前記めっき析出物が互いに接続されるようにめっき成長させることによって、前記積層体の前記第１および第２の端面上に外部電極を形成する工程と、次いで、
前記積層体の前記第１および第２の主面ならびに前記第１および第２の側面の各々における、前記第１および第２の端面に隣接する各端縁部に、金属粉末とガラスフリットとを含む導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより、前記外部電極と導通する端縁厚膜電極を形成する工程と
を備える、積層型電子部品の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記端縁厚膜電極および前記外部電極の上に、めっきを施すことによって、めっき膜を形成する工程を備える、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記外部電極を形成する工程において実施されるめっきは電解めっきであり、前記積層体を用意する工程において用意される前記積層体は、前記内部電極が露出する前記端面において、前記絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う前記内部電極間の間隔が１０μｍ以下であり、かつ前記端面に対する前記内部電極の引っ込み長さが１μｍ以下である、請求項１または２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記外部電極を形成する工程において実施されるめっきは電解めっきであり、前記積層体を用意する工程において用意される前記積層体は、前記内部電極が露出する前記端面において、前記絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う前記内部電極間の間隔が２０μｍ以下であり、かつ前記端面に対する前記内部電極の突出長さが０．１μｍ以上である、請求項１または２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記外部電極を形成する工程において実施されるめっきは無電解めっきであり、前記積層体を用意する工程において用意される前記積層体は、前記内部電極が露出する前記端面において、前記絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う前記内部電極間の間隔が２０μｍ以下であり、かつ前記端面に対する前記内部電極の引っ込み長さが１μｍ以下である、請求項１または２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記外部電極を形成する工程において実施されるめっきは無電解めっきであり、前記積層体を用意する工程において用意される前記積層体は、前記内部電極が露出する前記端面において、前記絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う前記内部電極間の間隔が５０μｍ以下であり、かつ前記端面に対する前記内部電極の突出長さが０．１μｍ以上である、請求項１または２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項７】
相対向する第１および第２の主面と前記第１および第２の主面間を連結する第１および第２の端面ならびに第１および第２の側面とを有する直方体状をなし、積層された複数の絶縁体層と、前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含み、複数の前記内部電極の各端部が互いに絶縁された状態で前記第１および第２の端面のいずれかに露出している、積層体と、
前記積層体の前記第１および第２の端面の各々から露出した複数の前記内部電極の各端部を互いに接続するように前記第１および第２の端面上に形成された、実質的にめっき析出物からなる外部電極と、
前記積層体の前記第１および第２の主面ならびに前記第１および第２の側面の各々における、前記第１および第２の端面に隣接する各端縁部に前記外部電極と導通するように形成された、金属粉末とガラスフリットとを含む端縁厚膜電極と
を備える、積層型電子部品。
【請求項８】
前記端縁厚膜電極および前記外部電極の上に形成されためっき膜をさらに備える、請求項７に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層型電子部品およびその製造方法に関するものであり、特に、外部電極が積層体の外表面上に、直接、めっきを施すことにより形成された、積層型電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図９に示すように、積層セラミックコンデンサに代表される積層型電子部品１０１は、一般に、積層された複数の絶縁体層１０２と、絶縁体層１０２間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極１０３および１０４とを含む、積層体１０５を備えている。積層体１０５の一方および他方端面１０６および１０７には、それぞれ、複数の内部電極１０３および複数の内部電極１０４の各端部が露出していて、これら内部電極１０３の各端部および内部電極１０４の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極１０８および１０９が形成されている。
【０００３】
外部電極１０８および１０９の形成にあたっては、一般に、金属成分とガラス成分とを含む金属ペーストを積層体１０５の端面１０６および１０７上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極層１１０がまず形成される。次に、ペースト電極層１１０上に、たとえばＮｉを主成分とする第１のめっき層１１１が形成され、さらにその上に、たとえばＳｎを主成分とする第２のめっき層１１２が形成される。すなわち、外部電極１０８および１０９の各々は、ペースト電極層１１０、第１のめっき層１１１および第２のめっき層１１２の３層構造より構成される。
【０００４】
外部電極１０８および１０９に対しては、積層型電子部品１０１が半田を用いて基板に実装される際に、半田との濡れ性が良好であることが求められる。同時に、外部電極１０８に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極１０３を互いに電気的に接続し、かつ、外部電極１０９に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極１０４を互いに電気的に接続する役割が求められる。半田濡れ性の確保の役割は、上述した第２のめっき層１１２が果たしており、内部電極１０３および１０４相互の電気的接続の役割は、ペースト電極層１１０が果たしている。第１のめっき層１１１は、はんだ接合時のはんだ食われを防止する役割を果たしている。
【０００５】
しかし、ペースト電極層１１０は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、この積層型電子部品１０１の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極層１１０の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、めっき層１１１および１１２はその厚みが数μｍ程度であるため、仮に第１のめっき層１１１および第２のめっき層１１２のみで外部電極１０８および１０９を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することができる。
【０００６】
