(57)【要約】【課題】パターン埋め込み性、形状保持性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れた樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｃ）平均粒径が０．１〜６μｍでかつ粒径分布が０．０１〜１５μｍであるゴム弾性を有する低弾性フィラー、及び（Ｄ）極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、前記（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が６５，０００〜１００，０００であり、かつ前記（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が５０，０００〜１００，０００である樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｃ）平均粒径が０．１〜６μｍでかつ粒径分布が０．０１〜１５μｍであるゴム弾性を有する低弾性フィラー、及び（Ｄ）極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、前記（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が６５，０００〜１００，０００であり、かつ前記（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が５０，０００〜１００，０００である樹脂組成物。
【請求項２】
レオメーターを使用してせん断応力１３Ｐａの条件下、周波数５Ｈｚ及び５０Ｈｚで測定した粘度がそれぞれ４００Ｐａ・ｓ未満及び３Ｐａ・ｓ以上であり、かつそれら粘度の比（周波数５Ｈｚでの粘度（Ｐａ・ｓ）／周波数５０Ｈｚでの粘度（Ｐａ・ｓ））が２以上である請求項１記載の樹脂組成物。
【請求項３】
レオメーターを使用してせん断応力１３Ｐａの条件下、周波数１Ｈｚ以上で測定したｔａｎδ（δ＝損失弾性率（Ｐａ）／貯蔵弾性率（Ｐａ））の値が、１以上２未満である請求項１又は２記載の樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂及び前記（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂が、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂又はこれらの前駆体である請求項１〜３のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ｃ）ゴム弾性を有する低弾性フィラーの表面が化学修飾されている請求項１〜４のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項６】
前記化学修飾がエポキシ基による修飾である請求項５記載の樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の樹脂組成物を用いた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン埋め込み性、形状保持性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れた樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミド樹脂などの耐熱性樹脂は、耐熱性及び機械的性質に優れていることから、エレクトロニクスの分野で半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜としてすでに広く使われている。最近、これら表面保護膜用や層間絶縁膜用、応力緩和材用等のポリイミド系樹脂膜の像形成方法として露光、現像又はエッチングなどの繁雑な工程を必要としないスクリーン印刷法が着目されている。
【０００３】
スクリーン印刷法には、ベース樹脂、フィラー及び溶剤を構成成分とし、チキソトロピー性を持つ耐熱性樹脂ペーストが使用される。これまでに開発された耐熱性樹脂ペーストのほとんどは、チキソトロピー性を付与するためのフィラーとしてシリカ微粒子や非溶解性ポリイミド微粒子を用いているため、加熱乾燥時にフィラー界面に多数の空隙や気泡が残留し、膜強度が低い、電気絶縁性に劣るといった問題が指摘されている。
【０００４】
これに対し、特許文献１には、加熱乾燥時にフィラーがまず溶解し、ベース樹脂に相溶・成膜化する特殊な有機フィラー（可溶型フィラー）・ベース樹脂・溶剤を含み、膜強度や電気絶縁性などに優れたポリイミドパターンの形成が可能な耐熱性樹脂ペーストが開示されている。
【０００５】
また、ウエハレベルＣＳＰの応力緩和材として使用するため、耐熱性樹脂ペーストに低弾性フィラーや液状ゴム等を添加する技術もある（例えば、特許文献２参照）。しかし、メタルポスト型のウエハレベルＣＳＰの応力緩和材として低弾性の樹脂ペーストを使用すると、メタルポスト埋め込み性が悪く、出来上がった半導体装置の信頼性が低下する傾向にある。一方、メタルポスト埋め込み性改良のために低粘度の樹脂ペーストを使用すると、印刷後の形状保持性が低下する。そこで、メタルポスト埋め込み性及び印刷後の形状保持性を両立できる粘度管理が必要となっている。
【特許文献１】特開平２−２８９６４６号公報
【特許文献２】ＷＯ０１−０６６６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、パターン埋め込み性、形状保持性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れ、精密パターンが形成可能な樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討した結果、室温で極性溶媒に可溶な特定の芳香族熱可塑性樹脂と極性溶媒に室温では不溶であるが加熱することにより可溶な特定の芳香族熱可塑性樹脂を用い、樹脂ペーストのチキソトロピー性を制御することで、スクリーン印刷やディスペンス塗布等で像形成するのに好適な樹脂組成物を提供できることを見出し、本発明を為すに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は以下（１）〜（７）に記載の事項をその特徴とするものである。
