(57)【要約】【課題】保護膜を改質することにより、従来に比べて放電遅れを改善した保護膜を備えたプラズマ表示装置とその製造方法を提供する。【解決手段】エージング工程以前に、Ａｒ，Ｋｒ，Ｎ等の少なくとも1種の不活性ガスとマスナンバーが２、１６、１８、４４、等の添加ガスとの混合ガス雰囲気において誘電体保護膜８にスパッタを行い、飛散物を誘電体保護膜８の表面に堆積させることで、放電遅れの改善に貢献する結晶性の良い結晶体を短時間で形成させることが可能になる。【選択図】図４
2008004283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に表示電極と誘電体層と誘電体保護膜とが順に積層されてなる前面基板が、データ電極を備えた背面基板と放電空間を介して対向配置され、前記表示電極と前記データ電極の交差する位置に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記誘電体保護膜には、前記誘電体保護膜と同じ材料であって、前記放電空間側に突出する結晶体が形成され、前記結晶体は、前記誘電体保護膜との交差面の直径が４０nm以上５００nm以下であるプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記交差面の断面積が５０００ｎｍ２以上２０００００ｎｍ２以下である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記放電セルにおいて、前記誘電体保護膜表面において前記結晶体が形成されている表面面積が、前記誘電体保護膜表面の総面積に対して１０%以上７０％以下である請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記結晶体は、針状または柱状である請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記結晶体は、酸化マグネシウム（MgO）の単結晶である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
主面上に表示電極と誘電体層と誘電体保護膜とを順に積層する前面基板形成工程と、
Ａｒ，Ｋｒ，Ｎ等の少なくとも1種の不活性ガスとマスナンバーが２、１６、１８、４４、等の添加ガスとの混合ガス雰囲気において前記誘電体保護膜にスパッタを行い、
前記スパッタにより飛散した前記誘電体保護膜の構成材料を前記誘電体保護膜表面に堆積させることにより、前記誘電体保護膜表面から前記誘電体層と反対側に向けて突出する結晶体を形成する結晶体形成工程と、
前記結晶体形成工程の後に、前記前面基板とアドレス電極を備えた背面基板とを、放電空間を介して対向させて張り合わせる張り合わせ工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記マスナンバー２の濃度が１０ｐｐｍ以上１％以下、前記マスナンバー１６の濃度が１０ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下、前記マスナンバー１８の濃度が１０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下、前記マスナンバー４４の濃度が５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下である請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気体放電からの放射を利用したプラズマディスプレイディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と略す）及びその製造方法に関わる。
【背景技術】
【０００２】
従来の気体放電からの放射を利用した平面表示装置としてＰＤＰの商品化が図られている。ＰＤＰには直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）があるが、大型表示装置として、面放電型ＡＣ型ＰＤＰがより高い技術的ポテンシャルを持ち、寿命特性がすぐれ商品化されている。
【０００３】
図１は、一般的な面放電型ＡＣ型ＰＤＰにおいて、放電単位である放電セル構造を示す断面概念図である。図１に示すように、前面板２は、前面基板３表面に表示電極対４（走査電極５と維持電極６）が配置され、そして、これらの電極対を覆って、誘電体層７および誘電体保護層８が順次積層された構造となっている。誘電体層７は低融点ガラスから形成され、ＡＣ型ＰＤＰ特有の電流制限機能を有する。誘電体保護膜８は上記電極面を保護すると共に、２次電子を効率よく放出し放電開始電圧を低下させる。また、誘電体保護膜８の材料として、２次電子放出係数γが大きく、かつ耐スパッタ性が高く光学的に透明な電気絶縁性材料である金属酸化物のＭｇＯ（酸化マグネシウム）が広く用いられている。