たとえば、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献１）には、積層体の、内部電極が露出した端面の全面に対し、端面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解めっきによって外部電極を形成する方法が開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、無電解めっきを用いて外部電極を形成するため、外部電極を形成すべき面の触媒性が問題になる。そのため、特許文献１に記載される実施例では、内部電極の材料として、パラジウムまたは白金等の高触媒性の貴金属を用いている。したがって、非常に高コストである。
【０００８】
他方、内部電極の材料として、上述のような高触媒性の貴金属を用いない場合には、通常、めっき工程の前に、パラジウム等の触媒を付与することになるが、このような触媒付与工程は非常に煩雑である。仮に触媒付与を行なわないならば、めっき膜の緻密性が低く、外部電極の信頼性が低くなる。
【０００９】
また、積層型電子部品のはんだ付けによる実装時の接合信頼性を高めるためには、外部電極は、直方体状の積層体において内部電極が露出しない主面および側面の各々における、端面に隣接する端縁部にまで延びるように形成されていることが好ましい。しかしながら、このような主面および側面の各々の端縁部にまで延びるように外部電極を形成するには、端面における最外の内部電極露出部からめっき成長させる必要があるが、この場合、めっき成長させるべき距離が長くなるため、所望のめっき成長を達成することが困難である。
【００１０】
他方、特開２００４−１４６４０１号公報（特許文献２）には、導電性ペーストを積層体の端面の少なくとも内部電極の積層方向に沿った稜部に、内部電極の引出し部と接触するよう塗布し、この導電性ペーストを焼き付けまたは熱硬化させて導電膜を形成し、さらに、積層体の端面に電解めっきを施し、上記稜部の導電膜と接続されるように電解めっき膜を形成する方法が開示されている。
【００１１】
上記特許文献２に記載の方法によれば、外部電極の端面における厚みを薄くすることができる。また、電解めっきによるので、めっきが均質に成長しやすい。また、上述した導電性ペーストによる導電膜は、直方体状の積層体において内部電極が露出しない主面および側面の各々における、端面に隣接する端縁部にまで延びるように外部電極を形成することを容易にする。
【００１２】
しかしながら、特許文献２に記載されている外部電極の形成方法では、露出した内部電極と電解めっき膜とを直接接続することはできるものの、電解めっきを行なう前に、露出した内部電極の引出し部を予め電気的に導通させておくために、導電性ペーストによる導電部を形成する必要がある。この導電性ペーストを特定の箇所に塗布する工程は煩雑である。また、導電性ペーストの厚みが厚いため、その分、体積が増え、結果として、実効体積率が下がるという問題もある。
【００１３】
また、導電性ペーストによる導電膜の表面にはガラスや有機成分が浮くことがあり、この上にめっきを施すと、めっき不着部分が生じやすい。
【特許文献１】特開昭６３−１６９０１４号公報
【特許文献２】特開２００４−１４６４０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
この発明は、上記のような問題点に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、積層型電子部品の外部電極を実質的にめっきのみで形成することにより、実効体積率に優れたものとしながら、はんだ付けによる実装時の接合信頼性が高められた、積層型電子部品を製造する方法を提供しようとすることである。
【００１５】
この発明の他の目的は、上述した製造方法によって製造され得る積層型電子部品を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
この発明は、まず、積層型電子部品の製造方法に向けられる。この発明に係る積層型電子部品の製造方法は、上述した技術的課題を解決するため、次のような工程を備えることを特徴としている。
【００１７】
この発明に係る積層型電子部品の製造方法は、相対向する第１および第２の主面と第１および第２の主面間を連結する第１および第２の端面ならびに第１および第２の側面とを有する直方体状をなし、積層された複数の絶縁体層と、絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含み、複数の内部電極の各端部が互いに絶縁された状態で第１および第２の端面のいずれかに露出している、積層体を用意する工程をまず備えている。
【００１８】
この発明に係る積層型電子部品の製造方法は、また、第１および第２の端面の各々から露出した複数の内部電極の各端部にめっき析出物を析出させるように、上記積層体の第１および第２の端面に対して、直接めっきを施すとともに、複数の内部電極の各端部に析出しためっき析出物が互いに接続されるようにめっき成長させることによって、積層体の第１および第２の端面上に外部電極を形成する工程と、次いで、積層体の第１および第２の主面ならびに第１および第２の側面の各々における、第１および第２の端面に隣接する各端縁部に、金属粉末とガラスフリットとを含む導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより、外部電極と導通する端縁厚膜電極を形成する工程とを備えている。
【００１９】
この発明に係る積層型電子部品の製造方法は、さらに、上述した端縁厚膜電極および外部電極の上に、めっきを施すことによって、めっき膜を形成する工程を備えることが好ましい。
【００２０】
この発明に係る積層型電子部品の製造方法において、外部電極を形成するために実施されるめっきは、電解めっきであっても、無電解めっきであってもよい。
【００２１】
外部電極を形成する工程において実施されるめっきが電解めっきである場合、積層体を用意する工程において用意される積層体は、内部電極が露出する端面において、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が１０μｍ以下であり、かつ端面に対する内部電極の引っ込み長さが１μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、積層体を用意する工程において用意される積層体は、内部電極が露出する端面において、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が２０μｍ以下であり、かつ端面に対する内部電極の突出長さが０．１μｍ以上である。
【００２２】
他方、外部電極を形成する工程において実施されるめっきが無電解めっきである場合、積層体を用意する工程において用意される積層体は、内部電極が露出する端面において、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が２０μｍ以下であり、かつ端面に対する内部電極の引っ込み長さが１μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、積層体を用意する工程において用意される積層体は、内部電極が露出する端面において、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が５０μｍ以下であり、かつ端面に対する内部電極の突出長さが０．１μｍ以上である。
【００２３】
この発明は、また、上述した製造方法によって製造され得る積層型電子部品にも向けられる。
【００２４】
この発明に係る積層型電子部品は、相対向する第１および第２の主面と第１および第２の主面間を連結する第１および第２の端面ならびに第１および第２の側面とを有する直方体状をなし、積層された複数の絶縁体層と、絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極とを含み、複数の内部電極の各端部が互いに絶縁された状態で第１および第２の端面のいずれかに露出している、積層体と、上記積層体の第１および第２の端面の各々から露出した複数の内部電極の各端部を互いに接続するように第１および第２の端面上に形成された、実質的にめっき析出物からなる外部電極と、積層体の第１および第２の主面ならびに第１および第２の側面の各々における、第１および第２の端面に隣接する各端縁部に外部電極と導通するように形成された、金属粉末とガラスフリットとを含む端縁厚膜電極とを備えることを特徴としている。
