(57)【要約】【課題】撮像レンズの補助機能、赤外線カットフィルタ機能、反射防止機能、パッケージングの小型化のためのダスト防止機能や、夜を撮影するための赤外線撮像機能などを有しながら、小型化及び薄型化を実現し得る固体撮像素子等を提供する。【解決手段】入射光を集光する集光素子と、前記集光素子上に透明な薄膜とを備えた固体撮像素子であって、前記集光素子の上位かつ前記透明な薄膜の下位に形成される空隙を有する。前記透明な薄膜の上位に、撮像レンズの補助機能、赤外線カットフィルタ機能、反射防止機能、パッケージングの小型化のためのダスト防止機能や、夜を撮影するための赤外線撮像機能などを集積する。【選択図】図１
2008066702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を集光する集光素子と、前記集光素子上に透明な薄膜とを備えた固体撮像素子であって、
前記集光素子の上位かつ前記透明な薄膜の下位に形成される空隙を有する
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記集光素子は、
前記入射光の波長と同程度かそれよりも短い線幅で分割された同心構造の光透過膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記透明な薄膜は、さらに、
前記空隙にガスを流入させるため又は前記空隙からガスを流出させるために、少なくとも２つ以上の穴を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記空隙は真空であり、前記透明な薄膜の前記穴は塞がれている
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記空隙は不活性ガスが充填されており、前記透明な薄膜の前記穴は塞がれている
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記透明な薄膜の上位に、当該透明な薄膜の屈折率とは異なる屈折率の薄膜を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記透明な薄膜の上位に、３層以上の多層構造体を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記透明な薄膜の上位に、前記入射光の波長よりも小さい直径の円錐構造体を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記固体撮像素子は、さらに、
前記透明な薄膜と接合されている支持構造体を備え、前記支持構造体の高さは、前記集光素子の高さよりも高い
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
前記支持構造体は、金属で構成されている
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記支持構造体は、誘電体で構成されている
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
前記支持構造体は、さらに、
前記入射光の波長よりも小さい直径の穴を複数有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像素子。
【請求項１３】
前記支持構造体は、圧電性材料で構成されており、当該支持構造体は、発振器に接続されている
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像素子。
【請求項１４】
前記圧電性材料は、強誘電性材料である
ことを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像素子。
【請求項１５】
前記透明な薄膜の下位に、透明電極を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像素子。
【請求項１６】
固体撮像素子を有するカメラであって、
前記固体撮像素子は、入射光を集光する集光素子と、前記集光素子上に透明な薄膜とを備える固体撮像素子であって、前記集光素子の上位かつ前記透明な薄膜の下位に形成される空隙を有する
ことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デジタルスチルカメラ等に使用される固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルスチルカメラやカメラ付携帯電話等の急速な普及に伴い、固体撮像素子の市場規模は著しく拡大してきた。さらに、デジタルスチルカメラやカメラ付携帯電話の小型化、薄型化及び多機能化への要望は留まるところがない。例えば、デジタルスチルカメラやカメラ付携帯電話を薄くするためには、そのカメラモジュール部を薄型化する必要がある。その薄型化を実現するためには、撮像レンズの枚数の削減、赤外線カットフィルタの削減、反射防止用フィルタの削減、パッケージングの小型化などがあげられる。また、監視や車載用途などさまざまな撮像機器に用いられる固体撮像素子は、昼夜を問わず撮影できる多機能化が求められている。
【０００３】
従来技術として、固体撮像素子のカバーガラス上に、赤外線カットフィルタ、反射防止用フィルタなどを集積し、パッケージングの小型化を可能にする実施例が、特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３２８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、撮像レンズの枚数、赤外線カットフィルタ、反射防止用フィルタ等の単純な削減は、カメラモジュールの特性の劣化に繋がるため、容易に実施できない。さらに、夜を撮影できる撮像素子はデバイス構成が異なるため、同一素子で実現することが非常に困難である。さらに、上記特許文献１に記載された技術でも、十分な小型化が図られているとはいえない。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、撮像レンズの補助機能、赤外線カットフィルタ機能、反射防止機能、パッケージングの小型化のためのダスト防止機能又は夜を撮影するための赤外線撮像機能などを備えつつ、小型化及び薄型化を実現し得る固体撮像素子等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る固体撮像素子は、入射光を集光する集光素子と、前記集光素子上に透明な薄膜とを備えた固体撮像素子であって、前記集光素子の上位かつ前記透明な薄膜の下位に形成される空隙を有することを特徴とする。
