(57)【要約】【課題】インジウム含有量が少なくても良好な導電性を有する酸化物導電性材料を提供する。【解決手段】コランダム構造のＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの酸化物を含み、酸素を除く全原子に占める前記Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎの割合が、２０ｍｏｌ％≦Ｉｎ≦７０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｓｎ≦６０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｚｎ≦６０ｍｏｌ％である酸化物導電性材料。【選択図】図１
2008066276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コランダム構造のＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの酸化物を含み、
酸素を除く全原子に占める前記Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎの割合が、２０ｍｏｌ％≦Ｉｎ≦７０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｓｎ≦６０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｚｎ≦６０ｍｏｌ％である酸化物導電性材料。
【請求項２】
１００ｋｇ／ｃｍ２の加圧下での電気伝導度が０．００１Ｓ／ｃｍ以上である請求項１に記載の酸化物導電性材料。
【請求項３】
平均粒径が０．２μｍ以下の粒子である請求項１又は２に記載の酸化物導電性材料。
【請求項４】
Ｍｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｇｅから選択される１又は２以上の金属元素を含む酸化物及び／又は希土類元素の酸化物を含む請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物導電性材料。
【請求項５】
Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎを含む金属塩溶液から沈殿法によってＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの含有物を調製し、
前記含有物を酸素濃度が０．１体積％以下の不活性ガス下で熱処理してＩｎ、Ｓｎ及びＺｎを含む酸化物を得る請求項１〜４のいずれかに記載の酸化物導電性材料の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載又は請求項５に記載の製造方法により製造された酸化物導電性材料を用いて得られるスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物導電性材料及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）を主とする導電性酸化物粉末の透明導電性被膜への利用が盛んに行われている。導電性酸化物粉末を透明導電性被膜とするには、例えば、一次粒子径が約０．１μｍ以下の導電性酸化物粉末を溶媒とバインダー樹脂からなる溶液中に分散させ、これをガラス、プラスチック等の基材に塗布、印刷、浸漬、スピンコート又は噴霧等の手段で塗工し、乾燥する方法がある。
【０００３】
こうして作製した透明導電膜は、ガラス、プラスチック等の帯電防止やほこりの付着防止に有効であり、ディスプレーや計測器の窓ガラスの帯電防止やほこりの付着防止用として利用されている。
【０００４】
さらに、ＩＣパッケージ回路形成、クリーンルーム内装材、各種ガラスやフィルム等の帯電防止やほこりの付着防止、塗布型透明電極又は赤外線遮蔽材料等の用途に利用可能であり、今後の需要の伸びが期待されている。
【０００５】
このような利用分野の拡大に伴って、導電性に優れかつ透明性にも優れた導電性微粒子の需要が高まっている。
しかし、インジウムは、亜鉛の精錬時の副産物として得られる金属で資源量も限られており、近年液晶の透明電極としてＩＴＯが多用されてきたことから、供給量制約の不安があり、価格が急激に上昇している。また、インジウムの入手困難性も増加している。
【０００６】