【００２５】
この発明に係る積層型電子部品において、上述した端縁厚膜電極および外部電極の上に、めっき膜がさらに形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
この発明によれば、ペースト電極層などを必要とせずとも、積層型電子部品の外部電極を実質的にめっき析出物のみで形成可能であるため、実効体積率に優れた積層型電子部品を得ることができる。
【００２７】
また、この発明によれば、積層体の主面および側面の各々における、端面に隣接する各端縁部に外部電極と導通するように端縁厚膜電極が確実に形成されるので、はんだ付けによる実装時の接合信頼性を高めることができる。また、このような端縁厚膜電極が形成されない場合に比べて、めっきによって形成された外部電極の周囲から積層体内部への水分等の浸入が抑制されるため、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。
【００２８】
さらに、この発明によれば、端縁厚膜電極の焼付け時に熱処理が加わるため、この熱処理により、積層体の第１および第２の端面上に形成されためっき析出物からなる外部電極と内部電極との間で相互拡散が生じる。これにより、外部電極の、積層体の第１および第２の端面に対する密着性が高くなる。このことも、積層体内部への水分等の浸入をより抑制するように働き、積層型電子部品の信頼性を向上させるように貢献する。
【００２９】
なお、端縁厚膜電極は、めっきによる電極に比べて厚いが、積層体の主面および側面の各々における、端面に隣接する各端縁部にのみ形成されるに過ぎないので、実効体積率の低下は最小限に抑えることができる。
【００３０】
また、この発明に係る積層型電子部品の製造方法によれば、積層体の端面上に外部電極を先に形成し、その後、端縁厚膜電極を形成するようにしている。したがって、これとは逆の工程順で実施された場合には、外部電極形成工程において端縁厚膜電極上にめっき膜が不所望にも形成されてしまい、その分、端縁厚膜電極の厚みが増し、実効体積率の低下をもたらすが、この発明によれば、このような不都合を招かないようにすることができる。
【００３１】
上述した端縁厚膜電極および外部電極の上にめっき膜が形成されると、端縁厚膜電極および外部電極のはんだ濡れ性が不十分な場合であっても、その上に形成されるめっき膜をはんだ濡れ性の良好な材料で構成することにより、はんだ付けによる実装時の接合信頼性を確実に高めることができる。
【００３２】
この発明において、外部電極を形成するために電解めっき法が適用されると、積層体への浸食性の低い電解めっき液、たとえばワット浴が使用可能であり、耐湿性に優れる積層型電子部品を得ることができる。
【００３３】
この発明において、上述のように、電解めっき法が適用される場合、内部電極が露出する端面において、端面に対する内部電極の引っ込み長さが１μｍ以下であるというように、電解めっき前の状態において、内部電極の端部が端面に十分に露出していると、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が１０μｍ以下であれば、均質でより緻密な外部電極を効率的に電解めっきにより形成することができる。
【００３４】
さらに、端面に対する内部電極の突出長さが０．１μｍ以上であるというように、内部電極の端部が端面から突出していると、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が２０μｍ以下であれば、より広くても、上述したような均質でより緻密な外部電極を効率的に電解めっきにより形成することができる。
【００３５】
この発明において、外部電極を形成するために無電解めっき法が適用される場合、内部電極が露出する端面において、端面に対する内部電極の引っ込み長さが１μｍ以下であるというように、無電解めっき前の状態において、内部電極の端部が端面に十分に露出していると、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が２０μｍ以下であれば、たとえば触媒の付与工程などを実施しなくても、外部電極の少なくとも内部電極と直接接続される部分を、緻密で均質性の高い無電解めっき析出物によって簡便に形成することができる。その結果、高い信頼性を確保した積層型電子部品を得ることができる。また、内部電極の主成分にＰｄ、Ｐｔなどの触媒活性の高い金属を用いなくても、緻密性の高い無電解めっき膜が得られるため、内部電極に安価なＮｉ、Ｃｕ、Ａｇなどの金属材料を用いることができ、低コストな積層型電子部品を得ることができる。さらに、内部電極の厚さが１μｍ未満でも緻密な無電解めっき膜を形成することができるため、小型で低コストな積層型電子部品を得ることができる。
【００３６】
さらに、端面に対する内部電極の突出長さが０．１μｍ以上であるというように、内部電極の端部が端面から突出していると、絶縁体層の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極間の間隔が５０μｍ以下であれば、より広くても、たとえば触媒の付与工程などを実施しなくても、外部電極の少なくとも内部電極と直接接続される部分を、緻密で均質性の高い無電解めっき析出物によって簡便に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
図１ないし図５を参照して、この発明の第１の実施形態による積層型電子部品１およびその製造方法について説明する。図示した積層型電子部品１は、積層セラミックコンデンサを構成している。
【００３８】
まず、図１に示すように、積層型電子部品１は、部品本体となる積層体２を備えている。積層体２は、相対向する第１および第２の主面３および４とこれら第１および第２の主面３および４間を連結する第１および第２の端面５および６ならびに第１および第２の側面（図１では図示されない。）とを有する直方体状をなしている。
【００３９】
積層体２は、上記主面３および４とたとえば平行に延びながら積層された複数の絶縁体層７と、絶縁体層７間の界面に沿って形成された複数の内部電極８および９とを備えている。積層型電子部品１が、前述のように、積層セラミックコンデンサを構成するとき、絶縁体層７は、誘電体セラミックから構成される。積層体５の第１および第２の端面５および６には、それぞれ、上述した複数の内部電極８および複数の内部電極９の各端部が互いに絶縁された状態で露出している。
【００４０】
積層型電子部品１は、積層体２の第１および第２の端面５および６上にそれぞれ形成される第１および第２の外部電極１０および１１を備えている。第１の外部電極１０は、第１の端面５に露出した複数の内部電極８の各端部を互いに電気的に接続し、第２の外部電極１１は、第２の端面６に露出した複数の内部電極９の各端部を互いに電気的に接続している。外部電極１０および１１の各々は、実質的にめっき析出物から構成される。
【００４１】
外部電極１０および１１は、互いに電気的に絶縁された状態にある各々複数の内部電極８および９を互いに電気的に接続するとともに、はんだ接合時のはんだ食われを防止する役割を果たすことが求められるため、ＮｉまたはＣｕ等を主成分とすることが好ましい。
【００４２】
外部電極１０および１１は、通電処理を行なう電解めっきにより形成されたものであっても、通電処理を行なわない無電解めっきで形成されたものであってもよい。なお、無電解Ｎｉめっきの場合、リン酸系やホウ素系の還元剤を用いた場合、めっき析出物中にリンやホウ素が混入しているが、電解Ｎｉめっきの場合は、リンやホウ素は実質的に混入していない。
【００４３】