【０００７】
これにより、集光素子が透明な薄膜によって保護されるため、ダスト等の付着を防止すると共に、当該透明な薄膜の上位に撮像レンズの補助機能等の各種機能を備える固体撮像素子を集積化技術によって実現することができる。
【０００８】
また、前記集光素子は、前記入射光の波長と同程度かそれよりも短い線幅で分割された同心構造の光透過膜であることを特徴とする。これにより、光透過膜の同心構造の線幅の合計を変化させることによって有効屈折率を変化させることが可能な分布屈折率型の集光素子を実現することができる。
【０００９】
また、前記透明な薄膜は、さらに、前記空隙にガスを流入させるため又は前記空隙からガスを流出させるために、少なくとも２つ以上の穴を有することを特徴とする。これにより、犠牲層のエッチングガスの供給と排気が容易になり、複数の単位画素が形成された面内の透明な薄膜と光透過膜の間に空隙を実現することが容易になる。
【００１０】
また、前記空隙は真空でも、不活性ガスが充填されていてもよく、前記透明な薄膜の前記穴は塞がれていることを特徴とする。これらにより、当該固体撮像素子を低温で使用したときでも、結露などを防ぐことができる。
【００１１】
また、前記透明な薄膜の上位に、当該透明な薄膜の屈折率とは異なる屈折率の薄膜を有することを特徴とする。これにより、複数の単位画素が形成された面内の透明な薄膜による反射を防止することができる。
【００１２】
また、前記透明な薄膜の上位に、３層以上の多層構造体を有することを特徴とする。これにより、複数の単位画素が形成された面内の透明な薄膜に波長選択機能を付加することができる。
【００１３】
さらに、前記透明な薄膜の上位に、前記入射光の波長よりも小さい直径の円錐構造体を有することを特徴とする。これにより、反射防止機能を集積化することができる。
【００１４】
また、前記固体撮像素子は、さらに、前記透明な薄膜と接合されている支持構造体を備え、前記支持構造体の高さは、前記集光素子の高さよりも高いことを特徴とする。これにより、複数の単位画素が形成された面内の透明な薄膜と集光素子の間に空隙を実現することが容易になる。
【００１５】
また、前記支持構造体は、金属であることを特徴とする。これにより、金属と犠牲層に対するエッチングの際に選択してエッチングを行うことが可能となるので、複数の単位画素が形成された面内の透明な薄膜と集光素子の間に空隙を実現することが容易になる。さらに、金属は遮光性が高いので、画素間の光のクロストークや色の混色を防ぐことができる。
【００１６】
また、前記支持構造体は、誘電体（特に、前記入射光の波長よりも小さい直径の穴を複数有する誘電体）であることを特徴とする。これにより、光の禁制帯であるフォトニックバンドを形成でき、単位画素間の光のクロストークや色の混色を防ぐことができる。
【００１７】
また、前記支持構造体は、圧電性材料で構成されており、当該支持構造体は、発振器に接続されていることを特徴とする。これにより、支持構造体を介して透明な薄膜を振動させ、表面に付着したダストを振動によって除去することができる。
【００１８】
また、前記圧電性材料は、強誘電性材料としたり、前記透明な薄膜の下位に、透明電極を有することとしてもよい。
【００１９】
なお、本発明は、上記固体撮像素子を有するカメラとして実現することもできる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の固体撮像素子は、撮像レンズの補助機能、赤外線カットフィルタ機能、反射防止機能及び夜を撮影するための赤外線撮像機能などを備えつつ、パッケージングの際の小型化のための必要なダスト防止機能を備えるため、非常に高性能かつ小型化、薄型化が可能な固体撮像素子を実現することができる。さらに、この固体撮像素子を有するデジタルスチルカメラやカメラ付携帯電話等を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る実施の形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本発明について、以下の実施の形態および添付の図面を用いて説明を行うが、これは例示を目的としており、本発明がこれらに限定されることを意図しない。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態に係る固体撮像素子１００の断面構造の概略を示す図である。固体撮像素子１００は、デジタルスチルカメラやカメラ付携帯電話などに適用される撮像素子であり、単位画素１０１（画素サイズ□２．２μｍ）が２次元状に配置されている。そして、各単位画素１０１は、屈折率分布を有する光透過膜１、受光素子（Ｓiフォトダイオード）２、配線４、Ｓi基板６、透明な薄膜１０及び支持構造体１１を備える。
【００２３】
図１に示すように、屈折率分布を有する光透過膜１は、その上に形成される透明な薄膜１０で保護されており、屈折率分布を有する光透過膜１にダストなどが付着することを防止し、たとえ撮像機器に搭載した時にダストが付着した場合も、透明な薄膜１０の表面をクリーニングすることによって、容易にダストを排除することができる。さらに、透明な薄膜１０と屈折率分布を有する光透過膜１の間に空隙１２を設け、透明な薄膜１０によって屈折率分布を有する光透過膜１の屈折率分布が影響を受けることを回避している。
【００２４】
さらに、屈折率分布を有する光透過膜１上に、透明な薄膜１０を有するので、透明な薄膜１０上にさまざまな機能素子を形成することができる。さらに、屈折率分布を有する光透過膜１、透明な薄膜１０及び支持構造体１１は、半導体製造プロセスの拡散工程で形成するので、組立工程などが必要なく、透明な薄膜１０と屈折率分布を有する光透過膜１の間の空隙１２も、非常に精度良く形成することができる。また、支持構造体１１を圧電性材料で構成し、透明な薄膜１０を振動させることにより、表面に付着したダストを振動により除去することができる。この場合、支持構造体１１は、固体撮像素子１００に内蔵された発振器に接続されているものとする。
【００２５】
図２は、単位画素１０１（画素サイズ□２．２μｍ）が２次元状に配置されている様子を示す上面図である。なお、上記図１は、図２の固体撮像素子１００をＡ−Ａ’で切断した場合の断面図である。
【００２６】
図２に示すように、屈折率分布を有する光透過膜１は、屈折率分布を有するように同心状にパターンニングされており、光透過膜の線幅の合計を変化させることによって、有効屈折率を変化させることができる分布屈折率型の集光素子である。この場合の線幅は、入射光の波長と同程度かそれよりも短い。