【０００９】
（１）（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｃ）平均粒径が０．１〜６μｍでかつ粒径分布が０．０１〜１５μｍであるゴム弾性を有する低弾性フィラー、及び（Ｄ）極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、前記（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が６５，０００〜１００，０００であり、かつ前記（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が５０，０００〜１００，０００である樹脂組成物。
【００１０】
（２）レオメーターを使用してせん断応力１３Ｐａの条件下、周波数５Ｈｚ及び５０Ｈｚで測定した粘度がそれぞれ４００Ｐａ・ｓ未満及び３Ｐａ・ｓ以上であり、かつそれら粘度の比（周波数５Ｈｚでの粘度（Ｐａ・ｓ）／周波数５０Ｈｚでの粘度（Ｐａ・ｓ））が２以上である上記（１）記載の樹脂組成物。
【００１１】
（３）レオメーターを使用してせん断応力１３Ｐａの条件下、周波数１Ｈｚ以上で測定したｔａｎδ（δ＝損失弾性率（Ｐａ）／貯蔵弾性率（Ｐａ））の値が、１以上２未満である上記（１）又は（２）記載の樹脂組成物。
【００１２】
（４）前記（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂及び前記（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂が、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂又はこれらの前駆体である上記（１）〜（３）のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【００１３】
（５）前記（Ｃ）ゴム弾性を有する低弾性フィラーの表面が化学修飾されている上記（１）〜（４）のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【００１４】
（６）前記化学修飾がエポキシ基による修飾である上記（５）記載の樹脂組成物。
【００１５】
（７）上記（１）〜（６）のいずれか１項記載の樹脂組成物を用いた半導体装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、パターン埋め込み性、形状保持性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れ、メタルポストなどや細密な配線上でもスクリーン印刷、ディスペンス塗布等で精密パターンを形成することができる樹脂組成物を提供することが可能となる。特に、本発明の樹脂組成物は、スクリーン印刷ペーストとして使用した際、メタルポストなどの複雑な形状などの埋め込み性と印刷後の形状保持性という相反する特性を満足させることが可能である。それゆえ、当該樹脂組成物を絶縁層、接着層、保護層等として備える半導体装置は良好な特性を有するものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｃ）平均粒径が０．１〜６μｍでかつ粒径分布が０．０１〜１５μｍであるゴム弾性を有する低弾性フィラー、及び（Ｄ）極性溶媒を含有してなり、上記（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が６５，０００〜１００，０００であり、かつ上記（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が５０，０００〜１００，０００であることをその特徴とするものである。つまり、重量平均分子量が上記のような範囲にある２種の芳香族熱可塑性樹脂（Ａ）および（Ｂ）を用いることにより、パターン埋め込み性および形状保持性を両立させることが可能となる。特に、上記（Ｂ）成分は、本発明の樹脂組成物にチキソトロピーを付与し、スクリーン印刷やディスペンス塗布等による精密なパターン形成を可能ならしめる上で重要な要素である。上記（Ａ）成分の重量平均分子量は好ましくは６８０００〜８８０００であり、上記（Ｂ）成分の重量平均分子量は好ましくは６００００〜９００００である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィーを使用し、標準ポリスチレン換算で測定した値である。
【００１８】
上記（Ａ）成分および上記（Ｂ）成分は、特に限定されないが、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはこれらの前駆体であることが好ましい。なお、上記「室温」とは、特に溶媒温度の指定や調節を行わずに室内に放置しておいたような場合の温度条件を示し、特に制限されないが、１０〜４０℃の範囲内の温度であることが好ましい。また、「加熱」とは溶媒を８０℃以上に昇温することで、好ましくは８０℃〜２００℃、さらに好ましくは１００〜１８０℃である。加熱温度が８０℃未満だと（Ｃ）フィラーの分散が十分でなく、得られる塗膜の表面平坦性が低下する傾向がある。
【００１９】
上記ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはこれらの前駆体を得る方法としては、例えば、芳香族、脂肪族あるいは脂環式ジアミン化合物と、ジカルボン酸あるいはその反応性酸誘導体及び／又はトリカルボン酸あるいはその反応性酸誘導体及び／又はテトラカルボン酸二無水物との反応による方法等、公知の方法によればよく、特に限定されない。反応は、無溶媒あるいは有機溶媒の存在下で行うことができ、反応温度は２５℃〜２５０℃とすることが好ましく、反応時間は、バッチの規模、採用される反応条件などにより適宜選択することができる。
【００２０】
