(57)【要約】【課題】基板における半導体素子が搭載される面と同じ面に外部電極が設けられる樹脂封止型半導体装置を歩留まりが良好な状態で製造でき、生産性を向上させることができる樹脂封止型半導体装置の製造装置や製造方法などを提供する。【解決手段】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置は、キャビティ２１を有する樹脂封止用の金型２０に、キャビティ２１に向けて封止樹脂２５を注入する樹脂注入口２９ａと、樹脂注入時にキャビティ２１からの空気を逃がす空気逃げ口３０ａとが設けられ、樹脂注入口２９ａだけでなく空気逃げ口３０ａもキャビティ２１の天面部２１ａに開口するように設けた。これにより、樹脂注入口２９ａや空気逃げ口３０ａに樹脂バリが残った場合でも、基板２の表面部２ａに設けられた外部端子４Ａに樹脂バリが付着することを防止できる。【選択図】図２
2008004570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面部に設けられたチップ搭載領域に半導体素子が搭載され、表面部における前記チップ搭載領域よりも外周に設けられた電極と前記半導体素子に設けられた電極とが接続体により電気的に接続され、表面部における電極よりも外周に表面部側外部端子が設けられ、裏面部に裏面部側外部端子が設けられた基板に対して、
この基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、半導体素子および接続体とを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、
半導体素子が搭載された前記基板が封止樹脂注入時に内部に載置されるとともに、封止樹脂注入空間であるキャビティを有した樹脂封止用の金型が備えられ、
前記金型に、キャビティに封止樹脂を注入する樹脂注入口と、樹脂注入時にキャビティからの空気を逃がす空気逃げ口とが設けられ、
前記樹脂注入口が、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられ、
前記空気逃げ口が、金型のキャビティ天面部における前記樹脂注入口と異なる箇所に設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項２】
表面部に設けられたチップ搭載領域に半導体素子が搭載され、表面部における前記チップ搭載領域よりも外周に設けられた電極と前記半導体素子に設けられた電極とが接続体により電気的に接続され、表面部における電極よりも外周に表面部側外部端子が設けられ、裏面部に裏面部側外部端子が設けられた基板に対して、
この基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、半導体素子および接続体とを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、
半導体素子が搭載された前記基板が封止樹脂注入時に内部に載置されるとともに、封止樹脂注入空間であるキャビティを有した樹脂封止用の金型が備えられ、
前記金型に、キャビティに封止樹脂を注入する樹脂注入口と、樹脂注入時にキャビティからの空気を逃がす空気逃げ口とが設けられ、
前記樹脂注入口が、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられ、
前記空気逃げ口が、金型における基板の表面部に対して対向する向きの面に設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項３】
表面部に設けられたチップ搭載領域に半導体素子が搭載され、表面部における前記チップ搭載領域よりも外周に設けられた電極と前記半導体素子に設けられた電極とが接続体により電気的に接続され、表面部における電極よりも外周に表面部側外部端子が設けられ、裏面部に裏面部側外部端子が設けられた基板に対して、
この基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、半導体素子および接続体とを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、
半導体素子が搭載された前記基板が封止樹脂注入時に内部に載置されるとともに、封止樹脂注入空間であるキャビティを有した樹脂封止用の金型が備えられ、
前記金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に、キャビティに封止樹脂を注入する樹脂注入口が設けられ、
前記金型に、金型のキャビティ天面部側から基板の表面部側に向けて延びてキャビティ内に突入される補助金型としての筒状のピンが設けられ、このピンに、キャビティに臨んで開口する前記空気逃げ口と、この空気逃げ口に繋がる空気逃げ用通路とが形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項４】
ピンの外周面に、基板の表面部に近接するほど外周面内の断面積が小さくなるように傾斜して、ピンを封止樹脂部から抜け易くする抜け勾配の傾斜面が形成されていることを特徴とする請求項３記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項５】
ピンの一部が切欠れて空気逃げ口が形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項６】
表面部に設けられたチップ搭載領域に半導体素子が搭載され、表面部における前記チップ搭載領域よりも外周に設けられた電極と前記半導体素子に設けられた電極とが接続体により電気的に接続され、表面部における電極よりも外周に表面部側外部端子が設けられ、裏面部に裏面部側外部端子が設けられた基板に対して、
この基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、半導体素子および接続体とを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、
半導体素子が搭載された前記基板が封止樹脂注入時に内部に載置されるとともに、封止樹脂注入空間であるキャビティを有した樹脂封止用の金型が備えられ、
前記金型に、キャビティに向けて封止樹脂を注入する樹脂注入口と、樹脂注入時にキャビティからの空気を逃がす空気逃げ口とが設けられ、
前記樹脂注入口が、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられ、
前記空気逃げ口が、金型における前記基板の裏面部に対向する面の、基板に形成された空気逃げ用の孔に繋がる位置に設けられたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項７】
樹脂注入口が、半導体素子に対応する封止樹脂部に対して、封止樹脂部の厚み方向に平面視して、封止樹脂部の略中央に設けられ、
空気逃げ口が、封止樹脂部の厚み方向に平面視して、前記樹脂注入口の周りに複数存在するように設けられていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項８】
基板において半導体素子を搭載するチップ搭載領域が設けられた表面部における、チップ搭載領域よりも外周の位置に電極を形成し、基板の表面部における前記電極よりも外周に表面部側外部端子を形成し、裏面部に裏面部側外部端子を形成する工程と、
基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子を搭載する工程と、
基板の電極と半導体素子の電極とを接続体により電気的に接続する工程と、
封止樹脂注入空間であるキャビティが形成された金型の内部に、半導体素子が搭載された前記基板を載置し、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に開口させた空気逃げ口から空気を逃がしながら、金型におけるキャビティの天面部に対応する別途箇所に開口させた樹脂注入口から封止樹脂をキャビティ内に注入して、前記半導体素子と、前記基板の表面部における表面部側外部端子以外の、チップ搭載領域および電極と、前記接続体とを封止樹脂で覆う工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板において半導体素子を搭載するチップ搭載領域が設けられた表面部における、チップ搭載領域よりも外周の位置に電極を形成し、基板の表面部における前記電極よりも外周に表面部側外部端子を形成し、裏面部に裏面部側外部端子を形成する工程と、
基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子を搭載する工程と、
基板の電極と半導体素子の電極とを接続体により電気的に接続する工程と、
封止樹脂注入空間であるキャビティが形成された金型の内部に、半導体素子が搭載された前記基板を載置し、金型における基板の表面部に対して対向する向きの面に開口させた空気逃げ口から空気を逃がしながら、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に開口させた樹脂注入口から封止樹脂をキャビティ内に注入して、前記半導体素子と、前記基板の表面部における表面部側外部端子以外の、チップ搭載領域および電極と、前記接続体とを封止樹脂で覆う工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板において半導体素子を搭載するチップ搭載領域が設けられた表面部における、チップ搭載領域よりも外周の位置に電極を形成し、基板の表面部における前記電極よりも外周に表面部側外部端子を形成し、裏面部に裏面部側外部端子を形成する工程と、
基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子を搭載する工程と、
基板の電極と半導体素子の電極とを接続体により電気的に接続する工程と、