【００２７】
次に、屈折率分布を有する光透過膜１上に透明な薄膜１０を形成する方法について、図３Ａ〜図３Ｍを用いて説明する。
【００２８】
図３Ａは、受光素子（Ｓiフォトダイオード）２、配線４など、固体撮像素子１００の基本機能を形成したＳi基板６上に、光透過膜２９を形成した様子を示す図である。光透過膜２９としては、プラズマＴＥＯＳ（ＳiＯ2）膜を用い、その膜厚は１．２μｍとした。
【００２９】
次に、光透過膜２９を、屈折率分布を有するようにパターンニングするため、図３Ｂ、図３Ｃに示すように、光透過膜２９にレジスト２１を塗布し、リソグラフィによってレジスト２１をパターンニングする。さらに、図３Ｄ、図３Ｅに示すように、レジスト２１のパターンをマスクとしてプラズマＴＥＯＳ膜（ＳiＯ2）をＣＦ系のガスを用いてドライエッチングし、レジストを除去する。これにより、所望の屈折率分布を有する光透過性の膜が実現できる。
【００３０】
次に、透明な薄膜１０と屈折率分布を有する光透過膜１の間に空隙１２を作るための犠牲層２２を、屈折率分布を有する光透過膜１上に形成する。犠牲層２２は、ポリシリコンを用いて形成する。図３Ｆに示すように、屈折率分布を有する光透過膜１上にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で、ポリシリコン膜を犠牲層２２としてデポし、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を用いて平坦化する。
【００３１】
その後、支持構造体１１を形成するため、犠牲層２２をパターンニングする。図３Ｇ〜図３Ｊに示すように、犠牲層２２上にレジスト２１を塗布し、リソグラフィによってレジスト２１をパターンニングする。レジスト２１のパターンをマスクとしてポリシリコン膜をＣl系、ＨＢr系等のガスを用いてドライエッチングし、支持構造体１１を形成するため溝を形成し、レジスト２１を除去する。
【００３２】
次に、ＳiＯ2、ＳiＮ、金属、誘電体など、ポリシリコンとエッチングの選択比が高い材料をスパッタ、ＣＶＤ、蒸着などで形成し、ＣＭＰを用いて平坦化する。今回、支持構造体１１としてＳiＯ2を用いた。埋め込まれる支持構造体１１の高さは、屈折率分布を有する光透過膜１の厚さよりも厚くする必要がある。また、支持構造体１１として圧電性材料を形成する場合は、ＰＺＴなどの強誘電性材料を用いるのが好ましい。
【００３３】
次に、図３Ｌに示すように、透明な薄膜１０となる膜を犠牲層２２上に形成する。透明な薄膜１０は、例えばＳiＯ2（ｎ：１．４５）で形成し、その膜厚としては、０．１〜１．０μｍ程度が好ましい。
【００３４】
また、支持構造体１１として圧電性材料を用いる場合は、透明な薄膜１０を形成する前にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などを透明電極として形成する（即ち、透明な薄膜１０の下位に透明電極が形成される。）。
【００３５】
透明な薄膜１０を形成後、図３Ｍに示すように、等方性のドライエッチングを用いて犠牲層２２を除去して空隙１２を形成する。エッチングガスとしては、ＸeＦやＣlＦ3などを用いるのが好ましい。さらに、単位画素１０１周辺の支持構造体１１のレイアウトとしては、エッチングガスを流動し易くするために、図４〜図７の各上面図に示すようなレイアウトが好ましい。
【００３６】
また、図８、図９に示すように、単位画素１０１が集合した撮像領域の外周に、さらに第２の支持構造体２３を設け、犠牲層２２をエッチングするためのガスの流入と流出をさせるために透明な薄膜１０に少なくとも２つの穴２４を設けた構造としてもよい。このような構造にすることにより、犠牲層２２のエッチング後、穴２４を塞げば、ダイシング時の水によるスティッキングを防止することができる。さらに、上記の空隙１２を真空とし、透明な薄膜１０上の穴２４を塞げば、固体撮像素子１００を低温（０℃以下）で使用したときでも、結露などを防ぐことができる。また、上記の空隙１２に不活性ガスを注入し、透明な薄膜１０上の穴を塞いだ構成としても同様の効果が得られる。
【００３７】
上述の穴を塞ぐ方法としては、図３４（ａ）に示すように、穴２４の周囲に封止構造体６１を設けることが好ましい。図３４（ｂ）は封止構造体６１の拡大図を、図３４（ｃ）は図３４（ｂ）の封止構造体６１をＦ−Ｆ’で切断した場合の断面図をそれぞれ示している。封止構造体６１は、支持構造体１１と同時期の工程で形成される。封止構造体６１はガスの流入出が可能で、ガスの流入出後、封止が可能な構造となっている。図３４（ｂ）の上面図に示されるように、封止構造体６１は、略四角形の壁状の構造体の一部に切り込み部６３を有し、その近傍に封止剤６２の流出を防止する流出防止部６４を設けた構造となっている。なお、この実施の形態では、封止構造体６１の構造を略四角形としたが長方形や円形などでもよい。
【００３８】
図３４（ｄ）は、封止構造体６１を封止剤６２で封止した様子を示す断面図である。封止剤６２としては、熱硬化樹脂、光硬化樹脂などを用いることができる。封止剤６２は、ディスペンサーやスピンコートで注入することができ、その後に、加熱やＵＶ光照射により硬化することができる。なお、封止剤６２として、低融点金属や低融点ガラスなどを用いることもできる。
【００３９】
なお、固体撮像素子１００をダイシングし、パッケージや回路基板に実装した後に、犠牲層２２を等方性のドライエッチングを用いて除去してもよい。そのようにすれば、ダイシング時の水によるスティッキングを防止することができる。
【００４０】
また、支持構造体１１（ＳiＯ2）に、図３３に示すような入射光の波長よりも小さい穴８３を規則的に設けることにより、光の禁制帯であるフォトニックバンドギャップを形成することができ、単位画素１０１間の光のクロストークや色の混色を防ぐことができる。
【００４１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態１で説明した図１の構造に、さらに多機能化を実現するために付加する構造について述べる。
【００４２】
図１０〜図１２は、カラー対応の固体撮像素子１００の断面構造の概略を示す図である。図１０は、透明な薄膜１０上に、樹脂を母材とし、染料や顔料で構成されたカラーフィルタ２５を形成した形態を示している。カラーフィルタ２５は、樹脂を母材とし、感光性を有するので、スピンコートし、リソグラフィを行うことにより形成する。
【００４３】