上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を製造するときの有機溶媒としては、特に制限は無く、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン等の含硫黄系溶媒、γ−ブチロラクトン、酢酸セロソルブ等のエステル系溶媒、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等の含窒素系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上組み合わせて使用することができ、好ましくは、生成する樹脂を溶解する溶媒を選択して使用する。
【００２１】
また、ポリイミド樹脂前駆体又はポリアミドイミド樹脂前駆体を脱水閉環してポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂とする方法も特に制限は無く、一般的な方法を使用することができる。例えば、常圧あるいは減圧下において加熱によって脱水閉環する熱閉環法、触媒の存在下あるいは非存在下、無水酢酸等の脱水剤を使用する化学閉環法等を使用することができる。
【００２２】
熱閉環法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。このとき８０〜４００℃、好ましくは１００〜２５０℃に反応液を加熱することにより行う。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等のような水と共沸するような溶剤を併用し、水を共沸除去してもよい。
【００２３】
化学閉環法の場合、化学的脱水剤の存在下、０〜１２０℃、好ましくは１０〜８０℃で反応させる。化学的脱水剤としては、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等を用いるのが好ましい。このとき、ピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、アミノピリジン、イミダゾール等の環化反応を促進する物質を併用することが好ましい。化学的脱水剤はジアミン化合物の総量に対して９０〜６００モル％、環化反応を促進する物質はジアミン化合物の総量に対して４０〜３００モル％使用される。また、トリフェニルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイト、トリフェニルホスフェート、リン酸、五酸化リン等のリン化合物、ホウ酸、無水ホウ酸等のホウ素化合物等の脱水触媒を用いてもよい。
【００２４】
脱水反応によりイミド化を終了した反応液を、メタノール等の低級アルコール、水又はこれらの混合物等の上記有機溶媒と相溶性であって、かつ樹脂に対して貧溶媒である大過剰の溶媒に注ぎ、樹脂の沈殿物を得て、これをろ別し、溶媒を乾燥することによって、ポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂を得る。残存するイオン性不純物の低減化等を考慮すると、前述の熱閉環法が好ましい。
【００２５】
本発明の樹脂組成物において、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分のそれぞれの配合量は特に制限されず、任意でよいが、好ましくは（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分１０〜３００重量部、より好ましくは（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分１０〜２００重量部配合する。（Ｂ）成分の配合量が１０重量部より少ないと、得られる樹脂組成物のチキソトロピー性が低下する傾向があり、３００重量部より多いと得られる膜物性が低下する傾向がある。また、必要に応じて、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分以外の樹脂を、本発明の目的を逸脱しない範囲で配合してもよい。
【００２６】
本発明における上記（Ｃ）ゴム弾性を有する低弾性フィラーとしては、特に制限はないが、アクリルゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム等の弾性体のフィラーやこれらの液状ゴム等が挙げられる。本発明の樹脂組成物の耐熱性を考慮すると、シリコーンゴムが好ましく、例えば、トレフィルＥシリーズ（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製商品名）を用いることができる。
【００２７】
また、上記（Ｃ）フィラーの平均粒径は０．１〜６μｍであることが好ましく、０．２〜５μｍであることがより好ましく、０．３〜４μｍであることが特に好ましい。平均粒径が０．１μｍ未満では粒子間の凝集が起き、フィラーを十分に分散させることが困難な傾向があり、６μｍを超えると、ろ過工程を導入することが困難となり、得られる塗膜の表面平坦性が低下する傾向がある。また、その形状は、球形又は不定形に微粒子化されていることが好ましい。
【００２８】
さらに、上記（Ｃ）フィラーの粒径分布は、０．０１〜１５μｍであることが好ましく、０．０２〜１５μｍであることがより好ましく、０．０３〜１５μｍであることが特に好ましい。粒径が０．０１μｍ未満のものが存在すると粒子間の凝集が起き易くなり、フィラーを十分に分散させることが難しくなる傾向があり、１５μｍを超えるものが存在すると、ろ過工程を導入することが困難となり、得られる塗膜の表面平坦性が低下する傾向がある。
【００２９】
また、上記（Ｃ）フィラーの表面は官能基で化学的に修飾されていることが好ましい。このような官能基としては、例えば、エポキシ基、アミノ基、アクリル基、ビニル基、フェニル基等を挙げることができ、好ましくはエポキシ基である。例えば、上記トレフィルＥシリーズのトレフィルＥ−６０１のシリコーンゴムは、その表面がエポキシ基で修飾されており、（Ｃ）成分として好適である。
【００３０】