封止樹脂注入空間であるキャビティが形成された金型の内部に、半導体素子が搭載された前記基板を載置し、金型のキャビティ天面部側からキャビティ内に突入された補助金型としての筒状のピンに設けられた空気逃げ口から空気を逃がしながら、キャビティ天面部に開口させた樹脂注入口から封止樹脂をキャビティ内に注入して、前記半導体素子と、前記基板の表面部における表面部側外部端子以外の、チップ搭載領域および電極と、前記接続体とを封止樹脂で覆う工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
基板において半導体素子を搭載するチップ搭載領域が設けられた表面部における、チップ搭載領域よりも外周の位置に電極を形成し、基板の表面部における前記電極よりも外周に表面部側外部端子を形成し、裏面部に裏面部側外部端子を形成する工程と、
基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子を搭載する工程と、
基板の電極と半導体素子の電極とを接続体により電気的に接続する工程と、
封止樹脂注入空間であるキャビティが形成された金型の内部に、半導体素子が搭載された前記基板を載置し、基板に形成された基板厚み方向に貫通する空気逃げ用の貫通孔と、この貫通孔の基板裏面部側開口部分に繋げられて金型に開口された空気逃げ口とを通して、空気を逃がしながら、キャビティ天面部に開口させた樹脂注入口から封止樹脂をキャビティ内に注入して、前記半導体素子と、前記基板の表面部における表面部側外部端子以外の、チップ搭載領域および電極と、前記接続体とを封止樹脂で覆う工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
１枚の基板に、半導体素子を搭載するチップ搭載領域が複数設けられ、樹脂封止された基板を、単体の半導体素子が設けられた基板となるように分割して、個々の樹脂封止型半導体装置を形成する工程を有することを特徴とする請求項８〜１１の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
基板の表面部に、半導体素子を搭載するチップ搭載領域と、チップ搭載領域よりも外周に配設された電極と、さらに電極よりも外周に配設された表面部側外部端子とが設けられ、基板の表面部に裏面部側外部端子が設けられ、
基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子が搭載され、
基板の電極と半導体素子の電極とが接続体により電気的に接続され、
前記半導体素子と、前記基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、前記接続体とが封止樹脂部で覆われた樹脂封止型半導体装置であって、
封止樹脂部における、基板の表面部に接する底面部に対して反対側となる天面部に、それぞれ凹凸形状となる、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕と、樹脂注入時に空気を逃がす空気逃げ口痕とが存在することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１４】
基板の表面部に、半導体素子を搭載するチップ搭載領域と、チップ搭載領域よりも外周に配設された電極と、さらに電極よりも外周に配設された表面部側外部端子とが設けられ、基板の表面部に裏面部側外部端子が設けられ、
基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子が搭載され、
基板の電極と半導体素子の電極とが接続体により電気的に接続され、
前記半導体素子と、前記基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、前記接続体とが封止樹脂部で覆われた樹脂封止型半導体装置であって、
封止樹脂部における、基板の表面部に接する底面部に対して反対側となる天面部に、凹凸形状となる、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕が存在し、
封止樹脂部における天面部から前記底面部側に窪む凹部が形成され、この凹部に臨む箇所に、樹脂注入時に空気を逃がす空気逃げ口痕が存在することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１５】
基板の表面部に、半導体素子を搭載するチップ搭載領域と、チップ搭載領域よりも外周に配設された電極と、さらに電極よりも外周に配設された表面部側外部端子とが設けられ、基板の表面部に裏面部側外部端子が設けられ、
基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子が搭載され、
基板の電極と半導体素子の電極とが接続体により電気的に接続され、
前記半導体素子と、前記基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、前記接続体とが封止樹脂部で覆われた樹脂封止型半導体装置であって、
封止樹脂部における、基板の表面部に接する底面部に対して反対側となる天面部に、凹凸形状となる、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕が存在し、
基板に、厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、
前記基板の貫通孔が設けられている箇所に、樹脂注入時に空気を逃がす封止樹脂部の空気逃げ口痕が存在することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１６】
基板の貫通孔が、平面視して矩形となる樹脂封止部の角部に対応する箇所に形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デジタル家電や携帯電話をはじめとする小型電子機器分野の電子部品として適用できる樹脂封止型の半導体装置と、その製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法としては、基板に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と基板の電極とを複数本のボンディングワイヤにより結線し、このようにして一体化した半導体装置を、樹脂にて包み込むように封止することによって行っていた。具体的には、上記半導体装置を、成形型である金型のキャビティに設置した後、ゲートからキャビティ内に溶融状態の樹脂を注入して充填し、硬化させるという樹脂封止工程（トランスファーモールド）を行うことにより、樹脂封止型半導体装置を製造していた。
【０００３】
高度情報化社会が発展するにつれ、このような高度情報化社会に用いられる小型電子機器分野の商品群は、小型化、薄型化、さらに高機能化が強く求められてきている。これらの商品群のキーデバイスとなる半導体素子の構造も、小型化、狭ピッチ化が強く要求されている。そのような半導体素子を搭載する樹脂封止型半導体装置は、長ワイヤ、狭パットピッチ接続など、半導体素子の電極と電気的に接続された前記基板に搭載された電極数が多く設けられた構造が強く求められている。
【０００４】
また、半導体装置の高機能化を実現するべく、半導体装置を複数積み上げ、それぞれの半導体装置を電気的に接続したＰＯＰ（パッケージ  オン  パッケージ）などの構造も求められている。
【０００５】
上記樹脂封止型半導体装置の一般的な製造方法として、金型のキャビティの側面から樹脂を注入する方法で樹脂封止型半導体装置が製造されてきた。しかし、この方法では、樹脂注入時にワイヤの配列方向に沿って樹脂が流動することになるため、樹脂に接触したワイヤは樹脂に押されて隣り合うワイヤの方向へ流れてしまうことがあり、この場合には、ワイヤ同士の接触が起こり、短絡不良が生じていた。
【０００６】
このような問題を抑制するための製造方法として、キャビティにおける半導体素子の表面に対面する面にゲートを設け、このゲートから半導体素子の表面に向かって樹脂を射出させる製造方法が例えば、特許文献１等で提案されている。
【０００７】
以下、この種の従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を、図１４（ａ）〜（ｃ）および図１５を用いて説明する。ここで、図１４（ａ）は樹脂注入口をキャビティにおける半導体素子の表面に対面する面にゲートを設けた樹脂封止型半導体装置の平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ’線矢視断面図、図１４（ｃ）は図１４（ａ）におけるＢ部の拡大平面図、図１５は樹脂封止型半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【０００８】
図１４（ａ）〜（ｃ）および図１５に示すように、この樹脂封止型半導体装置は、基板５１上に半導体素子５２を搭載し、半導体素子５２と対向する面に設けられたゲート（樹脂注入口）５３から半導体素子５２の表面に向けて封止樹脂５４を注入し、金型６１、６２、６３内のキャビティ６４に樹脂を充填することで製造される。ここで、図１４（ｂ）における５５はワイヤ、５６は半田ボールである。また、図１５において、６１は上金型、６２は中間金型、６３は下金型、６５は封止樹脂５４をランナー６６を通してキャビティ６４内に押込むためのプランジャ、６７は上金型６１における基板２１の表面部（上面部）に臨む箇所に設けられたエアベント部（空気逃がし通路）である。
【０００９】
また、この種の樹脂封止型半導体装置として、生産時間の短縮のために、一度の封止工程で複数の半導体素子５２を封止し、その後、互いを切断することにより最終製品となる樹脂封止型半導体装置を作製することも、例えば、特許文献２等で提案されている。
【特許文献１】特開２００５−３４７５１４号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４２３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記従来構成の樹脂封止型半導体装置において、ＰＯＰ（パッケージ  オン  パッケージ）を実現させるためには、基板５１の表面部に外部端子を設ける必要がある。しかしながら、従来の半導体装置製造方法では、封止樹脂５４を注入させるときに生じる空気をキャビティ６４の側面に設けたエアベント部６７からから排出していたため、空気とともに樹脂バリ５７（図１４（ｃ）参照）も排出され、基板５１上に設けられた外部端子上に樹脂バリ５７が付着し、電気的に接続できなくなるという課題があった。