積層型電子部品１は、さらに、積層体２の第１および第２の主面３および４ならびに第１および第２の側面の各々における、第１および第２の端面５および６に隣接する各端縁部に第１および第２の外部電極１０および１１とそれぞれ導通するように形成された、第１および第２の端縁厚膜電極１４および１５を備えている。これら端縁厚膜電極１４および１５は、後述する製造方法の説明から明らかになるように、金属粉末とガラスフリットとを含む焼結体から構成される。
【００４４】
次に、図１に示した積層型電子部品１の製造方法について、外部電極１０および１１ならびに端縁厚膜電極１４および１５の形成方法を中心に説明する。外部電極１０および１１を形成した後に、端縁厚膜電極１４および１５を形成するので、まず、外部電極１０および１１の形成方法について、図２ないし図５を参照しながら説明する。
【００４５】
図２は、図１に示した積層体２の、内部電極８が露出する第１の端面５付近を拡大して示す図である。図２には、外部電極１０を形成する前の状態が示されている。多数存在する内部電極８のうち、図示した領域に位置する２つの内部電極を抽出して、それぞれに参照符号「８ａ」および「８ｂ」を付している。図２は、内部電極８が露出する端面５の近傍を任意に抽出して示したものであり、内部電極８の特定のものを示すものではない。そして、内部電極８ａおよび８ｂに代表される複数の内部電極８は、この時点では互いに電気的に絶縁された状態にある。
【００４６】
なお、第２の端面６およびそこに露出する内部電極９については、上述した第１の端面５および内部電極８の場合と実質的に同様であるので、図示および説明を省略する。
【００４７】
図２において、絶縁体層７の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極８ａおよび８ｂ間の間隔を「ｓ」と規定する。さらに、積層体２の、内部電極８が露出する端面５に対する内部電極８ａおよび８ｂの各々の引っ込み長さを「ｄ」と規定する。なお、上記の引っ込み長さ「ｄ」は、露出した内部電極面の長手方向（図２の紙面に垂直な方向）についてある程度のばらつきを持っているため、ここで言う「ｄ」は長手方向のばらつきを加味した平均値である。
【００４８】
外部電極１０を形成するために電解めっきが適用される場合、外部電極１０を形成する前の積層体２にあっては、隣り合う内部電極８ａおよび８ｂ間の間隔「ｓ」が１０μｍ以下であり、かつ、内部電極８ａおよび８ｂの各々の引っ込み長さ「ｄ」が１μｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
積層セラミックコンデンサを構成する積層型電子部品１において、代表的な例として、絶縁体層７がチタン酸バリウム系誘電体材料からなり、かつ内部電極８および９の主成分がＮｉやＣｕ等の卑金属からなるものがある。このとき、焼成後の積層体２においては、内部電極８および９が、積層体２の端面５および６より内側に比較的大きく引っ込んでいることが多い。このような場合、引っ込み長さ「ｄ」を１μｍ以下にするには、サンドブラスト処理やバレル研磨等の研磨処理を適用して、絶縁体層７を削るようにすればよい。
【００５０】
仮に、焼成後の積層体２にて内部電極８および９の引っ込み長さ「ｄ」が既に１μｍ以下であっても、内部電極８および９の表面の酸化膜を除去し、また、内部電極８および９の表面を荒らすために、上記のような研磨処理を施す方が望ましい。なぜなら、後述する電解めっき工程において、電解めっき析出物を析出しやすくすることができるからである。
【００５１】
次に、図２の状態において、電解めっきを行ない、図３に示すように、めっき析出物１６ａおよび１６ｂを析出させる。この実施形態のように、積層型電子部品１がチップ状である場合、外部電極１０および１１の形成のための電解めっきを施すにあたっては、図示しないが、給電端子を備える容器中に、外部電極１０および１１を形成する前の積層体２および導電性メディアを投入し、金属イオンを含むめっき液に浸漬させた状態で、上記容器を回転、揺動または振動させながら通電するようにすることが好ましい。
【００５２】
上記のような電解めっき法の場合、導電性メディアを通じて、積層体２のうち導電性を有する部分、すなわち、内部電極８ａおよび８ｂの露出した部分のみに、電子を受け取った金属イオンが析出することになる。図３には、上記露出部分に析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂの様子が示されている。この状態における内部電極８ａおよび８ｂは、まだ互いに電気的に絶縁された状態のままである。
【００５３】
さらに通電を続けると、金属イオンの析出が進み、析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂがさらに成長する。このときの様子を図４に示す。析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂが大きくなるほど、導電性メディアとの衝突確率が高まり、金属イオンの析出速度が速まってくる。
【００５４】
そして、さらに通電を続けると、金属イオンの析出が進み、各々成長しためっき析出物１６ａとめっき析出物１６ｂとが互いに接触し、一体化する。この状態が進むと、露出した複数の内部電極８を互いに電気的に接続する外部電極１０となる。このときの様子を図５に示す。
【００５５】
以上のように、図２ないし図５を参照して説明した外部電極１０および１１の形成方法は、いわば電解めっき法による析出力の高さ、展性の高さなどを利用したものである。そのため、析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂは、その成長とともに端面５および６と平行な方向へ広がりやすく、そのため、析出物１６ａと析出物１６ｂとは、互いに接触したとき、一体化されやすい。電解めっき法による析出力および展性は、めっき浴中の金属イオンの種類、濃度、通電の電流密度、添加剤などの諸条件の調整によって、より高めることも可能である。
【００５６】
前述したように、上述の電解めっき工程を実施する前の積層体２においては、隣り合う内部電極８ａおよび８ｂ間の間隔「ｓ」が１０μｍ以下とされ、かつ、内部電極８ａおよび８ｂの引っ込み長さ「ｄ」が１μｍ以下とされる。
【００５７】
上記間隔「ｓ」が小さいほど、図３に示した工程から図４に示した工程において析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂが互いに接触するまでに必要とするめっき成長の長さが短くて済むため、外部電極１０を形成しやすい。間隔「ｓ」が１０μｍを超えると、析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂが成長しても、これらが互いに接触する確率が急峻に低くなるため、望ましくない。
【００５８】
また、上記引っ込み長さ「ｄ」が１μｍ以下であると、前述の導電性メディアを用いた電解めっきを行なう際、導電性メディアが内部電極８ａおよび８ｂの露出部分に接触する確率が急峻に高くなるため、金属イオンが析出しやすくなり、めっき析出物１６ａおよび１６ｂの均質性が大きく向上する。
【００５９】
前述のように、電解めっきを実施するにあたって、容器を回転、揺動または振動させながら通電することが行なわれるが、これら容器の回転、揺動および振動の中でも、特に容器を回転させる方法が望ましい。そして、容器の回転数が１０r.p.m.以上であると、析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂが端面５と平行な方向に成長しやすいため、外部電極１０が能率的に形成されやすく、好ましい。
【００６０】