また、上記（Ｃ）フィラーは、本発明の樹脂組成物中の全樹脂総量１００重量部に対して、５〜９００重量部使用することが好ましく、５〜８００重量部使用することがより好ましい。このような（Ｃ）フィラーを、耐熱性を有する熱可塑性樹脂に添加することにより、樹脂組成物の耐熱性及び密着性を損なうことなく、低弾性にすることが可能となり、また、その弾性率をコントロールすることが可能となる。
【００３１】
本発明における（Ｄ）極性溶媒は、有極性分子から構成される溶媒であればよく、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセドアミド、ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等の含窒素化合物、スルホラン、ジメチルスルホキシド等の含硫黄化合物、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−ヘプタラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類、エチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジプロピルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。
【００３２】
上記（Ｄ）極性溶媒の配合量は、本発明の樹脂組成物の貯蔵弾性率や粘度を考慮して適宜決定すればよく、特に限定されないが、本発明の樹脂組成物中の全樹脂総量１００重量部に対して、１００〜３５００重量部配合することが好ましく、１５０〜１０００重量部配合することがより好ましい。
【００３３】
また、本発明の樹脂組成物には、必要に応じて、着色剤、カップリング剤等の添加剤、樹脂改質剤を添加してもよい。着色剤としては、カーボンブラック、染料、顔料等が挙げられる。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。
【００３４】
シラン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−ジメトキシシラン、３−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３５】
チタン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３６】
アルミニウム系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトイス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシド−モノ−エチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−イソ−プロポキシド−モノ−エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３７】
上記の添加剤は、本発明の樹脂組成物中の全樹脂総量１００重量部に対して、５０重量部以下の配合量にすることが好ましい。上記添加剤の添加量が５０重量部より多いと、得られる塗膜物性が低下する傾向にある。
【００３８】
また、上記のような成分を含む本発明の樹脂組成物は、レオメーター（動的粘弾性測定装置）を使用してせん断応力１３Ｐａの条件下、周波数５Ｈｚで測定した粘度が４００Ｐａ・ｓ未満であることが好ましく、２８０Ｐａ・ｓ未満であることがより好ましく、２５０Ｐａ・ｓ未満であることがさらに好ましく、２２０未満であることが特に好ましく、２００Ｐａ・ｓ未満であることが最も好ましい。周波数５Ｈｚで測定した粘度が４００Ｐａ・ｓ以上であると、メタルポストなどの埋め込み性に劣る傾向がある。また、レオメーターを使用してせん断応力１３Ｐａの条件下、周波数５０Ｈｚで測定した粘度が３Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、６Ｐａ・ｓ以上であることがより好ましく、９Ｐａ・ｓ以上であることがさらに好ましく、１２Ｐａ・ｓ以上であることが特に好ましい。周波数５０Ｈｚで測定した粘度が３Ｐａ・ｓ未満であると、印刷後の形状保持性に劣る傾向がある。また、周波数５Ｈｚ測定した上記粘度と周波数５０Ｈｚで測定した上記粘度の比（周波数５Ｈｚでの粘度（Ｐａ・ｓ）／周波数５０Ｈｚでの粘度（Ｐａ・ｓ））は、２以上であることが好ましく、２．１以上であることがより好ましく、２．２以上であることがさらに好ましく、２．３以上であることが特に好ましく、２．４以上であることが最も好ましい。この比が２未満であると、メタルポスト等の埋め込み性と印刷後の形状保持性両立することが困難になる傾向がある。
【００３９】
また、本発明の樹脂組成物は、レオメーターを使用してせん断応力１３Ｐａの条件下、周波数１Ｈｚ以上で測定したｔａｎδ（δ＝損失弾性率（Ｐａ）／貯蔵弾性率（Ｐａ））の値が１以上２未満であることが好ましく、１．０〜１．８であることがより好ましく、さらに好ましくは１．１〜１．７であることがさらに好ましい。ｔａｎδ（δ＝損失弾性率（Ｐａ）／貯蔵弾性率（Ｐａ））の値が１未満であると印刷時の埋め込み性に劣る傾向があり、２以上であると印刷後の形状保持性に劣る傾向がある。
【００４０】
なお、上記レオメーターによる各種特性は、例えば、ＢＯＨＬＩＮ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社性レオメーターＣＳＲ−１０型を用い、１３Ｐａのせん断応力を６０秒負荷した後、１３Ｐａに固定した状態で、５０Ｈｚから５Ｈｚまで周波数を変動させて測定することができる。また、上記粘度や上記ｔａｎδの値は、本発明の樹脂組成物を構成する上記（Ａ）成分や（Ｂ）成分の重量平均分子量や（Ｄ）極性溶媒の種類や使用量を変更することで調整することができ、例えば、周波数５Ｈｚにおける粘度は、本発明の樹脂組成物を構成する上記（Ａ）成分や上記（Ｂ）成分の重量平均分子量を大きくすることによって大きくすることができ、上記（Ｄ）成分の使用量を減らすことによっても大きくすることができる。また、（Ｄ）成分の一成分として、（Ａ）成分の溶解性に優れる溶媒を使用することによっても大きくすることができる。