特許文献１には、酸化インジウム、酸化錫及び酸化亜鉛が特定の金属原子比であって、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる六方晶層状化合物、及び酸化錫と酸化亜鉛からなるスピネル構造を有する化合物を含有する焼結体が開示されている。また、各成分の金属原子比において、インジウムがＩｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．７５の範囲にあると記載されている。しかし、コランダム構造に関する記載はない。
【０００７】
特許文献２には、コランダム型結晶相を含むＩＴＯ膜を形成する製造方法が記載されているが、インジウム含量の高い材料のみが開示されている。特許文献３には、不活性ガス密閉加圧雰囲気下、３５０〜１０００℃で熱処理して得られる粒子径０．０５μｍ以下のＩＴＯ粉末が開示されているが、この文献においてもインジウム含量の高い材料のみが開示されている。特許文献４には、本発明の製造法と類似するインジウム系酸化物微粒子の製造方法が開示されている。しかし、特定組成のＩｎ，Ｓｎ及びＺｎの酸化物からなる酸化物導電性材料についての開示はない。
【特許文献１】特開２０００−７２５３７号公報
【特許文献２】特開２００４−７５４２７号公報
【特許文献３】特開平７−２１８３１号公報
【特許文献４】特開２００４−７５４７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、インジウム含有量が少なくても良好な導電性を有する酸化物導電性材料を提供することである。
本発明の他の目的は、粒径が小さく、導電性ペーストや導電性塗布液に使用できる酸化物導電性材料を提供することである。
本発明の他の目的は、上記酸化物導電性材料の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、コランダム構造のＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの酸化物を含み、酸素を除く全原子に占めるＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの割合が、２０ｍｏｌ％≦Ｉｎ≦７０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｓｎ≦６０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｚｎ≦６０ｍｏｌ％である酸化物導電性材料が良好な導電性を示すことを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下の導電性酸化物材料及びその製造方法が提供される。
１．コランダム構造のＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの酸化物を含み、酸素を除く全原子に占める前記Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎの割合が、２０ｍｏｌ％≦Ｉｎ≦７０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｓｎ≦６０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｚｎ≦６０ｍｏｌ％である酸化物導電性材料。
２．１００ｋｇ／ｃｍ２の加圧下での電気伝導度が０．００１Ｓ／ｃｍ以上である１に記載の酸化物導電性材料。
３．平均粒径が０．２μｍ以下の粒子である１又は２に記載の酸化物導電性材料。
４．Ｍｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｇｅから選択される１又は２以上の金属元素を含む酸化物及び／又は希土類元素の酸化物を含む１〜３のいずれかに記載の酸化物導電性材料。
５．Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎを含む金属塩溶液から沈殿法によってＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの含有物を調製し、前記含有物を酸素濃度が０．１体積％以下の不活性ガス下で熱処理してＩｎ、Ｓｎ及びＺｎを含む酸化物を得る１〜４のいずれかに記載の酸化物導電性材料の製造方法。
６．１〜４のいずれかに記載の又は５に記載の製造方法により製造された酸化物導電性材料を用いて得られるスパッタリングターゲット。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、インジウム含有量が少なくても良好な導電性を有する導電性酸化物材料を提供することができる。
本発明によれば、粒径が小さく、導電性ペーストや導電性塗布液に使用できる導電性酸化物材料を提供することができる。