【０００４】
他方、背面板９の背面基板１０上には、画像データを書き込むためのデータ電極１１が形成され、さらにデータ電極１１およびガラス基板１０表面の少なくとも一部を覆うように、背面側の誘電体層１２が低融点ガラスにより積層される。隣接する放電セル（図示省略）との境界の誘電体層１２上には、所定の高さの隔壁１３が低融点ガラスによって井桁状（図示省略）などのパターンでリブ形状に形成され、さらに誘電体層１２の表面と隔壁１３の側面には、蛍光体層１４が塗布焼成され配置された構造としている。
【０００５】
蛍光体層１４として、赤、緑、青の３色発光の蛍光体が対応する各放電セル内に使用される。
【０００６】
上記の前面板２と背面板９はそれぞれ加工面を対向させ、かつ走査電極５および維持電極６と、データ電極１１とが互いにほぼ直交するように配置されて封着され、パネル内の大気や不純物ガスを排気した後、放電用ガスとして希ガスのキセノン・ネオンあるいはキセノン・ヘリウムなどのＸｅ（キセノン）混合ガスが約数十ｋＰａで封入され封止されて放電空間１５を形成する。
【０００７】
そして、面放電タイプの電極マトリクス構造として、表示電極４と交差するように放電セル選択のためのデータ電極１１を配列した３電極構造を有する、放電単位である放電セルを複数個マトリックス状に配列してプラズマディスプレイパネルを完成させ、さらに、図示しないが、マトリックス状に駆動する駆動回路やこれらを制御する制御回路などを周辺に備えてプラズマディスプレイパネル１を完成させている。
【０００８】
図２は、プラズマ表示装置の駆動回路の構成を示したブロック図である。当該駆動回路は、データ電極ドライバ１６と、走査電極ドライバ１７と、維持電極ドライバ１８とから構成されている。ＰＤＰのデータ電極１９にデータ電極ドライバ１６が接続され、走査電極２０に走査電極ドライバ１７が接続され、維持電極２１に維持電極ドライバ１８が接続されている。
【０００９】
一般にＰＤＰでは１フレームの映像を複数のサブフィールド（S.F.）に分割することで諧調表現をする方式が用いられている。そして、この方式ではセル中の気体の放電を制御するために１S.F.を更に４つの期間に分割する。この4つの期間について図３を使用して説明する。図３は、１S.FのM番目の駆動波形を示している。
【００１０】
上記ＡＣ型ＰＤＰは、図３に示すように（１）全表示セルを初期化状態にする初期化期間、（２）各放電セルをアドレスし、各放電セルへ入力データに対応した表示状態を選択・入力していくデータ書き込み期間、（３）表示状態にある放電セルを表示発光させる維持放電期間、（４）維持放電により保持された壁電荷の消去期間、とを有する駆動方式により駆動表示されている。
【００１１】
上記（１）の初期化期間において、走査電極５にデータ電極１１および維持電極６に比べ高い電圧を印加しセル内の気体を放電させる。それによって発生した電荷はデータ電極１１、走査電極５および維持電極６間の電位差を打ち消すようにセルの壁面に蓄積されるので、走査電極５付近の誘電体保護膜８表面には負の電荷が壁電荷として蓄積され、またデータ電極付近の蛍光体層１４表面および維持電極６付近の誘電体保護膜８表面には正の電荷が壁電荷として蓄積される。この壁電荷により走査電極５―データ電極１１間、走査電極５―維持電極６間には所定の値の壁電位が生じる。
【００１２】
上記（２）のデータ書き込み期間において、セルを点灯させる場合には走査電極５にデータ電極１１および維持電極６に比べ低い電圧を印加させることにより、つまり走査電極５、データ電極１１には前記壁電位と同方向に電圧を印加させると共に走査電極５―維持電極６間に壁電位と同方向に電圧を印加させることにより書き込み放電を生じさせる。これにより蛍光体層１４表面、維持側電極６付近の誘電体保護膜８表面には負の電荷が蓄積され走査側電極付近の誘電体保護膜８表面には正の電荷が壁電荷として蓄積される。これにより維持―走査電極間には所定の値の壁電位が生じる。
【００１３】