外部電極１０および１１の材質は、以下の理由により、Ｎｉを主成分とするものであることが望ましい。通常、積層型セラミック電子部品では、そのセラミック成分の溶出抑制の必要性から、強酸性または強アルカリ性のめっき浴を用いることができず、弱酸性ないし中性ないし弱アルカリ性のめっき浴が用いられる。この場合、めっき析出金属はイオンの状態にて不安定なことが多く、この不都合を回避するため、錯化剤を用いて錯体を形成させることが多い。しかしながら、この実施形態のように、積層体２の端面５および６に直接めっきにより外部電極１０および１１を形成するような場合には、この錯化剤が絶縁体層７と内部電極８および９との界面に沿って浸入し、セラミック成分または内部電極材料を溶解してしまう懸念がある。そのため、錯化剤を含まないイオン浴が望ましい。そこで、弱酸性にて錯化剤を含まないイオン浴を作製しやすいめっき浴として、たとえば、ｐＨが２.５〜６.０のＮｉめっき用ワット浴があり、これを用いて、Ｎｉめっきを施すことが望ましい。
【００６１】
また、外部電極１０および１１が電解Ｎｉめっきによって形成される場合、電解Ｎｉめっきを行なうためのＮｉめっき浴には、Ｎｉイオンに加え、光沢剤が含まれることが好ましい。この光沢剤は、その種類によって作用が様々であるが、外部電極１０および１１の形成を促進するものであり、より薄い膜厚にて十分な被覆率を有する外部電極１０および１１を形成することができる。
【００６２】
この光沢剤は、（１）横方向へのめっき析出力を高める、（２）皮膜の展性を高める、（３）皮膜を平滑化し凹部への被覆性を高める、などの作用がある。いずれの作用が生じても、めっき析出物が横方向へ成長し、外部電極１０が形成されやすくなる。また、副次的には、（４）ミクロな凹部を皮膜で埋め、密着力を高める、（５）皮膜応力を低減し、皮膜剥がれを防止する、などの作用効果も奏する。
【００６３】
光沢剤は、構成元素に硫黄を含むものが望ましく、とりわけ、スルホ基を有するものが好ましい。
【００６４】
あるいは、外部電極１０および１１の材質は、Ｃｕを主成分とするものであることも望ましい。Ｃｕは弱酸性下では錯化剤を用いないイオン浴を作製しにくいが、Ｎｉと比較してめっき析出力に富み、つきまわり性が良いため、被覆力が高く、連続な膜を形成しやすい。このＣｕの作用は、Ｃｕを主成分とする外部電極１０および１１の形成後に熱処理を行なうことによりさらに顕著になる。
【００６５】
以上、外部電極１０および１１が電解めっきによって形成される場合について説明したが、これら外部電極１０および１１は無電解めっきによって形成されてもよい。
【００６６】
外部電極１０および１１を無電解めっきにより形成する場合、まず、図２の状態における積層体２を、還元剤、および還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含むめっき液で満たされた容器中に投入する。そして、上記容器を回転、揺動、傾斜または振動させて、積層体２をめっき液中で撹拌すると、露出した内部電極８ａおよび８ｂと還元剤との相互作用により生じた電子が内部電極８ａおよび８ｂに供給される。そして、液体中の金属イオンが、その供給された電子を受け取り、内部電極８ａおよび８ｂの露出面に金属として析出する。図３には、上記露出面に析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂの様子が示されている。この状態における内部電極８ａおよび８ｂは、まだ互いに電気的に絶縁された状態のままである。
【００６７】
さらに無電解めっき工程を続けると、金属イオンの析出が進み、析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂがさらに成長する。このときの様子を図４に示す。析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂが大きくなるほど、金属イオンの析出速度が速まってくる。
【００６８】
そして、さらに無電解めっき工程を続けると、金属イオンの析出が進み、各々成長しためっき析出物１６ａとめっき析出物１６ｂとが互いに接触し、一体化する。この状態が進むと、露出した複数の内部電極８を互いに電気的に接続する外部電極１０となる。このときの様子を図５に示す。
【００６９】
上述した無電解めっき工程において、電解めっきの場合と同様、めっき液で満たされた容器内に積層体２とともにメディアを投入した状態で、撹拌を実施するようにしてもよい。この場合、メディアは、通電機能を果たす必要はないが、積層体２の撹拌作用を高め、たとえば図４に示しためっき析出物１６ａおよび１６ｂを衝突により潰して端面５に沿って広げるように変形させることを有利に助長する。
【００７０】
図２〜図５の経過図に示した現象は、めっき析出物１６ａおよび１６ｂの成長力の高さに起因するものである。めっき析出物１６ａおよび１６ｂは、その成長とともに、端面５と平行な方向へ広がりやすく、そして、めっき析出物１６ａおよび１６ｂが互いに接触したときに一体化しやすくなる。
【００７１】
上述した現象が生じやすいようにするため、外部電極１０を形成する前の積層体２にあっては、隣り合う内部電極８ａおよび８ｂ間の間隔「ｓ」が２０μｍ以下であり、かつ、内部電極８ａおよび８ｂの各々の引っ込み長さ「ｄ」が１μｍ以下であることが好ましい。
【００７２】
間隔「ｓ」が２０μｍ以下であると、図３ないし図４における析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂが互いに接触するまでに必要とするめっき成長の長さが短くて済み、互いに接触する確率が高くなるため、外部電極１０が形成されやすく、また、外部電極１０の緻密性が向上する。
【００７３】
また、引っ込み長さ「ｄ」が１μｍ以下であると、内部電極８ａおよび８ｂの露出部分に金属イオンが析出しやすくなり、そのため、めっき析出物１６ａおよび１６ｂが成長しやすくなるため、外部電極１０が形成されやすくなり、また、外部電極１０の緻密性が向上する。
【００７４】
引っ込み長さ「ｄ」を上述のような１μｍ以下にするには、前述した電解めっきの場合と同様、サンドブラスト処理やバレル研磨等の研磨処理を適用して、絶縁体層７を削るようにすればよい。
【００７５】
また、無電解めっきの場合も、仮に、焼成後の積層体２にて内部電極８および９の引っ込み長さ「ｄ」が既に１μｍ以下であっても、内部電極８および９の表面の酸化膜を除去し、また、内部電極８および９の表面を荒らすために、上記のような研磨処理を施す方が望ましい。なぜなら、無電解めっき工程において、めっき析出物１６ａおよび１６ｂの内部電極８および９に対する密着度を向上させることができるからである。
【００７６】
また、上述した研磨処理は、より緻密性の高いめっき膜が形成されることを確実にするようにも作用する。この場合、内部電極８および９の厚みは特に厚い必要はなく、１μｍ未満でも十分である。０．２μｍ程度までなら薄くすることが可能であり、コストおよび小型化の点で有利となる。
【００７７】
内部電極８および９の主成分はＰｄやＰｔのような無電解めっき時において触媒活性の高い金属である必要はない。Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属であっても問題ない。内部電極８および９の主成分がＮｉの場合は、無電解めっき時において、次亜リン酸ナトリウムなどのリン酸系の還元剤を用いることが適しており、ＣｕまたはＡｇの場合は、無電解めっき時において、ホルムアルデヒドなどのアルデヒド系還元剤を用いることが適している。
【００７８】
また、内部電極８および９の主成分がＮｉ、ＣｕまたはＡｇであるとき、Ｎｉ、ＣｕおよびＡｇは他の金属成分と合金を形成していても構わない。
【００７９】
図６は、この発明の第２の実施形態を説明するための図２に相当する図である。図６において、図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００８０】