【００４１】
本発明の樹脂組成物を用いて精密なパターンを形成する方法としては、特に制限はないが、例えば、スクリーン印刷法、ディスペンス塗布法、ポッティング法、カーテンコート法、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法等が挙げられる。作業性などを考慮するとスクリーン印刷法またはディスペンス塗布が好ましい。
【００４２】
本発明の樹脂組成物を用いた半導体装置は、例えば、基板又はリードフレームに本発明の樹脂組成物を塗布又は本発明の樹脂組成物からなる樹脂フィルムを張り付け、樹脂層を形成した後、当該樹脂層上にチップを接着して得られる。勿論、当該樹脂層をチップ表面に形成し、これを基板又はリードフレームに接着してもよい。また、当該樹脂層を半導体部品の表面に形成し、これを保護膜としてもよい。塗布や乾燥は公知の方法によって行うことができる。この際、イミド化を伴わず、かつ２５０℃以下の溶剤乾燥の工程で塗膜を得ることができる。形成された樹脂層のガラス転移温度Ｔｇが１８０℃以上で、熱分解温度が３００℃以上であると、十分な耐熱性を有するため好ましい。また、塗膜の弾性率は０．２〜３．０ＧＰａの範囲でコントロール可能なことから、あらゆる半導体装置に対応することができる。
【００４３】
本発明の樹脂組成物を用いた半導体装置は、例えば、同一構造の配線が複数形成された半導体基板に、本発明の樹脂組成物を塗布・乾燥して樹脂層を形成する工程、必要に応じて上記樹脂層上に上記半導体基板上の電極と電気的に導通した再配線を形成する工程、必要に応じて再配線上又は樹脂層上に保護層（樹脂層）を形成する工程、必要に応じて上記樹脂層に外部電極端子を形成する工程、次いで、必要に応じてダイシングする工程を行い製造される。上記半導体基板としては、特に制限されないが、例えば、シリコンウエハ等が挙げられる。上記樹脂層の塗布方法としては、特に制限はないが、スクリーン印刷またはディスペンス塗布であることが好ましい。上記樹脂層の乾燥方法は公知の方法によって行うことができる。また、上記樹脂層のガラス転移温度Ｔｇは１８０℃以上で、熱分解温度は３００℃以上の耐熱性を有することが好ましい。また、再配線を形成する工程で必要とされる耐スパッタ性、耐メッキ性、耐アルカリ性等を有することから、あらゆる半導体装置に対応することができる。また、シリコンウエハの反り量も低減することができる。この方法により製造される半導体装置は歩留まりの向上が期待でき、生産性の向上が可能となる。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに制限するものではない。
【００４５】
＜芳香族熱可塑性樹脂の合成＞
（合成例１）
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに窒素気流下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（以下ＢＡＰＰとする）４５．９２ｇ（１１２ミリモル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰとする）５０ｇを加えて溶解した。次に２０℃を超えない様に冷却しながら無水トリメリット酸クロライド（以下ＴＡＣとする）２３．５７６ｇ（１１２ミリモル）を加えた。室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えない様に冷却しながらトリエチルアミン（以下ＴＥＡとする）１３．５７４４ｇ（１３４．４ミリモル）を加えて、室温で３時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスを更に１９０℃で脱水反応を６時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−１）を得た。得られたポリアミドイミド樹脂（ＭＰＡＩ−１）の重量平均分子量をゲル浸透クロマトグラフィー（以下ＧＰＣとする）を使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ８８，０００であった。
【００４６】
（合成例２）
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに窒素気流下、ＢＡＰＰ４５．９２ｇ（１１２ミリモル）を入れ、ＮＭＰ５０ｇを加えて溶解した。次に２０℃を超えない様に冷却しながらＴＡＣ２３．５７６ｇ（１１２ミリモル）を加えた。室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えない様に冷却しながらＴＥＡ１３．５７４４ｇ（１３４．４ミリモル）を加えて、室温で３時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに１９０℃で脱水反応を３時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−２）を得た。得られたポリアミドイミド樹脂（ＭＰＡＩ−２）の重量平均分子量をＧＰＣを使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ６８，０００であった。
【００４７】
（合成例３）
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに窒素気流下、ＢＡＰＰ４５．９２ｇ（１１２ミリモル）を入れ、ＮＭＰ５０ｇを加えて溶解した。次に２０℃を超えないように冷却しながらＴＡＣ２４．０４８ｇ（１１４．２ミリモル）を加えた。室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えないように冷却しながらＴＥＡ１３．５７４４ｇ（１３４．４ミリモル）を加えて、室温で３時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに１９０℃で脱水反応を３時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−３）を得た。得られたポリアミドイミド樹脂（ＭＰＡＩ−３）の重量平均分子量をＧＰＣを使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ６０，０００であった。