図１１は、透明な薄膜１０上に、ＴiＯ2膜とＳiＯ2膜を交互に積層してカラーフィルタ（積層カラーフィルタ２６）を形成した様子を示す図である。この積層カラーフィルタ２６の場合は、受光させる色ごとに膜の構成を変えており、例えば、緑色光を受光させる領域では、ＴiＯ2膜が３層とＳiＯ2膜が２層で構成されている。さらに、赤色光と青色光を受光させる領域では、ともにＴiＯ2膜が４層とＳiＯ2膜が３層で構成されているが、中心にあるＳiＯ2膜厚のみが異なる。
【００４４】
また、図２９に示すように、ＡgやＡuなどの金属薄膜に波長よりも小さい穴を設けることにより、プラズモン効果を起こし、カラーフィルタの機能を集積することもできる。さらに、受光させる色ごとに穴の直径を変える構成にすることが好ましい。
【００４５】
また、図１２に示すように、ＴiＯ2膜とＳiＯ2膜を交互に積層した積層カラーフィルタ２６を、屈折率分布を有する光透過膜１の下部に設けることにより、透明な薄膜１０上に、さらに機能素子を設けることができる。
【００４６】
また、図１３、図１４の断面図に示されるように、ＳiＮ膜とＳiＯ2膜を交互に積層した構造やＴiＯ2膜とＳiＯ2膜を交互に積層した構造を形成することにより、反射防止機能１３や赤外線カットフィルタ機能１４を集積することができる。これにより、カメラモジュールの反射防止フィルタや赤外線カットフィルタを削減することができ、カメラモジュールの小型化／薄膜化が可能になる。さらに、コストも削減することができる。
【００４７】
また、図１５の断面図に示されるように、入射する波長よりも小さい直径の円錐構造体２７を、透明な薄膜１０上に、均一なピッチで形成することにより、反射防止機能１３を集積することができる。
【００４８】
図１６は、透明な薄膜１０上に、樹脂を母材としたマイクロレンズ２８を形成した場合の固体撮像素子１００の断面構造の一例を示す図である。マイクロレンズ２８は、樹脂を母材とし、感光性を有するので、スピンコートし、リソグラフィとベークによるリフローで形成することができる。このように、２種類のマイクロレンズ機能を集積することにより、いろいろなレンズ機能を実現することができる。例えば、屈折率分布を有する光透過膜１の屈折率分布を図１７、図１８に示すように、画素中心に対して偏心させれば、高角に入射した光も受光素子に確実に導くことができる。
【００４９】
図１７（ａ）は、屈折率分布を有する光透過膜１の上面図の一例である。同心円構造は、光透過膜である高屈折率材料３２［ＳiＯ2（ｎ＝１．６５）］と低屈折率材料３３［空気（ｎ＝１．０）］で構成されており、隣り合う円型光透過膜の外周の半径差であるピッチ（Ｔ0）３４は２００ｎｍである。また、膜厚は１．２μｍである。このとき図１７（ａ）に示す屈折率分布を有する光透過膜１におけるＢ−Ｂ’切断面での屈折率の変化は図１７（ｂ）のように表され、画素中心３１に対して非対称である。レンズの屈折率は、円の中心部分が最も高く、端になるに従って順に低くなるため、図１８に示す入射光３５のように、斜め方向（広角）から入射される光の方向を変えることができる。
【００５０】
本発明では、図１７（ｂ）に示すようなレンズの屈折率分布を、高屈折率材料３２と低屈折率材料３３を入射光波長の半分以下の領域で離散化させることによって実現している。
【００５１】
本実施の形態に係る屈折率分布を有する光透過膜１は、入射光３５の波長によって各単位画素に対する構造を最適化することが可能であることから、入射角度による集光効率の違いはなく、高効率に集光することができる。０°入射光用屈折率分布では、同心円の中心が画素中央部分にあるのに対して、入射角度が増加すると、円の中心は光の入射側にシフトしていく。そのため、図１８に示すように屈折率分布を有する光透過膜１の同心円構造は画素中心３１に対して非対称となる。
【００５２】
このように、屈折率分布を有する光透過膜１の屈折率分布を単位画素ごとに変化させれば、撮像レンズの持つ入射角特性、色収差、像面湾曲等を補正することができ、撮像レンズのレンズ枚数を削減させることができる。
【００５３】
また、図１９、図２０の断面図に示すように、透明な薄膜１０の下部に、マイクロレンズ２８を形成してもよい。その形成方法について、図２１Ａ〜図２１Ｌを用いて説明する。
【００５４】
図２１Ａは、受光素子（Ｓiフォトダイオード）２、配線４など、固体撮像素子１００の基本機能を形成したＳi基板６上に、屈折率分布を有する光透過膜１を形成し、その上位に犠牲層２２となるポリシリコンを形成した様子を示す図である。ポリシリコンの膜厚は、屈折率分布を有する光透過膜１の膜厚１．２μｍとマイクロレンズの厚さ１．５μｍを足した値よりも大きな３．０μｍとした。
【００５５】
次に、犠牲層２２をパターンニングし、支持構造体１１を形成するために、図２１Ｂ、図２１Ｃに示すように犠牲層２２にレジスト２１を塗布し、リソグラフィによってレジスト２１をパターンニングする。さらに、図２１Ｄ、図２１Ｅに示すように、支持構造体１１を形成するため、レジスト２１のパターンをマスクとしてポリシリコン膜をＣl系、ＨＢr系等のガスを用いてドライエッチングし、支持構造体１１を形成するための溝を形成し、レジストを除去する。
【００５６】
この後に、ＳiＯ2、ＳiＮ、金属、誘電体など、ポリシリコンとエッチングの選択比が高い材料を、スパッタ、ＣＶＤ、蒸着などで形成し、ＣＭＰを用いて平坦化する。
【００５７】
次に、マイクロレンズ形状の空洞８２を形成するため、図２１Ｆ、図２１Ｇに示すように、犠牲層２２にレジスト２１を塗布し、リソグラフィによってレジスト２１をパターンニングする。このとき、レジストの開口８１の径は、マイクロレンズの直径よりも小さい。
【００５８】
次に、図２１Ｈに示すように、犠牲層２２を等方性のドライエッチングを用いて除去する。エッチングガスとしては、ＸeＦやＣlＦ3などを用いるのが好ましい。このようにすると、マイクロレンズ形状の空洞８２を形成することができる。そして、図２１Ｉに示すように、レジストを除去する。
【００５９】
さらに、図２１Ｊに示すように、ＳiＯ2、ＳiＮなどをレンズ材料として、スパッタ、ＣＶＤ、蒸着などで形成し、ＣＭＰを用いて平坦化する。今回、レンズ材料として、ＳiＮを用いた。
【００６０】
次に、図２１Ｋに示すように、透明な薄膜１０となる膜を犠牲層２２上に形成する。
次に、図２１Ｌに示すように、犠牲層２２を等方性のドライエッチングを用いて除去し、空隙１２を形成する。エッチングガスとしては、ＸeＦやＣlＦ3などを用いるのが好ましい。
【００６１】