【００１１】
また、外部端子を樹脂バリ５７が発生しない場所に配置しようとすると、外部端子の配置に制限が生じるため、配線が複雑になって製造コストの増加を招いたり、基板面積が大きくなって樹脂封止型半導体装置を小型化することが出来なかったりするという課題も生じていた。
【００１２】
また、外部電極上に樹脂バリが付着することで歩留まりの低下となり生産性向上の妨げとなるという課題もあった。
本発明は上記課題を解決するもので、基板における半導体素子が搭載される表面部と同じ面にも外部端子が設けられる樹脂封止型半導体装置を歩留まりが良好な状態で製造でき、生産性を向上させることができる樹脂封止型半導体装置の製造装置、樹脂封止型半導体装置の製造方法、およびこれらの製造方法や製造装置で製造される樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置は、表面部に設けられたチップ搭載領域に半導体素子が搭載され、表面部における前記チップ搭載領域よりも外周に設けられた電極と前記半導体素子に設けられた電極とが接続体により電気的に接続され、表面部における電極よりも外周に表面部側外部端子が設けられ、裏面部に裏面部側外部端子が設けられた基板に対して、この基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、半導体素子および接続体とを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、半導体素子が搭載された前記基板が封止樹脂注入時に内部に載置されるとともに、封止樹脂注入空間であるキャビティを有した樹脂封止用の金型が備えられ、前記金型に、キャビティに封止樹脂を注入する樹脂注入口と、樹脂注入時にキャビティからの空気を逃がす空気逃げ口とが設けられ、前記樹脂注入口が、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられ、前記空気逃げ口が、金型のキャビティ天面部における前記樹脂注入口と異なる箇所に設けられていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、基板において半導体素子を搭載するチップ搭載領域が設けられた表面部における、チップ搭載領域よりも外周の位置に電極を形成し、基板の表面部における前記電極よりも外周に表面部側外部端子を形成し、裏面部に裏面部側外部端子を形成する工程と、基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子を搭載する工程と、基板の電極と半導体素子の電極とを接続体により電気的に接続する工程と、封止樹脂注入空間であるキャビティが形成された金型の内部に、半導体素子が搭載された前記基板を載置し、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に開口させた空気逃げ口から空気を逃がしながら、金型におけるキャビティの天面部に対応する別途箇所に開口させた樹脂注入口から封止樹脂をキャビティ内に注入して、前記半導体素子と、前記基板の表面部における表面部側外部端子以外の、チップ搭載領域および電極と、前記接続体とを封止樹脂で覆う工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
この製造装置ならびに製造方法により、樹脂封止部における樹脂注入口に対応する箇所に樹脂注入口痕としての樹脂バリが残ったり、空気逃げ口に対応する箇所に空気逃げ口痕としての樹脂バリが残った場合でも、基板の表面部から離れている樹脂封止部分の天面部分に生じるため、基板の表面部に設けられた表面部側外部端子に樹脂バリが付着することを防止できる。
【発明の効果】
【００１６】
この製造方法ならびに製造装置により、基板の表面部側外部端子上に樹脂バリを付着させることなく樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができるので、生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置は、表面部に設けられたチップ搭載領域に半導体素子が搭載され、表面部における前記チップ搭載領域よりも外周に設けられた電極と前記半導体素子に設けられた電極とが接続体により電気的に接続され、表面部における電極よりも外周に表面部側外部端子が設けられ、裏面部に裏面部側外部端子が設けられた基板に対して、この基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、半導体素子および接続体とを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、半導体素子が搭載された前記基板が封止樹脂注入時に内部に載置されるとともに、封止樹脂注入空間であるキャビティを有した樹脂封止用の金型が備えられ、前記金型に、キャビティに封止樹脂を注入する樹脂注入口と、樹脂注入時にキャビティからの空気を逃がす空気逃げ口とが設けられ、前記樹脂注入口が、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられ、前記空気逃げ口が、金型のキャビティ天面部における前記樹脂注入口と異なる箇所に設けられていることを特徴とする。
【００１８】
この樹脂封止型半導体装置の製造装置を用いることにより、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられた樹脂注入口から封止樹脂がキャビティ内に注入されて充填され、この際にキャビティ内にあった空気は、金型のキャビティ天面部における前記樹脂注入口と異なる箇所に設けられた空気逃げ口から排出される。したがって、樹脂封止部における樹脂注入口や空気逃げ口に対応する箇所に樹脂バリが残った場合でも、この樹脂バリは、基板の表面部から離れている樹脂封止部の天面部分に生じるため、基板の表面部に設けられた表面部側外部端子に樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置は、表面部に設けられたチップ搭載領域に半導体素子が搭載され、表面部における前記チップ搭載領域よりも外周に設けられた電極と前記半導体素子に設けられた電極とが接続体により電気的に接続され、表面部における電極よりも外周に表面部側外部端子が設けられ、裏面部に裏面部側外部端子が設けられた基板に対して、この基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、半導体素子および接続体とを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、半導体素子が搭載された前記基板が封止樹脂注入時に内部に載置されるとともに、封止樹脂注入空間であるキャビティを有した樹脂封止用の金型が備えられ、前記金型に、キャビティに封止樹脂を注入する樹脂注入口と、樹脂注入時にキャビティからの空気を逃がす空気逃げ口とが設けられ、前記樹脂注入口が、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられ、前記空気逃げ口が、金型における基板の表面部に対して対向する向きの面に設けられていることを特徴とする。
【００２０】
この樹脂封止型半導体装置の製造装置を用いることにより、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられた樹脂注入口から封止樹脂がキャビティ内に注入されて充填され、この際にキャビティ内にあった空気は、金型における基板の表面部に対して対向する向きの面に設けられている空気逃げ口を通して排出される。したがって、樹脂封止部における樹脂注入口や空気逃げ口に対応する箇所に樹脂バリが残った場合でも、この樹脂バリは、基板の表面部から離れている樹脂封止部の天面部分や、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に生じるため、基板の表面部に設けられた表面部側外部端子に樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。
【００２１】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置は、表面部に設けられたチップ搭載領域に半導体素子が搭載され、表面部における前記チップ搭載領域よりも外周に設けられた電極と前記半導体素子に設けられた電極とが接続体により電気的に接続され、表面部における電極よりも外周に表面部側外部端子が設けられ、裏面部に裏面部側外部端子が設けられた基板に対して、この基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、半導体素子および接続体とを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、半導体素子が搭載された前記基板が封止樹脂注入時に内部に載置されるとともに、封止樹脂注入空間であるキャビティを有した樹脂封止用の金型が備えられ、前記金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に、キャビティに封止樹脂を注入する樹脂注入口が設けられ、前記金型に、金型のキャビティ天面部側から基板の表面部側に向けて延びてキャビティ内に突入される補助金型としての筒状のピンが設けられ、このピンに、キャビティに臨んで開口する前記空気逃げ口と、この空気逃げ口に繋がる空気逃げ用通路とが形成されていることを特徴とする。
【００２２】