【００４８】
（合成例４）
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに窒素気流下、ＢＡＰＰ４５．９２ｇ（１１２ミリモル）を入れ、ＮＭＰ５０ｇを加えて溶解した。次に２０℃を超えないように冷却しながらＴＡＣ２３．５７６ｇ（１１２ミリモル）を加えた。室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えないように冷却しながらＴＥＡ１３．５７４４ｇ（１３４．４ミリモル）を加えて、室温で３時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに１９０℃で脱水反応を８時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−４）を得た。得られたポリアミドイミド樹脂（ＭＰＡＩ−４）の重量平均分子量をＧＰＣを使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ１２０，０００であった。
【００４９】
（合成例５）
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに窒素気流下、ＢＡＰＰ４５．９２ｇ（１１２ミリモル）を入れ、ＮＭＰ５０ｇを加えて溶解した。次に、２０℃を超えないように冷却しながらＴＡＣ１４．１４５６ｇ（６７．２ミリモル）及び３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物（以下ＢＴＤＡとする）１４．４２５６ｇ（４４．８ミリモル）を加えた。室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えないように冷却しながらＴＥＡ８．１４５ｇ（８０．６４ミリモル）を加えて、室温で３時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに１９０℃で脱水反応を６時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶な重量平均分子量９０，０００のポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−１）を得た。
【００５０】
（合成例６）
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに窒素気流下、ＢＡＰＰ４５．９２ｇ（１１２ミリモル）を入れ、ＮＭＰ５０ｇを加えて溶解した。次に、２０℃を超えないように冷却しながらＴＡＣ１４．１４５６ｇ（６７．２ミリモル）及びＢＴＤＡ１４．４２５６ｇ（４４．８ミリモル）を加えた。室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えないように冷却しながらＴＥＡ８．１４５ｇ（８０．６４ミリモル）を加えて、室温で３時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに１９０℃で脱水反応を３時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶な重量平均分子量６０，０００のポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−２）を得た。
【００５１】
（合成例７）
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに窒素気流下、ＢＡＰＰ４５．９２ｇ（１１２ミリモル）を入れ、ＮＭＰ５０ｇを加えて溶解した。次に、２０℃を超えないように冷却しながらＴＡＣ１４．８５２９ｇ（７０．６ミリモル）及びＢＴＤＡ１５．１４６９ｇ（４７．０ミリモル）を加えた。室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えないように冷却しながらＴＥＡ８．１４５ｇ（８０．６４ミリモル）を加えて、室温で３時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに１９０℃で脱水反応を３時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶な重量平均分子量４２，０００のポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−３）を得た。
【００５２】
（合成例８）
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた０．５リットルの４つ口フラスコに窒素気流下、ＢＡＰＰ４５．９２ｇ（１１２ミリモル）を入れ、ＮＭＰ５０ｇを加えて溶解した。次に、２０℃を超えないように冷却しながらＴＡＣ１４．１４５６ｇ（６７．２ミリモル）及びＢＴＤＡ１４．４２５６ｇ（４４．８ミリモル）を加えた。室温で１時間撹拌した後、２０℃を超えないように冷却しながらＴＥＡ８．１４５ｇ（８０．６４ミリモル）を加えて、室温で３時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに１９０℃で脱水反応を８時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶な重量平均分子量１０７，０００のポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−４）を得た。
【００５３】
＜樹脂組成物の調製と評価＞