図２０は、上記プロセスにより、透明な薄膜１０上に、樹脂を母材としたマイクロレンズ２８を形成した形態を示している。マイクロレンズ２８は、樹脂を母材とし、感光性を有するので、スピンコートし、リソグラフィとベークによるリフローで形成することができる。このように、３種類のマイクロレンズ機能を集積することにより、いろいろなレンズ機能を実現することができる。
【００６２】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態２で説明した図１２の構造に、さらに夜を撮影するための赤外線撮像機能を付加した場合の固体撮像素子の構造について説明する。
【００６３】
図２２は、強誘電体膜４１を透明電極４２で挟んだ膜構造と透明な薄膜１０を集積した固体撮像素子１００の断面構造の概略を示す図である。図２３は、単位画素１０１が２次元状に配置されている様子を示す上面図である。なお、図２２は、上記図２３の固体撮像素子１００をＣ−Ｃ’で切断した場合の断面図である。強誘電体膜４１は、図２５に示すように、赤外線を吸収して、強誘電体膜４１の温度が上昇し、その結果、誘電率εが変化する特性を有している。この変化を電気信号に変換することにより、例えば、暗闇の中の人間の輻射（４〜１０μｍ帯）を受光し、画像として認識することができる。
【００６４】
しかし、波長が４〜１０μｍの赤外線を受光しても、画素部から基板への熱コンダクタンスが大きい場合、画素部の温度が上昇しないため、誘電率εの変化が小さく十分な信号を得ることができない。そのため、図２３に示すように、画素部４３に支持脚４４を設け、熱コンダクタンスを小さくしている。さらに、支持構造体１１も熱コンダクタンスを小さくするために、細い構造としている。今回、強誘電体膜４１としては、室温付近で誘電率εの変化が大きいＢa(Ｔi1-x,Ｓnx)Ｏ3 を用いた。また、透明電極４２としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、支持構造体１１としてはＷ（タングステン）を用いた。Ｂa(Ｔi1-x,Ｓnx)Ｏ3などの強誘電体膜は、可視光領域は透過するため、可視光を受光素子（Ｓiフォトダイオード）２で受光することができ、赤外領域と可視光領域の両方の画像を撮像することができる。
【００６５】
次に、強誘電体膜４１を透明電極４２で挟んだ膜構造を、透明な薄膜１０上に形成する方法を、図２４Ａ〜図２４Ｆを用いて説明する。
【００６６】
図２４Ａには、透明な薄膜１０と屈折率分布を有する光透過膜１の間に空隙１２を作るための犠牲層２２を図示していないが、支持構造体１１を形成した後の形態を示す。支持構造体１１はＷで形成されている。
【００６７】
次に、図２４Ｂに示すように、透明な薄膜１０、透明電極４２、強誘電体膜４１及び透明電極４２を犠牲層２２上に形成する。
【００６８】
さらに、図２４Ｃ、図２４Ｄに示すように、レジスト２１を塗布し、リソグラフィによってレジスト２１をパターンニングする。
【００６９】
また、図２４Ｅに示すように、レジスト２１のパターンをマスクとしてドライエッチングを行い、支持脚を形成し、レジストを除去する。
【００７０】
このあと、図２４Ｆに示すように、犠牲層２２を等方性のドライエッチングを用いて除去する。この際のエッチングガスとしては、ＸeＦやＣlＦ3などを用いるのが好ましい。
【００７１】
（実施の形態４）
以下、夜を撮影するための赤外線撮像機能を付加した実施の形態について、上記実施の形態３とは別の形態について述べる。
【００７２】
図２６は、赤外線を吸収して抵抗が変わる膜５１を、透明な薄膜１０の下部に集積した場合の固体撮像素子１００の断面構造の概略を示す図である。図２７は、単位画素１０１が２次元状に配置されている様子を示す上面図である。なお、図２６は、図２７の固体撮像素子１００をＤ−Ｄ’で切断した場合の断面図である。赤外線を吸収して抵抗が変わる膜５１は、赤外線を吸収して温度が上昇し、その結果、抵抗率ρが変化する。この変化を電気信号に変換することにより、例えば、暗闇の中の人間の輻射（４〜１０μｍ帯）を受光し、画像として認識することができる。
【００７３】
しかし、波長が４〜１０μｍの赤外線を受光しても、画素部から基板への熱コンダクタンスが大きい場合、画素部の温度が上昇しないため、抵抗率ρの変化が小さいため十分な信号を得ることができない。そのため、図２７に示すように、画素部５３に支持脚５４を設け、熱コンダクタンスを小さくしている。さらに、支持構造体１１も熱コンダクタンスを小さくするために、細い構造としている。今回、赤外線を吸収して抵抗が変わる膜５１としては、ＶＯx膜を用いた。また、ＶＯx膜は、可視光領域は透過するため、可視光を受光素子（Ｓiフォトダイオード）２で受光することができ、赤外領域と可視光領域の両方の画像を撮像することができる。
【００７４】
次に、赤外線を吸収して抵抗が変わる膜５１を、透明な薄膜１０の下部に形成する方法について、図２８Ａ〜図２８Ｆを用いて説明する。
【００７５】
図２８Ａは、赤外線を吸収して抵抗が変わる膜５１と屈折率分布を有する光透過膜１の間に空隙を作るための犠牲層２２を図示していないが、支持構造体１１を形成した後の断面構造を示す図である。支持構造体１１はＷで形成されている。
【００７６】
次に、図２８Ｂに示すように、赤外線を吸収して抵抗が変わる膜５１、透明な薄膜１０を犠牲層２２上に形成する。
【００７７】
さらに、図２８Ｃ、図２８Ｄに示すように、レジスト２１を塗布し、リソグラフィによってレジスト２１をパターンニングする。
【００７８】
そして、図２８Ｅに示すように、レジスト２１のパターンをマスクとしてドライエッチングし、支持脚を形成し、レジストを除去する。
【００７９】
このあと、図２８Ｆに示すように、犠牲層２２を等方性のドライエッチングを用いて除去する。この際のエッチングガスとしては、ＸeＦやＣlＦ3などを用いるのが好ましい。
【００８０】
（実施の形態５）
図３０は、本実施の形態に係る固体撮像素子１００の断面構造の概略を示す図である。固体撮像素子１００は、デジタルスチルカメラやカメラ付携帯電話などに適用される撮像素子であり、単位画素１０１（画素サイズ□２．２μｍ）が２次元状に配置されている。そして、各単位画素１０１は、集光素子７１、受光素子（Ｓiフォトダイオード）２、配線４、Ｓi基板６、透明な薄膜１０及び支持構造体１１を備える。
【００８１】
図３１は、単位画素１０１（画素サイズ□２．２μｍ）が２次元状に配置されている様子を示す図である。なお、図３１の固体撮像素子１００をＥ−Ｅ’で切断した場合の断面図が図３０である。
【００８２】