この樹脂封止型半導体装置の製造装置を用いることにより、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられた樹脂注入口から封止樹脂がキャビティ内に注入されて充填され、この際にキャビティ内にあった空気は、金型のキャビティ天面部側からキャビティ内に突入される補助金型としての筒状のピンに設けられた空気逃げ用通路と空気逃げ口を通して排出される。したがって、樹脂封止部における樹脂注入口や空気逃げ用通路に対応する箇所に樹脂バリが残った場合でも、この樹脂バリは、基板の表面部から離れている樹脂封止部分の天面部分や、ピンの空気逃げ口に生じるため、基板の表面部に設けられた表面部側外部端子に樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。また、この製造装置を用いることにより、封止樹脂部分にピンに対応する凹部が形成されるので、封止樹脂部分が比較的変形可能な形状となり、封止樹脂部分に凹部等が全く形成されていない場合と比較して、樹脂封止時に発生する硬化反応収縮および熱収縮によって発生する応力を緩和でき、この結果、封止樹脂部分、ひいては樹脂封止型半導体装置の反りを緩和することができる。
【００２３】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置は、ピンの外周面に、基板の表面部に近接するほど外周面内の断面積が小さくなるように傾斜して、ピンを封止樹脂部から抜け易くする抜け勾配の傾斜面が形成されていることを特徴とする。
【００２４】
この構成により、樹脂封止工程後においてピンを抜け易くでき、作業能率を向上させることができる。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置は、表面部に設けられたチップ搭載領域に半導体素子が搭載され、表面部における前記チップ搭載領域よりも外周に設けられた電極と前記半導体素子に設けられた電極とが接続体により電気的に接続され、表面部における電極よりも外周に表面部側外部端子が設けられ、裏面部に裏面部側外部端子が設けられた基板に対して、この基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、半導体素子および接続体とを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造装置であって、半導体素子が搭載された前記基板が封止樹脂注入時に内部に載置されるとともに、封止樹脂注入空間であるキャビティを有した樹脂封止用の金型が備えられ、前記金型に、キャビティに向けて封止樹脂を注入する樹脂注入口と、樹脂注入時にキャビティからの空気を逃がす空気逃げ口とが設けられ、前記樹脂注入口が、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられ、前記空気逃げ口が、金型における前記基板の裏面部に対向する面の、基板に形成された空気逃げ用の孔に繋がる位置に設けられたことを特徴とする。
【００２５】
この樹脂封止型半導体装置の製造装置を用いることにより、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられた樹脂注入口から封止樹脂がキャビティ内に注入されて充填され、この際にキャビティ内にあった空気は、基板に形成された空気逃げ用の孔と、この孔に繋げられて開口された空気逃げ口とを通して排出される。したがって、樹脂封止部における樹脂注入口や空気逃げ口に対応する箇所に樹脂バリが残った場合でも、この樹脂バリは、基板の表面部から離れている樹脂封止部分の天面部分や、基板の空気逃げ用の孔内に生じるため、基板の表面部に設けられた外部端子に樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。
【００２６】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置は、樹脂注入口が、半導体素子に対応する封止樹脂部に対して、封止樹脂部の厚み方向に平面視して、封止樹脂部の略中央に設けられ、空気逃げ口が、封止樹脂部の厚み方向に平面視して、前記樹脂注入口の周りに複数存在するように設けられていることを特徴とする。
【００２７】
この構成により、封止樹脂部の厚み方向に平面視して、封止樹脂部の略中央に設けられた樹脂注入口から封止樹脂がキャビティ内に良好に注入されるとともに、前記樹脂注入口の周りに複数存在するように空気逃げ口が設けられているので、これらの空気逃げ口からキャビティ内の空気が良好に排出される。
【００２８】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、基板において半導体素子を搭載するチップ搭載領域が設けられた表面部における、チップ搭載領域よりも外周の位置に電極を形成し、基板の表面部における前記電極よりも外周に表面部側外部端子を形成し、裏面部に裏面部側外部端子を形成する工程と、基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子を搭載する工程と、基板の電極と半導体素子の電極とを接続体により電気的に接続する工程と、封止樹脂注入空間であるキャビティが形成された金型の内部に、半導体素子が搭載された前記基板を載置し、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に開口させた空気逃げ口から空気を逃がしながら、金型におけるキャビティの天面部に対応する別途箇所に開口させた樹脂注入口から封止樹脂をキャビティ内に注入して、前記半導体素子と、前記基板の表面部における表面部側外部端子以外の、チップ搭載領域および電極と、前記接続体とを封止樹脂で覆う工程とを有することを特徴とする。
【００２９】
この方法により、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられた樹脂注入口から封止樹脂がキャビティ内に注入されて充填され、この際にキャビティ内にあった空気は、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられた空気逃げ口から排出される。したがって、樹脂封止部における樹脂注入口や空気逃げ口に対応する箇所に樹脂バリが残った場合でも、この樹脂バリは、基板の表面部から離れている樹脂封止部分の天面部分に生じるため、基板の表面部に設けられた表面部側外部端子に樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。
【００３０】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、基板において半導体素子を搭載するチップ搭載領域が設けられた表面部における、チップ搭載領域よりも外周の位置に電極を形成し、基板の表面部における前記電極よりも外周に表面部側外部端子を形成し、裏面部に裏面部側外部端子を形成する工程と、基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子を搭載する工程と、基板の電極と半導体素子の電極とを接続体により電気的に接続する工程と、封止樹脂注入空間であるキャビティが形成された金型の内部に、半導体素子が搭載された前記基板を載置し、金型における基板の表面部に対して対向する向きの面に開口させた空気逃げ口から空気を逃がしながら、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に開口させた樹脂注入口から封止樹脂をキャビティ内に注入して、前記半導体素子と、前記基板の表面部における表面部側外部端子以外の、チップ搭載領域および電極と、前記接続体とを封止樹脂で覆う工程とを有することを特徴とする。
【００３１】
この方法により、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられた樹脂注入口から封止樹脂がキャビティ内に注入されて充填され、この際にキャビティ内にあった空気は、金型における基板の表面部に対して対向する向きの面に設けられている空気逃げ口を通して排出される。したがって、樹脂封止部における樹脂注入口や空気逃げ口に対応する箇所に樹脂バリが残った場合でも、この樹脂バリは、基板の表面部から離れている樹脂封止部の天面部分や、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に生じるため、基板の表面部に設けられた表面部側外部端子に樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。
【００３２】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、基板において半導体素子を搭載するチップ搭載領域が設けられた表面部における、チップ搭載領域よりも外周の位置に電極を形成し、基板の表面部における前記電極よりも外周に表面部側外部端子を形成し、裏面部に裏面部側外部端子を形成する工程と、基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子を搭載する工程と、基板の電極と半導体素子の電極とを接続体により電気的に接続する工程と、封止樹脂注入空間であるキャビティが形成された金型の内部に、半導体素子が搭載された前記基板を載置し、金型のキャビティ天面部側からキャビティ内に突入された補助金型としての筒状のピンに設けられた空気逃げ口から空気を逃がしながら、キャビティ天面部に開口させた樹脂注入口から封止樹脂をキャビティ内に注入して、前記半導体素子と、前記基板の表面部における表面部側外部端子以外の、チップ搭載領域および電極と、前記接続体とを封止樹脂で覆う工程とを有することを特徴とする。
【００３３】