上記（３）の維持放電期間において、上記壁電荷が存在する放電セルで、対をなす表示電極４の走査電極５および維持電極６のそれぞれに維持放電電圧パルス、例えば約２００Ｖの矩形波電圧が互いに位相が異なるように印加される。すなわち上記電極対間に交流電圧を印加することにより、表示状態が書き込まれた表示セルである放電セルに、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生せしめる。この維持放電により、表示発光は、放電空間１５の励起キセノン原子からは１４７ｎｍの共鳴線が、励起キセノン分子からは１７３ｎｍ主体の分子線が放射され、次いで上記紫外放射を背面板３に設けた蛍光体層１４で可視放射に変換することにより得られる。誘電体保護膜８に壁電荷が書き込まれていない非表示セルの放電セルでは、維持放電が発生せず表示状態は黒表示となる。なお、ＡＣ型ＰＤＰの表示画素単位は、通常、それぞれに赤、緑及び青発光の蛍光体層１４を設けた３つの表示放電単位である放電セルから構成される。
【００１４】
上記（４）の消去期間において、消去パルスを走査電極５に印加することによって不完全な放電が発生し壁電荷が消滅するため、消去が行われる。
【００１５】
ところで、セル構造の高精細化に伴い、走査線数が増加するため、テレビ映像を表示する場合には1フィールド＝１／６０[ｓ]内でシーケンスを終了させる必要がある。これに応えるには、上記（３）の書き込み期間に印加するデータパルスのパルス幅を狭くして高速駆動を行う必要があるが、パルスの立ち上がりから遅れて放電が行われるという「放電遅れ」が存在するために、印加されたパルス幅内で放電が終了する確率が低くなり、本来点灯すべきセルに書き込み等ができずに点灯不良が生じてしまう。
【００１６】
この「放電遅れ」の問題を解決するために、誘電体保護膜の表面に背面板側に向けて突出する針状結晶を形成することが知られている（特許文献１参照）。この針状結晶は、パネルの発光特性及び放電特性を安定化させるために行なうエージング中に、以下に示す２つの工程によって、誘電体保護膜表面に形成される。
【００１７】
（１）誘電体保護膜をパネルに封入されたHe-Xe、Ne-Xe系の放電ガスでスパッタさせるためのパネル点灯工程
（２）スパッタにより飛散した誘電体保護膜構成材料を堆積させて、針状結晶を形成するパネル非点灯工程
【特許文献１】特開２００１−３５７７８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、上記方法では、ＰＤＰ放電の際に使用するHe-Xe、Ne-Xe系放電ガスによって、エージング中に誘電体保護膜のスパッタを行うため、誘電体保護膜のスパッタ効率が悪く、針状結晶を形成するのにも長時間での高放電が必要となる。その結果、エージング工程での温度上昇及び生産工程におけるタクトが長くなるという課題が生じていた。
【００１９】
また、ＰＤＰ放電の際に使用するHe-Xe、Ne-Xe系放電ガスによるスパッタリングによって作成された針状結晶は結晶性が悪く、初期電子が放電空間に放電空間に放出されにくいため、放電遅れを十分に解決することはできなかった。
【００２０】
本発明は、このような問題に鑑みなされたもので、放電遅れの防止とＰＤＰの製造時間の短縮を実現するＰＤＰ及びその製造方法を提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
そこで発明者らは初期電子放出のための誘電体保護膜上の結晶層を効率よく形成する製造方法を模索した結果、本発明に至った。
【００２２】
本発明のPDPは、面上に表示電極と誘電体層と誘電体保護膜とが順に積層されてなる前面基板が、データ電極を備えた背面基板と放電空間を介して対向配置され、表示電極とデータ電極の交差する位置に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、誘電体保護膜には、誘電体保護膜と同じ材料であって、放電空間側に突出する結晶体が形成され、この結晶体は、前記誘電体保護膜との交差面の直径が４０nm以上５００nm以下である構成となっている。
【００２３】
この構成により、データ書き込み放電や維持放電のためのトリガー電子を、放電空間に向けて高効率で放出することができる。その結果、放電遅れを効果的に防止することができる。
【００２４】
また、本発明の製造方法は、主面上に表示電極と誘電体層と誘電体保護膜とを順に積層する前面基板形成工程と、Ａｒ，Ｋｒ，Ｎ等の少なくとも1種の不活性ガスとマスナンバーが２、１６、１８、４４、等の添加ガスとの混合ガス雰囲気において誘電体保護膜にスパッタを行い、スパッタにより飛散した誘電体保護膜の構成材料を誘電体保護膜表面に堆積させることにより、誘電体保護膜表面から誘電体層と反対側に向けて突出する結晶体を形成する結晶体形成工程と、結晶体形成工程の後に、前面基板とアドレス電極を備えた背面基板とを、放電空間を介して対向させて張り合わせる張り合わせ工程を有している。
【００２５】