第２の実施形態では、簡単に言えば、内部電極８ａおよび８ｂが端面５から突出していることを特徴としている。外部電極１０および１１が電解めっきによって形成される場合、より具体的には、端面５に対する内部電極８ａおよび８ｂの各々の突出長さ「ｐ」が０．１μｍ以上であることを特徴としている。そして、この実施形態の場合には、積層体２の端面５において、絶縁体層７の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極８ａおよび８ｂ間の間隔「ｓ」は、１０μｍ以下と短くする必要はなく、２０μｍ以下であれば十分である。
【００８１】
なお、上記の突出長さ「ｐ」は、露出した内部電極面の長手方向（図６の紙面に垂直な方向）についてある程度のばらつきを持っているため、ここで言う「ｐ」は長手方向のばらつきを加味した平均値である。
【００８２】
上述のように、内部電極間間隔「ｓ」および突出長さ「ｐ」を選ぶことにより、外部電極形成のための電解めっきを実施するとき、導電性メディアの内部電極８ａおよび８ｂへの接触確率を、前述の第１の実施形態の場合に比べても、より向上させることができる。
【００８３】
なお、他方の端面６およびそこに露出する内部電極９（図１参照）についても、上述した端面５および内部電極８の場合と実質的に同様であるので、図示および説明を省略する。
【００８４】
内部電極８ａおよび８ｂを端面５から突出させるためには、研磨の強さを強くしたり、また、研磨剤に金属を混ぜて研磨剤の硬度を上げたりするなどの方法を採用すればよい。特に、絶縁体層７がセラミックからなる場合は、セラミックの方が内部電極８ａおよび８ｂより削れやすいため、サンドブラストやバレル研磨の工夫によって、内部電極８ａおよび８ｂを突出させた状態を容易に得ることができる。また、レーザー研磨を用いると、セラミックを選択的かつ効果的に削ることができるので、内部電極８ａおよび８ｂを突出させた状態をより容易に得ることができる。
【００８５】
前述した突出長さ「ｐ」が０．１μｍ以上であり、かつ間隔「ｓ」が２０μｍ以下であるという好ましい条件は、電解めっきの場合に当てはまる。これに対して、無電解めっきの場合には、突出長さ「ｐ」が０．１μｍ以上であり、間隔「ｓ」は５０μｍ以下であるという条件を満足することが好ましい。
【００８６】
上述のように、突出長さ「ｐ」を０．１μｍ以上とすることにより、無電解めっきの析出力が向上し、さらにめっき成長力も大きく向上する。そのため、第１の実施形態と比較しても、より緻密なめっき膜を形成することができ、また、内部電極間間隔「ｓ」を広げることができ、積層型電子部品の設計の自由度を高めることができる。
【００８７】
図７は、この発明の第３の実施形態を説明するための図６に相当する図である。図７において、図６に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００８８】
図７に示した実施形態においても、簡単に言えば、内部電極８ａおよび８ｂが端面５から突出していることを特徴としている。より具体的には、電解めっきが適用される場合には、積層体２の端面５において、絶縁体層７の厚み方向に測定した、隣り合う内部電極８ａおよび８ｂ間の間隔「ｓ」が２０μｍ以下であり、かつ端面５に対する内部電極８ａおよび８ｂの各々の突出長さ「ｐ」が０．１μｍ以上であるという条件を満たすようにされ、他方、無電解めっきが適用される場合には、間隔「ｓ」が５０μｍ以下であり、かつ突出長さ「ｐ」が０．１μｍ以上であるという条件を満たすようにされる。
【００８９】
図７を参照して説明する実施形態は、図６に示した工程の後に、必要に応じて実施されるものである。すなわち、内部電極８ａおよび８ｂの端部が、端面５から十分に突出している場合、さらに研磨を続けると、図７に示すように、内部電極８ａおよび８ｂの突出した端部が押圧されて、端面５と平行な方向へ広がっていく。その結果、端面５に対する内部電極８ａおよび８ｂの各々の突出長さ「ｐ」が、不所望にも、図６に示した状態の場合に比べて短くなるものの、隣り合う内部電極８ａおよび８ｂ間の間隔「ｓ」は、有利にも、図６に示した状態の場合に比べて短くなる。
【００９０】
上述のような場合、電解めっきまたは無電解めっき時において、析出した電解めっき析出物を成長させるべき距離を実質的に短くすることができる。したがって、めっき析出物の均質性が上がり、また、めっき効率も大きく向上する。また、この実施形態によれば、隣り合う内部電極８ａおよび８ｂ間に位置する絶縁体層７の厚みが比較的厚くても、隣り合う内部電極８ａおよび８ｂ間の間隔「ｓ」を短くすることができる。
【００９１】
以上のように、外部電極１０および１１を形成した後、これら外部電極１０および１１にそれぞれ導通されるように、端縁厚膜電極１４および１５が形成される。
【００９２】
端縁厚膜電極１４および１５は、金属粉末とガラスフリットとを含む導電性ペーストを用意し、この導電性ペーストを、積層体２の第１および第２の主面３および４ならびに第１および第２の側面の各々における、第１および第２の端面５および６に隣接する各端縁部に塗布し、焼き付けることにより形成される。
【００９３】
端縁厚膜電極１４および１５によれば、積層型電子部品１を配線基板上にはんだ付けにより実装する際、配線基板上の導電ランドとの接合信頼性を高めることができる。また、端縁厚膜電極１４および１５が形成されると、このような端縁厚膜電極が形成されない場合に比べて、めっきによって形成された外部電極１０および１１の周囲から積層体２内部への水分等の浸入が抑制されるため、積層型電子部品１の信頼性を向上させることができる。
【００９４】
また、端縁厚膜電極１４および１５は、めっきによって形成される電極に比べて厚いが、積層体１の主面３および４ならびに側面の各々における、端面５および６に隣接する各端縁部にのみ形成されるに過ぎないので、積層型電子部品１の実効体積率の低下は最小限に抑えることができる。
【００９５】
また、端縁厚膜電極１４および１５を形成するための焼付け時には、熱処理が加わるため、この熱処理により、めっき析出物からなる外部電極１０および１１と内部電極８および９との各間で相互拡散が生じる。これにより、外部電極１０および１１の、積層体２の第１および第２の端面５および６に対する密着性を高くすることができる。このことも、積層体２内部への水分等の浸入をより抑制するように働き、積層型電子部品１の信頼性を向上させるように貢献する。
【００９６】
したがって、上記の利点を実現するためにも、端縁厚膜電極１４および１５は、外部電極１０および１１を形成した後に形成されることが好ましいと言える。また、この熱処理による外部電極１０および１１と内部電極８および９との相互拡散の効果は、熱処理温度が８００℃以上であるとき、顕著に現れる。さらに、上記相互拡散の効果は、内部電極８および９がＮｉを主成分とし、かつ外部電極１０および１１がＣｕを主成分とするとき、顕著に現れる。
【００９７】
なお、外部電極１０および１１をめっきにより形成した段階で、主面３および４ならびに側面の各々の一部にも回り込んで、めっき膜が多少析出することもあり得るが、十分な厚みがなく、また均質性に欠けるので、端縁厚膜電極１４および１５を形成しないと、はんだによる実装時に不具合が生じることがある。
【００９８】
図８は、この発明の第４の実施形態を説明するための図１に相当する図である。図８において、図１に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００９９】
図８に示した積層型電子部品１ａでは、外部電極１０および１１ならびに端縁厚膜電極１４および１５を形成した後、これらの上に、めっきを施すことによって、それぞれ、めっき膜１７および１８をさらに形成することを特徴としている。
【０１００】
仮に、外部電極１０および１１ならびに端縁厚膜電極１４および１５のはんだ濡れ性が不十分な場合には、めっき膜１７および１８において、はんだ濡れ性の良好な材料を用いることにより、はんだ付けによる実装時の接合信頼性を確実に高めることができる。はんだ濡れ性の良好な材料としては、たとえばＳｎ、Ａｕなどが挙げられる。
【０１０１】