図３０に示すように、集光素子７１は透明な薄膜１０で保護されており、集光素子７１にダストなどが付着することはなく、撮像機器に搭載した時にダストが付着した場合も、透明な薄膜１０をクリーニングすることによってダストを排除することができる。さらに、透明な薄膜１０と集光素子７１の間に空隙１２を有するので、透明な薄膜１０によって集光素子７１の屈折率分布が影響を受けることはない。
【００８３】
さらに、集光素子７１上に、透明な薄膜１０を有するので、透明な薄膜１０上にさまざまな機能素子を形成することができる。
【００８４】
次に、集光素子７１上に透明な薄膜１０を形成する方法について、図３２Ａ〜図３２Ｍを用いて説明する。
【００８５】
図３２Ａは、受光素子（Ｓiフォトダイオード）２、配線４など、撮像素子の基本機能を形成したＳi基板６上に、集光素子７１となる集光素子材料７２を形成した様子を示す図である。集光素子材料７２としては、プラズマＴＥＯＳ（ＳiＯ2）膜を用い、膜厚は２μｍとした。
【００８６】
次に、集光素子７１となるように集光素子材料７２をパターンニングするため、図３２Ｂ、図３２Ｃに示すように、集光素子材料７２にレジスト２１を塗布し、リソグラフィによってレジスト２１をパターンニングする。次に、図３２Ｄに示すように、レジスト２１を加熱し、リフローによりレジスト２１をレンズ形状にする。次に、図３２Ｅに示すように、レジスト２１のパターンをマスクとしてプラズマＴＥＯＳ膜（ＳiＯ2）を、ＣＦ系のガスを用いてエッチバックし、レジスト２１を除去する。これにより、所望の集光素子形状を実現できる。
【００８７】
さらに、集光素子７１と透明な薄膜１０の間に空隙１２を作るための犠牲層２２を形成する。犠牲層をしては、ポリシリコンを用いる。図３２Ｆに示すように集光素子７１上にプラズマＣＶＤで、ポリシリコン膜を犠牲層としてデポし、ＣＭＰを用いて平坦化する。
【００８８】
そして、支持構造体１１を形成するため、犠牲層２２をパターンニングする。図３２Ｇ〜図３２Ｊに示すように、犠牲層２２上にレジスト２１を塗布し、リソグラフィによってレジスト２１をパターンニングする。レジスト２１のパターンをマスクとしてポリシリコン膜をＣl系、ＨＢr系のガスを用いてドライエッチングし、支持構造体１１を形成するため溝を形成し、レジスト２１を除去する。
【００８９】
このあと、ＳiＯ2、ＳiＮ、金属、誘電体などポリシリコンとエッチングの選択比が高い材料をスパッタ、ＣＶＤ、蒸着などで形成し、ＣＭＰを用いて平坦化する。今回、支持構造体１１として、ＳiＯ2を用いた。埋め込まれる支持構造体１１の高さは、集光素子材料７２の厚さよりも厚い。
【００９０】
次に、図３２Ｌに示すように、透明な薄膜１０となる膜を犠牲層２２に形成する。
さらに、図３２Ｍに示すように、犠牲層２２を等方性のドライエッチングを用いて除去する。この際のエッチングガスとしては、ＸeＦやＣlＦ3などを用いるのが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明の固体撮像素子は、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、又はカメラ付携帯電話などの撮像機能を有する機器に利用が可能であり、産業上有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】実施の形態１に係る固体撮像素子の断面構造の概略を示す図である。
【図２】実施の形態１に係る固体撮像素子の上面の概略を示す図である。
【図３Ａ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｂ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｃ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｄ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｅ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｆ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｇ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｈ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｉ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｊ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｋ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｌ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３Ｍ】実施の形態１に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図４】実施の形態１に係る固体撮像素子の支持構造体のレイアウトの一例を示す上面図である。
【図５】実施の形態１に係る固体撮像素子の支持構造体のレイアウトの一例を示す上面図である。
【図６】実施の形態１に係る固体撮像素子の支持構造体のレイアウトの一例を示す上面図である。
【図７】実施の形態１に係る固体撮像素子の支持構造体のレイアウトの一例を示す上面図である。
【図８】実施の形態１に係る犠牲層を除去するための穴の概略を示す図である。
【図９】実施の形態１に係る犠牲層を除去するための穴の概略を示す図である。
【図１０】実施の形態２に係る固体撮像素子のカラー化の断面構造の例を示す図である。
【図１１】実施の形態２に係る固体撮像素子のカラー化の断面構造の例を示す図である。
【図１２】実施の形態２に係る固体撮像素子のカラー化の断面構造の例を示す図である。
【図１３】実施の形態２に係る固体撮像素子に光学積層膜を集積した断面構造の一例を示す図である。
【図１４】実施の形態２に係る固体撮像素子に光学積層膜を集積した断面構造の一例を示す図である。
【図１５】実施の形態２に係る固体撮像素子に微小円錐を集積した断面構造の一例を示す図である。
【図１６】実施の形態２に係る固体撮像素子に樹脂を母材とするマイクロレンズを集積した断面構造の一例を示す図である。
【図１７】（ａ）は、実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の上面図の一例である。（ｂ）は、実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜を構成する光透過膜の実効屈折率分布を示す図である。