これにより、エージング前に誘電体保護膜の放電の初期特性を安定化させることができ、エージング時間を短縮できる。また、誘電体保護膜の表面層に、初期電子の放出率の高い放出する、すなわち放電遅れを防止する結晶性の高い結晶体を効率良く形成することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、放電遅れの防止とＰＤＰの製造時間の短縮との両方を実現したＰＤＰ及びその製造方法を提供することを目的としてなされたものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
＜誘電体保護膜８、結晶体８（a）、（ｂ）の構成＞
本発明に係るＰＤＰでは誘電体保護膜８の表面に形成された結晶体８（a）、（ｂ）の構成が特徴的である。図４（a）、（ｂ）は本発明における誘電体保護膜８の結晶体８（ａ）、（ｂ）の構造を模式的に示したものである。
【００２８】
図４(a)は、その表面上に針状結晶体８（a）が形成されている誘電体保護膜８の模式図である。ここで、針状とは、誘電体保護膜８から放電空間１５側に向けて、結晶体断面の直径が短くなっていく形状をいう。針状結晶体８（a）はその形成方法によって存在位置は様々で、誘電体保護膜８表面全面に均一に存在する場合、透明電極（不図示）直上の誘電体保護膜８に存在する場合や、図１で示す表示電極対４間の放電ギャップ部直上および隔壁１４直上の保護層以外の部分、すなわちセルの放電領域にのみ存在する場合がある。それぞれの製造方法については後のＰＤＰの製造方法の章で述べる。このような、背面板９に向かって突出した針状結晶体８（ａ）をもつ誘電体保護膜８は、誘電体保護膜８自体の表面積を拡大することにより初期電子の放出をより起こりやすくする特徴をもつ。さらに、形成された針状結晶体８（a）は放電空間１５にさらされることにより、結晶にイオン衝撃が加わり、保護膜材料に酸素欠損が生じ、そのために形成された酸素欠損による初期電子がでやすい電子準位ができ、放電遅れを抑制することが可能となる構成となっている。このように、針状結晶体８（a）は、実際の放電部に存在することに意味があるため、前述したように少なくとも透明電極上の誘電体保護膜８の表面に存在すればよいため、存在場所については上記の透明電極直上に存在する場合と、図１で示す表示電極対４の間の放電ギャップ部直上および隔壁１３直上部分であることが望ましい。
【００２９】
また、上記説明では針状結晶体８（a）のみについて詳述したが、図４(a)のように必ずしも結晶の先が尖っている必要はなく、柱状に細く成長した結晶であってもその効果は同様である。
【００３０】
図４(b)では、針状結晶体ではなく、（１００）面、（１１０）面に配向したと考えられる四角柱の形状をもつ柱状結晶体８（b）が形成された誘電体保護膜８を示している。ここで、柱状とは、誘電体保護膜８から放電空間１５側に向けて、結晶体断面の直径がおよそ一定である形状をいう。この柱状結晶８（b）についても針状結晶８aと同様に存在場所は製造方法によって様々で、誘電体保護膜８全面に均一に存在する場合と、透明電極（不図示）直上の誘電体保護層８に存在する場合と、図１で示す表示電極対４の間の放電ギャップ部直上および隔壁１３直上の保護層以外の部分、すなわちセルの放電領域にのみ存在する場合がある。この柱状結晶体８（b）も上記の針状結晶体８（a）と同様の効果をもたらし、放電遅れを抑制することが可能となる。
【００３１】
＜ＰＤＰの製造方法＞
次に、本発明におけるＰＤＰの製造方法について説明する。
【００３２】
（背面板パネル９の作製）
背面板９の背面基板１０には、データ（アドレス）電極１１が配列される。データ電極１１の電極材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（白金）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｐｄ（パラジウム）などの金属や、各種金属の炭化物や窒化物等の導電性セラミックスなどの材料やこれらの組み合わせが用いられる。
【００３３】
そして、データ電極１１および背面基板１０面の少なくとも一部表面を覆うように誘電体層１２が、鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやＳｉＯ２材料などにより形成される。
【００３４】
誘電体層１２面上に、隔壁１３が例えば井桁形状のパターンで形成配置される。隔壁１３は、誘電体層１２の上に低融点ガラス材料ペーストが塗布され焼成された後、隣接放電セル（図示省略）との境界周囲を仕切るように、リブ形状に形成される。
【００３５】