なお、めっき膜１７および１８は、１層構造である場合に限らず、たとえば、Ｎｉめっき層を下地として、その上にＳｎめっき層を形成するなど、２層構造であっても、さらには３層以上の構造であってもよい。
【０１０２】
前述したように、端縁厚膜電極１４および１５を形成するための焼付け時の熱処理により、外部電極１０および１１と内部電極８および９との各間で相互拡散が生じ、これにより、外部電極１０および１１の、積層体２の第１および第２の端面５および６に対する密着性が向上し、積層体２内部への水分等の浸入をより抑制できる、という作用効果は、上記第４の実施形態におけるめっき膜１７および１８を形成する際にも、有効に働く。
【０１０３】
すなわち、めっき膜１７および１８は、端縁厚膜電極１４および１５の形成の後に形成されるので、めっき膜１７および１８の形成のためのめっき液が積層体２内部に浸入することも、効果的に抑制することができる。特に、めっき膜１７および１８の形成のために、浸食性の強いＳｎめっき液が用いられる場合には、この作用効果は、より大きな意義を持つことになる。
【０１０４】
以上、この発明を、図示した実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他種々の変形例が可能である。
【０１０５】
たとえば、この発明が適用される積層型電子部品としては、積層チップコンデンサが代表的であるが、その他、積層チップインダクタ、積層チップサーミスタなどにも適用可能である。
【０１０６】
したがって、積層型電子部品に備える絶縁体層は、電気的に絶縁する機能を有していればよく、その材質は特に問われるものではない。すなわち、絶縁体層は、誘電体セラミックからなるものに限らず、その他、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラミック、樹脂などからなるものであってもよい。
【０１０７】
以下、この発明の好ましい範囲を決定するため、またはこの発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【０１０８】
［実験例１］
実験例１では、外部電極の形成のために電解めっきを適用した。
【０１０９】
まず、被めっき物として、長さ３.１ｍｍ、幅１.５５ｍｍおよび厚み１.５５ｍｍの積層セラミックコンデンサ用積層体であって、絶縁体層がチタン酸バリウム系誘電体材料からなり、内部電極がＮｉを主成分とするものを用意した。そして、隣り合う内部電極間の間隔「ｓ」（図２または図６参照）については、最も大きい箇所で測定して、表１に示すように、１０μｍのものと１３μｍのものとの２種類を用意した。なお、内部電極の平均厚みは１．０μｍであった。
【０１１０】
これら２種類の積層体を、アルミナ系研磨粉を用いてサンドブラスト処理を行ない、内部電極が露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「ｄ」（図２参照）または突出長さ「ｐ」（図６参照）を調節し、表１に示すように、引っ込み長さ「ｄ」については、最も大きい箇所で測定して、２μｍのものと１μｍのものとの２種類のものを作製し、突出長さ「ｐ」については、最も短い箇所で測定して、１μｍのものを作製した。なお、引っ込み長さ「ｄ」を有する試料については、強度０．２５ＭＰａのサンドブラストを実施し、その時間を変えることにより、引っ込み長さ「ｄ」を制御した。突出長さ「ｐ」を有する試料については、強度０．５０ＭＰａのサンドブラストを実施し、その時間を変えることにより、突出長さ「ｐ」を制御した。
【０１１１】
サンドブラスト終了後は、積層体より研磨粉を洗浄除去し、乾燥を行なった。
【０１１２】
次に、上記積層体を、容積３００ｃｃの回転バレル中に投入し、それに加えて、直径０.６ｍｍの金属メディアを投入した。そして、回転バレルを、ｐＨを４.２に調整した浴温６０℃のＮｉめっき用ワット浴に浸漬させ、回転数６０r.p.m.にて回転させながら、電流密度０.０４Ａ／ｄｍ2にて３００分間通電した。このようにして、内部電極の露出する積層体の両端面に、厚み４.０μｍのＮｉめっきによる外部電極を形成した。
【０１１３】
次に、表１に示す試料７および８についてのみ、次のようにして、端縁厚膜電極を形成した。まず、Ｃｕ粉末と、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを主成分とするガラスフリットとを混合した後、有機ビヒクルを適量加え、得られた混合物を三本ロールで混合、分散させることによって、導電性ペーストを得た。次いで、この導電性ペーストを、試料７および８の各々に係る積層体の主面および側面の各々における、端面に隣接する各端縁部に塗布し、窒素雰囲気中において、８００℃の温度で５時間保持する条件の下で焼き付けることにより、外部電極と導通する端縁厚膜電極を形成した。
【０１１４】
次に、試料１〜６、７および８の積層体を再び回転バレルに投入し、この回転バレルを、ｐＨを５．０に調整した浴温３３℃のＳｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬させ、回転数１２r.p.m.にて回転させながら、電流密度０.１Ａ／ｄｍ2にて６０分間通電した。このようにして、試料１〜６については、外部電極上に、試料７および８については、さらに端縁厚膜電極上に、厚み４.０μｍのＳｎめっき膜を形成した。
【０１１５】
このようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサ１００個について、外部電極を顕微鏡にて観察し、めっき不着の面積割合を測定した。また、めっき不着率が０％の試料に関しては、めっき不着率が０％になるまでに要する時間を計測した。これらの平均値の結果が表１に示されている。
【０１１６】
また、各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、圧力１気圧、温度１２５℃および湿度９５％ＲＨの環境下にて、６．３Ｖの電圧を７２時間印加する、といったかなり厳しい条件によるＰＣＢＴ（Pressure Cooker Bias Test）を実施し、試料数１００個にて、不良個数を計数した。この結果が表１に示されている。
【０１１７】
【表１】
2008283170.tif 000003
【０１１８】
まず、端縁厚膜電極を形成しなかった試料１〜６の間で比較すると、試料１および２では、内部電極の端部が積層体の端面に対して引っ込みすぎていたため、めっき不着率が高い結果となった。これに対し、試料３では、引っ込み長さ「ｄ」が１μｍであったため、めっき不着率を０％にすることができた。ただし、試料４のように、引っ込み長さ「ｄ」が１μｍであるが、隣り合う内部電極間間隔「ｓ」が１０μｍを超える場合には、めっき不着が生じた。
【０１１９】
また、試料５および６では、内部電極の端部が露出面に対して突出していたため、試料３と比較して、外部電極形成の所要時間を短く、めっき効率が高かった。また、試料６のように、内部電極間間隔「ｓ」が１３μｍと大きくても、めっき不着率を０％とすることができた。
【０１２０】
次に、端縁厚膜電極の有無の点でのみ異なる試料３と試料７との間、および試料５と試料８との間でそれぞれ比較すると、ＰＣＢＴについて差異が生じている。すなわち、端縁厚膜電極が形成されなかった試料３および５では、非常に厳しい条件によるＰＣＢＴを実施したとき、わずかながら不良が発生したが、端縁厚膜電極が形成された試料７および８では、同じＰＣＢＴを実施しても、全く不良が発生しなかった。
【０１２１】
［実験例２］
実験例２では、外部電極の形成のために主として無電解めっきを適用した。
【０１２２】
以下の表２には、この実験例２において採用された４種類の無電解めっき条件「Ａ］〜「Ｄ」が示されている。
【０１２３】
【表２】
2008283170.tif 000004
【０１２４】