【図１８】実施の形態２に係る斜入射特性を示す図である。
【図１９】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成した断面構造の一例を示す図である。
【図２０】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを、上面に樹脂を母材とするマイクロレンズを集積した断面構造の一例を示す図である。
【図２１Ａ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｂ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｃ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｄ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｅ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｆ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｇ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｈ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｉ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｊ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｋ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２１Ｌ】実施の形態２に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部にマイクロレンズを構成する工程の一例を示す図である。
【図２２】実施の形態３に係る屈折率分布を有する光透過膜の上部に赤外線を検出する機能を集積した一例を示す図である。
【図２３】実施の形態３に係る屈折率分布を有する光透過膜の上部に赤外線を検出する機能を集積した一例を示す上面図である。
【図２４Ａ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２４Ｂ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２４Ｃ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２４Ｄ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２４Ｅ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２４Ｆ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２５】実施の形態３に係る固体撮像素子上の赤外線を検出する機能を概略的に説明する図である。
【図２６】実施の形態４に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部に赤外線を検出する機能を集積した一例を示す図である。
【図２７】実施の形態３に係る屈折率分布を有する光透過膜の下部に赤外線を検出する機能を集積した一例を示す上面図である。
【図２８Ａ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２８Ｂ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２８Ｃ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２８Ｄ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２８Ｅ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２８Ｆ】実施の形態３に係る固体撮像素子上に赤外線を検出する機能を集積する工程を概略的に示す図である。
【図２９】実施の形態２に係る固体撮像素子の金属薄膜によるカラー化の断面構造の例を示す図である。
【図３０】実施の形態５に係る固体撮像素子の基本構造を示す図である。
【図３１】実施の形態５に係る固体撮像素子の上面の概略を示す図である。
【図３２Ａ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｂ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｃ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｄ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｅ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｆ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｇ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｈ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｉ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｊ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｋ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｌ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３２Ｍ】実施の形態５に係る固体撮像素子上に機能素子を集積する工程を概略的に示す図である。
【図３３】実施の形態１に係る固体撮像素子の支持構造体内に形成された、波長より小さい穴を概略的に示す図である。
【図３４】（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態１に係る固体撮像素子の穴の封止構造を概略的に示す図である。