そして、隔壁１３が井桁形状パターンで形成された背面板９に対して、蛍光体層１４が、蛍光体色毎に蛍光体材料ペーストにより印刷塗布され、焼成され形成される工程を通して、放電セルの底面である誘電体層１２の表面上に形成される。赤、緑、青発光の各蛍光体層１４として、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：ＭｎおよびＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕなどの３色の蛍光体が使用される。蛍光体材料は、上記に特定するものではなく、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用できる材料が適用できる。
【００３６】
（前面板パネル２の作製）
前面板２の前面基板３の面上に、表示電極４（維持電極５、維持電極６）対が延設されて配置される。まず、前面基板３上に、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどからなる抵抗が高い膜厚約１０００Åの透明電極膜（図示省略）が、ストライプ形状にパターン化され、透明電極（図示省略）の対が幅広に平行に形成され配置される。次に、電気抵抗を下げるために、透明電極の上に、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）系電極材料などにより、膜厚例えば数μｍのバス電極がほぼ平行にそれぞれ細幅に形成される。
【００３７】
そして、図１に示すように、表示電極対４および前面基板３表面を覆うように、誘電体層７が、鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやＳｉＯ２材料などにより膜厚数μｍ〜数十μｍで形成される。誘電体層７の上には、放電開始電圧をより低下させるように２次電子放出係数γが大きく、かつ誘電体層７を放電時のイオン衝撃から保護するように耐スパッタ性が高く、また光学的に透明で電気絶縁性が高い、例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）などの金属酸化物材料により、誘電体保護膜８が膜厚数千Åで形成され積層される。
【００３８】
（結晶体８（a）、８（ｂ）の形成）
上記のようにして作製したＰＤＰの前面板２を背面板９に張り合わせる前に、結晶性の高い結晶体を形成する工程を設ける。希ガス等の少なくとも１種の不活性ガス（Kr,Ar,N等）と、マスナンバー２のガスが１０ｐｐｍ以上１％以下、マスナンバー１６のガスが１０ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下、マスナンバー１８のガスが１０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下、マスナンバー４４の強度比が５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の不純物ガスが含まれる添加ガスとを含む混合ガスを用いて、誘電体保護膜８をスパッタさせ、堆積させることにより、図４に示したような結晶体８（ａ）、（ｂ）を形成することができる。
【００３９】
ここで、誘電体保護膜８に対するスパッタレートが比較的高い従来のNe-Xe系、He-Xe系等のガスを用いてもスパッタについては比較的効率よく行われるが、肝心の結晶体８（ａ）、（ｂ）が有効に成長しない。これは、上記のマスナンバーが２，１６，１８、４４の添加ガスが存在することによる結晶成長の助長を受けないためであり、これらの添加ガスがないと所望の結晶性が高い結晶が形成されないことになる。
【００４０】
また、結晶体の形状においては、上記の条件を満たしている状態で特に不活性ガス中のマスナンバー２のガスが１００ｐｐｍ以上、またマスナンバー１８のガスが５０ｐｐｍ以上になると図４(a)に示す針状になりやすくなる。これはマスナンバー１６や４４に対応する不純物が他の二つのマスナンバーに対応する不純物より多いことにより、結晶の核が細かく、しかも多数存在するようになるため、保護膜の構成材料が堆積する際に針状になりやすくなると考えられる。
【００４１】
上記の条件以外では図４(b)に示す柱状になりやすい。これは保護膜の成膜時に形成された結晶が選択的に成長しているためであると考えられ、できた結晶は成膜時に形成された異方性をそのまま反映することが多い。
【００４２】