（実施例１）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素気流下、合成例１で得られた、室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−１）１１０ｇ、合成例５で得られた、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−１）３３ｇ、γ―ブチロラクトン３００ｇ及びトリエチレングリコールジメチルエーテル１２９ｇを加えて攪拌しながら１３０℃まで昇温した。１３０℃で２時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルＥ−６０１（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径：約２μｍ、粒径分布１〜１０μｍ）６１．３ｇ及び１，３−ジメチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（以下ＤＭＰＵとする）１１４．５５ｇを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器ＫＳＴ−４７（アドバンテック（株）製）に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、３．０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加圧ろ過して樹脂組成物（Ｐ−１）を得た。
【００５４】
次に、得られた樹脂組成物（Ｐ−１）について、ＢＯＨＬＩＮ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製レオメーター、ＣＳＲ−１０型を用い、１３Ｐａのせん断応力を６０秒負荷した後、せん断応力を１３Ｐａに固定した状態で、周波数を５０Ｈｚから５Ｈｚまで変動させて、当該樹脂組成物のレオロジー特性（粘度、ｔａｎδ）を測定した。この際、測定中のサンプリングポイントは１５点とし、それぞれの測定待ち時間は３０秒とした。結果を表１に示す。
【００５５】
また、得られた樹脂組成物（Ｐ−１）を配線及び銅ポストが形成された半導体基板（ピッチ寸法５．３ｍｍ×６．３ｍｍ、スクライブライン１００μｍ、銅ポスト径：３００μｍ、銅ポスト高さ：１００μｍ）上にスクリーン印刷機（ニューロング精密工業（株）製、アライメント装置付きＬＳ−３４ＧＸ）、ニッケル合金レーザーエッチングメタル版（（株）プロセス・ラボ・ミクロン製、厚み２００μｍ、開口部寸法５ｍｍ×６ｍｍ、ピッチ寸法５．３ｍｍ×６．３ｍｍ）及びナイロン製Ｊスキージ（ニューロング精密工業（株）製）を用いて、印刷し、その印刷性（ペースト特性）を評価した。評価は、光学顕微鏡を使用して、配線へのペースト埋め込み性及び印刷後の形状保持性を下記基準で評価することで行った。結果を表１に示す。
【００５６】
〔配線及び銅ポストへのペースト埋め込み性〕
◎：埋め込み不良によるボイドの発生無し
○：埋め込み不良によるボイドの発生僅かに有り
△：埋め込み不良によるボイドの発生若干有り
×：埋め込み不良によるボイドの発生ほぼ全面に有り
※…上記の◎及び○を合格とする
〔印刷後の形状保持性〕
◎：スクライブライン形成
○：スクライブライン形成されているが若干の流れ込み有り
△：スクライブライン潰れが一部で発生
×：スクライブライン潰れ（ほぼ全面）
※…上記の◎及び○を合格とする
【００５７】
また、得られた樹脂組成物を金属シャーレ上に数ｇ秤量し、不揮発分濃度（以下ＮＶと
する）を次式に示す条件で測定した。結果を表１に示す。  
【数１】
2008138159.tif 000002
【００５８】
さらに、得られた樹脂組成物（Ｐ−１）をポリフッ化エチレン系繊維基板上に塗布し、２５０℃で加熱して、有機溶媒を乾燥させて、膜厚２５μｍの塗膜を形成した。当該塗膜について、動的粘弾性スペクトロメーター（（株）岩本製作所製）により、引張り弾性率（２５℃、１０Ｈｚ）及びガラス転移温度（周波数１０Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍｉｎ）を測定した。また、熱天秤により昇温速度：１０℃／ｍｉｎ、雰囲気：空気、の条件で熱分解開始温度を測定した。それぞれの結果を表１に示す。
【００５９】
また、得られた樹脂組成物（Ｐ−１）を、配線が形成された半導体基板にスクリーン印刷で塗布、乾燥し、樹脂層を形成する工程、当該樹脂層上に半導体基板上の電極と電気的に導通した再配線を形成する工程、当該再配線上に保護層を形成する工程、当該保護層に外部電極端子を形成する工程、および基板をダイシングする工程を経て半導体装置を作製した。得られた半導体装置について、ヒートサイクル試験（−５５℃／３０ｍｉｎ及び１２５℃／３０ｍｉｎを１０００サイクル）を行い、樹脂層にクラックや剥がれ等の不具合が発生するかどうか調べた。不具合が発生しなかったものを○、不具合が発生したものを×として半導体装置を評価した。結果を表１に示す。
【００６０】
（実施例２）
極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例６で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−２）を用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物（Ｐ−２）を調製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６１】
（実施例３）
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例２で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−２）を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例６で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−２）を用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物（Ｐ−３）を調製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６２】
（実施例４）