本発明によれば、上記導電性酸化物材料の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の酸化物導電性材料はコランダム構造のＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの酸化物を含み、酸素を除く全原子に占めるＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの割合が、２０ｍｏｌ％≦Ｉｎ≦７０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｓｎ≦６０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｚｎ≦６０ｍｏｌ％である。
【００１２】
Ｉｎ２Ｏ３の高温相として、コランダム構造の結晶相が知られている（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，（１９６９），８，１９８５−１９９３）。本発明の酸化物導電性材料において、コランダム構造のＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの酸化物とは、上記コランダム構造のＩｎ２Ｏ３のＩｎサイトにランダムにＳｎとＺｎが置換したものである。
【００１３】
酸素を除く全原子に占めるＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの割合は、好ましくは３０ｍｏｌ％≦Ｉｎ≦６０ｍｏｌ％、１５ｍｏｌ％≦Ｓｎ≦６０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｚｎ≦５０ｍｏｌ％である。この範囲において、さらに導電性を向上させることができる。
Ｉｎが２０ｍｏｌ％未満の場合、導電性が非常に低くなるおそれがある。また、Ｉｎが７０ｍｏｌ％を超える場合、高価なＩｎが多くなりコストが高くなる上、Ｉｎの入手困難性への対処が難しくなる。
Ｓｎ又はＺｎが５ｍｏｌ％未満の場合、導電性が非常に低くなるおそれがある。また、Ｓｎ又はＺｎが６０ｍｏｌ％を超える場合、導電性が低くなるおそれがある。
【００１４】
本発明の酸化物導電性材料は、上記コランダム構造のＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの酸化物の他に、好ましくはＭｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｇｅから選択される１又は２以上の金属元素を含む酸化物及び／又は希土類元素の酸化物を含む。これらの酸化物を含有させることにより、高価なＩｎの含有量を減少させても、高い導電性を維持できる。また、これらの酸化物が含まれることにより、導電性が向上する。
上記酸化物のうち、導電性向上の点から、Ｍｇ，Ａｌ，Ｇａ、Ｓｉから選択される１又は２以上の金属元素を含む酸化物を含むことがより好ましい。
また、本発明の酸化物導電性材料において、上記酸化物の酸素を除く全原子に占めるＭｇ，Ａｌ，Ｇａ、Ｓｉから選択される１又は２以上の金属元素の割合は、通常０．１ｍｏｌ％〜２０ｍｏｌ％である。この範囲において上記酸化物を含ませると効果の発現が大きい。好ましくは０．２ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％である。
【００１５】
本発明の酸化物導電性材料は、良好な導電性を有する。具体的には、１００ｋｇ／ｃｍ２の加圧下での電気伝導度が０．００１Ｓ／ｃｍ以上であると好ましく、０．０１Ｓ／ｃｍ以上であるとより好ましい。
電気伝導度が０．００１Ｓ／ｃｍ以上であると、帯電防止やほこりの付着防止に有効な成形品や膜が得られる。また、酸化物導電性材料の配合量を低減させることで、帯電防止と軽量化の両方を達成することができる。
尚、電気伝導度の上限について規定する必要はないが、本発明の酸化物導電性材料は主に微粒子や焼結体の形状で利用されることを考慮すると、電気伝導度の上限として、１０４Ｓ／ｃｍ程度の値が考えられる。
尚、本発明の酸化物導電性材料は、通常、微粒子として得られることから、信頼性の高い電気伝導度測定値を得るため、１００ｋｇ／ｃｍ２の加圧下で測定する。
【００１６】
本発明の酸化物導電性材料の平均粒径は、用途に合わせて調整すればよく、例えば、ゴムやプラスチック等への白色導電性フィラーや、焼結体原料として用いる場合は０．１μｍ〜数μｍである。
本発明の酸化物導電性材料は、好ましくは平均粒径が０．２μｍ以下であり、より好ましくは０．１μｍ以下である。平均粒径が０．２μｍ以下であることで、透明導電性が要求される用途にも利用することができる。粒径の通常の下限値としては、１ｎｍを挙げることができる。
【００１７】