この方法により、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられた樹脂注入口から封止樹脂がキャビティ内に注入されて充填され、この際にキャビティ内にあった空気は、金型のキャビティ天面部側からキャビティ内に突入される補助金型としての筒状のピンに設けられた空気逃げ用通路と空気逃げ口を通して排出される。したがって、樹脂封止部における樹脂注入口や空気逃げ用通路に対応する箇所に樹脂バリが残った場合でも、この樹脂バリは、基板の表面部から離れている樹脂封止部分の天面部分や、ピンの空気逃げ口に生じるため、基板の表面部に設けられた表面部側外部端子に樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。また、この製造装置を用いることにより、封止樹脂部分にピンに対応する凹部が形成されるので、封止樹脂部分が比較的変形可能な形状となり、封止樹脂部分に凹部等が全く形成されていない場合と比較して、樹脂封止時に発生する硬化反応収縮および熱収縮によって発生する応力を緩和でき、この結果、封止樹脂部分、ひいては樹脂封止型半導体装置の反りを緩和することができる。
【００３４】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、基板において半導体素子を搭載するチップ搭載領域が設けられた表面部における、チップ搭載領域よりも外周の位置に電極を形成し、基板の表面部における前記電極よりも外周に表面部側外部端子を形成し、裏面部に裏面部側外部端子を形成する工程と、基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子を搭載する工程と、基板の電極と半導体素子の電極とを接続体により電気的に接続する工程と、封止樹脂注入空間であるキャビティが形成された金型の内部に、半導体素子が搭載された前記基板を載置し、基板に形成された基板厚み方向に貫通する空気逃げ用の貫通孔と、この貫通孔の基板裏面部側開口部分に繋げられて金型に開口された空気逃げ口とを通して、空気を逃がしながら、キャビティ天面部に開口させた樹脂注入口から封止樹脂をキャビティ内に注入して、前記半導体素子と、前記基板の表面部における表面部側外部端子以外の、チップ搭載領域および電極と、前記接続体とを封止樹脂で覆う工程とを有することを特徴とする。
【００３５】
この方法により、金型におけるキャビティの天面部に対応する箇所に設けられた樹脂注入口から封止樹脂がキャビティ内に注入されて充填され、この際にキャビティ内にあった空気は、基板に形成された空気逃げ用の孔と、この孔に繋げられて開口された空気逃げ口とを通して排出される。したがって、樹脂封止部における樹脂注入口や空気逃げ口に対応する箇所に樹脂バリが残った場合でも、この樹脂バリは、基板の表面部から離れている樹脂封止部分の天面部分や、基板の空気逃げ用の孔内に生じるため、基板の表面部に設けられた外部端子に樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。
【００３６】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、１枚の基板に、半導体素子を搭載するチップ搭載領域が複数設けられ、樹脂封止された基板を、単体の半導体素子が設けられた基板となるように分割して、個々の樹脂封止型半導体装置を形成する工程を有することを特徴とする。
【００３７】
この方法により、複数の樹脂封止型半導体装置を能率良く製造することができる。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、基板の表面部に、半導体素子を搭載するチップ搭載領域と、チップ搭載領域よりも外周に配設された電極と、さらに電極よりも外周に配設された表面部側外部端子とが設けられ、基板の表面部に裏面部側外部端子が設けられ、基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子が搭載され、基板の電極と半導体素子の電極とが接続体により電気的に接続され、前記半導体素子と、前記基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、前記接続体とが封止樹脂部で覆われた樹脂封止型半導体装置であって、封止樹脂部における、基板の表面部に接する底面部に対して反対側となる天面部に、それぞれ凹凸形状となる、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕と、樹脂注入時に空気を逃がす空気逃げ口痕とが存在することを特徴とする。
【００３８】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、基板の表面部に、半導体素子を搭載するチップ搭載領域と、チップ搭載領域よりも外周に配設された電極と、さらに電極よりも外周に配設された表面部側外部端子とが設けられ、基板の表面部に裏面部側外部端子が設けられ、基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子が搭載され、基板の電極と半導体素子の電極とが接続体により電気的に接続され、前記半導体素子と、前記基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、前記接続体とが封止樹脂部で覆われた樹脂封止型半導体装置であって、封止樹脂部における、基板の表面部に接する底面部に対して反対側となる天面部に、凹凸形状となる、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕が存在し、封止樹脂部における天面部から前記底面部側に窪む凹部が形成され、この凹部に臨む箇所に、樹脂注入時に空気を逃がす空気逃げ口痕が存在することを特徴とする。
【００３９】
この構成によれば、封止樹脂部に凹部が形成されており、比較的変形可能な形状となるため、封止樹脂部に凹部が全く形成されていない場合と比較して、樹脂封止時に発生する硬化反応収縮および熱収縮によって発生する応力を緩和でき、この結果、封止樹脂部ひいては樹脂封止型半導体装置の反りを緩和することができる。
【００４０】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、基板の表面部に、半導体素子を搭載するチップ搭載領域と、チップ搭載領域よりも外周に配設された電極と、さらに電極よりも外周に配設された表面部側外部端子とが設けられ、基板の表面部に裏面部側外部端子が設けられ、基板のチップ搭載領域に、電極を有する半導体素子が搭載され、基板の電極と半導体素子の電極とが接続体により電気的に接続され、前記半導体素子と、前記基板の表面部における前記表面部側外部端子が設けられている領域以外の箇所と、前記接続体とが封止樹脂部で覆われた樹脂封止型半導体装置であって、封止樹脂部における、基板の表面部に接する底面部に対して反対側となる天面部に、凹凸形状となる、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕が存在し、基板に、厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、前記基板の貫通孔が設けられている箇所に、樹脂注入時に空気を逃がす封止樹脂部の空気逃げ口痕が存在することを特徴とする。
【００４１】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、基板の貫通孔が、平面視して矩形となる樹脂封止部の角部に対応する箇所に形成されていることを特徴とする。
以下、本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置および樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに、この製造方法に用いる樹脂封止型半導体装置の製造装置について説明する。
【００４２】
図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに製造装置で製造される樹脂封止型半導体装置を示すもので、図１（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の簡略的なＡ−Ａ’線矢視断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）の簡略的なＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
【００４３】
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、樹脂封止型半導体装置１の基板２は、一方の面である表面部（図１（ａ）〜（ｃ）に示す状態では、いわゆる上面となる部分）２ａに、半導体素子３を搭載するチップ搭載領域２ｂと、表面部２ａを平面視してチップ搭載領域２ｂよりも外周に配設された電極８と、さらに電極８よりも外周に配設された表面側外部端子４Ａとが設けられ、基板２の表面部２ａと反対側の面である裏面部（図１（ａ）〜（ｃ）に示す状態では、いわゆる下面となる部分）２ｃに裏面側外部端子４Ｂが設けられている。そして、基板２のチップ搭載領域２ｂに、電極（図示せず）を有する半導体素子３が搭載され、基板２の電極８と半導体素子３の電極とが接続体としてのワイヤ６により電気的に接続されている。また、半導体素子３と、基板２の表面部２ａにおける表面側外部端子４Ａが設けられている領域以外の箇所であるチップ搭載領域２ｂおよび電極８と、ワイヤ６とが封止樹脂で覆われている（樹脂封止型半導体装置における封止樹脂により形成されている部分を封止樹脂部７と称す）。
【００４４】
また、封止樹脂部７における、基板２の表面部２ａに密着する底面部７ａに対して反対側となる天面部７ｂ（いわゆる上面となる部分）に、それぞれ凹凸形状となる、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕９と、樹脂注入時に空気を逃がす空気逃げ口痕１０とが存在している。
【００４５】
樹脂封止型半導体装置１は、最終的には、１つの半導体素子３を備えた基板２として製品化されるが、製造工程においては、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、平面視して、複数の半導体素子３が、基板２上に縦横に並べられた状態で製造され、この後、１つの半導体素子３を備えた基板２となるように、基板２を切断ライン１８で切断して分割することにより、製品化される。