まず、被めっき物として、長さ１．５ｍｍ、幅０．７５ｍｍおよび厚み０．７５ｍｍの積層セラミックコンデンサ用積層体であって、絶縁体層がチタン酸バリウム系誘電体材料からなり、内部電極間の間隔「ｓ」（図２または図６参照）、内部電極の厚み、および内部電極の主成分が、それぞれ、表３の「間隔ｓ」、「内部電極厚み」、および「内部電極金属種」に示すとおりのものを用意した。この時点において、内部電極が露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「ｄ」（図２参照）は、最も大きい箇所で１０μｍであった。
【０１２５】
次に、上記積層体に対し、アルミナ系研磨粉を用いてサンドブラスト処理を行ない、内部電極が露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「ｄ」または突出長さ「ｐ」（図６参照）を調節し、表３に示すように、引っ込み長さ「ｄ」については、最も大きい箇所で測定して、２μｍのものと１μｍのものと０．１μｍのものとの３種類を作製し、突出長さ「ｐ」については、最も短い箇所で測定して、１μｍのものを作製した。なお、引っ込み長さ「ｄ」を有する試料については、強度０．２５ＭＰａのサンドブラストを実施し、その時間を変えることにより、引っ込み長さ「ｄ」を制御した。突出長さ「ｐ」を有する試料については、強度０．５０ＭＰａのサンドブラストを実施し、その時間を変えることにより、突出長さ「ｐ」を制御した。
【０１２６】
サンドブラスト終了後は、積層体より研磨粉を洗浄除去し、乾燥を行なった。
【０１２７】
次に、上記積層体２０００個を、容積３００ｃｃの回転バレル中に投入し、表３の「めっき条件」に示すように、表２に示した条件「Ａ」〜「Ｄ」のいずれかにて、内部電極の露出する積層体の両端面全面に、厚み５μｍの無電解Ｎｉめっき膜または無電解Ｃｕめっき膜からなる外部電極を形成した。
【０１２８】
次に、表３に示す試料２２〜２４についてのみ、実験例１の場合と同様にして、端縁厚膜電極を形成した。
【０１２９】
次いで、外部電極として無電解Ｃｕめっき膜を形成した試料１９、２０、２１および２４に係る積層体について、これらを回転バレルに投入し、この回転バレルを、ｐＨを４．２に調整した浴温６０℃のＮｉめっき用ワット浴に浸漬させ、回転数１０r.p.m.にて回転させながら、給電端子を通じて電流密度０.２Ａ／ｄｍ２にて通電を開始した。通電開始後６０分後には、厚み５μｍの電解Ｎｉめっき膜が形成された。
【０１３０】
さらに、すべての試料について、無電解または電解Ｎｉめっき膜が形成された積層体を回転バレルに投入し、この回転バレルを、ｐＨを５．０に調整した浴温３３℃のＳｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬させ、回転数１２r.p.m.にて回転させながら、給電端子を通じて電流密度０.０７Ａ／ｄｍ２にて５０分間通電した。このようにして、厚み５μｍのＳｎめっき膜を形成した。
【０１３１】
このようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサ１００個について、実験例１の場合と同様の方法により、外部電極のめっき不着の面積割合を測定した。また、めっき不着率が０％の試料に関しては、めっき不着率が０％になるまでに要する時間を計測した。これらの平均値の結果が表３に示されている。
【０１３２】
また、各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、実験例１の場合と同様の方法により、ＰＣＢＴを実施し、試料数１００個にて、不良個数を計数した。この結果が表３に示されている。
【０１３３】
【表３】
2008283170.tif 000005
【０１３４】
表３を参照して、まず、内部電極厚みが１μｍの試料１１〜１７間で比較すると、試料１１および１２では、内部電極が露出する積層体の端面に対する内部電極の引っ込み長さ「ｄ」が大きかったため、めっき不着率が高い結果となった。これに対し、試料１３および１４では、引っ込み長さ「ｄ」が１μｍと小さかったため、めっき不着率を０％にすることができた。ただし、試料１５のように、引っ込み長さ「ｄ」が１μｍであるが、内部電極間の間隔ｓが２０μｍを超える場合には、めっき不着が生じた。
【０１３５】
また、試料１６および１７では、内部電極の端部が露出面に対して突出していたため、試料１３および１４と比較して、めっきによる外部電極形成の所要時間を短くすることができ、めっき効率が高かった。また、試料１７のように、内部電極間の間隔ｓが５０μｍと大きくても、めっき不着率を０％とすることができた。
【０１３６】
次に、試料１８〜２１では、上記試料１１〜１７と比較して、積層体における内部電極間の間隔ｓを２０μｍに固定し、内部電極の厚みを０．６μｍというようにより薄く固定し、引っ込み長さ「ｄ」を０．１μｍというようにより短く固定しながら、内部電極の主成分を表３の「内部電極金属種」に示すように変化させ、かつめっき条件が「Ｂ」、「Ｃ」または「Ｄ」である点で異なっている。
【０１３７】
試料１８〜２１のいずれにおいても、めっき不着率は０％であった。このことから、内部電極の主成分やめっきによって形成される外部電極の主成分金属を変化させても、緻密性の高い無電解めっき膜を形成することができ、高信頼性の積層セラミックコンデンサを得られることがわかった。
【０１３８】
次に、端縁厚膜電極の有無の点でのみ異なる試料１６と試料２３との間、および試料２１と試料２４との間でそれぞれ比較すると、ＰＣＢＴについて差異が生じている。すなわち、端縁厚膜電極が形成されなかった試料１６および２１では、非常に厳しい条件によるＰＣＢＴを実施したとき、わずかながら不良が発生したが、端縁厚膜電極が形成された試料２３および２４では、同じＰＣＢＴを実施しても、全く不良が発生しなかった。また、同じく端縁厚膜電極を有する試料２２についても、ＰＣＢＴによる不良は発生しなかった。
【０１３９】
なお、試料１４および１６〜２４についての結果は、事前のサンドブラストにより、内部電極の主成分が触媒能の低いＮｉなどの卑金属であっても、無電解めっきにより、緻密性の高い外部電極が得られることをも示している。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】この発明の第１の実施形態による積層型電子部品１の断面図である。
【図２】図１に示した積層体２の、内部電極８ａおよび８ｂが露出する部分を拡大して示す断面図である。
【図３】図２に示した内部電極８ａおよび８ｂの露出部分にめっき析出物１６ａおよび１６ｂが析出した状態を示す断面図である。
【図４】図３において析出しためっき析出物１６ａおよび１６ｂが成長していく状態を示す断面図である。
【図５】図４において成長しためっき析出物１６ａおよび１６ｂが一体化して外部電極１０が形成されつつある状態を示す断面図である。
【図６】この発明の第２の実施形態を説明するためのもので、図２に相当する断面図である。
【図７】この発明の第３の実施形態を説明するためのもので、図６に相当する断面図である。
【図８】この発明の第４の実施形態を説明するためのもので、図１に相当する図である。
【図９】従来の積層型電子部品１０１の断面図である。
【符号の説明】
【０１４１】
１，１ａ  積層型電子部品
２  積層体
３，４  主面
５，６  端面
７  絶縁体層
８，９，８ａ，８ｂ  内部電極
１０，１１  外部電極
１４，１５  端縁厚膜電極
１６ａ，１６ｂ  めっき析出物
１７，１８  めっき膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008283170.tif 000009
【図５】
2008283170.tif 000010
【図６】
2008283170.tif 000011
【図７】
2008283170.tif 000012
【図８】
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【図９】
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