本発明の酸化物導電性材料は、Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎの金属塩溶液から沈殿法によってＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの含有物を調製し、この含有物を酸素濃度が０．１体積％以下の不活性ガス下で熱処理することにより得られる。
沈殿法を用いることで均一な材質の酸化物導電性材料を得ることができる。
【００１８】
本発明の酸化物導電性材料の製造方法において、金属塩溶液はＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの他に、好ましくはＭｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｇｅから選択される１又は２以上の金属元素及び／又は希土類元素の金属塩を含む。
【００１９】
金属塩としては、硝酸塩、塩化物塩、酢酸塩、アルコキシド等が挙げられる。アルコキシドとしては、例えば、メトキシド、エトキシド等が挙げられる。
【００２０】
上記金属塩を水、又はアルコール、含酸素化合物等の有機溶媒に溶解させる。アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、メトキシエタノール、エトキシエタノール等が挙げられる。また、含酸素化合物としては、例えば、酢酸エチル等のエステル、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸等が挙げられる。
【００２１】
金属塩溶液の濃度は、通常、０．００１ｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｏｌ／ｌの範囲である。０．００１ｍｏｌ／ｌ未満の濃度では、生産性が悪く、１０ｍｏｌ／ｌを超えるような高濃度では沈殿液の撹拌が困難となる。
【００２２】
沈殿法に用いる沈殿剤は、例えば、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、炭酸アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ溶液、シュウ酸、蟻酸、シュウ酸アンモニウム等の有機酸や有機酸塩、さらには加熱時に分解してアンモニアを発生する尿素等を挙げることができる。均一な沈殿が形成され易い点で、好ましくは炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、シュウ酸、シュウ酸アンモニウム、尿素である。
【００２３】
沈殿剤の使用量は、通常、上記の各金属塩が水酸化物やシュウ酸塩等の化合物となるのに必要な化学当量の５０％以上であり、好ましくはアルカリイオン等の残留による洗浄時間の短縮の観点から、化学当量の８０％〜２０００％である。
沈殿剤の使用量が、化学当量の５０％未満の場合、沈殿物の組成が溶液組成と異なるものになるおそれがある。
【００２４】
沈殿の形成温度は、通常、溶媒の凝固点から溶媒の沸点までとすると好ましい。低温では沈殿の形成速度が遅いため、溶媒の凝固点＋５℃から溶媒の沸点までとするとより好ましい。
【００２５】
沈殿形成後に、沈殿形成時と同じ温度から、常圧では溶媒の沸点までの温度、又は加圧下で３００℃まで昇温して、数分から１００時間程度の熟成を行ってもよい。熟成を行うことにより、沈殿物のろ過が容易となり、より完全な水酸化物やシュウ酸塩等の化合物を得ることができる。
【００２６】
得られた化合物（沈殿）は、ろ過、遠心分離、デカンテーション等の手段により溶液から分離し、その後、水洗や溶媒洗浄等を行って、不要なイオン等を除去する。溶媒洗浄で使用する溶媒としては、例えば、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、ＴＨＦ等のエーテル類が挙げられる。
不要なイオン等が除去されたことは、洗浄に使用した溶媒の電気伝導度が０．５ｍＳ以下となることを目安とすることができる。
【００２７】
洗浄後に、水や溶媒を５０〜４００℃、３０分〜１００時間の乾燥によって除去する。上記乾燥後、例えば、さらに熱処理することにより、得られた化合物を酸化物としてもよい。この熱処理は、後述する熱処理と同一の工程であってもよいが、より完全に水や溶媒を除去するための予備的な熱処理であってもよい。予備的な熱処理の場合、通常、２００〜８００℃程度で行う。この場合、不活性ガス下で熱処理する必要はない。
【００２８】
本発明の酸化物導電性材料の製造方法において、沈殿法で得られた化合物を熱処理して酸化物にする。熱処理することにより、化合物の結晶性が向上し、導電性が向上する。