【００４６】
次に、図３（ａ）〜（ｅ）、図４（ａ）〜（ｅ）および図２（ａ）、（ｂ）を参照しながら、この樹脂封止型半導体装置１の製造方法について説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、基板２において半導体素子３を搭載するチップ搭載領域２ｂが設けられた表面部２ａにおける、チップ搭載領域２ｂよりも外周の位置に電極８を形成し、さらに基板２の表面部２ａにおける電極８よりも外周の位置に表面側外部端子４Ａを形成する。なお、電極８と表面側外部端子４Ａとは何れを先に形成してもよい。また、基板２の裏面部２ｃに裏面側外部端子４Ｂを形成する。なお、図３（ａ）は、既に、基板２に、チップ搭載領域２ｂ、電極８、表面側外部端子４Ａ、裏面側外部端子４Ｂを形成した状態を示している。また、裏面側外部端子４Ｂは、後述する樹脂封止工程の後に行ってもよい。基板２としては、例えば、有機基板やセラミック基板からなる多層基板で、裏面部（下面）２ｃだけでなく、表面部（上面）２ａにも外部端子が設けられている形態であり、ＰＯＰ（パッケージ  オン  パッケージ）などの構造に必要である。
【００４７】
次に、図３（ｂ）に示すように、基板２のチップ搭載領域２ｂに、電極（図示せず）を有する半導体素子３を搭載して固着し、図３（ｃ）に示すように、基板２の電極８と半導体素子３の電極とを接続体としてのワイヤ６により電気的に接続する。
【００４８】
この後、樹脂封止を行う。ここで、図２（ｂ）、図３（ｄ）、（ｅ）は基板２に対して樹脂封止を行っている状態を簡略的に示すもので、樹脂封止を行う製造装置は、半導体素子３が搭載された基板２が封止樹脂注入時に内部に載置され、封止樹脂注入空間であるキャビティ２１を有した樹脂封止用の金型２０を備えている。この実施の形態では、金型２０は、上金型２２と中間金型２３と下金型２４とに分割されて構成され、上金型２２と中間金型２３とが下金型２４に対してそれぞれ相対的に昇降自在に配設されている。
【００４９】
上金型２２には、封止樹脂２５を一時的に溜める貯留部（いわゆるポット）２６と、この貯留部２６に溜まった封止樹脂２５を押し出す出退自在なプランジャ２７と、封止樹脂２５の押し出し通路となるランナ２８とが設けられている。また、中間金型２３には、ランナ２８から供給された封止樹脂２５を各キャビティ２１に導入する通路であるゲート２９と、樹脂注入時にキャビティからの空気を逃がす空気排出通路３０とが設けられている。なお、ゲート２９におけるキャビティ２１への連通口が樹脂注入口２９ａであり、空気排出通路３０におけるキャビティ２１への連通口が空気逃げ口３０ａである。
【００５０】
ここで、図３（ｄ）、（ｅ）に示すように、樹脂注入口２９ａおよび空気逃げ口３０ａは、キャビティ２１に臨むとともに基板２の表面部２ａに対向するキャビティ２１の天面部２１ａ（より具体的には、キャビティ２１を形成している中間金型２３におけるキャビティ２１の天面部２１ａに対応する箇所）に開口されており、図示しないが、平面視して、樹脂注入口２９ａはキャビティ２１の天面部２１ａにおける中央部に開口され、また、例えば、空気逃げ口３０ａは複数（この実施の形態では４つ）設けられ、平面視して（基板１の厚み方向や封止樹脂部７の厚み方向に沿った方向に平面視して）、空気逃げ口３０ａはキャビティ２１の天面部２１ａにおける樹脂注入口２９ａの近傍周りに存在するように設けられている。
【００５１】
そして、このような構造の金型２０を用いて、まず、図３（ｄ）に示すように、下金型２４上に、半導体素子３を搭載した基板２を載置し、この後、中間金型２３および上金型２２を下降させて、図３（ｅ）、図４（ａ）に示すように、キャビティ２１の空間を形成した状態で、プランジャ２７を押込んで、封止樹脂２５を注入する。これにより、キャビティ２１の天面部２１ａに開口させた空気逃げ口３０ａおよび空気排出通路３０から空気を逃がしながら、キャビティ２１の天面部２１ａに開口させた樹脂注入口２９ａから封止樹脂２５がキャビティ２１内に流入して、半導体素子３と、基板２の表面部２ａにおける表面側外部端子４Ａ以外の、チップ搭載領域２ｂおよび電極８と、ワイヤ６とを封止樹脂２５（封止樹脂部７）により覆って一括成形により成形する。
【００５２】
なお、封止樹脂２５の注入方法としては、１２０〜２００℃に熱した金型２０内の貯留部２６に熱硬化型のエポキシ樹脂（タブレット）を投入して溶融し、プランジャ２７を押し込むことにより射出する。射出された封止樹脂２５はランナ２８を通り、ゲート２９の樹脂注入口２９ａより製品部分（キャビティ２１）に注入される。注入された封止樹脂２５は所定の硬化時間（３０〜１２０秒）で硬化する。
【００５３】
この後、封止樹脂２５が硬化してから、図４（ｂ）に示すように、中間金型２３および上金型２２を上昇させて、樹脂封止された基板２を取り出し、図４（ｃ）、（ｄ）に示すように、ダイシングソーなどの切断具１７を用いて、基板２の切断ライン１８に沿って、個々の樹脂封止型半導体装置１となるように切断する。
【００５４】
これにより、樹脂封止型半導体装置１を製造することができる。この場合に、樹脂封止工程において、封止樹脂２５が、キャビティ２１の天面部２１ａに形成された樹脂注入口２９ａから注入されるため、封止樹脂２５が注入される際でも、基板２の表面部２ａに沿った方向に対する封止樹脂２５の流れは小さいものとなり、基板２の電極８と半導体素子の３電極とを接続する接続体としてワイヤ６が用いられていた場合でも、ワイヤ６が封止樹脂２５によって押し流されて、隣り合うワイヤ６同士が接触することを防止できる。
【００５５】
また、樹脂封止工程において、特に、樹脂注入口２９ａから封止樹脂２５が注入され、また、空気逃げ口３０ａからはキャビティ２１内の空気が排出されるが、キャビティ２１内の空気が排出されると、続いて封止樹脂２５も空気逃げ口３０ａから流れ出ることとなり、この場合には、図１（ｃ）に示すように、空気逃げ口３０ａに対応する箇所に空気逃げ口痕１０としての樹脂バリを生じる。また、樹脂注入口２９ａに対応する箇所にも樹脂注入口痕９としての樹脂バリを生じることがある。
【００５６】
しかしながら、このように、空気逃げ口３０ａに対応する箇所に空気逃げ口痕１０としての樹脂バリが残ったり、樹脂注入口２９ａに対応する箇所に樹脂注入口痕９としての樹脂バリが残ったりした場合でも、この樹脂バリは、基板２の表面部２ａから離れている封止樹脂部７の天面部７ｂに生じるため、基板２の表面部２ａに設けられた表面側外部端子４Ａに樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置１を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。また、表面部側外部端子４Ａを基板２の表面部２ａにおいて自由に配置することができ、配置自由度を高めることができる利点もある。
【００５７】
また、この構成によれば、空気逃げ口痕１０としての樹脂バリや樹脂注入口痕９としての樹脂バリが何れも封止樹脂部７の天面部７ｂに生じるため、樹脂バリが飛散した場合でも基板２の表面部２ａに付着することを最小限に抑えることができる。
【００５８】
なお、この樹脂封止型半導体装置１を用いてＰＯＰ（パッケージ  オン  パッケージ）などの構造とする場合には、図４（ｅ）に示すように、樹脂封止型半導体装置１を複数積み上げ、それぞれの樹脂封止型半導体装置１を半田ボール３２などを用いて、上下に積み重ねられた樹脂封止型半導体装置１の表面部側外部端子４Ａや裏面部側外部端子４Ｂなどを電気的に接続する。
【００５９】
また、上記の実施の形態では、半導体素子３の電極と基板２の電極８とを電気的に接続する方法として、基板２に半導体素子３の裏面部分を固着して、接続体としてのワイヤ６で基板２と半導体素子３の電極同士を接合するワイヤーボンド方式を用いた場合を述べたが、これに限るものではなく、半導体素子３の電極に接続体としてのバンプを形成して、基板２の電極８に電気的に接続するフリップチップ接続を用いてもよい。
【００６０】
図５（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに製造装置で製造される樹脂封止型半導体装置を示すもので、図５（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の簡略的なＡ−Ａ’線矢視断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）の簡略的なＢ−Ｂ’線矢視断面図である。なお、図１（ａ）〜（ｃ）に示す樹脂封止型半導体装置１と異なる点は、空気逃げ口痕１０が設けられている箇所の位置のみであるため、この異なる部分について説明する。
【００６１】
図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、この樹脂封止型半導体装置１では、封止樹脂部７における、基板２の表面部２ａに接する底面部７ａに対して反対側となる天面部（いわゆる上面部）７ｂに、底面部７ａの近傍までに窪む凹部７ｃが形成され、この凹部７ｃの底部に、樹脂注入時に空気を逃がす空気逃げ口痕１０が存在する。なお、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕９は、上記実施の形態と同様に、封止樹脂部７における天面部７ｂ（いわゆる上面となる部分）に存在している。また、この実施の形態では、凹部７ｃが平面視して矩形状となる封止樹脂部７における角部近傍にそれぞれ設けられている。
【００６２】
この樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止工程で用いられる製造装置は、上述した図２から図４に示すような構造に加えて、さらに、図６に示すように、中間金型２３の下面に、補助中間金型としての中空のピン３５が追加された状態で固着されて設けられる。このピン３５は、キャビティ２１の天面部２１ａから、基板２の表面部２ａに向けて、キャビティ２１内を表面部２ａ近傍箇所まで延びて突入するように配設され、ピン３５の軸心方向に貫通する空気逃げ用通路３６（図７（ａ）、（ｂ）参照）が、中間金型２３の空気排出路３０につなげられている。なお、この実施の形態では、図７に示すように、ピン３５の外周面に、基板１の表面部２ａに近接するほど外周面内の断面積が小さくなるように下すぼまり状に傾斜して、樹脂封止工程後においてピン３５を抜け易くする抜け勾配傾斜面３５ａを形成されている。