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例２で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−２）を用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物（Ｐ−４）を調製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６３】
（比較例１）
極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例７で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−３）を用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物（Ｐ−５）を調製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６４】
（比較例２）
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例２で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−２）を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例７で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−３）を用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物（Ｐ−６）を調製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６５】
（比較例３）
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例３で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−３）を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例７で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−３）を用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物（Ｐ−７）を調製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６６】
（比較例４）
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例３で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−３）を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例６で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−２）を用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物（Ｐ−８）を調製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６７】
（比較例５）
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例３で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−３）を用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物（Ｐ−９）を調製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６８】
（比較例６）
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例４で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＭＰＡＩ−４）を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例８で得られたポリアミドイミド樹脂粉末（ＰＡＩ−４）を用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物（Ｐ−１０）を調製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
2008138159.tif 000003
【００７０】
表１から分かるように、実施例１〜４の樹脂組成物は、いずれもパターン埋め込み性、形状保持性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れるため、これを用いて製造された半導体装置に不具合は発生しなかった。一方、比較例１〜５の樹脂組成物は、粘度が低く、印刷時の形状を保持することができなかったため、半導体装置を作製することができなかった。また、比較例６の樹脂組成物は、粘度が大きすぎるため印刷性に劣り、これを用いて作製された半導体装置にも不具合が発生した。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】配線が形成された半導体基板に本発明の樹脂組成物をスクリーン印刷する際の模式図であり、図１（ａ）が印刷前、図１（ｂ）が印刷後である。
【図２】本発明の樹脂組成物を応力緩和層に用いた半導体パッケージの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  樹脂組成物
２  スキージ
３  印刷用マスク
４  配線形成部分
５  スクライブライン部
６  シリコンウエハ
１１  はんだボール
１２  銅ポスト
１３  応力緩和層（樹脂組成物）
１４  銅配線
１５  シリコンウエハ
１６  ポリイミド系絶縁膜
【図１】
2008138159.tif 000004
【図２】
2008138159.tif 000005