高温で熱処理する場合、粒成長が激しいため、好ましくは短時間で行う。一方、低温で熱処理する場合は粒成長が抑えられるが、反応の進行が遅い。このため、低温で熱処理する場合、より長時間の熱処理をしたほうが導電性は向上する。
【００２９】
熱処理温度、熱処理時間等の熱処理条件は、酸化物導電性材料に求められる粒子の大きさと求められる導電性の程度を勘案して決定すればよい。例えば、熱処理温度は、１３００℃以下が好ましい。熱処理温度が１３００℃を超える場合、粒成長が特に激しく微粒子の製造が難しくなるおそれがある。
【００３０】
熱処理時間は、通常、高温であれば数秒程度の非常に短い時間で足り、低温であっても数時間程度以下で十分である。例えば、熱処理温度が１０００℃以上である場合、好ましくは１０分以下である。熱処理温度が５００〜１０００℃である場合、好ましくは３０分以下である。熱処理温度が５００℃以下である場合、好ましくは数時間程度以下である。高い温度であれば粒成長が激しいことから、短時間での熱処理が好ましく、低温であれば粒成長が抑えられるが固相反応が遅いため、導電性向上のため、より長時間の熱処理をしたほうが好ましい。
熱処理温度は、上述した予備的な熱処理の場合と同様に通常、２００℃以上で行う。好ましくは、３００℃以上である。
【００３１】
上記熱処理は、不活性ガス下で行う。不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、アルゴン等が使用でき、入手容易性の点で窒素やアルゴンが好ましい。
また、上記不活性ガスの酸素濃度は、０．１体積％以下であり、好ましくは、０．０５体積％以下である。０．１体積％を超える濃度では、導電性が低下するおそれがある。
【００３２】
不活性ガス下での熱処理の実施は、不活性ガスを充填でき、炉内を不活性ガス雰囲気に維持できる条件が確保されれば特に限定されず、例えば電気炉等を用いて実施できる。
【００３３】
熱処理した後、熱処理化合物を解砕することにより酸化物粒子を得られる。解砕は、遊星ボールミルやジェットミル等の機械的粉砕方法を用いて乾式で粉砕することで、より粒径の小さい酸化物微粉子を得ることができる。
【００３４】
こうして得られた本発明の酸化物導電性材料は、それ自体の持つ機能を利用し帯電防止剤等、各種用途に用いられる。また、この材料を原料とし、公知の方法にて加圧成型し、大気又は不活性ガス中で焼結して焼結体とすることもできる。
上記焼結体は、例えば、本発明の酸化物導電性材料にバインダーを混合して所定の形状に成型し、空気中又は不活性雰囲気中で９００℃から１７００℃で１分から１００時間焼結を行うことで得ることができる。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリブチラール、ポリアクリル酸等が挙げられる。
【００３５】
本発明の酸化物導電性材料を用いた焼結体は導電性に優れているため、例えば、導電性膜を形成するときに使用されるスパッタリングターゲットとして好適に用いることができる。
【００３６】
また、本発明の酸化物導電性材料を、ビーズミルや振動ミル等を用いて、溶媒、分散剤及びバインダー樹脂からなる溶液中に分散させることで、分散溶液を導電性ペーストや塗布液とすることができる。これら導電性ペーストや塗布液を、ガラス、プラスチック等の基材に塗布、印刷、浸漬、スピンコート又は噴霧等の手段で塗工し、乾燥することにより透明導電膜とすることができる。この膜は、ガラス、プラスチック等の帯電防止やほこりの付着防止に有効である。また、ディスプレーや計測器の窓ガラスの帯電防止やほこりの付着防止用として利用できる。
【００３７】
さらに、本発明の酸化物導電性材料は、ＩＣパッケージ回路形成、クリーンルーム内装材、各種ガラスやフィルム等の帯電防止やほこりの付着防止、塗布型透明電極又は赤外線遮蔽材料等の用途に利用できる。加えて、タッチパネル等にも応用できる。
【実施例】
【００３８】
実施例１
Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎのモル比がＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝６０：２０：２０となるように、硝酸インジウム（３水和物）（関東化学（株）製）１７０ｇ、塩化第二錫（５水和物）（関東化学（株）製）５６ｇ、硝酸亜鉛（６水和物）（関東化学（株）製）４７．５ｇを２．５Ｌのイオン交換水に溶解した（Ａ溶液という）。また、炭酸アンモニウム（和光純薬（株）製）１３２．２ｇを０．９Ｌのイオン交換水に溶解した（Ｂ溶液という）。
【００３９】