【００６３】
このような構造の金型２０を用いて、樹脂封止を行うと、図５（ｃ）、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、封止樹脂部７における天面部７ｂに、底面部７ａ側に窪む凹部７ｃが形成され、この凹部７ｃの底部に、樹脂注入時に空気を逃がす空気逃げ口痕１０が存在することとなる。また、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕９は、上記実施の形態と同様に、封止樹脂部７における天面部７ｂ（いわゆる上面となる部分）に存在する。
【００６４】
この製造方法ならびに構成によれば、ピン３５の空気逃げ用通路３６の先端である空気逃げ口３６ａに対応する箇所に空気逃げ口痕１０としての樹脂バリが残ったり、樹脂注入口２９ａに対応する箇所に樹脂注入口痕９としての樹脂バリが残ったりしていた場合でも、この樹脂バリは、基板２の表面部２ａから離れている封止樹脂部７の天面部分や、封止樹脂部７における凹部７ｃの底部に生じるため、基板２の表面部２ａに設けられた表面側外部端子４Ａに樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置１を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。また、凹部７ｃの底部に残った空気逃げ口痕１０の樹脂バリは薄肉状で基板２の表面部２ａに付着することとなるため、この樹脂バリが飛散し難くなる利点もある。
【００６５】
また、封止樹脂部７に凹部７ｃが形成されており、比較的変形可能な形状となるため、封止樹脂部７に凹部７ｃが全く形成されていない場合と比較して、樹脂封止時に発生する硬化反応収縮および熱収縮によって発生する応力を緩和でき、この結果、封止樹脂部７、ひいては樹脂封止型半導体装置１の反りを緩和することができる効果もある。
【００６６】
また、上記構成によれば、ピン３５の外周面に抜け勾配傾斜面３５ａが形成されているので、樹脂封止工程後の型抜き時においてピン３５が抜け易くなり、作業能率が向上する。
【００６７】
図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに製造装置で製造される樹脂封止型半導体装置を示すもので、図８（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）の簡略的なＡ−Ａ’線矢視断面図、図８（ｃ）は図８（ａ）の簡略的なＢ−Ｂ’線矢視断面図である。なお、図５（ａ）〜（ｃ）に示す樹脂封止型半導体装置１と異なる箇所は、空気逃げ口痕１０が設けられている箇所のみであるため、この異なる部分について説明する。
【００６８】
図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、この樹脂封止型半導体装置１でも、封止樹脂部７における、基板２の表面部２ａに接する底面部７ａに対して反対側となる天面部（いわゆる上面部）７ｂに、底面部７ａ側に窪む凹部７ｃが形成されているが、この凹部７ｃが封止樹脂部７における厚み方向の中間部までしか窪んでいない。なお、この凹部７ｃの底部に、樹脂注入時に空気を逃がす空気逃げ口痕１０が存在する。また、この実施の形態では、凹部７ｃが平面視して矩形状となる封止樹脂部７における角部近傍にそれぞれ設けられている。
【００６９】
この樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止工程で用いられる製造装置は、中間金型２３の下面に固着される補助中間金型としての中空のピン３５（図９参照）の長さが、上記第２の実施の形態のものよりも短いものが用いられている。
【００７０】
このような構造の金型２０を用いて、樹脂封止を行うと、図８（ｃ）、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、封止樹脂部７における天面部７ｂに、天面部７ｂから底面部７ａへの厚みの略半分の中間箇所まで窪む凹部７ｃが形成され、この凹部７ｃの底部に、樹脂注入時に空気を逃がす空気逃げ口痕１０が存在することとなる。また、封止樹脂を注入した樹脂注入口痕９は、上記実施の形態と同様に、封止樹脂部７における天面部７ｂ（いわゆる上面となる部分）に存在する。
【００７１】
この製造方法ならびに構成において、ピン３５の空気逃げ用通路３６の先端である空気逃げ口３６ａに対応する箇所に空気逃げ口痕１０としての樹脂バリが残ったり、樹脂注入口２９ａに対応する箇所に樹脂注入口痕９としての樹脂バリが残ったりしていた場合でも、この樹脂バリは、基板２の表面部２ａから離れている封止樹脂部７の天面部分や、封止樹脂部７における凹部７ｃの底部に生じるため、基板２の表面部２ａに設けられた表面側外部端子４Ａに樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置１を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。また、表面部側外部端子４Ａを基板２の表面部２ａにおいて自由に配置することができ、配置自由度を高めることができる利点もある。
【００７２】
また、封止樹脂部７に凹部７ｃが形成されており、比較的変形可能な形状となるため、封止樹脂部７に凹部７ｃが全く形成されていない場合と比較して、樹脂封止時に発生する硬化反応収縮および熱収縮によって発生する応力を緩和でき、この結果、封止樹脂部７、ひいては樹脂封止型半導体装置１の反りを緩和することができる効果もある。
【００７３】
さらにこの構成によれば、ピン３５が短く、基板２まで達していないので、基板２の厚みにバラツキが生じて、基板２の厚みが厚くなった場合に、クランプ時にピン３５と基板が接触して基板２にクラックが発生することを回避することが可能となる。したがって、樹脂封止時の型のクランプ時において、基板２の厚みばらつきにより生じるクランプ不良（クラックや樹脂漏れ）を生じることがなくなり、樹脂封止型半導体装置１をより良好に製造することができる。
【００７４】
また、樹脂封止時に空気が封止樹脂部７における厚み方向略中間部に対応するピン３５の空気逃げ用通路３６の先端である空気逃げ口３６ａから逃げるため、樹脂封止時に空気が一番逃げにくい封止樹脂部７の中央部から良好に外部に放出されることとなり、空気が残っていることに起因する内部ボイドの発生を抑えることができる。
【００７５】
また、樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止工程で用いられる製造装置として、図１０（ａ）〜（ｉ）、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ピン３５として、一部が切欠れて空気逃げ口３７が形成されているものを用いてもよい。すなわち、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、ピン３５の上部に複数（または単数でも可）の丸孔形状（孔の形状はこれに限定されない）の空気逃げ口３７を設けて、空気逃げ用通路３６に連通させる構成としたり、図１０（ｄ）〜（ｆ）に示すように、ピン３５の中間部に複数（または単数でも可）の丸孔形状（孔の形状はこれに限定されない）の空気逃げ口３７を設けて、空気逃げ用通路３６に連通させる構成としたり、図１０（ｇ）〜（ｉ）に示すように、ピン３５の下部に複数（または単数でも可）の丸孔形状（孔の形状はこれに限定されない）の空気逃げ口３７を設けて、空気逃げ用通路３６に連通させる構成としたり、さらには、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ピン３５の上部から下部までの全ての領域に複数の丸孔形状（孔の形状はこれに限定されない）の空気逃げ口３７を設けて、空気逃げ用通路３６に連通させる構成としたりしてもよい。さらには、図１１（ｄ）〜（ｆ）に示すように、ピン３５の上部または中間部の領域全体にわたる切欠溝形状の空気逃げ口３７を設けて（図１１（ｂ）においては、ピン３５の上部に切欠溝形状の空気逃げ口３７を設けた場合を示している）、空気逃げ用通路３６に連通させる構成としたりしてもよい。なお、この場合にも、樹脂封止工程後においてピン３５を抜け易くする抜け勾配傾斜面３５ａを形成することが好ましい。
【００７６】
この構成を用いた製造方法ならび製造装置によっても、ピン３５の空気逃げ口３７に対応する箇所に空気逃げ口痕１０としての樹脂バリが残ったり、樹脂注入口２９ａに対応する箇所に樹脂注入口痕９としての樹脂バリが残ったりしていた場合でも、この樹脂バリは、ピン３５の空気逃げ口３７に対応する箇所や、基板２の表面部２ａから離れている封止樹脂部７の天面部７ｂに生じるだけであるため、基板２の表面部２ａに設けられた表面側外部端子４Ａに樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置１を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。
【００７７】
なお、空気逃げ口３７をピン３５の下部だけに設けた場合には、空気逃げ口痕１０の樹脂バリがピン３５の空気逃げ用通路３６の奥にあるので、空気逃げ用通路３６から外部に飛散し難い利点がある。
【００７８】
また、空気逃げ口３７をピン３５の中間部に設けた場合には、樹脂封止時に空気が封止樹脂部７における厚み方向略中間部から逃げるため、樹脂封止時に空気が一番逃げにくい封止樹脂部７の中央部から良好に外部に放出されることとなり、空気が残っていることに起因する内部ボイドの発生を抑えることができる利点がある。
【００７９】