なお、上記のような不純ガスを含む不活性ガスで結晶体８（ａ）、（ｂ）を形成した場合、少なくとも１セルに占める誘電体保護膜８において、結晶体８（ａ）、（ｂ）が形成されている総面積の割合は１０%以上７０％以下であることが好ましい。また、各々の結晶の寸法は、前記誘電体保護膜８との交差面の断面積が５０００nm2以上２０００００nm2以下または直径が４０nm以上５００nm以下であることが好ましい。これは、結晶体８（ａ）、（ｂ）の面積の割合が１０％に満たない場合、結晶体の二次電子放出の効果が現れにくい。７０％を超えると可視光の透過率が悪化し、また、結晶体より耐スパッタ性の低い下地誘電体保護膜８がスパッタされやすくなるため耐久性に問題が生じるからである。同様の理由で結晶の大きさも上記のような値に収まることが望ましい。また、結晶体８（ａ）、（ｂ）は電解集中部、すなわち走査５、維持透明電極６のそれぞれが対向する側の端から10〜100μm離れた部分に分布する。これは、結晶体の分布については、放電時には誘電体保護膜８は電解集中部で最もスパッタされるため、堆積により形成される結晶体８（ａ）、（ｂ）もその近傍で存在すると考えられる。
【００４３】
上記のような結晶体８（ａ）、（ｂ）を形成する製造方法は、様々であり、保護膜全面に均一に結晶体８（ａ）、（ｂ）を形成する場合は上記の不純物混合添加ガスを混合した不活性ガスを用いて、例えば予め放電させたプラズマ中にさらすことにより全面をスパッタさせるということができる。透明電極直上の誘電体保護膜８の表面のみに結晶体８（ａ）、（ｂ）を形成する場合には、例えば透明電極上の保護膜以外の領域をマスキングして上記と同様の方法でプラズマ中にさらすことにより選択的に結晶体８（ａ）、（ｂ）を形成することができる。そして図１で示す表示電極対４の間の放電ギャップ部直上および隔壁１４直上の保護層以外の部分、すなわちセルの放電領域にのみに結晶体８（ａ）、（ｂ）を形成する場合には、上記製造方法で作成したパネルを張り合わせ、封着した状態で上記の不純物混合不活性ガスを導入し、前面板２の表示電極対４に実駆動のエージング波形を与えることにより形成することが可能である。この場合、形成した後に一旦その不純物混合不活性ガスを排気してから実際にＰＤＰとして使用する放電ガスを導入する必要がある。
【００４４】
（実施例）
上記した、不活性ガスと添加ガスを含む混合ガスを用いて誘電体保護膜をスパッタさせ、堆積させることにより、得られた結晶体と、そのパネルを用いた効果の結果を表１に示す。
【００４５】
また、比較例として、従来のパネルに封入されたＨｅ−Ｘｅ、Ｎｅ−Ｘｅ系の放電ガスでスパッタさせ堆積させた時の得られた結晶体と、そのパネルを用いた効果の結果を表１に示す。
【００４６】
サンプル１は放電ガスにマスナンバーが２と１８の添加ガスの濃度がそれぞれ50ppm、100ppmの不活性ガス雰囲気で放電を行い、誘電体保護膜上に針状結晶層体８（ａ）を形成したものである。サンプル２はガスにマスナンバーが２、１６、１８、４４の添加ガスの濃度がそれぞれ、１０ppm、３０ppm、１０ppm、１０ppmの不活性ガス雰囲気で放電を行い、誘電体保護膜上に柱状結晶体８（ｂ）を形成したものである。サンプル３は比較例としてエージング中にNe-Xeガスで放電を行い、針状結晶体を形成したものである。サンプル４は従来例として誘電体保護膜を形成しないものである。それぞれのサンプルにおける放電遅れを測定した結果、添加ガスを加えた本発明の結晶体８（ａ）、（ｂ）については小さい放電遅れの値を示していることがわかる。一方比較例についても従来例よりは放電遅れの値が減少しているが、その効果は小さい。これは添加ガスのない放電では十分な結晶体が得られなかったためであると考えられる。
【００４７】
【表１】
2008004283.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明のプラズマ表示装置及び製造方法は、交通機関及び公共施設、家庭などにおけるテレビジョン装置及びコンピューターのディスプレイに用いられる表示装置、その製造方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態に係るＡＣ型ＰＤＰの断面図
【図２】ＰＤＰ表示装置の駆動回路の構成を示すブロック図
【図３】ＰＤＰの駆動波形を示すタイムチャート
【図４】本発明の実施形態に係る誘電体保護膜の模式図
【符号の説明】
【００５０】
２    前面板
３    前面基板
４    表示電極対
５    走査電極
６    維持電極
７    誘電体層
８    誘電体保護膜
８（a）    針状結晶体
８（ｂ）    柱状結晶体
９    背面板
１０    背面基板
１１    データ電極
１２    誘電体保護膜
１３    隔壁
１４    蛍光体層
１５    放電空間
【図１】
2008004283.tif 000004
【図２】
2008004283.tif 000005
【図３】
2008004283.tif 000006
【図４】
2008004283.tif 000007