Ａ溶液を撹拌しながら、２５℃に保ち、３０分かけてＢ溶液を滴下した。その後、溶液の温度を８０℃まで加温し、３０分間熟成を行い、沈殿物を得た。次に、デカンテーションにて一回につき２Ｌのイオン交換水で沈殿物の洗浄を行い、導電率計Ｃｏｍｂｏ２（ハンナインスツルメンツ製）により溶液の電気伝導度を測定し、溶液の電気伝導度が０．５ｍＳ以下になるまで洗浄を繰り返し行った。その後、沈殿物を３００℃で乾燥した。
【００４０】
得られた化合物を赤外線イメージ炉（株式会社モトヤマ製）にて、窒素（酸素濃度；１０ｐｐｍ）を０．５Ｌ／分の流量で流しながら、約１０分間で８００℃まで昇温し、１０分間その温度に保持した後、室温まで急冷した。
【００４１】
得られた酸化物粒子は薄い青灰色であり、平均粒径は約０．０３５μｍであった。尚、平均粒径は窒素吸着によるＢＥＴ比表面積測定法により比表面積を測定し、下記式から算出した値である。
平均粒径（μｍ）＝６／（密度×比表面積）
尚、上記密度はＸ線回折測定結果から格子定数を計算し、それから計算される格子体積と格子内に存在する原子の重量から計算した。
【００４２】
また、Ｘ線回折測定を行ったところ、図１に示すようにコランダム構造の酸化物が生成していた。Ｘ線回折のデータから、リートベルト解析を行い、ＩｎサイトにランダムにＳｎとＺｎが置換していると判断した。
尚、Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）の測定条件は以下の通りであった。
装置：（株）リガク製Ｕｌｔｉｍａ−ＩＩＩ
Ｘ線：Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４０６Å、グラファイトモノクロメータにて単色化）
２θ−θ反射法、連続スキャン（１．０°／分）
サンプリング間隔：０．０２°
スリット  ＤＳ、ＳＳ：２／３°、ＲＳ：０．６ｍｍ
【００４３】
この粒子を加圧しながら二端子法で電気伝導度を測定した。具体的には、アクリル樹脂製の円筒容器（直径１２ｍｍ）に測定対象の粒子を入れ、上下から銅製の円筒状電極で挟んだ。電気抵抗測定器を用いて電極間の電気抵抗を測定しながら、油圧ジャッキで試料に圧力をかけた。圧力が１００ｋｇ／ｃｍ２に到達した時の電気抵抗と試料の厚さを測定し、下記式から電気伝導度を算出した。
電気伝導度＝（抵抗の逆数×試料厚み）／試料面積
その結果、１００ｋｇ／ｃｍ２の加重をかけた時の電気伝導度は２．５×１０−１Ｓ／ｃｍであり、良好な電気伝導性を有すことが明らかになった。
【００４４】
実施例２
Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎのモル比がＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝４０：３０：３０となるように、硝酸インジウム量を１７０ｇ、塩化第二錫量を１２６ｇ、硝酸亜鉛量を１０６．９ｇ、炭酸アンモニウム量を１９８．５ｇにした以外は実施例１と同じように調製した。
【００４５】
得られた酸化物粒子は薄い青灰色であり、平均粒径は約０．０４５μｍであった。そのＸ線回折測定を行ったところ、図２に示すようにほとんどがコランダム構造の酸化物が生成していた。また、リートベルト解析を行い、ＩｎサイトにランダムにＳｎとＺｎが置換していると判断した。
この粒子を加圧しながら二端子法で電気伝導度を測定した。１００ｋｇ／ｃｍ２の加重をかけた時の電気伝導度は２．２×１０−１Ｓ／ｃｍであり、良好な伝導性を有すことが明らかになった。
【００４６】
実施例３
Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎのモル比がＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝３０：２０：５０となるように、硝酸インジウム量を８０．０ｇ、塩化第二錫量を１３１．７ｇ、硝酸亜鉛量を４４．７ｇ、炭酸アンモニウム量を１３７ｇにした以外は実施例１と同じように調製した。
【００４７】
得られた酸化物粒子は薄い青灰色であり、平均粒径は約０．０４２μｍであった。そのＸ線回折測定を行ったところ、図３に示すようにほとんどがコランダム構造の酸化物が生成していた。また、リートベルト解析を行い、ＩｎサイトにランダムにＳｎとＺｎが置換していると判断した。
この粒子を加圧しながら二端子法で電気伝導度を測定した。１００ｋｇ／ｃｍ２の加重をかけた時の電気伝導度は３．９×１０−１Ｓ／ｃｍであり、良好な伝導性を有すことが明らかになった。
【００４８】
実施例４
Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｍｇのモル比がＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｍｇ＝３５：３０：３０：５となるように、硝酸インジウム量を１６０ｇ、塩化第二錫量を１３５．５ｇ、硝酸亜鉛量を１１５ｇ、硝酸マグネシウム６水和物１６．５ｇ、炭酸アンモニウム量を１９８．５ｇにした以外は実施例１と同じように調製した。