なお、上記実施の形態では、ピン３５の形状が円筒形である場合を図示したが、必ずしも円筒形である必要はなく、四角筒形状や三角筒形状の断面角形の筒形状でもよい。また、この場合にも、上記したように、樹脂封止後の型を外す際にピン３５が抜けやすいように、中間金型２３側（ピン３５の上面側）から基板２の表面部側（ピン３５の下面側）に近づくに従って、断面積が小さくなるように傾斜する抜け勾配の傾斜面３５ａを側面に形成すると良い。また円筒のピン３５の一部の領域に孔形状の空気逃げ口３７を設ける場合は、ピン３５の全周に渡って複数箇所に孔形状の空気逃げ口３７を形成すればよいが、樹脂封止時の空気排出状態に適合するように、孔の数やその開口面積を調整して形成することが望ましい。
【００８０】
図１２（ａ）〜（ｃ）および図１３（ａ）、（ｂ）は本発明の第４の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法で製造される樹脂封止型半導体装置および製造装置を示すもので、図１２（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の簡略的なＡ−Ａ’線矢視断面図、図１２（ｃ）は図１２（ａ）の簡略的なＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
【００８１】
この樹脂封止型半導体装置１では、基板２における、平面視して矩形となる封止樹脂部７の裏面部の角部に対応する箇所に、厚み方向に貫通する貫通孔３８が形成されている。そして、封止樹脂部７における、基板２の貫通孔３８が設けられている箇所に、樹脂注入時に空気を逃がす封止樹脂部７の空気逃げ口痕１０が存在する。
【００８２】
この樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止工程で用いられる製造装置は、樹脂注入時にキャビティからの空気を逃がす空気排出通路３０および空気逃げ口３０ａが、中間金型２３ではなくて、下金型２４において、前記基板２の貫通孔３８に繋がる位置に形成されている。
【００８３】
樹脂封止工程においては、この製造装置としての金型２０を用いて、封止樹脂注入空間であるキャビティ２１が形成された金型２０の内部に、半導体素子３が搭載された基板２を配設し、基板２に形成された基板厚み方向に貫通する空気逃げ用の貫通孔３８と、この貫通孔３８の基板裏面部側開口部分に繋げられて開口された空気逃げ口３０ａおよびこの空気逃げ口３０ａに続く空気排出通路３０とを通して、空気を逃がしながら、キャビティ２１の天面部２１ａに開口させた樹脂注入口２９ａから封止樹脂２５をキャビティ２１内に注入する。これにより、封止樹脂２５で、半導体素子３と、基板２の表面部２ａにおける表面部側外部端子４Ａ以外の、チップ搭載領域２ｂおよび電極８と、ワイヤ６とを覆う。
【００８４】
この方法により、金型２０におけるキャビティ２１内に、天面部２１ａに設けられた樹脂注入口２９ａから封止樹脂２５がキャビティ２１内に注入されて充填され、この際にキャビティ２１内にあった空気は、基板２に形成された基板厚み方向に貫通する空気逃げ用の貫通孔３８と、この貫通孔３８の基板裏面部側開口部分に繋げられて開口された空気逃げ口３０ａおよびこの空気逃げ口３０ａに続く空気排出通路３０とを通して、排出される。したがって、封止樹脂部７における樹脂注入口２９ａや空気逃げ口３０ａに対応する箇所に樹脂バリ（樹脂注入紺９や空気逃げ痕１０）が残った場合でも、この樹脂バリは、基板２の表面部２ａから離れている封止樹脂部７の天面部分や、基板２の空気逃げ用の貫通孔３８内に生じるため、基板２の表面部２ａに設けられた表面部側外部端子４Ａや裏面部側外部端子４Ｂに樹脂バリが付着することを防止でき、これにより、樹脂封止型半導体装置を歩留まりよく製造することができて、生産性を向上させることができる。
【００８５】
また、この製造方法により製造した樹脂封止型半導体装置１では、空気逃げ痕１０としての樹脂バリが、基板２の空気逃げ用の貫通孔３８内に生じ、封止樹脂部７の天面部分には生じないので、必要に応じて封止樹脂部７の天面部分に各種のマークを付与する場合でも、マークを施す場所を多く確保することができる利点がある。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明の、樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置の製造装置、および樹脂封止型半導体装置によれば、基板の表面部に樹脂バリを付着させることなく樹脂封止型半導体装置を製造することができるため、基板上に配置された外部電極を制限なく配置できて、小型の樹脂封止型半導体装置を実現でき、デジタル家電や携帯電話をはじめとする小型電子機器分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに製造装置で製造される樹脂封止型半導体装置を示すもので、（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、（ｂ）は図１（ａ）の簡略的なＡ−Ａ’線矢視断面図、（ｃ）は図１（ａ）の簡略的なＢ−Ｂ’線矢視断面図
【図２】（ａ）は同樹脂封止型半導体装置の分割前の平面図、（ｂ）は同樹脂封止型半導体装置および製造装置の樹脂封止工程の断面図
【図３】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ同樹脂封止型半導体装置の各工程を示す断面図
【図４】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ同樹脂封止型半導体装置の各工程を示す断面図
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに製造装置で製造される樹脂封止型半導体装置を示すもので、（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、（ｂ）は図５（ａ）の簡略的なＡ−Ａ’線矢視断面図、（ｃ）は図５（ａ）の簡略的なＢ−Ｂ’線矢視断面図
【図６】同樹脂封止型半導体装置および製造装置の樹脂封止工程の断面図
【図７】（ａ）および（ｂ）はピンを装着した同樹脂封止型半導体装置の断面図およびピンの斜視図
【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに製造装置で製造される樹脂封止型半導体装置を示すもので、（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、（ｂ）は図８（ａ）の簡略的なＡ−Ａ’線矢視断面図、（ｃ）は図８（ａ）の簡略的なＢ−Ｂ’線矢視断面図
【図９】（ａ）および（ｂ）はピンを装着した同樹脂封止型半導体装置の断面図およびピンの斜視図
【図１０】（ａ）、（ｄ）、（ｇ）はそれぞれピンを装着した同樹脂封止型半導体装置の変形例の断面図、（ｂ）、（ｅ）、（ｈ）はそれぞれピンの斜視図、（ｃ）、（ｆ）、（ｉ）はそれぞれピンを取り外した同樹脂封止型半導体装置の変形例の断面図および樹脂封止後の樹脂封止型半導体装置の断面図
【図１１】（ａ）、（ｄ）はそれぞれピンを装着した同樹脂封止型半導体装置の他の変形例の断面図、（ｂ）、（ｅ）はそれぞれピンの斜視図、（ｃ）、（ｆ）はそれぞれピンを取り外した同樹脂封止型半導体装置の変形例の断面図および樹脂封止後の樹脂封止型半導体装置の断面図
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第４の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに製造装置で製造される樹脂封止型半導体装置を示すもので、（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、（ｂ）は図１２（ａ）の簡略的なＡ−Ａ’線矢視断面図、（ｃ）は図１２（ａ）の簡略的なＢ−Ｂ’線矢視断面図
【図１３】（ａ）は同樹脂封止型半導体装置の分割前の平面図、（ｂ）は同樹脂封止型半導体装置および製造装置の樹脂封止工程の断面図
【図１４】従来の樹脂封止型半導体装置に係る図面で、（ａ）は樹脂封止型半導体装置の分割前の平面図、（ｂ）は図１４（ａ）の簡略的なＡ−Ａ’線矢視断面図、（ｃ）は図１４（ａ）のＢ部分の拡大平面図
【図１５】同従来の樹脂封止型半導体装置および製造装置の樹脂封止工程の断面図
【符号の説明】
【００８８】
１      樹脂封止型半導体装置
２      基板
２ａ    表面部
２ｂ    チップ搭載領域
２ｃ    裏面部
３      半導体素子
４Ａ    外部端子（表面側外部端子）
４Ｂ    外部端子（裏面側外部端子）
６      ワイヤ（接続体）
７      封止樹脂部
７ａ    底面部
７ｂ    天面部
７ｃ    凹部
８      電極
９      樹脂注入口痕
１０    空気逃げ口痕
１７    切断具
１８    切断ライン
２０    金型
２１    キャビティ
２１ａ  天面部
２２    上金型
２３    中間金型
２４    下金型
２５    封止樹脂
２６    貯留部（ポット）
２７    プランジャ
２８    ランナ
２９    ゲート
２９ａ  樹脂注入口
３０    空気排出通路
３０ａ  空気逃げ口
３５    ピン（補助中間金型）
３５ａ  抜け勾配傾斜面
３６    空気逃げ用通路
３６ａ  空気逃げ口
３７    空気逃げ口
３８    貫通孔
【図１】
2008004570.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2008004570.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008004570.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008004570.tif 000012
【図１１】
2008004570.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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