【図３５】従来例の固体撮像素子の基本構造を示す断面の概略図である。
【符号の説明】
【００９３】
１      屈折率分布を有する光透過膜
２      受光素子（Ｓiフォトダイオード）
４      配線
１０      透明な薄膜
１１      支持構造体
１２      空隙
１３      反射防止機能
１４      赤外線カットフィルタ機能
２１      レジスト
２２      犠牲層
２３      第２の支持構造体
２４      穴
２５      カラーフィルタ
２６      積層カラーフィルタ
２７      円錐構造体
２８      マイクロレンズ
２９      光透過膜
３１      画素中心
３２      高屈折率材料  ［ＳiＯ2（ｎ＝１．６５）］
３３      低屈折率材料  ［空気（ｎ＝１．０）］
３４      ピッチ
３５      入射光
４１      強誘電体膜
４２      透明電極
４３      画素部
４４      支持脚
５１      抵抗が変わる膜
５３      画素部
５４      支持脚
６１      封止構造体
６２      封止剤
６３      切り込み部
６４      流出防止部
７１      集光素子
７２      集光素子材料
８１      開口
８２      空洞
８３      穴
１００      固体撮像素子
１０１      単位画素
【図１】
2008066702.tif 000003
【図２】
2008066702.tif 000004
【図３Ａ】
2008066702.tif 000005
【図３Ｂ】
2008066702.tif 000006
【図３Ｃ】
2008066702.tif 000007
【図３Ｄ】
2008066702.tif 000008
【図３Ｅ】
2008066702.tif 000009
【図３Ｆ】
2008066702.tif 000010
【図３Ｇ】
2008066702.tif 000011
【図３Ｈ】
2008066702.tif 000012
【図３Ｉ】
2008066702.tif 000013
【図３Ｊ】
2008066702.tif 000014
【図３Ｋ】
2008066702.tif 000015
【図３Ｌ】
2008066702.tif 000016
【図３Ｍ】
2008066702.tif 000017
【図４】
2008066702.tif 000018
【図５】
2008066702.tif 000019
【図６】
2008066702.tif 000020
【図７】
2008066702.tif 000021
【図８】
2008066702.tif 000022
【図９】
2008066702.tif 000023
【図１０】
2008066702.tif 000024
【図１１】
2008066702.tif 000025
【図１２】
2008066702.tif 000026
【図１３】
2008066702.tif 000027
【図１４】
2008066702.tif 000028
【図１５】
2008066702.tif 000029
【図１６】
2008066702.tif 000030
【図１７】
2008066702.tif 000031
【図１８】
2008066702.tif 000032
【図１９】
2008066702.tif 000033
【図２０】
2008066702.tif 000034
【図２１Ａ】
2008066702.tif 000035
【図２１Ｂ】
2008066702.tif 000036
【図２１Ｃ】
2008066702.tif 000037
【図２１Ｄ】
2008066702.tif 000038
【図２１Ｅ】
2008066702.tif 000039
【図２１Ｆ】
2008066702.tif 000040
【図２１Ｇ】
2008066702.tif 000041
【図２１Ｈ】
2008066702.tif 000042
【図２１Ｉ】
2008066702.tif 000043
【図２１Ｊ】
2008066702.tif 000044
【図２１Ｋ】
2008066702.tif 000045
【図２１Ｌ】
2008066702.tif 000046
【図２２】
2008066702.tif 000047
【図２３】
2008066702.tif 000048
【図２４Ａ】
2008066702.tif 000049
【図２４Ｂ】
2008066702.tif 000050
【図２４Ｃ】
2008066702.tif 000051
【図２４Ｄ】
2008066702.tif 000052
【図２４Ｅ】
2008066702.tif 000053
【図２４Ｆ】
2008066702.tif 000054
【図２５】
2008066702.tif 000055
【図２６】
2008066702.tif 000056
【図２７】
2008066702.tif 000057
【図２８Ａ】
2008066702.tif 000058
【図２８Ｂ】
2008066702.tif 000059
【図２８Ｃ】
2008066702.tif 000060
【図２８Ｄ】
2008066702.tif 000061
【図２８Ｅ】
2008066702.tif 000062
【図２８Ｆ】
2008066702.tif 000063
【図２９】
2008066702.tif 000064
【図３０】
2008066702.tif 000065
【図３１】
2008066702.tif 000066
【図３２Ａ】
2008066702.tif 000067
【図３２Ｂ】
2008066702.tif 000068
【図３２Ｃ】
2008066702.tif 000069
【図３２Ｄ】
2008066702.tif 000070
【図３２Ｅ】
2008066702.tif 000071
【図３２Ｆ】
2008066702.tif 000072
【図３２Ｇ】
2008066702.tif 000073
【図３２Ｈ】
2008066702.tif 000074
【図３２Ｉ】
2008066702.tif 000075
【図３２Ｊ】
2008066702.tif 000076
【図３２Ｋ】
2008066702.tif 000077
【図３２Ｌ】
2008066702.tif 000078
【図３２Ｍ】
2008066702.tif 000079
【図３３】
2008066702.tif 000080
【図３４】
2008066702.tif 000081
【図３５】
2008066702.tif 000082