得られた酸化物粒子は薄い青灰色であり、平均粒径は約０．０４４μｍであった。そのＸ線回折測定を行ったところコランダム構造の酸化物が生成していた。また、リートベルト解析を行い、ＩｎサイトにランダムにＳｎとＺｎが置換していると判断した。
この粒子を加圧しながら二端子法で電気伝導度を測定した。１００ｋｇ／ｃｍ２の加重をかけた時の電気伝導度は３．１×１０−１Ｓ／ｃｍであり、良好な伝導性を有すことが明らかになった。
【００４９】
実施例５
Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎのモル比がＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝４０：３０：３０となるように、塩化インジウム（４水和物）（新興化学工業（株）製）を１２０ｇ、塩化第二錫（５水和物）量（和光純薬（株）製）を１０７．６ｇ、塩化亜鉛量（和光純薬（株）製）を４１．８ｇを３．４Ｌのイオン交換水に溶解した（Ａ’溶液という）。また、尿素（和光純薬（株）製）１８４３ｇを６．１Ｌのイオン交換水に溶解した（Ｂ’溶液という）。
Ａ’溶液とＢ’溶液を混合し、溶液の温度を９３℃まで加温し、１８０分間熟成を行い、沈殿物を得た。次に、デカンテーションにて一回につき５Ｌのイオン交換水で沈殿物の洗浄を行い、導電率計Ｃｏｍｂｏ２（ハンナインスツルメンツ製）により溶液の電気伝導度を測定し、溶液の電気伝導度が０．５ｍＳ以下になるまで洗浄を繰り返し行った。その後、沈殿物を３００℃で乾燥した。
【００５０】
これ以降の窒素中での焼成は、焼成温度を７００℃とした以外は実施例１と同じようにして調製した。
得られた酸化物粒子は薄い青灰色であり、平均粒径は約０．０２３μｍであった。そのＸ線回折測定を行ったところ、図５に示すようにほとんどがコランダム構造である酸化物が生成していた。
【００５１】
この粒子を実施例１と同じように加圧しながら二端子法で電気伝導度を測定した。１００ｋｇ／ｃｍ２の加重をかけたときの電気伝導度は２．２×１０0Ｓ／ｃｍであり、良好な伝導性を有すことが明らかになった。
【００５２】
比較例１
Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎのモル比がＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝１５：５５：３０となるように、硝酸インジウム量を４０ｇ、塩化第二錫量を７９ｇ、硝酸亜鉛量を１２９．９ｇ、炭酸アンモニウム量を１１４．２ｇにした以外は実施例１と同じように沈殿物を得て、乾燥した。
これを０．５体積％酸素／窒素雰囲気ガスを０．５Ｌ／分の流量で流しながら、約１０分間で８００℃まで昇温し、１分間その温度に保持した後、室温まで急冷した。
【００５３】
得られた酸化物粒子は黄緑色に着色していた。また、平均粒径は約０．０５５μｍであった。そのＸ線回折測定を行ったところ、図４に示すようにコランダム構造の酸化物ではなく、酸化スズとＺｎ２ＳｎＯ４が生成していた。
実施例１と同様にして電気伝導度を測定した結果、この粒子の電気伝導度は２．３×１０−４Ｓ／ｃｍと低いものであった。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の酸化物導電性材料は、透明導電性塗料又はコーティング液、プラスチックの添加剤（白色フィラー、帯電防止、静電気防止、電磁シールド等）、透明導電性薄膜材料、赤外線・紫外線遮蔽材料、機能性塗料材料（導電性塗料、熱線反射塗料）、又は機能性コーティング液材料（導電性コーティング液、熱線反射コーティング液）等に使用できる。
また、本発明の酸化物導電性材料からなる焼結体は透明導電性薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット等に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】実施例１で得られた酸化物粒子のＸ線回折を示す図である。
【図２】実施例２で得られた酸化物粒子のＸ線回折を示す図である。
【図３】実施例３で得られた酸化物粒子のＸ線回折を示す図である。
【図４】比較例１で得られた酸化物粒子のＸ線回折を示す図である。
【図５】実施例５で得られた酸化物粒子のＸ線回折を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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